"MEMSデバイスを製造する方法であって、基板を提供することと、前記基板の上に電極層をデポジションすることと、前記電極層の上に犠牲層をデポジションすることと、開口を形成するために、前記犠牲層のパターン形成を行うことと、前記犠牲層および前記開口の上に移動可能層をデポジションすることと、前記移動可能層の上に且つ少なくとも部分的に前記犠牲層内の開口内に支持構造を形成することと、を備える方法。請求項1に記載の方法であって、前記移動可能層は、機械的副層および反射性副層を含む、方法。請求項2に記載の方法であって、前記機械的副層は、前記反射性副層の上に直接形成される、方法。請求項2に記載の方法であって、前記犠牲層の上に前記移動可能層をデポジションすることは、前記犠牲層の上に反射性副層をデポジションすることと、前記反射性副層のパターン形成を行うことと、前記反射性副層の後に且つ上に第2の犠牲層をデポジションすることと、前記反射性副層の後に且つ上に機械的副層をデポジションすることと、を含む、方法。請求項2に記載の方法であって、前記反射性副層は、アルミニウムを含む、方法。請求項2に記載の方法であって、前記移動可能な副層は、ニッケルおよびクロムからなる群より選択される少なくとも1種の材料を含む、方法。請求項2に記載の方法であって、前記反射性副層は、前記犠牲層のパターン形成の後にデポジションされ、前記方法は、更に、少なくとも前記犠牲層内の前記開口の基底に沿って位置する部分の前記反射層を除去することを備える方法。請求項2に記載の方法であって、前記反射性副層は、前記犠牲層のパターン形成に先立ってデポジションされる、方法。請求項1に記載の方法であって、前記支持構造は、アルミニウム、AlOx、シリコン酸化物、SiNx、ニッケル、およびクロムよりなる群から選択される少なくとも1種の材料を含む、方法。請求項1に記載の方法であって、前記支持構造を形成することは、前記移動可能層の上に且つ少なくとも部分的に前記犠牲層内の前記開口内に、支持材料の層をデポジションすることと、前記開口の上に位置する支持構造を形成するために、前記支持材料の層のパターン形成を行うことと、を含む、方法。請求項10に記載の方法であって、更に、環状ホールを形成するために、前記犠牲層のパターン形成を行い、犠牲材料の柱状部を形成することと、前記犠牲層の上に保護材料の層をデポジションし、前記環状ホールを前記保護材料の層で満たすことと、を備え、前記犠牲層は、前記保護材料に対して選択的にエッチング可能である、方法。請求項11に記載の方法であって、更に、前記犠牲層を露出させるために、前記保護材料の層をエッチバックすることを備え、前記エッチバックは、開口を形成するために前記犠牲層のパターン形成を行うのに先立ってなされ、前記開口は、前記犠牲材料の柱状部内に形成される、方法。請求項12に記載の方法であって、更に、前記犠牲層を除去するために、前記犠牲層をエッチングすることによって、前記移動可能層と前記電極層との間にキャビティを形成することと、前記犠牲材料の柱状部の側面を露出させるために、前記保護材料を除去することと、を備え、前記保護材料は、前記キャビティを形成するために前記犠牲層がエッチングされた後に除去される、方法。請求項10に記載の方法であって、更に、前記移動可能層内に少なくとも1つの開口を形成することと、前記移動可能層内の前記少なくとも1つの開口から前記犠牲層の下の層まで前記犠牲層を通ってビアをエッチングすることと、を備え、前記支持材料の層は、前記ビアを満たす、方法。請求項14に記載の方法であって、前記支持材料の層は、平坦化材料を含む、方法。請求項14に記載の方法であって、前記移動可能層内の前記少なくとも1つの開口は、前記移動可能層の実質的に水平な部分を通って形成される、方法。請求項14に記載の方法であって、前記移動可能層は、前記開口内に側壁を含み、前記少なくとも1つの開口は、前記移動可能層の側壁を通って形成される、方法。請求項10に記載の方法であって、少なくとも1つの支持構造を形成するために、前記支持層のパターン形成を行うことは、更に、前記移動可能層の上に且つ前記犠牲層内の前記開口から離れた位置に少なくとも1つのリブ構造を形成するために、前記支持層のパターン形成を行うことを含む、方法。請求項10に記載の方法であって、更に、前記支持構造の高さを低くするために、前記支持層を研磨することを備える方法。請求項10に記載の方法であって、前記支持材料の層のパターン形成を行うことは、前記移動可能層に対して前記支持層を選択的にエッチングすることを含む、方法。請求項10に記載の方法であって、前記移動可能層は、実質的に平坦な基底部分を含み、前記方法は、更に、前記支持材料の層のデポジションに先立って前記実質的に平坦な基底部分の少なくとも一部を通って開口をエッチングすることを備える方法。請求項1に記載の方法であって、前記支持構造を形成することは、前記移動可能層の上にマスクをデポジションすることと、前記犠牲層内の前記開口の1つの上に位置する少なくとも1つの開口を定めるために、前記マスクのパターン形成を行うことと、めっきプロセスによって、前記マスク内の前記開口内に少なくとも1つの支持構造を形成することと、を含む、方法。請求項22に記載の方法であって、前記支持構造は、電気めっきプロセスによって形成される、方法。請求項1に記載の方法であって、前記基板の上に前記電極層をデポジションすることは、前記基板の上にITOの層をデポジションすることと、前記ITOの層の上にクロムの層をデポジションすることと、を含む、方法。請求項1に記載の方法であって、更に、前記電極層の上に部分反射層をデポジションすることを備え、前記移動可能層は、機械的副層および反射性副層を含み、前記反射性副層は、前記移動可能層の、前記部分反射層に面する側に位置する、方法。請求項1に記載の方法であって、更に、電極開口を形成するために、前記電極層のパターン形成を行うことを備え、前記電極開口は、前記犠牲層内の前記開口の下に位置する、方法。請求項1に記載の方法であって、更に、前記電極層と前記犠牲層との間に誘電層をデポジションすることを備える方法。請求項27に記載の方法であって、前記誘電層は、シリコン酸化物を含む、方法。請求項1に記載の方法であって、更に、前記支持構造の形成に先立って、前記移動可能層の上に接着向上層をデポジションすることを備え、前記接着向上層は、前記移動可能層と前記支持構造との間の接着を向上させる、方法。請求項1に記載の方法であって、更に、前記犠牲層を除去するために、前記犠牲層をエッチングすることによって、前記移動可能層と前記電極層との間にキャビティを形成することを備える方法。請求項30に記載の方法であって、更に、前記犠牲層のエッチングに先立って、前記支持構造の上に保護層をデポジションすることを備える方法。請求項30に記載の方法であって、更に、前記犠牲層のエッチングに先立って、エッチングホールを形成するために前記移動可能層のパターン形成を行うことを備える方法。請求項1に記載の方法であって、更に、前記移動可能層と電気的に接続する第1のリードと、前記電極層と電気的に接続する第2のリードとを形成することを備える方法。請求項33に記載の方法であって、前記移動可能層を形成することは、少なくとも機械層をデポジションすることを含む、方法。請求項34に記載の方法であって、前記第1のリードを形成することは、前記犠牲層の上にある部分の前記機械層から離れるように広がる部分の前記基板の上に、前記機械層をデポジションすることと、前記第1のリードを形成するために、前記機械層のパターン形成を行うことと、を含む、方法。請求項34に記載の方法であって、前記第2のリードを形成することは、前記電極層の露出部分の上に、前記機械層をデポジションすることと、前記第2のリードを形成するために、前記機械層のパターン形成を行うことと、を含む、方法。請求項36に記載の方法であって、前記電極層は、ITOを含み、前記機械層は、ニッケルを含み、前記ニッケルは、前記ITOの露出部分の上に直接デポジションされる、方法。請求項33に記載の方法であって、前記支持構造を形成することは、支持材料の層をデポジションすることを含み、前記支持材料は、非導電性材料を含み、前記支持材料の層は、前記第1のリードおよび前記第2のリードの少なくとも1つの上にデポジションされ、前記リードを保護するために、前記リードの少なくとも一部の上に残留する、方法。請求項38に記載の方法であって、前記支持材料の層は、前記第1のリードおよび前記第2のリードの少なくとも1つのパターン形成に先立ってデポジションされる、方法。請求項38に記載の方法であって、前記支持材料の層は、前記第1のリードおよび前記第2のリードの少なくとも1つのパターン形成の後にデポジションされる、方法。請求項1に記載の方法によって形成されるMEMSデバイス。基板と、前記基板の上に位置する電極層と、前記電極層の上に位置する移動可能層であって、通常、エアギャップによって前記電極層から隔てられ、くぼみを含む移動可能層と、前記移動可能層の上に形成され、少なくとも部分的に前記移動可能層内のくぼみ内にある剛性の支持構造と、を備えるMEMSデバイス。請求項42に記載のMEMSデバイスであって、前記剛性の支持構造は、前記くぼみの外まで伸びて、前記移動可能層の上面を覆う、MEMSデバイス。請求項42に記載のMEMSデバイスであって、前記支持構造は、前記移動可能層内の開口を通って伸びて、下にある層に達する、MEMSデバイス。請求項44に記載のMEMSデバイスであって、前記移動可能層内の前記くぼみは、実質的に平坦な基底部分を含み、前記移動可能層内の前記開口は、前記実質的に平坦な基底部分を通って伸びる、MEMSデバイス。請求項44に記載のMEMSデバイスであって、前記移動可能層内の前記くぼみは、側壁を含み、前記移動可能層内の前記開口は、前記移動可能層の側壁を通って伸びる、MEMSデバイス。請求項42に記載のMEMSデバイスであって、更に、前記移動可能層の下に位置し且つ前記移動可能層内の前記くぼみの周囲に伸びる追加材料の柱状部であって、上にある前記支持構造のための追加の支持を提供する追加材料の柱状部を備えるMEMSデバイス。請求項42に記載のMEMSデバイスであって、更に、前記基板上に位置し、前記移動可能層と通信する第1のリードと、前記基板上に位置し、前記電極層と通信する第2のリードと、を備えるMEMSデバイス。請求項48に記載のMEMSデバイスであって、更に、前記第1のリードおよび前記第2のリードの一方の少なくとも一部の上に形成される不動態化材料のパッチを備え、前記不動態化材料のパッチと、前記剛性の支持構造とは、同じ材料で形成される、MEMSデバイス。請求項48に記載のMEMSデバイスであって、前記移動可能層は、機械的副層を含み、前記第1のリードは、前記機械的副層と同じ材料で形成される、MEMSデバイス。請求項48に記載のMEMSデバイスであって、前記第2のリードは、ニッケルの層に直接接触するITOの層を含む、MEMSデバイス。請求項42に記載のMEMSデバイスであって、更に、前記電極層と前記エアギャップとの間に位置する誘電層を含む、MEMSデバイス。請求項42に記載のMEMSデバイスであって、前記支持構造は、アルミニウム、AlOx、シリコン酸化物、SiNx、ニッケル、およびクロムよりなる群から選択される少なくとも1種の材料を含む、MEMSデバイス。請求項42に記載のMEMSデバイスであって、更に、前記移動可能層の上に且つ前記移動可能層内の前記くぼみから離れた位置に少なくとも1つのリブ構造を備え、前記リブ構造は、前記支持構造と同じ材料で形成される、MEMSデバイス。請求項42に記載のMEMSデバイスであって、前記移動可能層は、反射性副層および機械的副層を含み、前記移動可能層内の前記くぼみは、前記支持領域内の少なくとも前記機械的副層内にくぼみを含む、MEMSデバイス。請求項42に記載のMEMSデバイスであって、更に、前記支持構造の上に位置する保護層を含む、MEMSデバイス。請求項42に記載のMEMSデバイスであって、更に、前記電極層および前記移動可能層の少なくとも一方と通信するように構成されるプロセッサであって、画像データを処理するように構成されるプロセッサと、前記プロセッサと通信するように構成されるメモリデバイスと、を備えるMEMSデバイス。請求項57に記載のMEMSデバイスであって、更に、前記電極層および前記移動可能層の少なくとも一方に少なくとも1つの信号を送信するように構成されるドライバ回路を備えるMEMSデバイス。請求項58に記載のMEMSデバイスであって、更に、前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部を送信するように構成されるコントローラを備えるMEMSデバイス。請求項57に記載のMEMSデバイスであって、更に、前記プロセッサに前記画像データを送信するように構成される画像ソースモジュールを備えるMEMSデバイス。請求項60に記載のMEMSデバイスであって、前記画像ソースモジュールは、レシーバ、トランシーバ、およびトランスミッタの少なくとも1つを含む、MEMSデバイス。請求項57に記載のMEMSデバイスであって、更に、入力データを受信して、前記入力データを前記プロセッサに伝達するように構成される入力デバイスを備えるMEMSデバイス。電気伝導のための第1の手段と、電気伝導のための第2の手段と、前記第1の伝導手段の上に前記第2の伝導手段を支持するための手段と、を備えるMEMSデバイスであって、前記支持手段は、前記電気伝導のための第2の手段の一部の上にあり、前記第2の伝導手段は、前記第1の伝導手段と前記第2の伝導手段との間における静電ポテンシャルの生成に応えて、前記第1の伝導手段に相対的に移動可能である、MEMSデバイス。請求項63に記載のMEMSデバイスであって、前記第1の伝導手段は、基板によって支持される電極を含む、MEMSデバイス。請求項63に記載のMEMSデバイスであって、前記第2の伝導手段は、エアギャップによって一部を前記第1の伝導手段から隔てられた移動可能層を含む、MEMSデバイス。請求項65に記載のMEMSデバイスであって、前記支持手段は、前記第2の伝導手段の上に形成され且つ少なくとも部分的に前記第2の伝導手段内の前記くぼみ内にある少なくとも1つの支持構造を含む、MEMSデバイス。1つの実施形態において、MEMSデバイスを製造する方法が提供される。該方法は、基板を提供することと、基板の上に電極層をデポジションすることと、電極層の上に犠牲層をデポジションすることと、開口を形成するために犠牲層のパターン形成を行うことと、犠牲層の上に移動可能層をデポジションすることと、移動可能層の上に且つ少なくとも部分的に犠牲層内の開口内に支持構造を形成することと、犠牲層を除去するために犠牲層をエッチングすることによって、移動可能層と電極層との間にキャビティを形成することと、を備える。別の一実施形態において、MEMSデバイスが提供される。該MEMSデバイスは、基板と、基板の上に位置する電極層と、電極層の上に位置する移動可能層であって、通常、エアギャップによって電極層から隔てられ、支持領域内にくぼみを含み、移動可能層の上に形成され且つ少なくとも部分的に移動可能層内のくぼみ内にある剛性の支持構造と、を備える。別の一実施形態において、MEMSデバイスが提供される。該MEMSデバイスは、電気伝導のための第一の手段と、電気伝導のための第二の手段と、第一の伝導手段の上に第二の伝導手段を支持するための手段と、を備え、支持手段は、電気伝導のための第二の手段の部分の上にあり、第二の伝導手段は、第一の伝導手段と第二の伝導手段との間における静電ポテンシャルの生成に応えて、第一の伝導手段に相対的に移動可能である。別の一実施形態において、MEMSデバイスを製造する方法が提供される。該方法は、基板を提供することと、基板の上に電極層をデポジションすることと、電極層の上に犠牲層をデポジションすることと、開口を形成するために、犠牲層のパターン形成を行うことと、犠牲層の上に支持構造を形成することであって、支持構造は、少なくとも部分的に犠牲材料内の開口内に形成され、支持構造は、犠牲材料の実質的に平坦な部分の上に広がる実質的に水平の羽部分を含む、ことと、犠牲層および支持構造の上に移動可能層をデポジションすることと、を備える。別の一実施形態において、MEMSデバイスが提供される。該デバイスは、基板と、基板の上に位置する電極層と、電極層の上に位置する移動可能層であって、通常、ギャップによって電極層から隔てられた移動可能層と、移動可能層の少なくとも一部の下にある支持構造であって、ギャップによって電極層から隔てられた実質的に水平な羽部分を含む支持構造と、を備える。別の一実施形態において、MEMSデバイスが提供される。該MEMSデバイスは、電気伝導のための第一の手段と、電気伝導のための第二の手段と、第一の伝導手段の上に第二の伝導手段を支持するための手段と、を備え、第二の伝導手段は、支持手段の上にあり、第一の伝導手段と第二の伝導手段との間における静電ポテンシャルの生成に応えて、第一の伝導手段に相対的に移動可能であり、支持手段は、第一の伝導手段から隔てられた実質的に水平な羽部分を含む。以下の詳細な説明は、本発明の特定の具体的実施形態に関する。しかしながら、本発明は、多くの異なるかたちで実現することができる。この説明では、図面が参照にされ、図中、類似の構成要素は一貫して類似の符号を使用して示される。以下の説明から明らかなように、これらの実施形態は、動いているもの例:ビデオであれ静止しているもの例:静止画像であれ、テキスト形式であれ映像形式であれ、画像を表示するように構成された任意のデバイスにおいて実現可能である。より具体的には、これらの実施形態は、携帯電話、ワイヤレス機器、携帯情報端末PDA、手持ちサイズの、すなわち携帯用のコンピュータ、GPSレシーバ/ナビゲータ、カメラ、MP3プレーヤ、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、時計、計算機、テレビ用モニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータ用モニタ、自動車用ディスプレイ例:走行距離計等など、コックピットのコントロールパネルおよび/もしくはディスプレイ、カメラ視野のディスプレイ例:車の後方確認用カメラのディスプレイ、電子写真、電光の掲示板もしくはサイン、プロジェクタ、建造物、パッケージング、ならびに美的構造物例:宝石への画像のディスプレイを非限定的に含む、様々な電子デバイスにおいて実現可能である、またはそのような電子デバイスに関連付けることが可能であると考えられる。また、本明細書において説明されるものと類似の構造のMEMSデバイスを、電子的切り替えデバイスなどの非ディスプレイ用途に使用することも可能である。インターフェロメトリックモジュレータ素子などの個々のMEMS素子には、個々の素子の内部および縁の両方に、支持構造を提供することができる。特定の実施形態において、これらの支持構造は、移動可能層内のくぼみの上に位置する支持層を含むことができる。これらの構造を、アルミニウムまたは酸化物などの剛性材料で形成することによって、剛性の低い材料で形成された構造と比べてMEMSデバイスの動作の安定性を向上させることができる。また、剛性材料の使用は、時間の経過とともに生じる支持構造の漸進的な劣化または変形に関する問題を緩和する。この問題は、所定のピクセルによって反射される色を次第にずれさせる恐れがある。また、これらの支持構造は、MEMSデバイスの上にあるので、MEMSデバイスの動作を妨げることなく必要な厚さに作成することができる。特定の実施形態において、上にある支持構造は、移動可能層を通って伸びて、下にある固定層に接触することによって、上にある支持構造の縁部分を、下にある層につなぎとめる且つ/またはもたせかけることができる。その他の実施形態では、移動可能層を部分的に補強したり、あるいはMEMSデバイスの中または周囲の露出したリードを不動態化したりするために、残留したパッチ状の支持材料を使用することができる。その他の実施形態において、これらの支持構造は、MEMS素子内の、移動可能層の下にある構造を含むことができる。これらの構造を、金属または酸化物などの無機質の剛性材料で形成することによって、剛性の低い材料で形成された構造と比べてMEMSデバイスの動作の安定性を向上させることができる。また、剛性材料の使用は、時間の経過とともに生じる支持構造の漸進的な劣化または変形に関する問題を緩和する。この問題は、所定のピクセルによって反射される色を次第にずれさせる恐れがある。更なる実施形態は、下にある支持構造と、上にある支持構造と、の両方を含むことができる。また、支持構造の形成において、MEMSデバイス内の他の構成要素に対して選択的にエッチング可能ではない材料の使用を容易にするために、エッチング障壁をデポジションすることもできる。また、MEMSデバイスの各種の構成要素を互いに接着しやすくするために、支持構造間および他の層間に、追加の層をデポジションすることもできる。インターフェロメトリックMEMSディスプレイ素子を含むインターフェロメトリックモジュレータディスプレイの1つの実施形態が、図1に示されている。これらのデバイスにおいて、ピクセルは、明るい状態または暗い状態のいずれかにある。明るいオンまたは開状態では、ディスプレイ素子は、入射する可視光の大半をユーザへと反射させる。暗いオフまたは閉状態では、ディスプレイ素子は、入射する可視光をほとんどユーザへと反射させない。オン状態およびオフ状態における光反射特性は、実施形態に応じて逆転可能である。MEMSピクセルは、主に選択された色で反射するように構成することができる。これは、白黒に加えてカラーの表示を可能にする。図1は、ビジュアルディスプレイの一連のピクセルのなかの2つの隣接するピクセルを示した等角図である。図中、各ピクセルは、MEMSインターフェロメトリックモジュレータを含む。実施形態によっては、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイは、これらのインターフェロメトリックモジュレータの行列からなる配列を含む。各インターフェロメトリックモジュレータは、少なくとも1つの可変次元をともなう共振光キャビティを形成するために、互いから可変で且つ制御可能な距離に配置された一対の反射層を含む。1つの実施形態において、反射層の一方は、2つの位置の間で移動可能である。本明細書において解放位置と称される第一の位置では、この移動可能層は、固定の部分反射層から比較的大きな距離を隔てて配置されている。本明細書において作動位置と称される第二の位置では、この移動可能層は、部分反射層に対してより近くに隣接して配置されている。これらの2層から反射される入射光は、移動可能な反射層の位置に応じて建設的または相殺的に干渉することによって、ピクセル毎に全反射または非反射のいずれかの状態を生じる。図1に示された部分のピクセル配列は、2つの隣接するインターフェロメトリックモジュレータ12a,12bを含む。左側のインターフェロメトリックモジュレータ12aでは、移動可能な反射層14aは、部分反射層を含む光学スタック16aから所定の距離にある解放位置で示されている。右側のインターフェロメトリックモジュレータ12bでは、移動可能な反射層14bは、光学スタック16bに隣接する作動位置で示されている。本明細書において言及される光学スタック16a,16b光学スタック16として総称されるは、通常、インジウムスズ酸化物ITOなどの電極層と、クロムなどの部分反射層と、透明な誘電体と、を含むことができる何枚かの溶融層を含む。光学スタック16は、したがって、導電性であり、部分的に透明であり、且つ部分的に反射性であり、例えば、上記の層の1枚または2枚以上を透明基板20上にデポジションすることによって作成することができる。部分反射層は、各種の金属、半導体、および誘電体など、部分的に反射性である様々な材料で形成することができる。部分反射層は、1枚または2枚以上の材料層で形成することができ、これらの各層は、単一の材料または複数の材料の組み合わせで形成することができる。いくつかの実施形態において、光学スタック16のこれらの層は、平行な帯状片となるようにパターン形成され、後ほど詳述されるように、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成することができる。移動可能な反射層14a,14bは、支柱18の上、および支柱18間にデポジションされた介在犠牲材料の上にデポジションされた、1枚または2枚以上の金属層からなる一連の平行な帯状片行電極16a,16bに直交するとなるように、形成することができる。犠牲材料がエッチング除去されると、移動可能な反射層14a,14bは、定められたエアギャップ19によって光学スタック16a,16bから分離される。反射層14としては、アルミニウムなどの高伝導性で且つ反射性の材料が使用されてよく、これらの帯状片は、ディスプレイデバイスにおける列電極を形成することができる。電圧を印加されていないとき、キャビティ19は、移動可能な反射層14aと光学スタック16aとの間に維持され、移動可能な反射層14aは、図1のピクセル12aによって示されるように、機械的に解放された状態にある。しかしながら、選択された行および列に電位差が印加されると、対応するピクセルにおいて行電極と列電極との交差位置に形成されたコンデンサは、帯電状態となり、静電力が、これらの電極を引き合わせる。もし電圧が十分に高いと、移動可能な反射層14は、変形され、光学スタック16に押し付けられる。図1の右側のピクセル12bによって示されるように、光学スタック16内の誘電層不図示が、短絡を阻止し、層14と層16との間の分離距離を制御することができる。この挙動は、印加された電位差の極性にかかわらず同じである。このように、反射と非反射との間でピクセルの状態を制御する行/列作動は、従来のLCD技術およびその他のディスプレイ技術で使用されるものと、多くの意味で類似している。図2~5Bは、ディスプレイの用途においてインターフェロメトリックモジュレータの配列を使用するための、代表的なプロセスおよびシステムの1つを示している。図2は、本発明の態様を組み込むことができる電子デバイスの1つの実施形態を示したシステムブロック図である。この代表的な実施形態において、電子デバイスは、ARM、Pentium登録商標、Pentium登録商標II、Pentium登録商標III、Pentium登録商標IV、Pentium登録商標Pro、8051、MIPS登録商標、PowerPC登録商標、ALPHA登録商標などの任意の汎用のシングルチップマイクロプロセッサもしくはマルチチップマイクロプロセッサ、またはデジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ、もしくはプログラマブルゲートアレイなどの任意の専用マイクロプロセッサでありうるプロセッサ21を含む。当該分野において常であるように、プロセッサ21は、1つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成することができる。オペレーティングシステムの実行に加えて、プロセッサは、Webブラウザ、テレフォンアプリケーション、電子メールプログラム、もしくはその他の任意のアプリケーションソフトを含む、1つまたは複数のアプリケーションソフトを実行するように構成することができる。1つの実施形態において、プロセッサ21は、また、配列ドライバ22と通信するようにも構成される。1つの実施形態において、配列ドライバ22は、ディスプレイ配列すなわちパネル30に信号を提供する行ドライバ回路24および列ドライバ回路26を含む。図1に示された配列の断面は、図2において線1-1で示されている。MEMSインターフェロメトリックモジュレータについて、行/列作動プロトコルは、図3に示された、これらのデバイスのヒステリシス特性を上手く活用することができる。例えば、移動可能層を解放状態から作動状態へと変形させるために、10ボルトの電位差が必要とされる。しかしながら、この値から電圧が減少する際に、移動可能層は、自身の状態を、電圧が10ボルト未満に降下するあいだ維持する。図3の代表的な実施形態において、移動可能層は、電圧が2ボルト未満に降下するまで完全には解放されない。したがって、デバイスが解放状態または作動状態のいずれかで安定する印加電圧のウィンドウが存在し、これは、図3に示された例では、例えば約3~7ボルトの範囲である。これは、本明細書において、ヒステリシスウィンドウまたは安定性ウィンドウと称される。図3のヒステリシス特性を有するディスプレイ配列に対しては、行/列作動プロトコルは、行ストローブ中、ストローブされた行にある作動対象のピクセルは約10ボルトの電圧差をかけられ、解放対象のピクセルは0ボルトに近い電圧差をかけられるように設計することができる。ストローブ後、ピクセルは、その行ストローブによって置かれた状態に留まるように、約5ボルトの定常状態電圧差をかけられる。書き込み後の各ピクセルは、この例では3~7ボルトの安定性ウィンドウ内の電位差をかけられている。この特徴は、図1に示されたピクセル設計を、既存の作動状態または解放状態のいずれでも、同じ印加電圧条件下で安定させる。インターフェロメトリックモジュレータの各ピクセルは、作動状態であれ解放状態であれ、本質的に、固定の反射層と移動可能な反射層とによって形成されるコンデンサであるので、この安定状態は、ほとんど電力損失を生じることなく、ヒステリシスウィンドウ内の電圧で維持することができる。印加電圧が固定されている間は、基本的に、ピクセルに電流は流れない。代表的な用途では、第一の行における所望の作動ピクセルセットに応じて列電極セットをアサートすることによって、表示フレームを作成することができる。次いで、行1の電極に行パルスが印加され、アサートされた列ラインに対応するピクセルが作動される。アサートされた列電極セットは、次いで、第二の行における所望の作動ピクセルセットに対応するように変化される。次いで、行2電極にパルスが印加され、アサートされた列電極に応じて行2における適切なピクセルが作動される。行1のピクセルは、行2パルスによって影響されず、行1パルス中に設定された状態に留まる。これは、フレームを生成するために、一連の全ての行に対して順次繰り返すことができる。一般に、フレームは、このプロセスをいくらかの所望の毎秒フレーム数で絶えず繰り返すことによって、リフレッシュされる、且つ/または新しい表示データに更新される。この他にも、ピクセル配列の行電極および列電極を駆動して表示フレームを生成するための様々なプロトコルがよく知られており、これらもまた、本発明に関連して使用することができる。図4、図5A、および図5Bは、図2の3×3配列上に表示フレームを作成するための、考えられる1つの作動プロトコルを示している。図4は、図3のヒステリシス曲線を呈しているピクセルに対して使用可能な列電圧レベルおよび行電圧レベルとして考えられるセットを示している。図4の実施形態において、ピクセルの作動は、適切な列を-Vbiasに設定するとともに適切な行をΔVに設定することをともない、これらは、-5ボルトおよび5ボルトにそれぞれ対応することができる。ピクセルの解放は、適切な列をVbiasに設定するとともに適切な行をΔVに設定することによって達成され、これは、そのピクセルの両端に0ボルトの電位差を生成する。行電圧を0ボルトに保持されている行では、ピクセルは、その列がVbiasまた-Vbiasはのいずれであるかにかかわらず、もとからの状態に安定して維持される。図4にも示されるように、上述された場合と逆の極性の電圧も使用可能であることが理解される。例えば、ピクセルの作動は、適切な列をVbiasに設定するとともに適切な行を-ΔVに設定することをともなうことができる。この実施形態では、ピクセルの解放は、適切な列を-Vbiasに設定するとともに適切な行を-ΔVに設定することによって達成され、これは、そのピクセルの両端に0ボルトの電位差を生成する。図5Bは、図2の3×3配列に印加される一連の行信号および列信号を示したタイミング図であり、その結果、作動ピクセルが非反射となる図5Aに示されたディスプレイ構成が得られる。図5Aに示されたフレームの書き込みに先立って、ピクセルは、任意の状態にあることが可能である。この例では、全ての行は0ボルトに、そして全ての列は5ボルトにある。これらの信号を印加された状態で、全てのピクセルは、自身の既存の作動状態または解放状態で安定している。図5Aのフレームでは、ピクセル1,1、1,2、2,2、3,2、および3,3が作動されている。これを達成するため、行1用のライン時間中、列1および列2が-5ボルトに設定され、列3が5ボルトに設定される。これは、いずれのピクセルの状態も変化させない。なぜならば、全てのピクセルは、3~7ボルトの安定性ウィンドウ内に留まるからである。次いで、0から5ボルトに上昇して再び0に戻るパルスによって、行1がストローブされる。これは、1,1ピクセルおよび1,2ピクセルを作動させ、1,3ピクセルを解放させる。配列内の他のピクセルは、いずれも影響されない。行2を望むとおりに設定するため、列2は-5ボルトに設定され、列1および列3は5ボルトに設定される。次いで、行2に対しても同じストローブを印加すると、ピクセル2,2が作動され、ピクセル2,1およびピクセル2,3が解放される。やはり、配列内の他のピクセルは影響されない。行3も、列2および列3を-5ボルトに、そして列1を5ボルトに設定することによって、同様に設定される。行3ストローブは、行3のピクセルを、図5Aに示されるように設定する。フレームの書き込み後、行の電位はゼロであり、列の電位は5ボルトまたは-5ボルトのいずれかに留まることができる。そして、ディスプレイは、図5Aの構成で安定する。数十または数百の行および列を有する配列にも、同様の手続きが利用可能であることが理解される。また、行および列の作動を実施するために使用されるタイミング、順序、および電圧レベルは、上記に概略を記された一般的原理の範囲内で様々に可変であること、上記の実施例は、例示を目的としたものに過ぎないこと、そして、任意の作動電圧方法が、本明細書において説明されるシステムおよび方法とともに使用可能であることが理解される。図6Aおよび図6Bは、ディスプレイデバイス40の1つの実施形態を示したシステムブロック図である。ディスプレイデバイス40は、例えば、セルラー式電話、すなわち携帯電話であることが可能である。しかしながら、ディスプレイデバイス40と同じ構成要素、またはそれらを僅かに変更した形態は、テレビおよびポータブルメディアプレーヤなどの様々なタイプのディスプレイデバイスを示すこともできる。ディスプレイデバイス40は、ハウジング41、ディスプレイ30、アンテナ43、スピーカ45、入力デバイス48、およびマイクロフォン46を含む。ハウジング41は、一般に、射出成形および真空成形を含む、当該分野の当業者にとって周知の様々な製造プロセスのうちの任意のプロセスによって形成される。また、ハウジング41は、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、およびセラミック、またはそれらの組み合わせを非限定的に含む、様々な材料のうちの任意の材料で作成することができる。1つの実施形態において、ハウジング41は、取り外し可能部分不図示を含み、これらの部分は、異なる色の、または異なるロゴ、絵、もしくはマークを含む、他の取り外し可能部分と交換することができる。代表的ディスプレイデバイス40のディスプレイ30は、本明細書において説明されるように、双安定ディスプレイを含む様々なディスプレイのうちの任意のディスプレイであることが可能である。その他の実施形態では、ディスプレイ30は、上述のような、プラズマ、EL、OLED、STNLCD、もしくはTFTLCDなどのフラットパネルディスプレイ、または当業者に良く知られているような、CRTもしくは他の管デバイスなどの非フラットパネルディスプレイを含む。ただし、本実施形態の説明のため、ディスプレイ30は、本明細書において説明されるように、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを含むものとする。代表的ディスプレイデバイス40の1つの実施形態の構成要素が、図6Bに概略を示されている。図示されている代表的ディスプレイデバイス40は、ハウジング41を含み、更に、ハウジング41で少なくとも部分的に囲まれた追加の構成要素を含むことができる。例えば、1つの実施形態において、代表的ディスプレイデバイス40は、トランシーバ47に結合されたアンテナ43を含むネットワークインターフェース27を含む。トランシーバ47は、プロセッサ21に接続され、プロセッサ21は、調整ハードウェア52に接続される。調整ハードウェア52は、信号を調整する例:信号をフィルタリングするように構成することができる。調整ハードウェア52は、スピーカ45およびマイクロフォン46に接続される。プロセッサ21は、また、入力デバイス48およびドライバコントローラ29に接続される。ドライバコントローラ29は、フレームバッファ28および配列ドライバ22に結合され、配列ドライバ22は、更に、ディスプレイ配列30に結合される。電源50は、特定の代表的ディスプレイデバイス40の設計要件に応じて全ての構成要素に電力を供給する。ネットワークインターフェース27は、代表的ディスプレイデバイス40がネットワークを通じて1つまたは複数のデバイスと通信することができるように、アンテナ43およびトランシーバ47を含む。1つの実施形態において、ネットワークインターフェース27は、プロセッサ21の要件を軽減するために、いくらかの処理能力を有することもできる。アンテナ43は、当業者に知られている任意の信号送受信用アンテナである。1つの実施形態において、アンテナは、IEEE802.11a、b、またはgを含むIEEE802.11標準にしたがってRF信号の送受信を行う。別の一実施形態では、アンテナは、Bluetooth登録商標標準にしたがってRF信号の送受信を行う。セルラー式電話の場合、アンテナは、CDMA信号、GSM登録商標信号、AMPS信号、またはワイヤレスセルフォンネットワーク内における通信に使用されるその他の既知の信号を受信するように設計される。トランシーバ47は、アンテナ43から受信される信号に前処理を施すことによって、それらをプロセッサ21によって受信して更なる操作を行うことを可能にする。トランシーバ47は、また、プロセッサ21から受信される信号を処理することによって、それらをアンテナ43を介して代表的ディスプレイデバイス40から送出することを可能にする。代替の一実施形態において、トランシーバ47は、レシーバで置き換えることができる。更に別の代替の一実施形態において、ネットワークインターフェース27は、プロセッサ21に送られるべき画像データを格納または生成することができる画像ソースで置き換えることができる。例えば、画像ソースは、画像データを含むデジタルビデオディスクDVDもしくはハードディスクドライブ、または画像データを生成するソフトウェアモジュールであることが可能である。プロセッサ21は、一般に、代表的ディスプレイデバイス40の全体の動作を制御する。プロセッサ21は、ネットワークインターフェース27または画像ソースからの圧縮画像データなどのデータを受信し、そのデータを処理することによって、生raw画像データ、または処理によって容易に生画像データにすることができるフォーマットにする。プロセッサ21は、次いで、処理されたデータを、ドライバコントローラ29に送信する、または格納のためにフレームバッファ28に送信する。生データは、通常、画像内の各位置における画像特性を識別する情報を表している。例えば、このような画像特性は、色、彩度、およびグレースケールレベルを含むことができる。1つの実施形態において、プロセッサ21は、代表的ディスプレイデバイス40の動作を制御するためのマイクロコントローラ、CPU、または論理ユニットを含む。調整ハードウェア52は、一般に、スピーカ45に信号を伝送するための、およびマイクロフォン46からの信号を受信するための、増幅器とフィルタとを含む。調整ハードウェア52は、代表的ディスプレイデバイス40内における個別の構成要素であってもよいし、またはプロセッサ21もしくはその他の構成要素の中に組み込まれてもよい。ドラバコントローラ29は、プロセッサ21によって生成された生画像データを、プロセッサ21から直接取得し、またはフレームバッファ28から取得し、その生画像データを、配列ドライバ22への高速伝送に適するように再フォーマットする。具体的には、ドライバコントローラ29は、生画像データを、ラスタ状のフォーマットを有するデータフローに再フォーマットすることによって、データに、ディスプレイ配列30の走査に適した時間順序を付与する。次いで、ドライバコントローラ29は、フォーマットされた情報を配列ドライバ22に送信する。LCDコントローラなどのドライバコントローラ29は、独立型の集積回路ICの形でシステムプロセッサ21と関連付けられることが多いが、このようなコントローラは、様々な形で実現することができる。例えば、ハードウェアの形でプロセッサ21に埋め込まれてもよいし、ソフトウェアの形でプロセッサ21に埋め込まれてもよいし、または配列ドライバ22をともなう形でハードウェアにまるごと組み込まれてもよい。通常、配列ドライバ22は、フォーマットされた情報をドライバコントローラ29から受信し、そのビデオデータを平行波長のセットに再フォーマットする。これらの平行波長のセットは、ディスプレイのx-yピクセル行列から引かれる数百本の、ときには数千本のリードに1秒当たり多数回印加される。1つの実施形態において、ドライバコントローラ29、配列ドライバ22、およびディスプレイ配列30は、本明細書において説明される任意のタイプのディスプレイに適している。例えば、1つの実施形態において、ドライバコントローラ29は、従来のディスプレイコントローラまたは双安定ディスプレイコントローラ例:インターフェロメトリックモジュレータコントローラである。別の一実施形態において、配列ドライバ22は、従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバ例:インターフェロメトリックモジュレータディスプレイである。1つの実施形態において、ドライバコントローラ29は、配列ドライバ22に統合されている。このような一実施形態は、セルラー式電話、腕時計、およびその他の小面積型ディスプレイなどの高度に集積されたシステムでよく見られる。更に別の一実施形態では、ディスプレイ配列30は、通常のディスプレイアレイまたは双安定ディスプレイアレイ例:インターフェロメトリックモジュレータの配列を含むディスプレイである。入力デバイス48は、ユーザが、代表的ディスプレイデバイス40の動作を制御することを可能にする。1つの実施形態において、入力デバイス48は、QWERTYキーボードまたは電話キーパッドなどのキーパッド、ボタン、スイッチ、タッチセンサ式画面、感圧式または感熱式の膜などを含む。1つの実施形態において、マイクロフォン46は、代表的ディスプレイデバイス40のための入力デバイスである。デバイスに対するデータの入力にマイクロフォン46が使用される場合は、代表的ディスプレイデバイス40の動作を制御するためにユーザによって音声命令を提供することができる。電源50は、当該分野において周知であるように、様々なエネルギ蓄積デバイスを含むことができる。例えば、1つの実施形態において、電源50は、ニッケルカドミウム電池またはリチウムイオン電池などの充電式電池である。別の一実施形態において、電源50は、再生可能なエネルギ源、コンデンサ、またはプラスチック太陽電池および太陽電池塗装を含む太陽電池である。別の一実施形態において、電源50は、壁コンセントから電力を受け取るように構成される。いくつかの実施形態では、上述のとおり、電子ディスプレイシステム内の複数個所に配置可能なドライバコントローラ内に、制御のプログラム可能性が備わっている。いくつかの実施形態では、配列ドライバ22内に、制御のプログラム可能性が備わっている。当業者ならば、上述された最適化が、任意の数のハードウェアおよび/またはソフトウェアコンポーネント、ならびに様々な構成において実装可能であることを認識できる。上記の原理にしたがって動作するインターフェロメトリックモジュレータの構造の詳細は、様々に可変である。例えば、図7A~7Eは、移動可能な反射層14およびその支持構造の、5つの異なる実施形態を示している。図7Aは、図1の実施形態の断面図であり、帯状の金属材料14が、直交する支持構造18上にデポジションされている。図7Bにおいて、移動可能な反射層14は、その角部のみを、接続線32を介して支持構造に取り付けられている。図7Cにおいて、移動可能な反射層14は、可撓性材料を含みうる変形可能層34から吊り下げられている。変形可能層34は、その外周付近において、基板20に直接的にまたは間接的に接続している。これらの接続は、本明細書において支持構造と称され、隔離された支えもしくは柱、または連続した壁もしくはレールの形態をとることができる。図7Dに示された実施形態は、変形可能な層34を上に載せた支持プラグ42を含む支持構造18を有する。このとき、移動可能な反射層14は、図7A~7Cの場合と同様に、キャビティの上に吊り下げられた状態に留まるが、変形可能層34は、自身と光学スタック16との間のホールを埋めることによる支柱の形成は行なわず、その代わりに、支柱18は、支柱プラグ42の形成に使用される平坦化材料で形成される。図7Eに示された実施形態は、図7Dに示された実施形態に基づくが、図7A~7Cの任意の図に示された実施形態はもちろん描かれていないその他の実施形態でも機能するように適合させることができる。図7Eに示された実施形態では、バス構造44を形成するために、金属またはその他の導電性材料の追加層が使用されている。これは、インターフェロメトリックモジュレータの背後に沿った信号のルーティングを可能にする。これは、そうでない場合に基板20上に形成されなければならないはずの複数の電極を排除することができる。図7に示されたような実施形態において、インターフェロメトリックモジュレータは、モジュレータを配置する側と反対の側である透明基板20の前面から画像を見られる直視型デバイスとして機能する。これらの実施形態において、反射層14は、インターフェロメトリックモジュレータの、自身から見て基板20と反対の側にある変形可能層34を含む部分を光学的に遮蔽する。これは、遮蔽された領域を、画質に悪影響を及ぼすことなく構成することおよび動作させることを可能にする。このような遮蔽は、図7Eのバス構造44を可能にする。これは、アドレッシングおよびアドレッシングの結果として生じる移動などのモジュレータの電気機械的特性から、モジュレータの光学特性を分離する能力を提供する。この可分離式のモジュレータアーキテクチャは、モジュレータの電気機械的側面および光学的側面に使用される構造設計と材料とを、互いに独立に選択することおよび機能させることを可能にする。更に、図7C~7Eに示された実施形態は、変形可能層34によってなされる、反射層14の機械的特性からの反射層14の光学的特性の切り離しによる、更なるメリットを有する。これは、反射層14に使用される構造設計および材料を、光学的特性に関して最適化することを可能にするとともに、変形可能層34に使用される構造設計および材料を、所望の機械的特性に関して最適化することを可能にする。特定の実施形態では、図7Aに示された移動可能な反射層14、または図7C~7Eに示された機械層34と移動可能な反射層14との組み合わせなどの、移動可能層に対して、追加の支持を提供すると望ましい場合がある。移動可能層は、後ほど更に詳述されるように、反射性副層および機械的副層を含むことができる。このような支持は、個々のモジュレータ素子の縁に沿ってと、このようなモジュレータ素子の内部と、の両方に位置しうる一連の支持構造によって、提供することができる。様々な実施形態において、これらの支持構造は、移動可能層の上または下のいずれかに位置することができる。代替の実施形態において、支持構造は、機械層の上方および下方の両方から支持を提供できるように、機械層内に形成された開口を通って伸びることができる。本明細書において使用されるリベットという用語は、一般に、機械層に機械的支持を付与するために、通常、柱領域、すなわち支持領域の凹所内、すなわちくぼみ内においてMEMSデバイスの機械層の上にある、パターン形成された層を指す。機械層の動きに安定性および予測可能性を加えるため、リベットは、常ではないものの、機械層の上面にある羽を含むことが好ましい。同様に、機械層に機械的支持を付与するためにMEMSデバイスの機械層の下にある支持構造は、本明細書において、通常、支柱と称される。本明細書の多くの実施形態において、好ましい材料は、有機レジスト材料に対する安定性のため、無機質である。このような支持構造の代表的な配置が、図8に示されている。図8は、MEMS素子の配列を描いたものである。特定の実施形態において、MEMS素子の配列は、インターフェロメトリックモジュレータの配列であってよいが、代替の実施形態では、MEMS素子は、移動可能層を有する任意のMEMSデバイスであることが可能である。図示された実施形態では上にあるリベット構造62である支持構造62は、移動可能層66の縁に沿った位置と、この実施例ではインターフェロメトリックモジュレータ素子60であるMEMS素子の内部と、の両方に位置することがわかる。特定の支持構造は、隣接する2枚の移動可能層66の間のギャップ65にまたがるレール構造64を含むことができる。移動可能層66は、同じ列内の隣り合う複数の素子60を通って伸びる帯状の変形可能材料を含むことがわかる。支持構造62は、素子、すなわちピクセル60の中の移動可能層66を補強する働きをする。これらの支持構造62は、モジュレータ素子の周辺領域と比べて小さく作成されると有利である。支柱は、移動可能層66のたわみを抑制し、且つ一般に不透明であるので、支持構造62の下の領域および支持構造62を直に取り囲む領域は、ディスプレイのアクティブ領域として使用するのに不適切である。なぜならば、これらの領域内の移動可能層は、完全に作動された位置例えば、図7Aの移動可能層14の下面の一部が光学スタック16の上面と接触する位置へと移動することができないからである。これは、柱を取り囲む領域において、望ましくない光学的効果を生じる可能性があるので、意図する色を褪せさせる可能性があるこれらの領域での過剰な反射を回避するために、支持構造と視聴者との間にマスク層を提供すると有利である。特定の実施形態において、これらの支持構造は、形状維持に役立つ実質的に剛性の構造とともに、移動可能層内のくぼみを含むことができる。このような支持構造は、高分子材料で形成されてよいが、好ましくは、より剛性の大きい無機材料を使用し、高分子材料を含む類似の構造に勝る利点を提供することができる。例えば、高分子支持構造は、広い範囲の動作温度にわたって所望のレベルの剛性を維持することができず、デバイスの寿命期間中に徐々に変形または機械的障害を生じる可能性がある。このような障害は、移動可能層と光学スタックとの間の距離に影響を及ぼす可能性があり、この距離は、インターフェロメトリックモジュレータ素子によって反射される波長を少なくとも部分的に決定するので、このような障害は、時間の経過または作動温度の変化にともなって、反射される色にズレを生じる可能性がある。他のMEMSデバイスも、高分子材料で支持が形成される場合に、時間の経過とともに類似の劣化を経験する。上にあるリベット支持構造を含むインターフェロメトリックモジュレータ素子を形成するための1つのプロセスが、図9A~9Jに関連して説明される。図9Aでは、透明な基板20が提供されることがわかる。これは、例えば、ガラスまたは透明な高分子材料を含むことができる。次いで、透明な基板の上に、インジウムスズ酸化物ITOを含む導電層72がデポジションされ、導電層72の上に、クロムを含む部分反射層74がデポジションされる。1つの実施形態において、導電層72は、ITOを含むことができ、本明細書の以下の様々な箇所でそのように言及されるが、層72は、任意の適切な導電性材料を含むことができること、そして非光学的MEMS構造の場合は透明である必要はないことが理解される。同様に、部分反射層74は、ときにクロム層として言及されるが、任意の適切な部分反射層を含むことができ、非光学的MEMS構造の場合は省くことが可能である。導電層72および部分反射層74は、次いで、底部電極を形成するために、パターン形成およびエッチングを施される。底部電極は、行電極とも称され、図8の移動可能層66に対して垂直に走る。特定の実施形態において、導電層72および部分反射層74は、また、支柱構造を配置されることになる領域の下にくるITOおよびクロムを除去するために、パターン形成およびエッチングを施され、図9Bに描かれたように、開口76を形成すると有利である。このパターン形成およびエッチングは、行電極を形成する場合と同じプロセスによってなされることが好ましい。支持構造の下にあるITOおよびクロムまたは他の導電性材料の除去は、移動可能層と底部電極との間の短絡を阻止するのに役立つ。このため、図9Bおよび後続の図は、層72および層74によって形成され且つ開口76をエッチングされた連続的な行電極を、これらの開口を通る線に沿って見た場合の断面を描いている。開口76を形成するために導電層72および部分反射層74がエッチングされていないその他の実施形態では、後ほど説明される誘電層によって、底部電極と移動可能層との間の短絡に対する十分な保護を提供することができる。導電層72および部分反射層74は、フォトリソグラフィを通じてパターン形成するとともに、例えば市販のウェットエッチングを通じてエッチングすることができる。クロムのウェットエッチングは、酢酸C2H4O2の溶液および硝酸アンモニウムセリウム[CeNH42NO36]の溶液を含む。ITOのウェットエッチングは、HCl、HClとHNO3との混合、または75/3/22の割合のFeCl3/HCl/DIとH2Oとの混合を含む。開口76が形成されると、図9Cに見られるように、導電層72および部分反射層74の上に誘電層78がデポジションされ、光学スタック16が形成される。誘電層としては、様々な種類の適切な材料が使用されてよいものの、特定の実施形態において、誘電層は、SiO2またはSiNxを含むことができる。光学スタック16を形成する層の厚さおよび配置は、インターフェロメトリックモジュレータ素子が作動され潰され、移動可能層66を光学スタックと接触させたときに、該素子によって反射される色を決定する。特定の実施形態において、光学スタックは、移動可能層が作動位置にあるときに、インターフェロメトリックモジュレータ素子がほとんど可視光を反射させない暗く見えるように構成される。通常、誘電層78の厚さは、約450Åである。誘電層78は、平面的誘電層78がスピンオンガラスである場合に実現可能であるなものとして図示されているものの、通常は、層72,74で形成されたパターン形成された下部電極の上に形状的に合致する。図9Dに見られるように、次いで、誘電層78の上に、犠牲材料の層82がデポジションされる。特定の実施形態において、この犠牲層82は、XeF2によってエッチング可能な材料で形成される。例えば、犠牲層82は、モリブデンまたは非晶質シリコンa-Siで形成することができる。他の実施形態において、犠牲層は、タンタルまたはタングステンを含むことができる。犠牲材料として有用なその他の材料には、シリコン窒化物、特定の酸化物、および有機材料が含まれる。デポジションされる犠牲層82の厚さは、光学スタック16と移動可能層82との間の距離を決定することによって、インターフェロメトリックギャップ19図7Aを参照の寸法を定める。ギャップ19の高さは、非作動位置にあるときにインターフェロメトリックモジュレータ素子によって反射される色を決定するので、犠牲層82の厚さは、インターフェロメトリックモジュレータに望まれる特性に依存して異なる。例えば、非作動位置にあるときに緑を反射するモジュレータ素子が形成される1つの実施形態では、犠牲層82の厚さは、およそ2000Åである。更なる実施形態では、異なる色を生成するために異なるサイズのインターフェロメトリックギャップが使用されるマルチカラーディスプレイシステムなどのように、犠牲層はMEMSデバイスの配列の場所によって異なる厚さを有してもよい。図9Eでは、テーパ状の開口86を形成するために、犠牲層82がパターン形成されエッチングされたことがわかる。開口86は、ITOの層72およびクロムの層74の中に切り込まれた開口76の上に位置する。これらの開口86は、フォトリソグラフィを使用してマスクで犠牲層を覆い、次いで、ウェットエッチングまたはドライエッチングを実施して犠牲材料の一部を除去することによって形成することができる。適切なドライエッチングは、SF6、CF4、Cl2、あるいはこれらのガスと、O2、またはHeもしくはArなどの希ガスとの任意の混合を含むが、これらに限定されない。Moのエッチングに適したウェットエッチングは、リン酸、酢酸、硝酸、および脱イオン水の16:1:1:2の割合での混合であるPANエッチングを含む。非晶質シリコンは、KOHおよびHF硝酸塩を含むウェットエッチングによってエッチングすることができる。しかしながら、ドライエッチングは、テーパ状の開口86の形状をより良く制御することを可能にするので、犠牲層82のエッチングには、ドライエッチングが使用されることが好ましい。図9Fでは、エッチングされた犠牲層82の上に、移動可能層66例えば、図7Aの移動可能な反射層14を参照を形成する構成要素がデポジションされ、テーパ状の開口86が縁取りされることがわかる。図9Fの実施形態では、先ず、ミラーまたはミラー層とも称される高反射性の層90がデポジションされ、次いで、機械層92がデポジションされる。高反射性の層90は、広い波長スペクトル領域で高い反射性を有するという特性ゆえに、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成することができる。機械層92は、NiおよびCrなどの金属を含むことができ、残留引っ張り強度を含有するように形成されることが好ましい。残留引っ張り強度は、モジュレータが非作動状態にあるとき、すなわち解放されているときに、移動可能層66を光学スタック16から引き離す、機械的な力を提供する。便宜のため、高反射性の層90と機械層92との組み合わせは、移動可能層66として総称される。しかしながら、本明細書において使用される移動可能層という用語は、図7Cの機械層34および移動可能な反射層14など、部分的に分離された機械層および反射層をも範囲に含むことが理解される。支持構造とあわせた移動可能層66の製造は、図35A~35Hおよび図36A~36Cに関連して後述される。犠牲層をXeF2エッチングによってエッチングする1つの実施形態では、反射層90および機械層92の両方がXeF2エッチングに対して耐性を持つことが好ましい。もしこれらの層のいずれかが耐性を持たない場合は、その非耐性の層を保護するために、エッチング停止層を使用することができる。また、反射層90および機械層92は、非平坦化材料を含む可能性があるので、テーパ状の開口86の傾斜は、これらの層を形状合致式にデポジションすることを容易にすることがわかる。この傾斜がないと、開口86内で実質的に均一の厚さを有するようにこれらの層をデポジションすることは困難であろう。代替の一実施形態において、移動可能層66は、高反射性であるとともに所望の機械的特性を有する単一の層を含むことができる。しかしながら、2枚の別々の層をデポジションすれば、移動可能層66の唯一の材料として使用するには不適切であるかもしれないが反射性は高い材料を選択することが可能になり、同様に、反射特性にこだわることなく適切な機械層を選択することも可能になる。更なる実施形態において、移動可能層は、曲がることなく垂直に平行移動可能であるように機械層から大きく切り離された、反射性の副層を含むことができる例えば、図7C~7Eおよび付随する説明を参照。このような一実施形態を形成するための方法の1つは、犠牲層の上に反射層をデポジションすることを含み、この反射層は、次いで、個々の反射副層を形成するためにパターン形成される。次いで、機械的副層と反射性副層との間の接続を形成すること、および支持構造のためのテーパ状の開口を形成することを可能にするために、反射層の上に、第二の犠牲材料層がデポジションされパターン形成される。形成されるMEMSデバイスが非光学的MEMSデバイス例えばMEMSスイッチを含むような他の実施形態では、移動可能層66が反射性材料を含む必要がないことがわかる。例えば、本明細書で述べられた支持構造を含むMEMSスイッチなどのMEMSデバイスが形成される実施形態では、移動可能層66の下面は、反射性である必要がなく、機械的特性または他の所望の特性のみに基づいて選択された単一の層を有利に含むことができる。図9Gでは、リベット層とも称される剛性の層96が、機械層92の上にデポジションされる。リベット層96は、下にある機械層92に支持を提供する構造を形成するものの、モジュレータの作動中はほとんど変形されないので、リベット層96を形成する材料は、機械層92を形成する材料ほど可撓性である必要はない。リベット層96での利用に適した材料は、アルミニウム、AlOx、シリコン酸化物、SiNx、ニッケル、およびクロムを含むが、これらに限定されない。リベット構造を形成するために使用されうる代替の材料は、他の金属、セラミック、および高分子を含む。リベット層96の厚さは、使用される材料の機械的特性に応じて異なる。機械層および反射層に関連して述べられたように、リベット層96には、特定の実施形態において犠牲層をエッチングするために使用されうるXeF2エッチングに対して耐性を持つ材料を選択することが望ましいであろう。また、リベット層96は、下にある機械層92に対して選択的にエッチング可能であることによって、機械層92に影響を及ぼすことなくリベット層96のエッチングを可能にすることが好ましい。しかしながら、もし、リベット層96が機械層92に対して選択的にエッチング可能でない場合は、リベット層96と機械層92との間にエッチング停止層不図示を提供することができる。図9Hにおいて、リベット層96は、フォトリソグラフィを通じてパターン形成され、次いで、開口86から離れて位置する部分のリベット層96を除去するためにエッチングされ、リベット構造とも称される支持構造62が形成される。リベット層96のエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングのいずれかによって実施することができる。リベット層96がアルミニウムを含む実施形態では、適切なウェットエッチングは、リン酸、またはKOH、TMAH、およびNaOHなどの塩基を含み、適切なドライエッチングは、Cl2を使用する。リベット層96がSiO2を含む他の実施形態では、ドライエッチングとして、フッ素をベースにしたガスと、O2または希ガスのいずれかとの混合を使用することができる。また、HFまたはBOEは、ウェットエッチングに適用できる。やはり図9Hに示されるように、支持構造62は、支持構造62がテーパ状の開口86の外まで伸びて機械層92の上面を覆う、リップ領域98を含みうることがわかる。このリップは、下にある機械層のたわみを抑制し、インターフェロメトリックモジュレータ素子のアクティブ領域を減少させるので、リップの大きさは、最小に抑えることが有利である。図示された実施形態からわかるように、支持構造62は、また、傾斜した側壁部分97と、実質的に平坦な基底領域99とを含むことができる。次に、図9Iでは、犠牲層のエッチングを容易にする目的で、機械層92をパターン形成し、機械層92および反射層90をエッチングして、犠牲層82の一部を露出させるエッチングホール100を形成するために、フォトリソグラフィが使用されることがわかる。特定の実施形態では、犠牲層を露出させるために、複数のエッチングが用いられる。例えば、もし機械層92がニッケルを含み、反射層90がアルミニウムを含む場合は、機械層92をエッチングするためにHNO3を使用し、反射層90をエッチングするためにリン酸、またはNH4OH、KOH、THAM、もしくはNaOHなどの塩基を使用することができる。このパターン形成およびエッチングは、また、帯状の移動可能層66図8を参照の間にギャップ65をエッチングし、MEMSデバイスの列同士を分離することによって、図8に見られるような帯状電極を定めるためにも使用することができる。最後に、図9Jでは、犠牲層を除去し、移動可能層66が中で移動することができるインターフェロメトリックギャップ19を形成するために、リリースエッチングが実施されることがわかる。特定の実施形態では、犠牲層82を除去するために、XeF2エッチングが使用される。XeF2は、犠牲層をよくエッチングし、上述されたプロセスで使用されるその他の材料に対して極めて選択性であるので、XeF2エッチングの使用は、周囲の構造にほとんど影響を及ぼすことなく有利に犠牲層の除去を可能にする。このため、図9Jは、インターフェロメトリックモジュレータ素子60の1つなどのインターフェロメトリックモジュレータ素子の一部を、図8の線9J-9Jに沿って描いたものである。この実施形態において、移動可能層66は、移動可能層66内のくぼみ86の上に形成された支持構造62によって、ギャップ19の全範囲にわたって支持されている。上述されたように、下にある光学スタック16は、光学スタック16の導電性部分と移動可能層66内の導電層との間における短絡を阻止するために、その一部をエッチングされていると有利である。しかしながら、このステップは、必ずしも全ての実施形態で実施される必要はない。図9Gでデポジションされるリベット層96の厚さは、使用される材料の機械的特性に基づいて決定されてよいが、代替の実施形態では、リベット層96は、単に機械層への支持を提供する機能のために十分であるよりも、大幅に厚く作成することができる。図10は、大幅に厚いリベット層で支持構造62を形成されたインターフェロメトリックモジュレータの一部を描いている。このような実施形態は、モジュレータの追加の構成要素を支持する図7Eおよび付随の説明を参照、移動可能層66との機械的干渉に起因する損傷からインターフェロメトリックモジュレータ素子を保護するためのスペーサを提供する、または保護用の裏板を支持するなどの、その他の機能を支持構造62が実施することを可能にする。特定の実施形態では、リベット層の厚さは、300Åから1000Åの間であることが可能である。他の実施形態では、リベット層の厚さは、1000Åから10ミクロンの間であることが可能である。他の実施形態では、リベット層の厚さは、20ミクロン、またはそれより大きいことが可能である。特定の実施形態では、リベット層の厚さは、機械層の厚さの0.1倍から0.6倍の間であることが可能である。他の実施形態では、リベット層の厚さは、機械層の厚さの0.6倍から1倍の間であることが可能である。他の実施形態では、リベット層の厚さは、機械層の厚さの1倍から200倍の間であることが可能である。なお、特定の実施形態では、上記の範囲内および上記の範囲外の厚さがともに適切であることがわかる。移動可能層66が導電性反射層90を含む実施形態では、機械層92を別に用意する必要を省くことができる。このとき、リベット層96は、機械層92として機能することができ、一方で、導電性反射層90は、MEMS配列全体に所望の電気的接続性を提供することによって、電極として機能することができる。更なる実施形態では、パターン形成された導電性反射層90で形成される帯状電極の抵抗性を下げるなどによって、より優れた導電特性を提供するために、導電性反射層90を、所望の光学特性を提供するために必要とされるよりも更に厚く形成することができる。別のヴァリエーションでは、図9A~9Eに関連して説明されたステップの実施後に、厚い機械層をデポジションすることができる。この厚い機械層は、残留する犠牲層の上にある部分を所望の厚さにするために、続いて研磨する、またはその他の方法でエッチバックすることができる。しかしながら、犠牲層の上にある領域の機械層は、最初、所望の最終的厚さより厚いので、犠牲層の開口内には、研磨によって触れられなかった厚い機械層が残留し、上述されたような、支持構造62例えば図9Hを参照から得られる支持と同様の支持を提供する。機械層は、犠牲層の開口を完全に満たすのに十分な厚さであると有利であるが、特定の実施形態では、より薄い機械層でも十分な支持を提供できることが理解される。もう1つの実施形態では、支持構造は、移動可能層の下にある無機質の柱の形態をとることができる。無機質の支柱を含むインターフェロメトリックモジュレータを製造するための代表的なプロセスが、図11A~11Gに関連して述べられる。このプロセスの初期のステップは、図9A~9Jのプロセスの初期のステップにおおむね相当することが可能である。上述されたように、様々な実施形態において、インターフェロメトリックモジュレータの製造は、基板の上に光学スタックを形成することを含む。光学スタックは、光透過性の基板であってよく、更なる実施形態では、透明な基板である。光学スタックは、基板の上にまたは基板に隣接して電極層を形成する導電層と、入射光の一部を反射させる一方で入射光の一部をインターフェロメトリックモジュレータ素子の他の構成要素に到達させる部分反射層と、下にある電極層をインターフェロメトリックモジュレータの他の構成要素から絶縁する誘電層と、を含むことができる。図11Aでは、透明な基板70が提供されること、そして該基板70の上に導電層72および部分反射層74がデポジションされることがわかる。次いで、部分反射層74の上に、誘電層78がデポジションされる。上述されたように、いくつかの実施形態において、導電層72は、透明であるとともにITOを含み、部分反射層74は、半反射性の厚さのクロムCrなどの金属を含み、誘電層78は、シリコン酸化物SiO2を含む。インターフェロメトリックモジュレータへのアドレッシングに使用される行電極を形成すため、このプロセスのとこかの時点で、少なくとも導電層72が図9Bに示されるようにパターン形成される。1つの実施形態では、このパターン形成は、導電層72および部分反射層74のデポジションの後に、しかしながら誘電層78のデポジションに先立って行われる。もう1つの実施形態では、導電層72および部分反射層74は、支持構造の下にギャップ不図示を形成するようにパターン形成されることによって、層72,74と、支持構造の一部を形成するまたは支持構造の下を走る、上にある導電層と、の間における短絡の可能性を最小限に抑える。層72,74,78の組み合わせは、本明細書において光学スタック16と称され、以降の図面では、便宜のため、単一の層として示される。光学スタック16の組成が層の枚数およびこれらの層の成分の両方に関して可変であること、そして上述された層が単なる代表的なものであることが理解される。本明細書で開示される各種の実施形態に関連して述べられるパターン形成プロセスおよびエッチングプロセスを実施するために、様々な方法を使用することができる。使用されるエッチングは、ドライエッチングまたはウェットエッチングのいずれであってもよく、等方性または異方性であることが可能である。適切なドライエッチングは、SF6/O2、CHF3/O2、SF2/O2、CF4/O2、およびNF3/O2を含むが、これらに限定されない。一般に、これらのエッチングは、SiOx、SiNx、SiOxNy、スピンオンガラス、Nissan商標ハードコート、およびTaOxのうちの1種または2種以上をエッチングするのに適しているが、その他の材料もまた、このプロセスによってエッチングすることができる。これらのエッチングの1種または2種以上に対して耐性を持ち、このためエッチング障壁層として使用することができる材料は、Al、Cr、Ni、およびAl2O3を含むが、これらに限定されない。また、本明細書で説明されるプロセスでは、PADエッチング、BHF、KOH、およびリン酸を含むがこれらに限定されないウェットエッチングを用いることができ、これは、一般に、金属材料をエッチングするために使用することができる。一般に、これらのエッチングは、等方性であってよいが、エッチング化学剤をイオン化してそれらのイオンを基板にぶつけることによる反応性イオンエッチングRIEの使用を通じて異方性にすることもできる。パターン形成は、フォトレジストPR層ポジ型フォトレジストまたはネガ型フォトレジストのいずれかのデポジションを含み、該層は、次いで、マスクを形成するために使用される。あるいは、ハードマスクを用いることができる。いくつかの実施形態において、ハードマスクは、金属またはSiNxを含むことができるが、ハードマスクの組成は、エッチングされる下にある材料と、使用されるエッチングの選択性とに依存することが理解される。ハードマスクは、通常、次いで除去されるPR層を使用してパターン形成され、下にある層をエッチングするためのマスクとして使用される。ハードマスクの使用は、ウェットエッチングが使用される場合において、またはPRマスクを扱えないような条件下高温下または酸素をベースにしたエッチングを使用する場合などでマスクを通して行われる処理のあらゆる時点において、とりわけ好都合である。あるいは、アッシングエッチングプロセスまたはリフトオフプロセスなど、層を除去するための代替の方法を用いることも可能である。図11Bでは、光学スタック16の上に、犠牲材料の層82がデポジションされることがわかる。図11Cにおいて、犠牲層82は、柱の領域、すなわち支持領域の位置に相当するテーパ状の開口86を形成するために、パターン形成されエッチングされている。これらの開口86は、上にある層の連続式の且つ形状合致式のデポジションを容易にするため、テーパ状にされると有利である。図11Dでは、テーパ状の開口86の側壁および基底も覆うように、無機質の柱材料の層84が、パターン形成された犠牲層82の上にデポジションされる。特定の実施形態において、無機質の柱層84は、犠牲層82より狭く、犠牲層82の上に形状的に合致する。他の実施形態において、柱層84は、1000Åから5000Åまでの間の厚さを有することができる。実施形態および使用される材料に応じて、この範囲未満の厚さもこの範囲を超える厚さもいずれも使用可能であることが理解される。特定の実施形態において、無機質の柱層84は、シリコン窒化物SiNxまたはSiO2を含むことができるが、様々な種類のその他の材料も使用することができ、その一部は後ほど詳述される。図11Eにおいて、無機質の柱層84は、無機質の柱88を形成するために、パターン形成されエッチングされる。図11Eに見られるように、無機質の柱88の縁は、開口86のテーパ状の、すなわち傾斜した側壁と同様にテーパ状であることが好ましく、これは、上にある層の連続式の且つ形状合致式のデポジションを容易にする。図示された実施形態の柱構造88は、犠牲層82より薄い厚さを有しており、実質的に平坦な基底部分89と、傾斜した側壁部分87と、犠牲材料の一部の上に広がる実質的に水平な羽部分85とを含むことがわかる。このため、柱88は、上にある移動可能層66図11Gを参照を支持するための実質的に平坦な表面を、柱の縁に提供することにより、もし移動可能層66がより平坦でない縁の上にデポジションされた場合に生じるであろうストレスおよびその結果としての望ましくないたわみを、有利に最小に抑えることができる。1つの実施形態において、無機質の柱層84およびその結果としての柱88は、ダイヤモンド状炭素DLCを含む。DLCの無機質柱層84は、極めて硬質で堅いSiO2のおよそ10倍の硬さであるだけでなく、O2ドライエッチングでエッチングすることができる。O2ドライエッチングは、Moおよびa-Si犠牲材料、ならびに上述されたその他の犠牲材料を含むがこれらに限定されない、様々な種類の犠牲材料に対し、有利に高選択性である。このため、DLCを含む無機質の柱は、様々な種類の材料に対して比較的害のないエッチングを使用することを可能にしつつ、非常に堅い柱を提供し、上にある移動層または機械層がMEMS動作中に下方に引っ張られた際に支柱88の縁が下方にたわむ可能性および量を低減させる。図11Fでは、無機質の柱88と、犠牲層82の露出部分との上に、高反射層90がデポジションされる。次いで、高反射層90の上に、機械層92がデポジションされる。便宜のため、上記のように、高反射層90および機械層92は、後続の図面では移動可能層66図11Gを参照として言及され且つ描かれ、より具体的には、高反射層90の上に機械層92が直接デポジションされる場合は変形可能な反射層として常に言及され且つ描かれる。代替の実施形態において、移動可能層66は、所望の光学的特性および機械的特性を有する単一の層を含むことができる。例えば、MEMS機械スイッチ用の機械層または移動層は、反射層を含む必要がない。更に別の実施形態では、既に述べられたように、移動可能層は、図7Cの層14および層34のように、実質的に分離された機械層および反射層を含むことができる。部分的に分離された機械層および反射層を有するMEMSデバイスを形成するための代表的なプロセスが、図35A~35Hおよび図36A~36Cに関連して後ほど詳述される。図11Gでは、犠牲層82を選択的に除去するために、リリースエッチングが実施され、インターフェロメトリックギャップ19を有するインターフェロメトリックモジュレータ素子60が形成される。移動可能層66は、インターフェロメトリックモジュレータ素子60によって反射される色を変化させるために、このギャップ19の中を通って移動することができる。移動可能層66は、列不図示を形成するために、リリースエッチングに先立ってパターン形成されることが好ましく、リリースエッチングによる犠牲層へのアクセスを容易にするエッチングホールたとえば図9Jのエッチングホール100を参照を形成するために、更にパターン形成されると有利である。図17に関連して後述される代替の一実施形態では、最終製品のモジュレータ素子において反射層が支持構造88の下にくるように、支持層84のデポジションおよびエッチングに先立って、反射層をデポジションすることができる。更に別の一実施形態では、支持構造は、移動可能層66の上方および下方の両方に形成することができる。図12A~12Dは、このような1つの実施形態を表しており、図11A~11Fのステップを含む。図12Aでは、下にある支持構造88の上に反射層90および機械層92がデポジションされると、機械層92の上にリベット層96がデポジションされることがわかる。続いて、図12Bに見られるように、機械層92の上方に位置する支持構造62を形成するために、リベット層96がパターン形成されエッチングされる。特定の実施形態では、下にある支持構造88をパターン形成するために図11Eのステップで使用されたのと同じマスクを使用して、上にある支持構造62をパターン形成することができる。図12Cは、機械層92および反射層90の中にエッチングホール100を形成して犠牲層82を露出させるための、機械層92および反射層90のパターン形成およびエッチングを描いている。最後に、図12Dに示されるように、犠牲材料を除去してインターフェロメトリックモジュレータをリリースするために、犠牲層82がエッチングされ、移動可能層66がインターフェロメトリックギャップ19の中を通って移動することが可能になる。このため、支持構造62と支持構造88とが、初めに開口86によって定められたくぼみ図11C内にある移動可能層66の部分をサンドイッチすることによって、追加の支持および剛性を提供するような、更に、特定の実施形態では、上述されたように、上方の支持構造62を他の目的のために使用することが可能になる図7Eおよび付随の説明を参照ような、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイ素子が形成されている。他の実施形態では、実質的に平坦な上面を有する剛性の支持構造を下に提供することが望ましい可能性がある。このようなインターフェロメトリックモジュレータの1つの実施形態を製造するためのプロセスの1つが、図13A~13Eに関連して説明される。このプロセスは、図11A~11Dのステップを含む。図13Aでは、マスクを形成するために、剛性の支持材料84の層の上に、フォトレジスト材料134の層がデポジションされることがわかる。このマスクは、図11Dに関連して上述されたように、支持材料84をエッチングして支持構造88を形成するために使用される。デポジションされたフォトレジスト材料134は、剛性の支持層84の高さの上方に広がるのに十分な厚さを有し、下にあるテーパ状の開口86図11Bに対応する支持層84内のくぼみ136を完全に満たすことがわかる。図13Bにおいて、フォトレジスト材料134は、マスク140を形成するためにパターン形成され、該マスクは、下にある剛性の支持層84をエッチングして支持構造88を形成するために使用されている。図13Cにおいて、マスクのフォトレジスト材料は、残留フォトレジスト材料134が支持構図88内のくぼみ136内に位置するようにエッチバックされている。図13Dでは、残留フォトレジスト材料134を含む、支持構造88の上面の上に、反射層90および機械層92がデポジションされて、移動可能層66が形成されている。残留フォトレジスト材料134の使用は、図11Gに示された実施形態と比べて、移動可能層66の構成要素を上にデポジションできる実質的に平坦な、すなわち平面的な表面を形成することがわかる。支持構造の剛性もまた、くぼみ内の追加材料によって向上される。図13Eでは、移動可能層66の中にエッチングホール100が形成され、犠牲層82を除去するためにリリースエッチングが実施され、そうして、インターフェロメトリックモジュレータ素子60がリリースされている。代替の実施形態では、支持構造88の形成に使用されたフォトレジストマスクを完全に除去し、別のステップによって、支持構造88のキャビティ136を満たす充填材料をデポジションすることができる。これは、スピンオン誘電体などの、より堅いリベット材料を提供できるという利点を有する。このような一実施形態では、上述された平坦化材料を含むがそれらに限定されない任意の適切な材料を用いることができる。しかしながら、図13A~13Eに関連して述べられたプロセスは、追加の層を別途デポジションする必要を排除することによって、このようなモジュレータ素子を製造するために必要とされるステップを最小限に抑えられるという点で有利である。更に他の実施形態では、追加の支持を提供するため、図13Eの移動可能層66の上に、図9Jの剛性の支持構造62に類似した剛性の支持構造およびその他の実施形態を、追加で形成することができる。図14A~14Cは、反射層90が支持構造の基底の下にないことを保証するために実施することができる一連の代替のステップを示している。これらのステップは、例えば、図9A~9Dのステップの後に実施することができる。図14Aでは、エッチングされていない犠牲層82の上に、反射層90がデポジションされることがわかる。図14Bでは、テーパ状の開口116を形成するために、反射層90とその下にある犠牲層82との両方がパターン形成されエッチングされていることがわかる。図14Cでは、エッチングされた犠牲層82および反射層90の上に、機械層92がデポジションされる。図9Eのテーパ状の開口86と異なり、テーパ状の開口116の側壁は、反射層90で覆われるのではなく図9Fを参照、機械層92が下の誘電層78に接触するように、機械層92で覆われる。1つの実施形態では、図9G~9Jに関連して説明された、リベット構造の形成を含むステップを続けて実施することによって、インターフェロメトリックモジュレータ素子を製造できることがわかる。図15A~15Cは、形成される支持構造の基底の下にくる部分の反射層を排除するために使用することができる別の一連の代替のステップを示している。これらのステップは、図9A~9Eのステップの後に実施することができる。テーパ状の開口86を形成するために、犠牲層82がパターン形成されエッチングされると、図15Aに示されるように、犠牲層82の上に、反射層90がデポジションされる。図15Bにおいて、反射層90は、少なくとも、下にある誘電層78に接触する部分の反射層を除去するために、パターン形成されエッチングされる。更に他の実施形態では、テーパ状の開口86の側壁に接触する部分の反射層90も除去される。図15Cでは、エッチングされた犠牲層82および反射層90の上に、機械層92がデポジションされることがわかる。続いて、リベット構造を含むインターフェロメトリックモジュレータ素子を製造するために、図9G~9Jに関連して説明されたステップを実施することができる。図16Aを参照すると、柱構造を含む特定の実施形態では、無機質の柱88図16Bを参照を形成するための無機質の柱層84図11Dを参照のエッチングの最中に犠牲層82を保護する、エッチング障壁層130が提供される。図示された実施形態では、エッチング障壁層130は、テーパ状の開口86を形成するためのパターン形成およびエッチングに先立って例えば図9Dのステップと図9Eのステップとの間に、犠牲層82の上にデポジションされる。エッチング障壁層130は、次いで、テーパ状の開口86の形成に先立って、またはテーパ状の開口86の形成と同時に、パターン形成されエッチングされる例えば、図14A~14Cの反射層と同様にデポジションおよびパターン形成することができる。図16Aからわかるように、エッチング障壁層130は、犠牲層82のうち、テーパ状の開口86から離れた部分のみを覆っている。犠牲層82のエッチングとは別に例えば犠牲層82のエッチングに先立って行われるエッチング障壁層のパターン形成およびエッチングは、エッチング障壁130のエッチングをより良く制御することを可能にする。これは、エッチング障壁130をアンダカットする開口エッチングゆえに障壁130が開口86の上に突き出すのを阻止することができる。このようなアンダカットは、柱層84図11Dを参照の連続式の且つ形状合致式のデポジションに悪影響を及ぼすと考えられる。適切なエッチング障壁の例は、Al、Al2O3、Cr、およびNiを含むが、これらに限定されない。図17A~17Bに関連して後ほど詳述される特定の実施形態では、反射層が、エッチング障壁層130として有利に機能することができる。次いで、図16Bに見られるように、無機質の柱88を形成するために、無機質の柱層がデポジションされ、エッチングされる。犠牲層82は、柱を形成するエッチングプロセスに曝されなかったことがわかる。なぜならば、このエッチングプロセスの最中に無機質の柱層84を保護するためおよび柱構造88を定めるために使用されるマスクは、テーパ状の開口86の上にある柱層を保護し、そして、このとき無機質の柱88間に広がっているエッチング障壁層130は、その部分の犠牲層82を保護するからである。エッチング障壁130のおかげで、支柱88の形成では、無機質の柱と犠牲層との間で非選択性であるようなエッチングを使用することができる。これは、SF6/O2、CHF3/O2、CF4/O2、NF3/O2などの化学剤、およびフッ素を含有するその他のあらゆる化学剤をともなうエッチングなどの、ドライエッチングに関してとりわけ有利であるが、ウェットエッチングについても有用である。後ほど詳述されるように、特定の実施形態では、最終製品のデバイス内に、エッチング障壁層130が残留していると有利である。図17Aおよび図17Bを参照すると、代替の一実施形態では、テーパ状の開口86を形成するために、犠牲層82がパターン形成されエッチングされた後に、テーパ状の開口86の壁および基底を覆うように、エッチング障壁層130がデポジションされる。ついで、エッチング障壁層130の上方に、無機質の柱層がデポジションされ、図17Aに示されるように、柱88を形成するために、パターン形成されエッチングされる。図17Aおよび図17Bからわかるように、このエッチング障壁層130は、無機質の柱88に覆われていない部分の犠牲層82を保護するうえ、無機質の柱88全体の下にある。リリースエッチングの実施後における図17Aのモジュレータ部分を描いた図17Bからわかるように、無機質の柱88の上部は、無機質の柱88の上にデポジションされた機械層92によって保護される。このため、無機質の柱88は、リリースエッチングのあいだ、エッチング障壁層130と機械層92との組み合わせによって完全に取り囲まれている。完全に取り囲まれているゆえに、無機質の柱のエッチングおよびリリースエッチングの両方で、無機質の柱材料および犠牲材料に関して非選択性のエッチング化学剤を使用することができる。具体的な一実施形態では、犠牲材料82、および柱88を形成する無機質の柱材料として、同じ材料を使用することができる。なぜならば、これらは、いずれも、他方に対して実施されるエッチングから隔離されているからである。図17Bに描かれた実施形態において、パターン形成された無機質の柱88を越えて広がる部分のエッチング障壁層130は、最終製品のインターフェロメトリックモジュレータ内に残されてもよいし、あるいは図18および図19に関連して後ほど説明されるように、製造プロセス中のどこかの時点で除去されてもよい。1つの実施形態において、エッチング障壁層130は、アルミニウム、またはエッチング障壁層として機能しうる別の高反射性の材料を含むことができる。この実施形態では、エッチング障壁層130は、変形可能反射層内の反射表面として機能するために、最終製品のモジュレータ内に残すことができる。このような一実施形態では、エッチング障壁層130を構成する反射材料が、機械層92とともに変形するので、無機質の柱88およびエッチング障壁層130の上には、機械層92のみをデポジションすればよい。別の実施形態では、エッチング障壁層は、Al2O3の薄層などの、実質的に透明な材料を含むことができる。このタイプのインターフェロメトリックモジュレータまたはその他の光学的MEMS素子では、図11Gの移動可能層66などの変形可能反射層を形成するために、機械層92のデポジションに先立って、追加の反射層不図示をデポジションすることが好ましい。1つの具体的な実施形態では、エッチング障壁層130は、Alを含んでおり、フッ素をベースにしたエッチングに対して耐性を持つ。犠牲層がMoではなくa-Siを含む場合に使用するのにとりわけ適した別の実施形態では、エッチング障壁層は、AlまたはAl2O3を含み、あるいはTiまたはWを含むことができる。その他の適切なエッチング障壁材料は、CrおよびNiを含むが、これらに限定されない。1つの実施形態において、エッチング障壁層は、40~500Åであるが、実施形態に応じて更に厚くても薄くてもよい。エッチング障壁層130が導電材料を含む一実施形態では、支持構造88の真下にある領域の、光学スタック16内の導電層を除去することによって、導電性のエッチング障壁層と光学スタック16内の導電層との間における短絡のリスクを有利に最小限に抑えることができる例えば図9Bおよび付随の説明を参照。図18に関連して説明される代替の実施形態では、図17Aに関連して説明されたように、エッチング障壁層130をデポジションし、その上に柱構造88を形成することができる。上にある柱構造88の形成後は、柱構造88から離れて位置する部分のエッチング障壁層130を除去するために、パターン形成およびエッチングのプロセスを使用して、エッチング障壁層130の残留部分を柱構造88の下に残留させ、後続のリリースエッチングから柱構造88を保護することができる。有利なことに、支柱の下にもなく支柱に非常に近くもない部分のエッチング障壁層が除去されているので、ディスプレイの光学的アクティブ部分は、エッチング障壁層によってほとんど影響されないですむ。このため、エッチング障壁層の組成および厚さは、エッチング障壁層の不透明度にこだわらず、純粋に、リリースエッチングからの所望の保護レベルのみに基づいて選択することができる。図19に関連して説明される、上記のプロセスの更なる改良版では、支柱構造88の組成に応じ、エッチング障壁層130の露出部分を、追加のパターン形成プロセスを必要とすることなく、エッチング障壁層130の最中に支柱構造88自体をハードマスクとして使用して、エッチングすることができる。有利なことに、エッチング障壁層130の残留部分は、柱構造88をリリースエッチングから保護するために必要とされるより多くのエッチング障壁層130を残すことのないように、支持構造88の縁に実質的に揃えられており、これは、エッチング停止層130の光学的効果を更に最小に抑える。移動可能層66の上にある図示されたリベット構造62のように、移動可能層66に隣接して支持構造が形成される実施形態では、図20に示されるように、支持構造62を移動可能層に固定するために、追加の接着を提供することが望ましいであろう。具体的には、インターフェロメトリックモジュレータの作動は、移動可能層66を、上にある支持構造62から離れる方向に引っ張る傾向があるので、移動可能層66と上にある支持構造62との間の接着を改良すれば、移動可能層66がリベット62から離れはじめるリスクを最小限に抑えられるであろう。図示された実施形態では、機械層92図9Fを参照のデポジションの後に、接着向上層136をデポジションすることができる。図に示されるように、接着向上層136は、機械層のデポジションの後に且つリベット層のパターン形成に先立ってデポジションされており、いずれも、リベット構造62を形成するために同時にパターン形成される。移動可能層のデポジションに先立って図11Eの柱構造88などの支持構造を形成する別の実施形態では、支柱88図11Eを参照を形成するための柱層84のパターン形成に先立って、柱層84図11Dを参照の上に、接着向上層を形成することができる。しかしながら、接着向上層は、支柱88のテーパ状の縁の上にあるように、支持構造88の形成後に交互にデポジションおよびパターン形成を施すことによって、接着向上層の効果を高められることが理解される。これは、しかしながら、別途のマスキングステップおよびエッチングステップを追加するので、プロセスの複雑度を増大させる。材料は、接触する材料に応じて提供できる接着向上の程度が異なるので、これらの接着向上層は、移動可能層および支持構造を形成する層の組成に基づいて、様々な種類のうちの任意の材料を含むことができる。様々な種類の機械的材料およびリベット材料とともに使用するのに都合のよい接着向上層の一例は、Crであるが、その他に、多くの材料を接着向上層として使用することが可能である。上述されたように、デポジションされたリベット構造をリリースエッチングから保護するために、製造プロセスに変更を加えることができる。これは、リベット構造に様々な種類の材料を使用することを可能にする。なぜならば、もしリベット材料がリリースエッチングに曝されないならば、犠牲材料がリベット材料に対して選択的にエッチング可能である必要がないからである。これは、また、もしリリースエッチングに曝された場合にリベット構造に生じるであろうあらゆる損傷を最小限に抑えることも可能にする。図21に関連して説明される1つの実施形態では、図示された実施形態ではパターン形成された犠牲層82の上に広がる移動可能な反射層66である機械層、すなわち移動層の上に、リベット構造62が形成されていることがわかる。リベット62は、次いで、保護層104で覆われる。この保護層104は、少なくともリリースエッチングが実施された時点までリベット62の上に残留し、この時点で除去されてもよいし、あるいは除去されなくてもよい。1つの実施形態では、保護層104は、フォトレジスト材料の層を含む。もう1つの実施形態では、代替のエッチング障壁材料からなる別個の層が、保護層104を形成する。保護層104は、リベットを所望レベルで保護するのに十分な耐性をリリースエッチングに対して有する任意の材料であることが可能である。1つの実施形態では、例えば、リベット62はSiNxを含むことができ、リリースエッチングはXeF2エッチングであることができ、保護層104はリベット104の形成後にデポジションされたフォトレジスト材料の層を含むことができる。別の実施形態において、リベット構造の安定性は、機械層もしくは変形可能反射層の下にある構造にリベット構造を固定する、または留めることを通じて高めることができる。図22に描かれた1つの実施形態において、移動可能層66機械層92および反射層90を含むことができる。図9Jを参照は、パターン形成された犠牲層82の上に、テーパ状の開口86の形状をとるようにデポジションされる。移動可能層66は、次いで、下にある層を露出させるために、テーパ状の開口86の基底の少なくとも一部においてエッチングされる。この場合の下にある層は、光学スタック16の頂部の誘電層である。次いで、リベット構造62を形成するために、リベット層が、上述されたようにデポジションされ、パターン形成される。リベット構造62は、この時点で、移動可能層66の実質的に平坦な基底部分99に開いた開口106内に広がっていることがわかる。これは、リベット構造62を、下にある光学スタック16に固定して、リベット構造に追加の安定性を付与することができる。なぜならば、下にある誘電層へのリベット材料の接着は、機械層92への接着より優れており、リベット構造62は、移動可能層66と光学スタック16との間の接着にこれ以上依存しなくても、自身を適所に保持することができるからである。また、代替の実施形態では、リベット構造62は、光学スタック16の上面と異なる構造に固定できることが理解される。例えば、リベット構造62と移動可能層66の下にある柱構造とで移動可能層66の一部をサンドイッチする代替の一実施形態不図示では、リベット構造は、移動可能層66内の開口を通じて下の柱構造に固定することができる、または特定の実施形態では移動可能層66の反射層90である任意の下の層に、より優れた接着性で固定することができる。図23A~23Eに関連して説明される別のプロセスでは、無機質の柱構造を形成するために、めっきプロセスを使用することができる。このプロセスは、図9A~9Eのステップを含む。図23Aでは、パターン形成された犠牲層82の上に、薄いシード層208がデポジションされることがわかる。1つの実施形態では、シード層208は、銅の薄層を含み、スパッタリングまたはCVDによって形成することができる。別の実施形態では、シード層は、アルミニウムを含むことができ、図23Eに関連して後述される除去ステップを省くことによって、光学MEMSデバイス内において反射層として機能することができる。図23Bでは、シード層208の上に、めっきプロセスによって形成される柱の形状を定める開口210を有したマスク202が形成される。図示された開口210の縁は、凹角のプロファイル、すなわちオーバーハング本明細書では負の角とも称されるを有することによって、形成される柱構造に、開口210のテーパ状の縁に対応する傾斜を持たせられるようにする。図23Cでは、柱材料の層212を形成するために、めっきプロセスが使用されることがわかる。図23Dでは、マスク202が除去され、シード層208と柱層212とだけが残される。次に、図23Eでは、柱層212から離れて位置する部分のシード層208がエッチング除去され例えば柱層212がこのエッチングのマスクとして使用される、シード層208の残留部分と柱層212とを含む無機質の柱214が形成される。続いて、柱の上に、機械的な、すなわち変形可能な反射層をデポジションすることができる。これは、柱の羽の縁における傾斜角によって容易にされる。上述されたように、シード層がアルミニウムまたは別の反射材料を含む実施形態では、図23Eの除去ステップをプロセスから省くことができ、反射性のシード層の上に機械層をデポジションすることができる。金属酸化物を形成するために陽極酸化された金属もまた、支持構造を形成するために使用することができる。図24A~24Bに関連して述べられる1つの実施形態では、無機質の柱の形成に、陽極酸化されたアルミニウムまたはTaが用いられる。図24Aでは、パターン形成された犠牲層82の上に、AlまたはTaであることが可能な金属層254が形成されることがわかる。図24Bにおいて、層254は、無機質の柱の形状を形成するためにパターン形成され、Al2O3またはTa2O5の無機質の柱256を形成するために陽極酸化されている。陽極酸化されたAl2O3またはTa2O5は、ピンホール欠陥のない誘電層を形成することによって、その上にデポジションされる機械層と、光学スタック16と、の間に短絡が生じる可能性を、有利に大幅に低減させられる。上述されたように、リベット材料は、テーパ状の開口の上に、均一に且つ形状合致式にデポジションするほうが容易である。しかしながら、テーパ形状ゆえに、特定のリベット構造は、その縁の、下向きのたわみによる影響を受けやすい可能性がある。これは、リベット層が機械層と比べて薄い実施形態において、とりわけ顕著である。特定の実施形態では、リベット構造の縁の、このような下向きのたわみを抑制するために、リベット構造の下に、追加の支持を提供することが望ましい。図25A~25Hおよび図26は、支持構造の変更を通じて追加の支持が提供される実施形態を示している。図25A~25Hに関連して説明される1つの実施形態では、リベット構造に対して追加の支持を提供するために、リリースエッチングから保護される犠牲材料を用いることができる。このような支持を含むインターフェロメトリックモジュレータ素子を製造するためのこのプロセスは、図9A~9Dに関連して説明されたステップを含む。図25Aにおいて、犠牲層82は、犠牲材料の環状区域120を除去するためにパターン形成されエッチングされ、その結果、残りの犠牲層82から分離された犠牲材料の柱状部122が残される。図25Bでは、環状区域120を満たすために、保護材料124がデポジションされる。保護材料は、環状区域120を完全に満たすことが好ましいことがわかる。犠牲層82を形成する材料は、例えば高分子材料またはフォトレジスト材料であることが可能な保護材料124に対して選択的にエッチング可能であると有利である。保護材料124は、環状区域120を満たすのを容易にするため、そして後続の、上にある移動可能層のデポジションのための平面状の表面を提供するため、スピンオン誘電体などの自己平坦化材料を含んでいると有利である。しかしながら、環状構造120の大きさ、および保護材料124のデポジションに使用される方法に応じて、様々な種類の材料が保護材料124としての使用に適することが可能である。図25Cでは、相隔たれた犠牲材料の柱状部122の上面を露出させるように、犠牲層82の高さまで保護材料がエッチバックされたことがわかる。図25Dでは、相隔たれた犠牲材料の柱状部122内にテーパ状の開口126を形成するために、第二のパターン形成およびエッチングのプロセスが用いられる。図25Eでは、犠牲材料の上に、反射層90および機械層92がデポジションされ、その後に続いて、機械層の上に、リベット層96がデポジションされる。図25Eに描かれるように、支柱の下にくる部分の反射層90を除去するために、上述されたような、製造プロセスのヴァリエーションを、有利に使用可能であることが理解される。図25Fにおいて、リベット層96は、支持構造62を形成するためにエッチングされ、次いで、機械層92および反射層90は、エッチングホール100を形成するために、また随意には、図8に示されるように帯状の移動可能層66を分離するために、パターン形成されエッチングされる。したがって、図25Fは、リリース前のMEMSデバイスを示している。図25Gでは、保護材料124の環状被覆によって取り囲まれていない部分の犠牲層82例えば柱状部122を除去するために、リリースエッチングが実施される。この時点で、移動可能層66の上にあるリベット構造62と、移動可能層66内のくぼみの下および周囲に位置する、保護材料124の被覆によって取り囲まれたエッチングされなかった犠牲材料の柱状部122と、を有するインターフェロメトリックモジュレータ素子60が形成される。保護材料124の被覆は、例えばアッシングまたはエッチングのプロセスを通じて、後続のステップによって随意に除去することができ、その結果、図25Hに見られるような、露出されたがエッチングされなかった犠牲材料の柱を含む、インターフェロメトリックモジュレータが得られる。更に別の実施形態では、62のようなリベット支持構造のための所望の補助的支持を、リベット構造の形成に使用されたのと同じ材料の使用を通じて提供することができる。図26A~26Eに関連して説明される1つの実施形態では、スピンオン材料を使用して、代替の支柱およびリベット構造が形成される。図26Aでは、テーパ状の開口86を形成するために、犠牲材料82の層がデポジションされパターン形成され、パターン形成された犠牲材料の上に、移動可能層66がデポジションされていることがわかる。図26Bでは、移動可能層66内に、ホール140がパターン形成され、ビア142を形成するために、犠牲材料82がエッチングされている。ビア142は、この実施形態では、ホール140から伸びて、下にある光学スタック16に達する。図26Cは、製造プロセスのこの時点において、この領域を上から見た図である。図からわかるように、テーパ状の開口86に対応するくぼみを、複数のビアが取り囲んでいる。ビアは、任意の数および形状を用いることができ、テーパ状の開口86は、考えられる複数の形状をとることができる。図26Dでは、スピンオン材料の層146かデポジションされる。スピンオン材料、またはその他の自己平坦化材料は、流れ込んで、ビア142を満たす。この実施形態では、スピンオン材料は、テーパ状の開口86を満たすとともに、ホール140を通って流れてビア142を満たす。最後に、図26Eでは、テーパ状の開口86およびビア142から離れて位置する部分のスピンオン材料を除去するために、スピンオン材料に硬化およびパターン形成が施され、その結果、リベットに似た上部と、該リベットに似た上部から移動可能層66を通って光学スタック16に達する柱に似た構造、すなわち脚152と、を含む支持構造150が形成されたことがわかる。また、インターフェロメトリックギャップ19を形成するために、リリースエッチングによって、犠牲層82図26Dを参照も除去されている。脚152は、機械層の傾斜部分が動作中にその下方のキャビティ内へと容易に引き下げられることのないように、支持構造に対して安定性を付与し、そうして、リベット層と機械層との間の接着が向上される。リベット構造150は、また、下にある光学スタックにも接着されることによって、リベット構造を適所に留める。上記のプロセスフローには、ヴァリエーションを加えられることがわかる。特定の実施形態では、ホール140を、テーパ状の開口86の側壁の上にある部分の移動可能層66内に形成することができる。他の実施形態では、キャビティ142は、図26Bに描かれたような垂直キャビティである必要はなく、斜め方向に伸びてもよいし、あるいは犠牲層を通りきって光学スタック16に達しなくてもよい。例えば、ホール140は、開口86の側壁内の移動可能層66の中に形成することができ、キャビティ142は、斜め方向に降りて光学スタック16に達することができる。図27は、上にある支持構造150が、移動可能層66のテーパ状部分のホールを通ってある角度で伸びる足152を含むような実施形態を示している。このような角度付きエッチングは、1つの実施形態では、反応性イオンエッチングRIEの使用を通じて実施することができる。ただし、他の適切な技術を使用することも可能である。特定の実施形態では、支持構造150は、図26Eおよび図27に示されるように、個別の脚152を含んでもよいし、あるいは連続した環状の支持構造を含んでもよい。インターフェロメトリックモジュレータの支持構造およびその他の構成要素を形成するために、様々な他の方法を使用することができる。特定の実施形態では、インターフェロメトリックモジュレータのリベット構造および支柱構造などの構成要素を形成するために、めっきプロセスを用いることができる。図28A~28Bは、リベット構造60を形成するためにめっきプロセスを用いるための、プロセスの一部を示している。このプロセスは、図9A~9Fのステップを含む。図28Aでは、特定の実施形態においてフォトレジストマスクであることが可能なマスク162が、移動可能層66の上にデポジションされ、所望のリベット構造の形状を定める開口164を形成するためにパターン形成されることがわかる。図28Bでは、開口164内にリベット構造160を形成するために、めっきプロセスが使用されていることがわかる。1つの実施形態では、めっきプロセスは、電気めっきプロセスである。様々な実施形態で、リベット160は、ニッケル、銅、および金を含むがこれらに限定されない材料を含むことができるが、めっきすることができ且つ好ましくはリリースエッチングの影響を受けにくい、任意の材料が使用可能である。本明細書で述べられた製造プロセスでデポジションされる層は、インターフェロメトリックモジュレータの様々な構成要素を形成するのに加えて、インターフェロメトリックモジュレータ素子の配列内にある、または同配列につながれる、他の構成要素を形成するために使用することもできる。図29は、移動可能層66によって帯状電極170が形成され、光学スタック16内の導電層72図9Aを参照などの導電層によって第一の帯状電極170の下を垂直に走る第二の帯状電極172が形成される、インターフェロメトリックモジュレータ素子の、一部を描いている。帯状電極170には、リベット構造62などの複数の支持構造を、長さ全体にわたって設けられることがわかる。第一の、すなわち上方の帯状電極170は、導電性の相互接続、すなわちリード174に電気的に接続される。リード174は、更に、着地パッド、すなわち接続ポイント176に電気的に接続される。接続ポイント176では、バンプなどの外部の構成要素との間に電気的接続をなすことができる。同様に、第二の、すなわち下方の帯状電極172は、リード178および接続ポイント180に電気的に接続される。列電極と称することもできるただし、上方電極を列電極と称するのは任意であり、単純に、MEMS配列の向きに依存する第一の帯状電極170は、一般に、配列内のエアギャップまたはインターフェロメトリックキャビティによって基板から隔てられている。ただし、配列内の様々な位置例えば支持領域では、列電極170と基板との間にエアギャップが存在しなくてよいことが理解される。行電極とも称することができる第二の帯状電極172は、一般に、基板上に直接製造されるか、あるいはもし介在層が存在するならば、第二の帯状電極172と基板との間にインターフェロメトリックギャップが存在しないように製造されるかのいずれかである。リード178および接続ポイント180が、上にある層をともなわずにITOで形成される特定の実施形態では、外部のデバイスと接続ポイント180との間に直接的な接続がなされる。しかしながら、ITOにともなう高い抵抗および接触抵抗は、このような実施形態を望ましくなくする可能性がある。別の実施形態では、移動可能層66を形成する材料などの導電性材料の層を、接続ポイント180およびリード178の長さの大半にわたってITOの上にデポジションすることによって、その部分の構造の抵抗を低減させるようにする。しかしながら、機械層が、2枚の層例えば図9Fに見られるような機械層92と反射層90で形成された変形可能な反射層を含む特定の実施形態では、これらの層の特定の層間の接触抵抗が、リード178の抵抗に望ましくない影響を及ぼす可能性がある。これは、これらの層のうちの1枚が、ITO層との接触時の接触抵抗に乏しいアルミニウムである場合にとりわけ顕著である。ITO層の上には、ITO層との接触時に望ましい接触抵抗を有する導電性材料をデポジションすると有利である。図30Aおよび図30Bは、このような製造プロセスのステップを描いており、図29の線30-30に沿った断面を示している。図30Aでは、製造プロセス中、機械層のデポジションに先立つ段階例えば図9Eに対応する段階またはそれより前の段階で、この領域にはITOの層72のみがデポジションされているあるいは、図9Aの部分反射層74など上にある任意の層が選択的に除去されていることがわかる。図30Bでは、しかしながら、インターフェロメトリックモジュレータ素子を形成される領域内の層の上だけでなく、接続ポイント180不図示およびリード178の上にも機械層92がデポジションされており、このため、直接ITO層72の上にある。また、反射層90図9Eを参照は、ITO層72の上にデポジションされていないか、またはそのデポジション後に且つ機械層92のデポジションに先立って選択的に除去されたか、のいずれかであることもわかる。1つの実施形態では、反射層90図9Eを参照は、リード178および接続ポイント180の上にデポジションされているが、これらの部分の反射層を除去するために、機械層92のデポジションに先立ってパターン形成されエッチングされている。1つの実施形態では、機械層は、ITOとの接触時に好適な接触抵抗を有するNiを含む。機械層92は、次いで、図30Bに示されるように、リード178および接続ポイント180の上にない部分の層を除去するために、パターン形成されエッチングされる。また、図29に関連してわかるように、機械層斜線で示されるは、帯状電極170,172同士に短絡を来たさないようにするため、配列に近いリードの縁では除去されていることが好ましい。このため、1つの実施形態では、機械層は、ITOのリードおよび接続ポイントと接触する導電層として用いられる。リベット材料が導電性材料を含む別の実施形態では、図30A~30Bの機械層92の代わりに、リベット材料をITOの上にデポジションし、ITOの上に導電層を形成するために使用することができる。具体的な一実施形態では、リベット層は、Niを含む。この実施形態は、変形可能な反射層の一方の部分反射層を他方の部分機械層と別にパターン形成およびエッチングしなくてよい点で有利である。具体的な一実施形態では、機械層72は、所望の抵抗特性および接触抵抗特性を有するNiを含むが、その他に、様々な種類の機械層材料を使用することが可能である。別の実施形態では、ITO層を、リード178から接続ポイント180に到る全長に広がらせる必要はなく、代わりに、デポジションされた機械層92のみによって、接続ポイント180とリード178の大半とを形成することができる。機械層92のデポジションは、これらの構成要素の抵抗および接触抵抗を下げるだけでなく、これらの構成要素の高さを高くして、外部の構成要素との接続を促進できるという点で有利である。同様に、機械層92は、リード174および接続ポイント176を形成することができる。1つの実施形態では、列電極170と接続するリード174も接続ポイント176も、いかなるITOも含むように構成する必要がなく、機械層92をリード174の全長に広がらせることによって、リード174と帯状電極170との間の接続を形成することができる。なぜならば、基板上に形成される行電極172例えばパターン形成された帯状のITOと異なり、列電極170は、基板から分離されているからである。行リードおよび列リードは、さもないと露出され、環境的干渉または機械的干渉に起因して生じうる短絡およびその他の損傷の被害を受けやすいので、これらの露出された行リード174および列リード178の上には、不動態化層をデポジションすることが望ましいであろう。具体的な一実施形態では、リベット構造62の形成に使用されるのと同じ材料を用いてリード174,178を不動態化し、それらを外部からの電気的干渉または機械的干渉から保護することができる。このような一実施形態は、図31A~31Dに関連して説明される。図29の半製品のリード174を、異なる一実施形態にしたがって線31-31に沿って示した断面である図31Aにおいて、機械層92は、デポジションされたがまだエッチングされていないことがわかる。図31Bでは、リベット材料の層96が、例えば図9Gに見られるようにデポジションされたこと、そしてこのリベット材料の層が、インターフェロメトリックモジュレータの配列の外側に位置する機械層92の上にもデポジションされたことがわかる。図31Cでは、リベット材料の層が、図9Hに見られるようにパターン形成されたこと、そしてこのリベット材料の層が、リード304の上にある帯182を形成するためにも同時にパターン形成されたことがわかる。最後に、図31Dでは、機械層は、帯状電極170を周囲の電極から隔てるためにそして帯状電極内に、必要とされるあらゆるエッチングホールを形成するためにパターン形成され、同時にまた、リード174を形成するためにもパターン形成されている。代替の一実施形態では、機械層は、リベット層と同時にパターン形成およびエッチングすることができる。このリベット層は、外部の構成要素との接続を可能にするため、接続ポイント180の上にデポジションされていないか、または接続ポイント180を覆う部分のリベット層を除去するようにエッチングされているか、のいずれかであることがわかる。また、もし、行電極と接続するリード178図19を参照が、上記のプロセスにしたがって不動態化されるならば、結果として得られるリード178は、機械層92の下にあるITO72の層を含みうることが理解される。更に別の実施形態では、機械層92は、リベット層のデポジションに先立ってパターン形成することによって、リード174を形成し、帯状電極170を隣接する帯状電極から隔てることができる。このため、リベット層は、このプロセスによって製造されるリード174を図19の線31-31に沿って描いた図である図32に見られるように、リード174の上部を覆うのみならず側面をも保護するように、続いてパターン形成することができる。これは、リード174を更に保護するという点で有利である。他の実施形態では、支持構造層のデポジションとは区別された別のプロセスで、リードの上に不動態化材料をデポジションすることができる。このようなプロセスでは、任意の適切な誘電層を、リードの不動態化のために使用することができ、このような材料は、支持構造層としての使用に適している必要はない。例えば、光学スタック内の誘電層、またはエッチング停止層として使用される誘電層などのように、MEMSデバイスの製造に使用される任意の適切な誘電層を、リードを不動態化するために使用することができる。特定の実施形態では、MEMS素子の場所ごとに堅さの変動する移動可能層66を提供すること、またはより簡単に、隣り合う素子同士の堅さが異なる移動可能層を有するMEMS素子の配列を提供することが望ましい。例えば、移動可能層の領域ごとに作動電圧が異なるようなモジュレータ素子は、グレイスケールを形成するために使用することができる。なぜならば、モジュレータ素子の配列の場所ごとに作動電圧が異なるので、印加電圧変化させることによって、モジュレータ素子を異なる量だけ作動させることができるからである。他の実施形態では、モジュレータ素子の縁の周りなど、支持の少ない領域で、追加の堅さが望まれる。このように堅さの変動するインターフェロメトリックモジュレータ素子を製造する1つの方法が、図23A~23Bに関連して説明されており、この方法は、図9A~9Gのステップを含む。図33Aにおいて、この実施形態ではシリコン酸化物を含むことができるリベット層は、図9Hに関連して説明されたように、支持構造62を形成するためにエッチングされていることがわかる。しかしながら、図33Aの実施形態は、リベット材料のパッチ、すなわちリブ190が、エッチングされずに余分に残されているという点で、図9Hの実施形態と異なる。図33Bにおいて、製造プロセスは、図9Iおよび図9Jに関連して述べられたように完了され、その結果、移動可能層66の一部の上に支持構造62およびリブ190がある図34の線33B-33Bに沿って見たインターフェロメトリックモジュレータ素子60が得られたことがわかる。リベット材料を含む残留リブ190を有する図33Bのインターフェロメトリックモジュレータ素子60の上面図が、図34に描かれている。上述されたように、これらの残留リブ190は、パッチの周辺領域の移動可能層66において、より高い作動電圧が必要とされるように、その区域の移動可能層66の変形を抑制することができる。これらのリブは、また、移動可能層の縁近くの機械的領域に、追加の支持を提供するために使用することもできる。特定の実施形態において、移動可能層66は、望ましくない巻き上がりまたはたわみを生じやすい傾向がある。これは、移動可能層66のうち、帯状電極間のギャップ65に近い領域において、とりわけ深刻である。このようなリブ190の配置は、インターフェロメトリックモジュレータ全体でインターフェロメトリックギャップ19図23Bを参照の高さがより一定となるように、この望ましくないたわみを制御することができる。また、これらのリブ構造190の位置決めは、その周辺領域における移動可能層66の堅さに影響を及ぼすので、これらのリブ構造190は、MEMSデバイスを作動状態に移動させるのに必要とされる作動電圧を変更するために使用することができる。これは、例えば、素子の両端にかかる作動電圧を標準化するため、またはMEMS素子の両端にかかる作動電圧を異ならせ、上述されたようなグレイスケールを提供するために行うことができる。更なる一実施形態において、支持構造62および残留リブ構造190を形成するようにエッチングされたリベット層は、圧電材料などの電気活性材料を含むことができる。機械層92の上面に、リブ190の形で電気活性材料を加えることによって、移動可能層66の振る舞いを、更に制御することが可能になる。電気活性材料の追加は、例えば、モジュレータ素子の所定の位置に印加される電圧を変更するために使用することができる。上述されたように、上述された方法および構造は、機械層から部分的に切り離された反射層を含む移動可能層を有する光学MEMSデバイスとともに使用することができる。図35A~35Hは、このようなMEMSデバイス内において、移動可能層の一部の下に支柱を形成するための、代表的なプロセスを示している。図示された実施形態において、MEMSデバイスは、インターフェロメトリックモジュレータである。このプロセスは、例えば、光学スタックがデポジションされ、更にその上に犠牲層がデポジションされる、図9A~9Dに関連して説明されたステップを含むことができる。図35Aでは、犠牲層82の上に、反射層90がデポジションされることがわかる。特定の実施形態では、反射層90は、反射性材料の単一の層を含むことができる。他の実施形態では、反射層90は、反射性材料の薄い層と、犠牲材料の薄い層の上にある、より剛性の材料の層不図示と、を含むことができる。この実施形態の反射層は、上にある機械層から部分的に切り離されるので、反射層90は、たとえ部分的に切り離された場合でも光学スタック16に対して実質的に平坦な位置を維持できるように、十分な剛性を有することが好ましく、光学スタックから遠い側の反射層に補強層を含ませる手法が、所望の剛性を提供するため使用することができる。図35Bにおいて、図35Aの反射層90は、パターン形成されたミラー層220を形成するために、パターン形成される。1つの実施形態では、パターン形成されたミラー層220は、支持構造の位置に相当するが支持構造より広いまたは狭い開口を中に形成された隣接する層を含む。別の実施形態では、パターン形成されたミラー層220は、互いに切り離された複数の反射区域を含むことができる。図35Cでは、パターン形成されたミラー層220の上に、第二の犠牲層226がデポジションされる。好ましくは、第二の犠牲層226は、第一の犠牲層82と同じ材料で形成される、または第一の犠牲層82と同じエッチングによって周囲の材料に対して選択的にエッチング可能である。図35Dでは、第二の犠牲層226および第一の犠牲層82の両方を通って伸びるテーパ状の開口86が形成される。図35Eでは、図11Dに関連して説明されたように、パターン形成された犠牲層92,226の上に、開口86の側面を覆うように柱材料84の層がデポジションされている。図35Fでは、柱材料の層は、図11Eに関連して説明されたように、柱構造88を形成するためにパターン形成されている。パターン形成された柱構造88は、ミラー層220の縁と重なってもよい。図35Eでは、また、パターン形成されたミラー層220の上にある第二の犠牲層196の一部に開口228が形成され、パターン形成されたミラー層220の少なくとも一部を露出させることもわかる。図35Gでは、柱88の上、ならびに第二の犠牲層226およびパターン形成されたミラー層220の露出部分の上に、機械層92がデポジションされる。具体的には、機械層92は、機械層92とパターン形成されたミラー層220とを接続するコネクタ部分222が形成されるように、開口198図35Fを参照を少なくとも部分的に満たすことがわかる。図35Hでは、第一の犠牲層82および第二の犠牲層226の両方を除去するリリースエッチングが実施されることによって、パターン形成されたミラー層220と光学スタックとの間にインターフェロメトリックギャップ19が形成される。したがって、パターン形成されたミラー層220をぶら下げた機械層92を含む移動可能層66を含み、パターン形成されたミラー層220を機械層92から部分的に切り離されている、光学的MEMSデバイスが形成される。この光学MEMSデバイスは、図7Cに関連して説明されたような、または本出願全体のその他のどこかで説明されたような、インターフェロメトリックモジュレータであることが可能である。非光学的MEMSの場合は、ぶら下げられた上部電極は、反射性である必要がない。上記のプロセスは、上述された任意の方法および構造を含むように変更することができる。具体的には、上記のプロセスは、柱構造の形成に代わりに、または柱構造の形成とともに、リベット構造の形成を含むように変更できることがわかる。具体的には、リベット構造のみが形成される実施形態では、上記のプロセスは、接続部分を形成される部分のミラー層の上にある開口と同時にテーパ状の開口を形成することによって、更に簡略化することができる。リベット層がデポジションされる別の実施形態では、図35Gのステップと等価なステップで、極薄の導電材料の層のみがデポジションされ、後にデポジションされるリベット層誘電性であることが可能であるは、機械層の機械的機能を担うようにパターン形成およびエッチングを施され、導電材料の薄層は、伝導的機能を担う。更なる実施形態では、切り離されたミラー層200の上面に補強部分を形成するために、柱構造を形成するのと同じ材料を使用することができる。図36A~36Cは、このような実施形態を示しており、図35A~35Cのステップを含む。図36Aでは、テーパ状の開口86が形成されるのと同時に、パターン形成されたミラー層220の上に追加の開口230が形成され、パターン形成されたミラー層220の一部を露出させていることがわかる。特定の実施形態では、これらの開口230は、パターン形成された移動可能層220の縁の近くに伸びる溝の形態をとると有利である。しかしながら、環状または実質的に環状などを含む、様々な種類の形状も適している。図36Bでは、柱材料84の層が、テーパ状の開口86の縁のみならず、追加の開口230内のパターン形成されたミラー層220の露出部分も覆うようにデポジションされたことがわかる。図36Cでは、製造プロセスが、図35F~35Hに関連して説明されたのと同様に進行されたこと、そして、リリースされたインターフェロメトリックモジュレータが形成されたことがわかる。具体的には、パターン形成されたミラー層220は、パターン形成されたミラー層220の上面に、柱88と同じ材料で形成された補強構造232例えば環状リングを含むことがわかる。また、補強構造232の上にある部分の機械層92は、開口234を形成するために除去されたこともわかる。ミラー層220は、機械層92から部分的に切り離されているので、機械層92は、連続した材料層を含む必要はなく、その代わり、例えば、コネクタ部分222および柱88などの支持構造の間に伸びる帯状の機械的材料を含みうることが理解される。したがって、補強構造232と、上にある機械層92との間に接続が残らないことを保証するため、機械層は、図36Cに図示されるように、機械的帯図8を参照を形成するのと同じパターン形成ステップによって一部を除去することができる。上記の実施形態は、様々に組み合わせ可能であることが理解される。例えば、特定の実施形態では、本明細書で開示された特定の支持構造を、本明細書で開示されたその他の支持構造はもちろん本出願で挙げられていないその他の適切な支持構造ともあわせて使用することができる。上述された支持構造の様々な組み合わせが考えられ、発明の範囲内に含まれる。また、上記のどの方法によって形成された支持構造も、これら支持構造の剛性および耐久性を向上させるために、支持構造を形成するその他の方法と組み合わせて用いてよいことが理解される。また、上記の実施形態において、これらの層の順番およびこれらの層を形成する材料は、例示的なものに過ぎないことが認識される。更に、いくつかの実施形態では、インターフェロメトリックモジュレータ素子の部分を形成するために、または基板上のその他の構造を形成するために、図示されていない他の層のデポジションおよび処理を行うことができる。当業者には知られているように、他の実施形態では、これらの層は、デポジション、パターン形成、およびエッチングに関して代替の材料およびプロセスを使用して形成したり、異なる順序でデポジションしたり、または異なる材料で構成したりすることが可能である。また、文言によって具体的に明記されていない限り、本明細書に記載されたどの方法の行為または事象も、実施形態に応じて、他の順序で実施したり、追加したり、まとめたり、または完全に省略したりすることが可能である例えば、必ずしも全ての行為または事象が方法の実施に必要であるとは限らない。上記の詳細な説明は、本発明の新規の特徴を、様々な実施形態に照らして図示、説明、および指摘してきたが、当業者ならば、例示されたプロセスのデバイスの形態および詳細について、本発明の趣旨から逸脱することなく様々な省略、置換、および変更をなせることが、理解されるであろう。特徴のいくつかは、他の特徴と別個に使用または実施することができるので、本発明は、本明細書に明記された特徴および利点の全てを提供するのではない形態の範囲内で実現可能であることがわかる。"