電磁放射8に対して感受性を有する第1の要素12を備えたアクティブボロメータ7と、前記アクティブボロメータ7と同一であり、前記電磁放射8に対して感受性を有する第2の要素13を備えた基準ボロメータ10と、外壁16および前記第2の感受性要素13に向いた内壁17を有するカバー15であって、前記電磁放射8に晒される前記第2の感受性要素13の少なくとも一部分を被覆し、かつ前記第2の感受性要素13と前記内壁17を隔てる空きスペースを設ける、カバー15と、前記電磁放射8に晒される前記外壁16の少なくとも一部分を形成する反射シールド18と、を単一基板上に含む、電磁放射を検出するための装置であって、前記カバー15の前記内壁17は、吸収性層20から構成され、前記吸収性層20は、少なくとも前記第2の感受性要素13から放射された熱放射線を吸収する材料から作られていることを特徴とする、電磁放射を検出するための装置。前記カバー15は、前記第2の感受性要素13を完全にカプセル化することを特徴とする、請求項1に記載の電磁放射を検出するための装置。前記カバー15は、前記基板14を圧することを特徴とする、請求項1または2に記載の装置。前記カバー15は、前記基板14と共に、前記基準ボロメータ10がその中に収納される閉空洞19を形成することを特徴とする、請求項3に記載の電磁放射を検出するための装置。前記基準ボロメータ10は、固定点6を含む断熱マイクロブリッジ構造体を有すること、および前記カバー15は、前記固定点6の少なくとも2つを圧することを特徴とする、請求項1または2に記載の電磁放射を検出するための装置。前記吸収性層は、多層であることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電磁放射を検出するための装置。前記吸収性層は、石油、プラチナ、銀およびクロムから選択される、少なくとも1つの多孔質で金属質の吸収性材料から形成されることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電磁放射を検出するための装置。前記吸収性層は、黒鉛を含む、少なくとも1つの高分子材料から形成されることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電磁放射を検出するための装置。前記吸収性層は、窒化チタニウムおよびニクロムから選択される、少なくとも1つの抵抗性吸収性材料から形成されることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電磁放射を検出するための装置。前記カバー15は、前記吸収性層と反射シールドの間に配置された支持層30を含むこと、および前記アクティブボロメータ7は、カプセルによってカプセル化され、前記支持層30は、基準ボロメータから放射された前記電磁放射に対して透明な材料から構成されることを特徴とする、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の電磁放射を検出するための装置。前記支持層30の前記透明な材料は、単結晶、多結晶またはアモルファスのシリコン、単結晶または多結晶のゲルマニウム、ならびにSiGe合金から選択されることを特徴とする、請求項10に記載の電磁放射を検出するための装置。本発明の目的は、電磁放射の信頼性があり正確な測定を可能にする検出装置、具体的には、高利得および改善されたオフセット電流のスキミングによって、IR画像現場信号ができるだけ最良に増幅されるのを可能にする、最適化された装置を提供することである。本発明によれば、この目的は、インデックス付きのクレームによる電磁放射検出装置によって達成される。具体的には、この目的は、カバーの内壁が、吸収性層によって構成され、前記層は、第2の感受性要素から放射された熱放射線を少なくとも吸収する材料から作られることによって達成される。他の利点および特徴は、非限定で例示する目的だけで与えられ、添付図面中に表された本発明の特定の実施形態に関する後続の記述から、さらにはっきりと明らかになる。図4に示されたように、電磁放射8の検出のための装置が、前記電磁放射8に感受性を有する第1の要素12を備えたアクティブボロメータ7と、アクティブボロメータ7と同一であり、前記電磁放射8に感受性を有する第2の要素13を備えた基準ボロメータ10とを含む。同一と言うことによって意味されるものは、厳密に同一である、すなわち基準ボロメータ10は、アクティブボロメータ7の材料と同一の材料で構成され、かつ同じアーキテクチャおよび同一の寸法を有するということである。したがって、基準ボロメータ10は、同一の方法で、温度によって変化する。アクティブボロメータ7および基準ボロメータ10は、同じ基板14上に互いに近接して配置される。基板14は、シリコンから従来のように作られる支持体である。それは、アクティブボロメータ7および基準ボロメータ10の機械的強度を保証し、好ましくは、サーミスタ抵抗のバイアスおよび読み出しの装置を含む不図示。具体的には、マトリックス構造体を備えたいくつかのマイクロボロメータを含むIR検出装置の場合、その基板14は、様々なマイクロボロメータに起因した信号が、通常の画像システムによって使用されるために、シリアル化され、そしてそれらを、出力数が減少した形で送信するのを可能にする多重化構成部品を含むこともできる。図4に表されたように、アクティブボロメータ7および基準ボロメータ10は、有利には、マイクロブリッジを備えた断熱構造体を有し、各構造体は、熱伝導を最小にするために、固定点6および断熱アーム5を含む図2。マイクロブリッジ構造体は、熱抵抗が高い。高い熱抵抗は、電気抵抗の変化が最大にされるのを可能にする。熱質量thermalmassが、システムのレベルにおいて要求される熱時定数thermaltimeconstantに適合するように、調節される。それによって、この構造体は、検出装置から送出される信号の応答時間を減少させ、信号対雑音比を向上させる。検出装置は、電磁放射8に晒される第2の感受性要素13の少なくとも一部分を被覆し、第2の感受性要素13とカバー15の間に空きスペースを設けるカバー15も含む。カバー15は、基準ボロメータ10を完全に被覆せずに、第2の感受性要素13の上方だけに位置付けることができる図4の上部に。したがって、カバー15は、開空洞19を生成する。カバー15は、電磁放射8の光路上で、放射線源と第2の感受性要素13の間に配置される。それゆえ、シールドされた基準ボロメータ10は、すなわち、シールドを形成するカバー15を備えていると言及されることになる。カバー15は、外壁16および内壁17を有する。内壁17は、第2の感受性要素13に向いており、外壁16は、電磁放射8を放射している現場に向いている。最適な作動を達成するために、アクティブボロメータ7および基準ボロメータ10は、有利には、電気抵抗および熱時定数に関して同一である、または少なくとも同程度であることが必要である。熱時定数によって意味されるものは、ボロメータが、入射電磁放射8の変化の影響によって、1つの温度からもう1つの温度に変化するのにかかる時間である。熱時定数は、ボロメータの熱質量と熱抵抗の積である。熱質量によって意味されるものは、熱エネルギーを蓄え、次いでその熱エネルギーを放射放射損失、対流convectionまたは伝導conductionによって放射する、材料の容量である。熱質量および電気抵抗は、ボロメータに本来備わっている特性であり、それは、そのボロメータを構成する材料の性質およびそのアーキテクチャに依存する。アクティブボロメータ7および基準ボロメータ10が同一であるので、それゆえに、アクティブボロメータ7の熱質量および電気抵抗は、基準ボロメータ10のそれらと同一である。他方では、熱抵抗は、ボロメータとその環境との間のターミナル熱交換terminalheatexchangeを定量化した放射損失に依存する。さらに具体的には、熱抵抗は、2つの成分、すなわち、断熱アーム5を介した伝導による、ボロメトリックプレート1と固定点6の間の熱交換に起因する第1の成分と、ボロメータとその環境との熱交換を定量化した放射損失に依存する第2の成分とを含む。それゆえに、放射熱交換の大きさを決定するボロメータの環境が、熱時定数の値に影響を及ぼす。実際、各面は、原理から、空間のすべての方向に熱放射線を放射し、その面を囲繞する他の面に由来する放射線を受け取る。図5に示されたように、2つの面S1およびS2によって交換される熱流束の領域中で、熱交換は、以下の式1で表現される。ここで、ε1およびε2は、面S1およびS2のそれぞれの放射率であり、Φ12は、面S1とS2の間で交換される放射流束の密度であり、T1およびT2は、2つの面S1とS2のそれぞれの温度であり、F11およびF12は、S1が自分自身を見た場合、及びS1がS2を見た場合における形状因子formfactorである。図5に示されたような平坦な面S1については、因子F11は0に等しい。ケースだけによって被覆された従来のボロメータは、面S1平坦およびS2でそれぞれ図式化することができる図5。ケースの寸法は、ボロメータからケースまでの距離よりも大きく、また、ボロメータの寸法よりも大きいので、ボロメータS1からケースS2の方向に出力された熱流束の式1は、簡単化されて以下の式2を与え、ただし、S1/S2≪1、およびF12≒1とする。したがって、ボロメータから所定の距離に位置付けられたケースは、黒体面blacksurfaceとして振る舞う。他方では、ケースに近接して存在する基準ボロメータ10の場合、比S1/S2が約1と2の範囲に含まれるので、もはや無視できない。式1に、1に近いF12の値および比S1/S2を入れると、ケースの存在が熱流束密度を大幅に変更することがわかる。基準ボロメータ10に近接した、具体的には、第2の感受性要素13に近接したカバー15の存在が、基準ボロメータ10の熱抵抗を変更することができる。さらに、カバー15の熱抵抗に及ぼす影響は、基準ボロメータ10からこのカバー15を引き離す距離に依存する。したがって、アクティブボロメータ7は、基準ボロメータ10の環境と異なる環境に遭遇する。カバー15の存在は、アクティブボロメータ7と基準ボロメータ10が同一であるという事実にもかかわらず、ボロメータ7とボロメータ10の間に観測される熱抵抗の差を説明する。この原理によれば、ただし、基準ボロメータ10のアーキテクチャが、アクティブボロメータ7のそれと同一のままであるという条件で、基準ボロメータ10によって交換される熱流束が、アクティブボロメータ7によって交換される熱流束と同一である、または少なくとも匹敵することになる、唯一の可能性は、黒体として振る舞う、すなわち放射率が1に等しいε2=1、かつ焦点面およびケースと同じ温度まで加熱される材料から構成されるカバー15を選択することである。電磁放射8に晒されるカバー15の外壁16も、反射性であり、かつ極めて良好な熱伝導性の材料から構成される必要がある。一方では、カバー15は、基準ボロメータ10に向いた内壁17上への熱放射線を完全に吸収することが必要であり、他方では、電磁放射8を放射する現場に向けて、カバー15の外壁16上で完全に反射性であることが必要である。これを達成するために、反射シールド18が、電磁放射8に晒される外壁16の少なくとも一部分を形成する。反射シールド18は、従来、良好な反射特性を有し、良好な熱伝導体である、少なくとも1つの材料から形成される反射性薄層から構成される。カバー15の外壁16の全体は、有利には、反射シールド18から構成される図6。代替の方法では、反射シールド18は、電磁放射8に晒される外壁16の一部分を形成するだけである。さらに正確には、反射シールド18は、基板に平行な、外壁16の一部分を形成するだけである。反射シールド18は、カバー15を貫通して基準ボロメータ10までへの電磁放射8の透過を防止する。基準ボロメータ10は、電磁放射8の影響を受けない。反射シールド18は、有利には、アルミニウム、チタニウム、金、ニッケル、および銅、ならびにアルミニウム合金から選択される、少なくとも1つの金属材料から形成される。検出装置は、好ましくは、IRおよびテラヘルツTHzの検出装置である。カバー15は、基板14を圧し、基板14とともに、開いた、または閉じた空洞19を形成し、その中に基準ボロメータ10が収納される。特定の実施形態によれば、カバー15は、第2の感受性要素13を全体的にカプセル化する。図6および7に示されたように、カバー15は、空洞19中に位置付けられた基準ボロメータ10を全体的にカプセル化することができる。次いで閉じられる空洞19は、上部においてカバー15によって図6の上部で、かつ底部において基板14によって図6の底部で、その輪郭が描かれる。カバー15は、好ましくは、基準ボロメータ10と接触せずに、それを全体的に被覆する。したがって、カバー15は、閉じた、できる限りしっかりと密閉された空洞19を生成するカプセルを形成し、その中に基準ボロメータ10が収納される図6および7。また、カバー15は、基板14の一部分の上に延在する、基板14を圧するリムを形成することができる。図7に示されたように、リムは、カプセルの周りすべてに存在して、カバー15の付着力、最終的には機密性を向上させる。カバー15の内壁17は、閉じられた空洞19が、吸収性の空洞を構成するように、吸収性層20から構成される。さらに正確には、内壁17の全体は、第2の感受性要素13から入射する放射線を吸収するために、吸収性層20から構成される。吸収性層20を構成する吸収性の材料は、カバー15の内壁17の全体を被覆する。吸収性層20は、第2の感受性要素13から、好ましくは基準ボロメータ10の全体から放射された熱放射線を少なくとも吸収する材料から作られる。検出装置が作動中であるとき、第2の感受性要素13は、実際に、熱くなり、放射線を放出し、それは、次いで吸収性層20によって吸収される。吸収性層20は、有利には、石油blackgold、プラチナ、銀、およびクロムから選択される、少なくとも1つの多孔質で吸収性の金属質材料から形成される。石油およびプラチナは、黒色吸収体を精巧に仕上げるために、銀およびクロムのパイロ電気pyroelectric、またはサーモパイルthermopileの検出装置の分野で通常使用される。ボロメータの熱化、すなわち基準ボロメータ10がとることになる温度は、断熱アーム5を介した熱伝導による損失、およびそれに、黒体から構成される内壁17によって支配される、放射による損失が加えられた結果である。代替の実施形態によれば、吸収性層20は、少なくとも1つの、黒鉛を含む高分子材料から形成される。黒鉛を含む高分子材料は、2μmから20μmの範囲で最大80まで吸収することができる。高分子という用語は、エポキシまたはポリイミドのタイプの高分子樹脂、ならびに感光性樹脂も包含する。吸収性層20の吸収能力を向上させるために、層20は、多層の形で作製する、および/または異なる性質のいくつかの吸収性材料を含むこともできる。次いで、上記に述べられたカバー15を有する基準ボロメータ10は、アクティブボロメータ7の熱抵抗と同一の、または少なくともそれに匹敵する熱抵抗を示す。上記に述べられた電磁放射検出装置は、検出装置の真空カプセル化プロセスの範囲scope内で、単元的なelementary形で、またはウェーハ上に集合的なcollectiveやり方で作製しても良い。図4および6に示された特定の実施形態によれば、検出装置は、シールドされていないアクティブボロメータ7と、カバー15によってシールドされた基準ボロメータ10とを含む。電磁放射8のかかる検出装置の特定の実施形態が、図8~13を参照してさらに詳細に述べられる。アクティブボロメータ7および基準ボロメータ10の特性は、それらの作製条件に依存して、具体的にはIR検出装置を小型化するために、わずかに変化する可能性がある。このため、これらの特性の差により、特に、サーミスタ4の温度変化を正確に測定する場合に、測定誤差が生じる図2。測定精度を向上させるために、具体的にはこのタイプの誤差を防止するために、アクティブボロメータ7および基準ボロメータ10は、好ましくは、同じ基板14上に同時に形成される。図8に示されたように、検出装置の作製方法は、まず、固定点6を含む基板14上への第1の犠牲層21の堆積を含み、その犠牲層21は、好ましくはポリイミドから作製され、その厚さが、アクティブボロメータ7および基準ボロメータ10の固定点6の厚さにおおよそ等しい。次いで、第1の感受性要素12および第2の感受性要素13をそれぞれ含むボロメトリックプレート22および23が、アクティブボロメータ7および基準ボロメータ10を形成する従来の方法で作製される。次いで、図9に示されたように、好ましくはポリイミドから作製される第2の犠牲層24が、第1の犠牲層21上に、およびボロメトリックプレート22および23上に堆積される。この堆積によって導入される熱処理が、アクティブボロメータ7および基準ボロメータ10の性能を損なってはならない。第2の感受性要素13の上方に空きスペースを形成し、かつ基準ボロメータ10の上方で、0.5μmと5μmの範囲に含まれる距離にカバー15を作るために、第2の犠牲層24の厚さもまた0.5μmと5μmの範囲に含まれる。次いで、図10で、第1の犠牲層21および第2の犠牲層24のエッチングが、基準ボロメータ10に向かって実施される。リセス25が、カバー15の要求された形状に従って、基準ボロメータ10の周りすべてで、エッチングされる。したがって、リセス25は、基準ボロメータ10を囲繞し、第1の犠牲層21および第2の犠牲層24の全厚を貫通する、連続した溝を形成する。次いで、図11に示されたように、カバー15を構成する異なる層が、いずれもの知られた方法によって、第2の犠牲層24上に薄層の形で連続して堆積される。薄層によって意味されるものは、その厚さが、0.005μmと1μmの範囲に含まれる層である。これらの層は、たとえば、吸収性材料の第2の層27上に堆積される第1の金属層26から構成される。すべての場合において、第1の層26および第2の層27は、カバー15が、電磁放射8を反射し、かつ、基準ボロメータ10が作動しているとき、ジュール効果によって散逸されたパワーに起因する、基準ボロメータ10から放射された熱放射線を吸収するのに必要な光学的および熱的な特性を示すように、選択される。薄層の堆積は、陰極スパッタリング、低圧化学蒸着LPCVDlowpressurechemicalvapordeposition、またはプラズマ化学気相蒸着PECVDplasmaenhancedchemicalvapordepositionによって実施される。例示する目的で、石油の第2の層27は、2mbarと20mbarの範囲に含まれる減圧された窒素圧下で、石油を蒸発させることによって作られても良い。プラチナの第2の層27が、従来の電気化学的技術によって堆積されても良い。クロムの第2の層の堆積が、たとえば、アルゴンAr/酸素O2の混合物の存在中で、以下の条件下でスパッタリングによって達成されても良い。圧力は、1mTorrと20mTorrの範囲に含まれるAr/O2比は、20:1と10:1の範囲に含まれる面の単位当たりのパワーは、0.12W/cm2と2W/cm2の範囲に含まれる同様に、銀の第2の層27の堆積が、アルゴンまたは窒素の存在中で、75mTorrと750mTorrの範囲に含まれる圧力下で、蒸発によって実施されても良い。したがって、図4および図13に示されたように、リセス25中に形成される第1の層26および第2の層27は、基板14上に位置するカバー15の側壁を構成する。カバー15の側壁は、有利には、その厚さが、0.1μmと2.5μmの範囲に含まれる。次いで、図12に示されたように、基準ボロメータ10の場所に向くだけであるカバー15を形成するために、層26および27のエッチングが、アクティブボロメータ7の場所に向かって実施される。カバー15は、たとえば、化学的またはプラズマのエッチング方法によって、またはリフトオフ処理によって、その輪郭が描かれる。次いで、最後に、同じ基板14上にアクティブボロメータ7および基準ボロメータ10を有する検出装置のほかに、黒体として振る舞う集積化されたカバー15も得るために、第1の犠牲層21および第2の犠牲層24がエッチングされる図13。犠牲層21および24のエッチングは、好ましくは、いずれもの知られた方法によって単一のステップで実施される。この最後のステップを容易にするために、開口部不図示が、カバー15の厚さ中に設けられても良い。開口部のサイズは、カバー15の機能を阻害しないほどに十分小さくすることが必要である。犠牲層21および24のエッチングは、閉空洞19を開放する。図示されていない代替の実施形態によれば、検出装置は、いくつかの同一のアクティブボロメータ7のために、単一の基準ボロメータ10を含む。図14に示された代替の実施形態によれば、基準ボロメータ10が固定点6を含むマイクロブリッジを備えた断熱構造体を有したとき、カバー15は、基板14を圧しなくとも良いが、基準ボロメータ10の固定点6を圧しても良い。図14に示されたように、カバー15は、基準ボロメータ10の固定点6の少なくとも2つを圧する。基準ボロメータ10のカバー15およびボロメトリックプレート23は、開空洞28を形成する。開空洞28は、上部においてカバー15によって図14の上部で、かつ底部においてプレーンAAによって図14の底部で、その輪郭が描かれる。プレーンAAは、支持体supportを形成する固定点6を通過する。固定点6がボロメトリックプレート23と同じ面上にあるとき、プレーンAAは、ボロメトリックプレート23も通過する図14。カバー15は、基準ボロメータ10を被覆しないが、第2の感受性要素13に接触せずに第2の感受性要素13だけを被覆する。かかる装置を生成するための方法は、リセス25が基準ボロメータ10の固定点6に向かったエッチングによって生成される点で、以前の実施形態と異なる。エッチングの後、リセス25中に堆積された第1の層26および第2の層27は、基準ボロメータ10の固定点6上に位置するカバー15の側壁を構成する。この代替の実施形態は、特に、カバー15を生成するために要求される全体の寸法および容積を減少させる。この代替の実施形態は、第1の犠牲層21および第2の犠牲層24のエッチングが特に困難であるときに好まれる。図15に示された、もう1つの特定の実施形態によれば、検出装置は、アクティブボロメータ7がカプセル29によってカプセル化され、かつ基準ボロメータ10のカバー15がファブリペロータイプの多層の吸収性構造体を有することにより、以前の実施形態と異なる。具体的には、カバー15は、基準ボロメータ10から放射された電磁放射に対して透明な材料から構成され、吸収性層20と反射シールド18の間に配置された支持層30を含む。支持層30、外壁16および内壁17は、共振空洞resonantcavityを形成する。共振空洞は、基準ボロメータ10から放射されることがある、いかなる電磁放射も吸収する。支持層30は、基準ボロメータ10から放射された電磁放射に対して透明な材料から構成される。カプセル29は、アクティブボロメータ7をカプセル化し、電磁放射8に対して透明な、有利には、支持層30の透明な材料と同一の材料から構成される。図15に示されるように、支持層30は、好ましくは、その形状がカプセル29の形状と同一である覆いenvelopeを形成する。カプセル29は、アクティブボロメータ7がその中に収納される、閉空洞19bを形成するために、アクティブボロメータ7を全体的に覆う。閉空洞19bは、上部においてカプセル29によって図15の上部で、かつ底部において基板14によって図15の底部で、その輪郭が描かれる。カプセル29は、入射電磁放射に対して透明である。吸収性層20は、好ましくは窒化チタニウムおよびニクロムから選択される、適切な二乗の抵抗squaredresistanceを有する抵抗性吸収性材料の少なくとも1つから形成される。吸収性層20は、カバー15のレベルで吸収性空洞を形成する。抵抗性吸収性材料は、基準ボロメータ10に向いて配置され、有利には、そのインピーダンスが376と377Ωの二乗Ωsquaredの範囲に含まれる、好ましくは、376.8Ωの二乗Ωsquaredに等しい。カプセル29および/または支持層30の透明な材料は、単結晶、多結晶またはアモルファスのシリコン、単結晶または多結晶のゲルマニウム、ならびにSiGe合金から選択される。支持層30の厚さdは、後続の式3に従って、基準ボロメータ10から放射された電磁放射の波長λに、および支持層30の光学指数opticalindexnに依存する。d=λ/4n3支持層30は、反射シールド18を支持し、それは、有利には、金属から作られる。たとえば、14μmにおいて最大の吸収を示すカバー15を形成するために、アモルファスシリコンから作られ、かつ抵抗性吸収性材料から構成される吸収性層20と、たとえばアルミニウムまたはアルミニウムベースの合金から作られる反射シールド18との間に挿入される支持層30の厚さは、1μmであることが必要である。次いで、かかる構造体は、約300Kで0.8の放射率を示し、黒体の放射率1に等しいに近い。この構造体は、真空マイクロカプセル化技術に特に適しており、カバー15を構成する材料は、この分野で通常使用される。前述の電磁放射を検出するための装置は、真空カプセル化方法の範囲内で作製されても良い。図15による、アクティブボロメータ7および基準ボロメータ10を含む、電磁放射を検出するための装置の特定の実施形態が、図16~21を参照してさらに詳細に述べられる。図16に示されたように、かかる検出装置を作製するための方法は、リセス25が基準ボロメータ10を囲繞する連続した溝、およびアクティブボロメータ7を囲繞する溝も形成するようなやり方で作られる点で、以前の実施形態と主に異なる。次いで、カバー15の吸収性層20を形成するために、吸収性材料の第2の層27が、いずれもの知られた方法によって、アクティブボロメータ7の場所に向かって堆積されて、エッチングされる図17。次いで、リセス25および吸収性層20を被覆するために、透明な材料の第3の層不図示が堆積され、次いで、それは、支持層30を形成するために、いずれもの知られた方法によってエッチングされる。次いで、反射シールド18を構成するために、第1の層26が堆積されエッチングされる図18。アクティブボロメータ7および基準ボロメータ10をカプセル化するための解放用およびポンプ用のチャネル32をその後に形成するために、穴31が、連続的に、または同時にいずれかで、カプセル29に、ならびに反射シールド18、支持層30および吸収性層20を貫通してカバー15に作られる図19。図20および21に示されたステップは、従来の方法によって通気チャネル33図20を生成し、次いで、1つまたは複数の密閉層34を堆積することによって、アクティブボロメータ7および基準ボロメータ10を真空中でカプセル化することにある図21。これら密閉層は、通気孔vent33を密閉し、アクティブボロメータ7のために反射防止機能を果たす。次いで、第1の犠牲層21および第2の犠牲層24が、いずれもの知られた方法によってエッチングされ、それによって、カバー15およびカプセル29のそれぞれの空洞19および19bを開放する。ゲッターgetter不図示が、場合によっては、カバー15およびカプセル29のそれぞれの空洞19および19b中に組み込まれても良い。この場合、ゲッターは、ボロメータ7および10の密閉前に、従来のように熱処理によって活性化されることが必要である。本発明による電磁放射を検出するための装置は、アクティブボロメータから送られた、Saとして示された信号の自己発熱成分が取り除かれ、そして電磁放射8を放出する現場の信号が最大限に増幅されるのを可能にする。基準ボロメータ10は、電気熱の観点からアクティブボロメータ7と同一であり、電磁放射8に、特にIRに左右されない。この検出装置は、見込みがある。というのは、これは、バイアスパルスbiasingpulse中におけるアクティブボロメータ7の熱的挙動が、完全に同じように再現されるのを可能にし、基準ボロメータ10からのSrとして示された信号が、同じオフセットおよび自己発熱信号成分selfheatingsignalcomponentsを含むからである。基準ボロメータ10の放射環境が、最適化された方法で、アクティブボロメータ7の放射環境をエミュレートし、それによって、オフセット電流が、最適に差し引かれるのが可能になる。このように、一度これらのボロメータ7および10からの信号が差し引かれると、その結果得られたSuとして示された信号は、もっぱらその現場の寄与分に対応し、次いで、他の読み出しチェーンreadchainによって増幅されることが可能になる。図22に示されたように、バイアスフェーズbiasingphase中のアクティブボロメータ7からの信号Saおよび基準ボロメータ10からの信号Srの変化は、基準ボロメータ10からの信号がアクティブボロメータ7からの信号を追従することを示す。従来の技術による、金属シールドだけを有する基準ボロメータからの信号S0と比較すると、ほぼ1のオフセット電流の残留分の存在が観察される。よって、積分された信号が、現場に関する情報を含まない、有益でない部分から構成されることになる。従来のIR画像装置の通常のバイアス電流および利得の場合、この電流の残留分は、その装置の出力範囲の30に達する可能性がある。その結果として、現場を画像化するための信号の利用可能な変位が減少される。本発明の電磁放射を検出するための装置の他との区別を示す特性は、この残留分が取り除かれる、または少なくとも、大いに減少されるのを可能にする。それによって、本発明による電磁放射を検出するための装置は、オフセット電流のスキミングskimmingを最適化し、そして現場の利用できるダイナミックレンジが増大されるのを可能にする。