"一対のターゲットをスパッタリングし対象物に成膜する成膜装置であって、内部にプラズマが形成され、前記一対のターゲットがスパッタされるチャンバと、前記チャンバ内に配置され、前記プラズマが形成される領域に熱電子を供給するフィラメントと、前記フィラメントを加熱して前記熱電子を発生させるための加熱用電源部と、前記一対のターゲットへの電圧を交互に供給する交流電源ユニットと、を有することを特徴とする成膜装置。スパッタリングしている時の前記ターゲットの電位と前記フィラメントの基準電位とが一致するよう制御する制御部を備えることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。前記交流電源ユニットは、前記一対のターゲットにそれぞれ電気的に接続されたサイリスタまたはIGBTを有することを特徴とする請求項1又は2に成膜装置。しかしながら、上記非特許文献1では、スパッタを継続するうちに、チャンバ内部やアノードに絶縁膜が堆積し、放電を安定させつつ、低圧放電により基板の下地層のダメージを減少させることが困難であった。本発明は、このような課題を解決するために成されたものであり、放電電圧を低下させることで、スパッタリング成膜時における下地層へのダメージを減少させることが可能な成膜装置を提供することを目的とする。本発明による成膜装置は、一対のターゲットをスパッタリングし対象物に成膜する成膜装置であって、内部にプラズマが形成され、一対のターゲットがスパッタされるチャンバと、チャンバ内に配置され、プラズマが形成される領域に熱電子を供給するフィラメントと、フィラメントを加熱して熱電子を発生させるための加熱用電源部と、一対のターゲットへの電圧を交互に供給する交流電源ユニットと、を有することを特徴としている。このような成膜装置によれば、プラズマが形成された領域に、熱電子を供給するフィラメントを備えているため、プラズマの放電電圧を低下させることができ、スパッタリング成膜時に下地層へ与えるダメージを低減することができる。例えば、発電層や発光層などの半導体膜を下地層としてスパッタリング成膜する場合において、下地層のダメージを抑制することができる。また、一対のターゲットへの電圧を交互に供給する交流電源ユニットを備えているため、ACデュアルカソードスパッタリング法において、フィラメントから熱電子を放出させることができる。また、スパッタリングしている時のターゲットの電位とフィラメントの基準電位とが一致するよう制御する制御部を備える構成としてもよい。これにより、マイナスが印加されてスパッタリング現象が起きている側のカソードターゲットへ自動的に熱電子回路が接続され、成膜速度を向上させることができる。その結果、生産効率を向上させることができる。また、交流電源ユニットは、一対のターゲットにそれぞれ電気的に接続されたサイリスタまたはIGBTを有する構成とすることができる。このようにサイリスタまたはIGBTを用いることで、一対のターゲットに供給される電圧の切り替えを高速で安定的に行うことが可能となる。本発明によれば、放電電圧を低下させることで、スパッタリング成膜時における下地層へのダメージを減少させることが可能な成膜装置を提供することができる。その結果、下地層へ与えるダメージを低減することが可能であるため、スパッタリング成膜によって作成される各種素子の性能を向上させることができる。以下、本発明による成膜装置の好適な実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面の説明において同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本発明の実施形態に係る成膜装置を示す概略断面構成図である。図1に示す成膜装置10は、スパッタリング法による成膜を行う装置であり、真空中でプラズマを発生させて、プラズマ中のプラスイオンを成膜材料i-ZnOターゲットに衝突させることで分子及び原子をはじき出し、基板上に付着させて成膜を行うものである。本実施形態の成膜装置10は、CIGS太陽電池を製造するスパッタ装置として利用することができる。成膜装置10は、成膜処理が行われる成膜室真空チャンバ11を備え、この成膜室11の入口側に基板仕込室12が連結され、成膜室11の出口側にベント室13が連結されている。基板仕込室12は、大気圧下にある基板を装置内に取り込み、室内を真空とするためのチャンバである。基板取出室13は、真空中にある基板を大気圧環境下へ取り出すためのチャンバである。以下、基板仕込室12、成膜室11、基板取出室13を区別しない場合には、チャンバ11~13と記すこともある。これらのチャンバ11~13は、真空容器によって構成され、チャンバ11~13の出入口には、ゲートバルブGVが設けられている。ゲートバルブGVは、真空環境と大気圧環境とを隔てるための比較的大きな弁体を備えたバルブである。ゲートバルブGVの両側の圧力が等しいときにゲートバルブGVを開放することで隣接するチャンバ11~13を連通させ、基板2を通過させる。また、各チャンバ11~13内には、基板2を搬送するための基板搬送ローラ14が設置されていると共に、基板2を加熱するためのヒータ15が設置されている。ヒータ15は、基板温度が例えば50°C~350°Cの範囲で一定となるように加熱する。さらに、排気室12およびベント室13には、ドライポンプ16が接続され、チャンバ11~13には、TMPターボ分子ポンプ17が接続されている。ドライポンプ16は、大気圧から1Paまでの排気をするための粘性流領域で使用されるポンプであり、TMP17は、1Pa以下の排気をするための分子流領域で使用されるポンプである。また、成膜装置10は、成膜室11内にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給装置30を備えている。アルゴンガス供給装置30は、成膜室11内へのアルゴンガス導入量を調節するマスフローコントローラ32、成膜室11に接続されてガスを導入するガス供給経路33を備えている。アルゴンガス導入量を調整するマスフローコントローラ32には、アルゴンガスを供給するアルゴンガスボンベ36が接続されている。アルゴンガス導入量を調節する流量調節器として、サーマルバルブ式、電磁弁式、ピエゾバルブ式の流量調整器を用いることができる。また、成膜装置10は、成膜室11内に一対のスパッタリングターゲット21A,21Bを備えている。スパッタリングターゲット21A,21Bは、例えば成膜室11下部に配置され、基板2の搬送方向に沿って配置されている。ここで、本実施形態の成膜装置10は、プラズマが形成される領域に熱電子を供給するフィラメント41、フィラメント41に電力を供給する加熱用電源部42、及びスパッタリングターゲット21A,21Bへの電圧を交互に供給する交流電源ユニット50を備えている。図2は、本発明の実施形態に係る成膜装置の交流電源部を示す概略構成図である。フィラメント41は、電力が供給されて発熱し、熱電子を放出する。フィラメント41は、基板2の搬送方向において、一対のスパッタリングターゲット21A,21B間に配置されている。フィラメント41は、プラズマ放電が形成されている空間に熱電子を放出する。フィラメント41は、導線43A,43Bによって、加熱用電源部42と電気的に接続されている。加熱用電源部42は、フィラメント41に電力を供給する直流電源である。加熱用電源部42のマイナス側は、導線43Aによってフィラメント41の端子41aに接続されている。加熱用電源部42のプラス側は、導線43Bによってフィラメント41の端子41bに接続されている。また、導線43Bには、交流電源ユニット50の端子50a,50bが接続されている。交流電源ユニット50は、交流電源51、第1ダイオード52A、第2ダイオード52B、第1IGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタ53A、第2IGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタ53B、第3ダイオード54A、第4ダイオード54B、第1サージ防護素子55A、第2サージ防護素子55B、第1抵抗素子56A、第2抵抗素子56Bを有する構成とされている。交流電源ユニット50は、導線44A,44Bによって、一対のスパッタリングターゲット21A,21Bと電気的に接続されている。導線44Aは、スパッタリングターゲット21Aと交流電源ユニット50の端子50cとを接続している。導線44Bは、スパッタリングターゲット21Bと交流電源ユニット50の端子50dとを接続している。交流電源51は、導線61A,61Bによって、交流電源ユニット50の端子50c,50dと電気的に接続されている。導線61Aは、交流電源51の端子51aと交流電源ユニット50の端子50cとを接続している。導線61Bは、交流電源51の端子51bと交流電源ユニット50の端子50dとを接続している。交流電源ユニット50は、導線62A,62Bによって、交流電源ユニット50の端子50a,50bと端子50c,50dとが電気的に接続されている。導線62Aは、交流電源ユニット50の端子50aと端子50cとを接続している。導線62Bは、交流電源ユニット50の端子50bと端子50dとを接続している。第1ダイオード52Aは、導線62Aに直列接続されている。第1ダイオード52Aは、逆方向に電流が流れるのを阻止する機能を有する。第2ダイオード52Bは、導線62Bに直列接続されている。第2ダイオード52Bは、逆方向に電流が流れるのを阻止する機能を有する。第1IGBT53Aは、入力端子50a、出力端子50c、及び交流電源51の端子51bに電気的に接続されている。第1IGBT53AのゲートGは交流電源51の端子51bに接続され、エミッタは出力端子50cに接続され、コレクタCは第1ダイオード52Aを介して入力端子50aに接続されている。第1IGBT53Aは、スパッタリングターゲット21Aが負の電圧に印加されたときに、フィラメント41がスパッタリングターゲット21Aと同電位となるように電位を調整する機能を有する。第2IGBT53Bは、入力端子50b、出力端子50d、及び交流電源51の端子51aに電気的に接続されている。第2IGBT53BのゲートGは交流電源51の端子51aに接続され、エミッタは出力端子50dに接続され、コレクタCは第2ダイオード52Bを介して入力端子50bに接続されている。第2IGBT53Bは、スパッタリングターゲット21Bが負の電圧に印加されたときに、フィラメント41がスパッタリングターゲット21Bと同電位となるように電位を調整する機能を有する。第3ダイオード54Aは、第1IGBT53AのエミッタEとコレクタCとに接続されている。第3ダイオード54Aは、電流を一定方向にしか流さないようにすることで、第1IGBT53Aに逆電圧が掛からないように保護する機能を有する。第4ダイオード54Bは、第2IGBT53BのエミッタEとコレクタCとに接続されている。第4ダイオード54Bは、電流を一定方向にしか流さないようにすることで、第2IGBT53Bに逆電圧が掛からないように保護する機能を有する。第1サージ防護素子55Aは、第1IGBT53AのゲートGとエミッタEとに接続されている。第1サージ防護素子55Aは、第1IGBT53AのゲートG、エミッタE間電位を絶対定格値以下に抑制する機能を有する。第2サージ防護素子55Bは、第2IGBT53BのゲートGとエミッタEとに接続されている。第2サージ防護素子55Bは、第2IGBT53BのゲートG、エミッタE間電位を絶対定格値以下に抑制する機能を有する。第1抵抗素子56Aは、第1IGBT53AのゲートGと交流電源51の端子51bとを電気的に接続する導線63Aに直列接続されている。第1抵抗素子56Aは、第1IGBT53AのゲートGに瞬間的に流れようとする電流を抑制する機能を有する。第1抵抗素子56Aは、第1サージ防護素子55Aが担う電力をその定格以下にするために設置されている。第2抵抗素子56Bは、第2IGBT53BのゲートGと交流電源51の端子51aとを電気的に接続する導線63Bに直列接続されている。第2抵抗素子56Bは、第2IGBT53BのゲートGに瞬間的に流れようとする電流を抑制する機能を有する。第2抵抗素子56Bは、第2サージ防護素子55Bが担う電力をその定格以下にするために設置されている。次に、成膜装置10の動作について説明する。本実施形態に係る成膜装置10を用いた成膜基板の製造方法では、成膜材料であるInターゲットを用いたスパッタリング法により、基板2上に透明導電膜を成膜する成膜工程を行う。この成膜工程は、成膜装置10の成膜室11で実施される。まず、成膜工程の前処理として、TMP17を用いて、成膜室11内の排気を行い真空状態とする。成膜室11内の圧力は、例えば、5×10-4Pa以下とすることが好ましい。次に、各ヒータ15をON状態として、その後各チャンバー11~13内に導入される基板2の温度が50°C~350°Cの範囲内で一定となるように、ヒータ15における設定値を安定させる。成膜室11内の圧力が所望の真空圧力5×10-4Pa以下であることが確認された後に、アルゴンガス供給装置30のマスフローコントローラ32を駆動して、成膜室11内へのアルゴンガスの供給を開始する。マスフローコントローラ32は、成膜室11内の圧力を0.1Pa~1Paの範囲内で任意の値に維持する。その後、交流電源ユニット50を作動させて、成膜室11内にプラズマを形成する。第1IGBT53Aは、スパッタリングターゲット21Aが負の電圧に印加されたときに、フィラメント41がスパッタリングターゲット21Aと同電位となるように電位を調整する。第2IGBT53Bは、スパッタリングターゲット21Bが負の電圧に印加されたときに、フィラメント41がスパッタリングターゲット21Bと同電位となるように電位を調整する。交流電源ユニット50は、交流電源51の出力の電圧周期に同期させて、負の電圧が印加されたスパッタリングターゲット21Aまたはスパッタリングターゲット21Bに、フィラメント41が電気的に接続されるように、第1IGBT53A及び第2IGBT53Bを用いて、カソード電位とフィラメント41の基準電位を一致するように制御する。このとき、第1ダイオード52Aは、逆方向に電流が流れないように、電流を整流する。第2ダイオード52Bは、逆方向に電流が流れないように、電流を整流する。第3ダイオード54Aは、第1IGBT53Aに逆電圧が掛からないように、電流を整流する。第4ダイオード54Bは、第2IGBT53Bに逆電圧が掛からないように、電流を整流する。第1サージ防護素子55Aは、第1IGBT53AのゲートG、エミッタE間電位を絶対定格値以下に抑制する。第2サージ防護素子55Bは、第2IGBT53BのゲートG、エミッタE間電位を絶対定格値以下に抑制する。第1抵抗素子56Aは、第1IGBT53AのゲートGに瞬間的に流れようとする電流を抑制し、第1サージ防護素子55Aが担う電力をその定格以下にする。第2抵抗素子56Bは、第2IGBT53BのゲートGに瞬間的に流れようとする電流を抑制し、第2サージ防護素子55Bが担う電力をその定格以下にする。このように本実施形態に係る成膜装置10では、交流電源ユニット50の2端子出力は、一対のデュアルカソードスパッタリングターゲット21A,21Bに各々接続されている。交流電源ユニット50の第1IGBT53A及び第2IGBT53Bは、マイナスが印加されたスパッタリングターゲット21Aまたはスパッタリングターゲット21Bにフィラメント41が電気的に接続されるように、交流出力の電圧周期を同期させる。交流電源ユニット50は、プラズマ放電空間においてフィラメント41から熱電子を放出する際、フィラメント41の電位をカソード陰極として機能しているスパッタリングターゲット21Aまたはスパッタリングターゲット21Bの電位と等しくする制御を行う。このような成膜装置10では、電源周波数と同期させてスイッチングを行い、スパッタされる側のカソードのみ熱電子効果が有効になる。そのため、スパッタリング時の放電電圧を低下させることができる。有効投入電力を向上させることで、成膜速度を向上させることができる。成膜装置10では、下地層へのダメージを低減させてスパッタリング成膜を行うことが可能であり、生産効率を向上させることができる。以上、本発明をその実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態では、交流電源ユニット50が第1IGBT53A及び第2IGBT53Bを備える構成としているが、第1IGBT53A及び第2IGBT53Bに代えて、第1サイリスタ及び第2サイリスタを備える構成でもよい。また、IGBTに代えて、主回路のオンオフを司る端子を有するその他の電力制御素子例えばFETを備える構成としてもよい。また、本発明の成膜装置によって成膜される成膜基板は、アモルファスシリコン型の太陽電池に適用してもよく、例えば、微結晶型太陽電池、タンデム型太陽電池、CdTe型太陽電池など、その他の太陽電池に適用することができる。さらに、タッチパネル、液晶ディスプレイなどに使用される基板の成膜に、成膜装置10を適用してもよい。"