基板と、上記基板上に形成された窒化物半導体層と、上記窒化物半導体層上に形成され、複数のくし状電極からなる第1電極群と、上記窒化物半導体層上に形成され、上記第1電極群の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第2電極群と、上記窒化物半導体層上に形成され、上記第1電極群と上記第2電極群とからなる列に対して配列方向が平行になるように配列された複数のくし状電極からなる第3電極群と、上記窒化物半導体層上に形成され、上記第3電極群の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第4電極群と、上記窒化物半導体層上に形成され、上記第1電極群と上記第2電極群との間および上記第3電極群と上記第4電極群との間に設けられたゲート電極と、上記第1第2第3第4電極群と上記ゲート電極を覆うように上記基板上に形成された層間絶縁膜と、上記第1第2第3第4電極群のある上記窒化物半導体層の活性領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に夫々形成され、上記第1第3電極群にコンタクト部を介して接続された第1の電極パッドと、上記第2電極群にコンタクト部を介して接続された第2の電極パッドと、上記第4電極群にコンタクト部を介して接続された第3の電極パッドとを備え、上記第1電極群および上記第3電極群は、ソース電極またはドレイン電極の一方であり、上記第2電極群および上記第4電極群は、上記ソース電極または上記ドレイン電極の他方であることを特徴とする窒化物半導体装置。請求項1に記載の窒化物半導体装置において、上記第1電極群と上記第3電極群とを接続する中間配線を備え、上記第1電極群または上記第3電極群の一方と上記第1の電極パッドとを、上記中間配線と上記コンタクト部を介して接続していることを特徴とする窒化物半導体装置。請求項1または2に記載の窒化物半導体装置において、上記窒化物半導体層上に形成された第1直線状基部と、その第1直線状基部から両側方に延びた上記第1電極群と上記第3電極群とを有する第1の電極と、上記第2電極群を有する第2の電極と、上記第4電極群を有する第3の電極とを備え、上記ゲート電極は、上記第1の電極と上記第2の電極との間および上記第1の電極と上記第3の電極との間を折曲して延在すると共に、上記第1第2第3の電極パッドは、上記第1第2第3の電極が占める領域上でかつ上記第1第2第3第4電極群のある上記窒化物半導体層の活性領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成され、上記第1第2第3の電極に上記コンタクト部を介して夫々接続されていることを特徴とする窒化物半導体装置。請求項3に記載の窒化物半導体装置において、上記第1の電極パッドは、上記第1の電極の上記第1直線状基部および上記第1電極群と上記第3電極群のうちの上記第1直線状基部側の一部を含む領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成され、上記第2の電極パッドは、上記第2の電極の上記第2電極群のうちの上記第1の電極側と反対の側の一部を含む領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成され、上記第3の電極パッドは、上記第3の電極の上記第4電極群のうちの上記第1の電極側と反対の側の一部を含む領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成されていることを特徴とする窒化物半導体装置。請求項3または4に記載の窒化物半導体装置において、上記第1の電極は、上記ドレイン電極であり、上記第2の電極および上記第3の電極は、上記ソース電極であることを特徴とする窒化物半導体装置。請求項3から5までのいずれか1つに記載の窒化物半導体装置において、上記第1の電極、上記第2の電極、上記第1の電極と上記第2の電極とに挟まれた上記窒化物半導体層の活性領域、および、上記第1の電極と上記第2の電極との間の上記ゲート電極でヘテロ接合電界効果トランジスタが形成され、上記第1の電極、上記第3の電極、上記第1の電極と上記第3の電極とに挟まれた上記窒化物半導体層の活性領域、および、上記第1の電極と上記第3の電極との間の上記ゲート電極でヘテロ接合電界効果トランジスタが形成されていることを特徴とする窒化物半導体装置。請求項3から6までのいずれか1つに記載の窒化物半導体装置において、上記第2の電極の上記第2電極群と上記第3の電極の上記第4電極群の各端部は、少なくとも半円形状または半楕円形状を含む丸みを帯びた形状をしており、上記第1の電極の上記第1直線状基部は、上記第2の電極の上記第2電極群の各端部に対向する領域に、上記第2の電極の上記第2電極群の各端部の上記丸みを帯びた形状に応じた湾曲凹部を有すると共に、上記第3の電極の上記第4電極群の各端部に対向する領域に、上記第3の電極の上記第4電極群の各端部の上記丸みを帯びた形状に応じた湾曲凹部を有することを特徴とする窒化物半導体装置。請求項7に記載の窒化物半導体装置において、上記第2の電極の上記第2電極群の各端部の先端と、その先端に対向する上記第1の電極の上記第1直線状基部の上記湾曲凹部との間隔は、上記第1の電極と上記第2の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くなっており、上記第3の電極の上記第4電極群の各端部の先端と、その先端に対向する上記第1の電極の上記第1直線状基部の上記湾曲凹部との間隔は、上記第1の電極と上記第3の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くなっていることを特徴とする窒化物半導体装置。請求項3から8までのいずれか1つに記載の窒化物半導体装置において、上記第1の電極と上記第2の電極との間および上記第1の電極と上記第3の電極との間を折曲して延在する上記ゲート電極は、上記第1第2第3の電極のうちの上記ソース電極である側に沿って、上記第1第2第3の電極のうちの上記ドレイン電極である側よりも上記ソース電極である側の近傍に設けられていることを特徴とする窒化物半導体装置。請求項3から9までのいずれか1つに記載の窒化物半導体装置において、上記第2の電極は、上記窒化物半導体層上かつ上記第2電極群の上記第1の電極側と反対の側の各端部を接続するように形成され、上記第1の電極の上記第1直線状基部に対して平行な第2直線状基部を有すると共に、上記第3の電極は、上記窒化物半導体層上かつ上記第4電極群の上記第1の電極側と反対の側の各端部を接続するように形成され、上記第1の電極の上記第1直線状基部に対して平行な第3直線状基部を有することを特徴とする窒化物半導体装置。請求項10に記載の窒化物半導体装置において、上記第1の電極の上記第1電極群と上記第3電極群の各端部は、少なくとも半円形状または半楕円形状を含む丸みを帯びた形状をしており、上記第2の電極の上記第2直線状基部は、上記第1の電極の上記第1電極群の各端部に対向する領域に、上記第1の電極の上記第1電極群の各端部の上記丸みを帯びた形状に応じた湾曲凹部を有すると共に、上記第3の電極の上記第3直線状基部は、上記第1の電極の上記第3電極群の各端部に対向する領域に、上記第1の電極の上記第3電極群の各端部の上記丸みを帯びた形状に応じた湾曲凹部を有することを特徴とする窒化物半導体装置。請求項11に記載の窒化物半導体装置において、上記第1の電極の上記第1電極群の各端部の先端と、その先端に対向する上記第2の電極の上記第2直線状基部の上記湾曲凹部との間隔は、上記第1の電極と上記第2の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くなっており、上記第1の電極の上記第3電極群の各端部の先端と、その先端に対向する上記第3の電極の上記第3直線状基部の上記湾曲凹部との間隔は、上記第1の電極と上記第3の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くなっていることを特徴とする窒化物半導体装置。請求項3から9までのいずれか1つに記載の窒化物半導体装置において、上記第3の電極は、上記窒化物半導体層上かつ上記第4電極群の上記第1の電極側と反対の側の各端部を接続するように形成され、上記第1の電極の上記第1直線状基部に対して平行な第3直線状基部と、上記第3直線状基部から上記第1の電極と反対の側に向かって延びた複数のくし状電極からなる第6電極群を有し、上記窒化物半導体層上かつ上記第3の電極の上記第6電極群の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第5電極群を有する第4の電極とを備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。請求項13に記載の窒化物半導体装置において、上記第4の電極の上記第5電極群のうちの上記第3の電極側と反対の側の一部を含む領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成され、上記第4の電極に上記コンタクト部を介して接続された第4の電極パッドを備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。しかしながら、図16に示すマルチフィンガータイプの窒化物半導体装置において、大電流化を図るために、図17に示すように、1本のフィンガー長を長くすることによってゲート長を長くすると、オン抵抗が増大するという問題があることが判った。図16図17において、401501はソース電極、402502はドレイン電極、403503はソース電極401501と接続するソース電極パッドが形成される領域である。一方、上記マルチフィンガータイプの窒化物半導体装置において、図18に示すように、フィンガー長を一定にしてフィンガー数を増やしてゲート長を長くすると、チップの形状の縦横比が大きくなるため、ハンドリングに問題が生じたり、パッケージング時の配線に制約が生じたりするという問題がある。図18において、601はソース電極、602はドレイン電極、603はソース電極601と接続するソース電極パッドが形成される領域である。また、大電流に対応するために、太いワイヤや複数本のワイヤ設置の必要性からワイヤを接続するための電極パッドも大きくする必要があり、窒化物半導体を採用して小型化するメリットが十分に生かせないという問題があった。そこで、この発明の課題は、オン抵抗を低くして大電流に対応しつつ小型化が可能な窒化物半導体装置を提供することにある。上記課題を解決するため、この発明の窒化物半導体装置は、基板と、上記基板上に形成された窒化物半導体層と、上記窒化物半導体層上に形成され、複数のくし状電極からなる第1電極群と、上記窒化物半導体層上に形成され、上記第1電極群の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第2電極群と、上記窒化物半導体層上に形成され、上記第1電極群と上記第2電極群とからなる列に対して配列方向が平行になるように配列された複数のくし状電極からなる第3電極群と、上記窒化物半導体層上に形成され、上記第3電極群の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第4電極群と、上記窒化物半導体層上に形成され、上記第1電極群と上記第2電極群との間および上記第3電極群と上記第4電極群との間に設けられたゲート電極と、上記第1第2第3第4電極群と上記ゲート電極を覆うように上記基板上に形成された層間絶縁膜と、上記第1第2第3第4電極群のある上記窒化物半導体層の活性領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に夫々形成され、上記第1第3電極群にコンタクト部を介して接続された第1の電極パッドと、上記第2電極群にコンタクト部を介して接続された第2の電極パッドと、上記第4電極群にコンタクト部を介して接続された第3の電極パッドとを備え、上記第1電極群および上記第3電極群は、ソース電極またはドレイン電極の一方であり、上記第2電極群および上記第4電極群は、上記ソース電極または上記ドレイン電極の他方であることを特徴とする。上記構成によれば、マルチフィンガータイプでは、フィンガー長を長くすることによってゲート長が長くして大電流化を図るとオン抵抗が増大する問題に対して、オン抵抗を小さくすることが可能な範囲でフィンガー長を設定して、第1電極群~第4電極群の4つの電極によって窒化物半導体層に2つの活性領域を形成した構成とすることによって、チップ形状の縦横比を大きくすることなく、オン抵抗を小さくしたままで窒化物半導体装置を小型化することができる。また、第1の電極の第1第3電極群、第2の電極の第2電極群、および、第3の電極の第4電極群上に、第1第2第3の電極パッドを夫々並べて配置して、第1第3電極群と第1の電極パッドを接続し、第2電極群と第2の電極パッドを接続し、第4電極群と第3の電極パッドを接続することによって、ワイヤボンディングやFCBにおいて、ワイヤ間および配線間のインダクタンスの影響を小さくできる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1電極群と上記第3電極群とを接続する中間配線を備え、上記第1電極群または上記第3電極群の一方と上記第1の電極パッドとを、上記中間配線と上記コンタクト部を介して接続している。上記実施形態によれば、第1電極群または第3電極群の一方と第1の電極パッドとを、中間配線とコンタクト部を介して接続することによって、第1電極群と第3電極群の夫々に電極パッドを設けることなく、第1の電極パッドにワイヤボンディングすればよいので、パッケージ上の制約でワイヤ数を削減する必要があるときには対応することが可能となる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記窒化物半導体層上に形成された第1直線状基部と、その第1直線状基部から両側方に延びた上記第1電極群と上記第3電極群とを有する第1の電極と、上記第2電極群を有する第2の電極と、上記第4電極群を有する第3の電極とを備え、上記ゲート電極は、上記第1の電極と上記第2の電極との間および上記第1の電極と上記第3の電極との間を折曲して延在すると共に、上記第1第2第3の電極パッドは、上記第1第2第3の電極が占める領域上でかつ上記第1第2第3第4電極群のある上記窒化物半導体層の活性領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成され、上記第1第2第3の電極に上記コンタクト部を介して夫々接続されている。上記実施形態によれば、マルチフィンガータイプでは、フィンガー長を長くすることによってゲート長が長くして大電流化を図るとオン抵抗が増大する問題に対して、オン抵抗を小さくすることが可能な範囲でフィンガー長を設定して、第1の電極~第3の電極の3つの電極によって窒化物半導体層に2つの活性領域を形成した構成とすることによって、チップ形状の縦横比を大きくすることなく、オン抵抗を小さくしたままで窒化物半導体装置を小型化することができる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1の電極パッドは、上記第1の電極の上記第1直線状基部および上記第1電極群と上記第3電極群のうちの上記第1直線状基部側の一部を含む領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成され、上記第2の電極パッドは、上記第2の電極の上記第2電極群のうちの上記第1の電極側と反対の側の一部を含む領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成され、上記第3の電極パッドは、上記第3の電極の上記第4電極群のうちの上記第1の電極側と反対の側の一部を含む領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成されている。上記実施形態によれば、第1第2第3の電極の3つの電極によって形成された窒化物半導体層の活性領域上に、第1第2第3の電極パッドを最適な位置に配置して、小さなチップ形状でもワイヤボンディングやFCBを容易に行うことができる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1の電極は、上記ドレイン電極であり、上記第2の電極および上記第3の電極は、上記ソース電極である。上記実施形態によれば、第2の電極と第3の電極との間の中央に位置する第1の電極に接続された第1の電極パッドを第2第3の電極パッドよりも大きくでき、ドレイン電極である第1の電極に接続される第1の電極パッドに、第2第3の電極パッドに接続するワイヤよりも太いワイヤを接続したりワイヤ本数を増やしたりすることができる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1の電極、上記第2の電極、上記第1の電極と上記第2の電極とに挟まれた上記窒化物半導体層の活性領域、および、上記第1の電極と上記第2の電極との間の上記ゲート電極でヘテロ接合電界効果トランジスタが形成され、上記第1の電極、上記第3の電極、上記第1の電極と上記第3の電極とに挟まれた上記窒化物半導体層の活性領域、および、上記第1の電極と上記第3の電極との間の上記ゲート電極でヘテロ接合電界効果トランジスタが形成されている。上記実施形態によれば、ヘテロ接合電界効果トランジスタのヘテロ接合による2次元電子ガスをチャネルとして利用することによって、大電流を制御することができ、この窒化物半導体装置をパワーデバイスに適用することができる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第2の電極の上記第2電極群と上記第3の電極の上記第4電極群の各端部は、少なくとも半円形状または半楕円形状を含む丸みを帯びた形状をしており、上記第1の電極の上記第1直線状基部は、上記第2の電極の上記第2電極群の各端部に対向する領域に、上記第2の電極の上記第2電極群の各端部の上記丸みを帯びた形状に応じた湾曲凹部を有すると共に、上記第3の電極の上記第4電極群の各端部に対向する領域に、上記第3の電極の上記第4電極群の各端部の上記丸みを帯びた形状に応じた湾曲凹部を有する。上記実施形態によれば、第2第3の電極の第2第4電極群の丸みを帯びた形状の各端部に、第1の電極の第1直線状基部の湾曲凹部が対向していることによって、第2第4電極群の各端部に角部がある場合に比べて電界集中を緩和して、壊れにくい構造を実現できる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第2の電極の上記第2電極群の各端部の先端と、その先端に対向する上記第1の電極の上記第1直線状基部の上記湾曲凹部との間隔は、上記第1の電極と上記第2の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くなっており、上記第3の電極の上記第4電極群の各端部の先端と、その先端に対向する上記第1の電極の上記第1直線状基部の上記湾曲凹部との間隔は、上記第1の電極と上記第3の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くなっている。上記実施形態によれば、第2の電極の第2電極群の各端部の先端と、その先端に対向する第1の電極の第1直線状基部の湾曲凹部との間隔を、第1の電極と第2の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くし、第3の電極の第4電極群の各端部の先端と、その先端に対向する第1の電極の第1直線状基部の湾曲凹部との間隔を、第1の電極と第3の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くすることによって、電界が集中しやすい第2第4電極群の各端部の先端に対して、対向する第1の電極の第1直線状基部の湾曲凹部を最も離すことで電界集中をさらに緩和して、より壊れにくい構造を実現できる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1の電極と上記第2の電極との間および上記第1の電極と上記第3の電極との間を折曲して延在する上記ゲート電極は、上記第1第2第3の電極のうちの上記ソース電極である側に沿って、上記第1第2第3の電極のうちの上記ドレイン電極である側よりも上記ソース電極である側の近傍に設けられている。上記実施形態によれば、第1第2第3の電極のうちのソース電極である側に沿って、第1第2第3の電極のうちのドレイン電極である側よりもソース電極である側の近傍にゲート電極を設けることによって、ゲート電極とドレイン電極との間の耐圧を大きくできる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第2の電極は、上記窒化物半導体層上かつ上記第2電極群の上記第1の電極側と反対の側の各端部を接続するように形成され、上記第1の電極の上記第1直線状基部に対して平行な第2直線状基部を有すると共に、上記第3の電極は、上記窒化物半導体層上かつ上記第4電極群の上記第1の電極側と反対の側の各端部を接続するように形成され、上記第1の電極の上記第1直線状基部に対して平行な第3直線状基部を有する。上記実施形態によれば、窒化物半導体層上かつ第2の電極の第2電極群の第1の電極側と反対の側の各端部を接続するように、第1の電極の第1直線状基部に対して平行な第2直線状基部を形成すると共に、窒化物半導体層上かつ第3の電極の第4電極群の第1の電極側と反対の側の各端部を接続するように、第1の電極の第1直線状基部に対して平行な第3直線状基部を形成することによって、第2の電極の第2電極群の複数のくし状電極が第2直線状基部により共通接続されると共に、第3の電極の第4電極群の複数のくし状電極が第3直線状基部により共通接続されるので、第2の電極および第3の電極における電流経路を短くして、オン抵抗を低くできる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1の電極の上記第1電極群と上記第3電極群の各端部は、少なくとも半円形状または半楕円形状を含む丸みを帯びた形状をしており、上記第2の電極の上記第2直線状基部は、上記第1の電極の上記第1電極群の各端部に対向する領域に、上記第1の電極の上記第1電極群の各端部の上記丸みを帯びた形状に応じた湾曲凹部を有すると共に、上記第3の電極の上記第3直線状基部は、上記第1の電極の上記第3電極群の各端部に対向する領域に、上記第1の電極の上記第3電極群の各端部の上記丸みを帯びた形状に応じた湾曲凹部を有する。上記実施形態によれば、第1の電極の第1第3電極群の丸みを帯びた形状の各端部に、第2第3の電極の第2第3直線状基部の湾曲凹部が対向していることによって、第1第3電極群の各端部に角部がある場合に比べて電界集中を緩和して、壊れにくい構造を実現できる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1の電極の上記第1電極群の各端部の先端と、その先端に対向する上記第2の電極の上記第2直線状基部の上記湾曲凹部との間隔は、上記第1の電極と上記第2の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くなっており、上記第1の電極の上記第3電極群の各端部の先端と、その先端に対向する上記第3の電極の上記第3直線状基部の上記湾曲凹部との間隔は、上記第1の電極と上記第3の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くなっている。上記実施形態によれば、第1の電極の第1電極群の各端部の先端と、その先端に対向する第2の電極の第2直線状基部の湾曲凹部との間隔は、第1の電極と第2の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くし、第1の電極の第3電極群の各端部の先端と、その先端に対向する第3の電極の第3直線状基部の湾曲凹部との間隔は、第1の電極と第3の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くすることによって、電界が集中しやすい第1第3電極群の各端部の先端に対して、対向する第2第3の電極の第2第3直線状基部の湾曲凹部を最も離すことで電界集中をさらに緩和して、より壊れにくい構造を実現できる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第3の電極は、上記窒化物半導体層上かつ上記第4電極群の上記第1の電極側と反対の側の各端部を接続するように形成され、上記第1の電極の上記第1直線状基部に対して平行な第3直線状基部と、上記第3直線状基部から上記第1の電極と反対の側に向かって延びた複数のくし状電極からなる第6電極群を有し、上記窒化物半導体層上かつ上記第3の電極の上記第6電極群の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第5電極群を有する第4の電極とを備えた。上記実施形態によれば、第1の電極~第4の電極の4つの電極によって窒化物半導体層に3つの活性領域を形成でき、チップ形状の縦横比を大きくすることなく、オン抵抗を小さくしたままでさらに大電流化に対応できる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第4の電極の上記第5電極群のうちの上記第3の電極側と反対の側の一部を含む領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成され、上記第4の電極に上記コンタクト部を介して接続された第4の電極パッドを備えた。上記実施形態によれば、第4の電極の第5電極群のうちの第3の電極側と反対の側の一部を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域に形成された第4の電極パッドをコンタクト部を介して第4の電極に接続することによって、第1の電極と同じソース電極またはドレイン電極への接続ワイヤの本数を増やすことができ、さらなる大電流化に対応できる。以上より明らかなように、この発明の窒化物半導体装置によれば、オン抵抗を低くして大電流に対応しつつ小型化が可能な窒化物半導体装置を実現することができる。以下、この発明の窒化物半導体装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。第1実施形態図1はこの発明の第1実施形態の窒化物半導体装置の電極パターンを示している。この窒化物半導体装置は、Si基板10上に、窒化物半導体層の一例としてのアンドープGaN層21アンドープAlGaN層22を形成している。このアンドープGaN層21とアンドープAlGaN層22との界面に2DEGが発生する。ここで、基板は、Si基板に限らず、サファイヤ基板やSiC基板を用いてもよく、サファイヤ基板やSiC基板上に窒化物半導体層を成長させてもよいし、GaN基板にAlGaN層を成長させる等のように、窒化物半導体からなる基板上に窒化物半導体層を成長させてもよい。図1に示すように、AlGaN層22上に、第1直線状基部1aと、その第1直線状基部1aから両側方に延びた複数のくし状電極からなる第1くし状電極部1b1cとを有する第1の電極1を形成している。第1くし状電極部1bは、この発明の窒化物半導体装置の第1電極群の一例であり、第1くし状電極部1cは、この発明の窒化物半導体装置の第3電極群の一例である。また、AlGaN層22上かつ第1の電極1の左側方に、第1の電極1の第1直線状基部1aに対して平行な第2直線状基部2aと、その第2直線状基部2aから第1の電極1側に向かって延びた複数のくし状電極からなる第2くし状電極部2bとを有する第2の電極2を形成している。この第2の電極2の第2くし状電極部2bは、第1の電極1の第1くし状電極部1bと互いに間隔をあけて交互に配列されている。第2くし状電極部2bは、この発明の窒化物半導体装置の第2電極群の一例である。また、AlGaN層22上かつ第1の電極1の右側方に、第1の電極1の第1直線状基部1aに対して平行な第3直線状基部3aと、その第3直線状基部3aから第1の電極1側に向かって延びた複数のくし状電極からなる第3くし状電極部3bとを有する第3の電極3を形成している。この第3の電極3の第3くし状電極部3bは、第1の電極1の第1くし状電極部1cと互いに間隔をあけて交互に配列されている。第3くし状電極部3bは、この発明の窒化物半導体装置の第4電極群の一例である。そして、上記第2の電極2の第2直線状基部2aの一端と第3の電極3の第3直線状基部3aの一端とを接続電極6を介して接続している。一方、上記第2の電極2の第2直線状基部2aの他端と第3の電極3の第3直線状基部3aの他端とを接続電極7を介して接続している。上記第1第2第3の電極123および接続電極67には、Ti/Auなどを用いている。また、AlGaN層22上に、第1の電極1と第2の電極2との間および第1の電極1と第3の電極3との間を折曲して延在するゲート電極5を、窒化物半導体層の表面を安定化する目的の絶縁膜30を介して形成している。ここで、ゲート電極5の一部は、AlGaN層22に接している。そして、上記第1第2第3の電極123とゲート電極5を覆うようにSi基板10上に層間絶縁膜40を形成している。この第1実施形態では、第1の電極1はドレイン電極であり、第2の電極2と第3の電極3はソース電極である。なお、第1の電極をソース電極とし、第2の電極および第3の電極をドレイン電極としてもよい。ゲート電極は、図示していないが各ソース電極ドレイン電極の間に折曲するように、ソース電極に沿ってドレイン電極よりもソース電極に近い側に設けられている。また、この窒化物半導体装置は、図2に示すように、第1の電極1の第1直線状基部1aおよび第1くし状電極部1b1cの第1直線状基部1a側を含む領域に対応する層間絶縁膜40上の領域に形成され、第1の電極1にビア50を介して接続された第1の電極パッド11と、第2の電極2の第2くし状電極部2bの第2直線状基部2a側を含む領域に対応する層間絶縁膜40上の領域に形成され、第2の電極2にビア50を介して接続された第2の電極パッド12と、第3の電極3の第3くし状電極部3bの第3直線状基部3a側を含む領域に対応する層間絶縁膜40上の領域に形成され、第3の電極3にビア50を介して接続された第3の電極パッド13とを備えている。ビア50は、この発明の窒化物半導体装置のコンタクト部の一例である。上記第1第2第3の電極パッド111213は、第1第2第3の電極123が占める領域内でかつ第1第2第3くし状電極部1b1c2b3bのある窒化物半導体層の活性領域に対応する層間絶縁膜40上の領域に形成されている。第1第2第3の電極パッド111213を素子の活性領域上にコンタクト部により設けることによって、複数のフィンガーからの距離を略均等かつ短くすることができるので、配線抵抗をより小さくすることができる。また、窒化物半導体装置のサイズも最小限とすることができる。なお、第1の電極パッド11の左上コーナーに切り欠き領域を設け、その切り欠き領域にゲート電極パッド15を形成している。ここで、第1第2第3の電極パッド111213およびゲート電極パッド15には、Ti/AuまたはTi/Alなどを用いている。この第1実施形態では、第1第2第3の電極123と第1第2第3の電極パッド111213とを接続するコンタクト部としてビア50を用いたが、コンタクト部はこれに限らず、層間絶縁膜に設けた開口などを用いて第1第2第3の電極と第1第2第3の電極パッドとを夫々接続してもよい。図3は図2のIII-III線から見た断面図を示しており、図3に示すように、Si基板10上にアンドープGaN層21とアンドープAlGaN層22を形成し、AlGaN層22とGaN層21の一部を除去して第1第2の電極12を形成している。このGaN層21とAlGaN層22で窒化物半導体層20を構成し、そのGaN層21とAlGaN層22との界面で2DEGが発生してチャネル層が形成されている。このチャネル層をゲート電極5に電圧を印加することにより制御して、ヘテロ接合電界効果トランジスタをオンオフさせる。ゲート電極5には、AlGaN層22とショットキー接合する材料として例えばWNWやTiNTiなどを用いて形成する。また、ゲート電極5を除くAlGaN層22上にAlGaN層22を保護するための絶縁膜30を形成している。この第1実施形態では、ゲート電極5は、フィールドプレート構造になるような形状に形成され、ゲート電極5のドレイン側を絶縁膜30上になるように張り出した構造としている。このようなフィールドプレート構造とすることによって、GaN系HFETの問題であるコラプス特性を抑制できる効果がある。そして、第1第2の電極12とゲート電極5が形成された窒化物半導体層20上に、層間絶縁膜40を形成し、層間絶縁膜40上に第2の電極パッド12を形成している。この第2の電極パッド12は、複数のビア50を介して第2の電極2に接続されている。ここで、絶縁膜30には、SiN、SiO2、Al2O3などを用い、層間絶縁膜40には、ポリイミドやSOGやBPSGなどの絶縁材料を用いている。図4は図2のIV-IV線から見た断面図を示しており、図4において、図3に示す断面図と同一の構成部は同一参照番号を付して説明を省略する。この図4では、第1第2の電極12とゲート電極5上に、層間絶縁膜40を形成し、層間絶縁膜40上に第1の電極パッド11を形成している。この第1の電極パッド11は、複数のビア50を介して第1の電極1に接続されている。図3の断面図に示すように、GaN層21とAlGaN層22とのヘテロ界面に2次元電子ガスが生じる。これにより、第1第2の電極12間のGaN層21AlGaN層22と、第1第2の電極12と、ゲート電極5とで、2次元電子ガスをチャネルとして利用するヘテロ接合電界効果トランジスタが形成される。また、図4の断面図に示すように、GaN層21とAlGaN層22とのヘテロ界面に2次元電子ガスが生じる。これにより、第1第3の電極13間のGaN層21AlGaN層22と、第1第3の電極13と、ゲート電極5とで、2次元電子ガスをチャネルとして利用するヘテロ接合電界効果トランジスタが形成される。この第1実施形態においては、ゲート電極5がAlGaN層22とショットキー接合するタイプのヘテロ接合電界トランジスタで説明したが、ゲート電極とAlGaN層22に間に絶縁膜を設けるタイプのMIS型のトランジスタとしてもよい。また、AlGaN層とゲート電極の間にGaNなどからなるキャップ層を設ける構造としても構わない。図3図4に示すように、第1第2第3の電極123は、GaN層21とAlGaN層22との界面よりも下側に達するような構造とすることで、チャネル層とのオーミック性を取りやすくして、コンタクト抵抗の低減を図っている。図5は上記窒化物半導体装置の第1第2第3の電極パッド111213と第1第2第3の電極123とのコンタクト位置を示す平面図の一例を示している。図5に示すように、第1の電極1と第1の電極パッド11とは、第1くし状電極部1b1cの第1の電極パッド11と重なる領域内の先端側でビア50を介して接続されている。また、第2の電極2と第2の電極パッド12とは、第2くし状電極部2bの第2の電極パッド12と重なる領域内の先端側でビア50を介して接続されている。さらに、第3の電極3と第3の電極パッド13とは、第3くし状電極部3bの第3の電極パッド13と重なる領域内の先端側でビア50を介して接続されている。これにより、第1くし状電極部1b1cと第2くし状電極部2bと第3くし状電極部3bにおける電流経路が短くなり、オン抵抗をより低くすることができる。なお、ゲート電極5とゲート電極パッド15とは、図示しないビアを介して接続している。また、第1第2第3の電極と第1第2第3の電極パッドとを接続するコンタクト部の位置は、電極と電極パッドが重なる領域内の先端側のみに限らず、他の複数の箇所にコンタクト部を適宜設けてもよい。図6は上記窒化物半導体装置の電極パッドにワイヤを接続した状態を示す平面図を示している。図6に示すように、第1第2第3の電極パッド111213に線径の太いワイヤ61の一端をボンディングすると共に、ゲート電極パッド15に線径の細いワイヤ62の一端をボンディングしている。ここで、ワイヤ6162には、アルミニウムワイヤを用いたが、AuまたはCuなどの他の金属材料を用いてもよく、リボン形状のワイヤを用いてもよい。図10はマルチフィンガータイプの窒化物半導体装置の構成に基づいて行ったシミュレーションの結果を示しており、横軸はフィンガー長Wgを表し、縦軸はオン抵抗Ronを表している。このような構成のマルチフィンガータイプの窒化物半導体装置は、図10に示すように、フィンガー長04mm~06mmでオン抵抗Ronが最も小さくなり、フィンガー長が06mmよりも長くなると、電流経路が長くなるためにオン抵抗Ronが増大するという特性を有している。ここで重要なことは、低いオン抵抗を実現するためには、フィンガー長に最適な範囲があるということである。したがって、図16に示す構成のマルチフィンガータイプの窒化物半導体装置では、低オン抵抗の特性を得るため、フィンガー長が制限される。上記第1実施形態のマルチフィンガータイプの窒化物半導体装置によれば、フィンガー長を長くすることでゲート長が長くなるとオン抵抗が増大するため、オン抵抗を小さくすることが可能な範囲でフィンガー長を設定して、第1第2第3の電極123の3つの電極によって窒化物半導体層に活性領域を形成した構成とすることによって、チップ形状の縦横比を大きくすることなく、オン抵抗を小さくしたままで窒化物半導体装置を小型化することができる。また、第1の電極1の第1くし状電極部1b1c、第2の電極2の第2くし状電極部2b、および、第3の電極3の第3くし状電極部3b上に、第1第2第3の電極パッド111213を夫々配置して、第1くし状電極部1b1cと第1の電極パッド11を接続し、第2くし状電極部2bと第2の電極パッド12を接続し、第3くし状電極部3bと第3の電極パッド13を接続しているため、ワイヤボンディングやFCBにおいて、ワイヤ間および配線間のインダクタンスの影響を小さくできる。また、図2に示すように、第1第2第3の電極123の3つの電極によって形成された窒化物半導体層の2つの活性領域上に、第1第2第3の電極パッド111213を最適な位置に配置して、小さなチップ形状でもワイヤボンディングやFCBを容易に行うことができる。また、第2の電極2と第3の電極3との間の中央に位置する第1の電極1に接続された第1の電極パッド11を第2第3の電極パッド1213よりも大きくでき、ドレイン電極である第1の電極1に接続される第1の電極パッド11に、第2第3の電極パッド1213に接続するワイヤよりも太いワイヤを接続したりワイヤ本数を増やしたりすることができる。また、上記第1実施形態では、第1の電極1、第2の電極2、第1の電極1と第2の電極2とに挟まれた窒化物半導体層の活性領域、および、第1の電極1と第2の電極2との間のゲート電極5でヘテロ接合電界効果トランジスタが形成され、第1の電極1、第3の電極3、第1の電極1と第3の電極3とに挟まれた窒化物半導体層の活性領域、および、第1の電極1と第3の電極3との間のゲート電極5でヘテロ接合電界効果トランジスタが形成されている。このように、上記窒化物半導体装置は、ヘテロ接合電界効果トランジスタのヘテロ接合による2次元電子ガスをチャネルとして利用することによって、大電流を制御することができ、パワーデバイスに適用することができる。また、ソース電極である第2第3の電極23側に沿って、ドレイン電極である第1の電極1側よりもソース電極である第2第3の電極23側の近傍にゲート電極5を設けることによって、ゲート電極5とドレイン電極との間の耐圧を大きくできる。また、上記AlGaN層22上かつ第2の電極2の第2くし状電極部2bの第1の電極1側と反対の側の各端部を接続するように、第1の電極1の第1直線状基部1aに対して平行な第2直線状基部2aを形成すると共に、AlGaN層22上かつ第3の電極3の第3くし状電極部3bの第1の電極1側と反対の側の各端部を接続するように、第1の電極1の第1直線状基部1aに対して平行な第3直線状基部3aを形成することによって、第2の電極2の第2くし状電極部2bの複数のくし状電極が第2直線状基部2aにより共通接続されると共に、第3の電極3の第3くし状電極部3bの複数のくし状電極が第3直線状基部3aにより共通接続される。これにより、第2の電極2および第3の電極3における電流経路を短くして、オン抵抗を低くできる。上記第1実施形態では、図1において、左右対称な電極形状としたが、左側と右側のくし状電極部が上下方向にずれた左右対称でない電極形状などでもよい。なお、上記第1実施形態では、第2くし状電極部2bの複数のくし状電極が共通接続する第2直線状基部2aと第3くし状電極部3bの複数のくし状電極が共通接続する第3直線状基部3aを用いて窒化物半導体装置を形成したが、第2直線状基部および第3直線状基部を用いないで、第2の電極パッドおよび第3の電極パッドによって複数のくし状電極を共通接続しても構わない。この場合には、それぞれのくし状電極部の第1電極から遠い側にコンタクト部を設ける必要がある。第2実施形態図7はこの発明の第2実施形態の窒化物半導体装置の電極パターンを示している。この第2実施形態の窒化物半導体装置は、第3第4の電極と第3第4の電極パッドとゲート電極パッドを除いて第1実施形態の窒化物半導体装置と同一の構成をしている。この窒化物半導体装置は、Si基板上に、窒化物半導体層の一例としてのアンドープGaN層アンドープAlGaN層を形成している。ここで、基板は、Si基板に限らず、サファイヤ基板やSiC基板を用いてもよく、サファイヤ基板やSiC基板上に窒化物半導体層を成長させてもよいし、GaN基板にAlGaN層を成長させる等のように、窒化物半導体からなる基板上に窒化物半導体層を成長させてもよい。図7に示すように、AlGaN層上に、第1直線状基部101aと、その第1直線状基部101aから両側方に延びた複数のくし状電極からなる第1くし状電極部101b101cとを有する第1の電極101を形成している。第1くし状電極部101bは、この発明の窒化物半導体装置の第1電極群の一例であり、第1くし状電極部101cは、この発明の窒化物半導体装置の第3電極群の一例である。また、AlGaN層上の第1の電極101の左側方に、第1の電極101の第1直線状基部101aに対して平行な第2直線状基部102aと、その第2直線状基部102aから第1の電極101側に向かって延びた複数のくし状電極からなる第2くし状電極部102bとを有する第2の電極102を形成している。この第2の電極102の第2くし状電極部102bは、第1の電極101の第1くし状電極部101cと互いに間隔をあけて交互に配列されている。第2くし状電極部102bは、この発明の窒化物半導体装置の第2電極群の一例である。また、AlGaN層上の第1の電極101の右側方に、第1の電極101の第1直線状基部101aに対して平行な第3直線状基部103aと、その第3直線状基部103aから両側方に向かって延びた複数のくし状電極からなる第3くし状電極部103b103cとを有する第3の電極103を形成している。この第3の電極103の第3くし状電極部103bは、第1の電極101の第1くし状電極部101cと互いに間隔をあけて交互に配列されている。第3くし状電極部103bは、この発明の窒化物半導体装置の第4電極群の一例であり、第3くし状電極部103cは、この発明の窒化物半導体装置の第6電極群の一例である。また、AlGaN層上かつ第3の電極103の第3直線状基部103aに対して第1の電極101と反対の側に形成され、第3の電極103の第3直線状基部103aに対して平行な第4直線状基部104aと、その第2直線状基部104aから第3の電極103側に向かって延びた複数のくし状電極からなる第4くし状電極部104bとを有する第4の電極104を形成している。この第4の電極104の第3くし状電極部104bは、第3の電極103の第3くし状電極部103cと互いに間隔をあけて交互に配列されている。第4くし状電極部104bは、この発明の窒化物半導体装置の第5電極群の一例である。また、上記第2の電極102の第2直線状基部102aの一端と第3の電極103の第3直線状基部103aの一端とを接続電極106を介して接続している。一方、上記第2の電極102の第2直線状基部102aの他端と第3の電極103の第3直線状基部103aの他端とを接続電極107を介して接続している。また、第3の電極103の第3直線状基部103aの両端を、第4の電極104をコの字状に囲むように、接続電極108109110を介して接続している。上記第1第2第3第4の電極101102103104および接続電極106~110には、Ti/Auなどを用いている。さらに、AlGaN層上に、第1の電極101と第2の電極102との間および第1の電極101と第3の電極103との間を折曲して延在するゲート電極を絶縁膜を介して形成している。ここで、ゲート電極の一部は、AlGaN層に接している。また、ゲート電極には、AlGaN層とショットキー接合する材料として例えばWNWやTiNTiなどを用いて形成する。そして、上記第1第2第3第4の電極101102103104とゲート電極を覆うようにSi基板上に層間絶縁膜を形成している。第1の電極101と第4の電極104はドレイン電極であり、第2の電極102と第3の電極103はソース電極である。なお、第1の電極と第4の電極をソース電極とし、第2の電極と第3の電極をドレイン電極としてもよい。また、この窒化物半導体装置は、図8に示すように、第1の電極101の第1直線状基部101aおよび第1くし状電極部101b101cの第1直線状基部101a側を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域に形成され、第1の電極101にビアを介して接続された第1の電極パッド111と、第2の電極102の第2くし状電極部102bの第2直線状基部102a側を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域に形成され、第2の電極102にビアを介して接続された第2の電極パッド112と、第3の電極103の第3直線状基部103aおよび第3くし状電極部103b103cの第3直線状基部103a側を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域に形成され、第3の電極103にビアを介して接続された第3の電極パッド113と、第4の電極104の第4くし状電極部104bの第3直線状基部104a側を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域に形成され、第4の電極104にビアを介して接続された第4の電極パッド114とを備えている。ビアは、この発明の窒化物半導体装置のコンタクト部の一例である。ここで、第1第2第3第4の電極パッド111112113114およびゲート電極パッド115には、Ti/AuまたはTi/Alなどを用いている。なお、第1の電極パッド111の右下コーナーに切り欠き領域を設け、その切り欠き領域にゲート電極パッド115を形成している。このゲート電極パッド115とゲート電極とは、図示しないビアを介して接続している。この第2実施形態では、第1第2第3第4の電極101102103104と第1第2第3第4の電極パッド111112113114とを接続するコンタクト部としてビアを用いたが、コンタクト部はこれに限らず、層間絶縁膜に設けた開口などを用いて第1第2第3第4の電極と第1第2第3第4の電極パッドとを夫々接続してもよい。また、第1第2第3第4の電極と第1第2第3第4の電極パッドとを接続するコンタクト部の位置は、第1実施形態の図5と同様にして、電極と電極パッドが重なる領域内のくし状電極部の先端側で接続している。第1実施形態と同様に、先端側のみではなく、複数個のコンタクト部を設けてもよい。図9は上記窒化物半導体装置の電極パッドにワイヤを接続した状態を示す平面図を示している。図9に示すように、第1第2第3第4の電極パッド111112113114に線径の太いワイヤ161の一端をボンディングすると共に、ゲート電極パッド115に線径の細いワイヤ162の一端をボンディングしている。ここで、ワイヤ161162には、アルミニウムワイヤを用いたが、AuまたはCuなどの他の金属材料を用いてもよく、リボン形状のワイヤを用いてもよい。上記第2実施形態のマルチフィンガータイプの窒化物半導体装置は、第1実施形態の窒化物半導体装置と同様の効果を有する。また、第1第2第3第4の電極パッド111112113114の4つの電極によって窒化物半導体層に3つの活性領域を形成でき、チップ形状の縦横比を大きくすることなく、オン抵抗を小さくしたままでさらに大電流化に対応できる。また、第4の電極104の第4くし状電極部104bの第4直線状基部104a側を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域に形成された第4の電極パッド114を、コンタクト部を介して第4の電極104に接続することによって、第1の電極101と同じソース電極またはドレイン電極への接続ワイヤの本数を増やすことができ、さらなる大電流化に対応できる。なお、上記第2実施形態では、第2直線状基部102aを有する第2の電極102と第4直線状基部104aを有する第4の電極104を用いた窒化物半導体装置について説明したが、第2直線状基部と第4直線状基部はなくともよい。第3実施形態図11はこの発明の第3実施形態の窒化物半導体装置の電極パターンを示す平面図を示している。この発明の第3実施形態の窒化物半導体装置は、第2第3の電極の第2第3直線状基部がない点を除いて第1実施形態の窒化物半導体装置と同一の構成をしている。この窒化物半導体装置は、Si基板210上に、窒化物半導体層の一例としてのアンドープGaN層221アンドープAlGaN層222を形成している。このアンドープGaN層221とアンドープAlGaN層222との界面に2DEGが発生する。ここで、基板は、Si基板に限らず、サファイヤ基板やSiC基板を用いてもよく、サファイヤ基板やSiC基板上に窒化物半導体層を成長させてもよいし、GaN基板にAlGaN層を成長させる等のように、窒化物半導体からなる基板上に窒化物半導体層を成長させてもよい。図1に示すように、AlGaN層222上に、第1直線状基部201aと、その第1直線状基部201aから両側方に延びた複数のくし状電極からなる第1くし状電極部201b201cとを有する第1の電極201を形成している。第1くし状電極部201bは、この発明の窒化物半導体装置の第1電極群の一例であり、第1くし状電極部201cは、この発明の窒化物半導体装置の第3電極群の一例である。また、AlGaN層222上かつ第1の電極201の左側方に、第1の電極201の第1くし状電極部201cと互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第2くし状電極部202bを有する第2の電極202を形成している。第2くし状電極部202bは、この発明の窒化物半導体装置の第2電極群の一例である。また、AlGaN層222上かつ第1の電極201の右側方に、第1の電極201の第1くし状電極部201cと互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第3くし状電極部203bを有する第3の電極3を形成している。第3くし状電極部203bは、この発明の窒化物半導体装置の第4電極群の一例である。上記第1第2第3の電極201202203には、Ti/Auなどを用いている。また、AlGaN層222上に、第1の電極201と第2の電極202との間および第1の電極201と第3の電極203との間を折曲して延在するゲート電極205を、窒化物半導体層の表面を安定化する目的の絶縁膜230を介して形成している。ここで、ゲート電極205の一部は、AlGaN層222に接している。そして、上記第1第2第3の電極201202203とゲート電極205を覆うようにSi基板210上に層間絶縁膜240を形成している。この第3実施形態では、第1の電極201はドレイン電極であり、第2の電極202と第3の電極203はソース電極である。なお、第1の電極をソース電極とし、第2の電極および第3の電極をドレイン電極としてもよい。ゲート電極205は、図示していないが各ソース電極ドレイン電極の間に折曲するように、ソース電極に沿ってドレイン電極よりもソース電極に近い側に設けられている。また、この窒化物半導体装置は、図12に示すように、第1の電極201の第1直線状基部201aおよび第1くし状電極部201b201cの第1直線状基部201a側を含む領域に対応する層間絶縁膜240上の領域に形成され、第1の電極201にビア250を介して接続された第1の電極パッド211と、第2の電極202の第2くし状電極部202bを含む領域に対応する層間絶縁膜240上の領域に形成され、第2の電極202にビア250を介して接続された第2の電極パッド212と、第3の電極203の第3くし状電極部203bを含む領域に対応する層間絶縁膜240上の領域に形成され、第3の電極203にビア250を介して接続された第3の電極パッド213とを備えている。ビア250は、この発明の窒化物半導体装置のコンタクト部の一例である。上記第1第2第3の電極パッド211212213は、第1第2第3の電極201202203が占める領域内でかつ第1第2第3くし状電極部201b201c202b203bのある窒化物半導体層の活性領域に対応する層間絶縁膜上の領域に形成されている。第1第2第3の電極パッド211212213を素子の活性領域上にコンタクト部により設けることによって、複数のフィンガーからの距離を略均等かつ短くすることができるので、配線抵抗をより小さくすることができる。また、窒化物半導体装置のサイズも最小限とすることができる。なお、第1の電極パッド211の左上コーナーに切り欠き領域を設け、その切り欠き領域にゲート電極パッド215を形成している。ここで、第1第2第3の電極パッド211212213およびゲート電極パッド215には、Ti/AuまたはTi/Alなどを用いている。この第1実施形態では、第1第2第3の電極201202203と第1第2第3の電極パッド211212213とを接続するコンタクト部としてビア250を用いたが、コンタクト部はこれに限らず、層間絶縁膜に設けた開口などを用いて第1第2第3の電極と第1第2第3の電極パッドとを夫々接続してもよい。図13は図12のXIII-XIII線から見た断面図を示しており、図13に示すように、Si基板210上にアンドープGaN層221とアンドープAlGaN層222を形成し、AlGaN層222とGaN層221の一部を除去して第1第3の電極201203を形成している。このGaN層221とAlGaN層222で窒化物半導体層220を構成し、そのGaN層221とAlGaN層222との界面で2DEGが発生してチャネル層が形成されている。このチャネル層をゲート電極205に電圧を印加することにより制御して、ヘテロ接合電界効果トランジスタをオンオフさせる。ゲート電極205には、AlGaN層222とショットキー接合する材料として例えばWNWやTiNTiなどを用いて形成する。また、ゲート電極205を除くAlGaN層222上にAlGaN層222を保護するための絶縁膜230を形成している。この第3実施形態では、ゲート電極205は、フィールドプレート構造になるような形状に形成され、ゲート電極205のドレイン側を絶縁膜230上になるように張り出した構造としている。このようなフィールドプレート構造を取ることによって、GaN系HFETの問題であるコラプス特性を抑制できる効果がある。そして、第1第2の電極201202とゲート電極205上に、層間絶縁膜240を形成し、層間絶縁膜240上に第1第3の電極パッド212213を形成している。この第1の電極パッド211は、複数のビア250を介して第1の電極201に接続され、第3の電極パッド213は、複数のビア250を介して第3の電極203に接続されている。ここで、絶縁膜230には、SiN、SiO2、Al2O3などを用い、層間絶縁膜240には、ポリイミドやSOGやBPSGなどの絶縁材料を用いている。図13の断面図に示すように、GaN層221とAlGaN層222とのヘテロ界面に2次元電子ガスが生じる。これにより、第1第3の電極201203間のGaN層221AlGaN層222と、第1第3の電極201203と、ゲート電極205とで、2次元電子ガスをチャネルとして利用するヘテロ接合電界効果トランジスタが形成される。この第3実施形態においては、ゲート電極205がAlGaN層222とショットキー接合するタイプのヘテロ接合電界トランジスタで説明したが、ゲート電極とAlGaN層222に間に絶縁膜を設けるタイプのMIS型のトランジスタとしてもよい。また、AlGaN層とゲート電極の間にGaNなどからなるキャップ層を設ける構造としても構わない。図13に示すように、第1第3の電極201203は、GaN層221とAlGaN層222との界面よりも下側に達するような構造とすることで、チャネル層とのオーミック性を取りやすくして、コンタクト抵抗の低減を図っている。図14は上記窒化物半導体装置の第1第2第3の電極パッド211212213と第1第2第3の電極201202203とのコンタクト位置を示す平面図の一例を示している。図14に示すように、第1の電極201と第1の電極パッド211とは、第1くし状電極部201b201cの第1の電極パッド211と重なる領域内の先端側でビア250を介して接続されている。また、第2の電極202と第2の電極パッド212とは、第2くし状電極部202bの第2の電極パッド212と重なる領域内の先端側でビア250を介して接続されている。さらに、第3の電極203と第3の電極パッド213とは、第3くし状電極部203bの第3の電極パッド213と重なる領域内の先端側でビア250を介して接続されている。これにより、第1くし状電極部201b201cと第2くし状電極部202bと第3くし状電極部203bにおける電流経路が短くなり、オン抵抗をより低くすることができる。なお、ゲート電極205とゲート電極パッド215とは、図示しないビアを介して接続している。また、第1第2第3の電極と第1第2第3の電極パッドとを接続するコンタクト部の位置は、電極と電極パッドが重なる領域内の先端側のみに限らず、他の複数の箇所にコンタクト部を適宜設けてもよい。上記第3実施形態の窒化物半導体装置は、第1実施形態の窒化物半導体装置における第2の電極2の第2直線状基部2aと第3の電極3の第3直線状基部3aの効果を除いて第1実施形態の窒化物半導体装置と同様の効果を有する。第4実施形態図15はこの発明の第4実施形態の窒化物半導体装置の電極パターンを示す平面図を示している。この発明の第4実施形態の窒化物半導体装置は、第1~第3くし状電極部の端部の形状およびそれに対向する第1~第3直線状基部の形状を除いて第1実施形態の窒化物半導体装置と同一の構成をしている。この窒化物半導体装置は、Si基板に、窒化物半導体層の一例としてのアンドープGaN層アンドープAlGaN層を形成している。このアンドープGaN層とアンドープAlGaN層との界面に2DEGが発生する。ここで、基板は、Si基板に限らず、サファイヤ基板やSiC基板を用いてもよく、サファイヤ基板やSiC基板上に窒化物半導体層を成長させてもよいし、GaN基板にAlGaN層を成長させる等のように、窒化物半導体からなる基板上に窒化物半導体層を成長させてもよい。図15に示すように、上記窒化物半導体層上に、第1直線状基部301aと、その第1直線状基部301aから両側方に延びた複数のくし状電極からなる第1くし状電極部301b301cとを有する第1の電極301を形成している。第1くし状電極部301bは、この発明の窒化物半導体装置の第1電極群の一例であり、第1くし状電極部301cは、この発明の窒化物半導体装置の第3電極群の一例である。また、窒化物半導体層上に、第1の電極301の左側方に、第1の電極301の第1直線状基部301aに対して平行な第2直線状基部302aと、その第2直線状基部302aから第1の電極301側に向かって延びた複数のくし状電極からなる第2くし状電極部302bとを有する第2の電極302を形成している。この第2の電極302の第2くし状電極部302bは、第1の電極301の第1くし状電極部301bと互いに間隔をあけて交互に配列されている。第2くし状電極部302bは、この発明の窒化物半導体装置の第2電極群の一例である。また、窒化物半導体層上に、第1の電極301の右側方に、第1の電極301の第1直線状基部301aに対して平行な第3直線状基部303aと、その第3直線状基部303aから第1の電極301側に向かって延びた複数のくし状電極からなる第3くし状電極部303bとを有する第3の電極303を形成している。この第3の電極303の第3くし状電極部303bは、第1の電極301の第1くし状電極部301cと互いに間隔をあけて交互に配列されている。第3くし状電極部303bは、この発明の窒化物半導体装置の第4電極群の一例である。そして、上記第2の電極302の第2直線状基部302aの一端と第3の電極303の第3直線状基部303aの一端とを接続電極306を介して接続している。一方、上記第2の電極302の第2直線状基部302aの他端と第3の電極303の第3直線状基部303aの他端とを接続電極7を介して接続している。上記第1の電極301の第1くし状電極部301b301cと第2の電極302の第2くし状電極部302bと第3の電極303の第3くし状電極部303bの各端部311312313は、半円形状をしている。また、第1の電極301の第1直線状基部301aは、第2の電極302の第2くし状電極部302bの各端部312に対向する領域に、第2の電極302の第2くし状電極部302bの各端部312の半円形状に応じた湾曲凹部321を有する。さらに、第3の電極303の第3くし状電極部303bの各端部313に対向する領域に、第3の電極303の第3くし状電極部303bの各端部313の半円形状に応じた湾曲凹部323を有する。なお、第1の電極301の第1くし状電極部301b301cと第2の電極302の第2くし状電極部302bと第3の電極303の第3くし状電極部303bの各端部311312313は、半円形状に限らず、少なくとも半円形状または半楕円形状を含む丸みを帯びた形状であればよい。また、上記第2の電極302の第2くし状電極部302bの各端部312の先端と、その先端に対向する第1の電極301の第1直線状基部301aの湾曲凹部321との間隔は、第1の電極301と第2の電極302とに挟まれた領域のうちで最も広くなっている。また、第3の電極303の第3くし状電極部303bの各端部313の先端と、その先端に対向する第1の電極301の第1直線状基部301aの湾曲凹部321との間隔は、第1の電極301と第3の電極303とに挟まれた領域のうちで最も広くなっている。また、第2の電極302の第2直線状基部302aは、第1の電極301の第1くし状電極部301b301cの各端部311に対向する領域に、第1の電極301の第1くし状電極部301b301cの各端部311の半円形状に応じた湾曲凹部322を有する。また、第3の電極303の第3直線状基部303aは、第1の電極301の第1くし状電極部301b301cの各端部311に対向する領域に、第1の電極301の第1くし状電極部301b301cの各端部311の半円形状に応じた湾曲凹部323を有する。上記第4実施形態の窒化物半導体装置は、第1実施形態の窒化物半導体装置と同様の効果を有する。また、上記第2第3の電極302303の第2第3くし状電極部302b303bの半円形状の各端部312313に、第1の電極301の第1直線状基部301aの湾曲凹部321が対向していることによって、第2第3くし状電極部の各端部に角部がある場合に比べて電界集中を緩和して、壊れにくい構造を実現することができる。電極が四角形状では、電極の角部に電界が集中するため、デバイスが壊れやすくなるが、本構造では、電界が集中するポイントを緩和する構造となっているため、デバイスが壊れにくい構造となる。また、上記第2の電極302の第2くし状電極部302bの各端部312の先端と、その先端に対向する第1の電極301の第1直線状基部301aの湾曲凹部321との間隔を、第1の電極301と第2の電極302とに挟まれた領域のうちで最も広くし、第3の電極303の第3くし状電極部303bの各端部313の先端と、その先端に対向する第1の電極301の第1直線状基部301aの湾曲凹部321との間隔を、第1の電極301と第3の電極303とに挟まれた領域のうちで最も広くすることによって、電界が集中しやすい第2第3くし状電極部303bの各端部313の先端に対して、対向する第1の電極301の第1直線状基部301aの湾曲凹部321を最も離すことで電界集中をさらに緩和して、より壊れにくい構造を実現することができる。上記第1の電極301の第1くし状電極部301b301cの半円形状の各端部311に、第2第3の電極302303の第2第3直線状基部302a303aの湾曲凹部322323が対向していることによって、第1くし状電極部の各端部に角部がある場合に比べて電界集中を緩和して、壊れにくい構造を実現することができる。また、上記第1の電極301の第1くし状電極部301bの各端部の先端と、その先端に対向する第2の電極302の第2直線状基部302aの湾曲凹部との間隔は、第1の電極301と第2の電極302とに挟まれた領域のうちで最も広くし、第1の電極301の第1くし状電極部301cの各端部の先端と、その先端に対向する第3の電極303の第3直線状基部303aの湾曲凹部との間隔は、第1の電極301と第3の電極303とに挟まれた領域のうちで最も広くすることによって、電界が集中しやすい第1くし状電極部301b301cの各端部の先端に対して、対向する第2第3の電極302303の第2第3直線状基部302a303aの湾曲凹部322323を最も離すことで電界集中をさらに緩和して、より壊れにくい構造を実現することができる。なお、上記第4実施形態では、第2直線状基部102aを有する第2の電極102と第3直線状基部103aを有する第3の電極103を用いた窒化物半導体装置について説明したが、第2直線状基部と第3直線状基部はなくともよい。第5実施形態図19はこの発明の第5実施形態の窒化物半導体装置の電極パターンを示す平面図を示している。この窒化物半導体装置は、図19に示すように、Si基板上に、窒化物半導体層の一例としてのアンドープGaN層721アンドープAlGaN層722を形成している。このアンドープGaN層721とアンドープAlGaN層722との界面に2DEGが発生する。ここで、基板は、Si基板に限らず、サファイヤ基板やSiC基板を用いてもよく、サファイヤ基板やSiC基板上に窒化物半導体層を成長させてもよいし、GaN基板にAlGaN層を成長させる等のように、窒化物半導体からなる基板上に窒化物半導体層を成長させてもよい。図19に示すように、上記窒化物半導体層上に、複数のくし状電極を列状に配した第1電極群701と、第1電極群701の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第2電極群702とを形成している。また、窒化物半導体層上に、第1第2電極群701702の側方に第1第2電極群701702の列に対して配列方向が平行になるように配列された複数のくし状電極からなる第3電極群703と、第3電極群703の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第4電極群704とを形成している。さらに、窒化物半導体層上に、第3第4電極群703704の側方に第3第4電極群703704の列に対して配列方向が平行になるように配列された複数のくし状電極からなる第5電極群705と、第5電極群705の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第6電極群706とを形成している。上記第1~第6電極群701~706には、Ti/Auなどを用いている。上記第1第3第5電極群701703705がドレイン電極となる一方、第2第4第6電極群702704706がソース電極となる。図19では、図を見やすくするために第2第4第6電極群702704706の複数のくし状電極に斜線を付している。また、上記窒化物半導体層上に、第1電極群701と第2電極群702との間および第3電極群703と第4電極群704との間および第5電極群705と第6電極群706との間に、ソース電極となる第2第4第6電極群702704706寄りにゲート電極760を形成している。このゲート電極760は、縦方向と横方向に延在するように格子状に形成されており、ゲート電極760の各四角形の内側に第1~第6電極群701~706のくし状電極が1つずつ配置されている。また、ゲート電極760は、ドレイン電極となる第1第3第5電極群701703705よりもソース電極となる第2第4第6電極群702704706に近い側に設けられている。次に、図20に示すように、ソース電極となる第2第4第6電極群702704706の長手方向に一列に並ぶ3つのくし状電極毎に、その3つのくし状電極を覆うようにソース中間配線707を形成している。その一列に並ぶ3つのくし状電極をソース中間配線707を介して互いに電気的に接続している。また、ドレイン電極となる第1第3第5電極群701703705のくし状電極を1つずつ覆うように、第1第3第5電極群701703705の各くし状電極に電気的に接続されたドレイン中間配線708を形成している。なお、ソース中間配線707のように、ドレイン電極となる第1第3第5電極群701703705の長手方向に一列に並ぶ3つのくし状電極毎に、その3つのくし状電極を覆うようにドレイン中間配線を形成して、その一列に並ぶ3つのくし状電極をドレイン中間配線を介して互いに電気的に接続してもよい。そして、上記第1~第6電極群701~706とゲート電極760とソース中間配線707とドレイン中間配線708を覆うように、Si基板上に層間絶縁膜740を形成している。この層間絶縁膜740には、ポリイミドやSOGやBPSGなどの絶縁材料を用いている。また、図15に示す窒化物半導体装置と同様に、第1第3第5電極群701703705のくし状電極の端部および第2第4第6電極群702704706のくし状電極の端部を半円形状にしてもよい。それによって、電極端部の電界集中を抑制できる。次に、図21に示すように、第1第3電極群701703の互いに隣接する側を含む領域に対応する層間絶縁膜740上の領域に、第1第3電極群701703にビア750を介して接続された第1の電極パッド711を形成している。また、第2電極群702の第3第4電極群703704側と反対の側を含む領域に対応する層間絶縁膜740上の領域に、第2電極群702にビア750介して接続された第2の電極パッド712を形成している。また、第3第5電極群703705の互いに隣接する側を含む領域に対応する層間絶縁膜740上の領域に、第3第5電極群703705にビア750を介して接続された第3の電極パッド713を形成している。さらに、第6電極群706の第3第4電極群703704側と反対の側を含む領域に対応する層間絶縁膜740上の領域に形成され、第6電極群706にビア750を介して接続された第4の電極パッド714を形成している。ビア750は、この発明の窒化物半導体装置のコンタクト部の一例である。上記第1の電極パッド711と第2の電極パッド712と第3の電極パッド713と第4の電極パッド714は、各中間配線に対して直交する方向に平行に配置されている。また、第4の電極パッド714の右下コーナーに切り欠き領域を設け、その切り欠き領域にゲート電極パッド715を形成している。ここで、第1第2第3第4の電極パッド711712713714およびゲート電極パッド715には、Ti/AuまたはTi/Alなどを用いている。図22では、第1第2第3第4の電極パッド711712713714およびゲート電極パッド715に対してワイヤボンディングした状態を示している。図22に示すように、第1第2第3第4の電極パッド711712713714に線径の太いワイヤ761の一端をボンディングすると共に、ゲート電極パッド715に線径の細いワイヤ762の一端をボンディングしている。図23は図22のXXIII-XXIII線から見た要部の断面図を示しており、Si基板上にアンドープGaN層721とアンドープAlGaN層722を形成し、GaN層721AlGaN層722の一部を除去してオーミック接触させた第4電極群704および第3電極群703を形成している。このGaN層721とAlGaN層722で窒化物半導体層720を構成し、GaN層721とAlGaN層722との界面で2DEGが発生して、チャネル層が形成されている。このチャネル層をゲート電極760に電圧を印加することにより制御して、ヘテロ接合電界効果トランジスタをオンオフさせる。ゲート電極760には、AlGaN層722とショットキー接合する材料として例えばWN/WやTiN/Tiなどを用いて形成する。図23に示すように、第1~第6電極群701~706は、GaN層721とAlGaN層722との界面よりも下側に達するような構造とすることで、チャネル層とのオーミック性を取りやすくして、コンタクト抵抗の低減を図っている。なお、ゲート電極760を除くAlGaN層722上に、AlGaN層722を保護するための絶縁膜を形成してもよい。また、この第5実施形態では、電子供給層となるAlGaN722層上にゲート電極760を設けたが、電子供給層となるAlGaN層上に、2nm程度の薄いキャップ層としてGaN層を形成してもよい。第4電極群704にコンタクトを介して接続され、ゲート電極760まで張り出したソース中間配線707と、第3電極群703にコンタクトを介して接続されたドレイン中間配線708を設ける。このドレイン中間配線708にビア750を介して接続された第1の電極パッド711を層間絶縁膜750上に形成している。この第5実施形態では、第1~第6電極群701~706と第1~第4の電極パッド711~714とを接続するコンタクト部としてビア750を用いたが、コンタクト部はこれに限らず、層間絶縁膜に設けた開口などを用いて第1~第6電極群と第1~第4の電極パッドとを夫々接続してもよい。上記第5実施形態のマルチフィンガータイプの窒化物半導体装置によれば、フィンガー長を長くすることでゲート長が長くなるとオン抵抗が増大するため、オン抵抗を小さくすることが可能な範囲でフィンガー長を設定して、第1電極群~第6電極群701~706の6つの電極によって窒化物半導体層に活性領域を形成した構成とすることによって、チップ形状の縦横比を大きくすることなく、オン抵抗を小さくしたままで窒化物半導体装置を小型化することができる。また、第1電極群~第6電極群701~706上に、第1第2第3第4の電極パッド711712713714を夫々配置して、第2の電極パッド712を第2電極群702に接続し、第1の電極パッド711を第1第3電極群701703に接続し、第3の電極パッド713を第3第5電極群703705に接続し、第4の電極パッド714を第6電極群706に接続しているため、ワイヤボンディングやFCBにおいて、ワイヤ間および配線間のインダクタンスの影響を小さくできる。第6実施形態図24はこの発明の第6実施形態の窒化物半導体装置の電極パターンを示す平面図を示している。この第6実施形態の窒化物半導体装置は、第5第6電極群およびドレイン中間配線がない点と、ソース中間配線で第2電極群と第4電極群とを接続しない点を除いて、第5実施形態の窒化物半導体装置と同様の構成をしている。この窒化物半導体装置は、窒化物半導体層上に、複数のくし状電極を列状に配した第1電極群801と、第1電極群801の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第2電極群802とを形成している。また、窒化物半導体層上に、第1第2電極群801802の側方に第1第2電極群801802の列に対して配列方向が平行になるように配列された複数のくし状電極からなる第3電極群803と、第3電極群803の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第4電極群804とを形成している。上記第1~第4電極群801~804には、Ti/Auなどを用いている。上記第1第3電極群801803がドレイン電極となる一方、第2第4電極群802804がソース電極となる。図24では、図を見やすくするために第2第4電極群802804の複数のくし状電極に斜線を付している。また、上記窒化物半導体層上に、第1電極群801と第2電極群802との間および第3電極群803と第4電極群804との間に、ソース電極となる第2第4電極群802804寄りにゲート電極860を形成している。次に、ソース電極となる第2第3電極群802804のくし状電極毎に、くし状電極を覆うようにソース中間配線807を形成している。そして、上記第1~第4電極群801~804とゲート電極860とソース中間配線807を覆うように、Si基板上に層間絶縁膜を形成している。この層間絶縁膜には、ポリイミドやSOGやBPSGなどの絶縁材料を用いている。また、図15に示すように、第1第3電極群801803のくし状電極の端部および第2第4電極群802804のくし状電極の端部を半円形状にしてもよい。それによって、電極端部の電界集中を抑制できる。次に、図25は上記窒化物半導体装置の電極パッドにワイヤを接続した状態を示している。図25に示すように、第1第2電極群801802を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域において、第3第4電極群803804から離れた位置に第2の電極パッド812を設け、第3第4電極群803804に近い位置に第1の電極パッド811Aを設けている。また、第3第4電極群803804を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域において、第1第2電極群801802に近い位置に第1の電極パッド811Bを設け、第1第2電極群801802から離れた位置に第3の電極パッド813を設けている。また、第3の電極パッド813の右下コーナーに切り欠き領域を設け、その切り欠き領域にゲート電極パッド815を形成している。ここで、第1第2第3の電極パッド811A811B812813およびゲート電極パッド815には、Ti/AuまたはTi/Alなどを用いている。このように、ドレイン電極パッドを半導体装置の周辺部に設けないようにすることによって、高電圧が印加されるドレイン電極パッドからの電界の影響を半導体装置の外に与えることを抑制することができる。図25に示すように、第1の電極パッド811Aと、第1の電極パッド811Bと、第2の電極パッド812と、第3の電極パッド813に線径の太いワイヤ861の一端をボンディングすると共に、ゲート電極パッド815に線径の細いワイヤ862の一端をボンディングしている。上記第6実施形態のマルチフィンガータイプの窒化物半導体装置によれば、フィンガー長を長くすることでゲート長が長くなるとオン抵抗が増大するため、オン抵抗を小さくすることが可能な範囲でフィンガー長を設定して、第1電極群~第4電極群801~804の4つの電極によって窒化物半導体層に活性領域を形成した構成とすることによって、チップ形状の縦横比を大きくすることなく、オン抵抗を小さくしたままで窒化物半導体装置を小型化することができる。また、第1電極群~第4電極群801~804上に、第1の電極パッド811A第1の電極パッド811B第2の電極パッド812第3の電極パッド813を夫々配置して、第1の電極パッド811A811Bを第1第3電極群801803に接続し、第2の電極パッド812を第2電極群802に接続し、第3の電極パッド813を第4電極群804に接続しているため、ワイヤボンディングやFCBにおいて、ワイヤ間および配線間のインダクタンスの影響を小さくできる。図26は上記窒化物半導体装置の他の例の電極パッドにワイヤを接続した状態を示している。図26に示すように、第1第2電極群901902を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域において、第3第4電極群903904から離れた位置に第2の電極パッド912を設けている。また、第1第2電極群901902を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域において第3第4電極群903904に近い位置と、第3第4電極群903904を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域において第1第2電極群901902に近い位置とを跨ぐように、第1の電極パッド911を設けている。さらに、第3第4電極群903904を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域において、第1第2電極群901902から離れた位置に第3の電極パッド913を設けている。また、第2の電極パッド912と第3の電極パッド913とを接続する接続電極914を設けている。図26に示すように、第1の電極パッド911と、第2の電極パッド912と、第3の電極パッド913に線径の太いワイヤ961の一端をボンディングすると共に、ゲート電極パッド915に線径の細いワイヤ962の一端をボンディングしている。図26に示す窒化物半導体装置では、第2の電極パッド912または第3の電極パッド913のいずれかにワイヤボンディングすればよいので、パッケージ上の制約でワイヤ数を削減する必要があるときには対応することが可能となる。この発明の窒化物半導体装置の窒化物半導体は、AlxInyGa1xyNx≦0、y≦0、0≦xy≦1で表されるものであればよい。また、この発明の窒化物半導体装置は、HFETに限らず、他の構成の電界効果トランジスタであってもよい。この発明の具体的な実施の形態について説明したが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内で種々変更して実施することができる。また、この発明の窒化物半導体装置は、基板と、上記基板上に形成された窒化物半導体層と、上記窒化物半導体層上に形成され、第1直線状基部と、その第1直線状基部から両側方に延びた複数のくし状電極からなる第1くし状電極部とを有する第1の電極と、上記窒化物半導体層上かつ上記第1の電極の上記第1くし状電極部のうちの一方の側の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第2くし状電極部を有する第2の電極と、上記窒化物半導体層上かつ上記第1の電極の上記第1くし状電極部のうちの他方の側の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第3くし状電極部を有する第3の電極と、上記窒化物半導体層上に形成され、上記第1の電極と上記第2の電極との間および上記第1の電極と上記第3の電極との間を折曲して延在するゲート電極と、上記第1第2第3の電極と上記ゲート電極を覆うように上記基板上に形成された層間絶縁膜と、上記第1第2第3の電極が占める領域上でかつ上記第1第2第3くし状電極部のある上記窒化物半導体層の活性領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成され、上記第1第2第3の電極にコンタクト部を介して夫々接続された第1第2第3の電極パッドとを備え、上記第1の電極は、ソース電極またはドレイン電極の一方であり、上記第2の電極および上記第3の電極は、上記ソース電極または上記ドレイン電極の他方であることを特徴とする。上記構成によれば、マルチフィンガータイプでは、フィンガー長を長くすることによってゲート長が長くして大電流化を図るとオン抵抗が増大する問題に対して、オン抵抗を小さくすることが可能な範囲でフィンガー長を設定して、第1の電極~第3の電極の3つの電極によって窒化物半導体層に2つの活性領域を形成した構成とすることによって、チップ形状の縦横比を大きくすることなく、オン抵抗を小さくしたままで窒化物半導体装置を小型化することができる。また、第1の電極の第1くし状電極部、第2の電極の第2くし状電極部、および、第3の電極の第3くし状電極部上に、第1第2第3の電極パッドを夫々並べて配置して、第1くし状電極部と第1の電極パッドを接続し、第2くし状電極部と第2の電極パッドを接続し、第3くし状電極部と第3の電極パッドを接続することによって、ワイヤボンディングやFCBにおいて、ワイヤ間および配線間のインダクタンスの影響を小さくできる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1の電極パッドは、上記第1の電極の上記第1直線状基部および上記第1くし状電極部のうちの上記第1直線状基部側の一部を含む領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成され、上記第2の電極パッドは、上記第2の電極の上記第2くし状電極部のうちの上記第1の電極側と反対の側の一部を含む領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成され、上記第3の電極パッドは、上記第3の電極の上記第3くし状電極部のうちの上記第1の電極側と反対の側の一部を含む領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成されている。上記実施形態によれば、第1第2第3の電極の3つの電極によって形成された窒化物半導体層の活性領域上に、第1第2第3の電極パッドを最適な位置に配置して、小さなチップ形状でもワイヤボンディングやFCBを容易に行うことができる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1の電極は、上記ドレイン電極であり、上記第2の電極および上記第3の電極は、上記ソース電極である。上記実施形態によれば、第2の電極と第3の電極との間の中央に位置する第1の電極に接続された第1の電極パッドを第2第3の電極パッドよりも大きくでき、ドレイン電極である第1の電極に接続される第1の電極パッドに、第2第3の電極パッドに接続するワイヤよりも太いワイヤを接続したりワイヤ本数を増やしたりすることができる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1の電極、上記第2の電極、上記第1の電極と上記第2の電極とに挟まれた上記窒化物半導体層の活性領域、および、上記第1の電極と上記第2の電極との間の上記ゲート電極でヘテロ接合電界効果トランジスタが形成され、上記第1の電極、上記第3の電極、上記第1の電極と上記第3の電極とに挟まれた上記窒化物半導体層の活性領域、および、上記第1の電極と上記第3の電極との間の上記ゲート電極でヘテロ接合電界効果トランジスタが形成されている。上記実施形態によれば、ヘテロ接合電界効果トランジスタのヘテロ接合による2次元電子ガスをチャネルとして利用することによって、大電流を制御することができ、この窒化物半導体装置をパワーデバイスに適用することができる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1の電極の上記第1くし状電極部と上記第2の電極の上記第2くし状電極部と上記第3の電極の上記第3くし状電極部の各端部は、少なくとも半円形状または半楕円形状を含む丸みを帯びた形状をしており、上記第1の電極の上記第1直線状基部は、上記第2の電極の上記第2くし状電極部の各端部に対向する領域に、上記第2の電極の上記第2くし状電極部の各端部の上記丸みを帯びた形状に応じた湾曲凹部を有すると共に、上記第3の電極の上記第3くし状電極部の各端部に対向する領域に、上記第3の電極の上記第3くし状電極部の各端部の上記丸みを帯びた形状に応じた湾曲凹部を有する。上記実施形態によれば、第2第3の電極の第2第3くし状電極部の丸みを帯びた形状の各端部に、第1の電極の第1直線状基部の湾曲凹部が対向していることによって、第2第3くし状電極部の各端部に角部がある場合に比べて電界集中を緩和して、壊れにくい構造を実現できる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第2の電極の上記第2くし状電極部の各端部の先端と、その先端に対向する上記第1の電極の上記第1直線状基部の上記湾曲凹部との間隔は、上記第1の電極と上記第2の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くなっており、上記第3の電極の上記第3くし状電極部の各端部の先端と、その先端に対向する上記第1の電極の上記第1直線状基部の上記湾曲凹部との間隔は、上記第1の電極と上記第3の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くなっている。上記実施形態によれば、第2の電極の第2くし状電極部の各端部の先端と、その先端に対向する第1の電極の第1直線状基部の湾曲凹部との間隔を、第1の電極と第2の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くし、第3の電極の第3くし状電極部の各端部の先端と、その先端に対向する第1の電極の第1直線状基部の湾曲凹部との間隔を、第1の電極と第3の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くすることによって、電界が集中しやすい第2第3くし状電極部の各端部の先端に対して、対向する第1の電極の第1直線状基部の湾曲凹部を最も離すことで電界集中をさらに緩和して、より壊れにくい構造を実現できる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1の電極と上記第2の電極との間および上記第1の電極と上記第3の電極との間を折曲して延在する上記ゲート電極は、上記第1第2第3の電極のうちの上記ソース電極である側に沿って、上記第1第2第3の電極のうちの上記ドレイン電極である側よりも上記ソース電極である側の近傍に設けられている。上記実施形態によれば、第1第2第3の電極のうちのソース電極である側に沿って、第1第2第3の電極のうちのドレイン電極である側よりもソース電極である側の近傍にゲート電極を設けることによって、ゲート電極とドレイン電極との間の耐圧を大きくできる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第2の電極は、上記窒化物半導体層上かつ上記第2くし状電極部の上記第1の電極側と反対の側の各端部を接続するように形成され、上記第1の電極の上記第1直線状基部に対して平行な第2直線状基部を有すると共に、上記第3の電極は、上記窒化物半導体層上かつ上記第3くし状電極部の上記第1の電極側と反対の側の各端部を接続するように形成され、上記第1の電極の上記第1直線状基部に対して平行な第3直線状基部を有する。上記実施形態によれば、窒化物半導体層上かつ第2の電極の第2くし状電極部の第1の電極側と反対の側の各端部を接続するように、第1の電極の第1直線状基部に対して平行な第2直線状基部を形成すると共に、窒化物半導体層上かつ第3の電極の第3くし状電極部の第1の電極側と反対の側の各端部を接続するように、第1の電極の第1直線状基部に対して平行な第3直線状基部を形成することによって、第2の電極の第2くし状電極部の複数のくし状電極が第2直線状基部により共通接続されると共に、第3の電極の第3くし状電極部の複数のくし状電極が第3直線状基部により共通接続されるので、第2の電極および第3の電極における電流経路を短くして、オン抵抗を低くできる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1の電極の上記第1くし状電極部の各端部は、少なくとも半円形状または半楕円形状を含む丸みを帯びた形状をしており、上記第2の電極の上記第2直線状基部は、上記第1の電極の上記第1くし状電極部の各端部に対向する領域に、上記第1の電極の上記第1くし状電極部の各端部の上記丸みを帯びた形状に応じた湾曲凹部を有すると共に、上記第3の電極の上記第3直線状基部は、上記第1の電極の上記第1くし状電極部の各端部に対向する領域に、上記第1の電極の上記第1くし状電極部の各端部の上記丸みを帯びた形状に応じた湾曲凹部を有する。上記実施形態によれば、第1の電極の第1くし状電極部の丸みを帯びた形状の各端部に、第2第3の電極の第2第3直線状基部の湾曲凹部が対向していることによって、第1くし状電極部の各端部に角部がある場合に比べて電界集中を緩和して、壊れにくい構造を実現できる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第1の電極の上記第1くし状電極部の各端部の先端と、その先端に対向する上記第2の電極の上記第2直線状基部の上記湾曲凹部との間隔は、上記第1の電極と上記第2の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くなっており、上記第1の電極の上記第1くし状電極部の各端部の先端と、その先端に対向する上記第3の電極の上記第3直線状基部の上記湾曲凹部との間隔は、上記第1の電極と上記第3の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くなっている。上記実施形態によれば、第1の電極の第1くし状電極部の各端部の先端と、その先端に対向する第2の電極の第2直線状基部の湾曲凹部との間隔は、第1の電極と第2の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くし、第1の電極の第1くし状電極部の各端部の先端と、その先端に対向する第3の電極の第3直線状基部の湾曲凹部との間隔は、第1の電極と第3の電極とに挟まれた領域のうちで最も広くすることによって、電界が集中しやすい第1くし状電極部の各端部の先端に対して、対向する第2第3の電極の第2第3直線状基部の湾曲凹部を最も離すことで電界集中をさらに緩和して、より壊れにくい構造を実現できる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第3の電極は、上記窒化物半導体層上かつ上記第3くし状電極部の上記第1の電極側と反対の側の各端部を接続するように形成され、上記第1の電極の上記第1直線状基部に対して平行な第3直線状基部を有し、上記第3の電極の上記第3くし状電極部は、上記第3直線状基部から上記第1の電極と反対の側に向かって延びた複数のくし状電極を含み、上記窒化物半導体層上かつ上記第3の電極の上記第3くし状電極部のうちの上記第1の電極と反対の側の複数のくし状電極と互いに間隔をあけて交互に配列された複数のくし状電極からなる第4くし状電極部を有する第4の電極とを備えた。上記実施形態によれば、第1の電極~第4の電極の4つの電極によって窒化物半導体層に3つの活性領域を形成でき、チップ形状の縦横比を大きくすることなく、オン抵抗を小さくしたままでさらに大電流化に対応できる。また、一実施形態の窒化物半導体装置では、上記第4の電極の上記第4くし状電極部のうちの上記第3の電極側と反対の側の一部を含む領域に対応する上記層間絶縁膜上の領域に形成され、上記第4の電極に上記コンタクト部を介して接続された第4の電極パッドを備えた。上記実施形態によれば、第4の電極の第4くし状電極部のうちの第3の電極側と反対の側の一部を含む領域に対応する層間絶縁膜上の領域に形成された第4の電極パッドをコンタクト部を介して第4の電極に接続することによって、第1の電極と同じソース電極またはドレイン電極への接続ワイヤの本数を増やすことができ、さらなる大電流化に対応できる。