一端が、絶縁体14を備える高抵抗性の基板12の上に取り付けられた可撓性スイッチング素子18と、前記基板12の中に電荷キャリアを供給するためのコンタクト電極24とを備え、前記スイッチング素子18と前記基板12との間には、前記スイッチング素子18上に静電気曲げ力を生成するための電界が生成され得る、高周波MEMSスイッチ10であって、前記絶縁体14の直下の前記基板12内に、少なくとも1つのインプラント領域20が形成されており、前記少なくとも1つのインプラント領域20は、前記絶縁体14内の開口部22を通って、前記絶縁体14の上方に配置されたコンタクト電極24と接触していると共に、前記基板12に対してオーミックコンタクトを有していることを特徴とする、高周波MEMSスイッチ。前記インプラント領域20は、前記スイッチング素子18に対して側方にずらされて配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の高周波MEMSスイッチ。前記インプラント領域20は、前記スイッチング素子18の可動端部の前で終結しており、前記スイッチング素子18の自由端の下方には、信号導体部分が、第2のインプラント領域30として形成されており、前記第2のインプラント領域30は、容量結合によって、可動性の前記スイッチング素子18と相互に作用することを特徴とする、請求項1に記載の高周波MEMSスイッチ。複数のインプラント領域20が設けられていることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の高周波MEMSスイッチ。これに基づき、本発明の課題は、スイッチング時間が短いことを特徴とする、請求項1の前文に係る高周波MEMSスイッチを提供することにある。本発明によれば、この課題は、絶縁体の直下の基板内に、少なくとも1つのインプラント領域を形成することによって解決される。このインプラント領域は、絶縁体の開口部を通って、絶縁体の上方に配置されたコンタクト電極と接触しており、さらに、基板に対してオーミックコンタクトを有している。本発明の好ましい発展形態は、従属請求項に記載されている。本発明の原理は、接地電位の供給を、従来のように基板の背面からではなく、基板の上面から、絶縁体の開口部を通って導くと共に、基板に対してオーミックコンタクトを形成するためのインプラント領域を、絶縁体の下方に提供することである。従って、基板の背面にコンタクトを形成する代わりに、接地接触は、表側面を介して導かれる。高抵抗性の基板に対してオーミックコンタクトを有する少なくとも1つのインプラント領域を、スイッチング素子の隣または下に配置することによって、電気経路を短縮し、これによって、リード抵抗および結果的に電気的スイッチング時間を短縮する。さらに、極性が規定されていない高抵抗性のショットキーダイオードを、背面コンタクトと基板との間に配置することを省くことができる。これによって、リードの抵抗を、形態に応じて、それぞれに所望の、例えば50kΩの値に、正確且つ再現可能に低減することが可能である。これによって、駆動電圧が高い場合の電気的スイッチング時間を、2~40μsの範囲にすることが可能である。基板を接地接触するための少なくとも1つのインプラント領域を、表側面から用いることによって、電気的スイッチング時間、および従ってスイッチング時間全体が、著しく短縮される。このため、HF-MEMESの使用スペクトルは、大幅に拡張される。本発明の好ましい一発展形態によれば、少なくとも1つのインプラント領域は、スイッチング素子に対して側方にずらされて配置されている。この構成は、インプラント領域がスイッチング素子自体の直下に配置されている構成よりも、HF損失がわずかであるという利点を有している。しかし、この構成は、インプラント部がスイッチング素子のすぐ下に設けられた構成とは異なり、高い抵抗を生じさせる。複数のインプラント領域が設けられていてもよい。これらの複数のインプラント領域は、様々な位置、例えばスイッチング素子の両側面に配置可能である。これらのインプラント領域は、イオン注入によって形成されることが好ましい。本発明の好ましい一発展形態は、インプラント領域が、スイッチング素子の下方に配置されていることを提供する。こうすることによって、リード抵抗を、可能な限り少ない、約50kΩの値にすることが可能であり、これによって、スイッチング時間を、可能な限り短くすることが可能である。好ましい一発展形態によれば、インプラント領域は、スイッチング素子の可動端部の前、すなわち、可動性のスイッチング素子の下方に形成された第2のインプラント領域の前で終結しており、このためインプラント領域は、可動性のスイッチング素子との相互作用によって、容量結合として本来のスイッチング動作を実施する。インプラント領域は、標準的なイオン注入によって形成される。ここで、ドーピングは、基板とのオーミックコンタクトが生成されるように選択される。このドーピングは、少なくとも約1μmの深さであることが好ましい。以下に、添付の図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態についてさらに説明する。同一の参照番号は、同一の部材を示すものである。図1は、高周波の用途に適した高周波MEMSスイッチ10を示す概略的な断面図である。この高周波MEMSスイッチ10は、例えばシリコンから構成される高抵抗性の基板12を含む。この基板の表側面には、例えば約100nm~500nmの厚さのSiO2から構成される絶縁層14が設けられている。基板12の背面には、背面コンタクト16が設けられている。スイッチ10は、この背面コンタクト16を介して、従来のように配線されている。こうして、スイッチ10は、マイクロストリップ伝送線を介した高周波伝送だけを行う。絶縁層14の上には、静止状態において湾曲した可撓性スイッチング素子18が、一端で固定されており、その自由端は、絶縁層14から離間されている。絶縁層14の下方には、第1のインプラント領域20が広がっている。第1のインプラント領域20は、絶縁層14内の貫通口22を介して、第1の金属端子コンタクト24と、導電的に接続されている。電圧源26が、導線28aを介して、第1の端子コンタクト24に接続されており、導線28bを介して、スイッチング素子18に接続されている。スイッチング素子18の自由端の下方には、第2のインプラント領域30が設けられている。第2のインプラント領域30は、先に続くマイクロストリップ伝送線の信号導体に、図示されていない接続を介して接触している。スイッチング素子18が近接すると、スイッチング素子とインプラント領域30との間に、容量結合が形成される。電圧源26をアクティブにすることによって、ある極性の電荷キャリアが、スイッチング素子18の中に達すると共に、逆の極性が、導線28aを介して、第1のインプラント領域20の中に達し、インプラント領域20から基板12の中に達して、静電引力が作用する。この静電引力は、スイッチング素子18を、基板12の方向に引き付けて、これを伸ばす。スイッチング素子18が第2のインプラント領域30に近接することによって、本来のスイッチング動作が、容量結合を介して行われる。逆に、電圧源26の供給を停止すると、静電引力は停止され、スイッチング素子18は、再び、湾曲した静止状態に戻る。これによって、スイッチは、再び開かれる、すなわち、容量結合は終了する。図2は、高周波MEMSスイッチ10aの好ましい第1の実施形態を示す概略的な平面図である。この図では、インプラント領域20aは、スイッチング素子18に対して側方にずらされて配置されている。スイッチング素子18は、抵抗を有する導体32によって、第2の端子コンタクト34に結合されている。この第2の端子コンタクト34は、導線28bを介して電圧源26に接続されている。この図では、第2のインプラント領域は、図示されていない。図3に係る実施形態の高周波MEMSスイッチ10bは、図2の実施形態に非常に相似している。ここでは、インプラント領域20bは、図1のインプラント領域よりも、スイッチング素子18に近接して配置されている。このため、図2に係る実施形態よりも、電気抵抗は少なく、電気的スイッチング時間も短い。本実施形態は、図4に係るものと比べて、HF損失が幾分少ないという利点を有している。図4に係る実施形態の高周波MEMSスイッチ10cでは、インプラント領域20cは、完全にスイッチング素子18の下方にあり、スイッチング素子18の長さの大部分にわたって広がっている。このため、生じるオーム抵抗は極めてわずかである。本実施形態は、スイッチング時間が最も短いという利点を有している。