"真空チャンバーを備え、当該真空チャンバー内の水素ガスを主ポンプと粗引きポンプとにより真空引きする真空排気装置において、前記粗引きポンプに窒素ガスを直接導入する窒素ガスパージラインを備えるとともに、前記真空チャンバーが、水素以外のガスを含む混合ガスを導入する混合ガス導入ラインを備え、前記主ポンプは使用せずに前記粗引きポンプにより水素ガスを真空引きする時に、前記窒素ガスパージラインからの窒素ガスをパージする処理と、前記混合ガス導入ラインからの混合ガスをパージする処理とを併用することを特徴とする真空排気装置。前記粗引きポンプによる真空引きから、前記主ポンプによる真空引きに切り替える際に、前記粗引きポンプに直接、前記窒素ガスパージラインから窒素ガスを再び導入しながらパージする処理を行うことを特徴とする請求項1記載の真空排気装置。しかしながら、例えば特許文献1のような従来のドライポンプを用いた真空排気装置では、窒素ガスを導入しながら粗引きを行っても、途中で一旦排気速度がゼロとなり、その後復活はするものの、排気速度が遅いという課題があった。また、期待どおりのレベルの高真空状態まで真空引きすることが困難である、という課題もあった。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、メカニカルなドライポンプを用い、不純物が真空チャンバーに接続された密閉体の中に入らない状態を保ちつつ、期待されるレベルの高真空状態まで真空引きすることができる排気能力の高い真空排気装置を提供することを目的としている。上記目的を達成するため、この発明は、真空チャンバーを備え、当該真空チャンバー内の水素ガスを主ポンプと粗引きポンプとにより真空引きする真空排気装置において、前記粗引きポンプに窒素ガスを直接導入する窒素ガスパージラインを備えるとともに、前記真空チャンバーが、水素以外のガスを含む混合ガスを導入する混合ガス導入ラインを備え、前記主ポンプは使用せずに前記粗引きポンプにより水素ガスを真空引きする時に、前記窒素ガスパージラインからの窒素ガスをパージする処理と、前記混合ガス導入ラインからの混合ガスをパージする処理とを併用することを特徴とする。また、この発明は、前記粗引きポンプによる真空引きから、前記主ポンプによる真空引きに切り替える際に、前記粗引きポンプに直接、前記窒素ガスパージラインからの窒素ガスを再び導入しながらパージする処理を行うことを特徴とする。この発明によれば、メカニカルなドライポンプ粗引きポンプを用い、窒素ガスパージラインからの窒素ガスをパージする処理と、真空チャンバーが備える混合ガス導入ラインからの混合ガスをパージする処理とを併用することにより、前記粗引きポンプによる水素ガスの真空引きを促進し、不純物が真空チャンバーに接続された密閉体の中に入らない状態を保ちつつ、期待されるレベルの高真空状態まで真空引きすることができる。以下、この発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。実施の形態1.図1は、メカニカルなドライポンプを用いた一般的な真空排気系の概略構成図である。この発明の実施の形態1における真空排気装置も、図1に示すように、真空チャンバー1と、主排気ポンプ2と、ドライポンプ3とを備えるものである。そしてこの発明は、ドライポンプ3に窒素ガスを導入しながらパージする手法1と、真空チャンバー1からの特定ガスを混合した水素ガスMixedGasのパージにより水素ガスの分圧比を下げる手法2とを組み合わせることにより、メカニカルなドライポンプを用いつつ、不純物が密閉体の中に入らないように効率よく水素を排気することを可能にしたものである。ここで、大気圧~1Pa程度までについて、メカニカルなドライポンプ3に窒素ガスを導入しながらパージする手法1によるメリットについて、図2および図3を用いて説明する。図2は、オイルを使用するロータリーポンプと、オイルを使用しないメカニカルなドライポンプとを比較し、ドライポンプの場合には、水素ガスを排気するのが困難であることを示す説明図である。図2の上半分aは、オイルを使用したロータリーポンプにおいて、水素ガスが排気される状態を示す模式図である。この場合、オイルを潤滑剤として利用しているが、このオイルがポンプ内の摺動部ピストンとポンプの内壁との隙間をシールする役目も兼ねており、液体であることにより固体シールと比べてシール面積が増えるので気密性が高くなり、水素の戻り量を抑えることが可能となるため、最終的に水素ガスの排気量も大きくなっている。一方、図2の下半分bは、オイルを使用しないメカニカルなドライポンプにおいて、水素ガスが排気される状態を示す模式図である。この場合には、ポンプ内の摺動部ピストンとポンプの内壁との隙間を何らかの固体シールによってシールしている。このような固体シールの場合、空気等の質量のある分子であればシール性は確保されるが、水素ガスのような軽いガス水素ガスの場合には、空気の1/9では、水素が高真空側に戻る量が多くなり、最終的に水素ガスの排気量が小さくなってしまうのである。そこで、メカニカルなドライポンプにおいて、窒素ガスをパージすることにより、水素の戻り量を抑えることが考えられる。図3は、メカニカルなドライポンプにおいて、窒素ガスをパージした場合と、窒素ガスをパージしない場合とを比較し、窒素ガスをパージしない場合には、水素ガスを効率よく排気するのが困難であることを示す説明図である。図3の下半分bは、図2のbと同じ図であり、ドライポンプにおいて、窒素ガスのパージなしの場合の、水素ガスが排気される状態を示す模式図である。そして、図3の上半分aは、ドライポンプにおいて、窒素ガスをパージした場合の、水素ガスが排気される状態を示す模式図である。この場合、窒素ガスをポンプ内に導入しながらパージすることにより、図2のaに比べると全体の排気量が減っているが、窒素ガスがポンプ内の摺動部ピストンとポンプの内壁との隙間をシールする役目も兼ねており、水素の戻り量を抑えることが可能となるため、最終的に窒素ガスをパージしない場合図3のbの場合よりも水素ガスの排気量が大きくなっている。図4は、この発明の実施の形態1における真空排気装置の、概略構成図である。真空チャンバー1には、紫外線検出用放電管などの内部を真空にしたい密閉体図示せずを接続する密閉体接続部11と、水素ガスを導入する水素ガス導入ラインH2IN12と、水素以外のガスを含む混合ガスを導入する混合ガス導入ラインMixedGasIN13と、本引きライン20、粗引きライン30が接続されている。水素ガス導入ラインH2IN12には、マスフローコントローラ14と、その上流側、下流側それぞれに遮断バルブ15,16が設けられている。また、混合ガス導入ラインMixedGasIN13にも同様に、マスフローコントローラ17と、その上流側、下流側それぞれに遮断バルブ18,19が設けられている。なお、この実施の形態においては、混合ガス導入ラインMixedGasIN13から導入する混合ガスとしては、紫外線検出用放電管の内部に密閉させたいガスと同じ成分の、特定ガスを混合した水素ガスを用いる。粗引きライン30には、真空チャンバー1にもっとも近い位置に遮断バルブ31が設けられ、ドライポンプ3に接続されている。また、本引きライン20には、真空チャンバー1にもっとも近い位置にメインのゲートバルブ21を備え、続いて、主排気ポンプ2、遮断バルブ22が設けられ、粗引きライン30の遮断バルブ31とドライポンプ3との間に接続されている。また、窒素ガスパージラインN2IN40が、本引きライン20が粗引きライン30に接続された箇所とドライポンプ3との間に接続されている。すなわち、この窒素ガスパージラインN2IN40は、直接ドライポンプ3に接続されるラインである。そして、この窒素ガスパージラインN2IN40には、流量調節バルブ41と、遮断バルブ42が設けられている。さらに、主排気ポンプ2に接続される窒素ガス導入ライン50と、ドライポンプ3に接続される窒素ガス導入ライン60も備えており、それぞれに遮断バルブ51と61が設けられている。また、ドライポンプ3の内部は、図2,図3に示すようなポンプが2つ直列に接続されて内臓された2段ポンプ構成となっている。そして、ドライポンプ3の2段目のポンプには、ガスバラストこの実施の形態では、100窒素ガスを導入するガスバラスト導入ライン32が併設されている。なお、このガスバラスト機構については、通常のドライポンプに既設の公知の機能であるため、ここでは説明を省略する。図5は、この真空排気装置において、粗引きライン真空チャンバー1内の圧力が101kPa~1Pa程度までについてにおける排気曲線を示すグラフである。ここで、Aのグラフが、この真空排気装置の排気能力のベースラインであり、特定ガスを混合した水素ガス以外の余分な水素がすべて排気された状態を示す排気曲線である。すなわち、できるだけこの排気曲線に近づけるようにすることを考える。そしてまず、Bのグラフは、水素ガス導入ラインH2IN12から100水素ガスを導入し、粗引きライン30の遮断バルブ31のみを開OPENにして、ドライポンプ3で粗引きした場合の、パージガスなどを一切使用しなかった場合の排気曲線である。この場合、60kPaあたりで排気速度はゼロとなり、ほとんど圧力を低下させることができない。また、Cのグラフは、Bのグラフの状態100水素ガスに加えて、ドライポンプ3に既設のガスバラスト機構を使用し、ガスバラスト導入ライン32からガスバラスト100水素ガスを入れて、ドライポンプ3で粗引きした場合の排気曲線である図4のCライン参照。この場合、30kPaで排気速度はゼロとなる。すなわち、ガスバラスト機構の本来の目的は結露対策であり、2段ポンプの1段2段目のみにしかパージガスが流入しないことにより、効果が少ないことがわかる。そこで、Bのグラフの状態100水素ガスに加えて、窒素ガスパージラインN2IN40から、直接ドライポンプ3を窒素ガスパージしながら粗引きした場合の排気曲線が、Dのグラフである図4のDライン参照。この窒素ガス直接パージを大気圧から開始すると、20kPa付近で一旦、排気速度がゼロとなるが、その後復活し、0.7kPa付近でパージガス量=排気ガス量となり、ほぼ排気速度がゼロとなる。一方、Dラインは使用せずに、Bのグラフの状態100水素ガスに加えて、混合ガス導入ラインMixedGasIN13から、間接的に特定ガスを混合した水素ガスをパージしながら粗引きした場合の排気曲線が、Eのグラフである図4のEライン参照。この混合ガス間接パージを大気圧から開始すると、最適なAのグラフにもっとも近い曲線を描くが、この場合には混合ガスを20リットルも使用する。この混合ガスは、1リットルあたり60円ほどの高価なガスであり、これを大量に使用するために、排気速度は速いが、コストがかかるという問題がある。なお、グラフの変曲点で流量を減少させている。これらの結果に基づいて、排気速度とコストとを考慮した上で、Dラインの使用とEラインの使用とをうまく組み合わせることにより、排気能力を高めることができるようにしたものが、Fのグラフに示す排気曲線である。これは、真空チャンバー1内の圧力が大気圧から20kPa付近までは、Dラインの窒素ガス直接パージのみを使用し、排気速度が落ちる20kPaあたりからEラインの混合ガス間接パージを併用し、排気速度の低下を防ぐものである。そして、Dのグラフで排気速度が低下している1kPaレベルでDラインとEラインの両方のガスパージを停止することにより、100Paレベルまで持続的な排気速度の維持が可能となる。すなわち、大気圧から排気する場合に、20kPa程度までは気体量が多いためハイスループットにより慣性の効果が生まれ、Dラインの窒素ガスパージのみで水素ガスの排気が可能である。また、混合ガスパージを併用するにあたり、あまり圧力が高いと分圧比を希薄化する効果が少ないため、Dラインの窒素ガスパージによって、ドライポンプの回生を促すことで真空チャンバー1内の圧力が20kPa以下となった際に、混合ガスを流して真空チャンバー1内の水素分圧を下げる。ここまでは、ドライポンプ3を主として扱う粗引きライン30の排気方法を説明したが、最終目的は、真空チャンバー1内を1.0×10E-5[Pa]レベルの高真空にすることである。これが、この実施の形態1における密閉体である紫外線検出用放電管の生産ライン設備の要件だからである。そのため、排気ラインを粗引きライン30から本引きライン20にした際の到達真空度が重要となる。この到達真空度を決める要因として、主排気ポンプターボ分子ポンプ2の圧縮比がある。圧縮比とは、排気/吸気の圧力比のことであり、機器とガス種によって決まる値である。したがって、真空チャンバー1内を高真空度にするためには、排気側の圧力背圧を下げる必要がある。図6は、この真空排気装置において、粗引きライン30から本引きライン20に切り替える際の排気曲線を示すグラフである。この図に示すように、真空チャンバー1内の圧力が、粗引きライン完了ラインである100Pa以下になったことにより、粗引きライン30から本引きライン20に切り替えて本引きを行うことは可能であるが、100Pa以下になって1分以上、100水素ガスを排気し、切替圧100Pa近辺でほぼ排気速度がゼロになっていることがわかる。圧縮比は水素ガスで1.0×10E3程度なので、このまま本引きに切り替えても、真空チャンバー1内の圧力としては1.0×10E-2[Pa]レベルまでしか到達することができず、期待する高真空状態までもっていくことができない。そこで、図6の斜線部に示すとおり、粗引き完了後に再度、10秒間だけDラインの窒素ガス直接パージを実施した。すなわち、再びDラインから窒素ガスを導入しながらパージする処理を実施したところ、70秒程度で圧力が90Paから0.3Paへと、約1/300になった。この状態で本引きを開始すると、1.0×10E-4[Pa]レベルまで到達することができる。さらに、窒素ガス直接パージにより、ガス成分として窒素ガスがメインに変化することで、圧縮比自体も改善される窒素ガスの圧縮比:1.0×10E8、水素ガスの圧縮比:1.0×10E3ため、さらに高真空にすることが可能となる。実績としては、3分で真空度は1.0×10E-5[Pa]に到達した。図7は、この発明の実施の形態1における生産工程での真空排気プロセスを示すフローチャートである。この図7に示すフローチャートを参照しながら、真空チャンバー1内の圧力が101[kPa]から1.0×10E-5[Pa]に到達するまでの、100水素ガスを真空引きするプロセスについて、説明する。工程[1]:粗引き1101[kPa]→20[kPa]まず初めに、粗引きライン30の遮断バルブ31と、本引きライン20の遮断バルブ22およびゲートバルブ21がすべてCLOSEであることを確認するステップST1。そして、すべてのバルブがCLOSEの場合ステップST1のYESの場合に、粗引きライン30の遮断バルブ31をOPENさせ、ドライポンプ3に水素ガスを真空引きする真空粗引きを開始するステップST2。また、それと同時に、窒素ガスパージラインN2IN40の遮断バルブ42をOPENし、窒素ガス直接パージも開始するステップST3。この状態で、真空チャンバー1内の圧力が20kPaに到達するまでステップST4のNOの場合、この窒素ガス直接パージのみを用いた粗引きを継続する。工程[2]:粗引き220[kPa]→1[kPa]次に、真空チャンバー1内の圧力が20kPaに到達したらステップST4のYESの場合、混合ガス導入ラインMixedGasIN13の遮断バルブ18および19をOPENし、15水素および不活性ガスネオンとの混合ガス間接パージも開始するステップST5。この状態で、真空チャンバー1内の圧力が1kPaに到達するまでステップST6のNOの場合、この窒素ガス直接パージと混合ガス間接パージとを併用した粗引きを継続する。工程[3]:粗引き31[kPa]→0.1[kPa]そして、真空チャンバー1内の圧力が1kPaに到達したらステップST6のYESの場合、遮断バルブ18および19をCLOSEし、混合ガス導入ラインMixedGasIN13をCLOSEするステップST7。その後、真空チャンバー1内の圧力が0.8kPaに到達したらステップST8のYESの場合、遮断バルブ42をCLOSEし、窒素ガス直接パージラインN2IN40をCLOSEするステップST9。さらに、真空チャンバー1内の圧力が粗引き完了ラインである0.1kPaに到達したらステップST10のYESの場合、遮断バルブ31をCLOSEし、粗引きライン30をCLOSEするステップST11。工程[4]:ドライポンプ内直接パージ0.1[kPa]粗引きが完了し、すべてのバルブが閉じられたこの状態で、再び窒素ガスパージラインN2IN40の遮断バルブ42をOPENし、窒素ガス直接パージを再度開始するステップST12。この際、タイマー例えば10秒に設定をスタートさせステップST13、そのタイマーがタイムアップしたらステップST14のYESの場合、遮断バルブ42をCLOSEして、窒素ガス直接パージラインN2IN40をCLOSEするステップST15。なお、ここでは10秒後に窒素ガス直接パージラインN2IN40をCLOSEしたが、10秒以上であれば効果があるので、例えば20秒や30秒など、タイマーは適宜設定すればよい。工程[5]:本引き0.1[kPa]→1.0×10E-5[Pa]その後、本引きライン20の遮断バルブ22をOPENし、次にゲートバルブ21をOPENして、真空本引きを開始するステップST16。この状態で、真空チャンバー1内の圧力が、期待する真空度である1.0×10E-5[Pa]に到達するまでステップST17のNOの場合、この本引きを継続する。そして、圧力が1.0×10E-5[Pa]に到達を確認したらステップST17のYESの場合、ゲートバルブ21と遮断バルブ22をCLOSEし、本引きライン20をCLOSEするステップST18。図8は、このようにして真空引きした真空チャンバー1内の排気曲線を示すグラフである。グラフの上に記載された[1]~[5]の数字は、図7に示すフローチャートの説明において記載した工程[1]~[5]に対応している。この図8からも、上記工程[1]~[5]を行うことにより、真空チャンバー1内の圧力が1.0×10E-5という期待されるレベルの高真空状態まで真空引きすることができたことが確認できる。なお、最後に、窒素ガス導入ライン50および60の遮断バルブ51,61をOPENにして、窒素ガスを主排気ポンプ2およびドライポンプ3に導入する。これは、真空引きが終了した後には、主排気ポンプ2とドライポンプ3も真空状態になっており、外部からの汚れた空気がそれぞれのポンプ内に流れ込んでしまうからである。そこで、それぞれのポンプに窒素ガスを導入して、ポンプ内を大気圧と同等以上の圧力にすることにより、外部から空気がポンプ内に流れ込まないようにする。以上のように、この発明の実施の形態1によれば、メカニカルなドライポンプ粗引きポンプを用い、窒素ガスパージラインからの窒素ガスをパージする処理と、真空チャンバーが備える混合ガス導入ラインからの混合ガスをパージする処理とを併用することにより、前記粗引きポンプによる水素ガスの真空引きを促進し、不純物が真空チャンバーに接続された密閉体の中に入らない状態を保ちつつ、期待されるレベルの高真空状態まで真空引きすることができる。また、ドライポンプ粗引きポンプによる真空引きから、主排気ポンプ主ポンプによる真空引きに切り替える際に、ドライポンプに直接、窒素ガスパージラインからの窒素ガスを再び導入しながらパージする処理を行うことにより、圧力が一気に1/300になるので排気速度も速くなり、効率よく期待されるレベルの高真空状態まで真空引きすることができる。なお、本願発明はその発明の範囲内において、実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは実施の形態の任意の構成要素の省略が可能である。"