"第1リフレクターと、第2リフレクターと、前記第1及び第2リフレクターの間に配置される少なくとも一つの光源と、を含み、前記第2リフレクターは、正反射領域と乱反射領域を含み、前記正反射領域は、前記第2リフレクターの全体領域の5~50を占める、バックライトユニット。前記第2リフレクターは、少なくとも一つの平面を含み、前記第2リフレクターの平面は、前記第1リフレクターと平行な面である、請求項1に記載のバックライトユニット。前記第2リフレクターは、少なくとも一つの変曲点を持つ少なくとも2個の傾斜面を含み、前記変曲点を中心に隣接する第1及び第2傾斜面の曲率は互いに異なる、請求項1に記載のバックライトユニット。前記第2リフレクターから一定空間をおいて配置される光学部材をさらに含み、前記第2リフレクターと前記光学部材との間の空間には、エアーガイドが形成される、請求項1に記載のバックライトユニット。前記第2リフレクターから一定空間をおいて配置される光学部材をさらに含み、前記第2リフレクターと前記光学部材との間の空間には導光板がない、請求項1に記載のバックライトユニット。前記乱反射領域は、入射光をランバート分布及びガウス分布のうち少なくとも一つで反射し、前記乱反射領域の全ての地点は、前記各地点に入射する光の入射角が、前記各地点を通る法線を基準に、少なくとも55°以上である、請求項1~5のいずれか1項に記載のバックライトユニット。前記乱反射領域は、第1及び第2乱反射領域を含み、前記第1及び第2乱反射領域は、入射光をランバート分布及びガウス分布のうち少なくとも一つで反射し、前記第1乱反射領域の全ての地点は、前記各地点に入射する光の入射角が、前記各地点を通る法線を基準に少なくとも55°以上であり、前記第2乱反射領域の全ての地点は、前記各地点に入射する光の入射角が、前記各地点を通る法線を基準に少なくとも60°以上である、請求項1~5のいずれか1項に記載のバックライトユニット。前記第2リフレクターは、少なくとも一つの変曲点を持つ傾斜面を含み、前記傾斜面に沿って、凹ライン及び凸ラインが交互に配列されるパターンを有する、請求項1~5のいずれか1項に記載のバックライトユニット。前記第2リフレクターの正反射領域は、前記光源から遠ざかるほど面積比率が減る、請求項1~5のいずれか1項に記載のバックライトユニット。前記光源に隣接する第2リフレクターの正反射領域は、前記光源から遠く離れた第2リフレクターの乱反射領域に比べて面積がより小さい、請求項1~5のいずれか1項に記載のバックライトユニット。前記第2リフレクターの正反射領域は、前記第2リフレクターの全体領域の20~30を占める、請求項1~5のいずれか1項に記載のバックライトユニット。前記第2リフレクターの正反射領域と乱反射領域との面積比は、1:1~20である、請求項1~5のいずれか1項に記載のバックライトユニット。前記第2リフレクターは、前記正反射領域及び乱反射領域を含む単一層からなる、請求項1~5のいずれか1項に記載のバックライトユニット。前記第2リフレクターは、乱反射層と、前記乱反射層の一部分が露出されるように前記乱反射層上に形成される正反射層と、を含む二重層からなる、請求項1~5のいずれか1項に記載のバックライトユニット。第1乱反射領域は、ランバート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ガウス分布で反射する光量がより多く、第2乱反射領域は、ランバート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ランバート分布で反射する光量がより多い、請求項7に記載のバックライトユニット。前記第1乱反射領域と前記第2乱反射領域との面積比は、1:1~5である、請求項7に記載のバックライトユニット。前記正反射領域と前記第2乱反射領域との面積比は、1:1~20である、請求項7に記載のバックライトユニット。前記第1乱反射領域は、前記正反射領域と前記第2乱反射領域との間に位置する、請求項7に記載のバックライトユニット。前記第1及び第2乱反射領域は、ポリエチレンテレフタレートPETからなる第1層と、前記第1層上に形成され、TiO2及びSiO2のうち、少なくとも一粒子からなる第2層と、を含む、請求項7に記載のバックライトユニット。前記第2リフレクターの凹ラインは、前記傾斜面から凹んだ曲面であり、前記第2リフレクターの凸ラインは、前記傾斜面から膨らんでいる曲面である、請求項8に記載のバックライトユニット。前記凹ラインの曲率は、前記凹ラインと傾斜面との接点と前記凹ラインの頂点とをつなぐ直線が前記傾斜面となす角度θが0.01~15°であることを満たし、前記角度θは、下記方程式1により定義される、請求項8に記載のバックライトユニット:方程式1:θ=tan-1=0.01~15°ここで、hは、前記凹ラインの最大深さ前記凹ラインの頂点と前記傾斜面との間の最短距離であり、wは、前記凹ラインの幅前記凹ラインと傾斜面との接点と、前記凹ラインの頂点と傾斜面とをつなぐ垂直線との間の最短距離である。前記互いに隣接する凹ライン及び凸ラインの曲率は、互いに異なる、請求項8に記載のバックライトユニット。前記一つの凹ラインの両側には、第1凸ライン及び第2凸ラインが配置され、前記第1凸ラインの曲率は、隣接する凹ラインの曲率と同一または異なり、前記第2凸ラインの曲率と異なり、前記一つの凸ラインの両側には、第1凹ライン及び第2凹ラインが配置され、前記第1凹ラインの曲率は、隣接する凸ラインの曲率と同一または異なり、前記第2凹ラインの曲率と異なる、請求項8に記載のバックライトユニット。前記凹ライン及び凸ラインの長さは、前記光源から遠い領域と前記光源に隣接した領域において互いに同一である、請求項8に記載のバックライトユニット。前記単一層は、同一の平面上に配列される正反射層及び乱反射層で構成され、前記正反射層と乱反射層は、互いに同一の厚さを有する、請求項13に記載のバックライトユニット。前記単一層は、同一の平面上に配列される正反射層及び乱反射層で構成され、前記正反射層及び乱反射層は、一部分が互いに重なり、前記乱反射層と重なった正反射層の厚さは、前記乱反射層と重ならない正反射層の厚さよりも薄い、請求項13に記載のバックライトユニット。前記乱反射層上に形成される正反射層は、前記乱反射層の一部が露出されるように多数のホールholeが形成される、請求項14に記載のバックライトユニット。前記正反射層に形成されるホールは、前記光源から遠ざかるほど、前記ホールの個数が増加する、請求項14に記載のバックライトユニット。ディスプレイパネルと、前記ディスプレイパネルに光を照射するバックライトユニットと、を含み、前記バックライトユニットは、請求項1乃至28のいずれか1に記載のバックライトユニットである、ディスプレイ装置。実施例は、正反射領域と乱反射領域を持つリフレクターを用いて、エアーガイドairguideを持つバックライトユニット及びこれを用いるディスプレイ装置を提供する。実施例は、凹ラインと凸ラインとが交互に配列される多数のパターンが形成されているリフレクターを用いて、エアーガイドを持つバックライトユニット及びこれを用いるディスプレイ装置を提供する。実施例は、第1リフレクター、第2リフレクター、そして、第1及び第2リフレクターの間に配置される少なくとも一つの光源を含み、前記第2リフレクターは、正反射領域と乱反射領域を含み、前記正反射領域は、前記第2リフレクターの全体領域の5~50を占めることができる。ここで、乱反射領域は、入射光をランパート分布及びガウス分布のうち少なくとも一つで反射し、該乱反射領域の全地点は、これら各地点に入射する光の入射角が、前記各地点を通る法線を基準に、少なくとも55°以上であればよい。そして、乱反射領域は、第1及び第2乱反射領域を含み、前記第1及び第2乱反射領域は、入射光をランパート分布及びガウス分布のうち少なくとも一つで反射し、前記第1乱反射領域の全地点は、これら各地点に入射する光の入射角が、前記各地点を通る法線から少なくとも55°であり、前記第2乱反射領域の全地点は、これら各地点に入射する光の入射角が、前記各地点を通る法線から少なくとも60°以上であればよい。ここで、第1乱反射領域は、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ガウス分布で反射する光量がより多く、第2乱反射領域は、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ランパート分布で反射する光量がより多いと良い。なお、第1乱反射領域と前記第2乱反射領域との面積比率は、11~5であればよく、正反射領域と前記第1乱反射領域との面積比率は、11~4であればよく、正反射領域と前記第2乱反射領域との面積比率は、11~20であればよい。また、第1及び第2乱反射領域は、ポリエチレンテレフタレートPETからなる第1層と、前記第1層上に形成され、TiO2及びSiO2のうち少なくとも一粒子からなる第2層と、を含むことができる。そして、第1乱反射領域に含まれる粒子量は、前記第2乱反射領域に含まれる粒子量よりも少ないと良い。また、第2リフレクターは、少なくとも一つの変曲点を持つ傾斜面を含み、前記傾斜面に沿って、凹ラインと凸ラインが交互に配列されるパターンを有することができる。また、第2リフレクターの凹ラインは、前記傾斜面から凹んでいる曲面であり、第2リフレクターの凸ラインは、前記傾斜面から膨らんでいる曲面であればよい。また、凹ラインの曲率は、前記凹ラインと傾斜面との接点と前記凹ラインの頂点とをつなぐ直線か前記傾斜面となす角度θが0.01~15°であることを満足することができる。そして、角度θは、下記方程式1により定義することができる。方程式1:θ=tan-1h/w=0.01~15°ここで、hは、前記凹ラインの最大深さ前記凹ラインの頂点と前記傾斜面との最短距離であり、wは、前記凹ラインの幅前記凹ラインと傾斜面との接点と、前記凹ラインの頂点と傾斜面とをつなぐ垂直線との間の最短距離である。実施例は、正反射領域specularreflectionarea及び乱反射領域diffusereflectionareaを有するようにエアーガイド用のリフレクターを形成することによって、軽量で、安価で、均一の輝度を有するバックライトユニットを提供することができる。その結果、バックライトユニットの経済性及び信頼性を向上させることができる。以下、添付の図面を参照しつつ実施例を説明する。本実施例の説明において、各構成要素elementの上上部または下下部onorunderに形成されるという記載は、ある構成要素が他の構成要素の上上部のまたは下下部に直接directly形成される、または、一つ以上の別の構成要素を介在してindirectly形成されるということを意味する。また、上上部または下下部と表現される場合、ある構成要素を基準に、上方を表すこともあり、下方を表すこともある。図1A及び図1Bは、実施例に係るバックライトユニットを説明するための図であり、図1Aは断面図、図1Bは上面斜視図である。図1A及び図1Bに示すように、バックライトユニットは、少なくとも一つの光源110を含む光源モジュール100、第1リフレクターreflector200及び第2リフレクター300を含むことができる。ここで、光源110を含む光源モジュール100は、第1リフレクター200と第2リフレクター300との間に位置し、第1リフレクター200または第2リフレクター300に隣接して配置されることができる。場合によって、光源モジュール100は、第1リフレクター200に接触されると同時に、第2リフレクター300から一定間隔離れて配置されることもでき、第2リフレクター300に接触されると同時に、第1リフレクター200から一定間隔離れて配置されることもできる。または、光源モジュール100は、第1リフレクター200及び第2リフレクター300から一定間隔離れて配置されることもでき、第1リフレクター200及び第2リフレクター300に同時に接触して配置されることもできる。そして、光源モジュール100は、電極パターンを有する回路基板及び光を生成する発光素子を含むことができる。ここで、回路基板は、少なくとも一つの発光素子が実装されればよく、電源を供給するアダプター及び発光素子を連結するための電極パターンが形成されていればよい。例えば、回路基板の上面には、発光素子及びアダプターを連結するための炭素ナノチューブ電極パターンが形成されればよい。このような回路基板は、ポリエチレンテレフタレートPET、ガラス、ポリカーボネートPCまたはシリコンSiなどからなり、複数の光源100が実装されるPCBPrintedCircuitBoard基板であればよく、フィルム形態に形成することができる。また、基板は、単層PCB、多層PCB、セラミック基板、メタルコアPCBなどを選択的に使用することができる。一方、発光素子は、発光ダイオードチップLEDchipであればよく、発光ダイオードチップは、ブルーLEDチップまたは紫外線LEDチップで構成されたり、または、レッドLEDチップ、グリーンLEDチップ、ブルーLEDチップ、イエローグリーンYellowgreenLEDチップ、ホワイトLEDチップ、UVLEDチップから選ばれる少なくとも一つまたはそれ以上を組み合わせたパッケージの形態とすることができる。そして、ホワイトLEDは、ブルーLED上にイエロー燐光Yellowphosphorを結合したり、ブルーLED上にレッド燐光Redphosphorとグリーン燐光Greenphosphorを同時に使って具現しりすることができ、ブルーLED上にイエロー燐光、レッド燐光及びグリーン燐光Greenphosphorを同時に使って具現することもできる。また、第1リフレクター200と第2リフレクター300との間の空間には、既存に使用した導光板を省き、エアーガイドairguideが形成されるように、第1リフレクター200と第2リフレクター300は一定間隔離れて互いに向かい合えばよい。そして、第1リフレクター200は、反射コーティングフィルム及び反射コーティング物質層のいずれか一つで形成され、光源モジュール100から生成された光を、第2リフレクター300の方向に反射させる役割を果たすことができる。また、第1リフレクター200の表面のうち、光源モジュール100に面する表面上には、鋸歯状の反射パターンが形成され、反射パターンの表面は、平面または曲面であればよい。第1リフレクター200の表面に反射パターンを形成する理由は、光源モジュールで生成された光を、第2リフレクター300の中央領域に反射させることによって、バックライトユニットの中央領域における輝度を増加させるためである。また、第2リフレクター300は、正反射領域specularreflectionarea300a及び乱反射領域diffusereflectionarea300bを含む。ここで、正反射領域300aは、入射する光を正反射する役割を果たし、乱反射領域300bは、入射する光を乱反射する役割を果たすことができ、正反射領域300a及び乱反射領域300bの光反射率は、約50~99.99であればよい。そして、正反射領域300aは、第2リフレクター300の全体領域の約5~50を占めることができる。場合によって、第2リフレクター300において、正反射領域300aは、第2リフレクター300の全体領域の約20~30を占めることもできる。また、第2リフレクター300において、正反射領域300aと乱反射領域300bとの面積比率は、1:1~20であればよい。このように第2リフレクター300の正反射領域300aと乱反射領域300bとの面積比率を定める理由は、光源110に隣接した領域と光源110から遠く離れた領域との輝度差を減らすためである。すなわち、第2リフレクター300は、正反射領域300aと乱反射領域300bとの面積比率を適切に調節することによって、全体的に均一の輝度を提供することができる。ここで、第2リフレクター300は、アルミニウムAl、銀Ag、金Au、二酸化チタンTiO2などのように高い反射率を有する金属または金属酸化物を含んでなることができる。第2リフレクター300は、正反射領域300aと乱反射領域300bに形成される物質が互いに異なってもよく、正反射領域300aと乱反射領域300bの表面粗さが互いに異なってもよい。すなわち、第2リフレクター300は、正反射領域300a及び乱反射領域300bが同一物質から形成されると同時に、異なる表面粗さを有することがある。または、第2リフレクター300は、正反射領域300aと乱反射領域300bとが異なる物質から形成されると同時に、異なる表面粗さを有することがある。そして、光源110及び第1リフレクター200のうち少なくとも一つは、正反射領域300aと重なることができる。すなわち、第1リフレクター200は、第2リフレクター300の正反射領域300aに一部のみ重なることもでき、完全に重なることもできる。第2リフレクター300の正反射領域300aは、光源モジュール100に隣接して位置し、光源110から出射された光を、第2リフレクター300の中央領域に反射させる役割を果たし、第2リフレクター300の乱反射領域300bは、第2リフレクター300の中央領域に位置し、入射する光を拡散させる役割を果たすことができる。また、第2リフレクター300は、少なくとも一つの傾斜面inclinedsurfaceと少なくとも一つの平面flatsurface;すなわち、平坦な面を含むことができる。ここで、第2リフレクター300の傾斜面は、第1リフレクター200に対して一定角度で傾斜した面であればよく、第2リフレクター300の平面は、第1リフレクター200と平行な面であればよい。そして、第2リフレクター300の傾斜面は、全体領域が正反射領域であってもよく、一部領域のみが正反射領域であってもよい。また、第2リフレクター300の傾斜面は、光源110及び第1リフレクター200のうちの少なくとも一つと重なるものでよい。図2A及び図2Bは、第2リフレクターの正反射領域に重なる第1リフレクターを示す図面であり、図2Aは、第2リフレクターの正反射領域に一部重なる第1リフレクターを示す図であり、図2Bは、第2リフレクターの正反射領域に完全に重なる第1リフレクターを示す図である。図2Aに示すように、第1リフレクター200は、第2リフレクター300の正反射領域300aに一部のみ異なっても良い。ここで、光源100は、第2リフレクター300の正反射領域300aに一部のみ重なってもよく、完全に重なってもよい。そして、図2Bに示すように、第1リフレクター200は、第2リフレクター300の正反射領域300aに完全に重なってもよい。ここで、光源100は、第2リフレクター300の正反射領域300aに一部のみ重なってもよく、完全に重なってもよい。図3A乃至図3Cは、傾斜面と平面を含む第2リフレクターを示す図である。図3Aは、傾斜面が扁平な表面を有し、第2リフレクター300の正反射領域300aに含まれる例を示す。そして、図3Bは、傾斜面が凹んだ曲面を有し、第2リフレクター300の正反射領域300aに含まれる例を示し、図3Cは、傾斜面が膨らんでいる曲面を有し、第2リフレクター300の正反射領域300aに含まれる例を示す。また、図3A乃至図3Cに示すように、第1リフレクター200と平行な第2リフレクター300の平面は、第2リフレクター300の乱反射領域300bに含まれればよい。一方、第2リフレクター300は、少なくとも一つの変曲点を有する少なくとも2個の傾斜面を含み、変曲点を中心に隣接する第1及び第2傾斜面の曲率は互いに異なってもよい。図4A乃至図4Cは、多数の傾斜面を含む第2リフレクターを示す図である。図4Aは、互いに隣接する2傾斜面が扁平な表面を有し、一つの傾斜面は第2リフレクター300の正反射領域300aに含まれ、残りの傾斜面は、第2リフレクター300の乱反射領域300bに含まれればよい。場合によって、残りの傾斜面は、一部が第2リフレクター300の正反射領域300aに含まれることもできる。そして、図4Bは、互いに隣接する2傾斜面が凹んだ曲面を有し、2傾斜面の曲率は互いに異なる例であり、図4Cは、互いに隣接する2傾斜面が膨らんでいる曲面を有し、2傾斜面の曲率は、互いに異なる例である。ここで、一つの傾斜面は、第2リフレクター300の正反射領域300aに含まれ、残りの傾斜面は、第2リフレクター300の乱反射領域300bに含まれればよい。場合によって、残りの傾斜面は、一部が第2リフレクター300の正反射領域300aに含まれてもよい。このように、第2リフレクター300の傾斜面は、凹面concavesurface、凸面convexsurface、平面flatsurface;すなわち、平坦な面のうち少なくとも一つであればよい。一方、第2リフレクター300は、単一層singlelayerであってもよく、二重層doublelayerであってもよい。すなわち、第2リフレクター300は、正反射領域300a及び乱反射領域300bを含む単一層であってもよく、乱反射層と、乱反射層の一部分が露出されるように乱反射層上に形成される正反射層と、を含む二重層であってもよい。図5は、第1実施例に係る単一層構造の第2リフレクターを示す断面図であって、図5は、第2リフレクター300の正反射領域300aと乱反射領域300bとが互いに重なっていない構造である。図5に示すように、第2リフレクター300の正反射領域300aには正反射層が形成され、第2リフレクター300の乱反射領域300bには乱反射層が形成されればよい。ここで、正反射層と乱反射層は同一の平面上に配列され、正反射層の厚さt1と乱反射層の厚さt2は、互いに同一であればよい。そして、正反射層及び乱反射層は、アルミニウムAl、銀Ag、金Au、二酸化チタンTiO2などのように、高い反射率を有する金属または金属酸化物を含んでなることができ、正反射層と乱反射層の物質は、互いに同一であってもよく、互いに異なってもよく、また、これらの表面粗さは互いに異なってもよい。また、正反射層と乱反射層は、モールドボディーmoldbodyに反射フィルムが付着された構造であってもよく、正反射面または乱反射面を有するモールドボディー自体であってもよい。場合によって、正反射層及び乱反射層は、射出成形可能なように、プラスチックなどのような高分子樹脂で製作すればよい。ここで、反射フィルムは、金属または金属酸化物のうち少なくとも一つを含むことができ、例えば、アルミニウムAl、銀Ag、金Auまたは二酸化チタンTiO2のように、高い反射率を有する金属または金属酸化物を含んでなることができる。そして、正反射層からなる正反射領域300aと乱反射層からなる乱反射領域300bとの境界面には、接着剤または結合部材などが形成され、正反射領域300aと乱反射領域300bとを連結することができる。また、第2リフレクター300の正反射領域300aは、光源モジュール100から遠ざかるほど、面積比率を減らすことができる。図6A乃至図6Dは、光源モジュールから遠ざかるほど正反射領域が減少する第2リフレクターの様々な形状を示す平面図である。図6Aは、第2リフレクター300の正反射領域300aが三角形状を有し、図6Bは、第2リフレクター300の正反射領域300aが半円形状を有し、図6Cは、第2リフレクター300の正反射領域300aが階段形状を有し、図6Dは、第2リフレクター300の正反射領域300aが斜めのslantline形状を有する例をそれぞれ示す。図6A乃至図6Dに示すように、第2リフレクター300の正反射領域300aは、光源モジュール100から遠ざかるほど、正反射領域の面積が漸次減少すればよい。これに対し、第2リフレクター300の乱反射領域300bは、光源モジュール100から遠ざかるほど、乱反射領域の面積が漸次増加すればよい。ここで、第2リフレクター300の正反射領域300aは、第2リフレクター300の全体領域の約20~30を占めればよい。場合によって、第2リフレクター300において、正反射領域300aと乱反射領域300bとの面積比率は、約1:1~20であればよい。このように、第2リフレクター300の正反射領域300aが光源モジュール100から遠ざかるほど面積比率が減るように形成する理由は、正反射領域300aと乱反射領域300bとの境界に生じうるブラックラインを除去して、均一の輝度が提供できるためである。また、他の実施例として、第2リフレクター300の正反射領域300aは、光源モジュール100に隣接した第1領域と光源モジュール100から遠く離れた第2領域とを含むことができ、光源モジュール100に隣接した第2リフレクター300の正反射領域300aは、光源モジュール100から遠く離れた第2リフレクター300の正反射領域300aよりも大きい面積とすることができる。図7A乃至図7Cは、光源モジュールからの距離によって面積の異なる正反射領域を有する第2リフレクターの様々な形状を示す平面図である。図7Aは、第2領域における正反射領域が三角形状を有し、図7Bは、第2領域における正反射領域が半円形状を有し、図7Cは、第2領域における正反射領域が直方形状を有する例である。図7A乃至図7Cに示すように、第2リフレクター300の正反射領域300aは、光源モジュール100に隣接した第1領域と光源モジュール100から遠く離れた第2領域とを含むことができる。ここで、第2領域における正反射領域300aは、第1領域における正反射領域300aに比べて面積はより小さく、三角形、半円形、直方形、多角形などのように、様々な形状を有することができる。すなわち、第2領域における正反射領域300aは、光源モジュール100から遠ざかるほど、正反射領域の面積が漸次減少すればよい。反面、第2領域における乱反射領域300bは、光源モジュール100から遠ざかるほど、乱反射領域の面積が漸次増加すればよい。ここで、第2リフレクター300の正反射領域300aは、第2リフレクター300の全体領域の約20~30を占めることができる。場合によって、第2リフレクター300において、正反射領域300aと乱反射領域300bとの面積比率は、約1:1~20であればよい。また、第2リフレクター300の正反射領域300aにおいて、第1領域と第2領域との面積比率は、約1~10:0.4であればよい。また、正反射領域300aの第2領域は、正反射領域300aの第1領域から約5~200mm距離だけ延在してもよい。図8は、第2実施例に係る単一層構造の第2リフレクターを示す断面図であって、図8は、第2リフレクター300の正反射領域300aと乱反射領域300bとが互いに重なる構造である。図8に示すように、第2リフレクター300の正反射領域300aには正反射層が形成され、第2リフレクター300の乱反射領域300bには乱反射層が形成され、第2リフレクター300の重畳領域には、正反射層と乱反射層とが重なって形成されればよい。ここで、重畳領域は、乱反射層上に正反射層が積層された構造であって、重畳領域の全体厚さは、正反射領域300aの厚さ及び乱反射領域300bの厚さと実質的に同一であればよい。場合によって、重畳領域の全体厚さは、正反射領域300aの厚さと乱反射領域300bの厚さのうち少なくとも一つとは異なってもよい。また、図示してはいないが、重畳領域は、正反射層上に乱反射層が積層された構造であってもよい。このように、第2リフレクター300の正反射層と乱反射層は、同じ平面上に配列され、正反射層と乱反射層とは一部分が互いに重なることがある。図9A乃至図9Dは、図8の重畳領域の様々な形状を示す断面図である。図9A及び図9Dは、重畳領域の正反射層の厚さが一定である実施例であり、図9B及び図9Cは、重畳領域の正反射層の厚さが順次減少する実施例である。図9A乃至図9Dに示すように、重畳領域は、正反射層と乱反射層とが積層され、乱反射層と重なった正反射層の厚さt11は、乱反射層と重なっていない正反射層の厚さt1よりも薄くすればよい。より詳細に説明すると、図9Aに示すように、重畳領域に形成される正反射層の厚さt11は、正反射領域300aに形成される正反射層の厚さt1よりも小さくし、重畳領域に形成される乱反射層の厚さt22は、乱反射領域300bに形成される乱反射層の厚さt2よりも小さくすればよい。そして、重畳領域に形成される正反射層の厚さt11は、重畳領域内で一定の厚さを維持し、重畳領域に形成された乱反射層の厚さt22と同一にしてもよい。場合によっては、重畳領域に形成される正反射層の厚さt11は、重畳領域に形成された乱反射層の厚さt22より大きいまたは小さくしてもよい。そして、図9Bに示すように、重畳領域に形成される正反射層の厚さt11,t12は、正反射領域300aに形成される正反射層の厚さt1よりも小さくすればよい。ここで、重畳領域に形成される正反射層の厚さt11,t12は、光源モジュールから遠ざかるほど漸次減少すればよい。すなわち、重畳領域に形成される正反射層は、光源モジュールに隣接する領域の厚さt11から、光源モジュールから遠く離れた領域の厚さt12と、徐々に減少すればよい。また、図9Cに示すように、重畳領域に形成される正反射層の厚さt11,t12は、正反射領域300aに形成される正反射層の厚さt1よりも小さくすればよい。ここで、重畳領域に形成される正反射層の厚さt11,t12は、光源モジュールから遠ざかるほど段階的に小さくなればよい。すなわち、重畳領域に形成される正反射層は、光源モジュールに隣接する領域の厚さt11から、光源モジュールから遠く離れた領域の厚さt12と、減少すればよい。また、図9Dに示すように、重畳領域に形成される乱反射層が、正反射層間に挿入されてもよい。重畳領域において、乱反射層の上部に位置する正反射層の厚さt11と乱反射層の下部に位置する正反射層の厚さt12は、正反射領域300aに形成される正反射層の厚さt1よりも小さく、重畳領域に形成される乱反射層の厚さt22は、乱反射領域300bに形成される乱反射層の厚さt2よりも小さければいい。そして、重畳領域に形成される正反射層の厚さt11,t12は、重畳領域内において一定の厚さを維持し、また、重畳領域に形成された乱反射層の厚さt22と同一にしてもよい。しかし、場合によって、重畳領域に形成される正反射層の厚さt11,t12は、重畳領域に形成された乱反射層の厚さt22より大きいまたは小さいものであってもよい。図10A乃至図10Cは、図8における重畳領域に形成される正反射層の様々な形状を示す平面図である。図10Aは、重畳領域の正反射層が三角形状を有し、図10Bは、重畳領域の正反射層が半円形状を有し、図10Cは、重畳領域の正反射層が直方形状を有する例である。図10A乃至図10Cに示すように、第2リフレクター300は、正反射領域300aの正反射層と乱反射領域300bの乱反射層とが互いに重なる重畳領域を含むことがあり、重畳領域の正反射層は、正反射領域300aの正反射層に比べて面積がより小さく、三角形、半円形、直方形、多角形などのように、様々な形状を有することができる。すなわち、重畳領域の正反射層は、光源モジュール100から遠ざかるほど、正反射層の面積が漸次減少することがある。反面、重畳領域の乱反射層は、光源モジュール100から遠ざかるほど、乱反射層の面積が漸次増加することがある。ここで、第2リフレクター300の正反射領域300aは、第2リフレクター300の全体領域の約20~30を占めればよい。場合によって、第2リフレクター300において、正反射領域300aと乱反射領域300bとの面積比率は、約1:1~20であればよい。そして、第2リフレクター300の正反射領域300aにおいて、重畳領域以外の領域と重畳領域との面積比率は、約1~10:0.4であればよい。なお、正反射領域300aの重畳領域は、正反射領域300aから約5~200mm距離だけ延在してもよい。また、重畳領域の正反射層は、乱反射層の一部が露出されるように、少なくとも一つのホールholeを有してもよい。図11は、図8の重畳領域に形成される正反射層のホールを示す断面図であり、図12A及び図12Bは、図8の重畳領域に形成される正反射層のホールを示す平面図である。図11に示すように、重畳領域において、乱反射層上に形成される正反射層は、乱反射層の一部が露出されるように多数のホールholeが開けられても良い。ここで、正反射層に形成されるホールは、光源モジュールから遠ざかるほどホールの個数が増加すればよい。また、正反射層に形成されるホールの大きさは、互いに同一であってもよいが、場合によっては、互いに異なってもよい。図12Aに示すように、重畳領域に形成されるホールの大きさが互いに同一であってもよく、図12Bに示すように、重畳領域に形成されるホールの大きさが互いに異なってもよい。重畳領域に形成されるホールの大きさが互いに異なる場合、光源モジュール100から遠ざかるほど、ホールの大きさは大きくなればよい。そして、重畳領域に形成されるホールは、その大きさにかかわらず、光源モジュール100から遠ざかるほどホールの個数が増加してもよい。このように、第2リフレクターの重畳領域にホールを形成する理由は、光源モジュール100から遠ざかるほど、正反射領域300aの面積比率を減らすことによって、均一の輝度が提供できるわけである。そして、第2リフレクターの正反射領域に形成される正反射層及び第2リフレクターの乱反射領域に形成される乱反射層は、モールドボディーmoldbodyに反射フィルムが付着された構造であってもよく、正反射面または乱反射面を有するモールドボディー自体であってもよい。場合によって、正反射層及び乱反射層は、射出成形可能なように、プラスチックなどのような高分子樹脂で製作すればよい。ここで、反射フィルムは、金属または金属酸化物のうち少なくとも一つを含むことができ、例えば、アルミニウムAl、銀Ag、金Auまたは二酸化チタンTiO2のように、高い反射率を有する金属または金属酸化物を含んで構成することができる。そして、正反射層からなる正反射領域と乱反射層からなる乱反射領域との間には、接着剤または結合部材などが形成され、正反射領域と乱反射領域とを互いに連結することができる。図13は、二重層構造の第2リフレクターを示す断面図である。図13に示すように、第2リフレクター300は、正反射領域300aと乱反射領域300bとが互いに重なる構造である。ここで、第2リフレクター300は、乱反射層と、乱反射層の一部分が露出されるように乱反射層上に形成される正反射層と、を含む二重層doublelayerとすればよい。すなわち、第2リフレクター300の正反射領域300aは、乱反射層上に正反射層が形成された構造であり、第2リフレクター300の乱反射領域300bは、乱反射層が露出された構造である。ここで、第2リフレクター300の正反射領域300aは、第2リフレクター300の全体領域の約20~30を占めることができ、場合によって、第2リフレクター300において、正反射領域300aと乱反射領域300bとの面積比率は、約1:1~20であればよい。そして、正反射領域300aは、光源モジュール100に隣接した第1領域と光源モジュール100から遠く離れた第2領域と、を含むことができ、第2領域は、第1領域に比べて面積がより小さければよい。ここで、第2リフレクター300の正反射領域300aにおいて、第1領域と第2領域との面積比率は、約1~10:0.4であればよい。また、第2リフレクター300の正反射領域300aにおいて、第2領域に形成される正反射層の厚さは、第1領域に形成される正反射層の厚さと同一であってもよく、互いに異なってもよい。図14A及び図14Bは、図13の正反射層の厚さを示す断面図である。図14Aは、第2領域に形成される正反射層の厚さが、光源モジュール図示せずから遠ざかるほど徐々に減少する実施例であり、図14Bは、第2領域に形成される正反射層が、光源モジュール図示せずから遠ざかるにつれて、一定の厚さを維持してから徐々に減少する実施例である。図14Aに示すように、正反射領域300aの第2領域に形成される正反射層の厚さt11,t12は、正反射領域300aの第1領域に形成される正反射層の厚さt1よりも小さければよい。ここで、第2領域に形成される正反射層の厚さt11,t12は、光源モジュールから遠ざかるほど漸次小さくなることができる。すなわち、第2領域に形成される正反射層は、光源モジュールに隣接する領域の厚さt11から、光源モジュールから遠い領域の厚さt12と、徐々に減少できる。また、図14Bに示すように、正反射領域300aの第2領域に形成される正反射層の厚さt11,t12は、正反射領域300aの第1領域に形成される正反射層の厚さt1と同じ厚さを維持してから徐々に減少してもよい。すなわち、第2領域に形成される正反射層は、光源モジュールに隣接する領域の厚さt11から、光源モジュールから遠い領域の厚さt12と、減少してもよい。このように、第2領域に形成される正反射層の厚さを減少させる理由は、正反射領域300aと乱反射領域300bとの境界領域において、急な輝度変化を減少させるためである。また、乱反射層上に形成される正反射層は、乱反射層の一部が露出されるように多数のホールが開けられてもよい。図15A及び図15Bは、正反射領域に形成されるホールを示す平面図である。図15Aは、正反射領域300aに形成されるホールの個数が、光源モジュール100から遠ざかるほど増加する実施例であり、図15Bは、正反射領域300aに形成されるホールの大きさが、光源モジュール100から遠ざかるほど増加する実施例である。図15Aに示すように、正反射領域300aにおいて、乱反射層上に形成される正反射層は、乱反射層の一部が露出されるように多数のホールが開けられてもよい。ここで、正反射層に形成されるホールは、光源モジュール100から遠ざかるほど、ホール個数が増加すればよい。また、正反射層に形成されるホールの大きさは、互いに同一であってもよく、場合によっては、互いに異なってもよい。すなわち、正反射層に形成されるホールは、光源モジュール100から遠ざかるほど、ホールの個数及びホールの大きさが同時に増加してもよい。図15Bに示すように、正反射領域300aにおいて、乱反射層上に形成される正反射層は、乱反射層の一部が露出されるように多数のホールが開けられればよい。ここで、正反射層に形成されるホールは、光源モジュール100から遠ざかるほど、ホールの大きさが増加すればよい。また、正反射層に形成されるホールの個数は、互いに同一であってもよく、場合によっては、互いに異なってもよい。すなわち、正反射層に形成されるホールは、光源モジュール100から遠ざかるほど、ホールの個数及びホールの大きさが同時に増加してもよい。このように、第2リフレクター300の正反射領域300aにホールを形成する理由は、光源モジュール100から遠ざかるほど、正反射領域300aの面積比率を減らすことによって、均一の輝度を提供できるからである。そして、正反射領域300aは、光源モジュール100に隣接した第1領域と光源モジュール100から遠く離れた第2領域とを含むことができ、第2領域は第1領域に比べて面積がより小さければよい。図16A乃至図16Cは、正反射領域における第2領域の様々な形状を示す平面図である。図16Aは、第2領域における正反射領域が三角形状を有し、図16Bは、第2領域における正反射領域が半円形状を有し、図16Cは、第2領域における正反射領域が直方形状を有する例を示す。図16A乃至図16Cに示すように、第2リフレクター300の正反射領域300aは、光源モジュール100に隣接した第1領域と、光源モジュール100から遠く離れた第2領域と、を含むことができる。ここで、第2領域における正反射領域300aは、第1領域における正反射領域300aに比べて面積がより小さく、三角形、半円形、直方形、多角形などのように様々な形状を有することができる。すなわち、第2領域における正反射領域300aは、光源モジュール100から遠ざかるほど、正反射領域の面積が漸次減少すればよい。反面、第2領域における乱反射領域300bは、光源モジュール100から遠ざかるほど、乱反射領域の面積が漸次増加すればよい。ここで、第2リフレクター300の正反射領域300aは、第2リフレクター300の全体領域の約20~30を占めることができる。場合によって、第2リフレクター300において、正反射領域300aと乱反射領域300bとの面積比率は、約1:1~20であればよい。また、第2リフレクター300の正反射領域300aにおいて、第1領域と第2領域との面積比率は、約1~10:0.4であればよい。また、正反射領域300aの第2領域は、正反射領域300aの第1領域から約5~200mm距離だけ延在してもよい。そして、第2リフレクター300の正反射領域300aに形成される正反射層と第2リフレクター300の乱反射領域300bに形成される乱反射層は、モールドボディーまたは金属ボディーに反射フィルムが付着された構造であってもよく、正反射面または乱反射面を有するモールドボディーまたは金属ボディー自体であってもよい。場合によって、正反射層及び乱反射層は、射出成形可能なように、プラスチックなどのような高分子樹脂で製作すればよい。ここで、反射フィルムは、金属または金属酸化物のうち少なくとも一つを含むことができ、例えば、アルミニウムAl、銀Ag、金Auまたは二酸化チタンTiO2のように、高い反射率を有する金属または金属酸化物を含んで構成すればよい。そして、正反射層からなる正反射領域300aと乱反射層からなる乱反射領域300bとの間には、接着剤または結合部材などが形成され、正反射領域300aと乱反射領域300bとを互いに連結することができる。図17A乃至図18は、第2リフレクターの正反射領域の形状による輝度の均一度を説明するための図である。図17Aは、正反射領域の先端に三角形状がない実施例であり、図17B及び図17Cは、正反射領域の先端に三角形状が形成された実施例であり、図18は、図17A乃至図17Cの実施例による輝度の均一度を比較したグラフである。まず、図示してはいないが、正反射領域は有さず、乱反射領域のみを有する第2リフレクターを実施例Aとし、図17Aに示すように、量端間の距離D1が約100mmである正反射領域300aを有する第2リフレクター300を実施例Bとし、図17Bに示すように、量端間の距離D1が約100mmである正反射領域300a内において、量端間の距離D2すなわち、三角形状の高さが約30mmである三角形状を有する第2リフレクター300を実施例Cとし、図17Cに示すように、量端間の距離D1が約100mmである正反射領域300a内において、量端間の距離D2すなわち、三角形状の高さが約90mmである三角形状を有する第2リフレクター300を実施例Dとする。そして、図18は、光源との距離による輝度を、各実施例別に測定して比較したグラフである。図18に示すように、正反射領域を有しない実施例Aでは、光源に隣接した領域の輝度が高く、光源から遠く離れた領域の輝度は低いことがわかる。そして、正反射領域を有する実施例Bでは、光源に隣接した領域の輝度が低く、光源から遠い領域の輝度は高いことがわかる。また、正反射領域内に三角形状を有する実施例C及びDでは、光源に隣接した領域の輝度と光源から遠く離れた領域の輝度が、略均一であることがわかる。ここで、三角形状の高さが約90mmである実施例Dは、三角形状の高さが約30mmである実施例Cに比べて、輝度がより高く且つより均一であることがわかる。このように、第2リフレクターの正反射領域は、光源に隣接した第1領域と光源から遠く離れた第2領域を含むことができ、正反射領域の第2領域が光源から遠ざかるほど漸次減少する形状を有する場合、均一な輝度を示すことがわかる。図19は、ホールと三角形状を有する正反射領域を示す図である。図19に示すように、正反射領域300aの第1領域には、多数のホールを有する正反射層が形成され、正反射領域300aの第2領域には、三角形状を有する正反射層が形成されてもよい。ここで、第1領域に形成されたホールから、正反射層の下部に位置する乱反射層が露出さればよい。図19の実施例は、正反射領域300aの第1領域に形成される正反射層のホールの個数またはホールの大きさと、正反射領域300aの第2領域に形成される正反射層の形状を適切に調節することによって、全体的に均一な輝度を提供することができる。図20A及び図20Bは、ストライプstripe形状を有する正反射領域を示す図である。図20A及び図20Bに示すように、正反射領域300aの第1領域には正反射層が形成され、正反射領域300aの第2領域には、ストライプ形状を有する正反射層が形成されてもよい。ここで、正反射領域300aの第2領域に形成された正反射層は、多数本のストライプから構成され、互いに隣接したストライプの幅は、互いに同一であってもよく、互いに異なってもよい。図20Aは、正反射領域300aの第2領域に、同一幅を有する多数のストライプが配列された実施例であり、図20Bは、正反射領域300aの第2領域に、異なる幅を有する多数のストライプが配列された実施例である。図20Bのストライプのうち、光源モジュール100に隣接したストライプの幅w1は、光源モジュール100から遠く離れたストライプの幅w3よりも広くすればよい。場合によって、正反射領域300aの第1領域に形成された正反射層は、多数のホールを有することもでき、ホールは、正反射層の下部に位置する乱反射層を露出させることができる。図20A及び図20Bの実施例は、正反射領域300aの第2領域に形成されるストライプの本数及び幅を適切に調節することによって、全体的に均一な輝度を提供することができる。一方、正反射領域と乱反射領域を有する第2リフレクターは、光源モジュールの配置によって様々な形状に製作することができる。図21は、1エッジタイプoneedgetypeの第2リフレクターを示す図であり、図22は、2エッジタイプtwoedgetypeの第2リフレクターを示す図であり、図23及び図24は、4エッジタイプfouredgetypeの第2リフレクターを示す図である。図21は、1エッジタイプの第2リフレクターを示す平面図であって、図21に示すように、1エッジタイプの第2リフレクター300は、一側に光源モジュール100が配置され、正反射領域300aは、光源モジュール100に隣接して配置され、乱反射領域300bは、光源モジュール100から遠い領域に配置されればよい。そして、図22は、2エッジタイプの第2リフレクターを示す平面図であって、図22に示すように、2エッジタイプの第2リフレクター300は、両側に光源モジュール100が配置され、正反射領域300aは、光源モジュール100に隣接して配置され、乱反射領域300bは、光源モジュール100から遠い領域に配置されればよい。また、図23は、4エッジタイプの第2リフレクターを示す平面図であって、図23に示すように、4エッジタイプの第2リフレクター300は、4側面にそれぞれ光源モジュール100が配置され、正反射領域300aは、光源モジュール100に隣接して配置され、乱反射領域300bは、光源モジュール100から遠い領域に配置されればよい。また、図24は、4エッジタイプの第2リフレクターを示す平面図であって、図24に示すように、4エッジタイプの第2リフレクター300は、4隅部にそれぞれ光源モジュール100が配置され、正反射領域300aは、光源モジュール100に隣接して配置され、乱反射領域300bは、光源モジュール100から遠い領域に配置されればよい。また、実施例に係るバックライトユニットは、第2リフレクターから一定の空間をおいて配置される光学部材opticalmemberをさらに含むことができ、第2リフレクターと光学部材との空間には、エアーガイドが形成されればよい。図25は、光学部材を含むバックライトユニットを示す図であり、図26は、光学部材の形状の一例を示す図である。図25に示すように、光学部材600は、第1リフレクター200のオープン領域に配置されるもので、多重層にすることができ、最上層またはいずれか一層の表面に凹凸パターン620を有することができる。場合によって、光学部材600は、少なくとも一つのシートからなり、拡散シート、プリズムシート、輝度強化シートなどを選択的に含むことができる。ここで、拡散シートは、光源から出射された光を拡散させ、プリズムシートは、拡散された光を発光領域にガイドし、輝度拡散シートは、輝度を強化させる役割を果たす。このように、光学部材600は、第1リフレクター200のオープン領域から出射される光を拡散させるもので、拡散効果を増大させるために、光学部材600の上面に、凹凸パターン620を形成することができる。凹凸パターン620は、図26に示すように、光源モジュール100に沿って配置されるストライプ形状とすればよい。ここで、凹凸パターン620は、光学部材600の表面であって、突出部を有し、突出部は、互いに向かい合う第1面及び第2面で構成され、第1面と第2面との角は、鈍角または鋭角であればよい。場合によって、光学部材600は、少なくとも一つのシートからなり、拡散シート、プリズムシート、輝度強化シートなどを選択的に含むことができる。ここで、拡散シートは、光源から出射された光を拡散させ、プリズムシートは、拡散された光を発光領域にガイドし、輝度拡散シートは、輝度を強化させる役割を果たす。一方、第2リフレクター300の乱反射領域300bは、入射する光をランパート分布lambertiandistribution及びガウス分布gaussiandistributionのうち少なくとも一つで反射させることができる。ここで、乱反射領域300bの全ての地点pointは、各地点に入射する光の入射角が、各地点を通る法線を基準に少なくとも55°以上の時、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ガウス分布で反射する光量がより多いこともあり、ランパート分布で反射する光量がより多いこともある。例えば、第2リフレクター300の正反射領域300aには、正反射特性を有する反射シートを配置し、第2リフレクター300の乱反射領域300bには、乱反射特性を有する反射シートを配置すればよい。すなわち、第2リフレクター300の乱反射領域300bには、ランパート分布及びガウス分布で反射する乱反射特性を有する反射シートを配置すればよい。ここで、乱反射領域300bに配置される反射シートは、入射する光の入射角が法線を基準に約55°以上の時、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ガウス分布で反射する光量がより多く現れる乱反射特性を有することができる。場合によって、乱反射領域300bに配置される反射シートは、入射する光の入射角が法線から約60°以上の時、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ガウス分布で反射する光量がより多く現れる乱反射特性を有することができる。すなわち、乱反射領域300bに配置される反射シートは、入射する光の入射角が、法線を基準に約50~70°の時、ランバート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量との比が5:5である反射特性を有してもよい。図27は、光の正反射特性と乱反射特性を説明するための図である。図27に示すように、光は、リフレクターreflectorの表面特性によって、正反射specularreflectionまたは乱反射diffusereflectionすることができる。そして、乱反射は、ガウス反射gaussianreflection、ランパート反射lambertianreflection、及び混合反射mixedreflectionを含むことができる。一般に、正反射は、光がリフレクターのいずれか一地点に入射する時、該地点を通る法線及び入射光の光軸間の角度と法線及び反射光の光軸間の角度とが同一である反射を意味する。そして、ガウス反射は、リフレクターの表面の角による反射光の強度と、法線と反射光の方向間の角が、ガウス関数値によって変わる反射を意味する。また、ランパート反射は、リフレクター表面の角による反射光の強度と、法線と反射光の方向間の角が、コサイン関数値によって変わる反射を意味する。また、混合反射は、正反射、ガウス反射、及びランパート反射のうち少なくとも一つが混合された反射を意味する。したがって、本実施例では、第2リフレクター300の表面特性を調節することによって、光の反射特性を制御することができる。図28は、図1Aの乱反射領域から反射される光の分布を示す図である。図28に示すように、第2リフレクター300の正反射領域300aにおいて、入射光が第1地点に入射する時、入射光の光軸と第1地点を通る法線間の角度θ1は、第1地点から反射される反射光の光軸と法線間の角度θ2と同一であればよい。そして、第2リフレクター300の乱反射領域300bにおいて、入射光が第2地点に入射する時、第2地点から反射される反射光は、ランパート分布及びガウス分布で反射することができる。ここで、第2地点に入射する入射光の光軸と第2地点を通る法線間の角度θが、約55°以上の時、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ガウス分布で反射する光量がより多ければよい。場合によっては、第2地点に入射する入射光の光軸と第2地点を通る法線間の角度θが、約60°以上の時、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ガウス分布で反射する光量がより多くてもよい。すなわち、乱反射領域300bに配置される反射シートは、入射する光の入射角が、法線を基準に約50~70°の時、ランバート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量との比が5:5である反射特性を有してもよい。このように、光反射特性を有するように第2リフレクター300を製作する理由は、光源110に隣接した領域と光源110から遠く離れた領域との輝度差を減らすためである。すなわち、光源110に隣接した正反射領域300aは、光を正反射して、輝度の弱いバックライトの中央領域に送る役割を果たし、光源110から遠く離れた乱反射領域300bは、光を乱反射して弱い輝度を補償することができる。したがって、第2リフレクター300は、正反射領域300aと乱反射領域300bの光反射特性を適切に調節することによって、全体的に均一な輝度を提供できる。ここで、第2リフレクター300は、アルミニウムAl、銀Ag、金Au、二酸化チタンTiO2などのように、高い反射率を有する金属または金属酸化物を含んで構成されればよく、第2リフレクター300は、正反射領域300aと乱反射領域300bに形成される物質が互いに異なってもよく、正反射領域300aと乱反射領域300bの表面粗さが互いに異なってもよい。すなわち、第2リフレクター300は、正反射領域300aと乱反射領域300bが同一の物質から形成されるとともに、表面粗さが互いに異なってもよい。または、第2リフレクター300は、正反射領域300aと乱反射領域300bが互いに異なる物質から形成されるとともに、表面粗さが互いに異なってもよい。例えば、第2リフレクター300の乱反射領域300bは、ポリエチレンテレフタレートPETからなる第1層と、第1層上に形成され、TiO2及びSiO2のうち少なくとも一粒子からなる第2層と、を含むことができる。図29は、第2リフレクターの乱反射領域の構成を示す断面図である。図29に示すように、第2リフレクターの乱反射領域は、第1層302及び第2層304が積層された構造であればよい。ここで、第1層302は、ポリエチレンテレフタレートPETからなり、第2層304は、TiO2及びSiO2のうち少なくとも一粒子304aからなればよい。第2層304の粒子304aは、大きさが互いに同一であってもよく、大きさが互いに異なってもよい。ここで、第2層304の粒子304aは、第1層302の全体面積の約20~90を占めることができる。また、粒子304aの大きさは、約5~50μmであればよい。そして、第2層304上に保護層をさらに形成してもよい。このように、第2リフレクターは、乱反射領域の第2層304に含まれる粒子量を調節することによって、乱反射領域300bの光反射特性を制御することができる。図30は、乱反射領域の光反射特性を示すグラフである。図30に示すように、乱反射領域に入射する光の入射角が、法線から約57.5°の時、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量との比が5:5であることがわかる。ここで、第2リフレクターの乱反射領域に含まれるTiO2及びSiO2のうち少なくとも一物質の粒子量が、乱反射領域の全体面積の約50の時、光の入射角によるランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量は、下記表1のようである。したがって、上記表1のように、本実施例は、乱反射領域の光反射特性を制御することによって、光の入射角に応じて、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ランパート分布で反射する光量よりもガウス分布で反射する光量が多い乱反射領域を製作することもでき、ガウス分布で反射する光量よりもランパート分布で反射する光量が多い乱反射領域を製作することもできる。すなわち、乱反射領域300bに配置される反射シートは、入射する光の入射角が、法線を基準に約50~70°の時、ランバート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量との比が5:5である反射特性を有してもよい。一方、第2リフレクター300の乱反射領域300bは、第2リフレクター300の全体領域の約50~95を占めることができる。場合によって、乱反射領域300bは、第2リフレクター300の全体領域の約70~80を占めることができる。また、第2リフレクター300の正反射領域300aと乱反射領域300bとの面積比は、1:1~20であってもよい。このように、第2リフレクター300の正反射領域300aと乱反射領域300bとの面積比を定める理由は、光源110に隣接した領域と光源110から遠く離れた領域との輝度差を減らすためである。すなわち、第2リフレクター300は、正反射領域300aと乱反射領域300bとの面積比を適切に調節することによって、全体的に均一な輝度を提供できる。また、乱反射領域300bは、異なる光反射特性を有する多数の乱反射領域を含むこともできる。図31A及び図31Bは、光反射特性が異なる多数の乱反射領域を有する第2リフレクターを示す図であり、図31Aは断面図、図31Bは上面斜視図である。図31A及び図31Bに示すように、バックライトユニットは、少なくとも一つの光源110を含む光源モジュール100、第1リフレクター200、及び第2リフレクター300を含むことができる。ここで、第2リフレクター300は、正反射領域300aと乱反射領域300bとを含み、乱反射領域300bは、第1乱反射領域300b1及び第2乱反射領域300b2を含むことができる。ここで、正反射領域300aは、入射する光を正反射する役割を果たし、乱反射領域300bは、入射する光を乱反射する役割を果たすことができ、正反射領域300aと乱反射領域300bとの光反射率は、約50~99.99であればよい。そして、第1及び第2乱反射領域300b1,300b2は、入射する光をランパート分布及びガウス分布のうち少なくともどれ一つで反射すればよい。ここで、第1乱反射領域300b1の全ての地点は、各地点に入射する光の入射角が、各地点を通る法線から少なくとも約55°以上の時、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ガウス分布で反射する光量がより多ければよい。そして、第2乱反射領域300b2の全ての地点は、各地点に入射する光の入射角が、各地点を通る法線から少なくとも約60°以上の時、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ガウス分布で反射する光量がより多ければよい。ここで、第1乱反射領域300b1は、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ガウス分布で反射する光量がより多ければよい。そして、第2乱反射領域300b2は、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ランパート分布で反射する光量がより多ければよい。例えば、第2リフレクター300の正反射領域300aには、正反射特性を有する反射シートを配置し、第2リフレクター300の乱反射領域300bには、乱反射特性を有する反射シートを配置すればよい。すなわち、第2リフレクター300の乱反射領域300bには、ランパート分布及びガウス分布で反射する乱反射特性を有する反射シートを配置すればよい。ここで、第1乱反射領域300b1に配置される反射シートは、入射する光の入射角が法線から約55°以上の時、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ガウス分布で反射する光量がより多い乱反射特性を有することができる。そして、第2乱反射領域300b2に配置される反射シートは、入射する光の入射角が法線から約60°以上の時、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ガウス分布で反射する光量がより多い乱反射特性を有することができる。この場合、第1乱反射領域300b1は、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ガウス分布で反射する光量がより多い乱反射特性を有することができる。そして、第2乱反射領域300b2は、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ランパート分布で反射する光量がより多い乱反射特性を有することができる。すなわち、乱反射領域300bに配置される反射シートは、入射する光の入射角が、法線を基準に約50~70°の時、ランバート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量との比が5:5である反射特性を有してもよい。このように、光反射特性を有するように第2リフレクター300を製作する理由は、光源110に隣接した領域と光源110から遠く離れた領域との輝度差を減らすためである。すなわち、光源110に隣接した正反射領域300aは、光を正反射して輝度の弱いバックライトの中央領域に送る役割を果たし、光源110から遠く離れた第1及び第2乱反射領域300b1,300b2は、光を乱反射して弱い輝度を補償することができる。したがって、第2リフレクター300は、正反射領域300a及び第1及び第2乱反射領域300b1,300b2の光反射特性を適切に調節することによって、全体的に均一な輝度を提供できる。ここで、第2リフレクター300は、アルミニウムAl、銀Ag、金Au、二酸化チタンTiO2などのように、高い反射率を有する金属または金属酸化物を含んで構成されればよく、第2リフレクター300は、正反射領域300aと第1及び第2乱反射領域300b1,300b2に形成される物質が互いに異なってもよく、正反射領域300aと第1及び第2乱反射領域300b1,300b2の表面粗さが互いに異なってもよい。すなわち、第2リフレクター300は、正反射領域300aと第1及び第2乱反射領域300b1,300b2が同一の物質で形成されるとともに、表面粗さが互いに異なってもよい。または、第2リフレクター300は、正反射領域300aと第1及び第2乱反射領域300b1,300b2が互いに異なる物質で形成されるとともに、表面粗さが互いに異なってもよい。例えば、第2リフレクター300の乱反射領域300bは、ポリエチレンテレフタレートPETからなる第1層と、第1層上に形成され、TiO2及びSiO2のうち少なくともどの一粒子らからなる第2層と、を含むことができる。ここで、第1及び第2乱反射領域300b1,300b2には同一の物質が含まれ、当該物質の粒子量は互いに異なってもよい。すなわち、第1乱反射領域300b1に含まれる物質の粒子量は、第2乱反射領域300b2に含まれる物質の粒子量よりも少なければよい。その理由は、粒子量によって、第1及び第2乱反射領域300b1,300b2の表面粗さが変わることがあるためである。ここで、第1乱反射領域300b1に含まれる物質の粒子量は、第1乱反射領域300b1の全体面積の約20~90を占めることができる。そして、第2乱反射領域300b2に含まれる物質の粒子量は、第2乱反射領域300b2の全体面積の約20~90を占めることができる。また、第1及び第2乱反射領域300b1,300b2には、互いに同一の物質が同一の量で含まれ、当該物質の粒子大きさは、互いに異なってもよい。ここで、第1乱反射領域300b1に含まれる物質の粒子大きさは、約5~50μmであればよい。このように、第2リフレクターは、第1及び第2乱反射領域300b1,300b2に含まれる物質の粒子量または粒子大きさを調節することによって、第1及び第2乱反射領域300b1,300b2の光反射特性を制御できる。一方、第1乱反射領域300b1の面積は、第2乱反射領域300b2の面積と同一であってもよく、小さくてもよい。場合によって、第1乱反射領域300b1と第2乱反射領域300b2との面積比は、1:1~5であればよい。そして、正反射領域300aの面積は、第1乱反射領域300b1の面積と同一であってもよく、小さくてもよい。場合によって、正反射領域300aと第1乱反射領域300b1との面積比は、1:1~4であればよい。また、正反射領域300aの面積は、第2乱反射領域300b2の面積と同一であってもよく、小さくてもよい。場合によって、正反射領域300aと第2乱反射領域300b2との面積比は、1:1~20であればよい。また、第1乱反射領域300b1は、正反射領域300aと第2乱反射領域300b2との間に位置することができる。そして、正反射領域300aと光源110との距離は、第1乱反射領域300b1と光源110との距離よりも短くし、第1乱反射領域300b1と光源110との距離は、第2乱反射領域300b2と光源110との距離よりも近くすればよい。図32Aは、第1乱反射領域の光反射特性を示すグラフであり、図32Bは、第2乱反射領域の光反射特性を示すグラフである。図32Aに示すように、第1乱反射領域に入射する光の入射角が法線から約57.5°の時、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量との比が5:5であることがわかる。ここで、第2リフレクターの第1乱反射領域に含まれるTiO2及びSiO2のうち少なくとも一物質の粒子量が、第1乱反射領域の全体面積の約50の時、光の入射角による、ランパート分布で反射する光量及びガウス分布で反射する光量は、下記表2のようである。そして、図32Bに示すように、第2乱反射領域に入射する光の入射角が法線から約65.5°のとき、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量との比が5:5であることがわかる。ここで、第2リフレクターの第2乱反射領域に含まれるTiO2及びSiO2のうち少なくとも一物質の粒子量が、乱反射領域の全体面積の約70の時、光の入射角による、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量は、下記表3のようである。したがって、上記表2及び3のように、本実施例は、乱反射領域の光反射特性を制御することによって、光の入射角によって、ランパート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量のうち、ランパート分布で反射する光量よりもガウス分布で反射する光量が多い乱反射領域を製作することもでき、ガウス分布で反射する光量よりもランパート分布で反射する光量が多い乱反射領域を製作することもできる。すなわち、乱反射領域300bに配置される反射シートは、入射する光の入射角が、法線を基準に約50~70°の時、ランバート分布で反射する光量とガウス分布で反射する光量との比が5:5である反射特性を有してもよい。また、乱反射領域は、光反射特性の異なる2個の領域に区別してもよいが、場合によっては、光反射特性の異なる3~10個の領域に区別してもよい。第2リフレクターの乱反射領域は、バックライトユニットの全体大きさ及び構造の変形によって、最適の光反射特性を有するように設計可能である。一方、正反射領域と第1及び第2乱反射領域を有する第2リフレクターは、光源モジュールの配置によって様々な形状にすることができる。図31A及び図31Bは、1エッジタイプoneedgetypeの第2リフレクターを示す図であり、図31A及び図31Bに示すように、1エッジタイプの第2リフレクター300は、一側に光源モジュール100が配置され、正反射領域300aは光源モジュール100に隣接して配置され、第1及び第2乱反射領域300b1,300b2は、光源モジュール100から遠く離れた領域に配置されればよい。そして、図33は、2エッジタイプtwoedgetypeの第2リフレクターを示す図であり、図34及び図35は。4エッジタイプfouredgetypeの第2リフレクターを示す図である。図33は、2エッジタイプの第2リフレクターを示す平面図であって、図33に示すように、2エッジタイプの第2リフレクター300は、両側に光源モジュール100が配置され、正反射領域300aは。光源モジュール100に隣接して配置され、第1及び第2乱反射領域300b1,300b2は、光源モジュール100から遠く離れた領域に配置されればよい。また、図34は、4エッジタイプの第2リフレクターを示す平面図であって、図34に示すように、4エッジタイプの第2リフレクター300は、4側面にそれぞれ光源モジュール100が配置され、正反射領域300aは、光源モジュール100に隣接して配置され、第1及び第2乱反射領域300b1,300b2は、光源モジュール100から遠く離れた領域に配置されればよい。また、図35は、4エッジタイプの第2リフレクターを示す平面図であって、図35に示すように、4エッジタイプの第2リフレクター300は、4つの隅部にそれぞれ光源モジュール100が配置され、正反射領域300aは、光源モジュール100に隣接して配置され、第1及び第2乱反射領域300b1,300b2は、光源モジュール100から遠く離れた領域に配置されればよい。また、実施例に係るバックライトユニットは、第2リフレクターから一定の空間をおいて配置される光学部材opticalmemberをさらに含むことができ、第2リフレクターと光学部材との間の空間には、エアーガイドが形成されればよい。一方、第2リフレクターは、多数のパターンを有することができる。図36A及び図36Bは、光反射特性の異なる多数の乱反射領域を有する第2リフレクターを示す図であり、図36Aは断面図、図36Bは上面斜視図である。図36A及び図36Bに示すように、第2リフレクター300は、少なくとも一つの変曲点P0を有する傾斜面310を含み、傾斜面310に沿って、一方向に凹ライン312と凸ライン314とが交互に配列される多数のパターンを有することができる。ここで、第2リフレクター300の凹ライン312は、傾斜面310から凹んだ曲面であり、第2リフレクター300の凸ライン314は、傾斜面310から膨らんでいる曲面であればよい。第2リフレクター300の傾斜面310は、第1リフレクター200の表面に対して平行な水平面から一定角度で傾斜する傾斜面であればよい。例えば、第2リフレクター300は、少なくとも一つの変曲点P0を有する少なくとも2個の傾斜面310を含むことができ、図36A及び図36Bに示すように、第2リフレクター300は、第1曲率R1を有する第1傾斜面310aと、第2曲率R2を有する第2傾斜面310bと、を含むことができる。すなわち、第2リフレクター300において、変曲点P0を中心に隣接する第1及び第2傾斜面310a,310bの曲率R1及びR2は、互いに異なってもよい。ここで、光源モジュール100に隣接して配置される第1傾斜面310aの曲率R1が、第1傾斜面310aに隣接して配置される第2傾斜面310bの曲率R2よりも大きければよい。そして、第2リフレクター300の凹ライン312と凸ライン314は、第1及び第2傾斜面310a,310bに沿って、一方向に交互に配列されればよい。凹んだ曲面を有する凹ライン312、及び膨らんでいる曲面を有する凸ライン314は、光源モジュール100の光源が配列される方向と同じ方向に配列されればよい。ここで、凹ライン312と凸ライン314は、第1傾斜面310aに沿って配列される第1凹ライン312a及び第1凸ライン314aを含むことができ、第2傾斜面310bに沿って配列される第2凹ライン312b及び第2凸ライン314bを含むことができる。この場合、第1傾斜面310aに沿って配列される第1凹ライン312a及び第1凸ライン314aはそれぞれ、第1曲率r1と第2曲率r2を有することができる。そして、第2傾斜面310bに沿って配列される第2凹ライン312bと第2凸ライン314bはそれぞれ、第3曲率r3と第4曲率r4を有することができる。第1曲率r1、第2曲率r2、第3曲率r3及び第4曲率r4はいずれも同一であればよく、場合によっては、少なくとも一つが異なってもよい。例えば、第1傾斜面310aに沿って配列される第1凹ライン312a及び第1凸ライン314aの第1曲率r1及び第2曲率r2は、第2傾斜面310bに沿って配列される第2凹ライン312b及び第2凸ライン314bの第3曲率r3及び第4曲率r4と互いに同一であってもよく、互いに異なってもよい。ここで、第2リフレクター300の第1傾斜面310aの曲率R1が、第2傾斜面310bの曲率R2よりも大きく製作する場合、第1傾斜面310aに沿って配列される第1凹ライン312a及び第1凸ライン314aの第1曲率r1及び第2曲率r2は、第2傾斜面310bに沿って配列される第2凹ライン312b及び第2凸ライン314bの第3曲率r3及び第4曲率r4よりも大きくても良い。これは、第1傾斜面310aに沿って配列される第1凹ライン312a及び第1凸ライン314aが、光源110から発生した光を、第2リフレクター300の中央領域へと遠く送るように反射させることによって、均一の輝度を提供できるからである。図37は、図36Aにおける凹ライン及び凸ラインを詳細に示す図である。図37に示すように、第2リフレクター300の凹ライン312及び凸ライン314は、第2リフレクター300の傾斜面310に沿って、交互に配列されればよい。ここで、凹ライン312は、第1曲率r1を有するように、傾斜面310から凹んだ曲面を有することができる。すなわち、凹ライン312は、凹ライン312と傾斜面310との接点contactpointP2及び凹ラインの頂点peakpointP3を通る曲面であり、凹ライン312の幅W1は、傾斜面310に垂直であり、接点P2を通る2直線間の距離である。そして、凸ライン314は、第2曲率r2を有するように、傾斜面310から膨らんでいる曲面を有することができる。すなわち、凸ライン314は、凸ライン314と傾斜面310との接点P2及び凸ラインの頂点P1を通る曲面であり、凸ライン314の幅W2は、傾斜面310に垂直であり、接点P2を通る2直線間の距離である。このように形成される凹ライン及び凸ラインの曲率は、所定の方程式により決定すればよい。図38は、図36Aの凹ラインまたは凸ラインの曲率を決定する条件を説明するための図である。図38に示すように、凹ライン312の曲率r1は、凹ライン312と傾斜面310との接点P2と凹ライン312の頂点P3とをつなぐ直線が傾斜面310となす角度θが、約0.01~15°であることを満たせばよい。角度θは、下記方程式1により定義することができる。[方程式1]θ=tan-1h/w=0.01~15°ここで、hは、凹ライン312の最大深さであり、凹ライン312の頂点P3と傾斜面310との最短距離を表す。そして、wは、凹ライン312の幅であり、凹ライン312と傾斜面310との接点P2と、凹ライン312の頂点P3と傾斜面310とをつなぐ垂直線との間の最短距離を意味する。すなわち、上記方程式1は、下記のような数式により求めることができる。図38に示すように、凹ライン312の表面を通る仮想の円400の中心点Oと、凹ライン312の頂点P3とをつなぐ直線の距離をRとする時、R-h^2w^2=R^2h=R/-sqrtR^2-w^2となる。したがって、R、w、hによる条件により、凹ライン312と傾斜面310との接点P2と、凹ライン312の頂点P3とをつなぐ直線が傾斜面310となす角度θは、tan-1であって、約0.01~15であればよい。このように、角度θの条件を有する曲率で凹ラインを形成すると、凹ラインに光が入射する時、凹ラインの曲面によりシャドー現象shadoweffectが表れず、外観上ブラック領域blackareaが生じないので、均一の輝度を有するバックライトユニットを製作可能になる。また、凸ラインも同様、シャドー現象が表れないように、凹ラインと同様の条件にすればよい。すなわち、角度θの条件を含む曲率を有するように凹ラインまたは凸ラインを形成すると、全体的に均一な輝度を有するバックライトユニットの製作が可能になる。ここで、曲率r1を有する凹ラインは、光を集める役割を果たすことができ、曲率r2を有する凸ラインは、光を分散する役割を果たすことができる。結論的に、本実施例は、第2リフレクターを製作する時、傾斜面310の曲率、凹ライン312の曲率、凸ライン314の曲率、凹ライン312の幅、凸ライン314の幅などのような条件を微小に調整することによって、均一の輝度を有するエアーガイドタイプのバックライトユニットを製作することができる。図39及び図40A~図40Dは、凹ライン及び凸ラインの曲率関係を示す様々な実施例であり、図39は、凹ライン及び凸ラインの曲率が同一である実施例であり、図40A~図40Dは、凹ライン及び凸ラインの曲率が異なる実施例である。まず、図39に示すように、凹ライン312と凸ライン314は、第2リフレクター300の傾斜面310に沿って、交互に配列されればよい。ここで、凹ライン312は、傾斜面310から下方に凹んだ曲面を有し、曲率r1を有することができる。すなわち、凹ライン312は、傾斜面310の接点P2と凹ラインの頂点P3を通る曲面である。そして、凹ライン312の幅W1は、傾斜面310に垂直であり、接点P2を通る2直線間の距離であり、凹ライン312の最大深さh1は、頂点P3と傾斜面310間の最小距離である。また、凸ライン314は、傾斜面310から上方に膨らんでいる曲面を有し、曲率r2を有することができる。すなわち、凸ライン314は、傾斜面310の接点P2及び凸ラインの頂点P1を通る曲面である。そして、凸ライン314の幅W2は、傾斜面310に垂直であり、接点P2を通る2直線間の距離であり、凸ライン314の最大高さh2は、頂点P1と傾斜面310間の最小距離である。したがって、実施例は、図39に示すように、互いに隣接する凹ライン312の曲率r1及び凸ライン314の曲率r2は、互いに同一であってもよい。ここで、凹ライン312の幅W1及び凸ライン314の幅W2は、互いに同一であり、凹ライン312の最大深さh1及び凸ライン314の最大高さh2は、互いに同一であればよい。しかし、場合によっては、互いに隣接する凹ライン312の曲率r1及び凸ライン314の曲率r2は、互いに異なってもよい。図40A乃至図40Dは、互いに隣接する凹ライン312及び凸ライン314の曲率が、互いに異なる様々な実施例を示す図である。図40Aは、凹ライン312が、一側に配置される第1凸ライン314aの曲率とは同じ曲率を有し、他側に配置される第2凸ライン314bの曲率とは異なる曲率を有する実施例であり、図40Bは、凹ライン312が、一側に配置される第1凸ライン314aの曲率及び他側に配置される第2凸ライン314bの曲率と異なる曲率を有する実施例である。そして、図40Cは、凸ライン314が、一側に配置される第1凹ライン312aの曲率と同じ曲率を有し、他側に配置される第2凹ライン312bの曲率とは異なる曲率を有する実施例であり、図40Dは、凸ライン314が、一側に配置される第1凹ライン312aの曲率及び他側に配置される第2凹ライン312bの曲率と異なる曲率を有する実施例である。図40Aに示すように、一つの凹ライン312両側には、第1凸ライン314a及び第2凸ライン314bが配置され、第1凸ライン314aの曲率r2aは、隣接する凹ライン312の曲率r1と同一であり、第2凸ライン314bの曲率r2bとは異なってもよい。ここで、凹ライン312の幅W1は、第1凸ライン314aの幅W2aと同一であり、第2凸ライン314bの幅W2bと異なればよい。また、凹ライン312の最大深さh1は、第1凸ライン314aの最大高さh2aと同一であり、第2凸ライン314bの最大高さh2bと異なればよい。また、図40Bに示すように、一つの凹ライン312の両側には、第1凸ライン314aと第2凸ライン314bが配置され、第1凸ライン314aの曲率r2aは、隣接する凹ライン312の曲率r1と異なり、第2凸ライン314bの曲率r2bとも異なってもよい。ここで、凹ライン312の幅W1は、第1凸ライン314aの幅W2aと異なればよく、第2凸ライン314bの幅W2bとも異なればよい。また、凹ライン312の最大深さh1は、第1凸ライン314aの最大高さh2aと異なればよく、第2凸ライン314bの最大高さh2bとも異なればよい。そして、図40Cに示すように、一つの凸ライン314の両側には、第1凹ライン312aと第2凹ライン312bが配置され、第1凹ライン312aの曲率r1aは、隣接する凸ライン314の曲率r2と同一であり、第2凹ライン312bの曲率r1bと異なってもよい。ここで、凸ライン314の幅W2は、第1凹ライン312aの幅W1aと同一であり、第2凹ライン312bの幅W1bと異なればよい。また、凸ライン314の最大高さh2は、第1凹ライン312aの最大深さh1aと同一であり、第2凹ライン312bの最大深さh1bと異なればよい。また、図40Dに示すように、一つの凸ライン314両側には第1凹ライン312aと第2凹ライン312bが配置され、第1凹ライン312aの曲率r1aは、隣接する凸ライン314の曲率r2と異なり、第2凹ライン312bの曲率r1bとも異なってもよい。ここで、凸ライン314の幅W2は、第1凹ライン312aの幅W1aと異なればよく、第2凹ライン312bの幅W1bとも異なればよい。また、凸ライン314の最大高さh2は、第1凹ライン312aの最大深さh1aと異なればよく、第2凹ライン312bの最大深さh1bとも異なればよい。このように、凹ラインと凸ラインが交互に配列された多数のパターンを有する第2リフレクターは、光源モジュールの配置によって様々な形状にすることができる。図41A及び図41Bは、1エッジタイプoneedgetypeの第2リフレクターを示す図であり、図42A及び図42Bは、2エッジタイプtwoedgetypeの第2リフレクターを示す図であり、図43及び図44は、4エッジタイプfouredgetypeの第2リフレクターを示す図である。図41Aは、1エッジタイプの第2リフレクターを示す平面図であり、図41Bは、図41Aの断面である。図41A及び図41Bに示すように、1エッジタイプの第2リフレクター300は、一側に光源モジュール100が配置され、凹ライン312及び凸ライン314が、第2リフレクター300の傾斜面310に沿って交互に配列されればよい。ここで、第2リフレクター300の傾斜面は一つの変曲点を有し、変曲点を基準に第1傾斜面と第2傾斜面を有することができる。第1傾斜面は、光源モジュール100に隣接するように配置された傾斜面で、光源モジュール100と第2傾斜面との間に位置すればいい。この時、第1傾斜面に沿って配列される凹ラインと凸ラインの曲率は、第2傾斜面に沿って配列される凹ラインと凸ラインの曲率と互いに同一であってもよいが、場合によって、第1傾斜面に沿って配列される凹ラインと凸ラインの曲率は、第2傾斜面に沿って配列される凹ラインと凸ラインの曲率と互いに異なってもよい。ここで、第1傾斜面及び第2傾斜面に配列される凹ライン及び凸ラインはいずれも、同一の長さを有することができる。そして、図42Aは、2エッジタイプの第2リフレクターを示す平面図であり、図42Bは、図42Aの断面である。図42A及び図42Bに示すように、2エッジタイプの第2リフレクター300は、両側に光源モジュール100が配置され、凹ライン312及び凸ライン314が、第2リフレクター300の傾斜面310に沿って交互に配列されればよい。ここで、第2リフレクター300の傾斜面は、少なくとも2以上の変曲点を有する多数の傾斜面を含むことができる。傾斜面は、変曲点を基準に対称に形成されればよく、各傾斜面に沿って配列される凹ラインと凸ラインの曲率は互いに同一であっもよいが、場合によって、少なくとも一つの傾斜面に沿って配列される凹ライン及び凸ラインの曲率は、残りの傾斜面に沿って配列される凹ライン及び凸ラインの曲率と互いに異なってもよい。ここで、各傾斜面に配列される凹ライン及び凸ラインはいずれも、同一の長さを有することができる。また、図43は、4エッジタイプの第2リフレクターを示す平面図である。図43に示すように、4エッジタイプの第2リフレクター300は、4側面に光源モジュール100が配置され、凹ライン312及び凸ライン314が第2リフレクター300の傾斜面に沿って交互に配列されればよい。ここで、第2リフレクター300の傾斜面は、各側面に配置される光源モジュール100に対応して形成されればよい。すなわち、第2リフレクター300の傾斜面は、第1側面に配置される光源モジュール100に対応する第1傾斜面、第1側面に向かい合う第2側面に配置される光源モジュール100に対応する第2傾斜面、第3側面に配置される光源モジュール100に対応する第3傾斜面、及び第3側面に向かい合う第4側面に配置される光源モジュール100に対応する第4傾斜面を含むことができる。そして、第1、第2、第3及び第4傾斜面は、一つの変曲点を有する2個の傾斜面を含むことができる。この場合、各傾斜面の幅は、光源モジュール100から第2リフレクターの中央領域に向かうにつれて漸次減少することができ、各傾斜面に沿って配列される凹ライン及び凸ラインの長さは、光源モジュール100から遠い領域に比べて、光源モジュール100に隣接した領域においてより長ければよい。そして、各傾斜面に沿って配列される凹ライン及び凸ラインの曲率は互いに同一であってもよいが、場合によって、少なくとも一つの傾斜面に沿って配列される凹ライン及び凸ラインの曲率は、残りの傾斜面に沿って配列される凹ライン及び凸ラインの曲率と互いに異なってもよい。また、図44は、4エッジタイプの第2リフレクターを示す平面図である。図44に示すように、4エッジタイプの第2リフレクター300は、4つの隅部に光源モジュール100が配置され、凹ライン312及び凸ライン314が第2リフレクター300の傾斜面に沿って交互に配列されればよい。ここで、第2リフレクター300の傾斜面は、各隅部に配置される光源モジュール100に対応して形成されれぱよい。すなわち、第2リフレクター300の傾斜面は、第1隅部に配置される光源モジュール100に対応する第1傾斜面、第1隅部に向かい合う第2隅部に配置される光源モジュール100に対応する第2傾斜面、第3隅部に配置される光源モジュール100に対応する第3傾斜面、第3隅部に向かい合う第4隅部に配置される光源モジュール100に対応する第4傾斜面を含むことができる。そして、第1、第2、第3及び第4傾斜面は、一つの変曲点を有する2個の傾斜面を含むことができる。ここで、各傾斜面の幅は、光源モジュール100から第2リフレクターの中央領域に向かうにつれて漸次増加してから減少すればよく、各傾斜面に沿って配列される凹ライン及び凸ラインの長さは、光源モジュール100に隣接した領域から、光源モジュール100から遠く離れた領域に向かうにつれて、漸次長くなってから短くなればよい。そして、各傾斜面に沿って配列される凹ライン及び凸ラインの曲率は、互いに同一であってもよいが、場合によって、少なくとも一つの傾斜面に沿って配列される凹ライン及び凸ラインの曲率は、残りの傾斜面に沿って配列される凹ライン及び凸ラインの曲率と互いに異なってもよい。このように、第2リフレクターの凹ライン及び凸ラインは、光源モジュールの位置による傾斜面の形状によって可変するものであってもよいが、場合によって、第2リフレクターの傾斜面の表面形状によって可変するものであってもよい。図45A乃至図45Cは、第2リフレクターの傾斜面を示す図であり、図45Aは、傾斜面が平面である実施例であり、図45B及び図45Cは、傾斜面が曲面である実施例である。図45Aに示すように、第2リフレクター300の傾斜面310は平面であり、凹ライン312及び凸ライン314は、平面の傾斜面310に沿って、交互に並んで配列されればよい。そして、図45Bに示すように、第2リフレクター300の傾斜面310は、凹んだ曲面であり、凹ライン312及び凸ライン314は、凹んだ曲面である傾斜面310に沿って、交互に並んで配列されればよい。また、図45Cに示すように、第2リフレクター300の傾斜面310は、膨らんでいる曲面であり、凹ライン312及び凸ライン314は、膨らんでいる曲面である傾斜面310に沿って、交互に並んで配列されればよい。このように、第2リフレクター300の傾斜面310は、少なくとも一部分の傾斜角が増加してから減少するパターンを有してもよいが、第2リフレクター300の少なくとも一部分の傾斜角が増加してから一定に保たれ、再び減少するパターンを有してもよい。このように、第2リフレクター300の傾斜面310は、凹面、凸面、平面のうち少なくとも一つであればよい。一方、第2リフレクターの傾斜面は、第1リフレクターの位置によって傾斜面の面積が変わってもよい。図46は、第1リフレクターと第2リフレクターとの位置関係を説明するための図である。図46に示すように、第1リフレクター200と第2リフレクター300との間に光源モジュール100が配置された構造において、第2リフレクター300は、変曲点P0を基準に、曲率R1を有する第1傾斜面と曲率R2を有する第2傾斜面を含むことができる。ここで、第1傾斜面は、光源モジュール100に隣接するように配置された傾斜面で、光源モジュール100と第2傾斜面との間に位置すればよい。第1傾斜面は、変曲点P0を通り、傾斜面に垂直な垂線から、光源モジュール100の基端までの距離D1の間に位置し、第1リフレクター200は、第2リフレクター300の第1傾斜面と重なるように配置されればよい。すなわち、第1リフレクターの先端210及び第2リフレクター300の傾斜面を通る垂線L1が距離D1以内に位置しうるように、第1リフレクター200の長さを調節することができる。これは、光の輝度が均一となるように反射させ、バックライトの発光面積を最大化させるためである。そして、凹ライン及び凸ラインは、曲率R1を有する第1傾斜面と曲率R2を有する第2傾斜面に沿って、交互に並んで配列されればよい。このように、第2リフレクター300の傾斜面は、第1及び第2傾斜面を含むことができ、第1傾斜面は、光源モジュール100に隣接して配置されればよく、第1傾斜面と第2傾斜面は互いに接触して連続的に配置されればよい。そして、第1傾斜面の曲率R1は、第2傾斜面の曲率R2よりも大きければよく、第1傾斜面は第1リフレクター200と重なればよい。場合によっては、第1傾斜面及び第2傾斜面は、一定間隔離れて配置され、第1傾斜面と第2傾斜面との間の表面は、第1リフレクター200と平行な平面であればよい。図47は、第2リフレクターの他の実施例を示す図である。図47に示すように、第2リフレクター300は、曲率R1を有する第1傾斜面と、曲率R2を有する第2傾斜面と、を含むことができ、第1傾斜面と第2傾斜面とは一定間隔はなれて配置されればよい。ここで、第1傾斜面と第2傾斜面との間の表面は、第1リフレクターの表面と平行な水平面であればよい。ここで、水平面の幅は、曲率R1を有する第1傾斜面の先端endpointEP1と第2傾斜面の先端EP2間の距離D2であればよい。そして、曲率R1を有する第1傾斜面の幅は、光源モジュール100から第1傾斜面の先端EP1までの距離D1であり、曲率R2を有する第2傾斜面の幅は、第2傾斜面の基端EP2から第2傾斜面の先端までの距離D3である。ここで、水平面の幅D1は、曲率R1を有する第1傾斜面の幅D2及び曲率R2を有する第2傾斜面の幅D3よりも小さく、曲率R1を有する第1傾斜面の幅D2は、水平面の幅D1より大きく、曲率R2を有する第2傾斜面の幅D3より小さければよい。場合によって、第1リフレクターの表面と平行な水平面は、第1傾斜面と第2傾斜面との間の表面だけでなく、光源モジュール100と第1傾斜面との間、または第2傾斜面の一部表面に形成されてもよい。そして、凹ライン及び凸ラインは、曲率R1を有する第1傾斜面及び曲率R2を有する第2傾斜面に沿って、交互に並んで配列されてもよく、水平面に沿って交互に配列されてもよい。一方、実施例に係るバックライトユニットは、第2リフレクターから一定間隔で空間をおいて配置される光学部材をさらに含むことができ、第2リフレクターと光学部材との間の空間には、エアーガイドが形成されればよい。一方、本実施例は、光源モジュールの光出射面を様々な方向に配置してもよい。すなわち、光源モジュールは、光出射面が光学部材と第2リフレクターとの間のエアーガイド方向に向くように配置された直接出射型directemittingtypeの構造であってもよく、光出射面が第1リフレクター、第2リフレクター及びカバープレート方向のうちのいずれか一方向に向くように配置される間接出射型の構造であってもよい。ここで、間接出射型光源モジュールは、出射された光が、第1リフレクター、第2リフレクター及びカバープレートに反射され、反射された光は、再びバックライトユニットのエアーガイド方向に進むことができる。このように、光源モジュールを間接出射型の構造にすると、ホットスポットhotspot減少を低減できる。また、第2リフレクターの下部面に、多数の補強リブribを配置することもできる。図48は、第2リフレクターの下部面に形成された補強リブを示す図であり、図48に示すように、第2リフレクターの下部面に、多数の補強リブ350を配置すればよい。第2リフレクターが、曲面を有する反射面を有するので、外部環境条件によって変形されることがあり、これを防止するために補強リブ350を設置するわけである。補強リブ350は、第2リフレクターの傾斜面と向かい合う後面に配置される他、第2リフレクターの側面と向かい合う後面にも配置されることができる。そして、第2リフレクターの上部面に、光学部材を支持する支持ピンを形成することもできる。図49は、第2リフレクターの上部面に形成された支持ピンを示す図であり、図49に示すように、第2リフレクター300の上部面に、光学部材を支持する支持ピン360を形成することができる。これは、光学部材が第2リフレクター300から離隔され、その間にはエアーガイドが形成されるので、光学部材の中心領域が下部に垂れることがあるからである。ここで、支持ピン360は、第2リフレクター300に接触する下部面の面積を、上部面の面積よりも広くすることが、安定的である。一方、第2リフレクターの傾斜面の下部には、光源モジュールを駆動させるための回路装置が配置されればよい。第2リフレクターの後面には、傾斜面の間に所定の空間が形成され、該当の空間に回路装置を配置することで、余分の空間を效率的に利用することができる。図50は、実施例に係るバックライトユニットを有するディスプレイモジュールを示す図である。図50に示すように、ディスプレイモジュール20は、ディスプレイパネル800及びバックライトユニット700を含むことができる。ディスプレイパネル800は、均一なセルギャップを保ちつつ相対向して合着されたカラーフィルター基板810とTFTThinFilmTransistor基板820とを含み、これら両基板810,820の間に液晶層図示せずを介在すればよい。そして、ディスプレイパネル800の上側及び下側にはそれぞれ、上部偏光版830及び下部偏光版840が配置されることができ、より詳細には、カラーフィルター基板810の上面に上部偏光版830が配置され、TFT基板820の下面に下部偏光版840が配置されればよい。図示してはいないが、ディスプレイパネル800の側面には、パネル800を駆動させるための駆動信号を生成するゲート及びデータ駆動部を備えることができる。図51及び図52は、実施例に係るディスプレイ装置を示す図である。図51を参照すると、ディスプレイ装置1は、ディスプレイモジュール20、ディスプレイモジュール20を取り囲むフロントカバー30及びバックカバー35、バックカバー35に設けられた駆動部55、及び駆動部55を覆う駆動部カバー40で構成することができる。フロントカバー30は、光を透過させる透明な材質の前面パネル図示せずを含むことができ、前面パネルは、一定の間隔をおいてディスプレイモジュール20を保護し、ディスプレイモジュール20から放出される光を透過させて、ディスプレイモジュール20で表示される映像を外部から見るようにする。バッグカバー35は、フロントカバー30と結合してディスプレイモジュール20を保護することができる。バッグカバー35の一面には駆動部55が配置されればよい。駆動部55は、駆動制御部55a、メインボード55b及び電源供給部55cを含むことができる。駆動制御部55aは、タイミングコントローラであればよく、ディスプレイモジュール20の各ドライバICの動作タイミングを調節する駆動部であり、メインボード55bは、タイミングコントローラにVシンク、Hシンク及びR、G、B解像度信号を伝達する駆動部であり、電源供給部55cは、ディスプレイモジュール20に電源を印加する駆動部である。駆動部55は、バッグカバー35に設けられて、駆動部カバー40で覆われるとよい。バッグカバー35には複数の孔が形成されており、これら孔を介してディスプレイモジュール20と駆動部55とを連結することができ、ディスプレイ装置1を支持するスタンド60を備えることができる。一方、図52に示すように、駆動部55の駆動制御部55aは、バッグカバー35に設けられ、メインボード55b及び電源ボード55cはスタンド60に設けられてもよい。この場合、駆動部カバー40は、バッグカバー35に設けられた駆動部55のみを覆うことができる。本実施例では、メインボード55bと電源ボード55cを別に構成したが、これに限定されず、一体の統合ボードとすることもできる。以上の実施例に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれるもので、一つの実施例にのみ限定されるものではない。なお、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは、実施例の属する分野の分野における通常の知識を有する者であれば、様々に組み合わせまたは変形して実施することができる。したがって、それら組み合わせ及び変形に関係する内容はいずれも、本発明の範囲に含まれるものとして解釈すべきである。"