直列に接続された複数の電池の各々の両端に接続された電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線と第1信号線とを接続するための第1接続手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線と第2信号線とを接続するための第2接続手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線が低電位側に接続されている前記電池の高電位側の電圧よりも高い電圧を当該電池電圧信号線に供給するための第1電圧供給手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線が高電位側に接続されている前記電池の低電位側の電圧よりも低い電圧を当該電池電圧信号線に供給するための第2電圧供給手段と、前記第1信号線の電圧と、前記第2信号線の電圧と、を比較して比較結果を出力する比較手段と、を備えた半導体回路。前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線と第3信号線とを接続するための第3接続手段を備え、前記比較手段は、前記第1信号線の電圧と前記第3信号線の電圧と、をさらに比較して比較結果を出力する、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体回路。前記第2接続手段は、前記電池電圧信号線に周波数遮断手段を介して接続された第4信号線に前記第2信号線を接続するためのものであり、前記第3接続手段は、前記第4信号線に前記第3信号線を接続するためのものである、請求項2に記載の半導体回路。前記第1接続手段は、前記電池電圧信号線に周波数遮断手段を介して接続された第4信号線に前記第1信号線を接続するためのものであり、前記第1電圧供給手段は、前記第4信号線に電圧を供給するためのものであり、前記第2電圧供給手段は、前記第4信号線に電圧を供給するためのものである、請求項2に記載の半導体回路。断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御し、かつ検出を行う前記電池電圧信号線が低電位側に接続された前記電池の高電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第2信号線とを接続するよう前記第2接続手段を制御し、かつ電圧を供給するよう第1電圧供給手段を制御して、前記比較手段から出力された比較結果、及び断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御し、かつ検出を行う前記電池電圧信号線が高電位側に接続された前記電池の低電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第2信号線とを接続するよう前記第2接続手段を制御し、かつ電圧を供給するよう第2電圧供給手段を制御して、前記比較手段から出力された比較結果の少なくとも一方に基づいて前記電池電圧信号線の断線の有無を検出する検出手段を、備えた請求項1項に記載の半導体回路。断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御し、かつ検出を行う前記電池電圧信号線が高電位側に接続された前記電池の低電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第2信号線とを接続するよう前記第2接続手段を制御し、かつ電圧を供給するよう第2電圧供給手段を制御して、前記比較手段から出力された比較結果、及び断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御し、かつ検出を行う前記電池電圧信号線が低電位側に接続された前記電池の高電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第3信号線とを接続するよう前記第3接続手段を制御し、かつ電圧を供給するよう第1電圧供給手段を制御して、前記比較手段から出力された比較結果の少なくとも一方に基づいて、前記電池電圧信号線の断線の有無を検出する検出手段を、備えた請求項2に記載の半導体回路。断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御し、かつ検出を行う前記電池電圧信号線が高電位側に接続された前記電池の低電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第4信号線とを接続するよう前記第2接続手段を制御し、かつ電圧を供給するよう第2電圧供給手段を制御して、前記比較手段から出力された比較結果、及び断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線を接続するよう前記第1接続手段を制御し、かつ検出を行う前記電池電圧信号線が低電位側に接続された前記電池の高電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第4信号線とを接続するよう前記第3接続手段を制御し、かつ電圧を供給するよう第1電圧供給手段を制御して、前記比較手段から出力された比較結果の少なくとも一方に基づいて、前記電池電圧信号線の断線の有無を検出する検出手段を、備えた請求項3に記載の半導体回路。前記電池電圧信号線と断線の有無の検出を行う前記第4信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御し、かつ前記第4信号線と接続された前記電池電圧信号線が高電位側に接続された前記電池の低電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第2信号線とを接続するよう前記第2接続手段を制御し、かつ電圧を供給するよう第2電圧供給手段を制御して、前記比較手段から出力された比較結果、及び前記電池電圧信号線と断線の有無の検出を行う前記第4信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御し、かつ前記第4信号線と接続された前記電池電圧信号線が低電位側に接続された前記電池の高電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第3信号線とを接続するよう前記第3接続手段を制御し、かつ電圧を供給するよう第1電圧供給手段を制御して、前記比較手段から出力された比較結果の少なくとも一方に基づいて、前記第4信号線の断線の有無を検出する検出手段を、備えた請求項4に記載の半導体回路。前記比較手段は、チョッパ型コンパレータである、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の半導体回路。直列に接続された複数の電池と、前記複数の電池に接続された、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の半導体回路と、を備えた半導体装置。直列に接続された複数の電池の各々の両端に接続された電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線と第1信号線とを接続するための第1接続手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線と第2信号線とを接続するための第2接続手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線が低電位側に接続されている前記電池の高電位側の電圧よりも高い電圧を当該電池電圧信号線に供給するための第1電圧供給手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線が高電位側に接続されている前記電池の低電位側の電圧よりも低い電圧を当該電池電圧信号線に供給するための第2電圧供給手段と、前記第1信号線の電圧と、前記第2信号線の電圧と、を比較して比較結果を出力する比較手段と、を備えた半導体回路において、断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御する工程と、検出を行う前記電池電圧信号線が低電位側に接続された前記電池の高電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第2信号線とを接続するよう前記第2接続手段を制御する工程と、電圧を供給するよう第1電圧供給手段を制御する工程と、前記比較手段から出力された比較結果に基づいて前記電池電圧信号線の断線の有無を検出する工程と、断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御する工程と、検出を行う前記電池電圧信号線が高電位側に接続された前記電池の低電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第2信号線とを接続するよう前記第2接続手段を制御する工程と、電圧を供給するよう第2電圧供給手段を制御する工程と、前記比較手段から出力された比較結果に基づいて前記電池電圧信号線の断線の有無を検出する工程と、を備えた断線検出方法。直列に接続された複数の電池の各々の両端に接続された電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線と第1信号線とを接続するための第1接続手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線と第2信号線とを接続するための第2接続手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線が低電位側に接続されている前記電池の高電位側の電圧よりも高い電圧を当該電池電圧信号線に供給するための第1電圧供給手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線が高電位側に接続されている前記電池の低電位側の電圧よりも低い電圧を当該電池電圧信号線に供給するための第2電圧供給手段と、前記第1信号線の電圧と、前記第2信号線の電圧と、を比較して比較結果を出力する比較手段と、を備えた半導体回路の前記電池電圧信号線の断線を検出する処理をコンピュータに実行させるための断線検出プログラムであって、断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御するステップと、検出を行う前記電池電圧信号線が低電位側に接続された前記電池の高電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第2信号線とを接続するよう前記第2接続手段を制御するステップと、電圧を供給するよう第1電圧供給手段を制御するステップと、前記比較手段から出力された比較結果に基づいて前記電池電圧信号線の断線の有無を検出するステップと、断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御するステップと、検出を行う前記電池電圧信号線が高電位側に接続された前記電池の低電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第2信号線とを接続するよう前記第2接続手段を制御するステップと、電圧を供給するよう第2電圧供給手段を制御するステップと、前記比較手段から出力された比較結果に基づいて前記電池電圧信号線の断線の有無を検出するステップと、を備えた処理をコンピュータに実行させるための断線検出プログラム。しかしながら、特許文献1~特許文献8に記載の技術では、以下のような問題がある。特許文献1~3に記載の技術では、断線を検知するための抵抗を電池セル間に常時接続しなければならない。当該抵抗には、電池セルから常時電流が流れるため、待機時の電流暗電流を抑制するためには、抵抗値を大きくする必要がある。しかしながら、抵抗値には限界があるため、暗電流を抑制することは困難である。また、特許文献4~特許文献7に記載の技術では、断線を検知するためには、電池セル間をスイッチで短絡させる動作を必要とする。短絡させることにより、電池セルが過充電状態にない場合であっても放電動作をさせることになるため、電池セル同士の電池電圧をばらつかせる可能性がある。またさらに、特許文献4及び特許文献8に記載の技術では、断線の有無を判定するために、電池電圧を測定するために用いられる、電池電圧計測回路及び計測電圧差を演算するための演算装置を必要とする。複数の電圧を電圧計測回路で測定して演算装置で演算しなければならないため、断線検知に時間を要してしまい、当該時間を短縮することが困難である。また、電池電圧計測回路が1つしか設けられていない半導体回路では、断線検知期間中は、通常の電池電圧セルの測定動作を行うことが困難である。本発明は、上述した問題を解決するために提案されたものであり、電池に関する信号線の断線を適切に検出することができる、半導体回路、半導体装置、断線検出方法、及び断線検出プログラムを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、請求項1に記載の半導体回路は、直列に接続された複数の電池の各々の両端に接続された電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線と第1信号線とを接続するための第1接続手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線と第2信号線とを接続するための第2接続手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線が低電位側に接続されている前記電池の高電位側の電圧よりも高い電圧を当該電池電圧信号線に供給するための第1電圧供給手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線が高電位側に接続されている前記電池の低電位側の電圧よりも低い電圧を当該電池電圧信号線に供給するための第2電圧供給手段と、前記第1信号線の電圧と、前記第2信号線の電圧と、を比較して比較結果を出力する比較手段と、を備える。請求項10に記載の半導体装置は、直列に接続された複数の電池と、前記複数の電池に接続された、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の半導体回路と、を備える。請求項11に記載の断線検出方法は、直列に接続された複数の電池の各々の両端に接続された電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線と第1信号線とを接続するための第1接続手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線と第2信号線とを接続するための第2接続手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線が低電位側に接続されている前記電池の高電位側の電圧よりも高い電圧を当該電池電圧信号線に供給するための第1電圧供給手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線が高電位側に接続されている前記電池の低電位側の電圧よりも低い電圧を当該電池電圧信号線に供給するための第2電圧供給手段と、前記第1信号線の電圧と、前記第2信号線の電圧と、を比較して比較結果を出力する比較手段と、を備えた半導体回路において、断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御する工程と、検出を行う前記電池電圧信号線が低電位側に接続された前記電池の高電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第2信号線とを接続するよう前記第2接続手段を制御する工程と、電圧を供給するよう第1電圧供給手段を制御する工程と、前記比較手段から出力された比較結果に基づいて前記電池電圧信号線の断線の有無を検出する工程と、断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御する工程と、検出を行う前記電池電圧信号線が高電位側に接続された前記電池の低電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第2信号線とを接続するよう前記第2接続手段を制御する工程と、電圧を供給するよう第2電圧供給手段を制御する工程と、前記比較手段から出力された比較結果に基づいて前記電池電圧信号線の断線の有無を検出する工程と、を備える。請求項12に記載の断線検出プログラムは、直列に接続された複数の電池の各々の両端に接続された電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線と第1信号線とを接続するための第1接続手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線と第2信号線とを接続するための第2接続手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線が低電位側に接続されている前記電池の高電位側の電圧よりも高い電圧を当該電池電圧信号線に供給するための第1電圧供給手段と、前記電池電圧信号線毎に設けられた、前記電池電圧信号線が高電位側に接続されている前記電池の低電位側の電圧よりも低い電圧を当該電池電圧信号線に供給するための第2電圧供給手段と、前記第1信号線の電圧と、前記第2信号線の電圧と、を比較して比較結果を出力する比較手段と、を備えた半導体回路の前記電池電圧信号線の断線を検出する処理をコンピュータに実行させるための断線検出プログラムであって、断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御するステップと、検出を行う前記電池電圧信号線が低電位側に接続された前記電池の高電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第2信号線とを接続するよう前記第2接続手段を制御するステップと、電圧を供給するよう第1電圧供給手段を制御するステップと、前記比較手段から出力された比較結果に基づいて前記電池電圧信号線の断線の有無を検出するステップと、断線の有無の検出を行う前記電池電圧信号線と前記第1信号線とを接続するよう前記第1接続手段を制御するステップと、検出を行う前記電池電圧信号線が高電位側に接続された前記電池の低電位側に接続された前記電池電圧信号線と前記第2信号線とを接続するよう前記第2接続手段を制御するステップと、電圧を供給するよう第2電圧供給手段を制御するステップと、前記比較手段から出力された比較結果に基づいて前記電池電圧信号線の断線の有無を検出するステップと、を備えた処理をコンピュータに実行させるためのものである。本発明によれば、電池に関する信号線の断線を適切に検出することができる、という効果を奏する。[第1の実施の形態]まず、以下、図面を参照して本発明の基本構成となる、第1の実施の形態の電池監視システムについて詳細に説明する。まず、本実施の形態の電池監視システムの構成について説明する。本実施の形態の電池監視システムの概略構成の一例を図1に示す。図1に示した本実施の形態の電池監視システムは、複数の電池セルを含む電池セル群12と、電池セル群12の各電池セルの電圧を測定する半導体回路14と、を備えて構成されている。半導体回路14は、検出回路22、記憶部23、スイッチング素子群24、比較回路26、電圧計測セル選択スイッチ28、及び電圧計測回路30を備えて構成されている。検出回路22は、比較回路26から出力される出力OUTに基づいて信号線Ln1~Ln-2が断線しているかを検出するための機能を有する論理回路である。検出回路22は、外部から信号線Ln1~Ln-2の断線の有無の検出を実行するよう指示を受けると、スイッチング素子群24のオン、オフを制御する制御信号詳細後述を出力する。記憶部23は、比較回路26から出力された出力OUTHレベル、Lレベルを示す論理値を記憶する機能を有するものであり、具体的一例としては、レジスタが挙げられる。本実施の形態では、記憶部23に記憶格納される論理値に基づいて、外部装置が、断線の有無を検出する。図2に本実施の形態の半導体回路14の概略構成の一例を示す。なお、本実施の形態では、具体的一例として、電池セル群12は、3つのセルCCn-1~Cn1、総称する場合は、セルCというを含んでおり、信号線Ln-2~Ln1総称する場合は、信号線Lというにより半導体回路14に接続されている。また、図2では、検出回路22及び記憶部23の記載を省略している。図2に示した半導体回路14は、スイッチング素子群24、比較回路26、電圧計測セル選択スイッチ28、及び電圧計測回路30を備えて構成されている。スイッチング素子群24は、スイッチング素子群SW1、スイッチング素子群SW2、電圧調整部IH、ILを含むスイッチング素子群SW3、を含んで構成されている。電圧計測セル選択スイッチ28は、複数の内部スイッチング素子SW図示省略を備え、内部スイッチング素子SWを切り替えて、電池電圧の測定監視を行うセルCの高電位側の電圧信号線Lと低電位側の電圧信号線Lとを選択する機能を有するものである。電圧計測回路30は、電圧計測セル選択スイッチ28により選択された電圧に基づいて、セルCの電池電圧を計測する機能を有するものである。スイッチング素子群SW1は、信号線Lと信号線Lcとを接続する機能を有するものであり、検出回路22からの制御信号に基づいて、断線検出を行う信号線Lと信号線Lcとを接続する。スイッチング素子群SW1は、各信号線L毎にスイッチング素子SW1SW1n-2~SW1n1、総称する場合は、スイッチング素子SW1というが設けられている。スイッチング素子群SW2は、信号線Lと信号線Liとを接続する機能を有するものであり、検出回路22からの制御信号に基づいて、断線検出を行う信号線Lよりも高電位の電池電圧が供給される信号線Lと信号線Liとを接続する。また、検出回路22からの制御信号に基づいて、断線検出を行う信号線Lよりも低電位の電池電圧が供給される信号線Lと信号線Liとを接続する。スイッチング素子群SW2は、各信号線L毎にスイッチング素子SW2SW2n-2~SW2n1、総称する場合は、スイッチング素子SW2というが設けられている。スイッチング素子群SW3は、スイッチング素子群SW3H、SW3L、及び電圧調整部IH、ILを備えて構成されている。スイッチング素子SW3SW3n-2~SW3n1、総称する場合は、スイッチング素子SW3という。また、スイッチング素子SW3H、SW3L、及び電圧調整部IH、ILも同様に、総称する場合は、個々を示す符号を省略して記載するは、各信号線L毎に設けられている。スイッチング素子SW3の電圧調整部IHは、スイッチング素子SW3Hにより、信号線Lに接続される。本実施の形態の電圧調整部IHは、定電流源であり、信号線Lよりも高電圧が供給される信号線Lの当該高電圧よりも高い電圧を信号線Lに供給する機能を有するものである。具体的には、例えば、信号線Lnにスイッチング素子SW3Hnにより接続される電圧調整部IHnは、信号線Ln1に供給される電源電圧よりも高電圧を信号線Lnに供給する。また、スイッチング素子SW3の電圧調整部ILは、スイッチング素子SW3Lにより、信号線Lに接続される。本実施の形態の電圧調整部ILは、定電流源であり、信号線Lよりも低電圧が供給される信号線Lの当該低電圧よりも低い電圧を信号線Lに供給する機能を有するものである。具体的には、例えば、信号線Lnにスイッチング素子SW3Lnにより接続される電圧調整部ILnは、信号線Ln-1に供給される電源電圧よりも低電圧を信号線Lnに供給する。比較回路26は、信号線Lcの電圧と信号線Liの電圧とを比較して、比較結果を出力OUTとして出力する機能を有するものである。本実施の形態では、具体的一例として、信号線Lcの電圧が信号線Liの電圧よりも低い場合は、出力OUT=Hレベルを出力し、信号線Lcの電圧が信号線Liの電圧よりも高い場合は、出力OUT=Lレベルを出力する。次に本実施の形態の半導体回路14における断線検出動作について説明する。また、以下では、具体的一例として、信号線Lnの断線図4の×印参照を検出する場合について詳細に説明する。まず、低電位側の信号線Lに供給される電池電圧との比較により断線を検出する場合の断線検出動作比較動作1について説明する。図3に、本実施の形態の断線検出動作の流れの一例のフローチャートを示す。初期状態では、スイッチング素子SW1、スイッチング素子SW2、及びスイッチング素子SW3は全てオフ状態になっている。ステップ100では、検出する信号線Lのスイッチング素子SW1、及び低電位側の信号線Lのスイッチング素子SW2をオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW1nをオンにすると共に、スイッチング素子SW2n-1をオンにする図4参照。次のステップ102では、検出する信号線Lnのスイッチング素子SW3Lをオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW3Lnをオンにする図4参照。これにより、電圧調整部ILnが信号線Lnに接続される。ここで、信号線Liの電位は、セルCnの低電位側の電池電圧の電池となる。信号線Lcの電位は、信号線Lnが断線していない場合は、セルCnの高電位側の電池電圧の電位となる。従って、信号線Lnが断線していない場合は、信号線Lcの電位>信号線Liの電位となる。一方、信号線Lnが断線している場合は、信号線Lcの電位が、電圧調整部ILnの電位に引っ張られる。本実施の形態では、電圧調整部ILnの電位は、信号線Ln-1の電位よりも小さいため、信号線Lcの電位<信号線Liの電位となる。本実施の形態の比較回路26では、信号線Lcの電位>信号線Liの場合は、Lレベルを出力し、信号線Lcの電位<信号線Liの場合は、Hレベルを出力する。次のステップ104では、比較回路26より出力された出力OUTを検出し、次のステップ106では、出力OUTがHレベルか、Lレベルかを判断する。Lレベルの場合は、ステップ108へ進み、上述の通り、断線が無いことを検出した後、本動作を終了する。一方、Hレベルの場合は、ステップ110へ進み、上述の通り、断線が有ることを検出する。断線が有る場合は、ステップ112へ進み、例えば、電池監視システム10の動作を停止する等、所定の措置を行った後、本処理を終了する。次に、高電位側の信号線Lに供給される電池電圧との比較により断線を検出する場合の断線検出動作比較動作2について説明する。図5に、本実施の形態の断線検出動作の流れの一例のフローチャートを示す。初期状態では、スイッチング素子SW1、スイッチング素子SW2、及びスイッチング素子SW3は全てオフ状態になっている。ステップ200では、検出する信号線Lのスイッチング素子SW1、及び高電位側の信号線Lのスイッチング素子SW2をオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW1nをオンにすると共に、素子SW2n1をオンにする図6参照。次のステップ202では、検出する信号線Lnのスイッチング素子SW3Hをオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW3Hnをオンにする図6参照。これにより、電圧調整部IHnが信号線Lnに接続される。ここで、信号線Liの電位は、セルCn1の高電位側の電池電圧の電池となる。信号線Lcの電位は、信号線Lnが断線していない場合は、セルCn1の低電位側の電池電圧の電位となる。従って、信号線Lnが断線していない場合は、信号線Lcの電位<信号線Liの電位となり、比較回路26から出力OUT=Hレベルが出力される。一方、信号線Lnが断線している場合は、信号線Lcの電位が、電圧調整部IHnの電位に引っ張られる。本実施の形態では、電圧調整部IHnの電位は、信号線Ln1の電位よりも大きいため、信号線Lcの電位>信号線Liの電位となり、比較回路26から出力OUT=Lレベルが出力される。次のステップ204では、比較回路26より出力された出力OUTを検出し、次のステップ206では、出力OUTがHレベルか、Lレベルかを判断する。Hレベルの場合は、ステップ208へ進み、上述の通り、断線が無いことを検出した後、本動作を終了する。一方、Lレベルの場合は、ステップ210へ進み、上述の通り、断線が有ることを検出する。断線が有る場合は、ステップ212へ進み、例えば、電池監視システム10の動作を停止する等、所定の措置を行った後、本処理を終了する。本実施の形態の半導体回路14では、低電位側の信号線Lに供給される電池電圧との比較により断線を検出する場合の断線検出動作、及び高電位側の信号線Lに供給される電池電圧との比較により断線を検出する場合の断線検出動作を信号線Lの各々に行うことにより、断線検出を行う。なお、最上位のセルCセルCn1の高電位側の信号線Ln1の断線検出を行う場合は、信号線Lnとの比較により検出を行い、最下位のセルCセルCn-2の低電位側の信号線信号線Ln-2の断線検出を行う場合は、信号線Ln-1との比較により検出を行う。本実施の形態では、出力OUTの結果が、表1のようになる。以上説明したように、本実施の形態の半導体回路14では、信号線Lnの断線検出を行う場合は、信号線Lnに信号線Lnの電位よりも低電位の電池電圧が供給される信号線Ln-1よりも小さい電位を供給し、信号線Lnの電位と、信号線Ln-1の電位とを比較し、信号線Lcの電位>信号線Li出力OUT=Lレベルならば、断線が無いことを検出し、信号線Lcの電位<信号線Li出力OUT=Hレベルならば、断線が有ることを検出する。また、信号線Lnに信号線Lnよりも高電位の電池電圧が供給される信号線Ln1の電位よりも大きい電位を供給し、信号線Lnの電位と、信号線Ln1の電位とを比較し、信号線Lcの電位<信号線Li出力OUT=Hレベルならば、断線が無いことを検出し、信号線Lcの電位>信号線Li出力OUT=Lレベルならば、断線が有ることを検出する。このように本実施の形態では、電圧調整部IH、ILを備えており、断線検出動作比較動作1及び比較動作2に応じて、電圧調整部IH、ILから断線検出を行う信号線Lに電位を供給するため、比較回路26により、適切に断線の検出を行うことができる。また、電圧調整部IH、ILは、常時、信号線Lに接続されるのではなく、断線を検出する期間のみ信号線Lに接続するため、電圧調整部IH、ILから電流が常時流れ込むことがなく、待機時の電流暗電流が発生することがない、という効果が得られる。また、比較回路26により、適切に断線の検出を行うことができるため、電圧計測セル選択スイッチ28及び電圧計測回路30を使用することなく、断線の検出が行える。従って、電圧計測セル選択スイッチ28及び電圧計測回路30を使用して、セルCの電池電圧を測定する動作の期間中であっても、断線検出を行うことができる、という効果が得られる。なお、比較回路26の構成は、特に限定されず、例えば図7に示した比較回路26のように、チョッパ型コンパレータを用いることができる。この場合、比較回路26のオフセット電圧を除去できる、という効果が得られる。なお、比較回路26をチョッパ型コンパレータとして構成した場合の動作については、以下の実施の形態において詳細に説明する。[第2の実施の形態]以下、図面を参照して本発明の第2の実施の形態の半導体装置である半導体回路及び、信号線Lの断線の検出を行う断線検出動作について詳細に説明する。図8に、本実施の形態の半導体回路40の概略構成の一例を示す。なお、本実施の形態において、第1の実施の形態と略同様の構成、及び動作については、その旨を記載し、詳細な説明を省略する。第1の実施の形態では、断線検出動作では、低電位側と比較する比較動作1及び高電位側と比較する比較動作2において、いずれもスイッチング素子SW2が、信号線Lと信号線Liとを接続していたが、本実施の形態では、低電位側と比較する比較動作1の場合は、スイッチング素子SW2Lが信号線Lと信号線Lilとを接続し、高電位側と比較する比較動作2の場合は、スイッチング素子SW2Hが、信号線Lと信号線Lihとを接続するように、スイッチング素子SW2Lと、スイッチング素子SW2Hとを備えて構成されている。また、本実施の形態の比較回路コンパレータ42は、チョッパ型コンパレータとして構成されている。コンパレータ42は、スイッチング素子SWC1-A、SWC2-A、SWC1-B、SWC2-B、コンデンサC1、C2、スイッチング素子SWC3、自己閾値電圧Vxのシングル反転増幅器NAMP、及びラッチ回路Latchを備えて構成されている。スイッチング素子SWC1-Aは、信号線LihをコンデンサC1に接続し、スイッチング素子SWC2-Aは、信号線LcをコンデンサC1に接続する。また、スイッチング素子SWC1-Bは、信号線LilをコンデンサC2に接続し、スイッチング素子SWC2-Bは、信号線LcをコンデンサC2に接続する。ラッチ回路は、シングル反転増幅器NAMPの出力電圧から論理値Hレベル及びLレベルを確定して出力する機能を有するものである。本実施の形態の半導体回路40における断線検出動作について説明する。本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様に、具体的一例として、信号線Lnの断線図10の×印参照を検出する場合について詳細に説明する。本実施の形態の断線検出動作全体の流れの一例のフローチャートを図9に示す。ステップ300では、イニシャライズ動作初期動作、詳細後述を行い、次のステップ302では、低電位側と比較する比較動作1を行い、さらに次のステップ304では、高電位側と比較する比較動作2を行う。次のステップ306では、全部の信号線Lに対して、ステップ300~304の動作を行ったか否か判断し、行っていなければ、ステップ300に戻り、本動作を繰り返す。一方、全部の信号線Lに対して行った場合は、全部の信号線Lの断線検出動作が終了したため、本処理を終了する。次に、上述図9の各動作について詳細に説明する。図10に、本実施の形態のイニシャライズ動作図9、ステップ300の流れの一例のフローチャートを示す。ステップ400では、検出する信号線Lのスイッチング素子SW1、低電位側の信号線Lのスイッチング素子SW2L、高電位側のスイッチング素子SW2Hをオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW1nをオンにすると共に、スイッチング素子SW2Ln-1をオンに、スイッチング素子SW2Hn1をオンにする図11参照。次のステップ402では、コンパレータ42のスイッチング素子SWC3をオンにする。これにより、コンパレータ42のシングル反転増幅器NAMPの入力信号線Lxの電圧はシングル反転増幅器NAMPの自己閾値電圧Vxになる。次のステップ404では、コンパレータ42のスイッチング素子SWC1-Aをオンにする図11参照。これにより、コンデンサC1には、信号線Lihの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Lih-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。次のステップ406では、コンパレータ42のスイッチング素子SWC1-Bをオンにした図11参照後、本処理を終了する。コンデンサC2には、信号線Lilの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Lil-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。このようにイニシャライズ動作により、コンデンサC1には、信号線Lihの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Lih-自己閾値電圧Vxが充電された状態になり、コンデンサC2には、信号線Lilの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Lil-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。次に、比較動作1図9、ステップ302について説明する。図12に、本実施の形態の比較動作の流れの一例のフローチャートを示す。ステップ500では、検出する信号線Lのスイッチング素子SW3Lをオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW3Lnをオンにする図13参照。これにより、電圧調整部ILnが信号線Lnに接続される。これにより、信号線Lnの電位が、電圧調整部ILnに引っ張られ、断線検出電流が引き抜かれる。次のステップ502では、コンパレータ42のスイッチング素子SWC3をオフにする図13参照。これにより、シングル反転増幅器NAMPの入力Lxの電圧はHiインピーダンス状態になり、上述のイニシャライズ動作で充電されたコンデンサC1、C2の電荷が保存された状態になる。次のステップ504では、コンパレータ42のスイッチング素子SWC1-Aをオフにし、次のステップ506は、スイッチング素子SWC1-Bをオフにすると共に、スイッチング素子SWC2-Bをオンにする。このときの入力信号線Lxの電圧を電圧Vx’とすると、電圧Vx’=信号線Lc-信号線Lil-自己閾値電圧Vx1従って、電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Lc-信号線Lil2となる。ここで、シングル反転増幅器NAMPの出力電圧をVnampout、利得をGnampとすると、以下の3式となる。出力電圧Vnampout=-利得Gnamp×電圧Vx’-自己閾値電圧Vx3利得Gnampが充分に高い場合、シングル反転増幅器NAMPの出力論理は、電圧Vx’-自己閾値電圧Vxの正負で決定する。信号線Lnが断線していない場合は、信号線Lnから電圧調整部ILnにより引き抜かれる電流電圧は、セルCから供給されるため、信号線Lcの電圧は、信号線Lnの電圧のまま、変化しない。従って、4式のようになる。電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Ln-信号線Ln-1>04これにより、コンパレータ42の出力OUT=Lレベルになる。一方、信号線Lnが断線している場合は、信号線Lcは浮きノードとなり、信号線Lnに対して、ハイインピーダンス状態になる。信号線Lnからの信号線Lcのハイインピーダンス状態の抵抗をRhiとすると、断線検出電流が引き抜かれている信号線Lcの電圧は、5式のようになる。信号線Lc=信号線Ln-電圧調整部ILの電流×抵抗Rhi5ここで、6式の関係を満たすように、断線検出電流を設定しておけば、7式のようになり、コンパレータ42の出力OUT=Hレベルになる。断線検出電流×抵抗Rhi>信号線Ln-信号線Ln-1=セルCの電池電圧6電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Ln-信号線Ln-1<07次のステップ508では、コンパレータ42より出力された出力OUTを検出し、次のステップ510では、出力OUTがHレベルか、Lレベルかを判断する。Lレベルの場合は、ステップ512へ進み、上述の通り、断線が無いことを検出た後、本動作を終了する。一方、Hレベルの場合は、ステップ514へ進み、上述の通り、断線が有ることを検出する。断線が有る場合は、ステップ516へ進み、所定の措置を行った後、本処理を終了する。次に、比較動作2図9、ステップ304について説明する。図14に、本実施の形態の比較動作の流れの一例のフローチャートを示す。なお、ここでは、比較動作1に続いて比較動作2を行う場合について説明する。ステップ600では、検出する信号線Lのスイッチング素子SW3Lスイッチング素子SW3Ln及びコンパレータ42のスイッチング素子SWC2-Bをオフにする図15参照。次のステップ602では、検出する信号線Lのスイッチング素子SW3Hをオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW3Hnをオンにする図15参照。これにより、電圧調整部IHnが信号線Lnに接続される。これにより、信号線Lnの電位が、電圧調整部IHnに引っ張られ、断線検出電流が供給される。次のステップ604では、コンパレータ42のスイッチング素子SWC2-Aをオフにする。このときの入力信号線Lxの電圧を電圧Vx’とすると、電圧Vx’=信号線Lc-信号線Lih-自己閾値電圧Vx8従って、電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Lc-信号線Lih9となる。信号線Lnが断線していない場合は、電圧調整部IHnから信号線Lnに供給される電流電圧は、セルCに流れ込むため、信号線Lcの電圧は、信号線Lnの電圧のまま、変化しない。従って、10式のようになる。電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Ln-信号線Ln1<010これにより、コンパレータ42の出力OUT=Hレベルになる。一方、信号線Lnが断線している場合は、信号線Lcは浮きノードとなり、信号線Lnに対して、ハイインピーダンス状態になる。信号線Lnからの信号線Lcのハイインピーダンス状態の抵抗をRhiとすると、断線検出電流が供給されている信号線Lcの電圧は11式のようになる。信号線Lc=信号線Ln断線検出電流×抵抗Rhi11ここで、断線検出電流×抵抗Rhi>信号線Ln1-信号線Ln=セルCの電池電圧の関係を満たすように、断線検出電流を設定しておけば、12式のようになり、コンパレータ42の出力OUT=Lレベルになる。電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Ln-信号線Ln1>012次のステップ606では、コンパレータ42より出力された出力OUTを検出し、次のステップ610では、出力OUTがHレベルか、Lレベルかを判断する。Hレベルの場合は、ステップ610へ進み、上述の通り、断線が無いことを検出た後、本動作を終了する。一方、Lレベルの場合は、ステップ612へ進み、上述の通り、断線が有ることを検出する。断線が有る場合は、ステップ614へ進み、所定の措置を行った後、本処理を終了する。本実施の形態では、出力OUTの結果が、表2のようになる。以上説明したように、本実施の形態の半導体回路40では、信号線Lnの断線検出を行う場合は、イニシャライズ動作により、コンパレータ42のコンデンサC1に信号線Lihの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Lih-自己閾値電圧Vxが充電された状態にし、かつコンデンサC2に信号線Lilの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Lil-自己閾値電圧Vxが充電された状態にする。比較動作1では、電圧調整部ILnにより、信号線Lnから断線検出電流を引き抜き、信号線LcとコンデンサC1とを接続して、出力OUT=Lレベルならば、断線が無いことを検出し、出力OUT=Hレベルならば、断線が有ることを検出する。また、比較動作2では、電圧調整部IHnにより、信号線Lnに断線検出電流を供給し、信号線LcとコンデンサC2とを接続して、出力OUT=Hレベルならば、断線が無いことを検出し、出力OUT=Lレベルならば、断線が有ることを検出するこのように本実施の形態では、電圧調整部IH、ILを備えており、断線検出動作比較動作1及び比較動作2に応じて、電圧調整部IH、ILから断線検出を行う信号線Lに電位を供給するため、コンパレータ42により、適切に断線の検出を行うことができる。また、本実施の形態では、コンパレータ42がコンデンサC1、C2を備えたチョッパ型コンパレータとして構成されているため、イニシャライズ動作により、コンデンサC1、C2を充電して、当該充電電圧を用いて比較動作1及び比較動作2を行う。このようにコンデンサを二つ備えるため、比較動作1と比較動作2とを続けて行うことができ、比較動作2の前にイニシャライズ動作充電動作を行う必要がないため、断線検出動作を簡略化でき、断線検出動作に要する時間を短縮することができる、という効果が得られる。また、電圧調整部IH、ILは、常時、信号線Lに接続されるのではなく、断線を検出する期間のみ信号線Lに接続するため、電圧調整部IH、ILから電流が常時流れ込むことがなく、待機時の電流暗電流が発生することがない、という効果が得られる。また、断線検出電流は、上述のように、断線検出電流×抵抗Rhi>セルCの電池電圧、の関係になるように設定すればよいため、セルC間をスイッチング素子で短絡させた場合の放電電流よりも小さくすることができる、従って、セルCの電池電圧のばらつきが生じにくくなる。また、コンパレータ42により、適切に断線の検出を行うことができるため、電圧計測セル選択スイッチ28及び電圧計測回路30を使用することなく、断線の検出が行える。従って、電圧計測セル選択スイッチ28及び電圧計測回路30を使用して、セルCの電池電圧を測定する動作の期間中であっても、断線検出を行うことができる、という効果が得られる。[第3の実施の形態]以下、図面を参照して本発明の第3の実施の形態の半導体装置である半導体回路及び、信号線Lの断線の検出を行う断線検出動作について詳細に説明する。図16に、本実施の形態の半導体回路50の概略構成の一例を示す。なお、本実施の形態において、第1の実施の形態及び第2の実施の形態と略同様の構成、及び動作については、その旨を記載し、詳細な説明を省略する。本実施の形態の半導体回路50は、電池セル群12と電圧計測セル選択スイッチ28との間信号線LにLPFローパスフィルタが接続されている。当該LPFは、高周波成分をカットすることにより、電池セル群12の各セルCで発生した急峻な電圧変動を抑制する機能を有している。本実施の形態の半導体回路50は、電池セル群12とLPFとの間の信号線Lの断線を検知する機能を有しており、そのため、スイッチング素子SW1が、電池セル群12とLPFとの間の信号線Lと信号線Lcとを接続し、スイッチング素子3Hが、電池セル群12とLPFとの間の信号線Lに電圧調整部IHから断線検出電流が供給されるように接続し、スイッチング素子SW3Lが、電池セル群12とLPFとの間の信号線Lに電圧調整部ILにより断線検出電流が引き抜かれるように接続するように構成されている。また、スイッチング素子SW2H、SW2Lが、LPFと電圧計測セル選択スイッチ28との間の信号線Lと、信号線Lih、Lilとを接続するように構成されている。なお、セルCから信号線Lに出力された電圧は、LPFの前段と後段とで電圧値電位が異なるため、LPFの前段と後段とを区別して説明するための便宜上、以下では、電池セル群12とLPFとの間の信号線LLPFの前段を信号線L、一方、LPFと電圧計測セル選択スイッチ28との間の信号線LLPFの後段を信号線Vとして説明する。また、本実施の形態の比較回路52は、比較回路42と略同様の構成のため、ここでは詳細な説明を省略する。本実施の形態の半導体回路50における断線検出動作について説明する。本実施の形態においても、第1の実施の形態及び第2の実施の形態と同様に、具体的一例として、信号線Lnの断線図16の×印参照を検出する場合について詳細に説明する。本実施の形態の断線検出動作全体の流れの一例のフローチャートを図17に示す。なお、ここでは、全体の流れを示し、各動作の詳細については後述する。ステップ700では、イニシャライズ動作1を行い、次のステップ702では、低電位側と比較する比較動作1-1を行い、さらに次のステップ704では、高電位側と比較する比較動作1-2を行う。次のステップ706では、イニシャライズ動作2を行い、次のステップ708では、低電位側及び信号線Vと比較する比較動作2を行う。さらに次のステップ710では、イニシャライズ動作3を行い、次のステップ712では、高電位側及び信号線Vと比較する比較動作3を行う。次のステップ714では、全部の信号線Lに対して、ステップ700~712の動作を行ったか否か判断し、行っていなければ、ステップ700に戻り、本動作を繰り返す。一方、全部の信号線Lに対して行った場合は、全部の信号線Lの断線検出動作が終了したため、本処理を終了する。次に、上述図17の各動作について詳細に説明する。本実施の形態のイニシャライズ動作1図16、ステップ700は、第1の実施の形態のイニシャライズ動作図10参照と略同様であるため、フローチャートの記載を省略する。イニシャライズ動作1では、まず、検出する信号線Lのスイッチング素子SW1、低電位側の信号線Lのスイッチング素子SW2L、高電位側のスイッチング素子SW2Hをオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW1nをオンにすると共に、スイッチング素子SW2Ln-1をオンに、スイッチング素子SW2Hn1をオンにする図18参照。次に、コンパレータ52のスイッチング素子SWC3をオンにする。これにより、コンパレータ52のシングル反転増幅器NAMPの入力信号線Lxの電圧はシングル反転増幅器NAMPの自己閾値電圧Vxになる。さらに、コンパレータ52のスイッチング素子SWC1-Aをオンにする図18参照。これにより、コンデンサC1には、信号線Lihの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Lih-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。本実施の形態では、信号線Lihの電圧値=信号線Vn1の電圧、であるため、コンデンサC1には、信号線Vn1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn1-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。また、コンパレータ52のスイッチング素子SWC1-Bをオンにした図18参照後、イニシャライズ動作1を終了する。コンデンサC2には、信号線Lilの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Lil-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。本実施の形態では、信号線Lilの電圧値=信号線Vn-1の電圧、であるため、コンデンサC2には、信号線Vn-1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-1-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。このようにイニシャライズ動作1により、コンデンサC1には、信号線Vn1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn1-自己閾値電圧Vxが充電された状態になり、コンデンサC2には、信号線Vn-1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-1-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。次に、比較動作1-1図17、ステップ702について説明する。本実施の形態の比較動作1-1は、第2の実施の形態の比較動作1図12参照と略同様であるため、フローチャートの記載を省略する。比較動作1-1では、まず、検出する信号線Lのスイッチング素子SW3Lをオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW3Lnをオンにする図19参照。これにより、電圧調整部ILnが信号線Lnに接続される。これにより、信号線Lnの電位が、電圧調整部ILnに引っ張られ、断線検出電流が引き抜かれる。コンパレータ52のスイッチング素子SWC3をオフにする図19参照。これにより、シングル反転増幅器NAMPの入力Lxの電圧はHiインピーダンス状態になり、上述のイニシャライズ動作で充電されたコンデンサC1、C2の電荷が保存された状態になる。コンパレータ52のスイッチング素子SWC1-Aをオフにし、スイッチング素子SWC1-Bをオフにすると共に、スイッチング素子SWC2-Bをオンにする。このときの入力信号線Lxの電圧を電圧Vx’とすると、電圧Vx’=信号線Lc-信号線Vn-1-自己閾値電圧Vx13従って、電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Lc-信号線Vn-114となる。ここで、シングル反転増幅器NAMPの出力電圧をVnampout、利得をGnampとすると、以下の15式となる。出力電圧Vnampout=-利得Gnamp×電圧Vx’-自己閾値電圧Vx15利得Gnampが充分に高い場合、シングル反転増幅器NAMPの出力論理は、電圧Vx’-自己閾値電圧Vxの正負で決定する。信号線Lnが断線していない場合は、信号線Lnから電圧調整部ILnにより引き抜かれる電流電圧は、セルCから供給されるため、信号線Lcの電圧は、信号線Lnの電圧のまま、変化しない。従って、16式のようになる。電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Ln-信号線Vn-1>016これにより、コンパレータ52の出力OUT=Lレベルになる。一方、信号線Lnが断線している場合は、信号線LcはLPFを介して、信号線Vnと接続された状態になる。LPFの抵抗をRlpfとすると、断線検出電流が引き抜かれている信号線Lcの電圧は、17式のようになる。信号線Lc=信号線Vn-電圧調整部ILの電流×抵抗Rlpf17ここで、18式の関係を満たすように、断線検出電流を設定しておけば、19式のようになり、コンパレータ52の出力OUT=Hレベルになる。断線検出電流×抵抗Rlpf>信号線Vn-信号線Vn-1=セルCの電池電圧18電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Lc-信号線Vn-1<019さらに、コンパレータ52より出力された出力OUTを検出し、出力OUTがHレベルか、Lレベルかを判断する。Lレベルの場合は、上述の通り、断線が無いことを検出た後、比較動作1-1を終了する。一方、Hレベルの場合は、上述の通り、断線が有ることを検出し、断線が有る場合は、所定の措置を行った後、比較動作1-1を終了する。このように、比較動作1-1では、断線が無い場合には、出力OUT=Lレベルとなり、断線が有る場合には、出力OUT=Hレベルとなる。次に、比較動作1-2図17、ステップ704について説明する。本実施の形態の比較動作1-2は、第2の実施の形態の比較動作2図17参照と略同様であるため、フローチャートの記載を省略する。なお、ここでは、第2の実施の形態と同様に、比較動作1-1に続いて比較動作1-2を行う場合について説明する。比較動作1-2では、まず、検出する信号線Lのスイッチング素子SW3Lスイッチング素子SW3Ln及びコンパレータ52のスイッチング素子SWC2-Bをオフにする図20参照。検出する信号線Lのスイッチング素子SW3Hをオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW3Hnをオンにする図20参照。これにより、電圧調整部IHnが信号線Lnに接続される。これにより、信号線Lnの電位が、電圧調整部IHnに引っ張られ、断線検出電流が供給される。コンパレータ52のスイッチング素子SWC2-Aをオフにする。このときの入力信号線Lxの電圧を電圧Vx’とすると、電圧Vx’=信号線Lc-信号線Vn1-自己閾値電圧Vx20従って、電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Lc-信号線Vn121となる。信号線Lnが断線していない場合は、電圧調整部IHnから信号線Lnに供給される電流電圧は、セルCに流れ込むため、信号線Lcの電圧は、信号線Lnの電圧のまま、変化しない。従って、22式のようになる。電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Ln-信号線Vn1<022これにより、コンパレータ52の出力OUT=Hレベルになる。一方、信号線Lnが断線している場合は、信号線LcはLPFを介して、信号線Vnと接続された状態になる。LPFの抵抗をRlpfとすると、断線検出電流が供給されている信号線Lcの電圧は23式のようになる。信号線Lc=信号線Vn電圧調整部IHの電流×抵抗Rlpf23ここで、24式の関係を満たすように、断線検出電流を設定しておけば、25式のようになり、コンパレータ52の出力OUT=Lレベルになる。断線検出電流×抵抗Rlpf>信号線Vn-信号線Vn1=セルCn1の電池電圧24電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Lc-信号線Vn1>025さらに、コンパレータ52より出力された出力OUTを検出し、出力OUTがHレベルか、Lレベルかを判断する。Hレベルの場合は、上述の通り、断線が無いことを検出た後、比較動作1-2を終了する。一方、Lレベルの場合は、上述の通り、断線が有ることを検出し、断線が有る場合は、所定の措置を行った後、比較動作1-2を終了する。このように、比較動作1-2では、断線が無い場合には、出力OUT=Hレベルとなり、断線が有る場合には、出力OUT=Lレベルとなる。本実施の形態では、比較動作1-1、1-2の後、さらに比較動作2及び比較動作3を行う。比較動作2の前にまず、比較動作2に必要な電荷をコンパレータ52のコンデンサC1、C2に充電するためのイニシャライズ動作2を行う。図21に、本実施の形態のイニシャライズ動作2図17、ステップ706の流れの一例のフローチャートを示す。なお、ここでは、比較動作1-2に続いてイニシャライズ動作2を行う場合について説明する。ステップ800では、検出する信号線Lのスイッチング素子SW3H、高電位側の信号線Vのスイッチング素子SW2H、コンパレータ52のスイッチング素子SWC2-Aをオフにする。具体的一例として、スイッチング素子SW3Hn、SW2Hn1、及びスイッチング素子SWC2-Aをオフにする図22参照。次のステップ802では、検出する信号線Vのスイッチング素子SW2Hをオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW2Hnをオンにする図22参照。次のステップ804では、コンパレータ52のスイッチング素子SWC3をオンにする。これにより、コンパレータ52のシングル反転増幅器NAMPの入力信号線Lxの電圧はシングル反転増幅器NAMPの自己閾値電圧Vxになる。次のステップ806では、コンパレータ52のスイッチング素子SWC1-Aをオンにする図22参照。これにより、コンデンサC1には、信号線Vnの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。次のステップ808では、コンパレータ52のスイッチング素子SWC1-Bをオンにした図22参照後、イニシャライズ動作2を終了する。コンデンサC2には、信号線Vn-1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-1-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。このようにイニシャライズ動作2により、コンデンサC1には、信号線Vnの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-自己閾値電圧Vxが充電された状態になり、コンデンサC2には、信号線Vn-1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-1-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。次に、イニシャライズ動作2に引き続いて行われる、比較動作2図17、ステップ708について説明する。図23に、本実施の形態の比較動作2の流れの一例のフローチャートを示す。ステップ900では、検出する信号線Lのスイッチング素子SW3Lをオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW3Lnをオンにする図24参照。これにより、電圧調整部ILnが信号線Lnに接続される。これにより、信号線Lnの電位が、電圧調整部ILnに引っ張られ、断線検出電流が引き抜かれる。次のステップ902では、コンパレータ52のスイッチング素子SWC3をオフにする図24参照。これにより、シングル反転増幅器NAMPの入力Lxの電圧はHiインピーダンス状態になり、上述のイニシャライズ動作2で充電されたコンデンサC1、C2の電荷が保存された状態になる。次のステップ904では、コンパレータ52のスイッチング素子SWC1-Aをオフにすると共に、スイッチング素子SWC2-Aをオンにする。さらに次のステップ906では、コンパレータ52のスイッチング素子SWC1-Bをオフにすると共に、スイッチング素子SWC2-Bをオンにする。このときのコンデンサC1の電荷を電荷Q1、静電容量を静電容量C1、コンデンサC2の電荷を電荷Q2、静電容量を静電容量C2とすると、電荷Q1、Q2は、以下の26、27式で表される。電荷Q1=静電容量C1信号線Vn-自己閾値電圧Vx26電荷Q2=静電容量C2信号線Vn-1-自己閾値電圧Vx27さらに、入力信号線Lxの電圧を電圧Vx’とすると、コンデンサC1、C2の合成容量から、以下の28式のようになる。静電容量C1静電容量C2電圧Vx’=静電容量C1信号線Vn-自己閾値電圧Vx静電容量C2信号線Vn-1-自己閾値電圧Vx28従って、以下の29式のようになる。電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Lc-信号線Vn-1-静電容量C1/静電容量C1静電容量C2×信号線Vn-信号線Vn-129上述のように、利得Gnampが充分に高い場合、シングル反転増幅器NAMPの出力論理は、電圧Vx’-自己閾値電圧Vxの正負で決定する。信号線Lnが断線していない場合は、信号線Lnから電圧調整部ILnにより引き抜かれる電流電圧は、セルCから供給されるため、信号線Lcの電圧は、信号線Lnの電圧のまま、変化しない。従って、30式のようになる。電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Lc-信号線Vn-1-静電容量C1/静電容量C1静電容量C2×信号線Vn-信号線Vn-1>030これにより、コンパレータ42の出力OUT=Lレベルになる。一方、信号線Lnが断線している場合は、信号線LcはLPFを介して、信号線Vnと接続された状態になる。LPFの抵抗をRlpfとすると、断線検出電流が引き抜かれている信号線Lcの電圧は、31式のようになる。信号線Lc=信号線Vn-断線検出電流×抵抗Rlpf31ここで、32式の関係を満たすように、断線検出電流を設定しておけば、33式のようになり、コンパレータ52の出力OUT=Hレベルになる。断線検出電流×抵抗Rlpf>信号線Lc-信号線Vn-1-静電容量C1/静電容量C1静電容量C2×信号線Vn-信号線Vn-1=セルCnの電池電圧×静電容量C2/静電容量C1静電容量C232電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Lc-信号線Vn-1-静電容量C1/静電容量C1静電容量C2×信号線Vn-信号線Vn-1<033次のステップ908では、コンパレータ52より出力された出力OUTを検出し、次のステップ910では、出力OUTがHレベルか、Lレベルかを判断する。Lレベルの場合は、ステップ912へ進み、上述の通り、断線が無いことを検出た後、比較動作2を終了する。一方、Hレベルの場合は、ステップ914へ進み、上述の通り、断線が有ることを検出し、断線が有る場合は、ステップ916へ進み、所定の措置を行った後、比較動作2を終了する。このように、比較動作2では、断線が無い場合には、出力OUT=Lレベルとなり、断線が有る場合には、出力OUT=Hレベルとなる。本実施の形態では、比較動作2に引き続き、比較動作3を行う。そのため、比較動作3の前にまず、比較動作3に必要な電荷をコンパレータ52のコンデンサC1、C2に充電するためのイニシャライズ動作3を行う。図25に、本実施の形態のイニシャライズ動作3図17、ステップ710の流れの一例のフローチャートを示す。なお、ここでは、比較動作2に続いてイニシャライズ動作3を行う場合について説明する。ステップ1000では、検出する信号線Lのスイッチング素子SW3L、低電位側の信号線Vのスイッチング素子SW2L、コンパレータ52のスイッチング素子SWC2-A、SWC2-Bをオフにする。具体的一例として、スイッチング素子SW3Ln、SW2Ln-1、及びスイッチング素子SWC2-A、SWC2-Bをオフにする図26参照。次のステップ1002では、検出する信号線Vのスイッチング素子SW2L、及び高電位側の信号線Vのスイッチング素子SW2Hをオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW2Ln、及びスイッチング素子SW2Hn1をオンにする図26参照。次のステップ1004では、コンパレータ52のスイッチング素子SWC3をオンにする。これにより、コンパレータ52のシングル反転増幅器NAMPの入力信号線Lxの電圧はシングル反転増幅器NAMPの自己閾値電圧Vxになる。次のステップ1006では、コンパレータ52のスイッチング素子SWC1-Aをオンにする図26参照。これにより、コンデンサC1には、信号線Vn1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn1-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。次のステップ1008では、コンパレータ52のスイッチング素子SWC1-Bをオンにした図26参照後、イニシャライズ動作3を終了する。コンデンサC2には、信号線Vnの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。このようにイニシャライズ動作3により、コンデンサC1には、信号線Vn1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn1-自己閾値電圧Vxが充電された状態になり、コンデンサC2には、信号線Vnの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。次に、イニシャライズ動作3に引き続いて行われる、比較動作3図17、ステップ712について説明する。図27に、本実施の形態の比較動作3の流れの一例のフローチャートを示す。ステップ1100では、検出する信号線Lのスイッチング素子SW3Hをオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW3Hnをオンにする図28参照。これにより、電圧調整部IHnが信号線Lnに接続される。これにより、信号線Lnの電位が、電圧調整部IHnに引っ張られ、断線検出電流が供給される。次のステップ1102では、コンパレータ52のスイッチング素子SWC3をオフにする図28参照。これにより、シングル反転増幅器NAMPの入力Lxの電圧はHiインピーダンス状態になり、上述のイニシャライズ動作3で充電されたコンデンサC1、C2の電荷が保存された状態になる。次のステップ1004では、コンパレータ52のスイッチング素子SWC1-Aをオフにすると共に、スイッチング素子SWC2-Aをオンにする。さらに次のステップ1106では、コンパレータ52のスイッチング素子SWC1-Bをオフにすると共に、スイッチング素子SWC2-Bをオンにする。上述と同様に、コンデンサC1の電荷を電荷Q1、静電容量を静電容量C1、コンデンサC2の電荷を電荷Q2、静電容量を静電容量C2とすると、電荷Q1、Q2は、以下の34、35式で表される。電荷Q1=静電容量C1信号線Vn1-自己閾値電圧Vx34電荷Q2=静電容量C2信号線Vn-自己閾値電圧Vx35さらに、入力信号線Lxの電圧を電圧Vx’とすると、コンデンサC1、C2の合成容量から、以下の36式のようになる。静電容量C1静電容量C2電圧Vx’=静電容量C1信号線Vn1-自己閾値電圧Vx静電容量C2信号線Vn-自己閾値電圧Vx36従って、以下の37式のようになる。電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Lc-信号線Vn-静電容量C1/静電容量C1静電容量C2×信号線Vn1-信号線Vn37上述したように、利得Gnampが充分に高い場合、シングル反転増幅器NAMPの出力論理は、電圧Vx’-自己閾値電圧Vxの正負で決定する。信号線Lnが断線していない場合は、電圧調整部IHnから信号線Lnに供給される電流電圧は、セルCに流れ込むため、信号線Lcの電圧は、信号線Lnの電圧のまま、変化しない。従って、38式のようになる。電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Lc-信号線Vn-静電容量C1/静電容量C1静電容量C2×信号線Vn1-信号線Vn<038これにより、コンパレータ42の出力OUT=Hレベルになる。一方、信号線Lnが断線している場合は、信号線LcはLPFを介して、信号線Vnと接続された状態になる。LPFの抵抗をRlpfとすると、断線検出電流が引き抜かれている信号線Lcの電圧は、39式のようになる。信号線Lc=信号線Vn断線検出電流×抵抗Rlpf39ここで、40式の関係を満たすように、断線検出電流を設定しておけば、41式のようになり、コンパレータ52の出力OUT=Lレベルになる。断線検出電流×抵抗Rlpf>静電容量C1/静電容量C1静電容量C2×信号線Vn1-信号線Vn=セルCn1の電池電圧×静電容量C1/静電容量C1静電容量C240電圧Vx’-自己閾値電圧Vx=信号線Lc-信号線Vn-静電容量C1/静電容量C1静電容量C2×信号線Vn1-信号線Vn>041次のステップ1108では、コンパレータ52より出力された出力OUTを検出し、次のステップ1110では、出力OUTがHレベルか、Lレベルかを判断する。Hレベルの場合は、ステップ1112へ進み、上述の通り、断線が無いことを検出た後、比較動作3を終了する。一方、Lレベルの場合は、ステップ1114へ進み、上述の通り、断線が有ることを検出し、断線が有る場合は、ステップ1116へ進み、所定の措置を行った後、比較動作3を終了する。このように、比較動作3では、断線が無い場合には、出力OUT=Hレベルとなり、断線が有る場合には、出力OUT=Lレベルとなる。従って、以上説明したように、本実施の形態では、出力OUTの結果が、表3のようになる。以上説明したように、本実施の形態の半導体回路50では、信号線Lnの断線検出を行う場合は、イニシャライズ動作1により、コンパレータ52のコンデンサC1に信号線Vn1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn1-自己閾値電圧Vxが充電された状態にし、かつコンデンサC2に信号線Vn-1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-1-自己閾値電圧Vxが充電された状態にする。比較動作1-1では、電圧調整部ILnにより、信号線Lnから断線検出電流を引き抜き、信号線LcとコンデンサC1とを接続して、出力OUT=Lレベルならば、断線が無いことを検出し、出力OUT=Hレベルならば、断線が有ることを検出する。また、比較動作1-2では、電圧調整部IHnにより、信号線Lnに断線検出電流を供給し、信号線LcとコンデンサC2とを接続して、出力OUT=Hレベルならば、断線が無いことを検出し、出力OUT=Lレベルならば、断線が有ることを検出する。さらに、イニシャライズ動作2により、コンパレータ52のコンデンサC1に信号線Vnの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-自己閾値電圧Vxが充電された状態にし、かつコンデンサC2に信号線Vn-1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-1-自己閾値電圧Vxが充電された状態にする。比較動作2では、電圧調整部ILnにより、信号線Lnから断線検出電流を引き抜き、信号線LcとコンデンサC1、C2とを接続して、出力OUT=Lレベルならば、断線が無いことを検出し、出力OUT=Hレベルならば、断線が有ることを検出する。またさらに、イニシャライズ動作3により、コンパレータ52のコンデンサC1に信号線Vnの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-自己閾値電圧Vxが充電された状態にし、かつコンデンサC2に信号線Vn-1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-1-自己閾値電圧Vxが充電された状態にする。比較動作3では、電圧調整部IHnにより、信号線Lnに断線検出電流を供給し、信号線LcとコンデンサC1、C2とを接続して、出力OUT=Hレベルならば、断線が無いことを検出し、出力OUT=Lレベルならば、断線が有ることを検出する。このように本実施の形態の半導体回路50では、スイッチング素子SW1が断線を検出する位置であるLPFの前段側の信号線Lと、信号線Lcとを接続するように設けられ、スイッチング素子SW2Lが、LPFの後段側の信号線Vと信号線Lilとを接続するように設けられ、スイッチング素子SW2HがLPFの後段側の信号線Vと信号線Lihとを接続するように設けられ、さらにスイッチング素子3Hが信号線Lと電圧調整部IHとを接続し、スイッチング素3Lが信号線Lと電圧調整部ILとを接続するように構成されている。従って、LPFを備えた半導体回路50において、電池セル群12とLPFとの間の信号線LLPFの前段の断線の検出を適切に行える。なお、上述の第2の実施の形態と同様の効果が得られる。すなわち、電圧調整部IH、ILは、常時、信号線Lに接続されるのではなく、断線を検出する期間のみ信号線Lに接続するため、電圧調整部IH、ILから電流が常時流れ込むことがなく、待機時の電流暗電流が発生することがない、という効果が得られる。また、断線検出電流は、上述のような関係式を満たすように設定すればよいため、セルC間をスイッチング素子で短絡させた場合の放電電流よりも小さくすることができる、従って、セルCの電池電圧のばらつきが生じにくくなる。また、コンパレータ52により、適切に断線の検出を行うことができるため、電圧計測セル選択スイッチ28及び電圧計測回路30を使用することなく、断線の検出が行える。従って、電圧計測セル選択スイッチ28及び電圧計測回路30を使用して、セルCの電池電圧を測定する動作の期間中であっても、断線検出を行うことができる、という効果が得られる。[第4の実施の形態]第3の実施の形態では、電池セル群12とLPFとの間の信号線LLPFの前段の断線の検出を行う場合の半導体回路50について詳細に説明したが、LPFと、電圧計測セル選択スイッチ28との間の信号線LLPFの後段の信号線Vの断線の検出を行う場合の半導体回路60の概略構成の一例を図29に示す。本実施の形態の半導体回路60は、LPFと電圧計測セル選択スイッチ28との間の信号線Vの断線を検知する機能を有するため、スイッチング素子SW1が、信号線Vと信号線Lcとを接続し、スイッチング素子3Hが、信号線Vに電圧調整部IHから断線検出電流が供給されるように接続し、スイッチング素子SW3Lが、信号線Vに電圧調整部ILにより断線検出電流が引き抜かれるように接続するように構成されている。また、スイッチング素子SW2H、SW2Lが、電池セル群12とLPFとの間の信号線Lと、信号線Lih、Lilとを接続するように構成されている。なお、断線検出動作は、第3の実施の形態と略同様のためここでは詳細な説明を省略するが、本実施の形態の半導体回路60において、第3の実施の形態と同様の作用により、LPFと電圧計測セル選択スイッチ28との間の信号線LLPFの後段の信号線Vの断線の検出を適切に行うことができ、同様の効果が得られる。なお、上述の第2の実施の形態~第4の実施の形態では、断線を検出する信号線L毎に、各々比較動作を行う場合について説明したがこれに限らず、例えば、各比較動作において、全信号線Lの比較動作を実行し、終了したら次の比較動作を行うようにしてもよい。なお、上述の第1の実施の形態~第4の実施の形態では、各々比較動作において、出力OUTの論理値Hレベル、Lレベルに基づいて信号線Lの断線を検出し、信号線Lの断線が検出される毎に、所定の措置を実行する場合について説明したがこれに限らず、例えば、全ての信号線Lの出力OUTの論理値を得て、記憶部23に格納しておき、記憶部23に格納されている全信号線Lの出力OUTの論理値に基づいて、断線の有無を検出し、所定の措置を実行するようにしてもよい。また例えば、各比較動作では、出力OUTを記憶部23に格納しておき、全ての比較動作が終了した後に、記憶部23に格納されている全ての出力OUTの論理値に基づいて、断線の有無を検出し、所定の措置を実行するようにしてもよい。なお、上述の第1の実施の形態~第4の実施の形態では検出回路22及び記憶部23を半導体回路14内部に備えるように構成したが、これに限らず、別の回路チップ上に形成するようにしてもよい。また、上述では、検出回路22に断線検出実行指示を与える装置及び記憶部23に格納されている論理値をモニタし、断線の有無を検出する装置を外部装置としたがこれに限らず、半導体回路14内に備えるように構成してもよい。