"被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器内で処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で前記基板に所望の処理を施すプラズマ処理装置であって、直流電源とスイッチング素子とを有し、前記スイッチング素子をスイッチングパルスにより高周波帯域の周波数でオン/オフすることにより、前記直流電源の直流出力を高周波出力に変換するスイッチング方式の高周波電源と、前記高周波電源より出力される前記高周波を前記プラズマに供給するための高周波給電ラインと、前記高周波給電ライン上で前記高周波電源側のインピーダンスとその負荷側のインピーダンスとを整合させるための整合器と、前記高周波のパワーがオン状態になるオン期間とオフ状態になるオフ期間とを一定のパルス周波数で交互に繰り返すように、前記高周波電源を制御する高周波パワー変調部と、前記パルス周波数の各サイクルにおいて前記オフ期間中に前記高周波給電ライン上に残留している高周波を除去するための残留高周波除去部とを具備するプラズマ処理装置。前記高周波電源は、フルブリッジ回路を構成する第1組のスイッチング素子と第2組のスイッチング素子とを有し、前記スイッチングパルスにより、前記高周波の各サイクルにおいて、前の半サイクルでは前記第2組のスイッチング素子をオフ状態に保持して前記第1組のスイッチング素子をオンにし、後の半サイクルでは前記第1組のスイッチング素子をオフ状態に保持して前記第2組のスイッチング素子をオンにする、請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記高周波電源は、ハーフブリッジ回路を構成する第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子とを有し、前記スイッチングパルスにより、前記高周波の各サイクルにおいて、前の半サイクルでは前記第2のスイッチング素子をオフ状態に保持して前記第1のスイッチング素子をオンにし、後の半サイクルでは前記第1のスイッチング素子をオフ状態に保持して前記第2のスイッチング素子をオンにする、請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記高周波電源は、前記パルス周波数の各サイクルにおいてオン時間中は前記スイッチング素子に前記スイッチングパルスを供給し続け、オフ時間中は前記スイッチング素子に対して前記スイッチングパルスの供給を停止する、請求項1~3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。前記高周波電源は、負荷回路に対して前記スイッチング素子と直列に接続される直列共振回路を有する、請求項1~4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。前記残留高周波除去部は、前記高周波給電ラインと接地電位部材との間に直列に接続される抵抗およびスイッチを有し、前記パルス周波数の各サイクルにおいて前記オン期間中は前記スイッチをオフ状態に保持し、前記オフ期間中に前記スイッチをオンにする、請求項1~5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。前記処理容器内に前記基板を載置するための高周波電極が配置され、前記高周波電極に前記高周波給電ラインが電気的に接続される、請求項1~6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。上記のようなパワー変調の機能を備えた従来の容量結合プラズマ処理装置においては、パルス周波数の各サイクル内で高周波電源をオン状態からオフ状態に切り換えた時に、高周波給電ライン上でRFパワーが瞬時に消失せずに、裾を曳くように一定の時定数で減衰しながら零レベルLレベルに収束する場合がある。このようなRFパワー裾曳き現象は、パワー変調の本来の規格から外れており、したがってパワー変調の目的とする効果が十分に発揮されなくなるばかりか、高周波給電ライン上または高周波電源内に設けられるRFパワーモニタの精度にも悪い影響を与える。本発明者がこの問題を追究したところ、スイッチング方式の高周波電源を用いて、これにパワー変調をかけるときに限って、上記のようなRFパワー裾曳き現象が発生することが判った。本発明は、上記のような知見に基づいてなされたものであり、スイッチング方式の高周波電源にパワー変調をかける際に高周波給電ライン上でRFパワー裾曳き現象が発生するのを簡便かつ確実に防止するプラズマ処理装置を提供する。本発明のプラズマ処理装置は、被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器内で処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で前記基板に所望の処理を施すプラズマ処理装置であって、直流電源とスイッチング素子とを有し、前記スイッチング素子をスイッチングパルスにより高周波帯域の周波数でオン/オフすることにより、前記直流電源の直流出力を高周波出力に変換するスイッチング方式の高周波電源と、前記高周波電源より出力される前記高周波を前記プラズマに供給するための高周波給電ラインと、前記高周波給電ライン上で前記高周波電源側のインピーダンスとその負荷側のインピーダンスとを整合させるための整合器と、前記高周波のパワーがオン状態になるオン期間とオフ状態になるオフ期間とを一定のパルス周波数で交互に繰り返すように、前記高周波電源を制御する高周波パワー変調部と、前記パルス周波数の各サイクルにおいて前記オフ期間中に前記高周波給電ライン上に残留している高周波を除去するための残留高周波除去部とを具備する。本発明のプラズマ処理装置によれば、上記のような構成を有することにより、スイッチング方式の高周波電源にパワー変調をかける際に高周波給電ライン上でRFパワー裾曳き現象が発生するのを簡便かつ確実に防止することができる。以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。[プラズマ処理装置の構成]図1に、本発明の一実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す。このプラズマ処理装置は、容量結合型平行平板型のプラズマエッチング装置として構成されており、たとえば表面がアルマイト処理陽極酸化処理されたアルミニウムからなる円筒形の真空チャンバ処理容器10を有している。チャンバ10は接地されている。チャンバ10の底部には、セラミックなどの絶縁板12を介して円柱状のサセプタ支持台14が配置され、このサセプタ支持台14の上にたとえばアルミニウムからなるサセプタ16が設けられている。サセプタ16は下部電極を構成し、この上に被処理基板としてたとえば半導体ウエハWが載置される。サセプタ16の上面には半導体ウエハWを保持するための静電チャック18が設けられている。この静電チャック18は導電膜からなる電極20を一対の絶縁層または絶縁シートの間に挟み込んだものであり、電極20にはスイッチ22を介して直流電源24が電気的に接続されている。直流電源24からの直流電圧により、半導体ウエハWを静電吸着力で静電チャック18に保持できるようになっている。静電チャック18の周囲でサセプタ16の上面には、エッチングの均一性を向上させるためのたとえばシリコンからなるフォーカスリング26が配置されている。サセプタ16およびサセプタ支持台14の側面にはたとえば石英からなる円筒状の内壁部材28が貼り付けられている。サセプタ支持台14の内部には、たとえば円周方向に延びる冷媒室30が設けられている。この冷媒室30には、外付けのチラーユニット図示せずより配管32a,32bを介して所定温度の冷媒たとえば冷却水が循環供給される。冷媒の温度によってサセプタ16上の半導体ウエハWの処理温度を制御できるようになっている。さらに、伝熱ガス供給機構図示せずからの伝熱ガスたとえばHeガスが、ガス供給ライン34を介して静電チャック18の上面と半導体ウエハWの裏面との間に供給される。サセプタ16には、第1および第2高周波電源36,38がそれぞれ整合器40,42および共通の給電導体たとえば給電棒44を介して電気的に接続されている。第1高周波電源36は、プラズマの生成に適した第1周波数f1たとえば100MHzを有する第1高周波RF1を出力する。第2高周波電源38は、プラズマからサセプタ16上の半導体ウエハWへのイオンの引き込みに適した第2周波数f2たとえば13.56MHzを有する第2高周波RF2を出力する。整合器40,42は、高周波給電ライン高周波伝送路43,45上で、チャンバ10内に生成されるプラズマ側の負荷インピーダンスを高周波電源36,38のインピーダンスにそれぞれ整合させるように機能する。各々の整合器40,42は、少なくとも2つの制御可能なリアクタンス素子を含む整合回路と、各リアクタンス素子のリアクタンス値インピーダンスポジションを制御するためのアクチエータたとえばモータと、上記整合回路を含む負荷インピーダンスを測定するセンサと、負荷インピーダンスの測定値を整合ポイント通常50Ωに合わせるように各アクチエータを駆動制御するコントローラとを有している。このプラズマ処理装置は、プラズマ生成用の第1高周波電源36にはリニアアンプ方式の高周波電源を使用し、イオン引き込み用の第2高周波電源38にはスイッチング方式の高周波電源を使用しており、これに関連して第2高周波電源38側の高周波給電ライン45に残留高周波除去部74を接続している。高周波電源36,38および残留高周波除去部74の構成および作用については後に詳細に説明する。チャンバ10の天井には、サセプタ16と平行に向かいあって接地電位の上部電極46が設けられている。この上部電極46は、多数のガス噴出孔48aを有するたとえばSi、SiCなどのシリコン含有材質からなる電極板48と、この電極板48を着脱可能に支持する導電材料たとえば表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなる電極支持体50とで構成されている。この上部電極46とサセプタ16との間にプラズマ生成空間または処理空間PSが形成されている。電極支持体50は、その内部にガスバッファ室52を有するとともに、その下面にガスバッファ室52から電極板48のガス噴出孔48aに連通する多数のガス通気孔50aを有している。ガスバッファ室52にはガス供給管54を介して処理ガス供給源56が接続されている。ガス供給管54には、マスフローコントローラMFC58および開閉バルブ60が設けられている。処理ガス供給源56より所定の処理ガスエッチングガスがガスバッファ室52に導入されると、電極板48のガス噴出孔48aよりサセプタ16上の半導体ウエハWに向けて処理空間PSに処理ガスがシャワー状に噴出されるようになっている。このように、上部電極46は、処理空間PSに処理ガスを供給するためのシャワーヘッドを兼ねている。また、電極支持体50の内部には冷媒たとえば冷却水を流す通路図示せずも設けられており、外部のチラーユニットにより冷媒を介して上部電極46の全体、特に電極板48を所定温度に温調するようになっている。さらに、上部電極46に対する温度制御をより安定化させるために、電極支持体50の内部または上面にたとえば抵抗発熱素子からなるヒータ図示せずを取り付ける構成も可能である。サセプタ16およびサセプタ支持台14とチャンバ10の側壁との間に形成される環状の空間は排気空間となっており、この排気空間の底にはチャンバ10の排気口62が設けられている。この排気口62に排気管64を介して排気装置66が接続されている。排気装置66は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ10の室内、特に処理空間PSを所望の真空度まで減圧できるようになっている。また、チャンバ10の側壁には半導体ウエハWの搬入出口68を開閉するゲートバルブ70が取り付けられている。主制御部72は、1つまたは複数のマイクロコンピュータを含み、外部メモリまたは内部メモリに格納されるソフトウェアプログラムおよびレシピ情報にしたがって、装置内の各部、特に高周波電源36,38、整合器40,42、MFC58、開閉バルブ60、排気装置66、残留高周波除去部74等の個々の動作および装置全体の動作シーケンスを制御する。また、主制御部72は、キーボード等の入力装置や液晶ディスプレイ等の表示装置を含むマンマシンインタフェース用の操作パネル図示せずおよび各種プログラムやレシピ、設定値等の各種データを格納または蓄積する外部記憶装置図示せず等とも接続されている。この実施形態では、主制御部72が1つの制御ユニットとして示されているが、複数の制御ユニットが主制御部72の機能を並列的または階層的に分担する形態を採ってもよい。この容量結合型プラズマエッチング装置における枚葉ドライエッチングの基本的な動作は次のようにして行われる。先ず、ゲートバルブ70を開状態にして加工対象の半導体ウエハWをチャンバ10内に搬入して、静電チャック18の上に載置する。そして、処理ガス供給源56より処理ガスつまりエッチングガス一般に混合ガスを所定の流量および流量比でチャンバ10内に導入し、排気装置66による真空排気でチャンバ10内の圧力を設定値にする。さらに、第1高周波電源36からの第1高周波RF1100MHzと高周波電源38からの第2高周波RF213.56MHzとを重畳してあるいは片方を単独でサセプタ16に印加する。また、直流電源24より直流電圧を静電チャック18の電極20に印加して、半導体ウエハWを静電チャック18上に固定する。上部電極46のシャワーヘッドより吐出されたエッチングガスは両電極46,16間の高周波電界の下で放電し、処理空間PS内にプラズマが生成される。このプラズマに含まれるラジカルやイオンによって半導体ウエハWの主面の被加工膜がエッチングされる。[第1高周波電源の回路構成]図2に、第1高周波電源36の回路構成を示す。第1高周波電源36は、上記のようにリニアアンプ方式の高周波電源であり、第1周波数f1100MHzの正弦波信号rf1を発生する正弦波発振器80と、この発振器80より出力される正弦波信号rf1の正弦波形を保ったままそのRFパワーの利得または増幅率を制御可能に増幅して第1高周波RF1を出力するリニアアンプ82と、主制御部72からの制御信号にしたがって発振器80およびリニアアンプ82を直接制御する電源制御部84とを備えている。このプラズマエッチング装置において、第1高周波RF1にパルス変調をかけるときは、主制御部72と電源制御部84がパワー変調部を形成する。第1高周波電源36のユニット内には、RFパワーモニタ86も備わっている。このRFパワーモニタ86は、図示省略するが、方向性結合器、進行波パワーモニタ部および反射波パワーモニタ部を有している。ここで、方向性結合器は、高周波給電ライン43上を順方向に伝搬するRFパワー進行波と逆方向に伝搬するRFパワー反射波のそれぞれに対応する信号を取り出す。進行波パワーモニタ部は、方向性結合器により取り出された進行波パワー検出信号を基に、高周波伝送路43上の進行波に含まれる基本波進行波100MHzのパワーを表わす信号を生成する。この信号つまり基本波進行波パワー測定値信号は、パワーフィードバック制御用に第1高周波電源36内の電源制御部84に与えられるとともに、モニタ表示用に主制御部72にも与えられる。反射波パワーモニタ部は、チャンバ10内のプラズマから第1高周波電源36に返ってくる反射波に含まれる基本波反射波100MHzのパワーを測定するとともに、チャンバ10内のプラズマから第1高周波電源36に返ってくる反射波に含まれる全ての反射波スペクトルのトータルのパワーを測定する。反射波パワーモニタ部により得られる基本波反射波パワー測定値はモニタ表示用に主制御部72に与えられ、トータル反射波パワー測定値はパワーアンプ保護用のモニタ値として第1高周波電源36内の電源制御部84に与えられる。リニアアンプ82の出力端子M1,N1は、ローパスフィルタ88および同軸ケーブル90を介して整合器40の入力端子に接続されている。ローパスフィルタ88は、リニアアンプ82からの第1高周波RF1に含まれる第1周波数f1よりも高い周波数成分歪成分を除去する。図示のローパスフィルタ88は、高周波給電ライン43に直列に挿入される1つのコイル92と、このコイル92の両側に並列に挿入される2つのコンデンサ94,96とからなるπ形回路として構成されている。図3に、リニアアンプ82の回路構成を示す。このリニアアンプ82は、入力端子100を介して発振器80からの正弦波信号rf1を一次巻線に入力する入力トランス102と、この入力トランス102の二次巻線の両端にそれぞれの制御端子が接続されている一対の増幅トランジスタたとえばP型のMOSFET104A,104Bと、二次側に負荷が接続されている出力トランス106とを有する。入力トランス102の二次巻線は、一方の端子が第1のMOSFET104Aのゲート端子に接続されるとともに、他方の端子が第2のMOSFET104Bのゲート端子に接続され、中性点が接地されている。第1のMOSFET104Aは、ソース端子が接地され、ドレイン端子が出力トランス108の一次巻線の一方の端子に接続されている。第2のMOSFET104Bは、ソース端子が接地され、ドレイン端子が出力トランス106の一次巻線の他方の端子に接続されている。出力トランス106の一次巻線はその中性点が可変直流電源図示せずの電源電圧Vdd端子108に接続され、二次巻線は出力端子M1,N1を介して高周波給電ライン43上の負荷に接続されている。負荷は、主としてチャンバ10内のプラズマと整合器40内の整合回路とを含む。このリニアアンプ82において、正弦波信号rf1の正極性の半サイクルでは、第1のMOSFET104Aがオフ状態で第2のMOSFET104Bをオン状態に制御し、直流電源電圧Vdd端子108から出力トランス106および第2のMOSFET104Bを通ってグランド接地電位部材へ正弦波信号rf1に対応した波形の電流IdBが流れる。この時、出力トランス106の二次側の負荷回路では第1高周波RF1の電流が負極性の向きで流れる。正弦波信号rf1の負極性の半サイクルでは、第2のMOSFET104Bがオフ状態で第1のMOSFET104Aをオン状態に制御し、直流電源電圧Vdd端子108から出力トランス106および第1のMOSFET104Aを通ってグランド接地電位部材へ正弦波信号rf1に対応した波形の電流IdAが流れる。この時、出力トランス106の二次側の負荷回路では第1高周波RF1の電流が正極性の向きで流れる。こうして出力トランス106の二次巻線より出力される第1高周波RF1は、入力トランス102の一次巻線に入力される正弦波信号rf1と相似な正弦波形を有する。直流電源電圧Vddを制御することで、増幅率を可変し、百MH以上の周波数帯域でも第1高周波RF1のパワーを任意に調整することができる。ここで、直流電源の出力つまりDCパワーをPDC,高周波電源の出力つまりRFパワーをPRF、高周波電源内部の消費電力をPcとすると、PDC=PRFPcであり、DC-RF変換効率はPRF/PDC×100である。DC-RF変換効率は、高周波電源の使用価値を左右する指標の一つである。リニアアンプ方式の高周波電源36は、このように動作周波数が非常に広いうえ、パワー変調により第1高周波RF1のパワーをオン/オフするときは、電源制御部84の制御の下で低出力の正弦波発振器80をオン/オフ制御すればよい。このため、パルス周波数の各サイクル内で高周波電源36をオン状態からオフ状態に切り換える時は、正弦波発振器80が即時にオフ状態となるので、高周波給電ライン43上で第1高周波RF1のパワーが瞬時に消失し、RFパワー裾曳き現象が発生することはない。ただし、リニアアンプ82内で消費する電力損失Pcが多く、DC-RF変換効率は高くない。図4に、第2のMOSFET104Bにおけるソースドレイン間電圧VdBおよびドレイン電流IdBの波形を示す。この図から理解されるように、MOSFET104BではVdBIdBの実効電力が存在し、ドレイン損失として消費される。図示省略するが、第1のMOSFET104Aにおけるソースドレイン間電圧VdAおよびドレイン電流IdAの波形は、VdBおよびIdBの波形と位相がそれぞれ逆になる。第1のMOSFET104AでもVdAIdAの実効電力が存在し、ドレイン損失として消費される。[第2高周波電源及び残留高周波除去部の回路構成]図5に、第2高周波電源38および残留高周波除去部74の回路構成を示す。第2高周波電源38は、上記のようにスイッチング方式の高周波電源であり、第2周波数f213.56MHzの2相スイッチングパルスSa,Sbを発生するスイッチングパルス発振器110と、この発振器110からの後述する2相スイッチングパルスSa,Sbに応答して直流電源の出力を正弦波の第2高周波RF2に変換する正弦波インバータ112と、主制御部72からの制御信号にしたがって発振器110および正弦波インバータ112を直接制御する電源制御部114とを備えている。このプラズマエッチング装置において、第2高周波RF2にパルス変調をかけるときは、主制御部72と電源制御部114がパワー変調部を構成する。第2高周波電源38のユニット内には、RFパワーモニタ116も備わっている。このRFパワーモニタ116は、図示省略するが、方向性結合器、進行波パワーモニタ部および反射波パワーモニタ部を有している。ここで、方向性結合器は、高周波給電ライン45上を順方向に伝搬するRFパワー進行波と逆方向に伝搬するRFパワー反射波のそれぞれに対応する信号を取り出す。進行波パワーモニタ部は、方向性結合器により取り出された進行波パワー検出信号を基に、高周波伝送路45上の進行波に含まれる基本波進行波13.56MHzのパワーを表わす信号を生成する。この信号つまり基本波進行波パワー測定値信号は、パワーフィードバック制御用に第2高周波電源38内の電源制御部114に与えられるとともに、モニタ表示用に主制御部72にも与えられる。反射波パワーモニタ部は、チャンバ10内のプラズマから第2高周波電源38に返ってくる反射波に含まれる基本波反射波13.56MHzのパワーを測定するとともに、チャンバ10内のプラズマから第2高周波電源38に返ってくる反射波に含まれる全ての反射波スペクトルのトータルのパワーを測定する。反射波パワーモニタ部により得られる基本波反射波パワー測定値はモニタ表示用に主制御部72に与えられ、トータル反射波パワー測定値はパワーアンプ保護用のモニタ値として第2高周波電源38内の電源制御部114に与えられる。正弦波インバータ112の出力端子M2,N2は、トランス118、ローパスフィルタ120および同軸ケーブル122を介して整合器42の入力端子に接続されている。トランス118は、インピーダンス変換に用いられる。ローパスフィルタ120は、正弦波インバータ112からの第2高周波RF2に含まれる第2周波数f2よりも高い周波数成分歪成分を除去する。図示のローパスフィルタ120は、高周波給電ライン45に直列に挿入される1つのコイル124と、このコイル124の両端にて並列に挿入される2つのコンデンサ126,128とからなるπ形回路として構成されている。図6に、正弦波インバータ112の回路構成を示す。この正弦波インバータ112は、フルブリッジ回路を構成する第1組のスイッチング素子たとえばN型のMOSFET130A,132Aと第2組のスイッチング素子たとえばN型のMOSFET130B,132Bと、負荷に対して第1組のMOSFET130A,132Aまたは第2組のMOSFET130B,132Bと直列に接続されるコイル134およびコンデンサ136とを有する。より詳しくは、第1組の一方のMOSFET130Aは、ドレイン端子が直流電源電圧Vdd端子138に接続され、ソース端子がノードJ1に接続され、ゲート端子に第1相のスイッチングパルスSaを入力する。第2組の一方のMOSFET130Bは、ドレイン端子が直流電源電圧Vdd端子138に接続され、ソース端子がノードJ2に接続され、ゲート端子に第2相のスイッチングパルスSbを入力する。第1組の他方のMOSFET132Aは、ドレイン端子がノードJ2に接続され、ソース端子が接地され、ゲート端子に第1相のスイッチングパルスSaを入力する。第2組の他方のMOSFET132Bは、ドレイン端子がノードJ1に接続され、ソース端子が接地され、ゲート端子に第2相のスイッチングパルスSbを入力する。そして、ノードJ1とノードJ2との間に、コンデンサ136、コイル134、一方の出力端子M2、負荷、他方の出力端子N2が直列に接続される。コイル134とコンデンサ136は、第2高周波RF2に対して直列共振回路を構成する。負荷は、主としてチャンバ10内のプラズマと整合器42内の整合回路とを含む。この正弦波インバータ112において、第2組のMOSFET130B,132Bをオフ状態に保って第1組のMOSFET130A,132Aを第1相のスイッチングパルスSaによりオンさせると、直流電源電圧Vdd端子138からMOSFET130A、コンデンサ136、コイル134、出力端子M2、負荷、出力端子N2およびMOSFET132Aを通ってグランド接地電位部材へ負荷電流第2高周波RF2の電流ILが正極性の向きで流れる。反対に,第1組のMOSFET130A,132Aをオフ状態に保って第2組のMOSFET130B,132Bを第2相のスイッチングパルスSbによりオンさせると、直流電源電圧Vdd端子138からMOSFET130B、出力端子N2、負荷、出力端子M2、コイル134、コンデンサ136およびMOSFET132Bを通ってグランド接地電位部材へ負荷電流第2高周波RF2の電流ILが負極性の向きで流れる。この正弦波インバータ112においては、図7に示すように、発振器110で生成される2相スイッチングパルスSa,Sbを電源制御部114の制御の下でPWMパルス幅変調のパルス列とすることにより、負荷電流第1高周波RF1の電流ILを正弦波に成形することができる。スイッチングパルスSa,Sbのオン持続時間ないしデューティ比を可変することで、第2高周波RF2のRFパワーを任意に制御することもできる。上記のようなスイッチング方式の高周波電源38は、リニアアンプ方式とは反対に、スイッチング素子130A,130B,132A,132Bのスイッチング速度によって動作周波数が律速されるが、損失が非常に少なくて、DC-RF変換効率が高い。図8に、第2組の他方のMOSFET132Bにおけるソースドレイン間電圧Vdbおよびドレイン電流Idbの波形を示す。第2高周波RF2の電流ILが負極性の向きで負荷回路を流れる第1の半サイクルでは、MOSFET132Bのソースドレイン間が飽和状態で導通短絡してドレイン電流Idbが流れる。第2高周波RF2の電流ILが正極性の向きで負荷回路を流れる第2の半サイクルでは、MOSFET132Bはオフ状態でドレイン電流Idbは流れない。したがって、VdbIdbの実効電力またはドレイン損失は殆ど無い。他のMOSFET130A,132A,132Bにおいても同様である。もっとも、スイッチング方式の第2高周波電源38においては、第2高周波RF2の出力を止めた時に、第2高周波RF2のエネルギーが正弦波インバータ112ないしローパスフィルタ120に残留してRFパワー裾曳き現象を起こしやすく、特にLC直列共振回路134,136を備える場合にその傾向が強く出る。この実施形態では、高周波給電ライン45に残留高周波除去部74を接続することで、第2高周波電源38におけるRFパワー裾曳き現象の発生を防止ないし低減するようにしている。再び図5において、残留高周波除去部74は、高周波給電ライン45上で、ローパスフィルタ120と同軸ケーブル122との間に設けられる。あるいは、残留高周波除去部74は、トランス118の一次側に設けられてもよく、基本的には正弦波インバータ112と整合器42との間であれば高周波給電ライン45上の何処に設けられてもよい。この残留高周波除去部74は、高周波給電ライン45とグランド接地電位部材との間に直列に接続された抵抗140とスイッチ142とを有している。スイッチ142は、たとえばMOSトランジスタからなり、第2高周波RF2にパワー変調をかける場合に主制御部72からの残留高周波除去信号CRMによってスイッチング動作し、CSWがHレベルの時はオンし、CRMがLレベルの時はオフするようになっている。第2高周波RF2にパワー変調をかけないときは、主制御部72からスイッチング制御信号CSWは与えられず、スイッチ142はオフ状態に保持される。残留高周波除去信号CRMは、後述するように、パルス変調のパルス周波数およびデューティ比を規定する変調制御パルスPSに同期した制御パルスとして与えられる。[残留高周波除去部の作用]次に、この実施形態における残留高周波除去部74の作用を説明する。図9に、この容量結合型プラズマエッチング装置において、第2高周波RF2にパルス変調をかける場合の主要な各部の波形を示す。この場合、主制御部72は、パワー変調用に設定されたパルス周波数fSおよびデューティDSを規定する変調制御パルス信号PSを、第2高周波電源38の電源制御部114に与える。電源制御部114は、変調制御パルス信号PSに同期してスイッチングパルス発振器110をオンオフ制御し、第2高周波RF2の出力をオンオフ制御する。ここで、変調制御パルス信号PSの周期、オン期間、オフ期間をそれぞれTC,Ton,Toffとすると、TC=1/fS,TC=TonToff,DS=Ton/TonToffの関係式が成立する。一方、第1高周波電源36は、第1高周波RF1をオンオフ制御することなく連続的に出力する。さらに、主制御部72は、残留高周波除去信号CRMを残留高周波除去部74のスイッチ142に与える。図9に示すように、残留高周波除去信号CRMは、変調制御パルスPSに逆位相で同期し、パルス周波数の各サイクルにおいてオン期間Ton中はLレベルを保ち、オフ期間Toff中に好ましくはオフ期間Toffの開始直後と終了間際の遷移時間Te,Tfを除いてHレベルになる。これにより、スイッチ142は、パルス周波数の各サイクルにおいてオン期間Ton中はオフ状態に保持され、オフ期間Toff中にオン状態になる。スイッチ142がオンすると、高周波給電ライン45上に残留している第2高周波RF2より正確には高周波給電ライン45上の全ての進行波および反射波は抵抗140およびスイッチ142を通ってグランド接地電位部材へ流れる。抵抗140は、高周波給電ライン45からグランドへ流れる第2高周波RF2の電流を制限しつつ、ジュール熱を発生して残留RFパワーを消費する。こうして、パルス周波数の各サイクルにおいてオン期間Tonからオフ期間Toffに移行する際に、正弦波インバータ112ないしローパスフィルタ120内のコイル124,134やコンデンサ126,128,136等に電磁エネルギーまたは電荷エネルギーとして蓄積されていた第2高周波RF2より正確には高周波給電ライン45上の全ての全ての進行波および反射波は、高周波給電ライン45上から速やかに除去される。本発明者が、この実施形態のプラズマエッチング装置において、パルス周波数fsを20kHz、デューティ比を50とするパワー変調をたとえば500Wの出力で第2高周波RF2にかけて、オシロスコープにより高周波給電ライン45上の高周波波形を観測したところ、図10に示すように、パルス周波数の各サイクルにおいてオン期間Ton図中のON期間からオフ期間Toff図中のOFF期間に移行する時に第2高周波RF2がHレベル500WからLレベル0Wにステップ的に切り換わっており、RFパワー裾曳き現象が発生しないことを確認できた。一方で、残留高周波除去部74を取り外し、上記と同一条件のパワー変調を第2高周波RF2にかけて、上記と同様にオシロスコープにより高周波給電ライン45上の高周波波形を観測したところ、図11に示すように、パルス周波数の各サイクルにおいてオン期間Ton図中のON期間からオフ期間Toff図中のOFF期間に移行する時に第2高周波RF2の振幅が裾を曳くように一定の時定数で減衰しながらLレベル0Wに収束する現象つまりRFパワー裾曳き現象が発生することが確認された。このように、この実施形態においては、第2高周波RF2にパワー変調をかける場合に高周波給電ライン上でRFパワー裾曳き現象が発生するのを簡便かつ確実に防止することができる。これにより、矩形波パルス状の高周波電力供給が可能となる。また、高周波給電ライン45上でRFパワー裾曳き現象が発生しないで、RFパワーモニタ116により取得されるモニタリング情報の精度が向上する。なお、この実施形態のプラズマエッチング装置においては、図12に示すように、第1高周波RF1にパワー変調をかけることも可能である。この場合、主制御部72は、パワー変調用に設定されたパルス周波数fSおよびデューティDSを規定する変調制御パルス信号PSを、第1高周波電源36の電源制御部84に与える。電源制御部84は、変調制御パルス信号PSに同期して正弦波発振器80をオンオフ制御し、第1高周波RF1の出力をオンオフ制御する。一方、第2高周波電源38は、第2高周波RF2をオンオフ制御することなく連続的に出力する。残留高周波除去部74のスイッチ142は、主制御部72より残留高周波除去信号CRMを与えられず、オフ状態を保持する。上記したように、第1高周波電源36はリニアアンプ方式であるから、第1高周波RF1にパワー変調をかけた場合は、パルス周波数の各サイクルにおいてオン期間Tonからオフ期間Toffに移行する際に高周波給電ライン43上に第1高周波RF1のパワーが残留しないので、RFパワー裾曳き現象が発生することはない。[他の実施形態または変形例]以上本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術思想の範囲内で種種の変形が可能である。上記実施形態では、第2高周波電源38にスイッチング方式の高周波電源を使用し、これに関連して高周波給電ライン45上に残留高周波除去部74を設けた。しかし、第1高周波電源36にスイッチング方式の高周波電源を使用することも可能であり、その場合は高周波給電ライン43上にも別の残留高周波除去部74を設ければよい。また、第1高周波電源36および第2高周波電源38の双方にスイッチング方式の高周波電源を用いることも可能である。その場合は、各々の高周波給電ライン43,45上に残留高周波除去部74を設ければよい。さらには、図13に示すように、第1高周波RF1および第2高周波RF2の双方にパワー変調をかけることも可能である。この場合、主制御部72は、パワー変調用に設定されたパルス周波数fSおよびデューティDSを規定する変調制御パルス信号PSを、第1高周波電源36の電源制御部84および第2高周波電源36の電源制御部114に与える。本発明のプラズマ処理装置におけるスイッチング方式の高周波電源は、上記実施形態のような2対4個のスイッチング素子を用いるフルブリッジ型に限定されず、たとえば一対2個のスイッチング素子を用いるハーフブリッジ型であってもよい。その場合は、1相または2相のスイッチングパルスにより、高周波の各サイクルにおいて、前の半サイクルでは一方のスイッチング素子をオフ状態に保持して他方のスイッチング素子をオンにし、後の半サイクルでは他方のスイッチング素子をオフ状態に保持して一方のスイッチング素子をオンにするようなスイッチング制御が行われる。また、プラズマ生成に好適な第1高周波給電36の高周波RF1は、上記実施形態ではサセプタ下部電極16に印加したが、上部電極46に印加することも可能である。本発明は、容量結合型プラズマエッチング装置に限定されず、プラズマCVD、プラズマALD、プラズマ酸化、プラズマ窒化、スパッタリングなど任意のプラズマプロセスを行う容量結合型プラズマ処理装置に適用可能である。本発明における被処理基板は半導体ウエハに限るものではなく、フラットパネルディスプレイ、有機EL、太陽電池用の各種基板や、フォトマスク、CD基板、プリント基板等も可能である。"