真空処理室と、処理対象物を載置するためのステージと、該真空処理室の上部開口部を形成する側壁の上面に固定して設置される光透過性隔壁と、該真空処理室の外部に光照射装置とを有する真空処理装置であって、該光透過性隔壁の下面縁部と該光透過性隔壁が設置される該真空処理室の側壁上面との間に設けられた樹脂製のシール部材と、該シール部材と該光透過性隔壁との間又は該シール部材の表面に設けられた光エネルギー遮断部材とを備えていることを特徴とする真空処理装置。前記光照射装置が、紫外線照射装置であることを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。前記光エネルギー遮断部材が、Be、B、C、Mg、Al、Si、P、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、As、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ba、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ac、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md、No、及びLrから選ばれた金属の少なくとも1種、並びにこれら金属の少なくとも2種からなる合金から選ばれた少なくとも1種、並びにこれら金属の酸化物、窒化物、及びフッ化物から選ばれた化合物の少なくとも1種から構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の真空処理装置。真空処理室内に載置された、表面に膜が形成された処理対象物に対して、光照射装置から真空処理室の上部開口部を形成する側壁の上面に固定して設置された光透過性隔壁を通して光を照射し、該処理対象物を処理する際に、該光透過性隔壁の下面縁部と該光透過性隔壁が設置された該真空処理室の側壁上面との間に設けられた樹脂製のシール部材と、該シール部材と該光透過性隔壁との間又は該シール部材の表面に設けられた光エネルギー遮断部材とを備えているように構成されてなる光透過性隔壁部材の光透過性隔壁を通して光照射して該処理対象物上の膜を処理することを特徴とする処理対象物の処理方法。前記光照射装置が、紫外線照射装置であることを特徴とする請求項4記載の処理対象物の処理方法。前記光エネルギー遮断部材が、Be、B、C、Mg、Al、Si、P、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、As、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ba、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ac、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md、No、及びLrから選ばれた金属の少なくとも1種、並びにこれら金属の少なくとも2種からなる合金から選ばれた少なくとも1種、並びにこれら金属の酸化物、窒化物、及びフッ化物から選ばれた化合物の少なくとも1種から構成されていることを特徴とする請求項4又は5記載の処理対象物の処理方法。前記膜が、低誘電率膜であることを特徴とする請求項4~6のいずれか1項記載の処理対象物の処理方法。処理対象物上に膜を形成する際に使用するための塗布装置と、請求項1~3のいずれか1項に記載の真空処理装置と、該塗布装置を用いて塗布して形成された膜を有する処理対象物を真空処理室内へ搬入及び搬出するためのロード/アンロード室とを備えたことを特徴とする成膜装置。前記膜が、低誘電率膜であることを特徴とする請求項8記載の成膜装置。本発明の課題は、上述の問題点を解決することにあり、樹脂製のシール部材が紫外線照射のような光照射を受けないようにするシール構造を備えた真空処理装置、この真空処理装置を用いて行う処理対象物の処理方法、及びこの真空処理装置を備えた成膜装置を提供することにある。本発明の真空処理装置は、真空処理室と、処理対象物を載置するためのステージと、該真空処理室の上部開口部を形成する側壁の上面に固定して設置される光透過性隔壁と、該真空処理室の外部に光照射装置とを有する真空処理装置であって、該光透過性隔壁の下面縁部と該光透過性隔壁が設置される該真空処理室の側壁上面との間に設けられた樹脂製のシール部材と、該シール部材と該光透過性隔壁との間又は該シール部材の表面に設けられた光エネルギー遮断部材とを備えていることを特徴とする。上記真空処理装置において、光照射装置が、紫外線照射装置であることを特徴とする。上記真空処理装置において、光エネルギー遮断部材が、Be、B、C、Mg、Al、Si、P、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、As、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ba、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ac、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md、No、及びLr等から選ばれた金属の少なくとも1種、並びにこれら金属の少なくとも2種からなる合金から選ばれた少なくとも1種、並びにこれら金属の酸化物、窒化物、及びフッ化物から選ばれた化合物の少なくとも1種から構成されていることを特徴とする。本発明の処理対象物の処理方法は、真空処理室内に載置された、表面に膜が形成された処理対象物に対して、光照射装置から真空処理室の上部開口部を形成する側壁の上面に固定して設置された光透過性隔壁を通して光を照射し、該処理対象物を処理する際に、該光透過性隔壁の下面縁部と該光透過性隔壁が設置された該真空処理室の側壁上面との間に設けられた樹脂製のシール部材と、該シール部材と該光透過性隔壁との間又は該シール部材の表面に設けられた光エネルギー遮断部材とを備えているように構成されてなる光透過性隔壁部材の光透過性隔壁を通して光照射して該処理対象物上の膜を処理することを特徴とする。上記処理対象物の処理方法において、光照射装置が、紫外線照射装置であることを特徴とする。上記処理対象物の処理方法において、光エネルギー遮断部材が、上記した材料から構成されていることを特徴とする。上記処理対象物の処理方法において、膜が、低誘電率膜であることを特徴とする。本発明の成膜装置は、処理対象物上に膜を形成する際に使用するための塗布装置と、上記真空処理装置と、該塗布装置を用いて塗布して形成された膜を有する処理対象物を真空処理室内へ搬入及び搬出するためのロード/アンロード室とを備えたことを特徴とする。上記成膜装置において、処理対象物上に形成される膜は、低誘電率膜であることを特徴とする。本発明によれば、樹脂製のシール部材が紫外線等の光の照射を受けないようになり、その結果、樹脂中の炭素-炭素結合等の結合が光エネルギーによって切断されて樹脂が分解されることもないので、樹脂の劣化という問題が解決され、また、樹脂の分解により生じる有機物の不純物が真空処理装置内に発生することもないので、装置内部や処理対象物を汚染させてしまうという問題も解決されるという効果を奏することができる。本発明によればまた、特定のシール構造を採用したので、紫外線等の光の透過面積が減少することもなく、処理対象物上に到達する光の強度が低下し、照射光強度分布が悪化してしまうこともないという効果を奏することができ、そして装置コストも従来と変わらないという効果を奏することができる。以下、本発明の実施の形態について図4及び5を参照して説明する。説明の便宜上、光照射装置として紫外線照射装置を用い、光透過性隔壁として石英窓を用い、光エネルギー遮断部材として紫外線遮断部材を用い、処理対象物としてウェハを用いた場合を例に取って説明する。本発明に係る真空処理装置の実施の形態を示す図4によれば、この真空処理装置は、筐体である真空処理室41と、ウェハ42を載置するためのステージ43と、ステージ43の下方に設置されたウェハ42を所定の温度に加熱するためのランプ手段のような加熱手段図示せずと、真空処理室41の上部開口部を形成する側壁の上面に固定して設置される光透過性隔壁石英窓44その形状に制限はないが、例えば角形状や、円盤状等を挙げることができる、すなわち真空処理室41の側壁の上面部の少なくとも一部例えば、真空側の縁部に固定して設置される石英窓44と、真空処理室41の外部に紫外線ランプのような紫外線照射装置光照射装置45とを有する真空処理装置であって、石英窓44の下面縁部と石英窓44が設置される真空処理室41の側壁上面との間に設けられた樹脂製のシール部材46と、このシール部材に紫外線が照射されないようにシール部材46の上部すなわち、シール部材46と石英窓44との間又はシール部材44の表面に設けられた光エネルギー遮断部材紫外線遮断部材47とを備えてなる。上記石英窓44の下面縁部は、真空処理室41の側壁の上面部の一部の真空側に設置されていても、側壁の全上面部に設置されていてもよく、また、図示したように、石英窓44の側面と対向している真空処理室41の側壁の上面と、石英窓44の上面部とが面一になるように設置されていてもよい。上記したように、シール部材46及び紫外線遮断部材47を介して、石英窓44の下面縁部が真空処理室41の側壁の上面部の少なくとも一部に固定され、このようなシール構造を備えていることにより、真空処理室41を真空封止できる。上記紫外線遮断部材47は、Be、B、C、Mg、Al、Si、P、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、As、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ba、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ac、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md、No、及びLr等から選ばれた金属の少なくとも1種金属混合物を含む、並びにこれら金属の少なくとも2種からなる合金から選ばれた少なくとも1種、並びにこれら金属の酸化物、窒化物、及びフッ化物から選ばれた化合物の少なくとも1種から構成されている。図4に示す真空処理装置を用いれば、装置外部の上方に設置した紫外線ランプのような紫外線照射装置45から石英窓44を通して、ステージ43上に載置されているウェハ42表面上に紫外線を照射でき、表面に各種膜が形成されているウェハ42を処理することができる。この場合、紫外線はウェハ42だけに照射される。樹脂製のシール部材46については、紫外線遮断部材47により遮断されるため、紫外線が照射されることはない。その結果、上記したように、樹脂中の炭素-炭素結合等の結合が紫外線によって切断されて、樹脂が分解され、劣化してしまうということはない。そのため、樹脂の分解により生じる有機物の不純物が真空処理装置内に発生することはなく、装置内部や処理対象物を汚染させることもない。上記シール部材は、フッ素樹脂例えば、テフロン登録商標等、フッ素ゴム、ニトリルゴム、シリコンゴム、クロロプレンゴム等から作製されたもので良く、フッ素樹脂製のシール部材としては、例えばカルレッツ登録商標シール部材等を挙げることができる。上記紫外線遮断部材は、蒸着法、スパッタリング法、溶射法、浸漬法等を含めて紫外線遮断膜を形成する既知の条件下で作製できる。例えば、具体的には、紫外線を透過させたい部分をマスクした石英窓を真空雰囲気中に導入し、Alを蒸着法によって100nm成膜することにより作製できる。膜厚の下限及び上限については特に制限はなく、下限としては、紫外線を遮断できる程度の膜厚であれば良く、上限としては、シール効果が損なわれない範囲であれば良い。本発明に係る処理対象物の処理方法の実施の形態によれば、この処理方法は、図4に示された真空処理装置を用いて行うことができる。すなわち、真空処理室41内に載置された、低誘電率膜等の薄膜が形成されているウェハ42に対して、紫外線照射装置45から真空処理室41に設けられた石英窓44を通して紫外線を照射し、ウェハ42表面の薄膜を処理する際に、石英窓44の下面縁部と石英窓44が設置された真空処理室41の側壁の上面部との間に設けられたシール部材46と、このシール部材に紫外線が照射されないようにシール部材46の上部すなわち、シール部材46と石英窓44の下面縁部との間又はその表面に設けられた紫外線遮断部材47とを備えてなるシール構造により、真空処理室41を真空封止できるように構成されている石英窓部材の石英窓を通し、ウェハ42の表面に紫外線照射を行うことによりウェハ上の薄膜を処理する方法である。上記処理対象物の処理方法において、紫外線遮断部材47は、上記した材料から構成されてなる。上記したように構成された石英窓部材を用いることにより、ウェハ42を処理する際に、紫外線はウェハ42だけに照射され、樹脂製のシール部材46に接して紫外線遮断部材47を設けたために、このシール部材には紫外線が照射されることはない。その結果、上記したように、処理工程中に、樹脂中の炭素-炭素結合等の結合が紫外線によって切断されて、樹脂が分解され、劣化してしまうということはない。そのため、樹脂の分解により生じる有機物の不純物が真空処理装置内に発生することはなく、装置内部やウェハを汚染させることもない。本発明に係る処理対象物の処理方法について、処理対象膜として低誘電率膜を用い、この膜を硬化処理する場合についてより具体的に示せば、以下の通りである。この処理方法は、例えば、まず、既知の低誘電率材料例えば、株式会社アルバック製の塗布液:ULKS登録商標の塗布液を、スピンコータにより、所定の回転数で、ウェハ上に塗布する。この塗布方法には制限はなく、均一に塗布できるものであれば、通常用いる方法で良い。塗布液が均一に塗布されたウェハを低温例えば、70~150°C程度で焼成した後、低誘電率膜が表面に形成されたウェハを真空処理装置内に搬送し、ランプ加熱手段のような加熱手段によりウェハが所定の温度例えば、350°Cに加熱されている状態で、このウェハに対して紫外線照射装置から紫外線を照射して低誘電率膜を硬化せしめ、所定の機械的強度を有する膜を形成することができる。上記のようにして低誘電率膜を得た後、さらに所望により、この低誘電率膜上に他の膜を積層したり、この低誘電率膜を処理したりする工程へと進む。本発明に係る成膜装置の実施の形態を示す図5によれば、この成膜装置は、ウェハ上に低誘電率膜等のような薄膜を形成する際に使用するための塗布装置51と、図4に示す真空処理装置52と、塗布装置51で塗布して形成された薄膜を表面に有するウェハを真空処理室内へ搬入及び搬出するためのロード/アンロード室L/UL室53とを備えてなり、このロード/アンロード室53に格納されているウェハは、搬送ロボットが設置されている搬送室54を経て真空処理装置52へと搬入され、そこで薄膜を処理した後、ロード/アンロード室L/UL室53へ搬出される。上記のようにして薄膜を処理した後、所望によりさらにこの膜上に他の薄膜を形成させたり、又は他の処理を行ったりする場合には、そのような薄膜形成工程や他の処理工程を行う1つ又は複数の装置55を搬送室54の周りに配置し、搬送室54内の搬送ロボットにより、搬入/搬出を行って、それぞれの処理を行うことができるように構成することができる。図4に示す真空処理装置について、説明の便宜上、光エネルギー源として紫外線照射装置、光透過性隔壁として紫外線透過窓である石英窓、光エネルギー遮断部材として紫外線遮断部材を例に挙げて説明したが、この他に、マイクロ波発生装置、赤外線照射装置、X線発生装置、レーザー発生装置、可視光発生装置等の光エネルギー源、石英窓以外のガラス材料、サファイア、CaF2、MgF2等の光透過性隔壁、紫外線遮断部材以外の上記した金属、合金、酸化物、窒化物、フッ化物等からなる光エネルギー遮断部材を適用しても同様の処理が可能な真空処理装置を構成できる。また、この真空処理装置について、スピンコータにより表面に低誘電率材料を塗布し、低誘電率膜が形成された処理対象物を処理する装置を例として具体的に説明したが、この装置は、CVD装置等の成膜装置により低誘電率膜その他の膜が形成された処理対象物の処理に適用することも可能である。他にも、膜が形成されていない基板表面自体の処理にも適用可能である。本発明の真空処理装置を用いて実施し得る処理方法としては、上記以外に、真空中での紫外線照射による処理として、次のような適用が可能である。例えば、1上記した低誘電率材料を用いた場合、空孔を導入して、低誘電率と共に低屈折率の膜を作製することができ、2ナノサイズパターンの石英等をレジストなどに押しつけた状態で紫外線照射熱して固め、剥がしてパターン転写することにより、気泡が入らないか入り難いパターンを作製することができ、3紫外線照射により、基板表面の有機物を除去してクリーニングすることや、基板表面の密着性を向上せしめること等の基板表面の改質ができ、また、4特に大気に曝したくないものに関しては、真空一貫で紫外線照射により基板をクリーニングした後で密着性良く成膜することができる。以下、上記した本発明の関連発明について、また、その関連発明による上記したシール構造による効果との相乗効果について説明する。説明の都合上、処理する薄膜としては低誘電率膜を例にとって説明するが、本発明と同様に、その膜に限定されるわけではない。上記関連発明の真空処理装置は、上記した本発明のシール構造に加えて、さらに、真空処理室の内部に設けられ、この真空処理室の内部及び処理対象物を加熱して、所定の温度分布に保つための熱源と、光照射装置例えば、紫外線照射装置からの光例えば、紫外線等の光エネルギー源を透過させる窓部材である光透過性隔壁例えば、石英窓のような紫外線透過性隔壁に対向して、真空処理室の内部に設けられた、熱源からの熱を遮断する遮断部材Aとを備えている。遮断部材以外は、本発明の真空処理装置の構成と同じである。これにより、上記したシール構造による効果に加えて、以下述べるような効果を達成できる。以下説明する別の真空処理装置の場合も同様である。すなわち、ウェハのような処理対象物が存在しない状態で、すなわち処理対象物の処理前の予備加熱として熱源により加熱を行う際に、光透過性隔壁やこの隔壁を通しての紫外線等の光エネルギー源への熱の影響を遮断部材Aで遮断することができ、処理対象物を加熱すると共に光エネルギー源からのエネルギーを与える際に、真空処理室の上記隔壁や光エネルギー源への熱の影響をなくし、必要な予備加熱だけを行うことが可能になる。また、遮断部材Aを上記隔壁に対向して設けるため、少なくとも隔壁に対する熱源からの熱を遮断することができる。さらに、光透過性隔壁に対する熱を遮断部材Aで遮断することで、この隔壁の固定部と真空処理室との熱膨張差による変形に伴うクラックの発生を防止することができる。また、上記真空処理装置において、真空処理室は円筒状であり、真空処理室の上部開口部に上記隔壁が天井部材として固定されて配置され、この隔壁の大気側に光照射装置が設けられ、処理対象物を支持するステージが真空処理室の内部に設けられ、このステージの下方に上記熱源が設けられ、上記遮断部材Aは円盤状に形成されてステージの上部に設けられていてもよい。このように構成することにより、上記隔壁や隔壁を通しての光照射装置への熱源からの熱の影響を遮断部材Aで遮断することができ、処理対象物を加熱すると共に光を照射するに際し、隔壁や光照射装置への熱の影響をなくし、必要な予備加熱だけを行うことができる。この隔壁としては、例えば、角型状や円盤状のものを挙げることができる。上記熱源はランプ加熱手段であっても良く、上記ステージの下部に設けられている。このように、ランプ加熱手段を用いて真空処理室の内部の温度を昇温させることで基板を加熱するので、加熱手段を基板に接触させることなく基板を加熱することができる。さらに、上記遮断部材Aには、中央部に円形の開口が形成され、主に上記隔壁の周縁部に対する熱が遮断されるように構成されていても良い。このように、中央部に円形の開口が形成された遮断部材Aを用いることで、金属製の真空処理室における上記隔壁の周縁の固定部に対する熱の影響を低減することができ、熱膨張率の差による変形により隔壁の周縁にクラックが発生することを防止して、真空処理室の上記隔壁や光照射手段への熱の影響をなくすことができる。さらにまた、上記遮断部材Aには、複数の小穴が形成され、前記処理室の内部の温度が維持されて熱が遮断されるように構成されていてもよい。このように、複数の小穴が形成された遮断部材Aを用いることで、真空処理室内の温度を制御して、真空処理室上部の上記隔壁や光照射装置への熱の影響をなくすことができる。さらにまた、例えば、上記処理対象物に低誘電率膜用組成物を塗布して、低誘電率膜を形成する場合、この膜に対して光照射装置からの光を照射すると共に、上記熱源による加熱によって、この低誘電率膜を硬化処理することができる。この硬化処理の際に、真空処理室の上記隔壁や光エネルギー源への熱の影響をなくし、必要な予備加熱だけを行うことが可能になる。上記した遮断部材Aを備えた真空処理装置を用いて行う処理対象物の処理方法によれば、低誘電率膜用組成物が塗布された処理対象物を加熱すると共に、この低誘電率膜用組成物から得られた薄膜に対して、真空処理室の外部から紫外線等の光を照射することで、処理対象物表面に改質された薄膜を形成する処理方法において、処理対象物の処理を行う時を除き、光照射装置の照射源及び真空処理室の光透過部位に対し、真空処理室の内部を加熱する際の熱を遮断するものである。この場合、例えば低誘電率膜を硬化させて改質された薄膜を形成する際に、光透過部位や光照射処置への熱の影響をなくし、必要な予備加熱だけを行うことができる。本発明の関連発明の成膜装置は、処理対象物に低誘電率膜用組成物を塗布する塗布装置と、この塗布装置を用いて組成物を塗布し、低誘電率膜を形成したものを搬入し、例えば硬化処理することができる上記した真空処理装置すなわち、以下具体的に説明する図6~8に示す真空処理装置と、塗布装置で塗布して形成された薄膜を有する処理対象物を真空処理室内へ搬入及び搬出するためのロード/アンロード室とを備えてなる。この真空処理装置は、処理工程で、真空処理室や光エネルギー源への熱の影響をなくし、必要な予備加熱だけを行うことができるものである。上記した真空処理装置は、処理対象物を加熱すると共に光エネルギー源からのエネルギーを与える処理に際し、真空処理室の光透過性隔壁やエネルギー源への熱の影響をなくし、必要な予備加熱だけを行うことが可能になる。また、上記処理方法によれば、低誘電率膜を硬化させる際に、光透過部位や光照射装置への熱の影響をなくし、必要な予備加熱だけを行うことが可能になる。さらに、上記成膜装置は、低誘電率膜を硬化させる際に、真空処理室や光エネルギー源への熱の影響をなくし、必要な予備加熱だけを行うことが可能になる。次に、上記した関連発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。図6を参照して、改質された低誘電率膜を処理対象物上に作製する真空処理装置について具体的に説明する。図6では、上記した遮断部材Aを有する真空処理装置の一例について、その全体の側面側からの模式的断面状態を示す。なお、図6と図4とは、作図上の相違はあるが、基本的には、遮断部材の有無などの点で異なるだけであり、他の構成要素はほぼ同じである。図6に示すように、真空処理装置は、図4の場合と同様に、上部が開口した円筒状の金属製の真空処理室61を備えており、真空処理室61の上部には開口部62が形成されている。真空処理室61の上部開口部62には円盤状の石英窓63が配置され、石英窓63の下面縁部が樹脂製のシール部材例えば、オーリング等64を介して真空処理室61の側壁上面の少なくとも一部図6では側壁上面の縁部62a上に固定されている。このシール部材64の上部すなわち、石英窓63とシール部材64との間又はシール部材64の表面には、図示していないが、図4の場合と同様に、紫外線遮断部材が設けられている。真空処理室61の内部は、図示しない真空排気系により所定の真空状態に排気される。真空処理室61の側壁には搬送口65が設けられ、搬送口65を介して処理対象物66の搬入搬出が行われる。真空処理室61は、処理対象物を載置して支持するステージ67を備え、ステージ67は昇降自在に構成されている。ステージ67には保持部材68が設けられ、この保持部材により処理対象物66が所定の位置に規制されて保持される。ステージ67の下部には熱源となるランプ加熱手段としてランプヒータ69が設けられ、このランプヒータにより真空処理室61の内部と処理対象物66とが加熱され、所定の温分布に保たれる。真空処理室61内部にはリフレクタ70が設けられていてもよく、その場合、処理対象物66の搬送口65からの搬入搬出の経路を避けた状態で、ステージ67がランプヒータ69と共に側方及び下方からリフレクタ70に覆われている。また、石英窓63の上方には紫外線照射装置71が設けられ、低誘電率膜を表面に有する処理対象物66に対し、紫外線照射装置71から石英窓63を通して紫外線が照射され、処理される。ステージ67より上方における真空処理室61の内壁の同一高さの複数個所に支持材72が固定されて設けられ、支持材72には遮断部材Aとしての円盤状の遮断盤73が載置されている。遮断盤73は真空処理室61を予備加熱する際に搬送口65を介して真空処理室61の内部に搬入される。この遮断盤により、ランプヒータ69により真空処理室61を昇温する際に、石英窓63及び紫外線照射装置71への熱の伝達を遮断する。遮断盤73は、耐熱温度が高く、熱膨張性が低く、比重が低く、安価な材料で作製され、例えば、アルミナ、SiC、SiN等のセラミックスやTi等の金属で作製される。上記真空処理装置では、ランプヒータ69により低誘電率膜を表面に有する処理対象物66が所定の温度例えば、350°Cに加熱され、紫外線照射装置71から石英窓63を通して紫外線が処理対象物66上に照射される。紫外線を照射することにより、低誘電率膜を硬化せしめ、十分な機械的強度を有する低誘電率膜を処理対象物上に作製する。紫外線を処理対象物に対して照射するのに先立ち、ランプヒータ69により真空処理室61を昇温して、処理室内部に設置されている冶具や処理室内を所定の温度に予備加熱する。この時、支持材72上に載置されている遮断盤73が、石英窓63及び紫外線照射装置71への熱の伝達を遮断する。これにより、石英窓63及び紫外線照射装置71が、真空処理室61を加熱するための熱の影響を受けることがなくなり、遮断盤73の下方の雰囲気の温度を必要な状態に均一に保つことができる。予備加熱を実施する際に、石英窓63及び紫外線照射装置71は熱の影響を受けることがないので、過熱状態になる虞がなく、金属製の真空処理室61における石英窓63の縁部の固定部すなわち、開口部62における側壁上面の縁部62a上の固定部に対する熱の影響を低減することができ、熱膨張率の差に基づく変形により石英窓63の周縁にクラックが発生することが防止される。また、紫外線照射装置71が熱に曝されることがなくなり、熱損傷が生じることがなくなる。このため、真空処理室61の予備加熱を十分に実施することが可能になり、低誘電率膜の硬化処理を効率よく行うことができる。また、紫外線照射装置71が熱に曝されることがないので、紫外線照射装置71側での熱の対策を簡素化することができる。熱源としてランプヒータ69を用いている場合、熱源が処理対象物66に接触することがなく、コンタミ等が発生する虞がない。従って、硬化により低誘電率膜を形成する際に、石英窓63や、紫外線照射装置71への熱の影響をなくして必要な予備加熱を行うことが可能になる。次に、図7を参照して本発明の関連発明の真空処理装置の別の例について説明する。図7には、真空処理装置の全体の側面側からの模式的断面状態を示してある。尚、この真空処理装置は、上記した図6に示す真空処理装置とは遮断盤の形状が異なるだけであるので、同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。ステージ67より上方における真空処理室61の内壁の同一高さの複数個所には支持材72が固定されて設けられ、支持材72には遮断部材Aとしての遮断盤74が載置されている。遮断盤74は、円盤状で中央部に円形の開口75が形成されている。遮断盤74は、真空処理室61を予備加熱する際に搬送口65を介して真空処理室61の内部に搬入される。この遮断盤により、ランプヒータ69により真空処理室61を昇温する際に、石英窓63、特に石英窓63の周縁部である真空処理室61の上部開口部の固定部、及び紫外線照射装置71への熱の伝達を遮断する。このような遮断盤74を設けることにより、予備加熱を実施する際に、石英窓63の周縁部位は熱の影響を受けることがないので、過熱状態になる虞がなく、金属製の真空処理室61の上部開口部に設置された石英窓63の周縁の固定部に対する熱の影響を大幅に低減することができ、熱膨張率の差に基づく変形により石英窓63の周縁にクラックが発生することが確実に防止される。また、遮断盤74には開口75が形成されているので、真空処理室61の全体の雰囲気を均一に昇温させることもできる。このため、石英窓63の周縁のクラック発生を防止すると同時に、真空処理室61の内部の全体に亘り加熱を均一に行うことができる。紫外線照射装置71として熱の対策が施されたものが使用されている場合、石英窓63のクラック発生の防止に特化して軽量の遮断盤74を設けることができ、石英窓63の周縁のクラック発生を確実に防止した状態で予備加熱を実施することができる。上記した図6及び7に示す真空処理装置では、遮断盤73、遮断盤74を支持材72に載置した例を挙げて説明したが、支持材を使用せずに、これらの遮断盤を処理対象物66の保持部材68に保持させることも可能である。また、リフレクタ70の上縁部分に載置することも可能である。尚、遮断盤は、その形状が円盤状で外周部位の厚さが中心部位の厚さに対して厚くなった遮断盤であっても良く、外周部の厚さを厚くした遮断盤を設けることで、金属製の真空処理室61における石英窓63の周縁の固定部に対する熱の影響を確実に低減することができ、遮断盤の下側を均一に昇温させて予備加熱を実施することができる。また、遮断盤は、その形状が円盤状で複数の小穴が形成された遮断盤であっても良く、このように小穴が形成された遮断盤を設けることで、真空処理室61の全体の雰囲気の昇温制御をより容易に行うことができる。次に、図8を参照して本発明の関連発明の真空処理装置のさらに別の例について説明する。図8には、真空処理装置の全体の側面側からの断面状態を示してある。尚、この真空処理装置は、上記した図6及び7に示す真空処理装置とはステージの構成が異なるだけであるので、同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。図8に示すように、真空処理室61の内部にはステージ67が設けられ、ステージ67は昇降自在に構成されている。ステージ67の上面には熱源としてのホットプレート76が設けられている。ホットプレート76上には処理対象物66が直接載置され、この処理対象物の背面が所定の温度に加熱されるように構成されている。そして、図6及び7におけるランプヒータ69は設けられていない。図8に示すようなホットプレート76を備えた真空処理装置であっても、上記した図6及び7の場合と同様に、石英窓63及び紫外線照射装置71が熱の影響を受けることはない。図6~8に示す真空処理装置について、説明の便宜上、光エネルギー源として紫外線照射装置、光透過性隔壁として紫外線透過窓である石英窓、光エネルギー遮断部材として紫外線遮断部材を例に挙げて説明したが、この他に、マイクロ波発生装置、赤外線照射装置、X線発生装置、レーザー発生装置、可視光発生装置等の光エネルギー源、石英窓以外のガラス材料、サファイア、CaF2、MgF2等の光透過性隔壁、紫外線遮断部材以外の上記した金属、合金、酸化物、窒化物、フッ化物等からなる光エネルギー遮断部材を適用しても同様の処理が可能な真空処理装置を構成できる。また、これらの関連発明の真空処理装置について、スピンコータにより表面に低誘電率材料を塗布し低誘電率膜が形成された処理対象物を処理する装置として説明したが、これらの装置は、CVD装置等の成膜装置により低誘電率膜その他の膜が形成された処理対象物の処理に適用することも可能である。他にも、膜が形成されていない基板表面自体の処理にも適用可能である。上記関連発明の真空処理装置を用いて実施し得る処理方法としては、上記した本発明の真空中での紫外線照射による各種処理が適用可能である。