"温度が測定される基板処理装置の処理室内構成部材であって、消耗雰囲気に晒される消耗面と、前記消耗雰囲気に晒されない非消耗面と、互いに平行である前記消耗面側の面及び前記非消耗面側の面を備えた温度測定部と、該温度測定部の前記消耗面側の面を被覆する被覆部と、を有することを特徴とする基板処理装置の処理室内構成部材。前記温度測定部は、前記消耗面に設けられた凹部に対応する薄肉部であり、該薄肉部の前記消耗面側の面と非消耗面側の面は、それぞれ鏡面加工が施されていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材。前記被覆部の前記薄肉部の消耗面側の面に対向する面に粗面加工が施されていることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置の処理室内構成部材。前記被覆部と前記凹部内面との当接部に伝熱シート又は伝熱ガスが介在されていることを特徴とする請求項2又は3記載の基板処理装置の処理室内構成部材。前記被覆部は、シリコンSi、炭化珪素SiC、石英、サファイア、セラミック、アルミナAl2O3及び窒化アルミニウムAlNのうちのいずれかからなることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材。前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記非消耗面に設けられた凹部に嵌合された温度測定用部材であり、該温度測定用部材の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材。前記温度測定用部材の前記消耗面側の面に対向する前記凹部内面に粗面加工が施されていることを特徴とする請求項6記載の基板処理装置の処理室内構成部材。前記温度測定用部材と前記凹部内面との当接部に伝熱シート又は伝熱ガスが介在されていることを特徴とする請求項6又は7記載の基板処理装置の処理室内構成部材。前記温度測定用部材は、シリコンSi、石英又はサファイアからなることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材。前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の一部であり、該基板処理装置の処理室内構成部材の一部における前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されており、該鏡面加工が施された消耗面側の面は前記被覆部によって覆われていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材。前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記非消耗面に設けられた切欠部に嵌合された温度測定用部材であり、該温度測定用部材の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されており、該温度測定用部材の前記消耗面側の面は前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記切欠部を構成する一部によって覆われていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材。前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記非消耗面に接合された温度測定用部材であり、該温度測定用部材の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されており、該温度測定用部材の前記消耗面側の面は前記基板処理装置の処理室内構成部材によって覆われていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材。前記温度測定用部材は厚板部と薄板部とからなる段差部を有し、前記薄板部の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面が互いに平行であり、且つそれぞれ鏡面加工が施されており、前記薄板部の前記消耗面側の面が前記基板処理装置の処理室内構成部材の一部によって覆われていることを特徴とする請求項12記載の基板処理装置の処理室内構成部材。前記温度測定用部材は厚板部と薄板部とからなる段差部を有し、前記厚板部の前記消耗面側の面と前記非消耗面側が互いに平行であり、且つそれぞれ鏡面加工が施されており、前記厚板部の前記消耗面側の面が前記基板処理装置の処理室内構成部材の一部によって覆われていることを特徴とする請求項12記載の基板処理装置の処理室内構成部材。前記基板処理装置の処理室内構成部材は、フォーカスリング、上部電極、下部電極、電極保護部材、インシュレータ、絶縁リング、観測用窓、ベローズカバー、バッフル板及びデポシールドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材。低コヒーレンス光の干渉を利用して基板処理装置の処理室内構成部材の温度を測定する方法であって、消耗雰囲気に晒される消耗面と、前記消耗雰囲気に晒されない非消耗面とを備えた前記基板処理装置の処理室内構成部材に設けられ、前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面が互いに平行である温度測定部であって、前記消耗面側の面が被覆部で被覆された温度測定部に対して前記非消耗面側の面から測定光を照射する光照射ステップと、前記温度測定部の非消耗面側の面で反射した前記測定光の反射光及び前記消耗面側の面で反射した前記測定光の反射光をそれぞれ受光する受光ステップと、前記受光ステップで受光した前記2つの反射光の光路長差を求める光路長差検出ステップと、前記光路長差検出ステップで検出した光路長差と、予め求めた前記2つの反射光の光路長差と前記温度測定部の温度との関係に基づいて前記温度測定部の温度を算出する温度算出ステップと、を有することを特徴とする基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記消耗面に設けられた凹部に対応する薄肉部であり、該薄肉部の前記消耗面側の面と非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されていることを特徴とする請求項16記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。前記被覆部の前記薄肉部の消耗面側の面に対向する面に粗面加工が施されていることを特徴とする請求項17記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。前記被覆部と前記凹部内面との当接部に伝熱シート又は伝熱ガスが介在されていることを特徴とする請求項17又は18記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。前記被覆部は、シリコンSi、炭化珪素SiC、石英、サファイア、セラミック、アルミナAl2O3及び窒化アルミニウムAlNのうちのいずれかからなることを特徴とする請求項17乃至19のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記非消耗面に設けられた凹部に嵌合された温度測定用部材であり、該温度測定用部材の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されていることを特徴とする請求項16記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。前記温度測定用部材の前記消耗面側の面に対向する前記凹部内面に粗面加工が施されていることを特徴とする請求項21記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。前記温度測定用部材と前記凹部内面との当接部に伝熱シート又は伝熱ガスが介在されていることを特徴とする請求項21又は22記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。前記温度測定用部材は、シリコンSi、石英又はサファイアからなることを特徴とする請求項21乃至23のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。前記基板処理装置の処理室内構成部材は、フォーカスリング、上部電極、下部電極、電極保護部材、インシュレータ、絶縁リング、観測用窓、ベローズカバー、バッフル板及びデポシールドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項16乃至24のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法。しかしながら、低コヒーレンス光干渉温度計を用いた温度測定技術においては、測定対象物が、測定光の一部を透過できること、測定部位の表面と裏面の平行度が高いこと、及び表面及び裏面が鏡面加工されていること等の要件を満たさねばならない。従って、測定対象物がプラズマによって摩耗し、表面と裏面の平行度が保てなくなると測定対象物としての要件を欠くことになり、正確な温度を測定できないという問題がある。また、従来の低コヒーレンス光干渉温度計を用いた温度測定技術に関する提案は、低コヒーレンス光干渉温度計の改良に関するものが主流であり、測定対象物を低コヒーレンス光干渉温度計を用いた温度測定に適合させるための工夫がなされていないという問題がある。本発明の課題は、摩耗等によって表面と裏面との平行が崩れても低コヒーレンス光の干渉を利用した温度測定装置を用いて正確な温度測定を行うことができる基板処理装置の処理室内構成部材及びその温度測定方法を提供することにある。上記課題を解決するために、請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、温度が測定される基板処理装置の処理室内構成部材であって、消耗雰囲気に晒される消耗面と、前記消耗雰囲気に晒されない非消耗面と、互いに平行である前記消耗面側の面及び前記非消耗面側の面を備えた温度測定部と、該温度測定部の前記消耗面側の面を被覆する被覆部と、を有することを特徴とする。請求項2記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記温度測定部は、前記消耗面に設けられた凹部に対応する薄肉部であり、該薄肉部の前記消耗面側の面と非消耗面側の面は、それぞれ鏡面加工が施されていることを特徴とする。請求項3記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項2記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記被覆部の前記薄肉部の消耗面側の面に対向する面に粗面加工が施されていることを特徴とする。請求項4記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項2又は3記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記被覆部と前記凹部内面との当接部に伝熱シート又は伝熱ガスが介在されていることを特徴とする。請求項5記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項2乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記被覆部は、シリコンSi、炭化珪素SiC、石英、サファイア、セラミック、アルミナAl2O3及び窒化アルミニウムAlNのうちのいずれかからなることを特徴とする。請求項6記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記非消耗面に設けられた凹部に嵌合された温度測定用部材であり、該温度測定用部材の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されていることを特徴とする。請求項7記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項6記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記温度測定用部材の前記消耗面側の面に対向する前記凹部内面に粗面加工が施されていることを特徴とする。請求項8記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項6又は7記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記温度測定用部材と前記凹部内面との当接部に伝熱シート又は伝熱ガスが介在されていることを特徴とする。請求項9記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項6乃至8のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記温度測定用部材は、シリコンSi、石英又はサファイアからなることを特徴とする。請求項10記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の一部であり、該基板処理装置の処理室内構成部材の一部における前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されており、該鏡面加工が施された消耗面側の面は前記被覆部によって覆われていることを特徴とする。請求項11記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記非消耗面に設けられた切欠部に嵌合された温度測定用部材であり、該温度測定用部材の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されており、該温度測定用部材の前記消耗面側の面は前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記切欠部を構成する一部によって覆われていることを特徴とする。請求項12記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項1記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記非消耗面に接合された温度測定用部材であり、該温度測定用部材の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されており、該温度測定用部材の前記消耗面側の面は前記基板処理装置の処理室内構成部材によって覆われていることを特徴とする。請求項13記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項12記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記温度測定用部材は厚板部と薄板部とからなる段差部を有し、前記薄板部の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面が互いに平行であり、且つそれぞれ鏡面加工が施されており、前記薄板部の前記消耗面側の面が前記基板処理装置の処理室内構成部材の一部によって覆われていることを特徴とする。請求項14記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項12記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記温度測定用部材は厚板部と薄板部とからなる段差部を有し、前記厚板部の前記消耗面側の面と前記非消耗面側が互いに平行であり、且つそれぞれ鏡面加工が施されており、前記厚板部の前記消耗面側の面が前記基板処理装置の処理室内構成部材の一部によって覆われていることを特徴とする。請求項15記載の基板処理装置の処理室内構成部材は、請求項1乃至14のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材において、前記基板処理装置の処理室内構成部材は、フォーカスリング、上部電極、下部電極、電極保護部材、インシュレータ、絶縁リング、観測用窓、ベローズカバー、バッフル板及びデポシールドのうちのいずれかであることを特徴とする。上記課題を解決するために、請求項16記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法は、低コヒーレンス光の干渉を利用して基板処理装置の処理室内構成部材の温度を測定する方法であって、消耗雰囲気に晒される消耗面と、前記消耗雰囲気に晒されない非消耗面とを備えた前記基板処理装置の処理室内構成部材に設けられ、前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面が互いに平行である温度測定部であって、前記消耗面側の面が被覆部で被覆された温度測定部に対して前記非消耗面側の面から測定光を照射する光照射ステップと、前記温度測定部の非消耗面側の面で反射した前記測定光の反射光及び前記消耗面側の面で反射した前記測定光の反射光をそれぞれ受光する受光ステップと、前記受光ステップで受光した前記2つの反射光の光路長差を求める光路長差検出ステップと、前記光路長差検出ステップで検出した光路長差と、予め求めた前記2つの反射光の光路長差と前記温度測定部の温度との関係に基づいて前記温度測定部の温度を算出する温度算出ステップと、を有することを特徴とする。請求項17記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法は、請求項16記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法において、前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記消耗面に設けられた凹部に対応する薄肉部であり、該薄肉部の前記消耗面側の面と非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されていることを特徴とする。請求項18記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法は、請求項17記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法において、前記被覆部の前記薄肉部の消耗面側の面に対向する面に粗面加工が施されていることを特徴とする。請求項19記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法は、請求項17又は18記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法において、前記被覆部と前記凹部内面との当接部に伝熱シート又は伝熱ガスが介在されていることを特徴とする。請求項20記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法は、請求項17乃至19のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法において、前記被覆部は、シリコンSi、炭化珪素SiC、石英、サファイア、セラミック、アルミナAl2O3及び窒化アルミニウムAlNのうちのいずれかからなることを特徴とする。請求項21記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法は、請求項16記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法において、前記温度測定部は、前記基板処理装置の処理室内構成部材の前記非消耗面に設けられた凹部に嵌合された温度測定用部材であり、該温度測定用部材の前記消耗面側の面と前記非消耗面側の面にそれぞれ鏡面加工が施されていることを特徴とする。請求項22記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法は、請求項21記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法において、前記温度測定用部材の前記消耗面側の面に対向する前記凹部内面に粗面加工が施されていることを特徴とする。請求項23記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法は、請求項21又は22記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法において、前記温度測定用部材と前記凹部内面との当接部に伝熱シート又は伝熱ガスが介在されていることを特徴とする。請求項24記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法は、請求項21乃至23のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法において、前記温度測定用部材は、シリコンSi、石英又はサファイアからなることを特徴とする。請求項25記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法は、請求項16乃至24のいずれか1項に記載の基板処理装置の処理室内構成部材の温度測定方法において、前記基板処理装置の処理室内構成部材は、フォーカスリング、上部電極、下部電極、電極保護部材、インシュレータ、絶縁リング、観測用窓、ベローズカバー、バッフル板及びデポシールドのうちのいずれかであることを特徴とする。本発明によれば、被覆部で被覆されることによって、消耗を免れた互いに平行な消耗面側の面及び非消耗面側の面を備えた温度測定部の非消耗面側の面に測定光を照射し、非消耗面側の面及び消耗面側の面で反射した2つの反射光の光路長差に基づいて温度測定部の温度を求めるので、摩耗等によって処理室内構成部材の表面と裏面との平行が崩れても低コヒーレンス光の干渉を利用した温度計測装置を用いて正確な温度測定を行うことができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。まず、本発明の実施の形態に係る処理室内構成部材が適用される基板処理装置について説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る処理室内構成部材が適用される基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。この基板処理装置は、基板としての半導体デバイス用のウエハ以下、単にウエハという。にプラズマエッチング処理を施す。図1において、基板処理装置10は、例えば、直径が300mmのウエハWを収容するチャンバ11を有し、該チャンバ11内には半導体デバイス用のウエハWを載置する円柱状のサセプタ12が配置されている。基板処理装置10では、チャンバ11の内側壁とサセプタ12の側面とによって側方排気路13が形成されている。この側方排気路13の途中には排気プレート14が配置されている。排気プレート14は多数の貫通孔を有する板状部材であり、チャンバ11内部を上部と下部に仕切る仕切り板として機能する。排気プレート14によって仕切られたチャンバ11内部の上部以下、処理室という。15には後述するようにプラズマが発生する。また、チャンバ11内部の下部以下、排気室マニホールドという。16にはチャンバ11内のガスを排出する排気管17が接続されている。排気プレート14は処理室15に発生するプラズマを捕捉又は反射してマニホールド16への漏洩を防止する。排気管17にはTMPTurboMolecularPump及びDPDryPumpともに図示省略が接続され、これらのポンプはチャンバ11内を真空引きして減圧する。具体的には、DPはチャンバ11内を大気圧から中真空状態例えば、1.3×10Pa0.1Torr以下まで減圧し、TMPはDPと協働してチャンバ11内を中真空状態より低い圧力である高真空状態例えば、1.3×10-3Pa1.0×10-5Torr以下まで減圧する。なお、チャンバ11内の圧力はAPCバルブ図示省略によって制御される。チャンバ11内のサセプタ12には第1の高周波電源18が第1の整合器19を介して接続され、且つ第2の高周波電源20が第2の整合器21を介して接続されており、第1の高周波電源18は比較的低い周波数、例えば、2MHzのイオン引き込み用の高周波電力をサセプタ12に印加し、第2の高周波電源20は比較的高い周波数、例えば、60MHzのプラズマ生成用の高周波電力をサセプタ12に印加する。これにより、サセプタ12は電極として機能する。また、第1の整合器19及び第2の整合器21は、サセプタ12からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ12への印加効率を最大にする。サセプタ12の上部は、大径の円柱の先端から小径の円柱が同心軸に沿って突出している形状を呈し、該上部には小径の円柱を囲うように段差が形成されている。小径の円柱の先端には静電電極板22を内部に有するセラミックスからなる静電チャック23が配置されている。静電電極板22には直流電源24が接続されており、静電電極板22に正の直流電圧が印加されると、ウエハWにおける静電チャック23側の面以下、裏面という。には負電荷が誘起され、これによって静電電極板22及びウエハWの裏面の間に電界が生じ、該電界に起因するクーロン力又はジョンソンラーベック力により、ウエハWは静電チャック23に吸着保持される。また、サセプタ12の上部には、静電チャック23に吸着保持されたウエハWを囲うように、フォーカスリング25処理室内構成部材がサセプタ12の上部における段差へ載置されている。フォーカスリング25は、例えばシリコンSiからなる。フォーカスリング25は円環状の部材であり、処理室15内部に晒される上面25a消耗面と、サセプタ12の段差に対向する下面25b非消耗面とを有する。また、フォーカスリング25は、温度測定部としての薄肉部25Tを有する後述の図5参照。。薄肉部25Tの消耗面側の面以下、上面という。25Taと、非消耗面側の面以下、下面という。25Tbは互いに平行である。チャンバ11の天井部には、サセプタ12と対向するようにシャワーヘッド26が配置されている。シャワーヘッド26は、上部電極板27と、該上部電極板27を着脱可能に釣支するクーリングプレート28と、該クーリングプレート28を覆う蓋体29とを有する。上部電極板27は厚み方向に貫通する多数のガス孔30を有する円板状部材からなり、半導電体であるシリコンによって構成される。クーリングプレート28の内部にはバッファ室31が設けられ、このバッファ室31には処理ガス導入管32が接続されている。基板処理装置10では、処理ガス導入管32からバッファ室31へ供給された処理ガスがガス孔30を介して処理室15内部へ導入され、該導入された処理ガスは、第2の高周波電源20からサセプタ12を介して処理室15内部へ印加されたプラズマ生成用の高周波電力によって励起されてプラズマとなる。該プラズマ中のイオンは、第1の高周波電源18がサセプタ12に印加するイオン引き込み用の高周波電力によってウエハWに向けて引きこまれ、該ウエハWにプラズマエッチング処理を施す。このとき、プラズマ中のイオンはフォーカスリング25の上面25aや上部電極板27の下面にも到達し、これらの面をスパッタする。このような基板処理装置10では、フォーカスリング25をはじめとする処理室内構成部材の温度を測定するために部材温度測定装置を備えている。図2は、図1の基板処理装置が備える部材温度測定装置の構成を概略的に示すブロック図である。なお、以下、図2~図4を用いて基板処理装置10が備える部材温度測定装置及び該部材温度測定装置による低コヒーレンス光を用いた温度測定方法について説明するが、これは一例であり、本発明に適用される部材温度測定装置及び温度測定方法は、これに限定されるものではない。図2において、部材温度測定装置33は、基板処理装置10における、例えばフォーカスリング25に低コヒーレンス光を照射し且つ該低コヒーレンス光の反射光を受光する低コヒーレンス光光学系34と、該低コヒーレンス光光学系34が受光した反射光に基づいてフォーカスリング25の温度を算出する温度算出装置35とを備える。低コヒーレンス光とは、1つの光源から照射された光が2つ以上の光に分割された場合に、遠方に行くに従って該分割された2つの光の波連が重なりにくくなる分割された2つの光が干渉しにくい光であり、可干渉距離コヒーレンス長が短い光である。低コヒーレンス光光学系34は、低コヒーレンス光源としてのSLDSuperLuminescentDiode36と、該SLD36に接続された2×2のスプリッタとして機能する光ファイバ融着カプラ以下、単にカプラという。37と、該カプラ37に接続されたコリメータ38,39と、カプラ37に接続された受光素子としての光検出器PD:PhotoDetector40と、各構成要素間をそれぞれ接続する光ファイバ41a,41b,41c,41dとを備える。SLD36は、例えば、中心波長が1.55μm又は1.31μmであって、コヒーレンス長が50μmの低コヒーレンス光を最大出力1.5mWで照射する。カプラ37はSLD36からの低コヒーレンス光を2つに分割し、該分割された2つの低コヒーレンス光をそれぞれ光ファイバ41b,41cを介してコリメータ38,39に伝送する。コリメータ38,39は、それぞれカプラ37によって分けられた低コヒーレンス光後述する測定光50及び参照光51をフォーカスリング25の温度測定部材である薄肉部25Tの下面25Tbに対して垂直に照射するコリメータ及び後述する参照ミラー42の反射面に対して垂直に照射するコリメータから成る。また、PD40は、例えば、Geフォトダイオードから成る。低コヒーレンス光光学系34は、コリメータ39の前方に配置された参照ミラー42と、参照ミラー42をコリメータ39からの低コヒーレンス光の照射方向に沿うようにサーボモータ43によって水平移動させる参照ミラー駆動ステージ44と、該参照ミラー駆動ステージ44のサーボモータ43を駆動するモータドライバ45と、PD40に接続されて該PD40からの出力信号を増幅させるアンプ46とを備える。参照ミラー42は反射面を有するコーナキューブプリズム又は平面ミラーから成る。コリメータ38は、フォーカスリング25における薄肉部25Tの下面25Tbに対向するようにサセプタ12に埋め込まれて配置され、薄肉部25Tの下面25Tbに向けてカプラ37によって分けられた低コヒーレンス光後述する測定光50を照射すると共に、薄肉部25Tの下面25Tb及び上面25Taからの低コヒーレンス光の反射光後述する反射光52b、及び反射光52aを受光してPD40に伝送する。コリメータ39は、参照ミラー42に向けてカプラ37によって分けられた低コヒーレンス光後述する参照光51を照射すると共に、参照ミラー42からの低コヒーレンス光の反射光後述する反射光54を受光してPD40に伝送する。参照ミラー駆動ステージ44は、参照ミラー42を図2に示す矢印A方向に、すなわち、参照ミラー42の反射面がコリメータ39からの照射光に対して常に垂直となるように水平移動させる。参照ミラー42は矢印Aの方向に沿って往復移動可能である。なお、図2において、説明の都合上コリメータ39からの照射光と参照ミラー42からの反射光とは互いに重ならないよう、それぞれが所定の方向角を有するように描かれているが、これらの光は実際には所定の方向角を有することなく、互いに重なっていることは言うまでもない。上記コリメータ38や後述のレーザ干渉計48aについても同様である。温度算出装置35は、温度算出装置35全体を制御するPC47と、参照ミラー42を移動させるサーボモータ43を、モータドライバ45を介して制御するモータコントローラ48と、レーザ干渉計48aからの制御信号に同期してアナログデジタル変換を行うA/D変換器49とを備える。ここで、A/D変換器49は、参照ミラー42の距離がレーザ干渉計48aやリニアスケール図示省略によって正確に測定される場合は、レーザ干渉計48aやリニアスケールによって測定された移動距離に応じた制御信号に同期して低コヒーレンス光光学系34のアンプ46を介して入力されたPD40の出力信号をA/D変換し、これにより、高精度に温度測定を行うことができる。図3は、図2における低コヒーレンス光光学系の温度測定動作を説明するための図である。低コヒーレンス光光学系34は、マイケルソン干渉計の構造を基本構造として有する低コヒーレンス干渉計を利用した光学系であり、図3に示すように、SLD36から照射された低コヒーレンス光は、スプリッタとして機能するカプラ37によって測定光50と参照光51とに分けられ、測定光50は測定の対象物であるフォーカスリング25の薄肉部25Tに向けて照射され、参照光51は参照ミラー42に向けて照射される。フォーカスリング25の薄肉部25Tに照射された測定光50は薄肉部25Tの下面25Tb及び上面25Taのそれぞれにおいて反射し、薄肉部25Tの下面25Tbからの反射光52b及び薄肉部25Tの上面25Taからの反射光52aは同一光路53でカプラ37に入射する。また、参照ミラー42に照射された参照光51は反射面において反射し、該反射面からの反射光54もカプラ37に入射する。ここで、上述したように、参照ミラー42は参照光51の照射方向に沿うように水平移動するため、低コヒーレンス光光学系34は参照光51及び反射光54の光路長を変化させることができる。参照光51及び反射光54の光路長を変化させて、測定光50及び反射光52bの光路長が参照光51及び反射光54の光路長と同じになったときに、反射光52bと反射光54とは干渉を起こす。また、測定光50及び反射光52aの光路長が参照光51及び反射光54の光路長と同じになったときに、反射光52aと反射光54とは干渉を起こす。これらの干渉はPD40によって検出される。PD40は干渉を検出すると信号を出力する。図4は、図3におけるPDによって検出されるフォーカスリングの薄肉部25T温度測定部からの反射光と参照ミラーからの反射光との干渉波形を示すグラフであり、Aはフォーカスリングの温度変化前に得られる干渉波形を示し、Bはフォーカスリングの温度変化後に得られる干渉波形を示す。なお、縦軸は干渉強度を示し、横軸は参照ミラー42が所定の基点から水平移動した距離以下、単に参照ミラー移動距離という。を示す。図4Aのグラフに示すように、参照ミラー42からの反射光54がフォーカスリング25の薄肉部25Tの下面25Tbからの反射光52bと干渉を起こすと、例えば、干渉位置Aを中心とする干渉波形55が検出される。また、参照ミラー42からの反射光54がフォーカスリング25の薄肉部25Tの上面25Taからの反射光52aと干渉を起こすと、例えば、干渉位置Bを中心とする干渉波形56が検出される。干渉位置Aは薄肉部25Tの下面25Tbまでの測定光50及び反射光52bの光路長に対応し、干渉位置Bは薄肉部25Tの上面25Taまでの測定光50及び反射光52aの光路長に対応するため、干渉位置A及び干渉位置Bの差Dはフォーカスリング25の薄肉部25T内を厚み方向に往復する低コヒーレンス光測定光50の一部と反射光52aの光路長に対応する。薄肉部25T内を厚み方向に往復する低コヒーレンス光の光路長は薄肉部25Tの厚さに対応するため、干渉位置A及び干渉位置Bの差Dは薄肉部25Tの厚さに対応する。すなわち、反射光54及び反射光52b、並びに反射光54及び反射光52aの干渉波形を検出することによってフォーカスリング25の厚さを測定することができる。ここで、フォーカスリング25の温度が変化すると、フォーカスリング25の厚さが変化するために、フォーカスリング25の一部である薄肉部25Tにおいてもその厚さが変化し、薄肉部25Tの上面25Taまでの測定光50及び反射光52aの光路長が変化する。すなわち、フォーカスリング25の温度が変化すると、薄肉部25Tの厚さが変化して反射光54と反射光52aの干渉位置Bが図4Aに示す干渉位置Bから変化する。具体的には、図4Aに示す干渉位置Bが図4Bに示す干渉位置B’に移動する。したがって、干渉位置A及び干渉位置Bの差Dの変化量がフォーカスリング25の温度変化に伴う膨張量に相当する。部材温度測定装置33は、干渉位置A及び干渉位置Bの差Dの変化量に基づいてフォーカスリング25の予め定めた基準となる温度からの温度変化を求め、該温度変化と基準となる温度に基づいて検出温度を算出する。次に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の処理室内構成部材及びその温度測定方法について説明する。図5は、本発明の第1の実施の形態に係るフォーカスリングの構成を概略的に示す図であって、図5Aは平面図、図5Bは図5AのフォーカスリングのA-A線に沿った断面図、図5Cは薄肉部に被覆部材をはめ込んだ状態を示す断面図である。図5において、フォーカスリング25は温度測定部としての薄肉部25Tを備える。薄肉部25Tは、フォーカスリング25におけるチャンバ11の消耗雰囲気である上部空間15に露出する上面25aに設けられた凹部25cに対応する薄肉部であり、フォーカスリング25の一部を形成する。薄肉部25Tの上面25Taと下面25Tbは、互いに平行であり、且つそれぞれ鏡面加工が施されている。また、薄肉部25Tは、フォーカスリング25の一部であることから、フォーカスリング25の構成材料である、例えばシリコンSiからなり、測定光である低コヒーレンス光を透過する。従って、低コヒーレンス光を用いた温度測定部としての適正を備えている。薄肉部25Tは、その上面25Taを被覆する被覆部材25dを備えている図5C参照。これによって、上面25Taはプラズマが存在する消耗雰囲気から保護されている。被覆部材25dは、例えば、シリコンSi、炭化珪素SiC、石英、サファイア、セラミック、アルミナAl2O3及び窒化アルミニウムAlNのうちのいずれかで構成されており、その厚さは、特に限定されるものではなく、薄肉部25Tの上面25Taを摩耗から保護できる厚さであればよい。次に、このようなフォーカスリング25における図2の部材温度測定装置33を用いた温度測定方法について説明する。本実施の形態に係る温度測定方法では、コリメータ38からフォーカスリング25の薄肉部25Tの下面25Tbに対して垂直に低コヒーレンス光を照射し、下面25Tb及び上面25Taからの低コヒーレンス光の反射光を受光する図5C。また、コリメータ39から参照ミラー42に対して垂直に低コヒーレンス光を照射し、参照ミラー42からの反射光を受光する図2参照。このとき、薄肉部25Tからの2つの反射光と参照ミラー42からの反射光54との干渉波形を観測すると、上述した図4に示すように、参照ミラー42からの反射光54が薄肉部25Tの下面25Tbからの反射光52bと干渉する干渉波形55及び参照ミラー42からの反射光54が薄肉部25Tの上面25Taからの反射光52aと干渉する干渉波形56が検出される。干渉波形55の干渉位置A及び干渉波形56の干渉位置Bの差Dの変化量が薄肉部25Tの温度変化に伴う厚さ方向の膨張量に相当する。従って、この膨張量と温度変化との相関関係に基づいて薄肉部25T、ひいてはフォーカスリング25の温度を算出することができる。本実施の形態によれば、消耗雰囲気に晒される消耗面25aと、消耗雰囲気に晒されない非消耗面25bとを有するフォーカスリング25が、互いに平行である上面25Ta及び下面25Tbを備えた薄肉部25Tと、該薄肉部25Tの上面25Taを被覆する被覆部材25dとを有するので、被覆部材25dで覆われて消耗しない薄肉部25Tに低コヒーレンス光を照射することによって、摩耗の影響を受けることなく、薄肉部25T、ひいてはフォーカスリング25の温度を正確に測定することができる。本実施の形態において、被覆部材25dの薄肉部25Tの上面25Taに対向する面に粗面加工を施すことが好ましい。これによって、フォーカスリング25を透過して被覆部材25dに到達した低コヒーレンス光は該被覆部材25dにおいて乱反射するため、部材温度測定装置33のPD40は被覆部材25dからの反射光を受光することがない。その結果、不要な反射光の受光を防止して測定精度を向上させることができる。粗面加工は、例えばサンドブラスト法によって行う。このとき、粗面加工された被覆部材25dの薄肉部25Tに対向する面の表面粗度は、例えば、低コヒーレンス光の波長の1/4以上、すなわち0.27μm以上1.05μmの1/4以上にすることが好ましい。これによって、低コヒーレンス光の乱反射を促して測定誤差を防止することができる。粗面加工に代えて光反射防止膜を貼着させてもよい。本実施の形態において、被覆部材25dと凹部25cとの接合面に伝熱シートを介在させることが好ましい。これによって、フォーカスリング25における温度の連続性が確保され、被覆部材25dが凹部25cの内壁面に熱的に密着されていないことに起因する悪影響、例えば測定精度の低下を防止することができる。本実施の形態において、温度測定部としての薄肉部25Tの径、すなわち凹部25cの開口径は、例えば1mmφ以上である。薄肉部25Tの径は照射光のスポットが通過できる面積があれば十分であり、また、被覆部材25dの大きさは、温度測定部としての薄肉部25Tをプラズマが存在する消耗雰囲気から保護できる大きさであればよい。本実施の形態において、薄肉部25Tの上面25Ta及び下面25Tbで規定される薄肉部25Tの厚さは50μm以上であることが好ましい。これによって、薄肉部25Tの上面25Taからの反射光に基づく干渉波形と下面25Tbからの反射光に基づく干渉波形との重なりが防止されるため、測定精度が向上する。本実施の形態で用いられる低コヒーレンス光のコヒーレンス長は50μmであるため、上面25Ta及び下面25Tbの双方が鏡面加工されている薄肉部25Tの厚さが50μmよりも薄いと、薄肉部25Tの上面25Taからの反射光と下面25Tbからの反射光との区別が困難となり、測定精度が低下する虞がある。本実施の形態において、基板処理装置の処理室内構成部材としてフォーカスリングを適用した場合について説明したが、処理室内構成部材としては、フォーカスリングの外に、例えば、上部電極、下部電極、電極保護部材、インシュレータ、絶縁リング、観測用窓、ベローズカバー、バッフル板、デポシールド等が挙げられる。本実施の形態において、温度測定部として薄肉部25Tを設けた場合について説明したが、薄肉部を設ける代わりに、フォーカスリング25の消耗面25aの一部を温度測定部とし、当該表面の一部及びその裏面を互い平行にすると共に、鏡面加工を施し、且つ当該消耗面25aの一部を覆うカバー部材を設けることもできる。図6は、第1の実施の形態の変形例に係るフォーカスリングの構成を概略的に示す断面図である。図6において、温度測定部25T’は、フォーカスリング25の一部であり、カバー部材25d’によって覆われている。本実施の形態の変形例においても、図5の実施の形態と同様、温度測定部25T’の下面に対して垂直に低コヒーレンス光が照射され、同様にして温度測定が行われ、同様の効果を得ることができる。なお、本実施の形態の変形例においても、温度測定部25T’の厚さは50μm以上であることが好ましい。これによって、温度測定部25T’の上面からの反射光に基づく干渉波形と下面からの反射光に基づく干渉波形との重なりが防止されるため、正確な温度測定が可能となる。次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図7は、本発明の第2の実施の形態に係るフォーカスリングの構成を概略的に示す断面図である。このフォーカスリングは、温度測定用部材をフォーカスリング本体に埋め込んだものであり、温度測定用部材はフォーカスリングの一部で覆われており、これによってプラズマが存在する消耗雰囲気から保護されている。図7において、フォーカスリング65は、例えば、SiCからなり、下面に設けられた凹部に温度測定用部材65Tが埋め込まれている。温度測定用部材65Tは、例えばシリコンSi、石英又はサファイアからなり、その上面と下面とは互いに平行であり且つ鏡面加工が施されている。温度測定用部材65Tの厚さは、例えば50μm以上である。厚さが50μmよりも薄くなると、上面からの反射光に基づく干渉波形と、下面からの反射光に基づく干渉波形との重なりが発生して2つの干渉波形の干渉位置の差が不明りょうとなって、誤差が大きくなる虞がある。温度測定用部材65Tの上面とフォーカスリング65の凹部内面との当接部には伝熱シート65eが介在されており、温度の一体化が図られている。このような構成のフォーカスリング65における温度測定は、上記実施の形態と同様、コリメータ38からフォーカスリング65Tに埋め込まれた温度測定用部材65Tに対して垂直に低コヒーレンス光を照射し、温度測定用部材65Tの上面及び下面からの反射光を受光し、以下、上記実施の形態と同様にして温度測定用部材65Tの温度を求め、これをフォーカスリング65の温度とする。本実施の形態によれば、上面と下面が互いに平行で且つ鏡面加工が施されている温度測定用部材65Tであって、透光性のSiからなる温度測定用部材65Tをフォーカスリング65に埋め込んで温度測定部としたので、フォーカスリング65が摩耗された場合であってもその影響を受けることなく正確な温度を測定することができる。すなわち、温度測定用部材65Tは、フォーカスリング65の下面に埋め込まれているので、その上部がフォーカスリング65自体で被覆される状態となる。従って、摩耗の影響を受けず、温度測定用部材65Tの上面と下面との平行度が維持され、正確な温度測定が可能となる。本実施の形態において、温度測定用部材65Tとフォーカスリング65の凹部壁面との当接面全体に伝熱シート65eを介在させることが好ましい。これによって、温度測定用部材65Tとフォーカスリング65との熱的一体性がより向上し、より正確な温度測定が可能となる。また、伝熱シートに代えてフォーカスリング65にガス流路を設け、フォーカスリング65と温度測定用部材65Tとの当接部に伝熱ガス、例えばヘリウムHeガスを流通させてもよい。これによっても、温度測定用部材65Tとフォーカスリング65との熱的一体性を確保することができる。次に、第2の実施の形態の変形例について説明する。図8は、第2の実施の形態の変形例に係るフォーカスリングの構成を概略的に示す断面図である。図8において、このフォーカスリング75が、図7のフォーカスリング65と異なるところは、フォーカスリング75の構成材料をSiとし、且つ温度測定用部材75Tの上面とフォーカスリング75の凹部内面との当接面に介在させた伝熱シート75eの一部に光透過用の隙間75fを設けた点である。このような構成のフォーカスリング75において、温度測定操作は、上記実施の形態と同様に行われ、低コヒーレンス光は光透過用の隙間75fに向けて照射される。本実施の形態の変形例においても、シリコンからなるフォーカスリング75の摩耗の影響を受けることなく、その温度を正確に測定することができる。また、伝熱シート75eに隙間75fを設けたことによって上記フォーカスリングの消耗をモニタできるという効果が得られる。次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。図9は、本発明の第3の実施の形態に係るフォーカスリングの構成を概略的に示す断面図である。図9において、このフォーカスリング85は、炭化珪素SiCからなるフォーカスリングの下面の約半分に、伝熱シート85eを介在させてシリコンSiからなる温度測定用部材85Tを接合させたものである。温度測定用部材85Tは、フォーカスリング85の外周部に沿って、外周部と同心円状に設けられている。このような構成のフォーカスリング85において、温度測定操作は、上述の各実施の形態と同様、コリメータ38から温度測定用部材85Tに対して低コヒーレンス光を照射することによって行われる。本実施の形態においても、温度測定用部材85Tはフォーカスリング85によって覆われているので、摩耗の影響を受けることなくフォーカスリング85の温度を正確に測定することができる。次に、本実施の形態の変形例について説明する。図10は、第3の実施の形態の変形例に係るフォーカスリングの構成を概略的に示す図である。図10において、このフォーカスリング95が、図9のフォーカスリング85と異なるところは、温度測定用部材95Tをフォーカスリング95の下面全体に設けた点である。この実施の形態の変形例においても、上記実施の形態と同様、温度測定用部材95Tはフォーカスリング95によって覆われているので、摩耗の影響を受けることなくフォーカスリング95の温度を正確に測定することができる。次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。図11は、本発明の第4の実施の形態に係るフォーカスリングの構成を概略的に示す断面図である。図11において、このフォーカスリング105は、摩耗を受けやすい上部外周部にプラズマ耐性の高い材料、例えば炭化珪素SiCを適用し、それ以外の部分の構成材料として、例えばシリコンSiを適用したものである。すなわち、フォーカスリング105は、摩耗を受けやすい上部外周部を形成する炭化珪素層105gと、それ以外の部分を形成するシリコン層105Tで構成されており、その接合面には伝熱シート105eが介在されている。上面の炭化珪素層105gによって被覆された下面のシリコン層105Tが温度測定部となる。このような構成のフォーカスリング105において、温度測定操作は、上述の各実施の形態と同様、コリメータ38から温度測定用部材105Tに対して低コヒーレンス光を照射することによって行われる。本実施の形態においても、上記各実施の形態と同様、摩耗の影響を受けることなくフォーカスリング105の温度を正確に測定することができる。次に、本実施の形態の変形例について説明する。図12は、第4の実施の形態の変形例に係るフォーカスリングの構成を概略的に示す断面図である。図12において、このフォーカスリングは、内周部が摩耗を受けやすい条件で使用されるフォーカスリングであり、フォーカスリング115の上面の主として内周部にプラズマ耐性の高い材料、例えば炭化珪素層115gを配置し、それ以外の部分をシリコン層115Tで形成したものである。上面の炭化珪素層115gによって被覆された下面のシリコン層115Tが温度測定部となる。本実施の形態の変形例においても、上記実施の形態と同様、摩耗の影響を受けることなくフォーカスリング115の温度を正確に測定することができる。以上、本発明を実施の形態を用いて詳細に説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。"