パッケージ基板と、バネを介して前記パッケージ基板と電気的に接続されているコネクタと、を有することを特徴とする電子部品。前記バネと前記パッケージ基板とを接続する第1の導電性接着剤と、前記バネと前記コネクタとを接続する第2の導電性接着剤とを更に有することを特徴とする請求項1に記載の電子部品。前記コネクタは、複数の貫通孔が形成されたフレームと、複数の前記貫通孔の各々に挿入された複数の柱状端子とを有し、前記柱状端子の一方の端部が前記バネに接続されたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子部品。接続対象に電気的に接続される端子と、前記接続対象と前記端子との間に配置されたバネと、を有することを特徴とするコネクタ。パッケージ基板とコネクタの柱状電極とを、バネを介して電気的に接続する工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。電子部品とその製造方法、及びコネクタにおいて、パッケージ基板とコネクタとを電気的に良好に接続することを目的とする。以下の開示の一観点によれば、パッケージ基板と、バネを介して前記パッケージ基板と電気的に接続されているコネクタとを有する電子部品が提供される。また、その開示の他の観点によれば、接続対象に電気的に接続される端子と、前記接続対象と前記端子との間に配置されたバネとを有するコネクタが提供される。更に、その開示の別の観点によれば、パッケージ基板とコネクタの柱状電極とを、バネを介して電気的に接続する工程を有する電子部品の製造方法が提供される。以下の開示によれば、パッケージ基板の反りにバネが追従するため、その反り量の如何を問わずにパッケージ基板とコネクタとを電気的に良好に接続することができ、これらの接続信頼性を向上させることができる。本実施形態の説明に先立ち、本実施形態の基礎となる予備的事項について説明する。図1は、電子部品の断面図である。この電子部品10は、配線基板1、ボルスタープレート2、LGAコネクタ5、半導体パッケージ11、ヒートスプレッダ15、及びヒートシンクベース16を有する。このうち、配線基板1は、サーバ等の電子機器においてシステムボードとして供せられるものであって、一方の主面には銅膜をパターニングしてなる第1の電極パッド6が形成され、他方の主面にはボルスタープレート2が固着される。そのボルスタープレート2にはネジ孔2aが形成されており、そのネジ孔2aに連通する貫通孔1aが配線基板1に設けられる。ボルスタープレート2の材料は特に限定されない。半導体パッケージ11で発生した熱を速やかに外部に逃がすべく、ステンレス等の熱伝導率の高い金属をボルスタープレート2の材料として使用するのが好ましい。一方、LGAコネクタ5は、フレーム3と柱状端子4とを有する。このうち、フレーム3は、樹脂を材料とするものであって、複数の貫通孔3aを備える。そして、その貫通孔3aの各々に上記の柱状端子4が挿入される。柱状端子4は、ゴムに銀等の導電性フィラーを分散させてなる導電性ゴムや導電性エストラマを材料とし、第1の電極パッド6と対向する位置に設けられる。半導体パッケージ11は、LGAコネクタ5の接続対象となるものであって、パッケージ基板8と半導体チップ9とを有する。このうち、パッケージ基板8は、セラミック製又はプラスチック製のコア基材上に配線層を形成してなる配線基板であって、その表面に銅膜をパターニングしてなる第2の電極パッド7を備える。一方、半導体チップ9は、例えばCPU等の能動素子であって、はんだバンプ12を介してパッケージ基板8と電気的かつ機械的に接続される。そして、パッケージ基板8と半導体チップ9との間には、これらの接続強度を高めるためにアンダーフィル樹脂13が充填される。半導体チップ9で発生した熱は、ヒートスプレッダ15を介して外部に逃がされる。そのヒートスプレッダ15による放熱効率を高めるため、ヒートスプレッダの材料としては熱伝導性に優れた銅を使用するのが好ましい。ヒートシンクベース16は、ヒートスプレッダ15を支持すべく設けられ、例えばアルミニウム板を加工してなる。そして、これらヒートスプレッダ15とヒートシンクベース16とには貫通孔15a、16aが形成され、これらの貫通孔15a、16aとバネ18とにネジ17が挿通される。実使用下においては、ボルスタープレート2のネジ孔2aにネジ17を螺入し、バネ18の付勢力によってヒートシンクベース16を配線基板1側に押し付ける。これにより、第1の電極パッド6と第2の電極パッド7とが柱状端子4を介して電気的に接続されることになる。ところで、上記のように配線基板1と半導体パッケージ11とはLGAコネクタ5により電気的に接続されるが、実使用下においてはこれらの間に接続不良が発生することがある。このように接続不良が発生する一因として半導体パッケージ11の反りがある。その反りについて図2a、bを参照して説明する。図2a、bは、半導体パッケージ11の製造途中の断面図である。半導体パッケージ11の製造に際しては、図2aに示すように、はんだバンプ12を加熱してリフローすることにより、はんだバンプ12によりパッケージ基板8と半導体チップ9とを接続する。パッケージ基板8は樹脂を主にしてなるのに対し、半導体チップ9はシリコンを主にしてなるため、材料の相違に起因して半導体パッケージ8と半導体チップ9とは異なる熱膨張率を示す。但し、このようにリフローをしている時は、パッケージ基板8と半導体チップ9との熱膨張の差が溶融したはんだバンプ12で吸収されるため、熱膨張率差が原因の反りは半導体パッケージ11に生じない。一方、図2bは、はんだバンプ12が冷えて固化した状態における半導体パッケージ11の断面図である。リフローが終了して半導体パッケージ11が冷えると、パッケージ基板8と半導体チップ9とが異なる熱収縮量で収縮することになる。しかし、固化したはんだバンプ12は、パッケージ基板8と半導体チップ9との熱収縮量の差を吸収できないため、半導体パッケージ11が半導体チップ9を上にして凸状に反ってしまう。パッケージ基板8の反りの量ΔDは、パッケージ基板8と半導体チップ9との材料や大きさによって変わるが、典型的には、100μm~200μm程度である。図3は、このように反りが生じたパッケージ基板8とLGAコネクタ5との拡大断面図である。図3に示すように、柱状端子4は、円錐の頂点を平坦化した形状の突出部4xを有し、本来ならその突出部4xの平坦な端部4aが電極パッド7に当接する。しかし、上記のようにパッケージ基板8に反りが生じたことでその端部4aが第2の電極パッド7から離れてしまい、柱状端子4によって第1の電極パッド6と第2の電極パッド7とを電気的に接続することができなくなってしまう。特に、パッケージ基板8は上側に凸状に反るため、パッケージ基板8の中央付近においてこのような接続不良が発生し易い。以下、本実施形態について説明する。第1実施形態図4は、第1実施形態に係る電子部品の断面図である。なお、図4において、図1で説明したのと同じ要素には図1におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。この電子部品20においては、つるまき型の複数の導電性のバネ21を介してLGAコネクタ5とパッケージ基板8とが電気的に接続される。図5は、LGAコネクタ5とその周囲の拡大断面図である。LGAコネクタ5のフレーム3の材料は特に限定されない。本実施形態では、ポリイミドやガラスクロスを含有する樹脂等の絶縁性材料をフレーム3の材料として使用する。また、フレーム3の大きさも特に限定されないが、フレーム3の厚みは約1.95mm程度とし得る。また、貫通孔3aは、ドリル加工やレーザ加工によって形成され、その直径は約0.75mmである。なお、隣接する貫通孔3aの中心間距離は、例えば1.27mm程度である。更に、その貫通孔3aの内面と開口端縁とには導電膜31として銅膜が形成され、開口端縁の導電膜31上には貴金属膜34として金膜が形成される。そのような貫通孔3aに柱状端子4が挿入される。柱状端子4の材料は、純金属と比較して導電性が劣る導電性ゴムや導電性エストラマであるが、貫通孔3a内の導電膜31によってその柱状端子4の導電性を補うことができる。更に、貫通孔3aの内面と比較して大気に触れ易い貫通孔3aの開口端縁に貴金属膜34を形成したことで、当該開口端縁における導電膜31が大気との接触で腐食するのを防止できる。上記の柱状端子4は一方の端部4aと他方の端部4bとを備えており、当該他方の端部4bが第1の電極パッド6に当接する。なお、一方の端部4aから他方の端部4bまでの柱状端子4の長さは約2.4mm程度である。そして、第2の電極パッド7の表面には第1の導電性接着剤22が塗布されており、その第1の導電性接着剤22によってバネ21と第2の電極パッド7とが接続される。更に、柱状端子4の一方の端部4aには、第2の導電性接着剤23によってバネ21が接続される。これら第1の導電性接着剤22と第2の導電性接着剤23とは、導電性を有するため、バネ21と第2の電極パッド7とを電気的に接続したり、バネ21と柱状端子4とを電気的に接続するのに供される。更に、第1の導電性接着剤22と第2の導電性接着剤23とは緩衝材としても供され、バネ21との接触によって第2のパッド7や柱状端子4の端部4aの表面に傷がつくのを防止できる。特に、点線円内に示すように、銅膜をパターニングしてなる第2の電極パッド7の上に銅の腐食防止のために金めっき膜7xを形成する場合、その金めっき膜7xに傷がつくと第2の電極パッド7とバネ21との接触抵抗が上昇してしまう。上記した第1の導電性接着剤22は、その金めっき膜7xに傷が付くのを防止してこのような接触抵抗の上昇を防止するのにも資することになる。また、バネ21によって柱状電極4と第2の電極パッド7との接触圧力が緩和されるため、柱状電極4と第2の電極パッド7とが直接接触してこれらの表面が損傷するのも防止できる。第1の導電性接着剤22及び第2の導電性接着剤23としては、例えば銀ペースト使用し得る。この場合、バネ21と第2の電極パッド7との接続、及びバネ21と柱状端子4の一方の端部4aとの接続では、銀ペーストによる接続後に加熱等をして、銀ペーストを固化させたうえで、第1の導電性接着剤22及び第2の導電性接着剤23として機能させても良い。また、第1の導電性接着剤22及び第2の導電性接着剤23は、導電フィラーを含む接着剤であっても良い。導電フィラーとしては、金粉、銀粉、銅粉、ニッケル粉、アルミ粉、メッキ粉、カーボン粉、及びグラファイト粉のいずれかを使用し得る。この場合においても、第1の導電性接着剤22と第2の導電性接着剤23で接着後に加熱等を行い、第1の導電性接着剤22と第2の導電性接着剤23を固化させても良い。バネ21のサイズは特に限定されないが、本実施形態ではバネ21の直径を約30μm~70μmとし、その長さを約300μmとする。更に、バネ21の螺旋のピッチを約50μmとする。バネ21の材料も限定されない。本実施形態では、超弾性合金をバネ21の材料として使用する。そのような超弾性合金としてはNiTi合金やCuZn合金がある。なお、柱状端子4とバネ21との接触抵抗は50mΩ以下であって実用上は問題ない。更に、パッケージ基板8の反りが原因で各バネ21に印加される荷重にはばらつきが生じるが、それが原因で発生する柱状端子4とバネ21との接触抵抗のばらつきはパッケージ基板8の面内で数mΩ以下であり、これも実用上は問題ない値である。以上説明した本実施形態によれば、バネ21により柱状端子4とパッケージ基板8とを電気的に接続する。既述のように、製造時の熱によってパッケージ基板8には反りが発生するが、その反りの量は実使用下におけるパッケージ基板8の温度によって変化する。このように反り量が変化しても、本実施形態ではバネ21が伸縮することによって柱状端子4とパッケージ基板8との電気的な接続状態を維持することができ、LGAコネクタ5とパッケージ基板8とが接続不良を起こすのを防止できる。更に、パッケージ基板8は半導体チップ9を上にして凸状に反るため、その反りが生じたときの柱状端子4と第2の電極パッド7との間隔D図5参照は、パッケージ基板8の周縁領域で小さく、パッケージ基板8の中心領域で大きくなる傾向がある。このように間隔Dがパッケージ基板8の面内で異なる場合でも、間隔Dの変化に各バネ21が追従するため、パッケージ基板8の全面においてLGAコネクタ5とパッケージ基板8との電気的な接続を良好に維持することができる。また、半導体チップ9で発生した熱をバネ21を介してLGAコネクタ5に逃がすこともできるので、半導体チップ9の冷却不足もある程度解消することができる。特に、バネ21の材料である超弾性合金の変態温度を室温20°C~30°Cよりも低くすると、実使用下で半導体パッケージ11の温度が室温以上となった場合でも、バネ21を常に弾性領域で変形させることができる。塑性領域中で伸縮を繰り返すとバネ21は歪の蓄積によって切断してしまうが、このように弾性領域で変形させることでバネ21が切断する危険性を低減でき、実使用下において常に安定してLGAコネクタ5とパッケージ基板8とを電気的に接続することができる。なお、バネ21の材料として形状記憶合金を使用することも考えられる。但し、この場合は、高温時に弾性領域で変形したときのバネ21の歪が、バネ21が冷えて塑性領域に入ったときにも残ってしまうので、歪が原因でバネ21が切断してしまう危険性がある。次に、本実施形態に係る電子部品の製造方法について説明する。図6~図10は、本実施形態に係る電子部品の製造途中の拡大断面図である。まず、図6aに示すように、厚さが約1.95mmの樹脂製のフレーム3に対してドリル加工又はレーザ加工を行うことにより直径が約0.75mmの貫通孔3aを複数形成する。続いて、図6bに示すように、フレーム3の露出面の全面に導電膜31として無電解銅めっき膜を1μm程度の厚さに形成する。次に、図7aに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、フレーム3の両主面側にフォトレジストを塗布し、それを露光、現像して、貫通孔3aに重なる窓32aを備えた第1のレジストパターン32を形成する。そして、導電膜31を給電層にしながら貫通孔3a内に露出する導電膜31の上に電解銅めっき膜を形成することにより、貫通孔3a内の導電膜31を20μm程度の厚さにまで厚膜化する。その後に、第1のレジストパターン32は除去される。次いで、図7bに示すように、フレーム3の両主面側において、貫通孔3aの周囲を除く領域に第2のレジストパターン33を形成する。なお、第2のレジストパターン33は、貫通孔3a内にも充填される。そして、導電膜31を給電層にしながら、第2のレジストパターン33で覆われていない部分の導電膜31上に、貴金属膜34として電解金めっき膜を2μm程度の厚さに形成する。その後に、第2のレジストパターン33は除去される。次に、図8aに示すように、貴金属膜34をマスクにして導電膜31をウエットエッチングすることにより、貴金属膜34で覆われていない部分のフレーム3の両主面を露出させる。なお、貫通孔3a内においては、図7aの工程において導電膜31を予め厚膜化してあるので、本工程のウエットエッチングで貫通孔3a内の導電膜31が除去されることはない。続いて、図8bに示すように、複数の貫通孔3aの各々に柱状端子4を挿入する。柱状端子4は、直径が貫通孔3aのそれよりも大きい突出部4xを有するが、柱状端子4の材料である導電性ゴムが弾力性を有するので、その突出部4xを潰すことにより貫通孔3aに簡単に柱状端子4を挿入することができる。ここまでの工程により、フレーム3と柱状端子4とを備えたLGAコネクタ5の基本構造が完成したことになる。この後は、そのLGAコネクタ5を半導体パッケージ11に接続する工程に移る。まず、図9aに示すように、半導体パッケージ11が備えるパッケージ基板8を用意し、そのパッケージ基板8の各々の第2の電極パッド7の上に第1の導電性接着剤22を塗布する。第1の導電性接着剤22の種類は特に限定されない。但し、熱硬化工程を省くという観点からすると、熱硬化が不要な室温で接着性を有する樹脂に銀フィラーを分散させてなるペーストを第1の導電性接着剤22として使用するのが好ましい。次に、図9bに示すように、柱状端子4の一方の端部4aに、第1の導電性接着剤22と同一種類の第2の導電性接着剤23とを塗布する。続いて、図10に示すように、パッケージ基板8の第2の電極パッド7を柱状端子4に対向させる。そして、第1の導電性接着剤22により第2の電極パッド7とバネ21とを接続すると共に、第2の導電性接着剤23により柱状端子4とバネ21とを接続する。この状態を所定時間維持することにより第1の導電性接着剤22と第2の導電性接着剤23とが固化し、柱状端子4とパッケージ基板8とが電気的かつ機械的に接続されることになる。なお、第1の導電性接着剤22及び第2の導電性接着剤23としては銀ペーストを使用し得る。この場合、バネ21と第2の電極パッド7との接続、及びバネ21と端部4aとの接続では、銀ペーストによる接続後に加熱等をして、銀ペーストを固化させたうえで、その銀ペーストを第1の導電性接着剤22及び第2の導電性接着剤23として機能させても良い。また、第1の導電性接着剤22及び第2の導電性接着剤23は、導電フィラーを含む接着剤であっても良い。導電フィラーとしては、金粉、銀粉、銅粉、ニッケル粉、アルミ粉、メッキ粉、カーボン粉、グラファイト粉のいずれかを使用し得る。この場合においても、第1の導電性接着剤22と第2の導電性接着剤23による接着後に加熱等を行い、第1の導電性接着剤22及び第2の導電性接着剤23を固化させても良い。この後は、図4に示したように、バネ18の付勢力によってLGAコネクタ5を配線基板1に押し当て、本実施形態に係る電子部品20の基本構造を完成させる。第2実施形態図11は、本実施形態に係る電子部品20の拡大断面図である。なお、図11において、第1実施形態で説明したのと同じ要素には第1実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。図11では、フレーム3の外周縁部3x寄りの周縁領域Iと、フレーム3の中心付近の中心領域IIとを併記してある。既述のように、実使用下ではパッケージ基板8は上向きに凸に反るため、周縁領域Iでは中心領域IIと比較してパッケージ基板8が柱状端子4に近接する。更に、周縁領域Iの第2の電極パッド7は、ネジ17とバネ18図4参照とに近いため当該バネ18の付勢力を強く受け、それにより柱状端子4と十分な押圧力で接触する。これらにより、周縁領域Iにおいては、バネ21を介して柱状端子4とパッケージ基板8とを接続する実益に乏しい場合がある。そこで、本実施形態では、複数の柱状端子4のうち、フレーム3の外周縁部3x寄りの一部の柱状端子4にバネ21を接続せず、バネ18図4参照の弾性力でその柱状端子4をパッケージ基板8の第2の電極パッド7に直接接続する。このように第2の電極パッド7と直接接続する柱状端子4の数は、例えば、外周縁部3xから数えて内側に4個程度とする。これにより、第1実施形態と比較してバネ21の個数を低減でき、部品点数の削減による電子部品20のコストダウンを実現できる。なお、本実施形態はこれに限定されない。図12は、本実施形態の他の例に係る電子部品20の拡大断面図である。なお、図12において、図11と同じ要素には図11におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。本例では、複数の柱状端子4のうち、フレーム3の外周縁部3x寄りの一部の柱状端子4に接続するバネ21の巻き数を、中心領域IIにおける他のバネ21の巻き数よりも少なくする。バネ21の巻き数は特に限定されないが、中心領域IIにおける巻き数を6とする場合、外周縁部3x寄りのバネ21の巻き数を3程度とする。また、巻き数を少なくしたバネ21と接続される柱状端子4の数は、例えば、外周縁部3xから数えて内側に4個程度とする。このように巻き数を少なくすることで、周辺領域Iにおいてパッケージ基板8と近接している柱状端子4にバネ21から強い弾性力が印加されるのを防止することができる。バネ21の巻き数の調節方法は特に限定されない。図13は、バネ21の巻き数の調節方法の一例を示す模式図である。この方法では、バネ21を引き伸ばした状態で切断する。切断後は、バネ21は自身の弾性力によって縮む。これにより、バネ21は切断前と比較してΔLだけ短くなるが、その長さΔLがパッケージ基板8の反り量ΔD図2b参照である100μm~200μm程度の値に等しくなるようにバネ21の切断長Xを設定する。このように切断する際にバネ21を引き伸ばすと、バネ21の螺旋ピッチが広くなるため、バネ21の隣接する螺旋間に切断用の工具を挿入し易くなり、バネ21の巻き数の調節が容易になる。更に、バネ21の材料として超弾性合金を利用するため、切断時にバネ21を延ばしてもバネ21が塑性変形することがなく、切断後のバネ21の螺旋ピッチを切断前と同一にすることができる。なお、このように周縁領域Iのバネ21の巻き数を調節するのに代えて、図14に示されるような柱状電極4を採用してもよい。図14は、本実施形態の別の例に係る電子部品20の拡大断面図である。なお、図14において、図11と同じ要素には図11におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。図14の例では、周辺領域Iにおける柱状電極4の突起部4xの長さL1を、中心領域IIにおける他の柱状電極4の突起部4xの長さL2よりも短くする。このように長さを短くする柱状端子4の数は、例えば、外周縁部3xから数えて内側に4個程度とする。長さL1、L2の差L2-L1は特に限定されないが、当該差がパッケージ基板8の反り量ΔD図2b参照に等しくなるようにするのが好ましい。また、周縁領域Iのバネ21の長さと巻き数とは、中心領域IIのバネ21におけるのと同じである。このように長さL1を長さL2よりも短くすることにより、パッケージ基板8が反った場合であっても、周辺領域Iと中心領域IIとの各々のバネ21の長さを略同一にすることができる。そのため、バネ21から柱状電極4に印加される押圧力をパッケージ基板8の面内において略一定にすることができると共に、周辺領域Iの柱状電極4にバネ21から不必要に強い弾性力が印加されるのを防止できる。以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1パッケージ基板と、バネを介して前記パッケージ基板と電気的に接続されているコネクタと、を有することを特徴とする電子部品。付記2前記バネと前記パッケージ基板とを接続する第1の導電性接着剤と、前記バネと前記コネクタとを接続する第2の導電性接着剤とを更に有することを特徴とする付記1に記載の電子部品。付記3前記コネクタは、複数の貫通孔が形成されたフレームと、複数の前記貫通孔の各々に挿入された複数の柱状端子とを有し、前記柱状端子の一方の端部が前記バネに接続されたことを特徴とする付記1又は付記2に記載の電子部品。付記4複数の前記柱状端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の柱状端子に前記バネを接続せず、前記一部の柱状端子を前記パッケージ基板に直接接続したことを特徴とする付記3に記載の電子部品。付記5複数の前記柱状端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の柱状端子に接続する前記バネの巻き数を、他の前記柱状端子に接続する前記バネの巻き数よりも少なくすることを特徴とする付記3に記載の電子部品。付記6前記貫通孔の内面に導電膜が形成されたことを特徴とする付記3乃至付記5のいずれかに記載の電子部品。付記7接続対象に電気的に接続される端子と、前記接続対象と前記端子との間に配置されたバネと、を有することを特徴とするコネクタ。付記8前記端子は柱状端子であり、前記柱状端子の一方の端部に導電性接着剤を介して前記バネが接続されたことを特徴とする付記7に記載のコネクタ。付記9貫通孔が形成されたフレームを更に有し、前記貫通孔に前記柱状端子が挿入されたことを特徴とする付記8に記載のコネクタ。付記10パッケージ基板とコネクタの柱状電極とを、バネを介して電気的に接続する工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。