"半導体基板と、半導体基板の表面に設けられている表面電極と、半導体基板の裏面に設けられている裏面電極と、を有しており、半導体基板は、半導体基板の表面に露出する複数の第1導電型の半導体領域と、複数の第1導電型の半導体領域と裏面電極の間に配置されており、複数の第1導電型の半導体領域に接している第2導電型のドリフト領域と、を有しており、複数の第1導電型の半導体領域は、外周側に配置される外周側半導体領域と、外周側半導体領域の内周側に配置される内周側半導体領域を有しており、表面電極と裏面電極の間に定格電圧を越える電圧が印加されたときに、外周側半導体領域よりも内周側半導体領域に高電界が印加されるように構成されている、半導体装置。内周側半導体領域のドリフト領域と接する境界部の一部は、第1導電型の不純物濃度が第1濃度であって、当該境界部の他の部分よりも第1導電型の不純物濃度が高くされており、外周側半導体領域のドリフト領域と接する境界部は、第1導電型の不純物濃度が第1濃度より低くされている、請求項1に記載の半導体装置。内周側半導体領域は、表面電極側に位置する第1領域と、第1領域の裏面側に位置する第2領域を有しており、第1領域は、第1導電型の不純物濃度が第1濃度であり、表面電極に接すると共にドリフト領域と接しており、第2領域は、第1導電型の不純物濃度が第1濃度より低い第2濃度であり、ドリフト領域に接する一方で、第1領域によって表面電極から隔離されている、請求項2に記載の半導体装置。外周側半導体領域は、表面電極側に位置する第3領域と、第3領域の裏面側に位置する第4領域を有しており、第3領域は、第1導電型の不純物濃度が第3濃度であり、表面電極に接する一方で、第4領域によってドリフト領域から隔離されており、第4領域は、第1導電型の不純物濃度が第1濃度及び第3濃度より低い第4濃度であり、ドリフト領域に接している、請求項2又は3に記載の半導体装置。複数の第1導電型の半導体領域のそれぞれは、両側面及び裏面がドリフト領域と接しており、内周側半導体領域は、表面電極側に位置する第1領域と、第1領域の裏面側に位置する第2領域を有しており、第1領域の第1導電型の不純物濃度は、第2領域の第1導電型の不純物濃度よりも高くされており、第1領域の内周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅が、第2領域の内周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅よりも長くされており、外周側半導体領域は、表面電極側に位置する第3領域と、第3領域の裏面側に位置する第4領域を有しており、第3領域の第1導電型の不純物濃度は、第4領域の第1導電型の不純物濃度よりも高くされており、第4領域の第1導電型の不純物濃度は、第1領域の第1導電型の不純物濃度よりも低くされており、第3領域の外周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅が、第4領域の外周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅と等しいか短くされている、請求項1に記載の半導体装置。複数の第1導電型の半導体領域のそれぞれは、両側面及び裏面がドリフト領域と接しており、隣接する第1導電型の半導体領域の間に位置するドリフト領域は、表面電極に接している、請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体装置。特許文献1の半導体装置では、複数のp型半導体領域のそれぞれにおいて、ドリフト領域と接する境界部の一部にp型不純物濃度の高い高濃度部が設けられている。このため、この半導体装置の表面電極と裏面電極の間に定格電圧を越える高い電圧が印加されると、複数のp型半導体領域のうち外側に位置するp型半導体領域に高い電界が印加されることになる。したがって、この半導体装置では、外側に位置するp型半導体領域によって耐量電界を保持しなければならず、その結果、アバランシェ耐量が低下してしまう虞がある。本願は、アバランシェ耐量を向上し得る半導体装置を提供することを目的とする。本明細書に開示する半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の表面に設けられている表面電極と、半導体基板の裏面に設けられている裏面電極を有している。半導体基板は、半導体基板の表面に露出する複数の第1導電型の半導体領域と、複数の第1導電型の半導体領域と裏面電極の間に配置されており、複数の第1導電型の半導体領域に接している第2導電型のドリフト領域を有している。複数の第1導電型の半導体領域は、外周側に配置される外周側半導体領域と、外周側半導体領域の内周側に配置される内周側半導体領域を有している。そして、表面電極と裏面電極の間に定格電圧を越える電圧が印加されたときに、外周側半導体領域よりも内周側半導体領域に高電界が印加されるように構成されている。この半導体装置では、表面電極と裏面電極の間に定格電圧を越える電圧例えば、アバランシェ耐量測定時に印加される電圧が印加されたときに、外周側半導体領域よりも内周側半導体領域に高電界が印加されるように構成されている。このため、この半導体装置では、内周側半導体領域によって耐量電界を保持することとなる。したがって、外周側半導体領域によって耐量電界を保持する場合と比較して、半導体基板の広い面積で耐量電界を保持することができ、アバランシェ耐量を向上することができる。なお、第1導電型及び第2導電型とは、n型またはp型のいずれかを意味する。すなわち、第1導電型がp型である場合には第2導電型がn型であり、第1導電型がn型である場合には第2導電型がp型である。上記の半導体装置の一つの実施態様では、内周側半導体領域のドリフト領域と接する境界部の一部は、第1導電型の不純物濃度が第1濃度であって、当該境界部の他の部分よりも第1導電型の不純物濃度が高くされていてもよい。外周側半導体領域のドリフト領域と接する境界部は、第1導電型の不純物濃度が第1濃度より低くされていてもよい。このような構成によると、内周側半導体領域のドリフト領域と接する境界部の一部において、第1導電型の不純物濃度が高くされている。このため、表面電極と裏面電極の間に高い電圧が印加されると、内周側半導体領域の前記境界部のうち不純物濃度の高い部分に高い電界が印加されることとなる。したがって、この半導体装置では、内周側半導体領域によって耐量電界を保持することとなり、アバランシェ耐量を向上することができる。また、内周側半導体領域の前記境界部の他の部分は第1導電型の不純物濃度が高くないため、半導体装置に逆電圧が印加された時に空乏層が伸展し易く、半導体装置の耐圧が悪化することを抑制することができる。上記の半導体装置において、内周側半導体領域は、表面電極側に位置する第1領域と、第1領域の裏面側に位置する第2領域を有していてもよい。この場合に、第1領域は、第1導電型の不純物濃度が第1濃度であり、表面電極に接すると共にドリフト領域と接していてもよい。第2領域は、第1導電型の不純物濃度が第1濃度より低い第2濃度であり、ドリフト領域に接する一方で、第1領域によって表面電極から隔離されていてもよい。このような構成とすると、第1領域の第1導電型の不純物濃度が高いため、表面電極と内周側半導体領域とをオーミック接触させることができる。また、第2領域の第1導電型の不純物濃度は低いため、半導体装置に逆電圧が印加された時に空乏層が伸展し易く、耐圧を向上することができる。また、上記の半導体装置において、外周側半導体領域は、表面電極側に位置する第3領域と、第3領域の裏面側に位置する第4領域を有していてもよい。この場合に、第3領域は、第1導電型の不純物濃度が第3濃度であり、表面電極に接する一方で、第4領域によってドリフト領域から隔離されていてもよい。第4領域は、第1導電型の不純物濃度が第1濃度及び第3濃度より低い第4濃度であり、ドリフト領域に接していてもよい。このような構成とすると、第3領域の第1導電型の不純物濃度は高いため、表面電極と外周側半導体領域とをオーミック接触させることができる。また、第3領域の第1導電型の不純物濃度は高いが、第3領域は第4領域によってドリフト領域から隔離されているため、第3領域がドリフト領域に接することはない。このため、外周側半導体領域に高い電界が印加されることを防止することができる。上記の半導体装置の他の実施態様では、複数の第1導電型の半導体領域のそれぞれは、両側面及び裏面がドリフト領域と接していてもよい。内周側半導体領域は、表面電極側に位置する第1領域と、第1領域の裏面側に位置する第2領域を有していてもよい。第1領域の第1導電型の不純物濃度は、第2領域の第1導電型の不純物濃度よりも高くされており、第1領域の内周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅が、第2領域の内周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅よりも長くされていてもよい。一方、外周側半導体領域は、表面電極側に位置する第3領域と、第3領域の裏面側に位置する第4領域を有していてもよい。第3領域の第1導電型の不純物濃度は、第4領域の第1導電型の不純物濃度よりも高くされており、第4領域の第1導電型の不純物濃度は、第1領域の第1導電型の不純物濃度よりも低くされていてもよい。第3領域の外周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅が、第4領域の外周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅と等しいか短くされていてもよい。このような構成によると、内周側半導体領域では、高濃度の第1領域がドリフト領域内に突出する一方、外周側半導体領域では、高濃度の第3領域がドリフト領域内に突出しないようにすることができる。このため、表面電極と裏面電極の間に高い電圧が印加されると、内周側半導体領域のうち第1領域の突出部に高い電界が印加されることとなる。したがって、この半導体装置でも、内周側半導体領域によって耐量電界を保持することとなり、アバランシェ耐量を向上することができる。上記の各半導体装置において、複数の第1導電型の半導体領域のそれぞれは、両側面及び裏面がドリフト領域と接していてもよい。また、隣接する第1導電型の半導体領域の間に位置するドリフト領域は、表面電極に接していてもよい。第1実施形態に係る半導体装置10について説明する。半導体装置10は、ショットキーバリアダイオード構造部とpnダイオード構造部が交互に形成された、いわゆるジャンクションバリアショットキーダイオードJBSダイオードである。図1に示すように、半導体装置10は、SiCを材料とする半導体基板13に形成されている。半導体基板13は、ウェハ基板12と、ウェハ基板12上に積層されたドリフト層14を備えている。ウェハ基板12は、半導体基板13の裏面側に配置されている。ウェハ基板12は、例えば、n型の4H-SiC基板を用いることができる。ドリフト層14は、半導体基板13の表面側に配置されている。ドリフト層14は、n型であり、その不純物濃度はウェハ基板12の不純物濃度よりも薄くされている。ドリフト層14の厚みは、ウェハ基板12の厚みよりも薄くされている。ドリフト層14は、ウェハ基板12上にエピタキシャル層を成長させることで形成することができる。ドリフト層14は、ドリフト領域の一例に相当する。ドリフト層14には、複数の半導体領域20と、ガードリング22が形成されている。半導体領域20は、半導体基板13の素子領域30に形成されている。ガードリング22は、半導体基板13の外周領域40に形成されている。半導体基板13を平面視すると、外周領域40が素子領域30の周囲を取り囲んでいる。すなわち、素子領域30は、外周領域40の内周側に位置している。半導体領域20は、p型の不純物がドープされたp型の半導体領域である。半導体領域20は、ドリフト層14の表面に露出する範囲に島状に形成されている。このため、半導体基板13の表面には、ドリフト層14と半導体領域20とが交互に露出している。半導体領域20にドープされるp型の不純物には、例えば、アルミニウムイオンAlイオンを用いることができる。図2に示すように、各半導体領域20は、半導体基板13の表面側に設けられた高濃度領域20aと、半導体基板13の裏面側に設けられた低濃度領域20bを有している。高濃度領域20aの上面表面は、後述する表面電極18に接しており、高濃度領域20aの下面裏面は、低濃度領域20bの上面表面に接している。高濃度領域20aの幅半導体領域20が伸びる方向と直交する方向の幅は、低濃度領域20bの幅よりも長くされている。このため、高濃度領域20aの両端部は、ドリフト層14内に突出し、ドリフト層14と接している。また、低濃度領域20bは、表面電極18と接することはなく、高濃度領域20aによって表面電極18から隔離されている。低濃度領域20bの下面裏面と側面は、ドリフト層14に接している。高濃度領域20aのp型不純物濃度は、低濃度領域20bのp型不純物濃度よりも高くされている。高濃度領域20aのp型不純物濃度は、高濃度領域20aと表面電極18とがオーミック接触するような濃度とされている。また、高濃度領域20aの厚み深さ方向の寸法は、低濃度領域20bの深さ方向の寸法よりも充分に小さくされている。高濃度領域20aの厚みを薄くすることで、半導体装置10の耐圧特性が悪化することを抑制することができる。一方、低濃度領域20bのp型不純物濃度は、高濃度領域20aのp型不純物濃度と比較して、充分に低くされている。低濃度領域20bのp型不純物濃度を低くすることで、半導体装置10に逆電圧が印加された時に低濃度領域20b内への空乏層の伸展が促進され、半導体装置10の耐圧特性を向上することができる。なお、半導体領域20は、内周側半導体領域の一例に相当し、高濃度領域20aは、第1領域の一例に相当し、低濃度領域20bは、第2領域の一例に相当する。ガードリング22は、p型の不純物がドープされたp型半導体領域である。ガードリング22は、ドリフト層14の表面に露出する範囲に形成されている。ガードリング22は、半導体基板13を平面視したときに、複数の半導体領域20を取囲むように形成されている。ガードリング20にドープされるp型の不純物には、例えば、アルミニウムイオンAlイオンを用いることができる。図2に示すように、ガードリング22は、半導体基板13の表面側に設けられた高濃度領域22aと、半導体基板13の裏面側に設けられた低濃度領域22bを有している。高濃度領域22aの上面表面の一部は、表面電極18に接しており、高濃度領域22aの下面裏面及び側面は、低濃度領域22bに接している。すなわち、高濃度領域22aの幅ガードリング20が伸びる方向と直交する方向の幅は、低濃度領域22bの幅よりも小さくされている。したがって、高濃度領域22aは、ドリフト層14に接しておらず、低濃度領域22bによってドリフト層14から隔離されている。低濃度領域22bの上面表面の一部は、表面電極18に接しており、低濃度領域22bの下面裏面及び側面は、ドリフト層14に接している。高濃度領域22aのp型不純物濃度は、低濃度領域22bのp型不純物濃度よりも高くされている。具体的には、高濃度領域22aのp型不純物濃度は、高濃度領域20aのp型不純物濃度と同一の濃度とされている。このため、高濃度領域22aと表面電極18とはオーミック接触している。また、高濃度領域22aの厚み深さ方向の寸法は、低濃度領域22bの深さ方向の寸法よりも充分に小さくされている。具体的には、高濃度領域22aの厚みは、高濃度領域20aの厚みと同一の厚みとされている。一方、低濃度領域22bのp型不純物濃度は、低濃度領域20bのp型不純物濃度と同一の濃度とされている。また、低濃度領域22bの深さ方向の寸法は、低濃度領域20bの深さ方向の寸法と同一の寸法とされている。なお、ガードリング22は、外周側半導体領域の一例に相当し、高濃度領域22aは、第3領域の一例に相当し、低濃度領域22bは、第4領域の一例に相当する。半導体基板13の裏面ウェハ基板12の裏面の全面には、裏面電極16が形成されている。裏面電極16は、ウェハ基板12とオーミック接触している。裏面電極16は、例えば、Ti,Mo,Niニッケル,Wタングステン等により形成することができる。半導体基板13の表面ドリフト層14の表面には、表面電極22が形成されている。表面電極22は、ドリフト層14にショットキー接触すると共に、半導体領域20及びガードリング22にオーミック接触している。表面電極22は、例えば、MoモリブデンもしくはTiチタンもしくはNiニッケルによって形成することができる。上述した半導体装置10では、表面電極18とドリフト層14によって構成されるショットキーバリアダイオード構造部と、表面電極18と半導体領域20によって構成されるpnダイオード構造部が、基板面内の一方向に沿って交互に形成されている。このため、半導体装置10に逆方向の電圧表面電極18が低電位となる電位を印加した場合に、半導体領域20とドリフト層14の間のpn接合面から空乏層が伸び、表面電極18が接合されたドリフト層14が空乏化される。これにより、ショットキーバリアダイオード構造部におけるリーク電流の発生等が改善される。また、ガードリング22とドリフト層14の間のpn接合面からも空乏層が伸び、空乏層が素子領域30側から外周領域40側に向かって伸びる。このため、半導体装置10の耐圧特性が高められる。ここで、半導体領域20及びガードリング22は、高濃度領域20a,22aが薄く形成され、低濃度領域20b,22bのp型不純物濃度は十分に低くされている。このため、半導体領域20及びガードリング22側への空乏層の伸展が促進され、半導体装置10の耐圧特性の向上が図られている。また、上述した半導体装置10では、ガードリング22では高濃度領域22aの幅が低濃度領域22bの幅より小さく、高濃度領域22aとドリフト層14とが接していない。一方、半導体領域20では、高濃度領域22aの幅が低濃度領域22bの幅より大きく、高濃度領域22aの両端がドリフト層14内に突出している。したがって、半導体装置10に逆方向の高電圧定格電圧を超える電圧例えば、アバランシェ耐量測定時に印加される電圧が印加されたときは、高濃度領域20aの両端部ドリフト層14内に突出した部分に最も高い電界が印加される。したがって、半導体装置10では、半導体領域20によって耐量電界を保持することとなりすなわち、素子領域30で耐量を保持することとなり、半導体基板13の広い面積で耐量を保持することができる。その結果、半導体装置10のアバランシェ耐量を向上することができる。なお、半導体装置に順方向の電圧表面電極18が高電位となる電位を印加した場合には、ショットキーバリアダイオード構造部によって、順方向電圧降下が抑制されるすなわち、低オン抵抗が実現される。次に、上述した半導体装置10を製造する方法の一例について、図3~5を参照して説明する。まず、図3に示すように、4H-SiCのn型のウェハ基板12を準備し、そのウェハ基板12上にエピタキシャル成長によってドリフト層14を形成する。次いで、図4に示すように、ドリフト層14に不純物注入領域120、122を形成する。ここで、不純物注入領域120は、半導体領域20の低濃度領域20bとなる領域であり、不純物注入領域122は、ガードリング22の低濃度領域22bとなる領域である。具体的な形成方法としては、まず、半導体基板13上にマスク材例えば、酸化膜を堆積する。次いで、フォトリソグラフィによってマスク材の一部を除去することで、不純物注入領域120,122を形成する領域に開口部を有するマスクを形成する。次いで、形成したマスク越しに半導体基板13に不純物イオン例えば、Alイオンを注入する。イオン注入後は、マスク材をウェットエッチング例えば、HFを用いたウェットエッチングによって除去する。次いで、図5に示すように、ドリフト層14に不純物注入領域120a、122aを形成する。ここで、不純物注入領域120aは、半導体領域20の高濃度領域20aとなる領域であり、不純物注入領域122aは、ガードリング22の高濃度領域22aとなる領域である。不純物注入領域120a、122aの形成は、上述した不純物注入領域120、122の形成と同様に行うことができる。次いで、注入した不純物イオンを高温で活性化処理することで、半導体領域20高濃度領域20a,低濃度領域20bと、ガードリング22高濃度領域22a,低濃度領域22bを形成する。次いで、スパッタ装置を用いてウェハ基板12の裏面に金属層例えば、ニッケル層を成膜し、その金属層Ni層を800°C以上の温度例えば、1000°Cのアニール処理によりシリサイド化する。これによって、ウェハ基板12の裏面に裏面電極16を形成する。次いで、ドリフト層14の表面全体に絶縁膜図示しないを形成し、その絶縁膜に開口部を形成する。次いで、その開口部に露出するドリフト層14、半導体領域20及びガードリング22の表面に、真空蒸着装置を用いて金属層例えば、モリブデンを成膜する。これによって、表面電極18が形成される。上述したように本実施形態の半導体装置10では、素子領域30に形成された半導体領域20によって耐量電界を保持する。このため、半導体基板13の広い面積で耐量を保持することができる。その結果、半導体装置10のアバランシェ耐量を向上することができる。また、半導体領域20の高濃度領域20aとガードリング22の高濃度領域22aは、十分に薄く形成されているため、高濃度領域20a,22aによって半導体装置10の耐圧が低下することもない。以上、本願の技術を具現化した具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、上述した実施例では、素子領域30に形成される半導体領域20において、高濃度領域20aの幅半導体領域20が伸びる方向に直交する方向の幅が低濃度領域20bの幅より大きくされており、外周領域40に形成されるガードリング22において、高濃度領域22aの幅が低濃度領域22bの幅より小さくされていたが、本発明はこのような形態に限られず、素子領域30で耐量を保持する構成であればどのような構成を採ってもよい。したがって、素子領域30に形成される半導体領域20において、高濃度領域20aの幅が低濃度領域20bの幅より大きくされている場合は、外周領域40に形成されるガードリング22では、高濃度領域22aの幅を低濃度領域22bの幅と同一としてもよい。この場合は、ガードリング22の高濃度領域22aがドリフト層14と接するが、半導体領域20の高濃度領域20aがドリフト層14内に突出しているため、この部分に高電界が印加され、素子領域30で耐量を保持する構成とすることができる。また、外周領域40に形成されるガードリング22において、高濃度領域22aの幅が低濃度領域22bの幅より小さければ、素子領域30に形成される半導体領域20において、高濃度領域20aの幅を低濃度領域20bの幅と同一としてもよい。この場合は、半導体領域20の高濃度領域20aは、ドリフト層14内に突出しないが、ドリフト層14と接するため、この部分に高電界が印加され、素子領域30で耐量を保持する構成とすることができる。また、上述した実施例の半導体装置10では、半導体領域20とガードリング22のそれぞれが、高濃度領域20a,22aと低濃度領域20b,22bを備える構成であったが、半導体領域20とガードリング22の構成は、このような構成に限られない。素子領域30で耐量を保持する構成であれば、任意の構成を採ることができる。また、上述した実施例の半導体装置10は、SiC製のダイオードであったが、本願の技術は、このような例に限られない。半導体基板の表面に露出する複数の第1導電型の半導体領域と、その半導体領域に接する第2導電型のドリフト領域を備えた半導体装置に適用することができる。例えば、SiC製のMOSFETやダイオード例えば、ショットキーダイオード一体型MOSFETにも適用することができる。さらには、SiC製の半導体装置だけでなく、Si製の半導体装置に適用することもできる。また、外周領域40に形成されるガードリング22の本数や構成は、種々の態様を採る事ができる。例えば、ガードリングの構造としては、JTEやFLR等を用いることができ、また、その本数や幅も半導体装置に求められる特性に応じて適宜決定することができる。さらに、上述した実施例では、ガードリング22が高濃度領域22aを有していたが、ガードリング22には高濃度領域22aを形成しなくてもよい。ガードリング22に高濃度領域22aを形成しなくても、素子領域30で耐量を保持する構成とすることができる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は、複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"