ゲートが第1の走査線に電気的に接続され、第1端子が信号線に電気的に接続され、第2端子が液晶素子の第1の電極に電気的に接続された第1のトランジスタと、ゲートが第2の走査線に電気的に接続され、第1端子が前記信号線に電気的に接続され、第2端子が前記液晶素子の第2の電極に電気的に接続された第2のトランジスタと、を有し、前記信号線は、前記第1の電極に前記第1のトランジスタを介して前記液晶素子を反転駆動するための映像信号と、前記第2の電極に前記第2のトランジスタを介して前記液晶素子を反転駆動するための共通電位と、を供給することを特徴とする液晶表示装置。ゲートが第1の走査線に電気的に接続され、第1端子が信号線に電気的に接続され、第2端子が液晶素子の第1の電極に電気的に接続された第1のトランジスタと、ゲートが第2の走査線に電気的に接続され、第1端子が前記信号線に電気的に接続され、第2端子が前記液晶素子の第2の電極に電気的に接続された第2のトランジスタと、前記第1の電極と容量配線とで形成された容量素子と、を有し、前記信号線は、前記第1の電極に前記第1のトランジスタを介して前記液晶素子を反転駆動するための映像信号と、前記第2の電極に前記第2のトランジスタを介して前記液晶素子を反転駆動するための共通電位と、を供給することを特徴とする液晶表示装置。ゲートが第1の走査線に電気的に接続され、第1端子が信号線に電気的に接続され、第2端子が液晶素子の第1の電極に電気的に接続された第1のトランジスタと、ゲートが第2の走査線に電気的に接続され、第1端子が前記信号線に電気的に接続され、第2端子が前記液晶素子の第2の電極に電気的に接続された第2のトランジスタと、前記第2の電極と容量配線とで形成された容量素子と、を有し、前記信号線は、前記第1の電極に前記第1のトランジスタを介して前記液晶素子を反転駆動するための映像信号と、前記第2の電極に前記第2のトランジスタを介して前記液晶素子を反転駆動するための共通電位と、を供給することを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記信号線は、映像信号線または共通電位線との接続をスイッチング素子により切り替えることで前記映像信号と前記共通電位との接続を制御されることを特徴とする液晶表示装置。ゲートが第1の走査線に電気的に接続され、第1端子が信号線に電気的に接続され、第2端子が液晶素子の第1の電極に電気的に接続された第1のトランジスタと、ゲートが第2の走査線に電気的に接続され、第1端子が共通電位線に電気的に接続され、第2端子が前記液晶素子の第2の電極に電気的に接続された第2のトランジスタと、を有し、前記信号線は、前記第1の電極に前記第1のトランジスタを介して前記液晶素子を反転駆動するための映像信号を供給し、前記共通電位線は、前記第2の電極に前記第2のトランジスタを介して前記液晶素子を反転駆動するための共通電位を供給することを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記反転駆動は、前記走査線毎に極性の異なる映像信号を前記液晶素子に印加することで行われることを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記反転駆動は、前記信号線毎に極性の異なる映像信号を前記液晶素子に印加することで行われることを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至請求項7のいずれか一に記載の液晶表示装置を具備する電子機器。上記特許文献1に記載のブルー相液晶の駆動方式であるIPSIn-PlaneSwithing方式では、駆動電圧が高くなるといった問題がある。駆動電圧が高く設定される原因について、以下図面を参照して説明する。図13Aは、液晶表示装置が有する画素の回路構成を示している。画素1500は、トランジスタ1501と、液晶素子1502と、保持容量1503とを有する。映像信号線1504データ線、ソースライン、またはデータ信号線ともいうには、映像信号ビデオ信号ともいうが入力され、走査線1505ゲート線、ゲートライン、またはゲート信号線ともいうには、ゲート信号走査信号、選択信号ともいうが入力される。また共通電位線1506コモン線ともいうには共通電位コモン電位ともいうが入力され、容量線1507には固定電位が入力されている。なお説明のため、液晶素子1502のトランジスタ1501に接続される側の電極を第1の電極画素電極ともいう、共通電位線1506に接続される側の電極を第2の電極対向電極ともいうという。図13Bには、反転駆動を行う図13Aの画素1500の動作を説明するためのタイミングチャートの例を示す。図13Bに示すタイミングチャートでは、反転駆動の反転駆動期間1511及び非反転駆動期間1512の各1フレーム期間における、走査線GL、信号線SL、共通電位線CL、第1の電極PE、第2の電極CEについてのタイミングチャートを示している。図13Bで、走査線GLの走査信号の電位は、画素を選択する期間、すなわちトランジスタ1501を導通オンともいうとする期間でVgh、他の期間、すなわちトランジスタ1501を非導通オフともいうとする期間でVglVgh>Vglとしている。また、信号線SLの電位は表示する画像に応じて変動するが、ここでは非反転駆動するための電位としてVdh、反転駆動するための電位としてVdlVdh>Vdlとしている。なお図13Bでは、信号線SLの映像信号の階調に応じて第1の電極PEの電位が異なることとなるが、説明のため、走査線GLの走査信号に応じてVdhまたはVdlと反転する様子を示している。また、図13Bでは、共通電位線CL、すなわち第2の電極CEの電位をVcとしている。反転駆動の例としてゲートライン反転駆動は、第2の電極の電位よりも高い値の映像信号と第2の電極の電位よりも低い値の映像信号とを1行ずつ交互に画素に入力する駆動である。ソースライン反転駆動は、第2の電極の電位よりも高い値の映像信号と第2の電極の電位よりも低い値の映像信号とを1列ずつ交互に画素に入力する駆動である。ドット反転駆動は、第2の電極の電位よりも高い値の映像信号と第2の電極の電位よりも低い値の映像信号とを1行且つ1列ずつ交互に画素に入力する駆動である。図13Bを用いて説明した反転駆動による駆動方法では、映像信号の振幅電圧が大きいため、消費電力が大きくなってしまう。そこで、映像信号の振幅電圧を小さくし、消費電力の削減を図る技術として、第2の電極CEの電位を一定期間、例えば1フレーム毎に反転させるコモン反転駆動が知られている。図13Cは、コモン反転駆動を行う画素1500の動作を説明するためのタイミングチャートの例を示す。図13Cは、図13Bと、第2の電極CEの電位は反転駆動期間1511と非反転駆動期間1512とで反転している点で異なる。図13Cの駆動方法では、第2の電極CEの電位がハイレベルVchになるフレームでは第2の電極CEの電位よりも映像信号の電位を低い値Vdlとし、第2の電極CEの電位がロウレベルVclになるフレームでは第2の電極CEの電位よりも映像信号の電位を高い値Vdhとする。これにより、図13Bを用いて説明した駆動方法と比較すると、映像信号の振幅電圧を約半分にすることができる。よって、映像信号の振幅電圧を小さくすることができ、消費電力の削減を図ることができる。図13Cに示すようにコモン反転駆動では、第2の電極CEの電位が反転すると、第1の電極PEの電位が容量結合により変化する。そのため、第1の電極PEの電位は、映像信号よりも高くなる、または低くなるといったこととなる。走査線GLの走査信号の電位は、このような第1の電極PEの電位を保持するため、振幅を大きくしておく必要がある。例えば、第1の電極PEの電位が映像信号の最大値程度の値Vdhだとする。このとき、第2の電極CEの電位がローレベルVclからハイレベルVchに反転すると、第1の電極PEの電位は、映像信号の最大値の値Vdhからさらに上がった値VdhΔVとなる。また、第1の電極PEの電位が映像信号の最小値程度の値Vdlだとする。このとき、第2の電極CEの電位がハイレベルVchからロウレベルVclに反転すると、第1の電極PEの電位は、映像信号の最小値からさらに下がった値Vdl-ΔVとなる。そのため、トランジスタ1501をオフにするために走査線GLの走査信号の電位のロウレベルVglは、映像信号の最小値Vdlからさらに低減した第1の電極PEの電位Vdl-ΔVよりも低く設定しておく必要がある。その結果、コモン反転駆動を用いても、走査線GLの走査信号の振幅電圧を十分に小さくすることが難しい。また、図13Cに示すコモン反転駆動では、第2の電極CEの電位が反転する際に第1の電極PEの電位が容量結合により変化しないよう、図13Aの回路構成の第1の電極PEの側に別途容量素子を追加する構成とすることも可能である。しかしながら、第2の電極CEの電位を全画素で一斉に反転させる図13Aの回路構成では、第1の電極PEの側に別途容量素子を設けて第1の電極PEの電位を容量結合により変化しないようにすると、第2の電極CEの電位を全画素で一斉に反転させてから全画素の第1の電極PEに映像信号の電位が書き込まれるまでの期間1フレーム期間程度に、表示の不具合が生じることとなる。具体的には、電位が変化しない第1の電極PEと、電位が反転した第2の電極との間の電圧が、1フレーム期間程度、液晶素子に印加されることによって映像信号とは異なる電圧が液晶素子に印加されてしまい、表示の不具合となる。コモン反転駆動による走査線GLの走査信号の振幅電圧を十分に小さくできないといった問題は、駆動電圧が大きい液晶モードを用いる際に、特に問題になる。例えば、ブルー相の液晶相を示す液晶材料以下、ブルー相液晶の駆動電圧は、20V乃至-20V程度である。つまり、映像信号の振幅電圧は、約40Vであり、走査線GLの走査信号の振幅電圧として40V以上の電圧例えば約50Vが必要となる。そのため、高電圧が印加されるトランジスタ、例えば画素を構成するトランジスタには、大きな電圧がゲートとソース又はドレインとの間に印加される。これにより、トランジスタの特性が変化、トランジスタの特性が劣化、またはトランジスタそのものが破壊される、といった問題が生じることとなる。そこで本発明の一態様は、走査線の走査信号の振幅電圧を小さくすることができるコモン反転駆動を用いた液晶表示装置を提供することを目的とする。本発明の一態様は、ゲートが第1の走査線に電気的に接続され、第1端子が信号線に電気的に接続され、第2端子が液晶素子の第1の電極に電気的に接続された第1のトランジスタと、ゲートが第2の走査線に電気的に接続され、第1端子が信号線に電気的に接続され、第2端子が液晶素子の第2の電極に電気的に接続された第2のトランジスタと、を有し、信号線は、第1の電極に第1のトランジスタを介して液晶素子を反転駆動するための映像信号と、第2の電極に第2のトランジスタを介して液晶素子を反転駆動するための共通電位と、を供給する液晶表示装置である。本発明の一態様は、ゲートが第1の走査線に電気的に接続され、第1端子が信号線に電気的に接続され、第2端子が液晶素子の第1の電極に電気的に接続された第1のトランジスタと、ゲートが第2の走査線に電気的に接続され、第1端子が信号線に電気的に接続され、第2端子が液晶素子の第2の電極に電気的に接続された第2のトランジスタと、第1の電極と容量配線とで形成された容量素子と、を有し、信号線は、第1の電極に第1のトランジスタを介して液晶素子を反転駆動するための映像信号と、第2の電極に第2のトランジスタを介して液晶素子を反転駆動するための共通電位と、を供給する液晶表示装置である。本発明の一態様は、ゲートが第1の走査線に電気的に接続され、第1端子が信号線に電気的に接続され、第2端子が液晶素子の第1の電極に電気的に接続された第1のトランジスタと、ゲートが第2の走査線に電気的に接続され、第1端子が信号線に電気的に接続され、第2端子が液晶素子の第2の電極に電気的に接続された第2のトランジスタと、第2の電極と容量配線とで形成された容量素子と、を有し、信号線は、第1の電極に第1のトランジスタを介して液晶素子を反転駆動するための映像信号と、第2の電極に第2のトランジスタを介して液晶素子を反転駆動するための共通電位と、を供給する液晶表示装置である。本発明の一態様は、ゲートが第1の走査線に電気的に接続され、第1端子が信号線に電気的に接続され、第2端子が液晶素子の第1の電極に電気的に接続された第1のトランジスタと、ゲートが第2の走査線に電気的に接続され、第1端子が共通電位線に電気的に接続され、第2端子が液晶素子の第2の電極に電気的に接続された第2のトランジスタと、を有し、信号線は、第1の電極に第1のトランジスタを介して液晶素子を反転駆動するための映像信号を供給し、共通電位線は、第2の電極に第2のトランジスタを介して液晶素子を反転駆動するための共通電位を供給する液晶表示装置である。本発明の一態様において、信号線は、映像信号線または共通電位線との接続をスイッチング素子により切り替えることで映像信号と共通電位との切り替えを制御する液晶表示装置でもよい。本発明の一態様において、反転駆動は、走査線毎に極性の異なる映像信号を液晶素子に印加することで行われる液晶表示装置でもよい。本発明の一態様において、反転駆動は、信号線毎に極性の異なる映像信号を液晶素子に印加することで行われる液晶表示装置でもよい。本発明の一態様によれば、コモン反転駆動による走査線の走査信号の振幅電圧を小さくすることで、低消費電力化を図ることのできる液晶表示装置を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。なお、各実施の形態の図面等において示す各構成の、大きさ、層の厚さ、信号波形、又は領域は、明瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお本明細書にて用いる第1、第2、第3、乃至第NNは自然数という用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。実施の形態1本実施の形態では、液晶表示装置における画素の構成、及び液晶表示装置を駆動するための各信号を、回路図とタイミングチャートを用いて説明する。なお本実施の形態における液晶素子としては、ブルー相液晶を用いた場合を例にして説明する。ブルー相液晶は、横電界方式で駆動する液晶であり、液晶素子の第2の電極に相当する共通電極を液晶素子の第1の電極に相当する画素電極と同じ基板に形成して液晶素子を形成する。なお、本実施の形態の構成は、ブルー相液晶を用いる液晶素子に限らず、横電界方式の液晶を用いる液晶素子、または第1の電極及び第2の電極を同じ基板に形成することができる液晶素子、に用いることができる。図1Aは、画素の回路図の例を示す。画素100は、第1のトランジスタ101と、第2のトランジスタ102と、液晶素子103と、を有する。第1のトランジスタ101の第1端子は、信号線104に接続されている。第1のトランジスタ101のゲートは第1の走査線105に接続されている。第1のトランジスタ101の第2端子は、液晶素子103の第1の電極画素電極ともいうに接続されている。第2のトランジスタ102の第1端子は、信号線104に接続されている。第2のトランジスタ102のゲートは第2の走査線106に接続されている。第2のトランジスタ102の第2端子は、液晶素子103の第2の電極共通電極ともいうに接続されている。画像を表示するための各画素の階調は、液晶素子103の第1の電極の電位と第2の電極の電位とを変化させて、液晶素子103の第1の電極及び第2の電極に挟持される液晶に印加する電圧を制御することで、表される。第1の電極の電位の制御は、信号線104に供給される映像信号を制御することにより行われ、第2の電極の電位の制御は、信号線104に供給される共通電位を制御することにより行われる。信号線104の映像信号による電位は、第1のトランジスタ101が導通状態となることにより、液晶素子103の第1の電極に供給される。信号線104の共通電位は、第2のトランジスタ102が導通状態となることにより、液晶素子103の第2の電極に供給される。すなわち、信号線104は、液晶素子103の第1の電極に第1のトランジスタ101を介して液晶素子103を反転駆動するための映像信号と、液晶素子103の第2の電極に第2のトランジスタ102を介して液晶素子103を反転駆動するための共通電位と、を異なる期間で別々に供給するものである。なお、画素とは、一つの色要素例えばR赤G緑B青のいずれか1つの明るさを制御できる表示単位に相当するものとする。従って、カラー表示装置の場合には、カラー画像の最小表示単位は、Rの画素とGの画素とBの画素との三画素から構成されるものとする。ただし、カラー画像を表示するための色要素は、三色に限定されず、三色以上を用いても良いし、RGB以外の色を用いても良い。なお、トランジスタは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有しており、ドレイン領域とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことができる。ここで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本明細書においては、ソース及びドレインとして機能する領域を、ソースもしくはドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例としては、それぞれを第1端子、第2端子と表記する場合がある。あるいは、それぞれを第1の電極、第2の電極と表記する場合がある。あるいは、ソース領域、ドレイン領域と表記する場合がある。なお、本明細書においてAとBとが接続されている、とは、AとBとが直接接続されているものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、AとBとが電気的に接続されているとは、AとBとの間に何らかの電気的作用を有する対象物が存在するとき、対象物を含むAとBとの間の部分がノードとなる場合を表すものとする。具体的には、トランジスタをはじめとするスイッチング素子を介してAとBとが接続され、該スイッチング素子の導通によって、AとBとが概略同電位となる場合や、抵抗素子を介してAとBとが接続され、該抵抗素子の両端に発生する電位差が、AとBとを含む回路の動作に影響しない程度となっている場合など、回路動作を考えた場合、AとBとの間の部分を同じノードとして捉えて差し支えない状態である場合を表す。なお、電圧とは、ある電位と、基準の電位例えばグラウンド電位との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧、電位、電位差を、各々、電位、電圧、電圧差と言い換えることができる。なお画素に設けるトランジスタの構造については逆スタガ型の構造でもよいし、順スタガ型の構造でもよい。または、チャネル領域が複数の領域に分かれて直列に接続された、ダブルゲート型の構造でもよい。または、ゲート電極がチャネル領域の上下に設けられたデュアルゲート型の構造でもよい。また、トランジスタを構成する半導体層を複数の島状の半導体層にわけて形成し、スイッチング動作を実現しうるトランジスタ素子としてもよい。図1Bは、図1Aに示す画素100の動作を説明するためのタイミングチャートの例である。図1Bにおいて、GLaは第1の走査線105の電位、GLbは第2の走査線106の電位、SLは信号線104の電位、PEは第1の電極の電位、CEは第2の電極の電位を表している。また、期間111は液晶素子103を反転駆動するための反転駆動期間、期間112は液晶素子103を非反転駆動するための非反転駆動期間であり、期間111及び期間112は1フレーム期間に相当する。図1Bで、第1の走査線105の電位GLaは、信号線104の映像信号を画素の第1の電極に供給する期間、すなわち第1のトランジスタ101を導通状態オンとする期間でVgh、他の期間、すなわち第1のトランジスタ101を非導通状態オフとする期間でVglVgh>Vglとしている。また図1Bで、第2の走査線106の電位GLbは、信号線104の共通電位を画素の第2の電極に供給する期間、すなわち第2のトランジスタ102を導通状態オンとする期間でVgh、他の期間、すなわち第2のトランジスタ102を非導通状態オフとする期間でVglVgh>Vglとしている。期間121、期間122は、それぞれ信号線104に映像信号を供給する期間と、共通電位を供給する期間である。映像信号の電位は、表示する画像に応じて変動するが、ここでは非反転駆動するための電位としてVdh、反転駆動するための電位としてVdlVdh>Vdlとしている。なお図1Bでは、信号線104の映像信号の階調に応じて第1の電極の電位PEが異なることとなるが、説明のため、第1の走査線105の走査信号に応じて第1の電極の電位PEをVdhまたはVdlと反転する様子を示している。また共通電位は、反転駆動する期間111では液晶素子を非反転駆動するための電位Vdhと同じ電位Vchとして表し、非反転駆動する期間112では液晶素子を反転駆動するための第1の電極の電位Vdlと同じ電位Vclとして表す。すなわち図1Bに示す期間111で信号線104は、各行の第1の走査線105を選択することで第1のトランジスタ101を導通する期間図1B中、期間121に映像信号が供給され、第2の走査線106を選択することで第2のトランジスタ102を導通する期間図1B中、期間122に反転駆動するための共通電位Vchが供給される。また、図1Bに示す期間112で信号線104は、各行の第1の走査線105で第1のトランジスタ101を導通する期間図1B中、期間121に映像信号が供給され、第2の走査線106で第2のトランジスタ102を導通する期間図1B中、期間123に非反転駆動するための共通電位Vclが供給される。以上説明した第1の走査線105、第2の走査線106、及び信号線104の各信号により、第1の電極の電位PEは、期間111で第1の走査線105の電位GLaがVghとなるタイミングにVdlとなり、期間112で第1の走査線105の電位GLaがVghになるタイミングでVdhとなる。また第2の電極の電位CEは、期間111で第2の走査線の電位GLbがVghとなるタイミングにVchとなり、期間112で第2の走査線の電位GLbがVghになるタイミングでVclとなる。第2の電極の電位CEを反転させ、併せて画像信号の極性を反転させる反転駆動により、上述の図13Cを用いて説明した駆動方法と同様に、映像信号の振幅電圧を約半分にすることができる。よって、映像信号の振幅電圧を小さくすることができ、消費電力の削減を図ることができる。図1Bに示すように期間111では、第1の走査線105の電位GLaがVgh、続いて第2の走査線106の電位GLbがVghになる。そして第1のトランジスタ101は期間121での映像信号の電位を第1の電極に供給し、及び第2のトランジスタ102は期間122での共通電位Vchを第2の電極に供給する。また期間112でも、期間111と同様に、第1の走査線105の電位GLaがVgh、続いて第2の走査線106の電位GLbがVghになる。そして第1のトランジスタ101は期間121での映像信号の電位を第1の電極に供給し、及び第2のトランジスタ102は期間123での共通電位Vclを第2の電極に供給する。すなわち第1の走査線105の電位GLaがVghとなる期間の後に第2の走査線106の電位GLbがVghとなり、第1の電極に映像信号の電位Vdh、第2の電極に共通電位Vchが供給されることとなる。よって、第2の電極の電位CEは、第1の走査線105の電位GLaがVghとなる期間である期間121を経過して共通電位線の電位Vchとなる。図1Bに示すように本実施の形態の構成では、第1の走査線105の電位GLaをVghとする期間に続いて第2の走査線106の電位GLbをVghとする期間とすることで、第1のトランジスタ101及び第2のトランジスタ102を短い期間に連続して導通状態とすることができる。従って第2の電極の電位CEが変化する際に第1の電極の電位PEが容量結合により変化しないよう、図1Aの回路構成の第1の電極の側に別途容量素子を追加する構成とすることが好適である。すなわち、第1の電極の側に別途容量素子を設けることで、第1の電極の電位PEを容量結合により変化しないようにしても、映像信号と共通電位を連続して各画素に供給する構成とすることができ、図13Cで説明した駆動方法と比較して表示の不具合をなくすことができる。その結果、図1Aの回路構成で図1Bの駆動とすることにより、第2の電極の電位CEの変化に応じた、容量結合による第1の電極の電位PEの変化をなくすことができる。以上のことより、図1Aの画素では、第2の電極の電位CEが反転しても、第1の電極の側に別途容量素子を設けて第1の電極の電位PEを容量結合により変化しない構成とすることができるため、図13Cを用いて説明した駆動方法と異なり、第1の走査線105及び第2の走査線106の走査信号の振幅電圧を小さくすることができる。次いで、図1Aで説明した回路構成において第1の電極の電位PEを保持するために容量素子を設けた回路構成について示し、本発明の一態様におけるコモン反転駆動での走査線の走査信号の振幅電圧を小さくし、低消費電力化を図れるといった利点について説明する。図2Aに示す図は、図1Aの回路構成において、容量配線200を設け、一方の電極となる第1の電極と、他方の電極となる容量配線200とで形成される容量素子201を設けた図である。図2Bは、図2Aに示す回路構成の動作を説明するためのタイミングチャートの例を示す。図2Bでは図1Bで説明した反転駆動期間である期間111について説明する。図2Aに示す回路構成では、第1の走査線105の電位GLaがVghとなるタイミングで、第1の電極の電位PEはVdhからVdlに変化する図2B中、矢印211。このとき第2の電極の電位CEは、第2のトランジスタ102が非導通状態にあるため、電気的に浮遊状態である。従って、第1の電極の電位PEがVdhからVdlに変化すると、第2の電極の電位CEが容量結合によりVclから最大でVdh-Vdl分だけ低下した電位である{Vcl-Vdh-Vdl}に変化する図2B中、一点鎖線212。次いで、第2の走査線106の電位GLbがVghとなるタイミングで、第2の電極の電位CEは{Vcl-Vdh-Vdl}からVchに変化する図2B中、矢印213。このとき第1の電極の電位PEは、第1のトランジスタ101が非導通状態にあるため、電気的に浮遊状態である。そこで、図2Aに示すように、第1の電極の側に別途容量素子を設けて第1の電極の電位PEを容量結合により変化しないようにする図2B中、一点鎖線214。図2Aに示す回路構成では、第2の電極の電位CEが容量結合により低くなる変化を起こす。しかしながら、第2の電極の電位CEを全画素で一斉に反転させる図13Aの回路構成とは異なり、図2Aに示す回路構成では映像信号と共通電位を連続して各画素に供給する構成とすることができる。そのため、図2B中の一点鎖線212の状態では、液晶素子の液晶が電界に応じてほとんど変化しない期間とすることができる。本実施の形態の構成である図2Aの回路は、第2の電極の電位CEが変化しても、第1の電極の電位PEが変化しないように予め容量素子を設ける構成とすることができる。そのため、第1の走査線105の電位GLa及び第2の走査線106の電位GLbのローレベルVglをVdl-Vthとしても第1の電極の電位PEが容量結合により変化せず、Vdl-Vthより小さくする必要はない。そのため本実施の形態の構成である図2Aの回路は、第1の走査線105及び第2の走査線106の走査信号の振幅電圧を小さくすることができ、低消費電力化を図ることができる。なお図2Aに示すように容量素子201を設ける構成では、第1のトランジスタ101の電流供給能力を第2のトランジスタ102の電流供給能力より大きくしておくことが好適である。具体的には、第1のトランジスタ101のチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lを、第2のトランジスタ102のW/Lよりも大きくしておく。第1のトランジスタ101のW/Lを、第2のトランジスタ102のW/Lよりも大きくしておくことで、容量素子201の充電速度を高め、第1の電極の電位の立ち上がりを急峻にすることができる。なお、図2Bに示すタイミングチャートにおいて、第1の走査線105の電位GLaがハイレベルになるタイミングと、第2の走査線106の電位GLbがハイレベルになるタイミングとを、重畳させて動作させることができる。すなわち、第1のトランジスタ101と第2のトランジスタ102とを一部同時にオンになる動作であってもよい。具体的な動作の一例について図3で説明する。なお図3では図2Aに示す回路構成における反転駆動期間である期間111について説明する。なお図3では映像信号の電位Vdhと共通電位Vchとは同じ電位とし、映像信号の電位Vdlと共通電位Vclとは同じ電位として説明する。図3では、第1の走査線105の電位GLaがVgh、第1の走査線105の電位GLaがVglとなるタイミングで、第1の電極の電位PEはVch図中、Vch=VdhのためVdhである図3中、矢印311。このとき第2の電極の電位CEは、第2のトランジスタ102が非導通状態にあるため、電気的に浮遊状態である。従って、図3の説明では変化しないが第1の電極の電位PEが変化する場合、第2の電極の電位CEが容量結合により第1の電極の電位PEの変化分だけ変化する図3中、一点鎖線312。次いで、第1の走査線105の電位GLa及び第2の走査線106の電位GLbの電位がVghとなるタイミングで、第1の電極の電位PE及び第2の電極の電位CEは共にVdl=Vclに変化する図3中、矢印313。次いで、第1の走査線105の電位GLaの電位がVgl、第2の走査線106の電位GLbがVghとなるタイミングで、第2の電極の電位CEはVchに変化する図3中、矢印314。このとき第1の電極の電位PEは、第1のトランジスタ101が非導通状態にあるため、電気的に浮遊状態である。そこで、図2Aに示すように、第1の電極の側に別途容量素子を設けて第1の電極の電位PEを容量結合により変化しないようにする図3中、一点鎖線315。以上説明したように、走査線の走査信号の振幅電圧を小さくすることができる。その結果、走査線に接続されたトランジスタに印加される電圧を小さくすることができるため、トランジスタの特性の変化、トランジスタの特性の劣化、トランジスタの破壊などを防止することができる。また本実施の形態で説明した画素は、共通電位を供給する配線と、映像信号を供給する配線とを同じ配線により機能させることで配線数の削減を図ることができる。そのため、画素の開口率の向上を図れるといった利点もある。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、上記実施の形態1の図1Bで説明した図1Aを駆動するためのタイミングチャートとは異なる構成について、図4Aに示すタイミングチャートで説明する。なお図4Aに示すタイミングチャートにおいて、図1Bに示すタイミングチャートと異なる点は、第1の走査線GLaをVghにするタイミングと第2の走査線GLbをVghにするタイミングとを置き換えた点にある。図4Aは、図1Aに示す画素100の動作を説明するためのタイミングチャートの例である。図4Aにおいて、GLaは第1の走査線105の電位、GLbは第2の走査線106の電位、SLは信号線104の電位、PEは第1の電極の電位、CEは第2の電極の電位を表している。また、期間111は液晶素子103を反転駆動するための反転駆動期間、期間112は液晶素子103を非反転駆動するための非反転駆動期間であり、期間111及び期間112は1フレーム期間に相当する。図4Aで、第1の走査線105の電位GLaは、信号線104の映像信号を画素の第1の電極に供給する期間、すなわち第1のトランジスタ101を導通状態オンとする期間でVgh、他の期間、すなわち第1のトランジスタ101を非導通状態オフとする期間でVglVgh>Vglとしている。また図4Aで、第2の走査線106の電位GLbは、信号線104の共通電位を画素の第2の電極に供給する期間、すなわち第2のトランジスタ102を導通状態オンとする期間でVgh、他の期間、すなわち第2のトランジスタ102を非導通状態オフとする期間でVglVgh>Vglとしている。図4Aに、信号線104の電位SLは示され、映像信号を供給する期間と、共通電位を供給する期間とを有する。映像信号の電位は、表示する画像に応じて変動するが、ここでは非反転駆動するための電位としてVdh、反転駆動するための電位としてVdlVdh>Vdlとしている。なお図4Aでは、信号線104の映像信号の階調に応じて第1の電極の電位PEが異なることとなるが、説明のため、第1の走査線105の走査信号に応じて第1の電極の電位PEをVdhまたはVdlと反転する様子を示している。また共通電位は、反転駆動する期間111では液晶素子を非反転駆動するための電位Vdhと同じ電位Vchとして表し、非反転駆動する期間112では液晶素子を反転駆動するための第1の電極の電位Vdlと同じ電位Vclとして表す。すなわち図4Aに示す期間111で信号線104は、各行の第1の走査線105を選択することで第1のトランジスタ101を導通する期間図4A中、期間121に映像信号が供給され、第2の走査線106を選択することで第2のトランジスタ102を導通する期間図4A中、期間122に反転駆動するための共通電位Vchが供給される。また、図4Aに示す期間112で信号線104は、各行の第1の走査線105で第1のトランジスタ101を導通する期間図4A中、期間121に映像信号が供給され、第2の走査線106で第2のトランジスタ102を導通する期間図4A中、期間123に非反転駆動するための共通電位Vclが供給される。以上説明した第1の走査線105、第2の走査線106、及び信号線104の各信号により、第2の電極の電位CEは、期間111で第2の走査線106の電位GLbがVghとなるタイミングにVchとなり、期間112で第2の走査線106の電位GLbがVghになるタイミングでVclとなる。また第1の電極の電位CEは、期間111で第1の走査線の電位GLaがVghとなるタイミングにVdlとなり、期間112で第1の走査線の電位GLaがVghになるタイミングでVdhとなる。第2の電極の電位CEを反転させ、併せて画像信号の極性を反転させる反転駆動により、上述の図13Cを用いて説明した駆動方法と同様に、映像信号の振幅電圧を約半分にすることができる。よって、映像信号の振幅電圧を小さくすることができ、消費電力の削減を図ることができる。図4Aに示すように期間111では、第2の走査線106の電位GLbがVgh、続いて第1の走査線105の電位GLaがVghになる。そして第2のトランジスタ102は期間122での共通電位Vchを第2の電極に供給し、及び第1のトランジスタ101は期間121での映像信号の電位Vdlを第1の電極に供給する。また期間112でも、期間111と同様に、第2の走査線106の電位GLbがVgh、続いて第1の走査線105の電位GLaがVghになる。そして第2のトランジスタ102は期間123での共通電位Vclを第2の電極に供給し、及び第1のトランジスタ101は期間121での映像信号の電位Vdhを第1の電極に供給する。すなわち第2の走査線106の電位GLbがVghとなる期間の後に第1の走査線の電位GLaがVghとなり、第2の電極に共通電位Vch、第1の電極に映像信号であるVdhが供給されることとなる。よって、第1の電極の電位PEは、第2の走査線GLbがVghとなる期間である期間122を経過して映像信号の電位Vdlとなる。図4Aに示すように本実施の形態の構成では、第2の走査線106の電位GLbをVghとする期間に続いて第1の走査線105の電位GLaをVghとする期間とすることで、第2のトランジスタ102及び第1のトランジスタ101を短い期間に連続して導通状態とすることができる。従って第1の電極の電位PEが変化する際に第2の電極の電位CEが容量結合により変化しないよう、図1Aの回路構成の第2の電極の側に別途容量素子を追加する構成とすることが好適である。すなわち、第2の電極の側に別途容量素子を設けることで、第2の電極の電位CEを容量結合により変化しないようにしても、共通電位と映像信号を連続して各画素に供給する構成とすることができ、図13Cで説明した駆動方法と比較して表示の不具合をなくすことができる。その結果、図1Aの回路構成で図4Aの駆動とすることにより、映像信号の電位が変化する変化に応じた、容量結合による第1の電極の電位PEの変化をなくすことができる。以上のことより、図1Aの画素では、信号線の電位SLが反転しても、第2の電極の側に別途容量素子を設けて第2の電極の電位CEを容量結合により変化しない構成とすることができるため、図13Cを用いて説明した駆動方法と異なり、第1の走査線105及び第2の走査線106の走査信号の振幅電圧を小さくすることができる。次いで、図1Aで説明した回路構成において第2の電極の電位CEを保持するために容量素子を設けた回路構成について示し、本発明の一態様におけるコモン反転駆動での走査線の走査信号の振幅電圧を小さくし、低消費電力化を図れるといった利点について説明する。図4Bに示す図は、図1Aの回路構成において、容量配線200を設け、一方の電極となる第2の電極と、他方の電極となる容量配線200とで形成される容量素子202を設けた図である。なお図4Bに示すように容量素子202を設ける構成では、第2のトランジスタ102の電流供給能力を第1のトランジスタ101の電流供給能力より大きくしておくことが好適である。具体的には、第2のトランジスタ102のチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lを、第1のトランジスタ101のW/Lよりも大きくしておく。第2のトランジスタ102のW/Lを、第1のトランジスタ101のW/Lよりも大きくしておくことで、容量素子202の充電速度を高め、第2の電極の電位の立ち上がりを急峻にすることができる。図4Cは、図4Bに示す回路構成の動作を説明するためのタイミングチャートの例を示す。図4Cでは図1Bで説明した反転駆動期間である期間111について説明する。図4Bに示す回路構成では、第2の走査線106の電位GLbがVghとなるタイミングで、第2の電極の電位CEはVclからVchに変化する図4C中、矢印351。このとき第1の電極の電位PEは、第1のトランジスタ101が非導通状態にあるため、電気的に浮遊状態である。従って、第2の電極の電位CEがVclからVchに変化すると、第1の電極の電位PEが容量結合によりVdhから最大でVch-Vcl分だけ上昇した電位である{VdhVch-Vcl}に変化する図4C中、一点鎖線352。次いで、第1の走査線105の電位GLaがVghとなるタイミングで、第1の電極の電位PEは{VdhVch-Vcl}からVdlに変化する図4C中、矢印353。このとき第2の電極の電位CEは、第2のトランジスタ102が非導通状態にあるため、電気的に浮遊状態である。そこで、図4Bに示すように、第2の電極の側に別途容量素子を設けて第2の電極の電位CEを容量結合により変化しないようにする図4C中、一点鎖線354。図4Bに示す回路構成では、第1の電極の電位PEが容量結合により低くなる変化を起こす。しかしながら、図2Aと同様に、図4Bに示す回路構成では映像信号と共通電位を連続して各画素に供給する構成とすることができる。そのため、図4C中の一点鎖線352の状態の期間では、液晶素子の液晶が電界に応じてほとんど変化しない期間とすることができる。本実施の形態の構成である図4Bの回路は、第1の電極の電位PEが変化しても、第2の電極の電位CEが変化しないように予め容量素子を設ける構成とすることができる。そのため、第1の走査線105の電位GLa及び第2の走査線106の電位GLbのローレベルVglをVdl-Vthとしても第1の電極の電位PEが容量結合により変化せず、Vdl-Vthより小さくする必要はない。そのため本実施の形態の構成である図4Bの回路は、第1の走査線105及び第2の走査線106の走査信号の振幅電圧を小さくすることができ、低消費電力化を図ることができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、上記実施の形態1の図1Aとは異なる画素の構成について説明する。図1Aの構成に加え、第1の電極の電位PEを保持するための第1の容量素子、第2の電極の電位CEを保持するための第2の容量素子を設けた構成について、図5を参照して説明する。図5は、図1Aの構成に容量配線500を設け、容量配線500と液晶素子103の第1の電極とで第1の容量素子501、容量配線500と液晶素子103の第2の電極とで第2の容量素子502を設ける構成を示す。なお、第1の容量素子501及び第2の容量素子502は、別の行例えば1つ又は2つ前の行の第1の走査線105または第2の走査線106と、第1の電極または第2の電極とで設ける構成とすることも可能である。次いで図1Aの構成に加え、信号線104の代わりに、映像信号線、共通電位線を設けた構成について、図6を参照して説明する。図6は、図1Aの信号線104の代わりに映像信号線510及び共通電位線511を設けた構成である。映像信号線510には映像信号が供給され、共通電位線511には共通電位が供給される。映像信号線510は第1のトランジスタ101の第1端子に接続される。共通電位線511は第2のトランジスタ102に第1端子に接続される。なお図5で述べた第1の容量素子501及び第2の容量素子502は、図6で述べた共通電位線511と、第1の電極または第2の電極とで設ける構成とすることも可能である。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態4本実施の形態では、上記実施の形態1の図1Aの画素を有する液晶表示装置の表示パネルの構成について説明する。図7Aは、表示パネルの概略図について示している。図7Aの表示パネルは、第1のトランジスタ101、第2のトランジスタ102、及び液晶素子103を有する画素100が複数設けられた画素部601、複数の信号線104を駆動するための信号線駆動回路602、複数の第1の走査線105を駆動するための第1の走査線駆動回路603、複数の第2の走査線106を駆動するための第2の走査線駆動回路604を有する。なお信号線駆動回路602、第1の走査線駆動回路603、及び第2の走査線駆動回路604は、画素部601と同じ基板上に設ける構成とすることが好ましいが、必ずしも設ける必要はない。画素部601と同じ基板上に信号線駆動回路602、第1の走査線駆動回路603、及び第2の走査線駆動回路604を設けることで、外部との接続端子数を削減することができ、液晶表示装置の小型化を図ることができる。なお、画素100は、マトリクス状に配置配列されている。ここで、画素がマトリクスに配置配列されているとは、縦方向もしくは横方向において、画素が直線上に並んで配置されている場合や、ギザギザな線上に配置されている場合を含む。図7Bには、複数の第1の走査線105または第2の走査線106を駆動するための第1の走査線駆動回路603または第2の走査線駆動回路604に設けられるシフトレジスタ回路の構成の一例について示している。図7Bに示すシフトレジスタ回路610は、例えば、クロック信号CLK、反転クロック信号CLKB、及びスタートパルスSP等のタイミング信号により、複数のパルス出力回路611の出力端子out1乃至outNNは自然数、すなわち第1の走査線105または第2の走査線106より順次第1のトランジスタ101または第2のトランジスタ102のゲートに印加する走査信号を供給することとなる。図7Bに示すパルス出力回路611を構成するトランジスタを、画素部601における画素100の第1のトランジスタ101及び第2のトランジスタ102と同じ基板上に形成する場合、パルス出力回路611は単極性のトランジスタによる回路構成以下、単極性回路となる。単極性回路によるパルス出力回路611の簡単な構成について図7Cに示す。図7Cに示す単極性回路のパルス出力回路611は、バッファ部620と、バッファ部を制御する制御回路部621に大別される。バッファ部620はプルアップトランジスタ622及びプルダウントランジスタ623を有し、共に同じ極性のトランジスタである。プルアップトランジスタ622は、制御回路部621の制御に応じてブートストラップ動作をし、クロック信号CLKのハイレベルの電位に応じた信号を第1の走査線105または第2の走査線106に供給することができる。従って第1の走査線105または第2の走査線106に高い電位の信号を供給する場合、ブートストラップ動作によりプルアップトランジスタ622のゲートには、より高い電位が印加されることとなる。上記実施の形態1の構成とすることで、第1の走査線105または第2の走査線106の走査信号の振幅電圧を低減することができる。そのため、プルアップトランジスタ622のゲートに印加される高い電位を低減することができるため、単極性回路によるシフトレジスタ回路の劣化を低減できることがわかる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態5本実施の形態では、上記実施の形態1の図1Aで示した画素の構成について、反転駆動をする複数の構成について説明する。まず図8A乃至図8Cでは、フレーム反転駆動の駆動をする際の回路図、タイミングチャート図、模式図について示し説明する。図8Aには画素100がマトリクス状に配置される回路図を示している。また、図8Aで複数の第1の走査線はGLa1乃至GLannは任意の自然数で表し、複数の第2の走査線はGLb1乃至GLbnnは任意の自然数で表し、複数の映像信号線はVL1乃至VLmmは任意の自然数で表し、複数の信号線はSL1乃至SLmmは任意の自然数で表している。なお共通電位線CLからの共通電位が全ての画素で共通である回路図を示し、複数の信号線SL1乃至SLmにはスイッチング素子551により、映像信号線VLからの映像信号または共通電位線CLからの共通電位が切り替えられて供給される。図8Bは、図8Aに示した回路図を説明するためのタイミングチャートを示している。フレーム反転駆動の場合、共通電位線CLの電位は1フレーム毎に反転する。また映像信号線VLには階調に応じた映像信号の電位が反転駆動する電位として順次供給される。そして、信号線SLでは、スイッチング素子551により、共通電位線CLまたは映像信号線VLとの接続を切り替えることで、映像信号の電位と共通電位とが切り替わって供給される信号を信号線に供給することとなる。具体的にスイッチング素子551は、第1の走査線GLa1乃至GLanがハイレベルの電位となるタイミングで映像信号が信号線SLに供給されるよう制御し、第2の走査線GLb1乃至GLbnがハイレベルの電位となるタイミングで共通電位が信号線SLに供給されるよう制御する。図8Cに示す模式図では、連続するNフレーム目Nは任意の自然数と、N1フレームとで、1フレーム毎に液晶素子103の第1の電極と第2の電極との間に印加される電圧の極性図中、記号、-記号で表記が交互に切り替わる様子を示している。これは、いわゆるフレーム反転駆動である。なお図8Bで説明した駆動方法は、共通電位線CLの電位を複数フレーム毎例えば2又は3フレーム毎に反転させるものでもよい。この場合、液晶素子103には、複数フレーム毎に液晶素子103の第1の電極と第2の電極との間に印加される電圧の極性が交互に切り替わる構成となる。これにより、液晶表示装置の消費電力の削減を図ることができる。なお図8A乃至Cでは、フレーム反転駆動の例を説明したが、図9Aに示す模式図のようにゲートライン反転駆動や、図9Bに示す模式図のようにソースライン反転駆動とすることもできる。また、特に図示しないがドット反転駆動とすることもできる。ここで、ゲートライン反転駆動をする際の、タイミングチャート図示し説明する。なお回路図については、図8Aと同様の回路図で説明する。図9Cは、図8Aに示した回路図をゲートライン反転駆動で駆動をする際のタイミングチャートを示している。ゲートライン反転駆動の場合、共通電位線CLの電位は1ゲート選択期間毎に反転する。また映像信号線VLには階調に応じた映像信号の電位を反転駆動する電位として順次供給される。そして、信号線SLでは、スイッチング素子551により、共通電位線CLまたは映像信号線VLとの接続を切り替えることで、映像信号の電位と共通電位とが切り替わって供給される信号を信号線に供給することとなる。具体的にスイッチング素子551は、第1の走査線GLa1乃至GLanがハイレベルの電位となるタイミングで映像信号が信号線SLに供給されるよう制御し、第2の走査線GLb1乃至GLbnがハイレベルの電位となるタイミングで共通電位が信号線SLに供給されるよう制御する。なお図9Cで説明した駆動方法は、共通電位線CLの電位を複数のゲート選択期間毎例えば2又は3ゲート選択期間毎に反転させるものでもよい。この場合、液晶素子103には、正の電圧と負の電圧とが複数行ずつ交互に印加される。これにより、消費電力の削減を図ることができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態6本実施の形態では、液晶表示装置が有する表示パネルの画素の平面図及び断面図の一例について図面を用いて説明する。図10Aは表示パネルが有する複数の画素の1つの平面図を示している。図10Bは図10Aの一点鎖線A-Bにおける断面図である。図10Aにおいて、信号線となる配線層ソース電極層1201a、ドレイン電極層1201b、及びドレイン電極層1201cを含むは、図中上下方向列方向に延伸するように配置されている。第1の走査線となる配線層ゲート電極層1202を含むは、図中左右方向行方向に延伸するように配置されている。第2の走査線となる配線層ゲート電極層1203を含むは、ソース電極層1201aに概略直交する方向図中左右方向行方向に延伸するように配置されている。容量配線層1204は、ゲート電極層1202及びゲート電極層1203に概略平行な方向であって、且つ、ソース電極層1201aに概略直交する方向図中左右方向行方向に延伸するように配置されている。図10Aにおいて、表示パネルの画素には、ゲート電極層1202を有する第1のトランジスタ1205、及びゲート電極層1203を有する第2のトランジスタ1206が離間して設けられている。第1のトランジスタ1205及び第2のトランジスタ1206上には、絶縁膜1207、絶縁膜1208、及び層間膜1209が設けられている。図10A、図10Bに示す表示パネルの画素は、第1のトランジスタ1205に接続される第1の電極層として透明電極層1210、第2のトランジスタ1206に接続される第2の電極層として透明電極層1211を有する。透明電極層1210及び透明電極層1211は、互いの櫛歯状の形状が噛み合うように、且つ離間して設けられている。第1のトランジスタ1205及び第2のトランジスタ1206上の絶縁膜1207、絶縁膜1208、及び層間膜1209には、開口コンタクトホールが形成されている。開口コンタクトホールにおいて、透明電極層1210と第1のトランジスタ1205とが接続され、他の開口コンタクトホールにおいて透明電極層1211と第2のトランジスタ1206とが接続されている。図10A、図10Bに示す第1のトランジスタ1205は、ゲート絶縁層1212を介してゲート電極層1202上に配置された第1の半導体層1213を有し、第1の半導体層1213に接してソース電極層1201a及びドレイン電極層1201bを有する。図10Aに示す第2のトランジスタ1206は、ゲート絶縁層1212を介してゲート電極層1203上に配置された第2の半導体層1214を有し、第2の半導体層1214に接してソース電極層1201a及びドレイン電極層1202cを有する。また、容量配線層1204、ゲート絶縁層1212、及びドレイン電極層1201bが積層して、容量素子1215を形成している。なお図10Aに示すように容量素子1215を設ける構成では、第1のトランジスタ1205の電流供給能力を第2のトランジスタ1206の電流供給能力より大きくしておくことが好適である。具体的には、第1のトランジスタ1205のチャネル幅Wとチャネル長Lとの比W/Lを、第2のトランジスタ1206のW/Lよりも大きくしておく。第1のトランジスタ1205のW/Lを、第2のトランジスタ1206のW/Lよりも大きくしておくことで、容量素子1215の充電速度を高め、液晶素子の第1の電極にあたる透明電極層1210の電位の立ち上がりを急峻にすることができる。また、第1のトランジスタ1205、第2のトランジスタ1206、及び液晶層1217を間に挟んで、第1の基板1218と第2の基板1219とが重畳されるように配置されている。なお図10Bでは、第1のトランジスタ1205としてボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタを用いる例を示したが、本明細書に開示する液晶表示装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、ゲート絶縁層を介してゲート電極層が半導体層の上側に配置されるトップゲート構造のトランジスタ、及び、ゲート絶縁層を介してゲート電極層が半導体層の下側に配置されるボトムゲート構造のスタガ型トランジスタ及びプレーナ型トランジスタなどを用いることができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態7本実施の形態では、本明細書に開示する液晶表示装置に適用できるトランジスタの例を示す。本明細書に開示する液晶表示装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されず、例えばゲート電極が、ゲート絶縁層を介して、半導体層の上側に配置されるトップゲート構造、又はゲート電極が、ゲート絶縁層を介して、半導体層の下側に配置されるボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。図11A乃至Dにトランジスタの断面構造の一例を以下に示す。なお、図11A乃至Dに示すトランジスタは、半導体層として酸化物半導体を用いるものである。酸化物半導体を用いることのメリットは、トランジスタのオン状態にいて高い電界効果移動度最大値で5cm2/Vsec以上、好ましくは最大値で10cm2/Vsec~150cm2/Vsecと、トランジスタのオフ状態において低い単位チャネル幅あたりのオフ電流例えば単位チャネル幅あたりのオフ電流が1aA/μm未満、さらに好ましくは10zA/μm未満、且つ、85°Cにて100zA/μm未満が得られることである。図11Aに示すトランジスタ410は、ボトムゲート構造のトランジスタの一つであり、逆スタガ型トランジスタともいう。トランジスタ410は、絶縁表面を有する基板400上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、酸化物半導体層403、ソース電極層405a、及びドレイン電極層405bを含む。また、トランジスタ410を覆い、酸化物半導体層403に積層する絶縁膜407が設けられている。絶縁膜407上にはさらに保護絶縁層409が形成されている。図11Bに示すトランジスタ420は、チャネル保護型チャネルストップ型ともいうと呼ばれるボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型トランジスタともいう。トランジスタ420は、絶縁表面を有する基板400上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、酸化物半導体層403、酸化物半導体層403のチャネル形成領域を覆うチャネル保護層として機能する絶縁層427、ソース電極層405a、及びドレイン電極層405bを含む。また、トランジスタ420を覆い、保護絶縁層409が形成されている。図11Cに示すトランジスタ430はボトムゲート型のトランジスタであり、絶縁表面を有する基板400上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、ソース電極層405a、ドレイン電極層405b、及び酸化物半導体層403を含む。また、トランジスタ430を覆い、酸化物半導体層403に接する絶縁膜407が設けられている。絶縁膜407上にはさらに保護絶縁層409が形成されている。トランジスタ430においては、ゲート絶縁層402は基板400及びゲート電極層401上に接して設けられ、ゲート絶縁層402上にソース電極層405a、ドレイン電極層405bが接して設けられている。そして、ゲート絶縁層402、及びソース電極層405a、ドレイン電極層405b上に酸化物半導体層403が設けられている。図11Dに示すトランジスタ440は、トップゲート構造のトランジスタの一つである。トランジスタ440は、絶縁表面を有する基板400上に、絶縁層437、酸化物半導体層403、ソース電極層405a、ドレイン電極層405b、ゲート絶縁層402、及びゲート電極層401を含み、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bにそれぞれ配線層436a、配線層436bが接して設けられ接続している。本実施の形態では、上述のとおり、半導体層として酸化物半導体層403を用いる。酸化物半導体層403に用いる酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、In-Sn-Zn-O系酸化物半導体、In-Al-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、Al-Ga-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Al-Zn-O系酸化物半導体や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Zn-O系酸化物半導体、Al-Zn-O系酸化物半導体、Zn-Mg-O系酸化物半導体、Sn-Mg-O系酸化物半導体、In-Mg-O系酸化物半導体、In-Ga-O系酸化物半導体や、In-O系酸化物半導体、Sn-O系酸化物半導体、Zn-O系酸化物半導体、などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んでもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体とは、インジウムIn、ガリウムGa、亜鉛Znを有する酸化物膜、という意味であり、その組成比はとくに問わない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。また、酸化物半導体層403は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Zn、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。また、酸化物半導体としてIn-Zn-O系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、In:Zn=50:1~1:2モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1~1:4、好ましくはIn:Zn=20:1~1:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1~1:2、さらに好ましくはIn:Zn=15:1~1.5:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2~3:4とする。例えば、In-Zn-O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5XYとする。酸化物半導体層403を用いたトランジスタ410、420、430、440は、オフ状態における電流値オフ電流値を低くすることができる。よって画素において、映像信号等の電気信号を保持するための容量素子を小さく設計することができる。よって、画素の開口率の向上を図ることができるため、その分の低消費電力化を図るといった効果を奏する。また、酸化物半導体層403を用いたトランジスタ410、420、430、440は、酸素添加及び脱水素処理による高純度化をすることでキャリア濃度を極めて小さくでき、オフ電流を少なくすることができる。よって、画素においては映像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、書き込み間隔も長く設定できる。よって1フレーム期間の周期を長くすることができ、静止画表示期間でのリフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、より消費電力を抑制する効果を高くできる。また、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製することができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。絶縁表面を有する基板400に使用することができる基板に大きな制限はないが、バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いる。ボトムゲート構造のトランジスタ410、420、430において、下地膜となる絶縁膜を基板とゲート電極層の間に設けてもよい。下地膜は、基板からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。ゲート電極層401の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。ゲート絶縁層402は、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を単層で又は積層して形成することができる。例えば、第1のゲート絶縁層としてプラズマCVD法により膜厚50nm以上200nm以下の窒化シリコン層SiNyy>0を形成し、第1のゲート絶縁層上に第2のゲート絶縁層として膜厚5nm以上300nm以下の酸化シリコン層SiOxx>0を積層して、合計膜厚200nmのゲート絶縁層とする。ソース電極層405a、ドレイン電極層405bに用いる導電膜としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wからから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下側又は上側の一方または双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜を積層させた構成としても良い。ソース電極層405a、ドレイン電極層405bに接続する配線層436a、配線層436bのような導電膜も、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bと同様な材料を用いることができる。また、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bこれと同じ層で形成される配線層を含むとなる導電膜としては導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金In2O3―SnO2、ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。酸化物半導体層の上方に設けられる絶縁膜407、427、下方に設けられる絶縁層437は、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸化物半導体層の上方に設けられる保護絶縁層409は、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、保護絶縁層409上にトランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化絶縁膜を形成してもよい。平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料low-k材料等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタは、オフ電流を少なくすることができる。よって、画素においては映像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、書き込み間隔も長く設定できる。よって1フレーム期間の周期を長くすることができ、静止画表示期間でのリフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、より消費電力を抑制する効果を高くできる。また、高純度化された酸化物半導体層は、レーザ照射等の処理を経ることなく作製でき、大面積基板へのトランジスタの形成を可能にすることができるため、好適である。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態8本明細書に開示する液晶表示装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。図12Aは、電子書籍の一例を示している。図12Aに示す電子書籍は、筐体1700及び筐体1701の2つの筐体で構成されている。筐体1700及び筐体1701は、蝶番1704により一体になっており、開閉動作を行うことができる。このような構成により、書籍のような動作を行うことが可能となる。筐体1700には表示部1702が組み込まれ、筐体1701には表示部1703が組み込まれている。表示部1702及び表示部1703は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図12Aでは表示部1702に文章を表示し、左側の表示部図12Aでは表示部1703に画像を表示することができる。また、図12Aでは、筐体1700に操作部等を備えた例を示している。例えば、筐体1700は、電源入力端子1705、操作キー1706、スピーカ1707等を備えている。操作キー1706により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングディバイス等を備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、及びUSBケーブル等の各種ケーブルと接続可能な端子等、記録媒体挿入部等を備える構成としてもよい。さらに、図12Aに示す電子書籍は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。図12Bは、液晶表示装置を用いたデジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、図12Bに示すデジタルフォトフレームは、筐体1711に表示部1712が組み込まれている。表示部1712は、各種画像を表示することが可能であり、例えば、デジタルカメラ等で撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。なお、図12Bに示すデジタルフォトフレームは、操作部、外部接続用端子USB端子、USBケーブル等の各種ケーブルと接続可能な端子等、記録媒体挿入部等を備える構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部1712に表示させることができる。図12Cは、液晶表示装置を用いたテレビジョン装置の一例を示している。図12Cに示すテレビジョン装置は、筐体1721に表示部1722が組み込まれている。表示部1722により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド1723により筐体1721を支持した構成を示している。表示部1722は、上記実施の形態に示した液晶表示装置を適用することができる。図12Cに示すテレビジョン装置の操作は、筐体1721が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。リモコン操作機が備える操作キーにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部1722に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。図12Dは、液晶表示装置を用いた携帯電話機の一例を示している。図12Dに示す携帯電話機は、筐体1731に組み込まれた表示部1732の他、操作ボタン1733、操作ボタン1737、外部接続ポート1734、スピーカ1735、及びマイク1736等を備えている。図12Dに示す携帯電話機は、表示部1732がタッチパネルになっており、指等の接触により、表示部1732の表示内容を操作することができる。また、電話の発信、或いはメールの作成等は、表示部1732を指等で接触することにより行うことができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。