"半導体ウエハを分割予定ラインに沿って割断し、複数の半導体チップに分割する半導体ウエハの割断方法において、表面に前記ウエハを全面吸着する連続した吸着面を持ち、裏面にはチップサイズに応じて間隔を空けて区画化されたブロックを設けてなる真空吸着台に、前記ウエハを載せ置く工程と、前記真空吸着台の吸着面を減圧して前記ウエハを該吸着面に全面吸着する工程と、吸着させた前記ウエハを前記真空吸着台ごと撓ませ、前記分割予定ラインで一様に前記ウエハを割断する工程と、からなる半導体ウエハの割断方法。半導体ウエハを分割予定ラインに沿って割断し、複数の半導体チップに分割する半導体ウエハの割断方法において、前記ウエハの裏面に対してエキスパンド可能な弾性保護フィルムを貼り付ける工程と、表面に前記ウエハを全面吸着する連続した吸着平面を持ち、裏面にはチップサイズに応じて間隔を空けて区画化されたブロックからなる真空吸着台に前記ウエハを載せ置く工程と、前記弾性保護フィルムを貼り付けた前記ウエハを、前記真空吸着台に平面的に吸着する工程と、吸着させた前記ウエハを前記真空吸着台ごと撓ませて、前記分割予定ラインに沿って一様に前記ウエハを割断する工程と、割断後、前記弾性保護フィルムに張力をかけて前記複数の半導体チップに離間する工程と、からなることを特徴とする半導体ウエハの割断方法。上記弾性保護フィルムが通気性を有するフィルムでなることを特徴とする請求項2記載の半導体ウエハの割断方法。半導体ウエハを分割予定ラインに沿って割断し、複数の半導体チップに分割する半導体ウエハの割断装置において、減圧して前記ウエハを全面吸着する連続する吸着板と、前記吸着板の裏側に設けられ、チップサイズに応じて間隔を空けて配された複数個のブロックとを備える真空吸着台と、前記ウエハを吸着保持した前記真空吸着台を撓ませて該ウエハの割断を行う真空吸着台撓ませ機構と、を備えることを特徴とする半導体ウエハの割断装置。半導体ウエハを分割予定ラインに沿って割断し、複数の半導体チップに分割する半導体ウエハの割断装置において、減圧して前記ウエハを全面吸着するとともに、該ウエハを保持する面の裏側には該ウエハの切断予定ライン位置に対応して一定の深さまで形成された複数本の溝を有する真空吸着台と、前記ウエハを吸着保持した前記真空吸着台を撓ませて該ウエハの割断を行う真空吸着台撓ませ機構と、を備えることを特徴とする半導体ウエハの割断装置。上記半導体ウエハは、エキスパンド可能な弾性保護フィルムを貼り付けたウエハであることを特徴とする請求項4または5記載の半導体ウエハの割断装置。上記弾性保護フィルムは、通気性を有するフィルムでなることを特徴とする請求項6記載の半導体ウエハの割断装置。しかしながら、上述した従来における半導体ウエハを分割する方法では、押圧部材の押圧面を弾性保護フィルムの下面に押し当て、弾性保護フィルムと半導体ウエハに曲げ加工を施す分割作業と、弾性保護フィルムを伸長させて半導体チップ同志を引き離す分離作業を、同時に行うようにしているため、大きな応力を必要としていた。このため、装置が大型化するという問題点があった。また、押圧部材により曲げ加工を施す際、押圧部材の上部押圧面に対する弾性保護フィルムの密着性が悪く、弾性保護フィルム及び半導体ウエハが押圧部材の押圧面から離れて該半導体ウエハと該押圧面の間に隙間ができ、この隙間によって押圧部材から弾性保護フィルム及び半導体ウエハに付与される曲げ応力が分散する。この曲げ応力の分散は、分割予定ラインでの分割面の切断に悪い影響を与え、分割面にバリ等を発生させることがある。このため、バリを除去する処理作業が必要となり、作業コストを増加させ、さらに大きな応力も必要とするので、装置も大型化するという問題点があった。そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、比較的小さい応力で効率よくチップを割断して、ウエハを貼り付けているダイシングフィルムの弾性のばらつきや、そのエキスパンドする際の異方性のばらつき、及び、ウエハとフィルムの密着性のばらつきによるチップの分割ミスをなくし、また、ウエハ割断の際に、ウエハに曲げ応力を生むための一定の変位量を制御された速度で与えて、割断するための応力を局所的に集中させるようにすることにより、ウエハ面内には曲げ応力を与えず、安定したチップの割断及びチップの分割離間を可能とする半導体ウエハの割断方法及び割断装置を提供するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、半導体ウエハを分割予定ラインに沿って割断し、複数の半導体チップに分割する半導体ウエハの割断方法において、表面に前記ウエハを全面吸着する連続した吸着面を持ち、裏面にはチップサイズに応じて間隔を空けて区画化されたブロックを設けてなる真空吸着台に、前記ウエハを載せ置く工程と、前記真空吸着台の吸着面を減圧して前記ウエハを該吸着面に全面吸着する工程と、吸着させた前記ウエハを前記真空吸着台ごと撓ませ、前記分割予定ラインで一様に前記ウエハを割断する工程と、からなる半導体ウエハの割断方法を提供する。この方法によれば、分割予定ラインが設けられている半導体ウエハを、例えばエキスパンド可能な弾性保護フィルム上に貼り付け、半導体ウエハと該弾性保護フィルムを一体化するとともに、これを真空吸着台上に配置し、かつ、該真空吸着台で吸着して固定する。次に、該半導体ウエハ及び該弾性保護フィルムを真空吸着固定している真空吸着台に、真空吸着台撓ませ機構により撓み力を付与すると、チップサイズに応じて間隔を空けて区画化されている複数個のブロック間の部分で真空吸着台の吸着面全体が撓み、この撓みにより半導体ウエハも撓んで折り曲げられ、該半導体ウエハが分割予定ラインを起点として割断される。これにより、従来のような引っ張り応力によることなく、比較的小さい曲げ応力で効率よくチップを割断することができる。また、吸着板のウエハ吸着面と反対側に切断予定ライン位置に対応して設けた溝の部分が撓むことによって、吸着板の撓み剛性はチップ面内で大きくなり、チップ面内はほとんど撓まず、各チップ間の分割予定ラインにおいては大きく撓むことになる。その結果、分割予定ラインだけに応力が局所的に集中し効率よくウエハを割断することが可能となる。また、ウエハはあらかじめ吸着板に吸着されることにより、ウエハに反りがあっても、吸着板に平面矯正される。ここで、ウエハは吸着板に完全に密着しているため、ウエハの撓みは吸着板の撓みに完全に追従し、吸着板と一体的に変形する。従来は、ウエハが凸状の押圧体に押し上げられる機構であっても、吸着台に密着していないため、曲げの力が働くと、ウエハが曲率をもつ台の形状に倣わず局所的に浮き上がり、その浮き上がりにより、局所的に曲げ応力が緩和されて割れにくくなるということがあった。しかし、本構成の場合、ウエハは基本的に真空吸着台に密着しているため、ウエハが真空吸着台とともに撓む過程において、ウエハの局所的な浮き上がりは抑制され、真空吸着台の撓み形状に強制的に完全に追従するようになる。そのため、ウエハ分割予定ラインに応力が集中し、正確にウエハを割断することが可能となる。また、連続した吸着板の撓みによって、ウエハに撓み応力を与えることができるため、大きなウエハ面であっても、ほぼ同時にウエハ面に対して撓み応力を与えることが可能となる。また、チップが割断されて実質的に個々に分断されるものの、吸着板は、一枚の連続した板であるため、面内でチップ間が別機構に固定されて、相互に相対位置が変化してしまうという余地もない。また、エキスパンドフィルムのように展延性があって相互の位置関係が狂う要素もない。連続した吸着板が平面状態から撓むことにより、ウエハチップ間の相対位置が移動することなく割断できる。また、ウエハを貼り付けているダイシングフィルムの弾性のばらつきや、そのエキスパンドする際の異方性のばらつき、ウエハとフィルムの密着性のばらつきによって、チップの分割性能が変化することなく、ウエハに一様な曲げ応力を発生するための変位を与えることが可能となる。さらに、そのウエハへ与える曲げ応力を生むための一定の変位量を、同時にウエハを支持する吸着台の面を同時を撓ませることで、同時に与えることができる。また、その一定の変位量を、制御された速度で与えることが可能であるため、切断予定ラインに応力を集中させながら割ることが可能となる。さらに、ウエハを真空で吸着しているため、ウエハは剛体である真空吸着台に密着支持され、割断付近のウエハ変位は完全に抑制されるために、割断するための応力は局所的に集中することになる。また、ウエハを割った後に接着台に固定すると、それから採り剥がすのが大変であるが、真空吸着でウエハを支持して曲げた後、それを元の水平な姿勢に戻して真空をOFFして大気開放するだけで、接着剤を除去する等の手間もなくなり、割れたウエハをテープに貼り付けられた状態で簡便に、取り外すことが可能となる。また、上記目的を達成するために、請求項2記載の発明は、半導体ウエハを分割予定ラインに沿って割断し、複数の半導体チップに分割する半導体ウエハの割断方法において、前記ウエハの裏面に対してエキスパンド可能な弾性保護フィルムを貼り付ける工程と、表面に前記ウエハを全面吸着する連続した吸着平面を持ち、裏面にはチップサイズに応じて間隔を空けて区画化されたブロックからなる真空吸着台に前記ウエハを載せ置く工程と、前記弾性保護フィルムを貼り付けた前記ウエハを前記真空吸着台に平面的に吸着する工程と、吸着させた前記ウエハを前記真空吸着台ごと撓ませて、前記分割予定ラインに沿って一様に前記ウエハを割断する工程と、割断後、前記弾性保護フィルムに張力をかけて前記複数の半導体チップに離間する工程と、からなる半導体ウエハの割断方法を提供する。この方法によれば、分割予定ラインが設けられている半導体ウエハを、例えばエキスパンド可能な弾性保護フィルム上に貼り付け、半導体ウエハと該弾性保護フィルムを一体化するとともに、これを真空吸着台上に配置し、かつ、該真空吸着台で吸着して固定する。次に、該半導体ウエハ及び該弾性保護フィルムを真空吸着固定している真空吸着台に、真空吸着台撓ませ機構により撓み力を付与すると、ウエハの切断予定ライン位置に対応して形成されている各溝の部分で真空吸着台の吸着面全体が撓み、この撓みにより半導体ウエハも撓んで折り曲げられ、該半導体ウエハが分割予定ラインを起点として割断される。これにより、従来のような引っ張り応力によることなく、比較的小さい曲げ応力で効率よくチップを割断することができる。これにより、従来のような引っ張り応力によることなく、比較的小さい曲げ応力で効率よくチップを割断することができる。また、吸着板のウエハ吸着面と反対側に切断予定ライン位置に対応して設けた溝の部分が撓むことによって、吸着板の撓み剛性はチップ面内で大きくなり、チップ面内はほとんど撓まず、各チップ間の分割予定ラインにおいては大きく撓むことになる。その結果、分割予定ラインだけに応力が局所的に集中し効率よくウエハを割断することが可能となる。また、ウエハはあらかじめ吸着板に吸着されることにより、ウエハに反りがあっても、吸着板に平面矯正される。ここで、ウエハは吸着板に完全に密着しているため、ウエハの撓みは吸着板の撓みに完全に追従し、吸着板と一体的に変形する。従来は、ウエハが凸状の押圧体に押し上げられる機構であっても、吸着台に密着していないため、曲げの力が働くと、ウエハが曲率をもつ台の形状に倣わず局所的に浮き上がり、その浮き上がりにより、局所的に曲げ応力が緩和されて割れにくくなるということがあった。しかし、本構成の場合、ウエハは基本的に真空吸着台に密着しているため、ウエハが真空吸着台とともに撓む過程において、ウエハの局所的な浮き上がりは抑制され、真空吸着台の撓み形状に強制的に完全に追従するようになる。そのため、ウエハ分割予定ラインに応力が集中し、正確にウエハを割断することが可能となる。また、連続した吸着板の撓みによって、ウエハに撓み応力を与えることができるため、大きなウエハ面であっても、ほぼ同時にウエハ面に対して撓み応力を与えることが可能となる。また、チップが割断されて実質的に個々に分断されるものの、吸着板は、一枚の連続した板であるため、面内でチップ間が別機構に固定されて、相互に相対位置が変化してしまうという余地もない。また、エキスパンドフィルムのように展延性があって相互の位置関係が狂う要素もない。連続した吸着板が平面状態から撓むことにより、ウエハチップ間の相対位置が移動することなく割断できる。また、ウエハを貼り付けているダイシングフィルムの弾性のばらつきや、そのエキスパンドする際の異方性のばらつき、ウエハとフィルムの密着性のばらつきによって、チップの分割性能が変化することなく、ウエハに一様な曲げ応力を発生するための変位を与えることが可能となる。さらに、そのウエハへ与える曲げ応力を生むための一定の変位量を、同時にウエハを支持する吸着台の面を同時を撓ませることで、同時に与えることができる。また、その一定の変位量を、制御された速度で与えることが可能であるため、切断予定ラインに応力を集中させながら割ることが可能となる。さらに、ウエハを真空で吸着しているため、ウエハは剛体であるウエハチャックに密着支持され、割断付近のウエハ変位は完全に抑制されるために、割断するための応力は局所的に集中することになる。また、ウエハを割った後に接着台に固定すると、それから採り剥がすのが大変であるが、真空吸着でウエハを支持して曲げた後、それを元の水平な姿勢に戻して真空をOFFして大気開放するだけで、接着剤を除去する等の手間もなくなり、割れたウエハをテープに貼り付けられた状態で簡便に、取り外すことが可能となる。また、上記目的を達成するために、請求項3記載の発明は、上記弾性保護フィルムが通気性を有するフィルムでなる半導体ウエハの割断方法を提供する。この方法によれば、真空吸着台に真空吸着された弾性保護フィルムは、その通気性により、真空吸着台に対して多少の移動が可能となり、弾性保護フィルムにシワを作ることなく密着した状態で吸着保持される。本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項4記載の発明は、半導体ウエハを分割予定ラインに沿って割断し、複数の半導体チップに分割する半導体ウエハの割断装置において、減圧して前記ウエハを全面吸着する連続する吸着板と、前記吸着板の裏側に設けられ、チップサイズに応じて間隔を空けて配された複数個のブロックとを備える真空吸着台と、前記ウエハを吸着保持した前記真空吸着台を撓ませて該ウエハの割断を行う真空吸着台撓ませ機構と、を備える半導体ウエハ割断装置を提供する。この構成によれば、請求項1,2または3記載の上記半導体ウエハの割断方法を容易に実施することが可能になる。また、上記目的を達成するために、請求項5記載の発明は、半導体ウエハを分割予定ラインに沿って割断し、複数の半導体チップに分割する半導体ウエハの割断装置において、減圧して前記ウエハを全面吸着するとともに、該ウエハを保持する面の裏側には該ウエハの切断予定ライン位置に対応して一定の深さまで形成された複数本の溝を有する真空吸着台と、前記ウエハを吸着保持した前記真空吸着台を撓ませて該ウエハの割断を行う真空吸着台撓ませ機構と、を備えるウエハ割断装置を提供する。この構成によれば、請求項1,2または3記載の上記半導体ウエハの割断方法を容易に実施することが可能になる。また、上記目的を達成するために、請求項6記載の発明は、上記半導体ウエハは、エキスパンド可能な弾性保護フィルムを貼り付けたウエハである、半導体ウエハの割断装置を提供する。この構成によれば、弾性保護フィルムによる貼り付けで、半導体ウエハを一体に取り扱うことができ、請求項1,2または3記載の上記半導体ウエハの割断方法をさらに容易に実施することが可能になる。また、上記目的を達成するために、請求項7記載の発明は、上記弾性保護フィルムは、通気性を有するフィルムでなる半導体ウエハの割断装置を提供する。この構成によれば、真空吸着台に真空吸着された弾性保護フィルムは、その通気性により、真空吸着台に対して多少の移動が可能となり、弾性保護フィルムにシワを作ることなく密着した状態で吸着保持される。これにより、請求項1,2または3記載の上記半導体ウエハの割断方法をさらに容易に実施することが可能になる。発明によれば、比較的小さい応力で効率よくチップを割断して、ウエハを貼り付けているダイシングフィルムの弾性のばらつきや、そのエキスパンドする際の異方性のばらつき、及び、ウエハとフィルムの密着性のばらつきによるチップの分割ミスをなくすことができる。また、ウエハ割断の際に、ウエハに曲げ応力を生むための一定の変位量を制御された速度で与えて、割断するための応力を局所的に集中させるようにすることができ、安定したチップの割断及びチップの分割離間を可能とすることができる。さらに、装置の小形化と、バリ取り作業等を軽減化して作業性の向上が図れる。本発明は、小さな曲げ応力で、かつ分割時に綺麗な分割面を得ることができるようにするという目的を達成するために、半導体ウエハを分割予定ラインに沿って割断し、複数の半導体チップに分割する半導体ウエハの割断方法において、表面に前記ウエハを全面吸着する連続した吸着面を持ち、裏面にはチップサイズに応じて間隔を空けて区画化されて配されたブロックを設けてなる真空吸着台に、前記ウエハを載せ置く工程と、前記真空吸着台の吸着面を減圧して前記ウエハを該吸着面に全面吸着する工程と、吸着させた前記ウエハを前記真空吸着台ごと撓ませ、前記分割予定ラインで一様に前記ウエハを割断する工程と、を含むようにしたことにより実現した。以下、本発明のウエハの割断方法について、添付図面を参照して説明する。図1は、半導体ウエハとしてのシリコンウエハを個々の半導体チップに分割するための本発明を実施するための分割工程を示す図である。本実施例の割断方法では、半導体ウエハの裏面に対してエキスパンド可能な弾性保護フィルムを貼り付ける工程S1と、表面に前記ウエハを全面吸着する吸着平面を持ち、裏面にチップサイズに応じて区画化されたブロックを有してなる真空吸着台上に、前記ウエハを載せ置く工程S2と、前記弾性保護フィルムを貼り付けた前記ウエハを前記真空吸着台に吸着する工程S3と、吸着させた前記ウエハを前記真空吸着台ごと撓ませて、前記分割予定ラインに沿って一様に前記ウエハを割断する工程S4と、割断後、前記弾性保護フィルムに張力をかけて前記複数の半導体チップに離間する工程S5を経て、半導体ウエハから個々の半導体チップを形成するようになっている。次に、その各工程について詳細に説明する。まず、本実施例で使用する半導体ウエハ10は、図2に示すように平行に形成された表裏面を有している。該半導体ウエハ10の表面側には、格子状に配列された複数の分割予定ライン11,11...が設けられている。そして、該分割予定ライン11により、半導体ウエハ10の表面側が格子状をした複数の領域に区画されており、この区画された各領域にそれぞれ半導体チップ12,12...を形成するIC、LSI等の機能素子を設けている。なお、ここでの分割予定ライン11は、レーザー加工により形成された改質部ないしは亀裂であり、半導体ウエハ10を容易に割断することが出来るようにして設けられているが、これ以外の手段により形成される場合もある。そして、分割予定ライン11が形成された半導体ウエハ10は、前記工程S1において、図3に示すように、弾性保護フィルム13上に、その裏面を下側に向けて載せ、その半導体ウエハ10の裏面を弾性保護フィルム13上に貼り付けて固定する。この貼着固定は、例えば半導体ウエハ10の裏面と弾性保護フィルムの間を加熱しつつ、該半導体ウエハ10を弾性保護フィルム13上に押圧して貼着する、あるいは半導体ウエハ10の裏面と弾性保護フィルムの間に接着剤を介在させて脱着固定する等の手段が適宜採用される。また、該弾性保護フィルム13は、例えば厚さが約70μmのシート状のフィルムであり、常温では伸縮性を有し、所定温度例えば70°C以上の熱によって収縮する性質を有するポリ塩化ビニルPVC、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリオレフィン等の合成樹脂シートで、かつ、通気性が得られる構成となっている。前記工程S1において半導体ウエハ10が取り付けられた前記弾性保護フィルム13は、図4及び図5に示すように、半導体ウエハ割断装置14上に移動される。前記半導体ウエハ割断装置14は、前記工程S2~工程S5を処理するための装置であり、前記弾性保護フィルム13を張った状態で脱着可能に固定するための前後と左右に各々配設されるフィルム固定保持部材15,15,15,15と、該フィルム固定保持部材15,15,15,15で囲まれた領域の内側に配設された真空吸着台16と、該真空吸着台16を支持している真空吸着台支持部材17と、前記真空吸着台16を撓ませる真空吸着台撓ませ機構18と、前記弾性保護フィルム13に張力をかけて複数の半導体チップに離間する半導体チップ離間部材19等で構成されている。前記真空吸着台16は、前記半導体ウエハ10を取り付けた前記弾性保護フィルム13を載せて、該弾性保護フィルム13を介して前記半導体ウエハ10を全面吸着する板状の連続した吸着面20aを表面側に有した吸着板部20を備えている。また、該吸着板部20の裏面側には、前記半導体ウエハ10の分割予定ライン11の位置に対応して一定深さまで形成された複数本の溝21,21...を設けて、チップサイズに応じた間隔を空けて区画された複数個のブロック22,22...が前記吸着板部19と一体に設けられている。なお、図4では、理解を容易にするため、前記溝11,11...及びブロック22,22...は、実線で示しているが、実際には図5に示すように、吸着板部20の裏面側に設けられているものである。前記真空吸着台16は、可撓性を有し、通常は図5に示すように水平面状をなして保持されているが、図5に示すように真空吸着台撓ませ機構18により持ち上げられると、上方に膨出した状態に撓むようになっている。さらに詳述すると、前記吸着板部19の上面には、前記ブロック22,22...に対応して複数個の吸気孔23,23...が設けられている。各吸気孔23,23...は、図示せぬパイプ材を介して真空引き装置に接続されており、該真空引き装置が吸引操作されると、該吸気孔23,23...から空気を吸い込み、前記吸着板部20の吸着面20aを減圧して該吸着面20aに前記弾性保護フィルム13を介して前記半導体ウエハ10を吸着保持できるようになっている。なお、本実施例では、半導体ウエハ10が載せ置きされる部分以外の箇所に設けられた吸気孔23,23...は孔を塞いだ状態にしている。前記真空吸着台撓ませ機構18は、断面蒲鉾状をした押圧台24と、該押圧台24を上下動並びに90度回転操作する突き出し及び回動体25とで構成されている。前記半導体チップ離間部材19は、前記フィルム固定保持部材15と前記真空吸着台支持部材17との間で、通常は前記フィルム固定保持部材15に張られた前記弾性保護フィルム13の位置よりも下側に配置されている。また、該半導体チップ離間部材19は上下動可能で、上方に移動されると、前記フィルム固定保持部材15に張られた前記弾性保護フィルム13に引っ張り力を与えて、該弾性保護フィルム13の全体をX-Y方向に引き延ばすことができるようになっている。次に、前記半導体ウエハ割断装置14の動作を、図1に示した処理工程S1~S5に従って、図4及び図5と共に説明する。前記半導体ウエハ割断装置14は、半導体ウエハ10の割断処理が行われていないとき、前記吸着板部20での真空引きは停止されており、また半導体チップ離間部材19は下方に移動している。そして、前記工程S1の処理でエキスパンド可能な前記弾性保護フィルム13の貼り付けを終えた半導体ウエハ10は、該弾性保護フィルム13の四辺を前記フィルム固定保持部材15,15,15,15で固定し、図5に示すように前記真空載置台16の吸着板部20上にセットする。次いで、前記吸着板部20での真空引きが開始される。真空引きが開始されると、吸着面20a上が減圧され、これに伴って同じく図5に示すように前記弾性保護フィルム13が吸着面20aの全面に吸着保持される。続いて、前記吸着板部20での真空引きを行った状態で、真空吸着台撓ませ機構18が駆動される。そして、突き出し及び回動体25が押圧台24と共に上方に突き出す。これにより、押圧台24がブロック22の下面に当接して突き上げる。また、前記真空載置台16全体が下側から突き上げられると、該真空載置台16が前記弾性保護フィルム13と共に上方に突出し、全体が蒲鉾状に湾曲変形する。このとき弾性保護フィルム13上に貼り付けられている半導体ウエハ10も上方に突出されて蒲鉾状に湾曲変形される。この湾曲により、半導体ウエハ10が分割予定ライン11を基点として、該分割予定ライン11に沿ってx軸方向側が折り曲げられ、この折り曲げによりx軸に沿う側が半導体チップ12,12...毎に割断される。また、x軸方向側の折り曲げによる割断が終わったら、前記突き出し及び回動体25を前記押圧台24と共に下方に戻す。図5はこの状態を示している。次いで、前記突き出し及び回動体25を該押圧台24と共に90度回転させ、その後、再び突き出し及び回動体25を押圧台24と共に上方に突き出し、前記半導体ウエハ10を前記弾性保護フィルム13と共に蒲鉾状に湾曲変形させる。この湾曲により、半導体ウエハ10が分割予定ライン11を基点として、該分割予定ライン11に沿ってy軸方向側が折り曲げられ、この折り曲げによりy軸に沿う側が半導体チップ12,12...毎に割断される。また、x軸方向側の折り曲げによる割断が終わったら、前記突き出し及び回動体25を前記押圧台24と共に下方に戻す。これにより、x軸に沿う側とy軸に沿う側が割断される。すなわち、前記割断工程S4の処理が行われることになる。なお、このように弾性保護フィルム13が真空載置台16に吸着保持されている状態で蒲鉾状に湾曲されて分割処理された場合では、半導体ウエハ10は真空載置台16と一体化されていて該真空載置台16から浮き上がらないので、曲げ応力は各分割予定ライン11の部分に集中することになる。したがって、基台に弾性保護フィルム13を吸着しないで曲げて割断する従来の方法に比べて、分割するための曲げ応力は小さくて済み、また割断面にバリ等を作ることなく綺麗に分割することができる。また、前記割断工程S4の処理が終了し、前記突き出し及び回動体25が前記押圧台24と共に下方に戻されると、前記押圧台24は前記真空載置台16と離れた初期位置に下降され、図5に示すように真空載置台16も水平な状態に復帰される。工程S4による半導体ウエハの割断処理が終了したら、次に、前記半導体チップ離間部材19が上方に移動され、前記フィルム固定保持部材15に張られた前記弾性保護フィルム13の下側に前記半導体チップ離間部材19が突き当てられて該弾性保護フィルム13に引っ張り力を与え、該弾性保護フィルム13の全体をX-Y方向に引っ張って延ばす。これにより、各半導体チップ12,12...が互いに大きく離間し、個々の半導体チップ12,12...に分割され、また前記半導体チップ離間部材19も下方の所定の位置に戻される。すなわち、前記分離離間工程S5の処理が終了する。工程S5の終了後、前記弾性保護フィルム13は半導体チップ12と共に前記フィルム固定保持部材15から取り外される。なお、前記弾性保護フィルム13を伸長させて各半導体チップ12,12...間に形成された隙間は、前記弾性保護フィルム13の張力を取り除いた後も維持される。そして、このように分割処理された半導体ウエハ10では、各半導体チップ12,12...の間に弾性保護フィルム13が伸長されてなる隙間を有して離間されているので、個々の半導体チップ12,12同士が接触することはなく、搬送時等において半導体チップ12,12...同士が接触して損傷するのを防止することができる。また、半導体ウエハ割断装置14は、真空吸着台撓ませ機構18において、押圧台24と突き出し及び回転体25を使用せずに、例えば図6に示すように、エアシリンダ26とエアシリンダ27と、該エアシリンダ26の動作を受けて真空載置台16をx軸方向に撓ませ、該真空載置台16をx軸に沿って上方に膨出させるx軸制御部材28と、該エアシリンダ27の動作を受けて真空載置台16をy軸方向に撓ませ、該真空載置台16をy軸に沿って上方に膨出させるy軸制御部材29を設けた構成としてもよい。図7は、図6に示す真空吸着台撓ませ機構18の動作を説明する図である。すなわち、この真空吸着台撓ませ機構の構造では、前記エアシリンダ26が引き動作していない場合、前記真空載置台16は同図,に示すように平面状をなしている。そして、前記エアシリンダ26が引き動作されると、前記真空載置台16に符号Fで示すような曲げ力発生し、該真空載置台16の全体が上方に膨出した状態に撓み変形し、この撓み変形で前記弾性保護フィルム13を半導体ウエハ10と共に撓ませ、半導体ウエハ10の割断処理を行う。なお、前記エアシリンダは、エアシリンダ26またはエアシリンダ27の一方だけ設け、前記真空載置台16上に載置された弾性保護フィルム13及び半導体ウエハ10を、前記フィルム固定保持部材15と共に90度回転させて割断処理を行ってもよい。また、前記真空載置台16上に前記半導体ウエハ10を位置決めして載せ置きするための位置決め皿30を設けてもよい。さらに、上記実施例では、真空載置台16が、吸着板部20とブロック22を一体に形成してなる構造を開示したが、吸着板部20とブロック22を別体に形成して一体化した構造であってもよい。また、本発明は、上述したように本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。"