シリコン基板上に平面状シリコン層を形成し、前記平面状シリコン層上に第1の柱状シリコン層と第2の柱状シリコン層とを形成する第1の工程と、前記第1の工程の後、前記第1及び前記第2の柱状シリコン層の周囲にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜の周囲に金属膜及びポリシリコンを堆積するとともに平坦化をし、エッチングを行うことにより前記第1及び前記第2の柱状シリコン層の上部とを露出し、前記第1の柱状シリコン層の上部側壁に第1の絶縁膜サイドウォールを形成し、前記第2の柱状シリコン層の上部側壁に第2の絶縁膜サイドウォールを形成し、前記ゲート絶縁膜の周囲に金属膜とポリシリコンの積層構造からなる第1のゲート電極と第2のゲート電極とを形成し、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極とに接続されたゲート配線を形成する第2の工程と、前記第2の工程の後、前記第1の柱状シリコン層の上部に第1のn型拡散層を形成し、前記第1の柱状シリコン層の下部と前記平面状シリコン層の上部に第2のn型拡散層を形成し、前記第2の柱状シリコン層の上部に第1のp型拡散層を形成し、前記第2の柱状シリコン層の下部と前記平面状シリコン層の上部に第2のp型拡散層を形成する第3の工程と、前記第3の工程の後、前記第1及び前記第2の絶縁膜サイドウォールと前記第1及び前記第2のゲート電極と前記ゲート配線の側壁とに第3の絶縁膜サイドウォールを形成する第4の工程と、前記第4の工程の後、前記第1及び前記第2のn型拡散層上と前記第1及び前記第2のp型拡散層上と前記ゲート配線上とにシリサイドを形成する第5の工程と、を有する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記シリコン基板上に前記第1及び前記第2の柱状シリコン層を形成するための第1のレジストを形成し、前記シリコン基板をエッチングし、前記第1及び前記第2の柱状シリコン層とを形成し、前記第1のレジストを除去し、前記平面状シリコン層を形成するための第2のレジストを形成し、前記シリコン基板をエッチングし、前記平面状シリコン層を形成し、前記第2のレジストを除去する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記シリコン基板上に形成された前記平面状シリコン層と、前記平面状シリコン層上に形成された前記第1の柱状シリコン層と、前記平面状シリコン層上に形成された第2の柱状シリコン層と、前記平面状シリコン層の周囲に第1の絶縁膜が形成された構造において、前記第1及び前記第2の柱状シリコン層の周囲に前記ゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の周囲に金属膜を形成し、ポリシリコンを堆積するとともに平坦化し、前記ポリシリコンをエッチングし、前記金属膜を露出させ、前記ポリシリコンをエッチングし、前記第1及び前記第2の柱状シリコン層の上部とを露出し、前記金属膜をエッチングし、第2の酸化膜と第1の窒化膜とを堆積し、前記第1の窒化膜をサイドウォール状にエッチングすることで、窒化膜サイドウォールを形成し、前記第2の酸化膜と前記窒化膜サイドウォールとが前記第1及び前記第2の絶縁膜サイドウォールとなり、前記第1及び前記第2のゲート電極と前記ゲート配線とを形成するために、前記第1及び前記第2の柱状シリコン層の上部を覆うように第3のレジストを形成し、前記第2の酸化膜をエッチングし、前記ポリシリコンをエッチングし、前記金属膜をエッチングし、前記第1及び前記第2のゲート電極と前記ゲート配線とを形成した後、前記第3のレジストを除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。第1のn型拡散層と第2のn型拡散層とを形成するための第4のレジストを形成し、砒素を注入し、前記第1及び前記第2のn型拡散層とを形成し、前記第4のレジストを除去し、第3の酸化膜を堆積した後、熱処理を行い、前記第3の酸化膜を除去し、前記第2の酸化膜と前記ゲート絶縁膜とをエッチングし、前記第2の酸化膜は、エッチングされ、前記第1及び前記第2の柱状シリコン層の周囲に残存し酸化膜サイドウォールとなり、前記酸化膜サイドウォールと前記窒化膜サイドウォールとが前記第1の絶縁膜サイドウォールとなるとともに、前記酸化膜サイドウォールと前記窒化膜サイドウォールとが前記第2の絶縁膜サイドウォールとなり、第1のp型拡散層と第2のp型拡散層とを形成するための第5のレジストを形成し、ボロンを注入し、前記第1及び前記第2のp型拡散層を形成し、前記第5のレジストを除去し、を堆積した後、熱処理を行う、ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。第2の窒化膜をさらに堆積し、前記第2の窒化膜をサイドウォール状にエッチングすることで、第3の絶縁膜サイドウォールとなる窒化膜サイドウォールを形成する、ことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。シリコン基板上に形成された平面状シリコン層と、前記平面状シリコン層上に形成された第1及び第2の柱状シリコン層と、前記第1の柱状シリコン層の周囲に形成された第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜の周囲に形成された金属膜及びポリシリコンの積層構造からなる第1のゲート電極と、前記第2の柱状シリコン層の周囲に形成された第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜の周囲に形成された金属膜及びポリシリコンの積層構造からなる第2のゲート電極と、前記第1及び前記第2のゲート電極に接続されたゲート配線と、前記第1の柱状シリコン層の上部に形成された第1のn型拡散層と、前記第1の柱状シリコン層の下部と前記平面状シリコン層の上部とに形成された第2のn型拡散層と、前記第2の柱状シリコン層の上部に形成された第1のp型拡散層と、前記第2の柱状シリコン層の下部と前記平面状シリコン層の上部とに形成された第2のp型拡散層と、前記第1の柱状シリコン層の上部側壁と前記第1のゲート電極上部とに形成された第1の絶縁膜サイドウォールと、前記第2の柱状シリコン層の上部側壁と前記第2のゲート電極上部とに形成された第2の絶縁膜サイドウォールと、前記第1及び前記第2の絶縁膜サイドウォールと前記第1及び前記第2のゲート電極と前記ゲート配線の側壁とに形成された第3の絶縁膜サイドウォールと、前記第1及び前記第2のn型拡散層上と前記第1及び前記第2のp型拡散層上と、ゲート配線上に形成されたシリサイドと、を有する、ことを特徴とする半導体装置。そこで、本発明は、工程数が少なく、ゲートのエッチング中にシリコン柱上部が保護される半導体装置SGTの製造方法、及び、半導体装置SGTの構造を提供することを目的とする。本発明の第1の観点に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板上に平面状シリコン層を形成し、前記平面状シリコン層上に第1の柱状シリコン層と第2の柱状シリコン層とを形成する第1の工程と、前記第1の工程の後、前記第1及び前記第2の柱状シリコン層の周囲にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜の周囲に金属膜及びポリシリコンを堆積するとともに平坦化をし、エッチングを行うことにより前記第1及び前記第2の柱状シリコン層の上部とを露出し、前記第1の柱状シリコン層の上部側壁に第1の絶縁膜サイドウォールを形成し、前記第2の柱状シリコン層の上部側壁に第2の絶縁膜サイドウォールを形成し、前記ゲート絶縁膜の周囲に金属膜とポリシリコンの積層構造からなる第1のゲート電極と第2のゲート電極とを形成し、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極とに接続されたゲート配線を形成する第2の工程と、前記第2の工程の後、前記第1の柱状シリコン層の上部に第1のn型拡散層を形成し、前記第1の柱状シリコン層の下部と前記平面状シリコン層の上部に第2のn型拡散層を形成し、前記第2の柱状シリコン層の上部に第1のp型拡散層を形成し、前記第2の柱状シリコン層の下部と前記平面状シリコン層の上部に第2のp型拡散層を形成する第3の工程と、前記第3の工程の後、前記第1及び前記第2の絶縁膜サイドウォールと前記第1及び前記第2のゲート電極と前記ゲート配線の側壁とに第3の絶縁膜サイドウォールを形成する第4の工程と、前記第4の工程の後、前記第1及び前記第2のn型拡散層上と前記第1及び前記第2のp型拡散層上と前記ゲート配線上とにシリサイドを形成する第5の工程と、を有する、ことを特徴とする。前記シリコン基板上に前記第1及び前記第2の柱状シリコン層を形成するための第1のレジストを形成し、前記シリコン基板をエッチングし、前記第1及び前記第2の柱状シリコン層とを形成し、前記第1のレジストを除去し、前記平面状シリコン層を形成するための第2のレジストを形成し、前記シリコン基板をエッチングし、前記平面状シリコン層を形成し、前記第2のレジストを除去する、ことが好ましい。前記シリコン基板上に形成された前記平面状シリコン層と、前記平面状シリコン層上に形成された前記第1の柱状シリコン層と、前記平面状シリコン層上に形成された第2の柱状シリコン層と、前記平面状シリコン層の周囲に第1の絶縁膜が形成された構造において、前記第1及び前記第2の柱状シリコン層の周囲に前記ゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の周囲に金属膜を形成し、ポリシリコンを堆積するとともに平坦化し、前記ポリシリコンをエッチングし、前記金属膜を露出させ、前記ポリシリコンをエッチングし、前記第1及び前記第2の柱状シリコン層の上部とを露出し、前記金属膜をエッチングし、第2の酸化膜と第1の窒化膜とを堆積し、前記第1の窒化膜をサイドウォール状にエッチングすることで、窒化膜サイドウォールを形成し、前記第2の酸化膜と前記窒化膜サイドウォールとが前記第1及び前記第2の絶縁膜サイドウォールとなり、前記第1及び前記第2のゲート電極と前記ゲート配線とを形成するために、前記第1及び前記第2の柱状シリコン層の上部を覆うように第3のレジストを形成し、前記第2の酸化膜をエッチングし、前記ポリシリコンをエッチングし、前記金属膜をエッチングし、前記第1及び前記第2のゲート電極と前記ゲート配線とを形成した後、前記第3のレジストを除去する、ことが好ましい。第1のn型拡散層と第2のn型拡散層とを形成するための第4のレジストを形成し、砒素を注入し、前記第1及び前記第2のn型拡散層とを形成し、前記第4のレジストを除去し、第3の酸化膜を堆積した後、熱処理を行い、前記第3の酸化膜を除去し、前記第2の酸化膜と前記ゲート絶縁膜とをエッチングし、前記第2の酸化膜は、エッチングされ、前記第1及び前記第2の柱状シリコン層の周囲に残存し酸化膜サイドウォールとなり、前記酸化膜サイドウォールと前記窒化膜サイドウォールとが前記第1の絶縁膜サイドウォールとなるとともに、前記酸化膜サイドウォールと前記窒化膜サイドウォールとが前記第2の絶縁膜サイドウォールとなり、第1のp型拡散層と第2のp型拡散層とを形成するための第5のレジストを形成し、ボロンを注入し、前記第1及び前記第2のp型拡散層を形成し、前記第5のレジストを除去し、を堆積した後、熱処理を行う、ことが好ましい。第2の窒化膜をさらに堆積し、前記第2の窒化膜をサイドウォール状にエッチングすることで、第3の絶縁膜サイドウォールとなる窒化膜サイドウォールを形成する、ことが好ましい。また、本発明の第2の観点に係る半導体装置は、シリコン基板上に形成された平面状シリコン層と、前記平面状シリコン層上に形成された第1及び第2の柱状シリコン層と、前記第1の柱状シリコン層の周囲に形成された第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜の周囲に形成された金属膜及びポリシリコンの積層構造からなる第1のゲート電極と、前記第2の柱状シリコン層の周囲に形成された第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜の周囲に形成された金属膜及びポリシリコンの積層構造からなる第2のゲート電極と、前記第1及び前記第2のゲート電極に接続されたゲート配線と、前記第1の柱状シリコン層の上部に形成された第1のn型拡散層と、前記第1の柱状シリコン層の下部と前記平面状シリコン層の上部とに形成された第2のn型拡散層と、前記第2の柱状シリコン層の上部に形成された第1のp型拡散層と、前記第2の柱状シリコン層の下部と前記平面状シリコン層の上部とに形成された第2のp型拡散層と、前記第1の柱状シリコン層の上部側壁と前記第1のゲート電極上部とに形成された第1の絶縁膜サイドウォールと、前記第2の柱状シリコン層の上部側壁と前記第2のゲート電極上部とに形成された第2の絶縁膜サイドウォールと、前記第1及び前記第2の絶縁膜サイドウォールと前記第1及び前記第2のゲート電極と前記ゲート配線の側壁とに形成された第3の絶縁膜サイドウォールと、前記第1及び前記第2のn型拡散層上と前記第1及び前記第2のp型拡散層上と、ゲート配線上に形成されたシリサイドと、を有する、ことを特徴とする。本発明によれば、工程数が少なく、ゲートのエッチング中にシリコン柱上部が保護される半導体装置SGTの製造方法、及び、半導体装置SGTの構造を提供することができる。また、シリコン柱下部拡散層、上部拡散層を同時に形成するため、工程数を低減することができる。また、第1及び第2のゲート電極とゲート配線とを形成するために、第1の柱状シリコン層の上部と第2の柱状シリコン層の上部とを覆うように第3のレジストを形成するため、第1及び第2の柱状シリコン層の上部とが第3のレジストで覆われるので、エッチング中にゲート絶縁膜がエッチングされ、柱状シリコン層がエッチングされることが防止される。また、第1のゲート電極は、上部が第1の絶縁膜サイドウォールに覆われ、側壁が第3の絶縁膜サイドウォールに覆われている。第1の絶縁膜サイドウォールの側壁は第3の絶縁膜サイドウォールに覆われている。従って、平面状シリコン層上部の拡散層上に形成するコンタクトが、第1のゲート電極側に位置ずれしたとき、第1のゲート電極とコンタクトが短絡することを防止できる。これと同様に、第2のゲート電極は、上部が第2の絶縁膜サイドウォールで覆われ、側壁が第3の絶縁膜サイドウォールで覆われる。また、第2の絶縁膜サイドウォールの側壁は第3の絶縁膜サイドウォールで覆われる。従って、平面状シリコン層上部の拡散層上に形成するコンタクトが第2のゲート電極の近傍に形成されたとき、そのコンタクトが第2のゲート電極側に位置ずれしたとき、第2のゲート電極とコンタクトが短絡することが防止される。以下、本発明の実施形態に係る、SGTの構造を有する半導体装置の製造工程を、図2~図48を参照しながら説明する。第1の工程以下に、シリコン基板101上に平面状シリコン層107と、平面状シリコン層107上とに、第1の柱状シリコン層105と第2の柱状シリコン層104と、を形成する第1の工程を示す。まず、図2に示すように、シリコン基板101上に第1の柱状シリコン層105と第2の柱状シリコン層104とを形成するための第1のレジスト102、103を形成する。次に、図3に示すように、シリコン基板101をエッチングし、第1の柱状シリコン層105と第2の柱状シリコン層104とを形成する。続いて、図4に示すように、第1のレジスト102、103を除去する。続いて、図5に示すように、平面状シリコン層107を形成するための第2のレジスト106を形成する。続いて、図6に示すように、シリコン基板101をエッチングし、平面状シリコン層107を形成する。続いて、図7に示すように、第2のレジスト106を除去する。以上により、シリコン基板101上に平面状シリコン層107と、平面状シリコン層107上とに、第1の柱状シリコン層105と第2の柱状シリコン層104とを形成する第1の工程が示された。次に、図8に示すように、第1の酸化膜108を堆積するとともにその表面を平坦化する。そして、図9に示すように、第1の酸化膜108をエッチングし、平面状シリコン層107の周囲に残存させる。第2の工程次に、第2の工程、即ち、図9に示すように、第1の柱状シリコン層105及び第2の柱状シリコン層104の周囲にゲート絶縁膜109を形成し、ゲート絶縁膜109の周囲に金属膜110とポリシリコン111とを堆積するとともにその表面を平坦化し、エッチングすることにより第1の柱状シリコン層105と第2の柱状シリコン層104の上部とを露出させる。そして、第1の柱状シリコン層105の上部側壁に第1の絶縁膜サイドウォール201を形成し、第2の柱状シリコン層104の上部側壁に第2の絶縁膜サイドウォール200を形成し、ゲート絶縁膜の周囲に金属膜110及びポリシリコン111の積層構造からなる第1のゲート電極117bと第2のゲート電極117aとを形成する。そして、第1のゲート電極117bと第2のゲート電極117aとに接続されたゲート配線117cを形成する第2の工程を示す。まず、図10に示すように、第1の柱状シリコン層105及び第2の柱状シリコン層104の周囲にゲート絶縁膜109を形成する。ここでのゲート絶縁膜109の材質としては、酸化膜、酸化膜及び窒化膜の積層構造、窒化膜、または、高誘電体膜が使用できる。次に、図11に示すように、ゲート絶縁膜109の周囲に金属膜110を形成する。ここでの金属膜110には、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタルなどのゲート電極に使用しうる金属材料が使用できる。続いて、図12に示すように、ポリシリコン111を堆積するとともにその表面を平坦化する。続いて、図13に示すように、ポリシリコン111をエッチングする。続いて、図14に示すように、ポリシリコン111をエッチングし、金属膜110を露出させる。続いて、図15に示すように、ポリシリコン111をエッチングし、第1の柱状シリコン層105及び第2の柱状シリコン層の上部を露出させる。続いて、図16に示すように、金属膜110をエッチングする。ここでは、ウエットエッチングを用いることが好ましい。続いて、図17に示すように、第2の酸化膜112と第1の窒化膜113とを堆積する。続いて、図18に示すように、第1の窒化膜113をエッチングすることで2つの柱状体の側壁にサイドウォール状に残存させ、窒化膜サイドウォール114、115を形成する。ここでは、第1の酸化膜112と窒化膜サイドウォール115とから第1の絶縁膜サイドウォール201が形成される。また、第1の酸化膜112と窒化膜サイドウォール114とから第2の絶縁膜サイドウォール200が形成される。続いて、図19に示すように、第1のゲート電極117bと、第2のゲート電極117aと、ゲート配線117cと、を形成するために、第1の柱状シリコン層105の上部と第2の柱状シリコン層104の上部とを覆うように第3のレジスト116を形成する。このとき、第1の柱状シリコン層105の上部と第2の柱状シリコン層104の上部とが第3のレジストで覆われるので、エッチング中にゲート絶縁膜109がエッチングされてしまい、柱状シリコン層がエッチングされることが防止される。続いて、図20に示すように、第2の酸化膜112をエッチングする。続いて、図21に示すように、ポリシリコン111をエッチングし、金属膜110をエッチングし、第1のゲート電極117bと、第2のゲート電極117aと、ゲート配線117cと、を形成する。続いて、図22に示すように、第3のレジスト116を除去する。続いて、図23に示すように、金属膜110の残渣を除去するためにウエットエッチングを行う。この処理は、金属膜110の残渣が存在しない場合には省略できる。以上により、第2の工程、即ち、第1の柱状シリコン層105及び第2の柱状シリコン層104の周囲にゲート絶縁膜109を形成し、ゲート絶縁膜109の周囲に金属膜110とポリシリコン111とを堆積するとともにその表面を平坦化し、さらにエッチングを行うことによって第1の柱状シリコン層105及び第2の柱状シリコン層104の上部を露出させる。そして、第1の柱状シリコン層105の上部側壁に第1の絶縁膜サイドウォール201を形成し、第2の柱状シリコン層104の上部側壁に第2の絶縁膜サイドウォール200を形成する。そして、ゲート絶縁膜109の周囲に金属膜110とポリシリコン111の積層構造からなる第1のゲート電極117bと第2のゲート電極117aを形成する。その後、第1のゲート電極117bと第2のゲート電極117aとに接続されたゲート配線117cを形成する第2の工程が示された。第3の工程次に、第3の工程、即ち、第1の柱状シリコン層105の上部に第1のn型拡散層119を形成し、第1の柱状シリコン層105の下部と平面状シリコン層107の上部とに第2のn型拡散層120を形成する。そして、第2の柱状シリコン層104の上部に第1のp型拡散層125を形成し、第2の柱状シリコン層104の下部と平面状シリコン層107の上部とに第2のp型拡散層126を形成する第3の工程を示す。まず、図24に示すように、第1のn型拡散層119と第2のn型拡散層120とを形成するための第4のレジスト118を形成する。次に、図25に示すように、砒素を注入し、第1のn型拡散層119と第2のn型拡散層120とを形成する。ここでは、砒素の代わりにリンを注入することもできる。続いて、図26に示すように、第4のレジスト118を除去し、第3の酸化膜121を堆積する。続いて、図27を参照して、熱処理を行う。ここでは、NMOSSGTに対して最適化された熱処理を行うことが好ましい。続いて、図28に示すように、第3の酸化膜121を除去し、第2の酸化膜112とゲート絶縁膜109とをエッチングする。第2の酸化膜112はエッチングされ、第1の柱状シリコン層105の周囲に残存し、酸化膜サイドウォール123となるとともに、第2の柱状シリコン層104の周囲に残存し、酸化膜サイドウォール122となる。従って、酸化膜サイドウォール123と窒化膜サイドウォール115とが第1の絶縁膜サイドウォール201となるとともに、酸化膜サイドウォール122と窒化膜サイドウォール114とが第2の絶縁膜サイドウォール200となる。続いて、図29に示すように、第1のp型拡散層125と第2のp型拡散層126とを形成するための第5のレジスト124を形成する。続いて、図30に示すように、ボロンを注入し、第1のp型拡散層125と第2のp型拡散層126とを形成する。続いて、図31に示すように、第5のレジスト124を除去する。続いて、図32に示すように、第2の窒化膜127を堆積する。続いて、図33を参照して、熱処理を行う。ここでは、PMOSSGTに対して最適化された熱処理を行うことが好ましい。以上により、第3の工程、即ち、第1の柱状シリコン層105の上部に第1のn型拡散層119を形成し、第1の柱状シリコン層105の下部と平面状シリコン層107の上部に第2のn型拡散層120を形成する。そして、第2の柱状シリコン層104の上部に第1のp型拡散層125を形成し、第2の柱状シリコン層104の下部と平面状シリコン層107の上部に第2のp型拡散層126を形成する第3の工程が示された。上記実施例においては、ゲート電極を形成した後に第1のn型拡散層と第2のn型拡散層と第1のp型拡散層と第2のp型拡散層を形成した。しかしこれに限られず、柱状シリコン層と平面状シリコン層とを形成した後に、柱状シリコン層の側壁にサイドウォールを形成し、その後に第1のn型拡散層及び第2のn型拡散層を形成し、さらにその後に、第1のp型拡散層及び第2のp型拡散層を形成し、しかる後にゲート電極を形成してもよい。第4の工程次に、第1の絶縁膜サイドウォール201と、第2の絶縁膜サイドウォール202と、第1のゲート電極117bと、第2のゲート電極117aと、ゲート配線117cとの側壁に、第3の絶縁膜サイドウォール202を形成する第4の工程を示す。まず、図34に示すように、第2の窒化膜127をエッチングし、サイドウォール状に残存させ、窒化膜サイドウォール128、129、130を形成する。ここで、窒化膜サイドウォール128は、第3の絶縁膜サイドウォール202となる。このとき、第1のゲート電極117bは、上部が第1の絶縁膜サイドウォール201で覆われ、側壁が第3の絶縁膜サイドウォール202で覆われる。また、第1の絶縁膜サイドウォール201の側壁は第3の絶縁膜サイドウォール202で覆われる。従って、平面状シリコン層上部の拡散層上に形成するコンタクトが、第1のゲート電極側に位置ずれしたとき、第1のゲート電極とコンタクトが短絡することが防止される。同様に、第2のゲート電極117aは、上部が第2の絶縁膜サイドウォール200で覆われ、側壁が第3の絶縁膜サイドウォール202で覆われる。また、第2の絶縁膜サイドウォール200の側壁は第3の絶縁膜サイドウォール202で覆われる。従って、平面状シリコン層上部の拡散層上に形成するコンタクトが第2のゲート電極117aの近傍に形成された場合において、そのコンタクトが第2のゲート電極側に位置ずれしたときに、第2のゲート電極とコンタクトとが短絡することが防止される。以上により、第1の絶縁膜サイドウォール201と、第2の絶縁膜サイドウォール202と、第1のゲート電極117bと、第2のゲート電極117aと、ゲート配線117cの側壁とに第3の絶縁膜サイドウォール202を形成する第4の工程が示された。第5の工程次に、第1のn型拡散層119上と、第2のn型拡散層120上と、第1のp型拡散層125と、第2のp型拡散層126上と、ゲート配線117c上と、にシリサイドを形成する第5の工程を示す。まず、図35に示すように、ニッケルやコバルトといった金属を堆積するとともに熱処理を行い、未反応の金属を除去する。これにより、第1のn型拡散層119上と、第2のn型拡散層120上と、第1のp型拡散層125と、第2のp型拡散層126上と、ゲート配線117c上とに、シリサイド133、134、135、136、132、131、137を形成する。このとき、第2のn型拡散層120と第2のp型拡散層126とがシリサイド134、135によって接続される。インバータの出力端子をシリコン柱下部に形成しないときは、第2のn型拡散層120と第2のp型拡散層126とをシリサイドにより接続することを省略できる。以上により、前記第1のn型拡散層119上と、前記第2のn型拡散層120上と、第1のp型拡散層125と、第2のp型拡散層126上と、ゲート配線117c上とにシリサイドを形成する第5の工程が示された。次に、図36に示すように、第3の窒化膜138を堆積し、さらに、層間絶縁膜139を堆積するとともにその表面を平坦化する。続いて、図37に示すように、第1の柱状シリコン層105上と第2の柱状シリコン層104上とにコンタクトを形成するための第6のレジスト140を形成する。続いて、図38に示すように、層間絶縁膜139をエッチングし、コンタクト孔141、142を形成する。続いて、図39に示すように、第6のレジスト140を除去する。続いて、図40に示すように、ゲート配線117c上と、平面状シリコン層107上と、にコンタクトを形成するための第7のレジスト143を形成する。続いて、図41に示すように、層間絶縁膜139をエッチングし、コンタクト孔144、145を形成する。続いて、図42に示すように、第7のレジスト143を除去する。続いて、図43に示すように、第3の窒化膜138をエッチングする。続いて、図44に示すように、金属を堆積し、コンタクト146、147、148、149を形成する。続いて、図45に示すように、金属配線のための金属150を堆積する。続いて、図46に示すように、金属配線を形成するために第8のレジスト151、152、153、154を形成する。続いて、図47に示すように、金属150をエッチングし、金属配線155、156、157、158を形成する。続いて、図48に示すように、第8のレジスト151、152、153、154を除去する。以上により、工程数が少なく、ゲートのエッチング中にシリコン柱上部が保護されるSGTの製造方法が示された。上記製造方法によって得られる半導体装置の構造を図1に示す。図1に示すように、半導体装置は、シリコン基板101上に形成された平面状シリコン層107と、前記平面状シリコン層107上に形成された第1の柱状シリコン層105と、前記平面状シリコン層107上に形成された第2の柱状シリコン層104と、前記第1の柱状シリコン層105の周囲に形成されたゲート絶縁膜109と、前記ゲート絶縁膜109の周囲に形成された金属膜110とポリシリコン111の積層構造からなる第1のゲート電極117bと、前記第2の柱状シリコン層104の周囲に形成されたゲート絶縁膜109と、前記ゲート絶縁膜109の周囲に形成された金属膜110とポリシリコン111の積層構造からなる第2のゲート電極117aと、前記第1のゲート電極117bと前記第2のゲート電極117aに接続されたゲート配線117cと、前記第1の柱状シリコン層105の上部に形成された第1のn型拡散層119と、前記第1の柱状シリコン層105の下部と前記平面状シリコン層107の上部に形成された第2のn型拡散層120と、前記第2の柱状シリコン層104の上部に形成された第1のp型拡散層125と、前記第2の柱状シリコン層104の下部と前記平面状シリコン層107の上部に形成された第2のp型拡散層126と、前記第1の柱状シリコン層105の上部側壁と前記第1のゲート電極117b上部に形成された第1の絶縁膜サイドウォール201と、前記第2の柱状シリコン層104の上部側壁と前記第2のゲート電極117a上部に形成された第2の絶縁膜サイドウォール200と、前記第1の絶縁膜サイドウォール201と前記第2の絶縁膜サイドウォール200と前記第1のゲート電極117bと前記第2のゲート電極117aと前記ゲート配線117cの側壁に形成された第3の絶縁膜サイドウォール202と、前記第1のn型拡散層119上と前記第2のn型拡散層120上と前記第1のp型拡散層125と前記第2のp型拡散層126上と、ゲート配線117c上に形成されたシリサイド133、134、135、136、132、131、137と、を有する。このとき、第1のゲート電極117bは、上部が第1の絶縁膜サイドウォール201で覆われ、側壁が第3の絶縁膜サイドウォール202で覆われる。また、第1の絶縁膜サイドウォール201の側壁は第3の絶縁膜サイドウォール202で覆われる。従って、平面状シリコン層上部の拡散層上に形成するコンタクト140が、第1のゲート電極117b側に位置ずれしたときに、第1のゲート電極117bとコンタクト140とが短絡することが防止される。また、同様に、第2のゲート電極117aは、上部が第2の絶縁膜サイドウォール200で覆われ、側壁が第3の絶縁膜サイドウォール202で覆われる。また、第2の絶縁膜サイドウォール200の側壁は第3の絶縁膜サイドウォール202で覆われる。従って、平面状シリコン層上部の拡散層上に形成するコンタクトが第2のゲート電極117aの近傍に形成された場合において、そのコンタクトが第2のゲート電極117a側に位置ずれしたときに、第2のゲート電極117aとコンタクトとが短絡することを防止できる。なお、本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施形態は、本発明の一実施例を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。例えば、上記実施例において、p型p型を含む。とn型n型を含む。とをそれぞれ反対の導電型とした半導体装置の製造方法、及び、それにより得られる半導体装置も当然に本発明の技術的範囲に含まれる。