"半導体基板と、前記半導体基板の一表面側に配置されたサーモパイルとを備え、前記サーモパイルの熱電対の2種類の熱電要素が、n形ポリシリコン層とp形ポリシリコン層とである赤外線センサの製造方法であって、前記n形ポリシリコン層および前記p形ポリシリコン層の形成にあたっては、前記n形ポリシリコン層および前記p形ポリシリコン層の基礎となるノンドープのポリシリコン層をCVD法により形成した後、アニール処理を行うことを特徴とする赤外線センサの製造方法。前記ポリシリコン層に対してn形不純物を選択的にイオン注入してから拡散させることにより前記n形ポリシリコン層を形成し、且つ、前記ポリシリコン層に対してp形不純物を選択的にイオン注入してから拡散させることにより前記p形ポリシリコン層を形成するようにし、前記各イオン注入よりも前に前記アニール処理を行うことを特徴とする赤外線センサの製造方法。前記半導体基板の前記一表面側に形成されたMOSトランジスタを備え、前記ポリシリコン層の形成前に前記MOSトランジスタのウェル領域をイオン注入および拡散により形成するようにし、前記アニール処理は、前記ウェル領域の形成温度よりも低温で行うことを特徴とする請求項1または請求項2記載の赤外線センサの製造方法。しかしながら、図26に示した構成の赤外線検知素子では、シリコン基板201の主表面側において熱分離領域205にキャパシタ215を形成する必要があるので、製造プロセスが複雑になってしまう。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、サーモパイルにおけるn形ポリシリコン層およびp形ポリシリコン層それぞれについて、簡単な製造プロセスでゼーベック係数の低下を抑制しつつシート抵抗を低減することが可能な赤外線センサの製造方法を提供することにある。本発明の赤外線センサの製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の一表面側に配置されたサーモパイルとを備え、前記サーモパイルの熱電対の2種類の熱電要素が、n形ポリシリコン層とp形ポリシリコン層とである赤外線センサの製造方法であって、前記n形ポリシリコン層および前記p形ポリシリコン層の形成にあたっては、前記n形ポリシリコン層および前記p形ポリシリコン層の基礎となるノンドープのポリシリコン層をCVD法により形成した後、アニール処理を行うことを特徴とする。この赤外線センサの製造方法において、前記ポリシリコン層に対してn形不純物を選択的にイオン注入してから拡散させることにより前記n形ポリシリコン層を形成し、且つ、前記ポリシリコン層に対してp形不純物を選択的にイオン注入してから拡散させることにより前記p形ポリシリコン層を形成するようにし、前記各イオン注入よりも前に前記アニール処理を行うことが好ましい。この赤外線センサの製造方法において、前記半導体基板の前記一表面側に形成されたMOSトランジスタを備え、前記ポリシリコン層の形成前に前記MOSトランジスタのウェル領域をイオン注入および拡散により形成するようにし、前記アニール処理は、前記ウェル領域の形成温度よりも低温で行うことが好ましい。本発明の赤外線センサの製造方法においては、サーモパイルにおけるn形ポリシリコン層およびp形ポリシリコン層それぞれについて、簡単な製造プロセスでゼーベック係数の低下を抑制しつつシート抵抗を低減することが可能となる。まず、本実施形態における赤外線センサ100について図1a、図2~図17に基づいて説明する。なお、図1aは、図7のD-D’の概略断面図である。赤外線センサ100は、図2に示すように、i×j個図示例では、8×8個の画素部2が、半導体基板1の一表面側においてi行j列図示例では、8行8列の2次元アレイ状に配置されている。なお、図示例では、i=8、j=8としてあるが、i≧2、j≧2であればよい。画素部2は、図3~図8に示すように、赤外線による熱エネルギを電気エネルギに変換する熱電変換部である感温部30および感温部30の出力電圧を取り出すためのMOSトランジスタ4を具備している。上述のMOSトランジスタ4は、図1a、図8、図15に示すように、半導体基板1の上記一表面側に形成された第1導電形のウェル領域41内で、第2導電形のソース領域44と第2導電形のドレイン領域43とが離間して形成されている。本実施形態では、ウェル領域41がチャネル形成用領域を構成している。なお、図3には、第1導電形をp形、第2導電形をn形としてMOSトランジスタ4をnチャネルMOSトランジスタとした場合の赤外線センサ100の等価回路図を示してある。また、図3の等価回路図では、感温部30を抵抗の図記号で表してある。また、図3、図5、図7から分かるように、赤外線センサ100は、各列のj個8個の画素部2の感温部30の一端がMOSトランジスタ4のソース領域44-ドレイン領域43を介して各列ごとに共通接続されたj個8個の第1の配線101を備えている。また、赤外線センサ100は、各行の感温部30に対応するMOSトランジスタ4のゲート電極46が各行ごとに共通接続されたi個8個の第2の配線102と、各行のMOSトランジスタ4のウェル領域41が各列ごとに共通接続されたj個8個の第3の配線103と、各列のi個8個の感温部30の他端が各列ごとに共通接続されたj個図3に図示した例では、8個の第4の配線104とを備えている。上述の赤外線センサ100は、第1の配線101が各別に接続された出力用のj個の第1のパッドVout1~Vout8と、第2の配線102が各別に接続された画素部選択用のi個の第2のパッドVsel1~Vsel8と、各第3の配線103が共通接続された第3のパッドVchと、第4の配線104が共通接続された基準バイアス用の第4のパッドVrefinとを備えている。しかして、赤外線センサ100は、全ての感温部30の出力を時系列的に読み出すことができるようになっている。例えば、赤外線センサ100を制御する制御手段であるIC素子によって、MOSトランジスタ4が順次、オン状態になるように各画素部2を選択するための第2のパッドVsel1~Vsel8の電位を制御することで、IC素子が、各画素部2の出力電圧を順次読み出すことができる。なお、各パッドVout1~Vout8、Vsel1~Vsel8、Vch、Vrefinそれぞれについて区別する必要がない場合には、説明の便宜上、各パッドVout1~Vout8、Vsel1~Vsel8、Vch、Vrefinのいずれも、パッド80として説明する。ここで、第1のパッドVout1~Vout8の電位をVout、第2のパッドVsel1~Vsel8の電位をVs、第3のパッドVchの電位をVwell、第4のパッドVrefinの電位をVref、感温部30の出力電圧をVo、チャネル形成用領域であるウェル領域41とソース領域44とで構成される第1の寄生ダイオードおよびウェル領域41とドレイン領域43とで構成される第2の寄生ダイオードのしきい値電圧をVthとする。上述のIC素子は、MOSトランジスタ4がnMOSトランジスタである場合、第2の配線102に接続されたi個8個のMOSトランジスタ4をオン状態とする際の第2のパッドVsel1~Vsel8の電位VsをVon、第2の配線102に接続されたi個8個のMOSトランジスタをオフ状態とする際の第2のパッド102の電位VsをVoffとし、第2のパッドVsel1~Vsel8の電位VsをVonとしたときに、-Vth<{Vwell-VrefVo}<Vthの関係を満たすように設定されたVref、Vwellの条件で赤外線センサ100を制御することが好ましい。また、IC素子は、MOSトランジスタ4がpMOSトランジスタである場合、-Vth<{VrefVo-Vwell}<Vthの関係を満たすように設定されたVref、Vwellの条件で赤外線センサ100を制御することが好ましい。本実施形態では、半導体基板1として第2導電形のシリコン基板を用いており、第1の寄生ダイオードおよび第2の寄生ダイオードの逆方向のブレークダウン電圧が-10V程度になる一方で、Vthが0.6V~0.7V程度となる。そこで、IC素子が、例えば、第4のパッドVrefの電位Vrefを1.2V、第3のパッドVchの電位Vwellを1.2V、第2の配線102に接続されたi個8個のMOSトランジスタ4をオン状態とする際の第2のパッドVsel1~Vsel8の電位VsであるVonを5Vとすれば、MOSトランジスタ4がオンとなり、第1のパッドVout1~Vout8から画素部2の出力電圧VrefVoを読み出すことが可能となる。また、第2の配線102に接続されたi個8個のMOSトランジスタ4をオフ状態とする際の第2のパッドVsel1~Vsel8の電位VsであるVoffを0Vとすれば、MOSトランジスタ4がオフとなり、第1のパッドVout1~Vout8から画素部2の出力電圧は読み出されない。また、赤外線センサ100は、各MOSトランジスタ4のゲート電極46ソース電極48間に過電圧が印加されるのを防止するために、各第2の配線102それぞれにカソードが接続された複数のツェナダイオードZD図3、図4、図17参照を備えている。ここで、ツェナダイオードZDは、図17に示すように、半導体基板1の上記一表面側に形成された第1導電形の第1拡散領域81内に第2導電形の第2拡散領域82が形成されたものである。そして、赤外線センサ100は、各ツェナダイオードZDの第1拡散領域81が共通接続された第5のパッドVzdを備えており、第5のパッドVzdの電位をVhogoとするとき、IC素子は、VhogoとVwellとを異ならせることが好ましい。ここで、IC素子は、例えば、上述のように、第3のパッドVchの電位Vwellを1.2Vとする場合、第5のパッドVzdの電位Vhogoを0Vとすることが好ましい。また、赤外線センサ100は、半導体基板1が接続された基板バイアス用の第6のパッドVsuを備えており、第6のパッドVsuの電位をVsubとするとき、IC素子が、Vwell=Vsubとすることが好ましい。すなわち、IC素子は、例えば、上述のように、第3のパッドVchの電位Vwellを1.2Vとする場合、第6のパッドVsuの電位Vsubを1.2Vとすることが好ましい。なお、図4の等価回路図には、ウェル領域41と半導体基板1とで構成される第3の寄生ダイオードD3、第1拡散領域81と半導体基板1とで構成される第4の寄生ダイオードD4も記載してある。また、第5のパッドVzdおよび第6のパッドVsuも、それぞれ、図2におけるパッド80を構成しているので、説明の便宜上、区別する必要がない場合には、いずれも、パッド80として説明する。赤外線センサ100は、感温部30が埋設された熱型赤外線検出部3とMOSトランジスタ4とを有する複数i×j個の画素部2が、半導体基板1の上記一表面側において2次元アレイ状に配置されている。ここで、半導体基板1の上記一表面は、Si100面としてある。感温部30は、複数個ここでは、6個のサーモパイル30a図5参照を直列接続することにより構成されている。各画素部2の熱型赤外線検出部3は、半導体基板1の上記一表面側において熱型赤外線検出部3の形成用領域A1図1a、図7、図8参照に形成されている。また、各画素部2のMOSトランジスタ4は、半導体基板1の上記一表面側においてMOSトランジスタ4の形成用領域A2図1a、図7、図8参照に形成されている。赤外線センサ100は、図1a、図5~図8に示すように、半導体基板1の上記一表面側において熱型赤外線検出部3の一部の直下に空洞部11が形成されている。熱型赤外線検出部3は、半導体基板1の上記一表面側で空洞部11の周部に形成された支持部3dと、半導体基板1の上記一表面側で平面視において空洞部11を覆う第1の薄膜構造部3aとを備えている。第1の薄膜構造部3aは、赤外線を吸収する赤外線吸収部33を備えている。ここで、第1の薄膜構造部3aは、空洞部11の周方向に沿って並設され支持部3dに支持された複数の第2の薄膜構造部3aaと、隣接する第2の薄膜構造部3aa同士を連結する連結片3c図5参照とを有している。なお、図5における熱型赤外線検出部3では、複数の線状のスリット13を設けることにより、第1の薄膜構造部3aが6つの第2の薄膜構造部3aaに分離されている。以下では、赤外線吸収部33第1の赤外線吸収部33と称するのうち第2の薄膜構造部3aaそれぞれに対応して分割された各部位を第2の赤外線吸収部33aと称する。熱型赤外線検出部3は、第2の薄膜構造部3aaごとにサーモパイル30aが設けられている。ここで、サーモパイル30aは、温接点T1が、第2の薄膜構造部3aaに設けられ、冷接点T2が、支持部3dに設けられている。要するに、温接点T1は、熱型赤外線検出部3において空洞部11に重なる領域に形成され、冷接点T2は、熱型赤外線検出部3において空洞部11に重ならない領域に形成されている。また、熱型赤外線検出部3の感温部30は、各サーモパイル30aごとに出力を取り出す場合に比べて温度変化に対する出力変化が大きくなる接続関係で、全てのサーモパイル30aが電気的に接続されている。図5における感温部30は、6個のサーモパイル30aを直列接続してある。ただし、上述の接続関係は、複数個のサーモパイル30aの全てを直列接続する接続関係に限らない。例えば、赤外線センサ100は、それぞれ3個のサーモパイル30aの直列回路を並列接続した感温部30とすれば、6個のサーモパイル30aが並列接続されている場合や、各サーモパイル30aごとに出力を取り出す場合に比べて、感度を高めることができる。しかも、このような赤外線センサ100は、6個のサーモパイル30aの全てが直列接続されている場合の感温部30に比べて、感温部30の電気抵抗を低くできて熱雑音が低減されるから、S/N比が向上する。熱型赤外線検出部3では、第2の薄膜構造部3aaごとに、支持部3dと第2の赤外線吸収部33aとを連結する2つの平面視短冊状のブリッジ部3bb,3bbが空洞部11の周方向に離間して形成されている。これにより、赤外線センサ100は、2つのブリッジ部3bb,3bbと第2の赤外線吸収部33aとを空間的に分離し空洞部11に連通する平面視U字状のスリット14が形成されている。熱型赤外線検出部3のうち、平面視において第1の薄膜構造部3aを囲む部位である支持部3dは、矩形枠状の形状となっている。なお、ブリッジ部3bbは、上述の各スリット13,14により、第2の赤外線吸収部33aおよび支持部3dそれぞれとの連結部位以外の部分が、第2の赤外線吸収部33aおよび支持部3dと空間的に分離されている。ここで、第2の薄膜構造部3aaは、支持部3dからの延長方向の寸法を93μm、この延長方向に直交する幅方向の寸法を75μmとし、各ブリッジ部3bbの幅寸法を23μm、各スリット13,14の幅を5μmに設定してあるが、これらの値は一例であって特に限定するものではない。第1の薄膜構造部3aは、半導体基板1の上記一表面側に形成された熱酸化膜1bと、熱酸化膜1b上に形成されたシリコン窒化膜32と、シリコン窒化膜32上に形成された感温部30と、シリコン窒化膜32の表面側で感温部30を覆うように形成された層間絶縁膜50と、層間絶縁膜50上に形成されたパッシベーション膜60との積層構造部をパターニングすることにより形成されている。層間絶縁膜50は、BPSG膜により構成してある。パッシベーション膜60は、PSG膜と当該PSG膜上に形成されたNSG膜との積層膜により構成してあるが、これに限らず、例えば、シリコン窒化膜により構成してもよい。上述の熱型赤外線検出部3では、シリコン窒化膜32のうち第1の薄膜構造部3aのブリッジ部3bb,3bb以外の部位が第1の赤外線吸収部33を構成している。また、支持部3dは、熱酸化膜1bとシリコン窒化膜32と層間絶縁膜50とパッシベーション膜60とで構成されている。また、赤外線センサ100は、層間絶縁膜50とパッシベーション膜60との積層膜が、半導体基板1の上記一表面側において、熱型赤外線検出部3の形成用領域A1とMOSトランジスタ4の形成用領域A2とに跨って形成されている。そして、赤外線センサ100は、この積層膜のうち、熱型赤外線検出部3の形成用領域A1に形成された部分が赤外線吸収膜70図1a、図8b参照を兼ねている。ここで、赤外線吸収膜70の屈折率をn2、検出対象の赤外線の中心波長をλとするとき、赤外線吸収膜70の厚さt2をλ/4n2に設定するようにしているので、検出対象の波長例えば、8~12μmの赤外線の吸収効率を高めることができ、高感度化を図れる。例えば、n2=1.4、λ=10μmの場合には、t2≒1.8μmとすればよい。なお、本実施形態では、層間絶縁膜50の膜厚を0.8μm、パッシベーション膜60の膜厚を1μmPSG膜の膜厚を0.5μm、NSG膜の膜厚を0.5μmとしてある。また、各画素部2は、空洞部11の内周形状が矩形状である。各画素部2における連結片3cは、図5および図11aに示すように、平面視X字状に形成されており、第2の薄膜構造部3aaの延長方向に交差する斜め方向において隣接する第2の薄膜構造部3aa,3aa同士、第2の薄膜構造部3aaの延長方向において隣接する第2の薄膜構造部3aa,3aa同士、第2の薄膜構造部3aaの延長方向に直交する方向において隣接する第2の薄膜構造部3aa,3aa同士を連結している。サーモパイル30aは、シリコン窒化膜32上で第2の薄膜構造部3aaと支持部3dとに跨って形成されたn形ポリシリコン層34とp形ポリシリコン層35との一端部同士を第2の赤外線吸収部33aの赤外線入射面側で金属材料例えば、Al-Siなどからなる接続部36により電気的に接続した複数個図5に示した例では、9個の熱電対を有している。また、サーモパイル30aは、半導体基板1の上記一表面側で互いに隣り合う熱電対のn形ポリシリコン層34の他端部とp形ポリシリコン層35の他端部とが金属材料例えば、Al-Siなどからなる接続部37により接合され電気的に接続されている。ここで、サーモパイル30aは、n形ポリシリコン層34の上記一端部とp形ポリシリコン層35の上記一端部と接続部36とで温接点T1を構成している。また、n形ポリシリコン層34の上記他端部とp形ポリシリコン層35の上記他端部と接続部37とで冷接点T2を構成している。なお、赤外線センサ100は、n形ポリシリコン層34、p形ポリシリコン層35の各々において、上述のブリッジ部3bb,3bbに形成されている部位および半導体基板1の上記一表面側のシリコン窒化膜32上に形成されている部位でも赤外線を吸収することができる。また、赤外線センサ100は、空洞部11の形状が、四角錐状であり、平面視における中央部の方が周部に比べて深さ寸法が大きくなっているので、第1の薄膜構造部3aの中央部に温接点T1が集まるように各画素部2におけるサーモパイル30aの平面レイアウトを設計してある。ここで、図5の上下方向における真ん中の2つの第2の薄膜構造部3aaでは、図5および図9に示すように、3つの第2の薄膜構造部3aaの並設方向に沿って温接点T1を並べて配置してある。これに対し、図5の上下方向における上側の2つの第2の薄膜構造部3aaでは、図5および図10に示すように、3つの第2の薄膜構造部3aaの並設方向において真ん中の第2の薄膜構造部3aaに近い側に温接点T1を集中して配置してある。また、図5の上下方向における下側の2つの第2の薄膜構造部3aaでは、3つの第2の薄膜構造部3aaの並設方向において真ん中の第2の薄膜構造部3aaに近い側に温接点T1を集中して配置してある。しかして、本実施形態の赤外線センサ100では、図5の上下方向における上側、下側の第2の薄膜構造部3aaの複数の温接点T1の配置が、真ん中の第2の薄膜構造部3aaの複数の温接点T1の配置と同じである場合に比べて、温接点T1の温度変化を大きくできるので、感度を向上させることが可能となる。なお、本実施形態では、空洞部11の最深部の深さを所定深さdp図1a、図8b参照とするとき、所定深さdpを200μmに設定してあるが、この値は一例であり、特に限定するものではない。また、第2の薄膜構造部3aaは、シリコン窒化膜32の赤外線入射面側においてサーモパイル30aを形成していない領域に、赤外線を吸収するn形ポリシリコン層からなる赤外線吸収層39が形成されている。この赤外線吸収層39は、第2の薄膜構造部3aaの反りを抑制する機能も有している。また、隣接する第2の薄膜構造部3aa,3aa同士を連結する連結片3cには、当該連結片3cを補強するn形ポリシリコン層からなる補強層39b図11参照が設けられている。ここで、補強層39bは、赤外線吸収層39と連続一体に形成されている。しかして、赤外線センサ100では、連結片3cが補強層39bにより補強されているので、使用中の外部の温度変化や衝撃に起因して発生する応力による破損を防止することが可能となり、また、製造時の破損を低減でき、製造歩留まりの向上を図ることが可能となる。なお、本実施形態では、図11に示す連結片3cの長さ寸法L1を24μm、幅寸法L2を5μm、補強層39bの幅寸法L3を1μmに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。ただし、半導体基板1としてシリコン基板を用いており、補強層39bがn形ポリシリコン層により形成される場合には、空洞部11の形成時に補強層39bがエッチングされるのを防止するために、補強層39bの幅寸法は、連結片3cの幅寸法よりも小さく設定し、平面視において補強層39bの両側縁が連結片3cの両側縁よりも内側に位置する必要がある。また、赤外線センサ100は、図11および図16bに示すように、連結片3cの両側縁と第2の薄膜構造部3aaの側縁との間にそれぞれ面取り部3d,3dが形成され、X字状の連結片3cの略直交する側縁間にも面取り部3eが形成されている。しかして、赤外線センサ100では、図16aに示すように面取り部が形成されていない場合に比べて、連結片3cと第2の薄膜構造部3aaとの連結部位での応力集中を緩和でき、製造時に発生する残留応力を低減できるとともに製造時の破損を低減でき、製造歩留まりの向上を図れる。また、赤外線センサ100は、使用中の外部の温度変化や衝撃に起因して発生する応力による破損を防止できる。なお、図11に示した例では、各面取り部3d,3eをRアールが3μmのR面取り部としてあるが、R面取り部に限らず、例えば、C面取り部としてもよい。また、赤外線センサ100は、図5、図9、図10に示すように、各熱型赤外線検出部3に、支持部3dと一方のブリッジ部3bbと第2の赤外線吸収部33aと他方のブリッジ部3bbと支持部3dとに跨るように引き回されたn形ポリシリコン層からなる故障診断用配線故障診断用のヒータ139を設けて、全ての故障診断用配線139を直列接続してある。しかして、赤外線センサ100のi×j個の故障診断用配線139の直列回路へ通電することで、ブリッジ部3bbの折れなどの破損の有無を検出することが可能である。要するに、赤外線センサ100は、製造途中での検査時や使用時において、i×j個の故障診断用配線139の直列回路への通電の有無によって、ブリッジ部3bbの折れや故障診断用配線139の断線などを検出することが可能である。また、赤外線センサ100では、上述の検査時や使用時において、i×j個の故障診断用配線139の直列回路へ通電して各感温部30の出力を検出することにより、感温部30の断線の有無や感度のばらつき感温部30の出力のばらつきなどを検知することが可能となる。ここにおいて、感度のばらつきに関しては、画素部2ごとの感度のばらつきを検知することが可能であり、例えば、第1の薄膜構造部3aの反りや第1の薄膜構造部3aの半導体基板1へのスティッキングなどに起因した感度のばらつきを検知することが可能となる。ここで、赤外線センサ100では、平面視において、故障診断用配線139を複数の温接点T1の群の付近において折り返され蛇行した形状としてある。したがって、この赤外線センサ100では、故障診断用配線139へ通電することにより発生するジュール熱によって、各温接点T1を効率良く温めることが可能となる。上述の故障診断用配線139は、n形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35と同一平面上に同一厚さで形成されている。上述の赤外線吸収層39および故障診断用配線139は、n形ポリシリコン層34と同じn形不純物例えば、リンなどを同じ不純物濃度例えば、1018~1020cm-3で含んでおり、n形ポリシリコン層34と同時に形成されている。また、p形ポリシリコン層35のp形不純物として例えばボロンを採用すればよく、不純物濃度を例えば1018~1020cm-3程度の範囲で適宜設定すればよい。本実施形態の赤外線センサ100では、n形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35それぞれの不純物濃度が1018~1020cm-3であり、熱電対の抵抗値を低減でき、S/N比の向上を図ることが可能となる。なお、赤外線吸収層39および故障診断用配線139は、n形ポリシリコン層34と同じn形不純物を同じ不純物濃度でドーピングしてあるが、これに限らず、例えば、p形ポリシリコン層35と同じ不純物を同じ不純物濃度でドーピングしてもよい。ところで、赤外線センサ100は、n形ポリシリコン層34、p形ポリシリコン層35、赤外線吸収層39、および故障診断用配線139の屈折率をn1、検出対象の赤外線の中心波長をλとするとき、n形ポリシリコン層34、p形ポリシリコン層35、赤外線吸収層39、および故障診断用配線139それぞれの厚さt1をλ/4n1に設定するようにしている。しかして、赤外線センサ100では、検出対象の波長例えば、8~12μmの赤外線の吸収効率を高めることができ、高感度化を図ることが可能となる。例えば、n1=3.6、λ=10μmの場合には、t1≒0.69μmとすればよい。また、本実施形態では、n形ポリシリコン層34、p形ポリシリコン層35、赤外線吸収層39、および故障診断用配線139それぞれの不純物濃度が1018~1020cm-3であるので、赤外線の吸収率を高くしつつ赤外線の反射を抑制することができて、感温部30の出力のS/N比を高めることが可能となる。また、本実施形態における赤外線センサ100では、赤外線吸収層39および故障診断用配線139をn形ポリシリコン層34と同一工程で形成できるから、低コスト化を図れる。また、赤外線センサ100は、図8、図12、図13に示すように、感温部30の接続部36と接続部37とが、半導体基板1の上記一表面側において、層間絶縁膜50によって絶縁分離されている。すなわち、温接点T1側の接続部36は、層間絶縁膜50に形成したコンタクトホール50a1,50a2を通して、両ポリシリコン層34,35の上記各一端部と電気的に接続されている。また、冷接点T2側の接続部37は、層間絶縁膜50に形成されたコンタクトホール50a3,50a4を通して、両ポリシリコン層34,35の上記各他端部と電気的に接続されている。また、MOSトランジスタ4は、上述のように、半導体基板1の上記一表面側においてMOSトランジスタ4の形成用領域A2に形成されている。MOSトランジスタ4は、図1a、図8、図15に示すように、半導体基板1の上記一表面側に第1導電形であるp形pのウェル領域41が形成され、ウェル領域41内に、第2導電形であるn形nのドレイン領域43と第2導電形であるn形nのソース領域44とが離間して形成されている。さらに、ウェル領域41内には、ドレイン領域43とソース領域44とを囲む第1導電形であるp形pのチャネルストッパ領域42が形成されている。ウェル領域41においてドレイン領域43とソース領域44との間に位置する部位の上には、シリコン酸化膜熱酸化膜からなるゲート絶縁膜45を介してn形ポリシリコン層からなるゲート電極46が形成されている。また、ドレイン領域43上には、金属材料例えば、Al-Siなどからなるドレイン電極47が形成され、ソース領域44上には、金属材料例えば、Al-Siなどからなるソース電極48が形成されている。ゲート電極46、ドレイン電極47およびソース電極48は、上述の層間絶縁膜50によって絶縁分離されている。ここで、ドレイン電極47は、層間絶縁膜50に形成したコンタクトホール50dを通してドレイン領域43と電気的に接続され、ソース電極48は、層間絶縁膜50に形成したコンタクトホール50eを通してソース領域44と電気的に接続されている。赤外線センサ100の各画素部2では、図3、図5に示すように、MOSトランジスタ4のソース電極48と感温部30の一端とが電気的に接続され、感温部30の他端が第4の配線104に電気的に接続されている。また、各画素部2では、MOSトランジスタ4のドレイン電極47が、第1の配線101と電気的に接続され、ゲート電極46が、n形ポリシリコン配線からなる第2の配線102と電気的に接続されている。また、各画素部2では、図1a、図8に示すように、MOSトランジスタ4のチャネルストッパ領域42上に、金属材料例えば、Al-Siなどからなる電極49が形成されている。しかして、ウェル領域41は、チャネルストッパ領域42および電極49を介して、第3の配線103と電気的に接続されている。なお、電極49は、層間絶縁膜50に形成したコンタクトホール50fを通してチャネルストッパ領域42と電気的に接続されている。また、上述のツェナダイオードZDは、図17に示すように、第1拡散領域81上にアノード電極83が形成され、第2拡散領域82上に2つのカソード電極84a,84bが形成されている。このツェナダイオードZDは、アノード電極83が、第5のパッドVzdと電気的に接続され、一方のカソード電極84aが、1つの第2の配線102を介して当該第2の配線102に接続されたMOSトランジスタ4のゲート電極46と電気的に接続され、他方のカソード電極84bが、当該第2の配線102に接続された第2のパッドVsel1~Vsel8の1つと電気的に接続されている。上述の赤外線センサ100によれば、通電されることにより発生するジュール熱によって温接点T1を温める故障診断用配線139を備えているので、故障診断用配線139へ通電してサーモパイル30aの出力を測定することにより、サーモパイル30aの断線などの故障の有無を判断することが可能となって、信頼性の向上を図れる。しかも、赤外線センサ100は、故障診断用配線139が、熱型赤外線検出部3において半導体基板1の空洞部11に重なる領域でサーモパイル30aと重ならないように配置されているので、故障診断用配線139によるサーモパイル30aの温接点T1の熱容量の増大を防止でき、感度および応答速度の向上を図ることが可能となる。ここで、赤外線センサ100は、使用時において自己診断を行わない通常時において、故障診断用配線139も外部からの赤外線を吸収するので、複数の温接点T1の温度の均一化を図れ、感度の向上を図ることが可能となる。なお、赤外線センサ100では、赤外線吸収層39および補強層39bも外部からの赤外線を吸収するので、複数の温接点T1の温度の均一化を図れ、感度の向上を図ることが可能となる。また、赤外線センサ100の使用時の自己診断は、例えば、上述のIC素子に設けられた自己診断回路により定期的に行うようにすればよいが、必ずしも定期的に行う必要はない。また、赤外線センサ100は、第1の薄膜構造部3aが、複数の線状のスリット13を設けることによって、空洞部11の内周方向に沿って並設されそれぞれ熱型赤外線検出部3において空洞部11を囲む部位である支持部3dから内方へ延長された複数の第2の薄膜構造部3aaに分離されている。そして、赤外線センサ100は、各第2の薄膜構造部3aaごとにサーモパイル30aの温接点T1が設けられるとともに、各サーモパイル30aごとに出力を取り出す場合に比べて温度変化に対する出力変化が大きくなる接続関係で全てのサーモパイル30aが電気的に接続されているので、応答速度および感度の向上を図ることが可能となる。また、赤外線センサ100では、隣接する第2の薄膜構造部3aa,3aa同士を連結する連結片3cが形成されていることにより、各第2の薄膜構造部3aaの反りを低減でき、構造安定性の向上を図れ、感度が安定する。また、赤外線センサ100は、n形ポリシリコン層34とp形ポリシリコン層35と赤外線吸収層39と補強層39bと故障診断用配線139とが同一の厚さに設定されているので、第2の薄膜構造部3aaの応力バランスの均一性が向上し、第2の薄膜構造部3aaの反りを抑制することができ、製品ごとの感度のばらつきや、画素部2ごとの感度のばらつきを低減することが可能となる。また、赤外線センサ100は、故障診断用配線139が、第1の熱電要素であるn形ポリシリコン層34もしくは第2の熱電要素であるp形ポリシリコン層35と同じ材料により形成されているので、故障診断用配線139を第1の熱電要素もしくは第2の熱電要素と同時に形成することが可能となり、製造プロセスの簡略化による低コスト化を図れる。また、赤外線センサ100は、赤外線吸収部33および故障診断用配線139を備えた複数の画素部2が、半導体基板1の上記一表面側で2次元アレイ状に設けられているので、製造時や使用時の自己診断に際して各画素部2それぞれの故障診断用配線139に通電することにより、各画素部2それぞれの感温部30の感度のばらつきを把握することが可能となる。以下、赤外線センサ100の基本的な製造方法の一例について図18~図21を参照して説明する。第2導電形のシリコン基板からなる半導体基板1の上記一表面側に第1の所定膜厚例えば、0.3μmの第1のシリコン酸化膜31と第2の所定膜厚例えば、0.1μmのシリコン窒化膜32との積層膜からなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程を行う。その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して当該絶縁層のうち熱型赤外線検出部3の形成用領域A1に対応する部分の一部を残してMOSトランジスタ4の形成用領域A2に対応する部分をエッチング除去する絶縁層パターニング工程を行うことによって、図18aに示す構造を得る。ここにおいて、第1のシリコン酸化膜31は、半導体基板1を所定温度例えば、1100°Cで熱酸化することにより形成してあり、シリコン窒化膜32は、LPCVD法により形成している。また、上記絶縁層のエッチングは、反応性イオンエッチングRIE装置により行っているが、エッチング装置は特に限定するものではない。上述の絶縁層パターニング工程の後、半導体基板1の上記一表面側に第1導電形であるp形pのウェル領域41を形成するウェル領域形成工程を行う。続いて、半導体基板1の上記一表面側におけるウェル領域41内に第1導電形であるp形pのチャネルストッパ領域42を形成するチャネルストッパ領域形成工程を行う。その後、MOSトランジスタ4のしきい値電圧Vthを制御するためのイオン注入工程を行うことによって、図18bに示す構造を得る。ここで、ウェル領域形成工程では、まず、半導体基板1の上記一表面側の露出部位を所定温度で熱酸化することにより第2のシリコン酸化膜51を選択的に形成する。その後、ウェル領域41を形成するためのフォトマスクを利用したフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第2のシリコン酸化膜51をパターニングする。続いて、第1導電形の不純物ここでは、p形の不純物であり、例えば、ボロンなどのイオン注入を行ってから、ドライブインを行うことにより、ウェル領域41を形成する。また、本実施形態では、ウェル領域形成工程において、ウェル領域41の形成と同時に、ツェナダイオードZDの第1拡散領域81も形成するようにしている。また、チャネルストッパ領域形成工程およびイオン注入工程それぞれにおいてイオン注入後に、ドライブインを行うことで半導体基板1の上記一表面側を所定温度で熱酸化することにより第3のシリコン酸化膜52を選択的に形成する。赤外線センサ100では、第1のシリコン酸化膜31と第2のシリコン酸化膜51と第3のシリコン酸化膜52とで、半導体基板1の上記一表面側の熱酸化膜1bを構成している。上述のイオン注入工程の後、第2導電形であるn形nのドレイン領域43および第2導電形であるn形nのソース領域44を形成するソースドレイン形成工程を行う。このソースドレイン形成工程では、ウェル領域41におけるドレイン領域43およびソース領域44それぞれの形成予定領域に第2導電形の不純物ここでは、n形の不純物であり、例えば、リンなどのイオン注入を行ってから、ドライブインを行うことによって、ドレイン領域43およびソース領域44を形成する。また、本実施形態では、ソースドレイン形成工程において、ドレイン領域43およびソース領域44の形成と同時に、ツェナダイオードZDの第2拡散領域82も形成するようにしている。ソースドレイン形成工程の後、半導体基板1の上記一表面側に例えば熱酸化により所定膜厚例えば、600Åのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜45を形成するゲート絶縁膜形成工程を行う。続いて、半導体基板1の上記一表面側の全面にゲート電極46、第2の配線102図5参照、n形ポリシリコン層34、p形ポリシリコン層35、赤外線吸収層39および故障診断用配線139の基礎となる所定膜厚例えば、0.69μmのノンドープのポリシリコン層130図1b参照をLPCVD法により形成するポリシリコン層形成工程を行う。その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上記ノンドープのポリシリコン層130のうちゲート電極46、第2の配線102、n形ポリシリコン層34、p形ポリシリコン層35、赤外線吸収層39および故障診断用配線139それぞれに対応する部分が残るようにノンドープのポリシリコン層130をパターニングするポリシリコン層パターニング工程を行う。その後、ノンドープのポリシリコン層130のうちp形ポリシリコン層35に対応する部分にp形の不純物例えば、ボロンなどのイオン注入を行ってからドライブインを行うことによりp形ポリシリコン層35を形成するp形ポリシリコン層形成工程を行う。その後、ノンドープのポリシリコン層130のうちn形ポリシリコン層34、赤外線吸収層39、故障診断用配線139、ゲート電極46および第2の配線102に対応する部分にn形の不純物例えば、リンなどのイオン注入を行ってからドライブインを行うことによりn形ポリシリコン層34、赤外線吸収層39、故障診断用配線139、ゲート電極46および第2の配線102を形成するn形ポリシリコン層形成工程を行うことによって、図19aに示す構造を得る。なお、ポリシリコン層パターニング工程では、ノンドープのポリシリコン層130の不要部分をRIE装置によりエッチングしているが、エッチング装置は特に限定するものではない。また、p形ポリシリコン層形成工程とn形ポリシリコン層形成工程との順序は逆でもよい。上述のp形ポリシリコン層形成工程およびn形ポリシリコン層形成工程が終了した後、半導体基板1の上記一表面側に層間絶縁膜50を形成する層間絶縁膜形成工程を行う。続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して層間絶縁膜50に各コンタクトホール50a1,50a2,50a3,50a4,50d,50e,50f図12、図13、図15参照を形成するコンタクトホール形成工程を行うことによって、図19bに示す構造を得る。層間絶縁膜形成工程では、半導体基板1の上記一表面側に所定膜厚例えば、0.8μmのBPSG膜を常圧CVD法により堆積させてから、所定温度例えば、800°Cでリフローすることにより平坦化された層間絶縁膜50を形成する。また、コンタクトホール形成工程において、層間絶縁膜50のうち熱酸化膜1bにおけるパッド80の形成予定領域上に形成されている部分を除去するようにしている。なお、コンタクトホール形成工程では、層間絶縁膜50に、ツェナダイオードZDのカソード電極84a,84b、アノード電極83のそれぞれに対応するコンタクトホール50g,50h,50iも形成する図17参照。また、コンタクトホール形成工程では、RIE装置によるドライエッチングを行ってから、ウェットエッチングを行うようにしている。ドライエッチングの終了時は、層間絶縁膜50のジャストエッチング時で管理するようにしているが、これはエッチング時間で管理してもよいし、周知の終点検出の方法例えば、レーザ光を干渉させて膜厚変化を測定することでエッチングの終点を検出する方法などを利用して管理してもよい。また、コンタクトホール形成工程でドライエッチングを行う際のエッチング装置は、RIE装置に限らず、他のドライエッチング装置でもよい。上述のコンタクトホール形成工程の後、半導体基板1の上記一表面側の全面に接続部36,37、ドレイン電極47、ソース電極48、第4の配線104、第1の配線101、第3の配線103、各パッド80、カソード電極84a,84b、アノード電極83などの基礎となる所定膜厚例えば、1μmの金属膜例えば、Al-Si膜をスパッタ法などにより形成する金属膜形成工程を行う。続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して金属膜をパターニングすることで接続部36,37、ドレイン電極47、ソース電極48、第4の配線104、第1の配線101、第3の配線103、各パッド80、カソード電極84a,84b、アノード電極83などを形成する金属膜パターニング工程を行うことによって、図20aに示す構造を得る。なお、金属膜パターニング工程におけるエッチングはRIE装置により行っているが、エッチング装置は特に限定するものではない。また、この金属膜パターニング工程を行うことにより、温接点T1および冷接点T2が形成される。上述の金属膜パターニング工程の後、半導体基板1の上記一表面側つまり、層間絶縁膜50の表面側に所定膜厚例えば、0.5μmのPSG膜と所定膜厚例えば、0.5μmのNSG膜との積層膜からなるパッシベーション膜60を常圧CVD法により形成するパッシベーション膜形成工程を行うことによって、図20bに示す構造を得る。上述のパッシベーション膜形成工程の後、第1のシリコン酸化膜31、シリコン窒化膜32、層間絶縁膜50、パッシベーション膜60などを有し且つ感温部30などが埋設された積層構造部をパターニングすることにより、第2の薄膜構造部3aaおよび連結片3cを形成する積層構造部パターニング工程を行うことによって、図21aに示す構造を得る。この積層構造部パターニング工程において、積層構造部をパターニングすることにより、各スリット13,14を形成している。積層構造部パターニング工程では、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して積層構造部をパターニングしている。ここで、積層構造部パターニング工程におけるエッチングは、RIE装置により行っているが、エッチング装置は特に限定するものではない。上述の積層構造部パターニング工程の後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパッシベーション膜60に各パッド80を各別に露出させる各開口部図示せずを形成する開口部形成工程を行う。ここで、開口部形成工程におけるエッチングはRIE装置により行っている。次に、各スリット13,14をエッチング液導入孔としてエッチング液を導入し半導体基板1を異方性エッチング結晶異方性エッチングすることにより半導体基板1に空洞部11を形成する空洞部形成工程を行うことで、図21bに示す構造の赤外線センサ100を得る。ここで、空洞部形成工程では、エッチング液として所定温度例えば、85°Cに加熱したTMAH溶液を用いているが、エッチング液はTMAH溶液に限らず、他のアルカリ系溶液例えば、KOH溶液などを用いてもよい。いずれにしても、空洞部形成工程では、積層構造部をエッチングマスクとしてウェットエッチングを行う。なお、空洞部形成工程が終了するまでの全工程はウェハレベルで行うので、空洞部形成工程が終了した後、個々の赤外線センサ100に分離裁断する分離工程を行えばよい。要するに、本実施形態の赤外線センサ100の製造方法は、ウェハプロセス前工程とも呼ばれるを前提としており、半導体基板1の基礎となるウェハ図示せずから複数個の赤外線センサ100を製造する。本実施形態における赤外線センサ100は、上述の説明から分かるように、半導体基板1と、この半導体基板1の上記一表面側に配置されたサーモパイル30aとを備え、サーモパイル30aの熱電対の2種類の熱電要素として、n形ポリシリコン層34とp形ポリシリコン層35とを備えている。ところで、サーモパイル型赤外線センサの性能を表す指標の一つに、雑音等価温度差NoiseEquivalentTemperatureDifference:NETDがある。NETDは、サーモパイル型赤外線センサのセンサ出力が雑音に埋もれることなく検知できる測定対象物の最小温度差を指し、値が小さいほど温度分解能が良いことを示すものである。ここで、センサ出力をVoutV、ノイズをVnVとすると、NETDは、1式で表される。また、センサ出力Voutは、直列に接続されているサーモパイル30aの数をa、サーモパイル30aの熱電要素であるn形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35のゼーベック係数をSV/K、測定対象物の温度が1Kだけ上昇した時の温接点T1の温度上昇値をΔTKとすると、2式で表すことができる。また、ボルツマン定数をkJ/K、温度をTK、上述のIC素子により決定する帯域幅センサ出力VoutをIC素子のA/D変換器によりサンプリングしてA/D変換した場合の1秒間当たりの平均化回数をΔfbit/sec、サーモパイル30aの長さをLm、サーモパイル30aの幅をWm、サーモパイル30aのシート抵抗をRsΩ/□とすると、ノイズVnVは、3式で表される。1式に2式および3式を代入して整理すると、NETDは、4式で表される。4式より、サーモパイル30aの熱電要素であるn形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35のシート抵抗Rsを低減させるか、もしくは、サーモパイル30aの熱電要素であるn形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35のゼーベック係数Sを増加させることで、NETDを小さくすることが可能であることが分かる。ここで、n形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35のシート抵抗RsΩ/□は、電気素量をeJ/eV、不純物濃度キャリア濃度をnm-3、キャリア移動度をμm2/Vs、膜厚をtmとすると、5式で表すことができる。また、n形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35のゼーベック係数Sは、ゼーベック係数をSV/K、ボルツマン定数をkJ/K、有効状態密度をNm-3、定数をδとすると、6式で表すことができる。5式から、サーモパイル30aの構造に制限があり、n形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35の膜厚tを増加させることができない場合、シート抵抗を低減するためには、不純物濃度の増加もしくは移動度の増加が有効であることが分かる。しかしながら、6式から分かるように、不純物濃度を増加させると、ゼーベック係数が低下してしまうので、不純物濃度の増加は、NETDの低減手段として効果的な手段ではない。一方、5式および6式から、移動度を増加させると、ゼーベック係数を変化させることなくシート抵抗を低減することができるので、移動度の増加は、NETDの低減手段として効果的な手段であることが分かる。ここで、n形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35の移動度は、結晶状態に影響され、結晶性が悪くてアモルファス状態に近いほど移動度が低く、結晶性が良くて単結晶シリコンに近づくほど移動度が高くなる。そこで、本実施形態の赤外線センサ100の製造方法では、n形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35の形成にあたっては、ポリシリコン層形成工程において、n形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35の基礎となるノンドープのポリシリコン層130図1bに示す模式図を参照をCVD法上述の例では、LPCVD法により形成した後、アニール処理を行うようにしている。ところで、上述のポリシリコン層形成工程では、LPCVD法によりノンドープのポリシリコン層130を形成する際の成膜温度が700°C程度であり、ポリシリコン層130を構成している多数の結晶粒130aの粒径である結晶粒径が比較的小さく、結晶性を向上させる余地がある。これに対して、本実施形態の赤外線センサ100の製造方法においては、ポリシリコン層130をLPCVD法などのCVD法により形成した後に、上述のアニール処理を行うことにより、図1cに示す模式図のようにポリシリコン層130の結晶粒130aの結晶粒径を大きくさせ結晶性を向上させることが可能となる。このアニール処理のプロセス条件としては、例えば、アニール装置として、ランプアニール装置を用い、アニール温度を1100°C、アニール時間を6時間とすることにより、ポリシリコン層130の結晶性を向上させることが可能になるとともに、このアニール処理の後の製造工程で結晶粒130aの結晶粒径の変化を抑制可能となる。アニール処理のプロセス条件について、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。ただし、このアニール処理の後の製造工程で結晶粒130aの結晶粒径の変化を抑制可能なプロセス条件であることが好ましい。また、本実施形態では、アニール処理の雰囲気を酸素ガス雰囲気としているが、雰囲気は酸素ガス雰囲気に限らず、例えば、窒素ガス雰囲気や真空雰囲気などでもよい。また、アニール処理は、ランプアニール装置を用いたランプアニールに限らず、例えば、レーザ装置を用いたレーザアニールでもよい。以上説明した本実施形態の赤外線センサ100の製造方法では、ポリシリコン層130をCVD法により形成した後に、上述のアニール処理を行うので、サーモパイル30aにおけるn形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35それぞれについて、簡単な製造プロセスでゼーベック係数の低下を抑制しつつシート抵抗を低減することが可能となる。また、本実施形態の赤外線センサ100の製造方法では、ポリシリコン層130に対してn形不純物を選択的にイオン注入してから拡散させることによりn形ポリシリコン層34を形成し、且つ、ポリシリコン層130に対してp形不純物を選択的にイオン注入してから拡散させることによりp形ポリシリコン層35を形成するようにしており、これら各イオン注入の後に上述のアニール処理を行うことも考えられるが、これら各イオン注入よりも前に上述のアニール処理を行うことが好ましい。これにより、アニール温度が不純物拡散温度よりも高温の場合、ポリシリコン層130の結晶性を向上させる温度と不純物拡散温度とを各別に、それぞれに適した温度に設定することができるので、n形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35の結晶性と、n形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35の不純物濃度分布不純物拡散量との調整を別々に行うことが可能となる。また、ノンドープのポリシリコン層130にイオン注入を行った後の熱処理上述の拡散により結晶粒径が変化するのを抑制することが可能となるから、サーモパイル30aのシート抵抗のばらつきを小さくすることが可能となる。これにより、画素部2間、ロット間およびウェハ間で赤外線センサ100の感温部30の抵抗のばらつきを低減することが可能となり、NETDのばらつきを小さくすることが可能となる。上述のp形ポリシリコン層35の形成について説明すれば、図1dに示す模式図のように、p形不純物であるボロンのイオンBをイオン注入し、その後、上述のアニール温度例えば、1100°Cよりも低温の不純物拡散温度例えば、950°Cで拡散させることにより図1eに示す模式図のようなp形ポリシリコン層35を形成する。比較例として、図22には、ノンドープのポリシリコン層130をCVD法により形成し図22a、その後、上述のアニール処理を行うことなくp形不純物であるボロンのイオンBをイオン注入し図22b、その後、所定の不純物拡散温度例えば、950°Cで拡散させることによりp形ポリシリコン層35を形成する場合を例示してある。また、n形ポリシリコン層34の形成についても同様であり、n形不純物でありリンのイオンPをイオン注入し、その後、上述のアニール温度例えば、1100°Cよりも低温の不純物拡散温度例えば、900°Cで拡散させることによりn形ポリシリコン層34を形成する。上述のアニール温度および不純物拡散温度は、一例であり、特に限定するものではない。また、本実施形態の赤外線センサ100の製造方法では、ポリシリコン層130の形成前にMOSトランジスタ4のウェル領域41をイオン注入および拡散により形成するようにし、上述のアニール処理を、ウェル領域41の形成温度例えば、1200°Cよりも低温で行うことが好ましい。これにより、アニール処理によってウェル領域41の拡散深さが変化するのを防止することが可能となり、MOSトランジスタのウェル領域41の不純物濃度分布不純物拡散量と、n形ポリシリコン層34およびp形ポリシリコン層35の結晶性とを各別に調整することが可能となる。上述の赤外線センサ100では、半導体基板1として上記一表面が100面の単結晶のシリコン基板を用いて、エッチング速度の結晶面方位依存性を利用した異方性エッチングにより形成する空洞部11を四角錐状の形状としてあるが、四角錐状の形状に限らず、四角錐台状の形状でもよい。また、半導体基板1の上記一表面の面方位は特に限定するものではなく、例えば、半導体基板1として上記一表面が110面の単結晶のシリコン基板を用いてもよい。また、半導体基板1の導電形は、n形に限らず、例えば、図23~図25に示すようにp形でもよい。図23は、p形の半導体基板1がチャネル形成用領域を構成し、ドレイン領域43およびソース領域44の導電形をn形nとする例である。また、図24は、p形の半導体基板1に形成したp形pのウェル領域41がチャネル形成用領域を構成し、ドレイン領域43およびソース領域44の導電形をn形nとする例である。また、図25は、p形の半導体基板1に形成したn形のウェル領域41がチャネル形成用領域を構成し、ドレイン領域43およびソース領域44の導電形をp形pとする例である。なお、上述の赤外線センサ100において、半導体基板1の空洞部11は、半導体基板1の厚み方向に貫通する形で形成してもよく、この場合は、空洞部11を形成する空洞部形成工程において、半導体基板1の上記一表面とは反対の他表面側から、半導体基板1における空洞部11の形成予定領域を、例えばICP型のドライエッチング装置を用いた異方性エッチング技術を利用して形成すればよい。また、赤外線センサ100は、熱電変換部である感温部30を具備する複数の画素部2が半導体基板1の一表面側においてアレイ状に配置されているが、構造は特に限定するものではなく、感温部30を構成するサーモパイル30aの数も複数に限らず、1つでもよい。また、赤外線センサ100は、感温部30を1つだけ備えたものでもよい。"