酸化インジウム中に酸化ジルコニウム5重量超~10重量含有することを特徴とする透明電極膜。酸化インジウム中に酸化ジルコニウム5重量超~10重量含有することを特徴とする透明電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット。EPMA観察によるジルコニウム相の径が5μm以下であることを特徴とする請求項2記載の透明電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット。本発明は、上記の諸問題点の解決、良好な可視光の透過率とある程度の電気抵抗を維持しながら、エッチング特性に優れた透明電極膜を提供することにある。また、この透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、ノジュールの形成や異常放電を少なくすることができるターゲットを提供する。さらにターゲットの製造に際して、焼結性の高い粉体を供給するための粉砕工程において、粉砕メディアジルコニアからの汚染コンタミを無視できる組成のターゲットを提供する。本発明は、1.酸化インジウム中に酸化ジルコニウム5重量超~10重量含有することを特徴とする透明電極膜2.酸化インジウム中に酸化ジルコニウム5重量超~10重量含有することを特徴とする透明電極膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。3.EPMA観察によるジルコニウム相の径が5μm以下であることを特徴とする上記2記載の透明電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット。良好な可視光の透過率とある程度の比較的高い比抵抗を維持しながら、適度なエッチング性を備えた透明電極膜を得るものであり、また透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、高密度でノジュール発生が少ない焼結体ターゲットを効率的に製造し、これによってノジュールの発生に伴う生産性の低下や品質の低下を抑制し、さらに粉砕メディアからの汚染コンタミを無視できるターゲットを得ることができるという優れた特長を有する。また、室温又は低温での膜特性に優れており、液晶ディスプレー等の軽量化からガラス基板に替えて耐熱性に劣るプラスチックシートやフイルムを基板とする場合に、効果的である。透明導電膜の導電性は、一般に面積抵抗Ω/□で表され、通常5Ω/□程度という面積抵抗が要求されており、上記のような液晶ディスプレー画面に適用する場合においては液晶画面の高精細化とともにさらに低い面積抵抗が要求されている。面積抵抗は比抵抗を透明導電膜の厚みで割った値で表される。したがって、透明導電膜の面積導電率は導電率比抵抗の逆数と、膜厚の積で表現され、この導電率σΩ-1cm-1は膜に含まれるキャリヤ正孔又は電子の持つ電荷eクーロンとキャリヤ移動度μcm2/Vsec及びキャリヤ濃度ncm-3の積で表されるσΩ-1cm-1=eμn。したがって、透明導電膜の導電率を向上させ、比抵抗抵抗率とも云うと面積抵抗とを低下させるためには、キャリヤ移動度μcm2/Vsec及びキャリヤ濃度ncm-3のいずれか一方又は双方を増大させればよい。このことから、キャリヤ濃度nを高めるためのドーパントとして、酸化インジウムIn2O3に高濃度~5重量までで固溶する酸化ジルコニウムZrO2に着目した。この酸化ジルコニウムドーパントは後述するように、良好な可視光の透過率と高導電性を維持することができることが判明した。これについては、本発明者らは既に、特願2001-025078として提起している。他方、このことから酸化ジルコニウムZrO2の含有量が5重量を超え増加していくに伴って、得られる膜の比抵抗は高くなっていくことが理解できる。したがって、ある程度高い比抵抗を有する膜を得るためには、このジルコニウム濃度の調整が有効であることが分かった。すなわち、このような比較的高い比抵抗を有する膜は、タッチパネルの原料としてさらに有効である。また、この酸化ジルコニウムドーパントは、耐酸性に関してITOの成分であるSnO2程高くないがZnO程卑ではなく、適度なエッチング特性が得られるという優れた特長がある。さらに、本発明はターゲット中のジルコニウム相の径を5μm以下とすることができる。なお、ターゲット中では酸化インジウムと酸化ジルコニウムの複合酸化物又は酸化インジウムへの固溶体として存在するが、酸化ジルコニウムの濃度が5近傍までは酸化ジルコニウムが固溶し、その量が増えると固溶しきれずにEPMA観察によるジルコニウム相が析出してくる。このジルコニウム相はターゲット中では異相であり、これが大きくなると長時間のスパッタリングにおいてはノジュールの発生やアーキングの原因となり、極端な場合はスパッタ膜の組成が不均一となる可能性もある。したがって、このようなジルコニウム含有析出相を5μm以下とし、均一分散させることによってノジュールの発生やアーキングを防止することができる。さらに、スパッタリング時の膜特性を左右する要因として、上記に示すようにターゲットの密度が挙げられ、ターゲットの密度が高いほど安定したスパッタリング特性と良好な膜が得られる。ターゲットの密度を向上させるためには、成形前の粉体が細かければ細かいほど良いことが知られている。酸化インジウムに加えるドーパントとして上記の酸化ジルコニウムジルコニアを用いることができると同時に、酸化ジルコニウムを微粉砕用のメディアとして用いる、即ちジルコニアビーズやジルコニアライニングの容器を使用して粉砕することができ、粉砕メディア自体が汚染源コンタミ源とならないという大きな利点がある。これによって、粉砕のレベルを向上させ、従来に比べてはるかに高純度でかつ高密度のスパッタリングターゲットを得ることができる。また、このような高密度ターゲットを使用することにより、ノジュールの発生を抑え、このノジュールに起因する異常放電やスプラッシュが原因となって生ずるパーティクルの発生を抑え、導電膜の品質低下を効果的に抑制できるという特長を有する。次に、本発明の実施例について説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内で、実施例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。実施例1~3酸化インジウムIn2O3粉に酸化ジルコニウムZrO2粉を6、7、8重量となるように秤量した後、ジルコニアZrO2ボールビーズを粉砕メディアとして用い、アトライタで混合微粉砕を行い、メジアン径で0.8μmの混合粉体スラリーを得た。なお、上記酸化ジルコニウム粉を6、7、8重量とした場合について、それぞれ実施例1、2、3とする。このスラリーを造粒し、球状の造粒粉を得た。さらにこの造粒粉をプレス成型し、さらにCIP等方冷間プレスを行った。そしてこの成形体を酸素雰囲気中1640°Cの温度で4時間焼結を行い、焼結体以下、IZO焼結体という。を得た。焼結密度は99以上に達した。この焼結体を研削、切断を行い、所定形状のスパッタリング用ターゲットに加工した。次に、このIZO焼結体ターゲットを用いてガラス基板にDCスパッタにより、次の条件で透明電極膜を形成した。スパッタガス:ArO2スパッタガス圧:0.5Pa電力量:60W成膜速度:約300Å/minこの場合のノジュールの発生量被覆率を測定したが、本実施例のIZO焼結体におけるノジュールの被覆率は10以下であった。また、成膜の比抵抗Ωcm及び550nmでの透過率の膜特性を調べ、その結果を表1に示す。なお、表1においては室温、酸素濃度1成膜時の膜特性を示す。また、比較のために、同様の条件で作製したITO膜比較例1及びIXO膜比較例2の比抵抗Ωcm及び550nmでの透過率の膜特性を表1に掲載した。この表1から明らかなように、比抵抗は高くなり、透過率は本発明の実施例と比較例1のITOとは殆ど遜色なく、本発明の実施例の良好な可視光の透過率と高い比抵抗を示しているのが分かる。また、酸化ジルコニウムの増加量とスパッタリングにより得られた膜の比抵抗とはある程度相関があり、酸化ジルコニウムの増加とともに膜の比抵抗が高くなる傾向が見られた。一般に、ITO膜に対して本発明のIZO焼結体ターゲットを使用したIZO膜は基板温度を上げて成膜した状態での膜特性には大差ないが、室温で成膜した膜での特性がより優れているという結果が得られた。実施例1~3及び比較例1、2のターゲット中の酸化ジルコニウム濃度と密度の測定結果を表2に示す。この表2に示されているように、実施例1~3の相対密度はいずれも97を超えており、酸化ジルコニウム濃度の増加とともに相対密度は向上している。この表に示していないが、酸化ジルコニウム濃度10wtでは、相対密度98.7に達した。これによって、均一かつ品質に優れたスパッタ膜の形成が可能となる。これに対し、比較例1及び2のターゲットの密度はそれぞれ93、87であり、本実施例よりも低く悪い結果が得られた。そして、ノジュール被覆率は70に達した。さらに、酸化ジルコニウムの濃度が増した場合に、固溶しきれずにジルコニウム相酸化ジルコニウム相が析出してくる様子を観察した。図1は、酸化ジルコニウム含有量6wtのターゲット実施例1のEPMA観察結果1000倍である。この図1では、ジルコニウム相の径が1μm未満の微細な析出物が見られる。この程度の析出物は、スパッタリングの際のノジュールやアーキングの発生はなく、またスパッタ膜の組成が不均一となる虞もない。近年、器機の軽量化及びコスト削減からガラス基板に替えてプラスチックシートやフイルムを使用する傾向にある。プラスチックスは耐熱性に劣るので、基板を加熱しない、あるいは低温での成膜が求められている。したがって、上記のような室温又は低温での膜特性に優れている本件発明の透明電極は、この目的に合致し、優れた材料と言える。また、比較例1及び2では、本実施例と同等の0.8μm以下までの粉砕を実施すると、ジルコニアのコンタミが著しく増大しているのが確認できた。次に、上記実施例と比較例1及び2の透明電極膜について、基板温度とエッチング速度との関係を表3に示す。エッチャントはHCl:H2O:HNO3=1:1:0.08の混酸を用いた。表3から明らかなように、ITOである比較例1に対して、基板温度が室温の場合及び200°Cの場合、いずれも本実施例であるIZOのエッチング速度が勝っていることが分かる。特に基板温度が200°Cの場合に、その差が著しい。また、比較例2のIXOでは室温のエッチング性は92700Å/min、200°Cでは90900Å/minと異常に高いが、反面オーバーエッチングになりやすく、好ましくない。