PVD法によって基板に少なくとも2つの異なる金属M1、M2を含む混合結晶層を蒸着するための方法であって、前記混合結晶層の蒸着がiデュアルマグネトロンスパッタリング又は高出力インパルスマグネトロンスパッタリングHIPIMSからなる陰極スパッタリング法およびiiアーク蒸着アークPVDの同時適用によって達成されることを特徴とする、前記方法。前記混合結晶層が、少なくとも2つの異なる金属M1、M2の混合の、酸化物、炭化物、窒化物、炭窒化物、酸窒化物、酸炭化物、酸炭窒化物、ホウ化物、窒ホウ化物、炭ホウ化物、炭窒ホウ化物、酸窒ホウ化物、酸炭ホウ化物、酸炭窒ホウ化物および酸ホウ窒化物からなる単相の混合結晶層、好適には前記少なくとも2つの異なる金属M1、M2の混合酸化物からなる単相の混合結晶層であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1の金属と第2の金属が、周期系の亜群IVa~VIIaの元素、リチウム、ホウ素、アルミニウムおよびケイ素から選択されることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。前記2つの異なる金属M1、M2が、アルミニウムおよびクロムであることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。少なくとも第1の金属M1と任意に追加的な第2の金属M2と任意にさらなる金属とを含む少なくとも1つのターゲットがデュアルマグネトロンスパッタリング又は高出力インパルスマグネトロンスパッタリングHIPIMSからなる陰極スパッタリング法の適用のために用いられ、且つ少なくとも第2の金属M2を含む少なくとも1つのターゲットがアーク蒸着法アークPVDの適用のために用いられることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。2つのアルミニウムターゲット又は1つのアルミニウムターゲットと混合アルミニウムクロムターゲットとがデュアルマグネトロンスパッタリング又は高出力インパルスマグネトロンスパッタリングHIPIMSからなる陰極スパッタリング法のために用いられ、且つ少なくとも1つのクロムターゲットがアーク蒸着法アークPVDのために用いられることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。前記混合結晶層が0.2nm~10μm、好適には5nm~1μm、特に10nm~100nmの厚さで蒸着されることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。前記基板が、硬質金属、サーメット陶性金属、鋼鉄又は高速度鋼HSSでできていることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の方法。700°Cより高い、好適には1000°Cより高い、特に1500°Cより高い融点を有するターゲット材料がアーク蒸着法アークPVDのために用いられることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の方法。基板とそれに適用された単層又は多層被覆膜とを含み、前記多層被覆膜の少なくとも1つの層が請求項1~9のいずれか1項に記載の方法を用いて形成された混合結晶層である切削工具。前記多層被覆膜の少なくとも1つの混合結晶層が、完全に又は少なくとも90容量がアルファ相で存在する酸化クロムアルミニウム混合結晶層であることを特徴とする請求項10に記載の切削工具。本発明の目的は、PVD法によって基板に少なくとも2つの異なる金属を含む、できるだけマクロ粒子飛沫がなくて且つできるだけ高い割合の望ましい結晶相、特に単相混合結晶層で、且つ高結晶性である混合結晶層を蒸着させるための方法を提供することである。本発明によれば、その目的は、本明細書の初めの部分で説明された方法である、混合結晶層の蒸着がiデュアルマグネトロンスパッタリング又は高出力インパルスマグネトロンスパッタリングHIPIMSからなる陰極スパッタリングおよびiiアーク蒸着アークPVDの同時適用によって達成される。デュアルマグネトロンスパッタリング又はHIPIMSとアーク蒸着との本発明による同時適用は、実質的にマクロ粒子飛沫がない、しかし公知の方に従って生成された層よりもマクロ粒子の数が少なくとも著しく少ない高結晶性単相の混合結晶層を有利に生成させることを可能にする。実質的に単層の混合結晶構造はシングルマグネトロンスパッタリングの場合よりもデュアルマグネトロンスパッタリングあるいはHIPIMSで顕著に高いプラズマエネルギーによって生成されることが想定される。それは驚くべきことであった。同時に、本発明によって生成された層はその特別な構造特性による有利な硬度および熱伝導率によって際立っている。本発明による特別に好適である混合結晶層は、酸化クロムアルミニウムAlCr2O3の単相混合結晶からなる層である。その組成からなる層は、例えばAlCr70/30atのターゲットからアーク蒸着によりそしてまたシングル又はデュアルマグネトロンスパッタリングの両方によって蒸着できる。明らかに、アーク蒸着のみによるPVD蒸着では、混合結晶からなる高い比率の熱力学的に安定なアルファ相が得られるが、同時に蒸着されて且つ混合結晶層の価値を悪化させる非常に高い比率のマクロ粒子飛沫が得られる。明らかに、マグネトロンスパッタリングによる蒸着では、また蒸着されるマクロ粒子飛沫の数はアーク蒸着に比べて低減されているが、混合結晶の熱力学的に安定なアルファ相がほとんど得られていない。今や、驚くことにデュアルマグネトロンスパッタリング又はHIPIMSとアーク蒸着との同時適用を用いる本発明による方法が、ほとんどマクロ粒子飛沫がなく且つ単相あるいは少なくとも望ましい相、例えば酸化クロムアルミニウムの場合には安定なアルファ相である高結晶性混合結晶層と、例えば酸化クロムアルミニウムの場合はガンマ相であるせいぜい少ない割合のさらなる相とを同時に有する混合結晶層を蒸着させることを可能にすることを示すことが可能である。シングルマグネトロンスパッタリングとアーク蒸着との適用は、最先端技術でも記載されているが、望ましい結果をもたらさない。本発明による方法においては、少なくとも2つの異なるターゲット、すなわちアーク蒸着法における陰極として少なくとも1つの第1の金属M1を含むターゲットおよびデュアルマグネトロンスパッタリング又はHIPIMSにおける陰極スパッタリングのための少なくとも1つのさらなる金属を含むさらなるターゲットが用いられる。用いられるターゲットは、純金属、例えば純アルミニウムターゲット又は純クロムターゲット、あるいは純混合金属ターゲット、例えばアルミニウム/クロム70/30atターゲットであり得る。あるいは、蒸着されるべき化合物をすでに含有しているセラミックターゲット、例えば金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物あるいは金属ホウ化物を用いることが可能である。アーク蒸着法では高融点ターゲット材料が用いられ、且つデュアルマグネトロンスパッタリング又はHIPIMSでは低融点ターゲット材料を用いることが望ましい。本発明により有利である例は、アーク蒸着法で金属クロムターゲットの使用、そしてデュアルマグネトロン法又はHIPIMSで金属アルミニウムターゲットの使用である。もし上記のターゲットが反対に用いられると、混合結晶層においてマクロ粒子飛沫の高蒸着と低度の結晶性を与える。本発明による方法の1つの態様において、混合結晶層は少なくとも2つの異なる金属M1、M2の混合酸化物、炭化物、窒化物、炭窒化物、酸窒化物、酸炭化物、酸炭窒化物、ホウ化物、窒ホウ化物、炭ホウ化物、炭窒ホウ化物、酸窒ホウ化物、酸炭ホウ化物、酸炭窒ホウ化物および酸ホウ窒化物からなる単相又は実質的に単相の混合結晶層である。しかしながら、好適には、前記混合結晶層は少なくとも2つの異なる金属M1、M2の混合酸化物を含む。特に好適な系は酸化クロムアルミニウムの混合結晶層である。デュアルマグネトロンスパッタリングおよび高出力インパルスマグネトロンスパッタリングHIPIMSは本発明による方法に適している。例えば純金属ターゲットと反応性ガスとしての酸素とを用いる反応性デュアルマグネトロンスパッタリングが特に好適である。本発明のさらなる態様において、少なくとも第1の金属M1を含む少なくとも1つのターゲットがデュアルマグネトロンスパッタリング法又はHIPIMSの適用に用いられる。しかしながら、その代わりに、ターゲットが第1の金属M1と第2の金属M2と任意的にさらなる金属とをも含むデュアルマグネトロンスパッタリング法又はHIPIMS法の適用のために混合金属ターゲットを用いることも可能である。既に上述した酸化クロムアルミニウム系における混合金属ターゲットの例はアルミニウム/クロム70/30atターゲットである。少なくとも第2の金属M2を含む少なくとも1つのターゲットがアーク蒸着法アークPVDの適用に用いられる。この適用に関連して、ターゲットが1種の金属又は複数の金属を含むことを述べているならば、それは純金属ターゲット、および1つの金属又は複数の金属が例えば酸化物、窒化物、炭化物又はホウ化物の形状で存在するセラミックターゲットをも含む。通常、ほとんど任意の金属が本発明による混合結晶層の蒸着に適している。本発明の1つの態様において、第1の金属と第2の金属は周期系の亜群IVa~VIIaの元素、リチウム、ホウ素、アルミニウムおよびケイ素から選択される。しかしながら、第1の金属と第2の金属はアルミニウムおよびクロムが好適である。工具被覆膜内のアルミニウムクロム混合酸化物層は特に有利であることが判明した。その被覆膜は非常に高い硬度および耐摩耗性に恵まれている。本発明の好適な態様において、デュアルマグネトロンスパッタリング法又はHIPIMSの適用のために、2つのアルミニウムターゲット又は1つのアルミニウムターゲットと混合アルミニウムクロムターゲットとがアルミニウムクロム混合酸化物層の形成のために用いられる。アーク蒸着法アークPVDのために1つ又は2つのクロムターゲットが用いられる。同じPVD法を対象としたターゲットは基板ホルダーの互いに反対側でPVD装置内に配置される。本発明のさらなる態様において、混合結晶層は0.2nm~10μm、好適には5nm~1μm、特に10nm~100nmの層厚さで蒸着される。過度に大きい層厚さは有害な応力条件のため層が砕け得るという不利益を有する。加えて、層厚さが増加するにつれて蒸着速度が低下し、非常に低い蒸着速度のため蒸着が不経済になり得る。本発明に係る混合結晶酸化物層は、PVD装置内での蒸着進行中、回転速度に基いて、基板の回転により形成され得るそれ自体での層構造を含み得る。その場合、相互重畳層は、相互重畳層の結晶系が混合結晶酸化物層内で同じものであって、ターゲット組成に従った異なる化学組成および/又は結晶の異なる配向を含み得る。混合結晶酸化物層内の個々の層の厚さは0.1nm~1μm、好適には2nm~500nm、特に3nm~50nm、その中でも5nm~15nmである。本発明による方法のさらなる態様において、混合結晶層の蒸着のための基板は、硬質金属、サーメット陶性金属、鋼鉄あるいは高速度鋼HSSでできている。特に、前記基板が硬質金属又はサーメットでできていると好適である。本発明による方法のさらなる態様において、700°Cより高い、好適には1000°Cより高い、特に1500°Cより高い融点を有するターゲット材料がアーク蒸着法アークPVDのために用いられる。アーク蒸着法における高融点を有するターゲット材料の使用は、低融点ターゲット材料と比較して大幅に少ないマクロ粒子飛沫が蒸着されるという利点を有している。また、本発明は、基板とそれに適用された単層又は多層の被覆膜とを含み、少なくとも1つの多層被覆膜の層が特許請求の範囲の請求項の1つによる方法を用いて形成された混合結晶層である切削工具を含む。好適には、前記多層被覆膜のうちの前記少なくとも1つの混合結晶層は、完全に又は少なくとも90容量がアルファ相で存在する酸化クロムアルミニウム混合結晶層である。本発明による混合結晶層は、特に高い結晶化度と低比率の蒸着マクロ粒子飛沫を有するという利点を有する。アルミニウムクロム混合酸化物の系および同様の結晶構造からなる同等の系において、本発明による方法を用いて、混合結晶からなる特に高い比率の熱力学的に安定なアルファ相が得られる。利点は高いレベルの硬度、高耐摩耗性および高耐温度性および高耐温度サイクル性である。実施例1~2、比較例1~2本発明に従って実施例1および2および従来通りに比較例1および2、デュアルマグネトロンスパッタリング単独比較例であるいはアーク蒸着と組み合わせて実施例、硬質金属基板をPVD装置内で被覆して、各々アルミニウムクロム混合酸化物層又は酸化アルミニウム層を得た。ビッカース硬度VHおよび単純化E-モジュールを測定した。試験パラメーターおよび結果を表1、表2に示す。X線調査によって、実施例1および2の層はアルファ酸化クロムアルミニウムの単相混合結晶層であり、一方、比較例1はガンマ酸化アルミニウムとアモルファス酸化アルミニウムとの混合物のみを与え、そして比較例2はアルファ相とガンマ相との混合物を提供することが確認された。全ての層は実質的にマクロ粒子飛沫がなかった。