"マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系であって、a光入射面55を有する光学ラスタプレート54aであり、前記光入射面における放射照度分布が、投影光が照明対象のマスク16に当たる際の前記投影光の角度光分布を決める、光学ラスタプレート54aと、b制御ユニット43と、c前記光学ラスタプレート54aの前記光入射面55に複数の光点70;170を生成するよう構成した空間光変調器38であり、前記制御ユニット43から受け取った命令信号に応答して前記光入射面55上の前記光点70の位置を変えるよう構成した、空間光変調器38とを備え、前記光点70の少なくともいくつかは、基準方向Xに沿って、放射照度が空間周期Pで周期的に変化する部分80を含む空間放射照度分布を有する照明系。請求項1に記載の照明系において、前記制御ユニット43は、前記少なくともいくつかの光点の2つが前記光学ラスタプレートの光入射側で少なくとも部分的に重複するように前記空間光変調器38を制御するよう構成される照明系。請求項2に記載の照明系において、前記制御ユニット43は、前記2つの重複した光点図16における70a~70d;図19における70e、70f;図24における170a、170bが前記基準方向に沿って相互に対してn1×P/2式中、n1=±1、±3、±5...だけ変位するように前記空間光変調器38を制御するよう構成される照明系。請求項2又は3に記載の照明系であって、前記制御ユニット43は、前記2つの重複した光点図13における70a~70d;図19における70a~70d;170aが前記基準方向に沿って相互に対してn2×P式中、n2=±1、±2、±3...だけ変位するように前記空間光変調器38を制御するよう構成される照明系。請求項1~4のいずれか1項に記載の照明系において、前記光学ラスタプレート54aは、前記基準方向Xに沿ってピッチpで配列される複数の光学ラスタ素子59を備える照明系。請求項5に記載の照明系において、前記ピッチpは、p=m×P式中、mは正の整数であるように前記空間周期Pの整数倍である照明系。請求項5又は6に記載の照明系において、前記光点70は、前記基準方向に沿って最大幅wを有し、w>pである照明系。請求項1~7のいずれか1項に記載の照明系において、前記空間光変調器38は、ビーム偏向素子42のアレイを備え、各ビーム偏向素子42は、前記制御ユニット43から受け取った前記命令信号に応じた方向に入射光LB1、LB2を偏向させることが個別に可能であり、各光点は、それぞれちょうど1つの前記ビーム偏向素子42に関連付けられる照明系。請求項5~7のいずれか1項に記載の照明系において、前記制御ユニット43は、第1光点図19における70aが前記光学ラスタプレート54aの前記光入射面55上の第1箇所で生成されることにより、前記第1光点70aの放射照度分布の最大値が前記光学ラスタ素子59に対する第1相対位置で生じるように、また第2光点図19における70cが前記光学ラスタプレート54aの前記光入射面55上の第2箇所で生成されることにより、前記第2光点の放射照度分布の最大値が前記光学ラスタ素子59に対する第2相対位置で生じるように、前記空間光変調器38を制御するよう構成され、前記第1箇所及び前記第2箇所は異なり、前記第1相対位置及び前記第2相対位置は異なる照明系。請求項1~9のいずれか1項に記載の照明系において、前記制御ユニット43から受け取ったさらに別の命令信号に応答して前記光学ラスタプレート54aの前記光入射面55に生成される前記光点を回転させるよう構成される照明系。請求項10と組み合わせた請求項9に記載の照明系において、前記ビーム偏向素子42は、2つの傾動軸T1、T2の周りを傾動するとともに回転軸Rの周りを回転するよう構成され、前記傾動軸T1、T2及び前記回転軸Rは、相互に平行ではない照明系。請求項1~11のいずれか1項に記載の照明系において、周期的に変化する放射照度を、回折構造44;244によって、又は前記照明系12の光源30と前記光学ラスタプレート54aとの間に配置した周期的な屈折又は反射構造によって発生させる照明系。請求項12と組み合わせた請求項8に記載の照明系において、前記回折構造44;244は、前記ビーム偏向素子42によって支持され、且つ/又は、該ビーム偏向素子42は、波形反射面又は波形屈折面444を有する照明系。請求項12に記載の照明系において、前記回折構造は、前記光源30と前記光学ラスタプレート54aとの間に配置したプレート92によって支持される照明系。請求項1~14のいずれか1項に記載の照明系において、前記周期的に変化する放射照度を、前記光変調器38を介して、主周期変化放射照度分布を前記光学ラスタプレート54aの前記光入射面55に結像することによって発生させる照明系。請求項15に記載の照明系において、前記主周期変化放射照度分布は干渉パターン100である照明系。請求項16に記載の照明系において、前記干渉パターン100は回折格子98の自己像である照明系。マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明する方法であって、a複数の光点を光学ラスタプレートの光入射面で生成するステップであり、該光入射面における放射照度分布が、投影光が照明対象のマスクに当たる際の前記投影光の角度光分布を決め、前記光点の少なくともいくつかは、基準方向に沿って、放射照度が空間周期Pで規則的に変わる部分を含む空間放射照度分布を有するステップと、b空間光変調器を用いて前記光点の位置を変えるステップとを含む方法。請求項18に記載の方法において、前記光学ラスタプレートは、前記基準方向に沿ってピッチpで配置した複数の光学ラスタ素子を備える方法。請求項19に記載の方法において、前記ピッチpは、p=m×P式中、mは正の整数であるように前記空間周期Pの整数倍である方法。請求項18又は19に記載の方法において、前記光点は、前記基準方向に沿って最大幅wを有し、w>pである方法。請求項20又は21に記載の方法において、第1光点が前記光学ラスタプレートの前記光入射面上の第1箇所で生成されることにより、前記第1光点の放射照度分布の最大値が前記光学ラスタ素子に対する第1相対位置で生じるように、また第2光点が前記光学ラスタプレートの前記光入射面上の第2箇所で生成されることにより、前記第2光点の放射照度分布の最大値が前記光学ラスタ素子に対する第2相対位置で生じるように、前記空間光変調器を制御し、前記第1箇所及び前記第2箇所は異なり、前記第1相対位置及び前記第2相対位置は異なる方法。請求項18~22のいずれか1項に記載の方法において、前記基準方向に沿って相互に対してn1×P/2式中、n1=±1、±3、±5...だけ変位した少なくとも2つの重複した光点を前記光学ラスタプレートの前記光入射面に生成するように、前記空間光変調器を制御する方法。請求項18~23のいずれか1項に記載の方法において、前記基準方向に沿って相互に対してn2×P式中、n1=±1、±3、±5...だけ変位した少なくとも2つの重複した光点が前記光学ラスタプレートの前記光入射面に生成されるように、前記空間光変調器を制御する方法。請求項18~24のいずれか1項に記載の方法において、前記光学ラスタプレートの前記光入射面に生成された前記光点を回転させる方法。請求項25に記載の方法において、前記光変調器は、2つの傾動軸の周りを傾動し回転軸の周りを回転するミラーを備え、前記傾動軸及び前記回転軸は相互に直交する方法。本発明の目的は、角度放射照度分布だけでなくマスク平面における空間放射照度分布も非常に柔軟に変えることを可能にする空間光変調器を備えた、マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系を提供することである。本発明によれば、この目的は、光入射面を有する光学ラスタプレートを備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系によって達成される。光学ラスタプレートは、必ずしも平面である必要はなく、曲面でもあり得る。光入射面における放射照度分布が、投影光が照明対象のマスクに当たる際の投影光の角度光分布を決める。照明系は、制御ユニットと、光学ラスタプレートの光入射面に複数の光点を生成するよう構成した空間光変調器とをさらに備える。空間光変調器は、制御ユニットから受け取った命令信号に応答して光入射面における光点の位置を変えるよう構成される。本発明によれば、光点の少なくともいくつかは、基準方向に沿って、放射照度が空間周期Pで周期的に変化する部分を含む空間放射照度分布を有する。制御システムを、少なくともいくつかの光点のうち2つが光学ラスタプレートの光入射側で少なくとも部分的に重複するように空間光変調器を制御するよう構成した場合、さまざまな複合放射照度分布を発生させることができる。例えば、sin2x放射照度分布をそれぞれが有する2つの光点を重畳させる場合、2つの光点が分離される距離に応じて、均一又は周期的である部分を有する複合放射照度分布が得られる。特に、制御システムは、2つの重複した光点が基準方向に沿って相互に対してn1×P/2式中、n1=±1、±3、±5...だけ変位するように空間光変調器を制御するよう構成することができる。このとき、一方の周期的放射照度分布の最大値は、他方の周期的放射照度分布の最小値と一致し、これにより、複合放射照度の空間的変動がより小さくなるか又は消失する。制御システムを、2つの重複した光点が基準方向に沿って相互に対してn2×P式中、n2=0、±1、±3、±5...だけ変位するように空間光変調器を制御するよう構成した場合、一方の周期的放射照度分布の最大値は、他方の周期的放射照度分布の最大値と一致する。これにより、複合放射照度の空間的変動が大きくなる。光点がわずかに異なる空間周期P1及びP2を有する部分を有する場合、重畳により、P1及びP2よりもはるかに小さな空間周期を有するモアレ干渉パターンを得ることができる。照明系は、空間光変調器と光学ラスタプレートとの間に配置したコンデンサを備え得る。かかるコンデンサが、空間光変調器と光学ラスタプレートとの間にフーリエ関係を確立することにより、空間光変調器が発生させた角度光分布が光学ラスタプレートの光入射面における空間放射照度分布に変換される。しかしながら、空間光変調器と光学ラスタプレートとの間の距離が十分に大きい場合遠フィールド近似、かかるコンデンサを省くこともできる。光学ラスタプレートは、基準方向に沿ってピッチpで配置した複数の光学ラスタ素子、例えばレンズ又は回折光学素子を備え得る。通常、光学ラスタ素子は、少なくとも基準方向に沿って固定の空間周期を有する規則的なアレイ状に配置する。しかしながら、ピッチpは、必ずしも光学ラスタ素子の光入射面全体にわたって一定である必要はなく、連続的に又は段階的に変わることもできる。このとき、ピッチpは局所的ピッチとして定義され得る。屈折光学ラスタプレートの場合、光学ラスタ素子は、クロスシリンドリカルレンズ又は非円形の周囲を有する回転対称レンズによって形成することができる。周囲が矩形である場合、かかるレンズをレンズクッションlenscushionsと称することがある。照明系は、フィールド平面、例えば調整可能なフィールド絞りを配置してマスク平面上の対物系によって結像されるフィールド絞り平面上で、光学ラスタ素子で発生させた光点の像を重畳させる結像光学系をさらに備え得る。かかる結像光学系は、さらなる光学ラスタプレートと、このさらなる光学ラスタプレートとフィールド平面との間に配置したさらなるコンデンサとを備え得る。空間周期放射照度分布を有する部分を有する光点は、光点が少なくとも部分的に重複するように重畳されない場合にも有利である。空間周期Pを光学ラスタ素子のピッチpに入念に適合させた場合にも又は付加的に、顕著な利点が得られる。例えば、ピッチpは、p=m×p式中、mは正の整数であるように空間周期Pの整数倍であり得る。この条件は、比較的大きなサイズの光点特に、基準方向に沿って最大幅wを有し、w>p、より詳細にはp<w<10pである光点の場合に、所与の時点で単一の光点により照明される光学ラスタ素子の全てで同じ放射照度分布が得られることを確実にする。これにより、マスク平面又はマスク平面と光学的に共役な任意のフィールド平面における種々の不均一な放射照度分布の発生が容易になる。例えば、投影露光装置の走査方向に沿って、傾動した、例えば概ねガウス又は正弦波放射強度分布をマスク平面において有することが多くの場合に望まれる。かかる傾動放射照度分布は、同じ方向に沿って同様の但し周期的な放射照度分布を有する光点を用いて、光損失を伴わずに発生させることができる。しかしながら、原理上、光点の最大幅wは、基準方向に沿って光学ラスタ素子以下とすることもできる。いくつかの実施形態では、空間光変調器は、ビーム偏向素子のアレイを備える。各ビーム偏向素子は、制御ユニットから受け取った命令信号に応じた方向に入射光を偏向させることが個別に可能である。光学ラスタ素子の光入射面で生成された各光点は、ビーム偏向素子に1つずつ関連付けられる。いくつかの実施形態では、ビーム偏向素子は傾動可能なミラーである。しかしながら、ビーム偏向素子は、電気光学素子又は音響光学素子によって形成することもできる。かかる素子では、適当な材料を電場又は超音波に曝すことによって屈折率を変えることができる。これらの効果を利用して、入射光をさまざまな方向へ指向させるインデックス回折格子を生成することができる。制御システムを、2つの光点が光学ラスタプレートの光入射側で少なくとも部分的に重複するように空間光変調器を制御するよう構成した場合にのみ、光点の相対変位を慎重に設定することによって変えることができる複合放射照度分布を得ることが可能である。光点の少なくとも一部内の周期的放射照度分布を用いて、フィールド平面においてフィールド依存角度放射照度分布を発生させることもできる。この場合、制御システムは、第1光点が光学ラスタプレートの光入射面上の第1箇所で生成されることにより、第1光点の放射照度分布の最大値が光学ラスタ素子に対する第1相対位置で生じるように、空間光変調器を制御するよう構成され得る。第2光点が、光学ラスタプレートの光入射面上の第2箇所で生成されることにより、第2光点の放射照度分布の最大値が光学ラスタ素子に対する第2相対位置で生じ、第1箇所及び第2箇所は異なり、第1相対位置及び第2相対位置は異なる。第1光点及び第2光点の放射照度分布はこのとき同等であり得る。換言すれば、2つの光点は、放射照度分布を光学ラスタ素子に対して異なる相対位置に配置して、光学ラスタプレートの光入射面上の異なる箇所で生成される。光点の放射照度分布と光学ラスタ素子との間の相対位置が異なれば、光学ラスタ素子における放射照度分布が異なるので、各光点は、マスク平面又は別のフィールド平面において異なる放射照度分布を発生させる。他方では、光点の箇所が異なれば、2つの光点に関連する投影光が異なる方向からマスク平面に当たる。これら2つの効果から、マスク平面におけるフィールド依存角度放射照度分布が得られる。当然ながら、光点が異なる周期的放射照度分布を有する場合も、同様の効果が達成され得る。このとき、第1相対位置及び第2相対位置は同等であり得る。照明系は、制御ユニットから受け取ったさらに別の命令信号に応答して光学ラスタプレートの光入射面に生成された光点を回転させるよう構成することができる。このとき、マスク平面における空間放射照度分布を変えるのに付加的なパラメータを利用可能である。光点により照明された光学ラスタ素子における放射照度分布は、マスク平面上で重畳して結像されるので、これらの像も回転する。走査積分scanintegrated放射照度の効果を考慮に入れて、回転させた放射照度分布を用いて走査積分露光量を入念に調整することができる。空間光変調器が、光点の一部内での周期変化放射照度分布を引き起こす複数のビーム偏向素子を備える場合、ビーム偏向素子は、光学ラスタ素子の光入射面における光点を位置決めするために2つの傾動角で傾動するよう構成することができるだけでなく、回転軸の周りを回転するようにも構成することができ、傾動軸及び回転軸は平行ではなく、特に相互に直交する。光点の一部内の周期変化放射照度は、回折構造によって、又は照明系の光源と光学ラスタプレートとの間に配置した周期的な屈折又は反射構造によって発生させることができる。回折構造の場合、これらは、空間光変調器のビーム偏向素子によって、又は光源と光学ラスタプレートとの間に配置したプレートによって支持され得る。かかる回折板は、上記特許文献6に記載の配置と同様に、対物系によってビーム偏向素子に結像させることができる。代替的に、回折板は、上記特許文献4に記載の配置と同様に、ビーム偏向素子と光学ラスタプレートとの間に配置することができる。その場合、回折板は、空間光変調器と光学ラスタプレートとの間に配置したコンデンサの前焦点面に配置され得る。光点の一部内の周期変化放射照度分布をビーム偏向素子自体によって発生させる場合、これらに波形反射面又は波形屈折面を設けることができる。他の実施形態では、周期変化放射照度を、光変調器を介して、主周期変化放射照度分布を光学ラスタプレートの光入射面に結像させることによって発生させる。かかる主周期変化放射照度分布は、例えば干渉パターンであり得る。干渉パターンが回折格子の自己像である場合、変化放射照度分布は、光損失を伴わずに発生させることができる。その場合、光学ラスタプレートの光入射面に結像される干渉パターンは、回折格子に関連するタルボ距離又はその整数倍だけ、回折格子から離間し得る。本発明の主題は、マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明する方法でもある。本発明によれば、a光学ラスタプレートの光入射面に複数の光点を生成するステップであって、光入射面における放射照度分布が、投影光が照明対象のマスクに当たる際の投影光の角度光分布を決め、光点の少なくともいくつかは、基準方向に沿って、放射照度が空間周期Pで周期的に変化する部分を含む空間放射照度分布を有するステップと、b空間光変調器を用いて光点の位置を変えるステップとを含む方法が提案される。光学ラスタプレートは、基準方向に沿ってピッチpで配置した複数の光学ラスタ素子を備え得る。ピッチpは、p=m×P式中、mは正の整数であるように空間周期Pの整数倍であり得る。光点は、基準方向に沿った最大幅wを有し、w>pであり得る。空間光変調器は、第1光点が光学ラスタプレートの光入射面上の第1箇所で生成されることにより、第1光点の放射照度分布の最大値が光学ラスタ素子に対する第1相対位置で生じるように、また第2光点が光学ラスタプレートの光入射面上の第2箇所で生成されることにより、第2光点の放射照度分布の最大値が光学ラスタ素子に対する第2相対位置で生じるように制御することができ、第1箇所及び第2箇所は異なり、第1相対位置及び第2相対位置は異なる。定義用語光は、電磁放射線、特に可視光、UV、DUV、及びVUV光を示す。用語光線は、伝播経路を線で表すことができる光を示すために本明細書で用いられる。用語光束は、共通の起点を有する複数の光線を示すために本明細書で用いられる。用語光ビームは、特定のレンズ又は別の光学素子を通過する光全てを示すために本明細書で用いられる。用語表面面は、3次元空間における任意の平面又は曲面を示すために本明細書で用いられる。表面は、物体の一部であり得るか、又はフィールド又は瞳平面で通常そうであるように、それとは完全に別個であり得る。用語光学的に共役は、2点又は2面間の結像関係を示すために本明細書で用いられる。したがって、1点から出射する光束は、光学的に共役な点に収束する。用語フィールド平面は、マスク平易面と光学的に共役な平面を示すために本明細書で用いられる。用語瞳平面は、マスク平面又は別のフィールド面における種々の点を通る周辺光線が交わる平面を示すために本明細書で用いられる。当該技術分野ではよくあるように、用語瞳平面は、実際には数学的な意味で平面ではなくわずかに湾曲する場合にも用いられるので、厳密な意味では瞳面と称するべきである。用語コンデンサは、2平面間、例えばフィールド平面と瞳平面との間にフーリエ関係を少なくとも概ね確立する光学素子又は光学系を示すために本明細書で用いられる。用語均一は、位置に依存しない特性を示すために本明細書で用いられる。用語空間放射照度分布は、光が当たる面にわたる全放射照度の変わり方を示すために本明細書で用いられる。通常、空間放射照度分布は、関数Isx,yによって表すことができ、x、yはその面内の1点の空間座標である。用語角度放射照度分布は、光束を構成する光線の角度に応じた光束の放射照度の変わり方を示すために本明細書で用いられる。通常、角度放射照度分布は、関数Iaα,βによって表すことができ、α、βは光線の方向を表す角座標である。角度放射照度分布がフィールド依存性を有する場合、Iaはフィールド座標x、yの関数ともなり、すなわち、Ia=Iaα,β,x,yである。用語光結合器は、積NA×aを増加させる光学系を示すために本明細書で用いられ、NAは開口数であり、aは照明フィールド面積である。用語光学ラスタ素子は、他の同一又は同様の光学ラスタ素子と共に共通の支持体上に配置されて光学ラスタプレートを一般的に形成するようにする任意の光学素子、例えばレンズ、プリズム、又は回折光学素子を示すために本明細書で用いられる。用語屈折力opticalpowerは、光に発散又は収束効果を及ぼす光学素子の能力を示すために用いられる。したがって正の屈折力を有する光学素子は収束効果を有し、負の屈折力を有する光学素子は発散光学効果を有する。屈折力を有する光学素子は、屈折型、反射型、又は回折型であり得る。用語収束効果は、入射光が発散しているか、平行か、又はすでに収束しているかに関係なく収束を強めることを意味する。入射光が発散する場合、光学素子から出射する光ビームが少なくともわずかに収束するような程度まで収束を強めなければならない。本発明のさまざまな特徴及び利点は、添付図面と共に以下の詳細な説明を参照すればより容易に理解することができる。I.投影露光装置の一般的構成図1は、本発明による投影露光装置10の非常に簡略化した斜視図である。装置10は、投影光ビームを生成する照明系12を備える。投影光ビームは、微細な特徴19のパターン18を含むマスク16上のフィールド14を照明する。しかしながら、照明フィールドの他の形状、例えばリングセグメントも考えられる。光軸OAを有し複数のレンズ21を含む投影対物系20が、照明フィールド14内のパターン18を基板24が支持する感光層22、例えばフォトレジストに結像する。シリコンウェーハにより形成され得る基板24は、感光層22の上面が投影対物系20の像平面に正確に位置付けられるようウェーハステージ図示せずに配置される。マスク16は、投影対物系20の物体平面にマスクステージ図示せずによって位置決めされる。投影対物系20は、β<1である倍率βを有するので、照明フィールド14内のパターン18の縮小像18’が感光層22に投影される。投影中、マスク16及び基板24は、図1に示すY方向に対応する走査方向に沿って移動する。このとき、照明フィールド14は、照明フィールド14よりも大きなパターン区域を連続的に結像できるようマスク16上を走査する。基板24及びマスク16の速度比は、投影対物系20の倍率βと等しい。投影対物系20が像を反転させる場合β<0、マスク16及び基板24は、図1に矢印A1及びA2で示すように逆方向に移動する。しかしながら、本発明は、マスク16及び基板24がマスクの投影中に移動しないステッパツールで用いることもできる。II.照明系の一般的構成図2は、図1に示す照明系12の子午断面である。明確化のために、図2の図は大幅に簡略化したものであり一定の縮尺ではない。これは特に、種々の光学ユニットを1つの又はごく少数の光学素子のみで表すことを意味する。実際には、これらのユニットははるかに多くのレンズ及び他の光学素子を備え得る。照明系12は、ハウジング29と、図示の実施形態ではエキシマレーザとして実現した光源30とを含む。光源30は、約193nmの波長を有する投影光ビーム31を放出する。他のタイプの光源30及び他のタイプの波長、例えば248nm又は157nmも考えられる。図示の実施形態では、光源30が放出した光ビーム31は、32で示すビーム拡大ユニットに入射し、そこで光ビームが拡大される。この目的で、ビーム拡大ユニット32は、複数のレンズ、例えば図2に示す負レンズ及び正レンズ、及び/又は複数の平面ミラーを備え得る。拡大後、光ビーム31は依然として発散が小さく、すなわちほぼ平行である。拡大された光ビーム31は、ビーム均一化ユニット34に入射し、これは光ビーム31を均一化し、投影光の角度分布をマスクレベルで安定化するのに役立つ。この目的で、ビーム均一化ユニット34は光結合器を備え得る。ビーム均一化ユニット34の適当な構成は、国際公開第2009/080279号パンフレットに記載されている。均一化後、光ビーム31はビーム分割アレイ36に当たる。ビーム分割アレイ36は、光ビーム31を複数の個別収束光ビームに分割し、そのうちLB1及びLB2で示す2つのみを図2に示す。ビーム分割アレイ36は、複数の小さなマイクロレンズ37を備える。ビーム分割アレイ36の適当な構成は、例えば特許文献5に開示されている。代替的に、ビーム分割アレイ36は、最初に言及した特許文献4に開示されているように回折光学素子アレイを備えていてもよく、又は完全に省かれてもよい。収束光ビームLB1、LB2は、このとき、後続の瞳平面で可変空間放射照度分布を発生させるのに用いる空間光変調器38を通って伝播する。この実施形態では、空間光変調器38は、アクチュエータ図示せずを用いて2つの直交軸の周りを個別に傾動可能であるマイクロミラー42のアレイ40を備える。空間光変調器38、及び特にマイクロミラー42のアクチュエータは、全体的システム制御部45に接続した制御ユニット43により制御される。図3は、収束光ビームLB1、LB2が当たるマイクロミラー42の傾動角に応じて光ビームLB1、LB2が異なる方向へ反射される様子を示す、アレイ40の斜視図である。図2及び図3において、アレイ40は、6×6個のマイクロミラー42を備える。実際には、アレイ40は、数百個又は数千個のマイクロミラー42を備え得る。図4に示すマイクロミラー42の1つの拡大断面で見ることができるように、各マイクロミラー42は、ブレーズド反射位相格子blazedreflectionphasegratingを形成する回折構造44を備えた反射ミラー面を有する。より詳細に後述するように、構造44は、少なくとも部分的にコヒーレントな光ビームにより照明される場合、周期的に変化する遠フィールド放射照度分布を発生させる。各マイクロミラーに関連する直交傾動軸は、図4にT1及びT2で示す。図2を再度参照すると、空間光変調器38は、第1平面48a及び第2平面48bをさらに備え、これらの両方が、照明系12の光軸47に対して傾動している。これらの傾動面48a、48bにおいて、光ビームLB1及びLB2は全反射で反射される。第1平面48aは、入射光ビームLB1、LB2をアレイのマイクロミラー42へ向けて反射し、第2平面48bは、マイクロミラー42から反射した光ビームLB1、LB2をプリズム46へ向けて反射する。したがって、光ビームLB1、LB2の方向、したがってプリズム46の出射面49から出射する光の角度放射照度分布は、個々の傾動軸T1、T2の周りをアレイ40のマイクロミラー42を個別に傾動させることによって変えることができる。空間光変調器38に関するさらなる詳細は、例えば米国出願公開第2009/0115990号明細書から得ることができる。空間光変調器38が発生させた角度放射照度分布は、入射光ビームLB1、LB2を光結合器52へ指向させる第1コンデンサ50を用いて、空間放射照度分布に変換される。この実施形態では、光結合器52は、第1光学ラスタプレート54a及び第2光学ラスタプレート54bを備える。第1光学ラスタプレート52aの光入射面55は、第1コンデンサ50の後焦点面に配置され、マイクロミラー42がその前焦点面に概ね配置されることにより、一方ではマイクロミラー42と他方では第1光学ラスタプレート54aの光入射面55との間にフーリエ関係が確立される。図5に示す光結合器52の斜視図で見ることができるように、各光学ラスタプレート54a、54bは、光学ラスタプレート54a、54bの両側に配置した第1及び第2シリンドリカルマイクロレンズ53、57の2つの直交アレイを含む。Y軸に沿って延びる第2シリンドリカルマイクロレンズ57は、X方向に沿って延びる第1シリンドリカルマイクロレンズ53よりも強く湾曲している。2つの交差するシリンドリカルマイクロレンズ53、57に囲まれた体積は、X方向及びY方向に沿った屈折力を有する光学ラスタ素子59を画定する。しかしながら、第1及び第2シリンドリカルマイクロレンズ53、57の曲率が異なることにより、光学ラスタ素子59は、Y方向よりもX方向に沿って強い屈折力を有する。図6及び図7は、代替的な実施形態による光学ラスタプレート54a’をそれぞれ上面及び線VII-VIIに沿った断面図で示す。この実施形態では、光学ラスタプレート54a’は、矩形の周囲61’を有する球面マイクロレンズ59’により形成される規則的な光学ラスタ素子アレイを備える。周囲61’のアスペクト比は、マスク16において照明されるフィールド14のアスペクト比と同一である。矩形の周囲61’により、マイクロレンズ59’は、図5に示す光結合器の光学ラスタ素子59と同様に、Y方向よりもX方向に沿って強い屈折力を有する。図2を再度参照すると、光結合器52は、照明系12の後続の瞳平面56に複数の二次光源を発生させる。第2コンデンサ58が、瞳平面56と調整可能なフィールド絞り62を配置したフィールド絞り平面60との間にフーリエ関係を確立する。したがって、第2コンデンサ58がフィールド絞り平面60において第2光源から出射した光ビームを重畳させることにより、フィールド絞り平面60が非常に均一に照明される。光結合器52に関するさらなる詳細は、第III節で後述する。フィールド絞り平面60は、フィールド絞り対物系64によって、マスクステージ図示せず上に支持されたマスク16を配置するマスク平面66に結像される。調整可能なフィールド絞り62も、それによりマスク平面66に結像され、走査方向Yに沿って延びる照明フィールド14の側面を画定する。第III節でより詳細に後述するように、第1光学ラスタプレート54aの光入射面55における空間放射照度分布は、瞳平面56における空間放射照度分布、したがってフィールド絞り平面60及びマスク平面66における角度放射照度分布を決める。したがって、制御ユニット43を用いてミラーアレイ40のマイクロミラー42の傾動角を慎重に設定することにより、マスク平面66でほぼ全ての任意の角度放射照度分布を迅速に発生させることが可能である。これはさらに、マスク平面66における角度放射照度分布をマスク16に含まれるパターン18に迅速に適合させることを可能にする。パターン18に特に合わせた角度放射照度分布を用いることにより、パターン18を感光層22により正確に結像させることができる。III.光結合器の機能図2からの切り抜きである図8は、ミラーアレイ40と、第1コンデンサ50と、第1光学ラスタプレート54aの光学ラスタ素子59のいくつかとを概略図で示す。簡単のために、光学ラスタ素子59を回転対称両凸レンズとして示す。各マイクロミラー42から、第1光学ラスタプレート54aの光入射面55で小さな光点70を照明する光ビームが出射する。光点70の位置は、マイクロミラー42を傾動軸T1、T2の周りを傾動させることによって変えることができる。光点70の形状は、特に、アレイ40のマイクロミラー42の光学特性及び空間光変調器38の前に配置したビーム分割アレイ36の光学特性に応じて変わる。この実施形態では、光点70の幾何学的形状は円形である。他の実施形態では、幾何学的形状は楕円形又は概ね矩形、特に正方形であり得る。図8で見ることができるように、X方向に沿った光点70の幅wは、この方向に沿った光学ラスタ素子59のピッチpよりも大きい。いくつかの実施形態では、光点70の幅wは、X方向に沿って約2×p又は5×pであるが、25×pよりも小さい。単一の光学ラスタ素子59のみに関連する光入射面55の各部分を、第2光学ラスタプレート54bの対応の光学ラスタ素子及び第2コンデンサ58を介して中間フィールド平面60に結像させる。次にこれを、図9を参照して説明するが、図9は、光結合器52、第2コンデンサ58、及び中間フィールド平面60の部分を示す図2の拡大した一定の縮尺ではない切り抜きである。第1及び第2光学ラスタプレート54a、54bのうち、光軸47と平行に延びる線に沿って配置した光学ラスタ素子59a、59bは、複数の光チャネルを形成し、そのうち70、72で示す2つのみを図9に示す。各光チャネル70、72は、投影光が、少なくとも回折を無視した場合に、各チャネル70、72の第1光学ラスタ素子59aに入るとこのチャネルに制限されるという特性を有する。光結合器の特徴は、第1光学ラスタプレート54aの光学ラスタ素子59aが第2光学ラスタプレート54bの光学ラスタ素子59bの前焦点面に配置されることである。この前焦点面は、光学ラスタ素子59bからその焦点距離f2だけ離間する。第2光学ラスタプレート54bの光学ラスタ素子59bが第2コンデンサ58の前焦点面に配置されるので、単一の光チャネル70、72のみに関連する光入射面55の各部分内の放射照度分布は、第2コンデンサ58の後焦点面に、すなわち中間フィールド平面60に結像される。これを、第2光学ラスタ素子59b及び第2コンデンサ58によって像点I1、I2、及びI3それぞれに結像される3つの物点O1、O2、O3について、図9の上部に示す。したがって、各チャネル70、72内の光入射面55は、中間フィールド平面60及びマスク平面66と光学的に共役である。図9から、各光チャネル70、72が中間フィールド平面60の周辺像点I1及びI3で囲まれた同じ区域を照明することも明らかとなる。したがって、ある程度異なり得る第1光学ラスタ素子59aにおける空間放射照度分布は、中間フィールド平面60において重畳する。この重畳から、中間フィールド平面60における非常に均一な空間放射照度分布が得られる。図9の下半分に、平行投影光が第1光学ラスタプレート54aの光学ラスタ素子59aに当たる場合の条件を示す。この実施形態では、第1光学ラスタプレート54aの光学ラスタ素子59aの焦点距離f1が焦点距離f2と等しいことにより、平行光が収束する焦点Fが第2光学ラスタプレート54bの光学ラスタ素子59b内に位置する。しかしながら、概して、焦点距離f1及びf2は異なり得る。この場合も、光学的共役の結果として、光束が第1光学ラスタプレート54aの光学ラスタ素子59aに当たる領域は、この光チャネルによって中間フィールド平面60で照明される領域に対応することが分かる。IV.光点放射照度分布a従来技術図10は、従来技術の照明系に収容される第1光学ラスタプレート54a’の光入射面55’上の3つの隣接する光点70a’、70b’、70c’が発生させる放射照度分布Ixを示す。このグラフでは、x方向に沿った放射照度分布の変動しか示さない。直交するY方向に沿った放射照度分布Iyは同様又は同一であると考えられる。光点70a’、70b’、70c’の幅wが、第1光学ラスタプレート54a’の光学ラスタ素子59’のピッチpを超えることが分かる。各光点70a’、70b’、70c’内の放射照度分布は、放射照度が均一である大きな中央部分と、放射照度がゼロまで線形に低下する周囲部分とを有する。光点70a’、70b’、70c’がわずかに重複する場合、光入射面55’において放射照度が概ね均一である大きな照明区域を発生させることができる。図11は、図10に示すように部分的に重複した9個の光点70’の配置を示す従来技術の光学ラスタ素子54a’の上面図である。この図から、光学ラスタ素子59’の大半が均一な放射照度分布に曝されることが明らかとなる。照明領域の縁部における光学ラスタ素子59’のみが均一に照射されない。均一に照射されないかかる光学ラスタ素子59’の数が均一に照射される光学ラスタ素子59’の数と比べて少ないので、中間フィールド平面60で、したがって中間フィールド平面60と光学的に共役なマスク平面66で得られる放射照度分布は、均一に照射される光学ラスタ素子59’によって主に決まる。第III節で説明したように、中間フィールド平面60における放射照度分布は、個々の光学ラスタ素子59’における放射照度分布の像の重畳であるので、均一な放射照度分布が中間フィールド平面60で得られる。これを、関数IFPxが中間フィールド平面60で発生した放射照度分布を示す図12のグラフに示す。b第1実施形態図13は、本発明の第1実施形態による単一の光点70に関連する空間放射照度分布Ixを左側に示す。この空間放射照度分布は、放射照度が空間周期Pで周期的に変化する座標x1及びx2間の中央部分80を含む。この実施形態では、変動はsin2x関数に比例するが、他の周期関数、例えばのこぎり波関数も考えられる。中央部分80の外側では、放射照度Iがゼロまで急速に低下する。図13の右側に、左側に示した放射照度分布を有する4個の同一の光点70a~70dによる第1光学ラスタプレート54aの光入射面55の一部の照明の仕方を示す。ここで、空間光変調器38のマイクロミラー42が、2つの同一の光点70a、70b及び70c、70dが重畳するよう制御されると考える。光点70a、70b及び70c、70dは、重畳した光点を読者が依然として確実に区別できるようにするために、図12におけるX方向に沿ってわずかに変位させて図示する。この実施形態では、空間周期Pは、光学ラスタ素子59のピッチpと同一である。したがって、重畳した光点70a、70b及び70c、70dの中央部分80は、光学ラスタ素子59において同一の放射照度分布を発生させる。ここで、放射照度分布の最大ピークがX方向に関して光学ラスタ素子59の中心にあるように、光点70a~70dを光入射面55上で位置決めすることがさらに考えられる。したがって、放射照度は、各光学ラスタ素子59の中心における最大値からその縁部における最小値へ低下する。図14は、4個の光点70a~70dが生成される第1光学ラスタ素子54aの光入射面55の上面図である。一方では光点70a、70b、他方では光点70c、70dを重畳させることによって得られる複合放射照度分布82、84は、同一だが、光入射面55上の異なる位置に位置付けられる。この図では、暗い区域が高放射照度に相当し、明るい区域が低放射照度に対応する。各光学ラスタ素子59は、中心で最大値を有し縁部で最小値を有する同じ放射照度分布で照射されるので、中間フィールド平面60におけるこれらの放射照度分布全ての像の重畳は同じ空間的変動を有し、すなわち、照明フィールドの中央で放射照度が最大値を有し、この最大値がX方向に沿ってフィールドの縁部における最小値まで低下し続ける。中間フィールド平面60で得られるこの放射照度分布IFPを図15に示す。このグラフでも、光点70a~70dの中央部分80内の光によって照明されない光学ラスタ素子59からの寄与は無視される。したがって、放射照度が周期的に変化する部分を含む空間放射照度分布を基準方向に沿って有する光点を生成することで、光損失を伴わずに中間フィールド平面60で、したがってマスク平面66でも、不均一な放射照度分布を発生させることが可能である。図15に示す放射照度分布IFPは、装置10の走査方向と平行な直交Y方向に沿って得られる場合に特に有用であり得る。この方向に沿って、Y方向に関してフィールドの中心に最大値を有する放射照度分布を発生させることが望ましいことが多い。図16~図18は、図13~15に対応するが、この光点構成では、一方では光点70a、70b及び他方では70c、70dが完全に重複するように重畳せず、相互に対してP/2だけ変位していると考えられる。複合放射照度分布82、84のそれぞれにおいて、このとき、個々の光点70a、70b及び70c、70dの中央部分80が重複する部分があることにより、得られる放射照度分布はsin2xcos2x=1に比例する。したがって、図17に示すように、光点70a~70dのこのわずかに変位した配置を用いて光学ラスタ素子59を均一に照明することができる。これにより、中間フィールド平面60において、従来技術の手法に関して図12を参照して上述したものと同じ矩形を有する放射照度分布IFPxが得られる。マイクロミラー42は、単一の走査サイクル中にも傾動させることができるので、X方向に沿った露光量制御の目的で、例えば図15及び図18に示す放射照度分布間で中間フィールド平面60における放射照度分布を変えることが可能である。この手法をY方向に適用した場合、例えば、各走査サイクルの開始及び終了時に照明フィールド14内の放射照度分布を変更することが可能である。Yシャッタ及び露光量コントローラとしてフィールド絞り平面60に配置される機械的に複雑なフィールド絞り62を省くことがさらに考えられ得る。cフィールド依存照明設定図13~図18を参照して上述した構成では、光点70a~70dの位置は、光点の縁部における部分的に照射された光学ラスタ素子を無視する場合、各光学ラスタ素子59が同一に照射されるよう決められた。各光学ラスタ素子59は、投影光が中間フィールド平面60に当たる特定の小さな角度範囲に対応するので、これは、中間フィールド平面60における角度光分布が全てのフィールド位置で同一であることを意味する。しかしながら、光入射面55上の異なる箇所で、光学ラスタ素子59に対して異なる相対位置を有する光点を生成することも可能である。これを、光学ラスタ素子59に対する光点の相対位置を変更した点を除いて図16~図18に対応する図19~図21を参照して以下で説明する。図19及び図20において、6個の光点70a~70fを用いて光入射面55上の3つの異なる箇所を照射することが分かる。各光点70a~70fの放射照度分布は、図16~図18に示す構成と同じであると考えられる。図19及び図20に示す光入射面55の左側では、2つの光点70a、70bが、完全に重複し且つ周期的放射照度分布の最小値が光学ラスタ素子59の中心にあるように重畳して複合放射照度分布82になる。光入射面55の右側では、2つの光点70c、70dが、完全に重複するが光学ラスタ素子59に対する光点70c、70dの相対位置は異なるように同じく重畳して複合放射照度分布84になる。より具体的には、図13にも示すように、放射照度分布の最小値ではなく最大値が、ここでは光学ラスタ素子59の中心にある。光入射面55の中央の箇所では、2つの光点70e、70fが、部分的に重複し且つX方向に沿ってP/2だけ変位するように重畳して複合放射照度分布86になる。したがって、複合放射照度分布86は、放射照度が均一な部分を含む。光点70e、70fの重畳により得られる複合放射照度分布86の中間フィールド平面60における全放射照度分布への寄与は、図18に示したようにこの場合も均一である。光点70c、70dの重畳により得られる複合放射照度分布84の中間フィールド平面60における全放射照度分布への寄与は、図15に示す分布と同一である。光点70a、70bの重畳により得られる複合放射照度分布82の中間フィールド平面60における全放射照度分布への寄与は、図15に示す分布と同様だが、最小放射照度が中心で最大放射照度がX方向に沿った最小及び最大フィールド位置にある。したがって、全ての寄与の重畳から、図21に示すようにこの場合も均一な全放射照度分布が得られる。しかしながら、ここでは光学ラスタ素子59毎に照射が異なることに留意すべきである。各光学ラスタ素子59が特定の小さな入射角範囲に関連することに留意すると、光点70a~70fのこれらの位置で、中間フィールド平面60における角度光分布がフィールド位置に依存しなくなることが明らかとなる。図22は、マスク16上の照明フィールド14を概略的に示す。5個の3×3格子90a~90eは、どの方向から光が各フィールド位置の点に当たるかを示すものである。各格子90a~90eを形成する9個のフィールドのそれぞれが、光が各フィールド点に当たる方向を表す。特定のフィールドが濃いほど、このフィールドに関連する方向から各フィールド点に当たる光が多い。図20で見ることができるように、複合放射照度分布82、84、及び86によって形成されてX方向に沿って延びる中心ストライプのみが、第1光学ラスタプレート54aの光入射面55において照明される。光入射面55上の箇所が後続の中間フィールド平面60における方向に関連するので、X方向に沿った投影光の角度範囲は、Y方向に沿った投影光の角度範囲よりも大きい。しかしながら、中間フィールド平面60における全ての点が同じ角度から照明されるのではない。図22を再度参照すると、図22におけるフィールド14の左縁部に近いフィールド点に関連する格子90aから始めた場合、角度寄与は、図19の光学ラスタ素子59のうちY方向と平行に延びるX縁部も最大放射照度で照明されるようなものに対して最大である。これらは、光点70a及び70bの重畳である複合放射照度分布82によって照明された光学ラスタ素子59である。図19で最もよく分かるように、最大放射照度は、光学ラスタ素子59の縁部で生じる。複合放射照度分布82が図19の左側に配置されているので、光は、主に複合放射照度分布82の位置に関連する角度から、格子90aに関連する左フィールド点に当たる。ここで、簡単のために、図20における左側が図22における格子90a内の左側に対応するように、方向が中間光学系によって反転されないと考える。格子90aにおける中央フィールドは、垂直又は略垂直の入射方向を表す。これらの方向は、光入射面55の中心の光軸47上に位置する複合放射照度分布86に関連する。図19で最もよく分かるように、光点70e、70fは、均一な放射照度分布が得られるように組み合わさる。これは、フィールド14における全ての点が、垂直又はほぼ垂直な入射方向を有する同量の投影光を受けることを意味する。こうした理由で、図22における格子90a~90eの中央フィールドは全て同じ暗さを有する。この暗さは、2つの光点70a、70b又は70c、70dを完全に重複するように重畳させることによって得られる最大放射照度よりも小さな中間放射照度を表す。図20の右側の複合放射照度分布84は、光学ラスタ素子59の中心で最大放射照度を有する光点70c、70dによって発生する。逆に、複合放射照度分布84の箇所に関連する方向からの寄与は、フィールド14のX縁部におけるフィールド点に対して最小である。したがって、フィールド14の外側縁部における格子90a及び90eで表すフィールド点は、この方向から少量の光しか受けない。こうした理由で、格子90a及び90eにおける右フィールドは最も明るい。同様のことを考慮して、他の格子90b~90eのフィールドにおける種々の陰影も説明することができる。格子90a~90eに関連する各フィールド点が受けた総光量が、図21に示すグラフに従うことに留意されたい。これは、3つの放射照度が同量だけ異なる3つの暗さで表されると仮定して、格子90a~90eにおける種々の暗さを比べることによって明らかとなる。中間フィールド平面60及び後続のマスク平面66におけるフィールド依存角度放射照度分布は、構造の向き及び寸法がX方向に沿って変わるマスク16の結像に有用であることが多い。このとき、例えば、フィールド14の中央で通常照明設定、フィールド14の側部でX二極設定をもたらすことが可能である。図23は、かかるフィールド依存照明設定をもたらす光学ラスタ素子59に対する光点70a~70cの相対位置を示す。この実施形態では、光点70a、70b、70cは大きく重複しない。これまで、図13の左側に示すように、光点がX方向に沿ってのみ放射照度分布を有し、光点70が光学ラスタ素子59よりも大きく延びると仮定してきた。しかしながら、光点は、他の周期的放射照度分布を有する部分を有することもできる。さらに、光点の幅wは、光学ラスタ素子59のピッチp以下であってもよい。図24は、幅w=pを有する光点170の空間放射照度分布を左側に例示的に示す。この放射照度分布は、x座標に沿って変動もするが、座標x1及びx2間の小さな中央部分180のみが周期的である。2つのかかる光点170をP/2だけ変位させた場合、各光学ラスタ素子59で発生させた複合放射照度分布IFPxは、中間フィールド平面60における重畳放射照度分布に関して図25に示すような形状を概ね有する。d代替的な実施形態図1~図25を参照して上述した実施形態では、マイクロミラー42が直交傾動軸T1、T2の周りを傾動可能である。付加的な自由度として、傾動軸T1、T2に対して垂直に延びる回転軸周りの回転を加えることも想定され得る。図26は、円形の周囲を有する複数のマイクロミラー242を上部に示す。マイクロミラー242には回折構造244も設けるが、回転軸Rの周りを個別に回転できる。マイクロミラー242の上の回折構造244もこのとき回転し、その結果として第1光学ラスタプレート54aの光入射面55に生成された光点がそれに従って回転する。図26の下部には、回転軸R周りの回転角に応じたフィールド平面における放射照度分布の変わり方を示す。0°~180°の回転角では、放射照度分布はX方向に沿ってしか変わらないがフィールド14Aを参照、他の回転角全てでは、放射照度はX方向及びY方向に沿って変わるフィールド14Bを参照。特定の回転角では、X方向及びY方向に沿って変わるにもかかわらず全走査サイクル中に均一な露光量が得られる、フィールド平面における放射照度分布を発生させることも可能である。これを、フィールド14C及びY方向に沿って延びる2つの任意線91a、91bを示す図27に示す。各線91a、91bに沿って放射照度を積分した場合、2つの積分は同一となる。この特定の角度から離れた場合、露光量を慎重に変えることが可能である。したがって、回転軸R周りのマイクロミラー42の回転を用いて、露光量を微調整することができる。V.周期的光点放射照度分布の発生第1実施形態では、光点70の部分80内の周期変化放射照度分布が、マイクロミラー42上のブレーズ反射位相格子を形成する回折構造44によって発生すると考えた。図28は、別の実施形態によるマイクロミラー342の断面である。ここでは、マイクロミラー342に、空間的に変化する反射率を有する反射コーティング344を設ける。図29は、さらにまた別の実施形態によるマイクロミラー442の断面である。ここでは、マイクロミラー442は波形反射面444を有する。波形は付加的な角度変動をもたらし、この角度変動は、第1光学ラスタ素子54aのフーリエ関連Fourierrelated光入射面55において周期変化空間放射照度分布に変わる。図30は、光点70の空間変化放射照度分布をマイクロミラー42によってではなく空間光変調器38と第1コンデンサ50との間に配置した回折光学素子92によって発生させる実施形態による照明系512の一部を示す。回折光学素子92は、第1コンデンサ50が確立したフーリエ関係によって第1光学ラスタプレート54aの光入射面55上の光点の所望の空間変化放射照度分布に変換される、付加的な角度光分布を導入する。図31は、周期変化空間放射照度分布が空間光変調器38を介して第1光学ラスタ素子54aの光入射面55に結像されるさらにまた別の実施形態による照明系612の一部を示す。周期変化放射照度分布は、ビーム拡大ユニット32とビーム分割アレイ36との間に配置したさらなる光学ラスタプレート98を用いて発生させる。このさらなる光学ラスタプレート98は、コヒーレント光により照明された場合に、特定の距離で、また光学軸47に直交する平面内で、干渉パターンにより形成される大きく変化する放射照度分布を発生させる、複数の光学ラスタ素子、例えば球面又はシリンドリカルマイクロレンズを備える。この近フィールド回折効果は、タルボ効果とも称することが多く、さらなる光学ラスタプレート98の自己像を観察できる平面を、タルボ平面と称する。図32は、さらなる光学ラスタプレート98からの種々の距離zでのタルボ効果を示すグラフである。太破線はタルボ平面を示し、細破線は高空間周波数の自己像が観察される中間平面を示す。タルボ平面は、さらなる光学ラスタプレート98からタルボ長zT=2×b2/λだけ離間しており、式中、bは光学ラスタ素子のピッチであり、λは入射光の波長である。図31を再度参照すると、タルボ平面の1つの干渉パターン100は、ビーム分割アレイ36のレンズ、マイクロミラー42、及び第1コンデンサ50を介して第1光学ラスタ平面54aの光入射面55に結像される。必要であれば、屈折力を追加するようにマイクロミラー42の表面を湾曲させることができる。VI.重要な方法ステップ図33は、本発明によるマイクロリソグラフィ投影露光装置におけるマスクを照明する方法の重要なステップを示すフロー図である。第1ステップS1において、複数の光点を光学ラスタプレートの光入射面に生成する。光点の少なくともいくつかは、放射照度が周期的に変化する部分を含む。第2ステップS2において、空間光変調器を用いて光点の位置を変える。"