"基板上に、電極層を含む下地層を介して、圧電体を形成した圧電デバイスであって、前記下地層は、第1の層と、第2の層とを含んでおり、前記第1の層は、金属酸化物または金属窒化物からなり、前記第2の層は、前記第1の層の前記金属酸化物の構成金属と同じ金属、または前記金属窒化物の構成金属と同じ金属からなることを特徴とする圧電デバイス。前記第2の層は、前記第1の層の表面を還元することによって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。前記第2の層は、前記第1の層の構成金属と同じ金属からなる層を、前記第1の層の表面に成膜することによって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。前記第1の層は、WOx、TiOx、TaOx、IrO2、PtO2、RuOx、ReOx、PdOx、OsOx、CrOx、AlOxのいずれかの金属酸化物で構成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の圧電デバイス。前記第1の層、前記第2の層および前記電極層は、前記基板上にこの順で積層されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の圧電デバイス。前記第1の層は、前記電極層を兼ねていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の圧電デバイス。基板上に、電極層を含む下地層を形成する下地層形成工程と、前記下地層の上に圧電体を形成する圧電体形成工程とを含む圧電デバイスの製造方法であって、前記下地層形成工程は、基板上に、金属酸化物または金属窒化物からなる第1の層を形成する工程と、前記第1の層の上に、前記第1の層の前記金属酸化物の構成金属と同じ金属、または前記金属窒化物の構成金属と同じ金属からなる第2の層を形成する工程とを含んでいることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。前記第2の層を形成する工程では、前記第1の層の表面を還元することによって、前記第2の層を形成することを特徴とする請求項7に記載の圧電デバイスの製造方法。前記第2の層を形成する工程では、前記第1の層の構成金属と同じ金属からなる層を、前記第1の層の表面に成膜することによって、前記第2の層を形成することを特徴とする請求項7に記載の圧電デバイスの製造方法。前記第1の層を形成する工程では、前記第1の層として、WOx、TiOx、TaOx、IrO2、PtO2、RuOx、ReOx、PdOx、OsOx、CrOx、AlOxのいずれかの金属酸化物からなる層を形成することを特徴とする請求項7から9のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。前記下地層形成工程は、前記第2の層の上に前記電極層を形成する工程をさらに含んでおり、前記第1の層を形成する工程、前記第2の層を形成する工程、前記電極層を形成する工程は、この順で行われることを特徴とする請求項7から10のいずれかに記載の圧電デバイス。前記第1の層は、前記電極層を兼ねており、前記第1の層を形成する工程、前記第2の層を形成する工程は、この順で行われることを特徴とする請求項7から10のいずれかに記載の圧電デバイス。ところが、特許文献2および非特許文献1のように、TiOxを形成後にPtを積層する構成では、TiOxとPtとの密着性が低いため、高温でPZTを形成するときに、TiOxとPtとの界面で膜がはがれるという問題が生ずる。例えば特許文献2の構成では、図13に示すように、TiOx層203とPt層204との界面で膜がはがれる。なお、このような膜のはがれの問題は、例えば金属酸化物を電極として、この金属酸化物上に圧電体を形成する場合でも同様に起こり得る。つまり、金属酸化物と圧電体との密着性が低いため、高温で圧電体を形成するときに、金属酸化物と圧電体との界面で膜がはがれる。本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、圧電体の構成金属の拡散による特性の低下を回避できるとともに、圧電体形成時の膜のはがれを回避でき、さらに、圧電体の結晶性および平坦性を向上させることができる圧電デバイスおよびその製造方法を提供することにある。本発明の圧電デバイスは、基板上に、電極層を含む下地層を介して、圧電体を形成した圧電デバイスであって、前記下地層は、第1の層と、第2の層とを含んでおり、前記第1の層は、金属酸化物または金属窒化物からなり、前記第2の層は、前記第1の層の前記金属酸化物の構成金属と同じ金属、または前記金属窒化物の構成金属と同じ金属からなることを特徴としている。上記の構成によれば、基板と圧電体例えばPZTとの間の形成される下地層に、金属酸化物例えばTiO2または金属窒化物例えばTiNからなる第1の層が含まれているので、圧電体の構成金属例えばPbが基板側に拡散するのを第1の層で抑えることができる。つまり、第1の層を拡散バリア層として機能させることができ、圧電体の構成金属の拡散による特性の低下を回避することができる。また、下地層は、第2の層を含んでいる。この第2の層は、第1の層の金属酸化物または金属窒化物の構成金属と同じ金属例えばTiで形成されている。これにより、電極層と第1の層との密着性、または第1の層と圧電体との密着性を高めることができ、圧電体の高温形成時における膜のはがれを回避することができる。また、下地層が第1の層と第2の層とを有していることにより、例えば、第1の層、第2の層および電極層をこの順で積層した構成、あるいは、第1の層および第2の層をこの順で積層し、かつ、第1の層に電極層の機能を持たせた構成を実現することができる。前者の構成では、第1の層、第2の層、電極層を順に形成することにより、電極層の形成後に第1の層を形成するための熱処理を不要とすることができる。このため、第1の層と電極層との間に第2の層を設ける構成であっても、第2の層の構成金属例えばTiが上記の熱処理によって電極層に拡散することがなく、それゆえ、電極層の表面に突起物例えば第2の層の構成金属の酸化物が形成されることもない。したがって、電極層の表面を平坦化して、電極層の上に形成される圧電体の結晶性および平坦性を向上させることができ、圧電体の良好な特性を実現することができる。また、後者の構成でも、例えば第1の層電極層の表面を還元する、または第1の層の上に第2の層を、厚さを制御しながら成膜することにより、第1の層の上に第2の層を結晶性よく均一な厚さで形成することができる。これにより、第2の層の上に形成される圧電体の結晶性および平坦性を向上させることができ、圧電体の良好な特性を実現することができる。本発明の圧電デバイスにおいて、前記第2の層は、前記第1の層の表面を還元することによって形成されていてもよい。第1の層の表面を還元することにより、薄く、均一な厚さで第2の層を形成することができる。第2の層が薄いと、第2の層の構成金属の量自体が少ないため、仮に圧電体の形成時に第2の層の構成金属が電極層に拡散したとしても、電極層の表面に突起物が現れることがない。したがって、第2の層が薄いことと、均一な厚さで形成されることとから、電極層の表面を確実に平坦化することができ、その上に形成される圧電体の結晶性および平坦性を確実に向上させることができる。本発明の圧電デバイスにおいて、前記第2の層は、前記第1の層の構成金属と同じ金属からなる層を、前記第1の層の表面に成膜することによって形成されていてもよい。第1の層の表面に第2の層を成膜によって形成する場合でも、例えば成膜時に第2の層の厚さを制御することで、結晶性および平坦性の良好な第2の層を形成することができ、これによって、第2の層の上に、結晶性および平坦性の良好な電極層または圧電体を形成することができる。本発明の圧電デバイスにおいて、前記第1の層は、WOx、TiOx、TaOx、IrO2、PtO2、RuOx、ReOx、PdOx、OsOx、CrOx、AlOxのいずれかの金属酸化物で構成されていてもよい。第1の層が、上記したいずれかの金属酸化物で構成されていれば、第1の層を拡散バリア層として確実に機能させることができるとともに、第1の層の金属酸化物の還元、または上記金属酸化物の構成金属の成膜によって、第2の層を容易に形成することができる。本発明の圧電デバイスにおいて、前記第1の層、前記第2の層および前記電極層は、前記基板上にこの順で積層されていてもよい。この場合、第1の層、第2の層、電極層が基板上に順に積層された構成において、上述した本発明の効果を得ることができる。本発明の圧電デバイスにおいて、前記第1の層は、前記電極層を兼ねていてもよい。この場合、第1の層が電極層を兼ねた構成において、上述した本発明の効果を得ることができる。また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、以下のように表現することができ、これによって、上記と同様の作用効果を奏する。本発明の圧電デバイスの製造方法は、基板上に、電極層を含む下地層を形成する下地層形成工程と、前記下地層の上に圧電体を形成する圧電体形成工程とを含む圧電デバイスの製造方法であって、前記下地層形成工程は、基板上に、金属酸化物または金属窒化物からなる第1の層を形成する工程と、前記第1の層の上に、前記第1の層の前記金属酸化物の構成金属と同じ金属、または前記金属窒化物の構成金属と同じ金属からなる第2の層を形成する工程とを含んでいることを特徴としている。本発明の圧電デバイスの製造方法において、前記第2の層を形成する工程では、前記第1の層の表面を還元することによって、前記第2の層を形成してもよい。本発明の圧電デバイスの製造方法において、前記第2の層を形成する工程では、前記第1の層の構成金属と同じ金属からなる層を、前記第1の層の表面に成膜することによって、前記第2の層を形成してもよい。本発明の圧電デバイスの製造方法において、前記第1の層を形成する工程では、前記第1の層として、WOx、TiOx、TaOx、IrO2、PtO2、RuOx、ReOx、PdOx、OsOx、CrOx、AlOxのいずれかの金属酸化物からなる層を形成してもよい。本発明の圧電デバイスの製造方法において、前記下地層形成工程は、前記第2の層の上に前記電極層を形成する工程をさらに含んでおり、前記第1の層を形成する工程、前記第2の層を形成する工程、前記電極層を形成する工程は、この順で行われてもよい。本発明の圧電デバイスの製造方法において、前記第1の層は、前記電極層を兼ねており、前記第1の層を形成する工程、前記第2の層を形成する工程は、この順で行われてもよい。本発明によれば、基板と圧電体との間の下地層に第1の層が含まれているので、圧電体の構成金属が電極層を介して基板側に拡散するのを第1の層で抑えることができ、上記拡散による圧電体の特性の低下を回避することができる。また、下地層の第2の層により、電極層と第1の層との密着性、または第1の層と圧電体との密着性を高めることができ、圧電体の高温形成時における膜のはがれを回避することができる。また、拡散バリア層としての第1の層の上に、第2の層および電極層が順に形成される構成では、電極層の形成後に拡散バリア層を形成するための熱処理が不要なので、第2の層の構成金属が上記の熱処理によって電極層に拡散するといったことがなく、これによって電極層の表面に突起物が形成されることもない。したがって、電極層の表面を平坦化して、電極層の上に形成される圧電体の結晶性および平坦性を向上させることができ、圧電体の良好な特性を実現することができる。また、第1の層が電極層を兼ねる構成では、第1の層電極層の上に第2の層を結晶性よく均一な厚さで形成することにより、第2の層の上に形成される圧電体の結晶性および平坦性を向上させることができ、圧電体の良好な特性を実現することができる。本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。圧電デバイスについて図1は、本実施形態の圧電デバイス1の概略の構成を示す断面図である。この圧電デバイス1は、基板11上に、熱酸化膜12と、下地層13と、圧電体14と、上部電極15とをこの順で形成して構成されている。なお、以下での説明の理解がしやすいように、部材番号の後に、その部材番号の層を構成する材料の一例を括弧書きで示している。基板11は、例えば単結晶Si単体からなる半導体基板またはSOISilicononInsulator基板で構成されている。熱酸化膜12は、例えばSiO2からなり、基板11の保護および絶縁の目的で設けられている。圧電体14は、圧電材料の一種であるPZTで構成されている。ここで、図2は、PZTの結晶構造を模式的に示している。同図で示した結晶構造は、ペロブスカイト型構造と呼ばれる。ペロブスカイト型構造とは、PbZrx,Ti1xO3の正方晶では、正方晶の各頂点にPb原子が位置し、体心にTi原子またはZr原子が位置し、各面心にO原子が位置する構造である。圧電体は、結晶構造がペロブスカイト型構造を採るときに良好な圧電効果を発現することが知られている。したがって、本実施形態の圧電デバイス1において、圧電体14をPZT、すなわち、ペロブスカイト型構造の金属酸化物で構成することにより、良好な圧電効果を得ることができる。なお、圧電効果とは、応力を加えることによって分極および電圧が生じたり、逆に電圧を印加することで応力および変形が生じる圧電体の性質を言うが、圧電体14は、このような圧電効果のほかに、焦電効果を発揮する焦電体で構成されてもよいし、メモリ性を有する強誘電体で構成されてもよい。なお、焦電体とは、圧電体のうち、外から電界を与えなくても自発的な分極を有しているものを言い、微小な温度変化に応じて誘電分極およびそれによる起電力が生じる性質を持つ。圧電体14が焦電体で構成された場合は、圧電デバイス1を赤外線センサとして利用することができる。上部電極15は、Ti層15aとAu層15bとを積層して構成されている。Ti層15aは、圧電体14とAu層15bとの密着性を向上させるために形成されている。下地層13は、第1の層21と、第2の層22と、電極層23とをこの順で積層して構成されている。電極層23は、圧電体14の下部電極として機能する層であり、例えばPtで形成されている。第1の層21は、金属酸化物または金属窒化物からなっている。上記の金属酸化物としては、例えば、WOx、TiOx、TaOx、IrO2、PtO2、RuOx、ReOx、PdOx、OsOx、CrOx、AlOxのいずれかを考えることができる。なお、化学式中のxは、金属元素に対する酸素の組成比を示す。また、上記の金属窒化物としては、例えばTiNを考えることができる。第2の層22は、第1の層21の金属酸化物の構成金属と同じ金属、または第1の層21の金属窒化物の構成金属と同じ金属からなる。例えば、第1の層21がTiOxやTiNで構成される場合、第2の層22は、Tiで構成されることになる。このような第2の層22は、第1の層21の表面を還元することによって形成することもできるし、第1の層21の構成金属と同じ金属からなる層を、第1の層21の表面に成膜することによっても形成することができる。ここで、還元とは、狭義には、酸素を失う化学反応のことを指すが、広義には、対象とする物質が電子を受け取る化学反応のことを指す。したがって、TiOxやTiNがTiとなる化学反応は、いずれもTiの陽イオンが電子を受け取ってTi原子となる化学反応であるため、還元反応となる。還元装置について次に、第1の層21の表面を還元して第2の層22を形成する際に用いる還元装置について説明する。図3は、還元装置60の概略の構成を示す断面図である。還元装置60は、処理室31と、加熱室41と、隔離板51とを有している。処理室31と加熱室41とは、隔離板51によって隔離されている。処理室31には、加熱対象となる被加熱体32が収容され、加熱室41には、被加熱体32を加熱するためのヒータランプ42が設けられている。また、処理室31には、気体例えば水素の導入口33および排気口34が設けられており、加熱室41には、気体例えば窒素の導入口43および排気口44が設けられている。この構成において、処理室31に被加熱体32を収容し、処理室31内に導入口33から水素を導入した状態で、加熱室41のヒータランプ42をオンすると、被加熱体32は、ヒータランプ42の輻射線により、隔離板51を介して輻射加熱され、処理室31内の水素で還元される。したがって、被加熱体32を、第1の層21を形成した基板11に置き換えて処理室31内に収容し、第1の層21の表面を水素で還元することにより、第1の層21の表面に、第1の層21の金属酸化物の構成金属と同じ金属からなる第2の層22を形成することができる。圧電デバイスの製造方法について次に、上記構成の圧電デバイス1の製造方法について説明する。図4は、圧電デバイス1の製造時の流れを、各製造工程での断面図とともに示している。なお、半導体の製造に使用される基板の厚さは、国際規格SEMIでサイズ直径ごとに定められているため、上記基板を基板11として用いる場合は、デバイスで必要となる厚さ例えば400~600μm程度に予め研磨しておいてもよい。まず、Siからなる基板11を、加熱炉で1000~1300°C程度に加熱し、基板11上に、例えば厚さ100nmのSiO2からなる熱酸化膜12を形成するS1。なお、熱酸化膜12の厚さは特に限定されず、デバイスに必要な厚さに調節されればよい。続いて、熱酸化膜12上に、Tiをスパッタ法で成膜し、Ti層21’を形成するS2。このとき、Ti層21’の成膜温度は例えば300~600°Cであり、厚さは例えば10~50nm程度である。なお、Ti層21’の厚さが薄すぎると、その後Ti層21’を加熱して形成される第1の層21によって、圧電体14のPbの拡散を有効に防止することができず、また、厚すぎても利点はない。このことを考慮すると、Ti層21’の厚さは、20~30nmが好ましい。なお、Ti層21’の代わりに、W、Ta、Ir、Pt、Ru、Re、Pd、Os、Cr、Alのいずれかの層を熱酸化膜12上に形成してもよい。次に、酸素加熱炉で400~800°C程度にTi層21’を加熱して、基板11上にTiOxの金属酸化物からなる第1の層21を形成するS3。なお、S2の工程を省略して基板11上にTi層21’を形成せずに、TiOxをスパッタ法または蒸着法によって直接成膜することで、金属酸化物からなる第1の層21を形成してもよい。また、TiOxの代わりにTiNなどの金属窒化物を成膜し、これを第1の層21としてもよい。さらに、S2にて、Ti層21’の代わりに、上記したいずれかの金属からなる層を形成した場合は、この層を酸化することにより、WOx、TiOx、TaOx、IrO2、PtO2、RuOx、ReOx、PdOx、OsOx、CrOx、AlOxのいずれかの金属酸化物を形成し、これを第1の層21としてもよい。その後、上述した還元装置60を用い、水素雰囲気下で700~1000度程度に加熱して、第1の層21の表面を還元し、Tiからなる第2の層22を形成するS4。つまり、このS4では、第1の層21の上に、第1の層21の金属酸化物例えばTiOxの構成金属と同じ金属例えばTiからなる第2の層22が形成される。なお、第1の層21を金属窒化物例えばTiNで構成した場合は、第1の層21の表面を還元することにより、第1の層21の金属窒化物の構成金属と同じ金属例えばTiからなる第2の層22が形成される。ここで、第2の層22の膜厚が薄いと、第1の層21と後述する電極層23との密着性が不足し、膜厚が厚いと、電極層23の表面にTiOxが露出して、電極層23および圧電体14の結晶性を低下させる。以上のことを考慮すると、第2の層22の膜厚は、例えば1~5nmであることが望ましい。なお、第1の層21の表面を還元するにあたって、高温の水素ガスを第1の層21の表面に吹き付けたり、低圧の反応槽内でプラズマを援用することにより、第1の層21の表面を還元するようにしてもよい。また、水素の代わりに、アンモニアNH3、ホスフィンPH3、モノシランSiH4、ジシランSi2H6、5フッ化ジボランB2HF5などの水素化合物を用いて、第1の層21の表面を還元してもよい。次に、第2の層22の上に、Ptをスパッタ法で成膜して電極層23を形成するS5。なお。このときの成膜温度は、例えば400~800°Cであり、膜厚は例えば100~300nmである。なお、電極層23は、上記のPtの代わりに、W、Ta、Ir、Ru、Re、Pd、Osなどで構成されてもよい。以上のS2~S5の工程が、下地層13を形成する工程に相当する。続いて、電極層23の上に、PZTをスパッタ法で成膜して圧電体14を形成するS6;圧電体形成工程。このとき、PZTの成膜温度が低いと、PZTの結晶性が低下し、成膜温度が高いと、Pbが揮発して組成が変動するおそれがあるため、PZTの成膜温度は600°C程度であることが望ましい。また、圧電体14の厚さは、例えば100~5000nmであるが、デバイスに必要になる厚さに調節されればよい。なお、圧電体14としてのPZTは、ゾルゲル法やCVD法などの他の製造方法で作製されてもよい。また、PZTは、添加物を含んだPNZTチタン酸ジルコン酸ニオブ鉛、PLZTチタン酸ジルコン酸ランタン鉛、PSZTチタン酸ジルコン酸ストロンチウム鉛などであってもよく、さらには、リラクサ材料と呼ばれるPMN-PTマグネシウムニオブ酸チタン酸鉛固溶体などであってもよい。また、圧電体14は、Pb以外の金属を含んだBSTチタン酸バリウムストロンチウムやSBTタンタル酸ストロンチウムビスマスなどであってもよい。その後、圧電体14上に、上部電極15を形成するS7。より具体的には、圧電体14上に、Tiをスパッタ法で成膜してTi層15aを形成する。Ti層15aの成膜温度は、例えば300~600°Cであり、膜厚は例えば10~50nmである。そして、このTi層15a上に、Auをスパッタ法で成膜してAu層15bを形成する。このときのAu層15bの成膜温度は例えば600°Cであり、膜厚は例えば100~300nmである。このようにして、Ti層15aとAu層15bとからなる上部電極15が形成され、圧電デバイス1が完成する。なお、Au層15bの代わりに、Pt、W、Ta、Ir、Ru、Re、Pd、Osなどからなる金属層を形成して、上部電極15を形成してもよい。また、上部電極15の厚さは、デバイスに必要な厚さに調節されればよい。ところで、第1の層21の上に第2の層22を形成するにあたり、第2の層22を成膜によって直接形成してもよい点は、上述した通りである。このときの第2の層22の成膜方法としては、一般的な気相成長法を用いることができるが、蒸着やスパッタなどの物理的方法、CVDなどの化学的方法のいずれにおいても、以下の工程S41~S44を経る。すなわち、図5aに示すように、基板71上にいくつかの原子72例えばTi原子が付着するS41。そして、図5bに示すように、原子7272同士が集合して島73を形成するS42。続いて、図5cに示すように、島73が成長して初期核74を形成するS43。その後、図5dに示すように、初期核74が成長して層75第2の層22に相当が形成されるS44。ここで、S42およびS43の状態では、基板71上に複数の島73や初期核74が存在するのみで、均一な厚さの層にはならない。また、初期核7474同士は、配向性が異なるため、S42、S43およびS44の初期では、層75Ti層の結晶性が良好にはならない。しかし、これらの点については、Ti層の厚みを増大させることで解決することができる。つまり、S44にて、層75の厚さを、第1の層21の還元によって形成される第2の層22の厚さよりも増大させることで、層75を構成するTiの結晶性を良好にすることができるとともに、層75の厚さを均一にして表面を平坦化することができる。効果以上のように、本実施形態の圧電デバイス1およびその製造方法によれば、基板11と圧電体14との間に形成される下地層13に、金属酸化物または金属窒化物からなる第1の層21が含まれている。これにより、圧電体14の構成金属例えばPbが基板11側に拡散するのを第1の層21で抑えることができ、上記構成金属の拡散による圧電体14の特性低下を回避することができる。また、下地層13は、第1の層21の金属酸化物または金属窒化物の構成金属と同じ金属からなる第2の層22を含んでいる。これにより、電極層23と第1の層21との密着性を高めることができ、電極層23上に圧電体14を高温で形成する際に、電極層23と第1の層21とがはがれてしまうのを回避することができる。また、本実施形態では、電極層23の形成後に、拡散バリア層としての第1の層21を形成するための熱処理は一切行っていない。このため、第1の層21と電極層23との間に第2の層22を設ける構成であっても、その第2の層22の構成金属例えばTiが上記の熱処理によって電極層23に拡散するということがなく、それゆえ、電極層23の表面に突起物例えば第2の層22の構成金属の酸化物が形成されることもない。したがって、結晶性の良好な第2の層22を形成して、その上に形成される電極層23の結晶性および平坦性を良好にすることができる。これにより、電極層23の上に形成される圧電体14の結晶性および平坦性を向上させることができ、圧電体14の良好な特性を実現することができる。ちなみに、本実施形態の圧電デバイス1において、第2の層22を構成するTiの結晶性を、X線回折装置を用いて調べたところ、ロッキングカーブの半値幅で5度以下を実現できていることがわかった。なお、ロッキングカーブとは、回折条件の変化に対する強度分布を示す曲線のことであり、一般に、結晶が完全であるほど、曲線の半値幅は狭くなる。つまり、本実施形態の圧電デバイス1では、PZTの下地層13として、上述した第1~第4の特性のほかに、さらに以下の第5~第7の特性を持たせた下地層13を実現することができる。すなわち、下地層13において、圧電体14を構成する金属の基板11側への拡散を抑える拡散バリア性が高い特性第5の特性、下地層13の結晶性および平坦性が高い特性第6の特性、下地層13を構成する層同士の密着性が高い特性第7の特性を備えた下地層13を実現することができる。また、第1の層21の表面を還元して第2の層22を形成することにより、薄くて均一な厚さで第2の層22を形成することができる。第2の層22が薄いと、第2の層22の構成金属例えばTiの量自体が少ないため、仮に圧電体14の形成時に第2の層22のTiが電極層23に拡散したとしても、電極層23の表面に突起物例えばTiOxが現れることがない。したがって、第2の層22が薄いことと、均一な厚さで形成されることとから、電極層23の表面を確実に平坦化することができ、その上に形成される圧電体14の結晶性および平坦性を確実に向上させることができる。また、第1の層21の表面に第2の層22を成膜によって形成する場合でも、成膜時に第2の層22の厚さを制御することで、結晶性および平坦性の良好な第2の層22を形成することができる。したがって、第2の層22の上に形成される電極層23および圧電体14の結晶性および平坦性も向上させることができる。また、第1の層21は、WOx、TiOx、TaOx、IrO2、PtO2、RuOx、ReOx、PdOx、OsOx、CrOx、AlOxのいずれかの金属酸化物で構成されているので、第1の層21を拡散バリア層として確実に機能させることができる。また、第1の層21の表面の還元、または第1の層21上への成膜により、第1の層21の構成金属と同じ金属からなる第2の層22を容易に形成することができる。また、第1の層21、第2の層22および電極層23は、基板11上にこの順で積層されているので、このような積層構造の圧電デバイス1において、上述した効果を得ることができる。圧電デバイスの他の構成例図6は、本実施形態の圧電デバイス1の他の構成を示す断面図である。図6に示した圧電デバイス1は、図1の圧電デバイス1において、下地層13を下地層80に置き換えたものである。下地層80は、金属層81と、第1の層82と、第2の層83とで構成されている。金属層81、第1の層82および第2の層83は、この順で形成される。第1の層82は、例えばIrO2のような導電性の金属酸化物で構成された層であり、拡散バリア層としての機能のみならず、下部電極電極層としての機能も有している。金属層81は、例えばTiで構成されており、第1の層82と熱酸化膜12との密着性を向上させるための密着層として機能している。第2の層83は、第1の層82の構成金属と同じ金属例えばIrで構成された層であり、第1の層82と圧電体14との密着性を向上させるための密着層として機能している。第2の層83は、第1の層82の表面を還元することによって形成されてもよいし、第1の層82の上に成膜によって形成されてもよい。このように、第1の層82を電極層として用いる構成であっても、第1の層82の構成金属と同じ金属からなる第2の層83をその上に形成することにより、第1の層82および第2の層83を、上述した第1の層21および第2の層22と同じように機能させることができる。これにより、以下の効果を得ることができる。すなわち、Pbの拡散による圧電体14の特性低下を回避することができるとともに、第1の層82と圧電体14との界面での膜のはがれを回避することができる。また、第1の層82の表面を還元することによって第2の層83を薄く均一に形成する、または、第1の層82の上に、第2の層83を厚さを制御しながら成膜することで、第1の層82の上に第2の層83を結晶性よく均一な厚さで形成することができる。これにより、第2の層83の上に形成される圧電体14の結晶性および平坦性を向上させることができ、圧電体14の良好な特性を実現することができる。圧電デバイスの応用例について図7は、本実施形態で作製した圧電デバイス1をダイヤフラム振動板に応用したときの構成を示す平面図であり、図8は、図7のA-A’線矢視断面図である。圧電体14は、基板11の必要な領域に、2次元の千鳥状に配置されている。基板11において圧電体14の形成領域に対応する領域は、厚さ方向の一部が断面円形で除去された凹部11aとなっており、基板11における凹部11aの上部凹部11aの底部側には、薄い板状の領域11bが残っている。電極層例えば電極層23を含む下地層13、および上部電極15は、図示しない配線により、外部の制御回路と接続されている。制御回路から、所定の圧電体14を挟む下地層13電極層および上部電極15に電気信号を印加することにより、所定の圧電体14のみを駆動することができる。つまり、圧電体14の上下の電極に所定の電界を加えると、圧電体14が左右方向に伸縮し、バイメタルの効果によって圧電体14および基板11の領域11bが上下に湾曲する。したがって、基板11の凹部11aに気体や液体を充填すると、圧電デバイス1をポンプとして用いることができ、例えばインクジェットヘッドに好適となる。また、所定の圧電体14の電荷量を下地層13電極層および上部電極15を介して検出することにより、圧電体14の変形量を検出することもできる。つまり、音波や超音波により、圧電体14が振動すると、上記と反対の効果によって上下の電極間に電界が発生するため、このときの電界の大きさや検出信号の周波数を検出することにより、圧電デバイス1をセンサ超音波センサとして用いることもできる。さらに、圧電体14が焦電効果を発揮するものであれば、圧電デバイス1を焦電センサ赤外線センサとして利用することもできる。その他、圧電体14の圧電効果を利用することで、圧電デバイス1を周波数フィルタ表面弾性波フィルタとして利用することもでき、圧電体14を強誘電体で構成すれば、圧電デバイス1を不揮発性メモリとして利用することもできる。"