"基板と、前記基板上に形成された少なくとも一つの金属配線素材と、前記金属配線素材の表面上に形成された少なくとも1層の被覆層と、前記基板と前記金属配線素材との間に形成された下地金属膜と、からなり、前記金属配線素材を被転写物に転写させるための転写用基板であって、前記金属配線素材は、純度99.9重量以上、平均粒径0.01μm~1.0μmである金粉、銀粉、白金粉、パラジウム粉、銅粉から選択される一種以上の金属粉末を焼結してなる成形体であり、前記被覆層は、金、銀、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、クロム、チタン、タングステン、タンタル、ニッケル、銅、ジルコニウムの何れかの金属又はこれらの合金であって、前記金属配線素材と相違する組成の金属又は合金からなり、かつ、その合計厚さは1μm以下であり、前記下地金属膜は、金、銀、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、クロム、チタン、タングステン、タンタル、ニッケル、銅、ジルコニウムの何れかの金属又はこれらの合金からなる、転写用基板。下地金属膜は、金属配線素材と相違する組成の金属又は合金からなる請求項1記載の転写用基板。下地金属膜は、厚さ1~100nmである請求項1又は請求項2記載の転写用基板。請求項1~請求項3のいずれかに記載の転写用基板を被転写物に対向させて重ね、前記転写用基板及び前記被転写物を加熱すると共に、前記転写用基板を押圧して金属配線素材を前記被転写物に接合して転写する金属配線の形成方法であって、前記転写用基板の加熱温度を80~200°Cとし、前記被転写物の加熱温度を80~300°Cとする方法。転写用基板を押圧する際の圧力を、金属配線素材の降伏強度の0.1~1.5倍とする請求項4記載の金属配線の形成方法。被転写物に転写用基板の金属配線素材を構成する金属を含む金属からなる電極膜を形成した後、金属配線素材を転写する請求項4又は請求項5記載の金属配線の形成方法。転写用基板の金属配線素材を、純度99.9重量以上、平均粒径0.01μm~1.0μmである金粉、銀粉、白金粉、パラジウム粉、銅粉から選択される一種以上の金属粉末と有機溶剤とからなる金属ペーストを塗布し、焼結して製造する請求項4~請求項6のいずれかに記載の金属配線の形成方法。上記の転写基板を用いるバンプ形成の過程では、転写用基板及びウェハの加熱が必要である。具体的には、上記従来の転写基板では、ウェハ側の加熱温度を300~400°Cとし、転写基板側の加熱温度を100~200°Cとしている。しかし、ウェハ側の加熱温度を高温300°C以上にすることは、ウェハ上に半導体回路が形成されている場合において、回路へのダメージが懸念される。よって、本来、バンプ転写時の加熱温度は低い方が好ましいのであるが、ウェハ側の加熱温度を安易に下げることはできない。これは、従来の転写用基板上のバンプは、一般にめっき法で形成されるが、めっきで形成されるバンプをウェハに確実に転写させるためには、ウェハとバンプとが十分に接合する必要があり、そのためには高温加熱が必要だからである。そして、ウェハ上の半導体回路保護の観点からみると、ウェハ上に半導体回路を形成した後にはできるだけ少ない工程でバンプが形成できる方が好ましい。この点、上記のような転写時の加熱のみならず、バリア層形成のためのメタライズ処理も半導体回路にとっては負荷となっている。本発明は、上記課題を背景とするものであり、転写法によりウェハ等の被転写物上に金属配線を形成するための転写用基板について、高温加熱等の被転写物が受ける負荷を軽減することのできるものを提供する。また、この転写用基板を用いた、金属配線の形成方法についても開示する。本発明者等は、上記課題を解決すべく、まず、転写基板の転写温度の低温化を図るべく、本発明者等の有する技術的知見を考慮して検討を行った。そして、高純度であり、微細粒径の金属粉末を焼結してなる成形体は、比較的低温でも被転写物に接合可能であること、及び、それが金属配線として機能することを見出した。そして、本発明者等は、更に検討を重ね、上記のような金属粉末の焼結体は、その表面性状に起因して転写が容易であること、及び、焼結体の表面にその表面状態を維持可能な範囲で金属を被覆させることで、金属被覆層を従来のバリアメタル層として作用させることができると考え本発明に想到した。即ち、本発明は、基板と、前記基板上に形成された少なくとも一つの金属配線素材と、前記金属配線素材の表面上に形成された少なくとも1層の被覆層と、前記基板と前記金属配線素材との間に形成された下地金属膜と、からなり、前記金属配線素材を被転写物に転写させるための転写用基板であって、前記金属配線素材は、純度99.9重量以上、平均粒径0.01μm~1.0μmである金粉、銀粉、白金粉、パラジウム粉、銅粉から選択される一種以上の金属粉末を焼結してなる成形体であり、前記被覆層は、金、銀、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、クロム、チタン、タングステン、タンタル、ニッケル、銅、ジルコニウムの何れかの金属又はこれらの合金であって、前記金属配線素材と相違する組成の金属又は合金からなり、かつ、その合計厚さは1μm以下であり、前記下地金属膜は、金、銀、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、クロム、チタン、タングステン、タンタル、ニッケル、銅、ジルコニウムの何れかの金属又はこれらの合金からなる、転写用基板である。以下、本発明につき詳細に説明する。上記の通り、本発明に係る転写用基板は、被転写物ウェハに転写させる金属配線素材バンプとして、所定の金属粉末を焼結して形成した焼結体を適用することを特徴とする。この焼結体からなる金属配線素材は、従来技術のめっきにより形成される緻密なものとは異なり多孔質であり、その表面には微小な凹凸が存在する。そして、転写時において焼結体は、被転写物表面と点接触で接する。本発明者等によれば、この多孔質が形成する点接触状態により、被転写物面との接合に要する温度を低減することができると考える。そして、これにより転写時の被転写物側の温度を従来よりも低い温度300°C以下にすることができる。この焼結体からなる金属配線素材について、焼結する金属粉末の純度、粒径の金属を規定するのは、純度については、転写後のバンプとしたときの導電性を考慮するものである。つまり、純度が99.9重量未満であると必要な通電性を確保できないおそれがあるからである。また、金属粉末の粒径については、1.0μmを超える粒径の金属粉では、成形体に大きな隙間が生じ易くなり、最終的に必要な通電性を確保できないからである。尚、金属粉末の粒径は細かいことが好ましいが0.01μm未満の粒径の粉末は取扱い性に劣ることから、0.01μmを下限とする。焼結体からなる金属配線素材は、多孔質であるが、その密度は金属粉の密度の045~0.95倍となっているものが好ましい。焼結を進行させると金属配線素材は緻密なものとなり、その密度はバルク体である金属の密度に近似する。バルク金属の密度の0.95倍を超える金属配線素材は硬すぎるため、転写が困難となる。一方、バルク金属の0.45倍未満となると、金属粉同士の接触が不十分となり導電性に乏しく、金属配線として好ましくない。また、金属配線素材は金粉、銀粉、白金粉、パラジウム粉、銅粉、又は、これら金属の合金粉より構成させる。バンプとしての導電性を考慮したものである。金属配線素材は、これらの金属粉末の1種類のみを焼結したものでも良いが、2種以上を混合しても良い。例えば、金粉を単独で焼結しても良いが、金粉とパラジウム粉とを混合する、金粉と銀粉とを混合する等してこれを焼結しても良い。そして、本発明では、金属粉末の焼結体からなる金属配線素材の表面上に金属の被覆層を備える。この被覆層は、転写後に被転写物と金属配線素材バンプとの間に存在しバリアメタル層として作用する。これにより、被転写物についてのメタライズ処理が不要となり、被転写物への負荷を軽減することができる。但し、上記した焼結体表面の点接触による接合の容易性を維持するため、被覆層の厚さは焼結体の表面状態が維持できる程度に薄いものであることが必要である。そのため、被覆層の厚さは1μm以下にすることを要する。但し、被覆層の下限値としては0.003μmとするのが好ましい。これより薄いと金属膜としての連続性を確保するのが困難となるからである。被覆層を構成する金属は、金、銀、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、クロム、チタン、タングステン、タンタル、ニッケル、銅、ジルコニウムの何れかの金属又は合金であり、金属配線素材と相違する金属である。また、被覆層の構造は、緻密質の薄膜状のものが好ましい。また、単層であっても良いが、複数の金属による多層構造であっても良く、合計の厚さが1μm以下であれば良い。金属配線素材は、基板に直接形成されることはなく、基板と金属配線素材との間には、下地金属膜が形成される。基板にはガラス基板を用いることが多くなるが、ガラスは金属との接合性に乏しく、直接金属配線素材を形成すると、転写用基板の取扱い時に脱落するおそれがある。そこで、金属配線素材の密着性確保のため下地金属膜を形成する。この下地金属膜は、金、銀、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、クロム、チタン、タングステン、タンタル、ニッケル、銅、ジルコニウムの何れかの金属又は合金からなる。この下地金属膜は、金属配線素材と同じ組成の金属であっても良い。この点は被覆層と相違する。但し、好ましいのは、相違する組成の金属膜である。金属配線素材と同一の組成とすると、金属配線素材と下地金属膜との密着性が高くなり、被転写物への転写時に金属配線素材が基板に残留するおそれがある。但し、下地金属膜と金属配線素材とを同一の組成で構成しても、転写時の加熱条件の調整等により金属配線素材と被転写物との密着性を高くし、残留を回避することができることから、必ずしも組成を異にすることが要求されるものではない。下地金属膜は、厚さ1~100nmとするのが好ましい。1nm未満では、下地金属膜と基板との密着性が低く、金属配線素材の密着性を確保することができない。また、上限については特に制限はないが、100nmを超える厚さにしても効果に相違はない。そして、上記の範囲内で下地金属膜の厚さを調整することで、金属配線素材の転写率の調整を行うことができる。これは、下地金属膜と金属配線素材とが同じ材質の場合例えば、ガラス基板に下地金属膜としてAuを、金属配線素材としてAu粉末を用いた場合、下地金属膜と金属配線素材との密着性が高くなるため、下地金属膜の厚さを薄くすることで、転写時に下地金属膜を基板から剥離させることができる。この下地金属膜を薄くして、転写時に剥離させる方法は、下地金属膜を厚くする場合よりも、金属配線素材の残留を抑制することができる場合があるため効果的な転写率の調整となる。このように転写時の剥離を狙って下地金属膜を薄くする場合、その厚さは金属配線素材を構成する金属粉末の平均粒子径の1/3以下とするのが好ましい。下地金属膜は、単層でも良いが複数層形成しても良い。例えば、ガラス基板にチタン膜を形成し、その上に金膜を形成しても良い。このような多層膜を熱処理してチタンを最表面に拡散させると共に酸化させ酸化物を形成しても良い。尚、Cr、W、TiW等は酸化し易い金属であり、これらを単層で用いる場合、その表面を酸素プラズマ処理して表面酸化膜を安定化させておいても良い。この酸素プラズマ処理とは、オゾンや酸素雰囲気中での大気圧又は減圧下のプラズマ処理である。金属配線素材を形成する基板は、材質としては、ガラス或いは樹脂補強されたガラスが一般的であるが、その他、シリコン、コバール等の金属も適用できる。また、その厚さも特に制限はないが、取扱い性や転写の安定性を考慮して50~500μmとするのが好ましい。本発明に係る転写用基板の製造工程としては、ガラス等の基板に対し、下地金属膜を形成し、その後金属配線素材の形成を行い、更に、被覆層を形成する。下地金属膜の形成は、スパッタリング法、めっき法、CVD法等の各種の薄膜製造プロセスが適用できる。一方、金属配線素材の形成について、これまで述べたように、本発明においては、金属粉を焼結して金属配線素材を形成する。この金属粉からなる金属配線素材の形成にあたっては、金属粉に適宜に有機溶剤を添加した金属ペーストを用いて成形することが好ましい。ペーストは、後述するように多様な方法で塗布可能であり、また、配線の微細化にも対応できるからである。金属ペーストの有機溶剤としては、エステルアルコール、ターピネオール、パインオイル、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、カルビトールが好ましい。例えば、好ましいエステルアルコール系の有機溶剤として、2,2,4-トリメチル-3-ヒドロキシペンタイソブチレートC12H24O3を挙げることができる。本溶剤は、比較的低温で乾燥させることができるからである。また、上記有機溶剤に加えて、金属ペーストは、アクリル系樹脂、セルロース系樹脂、アルキッド樹脂から選択される一種以上を含有していても良い。これらの樹脂等を更に加えると金属ペースト中の金属粉の凝集が防止されてより均質となり、偏りのないバンプが形成できる。尚、アクリル系樹脂としては、メタクリル酸メチル重合体を、セルロース系樹脂としては、エチルセルロースを、アルキッド樹脂としては、無水フタル酸樹脂を、それぞれ挙げることができる。そして、これらの中でも特にエチルセルロースが好ましい。金属ペーストの塗布工程は特に限られるものはなく、例えば、バンプ形状の型を基板上に載置し、これに金属ペーストを充填しても良い。また、従来のめっき法によるバンプ形成と同様、レジストを使用しても良い。金属ペーストの塗布方法としては、スピンコート法、スクリーン印刷法、インクジェット法、滴下したペーストをシリコンゴム製のへらで広げることで孔内に充填する方法等、種々の方法を用いることができる。金属ペースト塗布後は、金属ペーストを塗布乾燥した後に焼結することを要する。これにより、ペースト中の金属粒子どうし、及び接合部材の接合面ペースト塗布面と金属粒子との間に、互いに点接触した近接状態が形成され、金属配線素材としての形状が安定する。この焼結の温度は、80~300°Cとするのが好ましい。80°C未満では点接触が生じないからである。一方、300°Cを超える温度で焼結すると、焼結が過度に進行し、金属粉末間のネッキングが進行して強固に結合し、硬すぎる状態となるからである。また、300°Cを超える加熱はガラス基板の変形が生じる恐れがある。尚、焼結の際の加熱時間は、30~120分とするのが好ましい。短時間では焼結炉の温度が安定せず十分な焼結ができず、また、あまりに長時間とすると生産性が損なわれるからである。また、この焼結は、圧力の負荷のない状態で行なうのが好ましい。被覆層の形成は、薄膜状の被覆層については、下地金属と同様に、スパッタリング法、めっき法、CVD法等の各種の薄膜製造プロセスが適用できる。次に本発明に係る転写用基板による被転写物への金属配線の形成方法は、基本的には従来の転写法によるものと同一である。即ち、転写用基板を金属配線素材が形成された面が被転写物ウェハに対向した状態で重ね、転写用基板及び被転写物を加熱すると共に金属配線素材を被転写物に押圧し、金属配線素材を被転写物に接合させた後に、転写用基板を除去するものである。このとき本発明においては、転写用基板の加熱温度を80~200°Cとし、被転写物の加熱温度を80~300°Cとするものである。本発明では、被転写物の加熱温度を80~300°Cと従来の転写基板による転写工程よりも低温とすることができる。そして、この被転写物の加熱温度については、好ましくは100~200°Cとする。転写用基板からの金属配線素材を確実に転写させるため、そして、被転写物から転写基板への熱伝導による過熱を効果的に防ぐためである。また、転写用基板の加熱温度としては、100~200°Cとするのがより好ましい。また、この転写法では金属配線素材の被転写物への押圧即ち加圧が必要であるが、この圧力は、金属配線素材の降伏強度以下とすることが好ましい。降伏強度を大きく超えた加圧は金属配線素材を変形させ、所定の高さや形状を確保できないからである。具体的には、金属配線素材の降伏強度に対して0.1~1.5倍の加圧力とすることが好ましい。尚、被転写物には、金属配線を形成する部位に、予め、転写用基板の金属配線素材を構成する金属を含む金属からなる電極膜を形成するのが好ましい。確実に金属配線素材を転写させるためである。但し、完全な同一組成とする必要はない。例えば、金属配線素材が金粉と銀粉との混合体からなる場合、被転写物への電極膜を金で構成すれば良い。また、この電極膜は、単層でも多層でも良く、最表面が金属配線素材と同系の金属からなっていれば良い。以上説明したように、本発明に係る転写用基板は、転写時の被転写物の加熱温度を低温としても安定的に金属配線素材を転写させることができる。これにより、被転写物上の半導体チップ等のダメージを抑制できる。更に、本発明によれば、被転写物のメタライズ処理を行うことなく、バンプ下部にメタル層を形成することができるため、この点からも被転写物が受ける負荷を軽減することができる。"