"平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成された基板と、前記基板に積層され、蛍光を前記フォトダイオードのそれぞれに導く導波路が形成された光学層と、前記光学層に積層され、プローブ材料を保持することが可能なプローブ保持領域が前記導波路毎に形成された中間層とを具備するケミカルセンサ。請求項1に記載のケミカルセンサであって、前記導波路は、光反射性を有する反射面によって囲まれているケミカルセンサ。請求項2に記載のケミカルセンサであって、前記導波路は、前記中間層側から前記フォトダイオード側に径が漸次小さくなるテーパー形状を有するケミカルセンサ。請求項2に記載のケミカルセンサであって、前記導波路内には励起光を減衰させ、蛍光を透過させる分光材料からなる分光フィルタが形成されているケミカルセンサ。請求項4に記載のケミカルセンサであって、前記分光フィルタは、蛍光の波長の一部を透過させるカラーフィルタであるケミカルセンサ。請求項5に記載のケミカルセンサであって、前記カラーフィルタは、隣接する前記導波路に形成されたものとは異なる透過波長を有するケミカルセンサ。請求項2に記載のケミカルセンサであって、前記プローブ保持領域は、前記導波路に対向する大きさに形成されているケミカルセンサ。請求項7に記載のケミカルセンサであって、前記プローブ保持領域は、一部の前記導波路について形成されているケミカルセンサ。請求項2に記載のケミカルセンサであって、前記プローブ保持領域上に形成された生体分子接着剤からなる接着剤層をさらに具備するケミカルセンサ。請求項9に記載のケミカルセンサであって、前記接着剤層上に接着されたプローブ材料からなるプローブ材料層をさらに具備するケミカルセンサ。請求項10に記載のケミカルセンサであって、前記プローブ材料は、DNA、RNA、タンパク質又は抗原であるケミカルセンサ。平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成された基板と、前記基板に積層され、蛍光を前記フォトダイオードのそれぞれに導く導波路が形成された光学層と、前記光学層に積層されプローブ材料を保持することが可能なプローブ保持領域が前記導波路毎に形成された中間層と有するケミカルセンサと、前記ケミカルセンサのそれぞれの前記フォトダイオードの出力信号を処理する信号処理回路とを具備する生体分子検出装置。請求項12に記載の生体分子検出装置であって、前記信号処理回路は、前記プローブ保持領域が設けられた前記フォトダイオードと、前記プローブ保持領域が設けられていない前記フォトダイオードの出力信号の差分を蛍光に相当する信号として抽出する生体分子検出装置。請求項12に記載の生体分子検出装置であって、前記信号処理回路は、遮光されたフォトダイオードの出力信号を参照信号とする生体分子検出装置。平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成された基板と、前記基板に積層され蛍光を前記フォトダイオードのそれぞれに導く導波路が形成された光学層と、前記光学層に積層されプローブ材料を保持することが可能なプローブ保持領域が前記導波路毎に形成された中間層とを有するケミカルセンサを準備し、前記プローブ保持領域に生体分子接着剤からなる接着剤層を形成し、前記接着剤層に、それぞれ異なるプローブ材料を接着してプローブ材料層を形成し、測定対象物質を前記プローブ材料層に接触させて、前記測定対象物質に含まれたターゲット材量を前記プローブ材料と結合させ、前記プローブ材料と結合しなかった測定対象物質を除去し、前記ターゲット材料と前記プローブ材料の結合に起因する蛍光を前記フォトダイオードによって検出する生体分子検出方法。請求項15に記載の生体分子検出方法であって、前記導波路は、光反射性を有する反射面によって囲まれ、前記導波路内には励起光を減衰させ、蛍光を透過させる分光材料からなる分光フィルタが形成され、前記蛍光を検出するステップでは、斜入射光又は輪帯照明光によって励起光を前記ケミカルセンサに照射する生体分子検出方法。請求項16に記載の生体分子検出方法であって、前記蛍光を検出するステップでは、予め蛍光標識されている前記プローブ材料と前記ターゲット材料の相互作用による蛍光の波長及び輝度の変化を前記ケミカルセンサによって検出する生体分子検出方法。請求項16に記載の生体分子検出方法であって、前記蛍光を検出するステップでは、前記プローブ材料と結合した予め蛍光標識されているターゲット材料による蛍光を前記ケミカルセンサによって検出する生体分子検出方法。請求項16に記載の生体分子検出方法であって、前記蛍光を検出するステップでは、前記プローブ材料と前記ターゲット材料の結合体に対して蛍光標識を実施し、その蛍光を前記ケミカルセンサによって検出する生体分子検出方法。しかしながら、特許文献1に記載の構成では、有機分子プローブからの等方的な発光を、個体撮像素子に導く光学系が存在しないため、充分な光量を得ることができず、感度が低く精度に劣るという問題がある。さらに、等方的な発光は隣接する固体撮像素子にも入り、検出信号にクロストークが発生してしまうおそれがある。また、有機分子プローブを結合させる表面の材質も規定されておらず、有機分子プローブを表面に均一に結合させることによる検出精度の向上も図られていなかった。また、特許文献2に記載の構成では、マイクロレンズの上面に光透過性のトップゲート電極が形成されている。このようなトップゲート電極は、光透過性の電極材料であるITOIndiumTinOxideやグラフェン等によって形成されるものと考えられる。しかし、これらの材料は低い抵抗値とするためには膜厚を大きくする必要があり、それによって膜の光透過率が低下し、感度劣化を生じることが考えられる。以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、高精度に生体分子を検出することが可能なケミカルセンサ、生体分子検出装置及び生体分子検出方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本技術の一形態に係るケミカルセンサは、基板と、光学層と、中間層とを具備する。上記基板は、平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成されている。上記光学層は、上記基板に積層され、蛍光を上記フォトダイオードのそれぞれに導く導波路が形成されている。上記中間層は、光学層に積層され、プローブ材料を保持することが可能なプローブ保持領域が上記導波路毎に形成されている。この構成によれば、プローブ保持領域に保持されたプローブ材料と、当該プローブ材料と特異的に結合するターゲット材料の結合に起因する蛍光を、フォトダイオードで検出する。この際、各フォトダイオード毎に設けられた導波路によって蛍光がフォトダイオードに導かれるため、蛍光を高精度に検出することが可能となる。上記導波路は、光反射性を有する反射面によって囲まれていてもよい。この構成によれば、導波路に入射した蛍光が反射面によって反射され、入射角度に係わらず蛍光を検出することが可能となる。さらに、反射面によって蛍光が隣接するセルに到達することを防止することが可能となる。上記導波路は、上記中間層側から上記フォトダイオード側に径が漸次小さくなるテーパー形状を有するこの構成によれば、等方的に発光する蛍光を広い角度範囲で導波路に導きつつ、フォトダイオードに集光させることが可能となる。上記導波路内には励起光を減衰させ、蛍光を透過させる分光材料からなる分光フィルタが形成されていてもよい。この構成によれば、励起光がフォトダイオードに到達することを防止することができる。励起光は、蛍光を発生させるためにケミカルセンサに照射されるものであるが、フォトダイオードによる検出を理想的にはゼロにする必要がある。本構成によれば、分光フィルタによって、蛍光のみをフォトダイオードに到達させることが可能となる。上記分光フィルタは、蛍光の波長の一部を透過させるカラーフィルタであってもよい。この構成によれば、カラーフィルタによって、蛍光のみをフォトダイオードに到達させることが可能となる。上記カラーフィルタは、隣接する上記導波路に形成されたものとは異なる透過波長を有してもよい。この構成によれば、励起波長を変えた生体分子のセンシングが可能となり、多角的な解析による高精度解析が可能となる。上記プローブ保持領域は、上記導波路に対向する大きさに形成されている。この構成によれば、プローブ保持領域、即ち、蛍光の発生領域が導波路の入射口より小さいため、蛍光の大部分を導波路に導くことが可能となると共に、隣接するセルへの蛍光の到達を防止することが可能となる。上記プローブ保持領域は、一部の上記導波路について形成されていてもよい。この構成によれば、プローブ保持領域が形成されなかったセルを、漏洩した励起光の参照用として用いることが可能となる。上記のように励起光は、分光フィルタによって減衰されるが、完全には減衰されない場合もある。このため、プローブ保持領域が形成されず、即ち蛍光が生じないセルの信号を参照することにより、蛍光検出信号を補正することが可能となる。上記ケミカルセンサは、上記プローブ保持領域上に形成された生体分子接着剤からなる接着剤層をさらに具備してもよい。この構成によれば、ユーザが任意のプローブ材料を接着剤層に接着させ、利用することが可能となる。上記ケミカルセンサは、上記接着剤層上に接着されたプローブ材料からなるプローブ材料層をさらに具備してもよい。この構成によれば、ターゲット材料を含む測定試料をケミカルセンサに接触させることにより、ターゲット材料の検出が可能となる。上記プローブ材料は、DNA、RNA、タンパク質又は抗原であってもよい。この構成によれば、これらのプローブ材料に特異的に結合するターゲット材料の検出が可能となる。上記目的を達成するため、本技術の一形態に係る生体分子検出装置は、ケミカルセンサと、信号処理回路とを具備する。上記ケミカルセンサは、平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成された基板と、上記基板に積層され、蛍光を上記フォトダイオードのそれぞれに導く導波路が形成された光学層と、上記光学層に積層されプローブ材料を保持することが可能なプローブ保持領域が上記導波路毎に形成された中間層と有する。上記信号処理回路は、上記ケミカルセンサのそれぞれの上記フォトダイオードの出力信号を処理する。この構成によれば、プローブ保持領域に保持されたプローブ材料と、当該プローブ材料と特異的に結合するターゲット材料の結合に起因する蛍光を、フォトダイオードで検出する。この際、各フォトダイオード毎に設けられた導波路によって蛍光がフォトダイオードに導かれるため、蛍光を高精度に検出することが可能となる。上記信号処理回路は、上記プローブ保持領域が設けられた上記フォトダイオードと、上記プローブ保持領域が設けられていない上記フォトダイオードの出力信号の差分を蛍光に相当する信号として抽出してもよい。この構成によれば、信号処理回路はプローブ保持領域が形成されず、即ち蛍光が生じないセルの信号を参照することにより、蛍光検出信号を補正することが可能となる。上記信号処理回路は、遮光されたフォトダイオードの出力信号を参照信号としてもよい。この構成によれば、遮光されたフォトダイオードの出力信号をフォトダイオードの黒レベルの定義に利用することが可能となる。上記目的を達成するため、本技術の一形態に係る生体分子検出方法は、平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成された基板と、上記基板に積層され蛍光を上記フォトダイオードのそれぞれに導く導波路が形成された光学層と、上記光学層に積層されプローブ材料を保持することが可能なプローブ保持領域が上記導波路毎に形成された中間層とを有するケミカルセンサを準備する。上記プローブ保持領域に生体分子接着剤からなる接着剤層を形成する。上記接着剤層に、それぞれ異なるプローブ材料を接着してプローブ材料層を形成する。測定対象物質を上記プローブ材料層に接触させて、上記測定対象物質に含まれたターゲット材量を上記プローブ材料と結合させる。上記プローブ材料と結合しなかった測定対象物質を除去する。上記ターゲット材料と上記プローブ材料の結合に起因する蛍光を上記フォトダイオードによって検出する。この構成によれば、ターゲット材料とプローブ材料の結合に起因する蛍光が導波路によってフォトダイオードに導かれるため、蛍光を高精度に検出することが可能となる。上記導波路は光反射性を有する反射面によって囲まれ、上記導波路内には励起光を減衰させ蛍光を透過させる分光材料からなる分光フィルタが形成され、上記蛍光を検出するステップでは斜入射光又は輪帯照明光によって励起光を上記ケミカルセンサに照射してもよい。この構成によれば、蛍光を高精度に検出することが可能となる。上記ケミカルセンサは分光フィルタが形成された導波路と、導波路を囲む反射面を有しており、斜め方向から導波路に入射した励起光は、垂直方向から入射した場合に比べ、分光フィルタ内を進む距離が長く、より減衰される。即ち、励起光を斜入射光又は輪帯照明光とすることにより、励起光の減衰を促進させ、SNsignalnoise比を向上させることが可能となる。上記蛍光を検出するステップでは、予め蛍光標識されている上記プローブ材料と上記ターゲット材料の相互作用による蛍光の波長及び輝度の変化を上記ケミカルセンサによって検出してもよい。この構成によれば、プローブ材料とターゲット材料の相互作用による蛍光の波長及び輝度の変化を高精度に検出することが可能となる。上記蛍光を検出するステップでは、上記プローブ材料と結合した予め蛍光標識されているターゲット材料による蛍光を上記ケミカルセンサによって検出してもよい。この構成によれば、プロー部材料と結合した蛍光標識されているターゲット材料による蛍光を高精度に検出することが可能となる。上記蛍光を検出するステップでは、上記プローブ材料と上記ターゲット材料の結合体に対して蛍光標識を実施し、その蛍光を上記ケミカルセンサによって検出してもよい。この構成によれば、プローブ材料とターゲット材料の結合体による蛍光を高精度に検出することが可能となる。以上のように、本技術によれば、高精度に生体分子を検出することが可能なケミカルセンサ、生体分子検出装置及び生体分子検出方法を提供することが可能となる。第1の実施形態本技術の第1の実施形態に係る生体分子検出装置について説明する。[生体分子検出装置の全体構成]図1は、本実施形態に係る生体分子検出装置1の構成を示す模式図である。同図に示すように、生体分子検出装置1は、基板2上に配列された複数のセル30からなるケミカルセンサ3と、ケミカルセンサ3を駆動するための周辺回路から構成されている。詳細は後述するが、各セル30にはそれぞれひとつのフォトダイオード21が設けられている。セル30の数や配列については限定されず、適宜変更することが可能である。ここでは、セル30は基板2の平面上において行列状に配列されているものとし、行の方向を垂直方向、列の方向を水平方向とする。周辺回路は、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5、水平駆動回路6及びシステム制御回路7から構成されている。また、各セル30のフォトダイオード21は行毎に画素駆動線8に接続され、かつ列毎に垂直信号線9に接続されている。各画素駆動線8は垂直駆動回路4に接続され、垂直信号線9はカラム信号処理回路5に接続されている。カラム信号処理回路5は、水平駆動回路6に接続され、システム制御回路7は、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5及び水平駆動回路6に接続されている。なお、周辺回路は画素領域に積層される位置、あるいは基板2の反対側等に配置することも可能である。垂直駆動回路4は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動線8を選択し、選択された画素駆動線8にフォトダイオード21を駆動するためのパルスを供給し、フォトダイオード21を行単位で駆動する。即ち、垂直駆動回路4は、各フォトダイオード21を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、画素駆動線8に対して垂直に配線された垂直信号線9を通して、各フォトダイオード21において受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号をカラム信号処理回路5に供給する。カラム信号処理回路5は、1行分のフォトダイオード21から出力される信号に対して画素列ごとにノイズ除去等の信号処理を行う。即ちカラム信号処理回路5は、画素固有の固定パターンノイズを除去するための相関二重サンプリングCDS:CorrelatedDoubleSamplingや、信号増幅、アナログ/デジタル変換AD:AnalogDigitalConversion等の信号処理を行う。水平駆動回路6は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路5の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路5の各々から画素信号を出力させる。システム制御回路7は、入力クロックと、動作モード等を指定するデータを受け取り、またケミカルセンサ3の内部情報等のデータを出力する。即ち、システム制御回路7は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5及び水平駆動回路6などの動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、システム制御回路7は、これらの信号を垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5及び水平駆動回路6等に入力する。以上のように、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5、水平駆動回路6及びシステム制御回路7と、後述するフォトダイオード21に設けられた画素回路とによって、各フォトダイオード21を駆動する駆動回路が構成されている。[ケミカルセンサの構造]上記ケミカルセンサ3の構成について説明する。図2及び図3は、本実施形態に係るケミカルセンサ3の、ひとつのセル30を示す模式図である。図2はセル30の断面図であり、図3はセル30の斜視図である。これらの図に示すようにケミカルセンサ3は、基板2上に、保護絶縁層31、光学層32、平坦化層33、中間層34、接着剤層35及びプローブ材料層36が積層されて構成されている。基板2は例えば単結晶シリコンからなり、基板2の一主面側を受光面とし、受光面側の表面層には、不純物領域からなるフォトダイオード21が二次元的に配列形成されている。このフォトダイオード21は、セル30毎に設けられている。なお、フォトダイオード21は、図示したように基板2における受光面側となる一主面側のみに設けられるか、または一主面側から他の主面側にかけて設けられていても良い。ケミカルセンサ3は、CMOSComplementaryMetalOxideSemiconductorやCCD比としては104のオーダとなり、高精度の検出が可能であることが分かる。[ケミカルセンサのセル配置]上記のようにケミカルセンサ3はセル30によって構成されるが、参照用のセルを配置することによってケミカルセンサ3を構成することも可能である。以下、上述した構成を有するセル30を検出セル30aとし、ケミカルセンサ3はこの他に参照セル30b及び黒色セル30cによって構成されるものとする。図9は、ケミカルセンサ3を上面側プローブ材料層36側からみた図である。同図に示すように、ケミカルセンサ3は、検出セル30a、参照セル30b及び黒色セル30cによって構成されている。検出セル30aは上述した構成のものであり、その配置数は任意であるが、メガピクセル級のものが好適である。参照セル30bは、上述した検出セル30aの構造において、接着剤層35及びプローブ材料層36が形成されていないものである。参照セル30bは、例えば検出セル30aの周囲に配置することができる。上記のように、中間層34の表面処理によって接着剤層35が形成されるプローブ保持領域を任意に設定可能であるので、参照セル30bを形成するにあたってはプローブ保持領域を形成しない画素を作成すればよい。詳細は後述するが、検出セル30aには励起光が照射され、プローブ材料層36において、プローブ材料とターゲット材料の結合に起因する蛍光が発生する。励起光は導波路321の分光フィルタ323によって遮蔽され、蛍光のみがフォトダイオード21に到達し、検出される構成となっている。ここで、励起光は分光フィルタ323によって完全には遮蔽されず、フォトダイオード21によって検出される可能性がある。このため、プローブ材料層36が形成されない参照セル30bによってこの励起光の漏洩量を検出し、検出セル30aの検出結果の補正に利用することが可能となる。黒色セル30cは、上述したセル30の構成において、金属層322に開口324が形成されず、即ち、導波路321が金属層322によって完全に遮蔽されているものである。黒色セル30cは、例えば参照セル30bの周囲に配置することができる。黒色セル30cは、温度等によって影響を受け得るフォトダイオード21の黒レベルの定義に用いられる。ケミカルセンサ3は以上のような画素配置とすることができる。検出セル30a、参照セル30b及び黒色セル30cの配置や数はここに示すものに限られず、適宜変更することが可能である。[ケミカルセンサを用いた生体分子検出方法]上述したケミカルセンサ3を用いた生体分子検出方法について説明する。ケミカルセンサ3は、各検出セル30aに任意のプローブ材料からなるプローブ材料層36が形成されているものとする。ターゲット材料の検出においては、例えば、プローブ材料としてDNAを用いる場合は、5’-fluorescein化されたDNAを用いることが例示される。この5’-fluorescein化されたDNAに対し、測定資料中に、相補的な配列を有するDNAが含有されていると、ハイブリダイゼーション反応がおき、プローブ材料はsingle-strandedDNAss-DNAから、double-strandedDNAds-DNAとなる。この変化により、蛍光分子の周囲の誘電率が変化することにより、蛍光の発光波長強度が変化することを、フォトダイオード21によって検出することができる。また、プローブ材料としてDNAを用いる場合で、プローブ材料としては、蛍光標識をしていないDNAを用い、サンプル側に、5’-fluorescein化されたDNAを用いることが例示される。この場合は、プローブ材料としてのDNAに、相補的な配列を有するDNAが、サンプルに含有されていると、ハイブリダイゼーション反応がおき、蛍光標識を有するds-DNAとなる。この蛍光標識からの蛍光の発光をフォトダイオード21によって検出することができる。もしくは、プローブ材料としてDNAを用いる場合で、プローブ材料としては、蛍光標識をしていないDNAを用い、サンプル側にも蛍光色素を導入しない。この場合は、プローブ材料としてのDNAに、相補的な配列を有するDNAが、サンプルに含有されていると、ハイブリダイゼーション反応がおき、ds-DNAとなる。ついで、ds-DNAのみを選択的に染色し蛍光標識を行う処理を、例えば、Molecularプローブ社のPicoGreen2本鎖DNA定量試薬をもって行うことにより、ds-DNA部に蛍光標識を導入する。この蛍光標識からの蛍光の発光をフォトダイオード21によって検出する。上記のように、プローブ材料、ターゲット材料又はプローブ材料とターゲット材量の結合体に蛍光標識が施されている状態で、ケミカルセンサ3に励起光が照射されると、蛍光標識から蛍光が生じ、又は蛍光の波長強度が変化する。この励起光の照射について、以下のようにすると好適である。図10は、励起光照射装置100の構成を示す模式図である。同図に示すように、励起光照射装置100は、励起光源101、コリメータレンズ102、フライアイレンズ103、絞り104、コンデンサレンズ105を有する。この配置は所謂、ケーラー照明としてよく知られたものである。図11は絞り104の形状の例を示す模式図であり、斜線領域が遮光部である。下記の説明においては図11aに示す絞り形状を用いるが、図11bに示すような絞り形状を用いることも可能である。図12は照射光の形状を示す模式図である。励起光源101から放出された励起光レーザやハロゲン光はコリメータレンズ102によって平行光に変換され、フライアイレンズ小型レンズアレイ103によって均一化される。フライアイレンズ103から出射した光は図11aに示す絞り104によって輪帯状の2次光源形状に変換され、コンデンサレンズ105によってケミカルセンサ3上に集光される。このような構成により、励起光は、ケミカルセンサ3上の位置に拠らず、均一な強度と照明形状、照明角度で照射される。ここで、絞り104によって励起光が輪帯形状に変換されることにより、励起光が斜め方向からケミカルセンサ3の各セル30に入射することとなる。上記シミュレーション結果の解釈において説明したように、斜入射照明により、励起光が垂直方向からセル30に入射する場合に比べて分光フィルタ323を通過する距離が長くなり、分光フィルタ323によって十分に減衰することが可能となる。したがって、斜めから入射する励起光斜入射光を用いることにより、励起光強度を減衰させ、蛍光強度を維持できるため、高いSN比を得ることができる。即ち、図10に示した励起光の照射方法は、本実施形態に係るケミカルセンサ3を用いる場合に特に効果的であるといえる。なお、ケミカルセンサ3への入射光は輪帯形状に限られず、任意の斜入射形状とすることが可能であり、絞り104の形状によって調整することが可能である。[生体分子検出装置による信号処理]上記のように、ケミカルセンサ3に励起光を照射することによって生じる蛍光を、フォトダイオード21によって検出することによって、ターゲット材料を検出することができる。この際の生体分子検出装置1による信号処理動作を図4に示したケミカルセンサ3を例にとって説明する。ある特定のセル30のフォトダイオード21の出力信号を信号Is、参照セル30bのフォトダイオード21の出力信号を信号Iref、黒色セル30cのフォトダイオード21の出力信号を信号Ibとする。まず、以下の式1に示すように、通常のイメージセンサでの画像処理と同様に黒レベルを差し引き、式2に示すように変換して、通常のAD変換スケールに規格化する。Is=Is-Ib式1Iref=Iref-Ib式2次に、以下の式3に示すように、信号Isと信号Irefの差分を演算することによって、励起光の漏れ成分を相殺して蛍光成分Iflのみを抽出する。Ifl=Is-Iref式3以上のようにして、各セル30についての光成分Iflを高精度に求めることが可能である。以上のように本実施形態によれば、プローブ材料と特異的に結合するターゲット材料の結合に起因する蛍光が導波路321によってフォトダイオード21に導かれるため、蛍光を高精度に検出することが可能となる。さらに、導波路321が光反射性を有する反射面によって囲まれたものとすることにより、導波路321に入射した蛍光が反射面によって反射され、入射角度に係わらず蛍光を検出することが可能となると共に、反射面によって蛍光が隣接するセル30に到達することを防止することが可能となる。さらに、導波路321が中間層34側からフォトダイオード21側に径が漸次小さくなるテーパー形状を有するものとすることにより、等方的に発光する蛍光を広い範囲で導波路321に導きつつ、フォトダイオード21に集光させることが可能となる。また、導波路321内には励起光を減衰させ、蛍光を透過させる分光材料からなる分光フィルタ323を形成することにより、励起光がフォトダイオード21に到達することを防止することができる。さらに、プローブ保持領域34aを導波路321に対向する大きさに形成することにより、蛍光の発生領域が導波路321の入射口より小さいため、蛍光の大部分を導波路321に導くことが可能となると共に、隣接するセル30への蛍光の到達を防止することが可能となる。また、プローブ保持領域34aを、一部のセル30のみに形成することにより、プローブ保持領域34aが形成されなかったセル30を、漏洩した励起光の参照用として用い、蛍光検出信号の補正に用いることが可能となる。第2の実施形態本技術の第2の実施形態に係る生体分子検出装置について説明する。なお、本実施形態においては、ケミカルセンサの画素配置が第1の実施形態と異なるが、その他の構成については第1の実施形態と同様であるため、説明を省略する。[ケミカルセンサの画素配置]図13は、本実施形態に係るケミカルセンサ203を上面側からみた模式図である。同図に示すように、ケミカルセンサ203は、検出セル30a、参照セル30b及び黒色セル30cによって構成されるものとすることができる。検出セル30a、参照セル30b及び黒色セル30cのそれぞれの構成は、第1の実施形態と同様であるが、本実施形態においては、各検出セル30aの間にも参照セル30bが配置され、検出セル30aは互いに隣接しないように配置されている。これにより、隣接する検出セル30aの距離は2画素ピッチXY方向及び2√2画素ピッチ対角となり、検出セル30aからの蛍光による、隣接する検出セル30aへのクロストークを大幅に軽減することが可能となり、検出精度が向上する。また、図13の斜線部に示すように、検出セル30aから十分離間した参照セル30bからなる参照領域Rを設け、これらの参照セル30bからの出力信号のみを参照信号上記Irefとすることも可能である。参照領域Rの配置や数は適宜変更することが可能である。以上のように、本実施形態においては、検出セル30aを離間させ、間に参照セル30bを配置することにより、隣接する検出セル30a間におけるクロストークを防止し、より高精度に生体分子を検出することが可能となる。第3の実施形態本技術の第3の実施形態に係る生体分子検出装置について説明する。なお、本実施形態においては、ケミカルセンサの素子構造及び画素配置が第1の実施形態と異なるが、その他の構成については第1の実施形態と同様であるため、説明を省略する。[ケミカルセンサの画素配置]図14は、本実施形態に係るケミカルセンサ303を上面側からみた模式図である。同図に示すように、ケミカルセンサ303は、検出セル30a、参照セル30b及び黒色セル30cによって構成されるものとすることができる。本実施形態に係る検出セル30aは、分光フィルタ323が蛍光波長の所定帯域のみを透過させるカラーフィルタであるものし、カットオフ波長λnより短波長側を遮光し、λnより長波長側を透過するが異なる4種のカラーフィルタが用いられるものする。即ち、ケミカルセンサ303には、第1色λ1のカラーフィルタを有する第1検出セル30a1、第2色λ2のカラーフィルタを有する第2検出セル30a2、第3色λ3のカラーフィルタを有する第3検出セル30a2、第4色λ4のカラーフィルタを有する第4検出セル30a4の4種類の検出セル30aが用いられているものとする。なお、カラーフィルタの種類色は4種に限られず、3種以下あるいは5種以上であってもよい。図14に示すように、第1検出セル30a1は、第2検出セル30a2、第3検出セル30a3及び第4検出セル30a4とのみ隣接し、第1検出セル30a1とは隣接しないように配置されている。第2検出セル30a2、第3検出セル30a3及び第4検出セル30a4のそれぞれについても同様である。このような構成により、同種の検出セル30an間n=1、2、3、4のクロストークを防止することができる。具体的には、図10に示したような照射装置において、波長可変レーザ乃至はバンドパスフィルタを時系列で操作してλ1、λ2,λ3、λ4を順に発光するようにしてもよく、波長光源により同時照射してもよい。検出システム全体としては、コストへの効果は言うまでもなく、複数波長による検出が可能となり、より多角的な解析が可能となるとともに、共通のサンプルでの解析が可能となり、信頼性の高い解析が可能となると言う効果がある。本技術は上記各実施形態にのみ限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲内において変更することが可能である。なお、本技術は以下のような構成も採ることができる。1平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成された基板と、上記基板に積層され、蛍光を上記フォトダイオードのそれぞれに導く導波路が形成された光学層と、上記光学層に積層され、プローブ材料を保持することが可能なプローブ保持領域が上記導波路毎に形成された中間層と、を具備するケミカルセンサ。2上記1に記載のケミカルセンサであって、上記導波路は、光反射性を有する反射面によって囲まれているケミカルセンサ。3上記1又は2に記載のケミカルセンサであって、上記導波路は、上記中間層側から上記フォトダイオード側に径が漸次小さくなるテーパー形状を有するケミカルセンサ。4上記1から3のうちいずれか一つに記載のケミカルセンサであって、上記導波路内には励起光を減衰させ、蛍光を透過させる分光材料からなる分光フィルタが形成されているケミカルセンサ。5上記1から4のうちいずれか一つに記載のケミカルセンサであって、上記分光フィルタは、蛍光の波長の一部を透過させるカラーフィルタであるケミカルセンサ。6上記1から5のうちいずれか一つに記載のケミカルセンサであって、上記カラーフィルタは、隣接する上記導波路に形成されたものとは異なる透過波長を有するケミカルセンサ。7上記1から6のうちいずれか一つに記載のケミカルセンサであって、上記プローブ保持領域は、上記導波路に対向する大きさに形成されているケミカルセンサ。8上記1から7のうちいずれか一つに記載のケミカルセンサであって、上記プローブ保持領域は、一部の上記導波路について形成されているケミカルセンサ。9上記1から8のうちいずれか一つに記載のケミカルセンサであって、上記プローブ保持領域上に形成された生体分子接着剤からなる接着剤層をさらに具備するケミカルセンサ。10上記1から9のうちいずれか一つに記載のケミカルセンサであって、上記接着剤層上に接着されたプローブ材料からなるプローブ材料層をさらに具備するケミカルセンサ。11上記1から10のうちいずれか一つに記載のケミカルセンサであって、上記プローブ材料は、DNA、RNA、タンパク質又は抗原であるケミカルセンサ。12平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成された基板と、上記基板に積層され、蛍光を上記フォトダイオードのそれぞれに導く導波路が形成された光学層と、上記光学層に積層されプローブ材料を保持することが可能なプローブ保持領域が上記導波路毎に形成された中間層と有するケミカルセンサと、上記ケミカルセンサのそれぞれの上記フォトダイオードの出力信号を処理する信号処理回路とを具備する生体分子検出装置。13上記12に記載の生体分子検出装置であって、上記信号処理回路は、上記プローブ保持領域が設けられた上記フォトダイオードと、上記プローブ保持領域が設けられていない上記フォトダイオードの出力信号の差分を蛍光に相当する信号として抽出する生体分子検出装置。14上記12又は13に記載の生体分子検出装置であって、上記信号処理回路は、遮光されたフォトダイオードの出力信号を参照信号とする生体分子検出装置。15平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成された基板と、上記基板に積層され蛍光を上記フォトダイオードのそれぞれに導く導波路が形成された光学層と、上記光学層に積層されプローブ材料を保持することが可能なプローブ保持領域が上記導波路毎に形成された中間層とを有するケミカルセンサを準備し、上記プローブ保持領域に生体分子接着剤からなる接着剤層を形成し、上記接着剤層に、それぞれ異なるプローブ材料を接着してプローブ材料層を形成し、測定対象物質を上記プローブ材料層に接触させて、上記測定対象物質に含まれたターゲット材量を上記プローブ材料と結合させ、上記プローブ材料と結合しなかった測定対象物質を除去し、上記ターゲット材料と上記プローブ材料の結合に起因する蛍光を上記フォトダイオードによって検出する生体分子検出方法。16上記15に記載の生体分子検出方法であって、上記導波路は、光反射性を有する反射面によって囲まれ、上記導波路内には励起光を減衰させ、蛍光を透過させる分光材料からなる分光フィルタが形成され、上記蛍光を検出するステップでは、斜入射光又は輪帯照明光によって励起光を上記ケミカルセンサに照射する生体分子検出方法。17上記15又は16に記載の生体分子検出方法であって、上記蛍光を検出するステップでは、予め蛍光標識されている上記プローブ材料と上記ターゲット材料の相互作用による蛍光の波長及び輝度の変化を上記ケミカルセンサによって検出する生体分子検出方法。18上記15から17のうちいずれか一つに記載の生体分子検出方法であって、上記蛍光を検出するステップでは、上記プローブ材料と結合した予め蛍光標識されているターゲット材料による蛍光を上記ケミカルセンサによって検出する生体分子検出方法。19上記15から18のうちいずれか一つに記載の生体分子検出方法であって、上記蛍光を検出するステップでは、上記プローブ材料と上記ターゲット材料の結合体に対して蛍光標識を実施し、その蛍光を上記ケミカルセンサによって検出する生体分子検出方法。"