"半導体基板と、半導体基板の表面または裏面に形成されており、第1金属膜と、第1金属膜と接合しており、第1金属膜とゼーベック係数が異なる第2金属膜とを有する複合金属膜と、第1金属膜と第2金属膜との電位差を検出可能な検出端子とを備えた、半導体装置。検出端子は、第1金属膜に電気的に接続する第1検出端子と、第2金属膜に電気的に接続する第2検出端子とを備えており、第1検出端子は、第1金属膜と同じ材料で形成されており、第2検出端子は、第2金属膜と同じ材料で形成されている、請求項1に記載の半導体装置。第1金属膜は、半導体基板の表面または裏面に接しており、第2金属膜は、第1金属膜の半導体基板と逆側の面に接して積層されている、請求項1または2に記載の半導体装置。第1金属膜は、Alを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、第2金属膜は、Ni,Ti,Mo,W,Ag,Cu,Znからなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として10mass以上含有する金属膜である、請求項3に記載の半導体装置。第1金属膜の厚さは、1μm以上である、請求項4に記載の半導体装置。第2金属膜は、Niを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、第2金属膜の厚さは、500nm以上である、請求項4または5に記載の半導体装置。第1金属膜は、Niを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、第2金属膜は、Zn,Tiからなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として10mass以上含有する金属膜である、請求項3に記載の半導体装置。第1金属膜の厚さは、500nm以上である、請求項7に記載の半導体装置。半導体装置は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極をさらに備えており、第1金属膜、第2金属膜および検出端子は、メイン電極と電気的に独立している、請求項1~8のいずれかに記載の半導体装置。半導体装置は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極をさらに備えており、第1金属膜、第2金属膜および検出端子は、メイン電極の電流経路に接続されている、請求項1~8のいずれかに記載の半導体装置。複合金属膜は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極の少なくとも一部である、請求項1~8のいずれかに記載の半導体装置。半導体基板と、半導体基板の表面または裏面に形成されており、第1金属膜と、第1金属膜と接合しており、第1金属膜とゼーベック係数が異なる第2金属膜とを有する複合金属膜と、第1金属膜と第2金属膜との電位差を検出可能な検出端子とを備えた、半導体装置の製造方法であって、第1金属膜と第2金属膜は、真空中で連続してスパッタリングによって成膜する、製造方法。第1金属膜と第2金属膜は、スパッタリングチャンバの待機真空度が1×10-6Pa以下であり、かつ成膜中のチャンバ内の圧力変動が10以下であり、成膜ガス純度が99以上である条件下で、純度が99以上の成膜用ターゲットを用いて、スパッタリングによって成膜する、請求項12に記載の製造方法。従来のPNダイオードを用いた温度検出素子では、温度検出素子に一定の電流を流したときの順方向電圧の温度依存性を利用して温度を検出するため、順方向電圧に対する電圧の変化を測定する必要がある。例えば、順方向電圧が1.5Vであり、PNダイオードの温度当りの電圧上昇率が3mV/°Cである場合には、順方向電圧を測定できるように、測定レンジが数Vに設定された電位検出器例えば、電圧計を用いて、数mV程度の電圧の変化を検出する必要がある。微小な電圧変化を精度よく検出することが困難であるため、温度を精度よく検出することが困難となる。半導体装置のメイン電極エミッタ電極等の半導体基板の素子形成領域に形成された電極としては、従来、1種類の金属が利用されることが通常であった。しかしながら、近年、パワー半導体装置の開発が進むに従い、半導体装置の放熱を促進する必要が高じ、メイン電極として異なる金属膜が積層されている積層電極を用い、これによって放熱性を高める技術が開発されている。本発明者は、この積層電極に着想を得て、異なる金属膜を接合して、半導体装置の温度検出素子として利用することを発明するに至った。本明細書は、半導体基板と、半導体基板の表面または裏面に形成されており、第1金属膜と、第1金属膜と接合しており、第1金属膜とゼーベック係数が異なる第2金属膜とを有する複合金属膜と、第1金属膜と第2金属膜との電位差を検出可能な検出端子とを備えた、半導体装置を開示する。上記の半導体装置によれば、検出端子によって、第1金属膜と第2金属膜の熱起電力を測定することができ、これによって、半導体装置の温度を検出することができる。第1金属膜と第2金属膜を接合した複合金属膜を用いた温度検出素子は、側温接点と基準接点との温度差に応じて発生する熱起電力を測定することによって、半導体装置の温度検出を行う。このため、発生した熱起電力の大きさに応じた測定レンジの電位検出器を用いた測定を行うことができ、従来のPNダイオードを用いた温度検出素子よりも温度検出感度を向上させることができる。検出端子は、第1金属膜に電気的に接続する第1検出端子と、第2金属膜に電気的に接続する第2検出端子とを備えていてもよい。この場合、第1検出端子は、第1金属膜と同じ材料で形成されており、第2検出端子は、第2金属膜と同じ材料で形成されていてもよい。第1金属膜は、半導体基板の表面または裏面に接しており、第2金属膜は、第1金属膜の半導体基板と逆側の面に接して積層されていてもよい。この場合、第1金属膜は、Alを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、第2金属膜は、Ni,Ti,Mo,W,Ag,Cu,Znからなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として10mass以上含有する金属膜であってもよい。さらに、第1金属膜Alを主成分として10mass以上含有する金属膜の厚さは、1μm以上であることが好ましい。第2金属膜が、Niを主成分として10mass以上含有する金属膜である場合には、第2金属膜の厚さは、500nm以上であることが好ましい。また、第1金属膜は、Niを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、第2金属膜は、Zn,Tiからなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として10mass以上含有する金属膜であってもよい。この場合、第1金属膜Niを主成分として10mass以上含有する金属膜の厚さは、500nm以上であってもよい。半導体装置は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極をさらに備えていてもよい。この場合、第1金属膜、第2金属膜および検出端子は、メイン電極と電気的に独立していてもよい。また、第1金属膜、第2金属膜および検出端子は、メイン電極の電流経路に接続されていてもよい。もしくは、複合金属膜は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極の少なくとも一部であってもよい。また、本明細書は、上記の半導体装置の製造方法を開示する。上記の半導体装置の製造方法では、第1金属膜と第2金属膜は、真空中で連続してスパッタリングによって成膜することが好ましい。また、第1金属膜と第2金属膜は、スパッタリングチャンバの待機真空度が1×10-6Pa以下であり、かつ成膜中のチャンバ内の圧力変動が10以下であり、成膜ガス純度が99以上である条件下で、純度が99以上の成膜用ターゲットを用いて、スパッタリングによって成膜することがより好ましい。本明細書が開示する半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の表面または裏面に形成されている複合金属膜とを備えている。複合金属膜は、第1金属膜と、第2金属膜を備えており、第1金属膜と第2金属膜は互いに接合している。第1金属膜と第2金属膜は、ゼーベック係数が相違している。本明細書が開示する半導体装置は、第1金属膜と第2金属膜との電位差を検出可能な検出端子をさらに備えている。第1金属膜と第2金属膜との接合面は測温接点であり、検出端子は基準接点であって、検出端子によって、測温接点と基準接点との温度差に応じて発生する熱起電力を測定することができる。これによって、半導体装置の温度を検出することができる。ゼーベック係数が相違する第1金属膜と第2金属膜を接合した複合金属膜を温度検出素子として利用することによって、温度検出時の応答性に優れ、高精度に温度検出が可能な温度検出素子を提供することができる。複合金属膜を用いた温度検出素子では、測温接点と基準接点との温度差に応じて発生する熱起電力を測定する。このため、例えば、温度当りの熱起電力の上昇率が3mV/°Cである場合には、測定レンジがmVオーダーに設定された電位検出器例えば電圧計を用いて熱起電力の変化を測定することができる。微小な温度変化も比較的良好に測定できるため、測定精度が良好となる。さらに、複合金属膜を用いた温度検出素子では、熱起電力は、複合金属膜の形状や大きさの影響を受けないため、製造時の特性ばらつきを小さくすることができる。なお、検出端子を用いて、第1金属膜と第2金属膜との電位差を検出するためには、従来公知の電位検出器例えば、電圧計等を利用することができる。例えば、第1金属膜に電気的に接続する第1検出端子と、第2金属膜に電気的に接続する第2検出端子を、それぞれ電位検出器に接続して、第1検出端子と第2検出端子との電位差を測定することによって、第1金属膜と第2金属膜との電位差を検出することができる。半導体基板に形成されている半導体素子は、特に限定されないが、例えば、ダイオード、MOSFET、IGBT、もしくはダイオードとIGBTが同一の半導体基板に形成されているRC-IGBT等を例示することができる。複合金属膜を用いた温度検出素子は、駆動時の発熱が大きい、大電流が流れる半導体素子が形成されている半導体装置例えば、パワー半導体装置に好適に利用できる。上記の半導体装置では、複合電極膜は、半導体基板の表面に形成されていてもよいし、裏面に形成されていてもよい。また、複合電極膜は、半導体基板に接していていもよいし、複合電極膜と半導体基板の間に絶縁膜等の他の膜が介在していてもよい。なお、本明細書にいう半導体基板の表面または裏面に形成されている複合金属膜は、半導体基板に接して形成されている複合金属膜、および半導体基板の間に絶縁膜等の他の膜を介して形成されている複合金属膜の双方を含む。従来のPNダイオードを用いた温度検出素子は、半導体基板と絶縁した状態で使用する必要があり、半導体基板の表面に直接形成することができなかった。これに対して、本明細書が開示する複合金属膜を用いた温度検出素子は、半導体基板と電気的に接続されていてもよく、半導体基板の表面に接していてもよい。従来のPNダイオードを用いた温度検出素子では、半導体装置における設置箇所に制約があり、温度検出素子を設置するスペースを十分に確保する必要があった。本明細書が開示する複合金属膜を用いた温度検出素子は、従来よりも設置スペースの制約が大幅に緩和され、半導体装置の小型化に寄与することができる。第1金属膜と第2金属膜は、互いに接合していればよい。例えば、半導体基板の深さ方向に第1金属膜と第2金属膜が積層されていてもよいし、半導体基板の平面方向深さ方向に垂直な方向に第1金属膜と第2金属膜が隣接していてもよいし、これらが複合した形態で接合していてもよい。検出端子は、第1金属膜と第2金属膜の熱起電力を測定することができればよく、例えば、第1金属膜に電気的に接続する第1検出端子と、第2金属膜に電気的に接続している第2検出端子を備えていてもよい。特に限定されないが、検出端子の具体例を挙げると、配線、配線引き出し構造、パッド構造電極パッド等を例示することができる。検出端子は、それぞれが接続する金属膜と同じ材料である場合には、設計が容易になり、好ましい。材料コスト等を優先する場合には、それぞれが接続する金属膜と異なる材料を検出端子として用いることもできる。この場合には、第1金属膜、第2金属膜と検出端子との接合部分の熱起電力を考慮した設計を行うことによって、温度検出素子として利用することができる。複合金属膜は、半導体装置に1つのみ形成されていてもよいし、複数形成されていてもよい。複合金属膜が複数形成されている場合には、それぞれの複合金属膜に対して、別個の電気的に独立した検出端子が設けられていることが好ましい。複合金属膜は、半導体装置の深さ方向に積層された複合金属膜であり、第1金属膜が半導体基板の表面または裏面に接しており、第2金属膜は、第1金属膜のそのさらに表面または裏面半導体基板と逆側の面に接して形成されていてもよい。この場合、第1金属膜および第2金属膜のそれぞれの材料は、互いのゼーベック係数の差が大きく、かつ、半導体装置の電極として用いられている金属材料であることが好ましい。具体的には、第1金属膜は、Alを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、第2金属膜は、Ni,Ti,Mo,W,Ag,Cu,Znからなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として10mass以上含有する金属膜であることが好ましく、第2金属膜はNiを主成分として10mass以上含有する金属膜であることがより好ましい。さらに、第1金属膜Alを主成分として10mass以上含有する金属膜の厚さは、1μm以上であることが好ましい。第2金属膜が、Niを主成分として10mass以上含有する金属膜である場合には、第2金属膜の厚さは、500nm以上であることが好ましい。また、第1金属膜は、Niを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、第2金属膜は、Zn,Tiからなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として10mass以上含有する金属膜であってもよい。この場合、第1金属膜Niを主成分として10mass以上含有する金属膜の厚さは、500nm以上であることが好ましい。上記の組成を有する第1金属膜および第2金属膜を有する複合金属膜は、半導体装置のメイン電極半導体素子に接続する電極として好適に利用することができる。複合電極膜をメイン電極として利用しない場合にも、メイン電極と同じ製造工程で同時に複合電極膜を製造できる点で有利である。複合電極膜とメイン電極および検出端子の成分が同じである場合には、複合電極膜とメイン電極の双方を共通のプロセスで同時に製造できるため、製造工程を簡略化することができる。半導体装置は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極をさらに備えていてもよい。この場合、第1金属膜、第2金属膜および検出端子は、メイン電極と電気的に独立していてもよい。また、第1金属膜、第2金属膜および検出端子は、メイン電極の電流経路に接続されていてもよい。もしくは、複合金属膜は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極の少なくとも一部であってもよい。例えば、半導体基板にIGBT素子が形成されている場合には、エミッタ電極とコレクタ電極との間の電流経路と複合金属膜が共通していることが好ましい。具体的には、例えば、電流が流れる配線の一部として複合金属膜が設置されていることが好ましい。さらに、複合金属膜が、半導体基板のIGBT素子が形成されている領域に形成されていることがより好ましい。温度検出素子として利用する複合金属膜を設置するためのスペースを省略することができるとともに、温度検出感度を向上することができる。エミッタ電極とコレクタ電極との間の電流経路と複合金属膜が共通している場合には、エミッタ端子が他の端子コレクタ端子、ゲート端子等と電気的に独立であることが好ましい。具体的には、例えば、エミッタコンタクト部がフローティング拡散層に覆われており、エミッタ端子が他の端子に対して電気的に独立である、クラスターIGBT構造を有する半導体装置であることが好ましい。第1金属膜と第2金属膜は、真空中で連続してスパッタリングによって成膜することによって製造することが好ましい。第1金属膜を製造した後に大気に暴露することなく第2金属膜を製造することによって、第1金属膜と第2金属膜との接合面の不純物濃度が大きくなることを抑制できる。このため、接合面を均一化し、良好な特性を有する温度検出素子を形成することができる。第1金属膜と第2金属膜は、スパッタリングチャンバの待機真空度が1×10-6Pa以下、成膜中のチャンバ内の圧力変動が10以下、成膜ガス例えば、アルゴンガス、クリプトンガス純度が99以上および成膜用ターゲット純度が99以上の条件下でスパッタリングによって成膜することによって製造することがより好ましい。ここで、成膜用ターゲット純度が99以上であるとは、第1金属膜および第2金属膜の組成成分が99以上であり、その余は不可避不純物であるということを意味する。なお、第1金属膜と第2金属膜を形成する方法は、スパッタリングによって成膜する方法に限定されない。例えば、めっき法等の従来公知の金属膜を成膜する方法を利用することができる。めっき法を用いる場合には、第1金属膜および第2金属膜の組成を厳密に管理するに必要がある。スパッタリングによって成膜した場合には、第1金属膜および第2金属膜の組成管理が比較的容易である。半導体装置実施例1に係る半導体装置10は、図1および図2に示すように、半導体基板100と、表面絶縁膜110と、メイン電極120と、複合金属膜130と、電極パッド141,142とを備えている。半導体基板100には、図示していないが、半導体素子としてIGBTが形成されている。表面絶縁膜110は、半導体基板100のIGBT素子が形成されていない領域の表面に接している。複合金属膜120は、表面絶縁膜110の表面に接している。メイン電極120は、半導体基板100のIGBT素子が形成されている領域の表面に接している。メイン電極120は、エミッタ電極である。なお、図示していないが、半導体基板110の裏面に接して、コレクタ電極が形成されている。メイン電極120は、半導体基板100の深さ方向に積層された第1電極膜121および第2電極膜122を有している。第1電極膜121は、半導体基板100の表面に接している。第2電極膜122は、第1電極膜121の表面に接している。第1電極膜121と第2電極膜122は、接合されている。第1電極膜121は、Alを主成分として10mass以上含有する金属膜である。第2電極膜122は、Niを主成分として10mass以上含有する金属膜である。複合電極膜130は、半導体基板100の深さ方向に積層された第1金属膜131および第2金属膜132を有している。第1金属膜131は、表面絶縁膜110の表面に接している。第2金属膜132は、第1金属膜131の表面に接している。第1金属膜131と第2金属膜132は、接合されている。第1金属膜131は、Alを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、その厚さは、1μm以上である。第2金属膜132は、Niを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、その厚さは、500nm以上である。第1金属膜131のゼーベック係数S1と第2金属膜132のゼーベック係数S2は、相違しているS1≠S2。第1金属膜131は、配線133によって電極パッド141に接続されており、第2金属膜132は、配線134によって電極パッド142に接続されている。配線133および電極パッド141は、第1検出端子であり、第1金属膜131と同じ材料で形成されている。配線134および電極パッド142は、第2検出端子であり、第2金属膜132と同じ材料で形成されている。電極パッド141および142を電圧計等の電位検出器図示しないに接続することによって、第1金属膜131と第2金属膜132との間の電位差を検出することができる。第1金属膜131のゼーベック係数S1と第2金属膜132のゼーベック係数S2は相違しているため、第1金属膜131と第2金属膜132との接合面と、電極パッド141および電極パッド142との温度差によって電位差が発生する。この電位差を電位検出器によって検出することにより、半導体装置10の温度検出を行うことができる。第1金属膜131と第2金属膜132とを有する複合金属膜120と、電極パッド141,142および配線133,134は、半導体装置10の温度検出素子として利用することができる。半導体装置の製造方法半導体装置10において、第1金属膜131と第2金属膜132は、真空中で連続してスパッタリングによって成膜することによって形成される。例えば、スパッタリングチャンバに半導体基板を配置した後に、チャンバの待機真空度を1×10-6Pa以下とし、第1金属膜131と同じ材料の成膜用ターゲット第1金属膜131の組成成分が99以上のターゲットを用いて、成膜中のチャンバ内の圧力変動が10以下、かつ成膜ガス純度が99以上の条件下でスパッタリングによって成膜する。続いて、第2金属膜132と同じ材料の成膜用ターゲット第2金属膜132の組成成分が99以上のターゲットを用いて、成膜中のチャンバ内の圧力変動が10以下、かつ成膜ガス純度が99以上の条件下でスパッタリングによって成膜する。これによって、第1金属膜131と第2金属膜132との接合面を良好な状態にすることができる。なお、第1金属膜131と第1電極膜121の材料が同じである場合には、同時に成膜することができる。同様に、第2金属膜132と第2電極膜122の材料が同じである場合には、同時に成膜することができる。変形例図3~図5は、図1および2に示す半導体装置10の変形例を示している。図3に示す半導体装置11は、表面絶縁膜110を介して半導体基板100の表面に形成された複合金属膜150を備えている。複合電極膜150は、半導体基板100の深さ方向に積層された第1金属膜151および第2金属膜152を有している。第1金属膜151は、表面絶縁膜110の表面に接している。第2金属膜152は、第1金属膜151の表面に接している。第1金属膜151と第2金属膜152は、接合されている。第1金属膜151は、配線引き出し構造153によって接続パッド155に接続されており、第2金属膜152は、配線引き出し構造154によって接続パッド156に接続されている。第1金属膜151、第2金属膜152および配線引き出し構造153,154は、ポリイミド等を材料とする保護膜190に覆われている。接続パッド155,156の表面は、保護膜190の表面に露出している。接続パッド155は、配線157によって電極パッド141に接続されており、接続パッド156は、配線158によって電極パッド142に接続されている。配線引き出し構造153,接続パッド155,配線157および電極パッド141は、第1検出端子であり、第1金属膜151と同じ材料で形成されている。配線引き出し構造154,接続パッド156、配線158および電極パッド142は、第2検出端子であり、第1金属膜152と同じ材料で形成されている。また、図4に示す半導体装置12は、表面絶縁膜110を介して半導体基板100の表面に形成された複合金属膜160を備えている。複合電極膜160は、半導体基板100の深さ方向に積層された第1金属膜161および第2金属膜162を有している。第1金属膜161は、表面絶縁膜110の表面に接している。第2金属膜162は、第1金属膜161の表面に接している。第1金属膜161と第2金属膜162は、接合されている。第1金属膜161は、配線引き出し構造163によって接続パッド165に接続されている。第1金属膜151および配線引き出し構造163は、ポリイミド等を材料とする保護膜190に覆われている。接続パッド165および第2金属膜162の表面は、保護膜190の表面に露出している。接続パッド165は、配線167によって電極パッド141に接続されており、第2金属膜162は、配線168によって電極パッド142に接続されている。配線引き出し構造163,接続パッド165,配線167および電極パッド141は、第1検出端子であり、第1金属膜161と同じ材料で形成されている。配線168および電極パッド142は、第2検出端子であり、第2金属膜162と同じ材料で形成されている。また、図5に示す半導体装置13は、表面絶縁膜110を介して半導体基板100の表面に形成された複合金属膜170を備えている。複合電極膜170は、半導体基板100の平面方向深さ方向に垂直な方向に隣接する第1金属膜171および第2金属膜172を有している。第1金属膜171および第2金属膜172は、表面絶縁膜110の表面に接している。第1金属膜171と第2金属膜172は、その側面において互いに接合されている。第1金属膜171は、配線173によって電極パッド141に接続されており、第2金属膜172は、配線174によって電極パッド142に接続されている。配線173および電極パッド141は、第1検出端子であり、第1金属膜171と同じ材料で形成されている。配線174および電極パッド142は、第2検出端子であり、第2金属膜172と同じ材料で形成されている。図5に示すように、半導体基板の平面方向深さ方向に垂直な方向に第1金属膜171と第2金属膜172が隣接している場合には、検出端子の配線引き回しが容易になる。配線の引き回しの自由度が比較的小さい半導体基板の裏面側に複合金属膜を形成する場合には、半導体基板の平面方向に第1金属膜と第2金属膜が隣接している複合金属膜を採用することが好ましい。第1金属膜151,161,171は、それぞれAlを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、その厚さは、1μm以上である。第2金属膜152,162,172は、それぞれNiを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、その厚さは、500nm以上である。第1金属膜151,161,171と第2金属膜152,162,172のゼーベック係数は、それぞれ相違している。なお、半導体装置11,12および13のその他の構成は、半導体装置10と同様であるため、重複説明を省略する。半導体装置11,12および13においても、電極パッド141、142に電位検出器を接続する等によって、第1金属膜151,161,171と第2金属膜152,162,172との電位差を検出することができる。複合金属膜150,160,170およびこれに接続する配線引き出し構造153,154,163、接続パッド155,156,165、配線157,158,167,168,173,174、電極パッド141,142等を半導体装置11,12,13の温度検出素子として利用することができる。半導体装置実施例2に係る半導体装置20は、図6および図7に示すように、半導体基板200と、表面絶縁膜210と、複合金属膜220と、電極パッド241,242とを備えている。複合金属膜220は、メイン部225と検出部230とを備えている。半導体基板200には、図示していないが、半導体素子としてIGBTが形成されている。メイン部225は、半導体基板200のIGBT素子が形成されている領域の表面に接している。表面絶縁膜210は、半導体基板200のIGBT素子が形成されていない領域の表面に接している。検出部230は、表面絶縁膜210の表面に接している。メイン部225は、エミッタ電極として機能する。なお、図示していないが、半導体基板210の裏面に接して、コレクタ電極が形成されている。複合金属膜220は、半導体基板200の深さ方向に積層された第1金属膜221および第2金属膜222を有している。第1金属膜221は、半導体基板200の表面に接している。第2金属膜222は、第1金属膜221の表面に接している。第1金属膜221と第2金属膜222は、接合されている。第1金属膜221は、Alを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、その厚さは、1μm以上である。第2金属膜222は、Niを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、その厚さは、500nm以上である。第1金属膜221のゼーベック係数S21と第2金属膜222のゼーベック係数S22は、相違しているS21≠S22。第1金属膜221の検出部230の表面には配線234が接続されており、配線234は、電極パッド241に接続されている。第2金属膜222の表面には配線224が接続されており、配線224は、電極パッド242に接続されている。配線234および電極パッド241は、第1検出端子であり、第1金属膜221と同じ材料で形成されている。配線224および電極パッド242は、第2検出端子であり、第2金属膜222と同じ材料で形成されている。電極パッド241および242を電位検出器図示しないに接続することによって、第1金属膜221と第2金属膜222との間の電位差を検出することができる。第1金属膜221のゼーベック係数S21と第2金属膜222のゼーベック係数S22は相違しているためS21≠S22、第1金属膜221と第2金属膜222との接合面と、電極パッド241および電極パッド242との温度差によって電位差が発生する。この電位差を電位検出器によって検出することにより、半導体装置20の温度検出を行うことができる。第1金属膜221と第2金属膜222とを有する複合金属膜220と、電極パッド241,242および配線224,234は、半導体装置20の温度検出素子として利用することができる。また、複合金属膜220は、IGBTのエミッタ電極として利用することもできる。温度検出時の電流経路とIGBTの電流経路が共通しているため、温度検出素子として利用する複合金属膜220を設置するためのスペースを省略することができるとともに、温度検出感度を向上することができる。なお、第1金属膜221および第2金属膜222については、実施例1において説明した製造方法と同様の方法によって製造することができる。変形例図8および図9は、図6および7に示す半導体装置20の変形例を示している。図8に示す半導体装置21は、半導体基板200のIGBT素子が形成されている領域の表面に接して形成された複合金属膜250を備えている。複合電極膜250は、半導体基板200の深さ方向に積層された第1金属膜251および第2金属膜252を有している。第1金属膜251は、半導体基板200のIGBT素子が形成されている領域の表面に接している。第2金属膜252は、第1金属膜251の表面に接している。第1金属膜251と第2金属膜252は、接合されている。第1金属膜251は、配線引き回し構造261によって接続パッド262に接続されており、第2金属膜252は、配線引き回し構造263によって接続パッド264に接続されている。第1金属膜251は、第2金属膜252およびポリイミド等を材料とする保護膜290によって覆われている。配線引き回し構造261,263は、保護膜290に覆われている。第2金属膜252および接続パッド262,264の表面は、保護膜290の表面に露出している。接続パッド262は、配線265によって電極パッド241に接続されており、接続パッド264は、配線266によって電極パッド242に接続されている。配線引き回し構造261、接続パッド262,配線265および電極パッド241は、第1検出端子であり、第1金属膜251と同じ材料で形成されている。配線引き回し構造263、接続パッド264,配線266および電極パッド242は、第2検出端子であり、第2金属膜252と同じ材料で形成されている。また、図9に示す半導体装置22は、半導体基板200のIGBT素子が形成されている領域の表面に接して形成された複合金属膜270を備えている。複合電極膜270は、半導体基板200の深さ方向に積層された第1金属膜271および第2金属膜272を有している。第1金属膜271は、半導体基板200のIGBT素子が形成されている領域の表面に接している。第2金属膜272は、第1金属膜271の表面に接している。第1金属膜271と第2金属膜272は、接合されている。第1金属膜271は、配線引き回し構造281によって接続パッド282に接続されている。第1金属膜271は、第2金属膜272およびポリイミド等を材料とする保護膜290によって覆われている。配線引き回し構造281は、保護膜290に覆われている。接続パッド282および第2金属膜272の表面は、保護膜290の表面に露出している。接続パッド282は、配線284によって電極パッド241に接続されており、第2金属膜272は、配線274によって電極パッド242に接続されている。配線引き回し構造281、接続パッド282,配線284および電極パッド241は、第1検出端子であり、第1金属膜271と同じ材料で形成されている。配線274および電極パッド242は、第2検出端子であり、第2金属膜272と同じ材料で形成されている。第1金属膜251,271は、それぞれAlを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、その厚さは、1μm以上である。第2金属膜252,272は、それぞれNiを主成分として10mass以上含有する金属膜であり、その厚さは、500nm以上である。第1金属膜251,271と第2金属膜252,272のゼーベック係数は、それぞれ相違している。なお、半導体装置21および22のその他の構成は、半導体装置20と同様であるため、重複説明を省略する。半導体装置21および22においても、電極パッド241、242に電位検出器を接続する等によって、第1金属膜251,271と第2金属膜252,272との電位差を検出することができる。複合金属膜250,270およびこれに接続する配線引き回し構造261,263,281、接続パッド262,264,282、配線265,266,274,284電極パッド241,242等を半導体装置21,22の温度検出素子として利用することができる。また、複合金属膜220と同様に、複合金属膜250,270は、IGBTのエミッタ電極として利用することができる。以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"