電子機器であって、前記電子機器の主要な発熱体である第1の電子部品と、上面と、下面と、前記上面から前記下面に貫通するスリットと、有する基板であって、前記第1の電子部品は前記上面に配置され、前記スリットは前記第1の電子部品から見て前記上面に沿った第1の方向に配置されている、基板と、内部に形成され、前記基板が配置される収容空間と、前記収容空間と外部とを連通する第1の通気口と、前記収容空間と外部とを連通する第2の通気口と、を有する筐体であって、前記第1の通気口は前記収容空間に配置された前記基板より下方に配置され、前記第2の通気口は前記収容空間に配置された前記基板より上方、かつ、前記第1の電子部品から見て前記スリットが配置された前記第1の方向とは異なる反対の第2の方向に配置されている、筐体と、を備える、電子機器。請求項1に記載の電子機器であって、前記第2の方向は、前記第1の方向の反対方向である、電子機器。請求項1または請求項2に記載の電子機器であって、さらに、前記基板の上面に配置され、前記第1の電子部品より動作保証温度が低い第2の電子部品を備え、前記第2の電子部品は、前記スリットから見て前記第1の方向に配置されている、電子機器。請求項3に記載の電子機器であって、前記筐体は、さらに、前記収容空間と外部とを連通する第3の通気口を有し、前記第3の通気口は、前記基板より上方であり、かつ、前記スリットから見て前記第2の電子部品より前記第1の方向に配置されている、電子機器。請求項4に記載の電子機器であって、前記第1の電子部品の発熱量は、前記第2の電子部品の発熱量より多く、前記スリットと前記第1の電子部品との距離は、前記スリットと前記第2の電子部品との距離より長い、電子機器。請求項3ないし請求項5のいずれかに記載の電子機器であって、前記基板は、表面または内部にに1層以上の導電層を有し、前記1以上の導電層のうちの少なくとも1層において、前記スリットから前記第2の電子部品までの領域には、導電材料が配置されていない、電子機器。請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電子機器であって、さらに、前記第1の電子部品の上面に位置する上面対応部と、前記上面対応部から前記第1の電子部品よりも前記第2の通気口側に向かって延びた延在部とを有するヒートシンクを備える、電子機器。請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の電子機器であって、前記スリットの短手方向の幅は、2mm以上、かつ、10mm以下である、電子機器。請求項3ないし請求項8のいずれかに記載の電子機器であって、前記スリットの前記第1の方向と交差する方向の長さは、前記第2の電子部品の前記第1の方向と交差する方向の長さの2分の1以上である、電子機器。しかしながら、記憶装置のさらなる小型化と、静音性、消費電力の低減を達成するために、さらに、効率的に記憶装置を冷却する技術が求められている。例えば、上記技術において記憶装置を小型化すると、筐体内部に熱がこもりやすくなるので、記憶装置を冷却するために冷却ファンなどの冷却装置に依存せざるを得なくなる可能性があった。このような課題は、記憶装置に限らず、発熱体である電子部品を備える電子機器に共通する課題であった。本発明の主な利点は、発熱体である電子部品を備える電子機器の冷却技術において、冷却装置への依存を抑制することができる冷却技術を提供することである。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。[適用例1]電子機器であって、前記電子機器の主要な発熱体である第1の電子部品と、上面と、下面と、前記上面から前記下面に貫通するスリットと、有する基板であって、前記第1の電子部品は前記上面に配置され、前記スリットは前記第1の電子部品から見て前記上面に沿った第1の方向に配置されている、基板と、内部に形成され、前記基板が配置される収容空間と、前記収容空間と外部とを連通する第1の通気口と、前記収容空間と外部とを連通する第2の通気口と、を有する筐体であって、前記第1の通気口は前記収容空間に配置された前記基板より下方に配置され、前記第2の通気口は前記収容空間に配置された前記基板より上方、かつ、前記第1の電子部品から見て前記スリットが配置された前記第1の方向とは異なる第2の方向に配置されている、筐体と、を備える、電子機器。上記構成によれば、主要な発熱体である第1の電子部品が発する熱によって第1の電子部品の近傍の空気が熱せられて、第1の電子部品の近傍の空気が上昇する対流が発生する。この対流によって基板より上方に配置された第2の通気口から収容空間内の熱せられた空気が外部に排出される。ここで、基板には、スリットが設けられているので、第2の通気口から熱せられた空気が外部に排出されることに応じて、基板より下方の空間からスリットを通って基板より上方の空間に空気が導かれる。すると、基板より下方に配置された第1の通気口から外部の冷たい空気が収容空間内に導入される。ここで、第1の電子部品から見て、スリットは第1の方向に配置され、第2の通気口は第1の方向とは異なる第2の方向に配置されている。この結果、スリットを通って基板の上面側に導かれた空気が第1の電子部品の近傍を通って第2の通気口から排出される流路が確保される。この結果、第1の通気口から導入され、スリットと、第1の電子部品の近傍を通って、第2の通気口から排出されるという第1の電子部品の冷却に好適な対流が実現される。この結果、対流を利用して第1の電子部品を効率良く冷却することができる。この結果、冷却ファンなどの冷却装置を用いることなく、電子機器を小型化すること、あるいは、冷却装置の消費電力を抑制しつつ、電子機器を小型化することが可能となる。[適用例2]適用例1に記載の電子部品であって、前記第2の方向は、前記第1の方向の反対方向である、電子機器。上記構成によれば、スリットを通って基板の上面側に導かれた空気が第1の電子部品の近傍を通って第2の通気口から排出される流路を、直線的な流路とすることができるので、より円滑な対流を実現して、第1の電子部品を効率良く冷却することができる。[適用例3]適用例1または適用例2に記載の電子機器であって、さらに、前記基板の上面に配置され、前記第1の電子部品より動作保証温度が低い第2の電子部品を備え、前記第2の電子部品は、前記スリットから見て前記第1の方向に配置されている、電子機器。上記構成によれば、第2の電子部品は、スリットから見て第1の電子部品とは反対方向に位置するので、スリットから第1の電子部品の方向に向かう対流によって、第1の電子部品から発生した熱が、第2の電子部品に伝わることを抑制することができる。この結果、第1の電子部品より動作保証温度が低い第2の電子部品に熱による不具合が生じる可能性を低減することができる。[適用例4]適用例3に記載の電子機器であって、前記筐体は、さらに、前記収容空間と外部とを連通する第3の通気口を有し、前記第3の通気口は、前記基板より上方であり、かつ、前記スリットから見て前記第2の電子部品より前記第1の方向に配置されている、電子機器。上記構成によれば、第2の電子部品が発する熱によって第2の電子部品の近傍の空気が熱せられて、第2の電子部品の近傍の空気が上昇する対流が発生する。この結果、上述した第1の電子部品が発する熱によって生成される対流と同様の原理によって、第1の通気口から導入され、スリットと、第2の電子部品の近傍を通って、第3の通気口から排出されるという第2の電子部品の冷却に好適な対流が実現される。この結果、第1の電子部品とともに、第2の電子部品も対流を利用して、効率良く冷却することができる。[適用例5]適用例4に記載の電子機器であって、前記第1の電子部品の発熱量は、前記第2の電子部品の発熱量より多く、前記スリットと前記第1の電子部品との距離は、前記スリットと前記第2の電子部品との距離より長い、電子機器。上記構成によれば、基板より上方の空間のうち、第1の電子部品からスリットまでの間の空間を、第2の電子部品とスリットまでの間の空間よりも大きくとることができる。この結果、第1の電子部品からスリットまでの間の空間において、発熱量の多い第1の電子部品からの熱を用いて発生する対流の流量を増加させることができる。したがって、発熱量の多い第1の電子部品を効率良く冷却できるとともに、電子機器全体における対流の流量を増加させて、電子機器を効率良く冷却することができる。[適用例6]適用例3ないし適用例5のいずれかに記載の電子機器であって、前記基板は、表面または内部に1層以上の導電層を有し、前記1層以上の導電層のうちの少なくとも1層において、前記スリットから前記第2の電子部品までの領域には、導電材料が配置されていない、電子機器。上記構成によれば、スリットから第2の電子部品までの領域には、少なくとも1層の導電層において導電材料が配置されていないので、第1の電子部品の発する熱が、導電材料を介して、スリットを挟んで反対側にある第2の電子部品に伝わることを抑制することができる。この結果、第2の電子部品に熱による不具合が生じる可能性を低減することができる。[適用例7]適用例1ないし適用例6のいずれかに記載の電子機器であって、さらに、前記第1の電子部品の上面に位置する上面対応部と、前記上面対応部から前記第1の電子部品よりも前記第2の通気口側に向かって延びた延在部とを有するヒートシンクを備える、電子機器。上記構成によれば、ヒートシンクによって、第1の電子部品からの熱がヒートシンクを介して、第2の通気口側に伝えられるので、第2の通気口から効率良く熱を排出することができる。[適用例8]適用例1ないし適用例7のいずれかに記載の電子機器であって、前記スリットの短手方向の幅は、2mm以上、かつ、10mm以下である、電子機器。上記構成によれば、スリットを通る空気の流量と流速を確保することができる。この結果、対流を利用して効率良く冷却を行うことができる。[適用例9]適用例3ないし適用例8のいずれかに記載の電子機器であって、前記スリットの前記第1の方向と交差する方向の長さは、前記第2の電子部品の前記第1の方向と交差する方向の長さの2分の1以上である、電子機器。上記構成によれば、スリットを通過する空気流によって、第1の電子部品からの熱が第2の電子部品に伝わることを十分に抑制することができる。次に、この発明の実施の形態を実施例に基づいて図面を参照しながら説明する。A.実施例:A-1:記憶装置1000の構成:図1は、本発明の一実施例としての電子機器である記憶装置1000の分解斜視図である。図2は、記憶装置1000を底面側Z軸の負方向側から見た図である。図3は、1000を側面側X軸の負方向側から見た図である。後述するように、記憶装置1000は、図1におけるZ軸の正方向を上向きにしてZ軸の負方向を下向きにして設置されることが想定されている。したがって、記憶装置1000が想定通りに設置された状態で、図1におけるX軸およびY軸は水平方向と平行であり、Z軸方向は鉛直方向と平行である。以下では、Z軸の正方向を上方とも呼び、Z軸の負方向を下方とも呼ぶ。また、Y軸の正方向を前方、Y軸の負方向を後方とも呼び、X軸の正方向を左側方、X軸の負方向を右側方とも呼ぶ。また、Z軸の正方向を向いた面を上面とも呼び、Z軸の負方向を向いた面を下面とも呼ぶ。また、Y軸の正方向を向いた面を前面、Y軸の負方向を向いた面を後面とも呼び、X軸の正方向を向いた面を左側面、X軸の負方向を向いた面を右側面とも呼ぶ。記憶装置1000は、上部材100aと下部材100bとを含む筐体100と、筐体100の内部に収容される基板200と、基板200に配置された複数の電子部品とを備えている図1。A-2:筐体100の構成筐体100上部材100aと下部材100bは、例えば、ABS樹脂アクリロニトリルブタジエンスチレン共重合樹脂で形成されている。筐体100は、他の材料、具体的には、ポリカーボネート、ポリスチレンなどの他の熱可塑性樹脂、鉄などの金属で形成されても良い。下部材100b図1の上面の4隅には、4つの第1のボスB1~B4が形成されている。上部材100aの下面には、下部材100bの4つの第1のボスB1~B4に対応する位置に、ボスが形成されている図示省略。また、下部材100bの上面の所定位置には、4つの第2のボスB5~B8が形成されている。これらのボスB1~B8には、それぞれネジ孔が設けられている。第2のボスB5~B8にはネジによって基板200が固定される。なお、このネジによって、基板200の所定位置に後述するハードディスクドライブ220が固定される。基板200が下部材100bに第1のボスB3、B4、第2のボスB5~B8に固定された状態で、下部材100bと上部材100aとが重ね合わされ、上述した4つの第1のボスB1~B4の位置にて下部材100bと上部材100aとがネジで固定される。このようにして組み立てられた筐体100は、図2~図3に示すように、上壁110と、下壁120と、左側壁130と、前壁140と、右側壁150と、後壁160とを備える略直方体の外形を有する。組み立てられた筐体100における上部材100aと下部材100bとの合わせ部には、隙間がほとんどなく、記憶装置1000を冷却するための空気流が通過するのに十分な隙間はない。ここでいう合わせ部は、具体的には、前壁140の下端部と下壁120の前端部との合わせ部、右側壁150の下部分の合わせ部、左側壁130の下部分の合わせ部、後壁160の高さ方向の中央部の合わせ部を含む。筐体100の下壁120の下面の4隅には、円筒型の脚部170が設けられている。筐体100の外形寸法は、幅X軸方向の長さ230mmミリメートル×高さZ軸方向の長さ35mm×奥行きY軸方向の長さ150mm高さ約5mmの脚部170を除く。である。筐体100の体積容積は、約1.2Lリットルである。筐体100の内部には、これらの6つの壁110~160によって区画された収容空間SSが形成される。下壁120には、図2、図3に示すように、奥行き方向Y軸方向の中央部に、幅方向X軸方向の全長に亘る底上げ部122が形成されている。底上げ部122の下面は、下壁120の下面の他の部分より若干本実施例では約5mm高くされており、脚部170の下面と比較すると約10mm高くされている。底上げ部122の奥行き方向Y軸方向の長さは、概ねY軸方向の筐体100の全長の約40程度本実施例では、約60mmである。この底上げ部122のほぼ全域に亘って、筐体100の外部と収容空間SSとを連通する貫通孔である複数の第1の通気口121が形成されている。1つの第1の通気口121は、奥行き方向Y軸方向に延びる長孔であり、本実施例では、X軸方向の長さが約2.5mm、Y軸方向の長さが約20mmの長孔である。複数の第1の通気口121は、X軸方向に所定間隔本実施例では約2mmをおいて並んで配置されて、X軸方向に延びる列を形成している。この第1の通気口121の列は、底上げ部122のY軸方向の両端部および中央部にそれぞれ一列ずつ、計3列、配置されている。この第1の通気口121の形状や数は、これに限られないが、本実施例の第1の通気口121のように、記憶装置1000を冷却するための空気流が通過するのに十分な大きさおよび数を有することが好ましい。右側壁150には、図3aに示すように、上方の約半分の領域に、筐体100の外部と収容空間SSとを連通する貫通孔である複数の第2の通気口151が形成されている。1つの第2の通気口151は、Z軸方向に延びる長孔であり、本実施例では、Y軸方向の長さが約3mm、Z軸方向の長さが約15mmの長孔である。第2の通気口151の上端Z軸方向の端は、上壁110の下面の位置、すなわち、筐体100の収容空間SSの上端の位置と、ほぼ同じ位置にある図3a。複数の第2の通気口151は、Y軸方向に所定間隔本実施例では約3mmをおいて並んで配置されて、Y軸方向に延びる列を形成している。この第2の通気口151の列は、筐体100のY軸方向の長さ奥行きの60程度本実施例では、約95mmに亘って、Y軸方向の中央部に配置されている。図3bには、図3aに示すA-A断面が示されている。図3bに示すように、第2の通気口151の筐体100内部側には、L字型の異物侵入防止部材152が配置されているが、第2の通気口151は、矢印ARに示すように、空気が通過することが十分にできるように構成されている。この第2の通気口151の形状や数は、これに限られないが、本実施例の第2の通気口151のように、記憶装置1000を冷却するための空気流が通過するのに十分な大きさおよび数を有することが好ましい。左側壁130には、上述した複数の第2の通気口151と左右対称に、第2の通気口151と同様の形状を有する複数の第3の通気口131が形成されている図2。すなわち、左側壁130の上方の約半分の領域には、筐体100の外部と収容空間SSとを連通する貫通孔である複数の第3の通気口131が形成されている。上壁110には、貫通孔は形成されていない。前壁140には、電源ボタンが配置されるボタン用開口141や、透光部材が配置される窓142、インターフェース用開口143が形成されている図1、図2。インターフェース用開口143は、USB端子等の端子類、カード型ストレージの差し込み口などのインターフェースI/Fを外部に露出させるための開口である。後壁160には、映像や音声の出力ケーブル、LANケーブル、電源ケーブル等を接続するためインターフェースI/Fを外部に露出させるためのインターフェース用開口162が形成されている図2。これらのボタン用開口141、インターフェース用開口143、162は、上述したボタン部材や対応するI/Fによって、ほとんど隙間なく塞がれており、収容空間SSと外部との間で空気が通過できる程度に十分な隙間はない。以上の説明から解るように、筐体100において、記憶装置1000を冷却するための空気流が通過するための有効な通気口は、実質的に上述した複数の第1の通気口121と、複数の第2の通気口151と、複数の第3の通気口131だけである。A-3:基板200の構成:次に図1に加えて、図4を参照しながら、基板200の構成について説明する。図4は、基板200の構成を説明する図である。図4aは、基板200を上面側から見たZ軸の正方向から見た図を示している。図4bは、基板200の図4aに示すB-B断面をY軸の正方向から見た図を示している。基板200は、樹脂例えば、ガラス布を基材としたエポキシ樹脂で形成された複数の絶縁層201と、複数の導電層と、を備えている。ここで、複数の導電層には、基板200の表面に配置された表面導電層202、203と、基板200の内部に配置された内部導電層204、205とが含まれる。内部導電層204、205は、例えば、電源電圧およびグランドが、それぞれ供給される電源供給層であり、表面導電層202、203は、基板200に実装される様々な電子部品間の配線パターンが形成された層である。これらの導電層202~205は、例えば、銅箔などの導電材料を含んでいる。絶縁層201は、複数の導電層の層間に配置されて、導電層間を絶縁している。図4aに示すように、基板200の上面200aには、複数の電子部品が配置されている。複数の電子部品は、主制御回路210と、ハードディスクドライブ220とを含んでいる。主制御回路210は、例えば、汎用のCPUを始めとするマイクロプロセッサ、マイクロプロセッサやメモリなどを含むSoCSystemonChipである。主制御回路210は、記憶装置1000の主要な発熱体であり、記憶装置1000に備えられる電子部品のうち、最も発熱量が多い電子部品である。主制御回路210の発熱量の目安となる最大消費電力は、約4~5Wワットである。主制御回路210は、例えば、ハードディスクドライブ220に格納された画像データをコンポジット映像信号に変換する処理などのデータ処理を含む記憶装置1000の制御処理を実行する。ハードディスクドライブ220は、一般的な2.5インチのハードディスクドライブである。ハードディスクドライブ220は、記憶装置1000の主要な発熱体であり、記憶装置1000に備えられる電子部品のうち、2番目に発熱量が多い電子部品である。ハードディスクドライブ220の最大消費電力は、約2~3Wである。ハードディスクドライブ220の動作保証温度本実施例では、約摂氏60度は、主制御回路210の動作保証温度本実施例では、約摂氏70度よりも低い。基板200に配置された複数の電子部品は、他に、複数のUSBインタフェースI/F230と、カード型ストレージI/F240と、HDMIHighDefinitionMultimediaInterface端子250、RCA映像/音声端子260と、イーサネットI/F270イーサネットは登録商標と、図示しない複数のコンデンサ、抵抗、トランジスタ、ICチップ等を含んでいる。これらの全ての電子部品の消費電力を含む記憶装置1000の最大消費電力は、約15Wである。ここで、上述した主制御回路210は、基板200のY軸方向の略中央部であって、右端X軸の負方向の端から基板200のX軸方向の長さの約1/3だけ中央よりの位置に配置されている図4ab。また、上述したハードディスクドライブ220は、基板200の左端X軸の正方向の端であって、Y軸方向の中央付近に配置されている図4ab。また、基板200には、スリット290が形成されている。スリット290は、基板200の上面200aから下面200bに貫通する貫通孔である。スリット290は、主制御回路210とハードディスクドライブ220との間に配置されている。すなわち、スリット290は、主制御回路210から見て、X軸の正方向に配置されている。そして、ハードディスクドライブ220は、スリット290から見て、X軸の正方向に配置されている。スリット290は、短手方向がX軸方向であり、長手方向がY軸方向である長孔である。すなわち、スリット290は、主制御回路210とハードディスクドライブ220とを結ぶ方向X軸方向と交差する方向Y軸方向に延びる長孔である。本実施例のスリット290の短手方向の長さ幅は、約5mmである。スリット290の長手方向の長さは、ハードディスクドライブ220のY軸方向の長さスリット290の長手方向と平行な方向の長さ本実施例では、約100mmの約80である本実施例では、約80mm。ここで、スリット290から主制御回路210までの距離スリット290の右端と主制御回路210の左端との距離L1は、スリット290からハードディスクドライブ220までの距離スリット290の左端とハードディスクドライブ220の右端との距離L2より長くされている。本実施例では、距離L1は、約45mmであり、距離L2は、約12mmである。さらに、基板200において、スリット290からハードディスクドライブ220側左側の領域BA図4aにおいて二点破線BAで示す領域には、上述した導電層202~205において導電材料が配置されていない。これは、熱伝導率が絶縁層2001エポキシ樹脂より高い導電材料例えば、銅箔を介して、主制御回路210からの熱がハードディスクドライブ220に伝わることを抑制するためである。領域BAのY軸方向の両端の位置は、スリット290のY軸方向側の両端の位置とほぼ一致している。領域BAのX軸の正方向の端左端は、基板200の左端に達している。したがって、基板200において、上方から見てハードディスクドライブ220と重なる領域の約80は、領域BAとなっている。なお、導電層202~205が配置されない領域BAの左端は、必ずしも基板200の左端に達していなくても良いが、少なくともハードディスクドライブ220の右端よりは左側に達していることが好ましい。また、領域BAの導電層202~205のうち、全ての層で導電材料が配置されていなくても良く、一部の層において導電材料を配置しないこととしても良い。例えば、電源供給層として用いられるために、導電材料の量が多い内部導電層204、205において導電材料を配置しないこととし、表面導電層202、203においては導電材料を配置することとしても良い。こうすれば、配線パターンを形成する領域として領域BAを利用しつつ、主制御回路210からの熱がハードディスクドライブ220に伝わることを抑制することができる。次に、筐体100の収容空間SSにおける基板200の配置位置について説明する。図4aにおいて、破線OLは、筐体100の内壁面の位置収容空間SSの外縁の位置を示している。また、図4aにおいて、一点破線HLで囲まれた領域は、筐体100の下壁120の底上げ部122において、上述した第1の通気口121が形成されている領域を示している。図4aから解るように、上下方向Z軸方向から見た基板200の大きさは、上下方向Z軸方向から見た収容空間SSの大きさより僅かに小さい程度である。そして、筐体100の後壁160と基板200との隙間NT1、右側壁150と基板200との隙間NT2、前壁140と基板200との隙間NT3は、1mm以下~2mm程度と狭くなっている。この結果、後述するように、筐体100の収容空間SSにおいて、基板200より下方の空間下方空間SSBから上方の空間上方空間SSUに空気が流入する主要な流路は、スリット290を通る流路となっている。図5は、記憶装置1000を、主制御回路210を通り、奥行き方向Y軸方向と垂直な面で切断した断面図である。図5に示すように、基板200は、筐体100の上壁110および下壁120と平行であって、収容空間SSの高さ方向Z軸方向の中央より下壁寄りの位置に固定されている。基板200の上面200aから上壁110の下面までの距離は約20mmであり、基板200の下面200bから下壁120の底上げ部122の上面までの距離は、約3mmである。主要な発熱体である主制御回路210およびハードディスクドライブ220が配置される空間が広くなるように、基板200は、下壁120寄りに配置されることが、冷却の観点から好ましい。収容空間SSは、基板200によって、基板200より上方の空間である上方空間SSUと、基板200より下方の空間である下方空間SSBとに仕切られる。図5から解るように、上方空間SSUにおいて、第2の通気口151は、主制御回路210から見てX軸方向の負方向に配置される。すなわち、第2の通気口151は、主制御回路210からみてスリット290が配置された方向X軸の正方向と反対の方向に配置される。また、第2の通気口151は、基板200の上面200aより上方であり、さらには、主要な発熱体である主制御回路210より上方に配置されていることが解る。また、第3の通気口131は、上方空間SSUにおいて、ハードディスクドライブ220から見てX軸の正方向に配置される。すなわち、第3の通気口131は、スリット290から見て、ハードディスクドライブ220より、さらに、X軸の正方向に配置されている。また、第1の通気口121は、下方空間SSBにおいて、基板200の下面200bより下方に配置されている。そして、第1の通気口121は、スリット290の直下にも配置されている。A-4:記憶装置1000の冷却の仕組み次に、図5を参照して、記憶装置1000の冷却の仕組みについて説明する。記憶装置1000は、熱伝達、放射、対流によって冷却される。例えば、主制御回路210の近傍は高温となり、第1の通気口121の近傍は、外気に近いために低温となるので、熱伝達によって、主制御回路210の熱の一部は、第1の通気口121から外部に放出される。また、記憶装置1000で発生した熱は、筐体100を介して放射によっても外部に放出される。本実施例の記憶装置1000では、さらに、対流を効率良く利用して冷却を行っている。その仕組みを以下に説明する。記憶装置1000の動作時に、主制御回路210が発熱すると、主制御回路210が発する熱によって、上方空間SSU内、特に、主制御回路210の近傍の空気が熱せられる。その結果、熱せられた空気の比重は低いため、浮力によって上昇する対流が発生する。この対流によって基板200の上面200aより上方に配置された第2の通気口151から収容空間SS内の熱せられた空気が外部に排出される図5:矢印R1。ここで、基板200には、スリット290が設けられているので、第2の通気口151から熱せられた空気が外部に排出されることに応じて、下方空間SSBからスリット290を通って上方空間SSUに空気が導かれる図5:矢印R2。下方空間SSBには、基板200の下面200bより下方に配置された第1の通気口121から外部の冷たい空気が収容空間SS下方空間SSB内に導入される図5:矢印R3。ここで、主制御回路210から見て、スリット290はX軸の正方向に配置され、第2の通気口151は、X軸の正方向とは異なる方向本実施例ではX軸の負方向に配置されている。この結果、スリット290を通って基板200の上面200a側に導かれた空気が主制御回路210の近傍を通って第2の通気口151から排出される流路が確保される図5:矢印R1~R3。この結果、第1の通気口121から導入され、スリット290と、主制御回路210の近傍を通って、第2の通気口151から排出されるという主制御回路210の冷却に好適な対流が実現される。さらに、主制御回路210から見て、スリット290が配置された方向本実施例では、X軸の正方向と、第2の通気口151が配置された方向本実施例ではX軸の負方向とは反対方向を向いている。この結果、Z軸方向から見て、スリット290を通って基板200の上面200a側に導かれた空気が主制御回路210の近傍を通って第2の通気口151から排出される流路が、直線的になる。この結果、より円滑な対流を実現して、第1の電子部品を効率良く冷却することができる。ここで、主制御回路210から見て、スリット290が配置された方向本実施例では、X軸の正方向と、第2の通気口151が配置された方向本実施例ではX軸の負方向とは、必ずしも反対方向でなくても良く、少なくとも異なる方向であれば、比較的良好な対流を実現することができる。さらに、ハードディスクドライブ220は、上方空間SSUにおいて、スリット290から見てX軸の正方向、すなわち、主制御回路210とは反対方向に配置されている。したがって、スリット290を通って主制御回路210に向かう対流によって、主制御回路210から発生した熱が、ハードディスクドライブ220に伝わることを抑制することができる。すなわち、スリット290から上方空間SSUに流入する空気流によって、ハードディスクドライブ220と主制御回路210との間を仕切ることができる。この空気流は、第1の通気口121から導入された空気であるので、比較的低温に維持され、効果的にハードディスクドライブ220を主制御回路210の熱から保護することができる。この結果、主制御回路210より動作保証温度が低いハードディスクドライブ220に熱による不具合が生じる可能性を低減することができる。さらに、上方空間SSUにおいて、第3の通気口131が、基板200より上方であり、かつ、スリット290から見てハードディスクドライブ220よりX軸の正方向に配置されている。この結果、上方空間SSUにおいて、ハードディスクドライブ220が発する熱によってハードディスクドライブ220の近傍の空気が熱せられて、ハードディスクドライブ220の近傍の空気が上昇する対流が発生する。この結果、上述した主制御回路210が発する熱によって生成される対流と同様の原理によって、第1の通気口121から導入され、スリット290と、ハードディスクドライブ220の近傍を通って、第3の通気口131から排出されるというハードディスクドライブ220の冷却に好適な対流が実現される図5:矢印R3~R5。この結果、主制御回路210とともに、ハードディスクドライブ220も対流を利用して、効率良く冷却することができる。また、これらの2つの対流が1つのスリット290を通るので、スリット290を通る空気の流量および流速を高めることができる。このために、より効果的に、ハードディスクドライブ220と主制御回路210との間を断熱することができる。また、図4に示すように、スリット290と主制御回路210との距離L1は、スリット290とハードディスクドライブ220との距離L2より長い。したがって、上方空間SSUにおいて、主制御回路210からスリット290までの間の空間を、ハードディスクドライブ220とスリット290までの間の空間よりも大きくとることができる。この結果、主制御回路210からスリット290までの間の空間において、発熱量の多い主制御回路210からの熱を用いて発生する対流の流量を増加させることができる。したがって、発熱量の多い主制御回路210を効率良く冷却できるとともに、収容空間SS全体における対流の流量を増加させて、記憶装置1000を効率良く冷却することができる。さらに、図4aに示すように、基板200には、導電層202~205において導電材料が配置されていない領域BAが設けられているので、主制御回路210が発する熱が、熱伝導率が空気と比較して非常に高い導電材料例えば、銅箔を介して、ハードディスクドライブ220に伝わることを抑制することができる。この結果、ハードディスクドライブ220に熱による不具合が生じる可能性をさらに低減することができる。さらに、スリット290の幅X軸方向の長さを適切な値である5mmに定めることによって、スリットを通る空気の流量と流速を確保することができる。この結果、対流を利用して効率良く冷却を行うことができる。例えば、スリット290の幅が狭すぎると、対流が通過する流量が少なくなり、スリット290の幅が広すぎると、対流の流速が低下する。このために、スリット290の幅は、2mm以上、かつ、10mm以下の範囲であることが好ましく、4mm以上、かつ、7mm以下の範囲であることがさらに好ましい。また、スリット290の長手方向の長さ、すなわち、主制御回路210とハードディスクドライブ220が並んでいる方向と交差する方向の長さは、スリット290の長手方向のハードディスクドライブ220の長さ100mmの80程度にされている図4a。この結果、主制御回路210からの熱がハードディスクドライブ220に伝わることを、スリット290を通過する空気流によって十分に抑制することができる。ここで、スリット290の長手方向の長さは、ハードディスクドライブ220の長さの50以上であることが好ましく、70以上であることがさらに好ましい。また、記憶装置1000の下壁120には、底上げ部122が形成されており、底上げ部122に第1の通気口121が形成されている図2、図3。この結果、例えば、水平面上に記憶装置1000が設置された場合に、下壁120の下方に、過度な抵抗なく空気を導入することができる。この結果、収容空間SS内に生じる対流の流量、流速を向上することができる。また、筐体100において、記憶装置1000を冷却するための空気流が通過するための有効な通気口は、実質的に上述した複数の第1の通気口121と、複数の第2の通気口151と、複数の第3の通気口131だけである。したがって、筐体100の収容空間SSに上述した対流以外の空気の流動が発生することに起因して上述した対流の流量および流速が減少することを抑制することができる。上記実施例における記憶装置1000では、冷却ファンを用いることなく、必要な冷却性能を得ることができた。図6は、筐体容積と消費電力との関係から、強制冷却の要否を判定するためのグラフである。ここで強制冷却とは、冷却ファンなどの冷却装置を用いて、電子機器を冷却することである。このグラフでは、多数の電子機器のサンプルについて、筐体容積V単位はリットルの常用対数logV横軸と、最大消費電力Q単位はワットの常用対数logQ縦軸との関係がプロットされている。白丸は、強制冷却が必要だったサンプルを表し、四角は、強制冷却が不要だったサンプルを表している。摂氏40度の環境下において、強制冷却を行うことなく最大消費電力で電子機器を動作させた場合に、電子機器の最大温度が摂氏60度以上となる場合に強制冷却が必要であると判断し、電子機器の最大温度が摂氏60度未満となる場合に強制冷却が不要であると判断している。この経験則から、筐体容積と最大消費電力との関係が、直線G1より上側の領域にある場合は、強制冷却が必要であると簡易的に判断することができる。図6のグラフには、本実施例における記憶装置1000について、黒丸でプロットされている。図6から解るように、本実施例の記憶装置1000では、図6のグラフによる判定では、強制冷却が必要であると判定されるが、上記構成を採用することにより、冷却ファンを備えることなく、十分な冷却性能を得ることができた。なお、図6の直線G1は、以下の近似式1で表すことができる。logQ=0.715×logV1.001したがって、直線G1より上側の強制冷却領域は、筐体容積Vと、最大消費電力Qが、以下の式2の関係を満たす領域であると言える。logQ>0.715×logV1.002以上の説明から解るように、ここで、本実施例における主制御回路210は、請求項における第1の電子部品に対応し、本実施例におけるハードディスクドライブ220は、請求項における第2の電子部品に対応する。また、本実施例における基板200の上面200aに沿ったX軸の正方向は、請求項における第1の方向に対応し、本実施例におけるX軸の負方向は、請求項における第2の方向に対応する。B.変形例B-1:上記実施例の構造は、上記実施例に示した記憶装置1000の筐体サイズや消費電力である電子機器に限らず、様々なサイズおよび消費電力を有する電子機器に採用することができる。なお、実施例に示した対流を利用した冷却構造は、特に、筐体容積Vに対して、電子機器の最大消費電力Qが比較的大きい場合に、対流が大きくなるので、効果的な冷却性能が得られ易いと考えられる。具体的には、上記実施例の記憶装置1000のように、筐体容積Vと最大消費電力Qとの関係が、図6に示すグラフの直線G1の近傍、または、直線G1より上側の強制冷却領域にある場合に、より効果的であると考えられる。例えば、筐体サイズが、幅200mm×高さ35mm×奥行き180mm筐体容積約1.2リットルで、最大消費電力が約10Wである電子機器グラフの直線G1の近傍に位置する関係であると言えるに、実施例と同様の冷却構造を採用したところ、効果的な冷却性能が得られた。B-2:上記実施例では、冷却ファンなどを用いていないが、冷却ファンを用いる電子機器にも上記実施例にて説明した構造を採用することができる。こうすれば、冷却ファンによって生成される空気流に加えて、上述した対流が発生するので、より効率良く電子機器を冷却することができる。例えば、上記実施例における記憶装置1000の第2の通気口151の内側に冷却ファンを設けても良い。冷却ファンが設けられた電子機器に、上記実施例の構造を採用すれば、例えば、筐体サイズを変えない場合には、冷却ファンによって生成すべき空気流の流量を低減できる。この結果、冷却ファンから発せられる音量を低減して電子機器の静音化を図ることができるとともに、冷却ファンの消費電力を抑制して電子機器の省電力化を図ることができる。また、冷却ファンの出力を変えない場合には、冷却ファンと対流との両方を利用した冷却性能の向上によって、筐体サイズを小型化することができる。B-3:図7は、変形例について説明する第1の図である。図7aは、ヒートシンク600の外観を示している。図7bは、変形例における記憶装置の断面を示している。図7bは、実施例における図5に示す断面と同じ位置の断面を示している。なお、本変形例における記憶装置は、ヒートシンク600が追加されている点を除いて、実施例における記憶装置1000と同一の構成を備えるので、同一の構成については図5と同一の符号を付して、その説明を省略する。ヒートシンク600は、アルミニウムを用いて形成されている。ヒートシンク600は、空気や基板200と比較して十分に熱伝導率が高い他の材料、例えば、銅などの金属、グラファイト、セラミックスなどが用いられ得る。ヒートシンク600は、上面対応部610と、延在部620とを備えている図7a。上面対応部610は、主制御回路210の上面の全体を覆うように、主制御回路210の上面に配置されている図7b。延在部620は、水平延在部621と、垂直延在部622とを備えている。水平延在部621は、上面対応部610から主制御回路210の右端X軸の負方向の端を超えて、第2の通気口151に向かってすなわち、右側壁150に向かって延びている部分である図7b。水平延在部621の右側壁150側の端部は、右側壁150の内面の近傍に位置している。垂直延在部622は、水平延在部621の右側壁150側の端部から上方に向かって、右側壁150に沿って延びている部分である。垂直延在部622は、右側壁150に接していても良い。垂直延在部622のY軸方向の長さは、主制御回路210のY軸方向の長さ、および、ヒートシンク600の他の部分上面対応部610および水平延在部621のY軸方向の長さよりも長く構成されている。垂直延在部622は、例えば、右側壁150の第2の通気口151が形成されている領域の全体を内側から覆う程度の大きさに形成されている。垂直延在部622には、第2の通気口151に対応する位置に複数の貫通孔622hが形成されており、第2の通気口151を介した収容空間SSと外部との空気の遣り取りを妨げないように構成されている。この変形例によれば、ヒートシンク600によって、主制御回路210からの熱がヒートシンク600を介して、第2の通気口151に伝えられるので、第2の通気口151から効率良く熱を排出することができる。この結果、記憶装置の冷却性能をさらに向上することができる。また、ヒートシンク600において、主制御回路210より右側壁150側に位置する垂直延在部622のY軸方向の長さは、ヒートシンク600の他の部分上面対応部610および水平延在部621のY軸方向の長さより長く構成されているので、主制御回路210の熱を効率良く第2の通気口151が形成された右側壁150に移動させることができる。ヒートシンクの形状は、図7に示す形状に限られず、少なくとも主制御回路210の上面に位置する上面対応部と、上面対応部から主制御回路210よりも第2の通気口151側に向かって延びた延在部とを有していれば良い。B-4:図8は、変形例について説明する第2の図である。図8aに示すように、筐体100の上壁110の下面には、対流ガイド板115が配置されても良い。この対流ガイド板115は、スリット290の真上Z軸の正方向に位置している。対流ガイド板115は、図8a示す三角形の断面形状Y軸方向から見た形状がY軸方向に沿って延びた三角柱形状を有する部材である。対流ガイド板115は、上壁110の下面のY軸方向の全長に亘って延びていても良いし、上壁110の下面のY軸方向の一部の長さであっても良い。対流ガイド板115は、スリット290のY軸方向の長さ以上の長さを有していることが好ましい。この対流ガイド板115によれば、スリット290から上方空間SSUに流入する対流を、主制御回路210方向に向かう流れと、ハードディスクドライブ220に向かう流れとに、適切に分離することができる。この結果、円滑な対流を実現して、記憶装置1000の冷却性能を向上することができる。また、図8bに示すように、筐体100の上壁110の下面は、X軸方向に沿って高さを異ならせた傾斜面USa、USbであっても良い。具体的には、スリット290より右側壁150側の傾斜面USaは、スリット290の真上の部分が最も低く、第2の通気口151の方向X軸の負方向に向かうに従って高くなるように傾斜している。こうすれば、スリット290から主制御回路210の方向に向かい、主制御回路210の熱によって熱せられて第2の通気口151から外部に排出される円滑な対流を実現することができる。また、スリット290より左側壁130側の傾斜面USbは、スリット290の真上の部分が最も低く、第3の通気口131の方向X軸の正方向に向かうに従って高くなるように傾斜している。こうすれば、スリット290からハードディスクドライブ220の方向に向かい、ハードディスクドライブ220の熱によって熱せられて第3の通気口131から外部に排出される円滑な対流を実現することができる。この結果、記憶装置1000の冷却性能を向上することができる。B-5:第2の通気口151、および、第3の通気口131が形成される位置は、上記実施例に限られない。例えば、第2の通気口151は、基板200より上方であって、かつ、主制御回路210の右端X軸の負方向の端より右側壁150側X軸の負方向側の任意の位置に配置され得る。例えば、第2の通気口151は、上壁110および前壁140および後壁160のうちの少なくとも一部における右側壁150に近い部分や、上壁110と右側壁150との角部分に配置されても良い。また、第3の通気口131は、基板200より上方であって、かつ、ハードディスクドライブ220の左端X軸の正方向の端より左側壁130X軸の正方向側の任意の位置に配置され得る。例えば、第3の通気口131は、上壁110および前壁140および後壁160のうちの少なくとも一部における左側壁130に近い部分や、上壁110と左側壁130との角部分に配置されても良い。なお、第2の通気口151、および、第3の通気口131は、熱せられた空気を効率良く排出するために、収容空間SS上方空間SSUのなるべく高い位置と連通することが好ましく、収容空間SSの最も高い位置と連通するように構成されることが好ましい。第1の通気口121が形成される位置は、上記実施例に限られない。例えば、第1の通気口121は、基板200より下方の任意の位置に配置され得る。ここで、対流の流量および流速を確保する観点から、第1の通気口121は、スリット290の真下の位置には、少なくとも配置されることが好ましい。B-6:主制御回路210、ハードディスクドライブ220は、他の電子部品であっても良く、電子機器の主要な発熱体である電子部品であることが好ましい。ここで、主要な発熱体である電子部品が1つであって良く、例えば、上記実施例において、ハードディスクドライブ220が発熱量が少ない半導体メモリである場合等には、第3の通気口131は省略され得る。B-7:上記実施例における記憶装置1000は、電子機器の一例であり、これに限られない。一般的には、主要な発熱体である電子部品が配置された基板と、当該基板を収容する筐体を含む様々な電子機器、例えば、HDDレコーダ、ルータ、スイッチ、NASに本発明は採用され得る。以上、実施例、変形例に基づき本発明について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物が含まれる。