-太陽電池接合を備える基板1と、-導電性集電層3と、-前記基板1の裏面から前記集電層3を離す導電性パッシベーション膜2と、を備える太陽電池であって、導電性接続パターン4が、前記集電層3の領域を前記パッシベーション膜2に対して浮いた状態に保持する、ことを特徴とする太陽電池。前記パッシベーション膜2は半導体材料から形成される、ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。半導体材料と金属材料との合金から形成された接続パターン4を備える、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の太陽電池。前記集電層3は半導体材料から形成される、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の太陽電池。前記集電層3は保護パターン5に部分的に覆われており、前記接続パターン4と前記保護パターン5とは、前記集電層3の各サイドにおいて互いに向かい合うように配置されている、ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の太陽電池。前記集電層3は多孔質材料により形成され、且つ、前記保護パターンにより部分的に充填されている、ことを特徴とする請求項5に記載の太陽電池。-シリコン基板1と、-p型にドープされたシリコンから形成されたパッシベーション膜2と、-アルミニウムの集電層3と、-酸化シリコンから形成された複数の保護パターン5と、-シリコン-アルミニウム合金から形成された接続パターン4と、を備える、ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1つに記載の太陽電池。-太陽電池接続が設けられており、且つ、導電性パッシベーション膜2と犠牲材料領域と導電性集電層3とにより裏面が覆われている基板1を与えるステップと、-前記集電層3の中に浮いた領域を形成し、且つ、前記パッシベーション膜2と前記集電層3との間に接続パターン4を形成するように、前記犠牲領域をエッチングするステップと、を備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。前記犠牲領域は、アルミニウムとシリコンとの合金から形成され、前記集電層3の透過性領域を通じて塩酸溶液によりエッチングされる、ことを特徴とする請求項8に記載の方法。前記集電層3と前記保護パターン5とはスクリーンプリントにより堆積される、ことを特徴とする請求項9に記載の方法。本発明の目的は、平坦な、もしくは、ほぼ平坦な太陽電池を製造することからなる。この問題は、添付のクレームに従った電池を用いることにより解決することができ、特に、導電性接続パターンが、パッシベーション膜に対して浮いたsuspension状態に集電層の領域を保持することにより解決することができる。本発明の更なる目的は、実施が簡単であり、且つ、平坦な太陽電池の製造を確保する方法を提供することである。この問題は、添付のクレームに従った方法により解決することができ、特に、以下のステップを備える方法であることによって解決することができる。-太陽電池接合を有し、且つ、導電性パッシベーション膜と犠牲材料sacrificialmaterialから形成された領域と導電性集電層とにより主面が覆われている基板を与えるステップと、-集電層の中に浮いた領域を形成し、且つ、接続パターンを形成するように、この犠牲領域を分解するステップと。他の利点及び特徴は、本発明の特有の実施形態についての下記の説明により、さらに明らかにされる。本発明の特有の実施形態は、単なる例示であって、本発明を限定するものではない。本発明の特有の実施形態は、添付の図面により示される。図1及び図2に示されるように、太陽電池は、太陽電池接合が設けられた基板1を備える。基板1のこの部分は、向かい合った第1の主面と第2の主面とを備える。第1の主面は太陽電池接合の一方の側にあり、それに対して、第2の主面は接合の他方の側にある。光エネルギーの一部は、複数の主面のうちの1つや側面から太陽電池にぶつかり、太陽電池接合により電気的に帯電したキャリアへと変換される。基板1は、例えばシリコン材料の結晶から形成された基板1であり、さらに詳細には、単結晶又は多結晶のシリコンから形成された基板1である。太陽電池接合は好適な技術を用いて基板1の中に形成される。例えば、シリコン、又は、シリコンもしくはゲルマニウムベースから形成されたp型の基板1に対して、反対のタイプのドーピングここではn型を複数の主面のうちの1つにおいて行う。従って、基板1においては、所望の太陽電池接合を形成することができるようなp型のドーピング部分とn型のドーピング部分とがある。異なるドーパントのプロファイルは空間的に変化させることができ、場所に応じて、基板1の光起電力効果photovoltaiceffect又はコンタクト抵抗を強化することとなる。太陽電池の側面として動作する基板の主面には導電性コンタクト図示せずが設けられており、この導電性コンタクトは、電池が生成した電流を出力することができる。コンタクトは、好ましくは、アクセス抵抗を抑えるために低抵抗を示すような材料から形成され、これによって電池のオペレーションが損なわれることはない。例えば、コンタクトは、金属材料、詳細には銀ベースの材料から形成される。裏面として動作する他の主面にも、電池の中に生成された電流を出力することができる導電性コンタクトが設けられている。向かい合う複数の主面の上に配置された導電性コンタクトは太陽電池の2つの出力端子である。例えば、裏面のコンタクトは、金属材料から、詳細には、銀、及び/又は、アルミニウムベースの材料から形成される。導電性コンタクトは、異なる導電性層を用いて基板1に電気的に接続される。導電性コンタクトは好適な技術を用いて形成され、それは例えばスクリーンプリントである。堆積とそれに続く導電体に対する局所的なエッチングとを用いることが可能である。スクリーンプリントによりコンタクトが形成された際には、コンタクトに付いた溶媒を除去するために基板1に対して熱処理を施す。好ましくは、コストを削減し、基板1の表面の上にコンタクトを容易に位置させることを可能にするために、スクリーンプリントによりコンタクトを形成する。背面電場効果BackSurfaceFieldEffectの利点を享受するために、基板1の裏面は導電性パッシベーション膜2により覆われており、この導電性パッシベーション膜は基板よりも導電性が高い。パッシベーション膜2は、基板1の裏面のレベルにおける電子とホールとの間の再結合を減らすことを可能にし、これによって太陽電池の効率を改善する。このパッシベーション膜2は、基板1のドーピング層、又は、基板1の高濃度ドーピング層morestronglydopedlayerにより形成することができ、すなわちシリコン材料からなる。例えば、基板1がp型であった場合、太陽電池接合を形成するように前面はn型であり、裏面はp型であり、すなわち、パッシベーション膜2に直接接している基板1の部分よりも活性ドーパントの濃度が高いp型である。ドーピングは、ドーパント不純物を用いて得ることができ、例えば、ボロン又はアルミニウムがp型の基板用に用いられる。パッシベーション膜は、少なくとも1つのドーピングされた半導体膜を備え、好ましくは、基板を形成する材料と同じ材料から形成される。太陽電池は、導電性材料から形成される集電層3も備える。この集電層3は、基板1及び膜2の抵抗resistivityよりも低い抵抗を示す。太陽電池接合から裏面の導電性コンタクトに向かって材料の抵抗を徐々に減少させることが好ましい。電池の裏面のレベルにおいては、導電性材料から形成された集電層3は、電流の取り出しを容易に実施することができる。導電性集電層3は有利には金属材料から形成され、例えばそれは純金属や金属合金である。集電層3は、パッシベーション膜2によって基板1から離される。基板1上の集電層3により行使されるストレスを削減するために、集電層3は浮きsuspendedもしくは部分的に浮き、例えば、集電層3は、1つ又はそれ以上の接続パターン4を用いて基板に固定され、且つ、少なくとも1つの浮いた領域を備える。従って、パッシベーション膜2と集電層3との間でストレスを伝えることのない領域が少なくとも1つ存在する。この特有の領域は、例えば空洞領域又は流体が充填された領域である。太陽電池は、一方の側がパッシベーション膜2により画定されdelineate、他方の側が集電層3により画定された、変形可能な空洞を備える。実施形態によれば、空洞は閉じられた周囲の接続パターンclosedperipheralconnectionpatternにより横方向に画定することができ、及び/又は、接続パターン4を含むことができる。空洞領域と接続パターン4とを編成organizationすることにより、異なる空洞領域は、接続パターンの側壁により画定される。従って、空洞領域は、接続パターンにより囲まれている。一方、他の実施形態においては、異なる複数の空洞領域は、断面図においては互いにつながっているように見え、このことは、空洞領域により離された1つ又はそれ以上の特有の接続パターンであることを示す。接続パターン4は、パッシベーション膜2に対して浮いた状態になるように集電層3の領域を保持する。従って、太陽電池は、空気の又は他の流体の、好ましくはガスの空洞をその構造の中に備える電池である。数個のパターン4を形成した場合には、これらのうちの少なくとも1つは導電性を有し、基板1と集電層3との間の電気的接続を確かなものとする。接続パターン4は、様々な導電性材料により形成される。好ましくは、接続パターンは、パッシベーション膜2から、集電層3から、他の材料から、もしくはこれらの組み合わせから形成される。このようにすることで、製造方法の複雑さと物理的-化学的互換性の問題physicalchemicalcompatibilityproblemを限定的にすることができる。集電層3は、導電性材料から形成された接続パターン4を用いて基板1に電気的に接続されている。接続パターン4は、被覆されていない複数の側壁を有する。これらの側壁はパッシベーション膜2から集電層3に至るまで伸びている。このような特有の構成により、接続パターン4を用いて基板1と接続する表面を限定することから、集電層3の機械的影響は限定的である。しかしながら、電流の流れを確保し、且つ、集電層3の劣化を避けるために、十分な接続表面contactsurfaceを確保する必要がある。接続表面の広がりと、裏面におけるその分布は、パッシベーション膜2と集電層3と接続パターン4とを構成する材料の機械的及び化学的性質に依存する。接続パターン4は、集電層3とパッシベーション層2とから突出した要素であり、これらの2つの層が直接接することを避けることができる。接続パターン4は、パッシベーション膜2の突出部の形成に由来するものとすることができる。さらに、集電層3の突出部の形成にも由来するものとすることができる。また、パッシベーション膜2と集電層3との間に配置された別の導電性材料から形成することもできる。これまでの実施形態のいくつかを組み合わせることも想定することもできる。接続パターン4は、ドーピングされた半導体材料、金属材料、又は、金属材料と半導体材料との間の合金といった金属的な性質の材料により形成することができる。パッシベーション膜2からの集電層3の離された距離は、数ナノメートルから数百マイクロメートルの間とすることができる。好ましくは、この距離は、1から50マイクロメートルの間である。数個の接続パターン4を集積した場合、異なる複数のパターンは、パターンの長さ、幅及び高さに関して、互いに異なるディメンジョンとすることができる。異なる複数のパターンは、異なる化学的組成物とすることもできる。例えば、あるパターンは半導体材料から形成され、一方、他のパターンは、半導体材料と金属材料との合金から形成されている。図1に示すように、接続パターン4は、集電層3を形成する材料及びパッシベーション膜2を形成する材料と異なる材料から形成される。図2に示すように、接続パターン4は、パッシベーション膜2を形成する材料と同じ材料から形成される。数個の接続パターン4 ́を集積した場合、あるものは、機械的固定という目的のために本質的に機能し、一方、他のものは、電流の通過のために主に機能することも想定される。例えば、集電層3は、アルミニウム、及び/又は、銀から形成され、パッシベーション膜2は、p型にドーピングされたシリコンから形成される。好ましくは、集電層3が異なる抵抗を有する複数の領域を備える場合には、例えば、多孔質領域及び非多孔質領域を備える場合、異なる充填率を有する複数の領域を備える場合、もしくは、異なる材料から形成された複数の領域を備える場合には、接続パターン4は、最も低い抵抗を有する領域と結合される。接続パターン4は、パッシベーション膜2と共通の表面と、それと対向する集電層3と共通の表面とを有する。好ましくは、その大きさは、等しく、又は、ほぼ等しい。集電層3は、単一の金属材料により、互いに隣り合って配置された異なる複数の金属材料により、又は、金属材料の合金により形成することができる。従って、図1に示すように、集電層3は、例えばアルミニウムといった第1の金属材料から形成することができる。例えば銀といった第2の材料から形成された導電性パターン5図1は、集電層の上に形成される。第1の金属材料により形成され、且つ、第2の金属材料から形成された含有物を有する層3を有することも可能であり、例えばパターン5である。1つ又はそれ以上の接続パターン4により電池の残りの部分にしっかりと固定された浮いた集電層3を得ることは、電池の中のストレスを支配するために特に有利なことである。太陽電池の達成は、実施がシンプルで、且つ、従来の方法と比べて少ない特有のステップを使用する方法により、実現することができる。太陽電池接合は、従来の方法により得ることができる。電池の前面の形成に関するステップは変更することがなく、よってここで説明しない。好ましくは、前面に関する異なる技術的ステップは、裏面の形成の前に行われる。しかしながら、前面のいくつかのステップは、裏面のステップの前、又は、裏面のステップの間に行うことも可能であり、その逆も可能である。図3に示すように、パッシベーション膜2は、好適な技術を用いて、基板1の裏面の上に形成される。好ましくは、パッシベーション膜2は、基板1のドーピングにより形成される。このドーピングは、イオン注入、又は、ドーパント雰囲気での熱処理により行うことができる。また、ドーピングされた半導体材料の堆積によっても可能である。図4に示すように、パッシベーション膜2の形成に続いて、集電層3を形成する集電材料6の堆積を行う。集電材料6は好適な技術により形成することができる。好ましい実施形態においては、ステップの順番を逆にする。堆積によりパッシベーション膜2を得て、続いて、例えばアルミニウムから形成されたドーパント層をアニーリングする。このドーパント層のアニーリングは、アルミニウムの集電層と、アルミニウムとシリコンとの合金の層と、アルミニウム原子がドーピングされたシリコンから形成されたパッシベーション層3とを順次形成する。この連続的な複数の層は、アニーリングの実施の際にシリコン及びアルミニウムの原子の拡散を招くこととなる。集電材料6は、一般的にはパッシベーション膜の上に堆積された金属材料、又は、金属材料の合金である。接続膜7を形成するため、集電材料をパッシベーション膜2と部分的に反応させるべく、この集電材料6に熱処理が施される。集電材料6の厚さ方向の一部分は接続膜7を形成し、一方、材料の残りの部分は集電層3を形成する。接続膜7は部分的にエッチングされて少なくとも1つの接続パターン4を形成し、集電層3の中に浮いた領域を形成する。この結果、接続パターン4は、金属材料と半導体材料接続膜7との間の合金から形成される。この実施形態においては、接続膜7の部分的なエッチングは、電流の通過にかかわる接続パターン4を形成することを可能にする。接続膜7のエッチングは、好適な技術により行われ、例えばそれは、ウェットエッチング又はガスによるエッチング、集電層3のパターニング、もしくは、集電層の特有な構造を用いることである。集電層3が、分解剤degradationagentに対する透過性permeabilityにおいて不均一を生じている場合には、接続パターン4は、異なる性質のものを用いることによって簡単に得ることができる。集電層3が相対的に均一であり、及び/又は、複数の接続パターン4の位置が正確に配置されている場合には、集電層3は、1つ又はそれ以上の保護パターン5より部分的に覆われることになる。好ましくは、集電層3は、層7の分解剤と分解の副生成物とを透過させる材料により形成される。この透過性は、分解剤が集電層3を通過するようにすることができる。従って、犠牲材料は分解剤により除去され、複数の空洞領域と集電層3中に複数の浮いた領域とを形成する。分解剤による犠牲材料の除去の位置決めlocalisationは、保護パターンを用いて制御される。保護パターンは、集電層の表面の上に形成され、且つ、除去剤に対して非透過である部分を形成する。これらの保護パターンの位置及び広さにより、犠牲材料の接続パターン4が定められる。集電層3は、好ましくは、70未満の充填率を有する材料により形成され、保護される領域において保護パターン5により部分的に充填されている。保護パターン5が導電性である場合、保護パターンは太陽電池の導電性コンタクトとして機能することができる。分解剤及びエッチングによる副生成物に対する透過性が集電層自体の性質ではない場合には、透過性層の部分を形成することができる。このような状況においては、保護パターン5を回避することができる。好ましくは、集電層の透過性は、多孔質層又は多孔質領域を備える層を用いることにより獲得することができる。しかしながら、犠牲材料をエッチングするために、集電層の内部に、穴、循環チャンネルcirculationchannelを形成することも考えることができる。透過性のある集電層3を通過する分解剤と非透過性の導電性保護パターン5とを用いることは、接続パターン4に対する導電性コンタクトの自己整合selfalignmentを得ることができる。従って、電池から出力する電流がたどる経路は、最小限のものとなり、製造方法はシンプルである。例えば、集電材料6が、アルミニウム又はアルミニウムから形成された領域を含むものから形成された場合、犠牲材料はシリコンとアルミニウムとの合金から形成され、分解剤は、塩酸ベースの溶液のみ又は塩酸のみの溶液となる。保護パターン直下の犠牲膜が除去されることを避けるように、保護パターンは、エッチング剤に対して反応しない、又は、わずかにしか反応しない材料から形成される。接続パターンのディメンジョン及び形状は、用いられるエッチングモードと保護パターンのディメンションに依存する。保護材料は、例えばスクリーンプリントといった好適な技術により形成された例えば酸化シリコンである。保護材料の厚さは有利には10μm以上である。スクリーンプリントによる酸化シリコンの形成の場合、酸化シリコンが安定化するために、有利にはアニーリングが行われる。例えば、100°Cから200°Cの間の約5分間のアニーリングは、酸化シリコンを安定させるのに十分である。従って、接続パターン4と保護パターン5とは、集電層3の各サイドにおいて互いに向き合うように配置され、集電層3に対して等しい接続表面を有する。保護パターン5は導電性材料又は電気的絶縁性の材料から形成され、例えば、銀、酸化シリコン又は窒化シリコンである。第2の実施形態においては、1つ又は複数の保護パターン5は、集電材料6の前に形成される。従って、パターン5は、パッシベーション膜2に直接接している。集電材料は、保護パターンを覆うことができ、又は、保護パターンを見えるようにしたままにすることができる。集電材料6がパッシベーション膜2と直接接するような領域と、保護パターン5のために接することができない領域と、が存在する。熱処理を実施した場合には、集電材料6は保護パターン5に覆われた位置を除いてパッシベーション膜2と反応する。このようにして、接続膜7は、パターン5に覆われた領域を除くパッシベーション膜2から集電層3を離す。これまでのことは、図6及び7に示される。第1の例の場合には、部分的又は全体的に接続膜7をエッチングすることは、浮いた構造を得ることを可能にする。集電層3は、接続パターンとして機能する保護パターンにより、可能であれば接続膜7のエッチングされていない領域により、パッシベーション膜2の上方に保持される図3。集電材料6が接続パターンを覆っているかいないかに依存して図6及び7、機械的固定は接続パターンの上面又は側面により行われる。第2の例においては、接続膜7は接続パターンとして動作し、集電層に覆われた保護パターン5は少なくとも部分的に除去される。集電層3は、接続膜7の領域を用いて、可能であれば保護パターンを用いて図1、浮いている。裏面に機能を与えるために、さらに2つのアプローチを組み合わせこともできる。例えば、保護パターンが絶縁材料から形成されている場合には、保護パターンは機械的固定のために作用する。この実施形態は、特にエッチング条件を制御する必要がない点で興味深いものであり、分解剤は、実際に、単一の材料、犠牲材料を除去する。好ましくは、追加的な接続パターンは、基板1の表面と平行な面において導電性保護パターン5に対して垂直に形成される。さらに好ましくは、追加的領域は隣り合うコンタクトと一体となっている2つの領域を接続する。このような特有の配置は、劣化というリスクを減少させることができ、さらに、裏面上に存在する力線fieldlineのレベルにおける変化を避けることができる。従って、浮いた部分を有する太陽電池を得るために、太陽電池接合が設けられ、且つ、パッシベーション膜2と、犠牲材料から形成された領域と、集電層とにより1つの主面が覆われた基板1を準備することが必要である。犠牲材料から形成された領域は、接続膜又は接続膜の部分又は保護パターンとなることができる。犠牲領域は、集電層3中の浮いた領域と、パッシベーション膜2と集電層3との間の接続パターン4とを形成するために、エッチングされる必要がある。