ピーク波長が493nmよりも短波長の発光光を放射する発光素子と、前記発光素子を収容し、前記発光素子の電極に電気的に接続された端子を含むパッケージと、を備え、前記端子は、前記発光光を反射する部分に、99.89パーセント以上の純度のアルミニウムを含むことを特徴とする半導体発光装置。ピーク波長が391nmよりも短波長の発光光を放射する発光素子と、前記発光素子を収容し、前記発光素子の電極に電気的に接続された端子を含むパッケージと、を備え、前記端子は、前記発光光を反射する部分に、99.63パーセント以上の純度のアルミニウムを含むことを特徴とする半導体発光装置。前記端子は、純度が99.63パーセント以上のアルミニウムを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。前記端子は、純度が99.63パーセント以上のアルミニウムと、銅もしくは銅合金と、が積層された材料を含むことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の半導体発光装置。前記端子は、純度99.63パーセント以上のアルミニウムと、前記アルミニウムとは純度が異なるアルミニウム材もしくはアルミニウム合金、が積層された材料を含むことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の半導体発光装置。本発明の実施形態は、高出力で経時劣化を抑制することが可能な半導体発光装置を提供する。実施形態に係る半導体発光装置は、ピーク波長が493nmよりも短波長の発光光を放射する発光素子と、前記発光素子を収容し、前記発光素子の電極に電気的に接続された端子を含むパッケージと、を備える。前記端子は、前記発光光を反射する部分に、99.89パーセント以上の純度のアルミニウムを含む。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。図1は、本実施形態に係る半導体発光装置100の構造を模式的に示す断面図である。図1aは、半導体発光装置100の断面を示し、図1bは、発光素子10の断面構造を示している。図1aに示すように、半導体発光装置100は、発光素子10と、発光素子10を収容したパッケージ90と、を備える。パッケージ90は、発光素子10の電極9および13に電気的に接続された2つの端子であるリード30および40を含む。具体的には、パッケージ90は、例えば、2つのリード30および40の一部を埋め込んだ樹脂のベース20と、ベース20から外部に延在するリード30および40と、を有する。ベース20は、その一方の主面20aから他方の主面20bの方向に設けられたカップ状の凹部20cを有している。そして、凹部20cの底面上に発光素子10がボンディングされる。例えば、発光素子10は、透明樹脂を用いて凹部20cの底面に接着される。ベース20は、樹脂に限られる訳ではなく、例えば、セラミック材を用いても良い。凹部20cの底部には、リード30および40の一方の端部が露出している。図1aに示すように、発光素子10は、例えば、リード40の端部の上にボンディングすることができる。また、リード30および40の端部と離間した位置に、発光素子10をボンディングしても良い。そして、発光素子10のp電極9とリード40、n電極13とリード30が、それぞれ金属ワイヤ15で電気的に接続される。図1aに示す例では、ベース20の主面20bの側に露出したリード30および40の表面、さらに、ベース20から外部に延在したリード30および40の表面に、ニッケルNi層33およびスズSn層35が設けられる。Ni層33およびSn層35は、例えば、メッキ法を用いて形成することができる。これらの金属層は、半導体発光装置100を回路基板などにハンダ付けするために設けられる。例えば、Ni層33のみでも良く、また、Niに限らずハンダに対する濡れ性の良い金属を用いることもできる。また、半導体発光装置100をハンダ付け以外の方法、例えば、抵抗溶接、レーザ溶接などを用いて、回路基板などに取り付ける場合には、リード30および40の表面にNiおよびSn層を設けなくても良い。図1bは、発光素子10の断面構造を模式的に示している。発光素子10は、例えば、GaN系窒化物半導体を材料とするLEDLightEmittingDiodeである。発光素子10では、サファイア基板2の上に、例えば、n形GaN層3と、発光層5と、p形GaN層7とが順に設けられる。p形GaN層7の表面には、p電極9が設けられ、p形GaN層7および発光層5を選択的にエッチングして露出させたn形GaN層3の表面にn電極13が設けられる。発光層5は、例えば、InGaN井戸層とGaN障壁層とで構成される量子井戸を含む。そして、p電極9とn電極13との間に駆動電流を流すことにより、例えば、波長440nm~485nmの青色の発光光を放射する。サファイア基板2およびn形GaN層3、p形GaN層7は、発光層5から放射される発光光に対して透明である。したがって、図1bに示すように、発光層5から放射される発光光は、発光素子10の上下の面および側面の全面から外部に放出される。ここで、発光光の波長は、発光層5から放射される発光光の分光スペクトルの強度ピークに対応するピーク波長を意味する。以下の説明においても同じである。半導体発光装置100では、ベース20に設けられた凹部20cの内部に透明樹脂25が充填される。透明樹脂25は、例えば、発光素子10から放射される発光光により励起され黄色の蛍光を発する蛍光体を含む。これにより、半導体発光装置100は、青色の発光光と黄色の蛍光とが混合された白色光を放射することができる。例えば、ベース20が、酸化チタンなどの反射材を含む白色樹脂で形成されていれば、発光素子10の側面から放出された発光光は、凹部20cの側壁で反射され上方に放出される。そして、発光素子10の下面から放出さる発光光は、リード40の端部で上方に反射される。すなわち、発光素子10から放出される発光光は、凹部20cの内面で反射され、透明樹脂25を通過して主面20aの側から放出される。したがって、半導体発光装置100の光出力を向上させるためには、凹部20cの底面に露出するリード30および40の表面における反射率を高くすることが望ましい。さらに、ベース20が発光光を透過する透明樹脂で成形されたパッケージを用いることもできる。すなわち、透明樹脂25とベース20とが一体に設けられ、発光素子10と、リード30および40と、をモールドした構成でも良い。その場合には、ベース20と一体に成形されるリード30および40の表面全体の反射率を高くすることにより、光出力を向上させることができる。そこで、本実施形態に係るリード30および40は、発光光を反射する部分に、99.89パーセント以上の純度のアルミニウムAlを含む。例えば、リード30および40を構成する芯材に、純度が99.89パーセント以上のAlを用いる。これにより、凹部20cの底部に露出するリード端部における発光光の反射率を向上させる。さらに、ベース20に含まれる樹脂が発光光に対して透明な場合には、発光素子10に向き合うリード30および40のAl表面全体の反射が光出力に寄与する。これにより、半導体発光装置100の光出力を向上させることができる。図2は、発光光の光波長と純度の異なるAlの光反射率の関係を示すグラフである。横軸に光波長、縦軸に反射率を示している。グラフAおよびBは、それぞれ純度が99.89Aおよび99.63BAlの反射率を示している。グラフC~Dは、比較例として示したAgの反射率である。グラフCは、無光沢のAgメッキの反射率、グラフDは、半光沢Agメッキの反射率、グラフEは、光沢Agメッキの反射率をそれぞれ示している。グラフAに示すAlの反射率は、短波長側で高く、長波長側で低くなる。これに対し、グラフC~Eに示すAgメッキの反射率は、短波長側で低下する。そして、純度99.89のAlの反射率は、波長430nmよりも短波長側で、グラフCに示す無光沢のAgメッキよりも高くなる。グラフDに示す半光沢Agメッキに対しては、466nmよりも短波長側で高い反射率を有する。さらに、グラフEに示す光沢Agメッキに対しては、493nmよりも短波長側で高い反射率を有する。一方、グラフBに示す純度99.63のAlの反射率は、グラフAに示す純度99.89のAlの反射率よりも低く、短波長側でもフラットな波長依存性を示している。そして、純度99.63のAlの場合、369nmよりも短波長側で無光沢のAgメッキよりも高い反射率を有し、377nmよりも短波長側で半光沢Agメッキ、391nmよりも短波長側で光沢Agメッキを上回る反射率を有する。図3は、Alに含まれる不純物の含有量と光反射率の関係を示すグラフである。横軸に不純物の含有量、縦軸に、光波長460nmにおける反射率を示している。同図中にプロットしたデータが示すように、シリコンSiおよび鉄Fe、チタンTiの含有量と反射率との間に相関が見られ、それぞれの含有量が少なくなると反射率が高くなる。その他の不純物については、含有量と反射率の関係に明確な相関は見られない。結果として、同図中に黒い四角で示す不純物の全体の含有量と反射率との関係によれば、不純物の含有量を低減しAlを高純度化することにより、反射率を向上させることができる。図2および図3に示すAlの反射率特性によれば、純度が99.89以上の高純度のAlの反射率は、例えば、493nmよりも短波長側において、少なくとも光沢Agメッキを施したリード電極よりも高い。したがって、純度99.89以上の高純度のAlを用いることにより、半導体発光装置の光出力を向上させることができる。さらに、発光波長が391nmよりも短波長の光を放出する発光素子、所謂紫外発光素子の場合には、リードの材料として、純度99.63以上のAlを用いることにより光出力を向上させることができる。紫外発光素子としては、例えば、AlGaNを材料とするLEDを挙げることができる。具体的には、図1bに示す発光素子10において、発光層5は、AlxGa1-xN井戸層0<x≦1と、AlyGa1-yN障壁層0<x≦1、x<yとで構成される量子井戸を含む。さらに、n形GaN層3に代えてn形AlyGa1-yN層、p形GaN層7に代えてp形AlyGa1-yN層を用いる。次に、図4~図7を参照して、AlおよびAgの環境耐性について説明する。図4~図7は、半光沢AgメッキおよびAlの耐環境試験の結果を示すグラフである。環境試験は、硫化水素H2S濃度3ppmを含む雰囲気において、40°C、湿度80の加速条件下で実施した。図4は、Agメッキの反射率の経時変化、図5は、Alの反射率の経時変化を示すグラフである。横軸に光波長、縦軸に反射率を示している。図4に示すグラフDは、初期の半光沢Agメッキの反射率を示すグラフであり、図2に示すデータと共通する。そして、グラフGは、8時間経過後のAgメッキの反射率、グラフHは、24時間経過後の反射率である。グラフD~Hに示すように、Agの反射率は、H2Sを含む雰囲気中で大幅な劣化を示した。例えば、Agメッキは、長期間の使用により大気中の硫黄成分と反応しAg2Sを生成する。そして、その表面が黒色に変色することが知られている。図4に示す反射率の劣化は、この反応に起因するものと考えられ、半導体発光装置の光取り出し効率を低下させる。これに対し、図5に示すAlの反射率では、初期の反射率Aからの変動は見られず、Alの環境耐性がAgメッキよりも安定であることがわかる。図6および図7は、耐環境試験における処理ステップごとの反射率の変化を示している。図6は、光波長570nmにおける反射率の変化を示している。この光波長は、例えば、青色LED光で励起されるサイアロン蛍光体が発する蛍光の波長である。図7は、青色LEDの発光波長である光波長460nmにおける反射率の変化を示している。横軸に示す処理ステップにおいて、S1は、発光素子10をリードにボンディングする際の熱履歴170°C、2時間と同じ処理、S2は、ベース20の凹部20cにシリコーン樹脂を充填する際の熱履歴150°C、3時間と同じ処理を示す。そして、S3は、8時間の環境加速試験、S4は、24時間の環境加速試験を示している。図6に示すグラフJは、半光沢Agメッキの反射率の変化を示している。Agの反射率は、環境加速試験の時間の経過とともに低下する。これに対し、グラフKは、Ni/パラジウムPdの積層構造の表面に0.05μmの厚さのAl膜を形成したサンプルの反射率を示している。グラフJに示すAgメッキに比べて、初期の反射率は劣るが、S1~S4の処理に対して安定であることがわかる。グラフKに示すサンプルのAl膜は、スパッタ法により形成されたものであり高純度である。グラフLは、Agメッキの表面にAl膜を形成したサンプルの反射率の変化を示す。Al膜は、スパッタ法を用いて0.05μmの厚さに形成されており、初期の反射率はグラフKの値に近い。そして、最初の処理S1において反射率が劣化し、その後の処理に対して安定な特性を示している。すなわち、最初の熱履歴S1において、AlとAgが反応し反射率が低下したものと考えられる。一方、表面にAl膜が形成されているため、H2Sを含む雰囲気での加速試験に対して安定であることを示している。図7に示す光波長460nmにおける反射率の変化も、図6と同じ傾向を示している。すなわち、グラフKに示すNi/Pdを下地としたAl膜の反射率は安定である。一方、グラフJのAgメッキ、および、グラフLのAgメッキを下地としたAl膜の反射率は、環境加速試験および熱処理により低下する。上記の通り、Alの反射率は、H2Sを含む環境に対して安定であり、変化が見られない。これに対し、Agメッキは、時間の経過と共に反射率が低下し、環境耐性がAlよりも低い。そして、例えば、Al膜をAgメッキの表面に形成した場合には、熱処理による反射率の低下が生じるが、H2Sを含む環境に対して安定である。このように、Agメッキに代えて、Alを用いることにより、リード30および40の反射率の経時劣化を抑制することができる。そして、半導体発光装置100の環境耐性を向上させ長寿命化することができる。図8aおよびbは、それぞれ本実施形態の変形例に係る半導体発光装置200および300の構造を模式的に示す断面図である。図8aに示す半導体発光装置200のパッケージ91は、リード50および55を含み、その表面にAl層53および57が選択的に設けられている。そして、Al層53および57は、ベース20の凹部20cの底部に露出する。リード50および55には、例えば、銅CuもしくはCu合金からなる芯材を用いることができる。例えば、発光素子10の発光波長が493nmよりも短波長であれば、Al層53および57には、純度99.89以上のAlを用いる。純度99.89以上のAl層は、例えば、スパッタ法において、純度99.89以上のAlターゲットを用いることにより形成できる。また、純度99.89以上のAl層とCuとを積層したクラッド材のAlを選択的に除去する方法により形成できる。一方、発光素子10の発光波長が391nmよりも短波長であれば、純度99.63以上のAl層53および57を用いる。芯材となるCu合金には、例えば、Cu-Fe合金、Cu-Zr合金などを用いることができる。さらに、リード50および55のベース20から外部に延在する部分、および、ベース20の主面20b側に露出する部分において、CuもしくはCu合金からなる芯材の表面にNi等をメッキする。これにより、ハンダの濡れ性を向上させても良い。また、リード50および55の芯材として、Al層53および57と純度が異なるアルミニウム材を用いても良い。半導体発光装置200では、ベース20の材料として、例えば、発光光を反射す白色樹脂を用いる。そして、凹部20cの底面にボンディングされた発光素子10から放射される発光光は、凹部20cの内面で反射され、主面20aから上方に放射される。したがって、例えば、発光波長が493nmよりも短波長の発光素子10に対して、凹部20cの底部に露出するリード50および55の表面を、純度99.89以上のAlとし、発光波長が391nmよりも短波長の発光素子10に対して、リード50および55の表面を、純度99.63以上のAlとすることにより反射率を高め光出力を向上させることができる。一方、図8bに示す半導体発光装置300のパッケージ92は、2種類の金属が積層されたリード60および70を含んでいる。例えば、純度99.63以上のAl層63および73と、支持材65および75を積層したクラッド材を用いることができる。すなわち、発光波長が493nmよりも短波長の発光素子10に対しては、純度99.89以上のAl層63および73を用い、発光波長が391nmよりも短波長の発光素子10に対しては、純度99.63以上のAl層63および73を用いる。Al層63および73は、発光素子10がボンディングされる側に設けられ、発光素子10から放射される発光光を反射する。この場合、ベース20は、例えば、白色樹脂でも良いし、発光素子10が放射する発光光に対して透明な樹脂でも良い。発光素子10の側に設けられたAl層が発光光を反射し光出力を向上させる。支持材65および75には、例えば、CuもしくはCu合金を用いる。これにより、Al層63および73の厚さが薄い場合でも、リード60および70の剛性を保持することができる。また、Cuを含む材料を用いることにより、リード60および70の電気抵抗を下げることができる。支持材65および75には、例えば、Al合金を用いても良い。Al合金は、高純度Alよりも強度が高く、Al層63および73の厚さが薄い場合でもリード60および70の剛性を確保することができる。さらに、支持材65および75として、Al層63および73とは純度が異なるアルミニウム材を用いても良い。例えば、Al層63およびAl層73として、純度99.89以上のアルミニウムを用い、支持材65および75として純度99.63以上のアルミニウム材を用いることができる。また、Al層63およびAl層73として、純度99.63以上のアルミニウムを用い、支持材65および75として純度99.89以上のアルミニウム材を用いても良い。さらに、半導体発光装置200と同じように、リード50および55のベース20から外部に延在する部分、および、ベース20の主面20b側に露出する部分において、芯材の表面にNiメッキ等を施し、ハンダの濡れ性を改善することもできる。上記の実施形態では、高純度アルミニウムを含むリードを樹脂モールドしたパッケージを例示したが、これらに限られる訳ではない。すなわち、本実施形態は、樹脂に代わる材料を用いたパッケージを用いる場合も含む。例えば、セラミックの基体にアルミニウム端子を付設したパッケージでも良い。以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。なお、本願明細書において、窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦xyz≦1のIII-V族化合物半導体を含み、さらに、V族元素としては、N窒素に加えてリンPや砒素Asなどを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。