第一酸化物を含むマトリックス材料、及び金属性成分を含む組成物を有するスパッタリングターゲットであって、その際、前記酸化物が高屈折率を有し、その際、前記第一酸化物が、任意の酸化物変態にある酸化チタン、任意の酸化物変態にある酸化ニオブ、任意の酸化物変態にある酸化バナジウム、任意の酸化物変態にある酸化イットリウム、任意の酸化物変態にある酸化モリブデン、任意の酸化物変態にある酸化ジルコニウム、任意の酸化物変態にある酸化タンタル、任意の酸化物変態にある酸化タングステン及び任意の酸化物変態にある酸化ハフニウムからなる酸化物の群、又はその混合物から選択されるスパッタリングターゲット。前記金属性成分が、Ti、Nb、V、Y、Mo、Zr、Ta、W及びHfからなる群、又はその混合物から選択される請求項1記載のスパッタリングターゲット。さらに、任意の酸化物変態にあるランタニド系列、又は任意の酸化物変態にある酸化スカンジウム又は任意の酸化物変態にある酸化ランタンにある第二酸化物を含む請求項1又は2記載のスパッタリングターゲット。前記第二酸化物が、任意の酸化物変態にある酸化セリウム、任意の酸化物変態にある酸化プラセオジム、任意の酸化物変態にある酸化ネオジム、任意の酸化物変態にある酸化サマリウム、任意の酸化物変態にある酸化ユウロピウム、任意の酸化物変態にある酸化ガドリニウム、任意の酸化物変態にある酸化テルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ジスプロシウム、任意の酸化物変態にある酸化ホルミウム、任意の酸化物変態にある酸化エルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ツリウム、任意の酸化物変態にある酸化イッテルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ルテチウム、任意の酸化物変態にある酸化スカンジウム、及び任意の酸化物変態にある酸化ランタンからなる群、又はその混合物から選択される請求項3記載のスパッタリングターゲット。前記第二酸化物又はその混合物の含有量が0.1~50質量の範囲内にある請求項3又は4記載のスパッタリングターゲット。前記金属性成分が前記マトリックス材料内にマイクロスケールで均一に分散されている請求項1から5までのいずれか1項記載のスパッタリングターゲット。前記金属性成分の含有量が前記マトリックス材料の2~20質量の範囲内にある請求項1から6までのいずれか1項記載のスパッタリングターゲット。さらに、孔を含み、その際、前記スパッタリングターゲットが理論密度の70~95の密度を有する請求項1から7までのいずれか1項記載のスパッタリングターゲット。孔を有する、第一酸化物を含む、マトリックス材料のマイクロ構造を含むスパッタリングターゲットであって、その際、前記第一酸化物が、任意の酸化物変態にある酸化チタン、任意の酸化物変態にある酸化ニオブ、任意の酸化物変態にある酸化バナジウム、任意の酸化物変態にある酸化イットリウム、任意の酸化物変態にある酸化モリブデン、任意の酸化物変態にある酸化ジルコニウム、任意の酸化物変態にある酸化タンタル、任意の酸化物変態にある酸化タングステン及び任意の酸化物変態にある酸化ハフニウムからなる酸化物の群、又はその混合物から選択されるスパッタリングターゲット。さらに、金属性成分を含み、その際、前記金属性成分が、Ti、Nb、V、Y、Mo、Zr、Ta、W及びHfからなる群、又はその混合物から選択される請求項9記載のスパッタリングターゲット。さらに、任意の酸化物変態にあるランタニド系列、又は任意の酸化物形態にある酸化スカンジウム又は任意の酸化物形態にある酸化ランタンにある第二酸化物を含む請求項9又は10記載のスパッタリングターゲット。前記第二酸化物が、任意の酸化物変態にある酸化セリウム、任意の酸化物変態にある酸化プラセオジム、任意の酸化物変態にある酸化ネオジム、任意の酸化物変態にある酸化サマリウム、任意の酸化物変態にある酸化ユウロピウム、任意の酸化物変態にある酸化ガドリニウム、任意の酸化物変態にある酸化テルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ジスプロシウム、任意の酸化物変態にある酸化ホルミウム、任意の酸化物変態にある酸化エルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ツリウム、任意の酸化物変態にある酸化イッテルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ルテチウム、任意の酸化物変態にある酸化スカンジウム、及び任意の酸化物変態にある酸化ランタンからなる群、又はその混合物から選択される請求項11記載のスパッタリングターゲット。スパッタリングターゲットが、理論密度の70~95の密度を有する請求項9から12までのいずれか1項記載のスパッタリングターゲット。孔が、マトリックス材料内に距離をおいて分散している請求項9から13までのいずれか1項記載のスパッタリングターゲット。請求項1から8までのいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、金属酸化物粉末と金属粉末を乾式混合する工程、及びこの混合物をホットプレス処理又はHIP処理により成形する工程を含む方法。前記金属酸化物粉末及び前記金属粉末が1~150μmの範囲内に粒径を有する請求項15記載の方法。前記混合物を600~1400°Cの温度で成形する請求項15又は16記載の方法。請求項1から8までのいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、金属酸化物粉末と金属粉末をスラリー中で混合する工程、スプレー乾燥する工程、前記混合物をプレス処理により成形する工程、及び不活性雰囲気又は真空中で焼結する工程を含む方法。請求項1から8までのいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、金属酸化物粉末又は複数の金属酸化物粉末をスラリー中で混合する工程、スプレー乾燥する工程、前記混合物をプレス処理により成形する工程、及び不活性雰囲気又は真空中で焼結する工程を含む方法。請求項1から8までのいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、金属酸化物粉末とカーボン/グラファイトを混合する工程、前記混合物を熱処理するか、又は前記混合物を水素又は一酸化炭素中で熱処理し、金属相を形成する工程、前記混合物を成形する工程、及び焼結する工程を含む方法。請求項1から8までのいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、金属酸化物粉末に孔形成剤を添加する工程、プレス処理により成形する工程、熱分解する工程、及び焼結する工程を含む方法。請求項1から8までのいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、金属酸化物粉末及び金属粉末に孔形成剤を添加する工程、プレス処理により成形する工程、熱分解する工程、及び焼結する工程を含む方法。高出力密度スパッタリングのための請求項1から14までのいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの使用であって、その際、この適用される出力密度が、割れ及び欠陥を示すことなく理論密度の95よりも多い密度でもって関連する金属酸化物ターゲットに適用されることができる出力密度よりも少なくとも10より高い使用。したがって、上述の問題のいずれか1つを取り扱うために、スパッタリングターゲット及びこの製造方法に対する必要性が存在する。本発明は、第一酸化物を含むマトリックス材料、及び、金属性成分を含む組成物であって、その際、前記酸化物が高屈折率を有し、かつ、その際、前記第一酸化物が、任意の酸化物変態にある酸化チタン、任意の酸化物変態にある酸化ニオブ、任意の酸化物変態にある酸化バナジウム、任意の酸化物変態にある酸化イットリウム、任意の酸化物変態にある酸化モリブデン、任意の酸化物変態にある酸化ジルコニウム、任意の酸化物変態にある酸化タンタル、任意の酸化物変態にある酸化タングステン及び任意の酸化物変態にある酸化ハフニウムからなる酸化物の群、又はその混合物から選択される組成物である。この組成物において、金属性成分は、Ti、Nb、V、Y、Mo、Zr、Ta、W及びHfからなる群、又はその混合物から選択されてよい。この組成物は、さらに、任意の酸化物変態にあるランタニド系列、又は任意の酸化物変態にある酸化スカンジウム又は任意の酸化物変態にある酸化ランタンにある第二酸化物を含んでよい。この第二酸化物は、任意の酸化物変態にある酸化セリウム、任意の酸化物変態にある酸化ジプラセオジム、任意の酸化物変態にある酸化プラセオジム、任意の酸化物変態にある酸化ネオジム、任意の酸化物変態にある酸化サマリウム、任意の酸化物変態にある酸化ユウロピウム、任意の酸化物変態にある酸化ガドリニウム、任意の酸化物変態にある酸化テルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ジスプロシウム、任意の酸化物変態にある酸化ホルミウム、任意の酸化物変態にある酸化エルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ツリウム、任意の酸化物変態にある酸化イッテルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ルテチウム、任意の酸化物変態にある酸化スカンジウム、及び任意の酸化物変態にある酸化ランタンからなる群、又はその混合物から選択される。この第二酸化物又はその混合物は、0.1~50質量又は5~20質量の範囲内にあってよい。この組成物において、この金属性成分は、マトリックス材料内にマイクロスケールで均一に分散されていてよい。この金属性成分は、このマトリックス材料の2~20質量又は4~6質量の範囲内にあってよい。本発明は、上述のとおりの組成物を含むスパッタリングターゲットでもある。このスパッタリングターゲットは、さらに、孔を含んでよく、その際、このスパッタリングターゲットは70~95の密度を有する。さらに、本発明は、孔を有する、第一酸化物を含む、マトリックス材料のマイクロ構造を含むスパッタリングターゲットであって、その際、前記第一酸化物が、任意の酸化物変態にある酸化チタン、任意の酸化物変態にある酸化ニオブ、任意の酸化物変態にある酸化バナジウム、任意の酸化物変態にある酸化イットリウム、任意の酸化物変態にある酸化モリブデン、任意の酸化物変態にある酸化ジルコニウム、任意の酸化物変態にある酸化タンタル、任意の酸化物変態にある酸化タングステン及び任意の酸化物変態にある酸化ハフニウムからなる酸化物の群、又はその混合物から選択されるスパッタリングターゲットである。このスパッタリングターゲットは、さらに、金属性成分を含んでよく、その際、この金属性成分は、Ti、Nb、V、Y、Mo、Zr、Ta、W及びHfからなる群、又はその混合物から選択される。このスパッタリングターゲットは、さらに、任意の酸化物変態にあるランタニド系列、又は任意の酸化物変態にある酸化スカンジウム又は任意の酸化物変態にある酸化ランタンにある第二酸化物を含んでよい。スパッタリングターゲット中では、この第二酸化物は、任意の酸化物変態にある酸化セリウム、任意の酸化物変態にある酸化ジプラセオジム、任意の酸化物変態にある酸化プラセオジム、任意の酸化物変態にある酸化ネオジム、任意の酸化物変態にある酸化サマリウム、任意の酸化物変態にある酸化ユウロピウム、任意の酸化物変態にある酸化ガドリニウム、任意の酸化物変態にある酸化テルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ジスプロシウム、任意の酸化物変態にある酸化ホルミウム、任意の酸化物変態にある酸化エルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ツリウム、任意の酸化物変態にある酸化イッテルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ルテチウム、任意の酸化物変態にある酸化スカンジウム、及び任意の酸化物変態にある酸化ランタンからなる群、又はその混合物から選択されてよい。スパッタリングターゲットは、70~95の密度を有してよい。この孔は、スパッタリングターゲットのマトリックス材料内に距離をおいて分散していてよい。本発明は、また、金属酸化物粉末と金属粉末を乾式混合する工程及びホットプレス又はHIPによりこの混合物を成形する工程を含む、上述のとおりの組成物を含むスパッタリングターゲットの製造方法である。この金属粉末は5~20質量であってよい。この金属酸化物粉末及びこの金属粉末は、1~150μmの範囲内の粒径を有してよい。この混合物は、600~1400°Cの温度で成形されてよい。さらに、本発明は、金属酸化物粉末と金属粉末をスラリー中で混合する工程、ドライスプレーsprayingdryする工程、この混合物をプレスにより成形する工程、及び、不活性雰囲気又は真空中で焼結する工程を含む、上述のとおりの組成物を含むスパッタリングターゲットの製造方法である。このスラリーは、水又は任意のアルコールである溶媒を含んでよい。本発明は、また、金属酸化物粉末又は複数の金属酸化物粉末の混合物をスラリー中で混合する工程、ドライスプレーする工程、この混合物をプレスにより成形する工程、及び、不活性雰囲気又は真空中で焼結する工程を含む、上述のとおりの組成物を含有するスパッタリングターゲットの製造方法である。このスラリーは、水又は任意のアルコールである溶媒を含んでよい。本発明は、また、金属酸化物粉末をカーボン/グラファイトと混合する工程、この混合物を熱処理又はこの混合物を水素又は一酸化炭素中で熱処理し、これは金属相が形成されるまでである工程、この混合物を成形する工程及び焼結する工程を含む、スパッタリングターゲットの製造方法である。この方法においては、この混合は、乾式混合又はスラリー中の混合であってよい。このスラリーは、水又は任意のアルコールである溶媒を含んでよい。さらに、本発明は、金属酸化物粉末に孔形成剤を添加する工程、プレスにより成形する工程、熱分解する工程及び焼結する工程を含む、スパッタリングターゲットの製造方法である。この分解工程及び焼結工程は、周囲雰囲気ambientatmosphere中で実施されてよい。本発明は、また、金属酸化物粉末及び金属粉末に孔形成剤を添加する工程、プレスにより成形する工程、熱分解する工程及び焼結する工程を含む、上述のとおりの組成物を含むスパッタリングターゲットの製造方法である。この金属酸化物粉末は、任意の酸化物変態にある酸化チタン、任意の酸化物変態にある酸化ニオブ、任意の酸化物変態にある酸化バナジウム、任意の酸化物変態にある酸化イットリウム、任意の酸化物変態にある酸化モリブデン、任意の酸化物変態にある酸化ジルコニウム、任意の酸化物変態にある酸化タンタル、任意の酸化物変態にある酸化タングステン、任意の酸化物変態にある酸化ハフニウム、任意の酸化物変態にある酸化セリウム、任意の酸化物変態にある酸化ジプラセオジム、任意の酸化物変態にある酸化プラセオジム、任意の酸化物変態にある酸化ネオジム、任意の酸化物変態にある酸化サマリウム、任意の酸化物変態にある酸化ユウロピウム、任意の酸化物変態にある酸化ガドリニウム、任意の酸化物変態にある酸化テルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ジスプロシウム、任意の酸化物変態にある酸化ホルミウム、任意の酸化物変態にある酸化エルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ツリウム、任意の酸化物変態にある酸化イッテルビウム、任意の酸化物変態にある酸化ルテチウム、任意の酸化物変態にある酸化スカンジウム、及び任意の酸化物変態にある酸化ランタンからなる群、又はその混合物から選択された酸化物であってよい。本発明は、さらに、高屈折率層のDC/RFスパッタリングのための、上述のとおりのスパッタリングターゲットの使用に関する。本発明は、また、適用される出力密度が、割れ及び欠陥を示すことなく95を超える密度でもって関連する金属酸化物ターゲットに適用されることができる出力密度よりも少なくとも10より高い、高出力密度スパッタリングのための、上述のとおりのスパッタリングターゲットの使用に関する。発明の詳細な説明本発明の実施例態様は、酸化物又は複数のseveral異なる酸化物の混合物を含有するマトリックス材料を含む組成物を提供する。この酸化物は、好ましくは、高屈折率を有する酸化物である。この酸化物は、任意の酸化物変態にある酸化チタン例えば、TiO2、任意の酸化物変態にある酸化ニオブ例えば、Nb2O5、任意の酸化物変態にある酸化バナジウム例えば、V2O5、任意の酸化物変態にある酸化イットリウム例えば、Y2O3、任意の酸化物変態にある酸化モリブデン例えば、MoO3、任意の酸化物変態にある酸化ジルコニウム例えば、ZrO2、任意の酸化物変態にある酸化タンタル例えば、Ta2O5、任意の酸化物変態にある酸化タングステン例えば、WO3及び任意の酸化物変態にある酸化ハフニウム例えば、HfO2からなる酸化物からなる酸化物の群から選択されてよい。この組成物の実施例態様は、さらに、金属性成分又は孔、又は金属性成分及び孔の組み合わせを含んでよい。酸化物又は複数の異なる酸化物の混合物及び金属性成分を含有する実施例態様においては、この金属性成分は、好ましくは純粋な金属粉末である。好ましくは、この金属性成分は、酸化物/金属マトリックス内をマイクロスケールで均質に分布している。この金属性成分は、チタンTi、ニオブNb、バナジウムV、イットリウムY、モリブデンMo、ジルコニウムZr、タンタルTa、タングステンW、及びハフニウムHfからなる群から選択された1以上の金属であってよい。この金属性成分の量は、2~20質量wt、2~15質量、2~10質量、2~6質量、4~20質量、4~15質量、又は4~10質量の範囲内にあってよい。より好ましくは、この金属性成分の量は、4~6質量の範囲内にあってよい。酸化物又は複数の異なる酸化物の混合物及び孔を含有する実施例態様においては、この組成物は、70~95、好ましくは80~95の密度を有してよい。酸化物又は複数の異なる酸化物の混合物、及びこの金属性成分及び孔の組み合わせを含有する実施例態様においては、孔形成剤は孔を製造するために使用されてよい。この孔形成剤は、熱分解可能であってよく、例えばポリスチレンである。この孔は、焼結パラメーターの適合により導入されてもよい例えば、実施例2にあるとおり。この孔は、好ましくは、酸化物/金属マトリックス内で距離をおいてseparated分散している。さらに、本発明の実施例態様は、第一酸化物又は第一酸化物の混合物を含有するマトリックス材料及び第二酸化物又は第二酸化物の混合物を含有する組成物を提供する。この第一酸化物及び第二酸化物は、好ましくは、高屈折率を有する酸化物である。この第一酸化物は、任意の酸化物変態にある酸化チタン例えば、TiO2、任意の酸化物変態にある酸化ニオブ例えば、Nb2O5、任意の酸化物変態にある酸化バナジウム例えば、V2O5、任意の酸化物変態にある酸化イットリウム例えば、Y2O3、任意の酸化物変態にある酸化モリブデン例えば、MoO3、任意の酸化物変態にある酸化ジルコニウム例えば、ZrO2、任意の酸化物変態にある酸化タンタル例えば、Ta2O5、任意の酸化物変態にある酸化タングステン例えば、WO3及び任意の酸化物変態にある酸化ハフニウム例えば、HfO2からなる群から選択されてよい。この第二酸化物は、任意の酸化物変態にある酸化セリウム例えば、CeO2、任意の酸化物変態にある酸化ジプラセオジムdipraseodymium例えば、Pr2O3、任意の酸化物変態にある酸化プラセオジム例えば、PrO2、任意の酸化物変態にある酸化ネオジム例えば、Nd2O3、任意の酸化物変態にある酸化サマリウム例えば、Sm2O3、任意の酸化物変態にある酸化ユウロピウム例えば、Eu2O3、任意の酸化物変態にある酸化ガドリニウム例えば、GdO3、任意の酸化物変態にある酸化テルビウム例えば、Tb2O3、任意の酸化物変態にある酸化ジスプロシウム例えば、Dy2O3、任意の酸化物変態にある酸化ホルミウム例えば、Ho2O3、任意の酸化物変態にある酸化エルビウム例えば、Er2O3、任意の酸化物変態にある酸化ツリウム例えば、Tm2O3、任意の酸化物変態にある酸化イッテルビウム例えば、Yb2O3、任意の酸化物変態にある酸化ルテチウム例えば、Lu2O3、任意の酸化物変態にある酸化スカンジウム例えば、Sc2O3、及び任意の酸化物変態にある酸化ランタン例えば、La2O3からなる群から選択されてよい。この第二酸化物の量は、0~50質量、0~30質量、0~20質量、1~50質量、1~30質量、1~20質量、10~50質量、又は10~30質量の範囲内にあってよい。より好ましくは、この第二酸化物の量は、5~20質量の範囲内にあってよい。この組成物の実施例態様は、さらに、金属性成分又は孔、又は金属性成分及び孔の組み合わせを含んでよい。第一酸化物又は第一酸化物の混合物、第二酸化物又は第二酸化物の混合物、及び金属性成分を含有する実施例態様においては、この金属性成分は、好ましくは、純粋な金属粉末である。好ましくは、この金属性成分は、酸化物/金属マトリックス内をマイクロスケールで均質に分布している。この金属性成分は、チタンTi、ニオブNb、バナジウムV、イットリウムY、モリブデンMo、ジルコニウムZr、タンタルTa、タングステンW、及びハフニウムHfからなる群から選択された1以上の金属であってよい。この金属性成分の量は、2~20質量、2~15質量、2~10質量、2~6質量、4~20質量、4~15質量、又は4~10質量の範囲内にあってよい。より好ましくは、この金属性成分の量は、4~6質量の範囲内にあってよい。第一酸化物又は第一酸化物の混合物、第二酸化物又は第二酸化物の混合物、及び孔を含有する実施例態様においては、この組成物は、密度70~95、好ましくは80~95を有してよい。第一酸化物又は第一酸化物の混合物、第二酸化物又は第二酸化物の混合物、及び金属性成分及び孔の組み合わせを含有する実施例態様においては、孔形成剤が孔を製造するために使用されてよい。この孔形成剤は、熱分解可能であってよく、例えばポリスチレンである。この孔は、例えば、実施例2にしたがって導入されてもよい。この孔は、好ましくは、酸化物/金属マトリックス内に距離をおいて分散している。本発明の実施例態様は、酸化物又は複数の異なる酸化物の混合物を含有するマトリックス材料を含む組成物を含むスパッタリングターゲットを提供する。この酸化物は、好ましくは、高屈折率を有する酸化物である。この酸化物は、任意の酸化物変態にある酸化チタン例えば、TiO2、任意の酸化物変態にある酸化ニオブ例えば、Nb2O5、任意の酸化物変態にある酸化バナジウム例えば、V2O5、任意の酸化物変態にある酸化イットリウム例えば、Y2O3、任意の酸化物変態にある酸化モリブデン例えば、MoO3、任意の酸化物変態にある酸化ジルコニウム例えば、ZrO2、任意の酸化物変態にある酸化タンタル例えば、Ta2O5、任意の酸化物変態にある酸化タングステン例えば、WO3及び任意の酸化物変態にある酸化ハフニウム例えば、HfO2からなる酸化物からなる群から選択されてよい。このスパッタリングターゲットの実施例態様は、さらに、金属性成分又は孔、又は金属性成分及び孔の組み合わせを含んでよい。酸化物又は複数の異なる酸化物の混合物及び金属性成分を含有する実施例態様においては、この金属性成分は好ましくは純粋な金属粉末である。好ましくは、この金属性成分は、酸化物/金属マトリックス内をマイクロスケールで均質に分布している。この金属性成分は、チタンTi、ニオブNb、バナジウムV、イットリウムY、モリブデンMo、ジルコニウムZr、タンタルTa、タングステンW、及びハフニウムHfからなる群から選択された1以上の金属であってよい。この金属性成分の量は、2~20質量、2~15質量、2~10質量、2~6質量、4~20質量、4~15質量、又は4~10質量の範囲内にあってよい。より好ましくは、この金属性成分の量は、4~6質量の範囲内にあってよい。酸化物又は複数の異なる酸化物の混合物及び孔を含有する実施例態様においては、このスパッタリングターゲットは、70~95、好ましくは80~95の密度を有してよい。酸化物又は複数の異なる酸化物の混合物、及びこの金属性成分及び孔の組み合わせを含有する実施例態様においては、孔形成剤が孔を製造するために使用されてよい。この孔形成剤は、熱分解可能であってよく、例えばポリスチレンである。この孔は、例えば、実施例2にしたがって導入されてもよい。この孔は、好ましくは、酸化物/金属マトリックス内に距離をおいて分散している。またさらなる本発明の実施例態様は、第一酸化物又は第一酸化物の混合物を含有するマトリックス材料及び第二酸化物又は第二酸化物の混合物を含有する組成物を含むスパッタリングターゲットを提供する。この第一酸化物及び第二酸化物は、好ましくは、高屈折率を有する酸化物である。この第一酸化物は、任意の酸化物変態にある酸化チタン例えば、TiO2、任意の酸化物変態にある酸化ニオブ例えば、Nb2O5、任意の酸化物変態にある酸化バナジウム例えば、V2O5、任意の酸化物変態にある酸化イットリウム例えば、Y2O3、任意の酸化物変態にある酸化モリブデン例えば、MoO3、任意の酸化物変態にある酸化ジルコニウム例えば、ZrO2、任意の酸化物変態にある酸化タンタル例えば、Ta2O5、任意の酸化物変態にある酸化タングステン例えば、WO3及び任意の酸化物変態にある酸化ハフニウム例えば、HfO2からなる群から選択されてよい。この第二酸化物は、任意の酸化物変態にある酸化セリウム例えば、CeO2、任意の酸化物変態にある酸化ジプラセオジム例えば、Pr2O3、任意の酸化物変態にある酸化プラセオジム例えば、PrO2、任意の酸化物変態にある酸化ネオジム例えば、Nd2O3、任意の酸化物変態にある酸化サマリウム例えば、Sm2O3、任意の酸化物変態にある酸化ユウロピウム例えば、Eu2O3、任意の酸化物変態にある酸化ガドリニウム例えば、GdO3、任意の酸化物変態にある酸化テルビウム例えば、Tb2O3、任意の酸化物変態にある酸化ジスプロシウム例えば、Dy2O3、任意の酸化物変態にある酸化ホルミウム例えば、Ho2O3、任意の酸化物変態にある酸化エルビウム例えば、Er2O3、任意の酸化物変態にある酸化ツリウム例えば、Tm2O3、任意の酸化物変態にある酸化イッテルビウム例えば、Yb2O3、任意の酸化物変態にある酸化ルテチウム例えば、Lu2O3、任意の酸化物変態にある酸化スカンジウム例えば、Sc2O3、及び任意の酸化物変態にある酸化ランタン例えば、La2O3からなる群から選択されてよい。この第二酸化物の量は、0~50質量、0~30質量、0~20質量、1~50質量、1~30質量、1~20質量、10~50質量、又は10~30質量の範囲内にあってよい。より好ましくは、この第二酸化物の量は、5~20質量の範囲内にあってよい。このスパッタリングターゲットの実施例態様は、さらに、金属性成分又は孔、又は金属性成分及び孔の組み合わせを含んでよい。第一酸化物又は第一酸化物の混合物、第二酸化物又は第二酸化物の混合物、及び金属性成分を含有する実施例態様においては、この金属性成分は、好ましくは、純粋な金属粉末である。好ましくは、この金属性成分は、酸化物/金属マトリックス内をマイクロスケールで均質に分布している。この金属性成分は、チタンTi、ニオブNb、バナジウムV、イットリウムY、モリブデンMo、ジルコニウムZr、タンタルTa、タングステンW、及びハフニウムHfからなる群から選択された1以上の金属であってよい。この金属性成分の量は、2~20質量、2~15質量、2~10質量、2~6質量、4~20質量、4~15質量、又は4~10質量の範囲内にあってよい。より好ましくは、この金属性成分の量は、4~6質量の範囲内にあってよい。第一酸化物又は第一酸化物の混合物、第二酸化物又は第二酸化物の混合物、及び孔を含有する実施例態様においては、この組成物は、密度70~95、好ましくは80~95を有してよい。第一酸化物又は第一酸化物の混合物、第二酸化物又は第二酸化物の混合物、及び金属性成分及び孔の組み合わせを含有する実施例態様においては、孔形成剤が好ましくは孔を製造するのに使用されてよい。この孔形成剤は、熱分解可能であってよく、例えばポリスチレンである。この孔は、例えば、実施例2にしたがって導入されてもよい。この孔は、好ましくは、酸化物/金属マトリックス内に距離をおいて分散している。上述の実施態様においては、スパッタリングターゲットの割れ易さは低下しているか又は取り除かれている。より高い出力密度でのスパッタリングのために使用される、孔及び/又は金属を有するスパッタリングターゲットにより、全ターゲット寿命を通じてこの析出速度が最大限にされる。さらに、ターゲットが割れ及び致命的な欠陥、例えば破断を示す傾向は、より高い出力密度へとシフトされるか、又は回避さえされる。様々な方法が、孔及び/又は金属を有するスパッタリングターゲットの製造のために使用されてよい。実施例1本発明の実施例態様と一致したスパッタリングターゲットの製造方法は、以下の工程を含んでよい:金属酸化物粉末と金属粉末を乾式混合する工程、及びこの混合物をホットプレス又はHIPにより成形する工程。この実施例態様においては、好ましくは、金属粉末は10~20質量であってよい。これは、完全な分布を達成するためである。この金属酸化物粉末及びこの金属粉末は、好ましくは、1~150μmの範囲内の粒径を有する。混合後の凝離segregationは、この金属及びこの酸化物の粒径、形状及び密度の間での注意深い最適化により回避されるべきである。この混合物は、好ましくは、使用される酸化物に依存して、600~1400°Cの温度で成形されてよい。実施例2さらなる本発明の実施例態様と一致したスパッタリングターゲットの製造方法は、以下の工程を含んでよい:金属酸化物粉末と金属粉末をスラリー中で混合する工程、ドライスプレーする工程この混合物をプレスにより成形する工程、及び不活性雰囲気又は真空中で焼結する工程。これらの実施例態様において、このスラリーは溶媒を含んでよく、その際、この溶媒は、水又は任意のアルコールであってよい。異なる密度を有するスパッタリングターゲットは、このスパッタリングターゲットの製造方法の間のこの焼結パラメーター例えば、温度及び時間の変動により達成されてよい。このようにすることにより、70~95、好ましくは80~95の低密度を有するスパッタリングターゲットが製造されてよい。実施例3さらなる本発明の実施例態様と一致したスパッタリングターゲットの製造方法は、以下の工程を含んでよい:金属酸化物粉末又は複数の金属酸化物粉末の混合物をスラリー中で混合する工程、ドライスプレーする工程、この混合物をプレスにより成形する工程、及び不活性雰囲気又は真空中で焼結する工程。これらの実施例態様において、このスラリーは溶媒を含んでよく、その際、この溶媒は、水又は任意のアルコールであってよい。異なる密度を有するスパッタリングターゲットは、このスパッタリングターゲットの製造方法の間のこの焼結パラメーター例えば、温度及び時間の変動により達成されてよい。このようにすることにより、70~95、好ましくは80~95の低密度を有するスパッタリングターゲットが製造されてよい。実施例4またさらなる本発明の実施例態様と一致したスパッタリングターゲットの製造方法は、以下の工程を含んでよい:金属酸化物粉末とカーボン/グラファイトを混合する工程、前記混合物を熱処理するか、又は前記混合物を水素又は一酸化炭素CO中で熱処理し、金属相を形成する工程、前記混合物を成形する工程、及び焼結する工程。これら実施態様においては、この混合工程は、乾式混合又はスラリー中の混合であってよい。このスラリーは溶媒を含んでよく、この溶媒水又は任意のアルコールであってよい。実施例5またさらなる本発明の実施例態様と一致したスパッタリングターゲットの製造方法は、以下の工程を含んでよい:金属酸化物粉末に孔形成剤を添加する工程、プレス処理により成形する工程、熱分解する工程、及び焼結する工程。これら実施態様において、この分解工程及び焼結工程は、周囲雰囲気中で実施されてよい。多孔性の金属-酸化物構造は残存する。実施例6またさらなる本発明の実施例態様と一致したスパッタリングターゲットの製造方法は、以下の工程を含んでよい:金属酸化物粉末及び金属粉末の混合物に孔形成剤を添加する工程、プレス処理により成形する工程、熱分解する工程、及び焼結する工程。これら実施態様においては、孔は、熱分解可能な孔形成剤の使用により導入されてよい。多孔性の金属-酸化物-金属構造は、分解工程及び引き続く焼結工程後に残存する。実験結果いくつかのスパッタリング試験が、実施例態様において説明したとおりの様々なスパッタリングターゲットのクラッキングし易さを調べるために実施されている。標準的な酸化物材料を含有するスパッタリングターゲットも同じ試験にかけられており、かつ、孔及び/又は金属を有するスパッタリングターゲットに対して比較されている。各スパッタリングターゲットの寸法は488mm×88mm×6mmである。このスパッタリングプロセスは、次の工程を含む:I.スパッタリングチャンバー中にスパッタリングターゲットを導入する工程;II.30分以内に2W/cm2ターゲット領域に出力を増やす工程;III.1時間この出力レベルでターゲットを始動する工程;IV.15分間以内に出力を0kWに減少させる工程;V.スパッタリングチャンバーからターゲットを取り除く工程;VI.ターゲットの状態を視覚的にチェックする工程;VII.工程I~VIを繰り返す工程、その際工程IIは以下の増加した出力設定を有する;◆3W/cm2、◆4W/cm2、◆6W/cm2、◆8W/cm2、◆10W/cm2、◆12W/cm2、◆14W/cm2、VIII.以下を含むスパッタリングターゲットのそれぞれに対して工程I~VIIを繰り返す工程:◆TiO2、◆TiO22質量Ti、◆TiO25質量Ti、◆TiO210質量Nb2O55質量Ti、◆TiO287の低密度/13の多孔性;◆Nb2O55質量Nb、及び◆Nb2O5。密度[]は、見かけ密度appatentdensity[g/cm3]及び理論かさ密度theoreticalbulkdensity[g/cm3]の間の比として定義される、すなわち次のとおりである。ターゲットの密度はその多孔性に関連する。より具体的には、より高いパーセンテージの密度を有するターゲットがより低い多孔性を有するはずである。第I表は、この実験結果を示す。この結果のために、割れ特性の定義は、第II表に示されるとおりであり、ここで、xはcm2あたりの割れの数であり、yは割れ長さcmである:この実験結果からは、TiO2純粋な金属-酸化物で達成されることができる出力密度より少なくとも10より高い出力密度で、高屈折率層のDC/RFスパッタリングについて、TiO22質量Ti、TiO25質量Ti、TiO210質量Nb2O55質量Ti、TiO287の低密度/13の多孔性、及び、Nb2O55質量のNbを含有するスパッタリングターゲットの使用が観察されることができる。結論として、高出力密度での高屈折率層のDC/RFスパッタリングのための、酸化物、金属性成分及び/又は孔を含有するスパッタリングターゲットは、純粋な金属酸化物のみを含有するスパッタリングターゲットを超えて改善したスパッタリング性能を有する。