"金属放熱基板と、前記金属放熱基板上に固着される導電パターン付絶縁基板と、前記導電パターン付絶縁基板上に固着される半導体チップと、前記導電パターン付絶縁基板上に半田で固着される主回路端子および制御端子と、前記主回路端子の表面および前記制御端子の表面の少なくとも一方をそれぞれ露出させる第1開口部を有し、前記金属放熱基板に固着する樹脂ケースと、前記樹脂ケースを構成する側壁に形成された第2開口部に挿着され、前記主回路端子および前記制御端子の少なくとも一方を固定するナットが埋め込まれた樹脂体と、前記樹脂ケース内に充填される樹脂材と、を具備し、前記第1開口部は、前記表面側が狭くなるようなテーパー状の側壁を有し、前記制御端子は、前記第1開口部から露出した状態において当該第1開口部のテーパー状の側壁と接するテーパー状の接触部を有することを特徴とする半導体モジュール。前記制御端子を固定する前記ナットが埋め込まれた前記樹脂体は、当該樹脂体の表面であって当該樹脂体に埋め込まれた前記ナットの開口部よりも外周側に設けられ、前記制御端子の下に挿着された状態における上方に突出する微小突起を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。前記制御端子を固定する前記ナットが埋め込まれた前記樹脂体は、当該樹脂体における下側であって当該樹脂体の前記第2開口部に対する挿着方向における先頭側に向かって突出する突出部を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体モジュール。金属放熱基板と導電パターン付絶縁基板、導電パターン付絶縁基板と半導体チップを水素雰囲気の半田付け炉で半田付けする工程と、前記導電パターン付絶縁基板に主回路端子および制御端子を所定の組立治具を用いて半田付けする工程と、前記主回路端子および前記制御端子が半田付けされた導電パターン付絶縁基板に、上方に向けて開口する第1開口部から前記主回路端子および前記制御端子の少なくとも一方の上部が露出するように樹脂ケースを上から被せ、当該樹脂ケースの側壁の下側周囲を前記金属放熱基板に固着する工程と、それぞれナットが埋め込まれた樹脂体を前記第2開口部から前記主回路端子および前記制御端子の少なくとも一方の下に挿着することにより当該樹脂体を前記樹脂ケース内部に形成された梁に載置し、当該樹脂体を介して前記主回路端子および前記制御端子の少なくとも一方を固定する工程と、を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。前記第1開口部は、前記表面側が狭くなるようなテーパー状の側壁を有し、前記制御端子は、前記固着する工程において前記導電パターン付絶縁基板に前記樹脂ケースを上から被せることにより前記第1開口部から露出した状態において、前記第1開口部のテーパー状の側壁と接するテーパー状の接触部を有することを特徴とする請求項4に記載の半導体モジュールの製造方法。前記制御端子を固定する前記ナットが埋め込まれた前記樹脂体は、当該樹脂体の表面であって当該樹脂体に埋め込まれた前記ナットの開口部よりも外周側に設けられ、前記制御端子の下に挿着された状態における上方に突出する微小突起を備え、前記固定する工程は、前記樹脂体が、前記制御端子の下に挿着された状態において前記微小突起を当該制御端子に当接させることにより当該制御端子を固定することを特徴とする請求項4または5に記載の半導体モジュールの製造方法。前記制御端子を固定する前記ナットが埋め込まれた前記樹脂体は、当該樹脂体における下側であって当該樹脂体の前記第2開口部に対する挿着方向における先頭側に向かって突出する突出部を備えることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体モジュールの製造方法。図15に示した独立端子の主端子54および制御端子55を有する半導体モジュール500において、制御回路を形成したプリント基板を制御端子55上に配置する用途がある。この用途に応えるためには、制御端子55上にプリント基板を載置できるように、制御端子55の表面構造を平坦面に変える必要がある。また、組立にロボットが使えるように、各制御端55の表面の高さを高精度に揃えることが要求される。また、半導体モジュール500の低コスト化のために制御端子55はインサート構造でなく独立端子構造にする必要がある。しかしながら、これらの要求に応えるのが本発明の半導体装置であるにもかかわらず、前記の特許文献1、2では、独立端子である制御端子の表面高さを高精度に揃えることについて考慮されていないという問題があった。この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、独立端子である制御端子の表面高さを高精度に揃えることができる半導体モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかる半導体モジュールは、金属放熱基板と、前記金属放熱基板上に固着される導電パターン付絶縁基板と、前記導電パターン付絶縁基板上に固着される半導体チップと、前記導電パターン付絶縁基板上に半田で固着される主回路端子および制御端子と前記主回路端子の表面および前記制御端子の表面の少なくとも一方をそれぞれ露出させる第1開口部を有し、前記金属放熱基板に固着する樹脂ケースと、前記樹脂ケースを構成する側壁に形成された第2開口部に挿着され、前記主回路端子および前記制御端子の少なくとも一方を固定するナットが埋め込まれた樹脂体と、前記樹脂ケース内に充填される樹脂材と、を具備し、前記第1開口部は、前記表面側が狭くなるようなテーパー状の側壁を有し、前記制御端子は、前記第1開口部から露出した状態において当該第1開口部のテーパー状の側壁と接するテーパー状の接触部を有することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体モジュールは、上記の発明において、前記制御端子を固定する前記ナットが埋め込まれた前記樹脂体は、当該樹脂体の表面であって当該樹脂体に埋め込まれた前記ナットの開口部よりも外周側に設けられ、前記制御端子の下に挿着された状態における上方に突出する微小突起を備えることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体モジュールは、上記の発明において、前記制御端子を固定する前記ナットが埋め込まれた前記樹脂体は、当該樹脂体における下側であって当該樹脂体の前記第2開口部に対する挿着方向における先頭側に向かって突出する突出部を備えることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体モジュールの製造方法は、金属放熱基板と導電パターン付絶縁基板、導電パターン付絶縁基板と半導体チップを水素雰囲気の半田付け炉で半田付けする工程と、前記導電パターン付絶縁基板に主回路端子および制御端子を所定の組立治具を用いて半田付けする工程と、前記主回路端子および前記制御端子が半田付けされた導電パターン付絶縁基板に、上方に向けて開口する第1開口部から前記主回路端子および前記制御端子の少なくとも一方の上部が露出するように樹脂ケースを上から被せ、当該樹脂ケースの側壁の下側周囲を前記金属放熱基板に固着する工程と、それぞれナットが埋め込まれた樹脂体を前記第2開口部から前記主回路端子および前記制御端子の少なくとも一方の下に挿着することにより当該樹脂体を前記樹脂ケース内部に形成された梁に載置し、当該樹脂体を介して前記主回路端子および前記制御端子の少なくとも一方を固定する工程と、を含むことを特徴とする。また、この発明にかかる半導体モジュールの製造方法は、上記の発明において、前記第1開口部は、前記表面側が狭くなるようなテーパー状の側壁を有し、前記制御端子は、前記固着する工程において前記導電パターン付絶縁基板に前記樹脂ケースを上から被せることにより前記第1開口部から露出した状態において、前記第1開口部のテーパー状の側壁と接するテーパー状の接触部を有することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体モジュールの製造方法は、上記の発明において、前記制御端子を固定する前記ナットが埋め込まれた前記樹脂体は、当該樹脂体の表面であって当該樹脂体に埋め込まれた前記ナットの開口部よりも外周側に設けられ、前記制御端子の下に挿着された状態における上方に突出する微小突起を備え、前記固定する工程は、前記樹脂体が、前記制御端子の下に挿着された状態において前記微小突起を当該制御端子に当接させることにより当該制御端子を固定することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体モジュールの製造方法は、上記の発明において、前記制御端子を固定する前記ナットが埋め込まれた前記樹脂体は、当該樹脂体における下側であって当該樹脂体の前記第2開口部に対する挿着方向における先頭側に向かって突出する突出部を備えることを特徴とする。この発明によれば、ナットが埋め込まれた樹脂体で独立端子である片梁構造の制御端子を固定することにより、端子の表面高さを高精度に揃えることができる。また、この発明によれば、前記の樹脂体の表面に微小な突起を付けることで、端子の表面高さをさらに高精度に揃えることができる。以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。実施の形態1まず、この発明の実施の形態1について説明する。実施の形態1においては、この発明にかかる半導体モジュールについて説明する。図1は、この発明の実施の形態1の半導体モジュールの構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aの矢印A方向から見た要部側断面図である。図2は、図1に示す樹脂ケースの構成図であり、同図aは要部平面図、同図bはX-X線で切断した要部断面図、同図cは同図aの矢印B方向から見た要部側面図である。図3は、図1に示す導電パターン付絶縁基板に主端子と制御端子を半田付けした構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aの矢印C方向から見た要部側断面図である。図4は、図3に示す制御端子の構成図であり、同図aは図3の矢印Dから見た図、同図bは同図aの矢印E方向から見た図、同図cは同図aの矢印Fから見た図である。図5は、図1に示す樹脂体通称ナットグローブの構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aの矢印G方向から見た要部側面図である。図6は、図5に示す樹脂体を制御端子下に配置した図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aの矢印H方向から見た図、同図cは同図aの矢印I方向から見た図である。図1、図2、図3、図4、図5および図6において、この半導体モジュール100は、放熱用金属基板1放熱ベースと、この放熱用金属基板金属放熱基板1上に図示しない半田で固着した導電パターン付絶縁基板2と、導電パターン付絶縁基板2上に半田3で固着した主端子主回路端子4、制御端子5および図示しない半導体チップと、半導体チップ同士、半導体チップと導電パターン付絶縁基板を接続する図示しないボンディングワイヤと、主端子4および制御端子5をそれぞれ固定し図示しない外部配線との接続に用いる樹脂体6、7と、この樹脂体6、7を固定する樹脂ケース8と、を備えている。樹脂ケース8内には、ゲル9が設けられている。図中の符号の28は放熱用金属基板1を図示しない冷却フィンに取り付けるための取り付け穴である。樹脂ケース8には、開口部10、11が設けられている。開口部10、11は、樹脂ケース8の側面から、樹脂ケース8の側面に繋がる上面にわたって連続して形成されている。この開口部10,11は、前記樹脂ケース8の表面に形成される第1開口部と、この第1開口部に繋がり前記樹脂ケース8の側壁に形成される第2開口部とによって構成される。この実施の形態1において、第1開口部および第2開口部は、一体の一つの開口部10,11によって実現されている。主端子4と制御端子5は、開口部10、11から露出する。前記の樹脂体6,7は、樹脂ケース8の開口部10、11に挿着され、主端子4と制御端子5を固定する。図3に示すように、主端子4は、厚く広いので剛性が強く、また両梁構造の両足部12が半田で固定されるため変形しにくい。主端子4には、図示を省略する外部配線が接続される。主端子4と当該主端子4に接続される外部配線とは、樹脂体6に埋め込まれたナット14図1参照に図示しないボルトを装着することで互いに固定される。このように、主端子4下に配置される樹脂体6は、主端子4を固定する働きよりは、外部配線と主端子4を接続する働きをする。制御端子5は、片梁構造であって梁14を備えている。片梁構造の制御端子5の梁14は、片足部13が半田3で固定されている。片足部13が半田3で固定されているため、梁14の幅を狭く長くした場合、当該梁14の剛性が弱く変形しやすくなって、制御端子5の表面が上下、左右に位置ズレを起こしやすい。この実施の形態1の半導体モジュール100においては、図1に示すように、制御端子5の下面16に樹脂体7を配置することで、制御端子5はしっかり固定される。このように、制御端子5の下面16に樹脂体7を配置することにより、制御端子5を樹脂ケース8に確実に固定することができる。前記の図1bでは、紙面奥側に配置される制御端子5は図示していない。図2では、ナット14が埋め込まれた樹脂体6を参考までに示している。図3では、導電パターン付絶縁基板の各導電パターンと取り付け穴は図示していない。図3bでは、紙面奥側に配置される制御端子は図示していない。図4aでは、樹脂ケース8の開口部の箇所を示している。また、複数の制御端子5は、表面高さ17を高精度に揃えることができる。制御端子5に接続する図示しない外部配線は、樹脂体7に埋め込まれたナット22に図示しないボルトを装着することで互いが固定される。制御端子5下に配置される樹脂体7は、制御端子5を固定すること、制御端子5の表面高さ17を精度よく揃えること、外部配線と制御端子5とを接続すること、の3つの働きをする。樹脂体7にナット22を埋め込む方法としては、樹脂体7にナット22を一体成型する方法、樹脂体7にナット22と嵌合する凹部を形成してこの凹部にナット22を嵌合する方法等、公知の方法を用いることができる。図4に示すように、樹脂ケース8の開口部11の側壁18は、内部で広く、表面側で狭いテーパー状とされている。この開口部11は、樹脂ケース8の表面に形成される第1開口部を実現することができる。また、このテーパー状の側壁18に接する制御端子5の接触部19は、このテーパーに合うフィットするようにテーパー状に形成されている。開口部11の側壁18と制御端子5の接触部19は、互いにテーパー状の箇所で接触するように構成されている。開口部11の側壁18と制御端子5の接触部19をテーパー状にすることで、例えば、制御端子5が傾いて片方のテーパーに接触した場合には、樹脂体7を挿着する過程で両方のテーパー状の箇所が接触する。接触部19が側壁18に収まり、両方のテーパーが接触することで、制御端子5の表面20は樹脂ケース8の表面に対して平行になり、制御端子5の表面高さ17を高精度に揃えることができる。なお、側壁18の形状は、外部から内部に向かって広がっており、接触部19が収まるようなテーパー形状になっていればよい。側壁18を幅全体にわたってテーパー形状としてもよいし、側壁18に部分的に凹部を形成し、この内部を接触部18を収容するようなテーパー形状としてもよい。また、直線的なテーパー、すり鉢コーン状のテーパーいずれも用いることができる。前記の制御端子5は片梁構造の場合を示したが、制御端子5の厚さが薄く幅が狭く剛性が弱く、変形しやすい両梁構造の場合にも樹脂体7を下に配置することで同様の効果が得られる。しかし、制御端子5を半田付けするスペースが広がるので半導体モジュール100の外形が大きくなる。図5に示すように、制御端子5の下に配置される樹脂体7は、樹脂性の長方体に凹部21が形成され、この凹部21内に金属製のナット22が埋め込まれる。制御端子5の上面、下面および側面とも平坦であり、樹脂体7の先端23はテーパーが施されている。このテーパーが施されている側から樹脂ケース8の側面に形成される開口部11へ挿着される。図1のJ部に示すように、樹脂体7の底面24図5参照を樹脂ケース8内部に形成された梁25に載置することで、樹脂体7の下方への動きは梁25で阻止される。樹脂体7の下方への動きが阻止されることで、制御端子5の下方への動きも阻止される。また樹脂体7の上方への動きは導電パターン付絶縁基板2に制御端子5の片足部13が半田3で固着しているので阻止される。また、図6に示すように、制御端子5の下面16に前記の樹脂体7を配置することで、制御端子5の表面高さ17を高精度に揃える。また、制御端子5および主端子4に接続する外部配線は、それぞれの樹脂体7,6に埋め込まれたナット22にボルトを装着することで互いが固定される。図中の26は図示しないボルトを挿着する制御端子5に形成された取付け穴であり、図中の27は図示しないボルトを挿着する樹脂体5のナット22に形成されたネジ穴である。実施の形態2つぎに、この発明の実施の形態2について説明する。実施の形態2においては、上述した実施の形態1の半導体モジュール100の製造方法について説明する。図7は、この発明の実施の形態2の半導体モジュールの製造方法であり、同図a~同図cは工程順に示した要部製造工程断面図である。実施の形態1の半導体モジュール100の製造方法を例として示した。図7aにおいて、半導体モジュール100の製造に際しては、放熱用金属基板1と導電パターン付絶縁基板2、導電パターン付絶縁基板2と図示しない半導体チップを水素雰囲気の半田付け炉で半田付けする。また、半導体チップ同士、半導体チップと導電パターン付絶縁基板2の図示しない導電パターンを図示しないボンディングワイヤで接続する。さらに、導電パターン付絶縁基板2に、主端子4および制御端子5を半田付けする。主端子4および制御端子5は、例えば、図9に示す組立治具を用いて、導電パターン付絶縁基板2に半田付けすることができる。つぎに、図7bにおいて、樹脂ケース8の上部に開いた開口部10,11第1開口部から主端子4と制御端子5の上部が露出するように、樹脂ケース8を放熱用金属基板1の上から被せ、樹脂ケース8の外壁内の下側周囲を放熱用金属基板1に固着する。その後、樹脂ケース8内にゲル9を充填する。つぎに、図7cにおいて、樹脂ケース8の側面の開口部10,11第2開口部から、ナットを配置した樹脂体6,7ナットグローブを主端子4および制御端子5の下にそれぞれ挿着する。樹脂体6,7は、当該樹脂体6,7の下を樹脂ケース8の梁25に載置した状態で、主端子4および制御端子5を固定する。前記の樹脂体7を後述の図11および図12で説明する樹脂体40に代えても同様の製造方法が採用できる。図8は、樹脂体を樹脂ケースに挿着する様子を示す図であり、同図aは挿着前の図、同図bは挿着中の図、同図cは挿着後の図である。図8において、樹脂体7を樹脂ケース8に挿着する際には、まず、樹脂体7の先端23を樹脂ケース8の側面の開口部11第2開口部に位置させる図8aを参照。つぎに、樹脂体7の底面24を樹脂ケース8の側壁の開口部11に接触させながら制御端子5の下面16に位置させる図8bを参照。さらに、樹脂体7を樹脂ケース8の内部に進行させ、樹脂体7の先端23を樹脂ケース8内部に形成したJ部の梁25の上へ載置して、樹脂体7を樹脂ケース8に固定し、この樹脂体7で制御端子5を固定する図8cを参照。図6cに示すように、制御端子5は、その表面20と表面に垂直な面29でU字型に構成されている。このU字型の箇所に樹脂体7を配置することで、制御端子5が傾いていても、図8cに示した工程で樹脂体7を樹脂ケース8の内部に進行させることで、制御端子5を正規の位置に戻すことができる。このように、上下左右に可動しやすい片梁構造の制御端子5の下に樹脂体7を挿着し、樹脂体7の上面30と制御端子5下面16の隙間31を小さくすることで、片梁構造の制御端子5の表面高さ17を高精度に揃えることができる。図9は、半田付け用の組立治具の構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aの矢印K方向から見た側断面図である。図9において、同図aは、組立治具35の凹部36に主端子4と制御端子5の上部表面を挿着した平面図であり、半田付けされる両足部12および片足部13側から見た平面図である。つまり、半田付け時とは組立治具35の上下は逆になっている。同図bは同図aの半田付けされる両足部12および片足部13を下にして導電パターン付き絶縁基板2に半田付けした状態を示す断面図である。この組立治具35を用いて主端子4および制御端子5を位置決めし、半田付けを行なう。この組立治具35を用いることで、主端子4と制御端子5を導電パターン付絶縁基板2に半田3で定位置に固着できる。主端子4は剛性が強く両足部12が半田3で固定されるので変形しにくく、主端子4の表面高さの精度は半田付け工程で用いるこの組立治具35に依存する。制御端子5はフレキシブルであるため、半田付け時に変形しないように支持台37で梁部14を支持している。図1の半導体モジュール100において、樹脂体7を用いて制御端子5を固定し、樹脂体7の上面30と制御端子5の下面16の隙間31図6参照を小さくすることで例えば、0.2mm程度、剛性の弱い片梁構造の制御端子5の表面高さ17を±0.25mm以下の高精度に揃えることができる。図10は、制御端子が傾いた様子を示す断面図である。前記したように制御端子5の下面16と樹脂体7の上面30の間に隙間31があるため、制御端子5の表面20が傾いて表面高さ17が不揃いになることがある。以下の実施の形態3において、制御端子5の表面高さ17をさらに高精度に揃えることができる半導体モジュールについて説明する。実施の形態3図11は、この発明の実施の形態3の半導体モジュールの構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aの矢印A方向から見た要部側断面図である。図12は、図11に示す樹脂体通称ナットグローブの構成図であり、aは要部平面図、bはaの矢印G方向から見た要部側面図である。図12においては、上述した実施の形態1の半導体モジュール100の説明における図5に相当する樹脂体の要部構成を示している。図11および図12において、この発明の実施の形態3の半導体モジュール200は、図1に示したこの発明の実施の形態1の半導体モジュール100と比較して、制御端子5を固定する樹脂体40の表面43に微小な突起41を設けた点と、樹脂体40の先端底部44に突出部42を設けた点と、が異なる。図12に示すように、突起41は、樹脂体40の表面であって、ナットの周りに複数箇所実施の形態3においては4箇所設けられている。突起41は、半球状の外形をなしている。また、突起41は、高さ方向図12aにおける紙面表裏方向であって図12bにおける紙面上下方向の寸法高さが0.1mm程度であって、半球の直径が0.1mmΦ程度とすることができる。この突起41を設けることにより、樹脂体40を挿着した状態における突起41先端部と制御端子5の下面16の間の隙間は、実施の形態1の樹脂体7を挿着した場合と比較して0.1mm程度小さくなる。図13は、図12の樹脂体を用いたときの制御端子の状態を示す図である。図13に示すように、突起41があるため、制御端子5の傾きは小さくなる。これによって、樹脂体40を用いることにより、図2の樹脂体7を用いる場合と比較して、複数の制御端子5の表面高さ17をさらに高精度に揃えることができる。また、樹脂体40を用いることにより、プリント基板を制御端子5に取り付けるとき、樹脂体40に形成された全ての突起41に制御端子5の底面が接触する。これにより、制御端子5の表面高さは、プリント基板を取り付ける前より、取り付けた後の方が高精度に揃うようになる。また、樹脂体40を用いることにより、プリント基板は、平坦な状態で取り付けられるので、プリント基板に加えられる応力は小さくなり好ましい。突出部42は、樹脂ケース8内部に形成された梁に樹脂体40を載置するときに、ガイドとして機能する。このように、樹脂体40に突出部42を設けることで、容易に樹脂体40を樹脂ケース8に挿着できるようになる。図14は、樹脂体に形成した突起の変形例であり、同図aは突起が3個の場合の平面図、同図bはナットの両側に直線状の半円筒型の突起を形成した場合の平面図である。図14において、図14aおよび図14bの突起41の高さは、いずれも0.1mm程度である。図14では、突起41の例として2種類示したがこれに限るものではない。図14に示すように、樹脂体40に突起41を設けることで、制御端子5の表面高さ17を図1の場合より高精度に揃えることができる。図11の半導体モジュール200の製造工程は、図7の工程と同じである。すなわち、図11に示した半導体モジュール200は、図7に示した製造工程と同様の製造工程によって製造することができる。但し、半導体モジュール200においては、図11および図12に示したように、樹脂体40の表面43に突起41が形成されているので、制御端子5の表面高さ17を高精度に揃えることができる。"