"少なくとも、A下記一般式1及び/又は2で示される構造の繰り返し単位を1つ以上有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する高分子化合物、B高エネルギー線に感応し下記一般式3で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤、及び、C下記一般式4で示されるスルホン酸オニウム塩を含むものであることを特徴とするレジスト組成物。式中、R1、R3はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示す。R2、R4はそれぞれ独立に酸素原子を含んでも良い炭素数1~7の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。式中、R5は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。R6は置換若しくは非置換の炭素数1~23の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、又は置換若しくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。式中、R7はヘテロ原子を含んでもよい一価の炭化水素基を示す。ただし、R7がビニル基及びイソプロペニル基である場合を除く。nは1~3の整数を示す。Mは置換基を有する対カチオンを示し、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、及びアンモニウムカチオンのいずれかである。前記C成分のスルホン酸オニウム塩が、下記一般式5で示されるスルホン酸スルホニウム塩であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト組成物。式中、R8はヘテロ原子を含んでもよい一価の炭化水素基を示す。nは1~3の整数を示す。R9、R10及びR11は独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、及びオキソアルキル基のいずれかを示すか、置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基及びアリールオキソアルキル基のいずれかを示すか、あるいは、R9、R10及びR11のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。前記A成分の高分子化合物が、前記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位に加え、更に水酸基及び/又はラクトン環の密着性基を有する繰り返し単位を含むものであることを特徴とする請求項1又は2に記載のレジスト組成物。前記A成分の高分子化合物が、前記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位に加え、更に下記一般式6で示される酸不安定単位を一つ以上含むものであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のレジスト組成物。R12は水素原子又はメチル基を示す。xは0又は1である。Lは酸不安定基を示す。前記B成分の光酸発生剤の含有量が、前記A成分の高分子化合物の含有量に対して2~10質量であり、かつ、モル換算で前記C成分のスルホン酸オニウム塩の含有量が前記B成分の光酸発生剤の含有量以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のレジスト組成物。更に、有機溶剤、塩基性化合物、溶解制御剤、及び界面活性剤のいずれか1つ以上を含有するものであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のレジスト組成物。少なくとも、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。前記高エネルギー線を波長180~250nmの範囲のものとすることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。前記高エネルギー線で露光する工程を、液体を介して露光する液浸露光により行うことを特徴とする請求項7又は8に記載のパターン形成方法。前記液体として水を用いることを特徴とする請求項9に記載のパターン形成方法。本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、良好なLWRとパターンプロファイル形状、及びパターン倒れ耐性において極めて優れた性能を示すレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的としている。上記課題を解決するために、本発明によれば、少なくとも、A下記一般式1及び/又は2で示される構造の繰り返し単位を1つ以上有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する高分子化合物、B高エネルギー線に感応し下記一般式3で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤、及び、C下記一般式4で示されるスルホン酸オニウム塩を含むものであることを特徴とするレジスト組成物を提供する。式中、R1、R3はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示す。R2、R4はそれぞれ独立に酸素原子を含んでも良い炭素数1~7の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。式中、R5は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。R6は置換若しくは非置換の炭素数1~23の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、又は置換若しくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。式中、R7はヘテロ原子を含んでもよい一価の炭化水素基を示す。ただし、R7がビニル基及びイソプロペニル基である場合を除く。nは1~3の整数を示す。Mは置換基を有する対カチオンを示し、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、及びアンモニウムカチオンのいずれかである。このように、上記のA特定の単環構造の酸不安定基で、溶解性基であるカルボン酸を保護した単位を有する高分子化合物、B特定の光酸発生剤、及びC特定のスルホン酸オニウム塩のクエンチャーを含有するレジスト組成物は、良好なLWRとパターンプロファイル形状、及びパターン倒れ耐性において極めて優れた性能を示す。本発明のレジスト組成物は、このようなA、B、及びC成分を全て含有することによって、LWRとパターンプロファイル形状、及びパターン倒れ耐性の全てにおいて極めて優れたレジストパターンを形成することができるものである。また、この場合、前記C成分のスルホン酸オニウム塩として、下記一般式5で示されるスルホン酸スルホニウム塩が挙げられる。式中、R8はヘテロ原子を含んでもよい一価の炭化水素基を示す。nは1~3の整数を示す。R9、R10及びR11は独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、及びオキソアルキル基のいずれかを示すか、置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基及びアリールオキソアルキル基のいずれかを示すか、あるいは、R9、R10及びR11のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。このように、前記C成分のスルホン酸オニウム塩として、上記一般式4中のMがスルホニウムカチオンである上記一般式5で示されるスルホン酸スルホニウム塩が挙げられる。また、この場合、前記A成分の高分子化合物が、前記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位に加え、更に水酸基及び/又はラクトン環の密着性基を有する繰り返し単位を含むものであることが好ましい。このように、A成分の高分子化合物が、水酸基やラクトン環の密着性基を有する繰り返し単位を含むことで、LWRを一層効果的に改善させることができる。また、この場合、前記A成分の高分子化合物が、前記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位に加え、更に下記一般式6で示される酸不安定単位を一つ以上含むものであることが好ましい。R12は水素原子又はメチル基を示す。xは0又は1である。Lは酸不安定基を示す。このように、A成分の高分子化合物が、酸不安定基として、前記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位に加え、更に上記一般式6で示される酸不安定単位を一つ以上含むものであることが好ましい。上記一般式6で示される酸不安定単位を有する高分子化合物を含むレジスト組成物であれば、一層酸によるアルカリ溶解性が向上し、パターンプロファイルを良好にすることができる。また、前記B成分の光酸発生剤の含有量が、前記A成分の高分子化合物の含有量に対して2~10質量であり、かつ、モル換算で前記C成分のスルホン酸オニウム塩の含有量が前記B成分の光酸発生剤の含有量以上であることが好ましい。このように、前記B成分の光酸発生剤の含有量が、前記A成分の高分子化合物の含有量に対して2~10質量であり、かつ、モル換算で前記C成分のスルホン酸オニウム塩の含有量が前記B成分の光酸発生剤の含有量以上であれば、解像性が劣化する恐れがなく、また、現像/レジスト剥離時に異物の問題が生じる恐れがないために好ましい。また、本発明のレジスト組成物は、更に、有機溶剤、塩基性化合物、溶解制御剤、及び界面活性剤のいずれか1つ以上を含有するものであることが好ましい。このように、更に有機溶剤を配合することによって、例えば、レジスト組成物の基板等への塗布性を向上させることができるし、塩基性化合物を配合することによって、解像度を一層向上させることができるし、溶解制御剤を配合することによって、露光部と未露光部との溶解速度の差を一層大きくすることができ、解像度を一層向上させることができるし、界面活性剤を添加することによってレジスト組成物の塗布性を一層向上あるいは制御することができる。また、本発明では、少なくとも、前記レジスト組成物を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。このように、本発明のパターン形成方法によれば、LWRとパターンプロファイル形状、及びパターン倒れ耐性の全てにおいて極めて優れたパターンを形成することができる。また、前記高エネルギー線を波長180~250nmの範囲のものとすることが好ましい。このように、本発明のパターン形成方法は、紫外線、遠紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線等の高エネルギー線の中でも、180~250nmの遠紫外線又はエキシマレーザーによる微細パターニングに最適である。また、前記高エネルギー線で露光する工程を、液体を介して露光する液浸露光により行うことが好ましい。またこの場合、前記液体として水を用いることが好ましい。このように、高エネルギー線での露光工程は、マスクとレジスト膜の間を液浸し、液体特に水を介して行うImmersion法を用いることも可能である。本発明は、C成分として特定のスルホン酸オニウム塩クエンチャーの末端スルホニル基とクエンチャーの溶解性と嵩高さを司る置換基の間に直鎖アルキル鎖を導入し、露光後の加熱条件下で末端スルホニル基の可動性をもって膜内におけるクエンチャーの分布と動的挙動を適度に補うもので、B成分の光酸発生剤が発生する特定のスルホン酸に対するクエンチ能に直接関与するスルホニル基の自由度を増し、発生酸補足速度の向上を達成することができる。更に、A成分として酸によってアルカリ溶解性が向上する高分子化合物の構成要素に単環構造ユニットを導入することで、脂溶性を低減させ、かつ、レジスト溶解コントラストを高めることによって、C成分のスルホン酸オニウム塩クエンチャーの有効性を保持しつつ、一層のマスク忠実性やLWRLineWidthRoughnessの劇的な改善を実現し、パターン矩形性の優れたレジスト組成物を提供することができる。また現像時の倒れ現象についても、A成分に起因する膨潤防止の効果のため既存のスルホン酸オニウム塩クエンチャーを用いたレジスト組成物に比べ、改善が認められた。以下、本発明を実施するための最良の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明者らは、上記した問題を解決するため鋭意検討及び研究を重ねた結果、上記のA特定の構造を有する高分子化合物、B特定の光酸発生剤、及びC特定のオニウムスルホン酸塩のクエンチャーを含有するレジスト組成物は、良好なLWRとパターンプロファイル形状、及びパターン倒れ耐性において極めて優れた性能を示すことを見出した。上記A成分である高分子化合物に含まれる酸を発生する繰り返し必須単位は、下記一般式1及び/又は2で示される構造の繰り返し単位である。A成分の高分子化合物は、酸によってアルカリ溶解性が向上する高分子化合物であり、下記一般式1及び2は、単環構造の酸不安定基で、溶解性基であるカルボン酸を保護した単位である。式中、R1、R3はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示す。R2、R4はそれぞれ独立に酸素原子を含んでも良い炭素数1~7の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。上記一般式1及び一般式2の具体例としては、以下に示す構造の化合物を例示できるが、これらに限定されるものではない。また、本発明のレジスト組成物に含まれるA成分の高分子化合物は、前記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位に加え、下記一般式6で示される酸不安定単位も一つ以上含むことができる。R12は水素原子又はメチル基を示す。xは0又は1である。Lは酸不安定基を示す。上記一般式6で示される繰り返し単位の単量体は、下記一般式6’で示され、上記一般式1または2で示される繰り返し単位の単量体、即ち下記一般式1’又は2’で示される単量体と共重合することで、本発明のA成分の高分子化合物を得ることができる。式中、R1、R3、R2、R4は、それぞれ上記と同様である。また、R12、x、Lは上記一般式6と同様である。ここで、酸不安定単位について説明する。酸不安定単位とは、カルボン酸、フェノール、フルオロアルコール等の酸性基が酸不安定基により保護された構造を有する繰り返し単位であり、酸によって脱保護し、アルカリ現像液に対するポリマーの溶解性を向上させることができる。本発明のレジスト組成物中のA成分である高分子化合物の必須単位である上記一般式1及び2で示される繰り返し単位、及び上記一般式6で示される繰り返し単位は、カルボン酸が酸不安定基により保護された構造である。上記一般式6に含まれる酸不安定基Lとしては種々用いることができるが、具体的には下記一般式L1で示されるアルコキシメチル基、L2~L8で示される三級アルキル基を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。特に好ましい酸不安定基はL2~L5で示される構造を有する。上記式中、破線は結合手を示す。また、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、アダマンチル基等が例示できる。RL03は炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい一価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては上記RL01、RL02と同様のものが例示でき、置換アルキル基としては下記の基等が例示できる。RL01とRL02、RL01とRL03、RL02とRL03とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはRL01、RL02、RL03はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。RL04、RL05、RL06はそれぞれ独立に炭素数1~15の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基を示す。具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基等が例示できる。RL07は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、置換されていてもよいアルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの、又はこれらのメチレン基の一部が酸素原子または硫黄原子に置換されたもの等が例示でき、置換されていてもよいアリール基としては、具体的にはフェニル基、メチルフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基等が例示できる。式L3において、mが0のときnは4,5,6、mが1の時nは0,1,2,3のいずれかである。RL08は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL07と同様のもの等が例示できる。RL09~RL18はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の一価の炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等が例示できる。RL09~RL18は互いに結合して環を形成していてもよく例えば、RL09とRL10、RL09とRL11、RL10とRL12、RL11とRL12、RL13とRL14、RL15とRL16等、その場合には炭素数1~15の二価の炭化水素基を示し、具体的には上記一価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等が例示できる。また、RL09~RL18は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい例えば、RL09とRL11、RL11とRL17、RL15とRL17等。RL19は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL07と同様のもの等が例示できる。RL20は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL07と同様のもの等が例示できる。Xはこれが結合する炭素原子と共に置換または非置換のシクロペンタン環、シクロヘキサン環、またはノルボルナン環を形成する二価の基を表す。RL21、RL22はそれぞれ独立に水素原子または炭素数1~10の直鎖状、分岐状または環状の一価炭化水素基を表し、または、RL21とRL22は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に置換または非置換のシクロペンタン環、またはシクロヘキサン環を形成する二価の基を表す。pは1または2を表す。RL23は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL07と同様のもの等が例示できる。Yはこれが結合する炭素原子と共に置換または非置換のシクロペンタン環、シクロヘキサン環、またはノルボルナン環を形成する二価の基を表す。RL24、RL25はそれぞれ独立に水素原子または炭素数1~10の直鎖状、分岐状または環状の一価炭化水素基を表し、または、RL24とRL25は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に置換または非置換のシクロペンタン環、またはシクロヘキサン環を形成する二価の基を表す。qは1または2を表す。RL26は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL07と同様のもの等が例示できる。Zはこれが結合する炭素原子と共に置換または非置換のシクロペンタン環、シクロヘキサン環、またはノルボルナン環を形成する二価の基を表す。R27、R28はそれぞれ独立に水素原子または炭素数1~10の直鎖状、分岐状または環状の一価炭化水素基を表し、または、R27とR28は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に置換または非置換のシクロペンタン環、またはシクロヘキサン環を形成する二価の基を表す。上記式L1で示される酸不安定基のうち直鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の基が例示できる。上記式L1で示される酸不安定基のうち環状のものとしては、具体的にはテトラヒドロフラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロフラン-2-イル基、テトラヒドロピラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロピラン-2-イル基等が例示できる。上記式L2の酸不安定基としては、具体的にはtert-ブチル基、tert-アミル基、及び下記の基が例示できる。上記式L3の酸不安定基としては、具体的には1-メチルシクロペンチル、1-エチルシクロペンチル、1-n-プロピルシクロペンチル、1-イソプロピルシクロペンチル、1-n-ブチルシクロペンチル、1-sec-ブチルシクロペンチル、1-シクロヘキシルシクロペンチル、1-4-メトキシ-n-ブチルシクロペンチル、1-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルシクロペンチル、1-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルシクロペンチル、1-メチルシクロヘキシル、1-エチルシクロヘキシル、3-メチル-1-シクロペンテン-3-イル、3-エチル-1-シクロペンテン-3-イル、3-メチル-1-シクロヘキセン-3-イル、3-エチル-1-シクロヘキセン-3-イル等が例示できる。上記式L4の酸不安定基としては、下記式L4-1~L4-4で示される基が特に好ましい。前記一般式L4-1~L4-4中、破線は結合位置及び結合方向を示す。RL41はそれぞれ独立に炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等の一価炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。前記一般式L4-1~L4-4には、エナンチオ異性体enantiomerやジアステレオ異性体diastereomerが存在しえるが、前記一般式L4-1~L4-4は、これらの立体異性体の全てを代表して表す。これらの立体異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。例えば、前記一般式L4-3は下記一般式L4-3-1、L4-3-2で示される基から選ばれる1種又は2種の混合物を代表して表すものとする。式中RL41は前述と同様である。また、上記一般式L4-4は下記一般式L4-4-1~L4-4-4で示される基から選ばれる1種又は2種以上の混合物を代表して表すものとする。式中RL41は前述と同様である。上記一般式L4-1~L4-4、L4-3-1、L4-3-2、及び式L4-4-1~L4-4-4は、それらのエナンチオ異性体及びエナンチオ異性体混合物をも代表して示すものとする。なお、式L4-1~L4-4、L4-3-1、L4-3-2、及び式L4-4-1~L4-4-4の結合方向がそれぞれビシクロ[2.2.1]ヘプタン環に対してexo側であることによって、酸触媒脱離反応における高反応性が実現される特開2000-336121号公報参照。これらビシクロ[2.2.1]ヘプタン骨格を有する三級exo-アルキル基を置換基とする単量体の製造において、下記一般式L4-1-endo~L4-4-endoで示されるendo-アルキル基で置換された単量体を含む場合があるが、良好な反応性の実現のためにはexo比率が50以上であることが好ましく、exo比率が80以上であることが更に好ましい。式中RL41は前述と同様である。上記式L4の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。上記式L5の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。上記式L6の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。上記式L7の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。上記式L8の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。上記に例示された上記一般式6で示される構造の酸不安定単位の具体例を下記に示すが、これに限定されるものではない。また、上記A成分の高分子化合物は、上記一般式1及び/又は2で示される構造の繰り返し単位に加え、更に密着性基である水酸基及び/又はラクトン環を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。このように、A成分の高分子化合物が、水酸基やラクトン環の密着性基を有する繰り返し単位を含むことで、LWRを一層効果的に改善させることができる。水酸基及び/又はラクトン環の密着性基を有する繰り返し単位としては、具体的には下記ものが例示できるが、これらに限定されるものではない。更に、本発明のレジスト組成物中のA成分の高分子化合物は、上記一般式1及び/又は2で示される構造の繰り返し単位、上記一般式6で示される酸不安定単位、水酸基及び/又はラクトン含有単位以外の繰り返し単位も必要に応じて含んでもよく、例えばカルボキシル基、フルオロアルキル基を含む単位を挙げることができ、具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。しかしながら、特にカルボキシル基においては、カルボキシル基を含む繰り返し単位の含有率は全繰り返し単位合計に対して10モル以下が好ましい。この範囲であれば、パターンの矩形性が損なわれたり、膨潤によりパターン倒れ耐性が劣化する恐れがなく、溶解速度制御の点で有効な場合がある。また、酸不安基単位については更に有橋環式構造を有した単位を含むこともできる。この単位の含有率は全繰り返し単位合計に対し、10モル未満で加えると現像時に生じるパターン倒れをより確実に解消することが認められ、LWRが悪化する恐れがないために好ましい。これらカルボキシル基又はフルオロアルキル基を含む単位、有橋環式構造を有した単位の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。本発明のレジスト組成物中のA高分子化合物を構成する各繰り返し単位の組成比について、上記一般式1及び/又は2式で示される構造の酸不安定単位の合計の含有率をaモル、上記6式で示される酸不安定単位の合計の含有率をbモル、水酸基を含む繰り返し単位の合計の含有率をcモル、ラクトン環を有する繰り返し単位の合計の含有率をdモルとした場合、abcd=10030≦a≦800≦b≦500≦c≦5020≦d≦70を満たすことが好ましく、特に、abcd=10030≦a≦800≦b≦400≦c≦2020≦d≦50を満たす組成比が好ましい。本発明のレジスト組成物中のA高分子化合物の分子量について、重量平均分子量Mwが小さすぎると水への溶解が起こり易くなるが、重量平均分子量が大きすぎるとアルカリ溶解性の低下やスピンコート時の塗布欠陥の原因になる可能性が高い。その観点から、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量において1,000~500,000、好ましくは2,000~30,000であることが望ましい。本発明のレジスト組成物中に含まれるB成分である光酸発生剤によって発生する酸は、下記一般式3に示されるスルホン酸である。式中、R5は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。R6は置換若しくは非置換の炭素数1~23の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、又は置換若しくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。上記一般式3で示されるスルホン酸の具体例としては以下に示す構造の化合物を例示できるが、これらに限定されるものではない。本発明のレジスト組成物中に含まれるB成分である光酸発生剤は、高エネルギー線に感応し上記一般式3で示されるスルホン酸を発生する。具体的なB成分である光酸発生剤としては、下記一般式B-1で示される光酸発生剤が挙げられる。ここで、式中、R5、R6は前述の通りである。R405、R406、R407はそれぞれ独立に水素原子、又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基、特にアルキル基又はアルコキシ基を示し、ヘテロ原子を含んでもよい炭化水素基として具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシクロペンチル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、エチルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基、及びこれらの基の任意の炭素-炭素結合間に-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-NH-、-C=O-、-C=OO-、-C=ONH-等のヘテロ原子団が挿入された基や、任意の水素原子が-OH、-NH2、-CHO、-CO2H等の官能基に置換された基を例示することができる。前記B成分の光酸発生剤の含有量が、前記A成分の高分子化合物の含有量に対して2~10質量であり、かつ、モル換算で後述するC成分のスルホン酸オニウム塩の含有量が前記B成分の光酸発生剤の含有量以上であれば、解像性の劣化や、現像/レジスト剥離時に異物の問題が生じる恐れがないために好ましい。前記一般式3中のR5がトリフルオロメチル基の場合のB成分の光酸発生剤は、特開2007-145797号公報を参照して合成することができる。例えば、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノールを出発原料として開発された1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロペン-2-イルベンゾエート特開平6-157381号公報参照に代表される1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロペン-2-イル脂肪族カルボン酸エステルあるいは芳香族カルボン酸エステルを亜硫酸水素ナトリウムあるいは亜硫酸ナトリウムとアゾビスイソブチロニトリルや過酸化ベンゾイル等のラジカル開始剤存在下、溶剤として水あるいはアルコール及びその混合物中で反応させることにより行うことができる。更にいえば、上記方法で得たスルホン酸塩のスルホネートのカルボン酸エステル部位を水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリを用いて加水分解又はアルコールと塩基を用いて加溶媒分解した後に、適宜、脂肪族カルボン酸ハライドや脂肪族カルボン酸無水物、芳香族カルボン酸ハライドや芳香族カルボン酸無水物などで反応させることにより、当初有していたカルボン酸エステル構造とは異なるカルボン酸エステル構造を有するスルホニウム塩を得ることができる。これらは特開2007-145797号公報などに詳しい。前記一般式3中のR5が水素原子の場合のB成分の光酸発生剤は、特開2009-7327号公報を参照して合成することができる。例えば、2-ブロモ-2,2-ジフルオロエタノールを、種々のカルボン酸クロリドと反応させることによって、含フッ素臭化エステルを得て、この含フッ素臭化エステルを、亜ジチオン酸塩などのスルフィン化剤を用いてスルフィン化して、含フッ素スルフィン酸塩を得る。この含フッ素スルフィン酸塩を、過酸化水素などの酸化剤を用いて酸化し、含フッ素スルホン酸塩を得て、公知のオニウム塩と反応させることでフッ素スルホン酸オニウム塩を得ることが出来る。これらは特開2009-7327号公報に詳しい。本発明のレジスト組成物中のCスルホン酸オニウム塩は、下記一般式4で示される。式中、R7はヘテロ原子を含んでもよい一価の炭化水素基を示す。ただし、R7がビニル基及びイソプロペニル基である場合を除く。nは1~3の整数を示す。Mは置換基を有する対カチオンを示し、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、及びアンモニウムカチオンのいずれかである。ここで、前記C成分のスルホン酸オニウム塩として、下記一般式5で示されるスルホン酸スルホニウム塩が挙げられる。尚、下記一般式5で示されるスルホン酸スルホニウム塩の合成方法としては、特開2010-155824号公報中0177段落等を参考とすることができる。式中、R8はヘテロ原子を含んでもよい一価の炭化水素基を示す。nは1~3の整数を示す。R9、R10及びR11は独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、及びオキソアルキル基のいずれかを示すか、置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基及びアリールオキソアルキル基のいずれかを示すか、あるいは、R9、R10及びR11のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。そして、上記一般式4のスルホン酸オニウム塩の具体例としては、以下スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、又はアンモニウムカチオンをそれぞれ含む構造の化合物を例示できるが、これらに限定されるものではない。C成分の上記一般式4で示されるスルホン酸オニウム塩のクエンチャーは、A高分子化合物100質量部に対し、好ましくは2~30質量部、特に5~15質量部で配合することが好ましい。また、本発明のレジスト組成物に、酸により分解し酸を発生する化合物酸増殖化合物を添加してもよい。これらの化合物については特開2009-269953号公報を参照できる。本発明のレジスト組成物における酸増殖化合物の添加量としては、レジスト組成物中のベース樹脂100質量部に対し2質量部以下、好ましくは1質量部以下である。2質量部以下であれば、酸拡散の制御が難しく、解像性の劣化、パターン形状の劣化が起こる恐れがないために好ましい。また、本発明のレジスト組成物に、有機酸誘導体や酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が変化する重量平均分子量3,000以下の化合物溶解制御剤を添加してもよく、上記各成分と同様に特開2009-269953号公報に記載の化合物を参照できる。溶解制御剤を配合することによって、露光部と未露光部との溶解速度の差を一層大きくすることができ、解像度を一層向上させることができる。本発明のレジスト組成物に使用される有機溶剤としては、ベース樹脂、酸発生剤、クエンチャー、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。有機溶剤を配合することによって、例えば、レジスト組成物の基板等への塗布性を向上させることができる。このような有機溶剤としては、シクロヘキサノン、メチル-2-n-アミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジメチルエーテルや1-エトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びこれらとの混合溶剤が好ましく使用される。有機溶剤の使用量は、レジスト組成物中のベース樹脂100質量部に対して200~5,000質量部、特に400~4,000質量部が好適である。本発明のレジスト組成物に塩基化合物を添加してもよい。塩基性化合物を配合することによって、解像度を一層向上させることができる。塩基性化合物としては特開2008-111103号公報の段落0146~0164に記載の1級、2級、3級のアミン化合物、特にはヒドロキシ基、エーテル、エステル基、ラクトン環、シアノ基、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物あるいは特開2001-166476号公報記載のカーバメート基を有する化合物を挙げることができ、添加量としてはベース樹脂100質量部に対し0~4質量部が好ましい。本発明のレジスト組成物中には界面活性剤成分を添加することができ、界面活性剤成分としては特に限定されないが、例えば特開2008-1229338号記載のアルカリ可溶型界面活性剤を用いることができる。界面活性剤を添加することによってレジスト組成物の塗布性を一層向上あるいは制御することができる。また、界面活性剤を混合して使用してもよく、その合計の添加量は、レジスト組成物のベース樹脂100部に対して0.001~20部、好ましくは0.01~10部の範囲である。本発明のレジスト組成物中には、前記A成分~C成分以外に、熱酸発生剤を添加することができ、例えば特開2007-199653号公報の段落0062~0066に記載の一般式P1a-3で示される熱酸発生剤を添加することができる。その添加量はレジスト組成物のベース樹脂100質量部に対して0.1~10質量部が好ましい。本発明では、上述したレジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。本発明のレジスト組成物を使用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができ、例えば、集積回路製造用の基板Si,SiO2,SiN,SiON,TiN,WSi,BPSG,SOG,有機反射防止膜付基板等、あるいはマスク回路製造用の基板Cr,CrO,CrON,MoSi等にスピンコーティング等の手法で膜厚が0.05~2.0μmとなるように塗布し、これをホットプレート上で60~150°C、1~10分間、好ましくは80~140°C、1~5分間プリベークする。次いで目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、遠紫外線、エキシマレーザー、X線、電子線等の高エネルギー線を露光量1~200mJ/cm2、好ましくは10~100mJ/cm2となるように照射する。あるいは、パターン形成のためのマスクを介さずに電子線を直接描画する。露光は通常の露光法の他、特に、マスクとレジストの間を液浸するImmersion法を用いることも可能である。その場合には水に不溶な保護膜を用いることも可能である。次いで、ホットプレート上で、60~150°C、1~5分間、好ましくは80~140°C、1~3分間ポストエクスポージャーベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは2~3質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像して、基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明のレジスト組成物は、特に高エネルギー線の中でも250~180nmの遠紫外線又はエキシマレーザー、X線及び電子線による微細パターニングに最適である。上述した水に不溶な保護膜はレジスト膜からの溶出物を防ぎ、膜表面の滑水性を上げるために用いられ、大きく分けて2種類ある。1種類はレジスト膜を溶解しない有機溶剤によってアルカリ現像前に剥離が必要な有機溶剤剥離型と、もう1種類はアルカリ現像液に可溶でレジスト膜可溶部の除去と共に保護膜を除去するアルカリ可溶型である。後者は特に水に不溶でアルカリ現像液に溶解する1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する高分子化合物をベースとし、炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8~12のエーテル系溶剤、及びこれらの混合溶媒に溶解させた材料が好ましい。また、上述した水に不溶でアルカリ現像液に可溶な界面活性剤を炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8~12のエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶媒に溶解させた材料とすることもできる。また、パターン形成方法の手段として、フォトレジスト膜形成後に、純水リンスポストソークを行うことによって膜表面からの酸発生剤などの抽出、あるいはパーティクルの洗い流しを行ってもよいし、露光後に膜上に残った水を取り除くためのリンスポストソークを行ってもよい。以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの記載によって限定されるものではない。合成例Polymer4の合成窒素雰囲気下でメタクリル酸1-1-メチルエチルシクロペンチル21.27g、メタクリル酸2-オキソテトラヒドロフラン-3-イル14.7g、メタクリル酸3-ヒドロキシ-1-アダマンチル5.12g、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル0.57gと2-メルカプトエタノール0.1gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート22.09gとγ-ブチロラクトン18.97gに溶解させ溶液を調製した。その溶液を窒素雰囲気下80°Cで撹拌したプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート6.28gとγ-ブチロラクトン5.39gに4時間かけて滴下した。滴下終了後80°Cを保ったまま2時間撹拌し、室温まで冷却した後重合液を320gのメタノールに滴下した。析出した固形物を濾別し、メタノール120gで二回洗浄した後50°Cで16時間真空乾燥して、下記式Polymer4で示される白色粉末固体状の高分子化合物が得られた。収量は17.19g、収率は86であった。なお、Mwはポリスチレン換算でのGPCを用いて測定した重量平均分子量を表す。合成例Polymer1~3、5~38の合成各単量体の種類、配合比を変えた以外は、上記ポリマー4の合成と同様の手順により樹脂Polymer1~3、5~38を製造した。高分子化合物の組成及び分子量/分散度本評価に用いた高分子化合物を構成する繰り返し単位の組成比モルと分子量及び分散度を表1に示す。また、各繰り返し単位の構造を表2、3に示す。表2中、ALU-1~4は本発明のA成分の高分子化合物において必須の酸不安定単位上記一般式1又は2で示される構造の繰り返し単位である。表2中、ALU-5~8および表3に示すUnit1~Unit5は、A成分の高分子化合物において必須の酸不安定単位上記一般式1又は2で示される構造の繰り返し単位以外の構成単位である。従ってPolymer-1~30が本発明の高分子化合物Aに該当する。Polymer-31~38は比較例のポリマーである。レジスト組成物の調製:PR1~PR310次に、上記高分子化合物の他、光酸発生剤、スルホン酸オニウム塩のクエンチャー、熱酸発生剤、アルカリ可溶型界面活性剤を溶剤に溶解し、溶解後にテフロン登録商標製フィルター孔径0.2μmを用いて濾過し、下記表4~表8に示す本発明のレジスト組成物を調製したPR1~PR230。また、比較試料として下記表9、10に示すレジスト組成物を調製したPR231~PR310。表4~10中の光酸発生剤の構造を表11に、クエンチャーとして用いたスルホン酸オニウム塩の構造を表12、13に、熱酸発生剤TAG-1の構造を表14に、アルカリ可溶型界面活性剤SF-1、SF-2の構造を表15に示す。表11のPAG1~3は、本発明のレジスト組成物の必須成分である光酸発生剤Bに相当し、PAG4、5は比較例の光酸発生剤である。表12のスルホン酸オニウム塩SQ1-SQ6は本発明のレジスト組成物の必須成分であるスルホン酸オニウム塩Cに相当し、表13のSQ7-SQ10は比較例のスルホン酸オニウム塩である。また、表4~表10中に示した溶剤は以下の通りである。PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートGBL:γブチロラクトンまた、界面活性剤A0.1質量部を表4~表10中に示したいずれのレジスト組成物にも添加した。界面活性剤Aの構造を以下に示す。界面活性剤A:3-メチル-3-2,2,2-トリフルオロエトキシメチルオキセタンテトラヒドロフラン2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール共重合物オムノバ社製下記式評価方法評価結果実施例1~230、比較例1~80シリコン基板上に反射防止膜溶液日産化学工業株製、ARC-29Aを塗布し、200°Cで60秒間ベークして作製した反射防止膜100nm膜厚基板上にレジスト溶液をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100°Cで60秒間ベークし、90nm膜厚のレジスト膜を作製した。これをArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-S610C、NA=1.30、4重極、6ハーフトーン位相シフトマスクを用いて液浸露光し、任意の温度で60秒間ベークPEBを施し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を行った。レジストパターンの評価は、40nmライン/80nmピッチラインとスペースの和のパターンを対象とし、電子顕微鏡にて観察、パターン寸法幅が40nmとなる露光量を最適露光量Eop、mJ/cm2とした。最適露光量におけるパターン形状を比較し、以下の基準により良否を判別した。良好:パターン側壁の垂直性が高い。好ましい形状。表層難溶:ラインパターン表層部が閉塞気味。好ましくない形状。裾引き:基板に近い部分でライン寸法が増幅する傾向が強い。好ましくない形状。パターン倒れ:表層難溶の症状がさらに増大し、形成されたラインパターンが倒れる。表層溶解過多:ラインパターンが過剰溶解気味。パターンに高さがなく好ましくない形状。また、最適露光量におけるライン側壁部のラフネスについて、寸法幅のバラツキLWR、30点測定、3σ値を算出を求めることで数値化し、比較した表中、LWR単位:nm。また、露光量を大きくすることでライン寸法を細らせた場合に、ラインが倒れずに解像する最小寸法を求め、倒れ限界nmとした。数値が小さいほど倒れ耐性が高く好ましい。上記表4~8に示した本発明のレジスト組成物のPEB温度及び評価結果を下記表16~19に示す。また、上記表9~10に示した比較レジスト組成物のPEB温度及び評価結果を下記表20、21に示す。上記表16~21に示した結果より、A特定の単環構造をもつ酸不安定基を組成に含む高分子化合物、B特定のスルホン酸を発生することを特徴とする化学増幅レジスト材料用の光酸発生剤、及びC特定のスルホン酸オニウム塩を共に含む本発明のレジスト組成物が、ラインパターンの形状、ラフネス、倒れ限界において良好な性能を示すことが確認できた実施例1~230。また、表16~21に示した結果より、本発明のA高分子化合物、B光酸発生剤、及びCスルホン酸オニウム塩のすべてを同時に使用することのない場合比較例1~80においては、性能の向上がみられないことが明らかである。尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"