基板が配置される下部電極と、前記下部電極に対向する上部電極とを備え、前記下部電極と前記上部電極との間に導入されるエッチングガスには、高周波電圧が印加され、前記下部電極の外縁領域には、下部電極保護材が設けられており、前記下部電極保護材の表面の少なくとも一部には、前記基板における被エッチング膜のエッチングレートとは異なるエッチングレートを有するリング部材が設けられている、ドライエッチング装置。前記リング部材は、シリコン、窒化シリコン、銅およびチタンからなる群から選択される材料から構成されている、請求項1に記載のドライエッチング装置。前記リング部材は、前記基板における被エッチング膜のエッチングレートよりも低いエッチングレートを有する材料から構成されている、請求項1または2に記載のドライエッチング装置。前記基板における被エッチング膜は、金属膜、半導体膜および絶縁膜からなる群から選択される膜であり、前記リング部材を構成する材料は、前記基板の中央部のエッチングレートと、前記基板の外縁部のエッチングレートとの差を調整する材料である、請求項1から3の何れか1つに記載のドライエッチング装置。前記下部電極保護材は、前記下部電極の外周側の側に位置する第1保護部材と、前記第1保護部材から外周側に延びた第2保護部材とから構成されており、前記第2保護部材の上に、前記リング部材が位置している、請求項1から4の何れか1つに記載のドライエッチング装置。前記第1保護部材の上面と、前記リング部材の上面とは同一平面上に位置している、請求項5に記載のドライエッチング装置。前記下部電極および前記上部電極を収容するプロセスチャンバの内壁には、前記被エッチング膜のエッチングレートとは異なるエッチングレートを有する材料が形成されている、請求項1から6の何れか1つに記載のドライエッチング装置。基板が配置される下部電極と、前記下部電極に対向する上部電極と、前記下部電極および前記上部電極を収容するプロセスチャンバとを備え、前記下部電極と前記上部電極との間に導入されるエッチングガスには、高周波電圧が印加され、前記下部電極の外縁領域には、下部電極保護材が設けられており、前記プロセスチャンバの内壁には、前記被エッチング膜のエッチングレートとは異なるエッチングレートを有する材料が形成されている、ドライエッチング装置。前記基板は、液晶パネル用マザーガラスである、請求項1から8の何れか1つに記載のドライエッチング装置。図6に示した構成では、ウエハ110の周囲に、ウエハ110の被エッチング膜の主成分と同じ材料から構成されたフォーカスリング122を配置することによって、ウエハ110の周端部付近におけるプラズマ分布の偏りを抑えることができる。その結果、ウエハ110におけるエッチングレートを基板全体において均一にすることが容易になる。しかしながら、フォーカスリング122は、ウエハ110の被エッチング膜の主成分と同じ材料から構成されていることから、プラズマエッチング時において、フォーカスリング122はエッチングによって消費されてしまう。それゆえに、このフォーカスリング122を用いたプラズマエッチングは、フォーカスリング122の消耗が早いためにコスト高のプロセスとなる。さらに、フォーカスリング122の少なくとも表面は、被エッチング膜の主成分と同じ材料から構成されていることから、プラズマエッチングの処理時において、エッチング生成物が増加してしまう。その結果、プラズマエッチング装置のチャンバ内におけるパーティクルエッチング生成物の粒子が増加し、ウエハのエッチングに不具合を起こす可能性が高くなってしまう。また、直径300ミリメートル程度の円板形状の半導体ウエハのプラズマエッチングと比較して、寸法が3メートル程度の矩形の液晶パネル用マザーガラスのプラズマエッチングを実行する場合には、このフォーカスリングの消耗によるコスト高の問題、または、パーティクル増大の問題はより顕著になる。本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、ドライエッチングにおける基板面内の均一性を確保するとともに、エッチングで生成するパーティクルの増加を抑制することができるドライエッチング装置を提供することにある。本発明に係るドライエッチング装置は、基板が配置される下部電極と、前記下部電極に対向する上部電極とを備え、前記下部電極と前記上部電極との間に導入されるエッチングガスには、高周波電圧が印加され、前記下部電極の外縁領域には、下部電極保護材が設けられており、前記下部電極保護材の表面の少なくとも一部には、前記基板における被エッチング膜のエッチングレートとは異なるエッチングレートを有するリング部材が設けられている。ある好適な実施形態において、前記リング部材は、シリコン、窒化シリコン、銅およびチタンからなる群から選択される材料から構成されている。ある好適な実施形態において、前記リング部材は、前記基板における被エッチング膜のエッチングレートよりも低いエッチングレートを有する材料から構成されている。ある好適な実施形態において、前記基板における被エッチング膜は、金属膜、半導体膜および絶縁膜からなる群から選択される膜であり、前記リング部材を構成する材料は、前記基板の中央部のエッチングレートと、前記基板の外縁部のエッチングレートとの差を調整する材料である。ある好適な実施形態において、前記下部電極保護材は、前記下部電極の外周側に位置する第1保護部材と、前記第1保護部材から外周側に延びた第2保護部材とから構成されており、前記第2保護部材の上に、前記リング部材が位置している。ある好適な実施形態において、前記第1保護部材の上面と、前記リング部材の上面とは同一平面上に位置している。ある好適な実施形態において、前記下部電極および前記上部電極を収容するプロセスチャンバの内壁には、前記被エッチング膜のエッチングレートとは異なるエッチングレートを有する材料が形成されている。本発明に係る他のドライエッチング装置は、基板が配置される下部電極と、前記下部電極に対向する上部電極と、前記下部電極および前記上部電極を収容するプロセスチャンバとを備え、前記下部電極と前記上部電極との間に導入されるエッチングガスには、高周波電圧が印加され、前記下部電極の外縁領域には、下部電極保護材が設けられており、前記プロセスチャンバの内壁には、前記被エッチング膜のエッチングレートとは異なるエッチングレートを有する材料が形成されている。ある好適な実施形態において、前記基板は、液晶パネル用マザーガラスである。本発明によれば、下部電極と上部電極との間に導入されるエッチングガスに高周波電圧が印加されるドライエッチング装置において、下部電極の外縁領域に設けられた下部電極保護材の表面の少なくとも一部には、基板における被エッチング膜のエッチングレートとは異なるエッチングレートを有するリング部材が設けられている。したがって、基板の中央部のエッチングレートと、基板の外縁部のエッチングレートとの差が少なくなるような材料を用いてリング部材を構成することにより、基板面内におけるプラズマ均一性を確保することが容易となり、その結果、ドライエッチングにおける基板面内の均一性を確保することができる。また、基板における被エッチング膜のエッチングレートとは異なるエッチングレートを有するリング部材を用いていることから、ドライエッチングによるリング部材の消費を抑制することが可能となり、その結果、ドライエッチングプロセスにおけるコストを抑制することができるとともに、エッチング生成物の粒子パーティクルの発生を抑制することが可能となる。図面を参照しながら、本発明の好適ないくつかの実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。なお、以下の図面において、同じ作用を奏する部材、部位には同じ符号を付し、重複する説明は省略又は簡略化することがある。また、各図における寸法関係長さ、幅、厚さ等は、必ずしも実際の寸法関係を正確に反映するものではない。また、図中のハッチングは、構成要素の把握のし易さを主な目的として付しており、必ずしも材料の要素を表現するものではない。加えて、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。図1は、本発明の実施形態に係るドライエッチング装置100の構成を模式的に示している。本実施形態のドライエッチング装置100は、プラズマを用いたドライエッチング装置である。具体的には、ドライエッチング装置100では、電極41、42間に高周波電圧を印加することで電極間にプラズマ40を発生させ、このプラズマ40中で生成した反応性イオンを基板10の表面と反応させることによってエッチングを行う。本実施形態のドライエッチング装置100は、基板10が配置される下部電極42と、下部電極42に対向する上部電極41とから構成されている。下部電極42と上部電極41との間にはエッチングガスが導入される。また、下部電極42と上部電極との間には高周波電圧が印加されてプラズマ40が形成される。下部電極42および上部電極41は、プロセスチャンバ30に収容されている。具体的には、図1に示したドライエッチング装置100は、平行平板型プラズマエッチング装置であり、チャンバ30内には、上部電極41と下部電極42とが対向して配置されている。下部電極42の表面42aに基板10例えば、液晶パネル用マザーガラスが配置される。下部電極42の表面42aは、静電チャックの機能を有するものが好ましく、それによって基板10を下部電極42の表面42aに固定することができる。チャンバ30の内壁34と下部電極42との間には、エッチング生成物などの排出物を外部に排出するための排気溝32が存在する。また、この例では、上部電極41はグランド43に接続されており、一方、下部電極42は高周波電源44に接続されている。チャンバ30の一部ここでは底部には、排気口47が形成されており、排気口47を通じて排気が実行される矢印48。すなわち、ドライエッチングで生じたエッチング生成物などの排出物は、排気溝32に吸い込まれた後、排気口47から排出される矢印48。なお、チャンバ30内には、エッチングガスの導入口不図示も配置されている。本実施形態の構成では、下部電極42の外縁領域には、下部電極保護材20が設けられている。また、下部電極保護材20は、絶縁性シールド例えば、セラミックシールドであり、下部電極42の絶縁性を確保するための部材である。具体的には、下部電極保護材20が外縁領域に設けられていることにより、ドライエッチング装置100を動作させた場合に発生するプラズマ40は、下部電極保護材絶縁性シールド20によって必要以上に横に広がらないようにすることができる。なお、下部電極保護材20と同様に、上部電極41にも、上部電極保護材絶縁性シールド:不図示を設けることも可能である。また、本実施形態の構成では、下部電極保護材20の表面の少なくとも一部には、基板10における被エッチング膜例えば、金属膜、半導体膜、絶縁膜などのエッチングレートとは異なるエッチングレートを有するリング部材22が設けられている。リング部材22は、エッチング時における基板10の中央部のエッチングレートと、基板10の外縁部のエッチングレートとの間の差を調整することができ、例えば、シリコン、窒化シリコン、銅、チタンなどから構成されている。図2は、ドライエッチング装置100の構成の下部電極42の上に配置された基板10の周囲の構成を示す上面図である。本実施形態の基板10は、ガラス基板であり、特に、液晶パネル用のガラス基板である。この例の基板10は、液晶パネルの寸法に切り出す前のマザーガラスであるが、切り出した後の液晶パネルのサイズのガラスであってもよい。図示した基板マザーガラス10の寸法は1辺が1メートル以上あり、具体的には、基板10が第10世代のマザーガラスの場合、その寸法は2880mmW×3130mmLである。基板10の厚さは、例えば0.7mmまたはそれ以下である。基板10は、薄膜トランジスタTFTが作製されるアレイ基板またはその作製途中のものであってもよいし、カラーフィルタCFが形成されるCF基板またはその作製途中のものであってもよい。なお、基板10は、ガラス基板の他、樹脂基板や、ウエハのような他の薄板であっても構わない。加えて、液晶パネル用の基板10に限らず、PDP、有機ELパネル、その他フラットパネルディスプレイまたは電子デバイスを製作する上での薄型の基板であってもよい。また、基板10の上に形成された薄膜被エッチング膜に応じて、使用するエッチングガスエッチャントは適宜好適なものが選択される。基板10が液晶パネル用マザーガラスである場合、基板10の寸法が大きいことから、半導体ウエハなどの基板10と比較すると、エッチングの面内均一性を確保することが難しい。さらに説明すると、図2に示すように、基板10の中央部10cのエッチングレートと、基板10の外縁部10eのエッチングレートを比較すると、基板10の外縁部10eのエッチングレートが大きくなることが多い。さらに説明すると、基板10の外縁部10eのエッチングガス具体的には、プラズマ化した反応性イオンは、反応後すぐに矢印55に示すように排気溝32に吸い込まれるために、新たな未反応のエッチングガスが供給されやすい。一方、基板10の中央部10cのエッチングガスは、排気溝32から距離が離れているので、外縁部10eのエッチングガスと比較すると、なかなか排気溝32に吸い込まれずに、それゆえに、基板10の中央部10cでは、反応が終わったエッチングガスが滞留する傾向がある。その結果、基板10の中央部10cのエッチングレートよりも、基板10の外縁部10eのエッチングレートの方が大きくなり、基板10の外縁部10eのエッチングが進む傾向が強くなる。ここで、下部電極保護材20の表面を加工し、下部電極保護材20の表面にリング部材22を配置することにより、リング部材22が存在しない場合と比較して、基板10の外縁部10eのエッチングレートを低下させることができる。具体的には、基板10における被エッチング膜よりもエッチングレートが低い材料から構成したリング部材22を、下部電極保護材20の表面に配置することによって、基板10の外縁部10eのエッチングレートを低下させることができる。すなわち、下部電極保護材20の表面にエッチングされにくい材料からなるリング部材22を配置することによって、基板10の被エッチング膜と同じ程度にエッチングされる材料が下部電極保護材20の表面に存在する場合と比較すると、プラズマ40は基板10の外縁部10eに広がり難くなる。したがって、基板10の外縁部10eにおけるプラズマ40によって生成する反応性イオンの量が減り、エッチングの量が低下する。その結果、基板10における外縁部10eと中央部10cの間のエッチングレートの差異を少なくすることができる。つまり、ドライエッチングにおける面内均一性を向上させることができる。また、エッチングされにくい材料からなるリング部材22を配置することによって、エッチングされやすい材料被エッチング膜と同じ程度にエッチングされる材料、または、それ以上にエッチングされやすい材料の場合と比較して、ドライエッチング時におけるリング部材22の消費を減らすことができる。その結果、リング部材22の交換の頻度を減らすことができ、ドライエッチングのプロセスコストを低下させることができる。さらには、リング部材22のエッチング量が減ることによって、リング部材22由来のエッチング生成物が減少し、エッチング生成物の粒子パーティクルの発生を抑制することができる。チャンバ30内でパーティクルの量が増えると、基板10の上にパーティクルが付着して不具合が生じる可能性が増え、例えば、断線、ショートまたはパターン形成の不良などが増えるおそれがある。本実施形態の構成によれば、そのようなパーティクル増大の問題を抑制することができる。エッチングレート面内均一性の問題に対応する場合、一般的に、チャンバ30内に整流ウォールを配置して、その整流の効果チャンバ内の流れをスムーズにすることによって、面内均一性を向上させることができる。しかしながら、整流ウォールを配置することにより、装置コストが高くなるという欠点がある。本実施形態の構成によれば、整流ウォールを配置しなくても、面内均一性を向上させることができる。また、整流ウォールを配置する場合でも、簡便な構成のものを配置すればよく、装置コストの上昇を抑えることができる。図3は、本実施形態のドライエッチング装置100の下部電極保護材20の周辺の構成を示す断面図であり、図2における領域50の周辺の断面図を模式的に示している。図3に示した構成例では、下部電極42の外周側の側に位置する第1保護部材21aと、第1保護部材21aから外周側に延びた第2保護部材21bとから構成されている。第2保護部材21bの上には、リング部材22が配置されている。図3に示した構成例では、下部電極保護材20を第1保護部材21aと第2保護部材21bとから構成している。したがって、下部電極保護材20の表面を加工して凹部を作成してリング部材22を配置するだけでなく、第1保護部材21aと第2保護部材21bとを組み合わせた形でリング部材22を下部電極保護材20の表面に配置することができる。第1保護部材21aと第2保護部材21bとを組み合わせた形態は、下部電極保護材20の表面を加工して凹部を形成する場合よりも簡便に作製することができるという利点がある。なお、図3に示した構成例において、第1保護部材21aと第2保護部材21bとをそれぞれ、同じ材料を用いてもあるいは異なる材料を用いても構わない。特に、第2保護部材21bは、その上にリング部材22が配置されるので、材料の制約が少なくなる。すなわち、第1保護部材21aの表面上面20aはプラズマ40の方に露出するため、好ましい材料としての制約があるが、第2保護部材21bの表面上面はリング部材22で覆われるので、第2保護部材21bを構成する材料としての制約は緩和される。また、第1保護部材21aと第2保護部材21bは、同一の材料から一体として構成されていてもよい。具体的には、断面がL字型の下部電極保護材20を作製し、その下部電極保護材20の表面の一部凹部にリング部材22を配置することができる。なお、使用する材料によっては、第1保護部材21aと第2保護部材21bを含めて全体を、リング部材22とすることが可能である。また、リング部材22は、一体構成になっているものに限らず、各辺を構成する直線状の棒状部材を合わせて基板10を囲むようにしてもよいし、L字型の棒状部材を合わせて基板10を囲むようにしてもよい。さらに、図3に示した構成では、第1保護部材21aの表面上面20aと、リング部材22の表面上面とは、同一平面または実質的に同一平面上に位置している。そして、本実施形態では、下部電極42の表面上面42aと、第1保護部材21aの表面上面20aの一部の上に、基板10は配置されている。ここで、第1保護部材21aの上面20aの方を、下部電極42の上面42aを基準にして、僅かに例えば、0.1mm程度低くしておくと、下部電極42の上面42aの方を低くした場合と比較して、基板10の周縁領域が反り上がってしまうことを抑制することができる。なお、基板10の大きさによっては、下部電極保護材20第1保護部材21aの上面20aに基板10を配置せずに、下部電極42の上面42a内で、基板10を配置することも可能である。また、図3に示した基板10の表面には、エッチングされる薄膜が形成されている。本実施形態のドライエッチング装置100では、下部電極の外縁領域に設けられた下部電極保護材20の表面には、基板10における被エッチング膜のエッチングレートとは異なるエッチングレートを有するリング部材22が設けられている。特に、基板面内のエッチングレートが中央部10cよりも外縁部10eの方が大きい場合、被エッチング膜よりも低いエッチングレートを有するリング部材22を用いると、ドライエッチングにおける基板面内の均一性を確保することが容易となる。また、そのような低いエッチングレートを有するリング部材22の場合、ドライエッチングによるリング部材22の消費を抑制することが可能となるとともに、エッチング生成物の粒子パーティクルの発生を抑制することができる。図4は、比較例1、2および実施例1におけるパーティクル低減率とエッチングレート面内均一性との結果を示すグラフである。実施例は、本実施形態のドライエッチング装置100における結果を示している。比較例1は、リング部材22を用いていないドライエッチング装置で、整流ウォールがない装置の結果である。また、比較例2は、リング部材22を用いていないドライエッチング装置で、整流ウォールがある装置の結果である。図4に示したグラフにおいて、パーティクル低減率は、5μm以上のパーティクル個数/パーティクル個数を示している。また、エッチングレート面内均一性は、基板面内の最大エッチングレートと最小エッチングレートとを、Max-Min/MaxMinの式で表したものである。比較例1では、整流フォールがないために、エッチングレート面内均一性は50と悪い結果を示している。また、比較例2では、整流フォールがあることにより、エッチングレート面内均一性は10という良い結果を示している。しかし、比較例2では、比較例1と同様にパーティクル低減率は0であり、パーティクル低減の効果は得られない。一方、本実施形態の構成である実施例では、リング部材22があることにより、整流フォールがなくても、エッチングレート面内均一性が11という良い結果を示しており、加えて、パーティクル低減率は50である。すなわち、実施例では、エッチングレート面内均一性およびパーティクル低減率ともに良い結果がでている。なお、上記実施形態では、基板面内のエッチングレートが中央部10cよりも外縁部10eの方が小さい場合、被エッチング膜よりも高いエッチングレートを有するリング部材22を用いると、ドライエッチングにおける基板面内の均一性を確保することが容易となる。すなわち、下部電極保護材20の表面にエッチングされやすい材料からなるリング部材22を配置することによって、基板10の被エッチング膜と同じ程度にエッチングされる材料が下部電極保護材20の表面に存在する場合と比較して、プラズマ40は基板10の外縁部10eに広がりやすくなる。したがって、基板10の外縁部10eにおけるプラズマ40によって生成する反応性イオンの量が増えて、エッチングの量が増大する。その結果、基板10における外縁部10eと中央部10cの間のエッチングレートの差異を少なくすることができる。つまり、ドライエッチングにおける面内均一性を向上させることができる。また、本実施形態のドライエッチング装置100は、図5に示すように改変することができる。図5は、本実施形態のドライエッチング装置100の改変例を模式的に示す上面図である。この改変例では、プロセスチャンバ30の内壁34に、基板10における被エッチング膜のエッチングレートとは異なるエッチングレートを有する材料堆積材料24が形成されている。この改変例においても、基板面内のエッチングレートが中央部10cよりも外縁部10eの方が大きい場合、被エッチング膜よりも低いエッチングレートを有する材料24をチャンバ30の内壁34に形成することにより、プラズマ40は基板10の外縁部10eに広がり難くなる。その結果、ドライエッチングにおける基板面内の均一性を確保することが容易となる。なお、図5に示した構成において、図1に示したようなリング部材22を設けることも可能である。以上、本発明の具体例を、図面を参照しながら説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、上述した実施形態の各要素を相互に適用することも可能である。