その上に陽極処理された層を有する非鉄金属基板において、電気的不導体マイクロフィラーの溶液の中で前記非鉄金属基板から前記陽極処理された層を電気的に絶縁するステップを含む、メッキ用の前記陽極処理された層を準備する方法。請求項1に記載の方法であって、前記電気的不導体マイクロフィラーの前記溶液の中で前記非鉄金属基板から前記陽極処理された層を電気的に絶縁する前記ステップがさらに:前記溶液内に前記陽極処理された層を少なくともほぼ5-10分の間浸すステップ;前記溶液から前記陽極処理された層を除去するステップ;および前記陽極処理された層を乾燥させるステップを含むことを特徴とする方法。前記除去ステップと乾燥ステップとの間に前記陽極処理された層から余剰溶液を除去するステップを更に含む請求項2に記載の方法。前記陽極処理された層から余剰溶液を除去する前記ステップが、余剰溶液を前記陽極処理された層から拭き取るステップを更に含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記陽極処理された層を活性化するステップを更に含む請求項1に記載の方法。前記陽極処理された層にメッキをするステップを更に含む請求項5に記載の方法。請求項6に記載の方法に従って作られる電気回路用の基板。メッキ用の非鉄金属基板を準備する方法であって、以下のステップ、すなわち:非鉄金属基板上に陽極処理された層を準備するステップであって、前記陽極処理された層が外側表面および前記非鉄金属基板に向かい合った内側表面を有するステップ;前記陽極処理された層に電気的不導体マイクロフィラーを施着して、前記陽極処理された層の前記外側表面と内側表面との間に充填された領域、および前記陽極処理された層の前記外側表面と前記充填された領域との間に充填されていない領域を前記陽極処理された層内に形成するステップ;ならびに前記陽極処理された層の前記充填された領域が前記非鉄金属基板から前記陽極処理された層の前記充填されていない領域を電気的に絶縁するステップを含む方法。請求項8に記載の方法であって、前記電気的不導体マイクロフィラーを施着する前記ステップにおいて:前記電気的不導体マイクロフィラーの溶液を準備するステップ;および前記陽極処理された層に前記溶液を施着するステップを含む方法。前記陽極処理された層に前記溶液を施着する前記ステップが、前記陽極処理された層を前記溶液に浸すステップを更に含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。前記陽極処理された層を前記溶液に浸す前記ステップが、前記陽極処理された層を少なくともほぼ5-10分の間前記溶液に浸すステップを更に含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。前記充填されていない領域を活性化するステップを更に含む請求項8に記載の方法。前記充填されていない領域にメッキをするステップを更に含む請求項12に記載の方法。請求項13に記載の方法に従って作られる電気回路用の基板。メッキ用の非鉄金属基板を準備する方法、非鉄金属基板の表面上に形成される陽極処理された層上に電気回路をメッキする方法および得られる集積基板回路ヒートシンクが、開示される。その上に陽極処理された層を有する非鉄金属基板内に、メッキ用の陽極処理された層を準備する方法が、電気的不導体マイクロフィラーの溶液の中で非鉄金属基板から陽極処理された層を電気的に絶縁するステップを含む。電気的不導体マイクロフィラーの溶液の中で非鉄金属基板から陽極処理された層を電気的に絶縁するステップが、陽極処理された層を少なくともほぼ5-10分の間溶液に浸すステップ、溶液から陽極処理された層を除去するステップ、および陽極処理された層を乾燥させるステップを含む。陽極処理された層を溶液に浸すステップが、好ましくは非鉄金属基板を溶液に浸すステップを含む。この方法は、なお清潔な、乾燥質の、けばのないタオルまたはスキージなどによって余剰溶液を陽極処理された層から拭き取ることによって除去ステップと乾燥ステップとの間で陽極処理された層から余剰溶液を除去するステップを更に含む。電気回路用の基板を形成するために、この方法は次に陽極処理された層を活性化してかつ陽極処理された層にメッキをするステップを含む。本発明の原理に従って、メッキ用の非鉄金属基板を準備する方法が、非鉄金属基板上に陽極処理された層を準備するステップであって、陽極処理された層が外側表面および非鉄金属基板に向かい合った内側表面を有するステップ、陽極処理された層に電気的不導体マイクロフィラーを施着して、陽極処理された層の外側表面と内側表面との間に陽極処理された層の充填された領域を陽極処理された層内に形成するステップ、および陽極処理された層の外側表面と充填された領域との間に陽極処理された層の充填されていない領域を残すステップ、および充填された領域がアルミニウム基板から充填されていない領域を電気的に絶縁するステップを含む。陽極処理された層に電気的不導体マイクロフィラーを施着するステップが、好ましくは電気的不導体マイクロフィラーの溶液を準備するステップ、および陽極処理された層に溶液を施着するステップを含む。陽極処理された層に溶液を施着するステップが、陽極処理された層を溶液に浸すステップを含む。好ましくは陽極処理された層を溶液に浸すステップが、陽極処理された層を少なくともほぼ5-10分の間溶液に浸すステップから成る。電気回路用の基板を形成するために、この方法は次に充填されていない領域を活性化して次いでメッキをするステップを含む。本発明の原理に従って構成されて配置される集積基板回路ヒートシンクが、ベース表面およびベース表面に施着されるかまたはさもなければその上に形成される陽極処理された層を有する非鉄金属基板を含む。陽極処理された層は、メッキをされるべき外側表面および非鉄金属基板のベース表面に施着される向かい合った内側表面を有する。陽極処理された層は、その外側表面からその内側表面までの厚さを有する。陽極処理された層は、充填された領域および充填されていない領域を有する。充填された領域は、非鉄金属基板のベース表面で陽極処理された層の外側表面と陽極処理された層の内側表面との間に形成される。充填されていない領域は、陽極処理された層の外側表面と充填された領域との間に形成される。したがって、陽極処理された層の充填されていない領域は陽極処理された層の充填された領域の上に形成される。充填された領域および充填されていない領域は、各々陽極処理された層の厚さ未満の厚さを有する。充填された領域の厚さは、本発明の特定の実施態様では充填されていない領域の厚さ未満である。充填された領域は、それを充填された領域として特徴づける電気的不導体マイクロフィラーによって充填されるという点で、電気的不導体マイクロフィラーを含有する。充填されていない領域は、電気的不導体マイクロフィラーによって充填されず、したがって充填されていない領域としてそれを特徴づける。充填されていない領域は、活性化されるかまたは金属化されて、次いで導電トレースによってメッキをされて集積基板回路ヒートシンクを形成し、それは、優れた熱-放散特性を呈してかつ頑丈で耐熱性および耐層間剥離性である。非鉄金属基板から充填されていない領域を電気的に絶縁する充填された領域の準備は、充填されていない領域と非鉄金属基板との間の電気リークを防ぎ、したがって、充填されていない領域上に付着される回路および電子構成部品の最大動作効率を確実にする。図面を参照して:非鉄金属基板の表面上に形成される陽極処理された層上に電気回路をメッキする方法が、開示される。非鉄金属基板は、好ましくはアルミニウムであってかつさらにマグネシウム、チタンのような他の非鉄金属または他の選択された非鉄金属を含むことができる。陽極処理された層は、従来技術において周知の従来の陽極処理プロセスを利用して非鉄金属基板上に、従来通りに形成される。陽極処理された層は、外側表面および非鉄金属基板のベース表面である表面に向かい合った内側表面を有する。陽極処理された層は、本質的に多孔性であり、電気的不導体マイクロフィラーによって充填されて陽極処理された層の外側表面と内側表面との間に充填された領域を陽極処理された層内に形成し、かつ陽極処理された層の外側表面と充填された領域との間に充填されていない領域を残し、それによって、充填された領域が陽極処理された層を封孔処理し、かつ非鉄金属基板から陽極処理された層の充填されていない領域を電気的に絶縁してその間にある電気リークを防ぐ。陽極処理された層は、陽極処理された層に内在する孔に電気的不導体マイクロフィラーを充填することによって電気的不導体マイクロフィラーによって充填されて陽極処理された層内に充填された領域を形成する。陽極処理された層に電気的不導体マイクロフィラーを充填するステップが、充填された領域の上に配置される充填されていない領域にメッキをすることに備えて陽極処理された層内に充填された領域を形成する。充填されていない領域は、電気的不導体マイクロフィラーによって充填されず、かつ充填されていない領域とベース非鉄金属基板との間の電気リークを防ぐ充填された領域によってベース非鉄金属基板から電気的に絶縁される。ヒートシンクとして機能するベース非鉄金属基板の表面またはベース表面が、充填された領域の下にある。充填されていない領域は、活性化されるかまたは金属化され、そして次に、この活性化された充填されていない領域が導電トレースによってメッキをされて電気回路用の基板を形成する。本発明の原理に従って、メッキ用の非鉄金属基板を準備する方法が、非鉄金属基板のベース表面上に陽極処理された層を準備するステップであって、この陽極処理された層が外側表面および非鉄金属基板のベース表面に向けられる向かい合った内側表面を有するステップ、および陽極処理された層に電気的不導体マイクロフィラーを施着して、陽極処理された層の外側表面と内側表面との間に充填された領域を陽極処理された層内に形成するステップ、および陽極処理された層の外側表面と充填された領域との間に陽極処理された層の充填されていない領域を残すステップを含む。充填された領域は、不導体マイクロフィラーによって充填される陽極処理された層の領域であり、および、充填されていない領域は不導体マイクロフィラーによって充填されない陽極処理された層の領域である。陽極処理された層は、本質的に多孔性であり、および、充填された領域の孔が電気的不導体マイクロフィラーによって充填されるという点で、充填された層が特徴づけられる。充填されていない領域の孔が電気的不導体マイクロフィラーによって充填されないという点で、充填されていない層が特徴づけられる。陽極処理された層の充填された領域は、非鉄金属基板のベース表面に対して陽極処理された層を電気的に封孔処理してかつ陽極処理された層の充填されていない領域を非鉄金属基板から絶縁し、陽極処理された層の充填されていない領域と非鉄金属基板との間の電流のリークを防ぐ。陽極処理された層は、最初に従来のかつ周知の技法によって形成されてほぼ40-80ミクロンの好ましい厚さを有する。また、陽極処理された層に電気的不導体マイクロフィラーを施着するステップが、陽極処理された層に内在する孔を充填し、それが、陽極処理された層内に充填された領域を形成する。ヒートシンクとして機能する非鉄金属基板のベースが、充填された領域の下にあり、および、充填されていない領域は電気回路用の基板を形成するメッキに利用可能である。陽極処理された層に電気的不導体マイクロフィラーを施着するステップが、電気的不導体マイクロフィラーの溶液を準備するステップ、および本発明の原理に従って、陽極処理された層に不導体マイクロフィラーの溶液を施着して、活性化に備えて非鉄金属基板から陽極処理された層を電気的に絶縁するために充填された領域を形成するかまたはメッキに備えて陽極処理された層を金属化するステップを含む。電気的不導体マイクロフィラーの溶液は、フィラー溶液である。好ましいフィラー溶液は、2容量部の2KP190-625Nexaブランドラッカーのようなラッカー、1容量部の2KP210-926Nexaブランド硬化剤のような硬化剤、および0.5容量部の2KP850-1493Nexaブランドシンナーのようなシンナーからなる。非鉄金属基板から陽極処理された層を電気的に絶縁するステップは、フィラー溶液の中で実施される。好ましくは充填された領域を形成するために陽極処理された層にフィラー溶液を施着するステップが、陽極処理された層をフィラー溶液に浸すステップを含み、それは、好ましい実施態様では、非鉄金属基板をフィラー溶液に浸すことによって実施される。陽極処理された層は、フィラー溶液が陽極処理された層を含浸することを可能にするのに十分な含浸継続時間の間フィラー溶液内に浸されて電気的不導体マイクロフィラーによって非鉄金属基板のベース表面で陽極処理された層の外側表面と陽極処理された層の内側表面との間で陽極処理された層の厚さの一部を充填して陽極処理された層の外側表面と内側表面との間に充填された領域を形成し、かつ陽極処理された層の外側表面と充填された領域との間に陽極処理された層の充填されていない領域を残し、それによって充填された領域が陽極処理された層を封孔処理して、アルミニウム基板から陽極処理された層の充填されていない領域を電気的に絶縁し、その間の電気リークを防ぐ。本実施態様において、含浸継続時間は少なくともほぼ5-10分である。この好ましい含浸継続時間または含浸時間は、フィラー溶液が陽極処理された層を含浸するのに十分な時間を有して電気的不導体マイクロフィラーによって非鉄金属基板のベース表面で陽極処理された層の外側表面と陽極処理された層の内側表面との間で陽極処理された層の厚さの一部を充填し、陽極処理された層の外側表面と内側表面との間に充填された領域を形成し、一方、さらに陽極処理された層の外側表面と充填された領域との間に陽極処理された層の充填されていない領域を残すことを確実にする。用語少なくともほぼ5-10分は、5-10分/-30-45秒を意味する。陽極処理された層内に充填された領域を形成するために陽極処理された層を電気的不導体マイクロフィラーによって充填するのに十分な含浸継続時間の間、陽極処理された層をフィラー溶液に浸し、かつ充填された領域の上に本発明に従って陽極処理された層の充填されていない領域を残した後に、この方法は、次に単にフィラー溶液から非鉄金属基板を除去することによってフィラー溶液から陽極処理された層を除去するステップ、ならびに、好ましくは非鉄金属基板を充填された領域が形成されたままにしてほぼ30-90分の間室温で乾燥させ、電気的不導体マイクロフィラーを陽極処理された層内に付着されたままにしておくことによって、非鉄金属基板および陽極処理された層を乾燥させ、本発明の原理に従って陽極処理された層の充填された領域を形成するステップを含む。好ましい実施態様におけるフィラー溶液から陽極処理された層を除去するステップと乾燥ステップとの間に、この方法はなお、例えば清潔な、乾燥質の、けばのないタオルまたはスキージなどによって、余剰フィラー溶液を陽極処理された層から拭き取ることによって充填された領域から余剰フィラー溶液を除去するステップを更に含む。電気回路用の基板を形成するために、この方法は次に、メッキに備えて陽極処理された層の充填された領域の上に陽極処理された層の充填されていない領域を活性化し/金属化し、そして次に、充填されていない領域で陽極処理された層にメッキをするステップを含み、それは充填されていない領域のメッキとみなされる。充填されていない領域は、従来通りにパラジウム活性体の周知のかつ容易に利用可能な溶液によって活性化されるかまたは金属化されてかつ次いでメッキされる。充填されていない領域の活性化の後、充填されていない領域は活性化された充填されていない領域である。充填されていない領域を活性化する前に、それは選択されたまたは所定の回路パターンによってマスキングされることができる。導電トレースを形成するために活性化された充填されていない領域にメッキをするステップが、マスキングの後、かつ充填されていない領域が活性化された後で実施される。好ましい実施態様によれば、充填されていない領域がニッケルのメッキによって最初にメッキされ、およびメッキされたニッケルが次いで銅によってメッキされ、およびメッキされた銅が次いでニッケルによってメッキされ、およびメッキされた銅の上にメッキされたニッケルが、次いで金によってメッキされる。金よりむしろ、メッキされたニッケル層の上のメッキをされた銅層が、追加的なメッキされた金属がないかまたは必要に応じて、金の代わりに銀、スズもしくは他の適切な金属によってメッキされることができる。メッキプロセスは、当業者に周知の従来のおよび周知のメッキ技法に従って従来のおよび周知の金属槽の中で実施され、かつ、単独でまたはメッキされた層の組合せで実施されることができる。一例として、図1は、上に記載される方法に従って構成されて配置された集積基板回路ヒートシンク10の高度に一般化された概略断面図であり、外側表面13Aおよび基板11のベース表面12に向かい合った内側表面13Bを有する陽極処理された層13によって形成されるベース表面12を有する非鉄金属基板11を含む。不導体マイクロフィラーが、外側表面13Aで陽極処理された層13に施着され、陽極処理された層13の充填された領域40および充填された領域40の上に陽極処理された層13の充填されていない領域41を陽極処理された層内に形成する。導電トレースによってトレースされるべき領域19A、19B、および19Cを画成するために施着されたマスキング19によって表面13Aが形成される。充填された領域40および充填されていない領域41が、各トレース領域19A、19B、および19Cで形成される。それが孔を有するという点で、陽極処理された層13は本質的に多孔性である。図2は、本発明の原理に従って基板11のベース表面12上に形成される陽極処理された層13の、それぞれ充填されていない領域41および充填された領域40の高度に拡大されたおよび高度に一般化された垂直断面図である。陽極処理された層13内に表される垂直柱体は、一般に陽極処理された層13に内在する孔を表しておりかつ例証および参照のために示される。図2を参照して、陽極処理された層13は基板11のベース表面12で外側表面13Aから内側表面13Bまでの厚さT1を有する。図1内の陽極処理された層13の厚さT1は、説明の便宜上誇張される。充填された領域40は、ベース表面12上に形成される。充填された領域40は、基板11のベース表面12で陽極処理された層13の外側表面13Aと陽極処理された層13の内側表面13Bとの間に形成され、陽極処理された層13の外側表面13Aと充填された領域40との間に充填されていない領域41を充填された領域40の上に残す。充填された領域40は、基板11のベース表面12に沿って陽極処理された層13の底部に形成される。充填された領域40は陽極処理された層13の内側表面13Bと充填されていない領域41との間に形成され、および充填されていない領域41は充填された領域40と陽極処理された層13の外側表面13Aとの間に形成される。充填された領域40は陽極処理された層13の厚さT1のほぼ30パーセントの厚さT2を有し、および、充填されていない領域41は陽極処理された層13の厚さT1のほぼ70パーセントの厚さT3を有する。充填された層40の厚さT2および充填されていない層41の厚さT3は、必要に応じて変更されることができる。厚さT2は陽極処理された層13の厚さT1の底部厚さであり、および、厚さT3は陽極処理された層13の厚さT1の上部厚さである。充填された領域40は、陽極処理された層13を封孔処理してかつ基板11のベース表面12から陽極処理された層13の充填されていない領域41を電気的に絶縁してその間の電気リークを防ぐ。各トレース領域19A、19B、および19Cで充填されていない領域41は活性化される、すなわち、それはパラジウム活性体によって金属化され、および、各トレース領域19A、19B、および19Cで活性化されたかまたは金属化された充填されていない領域41が次いで導電トレース50によってメッキされる。導電トレース50は、基板回路の一部を形成する。上に記載された方法によれば、トレース50は、各々金属化された充填されていない領域41に施着されるニッケルのメッキをされた層60、ニッケルのメッキをされた層60に施着される銅のメッキをされた層61、銅のメッキをされた層61に施着されるニッケルのメッキをされた層62およびニッケルのメッキをされた層62に施着される金のメッキをされた層63から成る。電気構成部品70がトレース領域19Bでトレース50のメッキをされた層63上に取り付けられ、ならびに、トレース領域19Aおよび19Cでトレース50のメッキをされた層63が対応するリード71によって電気構成部品70に電気的に接続される。本発明の原理に従って形成されたこの得られた集積基板回路ヒートシンク10は、優れた熱-放散特性を呈し、および、充填された領域40の準備は充填されていない領域41および陽極処理された層13の充填されていない領域41で陽極処理された層13の外側表面13Aを基板11から電気的に絶縁し、それによって陽極処理された層13の充填されていない領域41の外側表面13Aと基板11との間の電気リークを防ぎ、したがって、充填されていない領域41上に付着される回路および電子構成部品の最大動作効率を確実にする。本発明の原理に従って形成された得られた集積基板回路ヒートシンク10は優れた熱-放散特性を呈するだけでなく、さらにまた頑丈で、層間剥離に耐えてかつ耐高動作温度性である。落下試験において、本発明の原理に従って構成されて配置された3×3×0.125インチの集積基板回路ヒートシンクが、10回、セメント床上へ7フィートの高さから落とされ、かつ、集積基板回路ヒートシンクの性能は、影響を受けなかった。層間剥離試験では、粘着テープが、本発明の原理に従って構成されて配置された集積基板回路ヒートシンクのメッキされた表面に亘って施着されて45度の角度で引き離され、かつ、層間剥離は生じなかった。温度試験では、本発明の原理に従って構成されて配置された集積基板回路ヒートシンクが、20-40秒の間摂氏260度でオーブン内に焼成され、上記した落下試験を受け、そして次に、上記した層間剥離試験を受け、かつ、集積基板回路ヒートシンクの性能は影響を受けなかった。この明細書内に記載される方法は、ローコスト集積回路パッケージング代替物を提供し、かつ非鉄金属基板の片側面上で、非鉄金属基板の向かい合った側面、および3面以上の側面を有する複数側面非鉄金属基板の複数側面上で実施されることができる。本発明は、好ましい実施態様を参照して上記している。しかしながら、当業者は改変と変更が本発明の本質および範囲から逸脱することなく、記述された実施態様内になされることができると認識するであろう。例証のために本願明細書において選択された実施態様に対する種々の改変と変更が、当業者に容易に思いつくであろう。この種の変更および変形例が本発明の趣旨から逸脱しない限り、それらはそれの有効範囲内に含まれることを意図される。当業者がそれを理解して実践することを可能にするように本発明を明確で簡潔な用語で完全に記述して、請求される本発明は、以下のとおりである: