"電極と対電極を備えた光活性素子であって、これらの電極の間に、少なくとも一つの有機層システムが配置され、更に、少なくとも二つの光活性層システム4,7と、これらの光活性層システム4,7の間の同じ荷電粒子タイプの少なくとも二つの異なる伝導層システム51,52とを備えた光活性素子において、一方の伝導層システム51又は52が、エネルギー準位に関して二つの光活性層システム4,7の中の一方と適合し、他方の伝導層システム52又は51が透明に構成されていることを特徴とする光活性素子。当該の透明な伝導層システムが、1×10-6S/cm以上の導電率を有するか、ドーピングされているか、或いはその両方であることを特徴とする請求項1に記載の光活性素子。両方の伝導層システムが、直に隣接しているか、両方とも透明であるか、或いはその両方であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光活性素子。一方又は両方の伝導層システムが、少なくとも有機材料又は有機材料の混合物から構成されていることを特徴とする請求項1から3までのいずれか一つに記載の光活性素子。当該の透明な伝導層システムの伝導エネルギー準位レベルが、p型伝導層システムの場合には-5.5eV~-4.9eVの範囲内に有り、n型伝導層システムの場合には-4.5eV~-3.5eVの範囲内に有ることを特徴とする請求項1から4までのいずれか一つに記載の光活性素子。一方又は両方の伝導層システムが、ドーピングされていないか、部分的にドーピングされているか、或いは全体的にドーピングされており、そのドーピング濃度が勾配を有するか、或いはそのドーピング濃度が層内で異なることを特徴とする請求項1から5までのいずれか一つに記載の光活性素子。両方の伝導層システムが、異なるドーパントによりドーピングされていることを特徴とする請求項1から6までのいずれか一つに記載の光活性素子。光活性層システム4,7の間に、他方の荷電粒子タイプの一つの別の伝導層システム61が更に配備されていることを特徴とする請求項1から7までのいずれか一つに記載の光活性素子。光活性層システム4,7の間に、他方の荷電粒子タイプの二つの別の伝導層システム61,62が更に配備されており、その一方の伝導層システム62がエネルギー準位に関して他方の光活性層システム4,7に適合し、他方の伝導層システム61が透明であることを特徴とする請求項1から7までのいずれか一つに記載の光活性素子。当該の別の伝導層システム61,62の中の一方又は両方が、単一層であるか、混合層であるか、ドーピングされていないか、部分的にドーピングされているか、全体的にドーピングされており、そのドーピング濃度が勾配を有することと、そのドーピング濃度が層内で異なることと、異なるドーパントによりドーピングされていることとの中の一つ以上であることを特徴とする請求項8又は9に記載の光活性素子。光活性層システム4と電極2の間及び光活性層システム7と対電極9の間の一方又は両方に、少なくとも二つの伝導層システム31,32又は81,82が配備されており、その一方の伝導層システムがエネルギー準位に関して当該の光活性層システムに適合しており、他方の伝導層システムが透明であることを特徴とする請求項1から10までのいずれか一つに記載の光活性素子。光活性層システム4と電極2の間及び光活性層システム7と対電極9の間の一方又は両方に、少なくとも三つの伝導層システム31,32,33又は81,82,83が配備されており、その第一の伝導層システムがエネルギー準位に関して当該の光活性層システムに適合しており、第二の伝導層システムが透明であり、第三の伝導層システムがエネルギー準位に関して電極又は対電極に適合していることを特徴とする請求項1から10までのいずれか一つに記載の光活性素子。本素子内に有る伝導層システムが、互いに独立して単一層又は混合層として構成されているか、ナノクラスターから構成されているか、透明又は半透明に構成されているか、ドーピングされていないか、部分的にドーピングされているか、或いは全体的にドーピングされており、そのドーピング濃度が勾配を有することと、そのドーピング濃度が層内で異なることと、これらの伝導層システムが異なるドーパントによりドーピングされていることとの中の一つ以上であることを特徴とする請求項1から12までのいずれか一つに記載の光活性素子。本素子がタンデム又は複式電池であることを特徴とする請求項1から13までのいずれか一つに記載の光活性素子。本素子がnip、ni、ip、pnip、pni、pip、nipn、nin、ipn、pnipn、pnin又はpipn構造の組合せから構成されており、少なくとも一つのi層を含む、これらの構造の二つ以上の組合せを積み重ねた形で配置されていることを特徴とする請求項1から14までのいずれか一つに記載の光活性素子。平坦な、湾曲した、或いは柔軟な支持面上において請求項1から15までのいずれか一つに記載の光活性素子を使用する方法。以上のことから、本発明の課題は、前記の欠点を克服した有機光活性素子を提供することである。本課題は、本発明の主請求項に記載された有機光活性素子によって解決される。有利な実施形態は、従属請求項に記載されている。タンデム又は複式電池として構成された、本発明による素子は、電極及び対電極と、これらの電極の間の少なくとも一つの有機層システムと、更に、少なくとも二つの光活性層システムと、これらの光活性層システムの間の同じ荷電粒子タイプの少なくとも二つの異なる伝導層システムとを備えており、その一方の伝導層システムが、エネルギー準位に関して二つの光活性層システムの中の一方と適合し、他方の伝導層システムが透明に構成されている。本発明の一つの実施構成では、透明な伝導層システムは、1×10-6S/cm以上の導電率を有するか、ドーピングされているか、或いはその両方である。本発明の一つの実施構成では、二つの伝導層システムは、互いに直に隣接するか、両方とも透明か、或いはその両方である。本発明の一つの実施構成では、一方又は両方の伝導層システムが少なくとも一つの有機材料から構成される。有利には、これらの伝導層システムは有機材料から構成される。本発明の一つの実施構成では、一方又は両方の伝導層システムの荷電粒子の真性の移動度が高い。この場合、真性との用語は、通常ドーピングされていないことを意味する、即ち、一つの材料の荷電粒子の真性の移動度とは、その材料がドーピングされていない場合の移動度である。本発明の一つの実施構成では、透明な伝導層システムの伝導エネルギー準位レベルHOMO又はLUMOは、良好にドーピングできるようなレベルである。本発明の一つの実施構成では、少なくとも一つの伝導層システムが、エネルギー準位に関して、一方又は両方の光活性層システムに適合しており、その伝導層システムのLUMOのエネルギー準位と光活性層システムのアクセプタ材料のLUMOのエネルギー準位の差が0.5eV以内である場合に、電子を有利に伝導する伝導層システムn型導体が、エネルギー準位に関して光活性層システムに適合しているものとする。この場合、伝導層システムのLUMOのエネルギー準位は、光活性層システムのアクセプタ材料のLUMOのエネルギー準位を最大0.5eV上回ることも、最大0.5eV下回ることもできる。複数のアクセプタが光活性層システムに含まれる場合、エネルギー準位に関して最も低いLUMOを提供するアクセプタ材料に基づき判断される。有利には、LUMOのエネルギー準位レベルは、0.3eVだけ異なることも、特に有利には、0.2eVだけ又は0.1eVだけ異なることもでき、或いはほぼ同じにすることもできる。同様に、伝導層システムのHOMOのエネルギー準位と光活性層システムのドナー材料のHOMOのエネルギー準位の差が0.5eV以内の場合に、正孔を有利に伝導する伝導層システムp型導体が、エネルギー準位に関して光活性層システムに適合しているものとする。この場合、伝導層システムのHOMOのエネルギー準位は、光活性層システムのドナー材料のHOMOのエネルギー準位を最大0.5eV上回ることも、最大0.5eV下回ることもできる。複数のドナーが光活性層システムに含まれる場合、エネルギー準位に関して最も高いHOMOを提供するドナー材料に基づき判断される。有利には、HOMOのエネルギー準位レベルは、0.3eVだけ異なることも、非常に有利には、0.2eVだけ又は0.1eVだけ異なることもでき、或いはほぼ又は正確に同じにすることもできる。本発明の一つの実施構成では、n型伝導層システムn型導体のLUMOのエネルギー準位は、光活性層システムのアクセプタ材料のLUMOのエネルギー準位とほぼ又は正確に同じである。この特別な実施構成の利点は、電子が障壁に妨げられずに光活性層システムから離れることができ、素子の開路電圧時に損失が発生しないことである。本発明の一つの実施構成では、n型伝導層システムn型導体のLUMOのエネルギー準位は、光活性層システムのアクセプタ材料のLUMOのエネルギー準位を最大0.5eV、有利には、最大0.3eV、非常に有利には、最大0.2eV、0.1eV又は0.05eV下回る。この特別な実施形態の利点は、電子がエネルギー準位に関してn型伝導層システムのより低いLUMOに有利に到達し、そのため、電子が効率的に運び去られることである。本発明の一つの実施構成では、n型伝導層システムn型導体のLUMOのエネルギー準位は、光活性層システムのアクセプタ材料のLUMOのエネルギー準位を最大0.5eV、有利には、最大0.3eV、非常に有利には、最大0.2eV、0.1eV又は0.05eV上回る。この特別な実施形態の利点は、n型伝導層システムのLUMOがより高いことによって、太陽電池内の印加された電界が大きくなり、そのため、電子が効率的に運び去られることである。本発明の一つの実施構成では、p型伝導層システムp型導体のHOMOのエネルギー準位は、光活性層システムのドナー材料のHOMOのエネルギー準位とほぼ又は正確に同じである。この特別な実施形態の利点は、正孔が障壁に妨げられずに光活性層システムから離れることができ、素子の開路電圧時に損失が発生しないことである。本発明の一つの実施構成では、p型伝導層システムp型導体のHOMOのエネルギー準位は、光活性層システムのドナー材料のHOMOのエネルギー準位を最大0.5eV、有利には、最大0.3eV、非常に有利には、最大0.2eV、0.1eV又は0.05eV下回る。この特別な実施形態の利点は、p型伝導層システムのHOMOがより低いことによって、太陽電池内の印加された電界が大きくなり、そのため、正孔が効率的に運び去られることである。本発明の一つの実施構成では、p型伝導層システムp型導体のHOMOのエネルギー準位は、光活性層システムのドナー材料のHOMOのエネルギー準位を最大0.5eV、有利には、最大0.3eV、非常に有利には、最大0.2eV、0.1eV又は0.05eV上回る。この特別な実施形態の利点は、正孔がエネルギー準位に関してp型伝導層システムのより高いHOMOに有利に到達し、そのため、正孔が効率的に運び去られることである。本発明の一つの実施構成では、一方又は両方の伝導層システムは単一層又は混合層であり、それは、ドーピングされていないか、部分的にドーピングされているか、或いは全体的にドーピングされており、そのドーピング濃度が勾配を有するか、そのドーピングが層内に異なる濃度を有するか、或いはその両方である。本発明の一つの実施構成では、両方の伝導層システムは異なるドーパントでドーピングされる。本発明の一つの実施構成では、光活性層システムの間には、別の荷電粒子タイプの別の一つの伝導層システムが更に存在する。本発明の一つの実施構成では、光活性層システムの間には、別の荷電粒子タイプの別の二つの伝導層システムが更に存在し、その一方の伝導層システムは伝導層システムと比べてエネルギー準位に関して他方の光活性層システムに適合しており、他方の伝導層システムは透明である。本発明の一つの実施構成では、これらの別の伝導層システムの一方又は両方が単一層又は混合層として構成される。更に、これらの伝導層システムは、ドーピングされていないか、部分的にドーピングされているか、或いは全体的にドーピングされており、そのドーピング濃度が勾配を有することと、そのドーピング濃度が空間的に変化していることと、これらの伝導層システムが異なるドーパントでドーピングされていることとの中の一つ以上である。本発明の一つの実施構成では、光活性層システムの間には、別のドーピングされていない、部分的にドーピングされた、或いは全体的にドーピングされた層、或いは無機材料、有機材料、小さい分子、ポリマー、金属、金属酸化物、塩又は導電性酸化物から成る一つ又は複数の混合層が存在する。本発明の一つの実施構成では、少なくとも二つの光活性層システムには、異なる材料が含まれる。有利には、光活性層システムは、太陽スペクトルの異なる波長領域の光を吸収する。本発明の一つの実施構成では、光活性層システムと電極の間及び/又は光活性層システムと対電極の間に、少なくとも二つの伝導層システムが存在し、その一方の伝導層システムはエネルギー準位に関して各光活性層システムに適合しており、他方の伝導層システムは透明に構成されている。本発明の一つの実施構成では、光活性層システムと電極の間及び/又は光活性層システムと対電極の間には、少なくとも三つの伝導層システムが存在し、その第一の伝導層システムはエネルギー準位に関して各光活性層システムに適合しており、第二の伝導層システムは透明であり、第三の伝導層システムはエネルギー準位に関して電極又は対電極に適合している。本発明の一つの実施構成では、本素子内に存在する伝導層システムは、互いに独立して単一層又は混合層として、或いはナノクラスターから成る構造として構成される。更に、これらの伝導層システムは透明又は半透明に構成される。この場合、これらの伝導層システムは、ドーピングされていないか、部分的にドーピングされているか、或いは全体的にドーピングされており、そのドーピング濃度が勾配を有するか、そのドーピング濃度が空間的に変化することができる。更に、これらの伝導層システムの電極に面する所、或いは電極からの距離が30nm以内の領域が、より大きくドーピングされているか、これらの伝導層システムが異なるドーパントでドーピングされているか、その両方とすることができる。本発明の別の実施構成では、本素子は、タンデム又は複式電池から構成される。有利には、本素子は、nip、ni、ip、pnip、pni、pip、nipn、nin、ipn、pnipn、pnin又はpipn構造の組合せから構成され、少なくとも一つのi層を含む、これらの独立した複数の組合せを積み重ねた形で構成される。本発明の別の実施構成では、本素子は、以下の層配列を有し、ここで、pはp型伝導層システムを表し、nはn型伝導層システムを表し、iは光活性層システムを表す。電極/pinnin/対電極電極/nippip/対電極電極/pinnpin/対電極電極/nippnip/対電極電極/pinppin/対電極電極/nipnnip/対電極電極/pinnppin/対電極電極/nippnnip/対電極電極/pinnnin/対電極電極/nipppip/対電極電極/pinnnpin/対電極電極/nipppnip/対電極電極/pinpppin/対電極電極/nipnnnip/対電極電極/pinnnppin/対電極電極/nipppnnip/対電極電極/pinnpppin/対電極電極/nippnnnip/対電極電極/pinnnpppin/対電極電極/nipppnnnip/対電極電極/pinnnnin/対電極電極/nippppip/対電極電極/pinnnnpin/対電極電極/nippppnip/対電極電極/pinppppin/対電極電極/nipnnnnip/対電極電極/pinnnnppin/対電極電極/nippppnnip/対電極電極/pinnppppin/対電極電極/nippnnnnip/対電極電極/pinnnnpppin/対電極電極/nippppnnnip/対電極電極/pinnnppppin/対電極電極/nipppnnnnip/対電極電極/pinnnnppppin/対電極電極/nippppnnnnip/対電極当然のことながら、同じ荷電粒子タイプの5つ、6つ又はそれ以上の伝導層システムを積み重ねた形で配置することもできる。更に、本発明の別の実施構成では、本素子は、以下の層配列を有する。電極/ppinnin/対電極電極/nnippip/対電極電極/ppinnpin/対電極電極/nnippnip/対電極電極/ppinppin/対電極電極/nnipnnip/対電極電極/ppinnppin/対電極電極/nnippnnip/対電極電極/ppinnnin/対電極電極/nnipppip/対電極電極/ppinnnpin/対電極電極/nnipppnip/対電極電極/ppinpppin/対電極電極/nnipnnnip/対電極電極/ppinnnppin/対電極電極/nnipppnnip/対電極電極/ppinnpppin/対電極電極/nnippnnnip/対電極電極/ppinnnpppin/対電極電極/nnipppnnnip/対電極電極/ppinnnnin/対電極電極/nnippppip/対電極電極/ppinnnnpin/対電極電極/nnippppnip/対電極電極/ppinppppin/対電極電極/nnipnnnnip/対電極電極/ppinnnnppin/対電極電極/nnippppnnip/対電極電極/ppinnppppin/対電極電極/nnippnnnnip/対電極電極/ppinnnnpppin/対電極電極/nnippppnnnip/対電極電極/ppinnnppppin/対電極電極/nnipppnnnnip/対電極電極/ppinnnnppppin/対電極電極/nnippppnnnnip/対電極電極/pinninn/対電極電極/nippipp/対電極電極/pinnpinn/対電極電極/nippnipp/対電極電極/pinppinn/対電極電極/nipnnipp/対電極電極/pinnppinn/対電極電極/nippnnipp/対電極電極/pinnninn/対電極電極/nipppipp/対電極電極/pinnnpinn/対電極電極/nipppnipp/対電極電極/pinpppinn/対電極電極/nipnnnipp/対電極電極/pinnnppinn/対電極電極/nipppnnipp/対電極電極/pinnpppinn/対電極電極/nippnnnipp/対電極電極/pinnnpppinn/対電極電極/nipppnnnipp/対電極電極/pinnnninn/対電極電極/nippppipp/対電極電極/pinnnnpinn/対電極電極/nippppnipp/対電極電極/pinppppinn/対電極電極/nipnnnnipp/対電極電極/pinnnnppinn/対電極電極/nippppnnipp/対電極電極/pinnppppinn/対電極電極/nippnnnnipp/対電極電極/pinnnnpppinn/対電極電極/nippppnnnipp/対電極電極/pinnnppppinn/対電極電極/nipppnnnnipp/対電極電極/pinnnnppppinn/対電極電極/nippppnnnnipp/対電極電極/pppinnin/対電極電極/nnnippip/対電極電極/pppinnpin/対電極電極/nnnippnip/対電極電極/pppinppin/対電極電極/nnnipnnip/対電極電極/pppinnppin/対電極電極/nnnippnnip/対電極電極/pppinnnin/対電極電極/nnnipppip/対電極電極/pppinnnpin/対電極電極/nnnipppnip/対電極電極/pppinpppin/対電極電極/nnnipnnnip/対電極電極/pppinnnppin/対電極電極/nnnipppnnip/対電極電極/pppinnpppin/対電極電極/nnnippnnnip/対電極電極/pppinnnpppin/対電極電極/nnnipppnnnip/対電極電極/pppinnnnin/対電極電極/nnnippppip/対電極電極/pppinnnnpin/対電極電極/nnnippppnip/対電極電極/pppinppppin/対電極電極/nnnipnnnnip/対電極電極/pppinnnnppin/対電極電極/nnnippppnnip/対電極電極/pppinnppppin/対電極電極/nnnippnnnnip/対電極電極/pppinnnnpppin/対電極電極/nnnippppnnnip/対電極電極/pppinnnppppin/対電極電極/nnnipppnnnnip/対電極電極/pppinnnnppppin/対電極電極/nnnippppnnnnip/対電極電極/pinninnn/対電極電極/nippippp/対電極電極/pinnpinnn/対電極電極/nippnippp/対電極電極/pinppinnn/対電極電極/nipnnippp/対電極電極/pinnppinnn/対電極電極/nippnnippp/対電極電極/pinnninnn/対電極電極/nipppippp/対電極電極/pinnnpinnn/対電極電極/nipppnippp/対電極電極/pinpppinnn/対電極電極/nipnnnippp/対電極電極/pinnnppinnn/対電極電極/nipppnnippp/対電極電極/pinnpppinnn/対電極電極/nippnnnippp/対電極電極/pinnnpppinnn/対電極電極/nipppnnnippp/対電極電極/pinnnninnn/対電極電極/nippppippp/対電極電極/pinnnnpinnn/対電極電極/nippppnippp/対電極電極/pinppppinnn/対電極電極/nipnnnnippp/対電極電極/pinnnnppinnn/対電極電極/nippppnnippp/対電極電極/pinnppppinnn/対電極電極/nippnnnnippp/対電極電極/pinnnnpppinnn/対電極電極/nippppnnnippp/対電極電極/pinnnppppinnn/対電極電極/nipppnnnnippp/対電極電極/pinnnnppppinnn/対電極電極/nippppnnnnippp/対電極電極/ppppinnin/対電極電極/nnnnippip/対電極電極/ppppinnpin/対電極電極/nnnnippnip/対電極電極/ppppinppin/対電極電極/nnnnipnnip/対電極電極/ppppinnppin/対電極電極/nnnnippnnip/対電極電極/ppppinnnin/対電極電極/nnnnipppip/対電極電極/ppppinnnpin/対電極電極/nnnnipppnip/対電極電極/ppppinpppin/対電極電極/nnnnipnnnip/対電極電極/ppppinnnppin/対電極電極/nnnnipppnnip/対電極電極/ppppinnpppin/対電極電極/nnnnippnnnip/対電極電極/ppppinnnpppin/対電極電極/nnnnipppnnnip/対電極電極/ppppinnnnin/対電極電極/nnnnippppip/対電極電極/ppppinnnnpin/対電極電極/nnnnippppnip/対電極電極/ppppinppppin/対電極電極/nnnnipnnnnip/対電極電極/ppppinnnnppin/対電極電極/nnnnippppnnip/対電極電極/ppppinnppppin/対電極電極/nnnnippnnnnip/対電極電極/ppppinnnnpppin/対電極電極/nnnnippppnnnip/対電極電極/ppppinnnppppin/対電極電極/nnnnipppnnnnip/対電極電極/ppppinnnnppppin/対電極電極/nnnnippppnnnnip/対電極電極/pinninnnnn/対電極電極/nippipppp/対電極電極/pinnpinnnn/対電極電極/nippnipppp/対電極電極/pinppinnnn/対電極電極/nipnnipppp/対電極電極/pinnppinnnn/対電極電極/nippnnipppp/対電極電極/pinnninnnn/対電極電極/nipppipppp/対電極電極/pinnnpinnnn/対電極電極/nipppnipppp/対電極電極/pinpppinnnn/対電極電極/nipnnnipppp/対電極電極/pinnnppinnnn/対電極電極/nipppnnipppp/対電極電極/pinnpppinnnn/対電極電極/nippnnnipppp/対電極電極/pinnnpppinnnn/対電極電極/nipppnnnipppp/対電極電極/pinnnninnnn/対電極電極/nippppipppp/対電極電極/pinnnnpinnnn/対電極電極/nippppnipppp/対電極電極/pinppppinnnn/対電極電極/nipnnnnipppp/対電極電極/pinnnnppinnnn/対電極電極/nippppnnipppp/対電極電極/pinnppppinnnn/対電極電極/nippnnnnipppp/対電極電極/pinnnnpppinnnn/対電極電極/nippppnnnipppp/対電極電極/pinnnppppinnnn/対電極電極/nipppnnnnipppp/対電極電極/pinnnnppppinnnn/対電極電極/nippppnnnnipppp/対電極電極/ppinninn/対電極電極/nnippipp/対電極電極/ppinnpinn/対電極電極/nnippnipp/対電極電極/ppinppinn/対電極電極/nnipnnipp/対電極電極/ppinnppinn/対電極電極/nnippnnipp/対電極電極/ppinnninn/対電極電極/nnipppipp/対電極電極/ppinnnpinn/対電極電極/nnipppnipp/対電極電極/ppinpppinn/対電極電極/nnipnnnipp/対電極電極/ppinnnppinn/対電極電極/nnipppnnipp/対電極電極/ppinnpppinn/対電極電極/nnippnnnipp/対電極電極/ppinnnpppinn/対電極電極/nnipppnnnipp/対電極電極/ppinnnninn/対電極電極/nnippppipp/対電極電極/ppinnnnpinn/対電極電極/nnippppnipp/対電極電極/ppinppppinn/対電極電極/nnipnnnnipp/対電極電極/ppinnnnppinn/対電極電極/nnippppnnipp/対電極電極/ppinnppppinn/対電極電極/nnippnnnnipp/対電極電極/ppinnnnpppinn/対電極電極/nnippppnnnipp/対電極電極/ppinnnppppinn/対電極電極/nnipppnnnnipp/対電極電極/ppinnnnppppinn/対電極電極/nnippppnnnnipp/対電極電極/pppinninn/対電極電極/nnnippipp/対電極電極/pppinnpinn/対電極電極/nnnippnipp/対電極電極/pppinppinn/対電極電極/nnnipnnipp/対電極電極/pppinnppinn/対電極電極/nnnippnnipp/対電極電極/pppinnninn/対電極電極/nnnipppipp/対電極電極/pppinnnpinn/対電極電極/nnnipppnipp/対電極電極/pppinpppinn/対電極電極/nnnipnnnipp/対電極電極/pppinnnppinn/対電極電極/nnnipppnnipp/対電極電極/pppinnpppinn/対電極電極/nnnippnnnipp/対電極電極/pppinnnpppinn/対電極電極/nnnipppnnnipp/対電極電極/pppinnnninn/対電極電極/nnnippppipp/対電極電極/pppinnnnpinn/対電極電極/nnnippppnipp/対電極電極/pppinppppinn/対電極電極/nnnipnnnnipp/対電極電極/pppinnnnppinn/対電極電極/nnnippppnnipp/対電極電極/pppinnppppinn/対電極電極/nnnippnnnnipp/対電極電極/pppinnnnpppinn/対電極電極/nnnippppnnnipp/対電極電極/pppinnnppppinn/対電極電極/nnnipppnnnnipp/対電極電極/pppinnnnppppinn/対電極電極/nnnippppnnnnipp/対電極電極/ppinninnn/対電極電極/nnippippp/対電極電極/ppinnpinnn/対電極電極/nnippnippp/対電極電極/ppinppinnn/対電極電極/nnipnnippp/対電極電極/ppinnppinnn/対電極電極/nnippnnippp/対電極電極/ppinnninnn/対電極電極/nnipppippp/対電極電極/ppinnnpinnn/対電極電極/nnipppnippp/対電極電極/ppinpppinnn/対電極電極/nnipnnnippp/対電極電極/ppinnnppinnn/対電極電極/nnipppnnippp/対電極電極/ppinnpppinnn/対電極電極/nnippnnnippp/対電極電極/ppinnnpppinnn/対電極電極/nnipppnnnippp/対電極電極/ppinnnninnn/対電極電極/nnippppippp/対電極電極/ppinnnnpinnn/対電極電極/nnippppnippp/対電極電極/ppinppppinnn/対電極電極/nnipnnnnippp/対電極電極/ppinnnnppinnn/対電極電極/nnippppnnippp/対電極電極/ppinnppppinnn/対電極電極/nnippnnnnippp/対電極電極/ppinnnnpppinnn/対電極電極/nnippppnnnippp/対電極電極/ppinnnppppinnn/対電極電極/nnipppnnnnippp/対電極電極/ppinnnnppppinnn/対電極電極/nnippppnnnnippp/対電極電極/ppppinninn/対電極電極/nnnnippipp/対電極電極/ppppinnpinn/対電極電極/nnnnippnipp/対電極電極/ppppinppinn/対電極電極/nnnnipnnipp/対電極電極/ppppinnppinn/対電極電極/nnnnippnnipp/対電極電極/ppppinnninn/対電極電極/nnnnipppipp/対電極電極/ppppinnnpinn/対電極電極/nnnnipppnipp/対電極電極/ppppinpppinn/対電極電極/nnnnipnnnipp/対電極電極/ppppinnnppinn/対電極電極/nnnnipppnnipp/対電極電極/ppppinnpppinn/対電極電極/nnnnippnnnipp/対電極電極/ppppinnnpppinn/対電極電極/nnnnipppnnnipp/対電極電極/ppppinnnninn/対電極電極/nnnnippppipp/対電極電極/ppppinnnnpinn/対電極電極/nnnnippppnipp/対電極電極/ppppinppppinn/対電極電極/nnnnipnnnnipp/対電極電極/ppppinnnnppinn/対電極電極/nnnnippppnnipp/対電極電極/ppppinnppppinn/対電極電極/nnnnippnnnnipp/対電極電極/ppppinnnnpppinn/対電極電極/nnnnippppnnnipp/対電極電極/ppppinnnppppinn/対電極電極/nnnnipppnnnnipp/対電極電極/ppppinnnnppppinn/対電極電極/nnnnippppnnnnipp/対電極電極/ppinninnnnn/対電極電極/nnippipppp/対電極電極/ppinnpinnnn/対電極電極/nnippnipppp/対電極電極/ppinppinnnn/対電極電極/nnipnnipppp/対電極電極/ppinnppinnnn/対電極電極/nnippnnipppp/対電極電極/ppinnninnnn/対電極電極/nnipppipppp/対電極電極/ppinnnpinnnn/対電極電極/nnipppnipppp/対電極電極/ppinpppinnnn/対電極電極/nnipnnnipppp/対電極電極/ppinnnppinnnn/対電極電極/nnipppnnipppp/対電極電極/ppinnpppinnnn/対電極電極/nnippnnnipppp/対電極電極/ppinnnpppinnnn/対電極電極/nnipppnnnipppp/対電極電極/ppinnnninnnn/対電極電極/nnippppipppp/対電極電極/ppinnnnpinnnn/対電極電極/nnippppnipppp/対電極電極/ppinppppinnnn/対電極電極/nnipnnnnipppp/対電極電極/ppinnnnppinnnn/対電極電極/nnippppnnipppp/対電極電極/ppinnppppinnnn/対電極電極/nnippnnnnipppp/対電極電極/ppinnnnpppinnnn/対電極電極/nnippppnnnipppp/対電極電極/ppinnnppppinnnn/対電極電極/nnipppnnnnipppp/対電極電極/ppinnnnppppinnnn/対電極電極/nnippppnnnnipppp/対電極電極/ppppinninnn/対電極電極/nnnippippp/対電極電極/pppinnpinnn/対電極電極/nnnippnippp/対電極電極/pppinppinnn/対電極電極/nnnipnnippp/対電極電極/pppinnppinnn/対電極電極/nnnippnnippp/対電極電極/pppinnninnn/対電極電極/nnnipppippp/対電極電極/pppinnnpinnn/対電極電極/nnnipppnippp/対電極電極/pppinpppinnn/対電極電極/nnnipnnnippp/対電極電極/pppinnnppinnn/対電極電極/nnnipppnnippp/対電極電極/pppinnpppinnn/対電極電極/nnnippnnnippp/対電極電極/pppinnnpppinnn/対電極電極/nnnipppnnnippp/対電極電極/pppinnnninnn/対電極電極/nnnippppippp/対電極電極/pppinnnnpinnn/対電極電極/nnnippppnippp/対電極電極/pppinppppinnn/対電極電極/nnnipnnnnippp/対電極電極/pppinnnnppinnn/対電極電極/nnnippppnnippp/対電極電極/pppinnppppinnn/対電極電極/nnnippnnnnippp/対電極電極/pppinnnnpppinnn/対電極電極/nnnippppnnnippp/対電極電極/pppinnnppppinnn/対電極電極/nnnipppnnnnippp/対電極電極/pppinnnnppppinnn/対電極電極/nnnippppnnnnippp/対電極電極/ppppinninnn/対電極電極/nnnnippippp/対電極電極/ppppinnpinnn/対電極電極/nnnnippnippp/対電極電極/ppppinppinnn/対電極電極/nnnnipnnippp/対電極電極/ppppinnppinnn/対電極電極/nnnnippnnippp/対電極電極/ppppinnninnn/対電極電極/nnnnipppippp/対電極電極/ppppinnnpinnn/対電極電極/nnnnipppnippp/対電極電極/ppppinpppinnn/対電極電極/nnnnipnnnippp/対電極電極/ppppinnnppinnn/対電極電極/nnnnipppnnippp/対電極電極/ppppinnpppinnn/対電極電極/nnnnippnnnippp/対電極電極/ppppinnnpppinnn/対電極電極/nnnnipppnnnippp/対電極電極/ppppinnnninnn/対電極電極/nnnnippppippp/対電極電極/ppppinnnnpinnn/対電極電極/nnnnippppnippp/対電極電極/ppppinppppinnn/対電極電極/nnnnipnnnnippp/対電極電極/ppppinnnnppinnn/対電極電極/nnnnippppnnippp/対電極電極/ppppinnppppinnn/対電極電極/nnnnippnnnnippp/対電極電極/ppppinnnnpppinnn/対電極電極/nnnnippppnnnippp/対電極電極/ppppinnnppppinnn/対電極電極/nnnnipppnnnnippp/対電極電極/ppppinnnnppppinnn/対電極電極/nnnnippppnnnnippp/対電極電極/pppinninnnn/対電極電極/nnnippipppp/対電極電極/pppinnpinnnn/対電極電極/nnnippnipppp/対電極電極/pppinppinnnn/対電極電極/nnnipnnipppp/対電極電極/pppinnppinnnn/対電極電極/nnnippnnipppp/対電極電極/pppinnninnnn/対電極電極/nnnipppipppp/対電極電極/pppinnnpinnnn/対電極電極/nnnipppnipppp/対電極電極/pppinpppinnnn/対電極電極/nnnipnnnipppp/対電極電極/pppinnnppinnnn/対電極電極/nnnipppnnipppp/対電極電極/pppinnpppinnnn/対電極電極/nnnippnnnipppp/対電極電極/pppinnnpppinnnn/対電極電極/nnnipppnnnipppp/対電極電極/pppinnnninnnn/対電極電極/nnnippppipppp/対電極電極/pppinnnnpinnnn/対電極電極/nnnippppnipppp/対電極電極/pppinppppinnnn/対電極電極/nnnipnnnnipppp/対電極電極/pppinnnnppinnnn/対電極電極/nnnippppnnipppp/対電極電極/pppinnppppinnnn/対電極電極/nnnippnnnnipppp/対電極電極/pppinnnnpppinnnn/対電極電極/nnnippppnnnipppp/対電極電極/pppinnnppppinnnn/対電極電極/nnnipppnnnnipppp/対電極電極/pppinnnnppppinnnn/対電極電極/nnnippppnnnnipppp/対電極電極/ppppinninnnn/対電極電極/nnnnippipppp/対電極電極/ppppinnpinnnn/対電極電極/nnnnippnipppp/対電極電極/ppppinppinnnn/対電極電極/nnnnipnnipppp/対電極電極/ppppinnppinnnn/対電極電極/nnnnippnnipppp/対電極電極/ppppinnninnnn/対電極電極/nnnnipppipppp/対電極電極/ppppinnnpinnnn/対電極電極/nnnnipppnipppp/対電極電極/ppppinpppinnnn/対電極電極/nnnnipnnnipppp/対電極電極/ppppinnnppinnnn/対電極電極/nnnnipppnnipppp/対電極電極/ppppinnpppinnnn/対電極電極/nnnnippnnnipppp/対電極電極/ppppinnnpppinnnn/対電極電極/nnnnipppnnnipppp/対電極電極/ppppinnnninnnn/対電極電極/nnnnippppipppp/対電極電極/ppppinnnnpinnnn/対電極電極/nnnnippppnipppp/対電極電極/ppppinppppinnnn/対電極電極/nnnnipnnnnipppp/対電極電極/ppppinnnnppinnnn/対電極電極/nnnnippppnnipppp/対電極電極/ppppinnppppinnnn/対電極電極/nnnnippnnnnipppp/対電極電極/ppppinnnnpppinnnn/対電極電極/nnnnippppnnnipppp/対電極電極/ppppinnnppppinnnn/対電極電極/nnnnipppnnnnipppp/対電極電極/ppppinnnnppppinnnn/対電極電極/nnnnippppnnnnipppp/対電極本発明の別の実施構成では、電極には、コンバージョン電極が更に存在する。そのため、電極/n/pの構造は、電極/pの構造から構成され、電極/p/nの構造は、電極/nの構造から構成される。これらのコンバージョン電極は、電極に配備することも、対電極に配備することもできる。これらのコンバージョン電極は、複数の伝導層システム、例えば、電極/nnp電極/nnnp電極/nnnnp電極/ppn電極/pppn電極/ppppnから構成することもできる。本発明の別の実施構成では、コンバージョン電極は、上記のリストに規定された全ての構造に存在し、例えば、上記のリストにおける電極/pinnin/対電極の第一の構造は、コンバージョン電極を用いて、以下の通り拡張することができる。電極/npinnin/対電極電極/nnpinnin/対電極電極/nnnpinnin/対電極電極/nnnnpinnin/対電極電極/pinninp/対電極電極/pinninpp/対電極電極/pinninppp/対電極電極/pinninppp/対電極電極/npinninp/対電極電極/npinninpp/対電極電極/npinninppp/対電極電極/npinninpppp/対電極電極/nnpinninp/対電極電極/nnnpinninp/対電極電極/nnnnpinninp/対電極電極/nnpinninpp/対電極電極/nnnpinninpp/対電極電極/nnnnpinninpp/対電極電極/nnpinninppp/対電極電極/npinninpppp/対電極電極/nnnpinninppp/対電極電極/nnnnpinninppp/対電極電極/nnnpinninpppp/対電極電極/nnnnpinninpppp/対電極上記のリストの最後の電極/nnnnpinninpppp/対電極の構造は、同様に、コンバージョン電極を用いて、以下の通り拡張することができる。電極/pnnnnippppnnnnipppp/対電極電極/ppnnnnippppnnnnipppp/対電極電極/ppnnnnippppnnnnipppp/対電極電極/pppnnnnippppnnnnipppp/対電極電極/ppppnnnnippppnnnnipppp/対電極電極/nnnnippppnnnnippppn/対電極電極/nnnnippppnnnnippppnn/対電極電極/nnnnippppnnnnippppnnn/対電極電極/nnnnippppnnnnippppnnnn/対電極電極/pnnnnippppnnnnippppn/対電極電極/ppnnnnippppnnnnippppn/対電極電極/pppnnnnippppnnnnippppn/対電極電極/ppppnnnnippppnnnnippppn/対電極電極/pnnnnippppnnnnippppnn/対電極電極/pnnnnippppnnnnippppnnn/対電極電極/pnnnnippppnnnnippppnnnn/対電極電極/ppnnnnippppnnnnippppnn/対電極電極/pppnnnnippppnnnnippppnn/対電極電極/ppppnnnnippppnnnnippppnn/対電極電極/ppnnnnippppnnnnippppnnn/対電極電極/ppnnnnippppnnnnippppnnnn/対電極電極/pppnnnnippppnnnnippppnnn/対電極電極/ppppnnnnippppnnnnippppnnn/対電極電極/ppppnnnnippppnnnnippppnnnn/対電極本発明の別の実施構成では、第一の電子導電層n型層と基板上に配置された電極との間には、p型にドーピングされた層が更に存在し、そのため、それはpnip又はpni構造となり、有利には、直接的なpn接合がブロック作用を起こさずに、有利には、トンネルプロセスによって、損失の少ない再結合を起こすような大きさでドーピング濃度が選択される。本発明の別の実施構成では、本素子の第一の光活性i層と基板上に配置された電極との間には、p型にドーピングされた層が更に存在し、そのため、それはpip又はpi構造となり、この追加のp型にドーピングされた層のフェルミ準位レベルは、i層からこのp層に電子を少ない損失で抽出することができるように、i層の電子伝導準位を高々0.4eV下回るか、有利には、0.3eV以内の範囲内で下回る。本発明の別の実施構成では、p型にドーピングされた層と対電極との間には、n型層システムが更に存在し、そのため、それはnipn又はipn構造となり、有利には、直接的なpn接合がブロック作用を起こさずに、有利には、トンネルプロセスによって、損失の少ない再結合を起こすような大きさでドーピング濃度が選択される。本発明の別の実施構成では、本素子の真性の光活性層と対電極との間には、n型層システムを更に配置することができ、そのため、それはnin又はin構造となり、この追加のn型にドーピングされた層のフェルミ準位レベルは、i層からこのn層に正孔を少ない損失で抽出することができるように、i層の正孔伝導準位を高々0.4eV上回るか、有利には、0.3eV以内の範囲内で上回る。本発明の別の実施構成では、本素子は、n型層システム及び/又はp型層システムを有し、そのため、それはpnipn、pnin、pipn又はpin構造となり、その構造は、全ての場合に、導電タイプと関係無く、基板側の光活性i層に隣接した層が、基板と逆側のi層に隣接した層よりも小さい熱電子仕事関数を有し、そのため、本素子に外部電圧を印加していない場合に、光により生成された電子が、有利には、基板の方に運び去られることを特徴とする。本発明の別の実施構成では、吸収システムの中の少なくとも一つの吸収領域は、赤外線領域の700nm~1,500nmの波長領域に拡がっている。本発明の別の実施構成では、本素子の層システムの層は、入射光の光路を延長する光トラップとして構成される。本発明の別の実施構成では、使用する有機材料は、小さい分子である。本発明の意味において、小さい分子とは、標準圧力我々を取り巻く雰囲気の空気圧と室温において固体相として存在する、単分散のモル質量が100~2,000のポリマーでない有機分子であると解釈する。特に、そのような小さい分子は、光活性とすることもでき、光活性であるとは、それらの分子が光の入射により荷電状態を変化させることを意味する。本発明の別の実施構成では、使用する有機材料の少なくとも一部はポリマーである。本発明の別の実施構成では、有機層は、少なくとも部分的に小さい分子から、少なくとも部分的にポリマーから、或いは小さい分子とポリマーの組合せから構成される。本発明の別の実施構成では、本素子は、少なくとも所定の波長領域において半透明である。本発明の別の実施構成では、本素子は、平坦な、曲がった、或いは柔軟な支持面上で使用される。有利には、そのような支持面は、プラスチック箔又は例えば、アルミニウム、鋼鉄の金属箔である。本発明の別の実施構成では、光活性混合層の中の少なくとも一つは、アクセプタとして、フラーレン又はフラーレン誘導体グループC60,C70などの中の材料を有する。本発明の別の実施構成では、光活性混合層の中の少なくとも一つは、ドナーとして、フタロシアニン、ペリレン誘導体、TPD誘導体、オリゴチオフェン又は特許文献8に記載されている通りの材料を有する。本発明の別の実施構成では、接点は、金属、導電性酸化物、特に、ITO、ZnO:Al又はそれ以外のTCO、或いは導電性ポリマー、特に、PEDOT:PSS又はPANIから構成される。別の実施構成では、混合層内のアクセプタ材料は、少なくとも部分的に結晶形態で存在する。別の実施構成では、混合層内のドナー材料は、少なくとも部分的に結晶形態で存在する。別の実施構成では、混合層内のアクセプタ材料もドナー材料も少なくとも部分的に結晶形態で存在する。別の実施構成では、光活性層システムは、単一層、混合層、単一層と混合層の組合せ、二重の混合層又は三重の混合層から構成される。別の実施構成では、光活性層システムは、前記の混合層に追加して、別の光活性の単一層又は混合層を更に有する。別の実施構成では、n型の材料システムは、一つ又は複数の層から構成される。別の実施構成では、p型の材料システムは、一つ又は複数の層から構成される。別の実施構成では、p型伝導層システムは、p型のドーパントを有し、そのp型のドーパントは、F4-TCNQであるか、特許文献9~15に記載されている通りのp型のドーパントであるか、或いは遷移金属酸化物VO,WO、MoOなどである。別の実施構成では、n型伝導層システムは、n型のドーパントを有し、そのn型のドーパントは、TTF誘導体テトラチアフルバレン誘導体であるか、特許文献16~22に記載されている通りのn型のドーパントであるか、或いはCs,Li又はMgである。別の実施構成では、一方の電極は、透明度が80を上回る形で透明に構成され、他方の電極は、反射率が50を上回る形で反射性に構成される。別の実施構成では、本素子は透明度が10~80の形で半透明に構成される。別の実施構成では、これらの電極は、金属例えば、Al、Ag、Au又はこれらの組合せ、導電性酸化物、特に、ITO、ZnO:Al又はそれ以外のTCO透明導電性酸化物、導電性ポリマー、特に、PEDOT/PSSポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンポリスチロルスルフォナート又はPANIポリアニリン、或いはこれらの材料の組合せから構成される。別の実施構成では、光トラップは、本素子を周期的な微細構造を持つ基板上に形成し、ドーピングされたワイドギャップ層を用いて、本素子の均一な機能、即ち、短絡の無い接点と全面積に渡っての電界の均一な分布を保証することによって実現される。構造を持つ基板上の極超薄の素子は、局所的な短絡が生じる虞が高くなり、そのため、そのような明らかな不均一性によって、結局のところ、素子全体の機能性が脅かされる。そのような短絡の虞は、ドーピングされた伝導層を使用することによって軽減される。本発明の別の実施構成では、光トラップは、本素子を周期的な微細構造を持つ基板上に形成し、ドーピングされたワイドギャップ層を用いて、本素子の均一な機能、その短絡の無い接点と全面積に渡っての電界の均一な分布を保証することによって実現される。この場合、光が吸収層を少なくとも二回通過して、そのことが光の吸収を向上させ、それによって、太陽電池の効率を改善できるようにすることが特に有利である。それは、例えば、基板が表面上にそれぞれ数百マイクロメートル以内の高さhと幅dのピラミッド形状の構造を備えることによって実現することができる。高さと幅は、同じ、或いは異なる形に選定することができる。同様に、そのようなピラミッドは、対称的又は非対称的に構成することができる。本発明の別の実施構成では、光トラップは、ドーピングされたワイドギャップ層がi層に対する滑らかな境界面と反射性の接点に対する粗い境界面とを有することによって実現される。この粗い境界面は、例えば、周期的な微細構造によって実現することができる。粗い境界面は、その面が光を拡散して反射し、そのことが光活性層内の光路を延長させる場合に特に有利である。別の実施構成では、光トラップは、本素子を周期的な微細構造を持つ基板上に形成し、ドーピングされたワイドギャップ層がi層に対する滑らかな境界面と反射性の接点に対する粗い境界面とを有することによって実現される。本発明の別の実施構成では、本構造全体が、透明なベース接点とカバー接点を備えている。別の実施構成では、本発明による光活性素子は、例えば、コンクリート、屋根瓦、粘土、自動車ガラスなどの湾曲した表面上で使用される。その場合、本発明による有機太陽電池が、従来の非有機太陽電池と異なり、箔、織物などの柔軟な支持体上に取付可能であることが有利である。別の実施構成では、本発明による光活性素子は、本発明による有機層システムと逆側に、例えば、接着剤などの粘着手段を有する箔又は織物の上に取り付けられる。それによって、必要に応じて、任意の表面上に配置可能な太陽電池粘着フォイルを製作することができる。即ち、自己粘着性の太陽電池を作り出すことができる。以下において、幾つかの実施例とそれに付属する図面に基づき、本発明を詳しく説明する。ここで提示した実施例には、例えば、本発明による幾つかの素子が図示されている。これらの実施例は、本発明を説明するためのものであり、それに限定されない。第一の実施例では、本発明による素子が図1Aに模式的に図示されている。それは、基板1、電極2及び対電極9を備えている。電極2と対電極9の間には、光活性層システム4が配置されている。電極2と光活性層システム4の間には、p型導電性の形で構成された伝導層システム3が配置されている。対電極と光活性層システム4の間には、別の層が配置されている。この場合、光活性層システム4上には、同じ荷電粒子タイプこの場合には電子の本発明による伝導層システム51と52が配置されており、その一方の伝導層システム51のLUMO準位と光活性層システム4のLUMO準位の差は最大0.5eVである。更に、他方の伝導層システム52は透明に構成されている。伝導層システム51と52の上には、別の光活性層システム7が配置されている。この別の光活性層システム7と対電極9の間には、n型導電性の形で構成された別の伝導層システム8が配置されている。図1Bには、図1Aと同様の光活性素子の実施形態が図示されており、図1Bの光活性素子の層構造は、nip構造に相当する。第二の実施例では、本発明による素子の模式図がそれぞれ図2Aと2Bに図示されている。この本発明による素子の構造は、図1A,1Bの第一の実施例と同様であり、光活性層システム4,7の間には、三つの伝導層システム51,52及び61が配置されている。それによって、伝導層システム52と61の間の境界面での効率的な荷電粒子の再結合が得られる。第三の実施例では、本発明による素子の模式図が図3に図示されている。この本発明による素子の構造は、図2の実施例と同様であり、光活性層システム4,7の間には、四つの伝導層システム51,52,61及び62が配置されている。第四の実施例では、本発明による素子の模式図が図4Aと4Bに図示されている。この本発明による素子の構造は、図3の実施例と同様であり、光活性層システム4と電極2の間には、三つの伝導層システム31,32及び33が配置されている。この場合、図4Aに模式的に図示された素子はpin基本構造特に、pnnppn構造に相当する一方、図4Bに図示された素子は、nip構造この場合nppnnp構造に相当する。第五の実施例では、本発明による素子の模式図が図5に図示されている。この本発明による素子の構造は、図4A,4Bの実施例と同様であり、光活性層システム7と対電極9の間には、伝導層システム81,82及び83が配置されている。図6には、第二の実施例図2Bによる素子のHOMO-LUMO準位図が図示されている。この場合、再結合ゾーンがp型伝導層システム52とn型伝導層システム61の間に有る。図7には、別の実施例による素子のHOMO-LUMO準位図が図示されている。この場合の素子の構造は第二の実施構成と同様であり、光活性層システム4と伝導層システム61の間には、伝導層システム51が配置されている。図8には、第四の実施例図4Bによる素子のHOMO-LUMO準位図が図示されている。図9には、別の実施例による素子のHOMO-LUMO準位図が図示されている。この場合、伝導層システム51が、エネルギー準位に関して光活性層システム4と適合し、伝導層システム63が、エネルギー準位に関して光活性層システム7と適合している。伝導層システム52と62は、良好な伝導特性を有し、伝導層システム51,53,61及び63よりも大きな層厚20nm~400nmを有する。伝導層システム53と61によって、荷電粒子の効率的な再結合が可能となっている。図10には、別の実施例による素子のHOMO-LUMO準位図が図示されている。この場合の素子の構造は図9と同様であり、二つの別の伝導層システムが更に配置されている。別の実施例では、図11Aと11Bが二つの実施例による光活性素子の層構造の模式図を図示している。この場合、各図面では、層厚の表示がnmで表され、ドーピング濃度の表示がで表され、混合比率の表示が体積比率X:Y例えば、2:1として表され、蒸着中の基板温度の表示が°Cで表されている。吸収システム吸収システム1:混合層BDR001:C60;吸収システム2:混合層DC6T:C60の間の二つのドーピングされたDiNPB層p型DiNPBは、異なるドーパント濃度が5のドーパント1と濃度が10のドーパント2を含む。この場合、材料BPAPFは、9,9-ビス4-N,N-ビス-ビフェニル-4-イル-アミノフェニル-9H-フルオレンを表し、材料DiNPBは、N,N-ジフェニル-N,N-ビス4-N,N-ビスナフサ-1-イルアミノ-ビフェニル-4-イル-ベンジジンを表す。材料DCV6T、F4-ZnPc及びC60の構造式が図12に図示されている。別の実施例では、図11と同様の一つの実施例による光活性素子の層構造の模式図が図13に図示されており、光活性吸収システムの間には、三つの異なるp型伝導層システム1、2及び3が配置されている。"