"脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物と、エテニル化合物との炭素炭素結合形成反応により、エテニル基を有する化合物を製造する工程を含む下記の式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法。式1中、nは1~6の整数を示し、Aは下記のA1基およびA2基からなる群から選ばれた基を示し、かつ少なくとも一つがA2基である。A1基:炭素数1~6のアルキル基、アルキルオキシ基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい炭素数6~20のアリールオキシ基。A2基:下記の式2で示されるエテニルフェノキシ基。脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物が、下記の式3で示されることを特徴とする請求項1に記載のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法。式3中、mは1~6の整数を示し、Eは下記のE1基およびE2基からなる群から選ばれた基を示し、かつ少なくとも一つがE2基である。E1基:炭素数1~6のアルキル基、アルキルオキシ基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい炭素数6~20のアリールオキシ基。E2基:下記の式4で示される置換フェノキシ基。式4中、Xは脱離基であり、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子のハロゲン原子を示す。炭素炭素結合形成反応が、クロスカップリング反応である請求項1および2に記載のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法。樹脂成分と、式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とを含む難燃性樹脂組成物。熱重合性モノマー、熱重合性オリゴマー、光重合性モノマー、光重合性オリゴマー、放射線重合性モノマーおよび放射線重合性オリゴマーからなる重合性材料群から選ばれた少なくとも一種の重合性材料を含む請求項4に記載の難燃性樹脂組成物。重合開始剤を含んでいてもよい請求項4および5のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物。式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物、若しくは式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物並びに熱重合性モノマー、熱重合性オリゴマー、光重合性モノマー、光重合性オリゴマー、放射線重合性モノマーおよび放射線重合性オリゴマーからなる重合性材料群から選ばれた少なくとも一種の重合性材料、を反応してなる難燃性重合組成物である請求項4から6のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物。前記樹脂成分が、ポリフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアン酸エステル樹脂、ビスマレイミド-シアン酸エステル樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリスチレン樹脂およびポリイソプレン樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項4から7のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物請求項4から8のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物からなる樹脂成形体。請求項9に記載の樹脂成形体を用いた電気電子部品。本発明の目的は、樹脂成形体の難燃性を効果的に高めることができ、樹脂成形体の電気特性、特に、誘電率εおよび誘電正接tanδが低く、しかも耐熱性が高いホスファゼン化合物を実現することにある。本発明者らは、上述の課題を解決すべく研究を重ねた結果、エテニルフェノキシ基を有する環状ホスファゼン化合物を含む新規な難燃性樹脂組成物からなる成形体が、優れた難燃性を示し、同時に電気特性および耐熱性に優れていることを見出した。本発明の製造方法は、本発明に係る下記の式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法に関するものであり、脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物と、エテニル化合物との炭素炭素結合形成反応を行う工程を含んでいる。式1中、nは1~6の整数を示す。また、Aは下記のA1基およびA2基からなる群から選ばれた基を示しかつ少なくとも一つがA2基である。A1基:炭素数1~6のアルキル基、アルキルオキシ基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい炭素数6~20のアリールオキシ基。A2基:下記の式2で示されるエテニルフェノキシ基。本発明の製造方法は、下記の式3で示される脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を使用する。式3中、mは1~6の整数を示す。また、Eは下記のE1基およびE2基からなる群から選ばれた基を示しかつ少なくとも一つがE2基である。E1基:炭素数1~6のアルキル基、アルキルオキシ基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい炭素数6~20のアリールオキシ基。E2基:下記の式4で示される置換フェノキシ基。式4中、Xは脱離基であり、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子等のハロゲン原子を示す。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、クロスカップリング反応を用いた炭素炭素結合形成反応である。本発明の難燃性樹脂組成物は、樹脂成分と式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とを含んでいる。本発明の難燃性樹脂組成物は、熱重合性モノマー、熱重合性オリゴマー、光重合性モノマー、光重合性オリゴマー、放射線重合性モノマーおよび放射線重合性オリゴマーからなる重合性材料群から選ばれた少なくとも一種の重合性材料を含んでいてもよい。本発明の難燃性樹脂組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。本発明の難燃性樹脂組成物は、式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物、若しくは式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物並びに熱重合性モノマー、熱重合性オリゴマー、光重合性モノマー、光重合性オリゴマー、放射線重合性モノマーおよび放射線重合性オリゴマーからなる重合性材料群から選ばれた少なくとも一種の重合性材料、を反応してなる難燃性重合組成物であってもよい。ここで用いられる樹脂成分は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアン酸エステル樹脂、ビスマレイミド-シアン酸エステル樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリスチレン樹脂およびポリイソプレン樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一種である。本発明の樹脂成形体は、本発明の難燃性樹脂組成物からなる。本発明の電気電子部品は、本発明の樹脂成形体を用いたものである。本発明に係るエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、上述のような工程を含むものであるため、本発明に係る特定の構造を有するエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を製造することができる。本発明の難燃性樹脂組成物は、樹脂成分と上述のような特定の構造のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物からなることから、樹脂成形体を形成するための難燃性樹脂組成物において用いられた場合、優れた難燃性および耐熱性を示し、優れた電気特性、特に低誘電率および低誘電正接を達成することができる。本発明の樹脂成形体は、本発明の難燃性樹脂組成物からなるため、優れた難燃性および耐熱性を示し、優れた電気特性、特に低誘電率および低誘電正接を達成することができる。本発明の難燃性樹脂組成物は、上述のような特定の構造のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物からなる難燃性重合組成物を含むことから、樹脂成形体を形成するための難燃性樹脂組成物において用いられた場合、優れた難燃性および耐熱性を示し、優れた電気特性、特に低誘電率および低誘電正接を達成することができる。本発明の電気電子部品は、本発明の樹脂成形体を用いているため、優れた難燃性および耐熱性を示し、優れた電気特性、特に低誘電率および低誘電正接を達成することができる。エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、下記の式1で示されるものである。式1において、nは、1から6の整数を示しているが、本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物としては、式1のnが小さいものの方が、後述する樹脂組成物に用いられた場合において、ガラス転移温度の高い樹脂成形体を実現しやすい。このため、式1のnは、1から4の整数が好ましく、1若しくは2が特に好ましい。すなわち、この環状ホスファゼン化合物として、式1のnが1であるシクロトリホスファゼン化合物3量体、式1のnが2であるシクロテトラホスファゼン化合物4量体、式1のnが3であるシクロペンタホスファゼン化合物5量体、式1のnが4であるシクロヘキサホスファゼン化合物6量体、式1のnが5であるシクロヘプタホスファゼン化合物7量体および式1のnが6であるシクロオクタホスファゼン化合物8量体を挙げることができる。このうち、式1のnが1であるシクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるシクロテトラホスファゼン化合物、式1のnが3であるシクロペンタホスファゼン化合物および式1のnが4であるシクロヘキサホスファゼン化合物が好ましく、nが1のシクロトリホスファゼンおよびnが2のシクロテトラホスファゼンが特に好ましい。また、本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、式1においてnが異なる二種以上のものの混合物であってもよいが、この混合物は、式1のnが小さいホスファゼン化合物の含有量の多いものの方が、後述する樹脂組成物に用いられた場合において、ガラス転移温度の高い樹脂成形体を実現しやすい。したがって、この混合物は、式1のnが1~4のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を重量比率で95以上含む混合物が好ましく、式1のnが1または2のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を重量比率で95以上含む混合物が特に好ましい。式1において、Aは、下記のA1基とA2基からなる群から選ばれた基を示している。[A1基]炭素数が6~20のアリールオキシ基。このアリールオキシ基は、炭素数が1~6のアルキル基、アルキルオキシ基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。このようなアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、エチルメチルフェノキシ基、ジエチルフェノキシ基、n-プロピルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、イソプロピルメチルフェノキシ基、イソプロピルエチルフェノキシ基、ジイソプロピルフェノキシ基、n-ブチルフェノキシ基、sec-ブチルフェノキシ基、tert-ブチルフェノキシ基、n-ペンチルフェノキシ基、n-ヘキシルフェノキシ基、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、n-プロポキシフェノキシ基、iso-プロポキシフェノキシ基、n-ブトキシフェノキシ基、tert-ブトキシフェノキシ基、4-メトキシ-3-メチルフェノキシ基、4-エトキシ-3-メチルフェノキシ基、4-n-プロポキシフェノキシ基、4-iso-プロポキシ-3-メチルフェノキシ基、4-n-ブトキシ-3-メチルフェノキシ基、4-tert-ブトキシ-3-メチルフェノキシ基、フェニルフェノキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基およびフェナントリルオキシ基等を挙げることができる。このうち、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、ジエチルフェノキシ基、メトキシフェノキシ基、フェニルフェノキシ基およびナフチルオキシ基が好ましく、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基およびナフチルオキシ基が特に好ましい。[A2基]下記の式2で示されるエテニルフェノキシ基。式1において、Aは2n4個含まれているが、このうちの少なくとも一つがA2基である。したがって、式1で示される本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、次の形態に大別することができる。[形態1]2n4個の全てのAがA2基のものである。このような形態のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の具体例としては、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式1のnが3であるエテニルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式1のnが4であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物、式1のnが5であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘプタホスファゼン化合物および式1のnが6であるエテニルフェノキシ基含有シクロオクタホスファゼン化合物を挙げることができる。また、この形態のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、これらの好ましいエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の任意の混合物であってもよい。このうち、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式1のnが3であるエテニルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式1のnが4であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物およびこれらの任意の混合物がさらに好ましく、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物およびこれらの任意の混合物が特に好ましい。[形態2]2n4個のAのうちの一部すなわち、少なくとも一つがA2基であり、他のAがA1基からなる群から選ばれた基のものである。この場合、A2基以外の他のAは、全てが同じA1基であってもよいし、二種以上のA1基が混在したものであってもよい。この形態のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物としては、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式1のnが3であるエテニルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式1のnが4であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物、式1のnが5であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘプタホスファゼン化合物および式1のnが6であるエテニルフェノキシ基含有シクロオクタホスファゼン化合物であって、2n4個のAのうちの1個~2n3個がA2基のもの並びにこれらの任意の混合物が好ましい。この種のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、本発明の他の形態のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物に比べ、機械的強度特に高いガラス転移温度がより優れた樹脂成形体を実現可能な点において有利である。このような好ましいエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の具体例としては、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式1のnが3であるエテニルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式1のnが4であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物、式1のnが5であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘプタホスファゼン化合物および式1のnが6であるエテニルフェノキシ基含有シクロオクタホスファゼン化合物であって、Aが、A1基であるフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのもの、A1基であるメチルフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのもの、A1基であるジメチルフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのもの、A1基であるナフチルオキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのものおよびこれらの任意の混合物を挙げることができる。このうち、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式1のnが3であるエテニルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物および式1のnが4であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物であって、Aが、A1基であるフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのもの、A1基であるメチルフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのものおよびこれらの任意の混合物がさらに好ましく、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物および式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物であって、Aが、A1基であるフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのもの、A1基であるメチルフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのものおよびこれらの任意の混合物が特に好ましい。エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼンの製造方法は、各種の文献や特許、例えば、非特許文献1~3、および特許文献8に記載されている。LianhuiCongandChristopherW.Allen,Phosphorus,Sulfur,andSilicon,179,961,2004LianhuiCongandChristopherW.Allen,PMreprints,93,783,2005HoLimandJiYoungChang,JMaterChem,20,749,2010特開平10-53596号公報しかし、これら非特許文献および特許文献に記載されているエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼンの製造方法は、クロロホスファゼン化合物と、p-ヒドロキシスチレンのアルカリ金属塩、若しくは塩基存在下でp-ヒドロキシスチレンを反応している。これらの製造方法では、p-ヒドロキシスチレンが不安定な化合物であるため、クロロホスファゼン化合物との反応工程にて、p-ヒドロキシスチレンのエテニル基が反応して副生物を生成し、収率が低下するおそれがある。また、高価なp-ヒドロキシスチレンのアルカリ金属塩を過剰量使用するため経済的でない。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とビニル化合物とのクロスカップリング反応による炭素炭素結合形成反応工程を含んでいる。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、安定な脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を用い、その脱離基を穏和な条件でクロスカップリング反応を用いた炭素炭素結合形成反応を行うことによりエテニル基に変換することから、エテニル基が反応した副生物の生成を抑制することができる。また、安価なp-ハロゲン化フェノールを使用するため経済的である。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、次のような方法により製造することができる。まず、下記の式3で表される脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を用意する。式3において、mは1~6の整数を示しているが、1から4の整数が好ましく、1若しくは2が特に好ましい。このような環状ホスファゼン化合物として、式3のmが1のシクロトリホスファゼン化合物3量体、式3のmが2のシクロテトラホスファゼン化合物4量体、式3のmが3のシクロペンタホスファゼン化合物5量体、式3のmが4のシクロヘキサホスファゼン化合物6量体、式3のmが5のシクロヘプタホスファゼン化合物7量体および式3のmが6のシクロオクタホスファゼン化合物8量体を挙げることができる。このうち、式3のmが1のシクロトリホスファゼン化合物、式3のmが2のシクロテトラホスファゼン化合物、式3のmが3のシクロペンタホスファゼン化合物および式3のmが4のシクロヘキサホスファゼン化合物が好ましく、式3のmが1のシクロトリホスファゼン化合物および式3のmが2のシクロテトラホスファゼン化合物が特に好ましい。また、式3において、Eは下記のE1基およびE2基からなる群から選ばれた基であり、Eのうち少なくとも一つはE2基である。[E1基]炭素数が6~20のアリールオキシ基。このアリールオキシ基は、炭素数が1~6のアルキル基、アルキルオキシ基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。このようなアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、エチルメチルフェノキシ基、ジエチルフェノキシ基、n-プロピルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、イソプロピルメチルフェノキシ基、イソプロピルエチルフェノキシ基、ジイソプロピルフェノキシ基、n-ブチルフェノキシ基、sec-ブチルフェノキシ基、tert-ブチルフェノキシ基、n-ペンチルフェノキシ基、n-ヘキシルフェノキシ基、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、n-プロポキシフェノキシ基、iso-プロポキシフェノキシ基、n-ブトキシフェノキシ基、tert-ブトキシフェノキシ基、4-メトキシ-3-メチルフェノキシ基、4-エトキシ-3-メチルフェノキシ基、4-n-プロポキシフェノキシ基、4-iso-プロポキシ-3-メチルフェノキシ基、4-n-ブトキシ-3-メチルフェノキシ基、4-tert-ブトキシ-3-メチルフェノキシ基、フェニルフェノキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基およびフェナントリルオキシ基等を挙げることができる。このうち、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、ジエチルフェノキシ基、メトキシフェノキシ基、フェニルフェノキシ基およびナフチルオキシ基が好ましく、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基およびナフチルオキシ基が特に好ましい。[E2基]下記の式4で示される置換フェノキシ基。式4において、Xはフッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子等のハロゲン原子を示している。このような置換フェノキシ基としては、例えば、4-フルオロフェノキシ基、4-クロロフェノキシ基、4-ブロモフェノキシ基、4-ヨードフェノキシ基を挙げることができる。このうち、4-クロロフェノキシ基、4-ブロモフェノキシ基、4-ヨードフェノキシ基が好ましく、特に、4-クロロフェノキシ基および4-ブロモフェノキシ基が好ましい。尚、脱離基として、ハロゲン原子の他に、OTs、OTf、OCOR、ORまたはSRも挙げることができ、適宜選択して使用することができる。式3においてEは2m4個含まれているが、このうち少なくとも一つがE2基である。したがって、式3で示される脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、次の形態に大別することができる。[形態A]2m4個の全てのEがE2基のものである。このような形態の脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の具体例としては、式3のmが1である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式3のmが2である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式3のmが3である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式3のmが4である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物、式3のmが5である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロヘプタホスファゼン化合物および式3のmが6である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロオクタホスファゼン化合物であって、Eが、E2基である4-フルオロフェノキシ基、E2基である4-クロロフェノキシ基、E2基である4-ブロモフェノキシ基およびE2基である4-ヨードフェノキシ基である。また、この形態の脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、これらの好ましい脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の任意の混合物であってもよい。このうち、式3のmが1である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式3のmが2である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式3のmが3である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物および式3のmが4である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物であって、Eが、E2基であるE2基である4-クロロフェノキシ基、E2基である4-ブロモフェノキシ基、E2基である4-ヨードフェノキシ基およびこれらの任意の混合物が好ましく、式3のmが1である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物および式3のmが2である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物であって、Eが、E2基であるE2基である4-クロロフェノキシ基、E2基である4-ブロモフェノキシ基およびこれらの任意の混合物が特に好ましい。[形態B]2m4個のEのうちの一部すなわち、少なくとも一つがE2基であり、他のEがE1基からなる群から選ばれた基のものである。この場合、E2基以外の他のEは、全てが同じE1基であってもよいし、二種以上のE1基が混在したものであってもよい。この形態の脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物としては、式3のmが1である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式3のmが2である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式3のmが3である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式3のmが4である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物、式3のmが5である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロヘプタホスファゼン化合物および式3のmが6である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロオクタホスファゼン化合物であって、2m4個のEのうちの1個~2m3個がE2基のもの並びにこれらの任意の混合物が好ましい。このような好ましい脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の具体例としては、式3のmが1である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式3のmが2である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式3のmが3である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式3のmが4である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物、式3のmが5である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロヘプタホスファゼン化合物および式3のmが6である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロオクタホスファゼン化合物であって、Eが、E1基であるフェノキシ基とE2基である4-フルオロフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるメチルフェノキシ基とE2基である4-フルオロフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるジメチルフェノキシ基とE2基である4-フルオロフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるナフチルオキシ基とE2基である4-フルオロフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるフェノキシ基とE2基である4-クロロフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるメチルフェノキシ基とE2基である4-クロロフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるジメチルフェノキシ基とE2基である4-クロロフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるナフチルオキシ基とE2基である4-クロロフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるフェノキシ基とE2基である4-ブロモフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるメチルフェノキシ基とE2基である4-ブロモフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるジメチルフェノキシ基とE2基である4-ブロモフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるナフチルオキシ基とE2基である4-ブロモフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるフェノキシ基とE2基である4-ヨードフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるメチルフェノキシ基とE2基である4-ヨードフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるジメチルフェノキシ基とE2基である4-ヨードフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるナフチルオキシ基とE2基である4-ヨードフェノキシ基との組み合わせのものおよびこれらの任意の混合物を挙げることができる。このうち、式3のmが1である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式3のmが2である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式3のmが3である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物および式3のmが4である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物であって、Eが、E1基であるフェノキシ基とE2基である4-クロロフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるメチルフェノキシ基とE2基である4-クロロフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるフェノキシ基とE2基である4-ブロモフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるメチルフェノキシ基とE2基である4-ブロモフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるフェノキシ基とE2基である4-ヨードフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるメチルフェノキシ基とE2基である4-ヨードフェノキシ基との組み合わせのものおよびこれらの任意の混合物が好ましく、式3のmが1である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物および式3のmが2である脱離基を有するフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物であって、Eが、E1基であるフェノキシ基とE2基である4-クロロフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるメチルフェノキシ基とE2基である4-クロロフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるフェノキシ基とE2基である4-ブロモフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるメチルフェノキシ基とE2基である4-ブロモフェノキシ基との組み合わせのものおよびこれらの任意の混合物が特に好ましい。このような脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、各種の文献、例えば、下記のような非特許文献4および5に記載されている。PHOSPHORUS-NITROGENCOMPOUNDS、H.R.ALLCOCK著、1972年刊、ACADEMICPRESS社PHOSPHAZENES、AWORLDWIDEINSIGHT、M.GLERIA、R.DEJAGER著、2004年刊、NOVASCIENCEPUBLISHERSINC.社本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とエテニル化合物を炭素炭素結合形成反応することで得ることができる。このような、炭素炭素結合形成反応については、各種の文献、例えば、非特許文献6および非特許文献7に記載されている。Metal-CatalyzedCross-CouplingReactions、Volume1、A.de.Meijere、F.Diederich著、2004年刊、WILEY-VCHVerlagGmbHCo.KGaA社ScottE.Denmark、C.R.Bulter,Org.Synth.86.274.2009本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法において用いられる、エテニル化合物は、特に限定されないが、ビニルリチウム、塩化ビニルマグネシウム、臭化ビニルマグネシウムおよびヨウ化ビニルマグネシウム等のビニルマグネシウムハライド類、塩化ビニル亜鉛、臭化ビニル亜鉛およびヨウ化ビニル亜鉛等のビニル亜鉛ハライド類、ビニルシラン化合物、ビニル錫化合物、1,3-ジビニルテトラメチルシロキサンおよび1,3,5,7-テトラビニル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン等のケイ酸ビニルエステル類、4,4,5,5-テトラメチル-2-ビニル-1,3,2-ジオキサボラン等のホウ酸ビニルエステル類、塩化ビニル、臭化ビニルおよびヨウ化ビニル等のハロゲン化ビニル化合物類およびエチレン等の不飽和炭化水素化合物類を挙げることができる。これらエテニル化合物は市販品を使用してもよいし、反応系内で調製してもよい。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法において、エテニル化合物の使用量は脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の脱離基に対して、1~20当量が好ましく、1.05~5当量が特に好ましい。エテニル化合物の使用量が1.0当量よりも少ない場合は脱離基のビニル基への変換が不十分となり、得られたエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物が良好な特性を示さないおそれがある。また、エテニル化合物の使用量が20.0当量よりも多い場合は、未反応のエテニル化合物の量が増えるために経済的でない。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、必要に応じて触媒を用いることができる。ここで使用する触媒は特に限定されるものではないが、例えば、パラジウム-活性炭素、塩化パラジウムII、酢酸パラジウムII、ジクロロビスアセトニトリルパラジウムII、ジクロロビスベンゾニトリルパラジウムII、ビスアセチルアセトナトパラジウムII、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウムII、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0、トリスジベンジリデンアセトン二パラジウム0、[1,2-ビスジフェニルホスフィノエタン]パラジウムIIジクロライド、[1,3-ビスジフェニルホスフィノプロパン]パラジウムIIジクロライドおよび[1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン]パラジウムIIジクロライド等のパラジウム化合物類、塩化ニッケル、ビスアセチルアセトナトニッケルII、[1,2-ビスジフェニルホスフィノエタン]ニッケルIIジクロライド、[1,3-ビスジフェニルホスフィノプロパン]ニッケルIIジクロライド、[1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン]ニッケルIIジクロライド、ビス2,4-ペンタンジオナートニッケルIIハイドレート、ビストリシクロヘキシルホスフィンニッケルIIジクロライド、ビスジフェニルホスフィンニッケルIIジクロライド、およびラネーニッケル等のニッケル化合物類、ドデカカルボニル三ルテニウム0およびジヒドリドカルボニルトリストリフェニルホスフィンルテニウムII等のルテニウム化合物類、塩化ロジウムIII等のロジウム化合物類、ジ-μ-クロロビスη-1,5-シクロオクタジエン二イリジウムI等のイリジウム化合物類、塩化鉄III-テトラメチルエチレンジアミン錯体、フッ化鉄III-テトラメチルエチレンジアミン錯体塩化鉄III-1,3-ビス2,6-ジイソプロピルフェニルイミダゾリウムクロリド錯体、フッ化鉄III-1,3-ビス2,6-ジイソプロピルフェニルイミダゾリウムクロリド錯体および塩化鉄III-1,2-ビスジフェニルホスフィノベンゼン錯体等の鉄化合物類、塩化銅、臭化銅およびヨウ化銅等の銅化合物が挙げられ、これらは単独もしくは二つ以上組み合わせて用いてもよい。また、これらの触媒は、市販のものを用いても良いし、反応系内で調製してもよい。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、必要に応じて塩基を用いてもよい。ここで使用する塩基は特に限定されるものではないが、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジンおよびイミダゾール等のアミン類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化セシウム等のアルカリ金属水酸化物類、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウムおよび炭酸セシウム等のアルカリ金属炭酸塩類、塩化メチルマグネシウム、塩化エチルマグネシウム、臭化メチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、塩化tert-ブチルマグネシウムおよび臭化tert-ブチルマグネシウム等のアルキルマグネシウムハライド類、n-ブチルリチウム、sec-ブチルリチウムおよびtert-ブチルリチウム等のアルキルリチウム類を挙げることができる。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、溶媒中または無溶媒で実施することができる。ここで使用する溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば、トルエンおよびキシレン等の芳香族炭化水素類、エチルエーテル、テトラヒドロフランおよびジオキサン等のエーテル類を挙げることができる。また、反応温度はエテニルフェノキシ基含有ホスファゼン化合物が重合しない温度であれば、特に制限しないが、-78~150°Cが好ましく、-50~120°Cが特に好ましい。このような脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とエテニル化合物との反応により得られる、目的とするエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、濾過、溶媒抽出、カラムクロマトグラフィーおよび再結晶等の通常の方法によって、反応系から単離精製することができる。樹脂組成物本発明の樹脂組成物は、本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物と樹脂成分とを含むものである。本発明の樹脂組成物において、本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、一種のものを用いてもよいし、二種以上のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を併用してもよい。また、樹脂成分としては、各種の熱可塑性樹脂若しくは熱硬化性樹脂を使用することができる。これらの樹脂成分は、天然のものであってもよいし、合成のものであってもよい。ここで利用可能な熱可塑性樹脂の具体例としては、ポリエチレン、ポリイソプレン、ポリブタジエン、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、耐衝撃性ポリスチレン、アクリロニトリル-スチレン樹脂AS樹脂、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン樹脂ABS樹脂、メチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン樹脂MBS樹脂、メチルメタクリレート-アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン樹脂MABS樹脂、アクリロニトリル-アクリルゴム-スチレン樹脂AAS樹脂、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテル、脂肪族系ポリアミド、芳香族系ポリアミド、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリプロピレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリチオエーテルスルホン、ポリエーテルスルホン並びに液晶ポリマー等を挙げることができる。変性ポリフェニレンエーテルとしては、ポリフェニレンエーテルの一部または全部に、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基、水酸基、無水ジカルボキシル基などの反応性官能基を、グラフト反応や共重合などの何らかの方法により導入したものが用いられる。なお、本発明の樹脂組成物を電子機器用途、特に、OA機器、AV機器、通信機器および家電製品用の筐体や部品用の材料として用いる場合は、熱可塑性樹脂としてポリエステル樹脂、ABS樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブタジエン樹脂若しくはポリイソプレン樹脂等を用いるのが好ましい。一方、ここで利用可能な熱硬化性樹脂の具体例としては、ポリウレタン、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、シアン酸エステル樹脂、マレイミド-シアン酸エステル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ポリベンズイミダゾール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリカルボジイミド並びにエポキシ樹脂等を挙げることができる。また、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリカルボジイミド、マレイミド樹脂、マレイミド-シアン酸エステル樹脂等のポリイミド系樹脂は、その取り扱い加工性および接着性を向上するために、熱可塑性や溶媒可溶性が付与されたものであってもよい。なお、本発明の樹脂組成物を電子部品用途、特に、各種IC素子の封止材、配線板の基板材料、層間絶縁材料や絶縁性接着材料等の絶縁材料、Si基板またはSiC基板等の絶縁材料、導電材料および表面保護材料として用いる場合は、熱硬化性樹脂として、ポリウレタン、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアン酸エステル樹脂、ビスマレイミド-シアン酸エステル樹脂、ポリイミド系樹脂若しくはエポキシ樹脂等を用いるのが好ましい。上述の各種樹脂成分は、それぞれ単独で用いてもよいし、必要に応じて二種以上のものを併用してもよい。本発明の樹脂組成物において、エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の使用量は、樹脂成分の種類、樹脂組成物の用途等の各種条件に応じて適宜設定することができるが、通常、固形分換算での樹脂成分100重量部に対して0.1~100重量部に設定するのが好ましく、0.5~50重量部に設定するのがより好ましく、1~30重量部に設定するのがさらに好ましい。エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の使用量が0.1重量部未満の場合は、当該樹脂組成物からなる樹脂成形体が十分な難燃性を示さないおそれがある。逆に、100重量部を超えると、樹脂成分本来の特性を損ない、当該特性による樹脂成形体が得られなくなるおそれがある。本発明の樹脂組成物は、熱重合性モノマー、熱重合性オリゴマー、光重合性モノマー、光重合性オリゴマー、放射線重合性モノマーおよび放射線重合性オリゴマーからなる重合性材料群から選ばれた少なくとも一つの重合性材料をさらに含んでいてもよい。ここで用いられる重合性材料としては、例えば、ビニル系化合物、ビニリデン系化合物、ジエン化合物、ラクトン、ラクタムおよび環状エーテル等の環状化合物、アクリル系化合物並びにエポキシ系化合物が挙げられる。より具体的には、塩化ビニル、ブタジエン、イソプレン、スチレン、耐衝撃性ポリスチレン前駆体、アクリロニトリル-スチレン樹脂AS樹脂前駆体、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン樹脂ABS樹脂前駆体、メチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン樹脂MBS樹脂前駆体、メチルメタクリレート-アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン樹脂MABS樹脂前駆体、アクリロニトリル-アクリルゴム-スチレン樹脂AAS樹脂前駆体、メチルメタアクリレート、エポキシアクリレート樹脂前駆体、エポキシ化油アクリレート樹脂前駆体、ウレタンアクリレート樹脂前駆体、ポリエステルアクリレート樹脂前駆体、ポリエーテルアクリレート樹脂前駆体、アクリルアクリレート樹脂前駆体、不飽和ポリエステル樹脂前駆体、ビニル/アクリレート樹脂前駆体、ビニルエーテル系樹脂前駆体、ポリエン/チオール樹脂前駆体、シリコンアクリレート樹脂前駆体、ポリブタジエンアクリレート樹脂前駆体、ポリスチリルエチルメタクリレート樹脂前駆体、ポリカーボネートアクリレート樹脂前駆体、光または熱硬化性ポリイミド樹脂前駆体、光または熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂前駆体、光または熱硬化性ケイ素含有樹脂前駆体、光または熱硬化性エポキシ樹脂前駆体、脂環式エポキシ樹脂前駆体、グリシジルエーテルエポキシ樹脂前駆体等を挙げることができる。このうち、ブタジエン、イソプレン、スチレン、エポキシアクリレート樹脂前駆体、ウレタンアクリレート樹脂前駆体およびポリエステルアクリレート樹脂前駆体等が好ましい。これらの重合性材料は、それぞれ単独で用いてもよいし、必要に応じて二種以上のものを併用してもよい。また、本発明の樹脂組成物は、樹脂成分の種類や樹脂組成物の用途等に応じ、その目的とする物性を損なわない範囲で、各種の添加剤を配合することができる。利用可能な添加剤としては、例えば、天然シリカ、焼成シリカ、合成シリカ、アモルファスシリカ、ホワイトカーボン、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、ホウ酸亜鉛、錫酸亜鉛、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化モリブデン、モリブデン酸亜鉛、天然マイカ、合成マイカ、アエロジル、カオリン、クレー、タルク、焼成カオリン、焼成クレー、焼成タルク、ウオラストナイト、ガラス短繊維、ガラス微粉末、中空ガラスおよびチタン酸カリウム繊維等の無機充填剤、アラミド繊維またはポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール繊維等の有機繊維、シランカップリング剤などの充填材の表面処理剤、ワックス類、脂肪酸およびその金属塩、酸アミド類およびパラフィン等の離型剤、塩素化パラフィン、リン酸エステル、縮合リン酸エステル、リン酸アミド、リン酸アミドエステル、ホスフィネート、ホスフィネート塩、リン酸アンモニウムおよび赤リン等のリン系難燃剤、メラミン、メラミンシアヌレート、メラム、メレム、メロンおよびサクシノグアナミン等の窒素系難燃剤、シリコーン系難燃剤並びに臭素系難燃剤等の難燃剤、三酸化アンチモン等の難燃助剤、ポリテトラフルオロエチレンPTFE等のドリッピング防止剤、ベンゾトリアゾールなどの紫外線吸収剤、ヒンダートフェノール、スチレン化フェノールなどの酸化防止剤、チオキサントン系などの光重合開始剤、スチルベン誘導体などの蛍光増白剤、硬化剤、染料、顔料、着色剤、光安定剤、光増感剤、増粘剤、滑剤、消泡剤、レベリング剤、光沢剤、重合禁止剤、チクソ性付与剤、可塑剤並びに帯電防止剤等を挙げることができる。本発明の樹脂組成物を電気電子分野用の材料、具体的には、LSI等の電子部品の封止剤や基板等に用いる場合、樹脂成分として下記の式5に示されるポリフェニレンエーテルを用いることができる。式5において、rは30~1,000の整数を示す。また、L1~L4は、水素原子、または炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルケニル基および炭素数6~20のアリール基から選ばれる基である。炭素数6~20のアリール基は、炭素数1~6のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。式5で示されるポリフェニレンエーテル類の具体例としては、その単独重合体として、ポリ2-メチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルフェニレンエーテル類、ポリ2,6-ジメチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリジメチルフェニレンエーテル類、ポリ2-メチル-6-エチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルエチルフェニレンエーテル類、ポリ2,6-ジエチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリジエチルフェニレンエーテル類、ポリ2-エチル-6-n-プロピル-1,4-フェニレンエーテル等のポリエチルプロピルフェニレンエーテル類、ポリ2,6-n-プロピル-1,4-フェニレンエーテル等のポリジプロピルフェニレンエーテル類、ポリ2-メチル-6-n-プロピル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルプロピルフェニレンエーテル類、ポリ2-メチル-6-n-ブチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルブチルフェニレンエーテル類、ポリ2-メチル-6-イソプロピル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルイソプロピルフェニレンエーテル類、ポリ2-エチル-6-イソプロピル-1,4-フェニレンエーテル等のポリエチルイソプロピルフェニレンエーテル類およびポリ2-メチル-6-ヒドロキシエチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルヒドロキシエチルフェニレンエーテル類などのホモポリマーが挙げられる。また、フェニレンエーテル構造を主単量体単位とする共重合体として、2,6-ジメチルフェノールとo-クレゾールとの共重合体並びに2,6-ジメチルフェノールと2,3,6-トリメチルフェノールおよびo-クレゾールとの共重合体が挙げられる。このうち、ポリ2-メチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルフェニレンエーテル類、ポリ2,6-ジメチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリジメチルフェニレンエーテル類、ポリ2-メチル-6-エチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルエチルフェニレンエーテル類、ポリ2,6-ジエチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリジエチルフェニレンエーテル類および2,6-ジメチルフェノールと2,3,6-トリメチルフェノールおよびo-クレゾールとの共重合体が好ましく、ポリ2-メチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルフェニレンエーテル類およびポリ2,6-ジメチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリジメチルフェニレンエーテル類が特に好ましい。上述のポリフェニレンエーテル類は、それぞれ単独で用いてもよいし、必要に応じて二種以上のものを併用してもよい。本発明の樹脂組成物は、その物性を損なわない範囲で、重合開始剤を配合することができる。重合開始剤としては、加熱または紫外線若しくは電子線などの活性エネルギー線を吸収し、エテニルフェノキシ基等の不飽和基を重合させるものであれば特に限定されるものではないが、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテルまたはベンゾインエチルエーテル等のベンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエトキシ-2-フェニルアセトフェノンまたは1,1-ジクロロアセトフェノン等のアセトフェノン類、2-メチル-1-[4-メチルチオフェニル]-2-モルホリノアミノ-1-プロパノン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンおよびN,N-ジメチルアミノアセトフェノン等のアミノアセトフェノン類、2-メチルアントラキノン、2-エチルアントラキノン、2-tert-ブチルアントラキノンおよび1-クロロアントラキノン等のアントラキノン類、2,4-ジメチルチオキサントン、2-クロロチオキサントンおよび2,4-ジイソプロピルキサントン等のチオキサントン類、アセトフェノンジメチルケタールおよびベンジルジメチルケタール等のケタール類、ベンゾイルパーオキシドおよびクメンパーオキシド等の有機過酸化物、2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体、リボフラビンテトラブチレート、2-メルカプトベンゾイミダゾール、2-メルカプトベンゾオキサゾールおよび2-メルカプトベンゾチアゾール等のチオール類、2,4,6-トリス-sec-トリアジン、2,2,2-トリブロモエタノール、およびトリブロモメチルフェニルスルホン等の有機ハロゲン化物、ベンゾフェノンおよび4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、芳香族スルホン酸塩等の酸発生剤および2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド等が挙げられ、2-メチル-1-[4-メチルチオフェニル]-2-モルホリノアミノ-1-プロパノン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンおよび芳香族スルホン酸塩が特に好ましい。本発明の樹脂組成物によれば、誘電率および誘電正接が低い樹脂組成物が得られる。したがって、本発明の樹脂組成物は、半導体封止用や回路基板特に、金属張り積層板、プリント配線板用基板、プリント配線板用接着剤、プリント配線板用接着剤シート、プリント配線板用絶縁性回路保護膜、プリント配線板用導電ペースト、多層プリント配線板用封止剤、回路保護剤、カバーレイフィルム、カバーインク形成用等の電気電子部品の製造用材料として特に好適である。難燃性重合組成物本発明の樹脂組成物は、本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物、若しくはエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物と熱重合性モノマー、熱重合性オリゴマー、光重合性モノマー、光重合性オリゴマー、放射線重合性モノマーおよび放射線重合性オリゴマーからなる重合性材料群から選ばれた少なくとも一種の重合性材料を反応した難燃性重合組成物を含んでいる。ここで用いられるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて二種以上のものを併用してもよい。ここで用いられる重合性材料は、必要に応じ、本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物と反応共重合可能な他の重合性材料を含んでいてもよい。ここで用いられる重合性材料は、特に限定されるものではないが、通常、芳香族ビニルモノマー、極性官能基含有ビニルモノマーおよびビニルエーテルモノマーなどのビニル基を有する化合物が好ましい。これらの重合性材料は、二種以上のものが併用されてもよい。芳香族ビニルモノマーとしては、例えば、スチレン、メチルスチレン、ジメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、アセトキシスチレン、ヒドロキシスチレンおよびブロモスチレン等が挙げられる。このうち、スチレンが特に好ましい。極性官能基含有ビニルモノマーとしては、例えば、塩化ビニル、塩化ビニリデン、アクリロニトリル、アクリル酸、メタアクリル酸、アクリル酸メチル、メタアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタアクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、メタアクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、メタアクリル酸ブチル、アクリル酸オクチル、メタアクリル酸オクチル、アクリル酸ノニル、メタアクリル酸ノニル、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタアクリル酸ヒドロキシエチル、アクリル酸グリシジル、メタアクリル酸グリシジル、アクリル酸ビニルおよびメタアクリル酸ビニル等のアクリル酸エステル若しくはメタアクリル酸エステル並びに酢酸ビニル、酪酸ビニル、カプロン酸ビニルおよびステアリン酸ビニル等のビニルエステル等が挙げられる。このうち、アクリロニトリル、アクリル酸メチルおよびメタアクリル酸メチルが特に好ましい。ビニルエーテルモノマーとしては、通常、ジビニルエーテル類を用いるのが好ましい。これらの重合性材料を加熱により反応させる場合、重合開始剤を用いるのが好ましい。ここで用いられる重合開始剤としては、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイドおよびジイソプロピルパーオキシジカーボネート等の過酸化物、2,2-アゾビスイソブチロニトリルAIBN、アゾビス-2,4-ジメチルバレロニトリル、アゾビスシクロヘキシルニトリル、アゾビスシアノ吉草酸、2,2-アゾビス2-メチルブチロニトリル等のアゾ系化合物および芳香族スルホン酸塩等の酸発生剤等を挙げることができる。一方、これらの重合性材料をエネルギー線の照射により反応させる場合、光重合開始剤と、必要に応じて増感剤を用いるのが好ましい。ここで用いられる光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、チオキサントン系光重合開始剤、スルホニウム系光重合開始剤およびヨードニウム系光重合開始剤等を挙げることができる。また、増感剤としては、例えば第三級アミン等を挙げることができる。重合性材料をエネルギー線の照射により反応させる場合は、通常、重合性材料に対して光重合開始剤および必要に応じて増感剤を添加し、これに対して各種のエネルギー線を照射すると、目的の難燃性重合組成物を得ることができる。さらに、本発明の難燃性重合組成物は、必要に応じて公知の反応性希釈剤や添加剤を含んでいてもよい。利用可能な反応性希釈剤は、特に限定されるものではないが、例えば、ブチルグリシジルエーテル、2-エチルヘキシルグリシジルエーテルおよびアリルグリシジルエーテル等の脂肪族アルキルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレートおよび3級カルボン酸グリシジルエステル等のアルキルグリシジルエステル、スチレンオキサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、p-s-ブチルフェニルグリシジルエーテルおよびノニルフェニルグリシジルエーテル等の芳香族アルキルグリシジルエーテル等を挙げることができる。これらの反応性希釈剤は、それぞれ単独で用いてもよいし、必要に応じて二種以上のものを併用してもよい。一方、本発明の樹脂組成物において用いられるものと同様のものを用いることができる。本発明の難燃性重合組成物は、耐熱特性、電気特性、機械的特性および耐熱性に優れており、また、エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物に基づく優れた難燃性および低発煙性を示す。このため、この難燃性重合組成物は、各種の樹脂成形体の製造用材料、塗料用、接着剤用およびその他の用途用として、広く用いることができる。特に、この難燃性重合組成物は、半導体封止用や回路基板特に、金属張り積層板、プリント配線板用基板、プリント配線板用接着剤、プリント配線板用接着剤シート、プリント配線板用絶縁性回路保護膜、プリント配線板用導電ペースト、多層プリント配線板用封止剤、回路保護剤、カバーレイフィルム、カバーインク形成用等の電気電子部品の製造用材料として好適である。以下に実施例および比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。なお、以下において、unitmolのunitは、環状ホスファゼン化合物の最小構成単位、例えば、式1についてはPNA2を意味し、Aが塩素の場合、その1unitmolは115.87gである。また、以下においては、特に断りがない限り、および部とあるのは、それぞれ重量および重量部を意味する。合成例、参考例及び実施例で製造したホスファゼン化合物は、1H-NMRスペクトル及び31P-NMRスペクトルの測定、並びにTOF-MS及びIRスペクトル測定の結果に基づいて同定した。合成例1形態Bに係る脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造温度計、撹拌機、冷却管および滴下ロートを取り付けた5リットルの4つ口フラスコに、窒素気流下、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン243.4g、2.10unitmolを仕込み、テトラヒドロフラン800mLを加えて溶解した。これに先に調製したナトリウムフェノキシド325.1g、2.80molのテトラヒドロフラン溶液1,000mLを10から20°Cで1.5時間かけて滴下後、20から30°Cで5時間撹拌した。この反応液を予め調製したカリウム4-クロロフェノキシド280.0g,1.68unitmolのトルエン2,000mL懸濁液に投入して濃縮後、110°Cにて3時間熟成した。反応混合物を室温に冷却後、トルエンで希釈し、5水酸化ナトリウム水溶液にて2回洗浄後、中和し、さらに水洗した。有機層を減圧濃縮し、517.7g収率97の生成物を得た。この生成物の分析結果は以下のとおりであった。◎1H-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:6.7~6.84H,6.8~7.08H,7.0~7.416H◎31P-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:三量体P=N39.5~10.5◎13C-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:118.0,120.8,122.7,125.1,129.5,132.4,149.5,150.3◎TOF-MS:728,761,797以上の分析結果から、この生成物は[N3P3OC6H4Cl1OC6H55]、[N3P3OC6H4Cl2OC6H54]、[N3P3OC6H4Cl3OC6H53]の混合物であり、その平均組成が[N3P3OC6H4Cl2.0OC6H54.0]の4-クロロフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物であることを確認した。合成例2形態Bに係る脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造温度計、撹拌機、冷却管および滴下ロートを取り付けた5リットルの4つ口フラスコに、窒素気流下、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン243.4g、2.10unitmolを仕込み、テトラヒドロフラン800mLを加えて溶解した。これに先に調製したナトリウムフェノキシド243.8g、2.10molのテトラヒドロフラン溶液1,000mLを10から20°Cで1.5時間かけて滴下後、20から30°Cで5時間撹拌した。この反応液を予め調製したカリウム4-ブロモフェノキシド576.3g、2.73molのトルエン2,000mL懸濁液に投入して濃縮後、110°Cにて3時間熟成した。反応混合物を室温に冷却後、トルエンで希釈し、5水酸化ナトリウム水溶液にて2回洗浄後、中和し、さらに水洗した。有機層を減圧濃縮し、631.6g収率97の生成物を得た。この生成物の分析結果は以下のとおりであった。◎1H-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:6.7~6.82H,6.8~7.02H,7.0~7.45H◎31P-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:三量体P=N39.5~10.5◎13C-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:118.0,120.8,122.7,125.1,129.5,132.4,149.5,150.3◎TOF-MS:851,930,1009以上の分析結果から、この生成物は[N3P3OC6H4Br4OC6H52]、[N3P3OC6H4Br3OC6H53]、[N3P3OC6H4Br2OC6H54]の混合物であり、その平均組成が[N3P3OC6H4Br3.0OC6H53.0]の4-ブロモフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物であることを確認した。合成例3形態Aに係る脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造温度計、撹拌機、冷却管および滴下ロートを取り付けた5リットルの4つ口フラスコに、窒素気流下、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン243.4g、2.10unitmolを仕込み、テトラヒドロフラン800mLを加えて溶解した。これに先に調製したカリウム4-ブロモフェノキシド1,097.7g、5.2mol溶液を10~20°Cで3.5時間かけて滴下した。反応混合物を15時間加熱還流後、減圧下で溶媒留去した。残渣をトルエンにて希釈し、5水酸化ナトリウム水溶液にて2回洗浄後、希硝酸にて中和し、さらに水洗した。有機層を減圧濃縮し、800.5g収率98の生成物を得た。この生成物の分析結果は以下のとおりであった。◎1H-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:6.7~6.82H,7.0~7.42H◎31P-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:三量体P=N39.5~10.5◎13C-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:118.0,122.7,132.4,149.5◎TOF-MS:1167以上の分析結果から、この生成物は[N3P3OC6H4Br6]の4-ブロモフェノキシ基含有ホスファゼン化合物であることを確認した。参考例1フェノキシ基全置換環状ホスファゼン化合物の製造PHOSPHORUS-NITROGENCOMPOUNDS、H.R.ALLCOCK著、1972年刊、151頁、ACADEMICPRESS社に記載されている方法に従い、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンを用いて[N=POC6H52]3白色固体/融点:110°Cを得た。実施例1形態2に係るエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造温度計、撹拌機、冷却管および滴下ロートを取り付けた10リットルの4つ口フラスコに、アルゴンガス雰囲気下、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム23.1g、0.02mol及び塩化リチウム127.2g、3.00molを投入した。溶媒は無いのですか室温で1時間撹拌後、合成例1にて製造した4-クロロフェノキシ基含有ホスファゼン化合物254.2g、1.00unitmol及びトリメチルビニルスズ190.8g、1.00molのテトラヒドロフラン1,500mL溶液を投入し、還流条件下にて24時間撹拌した。反応混合物を室温に冷却後、濃縮した。残渣をジエチルエーテルにて希釈後、シリカゲルカラムクロマトグラフに供して精製した。得られたフラクションを濃縮し、223.7g収率90の生成物を得た。この生成物の分析結果は以下のとおりであった。◎1H-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:5.11H,5.61H,6.61H,6.7~7.314H◎31P-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:三量体P=N39.5~10.5◎IRスペクトルKBrPellet,cm-13100,1629,1264,1200-1160,950◎TOF-MS:720,746,772以上の分析結果から、この生成物は[N3P3OC6H4CH=CH2OC6H55]、[N3P3OC6H4CH=CH22OC6H54]、[N3P3OC6H4CH=CH23OC6H532]の混合物であり、その平均組成が[N3P3OC6H4CH=CH22.0OC6H54.0]のエテニルフェノキシ基含有ホスファゼン化合物であることを確認した。実施例2形態2に係るエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造温度計、撹拌機、冷却管および滴下ロートを取り付けた10リットルの4つ口フラスコに、アルゴンガス雰囲気下、二臭化パラジウム13.3g、0.05mol及び2-ジ-tert-ブチルホスフィノビフェニル29.8g、0.10mol、2,4,6,8-テトラメチル-2,4,6,8-テトラエテニルシクロオクタンテトラシロキサン206.8g、0.60mol、1mol/Lのフッ化テトラブチルアンモニウムのテトラヒドロフラン溶液2,000mLを投入した。室温で1.0時間撹拌後、合成例2にて製造した4-ブロモフェノキシ基含有ホスファゼン化合物310.1g、1.00unitmolのテトラヒドロフラン1,500mL溶液を投入し、50°Cにて7時間熟成した。反応混合物を室温に冷却後、濃縮した。残渣をジエチルエーテルにて希釈後、シリカゲルカラムクロマトグラフに供して精製した。得られたフラクションを濃縮し、231.5g収率90の生成物を得た。この生成物の分析結果は以下のとおりであった。◎1H-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:5.11H,5.61H,6.61H,6.7~7.39H◎31P-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:三量体P=N39.5~10.5◎IRスペクトルKBrPellet,cm-13100,1629,1264,1200-1160,950◎TOF-MS:746,772,798以上の分析結果から、この生成物は[N3P3OC6H4CH=CH24OC6H52]、[N3P3OC6H4CH=CH23OC6H53]、[N3P3OC6H4CH=CH22OC6H54]の混合物であり、その平均組成が[N3P3OC6H4CH=CH23.0OC6H53.0]のエテニルフェノキシ基含有ホスファゼン化合物であることを確認した。実施例3形態1に係るエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造合成例1で製造した脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の代わりに合成例2で製造した脱離基を有するフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物194.5g,0.5unitmolを使用した以外は、実施例1と同様に操作して、128.9g収率91の生成物を得た。この生成物の分析結果は以下のとおりであった。◎1H-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:5.11H,5.61H,6.61H,6.7~7.34H◎31P-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:三量体P=N39.5~10.5◎IRスペクトルKBrPellet,cm-13100,1629,1264,1200-1160,950◎TOF-MS:958以上の分析結果から、この生成物はこの生成物は[N3P3OC6H4CH=CH26]のエテニルフェノキシ基含有ホスファゼン化合物であることを確認した。実施例4~6難燃性樹脂組成物→難燃性重合組成物→樹脂成形体実施例1~3で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物、スチレン東京化成の試薬、ビスフェノールA型エポキシ樹脂三菱化学の商品名jER828、酸発生剤三新化学工業の商品名サンエイドSI-100LおよびメチルエチルケトンMEKを表1に示す割合で加えて撹拌してワニスを調製した。調製したワニスをPETフィルムに塗布して室温で1時間、90°Cで30分乾燥した。これを剥離してPTFE製のスペーサー内に所定量を入れ、真空下、120°Cで30分、150°Cで30分、180°Cで100分加熱、加圧して硬化物を得た。この硬化物について、難燃性、誘電特性および耐熱性を評価した。比較例1難燃性樹脂組成物→樹脂成形体実施例1~3で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物に代えて、参考例1で製造した環状ホスファゼン化合物を使用した以外は、実施例4~6と同様に操作して試験片を作製した。これらの試験片について、誘電特性、難燃性および耐熱性を評価した。難燃性アンダーライターラボラトリーズUnderwriter’sLaboratoriesInc.のUL-94規格垂直燃焼試験に基づき、長さ125mm、幅12.5mmおよび厚み1.2mmの試験片を用いて実施し、10回接炎時合計燃焼時間と燃焼時の滴下物による綿着火の有無により、V-0、V-1、V-2および規格外の四段階の難燃性クラスに分類判定した。V-0が最高評価であり、V-1、V-2、規格外の順に評価が下がる。誘電特性長さ50mm、幅50mmおよび厚さ2.0mmの試験片について、JISC2138比誘電率および誘電正接の測定方法に従って周波数1GHzの比誘電率と誘電正接を測定した。耐熱性株式会社島津製作所製DTG-60商品名を用いて、窒素雰囲気下、30~600°Cの温度範囲を10°C/分で昇温し、5重量減量温度{Td5}を評価した。5重量減少温度が高いほど、耐熱性が優れている。表1から明らかなように実施例4~6の硬化物は、優れた誘電特性、難燃性および耐熱性を示している。合成例4エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の難燃性重合組成物の製造1リットルのセパラブルフラスコに実施例1で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物150g、AIBN4.5gおよびトルエン300mLを仕込み、窒素条件下で加熱し70°Cで3時間撹拌した。さらにAIBN3.0gを加えて70°Cで3時間撹拌後、100°Cにて1時間加熱して反応を完結させた。反応液を濃縮してトルエンを留去し、157.5gの難燃性重合組成物を得た。合成例5エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の難燃性重合組成物の製造実施例1で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の代わりに実施例2で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物150gを使用した以外は、合成例3と同様に操作して、157.5gの難燃性重合組成物を得た。合成例6エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とスチレンモル比率=50/50の難燃性重合組成物の製造1リットルのセパラブルフラスコに実施例1で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物134g、スチレン東京化成の試薬、16g、AIBN4.5gおよびトルエン300mLを仕込み、窒素条件下で加熱し70°Cで3時間撹拌した。さらにAIBN3.0gを加えて70°Cで3時間撹拌後、100°Cにて1時間加熱して反応を完結させた。反応液を濃縮してトルエンを留去し、157.5gの難燃性重合組成物を得た。実施例7~9難燃性樹脂組成物の難燃性重合組成物→樹脂成形体合成例4~6で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の難燃性重合組成物、ポリスチレンPSジャパン社の商品名HF77およびポリフェニレンエーテル旭化成ケミカルズの商品名ザイロンS202Aを表1に示す割合で秤量し、ブレンダーにて均一に混合した。この混合物を、二軸押出機スクリュウ径30mm,L/D=42のホッパーに投入し、シリンダー温度250~280°C、スクリュウ回転数200rpmの条件にて、溶融混練してペレット化した。ペレットを90°Cで6時間乾燥後、射出成形機にて、シリンダー温度260~280°C、金型温度80°Cの条件で射出成形を行い、試験片を作製した。作製した試験片について、誘電特性、難燃性および耐熱性を評価した。比較例2難燃性樹脂組成物→樹脂成形体合成例4~6で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の難燃性重合組成物に代えて、参考例1で製造した環状ホスファゼン化合物を使用した以外は、実施例7~9と同様に操作して試験片を作製した。作製した試験片について、誘電特性、難燃性および耐熱性を評価した。表2から明らかなように実施例7~9で製造した樹脂組成物は、優れた誘電特性、難燃性および耐熱性を示している。"