高周波の電気信号を増幅して出力する高周波電力増幅器において、高周波増幅回路と、前記高周波増幅回路に電流を供給する電流源とを有し、前記電流源は、温度上昇に比例して増加する第1電流を供給する第1電流源と、温度上昇に比例して減少する第2電流を供給する第2電流源と、電流加減算回路と、を有し、前記電流加減算回路は、前記第1電流と前記第2電流とを加減算することにより、所定の温度未満では温度に比例して増大し、所定の温度以上では温度に依存しない一定の値をとる温度特性を有した第3電流を生成し、前記高周波増幅回路に供給する、ことを特徴とする高周波電力増幅器。前記第1電流の温度に対する増加割合と、前記第2電流の温度に対する減少割合は、その絶対値が等しく、前記電流加減算回路は、電流加算回路と、第1の電流減算回路と、第2の電流減算回路とで構成され、前記電流加算回路により前記第1電流と前記第2電流とを加算すると共に電流値を一定割合低下させて、温度依存性がなく、かつ前記所定の温度で前記第1電流と同一の電流値をとる第4電流を生成し、前記第1の電流減算回路により前記第1電流から前記第4電流を減算して、前記所定の温度未満では電流値が0で、前記所定の温度以上では電流値0から温度の増加に対して単調増加する第5電流を生成し、前記第2の電流減算回路により前記第1電流から前記第5電流を減算して、前記第3電流を生成する、ことを特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅器。前記第1電流源は、PTAT電流源であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の高周波電力増幅器。前記高周波増幅回路は、エミッタ接地増幅回路であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の高周波電力増幅器。前記高周波増幅回路は、ベース接地増幅回路であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の高周波電力増幅器。前記高周波増幅回路は、エミッタフォロアであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の高周波電力増幅器。前記高周波増幅回路は、差動増幅回路であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の高周波電力増幅器。高利得な高周波増幅回路にPTAT電流源を接続すると、ある温度以上で利得が急激に低下してしまう。これは、高利得設定で負荷抵抗の電圧降下が大きいことに加え、PTAT電流を流すことで温度に比例して電圧降下が増加するため、トランジスタのエミッタ-コレクタ間電圧が圧迫されてトランジスタがオフしてしまうためである。特許文献1では、電流源の温度依存性がないため、PTAT電流源を用いた場合のようなトランジスタが動作領域を外れてしまうことはないので、利得の急激な低下の問題は起こらない。しかし、利得の温度補正をしないため、低温時には不適切な温度特性となる問題がある。また、特許文献2の電流源でゆるやかな温度特性を実現すれば、トランジスタが動作領域を外れてしまうことはないので、利得の急激な低下の問題は起こらない。しかし、温度補正が不十分となり、高温時の利得が低くなってしまうという問題がある。そこで本発明の目的は、利得の温度依存性が抑制され、高温時においても利得が低下しない高周波電力増幅器を実現することである。第1の発明は、高周波の電気信号を増幅して出力する高周波電力増幅器において、高周波増幅回路と、高周波増幅回路に電流を供給する電流源とを有し、電流源は、温度上昇に比例して増加する第1電流を供給する第1電流源と、温度上昇に比例して減少する第2電流を供給する第2電流源と、電流加減算回路と、を有し、第1電流と第2電流とを、電流加減算回路によって加減算することにより、所定の温度未満では温度に比例して増大し、所定の温度以上では温度に依存しない一定の値をとる温度特性を有した第3電流を第3電流を生成し、前記高周波増幅回路に供給する、ことを特徴とする高周波電力増幅器である。高周波増幅回路として、エミッタ接地増幅回路、エミッタフォロア、ベース接地増幅回路、差動増幅回路、などを用いることができる。また、第1電流源には、PTAT電流源などを用いることができ、第2電流源には、VBEベース-エミッタ間電圧依存電流源などを用いることができる。第3電流を得るための第1電流と第2電流の加減算は、任意の回数の加算、減算によって生成されてよいが、なるべく加減算処理の回数が少ないことが電流加減算回路の簡素化の点で望ましい。たとえば、下記第2の発明によれば、1回の加算、2回の減算で第3電流を得ることができ、電流加減算回路の構成を簡素にすることができる。第2の発明は、第1の発明において、第1電流の温度に対する増加割合と、第2電流の温度に対する減少割合は、その絶対値が等しく、電流加減算回路は、電流加算回路と、第1の電流減算回路と、第2の電流減算回路とで構成され、電流加算回路により第1電流と第2電流とを加算すると共に電流値を一定割合低下させて、温度依存性がなく、かつ所定の温度で第1電流と同一の電流値をとる第4電流を生成し、第1の電流減算回路により第1電流から第4電流を減算して、所定の温度未満では電流値が0で、所定の温度以上では電流値0から温度の増加に対して単調増加する第5電流を生成し、第2の電流減算回路により第1電流から第5電流を減算して、第3電流を生成する、ことを特徴とする高周波電力増幅器である。第3の発明は、第1の発明または第2の発明において、第1電流源は、PTAT電流源であることを特徴とする高周波電力増幅器である。第4の発明は、第1の発明から第3の発明において、高周波増幅回路は、エミッタ接地増幅回路であることを特徴とする高周波電力増幅器である。第5の発明は、第1の発明から第3の発明において、高周波増幅回路は、ベース接地増幅回路であることを特徴とする高周波電力増幅器である。第6の発明は、第1の発明から第3の発明において、高周波増幅回路は、エミッタフォロアであることを特徴とする高周波電力増幅器である。第7の発明は、第1の発明から第3の発明において、高周波増幅回路は、差動増幅回路であることを特徴とする高周波電力増幅器である。第1の発明によれば、利得の温度依存性を抑制し、高温時においても利得が急激に低下しないようにすることができる。また、第2の発明によれば、電流源の構成をより簡素にすることができる。また、第3の発明のように、第1電流源として、PTAT電流源を用いることができる。また、第4~7の発明のように、高周波増幅回路として、エミッタ接地増幅回路、ベース接地増幅回路、エミッタフォロア、差動増幅回路を用いることができる。以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。図1は、実施例1の高周波電力増幅器の構成を示した図である。実施例1の高周波電力増幅器は、エミッタ接地増幅回路10と、電流源60と、カレントミラー回路50と、によって構成されており、エミッタ接地増幅回路10はカレントミラー回路50を介して電流源60に接続されている。電流源60は、PTAT電流源20、VBE依存電流源30、電流加減算回路40によって構成されている。エミッタ接地増幅回路10は、本発明における高周波増幅回路に相当する。また、PTAT電流源20は本発明の第1電流源、VBE依存電流源30は本発明の第2電流源に相当する。エミッタ接地増幅回路10は、トランジスタTR1を有し、ベースにキャパシタC1を介して入力端子、コレクタにキャパシタC2を介して出力端子が接続され、エミッタは接地されている。また、トランジスタTR1のコレクタは抵抗R1を介して3.3Vの電源に接続されている。エミッタ接地増幅回路10は、入力端子から入力された高周波信号を増幅して出力端子から出力する回路である。PTAT電流源20は、FET21、22と、トランジスタTR2と、N個のトランジスタTR3を有している。トランジスタTR3は、トランジスタTR2と同一性能であり、並列にN個接続されている。FET21、22は、ゲートが互いに接続されており、ドレインは共に3.3Vの電源に接続されている。また、FET21、22のソースは、それぞれトランジスタTR2、TR3のコレクタに接続されている。また、FET22のゲートとソースは接続されている。トランジスタTR2、TR3のベースは互いに接続されており、トランジスタTR2のコレクタとベースは接続されている。トランジスタTR2のエミッタは接地され、トランジスタTR3のエミッタは抵抗R2を介して接地されている。VBE依存電流源30は、FET31、32と、トランジスタTR4、TR5を有している。FET31、32のゲートは互いに接続されており、ドレインはともに3.3Vの電源に接続されている。FET31のソースは、トランジスタTR4のベース、およびトランジスタTR5のコレクタに接続され、FET32のソースはトランジスタTR4のコレクタに接続されている。また、FET32のゲートとソースは接続されている。トランジスタTR4のベースとトランジスタTR5のコレクタは接続されており、トランジスタTR4のエミッタとトランジスタTR5のベースは接続されている。また、トランジスタTR4のエミッタは抵抗R3を介して接地されており、トランジスタTR5のエミッタは接地されている。電流加減算回路40は、電流加算回路41と、電流減算回路42、43とによって構成されている。電流加算回路41は、FET44、45を有している。FET44、45のドレインは互いに接続され、3.3Vの電源に接続されている。また、FET44、45のソースは互いに接続されていて、トランジスタTR12のコレクタに接続されている。FET44のゲートはVBE依存電流源30のトランジスタTR4のコレクタに接続されていて、FET45のゲートはPTAT電流源20のトランジスタTR3のコレクタに接続されている。トランジスタTR12のベースとコレクタは接続され、エミッタは接地されている。電流減算回路42は、トランジスタTR6、TR7を有している。トランジスタTR6、TR7のコレクタは互いに接続されていて、FET46のソースに接続されている。また、トランジスタTR6、TR7のエミッタは共に接地されている。トランジスタTR6のベースは、トランジスタTR12のベースに接続されている。また、トランジスタTR7のベースとコレクタは接続されている。FET46のドレインは、3.3Vの電源に接続され、ゲートはFET45のゲート、およびPTAT電流源20のトランジスタTR3のコレクタに接続されている。電流減算回路43は、トランジスタTR8、TR9を有している。トランジスタTR8、TR9のコレクタは互いに接続されていて、FET47のソースに接続されている。トランジスタTR8、TR9のエミッタは共に接地されている。トランジスタTR9のコレクタとベースは接続されている。また、トランジスタTR8のベースは、トランジスタTR7のベースに接続されている。FET47のドレインは、3.3Vの電源に接続され、ゲートはPTAT電流源20のトランジスタTR3のコレクタに接続されている。カレントミラー回路50は、FET51、52、およびトランジスタTR10、TR11を有している。FET51、52のゲートは互いに接続され、ドレインは共に3.3Vの電源に接続されている。FET51のソースはTR10のコレクタに接続され、FET52のソースはTR11のコレクタに接続されている。また、FET51のゲートとソースは接続されている。また、トランジスタTR10のベースは、電流減算回路43のトランジスタTR9のベースに接続され、エミッタは接地されている。また、トランジスタTR11のコレクタとベースは接続されており、ベースは抵抗R4を介してエミッタ接地増幅回路10のトランジスタTR1のベースに接続されるとともに、キャパシタC3を介して接地されている。また、トランジスタTR11のエミッタは接地されている。次に、実施例1の高周波電力増幅器の動作について説明する。実施例1の高周波電力増幅器では、電流源60の生成する電流がカレントミラー回路50を介してエミッタ接地増幅回路10に供給され、電流に比例した利得が得られる。ここで、エミッタ接地増幅回路10に供給される電流は、電流源60によって以下のようにして生成される。電流源60のPTAT電流源20では、トランジスタTR3に流れる電流I1は、温度上昇に比例して電流量が増大する正の温度特性を有する図2参照。ここで、電流I1の温度に対する変化率電流I1の温度特性における傾きは、電流I1をエミッタ接地増幅回路10に供給した場合に、エミッタ接地増幅回路10の利得の温度依存性がなくなるような値とする。このような正の温度特性の電流I1が得られるのは、トランジスタTR3をN個並列接続することにより、トランジスタTR2とトランジスタTR3ではベース-エミッタ間電圧に差が生じるためである。電流I1は、I1=1/R2kT/qlnNで与えられる。kはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは電気素量、R2は抵抗R2の抵抗値、NはトランジスタTR3の並列接続数である。このPTAT電流源20によって生成される電流I1は、電流加算回路41に供給される。また、FET21とFET46、47でカレントミラーが構成され、これを介して電流I1は電流減算回路42、43に供給される。また、電流源60のVBE依存電流源30では、トランジスタTR4に流れる電流I2は、温度上昇に比例して電流が減少する負の温度特性を有する図2参照。ここで、電流I1の温度に対する変化率は、電流I1の温度に対する変化率と絶対値が等しい値とする。このような負の温度特性の電流I2が得られるのは、トランジスタTR4のベース-エミッタ間電圧が負の温度特性を有しているためである。このVBE依存電流源30によって生成される電流I2は、電流加算回路41に供給される。PTAT電流源20の生成する正の温度特性を有した電流I1と、VBE依存電流源30の生成する負の温度特性を有した電流I2は、電流加算回路41において加算されるとともに電流値が一定割合低下されて電流I3を出力する。ここで、電流I1の温度に対する変化率と電流I2の温度に対する変化率は絶対値が等しいため、電流I3は温度依存性を持たず、温度変化に対して電流値は一定となる図2参照。また、電流I3は、温度50°Cにおいて電流I1と同一の値をとるようにする。つまり、図2のように、電流-温度のグラフにおいて、電流I1の直線と電流I3の直線が温度50°Cにおいて交差するようにする。これは、電流加算回路41のFET44、45のサイズを設計することで可能となる。なお、必ずしも50°Cである必要はなく、エミッタ接地増幅回路10におけるトランジスタTR1がオフしない範囲の温度であればよい。電流加算回路41の出力する電流I3は、電流減算回路42に入力される。電流減算回路42では、電流I1から電流I3が減算されて、電流I4を出力する。この減算において、I1-I3が負となる場合には、電流I4の値は0となる。そのため、電流I4は、図3に示すように、50°Cまでは電流値が0であり、50°C以上では温度上昇に対して電流I1と同様の傾きで電流が増大する特性となる。電流減算回路42が出力する電流I4は、電流減算回路43に入力される。電流減算回路43では、電流I1から電流I4が減算されて、電流I5を出力する。電流I5は、図4に示すように、50°Cまでは温度上昇に対して電流I1と同様の傾きで電流が増大するが、50°C以上になると温度によらず一定の電流量となる電流特性である。この電流I5は、カレントミラー回路50を介してエミッタ接地増幅回路10に供給される。図5は、実施例1の高周波電力増幅器の利得の温度特性を示した図である。また、比較のため、PTAT電流源20のみを電流源として用いた場合比較例1と、VBE依存電流源30のみを電流源として用いた場合比較例2についての温度特性も示している。図5のように、比較例1では、80°C付近までは温度上昇に対して利得はゆるやかに低下しているが、80°Cを越えると利得が急激に低下している。これは、エミッタ接地増幅回路10にPTAT電流を流すことで温度に比例して電圧降下が増加するため、トランジスタのエミッタ-コレクタ間電圧が圧迫されてトランジスタTR1がオフしてしまうためである。また、比較例2では、利得が温度上昇に対して大きく変化している。一方、実施例1では、50°C付近までは比較例1と同様に、温度上昇に対してゆるやかに低下しており、50°Cを越えても若干利得低下の傾きが大きくなる程度で、比較例1のような急激な利得低下は見られない。このように、実施例1の高周波電力増幅器によると、利得の温度依存性を抑制することができ、高温時においても利得が急激に低下しないようにすることができる。図6は、実施例2の高周波電力増幅器の構成を示した図である。実施例2の高周波電力増幅器は、実施例1におけるエミッタ接地増幅回路10に替えて、ベース接地増幅回路70を設けた構成である。ベース接地増幅回路70は、トランジスタTR12を有している。トランジスタTR12のコレクタは抵抗R5を介して3.3Vの電源に接続され、ベースはカレントミラー回路50の抵抗R4に接続され、エミッタは抵抗R6を介して接地されている。また、トランジスタTR12のエミッタと抵抗R6との間にキャパシタC5を介して入力端子が設けられている。また、トランジスタTR12のベースはキャパシタC6を介して接地されている。また、トランジスタTR12のコレクタと抵抗R5との間に、キャパシタC4を介して出力端子が設けられている。実施例2の高周波電力増幅器においても、実施例1と同様に、電流源60によって図5に示す温度特性の電流I5がベース接地増幅回路70に供給される。したがって、実施例2の高周波電力増幅器によると、利得の温度依存性を抑制することができ、高温時においても利得が急激に低下しないようにすることができる。図7は、実施例3の高周波電力増幅器の構成を示した図である。実施例3の高周波電力増幅器は、実施例1におけるエミッタ接地増幅回路10に替えて、エミッタフォロア80を設けた構成である。エミッタフォロア80は、トランジスタTR13、TR14を有している。トランジスタTR13のエミッタとトランジスタTR14のコレクタは接続されている。トランジスタTR13のコレクタは、3.3Vの電源に接続されている。また、トランジスタTR13のコレクタとベースは抵抗R7を介して接続されている。また、トランジスタTR13のベースは、キャパシタC7を介して入力端子に接続されている。トランジスタTR14のベースは抵抗R4に接続されており、エミッタは接地されている。また、トランジスタTR13のエミッタとトランジスタTR14のコレクタとの間に、キャパシタC8を介して出力端子が設けられている。実施例3の高周波電力増幅器においても、実施例1と同様に、電流源60によって図5に示す温度特性の電流I5がエミッタフォロア80に供給される。したがって、実施例3の高周波電力増幅器によると、利得の温度依存性を抑制することができ、高温時においても利得が急激に低下しないようにすることができる。図8は、実施例4の高周波電力増幅器の構成を示した図である。実施例4の高周波電力増幅器は、実施例1におけるエミッタ接地増幅回路10、カレントミラー回路50に替えて、カレントミラー回路100、差動増幅回路90を設けた構成である。カレントミラー回路100は、カレントミラー回路50においてFET52とトランジスタTR11との間にトランジスタTR15を付加し、キャパシタC3を省いた構成である。トランジスタTR15のコレクタはFET52のソースに接続され、エミッタはトランジスタTR11のコレクタに接続されている。差動増幅回路90は、トランジスタTR16、TR17を有している。トランジスタTR16のベースは抵抗R8を介して、トランジスタTR17のベースは抵抗R9を介して、トランジスタTR15のベースに接続されている。また、トランジスタTR16のコレクタは抵抗R10を介して、トランジスタTR17のコレクタは抵抗R11を介して、3.3Vの電源に接続されている。また、トランジスタTR16、TR17のエミッタは互いに接続され、トランジスタTR18のコレクタに接続されている。トランジスタTR18のベースは抵抗R4に接続され、ベースは接地されている。また、トランジスタTR16のベースと抵抗R8との間にキャパシタC10を介して入力端子が、トランジスタTR17のベースと抵抗R9との間にキャパシタC11を介して-入力端子が、それぞれ設けられている。また、トランジスタTR16のコレクタと抵抗R10との間にキャパシタC12を介して出力端子が、トランジスタTR17のコレクタと抵抗R11との間にキャパシタC13を介して-出力端子が、それぞれ設けられている。実施例4の高周波電力増幅器においても、実施例1と同様に、電流源60によって図5に示す温度特性の電流I5が差動増幅回路90に供給される。したがって、実施例4の高周波電力増幅器によると、利得の温度依存性を抑制することができ、高温時においても利得が急激に低下しないようにすることができる。なお、本発明の高周波電力増幅器は、実施例1~4に示した増幅回路に用いるのに限るものではなく、他の増幅回路においても適用可能である。