"反転形状を形成する方法であって、表面上に、第1の寸法と形状を備えた第1のフューチャを有するパターン形成層を形成するステップと、前記パターン形成層をエッチングして、前記第1の寸法とは異なる第2の寸法を有する第2のフューチャを形成するステップと、前記第2のフューチャを順応層で覆うステップと、該順応層の上方を除去して前記第2のフューチャの頂部を露出させるステップと、該第2のフューチャを、前記順応層と相互作用してinsitu硬化マスクを生成する酸素ベースの化学作用を伴うプラズマエッチングにより除去して、前記第1の寸法とは異なる第2の寸法を有する、前記形状の反転形状を作成するステップとを含む方法。しかしながら望まれているものは、より小さな臨界寸法のホール/トレンチを有する構造体を形成する技術である。本発明は基板上にリセス部を形成する方法を提供し、本方法は、第1のフューチャを有するパターン形成層を基板上に形成する段階と、第1のフューチャをトリムエッチングしてある形状を有するトリムフューチャを形成する段階と、該形状の反転形状を基板に転写する段階とを含む。これらの実施形態及びその他のものは以下で十分に説明される。図1を参照すると、基板30、転写層37、イメージング層43を有する多層構造体40が示されており、転写層37はイメージング層43と基板30との間に配置されている。基板30は、限定ではないが、シリコン、ヒ化ガリウム、石英、溶融シリカ、サファイア、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸塩ガラス、フッ素樹脂、又はこれらの組合せを含む部材から形成することができる。転写層37とイメージング層43は、望ましい部材や用途に応じた知られているあらゆる技術を用いて形成することができる。例えば基板30からだけでなく転写層37やイメージング層43から部材を除去するのに利用することができるエッチング処理は、半導体処理技術分野において知られた任意のものとすることができる。利用されるエッチング処理は、利用される部材や望ましい用途に依存する。転写層37やイメージング層43を堆積させるのに利用することができる技術は、限定ではないが、化学蒸着法CVD、物理蒸着法PVD、スパッタ堆積法、スピンコーティング、液体分注法を含む。転写層37は、ミズーリ州ローラのBrewerScience,Inc.から入手可能なDUV30J-6などの反射防止被覆BARC層とすることができる。更に転写層37は、例えば、シリコン含有のlow-k層又はBCB層とすることができる。別の実施形態では、転写層37の組成はシリコンが含まれておらず、以下のものからなる。組成1アクリル酸イソボルニルアクリル酸n-ヘキシルエチレングリコールジアクリラート2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン組成1では、アクリル酸イソボルニルは組成の約55を構成し、アクリル酸n-ヘキシルは約27、エチレングリコールジアクリラートは約15、更に開始剤である2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オンは約3を構成している。開始剤は、ニューヨーク州タリータウンのCIBA登録商標によってDAROCUR登録商標1173の商標の下で販売されている。上述で認識された組成はまた、化学技術分野で組成の動作寿命を増大させることが良く知られている安定剤を含む。イメージング層43は、転写層37のエッチング特性とは異なるエッチング特性をイメージング層43に与える複数のフューチャ44、45を有する。フューチャ44、45は、限定ではないが、フォトリソグラフィG線、I線、248nm、193nm、157nm、13.2~13.4nmを含む種々の波長、e-ビームリソグラフィ、X線リソグラフィ、イオンビームリソグラフィ、原子線リソグラフィ、インプリントリソグラフィを含むこのような技術によって形成することができる。インプリントリソグラフィは、米国特許出願第10/264,960号として出願された名称MethodandaMoldtoArrangeFeaturesonaSubstratetoReplicateFeaturesHavingMinimalDimensionalVariability基板上にフューチャを配置して最小寸法を有するフューチャを複製するための方法及びモールドの米国公開特許公開第2004/0065976号;米国特許出願第10/264,926号として出願された名称MethodofFormingaLayeronaSubstratetoFacilitateFabricationofMetrologyStandards計測標準部の加工を容易にするために基板上に層を形成する方法の米国特許公開第2004/0065252号、米国特許出願第10/235,314号として出願された名称FunctionalPatterningMaterialforImprintLithographyProcessesインプリントリソグラフィ処理のための機能的パターン形成部材の米国特許公開第2004/0046271号などの多くの公報において記載されており、これらの全ては本発明の譲受人に譲渡されており、引用により本明細書に組み込まれる。例示的なリソグラフィシステムは、78758テキサス州オースチンの1807-Cブレーカーレーン、スイート100に事業所を有するMolecularImprints,Inc.からIMPRIO100商標という商品名で入手可能である。IMPRIO100商標のシステム説明書は、www.molecularimprints.comで入手可能であり、引用により本明細書に組み込まれる。図1、2を参照すると、フューチャ44、45の形成にインプリントリソグラフィを利用すると、イメージング層43にフューチャ44と重なる残留部分11が形成される。従って、残留部分11を除去するため、図1に示されている多層構造体40が形成されるように貫通孔を各々利用することができる。図1を参照すると、上述のようにフューチャ44、45は、転写層37のエッチング特性とは異なる各特性をイメージング層43に与える。そのためには、イメージング層43のエッチング特性により、イメージング層43は転写層37用のハードマスクとして機能することが可能となる。そのためにはイメージング層43は、重量で3から40の範囲にあるシリコン含有量を有する有機部材、又はフォトイメージ可能とすることができる他の部材から形成することができる。イメージング層43は、所与のエッチング処理において転写層37に対し望ましいエッチング差の特性が得られるように十分な厚さでシリコン含有部材を転写層37上にスピンコートで堆積させる。イメージング層43を形成する例示的な部材は、以下で更に十分に説明する組成2、組成3を含む。フューチャ44、45をイメージング層43にパターン形成した後、多層構造体40はトリムエッチング処理を受ける。別の実施形態では、イメージング層43と転写層37は、ペンシルバニア州フィラデルフィアのRohmandHaasから入手可能なSiBER商標DUV2層レジストプラットフォームによって形成することができる。SiBER商標DUV2層レジストプラットフォームについての説明書は、httpelectronicmaterialsrohmhaascombusinessesmicrolithography248photoaspcaid240で入手可能であり、引用により本明細書に組み込まれる。図3を参照すると、トリムエッチング処理が多層構造体40に突出部42を形成する。突出部42の各々は、フューチャ45と、これと重なる、本体47と呼ばれる転写層37の一部とを含む。図1で示されているフューチャ45の幅a1は、トリムエッチング処理によって縮小され、幅a2のフューチャ45となる。具体的には、図1に示されている幅a1が幅a2よりも大きくなるように、トリムエッチング処理中に部材をフューチャ45から除去する。同様に部材が転写層37から除去される。具体的には、転写層37は部分的にトリムエッチング処理を受けて、図1に示すようにフューチャ44と重なった転写層37の一部が除去される。これは、イメージング層43がトリムエッチング処理中に転写層37に対するマスクとして機能することによって生じる。フューチャ45と重なった転写層37の一部も同様に部分的にエッチングされる。このように本体47は、その長さにわたって変化する寸法を有することになる。本体47と基板30との境界面における本体47の幅b1は、本体47とイメージング層43との境界面における本体47の幅b2よりも大きい。幅b1は幅a2と実質的に同じか小さく、幅b2は幅a2よりも小さい。図3、図4を参照すると、多層構造体40は上述のトリムエッチング処理を受けた後に第2のエッチング処理を受け、転写層37の残留部分を一様な寸法とする。具体的には転写層37が、イメージング層43の残留部分をマスクとして用いて選択的にエッチングされる。このようにして多層構造体140が形成される。多層構造体140は、幅c1を備えた突出部42を有する。幅c1は幅b2と実質的に同一とする。別の実施形態では、幅c1は幅b2よりも小さい。上述のエッチング処理を多層構造体140に受けさせた結果として、フューチャ45はファセットを有するようになり、ファセット部材と呼ばれる。ファセット部分は除去することが望ましい。ファセット部分を除去する方法は、ファセット部分が形成される部材に応じて決まる。ファセット部材を除去する1つの方法は、このファセット部材をフッ化水素酸HF浸液に曝すことに基づく。或いはファセット部分を除去するために、ファセット部分が形成された部材を、放射に露出させ、続いて化学物質に曝す。すなわちファセット部分は光応答性を有し、フォトレジスト部材と類似している。しかしながら、ファセット部分を除去する処理は、突出部42の残留部分のファセット形成を最小限に止め又は排除し、図5に示される突出部54を形成することが望ましい。図5、図6を参照すると、ファセット部分を除去した後、突出部54のリバーストーンが基板30へ転写される。このために順応層46を突出部54を覆って堆積させ、多層構造体340を形成する。これは、限定ではないが、スピンオン技術、接触平坦化法、又は同様のものを含む方法によって行うことができる。このために、順応層46は重合可能部材から形成する。順応層46を形成する例示的組成は以下の通りである。組成2ヒドロキシル-機能性ポリシロキサンキサメトキシメチルメラミントルエンスルホン酸メチルアミルケトン組成3ヒドロキシル-機能性ポリシロキサンキサメトキシメチルメラミンγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラントルエンスルホン酸メチルアミルケトン組成2では、ヒドロキシル-機能性ポリシロキサンは組成の約4を構成し、キサメトキシメチルメラミンは約0.95、トルエンスルホン酸は約0.05、更にメチルアミルケトンは約95を構成している。組成3では、ヒドロキシル-機能性ポリシロキサンは組成の約4を構成し、キサメトキシメチルメラミンは約0.7、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシランは約0.25、トルエンスルホン酸は約0.05、更にメチルアミルケトンは約95を構成している。順応層46は、第1と第2の向き合っている側を含む。第1の側48は基板30に面している。第2の側は基板30から外方に向いており、正規化面50を形成する。正規化面50は、突出部54と正規化面50との間の距離k1、k3、k5、k7、k9が実質的に同一であり、へこんだ部分58と正規化面50との間の距離k2、k4、k6、k8が実質的に同一であることを確実にすることによって実質的に正規化されたプロファイルを備える。正規化面50に正規化プロファイルをもたらす1つの方法は、順応層46を平坦面62を有する平坦化モールド60と接触させることである。この後、平坦化モールド60は順応層46から分離され、放射線を順応層46に入射させて順応層46を重合させ、従って固化させる。順応層46に入射する放射線は、紫外線、熱放射、電磁放射、可視光、温度放射、その他の同様のものとすることができる。別の実施形態では、順応層46に入射する放射線は、平坦化モールド60が順応層46から分離される前に入射させることができる。順応層46が平坦化モールド60に確実に付着しないように、低表面エネルギーコーティング64を平坦化モールド60上に設けることができる。或いは、順応層46の剥離特性は、順応層46が製作される部材内に界面活性剤を含めることにより改善することができる。界面活性剤は、順応層46の平坦化モールド60への接着性を低減させる望ましい剥離特性を与える。本発明の目的において、界面活性剤はその1つのテイルが疎水性である、あらゆる分子と定義される。界面活性剤は、フッ素例えばフッ素鎖を含む含んでもよいが、或いは界面活性剤分子構造内にどのようなフッ素も含まなくともよい。例示的界面活性剤は、DUPONT商標からZONYL登録商標FSO-100という商品名で入手可能であり、これはR1R2の一般構造体を有し、式中、R1=FCF2CF2y、yは1から7のこれらを含めた範囲、R2=CH2CH2OCH2CH2OxHであり、xは0から15のこれらを含めた範囲にある。界面活性剤は、平坦化モールド60に適用することができる低表面エネルギーコーティング64と共に、又はその代わりに用いることができることを理解されたい。図6、図7を参照すると、ブランケットエッチングを利用して、順応層46の一部を除去し、クラウン面66を有する多層構造体340を生成している。クラウン面66は、突出部54の各々の露出面68と、ブランケットエッチング後に順応層46上に残留する部分70の上部表面とによって定められる。ブランケットエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングとすることができる。別の実施形態では、化学機械研磨/平坦化法を利用して、順応層46の一部分を除去し、クラウン面66を備えた多層構造体340を形成することができる。図6、7、8を参照すると、クラウン面66が異方性プラズマエッチングを受ける。異方性エッチングのエッチング性質は、突出部54のエッチングを最大にすると同時に、部分70のエッチングを最小にするように選択される。この例では、突出部54と順応層46との間のシリコン含有量の差を利用した。具体的には、酸素ベースの化学作用を伴うプラズマエッチングを利用することにより、クラウン面66に近接する部分70の領域にin-situ硬化マスク72が生成され、多層構造体440を形成することが明らかになった。これは、シリコン含有重合可能部材の酸素プラズマとの相互作用により生じる。硬化マスク72とエッチング処理の異方性の結果として、突出部54と重なった領域74が露出する。図8、図9を参照すると、多層構造体440によって形成されたパターンが、基板30に転写されるパターンのベースを形成している。具体的には、多層構造体440によって定められた構造の形状を、異方性フッ素プラズマエッチングを利用することによって基板30に転写することができる。この処理の利点は、リセス部の形状のベースを形成する図1に示されるイメージング層43などのパターン形成層と比べ、遙かに小さな寸法を有するリセス部を基板30内に形成することができる点である。また図6に示されている順応層46がシリコン含有光応答性部材から形成されている場合には、図6に示されている順応層46の除去は、フォトレジスト部材の除去と同様の方法で行うことができる。結果としてブランケットフッ素エッチングを利用する必要はないことになる。図4と10を参照すると、上記で説明したHF浸液利用の必要性を回避する別の実施形態が示されている。具体的には、突出部42の形成後に順応層46が堆積される。このために、順応層46と突出部42のファセット領域は、同様のエッチング特性を有する部材から作られる。具体的には、ファセット領域に関するエッチング速度は、順応層46に関するエッチング速度よりも大きくないのが望ましい。この方法で、ブランケットエッチングは、図6、7に関して上記で説明した様に実施することができる。しかしながら、表面は図7に示されるクラウン面66に関して上記で示されているように平坦である必要はない点を理解されたい。この後、図7、8、9で上述したように、基板30の領域74にリセス部が形成される。図11を参照すると、本発明の別の実施形態が記載されており、前述の処理を利用して、基板30上の既存層内にリセス構造を形成できることを示している。このために、多層構造体540は、基板30、基層141、転写層137、イメージング層143を有し、基層141は転写層137と基板30との間に配置され、転写層137はイメージング層143と基層141との間に配置されて示されている。転写層137とイメージング層143は、図1にそれぞれ示されている転写層37とイメージング層43に関して上述の部材によって形成することができ、図1にそれぞれ示されている転写層37とイメージング層43に関して上述のように形成することができる。基層141は、シリコン含有low-k、BCB、二酸化ケイ素、スピンオンガラス、FSG、ポリシリコンなどのlow-k部材から形成することができる。基層141は、図1に示されている転写層37とイメージング層43に関して上記で説明した技術のいずれかを利用して形成することができる。例示的な実施形態では、基層141は、スピンコート技術を利用して基板30上に堆積させることができ、low-kのシリコン含有誘電体からなる。図12、13を参照すると、図1に示されるイメージング層43と転写層37に関して上述したように、イメージング層143は、転写層137のエッチング特性とは異なる、関連するエッチング特性を有する。この方法では、突出部142を形成するためにトリムエッチング手法が利用される。図のように、基板30とフューチャ45との間に延びる図3の本体47とは異なり、本体147がフューチャ145と基層141との間に延びる点以外は、突出部142は、図3に関して上記で説明した方法で形成されている。多層構造体540に上述のトリムエッチング処理を受けさせた後、図4、5、6、7、8、9に関して上記で説明したような追加の処理を行い、基層141内にリセス構造174を得ることができる。図示しないが、リセス構造174は、基層141を貫通して延び、基板30で終端することができる。図14を参照すると、別の実施形態において、イメージング層43を基板30上に配置し、多層構造体640を形成することができる。イメージング層43は、ペンシルバニア州フィラデルフィアのRohmandHaasから入手可能なI線、193nm、248nmのフォトリソグラフィレジストなどの有機レジストで形成することができる。I線、193nm、248nmのフォトリソグラフィレジストの説明書は、httpelectronicmaterialsrohmhaascombusinessesmicrolithography248photoaspcaid235から入手可能であり、引用により本明細書に組み込まれる。イメージング層43はまた、日本国東京のZeonCorporationから入手可能な電子ビーム有機レジストで形成してもよい。電子ビーム有機レジストについての説明書は、httpwwwzeoncojpbusinesseenterpriseimageleczep7000htmlから入手可能であり、引用により本明細書に組み込まれる。フューチャ45の幅a1を縮小するために、イメージング層43は等方性エッチング成分を有する有機エッチングを受けることができる。しかしながらこれは、ファセット部材と呼ばれるファセットが形成されるフューチャ45をもたらす可能性がある。多層構造体640によって形成された構造体形状を基板30に転写させるために、図4、5、6、7、8、9に関して上記で説明したように追加の処理を受けることができる。しかしながら、多層構造体640に対して図6、7に関して上述したブランケットエッチングを利用すると、上述のファセット部材を排除するためにオーバーエッチングを必要とする可能性がある。図15を参照すると、別の実施形態において、イメージング層143を基層141上に配置して多層構造体740を形成することができ、ここで多層構造体740は、多層構造体740によって形成された構造体形状が基層141に転写されるように多層構造体640に関する上述の処理を受けることができる。上述の本発明の実施形態は例示的なものである。本発明の範囲内に留まりながら、上記の開示に対して多くの変更及び修正を加えることができる。従って本発明の範囲は、添付の請求項並びに均等物の全範囲に関連して決定すべきである。"