半導体ウエハを準備する工程と、前記半導体ウエハの少なくとも一方の主表面側に、コア体の表面に金属膜が形成された複合体を吹き付けることにより、前記半導体ウエハの前記主表面側に前記複合体で構成される放熱基板を形成する工程とを含み、前記コア体は前記金属膜に比べて融点が高くかつ熱膨張率が低い放熱基板の製造方法。前記半導体ウエハを準備する工程の後、前記放熱基板を形成する工程の前に、前記半導体ウエハの前記主表面上に金属層を形成する工程を、さらに含み、前記放熱基板を形成する工程において、前記金属層の主表面に前記複合体を吹き付けることにより、前記金属層の前記主表面上に前記複合体で構成される前記放熱基板を形成する請求項1に記載の放熱基板の製造方法。前記金属層は、Au、Ag、Cu、Ni、Al、Snおよびこれらの任意の組み合わせからなる合金からなる群から選ばれる少なくとも1つを含む請求項2に記載の放熱基板の製造方法。前記放熱基板は、熱伝導率が150Wm1K1以上で、熱膨張率が3~15×106K1であり、厚さが1~5000μmである請求項1から請求項3のいずれかに記載の放熱基板の製造方法。前記半導体ウエハは、元素半導体、IV族化合物半導体、III-V族化合物半導体およびII-VI族化合物半導体からなる群から選ばれる少なくとも1つを含む請求項1から請求項4のいずれかに記載の放熱基板の製造方法。前記コア体は、W、Mo、SiC、III族窒化物および炭素物質からなる群から選ばれる少なくとも1つを含み、前記金属膜は、Au、Ag、Cu、Ni、Al、Snおよびこれらの任意の組み合わせからなる合金からなる群から選ばれる少なくとも1つを含む請求項1から請求項5のいずれかに記載の放熱基板の製造方法。コア体と、前記コア体の表面に形成された金属膜と、を含み、前記コア体は前記金属膜に比べて融点が高くかつ熱膨張率が低い複合体。前記コア体は、W、Mo、SiC、III族窒化物、炭素物質からなる群から選ばれる少なくとも1つを含み、前記金属膜は、Au、Ag、Cu、Ni、Al、Snおよびこれらの任意の組み合わせからなる合金からなる群から選ばれる少なくとも1つを含む請求項7に記載の複合体。汎用の半導体デバイスで用いられるCu基板、Ag基板、Al基板などは、放熱基板は、その熱膨張係数と半導体ウエハの熱膨張係数との差が大きいため、高性能の半導体デバイスには用いることが困難である。さらに、Cu基板、Ag基板、Al基板などの放熱基板の厚さが大きくなると、半導体デバイスにおいて反り、割れおよび/または半導体ウエハと放熱基板との間の剥離などが発生する。また、汎用の半導体デバイスは、上記のように半導体ウエハと放熱基板との貼り合わせにより形成しているため製造効率が低く製造コストが高くなるため、製造効率が高く製造コストが低い製造方法が求められている。また、高性能の半導体デバイスで用いられるW基板、Mo基板、CuW基板、CuMo基板などの放熱基板は、上記のように、粉末冶金法により形成されるため、製造効率が低く製造コストが高く、高価である。また、W基板、Mo基板、CuW基板、CuMo基板などの放熱基板は、ハンダまたは蝋材との濡れ性が低いため、半導体ウエハとの貼り合わせにおいては、放熱基板上に金属層を形成することが必要であり、半導体デバイスの製造効率が低く製造コストが高くなる。また、W基板、Mo基板、CuW基板、CuMo基板などの放熱基板上に金属層を形成し、その金属層上にハンダまたは蝋材を介して半導体ウエハを貼り合わせても、貼り合わせる表面の反り、傷、汚れなどにより、貼り合わせ界面にボイドが発生することもある。本発明は、上記問題点を解決して、高性能の半導体デバイスを、製造効率が高く製造コストを低く製造するための放熱基板の製造方法およびその製造方法に好適に用いられる複合体を提供することを目的とする。本発明は、半導体を用いるメモリIC、LSI、パワーデバイス、通信用デバイス、光デバイス、センサ用デバイスおよびこれらのモジュールに適用できる。本発明にかかる放熱基板の製造方法は、半導体ウエハを準備する工程と、半導体ウエハの少なくとも一方の主表面側に、コア体の表面に金属膜が形成された複合体を吹き付けることにより、半導体ウエハの主表面側に複合体で構成される放熱基板を形成する工程とを含む。ここで、コア体は、金属膜に比べて、融点が高くかつ熱膨張率が低い。本発明にかかる放熱基板の製造方法において、半導体ウエハを準備する工程の後、放熱基板を形成する工程の前に、半導体ウエハの主表面上に金属層を形成する工程を、さらに含み、放熱基板を形成する工程において、金属層の主表面に複合体を吹き付けることにより、金属層の主表面上に複合体で構成される放熱基板を形成することができる。ここで、金属層は、Au、Ag、Cu、Ni、Al、Snおよびこれらの任意の組み合わせからなる合金からなる群から選ばれる少なくとも1つを含むことができる。また、本発明にかかる放熱基板の製造方法において、放熱基板は、熱伝導率が150Wm1K1以上で、熱膨張率が3~15×106K1であり、厚さが1~5000μmとすることができる。半導体ウエハは、元素半導体、IV族化合物半導体、III-V族化合物半導体およびII-VI族化合物半導体からなる群から選ばれる少なくとも1つを含むことができる。また、本発明にかかる放熱基板の製造方法において、コア体は、W、Mo、SiC、III族窒化物および炭素物質からなる群から選ばれる少なくとも1つを含み、金属膜は、Au、Ag、Cu、Ni、Al、Snおよびこれらの任意の組み合わせからなる合金からなる群から選ばれる少なくとも1つを含むことができる。また、本発明にかかる複合体は、コア体と、コア体の表面に形成された金属膜と、を含み、コア体は、金属膜に比べて、融点が高くかつ熱膨張率が低い。本発明にかかる複合体において、コア体は、W、Mo、SiC、III族窒化物、炭素物質からなる群から選ばれる少なくとも1つを含み、金属膜は、Au、Ag、Cu、Ni、Al、Snおよびこれらの任意の組み合わせからなる合金からなる群から選ばれる少なくとも1つを含むことができる。本発明によれば、高性能の半導体デバイスを、製造効率が高く製造コストを低く製造するための放熱基板の製造方法およびその製造方法に好適に用いられる複合体を提供できる。[放熱基板の製造方法]図1~3を参照して、本発明のある局面における実施形態である放熱基板の製造方法は、半導体ウエハ10を準備する工程図1~3のAと、半導体ウエハ10の少なくとも一方の主表面側に、コア体20pcの表面に金属膜20pfが形成された複合体20pを吹き付けることにより、半導体ウエハ10の主表面側に複合体20pで構成される放熱基板20を形成する工程図1のB~C、図2~3のB~Dとを含む。ここで、コア体20pcは、金属膜20pfに比べて、融点が高くかつ熱膨張率が低い。かかる製造方法により、熱伝導率が高い放熱基板を高効率で製造することができるため、高性能の半導体デバイスを高効率かつ低コストで製造することができる。半導体ウエハの準備工程図1~3のAを参照して、本実施形態の放熱基板の製造方法における半導体ウエハ10を準備する工程において、準備される半導体ウエハは、製造する半導体デバイスの種類に応じてその機能を発現するものであれば特に制限はなく、元素半導体、IV族化合物半導体、III-V族化合物半導体およびII-VI族化合物半導体からなる群から選ばれる少なくとも1つが好適に挙げられる。ここで、元素半導体にはSi、Geなどが挙げられ、IV族化合物半導体にはSiC、SiGeなどが挙げられ、III-V族化合物半導体にはAlN、GaN、GaAs、GaP、InPなどが挙げられ、II-VI族窒化物半導体にはCdSe、ZnSなどが挙げられる。また、半導体ウエハは、半導体デバイスの機能を発現するものであれば、1層であってもよく、複数の層であってもよい。放熱基板の形成工程図1のB~Cおよび図2~3のB~Dを参照して、本実施形態の放熱基板の製造方法における放熱基板の形成工程において、半導体ウエハ10の少なくとも一方の主表面側に、コア体20pcの表面に金属膜20pfが形成された複合体20pを吹き付けることにより、半導体ウエハ10の主表面側に複合体20pで構成される放熱基板20が形成される。ここで、複合体20pにおいて、コア体20pcは、金属膜20pfに比べて、融点が高くかつ熱膨張率が低い。半導体ウエハ10の少なくとも一方の主表面側に、金属膜20pfに比べて融点が高くかつ熱膨張率が低いコア体20pcと、そのコア体20pcの表面に形成された金属膜20pfと、を含む複合体20pを、吹き付けることにより、かかる複合体20pで構成されるボイドの発生が抑制された物性が均一な放熱基板20を高効率で形成することができる。ここで、得られる放熱基板20は、特に制限はないが、半導体デバイスに発生する熱を効率よく外部に放出する観点から、その熱伝導率が150Wm1K1以上であることが好ましい。また、半導体デバイスの反り、割れ、および/または半導体ウエハと放熱基板との間の剥離を防止する観点から、放熱基板20の熱膨張係数は3~15×106K1であることが好ましく、4.5~10×106K1であることがより好ましい。また、半導体デバイスに発生する熱を効率よく外部に放出する観点から、放熱基板20の厚さは、1μm以上が好ましく、5μm以上がより好ましく、コストを低減する観点から、5000μm以下が好ましく、1000μm以下がより好ましい。また、複合体20pを吹き付ける方法は、特に制限はないが、高効率で放熱基板を形成する観点から、複合体の少なくとも一部を融解、軟化または変形させる各種スプレー法が好適に用いられる。ここで、プラズマ溶射法などにより、複合体の全部すなわちコア体および金属膜を融解させると、両者の成分が分離して偏析しやすくなり、また、ボイドが発生しやすくなる。また、プラズマ溶射法などの高い雰囲気温度により金属が酸化されやすくなる。したがって、コア体および金属膜の成分の分離による偏析、ボイドの発生などを抑制ないし防止する観点から、複合体の一部たとえば、複合体中の金属膜の全部または一部を軟化または変形させる方法、たとえば、コールドスプレー法、HVAFHighVelocityAeroFuel法、ADAerosolDeposition法などがより好ましい。また、複合体20p構成する金属膜20pfは、吹き付けられた複合体20pが半導体ウエハ10の主表面側に付着して、複合体20p間にボイドが発生するのを抑制または防止するように堆積して放熱基板20を形成することができるものであれば特に制限はないが、ボイドの発生が抑制され物性が均一な放熱基板を形成しやすい観点から、Au、Ag、Cu、Ni、Al、Snおよびこれらの任意の組み合わせからなる合金からなる群から選ばれる少なくとも1つを含むことが好ましい。また、複合体20pを構成するコア体20pcは、形成する放熱基板の耐熱性を高めるとともに熱膨張率が低い半導体ウエハとの熱膨張率の差を小さくする観点から、金属膜20pfに比べて、融点が高くかつ熱膨張率が低いことが必要である。また、形成する半導体デバイスにおいて、反り、割れおよび/または半導体ウエハと放熱基板との剥離を防止する観点から、コア体20pcの熱膨張係数は、半導体ウエハの熱膨張係数との差が小さいことが好ましく、かかる観点から、3~15×106K1が好ましく、4.5~10×106K1がより好ましい。コア体20pcは、上記の観点から、W、Mo、SiC、III族窒化物、炭素物質からなる群から選ばれる少なくとも1つを含むことが好ましい。ここで、III族窒化物はIII族元素と窒素とにより形成されている化合物をいいAlN、GaNなどが挙げられ、炭素物質は炭素で形成されている物質をいいcarbonfiber、fullerene、graphite、diamondなどが挙げられる。また、コア体20pcの表面上に金属膜20pfを形成する方法は、金属膜20pfを形成できる方法であれば特に制限はなく、メッキ法、金属箔の接合法、CVD化学気相成長法、プラズマCVD法、MOCVD有機金属化学気相成長法、蒸着法、スプレー法などが好適に挙げられる。また、図示しないが、コア体20pcと金属膜20pfと間の接合性を高めるため、それらの間に、それらと反応する中間膜を介在させても良い。かかる中間膜は、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Niおよびこれらを含む化合物からなる群から選ばれる少なくとも1つを含むことが好ましい。ここで、コア体20pcの表面上に中間膜を形成する方法は、特に制限はなく、メッキ法、金属箔の接合法、CVD化学気相成長法、プラズマCVD法、MOCVD有機金属化学気相成長法、蒸着法、スプレー法などが好適に挙げられる。また、中間膜の表面上に金属膜20pfを形成する方法は、上述のコア体20pcの表面上に金属膜20pfを形成する方法と同様である。また、複合体20pの大きさは、特に制限はないが、半導体ウエハ10の主表面側にボイドが発生するのを抑制または防止するように複合体20pを吹き付けやすい観点から、平均径で5~150μmが好ましく、平均径で10~100μmがより好ましい。複合体20pの大きさが平均径で5μmより小さいと均一な吹き付けが困難となり、複合体20pの大きさが平均径で150μmより大きくなると吹き付け速度が低下するとともに均一な不吹き付けが困難となる。また、複合体20p中における金属膜20pfの体積は、金属膜の体積Vfおよびコア体の体積VCを用いて100×Vf/VfVCで定義され、5~70体積であることが好ましく、10~40体積であることがより好ましい。金属膜20pfの体積が10体積より小さいとボイドが発生しやすくなり、金属膜20pfの体積が70体積より大きいと放熱基板の熱膨張率が高くなり、半導体デバイスに反り、割れおよび/または半導体ウエハと放熱基板との間の剥離が発生しやすくなる。ここで、図1B~Cおよび図2~3のB~Dを参照して、放熱基板20の形成工程において、半導体ウエハ10の少なくとも一方の主表面側に、コア体20pcの表面に金属膜20pfが形成された複合体20pを吹き付けることにより、半導体ウエハ10の主表面側に複合体20pで構成される放熱基板20を形成させる形態には、以下のいくつかの具体的な形態実施形態1~3がある。実施形態1図1B~Cを参照して、実施形態1は、半導体ウエハ10の少なくとも少なくとも一方の主表面に、上記の複合体20pを吹き付けることにより、半導体ウエハ10の主表面上に上記の複合体20pで構成される放熱基板20を形成する。かかる実施形態1は、最も基本的でシンプルな形態であり、かかる形態であっても、ボイドの発生が抑制され物性が均一な放熱基板20を高効率で形成することができるため、高効率かつ低コストで性能の高い半導体デバイスが得られる。実施形態2図2B~Dを参照して、実施形態2は、半導体ウエハ10の少なくとも少なくとも一方の主表面に金属層12を形成し金属層の形成工程、その金属層12の主表面に、上記の複合体20pを吹き付けることにより、金属層12の主表面上に上記の複合体20pで構成される放熱基板20を形成する。かかる実施形態2は、実施形態1において半導体ウエハ10と放熱基板20との間に金属層12を介在させる形態である。かかる金属層12を介在させることにより、半導体ウエハ10と放熱基板20との接合性が高くなり、また、複合体20pの吹き付けによる半導体ウエハ10へのダメージを低減できるため、半導体デバイスの性能をより高くすることができる。金属層12は、特に制限はないが、半導体ウエハ10と放熱基板20との接合性を高め、複合体20pの吹き付けによる半導体ウエハ10へのダメージを低減する観点から、Au、Ag、Cu、Ni、Al、Snおよびこれらの任意の組み合わせからなる合金からなる群から選ばれる少なくとも1つを含むことが好ましい。また、金属層12は、1層であっても複数の層であってもよい。金属層12の厚さは、特に制限はないが、3~500μmが好ましく、5~100μmがより好ましい。金属層12の厚さが3μmより小さいと機械的強度が低いため上記の接合性向上およびダメージ低減の効果が少なく、金属層12の厚さが500μmより大きいとコストが高くなる。また、半導体ウエハ10の主表面上に金属層12を形成する方法は、上記の金属層12を形成できる方法であれば特に制限はなく、メッキ法、金属箔の接合法、CVD化学気相成長法、プラズマCVD法、MOCVD有機金属化学気相成長法、蒸着法、スプレー法などが好適に挙げられる。実施形態3図3B~Dを参照して、実施形態3は、半導体ウエハ10の半導体ウエハ10の少なくとも一方の主表面に中間層11を形成中間層の形成工程し、その中間層11の主表面上に金属層12を形成し金属層の形成工程、その金属層12の主表面に、上記の複合体20pを吹き付けることにより、金属層12の主表面上に上記の複合体20pで構成される放熱基板20を形成する。かかる実施形態3は、実施形態2において半導体ウエハ10と金属層12との間に中間層11を介在させる形態である。かかる中間層11には、半導体ウエハ10と金属層12との反応を防止することができるものがあり、かかる機能を有する中間層11をバリヤ層という。また、かかる中間層11には、半導体ウエハ10と放熱基板20との間の応力を緩和することができるものがあり、かかる機能を有する中間層をバッファ層とよぶ。中間層11は、特に制限はないが、バリヤ層およびバッファ層の少なくともいずれかの機能を有することが好ましく、バリヤ層およびバッファ層の両方の機能を有することがより好ましい。中間層11は、バリヤ層およびバッファ層の両方の機能を有する観点から、W、Mo、およびこれらの合金の少なくとも1つを含むことが好ましい。また、中間層11は、1層であっても、複数の層であってもよい。中間層11が複数の層である場合、その中の少なくとも1つの層がバリヤ層であり、他の層がバッファ層であってもよい。熱処理工程図1のCおよび図2~3のDを参照して、上記の実施形態における放熱基板の製造方法は、半導体ウエハ10の少なくとも一方の主表面側に放熱基板20を形成した後、放熱基板20を熱処理する工程をさらに含むことができる。かかる熱処理により、放熱基板20の熱伝導率を高めることができる。ここで、熱処理条件は、特に制限はないが、放熱基板を構成する複合体間の結合力を高めるとともに酸化物を除去する観点から、非酸化雰囲気または還元雰囲気下で200~600°Cが好ましい。ここで、非酸化雰囲気とはHeガス、Arガス、N2ガスなどの不活性ガス雰囲気、還元雰囲気とはH2ガスなどの還元性ガス、上記還元性ガスと上記不活性ガスとの混合ガスなどの雰囲気である。上記の実施形態の放熱基板の製造方法において、半導体ウエハ上に十分に厚い放熱基板を形成することにより、自立の放熱基板が得られる。[複合体]図4を参照して、本発明の別の局面における実施形態である複合体20pは、コア体20pcと、コア体20pcの表面に形成された金属膜20pfと、を含み、コア体20pcは、金属膜20pfに比べて、融点が高くかつ熱膨張率が低い。かかる複合体20pを、半導体ウエハ10の少なくとも一方の主表面に、吹き付けることにより、かかる複合体20pで形成されるボイドの発生が抑制され物性が均一な放熱基板20を高効率で形成することができるため、高性能の半導体デバイスを高効率かつ低コストで製造することができる。かかる複合体20pを構成する金属膜20pfおよびコア体20pc、金属膜20pfの形成方法、中間膜の有無、中間膜の形成方法、複合体20pの大きさ、ならびに複合体20pにおける金属膜20pfの体積などは、上述のとおりであり、ここでは繰り返さない。なお、本発明にかかる放熱基板の製造方法により半導体ウエハ上に放熱基板を形成させた後に、半導体ウエハを除去することにより、単体の放熱基板が得られる。すなわち、本発明にかかる放熱基板の製造方法により半導体ウエハ上に十分に厚い放熱基板を形成させた後、半導体ウエハを除去することにより、単体の放熱自立基板が得られる。ここで、半導体ウエハの除去方法には、特に制限はなく、剥離、研削、研磨、エッチングなどの方法が挙げられる。さらに、本発明にかかる放熱基板の製造方法において用いた半導体ウエハに替えてガラス基板、セラミックス基板、カーボン基板、NaClなどの無機金属塩の基板などの種々の基板を用いることができる。特に、水溶性のNaCl基板は、その上に放熱基板をスプレー法により形成した後、水によりNaCl基板を溶解させることにより、容易に単体の放熱基板が得られる観点から、好適である。また、本発明にかかる放熱基板の製造方法により得られた半導体ウエハ上に形成された放熱基板をそのまま分割して、それを放熱体として用いることができる。特に、半導体ウエハがSiウエハなどのように熱膨張率が低くかつ熱伝導率が高い場合は、半導体ウエハ上に形成された放熱基板をそのまま分割してそれを放熱体とすることが好適である。ここで、Siウエハに替えて、Siウエハ以外の熱膨張率が低くかつ熱伝導率が高いウエハ、たとえば、Moウエハ、Wウエハ、AlNウエハ、SiCウエハ、Al2O3ウエハなどを用いることができる。以下の実施例により、さらに具体的に説明する。実施例11.半導体ウエハの準備図2Aを参照して、半導体ウエハ10として、直径が2インチ5.04cmで厚さが300μmのSiウエハを準備した。このSiウエハの主表面の算術平均粗さRaJISB0601-2001に規定する算術平均粗さRaをいう。以下同じ。は0.18μmであった。2.金属層の形成図2Bを参照して、Siウエハ半導体ウエハ10の主表面上に、無電解メッキにより、金属層12として厚さ5μmのCu層を形成した。3.複合体の調製図4を参照して、純度が99.9質量以上で直径が40μmのW粉末を準備した。このW粉末コア体20pcの表面上に、無電解メッキ法により、厚さ2μmのCu膜金属膜20pfを形成することにより、複合体20pを形成した。かかる複合体20pにおいて、W粉末コア体20pcは86.4体積であり、Cu膜金属膜20pfは13.6体積であった。4.放熱基板の形成図2C~Dを参照して、上記のCu層金属層12の主表面上に、コールドスプレー法で、上記の複合体20pを吹き付けることにより、厚さ3.5mmの放熱基板20を形成した。ここで、複合体20pの吹き付け条件は以下の通りであった。吹き付けには、Heガスを使用した。なお、上記Heガス以外にも、N2ガス、Arガス、およびこれらのガスとH2ガスとの混合ガスなどが使用可能であった。吹き付けガス圧は4MPaとした。なお、吹き付けガス圧は、2~5MPaが好ましく、2~4MPaがより好ましかった。吹き付けガス圧が2MPaより小さいと放熱基板にボイドが発生しやすくなり、吹き付けガス圧が5MPaより大きいと半導体ウエハを劣化させるおそれがあった。吹き付けガス温度は、熱電対により測定して、800°Cとした。なお、吹き付けガス温度は、700~1000°Cが好ましく、700~900°Cがより好ましかった。吹き付けガス温度が700°Cより低いと放熱基板にボイドが発生しやすくなり、吹き付けガス温度が1000°Cより高いと半導体ウエハを劣化させるおそれがあった。吹き付けの際の複合体20pの速度は、CCDカメラで撮影された複合体の画像を解析したところ、800m/sであった。なお、複合体20pの速度は、700~1000m/sが好ましかった。複合体20pの速度が700m/sより低いと放熱基板にボイドが発生しやすくなり、複合体20pの速度が1000m/sより高いと半導体ウエハを劣化させるおそれがあった。形成された放熱基板は、断面を金属顕微鏡で観察したところ、複合体20pで形成されており、Cu膜中にW粉末が均一に分散しており、直径が50μm以上のボイドは認められなかった。5.放熱基板の熱処理図2Dを参照して、形成された放熱基板20を、H2ガス雰囲気中600°Cで1時間熱処理した。熱処理雰囲気は、還元雰囲気であるH2ガス雰囲気以外にも、非酸化雰囲気であるN2ガスとH2ガスとの混合ガス雰囲気でもよかった。熱処理温度は、200~600°Cが好ましかった。熱処理温度が200°Cより低いと放熱基板20の熱伝導率を高める効果が低くなり、熱処理温度が600°Cより高いと半導体ウエハを劣化させるおそれがあった。熱処理時間は、0.2~1時間が好ましかった。熱処理時間が0.2時間より短いと放熱基板20の熱伝導率を高める効果が低くなり、熱処理時間が1時間より長いと装置寿命が短くなるおそれがあった。6.放熱基板の物性測定上記のようにして得られた放熱基板20の熱伝導率は、放熱基板から切り出された直径が10mmで厚さが2mmのサンプルをレーザーフラッシュ法により測定したところ、162Wm1K1と高かった。また、放熱基板20の熱膨張率は、放熱基板から切り出された×4mm×20mm×厚さ3mmのサンプルを、25~200°Cにおいて本実施例で得られた放熱基板と同じ元素組成を有する溶浸法で作製されたCuW合金熱膨張率6.5×106K1を基準物質として比較測定法により測定したところ、6.6×106K1であり、基準物質とほぼ同じであった。また、Siウエハ半導体ウエハ10と放熱基板20との接合強度は、直径2インチ5.08cmのSiウエハと放熱基板との接合体について引張試験を行なったところ、13GPaと極めて大きかった。今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。