"透光性基板の面上に、少なくともフォーカス測定用のテストパターンが形成されたテストパターン領域を有し、前記テストパターン領域には、一定の幅を有するライン状の第1パターンと、前記第1パターンとは異なる幅を有するライン状の第2パターンとが設けられ、このうち、前記第1パターンと、前記第2パターンと、前記第1パターンとを、基準線を挟んで軸対称となる位置に、この順で幅方向に一対並べて配置すると共に、幅方向において隣接するパターン間の中心線の間隔を互いに等しくすることによって、前記テストパターンが構成されていることを特徴とするフォトマスク。前記第1パターンの幅よりも前記第2パターンの幅が小さいことを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク。前記第1パターンの幅が120~400nmであり、前記第2パターンの幅が60~240nmであり、前記隣接するパターン間の中心線の間隔が240~800nmであることを特徴とする請求項2に記載のフォトマスク。前記第1パターン及び前記第2パターンは、前記透光性基板の面上に形成された遮光膜の一部を除去することによって形成された開口部からなることを特徴とする請求項1~3の何れか一項に記載のフォトマスク。前記第1パターン及び前記第2パターンは、前記透光性基板の面上に形成された遮光膜の一部を残すことによって形成された遮光部からなることを特徴とする請求項1~3の何れか一項に記載のフォトマスク。前記テストパターン領域には、前記テストパターンが幅方向に複数並んで設けられていることを特徴とする請求項1~5の何れか一項に記載のフォトマスク。前記透光性基板の面上に、露光用のマスクパターンが形成されたマスクパターン領域を有することを特徴とする請求項1~6の何れか一項に記載のフォトマスク。請求項1~5の何れか一項に記載のフォトマスクを用いた露光装置により露光を行った際の前記テストパターンの幅方向における光強度分布をデフォーカス量を変更しながら測定するステップと、前記光強度分布中において前記基準線を挟んで隣接する第1パターン上に現れる光強度の第1ピーク位置の間隔を求め、この第1ピーク位置の間隔とデフォーカス量との相関関係を示すリファレンスデータを作成するステップと、前記露光装置を用いてレジスト層に対する露光を行った後、このレジスト層の現像を行うことによって、前記テストパターンの形状が転写されたレジストパターンを形成するステップと、前記レジストパターンのうち、前記基準線を挟んで隣接する第1パターンの形状が転写された第1レジストパターンの間隔と、前記リファレンスデータとの比較によって、前記露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量を求めるステップとを含む露光装置のフォーカス測定方法。請求項7に記載のフォトマスクを用いた露光装置により露光を行った際の前記テストパターンの幅方向における光強度分布をデフォーカス量を変更しながら測定するステップと、前記光強度分布中において前記基準線を挟んで隣接する第1パターン上に現れる光強度の第1ピーク位置の間隔を求め、この第1ピーク位置の間隔とデフォーカス量との相関関係を示すリファレンスデータを作成するステップと、前記露光装置により前記露光用のマスクパターンを用いてレジスト層に対する露光を行うと共に、前記フォーカス測定用のテストパターンを用いてレジスト層に対する露光を行った後、このレジスト層の現像を行うことによって、前記マスクパターン及び前記テストパターンの形状が転写されたレジストパターンを形成するステップと、前記レジストパターンのうち、前記基準線を挟んで隣接する第1パターンの形状が転写された第1レジストパターンの間隔と、前記リファレンスデータとの比較によって、前記露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量を求めるステップとを含む露光装置のフォーカス測定方法。前記光強度分布中において前記基準線を挟んで軸対称となる位置にある第2パターンの形状が転写された第2レジストパターンの間隔を求め、前記第1レジストパターンの間隔及び前記第2レジストパターンの間隔を元に求めた前記第1ピーク位置の間隔と、前記リファレンスデータとの比較によって、前記露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量を求めることを特徴とする請求項8又は9に記載の露光装置のフォーカス測定方法。請求項6に記載のフォトマスクを用いた露光装置により露光を行った際の前記複数のテストパターンの幅方向における光強度分布をデフォーカス量を変更しながら測定するステップと、前記光強度分布中において前記基準線を挟んで隣接する第1パターン上に現れる光強度の第1ピーク位置の間隔を求め、この第1ピーク位置の間隔とデフォーカス量との相関関係を示すリファレンスデータを作成するステップと、前記露光装置を用いてレジスト層に対する露光を行った後、このレジスト層の現像を行うことによって、前記複数のテストパターンの形状が転写されたレジストパターンを形成するステップと、前記レジストパターンのうち、前記各基準線を挟んで隣接する第1パターンの形状が転写された第1レジストパターンの間隔の平均値と、前記リファレンスデータとの比較によって、前記露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量を求めるステップとを含む露光装置のフォーカス測定方法。請求項6に記載のフォトマスクを用いた露光装置により露光を行った際の前記複数のテストパターンの幅方向における光強度分布をデフォーカス量を変更しながら測定するステップと、前記光強度分布中において前記複数のテストパターン間で対となる第1パターン上に現れる光強度の第1ピーク位置の間隔を求め、この第1ピーク位置の間隔とデフォーカス量との相関関係を示すリファレンスデータを作成するステップと、前記露光装置を用いてレジスト層に対する露光を行った後、このレジスト層の現像を行うことによって、前記複数のテストパターンの形状が転写されたレジストパターンを形成するステップと、前記レジストパターンのうち、前記複数のテストパターン間で対となる第1パターンの形状が転写された第1レジストパターンの間隔と、前記リファレンスデータとの比較によって、前記露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量を求めるステップとを含む露光装置のフォーカス測定方法。前記光強度分布中において前記複数のテストパターン間で対となる第2パターン上に現れる光強度の第2ピーク位置の間隔を求め、前記第1レジストパターンの間隔及び前記第2レジストパターンの間隔を元に求めた前記第1ピーク位置の間隔と、前記リファレンスデータとの比較によって、前記露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量を求めることを特徴とする請求項11又は12に記載の露光装置のフォーカス測定方法。請求項8~13の何れか一項に記載のフォーカス測定方法により求めたデフォーカス量に基づいて、前記露光装置のデフォーカス調整を行うことを特徴とする露光装置のデフォーカス調整方法。しかしながら、この特許文献2に記載される方法では、測定値からフォーカス測定を求める方法が煩雑となるといった問題や、露光量の変動が測定結果に影響するため測定精度が低くなるといった問題が生じてしまう。本発明に係るフォトマスクは、透光性基板の面上に、少なくともフォーカス測定用のテストパターンが形成されたテストパターン領域を有し、テストパターン領域には、一定の幅を有するライン状の第1パターンと、第1パターンとは異なる幅を有するライン状の第2パターンとが設けられ、このうち、第1パターンと、第2パターンと、第1パターンとを、基準線を挟んで軸対称となる位置に、この順で幅方向に一対並べて配置すると共に、幅方向において隣接するパターン間の中心線の間隔を互いに等しくすることによって、テストパターンが構成されていることを特徴とする。また、本発明に係る露光装置のフォーカス測定方法は、上記フォトマスクを用いた露光装置により露光を行った際のテストパターンの幅方向における光強度分布をデフォーカス量を変更しながら測定するステップと、光強度分布中において基準線を挟んで隣接する第1パターン上に現れる光強度の第1ピーク位置の間隔を求め、この第1ピーク位置の間隔とデフォーカス量との相関関係を示すリファレンスデータを作成するステップと、露光装置を用いてレジスト層に対する露光を行った後、このレジスト層の現像を行うことによって、テストパターンの形状が転写されたレジストパターンを形成するステップと、レジストパターンのうち、基準線を挟んで隣接する第1パターンの形状が転写された第1レジストパターンの間隔と、リファレンスデータとの比較によって、露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量を求めるステップとを含むことを特徴とする。また、本発明に係る露光装置のフォーカス測定方法は、上記透光性基板の面上に、上記テストパターン領域と共に、露光用のマスクパターンが形成されたマスクパターン領域を有するフォトマスクを用いた露光装置により露光を行った際のテストパターンの幅方向における光強度分布をデフォーカス量を変更しながら測定するステップと、光強度分布中において基準線を挟んで隣接する第1パターン上に現れる光強度の第1ピーク位置の間隔を求め、この第1ピーク位置の間隔とデフォーカス量との相関関係を示すリファレンスデータを作成するステップと、露光装置により露光用のマスクパターンを用いてレジスト層に対する露光を行うと共に、フォーカス測定用のテストパターンを用いてレジスト層に対する露光を行った後、このレジスト層の現像を行うことによって、マスクパターン及びテストパターンの形状が転写されたレジストパターンを形成するステップと、レジストパターンのうち、基準線を挟んで隣接する第1パターンの形状が転写された第1レジストパターンの間隔と、リファレンスデータとの比較によって、露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量を求めるステップとを含むことを特徴とする。また、本発明に係る露光装置のフォーカス測定方法は、上記テストパターン領域に、上記テストパターンが複数の基準線を挟んで幅方向に複数並んで設けられたフォトマスクを用いた露光装置により露光を行った際の複数のテストパターンの幅方向における光強度分布をデフォーカス量を変更しながら測定するステップと、光強度分布中において複数のテストパターン間で対となる第1パターン上に現れる光強度の第1ピーク位置の間隔を求め、この第1ピーク位置の間隔とデフォーカス量との相関関係を示すリファレンスデータを作成するステップと、露光装置を用いてレジスト層に対する露光を行った後、このレジスト層の現像を行うことによって、複数のテストパターンの形状が転写されたレジストパターンを形成するステップと、レジストパターンのうち、複数のテストパターン間で対となる第1パターンの形状が転写された第1レジストパターンの間隔と、リファレンスデータとの比較によって、露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量を求めるステップとを含むことを特徴とする。また、本発明に係る露光装置のデフォーカス調整方法は、上記フォーカス測定方法により求めたデフォーカス量に基づいて、露光装置のデフォーカス調整を行うことを特徴とする。以上のように、本発明では、上記フォーカス測定用のテストパターンが形成されたマスクを用いて、上記リファレンスデータの作成を行い、このリファレンスデータとの比較によって、露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量を高精度且つ安定的に求めることが可能である。そして、この求めたデフォーカス量に基づいて、露光装置のデフォーカス調整を精度良く行うことが可能となる。また、本発明では、通常の露光用のマスクパターンが形成されたフォトマスクの一部に、上記フォーカス測定用のテストパターンを形成することができるため、このフォトマスクを用いて露光を行った場合には、露光用のマスクパターンを用いたレジスト層に対する露光と共に、フォーカス測定用のテストパターンを用いたレジスト層に対する露光を行うことによって、通常の露光工程と同時に、本発明による露光装置のフォーカス測定を行うことが可能である。したがって、本発明によれば、従来よりも簡便な手順で精度良く露光装置のフォーカス測定を行うことができるため、この露光装置の稼働率の低下を回避することが可能である。以下、本発明を適用したフォトマスク、露光装置のフォーカス測定方法及びデフォーカス調整方法について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。[第1の実施形態]フォトマスク第1の実施形態では、先ず、図1に示す本発明を適用したフォトマスク1について説明する。なお、図1は、このフォトマスク1の平面図である。本発明を適用したフォトマスク1は、図1に示すように、透光性基板2の面上にショット領域3を備えている。このショット領域3は、フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置の1回の露光で、半導体基板の面上に形成されたレジスト層に対して投影像を形成できる範囲を仮想的に示した領域である。そして、このショット領域3には、更にマスクパターン領域4とテストパターン領域5とが設けられている。このうち、マスクパターン領域4は、通常の露光用のマスクパターンが形成された領域であり、露光時にこのマスクパターンに対応した形状をレジスト層に転写する領域である。なお、マスクパターンについては、特に限定されるものではなく、例えば半導体デバイスを形成するための回路パターンや配線パターンなどを挙げることができる。一方、テストパターン領域5は、フォーカス測定用のテストパターンが形成された領域であり、露光時にこのテストパターンに対応した形状をレジスト層に転写する領域である。そして、このテストパターン領域5には、例えば図2に示すようなテストパターン5Aが設けられている。なお、図2は、上記テストパターン領域5を拡大した平面図である。このテストパターン5Aは、図2に拡大して示すように、一定の幅WAを有するライン状の第1パターン6Aと、この第1パターン6Aとは異なる幅WBを有するライン状の第2パターン6Bとを有している。第1パターン6A及び第2パターン6Bは、透光性基板2の面上に形成された遮光膜7の一部を除去することによって形成された矩形状の開口部7a,7bからなる。なお、透光性基板2は、例えばガラス基板などの露光光を透過する材料を平行平板状に形成したものからなり、遮光膜7は、例えばクロムやモリブデンシリサイドなどの露光光を遮光する材料からなる。テストパターン領域5には、これら第1パターン6Aと、第2パターン6Bと、第1パターン6Aとが、基準線XCを挟んで軸対称となる位置に、この順で幅方向に一対並んで配置されている。また、幅方向において隣接するパターン6A,6B6A間の中心線XA,XBXAの間隔XPは、互いに等しくなっている。これにより、上記テストパターン5Aが構成されている。すなわち、このテストパターン5Aは、第1パターン6Aと、第2パターン6Bと、第1パターン6Aと、第1パターン6Aと、第2パターン6Bと、第1パターン6Aとが、この順で幅方向に等間隔に並ぶことによって構成されている。また、第1パターン6Aの幅WAは30~100nm、第2パターン6Bの幅WBは15~60nmとなっている。さらに、幅方向において隣接するパターン6A,6B間の中心線XA,XBの間隔XPは、60~200nmとなっている。一方、第1パターン6A及び第2パターン6Bは、互いに等しい長さを有している。なお、これら第1及び第2パターン6A,6Bは、後述する露光装置のフォーカス測定を行うのに十分な長さを有していればよく、その長さは例えば20~50μmとなっている。なお、これらの寸法は、テストパターン5Aの形状をレジストパターンに転写したときの寸法であり、実際の寸法は、これらの4倍の値である。すなわち、フォトマスク1上において、第1パターン6Aの幅WAは120~400nm、第2パターン6Bの幅WBは60~240nm、幅方向において隣接するパターン6A,6B間の中心線XA,XBの間隔XPは、240~800nm、第1及び第2パターン6A,6Bの長さは80~200μmである。なお、図1中に示すテストパターン領域5の配置場所は、ほんの一例であって、このショット領域3内におけるテストパターン領域5の配置については、適宜変更して実施することが可能である。露光装置のフォーカス測定方法及びデフォーカス調整方法次に、上記フォトマスク1を用いた露光装置のフォーカス測定方法及びデフォーカス調整方法について説明する。本発明を適用した露光装置のフォーカス測定方法では、先ず、上記フォトマスク1を用いた露光装置により露光を行った際の上記テストパターン5Aの幅方向における光強度分布をデフォーカス量を変更しながら測定する。ここで、デフォーカスしていない状態デフォーカス量dが0μmの場合での光強度分布をシミュレーションにより求めた結果を図3に示す。なお、図3に示すグラフにおいて、横軸は、上記テストパターン5Aを構成する6つのパターン6A,6B,6A,6A,6B,6Aの位置Xを表し、このうち、基準線XCを挟んで隣接する一方の第1パターン6Aの中心線をXA1、他方の第1パターン6Aの中心線をXA2とし、基準線XCを挟んで一方の第1パターン6Aと隣接する一方の第2パターン6Bの中心線をXB1、他方の第1パターン6Aと隣接する他方の第2パターン6Bの中心線をXB2とし、基準線XCを挟んで一方の第2パターン6Bと隣接する一方の第1パターン6Aの中心線をXA3、他方の第2パターン6Bと隣接する他方の第1パターン6Aの中心線をXA4として表している。一方、縦軸は、上記テストパターン5Aの各位置での光強度Iを表し、この光強度Iは、上記テストパターン5Aを構成する6つのパターン6A,6B,6A,6A,6B,6Aの中央部分を幅方向に分断する分断線YCの線上で計算し、相対値として表したものである。したがって、縦軸は、上方に向かうほど光強度が大きくなることを表している。なお、本シミュレーションには、KLA社製のPROLITHを用いて計算を行った。図3に示すように、この光強度分布は、上記テストパターン5Aを構成する6つのパターン6A,6B,6A,6A,6B,6A上に光強度Iのピーク山が表れ、幅方向において隣接するパターン6A,6Bの各間で光強度Iのボトム谷が現れるサインカーブを描いている。また、この光強度分布は、第1パターン6Aの幅WAと第1パターン6Aの幅WBとの違いWA>WBを反映して、各第1パターン6A上に現れる光強度Iのピーク値山の高さが、各第2パターン6B上に現れる光のピーク値山の高さよりも大きくなっている。ここで、基準線XCを挟んで隣接する一対の第1パターン6A,6A上に現れる光強度Iのピーク位置山の頂部を、それぞれ第1ピーク位置PA1,PA2としたとき、これら第1ピーク位置PA1,PA2は、各第1パターン6A,6Aの中心線XA1,XA2から互いに逆向きに基準線XCとは反対側にずれた位置に現れる。また、これら第1ピーク位置PA1,PA2の中心線XA1,XA2からのずれ量δは互いに等しい。したがって、第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAは、下記式1で表すことができる。DA=XP2δ...一方、基準線XCを挟んで第1パターン6Aと隣接する一対の第2パターン6B,6B上に現れる光強度Iのピーク位置山の頂部を、それぞれ第2ピーク位置PB1,PB2としたとき、これら第2ピーク位置PB1,PB2は、各第2パターン6B,6Bの中心線XB1,XB2の線上に現れる。すなわち、各第2パターン6B,6Bの中心線XB1,XB2からの位置ずれは発生しない。したがって、第2ピーク位置PB1,PB2の間隔DBは、下記式2で表すことができる。DB=3XP...なお、本測定では、上記第1パターン6Aの幅WAを55nm、上記第2パターン6Bの幅WBを30nm、上記隣接するパターン6A,6B6A間の間隔XPを108nmとしたところ、上記ずれ量δは4nmとなった。したがって、上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAは、上記式より116=1082×4nm、上記第2ピーク位置PB1,PB2の間隔DBは、上記式より324=3×108nmとして求めることができる。次に、デフォーカス量dを変更しながら測定した上記テストパターン5Aの幅方向における光強度分布を元に、上記第1ピーク位置の間隔DAとデフォーカス量dとの相関関係を示すリファレンスデータを作成する。ここで、デフォーカス量dを0μm図3に示す場合、0.5μm、1.0μm、1.5μmと変更したときの光強度分布をシミュレーションにより測定した結果を図4に示す。図4に示すように、デフォーカス量dを変更した場合の光強度分布では、何れも場合も、各第1パターン6A,6Aの中心線XA1,XA2から基準線XCとは反対側にずれた位置に上記第1ピーク位置PA1,PA2が現れ、なお且つ、これら第1ピーク位置PA1,PA2は基準線XCを挟んで左右対称となる位置に現れている鏡映対称性を示している。また、これら第1ピーク位置PA1,PA2の中心線XA1,XA2からのずれ量δは、互いに等しくなるものの、デフォーカス量が大きくなるほど、このずれ量δが小さくなっている。したがって、上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAは、デフォーカス量が大きくなるほど、小さくなる方向に変化することになる。一方、デフォーカス量を変更した場合の光強度分布では、何れも場合も、各第2パターン6B,6Bの中心線XB1,XB2の線上に上記第2ピーク位置PB1,PB2が現れる。したがって、上記第1ピーク位置PB1,PB2の間隔DBは、デフォーカス量dの変化に因らず、一定の値3XPを示すことになる。なお、本測定では、デフォーカス量dが0μmのとき、上記ずれ量δが4nmとなり、上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAが116nmで最大値を示したが、デフォーカス量dが大きくなるに従って、上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAの値が小さくなり、デフォーカス量dが1.5μmのとき、上記ずれ量δが0nmとなり、上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAが108nmとなった。以上のように、上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAは、デフォーカス量dに応じて決まった値を示すことから、デフォーカス量dを変更した場合の上記第1ピーク位置の間隔DAを求めることによって、例えば図5に示すような第1ピーク位置の間隔DAとデフォーカス量dとの相関関係を示すリファレンスデータを得ることができる。なお、図5に示すグラフにおいて、横軸は、デフォーカス量dを表し、その中央の0μmを挟んで左側がマイナス方向、右側がプラス方向のデフォーカス量dを示している。一方、縦軸は、各デフォーカス量dに対する上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAを表している。図5に示すように、このリファレンスデータでは、デフォーカス量dが0μm、すなわち焦点変動が生じていないときに、上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAが最大値を示し、デフォーカス量dが側又は側に増加するに従って、上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAが小さな値を示すことがわかる。次に、上記フォトマスク1を用いた露光装置により、半導体基板上に形成されたレジスト層に対して、上記マスクパターン領域4に形成された露光用のマスクパターンを用いた露光を行うと共に、上記テストパターン領域5に形成されたフォーカス測定用のテストパターン5Aを用いた露光を行った後、このレジスト層の現像を行うことによって、上記マスクパターンの形状が転写されたレジストパターンを形成すると同時に、上記テストパターン5Aの形状が転写されたレジストパターンを形成する。このときの露光条件は、製品製造時に実際に使用される露光条件を用いる。なお、上記テストパターン5Aでは、この製品製造時の露光条件に合わせて、上記第1パターン6Aの幅WAや、上記第2パターン6Bの幅WB、上記隣接するパターン6A,6B6A間の間隔XPなどの寸法を調整した設計が行われている。次に、上記レジストパターンのうち、基準線XCを挟んで隣接する第1パターン6A,6Aの形状が転写された第1レジストパターンの間隔DA’と、リファレンスデータとの比較によって、露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量dを求める。具体的に、上記第1パターン6A,6Aの形状が転写された第1レジストパターンの間隔DA’は、例えば測長SEMScanningElectronMicroscopeなどの寸法測定装置を用いて、この第1レジストパターンの中心線の間隔を計測することによって求めることができる。なお、基準線XCを挟んで隣接する第2パターン6B,6Bの形状が転写された第2レジストパターンの間隔DB’を求める場合も同様である。また、この第1レジストパターンの間隔DA’は、本露光条件での上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAに対応するため、上記図5に示すリファレンスデータを参照しながら、この第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAでのデフォーカス量dを求めることによって、本露光条件でのデフォーカス量dを求めることができる。本発明を適用した露光装置のデフォーカス調整方法では、上記本発明のフォーカス測定方法により求めたデフォーカス量dに基づいて、露光装置のデフォーカス調整を行う。すなわち、上記本発明のフォーカス測定方法により求めたデフォーカス量dが、製品製造上において規格に入っているか否かを判断する。そして、規格に入っていない場合には、必要に応じて露光装置のフォーカス設定を変更する処理等が行われる。以上のようにして、本発明では、従来よりも簡単な手順により露光装置のフォーカス測定を実施することができる。また、本発明では、露光量の変動による測定値への影響を回避できることから、従来よりも精度良く露光装置のフォーカス測定を実施することが可能である。また、本発明では、特別なフォトマスクを用いることなく、通常の露光用のマスクパターンが形成されたフォトマスク1の一部に、上記フォーカス測定用のテストパターン5Aが形成されたものを用いることができる。そして、このフォトマスク1を用いて、製品製造時に使用される半導体基板上に形成されたレジスト層に対してフォーカス測定用の露光を行うことが可能である。したがって、本発明によれば、フォーカス測定用の半導体基板を新たに用意する必要がなく、また、製品製造時の露光プロセス中で露光装置のフォーカス測定を行うことができるため、この露光装置の稼働率が低下することを回避できる。また、本発明では、特別な露光条件で露光装置のフォーカス測定を実施する必要がなく、製品製造時と同じ露光条件でフォーカス測定を実施できる。また、製品製造時の露光条件は定常的に管理されるため、フォーカス測定も安定し、精度良くフォーカス測定を実施することが可能である。[第2の実施形態]露光装置のフォーカス測定方法及びデフォーカス調整方法次に、第2の実施形態として上記図1に示すフォトマスク1を用いた露光装置の別のフォーカス測定方法及びデフォーカス調整方法について説明する。本発明を適用した別の露光装置のフォーカス測定方法では、上述したデフォーカス量dの変動に因らずに、上記第1ピーク位置PB1,PB2の間隔DBが一定の値3XPを示すことを利用して、上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAを求める。具体的に、上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAは、下記式に示すように、上記第1レジストパターンの間隔DA’を上記第2レジストパターンの間隔DB’で補正換算することにより求められる。DA=DA’×3XP/DB’...そして、本発明では、上記図5に示すリファレンスデータを参照しながら、この第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAでのデフォーカス量dを求めることによって、本露光条件でのデフォーカス量dを更に精度良く求めることができる。本発明を適用した露光装置のデフォーカス調整方法では、上記本発明の別のフォーカス測定方法により求めたデフォーカス量dに基づいて、露光装置のデフォーカス調整を行う。すなわち、上記本発明のフォーカス測定方法により求めたデフォーカス量dが、製品製造上において規格に入っているか否かを判断する。そして、規格に入っていない場合には、必要に応じて露光装置のフォーカス設定を変更する処理等が行われる。以上のようにして、本発明では、従来よりも簡単な手順により露光装置のフォーカス測定を実施することができる。また、本発明では、露光量の変動による測定値への影響を回避できることから、従来よりも精度良く露光装置のフォーカス測定を実施することが可能である。また、本発明では、特別なフォトマスクを用いることなく、通常の露光用のマスクパターンが形成されたフォトマスク1の一部に、上記フォーカス測定用のテストパターン5Aが形成されたものを用いることができる。そして、このフォトマスク1を用いて、製品製造時に使用される半導体基板上に形成されたレジスト層に対してフォーカス測定用の露光を行うことが可能である。したがって、本発明によれば、フォーカス測定用の半導体基板を新たに用意する必要がなく、また、製品製造時の露光プロセス中で露光装置のフォーカス測定を行うことができるため、この露光装置の稼働率が低下することを回避できる。また、本発明では、特別な露光条件で露光装置のフォーカス測定を実施する必要がなく、製品製造時と同じ露光条件でフォーカス測定を実施できる。また、製品製造時の露光条件は定常的に管理されるため、フォーカス測定も安定し、精度良くフォーカス測定を実施することが可能である。さらに、本発明では、上記式3により補正換算した上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAを用いることで、上記寸法測定装置の状態や測定誤差等の影響を軽減できるため、デフォーカス量dを更に精度良く求めることが可能となる。[第3の実施形態]フォトマスク次に、第3の実施形態として、図6に示す上記テストパターン領域5に別のテストパターン5Bを形成したフォトマスク1について説明する。なお、図6は、上記フォトマスク1のテストパターン領域5に形成されたテストパターン5Bを示す平面図である。なお、以下の説明では、上記テストパターン5Aと同等の部位については、説明を省略すると共に、図面において同じ符号を付すものとする。このテストパターン5Bは、上記テストパターン5Aが幅方向に複数本例では3つ並んで設けられた構成を有している。また、これら複数のテストパターン5Aは、それぞれの境界線XDを挟んで隣接する第1パターン6Aの中心線XA,XAの間隔が上記幅方向において隣接するパターン6A,6B6A間の中心線XA,XBXAの間隔XPと等しくなるように設定されている。すなわち、このテストパターン5Bは、第1パターン6Aと、第2パターン6Bと、第1パターン6Aと、第1パターン6Aと、第2パターン6Bと、第1パターン6Aとから構成されるテストパターン5Aが、この順で繰り返し幅方向に等間隔に並ぶことによって構成されている。露光装置のフォーカス測定方法及びデフォーカス調整方法次に、上記図6に示すテストパターン5Bを有するフォトマスク1を用いた露光装置のフォーカス測定方法及びデフォーカス調整方法について説明する。本発明を適用した露光装置のフォーカス測定方法では、先ず、上記フォトマスク1を用いた露光装置により露光を行った際の上記テストパターン5Bの幅方向における光強度分布をデフォーカス量を変更しながら測定する。そして、このデフォーカス量dを変更しながら測定した上記テストパターン5Bの幅方向における光強度分布を元に、上記第1ピーク位置の間隔DAとデフォーカス量dとの相関関係を示すリファレンスデータを作成する。ここまでのステップについては、上記第1の実施形態の場合と同様の方法を用いて行うことができる。また、上記リファレンスデータについては、上記第1ピーク位置の間隔DAとデフォーカス量dとの相関関係を複数のテストパターン5A毎に求めて平均化したものを用いることができる。次に、上記フォトマスク1を用いた露光装置により、半導体基板上に形成されたレジスト層に対して、上記マスクパターン領域4に形成された露光用のマスクパターンを用いた露光を行うと共に、上記テストパターン領域5に形成されたフォーカス測定用のテストパターン5Bを用いた露光を行った後、このレジスト層の現像を行うことによって、上記マスクパターンの形状が転写されたレジストパターンを形成すると同時に、上記テストパターン5B複数のテストパターン5Aの形状が転写されたレジストパターンを形成する。このときの露光条件は、製品製造時に実際に使用される露光条件を用いる。そして、上記第1の実施形態の場合と同様の方法を用いて、複数のテストパターン5A毎に上記第1レジストパターンの間隔DA’を測定し、これらの平均値を求める。第3の実施形態では、この複数のテストパターン5A毎に測定した上記第1レジストパターンの間隔DA’の平均値を、本露光条件での上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAに対応するものとして、上記リファレンスデータを参照しながら、この第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAでのデフォーカス量dを求める。このように、上記第1レジストパターンの間隔DA’の平均値を用いた場合には、上記露光装置のレジストパターン形成時におけるバラツキの影響を低減できるため、本露光条件でのデフォーカス量dを更に精度良く求めることが可能となる。また、第3の実施形態では、上記第2の実施形態と同様に、複数のテストパターン5A毎に測定した上記第2レジストパターンの間隔DB’の平均値を求めて、上記式3により、この上記第2レジストパターンの間隔DB’の平均値で上記第1レジストパターンの間隔DA’の平均値を補正換算することにより、本露光条件での上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAを更に精度良く求めることが可能である。そして、本発明を適用した露光装置のデフォーカス調整方法では、上記本発明のフォーカス測定方法により求めたデフォーカス量dに基づいて、露光装置のデフォーカス調整を行う。すなわち、上記本発明のフォーカス測定方法により求めたデフォーカス量dが、製品製造上において規格に入っているか否かを判断する。そして、規格に入っていない場合には、必要に応じて露光装置のフォーカス設定を変更する処理等が行われる。[第4の実施形態]露光装置のフォーカス測定方法及びデフォーカス調整方法次に、第4の実施形態として、上記図6に示すテストパターン5Bを有するフォトマスク1を用いた露光装置の別のフォーカス測定方法及びデフォーカス調整方法について説明する。本発明を適用した別の露光装置のフォーカス測定方法では、上述したデフォーカス量dを変更しながら測定した上記テストパターン5Bの幅方向における光強度分布を元に、図6に示すように、複数のテストパターン5A,5A間で対となる第1パターン6A,6A上に現れる光強度の第1ピーク位置PA1,PA1の間隔DUを求める。ここで、複数のテストパターン5A,5A間で対となる第1パターン6A,6A上に現れる第1ピーク位置PA1,PA1は、各第1パターン6A,6Aの中心線XA1,XA1から互いに同じ方向に向かって基準線XCとは反対側にずれた位置に現れる。また、これら第1ピーク位置PA1,PA1の中心線XA1,XA1からのずれ量δは互いに等しい。したがって、この第1ピーク位置PA1,PA1の間隔DUは、下記式4で表すことができる。DU=6XP...また、デフォーカス量を変更した場合の光強度分布では、上記第1ピーク位置PA1,PA1の間隔DUが、デフォーカス量dの変化に因らず、一定の値6XPを示すことになる。したがって、第4の実施形態では、上述したデフォーカス量dの変動に因らずに、上記第1ピーク位置PA1,PA1の間隔DUが一定の値6XPを示すことを利用して、上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAを求める。具体的に、上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAは、下記式に示すように、上記第1レジストパターンの間隔DA’を上記第2レジストパターンの間隔DU’で補正換算することにより求められる。DA=DA’×6XP/DU’...そして、本発明では、上記リファレンスデータを参照しながら、この第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAでのデフォーカス量dを求めることによって、上記寸法測定装置の状態や測定誤差等の影響を軽減できるため、本露光条件でのデフォーカス量dを更に精度良く求めることができる。そして、本発明を適用した露光装置のデフォーカス調整方法では、上記本発明の別のフォーカス測定方法により求めたデフォーカス量dに基づいて、露光装置のデフォーカス調整を行う。すなわち、上記本発明のフォーカス測定方法により求めたデフォーカス量dが、製品製造上において規格に入っているか否かを判断する。そして、規格に入っていない場合には、必要に応じて露光装置のフォーカス設定を変更する処理等が行われる。なお、上記第4の実施形態では、上記式5により補正換算した上記第1ピーク位置PA1,PA2の間隔DAを用いてデフォーカス量dを求める場合について説明したが、上記図6に示す第1ピーク位置PA1,PA1の間隔DU以外にも、複数のテストパターン5A間で対となる第1パターン6Aを任意に選択してデフォーカス量dを求めることが可能である。さらに、複数のテストパターン5A間で対となる第2パターン6Bを任意に選択してデフォーカス量dを求めることが可能である。なお、本発明は、上記第1~4の実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。具体的に、本発明では、上記図2示すテストパターン5Aの代わりに、例えば図7に示すテストパターン5Cのように、上記第1パターン6A及び第2パターン6Bが、上記透光性基板2の面上に形成された遮光膜7の一部を残すことによって形成された遮光部7c,7dからなるものを用いて、本発明による露光装置のフォーカス測定及びデフォーカス調整を行うことも可能である。上記第1~4の実施形態では、通常の露光用のマスクパターンが形成されたフォトマスクの一部に、上記フォーカス測定用のテストパターン5A,5Bが形成されたものを用いて、通常の露光工程と同時に、本発明による露光装置のフォーカス測定を行う場合について説明したが、上記フォーカス測定用のテストパターン5A,5Bが形成されたフォトマスクを用いて、本発明による露光装置のフォーカス測定を通常の露光工程とは別に行うことも可能である。以上のようにして、本発明では、上記フォーカス測定用のテストパターン5A,5Bが形成されたマスク1を用いて、上記リファレンスデータの作成を行い、このリファレンスデータとの比較によって、露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量dを高精度且つ安定的に求めることが可能である。そして、この求めたデフォーカス量dに基づいて、露光装置のデフォーカス調整を精度良く行うことが可能である。また、本発明では、通常の露光用のマスクパターンが形成されたフォトマスク1の一部に、上記フォーカス測定用のテストパターン5A~5Cを形成することができるため、このフォトマスク1を用いて露光を行った場合には、通常の露光用のマスクパターンを用いたレジスト層に対する露光と共に、本発明による露光装置のフォーカス測定を同時に行うことが可能である。したがって、本発明によれば、従来よりも簡便な手順で精度良く露光装置のフォーカス測定を行うことができるため、この露光装置の稼働率の低下を回避することが可能である。"