"素子用基板の表示領域に設けられた複数の有機EL素子と、前記複数の有機EL素子を被覆するシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜の上面側に設けられたカラーフィルタと、前記カラーフィルタの上面に設けられた可撓性フィルムとを備えた表示装置。前記シリコン窒化膜の上面に平坦化膜が設けられ、前記カラーフィルタは前記平坦化膜の上面に設けられている請求項1記載の表示装置。前記カラーフィルタは、前記複数の有機EL素子の各々に対向する位置に設けられ、前記可撓性フィルムは、前記表示領域に対向する領域に設けられている請求項1または2記載の表示装置。前記可撓性フィルムは、前記カラーフィルタの上面に載せられている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の表示装置。前記可撓性フィルムは、接着層により前記カラーフィルタの上面に貼り合わせられている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の表示装置。前記シリコン窒化膜は、前記基板の側から、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33以上の第3シリコン窒化膜とをこの順に積層した構成を有する請求項1ないし5のいずれか1項に記載の表示装置。素子用基板の表示領域に設けられた複数の有機EL素子と、前記複数の有機EL素子を被覆するシリコン窒化膜とを備え、前記シリコン窒化膜は、前記基板の側から、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33以上の第3シリコン窒化膜とをこの順に積層した構成を有する表示装置。素子用母基板の表示領域に複数の有機EL素子を形成する工程と、前記複数の有機EL素子をシリコン窒化膜により被覆する工程と、前記シリコン窒化膜の上面側にカラーフィルタを設ける工程と、前記カラーフィルタの上面に可撓性フィルムを設ける工程と、前記素子用母基板を切断することにより、前記表示領域に前記複数の有機EL素子を有する素子用基板を形成する工程とを含む表示装置の製造方法。前記カラーフィルタを設ける工程は、前記シリコン窒化膜の上面に平坦化膜を設ける工程と、前記平坦化膜の上面に前記カラーフィルタを設ける工程とを含む請求項8記載の表示装置の製造方法。前記カラーフィルタを、前記複数の有機EL素子の各々に対向する位置に設け、前記可撓性フィルムを、前記表示領域に対向する領域に設ける請求項8または9記載の表示装置の製造方法。前記可撓性フィルムを、前記カラーフィルタの上面に載せる請求項8ないし10のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。前記可撓性フィルムを、接着層により前記カラーフィルタの上面に貼り合わせる請求項8ないし10のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。前記シリコン窒化膜として、化学気相成長法により、前記基板の側から、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33以上の第3シリコン窒化膜とをこの順に積層する請求項8ないし12のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。素子用母基板の表示領域に複数の有機EL素子を形成する工程と、前記複数の有機EL素子をシリコン窒化膜により被覆する工程と、前記素子用母基板を切断することにより、前記表示領域に前記複数の有機EL素子を有する素子用基板を形成する工程とを含み、前記シリコン窒化膜として、化学気相成長法により、前記基板の側から、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33以上の第3シリコン窒化膜とをこの順に積層する表示装置の製造方法。しかしながら、このような従来の構成では、素子用および封止用の2枚のガラス基板を用いるので、重量や厚みをそれ以上減らすことが難しく、更に軽量化薄型化が可能な構成が望まれていた。また、製造工程においては、素子用基板と封止用基板の両方について、母基板を切断スクライブする工程が必要となっていた。本開示の目的は、重量や厚みを小さくすることが可能な表示装置およびその製造方法を提供することにある。本開示による第1の表示装置は、以下のA~Dの構成要素を備えたものである。A素子用基板の表示領域に設けられた複数の有機EL素子B複数の有機EL素子を被覆するシリコン窒化膜Cシリコン窒化膜の上面側に設けられたカラーフィルタDカラーフィルタの上面に設けられた可撓性フィルム本開示の第1の表示装置では、複数の有機EL素子がシリコン窒化膜により被覆されている。シリコン窒化膜の上面側にはカラーフィルタが設けられ、このカラーフィルタの上面に可撓性フィルムが設けられている。よって、複数の有機EL素子がシリコン窒化膜により封止されると共に、カラーフィルタが可撓性フィルムにより表面保護され、従来の封止用基板は不要となる。本開示による第2の表示装置は、素子用基板の表示領域に設けられた複数の有機EL素子と、複数の有機EL素子を被覆するシリコン窒化膜とを備えたものである。本開示の第2の表示装置では、複数の有機EL素子がシリコン窒化膜により被覆されている。よって、複数の有機EL素子がシリコン窒化膜により封止され、従来の封止用基板は不要となる。本開示による第1の表示装置の製造方法は、以下のA~Eの工程を含むものである。A素子用母基板の表示領域に複数の有機EL素子を形成する工程B複数の有機EL素子をシリコン窒化膜により被覆する工程Cシリコン窒化膜の上面側にカラーフィルタを設ける工程Dカラーフィルタの上面に可撓性フィルムを設ける工程E素子用母基板を切断することにより、表示領域に複数の有機EL素子を有する素子用基板を形成する工程本開示による第2の表示装置の製造方法は、以下のA~Cの工程を含むものである。A素子用母基板の表示領域に複数の有機EL素子を形成する工程B複数の有機EL素子をシリコン窒化膜により被覆する工程C素子用母基板を切断することにより、表示領域に複数の有機EL素子を有する素子用基板を形成する工程本開示の第1の表示装置、または本開示の第1の表示装置の製造方法によれば、複数の有機EL素子をシリコン窒化膜により被覆し、シリコン窒化膜の上面側にカラーフィルタを設け、このカラーフィルタの上面に可撓性フィルムを設けるようにしたので、従来のような封止用基板は不要となり、重量や厚みを小さくすることが可能となる。本開示の第2の表示装置、または本開示の第2の表示装置の製造方法によれば、複数の有機EL素子をシリコン窒化膜により被覆するようにしたので、従来のような封止用基板は不要となり、重量や厚みを小さくすることが可能となる。以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施の形態シリコン窒化膜の上面に直接カラーフィルタを設け、カラーフィルタの上面に可撓性フィルムを載せた例2.変形例1シリコン窒化膜の上面に直接カラーフィルタを設け、カラーフィルタの上面に可撓性フィルムを接着層により貼り合わせた例3.変形例2シリコン窒化膜の上面に平坦化膜およびカラーフィルタを設け、カラーフィルタの上面に可撓性フィルムを載せた例4.変形例3シリコン窒化膜の上面に平坦化膜およびカラーフィルタを設け、カラーフィルタの上面に可撓性フィルムを接着層により貼り合わせた例5.第2の実施の形態シリコン窒化膜のみにより有機EL素子を封止した例6.適用例第1の実施の形態図1は、本開示の第1の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、有機ELテレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスなどの素子用基板11の上に、後述する複数の有機EL素子10R,10G,10Bがマトリクス状に配置されてなる表示領域110が設けられたものである。表示領域110の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130が設けられている。表示領域110内には画素駆動回路140が設けられている。図2は、画素駆動回路140の一例を表したものである。この画素駆動回路140は、後述する第1電極61の下層に設けられたアクティブ型の駆動回路である。画素駆動回路140は、例えば、駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2と、キャパシタ保持容量Csと、第1の電源ラインVccおよび第2の電源ラインGNDの間において駆動トランジスタTr1に直列に接続された有機EL素子10Rまたは10G,10Bとを有している。キャパシタCsの一方の電極は駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2の間に接続され、他方の電極は駆動トランジスタTr1および有機EL素子10Rまたは10G,10Bとの間に接続されている。画素駆動回路140において、列方向には信号線120Aが複数配置され、行方向には走査線130Aが複数配置されている。各信号線120Aと各走査線130Aとの交差点が、有機EL素子10R,10G,10Bのいずれか一つサブピクセルに対応している。各信号線120Aは、信号線駆動回路120に接続され、この信号線駆動回路120から信号線120Aを介して書き込みトランジスタTr2のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線130Aは走査線駆動回路130に接続され、この走査線駆動回路130から走査線130Aを介して書き込みトランジスタTr2のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。図3は、図1に示した表示装置の平面構成を表したものである。図4は、図3のIV-IV線における断面構成を表したものである。素子用基板11には、上述した信号線駆動回路120,走査線駆動回路130および画素駆動回路140が設けられている。これらは、第1絶縁膜12により被覆されている。また、素子用基板11の最外周領域信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の外側には、外部接続領域150が設けられている。外部接続領域150には、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長した端子13が設けられている。端子13の先端部は第1絶縁膜12からは露出している。一方、第1絶縁膜12上の表示領域110には、赤色の光を発生する有機EL素子10R,緑色の光を発生する有機EL素子10Gおよび青色の光を発生する有機EL素子10Bが順に行列状に配置されている。複数の有機EL素子10R,10G,10Bは、シリコン窒化膜20により被覆されている。シリコン窒化膜20の上面20A側には、可撓性フィルム30が設けられている。具体的には、シリコン窒化膜20と可撓性フィルム30との間には、カラーフィルタ41およびブラックマトリクスとしての遮光膜42が設けられており、可撓性フィルム30はカラーフィルタ41および遮光膜42の上面に載せられている。これにより、この表示装置では、重量および厚みを小さくすることが可能となっている。シリコン窒化膜20は、有機EL素子10R,10G,10Bへの水分や酸素の進入を抑えるための封止層である。シリコン窒化膜20は、例えば、図5に示したように、素子用基板11の側から、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜21と、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜22と、N/Si組成比が1.33以上の第3シリコン窒化膜23とをこの順に積層した構成を有していることが好ましい。これにより、シリコン窒化膜20に、従来の封止用のガラス基板と同等以上の封止性能を持たせることが可能となる。すなわち、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜21および第3シリコン窒化膜23は膜密度が高いので、シリコン窒化膜20のパッシベーション性を高めることが可能となる。一方、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜22は、第1シリコン窒化膜21および第3シリコン窒化膜23よりも高い段差被覆性を有している。よって、第2シリコン窒化膜22を設けることにより、シリコン窒化膜20の段差の部分から水分や酸素が有機EL素子10R,10G,10Bに進入することを抑制することが可能となる。カラーフィルタ41は、赤色フィルタ41R,緑色フィルタ41Gおよび青色フィルタ41Bを有している。赤色フィルタ41R,緑色フィルタ41Gおよび青色フィルタ41Bは、それぞれ、有機EL素子10R,10G,10Bの各々に対向する位置に設けられている。赤色フィルタ41R,緑色フィルタ41Gおよび青色フィルタ41Bは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤,緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。遮光膜42は、有機EL素子10R,10G,10B並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するためのものである。遮光膜42は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が1以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属,金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を1層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロムIIICr2O3とを交互に積層したものが挙げられる。可撓性フィルム30は、シリコン窒化膜20の上面20A側、すなわち表示装置の最も外側に位置し、外部からの傷や衝撃を緩和するための表面保護層としての機能を有している。特に、可撓性フィルム30は、表示領域110に設けられていることが好ましい。カラーフィルタ41および遮光膜42の損傷や剥離を回避することが可能となるからである。また、可撓性フィルム30は、赤色フィルタ41R,緑色フィルタ41Gおよび青色フィルタ41Bの厚みの違いによる段差に追随可能であり、それらの厚みの違いを吸収することが可能となっている。可撓性フィルム30は、光取出し効率の向上のため、可視光領域200nmないし800nmでの透過率が70以上、好ましくは90以上であることが望ましい。このような可撓性フィルム30の構成材料は特に限定されないが、例えば厚みが0.2mm程度であり、ポリプロピレンOPP,ポリエチレンテレフタレートPENまたはフッ素系樹脂などよりなるフィルムにより構成されている。図6は、図3に示した有機EL素子10R,10G,10Bの断面構成を表したものである。有機EL素子10R10G,10Bは、それぞれ、素子用基板11および第1絶縁膜12の側から、第1電極61、第2絶縁膜62、発光層を含む有機層63、および第2電極64がこの順に積層された構成を有し、発光層で発生した光を第2電極64側から取り出すものであるトップエミッション。第1電極61は、有機EL素子10R,10G,10Bの各々に対応して形成されている。第1電極61は、例えば、厚みが約30nmのITO酸化インジウムスズ層と、厚みが約100nmの銀Ag合金層と、厚みが約30nmのITO層とを順に積層した構成を有している。なお、第1電極61の構成材料としては、銀Agまたはその合金のほか、アルミニウムAlまたはその合金、金Au,白金Pt,ニッケルNi,クロムCr,銅Cu,タングステンWあるいはモリブデンMoなどの金属元素の単体または合金よりなる反射電極が挙げられる。なお、第1電極61は、第1絶縁膜12の接続孔12Aを介して、画素駆動回路140の駆動トランジスタTr1に接続されている。第2絶縁膜62は、第1電極61と第2電極64との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものである。第2絶縁膜62は、例えば、厚みが100nmないし200nmであり、ポジ型感光性ポリイミドあるいはポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールなどの有機材料、またはSiO2などの無機材料により構成されている。絶縁膜62は、中央に発光領域に対応して開口部62Aを有している。なお、有機層63および第2電極64は、第2絶縁膜62の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは第2絶縁膜62の開口部62Aだけである。有機層63は、例えば、正孔注入層63A,正孔輸送層63B,発光層63Cおよび電子輸送層63Dが第1電極61の側からこの順に積層された構成を有している。正孔注入層63Aは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層63Bは、発光層63Cへの正孔注入効率を高めるためのものである。発光層63Cは、電界をかけることにより、第1電極61から正孔注入層63Aおよび正孔輸送層63Bを介して注入された正孔の一部と、第2電極64から電子輸送層63Dを介して注入された電子の一部とが再結合して、光を発生するものである。電子輸送層63Dは、発光層63Cへの電子注入効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層63Dと第2電極64との間には、例えばフッ化リチウムLiFよりなる電子注入層図示せずが設けられていてもよい。正孔注入層63Aは、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、4,4’,4-トリス3-メチルフェニルフェニルアミノトリフェニルアミンm-MTDATAあるいは4,4’,4-トリス2-ナフチルフェニルアミノトリフェニルアミン2-TNATAにより構成されている。正孔輸送層63Bは、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、ビス[N-ナフチル-N-フェニル]ベンジジンα-NPDにより構成されている。有機EL素子10Rの発光層63Cは、例えば、赤色発光材料,正孔輸送性材料,電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも1種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、有機EL素子10Rの発光層は、例えば、厚みが5nm程度であり、4,4-ビス2,2-ジフェニルビニンビフェニルDPVBiに2,6-ビス[4’-メトキシジフェニルアミノスチリル]-1,5-ジシアノナフタレンBSNを30重量混合したものにより構成されている。有機EL素子10Gの発光層63Cは、例えば、緑色発光材料,正孔輸送性材料,電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも1種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、有機EL素子10Gの発光層は、例えば、厚みが10nm程度であり、DPVBiにクマリン6を5重量混合したものにより構成されている。有機EL素子10Bの発光層63Cは、例えば、青色発光材料,正孔輸送性材料,電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも1種とを含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、有機EL素子10Bの発光層は、例えば、厚みが30nm程度であり、DPVBiに4,4’-ビス[2-{4-N,N-ジフェニルアミノフェニル}ビニル]ビフェニルDPAVBiを2.5重量混合したものにより構成されている。電子輸送層63Dは、例えば、厚みが20nm程度であり、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3により構成されている。第2電極64は、例えば、厚みが10nm程度であり、マグネシウムと銀との合金Mg-Ag合金などよりなる半透過性反射電極により構成されている。なお、表示領域110の周囲には、第2電極64の電圧降下を抑制するための補助配線図示せずが設けられていることが望ましい。補助配線は、表示領域110を囲む枠状に設けられた導電膜であり、その幅は例えば約3mmである。第2電極64は、有機EL素子10R,10G,10Bの共通電極として表示領域110の全体に設けられていると共に、表示領域110の周囲まで延在することにより補助配線に接続されている。この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。図7ないし図10は、この表示装置の製造方法を工程順に表したものである。まず、図7に示したように、ガラス等よりなる素子用母基板11Aを用意し、この素子用母基板11Aに、上述した信号線駆動回路120,走査線駆動回路130および画素駆動回路140を設ける。また、素子用母基板11の外部接続領域150には、外部接続のための端子13を設ける。なお、図7では、例えば1枚の素子用母基板11Aに1つの表示領域110が設定されている場合いわゆる1面取りを表しているが、1枚の素子用母基板11Aには複数の表示領域110を設定することも可能であるいわゆる多面取り。素子用母基板11Aには、切断線11Bが格子状に設定されている。次いで、素子用母基板11Aに、例えばスピンコート法により、例えばポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールを塗布し、露光および現像する。これにより、接続孔12Aを形成すると共に、外部接続領域150の端子13を露出させる。続いて、N2等の不活性ガス雰囲気下でベーク処理を行い、ポリベンゾオキサゾールを硬化させることにより第1絶縁膜12を形成すると共に、第1絶縁膜12中に含まれる水分などを除去する。そののち、同じく図7に示したように、第1絶縁膜12上の表示領域110に、複数の有機EL素子10R,10G,10Bを形成する。具体的には、まず、第1絶縁膜12の上に、例えばスパッタリング法により、厚みが約30nmのITO酸化インジウムスズ層と、厚みが約100nmの銀Ag合金層と、厚みが約30nmのITO層とを順に積層した積層膜を形成する。続いて、この積層膜を例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形し、第1電極61を形成する。また、同時に、表示領域110の周囲に枠状の補助配線図示せずを形成する。第1電極61および補助配線図示せずを形成したのち、第1絶縁膜12上に、例えばスピンコート法により、ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールを塗布し、露光および現像を行う。これにより、開口部62Aを形成すると共に、補助配線図示せずを露出させる。続いて、N2などの不活性ガス雰囲気中でベーク処理を行うことにより、ポリベンゾオキサゾールを硬化させて第2絶縁膜62を形成すると共に、第1絶縁膜12および第2絶縁膜62に含まれる水分などを除去する。引き続き、微小異物などを除去するために純水などでスピン洗浄を行ったのち、真空雰囲気下でベーク処理を行う。そののち、真空雰囲気を維持したままで前処理室に素子用母基板11Aを搬送し、O2プラズマによって素子用基板11の前処理を行う。続いて、真空雰囲気を維持した状態で次工程である有機層63の蒸着を行う。このような工程を用いることにより、ベーク処理後に大気中の水分などが素子用母基板11Aの表面に吸着することが回避される。そののち、第1電極61上に、例えば蒸着法により、有機層63を形成する。具体的には、まず、真空雰囲気下で、有機発光素子10Bの有機層63を形成するためのチャンバーに素子用母基板11Aを搬送し、素子用母基板11Aに蒸着用マスクをアライメントし、有機発光素子10Bの有機層63を、例えば約200nmの厚みで形成する。次いで、真空雰囲気を維持した状態で有機発光素子10Rの有機層63を形成するためのチャンバーに素子用母基板11Aを搬送し、素子用母基板11Aに蒸着用マスクをアライメントし、有機発光素子10Rの有機層63を形成する。続いて、真空雰囲気を維持した状態で有機発光素子10Gの有機層63を形成するためのチャンバーに素子用母基板11Aを搬送し、素子用母基板11Aに蒸着用マスクをアライメントし、有機発光素子10Gの有機層63を形成する。有機層63を形成したのち、真空雰囲気を維持した状態で、素子用母基板11Aに蒸着用マスクをアライメントし、例えば蒸着法により、有機層63上,第2絶縁膜62上および補助配線図示せず上に、例えばLiFよりなる電子注入層図示せずを例えば1nmの厚みで形成する。そののち、この蒸着マスクを用いた真空蒸着法により、電子注入層上に、例えばMgAg合金よりなる第2電極64を形成する。これにより、電子注入層を介して第2電極64と補助配線図示せずとが接続される。以上により、図6に示したような有機EL素子10R,10G,10Bが形成される。有機EL素子10R,10G,10Bを形成したのち、図8に示したように、有機EL素子10R,10G,10Bをシリコン窒化膜20により被覆する。シリコン窒化膜20の成膜方法としては、例えば、原料ガスとしてシランSH4ガス,アンモニアNH3ガスおよび窒素ガスを用いたCVDChemicalVaporDeposition;化学気相成長法、特にプラズマCVD法を用いる。その際、シリコン窒化膜20として、素子用基板11の側から、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜21と、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜22と、N/Si組成比が1.33以上の第3シリコン窒化膜23とをこの順に積層することが好ましい。N/Si組成比は、原料ガスであるアンモニアNH3ガスおよびシランSH4ガスの流量,成膜時の圧力,プラズマパワーおよび混合ガスの流量比などにより制御することが可能である。シリコン窒化膜20を形成したのち、シリコン窒化膜20の上面20A側に、可撓性フィルム30を設ける。具体的には、シリコン窒化膜20の上面20Aに、遮光膜42の材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより遮光膜42を形成する。続いて、シリコン窒化膜20の上面20Aに赤色フィルタ41Rの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ41Rを形成する。続いて、赤色フィルタ41Rと同様にして、青色フィルタ41Bおよび緑色フィルタ41Gを順次形成する。これにより、図9に示したように、シリコン窒化膜20の上面20Aにカラーフィルタ41および遮光膜42が形成される。カラーフィルタ41および遮光膜42を形成したのち、図10に示したように、可撓性フィルム30をカラーフィルタ41および遮光膜42の上面に載せる。そののち、図3に示したように、素子用母基板11Aを切断線11Bで切断し、表示領域110に複数の有機EL素子10R,10G,10Bを有する素子用基板11を形成する。母基板の切断工程は、切断面の切り屑の発生などを抑えるための切断条件の設定が極めて難しいが、本実施の形態では素子用母基板11Aのみを切断すればよく、従来のように素子用母基板および封止用母基板の両方を切断する必要はなくなる。よって、本実施の形態の表示装置を容易に製造することが可能となる。以上により、図3および図4に示した表示装置が完成する。なお、上記の製造方法と同様にして実際に表示装置を作製し、得られた表示装置について相対輝度劣化を調べた。図11は、実験開始直後の輝度を100とした輝度の経時変化をものである。また、有機EL素子を設けた素子用基板に、封止用基板を接着層により貼り合わせた従来の表示装置を実際に作製し、得られた従来の表示装置についても同様にして相対輝度劣化を調べた。その結果を図11に併せて示す。図11から分かるように、本実施の形態の表示装置では、従来の封止用のガラス基板を用いた表示装置に比べてなんら遜色のない結果が得られた。また、得られた本実施の形態の表示装置と従来の表示装置とについて、それぞれ重量および厚みを計測した。本実施の形態の表示装置の重量は14g寸法は30mm×30mmであったのに対して、従来の表示装置の重量は23g寸法は30mm×30mmであった。また、本実施の形態の表示装置の厚みは、素子用基板11の厚みが0.7mm、可撓性フィルムの厚みが0.2mmであり、合計厚みは9mmであった。一方、従来の表示装置の厚みは、素子用基板の厚みが0.7mm、封止用基板の厚みが0.7mmであり、合計厚みは14mmであった。すなわち、有機EL素子10R,10G,10Bをシリコン窒化膜20により被覆し、このシリコン窒化膜20の上面20Aにカラーフィルタ41および遮光膜42を設け、それらの上面に可撓性フィルム30を載せるようにすれば、重量および厚みを小さくすることが可能となると共に、従来の封止用のガラス基板を有する表示装置と同等の封止特性パッシベーション特性が得られることが分かった。この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路130から書き込みトランジスタTr2のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路120から画像信号が書き込みトランジスタTr2を介して保持容量Csに保持される。すなわち、この保持容量Csに保持された信号に応じて駆動トランジスタTr1がオンオフ制御され、これにより、各有機EL素子10R,10G,10Bに駆動電流Idsが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第2電極64,シリコン窒化膜20,カラーフィルタ41および可撓性フィルム30を透過してトップエミッション取り出される。ここでは、複数の有機EL素子10R,10G,10Bがシリコン窒化膜20により被覆され、シリコン窒化膜20の上面20Aにカラーフィルタ41および遮光膜42と、可撓性フィルム30とが設けられている。よって、複数の有機EL素子10R,10G,10Bがシリコン窒化膜20により封止されると共に、カラーフィルタ41および遮光膜42が可撓性フィルム30により表面保護される。従って、従来の封止用のガラス基板は不要となり、重量や厚みが小さくなる。このように本実施の形態の表示装置では、素子用基板11の表示領域110に複数の有機EL素子10R,10G,10Bを設け、この複数の有機EL素子10R,10G,10Bをシリコン窒化膜20により被覆している。シリコン窒化膜20の上面20A側には可撓性フィルム30を設けるようにしている。よって、重量や厚みを小さくすることが可能となる。本実施の形態の表示装置の製造方法では、素子用母基板11Aの表示領域110に複数の有機EL素子10R,10G,10Bを形成し、この複数の有機EL素子10R,10G,10Bをシリコン窒化膜20により被覆する。そののち、素子用母基板11Aを切断することにより、表示領域110に複数の有機EL素子10R,10G,10Bを有する素子用基板11を形成し、シリコン窒化膜20の上面20A側に可撓性フィルム30を設けるようにしている。よって、従来のような封止用母基板を切断する工程は不要となり、本実施の形態の表示装置を容易に製造することが可能となる。変形例1なお、上記実施の形態では、可撓性フィルム30をカラーフィルタ41および遮光膜42の上面に載せた場合について説明したが、図12に示したように、可撓性フィルム30は、接着層31により貼り合わせられていることも可能である。これにより、使用中における可撓性フィルム30の剥離や脱落を抑えることが可能となり、利便性が向上する。変形例2また、上記実施の形態では、シリコン窒化膜20の上面20Aに直接カラーフィルタ41および遮光膜42を設けた場合について説明したが、図13に示したように、シリコン近膜20の上面20Aに平坦化膜50を設け、この平坦化膜50の上面にカラーフィルタ41および遮光膜42を設けることも可能である。平坦化膜50は、シリコン窒化膜20の上面20Aが有機EL素子10R,10G,10Bなどの形状を反映した凹凸を有している場合に、この凹凸を平坦化するためのものである。また、平坦化膜50の上にカラーフィルタ40を設けることにより、輝度分布を低減したり色度再現性を向上させることが可能となる。平坦化膜50は、例えば、厚みが1μm以上であり、ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールなどの感光性絶縁材料により構成されている。本変形例においても、シリコン窒化膜20は、図14に示したように、上記実施の形態と同様に、素子用基板11の側から、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜21と、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜22と、N/Si組成比が1.33以上の第3シリコン窒化膜23とをこの順に積層した構成を有していることが好ましい。本変形例の表示装置は、シリコン窒化膜20上に平坦化膜50を形成したのちにカラーフィルタ41および遮光膜42を形成することを除いては、上記実施の形態と同様にして製造することが可能である。具体的には、シリコン窒化膜20上に、例えばスピンコート法によりポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールを塗布し、露光,現像および焼成を行うことにより、シリコン窒化膜20の上面20Aに平坦化膜50を形成する。変形例3更に、変形例1および変形例2を組み合わせることも可能である。すなわち、図15に示したように、シリコン窒化膜20の上面20Aに平坦化膜50と、カラーフィルタ41および遮光膜42とをこの順に設け、カラーフィルタ41および遮光膜42の上面に可撓性フィルム30を接着層31により貼り合わせることも可能である。第2の実施の形態図16は、本開示の第2の実施の形態に係る表示装置の平面構成を表したものである。図17は、図16のXVII-XVII線における断面構成を表したものである。この表示装置は、複数の有機EL素子10R,10G,10Bをシリコン窒化膜20により被覆し、シリコン窒化膜20のみにより封止するようにしたものである。これにより、本実施の形態の表示装置では、従来の封止用のガラス基板を不要とし、重量および厚みを小さくすることが可能となっている。このことを除いては、本実施の形態の表示装置は、第1の実施の形態の表示装置と同様の構成、作用および効果を有し、第1の実施の形態と同様にして製造することができる。本実施の形態では、シリコン窒化膜20は、素子用基板11の側から、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜21と、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜22と、N/Si組成比が1.33以上の第3シリコン窒化膜23とをこの順に積層した構成を有している。これにより、シリコン窒化膜20に、従来の封止用のガラス基板と同等以上の封止性能を持たせることが可能となる。すなわち、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜21および第3シリコン窒化膜23は膜密度が高いので、シリコン窒化膜20のパッシベーション性を高めることが可能となる。一方、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜22は、第1シリコン窒化膜21および第3シリコン窒化膜23よりも高い段差被覆性を有している。よって、第2シリコン窒化膜22を設けることにより、シリコン窒化膜20の段差の部分から水分や酸素が有機EL素子10R,10G,10Bに進入することを抑制することが可能となる。本実施の形態の表示装置は、特に、発光層で発生した光を第1電極61側から取り出す場合ボトムエミッションに好適である。その場合には、第1電極61は、ITO,IZO登録商標,またはSnO2などの透明電極により構成され、第2電極64は、金Au,白金Pt,ニッケルNi,クロムCr,銅Cu,タングステンW,アルミニウムAl,モリブデンMoあるいは銀Agなどの金属元素の単体または合金よりなる反射電極により構成されている。また、第2電極64は、上述した反射電極と透明電極との複合膜により構成されていてもよい。また、ボトムエミッションの場合には、カラーフィルタ41および遮光膜42は素子用基板11側、例えば画素駆動回路140と第1絶縁膜12との間に設けることが可能である。モジュールおよび適用例以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。モジュール上記実施の形態の表示装置は、例えば、図18に示したようなモジュールとして、後述する適用例1~5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、外部接続領域150の端子13に、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板FPC;FlexiblePrintedCircuit160を接続したものである。適用例1図19は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。適用例2図20は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。適用例3図21は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。適用例4図22は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。適用例5図23は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部ヒンジ部730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。1素子用基板の表示領域に設けられた複数の有機EL素子と、前記複数の有機EL素子を被覆するシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜の上面側に設けられたカラーフィルタと、前記カラーフィルタの上面に設けられた可撓性フィルムとを備えた表示装置。2前記シリコン窒化膜の上面に平坦化膜が設けられ、前記カラーフィルタは前記平坦化膜の上面に設けられている前記1記載の表示装置。3前記カラーフィルタは、前記複数の有機EL素子の各々に対向する位置に設けられ、前記可撓性フィルムは、前記表示領域に対向する領域に設けられている前記1または2記載の表示装置。4前記可撓性フィルムは、前記カラーフィルタの上面に載せられている前記1ないし3のいずれか1項に記載の表示装置。5前記可撓性フィルムは、接着層により前記カラーフィルタの上面に貼り合わせられている前記1ないし3のいずれか1項に記載の表示装置。6前記シリコン窒化膜は、前記基板の側から、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33以上の第3シリコン窒化膜とをこの順に積層した構成を有する前記1ないし5のいずれか1項に記載の表示装置。7素子用基板の表示領域に設けられた複数の有機EL素子と、前記複数の有機EL素子を被覆するシリコン窒化膜とを備え、前記シリコン窒化膜は、前記基板の側から、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33以上の第3シリコン窒化膜とをこの順に積層した構成を有する表示装置。8素子用母基板の表示領域に複数の有機EL素子を形成する工程と、前記複数の有機EL素子をシリコン窒化膜により被覆する工程と、前記シリコン窒化膜の上面側にカラーフィルタを設ける工程と、前記カラーフィルタの上面に可撓性フィルムを設ける工程と、前記素子用母基板を切断することにより、前記表示領域に前記複数の有機EL素子を有する素子用基板を形成する工程とを含む表示装置の製造方法。9前記カラーフィルタを設ける工程は、前記シリコン窒化膜の上面に平坦化膜を設ける工程と、前記平坦化膜の上面に前記カラーフィルタを設ける工程とを含む前記8記載の表示装置の製造方法。10前記カラーフィルタを、前記複数の有機EL素子の各々に対向する位置に設け、前記可撓性フィルムを、前記表示領域に対向する領域に設ける前記8または9記載の表示装置の製造方法。11前記可撓性フィルムを、前記カラーフィルタの上面に載せる前記8ないし10のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。12前記可撓性フィルムを、接着層により前記カラーフィルタの上面に貼り合わせる前記8ないし10のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。13前記シリコン窒化膜として、化学気相成長法により、前記基板の側から、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33以上の第3シリコン窒化膜とをこの順に積層する前記8ないし12のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。14素子用母基板の表示領域に複数の有機EL素子を形成する工程と、前記複数の有機EL素子をシリコン窒化膜により被覆する工程と、前記素子用母基板を切断することにより、前記表示領域に前記複数の有機EL素子を有する素子用基板を形成する工程とを含み、前記シリコン窒化膜として、化学気相成長法により、前記基板の側から、N/Si組成比が1.33以上の第1シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33未満の第2シリコン窒化膜と、N/Si組成比が1.33以上の第3シリコン窒化膜とをこの順に積層する表示装置の製造方法。"