Siを材料とする第1のSiパワーデバイスと、Siを材料とする第2のSiパワーデバイスと、SiCを材料とする第1のSiCパワーデバイスと、SiCを材料とする第2のSiCパワーデバイスと、を備える半導体装置であって、前記第1のSiパワーデバイス及び前記第2のSiパワーデバイスは、同一平面上に並べて配置されており、前記第1のSiCパワーデバイス及び前記第2のSiCパワーデバイスは、並べて配置されている前記第1のSiパワーデバイスと前記第2のSiパワーデバイスとの間に配置されている、半導体装置。前記第1のSiCパワーデバイス及び前記第2のSiCパワーデバイスは、さらに、前記第1のSiパワーデバイス及び前記第2のSiパワーデバイスが配置されている平面と直交する方向に積層されている、請求項1記載の半導体装置。前記第1のSiCパワーデバイス及び前記第2のSiCパワーデバイスは、さらに、前記第1のSiパワーデバイス及び前記第2のSiパワーデバイスが配置されている平面と直交する平面上に並べて配置されている、請求項2記載の半導体装置。近年、SiCを材料とするSiCパワーデバイスと、Siを材料とするSiパワーデバイスを組み合わせて1つの半導体装置とする技術の開発が進められている。SiCパワーデバイスは、Siパワーデバイスと比較して耐熱性に優れている。このため、SiCパワーデバイスとSiパワーデバイスを同一の冷却能力で冷却する場合、SiCパワーデバイスに合わせて冷却すると、Siパワーデバイスでは冷却が不十分となる。逆に、Siパワーデバイスに合わせて冷却すると、SiCパワーデバイスの能力耐熱性を充分に利用していないことになる。特許文献1に示す積層構造を利用して、SiCパワーデバイスとSiパワーデバイスを組み合わせると、SiCパワーデバイスとSiパワーデバイスとが同一の冷却能力で冷却される。このため、上述したように、SiCパワーデバイスとSiパワーデバイスを適切に冷却することができないという問題が生じる。本明細書では、SiCパワーデバイスとSiパワーデバイスを適切に冷却することができる構造を有する半導体装置を開示する。本明細書で開示する半導体装置は、Siを材料とする第1のSiパワーデバイスと、Siを材料とする第2のSiパワーデバイスと、SiCを材料とする第1のSiCパワーデバイスと、SiCを材料とする第2のSiCパワーデバイスと、を備える。第1のSiパワーデバイス及び第2のSiパワーデバイスは、同一平面上に並べて配置されている。第1のSiCパワーデバイス及び第2のSiCパワーデバイスは、並べて配置されている第1のSiパワーデバイスと第2のSiパワーデバイスの間に配置されている。上記の半導体装置では、第1のSiパワーデバイスと第2のSiパワーデバイスとが同一平面上に並べて配置されている。そのため、第1のSiパワーデバイスと第2のSiパワーデバイスのそれぞれの両面側に放熱部材を配置することができ、第1のSiパワーデバイスと第2のSiパワーデバイスとを両面側から冷却することができる。両面側から冷却することにより、第1のSiパワーデバイスと第2のSiパワーデバイスとを十分に冷却することができる。ここで、同一平面上に並べて配置とは、必ずしも厳密に同一平面上に配置されていることを意味するものではなく、例えば、2個のSiパワーデバイスが厚み方向にわずかにずれて配置されている場合や、2個のSiパワーデバイスが同一部材上に配置されている場合等を含んでもよい。一方、第1のSiCパワーデバイスと第2のSiCパワーデバイスは、第1のSiパワーデバイスと第2のSiパワーデバイスの間に配置されるため、その分だけ放熱性が低下する。ただし、第1のSiCパワーデバイスと第2のSiCパワーデバイスは、第1のSiパワーデバイスと第2のSiパワーデバイスよりも耐熱性に優れる。このため、放熱性が低下しても、SiCパワーデバイスの能力耐熱性を充分に利用して、第1のSiCパワーデバイスと第2のSiCパワーデバイスの温度を耐熱性が問題とならない温度に抑えることができる。第1のSiCパワーデバイス及び第2のSiCパワーデバイスは、さらに、第1のSiパワーデバイス及び第2のSiパワーデバイスが配置されている平面と直交する方向に積層されていることが好ましい。この構成によると、第1のSiCパワーデバイス及び第2のSiCパワーデバイスを、第1のSiパワーデバイス及び第2のSiパワーデバイスと同一平面上に並べて配置する場合と比べて、第1のSiCパワーデバイス及び第2のSiCパワーデバイスの配置面積をより小さくすることができる。そのため、半導体装置全体をより小型化することができる。第1のSiCパワーデバイス及び第2のSiCパワーデバイスは、さらに、第1のSiパワーデバイス及び第2のSiパワーデバイスが配置されている平面と直交する平面上に並べて配置されていることが好ましい。この構成によると、第1のSiCパワーデバイス及び第2のSiCパワーデバイスが、第1のSiパワーデバイス及び第2のSiパワーデバイスが配置されている平面と直交する平面上に並べて配置されるため、第1のSiCパワーデバイス及び第2のSiCパワーデバイスの配置面積をより小さくすることができる。そのため、半導体装置全体をより小型化することができる。第1実施例図1に示すように、本実施例の半導体装置2は、第1IGBT10と、第2IGBT20と、第1ダイオード30と、第2ダイオード40と、金属板50、52、54、56と、バスバー60、62、64と、小信号用端子70、72と、モールド樹脂80を備えている。半導体装置2では、第1IGBT10と第2IGBT20とが同一平面上に並べて配置されており、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、第1IGBT10と第2IGBT20の間に配置されている。また、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、上下方向に積層されている。第1IGBT10及び第2IGBT20の表裏面には、それぞれ、金属板50、52、54、56が配置されている。モールド樹脂80は、第1IGBT10、第2IGBT20、第1ダイオード30、第2ダイオード40の外周を被覆するように配置されている。以下、各構成要素について詳しく説明する。第1IGBT10は、縦型のIGBTである。第1IGBT10は、Siを材料とする半導体基板12の一方の面図中の下面にエミッタ電極18及びゲート電極パッド14を備え、半導体基板12の他方の面図中の上面にコレクタ電極16を備える。以下、本明細書では、半導体基板12のうち、エミッタ電極18及びゲート電極パッド14が備えられている側の面を表面、コレクタ電極16が備えられている側の面を裏面と呼ぶ。半導体基板12には、図示しない半導体素子構造が形成されている。エミッタ電極18は、半導体基板12の表面側に形成されたエミッタ領域図示省略にオーミック接触している。ゲート電極パッド14は、半導体基板12の表面側に形成されたゲート電極図示省略に電気的に接続されている。コレクタ電極16は、半導体基板12の裏面側に形成されたコレクタ領域図示省略にオーミック接触している。第2IGBT20も、第1IGBT10と同様の構成を有している。即ち、第2IGBT20も、Siを材料とする半導体基板22の一方の面図中の上面。以下表面と呼ぶにエミッタ電極28とゲート電極パッド24を備え、半導体基板22の他方の面図中の下面。以下裏面と呼ぶにコレクタ電極26を備える。第2IGBT20でも、半導体基板22に半導体素子構造が形成されている。第1IGBT10及び第2IGBT20は、スイッチング素子として機能する。図1から明らかなように、第1IGBT10と第2IGBT20とは、バスバー62上に金属板52、56を介して配置され、両者は同一平面上に並べて配置されている。図に示すように、第1IGBT10は、表面側エミッタ電極18が備えられている側を下面側にして配置されているが、第2IGBT10は、表面側を上面側にして配置されている。第1ダイオード30は、縦型のダイオード素子である。第1ダイオード30は、SiCを材料とする半導体基板32の一方の面図中の上面にカソード電極34を備え、他方の面図中の下面にアノード電極36を備える。以下、本明細書では、半導体基板32のうち、カソード電極34が備えられている側の面を裏面、アノード電極36が備えられている側の面を表面と呼ぶ。半導体基板32には、図示しない半導体素子構造が形成されている。カソード電極34は、半導体基板32の裏面側図1の上面側に形成されたカソード領域図示省略にオーミック接触している。アノード電極36は、半導体基板32の表面側図1の下面側に形成されたアノード領域図示省略にオーミック接触している。第1ダイオード30を平面視した際の面積は、第1IGBT10第2IGBT20を平面視した際の面積より小さい。第2ダイオード40も、第1ダイオード30と同様の構成を有している。即ち、第2ダイオード40も、SiCを材料とする半導体基板42の一方の面図中の下面。以下裏面と呼ぶにカソード電極44を備え、半導体基板42の他方の面図中の上面。以下表面と呼ぶにアノード電極46を備える。第2ダイオード40でも、半導体基板42に半導体素子構造が形成されている。図1から明らかなように、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、第1IGBT10と第2IGBT20との間に配置されている。また、第1ダイオード30と第2ダイオード40とは、上下方向即ち、第1IGBT10と第2IGBT20とが配置されている平面と直交する方向に積層して配置されている。図に示すように、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、第1ダイオード30が下側、第2ダイオード40が上側になるように配置されている。なお、第1ダイオード30と第2ダイオード40との間にはモールド樹脂80が配置され、両者が接触しないようになっている。また、第1ダイオード30は、裏面側カソード電極34が備えられている側を上面側にして配置されているが、第2ダイオード40は、裏面側を下面側にして配置されている。金属板50、52、54、56は、いずれも、導電性及び熱伝導性を有する金属材料により形成された板材である。金属板50~56は、例えば、Alによって形成することができる。他の例では、金属板50~56は、Cuによって形成してもよい。本実施例では、金属板50~56は、第1IGBT10及び第2IGBT20の各電極とバスバー60~64とを電気的に接続するための導電部材として機能する。さらに、金属板50~56は、第1IGBT10及び第2IGBT20が発する熱を放熱するための放熱部材として機能する。金属板50は、第1IGBT10の上側に配置されており、その下面が第1IGBT10のコレクタ電極16と接続している。金属板50とコレクタ電極16とは、図示しない導電性の接合材例えばハンダ等を介して接合されることにより、電気的に接続している。また、金属板52は、第1IGBT10の下側に配置されており、その上面が接合材を介して第1IGBT10のエミッタ電極18と接続している。金属板54は、第2IGBT20の上側に配置されており、その下面が接合材を介してエミッタ電極28と接続している。また、金属板56は、第2IGBT20の下側に配置されており、その上面が接合材を介してコレクタ電極26と接続している。バスバー60、62、64は、いずれも、導電性及び熱伝導性を有する金属製の板材である。図に示すように、バスバー60~64は、いずれも、上記の金属板50~56より厚みが薄くなるように形成されている。バスバー60~64は、上記の金属板50~56と同じ材料で形成されている。他の例では、バスバー60~64は、金属板50~56と異なる材料で形成することもできる。バスバー60は、基部61と延伸部66とを有している。基部61は、金属板50の上側に配置されており、その下面が金属板50と接続している。このため、基部61は、金属板50を介して、第1IGBT10のコレクタ電極16と電気的に接続している。延伸部66は、基部61の一端部から、第1ダイオード30に向かって伸びている。延伸部66の先端は、第1ダイオード30の上側に配置されており、その下面がカソード電極34と接続している。これにより、バスバー60は、第1IGBT10のコレクタ電極16及び第1ダイオード30のカソード電極34に電気的に接続している。なお、バスバー60の他端部図中左端は、図示しない直流電源の正極と接続されている。バスバー62は、基部63と延伸部68とを有している。基部63は、金属板52と、第1ダイオード30と、金属板56のそれぞれの下側に配置されている。基部63の上面は、金属板52、アノード電極36、及び、金属板56とそれぞれ接続している。即ち、基部63は、金属板52を介して、第1IGBT10のエミッタ電極18と電気的に接続している。さらに、基部63は、金属板56を介して、第2IGBT20のコレクタ電極26とも電気的に接続している。また、延伸部68は、基部63の中央部付近第1IGBT10と第2IGBT20との間から、第2ダイオード40に向かって伸びている。延伸部68の先端は、第2ダイオード40の下側に配置されており、その上面がカソード電極44と接続している。従って、バスバー62は、第1IGBT10のエミッタ電極18と、第1ダイオード30のアノード電極36と、第2ダイオード40のカソード電極44と、第2IGBT20のコレクタ電極26と電気的に接続している。なお、バスバー62の端部図中左端は、図示しない負荷モータ等と接続されている。バスバー64は、金属板54と、第2ダイオード40のそれぞれの上側に配置されている。バスバー64の下面は、アノード電極46及び金属板54とそれぞれ接続している。即ち、バスバー64は、金属板54を介して、第2IGBT20のエミッタ電極28と電気的に接続している。従って、バスバー64は、第2ダイオード40のアノード電極46と、第2IGBT20のエミッタ電極28と電気的に接続している。なお、バスバー64の端部図中右端は、図示しない直流電源の負極と接続されている。小信号用端子70、72は、いずれも、導電性を有する金属材料により形成された板材である。図に示すように、小信号用端子70、72は、いずれも、上記の金属板50~56より厚みが薄くなるように形成されている。小信号用端子70、72は、上記の金属板50~56及びバスバー60~64と同じ材料で形成されている。他の例では、小信号用端子70、72は、金属板50~56やバスバー60~64と異なる材料で形成することもできる。また、他の例では、小信号用端子70、72として、金属製ワイヤボンディングワイヤを用いることもできる。小信号用端子70は、一端が第1IGBT10のゲート電極パッド14と接続しており、他端が図示しない外部配線と接続している。同様に、小信号用端子72も、一端が第2IGBT20のゲート電極パッド24と接続しており、他端が図示しない外部配線と接続している。小信号用端子7072は、第1IGBT10第2IGBT20のゲート電極にゲート信号ゲート電圧を供給するための端子である。モールド樹脂80は、第1IGBT10、第2IGBT20、第1ダイオード30及び第2ダイオード40の外周部に形成されている。モールド樹脂80は、エポキシ、ポリイミド等の電気絶縁性材料で形成されている。次いで、図2を参照して、第1IGBT10、第2IGBT20、第1ダイオード30、第2ダイオード40の各要素により構成される回路を説明する。本実施例の半導体装置2では、第1IGBT10と第2IGBT20とが直列に接続されている。また、第1ダイオード30は、第1IGBT10に対して逆並列に接続されており、第2ダイオード40は、第2IGBT20に対して逆並列に接続されている。上記の通り、バスバー60は、第1IGBT10のコレクタ電極16と、第1ダイオード30のカソード電極34とに接続されている。バスバー60の端部は、例えば、図示しない直流電源の正極に接続されている。また、バスバー62は、第1IGBT10のエミッタ電極18と、第1ダイオード30のアノード電極36と、第2IGBT20のコレクタ電極26と、第2ダイオード40のカソード電極44とに接続されている。バスバー62の端部は、例えば、図示しない負荷モータ等に接続されている。また、バスバー64は、第2IGBT20のエミッタ電極28と、第2ダイオード40のアノード電極46とに接続されている。バスバー64の端部は、例えば、図示しない直流電源の負極に接続されている。なお、図2に示す回路構成を三相U、V、W分備えることにより、三相インバータを形成することができる。以上、本実施例の半導体装置2の構成を説明した。本実施例の半導体装置2では、第1IGBT10と第2IGBT20とが同一平面上に並べて配置されている。そのため、第1IGBT10及び第2IGBT20は、いずれも、両面側に熱伝導性を有する金属板50~56を配置することができる。上記の通り、金属板50~56は、第1IGBT10及び第2IGBT20が発する熱を放熱するための放熱部材として機能する。そのため、第1IGBT10と第2IGBT20とを両面側から冷却することができ、その結果、第1IGBT10と第2IGBT20とを十分に冷却することができる。一方、第1ダイオード30と第2ダイオード40は、第1IGBT10と第2IGBT20との間に配置され、また、片面側のみがバスバー60、62に接続され、片面側から主に放熱される。これらのため、第1ダイオード30と第2ダイオード40の冷却量は、第1IGBT10と第2IGBT20の冷却量よりも低くなる。しかしながら、第1ダイオード30と第2ダイオード40とは、SiCを材料とするため、Siを材料とする第1IGBT10及び第2IGBT20よりも耐熱性に優れる。このため、第1ダイオード30と第2ダイオード40の温度が第1IGBT10と第2IGBT20の温度より上昇しても、その温度を耐熱性が問題とならない温度に抑えることができる。また、本実施例では、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、上下方向に積層されている。即ち、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、第1IGBT10及び第2IGBT20が配置されている平面と直交する方向に積層されている。そのため、第1ダイオード30及び第2ダイオード40を、第1IGBT10及び第2IGBT20と同一平面上に並べて配置する場合と比べて、第1ダイオード30及び第2ダイオード40の配置面積をより小さくすることができる。そのため、半導体装置2全体を小型化することができる。本実施例と特許請求の範囲の記載との対応関係を説明する。第1IGBT10、第2IGBT20が、第1のSiパワーデバイス、第2のSiパワーデバイスの一例である。第1ダイオード30、第2ダイオード40が、第1のSiCパワーデバイス、第2のSiCパワーデバイスの一例である。第2実施例図3を参照して、第2実施例について、第1実施例と異なる点を中心に説明する。図3に示すように、本実施例の半導体装置102は、第1ダイオード30及び第2ダイオード40の配置方向、及び、バスバー160~164の形状が、第1実施例とは異なる。なお、図3の半導体装置102も、図2と同様の回路を構成しており、第1IGBT10と第2IGBT20とが直列に接続されている。第2実施例では、図3に示すように、第1ダイオード30と第2ダイオード40とが、縦向きに積層されて配置されている。詳細には、第1ダイオード30と第2ダイオード40とは、第1IGBT10及び第2IGBT20が配置されている平面と直交する平面上に並べて配置されることによって、上下方向に積層されている。第1ダイオード30は、裏面カソード電極34側が第1IGBT10と対向し、表面アノード電極36側が第2TGBT20と対向するように配置されている。一方、第2ダイオード40は、裏面カソード電極44側が第2IGBT20と対向し、表面アノード電極46側が第1IGBT10と対向するように配置されている。なお、本実施例でも、上下方向に積層されている第1ダイオード30と第2ダイオード40とは接触していない。バスバー160は、基部161と延伸部166とを有する。基部161は、第1実施例のバスバー60の基部61図1参照と同様である。延伸部166は、基部161の一端から下方に屈曲している。延伸部166は、第1実施例と同様に、第1ダイオード30のカソード電極34と接続している。バスバー162は、基部163と延伸部168とを有する。基部163は、第1実施例のバスバー62の基部63図1参照と同様である。ただし、本実施例では、基部163は、金属板52、56のみと接続している。延伸部168は、基部163の中央部から上方に屈曲している。延伸部168は、第1ダイオード30のアノード電極36と、第2ダイオード40のカソード電極44と接続している。バスバー164は、基部167と延伸部169とを有する。基部167は、第1実施例のバスバー64図1参照と同様である。ただし、本実施例では、基部167は、金属板54のみと接続している。延伸部169は、基部167の一端から下方に屈曲し、第2ダイオード40に向かって伸びている。延伸部169は、第2ダイオードのアノード電極46と接続している。以上、本実施例の半導体装置102の構成を説明した。本実施例の半導体装置102も、第1IGBT10と第2IGBT20とが同一平面上に並べて配置されているとともに、第1ダイオード30と第2ダイオード40とが上下方向に積層されて配置されている。そのため、本実施例の半導体装置102も、上記の第1実施例と同様の効果を発揮することができる。また、本実施例では、第1ダイオード30と第2ダイオード40とは、第1IGBT10及び第2IGBT20が配置されている平面と直交する平面上に並べて配置されることによって、上下方向に積層されている。そのため、第1ダイオード30及び第2ダイオード40の配置面積をより小さくすることができる。そのため、半導体装置102全体を小型化することができる。第3実施例図4を参照して、第3実施例について、第1実施例及び第2実施例と異なる点を中心に説明する。図4は、第3実施例の半導体装置202を模式的に示す平面図である。なお、図4では、第1IGBT10、第2IGBT20、第1ダイオード30、第2ダイオード40のみを簡略化して図示し、金属板、バスバー等の図示を省略している。図4に示すように、第3実施例でも、第1IGBT10及び第2IGBT20は、同一平面上に並べて配置されている。また、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、第1IGBT10と第2IGBT20との間に並べて配置されている。ただし、本実施例では、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、第1実施例及び第2実施例と異なり、上下方向に積層されていない。第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、第1IGBT10及び第2IGBT20が配置されている平面上において、第1IGBT10及び第2IGBT20の配置方向と直交する方向に並べて配置されている。また、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、その表裏面即ちアノード電極及びカソード電極が、第1IGBT10及び第2IGBT20と対向するように配置されている。また、第1IGBT10、第2IGBT20、第1ダイオード30、及び、第2ダイオード40は、図示しない金属板、バスバーによって適宜接続されている。本実施例の半導体装置202も、図2と同様の回路構成を有しており、第1IGBT10と第2IGBT20とが直列に接続されている。本実施例の半導体装置202も、第1IGBT10と第2IGBT20とが同一平面上に並べて配置されている。そのため、第1IGBT10及び第2IGBT20は、いずれも、両面側に放熱部材として機能する金属板図示省略を配置することができる。そのため、第1IGBT10と第2IGBT20とを両面側から冷却することができる。両面側から冷却することにより、第1IGBT10と第2IGBT20とを十分に冷却することができる。一方、第1ダイオード30と第2ダイオード40は、第1IGBT10と第2IGBT20との間に配置されて放熱性が低下するが、SiCを材料とするため、第1ダイオード30と第2ダイオード40の温度を耐熱性が問題とならない温度に抑えることができる。なお、本実施例の他の例では、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、表面と裏面のうち一方を上面側に、他方を下面側に向けて配置することもできる。言い換えると、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、第1IGBT10及び第2IGBT20と同一平面上に配置することができる。この場合も、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、第1IGBT10及び第2IGBT20が配置されている平面上において、第1IGBT10及び第2IGBT20の配置方向と直交する方向に並べて配置する。第4実施例図5を参照して、第4実施例について、上記各実施例と異なる点を中心に説明する。図5に示すように、第4実施例の半導体装置302でも、第1実施例と同様に、第1IGBT10及び第2IGBT20は、同一平面上に並べて配置されている。また、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、第1IGBT10と第2IGBT20との間に、上下方向に積層されて配置されている。なお、第4実施例では、第1ダイオード30及び第2ダイオード40は、アノード電極36、46同士が対向するように積層されて配置されている。図5に示すように、第4実施例では、金属板352が、第1IGBT10のコレクタ電極16と、第1ダイオード30のカソード電極34とに接続している。同様に、金属板354が、第2IGBT20のコレクタ電極26と、第2ダイオード30のカソード電極44とに接続している。また、積層されている第1ダイオード30と第2ダイオード40との間には、金属板358が備えられている。金属板358は、第1ダイオード30のアノード電極36と、第2ダイオード40のアノード電極46とに接続している。また、第1IGBT10のエミッタ電極18と、第1ダイオード30のアノード電極36は、図示しないバスバーを介して接続している。また、第2IGBT20のエミッタ電極28と、第2ダイオード40のアノード電極46も、図示しないバスバーを介して接続している。なお、図5では、バスバーの図示を省略しているが、実際にはバスバーが適宜備えられている。また、図5では、小信号用端子70、72を簡略化して図示しているが、実際には小信号用端子70、72は、他端が図示しない外部配線と接続している。次いで、図6を参照して、第1IGBT10、第2IGBT20、第1ダイオード30、第2ダイオード40の各要素の回路構成を説明する。本実施例の半導体装置302では、上記の各実施例とは異なり、第1IGBT10と第2IGBT20とが並列に接続されている。また、第1ダイオード30は、第1IGBT10に対して逆並列に接続されており、第2ダイオード40は、第2IGBT20に対して逆並列に接続されている。上記の通り、金属板352により、第1IGBT10のコレクタ電極16と、第1ダイオード30のカソード電極34とが接続されている。また、金属板354により、第2IGBT20のコレクタ電極26と、第2ダイオード30のカソード電極44とが接続されている。また、金属板358により、第1ダイオード30のアノード電極36と、第2ダイオード40のアノード電極46とが接続されている。また、第1IGBT10のエミッタ電極18と第1ダイオード30のアノード電極36、及び、第2IGBT20のエミッタ電極28と第2ダイオード40のアノード電極46は、それそれ、図示しないバスバーを介して接続している。本実施例の半導体装置302では、第1IGBT10と第2IGBT20が並列に接続されている。このため、仮に一方のIGBTが故障によって動作しない場合であっても、他方のIGBTが動作することで、出力を低減させて半導体装置302の駆動を継続することができる。以上、本実施例の半導体装置302の構成を説明した。本実施例の半導体装置302も、第1IGBT10と第2IGBT20とが同一平面上に並べて配置されているとともに、第1ダイオード30と第2ダイオード40とが上下方向に積層されて配置されている。そのため、本実施例の半導体装置302も、上記の第1実施例と同様の効果を発揮することができる。本発明の変形例を以下に列挙する。1上記の各実施例では、Si製のパワーデバイスとしてIGBT第1IGBT10及び第2IGBT20を用い、SiC製のパワーデバイスとしてダイオード第1ダイオード30及び第2ダイオード40を用いている。Si製のパワーデバイスには、IGBTに限らず、MOSFETやダイオード等の他のパワーデバイスが用いられていてもよい。同様に、SiC製のパワーデバイスにも、ダイオードに代えて、MOSFETやIGBT等の他のパワーデバイスが用いられていてもよい。2第1IGBT10、第2IGBT20、第1ダイオード30、第2ダイオード40の各電極の接続構造は、上述した接続構造には限られず、任意とすることができる。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。