基板と、前記基板上に形成された電極パッドと、前記電極パッドを露出させる開口を有し、前記基板上に形成された保護絶縁膜と、樹脂コアと、前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って形成された導電膜と、を有し、前記頂面からの前記導電膜の引き出し方向における前記頂面の幅をWとすると、前記頂面において、前記引き出し方向側におけるW/2よりも広い範囲の部分が、前記引き出し方向に向けて下り傾斜していることを特徴とする半導体装置。前記頂面は、平面視において、前記引き出し方向に向けて幅広に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記頂面における前記引き出し方向の端部と、前記樹脂コアの底面における前記引き出し方向の端部と、が交わっていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記樹脂コアの前記引き出し方向とは反対側の端部の下地の高さが、前記樹脂コアの前記引き出し方向の端部の下地の高さよりも低いことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体装置。前記電極パッドは、前記樹脂コアの下の位置まで延在し、前記樹脂コアの前記引き出し方向とは反対側の端部の前記下地は、前記電極パッドの一部分であり、前記樹脂コアの前記引き出し方向の端部の前記下地は、前記電極パッドの他の一部分の上に位置する前記保護絶縁膜であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記樹脂コアの前記引き出し方向とは反対側の端部の前記下地は、前記基板であり、前記樹脂コアの前記引き出し方向の端部の前記下地は、前記電極パッドの一部分の上に位置する前記保護絶縁膜であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記頂面は、前記引き出し方向とは反対側の端部から、前記引き出し方向の端部に亘って、下り傾斜していることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の半導体装置。前記頂面は、前記樹脂コアの底面と平行な平行部を有することを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の半導体装置。前記導電膜は、前記樹脂コアの側面のうち、前記引き出し方向とは反対側の側面上には形成されていないことを特徴とする請求項1乃至8の何れか一項に記載の半導体装置。前記導電膜は、前記樹脂コアの側面のうち、前記引き出し方向の側面の上にのみ形成されていることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。基板本体と、前記基板本体上に形成された電極であって、樹脂コアバンプと電極パッドとを有する半導体装置の前記樹脂コアバンプと接触される電極と、を有し、前記樹脂コアバンプは、樹脂により構成された樹脂コアと、前記樹脂コアの頂面上から前記電極パッド上に亘って形成された導電膜における前記樹脂コア上の部分と、を含み、前記電極の頂面は、前記導電膜の引き出し方向の反対方向に向けて下り傾斜していることを特徴とする実装基板。電極を有する実装基板と、半導体装置と、を有し、前記半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された電極パッドと、前記電極パッドを露出させる開口を有し、前記基板上に形成された保護絶縁膜と、樹脂コアと、前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って形成された導電膜と、を有し、前記実装基板の前記電極に対して前記樹脂コア上の前記導電膜が接触し、前記樹脂コアの側面の側方への膨出量は、前記引き出し方向の側面の膨出量よりも、その反対側の側面の膨出量の方が大きく、前記樹脂コアの内部応力は、前記引き出し方向側の部分での内部応力よりも、その反対側の部分での内部応力の方が大きいことを特徴とする電子装置。実装基板と、半導体装置と、を有し、前記半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された電極パッドと、前記電極パッドを露出させる開口を有し、前記基板上に形成された保護絶縁膜と、樹脂コアと、前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って形成された導電膜と、を有し、前記実装基板は、基板本体と、前記基板本体上に形成された電極と、を有し、前記実装基板の前記電極の前記頂面に対して前記樹脂コア上の前記導電膜が接触し、前記電極の頂面は、前記導電膜の引き出し方向に向けて下り傾斜していることを特徴とする電子装置。電極パッドが形成された基板上に、前記電極パッドを露出させる開口を有する保護絶縁膜を形成する工程と、樹脂により樹脂コアを形成する工程と、前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って導電膜を形成する工程と、を有し、前記樹脂コアを形成する工程では、前記頂面からの前記導電膜の引き出し方向における前記頂面の幅をWとすると、前記頂面において、前記引き出し方向側におけるW/2よりも広い範囲の部分が、前記引き出し方向に向けて下り傾斜するように、前記樹脂コアを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。しかしながら、特許文献1、2の形状の樹脂コアバンプでは、樹脂コアの側面の膨出量が、導電膜の引き出し方向の側面説明の便宜上、第1側面というと、その反対側の側面説明の便宜上、第2側面というとで同程度になる。このため、導電膜において、樹脂コアの第1側面上に形成された部位に対し、樹脂コアの第2側面上に形成された部位に加わる応力ストレスと同程度の応力が加わってしまう。このため、導電膜における引き出し方向の部分第1側面上の部分への応力に起因して、導電膜が損傷断線等してしまうことを、十分に抑制することが困難だった。本発明は、基板と、前記基板上に形成された電極パッドと、前記電極パッドを露出させる開口を有し、前記基板上に形成された保護絶縁膜と、樹脂コアと、前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って形成された導電膜と、を有し、前記頂面からの前記導電膜の引き出し方向における前記頂面の幅をWとすると、前記頂面において、前記引き出し方向側におけるW/2よりも広い範囲の部分が、前記引き出し方向に向けて下り傾斜していることを特徴とする半導体装置を提供する。この半導体装置によれば、樹脂コアの頂面において、導電膜の引き出し方向側におけるW/2よりも広い範囲の部分が、引き出し方向に向けて下り傾斜している。これにより、実装時の圧力によって樹脂コアの側面が膨出する際に、樹脂コアの引き出し方向側の側面の膨出量を、その反対側の側面の膨出量と比べて抑制することができる。その結果、樹脂コア上に形成された導電膜における引き出し方向側の部分への応力を抑制することができる。よって、樹脂コア上に形成された導電膜における引き出し方向側の部分への応力に起因して、導電膜が損傷してしまうことを、十分に抑制することができる。また、本発明は、基板本体と、前記基板本体上に形成された電極であって、樹脂コアバンプと電極パッドとを有する半導体装置の前記樹脂コアバンプと接触される電極と、を有し、前記樹脂コアバンプは、樹脂により構成された樹脂コアと、前記樹脂コアの頂面上から前記電極パッド上に亘って形成された導電膜における前記樹脂コア上の部分と、を含み、前記電極の頂面は、前記導電膜の引き出し方向に向けて下り傾斜していることを特徴とする実装基板を提供する。また、本発明は、電極を有する実装基板と、半導体装置と、を有し、前記半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された電極パッドと、前記電極パッドを露出させる開口を有し、前記基板上に形成された保護絶縁膜と、樹脂コアと、前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って形成された導電膜と、を有し、前記実装基板の前記電極に対して前記樹脂コア上の前記導電膜が接触し、前記樹脂コアの側面の側方への膨出量は、前記引き出し方向の側面の膨出量よりも、その反対側の側面の膨出量の方が大きく、前記樹脂コアの内部応力は、前記引き出し方向側の部分での内部応力よりも、その反対側の部分での内部応力の方が大きいことを特徴とする電子装置を提供する。また、本発明は、実装基板と、半導体装置と、を有し、前記半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された電極パッドと、前記電極パッドを露出させる開口を有し、前記基板上に形成された保護絶縁膜と、樹脂コアと、前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って形成された導電膜と、を有し、前記実装基板は、基板本体と、前記基板本体上に形成された電極と、を有し、前記実装基板の前記電極の前記頂面に対して前記樹脂コア上の前記導電膜が接触し、前記電極の頂面は、前記導電膜の引き出し方向に向けて下り傾斜していることを特徴とする電子装置を提供する。また、本発明は、電極パッドが形成された基板上に、前記電極パッドを露出させる開口を有する保護絶縁膜を形成する工程と、樹脂により樹脂コアを形成する工程と、前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って導電膜を形成する工程と、を有し、前記樹脂コアを形成する工程では、前記頂面からの前記導電膜の引き出し方向における前記頂面の幅をWとすると、前記頂面において、前記引き出し方向側におけるW/2よりも広い範囲の部分が、前記引き出し方向に向けて下り傾斜するように、前記樹脂コアを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。本発明によれば、樹脂コア上に形成された導電膜における引き出し方向側の部分への応力に起因して、導電膜が損傷してしまうことを、十分に抑制することができる。以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。第1の実施形態図1は第1の実施形態に係る半導体装置100の平面図である。図2a~cは、それぞれ図1のX-X矢視断面図である。このうち図2aは実装時の初期段階での状態を示し、図2bは実装時において図2aよりも後の状態を示し、図2cは実装が完了した状態を示す。図3は第1の実施形態に係る半導体装置100の樹脂コア4の断面形状を示す図である。図2aに示すように、本実施形態に係る半導体装置100は、半導体基板基板1と、電極パッド2と、保護絶縁膜3と、を有している。電極パッド2は、半導体基板1上に金属膜を選択的に形成することによって、半導体基板1上に設けられている。保護絶縁膜3は、半導体基板1上及び電極パッド2上に形成されている。この保護絶縁膜3には、電極パッド2の上面を露出させる開口3aが形成されている。半導体装置100は、更に、樹脂により構成された樹脂コア4を有している。樹脂コア4は、例えば、半導体基板1の板面方向において、開口3aとは離間した位置に配置されている。本実施形態の場合、樹脂コア4は、保護絶縁膜3上に形成されている。半導体装置100は、更に、導電膜5を有している。導電膜5は、樹脂コア4の頂面6上から開口3a内の電極パッド2上に亘って形成されている。より具体的には、導電膜5は、例えば、樹脂コア4の頂面6上、樹脂コア4の側面のうち開口3a側の側面8上、この側面8と開口3aとの間に位置する保護絶縁膜3上、及び、開口3a内の電極パッド2上に亘って連続的に形成されている。ここで、樹脂コア4と、導電膜5において樹脂コア4上に形成された部分以下、この部分を電極膜5aというとにより、樹脂コアバンプ7が構成されている。また、導電膜5において、電極膜5a以外の部分、すなわち、電極膜5aと、開口3a内において露出した電極パッド2と、を接続する部分は、以下、配線5bという。以下、頂面6からの導電膜5の引き出し方向図中の矢印A方向を、単に、引き出し方向Aという。本実施形態に係る半導体装置100の樹脂コア4は、以下のような形状的な特徴を有している。引き出し方向Aにおける樹脂コア4の頂面6の幅をWとすると、頂面6において、引き出し方向A側における幅W/2よりも広い範囲の部分が、引き出し方向Aに向けて下り傾斜している。ここで、下り傾斜とは、頂面6が半導体基板1に近づく方向に傾斜することを意味する。本実施形態の場合、例えば、頂面6の全域が、引き出し方向Aに向けて下り傾斜している。すなわち、頂面6は、引き出し方向Aとは反対側の端部6aから、引き出し方向Aの端部6bに亘って、下り傾斜している。なお、頂面6の傾斜角度頂面6の傾斜している部分と半導体基板1の板面とのなす角度は、例えば、5度以上30度以下であることが好ましい。樹脂コア4上の導電膜5電極膜5aは、樹脂コア4に沿って形成されている。このため、頂面6上の電極膜5aも、頂面6と同様に引き出し方向Aに向けて下り傾斜している。図1に示すように、樹脂コア4は、例えば、平面視において矩形状に形成されている。なお、樹脂コア4の平面形状は、その他の形状であっても良い。また、樹脂コア4は、例えば、裾広がりの形状とされ、各側面はテーパー状に形成されている。そして、図1に示すように、頂面6は、平面視において、引き出し方向Aに向けて幅広に形成されている。なお、平面視における頂面6の幅は、引き出し方向Aにおいて一定であっても良い。導電膜5電極膜5aは、例えば、頂面6上において、引き出し方向Aのほぼ全域に亘って延在している。導電膜5は、例えば、樹脂コア4の側面のうち、引き出し方向Aとは反対側の側面9上には形成されていないことが好ましい。より具体的には、例えば、導電膜5は、樹脂コア4の側面のうち、引き出し方向側の側面8以外の側面上には形成されていない。ただし、導電膜5は、樹脂コア4の側面のうち、引き出し方向側の側面8以外の側面上に形成されていても良い。なお、樹脂コア4の横断面形状は、以下のような特徴を有している。図3に示すように、引き出し方向Aにおける樹脂コア4の幅をW2とする。樹脂コア4において、引き出し方向A側における幅W2/2の半部4aの断面積S1が、引き出し方向Aとは反対側における幅W2/2の残部4bの断面積S2よりも小さい。このように、樹脂コア4は、引き出し方向Aにおいて非対称図2及び図3において左右非対称に形成されている。なお、図1に示すように、半導体装置100には、複数の樹脂コアバンプ7を設けることができ、例えば、導電膜5の延在方向が互いに平行となるように、樹脂コア4及び導電膜5の対を並列に配置することができる。次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、以下の第1乃至第3工程を有する。第1工程では、電極パッド2が形成された基板半導体基板1上に、電極パッド2を露出させる開口3aを有する保護絶縁膜3を形成する。第2工程では、樹脂により樹脂コア4を形成する。第3工程では、樹脂コア4の頂面6上から開口3a内の電極パッド2上に亘って導電膜5を形成する。そして、第2工程では、頂面6からの導電膜5の引き出し方向Aにおける頂面6の幅をWとすると、頂面6において、引き出し方向A側におけるW/2よりも広い範囲の部分が、引き出し方向Aに向けて下り傾斜するように、樹脂コア4を形成する。以下、詳細に説明する。先ず、半導体基板1に、回路を構成するトランジスタなどの素子図示略を形成し、さらに半導体基板1上に多層配線層図示略を形成する。この多層配線層は、最上層に電極パッド2を有する。次に、多層配線層上に保護絶縁膜3を形成する。保護絶縁膜3は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜、或いは、シリコン窒化膜により構成することができる。次に、保護絶縁膜3を選択的に除去することにより、開口3aを形成する。開口3aは、電極パッド2上に位置しており、保護絶縁膜3から電極パッド2を露出させる。次に、保護絶縁膜3上及び電極パッド2上に、感光性樹脂膜図示略をスピンコーティング法などにより形成する。次に、フォトマスク図示略を介して感光性樹脂膜を部分的に露光した後で現像することにより、感光性樹脂膜を保護絶縁膜3上に選択的に残留させる。ここで、感光性樹脂膜の露光を多階調マスクを用いて行うことによって、例えば、現像後の段階での感光性樹脂膜の頂面が引き出し方向Aに向けて階段状に下るような形状となるようにする。次に、熱処理により感光性樹脂膜を硬化させる。この熱処理の際には、感光性樹脂膜の頂部を加熱により流動及び変形させる。これにより、現像後には階段状であった感光性樹脂膜の頂面を、引き出し方向Aに向けて均一な傾斜角度で下り傾斜する形状となるように感光性樹脂膜を加工する感光性樹脂膜の形状を鈍らせることができる。こうして、感光性樹脂膜により構成される樹脂コア4を、上述したような頂面6が傾斜した形状となるように、保護絶縁膜3上に形成することができる。次に、樹脂コア4上から開口3a内の電極パッド2上に亘って導電膜5を形成する。すなわち、樹脂コア4上、保護絶縁膜3上及び開口3a内の電極パッド2上に金属膜例えばAu膜:図示略をスパッタリング法等により形成した後、この金属膜上にレジストパターン図示略を形成する。次に、このレジストパターンをマスクとして金属膜をエッチングすることにより、金属膜を選択的に除去し、該金属膜を導電膜5の形状に加工する。その後、レジストパターンを除去する。こうして、半導体装置100を製造することができる。次に、本実施形態に係る電子装置150を説明する。図4は実施形態に係る電子装置150の断面図である。本実施形態に係る電子装置150は、本実施形態に係る半導体装置100と、電極152を有する実装基板151と、を有している。そして、実装基板151の電極152に対して樹脂コアバンプ7が接続されている。すなわち、電極152に対して樹脂コア4上の導電膜5つまり電極膜5aが接触している。半導体装置100を図4に示すように実装基板151に実装することにより、電子装置150を製造することができる。すなわち、半導体装置100の樹脂コアバンプ7を実装基板151の電極152に接続することにより、半導体装置100を実装基板151に対して実装し、半導体装置100と実装基板151とを相互に電気的に接続することができる。なお、電極152は、例えばランドであるが、ランドに限定されない。半導体装置100を実装基板151に実装した後は、更に、実装基板151と半導体装置100との間隔に実装封止樹脂図示略を充填及び硬化させることができる。ここで、半導体装置100が液晶表示装置用のドライバである場合、半導体装置100は、ガラス基板である実装基板151にCOGChipOnGlass実装する。或いは、半導体装置100は、実装基板151としての配線基板に実装しても良いし、フィルム基板にCOFChipOnFilm実装しても良い。樹脂コアバンプ7は、実装により外部電極としての電極152と相互に押し付けられることによって、圧縮され変形する潰れる。ここで、図2を参照して、実装時における樹脂コアバンプ7の挙動を説明する。先ず、半導体装置100において樹脂コアバンプ7が形成されている面と、実装基板151図4において電極152が形成されている面とを対向させ、これら両面を互いに近づけることにより、電極152に対して電極膜5aを接触させる図2a。ここで、樹脂コア4の頂面6が引き出し方向Aに向けて下り傾斜しているため、図2aに示すように、電極膜5aにおいて引き出し方向Aとは反対側の端部が先に電極152に接触する。その後、電極152と電極膜5aとの良好な密着が得られるように、更に半導体装置100と実装基板151とを互いに近づけることにより、樹脂コアバンプ7は徐々に押し潰される。ここで、樹脂コアバンプ7は、頂面6における引き出し方向Aとは反対側の端部6aの周辺の樹脂が押し退けられる力を受ける。このため、樹脂コア4は、端部6aに近い側面引き出し方向Aとは反対側の側面9を含むが外方に大きく膨出する図2b、図2c。一方、樹脂コア4において端部6aから遠い部分には、端部6aから遠い側面つまり引き出し方向A側の側面8が大きく膨らむ程の力は受けない図2b、図2c。このため、側面8上の電極膜5aに加わる応力を抑制することができる。ここで、例えば、頂面6上の電極膜5aがその全面に亘って電極152に接触し、側面8が僅かに膨らんだ状態図2cで電極152に対する樹脂コアバンプ7の押し込みが止まる実装が完了するように設計することにより、導電膜5に対し、断線するほどの応力は加わらないようにすることができ、導電膜5の断線を抑制することが可能となる。樹脂コアバンプ7の電極膜5aと実装基板151の電極152とは、樹脂コア4における端部6aの近傍の部位の弾性力により、良好な密着状態に保持されるため、電極膜5aと電極152とを確実に電気的に接続することができる。このような実装により電子装置150が得られるため、電子装置150は、以下の特徴を有する。すなわち、樹脂コア4の側面の側方への膨出量は、引き出し方向Aの側面8の膨出量よりも、その反対側の側面9の膨出量の方が大きい。また、樹脂コア4の内部応力は、引き出し方向A側の部分端部6b及び側面8の近傍の部分での内部応力よりも、その反対側の部分端部6a及び側面9の近傍の部分での内部応力の方が大きい。また、実装時は、樹脂コアバンプ7と電極152との間に生じる側断面形状がくさび状の空間10図2a、図2bを徐々に埋めながら電極膜5aと電極152とが密着していく動作となる。このため、NCFNonConductiveFilmに代表される実装樹脂や空気などの不要物を、電極膜5aと電極152との間からスムーズに排除することができるので、両者の安定した電気的接続を実現することが可能である。なお、樹脂コア4の引き出し方向Aの側面8以外の側面例えば、側面9を含む3つの側面は、導電膜5で覆われていない方が実装時の膨らみが容易に生じるようにできるため好ましいが、導電膜5で覆われていても良い。また、上述のように、頂面6は、平面視において、引き出し方向Aに向けて幅広に形成されている。逆に言えば、引き出し方向Aの反対方向に向けて幅狭に形成されている。このため、頂面6は、端部6aの近傍の部分の平面積が、端部6bの近傍の部分の平面積と比べて相対的に小さい。よって、樹脂コア4の端部6aの近傍の部分において、加圧による変形量押し潰される量を大きくすることができるとともに、端部6bの近傍の部分の変形量を小さくすることができる。よって、相乗的に、側面8上の電極膜5aに加わる応力を抑制することができる。以上のような第1の実施形態によれば、樹脂コア4の頂面6において、導電膜5の引き出し方向A側におけるW/2よりも広い範囲の部分が、引き出し方向Aに向けて下り傾斜している。これにより、実装時の圧力によって樹脂コア4の側面が膨出する際に、樹脂コア4の引き出し方向側の側面8の膨出量を、その反対側の側面9の膨出量と比べて抑制することができる。その結果、樹脂コア4上に形成された導電膜5における引き出し方向側の部分への応力を抑制することができる。よって、樹脂コア4上に形成された導電膜5における引き出し方向側の部分への応力に起因して、導電膜5が損傷断線などしてしまうことを、十分に抑制することができる。<第1の実施形態の変形例>図5は第1の実施形態の変形例に係る半導体装置の樹脂コア4の断面形状を示す図である。上記の第1の実施形態では、樹脂コア4の頂面6が、引き出し方向Aとは反対側の端部6aから、引き出し方向Aの端部6bに亘って、引き出し方向Aに向けて下り傾斜している例を説明した。これに対し、この変形例では、図5に示すように、樹脂コア4の頂面6は、引き出し方向Aの反対方向に向けて下り傾斜している部分62を有している。ただし、本変形例でも、頂面6において、引き出し方向A側における幅W/2よりも広い範囲の部分61が、引き出し方向Aに向けて下り傾斜している。このような変形例によっても、上記の第1の実施形態と同様の効果が得られる。第2の実施形態図6は第2の実施形態に係る半導体装置200の平面図である。図7a、bは、それぞれ図6のX-X矢視断面図である。このうち図7aは実装前の状態を示し、図7bは実装後の状態を示す。本実施形態の場合、頂面6における引き出し方向Aの端部6bと、樹脂コア4の底面11における引き出し方向の端部11bと、が交わっている接している。例えば、小さい電流のみを扱う回路を備えた半導体装置の場合、実装基板側の電極152図4と樹脂コアバンプ7の電極膜5aとの接触面積を小さくする代わりに、抵抗ばらつきに大きく影響する導電膜5の被覆性樹脂コア4に対する電極膜5aの被覆性を向上させることが有益なことがある。このような場合に、図6及び図7に示すように、頂面6の傾斜面が樹脂コア4の底部まで形成された構造とすることにより、導電膜5の被覆性を向上させることができる。すなわち、図4の構造では同図において符号5cで示される導電膜5の一部分の膜厚がその周囲の部分と比べて薄くなってしまう可能性がある。これに対し、図6及び図7に示す構造とすることにより、樹脂コア4の端部11bでの立ち上がりを図4の構造と比べて緩やかにできるため、図4の符号5cに対応する箇所、すなわち、図7において樹脂コア4の端部11bの上に位置する導電膜5の膜厚を十分に厚く形成しやすくなる。なお、本実施形態の場合、頂面6は、側面と捉えることもできる。本実施形態の場合も、動作は第1の実施形態と同様であるが、図7からも明らかなように、樹脂コア4の底部4cでの頂面6側面とも言えるの傾斜を第1の実施形態よりも容易に緩やかにすることができるので、導電膜5への応力を大きく緩和することができる。第3の実施形態図8は第3の実施形態に係る半導体装置300の平面図である。図9は図8のX-X矢視断面図である。実装時に樹脂コアバンプ7の高さばらつきを吸収するには、押圧時の樹脂コア4の変形量を大きくすることが望ましい。しかしながら、樹脂コア4の全体で均一に変形量を大きくすると、課題である導電膜5へのストレスも増加してしまう。この問題を解決する為には、引き出し方向Aの側面8での樹脂コア4の膨出を抑えつつ、他の側面での膨出を増大させることが好ましい。そこで、本実施形態では、図8及び図9に示すように、電極パッド2を樹脂コアバンプ7の下まで延長し、且つ保護絶縁膜3に開口3bを形成し、この開口3b内の電極パッド2以下、延長部21という上及び保護絶縁膜3上に樹脂コア4を設けた構造が好適である。以下、その理由を説明する。樹脂コア4の変形量を大きくする方法の一つとして、樹脂コア4を構成する樹脂が膨らむ余裕度を増やす、つまり頂面6の面積に対する側面の面積の比を増やす方法がある。その方法としては、側面の傾斜を緩やかにすることによって側面の面積を増やす方法もあるが、半導体装置100の面積を増やすことになり、現実的でない。そのため、樹脂コア4の高さを大きくして側面の面積を増やす方法が好ましいが、樹脂コア4の占有面積をそのままにして全体的に高さを大きくすると樹脂コア4の裾部の傾斜が急峻となり、これも現実的でない。そこで、本実施形態では、図8及び図9に示すように、電極パッド2を樹脂コアバンプ7の下まで延長し電極パッド2に延長部21を設け、保護絶縁膜3に延長部21を露出させる開口3bを形成し、樹脂コア4を形成する。ここで、樹脂コア4は、配線引き出し方向の底部のみ保護絶縁膜3上に配置し、残りの底部を電極パッド2の延長部21上に配置する。すなわち、電極パッド2は、樹脂コア4の下の位置まで延在し、樹脂コア4の引き出し方向Aとは反対側の端部の下地は、電極パッド2の一部分延長部21であり、樹脂コア4の引き出し方向Aの端部の下地は、電極パッド2の他の一部分の上に位置する保護絶縁膜3である。これにより、引き出し方向A側での樹脂コア4の高さ図9の高さh2を変更せずに、引き出し方向Aとは反対側での樹脂コア4の高さ図9の高さh1を高くすることができる。すなわち、樹脂コア4の引き出し方向Aとは反対側の端部の下地つまり延長部21の高さが、樹脂コア4の引き出し方向Aの端部の下地つまり保護絶縁膜3の高さよりも低い構造が得られる。その結果、引き出し方向Aとは反対側での樹脂コア4の膨出量が増加し、引き出し方向Aとは反対側での押圧力の吸収性能を高めることができる。よって、引き出し方向Aでの樹脂コア4の膨らみを抑制しつつ、他の側面の膨らみを増やすことができる。すなわち、押圧時の樹脂コア4の変形量が増し、実装時の樹脂コアバンプ7の高さばらつきの吸収を一層好適に行うことができる。<第3の実施形態の変形例>図10は第3の実施形態の変形例に係る半導体装置350の断面図である。この変形例では、上記の第3の実施形態よりもh1/h2比を大きくする為に、図10に示すように、電極パッド2の延長部21の形状を変更している。すなわち、上記の第3の実施形態では、樹脂コアバンプ7の全体の下に延長部21が存在している例を説明したが、この変形例では、延長部21は、樹脂コア4における引き出し方向A側の端部の下まで存在し、樹脂コア4における引き出し方向Aとは反対側の部分の下には延長部21が存在していない。すなわち、樹脂コア4の引き出し方向Aとは反対側の端部の下地は、半導体基板1であり、樹脂コア4の引き出し方向Aの端部の下地は、電極パッド2の一部分延長部21の上に位置する保護絶縁膜3である。これにより、上記の第3の実施形態よりもh1/h2比を大きくし、押圧時の樹脂コア4の変形量を更に増すことができる。第4の実施形態図11は第4の実施形態に係る半導体装置400の平面図である。図12は図11のX-X矢視断面図である。上記の各実施形態では、樹脂コア4の頂面6の全体が傾斜している例を説明した。しかし、樹脂コア4の頂面6の全体が傾斜していると、樹脂コア4或いは樹脂コアバンプ7の高さ測定などで光学測定器を使用している場合は、フォーカスずれなどにより正確に計測できない可能性がある。そこで、本実施形態の場合、図11及び図12に示すように、樹脂コア4の頂面6の一部分は、樹脂コア4の底面と平行な平行部12となっている。よって、光学測定器を使用して、樹脂コア4或いは樹脂コアバンプ7の高さ測定を好適に行うことができる。なお、本実施形態の場合も、頂面6において、引き出し方向A側における幅W/2よりも広い範囲の部分が、引き出し方向Aに向けて下り傾斜しており、上記の第1の実施形態と同様の効果が得られる。第5の実施形態図13は第5の実施形態に係る実装基板500と、この実装基板500に実装される半導体装置550と、を示す断面図である。上記の各実施形態では、樹脂コア4の形状に特徴があるが、本実施形態では、実装基板の電極502の形状に特徴がある。すなわち、本実施形態に係る実装基板500は、板状の基板本体501と、基板本体501上に形成された電極502であって、樹脂コアバンプ7と電極パッド2とを有する半導体装置550の樹脂コアバンプ7と接触される電極502と、を有し、樹脂コアバンプ7は、樹脂により構成された樹脂コア4と、樹脂コア4の頂面6上から電極パッド2上に亘って形成された導電膜5における樹脂コア4上の部分電極膜5aと、を含み、電極502の頂面502aは、導電膜5の引き出し方向Aの反対方向に向けて下り傾斜している。ここで、下り傾斜とは、頂面502aが基板本体501に近づく方向に傾斜することを意味する。なお、本実施形態の半導体装置550においては、樹脂コア4の頂面6は、例えば、樹脂コア4の底面と平行に形成されている。その他の点では、本実施形態の半導体装置550は、上記の第1の実施形態に係る半導体装置100と同様に構成されている。本実施形態の場合、実装の際に、矢印C方向へと樹脂コアバンプ7が電極502に対して押し付けられると、樹脂コア4が傾斜した電極502によって矢印B方向に潰されるため、引き出し方向Aの側面8の膨らみが生じないようにできる。よって、側面8上の導電膜5の損傷を抑制することができる。また、両電極間樹脂コアバンプ7と電極502との間のくさび状の空間13を徐々に埋めながら両電極が密着する動作となるため、両電極間の不要物実装樹脂や空気などをスムーズに排除する効果も併せて得られる。第6の実施形態図14は第6の実施形態に係る半導体装置600の断面図である。上記の各実施形態では、樹脂コア4が、半導体基板1の板面方向において開口3aとは離間した位置に配置されている例を説明した。これに対し、本実施形態では、図14に示すように、樹脂コア4の一部分が、電極パッド2上にまで達するように形成されている。このような第6の実施形態によっても、上記の各実施形態と同様の効果が得られる。