液体を介して原版のパターンを基板に投影し該基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動する基板ステージを備え、前記基板ステージは、前記基板が配置される領域を取り囲むように配置された周辺部材を含み、前記周辺部材は、前記液体を保持する保持面を有し、前記周辺部材には、前記液体を捕捉する溝が形成され、前記溝は、前記基板が配置される領域を取り囲むように配置されていて、底部と、前記保持面から前記底部に向かって延びた内側側面と、外側側面とを含み、前記内側側面は、前記保持面から遠ざかるに従って段階的に又は連続的に傾斜が大きくなっており、前記外側側面には、前記溝によって捕捉された前記液体の飛散を防止する飛散防止部が設けられていることを特徴とする露光装置。液体を介して原版のパターンを基板に投影し該基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動する基板ステージを備え、前記基板ステージは、前記基板が配置される領域を取り囲むように配置された周辺部材を含み、前記周辺部材は、前記液体を保持する保持面を有し、前記周辺部材には前記液体を捕捉する溝が形成され、前記溝は、前記基板が配置される領域を取り囲むように配置されていて、底部と、前記保持面から前記底部に向かって延びた内側側面と、外側側面とを含み、前記内側側面は、前記保持面から遠ざかるに従って段階的に又は連続的に傾斜が大きくなっており、前記基板が配置される領域の中心を通る水平面内の線に沿った前記内側側面の幅が1mm以上かつ30mm以下であることを特徴とする露光装置。前記外側側面には、前記溝によって捕捉された前記液体の飛散を防止する飛散防止部が設けられていることを特徴とする請求項2に記載の露光装置。前記飛散防止部は、前記外側側面から内側の方向に突出した部材であることを特徴とする請求項1または3に記載の露光装置。前記内側側面における前記液体の接触角が前記保持面における前記液体の接触角よりも小さい、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。前記底部および前記外側側面の少なくとも一方に多孔質体が配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。前記溝によって捕捉された前記液体を排出する排出部を更に備えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の露光装置。デバイスを製造するデバイス製造方法であって、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、該基板を現像する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。基板ステージの移動が高速化すると、基板の外側に単純に溝などの障壁を配置するだけでは、液体の飛散を防止することが難しくなると考えられる。例えば、単純に溝を設けるだけでは、液体は慣性によって溝の上を通過し基板ステージから飛散しうる。あるいは、基板ステージ上に突起を設けた場合、液体はその突起に衝突し飛散しうる。本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、基板ステージからの液体の飛散を低減するために有利な技術を提供することを目的とする。本発明の1つの側面は、液体を介して原版のパターンを基板に投影し該基板を露光する露光装置に係り、前記露光装置は、前記基板を保持して移動する基板ステージを備え、前記基板ステージは、前記基板が配置される領域を取り囲むように配置された周辺部材を含み、前記周辺部材は、前記液体を保持する保持面を有し、前記周辺部材には、前記液体を捕捉する溝が形成され、前記溝は、前記基板が配置される領域を取り囲むように配置されていて、底部と、前記保持面から前記底部に向かって延びた内側側面と、外側側面とを含み、前記内側側面は、前記保持面から遠ざかるに従って段階的に又は連続的に傾斜が大きくなっており、前記外側側面には、前記溝によって捕捉された前記液体の飛散を防止する飛散防止部が設けられている。本発明によれば、基板ステージからの液体の飛散を低減するために有利な技術が提供される。以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。なお、各図において、同一の部材には同一の参照符号が付されている。まず、図1を参照しながら本発明の一実施形態の露光装置1について説明する。露光装置1は、液浸露光装置として構成されている。露光装置1では、投影光学系30の最終光学素子31の基板40側の面最終面と基板40との間隙に液体Lが供給される。ここで、最終光学素子31の光軸をAXとする。露光装置1は、原版レチクルとも呼ばれる20に形成されたパターンは、投影光学系30、および液体Lを介して基板40に投影され、基板40が露光される。露光装置1は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適である。露光装置1は、ステップアンドスキャン方式又はステップアンドリピート方式で基板40の複数のショット領域を露光する。ステップアンドスキャン方式では、原版20に対して基板40を連続的にスキャン走査しながら原版20のパターンが基板40に転写される。ここで、1つのショット領域の露光が終了すると、基板40がステップ移動されて、次のショット領域が露光される。ステップアンドリピート方式では、原版20と基板40とを相対的に静止させた状態で各ショット領域が露光され、1つのショット領域の露光が終了すると、基板40がステップ移動されて、次のショット領域が露光される。以下では、露光装置1がステップアンドスキャン方式の露光装置スキャナーとも呼ばれるとして構成された例を説明する。露光装置1は、照明装置10と、原版20を保持して移動する原版ステージ25と、投影光学系30と、基板40を保持して移動する基板ステージ45と、液体供給回収機構60とを備える。図1では省略されているが、露光装置1は、原版ステージ25を位置決めする原版ステージ位置決め機構や、基板ステージ45を位置決めする基板ステージ位置決め機構などを更に備えている。原版ステージ位置決め機構は、原版ステージ25の位置をレーザー干渉計等の計測機によって計測し、その計測結果に基づいて駆動機構によって原版ステージ25を位置決めする。基板ステージ位置決め機構は、基板ステージ45の位置をレーザー干渉計等の計測機によって計測し、その計測結果に基づいて駆動機構によって基板ステージ45を位置決めする。照明装置10は、回路パターンが形成された原版20を照明するように構成されている。照明装置10は、例えば、光源部12と、照明光学系14とを有する。光源部12は、例えば、光源として、波長約193nmのArFエキシマレーザー、波長約248nmのKrFエキシマレーザーなどのエキシマレーザーを備えうる。但し、光源の種類は、エキシマレーザーに限定されず、例えば、波長約157nmのF2レーザーを使用してもよいし、光源の個数も限定されない。また、光源部12に使用可能な光源は、レーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。また、光源部12にレーザーが使用される場合、ビーム整形光学系を使用することが好ましい。ビーム整形光学系は、例えば、複数のシリンドリカルレンズを備えるビームエクスパンダを使用する。ビーム整形光学系は、レーザーからの平行光の断面形状の寸法の縦横比率を所定の値に変換する例えば、断面形状を長方形から正方形にするなどことによりビーム形状を整形する。照明光学系14は、原版20を照明する光学系である。照明光学系14は、例えば、集光光学系と、オプティカルインテグレーターと、開口絞りと、集光レンズと、マスキングブレードと、結像レンズとを含む。照明光学系14は、従来の照明、輪帯照明、四重極照明などの様々な照明モードを実現できる。集光光学系は、複数の光学素子から構成され、オプティカルインテグレーターに所定の形状で効率よく光を導入する。オプティカルインテグレーターは、原版20を照明する照明光を均一化するものであって、ハエの目レンズ、光学ロッド、回折格子、各組が直交するように配置された複数の組のシリンドリカルレンズアレイ板などを含む。開口絞りは、投影光学系30の瞳に形成される有効光源と略共役な位置に配置され、有効光源の形状を制御する。集光レンズは、オプティカルインテグレーターの射出面近傍の2次光源から射出し、開口絞りを透過した複数の光束を集光し、マスキングブレードを均一にケーラー照明する。マスキングブレードは、複数の可動遮光板で構成され、投影光学系30の有効面積に対応する略矩形の任意の開口形状を有する。マスキングブレードの開口部を透過した光束は、原版20を照明する照明光として使用される。結像レンズは、マスキングブレードの開口形状を原版20に投影する。原版20は、例えば、石英で構成され、その上には転写されるべきパターンが形成され、原版ステージ25により保持によって保持される。原版20から出た回折光は、投影光学系30および液体Lを介して基板40に投影される。原版20と基板40とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置1は、原版20と基板40とを走査しながら原版20のパターンを基板40に転写する。投影光学系30は、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の反射鏡とを有する反射屈折光学系、または、複数のレンズ素子のみからなる屈折光学系として構成されうる。投影光学系30は、例えば、基板40に最も近い最終光学素子即ち、最も基板40側に配置される光学素子として、パワーを有する平凸レンズを有しうる。平凸レンズは、平坦な射出面下側基板40側の面を有するため、走査時の液体Lの乱流を防止し、また、該乱流による液体Lへの気泡の混入を防止するために有利である。平凸レンズの射出面には、液体Lから保護するために保護膜を形成してもよい。なお、本発明は、投影光学系30の最終光学素子を平凸レンズ32に限定するものではない。基板40は、例えば、半導体デバイスの製造用のウェハ、表示パネルの製造用のガラス基板、または、他の種々の基板でありうる。基板40には、フォトレジストが塗布されている。基板ステージ45は、図示しない基板チャックを有し、基板チャックによって基板40を保持する。基板ステージ45を位置決めする基板ステージ位置決め機構は、例えば、6つの運動の自由度例えば、直交座標系を構成するXYZ軸にそれぞれ平行な並進駆動、該XYZ軸それぞれを回転軸とする回転運動の計6自由度を有することが好ましい。例えば、基板ステージ位置決め機構は、リニアモータを利用してXYZ方向に基板ステージ45を駆動する。原版20と基板40とは、例えば、同期走査され、原版ステージ25の位置と基板ステージ45の位置とは、例えば、レーザー干渉計などの計測機により監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。基板ステージ45は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されたステージ定盤の上に配置されうる。基板ステージ45は、基板40が配置される領域を取り囲むように配置された周辺部材50を含む。周辺部材50は、液体Lを保持する保持面HSを有する。基板40の端部から露光を開始するためには、基板40の端部が露光領域露光光が照射される領域に到達する前に投影光学系30の最終光学素子31の最終面下面の下に液体Lを満たす必要がある。そこで、基板40の外側に、基板40の表面とほぼ同じ高さの液体保持面HSを有する周辺部材50を設けて、基板40の外側の領域においても液体Lの膜を形成することを可能にしている。液体Lは、露光光の波長に対する透過率がよく、レジストプロセスとのマッチングのよい液体物質が使用される。液体Lとしては、例えば、超純水、純水、機能水などが使用される。また、周辺部材50の基板40を取り囲む一部は、容易に交換可能なリング状の交換部材としても良い。液体供給回収機構60は、投影光学系30の最終光学素子31と基板40または保持面HSとの間隙に液体Lを供給し、そこから液体Lを回収する機能を有する。液体供給回収機構60は、例えば、液体精製装置と、脱気装置と、液体温度制御装置とを含みうる。液体供給回収機構60は、供給ノズル61を介して、投影光学系30の最終光学素子31と基板40または保持面HSとの間隙に液体Lを供給する。また、液体供給回収機構60は、回収ノズル62を介して、投影光学系30の最終光学素子31と基板40または保持面HSとの間隙から液体Lを回収する。液体供給回収機構60は、液体供給機構として、上記のほか、例えば、液体Lを貯めるタンク、液体Lを送り出す圧送装置、液体Lの供給流量を調整する流量調整装置などを含みうる。液体供給回収機構60は、液体回収機構として、上記のほか、例えば、回収された液体Lを一時的に貯めるタンク、液体Lを吸引する吸引装置、液体Lの回収流量を調整するための流量調整装置などを含みうる。供給ノズル61と回収ノズル62は、多孔性材料で構成されていることが好ましい。多孔性材料としては、繊維状や粒状粉状の金属材料や無機材料を焼結した多孔質体、あるいは、金属材料や無機材料の板状にピンホールやスリットを形成したものを用いる。金属材料や無機材料は、例えば、ステンレス、ニッケル、アルミナ、チタン、SiO2やSiCなどのセラミックスなどを用いる。液体精製装置は、例えば、図示しない液体供給源から供給される原料液中に含まれる金属イオン、微粒子及び有機物等の不純物等を低減させる。脱気装置は、液体Lに脱気処理を施し、液体Lの中の溶存酸素や溶存窒素等の溶存ガスを低減する。脱気装置は、例えば、膜モジュールと真空ポンプとによって構成されうる。脱気装置としては、例えば、ガス透過性の膜を隔てて、一方に液体Lを流し、他方を真空にして、液体L中の溶存ガスをその膜を介して真空中に追い出す装置が好適である。温度制御装置は、液体Lを目標温度に制御する機能を有する。以下、周辺部材50を有する基板ステージ45を備える露光装置1の幾つかの実施形態を説明する。図2は、第1実施形態の露光装置1の構成を示す図である。なお、図2に示されていない事項は、図1を参照しながら説明した事項に従いうる。図2に示す露光装置1は、液体供給回収機構60を有し、液体供給回収機構60は、投影光学系30の最終光学素子31と基板40または保持面HSとの間隙に、供給ノズル61を介して液体Lを供給する。液体供給回収機構60はまた、該間隙に供給された液体Lを回収ノズル62を介して回収する。このように投影光学系30の最終光学素子31と基板40との間隙を液体Lで満たす方式は、ローカルフィル方式と呼ばれる。液体Lとしては、超純水が使用されうる。保持面HSの表面の高さは、基板40の面と同一の高さを有しうる。なお、ここで言う同一とは、厳密な同一を意味するものではなく、保持面HSの上に基板40の上と同様に液体Lを保持することができる程度に保持面HSの高さが調整されていることを意味する。保持面HSは、撥水性のあるフッ素系材料で構成されていることが好ましい。図2および図3に例示されるように、周辺部材50は、基板40が配置される領域を取り囲むように配置された溝70を有し、溝70により液体Lを捕捉する。露光装置1は、溝70によって捕捉された液体Lを溝70から排出する排出部80を備えうる。図4は、溝70の構成例を示す拡大断面図である。溝70は、底部71と、保持面HSから底部71に向かって延びた内側側面72と、外側側面73とを含む。内側側面72は、保持面HSから遠ざかるに従って段階的に又は連続的に傾斜が大きくなっている側面であり、図4に示す例では、内側側面72は、保持面HSから遠ざかるに従って連続的に傾斜が大きくなっている。内側側面72は、保持面HSの外延から連続した曲面でありうる。内側側面72は、例えば、円弧の断面を有しうる。内側側面72における液体Lの接触角は、保持面HSにおける液体Lの接触角よりも小さいことが好ましい。そこで、内側側面72には、親液処理液体が水である場合には、親水処理が施されうる。保持面HSの上を相対的に移動してくる液体Lは、溝70の内側側面を鉛直面とした場合には、そのまま水平方向に移動して飛散しやすい。なお、液体Lの相対的に移動は、液体が静止した状態で基板ステージが移動すること、基板ステージが静止した状態で液体が移動すること例えば、液体の供給量が過剰である場合、液体と基板ステージの双方が移動していることを含む。しかし、溝70の内側側面72を保持面HSから遠ざかるに従って段階的に又は連続的に傾斜した面とすることにより、相対的に移動してくる液体Lを内側側面72に引き寄せる効果を得ることができる。この効果は、内側側面72における液体Lの接触角を保持面HSにおける液体Lの接触角よりも小さくすることによって更に高められる。図13a、bは、溝70の内側側面72を鉛直面とした場合と本実施形態に従ってR面円弧断面を有する面とした場合における液体Lの飛散を比較した結果を示している。図13aは、溝70の内側側面72を鉛直面とした場合、図13bは、溝70の内側側面72をR面円弧断面を有する面として場合を示している。この例では、加速度を1G、1.7G、2G、3G、3.5Gで基板ステージ45の速度1000mm/secまで加速した。図13a、bにおいて、飛散しない液量は、基板ステージ45から液体Lが飛散しないときの基板ステージ45への液体Lの供給量を示している。なお、>500は、500マイクロリットルであるときに液体Lの飛散がなかったが、それを超える液体の量では実験を行っていないことを示している。図13bの方が図13aよりも溝による液体の補足の効果が高いことが分かる。図4に示す構成例および後述の図5~図11に示す構成例において、基板40が配置される領域の中心Oを通る水平面内の線HLに沿った内側側面72の幅Wは、1mm以上かつ30mm以下であることが好ましい。幅Wが1mm未満では、内側側面72による液体の引き寄せの効果が弱いことが実験によって確認された。一方、30mmを超えると、基板ステージ45の大型化が許容しがたいものとなる。図5は、溝70の他の構成例を示す拡大断面図である。溝70は、底部71と、保持面HSから底部71に向かって延びた内側側面72と、外側側面73とを含む。内側側面72は、保持面HSから遠ざかるに従って段階的に傾斜が大きくなっている。図5に示す例では、内側側面72は、複数の傾斜面を有し、該複数の傾斜面は、保持面かHSら遠い傾斜面ほど傾斜が大きい。保持面HSと内側側面のうち保持面HSと接する部分とがなす内角Θは、170度以下かつ135度以上であることが好ましい。溝70の底部71、内側側面72および外側側面73の全部または一部を構成する部材と保持面HSの全部または一部を構成する部材とは、同一の部材で構成されてもよいし、異なる部材で構成れてもよい。あるいは、周辺部材50は、1つの部材で構成されてもよいし、複数の部材で構成されてもよい。以下、第2実施形態の露光装置について説明する。第2実施形態として言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。第2実施形態では、周辺部材50は、溝70の底部71および外側側面73の少なくとも一方に多孔質体を備えている。図6は底部71に多孔質体90を設けた例、図7は外側側面73に多孔質体90を設けた例、図8は底部71および外側側面73に多孔質体90を設けた例を示している。溝70の底部71に多孔質体90を設けることによって、底部71に捕捉された液体が多孔質体90に浸透するので、飛散が防止されうる。溝70の外側側面73に多孔質体90を設けることによって、外側側面73に衝突した液体が多孔質体90によって吸収されるので、液体が飛散することが防止される。排出部80は、多孔質体90によって吸収された液体を排出するように配置されうる。図8に示す例では、底部71および外側側面73に排出部80が設けられている。以下、第3実施形態の露光装置について説明する。第3実施形態として言及しない事項は、第1又は第2実施形態に従いうる。第3実施形態では、図9~図11に例示されるように、周辺部材50は、溝70によって捕捉された液体の飛散を防止するように外側側面73の上方の部分から内側側面72の方向に向かって突出した飛散防止部100を含む。図10および図11に例示されるように、飛散防止部100は、第2実施形態における多孔質体90とともに設けられてもよい。飛散防止部100は、溝70を構成する部材と一体化されてもよいし、該部材に取り付けられてもよい。溝70に、液体Lが進入する場合、進入した液体Lが、飛散防止部100の端面に接触すると、基板ステージ45から飛散する。そのため、飛散防止部100の端面と内側側面72との距離dを最適化する必要がある。内側側面72上にある液体Lの高さをh、液体Lの体積をV、液体Lと内側側面72との接触角をαとすると、下記の式1の関係が成り立つ。h=V/π/6×3×sin2α/1-cosα211/3式1例えば、式1によると液体Lと内側側面72との接触角が30°、液体Lの体積を500μLの場合、液体Lは、3mm程度の高さとなる。溝70に液体Lが進入した場合、液体Lの高さhよりも飛散防止部100の端面と内側側面72との距離dが短い場合、液体Lは、飛散防止部100の端部に接触してしまうため、h<dとなるように、飛散防止部100の寸法や配置角度が決定される。また、図9~図11に例示されているように、飛散防止部100は、保持面HSに対して水平に配置されている。ただし、図12に例示されているように、飛散防止部100は保持面HSに対して、下方に傾いていてもよい。下方に傾けると投影光学系との接触をより確実に防止することができる。上記の飛散防止部100を下方に傾けた形態は、第2の実施形態における多孔質体90とともに設けられてもよい。上記の第2および第3実施形態は、図5に例示されるように保持面HSから遠ざかるに従って段階的に傾斜が大きくなった内側側面72と組み合わせて実施されてもよい。本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、液晶デバイス等のデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板を、上記の露光装置1を用いて露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含みうる。