"シリコン基板1から太陽電池を製造する方法であって、当該シリコン基板は、使用状態において光入射側として使用される第1主面3と、背面側として使用される第2主面4とを有しており、前記シリコン基板は、前記第2主面4にパッシベーション層を有している、太陽電池を製造する方法において、-前記シリコン基板1の前記第2主面4に酸化物含有層5を被着するステップと、-前記酸化物含有層5を圧縮するため、および、当該酸化物含有層5と前記シリコン基板1の前記第2主面4との間の境界面を酸化して熱酸化物6を形成するため、前記シリコン基板1を少なくとも800°Cの温度に加熱するステップとを有する、ことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、殊にO2および/またはH2Oを含むプロセス雰囲気を酸素源として機能させる、ことを特徴とする方法。請求項1または2に記載の方法において、前記酸化物含有層を被着して、当該酸化物含有層が、例えばSiO2,ZrO2,SiOaNbおよび/またはSiOaCbを含んで酸素透過性であるようにし、ただしそれぞれb≪aである、ことを特徴とする方法。請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法において、前記酸化物含有層5は、殊にSiO2を含んでおり、CVD法またはPECVD法により、殊にSiH4を使用して前記シリコン基板1の前記第2主面4に被着される、ことを特徴とする方法。請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法において、前記酸化物含有層5には、ハイパーストイキオメトリの酸化物、例えばSiO2x:Hおよび/または密度の低い酸化物および/または吸湿性酸化物、有利にはBSG、PSGおよび/またはTEOS酸化物が含まれており、前記酸化物含有層5は、前記酸素源として機能する、ことを特徴とする方法。請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法において、さらに、前記シリコン基板1の加熱中に当該シリコン基板1に発生するシリコン酸化物層を前記第1主面3からエッチングによって除去し、前記酸化物含有層5の一部を前記第2主面4からエッチングによって除去する、ことを特徴とする方法。請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法において、さらに、前記酸化物含有層5を被着した後、前記2つの主面3にドーピング材料を拡散注入し、例えば、有利には3臭化ホウ素を用いてホウ素を拡散注入し、および/または有利にはオキシ塩化リンを用いてリンを拡散注入し、前記シリコン基板1を加熱するステップの間に前記ドーピング材料が前記第1主面3に拡散し、前記酸化物含有層5は、前記加熱中に前記第2主面4のマスキング層として機能する、ことを特徴とする方法。請求項7に記載の方法において、さらに、前記シリコン基板1を加熱する間に発生するドーピング材料-シリコン化合物層を前記第1主面3および/または前記第2主面4からエッチングによって除去する、ことを特徴とする方法。請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法において、さらに、前記酸化物層5を被着する前に前記第1主面3および/または前記第2主面4に表面構造を載置する、ことを特徴とする方法。請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法において、さらに、前記酸化物含有層5を被着する前に前記第2主面4を平坦化する、ことを特徴とする方法。請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法において、さらに、前記酸化物含有層5を被着する前に、例えばHNO3によって前記第1主面3および/または前記第2主面4をクリーニングする、ことを特徴とする方法。請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法において、さらに、BSFBackSurfaceField層10を形成するため、ホウ素またはリンを前記第2主面4に拡散または注入し、前記シリコン基板1を加熱することによって前記ホウ素またはリンを活性化する、ことを特徴とする方法。請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法において、殊に請求項6から12までのいずれか1項に記載の方法において、前記2つの主面3,4をエッチングした後、SiN反射防止層9を前記第1主面3に被着する、および/または前記第2主面4の前記酸化物含有層5に被着する、ことを特徴とする方法。請求項1から13までのいずれか1項に記載の方法において、前記酸化物含有層5を被着する前、前記第1主面3と前記第2主面4とを接続するため、前記シリコン基板1を貫通する1つまたは複数のホールを例えばレーザによって形成する、ことを特徴とする方法。請求項1から14までのいずれか1項に記載の方法において、前記酸化物含有層5を被着する前につぎのステップを実行する、すなわち-ドーピング材料を前記2つの主面3,4に拡散注入し、例えば、有利には3臭化ホウ素を用いてホウ素を拡散注入し、および/または有利にはオキシ塩化リンを用いてリンを拡散注入し、-前記第1主面3にエミッタ層を形成するため、および、前記第2主面4にエミッタ層を形成するため、前記シリコン基板1を加熱することによって前記ドーピング材料を当該シリコン基板1に拡散注入し、-前記シリコン基板1を加熱することによって発生するドーピング材料ガラス層を前記第1主面3および/または前記第2主面4からエッチング除去し、-有利にはSiNであるマスキング層を前記第1主面3に被着し、-例えばエッチングによって前記第2主面4のエミッタ層を除去し、当該除去中には前記SiN層が前記第1主面3のマスキング層として機能する、ことを特徴とする方法。"