"式ISrLu2-xSiAl4O12:CexI式中、xは、0.01~0.15の範囲の値を表す、で表される化合物。xが、0.015~0.12の範囲、好ましくは0.016~0.10の範囲の値を表すことを特徴とする、請求項1に記載の化合物。請求項1または2に記載の化合物の製造方法であって、以下の工程:aルテチウム-、セリウム-、アルミニウム-、ストロンチウム-およびシリコン-含有材料を混合すること、b少なくとも1種のさらなる無機または有機物質の添加、cセリウム-活性化合物の熱的後処理を含む、前記方法。化合物を、ゾル-ゲル法、沈殿法および/または乾燥法、好ましくはスプレー乾燥によって、無機および/または有機金属および/または希土類塩から、湿式化学法によって製造することを特徴とする、請求項3に記載の方法。無機または有機物質が工程b、アンモニウムハロゲン化物、アルカリ土類金属フッ化物、例えばフッ化カルシウム、フッ化ストロンチウムまたはフッ化バリウムなど、ホウ酸塩、ホウ酸、炭酸塩、好ましくは炭酸水素アンモニウム、シュウ酸塩などのアルコラートおよびまたはTEOSなどのケイ酸エステルの群から選択されることを特徴とする、請求項3または4に記載の方法。請求項1または2に記載の少なくとも1種の式Iで表される化合物および少なくとも1種の赤色発光蛍光体を含む、混合物。少なくとも1種の赤色発光蛍光体が、Ce-ドープガーネット、Eu-ドープチオガリウム酸塩、Eu-ドープ硫セレン化物ならびにEu-および/またはCe-ドープ窒化物、酸窒化物、窒化アルミニウムおよび/またはMnIV-ドープ酸化物および/またはフッ化物から選択されることを特徴とする、請求項6に記載の混合物。少なくとも1種の赤色発光蛍光体が、窒化蛍光体、好ましくはCa,Sr,Ba2Si5N8:Eu、Ca,SrAlSiN3:Eu、Ca,Sr;BaSiN2:Eu、Ca,Sr,Ba6Si3O6N4:EuまたはCa,Sr,Ba2-x/2Si5N8-xOx:Eu式中、xは0.01~3の範囲からの数を表すから選択されることを特徴とする、請求項6または7に記載の混合物。少なくとも1種の式Iで表される化合物を、少なくとも1種の赤色発光蛍光体と混合することを特徴とする、請求項6~8のいずれか一項に記載の混合物の製造方法。半導体および請求項1まはた2に記載の少なくとも1種の式Iで表される蛍光体および少なくとも1種の赤色発光蛍光体を含むことを特徴とする、光源。半導体が発光性窒化インジウムアルミニウムガリウム、特に式IniGajAlkN、式中0≦i、0≦j、0≦kおよびijk=1、で表されるものであることを特徴とする、請求項10に記載の光源。請求項10または11に記載の少なくとも1種の光源を含むことを特徴とする、照明ユニット、特にディスプレイデバイスの背面照明のための前記照明ユニット。蛍光体と光源との間の光結合が、光伝導配置によって達成されることを特徴とする、請求項12に記載の照明ユニット。請求項12または13に記載の少なくとも1種の照明ユニットを含むことを特徴とする、背面照明を有するディスプレイデバイス、特に液晶ディスプレイデバイスLCディスプレイ。発光ダイオードからの青色または近紫外発光の部分的または完全な変換のための変換蛍光体としての、請求項1または2に記載の少なくとも1種の化合物の使用。"