"表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品1であって、放射通過面10と、オプトエレクトロニクス半導体チップ2と、空洞31が形成されているチップキャリア3であって、前記空洞31の中に前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2が配置されている、前記チップキャリア3と、前記チップキャリア3の少なくとも一部分を囲んでいる成形体5と、を備えており、前記放射通過面10に直角な垂直方向において、前記チップキャリア3が前記成形体5を完全に貫いている、表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。前記成形体5が、垂直方向には、前記チップキャリア3の上部35によって決まる第1の主面55と、前記チップキャリア3の下部36によって決まる第2の主面56との間に、その全体が形成されており、前記成形体5が、コンタクト構造4の領域に凹部51を備えている、請求項1に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。前記成形体5の中に前記コンタクト構造4が配置されており、前記コンタクト構造4が垂直方向に前記成形体を完全に貫いており、前記コンタクト構造4が、接続線8を介して前記半導体チップ2に導電接続されており、前記接続線8の一部分が、前記第1の主面55と前記放射通過面10との間に延びている、請求項2に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。前記チップキャリア3が第1のコンタクト61を形成しており、前記コンタクト構造4がさらなるコンタクト62を形成しており、前記第1のコンタクト61および前記さらなるコンタクト62が、前記放射通過面10とは反対側の前記部品1の面に配置されている、請求項3に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。前記空洞31の側面311が、前記オプトエレクトロニクス部品1の動作時に前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2によって生成される放射、もしくは前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2によって受信される放射、またはその両方に対して、反射性であるように構成されている、請求項1から請求項4の何れか1項に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。前記空洞31の底面310が第1のコーティングを備えており、前記空洞31の前記側面311が第2のコーティングを備えており、前記第1のコーティングが金を含んでおり、前記第2のコーティングが、銀、アルミニウム、ロジウム、またはクロムを含んでいる、請求項5に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2がカバー体7に埋め込まれており、前記カバー体7が前記成形体5を少なくとも部分的に覆っている、請求項1から請求項6の何れか1項に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。前記チップキャリア3がアンカー構造32,32a,32bを備えており、前記アンカー構造32,32a,32bの上に前記カバー体7もしくは前記成形体5またはその両方が成形されている、請求項7に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。前記カバー体7と前記成形体5が、少なくとも、前記放射通過面10に沿って延びる方向において、端部が揃っている、請求項7または請求項8に記載の表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品。表面実装可能な部品1の製造方法であって、aチップキャリア3を形成するステップであって、前記チップキャリア3の上部35に空洞31が形成されているステップと、b前記空洞31の中にオプトエレクトロニクス半導体チップ2を配置するステップと、c前記チップキャリア3を補助キャリア15の上に配置するステップと、d前記チップキャリア3を有する前記補助キャリア15を成形型59の中に配置するステップであって、前記空洞31が、前記成形型59と前記チップキャリア3の前記上部35とによって密閉されるステップと、e前記成形型59に成形用組成物50を満たすステップであって、前記成形用組成物50が、前記空洞31の外側において、前記チップキャリア3の少なくとも一部分に成形されるステップと、f前記成形型59を除去するステップと、g前記補助キャリア15を除去するステップと、を含んでいる、方法。前記補助キャリア15の上にコンタクト構造4が設けられ、ステップeにおいて、前記チップキャリア3と前記コンタクト構造4が成形体5によって機械的に互いに結合される、請求項10に記載の方法。前記チップキャリア3が外側側面39を備えており、前記外側側面39が前記チップキャリア3の前記上部35から前記下部36まで延在しており、前記外側側面39が前記成形用組成物50によって完全に囲まれる、請求項10または請求項11に記載の方法。前記成形体5が、射出成形またはトランスファ成形によって形成される、請求項10から請求項12の何れか1項に記載の方法。ステップeの後、前記半導体チップ2にカバー体7が設けられ、前記カバー体7が前記成形体5を完全に覆う、請求項10から請求項13の何れか1項に記載の方法。請求項1から請求項9の何れか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品が製造される、請求項10から請求項14の何れか1項に記載の方法。本出願の目的は、動作時に発生する廃熱を効率的に放散させることができ、容易、低コスト、かつ高い信頼性で製造することのできる、表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品を提供することである。本発明のさらなる目的は、このような部品の製造方法を提供することである。この目的は、独立請求項の特徴を有する表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品およびその製造方法によって達成される。構造形態およびさらなる発展形態は、従属請求項の主題である。一実施形態によると、表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品は、放射通過面と、オプトエレクトロニクス半導体チップと、チップキャリアとを備えている。チップキャリアには空洞が形成されており、この空洞の中に半導体チップが配置されている。チップキャリアは、少なくとも一部分が成形体によって囲まれている。チップキャリアは、放射通過面に直角な垂直方向において成形体を完全に貫いている。したがって、半導体チップの動作時に発生する廃熱を、半導体チップからチップキャリアを介して部品の外に直接放散させることができる。垂直方向には、チップキャリアは、放射通過面の側の上部と、下部との間に延在している。空洞は、チップキャリアの上部に形成されていることが好ましい。半導体チップは、チップキャリアに接合されていることが好ましい。接合の場合、接合要素好ましくはあらかじめ作製されているは、原子間力もしくは分子間力またはその両方によって互いに保持されている。接合は、例えば、接合材例:接着剤、はんだによって達成することができる。一般には、接合を分離すると、それに伴って、接合材例:接合層もしくは接合要素の少なくとも一方、またはその両方が破壊される。チップキャリアと半導体チップとの間に形成されている接合層は、はんだ層であることが好ましい。はんだ層は、特に高い熱伝導率を特徴としており、したがって、半導体チップとチップキャリアとの間の熱抵抗が減少し、したがって、半導体チップからの熱放散が大幅に改善される。成形体は、プラスチック材料を含んでいる、またはプラスチック材料からなることが好ましい。このような材料は、部品の製造時、容易に、高い信頼性で、かつ低コストで、チップキャリアの周囲に成形することができる。半導体チップは、空洞の完全に内側に配置されていることが好ましく、すなわち、半導体チップは、チップキャリアの上部よりも突き出していないことが好ましい。本部品は、オプトエレクトロニクス半導体チップに加えて、さらなる半導体チップ、特に、電子半導体チップまたはオプトエレクトロニクス光電子半導体チップを備えていることもできる。このさらなる半導体チップは、空洞の中、またはさらなる空洞の中に配置することができる。好ましい構造形態においては、成形体は、垂直方向には、チップキャリアの上部によって決まる第1の主面と、チップキャリアの下部によって決まる第2の主面との間に、その全体が形成されている。言い換えれば、成形体の最大厚さは、チップキャリアの厚さよりも小さいかまたは等しい。本明細書において、厚さとは、垂直方向における範囲を意味する。さらには、成形体は、少なくとも、チップキャリアに隣接している領域において、チップキャリアの下部もしくはチップキャリアの上部またはその両方と、垂直方向において同じ高さにあることが好ましい。さらには、成形体は、横方向においてチップキャリアを完全に囲んでいることができ、特に、チップキャリアの周囲の領域全体においてチップキャリアの上部および下部と同じ高さにあることができる。好ましい構造形態においては、成形体の中にコンタクト構造が配置されている。コンタクト構造は、成形体を垂直方向に完全に貫いていることが好ましい。コンタクト構造は、接続線例えばワイヤボンド接続を介して半導体チップに導電接続されていることが好ましい。コンタクト構造によって、外部から半導体チップとの電気的接触を、放射通過面とは反対側の面から形成することができる。接続線は、その一部分が第1の主面と放射通過面との間に延びていることが好ましい。したがって、接続線は、垂直方向において一部分が成形体およびチップキャリアより上に突き出している。この場合、部品の平面視において、接続線は、チップキャリアとコンタクト構造との間の横方向距離を橋渡ししているbridges。さらなる好ましい構造形態においては、チップキャリアは第1のコンタクトを形成しており、この第1のコンタクトを介して半導体チップに外部から電気的に接触することができる。この場合、コンタクト構造がさらなるコンタクトを形成していることができ、第1のコンタクトおよびさらなるコンタクトは、放射通過面とは反対側の部品の面に配置されていることが好ましい。これに代えて、チップキャリアが外部からの電気的接触を目的とせず、特に、熱放散の役割を果たすことも考えられる。この場合、本部品において少なくとも2つの外部からの電気的接触が提供されるように、本部品は少なくとも1つのさらなるコンタクト構造を備えていることが好ましい。好ましい一構造形態においては、空洞の底面が第1のコーティングを備えている。第1のコーティングは、特に、オプトエレクトロニクス半導体チップとのはんだ付け結合を単純化することを目的とする。したがって、第1のコーティングによって、チップキャリアと半導体チップとの間に、熱抵抗の小さい結合部が単純に形成される。第1のコーティングは、金、または金を含んだ金属合金からなることが好ましい。さらなる好ましい構造形態においては、空洞の側面は、オプトエレクトロニクス部品の動作時にオプトエレクトロニクス半導体チップによって生成される放射、もしくはオプトエレクトロニクス半導体チップによって受信される放射、またはその両方に対して反射性であるように構成されている。特に、この側面は、第2のコーティングを備えていることができる。第2のコーティングは、金属または金属合金を含んでいることが好ましい。可視スペクトル領域または紫外スペクトル領域においては、例えば、銀、アルミニウム、ロジウム、クロムは、高い反射率を特徴とする。赤外スペクトル領域においては、第2のコーティングとして例えば金が適している。これに代えて、またはこれに加えて、チップキャリアは、プラスチック材料を含んでいることもできる。反射率を高めるため、プラスチック材料の中に充填材例えば二酸化チタンを含めることができる。好ましい一構造形態においては、オプトエレクトロニクス半導体チップは、カバー体coveringに埋め込まれている。カバー体は、半導体チップを封止する役割を果たしており、外部からの悪影響例えば湿気やダストから半導体チップを保護する。カバー体は、成形体の少なくとも一部分も覆っていることが好ましい。さらに、カバー体は、垂直方向には、放射通過面の方向に成形体の第1の主面より上に延在していることが好ましい。特に、放射通過面をカバー体によって形成することができる。カバー体は、例えば、少なくとも一部分をレンズ状とする例えば、本部品の平面視において凸状に湾曲していることができる。カバー体は、オプトエレクトロニクス半導体チップによって生成される放射、もしくはオプトエレクトロニクス半導体チップによって受信される放射、またはその両方に対して透明である、または少なくとも半透明であることが好ましい。好ましいさらなる一発展形態においては、チップキャリアは、アンカー構造anchoringstructureを備えており、このアンカー構造の上にカバー体もしくは成形体またはその両方が成形されている。アンカー構造は、カバー体もしくは成形体またはその両方がチップキャリアから剥離することを防止するように、または少なくとも剥離しにくくなるように、永久的に設けられている。例えば、チップキャリアは、放射通過面から見たとき、アンダーカットundercutを備えていることができる。特に、成形体のためのアンカー構造は、横方向にチップキャリアを完全に、または少なくとも部分的に囲んでいる玉縁beadの形をとることができる。カバー体のためのアンカー構造は、特に、空洞内に設ける、または空洞に隣接していることができる。さらなる好ましい構造形態においては、カバー体および成形体は、少なくとも、放射通過面に沿って延びる方向において、端部が揃っている。カバー体および成形体は、部品の周囲全体にわたり、端部が互いに揃っていることが好ましい。製造時、製造ステップにおいてカバー体と成形体を切断することによって、このような部品を、隣接する部品領域の集合体から特に単純に個片化することができる。表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品の製造方法においては、一実施形態によると、チップキャリアを形成し、チップキャリアの上部に空洞が形成される。この空洞の中にオプトエレクトロニクス半導体チップを配置し、好ましくは固定する。チップキャリアを補助キャリアの上に配置する。チップキャリアを有する補助キャリアを成形型formingmouldの中に配置し、このとき空洞は、成形型とチップキャリアの上部とによって密閉される。成形型に成形用組成物を満たす。成形用組成物は、空洞の外側において、チップキャリアの少なくとも一部分に成形される。成形型を除去する。次いで補助キャリアを除去する。本方法は、記載した製造ステップの順序で実行されることが好ましい。しかしながら、記載した順序とは異なる順序も可能である。例えば、空洞の中に半導体チップを配置するステップは、チップキャリアに成形用組成物を成形した後に行うこともできる。密閉されるとは、本明細書においては、成形型に満たすとき、成形用組成物がチップキャリアの空洞の中に浸入しないことを意味するものと理解されたい。空洞を囲んでいる領域において、チップキャリアと成形型が互いに直接隣接していることが好ましい。説明した方法では、複数のオプトエレクトロニクス部品を同時に製造することができる。互いに隣接して配置されている部品は、特に、成形用組成物を例えばソーイングによって切断することによって、個片化することができる。このステップは、成形型を除去した後に行うことが好ましい。チップキャリアは自立性であることが好ましく、すなわち、チップキャリアは、特に、自身の上にすでに装着されているオプトエレクトロニクス半導体チップと一緒に、単純かつ高い信頼性で補助キャリアの上に配置することができる。好ましい一構造形態においては、補助キャリアの上にコンタクト構造を設ける。コンタクト構造は、リードフレームとして設けられることが好ましい。さらには、特に、チップキャリアを補助キャリアの上に配置する前に、コンタクト構造を補助キャリアの上にあらかじめ作製することが好ましい。さらなる好ましい一発展形態においては、コンタクト構造を、垂直方向にパターニングする。このパターニングにより、コンタクト構造はさまざまな厚さを示すことができる。コンタクト構造に成形用組成物を成形するとき、このパターニングにより、コンタクト構造と成形体の良好な相互結合性をもたらすことができ、したがって部品の機械的堅牢性が向上する。成形型に満たすとき、成形体用として使用される成形用組成物によって、コンタクト構造とチップキャリアとを永久的かつ堅牢に互いに機械的に結合することができる。成形型を除去した後、半導体チップを接続線によってコンタクト構造に導電接続することができる。このステップは、例えば、ワイヤボンディング法によって行うことができる。好ましい一構造形態においては、チップキャリアは、チップキャリアの上部から下部まで延在する外側側面を備えている。外側側面は、成形用組成物によって完全に囲まれていることが好ましい。成形体は、射出成形またはトランスファ成形によって形成されることが好ましい。原理的には、成形型に単純かつ高い信頼性で満たすことのできるあらゆる製造方法を使用することができる。成形型を除去した後、半導体チップにカバー体を設けることが好ましい。このカバー体は、成形体を少なくとも部分的に、好ましくは完全に覆うことができる。部品を個片化するとき、カバー体を成形体と一緒に切断することができる。これによって複数のオプトエレクトロニクス部品が得られ、それぞれのオプトエレクトロニクス部品において、部品の縁部に沿ってカバー体と成形体の端部が互いに揃っている。上述した方法は、前述したオプトエレクトロニクス半導体チップを製造するのに特に適している。したがって、本部品に関連して記載した特徴は、本方法にもあてはまり、逆も同様である。以下では、例示的な実施形態について図面を参照しながら説明する。さらなる特徴、構造形態、および有利な態様は、以下の説明から明らかになるであろう。図面において、同じ要素、類似する要素、または機能が同じ要素には、同じ参照数字を付してある。これらの図と、図に示してある要素の互いの大きさの比率は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、もしくは深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張して大きな縮尺で示してある。図1Aおよび図1Bは、表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品1の第1の例示的な実施形態を、概略平面図として図1B、および線A-A’に沿った対応する概略断面図図1Aとして、概略的に示している。表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品1は、チップキャリア3の空洞31の中に配置されている半導体チップ2を備えている。半導体チップ2は、チップキャリア3の底面310に接合層9によって機械的に堅牢に接合されている。接合層9は、はんだ層の形をとることが好ましく、特に接着剤による接合と比較して、チップキャリア3と半導体チップ2との間に熱的に特に効率的な接合が形成される。空洞31は、本部品の放射通過面10の側の、チップキャリア3の上部35に形成されている。チップキャリア3は、上部35とは反対側の下部36において、外部からの電気的接触のために設けられている第1のコンタクト61を形成している。横方向すなわち垂直方向に直角に延びる方向においては、チップキャリア3は成形体5によって囲まれている。成形体5は、垂直方向すなわち放射通過面10に直角な方向、したがって放射の主通過方向に平行な方向において、上部35および下部36と同じ高さにある。成形体5は、チップキャリア3の外側側面39に成形されており、外側側面39を完全に覆っている。成形体5の中には、コンタクト構造4がさらに配置されている。コンタクト構造4は、放射通過面10とは反対側の面に、外部からアクセス可能なさらなるコンタクト62を形成している。コンタクト構造4は、ワイヤボンド接続の形の接続線8によって半導体チップ2に導電接続されている。半導体チップ2の動作時、第1のコンタクト61およびさらなるコンタクト62を介して、半導体チップ2に電荷担体を注入する、または半導体チップ2から放出させることができる。コンタクト構造4は、チップキャリア3から横方向に隔置されている。チップキャリア3とコンタクト構造4との間の機械的に堅牢な結合は、成形体5によってのみもたらされている。チップキャリア3とコンタクト構造4との間の横方向の距離は、接続線8によって橋渡しされている。接続線8は、チップキャリア3の上部35よりも突き出しており、チップキャリア3とコンタクト構造4との間の領域において、上部35と放射通過面10との間に延びている。このようにすることで、接続線8のための成形体5の中の追加の凹部を省くことが可能である。成形体5は、コンタクト構造4の領域に凹部51を備えており、したがって、接続線8を接続するとき、放射通過面10の側の面においてコンタクト構造4にアクセス可能である。コンタクト構造4は、外周部アンダーカット41をさらに備えており、コンタクト構造4の厚さは第2のコンタクト62の領域におけるよりも小さい。アンダーカット41は、成形体5とコンタクト構造4の相互結合性を改善する役割を果たす。コンタクト構造4は、成形体5を垂直方向に完全に貫いている。したがって、外部からコンタクト構造4との電気的接触は、放射通過面10の側、部品1の内側からと、放射通過面10とは反対側の面から形成することができる。垂直方向において、コンタクト構造4の厚さは、チップキャリア3の厚さよりも小さいことが好ましい。このようにすることで、コンタクト構造4に要求される材料を低減することができる。チップキャリア3は、外側アンカー構造32aを有するアンカー構造32を備えている。外側アンカー構造32aは、チップキャリア3の外側外面39に沿って延在しており、チップキャリア3を成形体5に固定する役割を果たす。さらには、空洞31の側面311に内側アンカー構造32bが設けられている。オプトエレクトロニクス部品1は、半導体チップ2を封止しているカバー体7をさらに備えている。さらに、ワイヤボンド接続の形の接続線8がカバー体7の中に設けられている。したがって、カバー体7は、特に、半導体チップ2および接続線8を、機械的な損傷と、外部からのさらなる悪影響湿気やダストなどとから保護する役割を果たす。カバー体7とチップキャリア3との間の結合の機械的堅牢性は、内側アンカー構造32bによって改善することができる。したがって、カバー体7が剥離する危険性を最大限に低減することができる。成形体5は、垂直方向には、第1の主面55と第2の主面56との間に延在している。これらの主面は、それぞれ、チップキャリア3の上部35および下部36によって決まる。接続線8は、垂直方向には、その一部分が第1の主面55と放射通過面10との間に延在している。したがって、接続線8は第1の主面55より上に突き出している。放射通過面10は、カバー体7によって形成されている。カバー体7の一領域は、動作時にオプトエレクトロニクス半導体チップ2において生成される放射、もしくはオプトエレクトロニクス半導体チップ2において検出される放射、またはその両方のためのレンズ71の形をとる。カバー体7は、放射に対して透明である、または少なくとも半透明であることが好ましい。カバー体7は、シリコーン、エポキシド、またはシリコーンおよびエポキシドの混合物を含んでいる、またはこのような材料あるいはこのような材料の混合物からなることが好ましい。カバー体7には、光散乱性粒子または光反射性粒子、もしくはルミネセンス変換材料、またはその両方を、さらに含めることができる。成形体5の材料は、その光学特性にほぼ無関係に選択することができるが、特に、放射に対して吸収性とすることもできる。成形体5は、プラスチック材料を含んでいる、またはプラスチック材料からなることが好ましい。成形体5は、横方向には縁部52によって画成されている。成形体5およびカバー体7は、この縁部52に沿って、好ましくは部品の周囲全体にわたり端部が揃っている。この例示的な実施形態においては、チップキャリア3は、導電性材料、好ましくは金属例えば、銅、アルミニウム、銀、金、または少なくとも1種類のこのような金属との金属合金から形成されている。しかしながら、説明した例示的な実施形態のバリエーションとして、チップキャリア3を電気絶縁構造とすることもできる。この場合、オプトエレクトロニクス部品1は、さらなるコンタクト構造を備えていることが好ましく、したがって、コンタクト構造4およびさらなるコンタクト構造図示していないがオプトエレクトロニクス部品1の2つの外部コンタクトを形成している。電気絶縁性のチップキャリア3の場合、例えば、セラミック例:窒化アルミニウム、窒化ホウ素、またはプラスチック材料例:シリコーンを使用することができる。反射率を高めるため、プラスチック材料に例えば二酸化チタンを含めることができる。セラミックは、高い熱伝導率を特徴とする。半導体チップ2は、チップキャリア3の空洞31の完全に内側に設けられている。したがって、半導体チップ2は、チップキャリア3の上部35よりも突き出していない。オプトエレクトロニクス半導体チップ2は、例えば、LEDチップ、レーザチップ、または放射検出器チップの形をとることができる。半導体チップ2は、III-V族半導体材料を含んでいることが好ましい。III-V族半導体材料は、紫外スペクトル領域の放射AlxInyGa1-x-yNから可視スペクトル領域の放射特に青~緑の放射の場合にはAlxInyGa1-x-yN、特に黄~赤の放射の場合にはAlxInyGa1-x-yP、さらには赤外スペクトル領域の放射AlxInyGa1-x-yAsを生成するのに特に適している。いずれの場合も、0≦x≦1、0≦y≦1、かつxy≦1が成り立ち、特に、x≠1、y≠1、x≠0、y≠0の少なくとも1つが成り立つ。III-V族半導体材料、特に記載した材料系のIII-V族半導体材料を使用すると、放射の生成における高い内部量子効率をさらに達成することが可能である。図2は、オプトエレクトロニクス部品1の第2の例示的な実施形態を断面図として概略的に示している。この第2の例示的な実施形態は、図1に関連して説明した第1の例示的な実施形態に実質的に対応している。第1の例示的な実施形態とは異なり、チップキャリア3の空洞31が反射器として構成されている。空洞31の側面311は、空洞31の底面310に対して20 ゚~70 ゚の範囲内両端値を含むの角度をなしていることが好ましい。チップキャリア3は、被コーティング体例えば、コーティングされた銅体の形をとる。底面310は、第1のコーティング33によって形成されている。第1のコーティング33は、チップキャリア3と半導体チップ2との間のはんだ付け接合部が単純に生成されるように設けられていることが好ましい。第1のコーティング33は、金、または金を含んだ合金からなることが好ましい。側面311は、第2のコーティング34によって形成されている。第2のコーティング34は、動作時に半導体チップ2において生成される放射、もしくは検出される放射、またはその両方に対して高い反射率、好ましくは60以上の反射率を示すことが好ましい。第2のコーティング34は、金属または金属合金を含んでいることが好ましい。可視スペクトル領域および紫外スペクトル領域においては、例えば、銀、アルミニウム、ロジウム、またはクロムが高い反射率を有する。特に、赤外スペクトル領域の放射の場合、金が適している。チップキャリア3の上述した多層構造は、図1に関連して説明した第1の例示的な実施形態においても使用することができる。この例示的な実施形態においては、アンカー構造32は、チップキャリア3を成形体5に固定する役割を果たすのみである。しかしながら、記載した例示的な実施形態のバリエーションとして、図1Aに関連して説明したように、カバー体7のためのアンカー構造を設けることもできる。図3A~図3Fは、表面実装可能なオプトエレクトロニクス部品1を、断面図として概略的に図解した中間ステップを使用して製造する方法の例示的な一実施形態を示している。図を見やすくする目的で、図3A~図3Fは、部品集合体の一部のみを示しており、製造時、この部分から1つの部品が得られる。個々の部品に個片化される前の部品集合体11の平面視は、図4に平面図として示してある。図3Aに示したように、上部35および下部36を備えたチップキャリア3を形成する。チップキャリア3には、上部35において空洞31を形成する。さらに、オプトエレクトロニクス半導体チップ2を設ける。オプトエレクトロニクス半導体チップ2を、チップキャリア3の空洞31の内側に、導電的に、かつ機械的に堅牢に、接合層9によって接合する。図2に関連して説明したように、半導体チップ2をチップキャリア3にはんだ付けすることができるように、チップキャリア3は、少なくとも空洞31の底面310の領域にコーティングを備えている。半導体チップ2を有するチップキャリア3を、補助キャリア15の上に配置する。補助キャリア15に適する材料の例はプラスチックフィルムであり、プラスチックフィルムは、少なくともチップキャリア3の側の面において接着性を有することが好ましい。補助キャリア15の上に、さらにコンタクト構造4を配置する。コンタクト構造4は、半導体チップ2を補助キャリア15に固定する前に補助キャリア15の上に設けることが好ましい。チップキャリア3およびコンタクト構造4を有する補助キャリア15を、成形型59の中に配置する図3D。チップキャリア3の上部35と成形型59とが互いに直接隣接して空洞31が密閉されるように、チップキャリア3と成形型59が互いに位置合わせされる。したがって、成形型59に成形用組成物50を満たすとき、成形用組成物50は、空洞31の中に浸入することなくチップキャリア3に成形される。成形型59は、コンタクト構造4の領域において突起部591を備えている。突起部591はコンタクト構造4に直接隣接しており、したがって、突起部591の領域においてはコンタクト構造4に成形用組成物50が存在しない。成形型59への充填は、成形法または注入法によって例えば射出成形またはトランスファ成形によって行うことが好ましい。成形用組成物50が硬化または少なくとも部分的に硬化した後、成形型59を除去することができる。形成された成形体5によって、コンタクト構造4がチップキャリア3に機械的に堅牢に結合される。成形型59を除去した後、補助キャリア15も除去することができる。半導体チップ2とコンタクト構造4を、接続線8例えばワイヤボンド接続によって互いに導電接続する図3E。電気接続が形成された時点で、半導体チップ2および成形体5にカバー体7を設けることができる。カバー体7は、さらなる射出成形法またはトランスファ成形法によって形成することができる。カバー体7は、半導体チップ2および接続線8を完全に覆うように構成されていることが好ましい。さらには、成形体5全体もカバー体7によって覆われていることが好ましい。カバー体7が形成された時点で、成形体5およびカバー体7を例えばソーイングによって切断することによって、部品集合体11を個々の部品に個片化することができる。本方法は、一例として、図2を参照しながら説明したように構築されている部品図3Fの製造に関連して説明した。当然ながら、本方法は、図1Aおよび図1Bを参照しながら説明した第1の例示的な実施形態による部品を製造する場合にも適している。図4は、部品に個片化する前の部品集合体11の概略的な平面図である。コンタクト構造4の集合体40は、補助キャリア15の上に形成されている。コンタクト構造4の集合体40においては、連続する部品の個々のコンタクト構造4がウェブ42によって互いに結合されている。したがって、コンタクト構造4の集合体40は、コンタクト構造4の連続的な集合体を形成している。コンタクト構造4の集合体40は、例えば、リードフレームの金属板の形をとることができる。金属板は、例えば、プレス加工、エンボス加工、またはエッチングすることができる。特に、金属板は、銅を含んでいる、または銅からなることができる。複合材料例えばフレックス基板、あるいは剛性または可撓性のプリント基板PCBを使用することもできる。部品集合体11を個片化するとき、少なくとも1個の半導体チップ2と、1つのチップキャリア3と、1つのコンタクト構造4とをそれぞれが有する個々の部品領域11aが、点線の分離線12に沿って個片化される。上述した方法においては、成形体5を形成する前に、オプトエレクトロニクス半導体チップ2をチップキャリア3に固定することができる。しかしながら、上述した例示的な実施形態のバリエーションとして、チップキャリア3に成形体5を成形した後に半導体チップ2をチップキャリア3に固定することも考えられる。いずれの場合も、半導体チップ2とチップキャリア3との間に、はんだ付け接合部によって導電接続を形成することができる。はんだ付け接合部の形成を単純化するには、チップキャリア3の空洞31の底面310に単にコーティングを設ければ十分である。チップキャリア3とは異なり、コンタクト構造4は、はんだ付けが行われず、したがって、はんだとの接合性に関して特定の要件を満たす必要はない。したがって、リードフレームの広範な金めっきを必要とすることなく、半導体チップ2を、はんだ付け接合部によって装着することができる。チップキャリア3の比較的小さい表面領域またはチップキャリア3の底面に、そのようなコーティングを設けるのみで十分である。このようにすることで、製造方法の信頼性を損なうことなく、製造時の資源と、したがってコストとを節約することができる。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本特許出願は、独国特許出願第102010023815.5号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。"