"下記一般式1で示されるスルホン酸塩。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。Mはリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。下記一般式2で示されるスルホニウム塩。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。下記一般式2aで示されるスルホニウム塩。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。R5は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。mは1~5の整数、nは0零又は1を示す。下記一般式2bで示されるヨードニウム塩。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。R5は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。nは0零又は1を示す。下記一般式3aで示されるN-スルホニルオキシイミド化合物。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。X、Yは相互に独立に水素原子又は置換もしくは非置換の炭素数1~6のアルキル基を示すか、あるいはX及びYが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に飽和もしくは不飽和の炭素数6~12の環を形成してもよい。Zは単結合、二重結合、メチレン基、又は酸素原子を示す。下記一般式3bで示されるオキシムスルホネート化合物。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。qは0又は1を示すが、qが0の場合、pは単結合、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基を示し、qが1の場合にはpは置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキレン基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリーレン基を示す。EWGはシアノ基、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、5H-パーフルオロペンチル基、6H-パーフルオロヘキシル基、ニトロ基又はメチル基を示し、qが1の場合、互いのEWGが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数6の環を形成してもよい。1,4-ジブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンもしくは4-ブロモ-3,3,4,4-テトラフルオロ-1-ブテンから、置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を有するカルボン酸の4-ブロモ-3,3,4,4-テトラフルオロブチルエステルを得た後、これをスルフィン酸化、次いでスルホン酸化させて4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸塩を得ることを特徴とする請求項1記載のスルホン酸塩の製造方法。請求項7記載の4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸塩を下記式2’式中、R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。で示されるオニウムイオンの塩とアニオン交換させることを特徴とする請求項2記載のスルホニウム塩の製造方法。請求項7記載の4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸塩を下記式2a’式中、R5は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。mは1~5の整数、nは0零又は1を示す。で示されるオニウムイオンの塩とアニオン交換させることを特徴とする請求項3記載のスルホニウム塩の製造方法。請求項7記載の4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸塩を下記式2b’式中、R5は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。nは0零又は1を示す。で示されるオニウムイオンの塩とアニオン交換させることを特徴とする請求項4記載のヨードニウム塩の製造方法。請求項7記載の4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸塩をクロル化剤と反応させた後、得られたスルホニルクロリド又はスルホン酸無水物を下記式3a’式中、X、Yは相互に独立に水素原子又は置換もしくは非置換の炭素数1~6のアルキル基を示すか、あるいはX及びYが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に飽和もしくは不飽和の炭素数6~12の環を形成してもよい。Zは単結合、二重結合、メチレン基、又は酸素原子を示す。で示されるN-ヒドロキシジカルボキシルイミドと反応させることを特徴とする請求項5記載のN-スルホニルオキシイミド化合物の製造方法。請求項7記載の4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸塩をクロル化剤と反応させた後、得られたスルホニルクロリド又はスルホン酸無水物を下記式3b’式中、qは0又は1を示す。qが0の場合、pは単結合、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基を示し、qが1の場合にはpは置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキレン基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリーレン基を示す。EWGはシアノ基、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、5H-パーフルオロペンチル基、6H-パーフルオロヘキシル基、ニトロ基又はメチル基を示し、qが1の場合、互いのEWGが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数6の環を形成してもよい。で示されるオキシムと反応させることを特徴とする請求項6記載のオキシムスルホネート化合物の製造方法。光酸発生剤の発生酸としては、レジスト材料中の酸不安定基を切断するのに十分な酸強度があること、レジスト材料中で保存安定性が良好であること、レジスト材料中で適当な拡散があること、揮発性が少ないこと、水への溶出が少ないこと、現像後、剥離後の異物が少ないこと、リソグラフィー用途終了後は環境に負荷をかけずに良好な分解性を持つこと等が望まれるが、従来の光酸発生剤から発生した酸はこれらを満足していない。本発明は、上記従来の光酸発生剤の問題点を解決したもので、特にArF液浸露光の際の水への溶出を抑えることができ、かつ液浸露光特有の異物の生成を抑え、有効に使用し得るなど、レジスト材料の光酸発生剤の原料あるいは光酸発生剤として好適なスルホン酸塩及びその誘導体並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題に対して鋭意検討を行った結果、工業的に入手容易な1,4-ジブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンもしくは4-ブロモ-3,3,4,4-テトラフルオロ-1-ブテンから誘導された脂肪族あるいは芳香族カルボン酸4-ブロモ-3,3,4,4-テトラフルオロブチルエステルと亜ジチオン酸ナトリウム等のスルフィン化剤との反応、続くスルホン酸への酸化により1,1,2,2-テトラフルオロ-4-アシルオキシブタン-1-スルホン酸塩が得られ、これらスルホン酸塩を原料として誘導されたオニウム塩、オキシムスルホネート、スルホニルオキシイミドに代表される化合物が化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤として有効であることを知見し、本発明をなすに至った。即ち、本発明は、下記スルホン酸塩及びその誘導体並びにそれらの製造方法を提供する。請求項1:下記一般式1で示されるスルホン酸塩。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。Mはリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。請求項2:下記一般式2で示されるスルホニウム塩。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。請求項3:下記一般式2aで示されるスルホニウム塩。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。R5は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。mは1~5の整数、nは0零又は1を示す。請求項4:下記一般式2bで示されるヨードニウム塩。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。R5は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。nは0零又は1を示す。請求項5:下記一般式3aで示されるN-スルホニルオキシイミド化合物。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。X、Yは相互に独立に水素原子又は置換もしくは非置換の炭素数1~6のアルキル基を示すか、あるいはX及びYが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に飽和もしくは不飽和の炭素数6~12の環を形成してもよい。Zは単結合、二重結合、メチレン基、又は酸素原子を示す。請求項6:下記一般式3bで示されるオキシムスルホネート化合物。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。qは0又は1を示すが、qが0の場合、pは単結合、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基を示し、qが1の場合にはpは置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキレン基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリーレン基を示す。EWGはシアノ基、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、5H-パーフルオロペンチル基、6H-パーフルオロヘキシル基、ニトロ基又はメチル基を示し、qが1の場合、互いのEWGが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数6の環を形成してもよい。請求項7:1,4-ジブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンもしくは4-ブロモ-3,3,4,4-テトラフルオロ-1-ブテンから、置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を有するカルボン酸の4-ブロモ-3,3,4,4-テトラフルオロブチルエステルを得た後、これをスルフィン酸化、次いでスルホン酸化させて4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸塩を得ることを特徴とする請求項1記載のスルホン酸塩の製造方法。請求項8:請求項7記載の4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸塩を下記式2’式中、R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。で示されるオニウムイオンの塩とアニオン交換させることを特徴とする請求項2記載のスルホニウム塩の製造方法。請求項9:請求項7記載の4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸塩を下記式2a’式中、R5は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。mは1~5の整数、nは0零又は1を示す。で示されるオニウムイオンの塩とアニオン交換させることを特徴とする請求項3記載のスルホニウム塩の製造方法。請求項10:請求項7記載の4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸塩を下記式2b’式中、R5は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。nは0零又は1を示す。で示されるオニウムイオンの塩とアニオン交換させることを特徴とする請求項4記載のヨードニウム塩の製造方法。請求項11:請求項7記載の4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸塩をクロル化剤と反応させた後、得られたスルホニルクロリド又はスルホン酸無水物を下記式3a’式中、X、Yは相互に独立に水素原子又は置換もしくは非置換の炭素数1~6のアルキル基を示すか、あるいはX及びYが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に飽和もしくは不飽和の炭素数6~12の環を形成してもよい。Zは単結合、二重結合、メチレン基、又は酸素原子を示す。で示されるN-ヒドロキシジカルボキシルイミドと反応させることを特徴とする請求項5記載のN-スルホニルオキシイミド化合物の製造方法。請求項12:請求項7記載の4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸塩をクロル化剤と反応させた後、得られたスルホニルクロリド又はスルホン酸無水物を下記式3b’式中、qは0又は1を示す。qが0の場合、pは単結合、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基を示し、qが1の場合にはpは置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキレン基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリーレン基を示す。EWGはシアノ基、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、5H-パーフルオロペンチル基、6H-パーフルオロヘキシル基、ニトロ基又はメチル基を示し、qが1の場合、互いのEWGが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数6の環を形成してもよい。で示されるオキシムと反応させることを特徴とする請求項6記載のオキシムスルホネート化合物の製造方法。本発明のスルホン酸は、α,β-位がフッ素で部分置換されているため、分子内のフッ素置換率が低いにも関わらず強い酸性度を示す。その上、分子内のカルボニルオキシ基を置換することにより、嵩の高いもの、疎水性の大きいもの等様々な置換基の導入が容易であり、分子設計の幅を大きく持つことができる。更に、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤は、デバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる上、ArF液浸露光の際の水への溶出も抑えることができ、ウエハー上に残る水の影響も少なく欠陥も抑えることができる。また、エステル部位が塩基性条件下で加水分解されるため、デバイス作製後のレジスト廃液を適切に処理することで、より低分子量の低蓄積性の化合物へと変換が可能である。その上、燃焼による廃棄の際もフッ素置換率が低いため、燃焼性が高い。スルホン酸塩本発明のスルホン酸塩は、下記一般式1で示されるものである。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。Mはリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。ここで、上記一般式1におけるR1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基、又は置換もしくは非置換の炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。より具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、sec-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-オクチル基、n-デシル基、n-ドデシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプテン-2-イル基、フェニル基、4-メトキシフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-ビフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、10-アントラニル基、2-フラニル基等を示す。Mはリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。なお、合成の簡便さ、スルホン酸塩の単離のし易さからリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、テトラメチルアンモニウムイオンを示したが、二価のカチオンのカルシウムイオン、マグネシウムイオン、その他有機アンモニウムイオン等を用いてもよく、安定なスルホン酸塩として存在できるものであれば特に制限されるものではない。このR1の中で好ましく用いられるものはtert-ブチル基、シクロヘキシル基、1-アダマンチル基、フェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-ビフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、2-フラニル基等が挙げられ、より好ましくはtert-ブチル基、シクロヘキシル基、1-アダマンチル基、フェニル基、4-tert-ブチルフェニル基等が挙げられる。光酸発生剤本発明の光酸発生剤は、上記式1のスルホン酸塩を原料として誘導されたスルホニウム塩、ヨードニウム塩、オキシムスルホネート、スルホニルオキシイミドに代表される化合物であり、これは紫外線、遠紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線照射の高エネルギー線に感応し、下記一般式1aで示されるスルホン酸を発生するもので、化学増幅レジスト材料用の光酸発生剤として用いられるものである。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。上記式1aにおけるR1は上記式1の説明と同じであるが、具体的なスルホン酸を下記に示す。上記式1aにおけるR1のうち、好ましくはtert-ブチル基、シクロヘキシル基、1-アダマンチル基、フェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-ビフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、2-フラニル基等が挙げられる。スルホニウム塩本発明に係るスルホニウム塩は、下記一般式2で示されるものである。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基及びオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。上記一般式2におけるR1は上記の通りである。R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。具体的にはアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロプロピルメチル基、4-メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。オキソアルキル基としては、2-オキソシクロペンチル基、2-オキソシクロヘキシル基、2-オキソプロピル基、2-オキソエチル基、2-シクロペンチル-2-オキソエチル基、2-シクロヘキシル-2-オキソエチル基、2-4-メチルシクロヘキシル-2-オキソエチル基等を挙げることができる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、チエニル基等や、4-ヒドロキシフェニル基、4-メトキシフェニル基、3-メトキシフェニル基、2-メトキシフェニル基、4-エトキシフェニル基、4-tert-ブトキシフェニル基、3-tert-ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基、2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-n-ブチルフェニル基、2,4-ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基、メチルナフチル基、エチルナフチル基等のアルキルナフチル基、メトキシナフチル基、エトキシナフチル基等のアルコキシナフチル基、ジメチルナフチル基、ジエチルナフチル基等のジアルキルナフチル基、ジメトキシナフチル基、ジエトキシナフチル基等のジアルコキシナフチル基等が挙げられる。アラルキル基としてはベンジル基、1-フェニルエチル基、2-フェニルエチル基等が挙げられる。アリールオキソアルキル基としては、2-フェニル-2-オキソエチル基、2-1-ナフチル-2-オキソエチル基、2-2-ナフチル-2-オキソエチル基等の2-アリール-2-オキソエチル基等が挙げられる。また、R2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して硫黄原子を介して環状構造を形成する場合には、1,4-ブチレン、3-オキサ-1,5-ペンチレン等が挙げられる。更には置換基としてアクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等の重合可能な置換基を有するアリール基が挙げられ、具体的には4-アクリロイルオキシフェニル基、4-メタクリロイルオキシフェニル基、4-アクリロイルオキシ-3,5-ジメチルフェニル基、4-メタクリロイルオキシ-3,5-ジメチルフェニル基、4-ビニルオキシフェニル基、4-ビニルフェニル基等が挙げられる。より具体的にスルホニウムカチオンを示すと、トリフェニルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-ヒドロキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-ヒドロキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、ジフェニル4-チオフェノキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルビス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、トリス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、2-ナフチルジフェニルスルホニウム、4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-n-ヘキシルオキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、ジメチル2-ナフチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、4-メトキシフェニルジメチルスルホニウム、トリメチルスルホニウム、2-オキソシクロヘキシルシクロヘキシルメチルスルホニウム、トリナフチルスルホニウム、トリベンジルスルホニウム、ジフェニルメチルスルホニウム、ジメチルフェニルスルホニウム、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム、ジフェニル2-チエニルスルホニウム、4-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、2-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、4-メトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、2-メトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム等が挙げられる。より好ましくはトリフェニルスルホニウム、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム等が挙げられる。更には4-メタクリロイルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-アクリロイルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-メタクリロイルオキシフェニルジメチルスルホニウム、4-アクリロイルオキシフェニルジメチルスルホニウム、4-メタクリロイルオキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-アクリロイルオキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム等が挙げられる。これら重合可能なスルホニウムカチオンに関しては特開平4-230645号公報、特開2005-84365号公報等を参考にすることができ、これら重合可能なスルホニウム塩は後述する高分子量体の構成成分のモノマーとして用いることができる。この場合、スルホニウム塩として、特に下記一般式2aで示されるものが挙げられる。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。R5は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。mは1~5の整数、nは0零又は1を示す。上記一般式2a中のR1は上記の通りであり、R5-On-基の置換位置は特に限定されるものではないが、フェニル基の4位あるいは3位が好ましい。より好ましくは4位である。R5としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、sec-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-オクチル基、n-デシル基、n-ドデシル基、トリフルオロメチル基、フェニル基、4-メトキシフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、更にn=1の場合にアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、アリル基が挙げられる。mは1~5の整数であり、好ましくは1である。nは0零又は1である。具体的なスルホニウムカチオンとしては、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-エチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム、4-n-ヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム、4-n-オクチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-エトキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-シクロヘキシルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-n-ヘキシルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-n-オクチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-ドデシルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-トリフルオロメチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-トリフルオロメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-メタクリロイルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-アクリロイルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-メタクリロイルオキシフェニルジメチルスルホニウム、4-アクリロイルオキシフェニルジメチルスルホニウム、4-n-ヘキシルオキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-メタクリロイルオキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-アクリロイルオキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム等が挙げられる。ヨードニウム塩本発明は、ヨードニウム塩をも提供するが、本発明のヨードニウム塩は、下記一般式2bで示されるものである。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。R5は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。nは0零又は1を示す。上記一般式2b中のR1、R5、nは上記の通りである。R5-On-基の置換位置は特に限定されるものではないが、フェニル基の4位あるいは3位が好ましい。より好ましくは4位である。具体的なヨードニウムカチオンとしては、ビス4-メチルフェニルヨードニウム、ビス4-エチルフェニルヨードニウム、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム、ビス4-1,1-ジメチルプロピルフェニルヨードニウム、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウム、4-tert-ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、4-アクリロイルオキシフェニルフェニルヨードニウム、4-メタクリロイルオキシフェニルフェニルヨードニウム等が挙げられるが、中でもビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムが好ましく用いられる。N-スルホニルオキシイミド化合物本発明は、下記一般式3aで示されるN-スルホニルオキシイミド化合物をも提供する。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。X、Yは相互に独立に水素原子又は置換もしくは非置換の炭素数1~6のアルキル基を示すか、あるいはX及びYが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に飽和もしくは不飽和の炭素数6~12の環を形成してもよい。Zは単結合、二重結合、メチレン基、又は酸素原子を示す。上記一般式3a中のX、Yは相互に独立に水素原子又は置換もしくは非置換の炭素数1~6のアルキル基を示すか、あるいはX及びYが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に飽和もしくは不飽和の炭素数6~12の環を形成してもよい。Zは単結合、二重結合、メチレン基、又は酸素原子を示す。R1は上記と同様である。スルホネート部を除くイミド骨格を具体的に下記に示す。また、イミド骨格は特開2003-252855号公報を参考にできる。オキシムスルホネート化合物また、本発明は、下記一般式3bで示されるオキシムスルホネート化合物を提供する。式中、R1は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基を示す。qは0又は1を示すが、qが0の場合、pは単結合、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基を示し、qが1の場合にはpは置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキレン基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリーレン基を示す。EWGはシアノ基、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、5H-パーフルオロペンチル基、6H-パーフルオロヘキシル基、ニトロ基又はメチル基を示し、qが1の場合、互いのEWGが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数6の環を形成してもよい。上記一般式3b中のR1、qは上記と同様であるが、qが0の場合、pは単結合、置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリール基を示し、qが1の場合にはpは置換もしくは非置換の炭素数1~20のアルキレン基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~15のアリーレン基を示す。EWGはシアノ基、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、5H-パーフルオロペンチル基、6H-パーフルオロヘキシル基、ニトロ基又はメチル基を示し、qが1の場合、互いのEWGが相互に結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数6の環を形成してもよい。これらオキシムスルホネートの骨格は、米国特許第6261738号明細書、特開平9-95479号公報、特開平9-208554号公報、特開平9-230588号公報、特許第2906999号公報、特開平9-301948号公報、特開2000-314956号公報、特開2001-233842号公報、国際公開第2004/074242号パンフレットに記載されている。スルホネート部位を除くより具体的なオキシムスルホネートの骨格を下記に示す。ここで、本発明の上記一般式1で示されるスルホン酸塩の合成方法について述べる。まず、工業的に入手容易な1,4-ジブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンからカルボン酸ナトリウムやカルボン酸アンモニウム等のカルボン酸塩を用いた選択的な置換反応より誘導した脂肪族あるいは芳香族カルボン酸4-ブロモ-3,3,4,4-テトラフルオロブチルエステルと炭酸水素ナトリウム等の塩基存在下、溶剤として水、アセトニトリル又はその混合物中で亜ジチオン酸ナトリウム等のスルフィン酸化剤と反応させ4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルフィン酸塩とした後、定法によりタングステン酸ナトリウム等の存在下、溶剤として水中で過酸化水素水等の酸化剤で酸化することにより合成することができる。また、工業的に入手容易な4-ブロモ-3,3,4,4-テトラフルオロ-1-ブテンから定法により9-ボラビシクロ[3.3.1]ノナン9-BBN等のボランとn-ヘキサンあるいはテトラヒドロフラン等の溶剤中でハイドロボレーションを行った後、水酸化ナトリウム等の塩基存在下、過酸化水素水等の酸化剤で処理して得た4-ブロモ-3,3,4,4-テトラフルオロブタノールをトリエチルアミン等の塩基存在下、カルボン酸ハライド等を用いてエステル化した後、同様に上記一般式1で示されるスルホン酸塩を合成することができる。更にいえば、上記方法で得た上記一般式1で示されるスルホン酸塩あるいは上記式2、2a、2b、3a、3bのスルホネートを常法により水酸化ナトリウム等の塩基存在下、水-アルコール等の混合溶剤中で加水分解あるいは加溶剤分解し、適宜脂肪族あるいは芳香族カルボン酸ハライドや脂肪族あるいは芳香族カルボン酸無水物等を反応させることにより、当初有していたカルボン酸エステル構造とは異なるカルボン酸エステル構造を有する上記一般式1で示されるスルホン酸塩あるいは上記式2、2a、2b、3a、3bの光酸発生剤を得ることができる。上記一般式2、2a、2bへの変換反応は、上記スルホン酸塩を用いた通常のアニオン交換方法により行うことができる。スルホニウム塩やヨードニウム塩は、TheChemistryofsulfoniumgroupPart1John-WileySons1981、AdvancedPhotochemistry,vol.17John-WileySons1992、J.Org.Chem.,1988.53.5571-5573あるいは特開平8-311018号公報、特開平9-15848号公報、特開2001-122850号公報、特開平7-25846号公報、特開2001-181221号公報、特開2002-193887号公報、特開2002-193925号公報等を参考に合成することができる。また、重合可能な置換基としてアクリロイルオキシ基あるいはメタクリロイルオキシ基を有するオニウムカチオンは、特開平4-230645号公報、特開2005-84365号公報等記載の方法で、既存のヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムハライドを塩基性条件下でアクリロイルクロリドあるいはメタクリロイルクロリドと反応させることで合成できる。アニオン交換は、メタノール、エタノール等のアルコール系溶剤や、ジクロロメタン-水系等の2層系で行うことができる。又は、特開2002-167340号公報記載のように、対応するスルホン酸メチルエステルとスルホニウムハライドあるいはヨードニウムハライドと反応させ、ハロゲン化物イオンをハロゲン化メチルとして除き、アニオン交換する処方も用いることができる。また、上記スルホン酸塩を塩化チオニル、オキシ塩化リン、五塩化リン等のクロル化剤と反応させることで、対応するスルホニルクロリドあるいはスルホン酸無水物を得ることができ、常法によりN-ヒドロキシジカルボキシルイミドや、オキシム類と反応させることで上記一般式3a、3bの化合物を合成できる。イミドスルホネートやオキシムスルホネートの合成は、上記の特開2003-252855号公報、米国特許第6261738号明細書、特開平9-95479号公報、特開平9-208554号公報、特開平9-230588号公報、特許第2906999号公報、特開平9-301948号公報、特開2000-314956号公報、特開2001-233842号公報、国際公開第2004/074242号パンフレットを参考にすることができる。本発明は、第1には、上記一般式1で示されるスルホン酸塩を提供するものであり、第2には、高エネルギー線照射により上記一般式1aで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤を提供する。第3には、化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤として有用なスルホニウム塩、ヨードニウム塩、ジカルボキシルイミドスルホネート、オキシムスルホネートを提供し、第4には、高エネルギー線照射により上記一般式1aで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤及び酸の作用でアルカリ現像液への溶解性が変化する樹脂を含有するレジスト材料を提供する。ここで、本発明のレジスト材料は、A請求項2記載の光酸発生剤即ち、式1aのスルホン酸を発生する光酸発生剤、B有機溶剤、C酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が変化するベース樹脂、必要によりDクエンチャー、更に必要によりE請求項2記載の光酸発生剤以外の光酸発生剤、更に必要によりF有機酸誘導体及び/又はフッ素置換アルコール、更に必要によりG重量平均分子量3,000以下の溶解阻止剤を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料、あるいはA請求項2記載の光酸発生剤、B有機溶剤、C’アルカリ可溶性樹脂であって、架橋剤によってアルカリ難溶となるベース樹脂、H酸によって架橋する架橋剤、必要によりDクエンチャー、更に必要によりE請求項2記載の光酸発生剤以外の光酸発生剤を含有することを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト材料である。本発明のA成分の請求項2記載の光酸発生剤は上述の通りであるが、より具体的には上記一般式2、2a、2b、3a又は3bの化合物が挙げられ、その配合量は、レジスト材料中のベース樹脂100部質量部、以下同じに対し0.1~10部、特に1~7部である。本発明で使用されるB成分の有機溶剤としては、ベース樹脂、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジメチルエーテルや1-エトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン及びその混合溶剤が好ましく使用される。有機溶剤の使用量は、ベース樹脂100部に対して200~3,000部、特に400~2,000部が好適である。本発明で使用されるC成分又はC’成分のベース樹脂は、KrFエキシマレーザーレジスト材料用としては、ポリヒドロキシスチレンPHS及びPHSとスチレン、メタアクリル酸エステル、その他重合性オレフィン化合物などとの共重合体、ArFエキシマレーザーレジスト材料用としては、メタアクリル酸エステル系、シクロオレフィンと無水マレイン酸との交互共重合系及び更にビニルエーテル類又はメタアクリル酸エステルを含む共重合系、ポリノルボルネン系、シクロオレフィン開環メタセシス重合系、シクロオレフィン開環メタセシス重合体水素添加物等が挙げられ、F2エキシマレーザーレジスト材料用として上記KrF、ArF用ポリマーのフッ素置換体等が挙げられるが、これらの重合系ポリマーに限定されることはない。更に重合可能な置換基を有する本発明のスルホニウム塩、ヨードニウム塩、具体的には4-アクリロイルオキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、4-メタクリロイルオキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、4-アクリロイルオキシフェニルフェニルヨードニウムカチオン、4-メタクリロイルオキシフェニルフェニルヨードニウムカチオン等のオニウムカチオンと4-アシルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホネート等のアニオンの組み合わせによるスルホニウム塩、ヨードニウム塩をこれらのベース樹脂の重合成分として用いることができる。ベース樹脂は単独で又は2種以上混合して用いることができる。ポジ型レジスト材料の場合、フェノールあるいはカルボキシル基、あるいはフッ素化アルキルアルコールの水酸基を酸不安定基で置換することによって、未露光部の溶解速度を下げる場合が一般的である。これらベース樹脂としては特に制限されるものではないが、特開2000-159758号公報、特開2000-186118号公報、特開2000-309611号公報、特開2000-327633号公報、特開2000-330283号公報、特開2001-329052号公報、特開2002-202609号公報、特開2002-161116号公報、特開2003-2883号公報、特開2003-20313号公報、特開2003-26728号公報、特開2003-34706号公報、特開2003-64134号公報、特開2003-66612号公報、特開2003-113213号公報、特開2003-316027号公報、特開2003-321466号公報、特開2004-143153号公報、特開2004-124082号公報、特開2004-115486号公報、特開2004-62175号公報に記載のものが挙げられる。この場合、特にベース樹脂が、ポリメタアクリル酸及びその誘導体、シクロオレフィン誘導体-無水マレイン酸交互重合体、シクロオレフィン誘導体と無水マレイン酸とポリアクリル酸又はその誘導体との3あるいは4元以上の共重合体、シクロオレフィン誘導体-α-トリフルオロメチルアクリル酸誘導体共重合体、ポリノルボルネン、開環メタセシス重合体、並びに開環メタセシス重合体水素添加物から選択される1種又は2種以上の高分子重合体であることが好ましい。また、ベース樹脂が、珪素原子を含有する高分子構造体、あるいはフッ素原子を含有する高分子構造体であることが好ましい。これらは、特開2005-8765号公報、特開2004-354417号公報、特開2004-352743号公報、特開2004-331854号公報、特開2004-331853号公報、特開2004-292781号公報、特開2004-252405号公報、特開2004-190036号公報、特開2004-115762号公報、特開2004-83873号公報、特開2004-59844号公報、特開2004-35671号公報、特開2004-83900号公報、特開2004-99689号公報、特開2004-145048号公報、特開2004-217533号公報、特開2004-231815号公報、特開2004-244439号公報、特開2004-256562号公報、特開2004-307447号公報、特開2004-323422号公報、特開2005-29527号公報、特開2005-29539号公報などに記載のものが挙げられる。上述したように、化学増幅ポジ型レジスト材料である場合、ベース樹脂は、酸不安定基を有し、現像液に不溶あるいは難溶であって、酸によってこの酸不安定基が分解することにより、現像液に可溶になるものが用いられる。この場合、ベース樹脂の酸不安定基は、種々選定されるが、特に下記式C1、C2で示される炭素数2~30のアセタール基、炭素数4~30の三級アルキル基等であることが好ましい。上記式C1、C2においてR201、R202は水素原子又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、R203、R204、R205、R206は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~10のアリール基又は炭素数7~10のアラルキル基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよい。またR201とR202、R201とR203、R202とR203、R204とR205、R204とR206、R205とR206はそれぞれ結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3~30の環を形成してもよい。上記式C1で示されるアセタール基として具体的には、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、イソプロポキメチル基、t-ブトキシメチル基、1-メトキシエチル基、1-メトキシプロピル基、1-メトキシブチル基、1-エトキシエチル基、1-エトキシプロピル基、1-エトキシブチル基、1-プロポキシエチル基、1-プロポキシプロピル基、1-プロポキシブチル基、1-シクロペンチルオキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、2-メトキシイソプロピル基、2-エトキシイソプロピル基、1-フェノキシエチル基、1-ベンジルオキシエチル基、1-フェノキシプロピル基、1-ベンジルオキシプロピル基、1-アダマンチルオキシエチル基、1-アダマンチルオキシプロピル基、2-テトラヒドロフリル基、2-テトラヒドロ-2H-ピラニル基、1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシエトキシエチル基、1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシエトキシプロピル基、1-[2-1-アダマンチルカルボニルオキシエトキシ]エチル基、1-[2-1-アダマンチルカルボニルオキシエトキシ]プロピル基を例示できるが、これらに限定されない。上記式C2で示される三級アルキル基として具体的には、t-ブチル基、t-ペンチル基、1-エチル-1-メチルプロピル基、1,1-ジエチルプロピル基、1,1,2-トリメチルプロピル基、1-アダマンチル-1-メチルエチル基、1-メチル-1-2-ノルボルニルエチル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、1-メチル-1-7-オキサナルボルナン-2-イルエチル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-プロピルシクロペンチル基、1-シクロペンチルシクロペンチル基、1-シクロヘキシルシクロペンチル基、1-2-テトラヒドロフリルシクロペンチル基、1-7-オキサナルボルナン-2-イルシクロペンチル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-シクロペンチルシクロヘキシル基、1-シクロヘキシルシクロヘキシル基、2-メチル-2-ノルボニル基、2-エチル-2-ノルボニル基、8-メチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、8-エチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、3-メチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125,1710]ドデシル基、3-エチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125,1710]ドデシル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、1-メチル-3-オキソ-1-シクロヘキシル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、5-ヒドロキシ-2-メチル-2-アダマンチル基、5-ヒドロキシ-2-エチル-2-アダマンチル基を例示できるが、これらに限定されない。また、ベース樹脂の水酸基の水素原子の1モル以上が下記一般式C3aあるいはC3bで表される酸不安定基によって分子間あるいは分子内架橋されていてもよい。上記式中、R207、R208は水素原子又は炭素数1~8の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基を示す。R207とR208は結合して環を形成してもよく、環を形成する場合にはR207、R208は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R209は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、bは0又は1~10の整数である。Aは、a1価の炭素数1~50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又はその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。aは1~7の整数である。上記一般式C3a、C3bに示される架橋型アセタールとしては、具体的には下記式C3-1~C3-8が挙げられるが、これらに限定されない。ベース樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン基準の重量平均分子量は、2,000~100,000とすることが好ましく、2,000に満たないと成膜性、解像性に劣る場合があり、100,000を超えると解像性に劣るか、あるいはパターン形成時に異物が発生する場合がある。これらベース樹脂のモノマー単位構成単位に対する酸不安定基を含有するモノマー単位の割合は、ArFエキシマレーザーレジスト材料用のベース樹脂では1~7割、好ましくは2~6割であり、KrFエキシマレーザーレジスト材料用のベース樹脂では1~5割、好ましくは2~4割である。上述の酸不安定基を含有するモノマー単位以外のモノマー単位としては、ArFエキシマレーザーレジスト材料用のベース樹脂にはアルコール、フッ素置換アルコール、エーテル、ラクトン、エステル、酸無水物、カルボン酸等の極性基を含有するモノマー単位が導入されていることが好ましい。また、KrFエキシマレーザーレジスト材料用のベース樹脂には、酸不安定基が導入されていない4-ヒドロキシスチレン単位の他にスチレン、インデン、4-アセトキシスチレン等が導入されていてもよい。これらのモノマー単位は1種又は2種以上導入されていることが好ましい。D成分のクエンチャーは、光酸発生剤より発生する酸などがレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適しており、このようなクエンチャーの配合により、レジスト感度の調整が容易となることに加え、レジスト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向上させることができる。このようなクエンチャーとしては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体、カーバメート誘導体、アンモニウム塩等が挙げられる。具体的には、第一級の脂肪族アミン類として、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、n-プロピルアミン、イソプロピルアミン、n-ブチルアミン、イソブチルアミン、sec-ブチルアミン、tert-ブチルアミン、ペンチルアミン、tert-アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が挙げられ、第二級の脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ-n-ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ-sec-ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N-ジメチルメチレンジアミン、N,N-ジメチルエチレンジアミン、N,N-ジメチルテトラエチレンペンタミン等が挙げられ、第三級の脂肪族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ-sec-ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が挙げられる。また、混成アミン類としては、例えばジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が挙げられる。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体例えばアニリン、N-メチルアニリン、N-エチルアニリン、N-プロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ビスヒドロキシエチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、ジメチルアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン、トリメチルアニリン、2-ニトロアニリン、3-ニトロアニリン、4-ニトロアニリン、2,4-ジニトロアニリン、2,6-ジニトロアニリン、3,5-ジニトロアニリン、N,N-ジメチルトルイジン等、ジフェニルp-トリルアミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体例えばピロール、2H-ピロール、1-メチルピロール、2,4-ジメチルピロール、2,5-ジメチルピロール、N-メチルピロール等、オキサゾール誘導体例えばオキサゾール、イソオキサゾール等、チアゾール誘導体例えばチアゾール、イソチアゾール等、イミダゾール誘導体例えばイミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール等、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体例えばピロリン、2-メチル-1-ピロリン等、ピロリジン誘導体例えばピロリジン、N-メチルピロリジン、ピロリジノン、N-メチルピロリドン等、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、4-1-ブチルペンチルピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、3-メチル-2-フェニルピリジン、4-tert-ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、1-メチル-2-ピリドン、4-ピロリジノピリジン、1-メチル-4-フェニルピリジン、2-1-エチルプロピルピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、1H-インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体例えばキノリン、3-キノリンカルボニトリル等、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,10-フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が挙げられる。更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体例えばニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、3-アミノピラジン-2-カルボン酸、メトキシアラニン等が挙げられ、スルホニル基を有する含窒素化合物として3-ピリジンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示され、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物としては、2-ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、2,4-キノリンジオール、3-インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、2,2’-イミノジエタノール、2-アミノエタノ-ル、3-アミノ-1-プロパノール、4-アミノ-1-ブタノール、4-2-ヒドロキシエチルモルホリン、2-2-ヒドロキシエチルピリジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン、1-[2-2-ヒドロキシエトキシエチル]ピペラジン、ピペリジンエタノール、1-2-ヒドロキシエチルピロリジン、1-2-ヒドロキシエチル-2-ピロリジノン、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、3-ピロリジノ-1,2-プロパンジオール、8-ヒドロキシユロリジン、3-クイヌクリジノール、3-トロパノール、1-メチル-2-ピロリジンエタノール、1-アジリジンエタノール、N-2-ヒドロキシエチルフタルイミド、N-2-ヒドロキシエチルイソニコチンアミド等が挙げられる。アミド誘導体としては、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が挙げられる。イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が挙げられる。カーバメート誘導体としてはN-tert-ブトキシカルボニル-N,N-ジシクロヘキシルアミン、N-tert-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、オキサゾリジノン等が挙げられる。アンモニウム塩類としては、ピリジニウム=p-トルエンスルホネート、トリエチルアンモニウム=p-トルエンスルホネート、トリオクチルアンモニウム=p-トルエンスルホネート、トリエチルアンモニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トリオクチルアンモニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トリエチルアンモニウム=カンファースルホネート、トリオクチルアンモニウム=カンファースルホネート、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラエチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラブチルアンモニウムヒドロキサイド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラメチルアンモニウム=p-トルエンスルホネート、テトラブチルアンモニウム=p-トルエンスルホネート、ベンジルトリメチルアンモニウム=p-トルエンスルホネート、テトラメチルアンモニウム=カンファースルホネート、テトラブチルアンモニウム=カンファースルホネート、ベンジルトリメチルアンモニウム=カンファースルホネート、テトラメチルアンモニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、テトラブチルアンモニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、ベンジルトリメチルアンモニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、テトラメチルアンモニウム=アセテート、テトラブチルアンモニウム=アセテート、ベンジルトリメチルアンモニウム=アセテート、テトラメチルアンモニウム=ベンゾエート、テトラブチルアンモニウム=ベンゾエート、ベンジルトリメチルアンモニウム=ベンゾエート等が挙げられる。更に、下記一般式Am-1で示されるアミン化合物から選ばれる1種又は2種以上を添加することもできる。式中、kは1、2又は3である。側鎖Rxは同一でも異なっていてもよく、下記一般式Rx-1~Rx-3で表すことができる。側鎖Ryは同一又は異種の、水素原子、又は直鎖状、分岐状又は環状の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~20のアルキル基を示し、エーテル基もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、Rx同士が結合して環を形成してもよい。式中、R301、R303、R306は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R302、R305は水素原子、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基又はラクトン環を1あるいは複数含んでいてもよい。R304は単結合、炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R307は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基又はラクトン環を1あるいは複数含んでいてもよい。上記一般式Am-1で示される化合物として具体的には、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチル]アミン、4,7,13,16,21,24-ヘキサオキサ-1,10-ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサン、4,7,13,18-テトラオキサ-1,10-ジアザビシクロ[8.5.5]エイコサン、1,4,10,13-テトラオキサ-7,16-ジアザビシクロオクタデカン、1-アザ-12-クラウン-4、1-アザ-15-クラウン-5、1-アザ-18-クラウン-6、トリス2-ホルミルオキシエチルアミン、トリス2-アセトキシエチルアミン、トリス2-プロピオニルオキシエチルアミン、トリス2-ブチリルオキシエチルアミン、トリス2-イソブチリルオキシエチルアミン、トリス2-バレリルオキシエチルアミン、トリス2-ピバロイルオキシエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-アセトキシアセトキシエチルアミン、トリス2-メトキシカルボニルオキシエチルアミン、トリス2-tert-ブトキシカルボニルオキシエチルアミン、トリス[2-2-オキソプロポキシエチル]アミン、トリス[2-メトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス2-メトキシカルボニルエチルアミン、トリス2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-メトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-メトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-ヒドロキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-アセトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-[メトキシカルボニルメトキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-[メトキシカルボニルメトキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-オキソプロポキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-オキソプロポキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-[2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルオキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-[2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルオキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-4-ヒドロキシブトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル2-4-ホルミルオキシブトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル2-2-ホルミルオキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-メトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N-2-ヒドロキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-アセトキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-ヒドロキシエチルビス[2-エトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-アセトキシエチルビス[2-エトキシカルボニルエチル]アミン、N-3-ヒドロキシ-1-プロピルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-3-アセトキシ-1-プロピルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-メトキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-ブチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-ブチルビス[2-2-メトキシエトキシカルボニルエチル]アミン、N-メチルビス2-アセトキシエチルアミン、N-エチルビス2-アセトキシエチルアミン、N-メチルビス2-ピバロイルオキシエチルアミン、N-エチルビス[2-メトキシカルボニルオキシエチル]アミン、N-エチルビス[2-tert-ブトキシカルボニルオキシエチル]アミン、トリスメトキシカルボニルメチルアミン、トリスエトキシカルボニルメチルアミン、N-ブチルビスメトキシカルボニルメチルアミン、N-ヘキシルビスメトキシカルボニルメチルアミン、β-ジエチルアミノ-δ-バレロラクトンが挙げられるがこれらに制限されない。更に、下記一般式Am-2に示される環状構造を持つアミン化合物の1種あるいは2種以上を添加することもできる。式中、Rxは前述の通り、R308は炭素数2~20の直鎖状又は分岐状の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよいアルキレン基であり、カルボニル基、エーテル基、エステル基又はスルフィドを1個あるいは複数個含んでいてもよい。上記一般式Am-2で示される化合物として具体的には、1-[2-メトキシメトキシエチル]ピロリジン、1-[2-メトキシメトキシエチル]ピペリジン、4-[2-メトキシメトキシエチル]モルホリン、1-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピロリジン、1-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピペリジン、4-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]モルホリン、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]エチルモルホリン、2-[2-2-ブトキシエトキシエトキシ]エチルモルホリン、2-{2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]エトキシ}エチルモルホリン、2-{2-[2-2-ブトキシエトキシエトキシ]エトキシ}エチルモルホリン、酢酸2-1-ピロリジニルエチル、酢酸2-ピペリジノエチル、酢酸2-モルホリノエチル、ギ酸2-1-ピロリジニルエチル、プロピオン酸2-ピペリジノエチル、アセトキシ酢酸2-モルホリノエチル、メトキシ酢酸2-1-ピロリジニルエチル、4-[2-メトキシカルボニルオキシエチル]モルホリン、1-[2-t-ブトキシカルボニルオキシエチル]ピペリジン、4-[2-2-メトキシエトキシカルボニルオキシエチル]モルホリン、3-1-ピロリジニルプロピオン酸メチル、3-ピペリジノプロピオン酸メチル、3-モルホリノプロピオン酸メチル、3-チオモルホリノプロピオン酸メチル、2-メチル-3-1-ピロリジニルプロピオン酸メチル、3-モルホリノプロピオン酸エチル、3-ピペリジノプロピオン酸メトキシカルボニルメチル、3-1-ピロリジニルプロピオン酸2-ヒドロキシエチル、3-モルホリノプロピオン酸2-アセトキシエチル、3-1-ピロリジニルプロピオン酸2-オキソテトラヒドロフラン-3-イル、3-モルホリノプロピオン酸テトラヒドロフルフリル、3-ピペリジノプロピオン酸グリシジル、3-モルホリノプロピオン酸2-メトキシエチル、3-1-ピロリジニルプロピオン酸2-2-メトキシエトキシエチル、3-モルホリノプロピオン酸ブチル、3-ピペリジノプロピオン酸シクロヘキシル、α-1-ピロリジニルメチル-γ-ブチロラクトン、β-ピペリジノ-γ-ブチロラクトン、β-モルホリノ-δ-バレロラクトン、1-ピロリジニル酢酸メチル、ピペリジノ酢酸メチル、モルホリノ酢酸メチル、チオモルホリノ酢酸メチル、1-ピロリジニル酢酸エチル、モルホリノ酢酸2-メトキシエチル、2-メトキシ酢酸2-モルホリノエチル、2-2-メトキシエトキシ酢酸2-モルホリノエチル、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]酢酸2-モルホリノエチル、ヘキサン酸2-モルホリノエチル、オクタン酸2-モルホリノエチル、デカン酸2-モルホリノエチル、ラウリン酸2-モルホリノエチル、ミリスチン酸2-モルホリノエチル、パルミチン酸2-モルホリノエチル、ステアリン酸2-モルホリノエチル、シクロヘキサンカルボン酸2-モルホリノエチル、アダマンタンカルボン酸2-モルホリノエチルが挙げられる。更に、下記一般式Am-3~Am-6で示されるシアノ基を含むアミン化合物を添加することができる。式中、Rx、R308、kは前述の式Am-1の通り、R309、R310は同一又は異種の炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。シアノ基を含むアミン化合物として具体的には3-ジエチルアミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-アセトキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-メトキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-シアノエチル-N-2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-アセトキシエチル-N-2-シアノエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-シアノエチル-N-エチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-アセトキシエチル-N-2-シアノエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-メトキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-3-ヒドロキシ-1-プロピル-3-アミノプロピオノニトリル、N-3-アセトキシ-1-プロピル-N-2-シアノエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-3-ホルミルオキシ-1-プロピル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-テトラヒドロフルフリル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-シアノエチル-3-アミノプロピオノニトリル、ジエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-アセトキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-メトキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]アミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-シアノメチル-N-2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-アセトキシエチル-N-シアノメチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-シアノメチル-N-2-ヒドロキシエチルアミノアセトニトリル、N-2-アセトキシエチル-N-シアノメチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-2-ホルミルオキシエチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-2-メトキシエチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-[2-メトキシメトキシエチル]アミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-3-ヒドロキシ-1-プロピルアミノアセトニトリル、N-3-アセトキシ-1-プロピル-N-シアノメチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-3-ホルミルオキシ-1-プロピルアミノアセトニトリル、N,N-ビスシアノメチルアミノアセトニトリル、1-ピロリジンプロピオノニトリル、1-ピペリジンプロピオノニトリル、4-モルホリンプロピオノニトリル、1-ピロリジンアセトニトリル、1-ピペリジンアセトニトリル、4-モルホリンアセトニトリル、3-ジエチルアミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-アセトキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、3-ジエチルアミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-アセトキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、1-ピロリジンプロピオン酸シアノメチル、1-ピペリジンプロピオン酸シアノメチル、4-モルホリンプロピオン酸シアノメチル、1-ピロリジンプロピオン酸2-シアノエチル、1-ピペリジンプロピオン酸2-シアノエチル、4-モルホリンプロピオン酸2-シアノエチルが挙げられる。更に、下記一般式Am-7で示されるイミダゾール骨格及び極性官能基を有するアミン化合物を添加することができる。式中、R311は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数2~20の直鎖状、分岐状、又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としては水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基、シアノ基、アセタール基を1個あるいは複数個含む。R312、R313、R314は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。更に、下記一般式Am-8で示されるベンズイミダゾール骨格及び極性官能基を有するアミン化合物を添加することができる。式中、R315は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としてエステル基、アセタール基、シアノ基を一つ以上含み、その他に水酸基、カルボニル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基を一つ以上含んでいてもよい。R316は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。更に、下記一般式Am-9及びAm-10で示される極性官能基を有する含窒素複素環化合物を添加することができる。式中、Jは窒素原子又は≡C-R323である。Kは窒素原子又は≡C-R324である。R317は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数2~20の直鎖状、分岐状、又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としては水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基、シアノ基又はアセタール基を一つ以上含む。R318、R319、R320、R321は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアリール基であるか、又はR318とR319、R320とR321はそれぞれ結合してベンゼン環、ナフタレン環あるいはピリジン環を形成してもよい。R322は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアリール基である。R323、R324は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアリール基である。R322とR324は結合してベンゼン環又はナフタレン環を形成してもよい。更に、下記一般式Am-11~Am-14で示される芳香族カルボン酸エステル構造を有するアミン化合物を添加することができる。式中、R325は炭素数6~20のアリール基又は炭素数4~20のヘテロ芳香族基であって、水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、炭素数1~10のアシルオキシ基、又は、炭素数1~10のアルキルチオ基で置換されていてもよい。R326はCO2R327、OR328又はシアノ基である。R327は一部のメチレン基が酸素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルキル基である。R328は一部のメチレン基が酸素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルキル基又はアシル基である。R329は単結合、メチレン基、エチレン基、硫黄原子又は-OCH2CH2Oh-基である。h=0,1,2,3又は4である。R330は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基である。Tは窒素原子又はCR331である。Uは窒素原子又はCR332である。Vは窒素原子又はCR333である。R331、R332、R333はそれぞれ独立に水素原子、メチル基又はフェニル基であるか、あるいはR331とR332又はR332とR333が結合して、炭素数6~20の芳香環又は炭素数2~20のヘテロ芳香環を形成してもよい。更に、下記一般式Am-15で示される7-オキサノルボルナン-2-カルボン酸エステル構造を有するアミン化合物を添加することができる。式中、R334は水素又は炭素数1~10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基である。R335及びR336はそれぞれ独立に、エーテル、カルボニル、エステル、アルコール、スルフィド、ニトリル、アミン、イミン、アミドなどの極性官能基を一つ又は複数含んでいてもよい炭素数1~20のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基であって水素原子の一部がハロゲン原子で置換されていてもよい。R335とR336は互いに結合して、炭素数2~20のヘテロ環又はヘテロ芳香環を形成してもよい。なお、これらクエンチャーは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができ、配合量は、ベース樹脂100部に対し0.001~2部、特に0.01~1部が好ましい。配合量が0.001部より少ないと配合効果がなく、2部を超えると感度が低下しすぎる場合がある。また、本発明の式1aの光酸発生剤以外に、E成分の光酸発生剤を添加する場合は、紫外線、遠紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線等の高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでもかまわない。好適な光酸発生剤としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシジカルボキシイミド、O-アリ-ルスルホニルオキシム、O-アルキルスルホニルオキシム等の光酸発生剤等がある。以下に詳述するが、これらは単独あるいは2種以上を混合して用いることができる。スルホニウム塩は、スルホニウムカチオンとスルホネートあるいはビス置換アルキルスルホニルイミド、トリス置換アルキルスルホニルメチドの塩であり、スルホニウムカチオンとしてトリフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、ジフェニル4-チオフェノキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルビス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、トリス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-メチルフェニルフェニルスルホニウム、ビス4-tet-ブチルフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-メチルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウム、トリスフェニルメチルスルホニウム、2-ナフチルジフェニルスルホニウム、ジメチル2-ナフチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、4-メトキシフェニルジメチルスルホニウム、トリメチルスルホニウム、2-オキソシクロヘキシルシクロヘキシルメチルスルホニウム、トリナフチルスルホニウム、トリベンジルスルホニウム、ジフェニルメチルスルホニウム、ジメチルフェニルスルホニウム、2-オキソプロピルチアシクロペンタニウム、2-オキソブチルチアシクロペンタニウム、2-オキソ-3,3-ジメチルブチルチアシクロペンタニウム、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム、4-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、2-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム等が挙げられ、スルホネートとしては、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ヘプタフルオロプロパンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、5-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、8-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等が挙げられ、ビス置換アルキルスルホニルイミドとしてはビストリフルオロメチルスルホニルイミド、ビスペンタフルオロエチルスルホニルイミド、ビスヘプタフルオロプロピルスルホニルイミド、パーフルオロ1,3-プロピレンビススルホニルイミド等が挙げられ、トリス置換アルキルスルホニルメチドとしてはトリストリフルオロメチルスルホニルメチドが挙げられ、これらの組み合わせのスルホニウム塩が挙げられる。ヨードニウム塩はヨードニウムカチオンとスルホネートあるいはビス置換アルキルスルホニルイミド、トリス置換アルキルスルホニルメチドの塩であり、ヨードニウムカチオンとしてはジフェニルヨードニウム、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム、4-tert-ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウム等が挙げられ、スルホネートとしてはトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ヘプタフルオロプロパンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、5-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、8-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等が挙げられ、ビス置換アルキルスルホニルイミドとしてはビストリフルオロメチルスルホニルイミド、ビスペンタフルオロエチルスルホニルイミド、ビスヘプタフルオロプロピルスルホニルイミド、パーフルオロ1,3-プロピレンビススルホニルイミド等が挙げられ、トリス置換アルキルスルホニルメチドとしてはトリストリフルオロメチルスルホニルメチドが挙げられ、これらの組み合わせのヨードニウム塩が挙げられる。スルホニルジアゾメタンとしては、ビスエチルスルホニルジアゾメタン、ビス1-メチルプロピルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチルプロピルスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスパーフルオロイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-アセチルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-メタンスルホニルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-P-トルエンスルホニルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス3,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-5-イソプロピル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-ナフチルスルホニルジアゾメタン、4-メチルフェニルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、tert-ブチルカルボニル-4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、2-ナフチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、4-メチルフェニルスルホニル-2-ナフトイルジアゾメタン、メチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、tert-ブトキシカルボニル-4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタンとスルホニルカルボニルジアゾメタンが挙げられる。N-スルホニルオキシジカルボキシイミド型光酸発生剤としては、コハク酸イミド、ナフタレンジカルボキシイミド、フタル酸イミド、シクロヘキシルジカルボキシイミド、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド、7-オキサビシクロ[2.2.1]-5-ヘプテン-2,3-ジカルボキシイミド等のイミド骨格とトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ヘプタフルオロプロパンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、5-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、8-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等の組み合わせの化合物が挙げられる。ベンゾインスルホネート型光酸発生剤としては、ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレート、ベンゾインブタンスルホネート等が挙げられる。ピロガロールトリスルホネート型光酸発生剤としては、ピロガロール、フロログリシン、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノンのヒドロキシル基の全てをトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ヘプタフルオロプロパンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、5-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、8-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等で置換した化合物が挙げられる。ニトロベンジルスルホネート型光酸発生剤としては、2,4-ジニトロベンジルスルホネート、2-ニトロベンジルスルホネート、2,6-ジニトロベンジルスルホネートが挙げられ、スルホネートとしては、具体的にトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ヘプタフルオロプロパンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、5-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、8-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。また、ベンジル側のニトロ基をトリフルオロメチル基で置き換えた化合物も同様に用いることができる。スルホン型光酸発生剤の例としては、ビスフェニルスルホニルメタン、ビス4-メチルフェニルスルホニルメタン、ビス2-ナフチルスルホニルメタン、2,2-ビスフェニルスルホニルプロパン、2,2-ビス4-メチルフェニルスルホニルプロパン、2,2-ビス2-ナフチルスルホニルプロパン、2-メチル-2-p-トルエンスルホニルプロピオフェノン、2-シクロヘキシルカルボニル-2-p-トルエンスルホニルプロパン、2,4-ジメチル-2-p-トルエンスルホニルペンタン-3-オン等が挙げられる。O-アリールスルホニルオキシム化合物あるいはO-アルキルスルホニルオキシム化合物オキシムスルホネート型光酸発生剤としては、グリオキシム誘導体型、チオフェンやシクロヘキサジエンを介した共役系の長いオキシムスルホネート型、トリフルオロメチル基のような電子吸引基で化合物の安定性を増したオキシムスルホネート型、フェニルアセトニトリル、置換アセトニトリル誘導体を用いたオキシムスルホネート型、また、ビスオキシムスルホネート型等が挙げられる。グリオキシム誘導体型の光酸発生剤としては、ビス-O-p-トルエンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-p-トルエンスルホニル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-O-p-トルエンスルホニル-α-ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス-O-p-トルエンスルホニル-2,3-ペンタンジオン=ジオキシム、ビス-O-n-ブタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-n-ブタンスルホニル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-O-n-ブタンスルホニル-α-ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス-O-メタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-トリフルオロメタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-2,2,2-トリフルオロエタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-10-カンファースルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-ベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-4-フルオロベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-キシレンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-トリフルオロメタンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-2,2,2-トリフルオロエタンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-10-カンファースルホニル-ニオキシム、ビス-O-ベンゼンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-4-フルオロベンゼンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-キシレンスルホニル-ニオキシム等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。チオフェンやシクロヘキサジエンを介した共役系の長いオキシムスルホネート型光酸発生剤として、5-P-トルエンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-10-カンファースルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-n-オクタンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-P-トルエンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-10-カンファースルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-n-オクタンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-4-P-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-2,5-ビスP-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。トリフルオロメチル基のような電子吸引基で化合物の安定性を増したオキシムスルホネート型酸発生剤として、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-4-メトキシベンゼンスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-1-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-2-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-メチルフェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニルエタノン=O-1-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニルエタノン=O-2-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニルエタノン=O-1-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニルエタノン=O-2-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルチオフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-3,4-ジメトキシフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-4-メチルフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-4-メトキシフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-4-ドデシルフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-オクチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニルエタノン=O-4-メトキシフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニルエタノン=O-4-ドデシルフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニルエタノン=O-オクチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニルエタノン=O-2-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-メチルフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニルエタノン=O-フェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-クロロフェニルエタノン=O-フェニルスルホニルオキシム、2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロ-1-フェニルブタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-1-ナフチルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-ナフチルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-ベンジルフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-フェニル-1,4-ジオキサ-ブト-1-イルフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-1-ナフチルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-ナフチルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-ベンジルフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルスルホニルフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルスルホニルオキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルカルボニルオキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-6H,7H-5,8-ジオキソナフト-2-イルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシカルボニルメトキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシカルボニル-4-アミノ-1-オキサ-ペンタ-1-イルフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-3,5-ジメチル-4-エトキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-ベンジルオキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-チオフェニルエタノン=O-プロピルスルホネートオキシム、及び2,2,2-トリフルオロ-1-1-ジオキサチオフェン-2-イルエタノン=O-プロピルスルホネートオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメタンスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-トリフルオロメタンスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-1-プロパンスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-1-ブタンスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-ブチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-4-4-メチルフェニルスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-4-4-メチルフェニルスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-2,5-ビス4-メチルフェニルスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-2,5-ビス4-メチルフェニルスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシム等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。また、下記式Ox-1で示されるオキシムスルホネートが挙げられる。上記式中、R401は置換又は非置換の炭素数1~10のハロアルキルスルホニル、ハロベンゼンスルホニル基を表す。R402は炭素数1~11のハロアルキル基を表す。Ar401は置換又は非置換の芳香族基又はヘテロ芳香族基を表す。具体的には、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノペンチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノブチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノペンチル-4-ビフェニル、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノブチル-4-ビフェニル、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシル-4-ビフェニルなどが挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。置換アセトニトリル誘導体を用いたオキシムスルホネート型として、α-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-p-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-4-ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-4-ニトロ-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-クロロフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,4-ジクロロフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,6-ジクロロフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-2-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2-チエニルアセトニトリル、α-4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-4-トルエンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トシルオキシイミノ-3-チエニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。また、ビスオキシムスルホネートとして、ビスα-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-メタンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリルビスα-ブタンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-10-カンファースルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-トリフルオロメタンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-4-メトキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-メタンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-ブタンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-10-カンファースルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-トリフルオロメタンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-4-メトキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。KrFエキシマレーザー用のレジスト材料として上記E成分の光酸発生剤を用いる場合には、スルホニウム塩、ビススルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネートが好ましい。具体的にはトリフェニルスルホニウム=p-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=4-p-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム=p-トルエンスルホネート、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム=4-p-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、トリス4-メチルフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、ビスtert-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロへキシルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス3,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-5-イソプロピル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-tert-ブチルフェニルスルホニルジアゾメタン、N-カンファースルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸イミド、N-p-トルエンスルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸イミド、5-10-カンファースルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル等が挙げられる。また、ArFエキシマレーザー用のレジスト材料として上記E成分の光酸発生剤を用いる場合には、スルホニウム塩あるいはオキシム-O-スルホネートが好ましい。具体的にはトリフェニルスルホニウム=トリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ペンタフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ヘプタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=トリデカフルオロヘキサンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=ヘプタフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-ヒドロキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-ヒドロキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=パーフルオロ1,3-プロピレンビススルホニルイミド、トリフェニルスルホニウム=ビスペンタフルオロエチルスルホニルイミド、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノペンチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノブチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホニルオキシイミノペンチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホニルオキシイミノブチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシルフルオレン等が挙げられる。また、ArF液浸レジスト材料として上記E成分の光酸発生剤を用いる場合には、スルホニウム塩あるいはオキシム-O-スルホネートが好ましい。具体的にはトリフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=トリデカフルオロヘキサンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=ヘプタフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-ヒドロキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-ヒドロキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=パーフルオロ1,3-プロピレンビススルホニルイミド、トリフェニルスルホニウム=ビスペンタフルオロエチルスルホニルイミド、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノペンチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノブチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホニルオキシイミノペンチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホニルオキシイミノブチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシルフルオレン等が挙げられる。本発明の化学増幅レジスト材料におけるE成分の光酸発生剤の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲であればいずれでもよいが、レジスト材料中のベース樹脂100部に対し0.1~10部、好ましくは0.1~5部である。E成分の光酸発生剤の割合が多すぎる場合には、解像性の劣化や、現像/レジスト剥離時の異物の問題が起きる可能性がある。上記E成分の光酸発生剤は、単独でも2種以上混合して用いることもできる。更に、露光波長における透過率が低い光酸発生剤を用い、その添加量でレジスト膜中の透過率を制御することもできる。なお、光酸発生剤を2種以上混合して用い、一方の光酸発生剤がいわゆる弱酸を発生するオニウム塩である場合、酸拡散制御の機能を持たせることもできる。即ち、強酸例えばフッ素置換されたスルホン酸を発生する光酸発生剤と弱酸例えばフッ素置換されていないスルホン酸もしくはカルボン酸を発生するオニウム塩を混合して用いた場合、高エネルギー線照射により光酸発生剤から生じた強酸が未反応の弱酸アニオンを有するオニウム塩と衝突すると塩交換により弱酸を放出し強酸アニオンを有するオニウム塩を生じる。この過程で強酸がより触媒能の低い弱酸に交換されるため見かけ上、酸が失活して酸拡散の制御を行うことができる。ここで強酸を発生するオニウム塩と弱酸を発生するオニウム塩を混合して用いた場合、上記のように強酸が弱酸に交換することはできるが、弱酸は未反応の強酸を発生するオニウム塩と衝突して塩交換を行うことはできない。これらはオニウムカチオンがより強酸のアニオンとイオン対を形成し易いとの現象に起因する。また、本発明のレジスト材料に、酸により分解し酸を発生する化合物酸増殖化合物を添加してもよい。これらの化合物については、J.Photopolym.Sci.andTech.,8.43-44,45-461995、J.Photopolym.Sci.andTech.,9.29-301996において記載されている。酸増殖化合物の例としては、tert-ブチル-2-メチル-2-トシロキシメチルアセトアセテート、2-フェニル-2-2-トシロキシエチル-1,3-ジオキソラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。公知の光酸発生剤の中で安定性、特に熱安定性に劣る化合物は酸増殖化合物的な性質を示す場合が多い。本発明のレジスト材料における酸増殖化合物の添加量としては、レジスト材料中のベース樹脂100部に対し2部以下、好ましくは1部以下である。添加量が多すぎる場合は拡散の制御が難しく、解像性の劣化、パターン形状の劣化が起こる。F成分である有機酸誘導体の例としては、特に限定されるものではないが、具体的にフェノール、クレゾール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、フロログリシン、ビス4-ヒドロキシフェニルメタン、2,2-ビス4’-ヒドロキシフェニルプロパン、ビス4-ヒドロキシフェニルスルホン、1,1,1-トリス4’-ヒドロキシフェニルエタン、1,1,2-トリス4’-ヒドロキシフェニルエタン、ヒドロキシベンゾフェノン、4-ヒドロキシフェニル酢酸、3-ヒドロキシフェニル酢酸、2-ヒドロキシフェニル酢酸、3-4-ヒドロキシフェニルプロピオン酸、3-2-ヒドロキシフェニルプロピオン酸、2,5-ジヒドロキシフェニル酢酸、3,4-ジヒドロキシフェニル酢酸、1,2-フェニレン二酢酸、1,3-フェニレン二酢酸、1,4-フェニレン二酢酸、1,2-フェニレンジオキシ二酢酸、1,4-フェニレンジプロパン酸、安息香酸、サリチル酸、4,4-ビス4’-ヒドロキシフェニル吉草酸、4-tert-ブトキシフェニル酢酸、4-4-ヒドロキシフェニル酪酸、3,4-ジヒドロキシマンデル酸、4-ヒドロキシマンデル酸等が挙げられ、中でもサリチル酸、4,4-ビス4’-ヒドロキシフェニル吉草酸が好適である。これらは単独あるいは2種以上の組み合わせで用いることができる。また、フッ素置換アルコールとしては、アルコールのα位以外がフッ素により置換された化合物を用いることができ、特に限定されるものではないが、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール末端を有する化合物が望ましい。具体的には下記の化合物を例示することができる。但し、上記式中R’は、上述のベース樹脂において説明を行った式C1、C2で示される炭素数2~30のアセタール基、炭素数4~30の三級アルキル基等である。本発明の化学増幅レジスト材料中の有機酸誘導体あるいはフッ素置換アルコールの添加量としては、レジスト材料中のベース樹脂100部に対し5部以下、好ましくは1部以下である。添加量が5部より多い場合は、解像性を劣化させる可能性がある。なお、レジスト中の組成の組み合わせによりこの有機酸誘導体等は添加しなくてもよい。G成分の酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が変化する重量平均分子量3,000以下の化合物溶解阻止剤としては、2,500以下の低分子量のフェノールあるいはカルボン酸誘導体、フッ素置換アルコールのヒドロキシル基の水素原子の一部あるいは全部を酸に不安定な置換基で置換した化合物を添加することができる。重量平均分子量2,500以下のフェノールあるいはカルボン酸誘導体としては、ビスフェノールA、ビスフェノールH、ビスフェノールS、4,4-ビス4’-ヒドロキシフェニル吉草酸、トリス4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1,1-トリス4’-ヒドロキシフェニルエタン、1,1,2-トリス4’-ヒドロキシフェニルエタン、フェノールフタレイン、チモールフタレイン、コール酸、デオキシコール酸、リトコール酸等が挙げられ、フッ素置換アルコールとしては、上記[化31]、[化32]、[化33]、[化34]で例示したものと同様の化合物が挙げられる。酸に不安定な置換基としては上記ポリマーの酸不安定基として例示したものを再び挙げることができる。好適に用いられる溶解阻止剤の例としては、ビス4-2’-テトラヒドロピラニルオキシフェニルメタン、ビス4-2’-テトラヒドロフラニルオキシフェニルメタン、ビス4-tert-ブトキシフェニルメタン、ビス4-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニルメタン、ビス4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルメタン、ビス4-1’-エトキシエトキシフェニルメタン、ビス4-1’-エトキシプロピルオキシフェニルメタン、2,2-ビス4’-2’’-テトラヒドロピラニルオキシプロパン、2,2-ビス4’-2’’-テトラヒドロフラニルオキシフェニルプロパン、2,2-ビス4’-tert-ブトキシフェニルプロパン、2,2-ビス4’-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルプロパン、2,2-ビス4’-1’’-エトキシエトキシフェニルプロパン、2,2-ビス4’-1’’-エトキシプロピルオキシフェニルプロパン、4,4-ビス4’-2’’-テトラヒドロピラニルオキシフェニル吉草酸tert-ブチル、4,4-ビス4’-2’’-テトラヒドロフラニルオキシフェニル吉草酸tert-ブチル、4,4-ビス4’-tert-ブトキシフェニル吉草酸tert-ブチル、4,4-ビス4-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニル吉草酸tert-ブチル、4,4-ビス4’-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル吉草酸tert-ブチル、4,4-ビス4’-1’’-エトキシエトキシフェニル吉草酸tert-ブチル、4,4-ビス4’-1’’-エトキシプロピルオキシフェニル吉草酸tert-ブチル、トリス4-2’-テトラヒドロピラニルオキシフェニルメタン、トリス4-2’-テトラヒドロフラニルオキシフェニルメタン、トリス4-tert-ブトキシフェニルメタン、トリス4-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニルメタン、トリス4-tert-ブトキシカルボニルオキシメチルフェニルメタン、トリス4-1’-エトキシエトキシフェニルメタン、トリス4-1’-エトキシプロピルオキシフェニルメタン、1,1,2-トリス4’-2’’-テトラヒドロピラニルオキシフェニルエタン、1,1,2-トリス4’-2’’-テトラヒドロフラニルオキシフェニルエタン、1,1,2-トリス4’-tert-ブトキシフェニルエタン、1,1,2-トリス4’-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニルエタン、1,1,2-トリス4’-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルエタン、1,1,2-トリス4’-1’-エトキシエトキシフェニルエタン、1,1,2-トリス4’-1’-エトキシプロピルオキシフェニルエタン、コール酸tert-ブチルエステル、デオキシコール酸tert-ブチルエステル、リトコール酸tert-ブチルエステル等が挙げられる。あるいは特開2003-107706号公報記載の化合物が挙げられる。本発明のレジスト材料中のG成分の溶解阻止剤の添加量としては、レジスト材料中のベース樹脂100部に対し20部以下、好ましくは15部以下である。20部より多いとモノマー成分が増えるためレジスト材料の耐熱性が低下する。本発明のネガ型のレジスト材料に用いられるC’成分のアルカリ可溶性樹脂であって、架橋剤によってアルカリ難溶となる樹脂としては、上述のC成分の樹脂の酸不安定基を置換する前のベース樹脂を用いることが好適である。例えば、ポリp-ヒドロキシスチレン、ポリm-ヒドロキシスチレン、ポリ4-ヒドロキシ-2-メチルスチレン、ポリ4-ヒドロキシ-3-メチルスチレン、ポリα-メチル-p-ヒドロキシスチレン、部分水素加ポリp-ヒドロキシスチレンコポリマー、ポリp-ヒドロキシスチレン-α-メチル-p-ヒドロキシスチレンコポリマー、ポリp-ヒドロキシスチレン-α-メチルスチレンコポリマー、ポリp-ヒドロキシスチレン-スチレンコポリマー、ポリp-ヒドロキシスチレン-m-ヒドロキシスチレンコポリマー、ポリp-ヒドロキシスチレン-スチレンコポリマー、ポリp-ヒドロキシスチレン-アクリル酸コポリマー、ポリp-ヒドロキシスチレン-メタクリル酸コポリマー、ポリp-ヒドロキシスチレン-メチルアクリレートコポリマー、ポリp-ヒドロキシスチレン-アクリル酸-メチルメタクリレートコポリマー、ポリp-ヒドロキシスチレン-メチルアクリレートコポリマー、ポリp-ヒドロキシスチレン-メタクリル酸-メチルメタクリレートコポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸-メチルアクリレートコポリマー、ポリメタクリル酸-メチルメタクリレートコポリマー、ポリアクリル酸-マレイミドコポリマー、ポリメタクリル酸-マレイミドコポリマー、ポリp-ヒドロキシスチレン-アクリル酸-マレイミドコポリマー、ポリp-ヒドロキシスチレン-メタクリル酸-マレイミドコポリマー等が挙げられるがこれらの組み合わせに限定されるものではない。また、種々の機能をもたせるため、上記酸不安定基保護化ポリマーのフェノール性水酸基、カルボキシル基の一部に置換基を導入してもよい。例えば、基板との密着性を向上するための置換基やエッチング耐性向上のための置換基、特に未露光部、低露光部のアルカリ現像液への溶解速度が高すぎないように制御するため酸やアルカリに比較的安定な置換基を導入することが好ましい。置換基の例として、例えば2-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシプロピル基、メトキシメチル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、4-メチル-2-オキソ-4-オキソラニル基、4-メチル-2-オキソ-4-オキサニル基、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、アセチル基、ピバロイル基、アダマンチル基、イソボロニル基、シクロヘキシル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、酸分解性の置換基、例えばtert-ブトキシカルボニル基や、tert-ブチル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基等の比較的酸分解しにくい置換基を導入することできる。本発明のレジスト材料中における上記C’成分の樹脂の添加量としては任意であるが、レジスト材料中の全固形分100部に対し65~99部、好ましくは65~98部である。また、H成分の酸の作用により架橋構造を形成する酸架橋剤としては、分子内に2個以上のヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、エポキシ基又はビニルエーテル基を有する化合物が挙げられ、置換グリコウリル誘導体、尿素誘導体、ヘキサメトキシメチルメラミン等が本発明の化学増幅ネガ型レジスト材料の酸架橋剤として好適に用いられる。例えばN,N,N’,N’-テトラメトキシメチル尿素とヘキサメトキシメチルメラミン、テトラヒドロキシメチル置換グリコールウリル類及びテトラメトキシメチルグリコールウリルのようなテトラアルコキシメチル置換グリコールウリル類、置換及び未置換ビス-ヒドロキシメチルフェノール類、ビスフェノールA等のフェノール性化合物とエピクロロヒドリン等の縮合物が挙げられる。特に好適な架橋剤は、1,3,5,7-テトラメトキシメチルグリコールウリルなどの1,3,5,7-テトラアルコキシメチルグリコールウリル又は1,3,5,7-テトラヒドロキシメチルグリコールウリル、2,6-ジヒドロキシメチルp-クレゾール、2,6-ジヒドロキシメチルフェノール、2,2’,6,6’-テトラヒドロキシメチル-ビスフェノールA及び1,4-ビス-[2-2-ヒドロキシプロピル]-ベンゼン、N,N,N’,N’-テトラメトキシメチル尿素とヘキサメトキシメチルメラミン等が挙げられる。本発明の化学増幅レジスト材料中のH成分の酸架橋剤の添加量は任意であるが、レジスト材料中のベース樹脂100部に対し1~20部、好ましくは5~15部である。これら架橋剤は単独でも2種以上を併用してもよい。本発明の化学増幅レジスト材料中には、塗布性を向上させるための界面活性剤、基板からの乱反射を少なくするための吸光性材料などの添加剤を加えることができる。界面活性剤の例としては、特に限定されるものではないが、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステリアルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン系界面活性剤、エフトップEF301,EF303,EF352株ジェムコ製、メガファックF171,F172,F173,R08,R30大日本インキ化学工業株製、フロラードFC-430,FC-431,FC-4430,FC-4432住友スリーエム株製、アサヒガードAG710,サーフロンS-381,S-382,SC101,SC102,SC103,SC104,SC105,SC106,サーフィノールE1004,KH-10,KH-20,KH-30,KH-40旭硝子株製等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341,X-70-092,X-70-093信越化学工業株製、アクリル酸系又はメタクリル酸系ポリフローNo.75,No.95共栄社油脂化学工業株製が挙げられ、中でもFC-430、サーフロンS-381、サーフィノールE1004、KH-20、KH-30が好適である。これらは単独あるいは2種以上の組み合わせで用いることができる。本発明の化学増幅レジスト材料中の界面活性剤の添加量としては、レジスト材料中のベース樹脂100部に対し2部以下、好ましくは1部以下である。更に、本発明の化学増幅レジスト材料には紫外線吸収剤を配合することができる。特に限定されるわけではないが、特開平11-190904号公報記載のものを用いることができ、好ましくはビス4-ヒドロキシフェニルスルホキシド、ビス4-tert-ブトキシフェニルスルホキシド、ビス4-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニルスルホキシド、ビス[4-1-エトキシエトキシフェニル]スルホキシド等のジアリールスルホキシド誘導体、ビス4-ヒドロキシフェニルスルホン、ビス4-tert-ブトキシフェニルスルホン、ビス4-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニルスルホン、ビス[4-1-エトキシエトキシフェニル]スルホン、ビス[4-1-エトキシプロポキシフェニル]スルホン等のジアリールスルホン誘導体、ベンゾキノンジアジド、ナフトキノンジアジド、アントラキノンジアジド、ジアゾフルオレン、ジアゾテトラロン、ジアゾフェナントロン等のジアゾ化合物、ナフトキノン-1,2-ジアジド-5-スルホン酸クロリドと2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノンとの完全もしくは部分エステル化合物、ナフトキノン-1,2-ジアジド-4-スルホン酸クロリドと2,4,4’-トリヒドロキシベンゾフェノンとの完全もしくは部分エステル化合物等のキノンジアジド基含有化合物等、9-アントラセンカルボン酸tert-ブチル、9-アントラセンカルボン酸tert-アミル、9-アントラセンカルボン酸tert-メトキシメチル、9-アントラセンカルボン酸tert-エトキシエチル、9-アントラセンカルボン酸2-tert-テトラヒドロピラニル、9-アントラセンカルボン酸2-tert-テトラヒドロフラニル等を挙げることができる。上記紫外線吸収剤の配合量は、レジスト材料の種類により添加しても添加されなくてもよいが、添加する場合にはベース樹脂100部に対し0~10部、より好ましくは0.5~10部、更に好ましくは1~5部である。本発明の化学増幅レジスト材料を使用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができ、例えば集積回路製造用の基板Si,SiO2,SiN,SiON,TiN,WSi,BPSG,SOG,有機反射防止膜等上にスピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により塗布膜厚が0.1~2.0μmとなるように塗布し、ホットプレート上で60~150°C、1~10分間、好ましくは80~140°C、1~5分間プリベークする。次いで、紫外線、遠紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線などから選ばれる光源、好ましくは300nm以下の露光波長で目的とするパターンを所定のマスクを通じて露光を行う。この中で更に好ましい光源としては、エキシマレーザー、特にKrFエキシマレーザーや245~255nmの遠紫外線、ArFエキシマレーザーが挙げられる。露光量は1~200mJ/cm2程度、好ましくは10~100mJ/cm2程度となるように露光することが好ましい。ホットプレート上で60~150°Cで1~5分間、好ましくは80~140°Cで1~3分間ポストエクスポージャベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは2~3質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像することにより基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明材料は、特に高エネルギー線の中でも254~193nmの遠紫外線、157nmの真空紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線による微細パターンニングに最適である。なお、上記範囲の上限及び下限から外れる場合は、目的のパターンを得ることができない場合がある。本発明においては、特に波長193nmのArFエキシマレーザーを用い、ウエハーと投影レンズの間に水、グリセリン、エチレングリコールなどの液体を挿入する液浸リソグラフィー法が好適に採用される。以下、合成例及び実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。[合成例1]トリフェニルスルホニウムクロリドの合成ジフェニルスルホキシド40g0.2モルをジクロロメタン400gに溶解させ、氷冷下撹拌した。トリメチルシリルクロリド65g0.6モルを20°Cを超えない温度で滴下し、更にこの温度で30分間熟成を行った。次いで、金属マグネシウム14.6g0.6モルとクロロベンゼン67.5g0.6モル、テトラヒドロフランTHF168gから別途調製したGrignard試薬を20°Cを超えない温度で滴下した。反応の熟成を1時間行った後、20°Cを超えない温度で水50gを加えて反応を停止し、更に水150gと12規定塩酸10gとジエチルエーテル200gを加えた。水層を分取し、ジエチルエーテル100gで洗浄し、トリフェニルスルホニウムクロリド水溶液を得た。これは、これ以上の単離操作をせず水溶液のまま次の反応に用いた。[合成例2]4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム臭化物の合成合成例1のクロロベンゼンの代わりに4-tert-ブチルブロモベンゼンを用い、抽出の際の水の量を増やす以外は合成例1と同様にして目的物を得た。[合成例3]4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム塩化物の合成合成例1のクロロベンゼンの代わりに4-tert-ブトキシクロロベンゼンを、溶剤にトリエチルアミンを5質量含むジクロロメタン溶剤を用い、抽出の際の水の量を増やす以外は合成例1と同様にして目的物を得た。[合成例4]トリス4-メチルフェニルスルホニウム塩化物の合成合成例1のジフェニルスルホキシドの代わりにビス4-メチルフェニルスルホキシドを用い、クロロベンゼンの代わりに4-クロロトルエンを用い、抽出の際の水の量を増やす以外は合成例1と同様にして目的物を得た。[合成例5]トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウム臭化物の合成合成例1のジフェニルスルホキシドの代わりにビス4-tert-ブチルフェニルスルホキシドを、クロロベンゼンの代わりに4-tert-ブチルブロモベンゼンを用い、抽出の際の水の量を増やす以外は合成例1と同様にして目的物を得た。[合成例6]ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムハイドロジェンスルフェートの合成tert-ブチルベンゼン84g0.5モル、ヨウ素酸カリウム53g0.25モル、無水酢酸50gの混合物を氷冷下撹拌し、無水酢酸35gと濃硫酸95gの混合物を30°Cを超えない温度で滴下した。次いで室温で3時間熟成を行い、再度氷冷して水250gを滴下し、反応を停止した。この反応液をジクロロメタン400gを用いて抽出し、有機層に亜硫酸水素ナトリウム6gを加えて脱色した。更にこの有機層を水250gで洗浄することを3回繰り返した。洗浄した有機層を減圧濃縮することで、目的の粗生成物を得た。これ以上の精製はせずこのまま次の反応に用いた。[合成例7]フェナシルテトラヒドロチオフェニウムブロミドの合成フェナシルブロミド88.2g0.44モル、テトラヒドロチオフェン39.1g0.44モルをニトロメタン220gに溶解し、室温で4時間撹拌を行った。反応液に水800gとジエチルエーテル400gを加え、分離した水層を分取し、目的のフェナシルテトラヒドロチオフェニウムブロミド水溶液を得た。[合成例8]ジメチルフェニルスルホニウム硫酸塩の合成チオアニソール6.2g0.05モルとジメチル硫酸6.9g0.055モルを室温で12時間撹拌した。反応液に水100gとジエチルエーテル50mlを加えて水層を分取し、目的のジメチルフェニルスルホニウム硫酸塩水溶液を得た。[合成例9]4-ピバロイルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸ナトリウムの合成Anion1tert-ブトキシカリウム10.3g0.091モルをジメチルスルホキシド46.5gに溶解させ、ピバリン酸9.8g0.096モルを加えて60°Cで撹拌した。その反応液に1,4-ジブロモ-1,1,2,2-テトラフルオロブタン24.9g0.087モルを加えてそのまま4時間撹拌した。反応液を室温まで冷却した後トルエン100gと水70gを加えて有機層を分取し、飽和炭酸水素ナトリウム水20gで3回、飽和食塩水20gで2回有機層を洗浄した。その有機層を減圧濃縮し、目的の4-ブロモ-3,3,4,4-テトラフルオロブチルピバリン酸エステルを得た。無色油状物5.6g。炭酸水素ナトリウム4.0g0.048モルと亜ジチオン酸ナトリウム6.5g0.032モルを水23gに分散させ、アセトニトリル11gに溶解させた4-ブロモ-3,3,4,4-テトラフルオロブチルピバリン酸エステル5.3g0.015モルを加え、60°Cで5時間撹拌を行った。撹拌を停止した後、アセトニトリルを減圧除去し、トルエン洗浄を行い、分取した水層に塩化ナトリウムを加えて析出した白色結晶を酢酸エチルで抽出した。この有機層を少量の飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、溶剤を減圧除去し、乾燥を行い、白色結晶3.1gを得た。この結晶とタングステン酸ナトリウム二水和物0.2g0.0005モルを水30gに溶解させ、そこへ35過酸化水素水1.2g0.012モルを加え1時間撹拌した。亜硫酸ナトリウムで反応を停止した後、塩化ナトリウムを加えて析出した白色結晶を酢酸エチルで抽出した。この有機層を少量の飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、減圧濃縮し、ジイソプロピルエーテルで再結晶を行い、目的の4-ピバロイルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸ナトリウム3.2gを得た。得られた目的物のスペクトルデータを示す。核磁気共鳴スペクトル1H-NMR300MHzDMSO-d6、19F-NMR282MHzDMSO-d6シフト標準CF3CO2D図1及び図2赤外吸収スペクトルIRKBr;cm12969、2937、2912、2873、1735、1483、1465、1392、1365、1340、1278、1253、1170、1153、1130、1074、1039、1029、993、935、657、622、530飛行時間型質量分析TOFMS;MALDINEGATIVEM309CH33CCO2CH2CH2CF2CF2SO3相当[合成例10]4-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸ナトリウムの合成Anion2ピバリン酸の代わりにシクロヘキサンカルボン酸を用いる以外は合成例9と同様にして目的のスルホン酸ナトリウムを得た。得られた目的物のスペクトルデータを示す。核磁気共鳴スペクトル1H-NMR300MHzDMSO-d6、19F-NMR282MHzDMSO-d6シフト標準CF3CO2D図3及び図4赤外吸収スペクトルIRKBr;cm12933、2856、1735、1648、1452、1376、1249、1195、1174、1133、1049、995、946、894、761、717、663、636、622、574、532飛行時間型質量分析TOFMS;MALDINEGATIVEM335C6H11CO2CH2CH2CF2CF2SO3相当[合成例11]4-ベンゾイルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸ナトリウムの合成Anion3ピバリン酸とtert-ブトキシカリウムの代わりに安息香酸ナトリウムを用いる以外は合成例9と同様にして目的のスルホン酸ナトリウムを得た。得られた目的物のスペクトルデータを示す。核磁気共鳴スペクトル1H-NMR300MHzDMSO-d6、19F-NMR282MHzDMSO-d6シフト標準CF3CO2D図5及び図6赤外吸収スペクトルIRKBr;cm13066、3035、2977、1722、1646、1602、1585、1452、1394、1342、1317、1280、1251、1180、1124、1072、1062、1029、1000、941、846、709、686、657、634、622、572飛行時間型質量分析TOFMS;MALDINEGATIVEM329C6H5CO2CH2CH2CF2CF2SO3相当[合成例12]4-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸ナトリウムの合成Anion4ピバリン酸の代わりに1-アダマンタンカルボン酸を用いる以外は合成例9と同様にして目的のスルホン酸ナトリウムを得た。得られた目的物のスペクトルデータを示す。核磁気共鳴スペクトル1H-NMR300MHzDMSO-d6、19F-NMR282MHzDMSO-d6シフト標準CF3CO2D図7及び図8赤外吸収スペクトルIRKBr;cm12933、2908、2852、1731、1710、1683、1660、1475、1454、1380、1344、1326、1245、1184、1124、1106、1085、1037、995、975、944、910、842、774、676、661、622、574、530飛行時間型質量分析TOFMS;MALDINEGATIVEM387C10H15CO2CH2CH2CF2CF2SO3相当[合成例13]トリフェニルスルホニウム4-ピバロイルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホネートの合成PAG1合成例1のトリフェニルスルホニウムクロリド水溶液0.0020モル相当の水溶液と合成例9で合成した4-ピバロイルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロブタンスルホン酸ナトリウム0.0021モルをジクロロメタン26g中で撹拌した。有機層を分取し、水20gで3回有機層を洗浄した。有機層を濃縮し、ジイソプロピルエーテルで結晶化させ、濾過、乾燥し目的物を得た。白色結晶0.8g得られた目的物のスペクトルデータを示す。核磁気共鳴スペクトル1H-NMR300MHzDMSO-d6、19F-NMR282MHzDMSO-d6シフト標準CF3CO2D図9及び図10赤外吸収スペクトルIRKBr;cm13089、3062、2979、2935、2908、2871、1725、1635、1583、1477、1457、1448、1394、1367、1274、1257、1211、1151、1112、1085、1064、1056、1020、997、775、686、647、617、530、501飛行時間型質量分析TOFMS;MALDIPOSITIVEM263C6H53S相当NEGATIVEM309CH33CCO2CH2CH2CF2CF2SO3相当[合成例14~23]合成例2~8で調製したオニウム塩と合成例9~12のスルホン酸塩を用いる以外は合成例13と同様にして目的であるオニウム塩を合成した。これらのオニウム塩PAG2~11を下記に示す。また、PAG2~4の核磁気共鳴スペクトル1H-NMR300MHzDMSO-d6、19F-NMR282MHzDMSO-d6シフト標準CF3CO2Dを図11~16に示す。[参考例1~17及び比較例1~3]レジストの解像性の評価上記合成例で示した光酸発生剤と、下記式で示されるポリマーPolymer1~8をベース樹脂として使用し、下記式で示される溶解促進剤DRR1、溶解阻止剤DRI1、クエンチャーを表1,2に示す組成でFC-430住友スリーエム株製0.01質量を含む溶媒中に溶解してレジスト材料を調合し、更にレジスト材料を0.2μmのテフロン登録商標製フィルターで濾過することにより、レジスト液をそれぞれ調製した。シリコン基板上に反射防止膜溶液日産化学工業株製、ARC-29Aを塗布し、200°Cで60秒間ベークして作製した反射防止膜78nm膜厚基板上にレジスト溶液をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて120°Cで60秒間ベークし、200nm膜厚のレジスト膜を作製した。これをArFエキシマレーザーマイクロステッパー株ニコン製、S305B、NA=0.68、2/3輪帯照明、Crマスクを用いて露光し、110°Cで90秒間ベークPEBを施し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を行った。レジストの評価は、0.12μmのグループのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量を最適露光量Eop、mJ/cm2として、この露光量における分離しているラインアンドスペースの最小線幅μmを評価レジストの解像度とした。各レジストの組成及び評価結果を表1,2に示す。なお、表1,2において、溶剤及びクエンチャー、比較例で用いた光酸発生剤は下記の通りである。溶剤A:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶剤B:シクロヘキサノンクエンチャーA:トリ-n-オクチルアミンクエンチャーB:トリエタノールアミンクエンチャーC:トリスメトキシメトキシエチルアミンクエンチャーD:トリス2-アセトキシエチルアミンTPS-NfO:トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-1-ブタンスルホネートTPS-PFOS:トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-1-オクタンスルホネート次に、参考例1,4,9,10及び比較例1のレジストを用いて、疑似的な液浸露光を行った。具体的には上記と同様なプロセスで125nmのレジスト膜を形成し、ArFエキシマレーザーマイクロステッパー株ニコン製、S307E、dipoleを用いて露光した。露光を行った直後にウエハー全面に純水を盛り、60秒間レジスト露光面を純水に浸漬したパドル。ウエハースピンにより純水を振り切った後、通常通りのPEB工程、次いで現像を行った。現像後に形成されたパターン中の欠陥数を欠陥検査装置WINWIN50-1200L東京精密株製により検査し、次式に従って欠陥密度を求めた。結果を表3に示す。欠陥密度個/cm2=検出された総欠陥数/検査面積形成したパターン:80nm/ピッチ160nmラインアンドスペースの繰り返しパターン欠陥検査条件:光源UV、検査ピクセルサイズ0.125μm、セルツーセルモードまた、走査型電子顕微鏡を用いてレジスト断面のパターンの形状を観察した。結果を表3に示す。表1~3の結果より、本発明のレジスト材料が高感度及び高解像性で、従来品に比べて水による長時間のリンスに対しても形状変化、欠陥の発現がなく、液浸露光に十分対応できることが確認された。"