広角入力レンズ群であって、前記広角入力レンズ群内またはその後に中間合焦像が形成されないように物体面から放射を受けかつそこから像を形成可能な放射を生成するように構成された広角入力レンズ群と、前記広角入力レンズ群から前記像を形成可能な放射を受けかつ前記像を形成可能な放射を像面上に合焦させて前記物体面の少なくとも一部の像を形成するように構成された出力レンズ群とを含む、光学システム。前記広角入力レンズ群は、少なくとも約60度の角度広がりを有する放射を受けるように構成されている、請求項1に記載の光学システム。前記物体は、リソグラフィシステム内のレチクル、レチクルに関連するペリクル、基板、ホルダ、チャックまたはテーブルからなる群から選択される、請求項1に記載の光学システム。前記広角入力レンズ群は、非球面を有する前方光学要素および広角入力レンズ群ダブレットを含む、請求項1に記載の光学システム。前記出力レンズ群は、非球面を有するダブレットおよび最終レンズ要素を含む、請求項1に記載の光学システム。前記光学システムはテレセントリックにならないように構成されている、請求項1に記載の光学システム。前記広角入力レンズ群および前記出力レンズ群は、前記光学システムの拡大率を変更するために前記光学システム内で交換可能に配置される、請求項1に記載の光学システム。物体の表面を検査する検査システムであって、前記検査システムは、光学システムと、ディテクタとを含み、前記光学システムは、広角入力レンズ群であって、前記広角入力レンズ群内またはその後に中間合焦像が形成されないように物体面から放射を受けかつそこから像を形成可能な放射を生成するように構成された広角入力レンズ群と、前記広角入力レンズ群から前記像を形成可能な放射を受けかつ前記像を形成可能な放射を像面上に合焦させて前記物体面の少なくとも一部の像を形成するように構成された出力レンズ群とを含み、前記ディテクタは、前記物体面の少なくとも一部の前記像を受け、前記受けた像に基づいて汚染、前記物体面の異常および/または前記物体面上のパターンを検出するように構成されている、検査システム。前記光学システムは、少なくとも約60度の角度広がりを有する放射を受けるように構成されている、請求項8に記載の検査システム。前記物体は、リソグラフィシステム内のレチクル、レチクルに関連するペリクル、基板、ホルダ、チャックまたはテーブルからなる群から選択される、請求項8に記載の検査システム。前記パターンはレチクル上のバーコードを含む、請求項8に記載の検査システム。ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを保持するサポート構造と、基板を保持する基板テーブルと、パターン付きビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、物体面を検査する検査システムとを含むリソグラフィ装置であって、前記検査システムは、光学システムと、ディテクタとを含み、前記光学システムは、広角入力レンズ群であって、前記広角入力レンズ群内またはその後に中間合焦像が形成されないように前記物体面から放射を受けかつそこから像を形成可能な放射を生成するように構成された広角入力レンズ群と、前記広角入力レンズ群から前記像を形成可能な放射を受けかつ前記像を形成可能な放射を像面上に合焦させて前記物体面の少なくとも一部の像を形成するように構成された出力レンズ群とを含み、前記ディテクタは、前記物体面の少なくとも一部の前記像を受け、前記受けた像に基づいて汚染、前記物体面の異常および/または前記物体面上のパターンを検出するように構成されている、リソグラフィ装置。前記物体は、リソグラフィシステム内のパターニングデバイス、パターニングデバイスに関連するペリクル、基板、ホルダ、チャックまたはテーブルからなる群から選択される、請求項12に記載のリソグラフィ装置。前記広角レンズ群の画角は少なくとも約60度である、請求項12に記載のリソグラフィ装置。パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することと、物体面を検査することとを含む製造方法であって、前記検査することは、広角入力レンズ群内またはその後に中間合焦像が形成されないように前記広角入力レンズ群で前記物体面から放射を受けてそこから像を形成可能な放射を生成することと、前記広角入力レンズ群からの前記像を形成可能な放射を像面上に合焦させて前記物体面の少なくとも一部の像を形成することと、前記物体面の少なくとも一部の前記像に基づいて汚染、前記物体面の異常および/または前記物体面上のパターンを検出することとを含む、製造方法。0017図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームB例えば、UV放射またはDUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスクMAを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば、屈折投影レンズシステムPSとを備える。0018照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。0019サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用されるレチクルまたはマスクという用語はすべて、より一般的なパターニングデバイスという用語と同義であると考えるとよい。0020本明細書において使用されるパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。0021パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。0022本明細書において使用される投影システムという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される投影レンズという用語はすべて、より一般的な投影システムという用語と同義であると考えるとよい。0023本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの例えば、透過型マスクを採用しているものである。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているものであってもよい。0024リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のサポート構造を有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加のテーブル/サポート構造は並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル/サポート構造上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブル/サポート構造を露光用に使うこともできる。0025図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源SOからイルミネータILへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。0026イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。0027放射ビームBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスMAを通り抜けた後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサ図1aには明示的に示されていないを使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造MTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合はスキャナとは対照的に、サポート構造MTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできるこれらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、複数のダイがパターニングデバイスMA上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。0028例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。00291.ステップモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。00302.スキャンモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅非スキャン方向が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さスキャン方向が決まる。00313.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0032上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0033図2は、本発明の一実施形態による物体の表面の検査用システムを示している。一実施形態では、検査システムを用いて汚染、物体面の異常および/または物体面上のパターンを検出する。一実施形態では、汚染は、例えば、粒子を含んでよい。一実施形態では、物体面の異常は、例えば、レチクルパターンのフィーチャの欠陥を含んでよい。一実施形態では、物体面上のパターンは、例えば、バーコード、レチクルパターンまたはアライメントマークを含んでよい。0034検査システム20は、例えば、レチクル、レチクルのパターン付き側面またはパターンなし側面を保護するペリクル、基板、ホルダ、チャックまたはテーブル例えば、基板テーブル、測定センサテーブルまたはパターニングデバイステーブルの任意の部分である物体24の表面22の検査目的のために使用されてよい。検査システムは別個のシステム20として示されているが、例えば図1を参照して記載されるように、検査システムはインツールシステムとして設けられてリソグラフィ装置と一体的であってもよい。インツールシステムとしては、検査システムはリソグラフィプロセスの前に物体24の表面22を検査することができる。0035一実施形態では、検査システム20は、照明源26、光学システム28およびディテクタ30を含む。照明源26は、物体24の表面22を照明するために照明ビーム34を提供する。図2では、1つの照明源26のみを示しているが、1つ以上の照明源があってもよい。あるいは、検査システム20は別個の照明源26を有していない場合もあり、表面22は周囲放射および検査システム20とは別個の照明源によって提供される放射によって放射されてもよい。照明源26は、例えば、標準の発光ダイオードLED、フラッシュ発光ダイオードフラッシュLEDまたはレーザダイオードであってもよいが、他の種類の照明源を用いてもよいのでこれらに限定されない。0036光学システム28は、以下により詳細に説明するように、1つ以上のレンズ群などといった1つまたは複数の光学系を含んでよい。光学システム28は照明された物体面22から放射例えば、散乱線を受けるかまたは遮断して物体24の表面22の像をディテクタ30上に投影し、必要に応じて拡大または縮小する。像は光学システム28からディテクタ30のセンサ32上に投影され、その後、センサ32上に記録された像データはアナライザ解析器34によって解析されて物体面22上の汚染、異常、パターンまたはそれらのあらゆる組み合わせを検出する。物体面22の像は表面全体を1つのショットで捕らえるために全視野像であってよく、それによって適切なデータ収集を提供しかつ物体検査時間を短縮する。例えば、検査システムは160mm×160mmのレチクルを1つのショットで捕らえることができる。そのような短い単一フレーム取得時間は、マルチフレーム順次結像およびサブピクセル解像度処理などの像向上技術を可能にする。そのような技術を用いて得られる全視野像は、例えば、実際の粒子の形状およびサイズならびに粒子位置決めの正確な検出を可能にする。0037表面22が大きすぎるかまたはセンサ32が全視野像の単一の投影に対する十分な容量を有さない場合、有効な全視野像のために2つ以上の部分像を得ることができる。センサ32は線形または大面積センサであってよく、CMOSセンサアレイまたは電荷結合素子CCDを含むがそれらに限定されない。例えば、センサ32は線形CCDまたは大面積CCDを含んでもよい。0038物体面22の全視野像は、例えば、粒子例えば、図2に示す粒子36、他の汚染、異常例えば、破損したレチクルパターンフィーチャまたはパターン例えば、バーコードをアナライザ34によって解析されてよい。例えば、アナライザ34を用いて検出された粒子および/または異常のサイズおよび位置を測定できる。例えば、測定されたサイズまたは位置が一定の範囲の外または他の範囲にあった場合、粒子サイズおよび位置の測定を用いて物体24例えば、レチクルまたはレチクルを覆うペリクルを却下することができる。一実施形態では、アナライザ34は解析ソフトウェアおよび解析ソフトウェアを実行するための汎用プロセッサを含む一般的なコンピュータシステムである。あるいは、コンピュータシステムは、上述したような像解析を実行するように構成された特殊プロセッサを含んでもよい。0039上述したように、検査システム20はリソグラフィ装置と一体化されて例えば、レチクル、レチクルを覆うペリクルまたは基板を検査することができる。そのようなリソグラフィ装置では、それらの物体を同時に検査する別個の検査システムがあってもよく、これはより高いスループットをもたらすことができ、あるいは物体を連続的に検査する単一の検査システムがあってもよい。検査システム20は、リソグラフィシステムで使用する場合、メトロロジ目的などの他の機能のために使用されてもよい。システム20に適切なアライメントターゲットを検出させることによってレチクル、さらに基板のプリアライメントを達成することができる。レチクルまたは基板の識別は、レチクルまたは基板表面上に配置された1つ以上のバーコード例えば、一次元バーコード、二次元バーコード等を読み取るかまたは解釈することによって達成することができる。0040図3は光学システム28をより詳細に示している。一実施形態では、光学システム28は、入力レンズ群または入力コンデンサ2810および出力レンズ群または出力コンデンサ2812を含むリレーレンズ群である。一実施形態では、入力レンズ群2810および出力レンズ群2812は、光学システム28がテレセントリックではないように構成される。一実施形態では、光学システム28は、1つより多い入力レンズ群2810、1つより多い出力レンズ群2812またはその両方を含む。入力レンズ群2810は、物体24の照明された表面22から放射2814を受け、出力レンズ群2812上に誘導および入射される像を形成可能な放射2816例えば、平行ビームまたは本質的に無限の焦点を有するビームなどのビームを生成する。一実施形態では、入力レンズ群2810は、表面22から放射を受ける入力レンズ群2810の側面に広角前方レンズ要素2818を含み、入力レンズ群2810の反対側にはダブレットを含む。0041広角前方レンズ要素2818は、前方レンズ要素2818が約60度以上の広視野角を有するように、放射2814を受ける側面に凸面を有し、反対側には凹面2824を有するように構成されてよい。それによって、検査された表面22全体または少なくともそのかなりの部分の像を一回で形成することを容易にする。表面2822および2824の両方は、球面収差および色収差を少なくするためにその上に非球面を有してよい。広角前方レンズ要素2818は複数の光学要素を含んでよい。多数の光学要素のうちの1つ以上は、1つ以上の非球面を有してよい。機能的に、広角前方レンズ要素2818は、表面22から放射を受けてその受けた放射をダブレット2820上への投影のために発散させ発散放射2826を形成する、それによって物体面22の中間合焦像が前方レンズ要素2818およびダブレット2820の間を含む入力レンズ群2810内にまたは入力レンズ群2810の後に形成されない。0042ダブレット2820を通過した後の放射2826は、像を形成可能な放射2816例えば、平行ビームまたは本質的に無限の焦点に合わせられたビームなどのビームに変換される。非球面は、出力レンズ群2812に面するダブレット2820の凹面2828上に形成されてよく、これは瞳収差補正を容易にしかつ光学システム28の変調伝達関数MTFを改良する。ダブレット2820の放射を受ける側面は凸面を有してよい。ダブレット2820および前方レンズ要素2818の代わりにまたはそれらに加えて、1つ以上の非球面を有する1つ以上の多素子光学系を入力レンズ群2810内で使用して上述した光学機能を実行することができる。アパーチャストップが入力レンズ群2810と出力レンズ群2812との間で入力レンズ群2810のフーリエまたはフィールド面に配置されてよい。0043一実施形態では、出力レンズ群2812はダブレット2830および最終レンズ要素2832を含む。出力レンズ群2812は放射2816を受けかつ収束してその放射を像面2834上に合焦させて物体面22の像を形成する。非球面がダブレット2830に面する最終レンズ要素2832の凹面2836上に形成されてよく、これは像面2834上に形成される表面22の低歪み高解像度像の生成を可能にする。像面2834はセンサ32の表面であってよい。出力レンズ群2812は、その出力レンズ群2812が入力レンズ群2810と擬似対称になるように構成されてよく、すなわち、入力レンズ群2810および出力レンズ群2812は、それらが光学システム28内で交換可能に配置されて光学システム28の拡大率を調整できる例えば、逆にするように構成される。ダブレット2830および最終レンズ要素2832の代わりにまたはそれらに加えて、1つ以上の多素子光学系を出力レンズ群2812内で用いて上述した光学機能を実行することができる。1つ以上の多素子光学系は非球面であってよい。0044リレーレンズ群によって改善される低品質な像を形成する広角レンズを利用する従来の広角光学システムとは違って、広角入力レンズ群および出力レンズ群を含む上述した光学システムは、より単純な構造を有しており、かつ光学システムの広角機能を入力レンズ群へと組み込むことによって別個の広角レンズ群の必要性を除去する。上述したように、光学システム28は、入力レンズ群2810内またはその後に中間低品質像を形成せず、像面2834上に高解像度像を形成する。そのような構成は、物体と像との短い作動距離内でより高速な表面全体の像形成を容易にし、特に像フィールドの端で低歪みおよび低収差を有する。0045本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0046光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。0047リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体例えば水内に基板の表面を沈めるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間例えば、パターニングデバイスと投影システムの第1要素との間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。0048本明細書で使用される放射およびビームという用語は、紫外線UV例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する、および極端紫外線EUV例えば、5~20nmの範囲の波長を有する、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。0049レンズという用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0050以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を実行させるように構成された1つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスクの形態であってもよい。0051上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。