温度の変化に比例して電流量が変化するPTAT電流を生成するためのPTATProportionaltoAbsoluteTemperature電流生成器と、前記PTAT電流と同じ内部電流を生成し、前記内部電流に応答して内部電圧を生成するための電流制御回路と、前記内部電圧の電位レベルを一定のレベルに調節するためのオフセット回路と、を含むことを特徴とする半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記PTAT電流生成器は、サイズが互いに異なる二つのBJTトランジスタを含み、前記二つのBJTトランジスタの温度によるパス電流量を互いに比べて前記PTAT電流を生成することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記電流制御回路は、電源電圧と出力端との間に並列連結された多数のトランジスタとを含み、前記多数のトランジスタは、前記PTAT電流に応答して前記出力端に印加される前記内部電流を生成することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記電流制御回路は、前記多数のトランジスタそれぞれと前記出力端の間に連結されて、多数の選択信号に応答してそれぞれスイッチング動作する多数のスイッチ素子をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記多数のトランジスタは、サイズが互いに異なることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記オフセット回路は、前記オフセット回路の内部ノードから出力されるフィードバック電圧と温度の変化に関係のない基準電圧を比較して生成されたオフセット電圧を前記内部電圧が出力される出力端に印加するための比較器を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記オフセット回路は、前記多数の選択信号に応答して前記出力端と前記内部ノードのと間の抵抗値を制御して前記フィードバック電圧を調節することを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。温度の変化に比例して電流量が変化するPTAT電流を生成するためのPTAT電流生成器と、温度の変化に反比例して電流量が変化するCTAT電流を生成するためのCTATComplementarytoAbsoluteTemperature電流生成器と、制御信号に応答して前記PTAT電流と前記CTAT電流のうちいずれか一つを選択して出力するための選択回路と、前記選択回路によって選択された前記PTAT電流または前記CTAT電流をコピーして内部電流を生成し、前記内部電流を出力端の抵抗に印加して内部電圧を生成するための電流制御回路と、前記コピーした電流量によって前記出力端のオフセット電圧を調節して前記内部電圧の電位レベルを調節するためのオフセット回路と、を含むことを特徴とする半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記PTAT電流生成器はサイズがお互いに違う二つのBJTトランジスタを含んで、前記二つのBJTトランジスタの温度によるパス電流量をお互いに比べて前記PTAT電流を生成することを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記電流制御回路は、電源電圧と前記出力端の間に並列連結された多数のトランジスタを含み、前記多数のトランジスタは前記PTAT電流またはCTAT電流に応答して前記出力端に印加される内部電流を生成することを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記電流制御回路は、前記多数のトランジスタそれぞれと前記出力端との間に連結されて、多数の選択信号に応答してそれぞれスイッチング動作する多数のスイッチ素子をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記多数のトランジスタは、サイズが互いに異なることを特徴とする請求項10に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記オフセット回路は、前記オフセット回路の内部ノードから出力されるフィードバック電圧と温度の変化に関係のない基準電圧とを比較して前記オフセット電圧を調節するための比較器を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記オフセット回路は、前記多数の選択信号に応答して前記出力端と前記内部ノードとの間の抵抗値を制御して前記フィードバック電圧を調節することを特徴とする請求項13に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。温度の変化に反比例して電流量が変化するCTAT電流を生成するためのCTAT電流生成器と、前記CTAT電流をコピーして内部電流を生成し、前記内部電流を出力端の抵抗に印加して前記温度の変化に応じて変化する温度補償電圧を生成するための温度補償電圧生成器と、前記温度補償電圧を第1出力電圧に出力してステップ電圧を第2出力電圧に出力するか、前記温度補償電圧を前記第2出力電圧に出力して前記ステップ電圧を前記第1出力電圧に出力するための電圧制御回路と、前記第1出力電圧及び前記第2出力電圧の電位に応じてCTAT電流の特性またはPTAT特性を持つ内部電圧を生成する内部電圧発生器と、を含むことを特徴とする半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記温度補償電圧生成器は、前記CTAT電流をコピーして内部電流を生成して、前記内部電流を出力端の抵抗に印加して前記温度補償電圧を生成するための電流制御回路と、前記コピーした電流量によって前記出力端に印加されるオフセット電圧を調節して前記温度補償電圧を一定に維持するためのオフセット回路と、を含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記電流制御回路は、電源電圧と前記出力端との間に並列連結された多数のトランジスタを含み、前記多数のトランジスタは、前記CTAT電流に応答して前記出力端に印加される内部電流を生成することを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記電流制御回路は、前記多数のトランジスタそれぞれと前記出力端との間に連結されて、多数の選択信号に応答してそれぞれスイッチング動作する多数のスイッチ素子をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記多数のトランジスタは、サイズが互いに異なることを特徴とする請求項17に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記オフセット回路は、前記オフセット回路の内部ノードから出力されるフィードバック電圧と温度の変化に関係のない基準電圧を比較して前記オフセット電圧を調節するための比較器を含むことを特徴とする請求項18に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記オフセット回路は、前記多数の選択信号に応答して前記出力端と前記内部ノードとの間の抵抗値を制御して前記フィードバック電圧を調節することを特徴とする請求項20に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記電圧制御回路は、制御信号に応答して前記温度補償電圧を前記第1出力電圧または前記第2出力電圧に伝送するための第1選択回路と、前記ステップ電圧を生成するための電圧制御器と、前記制御信号に応答して前記ステップ電圧を前記第2出力電圧または前記第1出力電圧に伝送するための第2選択回路と、を含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記電圧制御器は、電圧加算器または電圧減算器で構成されることを特徴とする請求項22に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。前記内部電圧生成器は、前記第1出力電圧を正端子に入力してもらい、前記第2出力電圧を負端子に入力してもらって、これを比較増幅して前記内部電圧を生成するためのOPアンプを含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。したがって、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、温度の変化に比例したり反比例したりする電流を生成する電流生成器を利用して温度の変化に応じて出力電位が変化する内部電圧を生成する半導体メモリ素子の内部電圧発生器を提供することである。上記目的を達成するための本発明の一実施例による半導体メモリ素子の内部電圧発生器は、温度の変化に比例して電流量が変化するPTATProportionaltoAbsoluteTemperature電流を生成するためのPTAT電流生成器と、前記PTAT電流と同じ内部電流を生成し、前記内部電流に応答して内部電圧を生成するための電流制御回路、及び前記内部電圧の電位レベルを一定のレベルに調節するためのオフセット回路を含む。本発明の他の実施例による半導体メモリ素子の内部電圧発生器は、温度の変化に比例して電流量が変化するPTAT電流を生成するためのPTAT電流生成器と、温度の変化に反比例して電流量が変化するCTATComplementarytoAbsoluteTemperature電流を生成するためのCTAT電流生成器と、制御信号に応答して前記PTAT電流と前記CTAT電流のうちいずれか一つを選択して出力するための選択回路と、前記選択回路によって選択された前記PTAT電流または前記CTAT電流をコピーして内部電流を生成し、前記内部電流を出力端の抵抗に印加して内部電圧を生成するための電流制御回路、及び前記コピーした電流量によって前記出力端に印加されるオフセット電圧を調節して前記内部電圧を一定に維持するためのオフセット回路を含む。本発明のまた他の実施例による半導体メモリ素子の内部電圧発生器は、温度の変化に反比例して電流量が変化するCTAT電流を生成するためのCTAT電流生成器と、前記CTAT電流をコピーして内部電流を生成し、前記内部電流を出力端の抵抗に印加して前記温度の変化に応じて変化する温度補償電圧を生成するための温度補償電圧生成器と、前記温度補償電圧を第1出力電圧に出力してステップ電圧を第2出力電圧に出力するか、前記温度補償電圧を前記第2出力電圧に出力して前記ステップ電圧を前記第1出力電圧に出力するための電圧制御回路、及び前記第1出力電圧及び前記第2出力電圧の電位を比較してこれを増幅し、内部電圧を生成する内部電圧発生器を含む。以上のように、本発明の一実施例によれば、温度の変化に比例または反比例する電流を生成する電流生成器を利用して温度の変化に応じて出力電位が変化する内部電圧を生成するので、工程スキュによって出力が変化することを抑制し、不揮発性メモリ素子のしきい値電圧分布を正確にセンシングすることができるような効果を奏する。以下、添付された図面を参照して本発明の好ましい実施例について説明する。しかし、本発明は以下開示される実施例に限定されるのではなく、互いに異なる多様な形態に具現することができ、本発明の範囲が実施例に限定されるのではない。ただし、本実施例は、本発明の開示が通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明の範囲は本願の特許請求に範囲によって理解されなければならない。図4は、本発明の一実施例による内部電圧発生器を示す構成図である。図4を参照すれば、内部電圧発生器100は、PTAT電流発生器110、及び内部電圧発生器120を含む。PTAT電流発生器110は、PTAT電流の特性を持つ電流発生器である。PTAT電流特性は、温度と比例関係を持つ特性があり、温度が増加すれば発生される電流量をも増加するようになり、温度が減少すれば発生される電流量をも減少されるようになる。内部電圧発生器120は、PTAT電流発生器110から出力されたPTAT電流PTATによって変化する出力電圧VOUTを生成する。内部電圧発生器120は電流制御回路121、オフセット回路122、OPアンプ123、及び抵抗R1、R2を含む。電流制御回路121は、PTAT電流発生器110から発生されたPTAT電流をコピーし、コピーした電流を抵抗R1に通過させて電圧に変更させる。これによって、PTAT電流値によってノードNCから出力される出力電圧VOUTが変更される。オフセット回路122は、抵抗R1と抵抗R2との間に連結され、ノードNCから出力される出力電圧VOUTを調節して一定の電位レベルに出力電圧VOUTが出力されるようにする。OPアンプ123は、オフセット回路122と抵抗R2との間のノードNEの電位、すなわち、オフセット回路122と抵抗R2の抵抗値によって分配された電圧をフィードバック電圧Vfeedと温度の変化に関係のない基準電圧Vrefを比較して抵抗R1とオフセット回路122との間のノードNDにオフセット電圧OFFSETを印加する。すなわち、フィードバック電圧Vfeedと基準電圧Vrefとが同一になるように維持させる。したがって、オフセット回路122とOPアンプ123との動作によってノードNDの電位を調節し、これによってノードNCの電位が一定になるように調節して出力電圧VOUTを出力することができる。図5は、図4のPTAT電流発生器を示す回路図である。図5を参照すれば、PTAT電流発生器110は、多数のPMOSトランジスタPM1、PM2、OPアンプOP、抵抗R11及び多数のBJTトランジスタBJT1及びBJT2を含む。PMOSトランジスタPM1、抵抗R11及びBJTトランジスタBJT1は、電源電圧VDDと接地電源VSSとの間に直列連結され、PMOSトランジスタPM2及びBJTトランジスタBJT2は、電源電圧VDDと接地電源VSSとの間に直列連結される。BJTトランジスタBJT1及びBJT2は、ダイオード連結される。この際、BJTトランジスタBJT1のサイズは、BJTトランジスタBJT2のサイズよりK倍であることが好ましい。また、OPアンプは、PMOSトランジスタPM1と抵抗R11との間のノードNAの電位とPMOSトランジスタPM2とBJTトランジスタBJT2との間のノードNBの電位を比較して出力信号PTATを出力する。出力信号PTATは、PMOSトランジスタPM1、PM2のゲートに印加される。この際、BJTトランジスタBJT1のサイズはBJTトランジスタBJT2のサイズよりK倍であることが好ましい。PTAT電流発生器110は、OPアンプOPの出力信号に応答して初期PMOSトランジスタPM1、PM2を介して流れる電流量が互いに同じである。同じ電流が流れる時BJTトランジスタBJT1及びBJT2の両端の電圧はBJTトランジスタBJT1及びBJT2のサイズに比例する。このようにBJTトランジスタBJT1及びBJT2のサイズがK倍の差になって抵抗R11の両端に印加される電圧が決定される。両端に印加される電圧の差△Vは、温度によって比例してK値に比例する。したがって、PMOSトランジスタPM1、PM2を介して流れる電流量が変化するようになる。すなわち、PMOSトランジスタPM1、PM2を介して流れる電流量が温度及びBJTトランジスタBJT1及びBJT2のサイズの差が割合Kに比例される。これによって、OPアンプOPは、温度と比例関係を持つPTAT電流PTATを出力する。図6は、図4の電流制御回路を示す回路図である。図6を参照すれば、電流制御回路121は、入力されるPTAT電流PTATをコピーして出力する。電流制御回路121は、多数のPMOSトランジスタPM21ないしPM32を含む。PMOSトランジスタPM21、PM22は、電源電圧VDDと出力ノードNCとの間に直列連結され、PMOSトランジスタPM21はPTAT電流PTATに応答して駆動され、PMOSトランジスタPM22はローレベルに活性化される選択信号selb0に応答して駆動される。PMOSトランジスタPM23、PM24は、電源電圧VDDと出力ノードNCとの間に直列連結され、PMOSトランジスタPM23はPTAT電流PTATに応答して駆動され、PMOSトランジスタPM24はローレベルに活性化される選択信号selb1に応答して駆動される。PMOSトランジスタPM25、PM26は、電源電圧VDDと出力ノードNCとの間に直列連結され、PMOSトランジスタPM25はPTAT電流PTATに応答して駆動され、PMOSトランジスタPM26はローレベルに活性化される選択信号selb2に応答して駆動される。PMOSトランジスタPM27、PM28は、電源電圧VDDと出力ノードNCとの間に直列連結され、PMOSトランジスタPM27はPTAT電流PTATに応答して駆動され、PMOSトランジスタPM28はローレベルに活性化される選択信号selb3に応答して駆動される。PMOSトランジスタPM29、PM30は、電源電圧VDDと出力ノードNCとの間に直列連結され、PMOSトランジスタPM29はPTAT電流PTATに応答して駆動され、PMOSトランジスタPM30はローレベルに活性化される選択信号selb4に応答して駆動される。PMOSトランジスタPM31、PM32は、電源電圧VDDと出力ノードNCとの間に直列連結され、PMOSトランジスタPM31はPTAT電流PTATに応答して駆動され、PMOSトランジスタPM32はローレベルに活性化される選択信号selb5に応答して駆動される。PTAT電流PTATによって駆動されるPMOSトランジスタPM21、PM23、PM25、PM27、PM29、及びPM31はそれぞれサイズが互いに異なる。これによって、同じPTAT電流PTATによって同時に駆動されても、流れる電流量は互いに異なる。これによって、多数の選択信号selb0ないしselb5のうち活性化される一つの選択信号によって電流の大きさが調節され、出力電圧VOUTに出力される。図7は、図4のオフセット回路を示す回路図である。図7を参照すれば、オフセット回路122は、多数の抵抗R11ないしR16及び多数のNMOSトランジスタNM21ないしNM25を含む。多数の抵抗R11ないしR16は、ノードNDとノードNEとの間に直列連結される。多数のNMOSトランジスタNM21ないしNM25は、抵抗R16と抵抗R15の間と各抵抗の間のノードの間に連結され、電流制御回路121に入力される選択信号selb1ないしselb5と反転関係である選択信号sel1ないしsel5に応答して駆動される。したがって、オフセット回路122は、選択信号sel1ないしsel5に応答してノードNDとノードNEとの間の全体抵抗値を調節する。すなわち、電流制御回路121でコピーされた電流値打ちを調節する選択信号selb0ないしselb5と反転関係人選択信号sel1ないしsel5に応答してノードNDの電位、すなわち、オフセット電圧OFFSET電圧を制御して出力電圧VOUTが一定の出力電圧値を持つようにする。上述した本願発明の第1実施例によれば、温度に応じて比例関係を持つPTAT電流をコピーし、コピーされた電流を利用して内部電圧を生成してコピーされた電流値によって内部電圧の電位を一定に調節することで、温度の補償程度が変更されても内部電圧の大きさは一定に維持することができる。図8は、本発明の他の実施例による内部電圧発生器を示す構成図である。図8を参照すれば、内部電圧発生器200はCTAT電流発生器210、PTAT電流発生器220、CTAT電流とPTAT電流のうちいずれか一つを選択して伝送する選択回路230及び内部電圧発生器240を含む。CTAT電流発生器210は、CTAT電流の特性を持つ電流発生器である。CTAT電流の特性は、温度と反比例関係を持つ特性であり、温度が増加すれば発生される電流量は減少するようになり、温度が減少すれば発生される電流量は増加するようになる。PTAT電流発生器220、及び内部電圧発生器240は、上述した第1実施例によるPTAT電流発生器及び内部電圧発生器と同じ構成及び同じ動作を施すので、詳細な説明は略する。選択回路230は、第1及び第2制御信号CONCTAT、CONPTATに応答してCTAT電流発生器210から発生されるCTAT電流、またはPTAT電流発生器220から発生されるPTAT電流のうちいずれか一つを内部電圧発生器240に伝送する。すなわち、温度と反比例する内部電圧を生成する場合、第1制御信号CONCTATが活性化されてCTAT電流を内部電圧発生器240に伝送し、温度と比例される内部電圧を生成する場合、第2制御信号CONPTATが活性化されてPTAT電流を内部電圧発生器240に伝送する。したがって、第2実施例による内部電圧発生器は第1及び第2制御信号CONCTAT、CONPTATに応答して温度と反比例されるように制御される内部電圧を生成するか、または温度と比例されるように制御される内部電圧を生成することができる。図9は、本発明のまた他の実施例による内部電圧発生器を示す構成図である。図9を参照すれば、内部電圧発生器300はCTAT電流発生器310、補償電圧発生器320、電圧制御回路330、及び内部電圧発生器340を含む。CTAT電流発生器310は、CTAT電流の特性を持つ電流発生器である。本発明ではCTAT電流発生器を使用しが、CTAT電流発生器の代わりにPTAT電流発生器を使用することができる。補償電圧発生器320の内部回路及び動作は、本願の第1実施例による内部電圧発生器と同一であるから詳細な説明は略する。補償電圧発生器320は、CTAT電流発生器310から出力されたCTAT電流に応答して温度に反比例する温度補償電圧VTEMPを出力する。電圧制御回路330は、第1及び第2制御信号CONPTAT、CONCTATに応答して温度補償電圧VTEMPを第1出力ノードNI、または第2出力ノードNJに出力し、電圧制御器331から出力されたステップ電圧VSTEPを第2出力ノードNJまたは第1出力ノードNIに出力する。すなわち、第2制御信号CONCTATに応答して温度補償電圧VTEMPが第2出力ノードNJに出力される場合、電圧制御器331から出力されたステップ電圧VSTEPは、第1出力ノードNIに出力される。電圧制御回路330は、電圧制御器331、第1スイッチング回路332、及び第2スイッチング回路333を含む。電圧制御器331は、電圧加算器または電圧減算器で構成されることができる。第1スイッチング回路332は、NMOSトランジスタNM31及びNM32を含む。NMOSトランジスタNM31は、第1制御信号CONPTATに応答して温度補償電圧VTEMPを第1出力ノードNIに伝送する。NMOSトランジスタNM32は第1制御信号CONCTATに応答して温度補償電圧VTEMPを第2出力ノードNJに伝送する。第2スイッチング回路333は、NMOSトランジスタNM33及びNM34を含む。NMOSトランジスタNM33は、第2制御信号CONCTATに応答してステップ電圧VSTEPを第1出力ノードNIに伝送する。NMOSトランジスタNM34は、第1制御信号CONPTATに応答してステップ電圧VSTEPを第2出力ノードNJに伝送する。内部電圧発生器340は、電圧制御回路330の第1及び第2出力ノードNI、NJを介して送信される電位を互いに比較してこれを増幅して出力電圧VOUTを生成する。内部電圧発生器340は、第1及び第2抵抗部341、343及びOPアンプ342を含む。第1及び第2抵抗部341、343は、OPアンプ342の出力端と第1出力ノードNIとの間に連結されて出力電圧VOUTを分配した電圧をOPアンプ342の正の入力端子と連結されたノードNKに伝送する。この際、分配電圧は、第1出力ノードNIの電位によって制御される。OPアンプ342は、ノードNKと第2出力ノードNJの電位を比較してこれを増幅して出力電圧VOUTを生成する。内部電圧発生器340は、正の入力端子と負-の入力端子に印加される電圧によって出力される出力電圧VOUTは、CTAT電流の特性またはPTAT電流の特性を持つ。例えば、正の入力端子にCTAT電流の特性を持つ温度補償電圧VTEMPが印加される場合、出力電圧VOUTはCTAT電流の特性を持ち、CTAT電流の特性を持つ温度補償電圧VTEMPが負-の入力端子に印加される場合、出力電圧VOUTはCTAT電流の特性と反転関係であるPTAT電流の特性を持つ。上述した本発明の実施例によれば、CTAT電流発生器またはPTAT電流発生器から出力された電流を利用して温度補償電圧を生成し、温度補償電圧をOPアンプの正または負-の入力端子に選択的に入力することで生成されるCTAT特性及びPTAT特性による内部電圧VOUTを生成することができる。以上説明したように、本発明の最も好ましい実施の形態について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、又は明細書に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能なのはもちろんであり、斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。