"下記式1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体と、アルカリ金属硫化物とを反応させることにより得られる、スルホニウム化合物。前記式1中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1~3の整数を表す。下記式1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体と、アルカリ金属硫化物とを反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程を備える、スルホニウム化合物の製造方法。前記式1中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1~3の整数を表す。請求項1に記載のスルホニウム化合物と、下記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより得られる、スルホニウムボレート錯体。前記式21中、Xはハロゲン原子を表す。請求項2に記載のスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、下記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより得られる、スルホニウムボレート錯体。前記式21中、Xはハロゲン原子を表す。請求項1に記載のスルホニウム化合物と、下記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより、スルホニウムボレート錯体を得る工程を備える、スルホニウムボレート錯体の製造方法。前記式21中、Xはハロゲン原子を表す。請求項2に記載のスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、下記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより、スルホニウムボレート錯体を得る工程を備える、スルホニウムボレート錯体の製造方法。前記式21中、Xはハロゲン原子を表す。特許文献1~3に記載されたスルホニウムボレート錯体を得る方法では、スルホニウムボレート錯体を効率的に得ることができずに、得られるスルホニウムボレート錯体に不純物が多く含まれるという問題がある。得られるスルホニウムボレート錯体に不純物が多く含まれていると、該不純物による反応阻害が問題となることがある。また、該不純物は微量であっても、金属の腐食に影響することがある。本発明の目的は、スルホニウムボレート錯体を高い純度で得るために用いることができるスルホニウム化合物及び該スルホニウム化合物の製造方法を提供することである。また、本発明の目的は、上記スルホニウム化合物が用いられ、硬化剤として用いることができるスルホニウムボレート錯体及び該スルホニウムボレート錯体の製造方法を提供することである。本発明の限定的な目的は、金属の腐食を抑制できるスルホニウムボレート錯体及び該スルホニウムボレート錯体の製造方法を提供することである。本発明の広い局面によれば、下記式1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体と、アルカリ金属硫化物とを反応させることにより得られる、スルホニウム化合物が提供される。上記式1中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1~3の整数を表す。また、本発明の広い局面によれば、上記式1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体と、アルカリ金属硫化物とを反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程を備える、スルホニウム化合物の製造方法が提供される。本発明に係るスルホニウムボレート錯体は、本発明に係るスルホニウム化合物又は本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、下記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより得られる。上記式21中、Xはハロゲン原子を表す。本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法は、本発明に係るスルホニウム化合物又は本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、上記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより、スルホニウムボレート錯体を得る工程を備える。本発明に係るスルホニウム化合物は、式1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体と、アルカリ金属硫化物とを反応させることにより得られるので、本発明に係るスルホニウム化合物をボレート化合物と反応させることで、スルホニウムボレート錯体を高い純度で得ることができる。本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法は、式1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体と、アルカリ金属硫化物とを反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程を備えるので、得られたスルホニウム化合物をボレート化合物と反応させることで、スルホニウムボレート錯体を高い純度で得ることができる。以下、本発明を詳細に説明する。本発明に係るスルホニウム化合物は、下記式1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体と、アルカリ金属硫化物とを反応させることにより得られている。上記式1中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1~3の整数を表す。本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法は、上記式1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体と、アルカリ金属硫化物とを反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程を備える。上記式1中のR1の好ましい例としては、フェニル基、o-メチルフェニル基、m-メチルフェニル基、p-メチルフェニル基、1-ナフチル基及び2-ナフチル基等が挙げられる。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式1中のR1は、フェニル基、o-メチルフェニル基又は1-ナフチル基であることが好ましい。但し、上記R1はこれら以外の基であってもよい。上記式1において、R2のベンゼン環に対する結合部位は特に限定されない。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、R2は、S基に対して、パラ位に結合していることが好ましい。上記式1におけるCH3OCOO基は、メトキシカルボニルオキシ基である。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式1中のR2は、ヒドロキシ基であることが好ましい。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式1中のnは、1であることが好ましい。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体は、下記式1A又は下記式1Bで表されるスルホニウムアンチモネート錯体であることが好ましい。上記式1A中、R1aは炭素数1~4のアルキル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、mは0又は1を表し、nは1~3の整数を表す。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式1A中のR1aは、メチル基であることが好ましい。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、mは、R1が存在しないように0であることが好ましい。なお、R1aのベンゼン環に対する結合部位は特に限定されない。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、R1aは、CH2基に対して、オルト位に結合していることが好ましい。上記式1A中のR2及びnの好ましい基及び数は、上記式1中のR2及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式1B中、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1~3の整数を表す。上記式1B中のR2及びnの好ましい基及び数は、上記式1中のR2及びnの好ましい基及び数と同様である。本発明に係るスルホニウム化合物では、上記式1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体は、アルカリ金属硫化物と反応される。該アルカリ金属硫化物としては、硫化リチウム、硫化ナトリウム、硫化カリウム、水硫化ルビジウム及び水硫化セシウム等が挙げられる。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記アルカリ金属硫化物は、硫化リチウム、硫化ナトリウム又は硫化カリウムであることが好ましく、硫化ナトリウム及び硫化カリウムであることがより好ましく、硫化ナトリウムであることが特に好ましい。本発明に係るスルホニウム化合物及び本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物は、スルホニウムボレート錯体を得るためのスルホニウム化合物であることが好ましい。本発明に係るスルホニウム化合物は、ボレート化合物と反応させてスルホニウムボレート錯体を得るためのスルホニウム化合物であることが好ましい。従来、スルホニウムボレート錯体を得る際に、上記反応式Y3のように、蒸留水中で反応が行われていた。また、スルホニウムボレート錯体を得る際に、上記反応式Y4及び上記反応式Y5のように、スルホニウムアンチモネート錯体を用いて、酢酸エチル等の有機溶媒中で反応が行われていた。また、スルホニウムアンチモネート錯体を用いて、水中で反応が行われることもあった。しかしながら、従来のスルホニウムボレート錯体の製造方法では、スルホニウムボレート錯体を効率的に得ることができず、収率が悪いという問題があった。また、未反応のスルホニウムアンチモネート錯体が残留しやすいという問題もあった。これに対して、本発明では、特定の上記スルホニウム化合物を用いることで、スルホニウムボレート錯体を効率的に、収率よく得ることができる。また、スルホニウムボレート錯体を得た場合に、スルホニウムアンチモネート錯体の残留を抑制できる。このため、スルホニウムボレート錯体を用いた硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に金属の腐食を抑制できる。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記ボレート化合物は、下記式21で表されるアニオン部分を有する化合物又はテトラキス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ボレートアニオンを有する化合物であることが好ましく、テトラキスペンタフルオロフェニルボレートアニオンを有する化合物又はテトラキス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ボレートアニオンを有する化合物であることが好ましく、テトラキスペンタフルオロフェニルボレートアニオンを有する化合物であることがより好ましい。上記ボレート化合物のカチオン部分は、リチウムカチオン又はナトリウムカチオンであることが好ましく、ナトリウムカチオンであることがより好ましい。上記式21中、Xはハロゲン原子を表す。上記式21中のXは、塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、塩素原子であることがより好ましい。本発明に係るスルホニウムボレート錯体は、本発明に係るスルホニウム化合物又は本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、上記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより得られていることが好ましい。また、本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法は、本発明に係るスルホニウム化合物又は本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、上記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより、スルホニウムボレート錯体を得る工程を備えることが好ましい。本発明に係るスルホニウムボレート錯体及び本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法では、本発明に係るスルホニウム化合物及び本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物を用いているので、スルホニウムボレート錯体を効率的に、収率よく得ることができる。本発明に係るスルホニウムボレート錯体及び本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法により得られたスルホニウムボレート錯体は、下記式41で表されるスルホニウムボレート錯体であることが好ましい。上記式41中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、nは1~3の整数を表す。上記式41中のR1、R2及びnは、上記式1中のR1、R2及びnに由来する。上記式41中のR1、R2及びnの好ましい基及び数は、上記式1中のR1、R2及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式41中のXは、上記式21中のXに由来する。上記式41中のXの好ましい基は、上記式21中のXの好ましい基と同様である。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式41で表されるスルホニウムボレート錯体は、下記式41A又は下記式41Bで表されるスルホニウムボレート錯体であることが好ましい。上記式41A中、R1aは炭素数1~4のアルキル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、mは0又は1を表し、nは1~3の整数を表す。上記式41A中のR1a、R2、m及びnは、上記式1及び上記式1A中のR1、R2、m及びnに由来する。上記式41A中のR1a、R2、m及びnの好ましい基及び数は、上記式1及び上記式1A中のR1、R2、m及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式41A中のXは、上記式21中のXに由来する。上記式41A中のXの好ましい基は、上記式21中のXの好ましい基と同様である。上記式41B中、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、nは1~3の整数を表す。上記式41B中のR2及びnは、上記式1中のR2及びnに由来する。上記式41B中のR2及びnの好ましい基及び数は、上記式1中のR2及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式41B中のXは、上記式21中のXに由来する。上記式41B中のXの好ましい基は、上記式21中のXの好ましい基と同様である。上記スルホニウムボレート錯体は、カチオン重合開始剤として好適に用いられる。硬化性組成物は、硬化性化合物と、上記カチオン重合開始剤とを含むことが好ましい。上記硬化性組成物は、導電性粒子をさらに含むことが好ましい。導電性粒子を含む硬化性組成物は、異方性導電材料であることが好ましい。上記硬化性組成物は、光の照射又は加熱により硬化可能である。上記硬化性組成物は光の照射により硬化させてもよく、加熱により硬化させてもよく、光の照射と加熱とにより硬化させてもよい。上記異方性導電材料は、ペースト状である異方性導電ペーストであってもよく、フィルム状である異方性導電フィルムであってもよい。上記異方性導電材料は、異方性導電ペーストであることが好ましい。以下、本発明について、実施例および比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。実施例11スルホニウム化合物の合成下記式1-1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体10重量部に酢酸エチル100重量部を添加し、硫化ナトリウム50重量部を添加して、23°Cで30時間撹拌した。分液操作により酢酸エチル層を取り出し、水洗した後、エバポレーターで濃縮した。このようにして、スルホニウム化合物A1を得た。2スルホニウムボレート錯体の合成得られたスルホニウム化合物A110重量部に酢酸エチル100重量部を添加し、テトラフルオロフェニルボレートナトリウムを10重量含む水溶液150重量部を更に添加して、23°Cで30分間撹拌した。分液操作により酢酸エチル層を取り出し、水洗した後、エバポレーターで濃縮した。このようにして、下記式41-1で表されるスルホニウムボレート錯体B1を得た。用いたスルホニウム化合物A1に対して、得られたスルホニウムボレート錯体B1の収率は90であった。3硬化性組成物の調製硬化性化合物であるEBECRYL3702ダイセルサイテック社製エポキシアクリレート5重量部と、得られたスルホニウムボレート錯体B14重量部と、フィラーであるアルミナ平均粒子径0.5μm20重量部とを配合し、さらに平均粒子径3μmの導電性粒子を配合物100重量中での含有量が10重量となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、硬化性組成物異方性導電ペーストを得た。なお、用いた上記導電性粒子は、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子である。実施例21スルホニウム化合物の合成式1-1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体を、下記式1-2で表されるスルホニウムアンチモネート錯体に変更したこと以外は実施例1と同様にして、スルホニウム化合物A2を得た。2スルホニウムボレート錯体の合成スルホニウム化合物A1を、得られたスルホニウム化合物A2に変更したこと以外は実施例1と同様にして、下記式41-2で表されるスルホニウムボレート錯体B2を得た。用いたスルホニウム化合物A2に対して、得られたスルホニウムボレート錯体B2の収率は88であった。3硬化性組成物の調製スルホニウムボレート錯体B1を、得られたスルホニウムボレート錯体B2に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。実施例31スルホニウム化合物の合成式1-1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体を、下記式1-3で表されるスルホニウムアンチモネート錯体に変更したこと以外は実施例1と同様にして、スルホニウム化合物A3を得た。2スルホニウムボレート錯体の合成スルホニウム化合物A1を、得られたスルホニウム化合物A3に変更したこと以外は実施例1と同様にして、下記式41-3で表されるスルホニウムボレート錯体B3を得た。用いたスルホニウム化合物A3に対して、得られたスルホニウムボレート錯体B3の収率は90であった。3硬化性組成物の調製スルホニウムボレート錯体B1を、得られたスルホニウムボレート錯体B3に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。実施例41スルホニウム化合物の合成式1-1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体を、下記式1-4で表されるスルホニウムアンチモネート錯体に変更したこと以外は実施例1と同様にして、スルホニウム化合物A4を得た。2スルホニウムボレート錯体の合成スルホニウム化合物A1を、得られたスルホニウム化合物A4に変更したこと以外は実施例1と同様にして、下記式41-4で表されるスルホニウムボレート錯体B4を得た。用いたスルホニウム化合物A4に対して、得られたスルホニウムボレート錯体B4の収率は89であった。3硬化性組成物の調製スルホニウムボレート錯体B1を、得られたスルホニウムボレート錯体B4に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。実施例51スルホニウム化合物の合成硫化ナトリウムを硫化カリウムに変更したこと以外は実施例1と同様にして、スルホニウム化合物A5を得た。2スルホニウムボレート錯体の合成スルホニウム化合物A1を、得られたスルホニウム化合物A5に変更したこと以外は実施例1と同様にして、上記式41-1で表されるスルホニウムボレート錯体B5を得た。用いたスルホニウム化合物A5に対して、得られたスルホニウムボレート錯体B5の収率は90であった。3硬化性組成物の調製スルホニウムボレート錯体B1を、得られたスルホニウムボレート錯体B5に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。比較例11スルホニウム化合物の合成上記式1-1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体に酢酸エチル100重量部を添加し、テトラフルオロフェニルボレートナトリウムを10重量含む水溶液150重量部を更に添加して、23°Cで30分間撹拌した。分液操作により酢酸エチル層を取り出し、水洗した後、エバポレーターで濃縮した。このようにして、スルホニウムボレート錯体Z1を得た。用いた式1-1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体に対して、得られたスルホニウムボレート錯体Z1の収率は90であった。2硬化性組成物の調製スルホニウムボレート錯体B1を、得られたスルホニウムボレート錯体Z1に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。比較例21スルホニウム化合物の合成上記式1-1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体を、上記式1-2で表されるスルホニウムアンチモネート錯体に変更したこと以外は比較例1と同様にして、スルホニウムボレート錯体Z2を得た。用いた式1-2で表されるスルホニウムアンチモネート錯体に対して、得られたスルホニウムボレート錯体Z2の収率は85であった。2硬化性組成物の調製スルホニウムボレート錯体B1を、得られたスルホニウムボレート錯体Z2に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。比較例31スルホニウム化合物の合成上記式1-1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体を、上記式1-3で表されるスルホニウムアンチモネート錯体に変更したこと以外は比較例1と同様にして、スルホニウムボレート錯体Z2を得た。用いた式1-3で表されるスルホニウムアンチモネート錯体に対して、得られたスルホニウムボレート錯体Z3の収率は87であった。2硬化性組成物の調製スルホニウムボレート錯体B1を、得られたスルホニウムボレート錯体Z3に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。比較例41スルホニウム化合物の合成上記式1-1で表されるスルホニウムアンチモネート錯体を、上記式1-4で表されるスルホニウムアンチモネート錯体に変更したこと以外は比較例1と同様にして、スルホニウムボレート錯体Z2を得た。用いた式1-4で表されるスルホニウムアンチモネート錯体に対して、得られたスルホニウムボレート錯体Z4の収率は89であった。2硬化性組成物の調製スルホニウムボレート錯体B1を、得られたスルホニウムボレート錯体Z4に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。実施例1~5及び比較例1~4の評価1金属の腐食性L/Sが20μm/20μmのITO電極パターンを上面に有する透明ガラス基板を用意した。また、L/Sが20μm/20μmの銅電極パターンを下面に有する半導体チップを用意した。上記透明ガラス基板上に、得られた硬化性組成物異方性導電ペーストを厚さ20μmとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が互いに対向し、接続するように積層した。その後、異方性導電ペースト層に420nmの紫外線を光照射強度が60mW/cm2となるように照射して、異方性導電ペースト層を半硬化させた後に150°Cで加熱して硬化させ、接続構造体を得た。得られた接続構造体を85°C及び湿度85の条件で20日間保管した。保管後の銅電極の表面に腐食が生じているか否かを評価した。銅電極に腐食が生じていない場合を○、導通不良が生じない程度に銅電極に部分的に腐食が生じている場合を△、導通不良が生じる程度に銅電極に腐食が生じている場合を×と判定した。その結果、実施例1~5の硬化性組成物を用いた接続構造体では、金属の腐食性の評価結果は○であった。比較例1~4の硬化性組成物を用いた接続構造体では、金属の腐食性の評価結果は×であった。比較例1~4で金属の腐食性の評価結果が悪かった理由としては、スルホニウムボレート錯体を得た後に、該スルホニウムボレート錯体中にスルホニウムアンチモネート錯体が残留していたことなどが挙げられる。2イオン不純物濃度測定抽出用のフッ素樹脂製容器を用意した。また、フッ素樹脂製容器を格納するステンレス製容器を用意した。サンプル作製硬化性組成物異方性導電ペーストに420nmの紫外線を光照射強度が60mW/cm2となるように照射して半硬化させた後に、半硬化物を150°Cで加熱して硬化させ、硬化物を得た。上記フッ素樹脂製容器に、得られた硬化物サンプル1gを入れた。次に、純水10mLを硬化物が入っている上記フッ素樹脂製容器内に加えた。その後、上記フッ素樹脂製容器をステンレス容器内に入れ、上記フッ素樹脂製容器の蓋が外れないようステンレス容器の蓋を閉めた。抽出上記サンプルが入ったステンレス容器にて、120°Cの条件で20時間サンプルの抽出を行った。測定抽出後に、サンプルの水溶液を取り出した。イオン測定装置ダイオネクス社製ICS-1000を用いて、サンプルの水溶液におけるイオン濃度を測定した。結果イオン濃度の測定結果を下記の表1に示す。検出イオンが20ppm未満であった場合を○、20ppm以上、100ppm未満であった場合を△、100ppm以上であった場合を×と判定した。なお、下記の表1において、N.A.は検出されなかったことを示す。上記表1に示すように、実施例1~4の硬化性組成物では、いずれのイオン濃度の評価結果も○であった。また、実施例5の硬化性組成物でも、いずれのイオン濃度の評価結果は○であった。比較例1~4の硬化性組成物では、イオン濃度の評価結果に△,×もあった。"