基板上に第1の導電型をもつ第1の半導体層上に前記第1の導電型とは逆の導電型である第2の導電型をもつ第2の半導体層が形成された半導体発光機能層が用いられ、当該半導体発光機能層を発光させるための通電に用いられる2つの電極が共に前記半導体発光機能層における前記第2の半導体層が形成された側の主面上に形成された発光素子であって、前記半導体発光機能層の一方の端部において前記第2の半導体層が前記主面側から除去された箇所で、前記第1の半導体層と接続するように形成された第1の電極と、前記第2の半導体層の表面において、他方の端部の側から前記一方の端部の側に向かって延伸して形成された透明電極を具備し、前記他方の端部に形成される第2の電極は、外部と接続されるパッド部と前記第1の電極へ向かって延伸する延伸部を有し、前記パッド部の直下において前記第2の半導体層が前記主面側から除去され、前記第1の電極と前記第2の電極間において、絶縁層を介して前記延伸部と前記透明電極が接続されることを特徴とする発光素子。さらに、前記他方の端部に形成される第2の電極の前記パッド部直下において、前記第2の半導体層とともに、前記第1の半導体層が前記主面側から除去されたことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記第1の半導体層はn型窒化物半導体で構成され、前記第2の半導体層はp型窒化物半導体で構成されたことを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の発光素子。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ボンディングの際の過度な荷重による発光領域の損傷を防止できる発光素子を提供することにある。上記課題を解決するため、本発明は、基板上に第1の導電型をもつ第1の半導体層上に前記第1の導電型とは逆の導電型である第2の導電型をもつ第2の半導体層が形成された半導体発光機能層が用いられ、当該半導体発光機能層を発光させるための通電に用いられる2つの電極が共に前記半導体発光機能層における前記第2の半導体層が形成された側の主面上に形成された発光素子であって、前記半導体発光機能層の一方の端部において前記第2の半導体層が前記主面側から除去された箇所で、前記第1の半導体層と接続するように形成された第1の電極と、前記第2の半導体層の表面において、他方の端部の側から前記一方の端部の側に向かって延伸して形成された透明電極を具備し、前記他方の端部に形成される第2の電極は、外部と接続されるパッド部と前記第1の電極へ向かって延伸する延伸部を有し、前記パッド部の直下において前記第2の半導体層が前記主面側から除去され、前記第1の電極と前記第2の電極間において、絶縁層を介して前記延伸部と前記透明電極が接続されることを特徴とする。ボンディングの際の過度な荷重による発光領域の損傷を防止した発光素子を提供できる。次に、本発明の実施形態を、図面を参照して具体的に説明する。なお、ここで示す実施形態は一例であって、本発明はここに示す実施形態に限定される趣旨ではない。図2は、本発明の実施例1に係る発光素子の断面図を示したものである。図2に示されるように、半導体層20は、基板11上に形成される。この半導体層20は、基板11側からn型GaN層以下、n型層と略21、MQWMultiQuantumWell層23、p型GaN層以下、p型層と略22からなる積層構造をもつ。この構成における主たる発光層はMQW層23である。また、基板11としては、例えば、サファイア等、GaNをこの上にヘテロエピタキシャル成長させることのできる絶縁性の材料を用いることができる。半導体層20の一方の端部図2において右端部側の領域においては、p型層22とMQW層23とが部分的に除去され、同様に、外部と接続されるp側電極51のパッド部直下の領域においてもp型層22とMQW層23とが部分的に除去されている。半導体層20の上には、透明電極30、絶縁層40、p側電極アノード51、n側電極カソード52が形成されている。半導体層20中のn型層21、MQW層23、p型層22は、MBEMolecularBeamEpitaxy法、あるいはMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法によって、基板11上にエピタキシャル成長させることができる。n型層21にはドナーとなる不純物が、p型層22にはアクセプタとなる不純物が適宜ドーピングされる。n型層21の厚さは例えば5.0μm、p型層22の厚さは例えば0.2μm程度とすることができる。また、MQW層23は、例えば数nm~数10nmの厚さのInGaN、GaN薄膜が複数積層された構造をもち、InGaN、GaNの各層はn型層21、p型層22と同様にエピタキシャル成長により形成される。透明電極30は、p型層22とオーミック接触が可能で、かつ半導体層20が発する光に対して透明な材料として、例えばITOIndium-Tin-OxideやZnOZinc-Oxide等で構成される。なお、p型層22との間のオーミック性や密着性等を向上させるために、これらの間に、光が充分透過する程度に薄いチタンTi層やニッケルNi層を挿入することもできる。透明電極30のパターニングは、エッチング法、あるいは、所望の箇所以外にフォトレジスト等のマスクを形成してから全面に上記の透明電極材料を成膜し、後でマスクを除去することによって所望の箇所以外の透明電極材料を除去する方法リフトオフ法、のいずれかの方法を用いることができる。絶縁層40は、充分な絶縁性をもち、かつ半導体層20が発する光に対して透明な材料で構成され、例えば酸化シリコンSiO2で構成される。半導体層20の一方の端部図2において右端部側の領域において、この絶縁層40は開口が形成され、露出したn型層21とn側電極52が接続される。また、半導体層20の他方の端部図2において左端部に形成されるp側電極51及びn側電極52間においても複数の開口が形成され、n側電極52方向に延伸するp側電極51の延伸部と透明電極30が接続される。絶縁層40の形成は、例えばCVDChemicalVaporDeposition法等を用いることにより、図2に示される段差部においても、これを被覆性よく形成することが可能である。そのパターニングはエッチング法により行われる。p側電極51は、金Au等の導電性の高い金属で形成される。n側電極52は、n型層21とオーミック接触がとれる材料で構成される。p側電極51、n側電極52のパターニングは、透明電極30のパターニングと同様に行うことができる。この構成により、p側電極51は透明電極30を介してp型層22と接続され、n側電極52はn型層21に直接接続される。これにより、p側電極51に正、n側電極52に負の電圧を印加することにより、半導体層20中の発光層主にMQW層23を発光させることができる。ここで特徴的なのは、p側電極51は外部と接続されるパッド部とn側電極52方向へ延伸する延伸部とから成るが、p側電極51のパッド部直下の領域においても透明電極30、p型層22及びMQW層23が部分的に除去されていることである。p側電極51のパッド部直下の領域においてはpn接合が形成されないため、図3に示すようにフリップボンディングの際にp側電極51のパッド部に過度の荷重が加わったとしても、発光素子の発光領域はその荷重による影響を受けないため、発光領域の損傷を防止することができる。図4は、本発明の実施例2に係る発光素子を実装基板上に配置した図である。実施例1では、p側電極51のパッド部直下の領域において、p型層22とMQW層23とが部分的に除去されているが、実施例2では、さらにn型層21も基板11に達するまで除去されている点が異なる。なお、その他の構造は、実施例1に係る発光素子と同様である。p側電極51のパッド部直下の領域においては半導体層20自体が形成されないため、フリップボンディングの際にp側電極51のパッド部に過度の荷重が加わったとしても、発光素子の発光領域はその荷重の影響を受けず、発光領域の損傷の抑制をより一層高めることが可能となる。上記のように、本発明は実施例によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。既に述べた実施例の説明においては、p側電極51のパッド部直下の領域における半導体層20を部分的に除去する例を示したが、n側電極52のパッド部直下の領域における半導体層20をn側電極52とn型層21が接続できる範囲で除去することで、フリップボンディングの際にp側電極51だけでなく、n側電極52に過度の荷重が加わった場合においても、発光素子の発光領域の損傷を抑制することが可能である。また、本実施例においてはフリップタイプの例を示してきたが、フリップタイプではない発光素子においても同様の構造とすることで、例えばワイヤボンディング等の際にp側電極及びn側電極に過度の荷重が加わった場合においても、発光素子の発光領域の損傷を防止できることは明らかである。このように、本発明はここで記載していない様々な実施例を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。