"以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:a基板の主面上に被エッチング膜を形成する工程;b前記被エッチング膜上にレジストパターンを形成する工程;cドライエッチング装置において、前記レジストパターンをマスクとして前記被エッチング膜を加工し、前記被エッチング膜からなるパターンを形成する工程、ここで、前記c工程では、モニタリング信号から得られる予測値データと、各反応生成物のプラズマ発光強度から得られるそれぞれの予測値補正データのなかから、開口率に応じて選択される最適な予測値補正データとを含む予測式により、前記パターンの出来映え形状を予測し、エッチングプロセスの設定値をリアルタイムに補正する。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記開口率が相対的に小さい場合は、前記最適な予測値補正データに、エッチングガス種の反応生成物のプラズマ発光強度から得られる前記予測値補正データを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記開口率が相対的に大きい場合は、前記最適な予測値補正データに、前記被エッチング膜の反応生成物のプラズマ発光強度から得られる前記予測値補正データを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記最適な予測値補正データは、以下の工程を含む処理により求めることを特徴とする半導体装置の製造方法:c1所定の発光波長の範囲におけるプラズマの発光強度データをモニタリングする工程;c2前記プラズマの発光強度データから、前記各反応生成物のプラズマ発光強度をそれぞれ求める工程;c3前記各反応生成物のプラズマ発光強度の平均値データを求める工程;c4前記平均値データを規格化する工程;c5規格化した前記平均値データを、前記予測値補正データに変換する工程;c6前記予測値補正データのなかから前記開口率に応じて前記最適な予測値補正データを選択する工程。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記予測式には、前記レジストパターンの寸法と、前記b工程で前記レジストパターンを形成する際に用いられるマスクの寸法との誤差を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記被エッチング膜がSiO2膜の場合は、CO、SiF、CF、およびCNのプラズマ発光強度を求め、前記開口率が相対的に小さい場合は、前記最適な予測値補正データに、CFまたはCNのプラズマ発光強度から求まる前記予測値補正データを用い、前記開口率が相対的に大きい場合は、前記最適な予測値補正データに、COまたはSiFのプラズマ発光強度から求まる前記予測値補正データを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。例えばAPCAdvancedProcessControlシステムを搭載したドライエッチング装置では、VM技術を適用しない場合、前のロットの検査が完了して、その仕上がり寸法等の情報がフィードバックされるのを待ってから次のロットが処理される。そのため、前のロットの検査が完了するまでの待ち時間が生じてしまう。これに対して、VM技術を適用した場合は、リアルタイムで一ロット内の全ウエハの仕上がり寸法の予測値が得られるので、VM技術を適用しない場合と比べて、ドライエッチング工程のTATTurnAroundTimeを短くすることができる。そこで、本発明者らは、ドライエッチング装置のモニタリング信号からウエハの出来映えを予測するVM技術を適用することにより、ウエハ加工処理後の出来映え検査の回数を低減している。しかし、モニタリング信号のみを用いたVM技術では、ナノメートルnmスケールの寸法制御が難しいため、ナノメートルスケールの精度が要求される微細加工工程では、ウエハ加工処理後の出来映え検査の数を減らすことができない。また、多層配線を形成するドライエッチング工程では、通常、配線パターンの加工形状例えば寸法などの規格が同じであれば、製品種または配線層を問わず、一つのエッチング条件で加工処理を行っている。しかし、配線パターンの加工形状の規格が同じであっても、パターン開口率またはパターン密度等が異なると、モニタリング信号のみを用いたVM技術では、ウエハ処理後の出来映え形状の予測精度が低くなるという問題が生じる。特に、パターン開口率の違いは、エッチングプロセス処理圧力、エッチングガス種、反応生成物フラックス、および流量等に影響を及ぼし、配線パターンの微細化およびウエハの大口径化が進むに従い、その影響は顕著となっている。本発明の目的は、ウエハ処理後のパターンの出来映え形状を高精度で予測することのできる技術を提供することにある。また、本発明の目的は、ウエハ処理後のパターンの出来映え検査の回数を低減することにより、製品の生産性の向上およびコスト低減を実現することのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態を簡単に説明すれば、次のとおりである。この実施の形態は、基板の主面上に形成された被エッチング膜を、レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより加工して、被エッチング膜のパターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、ドライエッチングにより生成される各反応生成物の量をそれぞれプラズマ発光強度によって表し、これらを規格化した後、規格化された各反応生成物のプラズマ発光強度をそれぞれ予測値補正データに変換し、これら予測値補正データのなかから開口率に応じた最適な予測値補正データを選択し、この最適な予測値補正データを、モニタリング信号から得られた予測値データに導入することにより、パターンの出来映え形状を予測するものである。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。ウエハ処理後のパターンの出来映え形状を高精度で予測することのできる技術を提供することができる。また、ウエハ処理後のパターンの出来映え検査の回数を低減することにより、製品の生産性の向上およびコスト低減を実現することができる。以下の実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等個数、数値、量、範囲等を含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。また、以下の実施の形態において、ウエハと言うときは、SiSilicon単結晶ウエハを主とするが、それのみではなく、SOISiliconOnInsulatorウエハ、集積回路をその上に形成するための絶縁膜基板等を指すものとする。その形も円形またはほぼ円形のみでなく、正方形、長方形等も含むものとする。また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。実施の形態本実施の形態によるVM技術を用いたウエハ処理後のパターンの出来映え予測の方法を以下に説明する。本実施の形態では、配線パターンの出来映え予測を一例に挙げて説明する。具体的には、ダマシンDamascene配線を形成する際に、ドライエッチング法により絶縁膜に形成される配線溝の出来映え形状を予測する。図1に、本実施の形態によるドライエッチング装置に備わる各演算部の構成を説明する概略図を示す。ドライエッチング装置1の内部には、モニタリング信号記憶部2および発光強度検出部3が備わっており、さらに、外部には、統計処理部4、発光データ演算処理部5、開口率データ演算処理部6、モデル式演算処理部7が備わっている。なお、外部に備わるこれら処理部4、5,6,7は、ドライエッチング装置1の内部に設けてもよい。ドライエッチング装置1は枚葉式のエッチング装置である。ドライエッチング装置1に備わるチャンバ8の内部には、所定の距離を空けて下部電極9および上部電極10が平行に配置されており、下部電極9上にウエハ11が配置される。下部電極9と上部電極10との間にプラズマ12を作り、プラズマ12中に発生したイオンまたはラジカルを利用して、ウエハ11に形成された被エッチング膜本実施の形態ではSiO2からなる絶縁膜がエッチングされる。モニタリング信号記憶部2では、例えば下部電極温度temp、下部電極電位差Vpp、および上部整合キャパシタの位置C1などのエッチング処理時のプラズマ状態を制御するエッチングプロセスの設定値以下、モニタリング信号というを記憶する。発光強度検出部3では、所定の波長領域例えば200~800nmにおけるエッチング処理時に発生するプラズマの発光強度データを取得する。統計処理部4では、エッチング処理時のモニタリング信号のうち、ウエハ処置後の配線パターン配線溝の幅および深さの出来映え形状と相関があり、配線パターンの出来映え形状の予測式に必要となる複数のモニタリング信号を抽出する。発光データ演算処理部5では、発光強度検出部3で得られたプラズマの発光強度データから、各反応生成物のそれぞれの発光波長におけるプラズマ発光強度の時系列データを求め、さらに、平均値データを求める。そして、その平均値データを規格化した後、さらに、その規格化した各反応生成物のプラズマ発光強度の平均値データを予測式に導入できる予測値補正データに変換する。開口率データ演算処理部6では、発光データ演算処理部5において得られた各反応生成物の予測値補正データのなかから、ウエハ情報から得られる開口率に応じて最適な予測値補正データf2Ix,g2Ixを選択する。モデル式演算処理部7では、モニタリング信号のみを用いて得られる配線パターンの出来映え形状の予測値データに、開口率データ演算処理部6において、開口率に応じて選択された最適な予測値補正データf2Ix,g2Ixを加えた予測式式1および式2により、配線パターンの出来映え形状の予測値を求める。モニタリング信号のみを用いて得られる配線パターンの出来映え形状の予測値データの算出には、統計処理部4において抽出された複数のモニタリング信号を用いる。配線溝の幅=ftemp,Vpp,C1Δマスク寸法f2Ix式1配線溝の深さ=gVpp,tempg2Ix式2次に、モニタリング信号のみを用いて得られる配線パターンの出来映え形状の予測値デーに、開口率に応じて選択される最適な予測値補正データを加えた配線パターンの出来映え形状の予測式式1および式2について詳細に説明する。まず、モニタリング信号のみを用いて得られる配線パターンの出来映え形状の予測値データについて説明する。統計処理部4で抽出された、例えば下部電極温度temp、下部電極電位差Vpp、および上部整合キャパシタの位置C1などのモニタリング信号を用いて、実験計画法を用いた実験および統計解析を行い、ウエハ処理後の配線パターン配線溝の幅および深さの出来映え形状の予測値データを求める。本実施の形態では、統計解析に重回帰分析を用いる。配線溝の幅は、ドライエッチング装置のモニタリング信号のうち下部電極温度temp、下部電極電位差Vpp、および上部整合キャパシタの位置C1の統計解析から得られる予測値データftemp,Vpp,C1と、マスク寸法データΔマスク寸法とにより予測することが可能である。マスク寸法データとは、例えばレジストパターン寸法とマスク寸法設計寸法との誤差等である。また、配線溝の深さは、ドライエッチング装置のモニタリング信号のうち下部電極電位差Vppおよび下部電極温度tempの統計解析から得られる予測値データgVpp,tempにより予測することが可能である。次に、開口率に応じて選択される最適な予測値補正データを加えた配線パターンの出来映え形状の予測式式1および式2について詳細に説明する。ここで、開口率とは、被処理面全体のうちエッチングされる部分の占める割合または面積比で定められる量である。例えば絶縁膜をエッチングする場合に、絶縁膜の全表面積のうち80がレジストパターンにより被覆され、20が露出しているとすると、開口率は20となる。図2aおよびbに、それぞれ開口率が小さい場合開口率は約5の概略図および開口率が大きい場合開口率は約55の概略図を示す。図2中、符号14は被エッチンング膜上に形成されたレジストパターン、符号15は被エッチング膜が露出した開口部を示している。開口率が相対的に大きいとエッチングにより生じる反応生成物の量が多くなり、開口率が相対的に小さいとエッチングにより生じる反応生成物の量が少なくなる。また、一般に、開口率が相対的に大きいとエッチングレートが遅くなり、開口率が相対的に小さいとエッチングレートが速くなる傾向がある。従って、開口率が様々に変化することにより、プラズマ発光強度またはエッチングレートも変化する。例えば絶縁膜にSiO2膜を用いた場合、CF系ガスおよび不活性ガスArを用いると、式3の反応によりSiO2膜のエッチングが進む。SiOCF→SiFCO式3従って、エッチンングにより反応生成物として、例えばCO、SiF、CF、CN等が生じるが、これらの量は開口率に依存する。図3aおよびbに、それぞれ開口率が相対的に小さい場合のエッチンングによる反応生成物の発生の様子および開口率が相対的に大きい場合のエッチングによる反応生成物の発生の様子を説明する模式図を示す。SiO2膜13上に形成されたレジストパターン14の開口部15において、エッチングガス種CFによりSiO2膜13がエッチングされる。このエッチンングにより反応生成物であるCO、SiF等が生じるが、開口率が相対的に大きいとCO、SiF等の量は多く、開口率が相対的に小さいとCO、SiF等の量は少なくなる。すなわち、エッチングにより生じる反応生成物の量は、式4に示すように、単位時間当たりのエッチング量エッチングレートと開口率との積に比例する。反応生成物の量∝エッチングレート×開口率式4本実施の形態では、各反応生成物の量をそれぞれプラズマ発光強度によって表し、これを規格化する。そして、規格化された各反応生成物のプラズマ発光強度のデータを、予測式に加えることのできる予測値補正データに変換する。そのなかから開口率に応じた最適な予測値補正データを選択し、この最適な予測値補正データを、モニタリング信号のみを用いて得られる配線パターンの出来映え形状の予測値データに加えた予測式式1および式2を構築し、この予測式式1および式2を用いて配線パターンの出来映え形状を予測する。予測値補正データの基となる各反応生成物のプラズマ発光強度は、発光データ演算処理部5でデータ処理され、最適な予測値補正データは、開口率データ演算処理部6で開口率に応じて選択され、配線パターンの出来映え形状は、モデル式演算処理部7において最適な予測値補正データを導入した予測式式1および式2を用いて算出される。次に、発光データ演算処理部5における各反応生成物のプラズマ発光強度の規格化について図4~図7を用いて詳細に説明する。図4は、発光データ演算処理部5におけるプラズマ発光データの規格化の手順を説明する工程図、図5は、SiO2膜をドライエッチングした際に得られるプラズマ発光強度と発光波長波長領域200~800nmとの関係の一例を示すグラフ図、図6は、SiO2膜をドライエッチングした際に得られるプラズマ発光強度の経時変化を示すグラフ図、図7は、SiO2膜をドライエッチングした際に得られる各反応生成物のプラズマ発光強度の平均値および規格化したプラズマ発光強度の平均値をまとめた図である。図4の工程P1発光データ演算処理部5では、発光強度検出部3において取得された200~800nmの波長領域におけるプラズマ発光強度を、例えば±1nmの間隔でウエハ処理が終了するまでモニタリングする。図4の工程P2各反応生成物CO、SiF、CF、CNのそれぞれの発光波長におけるプラズマ発光強度の時系列データを求める。図5に示すように、200~800nmの波長領域において、例えばCOでは約483nmの発光波長におけるプラズマ発光強度を求め、Arでは約750nmの発光波長におけるプラズマ発光強度を求める。図4の工程P3各反応生成物CO、SiF、CF、CNのそれぞれの発光波長におけるプラズマ発光強度の平均値データICO、ISiF、ICF、ICNをそれぞれ求める。図6に示すように、時系列データを、例えば移動平均等のスムージングを行った後、プラズマ放電開始時と終了時の数秒間のプラズマ発光強度が安定していない時間は含まずに、平均値データを求める。図4の工程P4各反応生成物CO、SiF、CF、CNのそれぞれの発光波長におけるプラズマ発光強度の平均値データICO、ISiF、ICF、ICNを、Arの発光波長におけるプラズマ発光強度の平均値データIArを用いて規格化する。例えば規格化した各反応生成物CO、SiF、CF、CNのそれぞれの発光波長におけるプラズマ発光強度の平均値データI1,I2,I3,I4は、式5~式8のように表すことができる。I1=ICO/IAr式5I2=ISiF/IAr式6I3=ICF/IAr式7I4=ICN/IAr式8図7に、各反応生成物CO、SiF、CF、CNのそれぞれの発光波長におけるプラズマ発光強度の平均値データICO、ISiF、ICF、ICNおよび規格化した各反応生成物CO、SiF、CF、CNのそれぞれの発光波長におけるプラズマ発光強度の平均値データI1、I2、I3、I4をまとめる。図4の工程P5規格化した各反応生成物CO、SiF、CF、CNのそれぞれの発光波長におけるプラズマ発光強度の平均値データを、モニタリング信号のみを用いて得られる配線パターンの出来映え形状の予測値データに加えて補正できるように、予測値補正データf2Ix:x=1~4およびg2Ix:x=1~4に変換する。次に、開口率データ演算処理部6における最適な予測値補正データの選択方法について図8~図10を用いて説明する。図8は、規格化した各反応生成物CO、SiF、CF、CNのプラズマ発光強度の平均値データI1、I2、I3、I4プラズマ発光データと開口率データとの関係を説明するグラフ図、図9は、開口率が小さい場合に使用する規格化した各反応生成物CF、CNのプラズマ発光強度の平均値データI3、I4プラズマ発光データと開口率データとの関係を説明するグラフ図、図10は、開口率が大きい場合に使用する規格化した各反応生成物CO、SiFのプラズマ発光強度の平均値データI1、I2と開口率データとの関係を説明するグラフ図である。図8に示すように、規格化した各反応生成物CO、SiF、CF、CNのプラズマ発光強度の平均値データI1、I2、I3、I4と開口率データとの間には、相関関係がある。開口率が相対的に小さい場合は、被エッチング膜SiO2膜の露出した面積の割合が小さく、レジストパターンの割合が大きい。このため、エッチングガス種の反応生成物CFのプラズマ発光強度の平均値データI3またはエッチングガス種の反応生成物CNのプラズマ発光強度の平均値データI4が大きくなる。そこで、図9に示すように、規格化した各反応生成物CO、SiF、CF、CNのプラズマ発光強度の平均値データI1、I2、I3、I4から、平均値データI3または平均値データI4を選択する。そして、これらを変換して予測値補正データを求めて、モニタリング信号のみを用いて得られる配線パターンの出来映え形状の予測値データに、最適な予測値補正データを補正値として導入する。これに対して、開口率が相対的に大きい場合は、被エッチング膜SiO2膜の露出した面積の割合が大きく、レジストパターンの割合が小さい。このため、被エッチング膜を構成するSiO2の反応生成物COのプラズマ発光強度の平均値データI1またはSiO2の反応生成物SiFの発光強度の平均値データI2が大きくなる。そこで、図10に示すように、規格化した各反応生成物CO、SiF、CF、CNのプラズマ発光強度の平均値データI1、I2、I3、I4から、平均値データI1または平均値データI2を選択する。そして、これらを変換して予測値補正データを求めて、モニタリング信号のみを用いて得られる配線パターンの出来映え形状の予測値データに、最適な予測値補正データを補正値として導入する。このように、開口率に応じて、予測式式1および式2に導入する最適な予測値補正データを選択することにより、配線パターンの出来映え形状を高精度に予測することができる。次に、モデル式演算処理部7において算出される配線溝の出来映え形状の予測結果について図11~図16を用いて説明する。配線溝の幅を予測する式1では、モニタリング信号のみを用いて得られる配線パターンの出来映え形状の予測値データftemp,Vpp,C1Δマスク寸法に予測値補正データf2Ixを加える。f2Ixには、予測値補正データf2I1、f2I2、f2I3、f2I4のうちから、開口率から選択される最適な予測値補正データが導入される。同様に、配線溝の深さを予測する式2では、モニタリング信号のみを用いて得られる配線パターンの出来映え形状の予測値データgVpp,tempに予測値補正データg2Ixを加える。g2Ixには、予測値補正データg2I1、g2I2、g2I3、g2I4のうちから、開口率から選択される最適な予測値補正データが導入される。例えば、開口率が5のウエハを処理する場合は、発光データ演算処理部5で得られた予測値補正データf2I1、f2I2、f2I3、f2I4のうち、予測値補正データf2I3またはf2I4を加え、予測値補正データg2I1、g2I2、g2I3、g2I4のうち、予測値補正データg2I3またはg2I4を加える。また、開口率が55のウエハを処理する場合は、発光データ演算処理部5で得られた予測値補正データf2I1、f2I2、f2I3、f2I4のうち、予測値補正データf2I1またはf2I2を加え、予測値補正データg2I1、g2I2、g2I3、g2I4のうち、予測値補正データg2I1またはg2I2を加える。図11aは、ウエハ処理枚数の増加に伴う配線溝の幅のモニタリング信号のみから求めた予測値および配線溝の幅の実測値の変動の様子を示すグラフ図、図11bは、配線溝の幅のモニタリング信号のみから求めた予測値と配線溝の幅の実測値との関係を示すグラフ図である。また、図12aは、ウエハ処理枚数の増加に伴う配線溝の幅の式1から求めた予測値および配線溝の幅の実測値の変動の様子を示すグラフ図、図12bは、配線溝の幅の式1から求めた予測値と配線溝の幅の実測値との関係を示すグラフ図である。図11および図12に示すように、モニタリング信号のみから求めた配線溝の幅の予測値よりも、予測値補正データを導入した式1から求めた配線溝の幅の予測値のほうが、予測精度が高いことが分かる。図13aは、ウエハ処理枚数の増加に伴う配線溝の深さのモニタリング信号のみから求めた予測値および配線溝の深さの実測値の変動の様子を示すグラフ図、図13bは、配線溝の深さのモニタリング信号のみから求めた予測値と配線溝の深さの実測値との関係を示すグラフ図である。また、図14aは、ウエハ処理枚数の増加に伴う配線溝の深さの式2から求めた予測値および配線溝の深さの実測値の変動の様子を示すグラフ図、図14bは、配線溝の深さの式2から求めた予測値と配線溝の深さの実測値との関係を示すグラフ図である。図13および図14に示すように、モニタリング信号のみから求めた配線溝の深さの予測値よりも、予測値補正データを導入した式2から求めた配線溝の深さの予測値のほうが、予測精度が高いことが分かる。なお、本実施の形態では、統計解析に重回帰分析を用いているため、独立変数説明変数間に相関がある場合は、多重共線性の状態となり予測値が不安定となる。本実施の形態では、プラズマ発光データ同士に強い相関関係があるため、予測式式1および式2に複数の予測値補正データを導入すると、予測値の精度が低下する。図15に、例えば2つの予測値補正データf3Ix,Iyを導入した式9を用いて求めた配線溝の幅の予測値を示し、図16に、例えば2つの予測値補正データg3Ix,Iyを導入した式10を用いて求めた配線溝の深さの予測値を示す。図15aは、ウエハ処理枚数の増加に伴う配線溝の幅の式9から求めた予測値および配線溝の幅の実測値の変動の様子を示すグラフ図、図15bは、配線溝の幅の式9から求めた予測値と配線溝の幅の実測値との関係を示すグラフ図である。また、図16aは、ウエハ処理枚数の増加に伴う配線溝の深さの式10から求めた予測値および配線溝の深さの実測値の変動の様子を示すグラフ図、図16bは、配線溝の深さの式10から求めた予測値と配線溝の深さの実測値との関係を示すグラフ図である。配線溝の幅=ftempVppC1Δマスク寸法f2IxIy式9配線溝の深さ=gVpptempg2IxIy式10図15および図16に示すように、2つの予測値補正データを用いると、1つの予測値補正データを用いた場合前述の図12および図14よりも、配線溝の幅および深さの予測値の精度が低くなっている。従って、統計解析に重回帰分析を用いた予測式には、選択された1つの予測値補正データの使用が望ましい。このように、本実施の形態によれば、各反応生成物のプラズマ発光データから得られる各予測値補正データのなかから、開口率に応じた最適な予測値補正データを選択し、これをモニタリング信号のみを用いて得られる配線パターンの出来映え形状の予測値データに加えた予測式式1および式2を用いることにより、モニタリング信号のみを用いて得られる配線パターンの出来映え形状の予測よりも高精度な予測、例えばナノメートルスケールの精度の予測が可能となる。これにより、ウエハ処理後の検査頻度を削減できて、生産性の向上およびコストの低減を実現することができる。次に、本実施の形態による半導体装置の製造方法について図17~図27を用いて工程順に説明する。半導体装置には、電界効果トランジスタ、抵抗素子、容量素子等の種々の半導体素子が形成されるが、本実施の形態では、CMISComplementaryMetalInsulatorOxideSemiconductorデバイスを例示する。図17~図20および図22~図27は、半導体装置の要部断面図、図21は、エッチング工程の流れの一例を示す工程図である。また、以下の説明においては、電界効果トランジスタを代表するMISFETMetalInsulatorSemiconductorFieldEffectTransistorをMISと略し、pチャネル型のMISFETをpMISと略し、nチャネル型のMISFETをnMISと略す。まず、図17に示すように、例えば単結晶シリコンからなる半導体基板ウエハと称する平面略円形状の半導体の薄板21を用意する。次に、半導体基板21の主面の素子分離領域に絶縁膜からなる分離部22を形成する。続いて、nMISが形成される領域nMIS形成領域の半導体基板21にp型の導電性を示す不純物をイオン注入してp型ウェル23を形成し、同様に、pMISが形成される領域pMIS形成領域の半導体基板21にn型の導電性を示す不純物をイオン注入してn型ウェル24を形成する。次に、半導体基板21の主面p型ウェル23およびn型ウェル24のそれぞれの表面にゲート絶縁膜25を形成する。続いて、nMIS形成領域のゲート絶縁膜25上にnMISのゲート電極26nを形成し、同様に、pMIS形成領域のゲート絶縁膜25上にpMISのゲート電極26pを形成する。次に、nMISのゲート電極26nおよびpMISのゲート電極26pのそれぞれの側壁にサイドウォール27を形成する。続いて、nMISのゲート電極26nの両側のp型ウェル23にn型の導電性を示す不純物をイオン注入し、nMISのソースドレインとして機能するn型半導体領域28をゲート電極26nおよびサイドウォール27に対して自己整合的に形成する。同様に、pMISのゲート電極26pの両側のn型ウェル24にp型の導電性を示す不純物をイオン注入し、pMISのソースドレインとして機能するp型半導体領域29をゲート電極26pおよびサイドウォール27に対して自己整合的に形成する。次に、図18に示すように、半導体基板21の主面上に絶縁膜30を形成した後、レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより絶縁膜30を加工して接続孔31を形成する。この接続孔31はn型半導体領域28上またはp型半導体領域29上などの必要部分に形成する。続いて、接続孔31の内部に、例えばタングステンW膜を主導体とするプラグ32を形成する。次に、半導体基板21の主面上にストッパ絶縁膜33および配線形成用の絶縁膜34を順次形成する。ストッパ絶縁膜33は絶縁膜34への溝加工の際にエッチングストッパとなる膜であり、絶縁膜34に対してエッチング選択比を有する材料を用いる。ストッパ絶縁膜33は、例えばプラズマCVDChemicalVaporDeposition法により形成される窒化シリコン膜とし、絶縁膜34は、例えばプラズマCVD法により形成される酸化シリコン膜とすることができる。なお、ストッパ絶縁膜33と絶縁膜34には次に説明する第1層目の配線M1が形成される。次に、シングルダマシン法により第1層目の配線M1を形成する。まず、図19に示すように、絶縁膜34上にレジストパターンRPを形成する。ここで、所定の領域に形成されたレジストパターンRPにおいて、レジストパターン寸法を測定し、レジストパターン寸法とマスク寸法設計寸法との誤差Δマスク寸法を求める。次に、図20に示すように、レジストパターンRPをマスクとして、絶縁膜34およびストッパ絶縁膜33を順次ドライエッチングして、ストッパ絶縁膜33および絶縁膜34の所定の領域に凹形状の配線溝35を形成する。ここで、図21に示すように、エッチング処理時にリアルタイムで、モニタリング信号およびプラズマ発光データを求める。さらに、各反応生成物のプラズマ発光強度から求まるそれぞれの予測値補正データを求め、これらのなかかから、開口率に応じた最適な予測値補正データを求める。配線溝35の出来映え形状を予測する式1に、モニタリング信号から得られた予測値データftemp,Vpp,C1と、マスク寸法との誤差Δマスク寸法と、最適な予測値補正データf2Ixとを入力することにより、配線溝35の幅の予測値をリアルタイムで得ることができる。同様に、配線溝35の出来映え形状を予測する式2に、モニタリング信号から得られた予測値データgVpp,tempと、最適な予測値補正データg2Ixとを入力することにより、配線溝35の深さの予測値をリアルタイムで得ることができる。得られた配線溝35の幅の予測値と深さの予測値とはドライエッチング装置にフィードバックFBされて、リアルタイムでエッチングプロセスの設定値を補正しながら、各ウエハのストッパ絶縁膜33および絶縁膜34はエッチングされる。配線溝35の幅の予測値と深さの予測値が規格値よりもずれている場合は、エッチング処理条件を調整することにより、早期に配線溝35の幅および深さを規格値に戻すことができるので、配線溝35の加工不良の増加を抑えることができる。次に、図22に示すように、レジスタパターンRPを除去する。ここで、前述の図21に示したように、配線溝35の幅および深さの仕上がり寸法を測定してもよい。次に、図23に示すように、半導体基板21の主面上にバリアメタル膜36を形成する。バリアメタル膜36は、例えば窒化チタンTiN膜、タンタルTa膜、または窒化タンタルTaN膜等である。続いて、CVD法またはスパッタリング法によりバリアメタル膜36上にCuのシード層図示は省略を形成し、さらに電解めっき法を用いてシード層上にCuめっき膜37を形成する。Cuめっき膜37により配線溝35の内部を埋め込む。次に、図24に示すように、配線溝35の内部以外の領域のCuめっき膜37、シード層、およびバリアメタル膜36をCMP法により除去して、Cu膜を主導体とする第1層目の配線M1を形成する。なお、本実施の形態では、第1層目の配線M1を構成する主導体であるCu膜を電解めっき法により形成したが、CVD法、スパッタリング法、またはスパッタリフロー法などにより形成してもよい。次に、デュアルダマシン法により第2層目の配線を形成する。まず、図25に示すように、半導体基板21の主面上にキャップ絶縁膜38、層間絶縁膜39、および配線形成用のストッパ絶縁膜40を順次形成する。キャップ絶縁膜38および層間絶縁膜39には、後に説明するように接続孔が形成される。キャップ絶縁膜38は、層間絶縁膜39に対してエッチング選択比を有する材料で構成され、例えばプラズマCVD法により形成される窒化シリコン膜とすることができる。さらにキャップ絶縁膜38は第1層目の配線M1を構成するCuの拡散を防止する保護膜としての機能を有している。層間絶縁膜39は、例えばプラズマCVD法により形成されるTEOSTetraEthylOrthoSilicate膜とすることができる。ストッパ絶縁膜40は、層間絶縁膜39および後にストッパ絶縁膜40の上層に堆積される配線形成用の絶縁膜に対してエッチング選択比を有する絶縁材料で構成され、例えばプラズマCVD法により形成される窒化シリコン膜とすることができる。次に、孔形成用のレジストパターンをマスクとしたドライエッチングによりストッパ絶縁膜40を加工する。ここで、前述した配線溝35を形成する際のドライエッチング工程と同様に、パターンの出来映え形状の予測値を求め、これをドライエッチング装置へフィードバックして、リアルタイムでエッチングプロセスの設定値を補正しながら、各ウエハのストッパ絶縁膜40を加工する。続いて、ストッパ絶縁膜40上に配線形成用の絶縁膜41を形成する。絶縁膜41は、例えばTEOS膜とすることができる。次に、配線溝形成用のレジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより絶縁膜41を加工する。この際、ストッパ絶縁膜40がエッチングストッパとして機能する。ここで、前述した配線溝35を形成する際のドライエッチング工程と同様に、パターンの出来映え形状の予測値を求め、これをドライエッチング装置へフィードバックして、リアルタイムでエッチングプロセスの設定値を補正しながら、各ウエハの絶縁膜41を加工する。続いて、ストッパ絶縁膜40および配線溝形成用のレジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより層間絶縁膜39を加工する。この際、キャップ絶縁膜38がエッチングストッパとして機能する。続いて、露出したキャップ絶縁膜38をドライエッチングにより除去することにより、キャップ絶縁膜38および層間絶縁膜39に接続孔42が形成され、ストッパ絶縁膜40および絶縁膜41に配線溝43が形成される。次に、図26に示すように、接続孔42および配線溝43の内部に第2層目の配線M2を形成する。第2層目の配線M2は、バリアメタル層および主導体であるCu膜からなり、この配線M2と下層配線である第1層目の配線M1とを接続する接続部材は第2層目の配線M2と一体に形成される。まず、接続孔42および配線溝43の内部を含む半導体基板21の主面上にバリアメタル膜を形成する。バリアメタル膜は、例えば窒化チタンTiN膜、タンタルTa膜または窒化タンタルTaN膜等である。続いて、CVD法またはスパッタリング法によりバリアメタル膜上にCuのシード層を形成し、さらに電解めっき法を用いてシード層上にCuめっき膜を形成する。Cuめっき膜により接続孔42および配線溝43の内部を埋め込む。続いて、接続孔42および配線溝43以外の領域のCuめっき膜、シード層、およびバリアメタル膜をCMP法により除去して、第2層目の配線M2を形成する。その後、図27に示すように、例えば前述した第2層目の配線M2と同様な方法によりさらに上層の配線を形成する。図27では、第3層目~第6層目の配線M3、M4、M5、およびM6を形成した半導体装置を例示している。本実施の形態による半導体装置では、第1層目の配線M1から第4層目の配線M4には、例えば最小線幅が70nm以下の相対的に細いCu配線を採用し、第5層目の配線M5および第6層目の配線M6には、例えば最小線幅が100nm以上の相対的に太いCu配線を採用する。また、配線溝が形成される絶縁膜の厚さ、開口率、およびパターン密度等も各配線層によって異なる。しかし、各配線層の配線溝パターンに対してそれぞれ予測値補正データを加えた予測式を立てることができるので、各配線層の配線溝パターンの出来映え形状の予測値を精度よく求めることができる。次に、第6層目の配線M6上に窒化シリコン膜44を形成し、窒化シリコン膜44上に酸化シリコン膜45を形成する。これら窒化シリコン膜44および酸化シリコン膜45は、外部からの水分や不純物の侵入防止およびα線の透過の抑制を行うパッシベーション膜として機能する。次に、レジストパターンをマスクとしたエッチングにより窒化シリコン膜44および酸化シリコン膜45を加工して、第6層目の配線M6の一部ボンディングパッド部を露出させる。続いて、露出した第6層目の配線M6上に金Au膜およびニッケルNi膜等の積層膜からなるバンプ下地電極46を形成し、バンプ下地電極46上に金Auまたは半田等からなるバンプ電極47を形成することにより、本実施の形態である半導体装置が略完成する。なお、このバンプ電極47は外部接続用電極となる。この後、ウエハから半導体チップに個々に切り分けられ、パッケージ基板等に実装されるが、それらの説明は省略する。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば前述した実施の形態では、本発明をSiO2膜のエッチングプロセスへ適用した場合について説明したが、被エッチング膜はこれに限定されるものではない。例えばSi膜またはAl膜へも適用することができる。Si膜の場合は、式11の反応によりSi膜のエッチングが進む。SiCl→SiCl式11従って、エッチングにより反応生成物として、例えばSiClが生成されるので、SiClのプラズマ発光データと開口率データとを用いて、予測値補正データを得ることができる。これにより、ウエハ処理後のパターン形状を高精度に予測することができる。また、Al膜の場合は、式12の反応によりAl膜のエッチングが進む。AlCl→AlCl式12従って、エッチングにより反応生成物として、例えばAlClが生成されるので、AlClのプラズマ発光データと開口率データとを用いて、予測値補正データを得ることができる。これにより、ウエハ処理後のパターン形状を高精度に予測することができる。"