"熱交換器、循環ポンプおよび被冷却体における各2つの要素間を冷却配管で接続した循環液冷方式の冷却装置において、前記被冷却体は、前記熱交換器と前記循環ポンプとの間に配設されており、前記循環ポンプを含まない側の前記冷却配管に沿う前記熱交換器と前記被冷却体との間の経路長である第1の経路長および、前記熱交換器を含まない側の前記冷却配管に沿う前記循環ポンプと前記被冷却体との間の経路長である第2の経路長の夫々は、前記被冷却体を含まない側の前記冷却配管に沿う前記熱交換器と前記循環ポンプとの間の経路長である第3の経路長よりも短く設定され、前記冷却配管には、高伝導率の金属性材が当該冷却配管の外周面に接して螺旋状に巻回されていることを特徴とする冷却装置。熱交換器、循環ポンプおよび被冷却体における各2つの要素間を冷却配管で接続した循環液冷方式の冷却装置において、前記被冷却体は、前記熱交換器と前記循環ポンプとの間に配設されており、前記循環ポンプを含まない側の前記冷却配管に沿う前記熱交換器と前記被冷却体との間の経路長である第1の経路長および、前記熱交換器を含まない側の前記冷却配管に沿う前記循環ポンプと前記被冷却体との間の経路長である第2の経路長の夫々は、前記被冷却体を含まない側の前記冷却配管に沿う前記熱交換器と前記循環ポンプとの間の経路長である第3の経路長よりも短く設定され、前記冷却配管のうち、前記第3の経路長の部分には高伝導率の金属性材が冷却配管の外周面に接して螺旋状に巻回されるとともに、前記第1および第2の経路長の部分は冷却配管自身が高伝導率の金属性材で形成されていることを特徴とする冷却装置。前記冷却配管内を循環する冷却液の凍結温度は、冷却装置に適用される仕様の最低温度よりも低く設定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の冷却装置。前記被冷却体を構成するスイッチング素子モジュールは、ワイドバンドギャップ半導体にて形成されることを特徴とする請求項3に記載の冷却装置。前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料または、ダイヤモンドを用いた半導体であることを特徴とする請求項4に記載の冷却装置。冷却液の循環経路上に温度センサを備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の冷却装置。被冷却体であるスイッチング素子モジュールが循環液冷方式の冷却装置にて冷却可能に構成される電力変換装置において、前記冷却装置は、熱交換器、循環ポンプおよび前記被冷却体における各2つの要素間が冷却配管で接続され、且つ、前記被冷却体は、前記熱交換器と前記循環ポンプとの間に配設され、前記循環ポンプを含まない側の前記冷却配管に沿う前記熱交換器と前記被冷却体との間の経路長である第1の経路長および、前記熱交換器を含まない側の前記冷却配管に沿う前記循環ポンプと前記被冷却体との間の経路長である第2の経路長の夫々は、前記被冷却体を含まない側の前記冷却配管に沿う前記熱交換器と前記循環ポンプとの間の経路長である第3の経路長よりも短く設定され、前記冷却配管には、高伝導率の金属性材が当該冷却配管の外周面に接して螺旋状に巻回されていることを特徴とする電力変換装置。被冷却体であるスイッチング素子モジュールが循環液冷方式の冷却装置にて冷却可能に構成される電力変換装置において、前記冷却装置は、熱交換器、循環ポンプおよび前記被冷却体における各2つの要素間が冷却配管で接続され、且つ、前記被冷却体は、前記熱交換器と前記循環ポンプとの間に配設され、前記循環ポンプを含まない側の前記冷却配管に沿う前記熱交換器と前記被冷却体との間の経路長である第1の経路長および、前記熱交換器を含まない側の前記冷却配管に沿う前記循環ポンプと前記被冷却体との間の経路長である第2の経路長の夫々は、前記被冷却体を含まない側の前記冷却配管に沿う前記熱交換器と前記循環ポンプとの間の経路長である第3の経路長よりも短く設定され、前記冷却配管のうち、前記第3の経路長の部分には高伝導率の金属性材が冷却配管の外周面に接して螺旋状に巻回されるとともに、前記第1および第2の経路長の部分は冷却配管自身が高伝導率の金属性材で形成されていることを特徴とする電力変換装置。前記冷却配管内を循環する冷却液の凍結温度は、冷却装置に適用される仕様の最低温度よりも低く設定されていることを特徴とする請求項7または8に記載の電力変換装置。前記被冷却体を構成するスイッチング素子モジュールは、ワイドバンドギャップ半導体にて形成されることを特徴とする請求項9に記載の電力変換装置。前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料または、ダイヤモンドを用いた半導体であることを特徴とする請求項10に記載の電力変換装置。冷却液の循環経路上に温度センサを備えたことを特徴とする請求項7または8に記載の電力変換装置。しかしながら、上記特許文献1に開示される技術は、冷却装置の凍結を防止する技術であり、冷却装置の凍結が予期される場合には、非動作時においてもインバータ装置を動作させなければならないという問題点がある。なお、上記特許文献1に示される技術を採用した上で、非動作時の一時的な凍結を許容する冷却装置として構成することも考え得る。しかしながら、このような装置では、例えば冷却液が配される冷却配管の部分が長い場合、インバータ装置を無負荷運転させて発熱させても、冷却配管の一部が凍結したままの状態で循環冷却の機能が働かない間に被冷却体である半導体スイッチング素子が許容最高温度を超えてしまい、インバータ装置の運転を継続した場合に、半導体スイッチング素子が損傷に至るおそれがあるという問題点がある。また、このような装置の場合、インバータ装置の無負荷運転を一時的に停止して半導体スイッチング素子の温度が低下するのを待ち、再度無負荷運転することも考えられる。しかしながら、このような手法では、インバータ装置の運転および停止を繰り返し行う必要があり、装置を稼働状態にするのに多くの時間を要するという問題点があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、凍結防止のための加温制御を行うことなく非動作時の一時的な凍結を許容するとともに、予熱装置等を用いずに凍結した冷却配管内の冷却液を効果的に融解して短時間に動作可能状態に移行することのできる冷却装置および当該冷却装置を備えた電力変換装置を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかる冷却装置は、熱交換器、循環ポンプおよび被冷却体における各2つの要素間を冷却配管で接続した循環液冷方式の冷却装置において、前記被冷却体は、前記熱交換器と前記循環ポンプとの間に配設されており、前記循環ポンプを含まない側の前記冷却配管に沿う前記熱交換器と前記被冷却体との間の経路長である第1の経路長および、前記熱交換器を含まない側の前記冷却配管に沿う前記循環ポンプと前記被冷却体との間の経路長である第2の経路長の夫々は、前記被冷却体を含まない側の前記冷却配管に沿う前記熱交換器と前記循環ポンプとの間の経路長である第3の経路長よりも短く設定され、前記冷却配管には、高伝導率の金属性材が当該冷却配管の外周面に接して螺旋状に巻回されていることを特徴とする。本発明によれば、凍結防止のための加温制御を行うことなく非動作時の一時的な凍結を許容するとともに、予熱装置等を用いずに凍結した冷却配管内の冷却液を効果的に融解して短時間に動作可能状態に移行することのできる冷却装置および電力変換装置を提供することができるという効果を奏する。以下、添付図面を参照し、本発明の実施の形態にかかる冷却装置および電力変換装置について説明する。なお、以下に示す実施の形態により本発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る冷却装置の冷却構造を模式的に示す図である。図1において、冷却配管5は、例えば樹脂等の素材を用いた可撓性のある中空の菅パイプであり、発熱源であり被冷却体でもあるスイッチング素子モジュール10と、冷却媒体である冷却液を冷却する熱交換器であるラジエータ6と、冷却液を循環させるための循環ポンプ7と、冷却液を補充し冷却液の体積変化を吸収するためリザーブタンク8とをそれぞれ連結して成る。ラジエータ6には、冷却液を強制冷却するための送風機9が取り付けられている。スイッチング素子モジュール10は、スイッチング素子3とヒートシンク4を有して成り、ヒートシンク4内に冷却配管5が挿通されている。スイッチング素子モジュール10は、ラジエータ6と循環ポンプ7との間に配設され、且つ、冷却配管5の全体から見て、スイッチング素子モジュール10、ラジエータ6および循環ポンプ7が近接して配置されている。冷却配管5には、金属性材を螺旋状に巻いた金属スパイラル20が設けられている。この金属スパイラル20は、スイッチング素子モジュール10で発生した熱が冷却配管5の隅々まで迅速に移動できるよう冷却配管5の外周面に密着し、且つ、螺旋部分が密接するように巻回されている。また、冷却配管5は、図1に示すように、冷却配管5a,5b,5cの3つの部分に分かれている。冷却配管5aはラジエータ6とヒートシンク4との間に配設される部分であり、冷却配管5bはヒートシンク4と循環ポンプ7との間に配設される部分であり、冷却配管5cはラジエータ6と循環ポンプ7との間に配設される部分である。冷却配管5aの経路長、すなわち循環ポンプ7を含まない側の冷却配管5に沿うラジエータ6とヒートシンク4スイッチング素子モジュール10との間の経路長第1の経路長をAとする。また、以下同様に、冷却配管5bの経路長、すなわちラジエータ6を含まない側の冷却配管5に沿う循環ポンプ7とヒートシンク4スイッチング素子モジュール10との間の経路長第2の経路長をBとし、冷却配管5cの経路長、すなわちヒートシンク4スイッチング素子モジュール10を含まない側の冷却配管5に沿うラジエータ6と循環ポンプ7との間の経路長第3の経路長をCとする。このように定義するとき、これら第1~第3の経路長の間には、A<CおよびB<Cの関係が成り立つ。一方、AとBとについては、ラジエータ6および循環ポンプ7の熱容量に依存して大小関係が変化し得るため、一義的には決まらない。なお、これら各経路長A,B,C間の更なる関係については、後述する。また、冷却配管5内の冷却液としては、水あるいは低温時の冷却液の凍結を抑制する添加物例えばエチレングリコールを含む水溶液、あるいは油脂性の溶液などを用いることが可能である。ただし、本実施の形態に係る冷却装置の意義および効果を最も際だたせる冷却液は、エチレングリコールなどの凍結防止液を混入させない水である。凍結防止液は、冷却液の熱伝導性を低下させ冷却性能を低下させるので、可能な限り不純物を混入させないことが好ましい実施の形態となる。図2は、実施の形態1に係る電力変換装置の回路構成を示す図である。図2に示す電力変換装置は、交流入力の電気車に適用される電力変換装置の一構成例であり、コンバータ部1、インバータ部2および、フィルタコンデンサ14を有して構成される。図2において、架線11からパンタグラフ12を介して集電された交流は、変圧器13によって降圧され、コンバータ部1によって直流に変換される。この直流に変換された電力は、フィルタコンデンサ14を介し、インバータ部2によって可変電圧可変周波数の3相交流として誘導電動機15に出力され、誘導電動機15が搭載される例えば電気車の加減速を制御する。上記コンバータ部1およびインバータ部2を構成する複数のスイッチング素子3は、例えばIGBTInsulatedGateBipolarTransistorなどの自己消弧型半導体素子を用いて構成される。本実施の形態のスイッチング素子3の場合、図2に示すように、IGBT16と、このIGBT16に逆並列に接続されるダイオード17とが一体的にモジュール化されたスイッチング素子を例示している。なお、図2では、実施の形態1に係る電力変換装置の好適な例として、交流入力の電気車に適用する場合を一例として示したが、地下鉄や郊外電気車等に多用される直流入力の電気車に対しても同様に適用することができる。直流入力の電気車に適用する場合、変圧器13およびコンバータ部1の構成が不要となる点を除き、図2と同等の構成を採ることができ、本実施の形態にかかる内容を当該直流入力の電気車に適用することも無論可能である。つぎに、本実施の形態に係る冷却装置の通常時の動作について説明する。上記構成において、電力変換装置が作動するとスイッチング素子3が発熱する。スイッチング素子3は、ヒートシンク4によって冷却される。一方、このヒートシンク4を介してスイッチング素子3からの放熱によって温度が上昇した冷却液は、循環ポンプ7によって冷却配管5内を移動し、ラジエータ6により空気との熱交換で冷却される。このようにしてスイッチング素子3の温度上昇が抑えられ、電力変換装置の連続運転が可能となる。つぎに、本実施の形態に係る冷却装置における前提条件について説明する。まず、本実施の形態に係る冷却装置に用いられる冷媒冷却液の凍結温度は、この冷却装置に適用される仕様の最低温度よりも高いことが前提である。冷却装置が適用される仕様の最低温度が例えば-10°Cであるとき、冷媒として例えば水を用いた場合には、最低温度-10°C<凍結温度0°Cである。また、冷却装置が適用される仕様の最低温度が例えば-40°Cであるとき、凍結防止剤として例えばエチレングリコールを所要量加えて凍結温度を例えば-20°C程度に設定した場合でも、最低温度-40°C<凍結温度-20°Cの関係がある。なお、冷却装置に適用される仕様の最低温度が-40°Cであるとき、例えば10数年に1度の寒波が襲来して外気温が-50°Cになった場合、意図しない冷却液の凍結が生じてしまう。しかしながら、上記のような前提条件をもって冷却装置を構成した場合、すなわち、冷却液が凍結することを前提とした装置構成である場合、このような意図しない冷却液の凍結現象にも迅速かつ問題なく対応することが可能である。また、極めて低い確率でしか生じないような事象に対応させた装置設計を行っていないのにも関わらず、当該事象に対応できるという利点あり、コスト低減および装置の小型化に大きく寄与することができるという効果が得られる。つぎに、本実施の形態に係る冷却装置の凍結時の動作について図1を参照して説明する。まず、冷却液が凍結した場合、冷却液が冷却配管5内を循環しないので、冷却装置は機能しない。一方、本実施の形態の冷却装置では、冷却液が凍結した場合、スイッチング素子モジュール10を強制的に動作させる。スイッチング素子モジュール10が動作すると、スイッチング素子3が発熱するのでその熱量がヒートシンク4に移動し、さらに金属スパイラル20に伝わる。金属スパイラル20は、銅や銀などの伝導率の高い物質を用いて形成されるとともに、本実施の形態の冷却装置では、ヒートシンク4とラジエータ6との間、およびヒートシンク4と循環ポンプ7との間の経路長が短いので、熱容量の大きなラジエータ6および循環ポンプ7に対する熱移送が短時間で行われる。熱容量の大きなラジエータ6および循環ポンプ7内の冷却液が融解してしまえば、冷却配管5以外に熱容量の大きな他の構造物はない。また、熱容量の大きなラジエータ6および循環ポンプ7内の冷却液が融解していれば、冷却配管5c内の冷却液の一部も融解し冷却液全体がシャーベット状の液化状態になっていることが予想される。したがって、スイッチング素子モジュール10を動作させることに加え、循環ポンプ7を動作させることにより熱移送の効果が増大し、冷却装置を動作可能状態にするスピードを促進することができる。例えば、図3に示すようにラジエータ6および循環ポンプ7の周辺部に温度センサ18aおよび18bを備え、これら温度センサ18a,18bの一つが所定値以上になった場合に循環ポンプ7を動作させるようにすればよい。なお、温度センサは2つである必要はなく、1つであってもよいし、3つ以上備えていても構わない。また、温度センサの位置は冷却液の循環経路上であればよく、特に限定されるものではないが、ラジエータ6または循環ポンプ7の周辺部であれば、より好ましい。また、本実施の形態では、図1に示すように、リザーブタンク8を冷却配管の中では最も長い冷却配管5cに配置するようにしているが、リザーブタンク8の熱容量はラジエータ6および循環ポンプ7に比して大きくないので、他の配管部分冷却配管5a,5bに接続しても構わない。また、本実施の形態では、第1の経路長Aおよび第2の経路長Bの大小関係について、一義的には定まらないと説明したが、もし、ラジエータ6と循環ポンプ7との間に熱容量の大きな差異がある場合には、熱容量の大きな構造体と熱容量の小さな構造体とが、ほぼ同時期に融解するように、熱容量の大きな構造体に接続される冷却配管の経路長が短くなるように配置すればよい。また、本実施の形態では、冷却配管5に螺旋状に巻回する金属性材金属スパイラルとして銅や銀などの熱伝導率の高い物質を一例として示したが、この種の金属製材に限定されるものではない。例えば、カーボンナノチューブの場合、その熱伝導率は、銀や銅の十倍から十数倍までに達するものもあると言われている。カーボンナノチューブの場合、本出願時において充分な供給体制が整っているわけではないが、今後ブレークスルーする技術であり、本実施の形態の冷却装置に用いて好適である。また、本実施の形態では、図1に示すように、冷却配管5の全周に金属性材を巻回する実施形態を示したが、これに限定されることはなく、例えば冷却配管5aのみ、あるいは冷却配管5bのみに金属性材を巻回するようにしてもよい。以上説明したように、本実施の形態に係る冷却装置によれば、凍結温度を下げる添加物を用いず、あるいは用いたとしてもその量を抑制することにより高温時の冷却性能を向上させることができるとともに、余熱装置や加温装置などの付加装置が不要になるという効果が得られる。また、本実施の形態に係る冷却装置によれば、凍結温度を下げる添加物を用いず、あるいは用いたとしてもその量を抑制することができるので、高温時の冷却性能を向上させることができ、冷却性能を同一のものとすれば装置の小型化が可能となる。また、本実施の形態に係る冷却装置によれば、冷却配管として可撓性のある樹脂製のパイプを使用することができるので、冷却配管の配設に柔軟性を持たすことができるという効果が得られる。また、本実施の形態に係る冷却装置によれば、発熱源の発熱が急激な場合にも、冷却装置全体の冷却液が素早く液化されて冷却機能を回復するよう冷却配管に金属性材を螺旋状に密接かつ密着して巻回するとともに、ラジエータと循環ポンプとの間に発熱源であるスイッチング素子モジュールを配設する構成としたので、スイッチング素子が最高許容温度に達する前に冷却装置を動作可能状態に移行することができるという効果が得られる。また、本実施の形態に係る冷却装置によれば、冷却液が凍結することを前提とした装置構成としているので、意図しない冷却液の凍結現象にも迅速かつ問題なくに対応することができるという効果が得られる。また、極めて低い確率でしか生じないような事象に対応させた装置設計を行うことがないのにも関わらず、当該事象に対応することができるという利点があり、コスト低減および装置の小型化に大きく寄与することができるという効果が得られる。実施の形態2.図4は、本発明の実施の形態2に係る冷却装置の冷却構造を模式的に示す図である。実施の形態1に係る冷却装置では、ラジエータ6とヒートシンク4との間に配設される冷却配管5aおよび、ヒートシンク4と循環ポンプ7との間に配設される冷却配管5bには金属スパイラル20が巻回されていたが、実施の形態2では、これらの冷却配管5a,5bを金属製のパイプである冷却配管5a’,5b’を用いて構成している。実施の形態1のように、可撓性のある冷却配管5a,5bを用いた場合には、冷却配管の配設を柔軟に行うことができるものの、冷却配管5a,5bに金属スパイラル20を巻回する必要があった。一方、本実施の形態のように、金属製である冷却配管5a’,5b’を用いた場合には、金属スパイラル20を巻回する作業が不要となる。また、実施の形態1,2の冷却装置の場合、ラジエータ6とヒートシンク4との間の距離および、循環ポンプ7とヒートシンク4との間の距離が短いので、熱伝導性の高い金属製のパイプを用いることができる。また、これら冷却配管5a’,5b’としては、熱伝導性の高い銀、銅などの金属を用いて構成することが好ましい。熱伝導性の高い金属であれば、ラジエータ6とヒートシンク4との間および、循環ポンプ7とヒートシンク4との間の熱移送が迅速に行われるので、実施の形態1と同様な効果が得られる。実施の形態3.実施の形態3では、電力変換装置のコンバータ部1およびインバータ部2に具備されるスイッチング素子について説明する。電力変換装置で用いられるスイッチング素子としては、珪素Siを素材とする半導体トランジスタ素子IGBT、MOSFETなどと、同じく珪素を素材とする半導体ダイオード素子とを逆並列に接続した構成のものが一般的である。上記実施の形態1,2で説明した技術は、この一般的なスイッチング素子を具備するインバータ部およびコンバータ部に用いることができる。一方、上記実施の形態1,2の技術は、珪素を素材として形成されたスイッチング素子に限定されるものではない。この珪素に代え、近年注目されている炭化珪素SiCを素材とするスイッチング素子を具備するコンバータ部1およびインバータ部2に用いることも無論可能である。ここで、炭化珪素は、高温度での使用が可能であるという特徴を有しているので、コンバータ部1またはインバータ部2に具備されるスイッチング素子として炭化珪素を素材とするものを用いれば、スイッチング素子モジュールの許容動作温度を高温側に引き上げることが可能である。このため、炭化珪素を素材とするスイッチング素子を用いた場合、単位時間あたりの発熱量を増加させてもスイッチング素子を許容温度領域に留めておくことができ、珪素を素材とするスイッチング素子を用いた場合に比べて、凍結した冷却液の融解速度を高めることが可能となる。なお、炭化珪素SiCは、珪素Siよりもバンドギャップが大きいという特性を捉えて、ワイドバンドギャップ半導体と称される半導体の一例である。この炭化珪素以外にも、例えば窒化ガリウム系材料または、ダイヤモンドを用いて形成される半導体もワイドバンドギャップ半導体に属しており、それらの特性も炭化珪素に類似した点が多い。したがって、炭化珪素以外の他のワイドバンドギャップ半導体を用いる構成も、本発明の要旨を成すものである。また、このようなワイドバンドギャップ半導体によって形成されたトランジスタ素子やダイオード素子は、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、トランジスタ素子やダイオード素子の小型化が可能であり、これら小型化されたトランジスタ素子やダイオード素子を用いることにより、これらの素子を組み込んだ半導体モジュールの小型化が可能となる。また、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたトランジスタ素子やダイオード素子は、耐熱性も高いため、ヒートシンクの小型化が可能となり、スイッチング素子モジュールの更なる小型化が可能になる。さらに、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたトランジスタ素子やダイオード素子は、電力損失が低いため、スイッチング素子やダイオード素子の高効率化が可能であり、延いてはスイッチング素子モジュールの高効率化が可能になる。"