半導体素子本体の外表面を覆って設けられた絶縁膜と、この絶縁膜に設けられ前記半導体素子本体に一端側が接する外部接続用端子と、前記絶縁膜に穿設され一端側が前記外部接続用端子に接する配線取出し孔と、を具備する半導体素子において、前記外部接続用端子の前記配線取出し孔に接する面全体に一面が接し他面が前記絶縁膜に接して設けられ前記外部接続用端子の色と前記絶縁膜の色と異なる色を有し前記配線取出し孔の穿設時に除去されることにより前記配線取出し孔の穿設完了を識別する識別膜とを具備したことを特徴とする半導体素子。前記絶縁膜は透明体であることを特徴とする請求項1記載の半導体素子。前記外部接続用端子は金材を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体素子。前記識別膜は、前記配線取出し孔のエッチングによる形成と共にエッチング除去されることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の半導体素子。前記識別膜は、チタン材よりなることをを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載の半導体素子。このような装置においては、以下の問題点がある。別の配線層や外部からボンディングするためのスルーホールが正しく開口していないと、配線間のコンタクトが取れず、そのため抵抗値が上昇し、製品の歩留まりの低下の原因となる。一般に、絶縁膜2の材料には透明な材料が多く、透明に見える絶縁膜2の配線取出し孔4の微細な部分の開口完了を調べるのは、一般的な金属顕微鏡で確認するのは困難で、その都度、特殊な顕微鏡を用いて観察したり、実物において電気抵抗を調べるなどの電気検査をおこなう必要があった。ここで、例えば、開口の大きさは、2μm角~200μm角である。本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、不良品の発生を容易に防止出来て歩留まりの向上と製造条件の確認の容易な半導体素子を提供することにある。このような課題を達成するために、本発明では、請求項1の半導体素子においては、半導体素子本体の外表面を覆って設けられた絶縁膜と、この絶縁膜に設けられ前記半導体素子本体に一端側が接する外部接続用端子と、前記絶縁膜に穿設され一端側が前記外部接続用端子に接する配線取出し孔と、を具備する半導体素子において、前記外部接続用端子の前記配線取出し孔に接する面全体に一面が接し他面が前記絶縁膜に接して設けられ前記外部接続用端子の色と前記絶縁膜の色と異なる色を有し前記配線取出し孔の穿設時に除去されることにより前記配線取出し孔の穿設完了を識別する識別膜とを具備したことを特徴とする。本発明の請求項2の半導体素子においては、請求項1記載の半導体素子において、前記絶縁膜は透明体であることを特徴とする。本発明の請求項3の半導体素子においては、請求項1又は請求項2記載の半導体素子において、前記外部接続用端子は金材を含むことを特徴とする。本発明の請求項4の半導体素子においては、請求項1乃至請求項3の何れかに記載の半導体素子において、前記識別膜は、前記配線取出し孔のエッチングによる形成と共にエッチング除去されることを特徴とする。本発明の請求項5の半導体素子においては、請求項1乃至請求項4の何れかに記載の半導体素子において、前記識別膜は、チタン材よりなることを特徴とする。本発明の請求項1によれば、次のような効果がある。多くの外観検査で用いられる金属顕微鏡による観察で簡単に開口を確認することができ、容易に不良品の食い止めができる半導体素子が得られる。エッチング条件やフォトリソグラフィの条件をはじめとする、プロセス条件の確認試験を容易に行うことができるようになる半導体素子が得られる。追加加工できる構造である。追加の加工により、歩留まりの上昇が期待できる。また、追加の加工の際、どの程度の加工が必要かの見極めが識別膜の表面の色判別のみで出来、容易である半導体素子が得られる。本発明の請求項2によれば、次のような効果がある。絶縁膜は透明体であるので、半導体プロセスに使用される絶縁膜は透明体が多く、市場性があり、入手し易く、安価な半導体素子が得られる。本発明の請求項3によれば、次のような効果がある。外部接続用端子は金材よりなるので、金材は導電性が良好で確実な導電性を有する外部接続用端子を具備する半導体素子が得られる。本発明の請求項4によれば、次のような効果がある。識別膜は、配線取出し孔のエッチングによる形成と共にエッチング除去されるので、製造コストが低減出来る半導体素子が得られる。本発明の請求項5によれば、次のような効果がある。識別膜は、チタン材よりなるので、金材を含む外部接続用端子に対して密着性が向上され、且つ、明らかに色の区別がつき、判別性が向上できる半導体素子が得られる。以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明の一実施例の要部構成説明図、図2は図1の製作説明図である。図において、図3と同一記号の構成は同一機能を表す。以下、図3との相違部分のみ説明する。図1において、識別膜11は、外部接続用端子3の配線取出し孔4に接する面全体に一面が接し、他面が絶縁膜2に接して設けられ、外部接続用端子3の色と絶縁膜2の色と異なる色を有し、配線取出し孔4の穿設時に除去されることにより、配線取出し孔4の穿設完了を識別する。なお、外部接続用端子3の上の識別膜11の厚さは、色が確認できる厚さであれば良く、200Å程度あればよい。この場合は、絶縁膜2は透明体であり、外部接続用端子は金材を含む。また、識別膜11は、配線取出し孔4のエッチングによる形成と共にエッチング除去される。また、識別膜11は、チタン材よりなる。以上の構成において、図2aに示す如く、半導体素子本体1、この場合は、化合物半導体層の上に絶縁膜2を成膜し、外部接続用端子3の上に金材と明らかに色の区別がつく識別膜11、この場合は、チタンを薄く成膜する。そして、少なくとも、配線取出し孔4が設けられる箇所において、外部接続用端子3の上の識別膜11が存在するように形成する。図2cに示す如く、絶縁膜2と識別膜11とを同時に、または、連続してエッチングし、配線取出し孔4を形成する。開口する絶縁膜2の部分よりも下部にある、薄膜の識別膜11がエッチングされたところで開口完了が確認できる。図2bは、開口未完了の状態を示す。配線取出し孔4の部分で、識別膜11が未だ十分に除去されていない状態を示す。この結果、多くの外観検査で用いられる金属顕微鏡による観察で簡単に開口を確認することができ、容易に不良品の食い止めができる半導体素子が得られる。エッチング条件やフォトリソグラフィの条件をはじめとする、プロセス条件の確認試験を容易に行うことができるようになる半導体素子が得られる。追加加工できる構造である。追加の加工により、歩留まりの上昇が期待できる。また、追加の加工の際、どの程度の加工が必要かの見極めが識別膜の表面の色判別のみで出来、容易である半導体素子が得られる。絶縁膜は透明体であるので、半導体プロセスに使用される絶縁膜は透明体が多く、市場性があり、入手し易く、安価な半導体素子が得られる。外部接続用端子3は金材を含むので、金材は導電性が良好で確実な導電性を有する外部接続用端子3を具備する半導体素子が得られる。識別膜11は、配線取出し孔4のエッチングによる形成と共にエッチング除去されるので、製造コストが低減出来る半導体素子が得られる。識別膜11は、チタン材よりなるので、金材を含む外部接続用端子3に対して密着性が向上され、且つ、明らかに色の区別がつき、判別性が向上できる半導体素子が得られる。半導体素子が得られる。要するに、半導体素子本体1、この場合は、化合物半導体の上の絶縁膜2を開口4して、配線金属3を表面に出すときは、主となる配線金属3と容易な区別のつく金属薄膜の識別膜11を、主となる配線金属3の上に成膜しておく。開口4のプロセス後、配線金属3上に成膜した金属薄膜11が残っていなければ、その開口4が確実に取れているということを、目視の外観検査によって簡単に知ることができる。それによって、ウェハを電気検査することなどの手間や素子の破壊のリスクを避けることができる。なお、前述の実施例においては、識別膜11に付いて、チタンTiが使用されていると説明したが、これに限ることはなく、例えば、ケイ化タンタルTaSiNやタンタルTaやモリブデンMoであっても良く、要するに、外部接続用端子3と色の区別ができるものであれば良い。また、前述の実施例においては、絶縁膜2に付いて、ポリイミドと説明したが、これに限ることはなく、例えば、酸化膜、窒化膜であっても良く、要するに、絶縁膜であれば良い。なお、絶縁膜2と共にエッチングができる識別膜11を選択すると、開口不十分の際の、追加の加工が容易である。例えば、識別膜11がチタンTiであれば、フッ素系ガスのRIEで、絶縁膜2のポリイミドとともにエッチングすることができる。なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。