"集積過渡保護を備えたプリント回路基板であって、長さ、幅、及び、断面領域を持った複数の層を有し、前記複数の層は、少なくとも一つの信号領域、及び、少なくとも一つの基準面を備えており、前記少なくとも一つの基準面は、過渡保護材料を含むプリント回路基板。典型的な実施形態の概要ある典型的な実施形態では、集積過渡保護を備えるプリント回路基板PCBは、ここで定義されるように埋め込み平坦過渡保護材料を有する少なくとも一つの基準面を含んだ複数の層を備えている。そのような基準面を使用することの一つの利点は、基準面はヒートシンクとして機能し、これによりPCB上の敏感な電子素子の劣化を改善することである。これら及び他の実施形態並びにここに開示された他の特徴は、以下の説明を読み複数の図面を参照することで、当業者にとって明らかとなる。詳細な説明幾つかの実施形態では、過渡保護は、平坦ポリマー層をPCB積層体内に配置することによって設けられる。そのような埋め込み平坦ポリマー材料を、ここでは過渡保護材料として称する。このような過渡保護材料は、PCB積層体における他の材料の層に重ねられる形態の層であってもよい。過渡保護材料は、ポリイミド、エポキシ、シリコンゴム、又は他のポリマーのベース樹脂を含んでもよい。代替的に、詳しくは後述するように、過渡保護材料は、PCB積層体の一又は複数の層、或いは、一又は複数の導電材料の層の上にコーティングすることができる。幾つかの実施形態では、過渡保護材料の層は、ロールトゥロール処理によって連続的に、又は、分散ピース処理によって、導電箔の層にコーティングすることができる。次いで、過渡保護材料は、加熱処理又は他の硬化処理によって硬化される。ある実施形態では、過渡保護材料は、樹脂層で更にコーティングされる。樹脂層の非制限的な例として、エポキシ、シリコンゴム、又は他のポリマーが挙げられる。コーティングされた導電箔は、一又は複数の非硬化誘電体材料の反対面にあるコーティング又は非コーティングの導電箔の他の片を用いることで、サンドイッチを形成するために用いられる。このサンドイッチの材料は、加熱及び加圧の下で一緒に結合され、コア層構造体を形成する。次いで、このコア層構造体は、標準のPCBプロセスを用いて処理され、ここに述べる当業者によく知られた方法によって、図12A~図14Bに示す特性が得られる。誘電体材料は、エポキシ、ポリイミド、テフロン、又は他のポリマーを含むことができる。誘電体材料は、膜内が強化されてないもの、複数の合成物のファイバガラスで強化されたもの、或いは、様々な合成物のランダムファイバで強化されたものにすることができる。当業者に知られているように、そのようなコア層構造を形成するために他の方法を使用することができる。他の実施形態によれば、導電箔にコーティングされた過渡保護材料は、エポキシ又はポリイミドのようなポリマーにすることができる。この導電箔は、コア層構造体を形成するために、コーティングされた又は非コーティングの他の導電箔に付着することができる。このようなコア層構造体は、ここで説明する当業者に知られた方法によって、図12A~図14Bに示す形態を得るために標準のPCBプロセスを用いて処理することができる。更なる実施形態によれば、過渡保護材料は、過渡保護材料が必要とされない、導電箔をパターニング及びエッチングした後のコア層構造体の領域から、機械的処理によって選択的に除去される。非制限的な例として、そのような処理にはレーザーアブレーション又はサンドブラスティングが含まれる。ある実施形態において、コア構造体では、誘電体材料及び過渡保護材料の合計厚さは、約4ミル未満である。ある実施形態では、誘電体層の厚さは、約0.1ミル~4ミルの範囲にある。誘電体材料及び過渡保護材料の合成体の一方の面の導電箔は、接地面であり、合成体の他方の面の導電箔は、電力面である。そして、コア層構造体は、過渡保護だけでなく埋め込み分散キャパシタンスの追加的な利点を有している。更なる利点は、電力導電層を接地導電層に近付けることによって、面インダクタンスを減少できることである。言い換えると、誘電体材料及び過渡保護材料が薄くなるにつれて、キャパシタンスが増加してインダクタンスが減少する。キャパシタンスを増加させてインダクタンスを減少させることで、より静かな電力分散システムが得られ、これは高い周波数でクリアな信号を実現できる。分散キャパシタなどの幾つかの素子をPCBの表面から更に除去し、コスト削減を図ることができる。この埋め込み平坦キャパシタで生成されたキャパシタンスの量は、過渡保護材料と合成体に用いられる誘電体の誘電率、電力-接地導電層ペアの平坦領域、及び、合成体の厚さに依存する。この構造体によって得られるキャパシタンスの合計は次のようにして計算される。C=0.2244εγA/dここで、C=静電容量ピコファラド、A=面積スクエアインチ、εγ=比誘電率、d=誘電体の厚さインチである。注意すべきは、ここで述べる導電材料の厚さ、樹脂及び過渡保護材料の種類、並びに、誘電体材料の強化又は非強化の有無は、過渡保護を有する埋め込み分散キャパシタにも適用されることである。図2は、過渡からの保護が必要とされる回路の二つの接触領域AとCの間のポリマー領域過渡保護領域を示す図である。図2において、シンボルBは、埋め込み平坦過渡保護材料の領域を示す。図2において、領域Aと領域Cは、過剰電流及び/又は過剰電圧からの保護を必要とする回路に過渡保護ポリマーが取り付けられた二つの接触領域を図式的に示す。領域A,B,Cは、離散点というよりも所与のPCB積層体内の体積領域である。ある実施形態では、多くの場合に、平坦過渡保護材料は、その材料が正及び負の双方の過渡をクランプする特性を持つように、双方向に振舞う。図3は、平坦過渡保護材料によって提供される電圧クランピングを示すグラフである。双方向の保護を提供する平坦過渡保護材料の抵抗は、図3に示すように印加電圧に応答して変化する。図3において、抵抗は曲線302の勾配で示される。急な勾配は、高い抵抗に対応する。同様に、ゆるい勾配は低い抵抗に対応する。通常の動作中、過渡保護領域にかかる電圧は低く、対応する抵抗は高い。しかしながら、過渡保護領域が高い過渡電圧事象に遭遇したとき、過渡保護ポリマー材料の抵抗は減少し、結果として更に大きな電流が過渡保護領域を通過できるようにする。過渡保護領域における抵抗の減少は、過渡電圧を安全なレベルにクランプする一方で、過渡電圧に関連する電流を近くの低インピーダンス基準平坦領域に向けることによって、過渡電圧のピークエクスカーションを制限する。当業者に知られているように、低インピーダンス基準平坦領域は、電力分散面、シャーシ接地面、アナログ接地面、又はデジタル接地面とすることができる。過渡保護材料と結合したそのような低インピーダンス基準領域は、ここでは基準面と称される。より詳しくは、そのような基準面は信号面を除外する。非制限的な例として、平坦過渡保護領域のエリアは、導電配線を含むエリアよりも広く、基準面の下に位置する。平坦過渡保護材料がPCBに渡って分散しているとき、多くの保護点がPCBに同時に取り込まれる。図4Aは、回路の一部に接触するために埋め込み平坦過渡保護材料を用いた過渡からの回路の保護を示す図である。図4Aは、PCB領域400、犠牲回路404、犠牲回路基準406、及び、埋め込み保護領域408を示す。説明のために、過渡電圧402が犠牲回路404においてPCB領域400に入力されると仮定する。過渡保護領域408は、インターコネクトの中央で結合される。過渡保護領域408が過渡電圧402に晒されるとき、過渡保護領域408はピーク電圧を安全レベルにクランプするように作動する。過渡電圧302に起因する過度の高レベル電流は、電力面又は接地面等となり得る犠牲回路基準に短絡される。言い換えると、過度の電流は基準面に向けられる。図4Bは、埋め込み過渡保護材料で保護されていない領域の非安全電圧レベル、及び、埋め込み過渡保護材料で保護された領域のクランプ電圧レベルを示すグラフである。図4Bは、縦軸409aが電圧を示し、横軸409bが電流を示すグラフである。図4Aの過渡電圧402のような過渡電圧がPCBに入力されると、電圧レベルは非安全レベル410になる。しかしながら、過渡電圧が図4Aの過渡保護領域408のような過渡保護領域に遭遇するとき、電圧は安全レベル412にクランプされる。PCBにおける過渡保護材料の使用は、二つの重要な側面を含む。第一に、過渡保護材料は、最適には、PCB積層体内に配置される必要がある。第二に、ポリマーが取り込まれたコア積層体を回路に接続するために使用される導電配線及びビア形状が追加されなければならない。ある実施形態では、平坦過渡保護材料を異なる材料と積層させ、PCB積層体を形成するのに役立つ積層体及びコア合成体を形成してもよい。図5~図11は、平坦過渡保護材料の少なくとも一つの層を含む様々な構造を示す。図5~図11に示された構造体の製造技術は、シングル及びシーケンス積層積上げ製造技術を含む。しかしながら、その技術は実装によって異なる。例えば、過渡保護材料は導電材料又は誘電体材料の層に、ローラーコーティング、スクリーン印刷、リップコーティング、スロットコーティング、カーテンコーティング、ペイント、又はスプレーされる。導電材料層は、連続層としてロールトゥロールの形式、又は、分散ピースの形式で処理することができる。更に、導電材料層は、過渡保護材料によってコーティングし、次いで、そのコーティングされた導電層を誘電体材料にプレスし、加熱及び加圧処理を施すことで、他の構造体に結合される。誘電体材料の非制限激な例としては、Bステージ材料がある。図5は、過渡保護材料層でコーティングされた導電材料層を示すブロック図である。図5は、過渡保護材料504の液体プレカーサでコーティングされた銅箔502を示す。液体プレカーサは一旦コーティングされた後に、硬化される。ある実施形態では、図5に示す構造体が更に前述の基板に結合されたときに、硬化処理が実施されるようにする。ある実施形態では、過渡保護材料は、リセット可能の正温度抵抗特性ポリマーPPTC又は電圧可変誘電体材料VSDMに基づいた非線形ポリマーとすることができる。ある実施形態では、PPTCポリマーは、高速信号線で回路に過渡保護を提供するために比較的低い固有キャパシタンスを持つ。過渡保護材料層504は、上述の様々な技術によって、導電材料の層又は銅箔に追加することができる。図6は、硬化された又は非硬化の誘電体材料層に結合された過渡保護材料層でコーティングされた導電材料層を含む片面コンポジット層を示すブロック図である。図6の構造体は、銅箔などの導電材料層602を一つの表面の過渡保護材料層604でコーティングすることによって得られる。得られる構造体は、加熱及び加圧することで、誘電体材料層606に積層される。図7は、過渡保護材料の一つの層を有する両面コンポジット層を示すブロック図である。図7の構造体は、過渡保護材料層704でコーティングされた、銅箔などの導電材料層702で形成されている。得られた構造体は、誘電体材料の一又は複数の硬化又は未硬化の層からなる誘電体材料層706の一つの表面に積層される。該誘電体材料の他の面に、非コーティングの他の導電材料層708が積層される。ある実施形態では、図7の構造体を形成するための上述の処理は、同時に実行される。図8は、結合された過渡保護材料でコーティングされた二つ導電材料層の間に挟まれた硬化誘電体材料層を含む両面コンポジット層を示すブロック図である。図8の構造体は、過渡保護材料層804でコーティングされた銅箔などの導電材料層802と、過渡保護材料層808でコーティングされた他の導電材料層806との間に、誘電体材料810を挟むことで形成される。異なるコーティング導電箔上の過渡保護材料は、一又は複数の硬化又は非硬化の誘電体材料層から構成することができる。得られたサンドイッチ構造体は加熱及び加圧される。ある実施形態では、図8の構造体を形成するための上述の処理は、同時に実行することができる。図9は、過渡保護材料でコーティングされた他の導電材料層に結合されると共に、過渡保護材料でコーティングされた導電材料層を示すブロック図である。図9の構造体は、図5の二つの構造体502,504を結合することによって形成されている。言い換えると、該構造体は、過渡保護材料904でコーティングされた導電体材料層902を含み、該層902は、過渡保護材料層908でコーティングされた導電材料層906に結合されている。ある実施形態では、図9の構造体を形成するための上述の処理は同時に行われる。図10は、過渡保護材料層に付加された硬化誘電体材料層を示すブロック図である。図10は、誘電体材料層1002と、過渡保護材料層1004を示す。過渡保護材料層は、上記の様々な技術によって誘電体材料層に付加される。この構造体から、導電材料層が誘電体材料層の表面に結合された場合に、他の構造体を得ることができる。得られる構造体は、図6及び図7に示された構造体に類似する。図11は、両面が過渡保護材料層でコーティングされた誘電体材料層を示すブロック図である。図11の構造体は、誘電体材料1102の両面上面、底面が過渡保護材料1104,1106でコーティングされている点を除き、図10に示す構造体に類似する。過渡保護材料の各層は、上述の様々な技術によって誘電体材料層に付加することができる。この構造体から、コーティングされた誘電体材料層の両面に導電材料層が結合されたときに、他の構造を形成することができる。得られた構造体は、図9に示す構造体に類似する。図12Aは、ビアパッドを有するビアアンチパッドを渡る過渡保護領域を示すブロック図である。図12Aは、ビアストラクチャ1206又はビアバレルのアンチパッド領域1204とビアパッド1208を掛け渡す過渡保護領域1202の断面を示す。図12Aは、誘電体領域1210、並びに、過渡保護材料がビアパッド1208及び導電材料1212にそれぞれ接触する接触領域A及びCを示す。このような構造体は、保護されるべき回路の導電部分がPCB積層体の層間に配される様々な回路トポロジーのための過渡保護を提供するために使用される。ビアパッド及び対応するアンチパッドは、多角形にすることができ、また、非制限的な例として正方形、円形、又は楕円形を含む。PCBを貫通するビア構造体が過渡保護領域に接触するため、この方法で構成された如何なるビア構造体も過渡保護領域によって保護することができる。図12Bは、導電領域1212と接するビアパッド1208、及び、ビアパッド1208を導電領域1212に接続する過渡保護材料1202の対応する位置を示す図12Aの回路図である。図13は、過渡保護領域を示すブロック図である。特に、図13は、隣接する誘電体層1306の上の二つの導電体層1304,1308の二つのセクションA,Cに渡って積層された過渡保護ポリマー層1302を含む過渡保護領域の断面を示す。図13の構造体は、二つの導電領域が互いに隣接し非導電領域で分離された基準面トポロジーに、様々な回路のための過渡保護を提供する。制限的ではない例には、基準平坦層、及び、互いに近接する異なる電圧ポテンシャルの基準面に埋め込まれた伝送ライン構造が含まれる。他の非制限的な例には、スロットライン、コプレナー導波管、エッジカップルドデファレンシャルペアトランスミッションライン、並びに、基準面の異なる接地及び電力の領域を分離させる非導電領域のモートが含まれる。図14Aは、ビアパッドを有さないビアアンチパッドを渡る過渡保護領域を示すブロック図である。図14Aは、ビアパッドを有さないビア構造体1406のアンチパッド領域1404を掛け渡す過渡保護領域1402の断面を示す。図14Aは、誘電体領域1408、並びに、過渡保護材料がビア構造体1406及び導電材料1412にそれぞれ接触する接触領域A,Cを示す。そのような構造体は、非機能的なパッドが設けられていない回路のための過渡保護を提供するために用いられる。アンチパッドは、多角形にすることができ、また、非制限的な例として正方形、円形、又は楕円形を含む。上述のように、ビアパッドが無くても、PCBを貫通するビア構造体が過渡保護領域に接触するため、この方法で構成された如何なるビア構造体も過渡保護領域によって保護することができる。図14Bは、導電領域1412と接するビア構造体1406、及び、ビア構造体1406を導電領域1412に接続する過渡保護材料1402の対応する位置を示す図14Aの回路図である。以上のように、本発明の実施形態を、態様ごとに異なり得る様々な具体的詳細を参照して説明した。明細書及び図面は、制限的な意味ではなく例示として扱われるべきである。なお、以上に説明した本発明の実施形態は、以下に記載するものである。1集積過渡保護を備えたプリント回路基板であって、長さ、幅、及び、断面領域を持った複数の層を有し、前記複数の層は、少なくとも一つの信号領域、及び、少なくとも一つの基準面を備えており、前記少なくとも一つの基準面は、過渡保護材料を含むプリント回路基板。2前記過渡保護材料は、導電材料と導電ビアバレルのセクションとの間の領域を接続し、前記導電材料と前記導電ビアバレルのセクションとは、前記少なくとも一つの基準面上に設けられている上記1記載の集積過渡保護を備えたプリント回路基板。3前記過渡保護材料は、導電材料と少なくとも一つのビアパッドとの間の非導電領域を接続し、前記導電材料と前記ビアパッドとは、前記少なくとも一つの基準面上に設けられている上記1記載の集積過渡保護を備えたプリント回路基板。4非導電領域は、正方形、円、楕円形、及び、多角形のうちのいずれか一つを含む上記3記載の集積過渡保護を備えたプリント回路基板。5過渡保護材料でコーティングされた少なくとも一つの導電材料層を含む上記1記載の集積過渡保護を備えたプリント回路基板。6過渡保護材料でコーティングされた前記少なくとも一つの導電材料層は、少なくとも一つの誘電体材料層の少なくとも一つの表面に付着されている上記5記載の集積過渡保護を備えたプリント回路基板。7前記少なくとも一つの導電材料層の厚さは、0.3ミル~80ミルの範囲にある上記6記載の集積過渡保護を備えたプリント回路基板。8前記少なくとも一つの導電材料層の厚さは、0.1ミル~4ミルの範囲にある上記6記載の集積過渡保護を備えたプリント回路基板。9前記導電材料は、銅を含む上記5記載の集積過渡保護を備えたプリント回路基板。10前記少なくとも一つの導電材料層は、0.1ミル~10ミルの範囲にある上記5記載の集積過渡保護を備えたプリント回路基板。11前記過渡保護材料は、電圧可変誘電体材料、並びに、過剰電流及び過剰電圧の少なくとも一つに対して保護する特性を持ったリセット可能な非線形ポリマーの少なくとも一つを備える上記1記載の集積過渡保護を備えたプリント回路基板。12前記過渡保護材料は、電圧の正及び負の両方の過渡をクランプするために、双方向に振舞う上記1記載の集積過渡保護を備えたプリント回路基板。13前記少なくとも一つの基準面は、前記過渡保護材料と接触する導電材料を含む上記1記載の集積過渡保護を備えたプリント回路基板。14PCBの製造に用いられるコア層構造体を製造する方法であって、第1の導電箔層を用いるステップと、前記導電箔の一つの表面に、過渡保護材料層をコーティングするステップと、Bステージ誘電体材料の一又は複数の層を用い、前記コーティングされた前記第1の導電箔層を前記Bステージ誘電体材料の一又は複数の層の一つの面の上に付着させるステップであって、その反対の面に第2の導電箔層が設けられているステップと、を含む方法。15PCBの製造に用いられるコア層構造体を製造する方法であって、上面及び底面を有する導電材料層を用いるステップと、過渡保護材料層を、前記上面及び前記底面の一方にコーティングするステップと、を含む方法。16前記コア層構造体を形成するために、前記コーティングされた導電材料を誘電体材料層の少なくとも一つの表面に付着させるステップを更に含む上記15記載の方法。17前記誘電体材料層は、エポキシ、ポリイミド、テフロン、及び如何なる非導電ポリマーのいずれか一つで形成されている上記16記載の方法。18前記誘電体材料層は、非強化膜である上記16記載の方法。19前記誘電体材料層は、複数の構成成分を持つファイバガラス材料で強化されている上記16記載の方法。20前記誘電体材料層は、複数の構成成分を持つランダムファイバで強化されている上記16記載の方法。21前記コア層構造体をPCB積層体に重ねるステップを更に含む上記16記載の方法。22前記誘電体材料層は、樹脂でコーティングされている上記15記載の方法。23前記樹脂は、ポリイミド及びエポキシポリマーの何れかである上記22記載の方法。24前記過渡保護材料層の露出領域は、機械的処理で除去される上記15記載の方法。25集積過渡保護を有するシステムであって、長さ、幅、及び、断面領域を有する多層プリント回路基板と、前記多層プリント回路基板における一又は複数の層の上に配された複数の電気素子と、を備えており、前記多層プリント回路基板は、少なくとも一つの信号領域、及び、少なくとも一つの基準面を備えており、前記少なくとも一つの基準面は、過渡保護材料を含むシステム。26集積過渡保護を有するプリント回路基板を製造する方法であって、少なくとも一つの信号領域及び少なくとも一つの基準面を有する多層を用いて、前記プリント回路基板を製造するステップと、過渡保護材料及び少なくとも一つの導電材料の層を用いて前記少なくとも一つの基準面を形成するステップと、を含む方法。27前記過渡保護材料は、電流及び電圧の少なくとも一つの正及び負の両方の過渡をクランプするために、双方向に振舞う上記26記載の方法。28集積過渡保護を有する平坦分散キャパシタンス構造体であって、長さ、幅、及び断面領域を有する多層を備え、前記多層は、少なくとも一つのサブ合成構造体を含み、前記サブ合成構造体は、過渡保護材料及び導電材料の少なくとも二つの層を有すると共に、少なくとも100ピコファラドパースクエアインチのキャパシタンスを持つ平坦分散キャパシタンス構造体。290.1ミル~4ミルの範囲の厚さを有する誘電体材料の少なくとも一つの層を更に含む上記28記載の平坦分散キャパシタンス構造体。30集積過渡保護を有するシステムであって、長さ、幅、及び、断面領域を有する多層平坦分散キャパシタンス構造体と、前記多層平坦分散キャパシタンス構造体における一又は複数の層の上に配された複数の電気素子と、を備えており、前記多層平坦分散キャパシタンス構造体は、少なくとも一つのサブ合成構造体を含み、前記サブ合成構造体は、過渡保護材料及び導電材料の少なくとも二つの層を有すると共に、少なくとも100ピコファラドパースクエアインチのキャパシタンスを持つシステム。310.1ミル~4ミルの範囲の厚さを有する少なくとも一つの誘電体材料層を更に含む上記30記載のシステム。"