銅を主成分とする金属からなる第1の被接合部と、銅を主成分とする金属からなる第2の被接合部と、が拡散接合により接合し、前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との接合界面と直交する方向の線上において、単位長さ当たりの銅の粒界の数が前記第1の被接合部および前記第2の被接合部に比べて接合界面近傍の方が多くなっている部分が存在することを特徴とする金属接合構造。銅を主成分とする金属からなる第1の被接合部と、銅を主成分とする金属からなる第2の被接合部を用意する工程と、前記第1の被接合部および前記第2の被接合部の少なくとも一方の表面に母材となる被接合部よりも銅の結晶粒径が小さい微細結晶層を形成する工程と、前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間に、酸化銅を主成分とする酸化物が溶出する溶液を充填する工程と、前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間の距離を縮めるように前記第1の被接合部と前記第2の被接合部とを加圧する工程と、前記第1の被接合部と前記第2の被接合部とを加圧した状態で、銅の再結晶化温度以下で加熱することにより前記第1の被接合部と前記第2の被接合部とを接合する工程と、を備えることを特徴とする金属接合方法。前記微細結晶層を形成する工程が、研磨工程、スパッタ工程またはメッキ工程である請求項2に記載の金属接合方法。前記溶液は銅に対して不活性である請求項2または3に記載の金属接合方法。前記溶液が銅と錯体を形成する配位子を含む請求項2乃至4のいずれか1項に記載の金属接合方法。前記錯体が加熱分解性である請求項5に記載の金属接合方法。前記溶液がアンモニア水またはカルボン酸水溶液である請求項2乃至6のいずれか1項に記載の金属接合方法。はんだを介して銅同士を接合する方法では、銅とはんだとの接合界面にCu-Sn合金が生じる。Cu-Sn合金は電気抵抗が比較的大きく、かつ延性が乏しいため、接合部分の電気特性や接続信頼性が低下するという課題がある。接合面を高温に加熱して加圧により接合する方法では、配線基板や半導体チップに熱や加圧によるダメージが生じる可能性がある。また、真空中で接合面を活性化させて接合する方法では、真空装置などの大がかりな設備が必要となりコストの増大が避けられない。本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、接続信頼性を確保しつつ、比較的低温でかつ簡便な方法で銅同士を接合することのできる技術の提供にある。本発明のある態様は、金属接合構造である。当該金属接合構造は、銅を主成分とする金属からなる第1の被接合部と、銅を主成分とする金属からなる第2の被接合部と、が拡散接合により接合し、第1の被接合部と第2の被接合部との接合界面と直交する方向の線上において、単位長さ当たりの銅の粒界の数が第1の被接合部および第2の被接合部に比べて接合界面近傍の方が多くなっている部分が存在することを特徴とする。上記態様の金属接合構造によれば、第1の被接合部と第2の被接合部との接合界面近傍に母材の被接合部に比べて微細化された銅が介在することで、第1の被接合部と第2の被接合部との接続強度を増大させることができる。本発明の他の態様は、金属接合方法である。当該金属接合方法は、銅を主成分とする金属からなる第1の被接合部と、銅を主成分とする金属からなる第2の被接合部を用意する工程と、第1の被接合部および第2の被接合部の少なくとも一方の表面に母材となる被接合部よりも銅の結晶粒径が小さい微細結晶層を形成する工程と、第1の被接合部と第2の被接合部との間に、酸化銅を主成分とする酸化物が溶出する溶液を充填する工程と、第1の被接合部と第2の被接合部との間の距離を縮めるように第1の被接合部と第2の被接合部とを加圧する工程と、第1の被接合部と第2の被接合部とを加圧した状態で、銅の再結晶化温度以下で加熱することにより第1の被接合部と第2の被接合部とを接合する工程と、を備えることを特徴とする。以上説明した金属接続方法によれば、真空装置などの大がかりな設備を用いることなく、比較的低温な条件下で銅同士を高強度で接合することができる。より詳しくは、接合時の加熱温度を銅の再結晶化温度以下とすることで、被接合部間の接合界面近傍に微細結晶層が存在する。この微細結晶層によって、被接合部間の接合強度の増大を図ることができる。上記態様の金属接合方法において、微細結晶層を形成する工程が、研磨工程、スパッタ工程またはメッキ工程であってもよい。溶液は銅に対して不活性であってもよい。溶液が銅と錯体を形成する配位子を含んでもよい。錯体が加熱分解性であってもよい。また、溶液がアンモニア水またはカルボン酸水溶液であってもよい。なお、上述した各要素を適宜組み合わせたものも、本件特許出願によって特許による保護を求める発明の範囲に含まれうる。本発明によれば、比較的低温でかつ簡便な方法で銅同士を高強度で接合することのできる技術の提供にある。以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。以下の説明において、銅を主成分とするおよび酸化銅を主成分とするという表現中、主成分とするは、銅または酸化銅の含有量が50よりも大きいことを意味する。図1は、実施の形態に係る金属接合構造を示す模式図である。金属接合構造100は、第1の被接合部10と第2の被接合部20とが拡散接合により接合した構造である。第1の被接合部10および第2の被接合部20はそれぞれ銅を主成分とする金属で形成されている。第1の被接合部10と第2の被接合部20との接合界面Aと直交する方向の線B上において、単位長さ当たりの銅の粒界の数が母材となる第1の被接合部10および第2の被接合部20に比べて接合界面近傍の方が多くなっている部分図1の領域Rの部分が存在する。単位長さ当たりの銅の粒界の数は、銅の結晶粒径と逆相関の関係にあり、単位長さ当たりの銅の粒界の数が多い領域ほど、銅の結晶粒径が微細になる。本実施の形態に係る金属接合構造100によれば、結晶粒径が微細な銅で接合された部分が存在することにより、第1の被接合部10と第2の被接合部20との接合強度を高くすることができる。また、第1の被接合部10および第2の被接合部20の主成分を共に銅とし、第1の被接合部10と第2の被接合部20とを銅で接合する構造を採ることにより、金属接合構造100の熱膨張率にばらつきが生じることが抑制される。この結果、金属接合構造100の熱信頼性を向上させることができる。金属接合方法実施の形態に係る金属接合方法について、図3~図5を参照して説明する。まず、図2Aに示すように、第1の被接合部10および第2の被接合部20を用意する。第1の被接合部10および第2の被接合部20は、銅を主成分とする金属で形成されていればよく、その形態は特に制限されない。第1の被接合部10および第2の被接合部20は、たとえば、銅板であってもよく、スパッタ法によりSi基板などの基板上に形成された銅からなる堆積層であってもよく、銅箔などの銅板をパターニングすることにより形成した配線層の外部端子部分であってもよい。第1の被接合部10の接合面側の表面、第2の被接合部20の接合面側の表面には、酸化銅を主成分とする酸化物層図示せずが形成されている。当該酸化物層は、Cu2Oで形成された薄膜状の被膜であり、その厚さは、たとえば、10nmである。当該酸化物層は、意図的に形成された被膜であっても、意図せず形成された被膜であってもよい。意図せず形成された被膜としては、銅が大気中で酸化することにより形成される自然酸化膜が挙げられる。次に、図2Bに示すように、第1の被接合部10の接合面側の表面、第2の被接合部20以下、第1の被接合部10、第2の被接合部20を総称して被接合部というの接合面側の表面に、ぞれぞれ第1の微細結晶層12、第2の微細結晶層22以下、第1の微細結晶層12、第2の微細結晶層22を総称して微細結晶層というを形成する。微細結晶層を構成する銅は、母材となる被接合部を構成する銅に比べて結晶粒径が小さい。微細結晶層の形成方法としては、被接合部の接合面側の表面に歪みを加えることで表面の結晶粒径を小さくする方法、被接合部の接合面側の表面にスパッタ法、メッキ法などを用いて微細結晶層を堆積する方法などが挙げられる。スパッタ法によれば、より微細な微細結晶層を作製することができる。次に、図3Aに示すように、第1の微細結晶層12と第2の微細結晶層22との間に、酸化銅が溶出または溶解する溶液30を充填する。第1の微細結晶層12と第2の微細結晶層22との間に溶液30を充填したときの、第1の微細結晶層12の露出面と第2の微細結晶層22の露出面との距離は、たとえば、1μmである。溶液30は、銅と錯体を形成する配位子を含む溶液であり、たとえば、アンモニア水、カルボン酸水溶液が挙げられる。溶液30の濃度は、後述する加圧条件や加熱条件に応じて実験により設定することができる。カルボン酸水溶液の調製に用いられるカルボン酸としては、酢酸などのモノカルボン酸、また、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、フタル酸、マレイン酸などのジカルボン酸、さらに、酒石酸、クエン酸、乳酸、サリチル酸などのオキシカルボン酸が挙げられる。このうち、カルボン酸水溶液は多座配位子となるカルボン酸を有することが好ましい。多座配位子となるカルボン酸を有するカルボン酸水溶液では、カルボン酸と銅がキレートを形成することにより銅錯体の安定性が非常に大きくなる。この結果、接合に必要な温度をより低温化させることができる。なお、酒石酸がキレートを形成することについては、理化学辞典第4版岩波書店の第593頁に記載されている。また、酒石酸、シュウ酸などがキレートを形成することはヘスロップジョーンズ無機化学下齋藤喜彦訳の第666頁に記載されている。ここで、キレート化とは、多座配位子によって環が形成されることにより錯体の安定度が非常に大きくなることをいう。以下の説明では、溶液30としてクエン酸水溶液を用いた場合について記載する。室温で1分程度放置すると、第1の微細結晶層12の最表面に形成された酸化銅が溶液30中に溶出し、消失する。また、第2の微細結晶層22の最表面に形成された酸化銅が溶液30中に溶出し、消失する。第1の微細結晶層12および第2の微細結晶層22の最表面に形成された酸化銅が溶液30に溶出することにより、第1の被接合部10の最表面接合面側の露出面および第2の被接合部20の最表面接合面側の露出面にそれぞれ第1の微細結晶層12および第2の微細結晶層22を構成する銅が露出する。また、溶液30中では、配位子となるクエン酸イオンと銅イオンとにより銅錯体が形成される。本実施の形態では、銅錯体は、[Cu2C6H5O72]4-で表される加熱分解性の銅錯イオンとして存在すると考えられる。なお、クエン酸は銅に対して不活性であるため、最表面の酸化物層を除く第1の微細結晶層12および第2の微細結晶層22の銅はクエン撒水溶液と応せずに残存している。次に、図3Bに示すように、第1の被接合部10と第2の被接合部20との間の距離を縮めるように、プレス機を用いて第1の被接合部10と第2の被接合部20とを加圧する。加圧時の圧力は、たとえば、1~30MPaである。次に、図4Aに示すように、第1の被接合部10と第2の被接合部20とを加圧した状態で銅の再結晶化温度以下の温度条件下たとえば、125°C~200°Cで加熱することにより溶液30中の銅以外の成分を除去して銅を析出または部分的に再結晶化させる。本実施の形態では、加熱により水分が蒸発するとともに、銅錯イオン及びクエン酸成分が熱分解する。これにより、溶液30において銅の割合が徐々に高まるとともに、プレス機による加圧により第1の被接合部10の最表面と第2の被接合部20の最表面との距離が徐々に近づく。次に、図4Bに示すように、溶液30中の銅以外の成分の除去が完了すると、第1の被接合部10の最表面と第2の被接合部20の最表面とが酸化銅由来の銅からなる析出銅図示せずにより拡散接合される。この析出銅は、配向性および安定性が優れている。最終的な析出銅の厚さは、第1の微細結晶層12の最表面に形成された酸化銅の厚さと、第2の微細結晶層22の最表面に形成された酸化銅の厚さの和と同程度である。析出銅により拡散接合が完了した後、加熱を停止して析出銅による接合部分を徐々に室温程度まで冷却する。なお、加熱開始から加熱停止までの時間は、たとえば、10分間である。冷却完了後、加圧を解除し、第1の被接合部10と第2の被接合部20との接合工程が完了する。以上の工程により、第1の被接合部10と第2の被接合部20との接合界面Aと直交する方向の線B上において、単位長さ当たりの銅の粒界の数が母材となる第1の被接合部10および第2の被接合部20に比べて、接合界面近傍、すなわち、第1の微細結晶層12、第2の微細結晶層22および両者の間に形成された析出銅からなる領域の方が多くなっている金属接合構造100が得られる。図4Bに示した金属接合構造100では、第1の微細結晶層12および第2の微細結晶層22が接合界面Aに沿って延在している。このため、接合界面Aと直交する方向の任意の線B上において、単位長さ当たりの銅の粒界の数が母材となる第1の被接合部10および第2の被接合部20に比べて、接合界面近傍の方が多くなっている。これに対して、接合時の温度、圧力、時間等の接合条件を変えることにより、第1の微細結晶層12および第2の微細結晶層22の一部の再結晶化を進行させることで、微細結晶層を被接合部の銅の結晶粒径と同等な銅の結晶層とすることができる。これにより、図1に示すような、第1の被接合部10と第2の被接合部20と接合界面と直交する方向の線上において、単位長さ当たりの銅の粒界の数が母材となる第1の被接合部10および第2の被接合部20に比べて接合界面近傍の方が多くなっている領域が部分的に存在する金属接合構造100を得ることができる。なお、上述した金属接続方法では、第1の被接合部10と第2の被接合部20の両方に微細結晶層を設けているが、微細結晶層を第1の被接合部10、第2の被接合部20のいずれか一方にのみ形成してもよい。この場合には、第1の被接合部10と第2の被接合部20との接合界面に対していずれか一方の側に微細結晶層が部分的または全面的に形成される。以上説明した金属接続方法によれば、真空装置などの大がかりな設備を用いることなく、比較的低温な条件下で銅同士を接合することができる。具体的には、微細結晶層の最表面に形成された酸化銅が溶液30中に溶出することにより、被接合部の最表面に銅が露出する、言い換えると被接合部の接合面が活性化される。被接合部の接合面が活性化された後、析出銅40を介して第1の被接合部10と第2の被接合部20とが接合される。これにより、第1の被接合部10の接合面と析出銅40との間および第2の被接合部20の接合面と析出銅40との間にボイドが発生したり副生成物が介在することが抑制されるため、第1の被接合部10と第2の被接合部20との接続信頼性を高めることができる。さらに、本実施の形態では、接合時の加熱温度を銅の再結晶化温度以下とすることで、被接合部間の接合界面近傍に微細結晶層が存在している。この微細結晶層によって、被接合部間の接合強度の増大を図ることができる。微細結晶層がより微細になるほど、接合強度が高まる。このため、より微細な微細結晶層を作製する方法として、スパッタ法が好適である。また、第1の被接合部10と第2の被接合部20との接合を担う析出銅として、第1の微細結晶層12と第2の微細結晶層22の酸化被膜として存在していた酸化銅由来の銅が用いられているため、第1の被接合部10と第2の被接合部20とを接合するために、接合材料を別途用意する必要がない。このため、第1の被接合部10と第2の被接合部20との接続に要するコストを低減することができる。実施例1実施例1では、厚さ1mmの一対の銅板の表面に、それぞれ研磨により微細結晶層を形成した。微細結晶層が対向するように銅板の間にクエン酸水溶液濃度10を充填し、200°C、5.8MPa、60分の接合条件にて上述した拡散接合により銅板同士を接合した。得られた接合体について引っ張り強度を測定したところ、最大応力は48.3MPaであった。図5は、実施例1で得られた接合体の断面SEM写真像である。図5の右図のSEM写真像において、接合界面Aを含む長方形の領域R内について銅の粒界に沿って点線を引いた。接合界面Aと直交する方向の線B上について、2μmごとに銅の粒界の数をカウントした。図6に、接合界面と直交する方向の距離と銅の粒界の数との関係を示す。接合界面と直交する方向の距離が4~6μmの領域は、図5の接合界面Aを含む領域接合界面近傍の領域に相当する。図6に示すように、接合界面近傍の領域はこれ以外の領域に比べて銅の粒界の数が大幅に増大しており、接合界面近傍の領域に上述した銅の微細結晶層が形成されていることが確認された。比較例1比較例1では、微細結晶層を形成せず、厚さ1mmの一対の銅板の間にクエン酸水溶液濃度10を充填し、400°C、5.8MPa、60分の接合条件にて上述した拡散接合により銅板同士を接合した。得られた接合体について引っ張り強度を測定したところ、最大応力は23.1MPaであった。実施例1および比較例1の結果により、被接合部の接合面側の表面に微細結晶層を形成し、接合時に温度を銅の再結晶化温度以下とすることにより、得られる接合体の接合強度を大幅に向上させることができることが確認された。金属接合構造の応用例上述した金属接合構造および金属接合方法の応用例として、図7~図9を参照して半導体装置に適用した例を説明する。まず、図7Aに示すように、半導体チップ500を準備する。半導体チップ500は、半導体基板510、素子電極520および絶縁樹脂層530を有する。半導体基板510はたとえば、Si基板であり、集積回路IC、大規模集積回路LSIなどが形成されている。素子電極520は、たとえばAlをパターニングすることにより形成することができる。絶縁樹脂層530は、半導体基板510の電極形成面を被覆する保護層であり、素子電極520が露出するような開口が設けられている。絶縁樹脂層530は、たとえば、ポリイミドで形成される。次に、図7Bに示すように、素子電極520の上にメッキ法やスパッタ法などにより銅ポスト540を形成する。銅ポスト540の高さは、たとえば、5μm~100μmである。次に、図7Cに示すように、銅ポスト540の頂部面が露出するように、絶縁樹脂層530の上に絶縁樹脂層550を形成する。この工程では、絶縁樹脂層550の厚さを予め調節してラミネートする方法や、銅ポスト540より厚い絶縁樹脂層を形成した後、O2プラズマエッチングにより、銅ポスト540の頂部面を露出させる方法を用いることができる。次に、図8Aに示すように、銅ポスト540の頂部面に微細結晶層560を形成する。微細結晶層560の形成方法は、上述した金属接合方法の図2Bで説明した方法研磨法、スパッタ法、メッキ法などのいずれかを採用することができる。半導体チップ500とは別に、図8Aに示すように、配線基板600を用意する。配線基板600は、絶縁樹脂層610、基板電極620、基板電極630、絶縁樹脂層640および絶縁樹脂層650を有する。絶縁樹脂層610を構成する材料としては、たとえば、BTレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、PPE樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の熱硬化性樹脂が例示される。基板電極620は絶縁樹脂層610の一方の側本実施の形態では半導体素子接続面に設けられており、銅で形成されている。基板電極620は絶縁樹脂層610の一方の側に設けられた所定パターンの配線層図示せずと電気的に接続されている。基板電極630は、絶縁樹脂層610の他方の側に設けられており、銅で形成されている。基板電極630は、絶縁樹脂層610の他方の側に設けられた所定パターンの配線層図示せずと電気的に接続されている。基板電極620と基板電極630とは絶縁樹脂層610を貫通するビア導体図示せずにより電気的に接続されている。次に、図9Aに示すように、配線基板600に設けられた基板電極620と、半導体チップ500に設けられた銅ポスト540とが対向するように、配線基板600と半導体チップ500とを位置合わせする。次に、上述した金属接合方法の図3A~図4Bで説明した接合方法を適用することにより、図9Bに示すように、基板電極620と銅ポスト540とを接合することができる。以上の工程により、上述した金属接続構造を有する半導体装置700を作製することができる。半導体装置700に上述した金属接続構造を適用することにより、基板電極620と銅ポスト540との接続強度を向上させることができ、ひいては、半導体装置の動作信頼性を向上させることができる。