ソース端子と、ドレイン端子と、ゲート端子とを備え、前記ゲート端子に印加されたゲート電流によりオンオフ動作するパワーデバイスを備えたパワーデバイス装置であって、可変電圧を発生する可変電圧源と、前記可変電圧源から発生する電圧に応じて、前記ソース端子の電圧に、前記ゲート端子がオン動作するときのオン電圧またはオフ動作するときのオフ電圧を重畳するレベルシフト回路と、前記レベルシフト回路から出力される電圧に応じて前記ゲート電流を出力する電流ゲートドライバと、前記電流ゲートドライバの出力端に設けられた電流制御端子と、前記電流制御端子を介して、前記可変電圧源の出力電圧に応じて前記ゲート電流を変化させるゲート電流設定部とを備えるパワーデバイス装置。前記ゲート電流設定部は、V/I変換回路であり、前記V/I変換回路は、前記可変電圧源の出力電圧に比例して前記ゲート電流を設定する請求項1に記載のパワーデバイス装置。前記ゲート電流設定部は、V/I変換回路であり、前記V/I変換回路は、電流自乗回路を備える請求項1に記載のパワーデバイス装置。前記可変電圧源の代わりに、前記ゲート端子のゲート電圧に所定の電圧を重畳するためのブートストラップ電源回路を備える請求項1に記載のパワーデバイス装置。前記ゲート電流設定部の直前に、電圧サンプルホールド回路を備える請求項1に記載のパワーデバイス装置。前記ゲート電流設定部の直後に、電流サンプルホールド回路を備える請求項1に記載のパワーデバイス装置。前記レベルシフト回路と前記電流ゲートドライバと前記ゲート電流設定部の代わりに、前記レベルシフト回路と前記電流ゲートドライバと前記ゲート電流設定部とが一体となったフォトカプラドライバを備え、前記フォトカプラドライバと前記パワーデバイスのゲート端子との間に、前記ゲート電流設定部としてゲート電流設定抵抗を備える請求項1に記載のパワーデバイス装置。従来技術に示された回路では、パワーデバイス装置のゲート電流を細かく制御するためにゲート制御線とフォトカプラなどの回路を増やす必要がある。また、逆に回路を単純にすると、パワーデバイス装置のゲート電流の細かい制御が難しいという課題があった。前記課題に鑑み、本発明は、簡単な回路構成で、ゲート電流を細かく制御できるパワーデバイス装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一形態に係るパワーデバイス装置は、ソース端子と、ドレイン端子と、ゲート端子とを備え、前記ゲート端子に印加されたゲート電流によりオンオフ動作するパワーデバイスを備えたパワーデバイス装置であって、可変電圧を発生する可変電圧源と、前記可変電圧源から発生する電圧をゲートのオン電圧または、後に説明するI/V変換回路によりオン電圧を電流に変換したオン電流とし、前記ソ-ス端子の電圧を基準にオン電圧またはオン電流を重畳できるような構成を持ち、かつ0Vまたは負電圧のオフ電圧を前記ソ-ス端子の電圧を基準にオフ電圧を重畳できるような構成を持つレベルシフト回路と、前記レベルシフト回路から出力される電圧に応じて前記ゲート電流を出力する電流ゲートドライバまたは、後に説明するゲート電流設定抵抗を備える。また、前記電流ゲートドライバは、前記ゲートドライバの出力端に設けられた電流制御端子と、前記電流制御端子を介して、前記可変電圧源の出力電圧に応じて前記ゲート電流を変化させるゲート電流設定部とを備え、例えば、ゲート電流設定抵抗だけの場合と比べ、高精度の定電流のオン電流を設定可能である。この構成によれば、大電流負荷の時、絶縁型可変DCDCコンバータの電源電圧を高くすることでゲート電流を増やし、小電流負荷の時、絶縁型可変DCDCコンバータの電源電圧を低くすることでゲート電流を減らすことで最適のゲート電流に設定できる。これにより、回路構成を複雑にすることなく、ゲート電流を細かく制御することができる。また、前記ゲート電流設定部は、V/I変換回路であり、前記V/I変換回路は、前記可変電圧源の出力電圧に比例して前記ゲート電流を設定することが好ましい。この構成によれば、V/I変換回路により絶縁型可変DCDCコンバータの出力電圧に比例してゲート電流を変化させることで、ゲート電流を精度よく制御することができる。また、前記ゲート電流設定部は、V/I変換回路であり、前記V/I変換回路は、電流自乗回路を備えることが好ましい。この構成によれば、ゲート電流をより精度よく制御することができる。また、前記可変電圧源の代わりに、前記ゲート端子のゲート電圧に所定の電圧を重畳するためのブートストラップ電源回路を備えることが好ましい。この構成によれば、ゲート電流をより精度よく制御することができる。また、前記ゲート電流設定部の直前に、電圧サンプルホールド回路を備えることが好ましい。また、前記ゲート電流設定部の直後に、電流サンプルホールド回路を備えることが好ましい。この構成によれば、電源電圧をV/I変換回路で電流に変換し、サンプルホールド回路によりその電流を取り込むタイミングを固定し、次の取り込みまで電流をホールドすることができる。これにより、GaNGITデバイスのドレイン電流に合わせて最適のゲート電流を設定することが可能である。また、前記レベルシフト回路と前記電流ゲートドライバと前記ゲート電流設定部の代わりに、前記レベルシフト回路と前記電流ゲートドライバと前記ゲート電流設定部とが一体となったフォトカプラドライバを備え、前記フォトカプラドライバと前記パワーデバイスのゲート端子との間に、前記ゲート電流設定部としてゲート電流設定抵抗を備えることが好ましい。この構成によれば、パワーデバイスのソースまたはドレインとゲートとの間に電位差を変化させることにより、ゲート電流を制御することができる。本発明によると、簡単な回路構成で、ゲート電流を細かく制御できるパワーデバイス装置を提供することができる。第1の実施形態以下、本発明の実施例におけるパワーデバイス装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、第1の実施形態に係るパワーデバイス装置の構成図である。図1に示すように、本実施の形態に係るパワーデバイス装置1は、レベルシフト回路の一種であるフォトカプラ103と、電流ゲートドライバ104と、電流制御端子114と、GaNGITデバイス105と、CPUまたは制御ロジック106と、絶縁型可変DCDCコンバータ107と、V/I変換回路電圧/電流変換回路108と、主回路正電源109とを備えている。なお、CPUまたは制御ロジック106は、以下、CPU106を例として説明するが、CPUに限定されるものではなく、制御ロジックであってもよい。GaNGITデバイス105は、GaN基板に形成されたゲートインジェクショントランジスタであり、本発明の実施形態におけるパワーデバイスに相当する。GaNGITデバイス105は、オン抵抗が低く高速でオンオフ動作スイッチ動作するパワーデバイスとして機能する。電流ゲートドライバ104は、GaNGITデバイス105のゲートに定電流のオン電流を印加するか、0Vまたは負電圧のオフ電圧を印加し、GaNGITデバイス105のオンオフ動作を制御する。なお、電流ゲートドライバに代えて、例えば、ゲート電流設定抵抗を用いてもよい。絶縁型可変DCDCコンバータ107は、絶縁された可変電圧源であり、本発明の実施形態における可変電圧源に相当する。フォトカプラ103は、本発明におけるレベルシフト回路であり、上アームにおいて、数百ボルトの電圧遷移があるにもかかわらず、CPUまたは制御ロジック106からの電流オンオフ信号例えば、HまたはLを伝達できる。V/I変換回路108は、本発明の実施形態におけるゲート電流設定部であり、電流ゲートドライバ104の出力端に設けられた電流制御端子114を介して、絶縁型可変DCDCコンバータ107の出力電圧に応じてゲート電流を変化させる。CPUまたは制御ロジック106は、フォトカプラ103へ電流オンオフ信号を送ることで、フォトカプラ103の2次側出力端子に主回路負電源主回路グランドからフロートした電圧を発生させる。また、CPU106は、絶縁型可変DCDCコンバータ107の出力電圧が所望の値になるよう、絶縁型可変DCDCコンバータ107の制御端子に信号を出力する。図1に示すように、レベルシフト回路の一種であるフォトカプラ103の2次側の正の電源端子と、電流ゲートドライバ104の正の電源端子と、V/I変換回路108の入力端子と、絶縁型可変DCDCコンバータ107の正の電源端子とが、便宜上のノード100と接続されている。また、フォトカプラ103の2次側の負の電源端子と、電流ゲートドライバ104の負の電源端子と、GaNGITデバイス105のソース端子と、絶縁型可変DCDCコンバータ107の負の電源端子とが、便宜上のノード110と接続されている。また、フォトカプラ103の2次側の出力端子と、電流ゲートドライバ104の入力端子とが、便宜上のノード101と接続されている。また、電流ゲートドライバ104の出力端子は、GaNGITデバイス105のゲート端子111と電流制御端子114を介して接続されている。また、V/I変換回路108の出力端子は、電流ゲートドライバ104の電流制御端子114と接続されている。また、GaNGITデバイス105のドレイン端子は、主回路正電源109と接続されている。また、CPUまたは制御ロジック106は、フォトカプラ103の1次側のアノード端子112とカソード端子113とそれぞれ接続され、同じくCPUまたは制御ロジック106は、絶縁型可変DCDCコンバータ107の制御端子116と接続される構成を有する。なお、GaNGITデバイス105は、GaN基板に形成したゲートインジェクショントランジスタを用いたパワーデバイスである。図2は、図1に示したパワーデバイス装置1に含まれるV/I変換回路108の第1の構成図である。図2に示すように、本構成におけるV/I変換回路2において、電圧入力端子200は、上側の分圧抵抗201の一端に接続され、上側の分圧抵抗r1201の他端と、下側の分圧抵抗r2203の一端と、オペアンプ204の正入力端子202とが接続されている。また、下側の分圧抵抗r2203の他端と、V/I変換回路2のグランド端子210とが接続され、オペアンプ204の出力端子205と、NPNトランジスタ206のベース端子とが接続されている。また、オペアンプ204の負入力端子208と、NPNトランジスタ206のエミッタ端子と、gm設定抵抗209の一端とが接続されている。また、gm設定抵抗R209の他端と、V/I変換回路2のグランド端子210とが接続され、NPNトランジスタ206のコレクタ端子と、電流出力端子207とが接続される構成を有する。また、図3は、図1に示したパワーデバイス装置1に含まれるV/I変換回路108の別の構成第2の構成図である。図3に示すように、本構成におけるV/I変換回路3において、電圧入力端子300は、上側の分圧抵抗r1301の一端に接続され、上側の分圧抵抗r1301の他端と下側の分圧抵抗r2303の一端と、オペアンプ304の正入力端子302が接続され、下側の分圧抵抗r2303の他端と、V/I変換回路3のグランド端子310が接続されている。また、オペアンプ304の出力端子305と、NPNトランジスタ306のベース端子とが接続され、オペアンプ304の負入力端子308と、NPNトランジスタ306のエミッタ端子と、gm設定抵抗R1309の一端とが接続されている。また、gm設定抵抗R1309の他端と、V/I変換回路3のグランド端子310とが接続されている。また、バンドギャップ基準電圧回路311の出力と、オペアンプ313の正入力端子312とが接続され、バンドギャップ基準電圧回路311のグランド端子と、V/I変換回路3のグランド端子310とが接続されている。また、オペアンプ313の出力端子315と、NPNトランジスタ316のベース端子とが接続され、オペアンプ313の負入力端子317と、NPNトランジスタ316のエミッタ端子と、gm設定抵抗R2318の一端が接続され、gm設定抵抗R2318の他端とV/I変換回路3のグランド端子310とが接続されている。また、NPNトランジスタ316のコレクタ端子と、PNPトランジスタ322のコレクタ端子とベース端子と、PNPトランジスタ322のベース端子とが接続されている。また、PNPトランジスタ320のエミッタ端子と、PNPトランジスタ321のエミッタ端子が接続され、NPNトランジスタ306のコレクタ端子と、PNPトランジスタ321のコレクタ端子と、電流出力端子307とが接続されている。図4は、図1に示したパワーデバイス装置1に含まれるV/I変換回路108の別の構成第3の構成図である。図4に示すように、本構成におけるV/I変換回路4は、図3で示したV/I変換回路3と、入力された電流を自乗する電流自乗回路401とからなり、V/I変換回路3によって入力電圧を電流に変換させ、電流自乗回路401によって入力電流を自乗した出力電流を作り出す構成を有する。さらに、図5は、図4のV/I変換回路4に含まれる電流自乗回路401の構成図である。図5に示すように、電流自乗回路401は、電流入力端子500と、ダイオード501のアノード端子と、NPNトランジスタ505のベース端子とが接続されている。また、ダイオード501のカソード端子と、ダイオード502のアノード端子とが接続され、ダイオード502のカソード端子と電流自乗回路401のグランド端子503とが接続されている。また、NPNトランジスタ505のコレクタ端子と、電流自乗回路401の電源端子とが接続され、NPNトランジスタ505のエミッタ端子と、NPNトランジスタ508のベース端子と、定電流源507と、便宜上のノード506とが接続されている。また、NPNトランジスタ508のエミッタ端子と、電流自乗回路401のグランド端子503とが接続され、NPNトランジスタ508のコレクタ端子と、電流出力端子509とが接続されている。すなわち、電流入力端子500に入力された電流は、自乗され、NPNトランジスタ508のコレクタに流れ、電流出力端子509にシンク電流として出力される。これにより、ゲート電流をより細かく制御することができる。次に、図6は、本実施形態に係る上アームの制御回路の電源として使われているブートストラップ電源回路とその周辺回路の構成図である。パワーデバイス装置1は、絶縁型可変DCDCコンバータ107の代わりに、図6に示すような、ゲート端子のゲート電圧に所定の電圧を重畳するためのGaNGITデバイス606、607およびブートストラップ電源回路611を備えてもよい。ここで、上アームとは、直流電源のプラス側に配置された回路、下アームとは、直流電源のマイナス側に配置された回路をいう。詳細には、上アームとは、直流電源のプラス側に上アームのスイッチ動作を行うパワーデバイス例えば、図1におけるGaNGITデバイス105の一端が接続され、前記パワーデバイスの他端から負荷回路と下アームのスイッチ動作を行うパワーデバイスの一端が接続された回路である。下アームとは、前記負荷回路と前記上アームのスイッチ動作を行うパワーデバイスの他端と下アームのスイッチ動作を行うパワーデバイスの一端に接続され、直流電源のマイナス側に下アームのスイッチ動作を行うパワーデバイスの他端が接続された回路のことをいう。本実施形態では、主回路正電源電圧端子605側とGaNGITデバイス606が接続された回路を上アーム、GaNGITデバイス607と負電源電圧端子608と接続された回路を下アームとしている。従って、GaNGITデバイス606は上アーム制御回路として機能し、GaNGITデバイス607は下アーム制御回路として機能する。ブートストラップ電源回路611は、GaNGITデバイス606のゲート電圧を発生させるために、通常、0V-300Vの振幅の矩形波となるソース出力上アーム制御回路の負電源電圧端子604に対し、下アーム制御回路の正電源電圧端子600で与えられた電圧、例えば5Vの電圧だけ高い電圧を上アーム制御回路の正電源電圧端子603から発生させる機能を有する。図6に示すように、ブートストラップ電源回路611において、下アーム制御回路の正電源電圧端子600と、ダイオード601のアノード端子が接続され、ダイオード601のカソード端子と、コンデンサ602の一端が上アーム制御回路の正電源電圧端子603に接続されている。また、上アーム用GaNGITデバイス606のソース端子と、下アーム用GaNGITデバイス607のドレイン端子と、コンデンサ602の他端とが、上アーム制御回路の負電源電圧端子604に接続されている。また、上アーム用GaNGITデバイス606のドレイン端子が主回路正電源電圧端子605に接続され、下アーム用GaNGITデバイス607のソース端子が、主回路グランド端子かつ下アーム制御回路の負電源電圧端子608に接続されている。また、上アーム用GaNGITデバイス606のゲート端子609が、上アーム用電流ゲートドライバに接続され、下アーム用GaNGITデバイス607のゲート端子610が上アーム用電流ゲートドライバに接続されている。また、ブートストラップ電源回路611は、コンデンサ602の両端を電源端子とする構成を有する。このような構成により、パワーデバイス装置1において、絶縁型可変DCDCコンバータ107を使用しなくても、ゲート電圧に所定の電圧を重畳することができる。ここで、所定の電圧とは、例えば、0-10Vの電圧であり、この場合、上アーム制御回路の正電源電圧端子603と上アーム制御回路の負電源電圧端子ソース出力604の電圧差を0-10Vとすることができる。以上が、本発明の第1の実施形態に係るパワーデバイス装置1の装置構成である。次に、図面を用いて、本実施形態に係るパワーデバイス装置1の動作について説明する。まず、図1より、CPUまたは制御ロジック106は、通常のシステム同様、PWM変調を利用し、パワーデバイスであるGaNGITデバイス105をオンオフ動作させることでリニアな動作領域を使うことなく、駆動ロスを減らす。具体的には、CPU106からフォトカプラ103の一次入力側のアノード端子112とカソード端子113へ電流オンオフ信号を送ることで、フォトカプラ103の2次側出力端子に主回路負電源主回路グランドからフロートした電圧を発生させることができる。フォトカプラ103の2次側出力端子は、電流ゲートドライバ104の入力端子に接続され、電流ゲートドライバ104の出力端子は、電流制御端子114を介してGaNGITデバイス105のゲート端子111に接続されている。このような構成により、GaNGITデバイス105をオンオフ動作させることができる。また、CPUまたは制御ロジック106は、GaNGITデバイス105のドレイン電流を把握している。例えば、GaNGITデバイス105にモーターが接続されている場合、GaNGITデバイス105接続されたモーターが最大回転運転をしているときのGaNGITデバイス105のドレイン端子に流れるドレイン電流を50A、最小回転運転をしているときのドレイン電流を1Aとすると、GaNGITデバイス105にドレイン電流50Aを流すために必要なゲート電流は、例えば50mAであり、ドレイン電流1Aを流すために必要なゲート電流は1mAである。モーターの最大回転運転時に、電流ゲートドライバ104がこれらのゲート電流を発生するように、CPUまたは制御ロジック106は、絶縁型可変DCDCコンバータ107に10Vの電圧が出力されるよう、絶縁型可変DCDCコンバータの制御端子116に信号を出す。また、CPUまたは制御ロジック106は、モーターの最小回転運転時に、絶縁型可変DCDCコンバータ107に5Vの電圧が出力されるよう、絶縁型可変DCDCコンバータの制御端子116に信号を出す。V/I変換回路108は、絶縁型可変DCDCコンバータ107の電源電圧を入力とし、電流出力を行う。この電流を電流ゲートドライバ104の電流制御端子114に入力することで、GaNGITデバイス105にとって必要十分なゲート電流に制御することができる。このような、電流制御を行っても、GaNGITデバイス105は、リニアな動作領域に入ることなくオンオフ動作をするため、損失が増えることはない。また、図2を用いて説明したように、第1の構成であるV/I変換回路2では、絶縁型可変DCDCコンバータ107の電源電圧VCCは、電圧入力端子200とV/I変換回路2のグランド端子210間の電位差と等しい。第1の分圧抵抗r1201と第2の分圧抵抗r2203によって分圧された正入力端子202に係る電圧は、オペアンプ204の正側に入力される。オペアンプ204の負入力には、gm設定抵抗R209が接続されている。オペアンプ204は、正負の入力電圧が等しくなるように動作することから、NPNトランジスタ206のコレクタ電流、つまり第1の構成であるV/I変換回路2の出力電流は以下の式1のようになる。上記式1より、本構成におけるV/I変換回路2は、絶縁型可変DCDCコンバータ107の出力電圧に比例してGaNGITデバイス105のゲート電流を変化させる。図7は、この式をグラフにしたV/I変換回路の第1の構成における入出力電流電圧特性を示す図である。関数としては、原点を通る1次関数となっている。仮に、r1=100kΩ、r2=100kΩ、R=100Ωとし、前記の説明を使うと、VCC=10Vのとき、IVCC=50mAVCC=5Vのとき、IVCC=25mAとなる。通常、電流ゲートドライバ104で用いられる半導体プロセスの電源電圧定格は、例えば5V~10V、または10V~30Vが多い。従って、電源電圧の可変範囲の比は1~3程度である。前記説明の中で、ゲート電流の必要な範囲を例えば1mA~50mAとしたが、図2に示した第1のV/I変換回路2では、ゲート電流の比を1~3にしかできない。これに対し、図3を用いて説明したように、第2の構成におけるV/I変換回路3では、絶縁型可変DCDCコンバータ107の電源電圧VCCは、入力端子300とV/I変換回路のグランド端子310間の電位差と等しい。第1の分圧抵抗r1301と第2の分圧抵抗r2303によって分圧された電圧302は、オペアンプ304の正側に入力される。オペアンプ304の負入力には、gm設定抵抗R1309が接続されている。オペアンプの正負の入力電圧が等しくなるように動作することから、NPNトランジスタ306のコレクタ電流は、以下の式2のようになる。また、バンドギャップ基準電圧311は、オペアンプ313の正側に入力され、オペアンプ313の負入力には、gm設定抵抗R2318が接続されている。オペアンプ313の正負の入力電圧が等しくなるように動作し、NPNトランジスタ316のコレクタ電流は、PNPトランジスタ322と321によって構成されるミラー回路に入力されるので、PNPトランジスタ321のコレクタ電流は、以下の式3のようになる。従って、V/I変換回路の出力電流は、以下の式4のようになる。上記式4より、本構成におけるV/I変換回路2は、絶縁型可変DCDCコンバータ107の出力電圧に比例してGaNGITデバイス105のゲート電流を変化させる。図8は、この式をグラフにしたV/I変換回路の第2の構成における入出力電流電圧特性を示す図である。関数としては、Y切片が-VBG/R2となる1次関数となっている。もし、r1=100kΩ、r2=100kΩ、R=55.55Ω、VBG=1.25V、R2=31.25Ωとし、前記の説明を使うと、VCC=10Vのとき、IVCC=50mAVCC=5Vのとき、IVCC=5mAとなる。従って、第2の構成におけるV/I変換回路3では、半導体プロセスの電源電圧の可変範囲の比が2例えば、5~10Vであっても、ゲート電流の範囲を、例えば5mA~50mAにすることができる。次に、図4を用いて説明したように、図1に含まれるV/I変換回路108の第3の構成では、電流自乗回路401により、VCCの変化に対しIVCCは以下の式5のように、急な変化を持たせることが可能である。図9は、この式をグラフにしたV/I変換回路の第3の構成における入出力電流電圧特性を示す図である。図8に示す第2の構成におけるV/I変換回路3の電流電圧特性は1次関数で示されるものであり、図9に示す第3の構成におけるV/I変換回路4の電流電圧特性は2次関数で示されるものであることから、V/I変換回路4では電流に急な変化を持たせることが可能であり、パワーデバイスに合わせたパワーデバイス装置の設計が可能である。以上説明したように、第1の構成から第3の構成までのいずれかのV/I変換回路2、3、4を備える本発明の第1の実施形態に係るパワーデバイス装置1は、GaNGITデバイス105のドレイン電流に合わせ、高い精度でゲート電流を設定することができる。なお、図1の絶縁型可変DCDCコンバータ107は、図6のブートストラップ電源回路611に置き換えても、本発明のパワーデバイス装置1は同様の動作を行う。また、図1のフォトカプラ103は、高耐圧トランジスタ等で構成されたレベルシフト回路に置き換えても、本発明のパワーデバイス装置1は同様の動作を行う。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態について説明する。本実施形態におけるパワーデバイス装置が第1の実施形態におけるパワーデバイス装置と異なる点は、V/I変換回路の入力側の端子に電圧サンプルホールド回路が配置されている点である。図10は、第2の実施形態に係るパワーデバイス装置の構成図である。電圧サンプルホールド回路1015は、電源電圧を取り込むタイミングを固定し、次の取り込みまで電流をホールドする機能を有する。これにより、GaNGITデバイス1005のドレイン電流に合わせて最適のゲート電流を設定することが可能である。図10に示すように、本実施形態に係るパワーデバイス装置10は、フォトカプラ1003の2次側の正の電源端子と、電流ゲートドライバ1004の正の電源端子と、電圧S/Hサンプルホールド回路1015の入力端子と、絶縁型可変DCDCコンバータ1007の正の電源端子とが、便宜上のノード1000と接続されている。また、フォトカプラ1003の2次側の負の電源端子と、電流ゲートドライバ1004の負の電源端子と、GaNGITデバイス1005のソース端子と、絶縁型可変DCDCコンバータ1007の負の電源端子とが、便宜上のノード1010と接続されている。また、フォトカプラ1003の2次側の出力端子と、電流ゲートドライバ1004の入力端子とが、便宜上のノード1001と接続されている。また、電流ゲートドライバ1004の出力端子と、GaNGITデバイス1005のゲート端子1011とが電流制御端子1014を介して接続され、電圧S/H回路1015の出力端子1017と、V/I変換回路1008の入力端子とが接続され、V/I変換回路1008の出力端子と、電流ゲートドライバ1004の電流制御端子1014とが接続されている。また、GaNGITデバイス1005のドレイン端子が、主回路正電源1009と接続されている。また、CPUまたは制御ロジック1006は、フォトカプラ1003の1次側のアノード端子1012とカソード端子1013にそれぞれ接続され、同じくCPUまたは制御ロジック1006は、絶縁型可変DCDCコンバータ1007の制御端子1016へ接続されている。図11は、図10に含まれる電圧S/Hサンプルホールド回路1015の構成図である。電圧入力端子1100は、スイッチ1101の一端に接続される。また、スイッチ1101の他端と、コンデンサ1103の一端と、オペアンプ1105の正入力端子1102とが接続されている。また、コンデンサ1103の他端と、電圧S/Hサンプルホールド回路のグランド端子1104が接続され、スイッチ制御端子1107がスイッチ1101の制御入力端子に接続されている。また、オペアンプ1105の負入力端子とオペアンプ1105の出力端子と電圧S/Hサンプルホールド回路の電圧出力端子1106が接続される構成を有する。以上のように構成されたパワーデバイス装置1において、第1の実施形態との差分を中心に、以下、その動作を説明する。図10に示す本実施形態に係るパワーデバイス装置10は、図1のパワーデバイス装置1におけるV/I変換回路108に相当するV/I変換回路1008の直前に、電圧S/H回路1015を設けたところが差分である。絶縁型可変DCDCコンバータ1007は、上アームに使われるが、主回路のグランドレベルから数百ボルトの電位差まで、短時間で変化するため、電源ノイズが多いことがある。従って、図10におけるCPUおよび制御ロジック1006を任意の電源電圧に設定したい場合でも、電源ノイズにより、所望の電圧にならないことがある。そのため、フォトカプラ1003の出力端子を電圧S/H回路1015の制御端子に接続し、電源電圧1000を取り込むタイミングを固定し、次の取り込みまで電圧をホールドする。その後は、図1で説明したパワーデバイス装置1と同じ動作を行う。なお、V/I変換回路1008は、図2~図9で説明したものをそのまま使用できる。以上に説明したように、本発明の第2の実施形態に係るパワーデバイス装置10は、GaNGITデバイス1015のドレイン電流に合わせ、最適のゲート電流を設定することが可能であり、従来の簡単な構成では、細かいゲート電流設定が難しいという課題を解決できる。なお、図10の絶縁型可変DCDCコンバータ1007を図6のブートストラップ電源回路611に置き換えても、本発明のパワーデバイス装置10は上記した動作と同様の動作を行う。ブートストラップ電源回路611を使用した場合、特に電源電圧の変動が大きく、電源電圧1000を取り込むタイミングを固定した第2の実施形態に係るパワーデバイス装置10は、特に有効である。また、図10のフォトカプラ1003は、高耐圧トランジスタ等で構成されたレベルシフト回路に置き換えても、本発明のパワーデバイス装置は上記した動作と同様の動作を行う。第3の実施形態次に、本発明の第3の実施形態について説明する。本実施形態におけるパワーデバイス装置が第1および第2の実施形態におけるパワーデバイス装置と異なる点は、パワーデバイス装置において、V/I変換回路の出力側の端子に電圧サンプルホールド回路が配置されている点である。図12は、第3の実施形態に係るパワーデバイス装置の構成図である。図12に示すように、パワーデバイス装置12は、フォトカプラ1203の2次側の正の電源端子と、電流ゲートドライバ1204の正の電源端子と、V/I変換回路1208の入力端子と、絶縁型可変DCDCコンバータ1207の正の電源端子とが、便宜上のノード1200と接続されている。また、フォトカプラ1203の2次側の負の電源端子と、電流ゲートドライバ1204の負の電源端子と、GaNGITデバイス1205のソース端子と、絶縁型可変DCDCコンバータ1207の負の電源端子とが、便宜上のノード1210と接続されている。また、フォトカプラ1203の2次側の出力端子と、電流ゲートドライバ1204の入力端子とが、便宜上のノード1201と接続されている。また、電流ゲートドライバ1204の出力端子と、GaNGITデバイス1205のゲート端子1211とが電流制御端子1214を介して接続され、V/I変換回路1208の出力端子と、電流S/H回路1215の入力端子1217とが接続されている。また、電流S/H回路1215の出力端子と、電流ゲートドライバ1204の電流制御端子1214とが接続されている。また、GaNGITデバイス1205のドレイン端子は、主回路正電源1209と接続されている。また、CPUまたは制御ロジック1206は、フォトカプラ1203の1次側のアノード端子1212とカソード端子1213にそれぞれ接続され、同じくCPUまたは制御ロジック1206は、絶縁型可変DCDCコンバータ1207の制御端子1216へ接続されている。図13は、図12に含まれる電流S/H回路1215の構成図である。電流S/H回路1215の電流入力端子1300は、スイッチ1301の一端と、NchMOSトランジスタ1302のドレイン端子とに接続されている。また、スイッチ1301の他端と、NchMOSトランジスタ1302のゲート端子と、NchMOSトランジスタ1304のゲート端子とが接続されている。また、NchMOSトランジスタ1302のソース端子と、NchMOSトランジスタ1304のソース端子と、電流S/Hサンプルホールド回路のグランド端子1306とが接続されている。また、スイッチ制御端子1307は、スイッチ1301の制御入力端子に接続され、NchMOSトランジスタ1304のドレイン端子と電流S/H回路の電流出力端子1305が接続されている。以上のように構成されたパワーデバイス装置12において、第1の実施形態との差分を中心に以下、その動作を説明する。図12に示す本実施形態に係るパワーデバイス装置12は、図1のパワーデバイス装置1におけるV/I変換回路108に相当するV/I変換回路1008の直後に、電流S/H回路1215を設けたところが差分である。図10の説明と同様に、絶縁型可変DCDCコンバータ1207は、上アームに使われるが、主回路のグランドレベルから数百ボルトの電位差まで、短時間で変化するため、電源ノイズが多いことがある。従って、図12におけるCPUおよび制御ロジック1206が任意の電源電圧に設定したい場合でも、電源ノイズにより、所望の電圧にならないことがある。そのため、フォトカプラ1203の出力端子を電流S/H回路1215の制御端子に接続し、電源電圧1200をV/I変換回路1208で電流に変換し、その電流を取り込むタイミングを固定し、次の取り込みまで電流をホールドする。その後は、図1で説明したパワーデバイス装置1と同じ動作を行う。なお、V/I変換回路は、図2~図9で説明したものをそのまま使用できる。以上に説明したように、本発明の第3の実施形態に係るパワーデバイス装置12は、GaNGITデバイス1205のドレイン電流に合わせ、最適のゲート電流を設定することが可能であり、従来の簡単な構成では、細かいゲート電流設定が難しいという課題を解決できる。なお、図12の絶縁型可変DCDCコンバータ1207を図6のブートストラップ電源回路611に置き換えても、本発明のパワーデバイス装置12は上記した動作と同様の動作を行う。ブートストラップ電源回路611を使用した場合、特に電源電圧の変動が大きく、電源電圧1200を取り込むタイミングを固定した第3の実施形態に係るパワーデバイス装置12は、特に有効である。また、図12のフォトカプラ1203は、高耐圧トランジスタ等で構成されたレベルシフト回路に置き換えても、本発明のパワーデバイス装置は上記した動作と同様の動作を行う。第4の実施形態次に、本発明の第4の実施形態について説明する。本実施形態におけるパワーデバイス装置が第1の実施形態におけるパワーデバイス装置と異なる点は、フォトカプラ103と電流ゲートドライバ104とV/I変換回路107の代わりに、フォトカプラ103と電流ゲートドライバ104とV/I変換回路107とが一体となったフォトカプラドライバ1403を備え、フォトカプラドライバ1403とGaNGITデバイス105のゲートとの間に、ゲート電流設定部としてゲート電流設定抵抗1404を備える点である。図14は、第4の実施形態に係るパワーデバイス装置の構成図である。フォトカプラ1403の2次側の正の電源端子1400は、絶縁型可変DCDCコンバータ1407の正の電源端子に接続されている。また、フォトカプラ1403の2次側の負の電源端子1402と、GaNGITデバイス1405のソース端子と、絶縁型可変DCDCコンバータ1407の負の電源端子とが便宜上のノード1410と接続されている。また、フォトカプラ1403の2次側の出力端子と、ゲート電流設定抵抗1404の一端とが接続され、ゲート電流設定抵抗1404の他端と、GaNGITデバイス1405のゲート端子に接続される便宜上のノード1411とが接続されている。また、GaNGITデバイス1405のドレイン端子は、主回路正電源1409と接続されている。また、CPUまたは制御ロジック1406は、フォトカプラ1403の1次側のアノード端子112とカソード端子113にそれぞれ接続され、同じくCPUまたは制御ロジック1406から絶縁型可変DCDCコンバータ1407の制御端子1416へ接続される構成を有する。以上のように構成されたパワーデバイス装置14において、以下、その動作を説明する。図14において、CPUまたは制御ロジック1406は、通常のシステム同様、PWM変調を利用し、パワーデバイスをオンオフ動作させることで、リニアな動作領域を使うことなく駆動ロスを減らす。具体的には、フォトカプラ1403のアノード端子1412とカソード端子1413へ電流オンオフ信号を送ることで、フォトカプラ1403の2次側出力端子に主回路負電源主回路グランドからフロートした電圧を発生させることができる。フォトカプラ1403の2次側出力端子1401は、ゲート電流設定抵抗1404の一端に接続され、ゲート電流設定抵抗1404の他端からGaNGITデバイス1405のゲート端子1411へゲート電流を供給する。ノード1411とノード1410の電位差をVFと定義すると、ゲート電流IVCCは以下の式6で表される。VFは、GaNGITデバイス1405のVGSであるが、ゲート-ソース間にダイオードが接続されたものと同じ式で等価的に表せることから、順方向電圧をあらわすVFと表記している。式6に示すように、パワーデバイス装置14において、一般的なシステムと同じように、GaNGITデバイス1405をオンオフ動作させることができる。一般的にCPUまたは制御ロジック1406は、GaNGITデバイス1405のドレイン電流を把握している。例えば、GaNGITデバイス105にモーターが接続されている場合、GaNGITデバイス105接続されたモーターが最大回転運転をしているときのGaNGITデバイス105のドレイン端子に流れるドレイン電流を50A、最小回転運転をしているときのドレイン電流を1Aとすると、GaNGITデバイス1405にドレイン電流50Aを流すために必要なゲート電流は、例えば50mAであり、ドレイン電流1Aを流すために必要なゲート電流は1mAである。モーターの最大回転運転時に、電流ゲートドライバ1404がこれらのゲート電流を発生するように、CPUまたは制御ロジック1406は、絶縁型可変DCDCコンバータ1407に10Vの電圧が出力されるよう、絶縁型可変DCDCコンバータ1416の制御端子1216に信号を出す。また、モーターの最小回転運転時に、CPUまたは制御ロジック1406は、絶縁型可変DCDCコンバータ1407に5Vの電圧が出力されるになるよう、絶縁型可変DCDCコンバータの制御端子1416に信号を出す。ゲート電流設定抵抗1404は、上記、ゲート電流IVCCの式に従って電流を流すので、VFが一定値3Vとすると、R=140Ωとなる。つまり、VF=3V、R=140Ωとすると、VCC=10Vの時、ゲート電流IVCC=50mA、VCC=5Vの時、ゲート電流IVCC=14mAとなる。これは、図1の第1の実施形態かつ図3のV/I変換回路1208を使った場合とほぼ同じ挙動となる。また、電流電圧特性は、図8とほぼ同じであり、Y切片を-VF/Rに置き換えたものと等価である。以上に説明したように、本発明の第4の実施形態に係るパワーデバイス装置14は、GaNGITデバイス1405のドレイン電流に合わせ、最適のゲート電流を設定することが可能であり、従来の簡単な構成では、細かいゲート電流設定が難しいという課題を解決できる。なお、図14の絶縁型可変DCDCコンバータ1407は、図6のブートストラップ電源回路611に置き換えても、本発明のパワーデバイス装置14は上記した動作と同様の動作を行う。また、図14のフォトカプラ1403は、高耐圧トランジスタ等で構成されたレベルシフト回路に置き換えても、本発明のパワーデバイス装置は上記した動作と同様の動作を行う。比較例図15は、本発明の実施形態の比較例に係るパワーデバイス装置の構成図である。図15より、フォトカプラ1503の2次側の正の電源端子1500と、フォトカプラ1508の2次側の正の電源端子1500とは、絶縁型DCDCコンバータ1507の正の電源端子に接続されている。また、フォトカプラ1503の2次側の負の電源端子1502と、フォトカプラ1508の2次側の負の電源端子1502とは、GaNGITデバイス1505のソース端子1510と、絶縁型DCDCコンバータ1507の負の電源端子とに接続されている。また、フォトカプラ1503の2次側の出力端子1501と、ゲート電流設定抵抗1504の一端とが接続され、フォトカプラ1508の2次側の出力端子1517と、ゲート電流設定抵抗1512の一端とが接続され、ゲート電流設定抵抗1504の他端と、ゲート電流設定抵抗1512の他端と、GaNGITデバイス1505のゲート端子1511とが接続されている。また、GaNGITデバイス1505のドレイン端子は、主回路正電源1509に接続され、CPUまたは制御ロジック1506は、フォトカプラ1503の1次側のアノード端子1513とカソード端子1515にそれぞれ接続され、同じくCPUまたは制御ロジック1506からフォトカプラ1508の1次側のアノード端子1516とカソード端子1515にそれぞれ接続されている。以上のように構成されたパワーデバイス装置において、以下、その動作を説明する。図15において、CPUまたは制御ロジック1506は、PWM変調を利用し、パワーデバイスをオンオフ動作させることで、リニアな動作領域を使うことなく駆動ロスを減らす。具体的には、フォトカプラ1503のアノード端子1513とカソード端子1515へ電流オンまたはオフ信号を送り、フォトカプラ1508のアノード端子1516とカソード端子1515へ電流オンオフ信号を送ることで、フォトカプラ1503とフォトカプラ1508の2次側出力端子に主回路負電源主回路グランドからフロートした電圧を発生させることができる。説明の便宜上、ゲート電流設定抵抗1512は、ゲート電流設定抵抗1504の2倍の抵抗値とする。ゲート電流IVCCは、以下の式7で表される。式7のVFは、GaNGITデバイス1505のVGSであるが、ゲート-ソース間にダイオードが接続されたものと同じ式で等価的に表せることから、順方向電圧をあらわすVFと表記している。また、ゲート設定抵抗Rは、ゲート電流設定抵抗R11512、ゲート電流設定抵抗R21504の並列合成抵抗値であり、フォトカプラ1503と1508のオンまたはオフの組合せにより以下の式8に示す値を有する。ここで、具体的数値として、ゲート電流設定抵抗1512:R1=200Ω、ゲート電流設定抵抗1504:R2=100Ω、絶縁型DCDCコンバータ1507の電源電圧:VCC=10V、GaNGITデバイス1505のゲート-ソース間順方向電圧:VF=3Vとする。一般的に、CPUまたは制御ロジック1506は、GaNGITデバイス1505のドレイン電流を把握している。例えば、GaNGITデバイス1505にモーターが接続されている場合、GaNGITデバイス1505接続されたモーターが最大回転運転をしているときのGaNGITデバイス1505のドレイン端子に流れるドレイン電流を50A、最小回転運転をしているときのドレイン電流を1Aとすると、GaNGITデバイス1505にドレイン電流50Aを流すために必要なゲート電流は、例えば50mAであり、ドレイン電流1Aを流すのに必要なゲート電流は1mAである。モーターの最大回転運転時に、電流ゲートドライバ1504がこれらのゲート電流を発生するように、CPUまたは制御ロジック1506は、フォトカプラ1503のアノード端子1513とカソード端子1515へ電流オン信号を送り、また、フォトカプラ1508のアノード端子1516とカソード端子1515へ電流オン信号を送る。これにより、ゲート電流Iは、IVCC=52.5mAとなる。また、モーターの最小回転運転時に、CPUまたは制御ロジック1506は、フォトカプラ1503のアノード端子1513とカソード端子1515へ電流オフ信号を送り、また、フォトカプラ1508のアノード端子1516とカソード端子1515へ電流オン信号を送る。これにより、ゲート電流Iは、IVCC=17.5mAとなる。また、モーターの中回転運転時に、CPUまたは制御ロジック1506は、フォトカプラ1503のアノード端子1513とカソード端子1515へ電流オン信号を送り、また、フォトカプラ1508のアノード端子1516とカソード端子1515へ電流オフ信号を送る。これにより、ゲート電流Iは、IVCC=35mAとなる。このように、ゲート電流を3値で送るために、図15に示すように、パワーデバイス装置にはフォトカプラ1503、1508の2系統が必要となり、複雑さが増し、コストが増大し、信頼性は落ちるという問題が発生する。すなわち、フォトカプラレベルシフト回路1503、1508をn個使うことで2のn乗-1値のゲート電流を切り替えることが可能であるが、フォトカプラを12系統とすると、ゲート電流は1値となり細かい電流設定が難しいという問題が発生する。なお、本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形を行ってもよい。例えば、上記した実施形態において、絶縁型可変DCDCコンバータをブートストラップ電源回路に置き換えてもよい。また、上記した実施形態において、フォトカプラを高耐圧トランジスタ等で構成されたレベルシフト回路に置き換えてもよい。また、本発明に係るパワーデバイス装置には、上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係るパワーデバイス装置を備えた各種デバイスなども本発明に含まれる。例えば、本発明に係るパワーデバイス装置を備えたエアコンなどのインバータシステムも本発明に含まれる。