非晶質な絶縁層と、前記絶縁層上に、互いに離間して形成されSiおよびGeの少なくとも一方を主に含む結晶化した複数の種層と、前記複数の種層を覆うように形成された結晶化したGe層と、を具備することを特徴とする半導体装置。前記Ge層は、複数のGe結晶粒を含み、前記複数のGe結晶粒は、それぞれ前記複数の種層に対応し形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記Ge層内には、前記複数の種層上を横切る粒界がないこと特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。前記複数の種層の結晶方位は同じであることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の半導体装置。前記絶縁層は酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の半導体装置。前記半導体装置は太陽電池であり、前記Ge層は、n型Ge層とp型Ge層とを含み、前記半導体装置は、前記n型Ge層に電気的に接続されたn電極と、前記p型Ge層に電気的に接続されたp電極と、を具備することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の半導体装置。前記Ge層上に形成され、n型InGaAs層とp型InGaAs層とを含むInGaAs層と、前記InGaAs層上に形成され、n型InGaP層とp型InGaP層とを含むInGaP層と、を具備し、前記n電極および前記p電極のいずれか一方は、前記InGaP層および前記InGaAs層を介し前記n型Ge層および前記p型Ge層の対応する一方に電気的に接続することを特徴とする請求項6記載の半導体装置。非晶質な絶縁層上に、互いに離間して形成されSiおよびGeの少なくとも一方を主に含む結晶化した複数の種層を形成する工程と、前記複数の種層を覆うように結晶化したGe層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記Ge層を形成する工程は、前記複数の種層各々から前記絶縁層の面方向および法線方向にGe結晶が形成されるように前記Ge層を形成する工程であることを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。前記Ge層は化学気相成長法を用い形成することを特徴とする請求項8または9記載の半導体装置の製造方法。非特許文献1の技術では、ガラス上に形成されるGe層は粒径の小さな多結晶となってしまう。また、非特許文献2の技術では、ガラス上に形成されるGe層は非晶質に近い状態になってしまう。このように、非晶質な絶縁性基板上に粒径の大きなGe層を形成することは難しかった。例えば、タンゲム型の太陽電池のGe層として用いる場合、粒径の小さな多結晶では、光を効率的に電気エネルギーに変換できない。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、非晶質な絶縁性基板上に粒径の大きなGe層を形成することを目的とする。本発明は、非晶質な絶縁層と、前記絶縁層上に、互いに離間して形成されSiおよびGeの少なくとも一方を主に含む結晶化した複数の種層と、前記複数の種層を覆うように形成された結晶化したGe層と、を具備することを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、非晶質な絶縁性基板上に粒径の大きなGe層を形成することができる。上記構成において、前記Ge層は、複数のGe結晶粒を含み、前記複数のGe結晶粒は、それぞれ前記複数の種層に対応し形成されている構成とすることができる。上記構成において、前記Ge層内には、前記複数の種層上を横切る粒界がない構成とすることができる。上記構成において、前記複数の種層の結晶方位は同じである構成とすることができる。上記構成において、前記絶縁層は酸化シリコンを含む構成とすることができる。上記構成において、前記半導体装置は太陽電池であり、前記Ge層は、n型Ge層とp型Ge層とを含み、前記半導体装置は、前記n型Ge層に電気的に接続されたn電極と、前記p型Ge層に電気的に接続されたp電極と、を具備する構成とすることができる。上記構成において、前記Ge層上に形成され、n型InGaAs層とp型InGaAs層とを含むInGaAs層と、前記InGaAs層上に形成され、n型InGaP層とp型InGaP層とを含むInGaP層と、を具備し、前記n電極および前記p電極のいずれか一方は、前記InGaP層および前記InGaAs層を介し前記n型Ge層および前記p型Ge層の対応する一方に電気的に接続する構成とすることができる。上記構成において、非晶質な絶縁層上に、互いに離間して形成されSiおよびGeの少なくとも一方を主に含む結晶化した複数の種層を形成する工程と、前記複数の種層を覆うように結晶化したGe層を形成する工程と、を含む構成とすることができる。上記構成において、前記Ge層を形成する工程は、前記複数の種層各々から前記絶縁層の面方向および法線方向にGe結晶が形成されるように前記Ge層を形成する工程である構成とすることができる。上記構成において、前記Ge層は化学気相成長法を用い形成する構成とすることができる。本発明によれば、非晶質な絶縁性基板上に粒径の大きなGe層を形成することができる。以下、図面を参照に本発明の実施例について説明する。図1aから図1dは、実施例1に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。図1aに示すように、非晶質な絶縁層10を準備する。非晶質な絶縁層10として、例えば、ガラス基板を用いることができる。絶縁層10としては例えば酸化シリコンを含んだガラス基板を用いることができる。ガラス基板には、酸化シリコン以外にも金属酸化物等が含まれていてもよい。さらに、絶縁層10としては、酸化シリコンを主に含むガラス基板を用いることができる。さらに、絶縁層10として酸化シリコンの非晶質層を用いることができる。図1bを参照し、絶縁層10上に複数の種層12を形成する。複数の種層12は、互いに離間している。種層12は、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法等を用い形成することができる。種層12は、SiおよびGeの少なくとも一方を主に含み結晶化している。すなわち、種層12としては、例えばSi、GeまたはSiとGeの混晶であるSiGeを用いることができる。種層12には、SiおよびGe以外にも、製造工程において混入する不純物または意図的に添加した元素が含まれていてよい。図1cを参照し、各種層12を覆うように各Ge結晶14を形成する。Ge結晶14の形成方法としては、例えばCVDChemicalVaporDeposition法等の化学気相成長法を用いる。Ge結晶14を成長する際に、用いる原料ガスとしては、例えばGeH4等を用いることができる。Ge結晶14は、種層12の側面および上面から横方向絶縁層10の面方向および縦方向絶縁層10の上面の法線方向に単結晶として成長する。Ge結晶14は矢印18のように、横方向および縦方向に成長する。このように、種層12としてSi、GeまたはSiGeを用いることにより、種層12を種にGe結晶14を成長することができる。図1dを参照し、隣接する種層12から成長してきたGe結晶14同士が接することにより、複数のGe結晶14結晶粒からGe層15が形成される。このように、複数の種層12を覆うようにGe層15が形成される。隣接するGe結晶14が接した面は粒界16となる。Ge層15の膜厚をt、種層12の間隔をL、粒径をWとする。粒径Wと間隔Lとはほぼ等しくなる。例えば、Ge結晶14の縦方向と横方向の成長速度が同じ場合、膜厚tは、間隔Lの2倍とすることができる。粒径Wは、Ge結晶14の縦方向と横方向の成長速度の比により適宜設定できる。結晶粒を大きくする観点から、粒径Wは膜厚t以上とすることがこのましい。例えば、膜厚tを3μmとすると粒径Wを3μm以上とすることができる。図2は、非特許文献1の方法を用い非晶質な絶縁層上にGe層を形成する場合の断面模式図である。図2に示すように、絶縁層10上に形成されたGe層15aは小さい粒径のGe結晶14aから形成される。Ge結晶14aの粒径Waは例えば数10nm程度である。図2に示すように、粒径の小さな多結晶構造では、半導体装置としての所望の特性が得られない。このように、非晶質な絶縁層10上にGe層15を形成するとGe層15の粒径が小さくなってしまう。特に、ガラス基板等の酸化シリコンを含む絶縁層、または主に酸化シリコンを含む絶縁層を用いると、Ge層の粒径が小さくなってしまう。実施例1においては、結晶化した複数の種層12を覆うように結晶化したGe層15を形成することにより、Ge層15として粒径が大きな多結晶を形成することができる。ここで、種層12は結晶化していれば、多結晶でもよく、粒径が小さくてもよい。種層12内の各結晶粒の結晶方位は互いに同じ方位であることが好ましい。また、複数の種層12において、絶縁層10の上面の法線方向の結晶方位は同じであることが好ましい。図1cのように、Ge層15を形成する際に、複数の種層12各々から絶縁層10の面方向および法線方向にGe結晶14が形成されるようにGe層15を形成する。さらに、絶縁層10の上面には直接Ge層15は成長しない。これにより、図1dのように、Ge層15の粒径を大きくできる。複数の種層12の結晶方位を同じとしておく。これにより、形成されるGe結晶14の結晶方位を揃えることができる。例えば、絶縁層10の法線方向の結晶方位を[100]とする。これにより、Ge結晶14は種層12から縦方向および横方向に成長しやすくなる。Ge層15の形成には、化学気相成長法以外の方法を用いることができるが、化学気相成長法を用いることにより、図1cのように、Ge結晶14は種層12から縦方向および横方向に成長しやすくなる。なお、Ge層15を形成する際の成長温度は、高い方が好ましいが、絶縁層10の融点より低いことが好ましい。例えば、一般的なガラス基板の融点は550°Cであり、成長温度は500°C以下が好ましい。図1dのように、このように成長したGe層15内には、複数の種層12上を横切る粒界は生成されない。よって、Ge層15の縦方向の伝導性を良好に保つことができる。さらに、Ge層15内の複数のGe結晶14は、それぞれ複数の種層12に対応し形成されている。例えば、Ge結晶14結晶粒内には、1つの種層12が設けられている。種層12はGe層15の膜厚tに比べ十分薄いことが好ましい。種層12の膜厚t0図1b参照は、例えば100nm以下が好ましい。10nm以下にすることもできる。種層12の格子定数よりは大きいことが好ましい。種層12の幅w0図1b参照は小さいことが好ましい。種層12の幅は、例えば1μm以下が好ましい。100nm以下とすることもできる。実施例2は、非晶質な酸化シリコン層上にGe層を形成した例である。図3aから図3dは、実施例2に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。図3aに示すように、SOISilicononInsulator基板22を準備した。SOI基板においては、シリコン単結晶基板20上に非晶質な絶縁層10として酸化シリコン膜、絶縁層10上に単結晶シリコン膜11が形成されている。絶縁層10は、シリコン基板20を熱酸化法により酸化させることにより形成する。シリコン膜11は、絶縁層10上にシリコン単結晶基板を貼り付けることにより形成する。その後、シリコン膜11の上面を研磨する。絶縁層10の膜厚は約200nm、シリコン膜11の膜厚は30nmである。シリコン膜11の上面は001面である。図3bを参照し、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い、シリコン膜11から種層12を形成する。エッチング法としてはArイオンミリング法を用いる。種層12の膜厚t0は30nm、種層12の幅w0は1μm、種層12の間隔Lは5μmである。図3cを参照し、基板20をチャンバ内に導入する。チャンバ内を真空にし、500°Cに昇温する。500°Cの温度において、5分間保持する。チャンバ内にGeH4ガスを5sccmの流量で2時間導入する。このように熱CVD法を用い、種層12の上面および側面にGe結晶14を成長させる。Ge結晶14の膜厚は約500nmである。図4は、図3cにおける絶縁層10およびGe結晶14をSEMScanningElectronMicroscope法を用い観察した画像である。図4のように、絶縁層10上にはGeは成長しておらず、種層12の上面および側面にGe結晶14が成長している。図5aは、SEM画像、図5bは、EBSDElectronBackscatterdiffraction法を用いた画像である。図5aおよび図5bにおいて用いた試料は、図4に用いた試料より種層12の幅が大きい。図5aのように、図4と同様に、絶縁層10上にはGeは成長しておらず、種層12の上面および側面にGe結晶14が成長している。図5bは、図5aと同じ試料をEBSD観察したものである。図5bを参照し、実際のEBSD画像においては、001面を赤、101面を緑、111面を青で表している。図5bは、白黒のため確認できないが、実際の画像では、Ge結晶14の上面は全面赤色である。すなわち、Ge結晶14は上面が001面となるように単結晶に成長している。なお、図5aにおいて、Ge結晶14の上面に凹凸が観測されるが、Ge結晶14をさらに成長することにより、Ge結晶の上面はより平坦になる。図3dを参照し、さらにGe結晶14を成長させることにより、Ge結晶14同士が接することにより、Ge結晶14同士の界面が粒界16となる。このように、結晶粒の大きなGe層15を成長できる。なお、図3cの実験において用いた熱CVD装置はGe層の成長速度を大きくできなかったが、GeH4ガス等の原料ガスの流量を大きくできる装置を用いることにより、図3dのように、Ge層15を形成できる。実施例3は、実施例1を太陽電池に用いる例である。図6aから図6cは、実施例3に係る太陽電池の製造方法を示す断面図である。図6aに示すように、実施例1の図1aから図1dの方法を用い、絶縁層10上にGe層15を形成する。絶縁層10としては、安価なガラス基板を用いる。Ge層15は、絶縁層10上に形成されたn型Ge層50とn型Ge層50上に形成されたp型Ge層52とを含む。n型Ge層50とp型Ge層52とはpn接合を形成する。図6bに示すように、Ge層15上に、MOCVDMetalOrganicCVD法を用いInGaAs層58を形成する。InGaAs層58は、Ge層15上に形成されたn型InGaAs層54とn型InGaAs層54上に形成されたp型InGaAs層56とを含む。n型InGaAs層54とp型InGaAs層56とはpn接合を形成する。InGaAs層58上に、MOCVD法を用いInGaP層64を形成する。InGaP層64は、InGaAs層58上に形成されたn型InGaP層60とn型InGaP層60上に形成されたp型InGaP層62とを含む。n型InGaP層60とp型InGaP層62とはpn接合を形成する。図6cに示すように、InGaP層64、InGaAs層58およびGe層15の一部領域をn型Ge層50が露出するまでエッチングする。p型InGaP層62上に透明でp型InGaP層62と電気的に接続するp電極66を形成する。n型Ge層50上にn型Ge層50と電気的に接続するn電極68を形成する。以上により太陽電池100が製造できる。太陽電池100においては、InGaP層64において、660nm以下の光を電気エネルギーに変換する。InGaAs層58において、660nmから890nmの光を電気エネルギーに変換する。Ge層15において、890nmから2000nmの光を電気エネルギーに変換する。このように、太陽電池100は、広範囲の波長の光を電気エネルギーに変換できるため、変換効率が高い。Ge層15において、十分に光を電気エネルギーに変換するためには、Ge層15の膜厚は3μm以上であることが好ましい。さらに、太陽電池100においては縦方向絶縁層10の上面の法線方向に電界が加わる。このため、Ge層15の縦方向は1つの結晶粒となっていることが好ましい。すなわち、Ge層15には横方向の粒界が存在しないことが好ましい。実施例1の方法によれば、Ge層15内には、複数の種層12上を横切る粒界は生成されにくい。よって、太陽電池100の変換効率を高めることができる。さらに、太陽電池100において、Ge基板を用いずに、ガラス基板を用いGe層15を形成するため、大幅に材料コストを削減できる。以上のように、実施例3に係る太陽電池100は、Ge層15として、n型Ge層50とp型Ge層52とを含み、n型Ge層に電気的に接続されたn電極68と、p型Ge層に電気的に接続されたp電極66と、を備える。これにより、変換効率が高く、低コストな太陽電池を提供できる。実施例3においては、Ge層15上にInGaAs層58およびInGaP層64を形成した太陽電池を例に説明したが、Ge層15上には、半導体層が設けられず、Ge層15単層の太陽電池でもよい。また、Ge層15上にInGaAs層58およびInGaP64以外の層が形成された太陽電池でもよい。さらに、実施例3においては、絶縁層10側がn型半導体、上側がp型半導体の例を説明したが、n型およびp型は逆でもよい。すなわち、n電極68およびp電極66のいずれか一方は、InGaP層64およびInGaAs層58を介しn型Ge層50および前記p型Ge層52の対応する一方に電気的に接続されていればよい。さらに、Ge層15、InGaAs層58およびInGaP層64は、上記以外の層を含んでもよい。実施例1の方法は、Ge層を用いる他の半導体装置に用いることもできる。例えばガラス基板上に形成されたGe層を用いるTFTThinFilmTransistorを形成することができる。Geは、移動度が高いためTFTであっても高速動作が可能である。よって、例えばガラス基板上に形成された表示装置と、高速動作可能なCPUCentralProcessingUnitとを同一ガラス基板上に集積化することができる。例えば、シリコン基板を用いた集積回路チップ上に光配線層を形成することもできる。光配線層の形成は、集積回路チップ上に非晶質な酸化シリコン膜を形成する。酸化シリコン膜上に実施例1の方法を用いGe層を形成する。Ge層から発光素子および受光素子を形成する。発光素子および受光素子を光導波路を用い接続する。以上により、集積回路上に光配線層を形成することができる。Ge層から形成された発光素子は発光強度が小さい。Ge層上に直接遷移型のGaAs等の半導体層を形成し、この半導体層から発光素子を形成することができる。これにより、発光素子の発光強度を大きくすることもできる。以上、発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。