被検出電流の流れ方向を軸とした軸周りを、一部を隙間として残して取り囲むように配置されたシールドと、前記シールドをインサート成形したケースと、前記被検出電流の発生する磁界が印加される磁電変換素子とを備え、前記シールドは、底面部と、前記底面部の両側から各々立ち上がる側面部とを有し、前記底面部の少なくとも一部が前記ケースの成形樹脂内に埋設されることを特徴する電流センサ。請求項1に記載の電流センサにおいて、前記側面部が前記成形樹脂内に埋設されないことを特徴する電流センサ。請求項1に記載の電流センサにおいて、前記側面部の外側面の大部分が前記成形樹脂から露出していることを特徴する電流センサ。被検出電流の流れ方向を軸とした軸周りを、一部を隙間として残して取り囲むように配置されたシールドと、前記シールドをインサート成形したケースと、前記被検出電流の発生する磁界が印加される磁電変換素子とを備え、前記シールドは、前記被検出電流の流れ方向を軸とした軸周りの一部が前記ケースの成形樹脂内に埋設される埋設部である一方、他の部分は前記成形樹脂内に埋設されない非埋設部であり、前記非埋設部は、前記隙間に臨む部分を含み、かつ前記被検出電流の流れ方向を軸とした軸周りに沿う長さが、前記埋設部よりも長いことを特徴とする電流センサ。請求項1から4のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、前記シールドがコの字型であることを特徴する電流センサ。請求項1から5のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、前記シールドが単層構造を成していることを特徴とする電流センサ。請求項1から6のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、前記シールドは、前記ケースの成形樹脂に埋設される部分に凹部、凸部または貫通穴を有することを特徴とする電流センサ。請求項1から7のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、前記被検出電流を流す為のバスバーが前記ケースにインサート成形され又は前記ケースに挿通されていることを特徴とする電流センサ。請求項1から7のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、前記被検出電流を流す為のバスバーを挿通可能な貫通穴が前記ケースに設けられていることを特徴とする電流センサ。請求項1から7のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、前記被検出電流を流す為のバスバーが前記ケースにインサート成形され、前記バスバーは、前記ケースの成形樹脂に埋設される部分に切欠又は貫通穴を有し、前記切欠又は前記貫通穴を埋めている成形樹脂部分に延びるネジ穴が前記ケースに設けられ、前記ネジ穴に螺合するネジによって、前記磁電変換素子を搭載した回路基板が前記ケースに固定されることを特徴とする電流センサ。特許文献1及び2の電流センサのようにコアの全て又は大部分が充填樹脂又は成形樹脂内に埋まっている構成は、一見すると保持の安定性が高いものの、温度変化による充填樹脂や成形樹脂の寸法変化によりコアのギャップ距離が変動し、電流検出の温度特性を悪化させるという問題があることを本発明者は見出した。こうした問題は、隙間を有するシールドで被測定電流を囲む場合にも同様に生じる。本発明はこうした状況を認識してなされたものであり、その目的は、温度特性の良好な電流センサを提供することにある。本発明のある態様は、電流センサである。この電流センサは、被検出電流の流れ方向を軸とした軸周りを、一部を隙間として残して取り囲むように配置されたシールドと、前記シールドをインサート成形したケースと、前記被検出電流の発生する磁界が印加される磁電変換素子とを備え、前記シールドは、底面部と、前記底面部の両側から各々立ち上がる側面部とを有し、前記底面部の少なくとも一部が前記ケースの成形樹脂内に埋設されることを特徴する。前記側面部は前記成形樹脂内に埋設されないとよい。前記側面部の外側面の大部分が前記成形樹脂から露出していてもよい。本発明の別の態様も、電流センサである。この電流センサは、被検出電流の流れ方向を軸とした軸周りを、一部を隙間として残して取り囲むように配置されたシールドと、前記シールドをインサート成形したケースと、前記被検出電流の発生する磁界が印加される磁電変換素子とを備え、前記シールドは、前記被検出電流の流れ方向を軸とした軸周りの一部が前記ケースの成形樹脂内に埋設される埋設部である一方、他の部分は前記成形樹脂内に埋設されない非埋設部であり、前記非埋設部は、前記隙間に臨む部分を含み、かつ前記被検出電流の流れ方向を軸とした軸周りに沿う長さが、前記埋設部よりも長いことを特徴とする。前記シールドはコの字型であってもよい。前記シールドは単層構造を成していてもよい。前記シールドは、前記ケースの成形樹脂に埋設される部分に凹部、凸部または貫通穴を有してもよい。前記被検出電流を流す為のバスバーが前記ケースにインサート成形され又は前記ケースに挿通されてもよい。前記被検出電流を流す為のバスバーを挿通可能な貫通穴が前記ケースに設けられていてもよい。前記電流センサにおいて、前記被検出電流を流す為のバスバーが前記ケースにインサート成形され、前記バスバーは、前記ケースの成形樹脂に埋設される部分に切欠又は貫通穴を有し、前記切欠又は前記貫通穴を埋めている成形樹脂部分に延びるネジ穴が前記ケースに設けられ、前記ネジ穴に螺合するネジによって、前記磁電変換素子を搭載した回路基板が前記ケースに固定されてもよい。なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法やシステムなどの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。本発明によれば、シールドの全て又は大部分が成形樹脂内に埋まっている場合と比較して温度特性の良好な電流センサを実現可能である。以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を詳述する。なお、各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理等には同一の符号を付し、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は発明を限定するものではなく例示であり、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。図1は、本発明の実施の形態に係る電流センサの構成を示す斜視図である。図2は、図1のIIII断面図である。なお、図1においては、磁電変換素子50を搭載した回路基板40を電流センサから分解状態で示している。図3は、図1のIIIIII断面図である。電流センサ100は、バスバー10と、シールド20磁気シールドと、ケース30と、回路基板40と、ホール素子等の磁電変換素子50とを備える。バスバー10黄銅材等の導体は、被検出電流の経路を成す。バスバー10の取付用貫通孔11A11Bは、ネジ止め等によってバスバー10を不図示の対象物に取り付けるために設けられる。図4に示すように、バスバー10には連通用貫通穴12A12Bが形成される。シールド20は、被検出電流の流れ方向を軸とした軸周りすなわちバスバー10の軸周りを、一部を残して取り囲むように配置される図5も参照。シールド20は、例えばコの字型であり、底面部21と、側面部2223とを有する。側面部2223は、底面部21の両側ここでは両端から各々立ち上がる。側面部2223の先端同士は隙間となっている。すなわち、側面部2223の先端同士の隙間を残して、バスバー10の軸周りはシールド20に囲まれる。底面部21に形成された凸部21A21B図6参照は、後述のケース30からのズレ防止のために設けられる。シールド20は、高透磁率の例えば珪素鋼板であり、好ましくは1珪素鋼板1LSSP:SiO2の含有率が約1の鋼板からなる単層構造であるとよい。シールド20の肉厚は、例えば1mm~2mm程度である。絶縁樹脂製のケース30は、バスバー10及びシールド20をインサート成形したものであり、基部31と、側壁32A32Bとを有する。基部31は、内側にバスバー10の中間部とシールド20の底面部21とを一体に保持する。基部31の上面には、回路基板40を固定するためのネジ穴301が2つ設けられる。なお、ネジ穴301は2つあるが、図1等には2つのうち1つのみが現れる他の一つは側壁32Bに隠れて見えない。ネジ穴301は、バスバー10の連通用貫通穴12A12Bを埋めている成形樹脂部分に延びる。側壁32A32Bは、被検出電流の方向の両側において基部31から立ち上がる。側方から見て側壁32A32Bの間隙間は、側壁非形成領域となっている。この側壁非形成領域に、シールド20の側面部2223が側壁32A32Bに非接触で延在する。すなわち、シールド20は、底面部21の少なくとも一部例えば両端部を除く中間部全体のみがケース30の成形樹脂内に埋設される一方、側面部2223は前記成形樹脂内に埋設されない例えばケース30に非接触である図7も参照。シールド20のうち前記成形樹脂内に埋設されない非埋設部底面部21の両端と側面部2223は、被検出電流の流れ方向を軸とした軸周りに沿う長さが、ケース30の成形樹脂内に埋設された埋設部底面部21の中間部全体よりも長い。回路基板40は、ネジ穴301に螺合するネジ405A405Bによってケース30の基部31の上面に固定される。すなわち、回路基板40の貫通孔401A401Bを通して、ネジ405A405Bがネジ穴301にそれぞれ螺着される。回路基板40には、磁電変換素子50が所定位置に搭載保持される。磁電変換素子50には、バスバー10を流れる被検出電流の発生する磁界が印加される。磁電変換素子50から得られる出力電圧を増幅等してセンサ出力を得るための公知の回路不図示が回路基板40に形成される。本実施の形態によれば、下記の効果を奏することができる。樹脂の熱膨張率は金属の熱膨張率よりも大きいため、図14に示す比較例のようにシールド20の全て又は大部分がケース830の成形樹脂内に埋まっていると、温度変化によるシールド20の隙間長側面部2223の先端同士の距離の変化が大きく、電流検出の温度特性が悪化するという問題がある。この点、本実施の形態では、シールド20は、底面部21の少なくとも一部のみがケース30の成形樹脂内に埋設される一方、側面部2223は前記成形樹脂内に埋設されないため、シールド20の全て又は大部分がケース30の成形樹脂内に埋まっている場合と比較して、温度変化によるシールド20の隙間長の変化が小さく、電流検出の温度特性が良好となる。図8は、図1に示す電流センサ1001辺インサートと図14に示す比較例の場合3辺インサートとの間で、環境温度と特性変動率との関係を比較した特性比較図である。なお、縦軸の特性は、シールド20が飽和しない範囲の一定の被検出電流を流した後の残留磁気ヒステリシスを25°Cを基準100とした比率で示す。シールド20の側面部2223の先端同士の隙間が温度変化に伴って長くなると残留磁気は小さくなり、隙間が温度変化に伴って短くなると残留磁気は大きくなる。本図より、図14に示す比較例の場合は、-30°C~80°Cの温度変化に対して35~-20の誤差が生じるのに対し、図1に示す電流センサ100では、誤差は±5以内に収まっている。シールド20が単層構造であるため、複数層の積層構造である場合と異なり、積層に伴う寸法精度悪化や製造コストアップを防止できる。具体的には、シールド20を積層構造にすると、ワニスとシールド材の線膨張係数差による、シールド20への応力の影響や積層枚数分の寸法誤差の重ね合わせによる、製品寸法精度の悪化が考えられるが、単層構造にすることによって、製品寸法精度の悪化及びそれに伴う特性への悪影響を低減することができる。また、シールド20を積層構造にする場合、コの字の内側になるにつれて厚み分だけ短くなるように製作したシールド材が積層数分必要となり、その寸法管理コストや、積層数分の製造コスト材料コスト、及び積層したコの字シールド間を固定する為にワニスに浸し固定する等のコストアップ要因が加わるが、単層構造にすることによってそのようなコストアップ要因を無くすことができる。単層構造の場合、十分な電流測定範囲を確保するためにはシールド20の厚み断面積確保が課題となるが、一般的な電流センサで用いられる珪素鋼板では、流通性のある最も大きい厚さのものを用いても、複数枚積層する必要がある。これに対し、本実施の形態では、シールド20に1珪素鋼板を用いることで、単層構造であっても一定の断面積を確保でき、磁気飽和領域を大きくすることができる、すなわち電流測定範囲を大きくすることができる。インサート成形にて固定されるバスバー10及びシールド20には連通用貫通穴12A12B及び凸部21A21Bを設けており、抜け止めの効果を成している。バスバー10の抜け止め効果を奏する連通用貫通穴12A12Bに流入された成形樹脂部分を、ネジ405A405Bを螺着するためネジ穴301の形成部分として併用することで、ネジ穴301の形成用にケース30の幅を広げる必要を無くし、小型化を図ることができる。以上、実施の形態を例に本発明を説明したが、実施の形態の各構成要素や各処理プロセスには請求項に記載の範囲で種々の変形が可能であることは当業者に理解されるところである。以下、変形例について触れる。シールド20の側面部2223は、ケース30の成形樹脂と部分的に接触していてもよい。図9は、シールド20の側面部2223の内側面がケース30の成形樹脂と接触する実施の形態に係る電流センサの構成を示す斜視図回路基板40は図示省略である。本図に示すように、例えば、ケース30の側壁32A32Bの間を側壁非形成領域とせずに側壁32Cを延在させ、シールド20の側面部2223の内側面がケース30の成形樹脂と接触する外側面は全面的に露出する構成も可能である。図10は、シールド20の側面部2223の、内側面から厚み方向の所定位置までがケース30の成形樹脂に埋まっている実施の形態に係る電流センサの構成を示す斜視図回路基板40は図示省略である。本図の例では、図9の側壁32Cの厚みを大きくし、シールド20の側面部2223の厚みの半分程度までがケース30の成形樹脂に埋まっている。この場合も、シールド20の側面部2223の外側面は全面的に露出する。なお、側面部2223の厚みの全部がケース30の成形樹脂に埋まっていてもよく、さらに、側面部2223の外側面の一部にケース30の成形樹脂が回り込んでいても、外側面の大部分7~8割以上が露出していればよい。このように、シールド20の側面部2223の外側面の大部分がケース30の成形樹脂から露出していれば、シールド20の全て又は大部分がケース30の成形樹脂内に埋まっている場合図14参照と比較して、温度変化によるシールド20の隙間長の変化が小さく、電流検出の温度特性が良好となる。バスバー10は、インサート成形せずに、後からケース30の挿通孔貫通穴に挿通する構成であってもよい。図11は、バスバー10をインサート成形しない実施の形態に関し、バスバー10を挿通していない状態の電流センサの構成を示す斜視図である。但し、本図において回路基板40は図示は省略している。ケース30には、バスバー10を挿通するための挿通孔35が、基部31を貫いて設けられている。この場合、ケース30のネジ穴301は、挿通孔35にかからないようにずらしている。バスバー10は、ケース30の成形樹脂に埋設される部分に、連通用貫通穴12A12B図4に替えて、図12に示すように連通用切欠12C12Dを有してもよい。この場合、ケース30のネジ穴301は、バスバー10の連通用切欠12C12Dを埋めている成形樹脂部分に延びるように設ける。シールド20は、ケース30の成形樹脂に埋設される部分である底面部21に、凸部21A21B図6に替えて、貫通穴21C図13あるいは凹形状図示省略を有してもよい。シールド20は、コの字型に限らず、隙間を有する他の形状、例えばU字型や半円弧型であってもよい。磁電変換素子50は、ホール素子に限らず、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子等のMR素子であってもよい。