機能素子及びその機能素子に関連する内部電極を含むチップと、前記内部電極に電気的に接続する接続体と、同一材料から成る第1乃至第3の部位が一体化した外部端子電極と、前記チップの少なくとも一部、前記接続体及び前記外部端子電極の第1の部位を封止する封止材と、を備え、前記外部端子電極は、前記第1の部位が前記接続体に接続し、第2及び第3の部位が前記封止材の裏面に露出し、少なくとも前記第2の部位は直方体であり且つ前記封止材に接し、前記第3の部位は前記第2の部位よりも小さな第1の立体である、半導体装置。前記第1の立体は、直方体または円柱体である、請求項1に記載の半導体装置。前記第1の立体は、その一部の面に窪みを有する、請求項1又は2に記載の半導体装置。前記第1の部位は、前記第2の部位よりも小さな第2の立体である、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置。前記第2の立体は、直方体または円柱体である、請求項4に記載の半導体装置。前記第2の立体は、その一部の面に窪みを有する、請求項5に記載の半導体装置。前記窪みの形状は、直方または円柱である、請求項3又は6に記載の半導体装置。前記接続体は、ボンディングワイヤを含む、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置。前記接続体は、絶縁層に挟まれた金属の配線層を含み、前記内部電極は、前記ボンディングワイヤ及び前記金属の配線層を介して、前記外部端子電極に接続する、請求項8に記載の半導体装置。前記接続体は、絶縁層に挟まれた金属の配線層を有し、前記内部電極は、前記金属の配線層を介して前記外部端子電極に接続する、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置。前記半導体装置と、導体を有する絶縁基板と、を備え、金属の接続物によって前記第3の部位と前記導体を接続する、請求項1乃至10のいずれか一項に記載のシステム。前記半導体装置と、導体を有する絶縁基板と、を備え、金属の接続物によって前記第1の立体と前記導体を接続する、請求項1又は2に記載のシステム。前記半導体装置と、導体を有する絶縁基板と、を備え、前記窪みに注入された金属の接続体によって前記第1の立体と前記導体とを接続する、請求項3に記載のシステム。第1の厚さを有する金属板の表面における複数の接続点、及びチップの表面の複数の内部電極を、それぞれ接続し、前記金属板の表面及び前記チップの少なくとも一部を封止材で封止し、前記複数の接続点にそれぞれ対応する領域を残存させる様に、前記金属板を裏面から機械的または熱的に切断し、よって前記複数の内部電極にそれぞれ対応し、互いに電気的に独立した複数の外部端子電極を形成する、半導体装置の製造方法。前記チップの第1の方向及び前記第1の方向と直交する第2の方向に、前記金属板を切断し、前記複数の外部端子電極を直方体に形成する、請求項14に記載の半導体装置の製造方法。前記チップの配置領域に対応する前記金属板の裏面の領域を含めて、前記金属板を切断する、請求項15に記載の半導体装置の製造方法。前記チップの配置領域に対応する前記金属板の裏面の領域を除いて、前記金属板を切断する、請求項15に記載の半導体装置の製造方法。複数のブレードまたは複数のレーザで、前記金属板を同時に切断し、前記複数の外部端子電極を形成する、請求項15乃至17のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記金属板の切断は、前記金属板に接する側の前記封止材の一部を前記金属板と共に同時に切断する、請求項15乃至18のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記金属板の表面を前記複数の接続点に対応する金属板の一部分を残存させる様に機械的、熱的、又は化学的に加工処理して、前記金属板の表面に連続した複数の凹凸を形成し、前記表面の複数の凸部に前記複数の内部電極をそれぞれ接続する、請求項15乃至19のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記複数の接続点に対応する前記基板の裏面の複数の領域を除き前記基板の裏面を機械的、熱的、又は化学的に加工処理して、前記金属板の裏面に連続した複数の凹凸を形成し、前記裏面の複数の凸部に対応する前記金属板の一部分を残存させる様に前記金属板を機械的に切断する、請求項15乃至20のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記表面及び裏面の少なくともいずれか一方の面における前記複数の凸部を直方体または円柱体とするように前記加工処理する、請求項20または21に記載の半導体装置の製造方法。前記凸部の前記直方体または円柱体は、前記切断によって形成された直方体よりも小さい、請求項22に記載の半導体装置の製造方法。前記複数の接続点に対応する前記基板の裏面の複数の領域を機械的、熱的、又は化学的に加工処理して、前記金属板の裏面に連続した複数の凹凸を形成し、前記複数の凹部に対応する前記金属板の一部分を残存させる様に前記金属板を機械的に切断する、請求項15乃至23のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記凹部を直方または円柱とするように前記加工処理する、請求項20または21に記載の半導体装置の製造方法。前記接続を、ワイヤボンディングで行う、請求項20または21に記載の半導体装置の製造方法。前記接続を、ワイヤボンディング及び再配線基板に含まれる金属層で行う、請求項20または21に記載の半導体装置の製造方法。前記接続を、再配線基板に含まれる金属層で行う、請求項20または21に記載の半導体装置の製造方法。[請求27のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記金属板の表面と前記チップの表面が互いに向き合うように前記チップを配置する、請求項15乃至25、28のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。特許文献1は、外部端子のピッチを狭くする場合、接合剤22ソルダーボールの径も小さくしなければならず、よって、スタンドオフの値を大きくできない。特許文献2は、外部端子のピッチを狭くする場合、ろう材17の金属の接続物による電気的なショートが懸念され信頼性を確保できない。更に、外部端子がリードピンであり、製造工程数が多くコストの増加及びリードピンと外囲器12封止材との接合強度の問題を有し信頼性を確保できない。特許文献3は、外部端子のピッチを狭くする場合、バンプ90の金属の接続物による電気的なショートが懸念され信頼性を確保できない。更に、金属板のエッチングによって外部端子を形成するので、スタンドオフの値を大きくできないし、外部端子のピッチを小さくできない。特許文献4は、外部端子リード171及びメタルコーティング127のピッチを狭くする場合、ソルダー808の金属の接続物による電気的なショートが懸念され信頼性を確保できない。更に、金属板のエッチングによって外部端子を形成するので、スタンドオフの値を大きくできないし、外部端子のピッチを小さくできない。これらスタンドオフとピッチの関係の課題は、非特許文献1によって裏付けられる。特許文献5も特許文献4と同様の課題を有する。非特許文献1は、エッチングの加工寸法について、穴径は板厚より小さくすることはできず、板厚tの110程度が最小穴径最小加工寸法となる、ことを開示している。また、線幅残し幅の最小寸法は、板厚tの50~100程度となる、ことを開示している。特許文献3乃至5の製法は、金属板リードフレーム材の表面と裏面にエッチング加工をしており、スタンドオフ高さHと外部端子ピッチPを下式と定義すると、スタンドオフ高さH=板厚t×1/2外部端子ピッチP>最少線幅Min.W最少穴径Min.D最少線幅Min.W最少穴径Min.D=0.5t1.1t=1.6tとなる。スタンドオフ高さHと外部端子ピッチPの関係は、P>3.2Hとなり、図72で示すグラグに示す関係になる。つまり、外部端子ピッチと最大スタンドオフ高さとは比例関係があり、例えば、外部端子ピッチ0.3mmの場合、最大スタンドオフ高さは約90μm、外部端子ピッチ0.5mmの場合、最大スタンドオフ高さは約160μmとなり、外部端子ピッチが小さいほど、最大スタンドオフ高さは小さくなる。この仮定で考えると、外部端子ピッチ0.3mmでスタンドオフ高さが100μm以上のパッケージは特許文献3乃至5のエッチング製法では、困難であり、スタンドオフ高さを100μm以上設けたければ、外部端子ピッチを大きくする必要がある。一方、半導体パッケージの実装基板との接続信頼性は、一般的にスタンドオフが大きいほど高いという関係がある。半導体パッケージと実装基板の熱膨張係数の違いによるストレスをスタンドオフ部分によって吸収させる効果があり、スタンドオフ高さが高い程、ストレスを吸収する効果は高い為である。本発明にかかる半導体装置は、機能素子及びその機能素子に関連する内部電極を含むチップと、前記内部電極に電気的に接続する接続体と、同一材料から成る第1乃至第3の部位が一体化した外部端子電極と、前記チップの少なくとも一部、前記接続体及び前記外部端子電極の第1の部位を封止する封止材と、を備え、前記外部端子電極は、前記第1の部位が前記接続体に接続し、第2及び第3の部位が前記封止材の裏面に露出し、少なくとも前記第2の部位は直方体であり且つ前記封止材に接し、前記第3の部位は前記第2の部位よりも小さな第1の立体である、ことを特徴とする。本発明にかかる半導体装置の製造方法は、第1の厚さを有する金属板の表面における複数の接続点、及びチップの表面の複数の内部電極を、それぞれ接続し、前記金属板の表面及び前記チップの少なくとも一部を封止材で封止し、前記複数の接続点にそれぞれ対応する領域を残存させる様に、前記金属板を裏面から機械的または熱的に切断し、よって前記複数の内部電極にそれぞれ対応し、互いに電気的に独立した複数の外部端子電極を形成する、ことを特徴とする。本発明にかかるシステムは、機能素子及びその機能素子に関連する内部電極を含むチップと、前記内部電極に電気的に接続する接続体と、同一材料から成る第1乃至第3の部位が一体化した外部端子電極と、前記チップの少なくとも一部、前記接続体及び前記外部端子電極の第1の部位を封止する封止材と、を備え、前記外部端子電極は、前記第1の部位が前記接続体に接続し、第2及び第3の部位が前記封止材の裏面に露出し、少なくとも前記第2の部位は直方体であり且つ前記封止材に接し、前記第3の部位は前記第2の部位よりも小さな第1の立体である、前記半導体装置と、導体を有する絶縁基板と、を備え、金属の接続物によって前記第3の部位と前記導体を接続する、ことを特徴とする。本発明の半導体装置及びシステムによれば、第1乃至第3の部位が一体化した外部端子の封止材の裏面に露出する第2及び第3の部位について、少なくとも前記第2の部位は、直方体であり、前記封止材に接し、前記第3の部位は、前記第2の部位よりも小さな第1の立体であるので、外部端子のピッチを狭めながらも半田等の金属の接続物による電気的なショートの抑止を含む信頼性の向上が可能となる。本発明の半導体装置の製造方法によれば、金属板の一部分を残存させる様に金属板を機械的に切断し、よって複数の内部電極にそれぞれ対応した複数の外部端子電極を形成するので、エッチング製法では実現困難であった、スタンドオフの値が高く外部端子ピッチが小さな外部端子の形成が可能となる。本発明の課題を解決する技術思想コンセプトの代表的な一例は、以下に示される。但し、本願の請求内容はこの技術思想に限られず、本願の請求項に記載の内容であることは言うまでもない。本発明の課題を解決する技術思想コンセプトの代表的な一例は、以下に示される。但し、本願の請求内容はこの技術思想に限られず、本願の請求項に記載の内容であることは言うまでもない。本願は、半導体装置及びその製造方法に関連した特徴を開示する。本発明の構造の特徴においては、例えば図63及びその外観の斜視図である図74、並びに半導体装置が絶縁基板11に実装される模式図である図75bに示されるように、同一材料から成る第1乃至第3の部位905A乃至905Cが一体化した外部端子電極905が、示される。複数の第2の部位905Bが、直方体であり且つ第1及び第2の方向X方向及びY方向にそれぞれ互いに平行である。これは、製造方法の特徴である金属板の裏面を機械的に切断することで得られる形状である。更に、好ましくは、複数の外部端子電極905間における封止材904の窪み形状凹部が、前記機械的な切断により生ずる。これらの製法により、エッチング製法では困難であった、スタンドオフの値が高く外部端子ピッチが小さな外部端子の構造が、特徴の一つとなる。更に、好ましくは、第1の部位905Aの表面積及びその形状、並びに第2の部位905Bと封止材904の接触面積接合面積が、封止材904と外部端子との密着性及び摩擦力を向上させる。更に、好ましくは、複数の第3の部位905Cの形状が、夫々対応する複数の第2の部位905Bよりも小さな第1の立体であることによって、絶縁基板11への接続に関連する半田等の金属の接続物13による隣接の電気的なショートの抑止が、可能である。さらに、半田11との接触面積接合面積が増大し、電気的な接合不良が抑止できる。更に、半田11の絶縁基板11からの高さを、第2の部位905Bに均一化でき、接合不良が抑止できる。更に、第3の部位905Cの形状を、第2の部位905Bの形状直方体と異ならせることにより、半田への加熱時に流動性を持った半田の流れが第3の部位905Cの形状に沿って生ずる。よって、電気的な接合不良が抑止できる。これは、第3の部位905Cの形状を円柱とすることで更にその効果が増大する。また、第3の部位905Cの形状が、第2の部位905Bの形状よりも小さくすることによって、更にその効果が増大する。更に、図75cに示されるように、第3の部位905Cに窪み凹部を持たせることにより、電気的な接合不良が抑止できる。本発明の製法の特徴においては、例えば図5bに示されるように、金属板150を機械的加工又は熱加工により切断して、圧いに電気的に絶縁された複数の外部端子電極を形成する。機械的加工として、例えば砥石170、熱加工として例えばレーザやエンドミルを使用する。エッチング製法では困難であった、スタンドオフの値が高く外部端子ピッチが小さな外部端子の構造を製造するこれらの製法が、特徴の一つとなる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。第1の実施形態本願の半導体装置とは、半導体チップ以下、単にチップと呼ぶことがあるとそのチップに半導体装置の外部から信号を供給する、またはそのチップから半導体装置の外部へ信号を出力する外部端子以下、外部端子電極、または単に外部端子電極と呼ぶことがあるを有する装置である。詳細には、半導体装置は、少なくとも一つのチップ、外部端子電極端子、チップと外部端子電極端子とを電気的に接続する接続体、チップと外部端子電極端子とを接続する接着材、並びに、チップ及び接続体を封止する封止材が、主要な複数のエレメントである。チップは、例えば、フォトリソグラフィー等でシリコン等を材料とするチップの表面に形成された電気回路、及び電気回路とチップの外部とを入出力する内部電極以下、チップパッドと呼ぶことがあるを含む。接続体は、例えば、内部電極に付随するバンプ電極、またはボンディングワイヤを含む。また、接続体は、ウェハレベルパッケージWLP技術である再配線層を含んでもよい。再配線層は、一例として図76に示される再配線層19で示される。WLPは、チップの表面に形成されたチップパッド14と外部端子電極2005を接続する金属の配線導電性を有する再配線16である。WLPの場合、内部電極は、符号5001で示さる。内部電極5001は、接続体2003を介して外部端子電極2005と接続する。チップパッド14と対応する内部電極5001又は、対応する外部端子電極2005の断面図を視点とする互いの位置関係は、所謂、ファンインまたはファンアウトである。図76は、ファンインの構造体である。更に、再配線層19は、チップの表面に形成された電気回路を保護するパッシベーション膜の上に形成される。WLP技術が適用されない場合、本願においては、チップパッドを内部電極と見做すことが出来る。他方、WLP技術が適用される場合、本願においては、再配線の一部を内部電極と見做し、外部端子電極が、ボンディングワイヤやバンプ電極、等の接続体を介して内部電極再配線の一部に接続する。電気回路は、チップの表面に形成された配線を介してチップパッドに接続する。電気回路及びチップパッドは、所謂フォトリソグラフィー技術を適用して形成される。電気回路及びパッシベーション膜を形成するまでを所謂前工程と呼び、WLP技術を含むその後の工程を後工程と呼ぶ。即ち、本願は、後工程を中心とする技術に関する。外部端子電極は、金属板から機械的加工又は熱加工により形成される。本願の特徴である外部端子電極の製造方法は、金属板を機械的加工又は熱加工により切断し製造する。その結果、複数の電気的に絶縁された外部端子電極が製造される。半導体装置の製造方法:第1実施形態図1~図6は、半導体装置の製造方法の第1の実施形態を示す模式図である。図1は、製造方法の第1の実施形態に使用する金属板150の上面図として図1a、断面図として図1b、下面図として図1cを示す。尚、以降のその他の多くの図面においても特に限定のない限り、上面図としてa、断面図としてb、下面図としてcを示す。この金属板150の外形は四角形である。但し、外形は半導体ウェハの形状に対応した円形、四角形以外の多角形等でもよい。上面150A及び下面150Bは平面形状をしている。金属板の材質は、価格が安く、電気導電性の良い銅やアルミニウムが望ましい。また、接続体との接続信頼性の向上の為、金属板150の全面表面、裏面、側面、または、必要な部分に金属膜を形成してもよい。また、金属板酸化防止の為、必要な部分に絶縁膜を形成してもよい。金属膜及び絶縁膜形成方法として、PVD、電解めっき、無電解めっき、CVD等の方法が使用できる。図2は、半導体チップ搭載工程を示す。この工程における半導体装置の上面図としてa、断面図としてb、下面図としてcを示す。本工程では、複数の半導体チップ100A~100Fを金属板150の上面150Aにそれぞれ搭載するが、代表して半導体チップ100Aを用いて説明する。半導体チップ100Aは、接着材102を介して金属板150の上面150Aに搭載される。半導体チップ100Aの裏面は、所定の厚さを有する接着材102に接続する。図3は、搭載された半導体チップ100Aの内部電極101と金属板150の上面150Aを接続体で接続する工程を示す。この工程における半導体装置の上面図としてa、断面図としてb、下面図としてcを示す。少なくとも1つ以上の内部電極101と金属板150の上面150Aを接続する。本実施形態では、ボンダー装置を使用して接続体としての金属ワイヤ103を張っている。金属ワイヤの材質は、金、アルミ、銅が望ましい。ワイヤ表面に金属膜または絶縁膜を形成したワイヤを使用してもよい。尚、接続体は、再配線層を含んでもよい。この時の接続関係は、チップパッドと、再配線層が含む再配線の一端とが接続し、再配線の他端と内部電極101とが接続し、内部電極101と金属ワイヤ103とが接続し、金属ワイヤ103と金属板150とが接続する。この時、再配線層は、半導体チップ100Aの表面に形成された電気回路を保護するパッシベーション膜の上に形成される。尚、後述図5で形成される複数の外部端子電極105の数は、複数の内部電極101との数よりも多い場合が多い。つまり、複数の外部端子電極105の幾つかは、複数の内部電極101と電気的に接続しない。後述する図7bにおいて、複数の外部端子電極105は、半導体装置1100Aの裏面に均一にマトリックス上に形成される。マトリックス上の複数の外部端子電極105が、半導体装置1100Aが受ける機械的なストレス、熱的なストレスを均一に緩和する。内部電極101と電気的に接続しない外部端子電極105は、ダミー電極であり、電気的にフローティングであるか、不図示の所定の電位を有するノードに、接続体を介して接続される。尚、複数の外部端子電極105の一部は、導電性の特性を有する接着材102を介して、チップ100Aに電気的に接続する。図4は、搭載された複数の半導体チップ100A~100F100D~100Fは図4bにおいて示していない及び複数の接続体103を、樹脂104で覆う封止工程を示す。この工程における半導体装置の上面図としてa、断面図としてb、下面図としてcを示す。図5は、金属板150を機械的加工又は熱加工により切断する外部端子電極形成工程を示す。この工程における半導体装置の上面図としてa、断面図としてb、下面図としてcを示す。本実施形態では、接続体103を切断しないように、砥石170を使って金属板150の裏面側から金属板150を、X線方向紙面の左右方向及びY線方向紙面の上下方向にそれぞれ切断し、電気的に互いに絶縁された複数の外部端子電極105が形成される。砥石170の幅が、複数の外部端子電極105のギャップに対応する。尚、金属板150の切断と同時に、接着材102の一部、並びに接着材102及び樹脂104の一部も除去するとよい。つまり、図72で示したエッチング製法では困難なスタンドオフの値が高く外部端子ピッチが小さな外部端子の形成が、この製法により実現できる。尚、樹脂104の一部を除去する視点において、接着材102の厚さを調整する、金属ワイヤ103の張り方を調整することで、スタンドオフの値を調整することが出来る。尚、砥石170に代えてレーザやエンドミル等で金属板150を切断しても同様な効果が得られる。尚、複数の砥石170を使って複数のラインそれぞれを同時に切断することは、コスト削減の視点から有用である。レーザやエンドミル等においても、同様に複数化が可能である。複数の砥石170のギャップが、外部端子電極105の幅に対応する。X方向の第1のピッチ及びY方向の第2のピッチの夫々の値は、任意である。図6は、樹脂104及び金属板150を機械的加工又は熱加工によって、複数の半導体装置1100A~1100Fに切断するパッケージ切断工程を示す。この工程における半導体装置の上面図としてa、断面図としてb、下面図としてcを示す。本実施形態では、砥石171を使ってパッケージ切断工程を行っている。砥石171に代えてレーザやエンドミル等を使ってパッケージ切断工程を行ってもよい。尚、外部端子電極形成工程とパッケージ切断工程を共通化することが可能である。例えば、複数の砥石170において、複数の半導体装置1100A~1100Fのピッチ毎に砥石170に代えて砥石171とする。レーザにおいては、砥石171に対応するラインのレーザ出力を、その他のラインのレーザ出力よりも大きくする。半導体装置:第1実施形態図7は、本発明による半導体装置の第1実施形態を示す半導体装置1100Aの模式図である。aは、断面図、bは下面図である。図73は、後述する第3の実施形態が示す半導体装置の斜視図であるが、第1の実施形態が示す図7の斜視図も、図73と同等である。機能素子及びその機能素子に関連する内部電極101を含むチップ100Aと、前記内部電極101に電気的に接続する接続体103と、同一材料から成る第1の部位105Aと第2の部位105Bが一体化した外部端子電極105と、前記チップ100Aの少なくとも一部、前記接続体103及び前記外部端子電極の第1の部位105Aを封止する封止材104と、を備え、前記外部端子電極105は、前記第1の部位105Aが前記接続体103に接続し、第2の部位105Bが前記封止材104の裏面に露出している。前記第2の部位105Bは、直方体であり、前記封止材104の裏面に露出している。0.2mm厚の金属板150を使って、製造方法の第1の実施形態を実施すれば、スタンドオフが0.2mm以上の図7に示す半導体装置1100Aが完成する。接着材102は、チップ100Aと、複数の外部端子電極105のうちで少なくとも一つ以上の外部端子電極105との間に配置される。接着材102は、電気的な視点において導電性または非導電性の材料である。接着材102が導電性である場合、チップ100Aが有する機能素子に所定の電圧を、外部端子電極105を介して外部から供給する。前記所定の電圧は、例えば、機能素子が含む電界効果トランジスタFETのバックバイアスに印加される。また、接着材102は、熱的な視点において導電性に優れた材料である。接着材102が、チップ100Aが有する機能素子の熱を、外部端子電極105を介して外部に放出する。また、複数の外部端子電極105が、封止材104の裏面全面に均一に形成されるので、機械的ストレス及び熱ストレスのそれぞれの視点で、半導体装置1100Aの反りの不均一性を緩和できる。半導体装置の製造方法:第2実施形態図8~図13は、半導体装置の製造方法の第2の実施形態を示す模式図である。尚、第1実施形態で開示した製造方法及び構造と同じ特徴の説明は省略し、第2の実施形態が固有に持つ製造方法及び構造の説明を中心に行う。図8は、製造方法の第2の実施形態に使用する金属板250の上面図、断面図、下面図を示すそれぞれa、b、c。第1の実施形態における図1と同等の製造方法である。図8は、製造方法の第2の実施形態に使用する金属板250の上面図、断面図、下面図を示すそれぞれa、b、c。第1の実施形態における図1と同等の製造方法である。この金属板250の外形は四角形である。上面250A及び下面250Bは平面形状をしている。図9は、半導体チップ搭載工程を示す。第1の実施形態における図2と同等の製造方法である。本工程では、複数の半導体チップを金属板250の上面250Aに搭載する。半導体チップ200Aは、接着材202を介して金属板250の上面250Aに搭載される。図10は、搭載された半導体チップ200Aの内部電極201と金属板250の上面250Aを接続体で接続する工程を示す。第1の実施形態における図3と同等の製造方法である。内部電極201と金属板250の上面250Aを接続する。本実施形態では、接続体に金属ワイヤ203を使用している。図11は、搭載された複数の半導体チップ200A~200F200D~200Fは図示していないと接続体203を樹脂204で覆う封止工程を示す。第1の実施形態における図4と同等の製造方法である。図12は、金属板250を機械的加工又は熱加工により切断する外部端子電極形成工程を示す。本実施形態では、接続体203を切断しないように、レーザ280を使って金属板250を切断し、電気的に絶縁された複数の外部端子電極205、250Dが形成される。本発明による製造方法の第1の実施形態との違いは、チップの下の金属板250Dの部分を切断しない事である。よって、外部端子電極205と外部端子電極250Dの大きさは異なる。本発明による製造方法の第1の実施形態との違いは、チップの下の金属板250Dの部分を切断しない事である。これは、耐湿性対策等の信頼の観点から接着材202を外部に露出したくない場合に効果がある。金属板250の切断と同時に、樹脂204の一部も除去してもよい。レーザ280を使って金属板250を切断する場合、レーザ280をオンザフライ方式で走査していく中で、金属板250Dの部分に対応するレーザ280の出力をディセーブルにすればよい。レーザ280に代えてエンドミル等で金属板250を切断してもよい。図13は、樹脂204及び金属板250を機械的加工又は熱加工によって、複数の半導体装置1200A~1200Fに切断するパッケージ切断工程を示す。第1の実施形態における図6と同等の製造方法である。本実施形態では、砥石271を使ってパッケージ切断工程を行っている。砥石271に代えてレーザやエンドミル等を使ってパッケージ切断工程を行ってもよい。半導体装置:第2実施形態図14は、本発明による半導体装置の第2実施形態を示す半導体装置1200Aの模式図である。aは、断面図、bは下面図である。機能素子及びその機能素子に関連する内部電極201を含むチップ200Aと、前記内部電極201に電気的に接続する接続体203と、同一材料から成る第1の部位205Aと第2の部位205Bが一体化した外部端子電極205と、前記チップ200Aの少なくとも一部、前記接続体203及び前記外部端子電極の第1の部位205Aを封止する封止材204と、を備え、前記外部端子電極205は、前記第1の部位205Aが前記接続体203に接続し、第2の部位205Bが前記封止材204の裏面に露出している。前記第2の部位205Bは、直方体であり、前記封止材204の裏面に露出している。0.2mm厚の金属板250を使って、製造方法の第2の実施形態を実施すれば、スタンドオフが0.2mm以上の図14に示す半導体装置1200Aが完成する。金属板250は、その形状の特徴から非常に高い放熱特性を有すると共に、外部から絶対値が大きな電流をチップ200Aへ供給できる。半導体装置の製造方法:第3実施形態図15~図20は、半導体装置の製造方法の第3の実施形態を示す模式図である。尚、第1実施形態で開示した製造方法及び構造と同じ特徴の説明は省略し、第3の実施形態が固有に持つ製造方法及び構造の説明を中心に行う。図15は、製造方法の第3の実施形態に使用する金属板350の上面図、断面図、下面図を示すそれぞれa、b、c。この金属板350の外形は四角形である。外形は円形、四角形以外の多角形等でもよい。上面350Aは、複数の凸部350Eのある形状をしている。凸部350Eは、エッチング等の化学的加工、ブレードやエミンドル等の機械加工又はレーザ等の熱加工によって立方体に形成される。凸部350Eの形状は、例えば後述する実施例5の505C外部端子電極の第3の部位の様に円柱体であってもよい。下面350Bは平面形状をしている。図16は、半導体チップ搭載工程を示す。本工程では、複数の半導体チップを金属板350の上面350Aの凸部350Eに搭載するが、代表して半導体チップ300Aを用いて説明する。半導体チップ300Aは、接着材302を介して金属板350の上面350Aの凸部350Eに搭載される。複数の凸部350Eの間の凹部に、軟性の接着材302を挿入させてもよい。図17は、搭載された半導体チップ300Aの内部電極301と金属板350の上面350Aの凸部350Eを接続体303で接続する工程を示す。第1の実施形態における図3と同等の製造方法である。少なくとも1つ以上の内部電極301と金属板350の上面350Aの凸部350Eを接続する。尚、凸部350Eは、半導体チップ300Aの反りを抑制する効果を有し、接続体303の接合精度を向上させる。具体的には、半導体チップ300Aには少なからず反りを有する場合がある。半導体チップ300Aがシリコンである場合、金属板350が銅やアルミニウムである場合、それらの熱膨張係数の違いにより接続体303の接合精度を低下させる懸念が生ずる。しかし、凸部350Eが、半導体チップ300Aと金属板350の応力を緩和し、接続体303の接合精度の低下を抑止する。凸部350Eの形状を直方体例えば、正方形の角柱として考えると、その断面2次モーメントはI=bh3/12b=幅、h=厚みと言う関係にあり、この例では同じ正方形のためにその1辺をaとすると、I=a4/12という事になります。弾性率をEとすると、曲げ剛性はS=EIのため、角柱の一辺が少し変わるだけで4乗も硬くなったりやわらかくなったりします。さらに片持ち梁の撓みδ=Pl3/3EIP=先端に掛かる力、l=梁の長さであり、スタンドオフの高さの3乗にも効きます。よって、凸部350Eは、半導体チップ300Aの反りを抑制する効果を有し、接続体303の接合精度を向上させる。図18は、搭載された複数の半導体チップ300A~300F300D~300Fは図示していないと接続体303を樹脂304で覆う封止工程を示す。第1の実施形態における図4と同等の製造方法である。複数の凸部350Eの間の凹部に、樹脂304を挿入させる。図19は、金属板350を機械的加工又は熱加工により切断する外部端子電極形成工程を示す。第1の実施形態における図5と同等の製造方法である。本実施形態では、接続体303を切断しないように、砥石370を使って少なくとも金属板350の裏面側から金属板350を切断し、電気的に互いに絶縁された複数の外部端子電極305が形成される。金属板350の切断と同時に、樹脂304の一部も除去することが好ましい。尚、凸部350図17に相当する第1の部位305Aが、樹脂304に埋もれている。よって、砥石370などの振動による機械的な切断時に、外部端子電極305の剥離を抑止する。特許文献3乃至5のエッチング製法では開示、示唆されない製造方法の効果である。更に、第1の部位305Aの大きさが、第2の部位305Bよりも小さい。よって、外部端子電極305の剥離を更に抑止する。図20は、樹脂304及び金属板350を機械的加工又は熱加工によって、複数の半導体装置1300A~1300Fに切断するパッケージ切断工程を示す。第1の実施形態における図6と同等の製造方法である。本実施形態では、砥石371を使ってパッケージ切断工程を行っている。尚、第1の部位に相当する凸部350が、樹脂304に埋もれている。よって、砥石370などの振動による機械的な切断時に、外部端子電極305の剥離を抑止する。半導体装置:第3実施形態図21は、本発明による半導体装置の第3実施形態を示す半導体装置1300Aの模式図である。aは、上面図、bは断面図、cは下面図である。図73は、図21に示す半導体装置の斜視図である。第1の実施形態が示す図7も、図73の斜視図と同等である。機能素子及びその機能素子に関連する内部電極301を含むチップ300Aと、前記内部電極301に電気的に接続する接続体303と、同一材料から成る第1の部位305Aと第2の部位305Bが一体化した外部端子電極305と、前記チップ300Aの少なくとも一部、前記接続体303及び前記外部端子電極の第1の部位305Aを封止する封止材304と、を備え、前記外部端子電極305は、前記第1の部位305Aが前記接続体303に接続し、第2の部位305Bが前記封止材304の裏面に露出している。前記第2の部位305Bは、直方体であり、前記封止材304の裏面に露出している半導体装置である。第1の部位の厚さが0.1mm、第2の部位の厚さが0.2mm厚の金属板350を使って製造方法の第3の実施形態を実施すれば、スタンドオフが0.2mm以上の図21に示す半導体装置1300Aが完成する。尚、第1の部位305Aが、樹脂304に埋もれている。更に、第1の部位305Aの大きさが、第2の部位305Bよりも小さい。更に樹脂304の一部も除去される。よって、スタンドオフの高さを、より高い値に到達させながらも、第1の部位305A及び樹脂304の接合面積が大きく確保されている。よって、外部端子電極305の信頼性が高い。半導体装置の製造方法:第4実施形態図22~図27は、半導体装置の製造方法の第4の実施形態を示す模式図である。尚、第2及び第3実施形態でそれぞれ開示した製造方法及び構造と同じ特徴の説明は省略し、第4の実施形態が固有に持つ製造方法及び構造の説明を中心に行う。図22は、製造方法の第4の実施形態に使用する金属板450の上面図、断面図、下面図を示すそれぞれa、b、c。第3の実施形態における図15と同等の製造方法である。この金属板450の外形は四角形である。外形は円形、四角形以外の多角形等でもよい。上面450Aは、複数の凸部450Eのある形状をしている。凸部450Eは、エッチング、機械加工又は熱加工によって立方体に形成製造される。凸部450Eの形状は、例えば後述する実施例5の505C外部端子電極の第3の部位の様に円柱体であってもよい。下面450Bは平面形状をしている。図23は、半導体チップ搭載工程を示す。第3の実施形態における図16と同等の製造方法である。本工程では、複数の半導体チップを金属板450の上面450Aの凸部450Eに搭載するが、代表して半導体チップ400Aを用いて説明する。半導体チップ400Aは、接着材402を介して金属板450の上面450Aの凸部450Eに搭載される。複数の凸部450Eの間の凹部に、軟性の接着材402を挿入させてもよい。図24は、搭載された半導体チップ400Aの内部電極401と金属板450の上面450Aの凸部450Eを接続体で接続する工程を示す。第3の実施形態における図17と同等の製造方法である。少なくとも1つ以上の内部電極401と金属板450の上面450Aの凸部405Eを接続する。図25は、搭載された複数の半導体チップ400A~400F400D~400Fは図示していないと接続体403を樹脂404で覆う封止工程を示す。第3の実施形態における図18と同等の製造方法である。図26は、金属板450を機械的加工又は熱加工により切断する外部端子電極形成工程を示す。第2の実施形態における図12と同等の製造方法である。本実施形態では、接続体403を切断しないように、レーザ480を使って金属板450を切断し、電気的に絶縁された複数の外部端子電極405、450Dが形成される。外部端子電極405と外部端子電極450Dの大きさは異なる。図27は、樹脂404及び金属板450を機械的加工又は熱加工によって、複数の半導体装置1400A~1400Fに切断するパッケージ切断工程を示す。第2の実施形態における図13と同等の製造方法である。本実施形態では、砥石471を使ってパッケージ切断工程を行っている。砥石471に代えてレーザやエンドミル等を使ってパッケージ切断工程を行ってもよい。半導体装置:第4実施形態図28は、本発明による半導体装置の第4実施形態を示す半導体装置1400Aの模式図である。aは、上面図、bは断面図、cは下面図である。第2及び第3実施形態でそれぞれ開示した構造の特徴が有する両方の効果を有する。即ち、金属板450は、その形状の特徴から非常に高い放熱特性を有すると共に、外部から絶対値が大きな電流をチップ400Aへ供給できる。更に、スタンドオフの高さを、より高い値に到達させながらも、第1の部位405A及び樹脂404の接合面積が大きく確保されている。よって、外部端子電極405の信頼性が高い。機能素子及びその機能素子に関連する内部電極401を含むチップ400Aと、前記内部電極401に電気的に接続する接続体403と、同一材料から成る第1の部位405Aと第2の部位405Bが一体化した外部端子電極405と、前記チップ400Aの少なくとも一部、前記接続体403及び前記外部端子電極の第1の部位405Aを封止する封止材404と、を備え、前記外部端子電極405は、前記第1の部位405Aが前記接続体403に接続し、第2の部位405Bが前記封止材404の裏面に露出ている。前記第2の部位405Bは、直方体であり、前記封止材404の裏面に露出している。第1の部位の厚さが0.1mm、第2の部位の厚さが0.2mmの金属板450を使って前述した製造方法の第4の実施形態を実施すれば、スタンドオフが0.2mm以上の図28に示す半導体装置1400Aが完成する。半導体装置の製造方法:第5実施形態図29~図34は、半導体装置の製造方法の第5の実施形態を示す模式図である。尚、第1実施形態で開示した製造方法及び構造と同じ特徴の説明は省略し、第5の実施形態が固有に持つ製造方法及び構造の説明を中心に行う。図29は、製造方法の第5の実施形態に使用する金属板550の上面図、断面図、下面図を示すそれぞれa、b、c。この金属板550の外形は四角形である。外形は円形、四角形以外の多角形等でもよい。上面550Aは、は平面形状をしている。下面550Bは、複数の凸部550Fのある形状をしている。個々の凸部550Fの形状は、円柱体である。個々の凸部550Fの形状は円柱以外の直方体、円錐、等でもよい。凸部550Fは、エッチング等の化学的加工、ブレードやエミンドル等の機械加工又はレーザ等の熱加工によって立方体に形成される。凸部550Fの形状は、例えば前述した実施例3の凸部350E外部端子電極の第1の部位の様に直方体角柱であってもよい。図30は、半導体チップ搭載工程を示す。第1の実施形態における図2と同等の製造方法である。本工程では、複数の半導体チップを金属板550の上面550Aに搭載するが、代表して半導体チップ500Aを用いて説明する。半導体チップ500Aは、接着材502を介して金属板550の上面550Aに搭載される。図31は、搭載された半導体チップ500Aの内部電極501と金属板550の上面550Aを接続体で接続する工程を示す。第1の実施形態における図3と同等の製造方法である。少なくとも1つ以上の内部電極501と金属板550の上面550Aを接続する。本実施形態では、接続体に金属ワイヤ503を使用している。図32は、搭載された複数の半導体チップ500A~500F500D~500Fは図示していないと接続体503を樹脂504で覆う封止工程を示す。第1の実施形態における図4と同等の製造方法である。図33は、金属板550を機械的加工又は熱加工により切断する外部端子電極形成工程を示す。第1の実施形態における図5と同等の製造方法である。本実施形態では、接続体503と下面550Bの複数の凸部550Fを切断しないように、砥石570を使って少なくとも金属板550の裏面側から金属板550を切断し、電気的に互いに絶縁された複数の外部端子電極505が形成される。外部端子電極505の第3の部位505Cよりも大きな立体となる様に、外部端子電極505の第2の部位505Bを形成する。例えば、砥石570の幅で、第2の部位505Bの形状の大きさを調整する。この場合、複数の外部端子電極505のギャップも、砥石570の幅で決定される。金属板550の切断と同時に、接着材502の一部と樹脂504の一部も除去することが好ましい。砥石570に代えてレーザやエンドミル等で金属板550を切断してもよい。レーザの場合、レーザの径で、エンドミルであればビットの径で、第2の部位505Bの形状の大きさを調整する。図34は、樹脂504及び金属板550を機械的加工又は熱加工によって、複数の半導体装置1500A~1500Fに切断するパッケージ切断工程を示す。第1の実施形態における図6と同等の製造方法である。本実施形態では、砥石571を使ってパッケージ切断工程を行っている。半導体装置:第5実施形態図35は、本発明による半導体装置の第5実施形態を示す半導体装置1500Aの模式図である。aは、上面図、bは断面図、cは下面図である。図74は、後述する第9の実施形態が示す半導体装置の斜視図であるが、第5の実施形態が示す図35の斜視図も、図74と同等である。機能素子及びその機能素子に関連する内部電極501を含むチップ500Aと、前記内部電極501に電気的に接続する接続体503と、同一材料から成る第1乃至第3の部位が一体化した外部端子電極505と、前記チップ500Aの少なくとも一部、前記接続体503及び前記外部端子電極505の第1の部位505Aを封止する封止材504と、を備え、前記外部端子電極505は、前記第1の部位505Aが前記接続体503に接続し、第2及び第3の部位505B、505Cが前記封止材504の裏面に露出している。少なくとも前記第2の部位505Bは、直方体であり、前記封止材504の裏面に露出している。前記第3の部位505Cは、前記第2の部位505Bよりも小さな第1の立体である。これらの特徴を有する半導体装置1500Aが完成する。第2の部位の厚さが0.2mm、第3の部位の厚さが0.1mmの金属板550を使って製造方法の第5の実施形態を実施すれば、スタンドオフが0.3mm以上の図35に示す半導体装置1500Aが完成する。複数の第3の部位505Cの形状が、夫々対応する複数の第2の部位505Bよりも小さな第1の立体であることによって、絶縁基板等への接続に関連する半田等の金属の接続物による隣接の電気的なショートの抑止が、可能である。更に、半田との接触面積接合面積増大し、電気的な接合不良が抑止できる。更に、半田の絶縁基板からの高さを、第2の部位505Bに均一化でき、接合不良が抑止できる。更に、第3の部位505Cの形状を、第2の部位505Bの形状と異ならせることにより、半田への加熱時に流動性を持った半田の流れが第3の部位505Cの形状に沿って生ずる。よって、電気的な接合不良が抑止できる。これは、第3の部位505Cの形状を円柱とすることで更にその効果が増大する。また、第3の部位505Cの形状が、第2の部位505Bの形状よりも小さくすることによって、更にその効果が増大する。スタンドオフは、外部端子電極の形状を、例えば図29で示した凸部550Fの形状を直方体例えば、正方形の角柱として考えると、その断面2次モーメントはI=bh3/12b=幅、h=厚みと言う関係にあり、この例では同じ正方形のためにその1辺をaとすると、I=a4/12という事になります。弾性率をEとすると、曲げ剛性はS=EIのため、角柱の一辺が少し変わるだけで4乗も硬くなったりやわらかくなったりします。さらに片持ち梁の撓みδ=Pl3/3EIP=先端に掛かる力、l=梁の長さであり、スタンドオフの高さの3乗にも効きます。故に、本願は、応力緩和に対して、本当に自由な設計ができます。図29で示した凸部550Fの形状が円柱であっても、同様に、応力緩和に対して、本当に自由な設計ができます。外部端子電極の材質がアルミニウムAlであることは、熱伝導が良いだけでなく、その比重が銅Cuや鉄Fe、ステンレス系に比べて比重が軽い、即ち前述の弾性率Eが小さいことから、更に、応力緩和に対して、本当に自由な設計ができます。尚、ワイヤボンディング等の接続点においては、Niめっき、Cuめっき、又はAuめっきで対応でき、Cuめっき、又はAuめっきは、Niバリアで付けることができます。半導体装置の製造方法:第6実施形態図36~図41は、半導体装置の製造方法の第6の実施形態を示す模式図である。尚、第2及び第5実施形態でそれぞれ開示した製造方法及び構造と同じ特徴の説明は省略し、第4の実施形態が固有に持つ製造方法及び構造の説明を中心に行う。図36は、製造方法の第6の実施形態に使用する金属板650の上面図、断面図、下面図を示すそれぞれa、b、c。第5の実施形態における図29と同等の製造方法である。この金属板650の外形は四角形である。外形は円形、四角形以外の多角形等でもよい。上面650Aは、は平面形状をしている。下面650Bは、複数の凸部650Fのある形状をしている。個々の凸部650Fの形状は、円柱体である。個々の凸部650Fの形状は円柱以外の直方体、円錐等でもよい。凸部650Fは、エッチング、機械加工又は熱加工によって立方体に形成される。図37は、半導体チップ搭載工程を示す。第5の実施形態における図30と同等の製造方法である。本工程では、複数の半導体チップを金属板650の上面650Aに搭載するが、代表して半導体チップ600Aを用いて説明する。半導体チップ600Aは、接着材602を介して金属板650の上面650Aに搭載される。図38は、搭載された半導体チップ600Aの内部電極601と金属板650の上面650Aを接続体で接続する工程を示す。第5の実施形態における図31と同等の製造方法である。少なくとも1つ以上の内部電極601と金属板650の上面650Aを接続する。図39は、搭載された複数の半導体チップ600A~600F600D~600Fは図示していないと接続体603を樹脂604で覆う封止工程を示す。第5の実施形態における図32と同等の製造方法である。図40は、金属板650を機械的加工又は熱加工により切断する外部端子電極形成工程を示す。第2の実施形態における図12と同等の製造方法である。本実施形態では、接続体603と下面650Bの複数の凸部650Fを切断しないように、レーザ680を使って金属板650を切断し、電気的に絶縁された複数の外部端子電極605、650Dが形成される。外部端子電極605と外部端子電極650Dの大きさは異なる。図41は、樹脂604及び金属板650を機械的加工又は熱加工によって、複数の半導体装置1600A~1600Fに切断するパッケージ切断工程を示す。第2の実施形態における図13と同等の製造方法である。本実施形態では、砥石671を使ってパッケージ切断工程を行っている。砥石671に代えてレーザやエンドミル等を使ってパッケージ切断工程を行ってもよい。半導体装置:第6実施形態図42は、本発明による半導体装置の第6実施形態を示す半導体装置1600Aの模式図である。aは、上面図、bは断面図、cは下面図である。第2及び第5実施形態でそれぞれ開示した構造の特徴が有する両方の効果を有する。即ち、金属板650は、その形状の特徴から非常に高い放熱特性を有すると共に、外部から絶対値が大きな電流をチップ600Aへ供給できる。更に、スタンドオフの高さを、より高い値に到達させながらも、複数の第3の部位505Cの形状が、夫々対応する複数の第2の部位505Bよりも小さな第1の立体である。よって、絶縁基板等への接続に関連する半田等の金属の接続物による隣接の電気的なショートの抑止が、可能である。更に、半田との接触面積接合面積増大し、電気的な接合不良が抑止できる。更に、半田の絶縁基板からの高さを、第2の部位605Bに均一化でき、接合不良が抑止できる。更に、第3の部位605Cの形状を、第2の部位605Bの形状と異ならせることにより、半田への加熱時に流動性を持った半田の流れが第3の部位605Cの形状に沿って生ずる。よって、電気的な接合不良が抑止できる。これは、第3の部位605Cの形状を円柱とすることで更にその効果が増大する。また、第3の部位605Cの形状が、第2の部位605Bの形状よりも小さくすることによって、更にその効果が増大する。よって、外部端子電極605の信頼性が高い。機能素子及びその機能素子に関連する内部電極601を含むチップ600Aと、前記内部電極601に電気的に接続する接続体603と、同一材料から成る第1乃至第3の部位605A、605B、605Bが一体化した外部端子電極605と、前記チップ600Aの少なくとも一部、前記接続体603及び前記外部端子電極605の第1の部位605Aを封止する封止材604と、を備え、前記外部端子電極605は、前記第1の部位605Aが前記接続体603に接続し、第2及び第3の部位605B、605Cが前記封止材604の裏面に露出している。少なくとも前記第2の部位605Bは、直方体であり、前記封止材604の裏面に露出している。前記第3の部位605Cは、前記第2の部位605Bよりも小さな第1の立体である。これらの特徴を有する半導体装置1600Aが完成する。第2の部位の厚さが0.2mm、第3の部位の厚さが0.1mmの金属板650を使って製造方法の第6の実施形態を実施すれば、スタンドオフが0.3mm以上の図42に示す半導体装置1600Aが完成する。機能素子及びその機能素子に関連する内部電極601を含むチップ600Aと、前記内部電極601に電気的に接続する接続体603と、同一材料から成る第1乃至第3の部位605A、605B、605Bが一体化した外部端子電極605と、前記チップ600Aの少なくとも一部、前記接続体603及び前記外部端子電極605の第1の部位605Aを封止する封止材604と、を備え、前記外部端子電極605は、前記第1の部位605Aが前記接続体603に接続し、第2及び第3の部位605B、605Cが前記封止材604の裏面に露出している。少なくとも前記第2の部位605Bは、直方体であり、前記封止材604の裏面に露出している。前記第3の部位605Cは、前記第2の部位605Bよりも小さな第1の立体である。これらの特徴を有する半導体装置1600Aが完成する。第2の部位の厚さが0.2mm、第3の部位の厚さが0.1mmの金属板650を使って製造方法の第6の実施形態を実施すれば、スタンドオフが0.3mm以上の図42に示す半導体装置1600Aが完成する。半導体装置の製造方法:第7実施形態図43~図48は、半導体装置の製造方法の第7の実施形態を示す模式図である。尚、第1実施形態で開示した製造方法及び構造と同じ特徴の説明は省略し、第7の実施形態が固有に持つ製造方法及び構造の説明を中心に行う、図43は、製造方法の第7の実施形態に使用する金属板750の上面図、断面図、下面図を示すそれぞれa、b、c。この金属板750の外形は四角形である。外形は円形、四角形以外の多角形等でもよい。上面750Aは、は平面形状をしている。下面750Bは、複数の凹部750Gがある形状をしている。凹部750Gは、第1の方向紙面の上下方向の線分を有する。複数の凹部750Gのピッチギャップは、その後に形成される複数の外部端子の第2の方向紙面の左右方向のピッチギャップである。凹部750Gの底部は、U型でもよい。凹部750Gは、エッチング、機械加工又は熱加工によって製造される。凹部750Gの深さは、金属板750の厚さよりも小さく形成される。尚、後述する図48で切断される領域に対応する金属板750の周縁左側、右側には、凹部750Gは形成されていない。周縁部の金属板750が欠損することを防止するためである。図44は、半導体チップ搭載工程を示す。第1の実施形態における図2と同等の製造方法である。本工程では、複数の半導体チップを金属板750の上面750Aに搭載するが、代表して半導体チップ700Aを用いて説明する。半導体チップ700Aは、接着材702を介して金属板750の上面750Aに搭載される。図45は、搭載された半導体チップ700Aの内部電極701と金属板750の上面750Aを接続体で接続する工程を示す。第1の実施形態における図3と同等の製造方法である。少なくとも1つ以上の内部電極701と金属板750の上面750Aを接続する。その上面750A上の接続点は、裏面の凹部750Gに対応する。図46は、搭載された複数の半導体チップ700A~700F700D~700Fは図示していないと接続体703を樹脂704で覆う封止工程を示す。第1の実施形態における図4と同等の製造方法である。図47は、金属板750を機械的加工又は熱加工により切断する外部端子電極形成工程を示す。第1の実施形態における図5と同等の製造方法である。本実施形態では、接続体703を切断しないように、砥石770を使って少なくとも金属板750の裏面側から金属板750を切断し、電気的に互いに絶縁された複数の外部端子電極750が形成される。凹部750Gがセンターに配置される様に、外部端子電極705を形成する。例えば、砥石770の幅で、第2の部位705の形状の大きさを調整する。この場合、複数の外部端子電極705のギャップも、砥石770の幅で決定される。金属板750の切断と同時に、接着材702の一部と樹脂704の一部も切断することが好ましい。砥石770に代えてレーザやエンドミル等で金属板750を切断してもよい。レーザの場合、レーザの径で、エンドミルであればビットの径で、外部端子電極705の形状の大きさを調整する。図48は、樹脂704及び金属板750を機械的加工又は熱加工によって、複数の半導体装置1700A~1700Fに切断するパッケージ切断工程を示す。第1の実施形態における図6と同等の製造方法である。本実施形態では、砥石771を使ってパッケージ切断工程を行っている。半導体装置:第7実施形態図49は、本発明による半導体装置の第7実施形態を示す半導体装置1700Aの模式図である。aは、上面図、bは断面図、cは下面図である。図75cは、半導体装置が絶縁基板11に実装される模式図である。機能素子及びその機能素子に関連する内部電極701を含むチップ700Aと、前記内部電極201に電気的に接続する接続体203と、同一材料から成る第1の部位705Aと第2の部位705Bが一体化した外部端子電極705と、前記チップ700Aの少なくとも一部、前記接続体703及び前記外部端子電極の第1の部位705Aを封止する封止材704と、を備え、前記外部端子電極705は、前記第1の部位705Aが前記接続体703に接続し、第2の部位705Bが前記封止材704の裏面に露出している。前記第2の部位705Bは、直方体であり、窪み凹部を有し、前記封止材704の裏面に露出している。0.2mmの金属板750を使って、製造方法の第7の実施形態を実施すれば、スタンドオフが0.2mm以上の図49に示す半導体装置1700Aが完成する。図75cに示されるように、窪み凹部を持たせることにより、電気的な接合不良が抑止できる。絶縁基板11への接続に関連する半田等の金属の接続物13が、外部端子電極705が有する窪み凹部の中で電気的に接合される。よって、外部端子電極705の外側で電気的に接合する半田等の金属の接続物13と相まって電気的な接合不良が抑止できる。外部端子電極705の外側で電気的に接合する半田等の金属の接続物13の量を相対的に減らすことが出来る。よって、複数の外部端子電極705間の電気的なショートの抑止が、可能である。これらのことから、スタンドオフの高さを高く維持しながらも、外部端子電極705の電気的な接合に関する信頼性を高めることが出来る。半導体装置の製造方法:第8実施形態図50~図55は、半導体装置の製造方法の第8の実施形態を示す模式図である。尚、第2及び第7実施形態でそれぞれ開示した製造方法及び構造と同じ特徴の説明は省略し、第8の実施形態が固有に持つ製造方法及び構造の説明を中心に行う。図50は、製造方法の第8の実施形態に使用する金属板850の上面図、断面図、下面図を示すそれぞれa、b、c。第7の実施形態における図43と同等の製造方法である。この金属板850の外形は四角形である。外形は円形、四角形以外の多角形等でもよい。上面850Aは、は平面形状をしている。下面850Bは、複数の凹部850Gのある形状をしている。凹部850Gは、エッチング、機械加工又は熱加工によって製造される。図51は、半導体チップ搭載工程を示す。第7の実施形態における図44と同等の製造方法である。本工程では、複数の半導体チップを金属板850の上面850Aに搭載するが、代表して半導体チップ800Aを用いて説明する。半導体チップ800Aは、接着材802を介して金属板850の上面850Aに搭載される。図52は、搭載された半導体チップ800Aの内部電極801と金属板850の上面850Aを接続体で接続する工程を示す。第7の実施形態における図45と同等の製造方法である。少なくとも1つ以上の内部電極801と金属板850の上面850Aを接続する。図53は、搭載された複数の半導体チップ800A~800F800D~800Fは図示していないと、接続体803を樹脂804で覆う封止工程を示す。第7の実施形態における図46と同等の製造方法である。図54は、金属板850を機械的加工又は熱加工により切断する外部端子電極形成工程を示す。第2の実施形態における図12と同等の製造方法である。本実施形態では、接続体803を切断しないように、レーザ880を使って金属板850を切断し、電気的に絶縁された複数の外部端子電極805、805Dが形成される。外部端子電極805と外部端子電極850Dの大きさは異なる。図55は、樹脂804及び金属板850を機械的加工又は熱加工によって、複数の半導体装置1800A~1800Fに切断するパッケージ切断工程を示す。第2の実施形態における図13と同等の製造方法である。本実施形態では、砥石871を使ってパッケージ切断工程を行っている。半導体装置:第8実施形態図56は、本発明による半導体装置の第8実施形態を示す半導体装置1800Aの模式図である。aは、上面図、bは断面図、cは下面図である。第2及び第7実施形態でそれぞれ開示した構造の特徴が有する両方の効果を有する。即ち、金属板850Dは、その形状の特徴から非常に高い放熱特性を有すると共に、外部から絶対値が大きな電流をチップ800Aへ供給できる。更に、スタンドオフの高さを、より高い値に到達させながらも、複数の外部端子が有する窪み凹部の形状が、の電気的な接合に関する信頼性を高めることが出来る。機能素子及びその機能素子に関連する内部電極801を含むチップ800Aと、前記内部電極801に電気的に接続する接続体803と、同一材料から成る第1の部位805Aと第2の部位805Bが一体化した外部端子電極805と、前記チップ800Aの少なくとも一部、前記接続体803及び前記外部端子電極の第1の部位805Aを封止する封止材804と、を備え、前記外部端子電極805は、前記第1の部位805Aが前記接続体803に接続し、第2の部位805Bが前記封止材804の裏面に露出している。前記第2の部位805Bは、直方体であり、窪み凹部を有し、前記封止材804の裏面に露出している。0.2mmの金属板850を使って、製造方法の第8の実施形態を実施すれば、スタンドオフが0.2mm以上の図56に示す半導体装置1800Aが完成する。半導体装置の製造方法:第9実施形態図57~図62は、半導体装置の製造方法の第9の実施形態を示す模式図である。尚、第3及び第5実施形態でそれぞれ開示した製造方法及び構造と同じ特徴の説明は省略し、第8の実施形態が固有に持つ製造方法及び構造の説明を中心に行う。図57は、製造方法の第9の実施形態に使用する金属板950の上面図、断面図、下面図を示すそれぞれa、b、c。第3及び第5実施形態における図15及び図29と同等の製造方法である。この金属板950の外形は四角形である。外形は円形、四角形以外の多角形等でもよい。上面950Aは、複数の凸部950Eのある形状をしている。また下面950Bも複数の凸部950Fのある形状をしている。凸部950E、950Fは、エッチング、機械加工又は熱加工によって製造される。図58は、半導体チップ搭載工程を示す。第3及び第5実施形態における図16及び図30と同等の製造方法である。本工程では、複数の半導体チップを金属板950の上面950Aの凸部950Eに搭載するが、代表して半導体チップ900Aを用いて説明する。半導体チップ900Aは、接着材902を介して金属板950の上面950Aの凸部950Eに搭載される。図59は、搭載された半導体チップ900Aの内部電極901と金属板950の上面950Aの凸部950Eを接続体で接続する工程を示す。第3及び第5実施形態における図17及び図31と同等の製造方法である。少なくとも1つ以上の内部電極901と金属板950の上面950Aの凸部950Eを接続する。図60は、搭載された複数の半導体チップ900A~900F900D~900Fは図示していないと接続体903を樹脂904で覆う封止工程を示す。第3及び第5実施形態における図18及び図32と同等の製造方法である。図61は、金属板950を機械的加工又は熱加工により切断する外部端子電極形成工程を示す。第3及び第5実施形態における図19及び図33と同等の製造方法である。本実施形態では、接続体903を切断しないように、砥石970を使って少なくとも金属板950の裏面側から金属板950を切断し、電気的に互いに絶縁された複数の外部端子電極905が形成される。尚、凸部950図57に相当する第1の部位905Aが、樹脂904に埋もれている。よって、砥石970などの振動による機械的な切断時に、外部端子電極905の剥離を抑止する。特許文献3乃至5のエッチング製法では開示、示唆されない製造方法の効果である。更に、第1の部位905Aの大きさが、第2の部位905Bよりも小さい。よって、外部端子電極905の剥離を更に抑止する。尚、外部端子電極905の第3の部位905Cよりも大きな立体となる様に、外部端子電極905の第2の部位905Bを形成する。例えば、砥石970の幅で、第2の部位905Bの形状の大きさを調整する。この場合、複数の外部端子電極905のギャップも、砥石970の幅で決定される。金属板950の切断と同時に、接着材902と樹脂804の一部も削除することが好ましい。砥石970に代えてレーザやエンドミル等で金属板950を切断してもよい。レーザの場合、レーザの径で、エンドミルであればビットの径で、第2の部位505Bの形状の大きさを調整する。図62は、樹脂904及び金属板950を機械的加工又は熱加工によって、複数の半導体装置1900A~1900Fに切断するパッケージ切断工程を示す。第3及び第5実施形態における図20及び図34と同等の製造方法である。本実施形態では、砥石971を使ってパッケージ切断工程を行っている。半導体装置:第9実施形態図63は、本発明による半導体装置の第9実施形態を示す半導体装置1900Aの模式図である。aは、上面図、bは断面図、cは下面図である。図74は、図63に示す半導体装置の斜視図である。図75bは、半導体装置が絶縁基板11に実装される模式図である。第3及び第5実施形態でそれぞれ開示した構造の特徴が有する両方の効果を有する。即ち、スタンドオフの高さを、より高い値に到達させながらも、第1の部位905A及び樹脂904の接合面積が大きく確保されている。よって、外部端子電極905の信頼性が高い。更に、複数の第3の部位905Cの形状が、夫々対応する複数の第2の部位905Bよりも小さな第1の立体であることによって、絶縁基板等への接続に関連する半田等の金属の接続物による隣接の電気的なショートの抑止が、可能である。更に、半田との接触面積接合面積増大し、電気的な接合不良が抑止できる。更に、半田の絶縁基板からの高さを、第2の部位905Bに均一化でき、接合不良が抑止できる。更に、第3の部位905Cの形状を、第2の部位905Bの形状と異ならせることにより、半田への加熱時に流動性を持った半田の流れが第3の部位905Cの形状に沿って生ずる。よって、電気的な接合不良が抑止できる。これは、第3の部位905Cの形状を円柱とすることで更にその効果が増大する。また、第3の部位905Cの形状が、第2の部位905Bの形状よりも小さくすることによって、更にその効果が増大する。機能素子及びその機能素子に関連する内部電極901を含むチップ900Aと、前記内部電極901に電気的に接続する接続体903と、同一材料から成る第1乃至第3の部位905A、905B、905Bが一体化した外部端子電極905と、前記チップ900Aの少なくとも一部、前記接続体903及び前記外部端子電極905の第1の部位905Aを封止する封止材904と、を備え、前記外部端子電極905は、前記第1の部位905Aが前記接続体903に接続し、第2及び第3の部位905B、905Cが前記封止材904の裏面に露出している。少なくとも前記第2の部位905Bは、直方体であり、前記封止材904の裏面に露出している。前記第3の部位905Cは、前記第2の部位905Bよりも小さな第1の立体である半導体装置1900Aが完成する。第一の部位905Aの厚さが0.1mm、第2の部位905Bの厚さが0.2mm、第3の部位905Cの厚さが0.1mmの金属板950を使って製造方法の第9の実施形態を実施すれば、スタンドオフが0.3mm以上の図63に示す半導体装置1900Aが完成する。半導体装置の製造方法:第10実施形態図64~図69は、半導体装置の製造方法の第10の実施形態を示す模式図である。尚、第2及び第9実施形態でそれぞれ開示した製造方法及び構造と同じ特徴の説明は省略し、第4の実施形態が固有に持つ製造方法及び構造の説明を中心に行う。図64は、製造方法の第10の実施形態に使用する金属板1050の上面図、断面図、下面図を示すそれぞれa、b、c。第9の実施形態における図57と同等の製造方法である。この金属板1050の外形は四角形である。外形は円形、四角形以外の多角形等でもよい。上面1050Aは、複数の凸部1050Eのある形状をしている。また下面1050Bも複数の凸部1050Fのある形状をしている。凸部1050E、1050Fは、エッチング、機械加工又は熱加工によって製造される。図65は、半導体チップ搭載工程を示す。第9の実施形態における図58と同等の製造方法である。本工程では、複数の半導体チップを金属板1050の上面1050Aの凸部1050Eに搭載するが、代表して半導体チップ1000Aを用いて説明する。半導体チップ1000Aは、接着材1002を介して金属板1050の上面1050Aの凸部1050Eに搭載される。図66は、搭載された半導体チップ1000Aの内部電極1001と金属板1050の上面1050Aの凸部1050Eを接続体で接続する工程を示す。第9の実施形態における図59と同等の製造方法である。少なくとも1つ以上の内部電極1001と金属板1050の上面1050Aの凸部1050Eを接続する。図67は、搭載された複数の半導体チップ1000A~1000F1000D~1000Fは図示していないと接続体1003を樹脂1004で覆う封止工程を示す。第9の実施形態における図60と同等の製造方法である。図68は、金属板1050を機械的加工又は熱加工により切断する外部端子電極形成工程を示す。第2の実施形態における図12と同等の製造方法である。本実施形態では、接続体1003を切断しないように、レーザ1080を使って少なくとも金属板1050の裏面側から金属板1050を切断し、電気的に互いに絶縁された複数の外部端子電極1005、1005Dが形成される。本発明による製造方法の第9の実施形態との違いは、チップの下の金属板1050Dの部分を切断しない事である。よって、外部端子電極1005と外部端子電極1050Dの大きさは異なる。これは、耐湿性対策等の信頼の観点から接着材1002を外部に露出したくない場合に効果がある。金属板1050の切断と同時に、樹脂1004の一部も除去してもよい。レーザ1080に代えてエンドミル等で金属板1050を切断してもよい。図69は、樹脂1004及び金属板1050を機械的加工又は熱加工によって、複数の半導体装置1900A~1900Fに切断するパッケージ切断工程を示す。第2の実施形態における図13と同等の製造方法である。本実施形態では、砥石1071を使ってパッケージ切断工程を行っている。砥石1071に代えてレーザやエンドミル等を使ってパッケージ切断工程を行ってもよい。半導体装置:第10実施形態図70は、本発明による半導体装置の第10実施形態を示す半導体装置11000Aの模式図である。aは、断面図、bは下面図である。機能素子及びその機能素子に関連する内部電極1001を含むチップ1000Aと、前記内部電極1001に電気的に接続する接続体1003と、同一材料から成る第1乃至第3の部位1005A、1005B、1005Bが一体化した外部端子電極1005と、前記チップ1000Aの少なくとも一部、前記接続体1003及び前記外部端子電極1005の第1の部位1005Aを封止する封止材1004と、を備え、前記外部端子電極1005は、前記第1の部位1005Aが前記接続体1003に接続し、第2及び第3の部位1005B、1005Cが前記封止材1004の裏面に露出ている。少なくとも前記第2の部位1005Bは、直方体であり、前記封止材1004の裏面に露出している。前記第3の部位1005Cは、前記第2の部位1005Bよりも小さな第1の立体である。第一の部位1005Aの厚さが0.1mm、第2の部位1005Bの厚さが0.2mm、第3の部位1005Cの厚さが0.1mmの金属板1050を使って製造方法の第10の実施形態を実施すれば、スタンドオフが0.3mm以上の図70に示す半導体装置11000Aが完成する。金属板1050は、その形状の特徴から非常に高い放熱特性を有すると共に、外部から絶対値が大きな電流をチップ1000Aへ供給できる。半導体装置:第11実施形態フリップチップパッケージ図71は、本発明による半導体装置の第11実施形態を示す半導体装置の模式図である。aは、半導体装置12000の断面図、bは半導体装置13000の断面図、cは半導体装置14000の断面図である。尚、第1及び第10実施形態でそれぞれ開示した構造と同じ特徴の説明は省略し、第11実施形態が固有に持つ構造の説明を中心に行う。図71は、接続体に導電性接着材や半田を使用した半導体装置の例である。図71aは、第9実施形態を示す半導体装置1900A図63を、所謂、フリップチップとしてパッケージングしたものである。外部端子電極2005は、第9実施形態図63が示す外部端子電極905と同等であり、第1~第3の部位905A~905Cにそれぞれ対応する第1~第3の部位2005A~2005Cを有する。接続体2003は、チップ2000Aの内部電極2001と外部端子電極2005Aとを接続する。接続体2003は、例えば、導電性を有する接着材を使用している。導電性を有する接着材に替えて、金属バンプを用いてもよい。チップ2000Aは、外部端子2005にフリップ実装され、樹脂2004で封止されている。尚、フリップチップとしてパッケージングする製造方法においては、半導体ウェハと、外部端子電極2005を形成する前の半導体ウェハの形状に対応した金属板950図57とを、張り合わせて、その後に樹脂904で封じし、更にその後に、図61に準じて金属板950を機械的加工又は熱加工により切断する外部端子電極形成工程により外部端子電極2005を形成することが望ましい。尚、チップ2000Aは、所謂、再配線層を含んでいてもよい。再配線層の一例として、ウェハレベルパッケージWLP技術である再配線層を含んでいてもよい。図76は、第11実施形態を示す半導体装置1200図71に、WLP技術を適用した半導体装置1500である。図76において、再配線層19は、チップ2000Aの表面に形成される。再配線16は、チップの表面に形成されたチップパッド14と外部端子電極2005を接続する金属の配線である。この時の接続関係は、チップパッド14と再配線層19が含む再配線16の一端がバンプ電極15を介して接続し、再配線16の他端と内部電極5001が接続し、内部電極5001と接続体2003の一端が接続し、接続体2003の他端と外部端子電極2005Aが接続する。対応する内部電極5001又は、対応する外部端子電極2005の断面図を視点とする互いの位置関係は、所謂、ファンインまたはファンアウトである。図76は、ファンインの構造体である。更に、再配線層19は、チップ2000Aの表面に形成された電気回路を保護するパッシベーション膜不図示の上に形成される。チップパッド14は、パッシベーション膜のビアを介して再配線16、等と接続する。第1の絶縁材17は、バンプ電極15の電気的な独立性を維持する。第2の絶縁材18は、再配線16の電気的な独立性を維持する。尚、再配線16の他端再配線16の一部にポスト電極を設け、そのポスト電極を内部電極としてもよい。そのポスト電極には、ワイヤボンディング等の接続体が接続する。また、再配線の一部の領域と内部電極として、内部電極にワイヤボンディング等の接続体を接続してもよい。尚、再配線16に接続しない外部端子電極2005は、ダミー電極であり、電気的にフローティングであるか、不図示の所定の電位を有するノードに、接続体を介して接続される。図71bは、複数のチップを実装したマルチチップパッケージを示す。チップ3000Aとチップ3001Aの2つのチップが半導体パッケージに実装されている。チップ3000Aの内部電極3001と外部端子電極3005との接続体3003に半田を使用している。同様にチップ3001Aの内部電極3001と外部端子電極3005との接続体3003に半田を使用している。2つのチップは、樹脂3004で封止されている。尚、チップ3000A及びチップ3001Aの少なくともいずれか一方は、前述したWLP技術である再配線層を含んでいてもよい。図71cも複数のチップを実装したマルチチップパッケージを示す。チップ4000Aの上に接着材4002を介してチップ4001Aが積層され、それら2つのチップが半導体パッケージに実装されている。チップ4000Aの内部電極4001と外部端子4005を接続する接続体は、導電性の接着材を使用している。チップ4001Aの内部電極4001と外部端子4005を接続する接続体は、金属ワイヤボンディングワイヤを使用している。2つのチップは、樹脂4004で封止されている。尚、チップ4000A及びチップ4001Aの少なくともいずれか一方は、前述したWLP技術である再配線層を含んでいてもよい。システム図75は、本発明による半導体装置が、絶縁基板11に電気的に接続されたシステムの例を示す。図75aは、本発明による半導体装置第1実施形態;図7が、絶縁基板11に電気的に接続された第1のシステムである。外部端子電極105は、絶縁基板11上に形成された導体12へ半田13によって接続されている。導体12は、絶縁基板11の上に実装されるその他の半導体装置不図示及びインタフェースと接続されている。絶縁基板11は、多層の導体層及び導体層に接続するホールを有する多層基板であってもよい。導体12は、絶縁基板11が有するホールと接続されていてもよい。いずれにせよ、半田13は、外部端子電極105が有するスタンドオフの高さ、表面張力、及び重力を利用して、外部端子電極105の周囲を取り囲む様に、断面の視点で三角形状に形成される。尚、導体12と外部端子電極105の断面の視点からの幅は、互いに同一の幅である必要はない。例えば、導体12の幅が、外部端子電極105の幅よりも若干小さい場合、互いに隣接する2つの半田13のギャップは、大きくなる。他方、半田13が、外部端子電極105及び導体12に接する面積は、大きくなり、接続寄生抵抗、電気的な接合不良が共に低下する。図75bは、本発明による半導体装置第9実施形態;図63が、絶縁基板11に電気的に接続された第2のシステムである。第1のシステムとの違いは、外部端子電極905の形状である。外部端子電極905が有する第3の部位905Cの立体が、第2の部位905Bよりも小さい。よって、半田13が外部端子電極905及び導体12に接する面積は、大きくなり、接続寄生抵抗、電気的な接合不良が共に低下する。図75cは、本発明による半導体装置第7実施形態;図49が、絶縁基板11に電気的に接続された第3のシステムである。第1のシステムとの違いは、外部端子電極705の形状である。外部端子電極705が有する第2の部位705Bの形状が、窪み凹部を有する。窪み凹部は、半田13を含む。よって、半田13が外部端子電極905及び導体12に接する面積は、大きくなり、接続寄生抵抗、電気的な接合不良が共に低下する。尚、特許文献1乃至特許文献5、並びに非特許文献1のそれぞれの開示事項を、本明細書に盛り込むものとする。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば、すべての実施形態は、互いに組み合わせることが可能である。第1実施形態乃至第11実施形態は、互いに任意に組み合わせることが出来る。例えば、第5実施形態と第7実施形態を組み合わせると、外部端子電極の第3の部位円柱に窪み凹部を設けることができる。具体的な一例として、図29における金属板下面の凸部550Fに窪み凹部を設ける。その窪みは、第7実施形態のようにスリット形状に限られず、例えば、井戸形状の窪みであってもよい。第7実施形態の金属板下面のY方向に延在するスリット形状の凹部750図43は、X方向であってもよい。更に、X、Yの両方向にあってもよい。外部端子電極の第3の部位の形状において、第5実施形態が開示する円柱に限らず、例えば第5実施形態が開示する直方体であってもよい。外部端子電極の第1の部位の形状において、第1実施形態が開示する直方体に限らず、例えば第5実施形態が開示する円柱であってもよい。外部端子電極の第1の部位円柱または直方体に窪み凹部を設けることができる。その窪みは、第7実施形態のようにスリット形状に限られず、例えば、井戸形状の窪みであってもよい。再配線層19の構造は、図76の構造に限られない。例えば、バンプ電極15を介さずに、チップパッド14と再配線16が接続してもよい。