金属からなるコア層と、金属と繊維からなるクラッド層と、を有する配線材料において、前記コア層は、銅または銅を含む合金であり、前記クラッド層は銅または銅を含む合金と、銅よりも低い熱膨張係数を有する繊維で構成され、当該配線材料は、前記コア層の少なくとも一方側の面が、前記クラッド層と密着した積層構造をしており、前記クラッド層における繊維は、前記コア層の面と平行に配置されることを特徴とする配線材料。請求項1に記載の配線材料において、前記繊維は、一方の方向と平行に配列された繊維と、前記一方の方向と平行に配列された繊維と垂直な方向に配列された繊維で構成された繊維層を有することを特徴とする配線材料。請求項2に記載の配線材料において、前記繊維層は、一方の方向と平行に配列された第一の繊維層と、前記一方の方向と垂直な方向に配列された第二の繊維層からなることを特徴とする配線材料。請求項2に記載の配線材料において、当該配線材料は、前記コア層から前記積層方向に遠ざかるにつれて、前記繊維層における繊維の体積密度が大きくなることを特徴とする配線材料。請求項2に記載の配線材料において、前記クラッド層は、前記繊維層を複数有し、かつ当該複数の繊維層が前記積層方向に積層しており、前記配線材料は、前記コア層から前記積層方向に遠ざかるにつれて、前記繊維の数が多くなるように前記繊維層が配置されることを特徴とする配線材料。請求項1乃至5のいずれかに記載の配線材料において、前記繊維は、アスペクト比が100以上の繊維であることを特徴とする配線材料。請求項1乃至6のいずれかに記載の配線材料において、前記クラッド層の厚さは、前記コア層の厚さに対して1/10~1/2であることを特徴とする配線材料。請求項1乃至6のいずれかに記載の配線材料において、前記クラッド層の厚さは、前記コア層の厚さ以下であることを特徴とする配線材料。請求項1乃至8のいずれかに記載の配線材料において、前記クラッド層における前記繊維が占める体積率は5~30であることを特徴とする配線材料。請求項1に記載の配線材料において、前記コア層と前記クラッド層が積層した方向と垂直な方向における前記クラッド層の熱膨張係数が1×106~10×106/Kであり、かつ前記クラッド層における導電率が、40×106~60×106/mΩであることを特徴とする配線材料。銅からなるコア層と、銅または銅を含む合金と前記銅または銅を含む合金よりも低い熱膨張係数を有する繊維層からなるクラッド層と、を有する配線材料であって、前記コア層の表面に、前記繊維層、銅板の順に少なくとも一層ずつ交互に積層して配置し、かつ前記積層した方向において、コア層から最も遠くに配置された層が銅板になるように配置されていることを特徴とする配線材料。金属からなるコア層と、金属と繊維からなるクラッド層と、を有する配線材料と、電極を有する半導体素子と、金属層を有する絶縁回路基板と、を有する半導体装置において、前記クラッド層は銅または銅を含む合金と、銅よりも低い熱膨張係数を有する繊維で構成され、前記配線材料は、前記コア層の少なくとも一方側の面が、前記クラッド層と密着した積層構造をしており、前記半導体素子は、前記絶縁回路基板に搭載され、前記半導体素子における電極と、前記配線材料におけるコア層とは、前記クラッド層を介して接続され、前記絶縁回路基板における金属層と、前記配線材料におけるコア層とは、前記クラッド層を介して接続されることを特徴とする半導体モジュール。請求項12に記載の半導体モジュールにおいて、前記クラッド層における繊維は、前記コア層の面と平行に配置されること特徴とする半導体モジュール。請求項13に記載の半導体モジュールにおいて、前記繊維は、一方の方向と平行に配列された繊維と、前記一方の方向と平行に配列された繊維と垂直な方向に配列された繊維で構成された繊維層を有することを特徴とする半導体モジュール。請求項14に記載の半導体モジュールにおいて、当該配線材料は、前記コア層から前記積層方向に遠ざかるにつれて、前記繊維層における繊維の体積密度が大きくなることを特徴とする半導体モジュール。請求項12乃至15のいずれかに記載の半導体モジュールにおいて、前記繊維は、アスペクト比が100以上の繊維であることを特徴とする半導体モジュール。請求項12乃至16のいずれかに記載の半導体モジュールにおいて、前記クラッド層の厚さは、前記コア層の厚さ以下であることを特徴とする半導体モジュール。請求項12乃至17のいずれかに記載の半導体モジュールにおいて、前記クラッド層における前記繊維が占める体積率は5~30であることを特徴とする半導体モジュール。請求項12に記載の半導体モジュールにおいて、前記配線材料は、前記コア層と前記クラッド層が積層した方向と垂直な方向における前記クラッド層の熱膨張係数が1×106~10×106/Kであり、かつ前記クラッド層における導電率が、40×106~60×106/mΩであることを特徴とする半導体モジュール。請求項12乃至19のいずれかに記載の半導体モジュールにおいて、前記絶縁回路基板は、熱膨張係数が10×106/K以下であることを特徴とする半導体モジュール。請求項12乃至19のいずれかに記載の半導体モジュールにおいて、前記絶縁回路基板は、熱膨張係数が2×106~8×106/Kであることを特徴とする半導体モジュール。特許文献1、及び2に開示されているように、導電材料の低熱膨張化は、CuやAlをベースとする導電材料に、セラミックス、カーボン等の低熱膨張粒子を複合化することで構成されている。これらの配線材料では、低熱膨張かつ高熱伝導特性を達成するのは容易であり、高熱伝導なベース基板としての利用は可能であると考えられる。しかしながら、半導体素子との接合面内にかかるせん断応力を低減できると共に、高電気導電率が必要とされる配線材料としての利用は困難である。そこで、本発明の目的は、半導体装置の周囲温度が外因により上昇したり、半導体素子で発生する熱が高温化した場合であっても、半導体素子と配線材料、セラミックスとベース基板との接合部にかかる熱応力を軽減して接合部の信頼性を向上し、かつ高電気伝導を両立した配線材料を提供することにある。本発明は、金属からなるコア層と、金属と繊維からなるクラッド層と、を有し、前記コア層は、銅または銅を含む合金であり、前記クラッド層は銅または銅を含む合金と、銅よりも低い熱膨張係数を有する繊維で構成され、前記配線材料は、前記コア層の少なくとも一方側の面が、前記クラッド層と密着した積層構造をしており、前記クラッド層における繊維は、前記コア層の面と平行に配置されることを特徴とする配線材料である。さらに、本発明は、金属からなるコア層と、金属と繊維からなるクラッド層と、を有する配線材料と、電極を有する半導体素子と、金属層を有する絶縁回路基板と、を有し、前記クラッド層は銅または銅を含む合金と、銅よりも低い熱膨張係数を有する繊維で構成され、前記配線材料は、前記コア層の少なくとも一方側の面が、前記クラッド層と密着した積層構造をしており、前記半導体素子は、前記絶縁回路基板に搭載され、前記半導体素子における電極と、前記配線材料におけるコア層とは、前記クラッド層を介して接続され、前記絶縁回路基板における金属層と、前記配線材料におけるコア層とは、前記クラッド層を介して接続されることを特徴とする半導体モジュール。本発明によれば、半導体装置の周囲温度が外因により上昇したり、半導体素子で発生する熱が高温化しても、半導体素子と配線材料、絶縁回路基板と高放熱ベースとの接合部にかかる熱応力を軽減して接合部の信頼性を向上させ、かつ高電気電気伝導である配線材料、放熱ベース基板、およびそれを用いた半導体モジュールを提供することができる。次に、本発明を実施するための第1の形態を説明する。図1a及びbは、本実施形態に関わる配線材料の構成説明図である。図1aに示すように、導電性のコア材101の両面に、導電性の薄板102とコア材よりも低熱膨張な繊維103を直交配列した繊維層を順次積層させている。この積層体を加熱圧接することで、コア材101で構成するコア層111の両面に、薄板102と繊維103で構成するクラッド層112が密着した配線材料100が得られる。コア材101は、電気伝導性に優れた金属または金属を含む材料が適している。具体的にはCuまたはCuを含む合金、またはAlまたはAlを含む合金が良い。特に、Alよりも低熱膨張で導電率の高いCuが望ましく、無酸素銅がより望ましい。また、導電性の薄板102は、電気伝導性に優れた金属または金属を含む配線材料が適している。具体的にはCuまたはCuを含む合金、またはAlまたはAlを含む合金が良い。特に、Alよりも低熱膨張で導電率の高いCuが望ましい。また、薄板102の厚さは薄い方が望ましく、10umから200umの範囲で、繊維103の厚さは繊維103の外径よりも厚い方がよい。繊維103は、コア材101や薄板102よりも低熱膨張で、かつ破断強度の高い材料が適している。例えば、アクリル系またはピッチ系の炭素繊維、ガラス繊維、インバー線、タングステン線、モリブデン線が良い。繊維103の外径は1umから200umの範囲が望ましい。繊維103を2方向に配列した繊維層をクラッド層112内に少なくとも1層配置することで、クラッド層112の実効的な熱膨張係数は、コア層111とクラッド層112の積層方向に比べて、繊維層の面内の熱膨張係数を小さくできる。このとき、配線材料100の一端から対面の端まで連続した繊維を配置することで、配線材料100の積層方向に対して垂直方向の熱膨張係数を低減する効果が大きくなる。また、クラッド層112の表面は、導電性の薄板102で覆われて繊維103が露出していないため、めっき等の表面処理が容易になる。本実施形態では、低熱膨張な繊維103を直交配列した繊維層を積層させているが、この形態に限らなくてよい。例えば、繊維103を1方向に平行配列した第1の繊維層と、該第1の繊維層とは90度異なる方向に繊維を平行配列した第2の繊維層とで構成する1組の繊維層を形成しても、繊維層の面内の熱膨張係数を小さくできる。繊維103を配列した繊維層を複数積層することで、クラッド層112の面内の熱膨張係数を実効的に低くすることが可能になる。さらに繊維層を積層する際、繊維の体積密度がコア層111に向かって低くなるように、各層での繊維間隔を広げることで、クラッド層112内で厚さ方向に熱膨張係数の分布を持たせ、コア層111とクラッド層112との境界で生じる歪を低減することができる。クラッド層112内で、繊維層の面内の熱膨張係数は、繊維103の配置間隔で調整できる。繊維103の配置間隔を狭くすることで、クラッド層112での繊維103の体積含有率が増加し、熱膨張係数を実効的に下げることが可能になる。ただし、繊維103の体積含有率を上げ過ぎると導電率が低くなる。繊維層の面内の低熱膨張かつ、配線材料100の高導電を両立するには、両面に設けたクラッド層112で繊維103が占める体積率は5~30であることが望ましい。また、クラッド層112の全厚さをコア層111の厚さと同じもしくはそれ以下とし、かつコア層111とクラッド層112で構成した配線材料内を繊維103が占める体積率が25~20にすることで、配線材料100が高導電率化する。また、他のクラッド層112の形成方法として、アスペクト比の大きい繊維を、該繊維の長手方向が、前記コア層111と前記クラッド層112の積層方向に対してほぼ垂直方向を向くように配置してもよい。この場合、該繊維の配向方向が一方向に揃っていると、クラッド層112の面内方向において、熱膨張係数の高い方向と熱膨張係数の低い方向ができてしまい、クラッド層の面内方向で熱膨張係数が不均一になってしまう。従って、熱膨張係数を低減しつつ、高導電率化するためには、繊維のアスペクト比長さ/直径が100以上であり、配向方向が一方向に揃っていないことが望ましい。また、前記クラッド層の厚さは、薄すぎると低熱膨張化の効果が生じず、厚すぎると電気導電率の低下を生じることから、コア層の厚さに対して適切な比に設定する必要がある。具体的には、コア層の厚さに対してクラッド層の厚さを1/10~1/2に設定するのが良い。本実施形態では、導電性のコア材101の両面に、導電性の薄板102とコア材よりも低熱膨張な繊維103を直交配列した繊維層を順次積層させて加熱圧接することで、配線材料100を得ているが、これに限らなくてもよい。例えば、コア層111表面に少なくとも1層の繊維層を配置し、繊維層に金属粒子を含むペーストを充填した後、加熱加圧して一体化しクラッド層112を形成してもよい。本実施形態では、コア材101で構成するコア層111の両面に、薄板102と繊維103で構成するクラッド層112を密着させているが、この方法に限るものではない。銅粉と、アスペクト比が100以上の繊維との混合粉を焼結させたシートを作製した後、シートをコア材101に加熱圧接させてもよい。本実施形態で得られた配線材料100は、コア層111と前記クラッド層112の積層方向に対して垂直方向のクラッド層112の熱膨張係数が1×106~10×106/Kであり、かつ配線材料100の導電率が40×106~60××106/mΩであれば、Cuよりも低熱膨張であり、かつAlよりも高電気伝導な配線材料を構成できる。本実施形態の配線材料100は、熱膨張係数が10×106/K以下の材料と接合することで、接合体の機能が向上する。具体的には、SiやSi化合物半導体の半導体素子や、酸化物または窒化物のセラミックス基板は熱膨張係数が2×106~8×106/Kである。本実施形態では、クラッド層112の形成領域を言及しなかったが、配線材料100のクラッド層は少なくとも半導体素子の電極または、セラミックス絶縁基板との接合領域に形成されていればよい。本実施形態の配線材料100と、半導体素子の電極またはセラミックス絶縁基板との接合には、Pb、Snを含むはんだ、Ag、Cuを含む焼結体、Snを含む合金層等の適用可能である。中でも、Ag、Cuを含む焼結体は、他の接合層に比べて熱膨張係数を小さくでき電気伝導率も高く、かつ配線材料100のクラッド層112の表面との接合性も良好である。さらに、AgやCu粒子と共に、Al2O3、SiO2、SiN、AlN等の低熱膨張粒子を混ぜることで、焼結層の低熱膨張化が可能になる。また、接合層の厚さの薄い方が接合界面での低熱膨張化の効果が高い。具体的には、1~50umの厚さが望ましい。本発明の配線材料100を半導体素子の電極に接合することで、接合部の破損に大きな影響を及ぼす接合界面と同一面内にかかるせん断応力を低減することが可能になる。特に、半導体素子の動作温度が175°C~300°Cに達する場合、応力の低減効果が大きい。また、本発明の配線材料100は、Alに比べて低熱膨張かつ高導電であるのに加え、高熱伝導でもある。従って、利用方法としては、配線材料に限らず、放熱ベース基板としても利用してもよい。本発明の配線材料は、家電、自動車、風力太陽光発電、鉄道、産業機器向け電力変換システムに用いる電力変換器用半導体素子や、LED等の発熱を伴う光半導体素子を駆動するための半導体モジュールで使用する配線材料または放熱ベース基板として用いることができる。実施形態1本実施形態では、図1に示す配線材料の構成および作製方法について説明する。図1aに示すように、配線材料100は、導電性のコア材101の両面に、導電性の薄板102とコア材よりも低熱膨張な繊維103を直交配列した繊維層を順次積層させて作成した。コア材101として10mm×50mm×厚さ025mm、純度9995の無酸素銅を、導電性の薄板102として10mm×50mm×厚さ005mm、純度9995の無酸素銅を使用した。繊維103として、直径002mmのピッチ系炭素繊維を使用した。繊維103を、前記コア材101の短辺方向に74本、長辺方向に382本を、10mm×50mmの範囲に収まるように等間隔、かつ直交配列させることで繊維層を形成した。図示しないが、繊維103の表面にはCuのメタライズ処理を施した。薄板102、繊維層、薄板102、繊維層、コア材101、繊維層、薄板102、繊維層、薄板102の順に積層した積層体を形成した。該積層体を窒素と水素による還元雰囲気中に荷重30×106Paを負荷し、温度1000°Cで、20分間ホットプレス法で圧着した。結果として、図1bに示すような配線材料100が得られる。配線材料100は、025mm厚さのコア層111の両面に、厚さ0125mmのクラッド層112で構成されている。クラッド層112をコア層111の両面に同時に形成したことで、配線材料100の反りは生じなかった。クラッド層112内を占める炭素繊維103の体積率は約20、配線材料100内を占める炭素繊維103の体積率は約10になった。また配線材料100の電気導電率を測定したところ長辺方向に対して約50×106/mΩであった。比較のため、10mm×50mm×05mmのAl板の導電率を測定したところ、36×106/mΩであったことからAlよりも高導電率な配線材料が得られた。また、得られた配線材料の表面はCuであることから、接合材との接合性の向上または、腐食防止を目的としてめっき等の表面処理も容易になった。なお、クラッド層の熱膨張係数については、後述する実施形態2で示すように、繊維103の本数や繊維103の材料を変えることによって、変化させることが可能である。本実施例の場合は、クラッド層の熱膨張係数は55~7×106/Kとなる。なお熱膨張係数については、実施形態2で述べるが、適切な熱膨張率になるようにクラッド層の繊維体積率を変化させても良い。本実施形態のように、繊維層及び薄板102を用い、かつ当該繊維層及び薄板102を複数枚有する構造にすることによって、クラッド層112の熱膨張係数を実効的に低減し、かつ高導電率化することが可能となる。実施形態2本実施形態では、実施形態1で説明したような配線材料において、コア材101とクラッド層112の積層方向に対して垂直方向の熱膨張係数を評価するための材料構成、製造方法、評価結果を説明する。本実施形態では、コア材101の片面にのみクラッド層112を形成した配線材料を試作した。表1は、熱膨張係数を評価するための配線材料A~Eの構成を示している。配線材料は、導電性のコア材101の片面に、導電性の薄板102と、薄板102よりも低熱膨張な繊維103を直交配列した繊維層を順次積層させて構成した。コア材101および導電性の薄板102として純度9995の無酸素銅を使用した。繊維103として、直径002mmのピッチ系炭素繊維を使用した。繊維103を、表1に記載の本数を、10mm×50mmの範囲に収まるように等間隔、かつ直交配列させることで繊維層を形成した。繊維103の表面にはCuのメタライズ処理を施した。薄板102、繊維層、薄板102、繊維層、コア材101の順に積層した積層体を形成した。該積層体を窒素と水素による還元雰囲気中に荷重30×106Paを負荷し、温度1000°Cで、20分間ホットプレス法で圧着させた。結果として、表1中に示す大きさ、繊維体積率の各種配線材料A~Eが得られた。得られた配線材料で、コア層とクラッド層の積層方向に対して垂直方向の熱膨張係数、電気導電率を測定した。測定温度範囲は50°C~250°Cとした。熱膨張係数、電気伝導率の測定結果を表2に示す。比較のため、コア材101および導電性の薄板102として使用した無酸素銅材を10mm×50mm×02mmに加工して熱膨張係数を測定したところ、約17×106/Kであったことから、コア材とクラッド層の積層方向に対して垂直方向の熱膨張係数がコア材よりも小さい配線材料が得られた。また、サンプルA~Dでは、Al板の導電率36×106/mΩよりも高導電率であった。以上の結果から、クラッド層内での繊維の体積率を10~30となるように繊維の直径、本数、導電性薄板の厚さを調整することで、コア層とクラッド層の積層方向に対して垂直方向の熱膨張係数10×106/Kが以下、電気導電率が40×106/mΩ以上となる配線材料を作製できることがわかった。実施形態3本実施形態で、実施形態1とは異なる点について説明する。実施形態1と異なる点は、本実施形態のクラッド層152では、コア層111に近い部分ほど、熱膨張係数が高くなる、言い換えるとクラッド層152の熱膨張係数が、コア層111から離れるにつれて小さくなるような構成となっている点である。図8a、及びbは、本発明の実施形態3の配線材料の構成、及び作成方法を示すものである。配線材料150は、導電性のコア材101の両面に、導電性の薄板102とコア材よりも低熱膨張な繊維103を直交配列した繊維層を順次積層させて構成した。コア材101として10mm×50mm×厚さ06mm、純度9995の無酸素銅を、導電性の薄板102として10mm×50mm×厚さ004mm、純度9995の無酸素銅を使用した。繊維103として、直径004mmのアクリル系炭素繊維を使用した。図8aは、繊維103で構成する繊維層をクラッド層内に4層設け、各層における繊維103の本数を変えて、繊維密度を厚さ方向に変化させた様子を示すものである。なお、図8a及びbでは4層構造ではなく、2層構造に簡略化されて描かれているが、各繊維層で繊維103の本数を変化させるという点は4層構造のものと共通である点に留意する。コア材101に最も近い、1層目の繊維層における繊維103の配列本数はコア材101の短辺方向に8本、長辺方向に45本とし、10mm×50mmの範囲に収まるように等間隔、かつ直交配列させることで繊維層を形成した。次に積層する2層目の繊維層では繊維103の配列本数が短辺方向に13本、長辺方向に68本、3層目の繊維層では繊維103の配列本数が短辺方向に17本、長辺方向に91本、4層目の繊維層では繊維103の配列本数が短辺方向に21本、長辺方向に114本、10mm×50mmの範囲に収まるように等間隔、かつ直交配列した。また、繊維103の表面には化学気層成長法CVD法でSiCコートを施した。薄板102、繊維層4層目、薄板102、繊維層3層目、薄板102、繊維層2層目、薄板102、繊維層1層目、コア材101、繊維層1層目、薄板102、繊維層2層目、薄板102、繊維層3層目、薄板102、繊維層4層目、薄板102の順に積層した積層体を形成した。該積層体を窒素と水素による還元雰囲気中に荷重30×106Paを負荷し、温度1000°Cで、20分間ホットプレス法で圧着させた。結果として、配線材料100は、06mm厚さのコア層111の両面に、厚さ02mmのクラッド層152で構成された。このとき、クラッド層152内を占める炭素繊維103の体積率は約20、配線材料150内を占める炭素繊維103の体積率は約8になった。また配線材料150の電気導電率を測定したところ長辺方向に対して約54×106/mΩであった。比較のため、10mm×50mm×1mmのAlの導電率を測定したところ、36×106/mΩであったことからAlよりも高導電率な配線材料が得られた。また、得られた配線材料の表面はCuであることから、接合材との接合性の向上または、腐食防止を目的としてめっき等の表面処理も容易になった。また、クラッド層152の熱膨張係数は、1×106~10×106/Kの範囲内の値になっている。本実施形態では繊維103の体積率がコア層111から離れるにつれて大きくなることによって、コア層111の近傍における導電率は高く保ちつつ、クラッド層152の熱膨張係数を低減することができる。さらに、コア層111から離れた部分におけるクラッド層152では、繊維103の体積率を大きくすることによって半導体素子等と接続される近傍で熱膨張係数を下げることができるので、繊維103を使用する量を最小限に抑えつつも、半導体素子との接合界面での歪みを小さくすることができる。以上のように、本実施形態では、実施形態1と比較して繊維103を少なくしつつも、低熱膨張率かつ高導電率な配線材料150を提供することが可能となる。実施形態4本実施形態では、図2a及びbに示す配線材料120の構成および作製方法について説明する。図2aに示すように、配線材料120は、導電性のコア材101の両面に、導電性の薄板102とコア材よりも低熱膨張な繊維103を配列した繊維層を順次積層させて構成した。コア材101として10mm×50mm×厚さ025mm、純度9995の無酸素銅を、導電性の薄板102として10mm×50mm×厚さ01mm、純度9995の無酸素銅を使用した。繊維103として、直径004mmのピッチ系炭素繊維を使用した。繊維103を、前記コア材101の短辺方向に14本、長辺方向に81本を、10mm×50mmの範囲に収まるように等間隔、かつ直交配列させることで繊維層を形成した。さらに、図示しないが、繊維103の表面にはCuのメタライズ処理を施した。薄板102、繊維層、繊維層、コア材101、繊維層、繊維層、薄板102の順に積層した積層体を形成した。該積層体を窒素と水素による還元雰囲気中に荷重30×106Paを負荷し、温度1000°Cで、20分間ホットプレス法で圧着させた。結果として、図2bに示すような配線材料120が得られた。配線材料120は、025mm厚さのコア層111の両面に、厚さ011mmのクラッド層122で構成された。このとき、クラッド層122内を占める炭素繊維103の体積率は約10、配線材料120内を占める炭素繊維の体積率は約5になった。また配線材料120の電気導電率を測定したところ長辺方向に対して約56×106/mΩであった。また、クラッド層122の熱膨張係数は、1×106~10×106/Kの範囲内の値になっている。さらに、得られた配線材料の表面はCuであることから、接合材との接合性の向上または、腐食防止を目的としてめっき等の表面処理も容易になった。以上のように、本実施形態では、網目状の繊維層ではなく、単純な1本の繊維を使用した場合であっても、網目状の繊維層を使用した場合と同様の効果を得ることができる。実施形態5本実施形態では、図3a、b、c、及びdが示す配線材料130の構成および作製方法について説明する。配線材料130には、コア材101として10mm×50mm×厚さ025mm、純度9995の無酸素銅を使用した。繊維103として、直径002mmのピッチ系炭素繊維を使用した。繊維103を、前記コア材101の短辺方向に43本、長辺方向に225本を、10mm×50mmの範囲に収まるように等間隔、かつ直交配列させることで繊維層を形成した様子を図3aに示す。図示しないが、繊維103の表面にはCuのメタライズ処理を施した。また、図3bに示すように、クラッド層132の形成およびコア材と101と繊維層を密着させるために、平均粒径005mm以下の酸化銅粒子をトルエンに分散させたペースト材を、繊維層を埋めるように塗布した。本実施形態では、図3cに示すように、繊維層を2層積層していることからペースト塗布を2回行った。コア材101の片面に、繊維層、ペースト層104、繊維層、ペースト層104の順に積層した積層体を、温度350°Cで5分間、水素雰囲気中で加熱した。加熱の際、ペースト層104上にSiNの平板を当て、1×106Paで加圧した。加熱、加圧が終了後、SiNの平板を外すことで、図3dに示す配線材料130が得られた。配線材料130は、025mm厚さのコア層111の片面に、厚さ01mmのクラッド層132で構成された。このとき、クラッド層132内を占める炭素繊維103の体積率は約15、配線材料130内を占める炭素繊維103の体積率は約4になった。また配線材料130の電気導電率を測定したところ長辺方向に対して約53×106/mΩであった。さらに、クラッド層132の熱膨張係数は、1×106~10×106/Kの範囲内の値になっている。本実施形態のようにペースト材を用いても、実施形態1と同様に低熱膨張率かつ高伝導率な配線材料130を提供することができる。実施形態6本実施形態では、図4a、b、c、及びdに示す配線材料140の構成および作製方法について説明する。はじめにクラッド層143を作製するために、直径001mm、長さ1~15mmのアクリル系炭素繊維105と、粒径002mm以下の銅粉106の混合粉を作製した。繊維105の表面には化学気層成長法CVD法でSiCコートを施した。繊維105と銅粉106の体積比を02:08とした。混合粉106を50mm×10mm×015mmの型141に配置してプリフォームを形成し、窒素と水素による還元雰囲気中に荷重50×106Paを負荷し、温度1000°Cで、15分間ホットプレス法で焼成した。焼成後、50mm×10mm×015mmのシート材142が得られた。シート材142でのアクリル系炭素繊維105の長さ方向は、シート材142の面内方向とほぼ一致し、かつ特定の方向に揃って配向していない。また、シート材142を占めるアクリル系炭素繊維105の体積率は約20である。次に、得られたシート材142を、コア材101の両面に密着させて配線材料を作製した。コア材101として10mm×50mm×厚さ025mm、純度9995の無酸素銅を使用した。シート材142、コア材101、シート材142の順に積層した積層体を、窒素と水素による還元雰囲気中に荷重30×106Paを負荷し、温度1000°Cで、20分間ホットプレス法で圧着させることで、配線材料140が得られた。配線材料140は、05mm厚さのコア層111の両面に、厚さ02mmのクラッド層142で構成された。このとき、クラッド層143内を占めるアクリル系炭素繊維105の体積率は約16、配線材料140内を占める炭素繊維103の体積率は約4になった。得られた配線材料140の電気導電率を測定したところ長辺方向に対して約57×106/mΩであった。また、クラッド層143の熱膨張係数は、1×106~10×106/Kの範囲内の値になっている。本実施形態によって、実施形態1のように繊維103を所定の方向に揃える必要が無くなり、より簡便にクラッド層142を作成することが可能になる。さらに、実施形態1で述べたような直交配列した繊維103を使用する必要がなくなるため、実施形態1よりも低コストな配線材料を提供することが可能となる。実施形態7本実施形態では、実施形態1で作製した配線材料を配線として利用した半導体モジュール200の構成を説明する。図5a、及びbは、本実施形態に関わる半導体モジュール200の構成を説明する図である。図5aは、配線201を搭載した半導体モジュール200の断面図である。放熱ベース基板207上に、セラミックス基板206の両面に回路として機能する金属層204、205を張り付けた絶縁回路基板が、接合層212を介して接合されている。セラミックス基板206表面の金属層204上には、接合層211を介してスイッチング素子IBGT202とダイオード203の電極面が接合されている。さらに、IGBT202における回路基板と接する面とは反対の電極面には、IGBT202のスイッチング動作を制御するゲート端子が設けられており、ゲート端子と回路基板上の制御回路部とをワイヤ213で接続している。また、IGBT202、ダイオード203、そして絶縁回路基板の1部と、配線材料で構成した配線201で接続した。配線201は、各半導体素子および絶縁回路基板と接合層211を介して接続した。各部材の大きさ、材質は以下の通りである。放熱ベース基板207は、100mm×100mm×5mmのアルミシリコンカーバイドAl-SiC板、であり、絶縁回路基板は、50mm×50mm×0635mmのAlN板の片面に、50mm×50mm×02mmのCu箔を、もう一方の面に最外形48mm×48mm×03mmの回路パターンを加工したCu箔をそれぞれ張り付けた基板である。放熱ベース基板207とセラミックス基板206は、50mm×50mm×02mm、のSnCu系のシートはんだである接合層212で接合される。IGBT、ダイオードは、14mm×14mm×04mm、Si半導体素子。ワイヤ213は、直径04mmのAlワイヤ。接合層211は、厚さ002mmの焼結銀層。配線201は、実施形態1で作製した配線材料の一部を湾曲したものである。作製方法を以下に説明する。金属層204、205及びセラミックス基板206から構成される絶縁回路基板上におけるIGBT202、ダイオード203それぞれの素子を、2個ずつを接合する位置に、接合材を塗布した。また、配線201に対しては、素子、回路基板それぞれを接合する位置に、接合材を塗布した。ここで、接合材には、平均粒径01mm以下の酸化銀粒子をトルエンに分散させたペースト材を用いた。さらに図5bに示すように、絶縁回路基板、IGBT202及びダイオード203、配線201の順に、接合材の塗布位置と素子の位置を合せて搭載した。そして、大気雰囲気中で、250°Cで5分間、荷重02×106Pa/1素子で加熱加圧し、絶縁回路基板/素子/配線の接合体を作製した。また、IGBT202のゲート端子と回路基板上の制御回路部をAlワイヤを用いて超音波接合法で接合した。得られた接合体を、シートはんだ212を介してベース基板207上に配置し、水素雰囲気中で、300°Cで5分間加熱することで、半導体モジュール200が得られた。作製した半導体モジュール200を温度サイクル試験-45°C~150°C、2000サイクル、投入試料数5個に投入した。IGBT202と配線201間、及びダイオード203と配線201間の接合界面を電子顕微鏡SEMで断面観察したところ、接合界面、接合層共にクラックは観察されなかった。また、電気特性、伝熱特性にも、試験投入前からの変化が観察されなかった。比較のため、配線201を厚さ05mmのCuに置き換えた半導体モジュール200を作製し温度サイクル試験に投入したところ、配線201と接合層211との界面近傍で、素子端部から2~5mmの長さのクラックが観察され、電気特性、伝熱特性も試験投入前に比べて劣化した。以上の結果から、本実施形態の配線材料を利用することで、半導体素子との接合部にかかる応力を低減でき、半導体モジュールの高信頼化が可能になった。実施形態8本実施形態では、実施形態7で作製した半導体モジュールにおいて、ベース基板207と絶縁回路基板の金属層204、205を本発明の配線材料201に置き換えた半導体モジュール220の構成を説明する。他の部材、および作製方法は実施形態7と同じであることから、異なる点を説明する。図9は、本実施形態にかかる半導体モジュール220を示すものである。ベース基板207は、実施形態7に記載の配線材料と同様の方法で作製した。厚さ3mmのコア材の両面に、厚さ1mmのクラッド層を形成した。クラッド層は、直径001mm、長さ1~15mmのアクリル系炭素繊維と銅粉の混合粉を焼結させた厚さ02mmのシート材を5枚積層して形成した。クラッド層内での繊維の平均体積率を約15とした。絶縁回路基板の金属層204、205は、厚さ025mmのコア材の両面に、厚さ0125mmのクラッド層を形成した。クラッド層内には、直径002mmのアクリル系炭素繊維を直交する2方向に配列させており、その体積率はクラッド層内で約10とした。金属層204は、予め回路パターン形状に加工した配線材料を張り付けた。接合層211、212は、酸化銅粒子とAl2O3粒子を混ぜたペースト材を塗布、焼結させることで形成した。接合層211の厚さは005mm、接合層212の厚さは01mmとなるように塗布量および加圧を調整した。作製した半導体モジュール220を温度サイクル試験-45°C~150°C、2000サイクル、投入試料数5個に投入した。IGBT202と配線201間、ダイオード203と配線201間の接合界面、IGBT202と絶縁回路基板の接合界面、ダイオード203と絶縁回路基板の接合界面、絶縁回路基板とベース基板207の接合界面それぞれを電子顕微鏡SEMで断面観察したところ、接合界面、接合層共にクラックは観察されなかった。また、電気特性、伝熱特性にも変化が観察されなかった。以上の結果から、本実施形態の配線材料を回路配線材料と放熱ベース基板として利用することで、各部材の接合部にかかる応力を低減でき、半導体モジュールの高信頼化が可能になった。なお、本実施例の配線材料を放熱ベース基板として利用する場合、Cuをコア層とクラッド層に使用していることから、従来の低熱膨張材料であるAl-SiCに比べて熱伝導率が高くかつ、従来の高熱伝導であるCuに比べて接合界面でのせん断応力を低減できる利点がある。実施形態9本実施形態では、実施形態5と同様に、作製した配線材料を半導体モジュール300に適用した構成について説明する。図6a、及びbは、本実施形態に関わる半導体モジュール300の構成を説明する図である。図6aは、実施形態5に記載された配線材料を配線として有するリード304を搭載した半導体モジュールの断面図である。IGBT302とダイオード303の両面に、接合層311を介してリード304を接合した。また、IGBT302のゲート端子と、外部の制御回路とを接続する端子306とをワイヤ313で接続した。さらに、各リード304、素子電極間を絶縁するために樹脂307による封止を行った。IGBT302とダイオード303は13mm×13mm×01mmのSi半導体素子、ワイヤ313は直径03mmのAl製、絶縁樹脂307はエポキシ系樹脂を利用した。接合層311は、厚さ003mmの焼結銀層である。リード304の作製方法を以下に説明する。最厚部324が15mm、最薄部314が1mmの無酸素銅を適用した。最厚部324で素子302と303を挟みこんで接合する。そこで、最厚部324の表面に、厚さ01mmのクラッド層を設けた。クラッド層の構造および作製方法は例えば実施形態5と同じであることから説明を省略する。作製したリード304のクラッド層112内を占める炭素繊維103の体積率は約15になった。半導体モジュール300の作製方法を以下に説明する。リード304上で、IGBT302とダイオード303を接合する領域に、平均粒径01mm以下の酸化銀粒子をトルエンに分散させたペースト材を塗布した。図6bに示すように、ペースト材を塗布したリード304を、IGBT302とダイオード303の両面に配置し、大気雰囲気中で、250°Cで5分間、荷重05×106Pa/1素子で加熱加圧し、接合体を作製した。また、IGBT302のゲート端子と外部の制御回路とを接続する端子306とを、超音波接合法を用いてワイヤ313で接続した。そして、トランスファーモールド法で樹脂307による封止を行うことで、半導体モジュール300が得られた。作製した半導体モジュール200を温度サイクル試験-45°C~150°C、2000サイクル、投入試料数5個に投入した。IGBT302とリード304間の接合界面、ダイオード303とリード304間の接合界面を電子顕微鏡SEMで断面観察したところ、接合界面、接合層共にクラックは観察されなかった。また、電気特性、伝熱特性にも、試験投入前からの変化が観察されなかった。以上の結果から、クラッド層を半導体素子と接合する領域に形成したリードとして利用することで、各半導体素子との接合部にかかる応力を低減でき、半導体モジュールの高信頼化が可能になった。実施形態10本実施形態では、実施形態5と同様に作製する配線材料を放熱ベースとして利用したLEDモジュールの構成を説明する。図7a、及びbは、本実施形態に関わるLEDモジュール400の構成説明図である。図7aは、実施形態5等に記載された配線材料を用いたLEDモジュール400の断面図を示すものである。LED素子402を搭載した絶縁回路基板の外周部に樹脂製の反射板420を成形し、さらにLED素子402の周囲は透明樹脂で封止した。絶縁回路基板として、放熱と絶縁を兼ねたAl2O3基板407の表面に、厚さ02mmの銅製配線404、406を形成した。さらに、配線404とLED素子402を接合する面には、厚さ01mmのクラッド層405を形成している。クラッド層405は、実施形態5と同様の形成方法で作製した。直交する2方向に配列した炭素繊維層2層に銅粒子を含むペーストを塗布、焼結した。クラッド層を占める炭素繊維の体積率は約10となるように配置した。図7bは、LEDモジュール400の斜視図である。クラッド層配線404上に、LED素子402の1電極面を、接合層411を介して接合した。また、LED素子402のもう一方に設けた電極端子は、配線406とAlワイヤ413で接続した。接合層411は厚さ002mmの焼結銀層である。作製したLEDモジュール400を温度サイクル試験-45°C~85°C、2000サイクル、投入試料数10個に投入した。LED素子402と回路配線404間の接合界面を電子顕微鏡SEMで断面観察したところ、接合界面、接合層共にクラックは観察されなかった。また、絶縁回路基板の伝熱特性、LEDの発光量も試験投入前からの変化が観察されなかった。したがって、低熱膨張率かつ、高伝導率で、信頼性の高いLEDモジュール400を提供することが可能となる。