活性層を含む半導体積層と、前記半導体積層を搭載する主面及び前記主面の反対側にある裏面を有する基板と、前記裏面の上及び前記半導体積層の上のいずれか一方に設けられた電極層と、を備え、前記電極層は、第1の開口、第2の開口、第1の側面及び前記第1の側面の反対側にある第2の側面を有し、前記第1の開口は前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向に前記第1の側面から延在し、前記第1の開口は前記第2の側面から離間し、前記第2の開口は前記第1の側面から離間し、前記第1の開口と前記第2の開口とは、前記電極層の前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向と直交する方向に前記電極層の一部を挟み、前記活性層は前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向に延在している、ことを特徴とする半導体レーザ素子。前記第2の開口は前記第2の側面から前記第1の側面へ向かう方向に前記第2の側面から延在する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。前記第2の開口は前記第2の側面から前記第1の側面へ向かう方向に延在し、前記第2の開口は前記第2の側面から離間し、前記電極層は第3の開口を有し、前記第3の開口は前記第2の側面から前記第1の側面へ向かう方向に前記第2の側面から延在し、前記第2の開口と前記第3の開口とは、前記電極層の前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向と直交する方向に前記電極層の一部を挟んでいる、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。前記電極層は、前記裏面の上に設けられていることを特徴とする請求項1~請求項3の何れか一項に記載の半導体レーザ素子。前記電極層は、前記半導体積層の上に設けられていることを特徴とする請求項1~請求項3の何れか一項に記載の半導体レーザ素子。活性層を含む半導体積層と、前記半導体積層を搭載する主面及び前記主面の反対側にある裏面を有する基板と、前記裏面の上及び前記半導体積層の上のいずれか一方に設けられた電極層と、前記電極層に形成された第1の開口及び第2の開口と、を備えた半導体レーザ素子を準備する工程と、前記半導体レーザ素子に電流を印加して前記電流に応答する光を発生させる工程と、前記第1の開口を介して前記活性層の発光状態を観察して前記発光状態の像を含む第1の像を得る工程と、前記第2の開口を介して前記活性層の発光状態を観察して別の発光状態の像を含む第2の像を得る工程と、を含み、前記電極層は、第1の側面及び前記第1の側面の反対側にある第2の側面を有し、前記第1の開口は前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向に前記第1の側面から延在し、前記第1の開口は前記第2の側面から離間し、前記第2の開口は前記第1の側面から離間し、前記第1の開口と前記第2の開口とは、前記電極層の前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向と直交する方向に前記電極層の一部を挟み、前記活性層は前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向に延在している、ことを特徴とする半導体レーザ素子の発光状態の像を得る方法。前記電極層が有する第3の開口を介して前記活性層の発光状態を観察して前記発光状態の像を含む第3の像を得る工程を含み、前記第2の開口は前記第2の側面から離間し、前記第3の開口は前記第2の側面から前記第1の側面へ向かう方向に前記第2の側面から延在し、前記第2の開口と前記第3の開口とは、前記電極層の前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向と直交する方向に前記電極層の一部を挟む、ことを特徴とする請求項6に記載の半導体レーザ素子の発光状態の像を得る方法。特許文献1には、発光部を含む発光素子が記載されている。発光部を有する封止部の主面及び裏面には電極層が形成されている。主面に形成された電極層及び裏面に形成された電極層の少なくとも一方には、開口孔が設けられている。主面に形成された電極層又は裏面に形成された電極層のうち一方の電極層から電流を発光部に供給して発光させているとき、開口孔を介して発光部の発光状態を観察することができる。この開口孔は、電極層に囲まれた閉じた形状を有する。さらに、特許文献1には、一方向に配列された複数の開口孔の列を設けた電極層が記載されている。各開口孔は電極層に囲まれた閉じた形状を有する。特許文献1に記載された開口孔では、開口孔と電極層の縁との間にある電極層が発光部から出射された光を遮るので、発光部全体の発光状態を観察することができない。さらに、複数の開口孔を設けた電極層では、一の開口孔とこの隣りの開口孔との間にある電極層が発光部から出射された光を遮るので、発光部全体の発光状態を観察することができない。本発明は、このような事情を鑑みてなされたものである。本発明の目的は、活性層の発光状態を観察することが可能な半導体レーザ素子を提供することにあり、またこの半導体レーザ素子の発光状態の像を得る方法を提供することにある。上述の課題を解決するため、本発明の半導体レーザ素子は、活性層を含む半導体積層と、前記半導体積層を搭載する主面及び前記主面の反対側にある裏面を有する基板と、前記裏面の上及び前記半導体積層の上のいずれか一方に設けられた電極層と、を備え、前記電極層は、第1の開口、第2の開口、第1の側面及び前記第1の側面の反対側にある第2の側面を有し、前記第1の開口は前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向に前記第1の側面から延在し、前記第1の開口は前記第2の側面から離間し、前記第2の開口は前記第1の側面から離間し、前記第1の開口と前記第2の開口とは、前記電極層の前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向と直交する方向に前記電極層の一部を挟み、前記活性層は前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向に延在している。この半導体レーザ素子によれば、活性層は第1の側面から第2の側面へ向かう方向に延在している。電極層の第1の開口は第1の側面から第2の側面へ向かう方向に第1の側面から延在しているので、活性層の発光状態を第1の開口を介して観察できる。第1の開口と第2の開口とは電極層の一部を挟んでいる。これ故、活性層は第1の開口又は第2の開口を用いて観察されることができる。また、第1の開口は第2の側面から離間しているので、第1の開口により電極層が複数の領域に分割されることはない。第2の開口は第1の側面から離間しているので、第2の開口により電極層が複数の領域に分割されることはない。これ故、第1の開口及び第2の開口により電極層が複数の領域に分割されることを防止できる。本発明の半導体レーザ素子は、前記第2の開口は前記第2の側面から前記第1の側面へ向かう方向に前記第2の側面から延在することが好ましい。この半導体レーザ素子によれば、活性層は第1の側面から第2の側面へ向かう方向に延在している。第1の側面から第2の側面へ向かう方向に第1の側面から第1の開口が延在するので、活性層は第1の開口を介して観察される領域を有する。第2の側面から第1の側面へ向かう方向に第2の側面から第2の開口が延在するので、活性層は第2の開口を介して観察される領域を有する。第1の開口と第2の開口とは電極層の一部を挟んでいるので、活性層は第1の開口又は第2の開口を用いて観察される領域を有する。活性層の発光状態が観察される領域の全体は、第1の開口を介して観察される活性層の領域と、第2の開口を介して観察される活性層の領域と、第1の開口又は第2の開口を用いて観察される領域とからなる。これ故、活性層の全体の発光状態を観察することができる。本発明の半導体レーザ素子は、前記第2の開口は前記第2の側面から前記第1の側面へ向かう方向に延在し、前記第2の開口は前記第2の側面から離間し、前記電極層は第3の開口を有し、前記第3の開口は前記第2の側面から前記第1の側面へ向かう方向に前記第2の側面から延在し、前記第2の開口と前記第3の開口とは、前記電極層の前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向と直交する方向に前記電極層の一部を挟んでいてもよい。この半導体レーザ素子によれば、第1の側面から第2の側面へ向かう方向に活性層が延在する。第1の側面から第2の側面へ向かう方向に第1の側面から第1の開口が延在するので、活性層は第1の開口を介して観察される領域を有する。第1の側面から第2の側面へ向かう方向に第2の開口が延在するので、活性層は第2の開口を介して観察される領域を有する。第2の側面から第1の側面へ向かう方向に第2の側面から第3の開口が延在するので、活性層は第3の開口を介して観察される領域を有する。第1の開口と第2の開口とは電極層の一部を挟んでいるので、活性層は第1の開口又は第2の開口を用いて観察される領域を有する。第2の開口と第3の開口とは電極層の一部を挟んでいるので、活性層は第2の開口又は第3の開口を用いて観察される領域を有する。発光状態が観察される活性層の領域の全体は、第1の開口を介して観察される活性層の領域と、第2の開口を介して観察される活性層の領域と、第1の開口又は第2の開口を用いて観察される領域と、第2の開口又は第3の開口を用いて観察される領域とからなる。これ故、活性層の全体の発光状態を観察することができる。本発明の半導体レーザ素子は、前記電極層が、前記裏面の上に設けられていることが好ましい。基板を上向きにした形態で半導体レーザ素子を基板等に実装して、活性層の発光状態を観察することができる。本発明の半導体レーザ素子は、前記電極層が、前記半導体積層の上に設けられていてもよい。基板を下向きにした形態で半導体レーザ素子を基板等に実装して、活性層の発光状態を観察することができる。本発明に係る半導体レーザ素子の発光状態の像を得る方法は、活性層を含む半導体積層と、前記半導体積層を搭載する主面及び前記主面の反対側にある裏面を有する基板と、前記裏面の上及び前記半導体積層の上のいずれか一方に設けられた電極層と、前記電極層に形成された第1の開口及び第2の開口と、を備えた半導体レーザ素子を準備する工程と、前記半導体レーザ素子に電流を印加して前記電流に応答する光を発生させる工程と、前記第1の開口を介して前記活性層の発光状態を観察して前記発光状態の像を含む第1の像を得る工程と、前記第2の開口を介して前記活性層の発光状態を観察して別の発光状態の像を含む第2の像を得る工程と、を含み、前記電極層は、第1の側面及び前記第1の側面の反対側にある第2の側面を有し、前記第1の開口は前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向に前記第1の側面から延在し、前記第1の開口は前記第2の側面から離間し、前記第2の開口は前記第1の側面から離間し、前記第1の開口と前記第2の開口とは、前記電極層の前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向と直交する方向に前記電極層の一部を挟み、前記活性層は前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向に延在している。この半導体レーザ素子の発光状態の像を得る方法によれば、活性層は第1の側面から第2の側面へ向かう方向に延在している。第1の側面から第2の側面へ向かう方向に第1の側面から第1の開口が延在するので、活性層の発光状態は第1の開口を介して観察される。これ故、第1の画像は1の開口を介して観察される活性層の発光状態の像を含む。第2の側面から第1の側面へ向かう方向に第2の側面から第1の開口が延在するので、活性層の発光状態は第2の開口を介して観察される。これ故、第2の画像は2の開口を介して観察される活性層の発光状態の像を含む。第1の開口と第2の開口とは電極層の一部を挟んでいるので、活性層の発光状態は第1の開口又は第2の開口を用いて観察される。これ故、第1の画像と第2の画像とは、第1の開口又は第2の開口を用いて観察される活性層の発光状態の像を含む。従って、第1の開口を介して観察される活性層の発光状態と第1の開口又は第2の開口を用いて観察される活性層の発光状態とを含む第1の画像を得ることができる。さらに、第2の開口を介して観察される活性層の発光状態と第1の開口又は第2の開口を用いて観察される活性層の発光状態とを含む第2の画像を得ることができる。本発明に係る半導体レーザ素子の発光状態の像を得る方法は、前記電極層が有する第3の開口を介して前記活性層の発光状態を観察して前記発光状態の像を含む第3の像を得る工程を含み、前記第2の開口は前記第2の側面から離間し、前記第3の開口は前記第2の側面から前記第1の側面へ向かう方向に前記第2の側面から延在し、前記第2の開口と前記第3の開口とは、前記電極層の前記第1の側面から前記第2の側面へ向かう方向と直交する方向に前記電極層の一部を挟んでいてもよい。この半導体レーザ素子の発光状態の像を得る方法によれば、活性層は第1の側面から第2の側面へ向かう方向に延在している。第1の側面から第2の側面へ向かう方向に第1の側面から第1の開口が延在するので、活性層の発光状態は第1の開口を介して観察される。これ故、第1の画像は1の開口を介して観察される活性層の発光状態の像を含む。第1の側面から第2の側面へ向かう方向に第2の開口が延在するので、活性層の発光状態は第2の開口を介して観察される。これ故、第2の画像は2の開口を介して観察される活性層の発光状態の像を含む。第2の側面から第1の側面へ向かう方向に第2の側面から第3の開口が延在するので、活性層の発光状態は第3の開口を介して観察される。これ故、第3の画像は第3の開口を介して観察される活性層の発光状態の像を含む。第1の開口と第2の開口とは電極層の一部を挟んでいるので、活性層の発光状態は第1の開口又は第2の開口を用いて観察される。これ故、第1の画像と第2の画像とは、第1の開口又は第2の開口を用いて観察される活性層の発光状態の像を含む。第2の開口と第3の開口とは電極層の一部を挟んでいるので、活性層の発光状態は第2の開口又は第3の開口を用いて観察される。これ故、第2の画像と第3の画像とは、第2の開口又は第3の開口を用いて観察される活性層の発光状態の像を含む。活性層における発光状態の像の全体は、第1の像に含まれた活性層の発光状態の像と、第2の像に含まれた活性層の発光状態の像と、第1の像及び第2の像の両方に含まれた活性層の発光状態の像と、第2の像及び第3の像の両方に含まれた活性層の発光状態の像とからなる。これ故、活性層における発光状態の全体像を得ることができる。本発明によれば、活性層の発光状態を観察することが可能な半導体レーザ素子が提供される。また、この半導体レーザ素子の発光状態の像を得る方法が提供される。以下、添付図面を参照しながら本発明による半導体レーザ素子、及び半導体レーザ素子の発光状態の像を得る方法の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付す。図1は、本実施形態に係る半導体レーザ素子の発光状態の像を得る方法における主要なステップを示す図面である。工程S1では、半導体レーザ素子を準備する。図2は、半導体レーザ素子の構造の一例を示す。半導体レーザ素子1は、基板11、半導体積層12、保護層13、電極層20、及び電極層21を含んでいる。基板11は、半導体積層12が形成される主面11aと、電極層21が形成される裏面11bとを有する。基板11は、III-V族化合物半導体からなる基板であり、この基板として例えばシリコンをドープしたn型InP基板等を用いることができる。半導体積層12は複数の半導体層を含んでいる。半導体積層12には、下部クラッド層17、活性層18、及び上部クラッド層19aが含まれており、この順に基板11の主面11aの上に形成され、半導体メサ14をなす。下部クラッド層17は、例えばn型InP等のIII-V族化合物半導体からなる。活性層18は、例えば単一又は多重量子井戸構造を含み、例えばAlGaInAs等のIII-V族化合物半導体からなる。上部クラッド層19aは、例えばp型InP等のIII-V族化合物半導体からなる。埋め込み層15は、半導体メサ14の両側面及び基板11の主面11aの上に設けられている。下部クラッド層17、活性層18、及び上部クラッド層19aの側面は埋め込み層15により埋め込まれている。埋め込み層15は、例えばInP等のIII-V族化合物半導体からなる。別の上部クラッド層19b及びコンタクト層16は、上部クラッド層19a及び埋め込み層15の上に設けられている。コンタクト層16は、例えばp型InGaAs等のIII-V族化合物半導体からなる。別の上部クラッド層19bは、例えばp型InP等のIII-V族化合物半導体からなる。保護層13は、コンタクト層16の上に設けられ、また開口13aを有している。保護層13の材料は、例えば酸化シリコン等の酸化物からなる。電極層20は保護層13の上に設けられている。電極層20は保護層13の開口13aを介してコンタクト層16と接触している。電極層20は、例えばTi/Pt/Auからなるオーミック電極からなる。基板11の主面11aの反対側にある裏面11bの上に電極層21が設けられている。電極層21は例えばAuGeNi合金からなるオーミック電極からなる。図3を参照すると、工程S2では、第1の開口22及び第2の開口23を半導体レーザ素子1の電極層21に形成する。引き続く説明では、第1の開口22及び第2の開口23を電極層21に形成する実施例を説明するが、第1の開口22及び第2の開口23は電極層20に形成されてもよい。図3は、第1の開口22及び第2の開口23を有する電極層21を示す図面である。基板11は、側面11c、側面11d、側面11e及び側面11fを有する。電極層21は、側面21c第1の側面、側面21d、側面21e第2の側面及び側面21fを有する。基板11の裏面11bは、電極層21が設けられた領域と、電極層21が設けられていない領域とを有する。電極層21が設けられた領域は、電極層21が設けられていない領域に囲まれている。電極層21が設けられていない領域では、基板11の裏面11bが露出している。電極層21には、第1の開口22及び第2の開口23が設けられている。第1の開口22及び第2の開口23は、電極層21の厚さ方向に貫通している。第1の開口22及び第2の開口23では、基板11の裏面11bが露出している。電極層21は、先端面22c、側面22d及び側面22fを有する。第1の開口22は、電極層21の先端面22c、側面22d及び側面22fに囲まれている。第1の開口22の形状は、長方形及び正方形の何れか一方の形状である。第1の開口22は電極層21の側面21cから側面21eへ向かう方向に側面21cから延在している。先端面22cは、側面21eから離間している。第1の開口22の幅D1は、側面22dから側面22fまでの長さで規定され、例えば5~50μmである。第1の開口22の長さD2は、側面21cを含む平面から先端面22cまでの長さで規定され、例えば5~300μmである。電極層21は、先端面23c、側面23d及び側面23fを有する。第2の開口23は、電極層21の先端面23e、側面23d及び側面23fに囲まれている。第2の開口23の形状は、長方形及び正方形の何れか一方の形状である。第2の開口23は電極層21の側面21eから側面21cへ向かう方向に側面21eから延在している。先端面23eは、側面21cから離間している。第2の開口23の幅D3は、側面23dから側面23fまでの長さで規定され、例えば5~50μmである。第2の開口23の長さD4は、側面21eを含む平面から先端面23eまでの長さで規定され、例えば5~300μmである。ただし、第1の開口22の長さD2に第2の開口の長さD4を加えた合計長さは、電極層21の長さL1よりも長い。電極層21の長さL1は、側面21cを含む平面から側面21eまでの長さで規定される。第1の開口22と第2の開口23とは、電極層21の側面21cから側面21eへ向かう方向と直交する方向に電極層21の一部を挟んでいる。第1の開口22と第2の開口23とは電極層21により隔てられているので、第1の開口22は第2の開口23に連結されていない。第1の開口22と第2の開口23との間の幅D5は、側面22fと側面23dとの間の長さで規定され、例えば5~50μmである。なお、第1の開口22及び第2の開口23は、活性層18の中心をとおり裏面11bと直交する平面の近傍に設けられることが好ましい。活性層18は側面11cから側面11eへ向かう方向に延在している。活性層18は、側面11cから側面11eへ向かう方向に沿って配列された領域W1、領域W2及び領域W3を有する。領域W1は、側面11cを含む平面と先端面23eを含む平面とにより挟まれた活性層18の領域である。領域W2は、先端面23eを含む平面と先端面22cを含む平面とにより挟まれた活性層18の領域である。領域W3は、先端面22cを含む平面と側面11eを含む平面とにより挟まれた活性層18の領域である。第1の開口22及び第2の開口23は、例えば集束イオンビームFIB法を用いて形成されてもよいし、レーザ加工法を用いて形成されてもよい。図4を参照すると、工程S3では第1の開口22及び第2の開口23を形成した半導体レーザ素子1を搭載台25に固定する。搭載台25と半導体レーザ素子1とは、例えば半田等を用いて固定される。本実施形態では、半導体積層12に対して基板11を上向きにして実装する形態エピダウンで搭載台25に半導体レーザ素子1を固定する。半導体レーザ素子1を搭載台25に固定した後、電極層20、21に電源26を電気的に接続する。例えば、電極層21と電源26とはワイヤボンディング介して接続される。工程S4では、半導体レーザ素子1に電流を印加して活性層18を発光させる。例えば、本実施形態ではエレクトロルミネッセンスを発生させる。エレクトロルミネッセンスは、活性層18に印加された電流に応答して発生する。図5のa部及びb部を参照すると、工程S5では、第1の開口22を介して活性層18で発生したエレクトロルミネッセンスの発光状態を観察して、エレクトロルミネッセンスの発光状態の像を含む第1の像を得る。図5のa部は、図3に示された半導体レーザ素子1のI-I断面を示す図面である。活性層18の領域W1で発生したエレクトロルミネッセンスL1は、第1の開口22を介して半導体レーザ素子1の外部へ出射される。図5のb部は、図3に示された半導体レーザ素子1のII-II断面を示す図面である。活性層18の領域W2で発生したエレクトロルミネッセンスL2は、第1の開口22又は第2の開口23を用いて半導体レーザ素子1の外部へ出射される。これ故、第1の開口22を介して得た第1の像には、活性層18の領域W1における発光状態の像と、活性層の領域W2における発光状態の像とが含まれている。なお、第1の像を得るとき、エレクトロルミネッセンスL1、L2を観察する方向は、光軸L1、L2に対して垂直な方向であることが好ましい。工程S6では、第2の開口23を介して活性層18で発生したエレクトロルミネッセンスの発光状態を観察して、エレクトロルミネッセンスの発光状態の像を含む第2の像を得る。図5のb部を参照すると、活性層18の領域W2で発生したエレクトロルミネッセンスL2は、第1の開口22又は第2の開口23を用いて半導体レーザ素子1の外部へ出射される。図5のc部は、図3に示された半導体レーザ素子1のIII-III断面を示す図面である。活性層18の領域W3で発生したエレクトロルミネッセンスL3は、第2の開口23を介して半導体レーザ素子1の外部へ出射される。これ故、第2の開口23を介して得た第2の像には、活性層18の領域W2における発光状態の像と、活性層18の領域W3における発光状態の像とが含まれている。なお、第2の像を得るとき、エレクトロルミネッセンスを観察する方向は、光軸L3に対して垂直な方向であることが好ましい。再び図4を参照すると、第1の像及び第2の像は、半導体レーザ素子1の上方に配置された撮像装置27により得られる。撮像装置27には、例えばCCDカメラ、InGaAsカメラ又は顕微鏡等を用いることができる。撮像装置27を用いてエレクトロルミネッセンスを観察することにより第1の像と第2の画像とが得られる。図10のa部~c部は、特許文献1に記載された開口の形状を示す。図10のa部は、開口62が設けられた電極層61を有する半導体レーザ素子60を示す図面である。この開口62は、電極層61に囲まれた閉じた形状を有する。これ故、活性層から出射された光は、開口62を隔てる電極層63aにより遮られる。この電極層63aの部分は、活性層から出射された光を遮蔽する遮蔽部となる。活性層から出射された光は、開口62と電極層61の縁61aとの間にある遮蔽部により遮られる。従って、活性層の発光状態を活性層の延在方向の全体にわたって観察することができない。図10のb部及び図10のc部は、一方向に配列された複数の開口72、82の列を設けた電極層71、81を有する半導体レーザ素子70、80を示す図面である。半導体レーザ素子70の開口72は、例えば矩形状の形状を有する。半導体レーザ素子80の開口82は、例えば円形の形状を有する。開口72、82は電極層71、81に囲まれた閉じた形状を有するので、活性層から出射された光は、開口72、82を隔てる電極層73a、83aにより遮られる。この電極層73a、83aの部分は、活性層から出射された光を遮蔽する遮蔽部となる。活性層から出射された光は、開口72、82と電極層71、81の縁71a、81aとの間にある遮蔽部により遮られる。さらに、活性層から出射された光は、一の開口72、82と、これら開口72、82に隣り合う別の開口72、82との間にある電極層74、84により遮られる。これ故、活性層18の発光状態を活性層18の延在方向の全体にわたって観察することができない。本実施形態の半導体レーザ素子1によれば、側面21cから側面21eへ向かう方向に側面21cから第1の開口22が延在するので、活性層18の領域W1の発光状態は第1の開口22を介して観察される。側面21eから側面21cへ向かう方向に側面21eから第2の開口23が延在するので、活性層18の領域W3の発光状態は第2の開口23を介して観察される。第1の開口22と第2の開口23とは電極層21の一部を挟んでいるので、活性層18の領域W2の発光状態は、第1の開口22又は第2の開口23を用いて観察される。これ故、活性層18の領域W1、W2及びW3が観察される。活性層18における延在方向の全体の領域は、第1の開口22を介して観察される活性層18の領域W1と、第2の開口23を介して観察される活性層18の領域W3と第1の開口22又は第2の開口23を用いて観察される領域W2とからなる。従って、活性層18の発光状態を活性層18の延在方向の全体にわたって観察することができる。図11は、従来技術における活性層の発光状態を観察するための開口92の形状を示す。この開口92は、一の側面91cから該一の側面91cの反対側にある別の側面91eに向かって一の側面91cから別の側面91eまで延在している。これ故、活性層の発光状態を活性層の延在方向の全体にわたって観察することができる。しかし、電極層91は、開口92により2つの領域91a、91bに分割される。活性層の発光状態を関する際は、開口92の影響をできるだけ小さくして、開口92が設けられていない通常の素子の通電状態で観察することが好ましい。それ故、開口92がない場合の通常の通電状態と同じように活性層に均一に電流を注入して、活性層の発光状態を観察するためには、電極層91の両領域91a、91bに電流を印加する必要がある。そのためには、電極層91の一の領域91a及び別の領域91bのそれぞれに電源を接続する必要がある。本実施形態の半導体レーザ素子1によれば、第1の開口22は側面21eから離間しているので、第1の開口22により電極層21が複数の領域に分割されない。第2の開口23は側面21cから離間しているので、第2の開口23により電極層21が複数の領域に分割されない。第1の開口22と第2の開口23とは電極層の一部を挟んでいるので、第1の開口22が第2の開口23に連結されない。これ故、第1の開口22及び第2の開口23により電極層21が複数の領域に分割されることを防止できる。このため、単一の電源を電極層21に接続することで、活性層18の発光状態を観察することができるとともに、活性層18にほぼ均一に電流を注入しながら、通常の通電状態を保った状態で活性層18の発光状態を観察することができる。また、電極層21は基板11の裏面11bの上に設けられている。半導体レーザ素子1を、半導体積層12に対して基板11を上向きにして実装する。この実装形態において半導体レーザ素子1を発光させて、活性層18の発光状態を観察することができる。本実施形態に係る半導体レーザ素子1の発光状態の像を得る方法によれば、活性層18の領域W1の発光状態は第1の開口22を介して観察されるので、活性層18における領域W1の発光状態の二次元画像を含んだ第1の画像を得ることができる。活性層18の領域W3の発光状態は第2の開口23を介して観察されるので、活性層18における領域W3の発光状態の二次元画像を含んだ第2の画像を得ることができる。活性層18の領域W2の発光状態は、第1の開口22又は第2の開口23を用いて観察されるので、第1の像及び第2の像は、活性層18における領域W2の発光状態の二次元画像を含んでいる。活性層18における発光状態の全体像は、第1の像に含まれた活性層18の領域W1の発光状態の像と、第2の像に含まれた活性層18における領域W3の発光状態の像と、第1の像及び第2の像の両方に含まれた活性層18の領域W2の発光状態の像とからなる。これ故、活性層18における発光状態の全体像を確認できる二次元画像を得ることができる。第2実施形態図6~図8を参照しながら、第2実施形態に係る半導体レーザ素子1Aと、半導体レーザ素子1Aの発光状態の像を得る方法とについて説明する。第2実施形態に係る半導体レーザ素子1Aは、第3の開口34を有する点において、第1実施形態に係る半導体レーザ素子1と異なる。第2実施形態に係る半導体レーザ素子1Aの発光状態の像を得る方法は、第3の開口34を介して第3の像を得る工程を有する点において第1実施形態に係る方法と異なる。図6は、本実施形態に係る半導体レーザ素子1Aの発光状態の像を得る方法における主要なステップを示す図面である。図7は、第1の開口32、第2の開口33及び第3の開口34を有する電極層31を示す図面である。工程S2aでは、第1の開口32、第2の開口33及び第3の開口34を半導体レーザ素子1Aの電極層31に形成する。電極層31は、側面31c第1の側面、側面31d、側面31e第2の側面及び側面31fを有する。電極層31には、第1の開口32、第2の開口33及び第3の開口34が設けられている。電極層31には、第1の開口32、第2の開口33及び第3の開口34が設けられている。第1の開口32及び第3の開口34は、一方向に配列されている。第1の開口32、第2の開口33及び第3の開口34は、電極層31の厚さ方向に貫通している。第1の開口32、第2の開口33及び第3の開口34では、基板11の裏面11bが露出している。第1の開口32は電極層31の側面31cから側面31eへ向かう方向に側面31cから延在している。第1の開口32の幅D6は、例えば5~50μmである。第1の開口32の長さD7は、側面31cを含む平面から先端面32eまでの長さで規定され、例えば5~300μmである。電極層31は、端面33c、別の端面33e、側面33d及び側面33fを有する。第2の開口33は、電極層31の端面33c、端面33e、側面33d及び側面33fに囲まれている。第2の開口33の形状は、長方形及び正方形の何れか一方の形状である。第2の開口33は電極層31の側面31cから側面31eへ向かう方向に延在している。端面33cは、側面31cから離間すると共に、側面31eから離間している。第2の開口33の幅D8は、側面33dから側面33fまでの長さで規定され、例えば5~50μmである。第2の開口33の長さD9は、端面33cから端面33eまでの長さで規定され、例えば5~300μmである。ただし、第1の開口32の長さD7に第2の開口33の長さD9を加えた合計長さは、長さL3よりも長い。長さL3は、側面31cを含む平面から端面33eまでの長さで規定される。電極層31は、先端面34c、側面34d及び側面34fを有する。第3の開口34は、電極層31の先端面34c、側面34d及び側面34fに囲まれている。第3の開口34の形状は、長方形及び正方形の何れか一方の形状である。第3の開口34は電極層31の側面31eから側面31cへ向かう方向に側面31eから延在している。端面33cは、側面31cから離間している。第3の開口34の幅D10は、側面34dから側面34fまでの長さで規定され、例えば3~50μmである。第3の開口34の長さD11は、側面31eを含む平面から先端面34cまでの長さで規定され、例えば5~300μmである。ただし、第2の開口33の長さD9に第3の開口34の長さD11を加えた合計長さは、長さL4よりも長い。長さL4は、側面31eを含む平面から端面33cまでの長さで規定される。また、第1の開口32の長さD7、第2の開口33の長さD9、及び第3の開口34の長さD11を足し合わせた合計長さは、電極層31の長さL2よりも長い。電極層31の長さL2は、側面31cから側面31eまでの長さで規定される。第1の開口32と第2の開口33とは、電極層31の側面31cから側面31eへ向かう方向と直交する方向に電極層31の一部を挟んでいる。第1の開口32と第2の開口33とは電極層31により隔てられているので、第1の開口32は第2の開口33に連結されない。第1の開口32と第2の開口33との間の幅D12は、側面32fと側面33dとの間の長さで規定され、例えば5~50μmである。第2の開口33と第3の開口34とは、電極層31の側面31cから側面31eへ向かう方向と直交する方向に電極層31の一部を挟んでいる。第2の開口33と第3の開口34とは電極層31により隔てられているので、第2の開口33は第3の開口34に連結されない。第2の開口33と第3の開口34との間の幅D13は、側面33dと側面34fとの間の長さで規定され、例えば5~50μmである。なお、第1の開口32、第2の開口33及び第3の開口34は、活性層18の中心をとおり裏面11bと直交する平面の近傍に設けられることが好ましい。活性層18は側面11cから側面11eへ向かう方向に延在している。活性層18は、側面11cから側面11eへ向かう方向に沿って配列された領域W4~W8を有する。領域W4は、側面11cを含む平面と端面33cを含む平面とにより挟まれた活性層18の領域である。領域W5は、端面33cを含む平面と先端面32eを含む平面とにより挟まれた活性層18の領域である。領域W6は、先端面32eを含む平面と先端面34cを含む平面とにより挟まれた活性層18の領域である。領域W7は、先端面34cを含む平面と端面33eを含む平面とにより挟まれた活性層18の領域である。領域W8は、端面33eを含む平面と側面11eを含む平面とにより挟まれた活性層18の領域である。図8を参照して、工程S5a、工程S6a、工程7について説明する。図8のa部は図7に示された半導体レーザ素子1のIV-IV断面及びVIII-VIII断面を示す図面であり、図8のb部は、図7に示された半導体レーザ素子1のV-V断面及びのVII-VII断面を示す図面である。図8のc部は、図7に示された半導体レーザ素子1のVI-VI断面を示す図面である。工程S5aでは、第1の開口32を介して活性層18で発生したエレクトロルミネッセンスの発光状態を観察して、エレクトロルミネッセンスの発光状態の像を含む第1の像を得る。図8のa部を参照すると、活性層18の領域W4で発生したエレクトロルミネッセンスL4は、第1の開口32を介して半導体レーザ素子1Aの外部へ出射される。図8のb部を参照すると、活性層18の領域W5で発生したエレクトロルミネッセンスL5は、第1の開口32又は第2の開口33を用いて半導体レーザ素子1Aの外部へ出射される。これ故、第1の開口32を介して得た第1の像には、活性層18の領域W4における発光状態の像と、活性層18の領域W5における発光状態の像とが含まれている。工程S6aでは、第2の開口33を介して活性層18で発生したエレクトロルミネッセンスの発光状態を観察して、エレクトロルミネッセンスの発光状態の像を含む第2の像を得る。図8のb部を参照すると、活性層18の領域W5で発生したエレクトロルミネッセンスL5は、第1の開口32又は第2の開口33を用いて半導体レーザ素子1Aの外部へ出射される。図8のc部を参照すると、活性層18の領域W6で発生したエレクトロルミネッセンスL6は、第2の開口33を介して半導体レーザ素子1Aの外部へ出射される。再び図8のb部を参照すると、活性層18の領域W7で発生したエレクトロルミネッセンスL7は、第2の開口33及び第3の開口34を介して半導体レーザ素子1Aの外部へ出射される。これ故、第2の開口32を介して得た第2の像には、活性層18の領域W5における発光状態の像と、活性層18の領域W6における発光状態の像と、活性層18の領域W7における発光状態の像とが含まれている。工程S7では、第3の開口34を介して活性層18で発生したエレクトロルミネッセンスの発光状態を観察して、エレクトロルミネッセンスの発光状態の像を含む第3の像を得る。図8のb部を参照すると、活性層18の領域W7で発生したエレクトロルミネッセンスL7は、第2の開口33及び第3の開口34を介して半導体レーザ素子1Aの外部へ出射される。図8のa部を参照すると、活性層18の領域W8で発生したエレクトロルミネッセンスL8は、第3の開口34を介して半導体レーザ素子1Aの外部へ出射される。これ故、第3の開口34を介して得た第3の像には、活性層18の領域W7における発光状態の像と、活性層18の領域W8における発光状態の像とが含まれている。本実施形態における半導体レーザ素子1Aによれば、側面31cから側面31eへ向かう方向に側面31cから第1の開口32が延在するので、活性層18の領域W4の発光状態は第1の開口32を介して観察される。側面31eから側面31cへ向かう方向に第2の開口33が延在するので、活性層18の領域W6の発光状態は第2の開口33を介して観察される。側面31eから側面31cへ向かう方向に側面31eから第3の開口34が延在するので、活性層18の領域W8の発光状態は第3の開口34を介して観察される。第1の開口32と第2の開口33とは電極層31の一部を挟んでいるので、活性層18の領域W5の発光状態は、第1の開口32又は第2の開口33を用いて観察される。第2の開口33と第3の開口34とは電極層31の一部を挟んでいるので、活性層18の領域W7の発光状態は、第2の開口33又は第3の開口34を用いて観察される。これ故、活性層18の領域W4~W8が観察される。活性層18の領域の全体は、第1の開口33を介して観察される活性層18の領域W4と、第2の開口33を介して観察される活性層18の領域W6と、第3の開口34を介して観察される活性層18の領域W8と、第1の開口32又は第2の開口33を用いて観察される領域W5と、第2の開口33又は第3の開口34を用いて観察される領域W7とからなる。従って、活性層18の発光状態を活性層18の延在方向の全体にわたって観察することができる。本実施形態の方法によれば、活性層18の領域W4の発光状態は第1の開口32を介して観察されるので、活性層18における領域W4の発光状態の二次元画像を含んだ第1の画像を得ることができる。活性層18の領域W6の発光状態は第2の開口33を介して観察されるので、活性層18における領域W6の発光状態の二次元画像を含んだ第2の画像を得ることができる。活性層18の領域W8の発光状態は第2の開口34を介して観察されるので、活性層18における領域W8の発光状態の二次元画像を含んだ第3の画像を得ることができる。活性層18の領域W5の発光状態は、第1の開口32又は第2の開口33を用いて観察されるので、第1の像及び第2の像は、活性層18における領域W5の発光状態の二次元画像を含んでいる。活性層18の領域W7の発光状態は、第2の開口33又は第3の開口34を用いて観察されるので、第2の像及び第3の像は、活性層18における領域W7の発光状態の二次元画像を含んでいる。活性層18における発光状態の像の全体は、第1の像に含まれた活性層18における領域W4の発光状態の像と、第2の像に含まれた活性層18における領域W6の発光状態の像と、第3の像に含まれた活性層18における領域W8の発光状態の像と、第1の像及び第2の像の両方に含まれた活性層18における領域W5の発光状態の像と、第2の像及び第3の像の両方に含まれた活性層18における領域W7の発光状態の像とからなる。これ故、活性層18における発光状態の全体像を確認できる二次元画像を得ることができる。以上、本実施形態に係る半導体レーザ素子1、及び半導体レーザ素子1の発光状態の像を得る方法について説明したが、本発明はこれに限定されない。第1実施形態では電極層21には第1の開口22と第2の開口23の2つが設けられた例を示したが、開口の数は2つに限定されない。例えば、図9のa部を参照すると、電極層41には一方向に配置された複数の開口42と、一方向に沿う別の方向に配置された複数の開口43とが設けられていてもよい。また、複数の開口42、43が配置される列の数は、2以上であってもよい。また、本実施形態では開口の形状は矩形である例を示した。例えば図9のb部を参照すると、開口52の形状は円形或いは楕円であってもよい。また、本実施形態では、半導体レーザ素子1に電極層を形成した後に、当該電極層に活性層の発光状態を観察するための開口を設ける場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、第1実施形態において、電極層21に設けられた第1の開口22と第2の開口23は、半導体レーザ素子1の当該電極層21を形成する工程において、予め当該第1および第2の開口が設けられていてもよい。