"第1半導体チップと、前記第1半導体チップの一方の面に設けられた放熱作用を有する第1エミッタ電極と、前記第1半導体チップの他方の面に設けられた放熱作用を有する第1コレクタ電極と、前記第1半導体チップと前記第1エミッタ電極の接合面とは反対側の面、及び前記第1半導体チップと前記第1コレクタ電極の接合面とは反対側の面を露出させて、前記第1半導体チップと前記第1エミッタ電極と前記第1コレクタ電極を封止する第1モールド樹脂と、第2半導体チップと、前記第2半導体チップの一方の面に設けられた放熱作用を有する第2エミッタ電極と、前記第2半導体チップの他方の面に設けられた放熱作用を有する第2コレクタ電極と、前記第2半導体チップと前記第2エミッタ電極の接合面とは反対側の面、及び前記第2半導体チップと前記第2コレクタ電極の接合面とは反対側の面を露出させて、前記第2半導体チップと前記第2エミッタ電極と前記第2コレクタ電極を封止する第2モールド樹脂とを有し、放熱作用を有する取り出しエミッタ電極を介して、前記第1エミッタ電極と前記第2エミッタ電極が接するように設けられた半導体装置。第1半導体チップの一方の面に放熱作用を有する第1エミッタ電極を接合し、前記第1半導体チップの他方の面に放熱作用を有する第1コレクタ電極を接合する工程と、前記第1半導体チップと前記第1エミッタ電極の接合面とは反対側の面、及び前記第1半導体チップと前記第1コレクタ電極の接合面とは反対側の面を露出させて、前記第1半導体チップと前記第1エミッタ電極と前記第1コレクタ電極を第1モールド樹脂で固定する工程と、第2半導体チップの一方の面に放熱作用を有する第2エミッタ電極を接合し、前記第2半導体チップの他方の面に放熱作用を有する第2コレクタ電極を接合する工程と、前記第2半導体チップと前記第2エミッタ電極の接合面とは反対側の面、及び前記第2半導体チップと前記第2コレクタ電極の接合面とは反対側の面を露出させて、前記第2半導体チップと前記第2エミッタ電極と前記第2コレクタ電極を第2モールド樹脂で固定する工程と、前記第1エミッタ電極の露出された面と放熱作用を有する取り出しエミッタ電極の一方の面を接合し、前記第2エミッタ電極の露出された面と前記取り出しエミッタ電極の他方の面を接合する工程と、を有する半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、半導体チップの両面冷却により効率的な放熱が可能な積層構造を有する半導体装置とその製造方法を提供することである。上記課題を解決するために、実施形態の半導体装置は第1半導体チップと、前記第1半導体チップの一方の面に設けられた放熱作用を有する第1エミッタ電極と、前記第1半導体チップの他方の面に設けられた放熱作用を有する第1コレクタ電極と、前記第1半導体チップと前記第1エミッタ電極の接合面とは反対側の面、及び前記第1半導体チップと前記第1コレクタ電極の接合面とは反対側の面を露出させて、前記第1半導体チップと前記第1エミッタ電極と前記第1コレクタ電極を封止する第1モールド樹脂と、第2半導体チップと、前記第2半導体チップの一方の面に設けられた放熱作用を有する第2エミッタ電極と、前記第2半導体チップの他方の面に設けられた放熱作用を有する第2コレクタ電極と、前記第2半導体チップと前記第2エミッタ電極の接合面とは反対側の面、及び前記第2半導体チップと前記第2コレクタ電極の接合面とは反対側の面を露出させて、前記第2半導体チップと前記第2エミッタ電極と前記第2コレクタ電極を封止する第2モールド樹脂とを有する。また、放熱作用を有する取り出しエミッタ電極を介して、前記第1エミッタ電極と前記第2エミッタ電極が接するように設けられている。上記課題を解決するために、実施形態の半導体装置の製造方法は、第1半導体チップの一方の面に放熱作用を有する第1エミッタ電極を接合し、前記第1半導体チップの他方の面に放熱作用を有する第1コレクタ電極を接合する工程と、前記第1半導体チップと前記第1エミッタ電極の接合面とは反対側の面、及び前記第1半導体チップと前記第1コレクタ電極の接合面とは反対側の面を露出させて、前記第1半導体チップと前記第1エミッタ電極と前記第1コレクタ電極を第1モールド樹脂で固定する工程と、第2半導体チップの一方の面に放熱作用を有する第2エミッタ電極を接合し、前記第2半導体チップの他方の面に放熱作用を有する第2コレクタ電極を接合する工程と、前記第2半導体チップと前記第2エミッタ電極の接合面とは反対側の面、及び前記第2半導体チップと前記第2コレクタ電極の接合面とは反対側の面を露出させて、前記第2半導体チップと前記第2エミッタ電極と前記第2コレクタ電極を第2モールド樹脂で固定する工程と、前記第1エミッタ電極の露出された面と放熱作用を有する取り出しエミッタ電極の一方の面を接合し、前記第2エミッタ電極の露出された面と前記取り出しエミッタ電極の他方の面を接合する工程とを有する。以下、本発明の一実施形態の半導体装置とこの半導体装置の作製方法について、図面を参照しながら説明する。実施形態図1は一実施形態に係る半導体装置1の構造を示す断面図、図2は実施形態に係る第1半導体パッケージ2aの構造を示す平面図を示している。また、図3は図2のA-A’線における断面、図4は図2のB-B’線における断面を示す断面図をそれぞれ示している。図1に示すように、本実施形態に係る半導体装置1は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタInsulatedGateBipolarTransistor;以下、IGBTチップ10a、10bとダイオードチップ11a、11bが積層された構造、すなわち、第1半導体パッケージ2aと第2半導体パッケージ2bが並列接続された構造を有している。ここで、パッケージとはIGBTチップ10a、10bとダイオードチップ11a、11bに各種電極等が接合され、モールド樹脂18で封止された状態を示す。その構造は、図1~4に示すように、まず、第1IGBTチップ10aと第1ダイオードチップ11aの一方の面には、接合剤12を介して第1エミッタ電極14aと制御基板16が設けられる。また、第1IGBTチップ10aと第1ダイオードチップ11aの他方の面には、接合剤12を介して第1コレクタ電極13aが設けられる。その際、第1IGBTチップ10aと第1ダイオードチップ11aは逆並列、すなわち、第1ダイオードチップ11aのカソードが第1コレクタ電極13a接続され、アノードが第1エミッタ電極14aに接続される。すなわち、第1ダイオードチップ11aにとっては、第1コレクタ電極13aはカソード電極、第1エミッタ電極14aはアノード電極となる。また、接合剤12に使用される代表的な材料として、はんだが挙げられるが、熱伝導性と電気伝導性を有する接合剤12であれば特に限定されない。また、第1コレクタ電極13aと第1エミッタ電極14aに使用される代表的な材料としては銅が挙げられるが、熱伝導性と電気伝導性の高い材料であれば特に限定されない。制御基板16には接合剤12を介して、第1IGBTチップ10aの動作を制御する信号を伝送するための制御電極17が設けられる。そして、第1コレクタ電極13aの下面と、第1エミッタ電極14aの上面を露出させて、第1IGBTチップ10aと第1ダイオードチップ11aがモールド樹脂18によって封止される。以上のように、本実施形態の第1半導体パッケージ2aは構成される。第2半導体パッケージ2bに関しても、第1半導体パッケージ2aと同様の構造を有している。なお、図1に示す半導体装置1の場合では、第2半導体パッケージ2bには制御基板16に制御電極17が設けられていない。これは、後述するように、第1半導体パッケージ2aの制御電極17と、第2半導体パッケージ2bの制御基板16を電気的に接続されることで、制御電極17で兼用しているためである。そのため、制御電極17はどちらかの半導体パッケージ2a、2bにのみ設けられていても、両方の半導体パッケージ2a、2bに設けられていても構わない。第1半導体パッケージ2aと第2半導体パッケージ2bは、取り出しエミッタ電極15を介して、第1エミッタ電極14aと第2エミッタ電極14bが対向して並列接続される。その際、第1コレクタ電極13aと第2コレクタ電極13bは、伝導性材料で構成される接合具50によって電気的に接続される。図1では、第1コレクタ電極13aと第2コレクタ電極13bを接合する接合具50は、取り出しエミッタ電極15にも接合してあるように見えるが、接合具50と取り出しエミッタ電極15は接合していない。また、第1半導体パッケージ2aの制御基板16と、第2半導体パッケージ2bの制御基板16も、制御基板16に設けられた接続用孔51に接合具50を固定させることで電気的に接続される。従って、制御電極17は第1半導体パッケージ2aと第2半導体パッケージ2bの制御機能を兼用している。以上のように、半導体装置1は構成されている。ここで、IGBTチップ10a、10bの使用例について説明する。IGBTチップ10a、10bは、例えば、電力変換やモータ制御等の半導体スイッチング素子として使用されている。本実施形態のように、IGBTチップ10a、10bとダイオードチップ11a、11bを一体に作りこみ、両方の動作を兼ね備えた半導体を一般に、逆導通型半導体ReverseConductingInsulatedGateBipolarTransistor,以下、RC-IGBTと呼ぶ。RC-IGBTは、例えばモータ等のインバータ回路として利用される。モータをOFFした際に、瞬間的ではあるものの、高電圧の逆起電力が掛かってしまう。その高電圧がIGBTチップ10a、10bに流れると、破損の恐れが生じてしまう。そのため、逆並列にダイオードチップ11a、11bを設け、そちらに逃がすことで、IGBTチップ10a、10bの破損が可能となる。RC-IGBTが利用されている一例として、3相交流インバータ回路60について説明する。図5は、実施形態の半導体装置1を用いてインバータ回路を構成した場合の回路図を示している。3相交流インバータ回路60は、U相61、V相62、W相63を備えている。そして、U相61、V相62、W相63はそれぞれ上アーム64と下アーム65を備えている。上アーム64はIGBTチップ10a、10bと逆並列になるように、ダイオードチップ11a、11bが並列接続されている。下アーム65にも同様に、IGBTチップ10a、10bと逆並列になるように、ダイオードチップ11a、11bが並列接続されている。そして、U相61は高電圧直流電源66に接続され、制御回路67から伝送される制御信号によるスイッチングを行い、負荷68へ交流成分を伝送する。なお、V相62、W相63についてもU相61と同様である。以上のように、IGBTチップ10a、10bはパワー半導体素子として使用される等の場合が多く、使用の際には非常に高温の使用熱が生じる。その使用熱により、半導体装置1の破壊を招く恐れがある。従って、使用熱を効率的に放熱することが、半導体装置1の信頼性を向上させるためには必要不可欠である。本実施形態の半導体装置1の場合、効率的な放熱作用を付与させるために、コレクタ電極13a、13bとエミッタ電極14a、14bを放熱板として兼用させる構造とした。コレクタ電極13a、13bとエミッタ電極14a、14bから放熱させることで、IGBTチップ10a、10bとダイオードチップ11a、11bの両面から放熱させることが可能となり、半導体装置1の冷却機能の向上に繋がる。また、本実施形態のようにコレクタ電極13a、13bとエミッタ電極14a、14bの一部を露出させてモールド樹脂18で封止することにより、定格電流の向上を目的とした半導体パッケージ2a、2bを容易に並列接続させることが可能である。並列接続させることの目的としては、定格電流の向上が挙げられる。図5のU相61の上アーム64と下アーム65が並列接続された一例である。V相62とW相63についても同様である。ここで、本実施形態の比較例として、従来の半導体装置1aを示す。図5は、比較例の半導体装置1aの構造を示す平面図を示している。この比較例の各部について、図1~4に示す本実施形態の各部と同一部分は同一符号で示す。比較例の半導体装置1aの場合、まず、メタルパターン31上に逆並列に設置されたIGBTチップ10とダイオードチップ11が設けられている。そのメタルパターン31上には接合剤12を介して、コレクタ電極13が設けられている。IGBTチップ10とダイオードチップ11が設けられているメタルパターン31に隣接して、接合際12を介してエミッタ電極14が設けられたメタルパターン31が設けられている。このメタルパターン31と、IGBTチップ10とダイオードチップ11の上面はボンディングワイヤ33で電気的に接続されている。また、IGBTチップ10とダイオードチップ11が設けられているメタルパターン31に隣接して、接合剤12を介して制御電極17が設けられたメタルパターン13も設けられている。このメタルパターン31と、IGBTチップ10はボンディングワイヤ33で電気的に接続されている。各メタルパターン31の下面には、絶縁版32、メタルパターン31、及び接合剤12を介して放熱板30が設けられる。そして、放熱板30の下面を露出しながらケース34に入れられ、ケース34の内部はモールド樹脂18が封入される。以上のように、従来の半導体装置1aは構成されている。このように構成される半導体装置1aの場合、放熱板30を介して、IGBTチップ10とダイオードチップ11の片面からのみの放熱であるため、放熱効率が良好ではなく、最悪の場合、熱破壊が生じてしまう。加えて、放熱板30を使用しているため製造プロセスが煩雑である点、定格電流向上を目的とした並列接続構造にしにくい点等のデメリットが挙げられる。本実施形態の場合、前述したようにコレクタ電極13a、13bとエミッタ電極14a、14bから直接放熱できるように構成し、IGBTチップ10a、10bとダイオードチップ11a、11bの両面から放熱させることを可能とした。よって、本実施形態の半導体装置1は比較例の半導体装置1aよりも放熱作用を有しており、放熱板30を使用していないため製造プロセスが簡便である。また、本実施形態の半導体装置1は、第1半導体パッケージ2a及び第2半導体パッケージ2bのコレクタ電極13a、13bとエミッタ電極14a、14bの一部を露出させてモールド樹脂18で封止し、並列接続させているため、従来よりも容易に並列接続させることが可能である。製造工程以下、実施形態の半導体装置1の製造工程について、図7を参照して説明する。図7a~cは、実施形態の半導体装置1の製造工程を示す断面図である。まず、図7のaに示すように、第1IGBTチップ10aの一方の面上に、例えばはんだ等の接合剤12を介して第1エミッタ電極14aと制御基板16が設けられる。この制御基板16には、並列接続する際に使用する接合用孔51が設けられている。また、制御基板16には接合剤12を介して制御電極17が設けられる。なお、図7では第1IBGTチップ10aのみ設置されているように見えるが、紙面の奥行き方向において、図2または3に示すように第1IGBTチップ10aに隣接して第1ダイオードチップ11aが設置されている。また、第1IGBTチップ10aと第1ダイオードチップ11aは逆並列に接続される。第1IGBTチップ10aの他方の面上には、同じくはんだ等の接合剤12を介して第1コレクタ電極13aが設けられる。この第1コレクタ電極13aの一部には、並列接続する際に使用する接合用孔51が設けられている。そして、第1コレクタ電極13aの下面と、第1エミッタ電極14aの上面を露出させながら、第1IGBTチップ10aと第1ダイオードチップ11aがモールド樹脂18によって封止される。以上の工程で、第1半導体パッケージ2aは製造されており、第2半導体パッケージ2bについても同様の工程で製造される。次に、図7のbに示すように、取り出しエミッタ電極15を介して、第1半導体パッケージ2aの第1エミッタ電極14aと第2半導体パッケージ2bの第2エミッタ電極14bが対向して接続される。その際に、第1コレクタ電極13aと第2コレクタ電極13bにそれぞれ設けられた接合用孔51に、接合具50を使用して固定される。この接合具50は導電性材料、例えばアルミニウム等が使用されるため、第1コレクタ電極13aと第2コレクタ電極13bは電気的に接続される。制御電極16についても同様に接続用孔51に、接続具50を使用して固定される。以上のような工程により、図7のcに示すような、本実施形態の半導体装置1が製造される。なお、図7では、制御電極17は第1半導体パッケージ2aにのみ設けられているが、第2半導体パッケージ2bにのみ設けられていても良いし、両方に設けられていても構わない。また、図7のbでは、第1半導体パッケージ2aに接続具50を固定して、取り出しエミッタ電極15と第2半導体パッケージ2bを積層させるように図示されているが、先に積層させてから接続具50で固定する等、その固定方法は限定されない。このように、コレクタ電極13a、13bとエミッタ電極14a、14bの両面から放熱作用を有する半導体装置1は、部分的にモールド樹脂18で封止した半導体パッケージ2a、2bを取り出しエミッタ電極15を介して積層させるという簡易な工程により作製が可能である。本実施形態では、IGBTチップ10a、10bとダイオードチップ11a、11bを用いるRC-IGBT構造について例示したが、例えばMOSFET等、種々の半導体チップについて本実施形態は実現可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。"