"下記化学式1の化合物及びフェニルアミン系化合物を含む有機膜を備える有機発光素子。前記化学式1の化合物の含有量は、化学式1の化合物とフェニルアミン系化合物との総重量100重量部を基準として1ないし10重量部である請求項1に記載の有機発光素子。前記フェニルアミン系化合物は、下記構造式で表示されるNPB及びTPDからなる群から選択された一つである請求項1または2に記載の有機発光素子。前記有機膜は、正孔注入層、正孔輸送層、または正孔注入及び正孔輸送能を持つ中間層である請求項1から3の何れか一項に記載の有機発光素子。正孔注入層、発光層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択された一つ以上をさらに含む請求項1から4の何れか一項に記載の有機発光素子。燐光ドーパントを含む発光層をさらに含む請求項1から5の何れか一項に記載の有機発光素子。前記燐光ドープ剤が、Ir、Pt、Os、Re、Ti、Zr、Hf、またはこれらのうち、2つ以上の組合せを含む有機金属錯体である請求項6に記載の有機発光素子。前記電子輸送層が電子輸送性有機物質及び金属含有物質を含む請求項5から7の何れか一項に記載の有機発光素子。前記金属含有物質がLi錯体を含む請求項8に記載の有機発光素子。電荷輸送層形成材料の電荷移動度が増大することによって駆動電圧が向上した有機発光素子が提供される。本発明の一側面によれば、下記化学式1の化合物及びフェニルアミン系化合物を含む有機膜が備えられた有機発光素子を提供する。本発明の一具現例による有機発光素子は、正孔注入及び正孔輸送能と、電子輸送能が改善されて駆動電圧特性が向上する。本発明の一具現例による有機発光素子は、第1電極と第2電極との間に有機膜を備え、前記有機膜は、下記化学式1の化合物とフェニルアミン系化合物とを含有する。前記化学式1の化合物はP型ドーパント特性を持ち、かつ正孔輸送層材料のHOMOエネルギーと類似したLUMOエネルギーを持っている。そして、この化合物は熱的特性に優れ、蒸着温度を150ないし250°Cに制御可能なので、有機膜製造工程が比較的容易である。前記フェニル系アミンの具体的な例として、下記構造式で表示されるNPB、TPD、その混合物がある。前記有機膜で化学式1の化合物の含有量は、化学式1の化合物とフェニルアミン系化合物との総重量100重量部を基準として1ないし10重量部である。もし、化学式1の化合物の含有量が前記範囲である時、素子の効率などの性能が優秀である。前記有機膜のうち、前記化学式1の化合物は、均一にhomogeneouslyまたは不均一にnon-homogeneously分布されうるなど多様な変形が可能である。前記有機膜は、正孔注入層、正孔輸送層、または正孔注入及び正孔輸送能を持つ中間層でありうる。前記有機発光素子は、正孔注入層、発光層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択された一つ以上をさらに含むことができる。前記有機発光素子が電子輸送層を備える場合、前記電子輸送層として一般的な電子輸送材料ならばいずれも使用でき、一例として8-ヒドロキシキノリノラトアルミニウムAlq3を挙げることができる。または、前記電子輸送層は、電子輸送性有機化合物及び金属含有物質を含むことができる。前記電子輸送性有機化合物の非制限的な例としては、AND9,10-ジ-ナフタレン-2-イルアントラセン及び下記化合物101及び102のようなアントラセン系化合物などを挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記金属含有物質は、Li錯体を含みうる。前記Li錯体の非制限的な例としては、リチウムキノレートLiQまたは下記化合物103などを挙げられる。前記有機発光素子は、例えば、第1電極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、第2電極が順次に積層された構造;第1電極、正孔輸送層、発光層、正孔輸送層、第2電極が順次に積層された構造;第1電極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、第2電極が順次に積層された構造;などを持つことができる。またこれらの有機発光素子とは逆に第1電極、電子注入層、正孔輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層及び第2電極が順次に積層されたインバーテッドタイプを持つこともできる。以下、本発明の一具現例による有機発光素子の製造方法を説明すれば、次の通りである。まず基板上に第1電極を形成する。ここで前記基板は、一般的な有機電界発光素子で使われる基板を使用するが、透明性、表面平坦性、取扱容易性及び防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板である。そして、前記基板の厚さは0.3ないし1.1mmである。前記第1電極は、透明で伝導性の優秀な酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛IZO、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnOなどを使用して形成する。前記第1電極の上部に正孔注入材料を利用して正孔注入層を選択的に形成する。前記正孔注入材料としては、化学式1の化合物とフェニルアミン系化合物を使用してもよく、公知の正孔注入材料を使用してもよい。前記公知の正孔注入材料は、例えば、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、m-MTDATA[4,4’,4-トリス3-メチルフェニルフェニルアミノトリフェニルアミン]、NPBN,N’-ジ1-ナフチル-N,N’-ジフェニルベンジジン、TDATA、2-TNATA、Pani/DBSAポリアニリン/ドデシルベンゼンスルホン酸、PEDOT/PSSポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリ4-スチレンスルホナート、Pani/CSAポリアニリン/カンファースルホン酸またはPANI/PSSポリアニリン/ポリ4-スチレンスルホナートなどを使用できるが、これに限定されるものではない。前記正孔注入層の上部に、正孔輸送材料である化学式1の化合物とフェニルアミン系化合物とを蒸着して正孔輸送層を形成する。前記フェニルアミン系化合物は、NPB、またはTPDを使用できる。前記正孔輸送層の上部に発光層を形成する。ここで、発光層の形成方法としては、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LBLangmuirBlodgett法などの方法を使用できる。前記発光層は燐光ドーパントを含む。このように燐光ドーパントを使用することによって高効率の発光素子が可能であるという利点がある。前記燐光ドープ剤は、Ir、Pt、Os、Re、Ti、Zr、Hf、またはこれらのうち、2つ以上の組合せを含んだ有機金属錯体であり得るが、これらに限定されるものではない。前記燐光ドーパントとしては、IrPPy3PPy=2-フェニルピリジン、F2Irpic{イリジウムビス[4,6-ジ-フルオロフェニル-ピリジネート-N,C2’]ピコリネート}などを使用できる。前記発光層で燐光ドーパントの含有量は、ホストとドーパントとの総重量100重量部を基準として0.01ないし15重量部である。発光層に燐光ドーパントと共に使用する場合には、三重項励起子または正孔が電子輸送層に広がる現象を防止するために、正孔阻止層HBLをさらに真空蒸着法またはスピンコーティング法により積層させることができる。この時に使用できる正孔阻止物質としては、公知の材料を使用してもよい。公知の正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、BCP2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンなどを挙げることができる。前記発光層のホストとしては、Alq3トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムまたはCBP4,4’-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニルなどを使用する。本発明の一具現例による発光層は、CBP85重量部とIrPPy315重量部とを用いる。前記発光層の上部に電子輸送物質を利用して電子輸送層を形成する。電子輸送層は真空蒸着法によって形成する。前記電子輸送層の厚さは150ないし600Åである。もし、電子輸送層の厚さが前記範囲である時、電子輸送能の低下なしに駆動電圧に優れる。前記電子輸送層の上部に電子注入物質を利用して電子注入層を形成する。前記電子注入物質は、LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaOなどの物質を利用できる。前記電子輸送層、電子注入層の蒸着条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲中で選択される。前記電子注入層の厚さ範囲は1ないし300Å、例えば、5ないし90Åである。前記電子注入層の上部に第2電極であるカソード形成用金属から、真空蒸着法やスパッタ法などの方法によりカソードを形成する。ここで、カソード形成用金属の具体的な例としては、リチウムLi、マグネシウムMg、アルミニウムAl、アルミニウム-リチウムAl-Li、カルシウムCa、マグネシウム-インジウムMg-In、マグネシウム-銀Mg-Agなどを挙げることができる。また前面発光素子を得るために、ITO、IZOを使用した透過型カソードを使用してもよい。以下、本発明を下記実施形態を挙げて詳細に説明するが、本発明が下記実施形態のみに限定されるものではない。合成例1:化学式1の化合物の製造NaH60wtdispersioninmineraloil11.8gをジメトキシエタンDMEに溶かした。前記溶液に、マロノニトリル10.7gを付加してから、化合物A20.0gを添加した。反応液を還流させつつ24時間反応させた後、減圧濃縮して溶媒を除去した。残った物質は灰白色の化合物Bであり、5.7gを収率21.0で得た。化合物B10.0gを4wt重水に溶解させた後、酢酸ナトリウム7.5gと酢酸5mlを加えた後、2.5wtBr2水溶液を、KI試験紙が陽性を表すまで加えた。析出した緑色の固体をろ過して、化学式1の化合物2.5gを収率25.1で得た。前記化学式1の化合物は、核磁気共鳴スペクトルNMR分析を通じてその構造を確認した図4。前記化学式1の化合物を示差走査熱量計DSCを利用して分析し、その結果は図3に示した。<実施例1>アノードはコーニング社の10Ω/cm2ITO基板を使用し、前記基板の上部に化学式1の化合物98重量部とNPB2重量部とを真空共蒸着して、正孔輸送層を600Å厚さに形成した。前記正孔輸送層の上部にAlメタルを蒸着して電極を形成することによって有機発光素子を製造した。<比較例1>正孔輸送層の形成時、化学式1の化合物とNPBの代わりにNPBのみを利用したことを除いては、実施例1と同じ方法によって実施して有機発光素子を製造した。前記実施例1及び比較例1による有機発光素子において、電流密度による電圧特性を調べて図1及び図2に示した。図1及び図2を参照して、実施例1の有機発光素子は、比較例1の場合に比べて電圧特性が向上することが分かった。図1は、有機発光素子の電流密度vs電圧の曲線を示したものであり、図2での電流密度は、log数値化して示したものである。実施例1の有機発光素子は、正孔電荷密度が増大しつつ低い電圧で電流が流れるため、電圧特性が低くなる方向に特性が向上することが分かる。本発明は図面に図示された実施形態を参考にして説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。"