第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主面上に位置する第1導電型の第1炭化珪素半導体層と、前記第1炭化珪素半導体層内に位置する第2導電型のボディ領域と、前記ボディ領域内に位置する第1導電型の不純物領域と、前記第1炭化珪素半導体層上であって、前記ボディ領域および前記不純物領域の少なくとも一部にそれぞれ接して配置された第1導電型の第2炭化珪素半導体層と、前記第2炭化珪素半導体層上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、前記不純物領域と電気的に接続された第1オーミック電極と、前記半導体基板の裏面に設けられた第2オーミック電極とを備え、前記第2導電型のボディ領域は、前記第1炭化珪素半導体層の表面に接する第1ボディ領域と、前記第2導電型のボディ領域の底面に接する第2ボディ領域とを含み、前記第1ボディ領域の平均不純物濃度は、前記第2ボディ領域の平均不純物濃度の2倍以上であり、前記不純物領域の底面は、前記第1ボディ領域の底面より深くに位置している、半導体素子。前記第1オーミック電極を基準とする前記第2オーミック電極および前記ゲート電極に印加される電位はそれぞれVdsおよびVgsであり、ゲート閾値電圧はVthであり、Vgs≧Vthの場合、前記第2炭化珪素半導体層を介して前記第2オーミック電極から前記第1オーミック電極へ電流が流れ、0ボルト≦Vgs<Vthの場合、Vdsが0ボルトよりも小さくなるにつれて、前記ボディ領域から前記第1炭化珪素半導体層へ電流が流れ始める前に前記第1オーミック電極から前記第2炭化珪素半導体層を介して前記第2オーミック電極へ電流が流れる、請求項1に記載の半導体素子。前記半導体基板、前記第1炭化珪素半導体層、前記ボディ領域、前記不純物領域、前記第2炭化珪素半導体層、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極、前記第1オーミック電極、および前記第2オーミック電極は、金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタを構成しており、前記第1オーミック電極の電位を基準とする前記第2オーミック電極の電位をVds、前記第1オーミック電極の電位を基準とする前記ゲート電極の電位をVgs、前記金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタのゲート閾値電圧をVth、前記第2オーミック電極から前記第1オーミック電極へ流れる電流の向きを順方向、前記第1オーミック電極から前記第2オーミック電極へ流れる電流の向きを逆方向と定義すると、Vgs≧Vthの場合、前記金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタは、前記第2炭化珪素半導体層を介して前記第2オーミック電極と前記第1オーミック電極との間を導通し、0ボルト≦Vgs<Vthの場合、前記金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタは、前記順方向に電流を流さず、Vds<0ボルトのとき、前記第1オーミック電極から前記第2炭化珪素半導体層を介して前記第2オーミック電極へ前記逆方向に電流を流すダイオードとして機能し、前記ダイオードの立ち上がり電圧の絶対値は、前記ボディ領域と前記第1炭化珪素半導体層とにより構成されるボディダイオードの立ち上がり電圧の絶対値よりも小さい、請求項1に記載の半導体素子。前記第1ボディ領域の平均不純物濃度が1×1018cm3以上、1×1020cm3以下であり、前記第2ボディ領域の平均不純物濃度が1×1017cm3以上、1×1019cm3以下である、請求項1から3のいずれかに記載の半導体素子。前記第2炭化珪素半導体層は、前記不純物領域、および前記第1炭化珪素半導体層のうち前記第1ボディ領域に隣接する領域と電気的に接続され、前記第1ボディ領域上に配置されている、請求項1から4のいずれかに記載の半導体素子。前記第2炭化珪素半導体層はエピタキシャル成長により形成されている請求項5に記載の半導体素子。前記第1ボディ領域および前記第2ボディ領域は、それぞれ、前記半導体基板の主面と垂直な方向に少なくとも15nmおよび100nmの厚さを有している、請求項1から6のいずれかに記載の半導体素子。前記半導体基板の主面に垂直な方向から見た場合、前記第1ボディ領域の外周と前記第2ボディ領域の外周とは一致している、請求項1から7のいずれかに記載の半導体素子。特許文献2に開示されたSiC半導体装置は、還流ダイオード素子としてSiCのSBDを用いている。SBDは、立ち上がり電圧がSiC-FETのボディダイオードと比較して低い。このため、還流電流が小さいときは、SBDに還流電流が流れるため、ボディダイオードに還流電流が流れることはない。しかしながら、還流ダイオード素子としてSiCのSBDを用いると、炭化珪素半導体材料はまだ高価であるがゆえにSiCのSBDも高価であり、回路コストの増大を招くことになる。更に特許文献2のSiC-FETを電力変換器に用いると、ボディダイオードに還流電流が流れた場合にSiC-FETの耐圧劣化等の故障率が上昇し、信頼性の低い電力変換器となるという問題もある。また、SiC-SBD搭載分だけ部品点数が多くなることで電力変換器がその分大きくなり、小型化軽量化が望まれる電力変換器の要望に逆行することとなる。本発明は、上記従来技術の課題の少なくとも1つを解決し、SiC半導体装置の結晶劣化の進行を抑制することで高信頼性を保つことが可能なSiC半導体素子を提供することにある。また、本発明の他の目的は、損失を低減しつつ高速動作することが可能なSiC半導体素子を提供することにある。本発明の半導体素子は、第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主面上に位置する第1導電型の第1炭化珪素半導体層と、前記第1炭化珪素半導体層内に位置する第2導電型のボディ領域と、前記ボディ領域内に位置する第1導電型の不純物領域と、前記第1炭化珪素半導体層上であって、前記ボディ領域および前記不純物領域の少なくとも一部にそれぞれ接して配置された第1導電型の第2炭化珪素半導体層と、前記第2炭化珪素半導体層上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、前記不純物領域と電気的に接続された第1オーミック電極と、前記半導体基板の裏面に設けられた第2オーミック電極とを備え、前記第2導電型のボディ領域は、前記第1炭化珪素半導体層の表面に接する第1ボディ領域と、前記第2導電型のボディ領域の底面に接する第2ボディ領域とを含み、前記第1ボディ領域の平均不純物濃度は、前記第2ボディ領域の平均不純物濃度の2倍以上であり、前記不純物領域の底面は、前記第1ボディ領域の底面より深くに位置している。ある好ましい実施形態において、前記第1オーミック電極を基準とする第2オーミック電極および前記ゲート電極に印加される電位はそれぞれVdsおよびVgsであり、ゲート閾値電圧はVthであり、Vgs≧Vthの場合、前記第2炭化珪素半導体層を介して前記第2オーミック電極から前記第1オーミック電極へ電流が流れ、0ボルト≦Vgs<Vthの場合、Vdsが0ボルトよりも小さくなるにつれて、前記ボディ領域から前記第1炭化珪素半導体層へ電流が流れ始める前に前記第1オーミック電極から前記第2炭化珪素半導体層を介して前記第2オーミック電極へ電流が流れる。ある好ましい実施形態において、前記半導体基板、前記第1炭化珪素半導体層、前記ボディ領域、前記不純物領域、前記第2炭化珪素半導体層、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極、前記第1オーミック電極、および前記第2オーミック電極は、金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタを構成しており、前記第1オーミック電極の電位を基準とする前記第2オーミック電極の電位をVds、前記第1オーミック電極の電位を基準とする前記ゲート電極の電位をVgs、前記金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタのゲート閾値電圧をVth、前記第2オーミック電極から前記第1オーミック電極へ流れる電流の向きを順方向、前記第1オーミック電極から前記第2オーミック電極へ流れる電流の向きを逆方向と定義すると、Vgs≧Vthの場合、前記金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタは、前記第2炭化珪素半導体層を介して前記第2オーミック電極と前記第1オーミック電極との間を導通し、0ボルト≦Vgs<Vthの場合、前記金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタは、前記順方向に電流を流さず、Vds<0ボルトのとき、前記第1オーミック電極から前記第2炭化珪素半導体層を介して前記第2オーミック電極へ前記逆方向に電流を流すダイオードとして機能し、前記ダイオードの立ち上がり電圧の絶対値は、前記ボディ領域と前記第1炭化珪素半導体層とにより構成されるボディダイオードの立ち上がり電圧の絶対値よりも小さい。ある好ましい実施形態において、前記第1ボディ領域の平均不純物濃度が1×1018cm3以上、1×1020cm3以下であり、前記第2ボディ領域の平均不純物濃度が1×1017cm3以上、1×1019cm3以下である。ある好ましい実施形態において、前記第2炭化珪素半導体層は、前記不純物領域、および前記第1炭化珪素半導体層のうち前記第1ボディ領域に隣接する領域と電気的に接続され、前記第1ボディ領域上に配置されている。ある好ましい実施形態において、前記第2炭化珪素半導体層はエピタキシャル成長により形成されている。ある好ましい実施形態において、前記第1ボディ領域および前記第2ボディ領域は、それぞれ、前記半導体基板の主面と垂直な方向に少なくとも15nmおよび100nmの厚さを有している。ある好ましい実施形態において、前記半導体基板の主面に垂直な方向から見た場合、前記第1ボディ領域の外周と前記第2ボディ領域の外周とは一致している。本発明の半導体装置は、上記いずれかに記載された半導体素子を複数含む半導体装置であって、前記複数の半導体素子の前記半導体基板および第1炭化珪素半導体層は、それぞれ、互いに接続されており、前記半導体基板の主面に平行な面において前記複数の半導体素子を囲む第2導電型のリング領域が前記第1炭化珪素半導体層中に配置されており、前記リング領域の深さ方向の不純物分布は、前記ボディ領域の深さ方向の不純物分布と等しい。本発明によれば、ダイオード電流をpn接合からなるボディダイオードではなく、チャネルに流すので、立ち上がり電圧がボディダイオードよりも低く、導通損失を低減できる。また、ダイオード電流を第2炭化珪素半導体層に多く流すことができるので、ボディ領域と第1炭化珪素半導体層とのpn接合に順方向電流を流すことによる結晶欠陥増加の問題を回避することができる。さらに、pボディ領域を二つの領域で構成することにより、閾値を調整する第1ボディ領域と、ドリフト層とのpn接合を形成する第2ボディ領域の濃度を独立に制御できるため、半導体素子の耐圧不良やリーク不良を抑制することができる。本発明の半導体素子は、チャネル領域として機能する炭化珪素半導体層と、炭化珪素半導体層に流れる電流を制御するゲート電極と、炭化珪素半導体層に電気的に接続された第1オーミック電極および第2オーミック電極とによって構成されるMISFETを含む。このMISFETは、第1オーミック電極の電位を基準とするゲート電極の電位がゼロ以上であってトランジスタの閾値電圧Vth未満の場合に、第1オーミック電極からチャネル領域を介して第2オーミック電極に電流を流すダイオードとして動作する。本願明細書では、第1オーミック電極Sの電位を基準とする第2オーミック電極Dの電位をVds、第1オーミック電極Sの電位を基準とするゲート電極Gの電位をVgsとし、第2オーミック電極Dから第1オーミック電極Sへ流れる電流の向きを順方向、第1オーミック電極Sから第2オーミック電極Dへ流れる電流の向きを逆方向と定義する。なお、電位および電圧の単位は、いずれも、ボルトVである。第1の実施形態以下、図面を参照しながら、本発明による半導体素子の第1の実施形態を説明する。図1aは本実施形態の半導体素子100の断面を模式的に示している。図1aには、一点鎖線の右側および左側にそれぞれ位置する2つの半導体素子100の断面が示されている。これらは、ユニットセル100uを構成しており、市販される半導体装置は、複数のユニットセルを含む。半導体素子100は、第1導電型の半導体基板101と、半導体基板101の主面上に位置する第1導電型の第1炭化珪素半導体層102’とを備える。本実施形態では、第1導電型がn型であり第2導電型がp型である。しかし、第1導電型がp型であり第2導電型がn型であってもよい。半導体基板101は、n型の導電性を有し炭化珪素によって構成される。第1炭化珪素半導体層102’は、n型である。nまたはpの導電型の右肩の又は-は、不純物の相対的な濃度を表している。nはnよりもn型不純物濃度が高いことを意味し、nはnよりもn型不純物濃度が低いことを意味している。第1炭化珪素半導体層102’内には、第2導電型のボディ領域103が設けられている。第1炭化珪素半導体層102’のボディ領域103以外の領域をドリフト領域102と呼ぶ。ボディ領域103は、第2導電型の第1ボディ領域103aと第2導電型の第2ボディ領域103bとを含む。第1ボディ領域103aは、第1炭化珪素半導体層の表面102’sに接しており、第2ボディ領域103bはボディ領域103の底面103uに接している。第1ボディ領域103aおよび第2ボディ領域103bは、それぞれ、半導体基板101の主面と垂直な方向に少なくとも15nm、100nmの厚さを有している。本実施形態では、第1ボディ領域103aはp型であり、第2ボディ領域103bはp型である。以下において詳細に説明するように、第1ボディ領域103aの平均不純物濃度は、第2ボディ領域103bの平均不純物濃度の2倍以上であることが好ましい。ボディ領域103は第1導電型の第1炭化珪素半導体層102’に第2導電型の不純物を導入することにより形成される。このため、ボディ領域103は、第1導電型の不純物および第2導電型の不純物を含んでおり、第2導電型の不純物濃度の方が第1導電型の不純物濃度より高くなっている領域として規定される。ボディ領域103の底面103uでは、ボディ領域103と接するドリフト領域102第1炭化珪素半導体層102’の第1導電型の不純物濃度と、第2ボディ領域103bの第2導電型の不純物濃度とが等しくなっている。また、半導体基板101の主面に垂直な方向から見た場合、第1ボディ領域103aの外周と第2ボディ領域103bの外周とは一致している。ボディ領域103内には、第1導電型の不純物領域104が位置している。より具体的には、第1炭化珪素半導体層102’の表面102’sに接し、第1ボディ領域103a内に不純物領域104が設けられている。好ましくは、第1ボディ領域103aの底面は、不純物領域104の底面104uより深くに位置している。不純物領域104はn型である。不純物領域104は、第1導電型の領域として機能する領域として定義される。このため、不純物領域104の底面104uは、第1導電型の領域として機能している領域と、ボディ領域103として機能する領域の境界に位置する。好ましくは、第1ボディ領域103aには第2導電型のコンタクト領域105が形成されている。コンタクト領域105は、p型であることが好ましい。コンタクト領域105は、第2ボディ領域103bに接している。不純物領域104上には第1オーミック電極109が形成されている。第1オーミック電極109は、不純物領域104およびコンタクト領域105の表面に形成され、不純物領域104およびコンタクト領域105の両方と電気的に接触している。第1ボディ領域103aの不純物濃度が十分に大きい場合には、コンタクト領域105を設けなくてもよい。この場合、不純物領域104に、第1ボディ領域103aを露出するコンタクトトレンチを設け、トレンチ内に第1オーミック電極109を形成することにより第1ボディ領域103aと第1オーミック電極109とを直接接させてもよい。ドリフト領域102のうち、ボディ領域103と隣接する領域102j、つまり、隣接する2つのユニットセルの各ボディ領域103間に挟まれる領域102jを、説明を簡便にするためにJFETJunctionFieldEffectTransistor領域と呼ぶこととする。この領域は第1炭化珪素半導体層102’からなるため、不純物濃度は第1炭化珪素半導体層102’と同じであってもよいが、JFET領域102jにおける抵抗低減のために、第1導電型の不純物ここではn型をイオン注入等により導入し、第1炭化珪素半導体層102’よりも不純物濃度を高くしてもよい。第1炭化珪素半導体層102’上には、ボディ領域103および不純物領域104の少なくとも一部にそれぞれ接する第1導電型の第2炭化珪素半導体層106が設けられている。第2炭化珪素半導体層106はより好ましくは、不純物領域104および第1炭化珪素半導体層102’のうち、第1ボディ領域103aに隣接するJFET領域102jと電気的に接続されており、かつ、第1ボディ領域103a上に形成されている。本実施形態では、第2炭化珪素半導体層106は、エピタキシャル成長によって形成されている。第2炭化珪素半導体層106は、第1ボディ領域103aに接する領域内にチャネル領域106cを含んでいる。チャネル領域106cの長さチャネル長Lは、図1aに示されている2つの双方向矢印で示される長さに相当する。すなわち、MISFETのチャネル長は、図面上における、第1ボディ領域103aの上面第2炭化珪素半導体層106と接する表面の水平方向サイズで規定される。第2炭化珪素半導体層106の上にはゲート絶縁膜107が形成されている。ゲート絶縁膜107の上にはゲート電極108が形成されている。ゲート電極108は少なくともチャネル領域106cの上方に位置している。ゲート電極108を覆うように層間絶縁膜111が形成され、層間絶縁膜111上に上部配線電極112が形成されている。上部配線電極112は層間絶縁膜111に設けられたコンタクトホール111cを介して第1オーミック電極109に接続されている。半導体基板101の裏面には、第2オーミック電極110が形成されている。第2オーミック電極110にはさらに裏面配線電極113が形成されている。半導体素子100のユニットセル100uは、上部配線電極112側から半導体素子100を見た場合、例えば正方形状を有している。ユニットセル100uは、長方形や、4角形以外の長方形、多角形形状を有していてもよい。図1bは、ユニットセル100uの配置を示している。図1bに示すように、ユニットセル100uは、例えば、xおよびy方向に2次元に配列されており、y方向の配列は交互に1/2ずつシフトしている。ユニットセル100uが一方向に長い形状を有する場合は、図1cに示すように並列に配置してもよい。ここのように配置された複数のユニットセル100uによって、半導体装置が構成される。次に半導体素子100の動作を説明する。半導体素子100において、第2炭化珪素半導体層106と、第2炭化珪素半導体層106に流れる電流を制御するゲート電極108と、ゲート電極108とゲート絶縁膜107と、第2炭化珪素半導体層106と、第2炭化珪素半導体層106に電気的に接続された第1オーミック電極109および第2オーミック電極110とによってMISFETが構成される。MISFETの閾値電圧順方向電流の閾値電圧をVthとすると、MISFETは、Vgs≧Vthの場合オン状態となり、Vds>0Vであれば、第2炭化珪素半導体層106を介して第2オーミック電極110から第1オーミック電極109へ電流が流れる。一方、Vgs<Vthの場合、トランジスタとしてはオフ状態になる。しかし、このMISFETは、オフ状態であっても、0V≦Vgs<Vthであり、Vds<0Vのときは、第1ボディ領域103aの不純物濃度と、第2炭化珪素半導体層106の不純物濃度と、第2炭化珪素半導体層106の厚さを適切に選択することにより、第2炭化珪素半導体層106を介して第1オーミック電極109から第2オーミック電極110に電流を流すダイオードとして機能する。以降、本願明細書において、第2炭化珪素半導体層106を介して第1オーミック電極109から第2オーミック電極110に電流を流すダイオードを、チャネルダイオードと呼ぶ。第2オーミック電極110から第1オーミック電極109への向きを順方向、第1オーミック電極109から第2オーミック電極110への向きを逆方向と定義しているため、このダイオードが電流を流す方向は、逆方向である。MISFETのチャネル領域を電流経路とする、このチャネルダイオードは、Vds>Vf0Vf0は負の値の場合に1mA以上の電流を流さず、Vds≦Vf0の場合に1mA以上の電流を流す特性を有している。言い換えると、このダイオードを流れる電流は、Vds>Vf0Vf0は負の値のとき、ほとんどゼロ1mA未満であるが、Vdsをゼロから徐々に小さくしていくVdsの絶対値を増加させていくと、VdsがVf0に達したとき、1mAとなり、更にVdsの絶対値を増加させていくと、増大する。この意味で、Vf0は、ダイオードの電流-電圧特性における立ち上がり電圧に相当する。ダイオードの立ち上がり電圧Vf0、トランジスタの閾値電圧Vthは、いずれも、第1ボディ領域103aの不純物濃度、第2炭化珪素半導体層106の不純物濃度および膜厚、ゲート絶縁膜107の厚さで主に決定される。本実施の形態の半導体素子100は、VthとVf0とを独立に制御することができる。図2は、一例として、ゲート絶縁膜107の厚さを70nmに設定し、第1ボディ領域103aの不純物濃度を1×1019cm3に設定した場合における、第2炭化珪素半導体層106の不純物濃度およびその膜厚と、トランジスタの閾値電圧Vthおよびチャネルダイオードの立ち上がり電圧の絶対値|Vf0|との関係を示すシミュレーション結果である。図2より、チャネルダイオードの立ち上がり電圧Vf0の絶対値|Vf0|を約1Vとしたい場合、第2炭化珪素半導体層106の不純物濃度を約2.5×1017cm3とし、第2炭化珪素半導体層106の膜厚を約70nmに設定すれば、半導体素子100のVthは約3.5Vとなる。また、第2炭化珪素半導体層106の不純物濃度を約1.5×1018cm3とし、第2炭化珪素半導体層106の膜厚を約30nmに設定すれば、|Vf0|は約1Vを維持したまま、半導体素子100のVthを約6Vに設定できる。本実施の形態の半導体素子100は、ボディ領域103の表面側つまり第1ボディ領域103aの不純物濃度および第2炭化珪素半導体層106の不純物濃度をいずれも高くすることができる。これにより、ドリフト領域102と第2ボディ領域103bとによって形成されるボディダイオードに電流が流れ始めるVfの絶対値よりもVf0の絶対値を小さく設定でき、MISFETがオフ状態であり、0V≦Vgs<Vthであり、Vds<0Vである場合において、ボディダイオードに電流が流れ始める前にチャネルダイオードに電流を流すことが可能となる。一方、半導体素子100の耐圧は、主に、第2ボディ領域103bとドリフト領域102第1炭化珪素半導体層102’によって構成されるpn接合により決定される。第2ボディ領域103bの不純物濃度が高い場合、第1オーミック電極109に対して第2オーミック電極110に正のバイアスを印加すると、第2ボディ領域103bとドリフト領域102からなるpn接合には逆方向の電圧が印加されることになるので、その界面で電界集中が起こる。第2ボディ領域103bの濃度が高いほど、電界集中は起こりやすくなり、特に、図1aで示すように、ボディ領域103の角103cで電界が強くなり、半導体素子100の耐圧が決定される。つまり、角103cにおけるp型の不純物濃度が低い方が、半導体素子100の耐圧は維持される。逆に、不純物濃度が高くなると耐圧が劣化する。また、ボディ領域103は主に炭化珪素に対してイオン注入で形成され、炭化珪素へイオン注入された不純物は、Si半導体と比較して活性化は不完全であるため、ボディ領域103の不純物濃度が高くなると、ボディ領域103の回復しきれない注入欠陥の影響が少なからずあり、リーク電流が発生しやすくなる。よって、第2ボディ領域103bの濃度はある程度低い方が好ましい。本実施形態の半導体素子100は、ボディ領域103が第1ボディ領域103aおよび第2ボディ領域103bに分割されており、これらの領域の不純物濃度を独立して制御できる。すなわち、一方で、ダイオードの立ち上がり電圧Vf0を、第1ボディ領域103aの不純物濃度を調整することによって制御でき、他方で、半導体素子100の耐圧を、第2ボディ領域103bの不純物濃度を調整することによって制御できる。例えば、第1ボディ領域103aの平均不純物濃度を1×1018cm3以上、1×1020cm3以下とし、第2ボディ領域103bの平均不純物濃度を1×1017cm3以上、1×1019cm3以下とする。なお、望ましくは、第1ボディ領域103aの平均不純物濃度は、前記第2ボディ領域103bの平均不純物濃度の2倍以上とする。また、半導体素子100において、第2炭化珪素半導体層106を、不純物領域104およびJFET領域102j上に形成している。言い換えると、第2炭化珪素半導体層106は、ドリフト領域102の上面に接触している。これにより、第1オーミック電極109に対して第2オーミック電極110を負逆方向にした際のチャネルダイオードに流れる電流は、第1オーミック電極109に対して第2オーミック電極110を正順方向にした際のトランジスタのオン電流に対して遜色ない電流量トランジスタの定格オン電流の1/5以上、2倍以下を確保できる。例えば、Vgs=15Vにおいて、トランジスタのオン電流が15AVds=1Vである場合、Vgs=0Vにおいて、チャネルダイオードの電流は約15AVds=2Vとなる。このため、第1オーミック電極109に対して第2オーミック電極110を負逆方向にしても、第2ボディ領域103bおよびドリフト領域102間に形成されるボディダイオードに流れる電流を激減またはゼロさせることが可能となり、チャネルダイオードに多くの電流を流すことができる。したがって、本実施形態の半導体素子100によれば、一般的なインバータ回路に搭載されるMISFETに逆並列接続されるいわゆる環流ダイオードを半導体素子100のチャネルダイオードにて機能させることができる。つまり、半導体素子100は還流ダイオードを内蔵する。また、チャネルダイオードの立ち上がり電圧Vf0の絶対値を、ボディダイオードの立ち上がり電圧の絶対値よりも小さくできるため、インバータ回路における電力損失を低減させることができる。さらに、ボディダイオードに流れる電流を激減させることができるため、半導体素子100の結晶劣化を抑制することができ、高耐圧特性を維持することができる。したがって、半導体素子100は高い信頼性を備える。次に、図3から図5を参照しながら、本実施形態の半導体素子100の製造方法を詳述する。まず、半導体基板101を準備する。半導体基板101は、例えば、低抵抗抵抗率0.02Ωcmのn型4H-SiCオフカット基板である。図3aに示すように、半導体基板101の上に高抵抗の第1炭化珪素半導体層102’をエピタキシャル成長する。第1炭化珪素半導体層102’を形成する前に、半導体基板101上に、高不純物濃度のSiCによって構成されるバッファー層を堆積してもよい。バッファー層の不純物濃度は、例えば、1×1018cm3であり、厚さは1μmである。第1炭化珪素半導体層102’は、例えば、n型4H-SiCによって構成され、不純物濃度および膜厚は、例えばそれぞれ1×1016cm3および10μmである。次に、図3bに示すように、第1炭化珪素半導体層102’の上に、例えばSiO2からなるマスク201を形成し、例えばAlイオンを第1炭化珪素半導体層102’に注入する。ここで形成されるイオン注入領域は、浅い領域に高濃度に形成された第1ボディ注入領域103a’と、第1ボディ注入領域103a’よりも深い領域であって、第1ボディ注入領域103a’よりも低濃度に形成された第2ボディ注入領域103b’を含む。第1ボディ注入領域103a’および第2ボディ注入領域103b’は、注入されたイオンの活性化後、第1ボディ領域103aおよび第2ボディ領域103bとなる。また、第1炭化珪素半導体層102’のうち、第1ボディ領域103aおよび第2ボディ領域103b以外の領域はドリフト領域102となる。図3bのA-B断面におけるイオン注入プロファイルの一例を図5に示す。不純物濃度ドーパント濃度とイオン注入プロファイルは厳密には異なり、イオン注入プロファイルに対して不純物濃度の方が低くなることが多い。これは、注入された不純物の活性化率に起因する。活性化率が100であれば、イオン注入プロファイルと不純物濃度はほぼ等しくなる。仮に活性化率がαとすれば、設計された不純物濃度になるように、例えばイオン注入時のドーズ量を1/α/100倍すればよい。本実施形態のように注入種としてAlを選択する場合、炭化珪素中でのAlの拡散係数が小さいため、拡散による濃度プロファイルの変化はほとんど無視できる。一方、ボロンをボディ領域103の不純物として用いる場合は、あらかじめ活性化率や拡散係数を把握した上で、所望の不純物濃度のプロファイルが得られるように、イオン注入のエネルギーと注入量を選択する必要がある。最終的には、後に説明する図4eにおけるC-D断面の不純物濃度が所望のものになるように、A-B断面のイオン注入プロファイルを設定する。以下、活性化率が100と仮定し、不純物濃度とイオン注入プロファイルがほぼ同じであるとして、図5がボディ領域103第1ボディ領域103aおよび第2ボディ領域103bの不純物濃度プロファイルも示しているとして説明する。第1ボディ領域103aおよび第2ボディ領域103bはイオン注入により形成されるので、ピークとテールを有する。ここで、ピークとは、イオン注入の飛程Rpにおける濃度の極大値であり、テールとは、その極大値から深い方向に向かって濃度が下がっていく部分を示す。例えば図5に示すイオン注入プロファイルは、Alイオンを以下の注入エネルギーおよびドーズ量で注入することにより得られる。30keV:3.0×1013cm270keV:6.0×1013cm2150keV:1.5×1014cm2350keV:4.0×1013cm2この場合、図5において実線で示すように、深さ0.3μmより浅い部分および深い部分がそれぞれ第1ボディ注入領域103a’および第2ボディ注入領域103b’であり、不純物の活性化後、第1ボディ領域103aおよび第2ボディ領域103bとなる。上述したように活性化率が100であると仮定した場合、第1ボディ注入領域103a’および第2ボディ注入領域103b’の不純物濃度はそれぞれ、最大で約1×1019cm3および約2×1018cm3である。活性化率が100であれば、これらの値が、第1ボディ領域103aおよび第2ボディ領域103bの最大不純物濃度となる。また、平均不純物濃度は、それぞれ約9.7×1018cm3および約1.5×1018cm3である。以下、図5が第1ボディ領域103aおよび第2ボディ領域103bの不純物濃度プロファイルを示しているとして説明する。また、図5に示すように、第1ボディ領域103aおよび第2ボディ領域103bの厚さ深さは、それぞれ、半導体基板101の主面と垂直な方向、つまり、第1炭化珪素半導体層102’の厚さ方向に300nmである。ここで、平均不純物濃度とは、第1ボディ領域103aについては、その不純物濃度が2×1018cm3以上となる領域の平均値と定義する。また、第2ボディ領域103bについては、その不純物濃度が5×1017cm3以上となる領域の平均値と定義する。本実施形態では、平均不純物濃度を明確化するために、2×1018cm3以上および5×1017cm3以上という定義を設けたが、設計する素子によってはこの値を変更しても良い。このとき、第1ボディ領域103aの平均不純物濃度は、第2ボディ領域103bの平均不純物濃度の2倍以上、100倍以下であることが望ましい。なお、本実施形態における、2×1018cm3以上および5×1017cm3以上という基準は、第1ボディ領域103aおよび第2ボディ領域103bの境界付近における不純物濃度Sに基づいている。具体的には、S=1×1018cm3と定義し、S×2以上およびS/2以上として、上記平均不純物濃度を算出するための領域を決定している。第1ボディ領域103aの厚さ深さは、チャネルダイオードの立ち上がり電圧Vf0と、第2炭化珪素半導体層106の濃度および膜厚やゲート絶縁膜の厚さに応じて決定される。ゲート電極108に0Vが印加された状態で、第2炭化珪素半導体層106と第1ボディ領域103aの界面から第1ボディ領域103a側へ拡がる空乏層が、第1ボディ領域103a内にとどまっていればよい。このためには、本発明の適用範囲内で考えると、第1ボディ領域103aの厚さは15nm以上であればよい。また、第2ボディ領域103bの厚さは100nm以上であればよい。図3cに示すように、イオン注入後、マスク201を除去し、続いて、マスク202を用いて第1ボディ注入領域103a’に、例えば窒素をイオン注入することによって不純物注入領域104’を形成する。マスク201を残したままで、マスク201の側壁マスクを形成してマスク202を形成しても良い。つまり、第1ボディ注入領域103a’に対して不純物注入領域104’を自己整合的に形成する、いわゆるセルフアラインプロセスを適用しても良い。イオン注入後、マスク202を除去し、図3dに示すように、マスク203を形成した後にAlを注入することによって、コンタクト注入領域105’を形成する。ここで、コンタクト注入領域105’は第2ボディ注入領域103b’に到達することが好ましい。これらのイオン注入後に、マスク203を除去して活性化アニールを行うことで、図3eに示したように、第1ボディ領域103a、第2ボディ領域103b、不純物領域104、コンタクト領域105が形成される。第1ボディ領域103aの深さは例えば300nm、平均的な不純物濃度は約1×1019cm3となるように、イオン注入プロファイルを決定する。第1ボディ領域103aと第2ボディ領域103bを合わせたボディ領域103域全体の深さは例えば550nm、第2ボディ領域103bの平均的な不純物濃度は約2×1018cm3となるようにイオン注入プロファイルを調整する。不純物領域104の深さは例えば250nm、平均的な不純物濃度は約5×1019cm3となるようにイオン注入プロファイルを調整する。ここで、第1ボディ領域103aの深さは、図5の境界によって決定され、第2ボディ領域103bの深さは、例えば5×1017cm3の不純物濃度が得られる深さとする。また、不純物領域104の深さは、例えば5×1017cm3の不純物濃度が得られる深さとする。コンタクト領域105の深さは例えば400nm、平均的な不純物濃度は約1×1020cm3であり、その深さは、例えば5×1017cm3の不純物濃度が得られる深さとする。なお、活性化アニール後の第1炭化珪素半導体層102’の表面清浄化のために、第1炭化珪素半導体層102’の表層を除去する場合がある。例えば第1炭化珪素半導体層102’の表層を50nm除去した場合、第1ボディ領域103a、第2ボディ領域103b、不純物領域104、コンタクト領域105の深さは、すべて50nmほど小さくなり、それぞれ、250nm、200nm、200nm、350nmとなる。次に、図3fに示すように、第1ボディ領域103a、不純物領域104およびコンタクト領域105を含むドリフト領域102の表面全体に、第2炭化珪素半導体層106をエピタキシャル成長させる。本実施形態では、第2炭化珪素半導体層106の不純物濃度Ncm3および厚さdnmを、例えば以下の条件を満たすように調整する。N=2×1018d=30次いで、第2炭化珪素半導体層106の所定部位をドライエッチングした後、例えば熱酸化によって、第2炭化珪素半導体層106の表面にゲート絶縁膜107を形成する。熱酸化によりゲート絶縁膜107を形成した場合、第2炭化珪素半導体層106の一部はゲート絶縁膜107になる。そのため、熱酸化により消失する厚さを考慮し、ゲート絶縁膜107形成後に上記厚さdになるよう、形成する第2炭化珪素半導体層106の厚さを調整する。今の場合、厚さdに対して例えば第2炭化珪素半導体層106を約50nm程度厚く形成し、ゲート絶縁膜形成前の第2炭化珪素半導体層106の清浄化工程と、ゲート絶縁膜形成工程を経て、上記厚さdとなる。その後、ゲート絶縁膜107の表面に、リンを7×1020cm3程度ドーピングした多結晶シリコン膜を堆積する。多結晶シリコン膜の厚さは、例えば、500nm程度である。次に、図3gに示すように、マスク不図示を用いて、多結晶シリコン膜をドライエッチングすることにより、所望の領域にゲート電極108を形成する。続いて、図3hに示すように、ゲート電極108の表面および第1炭化珪素半導体層102’の表面を覆うように、例えばSiO2を用いた層間絶縁膜111をCVD法によって堆積する。層間絶縁膜111の厚さは、例えば、1.5μmである。次に、図4aに示すように、マスク不図示を用いて、ドライエッチングにより、コンタクト領域105の表面上と、不純物領域104の一部の表面上との層間絶縁膜111を除去することによって、コンタクトホール111cを形成する。その後、図4bに示すように、例えば厚さ50nm程度のニッケル膜109’を、層間絶縁膜111上に形成する。図4cに示すように、不活性雰囲気内で例えば950°Cの温度で、5分間熱処理することにより、ニッケル膜109’を炭化珪素表面と反応させ、ニッケルシリサイドで構成される第1オーミック電極109を形成する。次いで、図4dに示すように、エッチングによって、層間絶縁膜111上のニッケル膜109’を除去した後に、半導体基板101の裏面にも、例えばニッケルを全面に堆積させ、同様に熱処理によって炭化珪素と反応させて、第2オーミック電極110を形成する。続いて、層間絶縁膜111上およびコンタクトホール111c内に、厚さ4μm程度のアルミニウム膜を堆積し、所望のパターンにエッチングすることにより、図4eに示すように、上部配線電極112が得られる。なお、図示しないが、チップ端にゲート電極と接触するゲート配線またはゲートパッドも他の領域に形成する。さらに、第2オーミック電極110の裏面に、ダイボンド用の裏面配線電極113として、例えばTi/Ni/Agを堆積する。Ti側が第2オーミック電極110に接する。このようにして、図1に示した半導体素子100が得られる。本発明の半導体素子100によれば、濃度の異なる第1ボディ領域と第2ボディ領域を有し、素子耐圧に影響を与える第2ボディ領域と、トランジスタの閾値電圧Vthおよびチャネルダイオードの立ち上がり電圧Vf0に影響を与える第1ボディ領域を独立に制御することができる。このためチャネルダイオードを還流ダイオードとして用いることができ、高い耐圧および信頼性を有する半導体素子を実現できる。素子耐圧を維持したまま、チャネルダイオードの立ち上がり電圧|Vf0|を小さくし好ましくは1V以下、さらに好ましくは0.6V以下、かつトランジスタの閾値電圧Vthを正に維持好ましくは2V以上8V以下するためには、第1ボディ領域の平均不純物濃度よりも第2ボディ領域の平均不純物濃度を小さくしておくことが好ましい。チャネルダイオードの立ち上がり電圧を1V以下に設計すれば、環流ダイオードの候補であるSiCからなるショットキーダイオードの代替が可能となり、チャネルダイオードの立ち上がり電圧を0.6V以下に設計すれば、Siからなるファストリカバリーダイオードの代替が可能となる。つまり、これらの環流ダイオードを使用することなく、半導体素子100のみで、環流ダイオードの機能を併せ持つことができる。また、順方向電流の閾値電圧Vthは2V以上であることが好ましい。パワー回路であるインバータ回路に一般的に使用する半導体素子MISFETは、ノーマリーオフVth>0Vであることが好ましい。なぜならば、何らかの要因でゲート制御回路が故障し、ゲート電圧が0Vになってしまっても、ドレイン電流を遮断することができるので、安全だからである。また、MISFETの閾値電圧は高温になると低下する。例えば、SiC-MOSFETの場合、100°Cの温度上昇で約1V低下する場合がある。ここで、ノイズでゲートがオンになってしまわないようにノイズマージンを1Vとすれば、室温でのVthは2V1V1V以上に設定することが好ましい。また、閾値電圧が高すぎると、トランジスタをオンする際のゲート電圧もその分大きくなってしまい、ゲート電圧を発生させる電源の制約が多くなってくるため、実用上、閾値電圧は8V以下とすることが好ましい。また、第1ボディ領域の平均不純物濃度よりも第2ボディ領域の平均不純物濃度を小さくしておくことにより、半導体素子における周端部の電界集中緩和構造のプロセス設計も容易となる。これを以下に説明する。図6aは半導体素子100をユニットセルとして複数含む半導体装置100cを、上部配線電極112側から見た模式図である。半導体素子100は、図6aに示すように、四角形に切り出されることが多い。半導体装置100cは、ユニットセル配置部100ulおよび周端部100flからなる。ユニットセル配置部100ulには図1bcで示したユニットセルが配置されている。周端部100flはユニットセル配置部100ulの周辺を取り囲むように配置されている。図6bはすでに図1aで示した半導体素子100のユニットセル100uである。ここで、図6aのE-F断面図を図6cに示す。半導体装置は、周端部100flに配置された第2導電型の注入領域115を含む。注入領域115はユニットセル100uの最外周に主に配置され、ユニットセル100uと同様な平面形状例えば図1bに示した四角形で規定される。半導体装置はさらに第2導電型のリング領域FLR116を含む。リング領域116は、半導体基板101の主面と平行な面において、ユニットセル配置部100ulおよび注入領域115をリング状に取り囲んでおり、単数または複数のリングから構成される。リング領域116の外側には第1導電型の空乏化抑制領域104fが設けられ、リング領域116をさらに取り囲んでいる。注入領域115やリング領域116は素子耐圧に影響を与え、素子端部での電界集中を緩和する役割を有する。素子周端において電界集中を緩和するためには、所望の耐圧を有するために準備されたドリフト領域102に対して反導電型ここではp型の注入領域115やリング領域116を設けることが好ましい。注入領域115やリング領域116を、半導体素子100におけるボディ領域103形成時に同時に形成することで、半導体装置の製造工程を簡略にすることができ、プロセスコストの低減も可能となる。例えば図6cでは、半導体素子100を作製する際に図3bで示した第1ボディ注入領域103a’と第2ボディ注入領域103b’を形成するプロセスにおいて、同時に注入領域115やリング領域116を形成することができる。つまり、注入領域115における第1領域103adおよび第2領域103bdにおいては、それぞれ、第1ボディ領域103aおよび第2ボディ領域103bと、同じ不純物濃度プロファイルを有する。同様に、リング領域116における、第1リング領域103afと第2リング領域103bfの不純物濃度プロファイルも等しい。このように、ユニットセル配置部100ulにおける第1ボディ領域/第2ボディ領域と、周端部100flにおける注入領域115およびリング領域116を同時に形成してプロセス設計を容易にすることは、素子耐圧劣化抑制にも効果がある。素子耐圧劣化を抑制するためには、周端部100flでの電界集中緩和が必須である。ここで電界集中緩和のためには、注入領域115やリング領域116の素子設計が重要となり、例えばリング領域116に形成されたリングの幅や間隔、本数、さらには第2リング領域103bfの不純物濃度が最適に設計され、この素子設計に基づき、半導体プロセスを実現するためのマスクセットが作製される。電界集中はpn接合で主に発生するため、周端部100flにおいては第2領域103bd、第2リング領域103bfの下端に電界集中が発生しやすい。本発明の半導体素子100においては、周端部100flの注入領域115およびリング領域116を、ユニットセル配置部100ulにおける第1および第2ボディ領域103a、103bと同時に形成できる。この場合、一方で素子耐圧に影響する第2ボディ領域103b、第2領域103bd、第2リング領域103bfの不純物濃度を固定し、他方で、第1ボディ領域103aの不純物濃度を任意にプロセス設計して、素子耐圧劣化を抑制しつつ、好ましいVth、|Vf0|を実現できる。つまり、ボディ領域の不純物濃度変更による素子設計変更マスク再作製の必要はなく、同じ素子設計のままで、プロセス設計に自由度を持たせる効果も併せ持っている。第2の実施形態以下、本発明による半導体素子の第2の実施形態を説明する。図7は本発明による半導体素子の第2の実施形態を示す模式的断面図である。半導体素子100Aは図1aに示す半導体素子100とほぼ同じ構造を備えているが、不純物領域104が第1ボディ領域103aから下方にはみ出している点が異なる。つまり、不純物領域104の底面104uは、第1ボディ領域103aの底面103auよりも深くに位置している。また、不純物領域104は、第2ボディ領域103bと接触している。図7において、例えば第1ボディ領域103aの平均不純物濃度および深さ厚さはそれぞれ、1×1019cm3、150nm、不純物領域104の平均不純物濃度および深さ厚さはそれぞれ、5×1019cm3、250nmである。不純物領域104は、第1ボディ領域103aおよび第2ボディ領域103bに対してカウンタードープで形成されている。つまり、不純物領域104中には、第1導電型の不純物だけでなく、第2導電型の不純物も含まれる。図1に示したような、不純物領域104の下方が第1ボディ領域103aに覆われている構成の場合、不純物領域中の第1導電型ドーパントは第2導電型ドーパントに補償されるために、不純物領域の抵抗がその分上がってしまう。第2ボディ領域103bは第1ボディ領域103aよりもその平均不純物濃度は小さく設定しているため、図7に示した構成を取ることで、第1ボディ領域中の高濃度ドーパントに補償される影響の低減が可能となり、つまりは不純物領域の抵抗増を抑制でき、ひいては半導体素子100のオン抵抗増加を抑制できる。本実施形態の半導体素子も第1の実施形態と同様、図6a、b、cに示すように、ユニットセル配置部100ulに配置し、周囲に周端部100flを設けて半導体装置を構成してもよい。なお、本発明の形態において、炭化珪素は4H-SiCで説明したが、他のポリタイプ6H-SiC、3C-SiC、15R-SiCなどでも差し支えない。また、面方位として0001面からオフカットした主面で説明したが、他の面11-20面や1-100面、000-1面およびこれらのオフカット面でも差し支えない。また、基板がSiからなり、ドリフト領域が炭化珪素3C-SiCからなるヘテロ接合を有していてもよい。