対向配置された第1の保持部と第2の保持部に、夫々被処理基板と支持基板を吸着保持させ、各保持部の加熱機構で各基板を加熱した状態で第2の保持部を第1の保持部側に押圧して、被処理基板と支持基板を接合する接合方法において、前記第1の保持部に被処理基板を吸着保持する前に、少なくとも当該被処理基板を予備加熱することを特徴とする、接合方法。被処理基板に対する予備加熱は、前記第1の保持部の上方に被処理基板を位置させた状態で、当該第1の保持部の加熱機構で被処理基板を加熱して行うことを特徴とする、請求項1に記載の接合方法。被処理基板に対する予備加熱を行う際、前記第1の保持部と被処理基板との間の距離は0.4mm以上であることを特徴とする、請求項2に記載の接合方法。被処理基板に対する予備加熱は、前記第1の保持部と異なる場所に設けられた熱処理板で被処理基板を加熱して行うことを特徴とする、請求項1に記載の接合方法。被処理基板に対する予備加熱を行う際、前記熱処理板と被処理基板との間の距離は0.4mm以上であることを特徴とする、請求項4に記載の接合方法。被処理基板に対する予備加熱は、不活性ガス雰囲気で行うことを特徴とする、請求項1~5のいずれかに記載の接合方法。前記第2の保持部に支持基板を吸着保持する前に、前記第2の保持部と異なる場所に設けられた熱処理板で支持基板を予備加熱することを特徴とする、請求項1~6のいずれかに記載の接合方法。支持基板に対する予備加熱を行う際、前記熱処理板と被処理基板との間の距離は0.4mm以上であることを特徴とする、請求項7に記載の接合方法。前記第2の保持部に支持基板を吸着保持する前に、前記第2の保持部の下方に支持基板を位置させた状態で、当該第2の保持部の加熱機構で支持基板を予備加熱することを特徴とする、請求項1~6のいずれかに記載の接合方法。支持基板に対する予備加熱を行う際、前記第2の保持部と支持基板との間の距離は0.4mm以上であることを特徴とする、請求項9に記載の接合方法。請求項1~10のいずかに記載の接合方法を接合装置によって実行させるために、当該接合装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。請求項11に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。被処理基板を吸着保持する第1の保持部と、第1の保持部に対向配置され、支持基板を吸着保持する第2の保持部とを備え、各保持部の加熱機構で各基板を加熱した状態で第2の保持部を第1の保持部側に押圧して、被処理基板と支持基板を接合する接合装置において、前記第1の保持部に被処理基板を吸着保持する前に、少なくとも当該被処理基板を予備加熱する予備加熱部を有することを特徴とする、接合装置。前記第1の保持部の下方に設けられ、当該第1の保持部を挿通して昇降自在且つ被処理基板を支持する昇降ピンを有し、前記予備加熱部は前記第1の保持部であって、被処理基板に対する予備加熱は、前記昇降ピンによって前記第1の保持部の上方に被処理基板を位置させた状態で、当該第1の保持部の加熱機構で被処理基板を加熱して行われることを特徴とする、請求項13に記載の接合装置。被処理基板に対する予備加熱を行う際、前記第1の保持部と被処理基板との間の距離は0.4mm以上であることを特徴とする、請求項14に記載の接合装置。前記予備加熱部は、被処理基板を加熱する熱処理板を有し、被処理基板に対する予備加熱は、前記熱処理板で被処理基板を加熱して行われることを特徴とする、請求項13に記載の接合装置。前記予備加熱部は、前記熱処理板上に設けられ、被処理基板を支持する支持ピンを有し、前記支持ピンによって支持された被処理基板に対する予備加熱を行う際、前記熱処理板と被処理基板との間の距離は0.4mm以上であることを特徴とする、請求項16に記載の接合装置。被処理基板に対する予備加熱は、不活性ガス雰囲気で行われることを特徴とする、請求項13~17のいずれかに記載の接合装置。支持基板を加熱する熱処理板を有し、前記第2の保持部に支持基板を吸着保持する前に、前記熱処理板で支持基板を予備加熱することを特徴とする、請求項13~18のいずれかに記載の接合装置。支持基板に対する予備加熱を行う際、前記熱処理板と被処理基板との間の距離は0.4mm以上であることを特徴とする、請求項19に記載の接合装置。前記支持基板を前記第2の保持部に搬送する搬送アームを有し、前記第2の保持部に支持基板を吸着保持する前に、前記搬送アームによって前記第2の保持部の下方に支持基板を位置させた状態で、当該第2の保持部の加熱機構で支持基板を予備加熱することを特徴とする、請求項13~18のいずれかに記載の接合装置。前記第1の保持部の下方に設けられ、当該第1の保持部を挿通して昇降自在且つ被処理基板を支持する昇降ピンを有し、前記第2の保持部に支持基板を吸着保持する前に、前記昇降ピンによって前記第2の保持部の下方に支持基板を位置させた状態で、当該第2の保持部の加熱機構で支持基板を予備加熱することを特徴とする、請求項13~18のいずれかに記載の接合装置。支持基板に対する予備加熱を行う際、前記第2の保持部と支持基板との間の距離は0.4mm以上であることを特徴とする、請求項21又は22に記載の接合装置。請求項13~23のいずれかに記載の接合装置を備えた接合システムであって、前記接合装置と、被処理基板又は支持基板に接着剤を塗布する塗布装置と、前記接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板を所定の温度に加熱する熱処理装置と、前記塗布装置、前記熱処理装置及び前記接合装置に対して、被処理基板、支持基板、又は被処理基板と支持基板が接合された重合基板を搬送するための搬送領域と、を有する処理ステーションと、被処理基板、支持基板又は重合基板を、前記処理ステーションに対して搬入出する搬入出ステーションと、を有していることを特徴とする、接合システム。しかしながら、特許文献1に記載の貼り合わせ装置を用いた場合、接着剤を加熱する際、常温のウェハも急速に加熱されることになる。そうすると、ウェハが熱膨張し、当該ウェハと第一保持部材が擦れ合いパーティクルが発生する。そして、このパーティクルによってウェハと支持基板の貼り合わせが適切に行われない場合があった。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板を接合する際のパーティクルの発生を抑制し、当該被処理基板と支持基板の接合を適切に行うこと目的とする。前記の目的を達成するため、本発明は、対向配置された第1の保持部と第2の保持部に、夫々被処理基板と支持基板を吸着保持させ、各保持部の加熱機構で各基板を加熱した状態で第2の保持部を第1の保持部側に押圧して、被処理基板と支持基板を接合する接合方法において、前記第1の保持部に被処理基板を吸着保持する前に、少なくとも当該被処理基板を予備加熱することを特徴としている。本発明によれば、被処理基板を予備加熱しているので、その後、第1の保持部に被処理基板を吸着保持して加熱しても、当該被処理基板の熱膨張を抑制することができる。このため、常温の被処理基板を第1の保持部で加熱する従来の場合に比べて、予備加熱された被処理基板を第1の保持部で加熱する場合の方が、被処理基板と第1の保持部が擦れ合って発生するパーティクルを抑制することができる。したがって、被処理基板と支持基板の接合を適切に行うことができる。被処理基板に対する予備加熱は、前記第1の保持部の上方に被処理基板を位置させた状態で、当該第1の保持部の加熱機構で被処理基板を加熱して行ってもよい。被処理基板に対する予備加熱を行う際、前記第1の保持部と被処理基板との間の距離は0.4mm以上であってもよい。また、被処理基板に対する予備加熱は、前記第1の保持部と異なる場所に設けられた熱処理板で被処理基板を加熱して行ってもよい。被処理基板に対する予備加熱を行う際、前記熱処理板と被処理基板との間の距離は0.4mm以上であってもよい。被処理基板に対する予備加熱は、不活性ガス雰囲気で行ってもよい。前記第2の保持部に支持基板を吸着保持する前に、前記第2の保持部と異なる場所に設けられた熱処理板で支持基板を予備加熱してもよい。支持基板に対する予備加熱を行う際、前記熱処理板と被処理基板との間の距離は0.4mm以上であってもよい。また、前記第2の保持部に支持基板を吸着保持する前に、前記第2の保持部の下方に支持基板を位置させた状態で、当該第2の保持部の加熱機構で支持基板を予備加熱してもよい。支持基板に対する予備加熱を行う際、前記第2の保持部と支持基板との間の距離は0.4mm以上であってもよい。別な観点による本発明によれば、前記接合方法を接合装置によって実行させるために、当該接合装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。さらに別な観点による本発明は、被処理基板を吸着保持する第1の保持部と、第1の保持部に対向配置され、支持基板を吸着保持する第2の保持部とを備え、各保持部の加熱機構で各基板を加熱した状態で第2の保持部を第1の保持部側に押圧して、被処理基板と支持基板を接合する接合装置において、前記第1の保持部に被処理基板を吸着保持する前に、少なくとも当該被処理基板を予備加熱する予備加熱部を有することを特徴としている。前記接合装置は、前記第1の保持部の下方に設けられ、当該第1の保持部を挿通して昇降自在且つ被処理基板を支持する昇降ピンを有し、前記予備加熱部は前記第1の保持部であって、被処理基板に対する予備加熱は、前記昇降ピンによって前記第1の保持部の上方に被処理基板を位置させた状態で、当該第1の保持部の加熱機構で被処理基板を加熱して行われてもよい。被処理基板に対する予備加熱を行う際、前記第1の保持部と被処理基板との間の距離は0.4mm以上であってもよい。前記予備加熱部は、被処理基板を加熱する熱処理板を有し、被処理基板に対する予備加熱は、前記熱処理板で被処理基板を加熱して行われてもよい。前記予備加熱部は、前記熱処理板上に設けられ、被処理基板を支持する支持ピンを有し、前記支持ピンによって支持された被処理基板に対する予備加熱を行う際、前記熱処理板と被処理基板との間の距離は0.4mm以上であってもよい。被処理基板に対する予備加熱は、不活性ガス雰囲気で行われてもよい。前記接合装置は、支持基板を加熱する熱処理板を有し、前記第2の保持部に支持基板を吸着保持する前に、前記熱処理板で支持基板を予備加熱してもよい。支持基板に対する予備加熱を行う際、前記熱処理板と被処理基板との間の距離は0.4mm以上であってもよい。前記接合装置は、前記支持基板を前記第2の保持部に搬送する搬送アームを有し、前記第2の保持部に支持基板を吸着保持する前に、前記搬送アームによって前記第2の保持部の下方に支持基板を位置させた状態で、当該第2の保持部の加熱機構で支持基板を予備加熱してもよい。また、前記接合装置は、前記第1の保持部の下方に設けられ、当該第1の保持部を挿通して昇降自在且つ被処理基板を支持する昇降ピンを有し、前記第2の保持部に支持基板を吸着保持する前に、前記昇降ピンによって前記第2の保持部の下方に支持基板を位置させた状態で、当該第2の保持部の加熱機構で支持基板を予備加熱してもよい。支持基板に対する予備加熱を行う際、前記第2の保持部と支持基板との間の距離は0.4mm以上であってもよい。前記接合装置と、被処理基板又は支持基板に接着剤を塗布する塗布装置と、前記接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板を所定の温度に加熱する熱処理装置と、前記塗布装置、前記熱処理装置及び前記接合装置に対して、被処理基板、支持基板、又は被処理基板と支持基板が接合された重合基板を搬送するための搬送領域と、を有する処理ステーションと、被処理基板、支持基板又は重合基板を、前記処理ステーションに対して搬入出する搬入出ステーションと、を有していることを特徴としている。本発明によれば、被処理基板と支持基板を接合する際のパーティクルの発生を抑制し、当該被処理基板と支持基板の接合を適切に行うことができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる接合システム1の構成の概略を示す平面図である。図2は、接合システム1の内部構成の概略を示す側面図である。接合システム1では、図3に示すように例えば接着剤Gを介して、被処理基板としての被処理ウェハWと支持基板としての支持ウェハSとを接合する。以下、被処理ウェハWにおいて、接着剤Gを介して支持ウェハSと接合される面を表面としての接合面WJといい、当該接合面WJと反対側の面を裏面としての非接合面WNという。同様に、支持ウェハSにおいて、接着剤Gを介して被処理ウェハWと接合される面を表面としての接合面SJといい、接合面SJと反対側の面を裏面としての非接合面SNという。そして、接合システム1では、被処理ウェハWと支持ウェハSを接合して、重合基板としての重合ウェハTを形成する。なお、被処理ウェハWは、製品となるウェハであって、例えば接合面WJに複数の電子回路が形成されており、非接合面WNが研磨処理される。また、支持ウェハSは、被処理ウェハWの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハWを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。接合システム1は、図1に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTをそれぞれ収容可能なカセットCW、CS、CTが搬入出される搬入出ステーション2と、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション3とを一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10には、複数、例えば4つのカセット載置板11が設けられている。カセット載置板11は、X方向図1中の上下方向に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板11には、接合システム1の外部に対してカセットCW、CS、CTを搬入出する際に、カセットCW、CS、CTを載置することができる。このように搬入出ステーション2は、複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板11の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、カセットの1つを不具合ウェハの回収用として用いてもよい。すなわち、種々の要因で被処理ウェハWと支持ウェハSとの接合に不具合が生じたウェハを、他の正常な重合ウェハTと分離することができるカセットである。本実施の形態においては、複数のカセットCTのうち、1つのカセットCTを不具合ウェハの回収用として用い、他方のカセットCTを正常な重合ウェハTの収容用として用いている。搬入出ステーション2には、カセット載置台10に隣接してウェハ搬送部20が設けられている。ウェハ搬送部20には、X方向に延伸する搬送路21上を移動自在なウェハ搬送装置22が設けられている。ウェハ搬送装置22は、鉛直方向及び鉛直軸周りθ方向にも移動自在であり、各カセット載置板11上のカセットCW、CS、CTと、後述する処理ステーション3の第3の処理ブロックG3のトランジション装置50、51との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。処理ステーション3には、各種処理装置を備えた複数例えば3つの処理ブロックG1、G2、G3が設けられている。例えば処理ステーション3の正面側図1中のX方向負方向側には、第1の処理ブロックG1が設けられ、処理ステーション3の背面側図1中のX方向正方向側には、第2の処理ブロックG2が設けられている。また、処理ステーション3の搬入出ステーション2側図1中のY方向負方向側には、第3の処理ブロックG3が設けられている。例えば第1の処理ブロックG1には、接着剤Gを介して被処理ウェハWと支持ウェハSとを押圧して接合する接合装置30~33が、搬入出ステーション2側からこの順でY方向に並べて配置されている。例えば第2の処理ブロックG2には、図2に示すように被処理ウェハWに接着剤Gを塗布する塗布装置40と、接着剤Gが塗布された被処理ウェハWを所定の温度に加熱する熱処理装置41~43と、同様の熱処理装置44~46とが、搬入出ステーション2側に向かう方向図1中のY方向負方向にこの順で並べて配置されている。熱処理装置41~43と熱処理装置44~46は、それぞれ下からこの順で3段に設けられている。なお、熱処理装置41~46の装置数や鉛直方向及び水平方向の配置は任意に設定することができる。例えば第3の処理ブロックG3には、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTのトランジション装置50、51が下からこの順で2段に設けられている。図1に示すように第1の処理ブロックG1~第3の処理ブロックG3に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域60が形成されている。ウェハ搬送領域60には、例えばウェハ搬送装置61が配置されている。なお、ウェハ搬送領域60内の圧力は大気圧以上であり、当該ウェハ搬送領域60において、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTのいわゆる大気系の搬送が行われる。ウェハ搬送装置61は、例えば鉛直方向、水平方向Y方向、X方向及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置61は、ウェハ搬送領域60内を移動し、周囲の第1の処理ブロックG1、第2の処理ブロックG2及び第3の処理ブロックG3内の所定の装置に被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。次に、上述した接合装置30~33の構成について説明する。接合装置30は、図4に示すように内部を密閉可能な処理容器100を有している。処理容器100のウェハ搬送領域60側の側面には、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの搬入出口101が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ図示せずが設けられている。処理容器100の内部は、内壁102によって、前処理領域D1と接合領域D2に区画されている。上述した搬入出口101は、前処理領域D1における処理容器100の側面に形成されている。また、内壁102にも、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの搬入出口103が形成されている。前処理領域D1には、接合装置30の外部との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを受け渡すための受渡部110が設けられている。受渡部110は、搬入出口101に隣接して配置されている。また受渡部110は、後述するように鉛直方向に複数、例えば2段配置され、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTのいずれか2つを同時に受け渡すことができる。例えば一の受渡部110で接合前の被処理ウェハW又は支持ウェハSを受け渡し、他の受渡部110で接合後の重合ウェハTを受け渡してもよい。あるいは、一の受渡部110で接合前の被処理ウェハWを受け渡し、他の受渡部110で接合前の支持ウェハSを受け渡してもよい。前処理領域D1のY方向負方向側、すなわち搬入出口103側において、受渡部110の鉛直上方には、例えば支持ウェハSの表裏面を反転させる反転部111が設けられている。なお、反転部111は、後述するように支持ウェハSの水平方向の向きを調節することもでき、また被処理ウェハWの水平方向の向きを調節することもできる。接合領域D2のY方向正方向側には、受渡部110、反転部111、後述する予備加熱部113及び接合部114に対して、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送する搬送部112が設けられている。搬送部112は、搬入出口103に取り付けられている。搬送領域D2のX方向負方向側には、支持ウェハSを所定の温度に予備加熱する予備加熱部113が設けられている。接合領域D2のY方向負方向側には、接着剤Gを介して被処理ウェハWと支持ウェハSとを押圧して接合する接合部114が設けられている。次に、上述した受渡部110の構成について説明する。受渡部110は、図5に示すように受渡アーム120とウェハ支持ピン121とを有している。受渡アーム120は、接合装置30の外部、すなわちウェハ搬送装置61とウェハ支持ピン121との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを受け渡すことができる。ウェハ支持ピン121は、複数、例えば3箇所に設けられ、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを支持することができる。受渡アーム120は、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを保持するアーム部130と、例えばモータなどを備えたアーム駆動部131とを有している。アーム部130は、略円板形状を有している。アーム駆動部131は、アーム部130をX方向図5中の上下方向に移動させることができる。またアーム駆動部131は、Y方向図5中の左右方向に延伸するレール132に取り付けられ、当該レール132上を移動可能に構成されている。かかる構成により、受渡アーム120は、水平方向X方向及びY方向に移動可能となっており、ウェハ搬送装置61及びウェハ支持ピン121との間で、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを円滑に受け渡すことができる。アーム部130上には、図6及び図7に示すように被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを支持するウェハ支持ピン140が複数、例えば4箇所に設けられている。またアーム部130上には、ウェハ支持ピン140に支持された被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの位置決めを行うガイド141が設けられている。ガイド141は、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの側面をガイドするように複数、例えば4箇所に設けられている。アーム部130の外周には、図5及び図6に示すように切り欠き142が例えば4箇所に形成されている。この切り欠き142により、ウェハ搬送装置61の搬送アームから受渡アーム120に被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを受け渡す際に、当該ウェハ搬送装置61の搬送アームがアーム部130と干渉するのを防止できる。アーム部130には、X方向に沿った2本のスリット143が形成されている。スリット143は、アーム部130のウェハ支持ピン121側の端面からアーム部130の中央部付近まで形成されている。このスリット143により、アーム部130がウェハ支持ピン121と干渉するのを防止できる。次に、上述した反転部111の構成について説明する。反転部111は、図8~図10に示すように支持ウェハS、被処理ウェハWを保持する保持アーム150を有している。保持アーム150は、水平方向図8及び図9中のX方向に延伸している。また保持アーム150には、支持ウェハS、被処理ウェハWを保持する保持部材151が例えば4箇所に設けられている。保持部材151は、図11に示すように保持アーム150に対して水平方向に移動可能に構成されている。また保持部材151の側面には、支持ウェハS、被処理ウェハWの外周部を保持するための切り欠き152が形成されている。そして、これら保持部材151は、支持ウェハS、被処理ウェハWを挟み込んで保持することができる。保持アーム150は、図8~図10に示すように例えばモータなどを備えた第1の駆動部153に支持されている。この第1の駆動部153によって、保持アーム150は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向図8及び図9中のX方向、図8及び図10のY方向に移動できる。なお、第1の駆動部153は、保持アーム150を鉛直軸周りに回動させて、当該保持アーム150を水平方向に移動させてもよい。第1の駆動部153の下方には、例えばモータなどを備えた第2の駆動部154が設けられている。この第2の駆動部154によって、第1の駆動部153は鉛直方向に延伸する支持柱155に沿って鉛直方向に移動できる。このように第1の駆動部153と第2の駆動部154によって、保持部材151に保持された支持ウェハS、被処理ウェハWは、水平軸周りに回動できると共に鉛直方向及び水平方向に移動できる。支持柱155には、保持部材151に保持された支持ウェハS、被処理ウェハWの水平方向の向きを調節する位置調節機構160が支持板161を介して支持されている。位置調節機構160は、保持アーム150に隣接して設けられている。位置調節機構160は、基台162と、支持ウェハS、被処理ウェハWのノッチ部の位置を検出する検出部163とを有している。そして、位置調節機構160では、保持部材151に保持された支持ウェハS、被処理ウェハWを水平方向に移動させながら、検出部163で支持ウェハS、被処理ウェハWのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節して支持ウェハS、被処理ウェハWの水平方向の向きを調節している。なお、図12に示すように、以上のように構成された受渡部110は鉛直方向に2段に配置され、またこれら受渡部110の鉛直上方に反転部111が配置される。すなわち、受渡部110の受渡アーム120は、反転部111の保持アーム150と位置調節機構160の下方において水平方向に移動する。また、受渡部110のウェハ支持ピン121は、反転部111の保持アーム150の下方に配置されている。次に、上述した搬送部112の構成について説明する。搬送部112は、図13に示すように複数、例えば2本の搬送アーム170、171を有している。第1の搬送アーム170と第2の搬送アーム171は、鉛直方向に下からこの順で2段に配置されている。なお、第1の搬送アーム170と第2の搬送アーム171は、後述するように異なる形状を有している。搬送アーム170、171の基端部には、例えばモータなどを備えたアーム駆動部172が設けられている。このアーム駆動部172によって、各搬送アーム170、171は独立して水平方向に移動できる。これら搬送アーム170、171とアーム駆動部172は、基台173に支持されている。搬送部112は、図4及び図14に示すように処理容器100の内壁102に形成された搬入出口103に設けられている。そして、搬送部112は、例えばモータなどを備えた駆動部図示せずによって搬入出口103に沿って鉛直方向に移動できる。第1の搬送アーム170は、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの裏面被処理ウェハW、支持ウェハSにおいては非接合面WN、SNを保持して搬送する。第1の搬送アーム170は、図15に示すように先端が2本の先端部180a、180aに分岐したアーム部180と、このアーム部180と一体に形成され、且つアーム部180を支持する支持部181とを有している。アーム部180上には、図15及び図16に示すように樹脂製のOリング182が複数、例えば4箇所に設けられている。このOリング182が被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの裏面と接触し、当該Oリング182と被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの裏面との間の摩擦力によって、Oリング182は被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの裏面を保持する。そして、第1の搬送アーム170は、Oリング182上に被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを水平に保持することができる。またアーム部180上には、Oリング182に保持された被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの外側に設けられたガイド部材183、184が設けられている。第1のガイド部材183は、アーム部180の先端部180aの先端に設けられている。第2のガイド部材184は、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの外周に沿った円弧状に形成され、支持部181側に設けられている。これらガイド部材183、184によって、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTが第1の搬送アーム170から飛び出したり、滑落するのを防止することができる。なお、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTがOリング182に適切な位置で保持されている場合、当該被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTはガイド部材183、184と接触しない。第2の搬送アーム171は、例えば支持ウェハSの表面、すなわち接合面SJの外周部を保持して搬送する。すなわち、第2の搬送アーム171は、反転部111で表裏面が反転された支持ウェハSの接合面SJの外周部を保持して搬送する。第2の搬送アーム171は、図17に示すように先端が2本の先端部190a、190aに分岐したアーム部190と、このアーム部190と一体に形成され、且つアーム部190を支持する支持部191とを有している。アーム部190上には、図17及び図18に示すように第2の保持部材192が複数、例えば4箇所に設けられている。第2の保持部材192は、支持ウェハSの接合面SJの外周部を載置する載置部193と、当該載置部193から上方に延伸し、内側面が下側から上側に向かってテーパ状に拡大しているテーパ部194とを有している。載置部193は、支持ウェハSの周縁から例えば1mm以内の外周部を保持する。また、テーパ部194の内側面が下側から上側に向かってテーパ状に拡大しているため、例えば第2の保持部材192に受け渡される支持ウェハSが水平方向に所定の位置からずれていても、支持ウェハSはテーパ部194に円滑にガイドされて位置決めされ、載置部193に保持される。そして、第2の搬送アーム171は、第2の保持部材192上に支持ウェハSを水平に保持することができる。なお、図19に示すように、後述する接合部114の第2の保持部221には切り欠き221aが例えば4箇所に形成されている。この切り欠き221aにより、第2の搬送アーム171から第2の保持部221に支持ウェハSを受け渡す際に、第2の搬送アーム171の第2の保持部材192が第2の保持部221に干渉するのを防止することができる。次に、上述した予備加熱部113の構成について説明する。予備加熱部113は、図20に示すように熱処理板としての熱板200を収容して熱板200の外周部を保持する環状の保持部材201と、その保持部材201の外周を囲む略筒状のサポートリング202を備えている。熱板200上には、支持ウェハSを支持するための支持ピン203が複数箇所、例えば3箇所に設けられている。この支持ピン203によって、支持ウェハSと熱板200との距離H1は0.4mm以上、本実施の形態では0.4mmに維持される。また、熱板200は、厚みのある略円盤形状を有し、支持ピン203を介して支持ウェハSを加熱することができる。また、熱板200には、例えば加熱機構204が内蔵されている。加熱機構204には、例えばヒータが用いられる。熱板200の加熱温度は例えば制御部400により制御され、熱板200上に載置された支持ウェハSが所定の温度に加熱される。熱板200の下方には、被処理ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン210が例えば3本設けられている。昇降ピン210は、昇降駆動部211により上下動できる。熱板200の中央部付近には、当該熱板200を厚み方向に貫通する貫通孔212が例えば3箇所に形成されている。そして、昇降ピン210は貫通孔212を挿通し、熱板200の上面から突出可能になっている。次に、上述した接合部114の構成について説明する。接合部114は、図21に示すように被処理ウェハWを上面で載置して保持する第1の保持部220と、支持ウェハSを下面で吸着保持する第2の保持部221とを有している。第1の保持部220は、第2の保持部221の下方に設けられ、第2の保持部221と対向するように配置されている。すなわち、第1の保持部220に保持された被処理ウェハWと第2の保持部221に保持された支持ウェハSは対向して配置されている。第1の保持部220の内部には、被処理ウェハWを吸着保持するための吸引管230が設けられている。吸引管230は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置図示せずに接続されている。なお、第1の保持部220には、後述する加圧機構300により荷重がかけられても変形しない強度を有する材料、例えば炭化ケイ素セラミックや窒化アルミセラミックなどのセラミックが用いられる。また、第1の保持部220の内部には、被処理ウェハWを加熱する加熱機構231が設けられている。加熱機構231には、例えばヒータが用いられる。第1の保持部220の下方には、第1の保持部220及び被処理ウェハWを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構240が設けられている。移動機構240は、第1の保持部220を例えば±1μmの精度で3次元移動させることができる。移動機構240は、第1の保持部220を鉛直方向に移動させる鉛直移動部241と、第1の保持部220を水平方向に移動させる水平移動部242とを有している。鉛直移動部241と水平移動部242は、例えばボールネジ図示せずと当該ボールネジを回動させるモータ図示せずとをそれぞれ有している。水平移動部242上には、鉛直方向に伸縮自在の支持部材243が設けられている。支持部材243は、第1の保持部220の外側に例えば3箇所に設けられている。そして、支持部材243は、図22に示すように第2の保持部221の外周下面から下方に突出して設けられた突出部270を支持することができる。以上の移動機構240では、第1の保持部220上の被処理ウェハWの水平方向の位置合わせを行うことができると共に、図22に示すように第1の保持部220を上昇させて、被処理ウェハWと支持ウェハSを接合するための接合空間Rを形成することができる。この接合空間Rは、第1の保持部220、第2の保持部221及び突出部270に囲まれた空間である。また、接合空間Rを形成する際、支持部材243の高さを調整することにより、接合空間Rにおける被処理ウェハWと支持ウェハS間の鉛直方向の距離を調整することができる。また、第1の保持部220の下方には、図21に示すように被処理ウェハW又は重合ウェハTを下方から支持し昇降させるための昇降ピン250が例えば3箇所に設けられている。昇降ピン250は、駆動部251により上下動できる。駆動部251は、例えばボールネジ図示せずと当該ボールネジを回動させるモータ図示せずとを有している。また、第1の保持部220の中央部付近には、第1の保持部220を厚み方向に貫通する貫通孔252が例えば3箇所に形成されている。そして、昇降ピン250は貫通孔252を挿通し、第1の保持部220の上面から突出可能になっている。また、第1の保持部220の側方には、当該第1の保持部220に保持された被処理ウェハWに例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給するガス供給管260が複数箇所に設けられている。ガス供給管260は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源261に連通している。また、ガス供給管260には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群262が設けられている。第2の保持部221には、弾性体である例えばアルミニウムが用いられる。そして、第2の保持部221は、後述するように第2の保持部221の全面に所定の圧力、例えば0.7気圧=0.07MPaがかかると、その一箇所、例えば中心部が撓むように構成されている。第2の保持部221の外周下面には、当該外周下面から下方に突出する上述の突出部270が形成されている。突出部270は、第2の保持部221の外周に沿って形成されている。なお、突出部270は、第2の保持部221と一体に形成されていてもよい。突出部270の下面には、接合空間Rの気密性を保持するためのシール材271が設けられている。シール材271は、突出部270の下面に形成された溝に環状に設けられ、例えばOリングが用いられる。また、シール材271は弾性を有している。なお、シール材271は、シール機能を有する部品であればよく、本実施の形態に限定されるものではない。第2の保持部221の内部には、支持ウェハSを吸着保持するための吸引管280が設けられている。吸引管280は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置図示せずに接続されている。また、第2の保持部221の内部には、接合空間Rの雰囲気を吸気するための吸気管281が設けられている。吸気管281の一端は、第2の保持部221の下面における支持ウェハSが保持されない場所において開口している。また、吸気管281の他端は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置図示せずに接続されている。さらに、第2の保持部221の内部には、支持ウェハSを加熱する加熱機構282を有している。加熱機構282には、例えばヒータが用いられる。第2の保持部221の上面には、当該第2の保持部221を支持する支持部材290と第2の保持部221を鉛直下方に押圧する加圧機構300が設けられている。加圧機構300は、被処理ウェハWと支持ウェハSを覆うように設けられた圧力容器301と、圧力容器301の内部に流体、例えば圧縮空気を供給する流体供給管302と、を有している。また、支持部材290は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、圧力容器301の外側に例えば3箇所に設けられている。圧力容器301は、例えば鉛直方向に伸縮自在の例えばステンレス製のベローズにより構成されている。圧力容器301は、その下面が第2の保持部221の上面に当接すると共に、上面が第2の保持部221の上方に設けられた支持板303の下面に当接している。流体供給管302は、その一端が圧力容器301に接続され、他端が流体供給源図示せずに接続されている。そして、圧力容器301に流体供給管302から流体を供給することで、圧力容器301が伸長する。この際、圧力容器301の上面と支持板303の下面とが当接しているので、圧力容器301は下方向にのみ伸長し、圧力容器301の下面に設けられた第2の保持部221を下方に押圧することができる。またこの際、圧力容器301の内部は流体により加圧されているので、圧力容器301は第2の保持部221を面内均一に押圧することができる。第2の保持部221を押圧する際の荷重の調節は、圧力容器301に供給する圧縮空気の圧力を調整することで行われる。なお、支持板303は、加圧機構300により第2の保持部221にかかる荷重の反力を受けても変形しない強度を有する部材により構成されているのが好ましい。なお、本実施の形態の支持板303を省略し、圧力容器301の上面を処理容器100の天井面に当接させてもよい。なお、接合装置31~33の構成は、上述した接合装置30の構成と同様であるので説明を省略する。次に、上述した塗布装置40の構成について説明する。塗布装置40は、図23に示すように内部を密閉可能な処理容器310を有している。処理容器310のウェハ搬送領域60側の側面には、被処理ウェハWの搬入出口図示せずが形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ図示せずが設けられている。処理容器310内の中央部には、被処理ウェハWを保持して回転させるスピンチャック320が設けられている。スピンチャック320は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば被処理ウェハWを吸引する吸引口図示せずが設けられている。この吸引口からの吸引により、被処理ウェハWをスピンチャック320上に吸着保持できる。スピンチャック320の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部321が設けられている。スピンチャック320は、チャック駆動部321により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部321には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック320は昇降自在になっている。スピンチャック320の周囲には、被処理ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ322が設けられている。カップ322の下面には、回収した液体を排出する排出管323と、カップ322内の雰囲気を真空引きして排気する排気管324が接続されている。図24に示すようにカップ322のX方向負方向図24中の下方向側には、Y方向図24中の左右方向に沿って延伸するレール330が形成されている。レール330は、例えばカップ322のY方向負方向図24中の左方向側の外方からY方向正方向図24中の右方向側の外方まで形成されている。レール330には、アーム331が取り付けられている。アーム331には、図23及び図24に示すように被処理ウェハWに液体状の接着剤Gを供給する接着剤ノズル332が支持されている。アーム331は、図24に示すノズル駆動部333により、レール330上を移動自在である。これにより、接着剤ノズル332は、カップ322のY方向正方向側の外方に設置された待機部334からカップ322内の被処理ウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハW上を被処理ウェハWの径方向に移動できる。また、アーム331は、ノズル駆動部333によって昇降自在であり、接着剤ノズル332の高さを調節できる。接着剤ノズル332には、図23に示すように当該接着剤ノズル332に接着剤Gを供給する供給管335が接続されている。供給管335は、内部に接着剤Gを貯留する接着剤供給源336に連通している。また、供給管335には、接着剤Gの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群337が設けられている。なお、スピンチャック320の下方には、被処理ウェハWの裏面、すなわち非接合面WNに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル図示せずが設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、被処理ウェハWの非接合面WNと被処理ウェハWの外周部が洗浄される。次に、上述した熱処理装置41~46の構成について説明する。熱処理装置41は、図25に示すように内部を閉鎖可能な処理容器340を有している。処理容器340のウェハ搬送領域60側の側面には、被処理ウェハWの搬入出口図示せずが形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ図示せずが設けられている。処理容器340の天井面には、当該処理容器340の内部に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給するガス供給口341が形成されている。ガス供給口341には、ガス供給源342に連通するガス供給管343が接続されている。ガス供給管343には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群344が設けられている。処理容器340の底面には、当該処理容器340の内部の雰囲気を吸引する吸気口345が形成されている。吸気口345には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置346に連通する吸気管347が接続されている。処理容器340の内部には、被処理ウェハWを加熱処理する加熱部350と、被処理ウェハWを温度調節する温度調節部351が設けられている。加熱部350と温度調節部351はY方向に並べて配置されている。加熱部350は、熱板360を収容して熱板360の外周部を保持する環状の保持部材361と、その保持部材361の外周を囲む略筒状のサポートリング362を備えている。熱板360は、厚みのある略円盤形状を有し、被処理ウェハWを載置して加熱することができる。また、熱板360には、例えばヒータ363が内蔵されている。熱板360の加熱温度は例えば制御部400により制御され、熱板360上に載置された被処理ウェハWが所定の温度に加熱される。熱板360の下方には、被処理ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン370が例えば3本設けられている。昇降ピン370は、昇降駆動部371により上下動できる。熱板360の中央部付近には、当該熱板360を厚み方向に貫通する貫通孔372が例えば3箇所に形成されている。そして、昇降ピン370は貫通孔372を挿通し、熱板360の上面から突出可能になっている。温度調節部351は、温度調節板380を有している。温度調節板380は、図26に示すように略方形の平板形状を有し、熱板360側の端面が円弧状に湾曲している。温度調節板380には、Y方向に沿った2本のスリット381が形成されている。スリット381は、温度調節板380の熱板360側の端面から温度調節板380の中央部付近まで形成されている。このスリット381により、温度調節板380が、加熱部350の昇降ピン370及び後述する温度調節部351の昇降ピン390と干渉するのを防止できる。また、温度調節板380には、例えばペルチェ素子などの温度調節部材図示せずが内蔵されている。温度調節板380の冷却温度は例えば制御部400により制御され、温度調節板380上に載置された被処理ウェハWが所定の温度に冷却される。温度調節板380は、図25に示すように支持アーム382に支持されている。支持アーム382には、駆動部383が取り付けられている。駆動部383は、Y方向に延伸するレール384に取り付けられている。レール384は、温度調節部351から加熱部350まで延伸している。この駆動部383により、温度調節板380は、レール384に沿って加熱部350と温度調節部351との間を移動可能になっている。温度調節板380の下方には、被処理ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン390が例えば3本設けられている。昇降ピン390は、昇降駆動部391により上下動できる。そして、昇降ピン390はスリット381を挿通し、温度調節板380の上面から突出可能になっている。なお、熱処理装置42~46の構成は、上述した熱処理装置41の構成と同様であるので説明を省略する。また、熱処理装置41~46では、重合ウェハTの温度調節もすることができる。さらに、重合ウェハTの温度調節をするために、温度調節装置図示せずを設けてもよい。温度調節装置は、上述した熱処理装置41と同様の構成を有し、熱板330に代えて、温度調節板が用いられる。温度調節板の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材が設けられており、温度調節板を設定温度に調節できる。以上の接合システム1には、図1に示すように制御部400が設けられている。制御部400は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部図示せずを有している。プログラム格納部には、接合システム1における被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、接合システム1における後述の接合処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスクHD、フレキシブルディスクFD、コンパクトディスクCD、マグネットオプティカルデスクMO、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部400にインストールされたものであってもよい。次に、以上のように構成された接合システム1を用いて行われる被処理ウェハWと支持ウェハSの接合処理方法について説明する。図27は、かかる接合処理の主な工程の例を示すフローチャートである。先ず、複数枚の被処理ウェハWを収容したカセットCW、複数枚の支持ウェハSを収容したカセットCS、及び空のカセットCTが、搬入出ステーション2の所定のカセット載置板11に載置される。その後、ウェハ搬送装置22によりカセットCW内の被処理ウェハWが取り出され、処理ステーション3の第3の処理ブロックG3のトランジション装置50に搬送される。このとき、被処理ウェハWは、その非接合面WNが下方を向いた状態で搬送される。次に被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61によって塗布装置40に搬送される。塗布装置40に搬入された被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61からスピンチャック320に受け渡され吸着保持される。このとき、被処理ウェハWの非接合面WNが吸着保持される。続いて、アーム331によって待機部334の接着剤ノズル332を被処理ウェハWの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック320によって被処理ウェハWを回転させながら、接着剤ノズル332から被処理ウェハWの接合面WJに接着剤Gを供給する。供給された接着剤Gは遠心力により被処理ウェハWの接合面WJの全面に拡散されて、当該被処理ウェハWの接合面WJに接着剤Gが塗布される図27の工程A1。次に被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61によって熱処理装置41に搬送される。このとき熱処理装置41の内部は、不活性ガスの雰囲気に維持されている。熱処理装置41に被処理ウェハWが搬入されると、重合ウェハTはウェハ搬送装置61から予め上昇して待機していた昇降ピン390に受け渡される。続いて昇降ピン390を下降させ、被処理ウェハWを温度調節板380に載置する。その後、駆動部383により温度調節板380をレール384に沿って熱板360の上方まで移動させ、被処理ウェハWは予め上昇して待機していた昇降ピン370に受け渡される。その後、昇降ピン370が下降して、被処理ウェハWが熱板360上に載置される。そして、熱板360上の被処理ウェハWは、所定の温度、例えば100°C~300°Cに加熱される図27の工程A2。かかる熱板360による加熱を行うことで被処理ウェハW上の接着剤Gが加熱され、当該接着剤Gが硬化する。その後、昇降ピン370が上昇すると共に、温度調節板380が熱板360の上方に移動する。続いて被処理ウェハWが昇降ピン370から温度調節板380に受け渡され、温度調節板380がウェハ搬送領域60側に移動する。この温度調節板380の移動中に、被処理ウェハWは所定の温度、例えば常温23°Cに温度調節される。熱処理装置41で熱処理された被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61によって接合装置30に搬送される。接合装置30に搬送された被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61から受渡部110の受渡アーム120に受け渡された後、さらに受渡アーム120からウェハ支持ピン121に受け渡される。その後、被処理ウェハWは、搬送部112の第1の搬送アーム170によってウェハ支持ピン121から反転部111に搬送される。反転部111に搬送された被処理ウェハWは、保持部材151に保持され、位置調節機構160に移動される。そして、位置調節機構160において、被処理ウェハWのノッチ部の位置を調節して、当該被処理ウェハWの水平方向の向きが調節される図27の工程A3。その後、被処理ウェハWは、搬送部112の第1の搬送アーム170によって反転部111から接合部114に搬送される。接合部114に搬送された被処理ウェハWは、第1の搬送アーム170から予め上昇して待機していた昇降ピン250に受け渡される。その後、昇降ピン250が下降して、図28に示すように被処理ウェハWは第1の保持部220の上方に配置される。このとき、被処理ウェハWと第1の保持部220との距離H2は0.4mm以上、本実施の形態では0.4mmに維持される。また、ガス供給管260から被処理ウェハWに対して不活性ガスが供給される。この不活性ガスによって、被処理ウェハWの接合面WJ接着剤Gが酸化されるのを抑制できる。そして、第1の保持部220の加熱機構231によって被処理ウェハWが所定の温度、例えば150°Cに予備加熱される図27の工程A4。なお、本実施の形態では、第1の保持部220が本発明の予熱加熱部として機能している。なお、工程A4において、被処理ウェハWと第1の保持部220との距離H2は0.4mm以上であるので、昇降ピン250によって被処理ウェハWを下降させても、当該被処理ウェハWと第1の保持部220との間にある空気によって被処理ウェハWの水平方向の位置がずれることがない。すなわち、工程A3で調節された被処理ウェハWの水平方向の向きが適切に維持される。その後、昇降ピン250がさらに下降して、被処理ウェハWは、第1の保持部220に載置される図27の工程A5。第1の保持部220上では、被処理ウェハWの接合面WJが上方を向いた状態、すなわち接着剤Gが上方を向いた状態で被処理ウェハWが載置される。被処理ウェハWに上述した工程A1~A5の処理が行われている間、当該被処理ウェハWに続いて支持ウェハSの処理が行われる。支持ウェハSは、ウェハ搬送装置61によって接合装置30に搬送される。なお、支持ウェハSが接合装置30に搬送される工程については、上記実施の形態と同様であるので説明を省略する。接合装置30に搬送された支持ウェハSは、ウェハ搬送装置61から受渡部110の受渡アーム120に受け渡された後、さらに受渡アーム120からウェハ支持ピン121に受け渡される。その後、支持ウェハSは、搬送部112の第1の搬送アーム170によってウェハ支持ピン121から反転部111に搬送される。反転部111に搬送された支持ウェハSは、保持部材151に保持され、位置調節機構160に移動される。そして、位置調節機構160において、支持ウェハSのノッチ部の位置を調節して、当該支持ウェハSの水平方向の向きが調節される図27の工程A6。水平方向の向きが調節された支持ウェハSは、位置調節機構160から水平方向に移動され、且つ鉛直方向上方に移動された後、その表裏面が反転される図27の工程A7。すなわち、支持ウェハSの接合面SJが下方に向けられる。その後、支持ウェハSは、鉛直方向下方に移動された後、搬送部112の第2の搬送アーム171によって反転部111から予備加熱部113に搬送される。このとき、第2の搬送アーム171は、支持ウェハSの接合面SJの外周部のみを保持しているので、例えば第2の搬送アーム171に付着したパーティクル等によって接合面SJが汚れることはない。予備加熱部113に搬送された支持ウェハSは、第2の搬送アーム171から予め上昇して待機していた昇降ピン210に受け渡される。その後、昇降ピン210が下降して、支持ウェハSは熱板200上の支持ピン203に支持される。このとき、支持ウェハSと熱板200との距離H1は0.4mm以上、本実施の形態では0.4mmに維持される。そして、熱板200の加熱機構204によって支持ウェハSが所定の温度、例えば150°Cに予備加熱される図27の工程A8。なお、支持ウェハSは最終的には被処理ウェハWから剥離されて製品には用いられないため、工程A8において支持ウェハSの酸化を抑制する必要はない。このため、工程A8では、工程A4のように支持ウェハSに不活性ガスを供給する必要はない。なお、工程A8において、支持ウェハSと熱板200との距離Hは0.4mm以上であるので、昇降ピン210によって支持ウェハSを下降させても、当該支持ウェハSと熱板200との間にある空気によって支持ウェハSの水平方向の位置がずれることがない。すなわち、工程A6で調節された支持ウェハSの水平方向の向きが適切に維持される。予備加熱部113で予備加熱された支持ウェハSは、搬送部112の第2の搬送アーム171によって接合部114に搬送される。接合部114に搬送された支持ウェハSは、第2の保持部221に吸着保持される図27の工程A9。第2の保持部221では、支持ウェハSの接合面SJが下方を向いた状態で支持ウェハSが保持される。接合装置30において、被処理ウェハWと支持ウェハSがそれぞれ第1の保持部220と第2の保持部221に保持されると、被処理ウェハWが支持ウェハSに対向するように、移動機構240により第1の保持部220の水平方向の位置が調整される図27の工程A10。なお、このとき、第2の保持部221と支持ウェハSとの間の圧力は例えば0.1気圧=0.01MPaである。また、第2の保持部221の上面にかかる圧力は大気圧である1.0気圧=0.1MPaである。この第2の保持部221の上面にかかる大気圧を維持するため、加圧機構300の圧力容器301内の圧力を大気圧にしてもよいし、第2の保持部221の上面と圧力容器301との間に隙間を形成してもよい。次に、図29に示すように移動機構240によって第1の保持部220を上昇させると共に、支持部材243を伸長させて第2の保持部221が支持部材243に支持される。この際、支持部材243の高さを調整することにより、被処理ウェハWと支持ウェハSとの鉛直方向の距離が所定の距離になるように調整される図27の工程A11。なお、この所定の距離は、シール材271が第1の保持部220に接触し、且つ後述するように第2の保持部221及び支持ウェハSの中心部が撓んだ際に、支持ウェハSの中心部が被処理ウェハWに接触する高さである。このようにして、第1の保持部220と第2の保持部221との間に密閉された接合空間Rが形成される。その後、吸気管281から接合空間Rの雰囲気を吸気する。そして、接合空間R内の圧力が例えば0.3気圧=0.03MPaに減圧されると、第2の保持部221には、第2の保持部221の上面にかかる圧力と接合空間R内の圧力との圧力差、すなわち0.7気圧=0.07MPaがかかる。そうすると、図30に示すように第2の保持部221の中心部が撓み、第2の保持部221に保持された支持ウェハSの中心部も撓む。なお、このように接合空間R内の圧力を0.3気圧=0.03MPaまで減圧しても、第2の保持部221と支持ウェハSとの間の圧力は0.1気圧=0.01MPaであるため、支持ウェハSは第2の保持部221に保持された状態を保っている。その後、さらに接合空間Rの雰囲気を吸気し、接合空間R内を減圧する。そして、接合空間R内の圧力が0.1気圧=0.01MPa以下になると、第2の保持部221が支持ウェハSを保持することができず、図31に示すように支持ウェハSは下方に落下して、支持ウェハSの接合面SJ全面が被処理ウェハWの接合面WJ全面に当接する。この際、支持ウェハSは、被処理ウェハWに当接した中心部から径方向外側に向かって順次当接する。すなわち、例えば接合空間R内にボイドとなりうる空気が存在している場合でも、空気は支持ウェハSが被処理ウェハWと当接している箇所より常に外側に存在することになり、当該空気を被処理ウェハWと支持ウェハSとの間から逃がすことができる。こうしてボイドの発生を抑制しつつ、被処理ウェハWと支持ウェハSは接着剤Gにより接着される図27の工程A12。その後、図32に示すように、支持部材243の高さを調整し、第2の保持部221の下面を支持ウェハSの非接合面SNに接触させる。このとき、シール材271が弾性変形し、第1の保持部220と第2の保持部221が密着する。そして、加熱機構231、282により被処理ウェハWと支持ウェハSを所定の温度、例えば200°C~250°Cで加熱しながら、加圧機構300により第2の保持部221を所定の圧力、例えば0.5MPaで下方に押圧する。そうすると、被処理ウェハWと支持ウェハSがより強固に接着され、接合される図27の工程A13。被処理ウェハWと支持ウェハSが接合された重合ウェハTは、搬送部112の第1の搬送アーム170によって接合部110から受渡部110に搬送される。受渡部110に搬送された重合ウェハTは、ウェハ支持ピン121を介して受渡アーム120に受け渡され、さらに受渡アーム120からウェハ搬送装置61に受け渡される。次に重合ウェハTは、ウェハ搬送装置61によって熱処理装置42に搬送される。そして、熱処理装置42において、重合ウェハTは所定の温度、例えば常温23°Cに温度調節される。その後、重合ウェハTは、ウェハ搬送装置61によってトランジション装置51に搬送され、その後搬入出ステーション2のウェハ搬送装置22によって所定のカセット載置板11のカセットCTに搬送される。こうして、一連の被処理ウェハWと支持ウェハSの接合処理が終了する。以上の実施の形態によれば、工程A4において被処理ウェハWを予備加熱しているので、その後、第1の保持部220に被処理ウェハWを吸着保持して加熱しても、当該被処理ウェハWの熱膨張を抑制することができる。このため、常温の被処理ウェハを第1の保持部で加熱する従来の場合に比べて、本実施の形態の方が、被処理ウェハWと第1の保持部220が擦れ合って発生するパーティクルを抑制することができる。同様に、工程A8において支持ウェハSを予備加熱しているので、その後、第2の保持部221に支持ウェハSを吸着保持して加熱しても、当該支持ウェハSの熱膨張を抑制することができる。このため、支持ウェハSと第2の保持部221が擦れ合って発生するパーティクルを抑制することができる。以上のように本実施形態によれば、パーティクルの発生を抑制することができるので、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合を適切に行うことができる。また、工程A5で被処理ウェハWを第1の保持部220に載置する直前に、工程A4において被処理ウェハWを予備加熱するので、予備加熱された被処理ウェハWの温度が低下することがない。また、被処理ウェハWの接合面WJ接着剤Gが酸化されるのを抑制できる。さらに、加熱されることによって流動性が向上した接着剤Gが、例えば搬送アーム等の機構に付着するのを抑制できる。このように被処理ウェハWを適切に予備加熱することができる。また、工程A4において、被処理ウェハWと第1の保持部220との距離H2は0.4mm以上であるので、その後昇降ピン250によって被処理ウェハWを下降させても、当該被処理ウェハWと第1の保持部220との間にある空気によって被処理ウェハWの水平方向の位置がずれることがない。すなわち、工程A3で調節された被処理ウェハWの水平方向の向きが適切に維持される。さらに、工程A8において、支持ウェハSと熱板200との距離Hは0.4mm以上であるので、昇降ピン210によって支持ウェハSを下降させても、当該支持ウェハSと熱板200との間にある空気によって支持ウェハSの水平方向の位置がずれることがない。すなわち、工程A6で調節された支持ウェハSの水平方向の向きが適切に維持される。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合をより適切に行うことができる。また、工程A4において、ガス供給管260から被処理ウェハWに対して不活性ガスが供給される。すなわち、被処理ウェハWに対する予備加熱は、不活性ガス雰囲気で行われる。このため、被処理ウェハWの接合面WJ接着剤Gが酸化されるのを抑制することができ、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合をさらに適切に行うことができる。また、接合システム1は、接合装置30~31、塗布装置40、熱処理装置41~46を有しているので、被処理ウェハWを順次処理して当該被処理ウェハWに接着剤Gを塗布して所定の温度に加熱すると共に、接合装置30において支持ウェハSの表裏面を反転させる。その後、接合装置30において、接着剤Gが塗布されて所定の温度に加熱された被処理ウェハWと表裏面が反転された支持ウェハSとを接合する。このように本実施の形態によれば、被処理ウェハWと支持ウェハSを並行して処理することができる。また、接合装置30において被処理ウェハWと支持ウェハSを接合する間に、塗布装置40、熱処理装置41及び接合装置30において、別の被処理ウェハWと支持ウェハSを処理することもできる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合を効率よく行うことができ、接合処理のスループットを向上させることができる。以上の実施の形態では、工程A4において、被処理ウェハWは第1の保持部220の加熱機構231によって予備加熱されていたが、被処理ウェハWは予熱加熱部113において予備加熱されてもよい。かかる場合、図33に示すように予備加熱部113には、熱板200の上方において、上下動自在の蓋体500が設けられている。蓋体500は、下面が開口し、熱板200、保持部材201及びサポートリング202と一体となって熱処理室Kを形成する。そして、熱処理室Kは、その内部を密閉可能に構成されている。蓋体500の側面には、熱処理室Kの内部に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給するガス供給管501が接続されている。ガス供給管501は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源502に連通している。また、ガス供給管501には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群503が設けられている。熱板200の上方であって蓋体500の天井面の中央部には、熱処理室Kの内部を排気する排気部504が設けられている。排気部504には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置505に連通する排気管506が接続されている。なお、予備加熱部113のその他の構成は、上記実施の形態における予備加熱部113の構成と同様であるので説明を省略する。そして、工程A4において、被処理ウェハWは、搬送部112の第1の搬送アーム170によって反転部111から予備加熱部113に搬送される。予備加熱部113に搬送された被処理ウェハWは、第1の搬送アーム170から予め上昇して待機していた昇降ピン210に受け渡される。その後、昇降ピン210が下降して、被処理ウェハWは熱板200上の支持ピン203に支持される。このとき、被処理ウェハWと熱板200との距離H1は0.4mm以上、本実施の形態では0.4mmに維持される。その後、蓋体500を閉じて内部が密閉された熱処理室Kを形成する。続いて、排気部504から熱処理室Kの内部を排気すると共に、ガス供給管501から熱処理室Kの内部に不活性ガスを供給し、熱処理室Kの内部を不活性ガスの雰囲気に置換する。そして、熱板200の加熱機構204によって被処理ウェハWが所定の温度、例えば150°Cに予備加熱される。その他の工程A1~A3、A5~A13は、上記実施の形態における工程A1~A3、A5~A13と同様であるので説明を省略する。なお、上記実施の形態の工程A8では熱処理室Kは形成されていなかったが、本実施の形態の工程A8では、工程A4と同様に熱処理室Kを形成して、支持ウェハSの予備加熱を行ってもよい。但し、かかる場合、ガス供給管501から熱処理室Kの内部への不活性ガスの供給を省略できる。また、工程A8において、蓋体500を閉じずに、大気雰囲気中で支持ウェハSの予備加熱を行ってもよい。本実施の形態によれば、工程A4、A8において被処理ウェハWと支持ウェハSがそれぞれ予備加熱されるので、第1の保持部220と第2の保持部221における被処理ウェハWと支持ウェハSの熱膨張を抑制することができる。したがって、パーティクルの発生を抑制することができ、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合を適切に行うことができる。なお、接合装置30は、図20に示した支持ウェハSを予備加熱する予備加熱部113と、図33に示した被処理ウェハWを予備加熱する予備加熱部113とを両方有していてもよい。かかる場合、被処理ウェハWと支持ウェハSを並行して予備加熱することができるので、被処理ウェハWと支持ウェハSのスループットをさらに向上させることができる。以上の実施の形態では、工程A8において、支持ウェハSは予備加熱部113において予備加熱されていたが、支持ウェハSは第2の保持部221によって予備加熱されてもよい。かかる場合、工程A8では、支持ウェハSは、搬送部112の第2の搬送アーム171によって反転部111から接合部114に搬送される。その後、第2の搬送アーム171が上昇して、図34に示すように支持ウェハSは第2の保持部221の下方に配置される。このとき、支持ウェハSと第2の保持部221との距離H3は0.4mm以上、本実施の形態では0.4mmに維持される。そして、第2の保持部221の加熱機構282によって支持ウェハSが所定の温度、例えば150°Cに予備加熱される。或いは、工程A8では、支持ウェハSは、搬送部112の第2の搬送アーム171によって反転部111から接合部114に搬送される。接合部114に搬送された支持ウェハSは、第2の搬送アーム171から予め上昇して待機していた昇降ピン250に受け渡される。その後、昇降ピン250が上昇して、図35に示すように支持ウェハSは第2の保持部221の下方に配置される。このとき、支持ウェハSと第2の保持部221との距離H3は0.4mm以上、本実施の形態では0.4mmに維持される。そして、第2の保持部221の加熱機構282によって支持ウェハSが所定の温度、例えば150°Cに予備加熱される。なお、工程A8において、支持ウェハSを第2の搬送アーム171で支持する場合と、支持ウェハSを昇降ピン250で支持する場合のいずれにおいても、第2の保持部221の加熱機構282で支持ウェハSを予備加熱せずに、第1の保持部220の加熱機構231で支持ウェハSを予備加熱してもよい。かかる場合、予備加熱される支持ウェハSは、当該支持ウェハSと第1の保持部220との距離が0.4mm以上になるように配置される。また、その他の工程A1~A7、A9~A13は、上記実施の形態における工程A1~A7、A9~A13と同様であるので説明を省略する。本実施の形態によれば、工程A8において、支持ウェハSを第2の搬送アーム171で支持する場合と、支持ウェハSを昇降ピン250で支持する場合のいずれにおいても、支持ウェハSを予備加熱することができる。すなわち、工程A4、A8において被処理ウェハWと支持ウェハSがそれぞれ予備加熱されるので、第1の保持部220と第2の保持部221における被処理ウェハWと支持ウェハSの熱膨張を抑制することができる。したがって、パーティクルの発生を抑制することができ、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合を適切に行うことができる。また、工程A8において、支持ウェハSと第2の保持部221との距離H3は0.4mm以上であるので、その後第2の搬送アーム171又は昇降ピン250によって支持ウェハSを上昇させても、当該支持ウェハSと第2の保持部221との間にある空気によって支持ウェハSの水平方向の位置がずれることがない。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合をより適切に行うことができる。以上の実施の形態の接合装置30~33では、予備加熱部113は接合領域D2に配置されていたが、前処理領域D1に配置されてもよい。予備加熱部113は、前処理領域D1における受渡部110及び反転部111の上方又は下方に積層される。かかる場合、接合装置30のフットプリントを小さくすることができる。また、以上の実施の形態の接合システム1において、熱処理装置41~46を省略して、熱処理装置41~46で行われる処理を接合装置30~33の内部で行ってもよい。かかる場合、熱処理装置41の加熱部350の処理は、例えば接合装置30の予備加熱部113によって行われる。このとき、予備加熱部113は受渡部110及び反転部111の上方又は下方に積層される。また、熱処理装置41の温度調節部351の処理は、例えば接合装置30の受渡アーム120や、受渡部110及び反転部111の上方又は下方に別途積層された温度調節部によって行われる。受渡アーム120によって行われる場合、当該受渡アーム120には例えばペルチェ素子などの温度調節部材が内蔵される。一方、温度調節部によって行われる場合、当該温度調節部は予備加熱部113と同様の構成を有し、予備加熱部113の熱板200に代えて、温度調節部には例えばペルチェ素子などの温度調節部材を内蔵した温度調節板が設けられる。かかる場合でも、工程A4、A8において被処理ウェハWと支持ウェハSがそれぞれ予備加熱され、当該被処理ウェハWと支持ウェハSの接合を適切に行うことができる。以上の実施の形態では、工程A4においてガス供給管260、501から被処理ウェハWに不活性ガスを供給していたが、処理容器100内に不活性ガスを供給し、当該処理容器100の内部を不活性ガスの雰囲気にしてもよい。以上の実施の形態では、被処理ウェハWを下側に配置し、且つ支持ウェハSを上側に配置した状態で、これら被処理ウェハWと支持ウェハSを接合していたが、被処理ウェハWと支持ウェハSの上下配置を反対にしてもよい。かかる場合、上述した工程A1~A5を支持ウェハSに対して行い、当該支持ウェハSの接合面SJに接着剤Gを塗布する。また、上述した工程A6~A9を被処理ウェハWに対して行い、当該被処理ウェハWの表裏面を反転させる。そして、上述した工程A10~A13を行い、支持ウェハSと被処理ウェハWを接合する。但し、被処理ウェハW上の電子回路等を保護する観点から、被処理ウェハW上に接着剤Gを塗布するのが好ましい。また、以上の実施の形態では、塗布装置40において被処理ウェハWと支持ウェハSのいずれか一方に接着剤Gを塗布していたが、被処理ウェハWと支持ウェハSの両方に接着剤Gを塗布してもよい。以上の実施の形態では、工程A3において被処理ウェハWを所定の温度100°C~300°Cに加熱していたが、被処理ウェハWの熱処理を2段階で行ってもよい。例えば熱処理装置41において、第1の熱処理温度、例えば100°C~150°Cに加熱した後、熱処理装置44において第2の熱処理温度、例えば150°C~300°Cに加熱する。かかる場合、熱処理装置41と熱処理装置44における加熱機構自体の温度を一定にできる。したがって、当該加熱機構の温度調節をする必要がなく、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合処理のスループットをさらに向上させることができる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、被処理基板がウェハ以外のFPDフラットパネルディスプレイ、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。また、本発明は、支持基板がウェハ以外のガラス基板など他の基板である場合にも適用できる。