"下記一般式G0で表されるカルバゾール誘導体。式中、Arは炭素数14乃至70の3環以上7環以下の縮合環を含むアリール基を表す。また、R0は下記一般式g1で表される基を表し、R8は水素、炭素数1乃至4のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。請求項1において、前記R8は前記一般式g2で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G0で表されるカルバゾール誘導体。下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体。式中、Ar1はフェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、R0は下記一般式g1で表される基を表し、R8は水素、炭素数1乃至4のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基または、炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。請求項3において、前記R8は前記一般式g2で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G1で表されるカルバゾール誘導体。下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体。式中、Ar1はフェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、R0は下記一般式g3で表される基を表し、R8は水素、炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至4のアルキル基及び下記一般式g4で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基または、炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し。R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体。式中、Ar1はフェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、R0は下記一般式g3で表される基であり、R8は水素又は下記一般式g4で表される基である。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基または、炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。請求項5または請求項6において、前記R8は前記一般式g4で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G1で表されるカルバゾール誘導体。下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体。式中、Ar1はフェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、R0は下記一般式g5で表される基を表し、R8は水素又は下記一般式g6で表される基を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基または、炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表す。請求項8において、前記R8は前記一般式g6で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G1で表されるカルバゾール誘導体。下記一般式G2で表されるカルバゾール誘導体。ただし、式中Xは酸素又は硫黄を表し、Ar1はフェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基または、炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。下記一般式G3で表されるカルバゾール誘導体。ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表し、Ar1はフェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基または、炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。下記一般式G4で表されるカルバゾール誘導体。ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表し、Ar1はフェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基または、炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記一般式G5で表されるカルバゾール誘導体。式中、R0は下記一般式g1で表される基を表し、R8は水素、炭素数1乃至4のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。請求項28において、前記R8は前記一般式g2で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G5で表されるカルバゾール誘導体。下記一般式G5で表されるカルバゾール誘導体。式中、R0は下記一般式g3で表される基を表し、R8は水素、炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至4のアルキル基及び下記一般式g4で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。下記一般式G5で表されるカルバゾール誘導体。式中R0は下記一般式g3で表される基であり、R8は水素又は下記一般式g4で表される基である。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。請求項30または請求項31において、前記R8は前記一般式g4で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G5で表されるカルバゾール誘導体。下記一般式G5で表されるカルバゾール誘導体。式中、R0は下記一般式g5で表される基を表し、R8は水素又は下記一般式g6で表される基を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表す。請求項33において、前記R8は前記一般式g6で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G5で表されるカルバゾール誘導体。下記一般式G6で表されるカルバゾール誘導体。ただし、式中Xは酸素又は硫黄を表す。下記一般式G7で表されるカルバゾール誘導体。ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表す。下記一般式G8で表されるカルバゾール誘導体。ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表す。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。下記構造式で表されるカルバゾール誘導体。そこで、本発明の一態様では、発光素子の輸送層やホスト材料、発光材料として用いることが可能な新規カルバゾール誘導体を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では、上記新規カルバゾール誘導体を用いた、発光素子用材料を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では、上記新規カルバゾール誘導体を用いた、有機半導体材料を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では上記新規カルバゾール誘導体を合成するための合成中間体を提供することを課題とする。なお、本発明の一態様では上記課題のいずれか一を解決すればよい。本発明者らは、炭素数が14乃至70であり3環以上7環以下の縮合環を含む芳香族炭化水素に、ジベンゾチオフェンもしくはジベンゾフランが4位でカルバゾールの2位又は3位に置換しているカルバゾリル基が結合しているカルバゾール誘導体を合成することができた。そして当該カルバゾール誘導体が適度なキャリア輸送性や良好な膜質を有し、発光素子の材料や有機半導体材料として好適に用いることが出来ることを見出した。すなわち、本発明の一態様は、炭素数が14乃至70であり、3環以上7環以下の縮合環を含む芳香族炭化水素に、ジベンゾチオフェン骨格もしくはジベンゾフラン骨格が、4位でカルバゾールの2位又は3位に置換しているカルバゾリル基が結合したカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、炭素数が14乃至70であり、3環以上7環以下の縮合環を含む芳香族炭化水素に、ジベンゾチオフェン骨格もしくはジベンゾフラン骨格が、4位でカルバゾールの2位又は3位のいずれか一方、及び、6位又は7位のいずれか一方に置換しているカルバゾリル基が結合したカルバゾール誘導体である。なお、当該カルバゾリル基におけるジベンゾチオフェン又はジベンゾフランは置換基を有していても良い。また、本発明の他の一態様は、下記一般式G0で表されるカルバゾール誘導体である。式中、Arは炭素数が14乃至70であり、3環以上7環以下の縮合環を含むアリール基を表す。また、R0は下記一般式g1で表される基を表し、R8は水素、炭素数1乃至4のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。また、本発明の他の一態様は、前記R8は前記一般式g2で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G0で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体である。式中、Ar1はフェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、当該置換基は炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。また、R0は下記一般式g1で表される基を表し、R8は水素、炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至4のアルキル基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。また、本発明の他の一態様は、前記R8は前記一般式g2で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G1で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体である。式中Ar1はフェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、当該置換基は炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。また、R0は下記一般式g3で表される基であり、R8は水素、炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至4のアルキル基及び下記一般式g4で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1、R3、R6は水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14は水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、R8が水素又は下記一般式g4で表される基であるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記R8は前記一般式g4で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G1で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体である。式中、Ar1はフェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、当該置換基は炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。また、R0は下記一般式g5で表される基であり、R8は水素又は下記一般式g6で表される基である。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表す。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記R8は前記一般式g6で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G1で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は下記一般式G2で表されるカルバゾール誘導体である。ただし、式中Xは酸素又は硫黄を表し、式中Ar1はフェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、当該置換基は炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。また、本発明の他の一態様は下記一般式G3で表されるカルバゾール誘導体である。ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表し、式中Ar1はフェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、当該置換基は炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。また、本発明の他の一態様は下記一般式G4で表されるカルバゾール誘導体である。ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表し、式中Ar1はフェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、当該置換基は炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。また、本発明の他の一態様は、下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の一態様は上記カルバゾール誘導体を合成するための合成中間体である。すなわち、本発明の一態様は下記一般式G5で表されるカルバゾール誘導体である。式中、R0は下記一般式g1で表される基を表し、R8は水素、炭素数1乃至4のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記R8は前記一般式g2で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G5で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記一般式G5で表されるカルバゾール誘導体である。式中、R0は下記一般式g3で表される基を表し、R8は水素、炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至4のアルキル基及び下記一般式g4で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記R8は前記一般式g4で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G5で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記一般式G5で表されるカルバゾール誘導体である。式中R0は下記一般式g3で表される基であり、R8は水素又は下記一般式g4で表される基である。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記R8は前記一般式g4で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G5で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記一般式G5で表されるカルバゾール誘導体である。式中、R0は下記一般式g5で表される基を表し、R8は水素又は下記一般式g6で表される基を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表す。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記R8は前記一般式g6で表される置換基であり、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8が前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合は前記R8が前記δの位置に結合する一般式G5で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記一般式G6で表されるカルバゾール誘導体である。ただし、式中Xは酸素又は硫黄を表す。また、本発明の他の一態様は、下記一般式G7で表されるカルバゾール誘導体である。ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表す。また、本発明の他の一態様は、下記一般式G8で表されるカルバゾール誘導体である。ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表す。また、本発明の他の一態様は、下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。上記構成を有するカルバゾール誘導体は広いエネルギーギャップを有する発光素子用材料であり、発光素子の輸送層やホスト材料、発光物質として用いることが可能である。また、当該カルバゾール誘導体を含む発光素子用材料を用いた発光素子は、発光効率の高い発光素子とすることができる。また、当該カルバゾール誘導体を含む発光素子用材料を用いた発光素子は、駆動電圧の小さい発光素子とすることができる。また、当該カルバゾール誘導体を含む発光素子用材料を用いた発光素子は、寿命の長い発光素子とすることができる。また、当該カルバゾール誘導体は有機半導体材料として用いることもできる。また、上記カルバゾール誘導体を合成するために用いられる合成中間体である。以下、本発明の実施の形態について説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態におけるカルバゾール誘導体は、炭素数が14乃至70の芳香族炭化水素に、ジベンゾチオフェンの4位又はジベンゾフランの4位の炭素がカルバゾールの2位又は3位の炭素に置換したカルバゾリル基が結合した物質である。なお、当該ジベンゾチオフェン又はジベンゾフラン、及びカルバゾールは置換基を有していてもいなくても良い。また、当該芳香族炭化水素は、3環以上7環以下の環が縮合した縮合環を含む構造で、芳香族炭化水素の炭素数はアルキル基等の置換基の炭素数も含む、全ての炭素数の合計を示すものとする。当該カルバゾリル基に結合するジベンゾチオフェン又はジベンゾフランが置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至4のアルキル基のいずれかが挙げられる。また、当該カルバゾリル基におけるカルバゾールが、他に置換基を有する場合、当該置換基の置換位置は6位又は7位であり、置換基としては炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至4のアルキル基、ジベンゾチオフェン-4-イル基及びジベンゾフラン-4-イル基が挙げられる。カルバゾールの他の置換基として、ジベンゾチオフェン-4-イル基又はジベンゾフラン-4-イル基を選択した場合、これらの基はさらに置換基を有していても良く、当該置換基としては、炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至4のアルキル基を選択することができる。また、当該他の置換基として、ジベンゾチオフェン-4-イル基又はジベンゾフラン-4-イル基を選択した際、カルバゾールの2位にジベンゾチオフェン又はジベンゾフランが結合している場合は、ジベンゾチオフェン-4-イル基又はジベンゾフラン-4-イル基は7位に置換し、カルバゾールの3位にジベンゾチオフェン又はジベンゾフランが結合している場合は、ジベンゾチオフェン-4-イル基又はジベンゾフラン-4-イル基は6位に置換することが、合成の容易さから好ましい構成である。なお、合成の容易さから、2位又は3位に結合するジベンゾチオフェン又はジベンゾフランと6位又は7位に結合する置換基は同種のものであることが好ましい構成である。本発明者らは、以上のようなカルバゾール誘導体が、適度なキャリアの輸送性を有し、発光素子用材料として好適に利用することができることを見出した。優れたキャリア移動性を有する当該発光素子用材料を用いることによって、駆動電圧の小さい発光素子を提供することができる。また、上述のようなカルバゾール誘導体はジベンゾチオフェンやジベンゾフランのような剛直な基を有するため、モルフォロジーに優れ、膜質が安定である。さらに、熱物性にも優れる。このことから、カルバゾール誘導体を含む発光材料を用いた発光素子は、寿命の長い発光素子とすることができる。なお、上述の3環以上7環以下の環が縮合した縮合環を含む芳香族炭化水素として、電子輸送性を有する物質を選択することによって、電子輸送性と正孔輸送性の両方を併せ持つ材料、いわゆるバイポーラ性の材料を得ることもできる。バイポーラ性の材料を発光素子の発光層に用いることによって、発光領域の偏りを防ぎ、濃度消光や三重項-三重項消滅T-Tアニヒレイションを抑制することができ、発光効率の高い発光素子を得ることができるようになる。このような観点から、当該3環以上7環以下の環が縮合した縮合環として、アントラセン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ペンタセン、フルオランテン、ペリレン、コロネン、トリフェニレンを選択することが好ましい。また、当該3環以上7環以下の環が縮合した縮合環として、トリフェニレン、フェナントレン等のT1準位の高い骨格を適用することで、燐光発光素子に好適に用いることができる。上記のような、カルバゾール誘導体は下記一般式G0又はG1で表すことができる。式G0中、Arは炭素数14乃至70のアリール基を表す。なお、当該芳香族炭化水素は、3環以上7環以下の環が縮合した縮合環を含む構造で、芳香族炭化水素の炭素数はアルキル基等の置換基の炭素数も含む、全ての炭素数の合計を示すものとする。式G1中、Ar1は、フェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、当該置換基は炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。Arがこれらのような基である上記一般式G0又はG1で表されるカルバゾール誘導体は、モルフォロジーに優れ、膜質が安定である。さらに、熱物性にも優れる。なお、一般式G0におけるAr、もしくは一般式G1におけるAr2がジフェニルアントラセンなどアントラセンを含むことによって、電子輸送性と正孔輸送性のバランスが良い、発光素子用材料として非常に有用な物質となることがわかった。また、一般式G0におけるAr、もしくは一般式G1におけるAr2をアントラセン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ペンタセン、フルオランテン、ペリレン、コロネン等の発色団を有する骨格とすることで、キャリアバランスの良い、高効率な発光素子用材料とすることができる。また、Arをトリフェニレン、フェナントレン等のT1準位の高い骨格とすることで、燐光発光素子に好適に用いることができる、発光素子用材料とすることができる。R0は下記一般式g1で表される基を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかである。式g1中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。以上のような構成を有するカルバゾール誘導体は、キャリアの輸送性に優れ、当該カルバゾール誘導体を用いた発光素子は駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、このようなカルバゾール誘導体は、ジベンゾチオフェンやジベンゾフランのような剛直な基を有するため、モルフォロジーに優れ、膜質が安定である。さらに、熱物性にも優れる。このことから、上記カルバゾール誘導体を用いた発光材料を用いることで、寿命の長い発光素子を提供することができる。なお、上記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体は、上記一般式G1でも示されているように、R8で表される置換基を有していても良い。R8は水素、炭素数1乃至4のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。但し、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式g2中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。R8が水素以外の置換基である場合、R8とR0は同じ基であることが合成の容易さから好ましい構成である。上記一般式g1で表される基がさらに置換基を有する場合、当該置換基の置換位置はR1、R3及びR6で表される位置である方が、原料を入手しやすく、また合成が容易であるため、材料合成のコスト削減の面から好ましい構成である。また、同様の観点から、R1乃至R7はすべて水素であることがさらに好ましい構成である。また、同様にR8としてg2で表される基を適用した場合、当該置換基の置換位置はR9、R11及びR14で表される位置であることが好ましい構成であり、R9乃至R15がすべて水素である構成がさらに好ましい構成である。上記一般式G0又はG1において、R1乃至R15として適用することが可能な、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基としては、下記構造式R-1乃至R-23で表される基を用いることができる。なおR8としては、下記構造式R-1乃至R-23で表される基の他、上記一般式g2で表される基も用いることができる。上記一般式G0において、Arとして適用することが可能な、炭素数が14乃至70のアリール基としては、下記構造式Ar-1乃至Ar-78で表される基を用いることができる。なお、一般式G0における-Ar基は、一般式G1における-Ar1n-Ar2基に相当する但し、Ar1はフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、nは0または1の値をとる。上記一般式G0又はG1として表されるカルバゾール誘導体の具体的な構造としては、下記構造式100乃至441及び500乃至841で表される物質などが挙げられる。以上のようなカルバゾール誘導体は、キャリアの輸送性に優れていることからキャリア輸送材料やホスト材料として好適である。これにより、駆動電圧の小さい発光素子を提供することもできる。また、本実施の形態におけるカルバゾール誘導体は、ジベンゾチオフェンやジベンゾフランのような剛直な基を有するため、モルフォロジーに優れ、膜質が安定である。さらに、熱物性にも優れる。このことから、このようなカルバゾール誘導体を用いた発光素子は、寿命の長い発光素子とすることができる。また、アントラセン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ペンタセン、フルオランテン、ペリレン、コロネン等の発色団を有する骨格とすることで、キャリアバランスの良い、高効率な発光材料とすることができる。また、Arをトリフェニレン、フェナントレン等のT1準位の高い骨格とすることで、燐光発光素子に好適に用いることができる、発光素子用材料とすることができる。実施の形態2続いて、本実施の形態では、下記一般式G0又は一般式G1で表されるカルバゾール誘導体の合成方法について説明する。式G0中Arは炭素数が14乃至70であり、3環以上7環以下の縮合環を含むアリール基を表す。また、式G1中、Ar1は、フェニレン基、ナフチレン基及びビフェニレン基のいずれか一を表し、Ar2は炭素数14乃至30の3環以上7環以下の縮合環基を表す。また、nは0又は1のいずれかの値をとる。なお、Ar1は置換基を有していてもいなくても良く、Ar1が置換基を有する場合、当該置換基は炭素数1乃至4のアルキル基である。また、Ar2は置換基を有していてもいなくても良く、Ar2が置換基を有する場合、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれかである。なお、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体は、一般式G0におけるAr基をAr1n-Ar2基として表したものである。また、R0はαもしくはβが付された炭素のいずれか一方に結合する、下記一般式g1で表される置換基である。R8はγもしくはδが付された炭素のいずれか一方に結合し、水素、炭素数1乃至4のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。式中、X1は硫黄または酸素を表し、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す式g2中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。ここで、上述したように、一般式G0におけるAr基は一般式G1におけるAr1n-Ar2基であり、式中R0は、上記一般式g1で表される置換基であるため、上記一般式G0及びG1は下記一般式G1’としても表すことができる。下記一般式G1’において、上記一般式g1に相当する置換基の置換位置は、上記一般式G0又はG1においてα又はβが付された炭素のいずれかである。以下、特に説明の無いものに関しては、Ar、R1乃至R16、X1、X2が表す置換基や元素、及びR8及び上記一般式g1に対応する置換基の置換位置は上記説明に順ずることとする。本実施の形態では上記一般式G0又はG1の代わりに上記一般式G1’を用いてその合成法を説明する。<合成方法1>合成方法1では上記一般式G1’において、R8が水素である物質下記一般式G1’-1の合成方法を説明する。まず、9H-カルバゾールの2位、または3位に、ハロゲン基、またはトリフラート基を有する化合物化合物1と、ジベンゾチオフェンのボロン酸化合物、またはジベンゾフランのボロン酸化合物化合物2とをカップリングさせることで、9H-カルバゾールの2位、または3位と、ジベンゾチオフェンの4位、またはジベンゾフランの4位が結合した構造を有する9H-カルバゾール誘導体化合物3を得ることができる反応式A-1。反応式A-1において、X1は酸素または硫黄を表し、X3はハロゲン基、トリフラート基等を表し、X4はボロン酸ボロン酸はエチレングリコール等により保護されていてもよいを表し、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。反応式A-1において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いた鈴木宮浦カップリング反応等が挙げられる。次に、得られた9H-カルバゾール誘導体化合物3と、ハロゲン化アリール化合物4とをカップリングすることにより、目的の化合物G1-1を得ることができる反応式A-2。反応式A-2において、X1は酸素または硫黄を表し、X5はハロゲン基等を表し、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれかを表し、Arは炭素数が14乃至70であり、3環以上7環以下の縮合環を含むアリール基を表す。反応式A-2において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いたブッフバルトハートウィッグ反応や、銅または銅化合物を用いたウルマン反応等が挙げられる。<合成方法2>合成方法2では上記一般式G1’において、R8が上記一般式g2で表される置換基である物質下記一般式G1’-2の合成方法を説明する。まず、9H-カルバゾールの2位と7位、または3位と6位、または2位と6位がハロゲン基を有するカルバゾール誘導体化合物5と、ジベンゾチオフェンのボロン酸化合物、またはジベンゾフランのボロン酸化合物化合物2とをカップリングさせることで、カルバゾール誘導体化合物6を得ることができる反応式B-1。反応式B-1において、X6及びX7はハロゲン基、トリフラート基等を表し、X4はボロン酸ボロン酸はエチレングリコール等により保護されていてもよいを表し、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれかを表す。X6とX7は同じであっても異なっていても良い。反応式B-1において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いた鈴木宮浦カップリング反応等が挙げられる。次に、9H-カルバゾールのモノハロゲン化物化合物6と、ジベンゾチオフェンのボロン酸化合物、またはジベンゾフランのボロン酸化合物化合物7とをカップリングさせることで、カルバゾール誘導体化合物8を得ることができる反応式B-2。反応式B-2において、X6はハロゲン基、トリフラート基等を表し、X8はボロン酸ボロン酸はエチレングリコール等により保護されていてもよいを表し、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び、炭素数6乃至15のアリール基のいずれかを表す。反応式B-1において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いた鈴木宮浦カップリング反応等が挙げられる。最後に、9H-カルバゾール誘導体化合物8と、ハロゲン化アリール化合物4とをカップリングすることにより、目的の化合物G1’-2を得ることができる反応式B-3。反応式B-3において、X1、X2は酸素または硫黄を表し、X5はハロゲン基等を表し、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれかを表す。また、Arは炭素数が14乃至70であり、3環以上7環以下の縮合環を含むアリール基を表す。反応式B-3において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いたブッフバルトハートウィッグ反応や、銅または銅化合物を用いたウルマン反応等が挙げられる。上記反応式B-1乃至B-3では、9H-カルバゾール化合物にジベンゾチオフェン誘導体、または、ジベンゾフラン誘導体を、1当量ずつカップリングする方法を説明した。しかし、化合物2と化合物7が同じ構造の時は、9H-カルバゾール化合物に対して、ジベンゾチオフェン誘導体、または、ジベンゾフラン誘導体を同時に2当量カップリングしても良い。<合成方法3>合成方法3では上記一般式G1’において、R8が炭素数6乃至15のアリール基又は炭素数1乃至4のアルキル基である物質下記一般式G1’-3の合成方法を説明する。まず、9H-カルバゾールの2位または3位にアルキル基またはアリール基を置換し、3位または6位にハロゲン基を置換した9H―カルバゾール化合物化合物9と、ジベンゾチオフェンのボロン酸化合物、またはジベンゾフランのボロン酸化合物化合物2とをカップリングすることで、9H―カルバゾール誘導体化合物10を得ることができる反応式C-1。反応式C-1において、X1は酸素または硫黄を表し、X9はハロゲン基、トリフラート基等を表し、X4はボロン酸ボロン酸はエチレングリコール等により保護されていてもよいを表し、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表し、R16は、炭素数1乃至4のアルキル基、または、炭素数6乃至15のアリール基を表す。反応式C-1において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いた鈴木宮浦カップリング等が挙げられる。次に、9H-カルバゾール誘導体化合物10と、ハロゲン化アリール化合物4とをカップリングすることにより、目的の化合物G1’-3を得ることができる反応式C-2。反応式C-2において、X1は酸素または硫黄を表し、X5はハロゲン基等を表し、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基、及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表し、R16は、炭素数1乃至4のアルキル基、または、炭素数6乃至15のアリール基のいずれかを表し、Arは炭素数が14乃至70であり、3環以上7環以下の縮合環を含むアリール基を表す。ここで、上記合成方法のうち、化合物3、化合物8及び化合物10が実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体の合成中間体である。すなわち、下記一般式G5で表されるカルバゾール誘導体が一般式G1で表されるカルバゾール誘導体の合成中間体である。式中、R0は下記一般式g1で表される基を表し、R8は水素、炭素数1乃至4のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至4のアルキル基のいずれか一を表す。ここで、一般式G0又はG1で表されるカルバゾール誘導体において、上記一般式g1で表される基がさらに置換基を有する場合、当該置換基の置換位置はR1、R3及びR6で表される位置である方が、原料が入手しやすく、また合成が容易であるため、材料のコスト削減の面から好ましい構成であるとされ、また、同様の観点から、R1乃至R7はすべて水素であることがさらに好ましい構成であるとされている。そのため、一般式G0又はG1で表されるカルバゾール誘導体の合成中間体である一般式G5で表されるカルバゾール誘導体においても、上記一般式g1で表される基がさらに置換基を有する場合、当該置換基の置換位置はR1、R3及びR6で表される位置であることが好ましく、R1乃至R7がすべて水素である構成がさらに好ましい。また、同様にR8としてg2で表される基を適用した場合、当該置換基の置換位置はR9、R11及びR14で表される位置であることが好ましい構成であり、R9乃至R15がすべて水素である構成がさらに好ましい構成である。なお、化合物3において、R1乃至R7がすべて水素である好ましい構成が、下記一般式G6で表されるカルバゾール誘導体である。また、化合物8において、R1乃至R7及びR9乃至R15がすべて水素である好ましい構成が下記一般式G7及び下記一般式G8で表されるカルバゾール誘導体である。上記一般式G5で表されるカルバゾール誘導体におけるR1乃至R15として適用することが可能な、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基の具体的な例としては、実施の形態1で一般式G0又はG1におけるR1乃至R15として適用可能な基として記載した構造式R-1乃至R-27で表される基を適用することができる。上記一般式G5で表されるカルバゾール誘導体の具体的な例を以下の構造式UT-1乃至UT-137及びUF-1乃至UF-137に示す。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を有機半導体素子の一種である縦型トランジスタSITの活性層として用いる形態を例示する。素子の構造としては、図2に示すように、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含む薄膜状の活性層1202をソース電極1201およびドレイン電極1203で挟み、ゲート電極1204が活性層1202に埋め込まれた構造を有する。ゲート電極1204は、ゲート電圧を印加するための手段に電気的に接続されており、ソース電極1201およびドレイン電極1203は、ソース-ドレイン間の電圧を制御するための手段に電気的に接続されている。このような素子構造において、ゲート電圧を印加しない状態においてソース-ドレイン間に電圧を印加すると、電流が流れるON状態となる。そして、その状態でゲート電圧を印加するとゲート電極1204周辺に空乏層が発生し、電流が流れなくなるOFF状態となる。以上の機構により、トランジスタとして動作する。縦型トランジスタにおいては、発光素子と同様、キャリア輸送性と良好な膜質を兼ね備えた材料が活性層に求められるが、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体はその条件を十分に満たしており、好適に用いることができる。実施の形態4本実施の形態では実施の形態1に示したカルバゾール誘導体を用いた発光素子の一態様について図1Aを用いて以下に説明する。本実施の形態における発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。本形態において、発光素子は、第1の電極102と、第2の電極104と、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられた有機化合物を含む層103とから構成されている。なお、本形態では第1の電極102は陽極として機能し、第2の電極104は陰極として機能するものとして、以下説明をする。つまり、第1の電極102の方が第2の電極104よりも電位が高くなるように、第1の電極102と第2の電極104に電圧を印加したときに、発光が得られる構成となっている。基板101は発光素子の支持体として用いられる。基板101としては、例えばガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子の支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。第1の電極102としては、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IZO:IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛IZOは、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZOは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、グラフェン、または金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。有機化合物を含む層103の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層または正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質を含む層等を適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。本実施の形態では、有機化合物を含む層103は、第1の電極102の上に順に積層した正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114を有する構成について説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。正孔注入層111は、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン略称:H2Pcや銅フタロシアニンCuPC等のフタロシアニン系の化合物、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD等の芳香族アミン化合物、或いはポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS等の高分子等によっても正孔注入層111を形成することができる。また、正孔注入層111として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、第1の電極102として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料も用いることができるようになる。アクセプター性物質としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料における正孔輸送性の高い物質として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’-ジp-トリル-N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン略称:DTDPPA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B等を挙げることができる。複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等を挙げることができる。また、複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、他に、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、2-tert-ブチル-9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14~42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等が挙げられる。また、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPD等の高分子化合物を用いることもできる。なお、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体も複合材料における有機化合物として用いることもできる。正孔輸送層が実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含む本実施の形態のような発光素子である場合は、正孔注入層から正孔輸送層へのホールの注入がスムーズとなるため、駆動電圧の低減を図ることができ、好ましい構成である。なお、同様の理由により、複合材料の有機化合物に実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を用いた場合、当該カルバゾール誘導体と、正孔輸送層に用いられるカルバゾール誘導体は同じ物質であることがさらに好ましい構成である。正孔輸送層112は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。本実施の形態では、正孔輸送層として実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を用いる。発光層113は、発光性の物質を含む層である。発光層113は、発光物質単独の膜で構成されていても、ホスト材料中に発光中心物質を分散された膜で構成されていても良い。発光層113において、上記発光物質、若しくは発光中心物質として用いることが可能な材料としては特に限定は無く、これら材料が発する光は蛍光であっても燐光であっても良い。上記発光物質又は発光中心物質としては例えば、以下のようなものが挙げられる。蛍光発光性の物質としては、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-9,10-ジフェニル-2-アントリルトリフェニルアミン略称:2YGAPPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、ペリレン、2,5,8,11-テトラ-tert-ブチルペリレン略称:TBP、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPA、N,N’’-2-tert-ブチルアントラセン-9,10-ジイルジ-4,1-フェニレンビス[N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン]略称:DPABPA、N,9-ジフェニル-N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPPA、N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPPA、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、クマリン30、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhAクマリン545T、N,N’-ジフェニルキナクリドン、略称:DPQd、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPT、2-2-{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-6-メチル-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:DCM1、2-{2-メチル-6-[2-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCM2、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFD、2-{2-イソプロピル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTI、2-{2-tert-ブチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTB、2-2,6-ビス{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:BisDCM、2-{2,6-ビス[2-8-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:BisDCJTMなどが挙げられる。りん光発光性の物質としては、ビス[2-3’,5’-ビストリフルオロメチルフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:IrCF3ppy2pic、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:FIracac、トリス2-フェニルピリジナトイリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phen、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbzq2acac、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irdpo2acac、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irp-PF-ph2acac、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、アセチルアセトナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2acac、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phenなどが挙げられる。また、上記ホスト材料として用いることが可能な材料としては、特に限定はないが、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCP、9-[4-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CO11などの複素環化合物、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBまたはα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、N,N-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:CzA1PA、4-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:DPhPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPBA、N,9-ジフェニル-N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセン、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、3,6-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DPCzPA、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,9’-ビアントリル略称:BANT、9,9’-スチルベン-3,3’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS、9,9’-スチルベン-4,4’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS2、3,3’,3’’-ベンゼン-1,3,5-トリイルトリピレン略称:TPB3などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、上記発光中心物質のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。また、発光中心物質がりん光を発する物質である場合、ホスト材料は該発光中心物質の三重項励起エネルギー基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差よりも大きい三重項励起エネルギーを有する物質を選択すれば良い。なお、発光層113は2層以上の複数層でもって構成することもできる。例えば、第1の発光層と第2の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層113とする場合、第1の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第2の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。以上のような構成を有する発光層は、複数の材料で構成されている場合、真空蒸着法での共蒸着や、混合溶液としてインクジェット法やスピンコート法やディップコート法などを用いて作製することができる。電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンズオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題例えば素子寿命の低下の抑制に大きな効果を発揮する。また、電子輸送層と第2の電極104との間に、第2の電極104に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウムMgを含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第2の電極104からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。第2の電極104を形成する物質としては、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金MgAg、AlLi、ユウロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第2の電極104と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を第2の電極104として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、有機化合物を含む層103の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。電極についても、ゾル-ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法を用いて形成しても良い。以上のような構成を有する発光素子は、第1の電極102と第2の電極104との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層113において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層113に発光領域が形成されるような構成となっている。発光は、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極で成る。第1の電極102のみが透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102を通って基板側から取り出される。また、第2の電極104のみが透光性を有する電極である場合、発光は第2の電極104を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極102および第2の電極104がいずれも透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102および第2の電極104を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。なお、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。しかし、発光領域と電極やキャリア注入層に用いられる金属とが近接することによって生じる消光が抑制されるように、第1の電極102および第2の電極104から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。また、層の積層順もこれに限定されず、基板側から第2の電極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、第1の電極といった、図1とは反対の順番に積層された積層構造であっても良い。また、直接発光層に接する正孔輸送層や電子輸送層、特に発光層113における発光領域に近い方に接するキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、そのエネルギーギャップが発光層を構成する発光物質もしくは、発光層に含まれる発光中心物質が有するエネルギーギャップより大きいエネルギーギャップを有する物質で構成することが好ましい。本実施の形態における発光素子は、正孔輸送層として、エネルギーギャップの大きい実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体が用いられていることから、発光物質もしくは発光中心物質がエネルギーギャップの大きい、青色の蛍光を呈する物質や、三重項励起エネルギー基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差の大きい緑色のりん光を呈する物質であっても、効率良く発光させることができ、発光効率の良好な発光素子を得ることができるようになる。このことで、より低消費電力の発光素子を提供することが可能となる。また、色純度の良い発光を得ることができる発光素子を提供することができるようになる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体は、キャリアの輸送性に優れることから、駆動電圧の小さい発光素子を提供することが可能となる。本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば薄膜トランジスタTFTを形成し、TFTと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、TFTの構造は、特に限定されない。スタガ型のTFTでもよいし逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFTに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、TFT基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型のTFTまたはP型のTFTのいずれか一方からのみなるものであってもよい。実施の形態5本実施の形態では、実施の形態4で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。実施の形態4で示した発光層113を、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体に発光性の発光中心物質を分散させた構成とすることで、発光中心物質からの発光を得る構成、即ち、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を発光層113のホスト材料として用いる構成を説明する。実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体は大きなエネルギーギャップ若しくは大きな三重項励起エネルギー基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差を有するため、他の発光物質を有効に励起、発光させることができることから、ホスト材料として好適に用いることができ、当該発光物質に起因した発光を得ることが可能である。そのため、エネルギーのロスが少ない、発光効率の高い発光素子とすることができる。また、発光中心物質由来の所望の色の発光を得ることが容易な発光素子とすることができる。このことから、色純度の高い発光を呈する発光素子を得ることも容易となる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体は、キャリアの輸送性にも優れることから、駆動電圧の小さい発光素子を提供することも可能となる。ここで、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体に分散させる発光中心物質としては、特に制限は無く種々の材料を用いることができる。具体的には、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-p-ジメチルアミノスチリル-4H-ピラン略称:DCM1、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-ジュロリジン-4-イル-ビニル-4H-ピラン略称:DCM2、N,N-ジメチルキナクリドン略称:DMQd、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPA、5,12-ジフェニルテトラセン略称:DPT、クマリン6、ペリレン、ルブレン、N,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnやその他公知の蛍光を発光する蛍光発光性物質を用いることができる。また、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、トリス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irpq3、ビス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpq2acac、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、トリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEPやその他公知の燐光を発光する燐光発光性物質を用いることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体が発光性を示す場合には、当該カルバゾール誘導体を発光中心物質として用いることができる。この場合、ホスト材料として用いるカルバゾール誘導体と発光中心物質として用いるカルバゾール誘導体は異なる物質であることが好ましい。以上に挙げた物質もしくは公知の物質の中から、ホスト材料に用いる実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体よりバンドギャップもしくは三重項励起エネルギーの小さな物質を発光中心物質として選択する。また、発光層には、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体と、そこに分散させる発光中心物質以外にも、さらに他の有機化合物を同時に分散させても良い。この場合、発光層のキャリアバランスを向上させる物質が好ましく、上記電子輸送性の高い物質などが挙げられる。なお、発光層113以外は、実施の形態4に示した構成を適宜適用することができる。なお、正孔輸送層112としては、実施の形態4の複合材料に用いることが可能な、正孔輸送性が高い物質として示した材料を用いることができる。また、それ以外に、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBやN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物等の正孔輸送性の高い物質を用いて形成することができる。もちろん、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、正孔輸送層112として、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA等の高分子化合物を用いることもできる。実施の形態6本実施の形態は、複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子以下、積層型素子ともいうの態様について、図1Bを参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。発光ユニットとしては、実施の形態4又は実施の形態5で示した有機化合物を含む層103と同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態4又は実施の形態5で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子ということができる。図1Bにおいて、第1の電極501と第2の電極502との間には、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512が積層されており、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512との間には電荷発生層513が設けられている。第1の電極501と第2の電極502はそれぞれ実施の形態4における第1の電極102と第2の電極104に相当し、実施の形態4で説明したものと同様なものを適用することができる。また、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であってもよい。電荷発生層513には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。この有機化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態4で示した複合材料であり、有機化合物とバナジウム酸化物やモリブデン酸化物やタングステン酸化物等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が10-6cm2/Vs以上であるものを適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合体は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、電荷発生層513は、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と他の材料により構成される層を組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。いずれにしても、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512に挟まれる電荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図1Bにおいて、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット511に電子を注入し、第2の発光ユニット512に正孔を注入するものであればよい。本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、3つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能である。また、電流密度を低く保てるため、長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。本実施の形態の発光素子は実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含むことから、発光効率の良好な発光素子とすることができる。また、駆動電圧の小さな発光素子とすることができる。また、寿命の長い発光素子とすることができる。又、当該カルバゾール誘導体が含まれる発光ユニットは発光中心物質由来の光を色純度良く得られるため、発光素子全体としての色の調製が容易となる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態7本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含む発光素子を用いた発光装置について説明する。本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含む発光素子を用いて作製された発光装置について図3を用いて説明する。なお、図3Aは、発光装置を示す上面図、図3Bは図3AをA-A’およびB-B’で切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部ソース側駆動回路601、画素部602、駆動回路部ゲート側駆動回路603を含んでいる。また、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。なお、引き回し配線608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板PWBが取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図3Bを用いて説明する。素子基板610上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601と、画素部602中の一つの画素が示されている。なお、ソース側駆動回路601はnチャネル型TFT623とpチャネル型TFT624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とそのドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。第1の電極613上には、有機化合物を含む層616、および第2の電極617がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第1の電極613に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。また、有機化合物を含む層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。有機化合物を含む層616は、実施の形態1で示したカルバゾール誘導体を含んでいる。また、有機化合物を含む層616を構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分子化合物オリゴマー、デンドリマーを含むであっても良い。さらに、有機化合物を含む層616上に形成され、陰極として機能する第2の電極617に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料Al、Mg、Li、Ca、またはこれらの合金や化合物、MgAg、MgIn、AlLi、LiF、CaF2等を用いることが好ましい。なお、有機化合物を含む層616で生じた光が第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜ITO、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛ZnO等との積層を用いるのが良い。なお、第1の電極613、有機化合物を含む層616、第2の電極617でもって、発光素子が形成されている。当該発光素子は実施の形態4乃至実施の形態6いずれかの構成を有する発光素子である。なお、画素部は複数の発光素子が形成されてなっているが、本実施の形態における発光装置では、実施の形態4乃至実施の形態6で説明した構成を有する発光素子と、それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれていても良い。さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されており、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材605で充填される場合もある。なお、シール材605にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のようにして、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含む発光素子を用いて作製された発光装置を得ることができる。本実施の形態における発光装置は、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含む発光素子を用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実施の形態1で示したカルバゾール誘導体はエネルギーギャップや三重項励起エネルギーが大きく、発光物質からのエネルギーの移動を抑制することが可能であることから、発光効率の良好な発光素子を提供することができ、もって、消費電力の低減された発光装置とすることができる。また、駆動電圧の小さい発光素子を得ることができることから、駆動電圧の小さい発光装置を得ることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を用いた発光素子は寿命の長い発光素子であることから、信頼性の高い発光装置を提供することができる。以上のように、本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、この他、パッシブマトリクス型の発光装置であってもよい。図4には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置の図を示す。なお、図4Aは、発光装置を示す斜視図、図4Bは図4AをX-Yで切断した断面図である。図4において、基板951上には、電極952と電極956との間には有機化合物を含む層955が設けられている。電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺の方が上辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、低駆動電圧で動作する実施の形態4乃至実施の形態6のいずれかに記載の、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含む発光素子を有することによって、低消費電力で駆動させることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含むために発光効率の高い実施の形態4乃至実施の形態6のいずれかに記載の発光素子を含むことによって、低消費電力で駆動させることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含む実施の形態4乃至実施の形態6のいずれかに記載の発光素子を有することによって信頼性の高い発光装置とすることが可能となる。実施の形態8本実施の形態では、実施の形態7に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器について説明する。本実施の形態における電子機器は、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含む発光素子を含み、その結果、消費電力が低減された表示部を有する電子機器とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい電子機器とすることが可能である。また、信頼性の高い電子機器とすることが可能である。実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含む電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図5に示す。図5Aはテレビ装置であり、筐体9101、支持台9102、表示部9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置において、表示部9103は、実施の形態4乃至実施の形態6いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部9103を有するテレビ装置は消費電力の低減されたテレビ装置とすることができる。また、駆動電圧の小さいテレビ装置とすることが可能である。また、信頼性の高いテレビ装置とすることが可能である。図5Bは本発明に係るコンピュータであり、本体9201、筐体9202、表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含む。このコンピュータにおいて、表示部9203は、実施の形態4乃至実施の形態6いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部9203有するこのコンピュータは消費電力の低減されたコンピュータとすることができる。また、駆動電圧の小さいコンピュータとすることが可能である。また、信頼性の高いコンピュータとすることが可能である。図5Cは本発明に係る携帯電話であり、本体9401、筐体9402、表示部9403、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート9407、アンテナ9408等を含む。この携帯電話において、表示部9403は、実施の形態4乃至実施の形態6いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部9403を有するこの携帯電話は消費電力の低減された携帯電話とすることができる。また、駆動電圧の小さい携帯電話とすることが可能である。また、信頼性の高い携帯電話とすることが可能である。図5Dは本発明に係るカメラであり、本体9501、表示部9502、筐体9503、外部接続ポート9504、リモコン受信部9505、受像部9506、バッテリー9507、音声入力部9508、操作キー9509、接眼部9510等を含む。このカメラにおいて、表示部9502は、実施の形態4乃至実施の形態6いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部9502を有するこのカメラは消費電力の低減されたカメラとすることができる。また、駆動電圧の小さい高いカメラとすることが可能である。また、信頼性の高いカメラとすることができる。以上の様に、実施の形態7に記載の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を用いることにより、消費電力の低減された電子機器を得ることができる。また、色再現性に優れた高品質な表示を提供することが可能な表示部を有する電子機器を得ることができる。また、実施の形態7に記載の発光装置は、照明装置として用いることもできる。実施の形態7に記載の発光装置を照明装置として用いる一態様を、図6を用いて説明する。図6は、実施の形態7に記載の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図6に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト903は、実施の形態7に記載の発光装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。実施の形態7に記載の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、消費電力の低減されたバックライトが得られる。また、実施の形態7に記載の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、実施の形態7に記載の発光装置は薄型であるため、表示装置の薄型化も可能となる。図7は、実施の形態7に記載の発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図7に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2002として、実施の形態7に記載の発光装置が用いられている。図8は、実施の形態7に記載の発光装置を、室内の照明装置3001として用いた例である。実施の形態7に記載の発光装置は消費電力の低減された発光装置であるため、消費電力の低減された照明装置とすることができる。また、実施の形態7に記載の発光装置は大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、実施の形態7に記載の発光装置は、薄型であるため、薄型化した照明装置として用いることが可能となる。≪合成例1≫本実施例では実施の形態1に構造式358として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBTCzPA-IIの合成方法について説明する。DBTCzPA-IIの構造を下記構造式に示す。まず、DBTCzPA-IIの合成中間体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCz-IIの合成方法を説明する。DBTCz-IIは下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。DBTCz-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCz-IIの合成>3.0g12mmolの3-ブロモカルバゾールと、2.8g12mmolのジベンゾチオフェン-4-ボロン酸と、150mg0.5molのトリオルトートリルホスフィンを、200mL三つ口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ40mLのトルエンと、40mLのエタノールと、15mL2.0mol/Lの炭酸カリウム水溶液を加えた。フラスコ内を減圧下で攪拌することにより、混合物を脱気した。脱気後窒素置換し、この混合物へ、23mg0.10mmolの酢酸パラジウムIIを加えてから、110°Cで3時間還流した。還流後、混合物を室温までさましてから、析出した固体を吸引濾過により回収した。回収した固体を100mLのトルエンに溶かし、この溶液をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して濾過した。得られた濾液を濃縮して得た固体を、トルエン/ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の白色固体を1.4g、収率32で得た。ステップ1の合成スキームをa-1に示す。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCz-IIであることを確認した。得られた化合物の1HNMRデータを以下に示す。また、1HNMRチャートを図9に示す。1HNMRDMSO,300MHz:δ=7.18-7.23m,1H,7.41-7.46m,1H,7.51-7.53m,3H,7.64-7.70m,3H,7.78dd,J1=1.8Hz,J2=8.1Hz,1H,8.00-8.05m,1H,8.21d,J1=7.8Hz,1H,8.35-8.46m,2H,8.50d,J1=1.8Hz,1H,11.46s,1H<ステップ2:DBTCzPA-IIの合成>100mL三口フラスコに、1.8g4.4mmolの9-4-ブロモフェニル-10-フェニルアントラセンと、1.5g4.4mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.85g8.8mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ25mLのトルエンと、2.2mLのトリ-tert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ0.12g0.22mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで18時間攪拌したところ、固体が析出した。攪拌後、この混合物を室温まで冷却し、析出した固体を吸引ろ過により回収した。回収した固体を約60mLのトルエンに溶解し、この溶液をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、トルエンにより再結晶したところ、白色粉末を1.1g、収率36で得た。ステップ2の合成スキームをb-1に示す。得られた白色粉末1.1gを昇華精製した。昇華精製は、トレインサブリメーション法を用い、圧力は3.0Pa、アルゴンガスを流量4.0mL/minで流しながら、白色粉末を300°Cで加熱することにより行った。昇華精製後、淡黄色固体を1.0g、回収率90で得た。上記昇華精製後の淡黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.36-7.68m,15H,7.72-7.93m,12H,8.19-8.286m,3H,8.57sd,J1=1.5Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図10に示す。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体であるDBTCzPA-IIが得られたことがわかった。次に、DBTCzPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図11A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図11Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBTCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBTCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液の発光スペクトルは、DBTCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBTCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、DBTCzPA-IIのトルエン溶液における最大発光波長は436nm付近励起波長376nm、薄膜における最大発光波長は447nm付近励起波長400nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBTCzPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBTCzPA-IIのHOMO準位は-5.73eVであった。図11の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBTCzPA-IIの吸収端は2.92eVであった。従って、DBTCzPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.92eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBTCzPA-IIのLUMO準位が-2.81eVと見積もることができる。このように、DBTCzPA-IIは固体状態において2.92eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBTCzPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.05Vから1.10Vまで変化させた後、1.1Vから-0.05Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBTCzPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBTCzPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVであることがわかっている。DBTCzPA-IIの酸化ピーク電位Epaは1.01Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.86Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.94Vと算出できる。このことは、DBTCzPA-IIは0.94[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBTCzPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.94=-5.88[eV]であることがわかった。なお、参照電極Ag/Ag電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、Ag/Ag電極のフェルミ準位に相当し、その算出は、真空準位からのポテンシャルエネルギーが既知の物質を当該参照電極Ag/Ag電極を用いて測定した値から行えば良い。本実施例で用いる参照電極Ag/Ag電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーeVの算出方法を具体的に説明する。メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位は、標準水素電極に対して0.610[Vvs.SHE]であることが知られている参考文献;ChristianR.Goldsmithetal.,J.Am.Chem.Soc.,Vol.124,No.1,83-96,2002。一方、本実施例で用いる参照電極を用いて、メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位を求めたところ、0.11[Vvs.Ag/Ag]であった。したがって、この参照電極のポテンシャルエネルギーは、標準水素電極に対して0.50[eV]低くなっていることがわかった。ここで、標準水素電極の真空準位からのポテンシャルエネルギーは-4.44eVであることが知られている参考文献;大西敏博小山珠美著、高分子EL材料共立出版、p.64-67。以上のことから、用いた参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.44-0.50=-4.94[eV]であると算出できる。≪合成例2≫本実施例では実施の形態1に構造式758として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBFCzPA-IIの合成方法について説明する。DBFCzPA-IIの構造を下記構造式に示す。まず、DBFCzPA-IIの合成中間体である3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBFCz-IIの合成方法について説明する。3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールは下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。<ステップ1:3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBFCz-IIの合成>2.0g8.1mmolの3-ブロモカルバゾールと、1.7g8.1mmolのジベンゾフラン-4-ボロン酸と、150mg0.5molのトリオルトートリルホスフィンを、200mL三つ口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ20mLのトルエンと20mLのエタノールと、15mL0.2molの炭酸カリウム水溶液2.0mol/Lを加えた。フラスコ内を減圧下で攪拌することにより、混合物を脱気した。この混合物へ、23mg0.10mmolの酢酸パラジウムIIを加えてから、80°Cで還流した。還流後、混合物を室温までさましてから、得られた固体を吸引濾過により回収した。回収した固体を100mLのトルエンに溶かし、この溶液をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して濾過した。得られた濾液を濃縮して得た固体を、トルエン/ヘキサンにより再結晶したところ白色固体を2.3g、収率85で得た。ステップ1の合成スキームをa-2に示す。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBFCz-IIであることを確認した。得られた化合物の1HNMRデータを以下に示す。また、1HNMRチャートを図12に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.26-7.29m、1H、7.33-7.48m、5H、7.58d、J=8.4Hz、1H、7.62d、J=8.4Hz、1H、7.70dd、J1=1.2Hz、J1=7.8Hz、1H、7.93dd、J1=1.5Hz、J1=7.5Hz、1H、7.97-8.02m、2H、8.16d、J=7.5Hz、2H、8.58d、J=1.5Hz、1H<ステップ2:DBFCzPA-IIの合成>50mL三口フラスコに、0.61g1.5mmolの9-4-ブロモフェニル-10-フェニルアントラセンと、0.50g1.5mmolの3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.29g3.0mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ8.0mLのトルエンと、0.76mLのトリ-tert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ43mg0.075mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで10時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン:トルエン=5:1で精製した。得られた固体をトルエン/ヘキサンにより再結晶したところ、白色粉末を0.63g、収率63で得た。ステップ2の合成スキームをb-2に示す。得られた白色粉末0.63gを昇華精製した。昇華精製は、トレインサブリメーション法を用い、圧力は3.0Pa、アルゴンガスを流量4.0mL/minで流しながら、白色粉末を300°Cで加熱することにより行った。昇華精製後、淡黄色固体を0.55g、回収率87で得た。上記昇華精製後の淡黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.30-7.66m,15H,7.71-7.79m,6H,7.83-7.91m,5H,7.97dd,J1=1.2Hz,J2=7.2Hz,1H,8.04dd,J1=0.90Hz,J2=7.8Hz,1H,8.10dd,J1=1.8Hz,J2=8.4Hz,1H,8.31d,J1=7.5Hz,1H,8.72sd,J1=0.90Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図13に示す。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体であるDBFCzPA-IIが得られたことがわかった。次に、DBFCzPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図14Aに、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図14Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBFCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBFCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液の発光スペクトルは、DBFCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBFCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、DBFCzPA-IIのトルエン溶液における最大発光波長は435nm付近励起波長376nm、薄膜における最大発光波長は449nm付近励起波長380nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBFCzPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBFCzPA-IIのHOMO準位は-5.64eVであった。図14Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBFCzPA-IIの吸収端は2.93eVであった。従って、DBFCzPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.93eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBTCzPA-IIのLUMO準位は-2.71eVと見積もることができる。このように、DBTCzPA-IIは固体状態において2.93eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBFCzPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/secに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.35Vから0.95Vまで変化させた後、0.95Vから0.35Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBFCzPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBFCzPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例1で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。DBFCzPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.91Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.78Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.85Vと算出できる。このことは、DBFCzPA-IIは0.85[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBFCzPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.85=-5.79[eV]であることがわかった。≪合成例3≫本実施例では実施の形態1に構造式287として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-トリフェニレン-2-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCzTp-IIの合成方法について説明する。DBTCzTp-IIの構造を下記構造式5に示す。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールの合成>合成例1におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:DBTCzTp-IIの合成>1.0g2.9mmolの2-ブロモトリフェニレンと、0.88g2.9mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールを100mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、15mLのトルエンと、0.10mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液と、0.45g4.3mmolのナトリウムtert-ブトキシドを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した。脱気後窒素置換し、この混合物を80°Cに加熱してから、14mg0.025mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を、80°Cで4時間攪拌した。撹拌後、この混合物へ15mg0.025mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を追加してから、更に110°Cで8時間撹拌した。撹拌後、混合物へ約30mLのトルエンを加えてから80°Cで撹拌し、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して熱濾過した。得られた濾液を濃縮し、白色固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒、ヘキサン:酢酸エチル=9:1により精製し、さらにトルエン/ヘキサンを用いて再結晶したところ、白色固体を0.50g、収率27で得た。ステップ2の合成スキームをb-3に示す。得られた白色固体0.50gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力2.1Pa、アルゴンガス流量5.0mL/min、加熱温度310°Cとした。昇華精製後、無色透明固体を0.40g、回収率78で得た。昇華精製後の無色透明固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。また、1HNMRチャートを図15に示す。1HNMRCDCl3、300MHz:δ=7.37-7.41m、2H、7.45-7.52m、3H、7.58-7.77m、8H、7.93dd、J1=2.1Hz、J1=8.7Hz、1H、7.96dd、J1=1.5Hz、J1=7.8Hz、1H、8.03dd、J1=1.5Hz、J1=8.2Hz、2H、8.31d、J=7.5Hz、1H、8.61dd、J1=1.5Hz、J2=8.0Hz、1H、8.72-8.77m、4H、8.91-8.94m、2H測定結果から、上述の構造式5で表されるカルバゾール誘導体であるDBTCzTp-IIが得られたことがわかった。次に、DBTCzTp-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図16Aに、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図16Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBTCzTp-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBTCzTp-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液の発光スペクトルは、DBTCzTp-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBTCzTp-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、DBTCzTp-IIのトルエン溶液における最大発光波長は363nm付近、及び379nm付近励起波長340nm、薄膜における最大発光波長は390nm付近励起波長336nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBTCzTp-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBTCzTp-IIのHOMO準位は-5.84eVであった。図16の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBTCzTp-IIの吸収端は3.34eVであった。従って、DBTCzTp-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは3.34eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBTCzTp-IIのLUMO準位を-2.50eVと見積もることができる。このように、DBTCzTp-IIは固体状態において3.34eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBTCzTp-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.05Vから1.10Vまで変化させた後、1.10Vから-0.05Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBTCzTp-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBTCzTp-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例1で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。DBTCzTp-IIの酸化ピーク電位Epaは1.01Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.86Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.94Vと算出できる。このことは、DBTCzTp-IIは0.94[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBTCzTp-IIのHOMO準位は、-4.94-0.94=-5.88[eV]であることがわかった。≪合成例4≫本実施例では実施の形態1に構造式687として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾフラン-4-イル-9-トリフェニレン-2-イルカルバゾール略称:DBFCzTp-IIの合成方法について説明する。DBFCzTp-IIの構造を下記構造式6に示す。<ステップ1:3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールの合成>実施例2におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:DBFCzTp-IIの合成>0.62g2.0mmolの2-ブロモトリフェニレンと、0.67g2.0mmolの3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールを50mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、15mLのトルエンと、0.10mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液と、0.48g4.3mmolのナトリウムtert-ブトキシドを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した。この混合物を80°Cで加熱してから、14mg0.025mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を、110°Cで15.5時間攪拌した。撹拌後、混合物を約30mLの水で2回洗浄し、有機層と洗浄した水層を分離した。得られた水層を約30mLのトルエンで2回抽出した。有機層と抽出溶液を合わせて、約100mLの飽和食塩水で1回洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、この混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して濾過した。得られた濾液を濃縮し、褐色固体を得た。得られた褐色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はヘキサン:トルエン=2:1により精製し、さらにヘキサン/トルエンにより再結晶したところ、白色固体を0.73g、収率65で得た。ステップ2の合成スキームをb-4に示す。得られた白色固体0.73gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力2.2Pa、アルゴンガス流量5.0mL/min、加熱温度310°Cとした。昇華精製後、無色透明固体を0.59g、回収率81で得た。昇華精製後の無色透明固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。また、1HNMRチャートを図17に示す。なお、図17Bは図17Aにおける7.25ppm-9ppmの範囲を拡大して示したグラフである。1HNMRCDCl3、300MHz:δ=7.37-7.41m、2H、7.45-7.52m、3H、7.58-7.77m、8H、7.93dd、J1=2.1Hz、J1=8.7Hz、1H、7.96dd、J1=1.5Hz、J1=7.8Hz、1H、8.03dd、J1=1.5Hz、J1=8.2Hz、2H、8.31d、J=7.5Hz、1H、8.61dd、J1=1.5Hz、J2=8.0Hz1H、8.72-8.77m、4H、8.91-8.94m、2H測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体であるDBFCzTp-IIが得られたことがわかった。次に、DBFCzTp-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図18Aに、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図18Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBFCzTp-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示したトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBFCzTp-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液の発光スペクトルは、DBFCzTp-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBFCzTp-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、DBFCzTp-IIのトルエン溶液における極大発光波長は380nm付近、及び395nm付近励起波長340nm、薄膜における最大発光波長は413nm付近励起波長334nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBFCzTp-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBFCzTp-IIのHOMO準位は-5.79eVであった。図18Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBFCzTp-IIの吸収端は3.33eVであった。従って、DBFCzTp-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは3.33eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBFCzTp-IIのLUMO準位を-2.46eVと見積もることができる。このように、DBFCzTp-IIは固体状態において3.33eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBFCzTp-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.00Vから1.10Vまで変化させた後、1.10Vから0.00Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBFCzTp-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBFCzTp-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例1で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。DBFCzTp-IIの酸化ピーク電位Epaは1.00Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.83Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.92Vと算出できる。このことは、DBFCzTp-IIは0.92[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBFCzTp-IIのHOMO準位は、-4.94-0.92=-5.86[eV]であることがわかった。≪合成例5≫本実施例では実施の形態1に構造式728として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾフラン-4-イル-N-9,10-ジフェニルアントラセン-2-イル-9H-カルバゾール略称:2DBFCzPA-IIの合成方法について説明する。2DBFCzPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールの合成>実施例2におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:2DBFCzPA-IIの合成>100mL三口フラスコに、1.00g3.00mmolの2-ブロモ-9,10-ジフェニルアントラセンと、1.23g3.00mmolの3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.86g9.00mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリ-tert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ86mg0.15mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで10時間攪拌した。還流後、混合物を室温までさましてから、得られた固体を吸引濾過により回収した。回収した固体を100mLのトルエンに溶かし、この溶液をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して濾過した。得られた濾液を濃縮して橙色固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラムクロマトグラフィーは展開溶媒にトルエン:ヘキサン=1:5の溶液を用い行った。得られたフラクションを濃縮して淡黄色固体を得た。得られた固体をトルエン/ヘキサンにより再結晶したところ、淡黄色固体を1.27g、収率64で得た。ステップ2の合成スキームをb-5に示す。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が、3-ジベンゾフラン-4-イル-N-9,10-ジフェニルアントラセン-2-イル-9H-カルバゾール略称:2DBFCzPA-IIであることを確認した。得られた化合物の1HNMRデータを以下に示す。また、1HNMRチャートを図19に示す。1HNMRCDCl3、300MHz:δ=7.26-7.49m、9H、7.54-7.72m、13H、7.75-7.79m、2H、7.92-7.97m、4H、8.01d、J=8.1Hz、1H、8.21d、J=7.5Hz、1H、8.63d、J=0.9Hz、1H≪合成例6≫本実施例では実施の形態1で構造式201として示したカルバゾール誘導体である、3,6-ビスジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBT2CzPA-IIの合成方法について説明する。3,6-ビスジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾールの構造を下記構造式に示す。まず、DBT2CzPA-Iの合成中間体である、3,6-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBT2Cz-IIの合成方法について示す。DBT2Cz-IIを下記構造式に示す。<ステップ1:3,6-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールの合成>3.3g10mmolの3,6-ジブロモカルバゾールと、4.6g20mmolのジベンゾチオフェン-4-ボロン酸と、156mg0.5molのトリオルトートリルホスフィンを、200mL三つ口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ25mLのトルエンと、25mLのエタノールと、15mL2.0mol/Lの炭酸カリウム水溶液を加えた。フラスコ内を減圧下で攪拌することにより、混合物を脱気した。脱気後窒素置換し、この混合物へ、22mg0.10mmolの酢酸パラジウムIIを加えてから、80°Cで2時間還流した。還流後、白色固体が析出したので、この混合物へ約450mLのトルエンを加えて加熱撹拌し、白色固体を溶かした。得られた懸濁液を、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して濾過した。得られた濾液を濃縮して得た固体を、約200mLのトルエンにより再結晶したところ目的物の白色固体を2.0g、収率38で得た。ステップ1の合成スキームをa-1に示す。核磁気共鳴測定NMRによって、この化合物が、3,6-ジジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBT2Cz-IIであることを確認した。得られた化合物の1HNMRデータを以下に示す。また、1HNMRチャートを図20に示す。1HNMRCDCl3、300MHz:δ=7.44-7.50m、4H、7.57-7.64m、6H、7.82-7.88m、4H、8.15-8.22m、4H、8.90d、J=0.9Hz、1H、8.50d、J=1.2Hz、2H<ステップ2:3,6-ビスジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBT2CzPA-IIの合成>100mL三口フラスコに、0.95g2.32mmolの9-4-ブロモフェニル-10-フェニルアントラセンと、1.23g2.32mmolの3,6-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.67g6.96mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.1mLのトリ-tert-ブチル-ホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ24mg0.11mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで10時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物にトルエン100mLを加え、この懸濁液をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して吸引ろ過した。得られた濾液を濃縮して得た油状物を、トルエンで再結晶した所、目的物の淡黄色固体を0.75g、収率38で得た。ステップ2の合成スキームをb-6に示す。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が、3,6-ビスジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBT2CzPA-IIであることを確認した。得られた化合物の1HNMRデータを以下に示す。また、1HNMRチャートを図21に示す。1HNMRCDCl3、300MHz:δ=7.38-7.69m、17H、7.76-7.91m、10H、7.95-7.99m、4H、8.18-8.24m、4H、8.63d、J=0.9Hz、1H≪合成例7≫本合成例では実施の形態2に示した、実施の形態1に示すカルバゾール誘導体の合成中間体として用いることが可能な一般式G5で表されるカルバゾール誘導体である3,6-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBF2Cz-IIの合成方法について説明する。DBF2Cz-IIの構造を下記構造式に示す。3.00g9.23mmolの3,6-ジブロモカルバゾールと、3.91g18.5mmolのジベンゾチオフェン-4-ボロン酸と、140mg0.46molのトリオルトートリルホスフィンを、200mL三つ口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ35mLのトルエンと、10mLのエタノールと、20mL2.0mol/Lの炭酸カリウム水溶液を加えた。フラスコ内を減圧下で攪拌することにより、混合物を脱気した。脱気後窒素置換し、この混合物へ、21mg92.3μmolの酢酸パラジウムIIを加えてから、80°Cで3時間還流した。還流後、混合物へ約200mLのトルエンを加えてから、約110°Cで撹拌した。この懸濁液を、熱いままセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して濾過した。得られた濾液を濃縮して得た固体を、トルエンにより再結晶したところ白色固体を1.40g、収率30で得た。合成スキームをc-1に示す。核磁気共鳴法NMRによって、この白色固体が、3、6-ビスジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールDBF2Cz-IIであることを確認した。得られた化合物の1HNMRデータを以下に示す。また、1HNMRチャートを図22に示す。1HNMRCDCl3、300MHz:δ=7.37dt、J1=0.9Hz、J2=7.2Hz、2H、7.44-7.50m、4H、7.64d、J=8.1Hz、4H、7.74dd、J1=0.9Hz、J2=7.7Hz、2H、7.95dd、J1=0.9Hz、J2=7.5Hz、2H、8.03dt、J=1.8Hz、J2=8.4Hz、4H、8.26br、1H、8.69d、J=2.1Hz、1H本実施例では実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBTCzPA-II及び3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBFCzPA-IIを、青色の蛍光を発する発光中心物質を用いた発光層におけるホスト材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式iv~viに示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子1、発光素子2の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式vで表される9-[4-9-フェニルカルバゾール-3-イル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:PCzPAと酸化モリブデンVIとを、PCzPA:酸化モリブデンVI=2:1質量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、PCzPAを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、発光素子1では、上記構造式で表される実施形態1で説明したカルバゾール誘導体であるDBTCzPA-IIと上記構造式viで表されるN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnをDBTCzPA-II:1,6FLPAPrn=1:0.05質量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。発光素子2では、正孔輸送層112上に上記構造式で表される実施形態1で説明したカルバゾール誘導体であるDBFCzPA-IIと1,6FLPAPrnをDBFCzPA-II:1,6FLPAPrn=1:0.05質量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式viiで表されるトリス8-キノリノラトアルミニウムIIIを10nm、さらに上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子1及び発光素子2を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子1及び発光素子2の動作特性≫以上により得られた発光素子1及び発光素子2を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。各発光素子の輝度-電流密度特性を図23、輝度-電圧特性を図24、電流効率-輝度特性を図25に示す。図23では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図24では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図25では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図25から、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-発光効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有することから、青色の蛍光を発するエネルギーギャップの大きい発光物質であっても、有効に励起することができるためである。また、図23から、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図26に示す。図26では縦軸が発光波長nm、横軸が発光強度を示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図26より発光素子1、発光素子2のいずれも、発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図27に各発光素子の規格化輝度-時間特性を示す。図27から、発光素子1及び発光素子2共に、良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。本実施例ではカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-トリフェニレン-2-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCzTp-II及び3-ジベンゾフラン-4-イル-9-トリフェニレン-2-イルカルバゾール略称:DBFCzTp-IIを、緑色のりん光を発する発光中心物質を用いた発光層におけるホスト材料として用いた実施の形態1に記載の発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式i、iii、ivに示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子3、発光素子4の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式iで表される4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPと酸化モリブデンVIとを、BPAFLP:酸化モリブデンVI=2:1質量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、BPAFLPを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、発光素子3では、上記構造式で表される実施形態1で説明したカルバゾール誘導体であるDBTCzTp-IIと上記構造式iiiで表されるトリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3をDBTCzTp-II:Irppy3=1:0.06質量比となるように40nm、続いてDBTCzTp-IIを15nm蒸着することによって発光層113を形成した。発光素子4では、正孔輸送層112上に上記構造式で表される実施形態1で説明したカルバゾール誘導体であるDBFCzTp-IIとIrppy3をDBFCzTp-II:Irppy3=1:0.06質量比となるように40nm、続いてDBFCzTp-IIを15nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子3及び発光素子4を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子3及び発光素子4の動作特性≫以上により得られた発光素子3及び発光素子4を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。各発光素子の輝度-電流密度特性を図28、輝度-電圧特性を図29、電流効率-輝度特性を図30に示す。図28では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図29では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図30では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図30から、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を、緑色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-発光効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有し、結果、広い三重項励起エネルギーを有することから、緑色のりん光を発する発光物質であっても、有効に励起することができるためである。また、図28から、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を緑色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子3及び発光素子4に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図31に示す。図31では縦軸が発光波長nm、横軸が発光強度を示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図31より発光素子3、発光素子4のいずれも、発光中心物質であるIrppy3起因の緑色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図32に規格化輝度-時間特性を示す。図32から、発光素子3及び発光素子4共に、良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。≪合成例8≫本合成例では実施の形態1に構造式328として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-9,10-ジフェニル-2-アントリル-9H-カルバゾール略称:2DBTCzPA-IIの合成方法について説明する。2DBTCzPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCz-IIの合成>実施例1におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-9,10-ジフェニル-2-アントリル-9H-カルバゾール略称:2DBTCzPA-IIの合成>100mL三口フラスコに、1.4g3.0mmolの2-ヨード-9,10-ジフェニルアントラセンと、1.1g3.0mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.86g9.0mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ86mg0.15mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで4時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過した。濾液を濃縮して黄色固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン:トルエン=5:1で精製した。得られたフラクションを濃縮して黄色固体を得た。得られた黄色固体をトルエン/ヘキサンを用いて再結晶し、黄色固体を1.5g、収率76で得た。ステップ2の合成スキームをb-7に示す。得られた黄色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.2Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、黄色固体1.5gを300°Cで加熱して行った。昇華精製後、黄色固体を1.3g、回収率87で得た。上記昇華精製後の黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.29-7.51m,8H,7.54-7.69m,13H,7.74-7.79m,3H,7.81-7.86m,1H,7.94s,1H,7.96d,J1=5.7Hz,1H,8.13-8.22m,3H,8.49d,J1=1.5Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図33に示す。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体である2DBTCzPA-IIが得られたことがわかった。次に、2DBTCzPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図34A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図34Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、2DBTCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、2DBTCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、2DBTCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、2DBTCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、2DBTCzPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は376nm付近、341nm付近及び288nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は438nm付近及び460nm付近励起波長377nm、薄膜における吸収ピーク波長は423nm付近、381nm付近、346nm付近及び263nm付近にあり、最大発光波長は460nm付近励起波長420nmにあることがわかった。また、薄膜状態の2DBTCzPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、2DBTCzPA-IIのHOMO準位は-5.59eVであった。図34Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた2DBTCzPA-IIの吸収端は2.75eVであった。従って、2DBTCzPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.75eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、2DBTCzPA-IIのLUMO準位が-2.84eVと見積もることができる。このように、2DBTCzPA-IIは固体状態において2.75eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、2DBTCzPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.37Vから0.90Vまで変化させた後、0.90Vから0.36Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無く2DBTCzPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、2DBTCzPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例1で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。2DBTCzPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.87Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.74Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.81Vと算出できる。このことは、2DBTCzPA-IIは0.81[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、2DBTCzPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.81=-5.75[eV]であることがわかった。≪合成例9≫本合成例では、実施の形態1に構造式601として示したカルバゾール誘導体である、3.6-ビスジベンゾフラン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBF2CzPA-IIの合成方法について説明する。DBF2CzPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3,6-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBF2Cz-IIの合成>実施例7と同様に合成した。<ステップ2:3,6-ビスジベンゾフラン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBF2CzPA-IIの合成>100mL三口フラスコに、0.99g2.4mmolの9-4-ブロモフェニル-10-フェニルアントラセンと、1.2g2.4mmolの3,6-ビスジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.62g6.4mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ62mg0.11mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで20時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物にトルエン100mLを加え、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過した。濾液を濃縮して得られた油状物をトルエン/ヘキサンで再結晶し、黄色固体を1.2g、収率59で得た。ステップ2の合成スキームをbー8に示す。得られた黄色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.6Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で黄色固体1.2gを385°Cで加熱して行った。昇華精製後、黄色固体を0.73g、回収率61で得た。上記昇華精製後の黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.36-7.55m,12H,7.58-7.67m,5H,7.76-7.82m,6H,7.89d,J1=8.4Hz,4H,7.95-8.00m,4H,8.02-8.05m,2H,8.28dd,J1=1.5Hz,J2=8.7Hz,2H,8.81d,J1=1.5Hz,2Hまた、1HNMRチャートを図35に示す。図35Bは図35Aの7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体であるDBF2CzPA-IIが得られたことがわかった。次に、DBF2CzPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図36A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図36Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBF2CzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBF2CzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、DBF2CzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBF2CzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、DBF2CzPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は396nm付近、376nm付近、357nm付近、326nm付近及び291nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は424nm付近励起波長376nm、薄膜における吸収ピーク波長は402nm付近、381nm付近、357nm付近、325nm付近、293nm付近及び260nm付近にあり、発光ピーク波長は542nm付近及び447nm付近励起波長403nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBF2CzPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBF2CzPA-IIのHOMO準位は-5.74eVであった。図36Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBF2CzPA-IIの吸収端は2.91eVであった。従って、DBF2CzPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.91eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBF2CzPA-IIのLUMO準位が-2.83eVと見積もることができる。このように、DBF2CzPA-IIは固体状態において2.91eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBF2CzPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.08Vから0.90Vまで変化させた後、0.90Vから0.08Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBF2CzPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBF2CzPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例1で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。DBF2CzPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.87Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.73Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.80Vと算出できる。このことは、DBF2CzPA-IIは0.80[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBF2CzPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.80=-5.74[eV]であることがわかった。≪合成例10≫本合成例では、実施の形態1に構造式335として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[3-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:mDBTCzPA-IIの合成方法について説明する。mDBTCzPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCz-IIの合成>実施例1におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[3-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:mDBTCzPA-IIの合成>50mL三口フラスコに、1.2g3.0mmolの9-3-ブロモフェニル-10-フェニルアントラセンと、1.1g3.0mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.87g9.1mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ87mg0.15mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで5時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過した。濾液を濃縮して黄色固体を得た。得られた固体を、トルエンを用いて再結晶した。得られた結晶を高速液体カラムクロマトグラフィー略称:HPLC展開溶媒:クロロホルムにより精製した。得られたフラクションを濃縮して淡黄色固体を1.5g、収率72で得た。ステップ2の合成スキームをbー9に示す。得られた淡黄色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.6Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、淡黄色固体1.0gを300°Cで加熱して行った。昇華精製後、白色固体を0.79g、回収率79で得た。上記昇華精製後の淡黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.30-7.52m,10H,7.55-7.68m,7H,7.71-7.77m,3H,7.81-7.92m,7H,8.14-8.23m,3H,8.51d,J1=0.90Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図37に示す。図37Bは図37Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体であるmDBTCzPA-IIが得られたことがわかった。次に、mDBTCzPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図38A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図38Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、mDBTCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、mDBTCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、mDBTCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、mDBTCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、mDBTCzPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は396nm付近、375nm付近、354nm付近、336nm付近及び290nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は412nm付近及び433nm付近励起波長376nm、薄膜における吸収ピーク波長は402nm付近、381nm付近、359nm付近、340nm付近、291nm付近、261nm付近及び207nm付近にあり、最大発光波長は443nm付近励起波長402nmにあることがわかった。また、薄膜状態のmDBTCzPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、mDBTCzPA-IIのHOMO準位は-5.77eVであった。図38Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたmDBTCzPA-IIの吸収端は2.95eVであった。従って、mDBTCzPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.95eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、mDBTCzPA-IIのLUMO準位が-2.82eVと見積もることができる。このように、mDBTCzPA-IIは固体状態において2.95eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、mDBTCzPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.04Vから1.15Vまで変化させた後、1.15Vから-0.04Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くmDBTCzPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、mDBTCzPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例1で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。mDBTCzPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.95Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.83Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.89Vと算出できる。このことは、mDBTCzPA-IIは0.89[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、mDBTCzPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.89=-5.83[eV]であることがわかった。≪合成例11≫本合成例では、実施の形態1に構造式734として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[3-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:mDBFCzPA-IIの合成方法について説明する。mDBFCzPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBFCz-IIの合成>実施例2におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[3-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:mDBFCzPA-IIの合成>100mL三口フラスコに、1.2g3.0mmolの9-3-ブロモフェニル-10-フェニルアントラセンと、1.0g3.0mmolの3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.87g9.1mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ87mg0.15mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで6時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過した。濾液を濃縮して黄色固体を得た。得られた固体を、トルエンを用いて再結晶し、目的物の白色固体を1.8g、88の収率で得た。ステップ2の合成スキームをbー10に示す。得られた白色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.6Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、白色固体1.2gを300°Cで加熱して行った。昇華精製後、白色固体を1.1g、回収率89で得た。上記昇華精製後の白色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.31-7.40m,4H,7.42-7.67m,13H,7.70-7.81m,5H,7.85-7.92m,4H,7.95dd,J1=1.5Hz,J2=7.8Hz,1H,7.99-8.03m,2H,8.24d,J1=7.8Hz,1H,8.65d,J1=1.5Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図39に示す。図39Bは図39Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体であるmDBFCzPA-IIが得られたことがわかった。次に、mDBFCzPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図40A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図40Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、mDBFCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、mDBFCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、mDBFCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、mDBFCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、mDBFCzPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は396nm付近、375nm付近、354nm付近、336nm付近及び290nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は412nm付近及び433nm付近励起波長375nm、薄膜における吸収ピーク波長は402nm付近、381nm付近、359nm付近、340nm付近、291nm付近、261nm付近及び207nm付近にあり、最大発光波長は443nm付近励起波長402nmにあることがわかった。また、薄膜状態のmDBFCzPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、mDBFCzPA-IIのHOMO準位は-5.77eVであった。図40Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたmDBFCzPA-IIの吸収端は2.95eVであった。従って、mDBFCzPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.95eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、mDBFCzPA-IIのLUMO準位が-2.82eVと見積もることができる。このように、mDBFCzPA-IIは固体状態において2.95eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、mDBFCzPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.04Vから1.15Vまで変化させた後、1.15Vから-0.04Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くmDBFCzPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、mDBFCzPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例1で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。mDBFCzPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.95Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.83Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.89Vと算出できる。このことは、mDBFCzPA-IIは0.89[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、mDBFCzPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.89=-5.83[eV]であることがわかった。≪合成例12≫本合成例では、実施の形態1に構造式203として示したカルバゾール誘導体である、3-6-フェニルジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBTCzPA-IVの合成方法について説明する。DBTCzPA-IVの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-6-フェニルジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCz-IVの合成>50mL三口フラスコに1.0g4.1mmolの3-ブロモカルバゾールと、1.2g4.1mmolの6-フェニル-4-ジベンゾチエニルボロン酸と、62mg0.20mmolのトリス2-メチルフェニルホスフィンを入れた。この混合物に、15mLのトルエンと、5mLのエタノールと、5mLの2.0M炭酸ナトリウム水溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気した。この混合物に9mg0.041mmolの酢酸パラジウムIIを加え、窒素気流下、80°Cで3時間攪拌した。撹拌後、この混合物の水層をトルエンで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:2、次いでトルエン:ヘキサン=3:2で精製した。得られた固体に酢酸エチル/ヘキサンを加え、超音波を照射し、固体を吸引濾過により回収して目的物の白色固体を1.0g、収率59で得た。ステップ1の合成スキームをa-11に示す。得られた白色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.34-7.55m,7H,7.56d,J1=4.2Hz,1H,7.58-7.64m,3H,7.68-7.72m,2H,7.78dd,J1=1.8Hz,J2=8.4Hz,1H,8.10dd,J1=0.90Hz,J2=1.8Hz,1H,8.15s,1H,8.19-8.23m,2H,8.36d,J1=1.5Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図41に示す。図41Bは図41Aにおける7ppmから8.5ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体であるDBTCz-IVが得られたことがわかった。<ステップ2:3-6-フェニルジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBTCzPA-IVの合成>50mL三口フラスコに、1.3g3.3mmolの9-4-ブロモフェニル-10-フェニルアントラセンと、1.0g2.4mmolの3-6-フェニルジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.95g9.9mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ11mg0.18mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで6時間攪拌した。攪拌後、この混合物の水層をトルエンで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥した。この混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:9、次いでトルエン:ヘキサン=3:7で精製した。得られた固体をトルエン/ヘキサンで再結晶したところ、淡黄色固体を1.4g、収率80で得た。ステップ2の合成スキームをbー11に示す。得られた淡黄色固体1.4gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.9Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、淡黄色固体を360°Cで加熱して行った。昇華精製後、淡黄色固体を1.2g、回収率86で得た。上記昇華精製後の淡黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.34-7.49m,9H,7.51-7.54m,3H,7.57t,J1=1.5Hz,1H,7.59-7.66m,5H,7.67-7.80m,8H,7.84-7.90m,5H,8.22-8.25m,3H,8.49d,J1=1.5Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図42に示す。図42Bは図42Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体であるDBTCzPA-IVが得られたことがわかった。次に、DBTCzPA-IVのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図43A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図43Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBTCzPA-IVのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBTCzPA-IVを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、DBTCzPA-IVのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBTCzPA-IVを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、DBTCzPA-IVのトルエン溶液における吸収ピーク波長は396nm付近、376付近、340付近及び281nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は423nm付近及び437nm付近励起波長376nm、薄膜における吸収ピーク波長は403nm付近、382nm付近、356nm付近、345nm付近、296nm付近及び264nm付近にあり、最大発光波長は443nm付近励起波長403nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBTCzPA-IVのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBTCzPA-IVのHOMO準位は-5.80eVであった。図43Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBTCzPA-IVの吸収端は2.93eVであった。従って、DBTCzPA-IVの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.93eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBTCzPA-IVのLUMO準位が-2.87eVと見積もることができる。このように、DBTCzPA-IVは固体状態において2.93eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBTCzPA-IVの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.02Vから0.93Vまで変化させた後、0.93Vから-0.02Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBTCzPA-IVは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBTCzPA-IVのHOMO準位を算出した。まず、実施例1で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。DBTCzPA-IVの酸化ピーク電位Epaは0.89Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.79Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.84Vと算出できる。このことは、DBTCzPA-IVは0.84[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBTCzPA-IVのHOMO準位は、-4.94-0.84=-5.78[eV]であることがわかった。≪合成例13≫本合成例では、実施の形態1に構造式323として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2DBTCzPPA-IIの合成方法について説明する。2DBTCzPPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCz-IIの合成>実施例1におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2DBTCzPPA-IIの合成>50mL三口フラスコに、1.3g2.7mmolの2-4-ブロモフェニル-9,10-ジフェニルアントラセンと、0.93g2.7mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.76g8.0mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ76mg0.13mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで4時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン:トルエン=5:1で精製した。得られた固体にトルエン/ヘキサンを加え、懸濁液とし、この懸濁液に超音波を照射してから、吸引ろ過により固体を回収したところ、目的物の黄色固体を1.2g、収率61で得た。ステップ2の合成スキームをb-12に示す。得られた黄色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.6Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、黄色固体1.2gを335°Cで加熱して行った。昇華精製後、黄色固体を1.01g、回収率83で得た。上記昇華精製後の黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.29-7.39m,3H,7.41-7.51m,4H,7.52-7.75m,18H,7.78-7.88m,5H,8.03d,J1=1.5Hz,1H,8.15-8.23m,3H,8.51d,J1=0.90Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図44に示す。図44Bは図44Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体である2DBTCzPPA-IIが得られたことがわかった。次に、2DBTCzPPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図45A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図45Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、2DBTCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、2DBTCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、2DBTCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、2DBTCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、2DBTCzPPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は404nm付近、382nm付近、336nm付近及び285nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は483nm付近、452付近及び427nm付近励起波長387nm、薄膜における吸収ピーク波長は415nm付近、393nm付近、346nm付近、291nm付近及び244nm付近にあり発光ピーク波長は461nm付近及び442nm付近励起波長415nmにあることがわかった。また、薄膜状態の2DBTCzPPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、2DBTCzPPA-IIのHOMO準位は-5.70eVであった。図45Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた2DBTCzPPA-IIの吸収端は2.81eVであった。従って、2DBTCzPPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.81eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、2DBTCzPPA-IIのLUMO準位が-2.89eVと見積もることができる。このように、2DBTCzPPA-IIは固体状態において2.81eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、2DBTCzPPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.31Vから0.92Vまで変化させた後、0.92Vから0.31Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無く2DBTCzPPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、2DBTCzPPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例1で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。2DBTCzPPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.88Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.80Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.84Vと算出できる。このことは、2DBTCzPPA-IIは0.84[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、2DBTCzPPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.84=-5.78[eV]であることがわかった。≪合成例14≫本合成例では、実施の形態1に構造式719として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2DBFCzPPA-IIの合成方法について説明する。2DBFCzPPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBFCz-IIの合成>実施例2におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2DBFCzPPA-IIの合成>50mL三口フラスコに、1.3g2.7mmolの2-4-ブロモフェニル-9,10-ジフェニルアントラセンと、0.88g2.7mmolの3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.76g8.0mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ76mg0.13mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで4時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過し、濾液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン:トルエン=5:1で精製した。この固体を高速液体カラムクロマトグラフィー略称:HPLC展開溶媒:クロロホルムにより精製した。得られたフラクションを濃縮し、目的物の黄色固体を1.4g、収率71で得た。ステップ2の合成スキームをb-13に示す。得られた黄色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.6Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、黄色固体0.90gを360°Cで加熱して行った。昇華精製後、黄色固体を0.73g、回収率81で得た。上記昇華精製後の黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.30-7.42m,4H,7.45-7.52m,4H,7.53-7.75m,18H,7.78-7.88m,3H,7.93-8.03m,4H,8.24d,J1=7.5Hz,1H8.66d,J1=1.5Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図46に示す。図46Bは図46Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体である2DBFCzPPA-IIが得られたことがわかった。次に、2DBFCzPPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図47A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図47Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、2DBFCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、2DBFCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、2DBFCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、2DBFCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、2DBFCzPPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は403nm付近、381nm付近、336nm付近及び284nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は453nm付近及び427nm付近励起波長387nm、薄膜における吸収ピーク波長は415nm付近、392nm付近、347nm付近、291nm付近及び254nm付近にあり発光ピーク波長は461nm付近及び443nm付近励起波長415nmにあることがわかった。また、薄膜状態の2DBFCzPPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、2DBFCzPPA-IIのHOMO準位は-5.68eVであった。図47Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた2DBFCzPPA-IIの吸収端は2.81eVであった。従って、2DBFCzPPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.81eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、2DBFCzPPA-IIのLUMO準位が-2.87eVと見積もることができる。このように、2DBFCzPPA-IIは固体状態において2.81eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、2DBFCzPPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.27Vから0.90Vまで変化させた後、0.90Vから0.26Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無く2DBFCzPPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、2DBFCzPPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例1で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。2DBFCzPPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.89Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.75Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.82Vと算出できる。このことは、2DBFCzPPA-IIは0.82[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、2DBFCzPPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.82=-5.76[eV]であることがわかった。≪合成例15≫本合成例では、実施の形態1に構造式324として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[3-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2mDBTCzPPA-IIの合成方法について説明する。2mDBTCzPPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCz-IIの合成>実施例1におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[3-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2mDBTCzPPA-IIの合成>100mL三口フラスコに、1.0g2.1mmolの2-3-ブロモフェニル-9,10-ジフェニルアントラセンと、0.72g2.1mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.59g6.2mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ59mg0.10mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで5時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過した。濾液を濃縮して黄色固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン:トルエン=5:1で精製した。得られた固体をトルエン/ヘキサンを用いて再結晶し、黄色固体を1.1g、収率70で得た。ステップ2の合成スキームをb-14に示す。得られた黄色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.9Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、黄色固体1.1gを330°Cで加熱して行った。昇華精製後、黄色固体を0.89g、回収率84で得た。上記昇華精製後の黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.30-7.38m,3H,7.40-7.76m,23H,7.77-7.87m,4H,8.01d,J1=0.90Hz,1H,8.16-8.24m,3H,8.52d,J1=1.2Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図48に示す。図48Bは図48Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体である2mDBTCzPPA-IIが得られたことがわかった。次に、2mDBTCzPPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図49A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図49Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、2mDBTCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、2mDBTCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、2mDBTCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、2mDBTCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、2mDBTCzPPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は406nm付近、385nm付近、365nm付近、335nm付近及び292nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は424nm付近及び437nm付近励起波長385nm、薄膜における吸収ピーク波長は414nm付近、392nm付近、370nm付近、339nm付近、295nm付近、245nm付近及び208nm付近にあり発光ピーク波長は492nm付近、459nm付近及び440nm付近励起波長403nmにあることがわかった。また、薄膜状態の2mDBTCzPPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、2mDBTCzPPA-IIのHOMO準位は-5.74eVであった。図49Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた2mDBTCzPPA-IIの吸収端は2.84eVであった。従って、2mDBTCzPPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.84eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、2mDBTCzPPA-IIのLUMO準位が-2.90eVと見積もることができる。このように、2mDBTCzPPA-IIは固体状態において2.84eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、2mDBTCzPPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.06Vから1.05Vまで変化させた後、1.05Vから0.06Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無く2mDBTCzPPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、2mDBTCzPPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例1で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。2mDBTCzPPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.91Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.82Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.87Vと算出できる。このことは、2mDBTCzPPA-IIは0.87[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、2mDBTCzPPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.87=-5.81[eV]であることがわかった。≪合成例16≫本合成例では、実施の形態1に構造式727として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[3-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2mDBFCzPPA-IIの合成方法について説明する。2mDBFCzPPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBFCz-IIの合成>実施例2におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[3-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2mDBFCzPPA-IIの合成>100mL三口フラスコに、1.0g2.1mmolの2-3-ブロモフェニル-9,10-ジフェニルアントラセンと、0.69g2.1mmolの3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.59g6.2mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ59mg0.10mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで5時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過した。濾液を濃縮して黄色固体を得た。得られた固体を、トルエンを用いて再結晶し、得られた結晶を高速液体カラムクロマトグラフィー略称:HPLC展開溶媒:クロロホルムにより精製した。得られたフラクションを濃縮して淡黄色固体を0.91g、収率60で得た。ステップ2の合成スキームをb-15に示す。得られた淡黄色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.7Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、淡黄色固体0.90gを335°Cで加熱して行った。昇華精製後、淡黄色固体を0.78g、回収率87で得た。上記昇華精製後の黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.30-7.41m,4H,7.44-7.76m,23H,7.81-7.85m,2H,7.95-8.05m,4H,8.25d,J1=7.5Hz,1H,8.66d,J1=1.5Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図50に示す。図50Bは図50Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体である2mDBFCzPPA-IIが得られたことがわかった。次に、2mDBFCzPPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図51A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図51Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、2mDBFCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、2mDBFCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、2mDBFCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、2mDBFCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、2mDBFCzPPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は406nm付近、385nm付近、365nm付近及び291nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は436nm付近及び424nm付近励起波長386nm、薄膜における吸収ピーク波長は414nm付近、391nm付近、369nm付近、328nm付近、294nm付近及び252nm付近にあり発光ピーク波長は488nm付近、457nm付近及び438nm付近励起波長413nmにあることがわかった。また、薄膜状態の2mDBFCzPPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、2mDBFCzPPA-IIのHOMO準位は-5.75eVであった。図51Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた2mDBFCzPPA-IIの吸収端は2.84eVであった。従って、2mDBFCzPPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.84eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、2mDBFCzPPA-IIのLUMO準位が-2.91eVと見積もることができる。このように、2mDBFCzPPA-IIは固体状態において2.84eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、2mDBFCzPPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.41Vから1.05Vまで変化させた後、1.05Vから-1.41Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無く2mDBFCzPPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、2mDBFCzPPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例1で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。2mDBFCzPPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.93Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.82Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.88Vと算出できる。このことは、2mDBFCzPPA-IIは0.88[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、2mDBFCzPPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.88=-5.82[eV]であることがわかった。参考例1上記実施例で用いたN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn構造式viの合成方法について具体的に説明する。1,6FLPAPrnの構造を以下に示す。[ステップ1:9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンの合成法]100mL三口フラスコにて、マグネシウムを1.2g50mmol減圧下で30分加熱撹拌し、マグネシウムを活性化させた。これを室温に冷まして窒素雰囲気にした後、ジブロモエタン数滴を加えて発泡、発熱するのを確認した。ここにジエチルエーテル10mL中に溶かした2-ブロモビフェニル12g50mmolをゆっくり滴下した後、2.5時間撹拌してグリニヤール試薬とした。4-ブロモベンゾフェノンを10g40mmol、ジエチルエーテルを100mL、を500mL三口フラスコに入れ、系内を窒素置換した。ここに先に合成したグリニヤール試薬をゆっくり滴下した後、9時間加熱還流撹拌した。反応後、この混合液をろ過して濾物を得た。得られた濾物を酢酸エチル150mLに溶かし、ここに1M-塩酸を酸性になるまで加えて、酸性にした後2時間撹拌した。この混合物の有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。この混合物をろ過し、得られたろ液を濃縮し油状物を得た。500mLなすフラスコに、得られた油状物と、氷酢酸50mLと、塩酸1.0mLを入れ、窒素雰囲気下、130°Cで1.5時間加熱撹拌した。反応後、この反応混合物をろ過して濾物を得た。得られた濾物を水、水酸化ナトリウム水溶液、水、メタノールの順で洗浄したのち乾燥したところ、目的物の白色粉末を収量11g、収率69で得た。上記ステップ1の合成スキームを下記E1-1に示す。[ステップ2:4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルジフェニルアミン略称:FLPAの合成法]9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレン5.8g14.6mmol、アニリン1.7mL18.6mmol、ナトリウムtert-ブトキシド4.2g44.0mmolを200mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン147.0mLとトリtert-ブチルホスフィンの10ヘキサン溶液0.4mLを加えた。この混合物を60°Cにし、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム066.1mg0.1mmolを加え3.5時間攪拌した。攪拌後、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮した。得られたろ液を濃縮し得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はヘキサン:トルエン=2:1により精製し、得られたフラクションを濃縮し、目的物の白色固体6.0gを収率99で得た。上記ステップ2の合成スキームを下記E1-2に示す。[ステップ3:N,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnの合成法]1,6-ジブロモピレン0.4g1.2mmol、ステップ2で得た4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルジフェニルアミン略称:FLPA1.0g2.4mmol、ナトリウムtert-ブトキシド0.3g3.6mmolを50mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン11.5mLとトリtert-ブチルホスフィンの10ヘキサン溶液0.20mLを加えた。この混合物を70°Cにし、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム031.1mg0.05mmolを加え4.0時間攪拌した。攪拌後、フロリジール、セライト、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮した。得られたろ液を濃縮し得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はクロロホルムにより精製し、得られたフラクションを濃縮し、黄色固体を得た。得られた固体を、トルエンとヘキサンの混合溶媒により洗浄した後、吸引ろ過をおこない黄色固体を得た。得られた黄色固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒で洗浄したところ、淡黄色粉末状固体0.8gを、収率68で得た。得られた淡黄色固体0.8gを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力2.7Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しながら、360°Cで加熱した。昇華精製後、目的物を0.4g、収率56で得た。上記ステップ3の合成スキームを下記E2-Aに示す。核磁気共鳴法NMR及びMSスペクトルによって、得られた化合物がN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnであることを確認した。1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=6.88-6.91m、6H、7.00-7.03m、8H、7.13-7.40m、26H、7.73-7.80m、6H、7.87d、J=9.0Hz、2H、8.06-8.09m、4H参考例2上記実施例で用いた4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLP構造式iの合成方法について具体的に説明する。BPAFLPの構造を以下に示す。[ステップ1:9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンの合成]参考例1のステップ1と同様に合成した。[ステップ2:4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPの合成]100mL三口フラスコへ、9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンを3.2g8.0mmol、4-フェニル-ジフェニルアミンを2.0g8.0mmol、ナトリウムtert-ブトキシドを1.0g10mmol、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を23mg0.04mmol加え、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン20mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液0.2mL0.1mmolを加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、110°Cで2時間加熱撹拌した。反応後、この反応混合物にトルエン200mLを加え、この懸濁液をフロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通してろ過した。得られたろ液を濃縮して得た物質を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:4にて精製した。得られたフラクションを濃縮して得た物質を、アセトン/メタノールを用いて再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量4.1g、収率92で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記J-4に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.41、9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンは0.51、4-フェニル-ジフェニルアミンは0.27だった。上記ステップ2で得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。測定結果から、フルオレン誘導体であるBPAFLPが得られたことがわかった。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=6.63-7.02m,3H,7.06-7.11m,6H,7.19-7.45m,18H,7.53-7.55m,2H,7.75d、J=6.9,2H"