モールド樹脂により封止される半導体装置であって、半導体チップと、前記半導体チップが載置される基台と、前記半導体チップのコーナーの外側の前記基台上に配置され、前記モールド樹脂から前記半導体チップへ印加される応力を緩和する応力緩和部材とを備えることを特徴とする半導体装置。前記応力緩和部材が、前記半導体チップの対角線の延長線上に対向して配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記応力緩和部材の高さが、前記半導体チップの高さよりも高いことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記基台が、リードフレームのベッドであることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記基台が、配線基板であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。そこで、本発明が解決しようとする課題は、モールド樹脂から半導体チップへ印加される応力を緩和することのできる半導体装置を提供することにある。実施形態の半導体装置は、モールド樹脂により封止される半導体装置である。この半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップが載置される基台とを備え、前記モールド樹脂から前記半導体チップへ印加される応力を緩和する応力緩和部材が、前記半導体チップのコーナーの外側の前記基台上に配置される。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図中、同一または相当部分には同一の符号を付して、その説明は繰り返さない。実施形態図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置の構成の例を示す模式的平面図である。本実施形態の半導体装置はモールド樹脂により封止される半導体装置であって、図1は、樹脂封止される前の状態を示す。本実施形態の半導体装置は、半導体チップ1と、半導体チップが載置される基台2と、半導体チップ1のコーナーの外側の基台2上に配置され、樹脂封止後にモールド樹脂から半導体チップ1へ印加される応力を緩和する応力緩和部材3と、を備える。基台2は、リードフレームの場合はベッドであり、BGABallGridArrayなどの場合は配線基板である。応力緩和部材3は、半導体チップ1の各コーナーの外側に、半導体チップ1の対角線の延長線上に対向して配置される。その形成方法としては、基台2がリードフレームのベッドの場合は、リードフレーム製造時のプレス成型により形成することができる。また、基台2が配線基板の場合は、予め製造しておいた応力緩和部材3を、半導体チップ1と同様、接着剤により基台2にマウントするようにする。図2は、樹脂封止後にモールド樹脂から半導体チップ1へ印加される応力の様子を示す。モールド樹脂から印加される応力Sは、半導体チップ1のコーナーに集中することが知られている。また、その印加方向は、半導体チップ1の対角線方向である。そこで、本実施形態では、半導体チップ1の対角線の延長線上に応力緩和部材3を設け、半導体チップ1へ印加される応力を小さくする。図3は、本実施形態の半導体装置のコーナー付近の部分断面図である。ここで、応力緩和部材3は、その高さh1が半導体チップ1の高さh2よりも高くなるよう、形成されている。そのため、モールド樹脂から印加される応力Sは、応力緩和部材3への応力S1と、半導体チップ1への応力S2とに分散される。すなわち、半導体チップ1の上面に印加される応力が緩和される。その結果、半導体チップ1の上層のメタルを内側にスライドさせようとする力が弱まり、上層メタルに、断裂や剥がれなどの異常が発生しにくくなる。次に、図4~図7に、応力緩和部材3の様々な形状の例を示す。図4は、対角線方向の応力Sを応力緩和部材3の全面で受け止めるよう、壁形に応力緩和部材3を形成した例である。壁型にすることにより、図1に示した鍵括弧形よりも応力Sに対する抵抗力が高くなり、半導体チップ1に加わる応力を、より緩和することができる。図5は、柱形に応力緩和部材3を形成した例である。応力緩和部材3は、図2に示したように、その高さが半導体チップ1よりも高い。したがって、半導体チップ1へボンディングを行う場合、そのボンディング方向に応力緩和部材3があった場合、応力緩和部材3の上を跨ぐようにボンディングする必要がある。そのため、応力緩和部材3がない場合に比べて、ボンディングワイヤ長が長くなる。一般的に、チップコーナー部は、斜め方向にボンディングすることが多く、元々ボンディングワイヤ長が長い。そのボンディングワイヤ長がさらに長くなると、モールド時に、ワイヤ流れなどの問題が発生する。そこで、そのような問題の発生が懸念される場合には、図5に示す柱形の応力緩和部材3を用いるようにする。これにより、チップコーナー部のボンディングに対する影響を少なくすることができる。一方、ボンディングに関する問題がない場合は、図6に示すように、リング形に応力緩和部材3を形成してもよい。リング形にすることにより、対角線方向のみならず、それ以外の方向からの応力も緩和することができる。このような本実施形態によれば、半導体チップ1の各コーナーの外側に応力緩和部材3を配置することにより、半導体チップ1のコーナーへ印加されるモールド樹脂からの応力を緩和することができる。これにより、半導体チップ1の上層のメタルに断裂や剥がれなどの異常が発生することを抑えることができる。以上説明した実施形態の半導体装置によれば、モールド樹脂から半導体チップへ印加される応力を緩和することができる。また、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。