"所定の板厚を有する板材からなる金属プレートを曲げ加工してLEDチップのためのLEDパッケージ基板を構成し、かつ、該基板を用いたLEDパッケージを配線基板に装着したLEDモジュール装置において、前記配線基板は、配線を形成したガラスエポキシ基板によって構成し、前記LEDパッケージ基板は、LEDチップ装着部及びLEDチップの一対の電極を接続するための一対の接続部を上面に形成するだけの十分な面積を有する平板状底部と、該底部端の両側からそれぞれ立ち上がる壁部と、該壁部上部を外方向に折り曲げた接続電極部を一体に形成するように曲げ加工した金属プレートの上に、樹脂層からなる絶縁層を挟んで金属箔を接合した積層構成とし、前記絶縁層を構成する樹脂層は、5μm~40μmの範囲にある膜厚を有するポリイミド樹脂であり、前記壁部上部を外方向に折り曲げた接続電極部の上端の金属箔を一対の外部接続電極として機能させるように、前記平板状底部上面の金属箔にスリット開口し、前記LEDパッケージ基板の平板状底部上面に、LEDチップを装着すると共に、該LEDチップの一対の電極をそれぞれ、前記スリットにより分離された前記平板状底部上面に設けた前記一対の接続部に接続し、かつ透明樹脂を前記壁部に挟まれた凹所に充填することによりLEDパッケージを構成し、前記LEDパッケージの平板状底部裏面を放熱体に固着或いは接触させると共に、前記LEDパッケージの前記壁部上部を前記ガラスエポキシ基板に対して接着し、かつ、この接着部の上で前記一対の外部接続電極を前記ガラスエポキシ基板の配線と接続したことから成るLEDモジュール装置。前記ポリイミド樹脂は、熱可塑性ポリイミドを含むポリイミド樹脂の中に、球状のスペーサー粒子又は該スペーサー粒子の径より小さい熱伝導性フィラー、若しくはその両方を混在させた請求項1に記載のLEDモジュール装置。前記LEDパッケージの前記ガラスエポキシ基板への実装は、前記一対の外部接続電極を前記ガラスエポキシ基板裏面の配線に半田接続することにより行われる請求項1に記載のLEDモジュール装置。前記LEDパッケージの前記ガラスエポキシ基板への実装は、前記一対の外部接続電極を前記ガラスエポキシ基板おもて面の配線に接続することにより行われる請求項1に記載のLEDモジュール装置。前記金属箔の上には、反射材として機能する金属表面処理が施されている請求項1に記載のLEDモジュール装置。前記スリットは2つであり、前記金属箔は2つのスリットにより3分割されて、3分割した中央の金属箔の上に複数個のLEDチップを搭載して、LEDチップ相互の配線及びLEDチップと金属箔との配線が、ボンディングワイヤを用いて接続されている請求項1に記載のLEDモジュール装置。前記放熱体は放熱板又は筐体であり、若しくは前記LEDパッケージ基板の平板状底部裏面を前記ガラスエポキシ基板に固着してこのガラスエポキシ基板を放熱体として機能させた請求項1に記載のLEDモジュール装置。前記底部端の両側からそれぞれ立ち上がる左右方向壁部に連結しかつそれに直交する前後方向壁部を設けて、封止樹脂を左右前後から閉じこめる機能を果たす請求項1に記載のLEDモジュール装置。前記LEDパッケージは、複数個のLEDパッケージを連結するための連結部を作成して、電気的に直列に接続して構成した連結構成LEDパッケージである請求項1に記載のLEDモジュール装置。前記放熱体に接する前記LEDパッケージの平板状底部の長辺をLEDチップ短辺の2倍~20倍の長さとした請求項1に記載のLEDモジュール装置。所定の板厚を有する板材からなる金属プレートを曲げ加工してLEDチップのためのLEDパッケージ基板を構成し、かつ、該基板を用いたLEDパッケージを配線基板に装着したLEDモジュール装置の製造方法において、前記配線基板は、配線を形成したガラスエポキシ基板によって構成し、金属プレートの上に、樹脂層からなる絶縁層を挟んで金属箔を接合した積層体を形成し、前記絶縁層を構成する樹脂層は、5μm~40μmの範囲にある膜厚を有するポリイミド樹脂であり、前記金属箔の加工を行って、スリット開口し、前記金属プレートを含む前記積層体の曲げ加工を行なって、LEDチップ装着部及びLEDチップの一対の電極を接続するための一対の接続部を上面に形成するだけの十分な面積を有する平板状底部と、この底部の両側に位置して底部端から折曲して立ち上がる方向に、LEDチップの発光方向と同じ側に伸びる壁部を備え、この壁部上部を外方向に折り曲げて一対の外部接続電極を形成して、LEDパッケージ基板を構成し、前記LEDパッケージ基板の上にLEDチップを装着して、LEDチップ電極の一方を、前記スリットにより分割された前記平板状底部上面に設けた前記一対の接続部の一方に接続し、かつ、前記スリットにより分割された前記平板状底部上面に設けた前記一対の接続部の他方にはLEDチップ電極の他方を接続し、透明樹脂を用いて樹脂封止して、LEDパッケージを構成し、前記LEDパッケージの平板状底部裏面を放熱体に固着或いは接触させると共に、前記LEDパッケージの前記壁部上部を前記ガラスエポキシ基板に対して接着し、かつ、この接着部の上で前記一対の外部接続電極を前記ガラスエポキシ基板の配線と接続することから成るLEDモジュール装置の製造方法。前記ポリイミド樹脂は、熱可塑性ポリイミドを含むポリイミド樹脂の中に、球状のスペーサー粒子又は該スペーサー粒子の径より小さい熱伝導性フィラー、若しくはその両方を混在させた請求項11に記載のLEDモジュール装置の製造方法。前記積層体は、前記ポリイミド樹脂の溶液を前記金属箔又は前記金属プレートに塗り、乾燥させた後、前記金属プレート又は前記金属箔に熱圧着させることにより形成する請求項11に記載のLEDモジュール装置の製造方法。前記積層体は、前記金属箔又は前記金属プレートの上に、熱可塑性ポリイミド系樹脂に変換可能な少なくとも一種のポリイミド前駆体樹脂層を塗布した後、この前駆体樹脂層を熱処理することにより、熱可塑性ポリイミド系樹脂層を形成し、この熱可塑性ポリイミド系樹脂層の上に、前記金属プレート又は前記金属箔を加熱加圧下で接合して形成する請求項11に記載のLEDモジュール装置の製造方法。前記積層体は、前記金属箔と前記金属プレートの間に、熱可塑性ポリイミド系フィルムを挟持させたものを、加熱加圧下で接合して形成する請求項11に記載のLEDモジュール装置の製造方法。前記LEDパッケージ基板は、1枚の金属プレートの上に複数個同時作成し、前記LEDパッケージ基板上にLEDチップを装着して樹脂封止した後、個々のLEDパッケージ或いは任意の複数個連結したLEDパッケージに切り分ける個片化を行う請求項11に記載のLEDモジュール装置の製造方法。前記積層体の曲げ加工を行なう前、或いは後に、前記金属箔の上に反射材として機能する金属表面処理を施す請求項11に記載のLEDモジュール装置の製造方法。本発明は、係る問題点を解決して、金属プレートを加工して形成したLEDパッケージ基板にLEDチップを装着したLEDパッケージを、配線基板に取り付けると共に放熱体を装着してLEDモジュール装置を構成するに際して、LEDパッケージ基板形状を工夫して放熱特性を改善することを目的としている。また、本発明は、LEDパッケージ基板として加工性及び熱伝導性の良好な金属プレートを用い、かつ、そこに装着されるLEDチップの接続配線との絶縁性を確保する絶縁層を用いつつも、その絶縁層を通しての熱伝導性を向上させるために、絶縁層ポリイミド層を薄く塗布する製造方法を提供することを目的としている。また、本発明は、工程の追加無く低コストで、反射性能を発揮できる反射面の形成、及び個別パッケージの配線基板への装着を、工程の追加無く低コストで行うことを目的としている。本発明のLEDモジュール装置は、金属プレートを加工してLEDチップのためのLEDパッケージ基板を構成し、かつ、該基板を用いたLEDパッケージを配線基板に装着したものである。配線基板は、配線を形成したガラスエポキシ基板によって構成する。LEDパッケージ基板は、LEDチップ装着部及びLEDチップの一対の電極を接続するための一対の接続部を上面に形成するだけの十分な面積を有する平板状底部と、該底部端の両側からそれぞれ立ち上がる壁部を形成するように曲げ加工した金属プレートの上に、ポリイミド樹脂層からなる絶縁層を挟んで金属箔を接合した積層構成である。壁部の上端の金属箔を一対の外部接続電極として機能させるように、平板状底部上面の金属箔にスリット開口する。LEDパッケージ基板の平板状底部上面に、LEDチップを装着すると共に、該LEDチップの一対の電極をそれぞれ、スリットにより分離された平板状底部上面に設けた一対の接続部に接続し、かつ透明樹脂を壁部に挟まれた凹所に充填することによりLEDパッケージを構成する。このLEDパッケージの平板状底部裏面を放熱体に固着或いは接触させると共に、LEDパッケージの壁部上部をガラスエポキシ基板に対して接着し、かつ、この接着部の上で一対の外部接続電極をガラスエポキシ基板の配線と接続する。本発明のLEDモジュール装置の製造方法は、金属プレートの上に、樹脂層からなる絶縁層を挟んで金属箔を接合した積層体を形成し、金属箔の加工を行って、スリット開口し、金属プレートを含む積層体の曲げ加工を行なって、LEDチップ装着部及びLEDチップの一対の電極を接続するための一対の接続部を上面に形成するだけの十分な面積を有する平板状底部と、この底部の両側に位置して底部端から折曲して立ち上がる方向に、LEDチップの発光方向と同じ側に伸びる壁部を備え、この壁部上部を外方向に折り曲げて一対の外部接続電極を形成して、LEDパッケージ基板を構成する。LEDパッケージ基板の上に、LEDチップを装着してLEDチップ電極の一方を、スリットにより分割された平板状底部上面に設けた一対の接続部の一方に接続し、かつ、スリットにより分割された平板状底部上面に設けた一対の接続部の他方にはLEDチップ電極の他方を接続し、透明樹脂を用いて樹脂封止して、LEDパッケージを構成する。このLEDパッケージの平板状底部裏面を放熱体に固着或いは接触させると共に、LEDパッケージの壁部上部をガラスエポキシ基板に対して接着し、かつ、この接着部の上で一対の外部接続電極をガラスエポキシ基板の配線と接続する。放熱体に接するLEDパッケージの平板状底部の長辺は、LEDチップ短辺の2倍~20倍の長さである。絶縁層を構成する樹脂層は、5μm~40μmの範囲にある膜厚を有するポリイミド樹脂である。このポリイミド樹脂は、熱可塑性ポリイミドを含むポリイミド樹脂の中に、球状のスペーサー粒子又は該スペーサー粒子の径より小さい熱伝導性フィラー、若しくはその両方を混在させることができる。LEDパッケージのガラスエポキシ基板への実装は、一対の外部接続電極をガラスエポキシ基板裏面の配線に半田接続することにより行われる。或いは、LEDパッケージのガラスエポキシ基板への実装は、一対の外部接続電極を配線基板おもて面の配線に接続することにより行われる。一対の外部接続電極の端部は、金属プレート端より内側に配置されている。スリットは2つにすることができ、金属箔は2つのスリットにより3分割されて、3分割した中央の金属箔の上に複数個のLEDチップを搭載して、LEDチップ相互の配線及びLEDチップと金属箔との配線が、ボンディングワイヤを用いて接続されている。放熱体は放熱板又は筐体であり、若しくはLEDパッケージ基板の平板状底部裏面をガラスエポキシ基板に固着してこのガラスエポキシ基板を放熱体として機能させることができる。底部端の両側からそれぞれ立ち上がる左右方向壁部に連結しかつそれに直交する前後方向壁部を設けることができ、これによって、封止樹脂を左右前後から閉じこめる機能を果たす。LEDパッケージは、複数個のLEDパッケージを連結するための連結部を作成して、電気的に直列に接続して構成した連結構成LEDパッケージとすることができる。積層体は、ポリイミド樹脂の溶液を金属箔又は金属プレートに塗り、乾燥させた後、金属プレート又は金属箔に熱圧着させることにより形成する。或いは、積層体は、金属箔又は金属プレートの上に、熱可塑性ポリイミド系樹脂に変換可能な少なくとも一種のポリイミド前駆体樹脂層を塗布した後、この前駆体樹脂層を熱処理することにより、熱可塑性ポリイミド系樹脂層を形成し、この熱可塑性ポリイミド系樹脂層の上に、金属プレート又は金属箔を加熱加圧下で接合して形成する。或いは、積層体は、金属箔と金属プレートの間に、熱可塑性ポリイミド系フィルムを挟持させたものを、加熱加圧下で接合して形成する。LEDパッケージ基板は、1枚の金属プレートの上に複数個同時作成し、LEDパッケージ基板上にLEDチップを装着して樹脂封止した後、個々のLEDパッケージ或いは任意の複数個連結したLEDパッケージに切り分ける個片化を行う。積層体の曲げ加工を行なう前、或いは後に、金属箔の上に反射材として機能する金属表面処理を施す。本発明によれば、LEDパッケージ基板に加工性及び熱伝導性の良好な金属プレートを用い、かつ、そこに装着されるLEDチップ接続配線との絶縁性を確保する絶縁層を用いつつも、LEDパッケージ基板形状を工夫して、平板状底部に大きな面積を確保して、この大きな面積を介して放熱体に伝熱するように構成したことによりLEDチップから放熱体への熱伝導性を向上させることができる。本発明のLEDパッケージ基板は、金属プレートと金属箔の間に挟まれた絶縁層からなる積層体の製造方法を工夫したことにより、絶縁用の樹脂層ポリイミドを非常に薄くして、熱抵抗を低減することができる。また、本発明によれば、LEDパッケージ基板の配線基板との電気接続部を、LEDパッケージ基板を装着する放熱体から分離することにより、LEDパッケージ基板と配線基板との電気的接続を簡易に行うと同時に、放熱と電気接続のそれぞれのコストパフォーマンスの最適化を図って、総合して安価で高効率な排熱を実現することができる。さらに、ガラスエポキシ基板によって配線基板を構成したことにより、ガラスエポキシ基板を介しても放熱して、熱伝導性を向上させることが可能になる。また、本発明によれば、放熱性が促進されるために、従来よりも高出力とすることができる明るくすることができる。または、従来と同出力で長寿命化を図ることができる。また、LEDパッケージ基板形状を工夫したことにより、高価なLEDチップ封止樹脂を、必要とする箇所のみに限定的に注入することができる。また、本発明によれば、工程の追加無く低コストで、複雑なプロセスを用いることなく、金属メッキのみで反射面を形成することができ、また、個別パッケージを配線基板に装着することができる。以下、例示に基づき本発明を説明する。図1は、本発明を具体化するLEDモジュール装置の第1の例を示す側面断面図である。例示のLEDモジュール装置は、LEDパッケージと、LEDパッケージを装着するための開口を有する配線基板と、LEDパッケージ裏面に固着された放熱板によって構成されている。配線基板の開口部へのLEDパッケージの装着は、LEDパッケージ側面と配線基板の間の隙間を接着材耐熱性接着材で埋め、この接着材の上で、LEDパッケージの一対の接続電極配線基板に接続するための外部接続電極を、配線基板上面の配線に半田付け等により接続することにより行う。LEDチップ発光面は、図中の上面側に向けられていて、配線基板に遮られること無く上面に向けて発光する。配線基板を装着したLEDパッケージの裏面は、放熱板の上に半田接続により固着される。或いは、この半田接続に代えて、高熱伝導性の接着材を用いて接着することも可能である。LEDパッケージは、LEDパッケージ基板の上に組み立てられる。LEDパッケージ基板は、図2を参照して後述するように、金属プレートの上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を挟んで金属箔例えば、銅箔を接合した積層体を所定形状に曲げ加工することにより、LEDチップ装着部及びその一対の電極を接続するための接続部を、平板状底面の上に形成している。金属箔の上には、反射材として機能する銀メッキを施している。接続配線として機能する金属箔及び銀メッキには、一対の接続電極金属箔の両端側を絶縁分離するためのスリットが開口してある。このように構成されたLEDパッケージ基板上に、LEDチップが装着され、電気的に接続配線された後、透明樹脂を充填して、LEDパッケージが構成されている。このように、本発明のLEDパッケージ基板は、LEDチップを装着して、その一対の電極を接続する接続部を形成するに十分な面積の平板状底部を有しており、この大きな面積を有する平板状底部の下面に放熱体が装着されるために、LEDチップからの放熱は効率よく放熱体に伝熱されることになる。以下、さらに、その製造法について詳述する。図2は、金型を用いたプレス加工による金属プレートの曲げ加工を説明する図である。図2aは、加工されるべき金属プレート銅とかアルミのような高熱伝導性の板状金属部材を示す側面図である。次に、bに示すように、この金属プレートの上に、ポリイミド樹脂からなる絶縁層を挟んで金属箔例えば、銅箔を接合した積層体を構成する。このために、熱可塑性ポリイミドを含むポリイミド樹脂を溶媒に溶解した溶液をまず金属箔又は金属プレートに塗り、乾燥させて金属プレート又は金属箔に熱圧着させる。通常は金属プレートと金属箔の平坦性を考慮し、一定の絶縁耐圧を確保しようとすれば、最低5μmの膜厚のポリイミド樹脂を塗らなければならない。ポリイミド樹脂の厚さは、放熱特性の観点からは、薄いほうが望ましいが、耐電圧と引き裂き強度の観点からは、ある程度の厚さが要求される。ポリイミド樹脂層を絶縁層として使用する場合は、LED搭載に要求される絶縁膜の耐電圧は一般的には2.5~5kVであり、ポリイミド樹脂の耐電圧は構造によっても異なるが数百~500Vμmなので、最低5μmの厚さが必要である。一方、放熱効果を上げるためには、ポリイミド樹脂層を厚くすることはできず、その厚さは40μm以下、好ましくは20μm以下が望ましい図13に基づき後述する実施例1の項を参照。積層体を構成する別の方法として、金属プレートの上に、最初に、熱可塑性ポリイミド系樹脂に変換可能な少なくとも一種のポリイミド前駆体樹脂層を塗布する実施例2参照。次に、この前駆体樹脂層を熱処理することにより、熱可塑性ポリイミド系樹脂層を形成する。この熱可塑性ポリイミド系樹脂層の上に、銅箔を加熱加圧下で接合して積層体を構成する。或いは、積層体を構成するために、最初に、金属プレートではなく、銅箔の上に、熱可塑性ポリイミドに変換可能なポリイミド前駆体樹脂層を塗布する。この前駆体樹脂層を加熱処理して、熱可塑性ポリイミド系樹脂層を形成したのちに、加熱加圧下で金属プレートと積層することもできる。上述のように、放熱性を上げるために絶縁層をできるだけ薄くしつつ、その破壊耐圧を確保するために、所定の膜厚が必要となるが、さらに平坦性のバラツキ膜厚をプラスする必要があり、耐圧に必要以上の膜厚を塗らなければならない。そこで、バラツキを低減して一定の膜厚を確保するために、球状のスペーサー粒子例えば、積水化学の製品名:ミクロパールSI、真球状のプラスチック微粒子3~500μmであり、高い圧縮性を保有しているをポリイミド樹脂に混ぜて塗布しても良い。さらに、このスペーサー粒子とは別に、若しくは両方を混在させて、スペーサー粒子の径より小さい熱伝導の良いフィラーをポリイミド樹脂に混ぜることにより、放熱特性をさらに改善することができる。熱伝導の良いフィラーとしては、窒化アルミ、アルミナコーティングされた金属微粒子例えば銅、又はアルミナコーティングされた炭素粒子あるいは繊維を用いることができる。一般に熱伝導性フィラーを充填していくと電気絶縁耐性が下がってくるが、絶縁層を厚く塗ることができるので、膜厚の制御が容易になる。このようにして、熱可塑性ポリイミドを含むポリイミド樹脂からなる絶縁層を、金属プレートと金属箔で挟んだ積層構成として、その絶縁層の膜厚を所定値5μm~40μmに制御できる。この絶縁層により、LEDチップの一対の接続電極間の絶縁を行うだけでなく、銅箔をLEDチップの接続配線として利用することができる。また、銅箔に限らず、アルミのような高熱伝導性の金属箔金属層を用いることができる。次に、図2cに示すように、接合した金属箔の加工を行って、スリット開口及び銅箔除去部を形成する。例えば、この加工のために、ホトリソグラフィ技術を用いる。金属層銅箔の上にレジストを塗布し、パターンを露光、現像してさらにエッチングを行い、レジストを除去して、スリット開口及び銅箔除去部を完成させる。ポリイミド系樹脂層があることで、上面の銅箔のエッチング加工が容易になる。スリット部は、LEDチップからの発光の反射材として機能しないので、狭い方が望ましいが、スリット両側の金属箔を絶縁分離するために20μm~100μm程度が望ましい。次に、dに示すように、銅箔、ポリイミド系樹脂層、及び金属プレートからなる積層体の折り曲げ加工を行う。この折り曲げ加工は、LEDチップを搭載するための凹所、及び上部を外方向に折り曲げた接続電極を形成するように、金型を用いたプレス加工によって行う。後述するように、接続電極を配線基板に対して半田付けした際に、半田が接続電極と金属プレートを電気的にショートさせるのを防ぐために、接続電極先端側を部分的に除去した銅箔除去部を設ける。即ち、接続電極端部は、金属プレート端より内側に配置されることになる。電極端と金属プレート端の半田ショートを防止するため、工程を追加すること無く、図2cに示すように、工程を追加すること無く、スリット開口工程によって銅箔除去部を設けることができる。次に、eに示すように、LEDチップからの発光の反射材として機能する金属例えば、銀メッキ金属表面処理を、金属箔の上面の全てに施す。メッキ処理のためのメッキ電極として金属箔を用いることにより、スリット及び銅箔除去部を除いて、金属箔の上面のみにメッキすることが可能になる。これによって、金属プレート上のほぼ全面に金属反射処理がなされることになる。または、金属メッキに代えて、金属表面処理の必要な箇所に銀インクを用いてインクジェット塗布し、焼成することによって光沢面反射材を形成することも可能である。なお、積層体の曲げ加工後に、金属反射処理を行うものとして説明したが、曲げ加工前に、金属反射処理を行うことも可能である。この場合、積層体のプレス加工は、少なくとも金属反射処理面の上を保護テープで覆った状態で行い、その後に保護テープを剥離する。図3Aは、LEDパッケージ基板を複数個連結した状態で示す図であり、Bは、その1個のLEDパッケージ基板のみを取り出して示す図である。図示の例において、5×14個のLEDパッケージ基板を、1枚の金属プレートの上に同時作成するものとして例示している。後の工程で、LEDパッケージ基板上にLEDチップを装着して樹脂封止した後、個々のパッケージ或いは任意の複数個連結したパッケージに切り分ける個片化が行われる。個片化は、図3Aに示す分割ラインに沿って行われるが、複数個のLEDパッケージを連結するための連結部を作成することによって、電気的に直列に接続されると同時に、連結構成LEDパッケージに柔軟性を付与して、凸面形状或いは凹面形状などの任意の外表面形状を有するヒートシンク或いは筐体の上に装着することができる後述する図12参照。図3Bに示すように、積層体の曲げ加工時の絞りの歪を周辺部に及ぼさないために、パッケージ基板領域の周辺に空隙部を形成する。パッケージ基板領域の周囲に設けた結合部を介して、その周囲の金属プレートとは連結されている。後の工程の個片化時に、この結合部で切断される。パッケージ基板領域内部の詳細は、図4或いは図5を参照して後述する。図4は、第1のLEDパッケージ基板を示す図であり、Aは1個のLEDパッケージ基板のみを取り出して示す図であり、Bは、Aに示すA-A’ラインで切断した断面図であり、Cは、Aに示すB-B’ラインで切断した断面図である。図示のLEDパッケージ基板は、LEDチップを搭載するための凹所が形成されている。この凹所両側には左右壁部が設けられ、また、この左右壁部に連結しかつ直交する前後壁部が設けられて、封止樹脂を左右前後から閉じこめる機能を果たしている。左右壁部上面の金属箔及びその上の銀メッキは、一対の接続電極配線基板図1参照に接続するための外部接続電極として機能する。また、一対の接続電極を電気的に分離するためのスリットが、金属箔及びその上の銀メッキに形成されている。スリットにより分割されたいずれか一方の金属箔の上に、後述のようにLEDチップが装着されることになる。このように、LEDパッケージ基板は、LEDチップを搭載して電気的に接続することになる平板状の底部と、この底部の左右前後に位置して底部端から折曲して立ち上がる方向に、LEDチップの発光方向と同じ側に伸びる左右及び前後の壁部を備えている。平板状底部は、その上面にLEDチップを装着して、その一対の接続電極を接続する接続部を形成するに十分な面積を有している。ボンディング接続を底部で行うために、プロセス上、ある程度のスペースが必要で、LEDチップは光学的に中央に位置するのが好ましいので、平板状底部の長辺の長さLとして、チップ短辺mの2倍~20倍、好ましくは3倍~10倍を取ることが望ましい図14に基づき後述する実施例3の項を参照。また、後述するように、この大きな面積を有する平板状底部の下面に接して放熱体が装着されるために、LEDチップからの放熱は効率よく放熱体に伝熱されることになる。一対の左右の壁部先端面の金属箔が、接続電極外部接続電極として機能する。底部端から左右前後の壁部が立ち上がる方向は、必ずしも直交する必要はなく、接続電極が平板状の底部より上方に位置できるように、例えば、斜め上方に直線的に、或いは湾曲させて立ち上がらせても良い。図示の例では、平板状の底部及び前後の壁部の金属箔をスリットにより2分割することにより、一対の接続電極を互いに分離している。後述するように図6参照、2分割した底部金属箔の一方の上にLEDチップを装着して一方のワイヤボンド接続をする一方、2分割底部金属箔の他方には他方のワイヤボンド接続をする。図5は、図4とは異なる第2のLEDパッケージ基板を示す図であり、Aは、1個のLEDパッケージ基板のみを取り出して示す図であり、Bは、Aに示すA-A’ラインで切断した断面図であり、Cは、Aに示すB-B’ラインで切断した断面図である。図5に示す第2のLEDパッケージ基板において、凹所の左右側のみに壁部を設けている点で、左右だけでなく前後に壁部を設けた図4とは相違している。後の工程で、LEDパッケージ基板上にLEDチップを装着した後、金型内で樹脂封止する際に、図中の左右方向に流れる樹脂は左右壁部によって規制される一方、前後方向に流れる樹脂は、パッケージ基板のエッジ部処理、例えばエッジ部のみ壁部を設けることによって規制される。その他の構成についての説明は、図4と同じであるので省略する。図6は、LEDパッケージ組立ての第1の例を示す図である。aに示すLEDパッケージ基板は、図4に示した第1のLEDパッケージ基板或いは図5に示した第2のLEDパッケージ基板と同一のものである。このLEDパッケージ基板の平板状底部おもて面の銀メッキした金属箔の上に、bに示すように、LEDチップを、接着材を用いて固定する。このLEDチップは、LED発光面を上面に有している。なお、LEDチップは、1個のみを例示したが、複数チップを搭載することもできる図8参照。次に、cに示すように、LEDチップと、接続配線として機能する金属箔との間でワイヤボンド接続が行われる。LEDチップをLEDパッケージ基板の底部金属箔の上に固着した後、2分割金属箔上のそれぞれの接続部と、LEDチップの一対の接続電極間を、ボンディングワイヤによりワイヤボンド接続する。上述したように、金属箔の上には、反射材として銀メッキが形成されているので、この銀メッキをワイヤボンディング性向上にも機能させることができる。次に、dに示す樹脂封止において、透明樹脂材質は、例えばエポキシ系やシリコーン系を用いて樹脂封止トランスファーモールドあるいはポッティングする。この透明樹脂には、蛍光体を混合しても良い。一般的に白色LEDの場合は、青色発光LEDチップを用いてLEDチップ上に黄色の蛍光体を配置し、この蛍光体が青色を受けて白く光っている。通常、この蛍光体は透明樹脂に混入されている場合が多い。樹脂封止は、連結状態のパッケージを金型内に配置して行われる。或いは樹脂封止はディスペンサーやスクリーン印刷で行なっても良い。封止樹脂の高さは、接続電極として機能する壁部先端面と同平面まで注入する。この後、個々のパッケージに、或いは複数個連結した状態のパッケージに個片化することによって、LEDパッケージが完成する。図7は、LEDパッケージ組立ての第2の例を示す図である。aに示す第3のLEDパッケージ基板は、銀メッキした金属箔が、フリップチップ実装用の配線用パターン形成されている点で、上述した第1或いは第2のLEDパッケージ基板とは異なっている。次に、bに示すように、このフリップチップ実装用配線パターン上の接続部に、LEDチップがフリップチップ搭載される。次に、cに示すように、図6を参照して説明したのと同様な樹脂封止が行われる。図8は、LEDパッケージ組立ての第3の例を示す図であり、Aは完成したLEDパッケージの上面図を示し、Bは側面断面図を示している。例示のLEDパッケージ基板は、銀メッキした金属箔が、左右両側にある2つのスリットにより3分割されている。この3分割した中央の金属箔の上に複数個6×6個として例示のLEDチップが搭載されて、LEDチップ相互の配線及びLEDチップと金属箔との配線が、ボンディングワイヤを用いて接続されている。この場合のように複数チップが一つのパッケージに搭載される場合は、チップ状態で良品であることが十分に検査されていることが前提である。図9は、本発明を具体化するLEDモジュール装置の第1の例図1参照の組立を説明する図である。最初に、aに示すように、LEDパッケージ図6~図8参照と、このLEDパッケージに相当する開口部を有する配線基板例えば、1層ガラスエポキシ基板を用意して、この配線基板の開口部にLEDパッケージを配置して、このLEDパッケージ側面と配線基板の間の隙間を接着材耐熱性及び絶縁性の接着材で埋める。次に、bに示すように、この接着材の上で、LEDパッケージの一対の接続電極を、配線基板上面の配線に半田付け、或いはインクジェットによる銅や銀等により接続する。LEDチップ発光面は、図中の上面側に向けられていて、LEDパッケージ基板に遮られること無く上面に向けて発光する。次に、cに示すように、配線基板を装着したLEDパッケージを、放熱板例えば、銅あるいはアルミ板の上に半田接続により固着する。或いは、この半田接続に代えて、高熱伝導性の接着材を用いて接着することも可能である。また、放熱板に代えて、そのまま筐体へ固着することも可能である。図10は、本発明を具体化するLEDモジュール装置の第2の例の組立を説明する図である。この第2の例は、放熱体として配線基板を利用する。このために、例示の配線基板は、LEDパッケージを装着する開口部を有しておらず、LEDパッケージが配線基板上面に装着される点で、図9に示した第1の例とは相違している。LEDモジュール装置の第2の例の組立は、最初に、aに示すように、熱伝導性が良い配線基板例えば、上述した窒化アルミのような熱伝導性フィラーをより多く充填した1層ガラスエポキシ基板上の所定位置に、LEDパッケージを接着材耐熱性及び絶縁性の接着材を用いて固着する。或いは、配線基板上に孤立した配線パターンを設ければ、半田接続によって固着することも可能である。次に、bに示すように、LEDパッケージ側面と配線基板との間を絶縁性の接着材で埋める。次に、cに示すように、この絶縁性接着材の上で、LEDパッケージの一対の接続電極を、配線基板上面の配線に半田付け、或いはインクジェットによる銅や銀等により接続する。LEDチップから発生した熱は、LEDパッケージ基板から配線基板を介して放熱される。図11は、本発明を具体化するLEDモジュール装置の第3の例を説明する図であり、Aはその断面図を示し、Bは配線基板に3個のLEDパッケージを装着した状態で示す上面図である。上述したLEDパッケージ図6~図8参照と、このLEDパッケージに相当する開口部を有する配線基板を用意する。配線基板は、例えば、裏面に配線層を有する1層ガラスエポキシ基板とすることができるが、光放射のために配線基板は出来るだけ薄い方が望ましく、ポリイミドのようなテープ基板でも良い。配線基板を開口すると基板の厚さ分が壁となり、そこに当る光がロスとなる。このためこの壁となる厚さが薄い程有利になる。またこのロスを小さくするために、図11Bに示す配線基板は、開口面積を大きくしておいて、LEDパッケージとの接続部を爪状に小さく構成している。配線基板のおもて面には、反射効果を得るために白色レジストを塗布する。この配線基板の開口部にLEDパッケージを配置して、このLEDパッケージ上面の接続電極を、配線基板裏面の配線に半田付けする。図示のように、接続電極は、金属プレート端より内側に入り込んでいるので、半田が金属プレート端部にはみ出すことはない。仮に、接続電極が金属プレート端まで延びていれば半田は薄い絶縁層の上をブリッジする危険性が高くなる。LEDチップ発光面は、図中の上面側に向けられていて、LEDパッケージ基板に遮られること無く上面に向けて発光する。配線基板を装着したLEDパッケージは、放熱板例えば、銅あるいはアルミ板の上に半田接続する。或いは、この半田接続に代えて、高熱伝導性の接着材を用いて接着することも可能である。また、放熱板に代えて、そのまま筐体へ固着することも可能である。図12は、本発明を具体化するLEDモジュール装置の第4の例を説明する図であり、Aは連結構成LEDパッケージの上面図を示し、Bはこの連結構成LEDパッケージを配線基板に装着した状態のA-A’ラインで切断した断面図を示している。連結構成LEDパッケージは、複数個4個として例示のLEDパッケージを、連結部で連結したものである。連結部は、絞り加工時の歪みを逃すために、連結部の両側に部分切除部が形成されている。連結部で連結することによって、電気的に直列に接続されると同時に、連結構成LEDパッケージに柔軟性を付与して、凸面形状或いは凹面形状などの任意の外表面形状を有するヒートシンク或いは筐体のような放熱体上に装着することができる。連結構成LEDパッケージの最両端側には、連結部はなく、ここに接続電極が形成されることになる。そして、この連結構成LEDパッケージが配線基板に実装される。配線基板上への実装は、図9を参照して上述したように、LEDパッケージ側面と配線基板との間を絶縁性の接着材で埋め、次に、この絶縁性接着材の上で、連結構成LEDパッケージの一対の接続電極を、配線基板上面の配線に半田付け、或いはインクジェットによる銅や銀等により接続する。図13は、LEDジャンクション温度の膜厚依存を示すグラフである。以下の解析条件で解析を行った。パッケージサイズ:4mm×4mm、放熱部面積15mm×15mm、消費電力:1W、周囲温度Ta:60°Cである。グラフ横軸は、ポリイミド樹脂層の厚さを示し、縦軸は、ジャンクション温度を示している。通常LEDジャンクション温度は120°C以下が望ましく、これを4mm□のパッケージで実現するにはポリイミドの膜厚を40μm以下にすることが必要になる。さらに望ましくは、膜厚を20μm以下にして、LEDジャンクション温度を100°C以下にする。LEDの金属基板上の絶縁膜としては、上記の熱伝導性以外にも、次の特性を満足する必要がある。1絶縁性薄いフィルムで絶縁信頼性を有する為には、絶縁破壊電圧が高いという必要がある。ポリイミドの標準的な絶縁破壊電圧は150kVmm程度、高性能品では500kVmm位あり、通常のエンジニアリングプラスチックでは、15~30kVmm程度である。このため、上述のように、高性能のポリイミドを使えば5μmの厚さまで薄くすることが可能である。2耐熱性半田耐熱性を有する必要があり260°C、LEDの発熱に耐える必要がある。ポリイミドの熱分解温度は、500°C以上で、抜群の性能を有している。3熱可塑性ポリイミドは熱可塑性と熱硬化性があるが、プレス成型で、変形に耐えるには、熱可塑性ポリイミドである必要がある。4機械強度応力に対して亀裂が入らない機械強度があること。5屈曲性ポリイミドはフレキシブル基板に使われるので、抜群の性能である。6長期安定性以上の特性が長期にわたって劣化せずに安定であること。金属プレート/ポリイミド/銅箔積層体の作成金属プレート上に熱可塑性ポリイミド系樹脂溶液を塗工する場合、例えば、熱可塑性ポリイミドワニスであるユピタイトUPA-N221C商品名:宇部興産社製をテトラヒドロフランで固形分15になるように希釈した溶液を塗布し、加熱して溶媒の乾燥を行うことにより製膜できる。金属プレート上に熱可塑性ポリイミド系樹脂の前駆体であるポリアミック酸溶液を塗工する場合は、テトラカルボン酸2無水物とジアミンを原料に等モルで重合させたポリアミック酸を含む溶液を塗布し、徐々に加熱してイミド閉環温度以下での脱溶剤処理の後、最終的に300~400°C迄加熱してイミド閉環し、ポリイミドへの変換を行うのが望ましい。特許文献4では、テトラカルボン酸2無水物分として、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ジアミン成分としては、メタキシリレンジアミンと1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼンが開示されている。また、特許文献5では、テトラカルボン酸2無水物分として3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ジアミン成分としては1,3-3-アミノフェノキシベンゼンに1,3-ビス3-マレイミドフェノキシベンゼンを共重合させたものが開示されている。塗工方法としては、これに限定されるものではないが、バーコーター、ロールコーター、ダイコーターコンマコーター、グラビアコーター、カーテンコーター、スプレーコーター等の公知の方法により行うことができる。或いは、市販の熱可塑性ポリイミドフィルムクラボウMidfilミドフィルを金属プレートと銅箔で挟み、加熱加圧下で接合して金属プレート/ポリイミド/銅箔の積層体を得ることも可能である。図14Aは、放熱性能熱抵抗比を示すグラフであり、Bは放熱板上に装着されるLEDパッケージ構造を示す図である。Bに示すように、LEDチップサイズをmとし、かつ、金属プレートが放熱板に接している長さをLとする。Aに示すグラフでは、横軸にmの倍数に変化させたLの長さ1m~5m及びそれを2乗した放熱面積を取り、かつ、縦軸に計算で求めた熱抵抗比を任意値L=1mのときの熱抵抗を1としたで示している。算出に際して、リードフレームの熱伝導率:300Wmk、ポリイミドの熱伝導率:05Wmk、銅箔の熱伝導率:400Wmkとした。銅箔の厚さは9μm、金属プレートの厚さは125μmとして、ポリイミドの厚さ51030μmのそれぞれに対して、各部材の熱抵抗をフーリエの法則より算出した。各部材の熱抵抗は、熱抵抗θ=部材厚みt/熱伝導率λ×放熱面積となる。合計熱抵抗は、銅箔、ポリイミド、金属プレートのそれぞれについて計算し、合計したものである。図14Aに見られるように、L=2mとすれば、熱抵抗は十分に低下することが分かる。これ以下だと、放熱が十分ではなく熱が蓄積して損傷の原因になる。Lの長さを長くするにつれて、熱抵抗は低下するが、L=5m以上に長くしても殆ど変化は無くなり、放熱効果がそれ以上向上しない。一方、Lの長さを長くすると、コスト的には不利であるので、辺長比L=2m~20mの範囲、好ましくは3m~10mの範囲が望ましい。以上、本開示にて幾つかの実施の形態を単に例示として詳細に説明したが、本発明の新規な教示及び有利な効果から実質的に逸脱せずに、その実施の形態には多くの改変例が可能である。"