"pHが3~11の範囲にある水性研磨組成物であって、A成分Bを含まず且つpHが3~9の範囲にある水性媒体中に分散させた場合、電気泳動移動度で測定すると正に荷電する少なくとも一種の研磨剤粒子、B少なくとも一種のアニオン性リン酸塩分散剤、及びC以下のc1~c3からなる群から選ばれる少なくとも一種の多価アルコール成分:c1水性媒体で解離不能な少なくとも4個のヒドロキシ基をもつ、水溶性および水分散性の脂肪族および脂環式モノマーダイマーオリゴマー状のポリオールからなる群から選ばれる多価アルコール;c2以下のc21及びc22の混合物:c21水性媒体で解離不能な少なくとも2個のヒドロキシ基をもつ水溶性および水分散性の脂肪族および脂環式ポリオールからなる群から選ばれる少なくとも一種の多価アルコール;およびc22線状および分岐状のアルキレンオキシドホモポリマーとコポリマーc221と線状および分岐状の脂肪族および脂環式のポリN-ビニルアミドのホモポリマーとコポリマーc222からなる群から選ばれる少なくとも一種の水溶性または水分散性のポリマー;およびc3c1とc2の混合物、を含む組成物。上記研磨剤粒子Aが無機粒子である請求項1に記載の水性研磨組成物。上記無機研磨剤粒子Aがセリアを含むかセリアからなり、そのダイナミックレーザー光散乱で測定した平均粒子径が1~1000nmである請求項1または2に記載の水性研磨組成物。上記アニオン性リン酸塩分散剤Bが、水溶性縮合リン酸塩の群から選ばれる請求項1~3のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。上記水溶性縮合リン酸塩Bが、一般式I:[MnPO3n]I;のメタリン酸塩と、一般式IIとIII:MnPnO3n1II;MH2PnO3n1III;のポリリン酸塩式中、Mはアンモニウム、ナトリウム又はカリウムであり、指数nは2~10,000であるからなる群から選ばれる請求項4に記載の水性研磨組成物。上記の水性媒体で解離不能な少なくとも4個のヒドロキシ基をもつ水溶性および水分散性で脂肪族および脂環式モノマーダイマーオリゴマー状のポリオールc1が、エリトリトール、ペンタエリスリトール、アルジトール、シクリトール、炭水化物、及びグリセロール、エリスリトール、ペンタエリスリトール、アルジトール及びシクリトールのダイマーとオリゴマーからなる群から選ばれる請求項1~5のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。上記アルジトールc1がテトリトール、ペンチトール、ヘキシトール、ヘプチトール及びオクチトールからなる群から選ばれ;上記シクリトールc1がイノシトールから選ばれ;上記炭水化物c1が単糖、二糖、オリゴ糖、多糖、デソキシ糖及びアミノ糖からなる群から選ばれる請求項6に記載の水性研磨組成物。上記単糖c1がアロース、アルトロース、グルコース、マンノース、イドース、ガラクトース及びタロースからなる群から選ばれる請求項7に記載の水性研磨組成物。上記の水性媒体で解離不能な2~3個のヒドロキシ基をもつ水溶性または水分散性の脂肪族または脂環式ポリオールc21が、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、エチレンプロピレングリコール、ジエチレンプロピレングリコール、エチレンジプロピレングリコール、グリセロール、1,2,3-トリヒドロキシ-n-ブタン、トリメチロールプロパン、及びこれらの混合物からなる群から選ばれ;上記水溶性または水分散性の直鎖又は分岐鎖のアルキレンオキシドホモポリマーまたはコポリマーc221が、エチレンオキシド及びプロピレンオキシドのホモポリマーとコポリマーからなる群から選ばれ;また、上記直鎖又は分岐鎖の脂肪族または脂環式ポリN-ビニルアミドホモポリマーまたはコポリマーc222が、N-ビニルアセトアミド、N-ビニルピロリドン、N-ビニルバレロラクタム、N-ビニルカプロラクタム、N-ビニルスクシンイミド、及びこれらの混合物からなる群から選ばれる脂肪族および脂環式のN-ビニルアミドモノマーのホモポリマーとコポリマーからなる群から選ばれる請求項1~8のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。成分A、B及びCとは異なる少なくとも一種のpH調整剤または緩衝剤Eを含む請求項1~9のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。成分A、B及びCとは異なる少なくとも一種の機能性成分Dを含む請求項1~10のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。上記機能性成分Dが、粒子Aとは異なる有機、無機、複合有機無機研磨剤粒子、下限臨界溶解温度LCSTまたは上限臨界溶解温度UCSTを持つ材料、酸化剤、不動態化剤、電荷反転剤、錯化剤またはキレート剤、摩擦剤、安定化剤、レオロジー剤、界面活性剤、殺菌剤、金属カチオン、及び有機溶媒からなる群から選ばれる請求項11に記載の水性研磨組成物。上記殺菌剤D1が、水溶性または水分散性のN-置換されたジアゼニウムジオキシド及びN’-ヒドロキシ-ジアゼニウムオキシド塩からなる群から選ばれる請求項12に記載の水性研磨組成物。基板を少なくとも一度水性研磨組成物と接触させ、所望の平面性が得られるまで該基板を研磨することからなる電気機器、機械機器及び光学機器用の基板の研磨方法であって、請求項1~3のいずれか一項に記載の水性研磨組成物を使用する方法。上記基板が、少なくとも一種の誘電体酸化ケイ素材料を含むかこれからなる層を少なくとも一層と、窒化ケイ素からなる層を少なくとも一層もつ請求項14に記載の方法。その酸化物/窒化物選択性が50より大きい請求項15に記載の方法。上記電気装置が、集積回路装置、液晶パネル、有機エレクトロルミネセンス性パネル、プリント基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント及び磁気ヘッドであり;上記機械装置が高精度機械装置であり;上記光学機器が、フォトマスク、レンズ及びプリズムなどの光学ガラス、酸化インジウムスズITOなどの無機導電膜、光学集積回路、光学開閉素子、光導波路、光ファイバー端面及びシンチレータなどの光学単結晶、固体レーザー単結晶、青色レーザーLED用サファイア基板、半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板である請求項13~16のいずれか一項に記載の方法。上記集積回路装置が、大規模集積化または超大規模集積化して、その寸法が50nm未満である集積回路を含む、請求項17に記載の方法。請求項1~13のいずれか一項に記載の水性研磨組成物の電気機器、機械機器及び光学機器の製造のための利用。したがって本発明の目的は、先行技術の研磨組成物の欠点や問題点を示さない新規の水性研磨組成物、特に新規の化学機械研磨CMP組成物、特に新規のセリア系CMPスラリーを提供することである。特にこの新規の水性研磨組成物、特に新規の化学機械研磨CMP組成物、特に新規のセリア系CMPスラリーは、かなり改善された酸化物/窒化物選択性とを示すとともに、ウエハー内不均一性WIWNUとウエハー間不均一性WTWNUなどで示されるように、優れた全面的及び局所的な平面性を持つ研磨ウエハーを与える必要がある。したがって、IC構造物、特に大きさが50nm未満の構造を持つ、LSI大規模集積回路またはVLSI超大規模集積回路をもつIC製造物に、極めて適している必要がある。また、この新規の水性研磨組成物、特に新規の化学機械研磨CMP組成物、特に新規のセリア系CMPスラリーは、集積回路装置の分野で極めて有用であるばかりか、液晶パネルや有機電界発光パネル、プリント基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、磁気ヘッドなどの他の電気装置や、特に光マスクなどの光学ガラスや、レンズとプリズム、酸化インジウムスズITOなどの無機導電膜、光学集積回路、光学開閉素子、光導波路、光ファイバーやシンチレータの端面などの光学単結晶、固体レーザー単結晶、青色レーザーLED用サファイア基板、半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板などの高精度の機械装置や光学機器の製造の分野でも、効率が最も高く好適である必要がある。本発明のもう一つの目的は、新規の機械機器や電気機器光学機器用の基板の研磨方法であって、その基板が酸化ケイ素誘電体と窒化ケイ素膜とを含んでいる方法を提供することである。したがって、pHが3~11の範囲である新規の水性研磨組成物が見出された。この水性研磨組成物は、A成分Bを含まず、pHが3~9の範囲にある水性媒体中に分散した時、電気泳動異動度により測定すると正に荷電する少なくとも一種の研磨剤粒子とB少なくとも一種のアニオン性リン酸塩分散剤とC以下のものからなる群から選ばれる少なくとも一種の多価アルコール成分:c1多価アルコール類からなる群から選ばれる水溶性のand水分散性、脂肪族のand脂環式の、モノマーの、ダイマーandオリゴマーのポリオール類having少なくとも4水性媒体で解離不能なヒドロキシ基;とc2以下のものの混合物:c21少なくとも2個の水性媒体で解離不能なヒドロキシ基をもつ水溶性および水分散性の脂肪族および脂環式ポリオールからなる群から選ばれる少なくとも一種の多価アルコール;およびc22線状および分岐状のアルキレンオキシドホモポリマーとコポリマーc221と線状および分岐状の脂肪族および脂環式のポリN-ビニルアミドのホモポリマーとコポリマーc222からなる群から選ばれる少なくとも一種の水溶性または水分散性のポリマー;およびc3c1とc2の混合物を含む。これ以降、この新規の水性研磨組成物を本発明の組成物とよぶ。また、この新規の電気機器や機械機器光学機器用の基板の化学的機械研磨方法であって、この基板を少なくとも一度本発明の組成物に接触させ所望の平面性が得られるまでこの基板を研磨する方法が見出された。以降、この新規の電気機器や機械機器光学機器用の基板の化学的機械研磨方法を本発明の方法とよぶ。最後にさらに、この新規の本発明の組成物の電気機器や機械機器光学機器の製造のための利用が見出された。この利用を、これ以降本発明の利用とよぶ。本発明の長所先行技術を鑑みるに、本発明の目的が、本発明の組成物や本発明の方法本発明の利用で解決できるのは熟練者には驚きであり予想もされていなかった。本発明の組成物が、大きく改善された酸化物/窒化物選択性を示し、ウエハー内不均一性WIWNUやウエハー間不均一性WTWNUで例示されるように優れた全面的かつ局所的な平面性をもつ研磨ウエハーを与えることは特に驚きである。したがって、これらは、IC構造物の、特に大きさが50nm未満の構造のLSI大規模集積回路またはVLSI超大規模集積回路をもつIC構造物の製造に優れて適している。また本発明の組成物は、長期間の輸送や保管の間安定であり、このためその安定性が輸送や工程管理を大幅に改善した。また本発明の組成物は、集積回路装置の分野で極めて有用であるばかりか、液晶パネルや有機電界発光パネル、プリント基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、磁気ヘッドなどの他の電気装置や、特に光マスクなどの光学ガラスや、レンズとプリズム、酸化インジウムスズITOなどの無機導電膜、光学集積回路、光学開閉素子、光導波路、光ファイバーやシンチレータの端面などの光学単結晶、固体レーザー単結晶、青色レーザーLED用サファイア基板、半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板などの高精度の機械装置や光学機器の製造の分野でも、効率が最も高く、好適である。特に本発明の組成物は本発明の利用に極めて好適である。したがって本発明の組成物は本発明の方法で極めて有用である。本発明の方法は、液晶パネルや有機電界発光パネル、プリント基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、磁気ヘッドなどの電気装置用の基板材料や、高精度の機械装置や光学機器、特に光学ガラスやフォトマスク、レンズやプリズム、酸化インジウムスズITOなどの無機導電膜、光学集積回路、光学開閉素子、光導波路、光ファイバー端面やシンチレータなどの光学単結晶、固体レーザー単結晶、青色レーザーLED用サファイア基板、半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板用の基板材料の研磨、特に化学的機械研磨に最も好ましく用いられる。しかしながら本発明の方法は、特に酸化ケイ素誘電体膜と窒化ケイ素膜を含む半導体ウエハーの研磨に極めて適している。本発明の方法は、ウエハー内不均一性WIWNUやウエハー間不均一性WTWNUで例示されるように、ディッシング、カッピングまたはホットスポットを形成することなく、優れた全面的かつ局所的平面性とバランスをもつ研磨ウエハーを与える。したがってこれらは、IC構造物の、特に大きさが50nm未満の構造のLSI大規模集積回路またはVLSI超大規模集積回路をもつIC構造物の製造に優れて適している。本発明の組成物は水性の組成物である。これは、この組成物が水を、特に超純水を、主たる溶媒と分散剤として含むことを意味する。しかし本発明の組成物は少なくとも一種の水混和性有機溶媒を含んでいてもよい。ただしその量は、本発明の組成物の水性を変化させない程度の少量である。本発明の組成物は、水を、本発明の組成物総質量に対して好ましくは60~99.95質量の量で含み、より好ましくは70~99.9質量、さらに好ましくは80~99.9質量、最も好ましくは、90~99.9質量で含む。本発明の組成物のpHは、下述のpH調整剤Eを用いて、好ましくは3~11に設定され、より好ましくは4~11、さらに好ましくは5~11、最も好ましくは6~11に調整される。水溶性は、本発明の組成物の関連する成分または構成要素が、分子レベルで水相中に溶解していることを意味する。水分散性は、本発明の組成物の関連する成分または構成要素が、水相に分散可能であり、安定な乳化液または懸濁液を形成することを意味する。ダイマーは、本発明の組成物の関連する成分または構成要素が、2個の結合したモノマー構造単位を持つことを意味する。ただし、これら両モノマーが同一構造をとっても相互に異なる構造をとっていてもよい。オリゴマーは、本発明の組成物の関連する成分または構成要素が、3~12個が結合した、同一構造であってもよいモノマー構造単位からなることを意味する。しかしこれらの構造単位が、少なくとも2種の異なる構造から選ばれてもよい。ポリマーは、本発明の組成物の関連する成分または構成要素が、12個を越える数の結合した、同一構造でもよいモノマー構造単位を持つことを意味する。しかしこれらの構造単位が、少なくとも2種の異なる構造から選ばれてもよい。多価は2つ以上のヒドロキシ基を持つことを意味する。本発明の組成物の第一の必須構成要素は、少なくとも一種の、好ましくは一種の研磨剤粒子Aである。この研磨剤粒子Aは、pHが3~9の範囲にあり下記のアニオン性リン酸塩分散剤Bを含まない水性媒体中に分散されると、正に荷電する。この正電荷は、この研磨剤粒子Aの電気泳動異動度μμm/sV/cmで証明される。この電気泳動異動度μは、マルバーン社のゼータサイザーナノなどの装置を用いて直接測定できる。研磨剤粒子Aの平均粒度は広く変動することができ、このため本発明の組成物と方法の特定の要件に応じて最も好ましく調整できる。ダイナミックレーザー光散乱で測定した平均粒度は、好ましくは1~2000nmの範囲であり、好ましくは1~1000nm、より好ましくは1~750、最も好ましくは1~500nmの範囲である。この研磨剤粒子Aの粒度分布は、単峰性であっても、二峰性または多峰性であってもよい。研磨剤粒子Aの性質が容易に再現可能であり、本発明の方法で容易に条件が再現可能であるためには、この粒度分布が単峰性であることが好ましい。またこの研磨剤粒子Aの粒度分布は、狭くても広くてもよい。研磨剤粒子Aの性質が容易に再現可能であり、本発明の方法で容易に条件が再現可能であるためには、この粒度分布が狭く、小型粒子と大型粒子がほんの少量であることが好ましい。この研磨剤粒子Aはいろいろな形状をとることができる。この粒子は、単一形状、あるいは実質的に単一形状であってもよい。しかしこの研磨剤粒子Aが異なる形状をとることもできる。特にある特定の本発明の組成物中に、二種の形状の異なる研磨剤粒子Aが含まれていてもよい。形状に関しては、これらが、立方体であっても、角のとれた立方体、八面体、二十面体、節状、突起または窪みを有するあるいは有さない球状であってよい。この形状が、突起または窪みをまったくあるいはほとんど含まない球状であることが最も好ましい。この形状が原則として好ましいのは、これにより、CMPプロセス中で研磨剤粒子Aが暴露される機械的な力への抵抗が増加するためである。原則としていずれの種類の研磨剤粒子Aも、上記のいろいろな性質を持っている限り、本発明の組成物中で使用することができる。したがってこの研磨剤粒子Aは、有機粒子であっても無機粒子であってもよく、複合有機無機粒子であってもよい。好ましくはこの研磨剤粒子Aは無機粒子である。原則としていずれの種類の無機研磨剤粒子Aも、上記のいろいろな性質を持つ限り、本発明の組成物中で使用することができる。しかしながら、セリアを含む、あるいはセリアからなる無機研磨剤粒子Aを使用することが最も好ましい。このセリア含有研磨剤粒子Aは、少量の他の希土類酸化物を含んでいてもよい。このセリア含有研磨剤粒子Aは、セリアとは異なる少なくとも一種の他の研磨剤粒子状の材料、特にアルミナかシリカチタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、これらの混合物を含むか、これからなるコアを含む複合粒子Aであることが好ましい。このような複合粒子Aは、例えば、WO2005/035688A1やUS6,110,396、US6,238,469B1、US6,645,265B1、K.S.Choietal.,Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.671,2001MaterialsResearchSociety,M5.8.1toM5.8.10,S.-H.Leeetal.,J.Mater.Res.,Vol.17,No.10,2002,pages2744to2749,A.Jindaletal.,JournaloftheElectrochemicalSociety,1505G314-G3182003,Z.Lu,JournalofMaterialsResearch,Vol.18,No.10,October2003,MaterialsResearchSociety,orS.Hedgeetal.,ElectrochemicalandSolid-StateLetters,712G316-G3182004から既知である。複合粒子Aが、コアサイズが20~100nmである、アルミナとシリカチタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、及びこれらの混合物からなる群から選ばれるコアを含み、そのコアが粒度が10nm未満のセリア粒子で覆われているラズベリー型の被覆粒子であることが最も好ましい。本発明の組成物中で用いられる研磨剤粒子Aの量は広く変動でき、このため、本発明の組成物と方法の特定の要件応じて調整することが最も好ましい。本発明の組成物は、好ましくは本発明の組成物総質量に対して0.005~10質量の研磨剤粒子Aを含み、より好ましくは0.01~8質量、最も好ましくは0.01~6質量の研磨剤粒子Aを含む。本発明の組成物は、第二の必須の構成要素として少なくとも一種の、好ましくは一種のアニオン性リン酸塩分散剤Bを含む。好ましくは、このアニオン性リン酸塩分散剤Bが、水溶性縮合リン酸誘導体からなる群から選ばれる。水溶性縮合リン酸誘導体Bの例には、塩類、特に一般式I:[MnPO3n]I;のメタリン酸のアンモニウム塩やナトリウム塩、カリウム塩と、一般式IIとIII:MnPnO3n1IIMH2PnO3n1III;のポリリン酸塩式中、Mはアンモニウム、ナトリウムまたはカリウムであり、指数nは2~10,000であるがあげられる。式IとIIとIIIのポリリン酸塩に関して、指数nは好ましくは2~2,000であり、より好ましくは2~300、最も好ましくは2~50、特に2~15、例えば3~8である。特に好適な水溶性縮合リン酸塩Bの例は、グレアム塩NaPO340-50や、カルゴンTMNaPO315-20、クロール塩NaPO3nただし、n=約5000、ヘキサメタリン酸のアンモニウム塩やナトリウム塩カリウム塩が含まれる。本発明の組成物中の上記水溶性アニオン性リン酸塩分散剤Bの濃度は広く変動でき、このため、本発明の組成物と方法の特定の要件応じて調整することが最も好ましい。このアニオン性リン酸塩分散剤Bが、セリア/アニオン性リン酸塩分散剤Bの質量比が10~2000となる量で用いられることが好ましく、20~1000となる量で用いられることがより好ましい。第三の必須の構成要素として、本発明の組成物は、少なくとも一種の、好ましくは一種の多価アルコール成分Cを含む。この多価アルコール成分Cは、c1水溶性また水分散性の、好ましくは水溶性の脂肪族及び脂環式の、その分子に少なくとも4個のヒドロキシ基を有する、好ましくは少なくとも5個、最も好ましくは少なくとも6個のヒドロキシ基を有するモノマー状、ダイマー状、オリゴマー状のポリオールからなる群から選ばれる多価アルコールで、そのヒドロキシ基が水性媒体中で解離不能であるもの;c2以下の二つの混合物:c21水溶性および水分散性、好ましくは水溶性であり、その分子内に少なくとも2個のヒドロキシ基、好ましくは2個または3個のヒドロキシ基を持ち脂肪族お呼び脂環式ポリオールであって、該ヒドロキシ基が水性媒体中で解離不能であるものからなる群から選ばれる少なくとも一種の、好ましくは一種の価アルコール;とc22線状及び分岐状のアルキレンオキシドのホモポリマーとコポリマーc221と線状及び分岐状の脂肪族および脂環式のポリN-ビニルアミドのホモポリマーとコポリマーc222とからなる群から選ばれる少なくとも一種の、好ましくは一種の水溶性または水分散性、好ましくは水溶性ポリマー;及びc3c1とc2の混合物からなる群から選ばれる。解離不能は、中性の水相中でのヒドロキシ基の、反応R-OH→R-OHの解酸定数が非常に小さいか、実用的な目的で実質的にゼロであることを意味する。この多価アルコールc1が、ペンタエリスリトールとアルジトール、シクリトール、炭水化物、またグリセロールとトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、アルジトール、シクリトールのダイマーやオリゴマーからなる群から選ばれることが好ましい。このアルジトールc1が、テトリトールとペンチトール、ヘキシトール、ヘプチトール、オクチトールからなる群から選ばれることが好ましい。より好ましくは、このテトリトールc1が、エリトリトールとトレイトール、及びこれらの混合物から選ばれ;ペンチトールc1が、アラビニトールとリビトール、キシリトール、及びこれらの混合物からなる群から選ばれ;ヘキシトールc1が、ガラクチトールとマンニトール、グルシトール、アリトール、アルトリトール、イジトール、及びこれらの混合物からなる群から選ばれる。好ましくは、ダイマーc1が、グリセロールやトリメチロールプロパン、エリトリトール、トレイトール、ペンタエリスリトールのダイマー、及びこれらの混合物、さらにはマルチトール、イソマルト、ラクチトール、及びこれらの混合物からなる群から選ばれる。より好ましくは、オリゴマーc1が、トリ-、テトラ-、ペンタ-、ヘキサ-、ヘプタ-、オクタ-、ノナ-、デカ-、ウンデカ-、ドデカグリセロール、-トリメチロールプロパン、-エリトリトール、-トレイトール、-ペンタエリスリトール、及びこれらの混合物からなる群から選ばれる。好ましくは、シクリトールc1が、1,2,3,4-テトラヒドロキシシクロヘキサン、1,2,3,4,5-ペンタヒドロキシシクロヘキサン、イノシトール、及びこれらの混合物から選ばれる。より好ましくは、イノシトールc1が、myo-、scyllo-、muco-、chiro-、neo-、allo-、epi-、cis-イノシトール、及びこれらの混合物からなる群から選ばれる。myo-イノシトールc1の使用が最も好ましい。好ましくは、炭水化物c1は、単糖と二糖、オリゴ糖、多糖、デソキシ糖、アミノ糖からなる群から選ばれ、特に単糖c1から選ばれる。好ましくは、この単糖c1は、アロースとアルトロース、グルコース、マンノース、イドース、ガラクトース、タロースからなる群から選ばれ、特にガラクトースである。本発明の組成物中の多価アルコールc1の濃度は大きく変動することがあり、このため、本発明の組成物と方法の特定の要件応じて調整することが最も好ましい。本発明の組成物は、多価アルコールc1を、本発明の組成物総質量に対して好ましくは0.005~5質量の量で含み、より好ましくは0.01~4質量、最も好ましくは0.05~3質量の量で含む。この水性媒体に解離不能な2~3個のヒドロキシ基を持つ水溶性または水分散性の脂肪族または脂環式のポリオールc21は、エチレングリコールとプロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、エチレンプロピレングリコール、ジエチレンプロピレングリコール、エチレンジプロピレングリコール、グリセロール、1,2,3-トリヒドロキシ-n-ブタン、トリメチロールプロパン、及びこれらの混合物からなる群から選ばれることが好ましく、エチレングリコールとグリセロール、及びこれらの混合物からなる群から選ばれることが最も好ましい。本発明の組成物中のポリオールc21の濃度も大きく変動でき、このため、本発明の組成物と方法の特定の要件応じて調整することが最も好ましい。このポリオールc21は、本発明の組成物総質量に対して好ましくは0.05~5質量の量で使用され、好ましくは0.1~4質量、最も好ましくは0.5~3質量の量で使用される。好ましくは、このアルキレンオキシドホモポリマーまたはコポリマーc221は、線状及び分岐状のエチレンオキシドとプロピレンオキシドのホモポリマーとコポリマーからなる群から選ばれる。このエチレンオキシドプロピレンオキシドコポリマーc221は、ポリエチレンオキシドブロックとポリプロピレンオキシドブロックを含むランダムコポリマーであってもよいし、交互コポリマーまたはブロックコポリマーであってもよい。エチレンオキシドプロピレンオキシドブロックコポリマーc221中のポリエチレンオキシドブロックの親水性/親油性バランスHLB値は、10~15であることが好ましい。これらのポリプロピレンオキシドブロックのHLB値は28~約32であることが好ましい。アルキレンオキシドホモポリマーc221が、エチレンオキシドポリマーであることが、例えばポリエチレングリコールPEGであることが好ましい。水溶性ポリマーc221の重量平均分子量は、好ましくは2000~1,000,000ダルトンであり、より好ましくは5000~500,000ダルトン、最も好ましくは、10,000~250,000ダルトンである。これらの水溶性ポリマーc221は、従来から使用されている既知の市販材料である。適当な水溶性ポリマーc22は、日本特許出願JP2001-240850Aの請求項2と段落[0007]~[0014]と、米国特許出願US2007/0077865A1の欄頁1、段落[0008]~頁2段落[0010]、米国特許出願US2006/0124594A1の頁3、段落[0036]と[0037]、米国特許出願US2008/0124913A1の頁3、段落[0031]~[0033]と請求項14に記載されており、あるいはこれらは、BASF社の会社文書プルオニックテトロニックブロックコポリマー界面活性剤、1996または米国特許US2006/0213780A1に示されるように、プルオニックTMやテトロニックTM、バセンソルTMなどの商標でBASF社から販売されている。ポリマーc221としてポリエチレングリコールPEGを使用することが最も好ましい。本発明の組成物は、上記多価アルコールc1に加えてポリマーc221のみを含んでいてもよい。本発明の組成物中のポリマーc221の濃度も大きく変動でき、このため、本発明の組成物と方法の特定の要件応じて調整することが最も好ましい。ポリマーc22は、本発明の組成物の総重量に対して好ましくは0.005~5質量の量で使用され、より好ましくは0.01~4質量、最も好ましくは0.05~3質量の量で使用される。線状および分岐状の脂肪族および脂環式ポリN-ビニルアミドのホモポリマーとコポリマーc222の成形ブロックである脂肪族および脂環式のN-ビニルアミドモノマーは、N-ビニルアセトアミド、N-ビニルピロリドン、N-ビニルバレロラクタム、N-ビニルカプロラクタム、N-ビニルスクシンイミド、及びこれらの混合物からなる群から選ばれることが好ましい。ポリN-ビニルアミドコポリマーc222は、N-ビニルアミド以外に、通常の既知のオレフィン性不飽和モノマーに由来するモノマー単位を、その量が水溶解性が低下しない程度の量であるなら含んでいてもよく、例えばビニルエステルとエーテルやアクリル酸エステルやメタクリル酸のエステル、アリリル酸エステルとアクリルエーテル、ハロゲン原子またはニトリル基で置換されていてもよいオレフィン、スチレン系モノマーを含んでいてもよい。これらの水溶性ポリマーc222の重量平均分子量は、好ましくは2000~1,000,000ダルトンであり、より好ましくは5000~500,000ダルトン、最も好ましくは10,000~250,000ダルトンである。本発明の組成物は、多価アルコールc1と組み合わせてポリマーc222のみを含んでいてもよい。また、本発明の組成物中のポリマーc222の濃度は大きく変動でき、このため、本発明の組成物と方法の特定の要件応じて調整することが最も好ましい。ポリマーc22は、本発明の組成物総質量に対して、好ましくは0.005~5質量の量で使用され、より好ましくは0.01~4質量、最も好ましくは0.05~3質量の量で使用される。本発明の組成物中では、多価アルコールc1の混合物c2に対する質量比も大きく変動することができ、このため、本発明の組成物と方法の特定の要件応じて調整することが最も好ましい。質量比c1:c2は100:1~1:100の範囲であることが好ましい。また本発明の組成物中で、多価アルコールc21のポリマーc221またはc222に対する質量比も大きく変動でき、このため、本発明の組成物と方法の特定の要件応じて調整することが最も好ましい。質量比c21:c221またはc222は100:1~1:100の範囲であることが好ましい。本発明の組成物は、必要なら、構成要素AとBとCとは物質的に異なる少なくとも一種の機能性成分Dを含んでいてもよい。この機能性成分Dは、従来からセリア系CMPスラリー中で用いられている化合物の群から選ばれることが好ましい。このような化合物Dの例としては、例えば、Y.N.Prasadetal.inElectrochemicalandSolid-StateLetters,912G337-G3392006,Hyun-GooKangetal.inJournalofMaterialResearch,volume22,No.3,2007,pages777to787,S.Kimetal.inJournalofColloidandInterfaceScience,3192008,pages48to52,S.V.Babuetal.inElectrochemicalandSolid-StateLetters,712G327-G3302004,Jae-DongLeeetal.inJournaloftheElectrochemicalSociety,1498G477-G481,2002に開示されており、また米国特許US5,738,800とUS6,042,741、US6,132,637、US6,218,305B、US5,759,917、US6,689,692B1、US6,984,588B2、US6,299,659B1、US6,626,968B2、US6,436,835B1、US6,491,843B1、US6,544,892B2、US6,627,107B2、US6,616,514B1、US7,071,105B2、米国特許出願US2002/0034875A1とUS2006/0144824A1、US2006/0207188A1、US2006/0216935A1、US2007/0077865A1、US2007/0175104A1、US2007/0191244A1andUS2007/0218811A1、また日本特許出願JP2005-336400Aに開示されている。また、機能性成分Dは、粒子c1とは異なる有機、無機、また複合有機無機研磨剤粒子や、下限臨界溶解温度LCSTまたは上限臨界溶解温度UCSTをもつ材料、酸化剤、不動態化剤、電荷反転剤、錯化剤またはキレート剤、摩擦剤、安定化剤、レオロジー剤、界面活性剤、殺菌剤、金属カチオン、有機溶媒からなる群から選ばれる。適当な有機研磨剤粒子c1とこれらの効果的な量は、例えば、米国特許出願US2008/0254628A1の頁4、段落[0054]から、あるいは国際出願WO2005/014753A1から既知であり、ここでは、メラミンに加えて、アセトグアナミンやベンゾグアナミン、ジシアンジアミドなどのメラミン誘導体とからなる固体粒子が開示されている。適当な無機研磨剤粒子Dとこれらの効果的な量は、例えば国際特許出願WO2005/014753A1の頁12、行1~8、または米国特許US6,068,787の欄6、行41~欄7、行65から既知である。適当な複合有機無機研磨剤粒子Dとこれらの効果的な量は、例えば米国特許出願US2008/0254628A1の頁4、段落[0054]、またはUS2009/0013609A1の頁3、段落[0047]~頁6、段落[0087]から既知である。適当な酸化剤Dとこれらの効果的な量は、例えば欧州特許出願EP1036836A1の頁8、段落[0074]~[0075]から、または米国特許US6,068,787の欄4、行40~欄7、行45またはUS7,300,601B2の欄4、行18~34から既知である。有機過酸化物および無機過酸化物が好ましく用いられ、無機過酸化物がより好ましく用いられる。特に過酸化水素が用いられる。適当な不動態化剤Dとこれらの効果的量は、例えば米国特許US7,300,601B2の欄3、行59~欄4、行9から、あるいは米国特許出願US2008/0254628A1の頁4と5の段落[0058]から既知である。適当な錯化剤またはキレート剤D時には摩擦剤ともよばれる米国特許出願US2008/0254628A1の頁5、段落[0061]参照またはエッチング剤またはエッチング液米国特許出願US2008/0254628A1の頁4、文節[0054]参照とこれらの効果的な量は、例えば米国特許US7,300,601B2の欄4、行35~48から既知である。アミノ酸、特にグリシンと、さらにジシアンジアミドと少なくとも一個、好ましくは二個、より好ましくは三個の一級アミノ基を持つトリアジン例えば、メラミンや水溶性のグアナミン、特にメラミンやホルモグアナミン、アセトグアナミン、2,4-ジアミノ-6-エチル-1,3,5-トリアジンが最も好ましく用いられる。適当な安定化剤Dとこれらの効果的な量は、例えば米国特許US6,068,787の欄8、行4~56から既知である。適当なレオロジー剤Dとこれらの効果的な量は、例えば米国特許出願US2008/0254628A1の頁5、段落[0065]~頁6、段落[0069]から既知である。適当な界面活性剤Dとこれらの効果的量は、例えば国際特許出願WO2005/014753A1の頁8、行23~頁10、行17から、あるいは米国特許US7,300,601B2の欄5、行4~欄6、行8から既知である。適当な多価金属イオンDとこれらの効果的な量は、例えば欧州特許出願EP1036836A1の頁8、段落[0076]~頁9、段落[0078]から既知である。適当な有機溶媒Dとこれらの効果的な量は、例えば米国特許US7,361,603B2の欄7、行32~48、あるいは米国特許出願US2008/0254628A1の頁5、段落[0059]から既知である。下限臨界溶解温度LCSTまたは上限臨界溶解温度UCSTを示す適当な材料Dは、例えば、H.Mori,H.Iwaya,A.NagaiandT.Endo,ChemicalCommunication,2005,4872-4874RAFT重合によるL-プロリン由来の熱応答性ポリマーの制御された合成;あるいはD.Schmaljohann,AdvancedDrugDeliveryReviews,volume582006,1655-1670熱応答性及びpH応答性ポリマーと薬物輸送に記載されており、また、米国特許出願US2002/0198328A1とUS2004/0209095A1、US2004/0217009A1、US2006/0141254A1、US2007/0029198A1、US2007/0289875A1、US2008/0249210A1、US2008/0050435A1またはUS2009/0013609A1、米国特許US5,057,560とUS5,788,82、US6.682.642B2、国際特許出願WO01/60926A1とWO2004/029160A1、WO2004/0521946A1、WO2006/093242A2、WO2007/012763A1、欧州特許出願EP0583814A1とEP1197587B1、EP1942179A1、あるいはドイツ特許出願DE2610705に記載されている。原則として、CMPの分野で従来から用いられている公知の何れの電荷反転剤Dも使用可能である。この電荷反転剤Dは、カルボキシレートとスルホネート、スルフェート、ホスホネート基からなる群から選ばれる少なくとも一種のアニオン性基を有するモノマー状オリゴマー状高分子状化合物からなる群から選ばれることが好ましい。適当な殺菌剤Dは、水溶性または水分散性のN-置換ジアゼニウムダイオキシド塩とN’-ヒドロキシ-ジアゼニウムオキシド塩からなる群から選ぶことができる。存在するなら、この機能性成分Dは、いろいろの量で含まれる。Dの総量は、相当するCMP組成物の総質量に対して好ましくは10質量質量は質量当りのパーセントを意味する以下であり、より好ましくは2質量以下、最も好ましくは0.5質量以下、特に0.1質量以下、例えば0.01質量以下である。好ましくは、Dの総量は、相当する組成物の総質量に対して少なくとも0.0001質量であり、より好ましくは少なくとも0.001質量、最も好ましくは少なくとも0.008質量、特に少なくとも0.05質量、例えば少なくとも0.3質量である。本発明の組成物は、必要なら構成要素AとBとCとは物質的に異なる少なくとも一種のpH調整剤または緩衝剤Eを含むことができる。適当なpH調整剤または緩衝剤Eとこれらの効果的な量は、例えば、欧州特許出願EP1036836A1の頁8、段落[0080]と[0085]と[0086]から、国際特許出願WO2005/014753A1の頁12、行19~24、米国特許出願US2008/0254628A1の頁6、段落[0073]または米国特許US7,300,601B2の欄5、行33~63から既知である。H調整剤または緩衝剤Eの例は、水酸化カリウムとアンモニウムヒドロキシド、テトラメテルアンモニウムヒドロキシドTMAH、硝酸、硫酸である。存在する場合、このH調整剤または緩衝剤Eはいろいろな量で含まれる。Eの総量は、相当するCMP組成物の総質量に対して、好ましくは20質量以下であり、より好ましくは7質量以下、最も好ましくは2質量以下、特に0.5質量以下、例えば0.1質量以下である。Eの総量は、相当するP組成物の総質量に対して、好ましくは少なくとも0.001質量であり、より好ましくは少なくとも0.01質量、最も好ましくは少なくとも0.05質量、特に少なくとも0.1質量、例えば少なくとも0.5質量である。本発明の組成物の製造は特殊なものではなく、上記構成要素AとBとC、また必要ならD及び/又はEを水性媒体中に、特に脱イオン水中に溶解または分散させて行われる。このために、従来から用いられている標準的な混合方法や、攪拌器やインライン溶解機、高せん断インペラー、超音波ミキサー、ホモジナイサーノズルまたは向流ミキサーなどの混合装置を使用できる。このようにして得られる本発明の組成物を適当な開口のフィルターを通して濾過して、固い微分散研磨剤粒子Aの凝集物または会合物などの粗大粒子を除くことが好ましい。本発明の組成物は、本発明の方法に極めて好適である。本発明の方法では、電気機器や機械機器光学機器用の、特に電気装置用、最も好ましくは集積回路装置用の基板を少なくとも一度本発明の組成物と接触させ、所望の平面性が得られるまで研磨、特に化学的機械的に研磨する。本発明の方法は、低誘電率のまたは超低誘電率の酸化ケイ素材料とからなる分離層と、ストップ層またはバリアー層としての窒化ケイ素層とをもつケイ素半導体ウエハーのCMPにおいて、その特定の長所を示す。適当な低誘電率または超低誘電率材料と適度な絶縁性の誘電体層の製造方法が、例えば、米国特許出願US2005/0176259A1の頁2、段落[0025]~[0027]に、US2005/0014667A1の頁1、段落[0003]、US2005/0266683A1の頁1、段落[0003]と頁2、段落[0024]、またはUS2008/0280452A1の段落[0024]~[0026]、米国特許US7,250,391B2の欄1、行49~54、欧州特許出願EP1306415A2の頁4、段落[0031]に記載されている。本発明の方法は、回路パターンが形成されたウエハー基板上で、窒化ケイ素より二酸化ケイ素を選択的に除去することが必要であるシャロートレンチアイソレーションSTIに特に適している。この方法では、エッチングされたトレンチが誘電体材料、例えば二酸化ケイ素で過充填され、窒化ケイ素バリアフィルムをストップ層としてこれを研磨する。この好ましい実施様態においては、本発明の方法は、バリアフィルムから二酸化ケイ素を除き、露出される窒化ケイ素とレンチ酸化ケイ素の除去を最小限に抑えて終了する。したがって本発明の方法では、50より大きな酸化物/窒化物選択性を示し、好ましくは75を越える、最も好ましくは100を越える酸化物/窒化物選択性を示す。本発明の方法は特殊なものではなく、半導体ウエハーにICを形成する際のCMPで従来から用いられている方法や装置を用いて実施できる。当分野では既知のように、代表なCMP装置は、回転プラテンとこれを覆う研磨パッドとからなる。ウエハーは、支持体またはチャック上に、上面を下向きに研磨パッドに向けて取り付けられる。支持体がこのウエハーを水平の姿勢に保持する。この特定の研磨保持装置の配列は、ハードプラテンデザインとしても知られている。この支持体が、支持体の保持表面とウエハーの非研磨表面間に位置する支持体パッドを保持してもよい。このパッドは、ウエハーのクッションとして働くことができる。この支持体の下で、より大きな直径をもつプラテンも一般的には水平に位置しており、研磨ウエハーの表面に平行な表面を提供する。平坦化プロセスの間に、研磨パッドはウエハー表面と接触する。本発明のCMP方法の間に、連続流としてあるいは滴下により本発明の組成物が研磨パッド上に塗布される。支持体とプラテンの両方が、支持体とプラテンから垂直に延びるそれぞれのシャフトの回りを回転している。この回転する支持体シャフトは、回転するプラテンに対して位置的に固定されていてもよいし、プラテンに対して水平に往復移動してもよい。支持体の回転方向は、通常必ずしも必須ではないが、プラテンの回転方向と同じである。支持体とプラテンの回転速度は、一般的には必ずしも必須ではないが、異なる値に設定される。通常プラテンの温度は、10~70°Cの温度に設定される。さらに詳細には、国際特許出願WO2004/063301A1の、特に頁16、段落[0036]~頁18、段落[0040]と図1を参照されたい。本発明の方法により、優れた平面性を持つ、回路パターンが形成された低誘電率および超低誘電率材料層を、特に二酸化ケイ素層を含むICを持つ半導体ウエハーが得られる。このため優れた平面性をもつ銅ダマシンパターンが得られ、最終的には優れた電気的機能をもつICが得られる。実施例と比較試験比較試験C1~C6比較用の水性研磨組成物C1~C6の製造比較用の水性研磨組成物C1~C6を製造するために、セリアダイナミックレーザー光散乱による平均粒度d50:120~140nm、ヘキサメタリン酸ナトリウムPP;セリア/PP質量比=200、以降、PP200と称し;セリア/質量比=300、以降PP300と称すとイノシトールを超純水中に分散または溶解した。これらの使用量を表1に示す。実施例1~11水性研磨組成物1~11の製造水性研磨組成物1~11を製造するために、セリアダイナミックレーザー光散乱による平均粒度d50:120~140nmと、ヘキサメタリン酸ナトリウムPP;セリア/PP質量比=200、以降、PP200を称し;セリア/PP質量比=300、以降PP300と称すとイノシトールを超純水中に分散または溶解した。これらの使用量を表2に示す。実施例1~11の水性研磨組成物1~11は、電気機器や機械機器光学機器用の基板の化学的機械研磨に極めて好適であった。実施例12~22と比較例C7~C12二酸化ケイ素被覆ブランケットウエハーと窒化ケイ素被覆ブランケットウエハーのCMPと酸化物/窒化物選択性表3に、実施例12~22と比較試験C7~C12にどの水性研磨組成物を使用したかを示す。HDP:高密度プラズマ二酸化シリコン;TEOS:テトラエチルオルソシリケートCVD型酸化物以降のCMPでは、以下のプロセス変数を用いた。実施例12と比較試験C7~C10:-研磨装置:ストラスバー6EGnHance型回転型:-プラテン速度:93rpm;-支持体速度:87rpm;-ロームアンドハース社製IC1000/Suba400K溝研磨パッド;-S603Mダイヤモンドコンディショナを用いる系内コンディショニング;-スラリー流速:200ml/分;-基板:モントコシリコン社製二酸化ケイ素ブランケットウエハー表3参照と500nmのCVD窒化ケイ素ブランケットウエハー;-ダウン力:2.7psi185.143mbar;C9:1.5psi102.86mbar;-研磨時間:1分実施例13~22と比較試験C11~C12:-研磨装置:AMATミラ回転型:-プラテン速度:100rpm;-支持体速度:90rpm;-ロームアンドハース社製IC1000/Suba400K溝研磨パッド;-S603Mダイヤモンドコンディショナを用いる系内コンディショニング;-スラリー流速:200ml/分;-基板:二酸化ケイ素被覆ブランケットウエハー表3参照と500nm窒化ケイ素被覆ブランケットウエハー;-ダウン力:2psi137.143mbar;-研磨時間:1分材料除去率MRRはレーザー干渉分光法フィルムテックTM2000で測定した。表4に得られたMRRの概要を示す。表中に示した結果から、セリア、セリアとPP、またセリアとイノシトールのみを含む水性研磨組成物では、高い酸化物/窒化物選択性が得られないことが分る。これとは反対に、セリアとPPとイノシトールを含む研磨組成物では、50を越える高い酸化物/窒化物選択性も容易に達成可能である。研磨組成物のpHを9に増加させると酸化物/窒化物選択性をさらに改善することができた。セリアとヘキサメタリン酸ナトリウムPP、グリセロール、ポリエチレングリコールPEG及び/又はポリビニルピロリドンPVPを含む水性研磨組成物ででも、このような高い酸化物/窒化物選択性を達成できる。実施例23~26水性研磨組成物12~15の製造水性研磨組成物12~15の製造のために、セリアダイナミックレーザー光散乱による平均粒度d50:120~140nmとヘキサメタリン酸ナトリウムPP;セリア/PP質量比=250、以降PP250と表記する、イノシトール、ガラクトース、プロテクトールKDN’-ヒドロキシ-ジアゼニウム酸化物塩;BASF社製殺生剤を超純水中に分散または溶解させた。これらの使用量を表2に示す。実施例23~26の水性研磨組成物12~15は、電気機器や機械機器光学機器用の基板の化学的機械研磨に極めて好適であった。実施例27~30二酸化ケイ素被覆ブランケットウエハーと窒化ケイ素被覆ブランケットウエハーのCMPと酸化物/窒化物選択性CMPは実施例13~22に記載のようにして実施した。ただしプラテン速度は63rpmとし、支持体速度は60rpmとした。得られたMRRを表6に示す。表6の結果より、シクリトール実施例25参照または単糖実施例27参照の使用で達成されたすでに高い酸化物/窒化物選択性を、シクリトールと単糖の併用により実施例28と30参照さらに増加できることがわかる。"