サファイア基板に窒化物半導体薄膜結晶層と、その上にボイドを含む金属窒化膜とが設けられてなるボイド形成基板上に窒化物半導体厚膜結晶層を形成した後、前記ボイドを堺に前記ボイド形成基板を除去して窒化物半導体ウエハを製造する方法において、前記サファイア基板の前記窒化物半導体薄膜結晶層が形成される表面とは反対側の裏面に、サファイアの熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材料からなる反り相殺層を形成し、前記窒化物半導体厚膜結晶層の成長温度下で、前記サファイア基板と前記反り相殺層との熱膨張係数の差によって前記反り相殺層を形成したボイド形成基板を、前記金属窒化膜が形成される面から見て凸状に反らせ、前記凸状に反らせたボイド形成基板の上に前記窒化物半導体厚膜結晶層を凸状に成長させ、成長終了後、前記成長温度から常温に戻る際に、前記ボイド形成基板の平らな形状への復元とともに前記窒化物半導体厚膜結晶層の凸状から平らな形状への戻りが、前記窒化物半導体厚膜結晶層の半導体極性面から見た凹状の反りを相殺する窒化物半導体ウエハの製造方法。前記反り相殺層は、前記ボイド形成基板を形成した後、前記サファイア基板の裏面に膜状に形成する請求項1に記載の窒化物半導体ウエハの製造方法。前記反り相殺層はインバー合金で構成する請求項1または2に記載の窒化物半導体ウエハの製造方法。ところが、このVAS法による製造方法において、HVPE法で下地基板であるサファイア基板上にGaNの厚膜を成長させる際、GaN厚膜はGa極性面側から見て必ず凹状に反る。反り量が大きくなると研磨加工後のオフ角分布が大きくなるほか、研磨工程における加工量が増えてしまいコストや時間の無駄が大きくなるという問題があった。本発明の目的は、反り量の少ない窒化物半導体ウエハの製造方法を提供することにある。本発明の実施の態様によれば、サファイア基板に窒化物半導体薄膜結晶層と、その上にボイドを含む金属窒化膜とが設けられてなるボイド形成基板上に窒化物半導体厚膜結晶層を形成した後、前記ボイドを堺に前記ボイド形成基板を除去して窒化物半導体ウエハを製造する方法において、前記サファイア基板の前記窒化物半導体薄膜結晶層が形成される表面とは反対側の裏面に、サファイアの熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材料からなる反り相殺層を形成し、前記窒化物半導体厚膜結晶層の成長温度下で、前記サファイア基板と前記反り相殺層との熱膨張係数の差によって前記反り相殺層を形成したボイド形成基板を、前記金属窒化膜が形成される面から見て凸状に反らせ、前記凸状に反らせたボイド形成基板の上に前記窒化物半導体厚膜結晶層を凸状に成長させ、成長終了後、前記成長温度から常温に戻る際に、前記ボイド形成基板の平らな形状への復元とともに前記窒化物半導体厚膜結晶層の凸状から平らな形状への戻りが、前記窒化物半導体厚膜結晶層の半導体極性面から見た凹状の反りを相殺する窒化物半導体ウエハの製造方法が提供される。好ましくは、前記反り相殺層は、前記サファイア基板の裏面に膜状に形成する。また、好ましくは、前記反り相殺層はインバー合金で構成する。本発明によれば、反り量の小さい窒化物半導体ウエハを得ることが出来る。以下に本発明の実施に形態について述べる。図1はGaNを代表とするGaN自立基板14Aを製造するVAS法のプロセスを説明する模式図である。VAS法のプロセスにおいて、窒化物半導体薄膜結晶層としてのGaN薄膜結晶層11を成長させるために下地基板としてサファイア基板10が用いられる。また、HVPE製造プロセスで窒化物半導体厚膜結晶層としてのGaN厚膜結晶層14を成長する際、下地基板としてボイド形成基板16を用いる。ボイド形成基板16は、基本的に、ボイド13を高密度に発生させたGaN薄膜結晶層11をサファイア基板10上に形成した2層構造となっており、その表面には多結晶の熱凝集による金属窒化膜としてのTiN微細孔ネット12を有する。このボイド形成基板16上にGaN厚膜結晶層14を成長させる図1a。最終的にこのボイド形成基板16上のボイド13を境にGaN厚膜結晶層14とボイド形成基板16とを剥離することにより窒化物半導体ウエハとしてのGaN自立基板14Aが得られる図1b。本実施の形態では、上述した窒化物半導体ウエハを製造するプロセスを用いることを前提とする。このプロセスを実行してGaN厚膜結晶層14を成長させる際に、本実施の形態では、3層構造の下地基板を用いる。図2は、本実施の形態によるそのような下地基板となるボイド形成基板17の断面図である。図2に示すように、3層構造を有するボイド形成基板17は、サファイア基板10の表面にTiN微細孔ネット12を有するGaN薄膜結晶層11を形成し、サファイア基板10のGaN薄膜結晶層11が形成される表面とは反対側の裏面にサファイアよりも熱膨張率の小さな材料から成る反り相殺層15を重ね合わせる。この3層構造のボイド形成基板17を、GaN厚膜結晶層14を形成するHVPE成長時に使用する。これにより、GaN厚膜結晶層14の成長後に反り量の少ないGaN自立基板14Aを得ることできる。サファイア基板10に重ね合わせる反り相殺層15の材料としては、サファイアの熱膨張率約7.5×10-6よりも小さい金属、例えばニッケル36.5、鉄63.5からなるからなるインバー合金を使用する。インバー合金の熱膨張率は約1.2×10-6でサファイアの熱膨張率の約1/6である。インバー合金のような熱伝導率の高い材料を用いることで均熱効果が得られる。インバー合金からなるインバー合金層15Aは、サファイア基板10の表面にボイドを有するGaN薄膜結晶層11を形成し、その上にTiN微細孔ネット12を形成した後に、蒸着や溶射等の方法により、GaN薄膜結晶層11とは反対側のサファイア基板10の裏面に膜状に形成する。サファイア基板10に重ね合わせられるインバー合金層15Aの厚さはHVPE成長の条件やGaN厚膜結晶層14の厚さによって試行錯誤的にて定めることが出来る。HVPE法でサファイア基板上にGaN厚膜結晶層を成長させると、GaN厚膜結晶層は、Ga極性面側から見て凹状に反ってしまう。これは、次の理由による。GaN厚膜結晶層の成長においては、平らな下地基板上にGaN結晶をHVPE成長させる。GaN結晶層は下地基板上に発生した島状の結晶が横方向に成長し、島同士が結び付きながら平坦化していく。この際、結晶表面には引張りひずみが生じ、その結果GaN厚膜結晶層は凹状に反るからである。本実施の形態による窒化物半導体ウエハの基本の製造方法は、サファイア基板10、ボイドを発生したGaN薄膜結晶層11、TiN微細孔ネット12をこの順序で積層してなるボイド形成基板16を形成し、ボイド形成基板16のTiN微細孔ネット12の上にGaN厚膜結晶層14を成長させ、ボイド形成基板16上のボイド13を境に、GaN厚膜結晶層14をボイド形成基板16から剥離する図1。このような基本の製造方法において、図2に示すように、サファイア基板10のGaN薄膜結晶層11が形成される面とは反対側の面に、サファイアの熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材料からなるインバー合金層15Aを形成する。そして、図3に示すように、GaN厚膜結晶層14の成長温度下で、サファイア基板10とインバー合金層15Aとの熱膨張係数の差によってインバー合金層15Aが形成されたボイド形成基板17をTiN微細孔ネット12面ないしGaN薄膜結晶層11から見て凸状に反らせ、この凸状に反らせたボイド形成基板17の上にGaN結晶を形成することによりGaN厚膜結晶層14を凸状に成長させる。成長終了後、成長温度から常温に戻る際に、ボイド形成基板の平らな形状へ復元するに伴って生じる前記窒化物半導体結晶厚膜の凸状から平らな形状への曲がり戻りが、前記成長温度から常温に戻る際に生じる前記窒化物半導体厚膜結晶層の半導体極性面から見た凹状の反りと相殺される。図4に示すように、ボイド形成基板17のTiN微細孔ネット12に形成されたボイド13を境に、GaN厚膜結晶層14をボイド形成基板17から剥離する。以下に、反り量が減る理由を詳細に説明する。図3に示すように、サファイア基板10とインバー合金層15Aとを重ねたボイド形成基板17を用いれば、ボイド形成基板17は熱膨張率の大きいサファイア基板10側に凸に反る。これは下地基板として使用するサファイアよりも熱膨張率の小さいインバー合金層15Aをサファイア基板10に重ね合わせた構造を有するボイド形成基板17をHVPE成長に用いれば、GaN厚膜結晶層14の成長の途中過程での加熱とサファイア―インバー合金間の熱膨張率の差により、ボイド形成基板17はサファイア基板の表面側から見て凸状に反るからである。この凸に反ったボイド形成基板17の表面にGaN厚膜結晶層14をHVPE成長させる。HVPE成長が完了し、常温に戻る際に凹状に反ろうとするGaN厚膜結晶層14を予め凸状に反ったボイド形成基板17上に成長させ、これらの相反する作用を利用することで最終的には、より反り量の少ないGaN厚膜結晶層14を得ることが出来る。すなわち、図4に示すように、基板が常温まで温度が下がれば、下地基板としてサファイア基板のみを用いていた従来の製法によるものよりも、反りが小さいGaN厚膜結晶層14を得ることが出来る。最終的にこのボイド形成基板17のTiN微細孔ネット12に形成されたボイド13を境にGaN厚膜結晶層14とサファイア基板10とを剥離することにより反り量の小さなGaN自立基板14Aが得られる。実施の形態の効果本実施の形態によれば、下地基板として使用するサファイアよりも熱膨張率の小さいインバー合金層をサファイア基板に重ね合わせた構造を有するボイド形成基板をHVPE成長に用いるので、反りが小さいGaN厚膜結晶層を得ることが出来る。これによって研磨工程での研磨量を少なくさせることができ、また研磨加工後のオフ角分布がより小さいGaNウエハを製造することが出来る。特に、本実施の形態では、インバー合金層をサファイア基板に重ね合わせた構造を有するボイド形成基板を、直径3インチ以上の大口径基板の製造が可能となるVAS法で用いるから、特に大口径基板で問題となる反りが大幅に抑制されるので、これまでにない高品質かつ高均一なGaN自立基板を提供することができる。なお、本発明は以上説明した実施の形態に限定されるものではなく、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により可能である。例えば、本実施の形態では、反り相殺層の材料については金属であるインバー合金を例示したが、インバー合金に置き換わるものとして非金属でもよい。例えばサファイアよりも熱膨張率の小さい石英ガラスSiO2熱膨張率:約5.6×10-7を選択することも可能である。しかし、次の理由からインバー合金などの金属の方が好ましい。金属の方が熱伝導率が高く、基板全体に均一に熱を伝えやすいため、成長ムラがなくなる。また、金属は展延性に富み、靭性があり、熱膨張率の差により反りを生じさせるのに有利だからである。また、本実施の形態では、窒化物半導体結晶としてGaN結晶を挙げたが、他の実施形態の例としてAlN、AlGaN、InGaN、InAlN、InGaAlNなどの結晶にも適用可能である。