基板と、前記基板上に設けられ、結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質からなり、結晶成長を制御するシード層と、前記シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備えることを特徴とする導電体基板。前記基板は、非晶質基板であることを特徴とする請求項1に記載の導電体基板。前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の導電体基板。前記シード層は、結晶構造としてルチル構造を有する物質を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の導電体基板。前記物質は、TiO2、NbO2、MgF2及びSnO2のうち少なくとも1つであることを特徴とする請求項4に記載の導電体基板。前記酸化スズ系透明導電体の結晶は、001配向を有することを特徴とする請求項1から請求項5のうちいずれか一項に記載の導電体基板。結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質を用いて、基板上に結晶成長を制御するシード層を形成するシード層形成ステップと、前記シード層上に酸化スズ系透明導電体の結晶を成長させる結晶成長ステップとを含むことを特徴とする導電体基板の製造方法。前記シード層形成ステップは、パルスレーザ堆積法を用いて前記シード層を形成することを特徴とする請求項7に記載の導電体基板の製造方法。前記基板として、非晶質基板を用いることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の導電体基板の製造方法。前記基板として、ガラス基板を用いることを特徴とする請求項7から請求項9のうちいずれか一項に記載の導電体基板の製造方法。前記シード層形成ステップは、前記シード層として結晶構造がルチル構造である物質を含む層を形成することを特徴とする請求項7から請求項10のうちいずれか一項に記載の導電体基板の製造方法。前記物質として、TiO2、NbO2、MgF2及びSnO2のうち少なくとも1つが用いられることを特徴とする請求項11に記載の導電体基板の製造方法。前記酸化スズ系透明導電体の結晶は、001配向を有することを特徴とする請求項7から請求項12のうちいずれか一項に記載の導電体基板の製造方法。請求項1から請求項6のうちいずれか一項に記載の導電体基板を備えることを特徴とするデバイス。請求項14に記載のデバイスを備えることを特徴とする電子機器。請求項1から請求項6のうちいずれか一項に記載の導電体基板を備えることを特徴とする太陽電池パネル。しかしながら、従来では、酸化インジウムを用いた透明導電体であってドーパントとして特別な元素特許文献1、非特許文献1及び非特許文献2の場合は水素を用いることで高移動で赤外まで透明な透明導電体が作製されてはいるものの、現段階で実用化は容易ではない。これに対して、実用的に多用されている、例えば酸化スズ系などの材料を用いた透明導電体が求められている。また、特許文献2には、ルチル構造を有する物質の固溶体をシード層として用いる点については記載があるものの、シード層の最適組成については言及されておらず、また、赤外透明性についても言及されていない。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、低コストで低抵抗化が実現可能であり、赤外領域においても透明性を有する電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス、電子機器及び太陽電池パネルを提供することにある。本発明に係る導電体基板は、基板と、前記基板上に設けられ、結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質からなり、結晶成長を制御するシード層と、前記シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備えることを特徴とする。本発明によれば、基板と、当該基板上に設けられ、結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質からなり、結晶成長を制御するシード層と、当該シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備えることとしたので、シード層上の酸化スズ系透明導電体の結晶は、結晶配向が制御された状態で形成されることになる。このようにシード層の組成を最適化することにより、酸化スズ系透明導電体を低抵抗化させることが可能である。また、酸化スズ系透明導電体の結晶が高移動度となるため、高い赤外透明性が得られることになる。加えて、シード層上に酸化スズ系透明導電体の結晶を成長させることとしたので、単結晶基板を用いる必要が無く、コスト低減を図ることができる。これにより、低コストで低抵抗化が実現可能であり、赤外領域においても透明性を有する導電体基板を得ることができる。上記の導電体基板は、前記基板は、非晶質基板であることを特徴とする。本発明によれば、基板として非晶質基板を用いることにより、低コスト化が可能となる。上記の導電体基板は、前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする。本発明によれば、基板としてガラス基板を用いることにより、低コスト化が可能となる。加えて、ガラス基板上に導電体を形成して用いる製品に対して幅広く適用させることができる。上記の導電体基板は、前記シード層は、結晶構造としてルチル構造を有する物質を含むことを特徴とする。本発明によれば、シード層が結晶構造としてルチル構造を有する物質を含むこととしたので、シード層上に形成される酸化スズ系透明導電体の結晶の結晶性を向上させることができる。これにより、低抵抗の導電体を得ることができる。上記の導電体基板は、前記物質は、TiO2、NbO2、MgF2及びSnO2のうち少なくとも1つであることを特徴とする。本発明によれば、シード層の組成を最適化するため、ルチル構造を有する物質として、TiO2、NbO2、MgF2及びSnO2のうち少なくとも1つを用いることとしたので、低抵抗の導電体を容易に得ることができる。上記の導電体基板は、前記酸化スズ系透明導電体の結晶は、001配向を有することを特徴とする。本発明によれば、酸化スズ系透明導電体の結晶は、001配向を有することとしたので、高移動度の酸化スズ系透明導電体の結晶が得られる。本発明に係る導電体基板の製造方法は、結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質を用いて、基板上に結晶成長を制御するシード層を形成するシード層形成ステップと、前記シード層上に酸化スズ系透明導電体の結晶を成長させる結晶成長ステップとを含むことを特徴とする。本発明によれば、結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質を用いて、基板上に結晶成長を制御するシード層を形成し、シード層上に酸化スズ系透明導電体の結晶を成長させることとしたので、シード層によって結晶成長が制御されつつ結晶性の高い酸化スズ系透明導電体の層を形成することができる。また、シード層の組成を最適化することにより、酸化スズ系透明導電体の結晶が高移動度となるように形成されるため、高い赤外透明性が得られることになる。加えて、シード層上に酸化スズ系透明導電体の結晶を成長させることとしたので、単結晶基板を用いる必要が無く、コスト低減を図ることができる。これにより、赤外領域においても透明性を有する低抵抗の導電体基板を低コストで製造することができる。上記の導電体基板の製造方法は、前記シード層形成ステップは、パルスレーザ堆積法を用いて前記シード層を形成することを特徴とする。本発明によれば、パルスレーザ堆積法を用いてシード層を形成することとしたので、シード層を容易に形成することができる。上記の導電体基板の製造方法は、前記基板として、非晶質基板を用いることを特徴とする。本発明によれば、基板として非晶質基板を用いることとしたので、低コストで導電体基板を製造することができる。上記の導電体基板の製造方法は、前記基板として、ガラス基板を用いることを特徴とする。本発明によれば、基板としてガラス基板を用いることとしたので、低コストで導電体基板を製造することができる。上記の導電体基板の製造方法は、前記シード層形成ステップは、前記シード層として結晶構造がルチル構造である物質を含む層を形成することを特徴とする。本発明によれば、シード層形成ステップにおいて、シード層として結晶構造がルチル構造である物質を含む層を形成することとしたので、シード層上に形成される酸化スズ系透明導電体の結晶の結晶性を向上させることができる。これにより、低抵抗の導電体を得ることができる。上記の導電体基板の製造方法は、前記物質として、TiO2、NbO2、MgF2及びSnO2のうち少なくとも1つが用いられることを特徴とする。本発明によれば、シード層の組成を最適化するため、ルチル構造を有する物質として、TiO2、NbO2、MgF2及びSnO2のうち少なくとも1つが用いられるので、低抵抗の導電体を容易に得ることができる。上記の導電体基板の製造方法は、前記酸化スズ系透明導電体の結晶は、001配向を有することを特徴とする。本発明によれば、酸化スズ系透明導電体の結晶は、001配向を有することとしたので、高移動度の酸化スズ系透明導電体の結晶が得られる。本発明に係るデバイスは、上記の導電体基板を備えることを特徴とする。本発明によれば、低コストで低抵抗化が実現可能であり、赤外領域においても透明性を有する導電体基板を備えることとしたので、電気特性の高いデバイスを低コストで得ることができる。本発明に係る電子機器は、上記のデバイスを備えることを特徴とする。本発明によれば、電気特性が高く低コストのデバイスを備えることとしたので、良質の電子機器を安価で提供することができる。本発明に係る太陽電池パネルは上記の導電体基板を備えることを特徴とする。本発明によれば、低コストで低抵抗化が実現可能であり、赤外領域においても透明性を有する導電体基板を備えるので、変換効率の高い太陽電池パネルを低コストで得ることができる。本発明によれば、低コストで低抵抗化が実現可能であり、赤外領域においても透明性を有する電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス、電子機器及び太陽電池パネルを提供することにある。以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は導電体基板1の構成を示す断面図である。同図に示すように、導電体基板1は、基板11、シード層12及び導電層13を有している。基板11は、例えばガラスなどの非晶質材料からなる基板である。基板11としては、この他、例えば単結晶材料、多結晶材料、またはアモルファス材料でもよく、これらの結晶状態が混在する材料でもよい。プラスチック材料でもよい。具体例としては、チタン酸ストロンチウムSrTiO3の単結晶または多結晶からなる基板、ペロブスカイト型結晶構造またはそれと類似構造を有する岩塩型結晶からなる単結晶基板または多結晶基板、水晶基板、ノンアルカリガラス例えば旭硝子社製、製品名:AN100等のガラス基板、プラスチック基板、表面に熱酸化膜が形成されたシリコン基板熱酸化Si基板等の半導体基板等が挙げられる。これらは、本発明の効果を損なわない範囲でドーパント、不純物などが含まれていてもよい。本発明における基板11の形状は特に限定されない。例えば板状の基板11であってもよく、フィルム状であってもよい。基板11の厚さは特に限定されない。基板11の透明性が要求される場合には例えば1mm以下が好ましい。板状の基板において機械的強度が求められ、透過率を多少犠牲にしてもよい場合であれば、1mmより厚くてもよい。基板11の厚さは、例えば0.2~1mmが好ましい。基板11は、必要に応じて研磨したものを用いることができる。SrTiO3基板等の結晶性を有する基板は、研磨して用いることが好ましい。例えば研磨材としてダイヤモンドスラリーを使用して機械研磨する。機械研磨では、使用するダイヤモンドスラリーの粒径を徐々に微細化してゆき、最後に粒径約0.5μmのダイヤモンドスラリーで鏡面研磨することが好ましい。その後、更にコロイダルシリカを用いて研磨することにより、表面粗さの二乗平均粗さrmsが10Å1nm以下となるまで平坦化させてもよい。シード層12を形成する前に、基板11を前処理してもよい。前処理は例えば以下の手順で行うことができる。まず基板をアセトン、エタノール等により洗浄する。次に、基板を高純度塩酸例えば、ELグレード、濃度36質量、関東化学社製中に2分間浸す。次に、基板を純水中に移して塩酸等をすすぐ。次に、基板を新たな純水中に移し、ここで超音波洗浄を5分間行う。次に、基板を純水中から取り出し、窒素ガスを基板表面に吹き付けて水分を基板表面から除去する。これらの処理は例えば室温で行う。これらの処理により、基板表面から酸化物、有機物等が除去されると考えられる。上記の例では塩酸を使用したが、これに代えて王水、フッ酸等の酸を使用してもよい。また、酸による処理は室温下で行ってもよいし、加熱した酸を使用してもよい。シード層12は、基板11上に設けられており、結晶成長を制御する層である。シード層12は、結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質が用いて形成されている。このような物質としては、例えば結晶構造がルチル構造である物質が挙げられる。シード層12が結晶構造としてルチル構造を有する物質を含むことにより、シード層12上に形成される導電層13の結晶の結晶性が向上することとなる。このような物質として、例えばTiO2、NbO2、MgF2及びSnO2のうち少なくとも1つを用いることが好ましい。また、これらの物質の他に、図2のグラフ示すように、結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料と対応する材料、すなわち、a軸長さが例えば酸化スズと一致するあるいは4.4~5.0オングストロームの範囲で近似する材料を用いても構わない。近似の範囲については、シード層12上に形成される導電層13の配向が001軸方向となる範囲とすることができる。なお、図2のグラフの横軸は結晶構造におけるa軸の長さであり、グラフの横軸は結晶構造におけるc軸の長さである。導電層13は、例えば酸化スズ系の導電体からなる透明導電層である。本実施形態では、導電層13は基板11上に直接形成されているのではなく、シード層12上に形成されている。シード層12として、例えば結晶構造がルチル構造を含む層が形成されている場合、導電層13の結晶構造は001軸方向に成長した結晶構造となる。このため、導電性に優れた低抵抗の導電層13となる。また、シード層12として、例えば結晶構造がルチル構造である物質を含む層が形成されている場合、導電層13は結晶性の高い層となる。このため、やはり導電性に優れた低抵抗の導電層13となる。次に、上記のように構成された導電体基板1の製造方法を説明する。導電体基板1は、基板11上に結晶成長を制御するシード層12を形成するシード層形成ステップと、シード層12上に酸化スズ系透明導電体の結晶を成長させ、導電層13を形成する結晶成長ステップとを経て製造される。シード層形成ステップでは、例えばパルスレーザ堆積PulsedLaserDeposition:PLD法、スパッタリング法等の物理気相蒸着PVD法を用いてシード層12を形成しても良いし、例えばMOCVD法等の化学気相蒸着CVD法、ゾルゲル法、化学溶液法等の溶液からの合成プロセスによる成膜法を用いてシード層12を形成しても構わない。特にPLD法は良好な膜状態が得られ易い点で好ましく、スパッタリング法は、基板の結晶性に関わらず成膜しやすい点で好ましい。図3は本方法に好適に用いられるPLD装置30の例を示した概略構成図である。このPLD装置30は、チャンバ31内に、基板11とターゲット39とが対向して、かつ対向面が互いにほぼ平行となるように配置されるようになっている。チャンバ31は、適切な真空度を維持すると共に、外部からの不純物混入を防止することにより、高品質な薄膜を作製できるようになっている。基板11は、図示しないモーターにより、基板11の表面に垂直な回転軸35を中心に回転可能となっている。またターゲット39も、図示しないモーターにより、その表面39aに垂直な回転軸38を中心に回転可能となっている。チャンバ31内には、基板11を加熱するための赤外線ランプ36が設置されている。基板11の温度は窓31bを介して、チャンバ31外部に設置された放射温度計37によってモニターされており、常に一定温度となるように制御されている。チャンバ31の外部にはガス供給部44が設けられており、酸素ガスの流量を調節するための酸素ガス流量調整弁45を介して、チャンバ31内へ酸素ガスを注入できるようになっている。また、減圧下における製膜を実現するため、チャンバ31にはターボ分子ポンプ42および圧力弁43が連結されている。チャンバ31内の圧力は、酸素ガス流量調整弁45および圧力弁43を用い、例えば、酸素分圧が1×10-5~1×10-4Torr1.33×10-3Pa~1.33×10-2Paとなるように制御される。なお、ターボ分子ポンプ42には、油回転ポンプ40と逆流防止弁41が連結されており、ターボ分子ポンプ42の排気側の圧力は常に10-3torr1.33×10-1Pa以下に保たれる。チャンバ31の外部には光発振器32が設けられており、光発振器32により発振されたパルスレーザ光が、照射位置を調節するための反射鏡33、スポット径を制御するためのレンズ34およびチャンバ31の窓31aを介して、ターゲット39の基板11と対向する表面39aに入射されるようになっている。光発振器32は、パルスレーザ光として、例えばパルス周波数が1~10Hzであり、レーザフルエンスレーザパワーが1~2J/cm2であり、波長が248nmであるKrFエキシマレーザを発振する。発振されたパルスレーザ光は、反射鏡33およびレンズ34により焦点位置がターゲット39近傍となるようにスポット調整され、ターゲット39の表面39aに対して約45°の角度で入射される。ターゲット39は、例えばNbを6原子含むようなNb:TiO2焼結体で構成される。Nb:TiO2はドーパントMがNbの例である。ドーパントMは、に挙げた本発明におけるドーパントのいずれでもよく、複数種類の金属を併用してもよい。例えばNb:TiO2焼結体は、所望の原子比例、Nb:Ti=0.45:0.55となるように秤量されたTiO2とNb2O5との各粉末を混合し、混合した粉末を加熱成形することにより作製できる。なお、ターゲットの組成は膜の組成とほぼ同等となる。PLD装置30を用いてシード層12を形成するには、まず、基板11をチャンバ31内に設置する。次に、基板表面の不純物を取り除き、原子レベルで平坦な表面を出すため、酸素分圧10-5Torr1.33×10-3Pa、基板温度500°Cの条件下で前処理アニールを行ってもよい。前処理アニールは、例えば1時間以上行うことが好ましい。次に、チャンバ内の酸素分圧を1×10-5~1×10-4Torr1.33×10-3Pa~1.33×10-2Pa程度に保ちつつ、基板温度を所定の温度に設定し、基板11を回転駆動させる。またターゲット39を回転駆動させつつ、パルスレーザ光を断続的に照射することにより、ターゲット39表面の温度を急激に上昇させ、アブレーションプラズマを発生させる。このアブレーションプラズマ中に含まれるTi原子、Nb原子、O原子は、チャンバ31中の酸素ガスとの衝突反応等を繰り返しながら状態を徐々に変化させて基板11へ移動する。そして基板11へ到達したTi原子、Nb原子、O原子を含む粒子は、そのまま基板11の表面に拡散し、薄膜化される。こうして基板11上にシード層12が形成される。本実施形態ではシード層12を還元雰囲気下でアニール以下、ポストアニールということもある。する工程を経て、導電体としての金属酸化物層12を形成する。本発明における還元雰囲気とは、雰囲気中における酸化性ガスの分圧が0.2×105Pa以下であることをいう。酸化性ガスとは、アニール工程においてシード層12に酸素を与え得る気体を意味し、具体例としてはO2、O3、NO、NO2、H2O等が挙げられる。雰囲気中に酸化性ガスが2種以上含まれる場合は、それらの分圧の合計がの範囲内であればよい。還元雰囲気中における酸化性ガスの分圧は、1×104Pa以下が好ましく、10Pa以下がより好ましい。1×10-8Pa程度が最も好ましい。酸化性ガスの分圧の値が小さいほど、より低抵抗の金属酸化物層12を得ることができる。また、金属酸化物層12をより低抵抗化するうえで、還元雰囲気中にH2および/またはCOを存在させることが好ましく、プラズマ状態のH2を存在させることがより好ましい。本発明におけるアニールとは、シード層12を所定の温度アニール温度まで上昇させた後、温度を下げる操作をいう。本実施形態のように基板11上にシード層12が形成されている場合は、アニール温度として基板温度を適用することができる。アニール温度は、シード層12の結晶化温度よりも高い温度が好ましい。例えばドーパントが添加されていないTiO2の結晶化温度は約400°Cであり、ドーパントが添加されると結晶化温度は低下する傾向がある。したがって、金属酸化物層12の抵抗を良好に低下させるうえで好ましいアニール温度は、ドーパントの種類にもよるが、300°C以上が好ましい。基板11の耐熱性、エネルギー削減、昇温時間の短縮等の点からはアニール温度が低い方が望ましい。アニール温度のより好ましい範囲は350~850°Cであり、350~800°Cがさらに好ましい。所定のアニール温度に保持する時間アニール時間は特に制限されない。アニール後に所望の特性が得られればよく、例えば1~120分の範囲内で設定できる。その他の条件にもよるが、アニール時間は例えば1~60分が好ましい。このように基板11上にシード層12を形成した後、結晶成長ステップを行う。結晶成長ステップでは、シード層12上に酸化スズ系透明導電体の結晶を成長させて導電層13を形成する。本実施形態では、酸化スズ系透明導電体として、例えばタングステンW又はタンタルTaをドープさせたSnO2を用いる。導電層13の形成方法としては、のシード層12の形成方法と同様に、例えばパルスレーザ堆積法、スパッタリング法等の物理気相蒸着PVD法や、MOCVD法等の化学気相蒸着CVD法、ゾルゲル法、化学溶液法等の溶液からの合成プロセスによる成膜法を用いて形成することができる。本実施形態においては、結晶構造としてルチル構造を有する物質を含むシード層12上に導電層13を成長させるため、導電層13の結晶は001軸方向に成長することになる。以上のように、本実施形態によれば、結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料に対応する物質を用いて基板11上に結晶成長を制御するシード層12を形成し、シード層12上に酸化スズ系透明導電体からなる導電層13の結晶を成長させることとしたので、シード層12によって結晶成長が制御されつつ結晶性の高い酸化スズ系透明導電体の導電層13を形成することができる。また、酸化スズ系透明導電体の結晶が高移動度となるため、高い赤外透明性が得られることになる。加えて、シード層12上に酸化スズ系透明導電体の結晶を成長させることとしたので、単結晶基板を用いる必要が無く、コスト低減を図ることができる。これにより、低コストで低抵抗化が実現可能であり、赤外領域においても透明性を有する導電体基板1を製造することができる。また、本実施形態によれば、結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質を用いて、基板11上に結晶成長を制御するシード層12を形成し、シード層12上に酸化スズ系の透明の導電層13の結晶を成長させることとしたので、シード層12によって結晶成長が制御されつつ結晶性の高い酸化スズ系の導電層13を形成することができる。また、導電層13の結晶が高移動度となるように形成されるため、高い赤外透明性が得られることになる。加えて、シード層12上に導電層13を成長させることとしたので、単結晶基板を用いる必要が無く、コスト低減を図ることができる。これにより、赤外領域においても透明性を有する低抵抗の導電体基板を低コストで製造することができる。本発明の技術範囲は実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。本発明の導電体基板1は適用範囲が広く、銅酸化物系の高温超電導体薄膜をテープ基板上に形成するための中間層の作製や、非晶質基板上への発光ダイオード、半導体レーザなどの薄膜デバイス形成などに用いることができる。また、透明導電体薄膜を用いた非晶質基板上への透明回路としても用いることができる。例えばガラスやプラスチック基板上への薄膜を形成することにより、一層のコストダウンを見込むことができる。例えば銅酸化物系の高温超電導体線材などに用いる場合、低コスト化によって得られる利益は大きいといえる。コストダウンに加えて、ガラスやプラスチック基板上での高機能薄膜デバイスを形成することができる。例えば酸化亜鉛系の発光ダイオードなどを形成することができ、更にはフレキシブルデバイスを実現させることができる。のほかにも、例えばフラットパネルディスプレイ、太陽電池、タッチパネルなどの透明電極へ適用が考えられる。また、反射防止膜に用いられる電磁波の遮蔽、静電気により埃がつかないようにするフィルム、帯電防止膜、熱線反射ガラス、紫外線反射ガラスへ適用も考えられる。SiO2からなる層とNbをドープしたTiO2層とからなる多層膜を作製すれば反射防止膜としても適用できる。用途の例として、色素増感太陽電池の電極;ディスプレイパネル、有機ELパネル、発光素子、発光ダイオードLED、白色LEDやレーザの透明電極;面発光レーザの透明電極;照明装置;通信装置;特定の波長範囲だけ光を通すというアプリケーションも考えられる。さらに具体的な用途として次のものを挙げることができる。液晶ディスプレイLCD:LiquidCrystalDisplayにおける透明導電膜;カラーフィルタ部における透明導電性膜;ELEL:ElectroLuminescenceディスプレイにおける透明導電性膜;プラズマディスプレイPDPにおける透明導電膜;PDP光学フィルタ;電磁波遮蔽のための透明導電膜;近赤外線遮蔽のための透明導電膜;表面反射防止のための透明導電膜;色再現性の向上のための透明導電膜;破損対策のための透明導電膜;光学フィルタ;タッチパネル;抵抗膜式タッチパネル;電磁誘導式タッチパネル;超音波式タッチパネル;光学式タッチパネル;静電容量式タッチパネル;携帯情報端末向け抵抗膜式タッチパネル;ディスプレイと一体化したタッチパネルインナータッチパネル;太陽電池;アモルファスシリコンa-Si系太陽電池;微結晶Si薄膜太陽電池;CIGS太陽電池;色素増感太陽電池DSC;電子部品の静電気対策用透明導電材料;帯電防止用透明導電材;調光材料;調光ミラー;発熱体面ヒーター、電熱ガラス;電磁波遮蔽ガラス。次に、本発明の実施例を説明する。本実施例では、基板11としてガラス基板コーニング1737無アルカリガラスを用いた。シード層12としては、Ti1-xNbxOy2膜厚10nmを作製した。導電層13としては、WをドープしたSnO2を作製した。導電層13については、PLD法を用いて室温で成膜した。成膜温度は600°Cとし、酸素分圧を5mTorrとした。レーザの条件については、20mJ、2Hz、1hとした。図4は、Ti1-xNbxOy2における格子定数変化を示すグラフである。グラフの横軸はxの値を示しており、グラフの縦軸はc軸長さ、a軸長さ、及び、c軸長さ/a軸長さをそれぞれ示している。図4からわかるように、Ti0.4Nb0.6O2の組成を用いることにより、a軸長さを対応させることが可能となる。図5は、形成されたTi1-xNbxOy2シード層12のXRD測定結果を示すグラフである。グラフの横軸は2θの値であり、グラフの縦軸はピークの大きさを示す相対値である。図5から、Ti1-xNbxOy2シード層12において、x=0.45のときに002軸方向に最も大きな配向を示していることがわかる。図6は、Ti1-xNbxOy2シード層のXRDパターンを示す写真である。図6の写真からも002軸に強い配向が認められる。図7は、Ti1-xNbxOy2シード層12上に形成された導電層13の移動度を示すグラフである。グラフの横軸はxの値であり、グラフの縦軸は移動度である。図7に示すように、x=0.45において移動度の最高値136cm2V-1s-1となった。なお、このときのキャリア密度は、1.4×1020cm-3であった。図8は、Ti1-xNbxOy2シード層12上に形成された導電層13におけるキャリア密度と移動度との関係を示すグラフである。グラフの横軸がキャリア密度であり、グラフの縦軸が移動度である。図8には2つの結果1及び2が示されている。2つの結果のうち、結果1は本実施例についての値である。また、結果2は、導電層13としてTaをドープしたSnO2を用い、かつ、シード層12としてアナターゼTi1-xNbxOy2シード層を用いた場合の結果である。本実施例における結果1では、結果2に比べて、キャリア密度が低く、かつ、移動度が高い値を示している。このため、導電層13を太陽電池の電極として用いた場合、優れた電気的特性及び赤外光透過性が得られることになる。図9は、本実施例で得られた導電層13の光学特性を示すグラフである。グラフの横軸は光の波長を示しており、グラフの図中左側の縦軸は導電層13の光透過率を示しており、グラフの図中右側の縦軸は導電層13の光吸収率を示している。また、図9のグラフ1は光透過率を、グラフ2は光吸収率を示している。図9からわかるように、波長1400nmの光に対しては光吸収率3.5と低い値を示している。また、波長が2450nmを超えるまで、光透過率が70以上と高い値を示している。このため、導電層13を太陽電池の電極として用いた場合、優れた赤外光透過性が得られることになる。