真空源に接続されるように構成され、この真空源を作動させることによって板状の被吸着物を吸着するための吸着盤であって、前記被吸着物が載置される上面、及び下面を有する多孔質なパッド部と、前記パッド部を保持するための保持部とを備え、前記パッド部は、前記パッド部の前記上面から前記下面の方向に所定の気体透過量を有する第1多孔質材料で形成されている第1部分と、前記パッド部の前記上面から前記下面の方向での気体透過量が、前記第1多孔質材料よりも多い第2多孔質材料で形成されている第2部分と有しており、前記保持部は、前記パッド部を形成する前記第1多孔質材料の気孔及び前記第2多孔質材料の気孔を前記パッド部の前記下面側から前記真空源に直接接続するようになっている、ことを特徴とする吸着盤。前記パッド部は、矩形形状を有しており、前記第2部分は、該パッド部の角に位置決めされている、請求項1に記載の吸着盤。前記パッド部は、円形形状を有しており、前記第2部分は、該パッド部の中央に位置決めされている、請求項1に記載の吸着盤。前記パッド部の上面における前記第1部分と前記第2部分との面積比は、5:1乃至100:1である、請求項1に記載の吸着盤。しかしながら上述した特許文献1の装置では、ステージに形成された複数の貫通孔毎に電磁弁を設け、更に各電磁弁を個別に制御するために複雑な設備が必要となってしまうという問題があった。この問題は、半導体ウエハを大型化させた場合に特に顕著になる。また、例えばFPDFlatPanelDisplay用のガラスパネルのような大型の薄板を取り扱う場合においても同様の問題が生じていた。そこで本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、複雑な設備を用いずに、半導体ウエハやFPD用のガラスパネル等の被吸着物を破損させることなく吸着することができる吸着盤を提供することを目的とする。上述した課題を解決するために、本発明は、真空源に接続されるように構成され、この真空源を作動させることによって板状の被吸着物を吸着するための吸着盤であって、被吸着物が載置される上面、及び下面を有する多孔質なパッド部と、パッド部を保持するための保持部とを備え、パッド部は、パッド部の上面から下面の方向に所定の気体透過量を有する第1多孔質材料で形成されている第1部分と、パッド部の上面から下面の方向での気体透過量が、第1多孔質材料よりも多い第2多孔質材料で形成されている第2部分と有しており、保持部は、パッド部を形成する第1多孔質材料の気孔及び第2多孔質材料の気孔をパッド部の下面側から真空源に直接接続するための流路を備えていることを特徴とする。このように構成された本発明によれば、被吸着物が載置されるパッド部は、第1部分と第2部分に対応する部分において気体透過量が異なっている。そしてこのような吸着盤の上面に被吸着物を載置し真空源に接続して下面側からパッド部の気孔内の真空化を開始すると、比較的気体透過量が少ない第1多孔質材料で形成されている第1部分よりも、比較的気体透過量が多い第2多孔質材料で形成されている第2部分の方が、吸着速度が速い。従って、真空化を開始すると、先ず、パッド部の上面のうち第2部分に対応する部分に接触している被吸着物の一部がパッド部に吸着される。そしてこれに遅れてパッド部の上面のうち第1部分に対応する部分に接触している被吸着物の一部がパッド部に吸着される。このように、パッド部を異なる気体透過量を有する二つの多孔質材料で形成することによって、パッド部の上面のうち第1部分に対応する部分と、第2部分に対応する部分とで吸着速度の差を生じさせることができる。これにより被吸着物を二段階にわたってパッド部に吸着し固定することができるので、被吸着物が過度に撓むのを防止することができ、これにより、被吸着物内部に過度の応力集中が生じるのを防止することができる。また、このように構成された本発明によれば、吸引速度が比較的遅い第1部分を形成する第1多孔質材料の気孔、及び吸引速度が比較的速い第2部分を形成する第2多孔質材料の気孔を、流路を介して真空源に直接接続することが可能となる。これにより、真空源を作動させるだけでパッド部の上面のうち第1部分に対応する部分と、第2部分に対応する部分とで異なる吸着速度を生じさせることができる。そしてこの場合、制御弁等を用いる必要がないので、簡単な構造で被吸着物が破損するのを防止することができる。本発明の他の好ましい態様によれば、前記パッド部は、矩形形状を有しており、前記第2部分は、該パッド部の角に位置決めされている。このような構成によれば、矩形の薄板をパッド部上の所定位置に、正確に位置決めすることができる。本発明の他の好ましい態様によれば、前記パッド部は、円形形状を有しており、前記第2部分は、該パッド部の中央に位置決めされている。本発明の他の好ましい態様によれば、前記パッド部の上面における前記第1部分と前記第2部分との面積比は、5:1乃至100:1である。以上のように本発明によれば、複雑な設備を用いずに、半導体ウエハやFPD用のガラスパネル等の被吸着物を破損させることなく吸着することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態による吸着盤について説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる吸着盤を備える吸着システムを示す斜視図であり、図2は、本発明の実施形態にかかる吸着盤の断面図である。図1及び図2に示すように、吸着システムは、吸着盤1と、吸着盤に接続された真空源となるポンプ3とを備える。吸着盤1は、被吸着物である半導体ウエハ5が載置されるパッド部7と、パッド部7を保持するための保持部9とを備える。この吸着盤1は、ホース等の連結具11を介してポンプ3に接続されている。パッド部7は、平坦な2つの円形面を各々、上面7a及び下面7bとした円板形状を有し、その上面に半導体ウエハ5を載置できるようになっている。本実施形態では、パッド部7は上面7aの寸法形状が、被吸着物である円形の半導体ウエハ5と略同一の寸法形状とされている。さらに、パッド部7は、後述するように、中心部に配置され相対的に気体透過量が少ない第1部分Lと、第1部分Lの周囲に配置され相対的に気体透過量が多い第2部分Hとを備えている。また、保持部9は、パッド部7よりも大径の肉厚の円板形状であり、中央に上方に向かって開口する凹部を備えている。詳細には、保持部9は、その上面にパッド部を受け入れるようになった第1の円形凹み13を有する。第1の円形凹み13は、保持部9の側壁9aの内周側を矩形状に切り欠くことによって形成されている。この第1の円形凹み13は、パッド部7の外径とほぼ同一の直径を有し、パッド部7を受け入れたときにパッド部7と第1の円形凹み13の側壁との間に隙間が形成されないようになっている。図3は、本発明の実施形態にかかる吸着盤の保持部9の上面図である。図2及び図3に示すように、保持部9は、第1の円形凹み13の下方に連続的に設けられ、第1の円形凹み13よりも小径の第2の円形凹み15を備えている。第2の円形凹み15は、パッド部7を第1の円形凹み13に嵌めたときに、パッド部7によって覆われるようになっており、この第2の円形凹み15とパッド部7によって形成される空間17の天井は、パッド部7の下面7bによって構成される。また、第2の円形凹み15の底面には、連結具11が連結されている開口15aが形成されている。このような構成によって、保持部9は、第2の円形凹み15とパッド部7の下面7bによって形成される空間17に介して、パッド部7の気孔とポンプ3を流体連通させている。図4は、パッド部7の一例を示す上面図である。パッド部7は、多孔質カーボンの複合体によって形成されている。具体的には、パッド部7は、所定の気体透過量を有する第1多孔質カーボンによって形成された第1部分Lと、第1多孔質カーボンよりも気体透過量が多い第2多孔質カーボンによって形成された第2部分Hとを一体にして形成されている。第1多孔質カーボンによって形成された第1部分Lは、上面視したときに、パッド部7の中央に配置された円形詳細には円柱状の第2部分Hを囲むリング形状を有する。そして第2部分Hは、リング形状の第1部分Lの中央の開口内に配置されている。このようなパッド部7は、上面7aと下面7bとの間にわたって同一の水平断面形状、即ちリング形状の第1部分Lの中央に第2部分Hが配置された断面形状を有している。このように構成されたパッド部7は、第1部分Lが占める領域においては、上面7aから下面7bの方向に、第1多孔質カーボンが有する気体透過量を発揮し、第2部分Hが占める領域においては、上面7aから下面7bの方向に、第2多孔質カーボンが有する気体透過量を発揮する。次に、パッド部の気体透過量について詳述する。気体透過量は、一定の圧力下で、単位時間辺りに単位面積領域を通過する気体の量を示す。そしてこの気体透過量は、アルキメデス法により測定される多孔質カーボンの開気孔率[vol]及び平均気孔径[μm]を調整することによって決定される。多孔質カーボンの開気孔率[vol]及び平均気孔径[μm]を調整するためには、多孔質カーボンの製造工程のうちの加圧工程において、被成形体に加える圧力を調整する。以下に、異なる多孔質カーボンの開気孔率[vol]及び平均気孔径[μm]を有する2種類の多孔質カーボンの製造例を示す。平均粒径20μmの自己焼結性炭素を型に入れて加圧するときの成形面圧を調整し、完成した成形体を非酸化雰囲気中で昇温速度30°Chrで焼成することで開気孔率及び平均気孔率が異なる2つの多孔質カーボンを製造することができた。成形時の成形面圧を調整することによって得られる多孔質カーボンの例を以下の表1に示す。表1に示すように、成形時の成形面圧を大きくすることによって開気孔率が低く、且つ平均気孔径が小さい、気体透過量が少ない多孔質カーボンを製造することができる。また、成形時の成形面圧を小さくすることによって開気孔率が高く、且つ平均気孔径が大きい、気体透過量が多い多孔質カーボンを製造することができる。上述の表1に示す例では、第1多孔質カーボンの気体透過量と、第2多孔質カーボンの気体透過量との比が、1:20~1:300程度となっている。尚、多孔質カーボンの開気孔率を調整することによって気体透過量を調整するための手段としては、成形体の焼成時に分解気化する樹脂を添加する方法もある。次に、上述した吸着盤1を含む吸着システムの作用について詳述する。半導体ウエハを吸着盤1に吸着させるためには、先ず、半導体ウエハ5を吸着盤1のパッド部7の上面に載置する。このとき、例えば半導体ウエハ5が円板形状のものであれば、半導体ウエハ5の中心とパッド部7の中心が一致するようにする。そしてこの状態でポンプ3を作動させると、ポンプ3に連結された連結具11を介して保持部9の空間17内の空気がポンプ3の方向に吸引される。空間17内の空気が吸引されると、パッド部7の第1多孔質カーボンの気孔及び第2多孔質カーボンの気孔から空気が吸引され、半導体ウエハ5のパッド部7への吸着が開始される。半導体ウエハ5の吸着が開始されると、先ず、気体透過量が多い第2多孔質カーボンで構成された第2部分Hの上面にある半導体ウエ5ハの部分、即ち半導体ウエハ5の中心近傍がパッド部7に吸着される。このとき、上述したように第2部分Hの吸引速度は第1部分Lの吸引速度よりも十分に速いので、仮に半導体ウエハ5が第2部分Hの上面に接触していなくても、半導体ウエハ5の中心近傍が最初にパッド部7に吸引される。次いで、第2部分Hよりも吸着速度が遅い第1部分Lにおいて半導体ウエハ5の吸着が開始される。このように、先ず、半導体ウエハ5の中心近傍を第2部分Hによって吸着してしっかりと固定し、次いで半導体ウエハ5の中心以外の部分を吸着するので、半導体ウエハ5は二段階にわたって吸着さる。これにより、パッド部7に載置された半導体ウエハ5が撓んでいたとしても、半導体ウエハ5の一部に応力が集中するのを防止することができる。また、半導体ウエハを吸着盤1から解放するときには、ポンプ3を切り替えてポンプ3から吸着盤1に空気を送り込む。これにより、先ず、パッド部7における比較的気体透過量が多い第2多孔質カーボンで構成された第2部分Hの上面にある半導体ウエハ5の部分、即ち半導体ウエハ5の中心近傍がパッド部7から解放される。そして、半導体ウエハ5の中心がパッド部7から解放されると、パッド部7と第2部分Hの上面との間に空間ができ、この空間内部が高圧になる。そしてこの空間内部が高圧になると、空間内の圧力によって空間の周囲の半導体ウエハ5第1部分Lと接触している部分がパッド部7から徐々に離れていき、空間がパッド部7の周方向に向けて広がり始める。そして空間が広がると、内部の圧力が低くなるが、空間がある程度広がるまでの間に、第1部分Lからも十分に空気が送り込まれる。そして、これにより第1部分Lと接触している残りの部分も徐々にパッド部7から解放される。次いで、パッド部7における比較的気体透過量が少ない第1多孔質カーボンで構成された第1部分Lの上面にある半導体ウエハ5の部分、即ち半導体ウエハ5の周辺部がパッド部7から解放される。そして、最終的には、パッド部7の上面から送り出される圧縮空気によって半導体ウエハ5がパッド部7の上面から浮いた状態になる。これにより、半導体ウエハを解放するときにも、半導体ウエハの中心から周辺に向けて徐々に解放することができ、半導体ウエハ5の解放時にも半導体ウエハ5が破損するのを防止することができる。以上のように本発明の実施形態によれば、吸引を開始したい位置を比較的気体透過量が多い第2多孔質カーボンで形成し、その他の部分を比較的気体透過量が少ない第1多孔質カーボンで形成することにより、パッド部7の上に載置された半導体ウエハ5の撓んだ形状に関わらず、所望の位置から吸引を開始することができる。そしてこれにより、吸着時に半導体ウエハ5が破損するのを防止することができる。本発明の前記実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範囲内で種々の変更、変形が可能である。上記実施形態では、上述したように、パッド部7は上面7aの寸法形状が、被吸着物である半導体ウエハ5の吸着面と略同一である。しかしながら、パッド部7の上面7aの寸法、形状は、半導体ウエハ等の吸着物の大きさ、特性、または求められる吸着条件等に応じて適宜、変更可能である。例えば、パッド部7を、上面7aが、半導体ウエハ5等の被吸着物の吸着面の寸法より大きな寸法、すなわち円形の半導体ウエハ5より大径の円形状となるものとしてもよい。この場合、パッド部7の第2部分Hは、半導体ウエハ5に覆われる部分に設けられる。パッド部7をこのように構成することによって、パッド部7の上面7aのうち第1部分Lに対応する部分の吸着速度と、パッド部7の上面7aのうち第2部分Hに対応する部分の吸着速度との差を有効に活用することができるので、より確実に半導体ウエハの破損を防止することができる。また、第2部分Hの形状寸法、配置位置を、適宜変更してもよい。例えば、図5aに示されているように、第2部分Hを上記実施形態より大径に設定してもよい。なお、第1部分Lと第2部分Hとの大きさ上面視したときの面積の比は、5:1~100:1の間で適宜設定されることが好ましい。さらに、図5bに示すように、パッド部を矩形として、その中央に円形の第2部分Hを設け、他の部分を第1部分Lとした構成でもよい。この場合、保持部等もパッド部の形状に合わせて、矩形状とされる。さらに、図5cに示すように、円形の第2部分Hを、矩形のパッド部の中心からオフセットさせて配置したものでもよい。これらの例は、例えばFPD用のガラスパネルのような長方形の被吸着物を吸着する場合に有効である。さらに、図5dに示すように、略正方形の第2部分Hを矩形のパッド部の角に配置し、他の部分を第1部分Lとする構成、あるいは図5eに示すように、略正方形の第2部分Hを矩形のパッド部の長辺に沿った中央位置に配置し、他の部分を第1部分Lとする構成でもよい。このように第2部分Hを、矩形のパッド部の角に配置し、又は一辺に沿って配置することによって、被吸着物の位置決めを容易にすることができる。例えばFPD用のガラスパネルのような比較的大型の被吸着物を位置決めする場合には、パッド部の角と、ガラスパネルの角とを位置合わせをし、この位置でガラスパネルを保持しながらポンプを作動させる。これにより、吸着時にガラスパネルに吸引力が作用したときにガラスパネルがパッド部に対してずれるのを確実に防止することができる。このような作用効果は、第2部分Hが、パッド部の外周のいずれかの位置にある場合に達成することができ、さらに、図5f又はgに示すように、矩形のパッド部の一辺又は隣接する二辺に沿って第2部分Hを配置し、他の部分を第1部分Lとする構成でもよい。このような構成によっても、図5d等の構成と同様の作用効果を達成することができる。また、上記実施形態では、パッド部7と支持部9の第2の円形凹み15との間に円板状の空間17が形成される構成であったが、支持部の円形凹みの形状を変更し、パッド部7と支持部との間の空間に、連結具11を介してポンプ3に流体連通された同心状の複数の環状流路が形成される構成としてもよい。例えば、上記実施形態では、パッド部を構成する材料として多孔質カーボンを用いることとしたが、多孔質セラミック等の他の通気性材料を用いることも可能である。