被検査物の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置であって、前記被検査物を乗せるためのステージと、前記被検査物の表面に対して所定の角度方向から前記被検査物側に光を照射する拡散光源と、前記被検査物の表面からの反射光を受光可能なラインセンサと、前記被検査物と前記ラインセンサとの間に設けられ、前記反射光のうち前記拡散光源のエッジ部からの光束に起因する反射光束が、前記ラインセンサの両端の少なくとも一方に設けられた所定領域でのみ受光されるように、前記反射光を前記ラインセンサに導くための光学系と、を備えるマクロ検査装置。前記光学系はレンズを含み、前記所定領域の幅wtは、当該レンズの分解能aと、光学倍率bとの積wt=a×bにより定められる、請求項1のマクロ検査装置。前記光学系は、前記反射光束を前記所定領域に導くためのナイフエッジを含む、請求項1または2のマクロ検査装置。前記所定領域で受光される前記反射光束に応じた前記ラインセンサの出力は、前記凹凸パターンのサイズ変動に対して線形に変化する、請求項1~3のいずれか1項のマクロ検査装置。前記ラインセンサの出力信号を受け取り、前記ラインセンサの前記所定領域での受光量の変化に対応した輝度分布の画像を生成する画像処理手段と、前記拡散光源の角度を変えるための光源駆動手段と、前記ラインセンサの角度を変えるためのラインセンサ駆動手段と、前記被検査物の表面の所定領域での前記凹凸パターンのサイズ変動を検査するために、前記ステージを所定の間隔で移動させることができる移動手段と、をさらに含む、請求項1ないし4のいずれか1項のマクロ検査装置。特許文献1のマクロ検査装置は、明視野光学系において、指向性の高い光照射領域のエッジからの反射光を利用することにより、検出感度を向上させる点で、有効な装置である。しかし、被検査物の表面の凹凸パターン、特に微細なパターンのサイズ変動を検出するには、さらなる検出感度の向上が必要とされる。特許文献2の暗視野検査装置は、暗視野光学系において、撮像部での散乱光の捕集効率を向上させる点に特徴がある。しかし、被検査対象からの散乱光を利用しているので、被検査物の表面の凹凸パターン、特に微細なパターンのサイズ変動を検出するには有効な装置ではない。したがって、本発明の目的は、被検査物の表面の凹凸パターン、特に微細なパターンのサイズ変動およびその分布を高感度で検出することができるマクロ検査装置を提供することである。本発明は、被検査物の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置である。そのマクロ検査装置は、被検査物を乗せるためのステージと、被検査物の表面に対して所定の角度方向から被検査物側に光を照射する拡散光源と、被検査物の表面からの反射光を受光可能なラインセンサと、被検査物とラインセンサとの間に設けられ、反射光のうち拡散光源のエッジ部からの光束に起因する反射光束が、ラインセンサの両端の少なくとも一方に設けられた所定領域でのみ受光されるように、反射光をラインセンサに導くための光学系と、を備える。本発明によれば、被検査物の表面の凹凸パターンのサイズ変動を反映した反射光束をラインセンサの端に設定した所定領域で受光することにより、微細なパターンのサイズ変動およびその分布を高感度で検出することができる。本発明の一態様では、光学系はレンズを含み、所定領域の幅wtは、当該レンズの分解能aと光学倍率bとの積wt=a×bにより定められる。また、光学系は、反射光束を所定領域に導くためのナイフエッジを含むことができる。本発明の一態様によれば、光学系のレンズあるいはナイフエッジの設定により、所定領域の最適化を図ることにより、微細なパターンのサイズ変動の検出感度をより向上させることが可能となる。本発明の一態様では、ラインセンサの出力は、所定領域で受光される反射光束に応じたラインセンサの出力は、凹凸パターンのサイズ変動に対して線形に変化する。本発明の一態様によれば、微細なパターンのサイズ変動をラインセンサの出力から直接、あるいはその画像処理結果から精度良く検出することができる。図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明の一実施形態のマクロ検査装置100である。図1において、円形のステージ1上に被検査物2が載る。ステージ1は、ステージコントローラ4の制御下で、リニアモータ3によって、回転θ、水平Xあるいは垂直Yの方向に移動する。拡散光源5は、コントローラ8の制御下で、ステッピングモータ7によって、円弧状のレール6に沿って移動する。拡散光源5は、ステージ1上の被検査物2の上面に対して所定の角度に設定される。所定の角度は、測定状態に応じて任意に設定可能である。拡散光源5の明るさは、光源用の電源10によって調整される。ラインセンサカメラ9は、光源5と同様に、コントローラ8の制御下で、ステッピングモータ7により、円弧状のレール6に沿って移動する。ラインセンサカメラ9の前部には、被検査物の表面からの反射光をラインセンサ9に導くための所定の光学系12が設けられる。なお、光学系12は、被検査物とラインセンサとの間にあればよく、ラインセンサ9と一体型であってもよい。ラインセンサカメラ9の出力は画像処理手段11に入る。画像処理手段11は、ステージコントローラ4、コントローラ8、ラインセンサカメラ9および拡散光源5用の電源10を制御する。なお、図1では、拡散光源5とラインセンサカメラ9はそれぞれ1つしか記載されていないが、被検査物のサイズや形状に応じてそれぞれ2以上配置してもよい。以上が図1の概要である。次に、図1の各構成についてさらに説明する。ステージ1は、円形以外の任意の形状を有することができる。ステージ1は、被検査物2の表面以外からの反射光ができるだけ発生しにくい構造を有することが望ましい。具体的には、被検査物2が透明で、かつその表面での散乱光が十分に発生する場合、ステージ1は、拡散光源5の光波長に対して鏡面となる材料からなることが望ましい。被検査物2の表面が鏡面で、かつその表面での散乱光が発生しない場合、ステージ1は、拡散光源5の光波長を吸収し、つや消しの材料からなることが望ましい。被検査物2としては、例えば、半導体基板半導体ウエハ上の薄膜、ガラス基板上の液晶層、ハードディスク、パターンドメディアなどであって、その表面の少なくとも一定の領域に凹凸パターンを有するものが該当する。ただし、被検査物2はこれらに限られず、基本的に所定の面積の表面を有し、凹凸パターンを有するものであれば基本的に何でもよい。ここで言う凹凸パターンとは、凹凸が繰り返される周期構造を意味する。また、凹凸パターンのサイズとは、凹凸パターンを構成する凸部の幅、凹部の幅、あるいはピッチ1つの凹凸の幅のいずれか1つあるいは複数の意味で用いている。そのサイズは、例えばナノメートルnmレンジからマイクロメートルμmレンジまでの任意のサイズを含む。拡散光源5は、所定の面積に渡って指向性の無いほぼ均一な光を発するものであればよく、均一な光を発することができる面光源と呼ばれるものでもよい。拡散光源5としては、発光源としては白熱電球やハロゲン電球などの電球型、蛍光灯型、あるいはLEDやレーザダイオードなどの発光素子をアレイ上に配置したものを含めて任意に選択することができる。また、拡散効果を得るための光学系レンズ、拡散板などは、発光源との一体型として、あるいは発光源の出力部の外側に設置することができる。発光源の波長は、広域波長あるいは所定の波長帯を選択することができる。その選択は、被検査物の状態材質、光特性など、ラインセンサカメラ9および光学系12の光学特性波長特性などに応じておこなわれる。ラインセンサカメラ9は、受光素子画素を一列に並べることによって、1次元毎に画像を取得できるものであれば良い。ラインセンサカメラ9には、例えば1次元のCCDが含まれる。その画素数は、被検査物2のサイズに応じて選択される。被検査物2のサイズが大きくて1つのラインセンサカメラ9ではカバーできない場合は、2以上のラインセンサカメラを用いる。拡散光源5とラインセンサカメラ9は、ステッピングモータ7によって、所定の最小制御角度Δθ単位で、被検査物2の表面に対する角度を可変することができる。ステッピングモータ7による最小制御角度Δθは、例えば1/1000度以下である。その最小制御角度はできるだけ小さいほうが望ましい。光学系12は、被検査物2の表面からの反射光のうち拡散光源5のエッジ部からの光束に起因する反射光束が、ラインセンサ9の両端の少なくとも一方に設けられた所定領域でのみ受光されるように構成される。光学系12は、レンズあるいはナイフエッジなどの反射光束の軌道を調整するための光学備品を含む。光学系12の機能についてはさらに後述する。画像処理手段11は、所定の測定プログラムに基づき、ラインセンサカメラ9からの画像情報を処理する。画像処理手段11は、コントローラ4、8および照明用電源10を制御する。画像処理手段11は、ラインセンサカメラ9の制御用のカード回路基板、コントローラ4、8あるいは照明用電源10を制御するための回路基板、画像データを格納するためのメモリ等を有する。画像処理手段11としては、例えば、画像処理結果などを表示する表示部、測定条件などを入力する入力部などを有するパーソナルコンピュータPCが該当する。図2は、図1のマクロ検査装置100における凹凸パターンのサイズ変動を検出する方法を説明するための図である。図2では、図1の場合と同じ構成については同一の符号を付している。なお、図2では、光束の流れをわかりやすくするために、被検査物2が光を透過する物質である場合について記載している。被検査物2が光を反射する物質からなる場合は、拡散光源5は、被検査物2の右側、すなわちラインセンサカメラ側に、より具体的には被検査物2に対して線対称な位置に置かれる。図2では、図1の光学系12として、レンズ121とナイフエッジ122を用いて、ラインセンサ内のCCD91へ向かう光束を制御している。ナイフエッジ122は上側または下側の一方だけに設けてもよい。図2の光学配置は、一種の暗視野光学系を構成している。すなわち、被検査物2に対する拡散光源5側のCCD91の視野範囲W1の外側に拡散光源5は配置され、拡散光源5からの拡散光、例えば光束L6、L7はCCD91の視野範囲外となっている。言い換えれば、CCD91の視野範囲W1を構成する光束L1とL4の範囲内の光束のみがCCD91に入射可能となっている。光束L1とL4は、被検査物2に対してのいわば暗視野光学系と明視野光学系の境界を示す光束である。この状態において、本発明は一般的な暗視野光学系と異なり、正反射光の一部、すなわち遷移領域における光束をCCD91にて受光させることを特徴とする。ここで、遷移領域とは暗視野光学系から明視野光学系へ遷移する所定領域、言い換えれば両者の境界領域を意味する。遷移領域は、CCD91の画素範囲の上端部または下端部に予め設定される。図3は、遷移領域を説明するための図である。図3において、CCD91の画素範囲W3の下端の所定領域が遷移領域W4である。遷移領域W4はCCD91の画素範囲W3の上端に設けてもよい。図3では、図2にも示されている、被検査物2に対してのいわば暗視野光学系と明視野光学系の境界を示す光束L4がちょうどCCD91の画素範囲W3の下端に入射する様子が示されている。光束L4は、図2に例示されるように、拡散光源5のエッジ部下端からの光束が被検査物2の表面で反射した反射光束L4に相当している。したがって、反射光束L4は被検査物2の表面の凹凸パターンのサイズ変動の状態を反映しており、この反射光束L4を検出することによりそのサイズ変動の状態を検出することが可能となる。本発明では、この反射光束L4、より具体的には、拡散光源5のエッジ部下端からの光束が被検査物2の表面で反射した反射光束L4を遷移領域W4に導くことにより、被検査物2の表面の凹凸パターンのサイズ変動の状態を検出する。すなわち、反射光束L4が遷移領域W4に入射するか否か、あるいはその入射量が多いか少ないかにより、光強度光感度15が大きく変化することを利用して、検査物2の表面の凹凸パターンのサイズ変動の状態を高感度で検出することが可能となる。なお、図3において符号5で指示される破線部は、拡散光源5が写り込んでいる様子をイメージしたものであり、遷移領域W4は、いわば拡散光源5のエッジ部が写り込むか否かで光強度光感度15が大きく変化することになる。検出感度は、遷移領域W4における光強度光感度15の傾斜角度が急峻であるほど高感度になる。遷移領域W4の範囲はレンズ121の解像度等に依存し、例えば、レンズ121の分解能を5μmとすると、光学倍率Mが1~0.1倍において、CCD91面上の遷移領域W4は、5~0.5μmの範囲となる。次に、本発明の一実施形態のマクロ検査装置100による被検査物の表面の凹凸パターンのサイズ変動の検出について説明する。表面に凹凸パターンのような周期構造を持つ被検査物で反射した光束は、僅かではあるがその周期構造への入射角度に対して反射角度がずれる事がある。本発明は、この僅かな反射角度のずれによってCCD9の遷移領域W4への反射光束の入射位置入射光量が変化することを利用する。すなわち、反射角度のずれに起因する遷移領域W4への入射光量の変化=CCD出力の変化から凹凸パターンのサイズ変動の状態を検出する。図4は、凹凸パターンのような周期構造における反射角度の変移を説明するための図である。図4では、例として、光波長以下の深さhとピッチpを持つ微細な周期井戸凹凸構造16へ点光源Sから光La、Lbが入射している場合を想定している。このような微細な周期井戸構造においては、井戸の底面を基準とした等価な反射面18の高さyは、下記の式1に示すように、上面からの反射光強度と底面からの反射光強度の加重平均により決定することができる。すなわち、上面反射率をr1、底面反射率をr2、入射角をa、上面幅をw、周期構造のピッチをpとするとき、yhr1wここに、zmax点光源からの入射光の場合は、入射位置xにより下記の式3に示すように入射角aが変化する。したがって、上の式1、2から反射面18の高さyも位置xの関数となり、等価的に反射面18が傾きdydxを持つことがわかる。この反射面18の傾きdydxが微小な反射角度のずれを表す。xRtan<=>aarctan以下、式1から4を用いて等価的な反射面18の傾きdydxを求める。dzda0dzda-2hcos2dydz-hr1w2r2dadx11cos2Rdydx0dydxdydzdzdadadx-hr1w2r2-hcos2cos2R2h2r1r2w2R周期井戸凹凸構造16からレンズ121までの距離をLとするとき、反射光変移によるレンズ121の入射位置の変移bは下記の式ように計算することができる。このレンズ入射位置の変移bが、CCD9の遷移領域W4への反射光束の入射位置入射光量の変化を引き起こす。b0bLdydxL2h2r1r2Rw2図4の周期井戸凹凸構造16のモデルを用いて計算した結果、例えば周期構造における線幅図4の上面幅wの差が数ナノメートルの場合、約01ラジアン前後の反射角度差が生じる。この場合、周期井戸凹凸構造16からレンズ121までの距離をLを約800mmとしたラインセンサ9では、約100nm前後の入射距離差を生ずる。本発明では、この約100nm前後の入射距離差を上述した遷移領域W4の範囲で受光することにより、数nmという微小な周期井戸凹凸構造のサイズ変動を検出することが可能となる。すなわち、遷移領域W4の範囲においては、反射光束の微小な反射角度の違いが、大きな感度の違いとして検出可能となる。例えば、CCD9のピクセルサイズ50μm、画素サイズ14μmの場合、光学倍率は028倍となる。このとき、レンズの分解能が5μmだとすると、CCD9の面上においての遷移領域W4の範囲は、5×028で14μmとなる。100nm01μm前後の入射距離差は、01/14で約7の重みをもつことが分かる。従って、線幅図4の上面幅wの差が数nmの場合、コントラストとして、約255×007=18輝度として検出することが可能となる。本発明の一実施例として、1つの基板を6つの領域に分けて、領域毎に線幅凸部幅の異なる凹凸パターンを形成し、各領域での凹凸パターンを検査した。凹凸パターンはフォトレジストからなり、線幅は60~90nmの範囲6段階で変化させた。このときの検査条件を以下に示す。基板からレンズまでの距離L:1mCCDのピクセルサイズ:150μm画素サイズ:14μm光学倍率:00933レンズの分解能:5μm遷移領域W4の幅:0465μm図5は、本発明の一実施例による検査結果を示す図である。図5の縦軸は凹凸パターンのパターン線幅凸部幅であり、横軸は反射光強度相対輝度である。反射光強度相対輝度は、所定領域W4で受光される反射光束に応じたラインセンサ9の出力に基づき算出した相対値である。図5の6つの黒丸19は6つの線幅の凹凸パターンの測定結果である。測定結果を外挿フィッテイングして得られたグラフ20から明らかなように、本発明の一実施例によれば、パターン線幅と反射光強度とはほぼ線形な関係にあることがわかる。したがって、本発明の一実施例によれば、凹凸パターンの線幅の変動を反射光強度、言い換えれば輝度値、あるいは画像処理後のグレースケールとして検出することができる。本発明の実施形態について、図1から図5を例にとり説明をした。しかし、本発明はこれらの実施形態に限られるものではない。本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々なる改良、修正、変形を加えた態様で実施できるものである。