一対の直流電源端子間に順次直列に接続された第一ないし第四の半導体スイッチング素子と、該第一ないし第四のスイッチング素子にそれぞれ接続され、これらの半導体スイッチング素子を駆動する第一ないし第四のゲート駆動回路とからなり、第一及び第二の半導体スイッチング素子のみをオンしたときプラス出力、第二及び第三の半導体スイッチング素子のみをオンしたとき零出力、そして、第三及び第四の半導体スイッチング素子のみをオンしたときマイナス出力を出力することにより交流に変換する3レベル電力変換装置であって、前記第一の駆動回路と前記第三の駆動回路、及び、前記第二の駆動回路と前記第四の駆動回路をそれぞれ同一の基板に実装し、各基板上において、前記二つのゲート駆動回路におけるゲート出力回路を、通信線を介して相互に論理回路に接続し、いずれか一方のゲート駆動回路がオンしている時に他方のゲート駆動回路をオフすることにより、同時オンを防止するようにしたことを特徴とする半導体スイッチング素子用ゲート駆動装置。請求項1に記載の半導体スイッチング素子用ゲート駆動装置において、前記同一の基板において、二つのゲート駆動回路に印加される直流電圧に基づいて、規格上定められる最小限の絶縁距離を確保したことを特徴とする半導体スイッチング素子用ゲート駆動装置。請求項2に記載の半導体スイッチング素子用ゲート駆動装置において、前記同一の基板において、二つのゲート駆動回路の間に絶縁スリットが設けられていることを特徴とする半導体スイッチング素子用ゲート駆動装置。請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体スイッチング素子用ゲート駆動装置において、前記同一の基板において、二つのゲート駆動回路のゲート出力回路を、パルストランス、高耐圧フォトカプラや光ファイバ等の光素子及び高絶縁のキャパシタンスの少なくともひとつを使用した絶縁信号送信回路を介して、前記論理解路に接続したことを特徴とする半導体スイッチング素子用ゲート駆動装置。しかしながら、上述の従来技術には、次のような問題があった。すなわち、図2bに示すように光ファイバをゲート駆動装置間で光信号伝送に使用すると、同時オン防止機能搭載ゲート駆動装置基板間を多くの光ファイバ図2bの場合は4本で接続する必要が生じ、これら光ファイバの配線スペースが新たに必要になり、変換器のサイズが大きくなってしまう。また、光ファイバは不要な曲げ応力を掛けるとファイバが折れてしまい信号を伝達できなくなるという欠点を有し、取り扱いに注意が必要なことから、配線時の作業が繁雑になるとともに、耐久性にも問題があった。さらに、駆動指令を含め多くの光ファイバ図2bでは12本を配線しなくてはならず、誤って配線するという問題点も有していた。そこで、本発明の目的は、上記問題点を解決するものであって、3レベル電力変換装置のゲート駆動装置において同時オン防止回路を有し、かつ3レベル電力変換装置の構成部品を少なくし信頼性を向上したゲート駆動装置を提供することである。上記課題を解決するために、3レベル電力変換装置において、第1のIGBTと第3のIGBTの両方を駆動するゲート駆動装置と、第2のIGBTと第4のIGBTの両方を駆動するゲート駆動装置を1枚の基板に実装したゲート駆動装置で構成することで達成させる。より具体的には、本発明の半導体スイッチング素子用ゲート駆動装置では、次のような技術的手段を講じた。すなわち、1一対の直流電源端子間に順次直列に接続された第一ないし第四の半導体スイッチング素子と、該第一ないし第四のスイッチング素子にそれぞれ接続され、これらの半導体スイッチング素子を駆動する第一ないし第四のゲート駆動回路とからなり、第一及び第二の半導体スイッチング素子のみをオンしたときプラス出力、第二及び第三の半導体スイッチング素子のみをオンしたとき零出力、そして、第三及び第四の半導体スイッチング素子のみをオンしたときマイナス出力を出力することにより交流に変換する3レベル電力変換装置であって、前記第一の駆動回路と前記第三の駆動回路、及び、前記第二の駆動回路と前記第四の駆動回路をそれぞれ同一の基板に実装し、各基板上において、前記二つのゲート駆動回路におけるゲート出力回路を、通信線を介して相互に論理回路に接続し、いずれか一方のゲート駆動回路がオンしている時に他方のゲート駆動回路をオフすることにより、同時オンを防止するようにした。2上記の半導体スイッチング素子用ゲート駆動装置において、前記同一の基板において、二つのゲート駆動回路に印加される直流電圧に基づいて、規格上定められる最小限の絶縁距離を確保した。3上記の半導体スイッチング素子用ゲート駆動装置において、前記同一の基板において、二つのゲート駆動回路の間に絶縁スリットを設けた。4上記の半導体スイッチング素子用ゲート駆動装置において、前記同一の基板において、二つのゲート駆動回路のゲート出力回路を、パルストランス、高耐圧フォトカプラや光ファイバ等の光素子及び高絶縁のキャパシタンスの少なくともひとつを使用した絶縁信号送信回路を介して、前記論理解路に接続した。本発明によれば、第1のIGBTと第3のIGBTのゲート駆動装置基板間の光信号伝送および第2のIGBTと第4のIGBTのゲート駆動装置基板間を接続しオン許可信号をやりとりすることで、アーム短絡を防止すると共に、オン許可信号をゲート駆動装置基板内に配線することでゲート駆動装置の組立時の作業性の向上や誤配線を防ぐことが可能となる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。[実施例1]図1は、本発明の実施例1のゲート駆動装置を3レベル電力変換装置に適用した例を示す。図2a、図2bと同一の構成要素には同じ符号を付してある。図1において、20~23はAND回路、24~27はIGBTオン判定回路、28~31はゲート駆動回路、32~35はゲート出力回路である。第1のIGBT4に対しオン信号を出力するゲート出力回路32を具備するゲート駆動回路28と、第3のIGBT6に対しオン信号を出力するゲート出力回路33を具備するゲート駆動回路29は、後述するAND回路やGBTオン判定回路とともに同一基板に実装され、ゲート駆動装置2を構成している。同様に、第2のIGBT5に対しオン信号を出力するゲート出力回路34を具備するゲート駆動回路30と、第4のIGBT7に対しに対しオン信号を出力するゲート出力回路35を具備するゲート駆動回路31は、後述するAND回路やGBTオン判定回路とともに同一基板に実装され、ゲート駆動装置3を構成している。ゲート駆動装置2とゲート駆動装置3は同一構成であるため、以下、ゲート駆動装置2を使用して、動作を説明する。制御論理部1からの駆動信号は駆動指令12を介してAND回路20に出力され、また、GBTオン判定回路25は、ゲート出力回路33からの信号に基づいて、第3のIGBT6がオフしているとき、オン許可信号16をAND回路20に出力され、AND回路20は、駆動指令12とオン許可信号16のANDをとり、両方Hiレベルの場合オン信号を出力する。すなわち制御論理部1からの指令がオンで、しかも、第3のIGBT6がオフしており、オン許可信号16が許可の場合のみ、AND回路20、ゲート出力回路32を介して、第1のIGBT4をオンすることができる。このとき、ゲート出力回路32では、IGBT4をオンさせると同時に、IGBTオン判定回路24が、第1のIGBT4がオンしていることを判定し、AND回路21に出力されるオン許可信号18をLoレベルに引き下げることで、ゲート駆動回路29に第1のIGBTがオンしたことを伝達する。オン許可信号18がLoレベルの場合、AND回路21の出力は、制御論理部1からのゲート出力回路33に対する駆動指令14の状態にかかわらず常にオフとなり、IGBT6がオンすることを防止する。これにより、IGBT4がオンしている状態ではIGBT6がオンしないように保護する、いわゆる同時オン防止機能を実現している。一方、IGBT4がオンしているにもかかわらず、誤動作等予期しない原因によりIGBT6がオンに切り換えられようとした場合、IGBTオン判定回路25がこれを検出して、AND回路20に出力されるオン許可信号16をLoレベルにする。AND回路20ではオン許可信号16がLoレベルになったため、制御論理部1からの駆動指令12がHiレベル、すなわちオンの指令であってもオフ信号をゲート出力回路32に出力する。その結果、ゲート駆動回路32はIGBT4のゲート電圧を引き下げて、IGBTの閾値電圧を下回る電圧に抑えることでIGBT4をオフさせる。以下、本実施例1の特徴を従来技術の図2bと対比させて説明する。上述したように、図2bの従来技術では、同時オン防止機能を実現するために、IGBT4~IGBT7に対する個別のゲート駆動装置39~41を構成する回路基板間に信号配線を敷設しなければならないため様々な問題があった。これに対し、本実施例によれば、図1に示すようにIGBT4のゲート駆動回路28とIGBT6のゲート駆動回路29、およびIGBT5のゲート駆動回路30とIGBT7のゲート駆動回路31を、それぞれゲート駆動装置2、3として一枚の基板に集約し、この間に接続されるオン許可信号16~19のための通信線を、ゲート駆動装置を構成する基板上に実装することで、ゲート駆動装置を個別の基板で構成した場合とは異なり、基板間を接続する配線を不要とすることができ、組立時の作業性の向上や、誤配線を防止することも可能になる。また、ゲート駆動装置基板の枚数を半分に減らすことができるため、3レベル電力変換装置の構成部品を減らし、コストダウンを図ることもできる。なお、同一基板上に実装されるゲート駆動回路28と29の距離は、絶縁のために、以下に示す距離が必要となる。例えば、鉄道車両に適用するゲート駆動装置を例に説明する。鉄道車両に適用する場合、直流端子の電圧は一般に750V以上である。ゲート駆動装置基板の電位はIGBTのエミッタ電位と同じになることから、ゲート駆動回路30と31の間には750Vの電圧が印加されることになる。架線電圧は鉄道車両が走行しているときには変動することが知られており、750V架線の場合には最大で1000Vに達する。この電圧に対してゲート駆動回路30と31の絶縁を確保するために必要な絶縁距離は規格から5mmであることが知られている。一方IGBT4とIGBT6の間には3レベル主回路の場合、回路の構成上直流電圧の1/2の電圧しか印加されない。このためゲート駆動回路28と29の間の絶縁は最大1000Vの1/2の500Vに対して確保しておけばよく、2.5mmの距離があれば良い。このように、規格上十分な絶縁を確保した上で、ゲート駆動回路30と31との間隔を、必要最小限とすることにより、基板の一層のコンパクト化を実現することが可能となる。[実施例2]図3は、本発明の実施例2のゲート駆動装置を示したものである。図1、図2a、図2bと同一の構成要素には同じ符号を付してある。図3において、40は絶縁通信手段である。実施例2の特徴を実施例1の図1と対比させ説明する。上記したように図1の実施例1ではオン許可信号16、18は光ファイバを使用して通信していた。実施例2によれば、図3に示すように40に絶縁信号送信回路としてパルストランスや高耐圧のフォトカプラ、また従来の光ファイバの長さを短くしたものや、高絶縁のキャパシタンスを使用することができる。これらにより、図1の実施例1で示した効果を同じく得ることができる。[実施例3]図4は、本発明の実施例3のゲート駆動装置を示したものである。図1、図2a、図2b、図3と同一の構成要素には同じ符号を付してある。図4において、41は絶縁スリットである。本実施例3の特徴を実施例1の図1と対比させ説明する。上記したように、図1の実施例1ではゲート駆動回路30と31の間には絶縁領域を5mm以上必要としていた。図4では絶縁スリット41を挿入することで、絶縁領域を短くすることができる。規格では空気中の最小空間距離が4mmになることが知られているので、絶縁領域を4mmまで短くすることができる。一方図1の実施例1のゲート駆動回路28と29の間には絶縁領域を2.5mm以上必要としていた。図4では絶縁スリット41を挿入することで、絶縁領域を短くすることができる。規格では空気中の最小空間距離が1.5mmとなることが知られているので、絶縁領域を1.5mmまで短くすることができる。以上の実施例では、3レベル主回路の例を説明してきたが、もちろん3レベル主回路に限定されるものではなく、5レベル、7レベルなどマルチレベル主回路に適用した場合も同様の効果が得られることは当業者にとって明らかである。要は、同時にオンになると、電源短絡状態となり、IGBTを破壊するようなゲート駆動回路の組み合わせを1つの基板に実装して、この基板に、ゲート出力回路を、通信線を介して相互に論理回路に接続し、少なくともひとつのゲート駆動回路が必ずオフとなるようなようにすればよい。また、半導体素子としてIGBTの例を説明したが、バイポーラトランジスタやMOSFET、GTO等のパワーデバイスを適用しても同様の効果を得ることができる。更に、本実施例で説明した鉄道車両用のみならず、製鉄所の圧延ローラ駆動用の電力変換器や高電圧の電源用途などあらゆるマルチレベル電力変換回路に適用しても同様の効果を得ることができる。