画素電極を有する第1基板と、透明電極を有する第2基板とを有し、前記第1基板と前記第2基板が、各々に形成された電極を対向させ、シール材を介して貼り合わされてなる液晶表示素子において、前記第2基板には、前記第1基板の画素電極の画像表示領域を規定する遮光膜が形成されており、当該遮光膜に対向する反射膜が形成されていることを特徴とする液晶表示素子。前記遮光膜と前記反射膜は、前記第2基板の透明電極形成面とは反対の面に、前記透明電極形成面に近い方から前記反射膜、前記遮光膜の順に積層して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。前記遮光膜と前記反射膜は、前記第2基板の透明電極形成面と同一面に、前記透明電極形成面に近い方から前記遮光膜、前記反射膜の順に積層して形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示素子。前記遮光膜は、前記第2基板の透明電極形成面とは反対の面に形成され、前記反射膜は、前記第2基板の透明電極形成面と同一面に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示素子。前記遮光膜と前記反射膜は、平面視したとき前記シール材の一部のみを覆っていることを特徴とする請求項1~4の何れか一つに記載の液晶表示素子。前記シリコン基板2とガラス基板3を接合する前記シール材4は、一般的に紫外線硬化型の樹脂であるが、前記液晶表示素子1の場合、前記対向電極6上に前記シール材4と対応する位置関係の前記遮光膜8が設けられており、紫外線の照射が妨げられるため熱硬化型の樹脂を使用する必要がある。一般に前記シリコン基板2と前記ガラス基板3は1μm~10μm程の間隙を有している。近年、液晶表示素子はより高品質な画質を求められるため、±10nm以内の均一幅の間隙を得る必要があるが、一般に熱硬化型の樹脂を使用した場合、硬化に時間がかかるため、硬化中に間隙が変化し不均一となってしまい高品質な画質が得られないことが課題となっている。本発明は、低コストで、より高品質な表示性能を有する液晶表示素子を提供することを目的とする。上記問題を解決するための本発明の液晶表示素子は、画素電極を有する第1基板と、透明電極を有する第2基板とを有し、前記第1基板と前記第2基板が、各々に形成された電極を対向させ、シール材を介して貼り合わされてなる液晶表示素子において、前記第2基板には、第1基板の画素電極の画像表示領域を規定する遮光膜が形成されており、当該遮光膜に対向する反射膜が形成されていることを特徴とする。このような構成により、前記シール材からの反射による表示品質の低下を防ぐことが可能であり、尚且つシール材に対して、第1基板上の反射膜と第2基板上の反射膜の間で互いにシール材硬化促進用の紫外線を反射させることで硬化が促される。また、本発明の液晶表示素子は、前記遮光膜と前記反射膜は、前記第2基板の透明電極形成面とは反対の面に、前記透明電極形成面に近い方から前記反射膜、前記遮光膜の順に積層して形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、透明電極形成面に、反射膜、遮光膜を形成しない構成となるので透明電極形成面の平坦性を維持することが可能であり、前記第1基板と前記第2基板との間の間隙を均一に保つことが可能になる。また、本発明の液晶表示素子は、前記遮光膜と前記反射膜は、前記第2基板の透明電極形成面と同一面に、前記透明電極形成面に近い方から前記遮光膜、前記反射膜の順に積層して形成されていることを特徴とする。このような構成により、遮光膜と前記シール材との距離を短くすることが可能であり、前記遮光膜による前記第1基板上への影が小さくなり、表示品質に与える影響を低減することが可能になる。また、発明の液晶表示素子は、前記遮光膜は、前記第2基板の透明電極形成面とは反対の面に形成され、前記反射膜は、前記第2基板の透明電極形成面と同一面に形成されていることを特徴とする。このような構成により、前記遮光膜は前記反射膜と別々の面に構成されるため、前記遮光膜を形成する際の位置だしが容易になり、生産効率が高くなるという利点がある。また、透明電極形成面側の膜の厚みを低減することが可能なため、前記第1基板と前記第2基板との間の間隙の均一性を向上させることが可能である。また、発明の液晶表示素子は、前記遮光膜と前記反射膜は、平面視したとき前記シール材の一部のみを覆っていることを特徴とする。このような構成によって、シール材への紫外線照射の効率を高めることが可能であり、紫外線照射時間の短縮が可能になることでシール材硬化中の液晶表示素子における間隙の変化を抑制し、高品質なパネルの提供が可能になる。前記第2基板に前記シール材と対応する位置関係の遮光膜と反射膜を備え、前記シール材への紫外線照射効率を大きくすることによって前記シール剤の硬化条件が向上し、硬化時間の短縮し、高信頼性なパネルを提供することが可能になる。実施例1図1は、本実施例による液晶表示素子を示す図であり、Aは上面図、BはA-A断面図である。なお、従来技術と共通する部材に関しては同一の符号を用いて説明する。2は、画素電極5を有する第1基板で、例えばシリコン基板である。3は、前記シリコン基板2に相対する対向電極6を有する第2基板で、例えばガラス基板である。4は、前記ガラス基板3とシリコン基板2を貼付するためのシール材であり、例えば紫外線硬化樹脂である。シリコン基板2とガラス基板3はシール材4により接着され、液晶不図示を介し、均一な位置関係で貼り合わせて液晶表示素子1を構成している。7は、前記シリコン基板2の画素電極の上層で基板全面に形成された反射膜であり、高反射なアルミ薄膜である。8は、前記ガラス基板3に形成された遮光膜であり、低反射で遮光性の高いクロム薄膜である。9は、前記ガラス基板3に形成された反射膜であり、高反射なアルミ薄膜である。これらガラス基板3の遮光膜8と反射膜9は互いに積層して形成されており、前記画素電極5と前記シール材4とは図1に示すような位置関係となっている。前記2枚の基板を接合するシール材4はガラス基板3の上面から見て、遮光膜8に完全に隠れてしまっている。しかしながら、本実施例の構成においてはガラス基板3の反射膜9およびシリコン基板2の反射膜7が互いに対向しているため、斜めから入射した紫外線が互いに反射を繰り返すことによって、シール材4の中央まで到達することが可能である。続いて、前述の本実施例の液晶表示素子の製造方法について図5を参照して説明する。図5は紫外線照射装置と貼りあわされた2枚のマザー基板の側面図である。片側に厚さ10nm程度でITO酸化インジウムスズからなる透明電極6を備えた、φ8インチ、厚さ700μmのホウケイサンガラスで構成された第2マザー基板11の、前記透明電極6とは反対側の面に、幅800μmの四角状に高反射アルミを真空蒸着によって形成した。膜の形成条件は以下の通りである。まず、第2マザー基板にフォトマスクを使用して反射膜の不要部分にレジストを形成した。その後、純アルミニウムをターゲットとして、ガラス基板に10-5mmHg程度の真空中で数秒程度の短時間で蒸着させた。これにより得られる膜厚は100nmであって、可視領域の波長における反射率は90以上であった。続いて、アルミ蒸着層の上に低反射酸化クロムをターゲットとして、反応性スパッタリングの雰囲気ガスとして酸素ガス比率1~5、窒素ガス比率10~40、不活性ガス45~89からなる混合ガスを用いて、スパッタ圧力2~6mtorr、スパッタパワー電力0.5~5Wcm2で蒸着した。このときの製膜時間は約30分であり、100nmの膜厚が得られ、このときの酸化クロム層の反射率は可視領域において40以下であり、透過率は99以上であった。低反射酸化クロム膜の生成後、レジスト材を溶剤により除去し、必要な部分にのみ遮光膜8と反射膜9を積層できた。次に上記の第2マザー基板11上に形成された積層膜に対応する画素領域5及び反射膜7を備えたφ8インチ、厚さ700μmのシリコン回路基板からなる第1マザー基板10に対し、300Å程度の厚さのポリイミド膜を形成し、ラビング装置により配向膜を形成した。この際のラビング角度及びラビングローラーの回転速度、加圧条件は液晶の種類液晶の駆動モードなどによって調整する必要がある。前記第2マザー基板11の透明電極側6の面に対しても同様の方法によって、配向膜を形成した。続いて、配向膜を形成した2枚のマザー基板を貼り合せる。前記第1マザー基板10上のそれぞれの画素領域5の周囲にφ0.5~3μmのビーズスペーサーを重量比で1程度内包した紫外線硬化樹脂例えば協立化学社のWR-798Lをシール材4としてディスペンサーで塗布する。本実施例において、シール幅は500μmとした。シール材4が塗布された状態の前記第1マザー基板10の画素領域およびシール材4に、前記第2マザー基板11を、遮光膜および反射膜で規定される領域が対応するように正確に重ねあわせた。このとき、エアバッグにより均一な加圧を行うことにより、2枚のマザー基板の間に均一性の高い間隙を形成することが出来る。続いて、シール材4を紫外線15図中の矢印によって硬化する。紫外線照射ランプ12は高圧水銀ランプを用い、マザー基板の設置位置から500mm程度の高さに設置されている。前記紫外線照射ランプ12の上には反射板13が備えられ、紫外線照射ランプ12から直接あるいは反射板13からの光は、その先の拡散板14を介して紫外線15の照射が均一になるようになっている。このとき紫外線15の照射強度は150mW/cm2であり、照射時間は240secである。前記シール材4は紫外線の照射のあとに熱を加えることで完全に硬化するため、100度の雰囲気中で2時間の焼成を行った。本実施例において、第2マザー基板上11上の遮光膜8の幅は800μmであるのに対し、シール材4の幅は500μmである。このとき、シールの中心にまで直接入射させるには入射角が25度以上である必要があるが、紫外線15は紫外線照射ランプ12とマザー基板の位置関係からほぼ真上から照射されるようになるため、直接光は大半ががカットされている計算になる。ところが、本実施例においては前記遮光膜8の裏側に前記反射膜9が存在するため、第1マザー基板上の反射膜7との間で光が反射を繰り返しながら進行する。本実施例ではガラスの透過率は88、アルミ反射膜の反射率は90以上であるため、シールの中央までロスが少なく紫外線15を到達させることが可能である。貼りあわされた2枚のマザー基板は、ダイシングソーによってスクライブストリートに沿ってハーフカットされ、ブレーク装置によって切断した。それにより単個の液晶表示素子1として取り出される。その後、ディップ方式によって真空中で液晶を注入し、注入口を封止することで本実施例の液晶表示素子が完成した。実施例2図2は本実施例における液晶表示素子の構成を示した図である。前記実施例1における液晶表示素子と異なる点は、前記遮光膜8と前記反射膜9がガラス基板3の透明電極6上に形成されている点である。従って、本実施例の構成によって、遮光膜8と反射膜9の積層膜とシリコン基板2までの距離を、前記実施例1の液晶表示素子の場合と比較してガラスの厚み分、すなわち700μm程度近づけることが可能になる。本実施例による液晶表示素子は反射型の液晶表示素子であるため、使用する際は素子の全面から光を入射させる必要があるが、光の入射角度には一定のバラツキがあり、仮に入射角度に±5°のバラツキを持った光が素子に対して入射された場合、前記実施例1の液晶表示素子では、遮光膜8と反射膜9の積層膜の内側周囲約60μmに影ができる計算になるが、本実施例の構成では影はほとんど発生せず、表示品質に与える影響をごく軽微にすることが可能である。実施例3図3は本実施例における液晶表示素子の構成を示した図である。前記実施例1における液晶表示素子と異なる点は、前記遮光膜8がガラス基板3の透明電極6の反対面に形成され、前記反射膜9がガラス基板の透明電極6上の面に形成されている点である。前記実施例1において、前記反射膜9の上に前記遮光膜8を積層して形成しているが、実際には成膜の仕上がり状態によっては、反射膜のエッジを遮光膜が完全に覆いきれないことがある。これに対して、本実施例の構成では、前記遮光膜と前記反射膜を別々の面に形成するため、遮光膜を60μ程度反射膜よりも大きくすることにより、反射膜のエッジからの光の反射を完全に遮ることが容易に可能であり、製造効率と歩留まりの向上が可能になる。実施例4図4は本実施例における液晶表示素子の構成を示した図である。前記実施例1における液晶表示素子と異なる点は、前記遮光膜8と前記反射膜9の積層膜が平面視したとき前記シール材4の半分のみを覆っていることである。本実施例においてシール材4の幅は500μmであり、遮光膜8と反射膜9の積層膜の幅は400μmと前記実施例の半分とした。これにより、シール材4の内側250μmが遮光膜8と反射膜9の積層膜で覆われる形になり、もう半分の250μmは平面視した際に露出している状態である。このような構成にすることによって外周部のシール材4に直接紫外線を照射することが可能になり、シール材4の外周から250μmの部分を瞬時にして硬化できるため、硬化中の発熱によって基板が変形することによる基板間隔の均一性に与える影響を低減することが出来る。また、遮光膜8と反射膜9の積層膜によって覆われる250μmについても面積が小さいため、前記実施例1よりも半分程度の紫外線照射時間で硬化できた。このとき紫外線の照射強度は150mW/cm2であり、照射時間は120secであった。