"電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該基板の上に形成されたバッファ層と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子において、該光導波路と該バッファ層との間に、該基板に含まれる金属イオンが該バッファ層内に拡散し偏在することを抑制するための偏在抑制層を設けることを特徴とする光導波路素子。請求項1に記載の光導波路素子において、該バッファ層は、In又はTiの少なくともいずれかを添加したSiO2膜であることを特徴とする光導波路素子。請求項1又は2に記載の光導波路素子において、該偏在抑制層は、SiO2で形成されていることを特徴とする光導波路素子。請求項1乃至3のいずれかに記載の光導波路素子において、該偏在抑制層の厚みは、30~200nmであることを特徴とする光導波路素子。請求項1乃至4のいずれかに記載の光導波路素子において、該偏在抑制層の成膜は、スパッタ法又は化学気相成長法により形成することを特徴とする光導波路素子。本発明は、上述した問題を解消し、バッファ層中へのLiイオン等のキャリアの拡散を抑制し、長期間に渡り駆動電圧が安定した光導波路素子を提供することである。上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該基板の上に形成されたバッファ層と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子において、該光導波路と該バッファ層との間に、該基板に含まれる金属イオンが該バッファ層内に拡散し偏在することを抑制するための偏在抑制層を設けることを特徴とする。請求項2に係る発明は、請求項1に記載の光導波路素子において、該バッファ層は、In又はTiの少なくともいずれかを添加したSiO2膜であることを特徴とする。請求項3に係る発明は、請求項1又は2に記載の光導波路素子において、該偏在抑制層は、SiO2で形成されていることを特徴とする。請求項4に係る発明は、請求項1乃至3のいずれかに記載の光導波路素子において、該偏在抑制層の厚みは、30~200nmであることを特徴とする。請求項5に係る発明は、請求項1乃至4のいずれかに記載の光導波路素子において、該偏在抑制層の成膜は、スパッタ法又は化学気相成長法により形成することを特徴とする。請求項1に係る発明により、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該基板の上に形成されたバッファ層と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子において、該光導波路と該バッファ層との間に、該基板に含まれる金属イオンが該バッファ層内に拡散し偏在することを抑制するための偏在抑制層を設けるため、バッファ層を形成した後の熱処理などで、基板中の金属イオンがキャリアとしてバッファ層中に拡散するのを抑制でき、その後の駆動電圧の印加により該金属イオンが偏在するのも抑制できる。これにより、光導波路素子の駆動電圧を安定化することが可能となる。請求項2に係る発明により、バッファ層は、In又はTiの少なくともいずれかを添加したSiO2膜であるが、バッファ層は、高周波信号の劣化を抑制するために形成した後にアニール処理などの熱処理によって緻密化する必要があり、特に基板からのLiイオン等の金属イオンがバッファ層中に拡散し易くなる。このため、本発明のように偏在抑制層を設けることで、このような金属イオンの拡散を抑制でき、光導波路素子の駆動電圧を安定化することが可能となる。請求項3に係る発明により、偏在抑制層は、SiO2で形成されているため、基板からの金属イオンがバッファ層中に拡散するのを、効果的に抑制することが可能となる。請求項4に係る発明により、偏在抑制層の厚みは、30~200nmであるため、金属イオンの拡散を効果的に抑制しながら、DCドリフト特性が大きくなるのを抑制することが可能となる。請求項5に係る発明により、偏在抑制層の成膜は、スパッタ法又は化学気相成長法により形成するため、偏在抑制層の成膜とバッファ層の成膜とを、同一の製造装置で連続して行うことができ、基板の汚染を防ぎ、製造時間の短縮を図ることが可能となる。本発明の光導波路素子について、以下に詳細に説明する。図2に示すように、本発明の光導波路素子は、電気光学効果を有する基板1と、該基板に形成された光導波路2と、該基板の上に形成されたバッファ層5と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極3,4とを有する光導波路素子において、該光導波路2と該バッファ層5との間に、該基板に含まれる金属イオンが該バッファ層内に拡散し偏在することを抑制するための偏在抑制層6を設けることを特徴とする。本発明に利用される基板としては、電気光学効果を有する材料を用いた基板が利用でき、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、PLZTジルコン酸チタン酸鉛ランタン、及び石英系の材料、並びにこれらの材料を組み合わせた基板が利用可能である。特に、電気光学効果の高いニオブ酸リチウムLN結晶が好適に利用される。また、Zカット型の基板では、光導波路の真上に変調電極が配置されるため、後述するバッファ層が必要となる。基板に光導波路を形成する方法としては、Tiなどの熱拡散法やプロトン交換法などで基板表面に拡散させることにより形成することができる。また、光導波路以外の基板をエッチングしたり、光導波路の両側に溝を形成するなど、基板に光導波路に対応する部分を凸状としたリッジ形状の導波路を利用することも可能である。光導波路素子では、基板1上に信号電極3や接地電極4などの変調電極が形成される。このような電極は、Auの電極パターンの形成及び金メッキ方法などにより形成することが可能である。光導波路2と変調電極3,4との間には、バッファ層5が設けられている。バッファ層には、誘電損失とDCドリフト特性を改善するため、SiO2層中にスパッタ法などで、InやTi又はこれらの酸化物を数添加している。バッファ層の厚みは、光波の電極による吸収を抑制し、電極が形成する電界が光導波路に効果的に印加されるような条件を考慮して、500nm~1000nm、特に、600nm程度に設定することが好ましい。本発明の光導波路素子の特徴は、光導波路2を形成した基板1に、偏在抑制層6を設けていることである。これにより、バッファ層を形成した後の熱処理などで、基板中の金属イオンがキャリアとしてバッファ層中に拡散するのを抑制でき、その後の駆動電圧の印加により該金属イオンが偏在するのも抑制できる。これにより、光導波路素子の駆動電圧を安定化することが可能となる。特に、バッファ層5に、In又はTiの少なくともいずれかを添加したSiO2膜を利用する場合には、スパッタ法などでバッファ層5を形成した後にアニール処理例えば、600°Cでの熱処理などの熱処理を行う必要がある。ここで、In又はTiの少なくともいずれかを添加したSiO2膜をスパッタ法で形成する場合は、予め所望の組成に調整された混合焼結体ターゲットを使用するのが組成の再現性の点から有効であるが、この場合は、ターゲットの密度を高くすることが困難であるため、形成された膜も、低密度なものとなる傾向があり、結果として高周波信号の劣化が生じる。さらに、この膜を熱処理することにより、基板からのLiイオン等の金属イオンがバッファ層中に拡散し易くなるため、本発明のように偏在抑制層6を設けることで、このような金属イオンの拡散を抑制できる。偏在抑制層6としては、SiO2膜が好適に利用可能である。偏在抑制層の成膜方法は、スパッタ法、蒸着法、化学気相成長CVD法などいずれの成膜方法でも良いが、例えば、InやTiを添加したSiO2層のようなバッファ層まで、同一製造装置内で連続して成膜できる方法が、基板1の汚染を防ぐ観点や、製造プロセスの時間を短縮する観点からも有効である。また、SiO2ターゲットは、焼結体と異なり、高密度なものを得ることが出来るため、形成された膜も高密度に保つことが出来、Liイオン等の金属イオンの拡散をより効果的に抑制出来る。具体的には、異なる組成を連続して成膜できるスパッタ法が望ましい。偏在抑制層の膜厚は、偏在抑制効果とDCドリフト特性の二つを両立させるため、30~200nm程度とする。図3は、偏在抑制層の厚みを10nm~600nmの範囲で変化させた際に、DCドリフト特性の変化の様子を示している。図3のグラフからも明らかなように、偏在抑制層の厚みが増すに従ってDCドリフト特性が大きくなり、特に300nm以上の厚みでは、DCドリフトの許容範囲を超え、光導波路素子としての性能が大幅に低下していることが容易に理解される。図4は、偏在抑制層の厚みの変化に対する駆動電圧劣化の様子を示すグラフである。駆動電圧劣化は、専ら、基板1中のLiなどの金属イオンがバッファ層5中に拡散することにより発生しているため、駆動電圧の劣化が少ないことは、金属イオンの拡散を効果的に抑制できていることを意味する。図4から偏在抑制層の厚みが30nm以上の場合には、駆動電圧劣化を効果的に改善していることが理解される。図3及び図4の結果からも、偏在抑制層の厚みは、30~200nmが適切であり、特に、100nm程度が最も好ましい。本発明の偏在抑制層は、熱処理などにより、基板中の金属イオンがバッファ層へ拡散するのを効果的に抑制できる。仮に、InやTiを添加したバッファ層を成膜した後、熱処理条件を緩和処理温度を下げる又は、処理時間を短縮して、基板中のLiなどのキャリアがバッファ層中に混入することを抑制した場合にも、駆動電圧の劣化を抑制できる。しかしながら、駆動電圧が劣化しない程度まで、キャリアの混入が抑制できるような熱処理条件に緩和した場合には、DCドリフト特性が劣化するため、本発明のように、駆動電圧の劣化抑制とDCドリフト特性の改善を両立させることはできない。"