電流を制御する装置500であって、制御回路901と、該制御回路901と連絡しており、該制御回路901に応答して前記電流の遮断を促進する微小電気機械システムMEMSスイッチ511と、該MEMSスイッチ511と電気的に連絡して配設されており、該MEMSスイッチ511が閉状態から開状態へ状態を変化させることに応答して前記MEMSスイッチ511からの電気エネルギの転移を受け取るように構成されているハイブリッド無電弧制限技術HALT電弧抑制回路508であって、容量部分521を含んでいるHALT電弧抑制回路508と、該HALT電弧抑制回路508の前記容量部分521と並列に電気的に連絡して構成されている可変抵抗534とを備えた装置500。前記制御回路901は所定のトリップ事象のパラメータに合致した前記電流に応答して前記MEMSスイッチ511を開く、請求項1に記載の装置。前記所定のトリップ事象の前記パラメータは障害事象を含んでいる、請求項2に記載の装置。前記MEMSスイッチ511は、前記制御回路と信号連絡しており前記所定のトリップ事象に続いて前記MEMSスイッチ511を開くように構成されている単一のゲート接点を含んでいる、請求項2に記載の装置。前記制御回路901と信号連絡しており、前記所定のトリップ事象の指標を与えるように構成されている検出回路902をさらに含んでいる請求項2に記載の装置。前記MEMSスイッチ511は負荷512と信号連絡するように構成されている、請求項2に記載の装置。前記負荷512はモータ又は誘導負荷である、請求項6に記載の装置。前記MEMSスイッチ511と並列接続している電圧スナバ回路505をさらに含んでいる請求項1に記載の装置。前記MEMSスイッチ511の状態変化を交流電流及び絶対ゼロ電圧基準に対する交流電圧の少なくとも一方のゼロ交差の発生に同期させるように構成されている検出回路902をさらに含んでいる請求項1に記載の装置。前記MEMSスイッチ511は、単一の電流路に対応する複数のMEMSスイッチの一つであり、該複数のMEMSスイッチの各々のMEMSスイッチが、前記制御回路901に応答して前記単一の電流路を流れる電流の遮断を促進する、請求項1に記載の装置。前記複数のMEMSスイッチは並列に構成されている、請求項10に記載の装置。前記複数のMEMSスイッチは直列に構成されている、請求項10に記載の装置。前記可変抵抗534は可変抵抗器533~534の列である、請求項1に記載の装置。前記可変抵抗器の各々は酸化金属バリスタMOVである、請求項13に記載の装置。前記可変抵抗器の各々が前記HALT電弧抑制回路508の前記容量部分521と並列に電気的に連絡して構成されている、請求項13に記載の装置。前記HALT抑制回路508の前記容量部分521はキャパシタを含んでおり、前記可変抵抗器の各々が前記キャパシタと並列に電気的に連絡して構成されている、請求項13に記載の装置。前記可変抵抗534は、前記受け取ったエネルギを、前記HALT電弧抑制回路508のDC直流電圧ピークに基づいて発散するように構成されている、請求項13に記載の装置。前記可変抵抗534は、前記受け取ったエネルギを、前記HALT電弧抑制回路508のDC電圧ピークに基づいて発散するように構成されている、請求項1に記載の装置。本発明の実施形態の例は、微小電気機械システムMEMS方式のモータスタータ及び電流遮断装置について障害状態での効率のよいエネルギ吸収を提供しつつ装置の複雑さ、費用、及び寸法を著しく縮小する新規技術を提示する。MEMSスイッチの利用によって高速の応答時間を提供し、これにより遮断障害の通過letthroughエネルギの低下を促進する。MEMSスイッチに並列接続されたハイブリッド無電弧制限技術HALT回路がMEMSスイッチに対し、電流又は電圧を問わず任意の所与の時刻に電弧発生なしに開く能力を与え、新規の構成として酸化金属バリスタMOVを含めることにより障害状態での相対的に効率のよいエネルギ吸収を提供する。図1は、実施形態の一例による例示的な無電弧微小電気機械システムスイッチMEMS方式のスイッチングシステム100を示す。現状で、MEMSは、例えば作用の異なる多数の素子、例えば機械素子、電気機械素子、センサ、アクチュエータ、及び電子回路を、微細加工技術を通じて共通の基材に一体化し得るミクロン規模の構造を広く指す。但し、MEMSデバイスにおいて現状で利用可能な多くの手法及び構造は、比較的短期間で、ナノ技術に基づく装置例えば寸法が100ナノメートル未満であり得る構造を介して利用可能になるものと思量される。従って、本書を通じて記載される実施形態の例がMEMS方式スイッチングデバイスを参照している場合でも、本発明の新規の観点は広く解釈されるべきであり、ミクロン寸法の装置に限定されないものとする。例えば、幾つかの実施形態の例によれば、MEMSスイッチングデバイスは、片持ち梁構造を含み得る。片持ち梁構造はゲート制御電圧を介して静電的に動作させられる。電流は片持ち梁を通ってドレイン端子からソース端子まで流れる。MEMSスイッチングデバイスは一般的には、機械的移動部品が設けられていること及び寸法が小型であることによってトランジスタ及び他のスイッチとは区別される。他の複数の形式のMEMSスイッチが実施形態の例に適用可能であり、例えば適当な装置として、十分に小型であるため接点電弧発生例えば典型的な継電器/電気機械的スイッチでは見受けられるようなものを介してエネルギを発散することができないような接点/スイッチ等が挙げられる。また、これらのMEMSデバイスは、1構造の寸法尺度梁の長さ/幅が50μm~100μmであり接点ギャップが1μm程度であること、及び2静電式で制御されることすなわち電磁式制御に対立するによって小型の機械的スイッチと区別される。図1に示すように、無電弧MEMS方式スイッチングシステム100は、MEMS方式スイッチング回路101及び電弧抑制回路102を含むものとして示されており、電弧抑制回路102はパルス支援式オン切り換えPATO回路及びハイブリッド無電弧制限技術HALT回路から成っているか又はこれらの回路を含んでいてよく、回路102はMEMS方式スイッチング回路101に結合されて動作する。幾つかの実施形態では、MEMS方式スイッチング回路101は全体として、電弧抑制回路102と共に例えば単一のパッケージとして一体化され得る。他の実施形態では、MEMS方式スイッチング回路101の幾つかの部分又は構成要素のみが電弧抑制回路102と共に一体化されていてもよい。MEMS方式スイッチング回路101は、1又は複数のMEMSスイッチ111を含み得る。加えて、電弧抑制回路102は、平衡ダイオードブリッジ103及びパルス回路104を含み得る。さらに、電弧抑制回路102は、MEMSスイッチが閉状態から開状態へ状態を変化させるのに応答してMEMSスイッチからの電気エネルギの転移を受け取ることにより1又は複数のMEMSスイッチ111の接点の間での電弧形成の抑制を促進するように構成され得る。尚、電弧抑制回路102は、交流電流AC113又は直流電流DC。但し分かり易くするために図示しないに応答して電弧形成の抑制を促進するように構成され得ることが特記され得る。図示の実施形態の例では、MEMSスイッチ111は二つの接点を有する単純なスイッチであるものとして図示されているが、MEMSスイッチ111は少なくとも三つの接点を含むスイッチであることを理解されたい。例えば、図示しないが、MEMSスイッチ111は、ドレインとして構成されている第一の接点、ソースとして構成されている第二の接点、及びゲートとして構成されている第三の接点を含み得る。さらにまた、図1に示すように、電圧スナバsnubber回路105がMEMSスイッチ111と並列結合されて、高速の接点分離時の電圧オーバシュートを制限するように構成され得る。このことについて以下で詳述する。幾つかの実施形態の例では、スナバ回路105は、スナバ抵抗器115に直列結合されているスナバキャパシタ114を含み得る。スナバキャパシタ114は、MEMSスイッチ111の一連の開動作時の過渡電圧分配の改善を促進し得る。さらにまた、スナバ抵抗器115は、MEMSスイッチ111の閉動作時にスナバキャパシタ114によって発生されるあらゆる電流のパルスを抑制し得る。他の幾つかの実施形態の例では、電圧スナバ回路114は、酸化金属バリスタMOV図1には示されていない。図5の参照番号516を参照されたいを含み得る。本発明の手法のさらに他の観点によれば、負荷112が、MEMSスイッチ111及び電圧源113と直列結合され得る。加えて、負荷112はまた、負荷インダクタンス及び負荷抵抗を含むことができ、この場合には負荷インダクタンスはMEMSスイッチ111から見て負荷インダクタンスとバスインダクタンスとの合計に相当する。参照番号106が負荷112及びMEMSスイッチ111を流れ得る負荷電流を表わす。さらに、図1に関して記載されるように、電弧抑制回路102は平衡ダイオードブリッジ103を含み得る。図示の実施形態の例では、平衡ダイオードブリッジ103は第一の枝131と第二の枝132とを有するものとして図示されている。本書で用いられる平衡ダイオードブリッジとの用語は、第一及び第二の枝131及び132に跨がる電圧降下が両方とも実質的に等しくなるように構成されているダイオードブリッジを表わすのに用いられている。平衡ダイオードブリッジ103の第一の枝131は、第一のダイオードD1128と第二のダイオードD3127とを含むことができ、これらのダイオードは共に結合されて第一の直列回路を形成する。類似の態様で、平衡ダイオードブリッジ103の第二の枝132は、第三のダイオードD2130と第四のダイオードD4129とを含むことができ、これらのダイオードは共に結合されて動作して第二の直列回路を形成する。一実施形態では、MEMSスイッチ111は、平衡ダイオードブリッジ103の中間点に跨がって並列結合され得る。平衡ダイオードブリッジの中間点は、第一及び第二のダイオード128、127の間に位置する第一の中間点と、第三及び第四のダイオード130、129の間に位置する第二の中間点とを含み得る。さらにまた、MEMSスイッチ111及び平衡ダイオードブリッジ103は、当該平衡ダイオードブリッジ103、特にMEMSスイッチ111への接続に起因する寄生インダクタンスの最小化を促進するように緊密にパッケージ化され得る。尚、本発明の手法の例示的な観点によれば、MEMSスイッチ111及び平衡ダイオードブリッジ103は、これら第一のMEMSスイッチ111と平衡ダイオードブリッジ103との間の固有インダクタンスが、MEMSスイッチ111のオフへの切り換え時にダイオードブリッジ103への負荷電流の転移を伝達しているときにMEMSスイッチ111のドレイン及びソースに跨がる電圧の数未満のdi/dt電圧を発生するように、互いに対して配置されていることが特記され得る。このことについて以下で詳述する。一実施形態では、MEMSスイッチ111は平衡ダイオードブリッジ103と共に、これらMEMSスイッチ111及びダイオードブリッジ103を相互接続するインダクタンスを最小化する目的で、単一のパッケージとして又は選択随意で同じダイとして一体化され得る。加えて、電弧抑制回路102は、平衡ダイオードブリッジ103と並列に電気的に連絡して結合されているパルス回路104を含み得る。パルス回路104は、切り換え条件を検出して、該切り換え条件に応答してMEMSスイッチ111の開放を開始するように構成され得る。ここで用いられる切り換え条件との用語は、MEMSスイッチ111の現在の動作状態を変化させるきっかけとなる条件を指す。例えば、切り換え条件は、MEMSスイッチ111の第一の閉状態を第二の開状態へ変化させ、又はMEMSスイッチ111の第一の開状態を第二の閉状態へ変化させることを帰結し得る。切り換え条件は、限定しないが回路障害又はオンオフ切り換え要求を含めた多数の動作に応答して生じ得る。パルス回路104は、パルススイッチ124と、該パルススイッチ124に直列結合されているパルスキャパシタ123とを含み得る。さらに、パルス回路はまた、パルススイッチ124に直列結合されているパルスインダクタンス126と第一のダイオード125とを含み得る。パルスインダクタンス126、ダイオード125、パルススイッチ124及びパルスキャパシタ123は直列結合されてパルス回路104を形成することができ、この回路104では前記各構成要素はパルス電流の成形及びタイミング制御を促進するように構成され得る。加えて、電弧抑制回路102は、ハイブリッド無電弧制限技術HALT特定回路108を含み得る。回路108は、HALTキャパシタンス121すなわち容量部分又はキャパシタと、HALTスイッチ122とを含み得る。HALTキャパシタンス121及びHALTスイッチ122は直列結合されてHALT特定回路108を形成することができる。図1はHALT特定回路108と直列のパルスインダクタンス126を示しているが、実施形態の例はこのように限定されないことを特記する。例えば、別個のHALTインダクタンスがHALTキャパシタンス121及びスイッチ122と直列結合しており、HALT特定回路108全体がさらにパルスインダクタンス126及びパルスキャパシタンス123に跨がって並列結合されていてもよい。本発明の観点によれば、MEMSスイッチ111は、近ゼロ電圧であるが電流を流しつつ第一の閉状態から第二の開状態へ高速に切り換えられ得る例えばピコ秒又はナノ秒程度。このことは、負荷回路112と、MEMSスイッチ111の接点に跨がって並列結合されている平衡ダイオードブリッジ103を含むパルス回路102との動作の組み合わせを通して達成され得る。さらに詳細に図示されているように、システム100は、MEMS方式スイッチング回路101と並列に電気的に連絡して結合されている複数の可変抵抗器133、134を含む可変抵抗列を含み得る。可変抵抗器133、134は、限定しないが酸化金属バリスタMOVを含む任意の適当な可変抵抗器であってよい。可変抵抗器133、134は、障害の発生時にMEMS方式スイッチング回路101から直接転移される電気エネルギを吸収するような定格を有して構成され得る。例えば、障害状態でのMEMS方式のスイッチングシステム200を図2に示す。図示のように、システム200はシステム100と実質的に同様である。従って、簡潔にするために各々の構成要素の構成及び動作についての網羅的記載はここでは省く。図示のように、システム200は障害状態にあって、障害電流201が可変抵抗器133~134に転移されて障害電流203がMEMSスイッチ111の接点を横断して流れる。この障害に応答して、HALT特定回路108はHALTスイッチ122の起動を通して初期化されて、障害の解消及びHALT電流204の開始を支援することができる。このことを図3に示す。図示のように、図3のシステム300は、システム100に実質的に同様である。従って、簡潔にするために各々の構成要素の構成及び動作についての網羅的記載はここでは省く。上述のように、HALTスイッチ122が起動されており、これにより電流301~303によって示すように電気エネルギをMEMS方式スイッチング回路101からHALT特定回路108へ転移している。電気エネルギの転移が起こると、MEMSスイッチ111を開くことにより障害が解消され、このことを図4に示す。図示のように、図4のシステム400はシステム100と実質的に同様である。従って、簡潔にするために各々の構成要素の構成及び動作についての網羅的記載はここでは省く。上述のように、MEMSスイッチ111が開き、これにより障害を解消して、スナバ回路105、及び電流401~402によって示すようにバリスタ133、134を通じて電気エネルギを吸収することを可能にする。ここで図5を参照すると、同図には代替的なMEMS方式のスイッチングシステム500が示されている。図5に示すように、無電弧MEMS方式のスイッチングシステム500は、MEMS方式スイッチング回路501及び電弧抑制回路502を含むものとして示されており、電弧抑制回路502はパルス支援式オン切り換えPATO回路及びハイブリッド無電弧制限技術HALT回路から成っているか又はこれらの回路を含んでいてよく、回路502はMEMS方式スイッチング回路501に結合されて動作する。システム100を参照して記載されているように、幾つかの実施形態では、MEMS方式スイッチング回路501は全体として、電弧抑制回路502と共に例えば単一のパッケージとして一体化され得る。他の実施形態では、MEMS方式スイッチング回路501の幾つかの部分又は構成要素のみが電弧抑制回路502と共に一体化されていてもよい。MEMS方式スイッチング回路501は、1又は複数のMEMSスイッチ511を含み得る。加えて、電弧抑制回路502は、平衡ダイオードブリッジ503及びパルス回路504を含み得る。さらに、電弧抑制回路502は、MEMSスイッチが閉状態から開状態へ状態を変化させるのに応答してMEMSスイッチからの電気エネルギの転移を受け取ることにより1又は複数のMEMSスイッチ511の接点の間での電弧形成の抑制を促進するように構成され得る。尚、電弧抑制回路502は、交流電流AC513又は直流電流DC。但し分かり易くするために図示しないに応答して電弧形成の抑制を促進するように構成され得ることが特記され得る。図示の実施形態の例では、MEMSスイッチ511は二つの接点を有する単純なスイッチであるものとして図示されているが、MEMSスイッチ511は少なくとも三つの接点を含むスイッチであることを理解されたい。例えば、図示しないが、MEMSスイッチ511は、ドレインとして構成されている第一の接点、ソースとして構成されている第二の接点、及びゲートとして構成されている第三の接点を含み得る。さらにまた、図5に示すように、電圧スナバ回路505がMEMSスイッチ511と並列結合されて、高速の接点分離時の電圧オーバシュートを制限するように構成され得る。このことについて以下で詳述する。幾つかの実施形態の例では、スナバ回路505は、スナバ抵抗器515に直列結合されているスナバキャパシタ514を含み得る。スナバキャパシタ514は、MEMSスイッチ511の一連の開動作時の過渡電圧分配の改善を促進し得る。さらにまた、スナバ抵抗器515は、MEMSスイッチ151の閉動作時にスナバキャパシタ514によって発生されるあらゆる電流のパルスを抑制し得る。さらに詳細に図示されているように、電圧スナバ回路505は酸化金属バリスタMOV516を含み得る。本発明の手法のさらに他の観点によれば、負荷512が、MEMSスイッチ511及び電圧源513と直列結合され得る。加えて、負荷512はまた、負荷インダクタンス及び負荷抵抗を含むことができ、この場合には負荷インダクタンスはMEMSスイッチ511から見て負荷インダクタンスとバスインダクタンスとの合計に相当する。参照番号506が負荷512及びMEMSスイッチ511を流れ得る負荷電流を表わす。さらに、図5に関して記載されるように、電弧抑制回路502は平衡ダイオードブリッジ503を含み得る。図示の実施形態の例では、平衡ダイオードブリッジ503は第一の枝531と第二の枝532とを有するものとして図示されている。本書で用いられる平衡ダイオードブリッジとの用語は、第一及び第二の枝531及び532に跨がる電圧降下が両方とも実質的に等しくなるように構成されているダイオードブリッジを表わすのに用いられている。平衡ダイオードブリッジ503の第一の枝531は、第一のダイオードD1528と第二のダイオードD3527とを含むことができ、これらのダイオードは共に結合されて第一の直列回路を形成する。類似の態様で、平衡ダイオードブリッジ503の第二の枝532は、第三のダイオードD2530と第四のダイオードD4529とを含むことができ、これらのダイオードは共に結合されて動作して第二の直列回路を形成する。一実施形態では、MEMSスイッチ511は、平衡ダイオードブリッジ503の中間点に跨がって並列結合され得る。平衡ダイオードブリッジの中間点は、第一及び第二のダイオード528、527の間に位置する第一の中間点と、第三及び第四のダイオード530、529の間に位置する第二の中間点とを含み得る。さらにまた、MEMSスイッチ511及び平衡ダイオードブリッジ503は、当該平衡ダイオードブリッジ503、特にMEMSスイッチ511への接続に起因する寄生インダクタンスの最小化を促進するように緊密にパッケージ化され得る。尚、本発明の手法の例示的な観点によれば、MEMSスイッチ511及び平衡ダイオードブリッジ503は、これら第一のMEMSスイッチ511と平衡ダイオードブリッジ503との間の固有インダクタンスが、MEMSスイッチ511のオフへの切り換え時にダイオードブリッジ503への負荷電流の転移を伝達しているときにMEMSスイッチ511のドレイン及びソースに跨がる電圧の数未満のdi/dt電圧を発生するように、互いに対して配置されていることが特記され得る。このことについて以下で詳述する。一実施形態では、MEMSスイッチ511は平衡ダイオードブリッジ503と共に、これらMEMSスイッチ511及びダイオードブリッジ503を相互接続するインダクタンスを最小化する目的で、単一のパッケージとして又は選択随意で同じダイとして一体化され得る。加えて、電弧抑制回路502は、平衡ダイオードブリッジ503と並列に電気的に連絡して結合されているパルス回路502を含み得る。パルス回路502は、切り換え条件を検出して、該切り換え条件に応答してMEMSスイッチ511の開放を開始するように構成され得る。ここで用いられる切り換え条件との用語は、MEMSスイッチ511の現在の動作状態を変化させるきっかけとなる条件を指す。例えば、切り換え条件は、MEMSスイッチ511の第一の閉状態を第二の開状態へ変化させ、又はMEMSスイッチ111の第一の開状態を第二の閉状態へ変化させることを帰結し得る。切り換え条件は、限定しないが回路障害又はオンオフ切り換え要求を含めた多数の動作に応答して生じ得る。パルス回路502は、パルススイッチ524と、該パルススイッチ524に直列結合されているパルスキャパシタ523とを含み得る。さらに、パルス回路はまた、パルススイッチ524に直列結合されているパルスインダクタンス526と第一のダイオード525とを含み得る。パルスインダクタンス526、ダイオード525、パルススイッチ524及びパルスキャパシタ523は直列結合されてパルス回路502を形成することができ、この回路502では前記各構成要素はパルス電流の成形及びタイミング制御を促進するように構成され得る。加えて、電弧抑制回路502は、ハイブリッド無電弧制限技術HALT特定回路508を含み得る。回路508は、HALTキャパシタンス521すなわち容量部分と、HALTスイッチ522とを含み得る。HALTキャパシタンス521及びHALTスイッチ522は直列結合されてHALT特定回路508を形成することができる。図5はHALT特定回路508と直列のパルスインダクタンス526を示しているが、実施形態の例はこのように限定されないことを特記する。例えば、別個のHALTインダクタンスがHALTキャパシタンス521及びスイッチ522と直列結合しており、HALT特定回路508全体がさらにパルスインダクタンス526及びパルスキャパシタンス523に跨がって並列結合されていてもよい。本発明の観点によれば、MEMSスイッチ511は、近ゼロ電圧であるが電流を流しつつ第一の閉状態から第二の開状態へ高速に切り換えられ得る例えばピコ秒又はナノ秒程度。このことは、負荷回路512と、MEMSスイッチ511の接点に跨がって並列結合されている平衡ダイオードブリッジ503を含むパルス回路502との動作の組み合わせを通して達成され得る。さらに詳細に図示されているように、システム500は、HALTキャパシタンス521と並列に電気的に連絡して結合されている複数の可変抵抗器533、534を含む可変抵抗列を含み得る。可変抵抗器533、534は、限定しないが酸化金属バリスタMOVを含む任意の適当な可変抵抗器であってよい。可変抵抗器533、534は、一旦HALTスイッチ522が起動されると障害の発生時にMEMS方式スイッチング回路501から直接転移される電気エネルギを吸収するような定格を有して構成され得る。例えば、障害状態でのMEMS方式のスイッチングシステム600を図6に示す。図示のように、システム600はシステム500と実質的に同様である。従って、簡潔にするために各々の構成要素の構成及び動作についての網羅的記載はここでは省く。図示のように、システム600は障害状態にある。一般的には、システムが障害状態にある場合には、障害を迅速に又は直ちに解消することが望ましいと考えられる。電流が大きい又は少なくとも非ゼロであるので相対的に大量のエネルギがモータ512の内部に閉じ込められ得る。従って、この障害に応答して、HALT特定回路508はHALTスイッチ522の起動を通して初期化されて、障害の解消を支援することができる。このことを図7に示す。図示のように、図7のシステム700はシステム500と実質的に同様である。従って、簡潔にするために各々の構成要素の構成及び動作についての網羅的記載はここでは省く。上述のように、HALTスイッチ522が起動されており、これにより電気エネルギをMEMS方式スイッチング回路501からHALT特定回路508へ転移し、ここで障害電流601が可変抵抗器533~534へ転移されて、障害電流602がMEMSスイッチ511の接点を横断して流れる。電気エネルギの転移が起こると、MEMSスイッチ511を開くことにより障害が解消され、このことを図8に示す。図示のように、図8のシステム800はシステム500と実質的に同様である。従って、簡潔にするために各々の構成要素の構成及び動作についての網羅的記載はここでは省く。上述のように、MEMSスイッチ511が開き、これにより障害を解消して、スナバ回路505、及び電流801~802によって示すようにバリスタ533、534を通じて電気エネルギを吸収することを可能にする。以上に示すように、バリスタ533、534は、障害状態に応答して誘導負荷に蓄積された障害エネルギを吸収する。バリスタは、HALT回路508の容量部分521と並列に連絡しているので、印加電圧の差のためバリスタ133、134と比較して相対的に小さい電圧定格を有していればよい。さらに、保護エネルギ転移動作時にバリスタ533、534に跨がって観察される電圧は相対的に小さいため、相対的に小さい電圧がダイオードブリッジ503、MEMSスイッチ511、HALTスイッチ522、及びPATOスイッチ524に跨がって現われる。このように保護エネルギ転移動作時の電圧が相対的に小さいため、ダイオードブリッジ503、MEMSスイッチ511、HALTスイッチ522、及びPATOスイッチ524は相対的に低い電圧に定格を設定されることができ、寸法及び費用がさらに縮小されて実用向きになる。ここで図9を参照すると、同図は、本発明の観点による例示的なソフトスイッチングシステム900のブロック図を示す。図9に示すように、ソフトスイッチングシステム900は、スイッチング回路903と、検出回路902と、制御回路901とを含んでおり、これらの回路は共に結合されて動作する。検出回路902はスイッチング回路903に結合されて、負荷回路における交流電源電圧以下電源電圧とする又は同じく負荷回路における交流電流以下負荷回路電流と呼ぶのゼロ交差の発生を検出するように構成され得る。制御回路901は、スイッチング回路903及び検出回路902に結合されて、交流電源電圧又は交流負荷回路電流の検出されたゼロ交差に応答してスイッチング回路903の1又は複数のスイッチの無電弧スイッチングを促進するように構成され得る。一実施形態では、制御回路901は、スイッチング回路903の少なくとも一部を構成する1又は複数のMEMSスイッチの無電弧スイッチングを促進するように構成され得る。本発明の一観点によれば、ソフトスイッチングシステム900は、ソフトスイッチング又はポイントオンウェーブPoWスイッチングを行なうように構成されることができ、これにより、スイッチング回路903の1又は複数のMEMSスイッチを、スイッチング回路903に跨がる電圧がゼロ又はゼロの極く近傍にある時刻に閉じ、スイッチング回路903を流れる電流がゼロ又はゼロの近傍にある時刻に開くことができる。スイッチング回路903に跨がる電圧がゼロ又はゼロの極く近傍にある時刻にスイッチを閉じることにより、多数のスイッチが全て同時に閉じる訳ではなくても1又は複数のMEMSスイッチを閉じるときに該接点の接点の間の電場を低く保つことにより前駆prestrike電弧発生を回避することができる。同様に、スイッチング回路903を流れる電流がゼロ又はゼロの近傍にある時刻にスイッチを開くことにより、ソフトスイッチングシステム900は、スイッチング回路903において最後に開くスイッチを流れる電流がスイッチの設計性能の範囲内になるように設計され得る。上で示唆されているように、一実施形態によれば、制御回路901は、交流電源電圧又は交流負荷回路電流のゼロ交差の発生に又は障害の事象発生時にスイッチング回路903の1又は複数のMEMSスイッチの開閉を同期させるように構成され得る。以上に記載したように、本発明の実施形態の例は、MEMS方式モータスタータについて障害状態での効率のよいエネルギ吸収を提供しつつ装置の複雑さ、費用、及び寸法を著しく縮小する新規技術を提示する。発明を限られた数の実施形態にのみ関連して詳細に記載したが、本発明はかかる開示された実施形態に限定されないことが容易に理解されよう。寧ろ、本発明は、以上には記載されていないが発明の要旨及び範囲に沿った任意の数の変形、変更、置換又は均等構成を組み入れるように改変され得る。加えて、発明の様々な実施形態について記載したが、発明の観点は所載の実施形態の幾つかのみを含み得ることを理解されたい。従って、本発明は、以上の記載によって制限されるのではなく、特許請求の範囲によってのみ制限されるものとする。