"透明基材の少なくとも一方の面に設けられた導電性金属メッシュ層の開口部に、接着性の導電層を有する透明導電性フィルムにおいて、導電層が、A水溶性ビニル重合体、B有機添加剤及びC導電性有機高分子化合物を含む導電性接着剤組成物からなり、B有機添加剤は、水溶性多価アルコール、水溶性ピロリドン類または親水性の非プロトン性溶媒から選ばれる少なくとも一種であり、C導電性有機高分子化合物は、ポリアニリン類、ポリピロール類またはポリチオフェン類及びそれらの誘導体から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする透明導電性フィルム。A水溶性ビニル重合体のガラス転移温度をT1、B有機添加剤の融点をT2、有機添加剤の0.101MPa760mmHgにおける沸点をT3としたときに、T2<T1<T3の関係を満たす請求項1に記載の透明導電性フィルム。A水溶性ビニル重合体が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、またはアクリル酸重合体である請求項1に記載の透明導電性フィルム。請求項1に記載の透明導電性フィルムを有することを特徴とする電子デバイス。請求項1に記載の透明導電性フィルムと、光電変換層と、陰極層をこの順に配置してなる請求項4に記載の電子デバイス。請求項4に記載の電子デバイスの製造方法であって、陰極層上に前記光電変換層を形成させ、前記導電性接着剤組成物が軟化する温度以上で、透明導電性フィルムの導電層と光電変換層表面を貼り合わせることを特徴とする電子デバイスの製造方法。本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、上記のような問題を解決した透明導電性フィルム、電子デバイス及び電子デバイスの製造方法を提供することにある。上記のような問題を解決するため、本発明者らは鋭意検討した結果、特定の導電性接着剤組成物からなる導電層と、導電性金属メッシュ層と組み合わせることにより、上記問題を解決することができることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、下記1透明基材の少なくとも一方の面に設けられた導電性金属メッシュ層の開口部に、接着性の導電層を有する透明導電性フィルムにおいて、導電層が、A水溶性ビニル重合体、B有機添加剤及びC導電性有機高分子化合物を含む導電性接着剤組成物からなり、B有機添加剤は、水溶性多価アルコール、水溶性ピロリドン類または親水性の非プロトン性溶媒から選ばれる少なくとも一種であり、C導電性有機高分子化合物は、ポリアニリン類、ポリピロール類またはポリチオフェン類及びそれらの誘導体から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする透明導電性フィルム、2A水溶性ビニル重合体のガラス転移温度をT1、B有機添加剤の融点をT2、有機添加剤の0.101MPa760mmHgにおける沸点をT3としたときに、T2<T1<T3の関係を満たす上記1に記載の透明導電性フィルム、3A水溶性ビニル重合体が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、またはアクリル酸重合体である上記1に記載の透明導電性フィルム、4上記1に記載の透明導電性フィルムを有することを特徴とする電子デバイス、5上記1に記載の透明導電性フィルムと、光電変換層と、陰極層をこの順に配置してなる上記4に記載の電子デバイス、および6上記4に記載の電子デバイスの製造方法であって、陰極層上に前記光電変換層を形成させ、前記導電性接着剤組成物が軟化する温度以上で、透明導電性フィルムの導電層と光電変換層表面を貼り合わせることを特徴とする電子デバイスの製造方法を提供する。本発明の透明導電性フィルムは、透明性が高く、表面抵抗率が低いため、透明性と導電性のバランスに優れており、それ自体が優れた接着性を有しているため、ラミネートプロセスによる電子デバイスの製造が可能である。以下、本発明について、詳細に説明する。<透明導電性フィルム>本発明の透明導電性フィルムは、透明基材の少なくとも一方の面に設けられた導電性金属メッシュ層の開口部に、導電層を有する透明導電性フィルムであって、前記導電層が特定の導電性接着剤組成物からなるものである。本発明の透明導電性フィルムの構成材料について図1を用いて説明する。図1において1が導電層、2が導電性金属メッシュ層、3が透明基材、7が透明導電性フィルム、9が導電性金属メッシュ層の開口部である。本発明の透明導電性フィルムは、透明基材3の少なくとも一方の面に、導電性金属メッシュ層2が設けられ、前記導電性金属メッシュ層2の開口部に、導電層1が充填されて形成されている。透明基材透明基材としては、透明性の観点から、全光線透過率が70以上のものが好ましく、このような透明基材としては、一般的には、柔軟性の観点からプラスチックフィルムが好ましい。プラスチックフィルムの種類としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、テトラアセチルセルロース、シンジオタクチックポリスチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエステルスルホン、ポリエーテルイミド、環状ポリオレフィン等からなるプラスチックフィルムが挙げられる。中でも機械的強度、耐久性等に優れたものが好ましい。透明基材の厚さは、機械強度、耐久性、及び透明性のバランスの観点から、3μm~5mmが好ましく、より好ましくは5μm~1mmであり、特に好ましくは10μm~300μmである。導電性金属メッシュ層本発明の透明導電性フィルムにおいて、導電性金属メッシュ層2は透明基材3の少なくとも一方の面に設けられている。導電性金属メッシュ層2としては、プラズマディスプレイの電磁波シールド膜のような金属グリッドパターンによる微細メッシュ構造の層が挙げられる。導電性金属メッシュ層2の厚さは、20nm~100μmであることが好ましく、特に30~200nmであることが好ましい。厚さを20nm以上とすることにより、導電性が向上することとなり、100μm以下とすることにより、透明導電性フィルム全体の厚みを薄くすることができ、所望の全光線透過率を維持することができる。導電性金属メッシュ層2は、金属グリッドパターンによる微細メッシュ構造となっているため、図1に示すような開口部9を有する。開口部9の開口率としては、透明性の観点から80以上であることが好ましく、より好ましくは90以上であり、さらに好ましくは95以上である。開口部のピッチは、1~3000μmが好ましく、より好ましく1~1500μmである。開口部のピッチが1μm以下の場合、透明性が低下する場合があり、3000μm以上の場合、導電性が向上する効果が得られにくい。導電性金属メッシュ層2の線幅は、100nm~1000μmが好ましく、1μ~100μmがより好ましい。線幅が1000μmを超えると、透明性が低下する場合があり、100nm未満だと、導電性が向上する効果が得られにくくなる可能性がある。導電性金属メッシュ層2を形成するための材料としては、金属や合金が挙げられる。例えば、金、銀、銅、アルミニウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、錫、イリジウム、インジウム、タングステン、モリブデン、白金、イリジウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、タングステン、マグネシウム等の単体の金属、あるいは、これらの群から成る金属の少なくとも1種を主体とする合金等が挙げられる。これらの中でも、腐食性が低く、導電性が高いという観点から、金、銀、銅、白金の金属が好ましい。合金としては、ステンレス、ニッケルクロム、インコネル商品名、青銅、リン青銅、黄銅、ジュラルミン、白銅、インバール、モネル、ニッケルリン合金などの金属リン化合物、ニッケルボロンなどの金属ホウ素化合物、窒化チタンなどの窒化物など適宜選択可能である。とりわけ、銅および銅を主体とする合金や、ニッケルやニッケルを主体とする合金、コバルトやコバルトを主体とする合金、クロムやクロムを主体とする合金、アルミニウム及びアルミニウムを主体とする合金は、導電性に優れ、加工性も良好なので、好ましく用いられる。導電性金属メッシュ層2は、金属や合金からなる単層であってもよく、少なくとも2種類以上の金属や合金からなる層を積層した多層構造であってもよい。前記導電性金属メッシュ層2を設ける方法について説明する。透明基材3上に前記導電性金属メッシュ層2を設ける方法としては、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のPVD物理気相蒸着、もしくは熱CVD、原子層蒸着ALD等のCVD化学気相蒸着などのドライプロセス、またはディップコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、グラビアコーティング、ダイコーティング、ドクターブレード等の各種コーティングや電気化学的ディポジションなどのウェットプロセス、フォトリソグラフィー法、銀塩法、インクジェット法やスクリーン印刷法が挙げられ、導電性金属メッシュ層2の材料に応じて適宜選択される。本発明における導電性金属メッシュ層2と透明基材3との密着性を向上させるために、従来から公知の易接着層を導電性金属メッシュ層2と透明基材3との間に形成させてもよい。また、透明導電性フィルムの導電性を向上させる目的で、導電性金属メッシュ層2と透明基材3の間に、透明導電層を設けてもよい。このような透明導電層としては、導電性の金属酸化物等を使用することができる。導電性の金属酸化物としては、例えば、スズドープ酸化インジウムITO、酸化イリジウムIrO2、酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、フッ素ドープ酸化スズFTO、酸化インジウム-酸化亜鉛IZO、酸化亜鉛ZnO、ガリウムドープ酸化亜鉛GZO、アルミニウムドープ酸化亜鉛AZO、酸化モリブデンMoO3、酸化チタンTiO2等が挙げられる。これらの導電性の金属酸化物は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のPVD物理気相蒸着、もしくは熱CVD、原子層蒸着ALD等のCVD化学気相蒸着などのドライプロセス等の公知の方法により形成することができる。このような透明導電層の厚さは、透明性と導電性の点から、通常10~1000nm、好ましくは10~500nm、特に30~300nmであることが好ましい。導電層本発明の透明導電性フィルムは、透明基材3の少なくとも一方の面に設けられた導電性金属メッシュ層2の開口部9に、導電層1を有する。1導電性接着剤組成物導電層1は、導電性接着剤組成物からなるものである。導電性接着剤組成物は、A水溶性ビニル重合体、B有機添加剤及びC導電性有機高分子化合物を含み、B有機添加剤は、水溶性多価アルコール、水溶性ピロリドン類または親水性の非プロトン性溶媒から選ばれる少なくとも一種であり、C導電性有機高分子化合物は、ポリアニリン類、ポリピロール類またはポリチオフェン類及びそれらの誘導体から選ばれる少なくとも1種である。まず、導電性接着剤組成物中の各成分について説明する。<成分A>成分Aの一方の水溶性ビニル重合体は、導電性接着剤組成物からなる導電層に接着性を付与するためのものである。水溶性ビニル重合体は温水可溶性ビニル重合体も含む。水溶性ポリビニル重合体のガラス転移温度Tgは、成膜性、接着性、取り扱いの点から、-50~150°Cの範囲が好ましく、20~140°Cであることが好ましく、より好ましくは30~130°C、さらに好ましくは、40~120°Cである。水溶性ポリビニル重合体は、重合体中に-CH2CHR-の構造単位を有するものである。この構造単位を重合体中に少なくとも30モル以上有していれば、特に限定されない。水溶性ポリビニル重合体は、この構造単位を含む単独重合体であってもよく、共重合体であってもよい。これらのなかでもRが水酸基、カルボキシル基、ピロリドン基、アクリルアミド基のいずれかであるものが好ましい。Rが水酸基であるものは、-CH2-CHOH-の構造単位を有するものであり、水酸基を有する水溶性ビニル重合体の具体例としては、例えば、ポリビニルアルコールPVA、ポリビニルアルコール-エチレン共重合体、ポリビニルアルコール-N-ビニルホルムアミド共重合体、ポリビニルアルコール-酢酸ビニル共重合体等が挙げられる。水酸基を有する水溶性ポリビニル重合体重合体は、部分的にケン化されてなるものでもよく、完全にケン化されたものであってもよい。ケン化度は、20~100モルが好ましく、より好ましくは35~100モル、さらに好ましくは40~100モルである。ケン化度が20モル未満の場合には、溶解性が低下する。重合体中にカルボキシル基を有するものは、-CH2-CHCOOH-の構造単位を有するものである。カルボキシル基を有する水溶性ポリビニル重合体の具体例としては、例えば、ポリアクリル酸PAA等が挙げられる。Rがピロリドン基である水溶性ビニル重合体は-CH2-CHNC4O-の構造単位を有するものであり、具体例としては、例えば、ポリビニルピロリドンPVP、N-ビニル-2-ピロリドン-エチレン共重合体、N-ビニル-2-ピロリドン-酢酸ビニル共重合体等が挙げられる。Rがアクリルアミド基である水溶性ビニル重合体は、-CH2-CHCONH2-の構造単位を有するものであり、具体例としては、例えば、ポリアクリルアミド等が挙げられる。水溶性ビニル重合体は、種々の機能を付与することを目的として疎水基やカチオン性基、スルホン酸基を含むアニオン性基、チオール基、カルボニル基、シラノール基などの官能基を上記構造単位以外に含有しても良い。これら水溶性ポリビニル重合体の中でも、成膜性、接着性、取り扱いの点から、後述する電子デバイスの製造が容易に出来るという点から、Rが水酸基、ピロリドン基、カルボキシル基のいずれかであるものが好ましく、PVA、PVPまたはPAAが好ましい。これらの中でも、得られる導電層の導電性と接着性の点から、Rがカルボキシル基であるPAAであることがさらに好ましい。水溶性ポリビニル重合体の重量平均分子量Mwは、通常500~50万であり、500~30万であることが好ましく、1000~20万であることがより好ましく、3000~15万であることがさらに好ましい。水溶性ビニル重合体の重量平均分子量Mwがこの範囲であれば、本発明の透明導電性フィルムや電子デバイスにおいて十分な成膜性及び接着性が発現する。なお、前記重量平均分子量MwはゲルパーミエイションクロマトグラフィーGPCで測定された標準ポリスチレン換算の数値である。上記水溶性ポリビニル重合体は、上述した構造単位を30モル以上有するものであれば、共重合可能なその他のエチレン性不飽和単量体が1種または2種以上共重合されていてもよい。共重合可能なその他のエチレン性不飽和単量体としては、例えば、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酢酸イソプロペニル、バレリン酸ビニル、カプリン酸ビニル、カプリン酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル、安息香酸ビニル、バーサティック酸ビニル、ピバリン酸ビニル等のカルボン酸ビニルエステル単量体;エチレン、プロピレン、ブチレン等のオレフィン類;スチレン、α-メチルスチレン等の芳香族ビニル類;メタクリル酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸、フマル酸モノエチル、無水マレイン酸、無水イタコン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸単量体;メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸nブチル、メタアクリル酸2エチルヘキシル、フマル酸ジメチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル等のエチレン性不飽和カルボン酸アルキルエステル単量体;メチルビニルエーテル、nプロピルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル等のビニルエーテル単量体;メタアクリロニトリル等のエチレン性不飽和ニトリル単量体;塩化ビニル、塩化ビニリデン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン等のハロゲン化ビニル単量体またはビニリデン単量体;酢酸アリル、塩化アリル等のアリル化合物;エチレンスルホン酸、メタアリルスルホン酸、2アクリルアミド2メチルプロパンスルホン酸等のスルホン酸基含有単量体;3メタアクリルアミドプロピルトリメチルアンモニウムクロライド等の第四級アンモニウム基含有単量体;ビニルトリメトキシシラン、Nビニルホルムアミド、メタアクリルアミド等が挙げられ、これらの1種または2種以上を使用することができる。<成分B>次に、成分Bの有機添加剤について説明する。本発明において、成分Bの有機添加剤は水溶性多価アルコール、水溶性ピロリドン類および親水性の非プロトン性溶媒から選ばれる少なくとも一種であることを特徴としている。成分Bの有機添加剤は、導電性の向上を目的として添加される。詳細は不明であるが、このような有機添加剤を添加することで、後述する成分Cの導電性有機高分子化合物の配向性が向上するため、導電性が向上する。成分Bの有機添加剤としては、1.101MPa760mmHgにおける沸点が100°C以上のものが好ましい。沸点が100°Cを下回ると導電性接着剤組成物の混合過程、保存中や後述する電子デバイスを製造する際の種々の加熱過程において有機添加剤が揮発飛散してその配合比率が低下するため導電性を向上させる効果が低下するので好ましくない。より好ましい沸点は120~300°C、さらに好ましくは140~300°Cの範囲である。成分Bの有機添加剤の一つである水溶性多価アルコールの具体例としては、グリセリン、ジグリセリン、ポリグリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、エリスリトール、ソルビトール、ソリビタン、グルコース、マルチトール、ポリエチレングリコール、1,2ブチレングリコール、1,3ブチレングリコール、2,3ブチレングリコール、3-メチル1,3ブチレングリコール、テトラメチレングリコール、1,2-ペンタンジオール、1,2-ヘキサンジオール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、メチルグルコシド、ポリプロピレングリコール、キシリトール、トレハロース、マルチトール、マンニトールおよびこれらのアルキレンオキシド誘導体等が挙げられ、これらの1種または2種以上を用いてもよい。成分Bの有機添加剤の一つである水溶性ピロリドン類としては、Nメチルピロリドン、Nエチルピロリドン、Nプロピルピロリドン、Nイソプロピルピロリドン、Nブチルピロリドン、Ntブチルピロリドン、Nペンチルピロリドン、Nヘキシルピロリドン、Nヘプチルピロリドン、Nシクロヘキシルピロリドン、Nオクチルピロリドン、N2-エチルヘキシルピロリドン、Nフェニルピロリドン、Nベンジルピロリドン、フェネチルピロリドン、2-メトキシエチルピロリドン、2-メトキシプロピルピロリドン、2-ヒドロキシプロピルピロリドン、ビニルピロリドン、2-ピロリドン等が挙げられ、これらの1種または2種以上を用いてもよい。本発明において、成分B有機添加剤の一つとして、非プロトン性溶媒が添加されている。本発明においては、非プロトン性溶媒は、導電性接着剤組成物中で、揮発飛散せずに配合されているものである。このような成分Bの有機添加剤の一つである親水性の非プロトン性溶媒としては、ジメチルスルホキシドおよびNNジメチルホルムアミドが挙げられる。本発明において、成分Bは成分Aとの間で以下のような関係を満たすような組み合わせで選定することが好ましい。すなわち、成分Aの水溶性ポリビニル重合体のガラス転移温度TgをT1、成分Bの有機添加剤の融点をT2、有機添加剤の0.101MPa760mmHgにおける沸点をT3としたときに、T2<T1<T3を満たす組み合わせである。ここで、成分Aの水溶性ビニル重合体のガラス転移温度T1は、示差走査熱量測定DSC測定器で測定された値である。成分Aとの間でT2<T1<T3の関係を満たす水溶性多価アルコールの具体例としては、例えば、グリセリン融点T2:18°C、沸点T3:290°C、エチレングリコール融点T2:11.5°C、沸点T3:197°C、ジエチレングリコール融点T2:-6.5°C、沸点T3:245°C、プロピレングリコール融点T2:-59°C、沸点T3:188.2°C、ジプロピレングリコール融点T2:40°C、沸点T3:232°C、1,3-ブタンジオール融点T2:50°C、沸点T3:207.5°C、1,4-ブタンジオール融点T2:19°C、沸点T3:235°C等が挙げられる。中でも、導電性の向上という観点からグリセリン、14ブタンジオールが好ましい。T2<T1<T3の関係を満たすような成分Bの水溶性ピロリドン誘導体としては、Nメチルピロリドン融点T2:-24°C、沸点T3:202°C、ビニルピロリドン融点T2:13.5°C、沸点T3:214.5°C、2-ピロリドン融点T2:24.6°C、沸点T3:245°C等が挙げられる。T2<T1<T3の関係を満たすような成分Bの親水性の非プロトン性溶媒としては、ジメチルスルホキシドDMSO融点T2:19°C、沸点T3:189°C、NNジメチルホルムアミドDMF融点T2:-61°C、沸点T3:153°C等が挙げられる。<成分C>次に、成分Cの導電性有機高分子化合物について説明する。本発明において、成分Cの導電性有機高分子化合物はポリアニリン類、ポリピロール類またはポリチオフェン類、及びそれらの誘導体から選ばれる少なくとも1種であることを特徴としている。ポリアニリン類、ポリピロール類またはポリチオフェン類、及びそれらの誘導体は、π電子共役により導電性を有する導電性高分子である。ポリアニリン類は、アニリンの2位または3位あるいはN位を炭素数1~18のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、スルホン酸基等で置換した化合物の高分子量体であり、例えば、ポリ2-メチルアニリン、ポリ3-メチルアニリン、ポリ2-エチルアニリン、ポリ3-エチルアニリン、ポリ2-メトキシアニリン、ポリ3-メトキシアニリン、ポリ2-エトキシアニリン、ポリ3-エトキシアニリン、ポリN-メチルアニリン、ポリN-プロピルアニリン、ポリN-フェニル-1-ナフチルアニリン、ポリ8-アニリノ-1-ナフタレンスルホン酸、ポリ2-アミノベンゼンスルホン酸、ポリ7-アニリノ-4-ヒドロキシ-2-ナフタレンスルホン酸等が挙げられる。ポリアニリン類の誘導体としては、前記ポリアニリン類のドーパント体等が挙げられる。ドーパントとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオンなどのハロゲン化物イオン;過塩素酸イオン;テトラフルオロ硼酸イオン;六フッ化ヒ酸イオン;硫酸イオン;硝酸イオン;チオシアン酸イオン;六フッ化ケイ酸イオン;燐酸イオン、フェニル燐酸イオン、六フッ化燐酸イオンなどの燐酸系イオン;トリフルオロ酢酸イオン;トシレートイオン、エチルベンゼンスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸イオンなどのアルキルベンゼンスルホン酸イオン;メチルスルホン酸イオン、エチルスルホン酸イオンなどのアルキルスルホン酸イオン;または、ポリアクリル酸イオン、ポリビニルスルホン酸イオン、ポリスチレンスルホン酸イオンPSS、ポリ2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸イオンなどの高分子イオン;挙げられ、これらは単独でもまたは2種以上組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、高い導電性を容易に調整でき、かつ、水溶液にした場合に、容易に分散するために有用な親水骨格を有することから、ドーパントとしては、ポリアクリル酸イオン、ポリビニルスルホン酸イオン、ポリスチレンスルホン酸イオンPSS、ポリ2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸イオンなどの高分子イオンが好ましく、ポリスチレンスルホン酸イオンPSSがより好ましい。ポリピロール類とは、ピロールの1位または3位、4位を炭素数1~18のアルキル基またはアルコキシ基等で置換した化合物の高分子量体であり、例えば、ポリ1-メチルピロール、ポリ3-メチルピロール、ポリ1-エチルピロール、ポリ3-エチルピロール、ポリ1-メトキシピロール、3-メトキシピロール、ポリ1-エトキシピロール、ポリ3-エトキシピロール等が挙げられる。ポリピロール類の誘導体としては、前記ポリピロール類のドーパント体等が挙げられる。ドーパントとしては、前述のポリアニリン類のドーパント体として例示したものが使用できる。ポリチオフェン類は、チオフェンの3位または4位を炭素数1~18のアルキル基またはアルコキシ基等で置換した化合物の高分子量体であり、例えば、ポリ3-メチルチオフェン、ポリ3-エチルチオフェン、ポリ3-メトキシチオフェン、ポリ3-エトキシチオフェン、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOT等の高分子体が挙げられる。ポリチオフェン類の誘導体としては、前記ポリチオフェン類のドーパント体等が挙げられる。ドーパントとしては、前述のポリアニリン類のドーパント体として例示したものが使用できる。これらの中でも、導電性有機高分子化合物としては、極めて少量で高い導電性を容易に調整でき、かつ、水溶液にした場合に、容易に分散するために有用な親水骨格を有することから、ポリ3,4-エチレンオキサイドチオフェンと、ドーパントとして、ポリスチレンスルホン酸イオンの混合物以下、PEDOT:PSSと記載することがある等が好ましい。本発明の透明導電性フィルムにおける導電層を形成するための前記導電性接着剤組成物は、A水溶性ビニル重合体、B有機添加剤及びC導電性有機高分子化合物を含む組成物であるが、各成分有効成分基準の配合量は以下の通りである。成分A、BおよびCの総量を100質量部とした時、成分Aは1~60質量部、好ましくは、5~50質量部、より好ましくは10~40質量部である。成分Bは0.1~90質量部、好ましくは10~70質量部、より好ましくは20~65質量部である。成分Cは0.1~90質量部、好ましくは、05~75質量部、より好ましくは5~55質量部である。成分Aが1質量部未満の場合は、接着性が発現しなくなり、逆に60質量部を超える場合は、透明性及び導電性が低くなるので好ましくない。成分Bが0.1質量部未満の場合は、導電性が低くなり、逆に90質量部を超える場合は接着性が低下するので好ましくない。成分Cが0.1質量部未満の場合は導電性が低くなり、逆に90質量部を超える場合は接着性が発現しなくなるので好ましくない。また、本発明において、前記導電性接着剤組成物は、成分A、BおよびCとともに、さらに水、トルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトンなどの溶媒を配合した溶液であってもよい。なかでも、成分A、BおよびCの溶解性の点から水溶液であることが好ましい。取り扱い性の点から、有効成分濃度は、好ましくは0.5~80質量、より好ましくは1~70質量である。さらに、本発明において、導電性接着剤組成物中には前記成分A、B、Cおよび溶媒以外にも必要に応じて、粘着付与剤、可塑剤、増粘剤、濡れ剤、消泡剤、造膜助剤、防腐剤、防錆剤、凍結溶融安定剤、顔料、着色剤、充填剤、金属粉末、酸化防止剤、光安定剤、紫外線吸収剤等を適宜添加することができる。前記導電層1を形成させるための方法としては、ディップコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、グラビアコーティング、ダイコーティング、ドクターブレード等の各種コーティングや電気化学的ディポジションなどのウェットプロセスが挙げられ、適宜選択される。なかでも、前記導電性接着剤組成物を、精製水等の適当な溶剤に溶解又は分散してなる溶液塗工液を、上記各種コーティングにより、透明基材3上に設けられた前記導電性金属メッシュ層2の開口部に塗布し、得られた塗膜を乾燥させ、所望により、導電性接着剤組成物中の有機添加剤が揮発しない程度で加熱することより形成することにより導電層1を形成することが好ましい。このような方法によれば、容易に前記導電性金属メッシュ層2の開口部9に、導電層1を形成させることができる。前記導電性接着剤組成物からなる導電層1の厚さは5~10000nmが好ましく、より好ましくは30~3000nmである。5nm未満であると、接着性が発現せず、10000nmを超えると導電性が低下してしまう。導電層は電子デバイスとして適用可能な高い導電性を有している。このような導電層1の表面抵抗率は、1~1.0×1010Ω/□が好ましく、1~1.0×109がより好ましく、1~1.0×108Ω/□がさらに好ましい。1.0×1010Ω/□を超えると、導電性が低く電子デバイスに用いた場合に、性能が悪くなる。導電層1の全光線透過率は、80以上、可能な限り100に近いことが好ましい。全光線透過率が80以上であれば、太陽電池等種々の電子デバイスに用いた場合に、透明性が十分であり、好適に用いられる。本発明の透明導電性フィルムは、透明基材3の少なくとも一方の面に、導電性金属メッシュ層2及び、導電層1を有するものである。図1に示すように、透明基材3の一方の面に、導電性金属メッシュ層2と導電層1を有し、導電性金属メッシュ層2の開口部9に、導電層1が充填されて形成されていることが好ましい。また、導電層1は、導電性金属メッシュ層2の開口部に充填されて形成されていればよく、導電性金属メッシュ層2の上部が隠れるように形成されていてもよい図3の7参照。すなわち、本発明の透明導電性フィルム7は、透明基材3の少なくとも一方の面に、導電性金属メッシュ層2と導電層1を有し、導電性金属メッシュ層2の開口部9に、導電層1が充填されて形成されていることで、導電性が向上する。このように、本発明の透明導電性フィルムは、透明性が高く、表面抵抗率が低いため、透明性と導電性のバランスに優れており、また、それ自体が優れた接着性を有しているため、ラミネートプロセスによる電子デバイスの製造が可能である。本発明の透明導電性フィルムの導電層及び金属メッシュ層を備えた面側の表面抵抗率は、1~1.0×109Ω/□が好ましい。1.0×109Ω/□を超えると、導電性が低く電子デバイスに用いた場合に、性能が悪くなる。<電子デバイス>以下、本発明の電子デバイスについて説明する。本発明の電子デバイスは、前述の透明導電性フィルムを有しているものである。電子デバイスとしては、有機トランジスタ、有機メモリー、有機EL等の有機デバイス;液晶ディスプレイ;電子ペーパー;薄膜トランジスタ;エレクトロクロミック;電気化学発光デバイス;タッチパネル;ディスプレイ;太陽電池;熱電変換デバイス;圧電変換デバイス;蓄電デバイス;等が挙げられる。図2は、本発明の透明導電性フィルムを有する電子デバイスの一例である。図2において1が導電層、2が導電性金属メッシュ層、3が透明基材、4は光電変換層、5は電極、6は基材、7は透明導電性フィルム、8は電子デバイスである。<光電変換層>光電変換層は光電効果を受ける層であり、単層からなっていても良いし、複数層からなっていても良い。単層の場合には、光電変換層は、通常、真性半導体層i型半導体から形成される。光電変換層は、光電変換を行う層であり、原料の低コスト化、柔軟性、形成の容易性、吸光係数の高さ、軽量化、耐衝撃性等の観点から有機半導体であることが好ましい。また、複数層の場合、p型半導体層/n型半導体層の積層、または、p型半導体層/真性半導体層/n型半導体層等である。光電変換層の厚さは、単層または複数層の場合で異なるが導電性、励起子拡散距離という観点から、一般的には、30nm~2μmであることが好ましく、特に40nm~300nmであることが好ましい。以下、光電変換層に用いられる有機半導体について説明する。1真性半導体真性半導体の材料としては、例えば、フラーレン、フラーレン誘導体、半導体性を有するカーボンナノチューブCNTおよびCNT化合物の少なくとも1種類からなる第1の材料と、ポリフェニレンビニレンPPVの誘導体またはポリチオフェン系高分子材料からなる第2の材料とを、得られる半導体が真性半導体となるように混合した混合物を使用することができる。フラーレン誘導体としては、例えば、[6,6]-フェニル-C61-酪酸メチルPCBM等を用いることができ、また、フラーレンの二量体、またはアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属等を導入したフラーレン化合物なども用いることができる。また、CNTとしては、フラーレンまたは金属内包フラーレンを内包したカーボンナノチューブ等を用いることができる。さらに、CNTの側壁や先端に、種々の分子を付加したCNT化合物等も用いることができる。ポリフェニレンビニレンの誘導体としては、ポリ[2-メトキシ,5-2’-エチル-ヘキシロキシ-p-フェニレン-ビニレン]MEH-PPV等を用いることができ、ポリチオフェン系高分子材料としては、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HTなどのポリ3-アルキルチオフェン,ジオクチルフルオレンエン-ビチオフェン共重合体F8T2、等を用いることができる。特に好ましい真性半導体としては、PCBMとP3HTとを質量比で1:0.3~1:4で混合した混合物が挙げられる。2p型半導体p型半導体の材料としては、例えば、ポリ3ヘキシルチオフェンP3HT等のポリアルキルチオフェンおよびその誘導体;ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリ[2-メトキシ-5-2′-エチル-ヘキシロキシ-p-フェニレンビニレン]MEH-PPV等のポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリアルキルチオフェンおよびその誘導体、有機金属ポリマー等が挙げられる。中でもポリアルキルチオフェンおよびその誘導体が好ましい。また、それら有機材料の混合物であってもよい。導電性高分子としては、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォネートPEDOT:PSSを好ましく使用することができる。3n型半導体n型半導体の材料としては、特に限定されず、1,4,5,8ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドNTCDA、3,4,9,10ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドPTCDA、3,4,9,10ペリレンテトラカルボキシリックビスベンズイミダゾールPTCBI、NN′ジオクチル34910-ナフチルテトラカルボキシジイミドPTCDIC8H、2-4-ビフェニリル54tブチルフェニル134オキサジアゾールPBD、25ジ1ナフチル134オキサジアゾールBND等のオキサアゾール誘導体、3-4-ビフェニリル4フェニル54tブチルフェニル124トリアゾールTAZ等のトリゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、フラーレン化合物、カーボンナノチューブCNT、CNTの側壁や先端に種々の分子を付加したCNT化合物、ポリpフェニレンビニレン系重合体にシアノ基を導入した誘導体CNPPV等が挙げられる。これらの中でも、安定でキャリア移動度の高いn型半導体であることから特にフラーレン化合物が好ましい。フラーレン化合物としては、例えば、[6,6]-フェニル-C61-酪酸メチルPCBM等を用いることができる。また、フラーレンの二量体、またはアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を導入したフラーレン化合物等が挙げられる。これらの中でも優れた電子受容性を有する観点からPCBMが好ましい。なお、これらのn型半導体は、単独でまたは2種以上組み合わせて用いることができる。光電変換層4を形成させる方法としては、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のPVD物理気相蒸着、もしくは熱CVD、原子層蒸着ALD等のCVD化学気相蒸着などのドライプロセス、ディップコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、バーコーティング、グラビアコーティング、ダイコーティング、ドクターブレード等の各種コーティングプロセス等が適宜選択される。<電極>電極の材料としては、仕事関数が比較的小さいものが好ましい。例えば、白金、金、アルミニウム、イリジウム、クロム、酸化亜鉛等の金属、金属酸化物もしくは合金の他、カーボンナノチューブ、またはカーボンナノチューブと上記金属、金属酸化物もしくは合金との複合体が挙げられる。電極の厚さは、20nm~1μmであることが好ましく、特に30~200nmであることが好ましい。電極5を形成する方法としては、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のPVD物理気相蒸着、もしくは熱CVD、原子層蒸着ALD等のCVD化学気相蒸着などのドライプロセス、またはディップコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、バーコーティング、グラビアコーティング、ダイコーティング、ドクターブレード等の各種コーティングや電気化学的ディポジションなどのウェットプロセスが挙げられ、電極5の材料に応じて適宜選択される。<基材層>基材層6としては、一般的にガラス板またはプラスチックフィルムが挙げられ、電子デバイスの用途に応じて適宜される。プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、テトラアセチルセルロース、シンジオタクチックポリスチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエステルスルホン、ポリエーテルイミド、環状ポリオレフィン等のフィルムが挙げられ、機械的強度、耐久性等に優れたものが好ましい。これらの中でも、透明性が高いものが好ましい。基材層6の厚さは、機械強度及び透明性のバランスの観点から、3μm~5mmが好ましく、より好ましくは5μm~1mmであり、特に好ましくは10μm~300μmである。<電子デバイスの製造方法>本発明の電子デバイスの製造方法は、透明導電性フィルムの導電層と光電変換層表面とを貼りあわせることを特徴とするものである。すなわち、前記導電性接着剤組成物が軟化する温度以上で、透明導電性フィルムの導電層と、前記光電変換層表面を貼り合わせることを特徴とする。以下、図3を用いて本発明の電子デバイスの製造方法について説明する。図3において、下向きの矢印は光電変換層4と導電層1を、導電性接着剤組成物が軟化する温度以上で圧着して貼り合わせて、電子デバイスとすることを表わしている。まず、基材層6上に電極5を形成し、この電極5上に前記光電変換層4を形成させる。次いで、前記導電性接着剤組成物が軟化する温度以上で、透明導電性フィルムの導電層1と、前記光電変換層4表面を貼り合わせことにより電子デバイスが製造される。前記導電性接着剤組成物が軟化する温度は、水溶性ビニル重合体のガラス転移温度Tg以上の温度である。製造しやすいという点から、具体的には60~140°C程度である。本発明の電子デバイスの製造方法によれば、透明導電性フィルムの導電層1表面と光電変換層4表面を貼り合わせるため、ラミネートプロセスにより容易に電子デバイスを製造することができる。また、この方法によれば、基材層6上に電極5を形成し、この電極5上に光電変換層4を形成させているため、光変換層4上に電極5を形成させる工程が存在しない。したがって、電極5が不均一になったり、電極5の形成時のエネルギーによって光電変換層4がダメージを受けることがなく、電子デバイスの性能が低下することがない。以下、実施例及び比較例により、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。<実施例1>[導電性接着剤組成物の調製]成分Aの水溶性ビニル重合体として、ポリビニルアルコールシグマアルドリッチ社製、製品名ポリビニルアルコール、重量平均分子量9100、TgT1:50°C、表1中ではPVAと記載50質量部を使用した。成分Bの有機添加剤として、グリセリンシグマアルドリッチ社製、製品名グリセリン、融点T2:18°C、沸点T3:290°C50質量部を使用した。成分Cの導電性有機高分子化合物として、ポリチオフェン類の誘導体である、ポリ3,4-エチレンオキサイドチオフェンPEDOTとポリスチレンスルホン酸PSSの混合物PEDOT:PSSHCStarck社製、製品名CleviousPVP.AI4083、有効成分1質量溶剤:精製水、表1中ではポリチオフェン類と記載10000質量部を使用した。前記成分A、BおよびCに精製水200質量部を添加して、導電性接着剤組成物の塗工液有効成分:1.9質量を調製した。透明導電性フィルムの作製透明基材東洋紡績社製、製品名コスモシャインA4100の一方の面に、1×103Pa以下の減圧下、銅を蒸着法で製膜することにより、厚さ100nmの銅層を形成した。次いで、レジスト処理とエッチング処理を行ない、導電性金属メッシュ層開口部ピッチ:1200μm線幅20μm、全光線透過率89、表面抵抗率2Ω□を作製した。次いで、導電性金属メッシュ層の開口部に、上記のように調製した導電性接着剤組成物の塗工液を、マイヤーバー20ミルを用いて塗布し、120°Cの乾燥機で10分間乾燥させた。このようにして、導電性金属メッシュ層の開口部に導電性接着剤組成物からなる導電層厚さ500nmを有する透明導電性フィルムを作製した。次に、基材として、ポリエチレンテレフタレートフィルム東洋紡績社製、製品名コスモシャインA4100上に、1×103Pa以下の減圧下、アルミニウムを蒸着法で製膜することにより、厚さ100nmのアルミニウム層電極を形成させた。次いで、上記で得られた電極上にポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HTと[6,6]-フェニル-C61-酪酸メチルPCBMとを質量比1:0.8で混合した混合物のクロロベンゼン溶液濃度:2質量を、スピンキャスト法により塗布し、120°Cで10分間乾燥して、厚さ100nmの光電変換層を形成させた。[電子デバイスの作製]光電変換層表面と、透明導電性フィルムの導電層表面とをロールラミネーターロイヤルソブリン社製、製品名RSL-328Sのローラーの温度を120°Cに加熱し圧着して貼り合わせることにより電子デバイスを得た。<実施例2、3>表1に示されている配合比で調製された導電性接着剤組成物を用いた以外は実施例1と同様にして、透明導電性フィルムおよび電子デバイスを作製した。<実施例4>成分AのPVAの量を25質量部とし、成分Bの有機添加剤として、グリセリンの替わりにNメチルピロリドン和光純薬工業株式会社製、T2:融点-24°C、T3:沸点202°C80質量部を使用した以外は実施例1と同様にして、透明導電性フィルムおよび電子デバイスを作製した。<実施例5>成分Aの水溶性ビニル重合体をとして、PVAの替わりにポリビニルピロリドンシグマアルドリッチ社製、Tg80°C、表1中ではPVPと記載を50質量部使用し、成分Bの有機添加剤として、グリセリンの量を100質量部とした以外は実施例1と同様にして、透明導電性フィルムおよび電子デバイスを作製した。<実施例6>成分Bの有機添加剤として、グリセリンの替わりにNメチルピロリドン和光純薬工業株式会社製、T2:融点-24°C、T3:沸点202°Cを100質量部使用した以外は実施例5と同様にして、透明導電性フィルムおよび電子デバイスを作製した。<実施例7>成分Bの有機添加剤として、グリセリンの替わりにジメチルスルフォオキサイド和光純薬工業株式会社製、表1中の記載はDMSO、T2:融点19°C、T3:沸点189°Cを100質量部使用した以外は実施例1と同様にして、透明導電性フィルムおよび電子デバイスを作製した。<実施例8>成分Bの有機添加剤として、グリセリンの替わりにジメチルフォルムアミド和光純薬工業株式会社製、表1中の記載はDMF、T2:融点-61°C、T3:沸点153°Cを100質量部使用した以外は実施例1と同様にして、透明導電性フィルムおよび電子デバイスを作製した。<実施例9>成分Cの導電性有機高分子化合物であるポリチオフェン類の誘導体を、PEDOTPSS日本アグファマテリアルズ製、製品名S305に変えて、実施例1と同様にして透明導電性フィルムおよび電子デバイスを作製した。<実施例10>成分Cの導電性有機高分子化合物として、ポリチオフェン類の誘導体の替わりに、ポリアニリンシグマアリドリッチ社製、表1中ではポリアニリン類と記載を100質量部、成分Bのグリセリンの量を100質量部に変える以外は実施例1と同様にして透明導電性フィルムおよび電子デバイスを作製した。<実施例11>成分Cの導電性有機高分子化合物として、ポリチオフェン類の誘導体の替わりに、ポリピロールシグマアリドリッチ社製、有効成分1質量表1中ではポリピロール類と記載を10000質量部、成分Bのグリセリンの量を100質量部に変える以外は実施例1と同様にして透明導電性フィルムおよび電子デバイスを作製した。<比較例1~3、5~6>成分A、BまたはCを、表1に示されている配合比で調製された導電性接着剤組成物を用いて実施例1と同様にして、比較用の透明導電性フィルムおよび同電子デバイスを作製した。<比較例4>導電性接着剤組成物からなる導電層を設けない以外は、実施例1と同様にして、比較用の透明導電性フィルムおよび電子デバイスを作製した。すなわち、導電性金属メッシュ層のみを比較用の透明導電性フィルムとして電子デバイスを作製した。<比較例7~10>成分A、BまたはCを、表1に示されている配合比で調製された導電性接着剤組成物を用いて、導電性金属メッシュ層を形成していない透明基材に直接、導電層を形成し、実施例1と同様にして比較用の透明導電性フィルムおよび電子デバイスを作製した。以上、実施例1~4および7~11、比較例1、2、5、7、8および10は成分Aの水溶性ビニル重合体としてPVAを用いた例である。各例で用いられた導電性接着剤組成物における各成分の配合比および得られた透明導電性フィルムおよび電子デバイスの特性を表1に示す。表1において、成分A、B、Cの配合量はいずれも有効成分の質量部を示す。カッコ内の数値は成分A、B、Cの合計を100とした時の各成分の質量部または質量を表わす。実施例5、6は成分Aの水溶性ビニル重合体としてPVPを用いた例である。<実施例12>[導電性接着剤組成物の調製]成分Aとして、アクリル酸重合体シグマアルドリッチ製、′′ポリアクリル酸′′、重量平均分子量10万、Tg102°C、有効成分40質量、表2中ではPAAと記載113質量部、成分Bの有機添加剤として、グリセリンシグマアルドリッチ社製、製品名グリセリン、融点T2:18°C、沸点T3:290°C90質量部を使用した。成分Cの導電性有機高分子化合物として、ポリチオフェン類の誘導体である、ポリ3,4-エチレンオキサイドチオフェンPEDOTとポリスチレンスルホン酸PSSの混合物PEDOTPSSHCStarck社製、製品名CleviousPVP.AI4083、有効成分1質量溶剤:精製水、表2中ではポリチオフェン類と記載1500質量部を使用した。前記成分A、BおよびCに精製水200質量部を添加して導電性接着剤組成物の塗工液有効成分:7.9質量を調製した。実施例1と同じ方法で、透明導電性フィルムおよび電子デバイスの作製を行った。<実施例13、14>表2に示されている成分A、BおよびCの配合比で調製された導電性接着剤組成物を用いた以外は実施例12と同様にして、透明導電性フィルムおよび電子デバイスを作製した。<実施例15~19>表2に示されている成分A、BおよびCの配合比で調製された導電性接着剤組成物を用いた以外は実施例12と同様にして、透明導電性フィルムおよび電子デバイスを作製した。<比較例11~20>成分A、BまたはCを、表2に示されている配合比で調製された導電性接着剤組成物を用いて実施例12と同様にして、比較用の透明導電性フィルムおよび同電子デバイスを作製した。各例で用いられた導電性接着剤組成物における各成分の配合比および得られた透明導電性フィルムおよび電子デバイスの特性を表2に示した。表2において、成分A、B、Cの配合量はいずれも有効成分の質量部を示す。カッコ内の数値は成分A、B、Cの合計を100とした時の各成分の質量部または質量を表わす。表1および表2に記載の特性は下記のようにして測定した。1導電層及び導電性金属メッシュ層の厚み導電性接着剤組成物からなる導電層及び導電性金属メッシュ層の厚みは、触針式表面形状測定装置Veeco社製、製品名Dektak150により測定した。2表面抵抗率表面抵抗測定装置三菱化学社製、製品名ロレスタGPMCP-T600により、四端子法で表面抵抗率を測定した。実施例においては、透明導電性フィルムの導電層及び金属メッシュ層を備えた面を測定した。比較例4、14においては、導電性金属メッシュ層銅層表面を測定した。比較例7~10、17~20においては、導電層表面を測定した。3全光線透過率光線透過率測定装置日本電色工業社製、製品名NDH-5000を用いてJISK7631-1に準じて、透明導電性フィルムの全光線透過率を測定した。4貼り合わせ評価接着性実施例および比較例で得られた透明導電性フィルムを、ラミネーターロイヤルソブリン社製、製品名RSL328Jを用いて、温度120°Cでガラス板25mm×25mm、厚み1mmに貼り合わせた。その後、常温まで冷却後、透明導電性フィルムを垂直にし、接着しているか否かを調べた。○:ガラス板が落ちずに接着している。×:接着せずにガラス板が剥離した。5電子デバイスの評価実施例および比較例で得られた電子デバイスを、ソースメジャーユニットワコム電創社製を用いて電流電圧特性を測定し、整流曲線を観察した。○:整流性有×:整流性無貼り合せ不良により電子デバイスとして機能しない6接着力表2に記載されている接着力は、実施例12~19および比較例11~20で得られた導電性接着剤組成物の塗工液をポリエチレンテレフタレートフィルム東洋紡績社製、製品名コスモシャインA4100、厚み100μm上に塗工し、100°Cで10分間乾燥させ、膜厚500nmの導電性接着剤組成物からなる導電層を形成させ、測定用サンプルを作製した。得られた測定用サンプルを、を用いてJISZ02372009に準じて、23°C50RH相対湿度環境下で25mm×300mmにカットした測定用サンプルをラミネーターロイヤルソブリン社製、製品名RSL328Jを用いて、温度100°Cで被着体ガラス板、800mm×1500mm、厚み3mmに貼り合わせた。貼付後24時間後の粘着力を180°引き剥がし法によって、引っ張り速度300mm/分にて測定した。7ガラス転移温度成分Aの水溶性ビニル重合体のガラス転移温度T1は、JISK7121に準拠し、入力補償示差走査熱量測定装置[パーキンエルマー社製、装置名PyrislDSG]を用いて、-80°Cから250°Cの温度範囲で、捕外ガラス転移開始温度を測定して求めた。表1から、以下のことが確認される。1成分Bを使用せず、成分AとCを使用した比較例1、2においては、表面抵抗率が高く、得られた電子デバイスは整流性が見られず、デバイスとして機能しなかった。2成分Cのみを含む比較例3においては、接着性が悪かった。また、得られた電子デバイスは、貼り合せ不良によりデバイスとして機能しなかった。導電層を有さない比較例4においては、接着性が全くなく、電子デバイスが作成できなかった。4成分Aのみを含む比較例5においては、表面抵抗率が高く、得られた電子デバイスは整流性が見られず、デバイスとして機能しなかった。5成分Bのみを含む比較例6においては、成膜性が悪く、導電層を形成することが出来ず、接着性も全くなかった。6導電性金属メッシュ層を設けない比較例7~10においては、表面抵抗率が高かった、また、得られた電子デバイスは整流性が見られず、デバイスとして機能しなかった。一方、実施例1~11は、表面抵抗率が低く、透明性も高く、かつ接着性も良好であった。また、得られた電子デバイスも整流性があったことからデバイスとしても有効であることがわかった。表2から、以下のことが確認される。1成分Bを使用せず、成分AとCを使用した比較例11、12においては、導電層の表面抵抗率が高く、得られた電子デバイスは整流性が見られず、デバイスとして機能しなかった。2成分Cのみを含む比較例13においては、接着力が低く、測定できなかった。また、得られた電子デバイスは、貼り合せ不良によりデバイスとして機能しなかった。3導電層を有さない比較例14においては、接着力が全くなく、電子デバイスが作成できなかった。4成分Aのみを含む比較例15においては、導電層の表面抵抗率が高く、得られた電子デバイスは整流性が見られず、デバイスとして機能しなかった。5成分Bのみを含む比較例16においては、成膜性が悪く、導電層を形成することが出来ず、接着性も全くなかった。6導電性金属メッシュ層を設けない比較例17~20においては、表面抵抗率が高かった、また、得られた電子デバイスは整流性が見られず、デバイスとして機能しなかった。一方、成分A、BおよびCを使用した実施例12~19では、導電層の表面抵抗率が低く、透明性も高く、かつ接着性も良好であった。また、得られた電子デバイスも整流性があったことからデバイスとしても有効であることがわかった。"