半導体基板と、前記半導体基板の上に形成されたバッファー層と、前記バッファー層の上に形成された第1のSCH層と、前記第1のSCH層の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された第2のSCH層と、前記第2のSCH層の上に形成されたクラッド層と、前記クラッド層の上に形成されたキャップ層と、前記キャップ層の上に形成された電極とを備え、前記クラッド層および前記キャップ層がリッジに形成され、前記キャップ層のリッジ頂上以外における前記電極との間に絶縁膜が挿入され、前記バッファー層における光密度の高い側端面近傍は、これ以外の前記バッファー層と比べ抵抗率が高いことを特徴とする半導体レーザ。請求項1に記載の半導体レーザにおいて前記光密度の高い側端面近傍の前記バッファー層の領域長を素子長の10以下とすることを特徴とする半導体レーザ。請求項1または請求項2に記載の半導体レーザにおいて前記光密度の高い側端面近傍の前記バッファー層の抵抗率がこれ以外の前記バッファー層の抵抗率と比べて10倍以下であることを特徴とする半導体レーザ。高光密度側端面近傍のリッジ頂上に絶縁膜を配置し電流非注入領域を設けることにより、p電極413への放熱を悪くするものの、高光密度側端面近傍の電流の集中を緩和し最大光出力は増加していた。しかしながら、最大光出力は非注入領域長を長くすると増加するものの、非注入領域の長さが全長の5を越えると、閾値電流付近に過飽和吸収による光出力の飛びが現れ、さらに、吸収による損失は閾値電流を増加させる一方、スロープ効率を低下させていた。従って、従来、非注入領域の長さは全長の5以下にする必要があった。以上のことから、本発明は上述したような課題を解決するために為されたものであって、高光密度側端面近傍において電流集中を緩和し、また、放熱を悪くすることなく、さらに、閾値電流付近に過飽和吸収による光出力の飛びがなく、高出力高信頼を有する半導体レーザを提供することを目的としている。前述した課題を解決する本発明に係る半導体レーザは、半導体基板と、前記半導体基板の上に形成されたバッファー層と、前記バッファー層の上に形成された第1のSCH層と、前記第1のSCH層の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された第2のSCH層と、前記第2のSCH層の上に形成されたクラッド層と、前記クラッド層の上に形成されたキャップ層と、前記キャップ層の上に形成された電極とを備え、前記クラッド層および前記キャップ層がリッジに形成され、前記キャップ層のリッジ頂上以外における前記電極との間に絶縁膜が挿入され、前記バッファー層における光密度の高い側端面近傍が、これ以外の前記バッファー層と比べ抵抗率が高いことを特徴とする。また、前述した課題を解決する本発明に係る半導体レーザは、上述した半導体レーザにおいて、前記光密度の高い側端面近傍の前記バッファー層の領域長を素子長の10以下とすることを特徴とする。また、前述した課題を解決する本発明に係る半導体レーザは、上述した半導体レーザにおいて、前記光密度の高い側端面近傍の前記バッファー層の抵抗率がこれ以外の前記バッファー層の抵抗率と比べて10倍以下であることを特徴とする。本発明によれば、放熱を悪くすることなく、高光密度側端面近傍において電流集中を緩和し、また、放熱を悪くすることなく、さらに、閾値電流付近に過飽和吸収による光出力の飛びがなく、高出力高信頼を有する半導体レーザを提供することができる。以下、本発明に係る半導体レーザを実施するための形態について説明する。はじめに、本発明に係る半導体レーザの概要について説明する。本発明に係る半導体レーザは、クラッド層およびキャップ層がリッジに形成され、キャップ層のリッジ頂上以外における電極との間に絶縁膜が挿入され、バッファー層における光密度の高い側端面近傍が、これ以外のバッファー層と比べ抵抗率が高いことを特徴とする。これにより、高光密度側端面近傍のバッファー層の領域の電流がこれ以外のバッファー層の領域より流れにくくなり、高光密度側端面近傍の電流集中は緩和される。また、リッジ頂上の絶縁膜が全長に亘って除去されるため、放熱が悪くならない。さらに、高光密度側端面近傍のバッファー層の領域に対応する活性層にも電流が供給されるため、絶縁膜を使った電流非注入の場合より過飽和吸収による損失は小さく、閾値電流の増加とスロープ効率の減少は小さくなる。その結果、閾値電流付近に光出力の飛びがなく高出力を有する半導体レーザを実現できる。さらに、高光密度側端面近傍の温度上昇が緩和するため、突発故障が抑制される。また、光出力一定の条件でエイジングすると、サブリニアな光出力特性が改善されることにより、急激な電流増加が抑制され、長期信頼性が向上する。また、光出力の向上は光ファイバとの結合係数を上げなくても光結合が充分にとれることから、光ファイバの調整トレランスが緩く、モジュールの歩留まりが向上する。また、本発明に係る半導体レーザでは、光密度の高い側端面近傍のバッファー層の領域長を素子長の10以下とすることを特徴とする。これにより、利得の低下による閾値電流の増加を抑制することができる。また、本発明に係る半導体レーザでは、光密度の高い側端面近傍のバッファー層の抵抗率がこれ以外のバッファー層の抵抗率と比べて10倍以下であることを特徴とする。これにより、閾値電流付近に過飽和吸収による光出力の飛びをなくすことができる。本発明の第1の実施例に係る半導体レーザについて、図1~図3を参照して具体的に説明する。本実施例は、高出力InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザに適用したものである。本実施例に係る半導体レーザのエピタキシャル膜構造は、図1、図2aおよび図2bに示すように、InGaAs量子井戸/GaAs障壁層活性層101を中心に、下と上にi-AlxGa1xAs層第1のSCH層102とi-AlxGa1xAs層第2のSCH層103で挟み込んだ構成になっている。第1のSCH層102の下には、n-AlyGa1yAs層第1のクラッド層104、n-GaAsバッファー層106又はn-GaAsバッファー層107、n-GaAs基板109を備える。第2のSCH層103の上には、p-AlyGa1yAs層第2のクラッド層105及びp-GaAsキャップ層108、絶縁膜110を備える。但しy>xである。ここで、図1に示す領域118は、本発明による高抵抗率のn-GaAsバッファー層107で構成される。図1に示す領域119は、従来のn-GaAsバッファー層106で構成される。素子長を1200μmとした。本発明による高抵抗率のn-GaAsバッファー層107の領域118の長さを後述する光密度が高い側端面の低反射膜114から100μmとした。また、光密度の高い側端面近傍高光密度側端面近傍のバッファー層107の抵抗率はこれ以外のバッファー層106の抵抗率の5倍になるようにした。リッジ領域116は、リッジ両サイドの溝117をドライエッチングして作製した。リッジ領域116の頂上リッジ頂上の絶縁膜110が全長に亘って除去されることにより窒化シリコン膜絶縁膜の窓111が形成される。電流はリッジ頂上のp-GaAsキャップ層108から注入され、これ以外はp電極AuZnNi/Ti/Pt/Au113と半導体の間に窒化シリコン膜110を挿入し絶縁する構造とした。n電極AuGeNi/Ti/Pt/Au112はn-GaAs基板109の下に形成した。光出射面側には2の低反射膜114をコーティングした。前記光出射面の反対側の端面反対側端面には80の高反射膜115をコーティングした。本実施例と従来非注入絶縁膜ありの高出力InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの光出力特性を図3に示す。図3に示すように、本実施例に係る高出力InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザでは、閾値電流付近に光出力の飛びはなく、過飽和吸収の影響は現れていないことが確認された。また、閾値電流は図11に示す非注入絶縁膜なしの従来構造のレーザとほぼ同じ30mAであり、これは過飽和吸収によるロスの増加が小さいためと考えられる。一方、最大光出力は約650mWに達し、従来の高出力InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの最大光出力より高くなっていることが確認された。本実施例に係る半導体レーザの光出力特性の差は約400mA以上から現れることが確認された。これは、高光密度側のAR端面近傍の温度上昇が従来の半導体レーザに比べ抑制されたためと考えられる。なお、本実施例によるn-GaAsバッファー層107を高抵抗率のi-GaAs層とし、領域118の長さを100μmとすると、閾値電流付近に光出力の飛びが発生し、過飽和吸収の効果が現れることが確認された。光出力の向上は光ファイバとの結合係数を上げなくても光結合が充分にとれることから、光ファイバの調整トレランスが緩く、モジュールの歩留まりが向上した。本実施例に係る半導体レーザに対し雰囲気温度50°C、300mW一定光出力で5000時間のエイジングを行った。その結果、本実施例に係る半導体レーザでは、従来構造では発生していた突発故障は発生せず、安定に動作することが確認された。以上の結果、本実施例に係る半導体レーザによれば、低反射膜114近傍の領域118にn-GaAsバッファー層107を導入することにより、最大光出力を改善し、安定動作の高出力を実現し、さらに、モジュールの歩留まりを向上させることができた。本発明の第2の実施例に係る半導体レーザについて、図4~図7を参照して具体的に説明する。本実施例は、InGaAlAs/InP高温特DFBdistributedfeedbackレーザに適用したものである。本実施例に係る半導体レーザのエピタキシャル膜構造は、図4~図6に示すように、InGaAlAsλ=1.3μm組成活性層201を中心に、下と上にi-InGaAlAsλ=0.95μm組成第1のSCH層202と第2のSCH層203で挟み込んだ構成になっている。第1のSCH層202の下には、n-InAlAsキャリアストップ層221、n-InPバッファー層206又はn-InPバッファー層207、n-InP基板209を備える。第2のSCH層203の上には、p-InAlAsキャリアストップ層222、p-InPスペーサー層223、p-InGaAsP光ガイド層224、p-InPクラッド層205及びp-InGaAsPキャップ層208、絶縁膜210を備える。ここで、光ガイド層224は回折格子が作製され、これにより動的単一モードの動作が実現される。リッジ領域216は、リッジ両サイドの溝217をドライ及びウエットエッチングして作製した。電流はリッジ頂上のp-InGaAsPキャップ層208から注入され、これ以外はp電極AuZnNi/Ti/Pt/Au213と半導体の間に窒化シリコン膜210を挿入し絶縁する構造とした。n電極AuGeNi/Ti/Pt/Au212はn-InP基板209の下に形成した。光出射面側には0.1の低反射膜214をコーティングした。前記光出射面の反対側の端面反対側端面には85の高反射膜215をコーティングした。DFBレーザでは高反射膜215側の光密度が低反射膜214側と比べ大きくなる。図4に示す領域218は、本発明による高抵抗率のn-InPバッファー層207で構成される。図4に示す領域219は、従来のn-InPバッファー層206で構成される。素子長を200μmとした。本発明による高抵抗率のn-InPバッファー層207の領域218の長さを光密度が高い側端面の高反射膜215から15μmとした。また、光密度が高い側端面近傍高光密度側端面近傍のバッファー層207の抵抗率はこれ以外のバッファー層206の抵抗率の4倍になるようにした。本発明と従来非注入絶縁膜なしのInGaAlAs/InP高温特DFBレーザの光出力特性85°Cを図7に示す。図7に示すように、本発明と従来非注入絶縁膜なしのInGaAlAs/InP高温特DFBレーザでは、閾値電流付近に光出力の飛びはなく、過飽和吸収の影響は現れていないことが確認された。また、閾値電流は双方とも20mAでほぼ同じであり、これは過飽和吸収によるロスの増加が小さいためと考えられる。本発明と従来構造のDFBレーザの最大光出力はそれぞれ約23mWと19mWとなり、最大光出力は本発明構造の導入により高くなっていることが確認された。本発明に係る半導体レーザの光出力特性は約80mA以上から差が現れ、高光密度側のHR端面近傍の温度上昇が従来のDFBレーザに比べ抑制されたためと考えられる。なお、本発明による高抵抗率のn-InPバッファー層207をi-InP層とし、領域218の長さを15μmとすると、閾値電流付近に光出力の飛びが発生し、過飽和吸収の効果が大きくなることが確認された。信頼性試験を行う場合、リニアな光出力特性の領域で行うことが必要となる。雰囲気温度85°C、15mW一定光出力で5000時間の長期信頼性試験を行った。従来構造のDFBレーザでは、突発故障とサブリニアな光出力特性による急激な動作電流の増加する故障が発生した。一方、本発明による構造を採用したDFBレーザでは、突発故障は発生せず、また、動作電流の増加は一般的なt05で劣化することが確認された。これは、端面近傍の劣化が抑制されたためと考えられる。従って、本発明の構造を導入することにより、安定な高出力動作が可能となった。本発明の第3の実施例に係る半導体レーザを用いたモジュールについて、図8を参照して具体的に説明する。本実施例は、本発明によるInGaAlAs/InP高温特DFBレーザを用いたモジュールに適用したものである。本実施例に係る半導体レーザを用いたモジュールは、図8に示すように、本発明によるInGaAlAs/InP高温特DFBレーザ301、受光素子302、プリアンプ303、WDMWavelengthdivisionmultiplexingフィルタ304、ボールレンズ305、シングルモード光ファイバ306を備える。光出力の向上により、シングルモード光ファイバとの結合効率が低下しても駆動電流の増加で一定の光出力を得ることができ、モジュールの作製歩留まり向上に貢献した。以上の結果、本実施例に係るn-InPバッファー層の導入により、最大光出力を改善し、安定な高出力半導体レーザを実現し、さらに、モジュールの歩留まりを向上させることができた。なお、ここでは高光密度側端面近傍のバッファー層の抵抗率をこれ以外のバッファー層より高くすることにより本発明の高出力高信頼の半導体レーザを実現したが、バッファー層の代わりに第1のクラッド層又は第2のクラッド層を使っても同様の効果が得られることは自明である。