処理すべき基板を保持する基板保持装置において、冷却手段を有する基台と、当該基台から基板に向かう方向を上として、基台の上面に固定される絶縁性プレートと、この絶縁性プレートの上面に設置され、正負の電極と加熱手段とを有するチャック本体であって、全体が誘電体材料で構成されてその上面に基板が載置されるものと、を備え、基台上面と絶縁性プレートの下面との間に、これら基台及びプレートに密着して熱抵抗を低下させる所定厚さのシート部材を介在させたことを特徴とする基板保持装置。前記シート部材はシリコーンゴムからなることを特徴とする請求項1記載の基板保持装置。前記シート部材は、0.1~3.5mmの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項1または請求項2記載の基板保持装置。絶縁性プレートは、シリコン酸化物のセラミックスプレートで構成されることを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の基板保持装置。本発明は、以上の点に鑑み、基板の昇温や降温を繰り返しても、チャック本体に割れやかけ等が発生することを防止できる基板の温度制御性の良い基板保持装置を提供することを課題とするものである。上記課題を解決するために、本発明は、処理すべき基板を保持する基板保持装置において、冷却手段を有する基台と、当該基台から基板に向かう方向を上として、基台の上面に固定される絶縁性プレートと、この絶縁性プレートの上面に設置され、正負の電極と加熱手段とを有するチャック本体であって、全体が誘電体材料で構成されてその上面に基板が載置されるものと、を備え、基台上面と絶縁性プレートの下面との間に、これら基台及びプレートに密着して熱抵抗を低下させる所定厚さのシート部材を介在させたことを特徴とする。本発明によれば、チャック本体の下面に、比較的熱容量の大きい絶縁性プレートが存するため、静電チャックの両電極に通電して基板を吸着した後、チャック本体に設けた加熱手段を作動させて基板を加熱すると、均一性よく基板を所定温度まで昇温させることができる。そして、冷却手段を作動して基台を冷却し、基板を降温させるとき、絶縁性プレートの下面と基台上面との間にこれら基台及び絶縁性プレートに密着して熱抵抗を低下させる所定厚さのシート部材を介在させたため、絶縁性プレートを介した基台への熱引けが、当該シート部材を介在しない従来例のものと比較して促進されるようになり即ち、冷却効率が向上、上記従来例より低い所定温度まで基板を降温することができ、結果として、制御し得る基板の温度範囲が広がり、温度制御性が向上する。しかも、基板の昇温や降温を繰り返しても、チャック本体に急激な温度勾配が生じることが抑制され、チャック本体での割れやかけの発生を防止できる。なお、本発明においては、絶縁性プレートとしては、熱伝導率が、室温25°C下で0.5~55W/mKのものを用いればよい。また、絶縁性プレートの厚さは、制御すべき温度や当該絶縁性プレートの熱伝導率に応じて適宜設定される。また、本発明においては、前記シート部材はシリコーンゴムからなることが好ましい。この場合、前記シート部材は、0.1~3.5mmの範囲の厚さを有することが好ましい。0.1mmより薄いと、絶縁性プレートから基台への熱引けが促進されず、温度制御性が悪くなる。一方、3.5mmを超えた厚さでも、シート部材自体の熱抵抗が大きくなり過ぎて温度制御性が悪くなる。更に、絶縁性プレートは、シリコン酸化物のセラミックスプレートで構成すればよい。以下に図面を参照して、処理すべき基板をウエハWとし、PVD法、CVD法等による成膜処理、イオン注入処理やエッチング処理などの処理を行う真空処理装置の真空チャンバ処理室:図示せずの底部に配置されて、ウエハWの処理面を上方に向けて保持する場合を例に本実施形態の基板保持装置Mを説明する。図1に示すように、基板保持装置Mは、真空チャンバ底部に配置される基台1を備える。基台1は、熱伝導率のよいステンレス等の金属製であり、上面がウエハWの輪郭に略一致した円筒形状である。基台1の内部には冷媒循環通路11が形成されている。そして、図外のチラーユニットや冷却水循環ポンプにより冷媒循環通路11内に冷媒を循環させて基台1が冷却される。基台1上面には、当該上面と同一面積でかつ所定厚さを有するシート部材2を介在させて、当該上面と同一面積でかつ所定厚さを有する絶縁性プレート3がボルト締結手段Bにより基台1上面に着脱自在に固定されている。この場合、ボルトBによる締結は、絶縁性プレートの外周で22.5度間隔で行われ、基台1へのボルトBの締め付けトルクは、140~280Ncmの範囲に設定される。シート部材2としては、上記の如く、基台1と絶縁性プレート3とを固定した場合、基台1上面と絶縁性プレート3の下面に、その全面に亘って夫々密着して熱抵抗を低下させるものであり、例えば、シリコーンゴム、ポリイミド等が挙げられる。シート部材2の厚さは、0.1~3.5mmの範囲の厚さを有することが好ましい。0.1mmより薄いと、絶縁性プレート3を介した基台1への熱引けが促進されず、温度制御性が悪くなる。一方、3.5mmを超えた厚さでも、シート部材2自体の熱抵抗が大きくなり過ぎて温度制御性が悪くなる。他方、絶縁性プレート3としては、熱伝導率が室温25°C下で0.5~55W/mKの範囲であるものが用いられ、例えば、シリコン酸化物のセラミックスプレートが挙げられる。この場合、絶縁性プレート3の熱伝導率が上記範囲外であると、絶縁性プレート3自体の熱抵抗が大きくなり過ぎて温度制御性が悪くなったり、後述のチャック本体内に急激な温度勾配が生じて、このチャック本体に割れやかけが発生するという不具合が生じる。また、絶縁性プレート3の厚さは、真空チャンバ内で実施される処理の際に制御すべきウエハWの温度または温度範囲や絶縁性プレート3自体の熱伝導率に応じて適宜設定することができ、シリコン酸化物のセラミックスプレートを用いる場合には、6~12mmの範囲とされる。絶縁性プレート3の上面には、所定厚さ例えば15mmのチャック本体4が着脱自在に設置されている。チャック本体4は、例えば窒化アルミニウムのセラミックスで構成される。チャック本体4の下部には、抵抗加熱式のヒータ41が内蔵され、このチャック本体4を所定温度に加熱、保持できる。また、チャック本体4の上部には、図示省略の絶縁層を介して正負の電極42a、42bが埋設され、図外のチャック電源から直流電圧が印加できるようになっている。チャック本体4の上面は、ウエハWの輪郭より一回り小さい輪郭であり、ウエハW裏面の外周縁部が面接触可能な環状のリブ部43と、リブ部43で囲繞された内部空間で同心状に立設された複数個の棒状の支持部44とを備える。この場合、支持部44の高さは、リブ部43の高さより僅かに小さくなるように設定され、ウエハWを吸着したときに、外周縁部には確実に接触するようになっている。上記基板保持装置Mにおいて、チャック電源から両電極42a、42bへの電圧印加の制御やヒータ41への通電等は、マイクロコンピュータ等からなる図外の制御ユニットにより統括制御される。そして、チャック本体4にウエハWを載置した後、両電極間42a、42bに、図外のチャック電源により直流電圧を印加することで発生する静電気力でウエハWがチャック本体4の表面で吸着されるこの場合、ウエハWはチャック本体4表面に略平行な状態となる。以下に、本実施形態の基板保持装置Mによる基板の温度制御について説明する。上記の如く、静電気力によりチャック本体4表面にウエハWを吸着する。このとき、ウエハW裏面の外周縁部がリブ部43とその全周に亘って面接触してウエハWが略水平な状態となる。そして、ウエハWの温度を所定温度例えば、250°Cに昇温し、保持する場合には、チャック本体4に内蔵したヒータ41を作動して当該チャック本体4を加熱し、チャック本体4からの伝熱によりウエハWを加熱する。本実施形態のものでは、チャック本体4の下側に、導電性の金属等と比較して熱伝導率の小さい絶縁性プレート3が存するため、チャック本体4からウエハWへと積極的に伝熱されるようになり、応答性よくウエハWを所定温度まで昇温させることができる。次に、所定温度に加熱されたウエハWの温度を所定温度例えば100°Cに降温し、保持する場合、または、真空チャンバ内でのプロセスにより、例えばプラズマの輻射熱を受けて入熱するウエハWの温度を所定温度まで降温し、保持する場合には、加熱手段41の作動時には、当該加熱手段41の作動を停止した後基台1に設けた冷媒循環通路11に冷媒を循環させて、基台1を冷却する。本実施形態のものでは、絶縁性プレート3の下面と基台1上面との間に、これら基台1及びプレート3に密着して熱抵抗を低下させるシリコーンゴム製のシート部材2を介在させているため、絶縁性プレート3から基台1への熱引けが、当該シート部材2を介在しない場合と比較して促進されるようになり、一層低い所定温度までウエハWを降温できて、制御し得るウエハWの温度範囲が広がり、温度制御性が向上する。また、ウエハWを所定温度に加熱した状態から所定温度まで冷却するような場合でも、チャック本体4には急激な温度勾配が生じることが抑制できる。以上説明した本実施形態の基板保持装置Mによれば、ウエハWを加熱、冷却するときの温度制御性がよく、しかも、チャック本体4に急激な温度勾配が生じることが抑制できるため、チャック本体4に割れやかけが発生するといったことを確実に防止できる。次に、本発明の効果を確認するため、次の実験を行った。実験1では、基板保持装置Mが設置される処理装置としてスパッタリング装置を用いた。また、基板保持装置Mとして、ステンレス製の基台と、窒化アルミニウムのセラミックスで構成されたチャック本体との間に、シリコーンゴム製のシート部材及びシリコン酸化物のセラミックスプレートを介在させたもの発明品と、シリコン酸化物のセラミックスプレートのみを介在させたもの比較品1、窒化アルミニウムのセラミックスプレートのみを介在させたもの比較品2、シリコーンゴム製のシート部材及び窒化アルミニウムのセラミックスプレートを介在させたもの比較品3とを夫々用意した。この場合、各セラミックスプレートの厚さは、9mmとし、また、シート部材の厚さは、0.2mmとした。スパッタリング条件として、ターゲットをアルミニウム製とし、ターゲットとウエハWとの間の距離を、60mmとした。また、ターゲットへの投入電力を22kW、スパッタ時の真空チャンバ内の圧力を6×10-1Paに設定した。そして、各基板保持装置における電極への印加電圧を0.6~0.8kVに設定してウエハを吸着し、基台を循環させる冷媒冷却水の温度を、20°Cに設定し、スパッタリングによる成膜時におけるチャックプレート温度°Cと基台に内蔵したヒータ電力Wとの関係を確認した。図2には、測定結果を示すグラフである。図2中、-○-が発明品、-●-が比較品1、-◆-が比較品2、-◇-が比較品3である。これによれば、シリコーンゴム製のシート部材及び窒化アルミニウムのセラミックスプレートを介在させた比較品3では、チャックプレート温度を100°Cにするには、ヒータ電力として900Wが必要となり、チャックプレートの冷却効率が高すぎて、大きなヒータ電力が必要になることが判る。また、比較品2では、ヒータ電力を制御しても成膜中のプラズマからの入熱等により、チャックプレートの温度を170°C以下に降温することができなかった。また、比較品2及び比較品3共、昇温及び降温を所定回数繰り返すと、セラミックスプレートに割れが確認された。比較品1では、ウエハの昇温及び降温を所定時間繰り返しても、チャック本体に割れの発生は確認できなかったものの、ヒータ電力を制御しても成膜中のプラズマからの入熱等により、225°C以下の温度にすることはできなかった。それに対して、発明品では、スパッタリング中に100°C~300°Cの温度範囲のときのヒータ電力が250W~900Wであり、制御性よくチャックプレートの温度、ひいてはウエハ基板温度を変えることができることが確認された。次に、上記各基板保持装置にて、チャックプレートの温度に対するウエハ面内の温度分布最大温度差を測定した。図3は、その結果を示すグラフである。図3中、-○-が発明品、-●-が比較品1、-◆-が比較品2、-◇-が比較品3である。これによれば、発明品や比較品1の如く、シリコン酸化物のセラミックスプレートを用いる方が、基板内温度の分布がよく、窒化アルミニウムのセラミックスプレートを用いた場合には、冷却効率が高くなる程、分布が悪化することが確認された。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記に限定されるものではない。静電チャックとして、所謂双極型のものを例に説明したが、他の形式のものであっても本発明は適用できる。また、加熱手段や冷却手段を設ける位置や方法も上記に限定されるものではない。更に、上記実施形態では、シート部材2を、基台1上面と絶縁性プレート3の下面にその全面に亘って夫々密着する大きさとしたが、これに限定されるものではなく、局所的に設けるような構成でもよい。