チャンバと、前記チャンバのターゲット領域内に配置されているターゲットと、基板を支持するための表面を有し、前記チャンバの基板領域内に配置されているペデスタルと、前記ターゲット領域と前記基板領域の間に移動領域が位置されることと、前記ペデスタルの表面に平行であって前記ペデスタルよりも下方の第1の平面内に配置されているN個の同軸コイルと、M個の同軸コイルと、ここでNおよびMはゼロよりも大きい整数であり、N個の電流が、第1の方向でN個の同軸コイルにそれぞれ流れ、M個の電流が、第1の方向とは逆の第2の方向でM個の同軸コイルにそれぞれ流れることと、を備える、物理気相成長PVDシステム。前記M個の同軸コイルは、前記ペデスタルの表面に平行であって前記ペデスタルの表面よりも上方の第2の平面内に配置されている、請求項1に記載のPVDシステム。前記M個の同軸コイルは、前記ペデスタルの表面に平行であって前記ペデスタルの表面よりも下方の第2の平面内に配置されている、請求項1に記載のPVDシステム。前記M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、前記ペデスタルの表面に平行であって前記ペデスタルの表面よりも下方の第2の平面内に配置され、前記M個の同軸コイルの残りのコイルは、前記ペデスタルの表面に平行であって前記ペデスタルの表面よりも上方の第3の平面内に配置されている、請求項1に記載のPVDシステム。前記N個の同軸コイルと前記M個の同軸コイルは、チャンバ内で前記基板の上方に磁場井戸を生成する、請求項1に記載のPVDシステム。前記磁場井戸は、略U字形であり、前記ペデスタルの表面の上に中心が合わされ、前記磁場井戸の内部に磁気ヌルが存在し、前記磁場井戸の外部に強い磁場が存在する、請求項5に記載のPVDシステム。前記N個の同軸コイルの少なくとも1つは第1の直径を有し、前記M個の同軸コイルの少なくとも1つは第2の直径を有し、前記第2の直径が前記第1の直径よりも大きい、請求項1に記載のPVDシステム。Nは1よりも大きく、N個の電流の少なくとも1つは、前記N個の電流の別の電流とは異なる大きさを有する、請求項1に記載のPVDシステム。前記ターゲットは、中空カソードマグネトロンHCMを含む、請求項1に記載のPVDシステム。前記M個の電流のうちの最小の電流は、前記N個の電流のうちの最大の電流よりも大きい、請求項1に記載のPVDシステム。前記M個の電流のうちの最小の電流は、前記N個の電流のうちの最大の電流の約2倍以上である、請求項10に記載のPVDシステム。前記N個の同軸コイルおよび前記M個の同軸コイルは、前記ペデスタルの表面の0~6インチ0~約15.24cm下方および上方にそれぞれ配置されている、請求項2に記載のPVDシステム。前記N個の同軸コイルと、前記M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、同一平面内にある、請求項4に記載のPVDシステム。前記N個の同軸コイルと、前記M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、前記ペデスタルの表面の0~6インチ0~約15.24cm下方に配置されている、請求項13に記載のPVDシステム。前記N個の同軸コイルと、前記M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、前記ペデスタルの表面の約1インチ約2.54cm下方に配置されている、請求項14に記載のPVDシステム。前記PVDシステムは、タンタル/窒化タンタル障壁被膜を堆積するために使用される、請求項1に記載のPVDシステム。物理気相成長PVDシステムを操作する方法であって、PVDシステムのチャンバ内にあるペデスタルの基板支持表面に平行であって前記ペデスタルよりも下方の第1の平面内にN個の同軸コイルを配置し、前記ペデスタルに隣接させてM個の同軸コイルを配置し、前記N個の同軸コイルにN個の電流をそれぞれ供給し、前記M個の同軸コイルにM個の電流をそれぞれ供給することによって、基板の上方に磁場井戸を生成し、NおよびMはゼロよりも大きい整数であり、前記N個の電流は、第1の方向で前記N個の同軸コイルに流れ、前記M個の第2の電流は、前記第1の方向とは逆の第2の方向で前記M個の同軸コイルに流れることを、備える方法。前記M個の同軸コイルの配置は、前記ペデスタルの表面に平行であって前記ペデスタルの表面よりも上方の第2の平面内に前記M個の同軸コイルを配置することを含む、請求項17に記載の方法。前記M個の同軸コイルの配置は、前記ペデスタルの表面に平行であって前記ペデスタルの表面よりも下方の第2の平面内に前記M個の同軸コイルを配置することを含む、請求項17に記載の方法。前記M個の同軸コイルの配置は、前記M個の同軸コイルの少なくともいくつかを、前記ペデスタルの表面に平行であって前記ペデスタルの表面よりも下方の第2の平面内に配置し、前記M個の同軸コイルの残りのコイルを、前記ペデスタルの表面に平行であって前記ペデスタルの表面よりも上方の第3の平面内に配置することを含む、請求項17に記載の方法。前記磁場井戸は、略U字形であり、前記ペデスタルの前記基板支持表面の上に中心を合わされ、前記磁場井戸の内部に磁気ヌルが存在し、前記磁場井戸の外部に強い磁場が存在する、請求項17に記載の方法。前記N個の同軸コイルの少なくとも1つは第1の直径を有し、前記M個の同軸コイルの少なくとも1つは第2の直径を有し、前記第2の直径が前記第1の直径よりも大きい、請求項18に記載の方法。Nは1よりも大きく、N個の電流の少なくとも1つは、前記N個の電流の別の電流とは異なる大きさを有する、請求項22に記載の方法。前記PVDシステムは、中空カソードマグネトロンHCMターゲットを含む、請求項18に記載の方法。前記M個の電流のうちの最小の電流は、前記N個の電流のうちの最大の電流よりも大きい、請求項18に記載の方法。前記N個の同軸コイルおよび前記M個の同軸コイルは、前記ペデスタルの表面の0~6インチ0~約15.24cm下方および上方にそれぞれ配置される、請求項19に記載の方法。前記N個の同軸コイルと、前記M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、同一平面内にある、請求項18に記載の方法。前記N個の同軸コイルと、前記M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、前記ペデスタルの表面の0~6インチ0~約15.24cm下方に配置される、請求項27に記載の方法。前記N個の同軸コイルと、前記M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、前記ペデスタルの表面の約1インチ約0.25cm下方に配置される、請求項28に記載の方法。さらに、タンタル/窒化タンタル障壁層を堆積することを備える、請求項18に記載の方法。本開示による物理気相成長PVDシステムは、チャンバを含む。ターゲットが、チャンバのターゲット領域内に配置される。ペデスタルは、基板を支持するための表面を有し、チャンバの基板領域内に配置される。ターゲット領域と基板領域の間に移動領域が位置される。N個の同軸コイルが、ペデスタルの表面に平行であってペデスタルよりも下方の第1の平面内に配置される。M個の同軸コイルが、ペデスタルに隣接させて配置される。NおよびMは、ゼロよりも大きい整数である。N個の電流が、第1の方向でN個の同軸コイルにそれぞれ流れ、M個の電流が、第1の方向とは逆の第2の方向でM個の同軸のコイルにそれぞれ流れる。他の態様では、M個の同軸コイルは、ペデスタルの表面に平行であってペデスタルの表面よりも上方の第2の平面内に配置される。他の態様では、M個の同軸コイルは、ペデスタルの表面に平行であってペデスタルの表面よりも下方の第2の平面内に配置される。他の態様では、M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、ペデスタルの表面に平行であってペデスタルの表面よりも下方の第2の平面内に配置され、M個の同軸コイルの残りのコイルは、ペデスタルの表面に平行であってペデスタルの表面よりも上方の第3の平面内に配置される。他の態様では、N個の同軸コイルとM個の同軸コイルは、チャンバ内で基板の上方に磁場井戸を生成する。磁場井戸は、略U字形であり、ペデスタルの上面の上に中心を合わされる。磁場井戸の内部には磁気ヌルが存在する。磁場井戸の外部には強い磁場が存在する。他の態様では、N個の同軸コイルの少なくとも1つは、第1の直径を有し、M個の同軸コイルの少なくとも1つは、第2の直径を有し、第2の直径は第1の直径よりも大きい。ターゲットは、中空カソードマグネトロンHCMを含む。M個の電流のうちの最小の電流は、N個の電流のうちの最大の電流よりも大きい。M個の電流のうちの最小の電流は、N個の電流のうちの最大の電流の約2倍である。N個の同軸コイルおよびM個の同軸コイルは、それぞれペデスタルの表面の0~6インチ0~約15.24cm下方および上方に配置される。他の態様では、N個の同軸コイルと、M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、ペデスタルの表面よりも下方に配置され、同一平面上にある。N個の同軸コイルと、M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、ペデスタルの表面の0~6インチ0~約15.24cm下方に配置される。N個の同軸コイルと、M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、ペデスタルの表面の約1インチ約2.54cm下方に配置される。物理気相堆積PVDシステムを操作する方法は、PVDシステムのチャンバ内にあるペデスタルの表面に平行であってペデスタルよりも下方の第1の平面内にN個の同軸コイルを配置し、ペデスタルに隣接させてM個の同軸コイルを配置し、N個の電流をN個の同軸コイルにそれぞれ供給し、M個の電流をM個の同軸コイルにそれぞれ供給することによって、基板の上方に磁場井戸を生成することを含む。NおよびMは、ゼロよりも大きい整数である。N個の電流は、第1の方向でN個の同軸コイルに流れ、M個の第2の電流は、第1の方向とは逆の第2の方向でM個の同軸コイルに流れる。他の態様では、M個の同軸コイルの配置は、ペデスタルの表面に平行であってペデスタルの表面よりも上方の第2の平面内にM個の同軸コイルを配置することを含む。他の態様では、M個の同軸コイルの配置は、ペデスタルの表面に平行であってペデスタルの表面よりも下方の第2の平面内にM個の同軸コイルを配置することを含む。他の態様では、M個の同軸コイルの配置は、M個の同軸コイルの少なくともいくつかを、ペデスタルの表面に平行であってペデスタルの表面よりも下方の第2の平面内に配置し、M個の同軸コイルの残りのコイルを、ペデスタルの表面に平行であってペデスタルの表面よりも上方の第3の平面内に配置することを含む。他の態様では、磁場井戸は、略U字形であり、ペデスタルの上面の上に中心を合わされる。磁場井戸の内部には磁気ヌルが存在する。磁場井戸の外部には強い磁場が存在する。他の態様では、N個の同軸コイルの少なくとも1つは第1の直径を有し、M個の同軸コイルの少なくとも1つは第2の直径を有し、第2の直径は第1の直径よりも大きい。他の態様では、PVDシステムは、中空カソードマグネトロンHCMターゲットを含む。M個の電流のうちの最小の電流は、N個の電流のうちの最大の電流よりも大きい。N個の同軸コイルと、M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、それぞれペデスタルの表面の0~6インチ0~約15.24cm下方と上方に配置される。他の態様では、N個の同軸コイルと、M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、ペデスタルの表面よりも下方に配置され、同一平面上にある。N個の同軸コイルと、M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、ペデスタルの表面の0~6インチ0~約15.24cm下方に配置される。N個の同軸コイルと、M個の同軸コイルの少なくともいくつかは、ペデスタルの表面の約1インチ約2.54cm下方に配置される。本開示のさらなる適用可能分野は、本明細書で以下に述べる詳細な説明から明らかになろう。詳細な説明および具体的な例は、単に例示のために意図されたものであり、本開示の範囲を限定する意図はないことを理解すべきである。本開示は、詳細な説明および添付図面からより完全に理解されよう。以下の説明は、その性質上、例示にすぎず、本開示、その用途、または使用法を限定する意図は全くない。理解を容易にするために、図面中では、同様の要素を識別するために同じ参照番号を使用する。本明細書で使用するとき、語句A、B、およびCの少なくとも1つは、非排他的な論理和ORを用いた論理演算AorBorCを意味するものと解釈すべきである。方法におけるステップは、本開示の原理を変えることなく異なる順序で実施できることを理解すべきである。ここで図1を参照すると、例示的なPVDシステムが示されている。理解できるように、中空カソードマグネトロンHCMPVDシステム10が示されているが、本開示は他のPVDシステムにも当てはまる。HCMPVDシステム10は、チャンバ11を含み、中心軸12に対してほぼ対称であり、典型的にはカソードとアノードを含む。カソードはターゲット14を含み、このターゲット14が、基板16上に堆積すべき材料を提供する。単に例として、ターゲット14は、アルミニウム、タンタル、チタン、銅、または他の適切なターゲット材料から形成することができる。HCM用途に関して、ターゲット14は、図示されるように平坦でない中空形状を有することがあるが、他の構成も企図される。HCMPVDシステム10において、アルゴンなどのプラズマ供給ガスをカソードの容器部分18内に導入することによって、プラズマが発生される。例示目的として、チャンバを接地電位に保ちながら、カソードに負のバイアスを印加できる。例示目的として、電源図示せずは、ターゲット14およびアダプタリングにかかる負のDC電圧を供給できる。アダプタリングおよびチャンバ11は、シャーシ接地または別の基準電位に接続できる。アノードは、典型的には浮動される。すなわち、アノードは接地されず、バイアスもかけられない。その結果、プラズマ供給ガスにかかる電場が発生される。例示目的として、負のバイアスは-100VDC~-600VDC程度でよいが、他のバイアス電圧を使用することもできる。カソードにおける負のバイアスは、生成されたプラズマの正のイオンをターゲット14に向けて加速させて、ターゲット領域22内のターゲットから原子をスパッタする。スパッタされた原子は、イオン化されることもイオン化されないこともあり、それらの一部が、その後、移動領域24を通って、基板領域30内に配置された基板16上に進む。チャンバ11のターゲット領域内に回転磁場を提供するために、1つまたは複数の永久磁石50を中心軸12に対して回転させることができる。また、電磁コイルまたは永久磁石を使用して、チャンバ11の様々な点で磁場を制御することができる。基板16は、通常は円形基板であるので、同軸の電磁コイル、または永久磁石のアレイを使用することができる。ターゲット領域22内の磁場を制御するために、1つまたは複数の電磁コイルまたは永久磁石52、54、56、および58がターゲット領域22内に配置される。同様に、移動領域24内の磁場を制御するために、1つまたは複数の電磁コイルまたは永久磁石60および62が移動領域24内に配置される。同様に、基板領域30内の磁場を制御するために、1つまたは複数の電磁コイル図示せずまたは永久磁石が基板領域30内に配置される。本開示によれば、N個の第1の同軸コイル100とM個の第2の同軸コイル110を使用して、基板16の近傍に磁場ポテンシャル井戸80が生成される。磁場井戸80は、磁場が非常に強い領域によって取り囲まれた磁場がほぼゼロの領域と定義される。荷電種は、磁場井戸80の内部でかなり自由に動くことができるが、簡単には抜け出すことができない。基板16の近くに基板16の直径にほぼ等しい適切な直径を有する磁場井戸80を生成することにより、イオンは、基板直径の範囲内の体積に閉じ込められた状態で、基板16にわたって自由に分散することができる。磁場井戸80を生成するために、N個の第1の同軸コイル直径を有するN個の第1の同軸コイル100が、基板領域30内で基板16よりも下方に配置される。ここで、Nはゼロよりも大きい整数である。M個の第2の同軸コイル直径を有するM個の第2の同軸コイル110が、ターゲット領域22内で基板16よりも上方に配置される。ここで、Mはゼロよりも大きい整数である。N個の第1の同軸コイル直径は、同じであっても異なっていてもよい。M個の第2の同軸コイル直径は、同じであっても異なっていてもよい。第1の例では、N個の第1の同軸コイル100の直径は、M個の第2の同軸コイル110の直径よりも小さい。例示目的として、N個の第1の同軸コイル100の直径は約8~12インチ約20.32cm~約30.48cmであってもよく、M個の第2の同軸コイル110の直径は16~30インチ約40.64cm~約76.20cmであってもよいが、他の寸法を使用することもできる。別の例では、N個の第1の同軸コイル100は、基板16の直径にほぼ等しい直径を有しても良く、M個の第2の同軸コイル110は、基板16の直径のT倍の直径を有しても良く、ここでTは1以上である。電流供給源111はN個の電流を供給し、これらの電流は、第1の方向で、N個の第1の同軸コイル100にそれぞれ流れる。電流供給源111はM個の電流を供給し、これらの電流は、第2の方向で、M個の第2の同軸コイル110にそれぞれ流れる。第1の方向は第2の方向と逆である。いくつかの例では、N個の第1の同軸コイルによって発生される磁場の和は、M個の第2の同軸コイルによって発生される磁場の和と逆である。他の例では、NまたはMが1よりも大きいとき、追加のコイルを、同じ平面内で半径方向で内外に並べて、または軸方向で上下に並べて配置することができる。N個の電流が、M個の第2の同軸コイル110を流れるM個の電流とは逆方向でN個の第1の同軸コイル100に流れるとき、磁場は、N個の第1の同軸コイル直径の内側では打ち消し合い、N個の第1の同軸コイル直径の外側では重なり合う。適切な直径および電流の大きさを用いて、磁場井戸80を生成することができる。井戸の半径は、電流の大きさおよび同軸コイルの直径を変えることによって調節することができる。M個の電流の大きさをN個の電流の大きさに対して調節することができる。例示目的として、M個の電流のうちの最小の電流は、N個の電流のうちの最大の電流の約2倍でよい。さらに、N個の第1の同軸コイルに供給されるN個の電流は、同じ電流値を有していても異なる電流値を有していてもよい。同様に、M個の第2の同軸コイルに供給されるM個の電流は、同じ電流値を有していても異なる電流値を有していてもよい。例示目的として、第1の同軸コイル100と第2の同軸コイル110は、それぞれ基板16の下方と上方のほぼ同じ距離に配置することができる。一例では、N個の第1の同軸コイル100およびM個の第2の同軸コイル110は、それぞれ基板の0~6インチ0~15.24cm下方および上方に配置される。基板16の近傍での磁場井戸80の生成は、基板16の表面にわたって高密度の一様なプラズマを生じ、これは、高品質の一様な被膜堆積をもたらす。基板16よりも下方にあるN個の第1の同軸コイル100と、基板16よりも上方にあるM個の第2の同軸コイル110は、互いに逆の電流を流す。磁場井戸80の強度および寸法を調整することによって、一様な堆積プロファイルおよび再スパッタリングプロファイルを実現することができる。単に例として、PVDシステム10は、タンタル/窒化タンタルTa/TaNの障壁被膜を堆積することができるその上に銅Cuのシード層が堆積される。一般には、別のツールを使用して、電気めっきされたCuがシード層上に堆積される。障壁層のステップカバレッジおよび一様性が改良される。次に図2を参照すると、PVDシステム10’が示されている。理解できるように、N個の第1の同軸コイル100’とM個の第2の同軸コイル110および110’を、基板16に対して他の位置に配置することができる。例えば図2において、N個の第1の同軸コイル100’と、M個の第2の同軸コイル110’の1つまたは複数とを、基板16よりも下方の1つまたは複数の平面内に位置させることができる。使用される場合、M個の第2の同軸コイル110の残りのコイルは、図1に示されるように基板よりも上方の一平面内に位置させることができる。他の例では、M個の第2の同軸コイルがすべて基板よりも下方に配置される。N個の電流が、M個の第2の同軸コイル110および110’を流れるM個の電流とは逆方向でN個の第1の同軸コイル100’に流れるとき、磁場は、コイル直径の内側では打ち消し合い、コイル直径の外側では重なり合う。適切な直径および電流の大きさを用いて、磁場井戸80’を生成することができる。磁場井戸80’の半径は、電流の大きさ、コイルの位置、ならびに第1および第2の同軸コイルの直径を変えることによって調節することができる。例えば、N個の第1の同軸コイル100’と、M個の第2の同軸コイル110’のいくつかとを、基板の約0インチ~6インチ約0cm~約15.24cm下方に配置することができる。一例では、N個の第1の同軸コイル100’と、M個の第2の同軸コイル110’のいくつかとを、基板の約1インチ約2.54cm下方に配置することができ、N個の第1の同軸コイル100’の内径および外径は、それぞれ12インチ/12.7インチ約30.48cm/32.26cmであってもよく、M個の第2の同軸コイル110’の内径および外径は、それぞれ13.7インチ/14.7インチ約34.80cm/約37.34cmであってもよいが、他の値を使用することもできる。本明細書で使用するとき、約とは、/-0.25インチ約0.635cmを意味する。M個の第2の同軸コイル110の残りのコイルは、上述したように基板よりも上方に配置することができる。N個の第1の同軸コイル100’とM個の第2の同軸コイル110’は、互いに逆向きの電流を流す。プラズマ分散を促すために、他のコイルまたは磁石電磁コイルまたは永久磁石52、54、56、58、60、および/または62などによって発生される磁場を用いて、ウェハサイズよりも大きい磁気ポテンシャル井戸を生成することができる。次に、チャンバ11の断面図である図3を参照すると、磁気閉じ込めポテンシャルを示す第1のグラフと、プラズマ密度を示す第2のグラフとが示されている。N個の第1の同軸コイル100または100’およびM個の第2の同軸コイル110または110、110’を使用して、制御可能なポテンシャル障壁を生成することができる。ポテンシャル障壁の形状は、M個の第2の同軸コイル110または110’および/またはN個の第1の同軸コイル100または100’を通って流れる電流の大きさ、N個の第1の同軸コイル100または100’に対するM個の第2の同軸コイル110または110’を通って流れる電流の比、N個の第1の同軸コイル100または100’および/またはM個の第2の同軸コイル110または110、110’の直径、および/またはN個の第1の同軸コイル100または100’とM個の第2の同軸コイル110または110、110’の直径の比を変えることによって調節することができる。ポテンシャル障壁は、基板16にわたって比較的一定でよく、または望みに応じて一定の傾きまたは変化する傾きを有してもよい。次に図4および図5を参照すると、上述した同軸コイル構成が使用されるとき、より一様なエッチングレートおよび堆積レートが提供される。図4には、正規化された単位NUでのエッチングレートが、N個の第1の同軸コイル100の直径の関数として示されている。図5には、NUでの堆積レートが、N個の第1の同軸コイル100の直径の関数として示されている。基板16にわたる堆積およびエッチング対称性の改良が実現される。次に図6~図8を参照すると、別のエッチバックプロセスの例が示されている。図6および図7において、シミュレーションプロットは、逆の電磁同軸コイル極性を用いた、チャンバ内での磁場強度および磁気井戸をそれぞれ示す。図8には、エッチングレートプロファイルが示されている。この例では、N個の第1の同軸コイル100とM個の第2の同軸コイル110の極性を交番させることによって、2つの円形ヌルが生成される。2つのヌル領域が互いに近いので、磁場井戸120が生成される。基板16は、磁場井戸120の底部の近くに配置される。図6における磁場強度シミュレーションマッピングは、磁場井戸120と基板16の相対位置を示す。磁場がほぼゼロの磁場井戸120の内部では、荷電種は磁場の影響を比較的受けず、そのため、再スパッタリング用途のための優れたイオン一様性が得られる。図8には、基板16にわたるエッチングレートプロファイルのライン走査が示されており、これは、1-σ標準偏差が<3の優れた再スパッタリング非一様性を有する。本開示の広範な教示は、様々な形態で実施することができる。したがって、本開示は特定の例を含むが、図面、本明細書、および添付の特許請求の範囲を検討すれば当業者には他の変更は明らかであるので、本開示の真の範囲を上記の特定の例に限定すべきではない。