行列状に配置され、光電変換によって入射光を信号電荷に変換する複数の光電変換部、前記複数の光電変換部の各列に沿って設けられ、隣接する光電変換部から出力される信号電荷を、前記複数の光電変換部の列方向に転送する複数の垂直シフトレジスタ、前記複数の光電変換部の行方向に並列に配置されたN本文字Nは2以上の整数を表す。のシフトレジスタであって、それぞれ、前記行方向に並ぶ複数のゲートを含み、前記複数の垂直シフトレジスタから転送される信号電荷を前記行方向に転送するN本の水平シフトレジスタ、及び、前記N本の水平シフトレジスタのうち、前記複数の垂直シフトレジスタに近い方から数えてm番目文字mは1以上N未満の整数を表す。の水平シフトレジスタとm1番目の水平シフトレジスタとの間に配置され、前記m番目の水平シフトレジスタに含まれるn個文字nは3以上の整数を表す。の連続するゲートの下に位置するチャネルから、前記m1番目の水平シフトレジスタに含まれる少なくとも1個のゲートの下に位置するチャネルへ、信号電荷を転送する転送制御ゲート、を備え、前記転送制御ゲートの電位をハイレベルに維持している期間に、前記m番目の水平シフトレジスタに含まれるn個の連続するゲートの電位を順番に所定時間ずつハイレベルに切り換え、かつ、前記n個の連続するゲートのうちの1つの電位をハイレベルに維持する期間と、次の1つの電位をハイレベルに維持する期間との間では、前記n個の連続するゲート全ての電位をローレベルに維持することを特徴とする、固体撮像装置。前記n個の連続するゲートの下に位置するチャネルのそれぞれでは、不純物濃度が、前記複数の垂直シフトレジスタに近い側よりも前記m1番目の水平シフトレジスタに近い側で高く、前記n個の連続するゲートの下に位置するチャネルでは、ゲートの電位がハイレベルに切り換えられる順に、不純物濃度の高い領域の面積が大きい、請求項1に記載の固体撮像装置。特許文献1に開示された固体撮像装置では、第1水平シフトレジスタ303内の各チャネルに生じる電位勾配が、実際には、不純物濃度が異なる2つの領域間の境界部付近に局所化されている。従って、電位勾配を更に拡大させることによって、第1水平シフトレジスタ303から第2水平シフトレジスタ305へ信号電荷を更に確実に移動させるには、各チャネル内で不純物濃度を3段階以上に変化させなければならない。そのためには、固体撮像装置の製造工程数を増加させねばならないので、製造コストの削減が困難である。特許文献2に開示された固体撮像装置では、第1水平シフトレジスタ303から第2水平シフトレジスタ305への信号電荷の転送が繰り返される間に、その信号電荷が各水平シフトレジスタ303、305内を水平方向に移動する。その結果、偶数番目の行の光電変換部301で発生した信号電荷に基づく電気信号が第1出力部304から出力される時期と、奇数番目の行の光電変換部301で発生した信号電荷に基づく電気信号が第2出力部306から出力される時期との間にずれオフセットが生じる。すなわち、第1出力部304と第2出力部306とから同時に出力される2つの電気信号の間では、それぞれが表す画像の水平座標が異なる。従って、デジタル信号処理プロセッサは、その固体撮像装置から受け取った電気信号から画像データを生成する際に、各電気信号と画像の水平座標との間の対応関係を再構築しなければならない。その結果、デジタル信号処理プロセッサにおける画像処理速度の向上、及び回路規模の削減が困難である。本発明の目的は、上記の課題を解決することであって、特に、複数の水平シフトレジスタから同時に出力される電気信号の間で画像の水平座標を等しく維持したまま、複数の水平シフトレジスタ間で信号電荷を更に確実に移動させることのできる固体撮像装置を提供することにある。本発明による固体撮像装置は、複数の光電変換部、複数の垂直シフトレジスタ、N本文字Nは2以上の整数を表す。の水平シフトレジスタ、及び転送制御ゲートを備えている。複数の光電変換部は、行列状に配置され、光電変換によって入射光を信号電荷に変換する。複数の垂直シフトレジスタは、複数の光電変換部の各列に沿って設けられ、隣接する光電変換部から出力される信号電荷を、複数の光電変換部の列方向に転送する。N本の水平シフトレジスタは、複数の光電変換部の行方向に並列に配置されたN本のシフトレジスタであって、それぞれ、行方向に並ぶ複数のゲートを含み、複数の垂直シフトレジスタから転送される信号電荷を行方向に転送する。転送制御ゲートは、N本の水平シフトレジスタのうち、垂直シフトレジスタに近い方から数えてm番目文字mは1以上N未満の整数を表す。の水平シフトレジスタとm1番目の水平シフトレジスタとの間に配置され、m番目の水平シフトレジスタに含まれるn個文字nは3以上の整数を表す。の連続するゲートの下に位置するチャネルから、m1番目の水平シフトレジスタに含まれる少なくとも1個のゲートの下に位置するチャネルへ、信号電荷を転送する。この固体撮像装置は、転送制御ゲートの電位をハイレベルに維持している期間に、m番目の水平シフトレジスタに含まれるn個の連続するゲートの電位を順番に所定時間ずつハイレベルに切り換え、かつ、n個の連続するゲートのうちの1つの電位をハイレベルに維持する期間と、次の1つの電位をハイレベルに維持する期間との間では、n個の連続するゲート全ての電位をローレベルに維持する。本発明による固体撮像装置は、m番目の水平シフトレジスタに含まれるn個の連続するゲートの下に位置するチャネルから、m1番目の水平シフトレジスタに含まれる少なくとも1個のゲートの下に位置するチャネルへ、信号電荷を転送する。それにより、複数の水平シフトレジスタから同時に出力される電気信号の間で画像の水平座標を等しく維持したまま、複数の水平シフトレジスタ間で信号電荷を更に確実に移動させることができる。以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。尚、その実施形態は、好ましい一例に過ぎず、本発明の技術的範囲を制限するものではない。《実施形態》以下に示す実施形態は、デジタルスチルカメラ又はデジタルビデオカメラ等に使用される固体撮像装置である。この固体撮像装置はインターライン転送方式のCCD型である。すなわち、光電変換部の列と垂直シフトレジスタとが、光電変換部の行方向に沿って交互に配置され、各垂直シフトレジスタの終端部が1本の水平シフトレジスタに接続されている。この固体撮像装置は更に、水平シフトレジスタを2本含む。2本の水平シフトレジスタは光電変換部の行方向に並列に配置されている。2本の水平シフトレジスタの間には転送制御ゲートが配置されている。[固体撮像装置の構成]図1は、本発明の実施形態による固体撮像装置100の構造を示す模式図である。図1を参照するに、この固体撮像装置100は、複数の光電変換部101、複数の垂直シフトレジスタ102、第1水平シフトレジスタ103、第1出力部104、転送制御ゲートHT、第2水平シフトレジスタ106、及び第2出力部107を備えている。光電変換部101はそれぞれ、例えばフォトダイオードを含み、光電変換によって入射光を信号電荷に変換する。複数の光電変換部101は、半導体基板の表層部に行列状に配置されている。特にその行数は偶数である。各光電変換部101を1つの画素に対応付けたとき、光電変換部101の行方向が画面の水平方向に相当し、列方向が垂直方向に相当する。垂直シフトレジスタ102はそれぞれ、光電変換部101の1つの列に沿って設けられ、その列の光電変換部101から出力される信号電荷を維持して、光電変換部101の列方向に転送する。より詳しくは、各垂直シフトレジスタ102は4種類の電極膜V1、V2、V3、V4を同数ずつ含む。その数は光電変換部101の行数の半分に等しい。各電極膜V1-V4は光電変換部101の行方向に延びている。光電変換部101の列方向では、第1電極膜V1、第2電極膜V2、第3電極膜V3、及び第4電極膜V4はその順序で繰り返し配置されている。電極膜V1-V4の下に位置する半導体基板の表層部には、Nウェルから成るチャネルが複数形成されている図1には、黒塗りの領域として示されている。Nウェルには、ヒ素As又はリンP等のドナーが注入されている。チャネルはそれぞれ、光電変換部101の1つの列に沿って設けられている。1つのチャネルと、そのチャネルに交差する電極膜V1-V4の部分とから1つの垂直シフトレジスタ102が構成されている。ここで、水平シフトレジスタ103、106から最も遠い光電変換部101の行図1に示されている最上段の行を第1行とする。第1電極膜V1と第2電極膜V2とは、第1行から数えて奇数番目の1行の光電変換部101を間に挟み、第3電極膜V3と第4電極膜V4とは偶数番目の1行の光電変換部101を間に挟んでいる。電極膜V1-V4は、光電変換部101から信号電荷を抜き出して列方向に転送するためのゲートとして利用される。以下、これらの電極膜V1-V4を垂直転送ゲートと呼ぶ。垂直転送ゲートV1、V2、V3、V4に対しては4相の垂直転送パルスφV1、φV2、φV3、φV4が印加される。それにより、垂直転送ゲートV1-V4の下に位置するチャネルを通して信号電荷が列方向に移動する。第1水平シフトレジスタ103は、各垂直シフトレジスタ102による信号電荷の転送先に配置されている。第1水平シフトレジスタ103は4種類の電極要素H1、H2、H3A、H4を、垂直シフトレジスタ102と同数ずつ含む。各電極要素H1-H4は光電変換部101の列方向に長い。光電変換部101の行方向では、第1電極要素H1、第2電極要素H2、第3電極要素H3A、及び第4電極要素H4はその順序で繰り返し配置されている。電極要素H1-H4の下に位置する半導体基板の表層部には、Nウェルから成る1つのチャネルが行方向に延びている図1には、黒塗りの領域として示されている。Nウェルには、As又はP等のドナーが注入されている。第1電極要素H1の下に位置するチャネルは、1つの垂直シフトレジスタ102のチャネルに接続されている。電極要素H1-H4は、垂直シフトレジスタ102から信号電荷を抜き出して行方向に転送するためのゲートとして利用される。以下、これらの電極要素H1-H4を水平転送ゲートと呼ぶ。水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4に対しては4相の水平転送パルスφH1、φH2、φH3A、φH4が印加される。それにより、水平転送ゲートH1-H4の下に位置するチャネルを通して信号電荷が行方向に移動する。第1水平シフトレジスタ103の終端には、第1ストレージゲートHL1と第1バリアゲートOG1とが設置されている。第1ストレージゲートHL1に対しては、水平転送パルスφH1-φH4よりも振幅の高いパルスφHL以下、出力パルスという。が印加される。一方、第1バリアゲートOG1の電位は一定に維持されている。各ゲートHL1、OG1の下に位置する半導体基板の表層部には、Nウェルから成るチャネルが形成されている図1には、黒塗りの領域として示されている。Nウェルには、As又はP等のドナーが注入されている。第1ストレージゲートHL1と第1バリアゲートOG1との下に位置するチャネルは第1出力部104のチャネルに接続されている。出力パルスφHLの印加によって第1ストレージゲートHL1の電位がハイレベル以下、Hレベルと略記する。に維持されているとき、信号電荷は、第1ストレージゲートHL1の下に位置するチャネルに蓄積される。その後、第1ストレージゲートHL1の電位がローレベル以下、Lレベルと略記する。に変化したとき、信号電荷は、第1バリアゲートOG1の下に位置するチャネルを超えて、第1出力部104のチャネルに移動する。第2水平シフトレジスタ106は第1水平シフトレジスタ103と並列に配置されている。第2水平シフトレジスタ106は4種類の電極要素H1、H2、H3B、H4を、垂直シフトレジスタ102と同数ずつ含む。各電極要素H1-H4は光電変換部101の列方向に長い。光電変換部101の行方向では、第1電極要素H1、第2電極要素H2、第5電極要素H3B、及び第4電極要素H4はその順序で繰り返し配置されている。第1電極要素H1、第2電極要素H2、及び第4電極要素H4はそれぞれ、第1水平シフトレジスタ103内の第1水平転送ゲートH1、第2水平転送ゲートH2、及び第4水平転送ゲートH4に電気的に接続されている。電極要素H1-H4の下に位置する半導体基板の表層部には、Nウェルから成る1つのチャネルが行方向に延びている図1には、黒塗りの領域として示されている。Nウェルには、As又はP等のドナーが注入されている。第5電極要素H3Bの下に位置するチャネルは、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルを通して、第1水平シフトレジスタ103内の第1水平転送ゲートH1、第2水平転送ゲートH2、及び第3水平転送ゲートH3Aのそれぞれの下に位置するチャネルに接続されている。電極要素H1、H2、H3B、H4は、転送制御ゲートHTを通して第1水平シフトレジスタ103から信号電荷を抜き出して行方向に転送するためのゲートとして利用される。以下、これらの電極要素H1-H4も水平転送ゲートと呼ぶ。水平転送ゲートH1、H2、H3B、H4に対しては4相の水平転送パルスφH1、φH2、φH3B、φH4が印加される。それにより、水平転送ゲートH1-H4の下に位置するチャネルを通して信号電荷が行方向に移動する。第2水平シフトレジスタ106の終端には、第2ストレージゲートHL2と第2バリアゲートOG2とが設置されている。第2ストレージゲートHL2に対しては、第1ストレージゲートHL1と同じく、出力パルスφHLが印加される。一方、第2バリアゲートOG2の電位は一定に維持されている。各ゲートHL2、OG2の下に位置する半導体基板の表層部には、Nウェルから成るチャネルが形成されている図1には、黒塗りの領域として示されている。Nウェルには、As又はP等のドナーが注入されている。第2ストレージゲートHL2と第2バリアゲートOG2との下に位置するチャネルは第2出力部107のチャネルに接続されている。出力パルスφHLの印加によって第2ストレージゲートHL2の電位がHレベルに維持されているとき、信号電荷は、第2ストレージゲートHL2の下に位置するチャネルに蓄積される。その後、第2ストレージゲートHL2の電位がLレベルに変化したとき、信号電荷は、第2バリアゲートOG2の下に位置するチャネルを超えて、第2出力部107のチャネルに移動する。転送制御ゲートHTは、第1水平シフトレジスタ103と第2水平シフトレジスタ106との間で、光電変換部101の行方向に延びている。転送制御ゲートHTの下に位置する半導体基板の表層部には、Nウェルから成るチャネルが複数形成されている図1には、黒塗りの領域として示されている。Nウェルには、As又はP等のドナーが注入されている。転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルは、第1水平シフトレジスタ103内の第1水平転送ゲートH1、第2水平転送ゲートH2、及び第3水平転送ゲートH3Aのそれぞれの下に位置するチャネルを、第2水平シフトレジスタ106内の第5水平転送ゲートH3Bの下に位置するチャネルに接続している。転送制御ゲートHTに対しては転送制御パルスφHTが印加される。転送制御パルスφHTによって転送制御ゲートHTの電位がHレベルに維持されている間、第1水平転送ゲートH1、第2水平転送ゲートH2、及び第3水平転送ゲートH3Aのそれぞれの下に位置するチャネルから、第5水平転送ゲートH3Bの下に位置するチャネルへ、信号電荷が移動する。第1出力部104は、第1水平シフトレジスタ103から出力される信号電荷を電圧信号に変換する。第2出力部107は、第2水平シフトレジスタ106から出力される信号電荷を電圧信号に変換する。第1出力部104と第2出力部107とはいずれも、フローティングディフュージョンFD、リセットゲートR、リセットドレインRD、及び出力アンプOPを含む。フローティングディフュージョンFDは出力アンプOPにのみ接続されている。リセットゲートRに対してはリセット信号φRが印加される。一方、リセットドレインRDの電位は一定に維持されている。フローティングディフュージョンFD、リセットゲートR、及びリセットドレインRDのそれぞれの下に位置する半導体基板の表層部には、Nウェルから成る1つのチャネルが形成されている図1には、黒塗りの領域として示されている。Nウェルには、As又はP等のドナーが注入されている。リセット信号φRによってリセットゲートRの電位がHレベルに変化するとき、フローティングディフュージョンFDの下に位置するチャネルに蓄積された信号電荷が、リセットゲートRの下に位置するチャネルを通して、リセットドレインRDの下に位置するチャネルへ移動する。その結果、フローティングディフュージョンFDの電位はリセットドレインRDの電位と等しくなる。すなわち、フローティングディフュージョンFDの電位がリセットされる。その後、リセット信号φRによってリセットゲートRの電位がLレベルに維持されるとき、フローティングディフュージョンFDの電位は基準電位フィールドスルーレベルともいう。に等しく維持される。その状態で、フローティングディフュージョンFDの下に位置するチャネルに信号電荷が蓄積されるとき、その蓄積量に応じてフローティングディフュージョンFDの電位が基準電位から降下する。出力アンプOPは、そのときの降下量を増幅して電圧信号Vout1又はVout2を生成する。こうして、信号電荷が電圧信号に変換される。電圧信号Vout1、Vout2は、図1には示されていない外部回路によって積分型相関二重サンプリング処理を受けて、画像信号に変換される。ここで、積分型相関二重サンプリング処理とは、電圧信号Vout1、Vout2のレベルの積分量と上記の基準電位の積分量との間の差分を演算して、1つの画素に対する画像信号を生成する処理をいう。その処理によって得られた画像信号は、例えばディスプレイに送られて、画像表示に利用される。図2は、第1水平シフトレジスタ103内の水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4、転送制御ゲートHT、及び第2水平シフトレジスタ106内の水平転送ゲートH1、H2、H3B、H4のそれぞれの下に位置するチャネルの構成を示す模式図である。図2を参照するに、光電変換部101の行列に近い第1水平シフトレジスタ103の端部にはバリア領域201が設けられている図2には、斜線部で示されている。バリア領域201は、信号電荷が侵入できないほど、不純物濃度が低い領域である。バリア領域201は、第1水平転送ゲートH1の端部からは除去されている。それにより、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルは、1つの垂直シフトレジスタ102の下に位置するチャネルに接続されている。転送制御ゲートHTの下に位置する半導体基板の表層部にも、複数のバリア領域202が形成されている。それにより、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルは、第1水平シフトレジスタ103内の第1水平転送ゲートH1、第2水平転送ゲートH2、及び第3水平転送ゲートH3Aのそれぞれの下に位置するチャネルを、第2水平シフトレジスタ106内の第5水平転送ゲートH3Bの下に位置するチャネルに接続している。図2を更に参照するに、第1水平シフトレジスタ103内の各水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4の下に位置するチャネルでは不純物濃度が2段階に変化し、垂直シフトレジスタ102に近い領域203よりも、第2水平シフトレジスタ106に近い領域204で高い。図2では、不純物濃度の高い領域204が黒塗りの領域として示されている。第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネル、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネル、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネル、第4水平転送ゲートH4の下に位置するチャネルの順に、不純物濃度の高い領域204の面積が大きい。第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルにおいて不純物濃度が変化する境界A、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルにおいて不純物濃度が変化する境界B、及び、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルにおいて不純物濃度が変化する境界Cはいずれも、光電変換部101の行方向に平行である。従って、境界A、B、Cの順に、転送制御ゲートHTからの距離が大きい。不純物濃度の変化により、第1水平シフトレジスタ103内の各水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4の下に位置するチャネルでは、第2水平シフトレジスタ106に向かう方向に電位勾配が生じる。特にその電位勾配が生じる位置が、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネル、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネル、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルの順に、転送制御ゲートHTから離れている。図2に示されているように、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルと、第2水平シフトレジスタ106のチャネルとは、第1水平シフトレジスタ103のチャネルのうち、不純物濃度の高い領域204と、不純物濃度が等しい。[固体撮像装置の駆動制御]図3は、1フレーム期間FRPでの垂直転送パルスφV1、φV2、φV3、φV4、転送制御パルスφHT、水平転送パルスφH1、φH2、φH3A、φH4、出力パルスφHL、リセット信号φR、及び電圧信号Vout1、Vout2のタイミングチャートである。固体撮像装置100は走査方式として垂直2:1インタレース方式を採用する。具体的には、図3に示されているように、1フレーム期間FRPが、第1垂直ブランキング期間VB1、第1垂直走査期間VA1、第2垂直ブランキング期間VB2、及び第2垂直走査期間VA2に分割されている。図3には示されていないが、各垂直走査期間VA1、VA2は水平ブランキング期間と水平走査期間とを、光電変換部101の行数の半分に等しい数ずつ含む。第1垂直ブランキング期間VB1では、第2垂直転送パルスφV2と第3垂直転送パルスφV3とが中間レベル以下、Mレベルと略記する。に維持され、第4垂直転送パルスφV4がLレベルに維持される。一方、第1垂直転送パルスφV1がMレベルから所定時間、Hレベルに変化する。それにより、奇数行の光電変換部101から、第1垂直転送ゲートV1の下に位置するチャネルへ、信号電荷が移動する。このとき、1つの光電変換部101から移動する信号電荷の集合をパケットという。第1垂直走査期間VA1では、水平ブランキング期間と水平走査期間との一組ごとに各パルスが後述の変化を繰り返す。その結果、奇数行の光電変換部101からの信号電荷が、1水平走査期間当たりに2行ずつ、水平シフトレジスタ103、106から出力される。第2垂直ブランキング期間VB2では、第1垂直転送パルスφV1と第2垂直転送パルスφV2とがMレベルに維持され、第4垂直転送パルスφV4がLレベルに維持される。一方、第3垂直転送パルスφV3がMレベルから所定時間、Hレベルに変化する。それにより、偶数行の光電変換部101から、第3垂直転送ゲートV3の下に位置するチャネルへ、1パケットの信号電荷が移動する。第2垂直走査期間VA2では、水平ブランキング期間と水平走査期間との一組ごとに各パルスが後述の変化を繰り返す。その結果、偶数行の光電変換部101からの信号電荷が、1水平走査期間当たりに2行ずつ、水平シフトレジスタ103、106から出力される。図4は、第1垂直走査期間に含まれる水平ブランキング期間HBPと水平走査期間HAPとにおける、垂直転送パルスφV1、φV2、φV3、φV4、転送制御パルスφHT、水平転送パルスφH1、φH2、φH3A、φH4、出力パルスφHL、リセット信号φR、及び電圧信号Vout1、Vout2のタイミングチャートである。水平ブランキング期間HBPのうち、開始時刻t0から第1時刻t1までの期間では、1行の光電変換部101からの信号電荷が、垂直シフトレジスタ102を通して光電変換部101の列方向に移動し、第1水平シフトレジスタ103へ転送される。第1時刻t1から第7時刻t7までの期間では、信号電荷が第1水平シフトレジスタ103から、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルを通して第2水平シフトレジスタ106へ転送される。第7時刻t7から水平ブランキング期間HBPの終了時刻までの期間では、次の1行の光電変換部101からの信号電荷が、垂直シフトレジスタ102を通して光電変換部101の列方向に移動し、第1水平シフトレジスタ103へ転送される。水平走査期間HAPでは、第1水平シフトレジスタ103が1行の光電変換部101からの信号電荷を第1出力部104へ出力し、第2水平シフトレジスタ106が次の行の光電変換部101からの信号電荷を第2出力部107へ出力する。水平ブランキング期間HBPの開始時刻t0では、第1垂直転送パルスφV1と第2垂直転送パルスφV2とがMレベルに維持され、第3垂直転送パルスφV3と第4垂直転送パルスφV4とがLレベルに維持されている。従って、信号電荷は、第1垂直転送ゲートV1と第2垂直転送ゲートV2との下に位置するチャネルに蓄積されている。開始時刻t0の後、まず、時刻t0Aでは第3垂直転送パルスφV3がMレベルに変化し、次に第1垂直転送パルスφV1がLレベルに変化する。続いて、第4垂直転送パルスφV4がMレベルに変化した後、第2垂直転送パルスφV2がLレベルに変化する。こうして、信号電荷が、第1垂直転送ゲートV1と第2垂直転送ゲートV2との下に位置するチャネルから、第3垂直転送ゲートV3と第4垂直転送ゲートV4との下に位置するチャネルへ移動する。その後、更に、第1垂直転送パルスφV1がMレベルに変化し、次に第3垂直転送パルスφV3がLレベルに変化する。続いて、第2垂直転送パルスφV2がMレベルに変化した後、第1時刻t1で第4垂直転送パルスφV4がLレベルに変化する。こうして、信号電荷が、第3垂直転送ゲートV3と第4垂直転送ゲートV4との下に位置するチャネルから、第1垂直転送ゲートV1と第2垂直転送ゲートV2との下に位置するチャネルへ移動する。すなわち、開始時刻t0から第1時刻t1までの期間では、信号電荷が各垂直シフトレジスタ102の中を、光電変換部101の列方向に2行移動する。図5のaは、水平ブランキング期間HBPの開始時刻t0において、第1水平シフトレジスタ103内の水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4、転送制御ゲートHT、及び第2水平シフトレジスタ106内の水平転送ゲートH1、H2、H3B、H4のそれぞれの電位を示す模式図である。図5のaでは、Hレベルのゲートが白く表示され、Lレベルのゲートが黒く表示されている。図5のaを参照するに、第1水平転送ゲートH1と第5水平転送ゲートH3Bとの電位がHレベルに維持され、他のゲートの電位はLレベルに維持されている。特に第1水平転送ゲートH1の電位がHレベルに維持されている。従って、第1時刻t1で第4垂直転送ゲートV4の電位がLレベルに変化したとき、第4垂直転送ゲートV4と第1水平転送ゲートH1との間にフリンジ電界が生じる。それにより、1パケットの信号電荷が全て、垂直シフトレジスタ102から第1水平シフトレジスタ103へ移動する。図4を再び参照するに、第1時刻t1から第7時刻t7までの期間では、第4垂直転送パルスφV4はLレベルに維持され、転送パルスφHTはHレベルに維持され、第4水平転送パルスφH4はLレベルに維持され、第5水平転送パルスφH3BはHレベルに維持される。第1時刻t1から第2時刻t2までは、第1水平転送パルスφH1がHレベルに維持され、第2水平転送パルスφH2と第3水平転送パルスφH3AとがLレベルに維持される。第2時刻t2から第3時刻t3までは、3種類の水平転送パルスφH1、φH2、φH3AがいずれもLレベルに維持される。第3時刻t3から第4時刻t4までは、第2水平転送パルスφH2がHレベルに維持され、第1水平転送パルスφH1と第3水平転送パルスφH3AとがLレベルに維持される。第4時刻t4から第5時刻t5までは、3種類の水平転送パルスφH1、φH2、φH3AがいずれもLレベルに維持される。第5時刻t5から第6時刻t6までは、第3水平転送パルスφH3AがHレベルに維持され、第1水平転送パルスφH1と第2水平転送パルスφH2とがLレベルに維持される。第6時刻t6から第7時刻t7までは、3種類の水平転送パルスφH1、φH2、φH3AがいずれもLレベルに維持される。図5のbは、第1時刻t1から第2時刻t2までの期間において、第1水平シフトレジスタ103内の水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4、転送制御ゲートHT、及び第2水平シフトレジスタ106内の水平転送ゲートH1、H2、H3B、H4のそれぞれの電位を示す模式図である。図5のbでは、Hレベルのゲートが白く表示され、Lレベルのゲートが黒く表示されている。図5のbを参照するに、第1水平転送ゲートH1と第5水平転送ゲートH3Bとの電位に加え、転送制御ゲートHTの電位がHレベルに維持され、他のゲートの電位はLレベルに維持されている。特に、第3垂直転送パルスφV3がMレベルに変化する時刻t0Aから既に、転送制御ゲートHTの電位はHレベルに維持されている。従って、信号電荷CHGは、第1水平シフトレジスタ103内の第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルから、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルを通して、第2水平シフトレジスタ106内の第5水平転送ゲートH3Bの下に位置するチャネルまで拡がる。図7のaは、図2に示されている折線VII-VIIに沿った断面を展開した図である。図7のbは、第1時刻t1から第2時刻t2までの期間において、図7のaに示されている断面におけるチャネルの電位変化と、そのチャネルに蓄積される信号電荷の分布とを示す模式図である。第1時刻t1では、第4垂直転送ゲートV4の電位はLレベルに変化するので、第4垂直転送ゲートV4の下に位置するチャネル203の電位はLレベルLP0に維持される。一方、図7のaに示されているように、半導体基板701の表層部は、不純物濃度の比較的低い領域203と比較的高い領域204とに分割され、それらの領域間の境界Aが、第4垂直転送ゲートV4に近い第1水平転送ゲートH1の端部の下に位置している。第1時刻t1では、第1水平転送ゲートH1の電位がHレベルに維持されている。従って、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルの電位は、図7のbに示されているように、第4垂直転送ゲートV4から転送制御ゲートHTへ向かう方向で、第1HレベルHP1から第2HレベルHP2まで上昇する。それにより、信号電荷CHGは、図7のbに示されている矢印AR1のように、第4垂直転送ゲートV4の下に位置するチャネルから、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルへ移動する。但し、電位勾配は境界Aの付近に局在しているので、信号電荷CHGの大部分は、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルに滞留している。図5のcは、第2時刻t2から第3時刻t3までの期間において、第1水平シフトレジスタ103内の水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4、転送制御ゲートHT、及び第2水平シフトレジスタ106内の水平転送ゲートH1、H2、H3B、H4のそれぞれの電位を示す模式図である。図5のcでは、Hレベルのゲートが白く表示され、Lレベルのゲートが黒く表示されている。図5のcを参照するに、第5水平転送ゲートH3Bと転送制御ゲートHTとの電位がHレベルに維持され、他のゲートの電位、特に第1水平転送ゲートH1の電位はLレベルに維持されている。従って、大多数の信号電荷CHGは、第1水平転送ゲートH1と転送制御ゲートHTとの間のフリンジ電界により、第1水平シフトレジスタ103内の第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルから、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルへ移動する。しかし、一部の信号電荷RCHは、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルに取り残される。図7のcは、図2に示されている折線VII-VIIに沿った断面を展開した図である。図7のdは、第2時刻t2から第3時刻t3までの期間において、図7のcに示されている断面におけるチャネルの電位変化と、そのチャネルに蓄積される信号電荷の分布とを示す模式図である。第2時刻t2では、第1水平転送ゲートH1の電位がLレベルに変化するので、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルの電位は、図7のdに示されているように、不純物濃度が変化する境界Aの付近では、第4垂直転送ゲートV4から転送制御ゲートHTへ向かう方向で、第1LレベルLP1から第2LレベルLP2まで上昇する。更に、第1水平転送ゲートH1と転送制御ゲートHTとの間の境界付近では、転送制御ゲートHTへ近づくにつれて、電位が第2LレベルLP2から第2HレベルHP2まで上昇する。それにより、信号電荷CHGは、図7のdに示されている矢印AR2のように、第1水平転送ゲートH1と転送制御ゲートHTとの間の境界付近では、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルから、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルへ移動する。但し、電位勾配は、第1水平転送ゲートH1と転送制御ゲートHTとの間の境界付近に局在している。従って、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルのうち、電位が第2LレベルLP2に維持されている部分に一部の信号電荷RCHが取り残される。図5のdは、第3時刻t3から第4時刻t4までの期間において、第1水平シフトレジスタ103内の水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4、転送制御ゲートHT、及び第2水平シフトレジスタ106内の水平転送ゲートH1、H2、H3B、H4のそれぞれの電位を示す模式図である。図5のdでは、Hレベルのゲートが白く表示され、Lレベルのゲートが黒く表示されている。図5のdを参照するに、第5水平転送ゲートH3Bと転送制御ゲートHTとの電位に加え、第2水平転送ゲートH2の電位がHレベルに維持され、他のゲートの電位はLレベルに維持されている。従って、第1水平シフトレジスタ103内の第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルに取り残されていた信号電荷RCHが、第1水平シフトレジスタ103内の第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルへ移動する。図8のaは、図2に示されている折線IIX-IIXに沿った断面を展開した図である。図8のbは、第3時刻t3から第4時刻t4までの期間において、図8のaに示されている断面におけるチャネルの電位変化と、そのチャネルに蓄積される信号電荷の分布とを示す模式図である。図8のaに示されているように、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルでは、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルよりも、不純物濃度の比較的低い領域203と比較的高い領域204との間の境界Bが転送制御ゲートHTに近い。第3時刻t3では、第2水平転送ゲートH2の電位がHレベルに変化するので、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルの電位は、図8のbに示されているように、第4垂直転送ゲートV4から転送制御ゲートHTへ向かう方向で、第3HレベルHP3から第2HレベルHP2まで上昇する。この電位勾配により、信号電荷CHGは、図8のbに示されている矢印AR3のように、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルの中を、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルへ向かって移動する。図6のaは、第4時刻t4から第5時刻t5までの期間において、第1水平シフトレジスタ103内の水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4、転送制御ゲートHT、及び第2水平シフトレジスタ106内の水平転送ゲートH1、H2、H3B、H4のそれぞれの電位を示す模式図である。図6のaでは、Hレベルのゲートが白く表示され、Lレベルのゲートが黒く表示されている。図6のaを参照するに、第5水平転送ゲートH3Bと転送制御ゲートHTとの電位がHレベルに維持され、他のゲートの電位、特に第2水平転送ゲートH2の電位はLレベルに維持されている。従って、大多数の信号電荷CHGは、第2水平転送ゲートH2と転送制御ゲートHTとの間のフリンジ電界により、第1水平シフトレジスタ103内の第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルから、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルへ移動する。しかし、一部の信号電荷RCHは、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルに取り残される。図8のcは、図2に示されている折線IIX-IIXに沿った断面を展開した図である。図8のdは、第4時刻t4から第5時刻t5までの期間において、図8のcに示されている断面におけるチャネルの電位変化と、そのチャネルに蓄積される信号電荷の分布とを示す模式図である。第4時刻t4では、第2水平転送ゲートH2の電位がLレベルに変化するので、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルの電位は、図8のdに示されているように、不純物濃度が変化する境界Bの付近では、第4垂直転送ゲートV4から転送制御ゲートHTへ向かう方向で、第1LレベルLP1から第2LレベルLP2まで上昇する。更に、第2水平転送ゲートH2と転送制御ゲートHTとの間の境界付近では、転送制御ゲートHTへ近づくにつれて、電位が第2LレベルLP2から第2HレベルHP2まで上昇する。それにより、信号電荷CHGは、図8のdに示されている矢印AR4のように、第2水平転送ゲートH2と転送制御ゲートHTとの間の境界付近では、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルから、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルへ移動する。ここで、電位勾配は、第2水平転送ゲートH2と転送制御ゲートHTとの間の境界付近に局在している。従って、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルのうち、電位が第4LレベルLP4に維持されている部分に一部の信号電荷RCHが取り残される。但し、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルでは、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルとは異なり、不純物濃度の高い領域204が転送制御ゲートHTの側に偏っている。従って、第5時刻t5に、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネル内に取り残される信号電荷は、第3時刻t3に、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネル内に取り残される信号電荷よりも少ない。図6のbは、第5時刻t5から第6時刻t6までの期間において、第1水平シフトレジスタ103内の水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4、転送制御ゲートHT、及び第2水平シフトレジスタ106内の水平転送ゲートH1、H2、H3B、H4のそれぞれの電位を示す模式図である。図6のbでは、Hレベルのゲートが白く表示され、Lレベルのゲートが黒く表示されている。図6のbを参照するに、第5水平転送ゲートH3Bと転送制御ゲートHTとの電位に加え、第3水平転送ゲートH3Aの電位がHレベルに維持され、他のゲートの電位はLレベルに維持されている。従って、第1水平シフトレジスタ103内の第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルに取り残されていた信号電荷RCHが、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルへ移動する。図9のaは、図2に示されている折線IX-IXに沿った断面を展開した図である。図9のbは、第5時刻t5から第6時刻t6までの期間において、図9のaに示されている断面におけるチャネルの電位変化と、そのチャネルに蓄積される信号電荷の分布とを示す模式図である。図9のaに示されているように、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルでは、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルよりも、不純物濃度の比較的低い領域203と比較的高い領域204との間の境界Cが転送制御ゲートHTに近い。第5時刻t5では、第3水平転送ゲートH3Aの電位がHレベルに変化するので、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルの電位は、図9のbに示されているように、第4垂直転送ゲートV4から転送制御ゲートHTへ向かう方向で、第3HレベルHP3から第2HレベルHP2まで上昇する。この電位勾配により、信号電荷CHGは、図8のbに示されている矢印AR5のように、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルの中を、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルへ向かって移動する。図6のcは、第6時刻t6から第7時刻t7までの期間において、第1水平シフトレジスタ103内の水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4、転送制御ゲートHT、及び第2水平シフトレジスタ106内の水平転送ゲートH1、H2、H3B、H4のそれぞれの電位を示す模式図である。図6のcでは、Hレベルのゲートが白く表示され、Lレベルのゲートが黒く表示されている。図6のcを参照するに、第5水平転送ゲートH3Bと転送制御ゲートHTとの電位がHレベルに維持され、他のゲートの電位、特に第3水平転送ゲートH3Aの電位はLレベルに維持されている。従って、信号電荷CHGは全て、第3水平転送ゲートH3Aと転送制御ゲートHTとの間のフリンジ電界により、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルから、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルへ移動する。図9のcは、図2に示されている折線IX-IXに沿った断面を展開した図である。図9のdは、第6時刻t6から第7時刻t7までの期間において、図9のcに示されている断面におけるチャネルの電位変化と、そのチャネルに蓄積される信号電荷の分布とを示す模式図である。第6時刻t6では第3水平転送ゲートH3Aの電位がLレベルに変化する。更に、不純物濃度が変化する境界Cは、第3水平転送ゲートH3Aと転送制御ゲートHTとの間の境界に近い。従って、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルの電位は、図9のdに示されているように、第3水平転送ゲートH3Aと転送制御ゲートHTとの間の境界の付近において、転送制御ゲートHTへ近づくにつれて、第1LレベルLP1から第2HレベルHP2まで上昇する。それにより、信号電荷CHGは全て、図9のdに示されている矢印AR6のように、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルから、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルへ移動する。ここで、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルでは、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルよりも更に、不純物濃度の高い領域204が転送制御ゲートHTの側に偏っている。従って、第7時刻t7において、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネル内に信号電荷は取り残されない。図6のdは、第7時刻t7において、第1水平シフトレジスタ103内の水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4、転送制御ゲートHT、及び第2水平シフトレジスタ106内の水平転送ゲートH1、H2、H3B、H4のそれぞれの電位を示す模式図である。図6のdでは、Hレベルのゲートが白く表示され、Lレベルのゲートが黒く表示されている。図6のdを参照するに、第5水平転送ゲートH3Bの電位のみがHレベルに維持され、他のゲートの電位、特に転送制御ゲートHTの電位はLレベルに維持されている。従って、信号電荷CHGは全て、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルから、第5水平転送ゲートH3Bの下に位置するチャネルへ移動する。図9のeは、図2に示されている折線IX-IXに沿った断面を展開した図である。図9のfは、第7時刻t7において、図9のeに示されている断面におけるチャネルの電位変化と、そのチャネルに蓄積される信号電荷の分布とを示す模式図である。第7時刻t7では転送制御ゲートHTの電位がLレベルに変化する。従って、第5水平転送ゲートH3Bの下に位置するチャネルの電位は、図9のfに示されているように、転送制御ゲートHTと第5水平転送ゲートH3Bとの間の境界から離れるにつれて、Lレベルから第2HレベルHP2まで上昇する。それにより、信号電荷CHGは全て、図9のfに示されている矢印AR7のように、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルから、第5水平転送ゲートH3Bの下に位置するチャネルへ移動する。以上のとおり、第1時刻t1から第7時刻t7までの期間では、転送制御ゲートHTの電位がHレベルに維持された状態で、第1水平シフトレジスタ103に含まれる3個の連続する水平転送ゲートH1、H2、H3Aの電位が順番にHレベルに切り換えられる。更に、3個の連続する水平転送ゲートH1、H2、H3Aのうちの1つの電位がHレベルに維持される期間と、次の1つの電位がHレベルに維持される期間との間では、3個の連続するゲート全ての電位がLレベルに維持される。それにより、まず、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルから、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルへ、信号電荷が移動する。そのとき、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルに取り残された信号電荷は、次に、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルへ移動して、そこから、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルへ移動する。第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルに取り残された信号電荷は、更に第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルへ移動して、そこから、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルへ移動する。ここで、図2に示されているように、第1水平転送ゲートH1、第2水平転送ゲートH2、第3水平転送ゲートH3Aの順に、不純物濃度の高い領域204の面積が大きい。従って、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルに取り残された信号電荷は、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルに移動したときに、転送制御ゲートHTに近づく。第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルに取り残された信号電荷は、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルに移動したときに、転送制御ゲートHTに更に近づく。こうして、最終的には、第1水平シフトレジスタ103内の信号電荷を全て、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルへ移動させることができる。その結果、第1水平シフトレジスタ103内に取り残された信号電荷に起因するラインクロールノイズを除去することができる。図4を再び参照するに、第7時刻t7では、第1垂直転送パルスφV1と第2垂直転送パルスφV2とがMレベルに維持され、第3垂直転送パルスφV3と第4垂直転送パルスφV4とがLレベルに維持されている。従って、信号電荷は、第1垂直転送ゲートV1と第2垂直転送ゲートV2との下に位置するチャネルに蓄積されている。第7時刻t7の後、まず、時刻t7Aでは第3垂直転送パルスφV3がMレベルに変化し、次に第1垂直転送パルスφV1がLレベルに変化する。続いて、第4垂直転送パルスφV4がMレベルに変化した後、第2垂直転送パルスφV2がLレベルに変化する。こうして、信号電荷が、第1垂直転送ゲートV1と第2垂直転送ゲートV2との下に位置するチャネルから、第3垂直転送ゲートV3と第4垂直転送ゲートV4との下に位置するチャネルへ移動する。その後、更に、第1垂直転送パルスφV1がMレベルに変化し、次に第3垂直転送パルスφV3がLレベルに変化する。続いて、第2垂直転送パルスφV2がMレベルに変化した後、第1時刻t1で第4垂直転送パルスφV4がLレベルに変化する。こうして、信号電荷が、第3垂直転送ゲートV3と第4垂直転送ゲートV4との下に位置するチャネルから、第1垂直転送ゲートV1と第2垂直転送ゲートV2との下に位置するチャネルへ移動する。すなわち、第7時刻t7から水平ブランキング期間HBPの終了時刻までの期間では、信号電荷が各垂直シフトレジスタ102の中を、光電変換部101の列方向に2行移動する。図4を更に参照するに、時刻t7Aから水平ブランキング期間HBPの終了時刻までの期間では、第1水平転送ゲートH1と第2水平転送ゲートH2との電位はHレベルに維持され、第3水平転送ゲートH3Aの電位はLレベルに維持されている。従って、第4垂直転送ゲートV4の電位がLレベルに変化したとき、第4垂直転送ゲートV4と第1水平転送ゲートH1との間にフリンジ電界が生じる。それにより、1パケットの信号電荷が全て、垂直シフトレジスタ102から、第1水平シフトレジスタ103内の第1水平転送ゲートH1と第2水平転送ゲートH2との下に位置するチャネルへ移動する。水平走査期間HAP中、第1水平シフトレジスタ103では、第3水平転送ゲートH3A、第4水平転送ゲートH4、第1水平転送ゲートH1、第2水平転送ゲートH2の順に、電位が所定時間ずつHレベルに維持される動作が繰り返される。それにより、信号電荷が第1水平シフトレジスタ103のチャネル内を移動する。一方、第2水平シフトレジスタ106では、第5水平転送ゲートH3B、第4水平転送ゲートH4、第1水平転送ゲートH1、第2水平転送ゲートH2の順に、電位が所定時間ずつHレベルに維持される動作が繰り返される。それにより、信号電荷が第2水平シフトレジスタ106のチャネル内を移動する。ここで、第3水平転送パルスφH3Aと第5水平転送パルスφH3Bとを同期させることにより、同じ列の光電変換部101から抽出された1パケットの信号電荷が、第1ストレージゲートHL1と第2ストレージゲートHL2との下に位置するチャネルへ同時に蓄積される。更に、出力パルスφHLを第1水平転送パルスφH1に同期させることにより、各ストレージゲートHL1、HL2に蓄積された1パケットの信号電荷が同時に各出力部104、107へ出力される。その結果、同じ列の光電変換部101から抽出された1パケットの信号電荷が同時に電圧信号Vout1、Vout2へ変換される。こうして、第1出力部104と第2出力部107とから同時に出力される電圧信号Vout1、Vout2の間では、それぞれが表す画像の水平座標が一致する。上記のとおり、固体撮像装置100は、第1水平シフトレジスタ103と第2水平シフトレジスタ106とから同時に出力される電圧信号Vout1、Vout2の間で画像の水平座標を等しく維持したまま、第1水平シフトレジスタ103から第2水平シフトレジスタ106へ信号電荷を確実に移動させることができる。それにより、2本の水平シフトレジスタ103、106による高速出力と、ラインクロールノイズの除去による高画質の維持とを両立させることができる。その結果、固体撮像装置が光電変換部101を例えば一千万個以上搭載していても、高画質な画像データを高速に出力することができる。《変形例》A図2では、第1水平シフトレジスタ103内の各水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4の下に位置するチャネルにおいて不純物濃度が変化する境界A、B、Cはいずれも、光電変換部101の行方向に平行である。境界はその他の形状であってもよい。図10のaは、第1水平シフトレジスタ103内の水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4、転送制御ゲートHT、及び第2水平シフトレジスタ106内の水平転送ゲートH1、H2、H3B、H4のそれぞれの下に位置するチャネルの別の構成を示す模式図である。図10のaを参照するに、第1水平シフトレジスタ103内の各水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4の下に位置するチャネルでは不純物濃度が2段階に変化し、垂直シフトレジスタ102に近い領域203よりも、第2水平シフトレジスタ106に近い領域204で高い。図10のaでは、不純物濃度の高い領域204が黒塗りの領域として示されている。第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネル、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネル、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネル、第4水平転送ゲートH4の下に位置するチャネルの順に、不純物濃度の高い領域204の面積が大きい。第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルから、第4水平転送ゲートH4の下に位置するチャネルにかけて、不純物濃度が変化する境界BNDは、光電変換部101の行方向に対して斜めに延びている。従って、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルから、第4水平転送ゲートH4の下に位置するチャネルに向かって、境界BNDは転送制御ゲートHTへ近づいている。このような不純物濃度の変化でも、第1水平シフトレジスタ103内の各水平転送ゲートH1、H2、H3Aの下に位置するチャネルでは、電位勾配が生じる位置が、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネル、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネル、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルの順に、転送制御ゲートHTから離れている。従って、第1水平シフトレジスタ103から第2水平シフトレジスタ106へ信号電荷を移動させる際、第1水平転送ゲートH1の下に位置するチャネルに取り残された信号電荷は、第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルに移動したときに転送制御ゲートHTに近づく。第2水平転送ゲートH2の下に位置するチャネルに取り残された信号電荷は、第3水平転送ゲートH3Aの下に位置するチャネルに移動したときに、転送制御ゲートHTに更に近づく。こうして、最終的には、第1水平シフトレジスタ103内の信号電荷を全て、転送制御ゲートHTの下に位置するチャネルへ移動させることができる。B図10のbは、第1水平シフトレジスタ103内の水平転送ゲートH1、H2、H3A、H4、2本の転送制御ゲートHT1、HT2、及び第2水平シフトレジスタ106内の水平転送ゲートH1、H2、H3B、H4のそれぞれの下に位置するチャネルの構成を示す模式図である。図10のbを参照するに、図2とは異なり、2本の転送制御ゲートHT1、HT2が、第1水平シフトレジスタ103と第2水平シフトレジスタ106との間を平行に延びている。その場合、図4に示されている第1時刻t1から第7時刻t7までの期間では、両方の転送制御ゲートHT1、HT2の電位がHレベルに維持される。第7時刻t7では、第1水平シフトレジスタ103側に位置する第1転送制御ゲートHT1の電位はLレベルに変化する一方、第2水平シフトレジスタ106側に位置する第2転送制御ゲートHT2の電位はHレベルに維持される。それにより、第1転送制御ゲートHT1と第2転送制御ゲートHT2との間に生じるフリンジ電界によって、信号電荷は、第1転送制御ゲートHT1の下に位置するチャネルから、第2転送制御ゲートHT2の下に位置するチャネルへ移動する。その後、第2転送制御ゲートHT2の電位がLレベルに変化する。それにより、第2転送制御ゲートHT2と第5水平転送ゲートH3Bとの間に生じるフリンジ電界によって、信号電荷は、第2転送制御ゲートHT2の下に位置するチャネルから、第5水平転送ゲートH3Bの下に位置するチャネルへ移動する。このように、転送制御ゲートの下に位置するチャネルから第2水平シフトレジスタ106への信号電荷の転送を2段階に分けて行うことにより、転送制御ゲートの下に位置するチャネルに信号電荷が取り残されることを防ぐことができる。C図2では、転送制御ゲートが1本である。その他に、転送制御ゲートが3本であってもよい。その場合、図1とは異なり、第3水平転送ゲートH3Aと第5水平転送ゲートH3Bとに対して同じ水平転送パルスを印加することができる。図11のaは、第1水平シフトレジスタ103内の水平転送ゲートH1、H2、H3、H4、3本の転送制御ゲートHT1、HT2、HT3、及び第2水平シフトレジスタ106内の水平転送ゲートH1、H2、H3、H4のそれぞれの下に位置するチャネルの構成を示す模式図である。図11のaを参照するに、図2とは異なり、3本の転送制御ゲートHT1、HT2、HT3が、第1水平シフトレジスタ103と第2水平シフトレジスタ106との間を平行に延びている。更に、第1水平シフトレジスタ103内の4個の連続する水平転送ゲートH1、H2、H3、H4の下に位置するチャネルは、転送制御ゲートHT1、HT2、HT3の下に位置するチャネルを通して、第2水平シフトレジスタ106内の第1水平転送ゲートH1と第2水平転送ゲートH2との下に位置するチャネルに接続されている。図11のaに示されている構造の場合、第1水平シフトレジスタ103から第2水平シフトレジスタ106への信号電荷の転送は次のように行われる。図4に示されている第1時刻t1から第7時刻t7までの期間では、第2水平シフトレジスタ106に最も近い第3転送制御ゲートHT3の電位はLレベルに維持され、その他の転送制御ゲートHT1、HT2の電位はHレベルに維持されている。その状態で、図5のb-d、図6のa-cに示されている動作と同様な動作により、第1水平シフトレジスタ103内の4個の連続する水平転送ゲートH1-H4の下に位置するチャネルから、第1転送制御ゲートHT1と第2転送制御ゲートHT2との下に位置するチャネルへ、信号電荷が転送される。第7時刻t7の後、まず、第1転送制御ゲートHT1の電位をLレベルに変化させる。その状態で、第1水平転送ゲートH1と第2水平転送ゲートH2との電位をHレベルに変化させる。更に、第3転送制御ゲートHT3の電位をHレベルに変化させる。それにより、信号電荷が、第1転送制御ゲートHT1の下に位置するチャネルから、他の転送制御ゲートHT2、HT3の下に位置するチャネルを通して、第2水平シフトレジスタ106内の第1水平転送ゲートH1と第2水平転送ゲートH2との下に位置するチャネルへ移動する。続いて、第2転送制御ゲートHT2の電位をLレベルに変化させ、更に第3転送制御ゲートHT3の電位をLレベルに変化させる。それにより、転送制御ゲートHT2、HT3の下に位置するチャネルに取り残された信号電荷が全て、第2水平シフトレジスタ106内のチャネルへ移動する。第7時刻t7の後、水平ブランキング期間が終了するまでは、第1水平転送ゲートH1と第2水平転送ゲートH2との電位はHレベルに維持され、第3水平転送ゲートH3の電位はLレベルに維持される。従って、次のパケットの信号電荷は、垂直シフトレジスタ102から、第1水平シフトレジスタ103内の第1水平転送ゲートH1と第2水平転送ゲートH2との下に位置するチャネルへ移動する。水平走査期間中、第3水平転送ゲートH3、第4水平転送ゲートH4、第1水平転送ゲートH1、第2水平転送ゲートH2の順に、電位が所定時間ずつHレベルに維持される動作が繰り返される。それにより、同じ列の光電変換部101から抽出された1パケットの信号電荷が各水平シフトレジスタ103、106のチャネル内を移動して、同時に各出力部104、107へ出力され、同時に電圧信号Vout1、Vout2へ変換される。こうして、第1出力部104と第2出力部107とから同時に出力される電圧信号Vout1、Vout2の間では、それぞれが表す画像の水平座標が一致する。図11のbは、第1水平シフトレジスタ103内の水平転送ゲートH1、H2、H3、H4、3本の転送制御ゲートHT1、HT2、HT3、及び第2水平シフトレジスタ106内の水平転送ゲートH1、H2、H3、H4のそれぞれの下に位置するチャネルの別の構成を示す模式図である。図11のbを参照するに、図11のaとは異なり、第1水平シフトレジスタ103内の4個の連続する水平転送ゲートH1、H2、H3、H4の下に位置するチャネルは、転送制御ゲートHT1、HT2、HT3の下に位置するチャネルを通して、第2水平シフトレジスタ106内の第1水平転送ゲートH1、第2水平転送ゲートH2、及び第3水平転送ゲートH3の下に位置するチャネルに接続されている。図11のbに示されている構造の場合、第1水平シフトレジスタ103から第2水平シフトレジスタ106への信号電荷の転送は次のように行われる。図4に示されている第1時刻t1から第7時刻t7までの期間では、第2水平シフトレジスタ106に最も近い第3転送制御ゲートHT3の電位はLレベルに維持され、その他の転送制御ゲートHT1、HT2の電位はHレベルに維持されている。その状態で、図5のb-d、図6のa-cに示されている動作と同様な動作により、第1水平シフトレジスタ103内の4個の連続する水平転送ゲートH1-H4の下に位置するチャネルから、第1転送制御ゲートHT1と第2転送制御ゲートHT2との下に位置するチャネルへ、信号電荷が転送される。第7時刻t7の後、まず、第1転送制御ゲートHT1の電位をLレベルに変化させる。その状態で、第1水平転送ゲートH1、第2水平転送ゲートH2、及び第3水平転送ゲートH3の電位をHレベルに変化させる。更に、第3転送制御ゲートHT3の電位をHレベルに変化させる。それにより、信号電荷が、第1転送制御ゲートHT1の下に位置するチャネルから、他の転送制御ゲートHT2、HT3の下に位置するチャネルを通して、第2水平シフトレジスタ106内の3個の連続する水平転送ゲートH1、H2、H3の下に位置するチャネルへ移動する。続いて、第2転送制御ゲートHT2の電位をLレベルに変化させ、更に第3転送制御ゲートHT3の電位をLレベルに変化させる。それにより、転送制御ゲートHT2、HT3の下に位置するチャネルに取り残された信号電荷が全て、第2水平シフトレジスタ106内のチャネルへ移動する。第7時刻t7の後、水平ブランキング期間が終了するまでは、第1水平転送ゲートH1、第2水平転送ゲートH2、及び第3水平転送ゲートH3の電位はHレベルに維持され、第4水平転送ゲートH4の電位はLレベルに維持される。従って、次のパケットの信号電荷は、垂直シフトレジスタ102から、第1水平シフトレジスタ103内の3個の連続する水平転送ゲートH1、H2、H3の下に位置するチャネルへ移動する。水平走査期間中、第4水平転送ゲートH4、第1水平転送ゲートH1、第2水平転送ゲートH2、第3水平転送ゲートH3の順に、電位が所定時間ずつHレベルに維持される動作が繰り返される。それにより、同じ列の光電変換部101から抽出された1パケットの信号電荷が各水平シフトレジスタ103、106のチャネル内を移動して、同時に各出力部104、107へ出力され、同時に電圧信号Vout1、Vout2へ変換される。こうして、第1出力部104と第2出力部107とから同時に出力される電圧信号Vout1、Vout2の間では、それぞれが表す画像の水平座標が一致する。D上記の実施形態では、水平走査期間中、各水平シフトレジスタ103、106が4相の水平転送パルスφH1、φH2、φH3A/φH3B、φH4で駆動される。その他に、各水平シフトレジスタ103、106が3相、又は5相以上の水平転送パルスで駆動されてもよい。E上記の実施形態では、第1水平シフトレジスタ103に含まれる3個の連続する水平転送ゲートH1、H2、H3Aの下に位置するチャネルから、第2水平シフトレジスタ106内の1つのゲート、すなわち第5水平転送ゲートH3Bの下に位置するチャネルへ、信号電荷が転送される。その他に、第1水平シフトレジスタに含まれるn個n=2、又はn≧4の連続するゲートの下に位置するチャネルから、第2水平シフトレジスタに含まれる1個のゲートの下に位置するチャネルへ、信号電荷が転送されてもよい。その場合、固体撮像装置は、水平ブランキング期間のうち、転送制御ゲートの電位をHレベルに維持している間に、第1水平シフトレジスタに含まれるn個の連続するゲートの電位を順番にHレベルに切り換える。更に、n個の連続するゲートのうちの1つの電位をHレベルに維持する期間と、次の1つの電位をHレベルに維持する期間との間では、n個の連続するゲート全ての電位をLレベルに維持する。それにより、その固体撮像装置は、上記の実施形態によるもの100と同様に、第1水平シフトレジスタから第2水平シフトレジスタへ信号電荷を確実に転送することができる。F上記の実施形態では、水平シフトレジスタが2本である。その他に、水平シフトレジスタがN本N≧3設置されていてもよい。その場合、N本の水平シフトレジスタのうち、垂直シフトレジスタに近い方から数えてm番目1≦m<Nの水平シフトレジスタとm1番目の水平シフトレジスタとの間に配置された転送制御ゲートは、m番目の水平シフトレジスタに含まれるn個n≧3の連続するゲートの下に位置するチャネルから、m1番目の水平シフトレジスタに含まれる少なくとも1個のゲートの下に位置するチャネルへ、信号電荷を転送するのに利用される。m番目の水平シフトレジスタからm1番目の水平シフトレジスタへ信号電荷を転送する方法は、上記の実施形態と同様である。すなわち、固体撮像装置は、水平ブランキング期間のうち、転送制御ゲートの電位をHレベルに維持している間に、m番目の水平シフトレジスタに含まれるn個の連続するゲートの電位を順番にHレベルに切り換える。更に、n個の連続するゲートのうちの1つの電位をHレベルに維持する期間と、次の1つの電位をHレベルに維持する期間との間では、n個の連続するゲート全ての電位をLレベルに維持する。それにより、その固体撮像装置は、m番目の水平シフトレジスタからm1番目の水平シフトレジスタへ信号電荷を確実に転送することができる。