"主磁極と、トレーリングシールド、およびスピントルク発振器を有する磁気記録ヘッドにおいて、スピントルク発振器の発振層と接する層に、スピンポンピング制御層を有するマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。請求項1に記載のスピンポンピング制御層として、Ti、V、Cr、Cu、Ag、Au、Taから選ばれる少なくとも一つの材料を有するマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。請求項1から2に記載のスピンポンピング制御層が、積層順に、主磁極、スピンポンピング制御層、発振層、スピン伝導層、スピン注入層、キャップ層、トレーリングシールドの順で積層されていることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。請求項1から2に記載のスピンポンピング制御層が、積層順に、主磁極、下地層、スピン注入層、スピン伝導層、発振層、スピンポンピング制御層、トレーリングシールドの順で積層されていることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。請求項4に記載のマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドにおいて、トレーリングシールドのスピンポンピング制御層と接する界面側に、Ti、V、Cr、Cu、Ag、Au、Taから選ばれる少なくとも一つの材料を下地層として用いることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に対して記録動作を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体の所望トラックに位置付けるヘッド駆動部を有する磁気記録装置において、前記磁気ヘッドは、請求項1から5のいずれか1項に記載のマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドを備えることを特徴とする磁気記録装置。主磁極と、トレーリングシールド、およびスピントルク発振器を有する磁気記録ヘッドにおいて、前記スピントルク発振器は、前記主磁極と前記トレーリングシールドとの間に、前記主磁極側より、スピン緩和が小さく、スピンが減少しない材料で構成されたスピンポンピング制御層、マイクロ波アシスト記録用の大きな高周波磁界強度を発生させるための発振層、前記スピンポンピング制御層と同様の機能を有するスピン伝導層、高い垂直磁気異方性を有する材料で構成されたスピン注入層、及び前記トレーリングシールドとの磁気的な結合を遮断するためのギャップ層を積層した構造を有することを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。主磁極と、トレーリングシールド、およびスピントルク発振器を有する磁気記録ヘッドにおいて、前記スピントルク発振器は、前記主磁極と前記トレーリングシールドとの間に、前記トレーリングシールド側より、スピン緩和が小さく、スピンが減少しない材料で構成されたスピンポンピング制御層、マイクロ波アシスト記録用の大きな高周波磁界強度を発生させるための発振層、前記スピンポンピング制御層と同様の機能を有するスピン伝導層、高い垂直磁気異方性を有する材料で構成されたスピン注入層、及び前記スピン注入層の垂直磁気異方性を発現させる材料で構成された下地層を積層した構造を有することを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。前記トレーリングシールドの表面に、前記スピンポンピング制御層と同じ機能を有し、かつ、前記トレーリングシールドとの密着性のよい材料で構成されたシード層を設けたことを特徴とする請求項8記載のマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。前記スピントルク発振器を駆動するための駆動電流の電流密度は、前記発振層内の多数のスピンが同じ周波数で面内回転できる最適電流密度に設定することを特徴とする請求項7及び8のいずれかに記載のマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。マイクロ波アシスト記録用のスピントルク発振器に求められる特性は、大きな高周波磁界強度高い発振周波数大きなスピントルク効率安定した発振特性であると考えられる。とくに大きなアシスト効果を得るためには、大きな高周波磁界強度が必要で、そのためにはFGLの飽和磁束密度Bsおよび膜厚を厚くする必要がある。一方で、Slonczewskiの理論非特許文献4によると、Bsおよび磁性層の膜厚が増加するにつれて、発振に必要な電流密度は増加する。しかしながら、一般的には108A/cm2の電流密度を超えるオーダーの電流を流した場合には、発熱や、エレクトロマイグレーションによって、信頼性に問題が発生すると考えられている。したがって、大きな高周波磁界強度を得るためにBsおよび膜厚を厚くした場合には、大きなスピントルク効率と両立するためには、電流密度を増加させる以外の方法の検討が必要である。その主たる方法として、磁性層のスピン偏極率スピンの向きが揃っている度合いを大きくする方法と、ダンピングdamping、スピンの制動を低減させる方法がある。磁性層のスピン偏極率を向上させるためには、ハーフメタル上向き又は下向きのスピンを有するそれぞれの電子のエネルギーバンドのずれが大きくなり、エネルギーギャップを持つ物質強磁性体を用いることが考えられる。しかしながら、室温で強磁性を示すハーフメタルとして代表的なホイスラー合金Co,Feなどのそれぞれの元素が規則性を持って並ぶことで強磁性となる合金は、非磁性金属を含む組成を基本としているため、Co、Fe、Niのみからなる高Bs材料に比べ、Bsが小さくなるという問題点がある。そこで、磁性層のダンピングを低減させる方法を考える。磁性層のダンピングは、磁性層の材料そのもののもつ磁気緩和機構によるものと、磁性層に隣接する材料からのスピンポンピング磁性層から非磁性層へのスピンカレントの流出に支配される。特に、磁性材料そのものの磁気緩和機構を考えた場合、フェルミ面の状態密度が低く、スピン軌道相互作用に起因するスピン緩和時間が大きい場合にダンピングが小さくなると考えられている。ここで、フェルミ面の状態密度が小さい磁性金属としては、主としてホイスラー合金が考えられるが、前述のとおり、Bsが小さくなるため、FGLとして用いるには、Bsの観点から十分ではないと考えられる。また、スピン緩和時間が長く、スピン軌道相互作用の小さい材料を選択することを考えた場合も、Co、Fe、Niのみからなる高Bs材料と比較して、大きくBsを低下させずに、十分にダンピングを低減させるような材料構成に関する報告はない。最後に、スピンポンピングを用いる方法に関しては、Mizukamiらによる原理実験に関する報告非特許文献5がある。彼らの実験によると、4dや5d軌道を有する元素などスピン軌道相互作用の大きな材料のひとつとしてPtをパーマロイ上に積層した構造では、Ptによるスピンポンピングにより、パーマロイのダンピングが増加しているが、Ptからのスピンポンピングの影響を断つために、パーマロイ、Cu、Ptをこの順に積層し、Cuの厚さを増加させることでPtからのスピンポンピングを断ち切り、パーマロイのダンピングを低減させることが可能である。このように、Mizukamiらは、パーマロイのダンピング低減にCuが有効であることを示したが、スピントルク発振器の発振層として用いられるCoFeを主とする高Bs材料に対して、実際にダンピングを低減可能な具体的な構成に関しては記載がない。また、別の形態として、特許文献2に示されるように、MRAMにおいて、磁化自由層の上部にキャップ層としてスピン拡散長の長い材料を用い、その上に引き出し導電層を有し、さらにその上に、スピン拡散長の短いスピンシンク層と、スピントルクフリー層を積層することで、スピン偏極電流スピンの方向が一方に偏った電子集団からなる電流を選択的に磁化自由層に流しつつ、磁化自由層とスピントルクフリー層の磁気結合を用いて磁化自由層の反転の際に生じる磁化方法の変動を抑制する構造に関する発明はあるものの、MAMR用のスピントルク発信器を実現可能な、具体的な材料構成に関して、過去に報告された例はない。本発明の目的は、安定した発振が実現でき、信頼性が高いスピントルク発振器を提供することにある。上記問題を解決するための本発明の一形態は、主磁極上に、スピンポンピング制御層を有し、その上に発振層、スピン伝導層、スピン偏極層、キャップ層、トレーリングシールドを有することを特徴とするスピントルク発振器である。スピンポンピング制御層は、スピン緩和の小さい材料で構成されているので、スピンが減少しない。本発明によれば、安定した発振が実現でき、信頼性が高いスピントルク発振器を提供することができる。上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。以下に本発明の実施例を挙げ、図表を参照しながらさらに具体的に説明する。本発明の具体的な構成例の一つを図1に示す。図1に示される主磁極6の材料としては、高い記録磁界強度を確保するため、Bsが2.4TのCoFeNiを用いた。次に、スピンポンピング制御層1からキャップ層5までの積層膜は、真空中で一括してスパッタ成膜した。以下、積層順に用いた材料の説明を進める。スピンポンピング制御層1としては、できる限りスピン軌道相互作用が小さく、スピン拡散長スピンの状態を維持したまま移動する距離の長い材料を用いることがよく、実施例の一つとして、Cr10を用いる。なお、内の数値は、膜厚をnm単位で示したものである。スピンポンピング制御層1では、スピン緩和が小さく、スピンが減少しない。その上に、発振層2としてCo50Fe507を形成した。なお、材料の添え字は、その材料の組成をatで表記したものである。発振層2は、マイクロ波アシスト記録用の大きな高周波磁界強度を発生させるためには、高Bsでかつ厚膜である方がよいが、膜厚が厚くなるほど発振に必要な電流密度が増加する。代表的な膜厚として7nmを用いたが、発振層の膜厚にかかわらず、本発明によるスピンポンピング制御層の発振電流密度の低減効果が観測可能である。発振層2の材料としては、Co50Fe50の他にも、その他の組成や材料を用いて比較的高Bsな層を形成することも可能で、Co、Fe、Niまたはこれらを含む合金や、スピン注入効率の高い材料としてCoFeGe、CoMnGe、CoFeAl、CoFeSi、CoMnSi、CoFeSiなどのホイスラー合金とCo、Fe、Niまたはこれらを含む合金を積層させることで高Bsと高いスピン偏極率を両立させたような構造にしてもよい。更にCo/FeやCo/Irなどの負の垂直異方性を示す材料でも良い。その上に積層されるスピン伝導層3としては、スピン拡散長の長い材料を用いることが可能で、本実施例ではCu3を用いたが、そのほかにも、Au、Ag、Cuなどの金属材料を用いることができる。また、TMRを利用したスピントルク発振器を構成することも可能で、その場合には、スピン伝導層3として、Al2O3、MgO、ZnOなど、大きなスピン依存トンネリング現象の期待できる絶縁層を形成することが望ましい。このスピン伝導層3は、スピンポンピング制御層1と同様の機能を有する。その上に積層されるスピン注入層4は、高い垂直磁気異方性を有する材料を用いることが必要で、Co0.2とNi0.4を交互に15回積層した人工格子薄膜を、垂直磁化膜を用いた。このほかにも、スピン注入層4としては、Co/Ni多層膜に第三元素としてPtやPdを添加した垂直磁気異方性を有する合金、もしくはCo/Ni多層膜とPt又はPdとの複合多層膜を用いた構造も用いることが可能である。作成した垂直磁化膜は、膜面に対して垂直方向に14kOeの磁気異方性を有し、スピントルクによる磁気擾乱に耐える、十分大きな異方性を有する。主磁極6から、スピンポンピング制御層1、発振層2、そしてスピン伝導層3を通って注入された電子は、スピン伝導層3とスピン注入層4との界面で反射され、その反射された電子が発振層2にスピントルクを与える。この界面での反射では、スピン注入層4における図1の矢印で示した磁化とのスピン相互作用により、主磁極6から、スピンポンピング制御層1、発振層2、そしてスピン伝導層3を通って注入された電子のスピンの向きが、スピン注入層4の磁化の方向に揃えられる反作用のトルクとして発振層2に供給される。その上に積層したキャップ層5としては、Ru3を用いた。キャップ層5は、その上部に位置するトレーリングシールド7との磁気的な結合を遮断するために必要であり、プロセス中のミリングダメージを防ぐ効果もある。このような目的が満たされる材料として、Ru3の他にも、Cr、Ti、Pt、Rh、Pd、Ir、Taなどを用いることが可能である。トレーリングシールド7は、主磁極6の磁界勾配を急峻にするために必要であるが、スピントルク発振器の高周波磁界強度が十分高い場合は、必ずしも必要ではない。このようにして形成されたスピントルク発振器に対して、駆動電流がトレーリングシールド7から主磁極6の方向へ流れるように電流を流し、磁気抵抗振動の周波数成分をスペクトラムアナライザで観測することで、発振特性を評価した。このような発振評価方法を、以下ではFMRFerro-MagneticResonance測定と呼ぶ。スピントルク発振は、外部磁界、異方性磁界、ダンピングトルク、スピントルクのバランスが釣り合った状態で発生する。図2に、実際に観測されたFMRスペクトラムの一例を示す。図に示すような鋭いピークは、スピントルク発振器が発振していることを意味している。このスペクトラムのピークの半値幅をFWHMFullWidthathalfmaximumと定義する。このFWHMが小さいほど、高周波磁界の周波数成分の分散が少なく、周波数が揃っていることを示す。FWHMの電流密度依存性を測定した結果を、図3に示す。図3において、FWHMの最も小さくなる電流密度は、発振層2内のスピンが最も安定して面内回転していること発振層2内の多数のスピンが同じ周波数で面内回転していると対応する。したがってスピントルク発振器を駆動する際は、FWHMの最も小さくなる電流密度で用いることが望ましい。以下、材料ごとの駆動電流の電流密度を、FWHMの最も小さくなる点で定義する。このときの電流密度を最適電流密度と定義する。スピンポンピング制御層の材料と最適電流密度の関係を表1にまとめる。表1によると、スピンポンピング制御層1として、Pt10やIr10を用いた場合には、5.0×108A/cm2を超える電流密度が必要なのに対し、Cr10、Ti10、V10、Au10、Ag10、Cu10、Ta10を用いた場合には、すべて4.0×108A/cm2以下の電流密度での発振が確認された。スピン制御層1の膜厚は、必ずしも10nm必要なわけではなく、1nm程度以上あればスピンポンピング効果を得ることが可能である。また、素子の耐圧評価を行った結果、6.0×108A/cm2を超える電流を流した場合に非可逆な抵抗上昇がみられ、FMRも観測されなくなったため、少なくとも、これ以下の電流密度でスピントルク発振器を駆動させる必要がある。さらに、長期信頼性も考慮すると、4.0×108A/cm2程度以下の電流密度で駆動させる必要があると考えられる。本発明で用いた、Cr、Ti、V、Au、Ag、Cu、Taは、いずれの材料の場合でも、上記クライテリアを満たす低い電流密度で安定発振させることが可能である。本発明の別の実施形態を、図4に示す。図4に示される主磁極6の材料としては、高い記録磁界強度を確保するため、Bsが2.4TのCoFeNiを用いた。本実施例では、実施例1の図1に示した、主磁極6とトレーリングシールド7との間に設けた積層構造とは積層の順序を逆にした構造を有する。図4に示すように、積層の順序を逆にすることにより、主磁極6と発振層2との距離が広がって、距離の調節が容易になる。一般に、記録媒体の性質や使用条件によって、主磁極6と発振層2との距離の最適値が存在する。次に、下地層8からスピンポンピング層5までの積層膜は、真空中で一括してスパッタ成膜した。以下、積層順に用いた材料の説明を進める。下地層8としては、スピン注入層4の垂直磁気異方性を発現させる材料であればよく、本実施例ではTa10を用いた。このほかにも、Cr、Ru、Ir、Cu、Ptなどを用いることができる。その上に積層されるスピン注入層4は、高い垂直磁気異方性を有する材料を用いることが必要で、Co0.2とNi0.4を交互に15回積層した人工格子薄膜を用いた。このほかにも、スピン注入層4としては、Co/Ni多層膜に第三元素としてPtやPdを添加した垂直磁気異方性を有する合金、もしくはCo/Ni多層膜とPt又はPdとの複合多層膜を用いた構造も用いることが可能である。作成した垂直磁化膜は、膜面に対して垂直方向に16kOeの磁気異方性を有し、スピントルクによる磁気擾乱に耐える、十分大きな異方性を有する。その上に積層されるスピン伝導層3としては、スピン拡散長の長い材料を用いることが可能で、本実施例ではCu3を用いたが、そのほかにも、Au、Ag、Cuなどの金属材料を用いることができる。また、TMRを利用したスピントルク発振器を構成することも可能で、その場合には、スピン伝導層3として、Al2O3、MgO、ZnOなど、大きなスピン依存トンネリング現象の期待できる絶縁層を形成することが望ましい。その上に、発振層2としてCo50Fe507を形成した。発振層2は、大きな高周波磁界強度を得るために、高Bsでかつ厚膜である方がよいが、膜厚が厚くなるほど発振に必要な電流密度が増加する。代表的な膜厚として7nmを用いたが、発振層の膜厚にかかわらず、本発明によるスピンポンピング制御層1の発振電流密度の低減効果が観測可能である。発振層2の材料としては、Co50Fe50の他にも、その他の組成や材料を用いて比較的高Bsな層を形成することも可能で、Co、Fe、Niまたはこれらを含む合金や、スピン注入効率の高い材料としてCoFeGe、CoMnGe、CoFeAl、CoFeSi、CoMnSi、CoFeSiなどのホイスラー合金とCo、Fe、Niまたはこれらを含む合金を積層させることで高Bsと高いスピン偏極率を両立させたような構造にしてもよい。更にCo/FeやCo/Irなどの負の垂直異方性を示す材料でも良い。その上に形成されるスピンポンピング制御層1としては、できる限りスピン軌道相互作用が小さく、スピン拡散長の長い材料を用いることがよく、本実施例では、Ti10を用いた。本実施例の構成では、スピンポンピング制御層1は、その上部に位置するトレーリングシールド7との磁気的な結合を切るためにも必要であり、プロセス中のミリングダメージを防ぐ効果も兼ねている。また、このような目的が満たされる材料として、Ti10の他にも、Cr、V、Au、Ag、Cu、Taなどを用いることが可能である。トレーリングシールド7は、主磁極6の磁界勾配を急峻にするために必要であるが、スピントルク発振器の高周波磁界強度が十分高い場合は、必ずしも必要ではない。このようにして形成されたスピントルク発振器に対して、駆動電流が主磁極6からトレーリングシールド7の方向へ流れるように電流を流し、磁気抵抗振動の周波数成分をスペクトラムアナライザで観測することで、発振特性を評価した。その結果として、スピンポンピング制御層1の材料と最適電流密度の関係を表2にまとめる。表2によると、スピンポンピング制御層1として、Pt10やIr10を用いた場合には、5.0×108A/cm2を超える電流密度が必要なのに対し、Cr10、Ti10、V10、Au10、Ag10、Cu10、Ta10を用いた場合には、すべて4.0×108A/cm2以下の電流密度での発振が確認された。スピン制御層1の膜厚は、必ずしも10nm必要なわけではなく、1nm程度以上あればスピンポンピング効果を得ることが可能である。また、素子の耐圧評価を行った結果、6×108A/cm2を超える電流を流した場合に非可逆な抵抗上昇がみられ、FMRも観測されなくなったため、少なくとも、これ以下の電流密度でスピントルク発振器を駆動させる必要がある。さらに、長期信頼性も考慮すると、4.0×108A/cm2程度以下の電流密度で駆動させる必要があると考えられる。本発明の第二の形態で用いた、Cr、Ti、V、Au、Ag、Cu、Taは、いずれの材料の場合でも、上記クライテリアを満たす低い電流密度で安定発振させることが可能である。実施例2に記載の構成において、トレーリングシールド7を形成する場合は、主磁極6の磁界勾配を急峻にするために、透磁率の高い軟磁性材料を使うことが望ましい。具体的には、NiFeやCoFe、CoFeNiなどを用いることが可能である。トレーリングシールド7は、一般的にはスピントルク発振器を成膜したのち、ミリングや絶縁膜の成膜など、複数のプロセス工程を経た後に形成される。その場合は、スピントルク発振器やその周囲の絶縁膜との密着性を高めるために、シード層を用いることが望ましい。本実施例では、トレーリングシールド7のシード層として、Cr10を用いた。本構成では、積層順に、発振層2の上に位置するスピンポンピング制御層1および、トレーリングシールド7を構成するすべての層が、実質的にスピンポンピング制御層として機能する。この時形成したトレーリングシールド7のシード層膜厚は、必ずしも10nm必要なわけではなく、1nm程度以上あればスピンポンピング効果と密着性を向上させる効果を両立することが可能である。トレーリングシールド7の表面スピンポンピング制御層1が接する側に設けたシード層は、スピンポンピング制御層1と同じ機能を有し、かつ、トレーリングシールド7との密着性のよい材料で構成すればよい。図5は、実施例1~3に記載されたスピントルク発振器を搭載した磁気ヘッドの断面拡大図である。磁気ヘッドは、記録ヘッド部と再生ヘッド部により構成されており、記録ヘッド部は、補助磁極206、主磁極6とトレーリングシールド7との間に配置されたスピントルク発振器201、主磁極を励磁するコイル205等により構成される。記録磁界は主磁極6から発生される。再生ヘッド部は、下部シールド208と上部シールド210の間に配置された再生センサ207等により構成される。図示されてはいないが、コイルの励磁電流や再生センサの駆動電流及び高周波磁界発生素子への印加電流は、各々の構成要素毎に設けられた電流供給端子により供給される。図5に示すように、トレーリングシールド7は素子高さ方向上方にて主磁極6の方へ延び、互いに磁気的な回路を構成している。ただし、素子高さ方向上方においては電気的には絶縁されているものとする。その結果、主磁極6からスピントルク発振器201を介してトレーリングシールド7へ、直列の電気回路が形成されるため、主磁極6及びトレーリングシールド7に電極を接続することで、スピントルク発振器201へスピントルク発振に必要な電流を流すことが可能である。実施例4に示した磁気ヘッド、及び磁気記録媒体を組み込んで磁気記録再生装置を構成した。図6は本実施例の磁気記録再生装置の全体構成を示す模式図であり、図6Aは上面図、図6BはそのA-A′での断面図である。磁気記録媒体磁気ディスク101は回転軸受け104に固定され、モータ100により回転する。図6では3枚の磁気ディスク、6本の磁気ヘッドを搭載した例について示したが、磁気ディスクは1枚以上、磁気ヘッドは1本以上あれば良い。磁気記録媒体101は、円盤状をしており、その両面に記録層を形成している。スライダ102は、回転する記録媒体面上を略半径方向移動し、先端部に磁気ヘッドを有する。サスペンション106は、アーム105を介してロータリアクチユエータ103に支持される。サスペンション106は、スライダ102を磁気記録媒体101に所定の荷重で押しつける又は引き離そうとする機能を有する。ロータリアクチュエータ103によってアーム105を駆動することにより、スライダ102に搭載された磁気ヘッドは、磁気記録媒体101上の所望トラックに位置付けられる。磁気ヘッドの各構成要素を駆動するための電流はICアンプ113から配線108を介して供給される。記録ヘッド部に供給される記録信号や再生ヘッド部から検出される再生信号の処理は、リードライト用のチャネルIC112により実行される。また、磁気記録再生装置全体の制御動作は、メモリ111に格納されたディスクコントロール用プログラムをプロセッサ110が実行することにより実現される。従って、本実施例の場合には、プロセッサ110とメモリ111とがいわゆるディスクコントローラを構成する。上述したような構成について、本発明の磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気記録再生装置を試験した結果、充分な出力と、高い記録密度を示し、また動作の信頼性も良好であった。なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。"