"角速度センサを用いて角速度を測定する方法であって、前記角速度センサを用意する工程aと、前記角速度センサは、振動部を有する基板、前記振動部に接合された圧電体膜、および電極群を具備し、前記電極群は、駆動電極およびセンス電極を具備し、前記圧電体膜は、圧電体層、および前記圧電体層を挟持する第1電極および第2電極を具備し、前記第1電極は、001配向を具備し、前記圧電体層は、001配向を有する1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3から構成され、xは0.30以上0.46以下であり、yは0.51以上0.62以下であり、zは0.07以上0.09以下であり、前記電極群は、前記第1電極および第2電極から選ばれる、いずれか一方の電極を具備し、前記第1電極および第2電極から選ばれる、他方の電極および前記駆動電極を介して前記圧電体層に40kV/cm以上80kV/cm以下の印加電界を有する駆動電圧を印加し、前記振動部200bを発振させる工程bと、前記発振中の振動部に加わった角速度によってもたらされた前記振動部の変形を、前記他方の電極および前記センス電極を介して測定し、前記加わった角速度の値を得る工程cと、からなる角速度を測定する方法。振動部を有する基板、前記振動部に接合された圧電体膜、および電極群を具備した角速度センサであって、前記電極群は、駆動電極およびセンス電極を具備し、前記圧電体膜は、圧電体層、および前記圧電体層を挟持する第1電極および第2電極を具備し、前記第1電極は、001配向を具備し、前記圧電体層は、001配向を有する1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3から構成され、xは0.30以上0.46以下であり、yは0.51以上0.62以下であり、zは0.07以上0.09以下であり、前記電極群は、前記第1電極および第2電極から選ばれるいずれか一方の電極を具備する、角速度センサ。インクジェットヘッドを用いて画像を形成する方法であって、前記インクジェットヘッドを準備する工程aと、前記インクジェットヘッドは、第1電極および第2電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体膜と、前記圧電体膜に接合された振動層と、インクを収容する圧力室を有するとともに、前記振動層における前記圧電体膜が接合した面とは反対側の面に接合された圧力室部材と、を具備し、前記振動層は、圧電効果に基づく前記圧電体膜の変形に応じて当該振動層の膜厚方向に変位するように、前記圧電体膜に接合され、前記振動層および前記圧力室部材は、前記振動層の変位に応じて前記圧力室の容積が変化するとともに、前記圧力室の容積の変化に応じて前記圧力室内のインクが吐出されるように、互いに接合されており、前記第1電極は、001配向を具備し、前記圧電体層は、001配向を有する1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3から構成され、xは0.30以上0.46以下であり、yは0.51以上0.62以下であり、zは0.07以上0.09以下であり、前記第1電極および第2電極を介して前記圧電体層に電圧を印加することにより、圧電効果に基づき、前記圧力室の容積が変化するように前記振動層を当該層の膜厚方向に変位させ、当該変位により前記圧力室からインクを吐出させる工程bと、からなる画像を形成する方法。第1電極および第2電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体膜と、前記圧電体膜に接合された振動層と、インクを収容する圧力室を有するとともに、前記振動層における前記圧電体膜が接合した面とは反対側の面に接合された圧力室部材とを、具備するインクジェットヘッドであって、前記振動層は、圧電効果に基づく前記圧電体膜の変形に応じて当該振動層の膜厚方向に変位するように、前記圧電体膜に接合され、前記振動層および前記圧力室部材は、前記振動層の変位に応じて前記圧力室の容積が変化するとともに、前記圧力室の容積の変化に応じて前記圧力室内のインクが吐出されるように、互いに接合されており、前記第1電極は、001配向を具備し、前記第1電極は、001配向を具備し、前記圧電体層は、001配向を有する1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3から構成され、xは0.30以上0.46以下であり、yは0.51以上0.62以下であり、zは0.07以上0.09以下である、インクジェットヘッド。圧電発電素子を用いた発電方法であって、前記圧電発電素子を準備する工程aと、前記圧電発電素子は、振動部を有する基板と、前記振動部に接合されるとともに、第1電極および第2電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体膜と、を具備し、前記第1電極は、001配向を具備し、前記圧電体層は、001配向を有する1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3から構成され、xは0.30以上0.46以下であり、yは0.51以上0.62以下であり、zは0.07以上0.09以下であり、前記振動部に振動を与えることにより、前記第1および第2電極を介して電力を得る工程bと、からなる発電方法。振動部を有する基板と、前記振動部に接合されるとともに、第1電極および第2電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体膜とを、具備する圧電発電素子であって、前記第1電極は、001配向を具備し、前記圧電体層は、001配向を有する1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3から構成され、xは0.30以上0.46以下であり、yは0.51以上0.62以下であり、zは0.07以上0.09以下である、圧電発電素子。以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明では、同一の部材に同一の符号を与え、重複する説明を省略し得る。[圧電体膜]図1Aは、本発明による圧電体膜の一形態を示す。図1Aに示される圧電体膜1aは、積層構造16aを有する。積層構造16aは、001配向を有する第1電極13、001配向を有する1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO30.30≦x≦0.46、0.51≦y≦0.62、かつ0.07≦z≦0.09層15、および第2電極17をこの順に有する。積層されたこれらの層13/15/17は互いに接する。当該1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15は、圧電体層である。当該1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15は、小さいリーク電流特性、高い結晶性、高い001配向性、および低い誘電損失特性を有する。さらに、40kV/cm以上の電界が印加された場合でも、圧電体膜1aの歪み量が印加電界に比例する。xが0.30未満である場合、40kV/cm以上80kV/cm以下の印加電界の範囲内において歪み量が印加電界に比例しない。後述される比較例2および6を参照せよ。xが0.46を超える場合、40kV/cm以上80kV/cm以下の印加電界の範囲内において歪み量が印加電界に比例しない。比較例3、7、および8を参照せよ。y0.51未満である場合、40kV/cm以上80kV/cm以下の印加電界の範囲内において歪み量が印加電界に比例しない。比較例4、6、7、および8を参照せよ。yが0.62を超える場合、40kV/cm以上80kV/cm以下の印加電界の範囲内において歪み量が印加電界に比例しない。比較例5を参照せよ。より詳細には、圧電体層は、組成式1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3により表される。zは0.07以上0.09以下である。001配向を有する第1電極13の例は、以下の1あるいは2である:1白金Pt、パラジウムPd、金Auのような金属層、あるいは2酸化ニッケルNiO、酸化ルテニウムRuO2、酸化イリジウムIrO2、ルテニウム酸ストロンチウムSrRuO3、およびニッケル酸ランタンLaNiO3のような酸化物導電体層。2層以上のこれらの層もまた、用いられ得る。この中でも、LaNiO3は、化学式ABO3により表されるペロブスカイト型の結晶構造を有する。当該結晶構造の格子定数は0.384nm擬立方晶である。このため、LaNiO3は、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15に対する良好な格子整合性を有する。LaNiO3は、当該層の下地層の組成および結晶構造に拘わらず、001配向を有する。例えば、ステンレスなどの金属からなる基板上にも、001配向を有するLaNiO3が形成され得る。LaNiO3は、微量の不純物を含み得る。当該不純物は、典型的には、Laを置換する希土類元素である。PtまたはLaNiO3からなる第1電極13は、典型的にはスパッタリング法により形成され得る。第1電極13は、パルスレーザー堆積法PLD法、化学気相成長法CVD法、ゾルゲル法、およびエアロゾル堆積法AD法のような他の薄膜形成手法によっても形成され得る。スパッタリング法により、001配向を有するPtまたはLaNiO3を具備する第1電極13が形成される。1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO30.30≦x≦0.46かつ0.51≦y≦0.62層15は圧電体層である。1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15は、001の面方位を表面に有する。チタン酸ナトリウムビスマスの酸素量を表す0.5x1.5y2は、誤差を含み得る。例えば、x=0.41かつy=0.53であれば0.5×0.411.5×0.532=3である。しかし、ナトリウムの量が0.41かつビスマスの量が0.53である場合でも、チタン酸ナトリウムビスマスの酸素量は完全に3に一致するとは限らない。1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15の厚みは限定されない。当該厚みは、例えば、0.5μm以上10μm以下である。1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15が薄くても、当該1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15が低い誘電損失および高い圧電性能を有する。高い結晶性、高い配向性、低い誘電損失、および印加電界に対して線形的な歪み挙動を示すPZTと同一の高い圧電性能を有する圧電体層の形成のために好適な組成は、圧電体層が有する格子定数の類似性または組成の類似性に基づいて予測することは困難である。この理由は、Bi,Na,BaTiO3のような多元系複合酸化物を構成する各元素酸素を除くが異なる蒸気圧を有するため、良好な結晶性および良好な配向性を有する、当該複合酸化物により構成される薄膜を形成することが一般に困難であるからである。本発明者らは、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15が、バッファ層を用いることなく、001方位への高い結晶性、高い配向性を有することを見出した。1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15は、化学式ABO3により表されるペロブスカイト型の結晶構造を有する。サイトAおよびサイトBは、単独または複数の元素の配置に応じて、それぞれ2価および4価の平均価数を有する。サイトAはBi、NaおよびBaである。サイトBはTiである。1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15は、微量の不純物を含み得る。当該不純物は、典型的には、サイトAにおけるNaを置換するLiおよびKならびにBaを置換するSrおよびCaであり得る。当該不純物は、典型的には、サイトBにおけるTiを置換するZrであり得る。その他の当該不純物は、例えば、Mn、Fe、NbおよびTaであり得る。いくかの不純物は、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15の結晶性および圧電性能を向上し得る。第1電極13と1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15との間には、必要に応じて、001配向層がさらに挟まれ得る。001配向層は、例えば、Pt層またはSrRuO3層である。1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15は、典型的にはスパッタリング法により形成され得る。1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15は、001配向を有する限り、例えば、PLD法、CVD法、ゾルゲル法、AD法のような他の薄膜形成手法によっても形成され得る。第2電極17は、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15上に形成されている。第1電極13および第2電極17は、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15に電圧を印加するために用いられる。第2電極17は、低い電気抵抗を有する金属から構成されることが好ましい。第2電極17は、NiO、RuO2、IrO3、SrRuO3、またはLaNiO3のような酸化物導電体から構成され得る。第2電極17は、2種以上のこれらの材料により構成され得る。第2電極17と1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15との間に、両者の密着性を向上させる密着層不図示が必要に応じて配置され得る。密着層の材料の例は、チタンTi、タンタルTa、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi、クロムCr、またはこれらの化合物であり得る。チタンが好ましい。密着層は、2種以上のこれらの材料により構成され得る。実施形態1においては、第2電極17および第1電極13を介して、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15に40kV/cm以上80kV/cm以下の電界以下、印加電界というが印加され得る。40kV/cm未満の印加電界は、正確な量のインクの吐出、正確な角速度の測定、および正圧電効果による発電のためには不十分であり得る。一方、80kV/cmを超える印加電界が印加される場合には、得られる歪み量が印加電界に比例しない傾向がある。歪み量と印加電界との関係が、以下、説明される。正確な角速度を測定可能な角速度センサ、正確な量のインクを吐出することが可能なインクジェットヘッド、および正圧電効果により発電可能な圧電発電素子のために、歪み量は電界に比例することが必要とされる。すなわち、歪み量bおよび電界aは以下の等式1を満たすことを必要とされる。b=c1a等式1c1は定数本明細書において用いられる用語比例とは、aおよびbの値が上記等式1を満たすことを意味する。すなわち、用語比例とは、一次関数を意味する。図11Aは、一般的な圧電体材料の電界-歪み量特性のグラフを示す。特許文献2の図4も参照されたい。図11Bは、図11Aの部分拡大図を示す。図11Bに示されるように、点Aでの接線の傾きは、点Bでの接線の傾きと実質的に同一である。実質的に同一とは、式:点Aでの接線の傾き/点Bでの接線の傾きにより表される比率が0.8以上1.2以下であることを意味する。これは、歪み量bは電界aに比例することを意味する。点Aおよび点Bの印加電界は、例えば、それぞれ40kV/cmおよび80kV/cmである。一方、点Cでの接線は、点Aおよび点Bでの接線よりも小さい傾きを有する。歪み量bおよび電界aが非一次関数の関係を有する場合、正確な角速度の測定、正確な量のインクの吐出、および正圧電効果による発電が困難となる。正確な角速度を測定可能な角速度センサ、正確な量のインクを吐出することが可能なインクジェットヘッド、および正圧電効果により発電可能な圧電発電素子には、歪み量bと電界aの間に非一次関数の関係は望まれない。しかし、特許文献2の図4に開示されているBNT_087の電界-歪み量のグラフによれば、印加電界の値が10kV/cmを超えると非一次関数の電界-歪み特性が見られる。すなわち、10kV/cm以上での印加電界に対する歪み量は印加電界の増加とともに、0kV/cm電界を印加しない状態での歪み量の点と10kV/cmでの歪み量の点を結んで形成される直線の延長線上からは大きくかけ離れる傾向がある。すなわち、歪み量は電界に比例しない。後述されるように、BNT_087と同様の組成を有する比較例6の場合にも、得られた圧電体膜の歪み量bは、非一次関数のように変化した。従って、当該圧電体膜は、角速度センサ、インクジェットヘッド、および圧電発電素子には適しない。図1Bは、本発明による圧電体膜の別の一形態を示す。図1Bに示される圧電体膜1bは、積層構造16bを有する。積層構造16bでは、図1Aに示される積層構造16aに金属電極層12が加えられている。積層構造16bでは、第1電極13が当該金属電極層12上に形成されている。具体的には、積層構造16bは、金属電極層12と、001配向を有する第1電極13と、001配向を有する1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15とをこの順に有する。積層されたこれらの層は互いに接する。金属電極層12の材料の例は、白金Pt、パラジウムPd、金Auのような金属;酸化ニッケルNiO、酸化ルテニウムRuO2、酸化イリジウムIrO2、ルテニウム酸ストロンチウムSrRuO3のような酸化物導電体である。金属電極層12は、2種以上のこれらの材料により構成され得る。金属電極層12は低い電気抵抗および高い耐熱性を有することが好ましい。そのため、金属電極層12はPt層であることが好ましい。当該Pt層は、111配向を有し得る。即ち、本発明の圧電体膜は、Pt層をさらに備え得る。第1電極13が当該Pt層上に形成され得る。金属電極層12は、第1電極13とともに、圧電体層である1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15に電圧を印加する電極層として機能し得る。換言すれば、当該電極層は、第1電極13および金属電極層12から構成される積層体である。図1Bに示される圧電体膜1bは、金属電極層12上に、第1電極13、および1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15を順に形成することにより、製造され得る。図1Cに示される圧電体膜1cでは、図1Bに示される積層構造16bが基板11上に形成されている。基板11は、MgO基板であり得る。MgO単結晶基板が好ましい。基板11と積層構造16bとの間より具体的には、基板11と金属電極層12との間に、両者の密着性を向上させる密着層不図示が必要に応じて配置され得る。当該密着層は導電性を必要とする。密着層の材料の例は、Ti、Ta、Fe、Co、Ni、Crまたはこれらの化合物であり得る。密着層は、2種以上のこれらの材料により構成され得る。図1A~図1Bに示される圧電体膜1a~1bは、下地基板を用いて製造され得る。具体的には、当該圧電体膜1a~1bは、下地基板上に積層構造16a~16bを形成した後、当該下地基板を除去することによって製造され得る。当該下地基板は、エッチングのような公知の手法により除去され得る。図1Cに示される圧電体膜1cも、下地基板を用いて製造され得る。具体的には、下地基板上に積層構造16bを形成した後、当該下地基板を除去し、さらに、別途準備した基板11上に積層構造16bを配置することによって、当該圧電体膜1cは製造され得る。下地基板の材料の例は、以下の1~7である。1MgOのようなNaCl型構造を有する酸化物基板2SrTiO3、LaAlO3、およびNdGaO3のようなペロブスカイト型構造を有する酸化物基板3Al2O3のようなコランダム型構造を有する酸化物基板4MgAl2O4のようなスピネル型構造を有する酸化物基板5TiO2のようなルチル型構造を有する酸化物基板6La,SrAl,TaO3、およびイットリア安定化ジルコニアYSZのような立方晶系の結晶構造を有する酸化物基板7ステンレス基板これらの材料は、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15の線熱膨張係数よりも大きい線熱膨張係数を有する。下地基板は、ステンレスのような金属基板の表面に、NaCl型の結晶構造を有する酸化物層を積層することによって形成され得る。そして、当該酸化物層の表面に、金属電極層12または第1電極13が形成され得る。酸化物層の例は、MgO層、NiO層、または酸化コバルトCoO層である。圧電体膜を製造する本発明の方法は、上述したように、下地基板上に、直接あるいは金属電極層12のような他の層を介して、第1電極13を形成する工程を包含し得る。基板11を兼ね得る下地基板は除去された後、他の基板は配置され得る。このとき、当該他の基板は、金属電極層12または第1電極13に接するように配置され得る。当該他の基板は、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15に接するように配置され得る。後者によれば、当該他の基板上に、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15、および第1電極13がこの順に積層された、圧電体膜が得られる。[インクジェットヘッド]以下、本発明のインクジェットヘッドを、図2~図4を参照しながら説明する。図2は、本発明のインクジェットヘッドの一形態を示す。図3は、図2に示されるインクジェットヘッド100における、圧力室部材およびアクチュエータ部を含む要部を示す分解図である。図2および図3における符号Aは、圧力室部材を指し示す。圧力室部材Aは、その厚み方向図の上下方向に貫通する貫通孔101を具備する。図3に示される貫通孔101は、圧力室部材Aの厚み方向に切断された当該貫通孔101の一部である。符号Bは、圧電体膜および振動層を具備するアクチュエータ部を指し示す。符号Cは、共通液室105およびインク流路107を具備するインク流路部材Cを指し示す。圧力室部材A、アクチュエータ部B、およびインク流路部材Cは、圧力室部材Aがアクチュエータ部Bおよびインク流路部材Cに挟まれるように、互いに接合している。圧力室部材A、アクチュエータ部Bおよびインク流路部材Cが互いに接合した状態で、貫通孔101は、共通液室105から供給されたインクを収容する圧力室102を形成する。アクチュエータ部Bが具備する圧電体膜および振動層は、平面視において圧力室102と重複する。図2および図3における符号103は、圧電体膜の一部である個別電極層を指し示す。図2に示されるように、インクジェットヘッド100は、平面視においてジグザグ状に配置された2以上の個別電極層103を、即ち、圧電体膜を、具備する。インク流路部材Cは、平面視においてストライプ状に配置された2以上の共通液室105を具備する。図2および図3において、各共通液室105は、平面視において2以上の圧力室102と重複する。共通液室105は、インクジェットヘッド100におけるインク供給方向図2における矢印方向に伸びている。インク流路部材Cは、共通液室105内のインクを圧力室102に供給する供給口106と、圧力室102内のインクをノズル孔108から吐出するインク流路107とを具備する。通常、1つの供給口106および1つのノズル孔108が、1つの圧力室102に対応付けられている。ノズル孔108は、ノズル板Dに形成されている。ノズル板Dは、圧力室部材Aとともにインク流路部材Cを挟むように、インク流路部材Cに接合している。図2における符号EはICチップを指し示す。ICチップEは、アクチュエータ部Bの表面に露出する個別電極層103に、ボンディングワイヤBWを介して電気的に接続されている。図2を明瞭にするために、一部のボンディングワイヤBWのみが図2に示される。図3は、圧力室部材Aおよびアクチュエータ部Bを含む要部の構成を示す。図4は、圧力室部材Aおよびアクチュエータ部Bにおける、インク供給方向図2における矢印方向に直交する断面を示す。アクチュエータ部Bは、第1電極個別電極層103および第2電極共通電極層112に挟まれた圧電体層15を有する圧電体膜104104a-104dを具備する。1つの個別電極層103は、1つの圧電体膜104a~104dに対応付けられている。共通電極層112は、圧電体膜104a~104dに共通する電極である。図4における破線で囲まれているように、上述した圧電体膜104がインクジェットヘッド内部に配置される。当該圧電体膜は、[圧電体膜]と題された項目で説明された圧電体膜である。なお図4において図示はしていないが、図1B、図1Cで説明したように、金属電極層12を含んでも構わない。[インクジェットヘッドを用いた画像形成方法]本発明の画像を形成する方法は、上述した本発明のインクジェットヘッドにおいて、第1および第2電極すなわち、個別電極層および共通電極層を介して圧電体層に電圧を印加し、圧電効果により振動層を当該層の膜厚方向に変位させて圧力室の容積を変化させる工程、ならびに当該変位により圧力室からインクを吐出させる工程を含有する。紙のような画像形成対象物とインクジェットヘッドとの間の相対位置を変化させながら、圧電体層に印加する電圧を変化させてインクジェットヘッドからのインクの吐出タイミングおよび吐出量を制御することによって、対象物の表面に画像が形成される。本明細書において用いられる用語画像は、文字を含む。換言すれば、本発明の画像を形成する方法により、紙のような印刷対象物に、文字、絵、図形などが印刷される。当該方法では、高い表現力を有する印刷をなし得る。[角速度センサ]図5は、本発明の角速度センサの一例を示す。図6は、図5に示される角速度センサ21aの断面E1を示す。図5に示される角速度センサ21aは、いわゆる音叉型角速度センサである。これは車両用ナビゲーション装置およびデジタルスチルカメラの手ぶれ補正センサに使用され得る。図5に示される角速度センサ21aは、振動部200bを有する基板200と、振動部200bに接合された圧電体膜208とを備える。基板200は、固定部200aと、固定部200aから所定の方向に伸びた一対のアーム振動部200bとを具備する。振動部200bが延びる方向は、角速度センサ21が測定する角速度の回転中心軸Lが延びる方向と同一である。具体的には、当該方向は、図5ではY方向である。基板200の厚み方向図5におけるZ方向から見て、基板200は2本のアーム振動部200bを有する音叉の形状を有している。基板200を構成する材料は限定されない。当該材料は、例えば、Si、ガラス、セラミクス、金属である。基板200は、Si単結晶基板であり得る。基板200の厚みは、角速度センサ21aとしての機能が発現できる限り、限定されない。より具体的には、基板200の厚みは0.1mm以上0.8mm以下である。固定部200aの厚みは、振動部200bの厚みと異なり得る。圧電体膜208は、振動部200bに接合している。当該圧電体膜208は、[圧電体膜]と題された項目で説明された圧電体膜である。図5および図6に示されるように、当該圧電体膜208は、第1電極13202、圧電体層15、および第2電極17205を具備する。第2電極205は、駆動電極206およびセンス電極207を含む電極群を具備する。駆動電極206は、振動部200bを発振させる駆動電圧を圧電体層15に印加する。センス電極207は、振動部200bに加わった角速度によって振動部200bに生じた変形を測定する。振動部200bの発振方向は、通常、その幅方向図5におけるX方向である。より具体的には、図5に示される角速度センサでは、一対の駆動電極206が、振動部200bの幅方向に対する両端部に、振動部200bの長さ方向図5のY方向に沿って設けられている。1本の駆動電極206が、振動部200bの幅方向に対する一方の端部に設けられ得る。図5に示される角速度センサでは、センス電極207は、振動部200bの長さ方向に沿って設けられており、かつ一対の駆動電極206の間に挟まれている。複数のセンス電極207が、振動部200b上に設けられ得る。センス電極207によって測定される振動部200bの変形は、通常、その厚み方向図5におけるZ方向の撓みである。本発明の角速度センサでは、第1電極および第2電極から選ばれる一方の電極が、駆動電極とセンス電極とを含む電極群により構成され得る。図5に示される角速度センサ21aでは、第2電極205が当該電極群により構成される。当該角速度センサとは異なり、第1電極202が当該電極群により構成され得る。接続端子202a、206aおよび207aが、第1電極202の端部、駆動電極206の端部およびセンス電極207の端部に、それぞれ形成されている。各接続端子の形状および位置は限定されない。図5では、接続端子は固定部200a上に設けられている。図5に示される角速度センサでは、圧電体膜208は、振動部200bおよび固定部200aの双方に接合している。しかし、圧電体膜208が振動部200bを発振させることができ、かつ振動部200bに生じた変形が圧電体膜208によって測定され得る限り、圧電体膜208の接合の状態は限定されない。例えば、圧電体膜208は、振動部200bのみに接合され得る。本発明の角速度センサは、一対の振動部200bからなる振動部群を2以上有し得る。そのような角速度センサは、複数の回転中心軸に対する角速度を測定し得、2軸あるいは3軸の角速度センサとして機能し得る。図5に示される角速度センサは、一対の振動部200bからなる1つの振動部群を有する。[角速度センサによる角速度の測定方法]本発明の角速度を測定する方法は、本発明の角速度センサを用いて、駆動電圧を圧電体層に印加して、基板の振動部を発振させる工程、および発振中の振動部に加わった角速度によって振動部に生じた変形を測定することによって当該角速度の値を得る工程、を有する。第1電極および第2電極のうち、駆動電極およびセンス電極として機能しない電極他方の電極と、駆動電極との間に駆動電圧が印加され、圧電体層に駆動電圧が印加される。他方の電極およびセンス電極が、角速度によって、発振中の振動部に生じた変形を測定する。以下、図5に示される角速度センサ21aを用いた角速度の測定方法を説明する。振動部200bの固有振動と共振する周波数の駆動電圧が、第1電極202および駆動電極206を介して圧電体層15に印加され、振動部200bを発振させる。駆動電圧は、例えば、第1電極202を接地し、かつ駆動電極206の電位を変化させることで印加され得る換言すれば、駆動電圧は、第1電極202と駆動電極206との間の電位差である。角速度センサ21a、音叉の形状に配列された一対の振動部200bを有する。通常、一対の振動部200bのそれぞれが有する各駆動電極206に、正負が互いに逆である電圧をそれぞれ印加する。これにより、各振動部200bを、互いに逆方向に振動するモード図5に示される回転中心軸Lに対して対称的に振動するモードで発振させることができる。図5に示される角速度センサ21aでは、振動部200bはその幅方向X方向に発振する。一対の振動部200bの一方のみを発振させることによっても角速度の測定は可能である。しかし、高精度の測定のためには、両方の振動部200bを互いに逆方向に振動するモードで発振させることが好ましい。振動部200bが発振している角速度センサ21aに対して、その回転中心軸Lに対する角速度ωが加わるとき、各振動部200bは、コリオリ力によって厚み方向Z方向に撓む。一対の振動部200bが互いに逆方向に振動するモードで発振している場合、各振動部200bは、互いに逆向きに、同じ変化量だけ撓むことになる。この撓みに応じて、振動部200bに接合した圧電体層15も撓み、第1電極202とセンス電極207との間に、圧電体層15の撓みに応じた、即ち、生じたコリオリ力に対応した電位差が生じる。この電位差の大きさを測定することで、角速度センサ21aに加わった角速度ωを測定することができる。コリオリ力Fcと角速度ωとの間には以下の関係が成立する:Fc=2mvωここで、vは、発振中の振動部200bにおける発振方向の速度である。mは、振動部200bの質量である。この式に示されているように、コリオリ力Fcから角速度ωを算出し得る。[圧電発電素子]図7は、本発明の圧電発電素子の一例を示す。図8は、図7に示される圧電発電素子22aの断面F1を示す断面図である。圧電発電素子22aは、外部から与えられた機械的振動を電気エネルギーに変換する素子である。圧電発電素子22aは、車両および機械の動力振動および走行振動、ならびに歩行時に生じる振動、に包含される種々の振動から発電する自立的な電源装置に好適に適用される。図7に示される圧電発電素子22aは、振動部300bを有する基板300と、振動部300bに接合された圧電体膜308とを具備する。基板300は、固定部300aと、固定部300aから所定の方向に伸びた梁により構成される振動部300bと、を有する。固定部300aを構成する材料は、振動部300bを構成する材料と同一であり得る。しかし、これらの材料は互いに異なり得る。互いに異なる材料により構成された固定部300aが、振動部300bに接合され得る。基板300を構成する材料は限定されない。当該材料は、例えば、Si、ガラス、セラミクス、金属である。基板300は、Si単結晶基板であり得る。基板300は、例えば、0.1mm以上0.8mm以下の厚みを有する。固定部300aは振動部300bの厚みと異なる厚みを有し得る。振動部300bの厚みは、振動部300bの共振周波数を変化させて効率的な発電が行えるように調整され得る。錘荷重306が振動部300bに接合している。錘荷重306は、振動部300bの共振周波数を調整する。錘荷重306は、例えば、Niの蒸着薄膜である。錘荷重306の材料、形状および質量ならびに錘荷重306が接合される位置は、求められる振動部300bの共振周波数に応じて調整され得る。錘荷重306は省略され得る。振動部300bの共振周波数が調整されない場合には、錘荷重306は不要である。圧電体膜308は、振動部300bに接合している。当該圧電体膜308は、[圧電体膜]と題された項目で説明された圧電体膜である。図7および図8に示されるように、当該圧電体膜308は、第1電極13302、圧電体層15、および第2電極17305を具備する。図7に示される圧電発電素子では、第1電極302の一部分が露出している。当該一部分は接続端子302aとして機能し得る。図7に示される圧電発電素子では、圧電体膜308は、振動部300bおよび固定部300aの双方に接合し得る。圧電体膜308は、振動部300bのみに接合し得る。本発明の圧電発電素子では、複数の振動部300bを有することで、発生する電力量を増大し得る。各振動部300bが有する共振周波数を変化させることにより、広い周波数成分からなる機械的振動への対応が可能となる。[圧電発電素子を用いた発電方法]上述した本発明の圧電発電素子に振動を与えることにより、第1電極および第2電極を介して電力が得られる。外部から圧電発電素子22aに機械的振動が与えられると、振動部300bが、固定部300aに対して上下に撓む振動を始める。当該振動が、圧電効果による起電力を圧電体層15に生じる。このようにして、圧電体層15を挟持する第1電極302と第2電極305との間に電位差が発生する。圧電体層15が有する圧電性能が高いほど、第1および第2電極間に発生する電位差は大きくなる。特に、振動部300bの共振周波数が、外部から素子に与えられる機械的振動の周波数に近い場合、振動部300bの振幅が大きくなることで発電特性が向上する。そのため、錘荷重306によって、振動部300bの共振周波数が外部から素子に与えられる機械的振動の周波数に近くなるように調整されることが好ましい。実施例以下、実施例を用いて、本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。実施例1実施例1では、図1Cに示される圧電体膜を作製した。当該圧電体膜は、基板11、第1電極13、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層x=0.37、y=0.58、z=0.0715および第2電極17を順に具備した。当該圧電体膜を、以下のように作製した。100の面方位を有するMgO単結晶基板の表面に、RFマグネトロンスパッタリングにより、100配向を有するPt層厚み250nmを形成した。当該Pt層は、第1電極13に対応する。ターゲットとして金属Ptを用い、アルゴンArガスの雰囲気下にて、RF出力15Wおよび基板温度300°Cの成膜条件で当該Pt層を形成した。次に、第1電極13の表面に、RFマグネトロンスパッタリングにより、MPB近傍組成の1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15x=0.37、y=0.58、z=0.07厚み2.7μmを形成した。当該層は、Bi,Na,BaTiO3層15に対応する。上記の組成を有するターゲットを用い、Arと酸素との混合ガス流量比Ar/O2が50/50の雰囲気下にて、RF出力170Wおよび基板温度650°Cの成膜条件下で当該層15を形成した。作製した1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層x=0.37、y=0.58、z=0.0715の組成は、エネルギー分散型X線分光法SEM-EDXによって分析された。SEM-EDXを用いた測定では、酸素Oのような軽元素の分析精度が劣るため、当該軽元素の正確な定量は困難であった。しかし、作製した1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層x=0.37、y=0.58、z=0.0715に含まれるNa,Bi,Ba,およびTiは、ターゲットと同一の組成を有することが確認された。1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15x=0.37、y=0.58、z=0.07の結晶構造を、X線回折によって解析した。X線回折は、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15の表面にX線を入射して行われた。図9は、その結果を示す。以降の比較例においても、同一のX線回折が用いられた。図9は、X線回折プロファイルの結果を示す。MgO基板およびPt層に由来する反射ピークを除き、001配向を有する1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層に由来する反射ピークのみが観察された。当該001反射ピークの強度は、256,075cpsであり、非常に強かった。図9に示されるプロファイルは、実施例で作製された1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層が極めて高い001配向性を有することを意味する。続いて、当該プロファイルにおける1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層に由来する001反射ピークの半値幅を、ロッキングカーブ測定により求めた。ロッキングカーブ測定とは、測定される反射ピークの回折角に回折角2θが固定された状態で、試料へのX線の入射角がスキャンされる測定である。半値幅が小さいほど、結晶性が高い。この結果、得られた半値幅は、層の主面に垂直な方向に対する結晶軸の傾きの程度に対応している。半値幅が小さいほど、結晶性が高い。測定された半値幅は0.24°であり、非常に小さかった。これは、実施例1で作製された1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層が極めて高い結晶性を有することを意味する。以降の実施例および比較例においても、同一のロッキングカーブ測定が適用された。次に、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層の表面に、蒸着により、Au層厚み100nmを形成した。当該Au層は、第2電極17に対応する。このようにして、実施例の圧電体膜が作製された。当該圧電体膜の強誘電特性および圧電性能を評価した。図10は、実施例1の圧電体膜のP-Eヒステリシス曲線を示す。図10に示されるように、Pt層およびAu層を介して圧電体層へ印加する電界を増加させると、圧電体膜が良好な強誘電特性を現すことが確認された。インピーダンスアナライザを用いて1kHzにおける誘電損失tanδを測定した。当該圧電体膜のtanδは3.6であった。これは、当該圧電体膜のリーク電流が小さいことを意味する。圧電体膜の圧電性能は、以下のように評価した。圧電体膜を幅2mmに切り出して、カンチレバー状に加工した。次に、Pt層とAu層との間に電界を印加してカンチレバーを変位させて得られた相対変位量をレーザー変位計により測定した。電界-歪み量の測定結果を図12に示す。図12における破線は、原点と印加電界40kV/cmでの歪み量の点を結ぶことにより描かれている。印加電界0kV/cmでの歪み量を0μmと規定する。測定された変位量を圧電定数d31に変換し、当該圧電定数d31により圧電性能を評価した。印加電界40kV/cmを印加した時の実施例1の圧電体膜の圧電定数d3140kV/cmは、-144pC/Nと高い値であった。圧電性能の線形性は、印加電界40kV/cmと80kV/cmにおけるd31の比から見積られた。d3140kV/cm/d3180kV/cm=1.03であった。このことは、当該圧電体膜の歪み量は印加電界に比例し、良好な変位特性を有することを意味する。実施例2x=0.30、y=0.56、およびz=0.07である他は、実施例1と同様に実験を行った。実施例2による001反射ピークの強度は、139,961cpsであり、非常に強かった。電界-歪み量の測定結果を図12に示す。実施例2の圧電体膜のd3140kV/cmは-117pC/Nと高い値であった。d3140kV/cm/d3180kV/cm=1.08であった。これは、印加電界に歪み量が比例したことを意味する。実施例3x=0.46、y=0.55、およびz=0.07である他は、実施例1と同様に実験を行った。実施例3による001反射ピークの強度は、106,869cpsであり、非常に強かった。電界-歪み量の測定結果を図12に示す。実施例3の圧電体膜のd3140kV/cmは-101pC/Nと高い値であった。d3140kV/cm/d3180kV/cm=1.15であった。これは、印加電界に歪み量が比例したことを意味する。実施例4x=0.38、y=0.51、およびz=0.07である他は、実施例1と同様に実験を行った。実施例4による001反射ピークの強度は、76,040cpsであり、強かった。電界-歪み量の測定結果を図13に示す。実施例4の圧電体膜のd3140kV/cmは-104pC/Nと高い値であった。d3140kV/cm/d3180kV/cm=1.09であった。これは、印加電界に歪み量が比例したことを意味する。実施例5x=0.39、y=0.62、およびz=0.07である他は、実施例1と同様に実験を行った。実施例5による001反射ピークの強度は、143,377cpsであり、非常に強かった。電界-歪み量の測定結果を図13に示す。実施例5の圧電体膜のd3140kV/cmは-119pC/Nと高い値であった。d3140kV/cm/d3180kV/cm=1.06であった。これは、印加電界に歪み量が比例したことを意味する。実施例60.2molのMnを1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層に添加したこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。実施例6による001反射ピークの強度は、214,498cpsであり、非常に強かった。電界-歪み量の測定結果を図14に示す。実施例6の圧電体膜のd3140kV/cmは-195pC/Nと高い値であった。d3140kV/cm/d3180kV/cm=1.04であった。すなわち、当該圧電体膜は印加電界に対して歪み量が線形一次であった。これは、印加電界に歪み量が比例したことを意味する。さらに、Mnの添加は、圧電定数を大きく向上させた。実施例7x=0.38、y=0.56、およびz=0.09である他は、実施例1と同様に実験を行った。実施例7による001反射ピークの強度は、194,879cpsであり、非常に強かった。電界-歪み量の測定結果を図14に示す。実施例7の圧電体膜のd3140kV/cmは-118pC/Nと高い値であった。d3140kV/cm/d3180kV/cm=1.11であった。これは、印加電界に歪み量が比例したことを意味する。実施例8MgO基板をステンレス基板に置換したこと、およびPt層をPt層/LaNiO3層の積層体に置換したこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。実施例8による圧電体膜は以下のように作成された。ステンレス製の金属板の表面に、RFマグネトロンスパッタリングにより、111配向を有するPt層厚み250nmを形成した。当該Pt層は、Pt電極層12に対応する。ターゲットとして金属Ptを用い、アルゴンArガスの雰囲気下にて、RF出力15Wおよび基板温度300°Cの成膜条件で当該Pt層を形成した。当該Pt層を形成する前に、Ti層厚み2.5nmをステンレス板の表面に形成し、ステンレス板とPt層との間の密着性を向上させた。当該Ti層は、金属Ptに代えて金属Tiをターゲットとして用いたこと以外は、当該Pt層の形成方法と同じ方法により形成された。次に、Pt層の表面に、RFマグネトロンスパッタリングにより、001配向を有するLaNiO3層厚み200nmを形成した。ターゲットとしてストイキオメトリ組成を有するLaNiO3を用い、Arと酸素との混合ガス流量比Ar/O2が80/20の雰囲気下にて、RF出力100Wおよび基板温度300°Cの成膜条件下で当該LaNiO3層13を形成した。次に、LaNiO3層第1電極13の表面に、実施例1と同様の方法でMPB近傍組成の1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層x=0.37、y=0.58、z=0.07厚み2.7μmを形成した。実施例8による001反射ピークの強度は、6,734cpsであり、非常に強かった。電界-歪み量の測定結果を図14に示す。実施例8の圧電体膜は、d3140kV/cm=-77pC/Nと高い圧電定数を発現し、d3140kV/cm/d3180kV/cm=1.18であった。これは、印加電界に歪み量が比例したことを意味する。実施例9MgO基板を100NiO層およびステンレス基板から構成される積層体に置換したこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。実施例9による圧電体膜は以下のように作成された。001面方位に配向したNaCl型構造を有するNiO層をプラズマMOCVD法にて、ステンレス製の金属板上に形成した。原料ガスにニッケルアセチルアセトナートを用い、RFパワー100W、基板温度400°Cの条件下で膜厚400nmのNiO層を形成した。その後、スパッタ法によって、001面方位に配向した250nmの厚みを有するPt層を形成した。ターゲットには金属Ptを使用し、Arガス雰囲気にて、RFパワー15W、基板温度400°Cの条件の下、Pt層を形成した。次に、LaNiO3層第1電極13の表面に、実施例1と同様の方法でMPB近傍組成の1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層x=0.37、y=0.58、z=0.07厚み2.7μmを形成した。実施例9による001反射ピークの強度は、32,105cpsであり、非常に強かった。電界-歪み量の測定結果を図14に示す。d3140kV/cm=-89pC/Nと高い圧電定数を発現し、d3140kV/cm/d3180kV/cm=1.14った。これは、印加電界に歪み量が比例したことを意味する。比較例1x=0.5、y=0.5、およびz=0.07である他は、実施例1と同様に実験を行った。比較例1においても、001配向を有する1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層に由来する反射ピークが観察された。しかし、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層における他の結晶配向に由来する複数の反射ピークも観察された。上記001反射ピークの強度は、30,893cpsであり、実施例1におけるピーク強度256,075cpsよりずっと低かった。このことは、比較例1の1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層が、実施例1の1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層と比べてより劣った配向性を有することを意味する。上記001反射ピークの半値幅は0.86°であり、実施例1の半値幅よりも大きかった。これは、比較例1の1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層が、実施例の1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層と比べてより劣った配向性を有することを意味する。次に、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層の表面に、蒸着により、Au層厚み100nmを形成した。このようにして、比較例1の圧電体膜が作製された。圧電体膜が具備するPt層およびAu層を用いて、当該圧電体膜の強誘電特性および圧電性能の評価を試みた。しかし、圧電体膜におけるリーク電流が非常に大きく、ヒステリシス曲線の測定が困難であった。比較例1の圧電体膜は、このような大きなリーク電流特性を有するため、比較例1の圧電体膜が有する正確な圧電定数d31の値を求めることは困難であった。推定される圧電定数d31は40kV/cmの印加電界でおよそ-44pC/Nであり、実施例1の-144pC/Nと比べると非常に小さかった。また、80kV/cmの印加電界における歪み量は、大きなリーク電流のために測定できなかった。比較例2x=0.28、y=0.58、およびz=0.07である他は、実施例1と同様に実験を行った。比較例2による001反射ピークの強度は、30,229cpsという非常に小さい値であった。図12は電界-歪み量の測定結果を示す。40kV/cmの印加電界での圧電定数d31は、実施例1の-144pC/Nの値と比較して、-94pC/Nという非常に小さな値であった。d3140kV/cm/d3180kV/cmの比は、1.22であった。このことは、比較例2による圧電体膜の歪み量は、印加電界に対して非線形であることを意味する。比較例2による圧電体膜の歪み特性は、低かった。比較例3x=0.48、y=0.59、およびz=0.07である他は、実施例1と同様に実験を行った。比較例3による001反射ピークの強度は、26,212cpsという非常に小さい値であった。図12は電界-歪み量の測定結果を示す。40kV/cmの印加電界での圧電定数d31は、実施例1の-144pC/Nの値と比較して、-84pC/Nという非常に小さな値であった。d3140kV/cm/d3180kV/cmの比は、1.33であった。このことは、比較例3による圧電体膜の歪み量は、印加電界に対して非線形であることを意味する。比較例3による圧電体膜の歪み特性は、低かった。比較例4x=0.36、y=0.50、およびz=0.07である他は、実施例1と同様に実験を行った。比較例4による001反射ピークの強度は、22,660cpsという非常に小さい値であった。図12は電界-歪み量の測定結果を示す。40kV/cmの印加電界での圧電定数d31は、実施例1の-144pC/Nの値と比較して、-79pC/Nという非常に小さな値であった。d3140kV/cm/d3180kV/cmの比は、1.31であった。このことは、比較例4による圧電体膜の歪み量は、印加電界に対して非線形であることを意味する。比較例4による圧電体膜の歪み特性は、低かった。比較例5x=0.40、y=0.65、およびz=0.07である他は、実施例1と同様に実験を行った。比較例5による001反射ピークの強度は、28,454cpsという非常に小さい値であった。図13は電界-歪み量の測定結果を示す。40kV/cmの印加電界での圧電定数d31は、実施例1の-144pC/Nの値と比較して、-84pC/Nという非常に小さな値であった。d3140kV/cm/d3180kV/cmの比は、1.21であった。このことは、比較例5による圧電体膜の歪み量は、印加電界に対して非線形であることを意味する。比較例5による圧電体膜の歪み特性は、低かった。比較例6x=0.29、y=0.43、およびz=0.06である他は、実施例1と同様に実験を行った。比較例6による圧電体膜は、BiおよびNaの組成が異なることを除き、特許文献2の表1に開示されているBNT_087により表される圧電体膜と実質的に同一である。比較例6による反射ピークは、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層15が001配向のみに配向していることを示している。しかし、そのピーク強度は24,823cpsしかなく、実施例1と比較すると1/10程度であった。電界-歪み量の測定結果を図14に示す。なお、図14における直線は図12における破線と同様に、原点と印加電界40kV/cmでの歪み量の点を結ぶことにより描かれている。圧電定数はd3140kV/cm=-73pC/Nと実施例1の-144pC/Nと比べると非常に小さく、圧電定数の線形性はd3140kV/cm/d3180kV/cm=1.40であった。図14において、印加電界80kV/cmにおける変位量を表す点は、原点と印加電界40kV/cmでの変位量の点を結んだ直線から大きく乖離している。このことは、比較例6による圧電体膜の歪み量は、印加電界に対して非線形であることを意味する。比較例6による圧電体膜の歪み特性は、低かった。比較例7x=0.5、y=0.5、およびz=0.07である他は、実施例8と同様に実験を行った。比較例7による001反射ピークの強度は、1,291cpsであり、非常に弱かった。さらに、観測された反射ピークには、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層が001面方位へと配向したことによる反射ピークだけでなく、他の複数の反射ピークが含まれていた。単一方位に圧電体膜が配向していない場合には高い圧電定数の発現が望めないため、圧電特性を測定しなかった。比較例8x=0.5、y=0.5、z=0.07である他は、実施例9と同様に実験を行った。比較例8による001反射ピークの強度は、3,318cpsであり、非常に弱かった。さらに、観測された反射ピークには、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層が001面方位へと配向したことによる反射ピークだけでなく、他の複数の反射ピークが含まれていた。単一方位に配向していない場合には高い圧電定数の発現が望めないため、圧電特性を測定しなかった。以下の表1および表2は、実施例1~9および比較例1~8の評価結果を要約している。表1および表2に示されるように、001配向を有する電極層上に形成したNaxBiyTiO05x15y2-BaTiO3層0.30≦x≦0.46、0.51≦y≦0.62、かつ0.07≦z≦0.09は、高い001配向性および高い結晶性を有する。さらに圧電定数が高く、歪み量は電界に比例した。実施例1、2、3および比較例2、3は、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層においてNa量を示すxの値が0.30以上0.46以下である場合、当該層が高い001結晶配向性、低い誘電損失、高い圧電定数、および電界-歪み量の高い線形性を有することを示す。実施例3および比較例3は、xが0.46を超えてはならないことを意味する。実施例2および比較例2は、xが0.30未満であってはならないことを意味する。実施例1、4、5および比較例4、5は、1-zNaxBiyTiO05x15y2-zBaTiO3層においてBi量を表すyが0.51以上0.62以下である場合、当該層は高い001結晶配向性、低い誘電損失、高い圧電定数、電界-歪み量の高い線形性を有することを示す。実施例5および比較例5は、yが0.62を超えてはならないことを意味する。実施例4および比較例4は、yが0.51未満であってはならないことを意味する。実施例6は、Bi,Na,BaTiO3層が添加元素としてMnを含有することで圧電定数が向上することを意味する。実施例7はz=0.09の場合にも実施例1と同様の効果が得られることを意味する。実施例8は、下地基板としてMgO基板に代えてステンレス基板を用い得ること、および第1電極としてLaNiO3層を用い得ることを意味する。実施例9は、下地基板としてMgO基板に代えてNiO001層およびステンレス基板から構成される積層体が用いられ得ることを意味する。本発明は、その意図および本質的な特徴から逸脱しない限り、他の実施形態に適用しうる。この明細書に開示されている実施形態は、あらゆる点で説明的なものであってこれに限定されない。本発明の範囲は、上記説明ではなく添付したクレームによって示されており、クレームと均等な意味および範囲にあるすべての変更はそれに含まれる。"