"対向する一対の面を有する導波管と、前記導波管の一の面に設けられた第1伝送線路と、前記導波管の他の面に設けられた第2伝送線路と、前記第1伝送線路から前記導波管へ信号を変換する第1変換構造とを備えた導波路。前記導波管から前記第2伝送線路へ信号を変換する第2変換構造を有する、請求項1に記載の導波路。前記導波管は対向する一対の導電膜と、前記導電膜のそれぞれ接続する複数の導電性のピラーにより構成されている、請求項1に記載の導波路。前記導波管は対向する一対の導電膜と、前記導電膜の間に対向配置された一対の導体壁により構成されている、請求項1に記載の導波路。前記第1伝送線路および第2伝送線路の少なくとも一方はマイクロストリップラインである、請求項1に記載の導波路。前記第1変換構造および第2変換構造は貫通電極である、請求項1に記載の導波路。前記第1変換構造および第2変換構造はテーパ型マイクロストリップにより構成されている、請求項1に記載の導波路。絶縁性を有する基板と、前記基板内に設けられた導波路とを備え、前記導波路は、対向する一対の面を有する導波管と、前記導波管の一の面に設けられた第1伝送線路と、前記導波管の他の面に設けられた第2伝送線路と前記第1伝送線路から前記導波管へ信号を変換する第1変換構造とを有するインターポーザ基板。前記基板は抵抗率1000Ωcm以上の高抵抗シリコン基板、低温同時焼成セラミック、ガラス、石英またはセラミックのいずれかにより構成されている、請求項8に記載のインターポーザ基板。絶縁性基板内に導波路を有するインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板に実装された半導体チップとを備え、前記導波路は、対向する一対の面を有する導波管と、前記導波管の一の面に設けられた第1伝送線路と、前記導波管の他の面に設けられた第2伝送線路と前記第1伝送線路から前記導波管へ信号を変換する第1変換構造とを有するモジュール。絶縁性基板内に導波路を有するインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板に実装された半導体チップと、前記インターポーザ基板と電気的に接続された実装基板とを備え、前記導波路は、対向する一対の面を有する導波管と、前記導波管の一の面に設けられた第1伝送線路と、前記導波管の他の面に設けられた第2伝送線路と前記第1伝送線路から前記導波管へ信号を変換する第1変換構造とを有する電子機器。しかしながら、この手段は専用の特殊プロセスあるいは新規材料の開発が必要であり、シリコンインターポーザの製造コストが増大するという問題があった。本技術はかかる問題点を鑑みてなされたもので、その目的は、製造コストを抑えつつインピーダンスの不整合を抑え、電気信号の反射損失を低減することが可能な導波路およびこれを備えたインターポーザ基板ならびにモジュールおよび電子機器を提供することにある。本技術の導波路は、対向する一対の面を有する導波管と、導波管の一の面に設けられた第1伝送線路と、導波管の他の面に設けられた第2伝送線路と、第1伝送線路から導波管へ信号を変換する第1変換構造とを備えたものである。本技術のインターポーザ基板は、上記導波路を備えたものである。本技術のモジュールおよび電子機器は、半導体チップと、上記インターポーザ基板とを備えたものである。本技術の導波路およびこれを備えたインターポーザ基板ならびにモジュールおよび電子機器では、対向する一対の面を有する導波管の一の面に、導波管内へ信号を変換する変換構造を備えた第1伝送線路を、他の面に第2伝送線路を設けることにより、インピーダンスの不整合を低減することが可能となる。本技術の導波路およびこれを備えたインターポーザ基板ならびにモジュールおよび電子機器では、導波管を構成する一対の面にそれぞれ第1伝送線路および第2伝送線路を設け、更に第1伝送線路から導波管内へ信号を変換する変換構造を設けるようにしたので、インピーダンスの不整合が低減され、電気信号の反射損失を抑制することが可能となる。以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施の形態変換構造として貫通電極を用いた導波管を備えたインターポーザ基板2.第2の実施の形態変換構造としてテーパ状マイクロストリップを用いた導波管を備えたインターポーザ基板3.適用例モジュールおよび電子機器の例<1.第1の実施の形態>[インターポーザ基板1Aの構成]図1Aは、本開示の第1の実施の形態に係る導波路10を備えたインターポーザ基板1Aを斜視したものであり、図1Bはこのインターポーザ基板1AのI-I一点鎖線における断面構成を表したものである。インターポーザ基板1Aは、基板2の表面に誘電膜16Aを介して設けられた配線層14A第1伝送線路から裏面に誘電膜16Bを介して設けられた配線層14B第2伝送線路への信号の伝送路導波路10として導波管11用いたものである。この導波管11は基板2と、基板2の表面および裏面に少なくとも一部が対向配置された一対の導電膜12A,12Bと、導電膜12Aと導電膜12Bとを電気的に接続する複数の導電性のピラー13とから構成されている。本実施の形態における導波管11は、一般的にSIWSubstrateIntegratedWaveguideと呼ばれるものであり、ピラー13は反射面となる疑似的な壁疑似壁として図1Aに示したように規則的に配置されており、これにより導波管11は方形導波管として機能する。基板2は、後述する半導体チップ30の材料に合わせて、例えば厚みが50~400μmの高抵抗シリコンSi基板抵抗率1000Ωcm以上またはシリコンカーバイドSiC基板を用いることが望ましい。半導体チップ30と材料を合わせることで熱膨張係数がほぼ等しくなり、半導体チップ30とインターポーザ1Aとの間の接合の信頼性が向上するからである。なお、基板2としてはこれに限るものではなく、他の半導体材料や誘電体材料を用いてもよい。他の半導体材料としては例えば、SiGe,GaAs等が、誘電体材料としては例えば、低温同時焼成セラミックスLowTemperatureCofiredCeramics;LTCC等のセラミック、ガラス例えばPyrex登録商標,SD2,石英、樹脂ガラスエポキシ,BTレジンや有機ポリマーなどが挙げられる。導波路10は、上述したように基板2と、基板2の表面および裏面に形成された一対の導電膜12A,12Bと、矩形状に規則的に配置されると共に、導電膜12A,12Bを電気的に接続するピラー13とによって構成されている。導電膜12A,12Bは、導電性材料、例えばAlアルミニウム、AlCuアルミニウム銅等の金属材料により形成されている。導電膜12A,12Bの厚みは、信号周波数によって適宜調整すればよいが、例えば60GHzに対しては3μm以上とすることが好ましい。また、導電膜12A,12Bには、互いに対向する位置に開口12a,12bがそれぞれ設けられている。この開口12a,12bは、配線層14A,14Bを後述する導波管11内に設けられた信号変換構造第1変換構造および第2変換構造に接続するためのものである。ピラー13は、導電膜12Aおよび導電膜12Bを電気的に接続するためものであり、具体的にはシリコン貫通電極ThroughSiliconVia;TSVである。このピラー13は、例えば銅Cuを用いることが好ましいが、アルミニウムAl等の金属材料を用いてもよく特に限定されない。また、電極径φは導電膜12A,12Bを電気的に接続可能であれば特に問わないが、例えば50μmであればよい。なお、ピラー13を矩形状に規則的に配置することによって形成された疑似壁によって定義される導波管11の一辺の長さlは、一般的な導波管と同様にカットオフ周波数を決定するため、使用する信号の周波数に合わせて適宜設定すればよい。具体的には、例えば基板となるSiの比誘電率が11.9の場合、カットオフ周波数44GHzにするには、lを1mmとすることが好ましい。配線層14A,14Bは、ここでは例えば膜厚10~20μmのCuめっき配線層と、膜厚3~6μmのポリイミド層間膜およびポリイミド絶縁膜により構成されてたマイクロストリップラインである。このマイクロストリップライン14A,14Bのうち、一方ここではマイクロストリップライン14Aは基板2上に搭載された半導体チップ30側に接続されている。他方ここではマイクロストリップライン14Bはインターポーザ基板1Aを実装する実装基板40側に接続されている。変換プローブ15A,15Bは、導波管11とマイクロストリップライン14A,14Bとの間で信号を変換する信号変換構造である。この変換プローブ15A,15Bは上記ピラー13と同様に、貫通電極として導波管11内に形成されている。ここでは、変換プローブ15A,15Bの一端はそれぞれマイクロストリップライン14A,14Bに接続され、他端は電気的に開放Openされている。変換プローブ15A,15Bの設置位置は、導波管11の短辺方向では中央に、長辺方向では反射面となる短辺側の疑似壁から距離Aの位置に配置することが好ましい。この距離Aは、変換プローブ15A,15Bの反射特性によって決定される。なお、変換プローブ15A,15Bの反射特性は使用する信号の周波数によって変化する。距離Aの一例としては、例えば信号の周波数が60GHzの場合には400μmとすることが好ましい。誘電膜16A,16Bは、高周波信号に対して損失の少ない誘電体材料、例えば、SiO2等の無機材料やポリイミドにより形成されている。この誘電膜16A,16Bの膜厚は電気的特性等から決定され、例えば0.5μm~5μmである。なお、誘電体膜16A,16Bの材料は上述した材料の他に、ベンゾシクロブテンBCBやダイヤモンドライクカーボンDLC等を用いることも可能である。[作用効果]本実施の形態におけるインターポーザ基板1Aでは、ミリ波等の高周波信号は以下のように伝送される。まず、マイクロストリップライン14Aを伝播する準TEMTransverseElectromagneticモードの信号は、変換プローブ15Aによって導波管11内に入力され、電界を放射することによって、例えばTE10TransverseElectric10モード導波管モードに変換される。次に、導波管11内を伝播した信号は変換プローブ15Bによって再度準TEMモードに変換されてマイクロストリップライン14Bへ出力される。全体としては、インターポーザ基板1Aの表面に設けられたマイクロストリップライン14Aを伝播する信号は、マイクロストリップライン14Aから導波管モードを介して裏面に設けられたマイクロストリップライン14Bに伝送される。ミリ波帯域やそれを超える高周波領域においてピッチの異なる半導体チップと実装基板とをインターポーザを用いて接続する場合には、前述したように従来のTSVの代わりにcoaxialTSVを形成することでインピーダンス不整合を改善する方法が報告されている。しかしながら、基板内にcoaxialTSVを形成するためには専用の特殊プロセスを用いるため製造工程が繁雑になると共に、新規材料の開発が必要であるため製造コストが増大するという問題があった。この問題を解決する方法としては、例えば伝送線路として、インターポーザに一般的に使用されているマイクロストリップ線路やコプレーナ線路のように2層以下の配線層で実現可能な伝送線路を用いる方法が考えられる。しかしながら、この方法では電界が線路外に広がるため、他の信号線および電源線等のラインとのクロストークが発生するという問題があった。これはミリ波以上の高周波では顕著となる。このクロストークは線路間に一定の距離を設けることで抑制することが可能であるが、その場合には配線に必要な面積が拡大するという問題があった。これに対して、本実施の形態の導波路10を備えたインターポーザ基板1Aでは、基板2内に、対向する一対の面を有する導波管11と、導波管11の表面および裏面に設けられたマイクロストリップライン14A,14Bとによって構成される導波路10を形成するようにした。これにより、表面および裏面間を伝送する電気信号のインピーダンスの不整合を低減することが可能となる。以上のように、本実施の形態では、基板2内に一対の対向面の表面および裏面にそれぞれマイクロストリップライン14A,14Bが設けられた導波管11を形成し、これをインターポーザ基板1Aの表面から裏面またはその逆を伝播する信号の導波路10とした。これにより、表面および裏面間を伝送する電気信号のインピーダンスの不整合が低減され、電気信号の反射損失を抑制することが可能となる。また、反射損失の少ないインターポーザ基板1Aを上記のような簡易な構造を有するようにしたので、従来用いられている製造工程および材料を用いて形成することが可能となり、製造コストの増大を抑制することが可能となる。更に、導波路10は疑似壁を形成するTSVである複数のピラー13および対向する一対の導電膜12A,12Bによって囲まれているため、優れたEMC特性を実現することが可能となる。よって、ノイズ防止のための緩衝領域を設ける必要がなくなり他の配線とより高密度に集積することが可能となる。また、インターポーザ基板1A内においてより高い周波数、特にミリ波~テラ波の配線が可能となる。更にまた、上記構成を有するインターポーザ基板と比較して、本実施の形態のインターポーザ基板1Aはインピーダンスマッチングに対する製造精度により大きな許容度があり、優れた製造上のロバスト性を有する。<2.第2の実施の形態>図2A,Bは、本開示の第2の実施の形態に係る導波路20を備えたインターポーザ基板1Bの表面図2Aおよび裏面図2Bの平面構成を表したものである。図2Cは図2A,Bに示したII-II一点鎖線における断面構成を表したものである。本実施の形態におけるインターポーザ基板1B内に設けられた導波管21は、基板2の表面および裏面に対向配置された一対の導電膜第1層22Aおよび第6層22Fと、この第1層22Aと第6層22Fとを電気的に接続するように互いに対向配置された矩形状の導体壁23A,23Bとから構成されている。この第1層22Aは、基板2の表面に設けられた第1伝送線路であるマイクロストリップライン24Aとテーパ状マイクロストリップ25Aを介して接続されている。第6層22Fは、基板2の裏面に設けられた第2伝送線路であるマイクロストリップライン24Bとテーパ状マイクロストリップ25Bを介して接続されている。なお、第1の実施の形態と同一の構成要素については同一符号を付してその説明は省略する。基板2は、ここでは層構造例えば6層を有し、各層間には詳細は後述するが、それぞれ導電膜第2層22B~第5層22Eが設けられている。各層の膜厚は特に限定されず、信号周波数によって適宜調整すればよいが、例えば60GHzに対しては3μm以上とすることが好ましい。基板2の材料としては、上記第1の実施の形態と同様の材料を用いることができるが、本実施の形態ではLTCC基板を用いることが好ましい。導波管20は、上述したように基板2の表面および裏面に対向配置された第1層22Aおよび第6層22Fと、この第1層22Aおよび第6層22Fの長辺方向を電気的に接続するように対向配置された導体壁23A,23Bとから構成されている。この導体壁23A,23Bは導波管を構成する導体壁となるため、導体壁23Aと導体壁23Bとの距離Bは上記第1の実施の形態と同様に、使用する信号の周波数に合わせて適宜設定すればよい。具体的には、基板となるLTCCの比誘電率が7の場合、カットオフ周波数44GHzにするには、lを1.3mmとすることが好ましい。なお、導体壁23A,23Bは、6層からなる基板2および基板2の層間に設けられた導電膜22第2層22B~第5層22Eを形成したのち、エッチング等によって所定の領域の基板2を表面から裏面にかけて除去する。この後、例えば貫通電極を形成する際と同様の方法を用いることによって導体壁23A,23Bを形成することができる。導体壁23A,23Bを形成したのち、基板2の表面および裏面にそれぞれ、導電膜第1層22A,第6層22Fおよびテーパ状マイクロストリップ25A,25Bとなる金属膜をめっき等によって形成する。導電膜22は、上述したように、基板2の表面および裏面に設けられた第1層22Aおよび第6層22Fと、6層からなる基板2の層間に設けられた第2層22B~第5層22Eとの6層構造を有する。第2層22B~第5層22Eは、基板2を構成する各層の面内の上記テーパ状マイクロストリップ25A,25Bに対応する位置にそれぞれ独立して設けられている。具体的には、基板2の表面に設けられたテーパ状マイクロストリップ25Aの下層に、図2Cに示したように第2層22B1から第5層22E1の順に階段状に形成されている。基板2の裏面に設けられたテーパ状マイクロストリップ25Bの上層には、図2Cに示したように第5層から第5層22E2から第2電電膜22B2の順に階段状に形成されている。本実施の形態では、このテーパ状マイクロストリップ25Aおよびその下層に階段状に設けられた第2層22B1~第5層22E1が第1変換構造25aを構成している。テーパ状マイクロストリップ25Bおよびその上層に階段状に設けられた第2層22B2~第5層22E2が第2変換構造25bを構成している。なお、第2層22B1~第5層22E1はそれぞれ貫通電極26a26a1~26a3によって電気的に接続され、更に第5層22E2は第6層22Fに貫通電極26a4を介して接続されている。また、第2変換構造25bを構成する第5層22E2~第2層22B2もそれぞれ貫通電極26b26b1~26b3によって電気的に接続され、更に第2層22B2は第1層22Aに貫通電極26b4を介して接続されている。なお、第1変換構造25aおよび第2変換構造25bの反射特性はテーパ状マイクロストリップ25A,25Bの長さlおよび幅wによって変化する。具体的にはl/wが大きい方が反射特性は抑制でき、概ねl/w>1であることが好ましい。また、第1層22A~第6層22Fおよびテーパ状マイクロストリップ25A,25Bは上記第1の実施の形態における導電膜12A,12Bと同じ材料を用いることができる。マイクロストリップライン24A,24Bは、上記第1の実施の形態におけるマイクロストリップライン14,14Bと同様に、例えば膜厚1~2μmのCuめっき配線層と、膜厚6~10μmのポリイミド層間膜およびポリイミド絶縁膜により構成されている。このマイクロストリップライン24A,24Bはそれぞれ、テーパ状マイクロストリップ25A,25Bを介して第1層22A,第6層22Fに接続されている。以上のような構成を有する本実施の形態におけるインターポーザ基板1Bでは、ミリ波等の高周波信号は以下のように伝送される。まず、マイクロストリップライン24Aを伝播するTEMモードの信号は、第1変換構造25aのテーパ構造によって縦方向の電界分布を維持したまま導波管21内に入力され、TE10モードに変換される。次に、導波管21内を伝播した信号は第2変換構造25bのテーパ構造によって第1変換構造と同様に縦方向の電界分布を維持したまま再度準TEMモードに変換されてマイクロストリップライン24Bへ出力される。全体としては、インターポーザ基板1Bの表面に設けられたマイクロストリップライン24Aを伝播する信号は、マイクロストリップライン24Aから導波管モードを介して裏面に設けられたマイクロストリップライン24Bに伝送される。本実施の形態の導波路20を備えたインターポーザ基板1Bでは、上記第1の実施の形態におけるインターポーザ基板1Aと同様の効果に加えて、広い帯域に対して反射損失を抑制することができる。<3.適用例>次に、上記第1の実施の形態および第2の実施の形態に係るインターポーザ1A,1Bの電子機器への適用例について説明する。モジュール図3は、上記導波路10,20を用いたミリ波帯域の無線通信用モジュール3の断面構成を表したものである。モジュール3は、それぞれバンプ17で接続された、例えばミリ波信号を生成する半導体チップ30と、半導体チップ30への電源ライン40と、ベースバンド信号の供給と、半導体チップから供給されたミリ波信号をアンテナ18によって送信および受信を行う実装基板40と、インターポーザ基板1とを含む構成を有する。このモジュール3は、上記導波路10,20のうち、例えば導波路10を内蔵するインターポーザ1を介してピッチの異なる半導体チップ30と、実装基板40とを接続し、半導体チップ30から供給されるミリ波信号を実装基板50側に送受信している。本適用例におけるモジュールでは、上記実施の形態で説明した導波路1020を備えたインターポーザ基板1A1Bを用いることにより、半導体チップで生成されたミリ波等の高周波信号を低損失且つ低反射で実装基板40へ伝送することができる。電子機器上記モジュール3は、例えば図4に示したように電子機器に組み込まれる。具体的には、情報携帯端末PDA、無線LAN機器、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等のあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言いかえると、上記モジュール3は、外部から入力された信号、あるいは内部で生成した信号を送受信するあらゆる分野の電子機器に適用することができる。以上、第1,第2の実施の形態を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば伝送線路にマイクロストリップ線路ではなく、CPWCoplanarWaveguideを使用してもよい。また、上記第1の実施の形態では、導波管としてシリコン基板を用いたが、このシリコン基板の内部は中空でも構わない。但し、その場合には導波管内の誘電率が1となるため導波管の幅を広く設計する必要がある。更に、上記実施の形態では第1伝送線路および第2伝送線路として互いに同じ構造を用いたが、互いに異なる構造の伝送線路を用いても構わない。なお、本技術は以下のような構成もとることができる。1対向する一対の面を有する導波管と、前記導波管の一の面に設けられた第1伝送線路と、前記導波管の他の面に設けられた第2伝送線路と、前記第1伝送線路から前記導波管へ信号を変換する第1変換構造とを備えた導波路。2前記導波管から前記第2伝送線路へ信号を変換する第2変換構造を有する、前記1に記載の導波路。3前記導波管は対向する一対の導電膜と、前記導電膜のそれぞれ接続する複数の導電性のピラーにより構成されている、前記1または2のいずれか1つに記載の導波路。4前記導波管は対向する一対の導電膜と、前記導電膜の間に対向配置された一対の導体壁により構成されている、前記1乃至3のいずれか1つに記載の導波路。5前記第1伝送線路および第2伝送線路の少なくとも一方はマイクロストリップラインである、前記1乃至4のいずれか1つに記載の薄膜トランジスタ。6前記第1変換構造および第2変換構造は貫通電極である、前記1乃至5のいずれか1つに記載の導波路。7前記第1変換構造および第2変換構造はテーパ型マイクロストリップにより構成されている、前記1乃至6のいずれか1つに記載の導波路。8絶縁性を有する基板と、前記基板内に設けられた導波路とを備え、前記導波路は、対向する一対の面を有する導波管と、前記導波管の一の面に設けられた第1伝送線路と、前記導波管の他の面に設けられた第2伝送線路と、前記第1伝送線路から前記導波管へ信号を変換する第1変換構造とを有するインターポーザ基板。9前記基板は抵抗率1000Ωcm以上の高抵抗シリコン基板、低温同時焼成セラミック、ガラス、石英またはセラミックのいずれかにより構成されている、前記8に記載のインターポーザ基板。10絶縁性基板内に導波路を有するインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板に実装された半導体チップとを備え、前記導波路は、対向する一対の面を有する導波管と、前記導波管の一の面に設けられた第1伝送線路と、前記導波管の他の面に設けられた第2伝送線路と、前記第1伝送線路から前記導波管へ信号を変換する第1変換構造とを有するモジュール。11絶縁性基板内に導波路を有するインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板に実装された半導体チップと、前記インターポーザ基板と電気的に接続された実装基板とを備え、前記導波路は、対向する一対の面を有する導波管と、前記導波管の一の面に設けられた第1伝送線路と、前記導波管の他の面に設けられた第2伝送線路と、前記第1伝送線路から前記導波管へ信号を変換する第1変換構造とを有する電子機器。"