第1の面と、その反対側の第2の面と、発光層とを有する半導体層と、前記半導体層の前記第2の面に設けられたp側電極及びn側電極と、前記半導体層に比べて柔軟性があり、前記半導体層の前記第2の面及び側面を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜内に設けられ、前記p側電極に達するp側コンタクト部と、前記絶縁膜内に設けられ、前記n側電極に達するn側コンタクト部と、前記絶縁膜内に設けられ、前記p側コンタクト部を介して前記p側電極と接続されたp側配線層と、前記絶縁膜内に設けられ、前記n側コンタクト部を介して前記n側電極と接続されたn側配線層と、前記p側配線層上に設けられたp側金属ピラーと、前記n側配線層上に設けられたn側金属ピラーと、を備え、前記絶縁膜は、前記p側金属ピラーと前記n側金属ピラーとの間に設けられていることを特徴とする半導体発光装置。前記絶縁膜は、前記第2の面と前記p側配線層との間および前記第2の面と前記n側配線層との間に設けられた第1の絶縁膜と、前記p側金属ピラーの周囲及び前記n側金属ピラーの周囲を覆う樹脂と、を有することを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。前記第1の絶縁膜は、樹脂であることを特徴とする請求項2記載の半導体発光装置。前記樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂のいずれかであることを特徴とする請求項2記載の半導体発光装置。前記絶縁膜は、前記p側金属ピラーと前記n側金属ピラーとの間に充填されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記半導体層は窒化物系半導体であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記半導体層の前記側面に設けられた前記絶縁膜の前記半導体層の前記第1の面側の端面は、前記半導体層の前記第1の面と同一平面上にあることを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記半導体層の平面形状は四角形であり、前記半導体層の前記側面を覆う前記絶縁膜は、前記半導体層を枠状に囲っていることを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の半導体発光装置。半導体層に大きな応力が作用するのを防ぐことができる半導体発光装置を提供する。実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、p側電極及びn側電極と、絶縁膜と、p側コンタクト部と、n側コンタクト部と、p側配線層と、n側配線層と、p側金属ピラーと、n側金属ピラーと、を備えている。前記半導体層は、第1の面と、その反対側の第2の面と、発光層とを有する。前記p側電極及びn側電極は、前記半導体層の前記第2の面に設けられている。前記絶縁膜は、前記半導体層に比べて柔軟性があり、前記半導体層の前記第2の面及び側面を覆っている。前記絶縁膜は、前記p側金属ピラーと前記n側金属ピラーとの間に設けられている。前記p側コンタクト部は、前記絶縁膜内に設けられ、前記p側電極に達する。前記n側コンタクト部は、前記絶縁膜内に設けられ、前記n側電極に達する。前記p側配線層は、前記絶縁膜内に設けられ、前記p側コンタクト部を介して前記p側電極と接続されている。前記n側配線層は、前記絶縁膜内に設けられ、前記n側コンタクト部を介して前記n側電極と接続されている。前記p側金属ピラーは、前記p側配線層上に設けられている。前記n側金属ピラーは、前記n側配線層上に設けられている。半導体層に大きな応力が作用するのを防ぐことができる半導体発光装置が提供される。以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。図2dは、本発明の実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図である。図2dには、ウェーハ状態から分離された例えば2つの半導体発光装置が示される。本実施形態に係る半導体発光装置は、発光素子12と配線部とを有する。発光素子12は、半導体層12aと半導体層12bとを有する。半導体層12bは、発光層をp型クラッド層とn型クラッド層とで挟んだ構造を有する。半導体層12aは、例えばn型であり、電流の横方向経路として機能する。但し、半導体層12aの導電型はn型に限らず、p型であってもよい。半導体層12aの表面は光取り出し面60として機能する。半導体層12aにおける光取り出し面60の反対側の面の一部には半導体層12bが設けられていない。その部分にはn側電極13が形成されている。半導体層12bにおける半導体層12aが設けられた面の反対側の面にはp側電極14が形成されている。半導体層12a及び半導体層12bにおける光取り出し面60の反対側は、絶縁膜15で覆われている。光取り出し面60は絶縁膜15から露出している。絶縁膜15における光取り出し面60の反対側の面には、n側配線層18とp側配線層19とが互いに分離して形成されている。n側電極13とn側配線層18とは、n側コンタクト部16を介して電気的に接続されている。p側電極14とp側配線層19とは、p側コンタクト部17を介して電気的に接続されている。n側配線層18の下にはn側金属ピラー21が設けられている。p側配線層19の下にはp側金属ピラー22が設けられている。n側金属ピラー21の周囲、p側金属ピラー22の周囲、n側配線層18およびp側配線層19は、樹脂20で覆われている。n側金属ピラー21及びp側金属ピラー22における樹脂20から露出する下端面には、はんだボール、金属バンプなどからなり、外部回路と接続される外部接続端子23が設けられている。半導体層12aは、n側電極13、n側コンタクト部16、n側配線層18およびn側金属ピラー21を介して、外部接続端子23と電気的に接続されている。半導体層12bは、p側電極14、p側コンタクト部17、p側配線層19およびp側金属ピラー22を介して、外部接続端子23と電気的に接続されている。半導体層12a、12bが薄くても、n側金属ピラー21、p側金属ピラー22および樹脂20を厚くすることで機械的強度を保つことが可能となる。また、外部接続端子23を介して各半導体発光装置を回路基板等に実装した場合に、外部接続端子23を介して発光素子12に加わる応力を、n側金属ピラー21とp側金属ピラー22が吸収することで緩和することができる。次に、図1~3を参照して、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。まず、図1aに示すように、基板1の主面上に半導体層12aと半導体層12bとの積層体を形成する。半導体層12bは半導体層12a上の全面に形成された後、図示しないレジストマスクを用いてパターニングされ複数に分離される。例えば、発光層が窒化物系半導体の場合、半導体層12a、12bはサファイアなどの基板1上に結晶させることができる。次に、半導体層12aの一部をRIEReactiveIonEtchingやレーザーアブレーション等により除去し、図1bに示すように、分離溝31を形成する。この分離溝31により、半導体層12a及び半導体層12bは、基板1の主面上で複数の発光素子12に分離される。分離溝31は、例えば図3aに示すように格子状に形成される。各々の発光素子12の平面形状は略四角形状に形成され、その周囲を分離溝31が枠状に囲んでいる。半導体層12bの表面には、p側電極14が形成される。半導体層12aの表面における半導体層12bで覆われていない部分には、n側電極13が形成される。次に、図1cに示すように、基板1上に、半導体層12a及び半導体層12bを覆う絶縁膜15が形成される。絶縁膜15は、例えば感光性のポリイミドなどの有機材料からなる。これにより、分離溝31は、絶縁膜15により埋められる。次に、絶縁膜15に、n側電極13に達する開口及びp側電極14に達する開口を形成した後、n側電極13に達する開口内にn側コンタクト部16を設け、p側電極14に達する開口内にp側コンタクト部17を設ける。さらに、絶縁膜15上に、n側コンタクト部16と接続するn側配線層18と、p側コンタクト部17と接続するp側配線層19を形成する。n側コンタクト部16、p側コンタクト部17、n側配線層18およびp側配線層19は、例えばめっき法で形成される。すなわち、絶縁膜15に形成した開口の内壁および絶縁膜15の表面上に図示しないシード金属を形成した後、金属の析出が行われる。次に、図1dに示すように、n側配線層18上にn側金属ピラー21を設け、p側配線層19上にp側金属ピラー22を設ける。これらn側金属ピラー21及びp側金属ピラー22の周囲には、樹脂20が充填される。樹脂20は、n側配線層18、p側配線層19、n側金属ピラー21の周囲およびp側金属ピラー22の周囲を覆う。n側金属ピラー21及びp側金属ピラー22の上面は、樹脂20から露出される。樹脂20は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などにフィラーを混入させた構成を有する。分離溝31上の絶縁膜15上にも、樹脂20が設けられる。n側コンタクト部16、p側コンタクト部17、n側配線層18、p側配線層19、n側金属ピラー21、p側金属ピラー22の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁膜15との優れた密着性を備えた銅がより好ましい。図1dの構造が得られた後、図2の工程が続けられる。なお、図2では、基板1と発光素子12との上下方向の位置関係を図1とは逆に図示している。図2aは、レーザーリフトオフ法による基板1の剥離工程を示す。レーザ光Lは、基板1における発光素子12が形成された主面の反対面裏面側から半導体層12aに向けて照射される。レーザ光Lは、基板1に対しては透明であり透過性を有し、半導体層12aに対しては吸収領域となる波長を有する。レーザ光Lが基板1と半導体層12aとの界面に到達すると、その界面付近の半導体層12aはレーザ光Lのエネルギーを吸収して熱分解する。例えば、半導体層12aがGaNの場合、Gaと窒素ガスに分解する。Gaは半導体層12a側に残る。この熱分解により、基板1と半導体層12aとの間に微小な隙間が形成され、基板1と半導体層12aとが分離する。レーザ光Lは、例えば一つの発光素子12ごとに照射される。このとき、レーザ光Lの照射範囲の縁部が分離溝31に位置するようにする。図2a、図3bにおいて、レーザ光Lの照射範囲の縁部50を破線で示す。その縁部50の内側の略四角い領域が、1ショットのレーザ光照射範囲である。レーザ光Lの照射時、半導体層12aが急激に熱分解することで気化したガスが発生する。このとき、高い圧力のガスによって半導体層12a、12bが衝撃を受け、半導体層12a、12bにクラック、結晶転移、破砕などが生じてしまうことがある。半導体層12aの熱分解により発生したガスは、基板1と半導体層12aとの間に生じた隙間を介して面方向に拡散することができる。しかし、レーザ光Lの照射範囲の外側はレーザ加熱されずに固相の状態であるので、その固相部分によってガスの拡散が規制され、その縁部50でガス圧力が高くなりやすい。また、レーザ光Lの照射部と未照射部との間のエネルギー差、温度差、相の違いなどによって、レーザ光Lの照射範囲の縁部50には大きな応力が作用しやすい。したがって、特にレーザ光Lの照射範囲の縁部50で半導体層12a、12bにダメージが生じやすい。そこで、本実施形態では、分離溝31にレーザ光Lの照射範囲の縁部50を位置させてレーザ光Lの照射を行う。分離溝31には半導体層12a、12bが存在せず、よって、半導体層12a、12bにレーザ光Lの照射範囲の縁部50が位置しない。これにより、半導体層12a、12bがダメージを受けるのを防ぐことができる。また、分離溝31には、半導体層12a、12bに比べて柔軟性がある例えばポリイミド等の絶縁膜15が設けられ、その絶縁膜15が変形することで応力が緩和され、半導体層12a、12bに大きな応力が作用するのを防ぐことができる。また、絶縁膜15の変形により生じた、分離溝31における基板1と絶縁膜15との隙間を介して、ガスを逃がすことも可能である。さらに、分離溝31が空洞であるときには、半導体層12aとの屈折率差が大きいため、分離溝31付近でのレーザ光Lの波面が大きく半導体層12a側に屈折することになり電界強度が大きく乱れる。したがって、半導体層12a端部付近でレーザ光Lの強度が乱れる原因となり、レーザーリフトオフ法による基板1の剥離条件が不安定になりやすいという問題が起こり得る。それに対して、本実施形態のように、絶縁膜15が分離溝31に充填されているときは、屈折率差が小さくなり、レーザ光Lの波面の屈曲は小さくなり、レーザ光Lの強度分布をより安定化することが可能となり、剥離条件が不安定化となることを防げる。分離溝31には、絶縁膜15が充填されていることが好ましいが、充填されていなくとも、基板1の主面上で半導体層12aの周辺近傍に絶縁膜15が設けられていれば、上記の屈折率差によるレーザ光Lの波面屈曲は抑えられ、強度分布が安定化し剥離条件が安定化しやすいという効果を得られる。以上説明したように、本実施形態では、レーザ光Lの照射時における半導体層12a、12bのダメージを防ぐことができる。これにより、発光効率や光取り出し効率の低下、電流リークを防止することが可能となる。他の発光素子12についても同様に、図2bに示すように、レーザ光Lの照射範囲の縁部50が分離溝31に位置するようにしてレーザ光Lの照射を行う。これにより、その発光素子12についても、半導体層12a、12bがダメージを受けることなく、基板1と半導体層12aとの分離を行うことができる。以上説明したようなレーザ光Lの照射をウェーハの全発光素子12について行い、ウェーハ全体にわたって基板1と半導体層12a、12bとを分離させる。また、分離溝31にもレーザ光Lが照射されることで、その分離溝31に設けられた絶縁膜15と基板1との密着力が低減する。これにより、発光素子12上から基板1を剥離することが可能となる。分離溝31で絶縁膜15と基板1とが接している面積は、ウェーハ全体の面積に比べてごくわずかである。したがって、分離溝31における絶縁膜15と基板1とは完全に分離されなくても、その密着力を低減させるだけでも基板1を剥離することができる。また、先にレーザ光Lの照射が行われた図2aに示すときのレーザ光Lの照射範囲と、これより後にレーザ光Lの照射が行われた図2bに示すときのレーザ光Lの照射範囲とが、分離溝31で若干重なるようにする。これにより、分離溝31に設けられた絶縁膜15にレーザ光Lの未照射部が生じることがなく、その絶縁膜15と基板1との密着力を確実に低減させ、基板1の剥離を容易にする。このとき、重なったレーザ光Lの部分には、絶縁膜15が設けられているので、分離溝31が空洞になっているものに比べて、屈折率差によるレーザ光Lの波面屈曲は抑えられ、強度分布が安定化し剥離条件が安定化しやすいという効果が得られる。あるいは、隣接する照射範囲は分離溝31で重ならなくてもよい。この場合、分離溝31に設けられた絶縁膜15にレーザ光Lの未照射部が生じることになる。基板1の剥離に影響がない程度に、絶縁膜15に多少の未照射部が生じてもかまわない。また、ウェーハ外周側の発光素子12から先にレーザ光照射を行うことで、外周側の半導体層12aと基板1との間の隙間や、その半導体層12aの周囲の分離溝31の絶縁膜15と基板1との間の隙間を介して、ウェーハ内周側の発光素子12にレーザ光照射を行ったときに発生したガスをウェーハ外の空間へと逃がすことが可能となる。すなわち、ウェーハ外周側から先にレーザ光照射を行って、ウェーハ外へと通じるガスの逃げ道を内周側に順次つなげていくようにする。これにより、ウェーハ全体にわたって各発光素子12のダメージを防ぐことができる。分離溝31が、絶縁膜15で充填されていたとしても、ガス圧が上昇したときに樹脂が変形あるいは基板1から微小に剥離することにより生じた隙間を通してガス圧を逃がすことが可能となり、半導体層12a、12bの損傷を低減することが可能という効果を得られる。レーザ光Lの照射は、分離溝31によって分離された一つの発光素子12ごとに行うことに限らず、複数の発光素子12ごとに行ってもよい。図3cには、例えば4つの発光素子12に対して1ショットのレーザ光照射を行う例を示す。複数の発光素子12ごとに照射する場合も、レーザ光Lの照射範囲の縁部50が分離溝31に位置するようにする。基板1の剥離後、図2cに示すように、n側金属ピラー21及びp側金属ピラー22の下端部に、外部接続端子23として機能するはんだボール、金属バンプなどを形成する。その後、分離溝31に沿ってダイシングし、図2dに示すように個片化する。個片化する単位は、一つの発光素子12ごとでもよいし、複数の発光素子12を一つのブロックとして個片化してもよい。ダイシングされるまでの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、低コストでの生産が可能となる。また、ウェーハレベルで、保護樹脂、配線、電極等を含むパッケージ構造が形成されるため、半導体発光装置の平面サイズをベアチップ発光素子12の平面サイズに近くした小型化が容易になる。次に、図4aは、レーザ光Lの照射範囲の縁部50を、分離溝31に隣接する半導体層12aの縁部12eまたはその縁部12eよりも若干半導体層12a側の内側に位置させた形態を示す。レーザ光Lの照射時、エネルギー、温度、相などが大きく変化する境界で、半導体層12a、12bのダメージが生じやすい。レーザ照射条件や照射対象物によっては、エネルギー、温度、相などが大きく変化する境界が、必ずしも照射範囲の縁部50になるとは限らない。その縁部50よりも外側の部分にも若干レーザ光Lのエネルギーや熱がおよぶこともある。その場合、エネルギー、温度、相などが大きく変化する境界は、照射範囲の縁部50よりも外側ということになる。そこで、図4aに示す形態では、レーザ光Lの照射範囲の縁部50を、半導体層12aの縁部12eまたはその縁部12eよりも若干半導体層12a側の内側に位置させることで、エネルギー、温度、相などが大きく変化する境界が分離溝31に位置するようにする。そして、エネルギー、温度、相などが大きく変化する境界が位置する分離溝31には半導体層12a、12bが存在しないので、半導体層12a、12bに対するダメージを防ぐことができる。また、分離溝31の絶縁膜15がレーザ光Lの照射範囲にかからないため、分離溝31の絶縁膜15に過大なエネルギーや熱が作用することを抑制できる。これにより、絶縁膜15にクラックが生じることによる信頼性の低下や、絶縁膜15が大きく変形し半導体層12a、12bに対して応力を与えてしまうといったことを防ぐことが可能となる。次に、図4bは、基板1に溝32を形成した形態を示す。溝32は、基板1における分離溝31に対向する部分に形成される。溝32は、例えば図3aに示される分離溝31と同様にウェーハ全体にわたって格子状に形成される。溝32の幅は分離溝31の幅よりも小さく、半導体層12aの縁部は溝32にかかっていない。レーザ光Lの照射時、基板1と半導体層12aとの界面で発生したガスを、溝32を介してウェーハ外へと逃がすことが可能である。レーザ光Lの照射時、分離溝31における絶縁膜15は基板1との密着力が低下し、あるいは変形する。これにより、基板1と半導体層12aとの界面で発生したガスは、絶縁膜15と基板1との間を通りやすくなり、溝32に到達可能である。溝32を形成することで、レーザ光Lの照射時に発生したガスを効果的に逃がすことができ、発光素子12付近でガス圧力が高まるのを防ぐことができる。この場合、ウェーハの外周側からレーザ光照射を行わなくても、ウェーハ全体にわたって既にガス抜きのための溝32が形成されているため、先にウェーハ内周側に対してレーザ光照射を行っても溝32を介して、発生したガスをウェーハ外に逃がすことができる。前述した図1bに示す工程で分離溝31を形成した後、その分離溝31に対向する部分に溝32は形成される。その後、基板1の主面上に絶縁膜15が形成される。絶縁膜15は液状もしくは粘性のある状態で基板1の主面上に供給された後硬化する。そこで、溝32の幅を例えば1μm以下と微細にし、絶縁膜15として比較的粘度の高い例えばポリイミドを用いることで、溝32が絶縁膜15で埋まらないようにできる。また、図4cに示すように、絶縁膜15側に溝33を形成してもよい。溝33は、分離溝31に設けられた絶縁膜15中の空所として形成されている。溝33も、例えば図3aに示される分離溝31と同様にウェーハ全体にわたって格子状に形成される。溝33の幅は分離溝31の幅よりも小さく、半導体層12aの縁部は溝33にかかっていない。この場合も、レーザ光Lの照射時、基板1と半導体層12aとの界面で発生したガスを、溝33を介してウェーハ外へと逃がすことが可能である。さらに、ウェーハの外周側からレーザ光照射を行わなくても、ウェーハ全体にわたって既にガス抜きのための溝33が形成されているため、先にウェーハ内周側に対してレーザ光照射を行っても溝33を介して、発生したガスをウェーハ外に逃がすことができる。図1dの工程の後、分離溝31に設けられた絶縁膜15に局所的に基板1の裏面側からレーザ光を照射するレーザーアブレーションを行うことで、絶縁膜15に空所を形成することができる。このときのレーザ光は、基板1剥離時のレーザ光Lよりも照射範囲が狭く、スポット状に絞り込まれている。このレーザーアブレーションにより、分離溝31に設けられた絶縁膜15の一部を気化させて溝33を形成することができる。したがって、少なくとも溝33を形成する部分は、レーザーアブレーションによって気化する例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタンなどの樹脂にすることが望ましい。溝33はウェーハ全体にわたって形成されるため、気化した樹脂はその溝33を介してウェーハ外に抜ける。図5は、半導体層12aを分離する分離溝の他の形成方法を示す。この方法では、前述した図1bに示す段階で分離溝31の形成工程は行われずに、図1dの工程まで進められる。したがって、図5aに示すように、半導体層12aは分離されずつながったままである。そして、図5bに示すように、分離溝を形成する部分にのみ局所的に基板1の裏面側からレーザ光L’を照射するレーザーアブレーションを行う。このレーザ光L’は、基板剥離時のレーザ光Lよりも照射範囲が狭く、スポット状に絞り込まれている。このレーザーアブレーションにより、半導体層12aを気化させて除去する。これにより、半導体層12aを分離する分離溝34が形成される。この分離溝34内には絶縁膜15が設けられていないので、基板剥離時のレーザ光Lの照射により発生するガスの逃げ道としても機能する。分離溝34も、ウェーハ全体にわたって例えば格子状に形成される。また、半導体層12aを確実に完全に分離させるために、分離溝34を形成する部分の半導体層12aに接する絶縁膜15の一部もレーザーアブレーションにより除去することが望ましい。したがって、その部分は、前述したポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタンなどの、レーザーアブレーションによって気化する材料にしておくのが望ましい。また、絶縁膜15の一部を除去することで、ガスを逃がすための経路の断面積を増大して、ガスを効率的に逃がすことも可能となる。基板剥離時には、図5cに示すように、レーザ光Lの照射範囲の縁部50が、発光素子12が存在しない分離溝34に位置するようにレーザ光Lを照射する。これにより、発光素子12のダメージを防ぐことができる。さらに、空所である分離溝34を介してガスを逃がすことができるので、発光素子12付近のガス圧力の高まりをより効果的に回避することができる。図6aは、半導体層12a、12bの側面を、酸化珪素や窒化珪素などの誘電体等からなるパッシベーション膜70で覆った構造を示す。これにより、リーク電流を抑制し、また半導体層12a、12bの側面の酸化による信頼性低下を防止できる。パッシベーション膜70を分離溝31では分割することにより、レーザーリフトオフ法による基板1の剥離時の衝撃をパッシベーション膜70を介して隣接素子に伝播させないことが可能となる。また、図6bに示すように、分離溝31の位置で、パッシベーション膜70下に空洞71を形成することで、レーザーリフトオフ時に発生するガスの逃げ道を積極的に確保可能となり、衝撃による半導体層12a、12bの破損を抑制可能となる。空洞71は、基板1上の分離溝31に犠牲層を形成し、その犠牲層をエッチングなどにより除去することで形成可能である。以上、図面を参照し、本発明の実施の形態について説明した。しかしながら本発明はこれらに限定されない。基板、発光素子、電極、配線層、金属ピラー、絶縁膜、樹脂の材料、サイズ、形状、レイアウトなどに関して当業者が各種設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。