基板とスパッタリングターゲットとの間に配置するタンタル製コイルであって、該コイルの表面の表面粗さRzが150μm以上であり、かつ横方向が15~30TPI、縦方向が10~30TPIである凹凸を備えていることを特徴とするスパッタリング用タンタル製コイル。表面粗さRzが200μm以上であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリング用タンタル製コイル。表面粗さRzが250μm以上であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリング用タンタル製コイル。山の先端のRが10~500μmであるか又は10~500μm幅の平坦面を有することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のスパッタリング用タンタル製コイル。基板とスパッタリングターゲットとの間に配置するタンタル製コイルをナーリング加工によって、該コイルの表面の表面粗さRzが150μm以上であり、かつ横方向が15~30TPI、縦方向が10~30TPIの凹凸を形成することを特徴とするスパッタリング用タンタル製コイルの加工方法。表面粗さRzが200μm以上とすることを特徴とする請求項5記載のスパッタリング用タンタル製コイルの加工方法。表面粗さRzが250μm以上とすることを特徴とする請求項5記載のスパッタリング用タンタル製コイルの加工方法。山の先端のRを10~500μmとするか又は10~500μm幅の平坦面とすることを特徴とする請求項5~7のいずれか一項に記載のスパッタリング用タンタル製コイルの加工方法。本発明は、基板とスパッタリングターゲットとの間に配置したタンタル製コイルにおいて、コイルの表面に堆積したスパッタ粒子が剥離し、その薄片が基板表面に飛散して付着して、パーティクル及びアーキングの発生の原因となることを防止するために、該コイルの表面に堆積するスパッタ粒子の剥落を抑制するための対策を講ずるものであり、これによって電子部品の品質と生産性を向上させ、半導体素子及びデバイスを、安定して提供できる技術を提供することを課題とする。上記から、本願発明は、1基板とスパッタリングターゲットとの間に配置するタンタル製コイルであって、該コイルの表面の表面粗さRzが150μm以上であり、かつ横方向が15~30TPIこのTPIは、Threadsperinchを意味する。以下、TPIと記載する。、縦方向が10~30TPIである凹凸を備えていることを特徴とするスパッタリング用タンタル製コイル2表面粗さRzが200μm以上であることを特徴とする上記1記載のスパッタリング用タンタル製コイル3表面粗さRzが250μm以上であることを特徴とする上記1記載のスパッタリング用タンタル製コイル4山の先端のRが10~500μmであるか又は10~500μm幅の平坦面を有することを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のスパッタリング用タンタル製コイル。なお、前記TPIThreadsperinchは、1インチ25.4mm当たりの山の数ねじ山の数を意味する。また、本願発明は、5基板とスパッタリングターゲットとの間に配置するタンタル製コイルをナーリング加工によって、該コイルの表面の表面粗さRzが150μm以上であり、かつ横方向が15~30TPI、縦方向が10~30TPIの凹凸を形成することを特徴とするスパッタリング用タンタル製コイルの加工方法6表面粗さRzが200μm以上とすることを特徴とする上記5記載のスパッタリング用タンタル製コイルの加工方法7表面粗さRzが250μm以上とすることを特徴とする上記5記載のスパッタリング用タンタル製コイルの加工方法。8山の先端のRを10~500μmとするか又は10~500μm幅の平坦面とすることを特徴とする上記5~7のいずれか一項に記載のスパッタリング用タンタル製コイルの加工方法、を提供する。これによって、本発明は、基板とスパッタリングターゲットとの間に配置したタンタル製コイルの表面に堆積したスパッタ粒子が剥離し、その薄片が基板表面に飛散して付着して、パーティクル発生の原因となることを防止し、アーキングの発生を抑制するために、該コイルの表面に堆積するスパッタ粒子の剥落を効果的に抑制することができ、電子部品の品質と生産性を向上させ、半導体素子及びデバイスを、安定して提供できる技術を提供することができる。タンタル製コイルを基板とスパッタリングターゲットとの間に配置した、スパッタリング装置では、例えばタンタルターゲットを使用した場合、このタンタルターゲットからスパッタされた粒子はウエハ以外に、ターゲットの周りにあるタンタル製のコイルの表面にもデポジットし堆積する。また、このコイルはスパッタリング中に熱を受けて膨張する。コイルの表面の堆積厚みが増すと、応力増加により膜が剥離し、これが基板に飛来して付着し、パーティクルやアーキングの原因となる。これを防止するため、コイルにナーリング加工を行い、表面を粗化する加工を行い、耐剥離性を向上させる作業を行っていた。このナーリング加工はローレットをワークに強く押し当てることで凹凸を形成するものであるが、タンタルは硬いため形成できる粗さに限度がある。このため、ある程度デポ膜が堆積すると、比較的短時間で膜剥がれを起こすという問題があった。薄膜の品質を向上させるためには、スパッタリング操作を停止させ、コイルを交換する必要があり、生産効率を低下させる原因となっていた。また、ナーリング加工を行うにしても、どの程度の表面に凹凸を形成すれば、コイルの表面からスパッタ粒子の剥離を防止できるか、定かでないという問題もあった。一般に、コイルは薄い材料を使用し、5mm程度の厚さのものを使用する場合もあるので、強度のナーリング加工を行うと、コイル自体が変形することがあり、また弱度のナーリング加工では、粗化が十分でない結果となる。本発明は、この点を調べるために多数の試験を行い、かつナーリング加工の方法とナーリング加工の強度を変えて最適な条件を見出したものである。この結果、基板とスパッタリングターゲットとの間に配置するタンタル製コイルに対してナーリング加工を行い、該コイルの表面の表面粗さRzを150μm以上とし、かつ横方向を15~30TPI、縦方向を10~30TPIとする凹凸を形成することにより、デポ膜の膜剥がれを飛躍的に防止できることが分かった。ナーリング加工には、切削式ナーリング加工と押し当て式ナーリング加工があるが、条件を適宜設定することにより、いずれも適用できるものである。本発明は、このようにして得たスパッタリング用タンタル製コイルを提供するものである。上記のいずれの条件を外れても、コイルの表面からスパッタ粒子の剥離を防止することができず、本発明の目的を達成することができない。さらに、表面粗さRzが200μm以上とすることがより好ましい。これはより凹凸を粗くし、強固に付着できるからである。また、山の先端のRを10~500μmとするか又は10~500μm幅なお、この寸法は直径と言うこともできる。の平坦面とすることが、さらに望ましい。本発明のスパッタリング用タンタル製コイルは、これらを包含する技術を提供するものである。コイルの厚さ、幅、長さは、スパッタリング装置の設計によって任意に替えることが可能であり、またコイルを多段に設置したり、螺旋状にしたりすることも、スパッタリング装置設計上の問題であり、任意に設計できることは容易に理解できるであろう。次に、実施例について説明する。なお、この実施例は理解を容易にするためのものであり、本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内における、他の実施例及び変形は、本発明に含まれるものである。実施例1切削式ナーリング加工により、コイルの表面の表面粗さRz=250μm、かつ横方向20TPIThreadsperinch、縦方向13TPI、山の先端のRが100μmのタンタルコイルを作成した。図1に、実施例1の本発明の切削式ナーリング加工を行ったコイルの外観写真Aとコイルの外側外表面部の外観写真Bを示す。また、図2に、本発明の切削式ナーリング加工を行ったコイルの表面のSEM写真Aとコイルの表面の深さ方向断面のSEM写真Bを示す。これらの図1及び図2に示すように、タンタル製コイルであるにもかかわらず、凹凸の段差が大きく、凹凸が明瞭であり、タンタル製のコイルの表面に付着したデポ膜の、より強固な付着を可能とするものである。また、このタンタル製コイルを使用してスパッタリングを実施した場合には、従来は200kWhの使用後に、コイルの交換を行わなければならなかったが、本実施例1のタンタル製コイルを使用した場合は、350kWhの使用が可能であった。これにより大きな効果を得ることが可能となった。実施例2切削式ナーリング加工により、コイルの表面の表面粗さRz=150μm、かつ横方向20TPI、縦方向13TPI、山の先端のRが220μmのタンタルコイルを作成した。タンタル製コイルであるにもかかわらず、凹凸の段差が大きく、凹凸が明瞭であり、タンタル製のコイルの表面に付着したデポ膜の、より強固な付着を可能とするものである。また、このタンタル製コイルを使用してスパッタリングを実施した場合には、従来は200kWh使用後に、コイルの交換を行わなければならなかったが、本実施例2のタンタル製コイルを使用した場合は、300kWhの使用が可能であった。これにより大きな効果を得ることが可能となった。ただし、実施例1と比べて、コイルの表面の表面粗さRzが小さいため、使用ライフは短かった。実施例3切削式ナーリング加工により、コイルの表面の表面粗さRz=300μm、かつ横方向20TPI、縦方向13TPI、山の先端のRが5μmのタンタルコイルを作成した。タンタル製コイルであるにもかかわらず、凹凸の段差が大きく、凹凸が明瞭であり、タンタル製のコイルの表面に付着したデポ膜の、より強固な付着を可能とするものである。また、このタンタル製コイルを使用してスパッタリングを実施した場合には、従来は200kWh使用後に、コイルの交換を行わなければならなかったが、本実施例のタンタル製コイルを使用した場合は、300kWhの使用が可能であった。これにより大きな効果を得ることが可能となった。但し、山の先端のRがやや小さいため、300kWhを過ぎると山の先端部でデポ膜の剥離が生じるようになった。実施例4押し当て式ナーリング加工により、コイルの表面の表面粗さRz=250μm、かつ横方向18TPI、縦方向18TPI、山の先端に位置する平坦面の幅が200μmのタンタルコイルを作成した。図5に、本実施例4の押し当て式ナーリング加工を行ったコイルの表面のSEM写真Aとコイルの表面の深さ方向断面のSEM写真Bを示す。この場合、山の先端に位置する平坦面としたが、10~500μmのR加工面とすることもできる。この図5に示すように、タンタル製コイルであるにもかかわらず、凹凸の段差が大きく、凹凸が明瞭であり、タンタル製のコイルの表面に付着したデポ膜の、より強固な付着を可能とするものである。また、このタンタル製コイルを使用してスパッタリングを実施した場合には、従来は200kWh使用後に、コイルの交換を行わなければならなかったが、本実施例4のタンタル製コイルを使用した場合は、350kWhの使用が可能であった。これにより大きな効果を得ることが可能となった。比較例1押し当て式ナーリング加工により、コイルの表面の表面粗さRz=80μm、かつ横方向80TPI、縦方向32TPI、山の先端のRが200μmのタンタルコイルを作成した。図3に、比較例1のナーリング加工を行ったコイルの外観写真Aとコイルの表面の外観写真Bを示す。また、図4に、比較例1の押し当て式ナーリング加工を行ったコイルの表面のSEM写真Aとコイルの表面の深さ方向断面のSEM写真Bを示す。これらの図3及び図4に示すように、タンタル製コイルの表面の凹凸の段差が小さく、タンタル製のコイルの表面に付着したデポ膜の、より強固な付着は不能であった。このタンタル製コイルを使用してスパッタリングを実施した場合には、200kWh使用後に、コイルの交換を行わなければならなかった。比較例2押し当て式ナーリング加工により、コイルの表面の表面粗さRz=20μm、かつ横方向80TPI、縦方向32TPI、山の先端のRが550μmのタンタルコイルを作成した。タンタル製コイルの表面の凹凸の段差がかなり小さく、タンタル製のコイルの表面に付着したデポ膜の、より強固な付着は不能であった。このタンタル製コイルを使用してスパッタリングを実施した場合には、100kWh使用後に、コイルの交換を行わなければならなかった。