マイクロストリップ線路10aを形成したマイクロストリップ基板10をケース2内に収容し、外部からのミリ波信号を前記マイクロストリップ線路を介して伝播するミリ波伝送モジュール1であって、前記ケースには、前記マイクロストリップ基板を収容する第1凹部3aと、該第1凹部の開口端部から上方に向けて連続形成され、少なくとも前記第1凹部における幅方向の寸法よりも大きく開口した第2凹部3bと、を有する段付き凹部3が形成され、前記第1凹部を覆閉する第1蓋部材4を、前記第1凹部と前記第2凹部との連続部分である段差部3cに設け、前記第1凹部内を前記マイクロストリップ基板から発生する電磁場を閉じ込める閉じ込め領域とすることを特徴とするミリ波伝送モジュール。前記ケース2の外周部分に形成された取付孔6にコネクタ20が取り付けられ、前記第1凹部3の深さは、少なくとも前記コネクタ20の内部導体20aと前記マイクロストリップ線路10aとのワイヤボンディングが可能な必要最小限の高さ寸法であることを特徴とする請求項1記載のミリ波伝送モジュール。マイクロストリップ線路10aを形成したマイクロストリップ基板10をケース2内に収容し、外部からのミリ波信号を前記マイクロストリップ線路を介して伝播するミリ波伝送モジュール1の製造方法であって、前記マイクロストリップ基板を収容する第1凹部3aと、該第1凹部の開口端部から上方に向けて連続形成され、少なくとも前記第1凹部における幅方向の寸法よりも大きく開口した第2凹部3bと、を有する段付き凹部3を前記ケースに形成するステップと、前記第1凹部を覆閉する第1蓋部材4を、前記第1凹部と前記第2凹部との連続部分である段差部3cに設けるステップと、を含むことを特徴とするミリ波伝送モジュールの製造方法。前記第1凹部3の深さを、少なくとも前記ケース2の外周部分の取付孔6に取り付けられたコネクタ20の内部導体20aと前記マイクロストリップ線路10aとのワイヤボンディングが可能な必要最小限の高さ寸法で形成するステップを含むことを特徴とする請求項3記載のミリ波伝送モジュールの製造方法。しかしながら、図3に示すように、コプレーナ線路が形成された高周波回路基板をケース内に設置する場合、基板をケース内に浮かせた状態で固定する必要があり、ケースが大型化するとともに構造が複雑なものになり、組み立て性が悪いという問題もあった。また、特許文献1に開示される回路では、高周波回路基板として、所謂グランデットコプレーナ線路を使用しているため、図3に示す構成のようにケース内における基板下部に所定の空間を設ける必要はないが、裏面接地導体と表面側の接地導体とを等電位に調整しなければならず、基板にビアホールを設ける等の処理による調整作業が困難であった。そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、組立て性が良い、且つ30GHzを超えるミリ波帯の高周波信号を低損失で伝播することのできるミリ波伝送モジュール及び該モジュールの製造方法を提供することを目的としている。上記目的を達成するため、本発明の請求項1に記載されたミリ波伝送モジュールは、マイクロストリップ線路10aを形成したマイクロストリップ基板10をケース2内に収容し、外部からのミリ波信号を前記マイクロストリップ線路を介して伝播するミリ波伝送モジュール1であって、前記ケースには、前記マイクロストリップ基板を収容する第1凹部3aと、該第1凹部の開口端部から上方に向けて連続形成され、少なくとも前記第1凹部における幅方向の寸法よりも大きく開口した第2凹部3bと、を有する段付き凹部3が形成され、前記第1凹部を覆閉する第1蓋部材4を、前記第1凹部と前記第2凹部との連続部分である段差部3cに設け、前記第1凹部内を前記マイクロストリップ基板から発生する電磁場を閉じ込める閉じ込め領域とすることを特徴とする。請求項2に記載されたミリ波伝送モジュールは、請求項1記載のミリ波モジュールにおいて、前記ケース2の外周部分に形成された取付孔6にコネクタ20が取り付けられ、前記第1凹部3の深さは、少なくとも前記コネクタ20の内部導体20aと前記マイクロストリップ線路10aとのワイヤボンディングが可能な必要最小限の高さ寸法であることを特徴とする。請求項3に記載されたミリ波伝送モジュールの製造方法は、マイクロストリップ線路10aを形成したマイクロストリップ基板10をケース2内に収容し、外部からのミリ波信号を前記マイクロストリップ線路を介して伝播するミリ波伝送モジュール1の製造方法であって、前記マイクロストリップ基板を収容する第1凹部3aと、該第1凹部の開口端部から上方に向けて連続形成され、少なくとも前記第1凹部における幅方向の寸法よりも大きく開口した第2凹部3bと、を有する段付き凹部3を前記ケースに形成するステップと、前記第1凹部を覆閉する第1蓋部材4を、前記第1凹部と前記第2凹部との連続部分である段差部3cに設けるステップと、を含むことを特徴とする。請求項4記載に記載されたミリ波伝送モジュールの製造方法は、請求項3記載のミリ波伝送モジュールの製造方法において、前記第1凹部3の深さを、少なくとも前記ケース2の外周部分の取付孔6に取り付けられたコネクタ20の内部導体20aと前記マイクロストリップ線路10aとのワイヤボンディングが可能な必要最小限の高さ寸法で形成するステップを含むことを特徴とする。本発明のミリ波伝送モジュールによれば、30GHz以上のミリ波信号を伝播した場合であっても、マイクロストリップ基板上で発生するTEMモード以外の伝播モードの電磁界や放射等を閉じ込められるため、低損失でミリ波信号を伝播することができる。また、第2凹部が第1凹部の上方を開放するように形成されているため、第1凹部にマイクロストリップ基板が収納しやすく、また基板上のマイクロストリップ線路とコネクタの内部導体とのワイヤボンディングや基板上に実装された電子部品の接続作業等の組立て性の向上を図ることができる。さらに、少なくともコネクタの内部導体と基板上のマイクロストリップ線路とのワイヤボンディングが可能な必要最小限の高さ寸法で第1凹部の深さを設定しているため、第1凹部を必要最低限のスペースで形成することができ、ミリ波伝送モジュールの小型化を図ることができる。以下、本発明を実施するための形態について、添付した図面を参照しながら詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではなく、この形態に基づいて当業者等によりなされる実施可能な他の形態、実施例及び運用技術等はすべて本発明の範疇に含まれる。まず、図1又は図2を参照しながら、本発明に係るミリ波伝送モジュールの構成について説明する。なお、本明細書中では、伝送線路として誘電体基板上にマイクロストリップ線路を形成した高周波回路基板であるマイクロストリップ基板を収容した伝送モジュールであり、基板上のマイクロストリップ線路を基準としたときの信号の伝播方向を長さ方向とし、同一面上で長さ方向と直交する方向を幅方向としてそれぞれ定義する。図1a、bに示すように、本例のミリ波伝送モジュール1は、高周波回路基板として裏面に接地導体を形成した誘電体基板上にマイクロストリップ線路10aが形成されたマイクロストリップ基板10を使用し、このマイクロストリップ基板10が直方体のケース2内に収容されている。なお、図1では、後述する第2蓋部材5を省略した構成としている。図1において、ケース2の外周部分における長さ方向の両端には、外部と接続するための表面実装部品図例では、同軸ケーブル等に設けられた雌型コネクタ接栓と結合する雄型コネクタ同軸接栓座、以下、単にコネクタ20というを取り付けるための取付孔が形成されている。また、コネクタ20の内部導体20aの周囲には、内部導体20aを保護する絶縁部材20bが設けられている。また、図2に示すように、ケース2には、マイクロストリップ基板10を収納するための第1凹部3aと、第1凹部3aの開口端部から上方に向けて連続形成され、少なくとも第1凹部3aの幅方向の寸法よりも大きく開口した第2凹部3bとを有し、第2凹部3bの略中央部分に第1凹部3aが形成される逆凸形状の段付き凹部3が形成されている。なお、段付き凹部3の形成位置は、取り付けられるコネクタ20の取付位置に応じて適宜設定される。第1凹部3aにおける幅方向の寸法は、マイクロストリップ基板10の幅方向の寸法と略同等となるように形成されている。また、第1凹部3aの深さは、少なくともコネクタ20の内部導体20aと基板上のマイクロストリップ線路10aとのワイヤボンディングが可能な必要最小限の高さ寸法で形成されている。これにより、少なくともコネクタ20の内部導体20aと、マイクロストリップ基板10上のマイクロストリップ線路10aとをワイヤボンディングするためのスペースが確保されることに加え、第1凹部3aのスペースが必要最低限となり、ミリ波伝送モジュール1の小型化を実現することができる。さらに、第1凹部3aにマイクロストリップ基板10を収容した後にその開口部を覆閉するため、第1凹部3aと第2凹部3bとの連続部分である段差部3cに第1蓋部材4が設けられている。このように、マイクロストリップ基板10を収容した第1凹部3aを第1蓋部材4で覆閉することで、マイクロストリップ基板10から発生する電磁場を閉じ込める閉じ込め領域を形成している。従って、30GHz以上のミリ波信号を伝播した場合であっても、TEMモード以外の伝播モードの電磁界や放射等を閉じ込めることができるため、低損失でミリ波信号を伝播することができる。第2凹部3bは、第1凹部3aの開口端部から上方に向けて連続形成され、マイクロストリップ基板10を第1凹部3aに収容する作業、基板収容後にコネクタ20の内部導体20aとのワイヤボンディング作業、基板上の電子部品の接続作業等の組立て性向上を目的としたスペースとして利用される。そのため、第2凹部3bの幅方向の寸法は、少なくとも第1凹部3aの幅方向の寸法よりも長く設定されていればよい。また、第2凹部3bの深さも、取付作業等の組立て性を考慮しつつ、作製するミリ波伝送モジュール1の大きさによって適宜設定される。また、第2凹部3bの開口部には、第1凹部3aを第1蓋部材4で覆閉した後に、この開口部を覆閉する第2蓋部材5が設けられている。なお、ミリ波伝送モジュール1の構成によっては、第2蓋部材5で第2凹部3bを覆閉しなくてもよい。そして、上述したような構造を有するミリ波伝送モジュール1の作製方法としては、まずマイクロストリップ線路10aを形成したマイクロストリップ基板10を作製する。次に、作製するミリ波伝送モジュール1の大きさや組立て性を考慮した上で、ケース2に作製したマイクロストリップ基板10の幅方向と略同等の第1凹部3a及び第2凹部3bをそれぞれ形成して段付き凹部3とする。さらに、第1凹部3aにマイクロストリップ基板10を収容し、基板上のマイクロストリップ線路10aとコネクタ20の内部導体20aとをワイヤボンディングし、さらに必要に応じて基板上に実装される電子部品の接続処理を施した後に第1蓋部材4で第1凹部3aを覆閉する。最後に第2蓋部材5で第2凹部3bを覆閉してミリ波伝送モジュール1が作製される。以上説明したように、上述したミリ波伝送モジュール1は、設置するコネクタ20の取付位置に応じて、コネクタ20の絶縁部材20bの高さ寸法と略同等となるようにマイクロストリップ基板10を収容する第1凹部3aと、この第1凹部3aの開口端部から上方に向けて連続形成され、少なくとも第1凹部3aの幅方向の寸法よりも長く設定した第2凹部3bとを有する段付き凹部3を形成する。そして、第1凹部3aにマイクロストリップ基板10を収納後に、段付き凹部3の段差部3cに第1蓋部材4を設置して第1凹部3aを覆閉している。これにより、30GHz以上のミリ波信号を伝播した場合であっても、マイクロストリップ基板10上で発生するTEMモード以外の伝播モードの電磁界や放射等を閉じ込められるため、低損失でミリ波信号を伝播することができる。また、第2凹部3bが第1凹部3aの上方を開放するように形成されているため、第1凹部3aにマイクロストリップ基板10が収納しやすく、また基板上のマイクロストリップ線路10aとコネクタ20の内部導体20aとのワイヤボンディング等の組立て性の向上を図ることができる。さらに、少なくともコネクタ20の内部導体20aと基板上のマイクロストリップ線路10aとのワイヤボンディングが可能な必要最小限の高さ寸法で第1凹部3aの深さを設定しているため、第1凹部3aを必要最低限のスペースで形成することができ、ミリ波伝送モジュール1の小型化を図ることができる。ところで、上述した形態において、第1凹部3aの深さの条件として、少なくともコネクタ20の内部導体20aと基板上のマイクロストリップ線路10aとのワイヤボンディングが可能な必要最小限の高さ寸法とすることを規定したが、これに限定されることはない。例えば、マイクロストリップ基板10上に電子部品が実装される場合は、マイクロストリップ基板10a上に電子部品が実装可能であり、且つコネクタ20の内部導体20aと基板上のマイクロストリップ線路10aとのワイヤボンディングが可能な必要最小限の高さ寸法で形成される。また、例えばケース2に取り付けられるコネクタ20の絶縁部材20bの高さ寸法が前記条件を満たしていれば、この絶縁部材20bの高さ寸法を基準として略同等の高さ寸法に合せて第1凹部3の深さを規定することもできる。また、表面実装部品として雄型コネクタ20の例で説明したが、これに限定されることはなく、ミリ波信号を伝播するためにマイクロストリップ線路10aと接続可能な他の実装部品であればよい。