セラミックス基板の少なくとも一面に未溶融のろう材を介し金属基板が配置された被接合体を加熱接合する接合冶具であって、2層以上積層された前記被接合体が載置される平板状の第1部材と、一面が、前記第1部材の一面に相対するように配置されるとともに、前記第1部材に載置された被接合体のうち最も上層の被接合体の上方に位置するよう配置される平板状の第2部材と、前記第1部材と第2部材の間に介在し前記第2部材を支持する支持部材と、前記第2部材に配置され前記被接合体を積層方向に加圧する加圧部材とを備え、前記被接合体に作用する加圧力がろう材面積当たり10.0~100.0gf/cm2、前記第1部材に載置された被接合体のうち最も上層の被接合体に作用するろう材面積当たりの加圧力をP1、最も下層の被接合体に作用するろう材面積当たりの加圧力をP2としたときに、P2/P1≦10となるよう構成されていることを特徴とする接合冶具。前記第2部材の上方から見た平面視において、前記加圧部材は、前記被接合体の外周縁に沿い配置されている請求項1に記載の接合冶具。前記加圧部材を収納する収納箱を有し、前記第2部材の一面には、前記収納箱を案内する案内溝が設けられている請求項1または2のいずれかに記載の接合冶具。前記被接合体のセラミックス基板または金属基板の表面に接触する状態で配置される複数枚のプレートを有し、前記複数枚のプレートは、所定の質量を有する第1のプレートと、前記第1のプレートとは質量の異なる第2のプレートとで構成されている請求項1乃至3のいずれかに記載の接合冶具。請求項1乃至4のいずれかの接合冶具を複数個積層した接合冶具ユニット。前記接合冶具ユニットのうち下段の接合冶具の第2部材は、その上段の接合冶具の第1部材を兼ねている請求項5に記載の接合冶具ユニット。上記特許文献1の接合冶具によれば、本願で言う被接合体である積層構造体の拘束力が緩むことなく、セラミック基板と金属基板とを確実に接合することができるものの、依然として問題があった。従来技術の問題点について、図6を参照して説明する。図6eにおいて符号Wで示す、セラミックス基板Wbの上面一面に、半導体素子などが搭載される回路パターンとしての2種の異なった形状の第1の金属基板Wa-1および第2の金属基板Wa-2が、各々、その下方に配置されたろう材層M1およびM2を介して接合されたセラミックス回路基板以下回路基板という場合がある。を製造する場合を想定する。なお、図6eでは不図示であるが、セラミックス基板Wbの下面他面にもろう材層M3を介し放熱板として機能する平板状の金属基板Wcが接合されている図6b参照。また、第1の金属基板Wa-1と第2の金属基板Wa-2との相対する端面側面は、両者間の電気的絶縁性を確保するため間隙Sを介し対面しており、その寸法は概ね0.5~10mm程度である。以下の説明では、従来技術の問題点を明らかにするため、矩形状をなす小判の金属基板とセラミックス基板とを接合し一個の回路基板Wを形成するプロセスを例として説明するが、本発明はこれに限定されず、矩形状をなす大判の金属基板とセラミックス基板を接合して大型の接合基板を形成し、この接合基板を分割して複数の回路基板Wを形成する多数個取りのプロセスについても適用することができる。上記回路基板Wは、接合工程回路パターン形成工程ろう材除去工程を経て形成される。活性金属法を用いた接合工程においては、図6aに示すように、回路基板Wのろう材層M1およびM2の形状に対応した印刷パターンで、間隙sが形成されるように上面に所定の厚みでろう材m1およびm2を塗布するとともに下面にも所定の厚みでろう材m3図6b参照を塗布した矩形状のセラミックス基板Wbを複数枚用意する。そして、この複数枚のセラミックス基板Wbの上面と下面に、ろう材m1~m3を介し矩形状の金属基板WaWcを配置することにより被接合体w1~wnを形成する。次いで、図6aのD-D断面である図6bに示すように、上記被接合体w1~wnを、被接合体w1を最上層、被接合体wnを最下層とし複数枚積層する。なお、被接合体w1~wnの各々の間には被接合体w1~wn同士が付着することを防止するためプレートTが介在されている。上記の態様で積層された被接合体w1~wnを、非酸化雰囲気下に置き、ろう材m1~m3が溶融する温度で加熱しつつ最上段の被接合体w1の表面に対し圧力Yを印加し、その後適宜な温度パターンで冷却することによりろう材層M1~M3を形成し、各々のセラミックス基板Wbと金属基板WaWcとを接合して接合体W1~Wnを得る。ここで、最上層の被接合体w1には加圧力として圧力Yのみが作用するが、それよりも下層の被接合体には、その被接合体よりも上方にある被接合体およびプレートTの重量が圧力Yに加算され加圧力として作用することとなる。そして、この加圧力を受けて加熱溶融したろう材m1~m3は、セラミックス基板Wbよりも濡れ易い金属基板WaWcの表面に付着しつつ水平方向に濡れ広がっていくが、図6bに示すように、加圧力の低い最上層の被接合体w1においてはろう材m1m2の濡れ拡がり量がt1と小さい。一方で、下層の被接合体となるほど加圧力が増加するため濡れ拡がり量が増加し、加圧力の高い下層の被接合体wnのろう材m1m2の濡れ拡がり量は大きくt2となる。ろう材m1m2の濡れ拡がり量t2が過大な場合には、図6bにおいて符号f1で示すように、濡れ広がったろう材m1m2が金属基板Waの側面に回りこみ、その一部が金属基板Waの外周縁部の上面まで達する状態となることがある。また、図6bにおいて符号Cで示す領域の拡大図である図6cに示すように、隣接するろう材m1m2の濡れ広がった端が連結して下方に垂れ下がり、その先端f2がセラミックス基板Wbの表面に付着する場合がある。接合工程に次いで、図6eに示す回路基板Wの第1の金属基板Wa-1および第2の金属基板Wa―2を形成するための回路パターン形成工程が行われる。この回路パターン形成工程では、第1の金属基板Wa-1及び第2の金属基板Wa-2の形状に対応したレジスト膜を接合体W1~Wnの金属基板Waの表面上面に形成した後、例えば金属基板Waが銅基板である場合には塩化第2鉄を含むエッチング液を用いてエッチング処理し、間隙Sを形成することで金属基板Waを分割し、第1の金属基板Wa-1および第2の金属基板Wa―2を形成する。図6dに示すように、回路パターン形成工程で形成された第1の金属基板Wa-1および第2の金属基板Wa-2の側面からはみ出たろう材層M1M2は、両者の電気的絶縁性を確保するため、第1の金属基板Wa-1および第2の金属基板Wa-2の側面の側面からろう材層M1M2がはみ出さないよう、ろう材除去工程において、例えばCuおよびAgを主体とし活性金属としてTiを含むろう材層M1M2の場合には、過酸化水素および酸性フッ化アンモニウムを含むろう材除去液で除去される。ここで、上記接合工程の説明において触れたように、積層された被接合体w1~wnでは、ろう材m1m2の濡れ拡がり量が層ごとに異なるため、第1の金属基板Wa-1および第2の金属基板Wa-2の側面からはみ出たろう材層M1M2のはみ出し量が各層で異なり、ろう材層M1M2を除去すべき量が接合体W1~Wnごとに相違することとなる。そのため、接合体W1~Wnにおいて、同一の除去条件でろう材層M1M2を除去した場合には、下層の接合体では、ろう材層M1M2の除去量が不足し両者が接近するため、回路基板Wの絶縁特性が劣化する可能性がある。この絶縁特性が劣化という問題は、近年の回路基板Wの小型化の要請により、第1の金属基板Wa-1および第2の金属基板Wa-2の間隙Sがより狭小となる傾向にあり、顕在化している。また、上記の問題は、接合体W1~Wnごとにろう材層M1M2の除去条件を設定すれば解消できるが、製造プロセスが複雑化し、回路基板Wの高コスト化を招来する。なお、下層の被接合体wnにおけるろう材の濡れ拡がり量を抑制するため印加する圧力Yを低くした場合には、上層の被接合体w1の加圧力が不足し、ろう材層M1M2と金属基板Waの接合界面に空孔が生じ、良好な接合強度を得ることができない。加えて、図6bを参照し説明したように、ろう材m1m2の濡れ拡がりにより金属基板Waの外周縁部の上面に付着したろう材f1が存在する場合、このろう材f1により、回路パターン形成工程における金属基板Waの除去が阻害されるため、図6eにおいて符号F1で例示するように、第2の金属基板Wa-2の外周縁部に未除去部が生じ、所望の回路パターンを形成できなくなる可能性がある。さらに、図6cを参照し説明したように、ろう材m1m2の濡れ拡がりによりセラミックス基板Wbの表面に付着したろう材f2が存在する場合、ろう材f2はろう材除去工程において除去され難く、図6eに示すように、回路基板Wにおいて第1の金属基板Wa-1と第2の金属基板Wa-2との間隙Sの間にろう材残留物F2が残留する可能性がある。第1の金属基板Wa-1と第2の金属基板Wa-2との絶縁特性を確保する間隙Sに、導体であるろう材残留物F1が存在すると、回路基板Wの絶縁特性が劣化する。本発明は、上記従来技術の問題点を発明者らが鋭意検討してなしたものであり、セラミックス基板の一面に未溶融のろう材を介し金属基板が配置された被接合体を2層以上積層し加熱して接合する場合において、積層された各層の被接合体におけるろう材の濡れ拡がり量のバラツキを抑制可能な接合冶具およびその接合冶具を用いた接合冶具ユニットを提供することを目的としている。上記目的を達成する本発明の一態様は、セラミックス基板の一面に未溶融のろう材を介し金属基板が配置された被接合体を加熱接合する接合冶具であって、2層以上積層された前記被接合体が載置される平板状の第1部材と、一面が、第1部材の一面に相対するように配置されるとともに、第1部材に載置された被接合体のうち最も上層の被接合体の上方に位置するよう配置される平板状の第2部材と、第1部材と第2部材の間に介在し第2部材を支持する支持部材と、第2部材に配置され前記被接合体を積層方向に加圧する加圧部材とを備え、被接合体に作用する加圧力がろう材面積当たり10.0~100.0gf/cm2、第1部材に載置された被接合体のうち最も上層の被接合体に作用するろう材面積当たりの加圧力をP1、最も下層の被接合体に作用するろう材面積当たりの加圧力をP2としたときに、P2/P1≦10となるよう構成されていることを特徴とする接合冶具である。加熱接合する際の被接合体の外縁部の変形を防止するため、上記接合冶具の前記第2部材の上方から見た平面視において、前記加圧部材は、前記被接合体の外周縁に沿い配置されていることが望ましい。さらに、加圧部材を収納する収納箱を有し、第2部材の一面には、収納箱を案内する案内溝が設けられていることが、作業効率の面から望ましい。さらに加えて、被接合体に作用する加圧力の調整を容易にするためには、被接合体のセラミックス基板または金属基板の表面に接触する状態で配置される複数枚のプレートを有し、その複数枚のプレートは、所定の質量を有する第1のプレートと、前記第1のプレートとは質量の異なる第2のプレートとで構成されていることが望ましい。上記目的を達成する本発明の別の態様は、上記いずれかの接合冶具を複数個積層した接合冶具ユニットである。この接合冶具ユニットにおいて、下段の接合冶具の第2部材は、その上段の接合冶具の第1部材を兼ねていることが、接合冶具ユニットの低背化のためには望ましい。本発明によれば、その目的を達成することができる。以下、本発明に係わる接合冶具およびそれを用いた接合冶具ユニットついて、その実施態様に基づき図面を参照しつつ説明する。なお、本発明は、以下説明するその実施態様に限定されることなく、その作用効果を奏する限り、その技術的思想において同一の範囲で適宜変形して実施することが可能である。本発明の一実施態様である接合冶具について図1~4を参照しつつ説明する。[被接合体]本態様の接合冶具10においては、図1に示すように、図6aに示したものと同様な被接合体w1~wnの接合処理を行うものである。すなわち、図1に示すように、活性金属法を用いて接合される接合体W1~Wnが形成される被接合体w1~wnは、各々、最終製品としての回路基板のろう材層のパターンに対応し、ろう材m1~m3が上面および下面に塗布された矩形状のセラミックス基板Wbと、ろう材m1~m3を介しセラミックス基板Wbに配置された矩形状の金属基板WaWcとを有している。焼結体であるセラミックス基板Wbを構成するセラミックスとしては、例えば酸化アルミニウムアルミナ:Al2O3、酸化ジルコニウムジルコニア:ZrO2その他の酸化物系セラミックス、窒化アルミニウムAlN、窒化珪素Si3N4、窒化チタンTiNその他の窒化物系セラミックス、炭化珪素SiC、炭化チタンTiCその他の炭化物系セラミックス、その他硼化物系セラミックスなど各種のセラミックスを回路基板の用途使用条件に応じ適宜利用することができる。しかしながら、高電圧大電流が負荷されるパワー半導体モジュールIGBTモジュール等に使用される回路基板を構成するセラミックス基板Wbは、窒化アルミニウムや窒化珪素、特に強度が高く破壊靭性および熱伝導性に優れた窒化珪素で構成することが望ましい。上記セラミックス基板Wbの両面に配置される金属基板WaWcとしては、ろう材m1~m3が接合でき且つ金属基板WaWcの融点がろう材m1~m3よりも高ければ特に制約はなく、例えば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、ニッケル、ニッケル合金、ニッケルメッキを施したモリブデン、ニッケルメッキを施したタングステン、ニッケルメッキを施した鉄合金等を用いることが可能である。この中でも銅を金属部材として用いることが、電気的抵抗及び延伸性、高熱伝導性低熱抵抗性、マイグレーションが少ない等の点から最も好ましい。また、アルミニウムを金属部材として用いることは、電気的抵抗、高熱伝導性低熱抵抗性は、銅に劣るものの、アルミニウムが持つ塑性変形性を利用して、冷熱サイクルに対する実装信頼性を有する点で好ましい。その他にも電気的抵抗を重視すれば銀を用いることも好ましく、また電気的特性よりも接合後の信頼性を考慮する場合にはモリブデンやタングステンを用いれば、それらの熱膨張率が窒化アルミニウム、窒化珪素に近いことから接合時の熱応力を小さくすることができるので好ましい。なお、セラミックス基板Wbと金属基板WaWcの厚みは、冷熱サイクル等で作用する熱応力や搭載される半導体素子が生じる熱の伝導性などを考慮し適宜設定されるが、セラミックス基板Wbの厚みを0.15~0.8mmの範囲とする一方で、金属基板WaWcの厚みを0.2~1.5mmの範囲として、両者を組み合わせると熱膨張差による変形などの影響が少なくなる。回路基板Wにおいてろう材層M1~M3を構成するため、被接合体w1~wnにおいてセラミックス基板Wbと金属基板WaWcとの間に介在されるろう材m1~m3としては、代表的には、高強度高封着性等が得られる、共晶組成であるAgとCuを主体としTiZrHf等の活性金属を添加したAg-Cu系活性ろう材、さらにセラミックス基板Wbと金属基板WaWcの接合強度の観点から好ましくはこれにInが添加された三元系のAg-Cu-In系活性ろう材を使用することができる。なお、セラミックス基板Wbと金属基板WaWcの接合強度の観点から、ろう材層m1~m3の厚みは、20~80μmであることが好ましい。また、ろう材を溶融するための加熱温度は、一般的な温度範囲である、ろう材の融点より25~75°C高い範囲で設定すればよい。加熱温度が融点より25°C未満であるとろう材の溶融が充分でなくセラミックス基板Wbと金属基板WaWcとの接合強度が低下する虞がある。一方で、融点より75°Cを超えると溶融したろう材が濡れ拡がりやすい。なお、本発明に係わる接合冶具によれば、上記範囲の加熱温度であれば同様な効果を奏することができる。ここで、ろう材m1~m3としてAg-Cu-In系活性ろう材を使用する場合には、Ag:55~80質量、In:1~5質量、酸素含有量0.1質量以下、残部Cu及び不可避不純物からなる平均粒子径15~40μmの合金粉末100質量部に対し、さらに平均粒子径1~15μmのAg粉末粒子を5~30質量部および45μm以下の粒子サイズが85以上の活性金属水素化物を0.5~5質量部添加し、前記合金粉末粒子間の間隙を埋めるようにAg粉末粒子および活性金属水素化物を混合してなるろう材を使用することが好ましい。さらに、活性金属水素化物を構成する活性金属としては、Ti、Zr、Hfなど周期律表第IVa族に属する元素を用いることができるが、この中でも特にTiはセラミックス基板Wbとして窒化アルミニウム基板や窒化珪素基板を用いた場合にその反応性が高く接合強度を高くすることができる。したがって、活性金属水素化物としては、TiH水素化チタンを使用することが望ましい。さらに、合金粉末と添加したAg粉末、活性金属水素化物からなる混合粉末中に占めるInおよび活性金属水素化物を除いた、AgとCuの組成比は、AgとCuの合計重量を100質量AgとCuで100としたとき、Agを57~85質量、Cuを15~43質量とすることが好ましい。この組成比の範囲では、加熱冷却後のろう材表面部の凹凸形状の抑制に効果があり、更には、Ag-Cu状態図おける共晶組成よりもAg-rich側の固液共存組成域において、処理温度を任意に選択することで、接合処理時の融液量を調整することができ、これにより、ろう材の流れ出し現象を抑制することが可能となる。ここで用いられるAg-Cu-Inからなる合金粉末は、スクリーン印刷を行う場合のパターン印刷精度や接合する銅板への流れ出しを抑制する上で平均粒径15~40μmの粉末を使用することが好ましく、さらに20~30μm程度の粉末を使用することがより好適である。粉末状のままのろう材m1~m3を所定の印刷パターンでセラミックス基板Wbに塗布することは困難であるため、ペースト化したろう材m1~m3ろう材ペーストをスクリーン印刷法などでセラミックス基板Wbに塗布することが通例である。このろう材ペーストは、上記粉末状のろう材m1~m3、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、イソホロン、トルエン、酢酸エチル、テレピネオール、ジエチレンングリコールモノブチルエーテル、テキサノールその他有機溶剤、ポリイソブチルメタクリレート、エチルセルロース、メチルセルロース、アクリル樹脂その他高分子化合物からなるバインダー、および粉末状のろう材m1~m3の分散性を改善するために必要に応じ分散剤を、ボールミル、アトライター等の撹拌機を用いて混合し、形成することができる。接合工程における濡れ拡がりを抑制する観点から、ろう材ペーストの粘度は20~200Pasの範囲とすることが好ましい。ろう材ペーストの粘度が20Pas未満であると流動性が高すぎるため、接合工程の初期段階において加圧によりろう材ペーストが拡がり易く、また保形性に欠けるため印刷後のろう材ペーストの形状精度を維持できない。さらに、ろう材ペーストの粘度が低いと、形成後のろう材層に空孔が生じやすい傾向にある。一方で、粘度が200Pasを越えると保形性が高すぎるため、印刷後のろう材ペーストの厚みが厚くなり、接合工程の初期段階において加圧によりろう材ペーストが拡がり易くなる。加えて、ろう材ペーストの粘度が高い場合は、スクリーン印刷法で印刷する場合に、スクリーンマスクの目開きにろう材ペーストが導入されがたく、印刷パターンに擦れなどが生じる可能性もある。このような範囲の粘度を有するろう材ペーストは、有機溶剤を5~15質量の範囲、バインダーを1~5質量の範囲で配合することにより、形成することができる。さらに、この範囲でバインダーを配合することにより、接合工程におけるバインダーの除去が速やかに行われ好適である。[接合冶具]上記被接合体w1~wnのセラミックス基板Wbと金属基板WaWcとを接合させ接合体W1~Wnを形成する接合冶具10の構成について以下説明する。接合冶具10の正面図である図1、一部を切り欠いた図1の右側面図である図2、図1のA-A矢視図である図3において、符号1aは、本体部1を構成する、主面が水平な状態で積層された複数の被接合体w1~wnが載置される平板状の第1部材である。なお、以下の説明では、平面図である図3に示す接合冶具1の奥行方向の位置関係を、図示のとおり、紙面下方である正面を前、上方である背面を後と称することとする。被接合体w1~wnは、図示のように最上層が被接合体w1、最下層が被接合体wnとなるよう積層されており、各層の被接合体w1~wnの間には相互の固着を防止するため接合工程における高温加熱により金属基板WaWcと反応しない例えばセラミックスやカーボン等で構成された重量の異なる2種の第1のプレートT1および第2のプレートT2が被接合体w1~wnと密着する状態で介在されている。なお、第1のプレートT1に対し第2のプレートT2は軽量であるが、その理由は後述する。図において符号1bは、第1部材1aの上面に下面が相対するように配置された平板状の第2部材である。第2部材1bは、第1部材1aに載置された被接合体w1~wnのうち最も上層の被接合体w1の上方に位置するよう、その下面と被接合体w1の上面金属基板Waの上面との間に一定の間隙が形成される状態で配置される。図において符号1c1f1gは、第1部材1aと第2部材1bとの間に介在され第2部材1bを支持する支持部材である。下面が第1部材1aの上面に接するように立設され固定された略円柱形状をなす支持部材1c1f1gは、図3に示すように、矩形状をなす第1部材1aの3辺、具体的には左辺に沿い支持部材1cが、後辺に沿い支持部材1fが、右辺に沿い支持部材1gが、各々3本ほぼ等間隔で並設されている。なお、被接合材w1~wnを第1部材1aに載置するため、第1部材1aの前辺には支持部材は配置されていない。そして、上記態様で配置されたほぼ同一長さの各支持部材1c1f1gの上面は、第2部材1bの下面に接する状態で配置されているとともに、第2部材1bに形成された不図示の貫通孔を通して挿入された螺子部を有する螺子1dで各々固定されている。上記のように支持部材1c1g1fを略円柱形状とし、3本の支持部材1c1g1fの間に隙間が形成されるよう配置することにより、被接合体w1~wnが配置される支持部材1c1g1fの内部と外部との気体の流通性が確保される。ここで、ろう材m1~m3としてろう材ペーストを使用する場合、このろう材ペーストに含まれるバインダーは接合工程における加熱によりガス化し、ろう材ペーストから放出脱脂されるが、気体の流通性を確保した上記支持部材1c1g1fの配置構成により、ろう材ペーストからガスが円滑に放出されるので、溶融したろう材m1~m3にガスが留まり、その後形成されるろう材層に空孔が生成することを抑制することができる。図において符号3は、第2部材1bに配置された、加圧部材が組み込まれた加圧部である。図1のB部の拡大図である図4に示すように、加圧部3は、加圧部材として弾性を有する圧縮バネ3aと、圧縮バネ3aが伸縮自在に収められる有底の収納孔部3cが形成された収納容器3b3d3eとを有している。そして圧縮バネ3aが収められた収納容器3b3d3eは、接合冶具10の正面から背面に向かい第2部材1bの下面に形成された凹状の案内溝1eに装着される。収納容器3b3d3eが案内溝1eに装着され、第2部材1bの案内溝1eの上面と収納容器3b3d3eの収納孔部3cの底面との間において所定の量だけ圧縮された状態となるよう圧縮バネ3aが配置されたときに、所定の力が生じるよう圧縮バネ3aは設定されている。したがって、圧縮バネ3aで生じた力は加圧力として、最上層の被接合体w1の上方に密着して配置された第1のプレートT1を通じ、被接合体w1~wnに作用することとなる。ここで、加圧部材である圧縮バネ3aを収納容器3b3d3eに配置することは必須ではないが、第2部材1bをわざわざ取り外すことなく、被接合体w1~wnを第1部材1aに積層した後、形状や姿勢を適切に保持しつつ簡便に圧縮バネ3aを配置でき好ましい。また、第2部材1bに凹溝1eを設けることも必須ではないが、圧縮バネ3aの配置位置を凹溝1eで正確に位置決めして被接合体w1~wnにおいて加圧力が負荷される位置を常に一定とできるので好ましい。さらに、図3に示すように、本態様の接合冶具1では好ましい構成として、平面視において、被接合体w1~wnの外周縁に沿い圧縮バネ3aを配置している。具体的には、接合冶具1は、図1および3に示すように、3個の収納孔部3cが形成された3個の長尺箱状の収納容器3b3d3eと、収納容器3b3d3eが各々装着される、第2部材1bに形成された3条の案内溝1eを有している。収納容器3b3d3eに形成された3個の収納孔部3cは、第1部材1aに載置された被接合体w1~wnに対し、奥行方向において、その後辺h2と前辺h4の内側近傍およびそれらの中央に位置するよう形成されている。また、収納容器3b3d3eが装着される3条の案内溝1eは、第1部材1aに載置された被接合体w1~wnに対し、水平方向において、その左辺h1および右辺h3の内側近傍およびそれらの中央に位置するよう形成されている。そして、収納容器3b3d3eの収納孔部3cには圧縮バネ3aを配置するが、水平方向において中央に配置した収納容器3dの奥行方向において中央に形成した収納孔部3cには圧縮バネ3aを配置しない。しかして、被接合体w1~wnは、その4辺h1~h4に沿い配置された圧縮バネ3aにより外周縁部のみが高い加圧力で加圧され、その中央部を加圧する加圧力は外周縁部に比較し低いものとなる。ここで、セラミックス基板Wbと金属基板WaWcとの熱膨張率の差により、接合工程において被接合体w1~wnは外周縁に向かうほど上方に反り、椀形状に変形しやすく、被接合体w1~wnの全体を平均した加圧力で加圧した場合には、形成された接合体W1~Wnの平面度が低下する可能性がある。しかしながら、本態様の接合冶具10によれば、被接合体w1~wnの外周縁部をより高い加圧力で加圧するため、被接合体w1~wnの椀形状の変形を矯正して適切な平面度を有する接合体W1~Wnを形成することができる。なお、加圧部材としては圧縮バネ3aに限定されず、例えば流体圧により伸縮する構成の加圧部材や適宜な弾性を有する弾性体を利用することができる。また、加圧部材を構成する材料としては、接合工程において負荷される高温に耐えうる材料であればよいが、例えば高温強度の高い材料であるセラミックスで加圧部材を形成すれば、使用中に破壊し難く、高温時における弾性率の変化が少ないので好ましい。図において符号2a2bは、本態様の接合冶具10において好ましい構成要素として配置された、各々一定の厚みtを有する矩形状の第1平板および第2平板である。図3に示すように、第1平板2aは、その左側面一方の面2cが、第1部材1aの左辺一辺に沿い配置された同一径の各支持部材1cの右方頂部に密接するように配置される。また、第2平板2bは、その後側面一方の面2eが、支持部材1cの並び方向に直交する方向である第1部材1aの奥辺他辺に沿い配置された同一径の支持部材1fの前方頂部に密接するように配置される。このように配置された第1平板2aおよび第2平板2bに対し、被接合体w1~wnは、各々のセラミックス基板Wbおよび金属基板WaWcの左辺h1が、第1平板2aの左側面2cに相対する右側面他方の面2dに、その後辺h2が、第2平板2bの後側面2eに相対する前側面他方の面2fに密着するよう配置される。そして、上記のように被接合体w1~wnが配置された後、第1平板2aおよび第2平板2bは接合冶具10から各々水平方向に引き抜かれ、その結果、支持部材1cと被接合体w1~wnの左辺h1、支持部材1fと被接合体w1~wnの上辺h2、各々の間には、大きさがtの間隙が形成される。上記第1平板2aおよび第2平板2bは被接合体w1~wnを接合するうえで必ずしも備える必要はないが、接合工程における金属基板WaWcの破損を抑制するためには有利である。すなわち、セラミックス基板Wbに対し熱膨張率の大きな金属基板WaWcは、接合工程における被接合体w1~wnの加熱により膨張して水平方向に延びる。ここで、支持部材1cおよび1fと被接合体w1~wnの間に、加熱による金属基板WaWcの水平方向の膨張量を考慮した所定の間隙tを第1平板2aおよび第2平板2bにより形成してある。その結果、熱膨張により延びた金属基板WaWcの左辺h1および上辺h2が支持部材1c1fに触れることなく、金属基板WaWcの損傷を防止することができる。なお、上記第1部材1a、第2部材1b、支持部材1c1f1gは、接合工程において負荷される600~800°C程度の高温に耐え、変形し難い材料、例えばセラミックスやカーボンで形成することが好ましく、加工性が良好であり低コストで接合冶具10を形成可能なカーボンで構成すれば好適である。上記構成の接合冶具10では、被接合体w1~wnに作用する加圧力が、ろう材m1~m3の面積当たり10.0~100.0gf/cm2の範囲とする。加圧力が10.0gf/cm2未満の場合には加圧が不足するため、接合後のろう材層とセラミックス基板Wbまたは金属基板WaWcとの接合界面に空孔が生じ、十分な接合強度を有する接合体W1~Wnを形成することができない。一方で、加圧力が100.0gf/cm2を超える場合には加圧が過剰であり、ろう材m1~m3の濡れ拡がりが大きくなり、上記説明したように回路基板の絶縁特性が劣化する可能性がある。同様な観点から加圧力は、30.0~80.0gf/cm2の範囲とすることが望ましく、60.0~70.0gf/cm2の範囲であれば好適である。さらに、上記構成の接合冶具10では、第1部材1aに載置された被接合体w1~wnのうち最も上層の被接合体w1に作用するろう材m1~m3の面積当たりの加圧力をP1、最も下層の被接合体wnに作用するろう材m1~m3の面積当たりの加圧力をP2としたときに、P2/P1≦10となるよう構成されている。P2とP1の比が10以下であることは、最上層の被接合体w1から最下層の被接合体wnに到る積層された各層の被接合体に作用する加圧力の差が極めて少なく、ろう材m1~m3の濡れ拡がり量のバラツキが少ない被接合体w1~wnを得ることができることを意味している。したがって、P2/P1の範囲が10を超える場合には、ろう材m1~m3の濡れ拡がり量のバラツキが増大し、ろう材除去工程において同一の条件で接合体W1~Wnのろう材層を除去した場合に、ろう材層のはみ出し量L図6d参照が接合体W1~Wnごとに異なることとなり、上記したように最終製品である回路基板において金属基板WaWcが熱応力により剥離したり、その絶縁特性が劣化する可能性がある。なお、同様な観点からP2/P1は5以下であることが望ましく、2以下であれば好適である。ここで、被接合体w1~wnへの加圧力は、加圧部材である圧縮バネ3aの線径や有効巻き数などを適宜設定したり、被接合体w1~wnの積層枚数を適宜設定することにより、上記の範囲となるよう調整することができる。しかしながら、各層の被接合体w1~wnに作用する加圧力をより精度高く調整するためには、被接合体w1~wnの各層の間に介在させる固着防止用のプレートとして、重量の異なる2種以上のプレートT1T2を用いることが望ましい。すなわち、被接合体w1~wnの相互の固着を防止するため基本的には第1のプレートT1を用いつつ、下層の被接合体に付加される加圧力を調整するため第1のプレートT1より軽量な第2のプレートT2を使用すれば良い。このようなプレートT1T2の配置方法としては、例えば、図1に示すように、重量の大きな2枚の第1のプレートT1の間に、重量の小さな第2のプレートT2を配置するようにしてもよいし、また、上方から下方に向けて如々にプレートT1T2の重量を減ずるようにしてもよい。なお、第1のプレートT1と第2のプレートT2の重量は、各々厚みを変えたりや密度の異なる材料で構成して、両者の重量を異ならせてもよい。さらに、第1のプレートT1と第2のプレートT2に孔部や凹部を形成して、両者の重量を異ならせてもよい。[接合冶具ユニット]上記説明した接合冶具10を利用した接合冶具ユニットについて、その正面図である図5を参照して説明する。接合冶具ユニット20は、図5に示すように、基本的に上記接合冶具10と同様な構成の2式の接合冶具40と50を上下に組み合わせて形成されている。すなわち、上方に配置された接合冶具40は、被接合体が載置される第1部材4aと第1部材4aに相対するように配置された第2部材4bとを備えた本体部1を有し、接合冶具40の下方に配置された接合冶具50も、被接合体が載置される第1部材5aと第1部材5aに相対するように配置された第2部材5bとを備えた本体部1を有している。ここで、接合冶具40の第1部材4aは、接合冶具50の第2部材5bを兼ねている。このように複数の接合冶具4050を組み合わせて接合冶具ユニット20とすることにより、接合工程における被接合体の処理数を増加させて効率的に被接合体の接合を行えるとともに、接合冶具ユニット20を低背化することにより接合冶具ユニット20を収納する容量に限りのある加熱炉を有効に利用することができる。なお、このように2式の接合冶具4050を組み合わせた接合冶具ユニット20において、上記説明した加圧部3の構成は、第2部材4b5bをいちいち取り外すことなく、第1部材4a5aともに載置した状態で被接合体を加圧できる点で有利である。[実施例]以下、セラミックス基板である窒化珪素基板の両面に、回路基板および放熱基板として金属基板である銅基板を配置した被接合体を接合し、接合体を形成した場合の実施例について説明する。なお、本発明は、以下説明する実施例に限定されることは無い。[実施例1~5、比較例12]窒化珪素基板は、以下の方法で形成した。窒化珪素粉末:92~98質量に対し、MgO:1~4質量、およびY2O3:1~4質量の焼結助剤を添加した混合粉末を、エタノールブタノール溶液を満たしたボールミルの樹脂製ポット中に、前記混合粉末および粉砕媒体の窒化珪素製ボールを投入し、所定時間湿式混合した。次に、前記ポット中の混合粉末に対し、所定量のポリビニル系の有機バインダおよび可塑剤を添加し、次いで所定時間湿式混合し、シート成形用スラリーを得た。この成形用スラリーを脱泡、溶媒除去により粘度を調整し、ドクターブレード法によりグリーンシートを成形した。次に、成形したグリーンシートを空気中で加熱することにより有機バインダ成分を十分に脱脂除去し、次いで脱脂体を窒素雰囲気中において焼成した。得られた窒化珪素焼結体シートをサンドブラスト処理により表面性状を調整し、縦120mm、横105mm、厚さ0.32mmの窒化珪素基板を得た。なお、この窒化珪素基板は、図6fに示すように、図6eに示す回路基板Wが縦横に54個並列するよう形成する多数個取りの窒化珪素基板Wbである。上記のように形成した窒化珪素基板の両面に、Ag-Cu-In系活性ろう材を含むろう材ペーストをスクリーン印刷で塗布し、その後、120°Cの乾燥炉で30分間乾燥し、ろう材ペースト中の溶媒を除去した。ここで、本実施例で使用したろう材ペーストは、Ag:70質量、In:5質量、酸素含有量0.1質量以下、残部Cu及び不可避不純物からなる平均粒子径20μmの合金粉末100質量部に対し、さらに平均粒子径10μmのAg粉末粒子を10質量部および45μm以下の粒子サイズが85以上の水素化チタンを1質量部添加し、前記合金粉末粒子間の間隙を埋めるようにAg粉末粒子および活性金属水素化物を混合してなる融点が770°Cのろう材を、全ペーストに占める割合でバインダーとしてアクリル系樹脂を5質量、溶剤としてαテルピネオール10質量、分散剤0.1質量と配合したのちプラネタリーミキサーを用いて混合を行い、粘度を55Pasとしたものである。また、銅基板Waが配置される窒化珪素基板Wbの上面には、図6aに示すパターンで50μmの厚みのろう材ペーストm1~m3を、多数個取りのために複数箇所、並列した状態で塗布した。ろう材ペーストの塗布面積は、上面に塗布したろう材ペーストm1m2が74cm2、下面に塗布したろう材ペーストm3が78cm2、両面合わせて152cm2であった。次に、図1に示すように、窒化珪素基板Wbに塗布したろう材ペーストm1~m3が、縦115mm、横100mm、厚みが0.5mmの金属基板である銅基板WaWcと窒化珪素基板Wbとの間に配置されるように銅基板WaWcを窒化珪素基板Wbの両面に重ね、被接合体w1~wnを形成し、図1に示すように、10~40枚の被接合体w1~wnを接合冶具10の第1部材1aに積層した状態で載置した。被接合体1枚当たりの質量は、120gfであった。なお、接合冶具10としては、第1部材1a第2部材1bその他各部材をカーボンで形成したものを使用し、厚みtが3mmの第1平板2aおよび第2平板2bを用いて被接合体w1~wnと支持部材1c1fとの間に間隙を形成した。圧縮バネ3aは、図1のように配置し、0~8000gfの荷重が作用するようにした。そして、表1に示すように、重量が330gfの第1のプレートT1および150gfの第2のプレートT2の使用枚数、圧縮バネによる荷重、被接合体の積層枚数を調整し、最上層の被接合体w1および最下層の被接合体wnに作用するろう材単位面積当たりの加圧力を、実施例1~9および比較例12ごとに設定した。なお、第1のプレートT1および第2のプレートT2としては、表面にカーボンを被膜したステンレスの板材を使用し、異なる厚みの板材を使用することにより重量を変更した。また、第2のプレートT2を使用する場合には、最下層の被接合体Wnを含む下層の被接合体の間に配置するようにした。上記実施例1~9および比較例12の条件で加圧された各被接合体w1~wnを、融点時の真空度が1Pa以下の非酸化雰囲気中において820°Cで1時間、加熱した後、炉冷により冷却することにより、窒化珪素基板Wbに銅基板WaWcを接合し、接合体W1~Wnを形成した。この接合体W1~Wnのうち最上層および最下層の接合体W1Wn各々80枚について、ろう材の拡がり量t1t2図6b参照、および窒化珪素基板Wbまたは銅基板WaWcとろう材層M1M2との接合界面に生じている空孔の直径最大径は、接合体W1~Wnを溶媒中に浸漬して超音波で測定する超音波探傷装置である日立建機製Mi-scopeで確認した。最上層および最下層の接合体W1Wnにおけるろう材の濡れ拡がり量t1t2は、上記接合後に測定したろう材の寸法から印刷後に測定したろう材の寸法を差し引いて求めた。なお、ろう材の濡れ広がり量t1t2を測定した部位は、図6abに示すセラミックス基板Wbの上面に印刷されたロウ材m1m2において、回路基板の電気的絶縁性に最も関係する間隙Sを形成する2辺に沿った部位であり、この2辺で測定された濡れ広がり量t1t2うち最大値を求めた。それらの結果を表1に示す。なお、表中の数値は、一枚あたり54個の回路基板Wが形成された各々80枚の接合体W1Wn、すなわち選択した接合体W1Wnに含まれる4320個の回路基板Wにおいて、ろう材拡がり量t1t2が0.2mm以上のろう材層、直径最大値が2mm以上の気孔が形成された回路基板Wの個数を確認し求めた、ろう材拡がり率および気孔発生率である。次いで、上記接合体W1Wnにエッチング処理を施し、窒化珪素基板の上面に接合された銅基板Waに、図6dに示す回路パターンWa-1、Wa-2を形成した。具体的には、銅基板Waの表面に、UV硬化型のエッチングレジストをスクリーン印刷法で所定のパターンで塗布し、その後、エッチング液である液温を50°Cに設定した塩化第2鉄FeCl3溶液46.5Beに接合体W1~Wnを浸漬し、回路パターンWa-1Wa-2Wcを形成した。なお、回路パターンWa-1とWa-2の間の間隙Sの大きさは、1mmである。上記エッチングレジストを除去した後、図6dに示す回路パターンWa-1およびWa-2の間隙Sに残存する不要なろう材層M1M2その他不要なろう材層を、過酸化水素および酸性フッ化アンモニウムを含むろう材除去液で除去した。その後、接合体W1Wnを切断することにより、各実施例1~9および比較例12ごと、積層した各被接合体W1Wn毎に4320個の回路基板Wを得た。この回路基板Wについて、耐熱サイクル試験および絶縁耐圧試験を行った。耐熱サイクル試験は、-40°Cでの冷却を20分、室温での保持を10分および125°Cでの加熱を20分とする昇温/降温サイクルを1サイクルとし、これを3000回繰り返して回路基板に付与し、その窒化珪素基板にクラック等が発生する割合を確認した。また、絶縁耐圧試験は、5kVの電圧を回路基板に1分間印加し、各層ごとの回路基板Wについて窒化珪素基板にクラック等が生じる割合を確認した。それらの結果を表1に示す。なお、表中の数値は、一枚あたり54個の回路基板Wが形成された各々80枚の被接合体W1Wn、すなわち選択した接合体W1Wnに含まれる4320個の回路基板Wにおいて、耐熱サイクル試験において3000回未満で窒化珪素基板にクラックが生じた回路基板Wの個数、絶縁耐圧試験で窒化珪素基板にクラックが生じた回路基板Wの個数を各々確認し求めた、絶縁不良発生率および耐熱サイクル不良発生率である。[実施例6~9]ろう材ペーストの粘度を、20、40、80および200Pasとした以外は、実施例1の条件と同様に接合体W1~Wnを作成し、上記と同様に最上層および最下層の接合体W1Wnの複数の回路基板Wについて各種特性を評価した。なお、粘度が20Pasのろう材ペーストは、全ペーストに占める割合でバインダーとしてアクリル系樹脂5質量、溶剤としてαテルピネオール15質量、粘度が40Pasのろう材ペーストは、アクリル系樹脂5質量、溶剤としてαテルピネオール12質量、粘度が80Pasのろう材ペーストは、アクリル系樹脂5質量、溶剤としてαテルピネオール8質量、粘度が200Pasのろう材ペーストは、アクリル系樹脂5質量、溶剤としてαテルピネオール5質量、加えて各々について分散剤0.1質量と配合し、プラネタリーミキサーを用いて混合を行い、製造した。表1の実施例1~7および比較例12により以下の知見が得られた。[実施例1]実施例1によれば、最上層の被接合体に作用する加圧力P1を10.2gf/cm2、最下層の被接合体に作用する加圧力P2を94.4gf/cm2、両者の比P2/P1が9.3とすることにより、ろう材拡がり率は、最上層の接合体では0であったが、比較的加圧力の高い最下層の接合体では25であり、それに応じ絶縁不良発生率は最下層の被接合体に含まれる回路基板で0.1であったが、工業生産上問題の無い値であった。また、気孔発生率は、比較的加圧力の低い最上層の接合体で6、最下層の接合体で0であり、それに応じ耐熱サイクル不良率は最上層の被接合体に含まれる回路基板で0.06であったが、工業生産上問題の無い値であった。[実施例2]最上層の被接合体に作用する加圧力P1を10.2gf/cm2、最下層の被接合体に作用する加圧力P2を84.9gf/cm2と実施例1に対し低目とし、両者の比P2/P1を8.3とした実施例2によれば、ろう材拡がり率は、最下層の接合体で17と低下し、それに伴い絶縁不良発生率は最下層の接合体に含まれる回路基板で0.06と改善された。一方で、実施例1に対し、最上層の接合体への加圧力の変化は無いため、気孔発生率および耐熱サイクル不良率は、実施例1と同等であった。[実施例3]最上層の被接合体に作用する加圧力P1を25.2gf/cm2と実施例1に対し高目とし、最下層の被接合体に作用する加圧力P2を94.7gf/cm2、両者の比P2/P1を3.8と加圧力P1とP2とを近接せしめた実施例3によれば、ろう材拡がり率は、最上層の接合体で0.6と増加したが、絶縁不良発生率は実施例1と変わらず0であった。一方で、最上層の接合体への加圧力を高めたため、実施例1に対し気孔発生率は1と低くなり、それに伴い耐熱サイクル不良率は0.01と改善された。[実施例4]最上層の被接合体に作用する加圧力P1を40.3gf/cm2と実施例1に対し高目とし、最下層の被接合体に作用する加圧力P2を80.2gf/cm2と実施例1に対し低目とし、両者の比P2/P1を2.0と加圧力P1とP2とをより近接せしめた実施例4によれば、ろう材拡がり率は、最上層の接合体で2と増加したが、絶縁不良発生率は実施例1と変わらず0であった。一方で、加圧力の低下により最下層の接合体におけるろう材拡がり率は12と低下し、それに伴い絶縁不良発生率は0.01と改善された。さらに、最上層の被接合体への加圧力を高めたため気孔発生率は0.6とより低くなり、耐熱サイクル不良率も0と改善された。[実施例5]実施例5によれば、最上層の被接合体に作用する加圧力P1を54.8gf/cm2と実施例1に対し高目とし、最下層の被接合体に作用する加圧力P2を71.0gf/cm2と実施例1に対し低目とし、両者の比P2/P1を1.3とほぼ変わらないレベルとすることにより、ろう材拡がり率は、最上層の接合体で3と増加したが、絶縁不良発生率は0であった。一方で、加圧力の低下により最下層の接合体におけるろう材拡がり率は5と低下し、それに伴い絶縁不良発生率は0と改善された。さらに、最上層の被接合体への加圧力を高めたため気孔発生率は0とより低くなり、耐熱サイクル不良率も0となった。[実施例6~9]ろう材ペーストの粘度を各々20および200Pasとした以外は実施例1と同様な条件で被接合体を接合した実施例89によれば、最上層の接合体および最下層の接合体いずれのろう材拡がり率、絶縁不良発生率、気孔発生率、耐熱サイクル不良率は、実施例1とほぼ同様な値となり、印刷時におけるパターンの形状精度および形状の保持性の観点から実用的なろう材ペーストの粘度の範囲である20~200Pasにおいても、最上層の被接合体に作用する加圧力P1を10.2gf/cm2、最下層の被接合体に作用する加圧力P2を94.4gf/cm2、両者の比P2/P1を9.3とすることにより、工業生産上問題とならない不良率で、所望のろう材拡がり量および気孔を有するろう材層が形成されることが判った。さらに、ろう材ペーストの粘度を各々40および80Pasとした以外は実施例1と同様な条件で被接合体を接合した実施例67によれば、ろう材ペーストの粘度は40~80PaSの範囲であることが望ましいことが確認された。[比較例1]一方で、最下層の被接合体に作用する加圧力P2は88.5gf/cm2であるが、最上層の被接合体に作用する加圧力P1が4.8gf/cm2と低く、両者の比P2/P1が18.4である比較例1によれば、最上層の被接合体への加圧力が低く、最上層の接合体におけるろう材拡がり率は0であり絶縁不良発生率も0であったが、その気孔発生率が24と極めて高く、それに伴い耐熱サイクル不良率も0.2と工業生産上問題となる値となった。[比較例2]さらに、最上層の被接合体に作用する加圧力P1が2.2gf/cm2と低く、最下層の被接合体に作用する加圧力P2が118.1gf/cm2と高く、両者の比P2/P1が53.7ある比較例2によれば、ろう材拡がりの観点からは加圧力の高い最下層の接合体のろう材拡がり率が70と極めて高く、そのため絶縁不良発生率も0.3と工業生産上問題となる値となった。また、気孔発生の観点からは、加圧力が低い最上層の接合体の不良率が33と極めて高く、そのため耐熱サイクル不良率も0.5と工業生産上問題となる値となった。