絶縁層を介して積層された複数の内部電極によって構成されたコイル部を有する、積層方向の断面が長方形または正方形である積層コイル部品であって、前記積層コイル部品の端面近傍の底部に設けられ、前記コイル部の端部に接続される外部電極を備え、積層方向から平面視したとき、前記外部電極には、コイル部の中心側に、当該中心から部分的に遠ざかる欠乏部が形成されている、積層コイル部品。前記外部電極が2層の電極で構成されている、請求項1に記載の積層コイル部品。前記欠乏部が、前記外部電極における前記コイル部の中心側の中央領域に設けられた凹部である、請求項1又は2に記載の積層コイル部品。しかしながら、上述した従来の底面電極の形状では、磁束密度が高い部分において、底面電極が磁束を阻害することとなり、Q値の低下を招いていた。本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、Q値の向上が図られた積層コイル部品を提供することを目的とする。本発明に係る積層コイル部品は、絶縁層を介して積層された複数の内部電極によって構成されたコイル部を有する、積層方向の断面が長方形または正方形である積層コイル部品であって、積層コイル部品の端面近傍の底部に設けられ、コイル部の端部に接続される外部電極を備え、積層方向から平面視したとき、外部電極には、コイル部の中心側に、当該中心から部分的に遠ざかる欠乏部が形成されている。この積層コイル部品においては、外部電極におけるコイル部の中心側に欠乏部が形成されることで、磁束の中心に近い磁束密度が高い部分の面積が低減されている。すなわち、この積層コイル部品においては、欠乏部ではコイル部の磁束は外部電極を通過せず磁束が阻害されないため、欠乏部が形成されていない外部電極を備える積層コイル部品に比べて、Q値を向上することができる。また、外部電極が2層の電極で構成されている態様であってもよい。さらに、欠乏部が、外部電極における前記コイル部の中心側の中央領域に設けられた凹部である態様であってもよい。本発明によれば、Q値の向上が図られた積層コイル部品が提供される。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。図1に示すように、本発明の実施形態に係る積層コイル部品1は、積層方向の断面が長方形である直方体形状を有する積層体10を備えている。以下の説明では、便宜上、積層体10の積層方向をZ方向、積層方向の端面および断面における短手方向をX方向、長手方向をY方向とする。積層体10は、図2に示すように、セラミックで構成された複数の絶縁層絶縁層30~35が積層されて構成されている。複数の絶縁層30~35は、いずれも長方形であり、同一形状および同一寸法となるように形成されている。複数の絶縁層30~35のそれぞれには、銀で構成された電極パターン20A~24A、20B~24B、25が所定のパターンで形成されており、絶縁層30から絶縁層35まで順次重ね合わされている。なお、上下に隣り合う電極パターン20A~24A、20B~24B、25同士は絶縁層を貫通するスルーホール導体図2の黒四角を介して接続されている。積層体10は、以上の絶縁層30~35が積層されて構成されているため、電極パターン20A~24A、20B~24B、25が絶縁層を介して積層された構成となっている。電極パターン20A~24A、20B~24B、25のうち、最上層の絶縁層30に形成された電極パターン20A、20Bは、図1に示した積層体10の底面図示しない実装基板の部品搭載面に対面する面10cに設けられる一対の外部電極120A、120Bである。これらの外部電極120A、120Bは、コイル部Cの各端部に接続されて、積層コイル部品1の外部電極として機能する。外部電極を側面10a、10bに設けた場合には実装時に実装面の面方向にはんだフィレットが形成されるが、外部電極120A、120Bのように、外部電極を底面10cに設けることで、上記はんだフィレットが形成されず、実装面積の低減が図られる。電極パターン20A~24A、20B~24B、25のうち、絶縁層31~35に形成された電極パターン21B~24B、25は、絶縁層31~34を介して積層された複数の内部電極であり、同一方向に巻回図2の積層方向上方から見て右回りに巻回されたコイル部Cが構成されるように、上記スルーホール導体により接続されている。電極パターン21B~24B、25によって構成されるコイル部Cは、積層体10の断面同様、Y方向に延びる長方形状のパターンであり、コイル中心Oは積層体10の中央位置にある図3参照。電極パターン20A~24A、20B~24B、25のうち、絶縁層31~35に形成された21A~24Aは、積層方向に接続されて、コイル部Cの端部と外部電極120Aとを接続する貫通導体部として機能する。続いて、外部電極120A、120Bについて、図3を参照しつつ、詳しく説明する。外部電極120A、120Bは、積層体10の底面10c上であって、端面10a、10bの近傍すなわち長手方向の両端部に設けられている。各外部電極120A、120Bは、図3に示すように、積層方向から平面視したときに、凹部欠乏部120aを有する長方形状を有し、また、底面10cの長手方向の各端部を全体的に覆うように、底面10cの短手方向のほぼ全幅に亘って形成されている。各凹部120aは、外部電極120A、120Bのコイル中心O側であり、かつ、積層体10の短手方向図のX方向の中央領域に設けられている。凹部120aの幅すなわち、X方向の長さは、コイルの幅よりも広くなっている。また、凹部120aの深さすなわち、Y方向の長さは、外部電極120A、120Bがコイル部Cと重ならない程度の深さとなっている。以上で説明したとおり、外部電極120A、120Bは、凹部120aにおいてコイル中心Oから部分的に遠ざかっている。この凹部120aの内側領域欠乏している領域は、コイル中心Oから近く、また、長方形状のコイル部Cの短辺部分と重なっており、磁束密度が高い領域である。すなわち、外部電極120A、120Bにおいては、凹部120aにより、磁束密度が高い部分の面積の低減が図られている。一方、図4に示す従来技術に係る積層コイル部品1’の外部電極120A’、120B’のように、凹部が形成されていない長方形状の電極では、磁束密度が高い領域図4のハッチング部分において磁束が大きく阻害されて、Q値の低下が招かれていた。すなわち、上述した積層コイル部品1においては、外部電極120A、120Bにおけるコイル部Cの中心O側に凹部120aが形成されることで、磁束の中心に近い磁束密度が高い部分の面積が低減されている。すなわち、積層コイル部品1においては、凹部120aではコイル部Cの磁束は外部電極120A、120Bを通過せず磁束が阻害されないため、凹部120aが形成されていない外部電極120A’、120B’を備える従来の積層コイル部品1’に比べて、Q値を向上することができる。なお、外部電極に設けられる欠乏部は、短手方向の中央領域に設けられた凹部に限らず、短手方向の端部領域に設けられた切り欠き部であってもよい。本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。たとえば、外部電極120A、120Bのように凹部120aの内側領域は四角形状に限らず、その他の形状であってもよく、たとえば図5に示した外部電極220A、220Bのように凹部220aの内側領域が半円状であってもよい。また、積層体10の形状は、積層方向の断面が正方形である直方体形状や立方体形状であってもよい。さらに、外部電極120A、120Bを1層で構成する態様に限らず、複数層で構成にしてもよく、たとえば図6および図7に示すように、外部電極320A、320Bを2層で構成してもよい。すなわち、外部電極320A、320Bは、積層体10Aの底面10a上に形成された底面電極321~324と、積層体10Aの内部に形成された一対の内部電極L1、L2とで構成されている。なお、積層体10Aの構造は、外部電極320A、320の構造のみが上述した積層体10の構造と異なっており、積層体10同様のコイル部Cが内部に形成されている。一方の内部電極L1は、X方向に延びる長方形状であり、底面10cの側面10a側においてX方向に並んだ一対の底面電極321、322それぞれと部分的に重なり合い、その両端部に設けられたスルーホール導体THにより、底面電極321、322間を橋架するように接続している。他方の内部電極L2も、内部電極L1同様、X方向に延びる長方形状であり、底面10cの側面10b側においてX方向に並んだ一対の正方形状の底面電極323、324それぞれと部分的に重なり合い、その両端部に設けられたスルーホール導体THにより、底面電極323、324間を橋架するように接続している。このような2層で構成された外部電極320A、320Bでは、図7に示されているように積層方向から平面視したときには、底面電極321~324と内部電極L1、L2とにより凹部320aが画成される。例えば、外部電極320Aでは、底面電極321と底面電極322との間隙であって、内部電極L1のコイル中心O側に、中心Oから部分的に遠ざかる凹部320aが形成される。積層体10Aの底部に2層で構成された外部電極320A、320Bの凹部320aも、磁束の中心に近い磁束密度が高い部分の面積を低減するため、1層で構成された外部電極120A、120Bの凹部120a同様、Q値の向上を図ることができる。図8は、図7に示した正方形状の底面電極321~324を有する外部電極320A、320Bに代えて、円形状の底面電極421~424を有する外部電極420A、420Bを採用した態様を示している。外部電極420A、420Bの円形状の底面電極421~424のうち、底面電極421と底面電極422とが側面10a側において内部電極L1により接続されており、底面電極423と底面電極424とが側面10b側において内部電極L2により接続されている。外部電極420A、420Bでも、上述した外部電極320A、320B同様、積層方向から平面視したときに、底面電極421~424と内部電極L1、L2とにより、湾曲した部分を有する凹部420aが画成される。このような外部電極420A、420Bの凹部420aも、磁束の中心に近い磁束密度が高い部分の面積を低減するため、外部電極320A、320Bの凹部320a同様、Q値の向上を図ることができる。図9は、図7に示した正方形状の底面電極321~324を有する外部電極320A、320Bに代えて、直角三角形状の底面電極521~524を有する外部電極520A、520Bを採用した態様を示している。外部電極520A、520Bの直角三角形状の底面電極521~524のうち、底面電極521と底面電極522とが側面10a側において内部電極L1により接続されており、底面電極523と底面電極524とが側面10b側において内部電極L2により接続されている。外部電極520A、520Bでも、上述した外部電極320A、320B同様、積層方向から平面視したときに、底面電極521~524と内部電極L1、L2とにより凹部520aが画成される。なお、底面電極521~524はいずれも、その直角部分が、底面10cの直角な角部に沿うように配置されており、その斜面と内部電極L1、L2とにより凹部520aを画成している。このような外部電極520A、520Bの凹部520aも、磁束の中心に近い磁束密度が高い部分の面積を低減するため、外部電極320A、320Bの凹部320a同様、Q値の向上を図ることができる。さらに、積層体10、10Aの内部に形成されるコイル部に関しても、上述したコイル部Cに限らず、その他の形状であってもよく、たとえば図10の積層展開図に示された形状のコイル部であってもよい。図10の積層展開図においては、セラミックで構成された複数の絶縁層50~54のそれぞれには、銀で構成された電極パターン40A~43A、40B~43B、44が所定のパターンで形成されており、絶縁層50から絶縁層54まで順次重ね合わされている。なお、上下に隣り合う電極40A~43A、40B~43B、44パターン同士は絶縁層を貫通するスルーホール導体図10の黒四角を介して接続されている。電極パターン40A~43A、40B~43B、44のうち、最上層の絶縁層50に形成された電極40A、40Bは、上述した外部電極120A、120B等に相当している。電極パターン40A~43A、40B~43B、44のうち、絶縁層51~54に形成された42A、43A、41B~43B、44は、積層方向に巻回されたコイル部Cが構成されるように、上記スルーホール導体により接続されている。絶縁層51に形成された電極パターン41Aは、積層方向に接続されて、コイル部Cの端部と外部電極40Aとを接続する貫通導体部として機能する。このようなコイル形状のコイル部Cであっても、積層体10の底面となるべき絶縁層50の表面に、上述した外部電極120A、120Bと同一パターンの外部電極40A、40Bが形成されることで、上述した積層コイル部品1と同様の作用および効果を奏する。すなわち、外部電極40A、40Bにおけるコイル部Cの中心O側に凹部40aが形成されることで、磁束の中心に近い磁束密度が高い部分の面積が低減され、凹部40aではコイル部Cの磁束は外部電極40A、40Bを通過せず磁束が阻害されないため、凹部120aが形成されていない外部電極120A’、120B’を備える従来の積層コイル部品1’に比べて、Q値を向上することができる。なお、上述した実施形態では、積層体底面10cにのみ外部電極が設けられた積層コイル部品を示しているが、積層体底面10cと積層体側面10a、10bの両方に外部電極が設けられた積層コイル部品であってもよい。図11および図12は、積層体底面10cと積層体側面10a、10bの両方に外部電極が設けられた積層コイル部品1Bを示した図である。この積層コイル部品1Bの積層体10Bには、対面する一対の側面10a、10bの全面を覆うように側面電極60A、60Bが形成されており、かつ、その底面10cには、上述した実施形態の外部電極120A、120Bと同様の電極が形成されている。側面10aを覆う側面電極60Aは、その底部において底面10cの外部電極120Aと接続されており、同様に、側面10bを覆う側面電極60Bも、その底部において底面10cの外部電極120Bと接続されている。積層コイル部品1Bの積層体10Bの内部には、積層方向に巻回されたコイル部C’が形成されている。このコイル部C’は、引き出し電極61A、61Bによって、各側面10a、10bに引き出されている点で、上述したコイル部Cと異なっている。すなわち、積層コイル部品1Bのコイル部C’の各端部は、引き出し電極61A、61Bにより側面10a、10bまで引き出され、側面10a、10bに形成された側面電極60A、60Bを介して、底面10cの外部電極120A、120Bに接続される。このような側面電極60A、60Bおよび引き出し電極61A、61Bを備える積層コイル部品1Bであっても、上述した積層コイル部品1、1Aと同様の作用および効果を奏する。すなわち、外部電極120A、120Bにおけるコイル部C’の中心O側に凹部40aが形成されることで、磁束の中心に近い磁束密度が高い部分の面積が低減され、凹部120aではコイル部Cの磁束は外部電極120A、120Bを通過せず磁束が阻害されないため、凹部120aが形成されていない外部電極120A’、120B’を備える従来の積層コイル部品1’に比べて、Q値を向上することができる。