粒度分布が、D50で16~30μm、D90で39~140μm、及びD100で11~68μmであることを特徴とする離型剤用窒化ケイ素粉末。β相の比率が10~90質量であることを特徴とする請求項1に記載の離型剤用窒化ケイ素粉末。不純物であるFe、Al、及びCaが各々100ppm以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の離型剤用窒化ケイ素粉末。直接窒化法によって、製造された窒化ケイ素粉末を、振動ミル又はジェットミルを使用して粉砕することを特徴とする請求項1~請求項3のうちのいずれか1項に記載の離型剤用窒化ケイ素粉末の製造方法。本発明はかかる課題に対処すべく発明されたものであり、多結晶シリコンインゴットへの不純物混入量を低減させ、離型剤の剥がれを抑制した離型剤用窒化ケイ素粉末を提供するものである。本発明は、上記の課題を解決するために、以下の手段を採用する。1粒度分布が、D50で16~30μm、D90で39~140μm、及びD100で11~68μmであることを特徴とする離型剤用窒化ケイ素粉末である。2β相の比率が10~90質量であることを特徴とする前記1の離型剤用窒化ケイ素粉末である。3不純物であるFe、Al、及びCaが各々100ppm以下であることを特徴とする前記1又は2の離型剤用窒化ケイ素粉末である。4直接窒化法によって、製造された窒化ケイ素粉末を、振動ミル又はジェットミルを使用して粉砕することを特徴とする前記1~3のいずれか1の離型剤用窒化ケイ素粉末の製造方法である。本発明の窒化ケイ素粉末を離型剤として用いると、離型剤からの不純物拡散を抑制することができるので、不純物量の少ない多結晶シリコンインゴットを歩留まりよく得ることができる。以下、本発明を詳細に説明する。なお、本発明における部やは、特に断らない限り質量規準で示す。窒化ケイ素粉末の製法は、イミド熱分解法や直接窒化法が挙げられ、どちらであっても構わないが、粒度分布の調整が容易という観点から高純度の窒化ケイ素粉末が製造できる窒化法であることが好ましい。直接窒化法は本発明に適した粒度分布が得られる点で有利である。その理由は、粉砕することで、幅広い粒度分布を持たせることができ、離型剤としての分散性や細密充填の粒度分布を持つことが、離型剤の焼結特性や強度増加により有利となるからである。窒化ケイ素原料となる金属シリコンは高純度であることが望ましい。後工程での汚染を考慮に入れて金属シリコン中のFeの不純物は10ppm以下であることが望ましい。半導体用途のシリコン端材から得られるシリコン屑は高純度であることから金属シリコン原料として好ましい。窒化ケイ素粉末は、通常、その鉱物組成がα相であるものが大部分であるが、本発明においては、β相を含有する窒化ケイ素粉末が好ましい。特に、本発明では、β相の比率は10~90が好ましく、30~70がより好ましい。β相が10未満では、α相の結晶粒子径が小さくなることから、粒度分布を調整しづらくなり、離型剤の取り外しの際、離型剤が大きく剥がれやすく、90を超えると、β相の針状結晶が増加し、結晶が発達することになり、粉砕しづらくなり、離型相に金属が浸透し、離型剤が大きく剥がれやすくなる場合がある。また、本発明で使用する窒化ケイ素粉末のFe、Al、及びCaの不純物は、各々100ppm以下であることが好ましい。この範囲外では、シリコンインゴット中に離型剤から不純物の拡散が起こりやすくなり、シリコンインゴットへのコンタミを生じ、品質低下、シリコンインゴット収率の低下につながる場合がある。窒化ケイ素粉末の結晶化度については、結晶化度が高いほど離型性の観点から望ましい。特にケイ素を含む粉体成分においては、結晶化度が低いと非晶質成分の酸化ケイ素が含まれることが多く、それは石英ルツボと同様の形態であることから、溶融シリコンに対して濡れてしまうので離型剤として不適である。そのため、結晶化度は80以上が好ましく、90以上がより好ましい。製造した窒化ケイ素を、セラミックスメディア、ライニングしたSUS材、及び樹脂篩を使用して粉砕分級などして離型剤用窒化ケイ素粉末を得る。本発明で使用する窒化ケイ素粉末の粒度分布は、D50で16~30μm、D90で39~140μm、及びD100で11~68μmである。D50で16~27μm、D90で75~140μm、及びD100で11~68μmが好ましい。この範囲外では離型剤に顕著な剥がれが発生する。なお、窒化ケイ素結晶単体ではそれ自身に含まれる不純物の混入が発生してしまう。そのため、離型剤の結晶相に、酸窒化ケイ素結晶相を多く含ませることも可能である。酸窒化ケイ素結晶相が多いものほど濡れ性が悪く、窒化ケイ素に含まれる不純物金属、特に鉄の拡散が防止される。本発明で製造した離型剤用窒化ケイ素粉末は、例えば、ポリビニールアルコール水溶液などの水溶媒と混合してスラリー状にし、へらや刷毛などで塗布したり、スプレー処理したりして、ルツボ内壁に塗布する。以下、実施例や比較例により、本発明を詳細に説明する。実験例1単結晶金属シリコンから円筒研削により削れられた金属シリコンスラッジを使用し、それを乾燥し、平均粒径2~3μmに粉砕した金属シリコンを出発原料として、1450°C、常圧のバッチ炉で、160時間窒化して、窒化ケイ素を製造した。製造した窒化ケイ素を、ジョークラッシャーとアルミナロールダブルロールクラッシャーで粗粉砕し、内壁に窒化ケイ素ライニングし、かつ、窒化ケイ素ボールを充填した振動ミル又はジェットミルにより粉砕し、表1に示す離型剤用窒化ケイ素粉末を調製した。調製した窒化ケイ素粉末の粒度分布は図1のとおりである。調製した離型剤用窒化ケイ素粉末を、5のポリビニールアルコール水溶液に加え、5000cPの粘度になるように調整したスラリーを作製し、底面が220mm角で高さが300mmの石英ルツボの内壁に、乾燥後の厚みが03mmになるように均一にスラリーを塗布し、120°C×1時間の条件で加熱乾燥した。その後、大気中1000°Cで2時間、脱バインダー処理を行った。その後、その内部に純度が7Nである高純度シリコン粉末を10kg投入し、アルゴン雰囲気中で1570°Cまで加熱し、1480°Cで10時間維持した後冷却した。生成した高純度シリコンインゴットを取り出した後、石英ルツボ内壁の離型剤を塗布した面積に対する、離型剤が剥がれた面積から、離型剤の剥がれ状態を評価した。比較のため、製法の異なるイミド熱分解法による窒化ケイ素粉末を使用して同様の実験を行った。結果を表2に示す。<使用材料>金属シリコン:信越半導体社製、円筒研削金属シリコンスラッジ、水分25、乾燥後の特性:水分02、比表面積89m2g、平均粒径29μm、純度;O<10、C<01、Fe、Al、及びCa<50ppm市販窒化ケイ素粉末:イミド熱分解法による窒化ケイ素粉末、宇部興産社製高純度窒化ケイ素粉末グレード、商品名SN-E10、比表面積9~13m2g、純度;O<20、C<02、Cl<100ppm、Fe<100ppm、Al、及びCa<50ppm、結晶相95<測定方法>粒度分布:ヘキサメタリン酸ナトリウム20水溶液2mlを混ぜた純水200cc中に、測定サンプル60mgを投入し、超音波ホモジナイザー日本精機製作所製、商品名US-300で3分間分散させた後、マイクロトラック日機装社製、商品名MT3300EXIIにより測定した。マイクロトラックの循環器の溶媒には純水を使用し、測定サンプルが適正濃度になるまで調整した。β相の含有率:次式のβ化率から求めた。β化率については、粉末X線回折により、α相の102面及び210面の回折線強度Ia102及びIa210と、β相の101面及び210面の回折線強度Ib101及びIb210から次式により算出した。β化率={/}×100表2、図3~図5から明らかなように、振動ミル又はジェットミルを使用して調製した窒化ケイ素を離型剤用窒化ケイ素粉末として使用した場合は、ルツボ内壁の離型剤の剥がれは全くないか、5未満であり、市販の窒化ケイ素粉末を離型剤用窒化ケイ素粉末として使用した場合は、ルツボ内壁の離型剤の剥がれは酷いものであった。実験例2表3に示す粒度分布を持つ、β相比率50の窒化ケイ素粉末を製造し、振動ミル又はジェットミルを使用して表3に示す離型剤用窒化ケイ素粉末を調製したこと以外は実験例1と同様に行った。結果を表3に併記する。粒度構成を、単一分布から幅広い粒度分布を有する窒化ケイ素粉末を使用することで、離型剤としてのルツボへの付着強度が増加し、溶融した後のシリコンインゴットへの拡散が低減できることがわかる。実験例3表4に示す量のβ相を有する窒化ケイ素粉末を製造し、振動ミルを使用して粉砕して、D50が16μm、D90が14μm、及びD100が68μmの離型剤用窒化ケイ素粉末を調製したこと以外は実験例1と同様に実験を行った。結果を表4に併記する。窒化ケイ素粉末には、α相とβ相があり、β相の方が高温での生成で得られることが知られている。離型剤をルツボへ塗布した後、乾燥等の影響があり、β相の方が安定である。β相を好ましくは10~90、より好ましくは30~70にすることでルツボへの付着強度増加と溶融した後のシリコンインゴットへの拡散が抑えられる。