集光装置は、コンデンサー、透過実心体形態の集光器、光線レシーバーを備え、前記コンデンサーは、焦点区を備え、前記光透過実心体形態の集光器は、上部が狭く、下部が広い構造形態を形成し、前記コンデンサー焦点区に近い位置上に配置し、前記集光器は、入光口径と出光口径を備え、前記光線レシーバーは、前記集光器出光口径に近い位置に設置し、しかも少なくとも一部の光線を受け取り、前記一部の光線は、前記集光器の少なくとも一回の全反射光学作用を経ることを特徴とする集光装置。前記集光器は、参考軸を基準とし、錐状輪郭の形態を形成することを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記集光器の入光口径は、前記コンデンサー焦点区に近い位置に設置することを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記集光器は、前記光線レシーバー上を覆うことを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記集光器入光口径の幅は、前記出光口径の幅より小さいことを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記集光器は、基部上に設置し、前記基部は、開口を備え、前記集光器を収容し、前記開口は、コンデンサー焦点区に近い位置に位置し、上区と下区を定義し、しかも前記開口は、上区が広く、下区が狭い構造形態を形成することを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記開口上区の幅は、前記開口下区の幅より大きいことを特徴とする請求項6に記載の集光装置。前記開口上区は、前記コンデンサー焦点区に近い位置に位置し、前記集光器の入光口径は、前記開口上区に近い位置に位置することを特徴とする請求項6に記載の集光装置。前記基部の開口は、表面を含む。前記表面には、一層の反射膜をメッキし、反射面を形成することを特徴とする請求項6に記載の集光装置。前記基部開口下区の内径は、前記集光器出光口径の外径にほぼ等しいことを特徴とする請求項6に記載の集光装置。前記基部開口下区の内径は、前記集光器出光口径の外径よりやや大きいことを特徴とする請求項6に記載の集光装置。前記一部の光線が、光線レシーバーに入射する角度は、約0°~40°の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記コンデンサーは、幾何型輪郭形態を形成する反射式光学部品で、入光口径、反射面、底部、前記底部上に形成する開口を備え、前記開口は、前記入光口径の相対辺に位置し、前記集光器は、前記開口の区域内に設置し、前記開口は、コンデンサー焦点区に近い位置に位置し、上区と下区を定義し、しかも前記開口は、上区が広く、下区が狭い構造形態を形成することを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記開口上区の幅は、前記開口下区の幅より大きいことを特徴とする請求項13に記載の集光装置。前記開口上区は、前記コンデンサー焦点区に近い位置に位置し、前記集光器の入光口径は、前記開口上区に近い位置に位置することを特徴とする請求項13に記載の集光装置。前記開口は、表面を含む。前記表面には、一層の反射膜をメッキし、反射面を形成することを特徴とする請求項13に記載の集光装置。前記集光器の高度は、前記底部の厚さにほぼ等しいことを特徴とする請求項13に記載の集光装置。前記コンデンサーは、放物線輪郭の形態を形成することを特徴とする請求項13に記載の集光装置。前記開口下区の内径は、前記集光器出光口径の外径にほぼ等しいことを特徴とする請求項13に記載の集光装置。前記開口下区の内径は、前記集光器出光口径の外径よりやや大きいことを特徴とする請求項13に記載の集光装置。前記開口下区の内径は、前記光線レシーバーの外径にほぼ等しいことを特徴とする請求項6或いは13に記載の集光装置。前記開口下区の内径は、前記光線レシーバーの外径よりやや大きいことを特徴とする請求項6或いは13に記載の集光装置。前記開口下区の内径は、前記光線レシーバーの対角線長さにほぼ等しいことを特徴とする請求項6或いは13に記載の集光装置。前記開口下区の内径は、前記光線レシーバーの対角線長さよりやや大きいことを特徴とする請求項6或いは13に記載の集光装置。前記集光器出光口径の内径は、前記光線レシーバーの外径にほぼ等しいことを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記集光器出光口径の内径は、前記光線レシーバーの対角線長さにほぼ等しいことを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記集光器入光口径上には、湾曲面の形態を形成することを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記コンデンサー入光口径には、サブ集光部品を配置することを特徴とする請求項13に記載の集光装置。前記光線レシーバーは、基板上に配置し、前記基板は、前記基部と結合形態を形成することを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記光線レシーバーは、基板上に配置し、前記基板は、前記コンデンサー底部と結合形態を形成することを特徴とする請求項13に記載の集光装置。前記集光器は、放物線輪郭の形態を形成し、焦点区を備え、前記焦点区は、前記コンデンサーの焦点区と、共焦形態を形成することを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記集光器は、放物線輪郭の形態を形成し、焦点区を備え、前記焦点区は、前記コンデンサーの焦点区と、おおよそ共焦の形態を形成することを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記コンデンサーは、Fresnel光学部品であることを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記コンデンサーは、全反射屈折光学部品であることを特徴とする請求項1に記載の集光装置。前記集光器の位置は、前記開口の位置よりやや低いことを特徴とする請求項6或いは13に記載の集光装置。前記集光器の位置は、前記開口の位置よりやや高いことを特徴とする請求項6或いは13に記載の集光装置。集光装置の集光方法は、以下を含む。焦点区を備えるコンデンサーは、少なくとも一部の光線を受け取り、前記光線は、前記焦点区を通過後、そのまま前方へと光透過実心体形態を呈する集光器上に射出し、第一次アウトプット光を形成し、前記第一次アウトプット光は集光器に到達後、前記集光器の全反射光学作用を経て、第二次アウトプット光として射出され、前記第二次アウトプット光は、レシーバー上へと入射することを特徴とする集光装置の集光方法。集光装置の集光方法は、以下を含む。焦点区を備えるコンデンサーは、少なくとも一部の光線を受け取り、前記コンデンサーは、口径、開口、前記開口上に形成する表面を備え、前記光線は、前記焦点区から離れた後、そのまま前方へ向かいコンデンサー開口の表面へと射出し、前記光線は、前記コンデンサー開口の表面反射を経て出光し、第一次アウトプット光を得て、前記第一次アウトプット光は、光透過実心体形態を呈する集光器に到達後、前記集光器の屈折及び/或いは全反射光学作用を経て、第二次アウトプット光として射出され、前記第二次アウトプット光は、光線レシーバー上へと入射することを特徴とする集光装置の集光方法。前記プロセスのコンデンサーが受け取る少なくとも一部の光線は、参考軸を基準線とし、偏角形態を形成しコンデンサーに進入することを特徴とする請求項38に記載の集光装置の集光方法。前記プロセスの光線は、サブ光学部品を通過後、前記コンデンサーに進入することを特徴とする請求項38或いは39に記載の集光装置の集光方法。前記プロセスの光線は、前記コンデンサー反射面による反射を経過後、前記焦点区を離れ、そのまま前方へ向かいコンデンサー開口の表面上へと射出することを特徴とする請求項38或いは39に記載の集光装置の集光方法。集光装置の集光方法は、以下を含む。焦点区を備えるコンデンサーは、少なくとも一部の光線を受け取り、前記光線は、前記焦点区から離れた後、そのまま前方へと開口上まで射出し、前記開口は、基部上に形成し、しかも開口は、表面を備え、前記光線は、前記基部開口の表面に反射され出光し、第一次アウトプット光を形成し、前記第一次アウトプット光は、光透過実心体形態を呈する集光器に到達後、前記集光器の屈折及び/或いは全反射光学作用を経て、第二次アウトプット光として射出され、前記第二次アウトプット光は、光線レシーバー上へと入射することを特徴とする集光装置の集光方法。前記プロセスのコンデンサーが受け取る少なくとも一部の光線は、参考軸を基準線とし、偏角形態を形成しコンデンサーに進入することを特徴とする請求項42に記載の集光装置の集光方法集光装置の集光方法は、以下を含む。焦点区を備えるコンデンサーは、光源の少なくとも一部の光線を受け取り、前記光線は、前記焦点区から離れた後、そのまま前方へと光透過実心体形態を呈する集光器に射出し、第一次アウトプット光を形成し、しかも、前記第一次アウトプット光は、前記集光器の屈折及び/或いは全反射光学作用を経て、第二次アウトプット光を形成し、光線レシーバー上へと入射することを特徴とする請集光装置の集光方法。前記プロセスのコンデンサーが受け取る少なくとも一部の光線は、参考軸を基準線とし、偏角形態を形成しコンデンサーに進入することを特徴とする請求項44に記載の集光装置の集光方法。前記プロセスの光線は、サブ光学部品を通過後、前記コンデンサーに進入することを特徴とする請求項44に記載の集光装置の集光方法。前記プロセスのコンデンサーは、反射面を備え、前記光線は、コンデンサーの反射面で反射後、前記焦点区を離れ、そのまま前方へと集光器上へ射出することを特徴とする請求項44に記載の集光装置の集光方法。本発明が解決しようとする課題は、組み立てが簡単で、光線は比較的垂直に近い角度でレシーバーに入射し、光線レシーバーの吸收効率と照度の均一性を高めることができ、焦区を備えるコンデンサーと光線レシーバーを組み合わせた全反射集光器を備え、集光器は入光口径と出光口径を定義し、集光器の入光口径はコンデンサー焦点区の位置に接近、或いは位置し、コンデンサーが受け取る光源の少なくとも一部の光線は焦区を通過後、そのまま前方へと集光器へ射出し、集光器の全反射光学作用を経て光線はレシーバーに入射するため、光線の入射角度が大きすぎ、或いは理想的でなく、光学照度が不均一で、光電変換性能に悪影響を及ぼしていた従来の構造の欠点を改善することができる集光装置及びその集光方法を提供することである。上記課題を解決するため、本発明は下記の集光装置及びその集光方法を提供する。集光装置の集光器は、参考軸を基準とし、錐状輪郭の形態を形成し、該集光器の入光口径は、コンデンサー焦点区の位置或いは範囲に接近、或いは位置し、レシーバーは、集光器出光口径の位置に設置するため、該コンデンサーが受け取る光源の少なくとも一部の光線は、焦区を通過し、そのまま前方へと集光器へ射出された後、該集光器の全反射光学作用を経て、該光線がレシーバーに入射する角度は、垂直に近くにできる限り保持され、集光装置の集光器は、基部上に設置し、該基部には、開口を形成し、該集光器を組合せ、該基部開口は、コンデンサー焦点区の位置上に接近、或いは位置し、該基部の開口は、参考軸を参考方向とし、上区と下区を定義し、しかも、上区がより広く、下区がより狭い輪郭形態を形成し、よって、該コンデンサー焦点区は、基部開口上区の位置に接近、或いは位置し、これにより、該集光器の口径は、該基部開口上区の位置に位置し、該参考軸を参考方向とし、該基部は、コンデンサーの底部に形成することもでき、しかも該基部開口は、錐状輪郭の形態を呈し、該上区の内径は、該下区の内径より大きく、該下区の内径は、該集光器出光口径の外径にほぼ等しく、よって、該集光器の構造形態は、操作者が該コンデンサー開口の下区に直接位置を合わせ、同時に、垂直方向に位置を合わせ、及び左、右方向に位置を合わせるのに特に適しており、これにより該集光器は、該コンデンサーの底部上に簡単に組み合わされ、好ましくは、該底部開口或いは基部開口は、表面を含む。しかも該表面には、一層の反射膜をメッキし、反射面を形成し、本発明の集光装置において、該底部開口或いは該基部開口の下区内径は、該レシーバーの外径にほぼ等しく、或いは該レシーバーの対角線長さにほぼ等しい。本発明集光装置の集光方法において、光線の光学設計は、以下を含む。該コンデンサーは、光源の少なくとも一部分の光を受け取り、光は該焦区を通過後、そのまま前方へと集光器上へ射出し、第一次アウトプット光を形成し、該第一次アウトプット光は集光器に到達後、該集光器の全反射光学作用を経て、第二次アウトプット光として射出され、第二次アウトプット光は、該集光器の出光口径に到達後、レシーバーに入射する。本発明集光装置の集光方法の別種の集光方法において、光線の光学設計は、以下を含む。コンデンサーは、光源の少なくとも一部分の光を受け取り、光は焦区から離れた後、そのまま前方へと基部開口の表面まで射出し、上記した光線は、該基部開口の表面を経て反射されて出光し、第一次アウトプット光を形成し、該第一次アウトプット光は集光器に到達後、該集光器の屈折及び/或いは全反射光学作用を経て、第二次アウトプット光として射出され、該第二次アウトプット光は、集光器の出光口径に到達後、レシーバーに入射する。本発明の集光装置及びその集光方法において、集光装置は、組み立てが簡単で、光線は比較的垂直に近い角度でレシーバーに入射し、光線レシーバーの吸收効率と照度の均一性を高めることができ、焦区を備えるコンデンサーと光線レシーバーを組み合わせた全反射集光器を備え、集光器は入光口径と出光口径を定義し、集光器の入光口径はコンデンサー焦点区の位置に接近、或いは位置し、コンデンサーが受け取る光源の少なくとも一部の光線は焦区を通過後、そのまま前方へと集光器へ射出し、集光器の全反射光学作用を経て光線はレシーバーに入射する。そのため本発明は、光線の入射角度が大きすぎ、或いは理想的でなく、光学照度が不均一で、光電変換性能に悪影響を及ぼしていた従来の構造の欠点を改善することができる。以下に図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。図2に示すように、本発明の集光装置は、コンデンサー10と集光器20の組合せを備える。コンデンサー10は、一次光学部品とも定義され、焦区15を備える。よって、コンデンサー10は、光源の少なくとも一部分の光線を受け取った後、それらに焦区15を通過させ、そのまま前方へと集光器20に射出させる。しかも、集光器20の全反射光学作用或いはプロセスを経て、光線はレシーバー50に入射する。図2に示すように、集光器20は全反射の光学設計で、二次光学部品とも定義される。本実施例中では、参考軸χを基準とし、幾何形輪郭の光透過実心体の形態を形成する。図中に示す集光器20は、錐状輪郭の形態を形成する。錐状輪郭の形態は、断面上の曲線は曲率が0の傾斜直線である。集光器20は、入光口径22と出光口径24を定義する。しかも、これにより集光器20の入光口径22は、コンデンサー焦点区15の位置或いは範囲に接近、或いは位置する。レシーバー50は、集光器出光口径24の位置に設置し、詳しくいえば、レシーバー50は、セラミック、銅或いはそれに類似の材料により製造する基板60上に配置する。実務上は、レシーバー50と基板60との間には、スズペーストを塗布して固定する。しかも、集光器20は、レシーバー50を直接覆い、或いはレシーバー50上に封入される。図2の断面に示すように、集光器入光口径22の幅は、出光口径24の幅より小さい。すなわち、集光器20は、上部が狭く、下部が広い幾何形輪郭形態を形成する。集光器20は、上部が狭く、下部が広い構造形態を形成するため、集光器20に入射する光線の、レシーバー50に入射する角度範囲は、できる限り垂直に近く保持され、レシーバー50の吸收効率とレシーバー50上の照度均一性等を高める作用を達成することができる。この部分関しては、以下に続けて述べる。図3に示すように、ある実施例中では、集光器20は、基部30上に設置する。基部30は、基板60と一体成型の形態を形成し、或いは基部30と基板60との間に接着して設置し、相互に接合して固定する。基部30は、開口31を備え、或いは区画し、これにより集光器20を収容する。これにより、基部開口31は、コンデンサー焦点区15の位置或いはある範囲内に位置する。基部30の開口31は、参考軸χを参考方向とし、上区31aと下区31bを定義する。しかも、上区31aがより広く、下区31bがより狭い輪郭形態を形成する。つまり、図3の断面より分かるように、上区31aの幅は、下区31bの幅より大きい。コンデンサー焦点区15は、基部開口上区31aの位置に接近、或いは位置する。これにより、集光器20の口径22は、基部開口上区31aの位置に位置する。好ましくは、基部30の開口31は、表面31cを含む。しかも表面31cには、一層の反射膜をメッキし、反射面を形成する。以下に説明を加える。基部開口31は、上区31aがより広く、下区31bがより狭い構造形態を形成するため、光学システムの許容角度を拡大することができる。よって、コンデンサー10と集光器20の組合せ構造は、入射の光線をより小さな角度で、レシーバー50に入射させ、及び開口上区31a、下区31bと表面31cの構造に対応し、光学システムの許容角度を拡大する作用を同時に達成することができる。図4は、具体的実施例を示す。コンデンサー10には、全反射式フォーカス光学部品を選択し、焦点区15を備え、集光器20、基部30、開口31と対応する構造形態を呈する。すなわち、集光器20の入光口径22は、コンデンサー焦点区15の位置上に設置する。フォーカス光学部品は、Fresnel、全反射屈折レンズ、或いは類似の集光システムを選択することができる。図4は、入射光線或いは太陽光線が、直射形態で、コンデンサー10に進入する一次光学作用と、集光器20に進入する二次光学作用の集光進行状況を示す。本実施例中では、コンデンサー10中間部分を通過する入射光線を、参考番号71により表示し、コンデンサー10周辺部分を通過する入射光線を、参考番号72により表示する。光線71は、コンデンサー10を経て、コンデンサー10の焦点区15に直接導引され、続いて、集光器20の入光口径22から、集光器20に進入し、均一かつ集中した状態で光線レシーバー50上に入射する。すなわち、光線71は、集光器20の全反射作用を経過せず、屈折後に直接光線レシーバー50に進入する。一方、入射光線72はコンデンサー10に進入し、コンデンサー10の鋸歯状構造を経て導引され焦点区15を通過後、集光器20の入光口径22から出射し、第一次アウトプット光を提供する。続いて、第一次アウトプット光は、集光器20の全反射光学作用により、光線レシーバー50上へと均一に入射される。以下に説明を加える。図4は、光線71、72が、コンデンサー10の反射光学作用と集光器20の全反射光学作用を経た後にレシーバー50に入射する角度範囲が、0°~30°に保持されることを特に示している。つまり、光線71、72は、比較的垂直に近い、或いは30°以下の角度範囲でレシーバー50に入射する。よって、そのレシーバー50への入射角度はより小さく、光照度の均一性と光強度の分布は共に、従来の技術より理想的である。図5、6は、実験によりシミュレーションした状況を示す。図7、8は、別種の具体的実施例を示す。コンデンサー10は、反射式の光学設計、或いは光学反射映射部品で、反射面11を備える。反射面11は、反射材料である反射層を備える。例えば、金属表面反射層、或いは他の材料により構成する反射効果を備えた組織構造を選択することができる。図9は、コンデンサー10の体積が、集光器20の体積より明らかに大きいことを示す。本実施例中では、集光器20は、図中コンデンサー10の底部13に配置、或いは接合構造を用いて組合せ、或いは一体成型の構造を採用する。具体的には、コンデンサー10は、入光口径12、底部13上に形成する開口14を備える。開口14は、入光口径12の反対端或いは相対辺に定義され、光線は、開口14からアウトプットされる。実質的には、集光器20は、コンデンサー開口14の位置或いは区域内に収容或いは設置される。よって、好ましくは、集光器20の高度は、例えば図9に示す状況のように、底部13の厚度にほぼ等しい。図9に示すように、コンデンサー10或いはその反射面11は、参考軸χを基準とし、碗状輪郭、放物線輪郭或いは他の幾何形輪郭の形態を形成する。本実施例中では、コンデンサー10は、放物線輪郭の形態を選択する。よって、反射面11は、湾曲面の形態で、焦区15を区画する。しかも、開口14は、焦区15に隣接する。よって、集光器20の入光口径22は、焦点区15の位置上に位置し、或いは接近する。ある実施例では、コンデンサー入光口径12上には、サブ集光部品40を配置する。サブ集光部品40は、凸レンズ、Fresnelレンズ、鋸歯状全反射レンズ或いは他の形態の光学レンズで、光線を導引し、焦点区15を通過させアウトプットさせることができる。図4と図9に示す実施例を比較すると、コンデンサー底部13は、基部30の構造を代表、或いは基部30の構造に置換可能なことが分かる。つまり、底部13の開口14は、参考軸χを参考方向とし、錐状輪郭の形態を形成し、基部30の開口31と同様に、開口14も上区14aと下区14bを定義される。しかも、上区14aはより広く、下区14bはより狭い輪郭形態を形成する。すなわち、図9或いは図10の断面から分かるように、コンデンサー上区14aの幅は、下区14bの幅より大きく、下区14bの幅は、集光器出光口径24の幅とほぼ等しいか、或いはやや大きい。よって、集光器20の上部が狭く、下部が広い錐状構造形態は、導引柱に類似の作用を形成することができる。これにより、操作者は簡便に、集光器20をコンデンサー開口14の下区14bに合わせ、垂直方向及び左、右方向の位置を合わせ、コンデンサー底部13に直接挿入して、集光器20とコンデンサー10とを一体に組合せることができる。コンデンサー10の開口14も、表面14cを備え、しかも表面14cには、一層の反射膜をメッキし、反射面を形成する。その作用は、以下に記述する。好ましくは、底部開口14或いは基部開口31の下区14b、31bの内径は、レシーバー50の外径にほぼ等しく、或いはレシーバー50の対角線長さにほぼ等しい。上記したように実際には、レシーバー50と基板60との間には、スズペーストを塗布して固定することができる。しかも、コンデンサー底部13と基板60との間には、接着剤を塗布して、コンデンサー10と基板60とを接合することができる。基板60の面積或いは体積は、必要或いは現場の条件に応じて変更することができる。図9、10に示すように、修正した実施例中では、集光器20の上部表面、或いは入光口径22上には、湾曲面23を形成する。平面に比較すると、湾曲面23は、より大きな角度の入射光線を集光器20に到達させる時、生じる反射損失を、できる限り最低にまで低下させることができる。集光器20の図中の高度は、開口14、31の高度よりやや低い、或いはやや高くすることができる。上記したような条件によれば、以下の状況が可能である。コンデンサー開口下区14bの幅は、レシーバー50の幅とほぼ等しいか、或いはやや大きい。コンデンサー開口下区14bの幅は、レシーバー50の対角線長さとほぼ等しいか、或いはやや大きい。集光器口径24の幅は、レシーバー50の幅とほぼ等しい。集光器口径24の幅は、レシーバー50の対角線長さとほぼ等しい。図11、12は、入射光線或いは太陽光線が、直射形態で、コンデンサー10に進入する一次光学作用と、集光器20に進入する二次光学作用の集光進行状況を示す。本実施例中では、サブ光学部品40を通過する入射光線を、参考番号71で表示し、サブ光学部品40を経過せず、コンデンサー10に進入する入射光線を、参考番号72で表示する。図中に示すように、光線71は、サブ光学部品40を経過し、コンデンサー10の焦点区15に直接導引され、続いて、コンデンサー10の開口14から集光器20に進入し、比較的垂直な角度で均一に光線レシーバー50上に入射する。入射光線72はコンデンサー10に進入後、コンデンサー反射面11の反射を経て焦点区15を通過し、コンデンサー10の開口14から出射され、第一次アウトプット光を提供する。続いて、第一次アウトプット光は、集光器20の全反射光学作用により、光線レシーバー50上へと均一に入射される。以下に説明を加える。図11、12にそれぞれ示すように、光線71、72は、コンデンサー10の屈折光学、反射光学作用と集光器20の全反射光学作用を経た後、レシーバー50に入射する角度は、0°~30°の範囲に保持される。よって、その光照度の均一性と光強度の分布は共に、従来の技術に比べ理想的である。図13に示すように、本発明集光装置は、集光方法を含む。いわゆる集光方法とは、光線の光学入力方法をいい、それは以下を含む。コンデンサー10は光源の少なくとも一部分の光を受け取り、光に焦区15を通過させた後、そのまま前方へと集光器20上へ射出し、第一次アウトプット光を得る。第一次アウトプット光は集光器20に到達後、集光器20の全反射光学作用を経て、第二次アウトプット光として射出され、第二次アウトプット光は、集光器20の出光口径24に到達後、レシーバー50に入射する。上記のように、コンデンサー10の開口14は、表面14cを備え、しかも表面14cには、一層の反射膜をメッキし、反射面を形成する。図14、15に示すように、光線或いは太陽光が、集光装置に入射する角度が、直射形態でない時には、偏差現象を生じる。上記した図11、12に比較し、光線71はサブ光学部品40を経過後、一部の光線は、コンデンサー10の開口14を通過後、集光器20を超えコンデンサー開口14の表面14c上に射出する。しかも、表面14cの反射を経て射出され、第一次アウトプット光を形成する。第一次アウトプット光は集光器20に到達後、集光器20の屈折或いは全反射光学作用を経て、第二次アウトプット光として射出される。第二次アウトプット光は、集光器20の出光口径24に到達後、レシーバー50上に入射する。図中では、一部の光線71bが、サブ光学部品40を経過後、焦点区15を離れ、集光器20上に直接射出し、続いて出光し、レシーバー50上に入射する様子を示す。図14、15は、光線72の一部が、コンデンサー反射面11を経て反射され、コンデンサー10の開口14を通過後、集光器20を超え、コンデンサー開口14の表面14c上に射出する様子を示す。しかも、表面14cの反射を経て射出され、第一次アウトプット光を形成する。第一次アウトプット光は集光器20に到達後、集光器20の屈折或いは/及び全反射光学作用を経て、第二次アウトプット光として射出される。第二次アウトプット光は、集光器20の出光口径24に到達後、レシーバー50上に入射する。さらに図に示すように、一部の光線72bは、コンデンサー反射面11の反射を経た後、焦点区15を離れ、集光器20上に直接射出し、続いて、集光器20の屈折と全反射光学作用を経て出光し、レシーバー50上に入射する。実際の応用では、集光器20を超えた一部の光線71a、71b、72a、72bは、全体の集光効率或いは集光割合に比べれば、極めて微小な割合を占めるに過ぎない。しかし、実施例中では、集光装置は、比較的大きい許容角度を備えるため、光線71a、71b、72a、72bは、コンデンサー10の反射面11或いは開口表面14cの反射光学作用を経て、及びさらに集光器20の屈折或いは/及び全反射光学作用を経た後、レシーバー50上へと入射する。すなわち、この集光装置は、上記したように、レシーバー50に入射する角度が小さく、光照度が均一で、光強度の分布が理想的であるという作用の下、より大きな許容角度の光学作用を備えることができる。図16に示すように、本発明の集光装置は、別種の集光方法を含む。その集光方法は、光線のインプット設計に以下を含む。コンデンサー10は、光源の少なくとも一部分の光を受け取り、光は焦区15から離れた後、そのまま前方へ向かいコンデンサー開口14の表面14cへと射出する。コンデンサー10が受け取った少なくとも一部分の光は、参考軸χを基準線とし、偏角形態を形成しコンデンサー10に進入し、サブ光学部品40を通過する光線71aとコンデンサー反射面11の反射を経た光線72aを含む。上記した光線は、コンデンサー10の出光口径表面14cの反射を経て出光し、第一次アウトプット光を得る。第一次アウトプット光は、集光器20に到達後、集光器20の屈折或いは及び全反射光学作用を経て、第二次アウトプット光として射出され、第二次アウトプット光は、集光器20の出光口径24に到達後、レシーバー50に入射する。図17に示すように、本発明の集光装置は、さらに別種の集光方法を含む。その集光方法は、光線のインプット設計に以下を含む。コンデンサー10は、光源の少なくとも一部分の光を受け取り、光は焦区15から離れた後、そのまま前方へと集光器20へ射出し、第一次アウトプット光を得る。コンデンサー10が受け取った少なくとも一部分の光は、参考軸χを基準線とし、偏角形態を形成しコンデンサー10に進入し、サブ光学部品40を通過する光線71bとコンデンサー反射面11の反射を経た光線72bを含む。しかも、第一次アウトプット光は、集光器20の屈折或いは/及び全反射光学作用を経て、第二次アウトプット光を形成し、レシーバー50上に入射する。派生した実施例中では、集光器20は、参考軸χが放物線輪郭を形成する形態とすることもできる。この時、焦区15と焦区に形成する入光口径22を備え、しかも集光器焦区とコンデンサー10の焦区15は、共焦、或いはある範囲内でおおよそ共焦点の形態を形成する。及び、集光器20の入光口径22はおおよそ、コンデンサー開口上区14a或いはその焦点区15の位置に位置する。本実施例中では、集光器入光口径22に対して反対辺、或いは相対辺に、集光器20は出光口径24を定義する。実質的には、レシーバー50は、集光器出光口径24の位置に設置する。上記の派生した実施例中の光線運動状況は、上記した図11、12、14、15に示す光線ルートと類似している。本実施例中では、入射の光線が通過する焦区は、共焦点、或いはおおよそ共焦区の形態と定義することができる。共焦区とは、コンデンサー10の焦点区15と集光器焦点区の共焦点区域或いは範囲のことである。本発明の集光装置及びその集光方法は、シンプルな構造でありながら、以下の長所を備える。1.製造及び組み立てと構造設計が簡単であるため、集光装置組み立ての難度を低下させられ、これにより製造コストを減らすことができる。しかも、集光部品と光線レシーバーの精度を高めることで、集光装置の転換性能と発電効率の安定性を拡大することができ、こうして光学照度が不均一で、光電変換性能に悪影響を及ぼすという従来の構造の欠点を改善することができる。上記した長所を備えることで、本発明集光装置の構造は、以下の特徴を備える。1全反射集光器20の輪郭或いは断面は、上が狭く、下が広い構造形態を形成するため、従来の技術と比較すると、本発明集光装置は、光線がレシーバー50に入射する角度が、垂直に比較的近い形態を呈し、光照度の分布も比較的均一である。コンデンサー開口14の下区14bの直径と集光器20の外径はほぼ等しいか、或いはやや大きく、或いはレシーバー50の外径は、開口下区14b、31bの直径とほぼ等しいか、或いはやや大きい。これに加え、集光器20は、導引柱に類似した構造設計を呈するため、コンデンサー10と集光器20の垂直方向、水平方向の位置合わせと組み立て作業は、簡便となる。2.集光器10の構造形態とは異なり、コンデンサー10の開口14或いは基部開口31は、反射式光学部品を選択し、しかも好ましくは、上の幅が広く、下の幅が狭い構造形態を形成するため、本発明の集光装置は、比較的大きい許容角度を備えることができる。そのため、光線が偏角の状況で集光装置に入射しても、レシーバー50に導入することができる。3.コンデンサー10の開口14は、上の幅が広く、下の幅が狭い構造形態を形成するため、開口14の表面14cに反射面を形成する作業において、コンデンサー10にメッキを実施し反射面11を形成する作業を、同一作業プロセス中で完成させることができる。すなわち、別々に、或いはそれぞれにメッキ作業を行うため、効率が悪く、メッキの均一性が理想的でなかった従来の技術の欠点を改善することができる。4.本発明集光装置のコンデンサー10の一次光学作用と集光器20の二次光学作用の組織設計は、光線がレシーバー50或いはチップに入射する角度の問題を特に考慮しているため、光線がレシーバーに入射する均一度すなわち、均光効果、或いは許容角度の拡大だけを考慮した従来の技術とは明らかに異なる。5.図11、12に示すように、本発明集光装置において、光線がレシーバー50或いはチップに入射する角度は、30°以下の範囲内に保持されるため、レシーバー50の効率損失を明らかに低下させる或いは、チップの吸收効率と光電変換性能を向上させることができる。6.上記したように、本発明集光装置はチップの効率損失を低下させる効果を達成するため、一次光学部品と二次光学部品の構造組合せと配置において、全く新しく設計し独創的に考慮されたこのである。上記した記載は、本発明の技術内容の説明を目的としたものであり、本発明を限定するものではない。本発明の精神に基づく等価応用或いは部品の転換、置換、数量の増減はすべて、本発明の保護範囲に含むものとする。