入射平面と射出平面を備え、紫外線が入射平面から入射し、射出平面から射出するフッ化カルシウム結晶からなる紫外線ガスレーザ用光学素子において、少なくとも入射平面と射出平面のどちらか一方の平面がフッ化カルシウム結晶の111結晶面に平行であり、入射平面から入射したレーザ光が[111]軸と[001]軸を含む面内で、[111]軸と[001]軸との間、[111]軸と[010]軸を含む面内で、[111]軸と[010]軸との間、又は、[111]軸と[100]軸を含む面内で、[111]軸と[100]軸との間、を通過し、射出平面から射出されることを特徴とするガスレーザ用光学素子。前記レーザ光の入射平面への入射角度は、24.9°から68.73°の角度範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のガスレーザ用光学素子。前記フッ化カルシウム結晶は、[111]軸を中心に回転され、真性複屈折が極小となる領域に設置されることを特徴とする請求項2に記載のガスレーザ用光学素子。レーザチャンバと、レーザチャンバの一方の側とその反対側に設置された光共振器と、レーザチャンバ内部に封入されたレーザガスと、そのレーザガスを励起する手段と、励起されたレーザガスから発生する光がレーザチャンバ外部へ出射するためにレーザチャンバに設けられた2つのウィンドウとを有し、前記ウィンドウが前記光共振器の光軸上に沿って配置されているガスレーザ装置において、前記各ウィンドウは前記ガスレーザ用光学素子からなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のガスレーザ用光学素子を用いたガスレーザ装置。レーザチャンバと、レーザチャンバの一方の側とその反対側に設置された光共振器と、レーザチャンバ内部に封入されたレーザガスと、そのレーザガスを励起する手段と、励起されたレーザガスから発生する光がレーザチャンバ外部へ出射するためにレーザチャンバに設けられた2つのウィンドウと、レーザ光を分割するビームスプリッタとを有し、前記ウィンドウが前記光共振器の光軸上に沿って配置されているガスレーザ装置において、前記ビームスプリッタは前記ガスレーザ用光学素子からなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のガスレーザ用光学素子を用いたガスレーザ装置。レーザチャンバと、レーザチャンバの一方の側とその反対側に設置された光共振器と、レーザチャンバ内部に封入されたレーザガスと、そのレーザガスを励起する手段と、励起されたレーザガスから発生する光がレーザチャンバ外部へ出射するためにレーザチャンバに設けられた2つのウィンドウと、ビーム拡大光学系と、を有するガスレーザ装置において、前記ビーム拡大光学系のウェッジ基板は前記ガスレーザ用光学素子からなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のガスレーザ用光学素子を用いたガスレーザ装置。しかしながら、特許文献4に示す技術では、真性複屈折及び応力複屈折による偏光純度の悪化を防止すると共に、フッ化カルシウム結晶のカット面を110面することにより、ある程度の表面粗さの小さな高精度研磨を行うことにより、レーザ照射によるフッ化カルシューム結晶の表面損傷をある程度防止していた。本発明は従来技術のこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、もっとも硬い結晶面111面でフッ化カルシウム結晶をカットし、この結晶面を表面粗さの小さな高精度研磨を行うことにより、潜傷を少なくし、レーザ照射によるフッ化カルシウム結晶の表面損傷を防止する。そして、P偏光のフレネル反射率を小さくし、真性複屈折による偏光純度の悪化を防止するフッ化カルシウム結晶を用いたブリュースタウィンドウやビームエキスパンダプリズム等のガスレーザ用光学素子及びそれを用いたガスレーザ装置を提供することである。そのために、本発明のガスレーザ用光学素子は、入射平面と射出平面を備え、紫外線が入射平面から入射し、射出平面から射出するフッ化カルシウム結晶からなる紫外線ガスレーザ用光学素子において、少なくとも入射平面と射出平面のどちらか一方の平面がフッ化カルシウム結晶の111結晶面に平行であり、入射平面から入射したレーザ光が[111]軸と[001]軸を含む面内で、[111]軸と[001]軸との間、[111]軸と[010]軸を含む面内で、[111]軸と[010]軸との間、又は、[111]軸と[100]軸を含む面内で、[111]軸と[100]軸との間、を通過し、射出平面から射出されることを特徴とする。また、前記レーザ光の入射平面への入射角度は、24.9°から68.73°の角度範囲内であることを特徴とする。また、前記フッ化カルシウム結晶は、[111]軸を中心に回転され、真性複屈折が極小となる領域に設置されることを特徴とする。さらに、本発明のガスレーザ用光学素子を用いたガスレーザ装置は、レーザチャンバと、レーザチャンバの一方の側とその反対側に設置された光共振器と、レーザチャンバ内部に封入されたレーザガスと、そのレーザガスを励起する手段と、励起されたレーザガスから発生する光がレーザチャンバ外部へ出射するためにレーザチャンバに設けられた2つのウィンドウとを有し、前記ウィンドウが前記光共振器の光軸上に沿って配置されているガスレーザ装置において、前記各ウィンドウは前記ガスレーザ用光学素子からなることを特徴とする。さらに、本発明のガスレーザ用光学素子を用いたガスレーザ装置は、レーザチャンバと、レーザチャンバの一方の側とその反対側に設置された光共振器と、レーザチャンバ内部に封入されたレーザガスと、そのレーザガスを励起する手段と、励起されたレーザガスから発生する光がレーザチャンバ外部へ出射するためにレーザチャンバに設けられた2つのウィンドウと、レーザ光を分割するビームスプリッタとを有し、前記ウィンドウが前記光共振器の光軸上に沿って配置されているガスレーザ装置において、前記ビームスプリッタは前記ガスレーザ用光学素子からなることを特徴とする。さらに、本発明のガスレーザ用光学素子を用いたガスレーザ装置は、レーザチャンバと、レーザチャンバの一方の側とその反対側に設置された光共振器と、レーザチャンバ内部に封入されたレーザガスと、そのレーザガスを励起する手段と、励起されたレーザガスから発生する光がレーザチャンバ外部へ出射するためにレーザチャンバに設けられた2つのウィンドウと、ビーム拡大光学系と、を有するガスレーザ装置において、前記ビーム拡大光学系のウェッジ基板は前記ガスレーザ用光学素子からなることを特徴とする。本発明のガスレーザ用光学素子は、結晶表面を111面とすることにより、表面粗さが小さな高精度研磨が可能となり、潜傷によるレーザ照射により光の吸収を防ぎ表面損傷を防止することができる。そして、結晶をP偏光によるフレネル反射を小さくすることと、真性複屈折が極小になるように配置することにより、出力レーザ光の偏光純度の悪化を防止することができる。以下、本発明に係る実施形態の紫外線ガスレーザ用光学素子及び紫外線ガスレーザ装置について説明する。図1は、CaF2の結晶格子を示す。本実施形態では、CaF2の結晶は、結晶方位に合わせて111面でカットされる。CaF2結晶は、図1に示すような、面心立法格子で構成されている。図2に示すように、CaF2結晶の軸[001]、[100]に対する光の進行方向Lの角度θとφを定義すると、図2のφ=45°、θ54.74°の方向が[111]軸方向となる。111面の表面は他の結晶軸表面よりも、一番硬いため、表面粗さが小さく、潜傷が少ない研磨が可能となる。図3は、本実施形態によるCaF2フッ化カルシウムを用いたウィンドウ1の断面を示す。ウィンドウ1は、光学素子への入射角度が0よりも大きい角度で入射され、CaF2の結晶内で屈折する光軸が[111]軸と[110]軸を含む面内で、且つ、[111]軸と[001]軸とのなす角の間を透過するようにCaF2結晶を配置したものである。CaF2結晶からなるウィンドウ1は、111面に対して、平行な面で表面2及び2‘で研磨されている。そして、例えばブリュースタ角度56.34°の入射角度αでCaF2結晶基板に対してP偏光でレーザビームが入射すると、表面2において、光がスネルの法則にしたがって、33.65°の屈折角度βで屈折する。この時、CaF2内部の屈折光軸がCaF2結晶の[111]軸と[110]軸を含む面内で、且つ、[111]軸と[001]軸のなす角度の間0°<β<54.74°を透過するように、CaF2結晶を配置する。そして、CaF2結晶内を透過して、面2’で再び、面2と同様にスネルの法則にしたがって、レーザ光は屈折して、再びガス中に光が伝播する。次に、ブリュースタ角と偏光の関係について説明する。一般的に、ガスレーザ共振器内に使用されるチャンバウィンドウは、光軸に対してブリュースタ角の角度で配置されることが多い。これは、ブリュースタ角にすることによって、ウィンドウに入射する光のP偏光成分のウィンドウ表面におけるフレネル反射が零になり、結晶の内部吸収は非常に小さく、略100透過するため、ウィンドウ通過におけるレーザ光の損失がなくなり、出力エネルギが減少しなくなるためである。レーザ光は共振器内を数~十数回往復して出力されるため、所謂偏光素子であるブリュースタウィンドウを数回通過する間に、S偏光成分はフレネル反射を受け減衰するのに対し、P偏光成分は減衰されることなく透過し、レーザ媒質内を通過することによって増幅されていく。これによりレーザ光は、概ねP偏光方向の直線偏光で出力される。狭帯域化レーザでは、スペクトル線幅を狭帯域化するために、プリズムでビームを拡大し波長分散素子であるグレーティングに入射させている。拡大プリズムはビームの拡大率を大きくするために、プリズムの入射角度を大きくして、複数個使用することにより、トータルの拡大率を大きくしている。この理由は、レーザのスペクトル線幅と拡大率はおおむね反比例の関係にあるからである。この拡大プリズムの斜面には、高いブリュースタ角よりも大きい入射角度でも反射損失が小さくなるようにP偏光に対して反射防止膜がコートされている。この反射防止膜はS偏光に対しては反射率が高い膜であるために、結果としてレーザ発振することによりP偏光成分が生き残り出力レーザ光の偏光純度は非常に高くなる。そして、レーザチャンバのウィンドウはこのプリズムにより選択されたP偏光成分の反射損失が小さくなるように、傾けて設置される。ブリュースタ角で設置した場合は、前述のようにウィンドウでのP偏光の反射損失が0となるので、十分なレーザ出力が得られる。ArFエキシマレーザ波長193.368nmでは、20°Cにおいてフッ化カルシウムの屈折率nが1.501958となるため、ブリュースタ角度は、56.336°になる。また、F2レーザ波長157.63nmでは、20°Cにおいてフッ化カルシウムの屈折率nが1.559261となるため、ブリュースタ角度は、57.3°になる。次に、複屈折による偏光の変化を説明する。一般に、結晶内を伝播する光は、互いに直交する2つの直線偏波状態の波の線形結合であり、それぞれの位相速度と振幅の大きさで、偏光状態と偏光方向が決まる。結晶内に複屈折が発生すると、結晶中を伝播する光ビームの位相速度がその偏波方向に依存してずれていく。これにより、直線偏光であった光ビームは、複屈折物質を通過することによって、互いに直交する2つの波の位相がずれ、直線偏光でなくなる概ね楕円偏光になる。このため、結晶内に複屈折が発生すると、P偏光で入射した光は結晶内部を透過することにより、P偏光純度が悪くなり、P偏光成分の光強度が減少する。偏光純度を高めるためには、複屈折の影響を受けないように配置するか、又は、最小にすることが必要となる。ここで、CaF2の結晶方位による複屈折の大きさの分布を説明する。結晶における複屈折には、外乱のない理想的な結晶にも本来的に存在する真性複屈折intrinsicbirefringenceと、外部から力学的熱的な力が加わって生じる応力複屈折stressbirefringenceの2つがある。最近になって、等軸結晶であるフッ化カルシウムでも、真性複屈折が生じることが分かってきた。真性複屈折は、結晶を構成する原子間隔に光の波長が近づくと、その影響が大きくなる。よって、ArFエキシマレーザやF2レーザの短波長領域で使用する場合、真性複屈折の影響が大きくなり、無視できなくなってきた。真性複屈折及び応力複屈折の両者共、結晶方位による複屈折の大きさの違いがあり、計算によって求められている。図4に、結晶方位によるCaF2の真性複屈折の大きさの分布を示す。CaF2結晶の軸[001]、[100]に対する光の進行方向Lの角度θとφを図2のように定義すると、真性複屈折は図4a、bのようになる。図4aの実線は、φを45°に保ったまま進行方向Lの軸[001]に対する角度θを0°から90°の間で変化させた場合であり、図4aの点線は、φを0°に保ったまま進行方向Lの軸[001]に対する角度θを0°から90°の間で変化させた場合であり、また、図4bの実線は、θを90°に保ったまま進行方向Lの軸[100]に対する角度φを0°から90°の間で変化させた場合である。図4a、bから明らかなように、結晶方位[111]、[100]、[010]、[001]の方向では、真性複屈折は零になり、逆に、[110]、[011]、[101]の結晶方位の方向では、最大となることが分かる。CaF2結晶は、図1に示すような、面心立法格子で構成されている。図1のφ=45°、θ=90°の方向が[110]軸方向であり、φ=45°、θ54.74°の方向が[111]軸方向となる。本発明においては、φ=45°、0<θ<54.74°にレーザ光軸を通過させることにより、真性複屈折を小さくしている。いいかえれば、図4aの1点鎖線の領域にCaF2結晶を配置することにより、真性複屈折による偏光純度の悪化を極力防止している。次に、CaF2結晶表面に入射する角度とP偏光の反射率の関係について説明する。図5は、CaF2結晶表面に入射する角度とP偏光の反射率の関係を示す。空気中から屈折率nの透明媒質に入射角φで光が入射するときのP偏光の反射率RpとS偏光の反射率Rsは式1のフレネル式で求められる。ここで、sinφnsinχSnellslaw:スネルの法則である。図5に示すように、例えば、193nmの波長でCaF2結晶の屈折率を1501958とすると、P偏光成分の光のフレネル反射率は、入射角度0度垂直入射では、4.02であり、P偏光のフレネル反射が3となる入射角度は、24.90度となる。その後、入射角度がブリュースタ角56.34度までは、フレネル反射率は単調に減少する。そして、このブリュースタ角度では、P偏光の反射率は0となる。続いて、入射角度がブリュースタ角度よりも大きくなるとフレネル反射は単調に増加する。P偏光のフレネル反射が3となる入射角度は68.73度である。例えば、レーザチャンバにウィンドウの両面でフレネル反射するCaF2結晶のウィンドウを装着する場合、もっともレーザ共振器のロスが小さくなるのが、P偏光の反射率が0となるブリュースタ角度56.34°で設置した場合である。このレーザの出力が維持できる共振器ロスの許容範囲のP偏光のレーザウィンドウの1面当たりのフレネル反射を3と仮定するとCaF2ウィンドウへの入射角度は24.9°から68.73°の間が好ましいこととなる。図6は、CaF2ウィンドウへの入射角度を24.9°及び68.73°とした時の光軸とCaF2結晶の軸の関係を示す。CaF2結晶1は111面に対して、平行な面の表面2及び2‘で研磨されている。111面の表面は他の結晶軸表面よりも、一番硬いため、表面粗さが小さく、潜傷が少ない研磨が可能となる。図6aは入射角度を24.90°とした場合を示す。CaF2結晶の光学素子に24.90°の入射角度αでP偏光のレーザビームが入射すると、表面2において光がスネルの法則にしたがって、屈折角度β=16.28°でCaF2結晶内部で屈折する。この時、このCaF2内部の屈折光軸は、CaF2結晶の[111]軸と[001]軸を含む面内で透過するように、CaF2結晶が配置されている。そして、レーザ光は、CaF2結晶内を透過して、面2’で再び、面2と同様にスネルの法則にしたがって、屈折して、再びガス中に伝播する。図6bは入射角度を68.73°とした場合を示す。CaF2結晶の光学素子に68.73°の入射角度αでP偏光のレーザビームが入射すると、表面2において光がスネルの法則にしたがって、屈折角度β=38.24°でCaF2結晶内部で屈折する。この時、このCaF2内部の屈折光軸は、CaF2結晶の[111]軸と[001]軸を含む面内で透過するように、CaF2結晶が配置されている。そして、レーザ光は、CaF2結晶内を透過して、面2’で再び、面2と同様にスネルの法則にしたがって、屈折して、再びガス中に伝播する。本発明のウィンドウ1をレーザチャンバに取り付けるときは、ウィンドウ1を構成するCaF2結晶内でのレーザ光の光軸が[111]軸と[001]軸を含む面内で、両結晶方向のなす角の間を略通過するように、ウィンドウ1の取り付け位置をその面内で回転調整しなければならない。図7にその様子を示す。図8は、実際のレーザウィンドウに入射角56.34°ブルースタ角度で193nmの光を入射させながら、図7に示すように、[111]軸の周りでウィンドウ1を回転させた時の、計測波長193nmの複屈折計測装置により計測した結果を示す。この図8から明らかなように、1回転の中で3回図では0°と約120°と約240°、真性複屈折が極小となる。このため、ウィンドウ1をレーザチャンバに取り付けるときは、ウィンドウ1を面方位[111]軸で回転させて真性複屈折が最小となる透過後のp偏光強度が最大となる位置で取り付けることが好ましい。または、ウィンドウ1を取り付ける前に、X線回折分析を行い、結晶方位を予め計測しておくようにしてもよい。ウィンドウ1の[001]または[100]または[010]軸方向の側面に印を付けておき、その印に従って取り付けるようにすると効率が良い。図9にCaF2結晶ウィンドウ1に入射角度を24.9°、45°、68.73°の場合のウィンドウ1を[111]軸で回転させたときに計測したそれぞれの真性複屈折の相対値変化を示す。P偏光のフレネル反射損失が3以下における入射角度24.9°から68.73°の範囲では、真性複屈折が極小となる角度が0度付近、120度付近、240度付近に真性複屈折が極小となる領域が観測された。図9a、b、cから、入射角度が大きくなるにつれて、真性複屈折の極小値は小さくなり、極大値は大きくなった。以上のように、CaF2結晶の111面をウィンドウの表面とし、P偏光のフレネル反射が小さくなるようにCaF2結晶の入射角度24.90°から68.73°の角度範囲でCaF2結晶に入射させ、[111]軸でCaF2結晶を回転させ、真性複屈折が極小となるような領域で、CaF2結晶を設置することにより、偏光純度の高いレーザの出力光を得ることができる。以上、本実施形態の紫外線ガスレーザ用光学素子をウィンドウとして使用する場合について説明したが、これは、レーザ装置の他の部位で使用することもできる。その例を説明するために、図10に、2ステージレーザシステムの主として光学系の概略の構成と、その中での本発明による紫外線ガスレーザ用光学素子の配置例を示す。2ステージレーザシステムは、発振用レーザ10とその発振用レーザ10から発振されたレーザ光シード光を入射させて増幅する増幅用レーザ20とからなるもので、特に狭帯域で40W以上の高出力が必要な露光用のArFエキシマレーザ装置やF2レーザ装置に期待されているものである。発振用レーザ10にはレーザガスが封入されるレーザチャンバ11と、共振器を構成する狭帯域化モジュール14及び出力鏡としての部分反射ミラー15とが含まれ、さらに、図示していないレーザガス励起システムや制御系、さらには、冷却系、ガス交換システム等が含まれる。レーザチャンバ11には、前記のように、光軸上に2つのウィンドウ12と13が取り付けてある。また、狭帯域化モジュール14には、ビーム拡大光学系を構成する単数あるいは複数のビーム拡大プリズム16図では2個と、狭帯域化素子としてのグレーティング17又はエタロンが含まれる。増幅用レーザ20も、レーザガスが封入されるレーザチャンバ21と、共振器を構成する部分反射ミラー24、25とが含まれ、さらに、図示していないレーザガス励起システムや制御系、さらには、冷却系、ガス交換システム等が含まれる。レーザチャンバ21には、光軸上に2つのウィンドウ22と23が取り付けてある。なお、図10においては、発振用レーザ10から発振されたレーザ光は、ミラー18と19でそれぞれ反射されて増幅用レーザ20に入射するように構成されている。レーザウィンドウは発振段及び増幅段レーザの共振器内に配置されているので、レーザ光が多数往復する。したがって、CaF2結晶の表面を111面で研磨し、かつ、真性複屈折が小さくなるように結晶方位を合わせて配置することにより、偏光純度の悪化を防ぐことができる。そして、レーザチャンバ11、21に取り付けるウィンドウ12、13、22、23を本発明による紫外線ガスレーザ用光学素子で構成することが望ましいのは上記の通りであるが、また、発振用レーザ10の共振器を構成する部分反射ミラー15、増幅用レーザ20の部分反射ミラー24、25は、複屈折を最小にすべく、111面に沿ってカットして、CaF2結晶内部を透過するレーザ光の光軸が111面に垂直となるようにすることが望ましい。また、増幅用レーザ20の部分反射ミラー24、25を取り外したMOPAMasterOscillatorPowerAmplifierシステムに本発明を適用しても同様の効果がある。また、このレーザシステムのビームをサンプルするための、ビームスプリッタに適用できる。このビームスプリッタの表面には、片面ARコート、片面部分反射コートが施されたり、フレネル反射を利用して、サンプルする場合は、ノーコートのCaF2結晶基板を使用する。この例では、発振段レーザパワーモニタ30のビームサンプル用の第1ビームスプリッタ31と、増幅後のレーザのエネルギ及びスペクトルを計測するためのモニターモジュール40のビームサンプル用の第2ビームスプリッタ41に適用している。さらに、光学パルスストレッチャ50に使用される第3ビームスプリッタ51に本発明を適用できる。片面ARコート、片面部分反射コート約R=60を施こされている。これらビームスプリッタの場合は、通常入射角度α=45°入射なので、CaF2結晶内での屈折角度β=28.09°となる。図11は、2枚のウェッジ基板の組み合わせによるビーム拡大光学系91、91を増幅段レーザの共振器内に配置した例を示す。図11aは、出力側のみにビーム拡大光学系91を配置した例、図11bは、リア側及び出力側にビーム拡大光学系91、91を配置した例である。増幅段レーザの共振器中に、ビーム拡大光学系91、91を配置する場合は、何回もレーザ発振により光が往復するので、ビーム拡大光学系91、91の真性複屈折を考慮せずに設置すると偏光純度が悪化する。そこで、本発明のように、真性複屈折が小さくなるようなCaF2結晶軸配置にすることにより、偏光純度の悪化を防ぐことができる。図12は、各ビーム拡大光学系91、91中に2枚のウェッジ基板92、93を使用して構成した場合の配置例である。2枚目のウェッジ基板93は1枚目のウェッジ基板92に対して上下反転させてハの字型に配置して、ビーム入射角が同一になるように配置している。このように配置することによって、ビーム拡大光学系91、91出射後のレーザ光軸をビーム拡大光学系91、91入射前のレーザ光軸と平行にする偏角β=0°ことができる。この原理を、図12を用いて説明する。図12は、2枚のウェッジ基板92、93にレーザ光が入射した場合のレーザ光路を示している。2枚目のウェッジ基板93上のビーム光路の角度は、図示するように、θ5、θ6、θ7、θ8とし、1個目のウェッジ基板92からの出射光のビーム偏角をβ1、2個目のウェッジ基板93からの出射光のビーム偏角をβ2とすると、β1=θ1-θ2θ3-θ411β2=θ1-θ5θ6-θ7θ812となる。いま、2個目のウェッジ基板93は1個目のウェッジ基板92と形状が同じで、上下反転させて入射角を同じθ5=θ1という条件にすると、θ5=θ113θ6=θ214θ7=θ315θ8=θ416α1=α217が成り立つ。これらの13~17式を12式に代入してやると、β2=018となる。つまり、上述の条件にすれば、偏角を0にして、出射されるレーザ光の光軸をチャンバ3内のレーザ光軸と平行にすることができる。このような2枚のウェッジ基板の組み合わせによるビームエキスパンダは、波長変化によるレーザビームの出射角度の依存性が小さく、増幅段レーザの共振器内や増幅後のビームを広げるためのビームエキスパンダとして使用される。このウェッジ基板92、93の入射角は、そのP偏光反射率が0になるブリュースタ角ArFレーザ波長193.368nmの場合は、56.34°よりも大きくなることが多い。この場合は、その入射角においてP偏光反射率が無視できる程度にする反射防止膜を表面に付けることが必要である。例えば、ビーム拡大率2.0倍のビーム拡大光学系を設計した場合、入射角68.7°、ウェッジ角4.4°となる。また、ウェッジ基板裏面の入射角は60.0°となる。60.0°の入射角のフレネル反射のP偏光反射率は0.2なので、この面は反射防止膜を付ける必要はないが、第1面は68.7°であるので、反射防止膜を付ける必要がある。図12aでは、このウェッジ基板の入射側の面の方位を111面と平行に製作し、入射角度68.7°で入射したレーザ光は、スネルの法則により、CaF2結晶内で38.34°で屈折し、出射側の面で屈折する。この光軸は、面方位111軸と001軸を含む面内で、かつ、これらの結晶軸のなす角度の間になるようにウェッジ基板を設置している。そして、このウェッジ基板の出射面において屈折角度60.0度で出射する。さらに、第2のウェッジ基板においても同様に、光軸と結晶軸との関係が同様になるように配置している。このように配置することにより、真性複屈折を小さくできるので、レーザの偏光純度が悪化しなくなる。また、入射面を111面と平行となるように研磨しているので、表面荒さが小さく、潜傷の少ない表面が得られるため、反射防止膜のレーザ照射による損傷閾値が向上する。図12bでは、ウェッジ基板の出射側の面方位を111面と平行に製作し、CaF2内部を通過する光軸が、面方位111軸と面方位001軸を含む面において、両軸のなす角の間になるようにウェッジ基板を設置している。ここで、入射側の面のエネルギ密度が高い場合は図12bに比べて図12aの配置の方が、エネルギ密度の高い面が111面となるため、膜のレーザ耐性が向上する。以上、本発明の紫外線ガスレーザ用光学素子及び紫外線ガスレーザ装置を実施例に基づいて説明したが、本発明はこれら実施例に限定されず種々の変形が可能である。