"第1のカルコゲン元素含有有機化合物、第1のルイス塩基、I-B族元素および第1のIII-B族元素を含む第1化合物を準備する工程と、有機配位子および第2のIII-B族元素を含む第2化合物を準備する工程と、前記第1化合物、前記第2化合物および有機溶媒を含む半導体層形成用溶液を作製する工程と、前記半導体層形成用溶液を用いてI-III-VI族化合物を含む半導体層を作製する工程とを具備することを特徴とする半導体層の製造方法。前記有機配位子を第2のカルコゲン元素含有有機化合物とする、請求項1に記載の半導体層の製造方法。前記第2化合物を準備する工程は、第2のルイス塩基、前記第2のカルコゲン元素含有有機化合物および前記第2のIII-B族元素を含む溶液に前記第2のルイス塩基よりも塩基性の低い溶媒を添加して析出した前記第2化合物を取り出す工程である、請求項2に記載の半導体層の製造方法。前記第2のルイス塩基として前記第1のルイス塩基よりも塩基性が弱いものを用いる、請求項3に記載の半導体層の製造方法。前記第2のルイス塩基として前記第1のルイス塩基よりも沸点が低いものを用いる、請求項3に記載の半導体層の製造方法。前記第2化合物を準備する工程は、芳香族アミン、前記第2のカルコゲン元素含有有機化合物および前記第2のIII-B族元素を含む溶液に脂肪族アミンを添加して析出した前記第2化合物を取り出す工程である、請求項2に記載の半導体層の製造方法。請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体層の製造方法によって第1の半導体層を作製する工程と、該第1の半導体層に電気的に接続された、該第1の半導体層とは異なる導電型の第2の半導体層を作製する工程とを具備することを特徴とする光電変換装置の製造方法。第1のカルコゲン元素含有有機化合物、第1のルイス塩基、I-B族元素および第1のIII-B族元素を含む第1化合物と、有機配位子および第2のIII-B族元素を含む第2化合物と、有機溶媒とを含む半導体層形成用溶液。前記有機配位子は第2のカルコゲン元素含有有機化合物である、請求項8に記載の半導体層形成用溶液。以下に本発明の実施形態に係る半導体層の製造方法、光電変換装置の製造方法および半導体形成用溶液について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る半導体層の製造方法を用いて作製した光電変換装置の一例を示す斜視図であり、図2はその断面図である。光電変換装置10は、基板1と、第1の電極層2と、I-III-VI族化合物を含む半導体層である第1の半導体層3と、第2の半導体層4と、第2の電極層5とを具備している。なお、これに限定されず、第2の半導体層4がI-III-VI族化合物を含む半導体層であってもよい。第1の半導体層3と第2の半導体層4とは導電型が異なっており、これらが電気的に接続されている。これにより、電荷を良好に取り出すことが可能な光電変換体が形成される。例えば、第1の半導体層3がp型であれば、第2の半導体層4はn型である。なお、第1の半導体層3と第2の半導体層4との間に高抵抗のバッファ層が介在していてもよい。本実施形態では、第1の半導体層3が一方導電型の光吸収層であり、第2の半導体層4がバッファ層と他方導電型半導体層とを兼ねている例を示している。また、本実施形態における光電変換装置10は、第2の電極層5側から光が入射されるものを想定しているが、これに限定されず、基板1側から光が入射されるものであってもよい。図1、図2において、光電変換装置10は複数並べて形成されている。そして、光電変換装置10は、第1の半導体層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。そして、第1の半導体層3に設けられた接続導体7によって、第2の電極層5と第3の電極層6とが電気的に接続されている。図1、図2においては、この第3の電極層6は、隣接する光電変換装置10の第1の電極層2が延伸されたものである。この構成により、隣接する光電変換装置10同士が直列接続されている。なお、一つの光電変換装置10内において、接続導体7は第1の半導体層3および第2の半導体層4を貫通するように設けられており、第1の電極層2と第2の電極層5とで挟まれた第1の半導体層3と第2の半導体層4とで光電変換が行なわれる。基板1は、光電変換装置10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。第1の電極層2および第3の電極層6は、Mo、Al、TiまたはAu等の導電体が用いられ、基板1上にスパッタリング法または蒸着法等で形成される。第1の半導体層3はI-III-VI族化合物を含んでいる。I-III-VI族化合物とは、I-B族元素11族元素ともいうとIII-B族元素13族元素ともいうとVI-B族元素16族元素ともいうとの化合物であり、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物と呼ばれるCIS系化合物ともいう。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuIn,GaSe2CIGSともいう、CuIn,GaSe,S2CIGSSともいう、およびCuInSe2CISともいうが挙げられる。なお、CuIn,GaSe2とは、CuとInとGaとSeとを主に含んだ化合物をいう。また、CuIn,GaSe,S2とは、CuとInとGaとSeとSとを主に含んだ化合物をいう。このようなI-III-VI族化合物は光電変換効率が高く、10μm以下の薄層として用いても有効な起電力を得ることができる。このような第1の半導体層3は、次のようにして作製される。先ず、第1の半導体層3を形成するための半導体層形成用溶液を準備する。そして、この半導体層形成用溶液を用いて皮膜が形成され、この皮膜が熱処理されることにより、第1の半導体層3となる。このような半導体層形成用溶液は、第1化合物を準備する工程と、第2化合物を準備する工程と、半導体層形成用溶液を作製する工程とにより作製される。以下にそれぞれの工程を詳細に説明する。<<第1化合物を準備する工程>>第1化合物は、第1のカルコゲン元素含有有機化合物と第1のルイス塩基とI-B族元素と第1のIII-B族元素とを1つの錯体分子内に含んでいる。すなわち、第1化合物は、I-III-VI族化合物を構成する元素である、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素をすべて含んでいる。そして、これらの元素の化学反応でI-III-VI族化合物を形成し得る。よって、第1化合物を単一源前駆体ということもある。以下では第1化合物を単一源前駆体ともいう。カルコゲン元素含有有機化合物は、カルコゲン元素カルコゲン元素とはVI-B族元素のうちのS、Se、Teをいうを有する有機化合物である。例えば、チオール、スルフィド、ジスルフィド、チオフェン、スルホキシド、スルホン、チオケトン、スルホン酸、スルホン酸エステル、スルホン酸アミド、セレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシド、セレノン、テルロール、テルリド、ジテルリド等がある。特に、配位力が高く金属元素と安定な錯体を形成しやすいという観点からは、チオール、スルフィド、ジスルフィド、セレノール、セレニド、ジセレニド、テルロール、テルリド、ジテルリドが用いられてもよい。ルイス塩基は、非共有電子対を有する化合物である。ルイス塩基としては、非共有電子対を有するV-B族元素15族元素ともいうを具備した官能基や非共有電子対を有するVI-B族元素を具備した官能基を有する有機化合物が用いられる。単一源前駆体の一例を構造式1に示す。式中、R-Eは第1のカルコゲン元素含有有機化合物Rは有機化合物、Eはカルコゲン元素であるである。また、Lは第1のルイス塩基である。また、M’はI-B族元素である。また、M’’は第1のIII-B族元素である。このような単一源前駆体は以下のようにして作製される。単一源前駆体の作製方法は、第1錯体溶液の作製工程と、第2錯体溶液の作製工程と、単一源前駆体を有する沈殿物の作製工程とを具備している。以下にそれぞれの工程を詳細に説明する。<第1錯体溶液の作製工程>まず、第1のルイス塩基と、I-B族元素とを含む第1錯体が存在する第1錯体溶液が作製される。第1のルイス塩基としては、PC6H53、AsC6H53、NC6H53等のV-B族元素15族元素ともいうを含む有機化合物が用いられてもよい。また、I-B族元素の原料としては、CuCH3CN4PF6等の有機金属錯体が挙げられる。この有機金属錯体に用いられる有機配位子としては上記第1のルイス塩基よりも塩基性が弱いものがよい。また、第1錯体溶液の有機溶媒としては、アセトニトリル、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール等が挙げられる。第1のルイス塩基をLとし、I-B族元素の有機金属錯体をM’R’4-とし、第1錯体を[L2M’R’2]-としたときに、上記第1錯体を形成する反応は、反応式1のように表される。このとき、M’はI-B族元素、R’は任意の有機配位子、-は任意の陰イオンを示す。反応式1の具体例として、例えば、第1のルイス塩基LがPC6H53、I-B族元素の有機金属錯体M’R’m-がCuCH3CN4PF6の場合は、第1錯体[LnM’R’m-n]-が{PC6H53}2CuCH3CN2PF6として生成する。<第2錯体溶液の作製工程>第1のカルコゲン元素含有有機化合物と第1のIII-B族元素とを含む第2錯体が存在する第2錯体溶液が作製される。第1のカルコゲン元素含有有機化合物としては、フェニルセレノール、ジフェニルジセレニド等が用いられてもよい。また、第1のIII-B族元素の原料としては、InCl3、GaCl3等の金属塩が挙げられる。また、第2錯体溶液の有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール等が挙げられる。カルコゲン元素をEとし、第1のカルコゲン元素含有有機化合物の金属塩をAとし、第1のIII-B族元素の金属塩をM’’3とし、第2錯体をA[M’’4]-としたときに、上記第2錯体を形成する反応は、反応式2のように表される。このとき、R’’は有機化合物、Aは任意の陽イオン、M’’は第1のIII-B族元素、X’’は任意の陰イオンを示す。なお、第1のカルコゲン元素含有有機化合物の金属塩Aは、NaOCH3のような金属アルコキシドとフェニルセレノールHSeC6H5のような第1のカルコゲン元素含有有機化合物とを反応させることによって得られる。反応式2の具体例として、例えば、第1のカルコゲン元素含有有機化合物の金属塩AがNaSeC6H5、第1のIII-B族元素の金属塩M’’3がInCl3またはGaCl3、の場合は、第2錯体AM’’4-が、NaIn4-またはNaGa4-として生成する。なお、第2錯体溶液に含まれる第1のIII-B族元素は、1種類に限らず、複数種類が含まれていてもよい。例えば、InとGaの両方が第2錯体溶液中に含まれてもよい。そのような第2錯体溶液は、第2錯体溶液の原料として複数種の第1のIII-B族元素の金属塩の混合体が用いられることによって作製される。あるいは、1種類の第1のIII-B族元素を含む第2錯体溶液が、各第1のIII-B族元素ごとに作製され、これらが混合されることによって作製されてもよい。<単一源前駆体を有する沈殿物の作製工程>上記のようにして作製された第1錯体溶液と第2錯体溶液とが混合されることにより、第1錯体と第2錯体とが反応し、Cu等のI-B族元素、InやGa等の第1のIII-B族元素、および、Se等のカルコゲン元素を含有する単一源前駆体を含む沈殿物が生じる。このような単一源前駆体LnM’2M’’2を形成する反応は、反応式3のように表される。反応式3の具体例として、第1錯体が{PC6H53}2CuCH3CN2PF6、第2錯体がNaM’’4-M’’はInおよび/またはGaであるの場合は、単一源前駆体は{PC6H53}2Cu2M’’2として生成する。そして、この単一源前駆体を含む沈殿物と沈殿物の上方の溶液とが分離され、溶液部分が排出され、乾燥されることにより、単一源前駆体を含む沈殿物が取り出される。第1錯体と第2錯体との反応の際に設定される温度は、例えば0~30°Cである。また、この反応の時間は、例えば1~5時間である。反応によって生じた沈殿物は、NaやClなどの不純物の除去のために、遠心分離もしくは濾過などの手法を用いて洗浄されてもよい。<<第2化合物を準備する工程>>次に、第2化合物を準備する工程を示す。第2化合物は、有機配位子と第2のIII-B族元素とを含んでいる。第2のIII-B族元素は、上記第1のIII-B族元素と同じであってもよく、異なるものであってもよい。また、第2化合物の有機配位子としては、第2のIII-B族元素と配位結合し、錯体を形成するものであればよい。このような有機配位子としては、例えば、アミノ基、フォスフィノ基、カルボキシル基およびカルボニル基を有する有機化合物や、VI-B族元素を有する有機化合物等が挙げられる。特にカルコゲン化が良好に進行して上記単一源前駆体との反応によってI-III-VI族化合物を良好に形成するという観点からは、有機配位子がカルコゲン元素含有有機化合物以下では、第2化合物の有機配位子として用いられるカルコゲン元素含有有機化合物を第2のカルコゲン元素含有有機化合物ともいうであってもよい。このように有機配位子としてカルコゲン元素含有有機化合物が用いられてI-III-VI族化合物が良好に形成されることにより、第1の半導体層3が堅固になり、光電変換装置10の使用による熱履歴で第1の半導体層3にクラック等の破損が生じにくくなる。このような第2のカルコゲン元素含有有機化合物は、上記第1のカルコゲン元素含有有機化合物と同じであってもよく、異なるものであってもよい。第2化合物が第2のカルコゲン元素含有有機化合物と第2のIII-B族元素とを含んでいる場合には、第2化合物は、例えば以下のようにして作製されてもよい。まず、第2のIII-B族元素を含む原料と、第2のカルコゲン元素含有有機化合物とが溶媒に溶解され、第2のIII-B族元素に第2のカルコゲン元素含有有機化合物が配位した錯体状の第2化合物が形成される。この第2化合物を含む溶液がそのまま用いられて、後述する半導体層形成用溶液が作製されてもよい。あるいは、この第2化合物を含む溶液に非極性溶媒や低極性溶媒が添加されることによって、析出した第2化合物が取り出され、この取り出された第2化合物が用いられて、後述する半導体層形成用溶液が作製されてもよい。この第2化合物の析出に用いられる非極性溶媒や低極性溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、四塩化炭素、ベンゼン等の非極性溶媒が用いられてもよく、または、第2化合物を溶解する溶媒よりも極性が低い低極性溶媒が用いられてもよい。このように第2化合物が析出される場合は、第2化合物が洗浄されて不純物がより除去されやすくなる。第2化合物に不要な成分が残存するのを低減するという観点からは、第2のIII-B族元素が単体または合金の状態で、第2のカルコゲン元素含有有機化合物と第2のルイス塩基との混合液以下、第2のカルコゲン元素含有有機化合物と第2のルイス塩基との混合液を混合液Mともいうに直接溶解されてもよい。この第2のルイス塩基は第2のカルコゲン元素含有有機化合物の配位力を高めるためのものであり、上記第1のルイス塩基と同じであってもよく、異なるものでもよい。例えば、第2のカルコゲン元素含有有機化合物としてのフェニルセレノールと、第2のルイス塩基としてのアニリンとの混合液Mに、第2のIII-B族元素としてのInおよび/またはGaが、単体金属の状態あるいはこれらの合金の状態で添加され、溶解されてもよい。これにより、Inにフェニルセレノールが配位した第2化合物および/またはGaにフェニルセレノールが配位した第2化合物が形成される。これにより、第2のIII-B族元素の原料として金属塩が用いられた場合に比べて、不要な対イオンが残存することが低減される。混合液Mにおける第2のカルコゲン元素含有有機化合物は、第2のルイス塩基に対して1~250molとしてもよい。これにより、第2のIIIB族元素と第2のカルコゲン元素含有有機化合物との化学結合が形成されやすくなり、第2化合物が良好に形成される。混合液M中で形成され、混合液M中に溶解した状態の第2化合物は、一度、溶液中から取り出されてもよい。この場合には、第2化合物を含む混合液Mに非極性溶媒や低極性溶媒が添加されることによって、第2化合物が析出する。また、この混合液Mの第2のルイス塩基として、ピリジンやアニリン等の芳香族アミンが用いられる場合には、第2化合物を析出させるための低極性溶媒として脂肪族アミンが用いられてもよい。このように脂肪族アミンによって第2化合物が析出されると、第2化合物の析出物に残存する芳香族アミンの量が低減する。つまり、混合液M中で第2化合物に結合していた芳香族アミンが脂肪族アミンによって置換されることによって、第2化合物の析出物には芳香族アミンよりも脂肪族アミンが残存しやすくなる。脂肪族アミンは芳香族アミンに比べて熱分解されやすいため、このような第2化合物を用いて第1の半導体層3を形成した場合には、第1の半導体層3の形成途中で不要な有機物が早期に熱分解される。その結果、I-III-VI族化合物の生成が良好に行なわれ、良好な第1の半導体層3が形成される。このような脂肪族アミンとしては、エチレンジアミン、2-メチル-1,3-プロパンジアミン等が挙げられる。<<半導体層形成用溶液を作製する工程>>上述した単一源前駆体の沈殿物と、上述した第2化合物の析出物とが有機溶媒に溶解されることにより、半導体層形成用溶液が作製される。あるいは、上述した単一源前駆体の沈殿物が、上述した第2化合物を含む溶液に溶解されて半導体層形成用溶液が作製されてもよい。このように単一源前駆体と第2化合物とを混合することにより、I-B族元素とIII-B族元素とのモル比を容易に調整することが可能となり、光電変換効率の高い第1の半導体層3の作製が容易となる。また、第2化合物は、第2のIII-B族元素を取り囲むように有機配位子が存在することによって、単一源前駆体との親和性が高くなる。そのため、このような半導体層形成用溶液を用いて皮膜が形成された際には、単一源前駆体と第2化合物とが良好に近づきあい、単一源前駆体と第2化合物とが相分離することなく、良好に分散した状態となる。その結果、皮膜が熱処理された際に、単一源前駆体に含まれるI-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素と、第2化合物に含まれるIII-B族元素とが良好に反応して、I-III-VI族化合物が良好に生成する。単一源前駆体の沈殿物と、第2化合物の析出物とが有機溶媒に溶解されて半導体層形成用溶液が作製される場合は、有機溶媒としては、単一源前駆体および第2化合物が溶解可能なものが用いられる。このような有機溶媒としては、例えば、トルエン、ピリジン、キシレン、アセトン等が用いられる。また、単一源前駆体の沈殿物が、第2化合物を含む溶液に溶解されて半導体層形成用溶液が作製される場合には、第2化合物を含む溶液として単一源前駆体を溶解可能なものが用いられる。第2化合物を含む溶液が、第2のIII-B族元素を混合液M中に溶解させたものである場合は、混合液M中の第2のルイス塩基は、単一源前駆体の第1のルイス塩基よりも塩基性の低いものであってもよい。これにより、単一源前駆体を含む沈殿物が、第2化合物を含む混合液Mに溶解されたときに、単一源前駆体の構造が良好に維持されやすくなり、I-III-VI族化合物を良好に形成可能な半導体層形成用溶液が得られる。また、第2化合物を含む溶液が、第2のIII-B族元素を混合液M中に溶解させたものである場合は、混合液M中の第2のルイス塩基は、単一源前駆体の第1のルイス塩基よりも沸点の低いものであってもよい。これにより、半導体層形成用溶液を用いて形成された皮膜が、熱処理されてI-III-VI族化合物を含む第1の半導体層3となる際に、第2のルイス塩基が先に熱分解される。そのため、単一源前駆体のI-B族元素に配位子した第1のルイス塩基がある期間残る状態が存在することとなる。この期間において、I-B族元素に配位子した第1のルイス塩基がIII-B族元素を引き寄せることによってIII-B族元素とI-B族元素との反応が起こりやすくなり、I-III-VI族化合物を含む第1の半導体層3の形成が促進される。第1のルイス塩基の沸点と第2のルイス塩基の沸点との差は、例えば、50°C以上、さらには100°C以上である。例えば、単一源前駆体の第1のルイス塩基がPC6H53の場合には、混合液Mの第2のルイス塩基としてはピリジン、アニリン等が用いられてもよい。上記のようにして作製した半導体層形成用溶液が、第1の電極2を有する基板1の表面に、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレーまたはダイコータなどを用いて塗布され、乾燥されることによって、皮膜が形成される。乾燥は、還元雰囲気下で行なわれてもよい。乾燥時の温度は、例えば、50~300°Cであってもよい。そして、上記皮膜が熱処理されて、1~2.5μmの厚みの第1の半導体層3が作製される。熱処理は、酸化を防止して良好な第1の半導体層3とするために、還元雰囲気で熱処理されてもよい。熱処理における還元雰囲気としては、窒素雰囲気、フォーミングガス雰囲気および水素雰囲気等のいずれであってもよい。熱処理温度は、例えば、400°C~600°Cであってもよい。上記皮膜は、第1のカルコゲン元素含有有機化合物に含まれたカルコゲン元素第2のカルコゲン元素含有有機化合物も含まれている場合は、第2のカルコゲン元素含有有機化合物に含まれたカルコゲン元素も含まれるを原料として反応し、カルコゲン元素を含む第1の半導体層3を形成可能である。なお、半導体層形成用溶液にカルコゲン元素が別途溶解されていてもよい。また、皮膜が熱処理される際に、雰囲気中にカルコゲン元素が含まれていてもよい。これにより蒸発等によって不足しやすいカルコゲン元素が十分に供給され、所望の組成比の第1の半導体層3が良好に形成されやすくなる。以上のような半導体層形成用溶液を用いることにより、所望の組成比の第1の半導体層3を容易に形成することができ、この第1の半導体層3を具備する光電変換装置の光電変換効率を高めることができる。光電変換装置10では、第1の半導体層3上に第1の半導体層3とは異なる導電型の第2の半導体層4が形成される。第1半導体層3および第2半導体層4は、一方がn型で他方がp型の異なる導電型を有しており、これらがpn接合している。または、第1半導体層3がp型であり第2半導体層4がn型であってもよく、逆の関係であってもよい。なお、第1半導体層3および第2半導体層4によるpn接合は、第1半導体層3と第2半導体層4とが直接接合しているものに限らない。例えば、これらの間に第1半導体層3と同じ導電型の他の半導体層かまたは第2半導体層4と同じ導電型の他の半導体層をさらに有していてもよい。また、第1半導体層3と第2半導体層4との間に、i型の半導体層を有するpin接合であってもよい。第1半導体層3と第2半導体層4とはホモ接合であってもよく、ヘテロ接合であってもよい。ヘテロ接合である場合は、第2半導体層4としては、CdS、ZnS、ZnO、In2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が挙げられる。この場合、第2半導体層4は、例えばケミカルバスデポジションCBD法等で10~200nmの厚みで形成される。なお、InOH,Sとは、InとOHとSとを主に含む化合物をいう。Zn,InSe,OHは、ZnとInとSeとOHとを主に含む化合物をいう。Zn,MgOは、ZnとMgとOとを主に含む化合物をいう。第2の電極層5は、ITO、ZnO等の0.05~3μmの透明導電膜である。透光性および導電性を高めるため、第2の電極層5は第2の半導体層4と同じ導電型の半導体で構成されてもよい。第2の電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成される。第2の電極層5は、第2の半導体層4よりも抵抗率の低い層であり、第1の半導体層3で生じた電荷を取り出すためのものである。電荷を良好に取り出すという観点からは、第2の電極層5の抵抗率が1Ωcm未満でシート抵抗が50Ω/□以下であってもよい。第2の電極層5は第1の半導体層3の吸収効率を高めるため、第1の半導体層3の吸収光に対して光透過性を有していてもよい。光透過性を高めるとともに光電変換によって生じた電流を良好に伝送するという観点から、第2の電極層5は0.05~0.5μmの厚さであってもよい。また、第2の電極層5と第2の半導体層4との界面での光反射を低減するという観点から、第2の電極層5と第2の半導体層4の屈折率差は小さくてもよい。光変換モジュールは、複数個並べられ、且つ互いに電気的に接続された光電変換装置10を有する。隣接する光電変換装置10同士を容易に直列接続するために、図1、図2に示すように、光電変換装置10は、第1の半導体層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。そして、第1の半導体層3に設けられた接続導体7によって、第2の電極層5と第3の電極層6とが電気的に接続されている。接続導体7は、第2の電極層5を形成する工程と同じ工程で形成して第2の電極層5と一体化されてもよい。これにより、工程を簡略化できるとともに、第2の電極層5との電気的な接続信頼性を高めることができる。接続導体7は、第2の電極層5と第3の電極層6とを接続するとともに、隣接する光電変換装置10の各第1の半導体層3を貫通するように形成されている。このような構成により、隣接する第1の半導体層3でそれぞれ光電変換を良好に行ない、直列接続で電流を取り出すことができる。図1、図2に示すように、第2の電極層5上に集電電極8が形成されていてもよい。集電電極8は、第2の電極層5の電気抵抗を小さくするためのものである。集電電極8は、例えば、図1に示すように、光電変換装置10の一端から接続導体7にかけて線状に形成されている。これにより、第1の半導体層3の光電変換によって生じた電流が第2の電極層5を介して集電電極8に集電され、接続導体7を介して隣接する光電変換装置10に良好に導電される。よって、集電電極8が設けられていることにより、第1の半導体層3への光透過率を高めるために第2電極層5を薄くした場合でも、第1の半導体層3で発生した電流を効率よく取り出すことができる。その結果、光電変換効率を高めることができる。集電電極8は、第1の半導体層3への光透過率を高めるとともに良好な導電性を有するという観点から、50~400μmの幅を有していてもよい。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。集電電極8は、平面視して光吸収層3の外周端部まで達するように設けられていてもよい。このような構成により、集電電極8によって光吸収層3の外周部が保護される。よって、光吸収層3の外周部での欠けが低減され、光吸収層3の外周部においても光電変換が良好に行なわれる。また、この光吸収層3の外周部で発生した電流が、外周端部まで達する集電電極8によって効率よく取り出される。その結果、光電変換装置10の光電変換効率が高くなる。本発明の一実施形態に係る半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法について、以下のようにして評価した。<<第1化合物単一源前駆体を準備する工程>><第1錯体溶液の作製工程>I-B族元素の有機金属錯体として1mmolのCuCH3CN4PF6と、第1のルイス塩基として2mmolのPC6H53とを、10mlのアセトニトリルに溶解した。この溶液をマグネチックスターラーにて室温で5時間攪拌し、第1錯体を含有する第1錯体溶液以下、第1錯体溶液11というを作製した。<第2錯体溶液の作製工程>一方、4mmolのNaOCH3と、4mmolのHSeC6H5とを、30mlのメタノールに溶解した後、この溶液にInCl3およびGaCl3が合計1mmolになるように溶解した。この溶液をマグネチックスターラーにて室温で5時間攪拌し、第2錯体を含有する第2錯体溶液以下、第2錯体溶液12というを作製した。<単一源前駆体を有する沈殿物の作製工程>次に、第1錯体溶液11に第2錯体溶液12を1分間に10mlの速度で滴下した。これにより、滴下中に白い析出物が生成することが確認された。滴下終了後、マグネチックスターラーにて室温で1時間攪拌した。その後、溶液中に析出物が沈殿していることが確認された。この沈殿物を遠心分離機にて取り出した。この取り出された沈殿物を50mlのメタノールに分散して、再度、遠心分離機にて取り出すという操作を2回繰り返した。その結果、最終的に取り出された沈殿物は、Naの残留量が1ppm以下となっていることが確認された。この単一源前駆体を含む沈殿物を真空中において室温で乾燥して溶媒を取り除いた。この沈殿物の組成分析を発光分光分析ICPを用いて行なった。表1に、単一源前駆体を作製する際の仕込み組成比と、作製された単一源前駆体を含む沈殿物の組成比とを記載している。<<半導体層形成用溶液を作製する工程>>この単一源前駆体を含む沈殿物にピリジンを添加して、沈殿物が全量中50質量の溶液を複数作製した。そして、これらの各溶液に、表2に示すような組成比となるように、第2化合物としてインジウムアセチルアセトナートおよび/またはガリウムアセチルアセトナートを添加して溶解させ、複数種の半導体層形成用溶液を作製した。なお、試料No.4は、インジウムアセチルアセトナートもガリウムアセチルアセトナートも添加しなかったものである。<<光電変換装置を作製する工程>>これらの半導体層形成用溶液をドクターブレード法によって、ソーダライムガラス基板1のMoからなる第1電極層2上に塗布して、皮膜を形成した。具体的には、グローブボックス内で、キャリアガスとして窒素ガスを用いて、半導体層形成用溶液を第1電極層2上へ塗布することによって塗布膜を形成した。そして、この塗布膜をホットプレートによって110°Cで5分間加熱して、乾燥させることによって皮膜を形成した。皮膜形成の後、水素ガス雰囲気下で皮膜を熱処理した。熱処理は、525°Cまで5分間で急速昇温させ、525°Cで1時間保持した後、自然冷却させるという条件で行なった。これにより、厚み1.5μmの化合物半導体薄膜からなる第1の半導体層3を作製した。この後、酢酸カドミウムおよびチオ尿素が溶解されたアンモニア水溶液に、上記第1の半導体層3が形成された試料を浸漬した。これにより、第1の半導体層3上に厚み0.05μmのCdSからなる第2の半導体層4を形成した。さらに、第2の半導体層4の上に、スパッタリング法にてAlドープ酸化亜鉛膜第2電極層5を形成した。最後に蒸着にてアルミ電極取出電極を形成して、光電変換装置10を作製した。この光電変換装置10の光電変換効率を、定常光ソーラーシミュレーターを用いて測定した。ここでは、光電変換装置10の受光面に対する光の照射強度が100mW/cm2であり且つエアマスAMが1.5である条件下で光電変換効率を測定した。なお、光電変換効率は、光電変換装置10において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示し、ここでは、光電変換装置10から出力される電気エネルギーの値を、光電変換装置10に入射される太陽光のエネルギーの値で除して、100を乗じることで算出した。表2から、単一源前駆体と、有機配位子を有する第2化合物とを含む半導体層形成用溶液を用いて第1の半導体層3を形成することにより、第1の半導体層3のCu、In、Gaのモル比を制御することができ、これにより、光電変換装置10の光電変換効率を高めることができることがわかる。<<第1化合物単一源前駆体を準備する工程>>実施例1で作製された単一源前駆体を含む沈殿物を準備した。<<第2化合物を準備する工程>>また、第2のルイス塩基として10mmolのピリジンと、第2のカルコゲン元素含有有機化合物として4mmolのHSeC6H5とを混合して混合液Mを作製した。そして、この混合液Mに金属のインジウムおよび/または金属のガリウムを、その合計が4mmolとなるように溶解することにより、第2化合物を含む溶液を複数種、作製した。<<半導体層形成用溶液を作製する工程>>これらの複数種の、第2化合物を含む溶液のそれぞれに、上記の単一源前駆体を含む沈殿物を溶解させることによって、表3に示すような組成比の複数種の半導体層形成用溶液を作製した。なお、試料No.8は、第2化合物を含む溶液ではなく、混合液Mに上記の沈殿物を溶解させたものである。<<光電変換装置を作製する工程>>これらの半導体層形成用溶液を用いて光電変換装置10を作製した。光電変換装置の作製条件は実施例1と同様とした。この光電変換装置10の光電変換効率を、定常光ソーラーシミュレーターを用いて測定した。測定条件は実施例1と同様とした。表4から、単一源前駆体と、第2化合物を含む溶液とで作製された半導体層形成用溶液を用いて第1の半導体層3を形成することにより、第1の半導体層3のCu、In、Gaのモル比を制御することができ、これにより、光電変換装置10の光電変換効率を高めることができることがわかる。<<第1化合物単一源前駆体を準備する工程>>実施例1と同様の方法で、4バッチ分の単一源前駆体を含む沈殿物を作製した。これらについて、表4に、単一源前駆体を作製する際の仕込み組成比と、作製された単一源前駆体を含む沈殿物の組成比とを記載している各試料は同じ条件で行なっており、作製された沈殿物の組成比の違いは実験ばらつきを示す。<<第2化合物を準備する工程>>また、第2のルイス塩基として50mmolのアニリンと、第2のカルコゲン元素含有有機化合物として60mmolのHSeC6H5とを混合されて混合液Mを作製した。そして、この混合液Mに金属のインジウムおよび/または金属のガリウムを、その合計が10mmolとなるように溶解させることにより、第2化合物を含む溶液を複数種、作製した。そして、これらの第2化合物を含む溶液のそれぞれにヘキサンを添加し、攪拌することにより、第2化合物の析出物を得た。この第2化合物の析出物を、遠心分離機にて取り出した。そして、この取り出した析出物を50mlのヘキサンに分散して、再度、遠心分離機にて取り出すという操作を2回繰り返した。<<半導体層形成用溶液を作製する工程>>そして、この第2化合物を、上記の単一源前駆体を含む沈殿物試料No.9~12に対して、それぞれ表5に示すような組成比になるように調整して混合して、これらにピリジンを添加した。これにより、第2化合物および単一源前駆体の沈殿物の合計が全量中45質量の半導体層形成用溶液を作製した。なお、試料No.12は第2化合物を添加しなかったものである。<<光電変換装置を作製する工程>>これらの半導体層形成用溶液を用いて光電変換装置10を作製した。光電変換装置の作製条件は実施例1と同様とした。この光電変換装置10の光電変換効率を、定常光ソーラーシミュレーターを用いて測定した。測定条件は実施例1と同様とした。表5から、単一源前駆体と、第2のカルコゲン元素含有有機化合物を有する第2化合物とを含む半導体層形成用溶液を用いて第1の半導体層3を形成することにより、第1の半導体層3のCu、In、Gaのモル比を制御することができ、これにより、光電変換装置10の光電変換効率を高めることができることがわかる。<<第1化合物単一源前駆体を準備する工程>>実施例1と同様の方法で、4バッチ分の単一源前駆体を含む沈殿物を作製した。これらについて、表6に、単一源前駆体を作製する際の仕込み組成比と、作製された単一源前駆体を含む沈殿物の組成比とを記載している。<<第2化合物を準備する工程>>また、芳香族アミンとして50mmolのアニリンと、第2のカルコゲン元素含有有機化合物として60mmolのHSeC6H5とを混合して混合液Mを作製した。そして、この混合液Mに金属のインジウムおよび/または金属のガリウムを、その合計が10mmolとなるように溶解させることにより、第2化合物を含む溶液を複数種、作製した。そして、これらの第2化合物を含む溶液のそれぞれにエチレンジアミンを添加して、攪拌することにより、第2化合物の析出物を得た。この第2化合物の析出物を、遠心分離機にて取り出した。そして、この取り出した析出物を50mlのエチレンジアミンに分散させ、再度、遠心分離機にて取り出すという操作を2回繰り返した。<<半導体層形成用溶液を作製する工程>>そして、この第2化合物を、上記の単一源前駆体を含む沈殿物試料No.13~16に対して、それぞれ表7に示すような組成比になるように調整して混合し、これらにピリジンを添加した。これにより、第2化合物および単一源前駆体の沈殿物の合計が全量中45質量の半導体層形成用溶液を作製した。なお、試料No.16は第2化合物を添加しなかったものである。<<光電変換装置を作製する工程>>これらの半導体層形成用溶液を用いて光電変換装置10を作製した。光電変換装置の作製条件は実施例1と同様とした。この光電変換装置10の光電変換効率を、定常光ソーラーシミュレーターを用いて測定した。測定条件は実施例1と同様とした。表8から、単一源前駆体と、第2のカルコゲン元素含有有機化合物を有する第2化合物とを含む半導体層形成用溶液を用いて第1の半導体層3を形成することにより、第1の半導体層3のCu、In、Gaのモル比を任意に制御することができ、これにより、光電変換装置10の光電変換効率を高めることができることがわかる。なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。"