"Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される化合物半導体。請求項1に記載の化合物半導体からなる半導体層を有する第1の光電変換部を備える、太陽電池。前記第1の光電変換部に積層された第2の光電変換部を備え、前記第1の光電変換部は、前記半導体層により構成された第1の光吸収層を有し、前記第2の光電変換部は、前記第1の光吸収層よりもバンドギャップが小さな第2の光吸収層を有する、請求項2に記載の太陽電池。前記第1の光吸収層は、多結晶半導体からなり、前記第2の光吸収層は、単結晶半導体からなる、請求項3に記載の太陽電池。前記第1の光電変換部の表面上に形成された第1のp側電極及び第1のn側電極と、前記第2の光電変換部の表面上に形成された第2のp側電極及び第2のn側電極とをさらに備え、前記第1のp側電極と前記第2のp側電極、または、前記第1のn側電極と前記第2のn側電極とが接続されている、請求項3または4に記載の太陽電池。前記第1の光電変換部の面積は、前記第2の光電変換部の面積よりも大きい、請求項4または5に記載の太陽電池。近年、太陽電池の光電変換効率をさらに高めたいという要望が高まってきている。太陽電池の光電変換効率をさらに高める手段の一例としては、バンドギャップが異なる2つの光電変換部を積層したタンデム型などの構造が挙げられる。このタンデム型の太陽電池においては、一方の光電変換部のバンドギャップを、1.1eV程度とし、他方の光電変換部のバンドギャップを、1.7eV前後とすることが好ましい。例えば、CIGSを用いて1.7eVのバンドギャップを実現しようとすると、Gaの含有率を高くする必要がある。しかしながら、CIGSにおいて、Gaの含有率を高くすると、結晶性が劣悪となり、かえって光電変換効率が低くなってしまう。特許文献1に記載のCu2ZnSnS4では、バンドギャップは、通常、1.4eV程度であり、1.7eV前後といった高いバンドギャップを得ることは困難である。非特許文献1に記載のCu2ZnGeS4は、バンドギャップが約2.2eVと大きすぎる。このため、Cu2ZnGeS4を用いた場合にも、光電変換効率を十分に高めることはできない。本発明は、斯かる点に鑑みて成されたものであり、その目的は、1.7eV前後のバンドギャップを有する化合物半導体を提供することにある。本発明に係る化合物半導体は、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される。本発明に係る化合物半導体によれば、1.7eV前後例えば、1.5eV~2.1eVのバンドギャップを有する半導体層を得ることができる。本発明に係る太陽電池は、上記本発明に係る化合物半導体からなる半導体層を有する第1の光電変換部を備えている。このため、本発明に係る太陽電池では、高い光電変換効率を実現し得る。本発明に係る太陽電池は、第1の光電変換部に積層された第2の光電変換部を備え、第1の光電変換部は、半導体層により構成された第1の光吸収層を有し、第2の光電変換部は、第1の光吸収層よりもバンドギャップが小さな第2の光吸収層を有することが好ましい。この積層型太陽電池の構成によれば、さらに高い光電変換効率を得ることができる。第1の光吸収層は、多結晶半導体からなることが好ましい。この場合、第1の光吸収層の形成コストが低くなる。従って、太陽電池の製造コストを低減できる。但し、より高い光電変換効率を得る観点からは、第1の光吸収層は、単結晶半導体からなることが好ましい。第2の光吸収層は、単結晶半導体からなることが好ましい。この場合、第2の光電変換部における光電変換効率を向上することができる。従って、積層型太陽電池としての光電変換効率をより効果的に向上することができる。本発明に係る太陽電池は、第1の光電変換部の表面上に形成された第1のp側電極及び第1のn側電極と、第2の光電変換部の表面上に形成された第2のp側電極及び第2のn側電極とをさらに備え、第1のp側電極と第2のp側電極、または第1のn側電極と第2のn側電極とが接続されていてもよい。第1の光電変換部の面積は、第2の光電変換部の面積よりも大きいことが好ましい。この場合、多結晶半導体からなる第1の光吸収層を有する第1の光電変換部は大面積化が容易であるため、光電変換効率をさらに高めることができる。本発明によれば、1.7eV前後のバンドギャップを有する化合物半導体を提供することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る太陽電池の略図的断面図である。太陽電池1は、基板10側図1のx1側から光Lが入射するように配置される。太陽電池1は、基板10を備えている。基板10は、第1の光電変換部20で吸収される光が透過可能である限りにおいて特に限定されない。基板10は、例えば、ガラス板や、セラミック板により構成することができる。好ましく用いられるガラス板の具体例としては、例えば、ソーダライムガラス板、低アルカリガラス板、非アルカリガラス板、石英ガラス板、Naイオンを注入した石英ガラス板等が挙げられる。基板10は、例えば、厚さ1mmまたは5mmのソーダライムガラス板により構成することができる。基板10の受光面側図1のx1側の主面の上には、反射抑制層11が配されている。この反射抑制層11により、基板10の受光面側の主面における光反射率が低減されるので、太陽電池1内への光Lの入射効率が高められる。反射抑制層11は、例えば、フッ化マグネシウム膜、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層された誘電体多層膜等により構成することができる。また、反射抑制層11は、酸化ケイ素などの微粒子が堆積した膜でもよい。この場合、光Lの波長よりも小さな大きさの空隙を多数有してもよい。基板10の受光面側の主面及び裏面側図1のx2側の主面第1の光電変換部20及び第2の光電変換部30側の面の少なくとも一方は、凹凸などのテクスチャ構造を有していることが好ましい。このテクスチャ構造により、基板10と電極12との界面における反射が抑制されるのに加えて、第1の光電変換部20を構成している半導体層の基板10とは反対側の表面にも凹凸が形成されるため、半導体層表面における反射が低減される。基板10の裏面側の主面の上には、電極12、第1の光電変換部20及び電極14がこの順番で積層されている。電極12及び電極14の構成材料としては、例えば、金属、合金、透明導電性酸化物、炭素材料、MoSi2等を用いることができる。好ましく用いられる金属の具体例としては、例えば、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム、モリブデン等が挙げられる。好ましく用いられる合金の具体例としては、例えば、上記金属のうちの少なくとも一種を含む合金や、ステンレス等が挙げられる。上記金属のうちの少なくとも一種を含む合金の具体例としては、例えば、Ag-Pd合金、Al-Ti合金、Al-Mg合金、Al-Ni合金、Cu-Ti合金、Cu-Sn合金、Cu-Zn合金、Cu-Au合金、Ag-Ti合金、Ag-Sn合金、Ag-Zn合金、Ag-Au合金等が挙げられる。好ましく用いられる透明導電性酸化物の具体例としては、酸化スズ、In,Ce,F,W,Nbなどがドープされた酸化スズ、インジウム亜鉛酸化物、Al,B,Ga等がドープされた酸化亜鉛、Sbがドープされた酸化スズ、Nbがドープされた酸化チタン等が挙げられる。好ましく用いられる炭素材料の具体例としては、黒鉛やグラフェン等が挙げられる。電極12及び電極14の厚みは、特に限定されない。電極12及び電極14は、例えば、5nm~10μm程度とすることができる。電極12及び電極14の形成方法は、特に限定されない。電極12及び電極14は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、めっき法等により形成することができる。また、電極12及び電極14は、例えば、銀ペースト等の導電性粒子を含む導電性ペーストを、スクリーン印刷法等により塗布することによっても形成することができる。電極12は、第1の光電変換部20で吸収される光が透過可能であることが好ましい。このため、電極12は、透明導電性酸化物等の透明な材料により形成されていることが好ましい。また、電極12は、透明導電性酸化物からなる透明電極層と、その透明電極層の上に形成されており、金属や合金からなる集電電極とを有していてもよい。集電電極は、例えば、くし歯状電極等により構成することができる。電極12は、例えば、厚さ50nmのIndiumTinOxideITO膜により構成することができる。電極14は、例えば、厚さ500nmのAg膜により構成することができる。電極12と電極14との間には、第1の光電変換部20が配されている。電極12と、第1の半導体層21との間の界面と、電極14と第2の半導体層22との間の界面との各々は、オーミック接合が取れる程度に低抵抗であることが好ましい。図2に示すように、第1の光電変換部20は、第1の半導体層21と、第2の半導体層22とを有する。第1の半導体層21は、受光面側x1側に配置されており、第2の半導体層22は、裏面側x2側に配置されている。第1の半導体層21と第2の半導体層22とは、異なる導電型を有している。すなわち、第1の半導体層21と第2の半導体層22とのうちの一方の半導体層がn型であり、他方の半導体層がp型である。なお、第1の半導体層21及び第2の半導体層22の少なくとも一方は、本発明の第1の光吸収層の一例である。すなわち、第1の半導体層21及び第2の半導体層22のうちの少なくとも一方は、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される化合物半導体からなる。このため、第1の光電変換部20の光吸収層を構成している第1の半導体層21及び第2の半導体層22の少なくとも一方のバンドギャップを、1.7eV前後例えば、1.5eV~2.1eVとすることができる。従って、太陽電池1を、バンドギャップが0.7eV~1.4eV程度である太陽電池と組み合わせて使用することにより、高い光電変換効率を実現することができる。なお、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される化合物半導体において、xを大きくすると、化合物半導体のバンドギャップが大きくなる。また、yを大きくした場合も、化合物半導体のバンドギャップが大きくなる。また、zを大きくすると、化合物半導体のバンドギャップは概して大きくなる。化合物半導体のバンドギャップは、yが0.4のときに、約1.7eVとなり、yが約0.9のときに約2.1eVとなると、導出される。第1の半導体層21及び第2の半導体層22の両方が、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される化合物半導体からなるものであってもよい。この構成においては、第1の半導体層21と第2の半導体層22との両方のバンドギャップを1.7eV前後とすることができる。なお、この場合、第1の半導体層21の組成と第2の半導体層の組成とは同じであってもよいし、異なっていてもよい。第1の半導体層21及び第2の半導体層22の一方は、例えば、CdS、ZnO、ZnS、ZnO1-xSx、ZnO1-xSex、ZnSe、Zn1-xMgxO、In1-xGaxN、a-SiCなどからなるものであってもよい。この場合、CdS、ZnO、ZnS、ZnO1-xSx、ZnO1-xSex、ZnSe、Zn1-xMgxO、In1-xGaxN、a-SiCなどからなる第1の半導体層21及び第2の半導体層22の一方は、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される化合物半導体からなる他方よりもバンドギャップが大きいことが好ましい。この場合、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される化合物半導体からなる半導体層がp型であり、CdS、ZnO、ZnS、ZnO1-xSx、ZnO1-xSex、ZnSe、Zn1-xMgxO、In1-xGaxN、a-SiCなどからなる半導体層がn型であることが好ましい。第1の半導体層21及び第2の半導体層22のうち、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される化合物半導体からなる半導体層は、単結晶からなるものであってもよいし、多結晶からなるものであってもよい。光電変換効率を高める観点からは、当該半導体層を単結晶からなるものとすることが好ましい。一方、製造コストを低くする観点からは、当該半導体層を多結晶からなるものとすることが好ましい。この場合は、結晶粒の大きさは大きいほど好ましい。結晶粒の大きさが大きいほど、光電変換効率の高い太陽電池を得ることができる。なお、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-zで表される化合物半導体は、CZTSと同様に、通常、ドーパントを含まない状態でp型の導電性を示すが、例えば、Cuの一部を0族元素に置換したり、GeあるいはSnの一部を3族元素に置換したり、OあるいはSの一部を5族元素に置換したりすることで、p型の化合物半導体を得ることができる。また、n型の化合物半導体を得る場合には、MgあるいはZnの一部を3族元素に置換したり、GeあるいはSnの一部を5族元素に置換したり、OあるいはSの一部を7族元素に置換したりすればよい。本発明に係る、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される化合物半導体には、ドーパントの元素を、1×1022cm-3以下の含有率で含んでいるものが含まれるものとする。例えば、第1の半導体層21は、厚さ300nmのp型Cu2ZnGe0.9Sn0.1S4層により構成することができる。この場合、第2の半導体層22は、例えば、厚さ100nmのn型ZnO層により構成することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例について説明する。以下の実施形態の説明において、第1の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。第1の実施形態の変形例第1の変形例図3は、第1の実施形態の変形例第1の変形例における第1の光電変換部の略図的断面図である。図3に示すように、第1の半導体層21は、受光面側x1側に配置されており、第2の半導体層22は、裏面側x2側に配置されている。また、第1の半導体層21と第2の半導体層22との間に、光吸収層を構成している第3の半導体層23が設けられる。第3の半導体層23は、i型の半導体層であってもよいし、第1の半導体層21及び第2の半導体層22のキャリア濃度よりもキャリア濃度が低いp型またはn型の半導体層であってもよい。また、第3の半導体層23は、第1の半導体層21及び第2の半導体層22よりもバンドギャップの小さい半導体層であってもよい。ここで、第1の半導体層21、第2の半導体層22及び第3の半導体層23のうちの少なくとも一つは、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される化合物半導体からなる。例えば、第1の半導体層21、第2の半導体層22及び第3の半導体層23のすべてが、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される化合物半導体からなるものであってもよい。この場合、第1の半導体層21、第2の半導体層22及び第3の半導体層23は、同じ組成を有していてもよいし、異なる組成を有していてもよい。例えば、第3の半導体層23が、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される化合物半導体からなり、第1の半導体層21及び第2の半導体層22のうちの少なくとも一方が、例えば、CdS、ZnO、ZnS、ZnO1-xSx、ZnO1-xSex、ZnSe、Zn1-xMgxO、In1-xGaxN、a-SiCなどからなるものであってもよい。例えば、第1の半導体層21は、電極12の上に設けられた厚さ100nmのp型Cu2ZnGe0.9Sn0.1S4層により構成することができる。第3の半導体層23は、例えば、厚さ1μmのp型Cu2ZnGe0.4Sn0.6S4層により構成することができる。第2の半導体層22は、例えば、厚さ100nmのClドープn型Cu2ZnGe0.9Sn0.1S4層により構成することができる。第2の実施形態図4は、第2の実施形態に係る太陽電池の略図的断面図である。図5は、第2の実施形態における第2の光電変換部の略図的断面図である。図4に示す太陽電池2は、積層型の太陽電池の一種であるタンデム型の太陽電池である。太陽電池2は、基板10側図4のx1側から光Lが入射するように配置される。太陽電池2では、反射抑制層11、基板10、電極12、第1の光電変換部20、トンネル接合層13、第2の光電変換部30及び電極14がこの順番で積層されている。第1の光電変換部20は、第2の光電変換部30よりも光の受光面に近い側に配置されている。反射抑制層11は、第1の実施形態の反射抑制層11と同様の構成とすることができる。基板10も、第1の実施形態の基板10と同様の構成とすることができる。基板10は、例えば、厚さ1mmのソーダライムガラス板により構成することができる。電極12も、第1の実施形態の電極12と同様の構成とすることができる。電極12は、例えば、厚さ50nmのITO膜により構成することができる。第1の光電変換部20は、図2あるいは図3の第1の光電変換部20と同様に構成することができる。このため、本実施形態においても、第1の光電変換部20のバンドギャップを、1.7eV前後とすることができる。トンネル接合層13は、第1の光電変換部20と第2の光電変換部30との間に配されている。このトンネル接合層13により、第1の光電変換部20と第2の光電変換部30とが直列に接続されている。第2の光電変換部30のバンドギャップは、約0.7eV~1.4eVである。図5に示すように、第2の光電変換部30は、第1の半導体層31と、第2の半導体層32との積層体により構成することができる。第1の半導体層31は、受光面側x1側に配置されており、第2の半導体層32は、裏面側x2側に配置されている。第1の半導体層31と第2の半導体層32とは、異なる導電型を有する。すなわち、第1の半導体層31と第2の半導体層32とのうちの一方がp型で、他方がn型である。電極14は、第1の実施形態の変形例第1の変形例の電極14と同様の構成とすることができる。電極14は、例えば、厚さ500nmのAg膜により構成することができる。この太陽電池2は、電極12、第1の光電変換部20、トンネル接合層13、第2の光電変換部30及び電極14が、基板10上に連続的して形成される。ここで、第1の光電変換部20のバンドギャップ:Eg1、第2の光電変換部30のバンドギャップ:Eg2、第1の光電変換部20で吸収される単位時間あたりの光子の数:n1、第2の光電変換部30で吸収される単位時間あたりの光子の数:n2、とする。n1≒n2とすると、タンデム型の太陽電池2の発電電力は、約eEg1Eg2n1となる。それに対して、第2の光電変換部30のみを有する太陽電池では、第2の光電変換部で吸収される光子の数はn1n2≒2n1となるので、発電電力は、2eEg2n1となる。一方、第1の光電変換部20のみを有する太陽電池の発電電力は、eEg1n1となる。従って、第1の光電変換部20と第2の光電変換部30とを有する太陽電池2は、第1の光電変換部20のみを有する太陽電池や、第2の光電変換部30のみを有する太陽電池よりも高い光電変換効率を有する。第2の実施形態の変形例第2の変形例図6は、第2の実施形態の変形例第2の変形例に係る太陽電池の略図的断面図である。第2の変形例では、第1の光電変換部20と第2の光電変換部30との構成が異なっている以外は、第2の実施形態と同様の構成を備えている。すなわち、第2の変形例の第1の光電変換部20は、図3に示す第1の光電変換部第1の光電変換部20と同様の構成を備えている。また、第2の光電変換部30の第1の半導体層31は、受光面側x1側に配置されており、第2の光電変換部32は、裏面側x2側に配置されている。また、第1の半導体層31と第2の半導体層32との間に、光吸収層を構成している第3の半導体層34が設けられている。第3の半導体層34は、i型の半導体層であってもよいし、第1の半導体層31及び第2の半導体層32のキャリア濃度よりもキャリア濃度が低いp型またはn型の半導体層であってもよい。また、第3の半導体層34は、第1の半導体層31及び第2の半導体層32よりもバンドギャップの小さい半導体層であってもよい。第2の光電変換部30の第1の半導体層31は、例えば、厚さ100nmのp型Cu2ZnSnS4層により構成することができる。第3の半導体層34は、バンドギャップが1.1eVであり、厚さ1μmのp型Cu2ZnSnSzSe4-z例えば、Cu2ZnSnSSe3層により構成することができる。第2の半導体層32は、例えば、厚さ100nmのClドープn型Cu2ZnGeSnS4層により構成することができる。トンネル接合層13は、例えば、受光面側x1側に設けられた高キャリア濃度のn型Cu2ZnSnS4層13aと、裏面側x2側に設けられた高キャリア濃度のp型Cu2ZnSnS4層13bとの積層体により構成することができる。第3の実施形態図7は、第3の実施形態に係る太陽電池の略図的断面図である。図7に示す太陽電池3は、メカニカルスタック型の太陽電池である。第3の実施形態において、図2を第1の実施形態と共通に参照する。太陽電池3は、トップセル60と、ボトムセル61とを有する。太陽電池基板3は、トップセル60側図7のx1側から光Lが入射するように配置される。トップセル60は、反射抑制層11、基板10、電極12、電極12に電気的に接続された引き出し電極45、第1の光電変換部20及び電極41を有する。電極12がp側電極を構成しており、電極41がn側電極を構成している。反射抑制層11、基板10、電極12、第1の光電変換部20は、第1の実施形態の反射抑制層11、基板10、電極12、第1の光電変換部20と同様の構成とすることができる。電極41は、例えば、ITOなどからなる透明導電膜と、透明導電膜の上に配置されており、Ag等の金属からなるくし歯電極とにより構成することができる。一方、ボトムセル61は、第2の光電変換部30と、反射抑制層51と、n側電極を構成している電極42と、p側電極を構成している電極44とを有する。反射抑制層51は、第2の光電変換部30の受光面側図7のx1側の主面の上に設けられている。電極42と電極44とは、第2の光電変換部30の裏面側図7のx2側の主面の上に設けられている。n側電極を構成している電極42と、n側電極を構成している電極41とは、配線電極43により電気的に接続されている。よって、配線電極43と電極44とにより、第2の光電変換部30において生じた電力を取り出すことができ、引き出し電極45と配線電極43とにより、第1の光電変換部20において生じた電力を取り出すことができる。すなわち、第1の光電変換部20において生じた電力と、第2の光電変換部30において生じた電力とを別々に取り出すことができる。反射抑制層51は、第1の実施形態の反射抑制層11と同様の構成とすることができる。第2の光電変換部30は、第2の実施形態の第2の光電変換部30と同様の構成にすることもできるが、本実施形態では、p型ドーパントが拡散しているp型ドーパント拡散領域33pと、n型ドーパントが拡散しているn型ドーパント拡散領域33nとが設けられている半導体基板33により構成されている裏面接合型。p型ドーパント拡散領域33pと、n型ドーパント拡散領域33nとのそれぞれは、半導体基板33の第1の光電変換部20とは反対側の主面に露出するように設けられている。p型ドーパント拡散領域33pには、電極44が電気的に接続されている。n型ドーパント拡散領域33nには、電極42が電気的に接続されている。ここで、第1の光電変換部20のバンドギャップ:Eg1、第2の光電変換部30のバンドギャップ:Eg2、第1の光電変換部20で吸収される単位時間あたりの光子の数:n1、第2の光電変換部30で吸収される単位時間あたりの光子の数:n2、とする。太陽電池3の発電電力は、eEg1n1Eg2n2となる。それに対して、第2の光電変換部30のみを有する太陽電池では、第2の光電変換部で吸収される光子の数はn1n2となるので、発電電力は、eEg2n1n2となる。一方、第1の光電変換部20のみを有する太陽電池の発電電力は、eEg1n1となる。従って、第1の光電変換部20と第2の光電変換部30とを有する太陽電池3は、第1の光電変換部20のみを有する太陽電池や、第2の光電変換部30のみを有する太陽電池よりも高い光電変換効率を有する。光電変換効率が比較的高い第2の光電変換部30の面積よりも、光電変換効率が比較的低い第1の光電変換部20の面積が大きい。このため、太陽電池2全体としての光電変換効率をより向上させることができる。なお、半導体基板33の第1の光電変換部20側の主面には、テクスチャ構造凹凸が形成されている。このテクスチャ構造により、反射抑制層51の表面にも凹凸が生じている。これにより、半導体基板33と反射抑制層51との界面や、反射抑制層51の表面における反射が抑制されている。例えば、第1の光電変換部20は、厚さ300nmのp型Cu2ZnGe0.9Sn0.1S4からなる第1の半導体層と、厚さ100nmのn型ZnOからなる第2の半導体層とにより構成することができる。また、半導体基板33は、バンドギャップが1.1eVの結晶シリコン基板により構成することができる。この例では、第1の光電変換部20の発電電流量が、第2の光電変換部30の発電電流量より少ない。第1の光電変換部20が多結晶で、第2の光電変換部30が単結晶半導体からなる場合、第1の光電変換部20のバンドギャップは1.7eV以上であることが好ましい。この場合、第1の光電変換部20のバンドギャップは、1.9eV~2.1eVであることがさらに好ましい。このように構成することで、第2の光電変換部30で吸収される光量を、第1の光電変換部20で吸収される光量よりも多くすることができる。この結果、光電変換効率の高い第2の光電変換部30の発電電流量を、光電変換効率の低い第1の光電変換部20の発電電流量より多くすることができる。よって、太陽電池3の光電変換効率をより向上することができる。第4の実施形態図8は、第4の実施形態に係る太陽電池の略図的断面図である。第4の実施形態において、図2を第1の実施形態と共通に参照する。図8に示す太陽電池4も、第3の実施形態に係る太陽電池3と同様に、メカニカルスタック型の太陽電池である。太陽電池4は、基板10側図8のx1側から光Lが入射するように配置される。太陽電池4は、基板10の裏面側x2側の主面の上に設けられた第1の光電変換部20と、複数の第2の光電変換部30とを備えている。第1の光電変換部20は、複数の第2の光電変換部30よりも受光面に近い側に配置されている。なお、基板10の受光面側x1側の主面の上には、反射抑制層11が設けられている。第1の光電変換部20の受光面側図8のx1側の一主面上には電極12が形成されており、裏面側図8のx2側の他主面上には電極41が形成されている。第1の光電変換部20は、第3の実施形態の第1の光電変換部20と同様の構成とすることができる。電極12は、第3の実施形態の電極12と同様の構成とすることができる。電極41は、第3の実施形態の電極41と同様の構成とすることができる。第2の光電変換部30の両主面上には、それぞれ電極42及び44が形成されている。複数の第2の光電変換部30は、配線材47によって直列または並列に電気的に接続されている。複数の第2の光電変換部30は、第1の保護部材48と、第2の保護部材50との間に配されている。第1の保護部材48と第2の保護部材50との間には、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体等からなる充填剤層49が配されている。複数の第2の光電変換部30は、この充填剤層49により封止されている。複数の第2の光電変換部30は、第1の主面と第2の主面とのどちらから光が入射した場合であっても発電するものである。複数の第2の光電変換部30と、第1の保護部材48と、第2の保護部材50と、充填剤層49とにより構成されているボトムセル61は、低倍率集光型である。第2の光電変換部30は、例えば、n型の単結晶半導体基板と、単結晶半導体基板の一主面上に配されたp型非晶質半導体層と、単結晶半導体基板の他主面上に配されたn型非晶質半導体層とを有していてもよい。また、p型非晶質半導体層と単結晶半導体基板との間に、i型非晶質半導体層が設けられていてもよい。n型非晶質半導体層と単結晶半導体基板との間に、i型非晶質半導体層が設けられていてもよい。i型非晶質半導体層は、例えば、i型のアモルファスシリコンにより構成することができる。p型非晶質半導体層は、例えば、p型のアモルファスシリコン層により構成することができる。n型非晶質半導体層は、例えば、n型のアモルファスシリコン層により構成することができる。単結晶半導体基板は、例えば、バンドギャップが1.1eVのn型の単結晶シリコン基板により構成することができる。一方、第1の光電変換部20は、1.7eV以上例えば、1.9eV~2.1eVのバンドギャップを有する。従って、太陽電池2や太陽電池3と同様に、太陽電池4も、高い光電変換効率を有する。また、第2の光電変換部30が、単結晶半導体からなる場合、第2の光電変換部30の光電変換効率が高くなる。よって、太陽電池4全体としての光電変換効率をより効果的に向上することができる。なお、太陽電池4では、第1の光電変換部20の発電電流量が、第2の光電変換部30の発電電流量よりも少ない。第1の保護部材48は、例えばガラス基板等により構成することができる。一方、第2の保護部材50は、例えば、内部に金属箔などの反射膜が設けられた樹脂シートにより構成することができる。この場合、第2の保護部材50は、反射材として機能する。反射材として機能する第2の保護部材50の表面は、図8に示すように、波形であってもよい。第2の保護部材50の表面の波形のピッチと、複数の第2の光電変換部30の配列ピッチとを同じにして、波形の凹部が第2の光電変換部30の下部に位置していてもよい。また、第2の保護部材50として、第2の光電変換部30の下部に凹部が位置するシリンドリカルな凹面鏡を、第2の光電変換部30の配列ピッチに合わせて配置してもよい。Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される化合物半導体の製造方法次に、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-z0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1。x、y、zのうち少なくとも一つは0でない。で表される化合物半導体の製造方法の一例について説明する。但し、下記の製造方法は、単なる例示である。本発明は、下記の方法に何ら限定されない。1第1の製造方法この第1の製造方法は、液相中で上記化合物半導体を製造する方法である。まず、Cuの塩、Mgの塩、Znの塩、Geの塩、Snの塩を、原子数比で、Cu:Mg:Zn:Ge:Sn=2:x:1-x:y:1-yとなるように混合した水溶液を調製する。Cuの塩としては、例えば、塩化銅、酢酸銅などを用いることができる。Mgの塩としては、例えば、塩化マグネシウム、酢酸マグネシウムなどを用いることができる。Znの塩としては、例えば、塩化亜鉛、酢酸亜鉛などを用いることができる。Geの塩としては、例えば、塩化ゲルマニウム、酢酸ゲルマニウムなどを用いることができる。Snの塩としては、例えば、塩化スズ、酢酸スズなどを用いることができる。次に、上記調製の水溶液と、硫化物とを反応させる。これにより、Cu2MgxZn1-xGeySn1-ySの結晶を水溶液中に析出させる。その後、析出したCu2MgxZn1-xGeySn1-ySの結晶を生成することにより、上記化合物半導体を製造することができる。なお、硫化物としては、例えば、硫化水素、硫化アンモニウムなどを用いることができる。具体的には、例えば、酢酸銅、酢酸亜鉛、酢酸ゲルマニウム、酢酸スズを、原子数比で、Cu:Zn:Ge:Sn=2:1:0.5:0.5となるように混合した水溶液に、硫化アンモニウム水溶液を加えることにより、Cu2ZnGe0.5Sn0.5S4の粉末を製造することができる。このCu2ZnGe0.5Sn0.5S4の粉末を基板上に塗布する。その後、必要に応じて焼結などを行う。その結果、薄膜を形成することができる。2第2の製造方法第2の製造方法も、第1の製造方法と同様に、液相中で上記化合物半導体を製造する方法である。上記第1の製造方法が水溶液中で製造する方法であるのに対して、第2の製造方法は、有機溶液中で製造する方法である。Cuの塩、Mgの塩、Znの塩、Geの塩、Snの塩、硫黄を、原子数比で、Cu:Mg:Zn:Ge:Sn:S=2:x:1-x:y:1-y:4となるように混合し、有機溶媒と混合する。これを、Arなどの不活性ガス中において加熱することによって、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yS4の微粒子を製造することができる。具体的には、例えば、酢酸銅、酢酸亜鉛、酢酸ゲルマニウム、酢酸スズ、硫黄を、原子数比で、Cu:Zn:Ge:Sn=2:1:0.9:0.1となるように混合し、オレイルアミンに混ぜる。これを、Arなどの不活性ガス中で、約1時間約300°Cに保持することで、直径約10nm程度のCu2ZnGe0.9Sn0.1S4のナノ粒子を製造することができる。このCu2ZnGe0.9Sn0.1S4のナノ粒子を基板上に塗布することにより、薄膜を形成することができる。3第3の製造方法第3の製造方法は、基板上に成膜した膜に対して、酸化及び硫化の少なくとも一方を行うことにより、上記化合物半導体からなる膜を成膜する方法である。まず、基板の表面上に、原子数比で、Cu:Mg:Zn:Ge:Sn=2:x:1-x:y:1-yとなるように、Cu、Mg、Zn、Ge及びSnの少なくともひとつを含む金属膜を形成する。この金属膜の形成は、例えば、抵抗加熱法、電子線ビーム蒸着法、スパッタ法などの蒸着法により行うことができる。なお、Cu、Mg、Zn、Ge、Snの少なくとも2つを同時に蒸着する工程を複数回行うことにより金属膜を形成してもよいし、Cu、Mg、Zn、Ge、Snのすべてを同時に蒸着することにより金属膜を形成してもよい。また、Cu膜、Mg膜、Zn膜、Ge膜、Sn膜を繰り返し成膜することにより、これらの膜の積層体からなる金属膜を得てもよい。次に、その後、金属膜に対して酸化及び硫化の少なくとも一方を行う。これにより、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-zからなる膜を形成することができる。なお、硫化は、例えば、硫黄源に金属膜を接触させ、加熱することにより行うことができる。硫黄源としては、例えば、硫黄、硫化水素、チオ尿素、チオ硫酸塩、チオスルホン酸、有機ジスルフィド、有機ポリスルフィドなどを用いることができる。具体的には、例えば、Mo基板上に、原子数比でCu:Zn:Ge:Sn=2:1:0.6:0.4であるCuZnGeSn薄膜をスパッタにより形成する。その後、硫化水素雰囲気中で、硫化水素を流しながら、CuZnGeSn薄膜を500°Cで1時間保持する。これにより、Cu2ZnGe0.6Sn0.4S4の薄膜を作製することができる。また、例えば、ソーダライムガラス基板上に、厚さ28.1nmのCu薄膜、10.9nmのZn薄膜、3.7nmのGe薄膜、3.1nmのSn薄膜を、順次、5周期、電子ビーム蒸着法により形成する。その後、硫化水素雰囲気中で、硫化水素を流しながら、薄膜を500°Cで1時間保持する。これにより、Cu2ZnGe0.5Sn0.5S4の薄膜を作製することができる。4第4の製造方法第4の製造方法では、まず、基板の表面上に、原子数比で、Cu:Mg:Zn:Ge:Sn=2:x:1-x:y:1-yとなるように、Cu、Mg、Zn、Ge、Snの金属微粒子を塗布することにより、金属膜を形成する。次に、この金属膜を硫黄源に接触させ、加熱することにより、金属膜を硫化する。これにより、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yS4からなる膜を作製することができる。具体的には、例えば、Mo基板上に、原子数比でCu:Zn:Ge:Sn=2:1:0.7:0.3となるように調合した金属微粒子の混合物を塗布することにより薄膜を形成する。その後、硫化水素雰囲気中で、硫化水素を流しながら、薄膜を500°Cで1時間保持する。これにより、Cu2ZnGe0.7Sn0.3S4の薄膜を作製することができる。5第5の製造方法第5の製造方法では、まず、基板の表面上に、原子数比で、Cu:Mg:Zn:Ge:Sn=2:x:1-x:y:1-yとなるように、Cu、Mg、Zn、Ge、Snの金属単体、酸化物あるいは硫化物を、スパッタなどにより蒸着させ、薄膜を形成する。ここで、Cu、Mg、Zn、Ge及びSnのうちのいずれかは、硫化物として蒸着させる。次に、薄膜を酸素源や硫黄源に接触させ、加熱する。これにより、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-zからなる膜を作製することができる。具体的には、例えば、Mo基板上に、原子数比でCu:Zn:Ge:Sn=2:1:0.6:0.4となるようにCu、Mg、ZnO、Ge、SnS2をスパッタにより蒸着し、薄膜を形成する。その後、硫化水素雰囲気中で、硫化水素を流しながら、薄膜を500°Cで1時間保持する。これにより、Cu2ZnGe0.6Sn0.4OS3の薄膜を作製することができる。6第6の製造方法第6の製造方法では、Cuの塩、Mgの塩、Znの塩、Geの塩、Snの塩を、原子数比で、Cu:Mg:Zn:Ge:Sn=2:x:1-x:y:1-yとなるように混合した水溶液を準備する。Cuの塩としては、例えば、塩化銅、酢酸銅などを用いることができる。Mgの塩としては、例えば、塩化マグネシウム、酢酸マグネシウムなどを用いることができる。Znの塩としては、例えば、塩化亜鉛、酢酸亜鉛などを用いることができる。Geの塩としては、例えば、塩化ゲルマニウム、酢酸ゲルマニウムなどを用いることができる。Snの塩としては、例えば、塩化スズ、酢酸スズなどを用いることができる。水溶液の代わりに、溶液として、例えば、Cu、Mg、Zn、Ge、Snの金属アルコキシドの混合物を用いることもできる。次に、この溶液を基板上に塗布し、乾燥させ、薄膜を形成する。この薄膜を硫黄源に接触させ、加熱する。これにより、Cu2MgxZn1-xGeySn1-yOzS4-zの薄膜を作製する。具体的には、例えば、酢酸銅、酢酸亜鉛、酢酸ゲルマニウム、酢酸スズを、原子数比で、Cu:Zn:Ge:Sn=2:1:0.5:0.5となるように混合した水溶液を準備する。この水溶液をMo基板上に塗布し、乾燥させ、薄膜を形成する。その後、その薄膜を硫化水素中で加熱する。これにより、Cu2ZnGe0.5Sn0.5O0.1S3.9の薄膜を作製することができる。第3の変形例積層型太陽電池のトップセルは、基板10上に形成されていなくてもよい。例えば、ボトムセルを基板としてトップセルの第1の光電変換部20を形成してもよい。具体的には、第3の実施形態のボトムセル61の反射抑制層51上に、電極12、第1の光電変換部20及び電極41を形成してもよい。あるいは、第4の実施形態の第2の光電変換部30が単結晶半導体基板を有するようにして、その上に、第1の光電変換部20を形成してもよい。第4の変形例第1の実施形態では、太陽電池1が、基板10側から光が入射するように配置されるものである例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。太陽電池は、第1の光電変換部20側から光が入射するように配置されるものであってもよい。その場合、基板10は、例えば、ガラス板や、セラミック板、金属板、半導体基板などにより構成することができる。好ましく用いられるガラス板の具体例としては、例えば、ソーダライムガラス板、低アルカリガラス板、非アルカリガラス板、石英ガラス板、Naイオンを注入した石英ガラス板等が挙げられる。好ましく用いられるセラミック基板の具体例としては、例えば、シリカ、アルミナ、イットリア、ジルコニアなどの酸化物セラミックからなる基板等が挙げられる。セラミック基板は、ナトリウムを含んでいてもよい。好ましく用いられる金属板の具体例としては、例えば、ステンレス板、ナトリウムを含むステンレス板、Au板、Mo板、Ti板などが挙げられる。また、好ましく用いられる半導体基板の具体例としては、例えば、Si基板、Ge基板、GaAs基板、InP基板、窒化物系半導体基板などが挙げられる。基板10が導電性材料からなる基板である場合は、基板10に電極12の機能を兼ね備えさせ、電極12を設けないようにしてもよい。その場合、基板10と第1の半導体層21との界面は、オーミック接合がとれる程度に低抵抗であることが好ましい。基板10は、例えば、周期2μmであり、深さ1μmである縞状の凹凸が両面に形成された、厚さ100μmのMo基板により構成することができる。この場合は、基板10に電極としての機能を兼ね備えさせることができるため、電極12を設ける必要は必ずしもない。第1の光電変換部20側から光が入射するように配置される太陽電池においては、第1の半導体層21を、例えば、厚さ1μmのp型Cu2ZnGe0.4Sn0.6S4層により構成することができる。第2の半導体層22を、例えば、厚さ100nmのn型ZnO0.5S0.5層により構成することができる。電極14を、例えば、第2の半導体層22の上に設けられた厚さ50nmのITO膜と、ITO膜の上にAgペーストにより形成された櫛型電極とにより構成することができる。第5の変形例第3の実施形態では、n側電極を構成している電極41と、n側電極を構成している電極42とが電気的に接続されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、p側電極を構成している電極12と、p側電極を構成している電極44とを電気的に接続してもよい。"