"薄膜電池10の製造方法であって、前記薄膜電池10の積層体を形成するために、基板14の基板表面に複数の層16,18,20,36,38を連続的に設け、前記複数の層のうち少なくとも1つの層18,20,38の複数の異なる領域24,26,28;30,32,34;42,44,46を横方向に相互に分離する製造方法において、前記複数の異なる領域24,26,28;30,32,34;42,44,46をレーザビームによって分離することを特徴とする、製造方法。前記複数の層16,18,20,36,38のうち1つの層20,38はカソード層であり、該複数の層16,18,20,36,38のうち1つの層38,20はアノード層である、請求項1記載の製造方法。第1の層18を前記基板表面上に設けるか、または、該基板表面上に設けられた絶縁層16上に設け、第2の層20を該第1の層18に設けるステップと、前記第2の層20の複数の領域24,26,28を横方向に相互に分離するか、または、前記第1の層18の複数の領域30,32,34を横方向に相互に分離しかつ該第2の層20の複数の領域24,26,28を横方向に相互に分離するステップと、前記第2の層20に第3の層36を設け、該第3の層36に第4の層38を設けるステップと、前記第4の層38の複数の領域42,44,46を横方向に相互に分離するか、または、前記第3の層36の複数の領域を横方向に分離しかつ該第4の層38の複数の領域を横方向に相互に分離するステップとを有する、請求項1または2記載の製造方法。前記カソード層および/または前記アノード層は、前記積層体の埋め込み層18,20,36として設け、該カソード層および/または該アノード層と外部とのコンタクトのためにスルーコンタクト48を作製する、請求項2または3記載の製造方法。さらに、前記複数の層16,18,20,36,38を完全または部分的にカバーするカバー層を設ける、請求項1から4までのいずれか1項記載の製造方法。前記複数の層のうち少なくとも1つの層の複数の領域24,26,28;30,32,34;42,44,46の分離は、該少なくとも1つの層18,20,38の分離すべき領域24,24,28;30,32,34;42,44,46を相互に電気的に分離する絶縁分離である、請求項1から5までのいずれか1項記載の製造方法。前記複数の層16,18,20,36,38のうち少なくとも1つの層を気相成膜設備で設け、前記複数の層のうち少なくとも1つの層18,20,38の分離も該気相成膜設備で行う、請求項1から6までのいずれか1項記載の製造方法。3次元パターニングされた基板表面を設け、該基板表面に前記複数の層16,18,20,36,38を設ける、請求項1から7までのいずれか1項記載の製造方法。設けられた層16,18,20,36,38のうち少なくとも1つの層をレーザビームによって、少なくとも局所的に除去する、請求項1から8までのいずれか1項記載の製造方法。とりわけ請求項1から9までのいずれか1項記載の製造方法によって製造された薄膜電池10であって、当該薄膜電池10は、基板12と、前記基板12の基板表面14上に連続的に設けられた複数の層16,18,20,36,38を有する該薄膜電池10の積層体とを有し、設けられた層18,20,38のうち少なくとも1つの層の複数の異なる領域24,24,28;30,32,34;42,44,46は、レーザビームによって該少なくとも1つの層に切り込み22,40を入れることによって形成された分離パターン部22,40によって相互に横方向に分離されていることを特徴とする、薄膜電池。前記複数の層16,18,20,36,38のうち1つの層20,38はカソード層であり、該複数の層16,18,20,36,38のうち1つの層38,20はアノード層である、請求項10記載の薄膜電池。本発明の課題は、薄膜電池の製造方法を改善することである。前記課題は、薄膜電池を構成する積層体のうち少なくとも1つの層の複数の異なる領域を、レーザビームによって相互に横方向に分離することによって解決される。請求項1に記載の特徴を有する本発明の製造方法は、真空雰囲気または保護ガス雰囲気中でも層の個々の層領域をパターニングできるという利点を有する。さらに本発明では、層領域をレーザビームによって分離する。これら異なる層領域の分離は、レーザ切断によって行われる。その際には有利には、被着された層の材料が切除されるようにレーザ切断用の相応のレーザ装置のレーザビームを集束および方向決めする。このようにして、少なくとも分離時点で最上位にある層を完全に分断する切り込みと、層内で相互に導電接続されなくなった層領域とが得られる。この時点までに被着された層の表面の部分領域を走査することにより、層領域を完全に除去することもできる。層の被着は、とりわけ層の成膜である。薄膜電池は有利にはリチウムイオン電池として構成される。レーザビームによって行われるこのような分離は、層の気相成膜と特に良好に併用することができる。この気相成膜法は、物理的気相成膜法PVD:physicalvapourdepositionまたは化学的気相成膜法CVD法CVD:chemicalvapourdepositionである。物理的気相成膜法は有利には蒸着法および/またはスパッタリング法であり、有利なCVD法はALD法AtomicLayerDepositionである。基板は、半導体基板、セラミック基板、ガラス基板および/またはプラスチック基板である。基板が半導体基板である場合、有利な実施形態では、この半導体基板上に電子回路集積回路が設けられる。とりわけ、層のうち1つは薄膜電池のカソード層であり、該層のうち1つは薄膜電池のアノード層である。本発明の製造方法の1つの有利な実施形態では、以下のステップを実施する:a基板の表面上または該基板の表面に設けられた絶縁層上に第1の層を設け、該第1の層上に第2の層を設けるステップ。b前記第2の層の複数の領域を横方向に相互に分離し、かつ/または、前記第1の層の複数の領域を横方向に相互に分離し、該第2の層の複数の領域を横方向に相互に分離するステップ。c前記第2の層上に第3の層を設け、該第3の層上に第4の層を設けるステップ。d前記第4の層の複数の領域を横方向に相互に分離し、かつ/または、前記第3の層の複数の領域を横方向に相互に分離し、該第4の層の複数の領域を横方向に相互に分離するステップ。上記ステップには特に、以下のことが適用される:前記第1の層は薄膜電池の集電層であり、前記第2の層は該薄膜電池のカソード層である。前記カソード層として形成された第2の層は、とりわけLiCOO2から成る。1つの有利な実施例では、前記最初の2つの層は別個にパターニングされるのではなく、一緒にレーザビームによってパターニングされる。このようにパターニングするためには、前記最初の2つの層双方の材料および厚さに適合されたパラメータで適切なレーザ装置を動作させる。とりわけこのようなパターニングにより、外部コンタクト用のカソードコンタクトを成す第1の領域と、外部コンタクト用の集電体コンタクトを成す第2の領域とが別個に形成される。第3の層は電解質層であり、第4の層はアノード層である。第2のパターニングステップで、前記アノード層をレーザビームによって、選択的に該アノード層の下にある電解質層まで切断し、薄膜電池のアノード領域と層の残りの部分とを電気的に絶縁する。このようにパターニングするためには、前記第3の層および前記第4の層双方の材料および厚さに適合されたパラメータで適切なレーザ装置を動作させる。第2の電気絶縁された領域が電池パターニング部に設けられることにより、後のステップにおいて、埋め込まれた集電体とのコンタクトが形成される。本発明の別の有利な実施形態では、第4の層を設ける前に第3の層をパターニングする。その際にはとりわけ、前記第4の領域の前記第2の電気絶縁された領域にある第3の層を局所的に除去し、第1の層および第2の層の相応の領域を露出させることにより、埋め込まれた集電体とのコンタクトまたはカソード層とのコンタクトを後のステップで直接形成することができるようにする。本発明の別の有利な実施形態では、さらに、前記層を少なくとも部分的にカバーするカバー層を設ける。このような薄膜電池に使用される材料は空気や湿度に影響を受けやすく、このようなカバー層によってこれらの影響から保護される。とりわけ、少なくとも1つの層の複数の領域を分離することは、この少なくとも1つの層において分離すべき領域を相互に電気的に絶縁分離する絶縁分離である。本発明の有利な実施形態では、カソード層および/またはアノード層を積層体の埋め込み層として形成し、カソード層および/またはアノード層と外部とをコンタクトさせるためのスルーコンタクトを形成する。本発明の別の有利な実施形態では、前記層のうち少なくとも1つの層を気相成膜設備で設け、該少なくとも1つの層の複数の領域の分離も、該気相成膜設備で行う。有利には、すべての層を同じインシチュ気相成膜設備で成膜し、分離もこのインシチュ気相成膜設備で行う。このインシチュ気相成膜設備は、製造される薄膜電池および/または製造された薄膜電池を成膜時および分離時に、該インシチュ気相成膜設備の周辺の空気から隔絶する。分離を行うためにこの気相成膜設備は、レーザビームを該気相成膜設備内部に導くための窓を有する。とりわけ、3次元パターニングされた基板表面を設け、該基板表面上に前記層を設ける。このようにして製造された薄膜電池は、3次元薄膜電池となる。このような3次元薄膜電池では、3次元パターニングされた基板表面によって、該基板表面上に設けられた薄膜電池の有効面が折り畳まれ、基板の表面積が等しい場合、蓄積される容量は数倍になり、さらに、蓄積された電荷の吸収および放出がより迅速になる。それゆえ、平面状の基板表面に設けられた薄膜電池よりも高い出力を得ることもできる。最後に有利には、設けられた層のうち少なくとも1つの層を少なくとも部分的にレーザビームによって除去する。本発明はさらに、薄膜電池にも関し、とりわけ上述の製造方法によって製造された薄膜電池に関する。当該薄膜電池は、基板と、該基板の基板表面上に連続して設けられた複数の層を含む薄膜電池の積層体とを有し、設けられた層のうち少なくとも1つの層の複数の異なる領域は少なくとも1つの分離パターニング部によって横方向に相互に分離されており、該分離パターニング部は、該少なくとも1つの層にレーザビームによって作製された少なくとも1つの切り込みによって形成される。当該薄膜電池の少なくとも1つの実施形態では、層のうち1つは薄膜電池のカソード層であり、該層のうち1つは薄膜電池のアノード層である。とりわけ、カソード層および/またはアノード層を積層体の埋め込み層として形成し、カソード層および/またはアノード層と外部とをコンタクトさせるためのスルーコンタクトを形成する。とりわけ、前記薄膜電池は3次元薄膜電池として構成される。3次元薄膜電池として構成するためには、基板の基板表面は適切にパターニングされ、該基板表面に3次元薄膜電池の積層体の層が設けられる。以下で本発明を、複数の実施例を示す図面に基づいて詳細に説明する。図1~5に、本発明の製造方法の有利な実施形態による薄膜電池10の構成をステップごとに示す。図1に、半導体基板12として形成された基板14と、該基板14上に設けられた成膜された絶縁層16とを示す。この絶縁層16上にはまず、集電層である第1の層18を成膜する。次に、この第1の層18に第2の層20を成膜する。この第2の層20は、たとえばLiCOO2から成り、薄膜電池10のカソード層を成す。これら最初の2つの層18,20は、同図中では別個にパターニングされず、一緒にパターニングされる。図2に、次に行われる前記最初の2つの層18,20のパターニングを示す。図中にないレーザ切断用のレーザ装置の適切なパラメータにより、レーザビームによって、最初の2つの層18,20の層厚さにわたって、ないしは第2の層の層厚さにわたって延在する切り込み22を入れ、この切り込みによって、製造すべき電池10のカソード領域28が電気的に露出され、他の領域24,26から横方向に分離されるようにすることができる。その際に、その下にある集電層18の複数の領域30,32,34も‐少なくとも切り込み22の一部において‐横方向に相互に分離される。この分離は図中の実施例では、第2の層カソード層20の複数の領域の分離と同時に行われる。場合によってはオプションとして、コンタクト領域24を別のパラメータによって、活性カソード材料から分離することができる。ただしその場合には、集電層第1の層18を絶対に損傷してはならない。すなわち導電性に維持しなければならない。これに相応する場所を、図2においてマークMによって示している。図3に、第2の層20上に成膜された第3の層36と、該第3の層36上に成膜された第4の層38とを示す。この第3の層36は電解質層として形成され、第4の層38はアノード層として形成されている。ここでも、埋め込まれた層のパターニングは行わない。さらに、カソード層のパターニング部を破線で示す。このパターニング部も埋め込まれている。後続のパターニングステップにおいて、複数の領域42,44,46を分離するために、レーザビームによって第4の層38に切り込み40を入れる。このレーザパターニングにより、第4の層38アノード層をレーザビームによって適切なパラメータで選択的に、該第4の層38の下にある第3の層36電解質層まで切断し、電池10のアノード領域42を該第4の層38の他の領域44,46から電気的に絶縁する。このことは図4に示されている。電気的に絶縁された第2の領域46が電池パターニング部上に設けられ、これによって後のステップにおいて、埋め込まれた第1の層18集電層とのコンタクトが形成されるここでは点線で示されている。アノード材料に応じて、アノード層第4の層38の直接的なコンタクトが可能であるか、または、アノード層を適切な材料によってコーティングしなければならない。カソード層第2の層20のコンタクトを行うためには、カソード領域において適切な材料をたとえばレーザによって局所的に加熱し、この材料を電解質層第3の層36およびカソード層第2の層20に拡散させることにより、導電スルーコンタクト48接続ビアを形成する。アノード層第4の層38がまだ適切な材料から形成されていない場合には、たとえば適切なペーストを塗布して加熱することができる。カソードのコンタクト面50とアノードのコンタクト面52とが形成される。最後に、オプションとして電池10にパッシベーション層を設けることにより図示していない、電池の寿命を延長することができる。このパッシベーション層に対応して、カソードおよびアノードのコンタクトを適合しなければならない。図5に、上述の場合に埋め込まれるカソード層のコンタクトをレーザ焼結によって、すなわち、絶縁されたボンディングパッド領域46の局所加熱によって行うのが示されている。温度上昇により、たとえばこの領域にも存在する上側の金属または別個に塗布されたペーストの拡散が活性化し、電解質層に局所的にドーピングされる。このようにして、両電極層第2の層20および第4の層38を上側からコンタクトすることができる。図中に示していない別の実施形態として、下方の電極層第2の層20のコンタクトを横方向に行い、たとえば、基板14に挿入されるかまたは挿入処理された回路を介して下方の電極層第2の層20のコンタクトを行うか、または、基板裏面からコンタクトを行うために基板14に設けられたスルーコンタクトビアを介して、下方の電極層第2の層20のコンタクトを行う。導電度に応じて、基板12自体を給電線として使用することができる。ただし、直列抵抗の如何にかかわらず、電池10の出力値は低下する。別の実施形態では、第4の層アノード層38を設ける前に第3の層電解質層36を選択的に除去し、このように選択的除去を行わないと埋め込まれてしまう層を露出させてコンタクトできるようにする。パッシベーション層を設ける場合には、コンタクト工程を相応に適合しなければならない。本発明の方法はマスキング手法に依存しないことにより、基板14も任意のトポグラフィでたとえば深いトレンチや孔でパターニングすることができる。このことはとりわけ、図6に示された3次元薄膜電池54の製造においても有利である。レーザパターニングは、マスクや、パターニング前の基板14の状態に依存しないので、場合によっては成膜をパターニングに適合する必要はなく、基板14に適合すればよくなることがある。3次元薄膜電池54の基板14は、たとえば相互に平行な複数のトレンチ58を有する3次元パターニングされた基板56であり、このような複数のトレンチ58によって、3次元に折り曲げられた薄膜電池3次元薄膜電池54を得ることができる。層16,18,20,36,38をプリパターニングすることにより、結果的に、たとえばソーイング時に電池材料が間を塞ぐことによって短絡が発生する危険性が生じることなく、電池10個体を分離することができる。機能領域は、半導体基板12の縁部から絶縁される。図中ではアノードの切断線60は、カソード断面の切断線62より若干外側にある。切り込み22,40を適切に配置することにより、たとえば、電解質等を貫通する最初のレーザパターニング時に材料が反ることに起因して発生する短絡を回避することもできる。図7に、電池10のダイシング時の基板14を示す。ここで重要なのは、レーザパターニングによるソーイング時に短絡を高信頼性で防止できることである。択一的に‐障害となる反りを生じさせることなく下方の層を適切にパターニングする際には‐薄膜電池の上方の層第4の層38に切り込みのみを入れるステップによっても、アノードのパターニングを行うことができる。このようにしてこの第4の層38に得られた領域が、アノードのコンタクト面52を有するアノード領域42であり、他の領域は、カソード領域28において該アノードの下方に配置されたカソードのコンタクト領域50である。図8に、高感度のLiイオン含有層がソーイングまで上方の金属層または第1のパッシベーション層によって保護される実施形態を示す。上方の層第4の層38と金属層またはパッシベーション層とに線64に沿って所期のように切り込みを入れ、その後に、個々の電池10の構造全体の部分を線66に沿ってソーイングによってダイシングすることにより、電池10が完成する。このことにより、埋め込まれた層のパターニングによって、ソーイング時に短絡が発生しないことが保証される。その後に、別のパッシベーション層たとえばAl2O3をALD:原子層成膜法によって設けることができる。もちろんこの構成を別の順序で、すなわち、埋め込まれたアノード層と、該アノード層の上方に設けられるカソード層とによって実現することもできる。基板として考えられる材料は多数存在し、ここで重要なのは、層の成膜時に必要な温度に対して耐性を有することであり、場合によっては、レーザパターニング時の選択性が十分であることも重要になることがある。この材料の例を以下に挙げる:シリコン基板。場合によっては、集積回路または集積マイクロメカニカル素子が集積されたシリコン基板、または、スルーコンタクトが設けられたシリコン基板。ガラス基板。場合によっては、スルーコンタクトが集積されたガラス基板。セラミック温度安定性のポリマー。薄膜電池の個々の機能平面たとえば集電部、カソード、電解質、アノード、集電部、パッシベーション。図1を参照されたいは連続的に設けられ、とりわけ成膜される。適切な手法によって処理することにより、典型的には、適合された波長、出力、パルス長、パルス周波数および/または書き込み速度でレーザ手法によって処理することにより、絶縁切り込み部が各層に設けられる。通常はこの絶縁切り込みは、次の層が設けられる前に設けられる。その目的は、所望の層を横方向に高信頼性で絶縁し、かつ、その下にある層を場合によっては損傷したり、下の層の機能を阻害しないようにすることである。レーザ手法を実施する場合、パターニングをインシチュで行うこともでき、たとえば成膜設備のチャンバの適切な光学窓を通して行うこともできる。切断時に剥離した粒子によってチャンバが汚染されることは、たとえばチャンバの真空排気または保護ガスリンス等の適切な手段によって阻止することができる。レーザパターニングは基板状態に依存しない。すなわち、たとえばプリパターニングされた基板を大きなトポグラフィで処理することができる3D薄膜電池。以下の利点が得られる:とりわけ遮蔽マスクと比較して、層のパターニングを格段に良好に行えるようになること。基板上とりわけウェハ上におけるスペースを格段に効率的に利用し、切断くずを低減することができる。簡単な絶縁ステップに限定することにより、基板平面のパターニングをたとえば数分以内で行い、たとえばリソグラフィ法および別個のエッチング法を行う場合と比較して非常に迅速に行うことができる。このパターニングは、基板の実際に除去される領域とのみ相互作用する。遮蔽部分が生じない限り、他の領域のパターンおよび形状は任意に選択することができる。それゆえ、基板に深いパターンまたはスルーホールを設けることができる。成膜とパターニングとを分離することにより、たとえばCVD法や遮蔽マスク等、たとえば、完全に平坦に設けられなかった遮蔽マスクで成膜を行う際に発生するようなマスキングも発生しなくなる。電池のサイズおよび形状を要件に迅速かつフレキシブルに適合することができ、基板ごとに連続的に適合することも、‐分離容易性を考慮して‐1つの基板で適合することもできる。外部でマスク作製を行うステップは必要なく、レーザプログラミングを変更するだけでよい。層を適切にパターニングすることにより、使用電圧を上昇するために複数の異なる電池を直列接続することが、省スペースでオンチップ方式で行えるようになる。インシチュパターニングを行えることにより、真空破壊や、湿度および空気に敏感に反応するリチウム層と、阻害または損傷の原因となる大気との接触がないように、このような電池10を作製することができる。こうするためには、すべての必要な層を場合によっては複数の異なるチャンバ内で成膜できる成膜設備に、光学窓を設けるだけでよい。"