互いに対向する第1層と第2層とにそれぞれ形成される第1導体および第2導体と、前記第1導体と前記第2導体とを接続している接続部材と、前記第1層と前記第2層との中間に位置する第3層に形成され、前記第1導体と前記第2導体とに対向している第3導体と、前記第3導体に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、前記第1層と前記第2層との中間に位置し前記第3層とは異なる第4層に形成され、前記第3導体に対向し、当該第3導体に設けられた前記開口を通過している前記接続部材と電気的に接続された第4導体と、を備えることを特徴とする構造体。請求項1に記載の構造体であって、前記第1導体および前記第2導体は、基準電位を与えられることを特徴とする構造体。請求項1または2に記載の構造体であって、前記第4導体が形成された前記第4層の数が、前記第3導体が形成された前記第3層の数と等しい又はより少ないことを特徴とする構造体。請求項1乃至3いずれかに記載の構造体であって、前記第3導体が形成された前記第3層の数が一つであり、前記第1導体と前記第3導体とを少なくとも含む第1の電磁バンドギャップ構造を構成し、かつ前記第2導体と当該第3導体とを少なくとも含む第2の電磁バンドギャップ構造を構成することを特徴とする構造体。請求項4に記載の構造体であって、前記第1導体と、前記接続部材と、前記第3導体と、前記第4導体とによって前記第1の電磁バンドギャップ構造を構成し、かつ前記第2導体と、当該接続部材と、当該第3導体と、当該第4導体とによって、前記第2の電磁バンドギャップ構造を構成することを特徴とする構造体。請求項1乃至3いずれかに記載の構造体であって、前記第3導体が形成された前記第3層の数が複数であり、前記第1導体と当該第1導体に最も近い前記第3導体とを少なくとも含む第3の電磁バンドギャップ構造を構成し、かつ複数の前記第3導体を少なくとも含む第4の電磁バンドギャップ構造を構成することを特徴とする構造体。請求項6に記載の構造体であって、前記第1導体と、前記接続部材と、前記第3導体のうち当該第1導体に最も近い一の第3導体と、前記第4導体のうち当該第1導体に最も近い一の第4導体とによって前記第3の電磁バンドギャップ構造を構成し、かつ当該一の第3導体と当該一の第4導体と当該接続部材とは、他の第3導体と他の第4導体とともに、前記第4の電磁バンドギャップ構造を構成することを特徴とする構造体。互いに対向する第1層と第2層とにそれぞれ形成される第1導体および第2導体と、前記第1導体と前記第2導体とを接続している接続部材と、前記第1層と前記第2層との中間に位置する第3層に形成され、前記第1導体と前記第2導体とに対向している第3導体と、前記第3導体に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、前記第1層と前記第2層との中間に位置し前記第3層とは異なる第4層に形成され、前記第3導体に対向し、当該第3導体に設けられた前記開口を通過している前記接続部材と電気的に接続された第4導体と、を備えることを特徴とする配線基板。a第1層に第1導体、第2層に第2導体、前記第1層と前記第2層との中間に位置する第3層に第3導体、前記第1層と前記第2層との中間に位置し前記第3層とは異なる第4層に第4導体を配置し、かつ前記第1導体と前記第2導体と前記第3導体と前記第4導体とが互いに対向するように配置するステップと、b前記第1導体と前記第2導体と前記第3導体と前記第4導体とを貫通するスルーホールを設け、当該スルーホール内に、前記第3導体と絶縁し、前記第1導体と前記第2導体と前記第4導体と接続する接続部材151を形成するステップと、を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載されているEBG構造によって抑制可能な周波数帯域は比較的高く、より低い周波数帯域への抑制効果が薄かった。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高周波数帯域および低周波数帯域の双方において十分に電磁波伝播を抑制することが可能な構造体、または当該構造体を有する配線基板を提供することにある。本発明によれば、互いに対向する第1層と第2層とにそれぞれ形成される第1導体および第2導体と、前記第1導体と前記第2導体とを接続している接続部材と、前記第1層と前記第2層との中間に位置する第3層に形成され、前記第1導体と前記第2導体とに対向している第3導体と、前記第3導体に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、前記第1層と前記第2層との中間に位置し前記第3層とは異なる第4層に形成され、前記第3導体に対向し、当該第3導体に設けられた前記開口を通過している前記接続部材と電気的に接続された第4導体と、を備えることを特徴とする構造体が提供される。また、本発明によれば、互いに対向する第1層と第2層とにそれぞれ形成される第1導体および第2導体と、前記第1導体と前記第2導体とを接続している接続部材と、前記第1層と前記第2層との中間に位置する第3層に形成され、前記第1導体と前記第2導体とに対向している第3導体と、前記第3導体に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、前記第1層と前記第2層との中間に位置し前記第3層とは異なる第4層に形成され、前記第3導体に対向し、当該第3導体に設けられた前記開口を通過している前記接続部材と電気的に接続された第4導体と、を備えることを特徴とする配線基板が提供される。また、本発明によれば、a第1層に第1導体、第2層に第2導体、前記第1層と前記第2層との中間に位置する第3層に第3導体、前記第1層と前記第2層との中間に位置し前記第3層とは異なる第4層に第4導体を配置し、かつ前記第1導体と前記第2導体と前記第3導体と前記第4導体とが互いに対向するように配置するステップと、b前記第1導体と前記第2導体と前記第3導体と前記第4導体とを貫通するスルーホールを設け、当該スルーホール内に、前記第3導体と絶縁し、前記第1導体と前記第2導体と前記第4導体と接続する接続部材151を形成するステップと、を備えることを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。本発明によれば、高周波数帯域および低周波数帯域の双方において十分に電磁波伝播を抑制することが可能な構造体、または当該構造体を有する配線基板が提供される。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態に係る構造体100の斜視図である。構造体100は、A層110第1層、B層120第4層、C層130第3層またはD層140第2層に形成される導体性の各種構成要素によって構成される。なお、A層110、B層120、C層130またはD層140は、配線基板1000の各層であって、互いに対向している。グラウンド導体111第1導体およびグラウンド導体141第2導体は、接地等によって基準電位が与えられる。また、グラウンド導体111およびグラウンド導体141は、A層110とD層140とにそれぞれ形成され、接続部材151によって層間接続される。なお、グラウンド導体111は、A層110の全面に形成されてもよく、局所的に形成されてもよい。同様に、グラウンド導体141は、D層140の全面に形成されてもよく、局所的に形成されてもよい。導体部131第3導体は、A層110とD層140との中間に位置するC層130に形成される。また、導体部131は、グラウンド導体111とグラウンド導体141とに対向している。さらに、導体部131には接続部材151が通過する開口132が設けられ、導体部131と接続部材151とは接触しておらず、絶縁されているものとする。なお、導体部131は、C層130の全面に形成されてもよく、局所的に形成されてもよい。また、導体部131に設けられる開口132は、単一であっても複数であってもよい。さらに、開口132を通過する接続部材151は、単一であっても複数であってもよい。また、開口132の面積は、対向している導体エレメント121の面積より小さく、導体エレメント121の少なくとも一部が導体部131に対向している。導体エレメント121第4導体は、A層110とD層140との中間に位置し、C層130とは異なるB層120に形成される。そして、導体エレメント121は、導体部131に対向し、当該導体部131に設けられた開口132を通過している接続部材151と電気的に接続されている。なお、図1において接続部材151は、導体エレメント121の中心に接続されるように図示しているが、必ずしも中心に接続されなくてもよい。接続部材151は、一層ごとに積層、スルーホール加工、配線形成を繰り返すビルドアップ方式によって形成されてもよい。また、接続部材151は、貫通ビアであってもよい。接続部材151が貫通ビアである場合、構造体100は以下のような手順で製造される。まず、aA層110にグランド導体111、D層140にグラウンド導体141、C層に導体部131、B層に導体エレメント121を配置し、かつグラウンド導体111と導体エレメント121と導体部131とグラウンド導体141とが互いに対向するように配置する。そして、bグラウンド導体111と導体エレメント121と導体部131とグラウンド導体141とを貫通するスルーホールを設け、当該スルーホール内に導体部131と絶縁し、グラウンド導体111と導体エレメント121とグラウンド導体141と接続する接続部材151を形成させる。当然、図示しない構成要素があるのであれば、aの工程において適切に配置されることが望ましい。また、bの工程において、スルーホールを設ける方法は、適用可能であれば何を用いてもよく、例えばドリルでスルーホールを空けてもよい。さらに、bの工程において、接続部材151を形成する方法は、適用可能であれば何を用いてもよく、例えばスルーホール内面をめっきすることによって形成してもよい。接続部材151を貫通ビアとして製造することによって、ビルドアップ方式で製造する場合と比べて、製造工程を短縮することができ、製造コストも低減することができる。グラウンド導体111、導体エレメント121、導体部131およびグラウンド導体141は、各々が形成される層の面方向に延在する導体であればよく、その形状は複数の態様を取りうる。従って、図1ではいずれも四角形として示したが、これに限らなくてもよい。図2は、図1で示す断面における断面図である。図2において、破線で囲っている空間はEBG構造を成しており、それぞれEBG構造171とEBG構造172と呼ぶことにする。EBG構造171は、A層110に形成されたグラウンド導体111と、接続部材151と、導体部131と、導体エレメント121とによって構成される。また、EBG構造172は、D層140に形成されたグラウンド導体141と、接続部材151と、導体部131と、導体エレメント121とによって構成される。すなわち、単一の構造体100がEBG構造171とEBG構造172とを構成しており、導体エレメント121は、EBG構造171とEBG構造172との双方に共有されている。そのため、2つのEBG構造を設けるより小型化を図ることができる。図3は、本実施形態に係る配線基板1000の上面図と断面図である。より詳細には、図3Aは配線基板1000の上面図であって、図3Bは図3Aに示す断面における断面図である。図3Aにおいて、破線で示す四角形は、繰り返し配列された構造体100の各々がB層120に備える導体エレメント121を示している。また、図3Aにおいて、破線で示す円は、繰り返し配列された構造体100の各々が備える接続部材151を示している。A層110には、複数のグラウンド導体111を含むグラウンドプレーンが形成されている。グラウンドプレーンは、いわゆるベタな導体であって、接地等によって基準電位が与えられている。また、グラウンドプレーンは、単一であってもよく、複数に分割されていてもよい。D層140には、複数のグラウンド導体141を含むグラウンドプレーンが形成されている。グラウンドプレーンは、いわゆるベタな導体であって、接地等によって基準電位が与えられている。また、グラウンドプレーンは、単一であってもよく、複数に分割されていてもよい。B層120には、複数の導体エレメント121が間隙を隔て、島状に形成されており、導体エレメント121の各々が、接続部材151によってグラウンドプレーンとグラウンドプレーンと接続されている。なお、個々の導体エレメント121間は絶縁されているものとする。C層130には、複数の導体部131を含む導体プレーンが形成され、各々の導体部131に対向する導体エレメント121に接続されている接続部材151それぞれが通過する開口132が設けられている。導体プレーンは、いわゆるベタな導体であって、例えば電源を供給する電源プレーンであってもよい。この場合、導体プレーンは定電位を与えられる。また、導体プレーンは、単一であってもよく、複数に分割されていてもよい。A層110、B層120、C層130およびD層140は、上述した構成要素以外の構成、例えば電気信号を伝送する伝送路等を含んでもよい。また、配線基板1000は、A層110、B層120、C層130、D層140とは異なる層を備えてもよく、これらの層に上述した構成要素以外の構成、例えば伝送路等を含んでもよい。ただし、配線基板1000において構造体100が繰り返し配列されている領域、および当該領域の近傍に伝送路を配列すると構造体100が成しているEBG構造の特性が変化するため、このような配列は避けることが望ましい。配線基板1000は、構造体100を繰り返し配列された領域において、特定の周波数帯域の電磁波伝播を抑制することができる。すなわち、特定の周波数帯域の電磁波を発生するノイズ源や、特定の周波数帯域の電磁波から防護したい素子等を囲むように構造体100を配列すればよく、その配列パターンは複数の態様を取りうる。図4~図6は、それぞれ配線基板1000が取りうる構造体100の配列パターンを示す図である。ただし、図4~図6に図示される網掛けの部材は、半導体パッケージ161と半導体パッケージ162とする。図4に示すように、構造体100は半導体パッケージ161と半導体パッケージ162の間に帯状に配置されてもよい。また、図5に示すように、構造体100は半導体パッケージ161を囲むように配置されてもよい。また、図6に示すように、構造体100は半導体パッケージ162を囲むように配置されていてもよい。ただし、抑制対象の電磁波がいずれの方向から伝播しても、複数の構造体100を通過させるように配列することによって、より効果的に電磁波の電波を抑制することができる。従って、図4または図5に示す配列パターンのように、一方の半導体パッケージから他方の半導体パッケージに向かう方向に、複数の構造体100が並列される方が、図6に示す配列パターンより好ましい。なお、グラウンド導体111と導体エレメント121の間隔、導体エレメント121と導体部131の間隔、導体部131とグラウンド導体141の間隔、接続部材151の太さ、および導体エレメント121の相互間隔などを調節することにより、電磁波伝播の抑制対象となる周波数帯域を所望の値に定めることができる。ここで、本実施形態の効果について説明する。本実施形態の配線基板1000が有する構造体100の各々がEBG構造を成すので比較的高い周波数帯域への抑制効果を奏することができる。また、本実施形態の配線基板1000は、接続部材151がグラウンド導体111とグラウンド導体141とに接続されている。ある程度密な間隔で配列され、基準電位が与えられる接続部材151は、比較的低い周波数帯域の電磁波を低減することができるので、配線基板1000は比較的低い周波数帯域への抑制効果も奏することができる。なお、本実施形態では複数の構造体100が繰り返し配列された配線基板1000を用いて説明したが、配線基板1000と構造体100の寸法によっては、単一の構造体100であっても、本実施形態と同様に、比較的高い周波数と比較的低い周波数の双方に対して抑制効果を奏する。ただし、単一の構造体100によって抑制される周波数帯域は、複数の構造体100が配列された場合と比較して、限定的になる可能性がある。さらに、本実施形態において、導体エレメント121はEBG構造171とEBG構造172との双方に共有されるように構成されているので、導体エレメント121が構成されるB層120の数と、導体部131が形成されるC層130の数とが等しくなる。この効果について、図7を用いて説明する。図7は、本実施形態の構造体100の変形例である構造体300の斜視図である。図7におけるグラウンド導体311、導体部331、開口332、グラウンド導体351および接続部材361は、それぞれグラウンド導体111、導体部131、開口132、グラウンド導体141および接続部材151に相当する。構造体100と構造体300との相違点は、導体エレメント321、341が形成される層の数が、導体部331が形成される層の数より多いことである。構造体300も、EBG構造を構成するので、ある程度密な間隔で配列すれば構造体100と同様に、高周波数帯域および低周波数帯域の双方において十分に電磁波伝播を抑制可能である。しかし、上記の相違点により、構造体100は構造体300より薄く製造することができる。第2の実施形態図8は、第2の実施形態に係る構造体200の斜視図である。構造体200は、A層210、B層220、C層230、D層240、E層250またはF層260に形成される導体性の各種構成要素によって構成される。なお、A層210、B層220、C層230、D層240、E層250またはF層260は、配線基板2000の各層であって、互いに対向している。グラウンド導体211およびグラウンド導体261は、接地等によって基準電位が与えられる。また、グラウンド導体211およびグラウンド導体261は、A層210とF層260とにそれぞれ形成され、接続部材271によって層間接続される。導体部231と導体部251とは、C層230とE層250とにそれぞれ形成される。なお、導体部231と導体部251とには、接続部材271が通過する開口232と開口252とが設けられている。導体部231と導体部251とは、接続部材271に接触しておらず、絶縁されているものとする。導体エレメント221と導体エレメント241とは、B層220とD層240とにそれぞれ形成される。そして、導体エレメント221は導体部231に対向し、導体エレメント241は導体部251に対向し、開口232および開口252を通過している接続部材271と電気的に接続されている。図9は、図8に示す断面における断面図である。図9において破線で囲っている空間はEBG構造を成しており、それぞれEBG構造281、EBG構造282およびEBG構造283と呼ぶことにする。EBG構造281は、グラウンド導体211と、接続部材271と、グラウンド導体211に最も近い導体部231と、グラウンド導体211に最も近い導体エレメント221とによって構成される。また、EBG構造282は、導体部231、導体エレメント221、接続部材271、導体部251および導体エレメント241によって構成される。さらに、EBG構造283は、グラウンド導体261と、接続部材271と、グラウンド導体261に最も近い導体部251と、グラウンド導体261に最も近い導体エレメント241とによって構成される。すなわち、単一の構造体200がEBG構造281、EBG構造282およびEBG構造283を構成している。また、導体エレメント221は、EBG構造281とEBG構造282との双方に共有されている。さらに、導体エレメント241は、EBG構造282とEBG構造283との双方に共有されている。そのため、2つのEBG構造を設けるより小型化を図ることができる。上述したとおり、複数の層C層230、E層250にそれぞれ導体部231、導体部251が形成される本実施形態の構造体200は、第1の実施形態のように導体部131が形成される層C層130の数が単一である場合に比べて、複雑にEBG構造を構成することがわかる。図10は、本実施形態に係る配線基板2000の上面図と断面図である。より詳細には、図10Aは配線基板2000の上面図であって、図10Bは図10Aに示す断面における断面図である。図10Aにおいて、破線で示す四角形は、繰り返し配列された構造体200の各々が備える導体エレメント221または導体エレメント241を示している。また、図10Aにおいて、破線で示す円は、繰り返し配列された構造体200の各々が備える接続部材271を示している。A層210には、複数の導体211を含むグラウンドプレーンが形成されている。F層260には、複数の導体261を含むグラウンドプレーンが形成されている。グラウンドプレーンは、いわゆるベタな導体であって、接地等によって基準電位が与えられている。また、グラウンドプレーンは、複数に分割されていてもよい。B層220には、複数の導体エレメント221が間隙を隔て、島状に形成されており、D層240には、複数の導体エレメント241が間隙を隔て、島状に形成されている。導体エレメント221または導体エレメント241の各々が、接続部材271によってグラウンドプレーンとグラウンドプレーンと接続されている。C層230には、複数の導体部231を含む導体プレーンが形成されている。各々の導体部231には、導体エレメント221が対向している。また、導体部231には、対向している導体エレメント221に接続されている接続部材271が通過する開口232が設けられている。E層250には、複数の導体部251を含む導体プレーンが形成されている。各々の導体部251には、導体エレメント241が対向している。また、導体部251には、対向している導体エレメント241に接続されている接続部材271が通過する開口252が設けられている。上記の導体プレーンは、いわゆるベタな導体であって、例えば電源を供給する電源プレーンであってもよい。この場合、導体プレーンは定電位を与えられる。また、導体プレーンは、複数に分割されていてもよい。A層210、B層220、C層230、D層240、E層250またはF層260は、上述した構成要素以外の構成、例えば電気信号を伝送する伝送路等を含んでもよい。また、配線基板2000は、A層210、B層220、C層230、D層240、E層250、F層260とは異なる層を備えてもよく、これらの層に上述した構成要素以外の構成、例えば伝送路等を含んでもよい。ただし、配線基板2000において構造体200が繰り返し配列されている領域、および当該領域の近傍に伝送路を配列すると構造体200が成しているEBG構造の特性が変化するため、このような配列は避けることが望ましい。本実施形態の効果について説明する。本実施形態の配線基板2000が有する構造体200の各々がEBG構造を成すので比較的高い周波数帯域への抑制効果を奏することができる。また、本実施形態の配線基板2000は、繰り返し配列された接続部材271がグラウンド導体211とグラウンド導体261とに接続されている。ある程度密な間隔で配列され、基準電位が与えられる接続部材271は、比較的低い周波数帯域の電磁波を低減することができるので、配線基板2000は比較的低い周波数帯域への抑制効果も奏することができる。すなわち、本実施形態の配線基板2000は、第1の実施形態の配線基板1000と同様に、高周波数帯域および低周波数帯域の双方において十分に電磁波伝播を抑制することができる。以上、実施の形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない範囲においてあらゆる変形や変更が可能である。例えば、図11~図14は、第1の実施形態で説明した構造体100の変形例の斜視図である。図11~図13に示すとおり、グラウンド導体111、導体エレメント121またはグラウンド導体141は、中心に開口を設けられた平板であって、当該開口中に螺旋状の導体パターンを有してもよい。このとき、螺旋状の導体パターンの一端は平板に接続されており、他端は接続部材151に接続されてもよい。また、導体パターンは必ずしも螺旋状でなくてもよく、例えば直線状、曲線状、蛇行状などであってもよい。また、図14に示した構造は、導体エレメント121を含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のEBG構造である。詳細には、接続部材151はインダクタンスを形成している。また、導体エレメント121は、対向する導体部131と電気的に結合することで導体部131をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。なお、図14に示したオープンスタブ型のEBG構造は、導体エレメント121が螺旋状パターンとなっているが、これに限定されず、例えば直線状パターン、曲線状パターン、蛇行状パターンなどであってもよい。オープンスタブ型EBG構造は、グラウンド導体111と導体部131からなる平行平板、あるいはグラウンド導体141と導体部131からなる平行平板を、前記オープンスタブと、前記インダクタンスからなる、直列共振回路でそれぞれシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント121を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。オープンスタブ型EBG構造はバンドギャップ帯域の低周波化にスタブ長が必要であるが必ずしも面積を必要としないため、導体エレメント121の小型化を図ることができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント121と対向する導体部131は近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと導体部の距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント121を対向する導体部131に近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。上記と同様に、第2の実施形態で説明した構造体200の変形例として、グラウンド導体211、導体エレメント221、導体エレメント241またはグラウンド導体261は、中央に開口を設けられた平板であって、当該開口中に螺旋状の導体パターンを有してもよい。このとき、螺旋状の導体パターンの一端は平板に接続されており、他端は接続部材271に接続されてもよい。また、導体エレメント221または導体エレメント241は、螺旋状の導体パターンであって、一端が接続部材271に接続されてもよい。このような構造にすることによって、螺旋状の導体パターンを有する構成要素はインダクタンスが増加するので、構造体200の小型化を図ることができる。第1の実施形態では、導体エレメント121が、導体部131を基準にしてグラウンド導体111側に位置する事例のみを説明したが、これに限らなくても良い。図15は、第1の実施形態で説明した構造体100の配列の変形例を示す図である。図15に示すように、導体エレメント121の一部が導体部131を基準にしてグラウンド導体141側に位置してもよい。また、図15に示すように、グラウンド導体111側に位置する導体エレメント121と、グラウンド導体141側に位置する導体エレメント121と、を交互に配列した場合、導体エレメント121の配列の繰り返しの回数を第1の実施形態より多くすることができる。そのため、EBG構造を高密度に設けることができる。従って、第1の実施形態より高い特性のEBG構造を構成することができる。また、第2の実施形態で説明した構造体200の変形例として、導体エレメント221が形成されたB層220または導体エレメント241が形成されたD層240のいずれか一方が存在しなくてもよい。すなわち、導体エレメント第4導体が形成された層の数が、導体部第3導体が形成された層の数より少なくてもよい。図9において、導体エレメント221はグラウンド導体211と導体部231との中間層に形成されたが、導体部231と導体部251との中間層に形成されてもよい。また、図9において、導体エレメント241は導体部231と導体部251との中間層に形成されたが、導体部251とグラウンド導体261との中間層に形成されてもよい。上述した実施形態で図示した接続部材151または接続部材271には、いずれも導体エレメントが接続されているが、必ずしもこれに限らなくてもよく、導体エレメントと接続しない接続部材151または接続部材271が一部存在してもよい。当然、導体エレメントと接続しないことによってEBG構造が崩れる場合、その近傍空間における高周波帯域の電磁波抑制の効果が低下する。以下、実施例に従って本発明を説明するが、本発明は実施例のみに限定されない。実施例1図16は、シミュレーションに用いる構造体100の寸法を示す図である。グラウンド導体111とグラウンド導体141とは、それぞれ一辺7mmの正方形である。また、導体部131も一辺7mmの正方形であって、その中心に直径0.5mmの開口132が設けられている。そして、導体エレメント121は、一辺6mmの正方形であり、接続部材151の直径は0.3mmとする。グラウンド導体111と導体エレメント121の間隔、導体エレメント121と導体部131の間隔、および導体部131とグラウンド導体141の間隔は、それぞれ0.1mm、0.07mm、0.5mmとする。グラウンド導体111、導体エレメント121、導体部131、グラウンド導体141および接続部材151はそれぞれ完全導体である。また、導体エレメント121、導体部131およびグラウンド導体141の厚さは無視する。そして、上述の各種導体を除く斜線部は誘導体であり、比誘電率=4.2、Tanδ=0.025とする。図17は、シミュレーションに用いる配線基板3000の上面図と断面図である。より詳細には、図17Aは、図16に示した構造体100を繰り返し配列された配線基板3000の上面図であって、構造体100が10×10で配列されていることを示している。なお、構造体100は互いに間隙を隔てることなく、電気的に接続されており、配線基板3000は平面視で一辺70mmの正方形を成しているものとする。また、図17Bは配線基板3000の断面図であって、図17Aに示す断面線における断面図である。ここで、導体部131とグラウンド導体141とが対向している領域のうち、配線基板3000の端から14mmの地点をそれぞれポート181およびポート182と定めた。また、グラウンド導体111と導体部131とが対向している領域のうち、配線基板3000の端から14mmの地点をそれぞれポート183およびポート184と定めた。本実施例においては、ポート181から給電し、ポート182で受電した電磁波の減衰量をシミュレーションする。ポート183から給電し、ポート184で受電した電磁波の減衰量をシミュレーションする。図18は、本実施例に用いる配線基板3000における上段部ポート183またはポート184と下段部ポート181またはポート182のシミュレーション結果を示すグラフである。このグラフの縦軸は、電磁波の減衰量を示し、単位はdBデシベルである。このグラフの横軸は、周波数を示し、単位はGHzギガヘルツである。また、曲線191は下段部におけるシミュレーション値を示す。そして、曲線192は上段部おけるシミュレーション値を示している。なお、ポート181におけるシミュレーション値と、ポート182におけるシミュレーション値とは等しいので、一つの曲線191で示すことができる。同様に、ポート183におけるシミュレーション値と、ポート184におけるシミュレーション値とは等しいので、一つの曲線192で示すことができる。図18に示すシミュレーション結果から、配線基板3000の上段部と下段部は共に、400MHzを含むバンドギャップ領域、1.2GHzを含むバンドギャップ領域、2.4GHzを含むバンドギャップ領域および4.4GHzを含むバンドギャップ領域を示し、いずれのバンドギャップ領域においても十分な抑制効果40dB以上の減衰量を奏することがわかる。2.4GHz近傍の周波数帯域は、主に無線LANや無線インターネット技術に利用されている。また、400MHz近傍の周波数帯域は、主に公共業務用無線機に利用されている。本実施例の配線基板3000は、これらの双方の周波数帯域の電磁波に対して十分な抑制効果を奏する。比較例1図19は、シミュレーションに用いる構造体400の寸法を示す図である。構造体400は、従来型のいわゆるマッシュルーム構造を有するEBG構造体である。導体パターン411は、一辺6mmの正方形であり、導体パターン431は一辺7mmの正方形である。また、導体パターン421は、一辺7mmの正方形であって、その中心に直径0.5mmの開口422が設けられている。接続部材441の直径は0.3mmとする。導体パターン411と導体パターン421の間隔、導体パターン421と導体パターン431の間隔は、それぞれ0.07mm、0.5mmとする。導体パターン411、導体パターン421、導体パターン431および接続部材441はそれぞれ完全導体である。また、導体パターン411、導体パターン421および導体パターン431の厚さは無視する。そして、上述の各種導体を除く斜線部は誘導体であり、比誘電率=4.2、Tanδ=0.025とする。図20は、シミュレーションに用いる配線基板4000の上面図と断面図である。より詳細には、図20Aは、図19に示した構造体400を繰り返し配列された配線基板4000の上面図であって、構造体400が10×10で配列されていることを示している。なお、構造体400は互いに間隙を隔てることなく、電気的に接続されており、配線基板4000は平面視で一辺70mmの正方形を成しているものとする。また、図20Bは配線基板4000の断面図であって、図20Aに示す断面における断面図である。ここで、導体パターン421と導体パターン431とが対向している領域のうち、配線基板4000の端から14mmの地点をそれぞれポート481およびポート482と定めた。このポート481およびポート482における電磁波の減衰量をシミュレーションする。本比較例においては、ポート481から給電し、ポート482で受電した電磁波の減衰量をシミュレーションする。図21は、配線基板3000と配線基板4000のシミュレーション結果を示すグラフである。このグラフの縦軸は、電磁波の減衰量を示し、単位はdBデシベルである。このグラフの横軸は、周波数を示し、単位はGHzギガヘルツである。また、曲線491は、図17に示すポート181またはポート182におけるシミュレーション値を示しており、曲線191の一部0Hz~6GHzと等しい。曲線492はポート481またはポート482におけるシミュレーション値を示している。なお、ポート481におけるシミュレーション値と、ポート482におけるシミュレーション値とは等しいので、一つの曲線492で示すことができる。図21のシミューレーション結果から、配線基板4000は、2.4GHzを含むバンドギャップ領域において配線基板3000より高い抑制効果を奏するが、400MHz近傍の周波数帯域において十分な抑制効果を奏することができないことがわかる。この出願は、2010年3月8日に出願された日本特許出願特願2010-051078号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。