複数の電極が複数の異なる高さの位置に設けられた被試験体に対してバーンイン試験を行う方法であって、より高い位置にある電極ほど表面粗さがより大きくなっている被試験体を準備し、複数のシート状プローブを、それぞれ前記複数の電極に接触させ、前記複数のシート状プローブを介して前記複数の電極に通電を行うことを特徴とするバーンイン試験方法。前記被試験体は、ウエハ又はバー上に、所定の高さを有する素子と、該素子の下面と電気的に接続された下電極とを含む単位が複数設けられたものであり、該素子の上面の上電極の表面粗さが該下電極の表面粗さよりも大きくなるように該被試験体を準備することを特徴とする請求項1に記載のバーンイン試験方法。前記素子の基板の前記上電極が形成される側の表面を研磨して、該表面を所定の粗さに設定し、その後、該表面上に該上電極を形成して該上電極の表面に所定の粗さを付与することにより前記被試験体を準備することを特徴とする請求項2に記載のバーンイン試験方法。分割することによって、個々のチップが、ユニット基板に設けられたレーザダイオードを備えた熱アシスト磁気記録用の光源ユニットとなるユニットバーに対して、バーンイン試験を行う方法であって、前記レーザダイオードの上面の上電極の表面粗さが、該レーザダイオードの下面と電気的に接続された下電極の表面粗さよりも大きくなるようにユニットバーを準備し、前記上電極用のシート状のプローブと、前記下電極用のシート状のプローブとを、それぞれ該上電極及び該下電極に接触させ、前記上電極用シート状プローブ及び前記上電極、並びに前記下電極用シート状プローブ及び前記下電極を介して、前記レーザダイオードに通電を行うことを特徴とするバーンイン試験方法。前記レーザダイオードの高さが、40マイクロメートル以上であって100マイクロメートル以下であるように前記ユニットバーを準備することを特徴とする請求項4に記載のバーンイン試験方法。前記上電極の表面粗さRaが、05マイクロメートル以上であって10マイクロメートル以下であり、前記下電極の表面粗さRaが、0005マイクロメートル以上であって05マイクロメートル以下であるように前記ユニットバーを準備することを特徴とする請求項4又は5に記載のバーンイン試験方法。前記レーザダイオードの基板の前記上電極が形成される側の表面を研磨して、該表面を所定の粗さに設定し、その後、該表面上に該上電極を形成して該上電極の表面に所定の粗さを付与することにより前記ユニットバーを準備することを特徴とする請求項4から6のいずれか1項に記載のバーンイン試験方法。前記上電極用及び前記下電極用のシート状プローブは、基体と、該基体上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された導電層とを備えており、該導電層は、該上電極又は該下電極と接触する側において、該基体からはみ出ていることを特徴とする請求項4からの7いずれか1項に記載のバーンイン試験方法。前記導電層の少なくとも前記上電極又は前記下電極と接触する部分が、金又は金合金で被覆されていることを特徴とする請求項8に記載のバーンイン試験方法。前記レーザダイオードに通電を行い、該レーザダイオードから所定の光出力を得るのに必要となる該レーザダイオードに供給された電流の時間変化を計測することを特徴とする請求項4から9のいずれか1項に記載のバーンイン試験方法。請求項4から10のいずれか1項に記載のバーンイン試験方法を実施するためのバーンイン試験装置であって、前記ユニットバーを固定するための固定治具と、前記レーザダイオードの上電極であって表面粗さが前記下電極の表面粗さよりも大きい上電極用のシート状のプローブと、該下電極用のシート状のプローブとが交互に配置されたシート状プローブ群と、前記シート状プローブ群を介して電流が供給された前記レーザダイオードから発生するレーザ光を受け、該レーザダイオードの光出力を測定する、前記固定治具に固定された光検出器と、前記光検出器からの測定出力を受け、前記レーザダイオードに供給する電流を制御し計測するコントローラとを備えたことを特徴とするバーンイン試験装置。前記レーザダイオードの高さが、40マイクロメートル以上であって100マイクロメートル以下であることを特徴とする請求項11に記載のバーンイン試験装置。前記上電極の表面粗さRaが、05マイクロメートル以上であって10マイクロメートル以下であり、前記下電極の表面粗さRaが、0005マイクロメートル以上であって05マイクロメートル以下であることを特徴とする請求項11又は12に記載のバーンイン試験装置。前記上電極用及び前記下電極用のシート状プローブは、基体と、該基体上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された導電層とを備えており、該導電層は、該上電極又は該下電極と接触する側において、該基体からはみ出ていることを特徴とする請求項11から13のいずれか1項に記載のバーンイン試験装置。前記導電層の少なくとも前記上電極又は前記下電極と接触する部分が、金又は金合金で被覆されていることを特徴とする請求項14に記載のバーンイン試験装置。光源、特にレーザダイオードを備えた光源ユニットの信頼性評価を行うことを考える。この信頼性評価としては、バーンイン試験を行うことが有効である。このバーンイン試験とは、試験対象ここではレーザダイオードに通電し、通電された状態の試験対象における1つの特性の高温下での経時変化を計測、評価し、試験対象のスクリーニングを行うための試験である。しかしながら、このバーンイン試験は、1つのレーザダイオードの評価を行うのに、例えば数~数十時間といった、非常に長い時間を必要とする。従って、これへの対策として、光源ユニットの製造工程において個々の光源ユニットチップに切断分離する前のユニットバーの状態で、複数のレーザダイオードを並列して評価することが非常に有効となる。この並列処理を行うことにより、一度に大量のレーザダイオードのバーンイン試験を実施することができ、評価工程の工数及び時間の大幅な短縮が可能となるのである。しかしながら、ユニットバー上に設置された複数のレーザダイオード用の大量の電極に、同時に給電用のプローブを当てることは、非常に困難である。実際、一般に用いられる金属製のニードルをこのプローブとして使用する場合には、1つのユニットバーのバーンイン試験のために、大量の、例えば数百本のニードルが立った状態で設置されたカードを準備する必要が生じる。しかしながら、このニードルは高価である上、たった1本のニードルにおける接触状態の不具合が発生しても、カードの全てのニードルを交換しなければならず、非常に不経済となる。さらに、ニードルをレーザダイオードの上部電極に当てる際、レーザダイオードに過剰な機械的ストレスを与えてしまう問題も生じ得る。なお、複数の磁気ヘッド素子が配列したスライダバーにおいて、これら磁気ヘッド素子の特性を評価する際には、上述したニードルをプローブとして用いることが可能である。このような磁気ヘッド素子の特性評価は、1つの磁気ヘッド素子につき、秒オーダ又はそれ以下の非常に短い計測時間を必要とするのみである。従って、1つの磁気ヘッド素子の評価に必要な数のニードルをプローブとして用い、スライダバー上の各磁気ヘッド素子の特性評価を順次連続して実施することができるのである。また、上述したニードルをプローブとして用いる代わりに、ニードルよりも安価なシート状のプローブを用いて、ユニットバーのバーンイン試験を行うことも考えられる。しかしながら、シート状プローブを用いて、レーザダイオード用の各電極に安定して給電を行うことは、非常に困難である。実際、レーザダイオードが設置されたユニットバーにおいては、シート状プローブと接触すべき電極が、レーザダイオード上及びユニット基板上に存在する。即ち、複数の電極が複数の異なる高さの位置に設けられているのである。実際、レーザダイオード上の電極と、ユニット基板上の電極との高低差は、まさにレーザダイオードの高さに相当し、十μmマイクロメートルオーダ又はそれ以上となる。ここで、シート状プローブと電極との接触状態は、シート状プローブの端が電極に当たる角度に大きく依存する。その結果、大きな高低差を有するレーザダイオード上の電極とユニット基板上の電極とにシート状プローブを接触させた場合、レーザダイオード上の電極に当たるシート状プローブの角度が相対的に浅くなり、レーザダイオード上の電極とシート状プローブとの接触状態が安定しない問題が生じていた。ここで、レーザダイオードは、より効果的な放熱を考慮する場合、自身のp電極側を底にしてユニット基板側にして設置されることが好ましい。レーザダイオードにおいては、最も発熱する活性層付近がp電極側に偏って存在する。従って、p電極側を底にすることによって活性層がよりユニット基板に近くなり、結果としてユニット基板をヒートシンクとしてより効果的に機能させることが可能となるのである。しかしながら、この場合、レーザダイオード上の電極は、n電極となる。このn電極の表面は、例えば、レーザダイオードを包んで保護するための缶状のパッケージであるCANパッケージへの搭載の際に必要となるワイヤボンディングを安定して実施できるように、一般には高い平滑性を与えられている。従って、シート状プローブの角度がより浅い状態ではレーザダイオード上の電極とシート状プローブとの接触状態が安定しないのであった。以上に述べたことから理解されるように、複合スライダ構造の熱アシスト磁気記録ヘッドを構成する光源ユニットに対して、安価で効率良くバーンイン試験を実施することができる方法の開発が、非常に望まれてきたのである。従って本発明の目的は、安定した信頼性の高いバーンイン試験を実施することができるバーンイン試験方法及びバーンイン試験装置を提供することにある。本発明について説明する前に、本明細書において用いられる用語の定義を行う。本発明による磁気記録ヘッドのスライダ基板の集積面、又はユニット基板の光源設置面に形成された積層構造若しくは素子構造において、基準となる層又は素子から見て、基板側を下方とし、その反対側を上方とする。また、本発明による光源ユニット及び磁気記録ヘッドの実施形態において、必要に応じ、いくつかの図面中、X、Y及びZ軸方向を規定している。ここで、Z軸方向は、上述した上下方向であり、Z側がトレーリング側に相当し、-Z側がリーディング側に相当する。また、Y軸方向をトラック幅方向とする。本発明によれば、複数の電極が複数の異なる高さの位置レベルに設けられた被試験体に対してバーンイン試験を行う方法であって、より高い位置にある電極ほど表面粗さがより大きくなっている被試験体を準備し、複数のシート状プローブを、それぞれ複数の電極に接触させ、これら複数のシート状プローブを介してこれら複数の電極に通電を行う、バーンイン試験方法が提供される。この本発明によるバーンイン試験方法において、被試験体は、ウエハ又はバー上に、所定の高さを有する素子と、この素子の下面と電気的に接続された下電極とを含む単位が複数設けられたものであり、素子の上面の上電極の表面粗さが下電極の表面粗さよりも大きくなるように被試験体を準備することも好ましい。また、この場合、素子の基板の上電極が形成される側の表面を研磨して、この表面を所定の粗さに設定し、その後、この表面上に上電極を形成して上電極の表面に所定の粗さを付与することにより被試験体を準備することも好ましい。本発明によれば、さらに、分割することによって、個々のチップが、ユニット基板に設けられたレーザダイオードを備えた熱アシスト磁気記録用の光源ユニットとなるユニットバーに対して、バーンイン試験を行う方法であって、レーザダイオードの上面の上電極の表面粗さが、このレーザダイオードの下面と電気的に接続された下電極の表面粗さよりも大きくなるようにユニットバーを準備し、上電極用のシート状のプローブと、下電極用のシート状のプローブとを、それぞれ上電極及び下電極に接触させ、上電極用シート状プローブ及び上電極、並びに下電極用シート状プローブ及び下電極を介して、レーザダイオードに通電を行う、バーンイン試験方法が提供される。この本発明によるバーンイン試験方法においては、複数のシート状プローブと接触すべき複数の電極が複数の異なる高さの位置に設けられたユニットバーにおいても、より高い位置に存在する電極の表面粗さRaほどより大きな値に設定されることによって、各電極とシート状プローブとの接触状態を安定させることができる。その結果、安定した信頼性の高いバーンイン試験を実施することが可能となる。また、個々の光源ユニットチップに切断分離する前のユニットバーの状態で、複数のレーザダイオードを並列に評価することができる。このような並列処理を行うことにより、一度に大量のレーザダイオードのバーンイン試験を実施することができ、信頼性評価工程の工数及び時間の大幅な短縮が可能となる。この本発明によるバーンイン試験方法においては、レーザダイオードの高さが、40μmマイクロメートル以上であって100μm以下であるようにユニットバーを準備することが好ましい。また、上電極の表面粗さRaが、05μm以上であって10μm以下であり、下電極の表面粗さRaが、0005μm以上であって05μm以下であるようにユニットバーを準備することが好ましい。さらにまた、レーザダイオードの基板の上電極が形成される側の表面を研磨して、この表面を所定の粗さに設定し、その後、この表面上に上電極を形成して上電極の表面に所定の粗さを付与することによりユニットバーを準備することも好ましい。さらに、本発明によるバーンイン試験方法において、上電極用及び下電極用のシート状プローブは、基体と、この基体上に形成された絶縁層と、この絶縁層上に形成された導電層とを備えており、この導電層は、上電極又は下電極と接触する側において、基体からはみ出ていることが好ましい。また、このようなシート状プローブにおいて、導電層の少なくとも上電極又は下電極と接触する部分が、金又は金合金で被覆されていることも好ましい。さらにまた、本発明によるバーンイン試験方法において、レーザダイオードに通電を行い、このレーザダイオードから所定の光出力を得るのに必要となるレーザダイオードに供給された電流の時間変化を計測することも好ましい。本発明によれば、さらにまた、以上に述べたバーンイン試験方法を実施するための試験装置であって、ユニットバーを固定するための固定治具と、レーザダイオードの上電極であって表面粗さが下電極の表面粗さよりも大きい上電極用のシート状のプローブと、この下電極用のシート状のプローブとが交互に配置されたシート状プローブ群と、シート状プローブ群を介して電流が供給されたレーザダイオードから発生するレーザ光を受け、このレーザダイオードの光出力を測定する、固定治具に固定された光検出器と、この光検出器からの測定出力を受け、レーザダイオードに供給する電流を制御し計測するコントローラとを備えた試験装置が提供される。以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一の要素は、同一の参照番号を用いて示されている。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。本発明によれば、より高い位置に存在する電極の表面粗さほどより大きな値に設定されることによって、各電極とシート状プローブとの接触状態を安定させることができる。その結果、安定した信頼性の高いバーンイン試験を実施することが可能となる。図1は、本発明のバーンイン試験装置の一実施形態として、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を概略的に示す斜視図である。図1によれば、熱アシスト磁気記録ヘッド21は、熱アシスト用の光源としてのレーザダイオード40を備えた光源ユニット23と、光学系31を備えたスライダ22とが、位置を合わせられ接続されることによって構成されている。ここで、スライダ22は、適切な浮上量を得るように加工された媒体対向面である浮上面ABS2200を有するスライダ基板220と、ABS2200に垂直であってABS2200と隣り合う集積面2202上に形成された、光学系31を含むヘッド素子部221とを備えている。一方、光源ユニット23は、接着面2300を有するユニット基板230と、接着面2300に垂直であって接着面2300と隣り合う光源設置面2302に設けられた光源としてのレーザダイオード40とを備えている。また、これらスライダ22と光源ユニット23とは、スライダ基板220のABS2200とは反対側の背面2201とユニット基板230の接着面2300とを対向させて、接着層である半田層58を間に挟む形で互いに接着されている。[光源ユニット]図1に示した光源ユニット23において、レーザダイオード40は、端面発光型の半導体レーザダイオードであってよい。このレーザダイオード40は、熱アシスト用のレーザ光を放射する発光中心4000を有しており、発光中心4000がスポットサイズ変換素子43の受光端面430と対向するように、ユニット基板230の光源設置面2302に設置されている。また、レーザダイオード40は、p電極40i図2を底にして光源設置面2302に向けてユニット基板230に接着されていることが好ましい。一般に端面発光型レーザダイオードにおいては、最も発熱する活性層発光中心付近がp電極側に偏って存在する。従って、p電極40iを底にすることによって活性層がよりユニット基板230に近くなり、結果としてユニット基板230をヒートシンクとしてより有効に機能させることが可能となるのである。このように、p電極40iを底にしてレーザダイオード40を設置した場合、レーザダイオード40の上面は、上電極としてのn電極40a図2の表面となる。ここで、後に詳述するレーザダイオード40のバーンイン試験においては、シート状プローブがこのn電極40aに当てられることになる。図1によれば、光源ユニット23の光源設置面2302に、光源電極410及び引き出し電極411が設けられている。光源電極410は、レーザダイオード40のp電極40i図2と直接電気的に接続される電極である。また、引き出し電極411は、光源電極410から引き出された下電極であり、後に詳述するレーザダイオード40のバーンイン試験において、シート状プローブが当てられる電極である。このため、下電極である引き出し電極411の表面粗さRaは、後に説明するように、上電極であるn電極40aの表面粗さRaよりも小さな値となるように設定され、調整される。これら引き出し電極411及びレーザダイオード40のn電極40aは、ヘッドジンバルアセンブリHGA17の配線部材203の接続パッドに、ワイヤボンディング、ソルダーボールボンディングSBB等の方法によって電気的に接続され、これにより、電力がレーザダイオード40に供給可能となる。なお、これら光源電極410及び引き出し電極411は、光源設置面2302上に設けられていてAl2O3アルミナ、SiO2等の絶縁材料から形成された絶縁層56上に設けられており、ユニット基板230とは電気的に絶縁されていることが好ましい。また、光源電極410及び引き出し電極411は、例えばスパッタリング法、又は蒸着法等を用いて形成された厚さ10nmナノメートル程度のTa、Ti等からなる下地層と、この下地層上に例えばスパッタリング法、めっき法又は蒸着法等を用いて形成された例えば厚さ1~5μmマイクロメートル程度のAu、Cu、Au合金等の導電材料からなる導電層とから構成されることができる。図1において、ユニット基板230は、アルチックAl2O3-TiC、SiO2等のセラミック材料で形成されていてもよく、又はSi、GaAs、SiC等の半導体材料で形成されていることも好ましい。ユニット基板230がこれらの半導体材料で形成されている場合、光源ユニット23とスライダ22とを半田層58で接着する際に、Nd-YAGレーザ光等の光を、光源ユニット23を透過させる形で半田層58に照射して半田層58を溶融させることが可能となる。また、ユニット基板230は、スライダ基板220よりも一回り小さい大きさを有する。ただし、ユニット基板230のトラック幅方向のY軸方向の幅WUNは、レーザダイオード40のトラック幅方向のY軸方向の幅WLAよりも大きくなっており、光源電極410上にレーザダイオード40を設置しても、引き出し電極411が、光源設置面2302上で露出して設けられるようになっている。例えば、スライダ基板220にフェムトスライダを用いた場合、ユニット基板230として、X軸方向の厚みTUNが320μmであり、トラック幅方向の幅WUNが350μmであって、Z軸方向の長さLUNが250μmであるサイズのものを用いることができる。[スライダ]図1に示したスライダ22において、集積面2202上に形成されたヘッド素子部221は、磁気ディスク10図4からデータを読み出すためのMR素子33と磁気ディスク10にデータを書き込むための電磁変換素子34とから構成される磁気ヘッド素子32と、レーザダイオード40の発光中心4000から放射されたレーザ光を受け、このレーザ光のスポットサイズを変換小さくした上でこのレーザ光を導波路35に導くスポットサイズ変換素子43と、スポットサイズが変換されたレーザ光を媒体対向面であるヘッド端面2210まで又はその近傍まで導く導波路35と、導波路35を伝播するレーザ光と結合して熱アシスト用の近接場光を発生させる近接場光発生素子36と、磁気ヘッド素子32、スポットサイズ変換素子43、導波路35及び近接場光発生素子36を覆うように集積面2202上に形成された保護層38とを含む。ここで、スポットサイズ変換素子43と、導波路35と、近接場光発生素子36とが、ヘッド21ヘッド素子部221内における近接場光生成用の光学系31を構成する。なお、スポットサイズ変換素子43及び導波路35は、その周囲を保護層38で被覆されており、光の伝搬においてコアとしての機能を果たす。一方、周囲を被覆する保護層38部分は、クラッドとしての機能を果たす。MR素子33、電磁変換素子34、及び近接場光発生素子36の一端は、媒体対向面であるヘッド端面2210に達している。ここで、このヘッド端面2210とABS2200とが、熱アシスト磁気記録ヘッド21全体の媒体対向面をなしている。実際の書き込み又は読み出し時においては、熱アシスト磁気記録ヘッド21が回転する磁気ディスク10の表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、MR素子33及び電磁変換素子34それぞれの一端が、磁気ディスク10の磁気記録層の表面と適当なマグネティックスペーシングを介して対向することになる。この状態において、MR素子33が磁気記録層からのデータ信号磁界を感受して読み出しを行い、電磁変換素子34が磁気記録層にデータ信号磁界を印加して書き込みを行う。ここで、書き込みの際、光源ユニット23のレーザダイオード40からスポットサイズ変換素子43及び導波路35を通って伝播してきたレーザ光が、近接場光発生素子36で近接場光62図3に変換される。この近接場光62が磁気記録層の書き込みを行う部分に照射され、この磁気記録層の部分を加熱する。この加熱によって、同部分の異方性磁界保磁力が書き込みを行うことが可能な値にまで低下し、この低下した部分に電磁変換素子34によって書き込み磁界が印加されることによって、熱アシスト磁気記録を行うことが可能となる。図1によれば、スポットサイズ変換素子43は、レーザダイオード40から放射されたレーザ光を、トラック幅方向Y軸方向の幅WSCを有する受光端面430で受け取り、できるだけ低損失でより小さなスポット径のレーザ光に変換した上で、導波路35の受光端面352に導く光学素子である。スポットサイズ変換素子43は、本実施形態において、受光端面430から入射したレーザ光の進行方向-X方向に沿って、トラック幅方向Y軸方向の幅が幅WSCから徐々に狭くなっている下部伝播層431と、この下部伝播層431上に積層されており、同じくレーザ光の進行方向-X方向に沿って、トラック幅方向Y軸方向の幅が幅WSCから下部伝播層431と比べてより急激に小さくなっている上部伝播層432とを備えている。受光端面430から入射したレーザ光は、このような積層構造を伝播するにつれてそのスポットサイズを小さく変換させられて、導波路35の受光端面352に至る。なお、スポットサイズ変換素子43の受光端面430位置での幅WSCは、例えば1~10μm程度とすることができる。また、受光端面430位置でのZ軸方向の厚さTSCは、例えば1~10μm程度とすることができる。さらに、スポットサイズ変換素子43は、周囲を被覆する保護層38の構成材料の屈折率nOCよりも高い屈折率を有する材料から構成されており、後述する導波路35を構成する誘電材料と同一の材料で形成されることができる。この場合、これらスポットサイズ変換素子43及び導波路35は、一体に形成されていてもよい。また、導波路35は、本実施形態において、スポットサイズ変換素子43から放射されるレーザ光を受ける受光端面352から、ヘッド端面2210側の端面350まで、集積面2202に平行に伸長している。ここで、端面350はヘッド端面2210の一部となっていてもよく、又はヘッド端面2210から所定の距離だけ後退していてもよい。また、導波路35の一側面の端面350近傍部分は、近接場光発生素子36と対向している。受光端面352から入射し導波路35を伝播するレーザ光導波路光は、この近接場光発生素子36と対向する部分に至り、近接場光発生素子36と結合可能となる。さらに、図1によれば、スライダ22の保護層38の上面上に、磁気ヘッド素子32用である一対の端子電極370及び一対の端子電極371が設けられている。これら端子電極370及び371も、HGA17図5に設けられた配線部材203の接続パッドに、ワイヤボンディング、SBB等の方法によって電気的に接続される。また、スライダ基板220は、例えば、X軸方向の厚みTSLが230μmであり、トラック幅方向のY軸方向の幅WSLが700μmであり、Z軸方向の長さLSLが850μmである、いわゆるフェムトスライダとすることができる。フェムトスライダは、高記録密度に対応可能な薄膜磁気ヘッドの基板として一般的に使用されており、現在使用されているスライダの中で最も小さいサイズの規格を有する。なお、スライダ基板220は、アルチックAl2O3-TiC、SiO2等のセラミック材料で形成可能である。[熱アシスト磁気記録ヘッド]以上に説明したように、熱アシスト磁気記録ヘッド21は、スライダ22と光源ユニット23とを接続、接着した構成になっている。従って、スライダ22及び光源ユニット23を、それぞれ個別に製造した上で組み合わせることによって、ヘッド21を製造することができる。その結果、例えば、前もって光源ユニット23の特性評価、信頼性評価を行って、良品のみをヘッドの製造に使用すれば、ヘッド製造工程でのヘッド21自体の製造歩留まりが、光源ユニット23の不良品率によって深刻な影響を受ける事態が回避される。ここで、光源ユニット23の評価に大きく影響する事項として、レーザダイオード40の発光動作特性、特に同特性の経時安定性が挙げられる。このような製造歩留まりに大きな影響を及ぼし得る事項を製造工程の上流でチェックし、光源ユニット23をスクリーニング、選別することによって、ヘッド21自体の製造歩留まりの低下を回避することができる。本発明によれば、このように光源ユニット23のスクリーニング、選別を行う上で重要な信頼性評価、特にレーザダイオード40の発光動作特性の経時安定性評価を行うバーンイン試験を、安定して経済的に一度に大量に実施することができる。図2は、熱アシスト磁気記録ヘッド21における、スライダ22のヘッド素子部221、光源ユニット23のレーザダイオード40、及びそれらの周辺の構成を概略的に示す、図1のA面による断面図である。[レーザダイオード]図2によれば、レーザダイオード40は端面発光型である。このレーザダイオード40として、例えば、InP系、GaAs系、GaN系等の、通信用、光学系ディスクストレージ用又は材料分析用等として通常用いられているものが使用可能である。また、放射されるレーザ光の波長λLは、例えば375nm~17μmの範囲内の値に設定可能である。この図2に示したレーザダイオード40は、例えば、上面側から、n電極40aと、n-GaAs基板40bと、n-InGaAlPクラッド層40cと、第1のInGaAlPガイド層40dと、多重量子井戸InGaP/InGaAlP等からなる活性層40eと、第2のInGaAlPガイド層40fと、p-InGaAlPクラッド層40gと、p電極下地層40hと、p電極40iとが順次積層された構造を有する。さらに、このレーザダイオード40の多層構造の劈開面の前後には、全反射による発振を励起するための反射層510及び511が形成されている。ここで、反射層510の活性層40eの位置に発光中心4000が存在する。また、本実施形態において、n電極40aは、n-GaAs基板40b上に形成された厚さが例えば01μm程度のAu又はAu合金層とすることができる。なお当然に、レーザダイオード40の構成は以上に述べたものに限定されるものではない。しかしながら、いずれにしてもレーザダイオード40の設置においては、p電極40iを底面として光源電極410に接着させることが好ましい。一般に、端面発光型のレーザダイオードでは、活性層40e発光中心4000は、積層方向Z軸方向において、n電極40aよりもp電極40iにより近い位置にある。従って、動作時の発熱量が最も多い活性層40eにより近いp電極40iを底面としてレーザダイオード40を設置することによって、ユニット基板230を光源のヒートシンクとしてより有効に機能させることができるのである。実際、レーザダイオード40から発生する熱量の適切な処理は、レーザダイオード40、その他のヘッド内の素子の動作を正常に維持するために非常に重要となる。また、このレーザダイオード40の駆動においては、磁気ディスク装置内の電源が使用可能である。磁気ディスク装置は、通常、例えば2~5V程度の電源を備えており、レーザ発振動作には十分の電圧を有している。なお、レーザダイオード40の幅WLA図1は、例えば150~250μmであってもよい。また、レーザダイオード40の長さLLAは、反射層510及び511間の距離である共振器長に概ね相当するものであるが、例えば300μm又はそれ以上であることが好ましい。また、レーザダイオード40の高さHLAは、40~100μmの範囲内の値に設定されることが好ましい。この高さHLAは、n電極40aと引き出し電極411とのZ軸方向での高低差に相当する。後述するバーンイン試験において、電極がこのような範囲内の高低差を有する場合、シート状プローブを当てる電極の表面粗さRaを相対的に調整することによって、シート状プローブと電極との接触状態を安定させ、良好なバーンイン試験を実施することが可能となるのである。図2において、レーザダイオード40のp電極40iとユニット基板230上の光源電極410との接着は、例えば鉛フリー半田の1つであるAuSn合金等による半田付けによって実施可能である。さらに、スライダ22と光源ユニット23とは、スライダ基板220の背面2201とユニット基板230の接着面2300とを対向させて、接着層である半田層58を間に挟む形で互いに接着されている。ここで、ユニット基板230がSi、GaAs、SiC等の半導体材料で形成されている場合、光源ユニット23とスライダ22とを、例えばAuSn合金からなる半田層58で接着する際に、Nd-YAGレーザ光を、ユニット基板230を透過させて半田層58に照射し、半田層58を溶融させることが可能となる。[ヘッド素子部]図2によれば、ヘッド素子部221は、MR素子33、電磁変換素子34、及び光学系31を備えている。このうち、MR素子33は、MR積層体332と、対となってMR積層体332及び絶縁層381を挟む位置に配置されており軟磁性材料から形成された下部シールド層330及び上部シールド層334とを含み、集積面2202上に形成されたAl2O3アルミナ等の絶縁材料からなる下地層380上に形成されている。MR積層体332は、MR効果を利用して信号磁界を感受する感磁部であり、例えば、面内通電型巨大磁気抵抗CIPGMR積層体、垂直通電型巨大磁気抵抗CPPGMR積層体、又はトンネル磁気抵抗TMR積層体とすることができる。また、電磁変換素子34は、垂直磁気記録用であって、上部ヨーク層340と、主磁極3400と、書き込みコイル層343と、コイル絶縁層344と、下部ヨーク層345と、下部シールド3450とを備えている。上部ヨーク層340は、コイル絶縁層344を覆うように形成されており、主磁極3400は、Al2O3アルミナ等の絶縁材料からなる絶縁層385上に形成されている。これら上部ヨーク層340及び主磁極3400は、互いに磁気的に接続されており、書き込みコイル層343に書き込み電流を印加することによって発生した磁束を、書き込みがなされる磁気ディスク10図4の磁気記録層垂直磁化層まで収束させながら導くための導磁路となっている。このうち、主磁極3400は、ヘッド端面2210に達しておりトラック幅方向の小さな幅WP図3を有する第1の主磁極部3400aと、この第1の主磁極部3400a上であって第1の主磁極部3400aの後方X側に位置している第2の主磁極部3400bとを有している。ここで、上述した幅WPは、この主磁極3400のヘッド端面2210上における端面3400e図3におけるトラック幅方向Y軸方向の辺の長さであり、書き込み磁界のトラック幅方向Y軸方向における分布の幅を規定し、例えば005~05μm程度とすることができる。主磁極3400は、上部ヨーク層340よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料から形成されていることが好ましく、例えば、Feが主成分である鉄系合金の軟磁性材料から形成される。書き込みコイル層343は、絶縁層385上に形成されたAl2O3アルミナ等の絶縁材料からなる絶縁層3421上において、1ターンの間に少なくとも下部ヨーク層345と上部ヨーク層340との間を通過するように形成されており、バックコンタクト部3402を中心として巻回するスパイラル構造を有している。この書き込みコイル層343は、例えばCu銅等の導電材料から形成されている。ここで、例えば加熱キュアされたフォトレジスト等の絶縁材料からなる書き込みコイル絶縁層344が、書き込みコイル層343を覆っており、書き込みコイル層343と上部ヨーク層340との間を電気的に絶縁している。書き込みコイル層343は、本実施形態において1層であるが、2層以上でもよく、又はヘリカルコイルでもよい。さらに、巻き数も図2での数に限定されるものではなく、例えば、2~7ターンに設定され得る。なお、バックコンタクト部3402には、X軸方向に伸長した貫通孔が設けられており、この貫通孔の中を、導波路35及び導波路35を被覆する絶縁層が通り抜けている。この貫通孔内においては、バックコンタクト部3402の内壁と導波路35とが所定の距離、例えば少なくとも1μm離隔している。これにより、バックコンタクト部3402による導波路光の吸収が防止される。下部ヨーク層345は、Al2O3アルミナ等の絶縁材料からなる絶縁層383上に形成されており、磁気ディスク10の磁気記録層垂直磁化層の下に設けられた軟磁性裏打ち層から戻ってきた磁束を導く導磁路としての役割を果たす。この下部ヨーク層345は軟磁性材料から形成されている。また、下部シールド3450は、下部ヨーク層345と磁気的に接続されていてヘッド端面2210に達した導磁路の一部である。下部シールド3450は、近接場光発生素子36を介して主磁極3400と対向しており、主磁極3400から発して広がった磁束を取り込む役割を果たす。下部シールド3450は、高飽和磁束密度を有する、NiFeパーマロイ又は主磁極3400と同様の鉄系合金材料等から形成されることが好ましい。図2によれば、光学系31は、スポットサイズ変換素子43、導波路35、及び近接場光発生素子36を備えている。このうちのスポットサイズ変換素子43によってスポットサイズを変換小さくされたレーザ光53aは、導波路35の受光端面352に入射し導波路35中を伝播する。導波路35は、受光端面352から、バックコンタクト部3402に設けられたX軸方向の貫通孔の中を通って、ヘッド端面2210側の端面350まで伸長している。さらに、近接場光発生素子36は、導波路35を伝播してきたレーザ光導波路光を近接場光に変換する近接場光発生素子である。導波路35のヘッド端面2210側の部分及び近接場光発生素子36は、下部シールド3450下部ヨーク層345と主磁極3400上部ヨーク層340との間に設けられている。また、導波路35のヘッド端面2210側の上面側面の一部と近接場光発生素子36の下面の一部とは、所定の間隔をもって対向しており、これら一部に挟まれた部分は、導波路35の屈折率よりも低い屈折率を有する緩衝部50となっている。緩衝部50は、導波路35を伝播するレーザ光導波路光を近接場光発生素子36に結合させる役割を果たす。以上に述べた導波路35、緩衝部50及び近接場光発生素子36については、後に図3を用いて詳細に説明を行う。さらに、図2に示すように、MR素子33と電磁変換素子34下部ヨーク層345との間に、絶縁層382及び383に挟まれた素子間シールド層39が設けられていることも好ましい。この素子間シールド層39は、軟磁性材料で形成されることができ、電磁変換素子34より発生する磁界からMR素子33をシールドする役割を果たす。なお、以上に述べた絶縁層381、382、383、384、385及び386が、保護層38を構成することになる。図3は、導波路35、近接場光発生素子36及び主磁極3400の構成を概略的に示す斜視図である。同図においては、書き込み磁界及び近接場光が磁気記録媒体に向かって放射される位置を含むヘッド端面2210が、左側に位置している。図3によれば、近接場光を発生させるためのレーザ光導波路光53bを端面350に向かって伝播させるための導波路35と、導波路光53bを受けて近接場光62を発生させる近接場光発生素子36とが設けられている。また、導波路35の側面354の一部分と、近接場光発生素子36の下面362の一部との間に挟まれた部分が、緩衝部50となっている。この緩衝部50は、例えば絶縁材料から形成されており、導波路光53bを近接場光発生素子36に結合させる役割を果たす。なお、図1~図3に示されるような光源及び光学系において、レーザダイオード40の発光中心4000から放射されるレーザ光は、電場の振動方向がZ軸方向であるTMモードの偏光を有することが好ましい。図3によれば、近接場光発生素子36は、本実施形態において、Au、Ag、又はAu若しくはAgを含む合金等の金属材料から形成されていて、三角形状のYZ面による断面を有している。また、特にヘッド端面2210に達した端面36aは、リーディング側-Z側に、底辺と対向した頂点を有する二等辺三角形の形状を有している。近接場光発生素子36は、導波路35から緩衝部50を介して導波路光53bを受け、端面36aから近接場光62を発生させる。この近接場光62が磁気ディスク10図4の磁気記録層に向けて照射され、磁気ディスク10の表面に達し、磁気ディスク10の磁気記録層部分を加熱する。これにより、その部分の異方性磁界保磁力が書き込みを行うことが可能な値にまで低下する。その直後、この部分に、主磁極3400から発生する書き込み磁界63を印加して書き込みを行う。以上、熱アシスト磁気記録を行うことが可能となる。なお、ヘッド素子部221に設けられた熱アシスト用の光を発生させるための光学系は、以上に述べたものに限定されるものではない。例えば、別の形状、構造を有する近接場光発生素子を用いた光学系、又は金属片からなるプラズモンアンテナを導波路端に配した光学系を用いることも可能である。図4は図1に示す熱アシスト磁気記録ヘッドを備えた磁気ディスク装置の一例における要部の構成を概略的に示す斜視図であり、図5はこの熱アシスト磁気記録ヘッドを備えたHGAの一例における要部の構成を概略的に示す斜視図である。ただし、図5においては、HGAの磁気ディスク表面に対向する側が上になって表示されている。図4に示した磁気記録装置としての磁気ディスク装置は、スピンドルモータ11の回転軸の回りを回転する、磁気記録媒体としての複数の磁気ディスク10と、複数の駆動アーム14が設けられたアセンブリキャリッジ装置12と、各駆動アーム14の先端部に取り付けられており熱アシスト磁気記録ヘッド21を備えたHGA17と、熱アシスト磁気記録ヘッド21の書き込み及び読み出し動作を制御し、さらに、熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオード40の発光動作を制御するための記録再生及び発光制御回路13とを備えている。磁気ディスク10は、本実施形態において、垂直磁気記録用であり、例えば、ディスク基板に、軟磁性裏打ち層、中間層及び磁気記録層垂直磁化層が順次積層された構造を含んでいる。アセンブリキャリッジ装置12は、熱アシスト磁気記録ヘッド21を、磁気ディスク10の磁気記録層に形成されており記録ビットが並ぶトラック上に位置決めするための装置である。同装置内において、駆動アーム14は、ピボットベアリング軸16に沿った方向にスタックされており、ボイスコイルモータVCM15によってこの軸16を中心にして角揺動可能となっている。なお、本発明に係る磁気ディスク装置の構造は、以上に述べた構造に限定されるものではない。磁気ディスク10、駆動アーム14、HGA17及びヘッド21は、単数であってもよい。図5によれば、HGA17において、サスペンション20は、ロードビーム200と、このロードビーム200に固着されており弾性を有するフレクシャ201と、ロードビーム200の基部に設けられたベースプレート202と、フレクシャ201上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材203とを備えている。熱アシスト磁気記録ヘッド21は、各磁気ディスク10の表面に対して所定の間隔浮上量をもって対向するように、サスペンション20の先端部であってフレクシャ201に固着されている。ここで、フレクシャ201には、開口2010が設けられており、熱アシスト磁気記録ヘッド21は、光源ユニット23が、この開口2010を通してフレクシャ201の反対側に出るように接着されている。さらに、配線部材203の一端をなす接続パッドは、熱アシスト磁気記録ヘッド21の磁気ヘッド素子32用の端子電極370及び371図1に、さらには光源ユニット23の引き出し電極411及びレーザダイオード40のn電極40a図1に、ワイヤボンディング、SBB等の方法によって電気的に接続されている。これにより、MR素子33、電磁変換素子及びレーザダイオード40に通電し、これらの素子を駆動することが可能となるのである。サスペンション20の構造も、以上に述べた構造に限定されるものではない。図示されていないが、サスペンション20の途中にヘッド駆動用ICチップが装着されていてもよい。図6a~図6fは、図1に示す熱アシスト磁気記録ヘッドにおける、光源ユニット23の、バーンイン試験によるスクリーニングを含む製造方法の一部工程を説明する斜視図である。また、図7A及びBは、バーンイン試験に用いられるシート状プローブの構造を示す断面図及び下面図である。このうち、図7Bの下面図は、電極と接触する側から見た図となっている。さらに、図8は、バーンイン試験に用いられるシート状プローブと各電極との接触状態を説明するための概略図である。図6aに示した工程によれば、最初に、バー基板70の光源設置面702には、光源電極410及び引き出し電極411の複数の組が、例えばスパッタリング法、めっき法又は蒸着法と、フォトリソグラフィ法、ミリング法等とを用いて形成されている。この際、光源設置面702上に絶縁層56が設けられていて、この絶縁層56上にこれらの電極が形成されていることも好ましい。この電極が形成されたバー基板70は、例えば、ウエハ上に光源電極410及び引き出し電極411の複数の組を配列させて形成し、このウエハをバーに切断分離することによって得られる。なお、バー基板70は、切断分離することによって個々がユニット基板230となる部材である。ここで、引き出し電極411は、後のバーンイン試験工程でシート状プローブと接触することになる。そのため、後に詳しく説明するように、この引き出し電極411の表面は、好ましくは、表面粗さRaが0005μm以上であって05μm以下となるように設定される。例えば、引き出し電極411を形成する際の成膜方法の選択によって、さらには同方法における成膜条件の調整によって、表面粗さRaの制御が可能となっている。さらにまた、引き出し電極411の金属表面の精密研磨を行うことによって、その表面粗さRaを、例えば01μm程度に調整することもできることが実験により分かっている。ここで、表面粗さRaは、JIS日本工業規格B0601:2001で規定された算術平均粗さRaである。この算術平均粗さRaは、粗さ曲線fxを中心線x軸から折り返し、折り返された粗さ曲線と中心線とによって得られた面積を測定部分の長さLで割った値をマイクロメートル単位で表わしたものである。即ち、Ra=L-1∫0Lfxdxである。次いで、同じく図6aに示すように、バー基板70の接着面700にスライダ22との接続のための、例えばAuSn合金からなる半田層58を、例えばスパッタリング法、蒸着法等を用いて形成する。このような金属材料からなる半田層58を用いることによって、後に、Nd-YAGレーザ光等のレーザ光を用いて半田層58を溶融させ、光源ユニット23とスライダ22とを接着することが可能となる。次いで、図6bに示すように、複数のレーザダイオード40の各々を、レーザダイオード40のp電極40iを底として各光源電極410上に載せ、光源電極410に接着する。これにより、バー基板70に複数の光源が設けられている光源ユニットバー71が得られる。この光源ユニットバー71は、切断分離することによって個々のチップが光源ユニット23になるものである。なお、上述したレーザダイオード40の接着は、例えば、前もってAuSn合金等の蒸着膜を光源電極410上に成膜し、レーザダイオード40をこの蒸着膜光源電極410上に乗せた後、熱風ブロア下でホットプレート等を用いて200~300°C程度まで加熱することによって実施可能である。ここで、搭載するレーザダイオード40の上面となるn電極40aも、後のバーンイン試験工程でシート状プローブと接触することになる。そのため、後に詳しく説明するように、このn電極40aの表面は、好ましくは、表面粗さRaが05μm以上であって10μm以下となるように設定され、さらに、上電極としてのn電極40aの表面粗さRaは、上述した下電極としての引き出し電極411の表面粗さRaよりも大きくなるように設定される。このn電極40aの表面粗さRaの調整は、例えば、以下の様に実施することができる。即ち、レーザダイオード40において、n-GaAs基板40b図2のn電極40aが形成される側の表面は、通常所定の研磨処理を施されているが、この研磨処理を行う際に用いる砥石の目の粗さをより大きなものに設定し、このn-GaAs基板40bの表面に通常よりも大きな所定の粗さを付与した上で、n電極40aを形成する、という方法によって、n電極40aの表面粗さRaの調整が可能となる。一般に、レーザダイオードのn電極は、保護用の缶状のパッケージであるCANパッケージへの搭載の際に必要となるワイヤボンディングを安定して実施できるように高い平滑性を与えられている場合が多く、例えばその表面粗さRaが05μm未満となっている場合もある。しかしながら、上記の処理を前もって施すことによって、表面粗さRaの値を高めることが可能となる。また、搭載するレーザダイオード40の高さHLAは、40μm以上であって100μm以下であるように設定される。この高さHLAの範囲は、通常汎用で用いられる端面発光型レーザダイオードチップの高さを含むものとなっている。次いで、図6cに示すように、以上述べたように設定、調整された光源ユニットバー71を、バーンイン試験装置72の固定治具720にセットする。バーンイン試験装置72は、n電極40a用の短冊形のシート状プローブ730と、引き出し電極411用の短冊形のシート状プローブ731とが交互に配置されたシート状プローブ群73を備えている。ここで、セットされた光源ユニットバー71のn電極40aにシート状プローブ730を接触させ、引き出し電極411にシート状プローブ731を接触させる。その後、これらシート状プローブ730及びn電極40a並びにシート状プローブ731及び引き出し電極411を介して、各レーザダイオード40に通電を行い、バーンイン試験を実施する。ここで、シート状プローブ730731は、図7A及びBに示すように、例えばステンレス等の弾性材料からなる厚さが例えば20μm程度の基体73007310と、基体73007310上に形成された例えばポリイミド等の絶縁材料からなる厚さが例えば10μm程度の絶縁層73017311と、絶縁層73017311上に形成された例えばCu等の導電材料からなる例えば厚さ20μm程度の導電層73027312と、導電層73027312を被覆する、例えばめっき法で形成されたAu、Au合金等からなる例えば厚さ10μm程度の導電被覆層73037313とを備えている。導電層73027312は、n電極40a引き出し電極411と接触する側において、基体73007310からはみ出ている。このはみ出ている導電層73027312部分の幅WCONは、例えば、30μm程度とすることができる。また、導電被覆層73037313は、この導電層7302の少なくともn電極40a引き出し電極411と接触する部分を被覆している。なお、シート状プローブ730及び731は、以上に述べた形態のものに限定されるものではなく、撓むことができる導電層が適切に電極と接触する他の構造を有していてもよい。このようなシート状プローブ730及び731を、それぞれn電極40a及び引き出し電極411に接触させた状態を、図8に示す。図8によれば、シート状プローブ730はn電極40aに接触しているが、n電極40aは引き出し電極411よりも高さHLAだけより高い位置レベルに存在する。ここで、電極の位置の高さとは、本実施形態において、電極のZ軸方向での位置の尺度であり、電極がよりZ側にあるほどより高い位置にあるとされる。従って、シート状プローブ730の先端部の導電層7302導電被覆層7303は、シート状プローブ731の先端部の導電層7312導電被覆層7313に比べて、より小さい角度をもってn電極40aに当たるのである。ここで、一般にシート状プローブと電極との接触状態は、シート状プローブの端が電極に当たる角度に大きく依存することが実験及び経験から分かっている。実際、導電層7302導電被覆層7303とn電極40aとにおいては当たる角度がより浅くなっているので、両者間の接触領域が広くなる分だけ両者を押しつける圧力が分散してしまい、また、接触ポイントも定まりにくい。結果として、その角度からすると、両者の接触状態が安定しない問題が生じやすい状態となっているのである。しかしながら、本実施形態においては、n電極40aの表面粗さRa1は、上述した引き出し電極411の表面粗さRa2よりも大きくなるように設定されている。好ましくは、両電極の高低差HLAが40~100μmの範囲内であって、表面粗さRa2が0005~05μmの範囲内の値をとる場合において、表面粗さRa1が05~10μmの範囲内の値に設定されている。これにより、当たる角度からすると接触状態が安定し難いシート状プローブ730の導電層7302導電被覆層7303とn電極40aとが、より安定して接触することが可能となる。次いで、図6dに示すように、バーンイン試験装置72を用いて、セットされた光源ユニットバー71のバーンイン試験を行う。バーンイン試験装置72は、上述した固定治具720及びシート状プローブ群73と、固定治具720に固定されている複数のフォトダイオード74と、コントローラ75とを備えている。ここで、フォトダイオード74は、シート状プローブ群73を介して電流が供給されたレーザダイオード40から発生するレーザ光を受光面740で受け、レーザダイオード40の各々の光出力を測定する光検出器である。また、コントローラ75は、フォトダイオード74からの測定出力を受け、レーザダイオード40に供給する電流を制御し計測する装置であり、同装置として、制御ソフトウエアを備えたコンピュータを用いることができる。バーンイン試験においては、最初に、コントローラ75が、シート状プローブ群73を介して光源ユニットバー71に搭載された各レーザダイオード40に通電を行い、各レーザダイオード40から所定の光出力PLA0、例えば数十mW、を得るのに必要となる供給電流IOPの値IOP0を決定する。値IOP0としては例えば数十mAである。ここで各レーザダイオード40の光出力は、受光面740が対象となるレーザダイオード40の発光中心4000と対向したフォトダイオード74からの測定出力を基にして求められる。次いで、コントローラ75は、各レーザダイオード40からの光出力PLAが所定値PLA0をとり続けるように、電流IOPをレーザダイオード40に常時制御しながら供給し続ける。この場合、供給電流IOPの試験開始時の値はIOP0となる。その後、コントローラ75は、各レーザダイオード40からの光出力が一定値PLA0に保たれた状態での各レーザダイオード40への供給電流IOPの値の変化を一定時間、計測する。コントローラ75は、この一定時間経過後、供給電流IOPの値が所定の上限値IMAXを超えているレーザダイオード40を不良と判定し、不良であるレーザダイオード40のリストを形成する。以上説明した実施形態のバーンイン試験によれば、シート状プローブと接触すべき複数の電極が複数の異なる高さの位置に設けられた光源ユニットバー71においても、より高い位置に存在する電極の表面粗さRaほどより大きな値に設定されることによって、各電極とシート状プローブとの接触状態を安定させることができる。その結果、安定した信頼性の高いバーンイン試験を実施することが可能となるのである。また、個々の光源ユニットチップに切断分離する前の光源ユニットバー71の状態で、複数のレーザダイオード40を並列に評価することができる。このような並列処理を行うことにより、一度に大量のレーザダイオード40のバーンイン試験を実施することができ、信頼性評価工程の工数及び時間の大幅な短縮が可能となるのである。図9は、光源ユニットバー71においてバーンイン試験を行った実施例における、レーザダイオード40への投入電流の経時変化を示すグラフである。以下、同図を用いて、光源ユニットバー71においてバーンイン試験を行った実施例を説明する。図9は、レーザダイオード40への供給電流IOPの経時変化を示すグラフとなっている。本実施例では、厚さ10μmのAuからなる導電被覆層で被覆された、厚さ20μmのCuからなる導電層を有するシート状プローブ730及び731を、厚さ01μmのAuからなる表面粗さRa1=55μmのn電極40aと、n電極40aよりも50μm低い位置に存在する厚さ3μmのAuからなる表面粗さRa2=01μmの引き出し電極411とに接触させている。その結果、5~200mAの範囲内の電流が安定して流れることが事前の実験により確認された。なお、表面粗さRaの測定は、レーザテックLasertec社のブルーレーザー顕微鏡VL2000D-Aを用いて行われた。また、光源ユニットバー71上の試験対象となる端面発光型のレーザダイオード40の数サンプル数は、200個であった。さらに、各レーザダイオード40の光出力を試験中一定に保つ際の、当該一定の光出力PLA0は、60mWであった。また、良不良の判定基準となる供給電流の上限値IMAXは、110mAに設定された。さらに、各レーザダイオード40に電流IOPを供給した時間である良不良の判定時間は、300分であった。図9によれば、各レーザダイオード40への供給電流IOPは、サンプル90~93以外の全てのサンプルにおいて、約80~95mAの範囲内の初期値IOP0をとり、時間の経過とともに漸増するが、約25分後以降は、ほぼ上限値IMAX=110mA以下の一定値をとっていることが分かる。この結果より、これらのサンプル90~93以外のサンプルは、良品であると判定される。一方、サンプル90、92及び93における供給電流IOP値は、開始から約20分後に上限値IMAX=110mAを超えており、またサンプル91における供給電流値IOPは、開始から約100分後に上限値IMAX=110mAを超えている。これらのサンプル90~93において、供給電流IOPは上限値IMAX=110mAを超えた後も増大している。以上の結果から、サンプル90~93は不良品であると判定される。なお、本実施例において、これらのサンプルにおける供給電流IOP値は、ある時点をもって跳ね上がっており、これらのサンプルにおいて絶縁破壊が生じていると考えられる。また、これらのサンプルにおける供給電流の初期値IOP0も、上述した良品のサンプルでの初期値IOP0の範囲を超えているのである。以上に示した実施例より、本発明によれば、電極の表面粗さRaの適切な調整によって、光源ユニットバー71のような段差のある被試験体に対しても、信頼性の高い良好なバーンイン試験を実施することが可能となることが理解される。次いで、図6eに示すように、光源ユニットバー71のバーンイン試験後、光源ユニットバー71を切断して複数の光源ユニットチップに分離する。ここで分離されたチップのうち、不良であるレーザダイオード40図9の実施例ではサンプル90~93を備えた光源ユニットチップを取り除き、図6fに示すように、良品と判定された光源ユニットチップを得て光源ユニット23とする。この際、不良であるレーザダイオード40は、コントローラ75が有する、不良と判定されたレーザダイオードのリストを参照して特定することができる。以上、本発明によるバーンイン試験によるスクリーニングを含む光源ユニット23の製造工程が完了する。以上述べた実施形態及び実施例は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。