"圧電基板に所定の幅および所定の深さを有する溝を形成する工程と、前記溝の開口が支持基板と対向するように、前記圧電基板を前記支持基板に貼り合わせる工程と、前記支持基板に貼り合わせられた前記圧電基板の厚みを減じる方向に前記圧電基板を研磨し、前記溝が形成された部分において前記支持基板を露出させる工程とを備えた、電子部品の製造方法。前記圧電基板を研磨した後、前記支持基板上に残された前記圧電基板上に共振子を形成する工程をさらに備えた、請求項1に記載の電子部品の製造方法。前記圧電基板を研磨した後、前記支持基板上に残された前記圧電基板をテーパ状に加工する工程をさらに備えた、請求項1または請求項2に記載の電子部品の製造方法。前記溝を、前記圧電基板の内部に進むにつれて徐々に幅が広くなるように形成する、請求項1または請求項2に記載の電子部品の製造方法。前記電子部品は弾性表面波装置である、請求項1から請求項4のいずれかに記載の電子部品の製造方法。前記圧電基板は、LiTaO3またはLiNbO3からなる、請求項1から請求項5のいずれかに記載の電子部品の製造方法。支持基板と、前記支持基板の一方主面の一部に接合されている圧電基板と、前記圧電基板に形成されている共振子と、前記共振子に電気的に接続され、前記支持基板の一方主面における前記圧電基板が接合されている部分以外に形成されている配線およびボンディングパッドとを備え、前記圧電基板がテーパ状である、電子部品。特許文献1に記載の弾性表面波素子では、支持基板20の全面に誘電率が高い圧電基板10が貼り合わせられているので、電極パターン間の寄生容量が大きくなり、フィルタに用いる場合には減衰特性が劣化することが懸念される。特許文献2に記載の弾性表面波素子では、支持基板30と圧電基板20とを接合した後に、レーザ加工やダイシングなどにより不要部の圧電基板20を除去しているが、圧電基板20のクラックや、接合界面での剥離などの問題が生じやすい。また、不要部が除去された後の圧電基板20の端部の形状は滑らかではなく、その箇所に配線を形成すると、容易に断線する可能性がある。特許文献3に記載の電子部品では、半導体基板1上に圧電基板2を接合した後に、ウエットエッチング処理を行なっており、使用できる圧電基板2の材料が限定される。LiTaO3やLiNbO3などには適用できない。また、ドライエッチング処理であれば、LiTaO3やLiNbO3などにも適用できるが、オーバーエッチングにより、半導体基板1の表面が荒れて、その後に形成する配線の断線や抵抗増加などの問題を引き起こしやすくなる。本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、不要な寄生容量を減少し、圧電基板や支持基板へのダメージが抑制され、かつ、圧電基板材料の選択の自由度が高い電子部品の製造方法および電子部品を提供することにある。本発明に係る電子部品の製造方法は、圧電基板に所定の幅および所定の深さを有する溝を形成する工程と、溝の開口が支持基板と対向するように、圧電基板を支持基板に貼り合わせる工程と、支持基板に貼り合わせられた圧電基板の厚みを減じる方向に圧電基板を研磨し、溝が形成された部分において支持基板を露出させる工程とを備える。1つの実施態様では、上記電子部品の製造方法は、圧電基板を研磨した後、支持基板上に残された圧電基板上に共振子を形成する工程をさらに備える。1つの実施態様では、上記電子部品の製造方法は、圧電基板を研磨した後、支持基板上に残された圧電基板をテーパ状に加工する工程をさらに備える。1つの実施態様では、上記電子部品の製造方法において、前記溝を、前記圧電基板の内部に進むにつれて徐々に幅が広くなるように形成する。1つの実施態様では、上記電子部品の製造方法において、電子部品は弾性表面波装置である。1つの実施態様では、上記電子部品の製造方法において、圧電基板は、LiTaO3またはLiNbO3からなる。本発明に係る電子部品は、支持基板と、支持基板の一方主面の一部に接合されている圧電基板と、圧電基板に形成されている共振子と、共振子に電気的に接続され、支持基板の一方主面における圧電基板が接合されている部分以外に形成されている配線およびボンディングパッドとを備え、圧電基板がテーパ状である。本発明によれば、支持基板と圧電基板とを貼り合わせた電子部品の不要な寄生容量を減少させることができる。また、圧電基板や支持基板へのダメージを抑制し、圧電基板材料の選択の自由度を高めることもできる。以下に、本発明の実施の形態について説明する。なお、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。なお、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。実施の形態1図1は、実施の形態1に係る電子部品の共振子が形成されている部分を示す図であり、aは断面図、bは上面図を示す。図1に示すように、本実施の形態に係る電子部品は、支持基板100と、支持基板100上に接合された圧電基板200と、圧電基板200上に形成された複数の共振子300とを含む。本実施の形態に係る電子部品は、典型的にはデュプレクサなどに用いられる弾性表面波装置であるが、本発明の範囲はこれに限定されない。支持基板100は、たとえば高抵抗シリコン基板などから構成される。圧電基板200は、たとえばLiTaO3またはLiNbO3などからなる。図1の例において、一対の櫛型電極を互いに間挿してなるIDT電極が圧電基板200上に形成されており、共振子300はIDT電極を備える一端子対弾性表面波共振子である。図1には示されていないが、支持基板100上の圧電基板200が形成されていない領域には、共振子300に電気的に接続されている配線やボンディングパッドなどの電極パターンが形成されている。これら電極パターンとともに、複数の共振子300はラダー型の弾性表面波フィルタを構成する。なお、共振子300はIDT電極の両側に設けられた一対の反射器をさらに備えてもよい。この場合、反射器も圧電基板200上に形成されている。図6は、比較例に係る電子部品を示す図である。図1と図6とを対比して、本実施の形態に係る電子部品の1つの特徴は、端的に言えば、共振子300周辺以外の部分において、支持基板100上の圧電基板200が除去されていることである。このようにすることで、配線間に発生する寄生容量が減少し、弾性表面波フィルタの減衰特性の改善を図ることが可能である。このような効果は、配線間の間隔が狭い小型の弾性表面波フィルタにおいて特に顕著である。次に、図2を用いて、本実施の形態に係る電子部品の製造方法における各工程について説明する。図2に示すように、本実施の形態に係る電子部品の製造方法は、圧電基板200Aに所定の幅および所定の深さを有する溝210Aを形成する工程図2bと、溝210Aの開口が支持基板100と対向するように、圧電基板200Aを支持基板100に貼り合わせる工程図2cと、支持基板100に貼り合わせられた圧電基板200Aの厚みを減じる方向に圧電基板200Aを研磨し、溝210Aが形成された部分において支持基板100を露出させる工程図2d,図2eと、圧電基板200Aを研磨した後、支持基板100上に残された圧電基板200上に共振子300を形成する工程図2fとを備える。以下に、各工程をより詳細に説明する。まず、図2aに示すように、支持基板100と圧電基板200Aとを準備する。1つの例として、支持基板100は、抵抗率が1000Ωcmの高抵抗シリコン基板厚み350μmからなる。他方、1つの例として、圧電基板200は、42°回転YカットX伝搬のLiTaO3基板厚み250μmからなる。次に、圧電基板200Aの一方主面にフォトリソグラフィを用いてレジストパターンを形成する。より具体的には、最終的に圧電基板200が残される部分すなわち、後に共振子300が形成される部分にレジストパターンが形成される。さらに、上記レジストパターンをマスクとして、該マスクの開口部に位置する圧電基板200Aに対して、イオンミリングなどによりドライエッチングを行なう。ここで、エッチング深さは、たとえば40μm程度に設定される。エッチングを行なった後に、有機溶剤を用いてレジストパターンを剥離させる。これにより、図2bに示すように、溝210Aおよび突起部220Aを有する圧電基板200Aが形成される。次に、図2cに示すように、圧電基板200Aにおける上記エッチング処理を施した一方主面と、支持基板100の一方主面とを接合する。この接合は、樹脂の接着剤を介した接合でも構わないし、対向する一方主面の親水化処理を行った後に、直接接合を行なうものであっても構わない。次に、図2dに示すように、圧電基板の他方主面エッチング処理を行なっていない面側から、圧電基板200Aを研磨する。この研磨は、たとえば、圧電基板200Aの厚みが20μmの厚みになるまで行なわれる。この結果、図2eに示すように、支持基板100上の、圧電基板200Aは、複数の圧電基板200に分断される。さらに、図2fに示すように、リフトオフ技術を用いて、支持基板100および圧電基板200上に、共振子300、配線、およびボンディングパッドなど、弾性表面波フィルタに必要な電極パターンを形成する。この時、共振子300の少なくとも弾性表面波を励振する部分は、圧電基板200上に位置するように形成される。本実施の形態に係る電子部品およびその製造方法によれば、共振子300が形成された部分以外において、支持基板100上の圧電基板200が除去されているので、図6に示す比較例と比べて、配線間に発生する寄生容量が減少し、弾性表面波フィルタの減衰特性の改善を図ることが可能である。また、支持基板100と圧電基板200とを貼り合わせた後に圧電基板200の不要部分をレーザ、ダイシング、およびウエットエッチングなどで除去する方法と比較して、圧電基板のクラックや剥がれなどの心配がなく、配線抵抗増加など特性劣化につながる支持基板のダメージを回避できるという効果も奏する。また、ウエットエッチング処理を行なう例と比較して、圧電基板200の材料の選択自由度が増える。実施の形態2図3は、実施の形態2に係る電子部品を示す図であり、aは断面図、bは上面図を示す。図3に示すように、本実施の形態に係る電子部品は、実施の形態1に係る電子部品の変形例であって、支持基板100上に残された圧電基板200がテーパ状に加工されていることを特徴とする。以下に、本実施の形態における各工程を、図4を用いてより詳細に説明する。まず、図4aに示すように、支持基板100と圧電基板200Aとを準備する。次に、図4bに示すように、溝210Aおよび突起部220Aを有する圧電基板200Aを形成する。さらに、図4cに示すように、圧電基板200Aと支持基板100とを接合し、図4dに示すように、圧電基板200Aを研磨することにより、図4eに示すように、支持基板100上の、圧電基板200Aを、複数の圧電基板200に分断する。ここまでは、上述した実施の形態1と同様である。ただし、本実施の形態では、支持基板100は、たとえば、アルミナ基板厚み250μmからなり、圧電基板200Aは、38.5°回転YカットX伝搬のLiTaO3基板厚み250μmからなる。また、圧電基板200Aをドライエッチングして形成される溝210Aの深さは、たとえば30μmである。また、圧電基板200Aは、最終的には、たとえば15μmの厚みにまで研磨される。次に、図4fに示すように、支持基板100上に残された圧電基板200の外周から10μm内側までの領域のみが開口するようなレジストパターン400が形成される。レジストパターン400は、露光時のデフォーカス処理などにより、図4fに示すように、角度60°程度の順テーパ形状に形成できればなお好ましい。次に、図4gに示すように、レジストパターン400をマスクとして、露出している圧電基板200に対して、イオンミリングによるエッチングを行なう。この際、露出部分の圧電基板200が完全にエッチングされる前に、エッチング処理を終了する。エッチング後にレジストを剥離することにより、図4hに示すテーパ状の圧電基板200周縁部に傾斜部250が形成されたものが得られる。さらに、図4iに示すように、リフトオフ技術を用いて、支持基板100および圧電基板200上に、共振子300、配線、ボンディングパッドなど、弾性表面波フィルタに必要な電極パターンを形成する。この時、共振子300の少なくとも弾性表面波を励振する部分は、圧電基板200上に位置するように形成される。本実施の形態によれば、実施の形態1と同様の効果を奏する。さらに、本実施の形態では、圧電基板200の周縁部に傾斜部250が形成されているので、圧電基板200の段差部で配線が断線する可能性を低減することができる。また、圧電基板200の周縁部に傾斜部250を形成する際、支持基板100における圧電基板200のない部分をレジストパターン400により保護することが可能であり、支持基板100のダメージも回避できる。実施の形態3図5は、実施の形態3に係る電子部品の製造方法における各工程を示す図である。図5を参照して、本実施の形態に係る電子部品は、実施の形態2と同様、支持基板100上に残された圧電基板200をテーパ状に形成する図5fが、そのプロセスにおいて、実施の形態2と若干異なる特徴を有する。以下に、その要点を説明する。まず、図5aに示すように、支持基板100と圧電基板200Aとを準備する。ここまでは、上述した実施の形態2と同様である。次に、図5bに示すように、圧電基板200Aに溝210Aおよび突起部220Aを形成する。ここで、溝210Aの幅が圧電基板200Aの内部に進むにつれて徐々に広がるようにドライエッチングする。これにより、傾斜部250Aを有する逆テーパ状の突起部220Aを形成する。さらに、図5cに示すように、圧電基板200Aと支持基板100とを接合し、図5dに示すように、圧電基板200Aを研磨することにより、図5eに示すように、支持基板100上の、圧電基板200Aを、複数の圧電基板200に分断する。その後、図5fに示すように、リフトオフ技術を用いて、支持基板100および圧電基板200上に、共振子300、配線、ボンディングパッドなど、弾性表面波フィルタに必要な電極パターンを形成する。本実施の形態においては、上述のように、圧電基板200Aに溝210Aおよび突起部220Aを形成する工程において傾斜部250Aを形成しているため、実施の形態2と対比して、工程数を減らしながら、最終的には、圧電基板200の周縁部に傾斜部250を形成することが可能である。なお、上記の実施の形態では、共振子300に一端子対弾性表面波共振子を用いて説明したが、共振子300はこれに限らない。共振子300は、例えば、圧電基板200上に弾性表面波伝搬方向に沿って配置された複数のIDT電極と、複数のIDT電極の弾性表面波伝搬方向の両側に設けられた反射器とを備える二端子対弾性表面波共振子であってもよい。この二端子対弾性表面波共振子と、配線およびボンディングパッドによって、所謂縦結合共振子型の弾性表面波フィルタを構成することができる。以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"