"光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を含む物質を内部空間に封入し、気体状態の前記物質に照射される前記直線偏光を透過させるセルと、開閉弁を有し、開いている当該開閉弁を介して前記セルの内部空間と通じる内部空間を有するリザーバーと、前記開閉弁が開いているときに、前記セルを透過した前記直線偏光の偏光面の回転角を計測する計測部と、前記計測部による計測が終了した後、前記セルよりも前記リザーバーの温度が低くなるように前記セルまたは前記リザーバーの温度を調整する温度調整部と、前記温度調整部により前記セルまたは前記リザーバーの温度が調整された後、前記開閉弁を閉じて、前記セルの内部空間と前記リザーバーの内部空間とを遮断する遮断部とを備えることを特徴とする磁場測定装置。前記遮断部により前記セルの内部空間と前記リザーバーの内部空間とが遮断される前に、前記直線偏光とは異なる光である誘起光を照射して、前記セルが有する前記原子を吸収する膜から当該原子を脱離させる誘起光照射部を備えることを特徴とする請求項1に記載の磁場測定装置。前記リザーバーの内部空間は、開いている前記開閉弁を介して複数の前記セルの内部空間と通じていることを特徴とする請求項1または2に記載の磁場測定装置。光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を含む物質を内部空間に封入し、気体状態の前記物質に照射される前記直線偏光を透過させるセルと、前記セルの内部空間と通じる内部空間を有するリザーバーと、前記セルと前記リザーバーとの間に設けられ、閉ざされると前記セルの内部空間と前記リザーバーの内部空間とを遮断する開閉弁とを備える容器。しかしながら、光が透過する領域に原子が析出することを抑制するために、それ以外の領域に原子を集めたとしても、磁場測定装置が利用されずに保管されている期間に、集められた原子が拡散して光が透過する領域に析出する場合がある。この析出は、保管された磁場測定装置を再び利用する際に障害となる。本発明は、測定を行わない期間に、原子がセルに析出する可能性を低減させることを目的とする。本発明は、光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を含む物質を内部空間に封入し、気体状態の前記物質に照射される前記直線偏光を透過させるセルと、開閉弁を有し、開いている当該開閉弁を介して前記セルの内部空間と通じる内部空間を有するリザーバーと、前記開閉弁が開いているときに、前記セルを透過した前記直線偏光の偏光面の回転角を計測する計測部と、前記計測部による計測が終了した後、前記セルよりも前記リザーバーの温度が低くなるように前記セルまたは前記リザーバーの温度を調整する温度調整部と、前記温度調整部により前記セルまたは前記リザーバーの温度が調整された後、前記開閉弁を閉じて、前記セルの内部空間と前記リザーバーの内部空間とを遮断する遮断部とを備えることを特徴とする磁場測定装置を提供する。この構成によれば、測定を行わない期間に、原子がセルに析出する可能性を低減させることができる。上記磁場測定装置において、前記遮断部により前記セルの内部空間と前記リザーバーの内部空間とが遮断される前に、前記直線偏光とは異なる光である誘起光を照射して、前記セルが有する前記原子を吸収する膜から当該原子を脱離させる誘起光照射部を備えるとよい。この構成によれば、測定を行わない期間に、セルに形成された膜に吸収された原子が析出する可能性を低減させることができる。また、上記磁場測定装置において、前記リザーバーの内部空間は、開いている前記開閉弁を介して複数の前記セルの内部空間と通じているとよい。この構成によれば、1つのセルに1つのリザーバーを接続させた場合に比べて、製造コストを抑えることができる。また、本発明は、光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を含む物質を内部空間に封入し、気体状態の前記物質に照射される前記直線偏光を透過させるセルと、前記セルの内部空間と通じる内部空間を有するリザーバーと、前記セルと前記リザーバーとの間に設けられ、閉ざされると前記セルの内部空間と前記リザーバーの内部空間とを遮断する開閉弁とを備える容器を提供する。この構成によれば、測定を行わない期間に、原子がセルに析出する可能性を低減させることができる。1.実施形態1-1.構成図1は、本発明に係る磁場測定装置100の構成を示す図である。磁場測定装置100は、例えば心磁心臓からの磁気や脳磁脳からの磁気などの生体から発生する微弱な磁場の測定に用いられる。磁場測定装置100は、セル1と、被覆層2と、ポンプ光照射部3と、プローブ光照射部4と、プローブ光計測部5と、リザーバー6と、温度調整部7と、誘起光照射部8とを備える。磁場測定装置100の各構成の配置を説明するため、各構成が配置される空間をxyz右手系座標空間として表す。図1aに示す座標記号のうち、内側が白い円の中に黒い円を描いた記号は、紙面奥側から手前側に向かう矢印を表している。また、図1bに示す座標記号のうち、内側が白い円の中に交差する2本の線分を描いた記号は、紙面手前側から奥側に向かう矢印を表している。空間においてx成分が増加する方向をx方向といい、x成分が減少する方向を-x方向という。同様に、y、z成分についても、y方向、-y方向、z方向、-z方向を定義する。図1aに示すように、セル1は被覆層2に覆われており、セル1の-x方向には、ポンプ光照射部3が設置される。ポンプ光照射部3は円偏光成分を有するポンプ光を、x方向に平行な矢印D1方向に沿ってセル1に照射する。プローブ光照射部4は、セル1の-y方向に設置されており、直線偏光成分を有するプローブ光を、y方向に平行な矢印D2方向に沿ってセル1に照射する。プローブ光計測部5は、セル1のy方向に設置される。プローブ光計測部5は、プローブ光照射部4から矢印D2方向に沿って照射され、セル1を透過したプローブ光を受ける。磁場測定装置100は、測定対象の磁場の中にセル1が位置するように配置される。具体的には、磁場測定装置100は、セル1から見て-z方向に測定対象が位置するように配置される。ポンプ光照射部3、プローブ光照射部4、およびプローブ光計測部5は光を照射して磁場を計測する構成であり、以下、これらを総称して磁場計測ユニットという。磁場の計測が終了した後に、図1bに示すように、セル1の-z方向には、誘起光照射部8が設置される。誘起光照射部8は、レーザーまたはLEDLightEmittingDiodeなどによる光である誘起光を、z方向に平行な矢印D3方向に沿ってセル1に照射する。なお、誘起光照射部8は、セル1の-z方向に設置され、z方向に向けて誘起光を照射するが、誘起光照射部8の設置位置やこれによる誘起光の照射方向は上述したものに限られない。要するに、これらは、セル1に誘起光が照射されるように設定されていればよい。図2は、セル1の構成を示す斜視図である。セル1は、中空の立方体の一面から末端が開口した管が延びた形状をしており、ガラス等の光を透過する材料で形成される。セル1の上述した中空の立方体は、外部と内部とを仕切り、ポンプ光またはプローブ光、すなわち磁場の計測に用いる光以下、計測光というを透過する少なくとも4枚の部材を有している。この計測光を透過する4枚の部材とは、セル1のx方向、-x方向、y方向、および-y方向に面した各部材であり、-x方向の部材を壁面11a図2において図示せずと、x方向の部材を壁面11bという。これら計測光を透過する壁面11a,11b,12a,12bを総称して光透過壁面という。また、セル1の部材のうち、-y方向の部材を壁面12aと、y方向の部材を壁面12b図2において図示せずという。また、セル1を構成する部材のうち計測光が照射されないz方向の部材を壁面13bといい、-z方向の部材を壁面13aという図2において図示せず。そして、壁面13bからz方向に延びてさらに-x方向に曲がる、末端の開口した筒状の部材を筒状部14という。なお、セル1の形状は、他の立体形状であってもよい。セル1の内部には、例えばアルカリ金属などの原子を含む物質以下、偏光面回転物質というが気体の状態すなわちガス状態で封入される。この偏光面回転物質は、例えばリチウムLi、ナトリウムNa、カリウムK、ルビジウムRb、セシウムCs、フランシウムFrである。セル1内の原子は、円偏光により励起されて原子の外殻電子のスピンが偏極されるため、磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる。すなわち、偏光面回転物質は、光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を含む物質の一例である。そして、セル1は、光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を含む物質を内部空間に封入し、気体状態の前記物質に照射される前記直線偏光を透過させるセルの一例である。なお、セル1の内部には、典型的には単一種類の偏光面回転物質が封入されるが、複数種類の偏光面回転物質が含まれていてもよい。また、セル1内の原子は、常時気体の状態である必要はなく、磁場の測定を行うときに気体の状態であればよい。さらに、セル1の内部には、セル1の壁との衝突等による偏光面回転物質の緩和を穏やかにするために、ヘリウムHe、窒素Nなどが緩衝ガスとして含まれていてもよい。リザーバー6は、中空の直方体の一面図2に示すx方向の面が開口している容器62と、その容器62の開口面に設けられた開閉弁61とを有する。リザーバー6の開閉弁61は、セル1の筒状部14の開口部と接続される。そのため、開閉弁61が開状態であるときに、セル1の内部空間とリザーバー6の内部空間とは繋がっており、セル1の内部空間に封入された偏光面回転物質は容器62の内部空間に流入する。つまり、リザーバー6は、開閉弁を有し、開いている当該開閉弁を介してセルの内部空間と通じる内部空間を有するリザーバーの一例である。そして、リザーバー6の開閉弁61にセル1の筒状部14の開口部を接続させて内部空間を密閉させたこの容器は、光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を含む物質を内部空間に封入し、気体状態の前記物質に照射される前記直線偏光を透過させるセルと、前記セルの内部空間と通じる内部空間を有するリザーバーと、前記セルと前記リザーバーとの間に設けられ、閉ざされると前記セルの内部空間と前記リザーバーの内部空間とを遮断する開閉弁とを備える容器の一例である。リザーバー6の開閉弁61はソレノイドなどの駆動部610図4参照によって、開閉を制御される。駆動部610によって開閉弁61が閉ざされると、リザーバー6の容器62の内部空間は、セル1の内部空間と遮断される。つまり、この駆動部610は、開閉弁を閉じて、セルの内部空間とリザーバーの内部空間とを遮断する遮断部の一例である。温度調整部7は、セル1を加熱する加熱部7hと、リザーバー6を冷却する冷却部7cとを有する。冷却部7cは、例えばペルティエ素子であり、リザーバー6の容器62に-X方向から接触してその接触面から吸熱することでリザーバー6の内部に封入された気体を冷却する。加熱部7hは、例えば電熱ヒーターであり、セル1と壁面13aで接触し、その接触面を介してセル1の内部に封入された気体を加熱する。なお、加熱部7hは、磁場の計測が終了し、磁場計測ユニットを停止させる際に、誘起光照射部8から照射される誘起光をセル1に到達させるように、誘起光が通過する孔が設けられている。被覆層2は、z方向および-z方向にそれぞれ正方形の開口部を有する四角柱状の部材であり、セル1を-z方向に移動させてその開口部に嵌め込むことで、壁面11a、壁面11b、壁面12a、および壁面12bに接し、これらをそれぞれ外側から覆う。図3は、被覆層2によってセル1が覆われた様子を示す図である。図4は、図3における矢視IV-IVからセル1、被覆層2、リザーバー6、および温度調整部7を見た断面図である。そして、図5は、図3における矢視V-Vからセル1、被覆層2、リザーバー6、および温度調整部7を見た断面図である。被覆層2には、ポンプ光を透過させるための孔21a図2において図示せずおよび孔21bと、プローブ光を透過させるための孔22aおよび孔22b図2において図示せずが設けられている。被覆層2は、材質として例えば炭化ケイ素などを含んでおり、セル1内に封入された原子をガス状態にするために温度調整部7がセル1を加熱するときに、セル1とともに加熱される。ポンプ光照射部3は、光源と、半波長板と、偏光ビームスプリッターと、四分の一波長板とを備える。光源は、無偏光のレーザー光を図1に示す矢印D1方向に照射する。半波長板は、光源から照射された光の偏光面を回転させる。偏向ビームスプリッターは、半波長板を透過した光のp偏光成分入射面に対して平行な成分を透過させ、s偏光成分入射面に対して垂直な成分を反射させる。このs偏光成分は、例えばレーザー光の出力のモニタリングに用いられてもよいし、光を吸収する部材により吸収されてもよい。四分の一波長板は、偏向ビームスプリッターを透過した光を円偏光に変化させる。これにより、四分の一波長板を透過した光は、円偏光成分を有するポンプ光となる。プローブ光照射部4は、光源と、半波長板と、偏向ビームスプリッターと、偏光板とを備える。光源は、無偏光のレーザー光を図1に示す矢印D2方向に照射する。半波長板は、光源から照射された光の偏光面を回転させる。偏向ビームスプリッターは、半波長板を透過した光のp偏光成分を透過させ、s偏光成分を反射させる。偏光板は、偏向ビームスプリッターを透過した光のうち特定方向に偏光した光だけを透過させる。これにより、偏光板を透過した光は、直線偏光成分を有するプローブ光となる。なお、ポンプ光とプローブ光とは、互いに直交する関係であることが好ましいが、交差する関係であれば完全に直交しなくてもよい。プローブ光計測部5は、プローブ光照射部4から照射されセル1を透過したプローブ光を検出し、検出したプローブ光に含まれる直線偏光の偏光面の回転角を計測する。すなわち、プローブ光計測部5は、開閉弁が開いているときに、セルを透過した直線偏光の偏光面の回転角を計測する計測部の一例である。プローブ光計測部5は、半波長板と、液晶パネルと、光センサーと、A/D変換器と、メモリーと、演算部とを備える。半波長板は、セル1を透過したプローブ光の偏光面を回転させる。液晶パネルは、ネマティック液晶と呼ばれる液晶を用いて、半波長板を通過したプローブ光のp偏光成分又はs偏光成分を透過させる。ここで液晶パネルは時分割制御されるため、上述したp偏光成分とs偏光成分とは時分割された期間ごとに透過されて分離される。光センサーは、例えばフォトダイオードであり、液晶パネルを透過したプローブ光を電気信号に変換して出力する。A/D変換器は、光センサーから出力された電気信号をデジタルデータに変換して出力する。メモリーは、A/D変換器から出力されたデータを記憶する。演算部は、メモリーに記憶されたデータを用いて、光センサーにより検出されたプローブ光のp偏光成分とs偏光成分との差分を算出する。なお、プローブ光計測部5は、偏光ビームスプリッターを用いて、セル1を透過したプローブ光をp偏光成分とs偏光成分に分離し、これらの差分を算出してもよい。誘起光照射部8は、磁場の計測が終了し磁場計測ユニットが停止する際に、誘起光を、加熱部7hに設けられた孔に向けて照射する。照射された誘起光はこの孔を通過してセル1に照射される。セル1の内壁には、偏光面回転物質の磁場によるエネルギー状態を維持するためにパラフィンなどの化合物が塗布されており、これにより内壁面にコーティング膜が形成されている。誘起光照射部8は、予め決められた波長例えば、850nmなどの光である誘起光をセル1に照射する。この誘起光がセル1の内壁面に形成されたコーティング膜に到達すると、コーティング膜の内部に取り込まれた偏光面回転物質がそのコーティング膜から脱離してセル1の内部空間に放出される光脱離現象が起きる。これにより、コーティング膜に取り込まれた偏光面回転物質の濃度は低下する。そして、コーティング膜の一部のみに誘起光が照射される場合であっても、誘起光が照射された領域における偏光面回転物質の濃度低下は、そのコーティング膜を伝って全体に拡散するため、コーティング膜の全体に取り込まれた偏光面回転物質の総濃度も時間の経過に従って低下する。すなわち、誘起光照射部8は、遮断部によりセルの内部空間とリザーバーの内部空間とが遮断される前に、直線偏光とは異なる光である誘起光を照射して、セルが有する原子を吸収する膜から当該原子を脱離させる誘起光照射部の一例である。なお、誘起光の波長は、ポンプ光およびプローブ光すなわち、計測光とは異なる波長に設定されることが望ましい。また、誘起光の照射強度は、コーティング膜そのものの化学構造をなるべく変化させない程度の強度に設定されることが望ましい。図6は、磁場測定装置100の制御に関する構成を示すブロック図である。制御部9は、CPUCentralProcessingUnit、ROMReadOnlyMemory、RAMRandomAccessMemoryや、ハードディスクドライブなどの記憶部を有し、記憶部やROMに記憶されているコンピュータープログラムを読み出して実行することにより、ポンプ光照射部3,プローブ光照射部4、プローブ光計測部5、リザーバー6、温度調整部7および誘起光照射部8を制御する。具体的には、制御部9は、利用者からの操作を受け付ける操作部や、外部機器と通信を行う通信インターフェイスなどを備えており、これらを介して利用者の指示や、異常が検知された際における緊急停止指示のように利用者以外からの指示を示す各種の指示信号を取得する。すなわち、これら操作部や通信インターフェイスなどは、指示を示す指示信号を取得する取得手段の一例である。そして、これらの指示信号を取得したことを契機として、制御部9は、磁場測定装置100の各構成を制御する。磁場測定装置100は、これらの構成のほかに、例えば、測定対象以外の磁場を遮蔽するための磁気シールドや、外部からの磁場に対する補正用の磁場を印加するコイルなどを備えていてもよい。また、被覆層2が磁気シールドを兼ねていてもよい。1-2.動作次に、磁場測定装置100の動作を説明する。図7は、制御部9による磁場測定装置100の制御の流れを示すフロー図である。制御部9は、上述した操作部や通信インターフェイスなどから取得した指示信号が計測を停止する旨の指示を示す計測停止指示信号であるか否かを判定するステップS101。そして、取得したその指示信号が計測停止指示信号出ない場合ステップS101でNO、次に取得する指示信号について、この判定を繰り返す。一方、取得したその指示信号が計測停止指示信号である場合ステップS101でYES、制御部9は、磁場計測ユニットポンプ光照射部3、プローブ光照射部4、プローブ光計測部5を停止するステップS102。なお、磁場計測ユニットは、制御部9が計測停止指示信号を受け取ってすぐに停止されてもよいが、計測停止指示信号を受け取ってから、それぞれの機器について予め定められた時間が経過した後に停止されてもよい。そして、制御部9は、セル1の内部空間からリザーバー6の内部空間へ、偏光面回転物質を追い込む追い込み処理を開始するステップS103。具体的には、制御部9は、誘起光照射部8によりセル1の壁面13aおよび壁面13bに誘起光を照射させる。これにより、壁面13aおよび壁面13bの内壁面に形成されているコーティング膜から偏光面回転物質が脱離する。そして、制御部9は、温度調整部7の加熱部7hによりセル1を加熱させ続けるとともに、温度調整部7の冷却部7cによりリザーバー6の冷却を開始する。これにより、セル1の内部空間およびこれに繋がっているリザーバー6の内部空間に温度差が生じる。すなわち、セル1の内部空間よりもリザーバー6の内部空間の方が低温になる。つまり、温度調整部7は、計測部による計測が終了した後、セルよりもリザーバーの温度が低くなるようにセルまたはリザーバーの温度を調整する温度調整部の一例である。そして、リザーバー6の内部空間の温度が局所的に偏光面回転物質の露点を下回るまで低下すると、リザーバー6において、偏光面回転物質が結露するため、これらの内部空間に封入された偏光面回転物質は、セル1からリザーバー6へ追い込まれる。次に、制御部9は、追い込み処理が完了したか否かを判断するステップS104。追い込み処理が完了したことは、予め定められた条件を満たしているか否かにより判断される。この条件とは、例えば、図示しない温度計測部により計測された各構成の温度が閾値を超えたことや、追い込み処理開始からの経過時間が閾値を超えたことなどである。追い込み処理が完了していないと判断した場合にステップS104でNO、制御部9は、この判断を続ける。一方、追い込み処理が完了したと判断した場合にステップS104でYES、制御部9は、駆動部610によりリザーバー6の開閉弁61を駆動させ、リザーバー6の内部空間とセル1の内部空間とを遮断するステップS105。この遮断は、具体的には、図4に示したように、駆動部610により開閉弁61の弁体611を-z方向に移動させて弁座612に密着させることで行われる。そして、制御部9は、ステップS104において開始した追い込み処理を停止させるステップS106。すなわち、制御部9は、誘起光照射部8による誘起光の照射と温度調整部7による加熱および冷却を停止させ、処理を終了する。以上説明したように、磁場測定装置100の制御部9は、磁場計測ユニットの停止に伴って、誘起光照射部8に誘起光を照射させてセル1のコーティング膜から偏光面回転物質を脱離させ、且つ、温度調整部7に温度差を発生させて、セル1よりもリザーバー6を低温にする。これによりセル1の内部でコーティング膜に取り込まれていたり、ガス状態となっていたりする偏光面回転物質のうち結露する可能性があるものは冷却されているリザーバー6に集まるため、光透過壁面における結露が防止される。2.変形例本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、以下のように変形させて実施してもよい。また、以下の変形例を組み合わせてもよい。2-1.セル1に照射されるポンプ光及びプローブ光は、出射されてからセル1に入射するまでの進行方向が一定である必要はない。つまり、ポンプ光及びプローブ光は、セル1に入射するときに所定の方向になっていればよく、途中でミラー等によって反射され、進行方向が変更されてもよい。したがって、例えば、光の照射位置や検出位置を1箇所に集中させることも可能である。また、プローブ光がポンプ光を兼ねてもよい。この場合、プローブ光照射部4により照射された光により、セル1に封入された偏光面回転物質が励起し、その励起された偏光面回転物質によって、その光に含まれた直線偏光成分の偏光面が回転すればよい。なお、この変形例において、ポンプ光照射部3はなくてもよい。2-2.磁場測定装置100は、セル1を透過したポンプ光を検出してもよい。また、磁場測定装置100には、セル1を透過したポンプ光を吸収する部材を設けてもよい。この部材は、シート状であるとより好ましい。2-3.磁場測定装置100は、プローブ光計測部5で検出した光に応じた信号を可視化し、これを表示する手段を備えてもよい。また、磁場測定装置100は、プローブ光計測部5で検出した光に応じた信号を生成し、これを外部装置表示装置、コンピュータ装置などに出力する構成を備えていてもよい。2-4.被覆層2が透明な材質である場合、または、磁場測定に影響を与えない程度に光を吸収する材質である場合には、被覆層2に孔21aなどを設けなくてもよい。また、被覆層2はなくてもよい。2-5.上述の実施形態において、温度調整部7の加熱部7hは、セル1の壁面13aを加熱していたが、他の壁面を加熱してもよく、例えば、光透過壁面を加熱してもよい。この場合、加熱部7hは、被覆層2に設けられていてもよい。2-6.上述の実施形態において、誘起光照射部8は、セル1に誘起光を照射して光脱離現象を生じさせていたが、誘起光照射部8はなくてもよい。この場合であっても、温度調整部7によって、磁場計測ユニットの停止後において追い込み処理が行われ、追い込み処理が完了した後にリザーバー6がセル1と遮断されるので、その後、磁場測定装置100を保管状態に置いたとしても、光透過壁面に偏光面回転物質が結露する可能性は低減する。2-7.上述の実施形態において、1つのセル1に対して、1つのリザーバー6が接続されていたが、複数のセル1に対して1つのリザーバー6が接続されていてもよい。この場合、複数のセル1のそれぞれに備えられた筒状部14が管によって繋げられ、その管がリザーバー6の開閉弁61に接続されていればよい。このように構成することで、上述した実施形態に比べてリザーバー6の数が少なくなるので、製造コストが低下する場合がある。なお、この場合、磁場測定装置100は、リザーバーの内部空間が、開いている開閉弁を介して複数のセルの内部空間と通じている磁場測定装置の一例である。"