"マイクロ波を伝播させる導波管と、該導波管に接続された球状のプラズマ生成室と、前記導波管及び前記プラズマ生成室の間に介在し、前記導波管が伝播する前記マイクロ波を前記プラズマ生成室の内部へ導入する誘電体窓とを備えることを特徴とするプラズマ生成装置。前記プラズマ生成室は基板を収容する処理室に隣接して配置され、前記プラズマ生成室の内部は前記処理室の内部と連通することを特徴とする請求項1記載のプラズマ生成装置。前記導波管は前記プラズマ生成室の中心軸に関して対称的に配置されることを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ生成装置。基板を収容する処理室と、該処理室に隣接して配置されるプラズマ生成装置とを備え、該プラズマ生成装置は、マイクロ波を伝播させる導波管と、該導波管に接続された球状のプラズマ生成室と、前記導波管及び前記プラズマ生成室の間に介在し、前記導波管が伝播する前記マイクロ波を前記プラズマ生成室の内部へ導入する誘電体窓とを有し、前記プラズマ生成室の内部は前記処理室の内部と連通することを特徴とするプラズマ処理装置。真空チャンバ62の内部においてプラズマの電子密度が高まると、プラズマは誘電体窓65を通過したマイクロ波を遮断する。これに加えて、高密度の不均一なプラズマ中では、電子プラズマ角周波数とマイクロ波周波数が一致する領域で、共鳴吸収が起こる。その結果、誘電体窓65の近傍で積極的にプラズマが生成される。比較的圧力の高い条件下でプラズマを生成すると処理ガスの温度が非常に高温となり、誘電体窓65を溶融等によって損傷させるおそれがあり、又、被処理体である基板Sの周辺において所望のプラズマを生成することができなくなるおそれがある。本発明の目的は、マイクロ波を導入するための誘電体窓が損傷するのを防止し、且つ基板の周辺の所望の領域にプラズマを生成することができるプラズマ生成装置及びプラズマ処理装置を提供することにある。上記目的を達成するために、請求項1記載のプラズマ生成装置は、マイクロ波を伝播させる導波管と、該導波管に接続された球状球状に近似する多面体形状や高次の関数で表される曲面で形成される空間形状を含む。のプラズマ生成室と、前記導波管及び前記プラズマ生成室の間に介在し、前記導波管が伝播する前記マイクロ波を前記プラズマ生成室の内部へ導入する誘電体窓とを備えることを特徴とする。請求項2記載のプラズマ生成装置は、請求項1記載のプラズマ生成装置において、前記プラズマ生成室は基板を収容する処理室に隣接して配置され、前記プラズマ生成室の内部は前記処理室の内部と連通することを特徴とする。請求項3記載のプラズマ生成装置は、請求項1又は2記載のプラズマ生成装置において、前記導波管は前記プラズマ生成室の中心軸に関して対称的に配置されることを特徴とする。上記目的を達成するために、請求項4記載のプラズマ処理装置は、基板を収容する処理室と、該処理室に隣接して配置されるプラズマ生成装置とを備え、該プラズマ生成装置は、マイクロ波を伝播させる導波管と、該導波管に接続された球状のプラズマ生成室と、前記導波管及び前記プラズマ生成室の間に介在し、前記導波管が伝播する前記マイクロ波を前記プラズマ生成室の内部へ導入する誘電体窓とを有し、前記プラズマ生成室の内部は前記処理室の内部と連通することを特徴とする。本発明によれば、マイクロ波が導入されるプラズマ生成室が球状を呈するので、プラズマ生成室内に存在する電磁波の境界条件となるプラズマ生成室の半径を適切に設定することにより、特定のモードの電磁波を励起できる。その結果、モードに応じた任意の領域で強電界領域を生じさせることができる。強電界領域は処理ガスからプラズマを生成する。したがって、誘電体窓から離れ且つ被処理体である基板周辺の所望の領域において強電界領域を生じさせることにより、プラズマを誘電体窓から離れた領域で生成することができ、もって、誘電体窓がプラズマによって損傷するのを防止することができるとともに、基板周辺の所望の領域にプラズマを生成することができる。本発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意研究を行った結果、プラズマ生成装置がマイクロ波を伝播させる導波管と、該導波管に接続された球状のプラズマ生成室と、導波管及びプラズマ生成室の間に介在し、導波管が伝播するマイクロ波をプラズマ生成室の内部へ導入する誘電体窓とを備えれば、プラズマ生成室の半径を適切に設定することで特定のモードの電磁波を励起でき、該特定モードに応じた任意の領域で強電界領域を生じさせることができ、もって、プラズマを誘電体窓から離し且つ被処理体である基板周辺の所望の領域において生成することができ、その結果、誘電体窓がプラズマによって損傷するのを防止することができるとともに、基板周辺の所望の領域にプラズマを生成することができることを見出した。本発明は、上記研究の結果に基づいてなされたものである。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施の形態に係るプラズマ生成装置を備えるプラズマ処理装置の構成を概略的に示す断面図である。図1において、プラズマ処理装置10は、基板Sにプラズマ処理を施す処理チャンバ11処理室と、該処理チャンバ11に隣接して配置されるプラズマ生成ユニット12プラズマ生成装置とを備える。処理チャンバ11は、基板Sを載置するステージ13を内部に有し、排気管14が連結される。排気管14は真空ポンプや圧力制御バルブともに図示しないに接続され、真空ポンプや圧力制御バルブは処理チャンバ11の内部の圧力を制御する。ステージ13は内部にヒータや冷却機構ともに図示しないを有し、載置された基板Sを適切な温度に保つ。プラズマ生成ユニット12は、マイクロ波ジェネレータ図示しないが発生させるマイクロ波を伝播させる導波管15と、該導波管15に接続されたプラズマ生成チャンバ16プラズマ生成室と、導波管15及びプラズマ生成チャンバ16の間に介在する誘電体窓17とを有する。導波管15は、同軸管図2A参照。、若しくは円形導波管からなり、円形導波管の場合、諸寸法が所定の周波数のマイクロ波、例えば、2.45GHzのマイクロ波を最低次のモードで伝播できるように設定されている。プラズマ生成チャンバ16は図中における下端が半球状に形成された円筒容器16aと、図中における下端が半球状の凹部16eに形成された円柱部材16bとを有する。円柱部材16bは円筒容器16aの内部に同軸で収容され、円柱部材16bの下端の凹部16eと円筒容器16aの下端の内壁面16dとは球状のプラズマ発生空間Gプラズマ生成室の内部を形成する。また、円筒容器16aの内側面及び円柱部材16bの側面の間、並びに、円筒容器16aの上端の内壁面及び円柱部材16bの上端の間の隙間には、誘電体窓17が配される例えば、図2B参照。。プラズマ生成チャンバ16では、プラズマ発生空間Gへ図示しない処理ガス導入口から処理ガスが導入される。また、円筒容器16aの下端の一部が開放されてプラズマ発生空間Gと処理チャンバ11の内部とが連通する。さらに、円筒容器16aの上面中心には導波管15が接続される。すなわち、導波管15は円筒容器16aの中心軸上に配置される。プラズマ生成ユニット12では、導波管15を伝播するマイクロ波が誘電体窓17によってプラズマ発生空間Gへ導入される。ここで、誘電体窓17はプラズマ発生空間Gの外周に沿って該プラズマ発生空間Gに面する、すなわち、プラズマ発生空間Gの中心軸に関して対称的に該プラズマ発生空間Gに面するので、マイクロ波はプラズマ発生空間Gの中心軸に関して対称的に導入される。また、プラズマ発生空間Gは球状を呈するので、その半径を適切に設定することによって特定のモードの電磁波を励起でき、結果として空間中の任意の領域、例えば、プラズマ発生空間Gの中心の上方において、強電界領域を形成できる。当該強電界領域では、マイクロ波からプラズマ中の電子へのエネルギー移行量が大きいために電子温度が高くなり、十分なエネルギーを持つ電子が処理ガス中の原子や分子と衝突を繰り返すことで高密度のプラズマが局所的に生成される。すなわち、強電界領域では他の領域よりもプラズマの生成が積極的に起こるため、強電界が生じた領域では密度の高いプラズマPが生じる。換言すれば、本実施の形態では磁界等を利用することなく、マイクロ波の導入のみで処理ガスからプラズマPを任意の領域で生じさせる。ここで、プラズマ生成チャンバ16のプラズマ発生空間Gと処理チャンバ11の内部は連通するため、プラズマ発生空間Gで生じたプラズマPの一部は処理チャンバ11のステージ13に載置された基板Sに到達し、該基板Sにプラズマ処理を施す。例えば、プラズマ処理装置10では、処理ガスとして、水素ガス、炭素含有ガス、例えば、メタンガス、プロパンガスやアセチレンガス、及び不純物含有ガス、例えば、ホスフィンガスやジボランガスを含む混合ガスを用い、プラズマ発生空間Gや処理チャンバ11の内部の圧力を10~200Torrに維持し、基板Sをステージ13によって700~1200°Cに加熱することにより、処理ガスから生じたプラズマP中のラジカルによって基板S上でダイヤモンドを成長させる。図1のプラズマ処理装置10によれば、マイクロ波が導入されるプラズマ生成チャンバ16のプラズマ発生空間Gが球状を呈するので、その半径を適切に設定することによって特定のモードの電磁波を励起でき、該特定のモードに応じた任意の領域で強電界領域を生じさせることができ、もって、プラズマPを誘電体窓17から離れた領域で生成することができる。その結果、誘電体窓17がプラズマPによって損傷するのを防止することができる。プラズマ処理装置10では、マイクロ波がプラズマ発生空間Gの中心軸に関して対称的に導入されるので、特定のモードの電磁波を励起するために必要な半径の設定、及び強電界領域が生じる領域の予測が容易となり、もって、生成されるプラズマPの領域を容易に制御することができる。本実施の形態において、プラズマ処理装置10のプラズマ発生空間Gでモードに応じた強電界領域が任意の領域で生じることの主要因は、マイクロ波の境界条件となる円筒容器16aの下端の内壁面16dや円柱部材16bの下端の凹部16eが半球状を呈し、その半径を調整することによって励起される電磁波のモードを特定できることにあると考えられる。したがって、プラズマ発生空間Gさえ球状を呈していれば、プラズマ発生空間Gに対するマイクロ波の導入形態がどのようなものであろうとも、例えば、マイクロ波がプラズマ発生空間Gの中心軸に関して対称的に導入されていなくとも、プラズマ発生空間Gの任意の領域において概ね局所的な強電界領域を生じさせることができる。以上の理由から、導波管15の配置には自由度があり、図1のプラズマ処理装置10のように、導波管15を円筒容器16aの中心軸上に配置する必要はない。例えば、図3Aに示すように、1つの導波管15を円筒容器16aの中心軸からオフセットして配置してもよく、また、図3Bに示すように、複数、例えば、2つの導波管15を円筒容器16aの中心軸からオフセットして配置してもよい。さらに、マイクロ波を必ずしも誘電体窓17を経てプラズマ発生空間Gへ導入する必要もない。例えば、図3Cに示すように、プラズマ生成ユニット12が、球状のプラズマ生成チャンバ18と、該プラズマ生成チャンバ18の中心を指向するようにプラズマ生成チャンバ18へ取り付けられた複数、例えば、2つの導波管15aを備えてもよく、または、図3Dに示すように、プラズマ生成ユニット12が、球状のプラズマ生成チャンバ18と、該プラズマ生成チャンバ18の中心を指向するようにプラズマ生成チャンバ18へ取り付けられた1つの導波管15aを備えてもよい。図3Cや図3Dに示すプラズマ生成ユニット12においても、プラズマ生成チャンバ18が球状を呈するため、プラズマ生成チャンバ18の内部の任意の領域において概ね局所的な強電界領域を生じさせることができる。また、図3Bや図3Cのプラズマ生成ユニット12のように複数の導波管15,15aを備える場合には、各導波管15,15aを円筒容器16aの中心軸やプラズマ生成チャンバ18の中心軸に関して対称的に配置するのが好ましい。これにより、結果的にプラズマ発生空間Gやプラズマ生成チャンバ18の内部へ各中心軸に関して対称的にマイクロ波を導入することができ、プラズマPの生成領域を容易に制御することができる。また、プラズマ処理装置10において処理チャンバ11内のステージ13を、図4Aに示すように、図中上下方向に移動可能に構成してもよい。これにより、プラズマPと基板Sとの距離を制御することができ、もって、プラズマPを利用した成膜時には、基板Sにおける成膜速度や膜の厚さ分布を制御することができる。また、プラズマPを利用したエッチング時には、基板Sにおけるエッチングレートや該エッチングレートの分布を制御することができる。さらに、図4Bに示すように、円筒容器16aを図中下方へ延伸してプラズマ発生空間Gを球状ではなく、円筒状空間と該円筒状空間の上下にそれぞれ位置する半球状の空間によって構成してもよい。この場合であっても、円筒容器16aの下端の内壁面16dや円柱部材16bの下端の凹部16が半球状を呈するため、これらの半径や円筒状空間の高さを適切に設定することによって特定の領域に強電界領域を生じさせることができる。その結果、プラズマ発生空間Gにおいて任意の領域で局所的な強電界領域を生じさせることができる。以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態では、プラズマ発生空間Gが球状であったが、該プラズマ発生空間Gは球状に近似する多面体形状や、高次の関数で表される曲面で形成される空間形状によって構成されてもよい。次に、本発明の実施例について説明する。まず、プラズマ発生空間Gの形状の違いの局所的な強電界領域の発生形態への影響を検討するために、図1のプラズマ生成ユニット12を想定して実施例1及び実施例2の2次元モデルを作成し、実施例1ではプラズマ発生空間Gの半径を5.5cmに設定し、実施例2ではプラズマ発生空間Gの半径を8cmに設定した。次いで、プラズマ発生空間G内にω>ωpeを満たすne=1016m-3の分布が一様な低密度のプラズマが既に存在しωはマイクロ波角周波数、ωpeは電子プラズマ角周波数、neは電子密度を示す。、且つ運動量移行衝突周波数νmはωに等しいと仮定した上で、COMSOL社製の電磁界計算モジュールを用いて実施例1及び実施例2における電界強度分布を計算し、その結果を図5A及び図5Bに示した。なお、図5Aは実施例1における電界強度分布を示し、図5Bは実施例2における電界強度分布を示す。図5A及び図5Bに示すように、プラズマ発生空間Gの形状が異なっていても、プラズマ発生空間Gが球形を呈すれば、局所的な強電界領域を生じさせることができることが分かった。また、プラズマ発生空間Gの形状を変更すれば、生じる局所的な強電界領域の形状が変わることも分かった。これにより、局所的な強電界領域の発生はプラズマ発生空間Gの形状が主要因であることが推察された。次に、プラズマ発生空間Gを処理チャンバ11の内部と連通させた場合の局所的な強電界領域の発生形態への影響を検討するために、図1のプラズマ生成ユニット12及び処理チャンバ11を想定して実施例3乃至実施例5の2次元モデルを作成し、実施例3ではステージ13を設けず、実施例4ではステージ13から処理チャンバ11の上内面までの距離を2cmに設定し、実施例5ではステージ13から処理チャンバ11の上内面までの距離を1.5cmに設定した。次いで、実施例1及び2と同じ条件で同じCOMSOL社製の電磁界計算モジュールを用いて実施例3乃至実施例5における電界強度分布を計算し、その結果を図6A乃至図6Cに示した。なお、図6Aは実施例3における電界強度分布を示し、図6Bは実施例4における電界強度分布を示し、図6Cは実施例5における電界強度分布を示す。図6A乃至図6Cに示すように、プラズマ発生空間Gを処理チャンバ11の内部と連通させても、プラズマ発生空間Gが球形を呈すれば、局所的な強電界領域を生じさせることができることが分かった。これによっても、局所的な強電界領域の発生はプラズマ発生空間Gの形状が主要因であることが推察された。また、ステージ13を上下動させても局所的な強電界領域の領域が殆ど変わらないことも分かった。これにより、ステージ13を上下動させるだけで所望の成膜速度やエッチングレートを容易に実現できることが予想される。"