分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造方法であって、基板上に、順に半導体層と、InGaN層と、GaN層とを、結晶成長により形成した窒化物半導体構造を用意する工程と、前記窒化物半導体構造の前記GaN層側の主面に、面内方向には周期配列を有し、かつ、垂直方向には前記GaN層を貫通して前記InGaN層まで到達する細孔を形成する工程と、前記細孔を有する前記窒化物半導体構造を、熱処理温度が950°C以上の窒素元素を含む雰囲気で熱処理することにより、マストランスポートを生じさせ、前記細孔の細孔上部を、前記GaN層から移動する原子によって塞ぎ、閉塞部を形成することで、前記InGaN層にフォトニック結晶を形成する熱処理工程と、前記熱処理工程に続いて、前記細孔上部を塞いだ前記GaN層の上に、活性層を結晶成長により形成する工程と、を有することを特徴とする分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造方法。前記熱処理工程前の前記GaN層の厚さをtGaNとし、前記細孔の前記主面の面内方向の面積充填率をf、前記細孔上部を塞いだ閉塞部の厚さをtcov、としたとき、前記tGaNは、次の関係式を満足することを特徴とする請求項1に記載の分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造方法。tGaN≧ftcov/1-f前記tGaNは、次の関係式を満足することを特徴とする請求項2に記載の分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造方法。tGaN≦{ftcov/1-f}tcovレーザの分布帰還効果を大きくするには、InGaNと空孔からなるフォトニック結晶が、効果的である。InGaN層表面に形成された細孔に対しても、特許文献1に開示された方法を使って、細孔上部を塞ぎ、閉塞部を形成することは可能である。しかしながら、その閉塞部の組成は、InGaNではなく、GaNとなる。これは、Ga原子のマストランスポートが生じる熱処理温度において、Inは蒸発するためである。マストランスポートによって、孔を塞いだ部分のGaNは、結晶中の歪応力がすべて緩和された状態である。なぜなら、孔を塞いだ部分のGaNの下には、空孔が存在し、フリースタンディングな状態だからである。一方で、孔が形成されていなかったInGaN領域においては、InGaN層の下地であるGaN層との格子ミスマッチに起因する歪応力が、結晶中に残っている。つまり、マストランスポート後の半導体の表面には、孔の周期性に応じた歪応力分布が面内方向に形成される。このように面内方向に歪応力分布が形成された表面に活性層を成長させると、その歪応力分布に応じてゲインスペクトルのピーク波長にも面内分布が形成される。すなわち、歪応力が残っているInGaN領域の上に成長させた活性層のゲインスペクトルのピーク波長は、歪応力が残っていないフリースタンディングなGaNの上に成長させた領域のピーク波長よりも、長波側に存在する。このように、活性層のゲインスペクトルが、共振方向面内方向において分布をもつことは、活性層の場所によって、得られるゲインが異なることとなり、これは、レーザの特性を悪化させるという課題を有することとなる。そこで、本発明は、上記課題に鑑み、InGaN層に形成された細孔の上部を、マストランスポートによる熱処理工程で塞いだ場合においても、閉塞部表面の歪応力分布が改善され、さらに、その上に結晶成長した活性層のゲインスペクトルのピーク波長分布も改善されることが可能となる分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造方法の提供を目的とする。本発明の分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造方法は、基板上に、順に半導体層と、InGaN層と、GaN層とを、結晶成長により形成した窒化物半導体構造を用意する工程と、前記窒化物半導体構造の前記GaN層側の主面に、面内方向には周期配列を有し、かつ、垂直方向には前記GaN層を貫通して前記InGaN層まで到達する細孔を形成する工程と、前記細孔を有する前記窒化物半導体構造を、熱処理温度が950°C以上の窒素元素を含む雰囲気で熱処理することにより、マストランスポートを生じさせ、前記細孔の細孔上部を、前記GaN層から移動する原子によって塞ぎ、閉塞部を形成することで、前記InGaN層にフォトニック結晶を形成する熱処理工程と、前記熱処理工程に続いて、前記細孔上部を塞いだ前記GaN層の上に、活性層を結晶成長により形成する工程と、を有することを特徴とする。本発明によれば、InGaN層に形成された細孔の上部を、マストランスポートによる熱処理工程で塞いだ場合においても、閉塞部表面の歪応力分布が改善され、さらに、その上に結晶成長した活性層のゲインスペクトルのピーク波長分布も改善されることが可能となる分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造方法を実現することができる。次に、本発明の実施形態における分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造方法について説明する。[実施形態1]図1を用いて、本発明を適用した実施形態1における基板上に積層して形成された窒化物半導体構造を備えた分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造方法を説明する。窒化物半導体構造の結晶成長工程まず、窒化物半導体構造を結晶成長により形成し用意する工程を、図1aを用いて説明する。基板101上に、順に、半導体層102と、InGaN層103と、GaN層104とを、有機金属気相成長MOVPE法により結晶成長させ、窒化物半導体構造100を形成する。基板101は、例えば、GaN基板、SiC基板、サファイア基板であることが好ましい。本実施形態において、基板101はn型GaN基板である。半導体層102は、例えば、GaN、AlGaN、InGaNであり、それらの多層構造であっても良い。例えば、半導体層102は、基板側から順に、n型AlGaNとn型GaNの2層構造とし、n型AlGaNがフォトニック結晶レーザのクラッド層の機能を有してもよい。本実施形態において、半導体層102は、n型AlGaNである。また、本実施形態では、InGaN層103は、厚さ300nmのn型InGaNであり、GaN層104は、厚さ15nmのn型GaNである。細孔の形成工程次に、GaN層側の主面に細孔を形成する細孔形成工程について、図1bと図1cを用いて説明する。図1bは、図1aの工程に続いて、GaN層104の主面105に、エッチングマスク106を形成する工程を説明する図である。エッチングマスク106の材料は、例えば、加工が容易な、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、感光性材料のいずれかであることが好ましい。エッチングマスク106の材料が感光性材料である場合、開口107はフォトリソグラフィもしくは電子ビームリソグラフィで形成する。エッチングマスク106の材料が酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンである場合、開口107はフォトリソグラフィもしくは電子ビームリソグラフィと、エッチングで形成する。エッチングは、ウェットエッチング、もしくは、ドライエッチングのどちらであってもよい。開口107は、主面105の面内方向に、フォトニック結晶の周期構造と等しい周期配列を有する。本実施形態における開口107の直径は60nmである。配列は正方格子状であり周期は160nmである。図1cは、図1bの工程に続いて、GaN層104とInGaN層103をエッチングし、細孔108を形成する工程を説明する図である。細孔108は、エッチングマスク106を用いて、GaN層104とInGaN層103をエッチングし形成される。細孔108の底面は、GaN層104を貫通し、InGaN層103まで到達する。GaN層104とInGaN層103のエッチングは、ウェットエッチング、もしくは、ドライエッチングのどちらでも良いが、孔形状の制御性を考慮すると、ICPInductivelyCoupledPlasmaによるドライエッチングが好ましい。細孔108を形成するためのドライエッチングに使用するプラズマのガス組成は、例えば、Cl、Br、Iのいずれかの元素を含む。より具体的には、Cl2、BCl3、HBr、HI、HClのいずれかのガスと、He、Ar、Xe、N2のいずれかのガスとの混合ガスプラズマであることが好ましい。細孔108を形成後、エッチングマスク106は、除去する。なお、本実施形態における細孔108のサイズは、直径60nm、深さ160nmであり、面内方向の周期は160nmである。熱処理工程次に、熱処理工程について説明する。図1dは、図1cの工程に続いて、細孔108が形成された窒化物半導体構造100の熱処理工程を説明する図である。熱処理工程の雰囲気は、V族である窒素元素を含む雰囲気下で行われ、例えば、N2またはNH3を含む雰囲気下で行われる。熱処理工程は、温度950°C以上の雰囲気で行われ、例えば、本実施形態においては、1050°Cである。温度950°C以上であれば、マストランスポートが生じ、細孔上部109は、GaN層104から移動してきたGaNによって塞がれる。この熱処理工程により、InGaN層103に空孔110が形成され、細孔上部109には閉塞部111が形成される。なお、閉塞部111の材料はGaNである。空孔110は、周期配列を有するフォトニック結晶112として機能する。なお、マストランスポートとは、熱エネルギーによって原子が表面から脱離し、表面エネルギーが小さくなる位置で最吸着する現象である。半導体の組成を保ちながら、表面形状を変化させることが可能である。熱処理工程の雰囲気次に、熱処理工程のIII/V族比について説明する。熱処理工程の雰囲気は、V族である窒素元素を含む雰囲気下で行われ、例えば、N2またはNH3を含む雰囲気下で行われる。V族雰囲気下で熱処理を行う理由は、III族元素よりもV族元素の方が熱エネルギーによって脱離しやすいためであり、V族元素である窒素元素を含むガスを供給した雰囲気下で熱処理する。これにより、InGaN層103およびGaN層104からのV族元素の減少を防いでいる。熱処理工程を行う雰囲気には、III族原料は必ずしも必要ない。ここで、III族原料とは、例えば、TMG、TMA、TMIである。本実施形態において、熱処理工程の雰囲気のIII族/V族モル比は0である。III族原料が少ない方が、細孔108の側壁にIII族原子が成長する速度が遅くなるので、熱処理工程前後で、細孔108の直径の変化を小さくできる。一方で、熱処理工程前の窒化物半導体構造100を用意する工程における結晶成長、すなわち、半導体層102、InGaN層103、GaN層104の結晶成長を行う雰囲気は、III族原料が必要である。すなわち、本実施形態の熱処理工程の雰囲気のIII/V族モル比は、窒化物半導体構造100を用意する工程の結晶成長の雰囲気のIII/V族モル比よりも小さいことを特徴とする。本実施形態においては、熱処理工程後のInGaN層103の厚さtInGaNと閉塞部111の厚さtcovを合わせた厚さは、熱処理工程前のInGaN層103の厚さtInGaNとGaN層104の厚さtGaNを合わせた厚さよりも薄くなる。なお、本実施形態においては、熱処理雰囲気にn型ドーパント原料であるSi2H6やp型ドーパント原料であるCp2Mgを流していないが、閉塞部GaN111の導電性を制御するためには、それらの原料を適宜流しても良い。閉塞部の熱処理温度依存性次に、熱処理温度と閉塞部111の厚さの関係を説明する。図2は、実験で得られた、熱処理温度Tと熱処理工程後の閉塞部111の厚さtcovとの関係を説明した図である。細孔上部109は、熱処理温度が950°C以上で塞がる。本実施形態において、熱処理温度Tと閉塞部111の厚さtcovは、概ね、次の関係式式1で表される。tcov=-0.205×T256式1閉塞部111の厚さは、熱処理温度が高くなるにつれて、薄くなる。熱処理温度が高くなりすぎると、GaN層104と閉塞部111のGaNが蒸発するので、熱処理温度は1250°C以下が好ましい。なお、本実施形態においては、T=1050°Cであるので、tcov=41nmである。GaN層の厚さの下限値次に、GaN層104の厚さの下限値について図3aから図3dを用いて説明する。図3aは、熱処理工程前の窒化物半導体構造300を説明する図であり、熱処理前のGaN層304の厚さをtGaNと表す。図3bは、熱処理工程後の窒化物半導体構造300を説明する図であり、熱処理後の閉塞部311の厚さをtcovで表す。熱処理前後における、GaN層304の厚さtGaNの変化を、理解しやすくするために、図3b中で、GaN層304の一部の点線は、熱処理前のGaN層304を表している。本実施形態においては、熱処理工程後、GaN層304が、窒化物半導体構造300の主面313に露出していることが好ましい。熱処理工程後においても、GaN層304が、窒化物半導体構造300の主面313に露出するためには、細孔308の主面313方向の面積充填率をf、閉塞部311の厚さをtcov、としたとき、熱処理工程前のGaN層304の厚さtGaNは、次の関係式式2を満足する。tGaN≧ftcov/1-f式2上記式2を満足することで、GaN層304の体積が、細孔上部309を塞ぐ閉塞部311の体積を上回る。本実施形態においては、f=0.11、tcov=41nmであり、GaN層304はtGaN=15nmで、式1を満足している。なお、面積充填率fについては、次の段落で説明する。細孔の面積充填率次に、面積充填率fについて説明する。本実施形態において、細孔308は周期的な配列を形成し、その周期配列は2次元フォトニック結晶である。その上面図を表したのが図3cである。2次元フォトニック結晶を構成する異なる方向に伸びる2つ基本並進ベクトルのうち、一方向の長さをa、もう一方向の長さをb、2つベクトルのなす角度をθ、細孔308の面積をSで表すと、面積充填率fは式3で表される。f=S/absinθ式3本実施形態においては、細孔308の直径は60nm、周期は160nm、θ=90度であるため、f=0.11となる。また、本実施形態の変形例として、周期的な配列が1次元フォトニック結晶であるときの上面図を表したのが図3dである。1次元フォトニック結晶を構成する基本並進ベクトルの長さをa、基本並進ベクトル方向の細孔308の幅をwで表すと、充填率fは式4で表される。f=w/a式4GaN層の厚さによる熱処理後のフォトニック結晶の構造次に、熱処理工程後のフォトニック結晶構造を、図4aから図4cを用いて説明する。図4aから図4cは、すべて熱処理工程後の窒化物半導体構造を説明する図である。図4aは、GaN層404とInGaN層403との界面である第1界面420と、閉塞部411とInGaN層との第2界面421の高さが一致している。図4bは、第2界面421が、第1界面420よりも低いところ、すなわち、より基板側に位置する。図4aおよび図4bのいずれの場合においても、フォトニック結晶層412は、InGaN層403と空孔410で形成されている。フォトニック結晶レーザの分布帰還効果を高めるには、InGaNと空孔でフォトニック結晶が形成されていることが好ましいので、図4aもしくは図4bの構造が好ましい。熱処理工程により、図4aもしくは図4bに示した窒化物半導体構造を得るためには、次の関係式式5を満足する。tGaN≦{ftcov/1-f}tcov式5GaN層404の厚さtGaNが、上記式1と式5を満足することで、InGaNと空孔からなるフォトニック結晶412を形成でき、かつ、歪応力分布起因のゲインスペクトルのピーク波長分布を改善したフォトニック結晶レーザが製造可能となる。図4cは、第2界面421が、第1界面420よりも高いところ、すなわち、より活性層側に位置する。フォトニック結晶は、InGaN層403と空孔410で形成された第1フォトニック結晶422と、GaN層404と空孔410で形成された第2フォトニック結晶423の多層構造となっている。熱処理工程により、図4cに示した窒化物半導体構造を得るためには、次の関係式式6を満足する。tGaN>{ftcov/1-f}tcov式6図4cの構造において、高い分布帰還効果を得るためには、第2フォトニック結晶423の厚さが、第1フォトニック結晶422の厚さよりも薄いことが好ましい。活性層の結晶成長工程次に、活性層の結晶成長工程について、図1eを用いて説明する。図1eは、図1dの工程に続いて、GaN層104と閉塞部111で形成される主面113に、活性層114をMOVPE法によって結晶成長させる工程を説明する図である。活性層114は、GaN層104と閉塞部111のバンドギャップよりも狭い材料で形成される。閉塞部111はGaNであるので、活性層114はInGaNで形成される。さらに好ましくは、活性層114は、InGaN層103のIn組成よりも高いIn組成のInGaNで形成される。活性層114は、井戸層と障壁層からなる多重量子井戸MQWs構造であってもよく、この場合、井戸層が、閉塞部111のバンドギャップよりも狭い材料で形成される。例えば本実施形態においては、障壁層が厚さ7.5nmのGaNで、井戸層が厚さ2.5nmのInGaNの、3周期のMQWsである。GaN層の機能次に、熱処理工程におけるGaN層104の機能について説明する。GaN層104がない場合、従来技術の課題として挙げた現象が生じる。すなわち、細孔上部が塞がれた領域には、歪応力が緩和されたフリースタンディングなGaN領域が形成され、細孔以外の領域には、下地の半導体層や基板との格子不整合に起因する歪応力が残ったInGaN領域が形成される。その状態で、閉塞部上に成長させた活性層のゲインスペクトルピーク波長は、その歪応力分布に応じた面内分布を有する。一方で、GaN層104を有する場合、細孔上部109を塞ぐフリースタンディングなGaN領域は同様に形成されるが、細孔上部109以外の領域もGaNであるため、歪応力分布は改善される。特に、InGaN層103の下地層として接している半導体層102がGaNもしくはAlGaNであったり、基板101がGaNであったりする場合は、より歪応力分布が改善される。すなわち、本実施形態において、熱処理工程後、GaN層104と閉塞部111で形成される主面113に活性層114を形成すると、面内方向のゲインスペクトルのピーク波長分布が従来技術よりも改善される。クラッド層とコンタクト層と電極の形成工程次に、クラッド層とコンタクト層と電極の形成工程について、図1fを用いて説明する。活性層114を形成後、活性層114の上に順に、クラッド層115、コンタクト層116をMOVPE法により結晶成長させる。本実施形態においては、クラッド層115がp型AlGaN、コンタクト層116がp型GaNである。つづいて、基板101の裏面活性層114側とは反対側の面に電極117を形成し、コンタクト層116の表面に電極118を形成する。電極117と電極118の材料としては、例えば、Ti、Al、Ni、Auを含む金属で形成される。また、例えば、ITOやZnOを用いても良い。電極117と電極118の形成方法としては、例えば、スパッタや蒸着である。本実施形態の構成により、InGaN層に形成された細孔の上部を、マストランスポートによる熱処理工程で塞いだ場合においても、閉塞部表面の歪応力分布が改善される。さらに、その上に結晶成長した活性層のゲインスペクトルのピーク波長分布も改善された分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造も可能となる。以下に、本発明の実施例について説明する。[実施例1]本発明の実施例1では、図5に示した、2次元フォトニック結晶を有する分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造方法の構成例について説明する。n型GaN基板501上に、順に、n型クラッド層502である厚さ500nmのn型Al009Ga091Nと、InGaN層503である厚さ300nmのn型In002Ga098Nと、厚さ20nmのGaN層504であるn型GaNを、MOVPE法により結晶成長させる。続いて、GaN層504の主面に、直径80nm、深さ240nm、周期185nmの細孔が三角格子状に配列した細孔を形成する。続いて行う熱処理工程の熱処理温度は、1150°Cである。マストランスポートによって、細孔上部が、GaNで塞がれることで閉塞部GaN511を形成し、その下には空孔510が形成される。それら空孔510が2次元フォトニック結晶512を形成する。なお、本実施例の熱処理工程の雰囲気は、N2流量が10slmstandardlitterperminitues、NH3流量が5slmであり、III族原料のTMGは流していない。すなわち、熱処理工程雰囲気のIII族/V族のモル比は0である。なお、本実施例においては、熱処理雰囲気にn型ドーパント原料であるSi2H6を流している。熱処理温度は、1150°Cであるため、式1より、閉塞部GaN511の厚さは、tcov=20nmである。細孔の面積充填率はf=0.17であることから、熱処理工程前のGaN層504の厚さtGaN=20nmは、式2を満足している。さらに、本実施例の構成においては、式5も満足している。すなわち、第2界面521が、第1界面520よりも低いところに位置し、フォトニック結晶層512は、InGaN層503と空孔510で形成されている。熱処理工程後、活性層514を結晶成長させる。本実施例において、活性層514は、3周期のMQWs構造で形成されており、井戸層が厚さ2.5nmのIn009Ga091Nで、障壁層が厚さ5.0nmのGaNである。なお、活性層514の発光中心波長は405nmである。活性層514を形成後、順に、ガイド層530である厚さ80nmのアンドープのGaN、電子ブロック層531である厚さ20nmのp型Al018Ga082N、p型クラッド層515である厚さ800nmのp型Al009Ga091N、コンタクト層516である厚さ50nmのp型GaNを、MOVPE法により結晶成長させる。続いて、n型GaN基板501の裏面活性層514側とは反対側の面にn電極517であるTiとAlを、コンタクト層516の表面にp電極518であるNiとAuを蒸着し、電極を形成する。以上の工程により、活性層514に対して垂直方向へ波長405nmのレーザ光を出射する、分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造が可能である。本実施例のフォトニック結晶レーザの2次元フォトニック結晶512は、InGaNと空孔で形成されているので高い分布帰還効果を生み出すことが可能である。さらに、閉塞部GaN511は、フリーススタンディングなGaNである。また、閉塞部GaN511以外領域も、InGaN層503がGaN層504によって覆われており、さらには、熱処理工程中、GaN層504の表面原子はマストランスポートによって表面エネルギーが低くなるよう再配列する。ゆえに、閉塞部GaN511とGaN層504で構成されるその表面の歪応力分布は小さい。すなわち、その上に成長させた活性層514のゲインスペクトルのピーク波長分布も改善できている。本実施例の構成により、InGaN層に形成された細孔の上部を、マストランスポートによる熱処理工程で塞いだ場合においても、閉塞部表面の歪応力分布が改善される。さらに、その上に結晶成長した活性層のゲインスペクトルのピーク波長分布も改善された分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造も可能となる。[実施例2]本発明の実施例2における、分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造方法の構成例について説明する。本実施例は、実施例1の変形例である。本実施例の窒化物半導体構造を用意する工程において、InGaN層の厚さは250nm、GaN層の厚さは100nmである。細孔の形成工程は、実施例1と同じであり、フォトニック結晶のパターンが異なるだけである。本実施例において、面積充填率f=0.3である。熱処理温度は960°Cであるため、式1より、閉塞部GaNの厚さは、tcov=59nmである。面積充填率はf=0.3であることから、熱処理工程前のGaN層の厚さtGaN=100nmは、式2を満足している。一方で、式5は満足してない。第2界面が、第1界面よりも高いところ、すなわち、より活性層側に位置することとなる。すなわち、本実施例のフォトニック結晶は、図4cに示した構造と同じ構造を有し、InGaN層403と空孔410で形成された第1フォトニック結晶422と、GaN層404と空孔410で形成された第2フォトニック結晶423の多層構造である。本実施例においては、第2フォトニック結晶423の厚さが、第1フォトニック結晶422の厚さよりも薄いので、高い分布帰還効果を得ることができる。熱処理工程につづいて行う、活性層、ガイド層、電子ブロック層、p型クラッド層、コンタクト層の結晶成長工程と、n電極およびp電極の形成工程は、実施例1と同じである。本実施例のレーザは、InGaNと空孔からなるフォトニック結晶を有し、かつ、活性層のゲインスペクトルのピーク波長分布が小さい。本実施例の構成により、InGaN層に形成された細孔の上部を、マストランスポートによる熱処理工程で塞いだ場合においても、閉塞部表面の歪応力分布が改善される。さらに、その上に結晶成長した活性層のゲインスペクトルのピーク波長分布も改善された分布帰還型の窒化物半導体フォトニック結晶レーザの製造も可能となる。