"下記一般式Iにより表される繰り返し単位Aと、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位Bとを備えた樹脂を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式I中、ARは、アリール基を表す。Rnは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。RnとARとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。R1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。前記一般式Iにおいて、RnとARとが互いに結合して非芳香族環を形成する、請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記一般式Iにより表される繰り返し単位Aが、2個以上の芳香環を含有する、請求項1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記一般式IにおけるARが2個以上の芳香環を含有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記繰り返し単位Bが、下記一般式B1、B2及びB3で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1つである、請求項1~4のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。式中、Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位を表す。R04、R05及びR07~R09は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R06は、シアノ基、カルボキシ基、-CO-OR25又は-CO-NR26R27を表す。R25は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26とR27とは、互いに結合して、窒素原子と共に環を形成していてもよい。R26及びR27は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。X1~X3は、各々独立に、単結合、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR33-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。R33は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。前記Aは、スルホニウム塩構造又はヨードニウム塩構造を備えたイオン性構造部位である、請求項5に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記樹脂は、下記一般式A1により表される繰り返し単位及び一般式A2により表される繰り返し単位の少なくとも一方を更に含んでいる、請求項1~6のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式A1中、mは、0~4の整数を表す。nは、mn≦5なる関係を満足する1~5の整数を表す。S1は、置換基水素原子を除くを表し、m≧2の場合には、複数の前記S1は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。A1は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表し、n≧2の場合には、複数の前記A1は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。一般式A2中、Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。A2は、酸の作用により脱離する基を表す。KrFエキシマレーザー、電子線、X線又はEUV光用である、請求項1~7のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。請求項1~8のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。請求項9に記載のレジスト膜を露光し、現像する、パターン形成方法。本発明の目的は、感度、ラフネス特性、孤立パターンの解像性及びドライエッチング耐性に優れ、かつ良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、及び、パターン形成方法を提供することにある。1下記一般式Iにより表される繰り返し単位Aと、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位Bとを備えた樹脂を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式I中、ARは、アリール基を表す。Rnは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。RnとARとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。R1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。2前記一般式Iにおいて、RnとARとが互いに結合して非芳香族環を形成する、上記1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。3前記一般式Iにより表される繰り返し単位Aが、2個以上の芳香環を含有する、上記1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。4前記一般式IにおけるARが2個以上の芳香環を含有する、上記1~3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。5前記繰り返し単位Bが、下記一般式B1、B2及びB3で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1つである、上記1~4のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。式中、Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位を表す。R04、R05及びR07~R09は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R06は、シアノ基、カルボキシ基、-CO-OR25又は-CO-NR26R27を表す。R25は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26とR27とは、互いに結合して、窒素原子と共に環を形成していてもよい。R26及びR27は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。X1~X3は、各々独立に、単結合、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR33-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。R33は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。6前記Aは、スルホニウム塩構造又はヨードニウム塩構造を備えたイオン性構造部位である、上記5に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。7前記樹脂は、下記一般式A1により表される繰り返し単位及び一般式A2により表される繰り返し単位の少なくとも一方を更に含んでいる、上記1~6のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式A1中、mは、0~4の整数を表す。nは、mn≦5なる関係を満足する1~5の整数を表す。S1は、置換基を表し、m≧2の場合には、複数の前記S1は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。A1は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表し、n≧2の場合には、複数の前記A1は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。一般式A2中、Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。A2は、酸の作用により脱離する基を表す。8KrFエキシマレーザー、電子線、X線又はEUV光用である、上記1~7のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。9上記1~8のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。10上記9に記載のレジスト膜を露光し、現像する、パターン形成方法。本発明は、更に、下記構成であることも好ましい。11前記樹脂の重量平均分子量が、1000~200000の範囲内にある、上記1~8のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。12前記樹脂の重量平均分子量が、1000~100000の範囲内にある、上記1~8、11のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。13前記樹脂の重量平均分子量が、1000~50000の範囲内にある上記1~8、11、12のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。14前記樹脂の重量平均分子量が、1000~25000の範囲内にある上記1~8、11~13のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。15更に、塩基性化合物を含有する、上記1~8、11~14のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。16前記塩基性化合物が、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物である、上記15に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。17前記塩基性化合物が、下記一般式BS-1により表される化合物である、上記1~8、11~16に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式BS-1中、Rは、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。但し、3つのRのうち少なくとも1つは有機基である。18上記一般式BS-1において、上記3つのRのうち少なくとも1つが、親水性基を有するアルキル基である、上記17に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。19前記塩基性化合物が、グアニジン化合物である、上記1~8、11~18に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。20更に、界面活性剤を含有する、上記1~8、11~19に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。21更に、溶剤を含有する、上記1~8、11~20に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。22前記溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む、上記21に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。23前記溶剤が、更に、プロピレングリコールモノメチルエーテルを含む、22に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。24下記一般式Iにより表される繰り返し単位Aと、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位Bとを備えた樹脂。一般式I中、ARは、アリール基を表す。Rnは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。RnとARとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。R1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。本発明によれば、感度、ラフネス特性、孤立パターンの解像性及びドライエッチング耐性に優れ、かつ良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、及び、パターン形成方法を提供することが可能となる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書に於ける基原子団の表記において、置換又は無置換を明示していない表記は、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していないアルキル基は、置換基を有していないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有しているアルキル基置換アルキル基をも包含することとする。本明細書における活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外EUV線、X線又は電子線EBを意味している。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味している。また、本発明における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線及びEUV光等による露光のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、以下に説明する樹脂を含有している。これにより、感度、ラフネス特性、孤立パターンの解像性及びドライエッチング耐性に優れ、かつ良好な形状のパターンを形成することができる。特に、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位Bが、感度及びラフネス特性を向上に寄与し、下記一般式Iにより表される、芳香族基を有する特定の繰り返し単位Aが、ドライエッチング耐性の向上に寄与しているものと考えられるが、樹脂が繰り返し単位Aと繰り返し単位Bとを有することにより、何故、上記した効果の全てを高次元で優れたものにできるのか、また、孤立パターンの解像性を向上できるのかについては、詳細な理由は不明である。本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、例えばポジ型の組成物であり、典型的にはポジ型のレジスト組成物である。以下、この組成物の構成を説明する。樹脂本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、下記一般式Iにより表される繰り返し単位Aと、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位Bとを備えた樹脂を含有している。ここで、繰り返し単位Aは、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する基以下、酸分解性基ともいうである。より具体的には、下記一般式Iにより表される繰り返し単位Aは、酸の作用により、側鎖のエステル結合と、これに結合する-CRnARHで表される基とが解裂して、アルカリ可溶性基としてカルボン酸を発生する繰り返し単位である。一般式I中、ARは、アリール基を表す。Rnは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。RnとARとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。R1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。ARのアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、又は、フルオレン基等の炭素数6~20のものが好ましく、炭素数6~15のものがより好ましい。ARがナフチル基、アントリル基又はフルオレン基である場合、Rnが結合している炭素原子とARとの結合位置には、特に制限はない。例えば、ARがナフチル基である場合、この炭素原子は、ナフチル基のα位に結合していてもよく、β位に結合していてもよい。或いは、ARがアントリル基である場合、この炭素原子は、アントリル基の1位に結合していてもよく、2位に結合していてもよく、9位に結合していてもよい。ARとしてのアリール基は、それぞれ、1以上の置換基を有していてもよい。このような置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1~20の直鎖又は分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等のシクロアルキル基、これらシクロアルキル基部分を含んだシクロアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。この置換基としては、炭素数1~5の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基が好ましく、パラメチル基又はパラメトキシ基がより好ましい。ARとしてのアリール基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基のうちの少なくとも2つが互いに結合して環を形成しても良い。環は、5~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。また、この環は、環員に酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。更に、この環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、Rnが有していてもよい更なる置換基について後述するものと同様のものが挙げられる。また、一般式Iにより表される繰り返し単位Aは、ラフネス性能の観点から、2個以上の芳香環を含有ことが好ましい。繰り返し単位Aが有する芳香環の個数は、通常、5個以下であることが好ましく、3個以下であることがより好ましい。また、一般式Iにより表される繰り返し単位Aにおいて、ラフネス性能の観点から、ARは2個以上の芳香環を含有することがより好ましく、ARがナフチル基又はビフェニル基であることが更に好ましい。ARが有する芳香環の個数は、通常、5個以下であることが好ましく、3個以下であることがより好ましい。Rnは、上述したように、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Rnのアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。このアルキル基としては、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1~20のものが挙げられる。Rnのアルキル基は、炭素数1~5のものが好ましく、炭素数1~3のものがより好ましい。Rnのシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数が3~15のものが挙げられる。Rnのアリール基としては、例えば、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基及びアントリル基等の炭素数が6~14のものが好ましい。Rnとしてのアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の各々は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。中でも、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基及びスルホニルアミノ基が特に好ましい。R1は、上述したように、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。R1のアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。これらアルキル基及びシクロアルキル基の各々は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。R1が置換基を有するアルキル基又はシクロアルキル基である場合、特に好ましいR1としては、例えば、トリフルオロメチル基、アルキルオキシカルボニルメチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基が挙げられる。R1のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。中でも、フッ素原子が特に好ましい。R1のアルキルオキシカルボニル基に含まれるアルキル基部分としては、例えば、先にR1のアルキル基として挙げた構成を採用することができる。RnとARとが互いに結合して非芳香族環を形成することが好ましく、これにより、特に、ラフネス性能をより向上させることができる。RnとARとは互いに結合して形成しても良い非芳香族環としては、5~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。非芳香族環は、脂肪族環であっても、環員として酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。非芳香族環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、Rnが有していてもよい更なる置換基について先に説明したのと同様のものが挙げられる。以下に、繰り返し単位Aの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。中でも、下記に示す繰り返し単位がより好ましい。本発明に係る組成物は、上述したように、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位Bを備えている。繰り返し単位Bは、下記一般式B1、B2及びB3で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1つであることが好ましい。これらのうち、下記一般式B1又はB3により表される繰り返し単位がより好ましく、下記一般式B1により表される繰り返し単位が特に好ましい。式中、Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位を表す。R04、R05及びR07~R09は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R06は、シアノ基、カルボキシ基、-CO-OR25又は-CO-NR26R27を表す。R25は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26とR27とは、互いに結合して、窒素原子と共に環を形成していてもよい。R26及びR27は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。X1~X3は、各々独立に、単結合、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR33-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。X1~X3は、各々独立に、アリーレン基、アルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表すことが好ましい。R33は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R33は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。R04、R05及びR07~R09のアルキル基としては、炭素数が20以下のものが好ましく、炭素数が8以下のものがより好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、及びドデシル基が挙げられる。なお、これらアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。R04、R05及びR07~R09のシクロアルキル基は、単環型であっても、多環型であってもよい。このシクロアルキル基としては、炭素数が3~8のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。R04、R05及びR07~R09のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。これらのうち、フッ素原子が特に好ましい。R04、R05及びR07~R09のアルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、例えば、先にR04、R05及びR07~R09のアルキル基として挙げたものが好ましい。R25~R27及びR33のアルキル基としては、例えば、先にR04、R05及びR07~R09のアルキル基として挙げたものが好ましい。R25~R27及びR33のシクロアルキル基としては、例えば、先にR04、R05及びR07~R09のシクロアルキル基として挙げたものが好ましい。R25~R27及びR33のアルケニル基としては、炭素数が2~6のものが好ましい。このようなアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基が挙げられる。R25~R27及びR33のシクロアルケニル基としては、炭素数が3~6のものが好ましい。このようなシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基が挙げられる。R25~R27及びR33のアリール基は、単環の芳香族基であってもよく、多環の芳香族基であってもよい。このアリール基としては、炭素数が6~14のものが好ましい。このアリール基は、置換基を更に有していてもよい。また、アリール基同士が互いに結合して、複環を形成していてもよい。R25~R27及びR33のアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基及びナフチル基が挙げられる。R25~R27及びR33のアラルキル基としては、炭素数が7~15のものが好ましい。このアラルキル基は、置換基を更に有していてもよい。R25~R27及びR33のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基及びクミル基が挙げられる。R26とR27とが互いに結合して窒素原子と共に形成する環としては、5~8員環が好ましく、具体的には、例えば、ピロリジン、ピペリジン及びピペラジンが挙げられる。X1~X3のアリーレン基としては、炭素数が6~14のものが好ましい。このようなアリーレン基としては、例えば、フェニレン基、トリレン基及びナフチレン基が挙げられる。これらアリーレン基は、置換基を更に有していてもよい。X1~X3のアルキレン基としては、炭素数が1~8のものが好ましい。このようなアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基及びオクチレン基が挙げられる。これらアルキレン基は、置換基を更に有していてもよい。X1~X3のシクロアルキレン基としては、炭素数が5~8のものが好ましい。このようなシクロアルキレン基としては、例えば、シクロペンチレン基及びシクロヘキシレン基が挙げられる。これらシクロアルキレン基は、置換基を更に有していてもよい。上記一般式B1~B3における各基が有し得る好ましい置換基としては、例えば、水酸基;ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素;ニトロ基;シアノ基;アミド基;スルホンアミド基;先にR04、R05及びR07~R09として挙げたアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、及びブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基等のアシル基;アセトキシ基及びブチリルオキシ基等のアシロキシ基、並びにカルボキシ基が挙げられる。これら置換基は、炭素数が8以下であることが好ましい。Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位を表し、具体的には、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、及びマイクロレジスト等に使用されている公知の光により酸を発生する化合物が有する構造部位が挙げられる。Aとしては、スルホニウム塩構造又はヨードニウム塩構造を備えたイオン性構造部位がより好ましい。より具体的には、Aとして、下記一般式ZI又はZIIで表される基が好ましい。一般式ZI中、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的には1~30であり、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、例えば、ブチレン基及びペンチレン基等のアルキレン基が挙げられる。Z-は、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する酸アニオンを表す。Z-は、非求核性アニオンであることが好ましい。非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、及びトリスアルキルスルホニルメチルアニオンが挙げられる。なお、非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンを意味している。非求核性アニオンを用いると、分子内求核反応による経時分解を抑制することができる。これにより樹脂及び組成物の経時安定性を向上させることが可能となる。R201、R202及びR203の有機基としては、例えば、後述するZI-1、ZI-2、ZI-3で表される基における対応する基が挙げられる。更に好ましいZIで表される基として、以下に説明するZI-1基、ZI-2基、ZI-3基及びZI-4基を挙げることができる。ZI-1基は、上記一般式ZIにおけるR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウムをカチオンとする基である。R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。ZI-1基としては、例えば、トリアリールスルホニウム、ジアリールアルキルスルホニウム、アリールジアルキルスルホニウム、ジアリールシクロアルキルスルホニウム、及びアリールジシクロアルキルスルホニウムのそれぞれに相当する基が挙げられる。アリールスルホニウムにおけるアリール基としては、フェニル基又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子等のヘテロ原子を含んだ複素環構造を有していてもよい。この複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン及びベンゾチオフェンが挙げられる。アリールスルホニウムが2つ以上のアリール基を有する場合、これらアリール基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。アリールスルホニウムが必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖若しくは分岐アルキル基、又は、炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましい。このようなアルキル基又はシクロアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。R201~R203のアリール基、アルキル基又はシクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基又はフェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては、例えば、炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、及び、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基が挙げられる。より好ましい置換基としては、例えば、炭素数1~4のアルキル基、及び、炭素数1~4のアルコキシ基が挙げられる。置換基は、3つのR201~R203のうちの何れか1つに置換していてもよいし、これらの2つ以上に置換していてもよい。また、R201~R203がフェニル基の場合、これら置換基は、フェニル基のp-位に置換していることが好ましい。次に、ZI-2基について説明する。ZI-2基は、一般式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す基である。ここで、芳香環には、ヘテロ原子を含んだ複素環も含まれる。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、炭素数が一般的には1~30であり、好ましくは1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基であり、より好ましくは、直鎖若しくは分岐鎖の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基又はアルコキシカルボニルメチル基であり、更に好ましくは、直鎖又は分岐鎖の2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基若しくはペンチル基、及び、炭素数3~10のシクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基若しくはノルボニル基が挙げられる。このアルキル基としては、より好ましくは、2-オキソアルキル基及びアルコキシカルボニルメチル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、より好ましくは、2-オキソシクロアルキル基が挙げられる。2-オキソアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。2-オキソアルキル基としては、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基が挙げられる。2-オキソシクロアルキル基としては、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基が挙げられる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは、炭素数1~5のアルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基又はペントキシ基が挙げられる。R201~R203は、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。次いで、ZI-3基について説明する。ZI-3基とは、以下の一般式ZI-3で表される基であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する基である。一般式ZI-3中、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。R1c~R5cのうちの2以上、R6c及びR7c、並びに、Rx及びRyは、それぞれ、互いに結合して、環構造を形成していてもよい。この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合及び/又はアミド結合を含んでいてもよい。これらが互いに結合して形成する基としては、例えば、ブチレン基及びペンチレン基が挙げられる。Zc-は、非求核性アニオンを表し、例えば、一般式ZIにおけるZ-と同様のものが挙げられる。一般式ZI-3のカチオン部の具体的構造としては、特開2004-233661号公報の段落0047及び0048、並びに、特開2003-35948号公報の段落0040~0046に例示されている酸発生剤のカチオン部の構造を参照されたい。続いて、ZI-4基について説明する。ZI-4基とは、以下の一般式ZI-4により表される基である。この基は、アウトガスの抑制に有効である。一般式ZI-4中、R1~R13は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。R1~R13のうち少なくとも1つは、アルコール性水酸基を含む置換基であることが好ましい。なお、ここでアルコール性水酸基とは、アルキル基の炭素原子に結合した水酸基を意味している。Zは、単結合又は2価の連結基である。Zc-は、非求核性アニオンを表し、例えば、一般式ZIにおけるZ-と同様のものが挙げられる。R1~R13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、R1~R13は-W-Yにより表される基であることが好ましい。ここで、Yは水酸基で置換されたアルキル基であり、Wは単結合又は2価の連結基である。Yにより表されるアルキル基の好ましい例としては、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基が挙げられる。Yは、特に好ましくは、-CH2CH2OHにより表される構造を含んでいる。Wにより表される2価の連結基としては、特に制限は無いが、好ましくは単結合、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基又はカルバモイル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた2価の基であり、更に好ましくは、単結合、アシルオキシ基、アルキルスルホニル基、アシル基又はアルコキシカルボニル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた2価の基である。R1~R13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、含まれる炭素数は、好ましくは2~10であり、更に好ましくは2~6であり、特に好ましくは2~4である。R1~R13としてのアルコール性水酸基を含む置換基は、アルコール性水酸基を2つ以上有していてもよい。R1~R13としてのアルコール性水酸基を含む置換基の有するアルコール性水酸基の数は、1~6であり、好ましくは1~3であり、更に好ましくは1である。ZI-4基が含んでいるアルコール性水酸基の数は、R1~R13すべて合わせて1~10であり、好ましくは1~6であり、更に好ましくは1~3である。R1~R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1~R13は、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基アニリノ基を含む、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及び複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基-BOH2、ホスファト基-OPOOH2、スルファト基-OSO3H、並びに、他の公知の置換基が挙げられる。R1~R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1~R13は、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アルコキシカルボニル基又はカルバモイル基である。R1~R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1~R13は、特に好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はアルコキシ基である。R1~R13のうちの隣接する2つが互いに結合して、環構造を形成してもよい。この環構造には、芳香族及び非芳香族の炭化水素環並びに複素環が含まれる。これら環構造は、更に組み合わされて、縮合環を形成していてもよい。ZI-4基は、好ましくは、R1~R13のうち少なくとも1つがアルコール性水酸基を含んだ構造を有しており、更に好ましくは、R9~R13のうち少なくとも1つがアルコール性水酸基を含んだ構造を有している。Zは、上述したように、単結合又は2価の連結基を表している。この2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、カルボニルオキシ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミド基、エーテル結合、チオエーテル結合、アミノ基、ジスルフィド基、アシル基、アルキルスルホニル基、-CH=CH-、アミノカルボニルアミノ基及びアミノスルホニルアミノ基が挙げられる。この2価の連結基は、置換基を有していてもよい。これらの置換基としては、例えば、先にR1~R13について列挙したのと同様のものが挙げられる。Zは、好ましくは、単結合、エーテル結合又はチオエーテル結合であり、特に好ましくは、単結合である。次に、一般式ZIIについて説明する。一般式ZII中、R204及びR205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204及びR205のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基の具体例及び好ましい態様等は、前述の化合物ZI-1におけるR201~R203について説明したものと同様である。R204及びR205のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物ZI-1におけるR201~R203について説明したものと同様のものが挙げられる。Z-は、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する酸アニオンを示し、非求核性アニオンが好ましく、例えば、一般式ZIにおけるZ-と同様のものが挙げられる。Aの好ましい例としては、下記一般式ZCI又はZCIIで表される基も挙げられる。上記一般式ZCI及びZCII中、R301及びR302は、各々独立に、有機基を表す。この有機基の炭素数は、一般的には1~30であり、好ましくは1~20である。R301及びR302は、互いに結合して、環構造を形成していてもよい。この環構造は、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合及びカルボニル基の少なくとも1つを含んでいてもよい。R301とR302とが互いに結合して形成し得る基としては、ブチレン基及びペンチレン基等のアルキレン基が挙げられる。R301及びR302の有機基としては、例えば、一般式ZIにおけるR201~R203の例として挙げたアリール基、アルキル基及びシクロアルキル基が挙げられる。M-は、プロトンが付加されることにより酸を形成する原子団を表す。より具体的には、後述する一般式AN1~AN3の何れかにより表される構造が挙げられる。これらのうち、一般式AN1により表される構造が特に好ましい。R303は有機基を表す。R303としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。R303の有機基として具体的には、例えば前記一般式ZIIにおけるR204、R205の具体例として挙げたアリール基、アルキル基、シクロアルキル基等を挙げることができる。また、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する構造部位としては、例えば、下記光酸発生剤が有しているスルホン酸前駆体となる構造部位を挙げることができる。この光酸発生剤としては、例えば、以下の1~3の化合物が挙げられる。1M.TUNOOKAetal.,PolymerPreprintsJapan,358;G.Berneretal.,J.Rad.Curing,134;W.J.Mijsetal.,CoatingTechnol.,55697,451983;H.Adachietal.,PolymerPreprints,Japan,373;欧州特許第0199,672号、同84515号、同199,672号、同044,115号、同0101,122号、米国特許第618,564号、同4,371,605号、同4,431,774号の各明細書、特開昭64-18143号、特開平2-245756号、及び特開平4-365048号等の各公報に記載のイミノスルフォネ-ト等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物。2特開昭61-166544号公報等に記載のジスルホン化合物。3V.N.R.Pillai,Synthesis,1,11980;A.Abadetal,TetrahedronLett.,4745551971;D.H.R.Bartonetal.,J.Chem.Soc.,C,3291970;米国特許第3,779,778号;及び欧州特許第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物。繰り返し単位Bは、活性光線又は放射線の照射により酸アニオンへと変換される構造部位を備えていることが好ましい。例えば、上記一般式B1~B3におけるAは、活性光線又は放射線の照射により酸アニオンへと変換される構造部位であることが好ましい。即ち、繰り返し単位Bは、活性光線又は放射線の照射により樹脂の側鎖に酸アニオンを生じる構造であることがより好ましい。このような構造を採用すると、発生した酸アニオンの拡散が抑制され、解像度及びラフネス特性等を更に向上させることが可能となる。一般式B1における部位-X1-A、一般式B2における部位-X2-A、及び一般式B3における部位-X3-Aの各々は、下記一般式L1、L2及びL3の何れかにより表されることが好ましい。-X11-L11-X12-Ar1-X13-L12-Z1L1-Ar2-X21-L21-X22-L22-Z2L2-X31-L31-X32-L32-Z3L3まず、一般式L1により表される部位について説明する。X11は、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。X12及びX13は、各々独立に、単結合、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。Rのアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。また、Rのアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。このアルキル基は、炭素数が20以下であることが好ましく、炭素数が8以下であることがより好ましく、炭素数が3以下であることが更に好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基が挙げられる。Rとしては、水素原子、メチル基又はエチル基が特に好ましい。なお、2価の窒素含有非芳香族複素環基とは、少なくとも1個の窒素原子を有する、好ましくは3~8員の非芳香族複素環基を意味する。X11は、-O-、-CO-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、又は、これらを組み合わせた基であることがより好ましく、-COO-又は-CONR-Rは水素原子若しくはアルキル基であることが特に好ましい。L11は、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。L11のアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキレン基としては、炭素数が1~8のものが好ましく、炭素数1~6のものがより好ましく、炭素数が1~4のものが更に好ましい。L11のアルケニレン基としては、例えば、上記のアルキレン基の任意の位置に二重結合を備えた基が挙げられる。L11としての2価の脂肪族炭化水素環基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。この2価の脂肪族炭化水素環基としては、炭素数が5~12のものが好ましく、炭素数が6~10のものがより好ましい。連結基としての2価の芳香環基は、アリーレン基であってもよく、ヘテロアリーレン基であってもよい。この芳香環基は、炭素数が6~14であることが好ましい。この芳香環基は、置換基を更に有していてもよい。また、連結基としての-NR-及び2価の窒素含有非芳香族複素環基は、例えば、上述したX11における各々と同様である。L11としては、アルキレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、又は、-OCO-、-O-若しくは-CONH-を介してアルキレン基と2価の脂肪族炭化水素環基とを組み合わせた基例えば、-アルキレン基-O-アルキレン基-、-アルキレン基-OCO-アルキレン基-若しくは-2価の脂肪族炭化水素環基-O-アルキレン基-、-アルキレン基-CONH-アルキレン基-が特に好ましい。X12及びX13における-NR-及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。X12としては、単結合、-S-、-O-、-CO-、-SO2-、又はこれらを組み合わせた基がより好ましく、単結合、-S-、-OCO-又は-OSO2-が特に好ましい。X13としては、-O-、-CO-、-SO2-、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、-OSO2-が特に好ましい。Ar1は、2価の芳香環基を表す。2価の芳香環基は、アリーレン基であってもよく、ヘテロアリーレン基であってもよい。この2価の芳香環基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基及びアリール基が挙げられる。Ar1としては、置換基を有していてもよい炭素数6~18のアリーレン基、又は、炭素数6~18のアリーレン基と炭素数1~4のアルキレンよを組み合わせたアラルキレン基がより好ましく、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、又は、フェニル基で置換されたフェニレン基が特に好ましい。L12は、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表し、これらの基は、水素原子の一部又は全部が、フッ素原子、フッ化アルキル基、ニトロ基、及びシアノ基から選択される置換基で置換されている。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。L12としては、水素原子の一部又は全部が、フッ素原子若しくはフッ化アルキル基より好ましくはペルフルオロアルキル基で置換された、アルキレン基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された、アルキレン基又は2価の芳香環基が特に好ましい。L12としては、水素原子数の30~100がフッ素原子で置換されたアルキレン基又は2価の芳香環基が特に好ましい。L12のアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキレン基は、炭素数が1~6であることが好ましく、炭素数が1~4であることがより好ましい。L12のアルケニレン基としては、例えば、上記アルキレン基の任意の位置に二重結合を備えた基が挙げられる。L12の2価の脂肪族炭化水素環基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。この2価の脂肪族炭化水素環基としては、炭素数が3~17のものが好ましい。L12の2価の芳香環基としては、例えば、先にL11における連結基として説明したのと同様のものが挙げられる。また、L12における連結基の-NR-及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。Z1は、活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸基となる部位を表し、具体的には、例えば、上記式ZIにより表される構造が挙げられる。次に、一般式L2により表される部位について説明する。Ar2は、2価の芳香環基を表す。2価の芳香環基は、アリーレン基であってもよく、ヘテロアリーレン基であってもよい。これら2価の芳香環基は、炭素数が6~18であることが好ましい。これら2価の芳香環基は、置換基を更に有していてもよい。X21は、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。X21における-NR-及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、例えば、先にX11について説明したのと同様のものが挙げられる。X21としては、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、-O-、-OCO-又は-OSO2-が特に好ましい。X22は、単結合、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。X22における-NR-及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、例えば、先にX11について説明したのと同様のものが挙げられる。X22としては、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、-O-、-OCO-又は-OSO2-が特に好ましい。L21は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。L21のアルキレン基、アルケニレン基、及び2価の脂肪族炭化水素環基としては、例えば、先にL11における各々について説明したのと同様のものが挙げられる。L21の2価の芳香環基は、アリーレン基であってもよく、ヘテロアリーレン基であってもよい。この2価の芳香環基は、炭素数が6~14であることが好ましい。L21における-NR-及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、例えば、先にX11について説明したのと同様のものが挙げられる。L21としては、単結合、アルキレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、これらの2以上を組み合わせた基例えば、-アルキレン基-2価の芳香環基-若しくは-2価の脂肪族炭化水素環基-アルキレン基-、又は、-OCO-、-COO-、-O-及び-S-等の連結基を介してこれらの2以上を組み合わせた基例えば、-アルキレン基-OCO-2価の芳香環基-、-アルキレン基-S-2価の芳香環基-、若しくは、-アルキレン基-O-アルキレン基-2価の芳香環基-が特に好ましい。L22は、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表し、これらの基は、水素原子の一部又は全部が、フッ素原子、フッ化アルキル基、ニトロ基、及びシアノ基から選択される置換基で置換されていてもよい。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。L22としては、水素原子の一部又は全部が、フッ素原子又はフッ化アルキル基より好ましくはペルフルオロアルキル基で置換された、アルキレン基、2価の芳香環基、又はこれらを組み合わせた基がより好ましく、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された、アルキレン基又は2価の芳香環基が特に好ましい。L22により表わされるアルキレン基、アルケニレン基、基脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、及び、これらの2以上を組み合わせた基の具体例としては、一般式L1においてL12として先に例示した具体例と同様の基が挙げられる。また、L22における連結基の-NR-及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。Z2は、活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸基となる部位を表す。Z2の具体例としては、先にZ1について説明したのと同様のものが挙げられる。続いて、一般式L3により表される部位について説明する。X31及びX32は、各々独立に、単結合、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。X31及びX32の各々における-NR-及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、例えば、先にX11について説明したのと同様のものが挙げられる。X31としては、単結合、-O-、-CO-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、単結合、-COO-又は-CONR-Rは水素原子若しくはアルキル基が特に好ましい。X32としては、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、-O-、-OCO-又は-OSO2-が特に好ましい。L31は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。L31のアルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、及び2価の芳香環基としては、例えば、先にL21について説明したのと同様のものが挙げられる。また、L31における連結基の-NR-及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。L32は、アルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又は、これらの2以上を組み合わせた基を表す。上記の組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら基は、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。L32のアルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、又は、これらの2以上を組み合わせた基は、水素原子の一部又は全部が、フッ素原子、フッ化アルキル基、ニトロ基、及びシアノ基から選択される置換基で置換されていることが好ましい。L32としては、水素原子の一部又は全部が、フッ素原子若しくはフッ化アルキル基より好ましくはペルフルオロアルキル基で置換された、アルキレン基、2価の芳香環基、又はこれらを組み合わせた基がより好ましく、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された、アルキレン基又は2価の芳香環基が特に好ましい。L32のアルキレン基、アルケニレン基、2価の脂肪族炭化水素環基、2価の芳香環基、及び、これらの2以上を組み合わせた基としては、例えば、先にL12について説明したのと同様のものが挙げられる。L32における連結基の-NR-及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。また、X3が単結合でありかつL31が芳香環基である場合において、R32がL31の芳香環基と環を形成する場合、R32により表わされるアルキレン基は、炭素数が1~8であることが好ましく、炭素数が1~4のものがより好ましく、炭素数が1~2のものが更に好ましい。Z3は、活性光線又は放射線の照射により、イミド酸基又はメチド酸基となるオニウム塩を表す。Z3により表わされるオニウム塩としては、スルホニウム塩あるいはヨードニウム塩が好ましく、下記一般式ZIII又はZIVにより表される構造が好ましい。一般式ZIII及びZIV中、Z1、Z2、Z3、Z4、Z5は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表し、より好ましくは、-SO2-である。Rz1、Rz2及びRz3は、各々独立に、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アリール基、又はアラルキル基を表す。水素原子の一部又は全部がフッ素原子又はフルオロアルキル基より好ましくはペルフルオロアルキル基で置換された態様がより好ましい。Rz1、Rz2及びRz3のアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基は、炭素数が1~8であることが好ましく、炭素数が1~6であることがより好ましく、炭素数が1~4であることが更に好ましい。Rz1、Rz2及びRz3の1価の脂肪族炭化水素環基は、炭素数が3~10であることが好ましく、炭素数が3~6であることがより好ましい。Rz1、Rz2及びRz3のアリール基は、炭素数が6~18であることが好ましく、炭素数が6~10のアリール基であることがより好ましい。このアリール基としては、フェニル基が特に好ましい。Rz1、Rz2及びRz3のアラルキル基の好ましい例としては、炭素数1~8のアルキレン基と上記アリール基とが結合したものが挙げられる。炭素数1~6のアルキレン基と上記アリール基とが結合してなるアラルキル基がより好ましく、炭素数1~4のアルキレン基と上記アリール基とが結合してなるアラルキル基が特に好ましい。Aは、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表す。Aの好ましい例としては、一般式ZIにおけるスルホニウムカチオン又は一般式ZIIにおけるヨードニウムカチオン構造が挙げられる。以下に繰り返し単位Bの具体例を挙げるが、本発明の範囲は、これらに限定されるものではない。上記樹脂は、下記一般式A1により表される繰り返し単位及び下記一般式A2により表される繰り返し単位の少なくとも一方を更に含んでいることが好ましい。ここで、一般式A2により表される繰り返し単位は、上記繰り返し単位A以外の繰り返し単位である。一般式A1中、mは、0~4の整数を表す。nは、mn≦5なる関係を満足する1~5の整数を表す。S1は、置換基水素原子を除くを表し、m≧2の場合には、複数の前記S1は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。A1は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表し、n≧2の場合には、複数の前記A1は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。一般式A2中、Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。A2は、酸の作用により脱離する基を表す。まず、一般式A1により表される繰り返し単位について説明する。mは、上述したように、0~4の整数である。mは、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1であり、特に好ましくは0である。nは、上述したように、mn≦5なる関係を満足する1~5の整数である。nは、好ましくは1又は2であり、特に好ましくは1である。S1は、上述したように、置換基水素原子を除くを表す。この置換基としては、例えば、先に説明した一般式IにおいてARが有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。A1は、上述したように、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。A1が酸の作用により脱離する基である場合、一般式A1により表される繰り返し単位は、酸分解性基を含んだ繰り返し単位である。A1が水素原子である場合、この繰り返し単位は、酸分解性基を含まない繰り返し単位である。酸の作用により脱離する基としては、例えば、t-ブチル基及びt-アミル基等の3級アルキル基、t-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、並びに、式-CL1L2-O-Z2により表されるアセタール基が挙げられる。以下、式-CL1L2-O-Z2により表されるアセタール基について説明する。式中、L1及びL2は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。Z2は、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。なお、Z2とL1とは、互いに結合して、5員又は6員環を形成していてもよい。アルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。直鎖アルキル基としては、炭素数が1~30のものが好ましく、炭素数が1~20のものがより好ましい。このような直鎖アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基及びn-デカニル基が挙げられる。分岐鎖アルキル基としては、炭素数が3~30のものが好ましく、炭素数が3~20のものがより好ましい。このような分岐鎖アルキル基としては、例えば、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基、i-ヘキシル基、t-ヘキシル基、i-ヘプチル基、t-ヘプチル基、i-オクチル基、t-オクチル基、i-ノニル基及びt-デカノイル基が挙げられる。これらアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、水酸基;フッ素、塩素、臭素及びヨウ素原子等のハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;アミド基;スルホンアミド基;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基及びブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基等のアシル基;アセトキシ基及びブチリルオキシ基等のアシロキシ基、並びにカルボキシ基が挙げられる。アルキル基としては、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、シクロヘキシルエチル基、フェニルメチル基又はフェニルエチル基が特に好ましい。シクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。後者の場合、シクロアルキル基は、有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は、橋かけ構造を有していてもよい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。単環型のシクロアルキル基としては、炭素数3~8のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基及びシクロオクチル基が挙げられる。多環型のシクロアルキル基としては、例えば、ビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を有する基が挙げられる。多環型のシクロアルキル基としては、炭素数が6~20のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基及びアンドロスタニル基が挙げられる。L1、L2及びZ2におけるアラルキル基としては、例えば、ベンジル基及びフェネチル基等の炭素数が7~15のものが挙げられる。これらアラルキル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、好ましくは、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基及びアラルキルチオ基が挙げられる。置換基を有するアラルキル基としては、例えば、アルコキシベンジル基、ヒドロキシベンジル基及びフェニルチオフェネチル基が挙げられる。なお、これらアラルキル基が有し得る置換基の炭素数は、好ましくは12以下である。Z2とL1とが互いに結合して形成し得る5員又は6員環としては、例えば、テトラヒドロピラン環及びテトラヒドロフラン環が挙げられる。これらのうち、テトラヒドロピラン環が特に好ましい。Z2は、直鎖又は分岐鎖状のアルキル基であることが好ましい。これにより、本発明の効果が一層顕著になる。以下に、一般式A1により表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。次に、一般式A2により表される繰り返し単位について説明する。この繰り返し単位は、後述するように、酸分解性基を備えている。Xは、上述したように、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。これら基又は原子の具体例としては、例えば、先に一般式IにおけるR1について説明したのと同様のものが挙げられる。A2は、上述したように、酸の作用により脱離する基を表す。即ち、A2により表される繰り返し単位は、酸分解性基として、-COOA2により表される基を備えている。A2としては、例えば、先に一般式A1におけるA1について説明したのと同様のものが挙げられる。以下に、一般式A2により表される繰り返し単位に対応したモノマーの具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。以下に、一般式A2により表される繰り返し単位の構造の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。一般式A2により表される繰り返し単位は、t-ブチルメタクリレート又はエチルシクロペンチルメタクリレートの繰り返し単位であることが好ましい。上記樹脂は、繰り返し単位A及び繰り返し単位Bの他に、下記一般式A4により表される繰り返し単位を更に含んでいることが好ましい。このような構成を採用すると、例えば、膜質を更に向上させること及び未露光部の膜減りを更に抑制することが可能となる。一般式A4中、R2は、水素原子、メチル基、シアノ基、ハロゲン原子又は炭素数1~4のペルフルオロ基を表す。R3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシ基又はアシル基を表す。qは、0~4の整数を表す。Wは、酸の作用により分解しない基以下、酸安定基ともいうを表す。Wの酸安定基としては、好ましくはアシル基、アルキルアミド基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基又はアリールオキシ基であり、より好ましくはアシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基又はアリールオキシ基である。Wのアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基及びt-ブチル基等の炭素数が1~4のものが好ましい。Wのシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基及びアダマンチル基等の炭素数が3~10のものが好ましい。Wのアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、アリル基及びブテニル基等の炭素数が2~4のものが好ましい。Wのアリール基としては、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基及びアントリル基等の炭素数が6~14のものが好ましい。Wのアシル基、アルキルアミド基、アルキルカルボニルオキシ基及びアルキルオキシ基におけるアルキル基としては、上記Wのアルキル基で挙げたものと同様のものを挙げることができる。Wのシクロアルキルオキシ基におけるシクロアルキル基としては、上記Wのシクロアルキル基で挙げたものと同様のものを挙げることができる。Wのアリールオキシ基、アリールアミドメチル基及びアリールアミド基としては、上記Wのアリール基で挙げたものと同様のものを挙げることができる。Wは、一般式A4に示したように、スチレン骨格中のベンゼン環に含まれる任意の水素原子を置換し得る。Wの置換位置は特に制限されないが、好ましくはメタ位又はパラ位であり、特に好ましくはパラ位である。以下に、一般式A4により表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定するものではない。上記樹脂は、繰り返し単位A及び繰り返し単位Bの他に、下記一般式a1~a5のいずれかで表される繰り返し単位を更に含んでいても良い。j1、j2、j3、j4及びj5は、各々独立して、0~3の整数を表す。j1、j2、j3、j4及びj5は、各々独立して、0~2の整数であることが好ましく、0又は1であることがより好ましい。以下に、一般式a1~a5のいずれかで表される繰り返し単位の具体例を示すが、これに限定されるものではない。上記樹脂は、繰り返し単位A及び繰り返し単位Bの他に、酸の作用により分解しないメタアクリル酸誘導体からなる繰り返し単位を更に含んでいてもよい。以下にその具体例を挙げるが、これらに限定するものではない。上記樹脂は、繰り返し単位A及び繰り返し単位Bの他に、式-C=O-X1-R0により表される酸分解性基を備えた繰り返し単位を更に含んでいてもよい。ここで、X1は、酸素原子、硫黄原子、-NH-、-NHSO2-又は-NHSO2NH-を表す。R0は、酸の作用により脱離する基であり、例えば、t-ブチル基及びt-アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1-エトキシエチル基、1-ブトキシエチル基、1-イソブトキシエチル基及び1-シクロヘキシロキシエチル基等の1-アルコキシエチル基、1-メトキシメチル基及び1-エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、3-オキソアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリルエステル基、3-オキソシクロヘキシルエステル基、2-メチル-2-アダマンチル基、並びにメバロニックラクトン残基が挙げられる。また、上記樹脂は、更に、アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基を有する繰り返し単位を有していても良い。アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基としては、ラクトン構造、フェニルエステル構造などが挙げられる。繰り返し単位としては、下記一般式AIIで表される繰り返し単位がより好ましい。一般式AII中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよいアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0として、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Abは、単結合、アルキレン基、単環又は多環の脂肪族炭化水素環構造を有する2価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基を表す。好ましくは、単結合、-Ab1-CO2-で表される2価の連結基である。Ab1は、直鎖又は分岐アルキレン基、単環又は多環の脂肪族炭化水素環基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。Vは、アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基を表す。好ましくはエステル結合を有する基であり、中でもラクトン構造を有する基がより好ましい。ラクトン構造を有する基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。Vとしては下記一般式LC1-1~LC1-17のいずれかで表されるラクトン構造を有する基がより好ましい。また、樹脂は、ラクトン構造が主鎖に直接結合した繰り返し単位を含有していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14である。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7の1価の脂肪族炭化水素環基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数1~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。以下に、樹脂中の繰り返し単位Dの具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、Rxは、H,CH3,CH2OH,又はCF3を表す。なお、上記樹脂は、アルカリ現像液に対する良好な現像性を維持すべく、フェノール性水酸基及びカルボキシ基等のアルカリ可溶性基を備えた他の繰り返し単位を更に含んでいてもよい。また、膜質を更に向上させるべく、アルキルアクリレート及びアルキルメタクリレート等のモノマーから得られる疎水性の繰り返し単位を更に含んでいてもよい。その他の繰り返し単位樹脂Pは、上述した繰り返し単位以外の繰り返し単位であって、極性基を有する繰り返し単位を更に有していてもよい。極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシル基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換されたアルコール性水酸基例えば、ヘキサフルオロイソプロパノール基:-CCF32OHなどを挙げることができる。樹脂Pがこのような繰り返し単位を有することにより、これにより基板密着性、現像液親和性を向上させることができる。上述した繰り返し単位以外の極性基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位であることが好ましく、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることがより好ましく、酸分解性基を有さないことが更に好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。樹脂Pは、極性基を有する繰り返し単位を含有してもしなくても良いが、含有する場合、その含有率は、樹脂P中の全繰り返し単位に対し、1~60モルが好ましく、より好ましくは5~50モルである。極性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。本発明の樹脂Pは、更に極性基を持たない環状炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式VIIで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式VII中、R5は少なくとも一つの環状炭化水素構造を有し、極性基水酸基やシアノ基などを有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状炭化水素構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの環状炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子臭素、塩素、フッ素原子、アルキル基メチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換された水酸基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。上記水素原子を置換する置換基としては、たとえばアルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。樹脂Pは、極性基を持たない環状炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、その含有率は、樹脂P中の全繰り返し単位に対し、1~40モルが好ましく、より好ましくは5~20モルである。極性基を持たない環状炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。本発明の樹脂Pは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びマレイロニトリルも挙げられる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。以下に、そのような他の重合性モノマー由来の繰り返し単位の好ましい具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。本発明の組成物に用いられる樹脂Pにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。上記樹脂に占める酸分解性基を含んだ繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位を基準として、5~95モルとすることが好ましく、10~60モルとすることがより好ましく、15~50モルとすることが特に好ましい。上記樹脂に占める繰り返し単位Aの含有率は、全繰り返し単位を基準として、1~70モルとすることが好ましく、1~50モルとすることがより好ましく、1~40モルとすることが特に好ましい。上記樹脂に占める繰り返し単位Bの含有率は、全繰り返し単位を基準として、0.1~80モルとすることが好ましく、0.5~60モルとすることがより好ましく、1~40モルとすることが特に好ましい。上記樹脂が一般式A1により表される繰り返し単位を含んでいる場合、その含有率は、全繰り返し単位を基準として、20~90モルとすることが好ましく、30~85モルとすることがより好ましく、35~80モルとすることが特に好ましい。上記樹脂が一般式A2により表される繰り返し単位を含んでいる場合、その含有率は、全繰り返し単位を基準として、1~90モルとすることが好ましく、5~75モルとすることがより好ましく、10~60モルとすることが特に好ましい。上記樹脂が一般式A4により表される繰り返し単位を含んでいる場合、その含有率は、全繰り返し単位を基準として、1~50モルとすることが好ましく、1~40モルとすることがより好ましく、1~30モルとすることが特に好ましい。上記樹脂が一般式a1~a5のいずれかで表される繰り返し単位を含んでいる場合、その含有率は、全繰り返し単位を基準として、1~50モルとすることが好ましく、1~40モルとすることがより好ましく、1~30モルとすることが特に好ましい。上記樹脂が、アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基を有する繰り返し単位を含んでいる場合、その含有率は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、0.5~80モルが好ましく、より好ましくは1~60モル、更に好ましくは2~40モルである。上記樹脂の重量平均分子量Mwは、1000~200000の範囲内にあることが好ましく、1000~100000の範囲内にあることがより好ましく、1000~50000の範囲内にあることが更に好ましく、1000~25000の範囲内にあることが特に好ましい。この重量平均分子量を過度に大きくすると、樹脂のアルカリに対する溶解速度及び組成物の感度が低下する場合がある。ここで重量平均分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィーGPCにより測定されたポリスチレン換算値を意味している。上記樹脂の分散度Mw/Mnは、1.0~3.0であることが好ましく、1.0~2.5であることがより好ましく、1.0~2.0であることが更に好ましい。分散度の高い樹脂は、例えば、以下のようにして合成することができる。即ち、アゾ系重合開始剤を用いてラジカル重合を行うことにより、例えば、分散度1.2~2.0の樹脂を合成することができる。また、リビングラジカル重合法を用いることにより、例えば、分散度1.0~1.5の樹脂を合成することができる。上記樹脂は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。これら樹脂の合計量は、組成物の全固形分を基準として、通常10~99質量であり、好ましくは20~99質量であり、特に好ましくは30~99質量である。以下に、繰り返し単位A及び繰り返し単位Bを備えた樹脂の具体例を示すが、これらに限定するものではない。<その他の成分>本発明に係る組成物は、光酸発生剤、塩基性化合物、界面活性剤、溶剤、染料、光塩基発生剤、酸化防止剤及び溶剤等を更に含んでいてもよい。以下、これら成分について説明する。光酸発生剤本発明に係る組成物は、繰り返し単位A及び繰り返し単位Bを備えた樹脂の他に、光酸発生剤を更に含んでいてもよい。光酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。光酸発生剤としては、例えば、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、光消色剤、光変色剤、マイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物、及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。これらの例としては、スルホニウム塩及びヨードニウム塩等のオニウム塩、並びに、ビスアルキルスルホニルジアゾメタン等のジアゾジスルホン化合物が挙げられる。光酸発生剤の好ましい例としては、下記一般式ZI、ZII及びZIIIにより表される化合物が挙げられる。上記一般式ZI及びZII中、R201’、R202’、R203’、R204’及びR205’は、各々独立に、有機基を表す。R201’、R202’、R203’、R204’及びR205’の具体例は、それぞれ、先に活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生する構造部位におけるR201、R202、R203、R204及びR205の説明において挙げたものと同様である。X-は、非求核性アニオンを表す。X-としては、例えば、スルホン酸アニオン、ビスアルキルスルホニルアミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオン、BF4-、PF6-及びSbF6-が挙げられる。X-は、好ましくは、炭素原子を含んだ有機アニオンである。好ましい有機アニオンとしては、例えば、下記AN1~AN3に示す有機アニオンが挙げられる。式AN1~AN3中、Rc1~Rc3は、各々独立に、有機基を表す。この有機基としては、例えば、炭素数1~30のものが挙げられ、好ましくは、アルキル基、アリール基、又はこれらの複数が単結合又は連結基を介して連結された基である。なお、この連結基としては、例えば、-O-、-CO2-、-S-、-SO3-及び-SO2NRd1-が挙げられる。ここで、Rd1は水素原子又はアルキル基を表し、結合しているアルキル基又はアリール基と環構造を形成してもよい。Rc1~Rc3の有機基は、1位がフッ素原子又はフロロアルキル基で置換されたアルキル基、又は、フッ素原子若しくはフロロアルキル基で置換されたフェニル基であってもよい。フッ素原子又はフロロアルキル基を含有させることにより、光照射によって発生する酸の酸性度を上昇させることが可能となる。これにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の感度を向上させることができる。なお、Rc1~Rc3は、他のアルキル基及びアリール基等と結合して、環構造を形成していてもよい。光酸発生剤としては、一般式ZIにより表される構造を複数有する化合物を使用してもよい。例えば、一般式ZIにより表される化合物のR201’~R203’の少なくとも1つが、一般式ZIにより表されるもう1つの化合物のR201’~R203’の少なくとも1つと結合した構造を有する化合物であってもよい。以下、一般式ZIIIについて説明する。一般式ZIII中、R206~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。これらアリール基、アルキル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R206及びR207としてのアリール基の好ましい例としては、先に活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生するZI-1基におけるR201~R203について列挙したのと同様の基が挙げられる。R206及びR207としてのアルキル基及びシクロアルキル基の好ましい例としては、先に活性光線又は放射線の照射により分解して酸アニオンを発生するZI-2基におけるR201~R203について列挙した直鎖、分岐又はシクロアルキル基が挙げられる。R206及びR207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R206及びR207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~15、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。光酸発生剤の他の好ましい例として、下記一般式ZIV、ZV又はZVIにより表される化合物が挙げられる。一般式ZIV~ZVI中、Ar3及びAr4は、各々独立に、置換又は無置換のアリール基を表す。R208は、一般式ZVとZVIとで各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表している。これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。これら基は、フッ素原子により置換されていることが好ましい。こうすると、光酸発生剤が発生する酸の強度を高めることが可能となる。R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は電子求引性基を表す。これらアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及び電子求引性基は、置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及び電子吸引性基が有していても良い置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、及び、ニトロ基が挙げられる。好ましいR209としては、置換又は無置換のアリール基が挙げられる。好ましいR210としては、電子求引性基が挙げられる。この電子求引性基としては、好ましくは、シアノ基及びフロロアルキル基が挙げられる。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。これらアルキレン基、アルケニレン基及びアリーレン基は、置換基を有していてもよい。Ar3、Ar4、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式ZI-1におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式ZI-2におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。Aのアルキレン基としては、炭素数1~12のアルキレン例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基などを、Aのアルケニレン基としては、炭素数2~12のアルケニレン基例えば、エチニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基などを、Aのアリーレン基としては、炭素数6~10のアリーレン基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などを、それぞれ挙げることができる。なお、光酸発生剤として、一般式ZVIにより表される構造を複数有する化合物も好ましい。このような化合物としては、例えば、一般式ZVIにより表される化合物のR209又はR210と、一般式ZVIにより表されるもう一つの化合物のR209又はR210とが互いに結合した構造を有する化合物が挙げられる。光酸発生剤としては、一般式ZI~ZIIIにより表される化合物がより好ましく、一般式ZIにより表される化合物が更に好ましい。光酸発生剤の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。また、本発明に係る組成物は、光酸発生剤として、活性光線又は放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物を更に含んでいてもよい。このような化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。これら光酸発生剤の分子量は、例えば100~1500の範囲内にあり、典型的には200~1000の範囲内にある。なお、光酸発生剤は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。後者の場合、水素原子を除く全原子数が2以上異なる2種の有機酸を発生する化合物を組み合わせることが好ましい。本発明に係る組成物が光酸発生剤を更に含んでいる場合、その含量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.1~40質量であり、より好ましくは0.5~30質量であり、更に好ましくは1~20質量である。塩基性化合物本発明に係る組成物は、塩基性化合物を更に含んでいてもよい。塩基性化合物は、好ましくは、フェノールと比較して塩基性がより強い化合物である。また、この塩基性化合物は、有機塩基性化合物であることが好ましく、含窒素塩基性化合物であることが更に好ましい。使用可能な含窒素塩基性化合物は特に限定されないが、例えば、以下の1~5に分類される化合物を用いることができる。1下記一般式BS-1により表される化合物一般式BS-1中、Rは、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。但し、3つのRのうち少なくとも1つは有機基である。この有機基は、直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、単環若しくは多環のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。Rとしてのアルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常1~20であり、好ましくは1~12である。Rとしてのシクロアルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常3~20であり、好ましくは5~15である。Rとしてのアリール基の炭素数は、特に限定されないが、通常6~20であり、好ましくは6~10である。具体的には、フェニル基及びナフチル基等が挙げられる。Rとしてのアラルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常7~20であり、好ましくは7~11である。具体的には、ベンジル基等が挙げられる。Rとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基及びアルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。なお、一般式BS-1により表される化合物では、Rのうち少なくとも2つが有機基であることが好ましい。一般式BS-1により表される化合物の具体例としては、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、N,N-ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン、及び2,4,6-トリt-ブチルアニリンが挙げられる。また、一般式BS-1により表される塩基性化合物は、3つのRのうち少なくとも1つが、親水性基を有するアルキル基である塩基性化合物であることが好ましく、これにより、解像性を向上させると共に良好なパターン形状を形成することができる。親水性基を有するアルキル基は、炭素数が1~8であることが好ましく、炭素数が1~6であることがより好ましい。親水性基を有するアルキル基としては、例えば、ヒドロキシ基又はメルカプト基を有するアルキル基が挙げられる。このようなアルキル基を有する塩基性化合物としては、具体的には、例えば、トリエタノールアミン及びN,N-ジヒドロキシエチルアニリンが挙げられる。また、上記の親水性基を有するアルキル基としては、アルキル鎖中に、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基を有するアルキル基も挙げられる。即ち、Rとしてのアルキル基は、オキシアルキレン鎖、チオアルキレン鎖又はケトアルキレン鎖であってもよい。オキシアルキレン鎖としては、-CH2CH2O-が好ましい。具体的には、例えば、トリスメトキシエトキシエチルアミン、及び、US6040112号明細書のカラム3の60行目以降に例示されている化合物が挙げられる。上記の親水性基を有するアルキル基は、置換基としてヒドロキシ基又はメルカプト基を有するとともに、アルキル鎖中に、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基を有するアルキル基であってもよい。上記の親水性基を有するアルキル基は、更に置換基を有していても良く、そのような更なる置換基としては、置換又は無置換のアリール基などを挙げることができる。このアリール基が、置換アリール基である場合、置換アリール基における置換基としては、アルキル基、アルコキシ基及びアリール基などが挙げられる。一般式BS-1において、3つのRのうち少なくとも1つが親水性基を有するアルキル基である、塩基性化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。2含窒素複素環構造を有する化合物この含窒素複素環は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよい。更に、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、例えば、イミダゾール構造を有する化合物2-フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾールなど、ピペリジン構造を有する化合物N-ヒドロキシエチルピペリジン及びビス1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジルセバケートなど、ピリジン構造を有する化合物4-ジメチルアミノピリジンなど、並びにアンチピリン構造を有する化合物アンチピリン及びヒドロキシアンチピリンなどが挙げられる。また、環構造を2つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には、例えば、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン及び1,8-ジアザビシクロ5.4.0-ウンデカ-7-エンが挙げられる。3フェノキシ基を有するアミン化合物フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物が含んでいるアルキル基のN原子と反対側の末端にフェノキシ基を備えた化合物である。フェノキシ基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基及びアリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。この化合物は、より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン鎖を有している。1分子中のオキシアルキレン鎖の数は、好ましくは3~9個、更に好ましくは4~6個である。オキシアルキレン鎖の中でも-CH2CH2O-が特に好ましい。具体例としては、2-[2-{2―2,2―ジメトキシ-フェノキシエトキシエチル}-ビス-2-メトキシエチル]-アミン、及び、US2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3が挙げられる。フェノキシ基を有するアミン化合物は、例えば、フェノキシ基を有する1級又は2級アミンとハロアルキルエーテルとを加熱して反応させ、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びテトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル及びクロロホルム等の有機溶剤で抽出することにより得られる。また、フェノキシ基を有するアミン化合物は、1級又は2級アミンと、末端にフェノキシ基を有するハロアルキルエーテルとを加熱して反応させ、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びテトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル及びクロロホルム等の有機溶剤で抽出することによって得ることもできる。4アンモニウム塩塩基性化合物として、アンモニウム塩も適宜用いることができる。アンモニウム塩のアニオンとしては、例えば、ハライド、スルホネート、ボレート及びフォスフェートが挙げられる。これらのうち、ハライド及びスルホネートが特に好ましい。ハライドとしては、クロライド、ブロマイド及びアイオダイドが特に好ましい。スルホネートとしては、炭素数1~20の有機スルホネートが特に好ましい。有機スルホネートとしては、例えば、炭素数1~20のアルキルスルホネート及びアリールスルホネートが挙げられる。アルキルスルホネートに含まれるアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アルコキシ基、アシル基及びアリール基が挙げられる。アルキルスルホネートとして、具体的には、メタンスルホネート、エタンスルホネート、ブタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート及びノナフルオロブタンスルホネートが挙げられる。アリールスルホネートに含まれるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基及びアントリル基が挙げられる。これらアリール基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、炭素数1~6の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基及び炭素数3~6のシクロアルキル基が好ましい。具体的には、例えば、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、i-ブチル、t-ブチル、n-ヘキシル及びシクロヘキシル基が好ましい。他の置換基としては、炭素数1~6のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、アシル基及びアシロキシ基が挙げられる。このアンモニウム塩は、ヒドロキシド又はカルボキシレートであってもよい。この場合、このアンモニウム塩は、炭素数1~8のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキシド等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドであることが特に好ましい。好ましい塩基性化合物としては、例えば、グアニジン、アミノピリジン、アミノアルキルピリジン、アミノピロリジン、インダゾール、イミダゾール、ピラゾール、ピラジン、ピリミジン、プリン、イミダゾリン、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルフォリン及びアミノアルキルモルフォリンが挙げられる。これらは、置換基を更に有していてもよい。好ましい置換基としては、例えば、アミノ基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基及びシアノ基が挙げられる。特に好ましい塩基性化合物としては、例えば、グアニジン、1,1-ジメチルグアニジン、1,1,3,3,-テトラメチルグアニジン、イミダゾール、2-メチルイミダゾール、4-メチルイミダゾール、N-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、4,5-ジフェニルイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾール、2-アミノピリジン、3-アミノピリジン、4-アミノピリジン、2-ジメチルアミノピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、2-ジエチルアミノピリジン、2-アミノメチルピリジン、2-アミノ-3-メチルピリジン、2-アミノ-4-メチルピリジン、2-アミノ-5-メチルピリジン、2-アミノ-6-メチルピリジン、3-アミノエチルピリジン、4-アミノエチルピリジン、3-アミノピロリジン、ピペラジン、N-2-アミノエチルピペラジン、N-2-アミノエチルピペリジン、4-アミノ-2,2,6,6-テトラメチルピペリジン、4-ピペリジノピペリジン、2-イミノピペリジン、1-2-アミノエチルピロリジン、ピラゾール、3-アミノ-5-メチルピラゾール、5-アミノ-3-メチル-1-p-トリルピラゾール、ピラジン、2-アミノメチル-5-メチルピラジン、ピリミジン、2,4-ジアミノピリミジン、4,6-ジヒドロキシピリミジン、2-ピラゾリン、3-ピラゾリン、N-アミノモルフォリン及びN-2-アミノエチルモルフォリンが挙げられる。本発明の特に好ましい実施形態において、塩基性化合物は、グアニジン化合物である。グアニジン化合物は、そのlogP値が1.2以上であることが好ましい。塩基性化合物がグアニジン化合物より好ましくはlogP値が上記値以上のグアニジン化合物であることによって、スカムを改良し、優れた解像性を付与することができる。また、優れたPEB温度依存性にも寄与することができる。グアニジン化合物のlogPは10以下であることが好ましい。上記値以下であることによりグアニジン化合物をレジスト膜中に均一に含有させることができる。本発明におけるグアニジン化合物のlogPは2~10の範囲であることが好ましく、3~8の範囲であることがより好ましく、4~8の範囲であることが更に好ましい。また、本発明におけるグアニジン化合物はグアニジン構造以外に窒素原子を有さないことが好ましい。5プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物PA本発明に係る組成物は、塩基性化合物として、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物以下、化合物PAともいうを更に含んでいてもよい。プロトンアクセプター性官能基とは、プロトンと静電的に相互作用し得る基或いは電子を有する官能基であって、例えば、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基や、π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基を意味する。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記一般式に示す部分構造を有する窒素原子である。プロトンアクセプター性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル、アザクラウンエーテル、1~3級アミン、ピリジン、イミダゾール、ピラジン構造などを挙げることができる。化合物PAは、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する。ここで、プロトンアクセプター性の低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性への変化とは、プロトンアクセプター性官能基にプロトンが付加することに起因するプロトンアクセプター性の変化であり、具体的には、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物PAとプロトンからプロトン付加体が生成する時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。プロトンアクセプター性は、pH測定を行うことによって確認することができる。本発明においては、活性光線又は放射線の照射により化合物PAが分解して発生する化合物の酸解離定数pKaが、pKa<-1を満たすことが好ましく、より好ましくは-13<pKa<-1であり、更に好ましくは-13<pKa<-3である。本発明に於いて、酸解離定数pKaとは、水溶液中での酸解離定数pKaのことを表し、例えば、化学便覧II改訂4版、1993年、日本化学会編、丸善株式会社に記載のものであり、この値が低いほど酸強度が大きいことを示している。水溶液中での酸解離定数pKaは、具体的には、無限希釈水溶液を用い、25°Cでの酸解離定数を測定することにより実測することができ、また、下記ソフトウェアパッケージ1を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求めることもできる。本明細書中に記載したpKaの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示している。ソフトウェアパッケージ1:AdvancedChemistryDevelopmentACD/LabsSoftwareV8.14forSolaris1994-2007ACD/Labs化合物PAは、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する上記プロトン付加体として、例えば、下記一般式PA-1で表される化合物を発生する。一般式PA-1で表される化合物は、プロトンアクセプター性官能基とともに酸性基を有することにより、化合物PAに比べてプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物である。一般式PA-1中、Qは、-SO3H、-CO2H、又は-X1NHX2Rfを表す。ここで、Rfは、アルキル基、シクロアルキル基若しくはアリール基を表し、X1及びX2は各々独立に、-SO2-又は-CO-を表わす。Aは、単結合又は2価の連結基を表す。Xは、-SO2-又は-CO-を表す。nは、0又は1を表す。Bは、単結合、酸素原子又は-NRxRy-を表す。Rxは、水素原子又は1価の有機基を表し、Ryは単結合又は2価の有機基を表す。Ryと結合して環を形成してもよく、又はRと結合して環を形成してもよい。Rは、プロトンアクセプター性官能基を有する1価の有機基を表す。一般式PA-1について更に詳細に説明する。Aにおける2価の連結基としては、好ましくは炭素数2~12の2価の連結基であり、例えば、アルキレン基、フェニレン基等が挙げられる。より好ましくは少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2~6、より好ましくは炭素数2~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、特に水素原子数の30~100がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、Q部位と結合した炭素原子がフッ素原子を有することがより好ましい。更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、パーフロロエチレン基、パーフロロプロピレン基、パーフロロブチレン基がより好ましい。Rxにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数1~30であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。これら基は更に置換基を有していてもよい。Rxにおけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~20の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。Ryにおける2価の有機基としては、好ましくはアルキレン基を挙げることができる。RxとRyとが互いに結合して形成してもよい環構造としては、窒素原子を含む5~10員の環、特に好ましくは6員の環が挙げられる。なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基にシクロアルキル基が置換した基例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基などを挙げることができる。Rxにおけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。Rxにおけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基である。Rxにおけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7~20のアラルキル基が挙げられる。Rxにおけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、例えば、Rxとして挙げたアルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。Rにおけるプロトンアクセプター性官能基とは、上記の通りであり、アザクラウンエーテル、1~3級アミン、ピリジンやイミダゾールといった窒素を含む複素環式芳香族構造などを有する基が挙げられる。このような構造を有する有機基として、好ましい炭素数は4~30であり、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。Rにおけるプロトンアクセプター性官能基又はアンモニウム基を含むアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基に於けるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は、前記Rxとして挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基と同様のものである。上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~10、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~20、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造、及びアミノアシル基については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~20を挙げることができる。Bが-NRxRy-の時、RとRxが互いに結合して環を形成していることが好ましい。環構造を形成することによって、安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。環を形成する炭素数は4~20が好ましく、単環式でも多環式でもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでいてもよい。単環式構造としては、窒素原子を含む4員環、5員環、6員環、7員環、8員環等を挙げることができる。多環式構造としては、2又は3以上の単環式構造の組み合わせから成る構造を挙げることができる。単環式構造、多環式構造は、置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~15、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~15、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~15、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20などが好ましい。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。Qにより表される-X1NHX2RfにおけるRfとして、好ましくは炭素数1~6のフッ素原子を有してもよいアルキル基であり、更に好ましくは炭素数1~6のパーフルオロアルキル基である。また、X1及びX2としては、少なくとも一方が-SO2-であることが好ましく、より好ましくはX1及びX2の両方が-SO2-である場合である。一般式PA-1で表される化合物のうち、Q部位がスルホン酸である化合物は、一般的なスルホンアミド化反応を用いることで合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的にアミン化合物と反応させて、スルホンアミド結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物をアミン化合物と反応させ開環させる方法により得ることができる。化合物PAは、イオン性化合物であることが好ましい。プロトンアクセプター性官能基はアニオン部、カチオン部のいずれに含まれていてもよいが、アニオン部位に含まれていることが好ましい。化合物PAとして、好ましくは下記一般式4~6で表される化合物が挙げられる。一般式4~6において、A、X、n、B、R、Rf、X1及びX2は、一般式PA-1における各々と同義である。Cはカウンターカチオンを示す。カウンターカチオンとしては、オニウムカチオンが好ましい。より詳しくは、光酸発生剤において、先に一般式ZIにおけるSR201’R202’R203’として説明したスルホニウムカチオン、一般式ZIIにおけるIR204’R205’として説明したヨードニウムカチオンが好ましい例として挙げられる。以下、化合物PAの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。また、本発明においては、一般式PA-1で表される化合物を発生する化合物以外の化合物PAも適宜選択可能である。例えば、イオン性化合物であって、カチオン部にプロトンアクセプター部位を有する化合物を用いてもよい。より具体的には、下記一般式7で表される化合物などが挙げられる。式中、Aは硫黄原子又はヨウ素原子を表す。mは1又は2を表し、nは1又は2を表す。但し、Aが硫黄原子の時、mn=3、Aがヨウ素原子の時、mn=2である。Rは、アリール基を表す。RNは、プロトンアクセプター性官能基で置換されたアリール基を表す。X-は、対アニオンを表す。X-の具体例としては、上述した一般式ZIにおけるX-と同様のものが挙げられる。R及びRNのアリール基の具体例としては、フェニル基が好ましく挙げられる。RNが有するプロトンアクセプター性官能基の具体例としては、前述の式PA-1で説明したプロトンアクセプター性官能基と同様である。本発明の組成物において、化合物PAの組成物全体中の配合率は、全固形分中0.1~10質量が好ましく、より好ましくは1~8質量である。その他、本発明に係る組成物に使用可能なものとして、特開2002-363146号公報の実施例で合成されている化合物、及び特開2007-298569号公報の段落0108に記載の化合物等が挙げられる。塩基性化合物として、感光性の塩基性化合物を用いてもよい。感光性の塩基性化合物としては、例えば、特表2003-524799号公報、及び、J.Photopolym.SciTech.Vol.8,P.543-5531995等に記載の化合物を用いることができる。塩基性化合物の分子量は、通常は100~1500であり、好ましくは150~1300であり、より好ましくは200~1000である。これらの塩基性化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。本発明に係る組成物が塩基性化合物を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.01~8.0質量であることが好ましく、0.1~5.0質量であることがより好ましく、0.2~4.0質量であることが特に好ましい。塩基性化合物の光酸発生剤に対するモル比は、好ましくは0.01~10とし、より好ましくは0.05~5とし、更に好ましくは0.1~3とする。このモル比を過度に大きくすると、感度及び/又は解像度が低下する場合がある。このモル比を過度に小さくすると、露光と加熱ポストベークとの間において、パターンの細りを生ずる可能性がある。より好ましくは0.05~5、更に好ましくは0.1~3である。なお、上記モル比における光酸発生剤とは、上記樹脂の繰り返し単位Bと上記樹脂が更に含んでいてもよい光酸発生剤との合計の量を基準とするものである。界面活性剤本発明に係る組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。この界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が特に好ましい。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、大日本インキ化学工業株製のメガファックF176及びメガファックR08、OMNOVA社製のPF656及びPF6320、トロイケミカル株製のトロイゾルS-366、住友スリーエム株製のフロラードFC430、並びに、信越化学工業株製のポリシロキサンポリマーKP-341が挙げられる。フッ素系及び/又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。この界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類及びポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類等のノニオン系界面活性剤が挙げられる。その他、公知の界面活性剤を適宜使用することができる。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。界面活性剤は、1種類を単独で使用してもよいし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。本発明に係る組成物が界面活性剤を更に含んでいる場合、その使用量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.0001~2質量とし、より好ましくは0.001~1質量とする。染料本発明に係る組成物は、染料を更に含んでいてもよい。好適な染料としては、例えば、油性染料及び塩基性染料が挙げられる。具体的には、例えば、オイルイエロー101、オイルイエロー103、オイルピンク312、オイルグリーンBG、オイルブルーBOS、オイルブルー603、オイルブラックBY、オイルブラックBS及びオイルブラックT-505以上オリエント化学工業株式会社製、並びに、クリスタルバイオレットCI42555、メチルバイオレットCI42535、ローダミンBCI45170B、マラカイトグリーンCI42000及びメチレンブルーCI52015が挙げられる。光塩基発生剤本発明に係る組成物は、光塩基発生剤を更に含んでいてもよい。光塩基発生剤を含有させると、更に良好なパターンを形成することが可能となる。光塩基発生剤としては、例えば、特開平4-151156号、同4-162040号、同5-197148号、同5-5995号、同6-194834号、同8-146608号、同10-83079号、及び欧州特許622682号に記載の化合物が挙げられる。好ましい光塩基発生剤としては、具体的には、2-ニトロベンジルカルバメート、2,5-ジニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、N-シクロヘキシル-4-メチルフェニルスルホンアミド及び1,1-ジメチル-2-フェニルエチル-N-イソプロピルカーバメートが挙げられる。酸化防止剤本発明に係る組成物は、酸化防止剤を更に含んでいてもよい。酸化防止剤を含有させると、酸素の存在下における有機材料の酸化を抑制することが可能となる。酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、有機酸誘導体からなる酸化防止剤、硫黄含有酸化防止剤、リン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、アミン-アルデヒド縮合物からなる酸化防止剤、及びアミン-ケトン縮合物からなる酸化防止剤が挙げられる。これら酸化防止剤のうち、フェノール系酸化防止剤及び有機酸誘導体からなる酸化防止剤を使用することが特に好ましい。こうすると、組成物の性能を低下させることなしに、酸化防止剤としての機能を発現させることができる。フェノール系酸化防止剤としては、例えば、置換フェノール類、又は、ビス、トリス若しくはポリフェノール類を使用することができる。置換フェノール類としては、例えば、1-オキシ-3-メチル-4-イソプロピルベンゼン、2,6-ジ-tert-ブチルフェノール、2,6-ジ-tert-ブチル-4-エチルフェノール、2,6-ジ-tert-ブチル-4-メチルフェノール、4-ヒドロキシメチル-2,6-ジ-tert-ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、2-1-メチルシクロヘキシル-4,6-ジメチルフェノール、2,4-ジメチル-6-tert-ブチルフェノール、2-メチル-4,6-ジノニルフェノール、2,6-ジ-tert-ブチル-α-ジメチルアミノ-p-クレゾール、6-4-ヒドロキシ-3,5-ジ-tert-ブチルアニリノ2,4-ビスオクチル-チオ-1,3,5-トリアジン、n-オクタデシル-3-4’-ヒドロキシ-3’,5’-ジ-tert-ブチルフェニルプロピオネート、オクチル化フェノール、アラルキル置換フェノール類、アルキル化-p-クレゾール、及びヒンダードフェノールが挙げられる。ビス、トリス若しくはポリフェノール類としては、例えば、4,4’-ジヒドロキシジフェニル、メチレンビスジメチル-4,6-フェノール、2,2’-メチレン-ビス-4-メチル-6-tert-ブチルフェノール、2,2’-メチレン-ビス-4-メチル-6-シクロヘキシルフェノール、2,2’-メチレン-ビス-4-エチル-6-tert-ブチルフェノール、4,4’-メチレン-ビス-2,6-ジ-tert-ブチルフェノール、2,2’-メチレン-ビス-6-アルファメチル-ベンジル-p-クレゾール、メチレン架橋した多価アルキルフェノール、4,4’-ブチリデンビス-3-メチル-6-tert-ブチルフェノール、1,1-ビス-4-ヒドロキシフェニル-シクロヘキサン、2,2’-ジヒドロキシ-3,3’-ジ-α-メチルシクロヘキシル-5,5’-ジメチルジフェニルメタン、アルキル化ビスフェノール、ヒンダードビスフェノール、1,3,5-トリメチル-2,4,6-トリス3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシベンジルベンゼン、トリス-2-メチル-4-ヒドロキシ-5-tert-ブチルフェニルブタン、及びテトラキス-[メチレン-3-3’,5’-ジ-tert-ブチル-4’-ヒドロキシフェニルプロピオネート]メタンが挙げられる。酸化防止剤としては、好ましくは、2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール、4-ヒドロキシメチル-2,6-ジ-t-ブチルフェノール、2、2’-メチレンビス4-メチル-6-t-ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、t-ブチルヒドロキノン、2,4,5-トリヒドロキシブチロフェノン、ノルジヒドログアヤレチック酸、没食子酸プロピル、没食子酸オクチル、没食子酸ラウリル、及びクエン酸イソプロピルが挙げられる。これらのうち、2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール、4-ヒドロキシメチル-2,6-ジ-t-ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、t-ブチルヒドロキノンがより好ましく、2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール又は4-ヒドロキシメチル-2,6-ジ-t-ブチルフェノールが更に好ましい。酸化防止剤は、1種類を単独で使用してもよく、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。本発明に係る組成物に酸化防止剤を含有させる場合、その添加量は、好ましくは1ppm以上とし、より好ましくは5ppm以上とし、更に好ましくは10ppm以上とし、、更により好ましくは50ppm以上とし、特に好ましくは100ppm以上とし、最も好ましくは100~1000ppmとする。溶剤本発明に係る組成物は、溶剤を更に含んでいてもよい。この溶剤としては、典型的には、有機溶剤を使用する。この有機溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン好ましくは炭素数4~10、環を含有していてもよいモノケトン化合物好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及びピルビン酸アルキルが挙げられる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME;別名1-メトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、及びエチレングリコールモノエチルエーテルが挙げられる。乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル及び乳酸ブチルが挙げられる。アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸メチル及び3-メトキシプロピオン酸エチルが挙げられる。環状ラクトンとしては、例えば、β-プロピオラクトン、β-ブチロラクトン、γ-ブチロラクトン、α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メチル-γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、γ-オクタノイックラクトン及びα-ヒドロキシ-γ-ブチロラクトンが挙げられる。環を含有していてもよいモノケトン化合物としては、例えば、2-ブタノン、3-メチルブタノン、ピナコロン、2-ペンタノン、3-ペンタノン、3-メチル-2-ペンタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-メチル-3-ペンタノン、4,4-ジメチル-2-ペンタノン、2,4-ジメチル-3-ペンタノン、2,2,4,4-テトラメチル-3-ペンタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、5-メチル-3-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-メチル-3-ヘプタノン、5-メチル-3-ヘプタノン、2,6-ジメチル-4-ヘプタノン、2-オクタノン、3-オクタノン、2-ノナノン、3-ノナノン、5-ノナノン、2-デカノン、3-デカノン、4-デカノン、5-ヘキセン-2-オン、3-ペンテン-2-オン、シクロペンタノン、2-メチルシクロペンタノン、3-メチルシクロペンタノン、2,2-ジメチルシクロペンタノン、2,4,4-トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロヘキサノン、4-メチルシクロヘキサノン、4-エチルシクロヘキサノン、2,2-ジメチルシクロヘキサノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6-トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2-メチルシクロヘプタノン及び3-メチルシクロヘプタノンが挙げられる。アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート及びブチレンカーボネートが挙げられる。アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸-2-メトキシエチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、酢酸-3-メトキシ-3-メチルブチル、及び酢酸-1-メトキシ-2-プロピルが挙げられる。ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル及びピルビン酸プロピルが挙げられる。溶剤としては、常温常圧下における沸点が130°C以上であるものを用いることが好ましい。具体的には、例えば、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、PGMEA、3-エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル及びプロピレンカーボネートが挙げられる。これら溶剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を混合して用いてもよい。後者の場合、水酸基を含んだ溶剤と水酸基を含んでいない溶剤との混合溶剤を使用することが好ましい。水酸基を含んだ溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、PGME、プロピレングリコールモノエチルエーテル及び乳酸エチル等が挙げられる。これらのうち、PGME及び乳酸エチルが特に好ましい。水酸基を含んでいない溶剤としては、例えば、PGMEA、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン及び酢酸ブチルが挙げられる。これらのうち、PGMEA、エチルエトキシプロピオネート及び2-ヘプタノンが特に好ましい。水酸基を含んだ溶剤と水酸基を含んでいない溶剤との混合溶剤を使用する場合、これらの質量比は、好ましくは1/99~99/1とし、より好ましくは10/90~90/10とし、更に好ましくは20/80~60/40とする。なお、水酸基を含んでいない溶剤を50質量以上含んだ混合溶剤を用いると、特に優れた塗布均一性を達成し得る。また、溶剤は、PGMEAと他の1種以上の溶剤との混合溶剤であることが特に好ましい。本発明の組成物中における溶剤の含有率は、所望の膜厚等に応じて適宜調整可能であるが、一般的には組成物の全固形分濃度が0.5~30質量、好ましくは1.0~20質量、より好ましくは1.5~10質量となるように調製される。<パターン形成方法>本発明は、上記した本発明の組成物を用いて形成されたレジスト膜に関する。また、本発明のパターン形成方法は、上記レジスト膜を、露光、現像する工程を有している。本発明に係る組成物は、典型的には、以下のようにして用いられる。即ち、本発明に係る組成物は、典型的には、基板等の支持体上に塗布されて、膜を形成する。この膜の厚みは、0.02~0.1μmが好ましい。基板上に塗布する方法としては、スピン塗布が好ましく、その回転数は1000~3000rpmが好ましい。この組成物は、例えば、精密集積回路素子やインプリント用モールドなどの製造等に使用される基板例:シリコン/二酸化シリコン被覆、窒化シリコン及びクロム蒸着された石英基板など上に、スピナー及びコーター等を用いて塗布される。その後、これを乾燥させて、感活性光線性又は感放射線性の膜以下、レジスト膜ともいうを形成する。なお、公知の反射防止膜を予め塗設することもできる。次いで、上記のレジスト膜に活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク通常80~150°C、より好ましくは90~130°Cを行った後、現像する。ベークを行うことにより、更に良好なパターンを得ることが可能となる。活性光線又は放射線としては、例えば、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、X線、及び電子線が挙げられる。これら活性光線又は放射線としては、例えば250nm以下、特には220nm以下の波長を有したものがより好ましい。このような活性光線又は放射線としては、例えば、KrFエキシマレーザー248nm、ArFエキシマレーザー193nm、F2エキシマレーザー157nm、X線、及び電子線が挙げられる。好ましい活性光線又は放射線としては、例えば、KrFエキシマーレーザー、電子線、X線及びEUV光が挙げられる。より好ましくは、電子線、X線及びEUV光である。すなわち、本発明は、KrFエキシマーレーザー、電子線、X線又はEUV光用より好ましくは電子線、X線又はEUV光用感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物にも関する。現像工程では、通常、アルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム及びアンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン及びn-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン及びジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン及びメチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン及びトリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、又は、ピロール及びピヘリジン等の環状アミン類を含んだアルカリ性水溶液が挙げられる。アルカリ現像液には、適当量のアルコール類及び/又は界面活性剤を添加してもよい。アルカリ現像液の濃度は、通常は0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常は10.0~15.0である。なお、本発明に係る組成物を用いてインプリント用モールドを作製してもよく、その詳細については、例えば、特許第4109085号公報、特開2008-162101号公報、及びナノインプリントの基礎と技術開発応用展開―ナノインプリントの基板技術と最新の技術展開―編集:平井義彦フロンティア出版を参照されたい。以下、本発明の態様を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。<樹脂>以下のようにして、先に挙げた樹脂P-1~P-48を合成した。合成例1:樹脂P-14樹脂P-14を、下記のスキームに従って合成した。<化合物9の合成>100.00gの化合物5を、400gの酢酸エチルに溶解させた。得られた溶液を0°Cに冷却し、47.60gのナトリウムメトキシド28質量メタノール溶液を30分かけて滴下した。その後、これを室温で5時間に亘って撹拌した。反応溶液に酢酸エチルを加えて、有機層を蒸留水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、化合物654質量酢酸エチル溶液131.70gを得た。18.52gの化合物654質量酢酸エチル溶液に、56.00gの酢酸エチルを加えた。これに、31.58gの1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロパン-1,3-ジスルホニルジフルオリドを加え、0°Cに冷却した。12.63gのトリエチルアミンを25.00gの酢酸エチルに溶解させた溶液を30分かけて滴下し、液温を0°Cに維持したまま4時間に亘って撹拌した。酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、32.90gの化合物7を得た。35.00gの化合物7を315gのメタノールに溶解させ、0°Cに冷却し、245gの1規定水酸化ナトリウム水溶液を加えて、室温で2時間撹拌した。溶媒を留去した後、酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、34.46gの化合物8を得た。28.25gの化合物8を254.25gのメタノールに溶解させ、23.34gのトリフェニルスルホニウムブロミドを加え、室温で3時間撹拌した。溶媒を留去して、蒸留水を加えて、クロロホルムで3回抽出した。得られた有機層を蒸留水で3回洗浄した後、溶媒を留去した。このようにして、42.07gの化合物9を得た。<樹脂P-14の合成>12.45gのp-ヒドロキシスチレン653.1質量プロピレングリコールモノメチルエーテル溶液と、6.66gの化合物4と、6.77gの化合物9と、1.61gの重合開始剤V-601和光純薬工業株製とを、32.73gのプロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEに溶解させた。反応容器中に8.18gのPGMEを入れ、窒素ガス雰囲気下、85°Cの系中に2時間かけて滴下した。反応溶液を4時間に亘って加熱撹拌した後、これを室温まで放冷した。上記反応溶液を、33gのアセトンを加えることにより希釈した。希釈した溶液を1000gのヘキサン/酢酸エチル質量比=8/2中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。250gのヘキサン/酢酸エチル質量比=8/2を用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。得られた固体を33gのアセトンに溶解させ、600gのメタノール/蒸留水質量比=1/9中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。150gのメタノール/蒸留水質量比=1/9を用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。その後、洗浄後の固体を減圧乾燥に供して、11.31gの樹脂P-14を得た。この樹脂P-14について、GPC東ソー株式会社製;HLC-8120;TskgelMultiporeHXL-Mを用いて重量平均分子量Mw及び分散度Mw/Mnを測定した。その結果を、下記表1に示す。なお、このGPC測定では、溶媒としてTHFを用いた。合成例2:その他の樹脂樹脂P-1~P-13及びP-15~P-55の各々を、合成例1で述べたのと同様にして合成した。また、これら樹脂を、合成例1で述べたのと同様にして評価した。その結果を、下記表1に示す。下記表1に、樹脂P-1~P-55の重量平均分子量、組成比モル比及び分散度を纏める。以下の比較化合物C-1~C-2を準備した。<光酸発生剤>光酸発生剤としては、先に挙げたB-1~B-120の何れかを用いた。<塩基性化合物>塩基性化合物としては、下記N-1~N-9の何れかを用いた。なお、N-7は、上述した化合物PAに該当する。合成例3:化合物N-7特開2006-330098号公報の[0354]に基づいて、化合物N-7を合成した。<界面活性剤>界面活性剤としては、下記W-1~W-4の何れかを用いた。W-1:メガファックR08大日本インキ化学工業株製;フッ素及びシリコン系W-2:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製;シリコン系W-3:トロイゾルS-366トロイケミカル株製;フッ素系W-4:PF6320OMNOVA社製;フッ素系<溶剤>溶剤としては、下記S-1~S-4の何れかを適宜混合して用いた。S-1:PGMEAb.p.=146°CS-2:PGMEb.p.=120°CS-3:乳酸メチルb.p.=145°CS-4:シクロヘキサノンb.p.=157°C<レジスト評価EB>下記表2及び表3に示す各成分を、同表に示す溶剤に溶解させて、固形分濃度が3.0質量の溶液を調製した。この溶液をポアサイズ0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルタを用いてろ過して、ポジ型レジスト溶液を得た。表2及び表3中に示した質量の数値は、組成物の界面活性剤を除く全固形分を基準とした値である。なお、界面活性剤の含有量は、組成物の界面活性剤を除く全固形分に対して0.01質量である。ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に、スピンコータを用いて、上記のポジ型レジスト溶液を塗布した。これを、110°Cで90秒間に亘ってホットプレート上で加熱乾燥させ、平均膜厚が100nmのレジスト膜を得た。感度、パターン形状、ラフネス特性及び孤立パターン解像性このレジスト膜に対し、電子線照射装置株日立製作所製HL750;加速電圧50keVを用いて電子線照射を行った。照射後直ぐに、130°Cで90秒間に亘ってホットプレート上にて加熱した。その後、濃度2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて、23°Cで60秒間現像し、30秒間純水を用いてリンスした後、乾燥させた。これにより、ラインアンドスペースパターンライン:スペース=1:1又は孤立ラインパターンライン:スペース=1:>100を形成した。感度まず、得られたラインアンドスペースパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4800を用いて観察した。そして、100nmの線幅のラインを解像する際の最小照射エネルギーを求め、この値を感度μC/cm2とした。パターン形状上記の感度を示す照射量における100nmラインパターンライン:スペース=1:1の断面形状を走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4800を用いて観察した。そして、その形状を、矩形又はテーパーの2段階で評価した。ラフネス特性:ラインエッジラフネスLER上記の100nmラインパターンライン:スペース=1:1を、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9260を用いて観察した。そして、その長さ方向50μmに含まれる等間隔の30点について、エッジがあるべき基準線と実際のエッジとの間の距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、3σを算出した。そして、この3σをLERnmとした。孤立パターンの解像性;解像力上記の感度を示す照射量における孤立パターンライン:スペース=1:>100の限界解像力ラインとスペースが分離解像する最小の線幅を求めた。そして、この値を解像力nmとした。エッチング耐性ウエハー上に膜厚200nmのポジ型レジスト膜を形成した後、C4F620mL/minとO240mL/minとの混合ガスを用いて、温度23°Cの条件で30秒間に亘ってプラズマエッチングを行った。その後、残膜量を求め、エッチング速度を算出した。そして、以下の判定基準に基づいて、エッチング耐性を評価した。判定基準○Good:エッチング速度が15Å/秒未満の場合×Insufficient:エッチング速度が15Å/秒以上の場合これらの評価結果を、下記表2及び表3に示す。表2及び表3に示すように、実施例の組成物は、比較例の組成物と比較して、感度、パターン形状、LER、孤立パターンの解像性及びエッチング耐性の全てにおいて優れていた。<レジスト評価EUV>下記表4に示す各成分を、同表に示す溶剤に溶解させて、固形分濃度が3.0質量の溶液を調製した。この溶液をポアサイズ0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルタを用いてろ過して、ポジ型レジスト溶液を得た。表4中に示した質量の数値は、組成物の界面活性剤を除く全固形分を基準とした値である。なお、界面活性剤の含有量は、組成物の界面活性剤を除く全固形分に対して0.01質量である。ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に、スピンコータを用いて、上記のポジ型レジスト溶液を塗布した。これを、120°Cで90秒間に亘ってホットプレート上で加熱乾燥させ、平均膜厚が100nmのレジスト膜を得た。感度、パターン形状及びラフネス特性このレジスト膜に対し、EUV露光装置を用いてEUV光を照射した。照射後直ぐに、130°Cで90秒間に亘ってホットプレート上にて加熱した。その後、濃度2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて、23°Cで60秒間現像し、30秒間純水を用いてリンスした後、乾燥させた。これにより、ラインアンドスペースパターンライン:スペース=1:1を形成した。感度まず、得られたラインアンドスペースパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4800を用いて観察した。そして、100nmの線幅のラインを解像する際の最小照射エネルギーを求め、この値を感度mJ/cm2とした。パターン形状上記の感度を示す照射量における100nmラインパターンライン:スペース=1:1の断面形状を走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4800を用いて観察した。そして、その形状を、矩形又はテーパーの2段階で評価した。ラフネス特性:LER上記の100nmラインパターンライン:スペース=1:1を、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9260を用いて観察した。そして、その長さ方向50μmに含まれる等間隔の30点について、エッジがあるべき基準線と実際のエッジとの間の距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、3σを算出した。そして、この3σをLERnmとした。これらの評価結果を、下記表4に示す。表4に示すように、実施例の組成物は、比較例の組成物と比較して、感度、パターン形状及びLERの全てにおいて優れていた。"