"p型GaN系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、前記p型GaN系半導体領域上に設けられた電極とを備え、前記p型GaN系半導体領域における主面の法線とm面の法線とが形成する角度が1°以上5°以下であり、前記電極は、前記p型GaN系半導体領域の前記主面に接触し、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属とMgとから構成されるMg合金層を含む、窒化物系半導体素子。前記p型GaN系半導体領域は、AlxInyGazNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成される請求項1に記載の窒化物系半導体素子。前記電極は、前記Mg合金層と、前記Mg合金層の上に形成された金属層とを含み、前記金属層は、Pt、MoおよびPdのうち前記Mg合金層に含まれる金属から形成されている、請求項1または2に記載の窒化物系半導体素子。前記窒化物系半導体積層構造は、AlaInbGacN層abc=1,a≧0,b≧0,c≧0を含む活性層を有し、前記活性層は光を発する、請求項1から3の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。前記p型GaN系半導体領域はp型コンタクト層である、請求項1から4の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。前記Mg合金層の厚さは0.1nm以上5nm以下である、請求項1から5の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。前記Mg合金層の厚さは前記金属層の厚さ以下である、請求項3に記載の窒化物系半導体素子。前記Mg合金層中のN濃度はGa濃度よりも低い、請求項1から7の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。前記Mg合金層はアイランド状である請求項1から8の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。前記窒化物系半導体積層構造を支持する半導体基板を有している、請求項1から9の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。窒化物系半導体発光素子と、前記窒化物系半導体発光素子から放射された光の波長を変換する蛍光物質を含む波長変換部とを備える光源であって、前記窒化物系半導体発光素子は、p型GaN系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、前記p型GaN系半導体領域上に設けられた電極とを備え、前記p型GaN系半導体領域における主面の法線とm面の法線とが形成する角度が1°以上5°以下であり、前記電極は、前記p型GaN系半導体領域の前記主面に接触し、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属とMgとから構成されるMg合金層を含む、光源。前記p型GaN系半導体領域は、AlxInyGazNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成される請求項11に記載の光源。基板を用意する工程aと、GaN系半導体からなり、前記半導体の主面の法線とm面の法線とが形成する角度が1°以上5°以下であるp型GaN系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造を前記基板上に形成する工程bと、前記窒化物系半導体積層構造の前記p型GaN系半導体領域の前記主面上に電極を形成する工程cとを含み、前記工程cは、前記p型GaN系半導体領域の前記主面上に、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属とMgとから構成されるMg合金層を形成する工程を含む、窒化物系半導体素子の製造方法。前記p型GaN系半導体領域は、AlxInyGazNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成される請求項13に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。前記Mg合金層を形成する工程は、前記p型GaN系半導体領域の前記主面上に、Mg層を形成する工程と、前記Mg層の上に、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される導電層を形成する工程と、加熱処理を行なうことにより、前記Mg層と前記導電層の少なくとも一部とを合金化する工程とを含む、請求項13または14に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。前記加熱処理は、500°C以上700°C以下の温度で実行される、請求項15に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。前記加熱処理は、550°C以上650°C以下の温度で実行される、請求項16に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。前記Mg層を形成する工程は、パルス的に電子ビームを照射することによってMgを前記p型GaN系半導体領域の前記主面の上に蒸着させることを実行する、請求項15から17の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。前記Mg層は0.1nm以上5nm以下の厚さで前記窒化物系半導体積層構造の上に堆積される、請求項15から18の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。前記工程bを実行した後において、前記基板を除去する工程を含む、請求項13から19の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。前記Mg合金層を形成する工程は、Mgと、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属との混合物または化合物を、前記p型GaN系半導体領域の前記主面上に蒸着する工程と、加熱処理を行なう工程とを含む、請求項13または14に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。上述のように、m面基板上で成長させたGaN系半導体素子は、c面基板上で成長させたものと比較して顕著な効果を発揮し得るが、次のような問題がある。すなわち、m面基板上で成長させたGaN系半導体素子は、c面基板上で成長させたものよりもコンタクト抵抗が高く、それが、m面基板上で成長させたGaN系半導体素子を使用する上で大きな技術的な障害となっている。そのような状況の中、本願発明者は、非極性面であるm面上に成長させたGaN系半導体素子が持つコンタクト抵抗が高いという課題を解決すべく、鋭意検討した結果、コンタクト抵抗を低くすることができる手段を見出した。本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、m面基板上で結晶成長させたGaN系半導体素子におけるコンタクト抵抗を低減できる構造および製造方法を提供することにある。本発明の窒化物系半導体素子は、p型GaN系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、前記p型GaN系半導体領域上に設けられた電極とを備え、前記p型GaN系半導体領域における主面の法線とm面の法線とが形成する角度が1°以上5°以下であり、前記電極は、前記p型GaN系半導体領域の前記主面に接触し、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属とMgとから構成されるMg合金層を含む。ある実施形態において、前記p型GaN系半導体領域は、AlxInyGazNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成される。ある実施形態において、前記電極は、前記Mg合金層と、前記Mg合金層の上に形成された金属層とを含み、前記金属層は、Pt、MoおよびPdのうち前記Mg合金層に含まれる金属から形成されている。ある実施形態において、前記窒化物系半導体積層構造は、AlaInbGacN層abc=1,a≧0,b≧0,c≧0を含む活性層を有し、前記活性層は光を発する。ある実施形態において、前記p型GaN系半導体領域はp型コンタクト層である。ある実施形態において、前記Mg合金層の厚さは0.1nm以上5nm以下である。ある実施形態において、前記Mg合金層の厚さは前記金属層の厚さ以下である。ある実施形態において、前記Mg合金層中のN濃度はGa濃度よりも低い。ある実施形態において、前記Mg合金層はアイランド状である。ある実施形態において、前記窒化物系半導体積層構造を支持する半導体基板を有している。本発明の光源は、窒化物系半導体発光素子と、前記窒化物系半導体発光素子から放射された光の波長を変換する蛍光物質を含む波長変換部とを備える光源であって、前記窒化物系半導体発光素子は、p型GaN系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、前記p型GaN系半導体領域上に設けられた電極とを備え、前記p型GaN系半導体領域における主面の法線とm面の法線とが形成する角度が1°以上5°以下であり、前記電極は、前記p型GaN系半導体領域の前記主面に接触し、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属とMgとから構成されるMg合金層を含む。ある実施形態において、前記p型GaN系半導体領域は、AlxInyGazNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成される。本発明の窒化物系半導体素子の製造方法は、基板を用意する工程aと、GaN系半導体からなり、前記半導体の主面の法線とm面の法線とが形成する角度が1°以上5°以下であるp型GaN系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造を前記基板上に形成する工程bと、前記窒化物系半導体積層構造の前記p型GaN系半導体領域の前記主面上に電極を形成する工程cとを含み、前記工程cは、前記p型GaN系半導体領域の前記主面上に、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属とMgとから構成されるMg合金層を形成する工程を含む。ある実施形態において、前記p型GaN系半導体領域は、AlxInyGazNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成される。ある実施形態において、前記Mg合金層を形成する工程は、前記p型GaN系半導体領域の前記主面上に、Mg層を形成する工程と、前記Mg層の上に、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される導電層を形成する工程と、加熱処理を行なうことにより、前記Mg層と前記導電層の少なくとも一部とを合金化する工程とを含む。ある実施形態において、前記加熱処理は、500°C以上700°C以下の温度で実行される。ある実施形態において、前記加熱処理は、550°C以上650°C以下の温度で実行される。ある実施形態において、前記Mg層を形成する工程は、パルス的に電子ビームを照射することによってMgを前記p型GaN系半導体領域の前記主面の上に蒸着させることを実行する。ある実施形態において、前記Mg層は0.1nm以上5nm以下の厚さで前記窒化物系半導体積層構造の上に堆積される。ある実施形態は、前記工程bを実行した後において、前記基板を除去する工程を含む。ある実施形態において、前記Mg合金層を形成する工程は、Mgと、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属との混合物または化合物を、前記p型GaN系半導体領域の前記主面上に蒸着する工程と、加熱処理を行なう工程とを含む。本発明の窒化物系半導体素子によれば、窒化物系半導体積層構造上の電極がMg合金層を含み、そのMg合金層がp型GaN系半導体領域の表面m面に接触していることにより、コンタクト抵抗を低減することができる。本発明では、m面から1°以上5°以下の角度で傾斜した面を主面とするp型GaN系半導体領域を用いた場合であっても、m面p型GaN系半導体領域m面からの傾斜が1°未満の面を主面とするp型GaN系半導体領域を用いた場合と同様の効果を奏する。以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。図3aは、本発明の実施形態に係る窒化物系半導体発光素子100の断面構成を模式的に示している。図3aに示した窒化物系半導体発光素子100は、GaN系半導体からなる半導体デバイスであり、窒化物系半導体積層構造を有している。本実施形態の窒化物系半導体発光素子100は、m面を表面12とするGaN系基板10と、GaN系基板10の上に形成された半導体積層構造20と、半導体積層構造20の上に形成された電極30とを備えている。本実施形態では、半導体積層構造20は、m面成長によって形成されたm面半導体積層構造であり、その表面はm面である。ただし、r面サファイア基板上にはa面GaNが成長するという事例もあることから、成長条件によっては必ずしもGaN系基板10の表面がm面であることが必須とならない。本発明の構成においては、少なくとも半導体積層構造20のうち、電極と接触するp型半導体領域の表面主面がm面であればよい。本実施形態の窒化物系半導体発光素子100は、半導体積層構造20を支持するGaN基板10を備えているが、GaN基板10に代えて他の基板を備えていても良いし、基板が取り除かれた状態で使用されることも可能である。図3bは、表面がm面である窒化物系半導体の断面基板表面に垂直な断面における結晶構造を模式的に示している。Ga原子と窒素原子は、m面に平行な同一原子面上に存在するため、m面に垂直な方向に分極は発生しない。すなわち、m面は非極性面であり、m面に垂直な方向に成長した活性層内ではピエゾ電界が発生しない。なお、添加されたInおよびAlは、Gaのサイトに位置し、Gaを置換する。Gaの少なくとも一部がInやAlで置換されていても、m面に垂直な方向に分極は発生しない。m面を表面に有するGaN系基板は、本明細書ではm面GaN系基板と称される。m面に垂直な方向に成長した窒化物系半導体積層構造を得るには、典型的には、m面基板GaN基板を用い、その基板のm面上に半導体を成長させればよい。しかし、前述したように、基板の表面がm面である必要は無く、また、最終的なデバイスに基板が残っている必要も無い。参考のために、図3cに、表面がc面である窒化物系半導体の断面基板表面に垂直な断面における結晶構造を模式的に示す。Ga原子と窒素原子は、c面に平行な同一原子面上に存在しない。その結果、c面に垂直な方向に分極が発生する。c面を表面に有するGaN系基板を、本明細書ではc面GaN系基板と称する。c面GaN系基板は、GaN系半導体結晶を成長させるための一般的な基板である。c面に平行なGa又はInの原子層と窒素の原子層の位置がc軸方向に僅かにずれているため、c軸方向に沿って分極が形成される。再び、図3aを参照する。m面GaN系基板10の表面m面12の上には、半導体積層構造20が形成されている。半導体積層構造20は、AlaInbGacN層abc=1,a≧0,b≧0,c≧0を含む活性層24と、AldGaeN層de=1,d≧0,e≧026とを含んでいる。AldGaeN層26は、活性層24を基準にしてm面12の側とは反対の側に位置している。ここで、活性層24は、窒化物系半導体発光素子100における電子注入領域である。本実施形態の半導体積層構造20には、他の層も含まれており、活性層24と基板10との間には、AluGavInwN層uvw=1,u≧0,v≧0,w≧022が形成されている。本実施形態のAluGavInwN層22は、第1導電型n型のAluGavInwN層22である。また、活性層24とAldGaeN層26との間に、アンドープのGaN層を設けてもよい。AldGaeN層26において、Alの組成比率dは、厚さ方向に一様である必要は無い。AldGaeN層26において、Alの組成比率dが厚さ方向に連続的または階段的に変化していても良い。すなわち、AldGaeN層26は、Alの組成比率dが異なる複数の層が積層された多層構造を有していても良いし、ドーパントの濃度も厚さ方向に変化していてもよい。なお、コンタクト抵抗低減の観点から、AldGaeN層26の最上部半導体積層構造20の上面部分は、Alの組成比率dがゼロである層GaN層から構成されていることが好ましい。半導体積層構造20の上には、電極30が形成されている。本実施形態の電極30は、PtとMgから構成されるMg合金層32を含む電極であり、Mg合金層32の上には、Ptからなる金属層34が形成されている。なお、Mg合金層とは、オーダー例えば1以上の濃度でPt等の金属がMg中に混和している層を意味する。本実施形態におけるMg合金層32には、金属層34を構成する金属Ptがオーダーの濃度で混和している。電極30におけるMg合金層32は、半導体積層構造20のp型半導体領域に接触しており、p型電極p側電極の一部として機能する。本実施形態では、Mg合金層32は、第2導電型p型のドーパントがドープされたAldGaeN層26に接触している。AldGaeN層26には、例えば、ドーパントとしてMgがドープされている。Mg以外のp型ドーパントとして、例えばZn、Beなどがドープされていても良い。Mg合金層32の表面に接触する金属層34としては、Pt層の他、Au金に比べるとMgと合金を形成し難い金属の層を用いることができる。すなわち、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される少なくとも1種の金属を用いればよい。逆に、Mg合金層32と接触する金属層34の材料として、Mgと合金を形成し易いAuは好ましく無い。Pt、Mo、Pdは、Auに比べるとMgとの間で合金化しにくい金属であるが、後述する熱処理により、Mgの一部と反応して合金層が形成され得る。Mg合金層32は、Mg層の上にPtなどの金属層を堆積した後に、熱処理を行なうことによって好適に形成される。熱処理の前に堆積した金属層が比較的厚ければ、熱処理によって形成されたMg合金層32の上に金属層34が残る。一方、熱処理の前に堆積した金属層が比較的薄ければ、熱処理によって金属層34の全てがMgと合金化する場合がある。この場合には、電極30としてMg合金層32のみが存在する。なお、Mg合金層32は、金属層34を構成する金属とMgとの混合物または化合物を蒸着源として蒸着を行った後に熱処理を行うことによって形成してもよい。この場合、Mg合金層32を蒸着した直後には、Mg合金層32の上に金属層34は存在していない。その後、Mg合金層32の上に金属層34を堆積せずに、電極30をMg合金層32のみから構成させてもよいし、必要に応じて、Mg合金層32の上に金属層34を堆積してもよい。Mg合金層32の少なくとも一部は、積層後の熱処理によってアイランド状島状に凝集を起こし、互いに間隔を置いて形成されていてもよい。このとき、金属層34を構成するPtは各アイランド状Mg合金の間に入り込んでいる。金属層34の少なくとも一部がアイランド状に凝集していてもよい。上記の各電極の上には、上述の金属層または合金層とは別に、これらの金属以外の金属または合金からなる電極層や配線層が形成されていても良い。本実施形態の電極30の厚さは、例えば、1~200nmである。Mg合金層32の上に金属層34が設けられている場合には、Mg合金層32は、金属層34よりも薄い層であり、Mg合金層32の厚さは、例えば、5nm以下好ましくは0.1nm以上5nm以下である。熱処理の前に堆積したMg層の厚さが5nmよりも大きい場合には、熱処理を行った後に、Mg層の一部が合金化されず、Mg合金層32とAldGaeN層26との間にMg層が残存することがある。これは、金属層34を構成するPtなどの金属がMgと合金を形成しにくいことに起因する。Mg層が残存すると、下地の半導体積層構造20との密着性が比較的低い場合がある。そのため、熱処理の前に堆積するMg層の厚さは5nm以下であることが好ましく、熱処理によって形成されるMg合金層32の厚さも5nm以下であることが好ましい。また、Mg合金層32の上に位置する金属層例えば、Pt層34の厚さは、例えば、200nm以下好ましくは1nm~200nmである。Mg合金層32が金属層34よりも薄い層であるのは、Mg合金層32と金属層34との歪みのバランスが崩れることによるMg合金層32とAldGaeN層26との間での剥離が生じないようにするためである。金属層34は、Mg合金層32の酸化防止などにおいて重要な役割を担うが、必ずしも必要というわけではない。また、m面の表面12を有するGaN系基板10の厚さは、例えば、100~400μmである。これはおよそ100μm以上の基板厚であればウエハのハンドリングに支障が生じないためである。なお、本実施形態の基板10は、GaN系材料からなるm面の表面12を有していれば、積層構造を有していても構わない。すなわち、本実施形態のGaN系基板10は、少なくとも表面12にm面が存在している基板も含み、したがって、基板全体がGaN系であってもよいし、他の材料との組み合わせであっても構わない。本実施形態の構成では、基板10の上に位置するn型のAluGavInwN層例えば、厚さ0.2~2μm22の一部に、電極40n型電極が形成されている。図示した例では、半導体積層構造20のうち電極40が形成される領域は、n型のAluGavInwN層22の一部が露出するように凹部42が形成されている。その凹部42にて露出したn型のAluGavInwN層22の表面に電極40が設けられている。電極40は、例えば、Ti層とAl層とPt層との積層構造から構成されており、電極40の厚さは、例えば、100~200nmである。本実施形態の活性層24は、Ga09In01N井戸層例えば、厚さ9nmとGaNバリア層例えば、厚さ9nmとが交互に積層されたGaInN/GaN多重量子井戸MQW構造例えば、厚さ81nmを有している。活性層24の上には、p型のAldGaeN層26が設けられている。p型のAldGaeN層26の厚さは、例えば、0.2~2μmである。なお、上述したように、活性層24とAldGaeN層26との間には、アンドープのGaN層を設けてもよい。加えて、AldGaeN層26の上に、第2導電型例えば、p型のGaN層を形成することも可能である。そして、そのGaN層の上に、p-GaNからなるコンタクト層を形成し、さらに、p-GaNからなるコンタクト層上に、Mg合金層32を形成することも可能である。なお、GaNからなるコンタクト層を、AldGaeN層26とは別の層であると考える代わりに、AldGaeN層26の一部であると考えることもできる。図4Aは、2つのPd/Pt電極をp型GaN層に接触させた場合の電流-電圧特性を、図4Bは、2つのMg合金層電極をp型GaN層に接触させた場合の電流-電圧特性を示す。Pd/Pt電極としては、p型のm面GaN層上にPd層およびPt層をこの順に形成した後、窒素雰囲気中で熱処理を行なうことにより形成した電極m面GaNPd/Ptを用いた。Mg合金層電極としては、p型のm面GaN層上に、Mg層およびPt層をこの順に蒸着した後、窒素雰囲気中で熱処理を行なうことによって合金化された電極m面GaNMgPt合金/Ptを用いた。これらの電極の構成および熱処理条件は以下の表1に示す通りである。本実施形態では、表1に示す熱処理を行なうことによって、p型GaN層上に接するMg層とPt層の一部Mg層に接する側とを合金化させ、さらにMg合金層がp型GaN層と接した状態で加熱されることにより、良好なMg合金層電極MgPt合金/Pt電極を形成することができる。図4A、図4Bに示す電流-電圧特性の各曲線は、図4Dに示すTLMTransmissionLineMethod電極パターンの電極間距離に対応したものである。図4Dは、100μm×200μmの複数の電極が、8μm、12μm、16μm、20μmだけ間隔を空けて配置された状態を示している。図4Cは、上述のPd/Pt電極、およびMgPt合金/Pt電極を用いた場合のそれぞれにおける固有コンタクト抵抗Ωcm2を示すグラフである。コンタクト抵抗はTLM法を用いて評価した。なお、縦軸に示した1.0E-01は1.0×101を意味し、1.0E-02は1.0×102を意味し、すなわち、1.0EXは、1.0×10Xの意味である。Pdはp型電極として従来用いられてきた仕事関数の大きな金属である。Pd/Pt電極ではPdがp型GaN層に接触しており、図4AのグラフPd/Pt電極の電流-電圧特性は、ショットキー型の非オーミック特性ショットキー電圧:約2Vを示している。一方、図4BのグラフMg合金層電極の電流-電圧特性にはショットキー電圧が現れておらず、このMg合金層電極は、p型GaN層とほぼオーミックコンタクトを形成することがわかる。ショットキー電圧の消失は、発光ダイオードやレーザダイオード等のデバイス動作電圧を低減する上で非常に重要である。さらに、図4Cに示すように、Pd/Pt電極よりもMgPt合金/Pt電極のほうが一桁近くも低い固有コンタクト抵抗Ωcm2を示す。本実施形態では、仕事関数の大きな金属を用いるという従来のp型電極のアプローチでは得ることのできない非常に顕著な効果を得ることに成功している。なお、MgPt電極をc面p型GaN層と接触させた場合には、Pd/Pt電極の場合よりも若干低いコンタクト抵抗が得られる。接触面がm面の場合には、MgPt電極は、Pd/Pt電極より顕著に低いコンタクト抵抗を示す特願2009-536554号参照。MgPt合金/Pt電極を用いた本発明でも同様の結果が得られると推測される。次に、コンタクト抵抗について熱処理温度の依存性を説明する。図5は、p型のGaN層のm面上に、Mg層およびPt層をこの順に蒸着した後、窒素雰囲気中で熱処理を行なうことによって合金化させた電極すなわち、m面GaNMgPt合金/Ptの結果を示している。また、対比として、p型のm面GaN層上にPd層およびPt層をこの順に形成した後、窒素雰囲気中で熱処理を行なうことによって形成した電極m面GaNPd/Ptの結果も示している。図5に示すデータは、パルス蒸着法を用いてMg層を堆積したサンプルから得たものである。パルス蒸着法については、後述する。本願明細書における本発明の実験例では、いずれも、Mg層をパルス蒸着法によって堆積し、Mg以外の金属Pd、Pt、Auは、通常の電子ビーム蒸着法によって堆積している。MgPt合金/Pt電極、およびPd/Pt電極は、Mgがドープされたm面GaN層に接触している。これらの電極が接触するm面GaN層では、表面から深さ20nmの領域厚さ20nmの最表面領域に7×1019cm3のMgがドープされている。また、m面GaN層の表面からの深さが20nmを超える領域には、1×1019cm3のMgがドープされている。このように、p型電極が接触するGaN層の最表面領域においてp型不純物の濃度を局所的に高めると、コンタクト抵抗を最も低くすることができる。また、このような不純物ドーピングを行なうことにより、電流―電圧特性の面内ばらつきも低減するため、駆動電圧のチップ間ばらつきを低減できるという利点も得られる。このため、本願に開示している実験例では、いずれも、電極が接触するp型GaN層の表面から深さ20nmの領域に7×1019cm3のMgをドープし、それよりも深い領域には1×1019cm3のMgをドープしている。熱処理前における各層の厚さは、以下の表2に示す通りである。まず、Pd/Pt電極の場合、コンタクト抵抗は、500°Cの熱処理の前後で、ほとんど変化しなかった。熱処理温度が500°Cを超えると、コンタクト抵抗の上昇が見られた。一方、MgPt合金/Pt電極の場合は、熱処理温度が500°C以上になると、コンタクト抵抗は急に低下した。本実施形態では、熱処理前にp型のm面GaN層に接するのはMg層であるのに対し、500°C以上の温度で熱処理を行なうことによってMg層がPt層と合金化し、熱処理後にp型のm面GaN層に接するのはMg合金層になる。図5から、m面GaNMgPt合金/Pt電極の場合、熱処理温度が600°Cになると、コンタクト抵抗はさらに低下していることがわかる。さらに昇温して700°Cの熱処理を行なうと、コンタクト抵抗は600°Cの熱処理温度のときよりも上昇するものの、従来のm面GaNPd/Ptの電極の場合のコンタクト抵抗よりは小さかった。したがって、MgPt合金/Pt電極の熱処理温度としては、例えば、500°C以上が好ましい。700°Cを超えて所定温度例えば800°C以上になると、電極やGaN層の膜質の劣化が進むため、上限は700°C以下が好ましい。加えて、さらにコンタクト抵抗が低くなる、550°C以上650°C以下の温度範囲であることがさらに好ましい。図6は、電極構造MgPt合金/PtにおいてGaの深さ方向のプロファイルを、SIMSを用いて得た結果を示す。熱処理前におけるMg層厚は2nmであり、Pt層厚は75nmであった。熱処理によってMg合金層厚は2nmとなった。熱処理は、窒素雰囲気中600°Cで10分間行なった。グラフの縦軸は原子濃度と比例関係にある、SIMSの検出器の信号強度を示す。図6における横軸の距離0μmはp型GaN層とMg合金層との界面の位置にほぼ相当する。なお、横軸の原点0μmは、Gaピークの位置に合わせた。横軸の数値が-の領域は電極側であり、の領域はp型GaN側である。縦軸は、as-depo熱処理前のGaN結晶中のGa濃度を1として規格化している。また母体の原子密度から算定すると、縦軸の強度の1×103は濃度として1×1019cm3にほぼ相当する。図6に示すように、熱処理後には、熱処理前と比べて、Mg合金層中のGa濃度が増加している。この結果から、熱処理によって、Mg合金層中にGaが拡散していることがわかる。さらに、500°C以上の温度で熱処理を行なった試料ではコンタクト抵抗が低くなることから、その原因の詳細は不詳であるが、Mg合金層中のGa拡散量とコンタクト抵抗との間の相関があることが確認された。そして、最も低いコンタクト抵抗が得られた試料では、Mg合金層中のGa濃度は1019cm3以上であることが確認された。図7は、電極構造MgPt合金/Ptにおける窒素原子の深さ方向プロファイルを、SIMSを用いて得た結果を示す。熱処理前におけるMg層厚は2nmであり、Pt層厚は75nmである。熱処理によってMg合金層厚は2nmとなった。熱処理は、窒素雰囲気中600°Cで10分間行なった。図7のグラフの縦軸はN強度であり、横軸は深さ方向の距離である。1×103のN強度は1×1019cm3のN濃度にほぼ相当する。横軸の数値が-の領域は電極側であり、の領域はp型GaN側である。縦軸は、as-depo熱処理前のGaN結晶中のN濃度を1として規格化している。横軸の原点0μmは、p型GaN層とMg層との界面の位置にほぼ相当する。図7から明らかなように、熱処理後の電極構造においても、Mg合金層中にNの拡散はみられない。以上のように、本願発明者は、Mg合金層がm面を表面とするp型GaN層と接するように熱処理窒素雰囲気中600度10分間を行なうと、p型GaN層のGa原子は電極側へ拡散するが、N原子は電極側へほとんど拡散しないということを見出した。その結果、p型GaN層の最表面では、Ga原子が不足し、Ga空孔が形成される。Ga空孔はアクセプター的性質を有するため、電極とp型GaN層の界面の近傍でGa空孔が増加すると、この界面のショットキー障壁を正孔がトンネリングによって通過しやすくなる。これにより、m面を表面とするp型GaN層と接するようにMg合金層を形成した場合には、コンタクト抵抗が低減されると考えられる。一方、本願発明者は、Mg合金層がm面ではなくc面を表面とするp型GaN層と接するように熱処理窒素雰囲気中600度10分間を行なうと、Ga原子だけでなくN原子も電極側へ拡散することを見いだした。また、この場合にはコンタクト抵抗が高いことを確認した。Ga原子だけでなくN原子も電極側へ拡散すると、p型GaN層の最表面では、ドナー的性質を有するN空孔も形成される。その結果、p型GaN層の最表面では、Ga空孔とN空孔との間で電荷補償が起こる。また、N原子が抜けることによってGaN結晶の結晶性は悪化すると考えられる。これらの原因から、c面を表面とするGaNと接するようにMg合金層を形成した場合には、コンタクト抵抗が高いと考えられる。この発見は、原子間結合力や表面状態などの物理的性質がm面GaNとc面GaNの両者において全く異なることを示すものである。なお、このような各元素Ga、Nの挙動は、Mg合金層が接触するGaN層において、Gaの一部がAlやInで置換されていても同様に生じると推定される。また、Mg合金層が接触するGaN系半導体層中にドーパントとしてMg以外の元素がドープされている場合でも同様であると推定される。次に、再び図3aを参照しながら、本実施形態の構成をさらに詳述する。図3aに示すように、本実施形態の発光素子100では、m面GaN基板10と、基板10上に形成されたAluGavInwN層uvw=1,u≧0,v≧0,w≧022とが形成されている。この例では、m面GaN基板10は、n型GaN基板例えば、厚さ100μmであり、AluGavInwN層22は、n型GaN層例えば、厚さ2μmである。AluGavInwN層22の上には活性層24が形成されている。言い換えると、m面GaN基板10の上には、少なくとも活性層24を含む半導体積層構造20が形成されている。半導体積層構造20において、AlxGayInzN層22の上には、AlaInbGacN層abc=1,a≧0,b≧0,c≧0を含む活性層24が形成されている。活性層24は、例えば、In組成比が約25のInGaN井戸層とGaNバリア層で構成され、井戸層の厚さは9nm、バリア層の厚さは9nm、井戸層周期は3周期である。活性層24の上には、第2導電型p型のAldGaeN層de=1,d≧0,e≧026が形成されている。第2導電型p型のAldGaeN層de=1,d≧0e≧026は例えば、Al組成比が10のAlGaN層で厚さは0.2μmである。本実施形態のAldGaeN層26には、p型のドーパントとして、Mgがドープされている。ここでMgは、AldGaeN層26に対して、例えば、1018cm3程度ドープされている。またこの例では、活性層24とAldGaeN層26との間に、アンドープのGaN層不図示が形成されている。さらに、この例においては、AldGaeN層26の上には、第2導電型例えば、p型のGaN層不図示が形成されている。さらに、p-GaNからなるコンタクト層上には、Mg合金層32が形成されており、その上にPt層34が形成されている。このMg合金層32とPt層34の積層構造が電極p型電極30となる。なお、半導体積層構造20には、AluGavInwN層22の表面を露出させる凹部リセス42が形成されており、凹部42の底面に位置するAluGavInwN層22には、電極n型電極40が形成されている。凹部42の大きさは、例えば、幅または径は20μmであり、深さは1μmである。電極40は、例えば、Ti層とAl層とPt層例えば、厚さはそれぞれ、5nm、100nm、10nmの積層構造から成る電極である。本実施形態の窒化物系半導体発光素子100によれば、動作電圧Vopを、従来のPd/Pt電極を用いたm面LEDの場合よりも約1.3V低減させることができ、その結果、消費電力を低減できることがわかった。次に、引き続き図3aを参照しながら、本実施形態の窒化物系半導体発光素子100の製造方法を説明する。まず、m面基板10を用意する。本実施形態では、基板10として、GaN基板を用いる。本実施形態のGaN基板は、HVPEHydrideVaporPhaseEpitaxy法を用いて得られる。例えば、まずc面サファイア基板上に数mmオーダの厚膜GaNを成長する。その後、厚膜GaNをc面に垂直方向、m面で切り出すことによりm面GaN基板が得られる。GaN基板の作製方法は、上記に限らず、例えばナトリウムフラックス法などの液相成長やアモノサーマル法などの融液成長方法を用いてバルクGaNのインゴットを作製し、それをm面で切り出す方法でも良い。基板10としては、GaN基板の他、例えば、酸化ガリウム、SiC基板、Si基板、サファイア基板などを用いることができる。基板上にm面から成るGaN系半導体をエピタキシャル成長するためのは、SiCやサファイア基板の面方位もm面である方が良い。ただし、r面サファイア基板上にはa面GaNが成長するという事例もあることから、成長条件によっては必ずしも成長用表面がm面であることが必須とならない場合もあり得る。少なくとも半導体積層構造20の表面がm面であれば良い。本実施形態では、基板10の上に、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法により結晶層を順次形成していく。次に、m面GaN基板10の上に、AluGavInwN層22を形成する。AluGavInwN層22として、例えば、厚さ3μmのAlGaNを形成する。GaNを形成する場合には、m面GaN基板10の上に、1100°CでTMGGaCH33、TMAAlCH33およびNH3を供給することによってGaN層を堆積する。次に、AluGavInwN層22の上に、活性層24を形成する。この例では、活性層24は、厚さ9nmのGa09In01N井戸層と、厚さ9nmのGaNバリア層が交互に積層された厚さ81nmのGaInN/GaN多重量子井戸MQW構造を有している。Ga09In01N井戸層を形成する際には、Inの取り込みを行なうために、成長温度を800°Cに下げることが好ましい。次に、活性層24の上に、例えば厚さ30nmのアンドープGaN層を堆積する。次いで、アンドープGaN層の上に、AldGaeN層26を形成する。AldGaeN層26として、例えば、TMG、NH3、TMA、TMIおよびp型不純物としてCp2Mgシクロペンタジエニルマグネシウムを供給することにより、厚さ70nmのp-Al014Ga086Nを形成する。次に、AldGaeN層26の上に、例えば厚さ0.5μmのp-GaNコンタクト層を堆積する。p-GaNコンタクト層を形成する際には、p型不純物としてCp2Mgを供給する。その後、塩素系ドライエッチングを行なうことにより、p-GaNコンタクト層、AldGaeN層26、アンドープGaN層および活性層24の一部を除去して凹部42を形成し、AlxGayInzN層22のn型電極形成領域を露出させる。次いで、凹部42の底部に位置するn型電極形成領域の上に、n型電極40として、Ti/Pt層を形成する。さらに、p-GaNコンタクト層の上に、Mg層厚さ2nmを形成し、さらにMg層上にPt層厚さ75nmを形成する。その後、窒素雰囲気下、600°Cで10分間の熱処理を行なうことによって、Pt層のうちMg層側に配置する部分がMg層へ進入し、Mg合金層32が形成される。Pt層のうちMg層と合金を形成しなかった部分は、Mg合金層32の上にPt層34として残る。本実施形態の熱処理は、Mg合金層形成のための熱処理とp型GaN層のGa原子を電極側へ拡散させるための熱処理とを兼ねている。本実施形態では、Mg層の形成に原料金属をパルス的に蒸発させながら蒸着を行なう手法パルス蒸着法を用いている。より具体的には、真空中に保持したるつぼ中のMg金属に、パルス的に電子ビームを照射し、パルス的に原料金属を蒸発させる。その原料金属分子または原子がp-GaNコンタクト層に付着し、Mg層が形成される。パルスは例えばパルス幅0.5秒、繰り返し1Hzである。このような手法により、Mg層として緻密で良好な品質の膜が形成された。Mg層が緻密になる理由は、パルス的な蒸着を行なうことにより、p-GaNコンタクト層に衝突するMg原子またはMg原子クラスタの運動エネルギーが増加するためであると考えられる。一般にMgは水や空気との接触により酸化されやすい元素である。しかし、本実施形態のパルス蒸着法を用いると、酸化されにくく、耐水、耐酸素性に優れたMg層が得られる。なお、本実施形態では、原料金属Mg金属をパルス的に蒸発させながら蒸着を行なう手法を採用しているが、Mg層を形成できるのであれば、他の手法を採用することも可能である。緻密で良質なMg層を形成する他の手法としては、例えばスパッタリング、熱CVD法や分子線エピタキシMBEなどを採用することが可能である。なお、その後、レーザリフトオフ、エッチング、研磨などの方法を用いて、基板10、AluGavInwN層22の一部までを除去してもよい。この場合、基板10のみを除去してもよいし、基板10およびAluGavInwN層22の一部だけを選択的に除去してもよい。もちろん、基板10、AluGavInwN層22を除去せずに残してもよい。以上の工程により、本実施形態の窒化物系半導体発光素子100が形成される。本実施形態の窒化物系半導体発光素子100において、n型電極40とp型電極30との間に電圧を印加すると、p型電極30から活性層24に向かって正孔が、n型電極40から活性層24に向かって電子が注入され、例えば450nm波長の発光が生じる。ここで、図8aに、m面GaN上にMgPt合金/Pt層からなる電極を用いた発光ダイオードの電流-電圧特性を示す。比較のため、発光ダイオードの窒化物系半導体の構造を同じで、Pd/Pt層からなる電極を用いた発光ダイオード従来例、およびMg/Pt層からなる電極を用いた発光ダイオードの特性も示す。これらの発光ダイオードにおける電極の構成および熱処理条件は、以下の表3に示す通りである。この発光ダイオードの構成は、m面GaN基板上に、n型GaN層、InGaN井戸層3層とGaNバリア層2層とが交互に積層された活性層、p型GaN層が積層されたものである。さらにp型GaN層上にはp型電極として、Mg/Pt電極またはPd/Pt電極を設けている。n型電極は、p型GaN層、活性層をエッチングし、n型GaN層を露出させ、n型GaN層上に形成している。まず、従来の電極Pd/Pt層からなる電極と本実施形態の電極MgPt合金/Pt層からなる電極とを比較する。Pd/Pt層からなる電極を用いた発光ダイオードの立ち上がり電圧は約3.2Vであるのに対し、MgPt合金/Pt層からなる電極を用いた発光ダイオードの立ち上がり電圧は約2.7Vであり、本実施形態の立ち上がり電圧は従来よりも小さい値である。また、電流値20mAでの動作電圧で比較すると、MgPt合金/Pt層からなる電極を用いた発光ダイオードでは、Pd/Pt層からなる電極を用いた発光ダイオードよりも1.3V以上小さくなっていることがわかる。このように、本実施形態の電極を用いた発光ダイオードでは、従来と比較して動作電圧の大幅な低減が可能である。次に、本実施形態の電極MgPt合金/Pt層からなる電極とMg/Pt層からなる電極とを比較すると、本実施形態の電極を用いた発光ダイオードの立ち上がり電圧および電流値20mAでの動作電圧の値は、Mg/Pt層からなる電極を用いた発光ダイオードの値よりもやや大きい。図8bはMgPt合金/Pt電極、Pd/Pt電極およびMg/Pt電極の各々のコンタクト抵抗を比較して示すグラフである。いずれのサンプルでも、電極はp型GaN層に接触している。熱処理前における各層の厚さは、以下の表4に示す通りである。また、熱処理温度および熱処理時間は以下の表5に示す通りである。図8bに示すように、MgPt合金/Pt層からなる電極のコンタクト抵抗は、Pd/Pt層からなる電極のコンタクト抵抗よりも低下している。また、MgPt合金/Pt層からなる電極のコンタクト抵抗は、Mg/Pt層からなる電極のコンタクト抵抗よりもやや高い値である。図8a、bに示す結果から、本実施形態の電極の電気特性立ち上がり電圧および動作電圧の特性およびコンタクト抵抗は、Mg/Pt層からなる電極よりもやや劣る値となっている。しかしながら、密着性という点では、本実施形態の電極はMg/Pt層よりも優れた特性を示し、本実施形態の電極は信頼性という点で優れているといえる。図9aはMgPt合金/Pt層からなる電極を有する発光素子における電極表面の光学顕微鏡の図面代用写真であり、図9bはMg/Pt層からなる電極を有する発光素子における電極表面の光学顕微鏡の図面代用写真である。MgPt合金/Pt層からなる電極を有する発光素子では、図9aに示すようにp型電極30の剥がれは全く生じていなかったが、Mg/Pt層からなる電極を有する発光素子では、図9bに示すようにp型電極130の端の一部に剥がれが生じているものもあった。なお、図9bは、形成した発光素子のうち電極に剥がれが見られるものを選んで撮影したものであり、Mg/Pt層からなる電極を有するデバイスにおいても、高い確率で電極の剥がれが生じるわけではない。次に、図10を参照しながら、Au層、および、MgAu合金/Au層からなる電極を用いた例比較例について説明する。図10aは、m面のGaN層の上に、Au層、または、MgAu合金/Au層の電極を形成し、その固有コンタクト抵抗Ωcm2を測定した結果を示している。なお、この固有コンタクト抵抗は、電極を形成して熱処理を行った後の固有コンタクト抵抗の値である。MgAu合金/Au層の電極は、Mg層とAu層とを積層した後に温度600°Cで10分間の熱処理を行なうことによって形成した。熱処理によりMgとAuとは容易に合金化するため、Mg層およびAu層は、熱処理後にはMgAu合金とAu層との積層すなわちMgAu合金/Au層になっていると考えられる。図10aの結果からわかるように、Au層の電極に比べ、MgAu合金/Au層の電極を用いた場合の方が固有コンタクト抵抗の特性は悪化する。なお、Au層の電極のコンタクト抵抗は、Pd/Pt層からなる電極のコンタクト抵抗とほぼ等しいことを確認しており、図10aの結果から、Pd/Pt層からなる電極よりもMgAu合金/Au層からなる電極のほうが高いコンタクト抵抗を示すことがわかる。この点、本実施形態の電極例えば、MgPt合金/Pt層の構成における特性向上の結果と顕著に相違する。なお、上述したように、Mgは水や空気との接触により酸化されやすい元素であるので、Mg層の単独での電極では無くAu層の積層体熱処理後はMgAu合金/Au層として使用される構成は検討候補の一つに成り得る。しかしながら、実際には、Au層と比較してMgAu合金/Au層のコンタクト抵抗は高くなるがゆえに、コンタクト特性は悪い。換言すると、本実施形態の構成例えば、MgPt合金/Pt層のコンタクト抵抗の特性が優れていることは、MgAu合金とAu層からなる電極の測定結果が悪かったことを鑑みると、当業者にとって予見できない効果を有していたと思われる。なお、図10aに示す結果では、Au電極またはPd/Pt電極におけるコンタクト抵抗の絶対値が比較的低い3×103Ωcm2以下。これは、本実験で用いたm面GaN層では、Mgドープ量が最適化されているためである。しかし、2つのAu電極またはPd/Pt電極をp型GaN層に接触させて電流-電圧特性を測定すると、ショットキー電圧が観測された。このように、Auは、m面を表面とするp型GaN層に接触させる電極の材料として好ましくない。一方、m面GaN層を用いて本実施形態の電極例えば、MgPt合金/Ptを作製してコンタクト抵抗を測定したところ、5×104Ωcm2以下の値が測定された。また、本実施形態の電極をp型GaN層に接触させて電流-電圧特性を測定すると、ショットキー電圧は観測されず、本実施形態の電極はm面を表面とするp型GaN層とオーミックコンタクトを形成することがわかった。また、図10bは、熱処理後のMgAu合金/Au層の電極の表面を示す図面代用写真であり、一方、図10cは、熱処理後のAu層の電極の表面を示す図面代用写真である。両者を比べると、MgAu合金/Au層の電極の方の膜質が悪いことがわかった。以上、本発明を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項では無く、勿論、種々の改変が可能である。なお、本発明の実施形態と本質的に構成を異にするものであるが、関連する構造が特許文献3、4に開示されている。しかしながら、特許文献3および4には、窒化ガリウム系半導体層の結晶面がm面であることの記載は一切無く、したがって、これらの文献の開示はc面の窒化ガリウム系半導体層の上に電極を形成した技術に関するものである。特に、特許文献3は、Mg層の上にAu層を積層した構成に関するものであり、その積層構造の電極を仮にm面上に形成したとしても、本実施形態の電極の効果が得られるものでは無い。また、特許文献4は、Ni、Cr、Mgからなる金属層に言及しているが、開示されている実施例はNi層を下層にした電極構造を有しているもののみである。特許文献3、4とも、c面の窒化ガリウム系半導体層の上に形成された電極構造に関するものであり、m面の窒化ガリウム系半導体層に対するコンタクト抵抗に関する問題も解決策も教示されていない。また、本願発明者は、先願特願2009-030147号において、m面を表面とするp型GaN層にMg層が接触している電極構造Mg電極が低いコンタクト抵抗を示すことを開示した。本願発明のMg合金層電極のコンタクト抵抗は、上記先願の電極のコンタクト抵抗よりも高い値である。しかし、従来のPd/Pt電極と比較すると、本願発明のMg合金層電極を用いた発光ダイオードの動作電圧の低減効果は顕著であることは図8aで示した通りである。また、Mg合金層はMg層と比較して半導体積層構造との密着性が強いため、量産過程における歩留まり向上やデバイス信頼性向上において前記Mg電極よりも優位であるといえる。Mg合金層と半導体積層構造との密着性が強い要因としてはMgにPtあるいはMo、Pdを加えることにより酸化されにくくなること、硬度が向上することにより歪みによる反り返りが抑制されること、さらにはMg合金層中のPtあるいはMo、Pdが半導体積層構造と接することでMg単体のときよりも密着性が強化されることなどが考えられる。本発明に係る上記の発光素子は、そのまま光源として使用されても良い。しかし、本発明に係る発光素子は、波長変換のための蛍光物質を備える樹脂などと組み合わせれば、波長帯域の拡大した光源例えば白色光源として好適に使用され得る。図11は、このような白色光源の一例を示す模式図である。図11の光源は、図3aに示す構成を有する発光素子100と、この発光素子100から放射された光の波長を、より長い波長に変換する蛍光体例えばYAG:YttriumAlumninumGarnetが分散された樹脂層200とを備えている。発光素子100は、表面に配線パターンが形成された支持部材220上に搭載されており、支持部材220上には発光素子100を取り囲むように反射部材240が配置されている。樹脂層200は、発光素子100を覆うように形成されている。なお、本発明におけるコンタクト構造は、Mg合金層と接触するp型半導体領域がGaN系半導体、すなわちAlxInyGazNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体からなる場合に前述の優れた効果を発揮する。このようなコンタクト抵抗低減の効果は、当然に、LED以外の発光素子半導体レーザや、発光素子以外のデバイス例えばトランジスタや受光素子においても得ることが可能である。実際のm面半導体層の表面主面は、m面に対して完全に平行な面である必要は無く、m面から僅かな角度0度より大きく±1°未満で傾斜していても良い。表面がm面に対して完全に平行な表面を有する基板や半導体層を形成することは、製造技術の観点から困難である。このため、現在の製造技術によってm面基板やm面半導体層を形成した場合、現実の表面は理想的なm面から傾斜してしまう。傾斜の角度および方位は、製造工程によってばらつくため、表面の傾斜角度および傾斜方位を正確に制御することは難しい。なお、基板や半導体の表面主面をm面から1°以上の角度で傾斜させることを意図的に行う場合がある。以下に説明する実施形態における窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、m面から1°以上の角度で傾斜した面を主面とするp型半導体領域を備えている。他の実施形態図12は、本実施形態の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子100aを示す断面図である。m面から1°以上の角度で傾斜した面を主面とするp型半導体領域を形成するため、本実施形態に係る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子100aは、m面から1°以上の角度で傾斜した面を主面とするGaN基板10aを用いている。主面がm面から1°以上の角度で傾斜している基板は、一般にオフ基板と称される。オフ基板は、単結晶インゴットから基板をスライスし、基板の表面を研磨する工程で、意図的にm面から特定方位に傾斜した面を主面とするように作製され得る。このGaN基板10a上に、半導体積層構造20aを形成する。図12に示す半導体層22a、24a、26aは主面がm面から1°以上の角度で傾斜している。これは傾斜した基板の主面上に、各種半導体層が積層されると、これらの半導体層の表面主面もm面から傾斜するからである。GaN基板10aの代わりに、例えば、m面から特定方向に傾斜した面を表面とするサファイア基板やSiC基板を用いてもよい。また、本実施形態の構成においては、少なくとも半導体積層構造20aのうち、p型電極30aと接触するp型半導体領域の表面がm面から1°以上の角度で傾斜していればよい。次に、図13~図17を参照しながら、本実施形態におけるp型半導体領域の傾斜について詳細を説明する。図13aは、GaN系化合物半導体の結晶構造ウルツ鉱型結晶構造を模式的に示す図であり、図2の結晶構造の向きを90°回転させた構造を示している。GaN結晶のc面には、c面および-c面が存在する。c面はGa原子が表面に現れた0001面であり、Ga面と称される。一方、-c面はN窒素原子が表面に現れた000-1面であり、N面と称される。c面と-c面とは平行な関係にあり、いずれも、m面に対して垂直である。c面は、極性を有するため、このように、c面をc面と-c面に分けることができるが、非極性面であるa面を、a面と-a面に区別する意義はない。図13aに示すc軸方向は、-c面からc面に垂直に延びる方向である。一方、a軸方向は、図2の単位ベクトルa2に対応し、m面に平行な[-12-10]方向を向いている。図13bは、m面の法線、c軸方向、およびa軸方向の相互関係を示す斜視図である。m面の法線は、10-10方向に平行であり、図13bに示されるように、c軸方向およびa軸方向の両方に垂直である。GaN系化合物半導体層の主面がm面から1°以上の角度で傾斜するということは、この半導体層の主面の法線がm面の法線から1°以上の角度で傾斜することを意味する。次に、図14を参照する。図14aおよびbは、それぞれ、GaN系化合物半導体層の主面およびm面の関係を示す断面図である。この図は、m面およびc面の両方に垂直な断面図である。図14には、c軸方向を示す矢印が示されている。図14に示したように、m面はc軸方向に対して平行である。従って、m面の法線ベクトルは、c軸方向に対して垂直である。図14aおよびbに示す例では、GaN系化合物半導体層における主面の法線ベクトルが、m面の法線ベクトルからc軸方向に傾斜している。より詳細に述べれば、図14aの例では、主面の法線ベクトルはc面の側に傾斜しているが、図14bの例では、主面の法線ベクトルは-c面の側に傾斜している。本明細書では、前者の場合におけるm面の法線べクトルに対する主面の法線ベクトルの傾斜角度傾斜角度θを正の値にとり、後者の場合における傾斜角度θを負の値にとることにする。いずれの場合でも、主面はc軸方向に傾斜しているといえる。本実施形態では、p型半導体領域の傾斜角度が1°以上5°以下の範囲、および、傾斜角度が-5°以上-1°以下の範囲にあるので、p型半導体領域の傾斜角度が0°より大きく±1°未満の場合と同様に本発明の効果を奏することができる。以下、図15を参照しながら、この理由を説明する。図15aおよびbは、それぞれ、図14aおよびbに対応する断面図であり、m面からc軸方向に傾斜したp型半導体領域における主面の近傍領域を示している。傾斜角度θが5°以下の場合には、図15aおよびbに示すように、p型半導体領域の主面に複数のステップが形成される。各ステップは、単原子層分の高さ2.7Åを有し、ほぼ等間隔30Å以上で平行に並んでいる。このようなステップの配列により、全体としてm面から傾斜した主面が形成されるが、微視的には多数のm面領域が露出していると考えられる。図16は、m面から-c軸方向に1°傾斜したp型半導体領域の断面TEM写真である。p型半導体領域の表面には、m面が明確に表出しており、傾斜は原子ステップによって形成されていることが確認される。主面がm面から傾斜したGaN系化合物半導体層の表面がこのような構造となるのは、m面がもともと結晶面として非常に安定だからである。同様の現象は、主面の法線ベクトルの傾斜方向がc面および-c面以外の面方位を向いていても生じると考えられる。主面の法線ベクトルが例えばa軸方向に傾斜していても、傾斜角度が1°以上5°以下の範囲にあれば同様であると考えられる。以上より、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面主面をm面から1°以上の角度で傾斜している場合であっても、p型電極に接触する面は多数のm面領域が露出しているため、コンタクト抵抗は傾斜角に依存しないものと考えられる。図17は、m面から-c軸方向に0°、2°、または5°傾斜したp型半導体領域の上にMgPt層の電極を形成し、そのコンタクト抵抗Ωcm2を測定した結果を示すグラフである。グラフの縦軸は固有コンタクト抵抗、横軸は傾斜角度m面の法線とp型半導体領域における表面の法線とが形成する角度θである。なお、この固有コンタクト抵抗は、電極を形成して熱処理を行った後の固有コンタクト抵抗の値である。図17の結果から分かるように、傾斜角度θが5°以下であれば、コンタクト抵抗は、ほぼ一定の値となる。電極のうちp型半導体領域に接触する部分がMgとPtの合金からなる場合にも、m面からの傾斜角度θが5°以下であれば、コンタクト抵抗は、ほぼ一定の値となると考えられる。以上から、p型半導体領域の表面の傾斜角度θが5°以下であれば、本発明の構成によりコンタクト抵抗は低減されると考えられる。なお、傾斜角度θの絶対値が5°より大きくなると、ピエゾ電界によって内部量子効率が低下する。このため、ピエゾ電界が顕著に発生するのであれば、m面成長により半導体発光素子を実現することの意義が小さくなる。したがって、本発明では、傾斜角度θの絶対値を5°以下に制限する。しかし、傾斜角度θを例えば5°に設定した場合でも、製造ばらつきにより、現実の傾斜角度θは5°から±1°程度ずれる可能性がある。このような製造ばらつきを完全に排除することは困難であり、また、この程度の微小な角度ずれは、本発明の効果を妨げるものでもない。"