パターン描画されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法であって、前記レジスト膜の現像に先立ち、当該レジスト膜に比べてエッチング耐性が高い保護膜を当該レジスト膜の上面に形成する保護膜形成工程と、前記保護膜の形成後に当該保護膜の上から現像剤を供給することにより、前記保護膜を浸透して前記レジスト膜まで到達した前記現像剤による当該レジスト膜の現像を行い、当該レジスト膜が残るパターン部分上面に前記保護膜を有してなる前記レジストパターンを形成する現像工程とを備えることを特徴とするレジストパターン形成方法。前記保護膜形成工程では、前記レジスト膜に比べて5倍以上のエッチング耐性を有する前記保護膜を形成することを特徴とする請求項1記載のレジストパターン形成方法。前記レジスト膜がα-クロロアクリル酸エステルとα-メチルスチレンとの重合体を含むレジスト材料からなる場合に、前記保護膜としてアモルファスカーボン膜を形成することを特徴とする請求項2記載のレジストパターン形成方法。被加工物となる基体上に前記レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜の上面に形成された前記保護膜の上から、前記保護膜を透過し前記レジスト膜に到達するエネルギービームを照射して、前記レジスト膜に対するパターン描画を行う描画工程と、をさらに備え、前記レジスト膜形成工程、前記保護膜形成工程、前記描画工程、前記現像工程の順で各工程を行って前記レジストパターンを形成することを特徴とする請求項1、2または3記載のレジストパターン形成方法。前記保護膜形成工程では、形成する前記保護膜の膜厚を、前記描画工程で照射するエネルギービームが透過し、前記現像工程で供給する現像剤が浸透し、かつ、当該現像剤によって除去される前記レジスト膜の不要なパターン部分と共に当該不要なパターン部分上面における前記保護膜が除去される膜厚とすることを特徴とする請求項4記載のレジストパターン形成方法。前記保護膜がアモルファスカーボン膜であり、前記レジスト膜がα-クロロアクリル酸エステルとα-メチルスチレンとの重合体を含むレジスト材料からなり、前記エネルギービームが電子線ビームであり、前記現像剤が前記レジスト材料に対して溶解性を有するものである場合に、前記アモルファスカーボン膜の膜厚を3nm以下とすることを特徴とする請求項5記載のレジストパターン形成方法。被加工物となる基体上に前記レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜の上面にエネルギービームを照射して、前記レジスト膜に対するパターン描画を行う描画工程と、をさらに備え、前記レジスト膜形成工程、前記描画工程、前記保護膜形成工程、前記現像工程の順で各工程を行って前記レジストパターンを形成することを特徴とする請求項1、2または3記載のレジストパターン形成方法。前記保護膜形成工程では、形成する前記保護膜の膜厚を、前記現像工程で供給する現像剤が浸透し、かつ、当該現像剤によって除去される前記レジスト膜の不要なパターン部分と共に当該不要なパターン部分上面における前記保護膜が除去される膜厚とすることを特徴とする請求項7記載のレジストパターン形成方法。前記保護膜がアモルファスカーボン膜であり、前記レジスト膜がα-クロロアクリル酸エステルとα-メチルスチレンとの重合体を含むレジスト材料からなり、前記エネルギービームが電子線ビームであり、前記現像剤が前記レジスト材料に対して溶解性を有するものである場合に、前記アモルファスカーボン膜の膜厚を3nm以下とすることを特徴とする請求項8記載のレジストパターン形成方法。前記現像工程の後、レジスト残渣を除去するディスカム工程を行うことを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。前記レジスト膜がポジ型レジストを用いて形成されることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。請求項1から11のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法を用いて形成した前記レジストパターンをマスクにして被加工物である基体に対するエッチング加工を行うエッチング工程と、前記エッチング加工を行った後の前記基体上から前記レジストパターンおよび当該レジストパターンの上面層を構成する前記保護膜を剥離するレジスト剥離工程と、を経て、前記レジストパターンに対応する形状のパターンが前記基体に加工されてなるモールドを得ることを特徴とするモールド製造方法。前記モールドは、ナノインプリント用原盤となるモールドであることを特徴とする請求項12記載のモールド製造方法。ところで、近年は、パターンド媒体におけるパターン微細化に伴って、モールド製造のためのレジストパターンを所望形状に形成することが困難になる傾向にある。例えば、図3aに示すように、BPM用のモールド製造のためのレジストパターン10は、BPMのパターン微細化に伴い、当該パターンにおけるホール11同士の間隔Pが狭ピッチ化する。ところが、ホール11間のレジスト膜が残存するパターン部分12については、特許文献1に記載のようにディスカムを行った場合に、ディスカム時におけるエッチングが比較的等方的に進むことから、上方および両側方の三方向からエッチングされることになる。したがって、ホール11同士の間隔Pが狭ピッチであると、ディスカムを行った場合に当該ホール11間のパターン部分12が消失し易くなってしまい、その結果として図3bに示すようにホール11同士が繋がった形状のレジストパターン10となるおそれがある。つまり、ホール11の狭ピッチ化が進展すると、これに伴ってレジストパターン10を所望形状に形成することが困難になってしまう。ホール11間のパターン部分12の消失抑制のためには、レジストパターン10の形成にあたりディスカムを行わないようにすることも考えられる。ところが、ディスカムを行わないと、レジストパターン10のパターン形状がバラツキを有したものとなり得ることが広く知られている。つまり、ディスカムを行わない場合においても、レジストパターン10を所望形状に形成することが困難となる。レジストパターン10が所望形状から乖離したものであると、当該レジストパターン10をマスクとしてマスクブランク20にパターンを転写する場合に、当該乖離が転写パターンに直に反映されてしまうので、高精度なパターン形成を行うことができない。特に、パターン微細化が進展している状況下では、その影響が大きなものとなる。このことは、例えば特許文献2に記載のように、レジスト膜の下にアモルファスカーボン膜を形成した場合についても、同様のことが言える。これに対し、例えば特許文献3に記載のように、パターニング後のレジスト膜を覆うようにアモルファスカーボン膜を成膜した場合には、レジスト材料のエッチング耐性の低さをアモルファスカーボン膜が補うことになる。しかしながら、レジスト膜をパターニングした後にアモルファスカーボン膜を成膜すると、当該パターンにおけるホール11内のボトム部分にもアモルファスカーボン膜が成膜される可能性があり、当該ホール11内のスカム等もアモルファスカーボン膜で覆われてしまうことが考えられる。特に、最近では、パターン微細化に伴ってレジスト膜が薄膜化する傾向が強いことから、ホール11内のボトム部分にアモルファスカーボン膜が成膜されてしまう可能性が非常に高い。さらに具体的には、レジスト膜をパターニングした後にアモルファスカーボン膜を成膜する場合には、例えば斜め成膜といった手法垂直方向ではなく斜め方向から成膜粒子が飛んで来るようにすることでホール11内のボトム部分が陰になり成膜され難くする手法を用いなければ、パターニング後のレジスト膜のトップ上面部分とホール11内のボトム部分とに同程度のアモルファスカーボン膜が付いてしまう。つまり、ホール11内のボトム部分にアモルファスカーボン膜が成膜されないようにするためには、例えば斜め成膜といった特別な成膜手法を用いる必要が生じる。ところが、斜め成膜等の成膜手法を用いた場合には、全面にわたり均一な膜厚の膜形成を行うことが困難となる。また、斜め成膜等の成膜手法を用いた場合には、例えばホールサイズが小さいときはボトム部分に膜が付き難いのに対し、ホールサイズが大きいときはボトム部分に膜が付き易くなるといったように、成膜態様に必ずパターンサイズ依存性が出てしまう。したがって、サイズが混在しているパターンに対応する場合については、アモルファスカーボン膜の成膜制御が困難である。さらには、BPMに対応するホールパターンのみであれば比較的全方向からボトム部分が陰になり易いが、DTRに対応するラインアンドスペースパターンの場合は全方向からボトム部分を陰にすることは困難である。したがって、パターンの形状が混在している場合についても、アモルファスカーボン膜の成膜制御が困難である。つまり、例え斜め成膜といった成膜手法を用いてみても、レジスト膜をパターニングした後にアモルファスカーボン膜を成膜する場合には、ホール11内のボトム部分にアモルファスカーボン膜が成膜されてしまう可能性が高いと言える。このように、ホール11内にアモルファスカーボン膜が成膜されてしまうと、パターニング後のレジスト膜が全面的にアモルファスカーボン膜によって覆われることになるため、レジスト材料とアモルファスカーボンとのエッチング耐性の違いを顕在化させることができない。したがって、アモルファスカーボン膜を形成しても、パターン微細化に伴うパターン部分の消失等を抑制することができず、結果として所望形状のレジストパターン形成が困難なままとなる。本発明は、パターン微細化が進展する状況下においても、パターン部分の消失等を抑制することができ、所望形状のレジストパターン形成を確実に行うことのできるレジストパターン形成方法及びモールド製造方法を提供することを目的とする。本発明は、上記目的を達成するために案出されたものである。本発明の第1の態様は、パターン描画されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法であって、前記レジスト膜の現像に先立ち、当該レジスト膜に比べてエッチング耐性が高い保護膜を当該レジスト膜の上面に形成する保護膜形成工程と、前記保護膜の形成後に当該保護膜の上から現像剤を供給することにより、前記保護膜を浸透して前記レジスト膜まで到達した前記現像剤による当該レジスト膜の現像を行い、当該レジスト膜が残るパターン部分上面に前記保護膜を有してなる前記レジストパターンを形成する現像工程とを備えることを特徴とするレジストパターン形成方法である。本発明の第2の態様は、第1の態様に記載の発明において、前記保護膜形成工程では、前記レジスト膜に比べて5倍以上のエッチング耐性を有する前記保護膜を形成することを特徴とする。本発明の第3の態様は、第2の態様に記載の発明において、前記レジスト膜がα-クロロアクリル酸エステルとα-メチルスチレンとの重合体を含むレジスト材料からなる場合に、前記保護膜としてアモルファスカーボン膜を形成することを特徴とする。本発明の第4の態様は、第1、第2または第3の態様に記載の発明において、被加工物となる基体上に前記レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜の上面に形成された前記保護膜の上から、前記保護膜を透過し前記レジスト膜に到達するエネルギービームを照射して、前記レジスト膜に対するパターン描画を行う描画工程と、をさらに備え、前記レジスト膜形成工程、前記保護膜形成工程、前記描画工程、前記現像工程の順で各工程を行って前記レジストパターンを形成することを特徴とする。本発明の第5の態様は、第4の態様に記載の発明において、前記保護膜形成工程では、形成する前記保護膜の膜厚を、前記描画工程で照射するエネルギービームが透過し、前記現像工程で供給する現像剤が浸透し、かつ、当該現像剤によって除去される前記レジスト膜の不要なパターン部分と共に当該不要なパターン部分上面における前記保護膜が除去される膜厚とすることを特徴とする。本発明の第6の態様は、第5の態様に記載の発明において、前記保護膜がアモルファスカーボン膜であり、前記レジスト膜がα-クロロアクリル酸エステルとα-メチルスチレンとの重合体を含むレジスト材料からなり、前記エネルギービームが電子線ビームであり、前記現像剤が前記レジスト材料に対して溶解性を有するものである場合に、前記アモルファスカーボン膜の膜厚を3nm以下とすることを特徴とする。本発明の第7の態様は、第1、第2または第3の態様に記載の発明において、被加工物となる基体上に前記レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜の上面にエネルギービームを照射して、前記レジスト膜に対するパターン描画を行う描画工程と、をさらに備え、前記レジスト膜形成工程、前記描画工程、前記保護膜形成工程、前記現像工程の順で各工程を行って前記レジストパターンを形成することを特徴とする。本発明の第8の態様は、第7の態様に記載の発明において、前記保護膜形成工程では、形成する前記保護膜の膜厚を、前記現像工程で供給する現像剤が浸透し、かつ、当該現像剤によって除去される前記レジスト膜の不要なパターン部分と共に当該不要なパターン部分上面における前記保護膜が除去される膜厚とすることを特徴とする。本発明の第9の態様は、第8の態様に記載の発明において、前記保護膜がアモルファスカーボン膜であり、前記レジスト膜がα-クロロアクリル酸エステルとα-メチルスチレンとの重合体を含むレジスト材料からなり、前記エネルギービームが電子線ビームであり、前記現像剤が前記レジスト材料に対して溶解性を有するものである場合に、前記アモルファスカーボン膜の膜厚を3nm以下とすることを特徴とする。本発明の第10の態様は、第1から第9のいずれか1態様に記載の発明において、前記現像工程の後、レジスト残渣を除去するディスカム工程を行うことを特徴とする。本発明の第11の態様は、第1から第10のいずれか1態様に記載の発明において、前記レジスト膜がポジ型レジストを用いて形成されることを特徴とする。本発明の第12の態様は、第1から第11のいずれか1態様に記載のレジストパターン形成方法を用いて形成した前記レジストパターンをマスクにして被加工物である基体に対するエッチング加工を行うエッチング工程と、前記エッチング加工を行った後の前記基体上から前記レジストパターンおよび当該レジストパターンの上面層を構成する前記保護膜を剥離するレジスト剥離工程と、を経て、前記レジストパターンに対応する形状のパターンが前記基体に加工されてなるモールドを得ることを特徴とする。本発明の第13の態様は、第12の態様に記載の発明において、前記モールドは、ナノインプリント用原盤となるモールドであることを特徴とする。本発明によれば、パターン微細化が進展する状況下においても、パターン部分の消失等を抑制することができ、所望形状のレジストパターン形成を確実に行うことができる。以下、図面に基づき本発明に係るレジストパターン形成方法及びモールド製造方法について説明する。ここでは、以下の順序で説明を行う。1.モールド製造方法の説明2.レジストパターン形成方法の説明aレジストパターン形成方法の概要b第1実施形態c第2実施形態3.本実施形態の効果4.変形例<1.モールド製造方法の説明>ここでは、ナノインプリント用原盤となるモールドの製造方法を例に挙げて説明する。図1は、本発明に係るモールド製造方法の概要を示す断面概略図である。ナノインプリント用原盤となるモールドの製造にあたっては、先ず、図1aに示すように、被加工物となる基体であるマスクブランク1を用意する。マスクブランク1は、基板2上にハードマスク膜3を有して構成されている。基板2は、後述するように、ナノインプリント用のモールド5となるものである。このことから、基板2としては、石英基板等の透光性基板を用いることが考えられる。石英基板は、平坦度および平滑度に優れるため、例えばナノインプリント用のモールド5として用いてパターン転写を行う場合に、転写パターンの歪み等が生じないで高精度のパターン転写を行える。ただし、基板2は、石英基板に限定されることはなく、例えばシリコン基板のように、他の形成材料によって構成されたものでも構わない。基板2の平面形状は、矩形、多角形、半円形等であってもよいが、レジスト塗布の際に回転を利用した均一塗布が可能であることから、円盤形状とすることが考えられる。ハードマスク膜3は、基板2に対するエッチングに用いられるものであり、例えばクロムCr化合物による金属膜を用いて形成することが考えられる。このような金属膜であれば、十分な導電性、酸化防止性およびエッチング耐性が得られるからである。ただし、ハードマスク膜3は、ここで挙げた金属膜に限定されることはなく、他の形成材料によって構成されたものであっても構わない。さらには、必ずしも単一層からなる膜である必要はなく、複数層からなる積層膜であっても構わない。なお、ハードマスク膜3は、後述するレジストパターン4の形成材料との密着性が良好であり、かつ、当該形成材料とのエッチング選択性が良好であるものが好ましい。また、ハードマスク膜3の膜厚は、基板2に対するエッチングが完了するまで残存する厚さであることが好ましい。以上のように構成されたマスクブランク1を用意した後は、続いて、図1bに示すように、マスクブランク1におけるハードマスク膜3の上面に、後述するレジストパターン形成方法を用いてレジストパターン4を形成する。レジストパターン4の形成後は、次いで、図1cに示すように、形成したレジストパターン4をマスクとして、ハードマスク膜3に対するエッチング加工を行う。ハードマスク膜3に対するエッチングは、例えば、当該ハードマスク膜3がCr化合物による金属膜であれば、塩素ガスと酸素ガスからなる混合ガスを用いて行うことが考えられる。これにより、ハードマスク膜3のレジストパターン4に覆われていない部分が除去されて、レジストパターン4のパターン形状に倣ってハードマスク膜3がパターニングされることになる。その後は、図1dに示すように、エッチング後のハードマスク膜3をマスクにして、基板2に対するエッチング加工を行う。基板2に対するエッチングは、例えば、当該基板2が石英基板であれば、フッ素系ガスを用いて行うことが考えられる。具体的には、フッ素系ガスとして、CxFy例えば、CF4、C2F6、C3F8、CHF3、これらの混合ガスまたはこれらに添加ガスとして希ガスHe、Ar、Xe等を含むものが挙げられる。これにより、ハードマスク膜3におけるパターン形状が基板2に転写されて、基板2には所望形状のパターン加工がされることになる。そして、基板2に対するエッチング後は、例えば硫酸と過酸化水素水の混合液からなるレジスト剥離剤により、残存したレジストパターン4を除去する。さらに、例えば塩素ガスと酸素ガスからなる混合ガスを用いたエッチングにより、または金属膜を溶解除去可能な薬液を用いて、残存したハードマスク膜3を除去する。その後、必要に応じて、基板2の洗浄乾燥等を行う。このようにして、図1eに示すようなパターンド媒体への転写パターンを有したナノインプリント用のモールド5が製造される。このモールド5は、例えばDTRやBPM等のパターンド媒体を量産するために用いられるナノインプリント用原盤となるものである。<2.レジストパターン形成方法の説明>次に、レジストパターン4の形成方法について説明する。図2は、本発明に係るレジストパターン形成方法の概要を示す断面概略図である。aレジストパターン形成方法の概要既に説明したように、レジストパターン4については、ホール等の狭ピッチ化が進展すると、これに伴ってホール間のパターン部分の消失等が起こり易くなる。これを抑制するためには、レジスト材料に比べてエッチング耐性が高い保護膜を用いて、当該レジスト材料のエッチング耐性の低さを補うことが有効であると考えられる。しかしながら、上述した特許文献2に記載のように、レジスト膜の下に保護膜としてのアモルファスカーボン膜を形成したのでは、当該保護膜がレジスト材料のエッチング耐性の低さを補えない。また、上述した特許文献3に記載のように、現像によるパターニングをした後のレジスト膜上に保護膜としてのアモルファスカーボン膜を成膜したのでは、どのような成膜手法を用いてもホール内等に保護膜が成膜されてしまう可能性が高いため、レジスト材料と保護膜形成材料とのエッチング耐性の違いを顕在化させることができない。つまり、レジスト膜をパターニングした後に保護膜を成膜しても、パターン微細化に伴うパターン部分の消失等を抑制できないおそれがある。この点につき、本願発明者は、鋭意検討を重ねた結果、以下に述べる知見を得るに至った。すなわち、パターン微細化に伴うパターン部分の消失等を抑制するためには、図2bに示すように、レジスト膜6のパターニング後におけるパターン部分レジスト膜が残る部分6aの上面にのみ保護膜7が存在し、当該パターニング後におけるホール内または溝内には保護膜7が存在しないようにすることで、保護膜7がレジスト材料のエッチング耐性の低さを確実に補えるようにすればよい。このような態様の保護膜形成を可能にすべく、本願発明者は、さらに鋭意検討を重ねた結果、以下に述べる手順のレジストパターン形成方法に想到した。すなわち、レジストパターン4を形成する際には、図2aに示すように、遅くともレジスト膜6の現像前にすなわち当該レジスト膜6の現像に先立って、当該レジスト膜6に比べてエッチング耐性が高い保護膜7を、当該レジスト膜6の上面に形成する。その場合であっても、保護膜7越しにレジスト膜6を現像できれば、レジストパターン4を形成することは可能である。また、レジスト膜6を現像する際に、当該現像によって溶解除去されるレジスト溶解部とともに、保護膜7における当該レジスト溶解部上の部分を除去できれば、図2bに示すように、パターン部分6aの上面にのみ保護膜7を存在させることになる。つまり、レジスト膜6の上面に保護膜7を形成した後、保護膜7の上から現像剤を供給し、保護膜7を浸透してレジスト膜6まで到達した現像剤によって当該レジスト膜6の現像を行うことで、レジスト膜6が残るパターン部分6aの上面にのみ保護膜7を有してなるレジストパターン4を形成するのである。このような手順のレジストパターン形成方法を用いてレジストパターン4を形成すれば、パターン部分6aの上面にのみ保護膜7が存在することになる。また、保護膜7の形成のために斜め成膜等の特別な手法を用いる必要がないので当該形成を容易に行うことができ、さらには全面均一に保護膜形成を行うことも容易である。しかも、斜め成膜等の手法を用いる場合とは異なり、パターンサイズまたはパターン形状が混在している場合であっても、保護膜7の成膜制御が困難になってしまうことがない。つまり、パターンサイズやパターン形状等に関わらずに、ホール内または溝内には保護膜7が成膜されないようにすることができ、パターン部分6aの上面にのみ形成された保護膜7によってレジスト材料のエッチング耐性の低さを確実に補えるようになる。このような手順のレジストパターン形成方法を実現可能にするためには、保護膜7の形成を、以下の条件を満たすように行えばよい。イ保護膜7は、レジスト膜6のエッチング耐性の低さを確実に補うべく、当該レジスト膜6の形成材料に比べてエッチング耐性が高い形成材料を用いて形成する。ここでいうエッチング耐性は、主として、レジスト残渣を除去するディスカムの際に用いる処理ガスに対するエッチング耐性のことをいう。ただし、被加工物となる基体例えばハードマスク膜3をエッチングする際に用いるエッチャントに対するエッチング耐性が該当することもあり得る。ロまた、保護膜7は、当該保護膜7の形成後にレジスト膜6の現像を行うことから、当該現像の際に用いる現像剤が保護膜7を浸透してレジスト膜6まで到達するような形成材料および膜厚にて形成する。ハそして、保護膜7は、レジスト膜6を現像する際に、当該現像によって溶解除去されるレジスト溶解部とともに、保護膜における当該レジスト溶解部上の部分が除去されるような膜厚にて形成する。すなわち、現像によってレジスト溶解部が溶解除去された後は、当該溶解除去によって形成されたホール部分または溝部分の上方側に、図2eに示すように保護膜7が自立状態で残存することなく、当該溶解除去によってレジスト溶解部と合わせて除去されてしまうような薄さで、保護膜7を形成する。ニまた、保護膜7は、当該保護膜7の形成後にレジスト膜6に対するパターン描画を行う場合には、当該パターン描画に用いるエネルギービームが保護膜7を透過しレジスト膜6まで到達するような形成材料および膜厚にて形成する。ホさらに、保護膜7は、当該保護膜7の形成後にレジスト膜6に対するパターン描画を行う場合には、当該パターン描画に用いるエネルギービームを照射しても、当該エネルギービームによる構造変化が生じない形成材料にて形成する。以下、レジストパターン形成方法の詳細な手順につき、第1実施形態および第2実施形態を例に挙げて、具体的に説明する。b第1実施形態第1実施形態として例に挙げるレジストパターン形成方法では、レジスト膜形成工程、保護膜形成工程、描画工程、現像工程、ディスカム工程の順で各工程を行って、レジストパターン4を形成する。以下、これらの各工程について、詳細に説明する。レジスト膜形成工程レジスト膜形成工程では、図2aに示すように、マスクブランク1におけるハードマスク膜3の上面に、レジスト膜6を形成する。レジスト膜6の形成材料としては、例えばα-クロロアクリル酸エステルとα-メチルスチレンとの重合体を含むレジスト材料のように、電子線描画用のレジスト材料として一般的なもの具体的には日本ゼオン社製ZEP520Aを用いることが考えられる。なお、このα-クロロアクリル酸エステルとしては、一般的なアクリル酸エステル構造α-クロロアクリル酸メチルやα-クロロアクリル酸エチル等を有するものを用いて良い。本実施形態においては、α-クロロアクリル酸メチルを用いた例について挙げる。そして、このようなレジスト材料をハードマスク膜3の上面にスピンコートにより所定の厚さに塗布し、ベーク処理を行うことで、レジスト膜6を形成する。レジスト膜6の形成厚さは、ハードマスク膜3に対するエッチングが完了するまで残存する厚さであればよい。保護膜形成工程レジスト膜形成工程の後に行う保護膜形成工程では、ハードマスク膜3上に形成したレジスト膜6の上面に、保護膜として例えばアモルファスカーボン以下a-Cと略す膜7を形成する。a-C膜7の形成材料であるa-Cは、レジスト膜6の形成材料に比べてエッチング耐性が高い条件イ参照。さらに詳しくは、レジスト膜6に比べて5倍程度のエッチング耐性を有する。5倍以上のエッチング耐性を有していれば、レジスト膜6の形成材料に対して十分なエッチング選択比が得られると考えられる。なお、エッチング耐性の相違の度合いエッチング選択比は、他の条件ロ~ホを満たすことを条件に、大きければ大きいほど好ましい。保護膜はa-C以外の形成材料、例えば金属材料等を用いて形成することも考えられるが、上述したようなa-C膜7とした場合には、以下に述べる利点が得られる。a-Cは、レジスト材料と同じカーボン系材料であるため、レジスト膜6に対する親和性等の点で優れている。また、a-Cは、金属材料等に比べて密度が低いため、条件ロおよびニを満たす上で有利である。また、a-Cは、現像工程で供給する現像剤に対して耐性があり、適度な導電性も得られる。さらに、a-Cは、比較的低密度であることから描画工程で照射するパターン描画のためのエネルギービームを散乱させ難く条件ニ参照、また当該エネルギービームによる構造変化も生じ難い条件ホ参照。以上のことから、a-C膜7は、レジスト膜6の上面への形成に適したものであると言える。a-C膜7の形成膜厚は、例えば3nm以下とする。このような膜厚のa-C膜7であれば、当該a-C膜7の密度がレジスト材料並みであることから、描画工程で照射するエネルギービームの照射条件の設定によっては、当該エネルギービームが当該a-C膜7を透過することになり、当該a-C膜7の上からでもレジスト膜6に対するパターン描画を行うことができる条件ニ参照。すなわち、膜厚が3nmを超えるとエネルギービームが透過せずにパターン描画を行えないおそれが生じるところ、このような蓋然性を排除し得るようになる。また、膜厚が3nm以下のa-C膜7であれば、現像工程で供給する現像剤が当該a-C膜7を浸透するので、当該a-C膜7の上からでもレジスト膜6に対する現像を行うことができる条件ロ参照。すなわち、膜厚が3nmを超えると現像剤が浸透せずにパターン現像を行えないおそれが生じるところ、このような蓋然性を排除し得るようになる。さらに、膜厚が3nm以下のa-C膜7であれば、現像によってレジスト膜6の不要なパターン部分すなわち現像剤によって溶解除去されるレジスト溶解部が除去された後、その除去部分の上方側にて図2eに示すようにa-C膜7が自立状態で残存してしまうほどの膜剛性を備えることがなくなる。したがって、不要なパターン部分レジスト溶解部の除去と共に、a-C膜7における当該レジスト溶解部上の部分が合わせて除去されることになり条件ハ参照、その結果現像後にはレジスト膜6が残るパターン部分6aの上面にのみa-C膜7が存在することになる。つまり、条件ロ、ハおよびニを同時に満たすために、a-C膜7の形成膜厚は、例えば3nm以下とすればよい。ただし、条件ロ、ハおよびニのうち、特に条件ロを満たしつつ良好なパターン精度の現像処理を行うためには、a-C膜7の形成膜厚を、例えば0.5nmといったように薄くすることが好ましい。a-C膜7の形成膜厚が薄ければ、現像剤が浸透し易いからである。このことは、例えば3nm、2nm、1nm、0.5nmの各膜厚について実際に現像処理を行って検証した結果、0.5nmの場合が最も所望形状に近いパターンが得られたことからも明らかであると言える。つまり、現像処理の際のパターン精度を考慮すると、a-C膜7の形成膜厚は、例えば0.5nmとすることが好ましい。その一方で、後述するディスカム工程でのパターン部分消失を抑制するという観点によれば、a-C膜7の形成膜厚は、厚いほうが好ましい。さらに、膜としての均質性や成膜容易性等の点で、0.5nm未満という形成膜厚が必ずしも好ましいとは言えない。以上のことから、a-C膜7の形成膜厚については、例えば0.5nm以上3nm以下の範囲内で、a-C膜7の形成材料であるa-Cとレジスト膜6の形成材料とのエッチング選択比を考慮しつつ適宜決定することが考えられる。以上のようなa-C膜7の形成成膜は、例えばDCスパッタリング装置を用いたDCスパッタリングによって行うことが考えられる。その場合には、レジスト膜6が可能な限りプラズマイオン/電子に曝されない条件を選択することが好ましい。電子等がレジスト膜6に衝突すると、電子線ビームで描画されたのと同じ効果が生じ得るからである。また、スパッタリングの際には、基板2にマイナスバイアスをかけることで、電子等がレジスト膜6に飛んでこないようにするといった工夫をすることも考えられる。ただし、a-C膜7の成膜は、DCスパッタリング以外の手法によって行うことも可能である。他の手法としては、例えばCVD法特にプラズマCVD法を用いることが考えられる。描画工程保護膜形成工程の後に行う描画工程では、例えば、電子線描画機を用いた電子線露光によるパターン描画を行う。すなわち、レジスト膜6に対してエネルギービームの一例である電子線ビームを照射して、当該レジスト膜6に対するパターン描画を行う。このとき、レジスト膜6がポジ型レジストであるならば、電子線描画した箇所が基板2上のホールまたは溝の位置に対応する。一方、レジスト膜6がネガ型レジストであるならば、その逆の位置となる。以下の説明では、ポジ型レジストを用いた場合を例に挙げる。ところで、描画工程では、レジスト膜6に対するパターン描画を、当該レジスト膜6の上面に形成されたa-C膜7の上から電子線ビームを照射することによって行う。その場合であっても、a-C膜7が条件ニおよびホを満たしていれば、電子線ビームは、当該a-C膜7を透過してレジスト膜6に到達することになる。つまり、a-C膜7の上からでも、電子線ビームを照射することによるレジスト膜6に対するパターン描画を行うことが可能である。なお、電子線ビームの照射条件については、レジスト膜6及びa-C膜7の膜厚等を考慮して設定されているものとする。現像工程描画工程の後に行う現像工程では、パターン描画後のレジスト膜6に対して現像剤を供給し、当該レジスト膜6における電子線描画された部分を溶融除去することで、当該レジスト膜6に対するパターニングを行う。現像剤としては、例えば、フルオロカーボンを含む溶媒具体的には、バートレルXF登録商標、三井デュポンフロロケミカル株式会社製を含む溶液、酢酸-n-アミル、酢酸エチル若しくはそれらの混合物からなる溶媒具体的には、ZED-N50日本ゼオン社製を含む溶液、または、これら溶液の混合液等を用いることが考えられる。このような現像剤によってレジスト溶解部を溶解除去することで、露光済みのレジスト膜6に対する現像処理を行うのである。ところで、現像工程では、露光済みのレジスト膜6に対する現像処理を、当該レジスト膜6の上面に形成されたa-C膜7の上から現像剤を供給することによって行う。その場合であっても、a-C膜7が条件ロを満たしていれば、現像剤は、当該a-C膜7を浸透してレジスト膜6に到達することになる。つまり、a-C膜7の上からでも、現像剤を供給することによるレジスト膜6に対する現像処理を行うことが可能である。また、レジスト膜6を現像すると、当該レジスト膜6における電子線描画された部分が溶融除去される。すなわち、現像によってレジスト膜6の不要なパターン部分すなわち現像剤によって溶解除去されるレジスト溶解部が除去されることになる。このとき、レジスト膜6上のa-C膜7は、条件ハを満たしていれば、図2eに示すように当該a-C膜7が自立状態で残存してしまうほどの膜剛性を備えることもなく、レジスト膜6の溶解除去されるレジスト溶解部と共に、当該レジスト溶解部上の部分が除去される。その結果、現像工程の後には、図2bに示すように、レジスト膜6が残るパターン部分6aの上面にのみa-C膜7が存在することになる。ディスカム工程現像工程の後に行うディスカム工程では、例えば、ドライエッチング装置を用いて、酸素ガスとアルゴンArガスの混合ガスによる処理を行い、レジスト溶解部の残渣スカムを除去する。ここで、酸素ガスに代えて、例えばCF4等のフッ素系ガスを用いてもよい。また、ヘリウムHeが添加されてもよい。ところで、ディスカム工程に際して、レジスト膜6が残るパターン部分6aの上面にはa-C膜7が存在するが、当該パターン部分6aの上面以外の箇所、特に除去すべきスカム部分6bの上にはa-C膜7が存在していない。そして、パターン部分6aの上面におけるa-C膜7が条件イを満たしていれば、レジスト膜6の形成材料すなわちスカム部分6bの形成材料に対して十分なエッチング選択比が得られることになる。したがって、ディスカム工程の際には、a-C膜7が存在することによって、当該a-C膜7が存在しない場合に比べると、パターン部分6aに対する上方側からのエッチング量が低減されることになる。つまり、スカム部分6bに対するエッチング量に比べると、パターン部分6aに対する上方側からのエッチング量が低減される。さらには、パターン部分6aに対する両側方からのエッチング量に比べると、パターン部分6aに対する上方側からのエッチング量が低減される。これらのことから、ディスカム工程の際には、パターン部分6aの上面にのみa-C膜7が存在することによって、図2cに示すように、例えばホール同士の間隔が狭ピッチであっても当該ホール間のパターン部分6aが消失してしまうのを抑制しつつ、当該ホール内のスカム部分6bを確実に除去することができる。つまり、ホールの狭ピッチ化が進展しても、当該ホール間のパターン部分6aの消失を抑制でき、これにより所望形状に形成されたレジストパターン4を得ることが可能になる。なお、a-C膜7は、既に説明したように、条件ロ~ニのうち、特に条件ロを満たしつつ良好なパターン精度を得るために、形成膜厚を例えば0.5nmといったように薄くすることが好ましい。その場合、除去すべきスカム部分6bの膜厚によっては、当該スカム部分6bを完全に除去する前に、a-C膜7がエッチングにより消失してしまうことも考えられる。しかしながら、そのような場合であっても、a-C膜7が消失するまでの間は、パターン部分6aに対する上方側からのエッチングレートが低く抑えられる。すなわち、a-C膜7が存在しない場合に比べると、当該a-C膜7が消失するまでの時間分だけ、パターン部分6aの高さ方向における減膜が低く抑えられる。したがって、図2dに示すように、パターン部分6aの上面にのみa-C膜7が存在する分だけ、当該パターン部分6aの消失を抑制する上で有効である。この点からも、a-C膜7の形成材料は、エッチング耐性が高いほど好ましいと言える条件イ参照。以上のように、パターン部分6aの上面にのみ部分的にa-C膜7を存在させることは、ホールの狭ピッチ化が進展してもパターン部分6aの消失を抑制して、所望形状に形成されたレジストパターン4を得る上で非常に有効である。特に、エッチングされる表面積の大きい部分は、比較的エッチングレートが速いことが分かっている。そのため、そのような部分にa-C膜7を存在させれば、形成されるレジストパターン4についての形状改善効果が特に期待できることになる。c第2実施形態第2実施形態として例に挙げるレジストパターン形成方法では、レジスト膜形成工程、描画工程、保護膜形成工程、現像工程、ディスカム工程の順で各工程を行って、レジストパターン4を形成する。すなわち、描画工程の後に保護膜形成工程を行う点で、上述した第1実施形態の場合とは異なる。なお、現像工程に先立って保護膜形成工程を行う点では、第1実施形態の場合と共通する。以下、これらの各工程について、主に第1実施形態の場合との相違点を説明する。レジスト膜形成工程レジスト膜形成工程は、第1実施形態の場合と同様に行えばよい。描画工程レジスト膜形成工程の後に行う描画工程では、当該レジスト膜形成工程にて形成したレジスト膜6に対して、第1実施形態の場合のようなa-C膜7の上からではなく、直接的にパターン描画を行う。それ以外の点は、第1実施形態の場合と同様に行えばよい。保護膜形成工程描画工程の後に行う保護膜形成工程では、パターン描画後のレジスト膜6の上面に、保護膜として例えばa-C膜7を形成する。a-C膜7であれば、第1実施形態の場合と同様に、条件イ、ロおよびハを満たす上で有利である。なお、既にレジスト膜6にはパターン描画がされていることから、第1実施形態の場合とは異なり、条件ニおよびホについては満足する必要がない。a-C膜7の形成膜厚は、例えば3nm以下とする。このような膜厚のa-C膜7であれば、現像工程で供給する現像剤が当該a-C膜7を浸透するので、当該a-C膜7の上からでもレジスト膜6に対する現像を行うことができる条件ロ参照。さらに、膜厚が3nm以下のa-C膜7であれば、現像によってレジスト膜6の不要なパターン部分すなわち現像剤によって溶解除去されるレジスト溶解部が除去された後、その除去部分の上方側にて図2eに示すようにa-C膜7が自立状態で残存してしまうほどの膜剛性が得られない。したがって、不要なパターン部分レジスト溶解部の除去と共に、a-C膜7における当該レジスト溶解部上の部分が合わせて除去されることになり条件ハ参照、その結果現像後にはレジスト膜6が残るパターン部分6aの上面にのみa-C膜7が存在することになる。ただし、条件ロおよびハのうち、特に条件ロを満たしつつ良好なパターン精度の現像処理を行うためには、第1実施形態の場合と同様に、a-C膜7の形成膜厚を、例えば0.5nmといったように薄くすることが好ましい。このことから、a-C膜7の形成膜厚については、第1実施形態の場合と同様に、例えば0.5nm以上3nm以下の範囲内で、a-C膜7の形成材料であるa-Cとレジスト膜6の形成材料とのエッチング選択比を考慮しつつ適宜決定することが考えられる。なお、第2実施形態の場合は、上述したようにa-C膜7が条件ニおよびホを満たす必要がないことから、第1実施形態の場合に比べると、描画工程における条件設定の自由度や汎用性等を十分に確保することができる。したがって、描画工程を効率的に高精度で行うという観点においては、第2実施形態の場合のほうが有利である。以上のようなa-C膜7の形成成膜は、第1実施形態の場合と同様に行えばよい。現像工程保護膜形成工程の後に行う現像工程では、第1実施形態の場合と同様に、露光済みのレジスト膜6に対する現像処理を、当該レジスト膜6の上面に形成されたa-C膜7の上から現像剤を供給することによって行う。その場合であっても、a-C膜7が条件ロを満たしていれば、レジスト膜6に対する現像処理を行うことが可能である。また、a-C膜7が条件ハを満たしていれば、図2eに示すように当該a-C膜7が自立状態で残存してしまうほどの膜剛性が得られず、現像工程の後には図2bに示すようにレジスト膜6が残るパターン部分6aの上面にのみa-C膜7が存在することになる。ディスカム工程現像工程の後に行うディスカム工程は、第1実施形態の場合と同様に行えばよい。すなわち、ディスカム工程の際に、パターン部分6aの上面にのみa-C膜7が存在していれば、図2cに示すように、例えばホール同士の間隔が狭ピッチであっても当該ホール間のパターン部分6aが消失してしまうのを抑制しつつ、当該ホール内のスカムを確実に除去することができる。<3.本実施形態の効果>本実施形態第1実施形態および第2実施形態を含むで説明したレジストパターン形成方法およびそのレジストパターン形成方法を用いたモールド製造方法によれば、以下に述べる効果が得られる。本実施形態によれば、レジスト膜6の現像に先立ち当該レジスト膜6の上面に保護膜7を形成し、その後保護膜7の上から現像剤を供給してレジスト膜6の現像を行うことで、レジスト膜6が残るパターン部分6aの上面にのみ保護膜7が存在するように、レジスト膜6および保護膜7のパターニングを行う。したがって、パターン微細化が進展する状況下においても、パターン部分6aの消失等を抑制することができ、所望形状のレジストパターン4を確実に形成することができる。また、本実施形態によれば、保護膜7の形成のために斜め成膜等の特別な手法を用いる必要がないので当該形成を容易に行うことができ、さらには全面均一に保護膜形成を行うことも容易である。しかも、斜め成膜等の手法を用いる場合とは異なり、パターンサイズまたはパターン形状が混在している場合であっても、保護膜7の成膜制御が困難になってしまうことがない。つまり、パターンサイズやパターン形状等に関わらずに、パターニング後のホール内または溝内には保護膜7が成膜されないようにすることができ、パターン部分6aの上面にのみ形成された保護膜7によってレジスト材料のエッチング耐性の低さを確実に補うことができるようになる。つまり、本実施形態では、所望形状のレジストパターン形成を確実に行えるようにすることで、形成されたレジストパターン4が所望形状から乖離したものとなることを抑制する。したがって、当該レジストパターン4をマスクとしてパターン転写をする場合に、高精度なパターン形成を行うことができるようになる。また、本実施形態で説明したように、保護膜7がレジスト膜6に比べて5倍程度のエッチング耐性を有していれば、十分なエッチング選択比が得られることから、保護膜7がレジスト材料のエッチング耐性の低さを確実に補うことができ、その結果として保護膜7の形成膜厚に制約がある場合であってもパターン部分6aの消失等を有効に抑制することができる。さらに、本実施形態で説明したように、保護膜としてa-C膜7を形成した場合には、以下に述べる利点が得られる。すなわち、a-C膜7は、レジスト膜6上への形成に適し、比較的低密度のため条件ロおよびニを満たす上で有利であり、現像工程で供給する現像剤に対して耐性があり、適度な導電性も得られる。さらには、第1実施形態で説明したように電子線ビームを照射する場合であれば、条件ニおよびホを満たす上でも有利なものとなる。また、特に第1実施形態で説明したように、レジスト膜形成工程、保護膜形成工程、描画工程、現像工程の順で各工程を行ってレジストパターン4を形成する場合には、保護膜形成工程の後に描画工程を行うことになるので、レジスト膜6における描画パターンが保護膜形成によって悪影響を受けてしまうことがない。すなわち、第2実施形態のように描画工程後に保護膜形成工程を行う場合に比べると、保護膜形成工程の際の条件選択等についての工夫例えばレジスト膜6がプラズマに曝されないようにする工夫の必要性が低く、当該保護膜形成工程を容易かつ効率的に行えるようになる。しかも、第1実施形態で説明したように、保護膜としてのa-C膜7の形成膜厚を、電子線ビームが透過し、現像剤が浸透し、かつ、a-C膜7が自立状態で残存しない程度の薄さとなる膜厚具体的には、例えば3nm以下、さらに好ましくは例えば0.5nm以上3nm以下の範囲内とすれば、保護膜形成工程の後に描画工程および現像工程を行う場合であっても、レジスト膜6に対するパターン描画および描画パターンの現像を確実に行うことができる。すなわち、a-C膜7の上からでも、パターン描画および現像を確実に行えるようになる。また、特に第2実施形態で説明したように、レジスト膜形成工程、描画工程、保護膜形成工程、現像工程の順で各工程を行ってレジストパターン4を形成する場合には、第1実施形態の場合とは異なり、保護膜7が条件ニおよびホを満たす必要がない。したがって、第1実施形態の場合に比べると、描画工程を効率的に高精度で行うという観点においては有利となる。しかも、第2実施形態で説明したように、保護膜としてのa-C膜7の形成膜厚を、現像剤が浸透し、かつ、a-C膜7が自立状態で残存しない程度の薄さとなる膜厚具体的には、例えば3nm以下、さらに好ましくは例えば0.5nm以上3nm以下の範囲内とすれば、保護膜形成工程の後に現像工程を行う場合であっても、レジスト膜6に描画されたパターンについての現像を確実に行うことができる。すなわち、a-C膜7の上からでも、描画パターンの現像を確実に行えるようになる。また、本実施形態で説明したように、現像工程の後、レジスト残渣を除去するディスカム工程を行えば、レジストパターン4のパターン形状がバラツキを有したものとなるのを確実に解消することができる。しかも、ディスカム工程を行う場合であっても、当該ディスカム工程の開始の際にはパターン部分6aの上面にのみa-C膜7が形成されているので、当該ディスカム工程の実行によりパターン部分の消失等が生じてしまうのを確実に抑制することができる。つまり、本実施形態によれば、ディスカム工程を行うことによって、所望形状のレジストパターン形成を確実に行うことができる。また、本実施形態で説明したように、レジスト膜6がポジ型レジストを用いて形成されている場合には、電子線描画されない箇所が現像処理後に残存することになる。したがって、パターン部分6aの上面に残存する保護膜7が電子線描画の影響を受けてしまう可能性を排除することができ、パターン部分6aの消失等を抑制する上で非常に有効なものとなり得る。また、本実施形態で説明したレジストパターン形成方法を用いてモールド5を製造すれば、パターン微細化が進展する状況下においてもパターン部分6aの消失等が抑制されて所望形状に形成されたレジストパターン4をマスクにして、基板2に対するパターン加工がされることになる。したがって、加工すべきパターンが微細なものであっても、高精度なパターン形成を行うことができ、特にナノインプリント用原盤となるモールド5の製造に適用した場合に非常に有用である。<4.変形例>以上に本発明の実施形態を説明したが、上記の開示内容は、本発明の例示的な実施形態を示すものである。すなわち、本発明の技術的範囲は、上記の例示的な実施形態に限定されるものではない。以下に、上述した実施形態以外の変形例について説明する。上述した実施形態では、保護膜としてa-C膜7を例に挙げ、a-C膜7である場合の利点について説明したが、本発明における保護膜は、a-C以外の形成材料を用いることも考えられる。a-C以外の形成材料を用いた保護膜としては、例えば、CrOx等の金属酸化膜が挙げられる。このようなカーボン系以外の形成材料は、エッチング耐性のみに着目すると、a-C等のカーボン系の形成材料よりも優れている。また、上述した実施形態では、パターン描画のためのエネルギービームが電子線ビームである場合について説明したが、本発明は、電子線露光に限らず、光ビームを照射して行うフォトリソグラフィ技術に適用することも考えられる。例えば、保護膜7が光ビームを透過するように形成されていれば、保護膜形成工程の後に、保護膜7の上から光ビームを用いた描画工程を行うことが可能である。このことは、レジストが反応するエネルギービームであれば、X線、イオンビーム、プロトンビーム等の他のエネルギービームについても、同様のことが言える。また、上述した実施形態では、現像工程の後にディスカム工程を行う場合について説明したが、他のプロセス次第では例えば、レジストパターン形状にバラツキが生じないようなプロセスである場合、ディスカムを行わないこともあり得る。その場合であっても、保護膜としてのa-C膜7を利用することで、レジストパターン4をマスクにしてハードマスク膜3に対するエッチング加工を行う際に、当該レジストパターン4におけるパターン部分6aの消失等を抑制でき、その結果としてハードマスク膜3に対し高精度なパターン形成を行うことができる。また、上述した実施形態では、被加工物となる基体が基板2上にハードマスク膜3を有して構成されたマスクブランク1である場合について説明したが、ハードマスク膜3を必要とせずにレジストパターン4をマスクとして基板2をエッチングできる場合、基板2に直接レジスト膜6を形成しても良い。また、上述した実施形態で説明したレジストパターン形成方法は、ナノインプリント用原盤となるモールド5の製造以外の用途にも適用可能である。すなわち、本発明に係るレジストパターン形成方法は、例えば、半導体装置用フォトマスク、半導体製造、マイクロ電気機械システムMEMS、センサ素子、光ディスク、回折格子や偏光素子等の光学部品、ナノデバイス、有機トランジスタ、カラーフィルター、マイクロレンズアレイ、免疫分析チップ、DNA分離チップ、マイクロリアクター、ナノバイオデバイス、光導波路、光学フィルター、フォトニック結晶等の製造にも幅広く適用できる。