反応容器と、前記反応容器内に設置され、基板を搭載する基板支持手段と、前記基板支持手段を加熱する加熱手段と、前記反応容器内にガスを供給するガス供給手段とを備えた半導体製造装置において、前記加熱手段は、加熱部と、当該加熱部を電源の電極部に接続するための端子部とを備え、前記端子部は、前記電極部との接続部と前記加熱部との間に、前記加熱手段の変形を抑制する固定手段が固定されていることを特徴とする半導体製造装置。請求項1に記載の半導体製造装置であって、前記加熱手段の加熱部は円筒形状であって、前記端子部は前記円筒形状の軸方向に延びた一対の垂直部を有し、前記固定手段は前記円筒形状と同軸のリング状部材であって、前記一対の垂直部に固定されていることを特徴とする半導体製造装置。請求項1に記載の半導体製造装置であって、前記加熱手段の加熱部は円板形状であって、前記端子部は前記円板形状の面と直交する方向に延びた一対の垂直部を有し、前記固定手段は前記円板の中心と同軸のリング状部材であって、前記一対の垂直部に固定されていることを特徴とする半導体製造装置。請求項2又は3に記載の半導体製造装置であって、前記一対の垂直部は、前記リング状の固定手段の外側又は内側に固定されていることを特徴とする半導体製造装置。請求項1ないし4いずれか一項に記載の半導体製造装置であって、前記固定手段の熱膨張率は、前記加熱手段の熱膨張率以下であることを特徴とする半導体製造装置。半導体製造装置を用いて基板上に成膜する方法であって、前記半導体製造装置が請求項1ないし5のいずれか一項に記載の半導体製造装置であることを特徴とする成膜方法。基板上に半導体結晶を成膜する方法であって、反応容器内に基板を加熱する加熱手段を設置し、前記加熱手段の上に基板を搭載した基板支持手段を載置する準備工程と、前記準備工程後に、前記反応容器内に反応ガスを供給し、基板上に成膜する反応工程と、を含み、前記準備工程は、前記加熱手段の加熱部と一対の端子部との間に固定手段を固定する第一準備工程と、前記固定手段を固定した加熱手段の端子部を、前記反応容器内の電極部に接続する第二準備工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。特許文献1に記載された技術では、ある程度ヒーターの変形を抑制することはできるが、屈曲部を設けたことによってヒーターに上下動が発生するおそれがある。また接合部周辺への熱応力の集中の問題は、解決することができない。半導体製造装置のヒーターは1000°C近い或いはそれ以上の温度になるため、端子部温度が800°C以上の高温となる。このような高温下におかれるヒーターは、その取り付け時にわずかでも端子部に位置ずれがあると、端子部に熱応力が加わることによって歪みが大きくなり、この部分からヒーターが劣化する。また高温下で酸素などの酸性化ガス雰囲気やアンモニアガスなどの腐食性ガス雰囲気にさらされると、端子部が腐食したりエッチングされる。このような場合、支持電極部との接触が不安定となり、端子部と支持電極部との間でスパークが発生し、ヒーターの破損につながる。端子部のエッチングが激しい場合には、直接にヒーター破損を引き起こす。このため、従来、カーボンヒーターの寿命は300時間程度、SiCコートカーボンヒーターでも600時間程度であり、さらなるヒーターの劣化防止と長寿命化が望まれている。本発明は、ヒーターの歪みを抑制し、ヒーターの歪みに起因する温度分布の不均一を防止すること、及び、ヒーターの劣化を防止し長寿命化を図ることを課題とする。本発明の半導体製造装置は、基板の加熱手段であるヒーターの端子部に歪みを抑制する固定手段を設けることにより、上記課題を解決したものである。即ち、本発明の半導体製造装置は、反応容器と、前記反応容器内に設置され、基板を搭載する基板支持手段と、前記基板支持手段を加熱する加熱手段と、前記反応容器内にガスを供給するガス供給手段とを備え、前記加熱手段は、加熱部と、当該加熱部を電源の電極部に接続するための端子部とを備え、前記端子部の電極部との接続部と前記加熱部との間に、前記加熱手段の変形を抑制する固定手段が固定されている。加熱手段の加熱部の形状は円筒形状であっても、円板形状であてもよい。前者の場合、端子部は円筒形状の軸方向に延びた一対の垂直部を有し、固定手段は円筒形状と同軸のリング状部材であって、一対の垂直部に固定される。後者の場合、端子部は前記円板形状の面と直交する方向に延びた一対の垂直部を有し、固定手段は円板の中心と同軸のリング状部材であって、一対の垂直部に固定される。本発明の半導体製造装置において、好ましくは、固定手段の熱膨張率は、加熱手段の熱膨張率以下である。また本発明の成膜方法は、本発明の半導体製造装置を用いたものである。具体的には、反応容器内に基板を加熱する加熱手段を設置し、前記加熱手段の上に基板を搭載した基板支持手段を載置する準備工程と、前記準備工程後に、前記反応容器内に反応ガスを供給し、基板上に成膜する反応工程とを含み、前記準備工程は、前記加熱手段の加熱部と一対の端子部との間に固定手段を固定する第一準備工程と、前記固定手段を固定した加熱手段の端子部を、前記反応容器内の電極部に接続する第二準備工程と、を含む。本発明によれば、ヒーターの端子部に歪みを抑制する固定手段を設けるという簡単な構造で、効果的にヒーターの歪みを抑制するとともに端子部にかかる熱応力を低減し、ヒーターの破損を防止し、その長寿命化を図ることができる。以下、本発明の実施の形態を説明する。図1に、本発明が適用される半導体製造装置の全体概要を示す。この半導体製造装置は、材料ガスを高温下で反応させて基板上に成長させるCVD装置であり、主な要素として、反応容器1と、反応容器1内に材料ガスを供給するためのフローチャンネル2と、基板10を支持するサセプタ3と、サセプタ3を加熱するためのヒーター40と、ヒーター電源5と、サセプタ3の回転機構不図示などを備えている。反応容器1には、材料ガスを供給するガス供給管61~63が接続されており、これらガス供給管61~63から供給される材料ガスは、フローチャンネル2を介して混合ガスとして基板10上に供給される。材料ガスとしては、成長させる結晶によって異なるが、TMAトリメチルアルミニウム等の有機金属ガス、NH3ガス、N2等のキャリアガスなどが用いられる。これら材料ガスは、ガス流量調整装置61a~63aによって所定のガス流量に調整されて各ガス供給管61~63から反応容器1に供給される。反応容器1には、圧力計7が備えられると共に排気ポンプ9に接続された圧力制御弁8が備えられており、圧力制御弁9によって反応容器1内の圧力が一定となるように制御された状態で、反応後の副生ガスや余剰のガスが排気される。フローチャンネル2は、ガス供給管61~63からそれぞれ供給される材料ガスを混合して、基板10上に供給し、基板の上部に混合ガスのガス流層とその下にガスの淀み層を形成するようになっている。サセプタ3は、熱伝導性の良好な材料、例えばグラファイト等のカーボン材料の表面をSiC膜でコートした材料からなり、基板10を支持するとともに、ヒーター4からの熱を均熱化して基板10に伝える機能を持つ。反応容器1内には、基板温度及びヒーター温度を計測するための放射温度計等の温度センサー31、32が設置されている。ヒーター40は、グラファイト等のカーボン、SiCでコートされたカーボン等からなり、サセプタ3の側面を取り囲む円筒状の形状を有し、その中心軸がサセプタ3の回転軸31と一致するように配置されている。ヒーター40の一端には、一対の端子部41が形成されており、これら端子部41はそれぞれ金属支持電極部51が接続されている。一対の金属支持電極部51は、ヒーター電源5に接続されている。ヒーター40の端子部41には熱電対等の端子部温度を測定するための温度センサー47が取り付けられている。ヒーター温度は、反応容器1内に設置された放射温度計温度センサー32からのフィードバック制御により調整され、所望のヒーター温度となるようにヒーター電源5からヒーター40に電力が供給される。ヒーター40の構造について、図2を参照して詳述する。図2のaはヒーターを上から見た図、bは側面図である。図示するように、ヒーター40は、加熱部となる円筒部42と一対の端子部41とからなり、円筒部42には、円筒の軸方向に上下から互い違いに切り込みスリットが形成されており、これにより1本の長い導体をジグザグに折り曲げた構造と等価の構造を有している。一対の端子部41は円筒部42の下端に、円筒の径方向の対向する位置に配置されている。端子部41は、さらに図3に示すように、円筒部42からその軸方向に延びる垂直部41aと垂直部に対し直交する水平部41bとからなるL字形状を有し、水平部41bには金属支持電極部51に固定するためのネジ穴が形成されている。金属支持電極部51は、図3に示すように、端子部41をネジ止めするための穴51aが形成されるとともに、ヒーター電源5の円柱状の電極52が貫通する円筒状の穴51bが形成されている。円筒状の穴51bには、その軸方向に沿ってスリット51cが形成されるとともに、スリット51cに垂直なネジ穴51dが形成されている。金属支持電極部51は、円筒状穴51bに電極52をはめ込んだ状態で、ネジ穴51dをネジ止めすることにより、ヒーター電源5の電極52に堅固に固定される。ヒーター40は、端子部41を金属支持電極部51のネジ穴51aにネジ止めすることにより、金属支持電極部51に固定される。この際、金属支持電極部51と電極52との接続部及び金属支持電極部51と端子部41との接続部において、取付時ネジ止め時にわずかにでも位置ずれがあると、図3中に矢印で示すように、ヒーター加熱時の熱応力ヒーターが熱により変形しようとする力により歪みの応力が発生する。本実施形態では、取付時の位置ずれを防止し、熱応力を抑制する手段として、端子部41の垂直部41aに、ヒーター40の変形を防止するための固定リング43が嵌合されている図2。固定リング43の材料としては、高熱伝導性であって絶縁性がある材料を用いる。また熱膨張率の低い材料、特に、熱膨張率がヒーターの熱膨張率以下である材料を用いることが望ましい。そのような材料として、具体的には、Al2O3、AlNなどが挙げられる。固定リング43の大きさは、ヒーター4の大きさにより異なるが、製造上及びヒーター40への取付の観点から、円筒部の軸方向の高さが4mm以上、円筒部の径方向の厚みが1mm以上であることが好ましい。具体的には、一例として、円筒部42の外径が50mmの場合、固定リング43の高さは5mm、幅は2mmとし、円筒部42の外径が80mmの場合、固定リングの高さは8mm、幅は5mmとする。固定リング43をヒーター端子部41に固定する方法は、特に限定されるものではないが、製造上、ネジ等によって固定することが望ましい。前掲の大きさの固定リングでは、例えばM3のネジを用いることができる。固定リング43を固定する位置は、垂直部41aの円筒部42との境の近傍であることが好ましい。固定リング43を円筒部42との境に近い位置にすることにより、円筒部42にかかる熱応力を低減し、ヒーター41の歪みを抑制することができる。このような構造のヒーター40における固定リング43の作用について、図4を参照して説明する。ヒーター40が加熱されたとき、ヒーター40は、図4中太矢印で示すように、熱により膨張する力熱応力が発生する。ここでヒーター40の端子部41は金属支持電極45に固定されているので、固定リング43がない場合には、図4aに示すように、熱応力は金属支持電極45への固定部分を支点として円筒部42が外側に広がろうとする力、即ち角度θの変形を与える力として作用する。このため大きな力がヒーターの円筒部にかかる。また変形の応力は、円筒部42を2本で支える端子部41に大きく作用し、金属支持電極45との接触を不安定にしたり、垂直部41aと水平部41bとの境である屈曲部を変形する。これに対し、端子部41に固定リング43を固定した場合には、図4bに示すように、熱応力が作用する支点は、固定リング43を固定した部分になるため、図4aの場合と同じ角度θに変形する力が加わっても固定リング43で固定された点と円筒部42上端までの距離が短くなるので、円筒部42に加わる力が低減される。加えて、固定リング43自体がわずかながら熱膨張することにより、その分、円筒部に加わる熱応力が低減される。このように、円筒部42の径の変形θ’を低減できることから、その上に位置するサセプタ3への熱の伝達の変動を抑制し、均一なサセプタ温度基板温度を保つことができる。またヒーターの円筒部42から端子部41に熱が伝導される際に固定リング43にも熱が伝導され、その熱は固定リング43を介して放熱されるため、円筒部42から端子部41に移動する熱量を減らすことができ、これにより端子部41の高温化とそれによって引き起こされるエッチングを抑制することができ、ヒーターの長寿命化を図ることができる。以上説明したように、本実施形態の半導体製造装置によれば、サセプタを加熱するヒーターの端子部に固定リングを設けるという簡単な構造を追加することで、ヒーター取付時に位置ずれなくヒーターを金属支持端子部に固定することができる。これによりヒーターの歪みを抑制することができ、均一なサセプタ温度を保つことができる。またヒーターの破損につながるヒーター端子部の過熱や変形を抑制することができ、ヒーターの長寿命化を図ることができ、ヒーター交換回数を低減することができる。なお図1及び図2に示す実施形態では、一つの固定リングを設けた場合を示したが、図5に示すように、固定リング43を2以上設けることも可能である。また、固定リング43を端子部41の外側に嵌めるのではなく、図6に示すように、ヒーター端子部41の内側に固定することも可能であり、この場合も、固定リングの数は1又は複数であってもよい。固定リング43を内側に設ける場合、外径をヒーター円筒部42の内径とほぼ等しくすること以外は、図2の実施形態と同様にすることができ、また固定方法も同様の方法を採用することができる。また図1及び図2に示す実施形態では、ヒーターとして、円筒部を有し、円筒部に円筒の軸方向のスリットが入った構造を持つヒーターを備えた半導体製造装置を説明したが、図7b、cに示すように、渦巻き状の面状ヒーターや、円筒部に円筒の周方向にスリットが入った構造のヒーターについても同様に適用することができ、同様の効果を得ることができる。さらに図1では、フローチャンネル方式の半導体製造装置を示したが、本発明は2フロータイプやシャワーヘッドノズルからガスを供給する方式の装置等にも適用でき、またMOCVD以外の半導体製造装置、例えば、スパッタ装置等にも適用することができる。次に、上記構成の半導体製造装置を用いた成膜方法について説明する。図8に、図1の半導体製造装置を用いた成膜方法の工程を示す。本発明の成膜方法は、主として装置の準備工程と、準備工程後の反応工程とからなり、準備工程はヒーター4に固定リング43をセットする工程81と、固定リングをセットした後のヒーターの上にサセプタ3及び基板10をセットする工程83とを含む。以下、各工程について説明する。まず図2又は図7に示すヒーターの端子部に、固定リングを嵌めてネジ止めしてヒーター4を用意する工程81。このヒーターの端子部41を反応容器内の金属支持端子部51にネジで固定する工程82。次に基板10を固定したサセプタ3を反応容器1内に入れ、ヒーター4の上にセットする工程83。ヒーター4やサセプタ3の出し入れを行った反応容器1の開口不図示を閉じ、反応容器1を排気ポンプ9で一度真空排気した後、反応容器1内へガス供給管62から不活性ガスを供給するとともに、圧力制御弁し、一対の金属支持電極部51にヒーター電源5から電力を供給し、ヒーターを所望の温度に加熱する工程84。反応工程は成膜する結晶等によって異なるが、図8には、一例として、AlN層の成膜の場合を示している。この反応工程は、基板を予備加熱する熱処理工程85、昇温工程86、材料ガスを導入して基板上にAlN層を形成する成膜工程87、冷却工程88を含む。熱処理工程85では、基板温度が1000°Cになるまでヒーターを加熱し、昇温し基板を熱処理する。次いで基板温度が1200°Cになるまでヒーターを加熱し、昇温した後昇温工程86、成膜工程87では、ヒーター温度を1200°Cに保ち、反応性ガスとしてNH3をガス供給管63から所定ガス流量で供給し、次いで不活性ガスでバブリングした有機金属材料TMAをガス供給管61から所定ガス流量で供給し、基板上に結晶成長させる。所定時間の結晶成長後にNH3ガス及び材料ガスの供給を停止し、不活性ガスのみを所定ガス流量で供給する。同時にヒーター4への電力供給を停止し、ヒーター4を常温まで冷却する冷却工程88。以上のように反応工程では、ヒーター温度が1000°C以上の高温となるが、ヒーター4の端子部41には固定リング43が固定されているため、ヒーターの加熱部円筒部或いは渦巻き状加熱部の変形が抑制され、均一な加熱温度を達成することができ、均一な組成、膜厚の成膜を行うことができる。以上、本発明の成膜方法をMOCVDによるAlN膜の場合を例に説明したが、本発明の成膜方法は反応の準備工程に特徴があり、反応工程については一層の成膜のみならず二層以上の成膜の場合でも、MOCVD以外の半導体製造装置を用いた成膜でも同様に適用することができる。本発明の半導体製造装置における固定リングの効果を確認するために、図1に示す半導体製造装置を用いて、以下の条件で図8に示す工程でヒーター加熱実験を行い、ヒーターが破損、断線するまで繰り返した。基板:C面サファイア、基板回転速度10rmp熱処理工程:ヒーター温度1000°C、保持時間10分間、NH3ガス流量5.0SLM、N2ガス流量1.0SLM昇温工程:ヒーター温度~1200°C成膜工程:ヒーター温度1200°C、TMAN2ガスのガス流量1.0sccm、反応時間3時間実験は、ヒーターに図2に示すような固定リングを固定した場合実施例と固定リングを固定しない場合比較例について行った。比較例のヒーター寿命で規格化した実施例のヒーター寿命を図9のグラフに示す。この結果からも明らかなように、実施例の半導体製造装置では、比較例に比べ約1.78倍の長寿命化が実現できた。また実験の繰り返し5回目において、基板温度及びヒーター表面温度を、放射温度計31、32で測定するとともに、ヒーター端子部温度を熱電対47で計測した。その結果を図10a、bのグラフに示す。図10a中、×は基板温度、○及び◇は、それぞれ実施例のヒーター加熱部温度及び端子部温度である。図10b中、●及び◆は、それぞれ比較例のヒーター加熱部温度及び端子部温度である。図10a、bの比較からわかるように、温度が制御されている基板温度及びヒーター加熱部の温度は実施例も比較例も同じ結果であったが、端子部は実施例では比較例に比べ大幅に低く、基板温度が1200°C、加熱部温度が1291°Cに上昇した時点3時間経過後でも、実施例の端子部温度は751°Cであり800°C未満に抑制できた。これは固定リングによる放熱作用の結果と考えられ、固定リングにより端子部の過熱が抑制されることが確認された。