内部にキャビティを有するパッケージと、所定の素子を有する半導体チップと、上面の所定領域に前記半導体チップが固着された板状部材と、前記板状部材の下面における前記所定領域下以外の領域と前記キャビティ内の前記パッケージの底面とを接着する接着部とを備え、前記半導体チップに形成された第1電極パッドと、前記パッケージに形成され、少なくとも一部が前記キャビティ内部で露出された配線パターンと、前記パッケージの底面に形成され、前記配線パターンと電気的に接続された第2電極パッドと、前記第1電極パッドと、前記露出された配線パターンとを接続する金属ワイヤとをさらに有することを特徴とする半導体装置。前記パッケージの少なくとも一部はセラミック製であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記半導体チップは加速度センサであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。前記半導体チップは、前記板状部材に固着された固定部と、当該固定部に対して変位可能な錘部と、一方の端が前記錘部に固定され且つ他方の端が前記固定部に固定れた可撓性の梁部と、前記梁部に着設された圧電素子とを含む加速度センサであることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の半導体装置。しかしながら、上記した従来技術では、例えば回路基板や外気からパッケージへ熱が伝達された場合、この熱により発生したパッケージの変形やパッケージとセンサ部分とを接着する樹脂の膨張によってセンサ部分を成す半導体チップに応力がかかり、半導体チップ自体が変形してしまうという問題が生じる。特に、半導体加速度センサでは、センサ部分を成す半導体チップをパッケージへ接着する際に、耐衝撃性を鑑みてシリコーン樹脂などの比較的低弾性の樹脂が使用される。しかしながら、このような低弾性の樹脂は、一般的に熱膨張係数が大きい。このため、樹脂に伝達された熱に対する、半導体チップに生じる歪みの量も大きくなる。このようにセンサ部分を成す半導体チップに歪みが生じると、この半導体チップに貼り付けられたピエゾ抵抗素子が歪むため、ピエゾ抵抗素子の電気的特性が変化し、正確な加速度の測定ができなくなる。このように、従来の半導体加速度センサは、パッケージへ伝達された熱に対して安定した動作が困難であるという問題を有する。そこで本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、パッケージへ伝達された熱や応力に対して安定した動作が可能な半導体装置を提供することを目的とする。かかる目的を達成するために、本発明による半導体装置は、内部にキャビティを有するパッケージと、所定の素子を有する半導体チップと、上面の所定領域に半導体チップが固着された板状部材と、板状部材の下面における所定領域下以外の領域とキャビティ内のパッケージの底面とを接着する接着部とを備え、半導体チップに形成された第1電極パッドと、パッケージに形成され、少なくとも一部がキャビティ内部で露出された配線パターンと、パッケージの底面に形成され、配線パターンと電気的に接続された第2電極パッドと、第1電極パッドと、露出された配線パターンとを接続する金属ワイヤとをさらに有している。半導体チップ下以外の領域で、これを搭載する板状部材とパッケージとを接着することで、接着部の熱膨張によって発生する板状部材の歪みが、直接的に半導体チップへ影響することを回避できる。この結果、板状部材上面の所定領域に固着された半導体チップに発生する歪みを低減することが可能となり、温度変化に対して安定して動作することが可能な半導体装置を実現することができる。また、同じく半導体チップ下以外の領域で、これを搭載する板状部材とパッケージとを接着することで、外力や温度変化によってパッケージに発生した歪みが板状部材に伝達された場合でも、板状部材における歪み部分が直接的に半導体チップへ影響することを回避できる。この結果、板状部材上面の所定領域に固着された半導体チップに発生する歪みを低減することが可能となり、外力や温度変化に対して安定して動作することが可能な半導体装置を実現することができる。本発明によれば、パッケージへ伝達された熱や応力に対して安定した動作が可能な半導体装置を実現することができる。以下、本発明を実施するための最良の形態を図面と共に詳細に説明する。まず、本発明による実施例1について図面を用いて詳細に説明する。なお、各図は本発明の内容を理解でき得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、本発明は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。また、各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。さらに、後述において例示する数値は、本発明の好適な例に過ぎず、従って、本発明は例示された数値に限定されるものではない。これは、後述する各実施例において同様である。半導体加速度センサチップ10の構成まず、本実施例による半導体加速度センサチップ10の構成を図面と共に詳細に説明する。なお、本実施例では、ピエゾ抵抗効果、すなわち発生した応力に比例して抵抗値が変化する現象を利用した、3次元加速度センサを例に挙げて説明する。図1は、本実施例で利用する3次元加速度センサである半導体加速度センサチップ10の概略構成を示す斜視図である。図1に示すように、半導体加速度センサチップ10は、固定部12と梁部13と錘部14とピエゾ抵抗素子15iおよび15oと電極パッド16とを有する。固定部12と梁部13と錘部14とは、所定の半導体基板を加工することで、一体に形成されている。固定部12と梁部13と錘部14とが作り込まれる所定の半導体基板には、例えばシリコン基板などを適用することが可能である。固定部12は、例えば断面が四角形の棒状部材をロ字状に組み合わせることでなるリング状の部材である。言い換えれば、例えば正方形の縁を象ったリング状の部材であり、中央部に四角形状の開口部を有する。ただし、本発明による固定部12は、上記の形状に限定されず、例えば円形の縁を象ったリング状の部材であってもよい。また、以下では、説明の都合上、ロ字状を成す面であって後述する梁部13におけるピエゾ抵抗素子15iおよび15oが形成された面と同じ側を上側とする。固定部12の上面における外周一辺の長さは例えば1.6mmミリメートル程度とすることができる。また、同じく固定部12の上面における内周一辺の長さすなわち開口部一辺の長さは例えば1.2mm程度とすることができる。このように設定した場合、固定部12を形成する各棒状部材の上面の幅は、0.2mm程度となる。また、固定部12の厚さは、例えば0.3mm程度とすることができる。梁部13は、上記のような固定部12の内周における各コーナに設けられており、各コーナから固定部12の中央へ向かってそれぞれ延在する。したがって、本実施例による半導体加速度センサチップ10は、4本の梁部13を有する。ただし、本発明では上記の構成に限定されず、例えば固定部12を形成する棒状部材の略中央部から固定部12の中央へ向かってそれぞれ延在するように設けられていても良い。各梁部13は、半導体加速度センサチップ10に加速度が加えられた際、後述する錘部14の慣性運動によって撓むように形成されている。すなわち、梁部13は可撓性を有するように構成されている。本実施例では、この梁部13の上面の幅を例えば0.1mm程度とし、厚さを例えば0.1mm程度とすることで、梁部13に可撓性を持たせる。また、梁部13は、上面が上記した固定部12の上面と同じ高さ位置となるように形成される。したがって、梁部13の下面は、固定部12の下面よりも上面側に配置される。これにより、例えば固定部12の下面を後述するスペーサ32に固着した場合でも、梁部13の変形がスペーサ32によって妨げられることがない。錘部14は、ロ字状の固定部12における開口部の略中央に配置されるように、上記した4本の梁部13の先端に設けられている。言い換えれば、錘部14は、4本の梁部13によって固定部12の開口部における略中央に位置するように吊り下げられている。この錘部14は、半導体加速度センサチップ10に加えられた加速度に応じて梁部13を撓ませるために錘として機能する。本実施例では、錘部14の上面を正方形とし、その一辺の長を例えば0.6mm程度とする。また、錘部14の厚さを例えば0.2mm程度とする。さらに、錘部14は、上面が上記した固定部12および梁部13の上面と同じ高さ位置に含まれるように形成される。したがって、錘部14の下面は、固定部12の下面よりも上面側に配置される。これにより、例えば固定部12の下面を後述するスペーサ32に固着した場合でも、錘部14の固定部12に対する変位がスペーサ32によって妨げられることがない。また、各梁部13の上面において、固定部12との付け根部分には、ピエゾ抵抗素子15oが貼り付けられている。同様に、各梁部13の上面において、錘部14との付け根部分には、ピエゾ抵抗素子15iが貼り付けられている。これらピエゾ抵抗素子15iおよび15oは、例えば固定部12上面に形成された電極パッド16と図示しない配線パターンにより電気的に接続されており、これによりホイーストンブリッジ回路が構成されている。したがって、電極パッド16および図示しない配線パターンを介してピエゾ抵抗素子15iおよび15oの抵抗バランスを検知することで、梁部13に生じた撓みの量を検出することができ、さらにこの撓みの量から半導体加速度センサチップ10に加えられた加速度の大きさおよび方向を特定することができる。半導体加速度センサ装置1の構成次に、上述した半導体加速度センサチップ10をパッケージングすることで形成された、本実施例による半導体加速度センサ装置1の構成を図面と共に詳細に説明する。図2は半導体加速度センサ装置1の構成を示す断面図である。また、図3は図2におけるI-I’断面図であり、図4は図2におけるII-II’断面図であり、図5は図2におけるIII-III’断面図である。なお、図2は、図3から図5におけるIV-IV’断面図に相当する。図2から図5に示すように、半導体加速度センサ装置1は、半導体加速度センサチップ10とスペーサ32と下部容器21と上部蓋25とを有する。なお、下部容器21および上部蓋25は、半導体加速度センサチップ10を収納するパッケージを形成する。また、以下では、説明の都合上、下部容器に対して上部蓋25が位置する側を上側とする。この構成において、半導体加速度センサチップ10は、板状部材であるスペーサ32の上面における所定の領域チップ搭載領域32aにペースト材31を用いて固着された状態で、下部容器21と上部蓋25とからなるパッケージのキャビティ内部に収納される。このスペーサ32は、下部容器21に生じた歪みを直接、半導体加速度センサチップ10へ伝達させないための歪み緩和部材であり、例えばシリコン製の板状部材などで形成することができる。また、半導体加速度センサチップ10は、裏面に例えばガラス基板10’などが接合された状態で、スペーサ32上面にペースト材31を用いて固着されてもよい。なお、本発明において半導体加速度センサチップ10には、ガラス基板10’が含まれていても良い。以下では、説明の簡略化のため、ガラス基板10’を含めて半導体加速度センサチップ10とする。したがって、半導体加速度センサチップ10の裏面は、実質的にはガラス基板10’の裏面を指す。スペーサ32上面と半導体加速度センサチップ10との接着に使用されるペースト材31は、導電性または絶縁性のペースト材を適用することができる。例えば導電性のペースト材にははんだペーストや銀Agペーストなどがあり、例えば絶縁性のペースト材には樹脂ペーストなどがある。なお、ペースト材31は、半導体加速度センサチップ10の下面部分にのみ塗着されていることが好ましい。また、半導体加速度センサチップ10は、図2および図3に示すように、下面がスペーサ32の上面からはみ出さないように、スペーサ32の上面外縁から所定距離内側の領域図2におけるチップ搭載領域32a参照に固着される。このため、スペーサ32の上面および下面の寸法は、半導体加速度センサチップ10の下面外周の寸法よりも一回り大きく設計されている。具体的には、スペーサ32の上面および下面の寸法は、図2に示すように、スペーサ32をキャビティ21cの底面21aに固着するための接着部33が形成される領域図2における糊代32b参照分以上、チップ搭載領域32aよりも大きく設計されている。半導体加速度センサチップ10を収納するためのパッケージを構成する下部容器21は、例えば積層構造を有するセラミック製のパッケージであり、図2に示すように、半導体加速度センサチップ10を収納するためのキャビティ21cを有する。下部容器21の側壁は、図2および図3に示すように、キャビティ21c側に上面上部蓋25が接着される面よりも低い段差面21bを有する。段差面21bには、下部容器21内部に形成された配線パターン23の一部が露出している。この配線パターン23の露出部分には、後述する金属ワイヤ26を用いて、半導体加速度センサチップ10における電極パッド16が電気的に接続される。下部容器21内部に形成された配線パターン23は、図2に示すように、下部容器21下面に形成された金属パッド以下、フットパターン22と言うに電気的に接続されている。このフットパターン22は、図示しない回路基板などにおける電極パッドと電気的に接続するための電極パターンである。下部容器21におけるキャビティ21cの底面21aには、図2から図5に示すように、半導体加速度センサチップ10が搭載されたスペーサ32が、所定の接着材料よりなる接着部33を用いて固着される。スペーサ32をキャビティ21c底面に固着するための接着部33が形成される糊代32bは、図2から図4に示すように、スペーサ32の下面外縁に沿ってリング状に配置されている。また、糊代32bの幅は、半導体加速度センサチップ10が搭載されたスペーサ32を下部容器21の底面に確実に固着させることができ得る面積を確保できる幅に設定される。本実施例では、この幅を例えば0.5mm程度とする。このように設定した場合、半導体加速度センサチップ10の下面一辺の長さ固定部12の下面外周一辺の長さに相当を1.6mm程度と設定したため、スペーサ32の上面/下面一辺の長さは、2.1mm以上に設定される。ただし、半導体加速度センサチップ10が搭載されるチップ搭載領域32aの外周と糊代32bにおける内周との間は、図2から図4に示すように、水平方向に所定の距離離間していることが好ましい。この間の領域図2における離間領域32c参照は、下部容器21の底板に生じた歪みや、接着部33が温度変化などにより膨張/収縮することでスペーサ32外縁糊代32bに生じた歪みを直接、半導体加速度センサチップ10へ伝達させないための領域として機能する。すなわち、この離間領域32cは、歪みを吸収する主な領域として機能する。本実施例では、離間領域32cの幅を例えば0.2mmとする。このように設定した場合、半導体加速度センサチップ10の下面一辺の長さチップ搭載領域32aに相当を1.6mm程度とし、糊代32bの幅を0.5mm程度としたため、スペーサ32の上面/下面一辺の長さは、2.5mm程度となる。以上のような糊代32bに、接着部33を形成するための接着材料を塗着し、これを下部容器21のキャビティ21cにおける底面21aの所定の位置に固着することで、図2から図5に示すように、下部容器21のキャビティ21c内に半導体加速度センサチップ10が収納された状態となる。なお、スペーサ32をキャビティ21cの底面21aに接着する接着部33を形成するための接着材料には、比較的低弾性率を有する樹脂を使用することが好ましい。これにより、半導体加速度センサチップ10へ伝達される衝撃を緩和することが可能となり、半導体加速度センサ装置1の耐衝撃性を向上することができる。また、接着部33を形成するための接着材料には、自己接着性を有する樹脂を使用することが好ましい。このような樹脂には、例えばシリコーン樹脂などのような、シロキサン結合Si-Oを骨格としたポリオルガノシロキシサンなどによる樹脂が存在する。また、この他にも、例えばフッ素樹脂などを適用することもできる。また、以上のように、本実施例では、スペーサ32下面における糊代32bにのみ接着部33を形成するための接着材料を塗着して、これを下部容器21の底面21aに固着したため、図2および図5に示すように、接着部33が形成されていない部分すなわち糊代32b以外のスペーサ32と底面21aとの間には、中空の領域21dが形成される。ここで、上述したように、糊代32bはチップ搭載領域32a下以外の領域に設定されている。このため、スペーサ32と底面21aとの間における中空の領域21dは、半導体加速度センサチップ10が固定された領域チップ搭載領域32a下全体に渡って延在する。言い換えれば、半導体加速度センサチップ10下の領域には、接着部33が存在しない。したがって、半導体加速度センサチップ10下の領域では、スペーサ32と下部容器21とが固着されていない。このように、半導体加速度センサチップ10下部以外の領域でスペーサ32と下部容器21とを接着することで、接着部33の熱膨張によって発生するスペーサ32の歪みが、直接的に半導体加速度センサチップ10へ影響することを回避できる。この結果、チップ搭載領域32aに固着された半導体加速度センサチップ10に発生する歪みを低減することが可能となり、温度変化に対して安定して動作することが可能な半導体加速度センサ装置1を実現することができる。また、同じく半導体加速度センサチップ10下部以外の領域でスペーサ32と下部容器21とを接着することで、外力や温度変化によって下部容器21の底板に発生した歪みがスペーサ32に伝達された場合でも、スペーサ32における歪み部分が直接的に半導体加速度センサチップ10へ影響することを回避できる。この結果、チップ搭載領域32aに固着された半導体加速度センサチップ10に発生する歪みを低減することが可能となり、外力や温度変化に対して安定して動作することが可能な半導体加速度センサ装置1を実現することができる。また、下部容器21のキャビティ21c内に収納された半導体加速度センサチップ10における電極パッド16は、図2および図3に示すように、下部容器21の段差面21bに露出された配線パターン23と、金属ワイヤ26を用いて電気的に接続されている。この金属ワイヤ26は、例えば金や銅やアルミニウムなどの金属製ワイヤで形成することができる。以上のように半導体加速度センサチップ10が収納された下部容器21の開口部は、図2に示すように、上部蓋25により封止される。上部蓋25は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂24を用いて下部容器21の上面を密閉するように固着されている。この上部蓋25の材料には、例えば42アロイ合金やステンレスなどを適用することができる。また、密閉されたパッケージ21、25内部は、例えば窒素ガスやドライエアーでパージされている。製造方法次に、本実施例による半導体加速度センサ装置1の製造方法を図面と共に詳細に説明する。本製造方法では、まず、図6aに示すように、下部容器21を構成するための部材として、グリーンシート21A、21Bおよび21Cを準備する。グリーンシート21Cは、下部容器21において、段差面21bより上のキャビティ21c側壁を構成する部材である。グリーンシート21Bは、下部容器21において、段差面21Bと段差面21b以下のキャビティ21c側壁を構成する部材である。グリーンシート21Aは、下部容器21における底板を構成する部材である。なお、各グリーンシート21C、21Bおよび21Aそれぞれは、積層されたグリーンシートであってもよい。グリーンシート21Cには、パンチング機を用いてキャビティ孔21Eがパンチング加工されている。グリーンシート21Bには、同じくパンチング機を用いてキャビティ孔21Dと配線パターン23の一部上部を形成するためのビアホールとがパンチング加工されている。グリーンシート21Aには、同じくパンチング機を用いて配線パターン23の一部下部を形成するためのビアホールがパンチング加工されている。なお、グリーンシート21Cに形成されたキャビティ孔21Eは、グリーンシート21Bに形成されたキャビティ孔21Dよりも一回り大きい。これにより、グリーンシート21Cとグリーンシート21Bとを積層した際に段差面21bが形成される。また、グリーンシート21Bのビアホールと、グリーンシート21Aのビアホールとは、グリーンシート21Bおよび21Aを積層した際に重なる位置に形成されている。これらビアホール内部には、配線パターン23となる導体パターン23Bおよび23Aが、例えばスクリーン印刷法によって形成されている。次に、図6bに示すように、グリーンシート21C、21Bおよび21Aを順に積層し、これらを上下から加圧した後に焼成処理することで、キャビティ21cと配線パターン23とが形成された下部容器21を形成する。なお、この焼成処理では、圧力を常圧とし、温度を1500°Cとし、処理時間を24時間とすることができる。その後、図6cに示すように、下部容器21の下面に、配線パターン23と電気的に接続するフットパターン22を、例えばスクリーン印刷法によって形成する。なお、フットパターン22は、各グリーンシート21C、21Bおよび21Aを接合する前に形成しておいても良い。また、図7aに示すように、上述の半導体加速度センサチップ10とガラス基板10’とを準備し、半導体加速度センサチップ10の裏面にガラス基板10’を陽極接合する。これにより、裏面にガラス基板10’が接合された半導体加速度センサチップ10を準備する。なお、この陽極接合では、例えば加熱温度を300~400°C程度とし、印加電圧を500~1000Vボルト程度とすることができる。以上のように、ガラス基板10’が裏面に陽極接合された半導体加速度センサチップ10と、配線パターン23およびフットパターン22が形成された下部容器21とを準備すると、次に、図8aに示すように、シリコン製のスペーサ32を準備すると共に、下部容器21のキャビティ21cの底面21におけるスペーサ32が搭載される領域の外縁糊代32bと対応する領域に、例えばシリコーン樹脂よりなる接着材料33Aを塗着する。次に、スペーサ32を下部容器21のキャビティ21c底面における所定の位置スペーサ32の外縁と接着材料33Aが塗着された領域とが重畳する位置に載置し、これらを熱処理する。これにより、接着材料33Aが固化されて接着部33が形成され、この接着部33により、半導体加速度センサチップ10の台座となるスペーサ32がキャビティ21cの底面21aに固着される。なお、この熱処理では、温度を180°Cとし、処理時間を1時間とすることができる。次に、図8bに示すように、キャビティ21c底面に固着されたスペーサ32上面において、少なくとも半導体加速度センサチップ10ガラス基板10’も含むが搭載される領域に、例えば銀Ag製のペースト材31を塗着する。次に、裏面にガラス基板10’が接合された半導体加速度センサチップ10をスペーサ32上面におけるチップ搭載領域32aに載置し、これらを熱処理することで、図8cに示すように、ペースト材31を用いて半導体加速度センサチップ10ガラス基板10’も含むをスペーサ32に固着する。なお、この熱処理では、温度を180°Cとし、処理時間を1時間とすることができる。次に、図9aに示すように、例えば金製の金属ワイヤ26をボンディングすることで、半導体加速度センサチップ10における電極パッド16と、下部容器21における露出した配線パターン23とを電気的に接続する。なお、金属ワイヤ26のボンディングには、例えば圧力を50gf/cm2とし、温度を250°Cとした、超音波併用熱圧着法を用いることができる。なお、金属ワイヤ26の一方の端がボンディングされる電極パッド16は、半導体加速度センサチップ10における固定部12上に形成されているため、金属ワイヤ26のボンディング時に半導体加速度センサチップ10における梁部13などが破損することはない。次に、図9bに示すように、例えば42アロイ合金やステンレスなどの上部蓋25を準備し、上部蓋25の下面に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂24を塗着する。次に、上部蓋25を下部容器21上に載置し、これらを上下から加圧した状態で熱処理を行うことで、上部蓋25を下部容器21に固着する。なお、この熱処理では、圧力を5kg/cm2とし、温度を150°Cとし、処理時間を2時間とすることができる。これにより、図2から図5に示すような半導体加速度センサ装置1が製造される。なお、上部蓋25で下部容器21を封止する際、キャビティ21cを例えば窒素ガスやドライエアーでパージする。作用効果以上のように、本実施例による半導体装置である半導体加速度センサ装置1は、内部にキャビティ21cを有し、下部容器21と上部蓋25とからなるパッケージと、半導体加速度センサチップ10と、上面のチップ搭載領域32aに半導体加速度センサチップ10が固着されたスペーサ32と、スペーサ32の下面におけるチップ搭載領域32a下以外の領域糊代32b、離間領域32cとキャビティ21cの底面21aとを接着する接着部33とを備える。半導体加速度センサチップ10下以外の領域で、これを搭載するスペーサ32とパッケージとを接着することで、接着部33の熱膨張によって発生するスペーサ32の歪みが、直接的に半導体加速度センサチップ10へ影響することを回避できる。この結果、スペーサ32上面のチップ搭載領域32aに固着された半導体加速度センサチップ10に発生する歪みを低減することが可能となり、温度変化に対して安定して動作することが可能な半導体加速度センサ装置1を実現することができる。また、同じく半導体加速度センサチップ10下以外の領域で、これを搭載するスペーサ32とパッケージとを接着することで、外力や温度変化によってパッケージに発生した歪みがスペーサ32に伝達された場合でも、スペーサ32における歪み部分が直接的に半導体加速度センサチップ10へ影響することを回避できる。この結果、スペーサ32上面のチップ搭載領域32aに固着された半導体加速度センサチップ10に発生する歪みを低減することが可能となり、外力や温度変化に対して安定して動作することが可能な半導体加速度センサ装置1を実現することができる。次に、本発明の実施例2について図面を用いて詳細に説明する。尚、以下の説明において、実施例1と同様の構成については、同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、特記しない構成に関しては実施例1と同様である。半導体加速度センサ装置2の構成図10は、本実施例による半導体加速度センサ装置2の構成を示す断面図である。また、図11は図10におけるV-V’断面図である。なお、図10は、図11におけるVI-VI’断面図に相当する。図10および図11に示すように、本実施例による半導体加速度センサ装置2は、実施例1による半導体加速度センサ装置1と比較して、下部容器21が下部容器21’に置き換えられた構成を有する。下部容器21’は、キャビティ21c’の底部に、接着部33を用いてスペーサ32が着設される第1底面21a’よりも低い第2底面21eを有する。言い換えれば、下部容器21’は、スペーサ32に塗着された接着部33が接着する領域の内側に、凹状のザグリ部21fを有する。したがって、半導体加速度センサチップ10下におけるスペーサ32と下部容器21’との間には、実施例1における中空の領域21dよりも上下に広い中空の領域21d’が形成される。また、第1底面21a’と第2底面21eとの境界部分を、接着部33が接着される領域の内側の端に有する。すなわち、ザグリ部21fの側面が、接着部33が接着される領域の内側の端に設定されている。このザグリ部21fは、キャビティ21c’の第1底面21a’にスペーサ32を接着する際、横方向に流れ出した接着材料を、スペーサ32下面に接する領域以外に逃がすための構成である。すなわち、スペーサ32の接着時に広がった接着材料は、ザグリ部21fの側面を伝って第2底面21eへ流れる。これにより、スペーサ32の接着時に広がった接着材料によって半導体加速度センサチップ10が着設された領域チップ搭載領域32a下が接着されることを防止できる。言い換えれば、チップ搭載領域32a下に、スペーサ32と下部容器21’とを接着する接着部33が形成されることを防止できる。なお、この他の構成および半導体加速度センサチップ10の構成は、実施例1と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。製造方法次に、本実施例による半導体加速度センサ装置2の製造方法を図面と共に詳細に説明する。本製造方法において、半導体加速度センサチップ10裏面にガラス基板10’を接合する工程は、実施例1において図7を用いて説明した工程と同じであるため、ここでは詳細な説明を省略する。また、本製造方法では、図12aに示すように、下部容器21’を構成するための部材として、グリーンシート21A、21B、21Cおよび21Fを準備する。グリーンシート21A、21Bおよび21Cは、実施例1と同様である。ただし、厚さが違っていても良い。また、グリーンシート21Aとグリーンシート21Bとの間には、グリーンシート21Fが配設される。グリーンシート21Fには、パンチング機を用いてキャビティ孔21Gと配線パターン23の一部上部を形成するためのビアホールとがパンチング加工されている。なお、グリーンシート21Fに形成されたキャビティ孔21Gは、下部容器21’のキャビティ21c’におけるザグリ部21fとなる孔である。このため、キャビティ孔21Gは、グリーンシート21Bに形成されたキャビティ孔21Dよりも小さい。また、グリーンシート21Bのビアホールと、グリーンシート21Fのビアホールと、グリーンシート21Aのビアホールとは、グリーンシート21B、21Fおよび21Aを積層した際に重なる位置に形成されている。これらビアホール内部には、配線パターン23となる導体パターン23B、21Fおよび23Aが、例えばスクリーン印刷法によって形成されている。次に、図12bに示すように、グリーンシート21C、21B、21Fおよび21Aを順に積層し、これらを上下から加圧した後に焼成処理することで、キャビティ21c’と配線パターン23とが形成された下部容器21’を形成する。なお、この焼成処理では、圧力を常圧とし、温度を1500°Cとし、処理時間を24時間とすることができる。その後、図12cに示すように、下部容器21’の下面に、配線パターン23と電気的に接続するフットパターン22を、例えばスクリーン印刷法によって形成する。なお、フットパターン22は、各グリーンシート21C、21B、21Fおよび21Aを接合する前に形成しておいても良い。以上のように、ガラス基板10’が裏面に陽極接合された半導体加速度センサチップ10と、配線パターン23およびフットパターン22が形成された下部容器21’とを準備すると、次に、図13aに示すように、シリコン製のスペーサ32を準備すると共に、下部容器21’のキャビティ21c’の第1底面21a’におけるスペーサ32が搭載される領域の外縁糊代32bと対応する領域に、例えばシリコーン樹脂よりなる接着材料33Aを塗着する。次に、スペーサ32を、外縁がザグリ部21fの周囲における第1底面21a’に着設するように、キャビティ21c’底部に載置し、これらを熱処理する。これにより、接着材料33Aが固化されて接着部33が形成され、この接着部33により、半導体加速度センサチップ10の台座となるスペーサ32がキャビティ21c’の第1底面21a’に固着される。なお、この熱処理では、温度を180°Cとし、処理時間を1時間とすることができる。次に、図13bに示すように、キャビティ21c’底面に固着されたスペーサ32上面において、少なくとも半導体加速度センサチップ10ガラス基板10’も含むが搭載される領域に、例えば銀Ag製のペースト材31を塗着する。次に、裏面にガラス基板10’が接合された半導体加速度センサチップ10をスペーサ32上面におけるチップ搭載領域32aに載置し、これらを熱処理することで、図13cに示すように、ペースト材31を用いて半導体加速度センサチップ10ガラス基板10’も含むをスペーサ32に固着する。この際の加熱温度および処理時間は、銀Agペーストが溶融する程度でよい。その後、実施例1と同様に、金属ワイヤ26をボンディングし、次に、下部容器21’に上部蓋25を熱硬化性樹脂24で接着することで、図10および図11に示すような半導体加速度センサ装置2が製造される。なお、上部蓋25で下部容器21’を封止する際、キャビティ21c’を例えば窒素ガスやドライエアーでパージする。作用効果以上のように、本実施例による半導体装置である半導体加速度センサ装置2は、実施例1と同様に、内部にキャビティ21c’を有し、下部容器21’と上部蓋25とからなるパッケージと、半導体加速度センサチップ10と、上面のチップ搭載領域32aに半導体加速度センサチップ10が固着されたスペーサ32と、スペーサ32の下面におけるチップ搭載領域32a下以外の領域糊代32b、離間領域32cとキャビティ21c’の第1底面21a’とを接着する接着部33とを備える。半導体加速度センサチップ10下以外の領域で、これを搭載するスペーサ32とパッケージとを接着することで、実施例1と同様に、接着部33の熱膨張によって発生するスペーサ32の歪みが、直接的に半導体加速度センサチップ10へ影響することを回避できる。この結果、スペーサ32上面のチップ搭載領域32aに固着された半導体加速度センサチップ10に発生する歪みを低減することが可能となり、温度変化に対して安定して動作することが可能な半導体加速度センサ装置2を実現することができる。また、同じく半導体加速度センサチップ10下以外の領域で、これを搭載するスペーサ32とパッケージとを接着することで、実施例1と同様に、外力や温度変化によってパッケージに発生した歪みがスペーサ32に伝達された場合でも、スペーサ32における歪み部分が直接的に半導体加速度センサチップ10へ影響することを回避できる。この結果、スペーサ32上面のチップ搭載領域32aに固着された半導体加速度センサチップ10に発生する歪みを低減することが可能となり、外力や温度変化に対して安定して動作することが可能な半導体加速度センサ装置2を実現することができる。また、本実施例による半導体装置である半導体加速度センサ装置2は、パッケージを構成する下部容器21’が、スペーサ32が接着されたキャビティ21c’の壁面に、少なくとも半導体加速度センサチップ10下を凹陥させるザグリ部21fを有する。このように、少なくとも半導体加速度センサチップ10下を凹陥させるザグリ部21fを設けることで、スペーサ32の接着時に広がった接着材料によって半導体加速度センサチップ10が着設された領域チップ搭載領域32a下が接着されることを防止できる。言い換えれば、チップ搭載領域32a下に、スペーサ32と下部容器21とを接着する接着部33が形成されることを防止できる。次に、本発明の実施例3について図面を用いて詳細に説明する。尚、以下の説明において、実施例1または実施例2と同様の構成については、同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、特記しない構成に関しては実施例1または実施例2と同様である。半導体加速度センサ装置3の構成図14は、本実施例による半導体加速度センサ装置3の構成を示す断面図である。また、図15は図14におけるVII-VII’断面図である。なお、図14は、図15におけるVIII-VIII’断面図に相当する。図14および図15に示すように、本実施例による半導体加速度センサ装置3は、実施例1による半導体加速度センサ装置1と比較して、下部容器21が下部容器21に置き換えられた構成を有する。下部容器21は、実施例2と同様に、キャビティ21cの底部に、接着部33を用いてスペーサ32が着設される第1底面21a’よりも低い第2底面21eを有する。言い換えれば、下部容器21は、スペーサ32に塗着された接着部33が接着する領域の内側に、凹状のザグリ部21fを有する。また、第1底面21a’と第2底面21eとの境界部分を、接着部33が接着される領域の内側の端に有する。すなわち、ザグリ部21fの側面が、接着部33が接着される領域の内側の端に設定されている。このザグリ部21fは、キャビティ21cの第1底面21a’にスペーサ32を接着する際に、横方向に流れ出した接着材料を、スペーサ32下面に接する領域以外に逃がすための構成である。すなわち、スペーサ32の接着時に広がった接着材料は、ザグリ部21fの側面を伝って第2底面21eへ流れる。これにより、スペーサ32の接着時に広がった接着材料によって半導体加速度センサチップ10が着設された領域チップ搭載領域32a下が接着されることを防止できる。言い換えれば、チップ搭載領域32a下に、スペーサ32と下部容器21とを接着する接着部33が形成されることを防止できる。また、ザグリ部21fの第2底面21eにおける略中央部分には、この第2底面21eよりも高い上面21hを有する凸部21gが形成されている。この凸部21gは、スペーサ32を第1底面21a’に着設する際、上下から圧力を加えることによってスペーサ32が大きく歪曲することを防止するための支持部として機能する。この凸部21gにおける上面21hは、例えば接着部33を用いてスペーサ32が固着される第1底面21a’と同程度の高さ位置であっても良い。したがって、半導体加速度センサチップ10下におけるスペーサ32と下部容器21との間には、中央部以外が実施例1における中空の領域21dよりも上下に広く、中央部が実施例1における中空の領域21dと同程度に上下に広い中空の領域21dが形成される。ただし、これに限定されず、加圧していない状態で第1底面21a’に固着されるスペーサ32の底面に当接しない程度の高さであって、加圧時にスペーサ32および半導体加速度センサチップ10にクラックなどの破損が発生しない程度にスペーサ32を支持できる高さであれば良い。なお、この他の構成および半導体加速度センサチップ10の構成は、実施例1と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。製造方法次に、本実施例による半導体加速度センサ装置3の製造方法を図面と共に詳細に説明する。本製造方法において、半導体加速度センサチップ10裏面にガラス基板10’を接合する工程は、実施例1において図7を用いて説明した工程と同じであるため、ここでは詳細な説明を省略する。また、本製造方法では、図16aに示すように、下部容器21を構成するための部材として、グリーンシート21A、21B、21C、21Fおよび21Hを準備する。グリーンシート21A、21B、21Cおよび21Fは、実施例2と同様である。ただし、厚さが違っていても良い。グリーンシート21Hは、ザグリ部21fにおける凸部21gを形成するための部材である。したがって、グリーンシート21Hは、グリーンシート21Fに形成されたキャビティ孔21Gの略中央の位置に配置される。また、グリーンシート21Hの厚さは、例えばグリーンシート21Fと同程度とする。次に、図16bに示すように、グリーンシート21C、21B、21F、21Hおよび21Aを順に積層し、これらを上下から加圧した後に焼成処理することで、キャビティ21cと配線パターン23とが形成された下部容器21を形成する。なお、この焼成処理では、圧力を常圧とし、温度を1500°Cとし、処理時間を24時間とすることができる。その後、図16cに示すように、下部容器21の下面に、配線パターン23と電気的に接続するフットパターン22を、例えばスクリーン印刷法によって形成する。なお、フットパターン22は、各グリーンシート21C、21B、21Fおよび21Aを接合する前に形成しておいても良い。以上のように、ガラス基板10’が裏面に陽極接合された半導体加速度センサチップ10と、配線パターン23およびフットパターン22が形成された下部容器21とを準備すると、次に、図17aに示すように、シリコン製のスペーサ32を準備すると共に、下部容器21のキャビティ21cの第1底面21a’におけるスペーサ32が搭載される領域の外縁糊代32bと対応する領域に、例えばシリコーン樹脂よりなる接着材料33Aを塗着する。次に、スペーサ32を、外縁がザグリ部21fの周囲における第1底面21a’に着設するように、キャビティ21c底部に載置し、これらを熱処理する。これにより、図17bに示すように、接着材料33Aが固化されて接着部33が形成され、この接着部33により、半導体加速度センサチップ10の台座となるスペーサ32がキャビティ21cの第1底面21a’に固着される。なお、この熱処理では、温度を180°Cとし、処理時間を1時間とすることができる。次に、図17bに示すように、キャビティ21c底面に固着されたスペーサ32上面において、少なくとも半導体加速度センサチップ10ガラス基板10’も含むが搭載される領域に、例えば銀Ag製のペースト材31を塗着する。次に、裏面にガラス基板10’が接合された半導体加速度センサチップ10をスペーサ32上面におけるチップ搭載領域32aに載置し、これらを熱処理することで、図17cに示すように、ペースト材31を用いて半導体加速度センサチップ10ガラス基板10’も含むをスペーサ32に固着する。この際の加熱温度および処理時間は、銀Agペーストが溶融する程度でよい。その後、実施例1と同様に、金属ワイヤ26をボンディングし、次に、下部容器21に上部蓋25を熱硬化性樹脂24で接着することで、図14および図15に示すような半導体加速度センサ装置3が製造される。なお、上部蓋25で下部容器21を封止する際、キャビティ21cを例えば窒素ガスやドライエアーでパージする。作用効果以上のように、本実施例による半導体装置である半導体加速度センサ装置3は、内部にキャビティ21cを有し、下部容器21と上部蓋25とからなるパッケージと、半導体加速度センサチップ10と、上面のチップ搭載領域32aに半導体加速度センサチップ10が固着されたスペーサ32と、スペーサ32の下面におけるチップ搭載領域32a下以外の領域糊代32b、離間領域32cとキャビティ21cの第1底面21a’とを接着する接着部33とを備える。半導体加速度センサチップ10下以外の領域で、これを搭載するスペーサ32とパッケージとを接着することで、実施例1と同様に、接着部33の熱膨張によって発生するスペーサ32の歪みが、直接的に半導体加速度センサチップ10へ影響することを回避できる。この結果、スペーサ32上面のチップ搭載領域32aに固着された半導体加速度センサチップ10に発生する歪みを低減することが可能となり、温度変化に対して安定して動作することが可能な半導体加速度センサ装置3を実現することができる。また、同じく半導体加速度センサチップ10下以外の領域で、これを搭載するスペーサ32とパッケージとを接着することで、実施例1と同様に、外力や温度変化によってパッケージに発生した歪みがスペーサ32に伝達された場合でも、スペーサ32における歪み部分が直接的に半導体加速度センサチップ10へ影響することを回避できる。この結果、スペーサ32上面のチップ搭載領域32aに固着された半導体加速度センサチップ10に発生する歪みを低減することが可能となり、外力や温度変化に対して安定して動作することが可能な半導体加速度センサ装置3を実現することができる。また、本実施例による半導体装置である半導体加速度センサ装置3は、実施例2と同様に、パッケージを構成する下部容器21が、スペーサ32が接着されたキャビティ21cの壁面に、少なくとも半導体加速度センサチップ10下を凹陥させるザグリ部21fを有する。このように、少なくとも半導体加速度センサチップ10下を凹陥させるザグリ部21fを設けることで、実施例2と同様に、スペーサ32の接着時に広がった接着材料によって半導体加速度センサチップ10が着設された領域チップ搭載領域32a下が接着されることを防止できる。言い換えれば、チップ搭載領域32a下に、スペーサ32と下部容器21とを接着する接着部33が形成されることを防止できる。さらに、本実施例による半導体装置である半導体加速度センサ装置3は、パッケージを構成する下部容器21が、ザグリ部21fにおける底面に、この底面よりも突出した上面を持つ凸部21gを有する。このように、ザグリ部21fに凸部を設けることで、スペーサ32を第1底面21a’に着設する際、スペーサ32を下側から支持することが可能となるため、上下から圧力を加えることによってスペーサ32が大きく歪曲することを防止することができる。また、上記実施例1から実施例3は本発明を実施するための例にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではなく、これらの実施例を種々変形することは本発明の範囲内であり、更に本発明の範囲内において、他の様々な実施例が可能であることは上記記載から自明である。