"半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されたヒューズと、前記第1の絶縁膜及び前記ヒューズの上に形成され、前記ヒューズ上に達する開口部を有する第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上及び前記開口部内に形成された第3の絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、前記第3の絶縁膜の融点は、前記第2の絶縁膜の融点よりも低いことを特徴とする半導体装置。請求項1又は2記載の半導体装置において、前記開口部内の前記第3の絶縁膜は、他の領域よりも融点の低い絶縁材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記ヒューズ下の前記第1の絶縁膜内に形成された空隙を更に有することを特徴とする半導体装置。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記第2の絶縁膜が前記半導体基板に与える応力は、前記第1の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜が前記半導体基板に与える応力よりも大きいことを特徴とする半導体装置。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記第2の絶縁膜は、エッチングストッパ膜であり、前記第3の絶縁膜は、層間絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記第2の絶縁膜は、窒化シリコンを主体とする絶縁材料により形成されており、前記第3の絶縁膜は、酸化シリコンを主体とする絶縁材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。半導体基板上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に、ヒューズを形成する工程と、前記ヒューズ及び前記第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜に、前記ヒューズに達する開口部を形成する工程と、前記第2の絶縁膜上及び前記開口部内に第3の絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8記載の半導体装置の製造方法において、前記第3の絶縁膜の融点は、前記第2の絶縁膜の融点よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体基板上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に、ヒューズを形成する工程と、前記ヒューズが形成された前記半導体基板上に、前記第1の絶縁膜に接して第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜上に、第3の絶縁膜を形成する工程と、前記ヒューズ上の前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜に、開口部を形成する工程と、前記開口部内に、前記第3の絶縁膜よりも融点の低い絶縁材料よりなる第4の絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8乃至10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記開口部を形成する工程では、前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜に開口部を形成した後、更に前記第1の絶縁膜を等方的にエッチングし、前記開口部内に前記ヒューズの下面を露出することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項11記載の半導体装置の製造方法において、前記第4の絶縁膜を形成する工程では、前記ヒューズ下に空隙が残存するように前記第4の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。しかしながら、溶断によってヒューズを切断する方式は、電流を流してヒューズ及びその周囲の物質を溶融した後、この溶融領域を再凝固して電気的に切断するものであり、レーザ光照射により切断する場合のようにヒューズを昇華することは期待できない。このため、ヒューズの周囲の構造や再凝固した領域の状態によっては、電気的な切断度合いが不十分なことがあった。本発明の目的は、良好な切断度合いで安定して切断しうるヒューズを有する半導体装置及びその製造方法を提供することにある。実施形態の一観点によれば、半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されたヒューズと、前記第1の絶縁膜に接して形成され、前記ヒューズ上に開口部を有する第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上及び前記開口部内に形成された第3の絶縁膜とを有する半導体装置が提供される。また、実施形態の他の観点によれば、半導体基板上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に、ヒューズを形成する工程と、前記ヒューズが形成された前記半導体基板上に、前記第1の絶縁膜に接して第2の絶縁膜を形成する工程と、前記ヒューズ上の前記第2の絶縁膜に、開口部を形成する工程と、前記第2の絶縁膜上及び前記開口部内に第3の絶縁膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。また、実施形態の更に他の観点によれば、半導体基板上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に、ヒューズを形成する工程と、前記ヒューズが形成された前記半導体基板上に、前記第1の絶縁膜に接して第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜上に、第3の絶縁膜を形成する工程と、前記ヒューズ上の前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜に、開口部を形成する工程と、前記開口部内に、前記第3の絶縁膜よりも融点の低い絶縁材料よりなる第4の絶縁膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。開示の半導体装置及びその製造方法によれば、溶断方式のヒューズを安定且つ確実に切断することができる。これにより、パッケージ樹脂の応力による素子特性の変動をも加味した上で高精度のトリミングを行うことができ、特性ずれの小さい半導体装置を製造することができる。[第1実施形態]第1実施形態による半導体装置及びその製造方法について図1乃至図14を用いて説明する。図1は、本実施形態による半導体装置の構造を示す平面図である。図2及び図3は、本実施形態による半導体装置の構造を示す概略断面図である。図4は、ヒューズ上にエッチングストッパ膜が存在するときの課題を説明する図である。図5乃至図14は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。はじめに、本実施形態による半導体装置の構造について図1乃至図3を用いて説明する。図2は図1のA-A′線断面図であり、図3は図1のB-B′線断面図である。シリコン基板10上には、素子分離絶縁膜12が形成されている。素子分離絶縁膜12上には、ポリシリコンよりなるヒューズ16が形成されている。ヒューズ16は、図1に示すように、中央部がくびれた平面形状を有している。ヒューズ16の両脇には、ヒューズ16を溶断したときのダメージが周囲に広がるのを防止するためのダミー配線18が形成されている。ヒューズ16の両端部の上面上及びダミー配線18上には、金属シリサイド膜36が形成されている。ヒューズ16の金属シリサイド膜36が形成されていない領域上には、シリコン酸化膜22,26が形成されている。ヒューズ16及びダミー配線18が形成された素子分離絶縁膜12上には、エッチングストッパ膜38及び層間絶縁膜42が形成されている。層間絶縁膜42及びエッチングストッパ膜38には、金属シリサイド膜36に接続されたコンタクトプラグ44が埋め込まれている。層間絶縁膜42上には、コンタクトプラグ44に接続された配線層48が形成されている。配線層48が形成された層間絶縁膜42上には、層間絶縁膜50が形成されている。層間絶縁膜50には、配線層48に接続されたコンタクトプラグ52が埋め込まれている。層間絶縁膜50上には、コンタクトプラグ52に接続された配線層54が形成されている。配線層54が形成された層間絶縁膜50上には、層間絶縁膜56が形成されている。層間絶縁膜56には、配線層54に接続されたコンタクトプラグ58が埋め込まれている。層間絶縁膜54上には、コンタクトプラグ58に接続された配線層60が形成されている。配線層60が形成された層間絶縁膜56上には、カバー膜としてのシリコン酸化膜62及びシリコン窒化膜64が形成されている。本実施形態による半導体装置では、図2及び図3に示すように、ヒューズ16上のエッチングストッパ膜38が除去されている。本実施形態による半導体装置においてヒューズ16上のエッチングストッパ膜38を除去している理由について、以下に説明する。半導体装置の層間絶縁膜の下層部分に、層間絶縁膜とはエッチング特性の異なるエッチングストッパ膜を形成することがある。例えば、層間絶縁膜に深さの異なるコンタクトホールを同時に形成する場合、浅いコンタクトホールを形成する領域では過剰なエッチングに曝されるため、コンタクトホール底の構造体にエッチングダメージを与えることがある。そこで、層間絶縁膜の下層に層間絶縁膜とはエッチング特性の異なるエッチングストッパ膜を設けておき、エッチングダメージが下地構造に加わるのを防止することが行われる。層間絶縁膜としては、シリコン酸化膜などの酸化シリコンを主体とする絶縁材料が広く用いられている。酸化シリコンを主体とする絶縁材料により層間絶縁膜を形成する場合、層間絶縁膜のエッチングを停止するためのエッチングストッパ膜としては、シリコン窒化膜などの窒化シリコンを主体とする絶縁材料が広く用いられている。しかしながら、ヒューズ16上にエッチングストッパ膜38が存在すると良好な切断度合いで安定してヒューズ16を溶断できないことが、本発明者の検討によって判明した。ヒューズ16を安定して溶断できない理由を、本発明者は以下のように推察している。パッケージ処理後にトリミングや冗長を行う半導体装置では、前述のように、ヒューズ16の切断は、ヒューズ16に電流を流すことによって行うことが望ましい。このようなヒューズ16は、例えば図1に示すように、中央部がくびれた形状を有している。このヒューズ16に電流を流すと、電流密度が高くなる中央部においてジュール熱によって温度が上昇し、ヒューズ16及びその周辺物質が溶解する。ヒューズ16が溶解することによって電流が流れなくなると温度が低下し、溶解部分が再凝固する。ここで、例えば図4aに示すように、ヒューズ16上にシリコン窒化膜のエッチングストッパ膜38が存在する場合を想定する。エッチングストッパ膜38に用いられるシリコン窒化膜は、配線間の層間絶縁膜44等や素子分離絶縁膜12に用いられるシリコン酸化膜と比較して、シリコン基板10に与える応力が大きい膜である。ヒューズ16上にシリコン窒化膜のエッチングストッパ膜38が存在すると、ヒューズ16にはエッチングストッパ膜38からシリコン基板10側に向けて圧縮応力が印加される。この状態でヒューズ16を切断すると、ヒューズ16及びその周囲が溶融して体積が増える効果が、エッチングストッパ膜38から加わる応力によって抑制される。結果として、溶融領域70が狭まり、再凝固したときに小片化したヒューズ材料であるポリシリコン間の間隔が狭くなって電気的な切断度合いが悪化する図4b参照。溶融領域70が狭まることは、窒化シリコンの融点が酸化シリコンの融点よりも高いことが原因していることも考えられる。このような観点から、本実施形態による半導体装置では、ヒューズ16上のエッチングストッパ膜38を選択的に除去している。ヒューズ16上のエッチングストッパ膜38を除去しておくことにより、エッチングストッパ膜38からのストレスの影響を受けることなく溶融領域70を広げることができる。これにより、良好な切断度合いで安定してヒューズ16を溶断することができる。なお、エッチングストッパ膜38は、必ずしもヒューズ16上の全面において除去する必要はない。少なくとも、ヒューズ16を切断したときにヒューズ16が溶断される部分、すなわち、ヒューズ16中央部のヒューズ16がくびれた部分上のエッチングストッパ膜38を除去する。次に、本実施形態による半導体装置の製造方法について図5乃至図14を用いて説明する。なお、図5乃至図8は、図1のA-A′線断面に沿った工程断面図である。図9乃至図11は、図1のB-B′線断面に沿った工程断面図である。図12乃至図14は、トランジスタ形成部における工程断面図である。まず、シリコン基板10内に、例えばLOCOSLocalOxidationofSilicon法により、活性領域を画定する素子分離絶縁膜12を形成する。なお、ここではヒューズを素子分離絶縁膜12上に形成するものとし、ヒューズ形成領域のシリコン基板10上には素子分離絶縁膜12を形成する図5a、図9a、図12a。なお、素子分離絶縁膜12は、STIShallowTrenchIsolation法により形成してもよい。次いで、素子分離絶縁膜12により画定されたシリコン基板10の活性領域上に、例えば熱酸化法により、例えばシリコン酸化膜のゲート絶縁膜14を形成する。次いで、全面に、例えばCVD法により、ポリシリコン膜と、シリコン酸化膜とを順次形成する。次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、このシリコン酸化膜及びポリシリコン膜をパターニングし、上面がシリコン酸化膜22により覆われたヒューズ16、ダミー配線18、ゲート電極20を形成する。次いで、ゲート電極20をマスクとしてイオン注入を行い、ゲート電極20の両側のシリコン基板10内に、LDD領域或いはエクステンション領域となる不純物拡散領域24を形成する図5b、図9b、図12b。なお、シリコン酸化膜22は、後工程でシリサイド化を防止する際に用いる膜であり、ゲート電極20上の全面に金属シリサイド膜36を形成する場合、金属シリサイド膜36を用いない場合には、必ずしも形成する必要はない。なお、シリコン酸化膜22を形成しない場合、ヒューズ16領域のシリサイドブロックには、後工程で形成するシリコン酸化膜26を用いることができる。次いで、全面に、例えばCVD法により、シリコン酸化膜26を形成する。次いで、フォトリソグラフィにより、ヒューズ16上を覆い、他の領域を露出するフォトレジスト膜28を形成する図5c、図9c、図12c。次いで、フォトレジスト膜28をマスクとして、シリコン酸化膜26を異方性エッチングし、ヒューズ16を覆うようにシリコン酸化膜26を残存するとともに、ダミー配線18及びゲート電極20の側壁部分に、シリコン酸化膜26の側壁絶縁膜30を形成する。次いで、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜28を除去する。次いで、ゲート電極20及び側壁絶縁膜30をマスクとしてイオン注入を行い、ゲート電極20の両側のシリコン基板10内に、不純物拡散領域32を形成する。これにより、不純物拡散領域24,32を含むソース/ドレイン領域34を形成する図6a、図13a。次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、シリコン酸化膜22,26をパターニングし、ヒューズ16、ダミー配線18、ゲート電極20のシリサイド形成領域を露出する図6b、図10a、図13b。ヒューズ16及びダミー配線18では、これらに接続される配線を接続するためのコンタクト領域を露出する。次いで、必要に応じて、サリサイドプロセスにより、ヒューズ16、ダミー配線18、ゲート電極20及びソース/ドレイン領域34の露出部分に金属シリサイド膜36を選択的に形成する図6c、図10b、図13c。このとき、ヒューズ16上に形成されたシリコン酸化膜22,26がシリサイドブロック絶縁膜として機能する。次いで、全面に、例えばCVD法により、シリコン窒化膜を堆積し、シリコン窒化膜のエッチングストッパ膜38を形成する図7a、図14a。なお、エッチングストッパ膜38は、下地に加わるエッチングダメージを緩和するための膜であり、通常、保護対象の下地例えば、素子分離絶縁膜12、金属シリサイド膜36を含むゲート電極20及びソース/ドレイン領域34等に接して形成される。次いで、フォトリソグラフィにより、ヒューズ16が形成された領域、少なくともヒューズ16が溶断されると推定される領域を含む領域を露出し、他の領域を覆うフォトレジスト膜40を形成する。次いで、フォトレジスト膜40をマスクとして、シリコン酸化膜26をストッパとして、エッチングストッパ膜38をドライエッチングし、ヒューズ16上のエッチングストッパ膜38に開口部を形成する図7b、図10c。なお、ここではシリコン酸化膜26をストッパとしてエッチングストッパ膜38をエッチングしているが、必ずしもシリコン酸化膜26をストッパとしてエッチングストッパ膜38をエッチングする必要はない。ヒューズ16のシリサイドブロックをシリコン酸化膜22により行う場合、金属シリサイド膜36を用いない場合には、シリコン酸化膜26は必ずしも形成する必要はない。次いで、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜40を除去する。次いで、全面に、例えばCVD法により、シリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜の層間絶縁膜42を形成する図7c、図14b。次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、層間絶縁膜42及びエッチングストッパ膜38に、ヒューズ16、ダミー配線18、ゲート電極20及びソース/ドレイン領域34上の金属シリサイド膜36に達するコンタクトホール44を形成する。このとき、ゲート電極20上に開口されるコンタクトホール44とソース/ドレイン領域34に開口されるコンタクトホール44とでは深さが異なるが、層間絶縁膜42下のエッチングストッパ膜38によって、ゲート電極20が過剰なエッチングに曝されるのを防止することができる。次いで、全面に導電膜を堆積した後、この導電膜をエッチバックし、コンタクトホール44内に埋め込まれたコンタクトプラグ46を形成する。次いで、コンタクトプラグ46が埋め込まれた層間絶縁膜42上に導電膜を堆積し、この導電膜をパターニングする。これにより、コンタクトプラグ46を介してヒューズ16、ダミー配線18、ゲート電極20及びソース/ドレイン領域34に電気的に接続された配線層48を形成する図8a、図11a、図14c。次いで、同様にして、層間絶縁膜50、コンタクトプラグ52、配線層54、層間絶縁膜56、コンタクトプラグ58、及び配線層60を順次形成し、所望の層数の配線構造を形成する。次いで、配線層60が形成された層間絶縁膜56上に、カバー膜としてのシリコン酸化膜62及びシリコン窒化膜64を形成し、一連のウェーハプロセスを完了する図8b、図11b。次いで、上記一連のウェーハプロセスを経た半導体基板10をダイシングし、パッケージングする。次いで、パッケージ後の半導体装置について回路試験を行い、所望の回路特性が得られているかどうか検査する。所望の回路特性が得られていない場合には、所定のヒューズを切断し、トリミングないしは冗長を行う。本実施形態による半導体装置では、ヒューズ上のエッチングストッパ膜38を除去しているため、ヒューズを安定且つ確実に切断することができる。また、パッケージ後に回路試験及びトリミングを行うことにより、パッケージ樹脂の応力によって素子特性が変動した場合にも、この変動をも加味した上で高精度のトリミングを行うことができ、特性ずれの小さい半導体装置を製造することができる。このように、本実施形態によれば、ヒューズ上のエッチングストッパ膜を除去するので、溶断方式のヒューズを安定且つ確実に切断することができる。また、パッケージ後に回路試験及びトリミングを行うことにより、パッケージ樹脂の応力によって素子特性が変動した場合にも、この変動をも加味した上で高精度のトリミングを行うことができ、特性ずれの小さい半導体装置を製造することができる。[第2実施形態]第2実施形態による半導体装置及びその製造方法について図15及び図16を用いて説明する。図1乃至図14に示す第1実施形態による半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。図15は、本実施形態による半導体装置の構造を示す概略断面図である。図16は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。はじめに、本実施形態による半導体装置の構造について図15を用いて説明する。本実施形態による半導体装置では、図15に示すように、ヒューズ16上のエッチングストッパ膜38が除去されているとともに、エッチングストッパ膜38が除去された領域の層間絶縁膜42が、より融点の低い絶縁材料の低融点絶縁膜82に置換されている。ヒューズ16の周囲に、層間絶縁膜42よりも融点の低い低融点絶縁膜82を形成することにより、ヒューズ16切断時の溶解がより広範囲で発生し、電気的な切断度合いを更に向上することができる。低融点絶縁膜82の材料は、層間絶縁膜42よりも融点の低い材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、BPSG、PSG、BSG、AsSG等の不純物を含む酸化シリコンや、SOG膜等の塗布型絶縁膜等を適用することができる。次に、本実施形態による半導体装置の製造方法について図16を用いて説明する。まず、例えば図5a乃至図7aに示す第1実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、エッチングストッパ膜38まで形成する。次いで、エッチングストッパ膜38上に、例えばCVD法により、シリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜の層間絶縁膜42を形成する図16a。次いで、フォトリソグラフィにより、層間絶縁膜42上に、ヒューズ16が形成された領域、少なくともヒューズ16が溶断されると推定される領域を含む領域を露出し、他の領域を覆うフォトレジスト膜40を形成する。次いで、フォトレジスト膜40をマスクとして、層間絶縁膜42及びエッチングストッパ膜38をドライエッチングし、ヒューズ16上のエッチングストッパ膜38及び層間絶縁膜42に開口部80を形成する図16b。なお、フォトレジスト膜40をマスクとしてシリコン酸化膜26をもエッチングし、シリコン酸化膜26に開口部80を形成してもよい。次いで、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜40を除去する。次いで、全面に、例えばCVD法により、例えばBPSG膜を堆積し、BPSG膜の低融点絶縁膜82を形成する。次いで、エッチバック或いはCMPにより、層間絶縁膜42上の低融点絶縁膜82を除去し、低融点絶縁膜82を開口部80内に選択的に残存させる図16c。この後、例えば図8a乃至図8bに示す第1実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、配線層及びカバー膜等を形成し、半導体装置を完成する。このように、本実施形態によれば、ヒューズ上のエッチングストッパ膜を除去するので、溶断方式のヒューズを安定且つ確実に切断することができる。特に、ヒューズの周囲に層間絶縁膜よりも融点の低い絶縁材料を形成することにより、溶断領域を更に広げやすくすることができ、ヒューズをより安定且つ確実に切断することができる。[第3実施形態]第3実施形態による半導体装置及びその製造方法について図17及び図18を用いて説明する。図1乃至図16に示す第1及び第2実施形態による半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。図17は、本実施形態による半導体装置の構造を示す概略断面図である。図18は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。はじめに、本実施形態による半導体装置の構造について図17を用いて説明する。本実施形態による半導体装置では、図17に示すように、ヒューズ16上のエッチングストッパ膜38が除去されているとともに、ヒューズ16周囲のシリコン酸化膜22,26、層間絶縁膜42及び素子分離絶縁膜12が、より融点の低い絶縁材料の低融点絶縁膜82に置換されている。また、ヒューズ16下の素子分離絶縁膜12と低融点絶縁膜82との間には、空隙84が形成されている。ヒューズ16の周囲に、シリコン酸化膜22,26、層間絶縁膜42及び素子分離絶縁膜12よりも融点の低い低融点絶縁膜82を形成することにより、ヒューズ16切断時の溶解領域がより広範囲に広がり、電気的な切断度合いを更に向上することができる。また、空隙84が存在していることにより、ヒューズ16を切断した際にヒューズ16を形成するポリシリコンが空隙84内にも拡散することができ、切断性を更に向上することができる。次に、本実施形態による半導体装置の製造方法について図16を用いて説明する。まず、図16a及び図16bに示す第2実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、層間絶縁膜42上に、ヒューズ16が形成された領域を露出するフォトレジスト膜40を形成する。次いで、フォトレジスト膜40をマスクとして、層間絶縁膜42及びエッチングストッパ膜38をドライエッチングし、開口部80を層間絶縁膜42まで開口する。次いで、フォトレジスト膜40をマスクとして、ヒューズ16の材料に対して選択比をもつ等方的なエッチング、例えば弗酸水溶液を用いたウェットエッチングにより、シリコン酸化膜26,22、素子分離絶縁膜12をエッチングする。これにより、ヒューズ16の下面に回り込むように、開口部80を形成する図18a。次いで、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜40を除去する。次いで、全面に、例えばCVD法により、例えばBPSG膜を堆積し、BPSG膜の低融点絶縁膜82を形成する。このとき、ヒューズ16は開口部80内に庇状に張り出しているため、ヒューズ16下の領域は低融点絶縁膜82によって完全に埋め込まれず、空隙84が残存する。次いで、エッチバック或いはCMPにより、層間絶縁膜42上の低融点絶縁膜82を除去し、低融点絶縁膜82を開口部80内に選択的に残存させる図18b。この後、例えば図8a乃至図8bに示す第1実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、配線層及びカバー膜等を形成し、半導体装置を完成する。このように、本実施形態によれば、ヒューズ上のエッチングストッパ膜を除去するので、溶断方式のヒューズを安定且つ確実に切断することができる。特に、ヒューズの周囲に空隙を設けておくことにより、溶断領域を更に広げやすくすることができ、ヒューズをより安定且つ確実に切断することができる。[変形実施形態]上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、ヒューズ16をゲート電極層により形成したが、必ずしもゲート電極層により形成する必要はない。ゲート電極層よりも上層のポリシリコン層等によりヒューズ16を形成するようにしてもよい。また、上記実施形態では、エッチングストッパ膜として窒化シリコン系の絶縁材料を用いた例を示したが、エッチングストッパ膜は、必ずしも窒化シリコン系の絶縁材料により形成されている必要はない。特に、エッチングストッパ膜が、他の層間膜よりもシリコン基板に与える応力が大きい材料、或いは、他の層間膜よりも融点が高い材料により形成されている場合に、本発明と同様の効果が期待できる。また、上記第3実施形態では、ヒューズ16下の領域に空隙84が残存するように低融点絶縁膜82を形成したが、必ずしも空隙84を残存する必要はない。ヒューズ16の周囲を取り囲むように低融点絶縁膜82を形成するだけでもヒューズ16切断時の溶解領域がより広範囲に広がり、電気的な切断度合いを更に向上することができる。また、上記第3実施形態では、ヒューズ16下の領域に空隙84が残存するように低融点絶縁膜82を形成したが、低融点絶縁膜82の代わりに通常のシリコン酸化膜を埋め込むようにしてもよい。ヒューズ16下に空隙84を形成しておくだけでも、ヒューズ16を切断した際にヒューズ16を形成するポリシリコンが空隙84内にも拡散することができ、切断性を向上することができる。また、上記実施形態に記載した半導体装置の構造、構成材料、製造条件等は、一例を示したものにすぎず、当業者の技術常識等に応じて適宜修正や変更が可能である。以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されたヒューズと、前記第1の絶縁膜及び前記ヒューズの上に形成され、前記ヒューズ上に達する開口部を有する第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上及び前記開口部内に形成された第3の絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。付記2付記1記載の半導体装置において、前記第3の絶縁膜の融点は、前記第2の絶縁膜の融点よりも低いことを特徴とする半導体装置。付記3付記1又は2記載の半導体装置において、前記開口部内の前記第3の絶縁膜は、他の領域よりも融点の低い絶縁材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。付記4付記3記載の半導体装置において、前記融点の低い絶縁材料は、不純物を含有する酸化シリコン又はSOGであることを特徴とする半導体装置。付記5付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記ヒューズ下の前記第1の絶縁膜内に形成された空隙を更に有することを特徴とする半導体装置。付記6付記1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記第2の絶縁膜が前記半導体基板に与える応力は、前記第1の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜が前記半導体基板に与える応力よりも大きいことを特徴とする半導体装置。付記7付記1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記第2の絶縁膜は、エッチングストッパ膜であり、前記第3の絶縁膜は、層間絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。付記8付記1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記第2の絶縁膜は、窒化シリコンを主体とする絶縁材料により形成されており、前記第3の絶縁膜は、酸化シリコンを主体とする絶縁材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。付記9半導体基板上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に、ヒューズを形成する工程と、前記ヒューズ及び前記第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜に、前記ヒューズに達する開口部を形成する工程と、前記第2の絶縁膜上及び前記開口部内に第3の絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記10付記9記載の半導体装置の製造方法において、前記第3の絶縁膜の融点は、前記第2の絶縁膜の融点よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。付記11半導体基板上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に、ヒューズを形成する工程と、前記ヒューズが形成された前記半導体基板上に、前記第1の絶縁膜に接して第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜上に、第3の絶縁膜を形成する工程と、前記ヒューズ上の前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜に、開口部を形成する工程と、前記開口部内に、前記第3の絶縁膜よりも融点の低い絶縁材料よりなる第4の絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記12付記11記載の半導体装置の製造方法において、前記第4の絶縁膜は、不純物を含有する酸化シリコン又はSOGにより形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記13付記11又は12記載の半導体装置の製造方法において、前記開口部を形成する工程では、前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜に開口部を形成した後、更に前記第1の絶縁膜を等方的にエッチングし、前記開口部内に前記ヒューズの下面を露出することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記14付記13記載の半導体装置の製造方法において、前記第4の絶縁膜を形成する工程では、前記ヒューズ下に空隙が残存するように前記第4の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記15付記9乃至14のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第2の絶縁膜が前記半導体基板に与える応力は、前記第1の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜が前記半導体基板に与える応力よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。付記16付記9乃至15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第2の絶縁膜は、エッチングストッパ膜であり、前記第3の絶縁膜は、層間絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。付記17付記9乃至16のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第2の絶縁膜は、窒化シリコンを主体とする絶縁材料により形成されており、前記第3の絶縁膜は、酸化シリコンを主体とする絶縁材料により形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。"