第1方向に延在し、磁壁により隔てられた複数の磁区を有する磁性細線と、前記磁性細線に対して前記第1の方向又は前記第1の方向と逆方向に通電可能な一対の第1の電極と、前記第1の方向に直交する第2の方向において、前記磁性細線上に設けられた第1の絶縁層と、前記第2の方向であって前記第1の絶縁層上に離間して設けられた複数の第2の電極と、複数の前記第2の電極と電気的に接続された第3の電極と、を備える磁気メモリ素子。前記第1の方向において、複数の前記第2の電極を互いに絶縁する第2の絶縁層を更に備える請求項1に記載の磁気メモリ素子。前記第1の絶縁層の比誘電率は、前記第2の絶縁層の比誘電率よりも大きい請求項3に記載の磁気メモリ素子。前記第2の電極と前記第3の電極は一体となっている請求項3に記載の磁気メモリ素子。前記第1の方向における前記第2の電極の厚さは、前記磁壁の厚さよりも厚い請求項4に記載の磁気メモリ素子。前記磁性細線の前記第1の絶縁層が設けられた側とは反対側に設けられた第3の絶縁層と、前記第3の絶縁層の前記磁性細線が設けられた側とは反対側であり、かつ複数の前記第2の絶縁層と対向するように設けられた複数の第4の電極と、複数の前記第4の電極と電気的に接続された第5の電極と、を更に備える請求項2に記載の磁気メモリ素子。前記第1の方向において、複数の前記第4の電極を互いに絶縁する第4の絶縁層を更に備える請求項6に記載の磁気メモリ素子。前記第3の絶縁層の比誘電率は、前記第4の絶縁層の比誘電率よりも大きい請求項7に記載の磁気メモリ素子。前記第4の電極と前記第5の電極は一体となっている請求項8に記載の磁気メモリ素子。前記第1の方向における前記第4の電極の厚さは、前記磁壁の厚さよりも厚い請求項9に記載の磁気メモリ素子。第1方向に延在し、磁壁により隔てられた複数の磁区を有する磁性細線と、前記磁性細線に対して前記第1の方向又は前記第1の方向と逆方向に通電可能な一対の第1の電極と、前記第1の方向に直交する第2の方向において、前記磁性細線上に離間して設けられた複数の第1の絶縁層と、前記第2の方向であって前記複数の第1の絶縁層上に設けられた複数の第2の電極と、前記複数の第2の電極と電気的に接続された第3の電極と、を備える磁気メモリ素子。しかしながら、磁性細線中の磁壁は、構成材料の均一性や形状が理想的な状態である場合は、外部から磁場などよって容易に移動する。したがって、磁性細線を磁気メモリ素子として用いるためには磁壁を意図した場所に固定する手段が必要となる。一方、磁壁を強く固定しすぎると、磁壁を動かすために大きな電流が必要となり、動作可能な磁気メモリ素子が設計できないケースもある。そこで本発明の実施形態は、磁壁制御が容易な磁気メモリ素子を提供することを目的とする。一実施形態に係る磁気メモリ素子は、第1方向に延在し、磁壁により隔てられた複数の磁区を有する磁性細線と、前記磁性細線に対して前記第1の方向又は前記第1の方向と逆方向に通電可能な一対の第1の電極と、前記第1の方向に直交する第2の方向において、前記磁性細線上に設けられた第1の絶縁層と、前記第2の方向であって前記第1の絶縁層上に離間して設けられた複数の第2の電極と、複数の前記第2の電極と電気的に接続された第3の電極と、を備える。以下図面を参照して、本発明の各実施形態を説明する。同じ符号が付されているものは同様のものを示す。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。第1の実施形態図1は磁気メモリ素子100を示す図である。図1の上図は、磁気メモリ素子100のA-A’断面図を示す。図1の下図は、磁気メモリ素子100の上面図を示す。磁気メモリ素子100は、一方向に延在する磁性細線20と、磁性細線20が延在する方向に設けられた一対の第1の電極30と、磁性細線20上に設けられた第1の絶縁層40と、第1の絶縁層40上に離間して設けられた複数の第2の電極50と、複数の第2の電極50と電気的に接続された第3の電極60とを備える。磁性細線20は基板10上に設けられている。磁性細線20が延在する方向において、複数の第2の電極50は互いに第2の絶縁層70で絶縁されている。なお、磁性細線20と基板10上の間に、Ta、Ru、Ta等を積層した多層膜を設けても良い。図1に示すように、x軸、y軸、及びz軸はそれぞれ直交している。図1の上図は磁気メモリ素子100をy軸方向から眺めた図である。図1の下図は、磁気メモリ素子100をz軸方向から眺めた図である。磁性細線20は、導電性材料から構成される。磁性細線20は、強磁性体、フェリ磁性体、又は人工格子である。強磁性体として、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi、マンガンMn、及びクロムCrから選択される少なくとも一つの元素と、白金Pt、パラジウムPd、イリジウムIr、ルテニウムRu、及びロジウムRhから選択される少なくとも一つの元素との合金を磁性細線20の構成材料として用いることができる。強磁性体として、例えばCoPt、NiFe、CoCrPt等も用いることができる。強磁性体の特性は、組成の変更、熱処理等によって変化させることができる。フェリ磁性体として、TbFeCo及びGdFeCo等の希土類と遷移金属のアモルファス合金を磁性細線20の構成材料として用いることができる。これらの材料は、スパッタ装置で薄膜として作製条件を選んで堆積すると磁化がz軸方向積層方向に向きやすくなる傾向があり、磁性細線20の磁化方向をz軸方向に向けたい場合に用いることができる。人工格子として、Co/Pt、Co/Pd、又はCo/Niの積層構造を磁性細線20の構成材料として用いることができる。これらの積層構造を用いることで、磁性細線20の磁化方向をz軸方向に向けることが出来る。これらの積層構造は、最密六方構造の<0001>配向、又は面心立方構造の<111>配向を有しやすい。第1の絶縁層40は、例えばアルミニウムAl、チタンTi、亜鉛Zn、ジルコニウムZr、タンタルTa、コバルトCo、ニッケルNi、シリコンSi、マグネシウムMg、及び鉄Feから選択される少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物、フッ化物、又は酸窒化物等から構成される。具体的には、第1の絶縁層40には、酸化マグネシウムMgOを用いることができる。また、第1の絶縁層40の比誘電率は、第2の絶縁層70の比誘電率よりも大きいことが好ましい。これは、第2の電極50に電圧を印加した際に磁性細線20と第2の電極50との間に電荷が分布しやすくなるためである。たとえば第1の絶縁層40をMgOで構成し、第2の絶縁層70をSiO2で構成することで比誘電率の差をつけることができる。酸化物、フッ化物、窒化物は軽元素を含むほど小さい比誘電率を示す傾向がある。第2の絶縁層70に、第1の絶縁層40と同様の材料を適用することができる。z軸方向において、第2の絶縁層70の厚さは第1の絶縁層40の厚さよりも厚いことが好ましい。これは、第2の電極50から磁性細線20に電圧を印加したときに、第2の電極50と磁性細線20との間に電荷が選択的に分布しやすくなるからである。第2の絶縁層70は、空隙であってもよい。第1の電極30、第2の電極50、第3の電極60は、導電性材料によって構成される。導電性材料としては、例えば銅Cu、金Au、銀Ag、及びアルミニウムAlから選択される少なくとも一つの元素を、第1の電極30、第2の電極50、第3の電極の構成材料として用いることができる。また、これらの元素を組み合わせた合金によって第2の電極50、第3の電極60構成してもよい。第2の電極50と第3の電極60は一体として形成されてもよい。第3の電極60は、すべての第2の電極50が等電位になることを可能にする。なお、以下の説明に用いられる図面では、第1の電極30は省略する。次に、磁気メモリ素子100の動作原理について説明する。まず、磁気メモリ素子100の書込み動作について説明する。図2は、磁気メモリ素子100に情報を書き込むための構成を示す図である。なお、磁気メモリ素子100には検出部も備わっているがここでは検出部の説明は省略する。第3の電極60及び磁性細線20には、電圧信号発生部80が接続されている。磁性細線20には、電流発生部90が接続されている。z軸方向において第1の絶縁層40上に電極65が設けられている。電極65には、電流発生部95が接続されている。電圧信号発生部80は、第2の電極50と磁性細線20との間に電圧を印加する。電流発生部90は、磁性細線20に電流を流すことで磁性細線20の磁壁を移動させる。ここで、磁区とは、その内部において磁化方向が一様な領域のことを指す。隣接する2つの磁区の境界において、磁化方向は細線方向に連続的に変化する。このような磁化の変化領域は磁壁と呼ばれる。電流発生部95を用いて電極65に電流を流すことで発生する磁場を、磁性細線20に作用させて磁性細線20の磁化の一部を反転させる。磁壁は磁化が反転されることで磁性細線20中に形成される。他にも、図3に示すように、電極65の代わりに電極65の周辺を図3A、Bに示すような入力部110、120にしてもよい。図3は、磁性細線20に接続されている入力部110、120を示す図である。図3Aは入力部110を示す。図3Bは入力部120を示す。入力部110、120は動作原理が同じであるが、構成が異なる。入力部110は、磁性細線20上に設けられたスペーサー層71、強磁性層52、反強磁性層53、電極54とを備える。また、磁性細線20の入力部110が設けられた側とは反対側には、電極72が設けられている。磁性細線20と電極72との間に非磁性層等を介しても良い。スペーサー層71は、トンネル絶縁膜材料又は非磁性金属材料を用いることができる。トンネル絶縁膜材料として、例えばアルミニウムAl、チタンTi、亜鉛Zn、ジルコニウムZr、タンタルTa、コバルトCo、ニッケルNi、シリコンSi、マグネシウムMg、鉄Feから選択される少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物、フッ化物、又は酸窒化物などを用いることができる。また、他にもAlAs、GaN、AlN、ZnSe、ZnO、MgOなどの大きなエネルギーギャップを有する半導体材料を用いることもできる。非磁性金属材料として、例えば銅Cu、金Au、銀Ag、又はアルミニウムAlを用いることができる。また、これらの元素を組み合わせた合金でもよい。電極72の材料は、電極54の材料と同様である。入力部110を用いて、磁性細線20に磁化を書き込む方法について説明する。電極54から電流を電極72に向けて流すことで、強磁性層52の磁化を磁性細線20に書き込む。また、入力部110は、入力部120のような構成にもできる。この場合、入力部110は、磁性細線20上に設けられたスペーサー層71、強磁性層52、中間層61、強磁性層62、電極54を備える。次に、磁気メモリ素子100の動作原理について説明する。はじめに、磁性細線20中の磁区の操作について説明する。図4は、第2の電極50と磁性細線20との間に電圧を印加した場合に生じる磁性細線20の磁気エネルギーのx軸方向磁壁位置依存性を示す。図4には磁性細線20の2つのパターンの磁気エネルギー状態図が示されている。一つ目の図は、第2の電極50の電位の方が磁性細線20の電位よりも高くなるように電圧を印加したVaddときの図である。すなわち、第2の電極50が正の電荷を帯びて、磁性細線20が負の電荷を帯びている。二つ目の図は、第2の電極50の電位の方が磁性細線20の電位よりも低くなるように電圧を印加-Vaddしたときの図である。すなわち、第2の電極50が負の電荷を帯びて、磁性細線20が正の電荷を帯びている。電圧を印加しない状態平衡状態では、磁性細線20のy-z平面の断面形状により決まる磁化方向に依存した静磁エネルギーと、第1の絶縁層40と磁性細線20との界面の電子状態の結果として生じる磁気エネルギーを合計したエネルギーが最小となるように、磁性細線20中に形成される磁化は、磁性細線20の延在方向に垂直な方向に向いている。電圧信号発生部80を用いて、第2の電極50が正の電荷を帯び、磁性細線20が負の電荷を帯びるように電圧を印加する一つ目の状態図に相当。すると、第2の電極50の直下に位置する磁性細線20の部分は、磁性細線20の他の部分よりも高い磁壁に対する磁気エネルギーを有する。従って、磁性細線20に電流を流して磁壁を移動させようとするとき、第2の電極50の直下に位置する磁性細線20の部分から磁性細線20の他の部分に向かって磁壁は容易に移動する。しかしながら、逆の場合には磁壁は移動しない。すなわち、第2の電極50の直下に位置しない磁性細線20の部分から第2の電極50の直下に位置する磁性細線20の部分に向かって磁壁は移動しない。これは、第2の電極50と磁性細線20との間に電圧を印加することで、磁性細線20中の磁壁の移動を抑制するポテンシャル障壁が生じる。なお、ポテンシャル障壁を越えるような大きな電流を流せば磁壁は移動するが、磁壁の移動を制御することが難しくなる。さらに、電圧信号発生部80を用いて、第2の電極50が負の電荷を帯び、磁性細線20が正の電荷を帯びるように電圧を印加する二つ目の状態図に相当。すると、第2の電極50の直下に位置する磁性細線20の部分は、磁性細線20の他の部分よりも低い磁壁に対する磁気エネルギーを有する。従って、磁性細線20に電流を流して磁壁を移動させるようするとき、第2の電極50の直下に位置する磁性細線20の部分から磁性細線20の他の部分に向かって磁壁は移動しない。逆に、第2の電極50の直下に位置しない磁性細線20の部分から第2の電極50の直下に位置する磁性細線20の部分に向かって磁壁は容易に移動する。磁気メモリ素子100は、このように磁性細線20のある部分に対して、磁気エネルギーの高低を繰り返すように第2の電極50と磁性細線20との間に電圧を印加する。この磁気エネルギーの高低を利用して、磁壁の移動を制御する。図5は、図4を用いて説明した磁壁に対する磁気エネルギーの高低を利用してどのように磁性細線20中の磁壁を移動させるかを説明するための図である。それぞれの図は、磁性細線20中の磁壁に対する磁気エネルギーのプロファイルと磁壁の位置を示している。図5の上図は、初期状態の磁性細線20中の磁壁の様子を示す。下の図に行くに連れて時間が進んでいる。上から、初期状態、第2の状態、第3の状態、第4の状態とする。例として、図5では第2の電極50が6つある場合を示している。初期状態では、磁壁は1番目の第2の電極50と2番目の第2の電極50との間に存在する。さらに、第2の電極50の電位が磁性細線20の電位よりも高くなるように電圧が印加するVadd。このとき、第2の電極50の直下に位置する磁性細線20の部分は、磁性細線20の他の部分よりも高い磁壁に対する磁気エネルギーを有する。このため、磁壁を移動させるには平衡状態時に磁壁を移動させるのに必要な電流Ic0Ic0>0よりも大きな電流Ic1Ic0<Ic1を流す必要がある。つまり、この状態で電流Ic0と電流Ic1との間の大きさの電流IcIc0<Ic<Ic1を磁性細線20に流しても、磁壁は2番目の第2の電極50の手前にまでしか移動しない。しかしながら、電流Icを磁性細線20に流した状態で、第2の電極50の電位が磁性細線20の電位よりも低くなるように電圧を印加する-Vadd。すると、磁気エネルギーのプロファイルが平坦になった状態を経て、ポテンシャル障壁が電極幅WW>0だけ移動する。よって、磁性細線20中の磁壁は2番目の第2の電極50の紙面左端まで移動する。そして、磁性細線20中の磁壁は、ポテンシャル障壁によって止まる第2の状態。次に、第2の電極50の電位が磁性細線20の電位よりも高くなるように電圧が印加するVadd。すると、磁気エネルギーのプロファイルが平坦になった状態を経て、ポテンシャル障壁が電極幅WW>0だけ移動する。よって、磁性細線20中の磁壁は2番目の第2の電極50と3番目の第2の電極50との間で止まる第3の状態。このように、電圧印加の操作を繰り返すことで、外部信号と同期させて磁壁を移動させることができる。次に、磁気メモリ素子100の書込み動作について説明する。書込み動作は、磁壁移動の動作と磁化反転動作を組み合わせて行う。図6Aから図6Hは、磁気メモリ素子100の書込み動作を説明するための図である。図6Aから順を書込み動作について説明する。磁性細線20中の磁区が紙面下向きz軸方向下向きの磁化方向を示している部分をデータ‘0’とする。磁性細線20の磁区が、紙面上向きz軸方向上向きの磁化方向を示している部分をデータ‘1’とする。図6Aから図6Hでは、第2の電極50説明のため6つとしている。このような場合、磁気メモリ素子100は6ビットの情報を記録することができる。なお、第2の電極50の個数は6つには限られない。図6Aから図6Hにおいて、紙面右側の第2の電極50から順に、1番目、2番目6番目とする。初期状態では、磁性細線20の磁化は全て紙面下向きになっている図6A。すなわち、磁気メモリ素子100にはデータ‘0’が記録されている。最初に、磁性細線20中の磁壁が紙面右側から紙面左端まで一気に移動しないようにするために、第2の電極50の電位が磁性細線20の電位よりも高くなるように電圧Vaddを印加する。そして、電極65に電流を流し、電極65から誘導磁界を発生させる。この誘導磁界で1番目の第2の電極50の右側の磁性細線20に紙面上向きの磁化の磁区を導入する。紙面上向きの磁区は、紙面左側へ広がっていく。しかしながら、電圧Vaddによるポテンシャル障壁が紙面上向きの磁区の広がりは止められる図6B。次に、磁性細線20に電流Icを流しながら、第2の電極50の電位を低-Vadd、高Vaddと変化させる。すると、磁性細線20中の磁壁は、2番目の第2の電極50の手前まで移動する。その結果、1番目の第2の電極50の直下の磁性細線20の部分の磁化は紙面上向きとなる図6C。このとき、例えば、磁性細線20中の磁壁の移動速度よりも電位の切り替えを速くすれば、より正確に磁性細線20中の磁壁を制御できる。他にも、磁性細線20と第2の電極50との電圧が0Vになるときに、電流Icを止めてもより正確に磁性細線20中の磁壁を制御できる。以下の説明でも第2の電極50の電位を低-Vadd、高Vaddと変化させる動作に対して、磁性細線20中の磁壁の移動速度よりも電位の切り替えを速くする動作、又は磁性細線20と第2の電極50との電圧が0Vになるときに電流Icを止める動作を加えて適用できる。次に、磁性細線20に電流Icを流しながら、第2の電極50の電位を低-Vadd、高Vaddと変化させる。すると、磁性細線20中の磁壁は、3番目の第2の電極50の手前まで移動する図6D。ここまでで、磁気メモリ素子100に記録されているデータは‘000011’となる。次に、電極65に図6Bで説明した電流の向きとは逆向きに電流を流し、電極65から誘導磁界を発生させる。この誘導磁界で、1番目の第2の電極50の右側の磁性細線20に紙面下向きの磁化の磁区を導入する図6E。次に、磁性細線20に電流Icを流しながら、第2の電極50の電位を低-Vadd、高Vaddと変化させる。さらに、図6Bで説明した電流の向きと同一方向に電流を流し、電極65から誘導磁界を発生させる。この誘導磁界で、1番目の第2の電極50の右側の磁性細線20に紙面上向きの磁化の磁区を導入する図6F。ここまでで、磁気メモリ素子100に記録されているはデータ‘000110’となる。次に、磁性細線20に電流Icを流しながら、第2の電極50の電位を低-Vadd、高Vaddと変化させる図6G。次に、磁性細線20に電流Icを流しながら、第2の電極50の電位低-Vadd、高Vaddと変化させる図6H。ここまでで、磁気メモリ素子100に記録されているデータは、‘011011’となる。次に、磁気メモリ素子100の読み出し動作について説明する。図7は、磁気メモリ素子100の情報を読み出すための構成を示す図である。磁気メモリ素子100は、磁性細線20上に磁化情報を検出する検出部123をさらに備える。検出部123の構成は、例えば磁性細線20上に設けられたトンネル絶縁膜121と、トンネル絶縁膜121上に設けられた紙面下向きに磁化が向いている強磁性層122とを備える。磁化情報の検出は、強磁性層122から基板10に向かって電流を流す。このときに生じる磁気抵抗による電圧降下の値Voutから磁性細線20に書き込まれた磁化情報を読み出す。図8Aから図8Fを用いて、磁気メモリ素子100の読み込み動作を具体的に説明する。図8Fは、検出部123で読み出される出力電圧と読み出し動作の回数サイクルの関係を示す。1~6サイクルは、それぞれ図8A~図8Eの説明に対応している。初期状態では、磁気メモリ素子100に‘011011’の情報が書き込まれているとする図8A。第2の電極50の電位が磁性細線20の電位よりも高くなるように電圧Vaddを印加する。そして、磁性細線20に電流Icを流す。この時点では、磁性細線20中の磁壁は移動しない。検出部123で読み出される電圧はVlowとなり、データ‘0’が書き込まれていることがわかる。なお、図8Aには、3つの磁壁が示されている。次に、磁性細線20に電流Icを流しながら、第2の電極50の電位を低-Vadd、高Vaddと変化させる。すると、磁性細線20中の磁壁は、磁性細線20の延在方向における第2の電極50の幅だけ紙面左側に移動する。このとき、5番目と6番目の第2の電極50の間の直下の磁性細線20中に存在する磁壁はなくなる。4番目と5番目の第2の電極50の直下の磁性細線20中に書き込まれた紙面上向きの磁化は、左側にポテンシャル障壁が無い。このため、磁性細線20中に流された電流Icにより検出部123の直下の磁性細線20中の磁化は紙面下向きから紙面上向きに変化する。その結果、検出部123のトンネル磁気結合の抵抗値は高くなる。よって、検出部123で読み出される電圧はVhighVhigh>Vlowとなり、データ‘1’が書き込まれていることがわかる図8B。次に、磁性細線20に電流Icを流しながら、第2の電極50の電位を低-Vadd、高Vaddと変化させる。すると、3番目と4番目の第2の電極50の間の直下の磁性細線20中に存在する磁壁、及び4番目と5番目の第2の電極50の間の直下の磁性細線20中に存在する磁壁は、磁性細線20の延在方向における第2の電極50の幅だけ、それぞれ紙面左側に移動する図8C。このとき、検出部123で読み出される電圧はVhighのままである。次に、磁性細線20に電流Icを流しながら、第2の電極50の電位を低-Vadd、高Vaddと変化させる。すると、4番目と5番目の第2の電極50の間の直下の磁性細線20中に存在する磁壁、及び5番目と6番目の第2の電極50の間の直下の磁性細線20中に存在する磁壁は、磁性細線20の延在方向における第2の電極50の幅だけ、それぞれ紙面左側に移動する図8D。このとき、5番目と6番目の第2の電極50の間の直下の磁性細線20中に存在する磁壁は紙面左側に移動してしまう。このとき、5番目の第2の電極50の直下の磁性細線20中に書き込まれた紙面下向きの磁化は、左側にポテンシャル障壁が無い。このため、磁性細線20中に流された電流Icにより検出部123の直下の磁性細線20中の磁化は紙面上向きから紙面下向きに変化する。検出部123で読み出される電圧はVlowとなり、データ‘0’が書き込まれていることがわかる。さらに、磁性細線20に電流Icを流しながら、第2の電極50の電位を低-Vadd、高Vaddと変化させる。すると、磁性細線20中には紙面上向きの磁化だけが残る図8E。このように、電圧印加の操作と電流によるスピントルク印加によって、磁気メモリ素子100は1ビットずつ読み出すことができる。よって、磁気メモリ素子100は、正確に記録されたデータを読み出すことができる。また、図9に示すように、検出部123から紙面左側において、磁性細線120をさらに延在させてバッファ記録部130を設けても良い。バッファ記録部130を設ければ、読み出し操作において磁気メモリ素子100のデータの破壊を防ぐことが出来る。次に、磁気メモリ素子100の製造方法の一例について図10から図15を用いて説明する。図10から図15の下図は、磁性細線20の延在方向から眺めたときの断面図を示す。図10に示すように、磁気メモリ素子100は、絶縁体に囲まれている。ただし、第3の電極60は絶縁体から露出している。なお、必要に応じて磁気メモリ素子100を加工し、電圧信号発生部80、検出部123等を接続してもよい。まず、Si基板上に形成された熱酸化シリコン膜基板10の上にTa、Ru、Taの順で超高真空スパッタ装置を用いて多層膜を堆積する。その後、磁性細線20になる磁性層、第1の絶縁層40、第2の電極50となる金属層を順に堆積する図11。金属層にはCuを用いる。多層膜は磁性層の磁気的電気的特性が基板10表面の状態や堆積過程の不確定要素などに影響を及ぼさないようにするために設けられる。次に、金属層上にネガレジストを塗布する。電子線描画露光装置を用いてネガレジストの一部を露光現像することでマスクパターンを形成する。形成されたマスクパターンを用いて、金属層から磁性層までをイオンミリング装置でミリングする。マスクパターンは剥離液により除去する図12。ここまでで、図12の下図に示すように、磁性細線20が形成される。次に、金属層上にポジレジストを塗布する。電子線描画装置を用いてポジレジストの一部を露光現像することでマスクパターンを形成する。形成されたマスクパターンを用いて、金属層をイオンミリング装置でミリングする。このとき、イオンミリング装置に備え付けてある質量分析器を用いて、ミリングの深さを調整する。マスクパターンは剥離液により除去する図13。ここまでで、図13に示すように、第1の絶縁層40上に第2の電極50が形成される。次に、超高真空スパッタ装置の中で、基板10上、第2の電極50上、及び第1の絶縁層40上に絶縁体となる酸化シリコンを堆積する。余分な酸化シリコンは化学機械研磨CMPによる研磨される。研磨は、第2の電極50の上面が露出するまで行う図14。最後に、超高真空スパッタ装置の中で、第3の電極60となるCuを第2の電極50上及び絶縁体上に堆積する。その後、ネガレジストCuの上に塗布する。電子線描画装置を用いて、ネガレジストの一部を露光現像することでマスクパターンを形成する。形成されたマスクパターンを用いて、Cuをイオンミリング装置でミリングする。マスクパターンは剥離液により除去する図15。ここまでで、磁気メモリ素子100が作製される。第1の変形例図16は、磁気メモリ素子100の変形例を示す図である。磁気メモリ素子200は、磁性細線20と基板10との間に、第4の絶縁層210、第3の絶縁層220、第4の電極230、第5の電極240がさらに設けられている点が磁気メモリ素子100と異なる。第4の絶縁層210は、磁性細線20の第1の絶縁層40が設けられた側とは反対側に設けられている。第4の絶縁層210は、第1の絶縁層40と同様の材料を用いることができる。第3の絶縁層220は、第4の絶縁層210の磁性細線20が設けられた側とは反対側に設けられ、第2の電極50と対向する関係にある。第3の絶縁層220には、第2の絶縁層70と同様の材料を用いることができる。第4の電極230は、第4の絶縁層210の磁性細線20が設けられた側とは反対側に設けられ、第2の絶縁層70と対向する関係にある。第5の電極240は、磁性細線20が延在する方向において、第4の電極230を電気的に接続している。第4の電極230、第5の電極240には、第1の電極30、第2の電極50、第3の電極60と同様の材料を用いることができる。第4の電極230と第5の電極240は一体として形成されていてもよい。磁気メモリ素子200の動作原理は、第2の電極50の電位と第4の電極230の電位が異なるように電圧が印加する点が磁気メモリ素子100と異なる。すなわち、第2の電極50の電位が負であれば、第4の電極230の電位は正である。このようにすることで、より大きなポテンシャル障壁を磁性細線20中に形成することができるので、より正確に磁性細線20中の磁壁を制御することができる。第2の変形例図17は、磁気メモリ素子100の変形例を示す図である。磁気メモリ素子300は第1の絶縁層40が第2の電極50と磁性細線20との間にのみ設けられている点が磁気メモリ素子100と異なる。したがって、磁気メモリ素子300では、第2の絶縁層50は第1の絶縁層440と直接接している。たとえば第1の絶縁層40にMgO酸化マグネシウム、第2の絶縁層70にSiOx酸化ケイ素、0<x≦2を用いる。これらの材料は、磁性細線20に異なる強さの界面誘起磁気異方性を与える。よって、電圧を印加していない平衡状態においても、磁性細線20中に磁気エネルギーの空間分布が生じる。このため、これらの材料を用いれば、熱や外部磁場などの外乱で磁壁が動いてしまうのを防ぐことができる。なお、磁気メモリ素子100、200、300は磁性細線20の延在方向が紙面に対して上方向を向いていてもよい縦積み積層構造。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。