導電性基板と、前記導電性基板上に形成されたp型電極と、前記p型電極上に形成された透明電極層と、前記透明電極層上に順次に積層されたp型半導体層、活性層及びn型半導体層を備える発光構造物と、前記n型半導体層上に形成されたn型電極と、を備え、前記発光構造物は、その側面が前記透明電極層のエッジから離隔するように前記透明電極層上面の中央部に形成され、前記透明電極層のうち前記発光構造物の外側部分は、表面に凹凸が形成された半導体発光素子。前記透明電極層のうち前記発光構造物の下部の厚さより、前記透明電極層のうち前記発光構造物の外側部分の厚さが薄いことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記p型電極は、前記発光構造物の下部に、高段差部分と前記高段差部分の両側の低段差部分とを含み、前記透明電極層は、前記低段差部分に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記p型電極の前記高段差部分は、前記p型半導体層と接することを特徴とする請求項3に記載の半導体発光素子。前記発光構造物は、その側面が前記導電性基板に対して傾くように形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記発光構造物は、前記n型電極方向へ行くほど幅が狭くなるように形成されたことを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。前記発光構造物の側面を覆うように形成されたパッシベーション膜をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記パッシベーション膜は、前記透明電極層の凹凸部分を覆うように形成されたことを特徴とする請求項7に記載の半導体発光素子。半導体基板上に順次にn型半導体層、活性層及びp型半導体層を成長させて発光構造物を形成する段階と、前記p型半導体層上に透明電極層を形成する段階と、前記透明電極層上にp型電極を形成する段階と、前記p型電極上に導電性基板を付着する段階と、前記導電性基板が付着された結果物から前記半導体基板を除去する段階と、前記発光構造物の側面が前記透明電極層のエッジから離隔するように、前記発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去し、前記透明電極層のうち前記発光構造物の外側部分の表面に凹凸を形成する段階と、前記n型半導体層上にn型電極を形成する段階と、を含む半導体発光素子の製造方法。前記発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去し、前記透明電極層のうち前記発光構造物の外側部分の表面に凹凸を形成する段階は、ドライエッチングを利用して前記発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去する段階と、前記発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去する段階と、その場でドライエッチングを利用して、前記透明電極層のうち前記発光構造物の外側部分の表面に凹凸を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体発光素子の製造方法。前記発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去し、前記透明電極層のうち前記発光構造物の外側部分の表面に凹凸を形成する段階は、ドライエッチングを利用して、前記発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去する段階と、ウェットエッチングを利用して、前記透明電極層のうち前記発光構造物の外側部分の表面に凹凸を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体発光素子の製造方法。前記p型電極を形成する段階は、前記透明電極層のうち前記発光構造物の中央部分に該当する部分を除去して溝を形成する段階と、前記溝を含む前記透明電極層の全面に金属膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体発光素子の製造方法。前記溝は、前記p型半導体層を露出させるように形成することを特徴とする請求項12に記載の半導体発光素子の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、活性層で生成された光が再び活性層を通過しつつ光出力が小さくなるという問題を改善した半導体発光素子を提供することである。本発明が解決しようという他の課題は、活性層で生成された光が再び活性層を通過しつつ光出力が小さくなるという問題を改善した半導体発光素子の製造方法を提供することである。前記課題を解決するための、本発明による半導体発光素子は、導電性基板と、前記導電性基板上に形成されたp型電極と、前記p型電極上に形成された透明電極層と、前記透明電極層上に順次に積層されたp型半導体層、活性層及びn型半導体層を備える発光構造物と、前記n型半導体層上に形成されたn型電極と、を備える。前記発光構造物は、その側面が前記透明電極層のエッジから離隔するように前記透明電極層上面の中央部に形成され、前記透明電極層のうち前記発光構造物の外側部分は、表面に凹凸が形成されている。前記透明電極層のうち前記発光構造物の下部の厚さより、前記透明電極層のうち前記発光構造物の外側部分の厚さが薄い。前記p型電極は、前記発光構造物の下部に、高段差部分と前記高段差部分の両側の低段差部分とを含み、前記透明電極層は、前記低段差部分に形成されたものでありうる。このとき、前記p型電極の前記高段差部分は、前記p型半導体層と接する。前記発光構造物は、その側面が前記導電性基板に対して傾くように形成されうる。このとき、前記発光構造物は、前記n型電極方向へ行くほど幅が狭くなるように形成されたことが望ましい。本発明において、前記発光構造物の側面を覆うように形成されたパッシベーション膜をさらに含む。前記パッシベーション膜は、前記透明電極層の凹凸部分を覆うように形成されうる。前記他の課題を解決するための、本発明による半導体発光素子の製造方法は、半導体基板上に順次にn型半導体層、活性層及びp型半導体層を成長させて発光構造物を形成した後、前記p型半導体層上に透明電極層を形成する。前記透明電極層上にp型電極を形成し、前記p型電極上に導電性基板を付着する。前記導電性基板が付着された結果物から前記半導体基板を除去した後、前記発光構造物の側面が前記透明電極層のエッジから離隔するように、前記発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去し、前記透明電極層のうち前記発光構造物の外側部分の表面に凹凸を形成する。前記n型半導体層上にn型電極を形成する。前記発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去し、前記透明電極層のうち前記発光構造物の外側部分の表面に凹凸を形成する段階は、ドライエッチングを利用して前記発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去する段階と、前記発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去する段階と、その場in-situでドライエッチングを利用して、前記透明電極層のうち前記発光構造物の外側部分の表面に凹凸を形成する段階と、を含む。その代わりに、ドライエッチングを利用して、前記発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去する段階と、ウェットエッチングを利用して、前記透明電極層のうち前記発光構造物の外側部分の表面に凹凸を形成する段階と、を含むこともできる。前記p型電極を形成する段階は、前記透明電極層のうち前記発光構造物の中央部分に該当する部分を除去して溝を形成した後、前記溝を含む前記透明電極層の全面に金属膜を形成して行うことができる。このとき、前記溝は、前記p型半導体層を露出させるように形成する。一方、前記透明電極層は、ITOIndiumTinOxideなどの透明伝導性金属酸化物からなりうる。また、前記p型電極は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt及びAuからなるグループから選択された物質を含めて1層以上の多層膜で形成できる。本発明によれば、p型半導体層と導電性基板との界面に発光構造物の外側表面に凹凸が形成された透明電極層を含むことで、活性層で発生した光が再び活性層に反射されることを防止する。活性層から出た光は透明電極層中へ誘導されるが、ウェーブガイドされずに表面に形成された凹凸に合って外部に容易に放出される。したがって、従来のような側面光発生の副作用を除去できる。これにより、活性層での光吸収がなくて外部への光出力低下がない。以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明は以下で開示される実施形態に限定されるものではなく他の多様な形態で具現され、単に本実施形態は本発明の開示を完全にし、当業者に発明の範ちゅうを完全に知らせるために提供されるものである。図面でいろいろな層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大または誇張して示した。図3は、本発明の第1実施形態による半導体発光素子の断面図である。図3を参照すれば、半導体発光素子100は、導電性基板140と、導電性基板140上に順次形成されたp型電極135、透明電極層130、p型半導体層125、活性層120、n型半導体層115及びn型電極145を備える。透明電極層130上に順次に積層されたp型半導体層125、活性層120及びn型半導体層115は発光構造物である。この発光構造物は、その側面が透明電極層130のエッジから離隔するように透明電極層130の上面の中央部に形成される。透明電極層130のうち発光構造物の外側部分は、その表面に凹凸132が形成されている。凹凸132は、ピラミッド形状またはこれと類似した形状を持つことができる。透明電極層130は、活性層120で発生した光が活性層120に反射されて入ることを防止する機能を行うことができる。また、後続工程で熱が加えられる時にp型電極135の金属元素が拡散によって移動して、漏れ電流を発生させることを効果的に防止できる。これらの点を考慮した時、透明電極層130は、ITOなどの透明伝導性金属酸化物からなることが望ましい。図3に矢印で表示したように、活性層120から出た光は透明電極層130内へ誘導されるが、表面に形成された凹凸132に合って外部に容易に放出される。したがって、従来のような側面光発生の副作用なしに、活性層120で発生した光が再び活性層120に反射されることを防止する。これにより、活性層120での光吸収がなくて外部への光出力低下がない。発光構造物は、その側面が導電性基板140に対して傾くように形成されうる。この時、図示したように、n型電極145方向へ行くほど幅が狭くなるように形成されたことが望ましい。このように、傾斜を持つ側面構造は広い発光面積を得るのに有利である。半導体発光素子100は、発光構造物の側面を覆うようにパッシベーション膜150をさらに備える。パッシベーション膜150は、電気的絶縁及び不純物の侵入防止など側面保護のために絶縁性誘電体を利用して形成したものである。この時、パッシベーション膜150は、透明電極層130の凹凸132が形成された部分を覆うことができるが、図3に示したように、凹凸部分の一部を覆うか、または透明電極層130の全面を覆うように形成できる。放射角を調節するか、または光吸収を最小化する特殊な目的でパッシベーション膜150を省略することもある。透明電極層130の凹凸132のうち凸部分における透明電極層130の厚さは、図3に示したように、発光構造物の下部の透明電極層130の厚さより小さくて、透明電極層130のうち発光構造物の下部の厚さより発光構造物の外側部分の厚さがさらに薄い構造である。これらの厚さは変わりうるが、例えば、第1実施形態の変形例を図示した図4を参照すれば、透明電極層130’の凹凸132のうち凸部分における透明電極層130’の厚さは、発光構造物の下部の透明電極層130’厚さと同一である。図5は、本発明の第2実施形態による半導体発光素子の断面図である。図3を参照して説明した素子と同じ部分については、同じ参照番号を付けて反復説明は省略する。図5に図示した半導体発光素子200は、図3に図示した半導体発光素子100と透明電極層230及びp型電極235のみ異なる。図5では、図3のパッシベーション層150は省略した。透明電極層230のうち発光構造物の外側部分にも、その表面に凹凸232が形成されている。p型電極235は、発光構造物の下部に高段差部分235aとその両側の低段差部分235bとを含み、透明電極層230は低段差部分235bに形成されている。特に、p型電極235の高段差部分235aはp型半導体層125と接してある。このような透明電極層230及びp型電極235の形態は、図4に示したような第1実施形態の変形例にも適用できる。図6は、本発明の第1実施形態による半導体発光素子の製造方法を示す工程別断面図である。ここで、通常の垂直構造窒化物系III-V族半導体化合物半導体発光素子の製造方法は、所定のウェーハを利用して複数で製造されるが、図6では、説明の便宜のために1個の発光素子のみを製造する方法を図示している。まず、図6のaに示したように、半導体基板110上に順次にn型半導体層115、活性層120及びp型半導体層125を成長させて発光構造物を形成した後、p型半導体層125上に透明電極層130を形成する。次いで、透明電極層130上にp型電極135を形成する。半導体基板110は、窒化物半導体単結晶を成長させるのに適した基板であって、サファイア以外にSiC、酸化亜鉛ZnO、窒化ガリウムGaN及び窒化アルミニウムAlNで形成できる。n型半導体層115を成長させる前に、半導体基板110との格子整合を向上させるためのバッファ層図示せずを、例えば、AlN/GaNで形成してもよい。n型半導体層115と活性層120及びp型半導体層125は、InxAlyGa1-x-yN組成式ここで、0≦X、0≦Y、XY≦1を持つ半導体物質からなりうる。さらに具体的に、n型半導体層115は、n型不純物がドーピングされたGaN層またはGaN/AlGaN層で形成され、n型不純物としては、例えば、Si、Ge、Sn、TeまたはCなどを使用し、望ましくば、Siを主に使用する。また、p型半導体層125は、p型不純物がドーピングされたGaN層またはGaN/AlGaN層で形成され、p型不純物としては、例えば、Mg、Zn、Beなどを使用し、望ましくは、Mgを主に使用する。そして、活性層120は、光を生成して放出するための層であって、通常InGaN層をウェルとし、GaN層を壁層として、多重量子ウェルを形成することでなる。活性層120は、一つの量子ウェル層またはダブルヘテロ構造で構成されることもある。バッファ層、n型半導体層115と活性層120及びp型半導体層125は、MOCVD、MBEまたはHVPEなどの蒸着工程を通じて形成される。透明電極層130は、前述したように活性層120で発生した光が活性層120に反射されて入ることを防止し、p型電極135の金属元素の拡散を防止するだけでなく、後述するように、発光構造物をドライエッチングする場合にエッチング終了点の検出に利用されることもある。ITOなどの透明伝導性金属酸化物は、かかる機能をいずれも満たす。この場合、透明電極層130の形成には公知のいろいろな方法を利用でき、スパッタリング、蒸着工程などを例として挙げることができる。p型電極135は、導電性基板140とのオーミックコンタクト機能と共に、活性層120で発生した光を反射する役割及び電極の機能まで担当する。p型電極135は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt及びAuからなるグループから選択された物質を含めて1層以上の多層膜で形成できる。反射の役割を考慮すれば、Ni/Ag、Zn/Ag、Ni/Al、Zn/Al、Pd/Ag、Pd/Al、Ir/Ag。Ir/Au、Pt/Ag、Pt/Al、Ni/Ag/Ptなどの膜組み合わせで形成することが望ましい。次いで、図6のbに図示したように、p型電極135上に導電性基板140を付着する。導電性基板140は、最終の半導体発光素子100に含まれる要素であって、発光構造物を支持する支持体の役割を行う。特に、後述するレーザーリフトオフ工程または化学的リフトオフ工程などで半導体基板110を除去する時、導電性基板140を付着することで相対的に厚さの薄い発光構造物をさらに容易に取り扱うことができる。導電性基板140は、Si、Cu、Ni、Au、W及びTiからなるグループから選択された物質からなり、選択された物質によって、メッキ、蒸着、スパッタリングなどの工程でp型電極135上に直接形成できる。ここで、実施形態として、導電性基板140をウェーハボンディング工程を通じて付着する例を挙げているが、これに制限されず、AuとSnとを主成分とする共融合金からなるボンディング金属層をp型電極135上にさらに蒸着し、これを媒介として加圧/加熱の方式で付着してもよい。次いで、半導体基板110を除去する。この時、レーザーリフトオフ工程または化学的リフトオフ工程を利用できるが、例えば、レーザーリフトオフ工程を利用する場合、半導体基板110の全面にレーザービームを照射して半導体基板110を分離する。化学的リフトオフ工程を利用する場合、半導体基板110と発光構造物との間にウェットエッチングにより除去できる犠牲層をさらに備え、これを選択的に除去できるエッチング液を利用して半導体基板110を分離する。かかるリフトオフ工程により、半導体基板110と接触していたn型半導体層115またはバッファ層を形成した場合にそのバッファ層の面が外部に露出される。半導体基板110が除去されつつ露出された表面はウェット洗浄液やプラズマなどで処理することで、リフトオフ過程で発生した不純物などを除去する段階をさらに含めてもよい。次いで、図6のcに図示したように、発光構造物の側面が透明電極層130のエッジから離隔するように、発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去する。この時、ウェットエッチングを利用してもよいが、本実施形態の場合、ICP-RIEInductivelyCoupledPlasma-ReactiveIonEtchingなどのドライエッチングを利用する。このドライエッチング工程により、n型半導体層115と活性層120及びp型半導体層125がエッチングされ、透明電極層130は、エッチング終了点の検出に利用できるようにエッチングしない。したがって、選択比のあるエッチングガスの組み合わせを利用する。発光構造物の側面が透明電極層130のエッジから離隔するように発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去する間、透明電極層130のうち発光構造物の外側部分の表面に凹凸132を形成する。凹凸132は、発光構造物のエッチング完了後にその場in-situでエッチングガスの種類を変えてドライエッチングをさらに行うことで形成できる。エッチングガスの種類を変えなくても、プラズマ強度を増大させるか、またはエッチング時間を延ばして凹凸132を形成することもできる。ドライエッチングを利用すれば、均一な密度と所望のサイズの光抽出用凹凸構造を形成できる。凹凸132を形成するためのエッチング深さは、エッチングガスの種類、プラズマ強度及びエッチング時間により調節でき、特にエッチング時間を調節することで容易に調節できる。凹凸132を形成するに当ってウェットエッチングを利用してもよい。BOEBufferedOxideEtchantなどのエッチング液を利用すれば、透明電極層130のうち発光構造物の外側部分の表面に凹凸を形成できる。凹凸132を形成するためのエッチング深さは、エッチング液のモル濃度、エッチング温度及びエッチング時間により調節でき、特に、エッチング時間を調節することで容易に調節できる。ウェットエッチングを利用すれば、ドライエッチングを利用する場合に比べて透明電極層130の表面ダメージを低減させることができる。次いで、図6のdに示したように、n型半導体層115上にn型電極145を形成する。その前に、アルカリ溶液を利用してn型半導体層115の表面に粗度を発生させて光抽出を向上させたり、n型電極145が蒸着される部分をマスクで保護したりする。n型電極145を形成した後、側面保護のために絶縁性誘電体を利用してパッシベーション膜150を形成する。もちろん、パッシベーション膜150を先ず形成した後、n型電極145を形成してもよい。図7は、本発明の第2実施形態による半導体発光素子の製造方法を示す工程別断面図である。ここでも、説明の便宜のために1個の発光素子のみを製造する方法を図示している。図6を参照して説明した方法と同じ部分については反復する説明を省略する。図7のaに示したように、半導体基板110上に順次にn型半導体層115から透明電極層230を形成する過程は、図6のaと同一である。次いで、図7のbを参照すれば、透明電極層230のうち発光構造物の中央部分に該当する部分を除去して溝Hを形成する。溝Hは、p型半導体層125を露出させるように形成できる。次いで、溝Hを含む透明電極層230の全面に金属膜を形成してp型電極235を形成する。この時、p型電極235の形成は2段階でなりうる。まず、溝H部位を埋め込むように反射性金属を形成した後、反射性金属及び透明電極層230の表面にオーミックコンタクトのための金属を形成することでありうる。次いで、図7のcに示したように、p型電極235上に導電性基板140を付着して半導体基板110を除去する。次いで、図7のdに示したように、発光構造物の側面が透明電極層230のエッジから離隔するように、発光構造物の中央部分を除外した残りの領域を除去する。また、透明電極層230のうち発光構造物の外側部分の表面に凹凸232を形成する。次いで、図7のeに示したように、n型半導体層115上にn型電極145を形成する。以上で本発明の望ましい実施形態について図示して説明したが、本発明は前述した特定の望ましい実施形態に限定されず、特許請求の範囲で請求する本発明の趣旨を逸脱せずに当業者ならば多様な変形実施が可能であるということはいうまでもなく、かかる変更は特許請求の範囲に記載の範囲内にある。