"第1基板の一方面側に圧電素子を形成する工程と、高分子材料からなる第1膜と前記第1膜に形成された無機材料からなる第2膜とを有する被覆膜により、前記第1基板の一方面側を覆う工程と、前記第1基板の一方面側を覆う工程後、前記第1基板の他方面側から前記第1基板をウェットエッチングする工程と、を含む、液体噴射ヘッドの製造方法。請求項1において、前記第2膜は2周波プラズマCVD法によって形成される、液体噴射ヘッドの製造方法。請求項1または2において、前記第2膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、またはダイヤモンドライクカーボンDLCである、液体噴射ヘッドの製造方法。請求項1ないし3のいずれか1項において、前記第1膜は、ポリプロピレン、またはポリエチレンテレフタレートである、液体噴射ヘッドの製造方法。請求項1ないし4のいずれか1項において、前記第1基板の一方面側を覆う工程において、前記第2膜は前記第1基板側に配置される、液体噴射ヘッドの製造方法。請求項1ないし5のいずれか1項において、前記第1基板の一方面に、貫通孔および前記圧電素子を収容する空間を有する第2基板を接合し、前記第1基板の一方面側を覆う工程は、前記貫通孔を前記被覆膜により覆う、液体噴射ヘッドの製造方法。請求項1ないし6のいずれか1項において、前記第1基板はシリコンであり、前記第1基板をウェットエッチングする工程は、水酸化カリウム溶液によりウェットエッチングする、液体噴射ヘッドの製造方法。請求項1ないし7いずれか1項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法により液体噴射ヘッドを製造する工程を有する、液体噴射装置の製造方法。しかしながら、上記のようなアルカリ性のエッチング液例えばKOH溶液を用いて流路形成基板例えばシリコン基板をウェットエッチングする際に、水素が発生することがある。そして、発生した水素が、例えば流路形成基板に形成された貫通孔を通って圧電素子に接触し、圧電素子が劣化する場合がある。その結果、液体噴射ヘッドの信頼性が低下する場合がある。本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、高い信頼性を有する液体噴射ヘッドの製造方法を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、上記液体噴射ヘッドの製造方法を含む液体噴射装置の製造方法を提供することにある。本発明に係る液体噴射ヘッドの製造方法は、第1基板の一方面側に圧電素子を形成する工程と、高分子材料からなる第1膜と前記第1膜に形成された無機材料からなる第2膜とを有する被覆膜により、前記第1基板の一方面側を覆う工程と、前記第1基板の一方面側を覆う工程後、前記第1基板の他方面側から前記第1基板をウェットエッチングする工程と、を含む。このような液体噴射ヘッドの製造方法によれば、第1基板をウェットエッチングする工程において、第1膜により、第2基板がエッチングされることを抑制し、かつ、エッチング液が圧電素子側に流れ込むことを抑制できる。さらに、第2膜により、発生した水素が圧電体層に接触することを抑制できる。したがって、高い信頼性を有する液体噴射ヘッドを得ることができる。本発明に係る液体噴射ヘッドの製造方法において、前記第2膜は2周波プラズマCVD法によって形成されてもよい。このような液体噴射ヘッドの製造方法によれば、例えば1周波プラズマCVD法に比べて、低温で第2膜を成膜することができる。したがって、第1膜が熱によって劣化することを抑制できる。本発明に係る液体噴射ヘッドの製造方法において、前記第2膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、またはダイヤモンドライクカーボンDLCであってもよい。このような液体噴射ヘッドの製造方法によれば、被覆膜は、第1基板のウェットエッチング工程において、より確実に、水素バリア膜として機能することができる。本発明に係る液体噴射ヘッドの製造方法において、前記第1膜は、ポリプロピレン、またはポリエチレンテレフタレートであってもよい。このような液体噴射ヘッドの製造方法によれば、被覆膜は、第1基板のウェットエッチング工程において、より確実に、エッチング液に耐性を有することができる。本発明に係る液体噴射ヘッドの製造方法において、前記第1基板の一方面側を覆う工程において、前記第2膜は前記第1基板側に配置されてもよい。このような液体噴射ヘッドの製造方法によれば、第1基板のウェットエッチング工程において、エッチング液が第2膜に接触することを抑制できる。そのため、第2膜が、エッチング液によって損傷することを抑制できる。本発明に係る液体噴射ヘッドの製造方法において、前記第1基板の一方面に、貫通孔および前記圧電素子を収容する空間を有する第2基板を接合し、前記第1基板の一方面側を覆う工程は、前記貫通孔を前記被覆膜により覆ってもよい。このような液体噴射ヘッドの製造方法によれば、高い信頼性を有する液体噴射ヘッドを得ることができる。本発明に係る液体噴射ヘッドの製造方法において、前記第1基板はシリコンであり、前記第1基板をウェットエッチングする工程は、水酸化カリウム溶液によりウェットエッチングしてもよい。このような液体噴射ヘッドの製造方法によれば、高い信頼性を有する液体噴射ヘッドを得ることができる。本発明に係る液体噴射装置の製造方法は、本発明に係る液体噴射ヘッドの製造方法により液体噴射ヘッドを製造する工程を有する。このような液体噴射装置の製造方法によれば、高い信頼性を有する液体噴射装置を得ることができる。以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。1.液体噴射ヘッドまず、本実施形態に係る液体噴射ヘッドについて、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る液体噴射ヘッド100を模式的に示す分解斜視図である。図2は、本実施形態に係る液体噴射ヘッド100を模式的に示す平面図である。図3は、本実施形態に係る液体噴射ヘッド100を模式的に示す図2のIII-III線断面図である。液体噴射ヘッド100は、図1~図3に示すように、第1基板20と、圧電素子40と、第2基板50と、を含む。さらに、液体噴射ヘッド100は、ノズルプレート10と、振動板30と、駆動回路60と、コンプライアンス基板70と、を含むことができる。なお、便宜上、図2では、駆動回路60の図示を省略している。ノズルプレート10の形状は、例えば板状である。ノズルプレート10の材質は、例えば、シリコン、ステンレス鋼SUSである。ノズルプレート10は、ノズル孔12を有する。ノズル孔12からは、液滴インク滴が吐出される。ノズル孔12は、圧力発生室24の数に応じて、複数設けられている。図示の例では、圧力発生室24は、2列に並んで設けられているため、ノズルプレート10は、2列に並んだノズル孔12を有する。第1基板20は、ノズルプレート10上に設けられている。第1基板20は、互いに反対を向く第1面21および第2面22を有する。第1面21は、第1基板20の上面ともいえ、第2面22は、第1基板20の下面ともいる。第1基板20としては、例えば、110配向のシリコン単結晶基板を用いることができる。第1基板20がノズルプレート10と振動板30との間の空間を区画することにより、圧力発生室24と、圧力発生室24と連通する供給路26と、供給路26と連通する連通部28と、が設けられている。例えば、第1基板20を、流路形成基板20ということもできる。なお、図示の例では、圧力発生24と、供給路26と、連通部28と、が区別されているが、これらはいずれも液体の流路マニホールドということもできるであって、このような流路はどのように設計されても構わない。例えば、供給路26は、図示の例では流路の一部が狭窄された形状を有しているが、設計にしたがって任意に形成することができ、必ずしも必須の構成ではない。圧力発生室24は、例えば、複数設けられている。図示す例では、圧力発生室24は、長手方向と短手方向とを有する形状であり、圧力発生室24は、短手方向Y軸方向に沿って2列に並んで設けられている。圧力発生室24は、振動板30の変形により容積が変化する。圧力発生室24はノズル孔12と連通しており、圧力発生室24の容積が変化することによって、ノズル孔12からインク滴が吐出される。連通部28は、複数の圧力発生室24に対して共通の液体貯留部となるリザーバー80の一部を構成することができる。連通部28は、複数の供給路26を介して、複数の圧力発生室24と連通している。供給路26は、圧力発生室24と連通する第1部分26aと、連通部28と連通する第2部分26bと、を有することができる。第1部分26aの幅Y軸方向の長さは、圧力発生室24の幅、および第2部分26bの幅も狭い。これにより、連通部28から圧力発生室24に流入する液体インクの流路抵抗を、一定に保持することができる。振動板30は、第1基板20上に形成されている。振動板30の形状は、例えば板状である。振動板30には、貫通孔32が形成されている。貫通孔32は、振動板30を厚み方向Z軸方向に貫通している。貫通孔32は、連通部28と連通している。貫通孔32は、液体貯留部となるリザーバー80の一部を構成することができる。図示の例では、振動板30は、酸化シリコン層34と、酸化シリコン層34上に形成された酸化ジルコニウム層36と、から構成されている。振動板30は、可撓性を有し、圧電素子40の動作によって変形屈曲することができる。圧電素子40は、振動板30上に形成されている。圧電素子40は、駆動回路60に電気的に接続され、駆動回路60の信号に基づいて動作振動、変形することができる。圧電素子40の動作によって、振動板30は、変形し、圧力発生室24の内部圧力を適宜変化させることができる。圧電素子40は、第1電極42と、圧電体層44と、第2電極46と、を有する。第1電極42は、振動板30上に形成されている。第1電極42の形状は、例えば、層状または薄膜状である。第1電極42の厚みは、例えば、50nm以上300nm以下である。第1電極42の材質は、例えば、ニッケル、イリジウム、白金などの各種の金属、それらの導電性酸化物例えば酸化イリジウムなど、ストロンチウムとルテニウムとの複合酸化物SrRuOx:SRO、ランタンとニッケルとの複合酸化物LaNiOx:LNOである。第1電極42は、上記に例示した材料の単層構造でもよいし、複数の材料を積層した構造であってもよい。第1電極42は、第2電極46と一対になって、圧電体層44に電圧を印加するための一方の電極例えば、圧電体層44の下方に形成された下部電極となることができる。なお、振動板30を設けず、第1電極42が振動板としての機能を有していてもよい。また、圧電素子40自体が実質的に振動板を兼ねてもよい。また、図示はしないが、第1電極42と振動板30との間には、例えば、両者の密着性を付与する層や、強度や導電性を付与する層が形成されてもよい。このような層の例としては、例えば、チタン、ニッケル、イリジウム、白金などの各種の金属、それらの酸化物の層が挙げられる。圧電体層44は、第1電極42上に形成されている。圧電体層44は、例えば、複数の圧力発生室24に対応して、複数設けられている。図示の例では、圧力発生室24は、2列に並んで設けられているので、圧電体層44についても同様に、2列に並んで設けられている。圧電体層44の厚みは、例えば、300nm以上3000nm以下である。圧電体層44としては、ペロブスカイト型酸化物の圧電材料を用いることができる。より具体的には、圧電体層44の材質は、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛PbZr,TiO3:PZT、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛PbZr,Ti,NbO3:PZTN、チタン酸バリウムBaTiO3、ニオブ酸カリウムナトリウムK,NaNbO3である。圧電体層44は、圧電性を有することができ、第1電極42および第2電極46によって電圧が印加されることで変形することができる。第2電極46は、圧電体層44上に形成されている。第2電極46は、圧電体層44を介して、第1電極42と対向して配置されている。第2電極46の形状は、例えば、層状または薄膜状の形状である。第2電極46の厚みは、例えば、50nm以上300nm以下である。第2電極46の材質としては、例えば、第1電極42の材質として列挙した材料を用いることができる。第2電極46の機能の一つとしては、第1電極42と一対になって、圧電体層44に電圧を印加するための他方の電極例えば、圧電体層44の上方に形成された上部電極となることが挙げられる。第2電極46は、複数の圧電体層44に対応して複数設けられてもよい。複数の第2電極46は、互いに電気的に分離していてもよい。一方、第1電極42は、複数の圧電体層44に対して、共通した電極であってもよい。すなわち、複数の圧電体層44に対して、第2電極46は、個別電極であり、第1電極42は、共通電極であってもよい。これにより、複数の圧電体層44の各々を、独立して駆動させることができる。なお、図示はしないが、第1電極42を個別電極とし、第2電極46を共通電極としてもよい。第2電極46上には、リード電極48が形成されている。リード電極48は、圧電素子40のリザーバー80側とは反対側の端部近傍から引き出され、振動板30上にまで延出している。リード電極48の材質は、例えば、金、銅である。第2基板50は、振動板30上に形成されている。より具体的には、第2基板50は、振動板30を介して、第1基板20の第1面21側に接着剤90を用いて接合されている。第2基板50は、ガラス基板やセラミックス基板でもよいが、第1基板20と同様に110配向のシリコン単結晶基板であることが好ましい。これにより、第2基板50の熱膨張係数と、第1基板20の熱膨張係数と、を同じにすることができる。第2基板50は、互いに反対を向く第3面51および第4面52を有する。第3面51は、第2基板50の下面ともいえ、第4面52は、第2基板50の上面ともいる。第3面51は、振動板30を介して、第1基板20の第1面21と対向している。第3面51には、例えば、凹部54が形成されている。凹部54によって形成される空間55内は、圧電素子40を収容することができる。図示の例では、空間55は、凹部54を形成する第3面51、振動板30の上面、および接着剤90の側面によって形成されている。空間55は、圧電素子40の動作を阻害しない程度の大きさである。空間55は、密封されていてもよいし、密封されていなくてもよい。第2基板50によって、圧電素子40を保護することができる。例えば、第2基板50を、保護基板50ということもできる。第2基板50には、貫通孔56が形成されている。貫通孔56は、第3面51から第4面52まで貫通している。貫通孔56は、振動板30に設けられた貫通孔32を介して、第1基板20に設けられた連通部28と連通している。連通部28と、貫通孔32と、貫通孔56とは、リザーバー80を構成することができる。リザーバー80は、外部例えばインクカートリッジから、インクを一時貯留することができる。リザーバー80内のインクは、供給路26を介して、圧力発生室24に供給されることができる。なお、図示の例では、複数の圧力発生室24に対して共通の連通部28を設けているが、連通部28を圧力発生室24ごとに複数に分割して、貫通孔32および貫通孔56のみをリザーバーとしてもよい。さらに、例えば、第1基板20に圧力発生室24のみを設け、第1基板20および振動板30に、リザーバーと、各圧力発生室24に連通する供給路と、を設けてもよい。第2基板50には、さらに、貫通孔58が形成されている。貫通孔58は、第3面51から第4面52まで貫通している。第2電極46から引き出されたリード電極48の端部近傍は、貫通孔58内に露出するように設けられている。駆動回路60は、駆動配線62を介して、第2基板50上に設けられている。駆動回路60としては、例えば、回路基板や半導体集積回路ICを用いることができる。駆動回路60は、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線64を介して、リード電極48に接続されている。これにより、駆動回路60は、圧電素子40に駆動信号を入力することができる。なお、図示はしないが、第2基板50と駆動配線62との間には、酸化シリコン等からなる絶縁層が形成されていてもよい。コンプライアンス基板70は、第2基板50上に形成されている。コンプライアンス基板70は、封止膜72と、固定板74と、を有することができる。封止膜72は、第2基板50上に形成され、リザーバー80の一方の開口貫通孔56の一方の開口を封止している。封止膜72としては、例えば、ポリフェニレンサルファイドPPSフィルムを用いることができる。封止膜72は、剛性が小さく可撓性を有することができる。固定板74は、封止膜72上に形成されている。固定板74には、貫通孔76が形成されている。貫通孔76は、固定板74を厚み方向に貫通しており、貫通孔56の上方に配置されている。すなわち、図示の例では、リザーバー80の一方の開口は、封止膜72のみによって封止されている。なお、上記の例では、液体噴射ヘッド100がインクジェット式記録ヘッドである場合について説明した。しかしながら、本実施形態の液体噴射ヘッドは、例えば、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED面発光ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオチップ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッドなどとして用いられることもできる。2.液体噴射ヘッドの製造方法次に、本実施形態に係る液体噴射ヘッド100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図4~図13は、本実施形態に係る液体噴射ヘッド100の製造工程を模式的に示す断面図である。図4に示すように、第1基板20の少なくとも第1面21に、酸化シリコン層34を形成する。酸化シリコン層34は、例えば、熱酸化法によって形成される。次に、酸化シリコン層34上に、酸化ジルコニウム層36を形成する。酸化ジルコニウム層36は、例えば、スパッタ法により形成される。以上の工程により、振動板30を形成することができる。図5に示すように、振動板30上に、第1電極42、圧電体層44、および第2電極46を、この順で形成する。第1電極42および第2電極46は、例えば、スパッタ法、めっき法、真空蒸着法により導電層図示せずを成膜した後に、該導電層をパターニングすることによって形成される。圧電体層44は、例えば、ゾルゲル法、MODMetalOrganicDeposition法、スパッタ法、レーザーアブレーション法により圧電体層図示せずを成膜した後に、該圧電体層をパターニングすることによって形成される。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって行われる。なお、圧電体層44を形成するためのパターニングと、第2電極46を形成するためのパターニングとは、一括で行われてもよい。以上の工程により、第1基板20の第1面21側一方面側に、圧電素子40を形成することができる。図6に示すように、第2電極46上から振動板30上にわたって、リード電極48を形成する。リード電極48は、例えば、スパッタ法による成膜、およびパターニングによって形成される。図7に示すように、第1面21側により具体的には振動板30に、貫通孔56,58および凹部54が形成された第2基板50を、第3面51が振動板30を介して第1面21と対向するように、接合させる。そして、第3面51によって凹部54によって形成される空間55内に、圧電素子40を収容する。第2基板50の接合は、例えば、接着剤90を用いて行われる。第2基板50上には、駆動配線62が形成されている。駆動配線62は、例えば、スパッタ法による成膜、およびパターニングによって形成される。図8に示すように、第1基板20を所定の厚みに薄板化する。第1基板20の薄板化は、例えば、第2面22を研削した後、CMPChemicalMechanicalPolishing法で研磨することにより行われる。これにより、第2面22の平坦性を、高くすることができる。図9に示すように、被覆膜110により、第1基板20の第1面21側を覆う。より具体的には、第2基板50の第4面52を覆うように貫通孔56および貫通孔58を覆うように、被覆膜110を第2基板50に接合する。これにより、貫通孔56および貫通孔58は、封止される。ここで、図10は、被覆膜110と第2基板50との接合部近傍を模式的に示す断面図である。被覆膜110は、図9および図10に示すように、高分子材料の第1膜112に、無機材料の第2膜114を成膜して形成される。第1膜112の材質は、例えば、ポリプロピレンPP、ポリエチレンテレフタレートPETである。第1膜112は、後述する第1基板20のウェットエッチング工程において用いられるアルカリ性のエッチング液に対して、耐性を有することができる。第1膜112の厚みは、例えば、10μm以上50μm以下であることが望ましい。第1膜の厚みが10μmより小さいと、第1膜の取り扱いが難しくなり、かつ、異物による傷や欠陥が発生する可能性がある。第1膜の厚みが50μmより大きいと、第1膜は熱収縮が大きくなり、第2基板に与える応力が大きくなってしまう場合がある。特に、第1基板20のウェットエッチング工程において、例えば80°C程度の熱を加えることにより反応速度を大きくし、ウェットエッチング時間の短縮化を図る場合があるので、上記のような第1膜の熱収縮が問題となる場合がある。第2膜114は、第1膜112の一方の面図示の例では下面に成膜される。第2膜114の成膜は、例えば、プラズマソース側とバイアス側との両方にRFRadioFrequencyを印加する2周波プラズマCVDChemicalVaporDeposition法により行われる。具体的な条件としては、プラズマソース側の周波数を27MHz程度、プラズマソース側の電力を300W程度、バイアス側の周波数を380kHz程度、バイアス側の電力を300W程度とすることができる。2周波プラズマCVD法によって、低温例えば25°C程度で第2膜114を成膜することができる。第1膜112として、ポリプロピレン膜またはポリエチレンテレフタレート膜を用いた場合、第1膜112の耐熱温度は、120°C以上150°C以下程度である。したがって、第2膜114の成膜に2周波プラズマCVD法を用いることにより、第1膜112が熱によって劣化することを抑制できる。例えば、1周波プラズマCVD法の成膜温度は300°C以上450°C以下程度であり、第2膜の成膜に1周波プラズマCVD法を用いると、第1膜が熱によって劣化してしまう場合がある。第2膜114の材質は、例えば、酸化シリコンSiO2、酸化窒化シリコンSiON、ダイヤモンドライクカーボンDLCである。第2膜114は、後述する第1基板20のウェットエッチング工程の際に発生する水素が、圧電体層44に接触することを抑制できる。すなわち、第2膜114は、水素バリア膜として機能することができる。例えば、水素が貫通孔を通って圧電体層に接触すると、還元反応により圧電素子が劣化し、液体噴射ヘッドの信頼性が低下してしまう場合がある。第2膜114の厚みは、例えば、100nm以上300nm以下である。2周波プラズマCVD法の成膜速度は、1周波プラズマCVD法の成膜速度よりも大きいため、第2膜114の成膜時間を短縮することができる。第2膜114は、図9および図10に示すように、第1膜112よりも、第2基板50側第1基板20側に配置される。すなわち、第1膜112が外側上側に配置される。これにより、第1基板20のウェットエッチング工程において、エッチング液が第2膜114に接触することを抑制できる。そのため、第2膜114が、エッチング液によって損傷することを抑制できる。被覆膜110と第2基板50との接合は、例えば接着剤92によって行われる。図示の例では、接着剤92は、第1膜112と第2基板50との間に設けられ、第1膜112と第2基板50とを接着している。すなわち、第2膜114は、図10に示すように、第1膜112の面に未成膜部113を残すように成膜され、未成膜部113に接着剤92が設けられている。未成膜部113は、例えば、第1膜112の周辺部に設けられている。第1膜112と第2基板50とを接着させることにより、第2膜114と第2基板50とを接着させる場合に比べて、密着性を向上させることができる。接着剤92としては、例えば、熱硬化性のエポキシ系接着剤を用いることができる。なお、被覆膜110は、目視検査が可能となるように、透明であることが望ましい。図11に示すように、第1基板20の第2面22に、所定の形状を有するマスク膜120を形成する。上記のように、CMP法によって第2面22の平坦性を高くすることにより、第2面22とマスク膜120との密着性を向上させることができる。これにより、第2面22とマスク膜120の間にエッチング液がしみ込むことを抑制できる。マスク膜120の材質は、例えば、酸化シリコンである。図12に示すように、マスク膜120をマスクとして、第1基板20の第2面22側他方面側から第1基板20をウェットエッチングし、圧力発生室24、供給路26、および連通部28となる開口部29を形成する。ウェットエッチングのエッチング液としては、アルカリ性の溶液を用いることができる。より具体的には、エッチング液としては、水酸化カリウムKOH溶液や水酸化ナトリウムNaOH溶液などを用いることができる。第1基板20として110配向のシリコン基板を用いた場合は、上記のエッチング液によって異方性エッチングを行うことができる。エッチングの際に、酸化シリコン層34は、エッチングストッパーとして機能することができる。図13に示すように、被覆膜110およびマスク膜120を除去する。次に、振動板30に貫通孔32を形成し、貫通孔56と開口部29を連通させる。図3に示すように、駆動配線62上に、駆動回路60を配置する。そして、駆動回路60とリード電極48とを、接続配線64で接続する。次に、第1基板20の第2面22に、ノズルプレート10を接合する。これにより、圧力発生室24、供給路26、および連通部28リザーバー80が形成される。第1基板20とノズルプレート10との接合は、例えば、接着剤や熱溶着フィルムによって行われる。次に、第2基板50上にコンプライアンス基板70を接合する。なお、駆動回路60を配置する工程、ノズルプレート10を接合する工程、およびコンプライアンス基板70を接合する工程は、その先後を問わない。以上の工程によって、本実施形態に係る液体噴射ヘッド100を製造することができる。液体噴射ヘッド100の製造方法によれば、被覆膜110を、第1基板20の第1面21側を覆うように接合することができる。より具体的には、第2基板50の第4面52を覆うように、第2基板50に被覆膜110を接合することができる。これにより、貫通孔56,58は、封止される。被覆膜110は、高分子材料の第1膜112に、無機材料の第2膜114を成膜して形成される。そのため、開口部29を形成するための第1基板20のウェットエッチング工程において、第1膜112により、第2基板52がエッチングされることを抑制し、かつ、エッチング液が圧電素子40側に流れ込むことを抑制できる。さらに、第2膜114により、発生した水素が圧電体層44に接触することを抑制できる。したがって、液体噴射ヘッド100の製造方法によれば、高い信頼性を有する液体噴射ヘッド100を得ることができる。液体噴射ヘッド100の製造方法によれば、第2膜114を、2周波プラズマCVD法によって成膜することができる。2周波プラズマCVD法では、例えば1周波プラズマCVD法に比べて、低温で成膜することができる。したがって、第1膜112が熱によって劣化することを抑制できる。液体噴射ヘッド100の製造方法によれば、第1膜112の材質を、ポリプロピレン、またはポリエチレンテレフタレートとし、第2膜114の材質を、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、またはダイヤモンドライクカーボンDLCとすることができる。これにより、被覆膜110は、第1基板20のウェットエッチング工程において、より確実に、エッチング液に耐性を有し、かつ水素バリア膜として機能することができる。さらに、被覆膜として、例えばポリパラフェニレンテレフタルアミドPPTAフィルムを用いる場合に比べて、製造コストを低減することができる。液体噴射ヘッド100の製造方法によれば、第2膜114は、第2基板50側第1基板20側に配置されることができる。すなわち、第1膜112が外側に配置される。これにより、第1基板20のウェットエッチング工程において、エッチング液が第2膜114に接触することを抑制できる。そのため、第2膜114が、エッチング液によって損傷することを抑制できる。3.液体噴射装置次に、本実施形態にかかる液体噴射装置について、図面を参照しながら説明する。図14は、本実施形態にかかる液体噴射装置700を模式的に示す斜視図である。液体噴射装置700は、本発明に係る液体噴射ヘッドの製造方法により製造された液体噴射ヘッドを有する。以下では、本発明に係る液体噴射ヘッドの製造方法により製造された液体噴射ヘッド100を用いた例について説明する。液体噴射装置700は、図14に示すように、ヘッドユニット730と、駆動部710と、制御部760と、を含む。液体噴射装置700は、さらに、液体噴射装置700は、装置本体720と、給紙部750と、記録用紙Pを設置するトレイ721と、記録用紙Pを排出する排出口722と、装置本体720の上面に配置された操作パネル770と、を含むことができる。ヘッドユニット730は、上述した液体噴射ヘッド100から構成されるインクジェット式記録ヘッド以下単にヘッドともいうを有する。ヘッドユニット730は、さらに、ヘッドにインクを供給するインクカートリッジ731と、ヘッドおよびインクカートリッジ731を搭載した運搬部キャリッジ732と、を備える。駆動部710は、ヘッドユニット730を往復動させることができる。駆動部710は、ヘッドユニット730の駆動源となるキャリッジモーター741と、キャリッジモーター741の回転を受けて、ヘッドユニット730を往復動させる往復動機構742と、を有する。往復動機構742は、その両端がフレーム図示せずに支持されたキャリッジガイド軸744と、キャリッジガイド軸744と平行に延在するタイミングベルト743と、を備える。キャリッジガイド軸744は、キャリッジ732が自在に往復動できるようにしながら、キャリッジ732を支持している。さらに、キャリッジ732は、タイミングベルト743の一部に固定されている。キャリッジモーター741の作動により、タイミングベルト743を走行させると、キャリッジガイド軸744に導かれて、ヘッドユニット730が往復動する。この往復動の際に、ヘッドから適宜インクが吐出され、記録用紙Pへの印刷が行われる。なお、本実施形態では、液体噴射ヘッド100および記録用紙Pがいずれも移動しながら印刷が行われる液体噴射装置の例を示しているが、本発明の液体噴射装置は、液体噴射ヘッド100および記録用紙Pが互いに相対的に位置を変えて記録用紙Pに印刷される機構であればよい。また、本実施形態では、記録用紙Pに印刷が行われる例を示しているが、本発明の液体噴射装置によって印刷を施すことができる記録媒体としては、紙に限定されず、布、フィルム、金属など、広範な媒体を挙げることができ、適宜構成を変更することができる。制御部760は、ヘッドユニット730、駆動部710および給紙部750を制御することができる。給紙部750は、記録用紙Pをトレイ721からヘッドユニット730側へ送り込むことができる。給紙部750は、その駆動源となる給紙モーター751と、給紙モーター751の作動により回転する給紙ローラー752と、を備える。給紙ローラー752は、記録用紙Pの送り経路を挟んで上下に対向する従動ローラー752aおよび駆動ローラー752bを備える。駆動ローラー752bは、給紙モーター751に連結されている。制御部760によって供紙部750が駆動されると、記録用紙Pは、ヘッドユニット730の下方を通過するように送られる。ヘッドユニット730、駆動部710、制御部760および給紙部750は、装置本体720の内部に設けられている。なお、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。したがって、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。"