基板の一方面側に設けられた複数の画素電極と、前記基板と前記画素電極の間に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と前記画素電極との間で前記複数の画素電極のうち、隣り合う画素電極の間に平面視で重なるように設けられ、前記スイッチング素子に電気的に接続するデータ線と、前記スイッチング素子と前記画素電極との間で前記隣り合う画素電極の間に平面視で重なるように設けられ、前記画素電極と異なる電位が印加された第1容量電極と、前記第1容量電極および前記データ線と前記画素電極との間で前記隣り合う画素電極の間に平面視で重なるように設けられ、前記画素電極に導通して前記スイッチング素子を介して前記データ線から供給された信号を当該画素電極に伝達する中継電極と、を有することを特徴とする電気光学装置。前記第1容量電極は、前記スイッチング素子と前記画素電極との間のうち、前記データ線と前記中継電極との間に設けられ、前記中継電極は、前記第1容量電極に誘電体層を介して対向して当該誘電体層および前記第1容量電極と蓄積容量を構成する第2容量電極であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記画素電極に導通するとともに、前記第1容量電極に誘電体層を介して対向して当該誘電体層および前記第1容量電極と蓄積容量を構成する第2容量電極を有していることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記データ線は、前記スイッチング素子と前記画素電極との間のうち、前記第1容量電極と前記中継電極との間に設けられていることを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。前記第2容量電極は、前記スイッチング素子と前記第1容量電極との間に設けられていることを特徴とする請求項3または4に記載の電気光学装置。前記第2容量電極は、前記第1容量電極と前記中継電極との間に設けられていることを特徴とする請求項3または4に記載の電気光学装置。前記基板は、前記一方面側に対向配置された対向基板との間に液晶層を保持していることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の電気光学装置。請求項1乃至7の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、前記電気光学装置に照射される照明光を出射する光源部と、前記電気光学装置により変調された光を投射する投射光学系と、を有していることを特徴とする投射型表示装置。請求項1乃至7の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。かかる電気光学装置100では、スイッチング素子30がオン状態になっている期間を利用して画素電極9aに画像信号を印加し、画素電極9aと、対向基板20において共通電位Vcomが印加された共通電極21との間に形成した縦方向の電界矢印V1で示す電界によって液晶層50の液晶分子の配向を制御し、画素毎に光変調する。かかる状態は、スイッチング素子30がオフ状態に切り換わった非選択期間中も、蓄積容量55に蓄積されている電荷によって維持される。しかしながら、特許文献1に記載の構成のように、データ線6aが画素電極9aの近くにあると、非選択期間中の画素電極9aの端部とデータ線6aとの間に余計な電界矢印V2で示す電界が発生し、画素電極9aの端部付近に電位分布の乱れが発生する。かかる問題は、図7bに示すように、ソース電極をそのままデータ線6aとし、ドレイン電極に代えて、データ線6aと第1容量電極5aとの間に設けた中継電極7aを第2容量電極として利用した場合でも同様に発生する。すなわち、第1容量電極5aには共通電位Vcomが印加されているため、第1容量電極5aが画素電極9aの近くにある場合には、画素電極9aの端部と第1容量電極5aとの間に余計な電界矢印V2で示す電界が発生し、画素電極9aの端部付近に電位分布の乱れが発生する。以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、隣り合う画素電極の間に重なる領域にデータ線や、画素電極と異なる電位が印加された第1容量電極が設けられている場合でも、画素電極の端部周辺に余計な電界が発生することを防止することのできる電気光学装置、投射型表示装置および電子機器を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、基板の一方面側に設けられた複数の画素電極と、前記基板と前記画素電極の間に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と前記画素電極との間で前記複数の画素電極のうち、隣り合う画素電極の間に平面視で重なるように設けられ、前記スイッチング素子に電気的に接続するデータ線と、前記スイッチング素子と前記画素電極との間で前記隣り合う画素電極の間に平面視で重なるように設けられ、前記画素電極と異なる電位が印加された第1容量電極と、前記第1容量電極および前記データ線と前記画素電極との間で前記隣り合う画素電極の間に平面視で重なるように設けられ、前記画素電極に導通して前記スイッチング素子を介して前記データ線から供給された信号を当該画素電極に伝達する中継電極と、を有することを特徴とする。本発明では、隣り合う画素電極の間に平面視で重なる領域にデータ線および第1容量電極が設けられているが、第1容量電極およびデータ線と画素電極との間には、画素電極に導通する中継電極が設けられているため、画素電極とデータ線との間、および画素電極と第1容量電極との間に余計な電界が発生しない。このため、画素電極の端部付近に電位分布の乱れが発生しない。それ故、品位の高い画像を表示することができる。本発明において、前記第1容量電極は、前記スイッチング素子と前記画素電極との間のうち、前記データ線と前記中継電極との間に設けられ、前記中継電極は、前記第1容量電極に誘電体層を介して対向して当該誘電体層および前記第1容量電極と蓄積容量を構成する第2容量電極である構成を採用することができる。本発明において、前記画素電極に導通するとともに、前記第1容量電極に誘電体層を介して対向して当該誘電体層および前記第1容量電極と蓄積容量を構成する第2容量電極を有している構成を採用してもよい。この場合、前記データ線は、前記スイッチング素子と前記画素電極との間のうち、前記第1容量電極と前記中継電極との間に設けられている構成を採用することができる。本発明において、前記第2容量電極は、前記スイッチング素子と前記第1容量電極との間に設けられている構成を採用してもよい。本発明において、前記第2容量電極は、前記第1容量電極と前記中継電極との間に設けられている構成を採用してもよい。本発明において、電気光学装置を液晶装置として構成する場合、前記基板は、前記一方面側に対向配置された対向基板との間に液晶層を保持する構成となる。本発明を適用した電気光学装置は、各種電子機器において直視型表示装置等の各種の表示装置に用いることができる。また、本発明を適用した電気光学装置は、投射型表示装置に用いることができる。かかる投射型表示装置は、本発明を適用した電気光学装置に照射される照明光を出射する光源部と、前記液晶装置により変調された光を投射する投射光学系と、を有している。図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、各種の電気光学装置のうち、液晶装置およびその製造方法において、画素電極9aと中継電極7a導電層とを導通させる場合に本発明を適用した例を中心に説明する。また、以下の説明では、図7を参照して説明した構成との対応が分かりやすいように、対応する部分には、可能な限り、同一の符号を付して説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、画素トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、本説明では、画素電極が接続されている側画素側ソースドレイン領域をドレインとし、データ線が接続されている側データ線側ソースドレイン領域をソースとする。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側対向基板が位置する側を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側対向基板が位置する側とは反対側を意味する。[電気光学装置液晶装置の説明]全体構成図1は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。なお、図1は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であるため、容量電極等が延在している方向等、レイアウトについては模式的に示してある。図1において、本形態の電気光学装置100液晶装置は、TNTwistedNematicモードやVAVerticalAlignmentモードの液晶パネル100pを有しており、液晶パネル100pは、その中央領域に複数の画素100aがマトリクス状に配列された画像表示領域10a画素領域を備えている。液晶パネル100pにおいて、後述する素子基板10図2等を参照では、画像表示領域10aの内側で複数本のデータ線6aおよび複数本の走査線3aが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素100aが構成されている。複数の画素100aの各々には、電界効果型トランジスターからなるスイッチング素子30画素トランジスター、および後述する画素電極9aが形成されている。スイッチング素子30のソースにはデータ線6aが電気的に接続され、スイッチング素子30のゲートには走査線3aが電気的に接続され、スイッチング素子30のドレインには、画素電極9aが電気的に接続されている。素子基板10において、画像表示領域10aより外周側には走査線駆動回路104やデータ線駆動回路101が設けられている。データ線駆動回路101は各データ線6aに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線6aに順次供給する。走査線駆動回路104は、各走査線3aに電気的に接続しており、走査信号を各走査線3aに順次供給する。各画素100aにおいて、画素電極9aは、後述する対向基板20図2等を参照に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量50aを構成している。また、各画素100aには、液晶容量50aで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量50aと並列に蓄積容量55が付加されている。本形態では、蓄積容量55を構成するために、複数の画素100aに跨る第1容量電極5a容量線が形成されている。本形態において、第1容量電極5aは、共通電位Vcomが印加された共通電位線5cに導通している。液晶パネル100pの構成図2は、本発明を適用した電気光学装置100に用いた液晶パネル100pの説明図であり、図2a、bは各々、液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH-H′断面図である。図2a、bに示すように、液晶パネル100pでは、素子基板10電気光学装置用の素子基板と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107は対向基板20の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材107は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。かかる構成の液晶パネル100pにおいて、素子基板10および対向基板20はいずれも四角形であり、液晶パネル100pの略中央には、図1を参照して説明した画像表示領域10aが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材107も略四角形に設けられ、シール材107の内周縁と画像表示領域10aの外周縁との間には、略四角形の周辺領域10bが額縁状に設けられている。素子基板10において、画像表示領域10aの外側では、素子基板10の一辺に沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子102が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。なお、端子102には、フレキシブル配線基板図示せずが接続されており、素子基板10には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。詳しくは後述するが、素子基板10の一方面10sおよび他方面10tのうち、一方面10s側では、画像表示領域10aに、図1を参照して説明したスイッチング素子30、およびスイッチング素子30に電気的に接続する画素電極9aがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極9aの上層側には配向膜16が形成されている。また、素子基板10の一方面10s側において、周辺領域10bには、画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極9b図2b参照が形成されている。ダミー画素電極9bについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極9bは、素子基板10において配向膜16が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域10aと周辺領域10bとの高さ位置を圧縮し、配向膜16が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極9bを所定の電位に設定すれば、画像表示領域10aの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。対向基板20において素子基板10と対向する一方面側には共通電極21が形成されており、共通電極21の上層には配向膜26が形成されている。共通電極21は、対向基板20の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素100aに跨って形成されている。また、対向基板20において素子基板10と対向する一方面側には、共通電極21の下層側に遮光層108が形成されている。本形態において、遮光層108は、画像表示領域10aの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。ここで、遮光層108の外周縁は、シール材107の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層108とシール材107とは重なっていない。なお、対向基板20において、遮光層108は、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域と重なる領域等にブラックマトリクス部として形成されることもある。このように構成した液晶パネル100pにおいて、素子基板10には、シール材107より外側において対向基板20の角部分と重なる領域に、素子基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極109が形成されている。かかる基板間導通用電極109には、導電粒子を含んだ基板間導通材109aが配置されており、対向基板20の共通電極21は、基板間導通材109aおよび基板間導通用電極109を介して、素子基板10側に電気的に接続されている。このため、共通電極21は、素子基板10の側から共通電位Vcomが印加されている。シール材107は、略同一の幅寸法をもって対向基板20の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材107は、略四角形である。但し、シール材107は、対向基板20の角部分と重なる領域では基板間導通用電極109を避けて内側を通るように設けられており、シール材107の角部分は略円弧状である。かかる構成の電気光学装置100において、画素電極9aおよび共通電極21をITOやIZO等の透光性の導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極21をITOIndiumTinOxideやIZOIndiumZincOxide等の透光性導電膜により形成し、画素電極9aをアルミニウム等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。電気光学装置100が反射型である場合、対向基板20の側から入射した光が素子基板10の側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。電気光学装置100が透過型である場合、素子基板10および対向基板20のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。電気光学装置100は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板20には、カラーフィルター図示せずや保護膜が形成される。また、電気光学装置100では、使用する液晶層50の種類や、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差フィルムや偏光板等が液晶パネル100pに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置100は、後述する投射型表示装置液晶プロジェクターにおいて、RGB用のライトバルブとして用いることができる。この場合、RGB用の各電気光学装置100の各々には、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。本形態において、電気光学装置100が、後述する投射型表示装置においてRGB用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板20から入射した光が素子基板10を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置100は、液晶層50として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたVAモードの液晶パネル100pを備えている場合を中心に説明する。画素の具体的構成図3は、本発明を適用した電気光学装置100の画素の説明図であり、図3a、bは各々、素子基板10において隣り合う画素の平面図、および図3aのF-F′線に相当する位置で電気光学装置100を切断したときの断面図である。なお、図3aでは、各領域を以下の線で表してある。走査線3a=太い実線半導体層1a=細くて短い点線データ線6aおよびドレイン電極6b=一点鎖線第1容量電極5aおよび電極5b=細くて長い破線中継電極7a=二点鎖線画素電極9a=太くて短い破線図3aに示すように、素子基板10には、複数の画素100aの各々に矩形状の画素電極9aが形成されており、隣り合う画素電極9aにより挟まれた縦横の画素間領域10fと重なる領域に沿ってデータ線6aおよび走査線3aが形成されている。より具体的には、画素間領域10fのうち、第1方向X方向に延在する第1画素間領域10gと重なる領域に沿って走査線3aが延在し、第2方向Y方向に延在する第2画素間領域10hと重なる領域に沿ってデータ線6aが延在している。データ線6aおよび走査線3aは各々、直線的に延びており、データ線6aと走査線3aとが交差する領域にスイッチング素子30が形成されている。素子基板10には、データ線6aと重なるように、図1を参照して説明した第1容量電極5a容量電極が形成されている。図3a、bに示すように、素子基板10は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体10w、基板本体10wの液晶層50側の表面一方面10s側に形成された画素電極9a、画素スイッチング用のスイッチング素子30、および配向膜16を主体として構成されている。対向基板20は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20w、その液晶層50側の表面素子基板10と対向する一方面側に形成された共通電極21、および配向膜26を主体として構成されている。素子基板10において、基板本体10wの一方面側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる走査線3aが形成されている。本形態において、走査線3aは、タングステンシリサイドWSix等の遮光性導電膜から構成されており、スイッチング素子30に対する遮光膜としても機能している。本形態において、走査線3aは、膜厚が200nm程度のタングステンシリサイドからなる。なお、基板本体10wと走査線3aとの間には、シリコン酸化膜等の絶縁膜が設けられることもある。基板本体10wの一方面10s側において、走査線3aの上層側には、シリコン酸化膜等の絶縁膜12が形成されており、かかる絶縁膜12の表面に、半導体層1aを備えたスイッチング素子30が形成されている。本形態において、絶縁膜12は、例えば、テトラエトキシシランSiOC2H54を用いた減圧CVD法やテトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜と、高温CVD法により形成したシリコン酸化膜HTOHighTemperatureOxide膜との2層構造を有している。スイッチング素子30は、走査線3aとデータ線6aとの交差領域において走査線3aの延在方向に長辺方向を向けた半導体層1aと、半導体層1aの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層1aの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極3cとを備えている。また、スイッチング素子30は、半導体層1aとゲート電極3cとの間に透光性のゲート絶縁層2を有している。半導体層1aは、ゲート電極3cに対してゲート絶縁層2を介して対向するチャネル領域1gを備えているとともに、チャネル領域1gの両側にソース領域1bおよびドレイン領域1cを備えている。本形態において、スイッチング素子30は、LDD構造を有している。従って、ソース領域1bおよびドレイン領域1cは各々、チャネル領域1gの両側に低濃度領域1b1、1c1を備え、低濃度領域1b1、1c1に対してチャネル領域1gとは反対側で隣接する領域に高濃度領域1b2、1c2を備えている。半導体層1aは、多結晶シリコン膜等によって構成されている。ゲート絶縁層2は、半導体層1aを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第1ゲート絶縁層2aと、CVD法等により形成されたシリコン酸化膜等からなる第2ゲート絶縁層2bとの2層構造からなる。ゲート電極3cは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなり、半導体層1aの両側において、第2ゲート絶縁層2bおよび絶縁膜12を貫通するコンタクトホール12a、12bを介して走査線3aに導通している。本形態において、ゲート電極3cは、膜厚が100nm程度の導電性のポリシリコン膜と、膜厚が100nm程度のタングステンシリサイド膜との2層構造を有している。なお、本形態では、電気光学装置100を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層1aに入射してスイッチング素子30で光電流に起因する誤動作が発生することを防止することを目的に、走査線3aを遮光膜により形成してある。但し、走査線をゲート絶縁層2の上層に形成し、その一部をゲート電極3cとしてもよい。この場合、図3に示す走査線3aは、遮光のみを目的として形成されることになる。ゲート電極3cの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜41が形成されており、層間絶縁膜41の上層には、データ線6aおよびドレイン電極6bが同一種類の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜41は、例えば、シランガスSH4と亜酸化窒素N2Oとを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。データ線6aおよびドレイン電極6bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、データ線6aおよびドレイン電極6bは、膜厚が20nmのチタンTi膜、膜厚が50nmの窒化チタンTiN膜、膜厚が350nmのアルミニウムAl膜、膜厚が150nmのTiN膜をこの順に積層してなる4層構造を有している。データ線6aは、層間絶縁膜41および第2ゲート絶縁層2bを貫通するコンタクトホール41aを介してソース領域1bデータ線側ソースドレイン領域に導通している。ドレイン電極6bは、第1画素間領域10gと重なる領域において、半導体層1aのドレイン領域1c画素電極側ソースドレイン領域と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜41および第2ゲート絶縁層2bを貫通するコンタクトホール41bを介してドレイン領域1cに導通している。データ線6aおよびドレイン電極6bの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜42が形成されている。層間絶縁膜42は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。層間絶縁膜42の上層側には、第1容量電極5aおよび電極5bが同一種類の導電膜によって形成されている。第1容量電極5aおよび電極5bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、第1容量電極5aおよび電極5bは、膜厚が350nm程度のAl膜と、膜厚が150nm程度のTiN膜との2層構造を有している。第1容量電極5aは、データ線6aと同様、第2画素間領域10hと重なる領域に沿って延在している。電極5bは、第1画素間領域10gと重なる領域において、ドレイン電極6bと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜42を貫通するコンタクトホール42aを介してドレイン電極6bに導通している。第1容量電極5aおよび電極5bの上層側にはシリコン酸化膜等の透光性の絶縁膜44がエッチングストッパー層として形成されており、かかる絶縁膜44には、第1容量電極5aと重なる領域に開口部44bが形成されている。本形態において、絶縁膜44は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。ここで、開口部44bは、図3aでは図示を省略するが、データ線6aと走査線3aとの交差領域を起点として第1画素間領域10gと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線6aと走査線3aとの交差領域を起点として第2画素間領域10hと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたL字形状に形成されている。絶縁膜44の上層側には透光性の誘電体層40が形成されており、かかる誘電体層40の上層側には中継電極7aが形成されている。中継電極7aは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、中継電極7aは、膜厚が300nm程度のTiN膜からなる。誘電体層40としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。中継電極7aは、データ線6aと走査線3aとの交差領域を起点として第1画素間領域10gと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線6aと走査線3aとの交差領域を起点として第2画素間領域10hと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたL字形状に形成されている。従って、中継電極7aのうち、第2画素間領域10hと重なる領域に沿って延在する部分は、絶縁膜44の開口部44bにおいて、誘電体層40を介して第1容量電極5aに重なっており、第2容量電極として利用されている。このようにして、本形態では、第1容量電極5a、誘電体層40、および中継電極7a第2容量電極は、第1画素間領域10gと重なる領域に蓄積容量55を構成している。また、中継電極7aにおいて、第1画素間領域10gと重なる領域に沿って延在する部分は、電極5bと部分的に重なっており、誘電体層40および絶縁膜44を貫通するコンタクトホール44aを介して電極5bに導通している。中継電極7aの上層側には透光性の層間絶縁膜45が形成されており、層間絶縁膜45の上層側には、膜厚が20nm程度のITO膜等の透光性導電膜からなる画素電極9aが形成されている。層間絶縁膜45は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。画素電極9aは、データ線6aと走査線3aとの交差領域の近傍で中継電極7aと部分的に重なっており、層間絶縁膜45に形成されたコンタクトホール45aを介して、画素電極9aと中継電極7aとが導通している。画素電極9aの表面には配向膜16が形成されている。配向膜16は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜16は、SiOXx<2、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜垂直配向膜である。対向基板20では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20wの液晶層50側の表面素子基板10に対向する側の面に、ITO膜等の透光性導電膜からなる共通電極21が形成されており、かかる共通電極21を覆うように配向膜26が形成されている。配向膜26は、配向膜16と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜26は、SiOXx<2、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜垂直配向膜である。かかる配向膜16、26は、液晶層50に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル100pは、ノーマリブラックのVAモードとして動作する。なお、図1および図2を参照して説明したデータ線駆動回路101および走査線駆動回路104には、nチャネル型の駆動用トランジスターとpチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、スイッチング素子30の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板10においてデータ線駆動回路101および走査線駆動回路104が形成されている領域も、図3bに示す断面構成と略同様な断面構成を有している。画素間領域10fにおける各電極の位置関係図4は、本発明を適用した電気光学装置100における画素電極間第2画素間領域10hの構成を模式的に示す説明図である。図4に示すように、本形態の電気光学装置100では、基板本体10wの一方面10s側に複数の画素電極9aが設けられているとともに、基板本体10wと画素電極9aの間にスイッチング素子30が設けられている。また、スイッチング素子30と画素電極9aとの間には、データ線6aが第2画素間領域10h隣り合う画素電極9aの間に平面視で重なるように設けられている。さらに、スイッチング素子30と画素電極9aとの間には、第1容量電極5aが第2画素間領域10h隣り合う画素電極9aの間に平面視で重なるように設けられており、かかる第1容量電極5aには、画素電極9aに印加される電位Vsigと異なる共通電位Vcomが印加されている。本形態において、第1容量電極5aは、スイッチング素子30と画素電極9aとの間のうち、データ線6aと中継電極7aとの間に設けられている。すなわち、第1容量電極5aは、データ線6aより上層側画素電極9aの側に設けられている。さらに、第2画素間領域10hに平面視で重なる領域には中継電極7aも設けられており、かかる中継電極7aは、画素電極9aと導通している。このため、中継電極7aは、画素電極9aと常に同一の電位電位Vsigである。ここで、中継電極7aは、第1容量電極5aおよびデータ線6aと画素電極9aとの間に設けられている。本形態において、第1容量電極5aは、データ線6aより上層側画素電極9aの側に設けられているため、中継電極7aは、第1容量電極5aより上層側画素電極9aの側に設けており、蓄積容量55の第2容量電極を構成している。本形態の主な効果以上説明したように、本形態の電気光学装置100では、第2画素間領域10hに平面視で重なる領域にデータ線6aおよび第1容量電極5aが設けられているが、これらの電極第1容量電極5aおよびデータ線6aより画素電極9aの側には、画素電極9aに導通する中継電極7aが設けられている。このため、画素電極とデータ線との間、および画素電極と第1容量電極との間に余計な電界が発生しない。従って、画素電極9aの端部付近に電位分布の乱れが発生しないので、品位の高い画像を表示することができる。すなわち、電気光学装置100では、スイッチング素子30がオン状態になっている期間を利用して画素電極9aに画像信号を印加し、画素電極9aと、対向基板20において共通電位Vcomが印加された共通電極21との間に形成した縦方向の電界矢印V1で示す電界によって液晶層50の液晶分子の配向を制御し、画素毎に光変調する。かかる状態は、スイッチング素子30がオフ状態に切り換わった非選択期間中も、蓄積容量55に蓄積されている電荷によって維持される。かかる非選択期間中の画素電極9aは、周囲の電極等の電位の影響を受けやすいが、本形態では、画素電極9aとデータ線6aとの間に中継電極7aが介在する。また、本形態では、画素電極9aと第1容量電極5aとの間に中継電極7aが介在する。このため、図7等を参照して説明した余計な電界が発生しないので、画素電極9aとの端部付近に電位分布の乱れが発生せず、画素電極9aの端部においても液晶分子の配向を好適に制御することができる。また、データ線6aによる画素電極9aの駆動の際に発生する駆動ロスを低減することができるので、省電力化を図ることができる。[本発明の変形例]図5は、本発明の変形例に係る電気光学装置100の説明図であり、図5a、bは、本発明の変形例1に係る電気光学装置100における画素電極間第2画素間領域10hの構成を模式的に示す説明図、および本発明の変形例2に係る電気光学装置100における画素電極間第2画素間領域10hの構成を模式的に示す説明図である。図5a、bに示すように、本形態の電気光学装置100でも、図1~図4を参照して説明した電気光学装置100と同様、基板本体10wの一方面10s側に複数の画素電極9aが設けられているとともに、基板本体10wと画素電極9aの間にスイッチング素子30が設けられている。また、スイッチング素子30と画素電極9aとの間には、データ線6aが第2画素間領域10h隣り合う画素電極9aの間に平面視で重なるように設けられている。さらに、スイッチング素子30と画素電極9aとの間には、第1容量電極5aが第2画素間領域10h隣り合う画素電極9aの間に平面視で重なるように設けられており、かかる第1容量電極5aには、画素電極9aに印加される電位Vsigと異なる共通電位Vcomが印加されている。さらに、第2画素間領域10hに平面視で重なる領域には中継電極7aも設けられており、かかる中継電極7aは、画素電極9aと導通している。このため、中継電極7aは、画素電極9aと常に同一の電位電位Vsigである。また、中継電極7aは、第1容量電極5aおよびデータ線6aと画素電極9aとの間に設けられている。ここで、データ線6aは、スイッチング素子30と画素電極9aとの間のうち、第1容量電極5aと中継電極7aとの間に設けられている。すなわち、データ線6aは、第1容量電極5aより上層側画素電極9aの側に設けられている。このため、第1容量電極5aは、データ線6aに対して第1容量電極5aとは反対側画素電極9aの側に設けられている。なお、データ線6aは、ソース電極6eを介してスイッチング素子30に電気的に接続されている。このように構成した電気光学装置100では、中継電極7aは、蓄積容量55の第2容量電極として用いられておらず、素子基板10には、画素電極9aに導通するとともに、第1容量電極5aに誘電体層図示せずを介して対向して誘電体層および第1容量電極5aと蓄積容量を構成する第2容量電極が構成されている。より具体的には、図5a、bに示す電気光学装置100のうち、図5aに示す電気光学装置100では、第1容量電極5aとスイッチング素子30との間に設けられたドレイン電極6bが第2容量電極8aとして利用されている。また、図5bに示す電気光学装置100では、第1容量電極5aと中継電極7aとの間第1中継電極5aとデータ線6aとの間に第2容量電極8aが設けられ、かかる第2容量電極8aは、ドレイン電極6bおよび中継電極7aと導通している。このように構成した電気光学装置100でも、図1~図4を参照して説明した電気光学装置100と同様、第2画素間領域10hに平面視で重なる領域にデータ線6aおよび第1容量電極5aが設けられているが、これらの電極第1容量電極5aおよびデータ線6aより画素電極9aの側には、画素電極9aに導通する中継電極7aが設けられている。このため、画素電極とデータ線との間、および画素電極と第1容量電極との間に余計な電界が発生しない。従って、画素電極9aの端部付近に電位分布の乱れが発生しないので、品位の高い画像を表示することができる。[本発明の他の変形例]図5を参照して説明したように、中継電極7aを蓄積容量55の第2容量電極として用いずに、別の第2容量電極を用いた構成は、図1~図4を参照して説明した形態において採用してもよい。また、図5を参照して説明した形態では、データ線6aがソース電極6eを介してスイッチング素子30に電気的に接続されている構成であったが、データ線6aがスイッチング素子30に直接、電気的に接続されている構成を採用してもよい。[他の実施の形態]上記実施の形態では、透過型の電気光学装置100に本発明を適用した例を説明したが、反射型の電気光学装置100に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態では、電気光学装置100に本発明を適用した例を説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置等、電気光学装置100以外の電気光学装置に本発明を適用してもよい。[電子機器への搭載例]投射型表示装置および光学ユニットの構成例図6は、本発明を適用した投射型表示装置および光学ユニットの概略構成図であり、図6a、bは各々、透過型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図である。図6aに示す投射型表示装置110は、液晶パネルとして透過型の液晶パネルを用いた例であるのに対して、図6bに示す投射型表示装置1000は、液晶パネルとして反射型の液晶パネルを用いた例である。但し、以下に説明するように、投射型表示装置110、1000はいずれも、光源部130、1021と、光源部130、1021から互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置100と、複数の電気光学装置100から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム119、1027光合成光学系と、光合成光学系により合成された光を投射する投射光学系118、1029とを有している。また、投射型表示装置110、1000においては、電気光学装置100およびクロスダイクロイックプリズム119、1027光合成光学系を備えた光学ユニット200が用いられている。投射型表示装置の第1例図6aに示す投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置110は、光源112を備えた光源部130と、ダイクロイックミラー113、114と、液晶ライトバルブ115~117と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119合成光学系と、リレー系120とを備えている。光源112は、赤色光R、緑色光G、および青色光Bを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光Rを透過させるとともに、緑色光G、および青色光Bを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光Gおよび青色光Bのうち青色光Bを透過させるとともに緑色光Gを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から出射した光を赤色光Rと緑色光Gと青色光Bとに分離する色分離光学系を構成する。ここで、ダイクロイックミラー113と光源112との間には、インテグレーター121および偏光変換素子122が光源112から順に配置されている。インテグレーター121は、光源112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子122は、光源112からの光を、例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、電気光学装置100赤色用液晶パネル100R、および第2偏光板115dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ115に入射する赤色光Rは、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。λ/2位相差板115aは、液晶ライトバルブ115に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置100赤色用液晶パネル100Rは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ115は、画像信号に応じて赤色光Rを変調し、変調した赤色光Rをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。なお、λ/2位相差板115a、および第1偏光板115bは、偏光を変換させない透光性のガラス板115eに接した状態で配置されており、λ/2位相差板115a、および第1偏光板115bが発熱によって歪むのを回避することができる。液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光Gを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。かかる液晶ライトバルブ116は、液晶ライトバルブ115と同様に、第1偏光板116b、電気光学装置100緑色用液晶パネル100G、および第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ116に入射する緑色光Gは、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板116bは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置100緑色用液晶パネル100Gは、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。そして、第2偏光板116dは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ116は、画像信号に応じて緑色光Gを変調し、変調した緑色光Gをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光Bを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。かかる液晶ライトバルブ117は、液晶ライトバルブ115、116と同様に、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、電気光学装置100青色用液晶パネル100B、および第2偏光板117dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ117に入射する青色光Bは、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系120の後述する2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。λ/2位相差板117aは、液晶ライトバルブ117に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置100青色用液晶パネル100Bは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ117は、画像信号に応じて青色光Bを変調し、変調した青色光Bをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。なお、λ/2位相差板117a、および第1偏光板117bは、ガラス板117eに接した状態で配置されている。リレー系120は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光Bの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光Bをリレーレンズ124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光Bを液晶ライトバルブ117に向けて反射するように配置されている。クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光Bを反射して緑色光Gを透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光Rを反射して緑色光Gを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115~117の各々で変調された赤色光Rと緑色光Gと青色光Bとを合成し、投射光学系118に向けて出射するように構成されている。なお、液晶ライトバルブ115、117からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ116からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ115~117から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光R、および青色光Bをs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光Gをp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ図示略を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン111に投射するように構成されている。投射型表示装置の第2例図6bに示す投射型表示装置1000は、光源光を発生する光源部1021と、光源部1021から出射された光源光を赤色光R、緑色光G、および青色光Bの3色の色光に分離する色分離導光光学系1023と、色分離導光光学系1023から出射された各色の光源光によって照明される光変調部1025とを有している。また、投射型表示装置1000は、光変調部1025から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム1027合成光学系と、クロスダイクロイックプリズム1027を経た像光をスクリーン不図示に投射する投射光学系1029とを備えている。かかる投射型表示装置1000において、光源部1021は、光源1021aと、一対のフライアイ光学系1021d、1021eと、偏光変換部材1021gと、重畳レンズ1021iとを備えている。本形態においては、光源部1021は、放物面からなるリフレクタ1021fを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系1021d、1021eは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光発散させる。偏光変換部材1021gは、フライアイ光学系1021eから出射した光源光を、例えば図面に平行なp偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ1021iは、偏光変換部材1021gを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部1025に設けた複数の電気光学装置100を各々均一に重畳照明可能とする。色分離導光光学系1023は、クロスダイクロイックミラー1023aと、ダイクロイックミラー1023bと、反射ミラー1023j、1023kとを備える。色分離導光光学系1023において、光源部1021からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー1023aに入射する。クロスダイクロイックミラー1023aを構成する一方の第1ダイクロイックミラー1031aで反射された赤色光Rは、反射ミラー1023jで反射されダイクロイックミラー1023bを透過して、入射側偏光板1037r、p偏光を透過させる一方、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032r、および光学補償板1039rを介して、p偏光のまま、電気光学装置100赤色用液晶パネル100Rに入射する。また、第1ダイクロイックミラー1031aで反射された緑色光Gは、反射ミラー1023jで反射され、その後、ダイクロイックミラー1023bでも反射されて、入射側偏光板1037g、p偏光を透過させる一方、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032g、および光学補償板1039gを介して、p偏光のまま、電気光学装置100緑色用液晶パネル100Gに入射する。これに対して、クロスダイクロイックミラー1023aを構成する他方の第2ダイクロイックミラー1031bで反射された青色光Bは、反射ミラー1023kで反射されて、入射側偏光板1037b、p偏光を透過する一方、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032b、および光学補償板1039bを介して、p偏光のまま、電気光学装置100青色用液晶パネル100Bに入射する。なお、光学補償板1039r、1039g、1039bは、電気光学装置100への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。このように構成した投射型表示装置1000では、光学補償板1039r、1039g、1039bを経て入射した3色の光は各々、各電気光学装置100において変調される。その際、電気光学装置100から出射された変調光のうち、s偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板1032r、1032g、1032bで反射し、出射側偏光板1038r、1038g、1038bを介してクロスダイクロイックプリズム1027に入射する。クロスダイクロイックプリズム1027には、X字状に交差する第1誘電体多層膜1027aおよび第2誘電体多層膜1027bが形成されており、一方の第1誘電体多層膜1027aは赤色光Rを反射し、他方の第2誘電体多層膜1027bは青色光Bを反射する。従って、3色の光は、クロスダイクロイックプリズム1027において合成され、投射光学系1029に出射される。そして、投射光学系1029は、クロスダイクロイックプリズム1027で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン図示せず。に投射する。他の投射型表示装置なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。他の電子機器本発明を適用した電気光学装置100については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末PDA:PersonalDigitalAssistants、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。