低熱膨張基板と、前記基板上に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層を具備する反射型フォトマスクブランクにおいて、回路パターン領域の外側にEUV光の反射率の低い遮光枠部を有することを特徴とする反射型マスクブランク。請求項1に記載の反射型マスクブランクであって、前記遮光枠部における前記吸収層の膜厚が、前記遮光枠部以外の領域より厚くなっていることを特徴とする反射型マスクブランク。請求項2に記載の反射型マスクブランクであって、前記低熱膨張基板における前記遮光枠部を掘り込み、その掘り込み量の分、前記吸収層の膜厚を厚くすることにより、遮光枠が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。請求項1~3に記載の反射型マスクブランクであって、前記多層反射層と前記吸収層の間にさらに保護層を有することを特徴とする反射型マスクブランク。請求項1~4何れかに記載の反射型マスクブランクに、回路パターンを形成したことを特徴とする反射型マスク。請求項1乃至3に記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、少なくとも下記の製造工程を含む構成であることを特徴とする、反射型マスクブランクの製造方法。1低熱膨張基板の表面にレジスト膜を形成する工程。2レジスト膜に遮光枠パターンの逆パターンを形成する工程。3前記レジストパターンをマスクに低熱膨張基板をエッチングして、低熱膨張基板表面に遮光枠パターンの逆パターンを形成する工程。4レジストを剥離した後、パターニングした低熱膨張基板表面に多層反射層と保護層と吸収層とをその順に積層する工程。5成膜された吸収層を、CMP法により、表面を面一にする工程。請求項5に記載の反射型マスクの製造方法であって、少なくとも下記の製造工程を含む校正であることを特徴とする、反射型マスクの製造方法。1前記吸収層上にレジスト膜を形成する工程。2パターニングしたレジストをマスクとして吸収層をエッチングして、金属層に所定のパターンを形成する工程。3レジストを剥離する工程。しかしながら、マスクパターン作成後の多層反射層の掘り込みはSiとMoの合計80層を加工する必要があり、加工面からのパーティクル発生は避けられず、欠陥面でのマスク品質の低下を招いてしまう。さらにこの方法では、上層の吸収層を除去した後に、多層反射層を除去することから、多層反射層がほんの数層残ってしまった場合は、逆に反射率を高くしてしまう懸念がある。また、吸収層の膜厚が厚い反射型マスクブランクを用いる場合、回路パターンが微細であることから、反射型マスク作成工程で通常膜厚の吸収膜に比べて高いアスペクト比のパターンが形成されることになり、洗浄等により回路パターンが倒壊する懸念がある。また、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで遮光枠を形成する場合、多層反射層以外によるレーザ光もしくはイオンの損失があるため、この損失分を考慮したレーザ光もしくはイオンを照射しなくてはならない。また多層反射層以外の膜にはレーザ光もしくはイオンの照射によるダメージが生じ、吸収層の露光光源波長の吸収率の低下してしまうことが懸念される。そこで、本発明は遮光枠の形成において、その作成をパターニング前のブランク段階で行う事により、パーティクル起因の欠陥によるマスク品質低下を防ぎ、微細パターンの倒壊を防ぎ、且つ吸収層へのダメージや光学的性質の変化のない、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク及び反射型マスク、その製造方法を提供することを目的とする。請求項1に記載の本発明は、低熱膨張基板と、前記基板上に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層を具備する反射型マスクブランクにおいて、回路パターン領域の外側にEUV光の反射率の低い遮光枠部を有することを特徴とする反射型マスクブランクである。請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載の反射型マスクブランクであって、前記遮光枠部における前記吸収層の膜厚が、前記遮光枠部以外の領域より厚くなっていることを特徴とする反射型マスクブランクである。請求項3に記載の本発明は、請求項2に記載の反射型マスクブランクであって、前記低熱膨張基板における前記遮光枠部を掘り込み、その掘り込み量の分、前記吸収層の膜厚を厚くすることにより、遮光枠が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランクである。請求項4に記載の本発明は、請求項1~3に記載の反射型マスクブランクであって、前記多層反射層と前記吸収層の間にさらに保護層を有することを特徴とする反射型マスクブランクである。請求項5に記載の本発明は、請求項1~4何れかに記載の反射型マスクブランクに、回路パターンを形成したことを特徴とする反射型マスクである。請求項6に記載の本発明は、請求項1乃至3に記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、少なくとも下記の製造工程を含む構成であることを特徴とする、反射型マスクブランクの製造方法である。1低熱膨張基板の表面にレジスト膜を形成する工程。2レジスト膜に遮光枠パターンの逆パターンを形成する工程。3前記レジストパターンをマスクに低熱膨張基板をエッチングして、低熱膨張基板表面に遮光枠パターンの逆パターンを形成する工程。4レジストを剥離した後、パターニングした低熱膨張基板表面に多層反射層と保護層と吸収層とをその順に積層する工程。5成膜された吸収層を、CMP法により、表面を面一にする工程。請求項6に記載の本発明は、請求項5に記載の反射型マスクの製造方法であって、少なくとも下記の製造工程を含む校正であることを特徴とする、反射型マスクの製造方法である。1前記吸収層上にレジスト膜を形成する工程。2パターニングしたレジストをマスクとして吸収層をエッチングして、金属層に所定のパターンを形成する工程。3レジストを剥離する工程。本発明は、多層反射層を成膜する前段階において、基板に遮光枠パターンをエッチングし、その段差を用いて吸収層の膜厚を厚くすることにより遮光枠を形成することから、回路パターンにパーティクルが付着する事は原理的に無い。その為、マスク欠陥品質の低下を抑えることが可能である。また、遮光枠部の吸収層の膜厚が厚くなっていることから、反射層から発生する反射光の強度を抑制し、遮光性の高い遮光枠を形成することができる。これらの事から、本発明の反射型マスクを用いることで、高い精度で転写パターンを形成できるという効果を奏する。本発明の反射型フォトマスクブランクの構成本発明の反射型フォトマスクブランクの構成について説明する。図1は、本発明の反射型フォトマスクブランク100の断面概略図である。低熱膨張基板における遮光枠部を掘り込み、その段差分、吸収層の膜厚を厚くすることにより、遮光枠が形成されている。図2は、本発明の反射型フォトマスクブランク100の平面概略図である。本発明での低熱膨張基板としては、石英ガラスが代表的なものとして挙げられるが、本発明のフォトマスクブランク、およびフォトマスクを作製することが可能であれば、任意のものを使用することができる。本発明の反射型フォトマスクの構成本発明の反射型フォトマスクの構成について説明する。図3は、本発明の反射型マスク200の断面概略図である。低熱膨張基板における遮光枠部を掘り込み、その段差分、吸収層の膜厚を厚くすることにより、遮光枠が形成されており、その内側に回路パターンが形成されている。図4は、本発明の反射型フォトマスク200の平面概略図である。本発明のフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造工程としては、下記のような工程をとることが可能である。エッチングや金属膜などの生成は、フォトリソグラフィーで使用される公知の手法や装置を適宜利用して作製することができる。1低熱膨張基板の表面にレジスト膜を形成する工程。本工程の前に、低熱膨張基板の裏面に導電膜を成膜しても良い。また、低熱膨張基板表面とレジスト膜の間に金属膜を設けても良い。2レジスト膜に遮光枠パターンの逆パターンを形成する工程。3前記レジストパターンをマスクに低熱膨張基板をエッチングして、低熱膨張基板表面に遮光枠パターンの逆パターンを形成する工程。低熱膨張基板表面に金属膜を設けている場合は、前記レジストパターンをマスクに金属膜をエッチングし、その後引き続き低熱膨張基板表面をエッチングする。4レジストを剥離した後、パターニングした低熱膨張基板表面に多層反射層と保護層と吸収層とをその順に積層する工程。保護層と吸収層の間に緩衝層を設けても良い。なお、低熱膨張基板表面に金属膜を設けている場合は、レジスト剥離後金属膜も剥離する。5成膜された吸収層を、CMP法により、表面を面一にする工程。以上の工程によって、本発明の反射型フォトマスクブランクを製造することができる。次に下記の工程によって、上記で得られた反射型フォトマスクブランクから、反射型フォトマスクを製造する。1前記吸収層上にレジスト膜を形成する工程。2パターニングしたレジストをマスクとして吸収層をエッチングして、金属層に所定のパターンを形成する工程。なお、保護層と吸収層の間に緩衝層を設けている場合は、緩衝層もエッチングする。3レジストを剥離する工程。以上の工程によって、本発明の反射型フォトマスクブを製造することができる。以下、本発明の反射型マスクブランクの製造方法の実施例を説明する。図5は本実施例の反射型マスクブランクの製造工程である。まず、低熱膨張基板10の裏面に導電膜20を成膜する。導電膜20には窒化クロムCrNを用い、スパッタリングによって成膜した。続いて低熱膨張基板10の表面に金属膜30を成膜する。金属膜30にはクロムCrを用い、スパッタリングによって成膜した。続いて金属膜30上にレジスト膜40を塗布する。レジスト膜40には電子線ポジレジストを用い、スピンコートにより塗布した図5a。続いて、レジスト膜40に遮光枠パターンの逆パターンを形成する。レジスト膜40には電子線ポジレジストを用い、遮光枠パターンを電子線描画機にて露光し、ベークおよび現像を施し、レジスト膜による遮光枠パターンの逆パターンを形成した図5b。続いて、パターニングされたレジスト膜40をマスクにして金属膜30と低熱膨張基板10をエッチングする。金属膜30と低熱膨張基板10のエッチングはドライエッチングにて実施した図5c。金属膜30のエッチングは、塩素Cl2と酸素O2とヘリウムHeの混合ガスにて実施した。また、低熱膨張基板10のエッチングは、三フッ化メタンCHF3と四フッ化メタンCF4の混合ガスにて実施した。続いて、レジスト膜40と金属膜30を剥離する。レジスト膜40の剥離には硫酸過水を用いた。金属膜30の剥離はドライエッチングにて実施した。その後、硫酸過水洗浄とアンモニア過水洗浄を実施した図5d。金属膜30のエッチングは、塩素Cl2と酸素O2とヘリウムHeの混合ガスにて実施した。続いて、エッチングによってパターニングされた低熱膨張基板10表面に、多層反射層50と保護層60と吸収層70とをその順に積層する。多層反射層50にはモリブデンMoとシリコンSiが交互に40~50ペア積層した積層膜を用いた。保護層60にはルテニウムRuを用いた。吸収層70には窒化タンタルTaNを用いた。いずれもスパッタリングにて形成した図6e。続いて、吸収層70の表面を平坦化する。平坦化にはCMPChemicalMechanicalPolishing:化学機械研磨法を用いた図6f。続いて、本発明の反射型マスクの製造方法の実施例を説明する。図7は本実施例の反射型マスクの製造工程である。前述した本発明の反射型マスクブランクの吸収層70上にレジスト膜80を塗布する。レジスト膜80には電子線ポジレジストを用い、スピンコートにより塗布した図7a。続いて、レジスト膜80に回路パターンを形成する。レジスト膜80には電子線ポジレジストを用い、回路パターンを電子線描画機にて露光し、ベークおよび現像を施し、レジスト膜による回路パターン回路パターン領域Aを形成した図7b。続いて、パターニングされたレジスト膜80をマスクにして吸収層70をエッチングする。吸収層70のエッチングはドライエッチングにて実施した図7c。吸収膜70のエッチングには、三フッ化メタンCHF3とヘリウムHeの混合ガスにて実施した。続いて、レジスト膜80を剥離する。レジスト膜80の剥離には硫酸過水を用いた図6d。このようにして、図3に示す反射型マスク200を得ることができた。前期実施例にて作製した反射型マスクブランクの遮光枠外におけるEUV光波長13.5nmの反射率を測定したところ1.24であった。一方、遮光枠部の反射率は0.01であった。結果を表1に示す。前記実施例にて作製した反射型マスクを用いて13.5nmのEUVを光源とした露光を行い、半導体基板上に隣接した4つのチップ半導体装置を転写した。隣接したチップにおいて、作製した反射型マスク上の遮光枠に相当する領域の一部は重なっていたにもかかわらず、半導体基板上の当該領域におけるレジストの感光は確認されなかった。