"上流側から下流側へ基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置であって、基板に熱を与える加熱部と、前記加熱部に沿って基板を搬送する搬送手段と、を備え、前記搬送手段は、前記基板と前記加熱部との距離を、第1距離と、前記第1距離より大きい第2距離との、少なくとも2段階に切り替え可能であり、少なくとも、前記基板の前端部が前記加熱部の所定の加熱領域の上流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を、前記第2距離に切り替えることを特徴とする基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、前記基板を上流側から下流側へ搬送するローラ搬送機構であり、前記ローラ搬送機構は、前記基板と前記加熱部との距離が第1距離であるときに前記基板に対して駆動力を与える搬送ローラと、前記基板と前記加熱部との距離を第1距離から第2距離に切り替える上下ローラと、を備えることを特徴とする基板処理装置。請求項2に記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、前記基板の前端部が前記上下ローラを通過してから所定の時間の間、前記基板と前記加熱部との距離を前記第2距離にて維持する事を特徴とする基板処理装置。請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、さらに、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を、前記第2距離に切り替えることを特徴とする基板処理装置。請求項4に記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部より所定の距離上流側の位置に到達したときに、前記基板と前記加熱部との距離を第1距離から第2距離に切り替えることを特徴とする基板処理装置。請求項1から請求項5までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記加熱部は、平板状の高温加熱プレートと、前記高温プレートより下流側に配置されて、前記高温加熱プレートより温度の低い平板状の低温加熱プレートと、を含み、前記加熱領域は、前記高温加熱プレートであることを特徴とする基板処理装置。基板と加熱部との距離を、第1距離と、前記第1距離より大きい第2距離との、少なくとも2段階に切り替えつつ、加熱部に沿って上流側から下流側へ基板を搬送することにより、基板を加熱する基板処理方法であって、少なくとも、前記基板の前端部が前記加熱部の所定の加熱領域の上流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を前記第2距離に切り替えることを特徴とする基板処理方法。請求項7に記載の基板処理方法であって、前記基板と前記加熱部との距離を前記第1距離から前記第2距離に切り替える工程と、前記基板と前記加熱部との距離を、所定の時間の間、第2距離に維持する工程と、を備えることを特徴とする基板処理方法。請求項7または請求項8に記載の基板処理方法であって、さらに、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を前記第2距離に切り替えることを特徴とする基板処理方法。請求項9に記載の基板処理方法であって、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部より所定の距離上流側の位置に到達したときに、前記基板と前記加熱部との距離を前記第2距離に切り替えることを特徴とする基板処理方法。請求項7から請求項10までのいずれかに記載の基板処理方法であって、前記加熱部は、平板状の高温加熱プレートと、前記高温プレートより下流側に配置されて、前記高温加熱プレートより温度の低い平板状の低温加熱プレートと、を含み、前記加熱領域は、前記高温加熱プレートであることを特徴とする基板処理方法。特許文献1の段落0066~0093には、ヒータを有する複数のプレートと、プレートの上面に沿って基板を搬送する搬送機構と、を備えた基板処理装置が、記載されている。当該基板処理装置は、複数のプレートの上面に沿って基板を搬送しつつ、プレートからの熱で基板を加熱している。しかしながら、このように、基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置では、基板の前端部搬送方向下流側の端部付近および後端部搬送方向上流側の端部付近は、基板の他の部位より、加熱されやすい。これは、基板の前端部付近および後端部付近は、基板の下面からだけではなく、基板の上流側および下流側の加熱した空気によって、熱を受けるためである。したがって、一定温度のプレート上において、基板を一定速度で搬送すると、基板の前端部付近および後端部付近の温度は、基板中央部に比べて高くなる傾向がある。このような温度ムラを抑制するためには、基板の前端部付近及び後端部付近に与えられる熱量を低減させることが好ましい。しかしながら、基板の前端部付近および後端部付近が通過する時にのみ、一時的にプレートの温度を下げるのは、プレート自体の加熱冷却に高い応答性が必要となるため、困難である。本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置および基板処理方法において、基板の熱均一性を向上させる技術を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本願の第1発明は、上流側から下流側へ基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置であって、基板に熱を与える加熱部と、前記加熱部に沿って基板を搬送する搬送手段と、を備え、前記搬送手段は、前記基板と前記加熱部との距離を、第1距離と、前記第1距離より大きい第2距離との、少なくとも2段階に切り替え可能であり、少なくとも、前記基板の前端部が前記加熱部の所定の加熱領域の上流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を、前記第2距離に切り替えることを特徴とする。本願の第2発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、前記基板を上流側から下流側へ搬送するローラ搬送機構であり、前記ローラ搬送機構は、前記基板と前記加熱部との距離が第1距離であるときに前記基板に対して駆動力を与える搬送ローラと、前記基板と前記加熱部との距離を第1距離から第2距離に切り替える上下ローラと、を備えることを特徴とする。本願の第3発明は、請求項2に記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、前記基板の前端部が前記上下ローラを通過してから所定の時間の間、前記基板と前記加熱部との距離を前記第2距離にて維持する事を特徴とする。本願の第4発明は、請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、さらに、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を、前記第2距離に切り替えることを特徴とする。本願の第5発明は、請求項4に記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部より所定の距離上流側の位置に到達したときに、前記基板と前記加熱部との距離を第1距離から第2距離に切り替えることを特徴とする。本願の第6発明は、請求項1から請求項5までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記加熱部は、平板状の高温加熱プレートと、前記高温プレートより下流側に配置されて、前記高温加熱プレートより温度の低い平板状の低温加熱プレートと、を含み、前記加熱領域は、前記高温加熱プレートであることを特徴とする。本願の第7発明は、基板と加熱部との距離を、第1距離と、前記第1距離より大きい第2距離との、少なくとも2段階に切り替えつつ、加熱部に沿って上流側から下流側へ基板を搬送することにより、基板を加熱する基板処理方法であって、少なくとも、前記基板の前端部が前記加熱部の所定の加熱領域の上流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を前記第2距離に切り替えることを特徴とする。本願の第8発明は、請求項7に記載の基板処理方法であって、前記基板と前記加熱部との距離を前記第1距離から前記第2距離に切り替える工程と、前記基板と前記加熱部との距離を、所定の時間の間、第2距離に維持する工程と、を備えることを特徴とする。本願の第9発明は、請求項7または請求項8に記載の基板処理方法であって、さらに、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を前記第2距離に切り替えることを特徴とする。本願の第10発明は、請求項9に記載の基板処理方法であって、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部より所定の距離上流側の位置に到達したときに、前記基板と前記加熱部との距離を前記第2距離に切り替えることを特徴とする。本願の第11発明は、請求項7から請求項10までのいずれかに記載の基板処理方法であって、前記加熱部は、平板状の高温加熱プレートと、前記高温プレートより下流側に配置されて、前記高温加熱プレートより温度の低い平板状の低温加熱プレートと、を含み、前記加熱領域は、前記高温加熱プレートであることを特徴とする。本願の第1発明~第12発明によれば基板を搬送しつつ加熱する際に、熱均一性を向上させることが可能となる。特に第2発明によれば、ローラによって基板を搬送しつつ、基板の前端部を簡便な方法で上昇させることにより、加熱部からの熱の影響を低減させることが可能となる。特に第3発明および第8発明によれば、前端部近傍に対しても、加熱部からの熱の影響を低減させることが可能となる。特に第4発明および第9発明によれば、基板の後端部に対しても加熱部からの熱の影響を低減させることが可能となる。特に第5発明および第10発明によれば、後端部近傍に対しても、加熱部からの熱の影響を低減させることが可能となる。特に第6発明および第11発明によれば、基板全面に対して均一に加熱することが可能となる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下では、基板9が搬送される方向を搬送方向と称し、搬送方向に直交する水平方向を幅方向と称する。<1.基板処理装置の構成について>図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の斜視図である。また図2は、この基板処理装置1の上視図である。この基板処理装置1は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板9以下、単に基板9というの表面を選択的にエッチングするフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布後の基板9に加熱処理を行うための装置である。基板処理装置1は、所定の搬送方向に沿って上流側から下流側へ基板9を搬送しつつ、基板9を加熱する。図1および図2に示すように、基板処理装置1は、基板の搬送方向に沿って、加熱プレート10が複数配列されている。加熱プレート10は、さらに高温加熱プレート11および、低温加熱プレート12に対応するように調整されているが、構造は同一であり設定温度のみが相違している。図1では図示の都合上、2枚の加熱プレートしか描かれていないが、実際には図2に示すように1枚の高温加熱プレートと、2枚の低温加熱プレートから構成されている。これらの加熱プレート10は、いずれも幅方向に長い矩形の平板状に形成され、側板15によって固定されている。各加熱プレート11,12の内部には、図示しない薄板状のヒータが、各加熱プレートの裏面に埋設されている。ヒータに通電すると、ヒータの発熱によって、各加熱プレート10の温度が上昇する。各加熱プレート10の上面に沿って搬送される基板9は、各加熱プレート10の上面からの輻射熱および対流熱を受けて、加熱される。高温加熱プレート11は、基板9を加熱して、基板9の温度を、目標とする温度に近い温度まで、急速に上昇させる役割を果たす。高温加熱プレート11の上面の温度は、目標とする基板9の温度より高い温度に、設定されている。例えば、高温加熱プレート11の上面の温度は、目標とする基板9の摂氏温度の1.5~3倍の摂氏温度に、設定されている。2枚の低温加熱プレート12は、高温加熱プレート11の搬送方向下流側に、配置されている。低温加熱プレート12は、基板9を加熱するとともに、基板9の温度を、目標とする温度に維持する役割を果たす。低温加熱プレート12の上面の温度は、高温加熱プレート11の上面の温度より低い温度に、設定されている。例えば、低温加熱プレート12の上面の温度は、目標とする基板9の摂氏温度の1~1.3倍の摂氏温度に、設定されている。すなわち、本実施形態の基板処理装置1は、3枚の加熱プレート11,12,12により構成された加熱部を有している。そして、高温加熱プレート11が、基板9を急速に加熱する加熱領域を構成し、低温加熱プレート12が、基板9の温度を安定的に維持する加熱領域を構成している。加熱プレート10の上面には、複数の支持ローラ20が、幅方向および長手方向に間隔をあけて、配置されている。支持ローラ20は、各加熱プレート10の上面に設けられた凹部または貫通孔の内部に、部分的に収容されている。支持ローラ20の上端部は、各加熱プレート10の上面より上方に、突出している。前記支持ローラ20はさらに、上下ローラ21、搬送ローラ22、搬入ローラ23に分類される。上下ローラは高温加熱プレート11のみに配置され、搬送ローラ22の列と交互に配置される。上下ローラの上下機構に関しては、後述する。搬送ローラ22は、高温加熱プレート11、および低温加熱プレート12に配置され、搬送ローラ22が回転する事により基板9を搬送方向に搬送する機能を備える。また、搬入ローラ23は基板処理装置1に対して基板を搬入するために用いられ、高温加熱プレート11の上流側である搬入位置に配置されている。それぞれの支持ローラ20は、それぞれの回転軸によって連結され、側板15によって、基板の搬送方向に回動可能に支持されている。このような支持ローラ20が搬送方向にそって配列されることにより、基板9を加熱プレート10の上面に沿った方向に支持しつつ、搬送することが可能となる。図3は、駆動機構30を説明するための部分側面図である。側板15には、各支持ローラ20を駆動するための駆動機構30が配置されている。高温加熱プレート11に対応する位置の側板15には、上下モータ31、および、駆動モータ32が配置されている。低温加熱プレート12、および搬入位置に対応する位置の側板15には、駆動モータ32のみが配置されている。ここでは、代表して高温加熱プレート11に対応する位置の説明を行う。搬送ローラ22は、搬送ローラ軸221を中心として、回動可能に側板15によって支持されている。また搬送ローラ22は同じく搬送ローラ軸221を中心とする、搬送ローラギヤ222を備えている。駆動モータ32は駆動ベルト325によって搬送ローラギヤ222と接続されている。また、図示右側の搬送ローラ22は、中間ローラ322を介して、駆動モータ32と駆動ベルト325によって接続されている。なお、図示は省略するが、搬入位置に配置された搬入ローラ23、および低温加熱プレート12に配置された搬送ローラ22も、同様に駆動モータ32と駆動ベルト325によって接続されている。駆動モータ32は、図1に概念的に示したように、制御部50と電気的に接続されている。制御部50は、CPUやメモリを有するコンピュータにより、構成されている。制御部50は、駆動モータ32を電気的に制御することにより、駆動モータ32のオンオフの切り替えや、駆動モータ32の回転数の制御を、行うことができる。制御部50の指令により駆動モータ32を動作させると、駆動モータ32から発生する回転駆動力によって、複数の搬送ローラ22は、同じ方向に回転する。また、搬入ローラ23も同じ方向に回転する。そのため、搬送ローラ22または搬入ローラ23上に載置された基板9は、これらのローラ22,23の回転により、搬送方向に沿って上流側から下流側へ、搬送される。図4は、上下ローラ21の上下機構を説明するための図2のBからみた部分断面図である。側板15に配置された上下モータ31は、上下モータ軸311を中心として駆動し、さらに上下モータ軸311には、上下ローラ21に対応する位置に偏芯カム312が接続されている。そして、偏芯カム312の上面に接するように、フランジ313が配置されている。フランジ313は、高温加熱プレート11に対して上下方向に移動可能に接続されているため、偏芯カム312の回転運動により、上下に移動される。またフランジ313の上部には上下ローラ軸211が固定され、この上下ローラ軸211を中心として上下ローラ21が回転する。上下モータ31は駆動モータ32と同様に、制御部50と電気的に接続されており、制御部50の指令により上下モータ311を回転動作せると、上下モータ311から発生する回転駆動力によって、上下ローラ21が上昇位置と下降位置とに移動される。また、基板処理装置1の幅方向に配列された上下ローラ21は同一の上下ローラ軸211を中心として配置されており、同じ高さを維持した状態で、全体として上下に移動する。また、各々の上下ローラ21は基板の搬送方向に対して自由に回動可能である。そのため、制御部50からの指令により上下ローラ21が上昇位置に移動する事によって、加熱プレート10の上面を搬送される基板9は、その一部が上方に押し上げられた状態で搬送方向に搬送される。すなわち、本実施形態では、支持ローラ20、駆動機構30、および制御部50が、加熱プレート10の上面に沿って基板9を搬送する搬送手段を、構成している。本実施形態の制御部50は、上下モータ31を回転させることにより、上下ローラを上昇位置と下降位置とに切り替える事が可能である。基板9の処理を行うときには、制御部50が、あらかじめ設定されたプログラムやデータに従って、駆動機構30を制御する事により、基板9を搬送しつつ、加熱プレート10から受ける熱量を制御することにより、基板9を均一に加熱する。<2.基板処理装置1の処理動作について>続いて、上記の基板処理装置1における、基板前端部の処理の流れについて、図5~図9を参照しつつ、説明する。図5は、基板処理装置1における基板処理の流れを示したフローチャートである。図6から図9はそれぞれ、基板の処理位置の変化を示す、基板処理装置1の部分側面図である。前工程の処理を終え、本装置1に搬入された基板9は、まず、搬入ローラ23により搬送されるステップS11。具体的には、制御部50は、駆動モータ32を動作させることにより複数の搬入ローラ23を回転させる。これにより、搬入ローラ23上の基板9が、搬送方向下流側へ向けて搬送される。本実施形態においては、基板9の搬送速度は3m~5m/minにて搬送される。図6に示すように、基板9の前端部が高温加熱プレート11の上下ローラ21aここでは、搬送方向上流側の上下ローラを21a、下流側の上下ローラ21bを区別して説明する。以下同様に差し掛かるステップS12と、制御部50は上下モータ31を動作させ、上下ローラ21aを上昇位置に移動させるステップS13。具体的には、基板9の前端が上下ローラ21aの中心に差し掛かる直前に上下モータ31の上昇動作が開始されるが、これに限定されるわけではなく、時間的、位置的な前後は適宜選択される。この上下ローラ21の下降位置から上昇位置への移動は約1秒かけて行われることにより、基板9に対して急激な曲げ応力が作用することを防止している。また、下降位置から上昇位置への移動距離は、1mm~10mmの間で適宜調整されている。続いて、図7に示すように上下ローラ21aが上昇位置に維持された状態で、搬入ローラ23による基板9の搬送が継続される。具体的には、上下ローラ21aの上昇が完了してから約1秒間は上昇位置を維持するステップS14。その間に、基板9の前端部は上下ローラ21aの搬送方向下流側の駆動ローラ22の上方を通過している。その後、制御部50は上下モータ31に指令を与え、上下ローラ21aを下降位置に移動させるステップS14。図8に示すように、上下ローラ21aが下降した時点では、基板9の前端部は上下ローラ21bの直前まで搬送されているステップS16。さらに図9に示すように、基板9の前端部が上下ローラ21bに差し掛かると、上下ローラ21bは上下ローラ21aと同様に上昇位置および下降位置へ移動し、以下同様のステップを繰り返すステップS12~S15。その後、制御部50は上下ローラ21を下位置に維持した状態で、基板9の搬送を継続する。そのため、上下ローラ21は搬送ローラ22と同じ高さにて回転しつつ、基板9の高さ位置を維持する。次に、基板処理装置1における、基板後端部の処理の流れについて、図10~図12を参照しつつ、説明する。図10は、基板処理装置1における基板処理の流れを示したフローチャートである。図11および図12はそれぞれ、基板の処理位置の変化を示す、基板処理装置1の部分側面図である。図11に示すように、基板9の後端部が高温加熱プレートの上下ローラ21aに対して所定位置に差し掛かるステップS21と、制御部50は上下モータ31を動作させ、上下ローラ21aを上昇位置に移動させるステップS22。具体的には、基板9の後端が上下ローラ21aの中心から150mmの位置に差し掛かると、上下モータ31の上昇動作が開始される。その後、基板9の後端部が上下ローラ21aの位置を通過するとステップS23、制御部50は上下モータ31に指令を与え、上下ローラ21aを下降位置に移動させるステップS24。図12に示すように、上下ローラ21aが下降した時点では、基板9は駆動ローラ22によって支持され、搬送方向下流に向けて搬送される。また基板9の後端部が上下ローラ21bに差し掛かると、上下ローラ21bは上下ローラ21aと同様に上昇位置および下降位置へ移動し、以下同様のステップを繰り返すステップS21~S24。基板9を搬送しつつ、下面より加熱する場合において、基板9の前端部は搬送方向上流側の空間からも加熱されるため、図13aに示すように、基板前端部X0~X1までの間は、基板中央部と比較して加熱されやすい傾向にある。その結果、基板中央部の表面温度をT0まで加熱する場合、前端部はT0よりも温度が高いT1付近まで加熱される。この影響は基板後端部も同様である。本発明のように、基板前端部および後端部が高温加熱プレート11の上方を通過する際、プレート上面と基板下面との距離を大きくすることにより、加熱プレートからの輻射熱の影響を低減することができる。その結果、図13bに示したように、基板前端部の表面温度はT1よりもT0に近い、T2まで低下し、基板9の表面温度は均一化する方向となる。<3.変形例>以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態では、高温加熱プレート11、および2枚の低温加熱プレート12によって基板9が加熱されているが、これに限定されるものではなく、高温加熱プレート11が2枚配列されていてもよく、低温加熱プレートの枚数もこれに限定されない。加熱プレート10全体が、単一の加熱プレートにより、構成されていてもよい。例えば、1枚の加熱プレート内に、高温加熱領域と、低温加熱領域とが、設けられていてもよい。また、本発明の加熱部は、1枚の高温加熱プレートのみで構成されていてもよい。また、本発明の加熱部は、ランプヒータのような棒状または球状の加熱要素を、複数配列したものであってもよい。上下ローラ21の上下機構は、上下モータ31およびカム312を用いた上下機構であったが、これに限定されるものではない。シリンダなどの直動機構を用いて上下ローラ21を上下させても良い。また、搬送ローラ22と上下ローラ21は、隣り合うように連続して配置されていたが、これに限定されるものではなく、搬送ローラ22が2列連続した後に上下ローラ21が間挿されていてもよい。また、実施形態では、各ローラの間隔は等しく配置されていたが、ピッチが変化していても良い。実施形態では、基板9の搬送速度に対して、上下ローラ21の上下速度は比較的早かった。そのため、上流側の上下ローラ21aが上昇、下降をした後、下流側の上下ローラ21bが上昇を開始したが、これに限定されるわけではない。具体的には、上流側の上下ローラ21aが上昇した後、実施形態よりも長い所定時間、上昇状態を維持し、上下ローラ21aが下降を開始する前に基板9の前端部を下流側の上下ローラ21bに到達させ、さらに上下ローラ21bを上昇させてもよい。このようにすると、基板9の前端部が高温加熱プレート11から受ける熱量をさらに低減させることが可能となる。また、上記の実施形態では、複数の搬送ローラ22および搬入ローラ23によって、基板9を搬送していた。しかしながら、本発明の搬送手段は、他の方法で基板9を搬送するものであってもよい。例えば、所定の保持部材で基板9の両側縁部を保持し、当該保持部材を搬送方向下流側へ移動させることにより、基板9を搬送するものであってもよい。また、上記の基板処理装置1は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板を加熱する装置であったが、本発明の基板処理装置は、有機ELElectroLuminescenceディスプレイ用基板、半導体ウエハ、PDP用ガラス基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板などの他の基板を、加熱するものであってもよい。"