a鉄、コバルト、もしくはニッケル、又はこれらのうち少なくとも一つを含む合金からなる強磁性金属層と、b前記強磁性金属層の片側に積層された絶縁層と、c前記絶縁層の、前記強磁性金属層とは反対側に設けられたゲート電極と、d前記強磁性金属層と前記ゲート電極の間に電圧を印加する電圧印加部とを備えることを特徴とする電圧駆動型電磁石。前記強磁性金属層が厚さ20nm以下の薄膜であることを特徴とする請求項1に記載の電圧駆動型電磁石。e前記強磁性金属層の、前記絶縁層とは反対側に、該強磁性金属層内の磁化方向を該強磁性金属層の表面に対して平行な方向、又は該強磁性金属層の表面に対して垂直な方向に配向させる下地層を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の電圧駆動型電磁石。f前記強磁性金属層と前記絶縁層の間に、電気絶縁性を有する補助絶縁層を備えることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の電圧駆動型電磁石。特許文献1、非特許文献1、及び非特許文献2によれば、電圧の印加により強磁性体のキュリー温度を変化させることができる。しかし、これらに記載の強磁性半導体や強磁性酸化物は、強磁性元素、あるいは合金化して強磁性を発現させる元素であるマンガンを、半導体や酸化物に数程度導入したものであるため、得られる磁化が小さい。非特許文献2及び非特許文献3に記載の材料は、イオンを含む液体を磁石の上に塗布して電気二重層を形成するものであり、イオン移動の遅さに起因して動作速度が遅くなる、液体を用いるためにデバイス化が難しい、などの問題がある。さらに、非特許文献3及び非特許文献4には、電圧の印加により強磁性金属の磁化方向を制御することができると記載されているが、キュリー温度や磁化の大きさを変化させるとの記載はない。本発明が解決しようとする課題は、電圧を印加してキュリー温度を室温付近で変化させることができ、かつ大きな磁化、すなわち大きな磁界を発生させることが可能な電圧駆動型電磁石を提供することである。上記課題を解決するために成された本発明に係る電圧駆動型電磁石は、a鉄、コバルト、もしくはニッケル、又はこれらのうち少なくとも一つを含む合金からなる強磁性金属層と、b前記強磁性金属層の片側に積層された絶縁層と、c前記絶縁層の、前記強磁性金属層とは反対側に設けられたゲート電極と、d前記強磁性金属層と前記ゲート電極の間に電圧を印加する電圧印加部とを備えることを特徴とする。本発明に係る電圧駆動型電磁石の動作について、図面を参照して説明する。本発明に係る電圧駆動型電磁石1は、概略的には図1に示すように、強磁性金属層2、絶縁層3、及びゲート電極層4、並びに絶縁層3を介して強磁性金属層2に正負の電圧VGを印加する電圧印加部5から構成される。電圧印加部5からゲート電極4を介して正負の電圧VGを強磁性金属層2に印加することにより、図2に示すように強磁性金属層2のキュリー温度Tcを、それよりも低い温度Tcや高い温度Tcに変化させることができる。また、キュリー温度Tcよりも低い温度Tで印加電圧VGの大きさ及び又は正負の極性を変化させることにより、金属層の磁化の大きさ及び又は向きを変化させることができる。さらに、大きな電圧VGを印加してキュリー温度を室温Tよりも低い温度Tcに下げ、強磁性金属層を強磁性-常磁性間で相転移させることにより、磁化のOnOffをスイッチングすることもできる。本発明に係る電圧駆動型電磁石では、強磁性金属層に鉄、コバルト、もしくはニッケル、又はこれらのうち少なくとも一つを含む合金を用いるため、強磁性半導体や強磁性酸化物に比べて大きな磁界を発生させることができる。前記強磁性金属層は厚さが20nm以下の薄膜であることが望ましい。ゲート電圧VGの印加によりキュリー温度Tcを変化させる効果は、金属層表面ほど大きい。従って、強磁性金属層を20nm以下の薄膜にすることにより、小さなゲート電圧VGでキュリー温度Tcを大きく変化させることができる。本発明に係る電圧駆動型電磁石は、更にe前記強磁性金属層の、前記絶縁層とは反対側に、該強磁性金属層内の磁化方向を該強磁性金属層の表面に対して平行な方向、又は該強磁性金属層の表面に対して垂直な方向に配向させる下地層を備えてもよい。また、本発明に係る電圧駆動型電磁石は、f前記強磁性金属層と前記絶縁層の間に、電気絶縁性を有する補助絶縁層を備えてもよい。一般に金属は、その層を形成する際にその金属の原子配列が下地層の影響を受ける。本発明においても、使用する磁性金属に応じて下地層の材料を適切に選択することにより、金属層内の原子を所定の方向に配列させて磁化方向を制御することができる。例えば、強磁性金属層がコバルトである場合、下地層として白金を用い、その上に強磁性金属層を積層すると、面心立方格子の面が層の表面となるようにコバルト原子を最密で配列させて、コバルト層内の磁化を層表面に対して垂直な方向に配向させることができる。また、補助絶縁層は、強磁性金属層の表面が大気に直接曝されるのを防ぐ必要がある場合に適宜設ければよい。補助絶縁層を設けると、絶縁層とともに、強磁性層に電圧を印加する際の誘電体として機能させることができる。本発明に係る電圧駆動型電磁石では、強磁性金属材料を使用し、これに電圧を印加することでキュリー温度を室温付近で変化させ、かつ大きな磁化、すなわち大きな磁界を発生させることができる。本願発明に係る電圧駆動型電磁石で使用する遷移金属強磁性体やそれらの合金では、従来技術で用いられている強磁性半導体や強磁性酸化物に対して、1~2桁大きい磁化を得ることができる。また、本発明に係る電圧駆動型電磁石は液体を用いないため、容易にデバイス化することができる。以下に、本発明に係る電圧駆動型電磁石の一実施例について説明する。Co薄膜層12を強磁性金属層とする2種類の試料試料1、試料2を作製した。試料1、試料2共に、Co薄膜層12の上方にキャップ層補助絶縁層としてMgO層11、下方に下地層としてPt層13、接合層としてTa層14を積層した図3。積層構造10の構成は、上方から順にMgO層11Co層12Pt層13Ta層14厚さ3nmである。Co薄膜層内の磁化を該薄膜層の表面に垂直な方向に配向させるPt層13の厚さは、試料1では104nm、試料2では110nmとした。これら各層はスパッタリングによりGaAs基板15上に成膜した。磁化測定により、本実施例の試料1、試料2でも、Co薄膜層内の磁化が室温で垂直方向に磁化容易軸を有していること、即ち、Pt層13下地層上に積層されたCo薄膜層12内の磁化が薄膜表面に対して垂直な方向に配向していることを確認した。次に、本実施例に係る電圧駆動型電磁石の磁化状態を検出するために、上記した試料1、試料2の電子輸送マイクロデバイスを以下のように作製した図4。まず、試料をホールバー形状に加工し、チャネルをHfO2絶縁膜20でカバーした。そして、AuCrゲート電極30をその上に加工し、電子輸送マイクロデバイスを作製した。なお、図4には、電流及び磁界を併せて示しているが、これらは後述する測定を行うためのものであり、電圧駆動型電磁石の要素ではない。上記のようにして作製した試料1、試料2の電子輸送マイクロデバイス内のCo層12の磁化状態を、異常ホール効果を用いて測定した。異常ホール効果とは、ホール抵抗が磁化に比例して観測される一種のホール効果である。測定は、図4に示すように、チャネルに20μAの電流を印加し、ゲート電圧VGを印加しながら行った。磁界は積層層表面に対して垂直な方向にヘルムホルツコイルによって印加した。印加したゲート電圧VGは±10Vである。室温付近の温度で試料1、試料2のホール抵抗測定を行った結果を図5に示す。試料1は2868K低温及び3045K高温で、試料2は310K低温及び321K高温で、それぞれ測定した。図5中のtPtは下地層のPtの膜厚である。この結果から、低温図5図5では±10Vの電圧印加によって保磁力が大きく変化し、高温図5図5では±10Vの電圧印加によってスクウェアなヒステリシスと常磁性的なカーブの両方を得られることが確認された。換言すれば、試料1は3045Kで、試料2は321Kで、それぞれ電圧印加により強磁性-常磁性の相転移を制御できることが確認された。次に、非特許文献5に記載のArrottプロットM2vsHMプロットという手法を用いて自発磁化MSの大きさを決定した。図6及び図6は、RHall∝Mという関係を用いて、試料1及び試料2の自発ホール抵抗RSHallの温度依存性をまとめた結果である。これらの結果から、試料1、試料2のいずれにおいても、正の電圧VGを印加することによってキュリー温度TCを上昇させ、負の電圧VGを印加することによってキュリー温度TCを下降させることができることが分かる。図7に印加電圧VGとキュリー温度TCの関係を示す。図7から、試料1、試料2ともに、電圧印加によって強磁性-常磁性相転移を室温付近で制御できることが確認された。本測定では、素子が小さいため、ゲート絶縁膜を介したリーク電流は測定ができないほどに小さかった。そのため、別途、約4mm角の試料上にHfO2絶縁膜を載せてゲート電極を配置したキャパシタンス構造を作製してリーク電流を測定したところ、5nAcm2程度であることが分かった。従って、本発明に係る電圧駆動型電磁石を用いると、従来の電流駆動型電磁石に比べて飛躍的に消費電力を低減できるといえる。強磁性遷移金属においては、バルクの合金による各種実験や第一原理計算により、原子1個当たりの電子数が変化するとTcが変化することが分かっている。本実施例においては、電圧VGの印加によりCoの電子数が増減したため、Tcが変化したものと考えられる。従って、上記実施例で用いたCo薄膜以外に、他の強磁性金属であるFeやNi、又はCo、Fe、Niのうち少なくとも一つと他の元素PtNdB等からなる合金を用いても、電圧VGの印加により原子1個当たりの電子数を変化させて、上記実施例と同様の作用効果を得ることができる。上記実施例は一例であって、本発明の趣旨に沿って適宜変更や修正を行うことが可能である。上記実施例では、強磁性金属層を04nmの薄膜とし、そのキュリー温度Tcを室温付近まで低下させた。しかし、これよりも厚みがあり、キュリー温度Tcが室温よりも高い強磁性金属層を使用し、上記実施例よりも大きな電圧を印加して、キュリー温度を室温よりも低い温度まで低下させても良い。この場合も上記実施例と同様に、強磁性金属層を強磁性-常磁性間で相転移させて磁化のOnOffをスイッチングすることができる。また、電圧を印加することにより、キュリー温度Tcを室温よりもわずかに高い温度まで低下させるようにしても良い。例えば、図6に示すように、上記実施例の試料2に対して電圧±10Vを印加すると、温度Tにおいて図中のΔに相当する大きさの磁化を変化させることができる。