電流が印加されて入力電力の検波電圧値を調整する第1の抵抗と、前記入力電力に応じてかかる電圧が変動し特性負荷が変動する素子と、前記素子と接続され、前記素子が低抵抗になると電流が印加されて前記入力電力の検波電圧値を調整する第2の抵抗と、を備えることを特徴とする、電力検波回路。前記素子は、ダイオードから構成されることを特徴とする、請求項1に記載の電力検波回路。前記素子は、検波電圧値のフィードバックに応じて特性負荷が変動することを特徴とする、請求項1に記載の電力検波回路。しかしながら、検波回路においては、入力電力に対する検波電圧の特性が、高入力電力側になるほど指数関数的に増加するという問題がある。検波回路で検出された検波電圧は処理回路に送られるが、処理回路への供給電圧値に制限があるため、高入力電力側では検波電圧が制限値を超えることが想定される。特許文献1の第3図においても、入力電力と整流電圧は共に対数で表示されているため、整流電圧を実数で表示すれば、入力電力に対して整流電圧は指数関数的に増大しており、高入力電力側では検波電圧が高くなりすぎることが想定される。また、特許文献2には、検波時に検波電圧出力端子16に現れる電圧が温度変化に伴い変動しないように、抵抗14の抵抗値は抵抗19より大きく設定された構成が記載されている図1。しかしながら、特許文献2に記載された構成は、温度特性を補償するものであり、入力電力に対する検波電圧の特性を最適に調整することは想定していない。そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、簡素な構成で検波電圧の特性を最適に調整することが可能な、新規かつ改良された電力検波回路を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、電流が印加されて入力電力の検波電圧値を調整する第1の抵抗と、前記入力電力に応じて特性負荷が変動する素子と、前記素子と接続され、前記素子が低抵抗になると電流が印加されて前記入力電力の検波電圧値を調整する第2の抵抗と、を備える電力検波回路が提供される。上記構成によれば、入力電力が低い場合は素子にかかる電圧が低く素子が高抵抗となることにより、第1の抵抗によって検波電圧が調整される。また、入力電力が高い場合は素子にかかる電圧が高くなるに従い素子が低抵抗となることにより第1の抵抗とともに第2の抵抗によって検波電圧が調整される。従って、入力電力が低電力から高電力の全域で、検波電圧を最適に調整することができる。また、前記素子は、ダイオードから構成される。この構成によれば、入力電力が低い場合はダイオードにかかる電圧が低くダイオードが高抵抗となり、入力電力が高い場合はダイオードにかかる電圧が高なるに従いダイオードが低抵抗となり、電力に応じて特性負荷が変動する素子を構成することができる。また、前記素子は、検波電圧値のフィードバックに応じて特性負荷が変動する。この構成によれば、検波電圧値のフィードバックに応じて素子の特性負荷が変動するため、より精度の高い負荷変動の制御が可能となり、検波電圧の特性をより高精度に調整することが可能となる。本発明によれば、簡素な構成で検波電圧の特性を最適に調整することが可能な電力検波回路を提供することができる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。<1.第1の実施形態>図1は、第1の実施形態の電力検波回路100の前提となる回路を示す模式図である。図1に示す回路は、コンデンサ102、ダイオード106、抵抗108、抵抗110、コンデンサ112、入力端子114、出力端子116を有して構成されている。図1に示す回路において、入力端子114には、検波の対象となる入力電力RF振幅が入力される。入力電力は、コンデンサ102によってDC成分がカットされる。入力電力は、ダイオード106にて整流され、抵抗110とコンデンサ112にてRF成分がカットされることにより特性がフラット化され、出力端子116より出力される。図2は、本発明の第1の実施形態に係る電力検波回路100の構成を示す模式図である。図2に示す電力検波回路100は、図1の回路に加えて、直列に接続されたダイオード118、抵抗120が抵抗108に並列に接地している。なお、本発明の実施形態として順方向半波整流回路を用いているが、他の構成として、倍電圧整流回路ブリッジ整流回路電圧印加型整流回路、等があり、本発明の整流回路部の回路構成は実施形態に限定されない。ダイオード106、抵抗108、抵抗110は、本実施形態に係る電力検波回路100の主要部を構成する素子である。ダイオード118は、電圧に応じて特性負荷が変化する素子として構成されている。図3は、図1の回路と図2の電力検波回路100との検波特性を示す特性図であって、横軸は入力端子114に入力される電力Pinを対数で表示したものであり、縦軸は出力端子116から出力される検波結果の電圧検波電圧を実数で示している。また、図3において、破線の特性は図1の回路の検波特性を示しており、実線の特性は図2の回路の検波特性を示している。図1の回路の場合、抵抗108によって検波電圧値を設定しており、抵抗108は、入力端子114に入力される高周波電力Pinに関わらず一定の割合で接地しているため、電力Pinが大きくなるに従い検波電圧が急激に大きくなる。つまり、ダイオード106で整流された電流が抵抗108に流れるが、抵抗108に流れる電流は電力Pinに応じて変化するため、電力Pinが大きくなるに従い特性の傾きが指数関数的に大きくなる。検波電圧の供給可能な上限値は予め定められているため、特に電力Pinが高い場合は、検波電圧が供給可能な値よりも大きくなり、検波ができなくなる可能性がある。このため、図1のような回路では、電力Pinが高電力の場合の検波電圧を抑えるため、電力Pinが低出力時の特性の傾きが小さくなり、検波感度が劣化していた。これに対して、本実施形態に係る電力検波回路100では、入力端子114に入力される電力Pinの電力に応じて、ダイオード118にかかる電圧が変動しダイオード118の特性負荷が変動する。このため、電力Pinが低電力であり、ダイオード118が高抵抗の場合は並列抵抗抵抗108により検波電圧を調整することができる。また、入力端子114に入力される電力Pinが大きくなるに従い、ダイオード118が低抵抗となり、ダイオード118と抵抗120で構成される素子の特性負荷が低くなるので、ダイオード106から出力された電流の一部は、ダイオード118及び抵抗120へ流れる。このため、電力Pinが高電力の場合は、抵抗120、及び抵抗108の値によって検波電圧値を調整できる。換言すれば、電力Pinが高電力の場合は、ダイオード118が低抵抗となり、ダイオード118及び抵抗120と、抵抗108とが並列接続であるため、図1の回路と比べて抵抗値が低くなり電位を低く抑えることが出来る。これにより、電力Pinが大きい領域においても、特性の傾きを抑えることができる。従って、検波結果の電圧が測定可能な上限値を超えてしまうことがなく、電力Pinが高い場合においても、確実に検波をすることができる。従って、本実施形態に係る電力検波回路100では、抵抗120と抵抗108の値を調整することにより、特性の傾きを調整することができる。図3に示す例では、高電力側で特性の傾きを抑えるとともに、領域A1において、実線の特性の傾きの方が破線の特性の傾きよりも大きくなるように抵抗120、抵抗108の値が調整されている。これにより、電力Pinが比較的小さい領域においても、電力Pinの振幅によって検波結果の電圧が変動するため、確実に電力値を検波することができる。従って、電力Pinの変化に対して、縦軸の検波電圧検出値をより大きく変化させることができるため、電力Pinが小さい領域においても、検波性能を向上することが可能である。また、図3に示す実線の特性では、電力Pinの値が中程度の領域では、特性がほぼ直線状となっている。このように、抵抗120、抵抗108の値を適宜調整することによって、特性をリニアにすることも可能である。以上のように、図2の電力検波回路100によれば、図1の回路に対して、電力Pinが高い領域では特性の傾きを抑えることができ、電力Pinが小さい領域では特性の傾きを大きくすることが可能である。従って、図1の回路に比べてより高精度な検波電圧の検出が可能となる。図4及び図5は、図1の回路と図2の電力検波回路100との検波特性の相違を詳細に説明するための他の例を示す特性図である。図4は、図3と同様に、横軸は入力端子114に入力される高周波の電力Pinを示しており、縦軸は検波電圧を示している。また、図5は、図4の縦軸を対数表示とした特性図である。図4及び図5においても、破線の特性は図1の回路の検波特性を示しており、実線の特性は図2の電力検波回路100の検波特性を示している。図4及び図5に示す例においても、特に高電力側で検波電圧の値を抑えることができる。また、抵抗120、抵抗108の値を適宜調整することにより、図4の特性の傾きをリニアにすることが可能である。以上説明したように第1の実施形態によれば、電力Pinに応じて特性負荷の変動するダイオード118と抵抗120を直列に接続して素子を構成し、この素子と抵抗108を並列に接続した。これにより、低電力側では抵抗108によって検波電圧値を調整するとともに、高電力側では抵抗120及び抵抗108によって検波電圧値を調整することができる。従って、電力Pinに対する検波電圧の特性を最適に調整することが可能となる。<第2の実施形態>次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図6は、第2の実施形態に係る電力検波回路100の構成を示す模式図である。図6に示すように、第2の実施形態では、ダイオード118の代わりにトランジスタ122が配置されている。また、出力端子116における検波電圧はオペアンプ124に入力され、検波電圧は、抵抗126と抵抗128の分圧比に応じて係数倍されてトランジスタ122のゲートに入力される。このような構成によれば、検波電圧値に応じてトランジスタ122の特性負荷が変化するため、電力Pinが低電力の時は、トランジスタ122が高抵抗となることにより、抵抗108によって検波電圧値を調整することができる。また、電力Pinが高電力の時は、トランジスタ122が低抵抗となることによって、抵抗120及び抵抗108によって検波電圧値を調整することができる。従って、第1の実施形態と同様に、電力Pinに対する検波電圧の特性を最適に調整することが可能となる。また、第2の実施形態では、検波電圧のフィードバックによってトランジスタ122の負荷を制御することができるため、ダイオード118自体の特性によって負荷が変動する第1の実施形態と比べて、より精度の高い負荷変動の制御が可能となる。従って、電力Pinに対する検波電圧の特性の調整を、より自由度が高く且つ精度良く調整することが可能となる。以上説明したように第2の実施形態によれば、検波電圧値に応じてトランジスタ122の特性負荷が変化するため、電力Pinが低電力の時は、トランジスタ122が高抵抗となることによって、抵抗108によって検波電圧値を調整することができる。また、電力Pinが高電力になるに従い、トランジスタ122が低抵抗となり、抵抗120及び抵抗108によって検波電圧値を調整することができる。従って、第1の実施形態と同様に、電力Pinに対する検波電圧の特性を最適に調整することが可能となる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。