1以上の湾曲チップベースの非平面デバイスの組立方法であって、前記チップに縦方向の開口部として複数の溝穴を作成する工程であって、前記溝穴が変位応力を減少させて前記チップの許容し得る変形度を高める溝穴である工程;前記溝穴を介して前記許容し得る変形度内で所望の変形に前記チップを変形させる工程;及び前記チップの少なくとも一部に拘束の保持を与え、前記拘束の保持によって前記チップを前記所望の変形に応じて湾曲させたままにする工程、を含む方法。前記所望の変形が、ヒトの眼球に合致する準球状の湾曲に対応する、請求項1に記載の方法。前記チップの少なくとも1つが、中心のある周界を有する比較的球状の形状であり、前記チップの前記少なくとも1つが、前記中心から前記周界まで外側に延び放射状に配置される、前記溝穴のうちの1つ以上の特定の溝穴を有する、請求項1に記載の方法。前記特定の溝穴の各々が、前記中心への停止距離から前記周界に向かって放射状に広がる経路領域としての形状であり、前記溝穴を作成する工程が、前記チップの前記少なくとも1つを、前記経路領域に沿って前記周界から前記中心の前記停止距離に向かって切断する工程、を含む、請求項3に記載の方法。前記停止距離が、前記チップの前記少なくとも1つを切断するための機器の限界分解能に基づき決定される、請求項4に記載の方法。前記切断が、前記チップの前記中心までおよそ前記停止距離離れた微細端部で終結し、前記微細端部が、前記経路領域周辺で鋭角を有し、前記方法が、前記微細端部を丸状にして、前記中心までの前記距離付近で鋭角を有さない形状にした前記溝穴を形成する工程、を更に含む、請求項4に記載の方法。前記チップの前記少なくとも1つを切断する工程が、前記周界に沿った開口部に対応し、前記開口部の長さが、前記所望の変形に基づき決定され、前記チップの前記少なくとも1つを切断する前記工程が、チップの材料を除去する工程を含む、請求項4に記載の方法。前記チップを変形させる前記工程が、前記チップの少なくとも一方の側上に、前記所望の変形の少なくとも一部に変位力を与える応力薄膜を堆積させる工程、を含む、請求項1に記載の方法。前記応力薄膜が、前記変位力を構成するようパターン成形される、請求項8に記載の方法。前記所望の変形が、ホルダーの湾曲面を介して構成され、前記変形させる工程が、前記ホルダーの前記湾曲面上の前記チップを加圧して、前記チップを前記所望の変形に湾曲させる工程、を含む、請求項1に記載の方法。前記ホルダーが、前記湾曲面に分布する吸引孔を備え、前記加圧する工程が、前記吸引孔を介して付与された真空吸着力に基づく、請求項10に記載の方法。前記ホルダーが、前記湾曲面上に静電チャックを備え、前記加圧する工程が、前記静電チャックを介して付与された静電力に基づく、請求項10に記載の方法。前記チップが、複数のパッドを備え、前記拘束の保持によって、1つ以上の固定構造に対する前記パッドの相対的位置を機械的に拘束し、拘束の保持を与える工程が、前記所望の変形に応じた形状である前記固定構造であって、前記チップの前記パッドに対応する整合パッドを備える前記固定構造を、形成する工程;及び前記チップを前記所望の変形に応じた形状に維持しながら、前記パッドを前記対応する整合パッドと結合する工程、を含む、請求項1に記載の方法。前記パッドを結合する工程が、前記所望の変形に基づき前記チップと前記固定構造を一直線に配置する工程;及び制御された昇温範囲内で前記固定構造に対して前記チップを加圧する工程、を含む、請求項13に記載の方法。前記パッドの少なくとも2つが、前記固定物のうちの1つと結合し、前記少なくとも2つのパッドが、前記溝穴のうちの1つを跨ぐように位置決めされ、前記拘束の保持が、前記少なくとも1つの固定物を拘束して前記少なくとも1つの溝穴に沿った前記チップの前記所望の変形を維持することを含む、請求項13に記載の方法。前記固定構造が、可撓性材料を含み、前記固定構造を形成する工程が、所定の昇温範囲内で圧力を用いて前記所望の変形に合致する前記固定構造を成型する工程、を含む、請求項13に記載の方法。前記固定構造が、分離チップを備え、前記チップと前記分離チップが、前記固定構造による前記拘束の保持を含む相互の拘束を介して、前記所望の変形に応じた湾曲を維持する、請求項1に記載の方法。第一チップと第二チップとを備える三次元湾曲チップの組立方法であって、前記第一チップを所望の変形に変形させる工程;前記第二チップを変形させて、前記所望の変形に合致させる工程;前記変形させた第一及び第二チップを互いに結合して、前記第一及び第二チップ間の相互の拘束を保持し、前記第一及び第二チップを前記所望の変形に湾曲させたままにする工程、を含む、方法。前記第一チップが、複数の第一パッドを備え、前記第二チップが、前記第一チップの前記第一パッドに対応する複数の第二パッドを備え、前記変形させた第一及び第二チップを結合する工程が、前記変形させた第一及び第二チップの間で、前記第一パッドと前記第二パッドとを一直線に配置する工程;及び制御された昇温範囲内で前記一直線に配置された第一及び第二チップの間に圧力を付与し、前記第一及び第二パッドを接合する工程、を含む、請求項18に記載の方法。前記結合された第一及び第二パッドが、導電性材料を含み、前記第一及び第二チップが、前記接合された第一及び第二パッドの外側の空隙を介して分離され、前記組立方法が、前記空隙を熱伝導性材料で埋戻し、前記熱伝導性材料を通じて前記第一及び第二チップの間で放熱させる工程、を更に含む、請求項19に記載の方法。前記接合された第一及び第二パッドを不動態化して、前記導電性材料を腐食から保護する工程、を更に含む、請求項20に記載の方法。前記第一チップが、前記第一チップを変形させる第一溝穴を備え、前記第二チップが、前記第二チップを変形させる第二溝穴を備え、前記一直線に配置することによって、前記第一溝穴と前記第二溝穴とが互いに略垂直になるように位置決めされる、請求項19に記載の方法。所望の湾曲に応じて湾曲された第一面を有する圧力ユニット;前記所望の湾曲に合致するよう湾曲された第二面を有するホルダーユニット;及び前記圧力ユニットと前記ホルダーユニットとを動作させる制御ユニット、を備える、非平面湾曲チップの製造用装置であって、前記圧力ユニットは、前記第一面上で前記所望の湾曲に前記チップを変形させるよう構成され、前記ホルダーユニットは、前記第二面上で前記所望の湾曲に応じて固定構造を変形させるよう構成され、前記制御ユニットは、前記圧力ユニットと前記ホルダーユニットとによって、前記第一面と前記第二面との間で前記チップを前記固定構造に結合させ、その結合によって前記チップと前記固定構造との拘束を保持して、湾曲させたままにするよう構成される、非平面湾曲チップの製造用装置。前記圧力ユニットの前記第一面が、前記所望の湾曲に応じて第一曲率中心で湾曲され、前記ホルダーユニットの前記第二面が、前記所望の湾曲に合致するよう第二曲率中心で湾曲され、前記動作によって、前記第一中心を前記第二中心に重ねて、前記第一及び第二面を整合させる、請求項23に記載の装置。前記チップが、パッドを備え、前記固定構造が、前記パッドに対応する整合パッドを備え、前記制御ユニットによって、前記圧力ユニットを三次元回転で回転させて、前記第一面を前記第二面と一直線に配置する、請求項24に記載の装置。前記圧力ユニットと前記ホルダーユニットとのうちの少なくとも1つが、透明であり、前記パッドと前記整合パッドとに基づき前記一直線に配置する、請求項25に記載の装置。非平面non-planner集積回路デバイスであって、所望の変形に湾曲された可撓性構造であって、複数の接触領域を備え、前記可撓性構造に組み込まれた回路を備え処理操作を行う前記可撓性構造;及び前記接触領域を介して前記可撓性構造に結合し、拘束を保持して前記可撓性構造を湾曲させたままにする、少なくとも1つの固定構造、を備える、デバイス。前記固定構造が、前記所望の変形に応じて湾曲され、前記固定構造が、前記可撓性構造と結合して相互の拘束を保持し前記固定構造を湾曲させたままにする、請求項27に記載のデバイス。前記可撓性構造が、前記可撓性構造に狭開口部を形成する1つ以上の溝穴を備え、前記溝穴によって、前記狭開口部と交差する前記可撓性構造の面内応力を減少させて、前記所望の変形に湾曲させる、請求項27に記載のデバイス。前記可撓性構造は、中心を有する面を備え、前記溝穴は、前記面の前記中心から外側の方向に延びて配置され、前記湾曲は、三次元様式で前記中心に向かって内側に向けられる、請求項28に記載のデバイス。前記所望の変形が、準球状の形状と実質的に合致する、請求項30に記載のデバイス。前記固定構造の少なくとも1つが、前記溝穴のうちの1つに近接して配置される少なくとも2つの前記接触領域を介して、前記溝穴のうちの1つを跨ぐように、前記可撓性構造と結合し、前記少なくとも1つの固定構造によって、前記拘束の一部が保持されて、前記1つの溝穴の開口部が広がらないようにする、請求項30に記載のデバイス。前記少なくとも2つの前記接触領域が、前記1つの溝穴の2つの側を跨ぐように位置決めされる、請求項32に記載のデバイス。前記1つの固定構造が、前記可撓性構造の前記所望の変形に合致する非平面形状に曲げられた高分子材料を含む、請求項32に記載のデバイス。前記接触領域が、導電性材料を含む結合パッドと、前記結合パッドを介して前記可撓性構造と結合する前記固定構造を備える、請求項27に記載のデバイス。前記可撓性構造と前記固定構造との少なくとも一部が、前記デバイス中の埋戻し材を介して分離され、前記埋戻し材が、前記可撓性構造と前記固定構造との間で熱を放散することが可能な熱伝導性材料を含む、請求項35に記載のデバイス。前記結合パッドが、腐食から前記導電性材料を保護するための少なくとも1つの不動態化層で不動態化される、請求項35に記載のデバイス。前記デバイスが、ヒトの眼の中に移植可能で光の視覚認知を可能にし、前記所望の変形によって、ヒトの眼球の形状と合致する前記デバイスの前記移植を可能にする、請求項37に記載のデバイス。前記可撓性構造と前記固定構造が、実質的に透明であり、光が前記デバイスを通過する、請求項38に記載のデバイス。前記可撓性構造は、画素ユニットの配列を備え、画素ユニットの各々は、光を感知するセンサー、前記認知のために電極の対象となる神経細胞への刺激を伝達する電極、及び前記光からの前記刺激を誘導して前記電極を駆動させる処理回路を備える、請求項38に記載のデバイス。前記固定構造は、更なる処理操作を行うことができ、前記結合パッドによって、前記可撓性構造と前記固定構造との間を互いに連絡させて、前記処理操作と前記更なる処理操作を連動させることが可能である、請求項35に記載のデバイス。前記連絡が、前記固定構造を介して前記可撓性構造へ溝穴を跨いで情報を中継することを含む、請求項41に記載のデバイス。前記デバイスが、三次元形状を有し、前記所望の変形が、前記三次元形状の一部と合致し、前記デバイスが、更なる処理操作が可能な少なくとも1つの分離可撓性構造、を更に備え、前記分離可撓性構造は、前記三次元形状に合致するよう湾曲され、前記可撓性構造の面と前記分離可撓性構造の分離面とを前記三次元形状内で互いに対向させて、前記可撓性構造と前記分離可撓性構造とが、前記デバイス内で前記面と前記分離面とを跨いで互いに直接連絡することが可能である、請求項27に記載のデバイス。前記直接連絡することが、無線で行われる、請求項43に記載のデバイス。三次元形状面を有する三次元集積回路デバイスであって、可撓性チップの各々が、前記三次元形状面に合致するよう湾曲された、複数の可撓性チップ;可撓性チップの各々が、2つ以上の結合パッドを介して前記可撓性チップのうちの少なくとも1つの分離チップと結合し、相互の拘束を保持して、前記結合する可撓性チップを湾曲させたままにする、前記可撓性チップを結合する複数の前記結合パッド;及び前記少なくとも2つの可撓性チップ間を直接連絡させ、前記結合パッドと接続経路とが、前記チップ間の接続を構成して、前記デバイスに処理操作を行わせることを可能にする、前記少なくとも2つの可撓性チップの間の前記接続経路、を備える、デバイス。前記少なくとも2つの可撓性チップが、互いに対向するよう構成されて、前記接続経路を形成する、請求項45に記載のデバイス。前記チップの少なくとも1つが、前記1つのチップに狭開口部を形成して前記三次元形状に合致するよう湾曲させる、1つ以上の溝穴を備える、請求項45に記載のデバイス。前記結合パッドの外側で前記チップの間に埋戻し材料を更に備え、前記埋戻し材料が、前記チップからの熱を放散させる熱伝導可能な埋戻し材料である、請求項45に記載のデバイス。光を受ける複数の光センサー;複数の微小電極;及び前記光センサーと前記微小電極とに連結する回路、を備える、移植用可撓性デバイスであって、前記回路が、前記微小電極を駆動させて神経細胞を刺激し前記光センサーによって捕えられた前記光を視覚認知することを可能にし、前記デバイスが、開口部を形成する溝穴を有する可撓性材料からなり、前記溝穴によって、前記デバイスをヒトの眼球の形状に合致する所望の変形に湾曲させて、前記刺激に関する前記神経細胞にごく近接するように前記微小電極を位置決めすることを可能にする、デバイス。非平面non-planner集積回路デバイスであって、前記デバイスは、所望の変形に湾曲された可撓性構造を備え、前記可撓性構造は、曲げ応力を与えて前記可撓性構造を湾曲させる少なくとも1つの応力膜の層を備え、前記応力膜が、指定されたパターンで前記可撓性構造中に形成されて前記所望の変形を引き起こす、デバイス。前記応力膜が、前記デバイスの少なくとも一方の側に堆積し、前記応力膜の薄膜残留応力が大きい、請求項50に記載のデバイス。前記デバイスが、前記指定されたパターンを介して前記応力膜の前記薄膜応力の分布に応じて三次元波状様式で成形される、請求項50に記載のデバイス。従って、従来の平面技術では、デバイス間の又は複数の外部システムとの相互作用の複雑さを最小限にする非平面配置を有するデバイスを提供することができないかもしれない。一実施形態において、半導体チップ又は、チップ積層物の非平面の曲面パッチのような非平面例、準球状の構造の組立方法は、チップを小さく変形させるために、薄チップの半導体薄基板の片側又は、両側に応力膜を堆積させる工程を含み得る。応力膜は、制御された形状に小さく変形するために、応力膜を例えば、フォトリソグラフィーやエッチング、又はリフトオフ処理を用いてパターニングして堆積させ得る。あるいは、溝穴を薄チップ上に作成し得、応力膜を堆積させてチップを大きく変形させることができ得る。別の実施形態において、溝穴を薄チップ上に作成し得、チップを拘束要素の分離片例えば、リング形状のパッチ又はその他のチップと結合させて、チップを大きく変形させることができ得る。溝穴は、チップ内のある位置からチップエッジまで延び、幅が変化するように、連続的に開口することで形成することができる。それによって、局部構造の直線的又は湾曲された新たなエッジや側壁が形成され、局部構造が曲げ応力又は変形応力下にある場合にある程度の横変位をすることができる。結合は、溝穴チップを備えるを跨ぐ要素の結合片間を、機械的に拘束すること及び任意に電気的接続を与えることであり得る。応力膜を有する溝穴と拘束要素を組み合わせることによって、チップの湾曲面を形成することができる。溝穴が穿孔された2つ以上のチップ片は、結合して、相互の又は多数の拘束を有し、適所に湾曲片を保持し得る。ある実施形態において、このように形成された湾曲構造は、ブレインマシンインターフェース例、網膜の人工補てつ、又は信号処理ユニットの3D三次元相互接続の新規なアーキテクチャに適し得る。本発明の実施形態は、湾曲チップベースの非平面デバイスの組立方法及び組立用装置を含む。溝穴を、前記チップに長手方向の開口部として形成し、曲げ応力を減少させて前記チップの許容し得る変形度を高め得る。前記チップを、前記溝穴を介して前記許容し得る変形度内で所望の変形に変形させ得る。拘束の保持を前記チップの少なくとも一部に与え、前記チップを前記所望の変形に応じて湾曲させたままにし得る。別の実施形態において、湾曲チップは、多重チップを含むことができる。一方のチップ例、チップのうちの第一チップを、所望の変形に湾曲させ得る。他方のチップ例、チップのうちの第二チップを変形させて、第一チップの所望の変形に合致させ得る。前記変形させたチップを、一方のチップの連続片が他方のチップの溝穴を跨ぐように、互いに結合して、これらのチップ間の拘束を保持し、これらのチップを前記所望の変形に湾曲させたままにし得る。更なる別の実施形態において、非平面湾曲チップ用組立装置は、一連の圧力ユニット、ホルダーユニット、及び制御ユニットを備え得る。前記圧力ユニットは、所望の湾曲に応じて湾曲された第一面を有し得る。前記ホルダーユニットは、前記所望の湾曲に合致するよう湾曲された第二面を有し得る。前記制御ユニットは、前記圧力ユニットと前記ホルダーユニットの動作を制御し得る。前記圧力ユニットは、前記第一面上で前記所望の湾曲に前記チップを変形させるよう構成され得る。前記ホルダーユニットは、前記第二面上で前記所望の湾曲に応じて固定構造を変形させるよう構成され得る。前記制御ユニットは、前記圧力ユニットと前記ホルダーユニットによって、前記圧力ユニットの動作を介して前記第一面と前記第二面との間で前記チップを前記固定構造に結合させるよう構成され得る。前記結合によって前記チップと前記固定構造の拘束を保持して、湾曲させたままにし得る。本発明の別の実施形態は、可撓性構造及び前記可撓性構造に結合する少なくとも1つの固定構造を備える、非平面non-planner集積回路デバイスを含む。前記可撓性構造は、所望の変形に湾曲され得る。複数の接触領域が、前記可撓性構造に備えられ得る。回路が、前記可撓性構造に組み込まれて、処理操作を行い得る。一実施形態において、前記固定構造は、前記接触領域を介して前記固定構造に結合し、前記可撓性構造を湾曲させたままにし得る拘束を保持し得る。別の実施形態において、三次元形状面を有する三次元集積回路デバイスは、複数の可撓性チップ及び複数の結合を備え得る。可撓性チップの各々が、前記三次元形状面に合致するよう湾曲され得る。前記可撓性チップのうち少なくとも2つは、互いに対向する、前記デバイス内部に障害物がない構成であり得る。前記可撓性チップは、前記結合パッドを介して互いに結合し得る。可撓性チップの各々が、2つ以上の結合パッドを介して前記可撓性チップのうちの少なくとも1つの分離チップと結合し、相互の拘束を保持して、前記結合する可撓性チップを湾曲させたままにし得る。一実施形態において、前記デバイスは、互いに対向する可撓性チップ間に接続経路を備えて、互いに対向する可撓性チップ間を直接連絡させ得る。前記結合パッドと前記接続経路は、前記可撓性チップ間の接続を構成して、処理操作を行わせ得る。更なる別の実施形態において、移植用可撓性デバイスは、光を受ける複数の光センサー、複数の微小電極、及び前記光センサーと前記微小電極に連結する回路を備え得る。前記回路が、前記微小電極を駆動させて神経細胞を刺激し前記光センサーによって捕えられた前記光を視覚認知することを可能にし得る。前記デバイスは、可撓性材料に開口部を形成する溝穴を有する可撓性材料からなり得る。前記溝穴によって、前記デバイスをヒトの眼球の形状に合致する所望の変形に湾曲させて、前記刺激に関する前記神経細胞にごく近接するように前記微小電極を位置決めすることを可能にし得る。本発明のその他の特徴は、添付の図面、及び以下の詳細な説明に示す。本発明は例を挙げて説明されるが、添付の図面の図に限定されるものではない。当該図面において、同様の符号は同様の要素を示す。網膜チップ組立処理又は集積半導体チップの非平面例、準球状曲面パッチ及び組立方法が、本明細書に記載される。以下の明細書中、多くの具体的な詳細が本発明の実施形態の説明を通して記載され提供される。しかし、これらの具体的な詳細が記載されていなくても本発明の実施形態を実施し得ることは、当業者には明らかであろう。その他の事実としては、周知の構成要素、構造及び技術は、本明細書を理解し難くしないため、詳細には示されない。本明細書中、一実施形態又は実施形態という記載は、当該実施形態に関連して記載された特定の特徴、構造、又は特性が、本発明の少なくとも1つの実施形態に包含され得ることを意味する。本明細書中様々なところに記載される一実施形態においてという語句は、必ずしも全て同一の実施形態に言及している必要はない。一実施形態において、集積能動デバイス、トランジスタ回路、トランスデューサー、又はマイクロシステムが非平面の表面を有することの利点は、これらのデバイスやサブシステム間の相互作用相互接続、あるいは1つの外部システム又は複数の外部システムとの相互作用相互接続の配置を変更することにある。非平面の形状又は配置を有する集積デバイスによって、新規の計算アーキテクチャが可能となり得る例えば、ボール形状の配置は、表面上の計算要素間の相互作用、連絡、及び相互接続、並びに球状内の連絡/相互作用リンクを最適化する、3Dの円卓会議である。それによって、電子工学又は光工学と生物学的な神経系とを結び付ける新規方法が一般に可能となる例えば、ブレインマシンインターフェースBMIにおいて、準球状面がよく見られる。例えば、人工網膜の場合、ヒトの眼球の裏の人工補てつデバイスと網膜との間のインターフェースは、曲率半径が~12.5mmの準球状面である。眼球を通じて相互接続することの複雑さを最小限にするためには、接している微小電極と電気回路を共に網膜神経の表面にごく近接するように配置することが望ましい。本開示によって、通常固い半導体電子機器を非平面本明細書では、準球状の形状に形成する方法が示される。図1A~1Dは、可撓性チップの非平面組立品の例示的な実施形態を示す模式図である。図1Aの組立品100Aは、眼球中の網膜の形状に合致する準球状の形状の人工網膜の人工補てつデバイスを示し、当該デバイスは網膜神経の表面にごく近接するように位置決めすることができ得る。このような形状の合致によって、必要とされる神経の電気励起閾値を低下させ、デバイス例、電極を介すると網膜神経との間のインターフェースの精度を高め得る。一実施形態において、組立品100Aは、光センサー、電極、駆動回路等を有する可撓性チップ103を備え得る。可撓性チップ103は、機械的に拘束されて、固定構造101を介して所望の形状又は変形に湾曲され得る。例えば、固定構造101は、所望の湾曲に成形又は変形された可撓性高分子材料を含み得る。可撓性チップ103は、固定構造101に結合又は固定されて、所望の形状に湾曲されたままにし得る。次に図1Bを検討すると、組立品100Bは、多層の可撓性チップを備える、比較的球状の形状の組立品であり得る。例えば、可撓性チップ107及び109は、変形されて、チップ107及び109の表面要素間の連絡を促進し得る。チップ107及び109は、互いに対向するように位置決め又は構成されて、光ビーム、配線又はその他の適用可能な接続のいずれかを用いて、連絡路例、連絡路111を確立し得る。ある実施形態において、同一方向に面する異なる湾曲チップ例、チップships105及び107間の連絡路は、シリコン貫通ビアに基づき得る。シリコン貫通ビアは、その薄シリコン基板を通じて、薄ICチップの例えば、前側から後側へ、薄ICチップのいくつかのパッドを運び得る。その結果、多重チップを共に積層し結合することができる。多重チップ例えば、固定構造105、及び可撓性チップ107は、これらのチップ間の相互の拘束に基づき、組立品100B中で湾曲されたままにし得る。組立品100Bの非平面配置によって、接続又は他の適用可能な非平面non-planner形状の特徴に基づく計算アーキテクチャが可能となり得る。例えば、球状組立品におけるボール形状の配置は、球状組立品の表面の計算要素又は、可撓性チップの回路間の相互作用、連絡及び相互接続、並びに球状組立品内部に位置する要素の連絡/相互作用リンクを最適化するための、3D三次元配置の円卓会議となり得る。次に図1Cを検討すると、非平面の人工網膜組立品は、補助網膜の形で眼球113に移植され得る。人工網膜は、眼球113の網膜121と密接に接触している可撓性チップ117を備え得る。可撓性チップ117は、固定構造115と結合して湾曲されたままとし、眼球113の形状に合致させ得る。一実施形態において、固定構造115と可撓性チップ117の両方が、光を通す透明な材料を含み得る。あるいは、図1Dにおいて、非平面の人工網膜組立品は、エピ網膜の形で眼球113に移植され得る。人工網膜は、眼球113の内部から網膜121に密接に接触している可撓性チップ119を備え得る。また、人工網膜は、機械的に拘束して可撓性チップ119を眼球113の形状に合致するよう湾曲させたままにする、固定構造123を備え得る。非平面の人工網膜組立品は、所望の様々な構成又は形状に応じて変形されるように、可撓性を備え得る。図2Aは、応力薄膜が堆積した可撓性構造又はデバイスの断面図を示す構成図である。一実施形態において、構造200は、バリア層203と高分子210との間に挟まれた薄いデバイス層205を備え得る。デバイス層205は、デバイスの腐食及び/又は生体組織への害を防ぐためにバリア層203と生体適合性の高分子層210とで覆われた、医療用インプラントを目的とする、薄いMOS金属酸化膜半導体ダイスに基づき得る。構造200Aは、応力膜層207からの応力又は伸縮力に応じてカールする又は、曲がる、変形するのに十分な薄さであり得る。ある実施形態において、応力薄膜例えば、応力膜層207は、薄構造又は薄チップの片側又は両側に堆積して、チップに対して所望の変形例えば、ある程度の曲げを伴うを達成し得る。例えば、応力薄膜を事前圧縮又は事前伸長して、異なる方向に曲げ力を付与し得る。任意には、応力薄膜は、加工処理中に例えば、フォトリソグラフィー処理やエッチング処理によって環状形状又は縦縞状にパターン成形されて、薄構造に対して様々な湾曲形状例えば、波状様式に、又はその他の適用可能な形状にを作成することができる。構造200は、接着剤211を介して付着する厚いキャリアウエハー又は、ハンドルウエハー209から切り離される際に、カールし得る。図2Bは、本明細書に記載の実施形態に係る波状様式に変形された非平面デバイスを示す模式図である。例えば、非平面non-planner集積回路デバイス200Bは、波状様式に湾曲された可撓性薄構造213を備え得る。応力膜215及び217は、構造213の両側に例えば、パターンマスクを介して形成されて、特定の又は、事前に指定されたパターン例えば、縦縞、ジグザグ、又はその他の適用可能なパターン等を形成し、波状様式等の所望の変形に構造213を湾曲し得る。一実施形態において、応力膜215は、事前圧縮又は圧縮され得る。あるいは、応力膜は事前伸長され得る。応力膜215及び127によって、大きな残留薄膜応力等の、変位拘束又は変位力を与えて、所望の変形に可撓性構造213を湾曲させ得る。非平面デバイスは、指定されたパターンで形成された、事前圧縮膜、事前伸長膜、又は圧縮膜の組み合わせを備え得、指定されたパターンに応じた応力分布を呈したデバイスの所望の変形を達成し得る。一実施形態によれば、所望の変形は、チップ曲げ湾曲を含み得る。例えば、可撓性チップが平面状の円盤から非平面状の球状パッチに変形される場合、可撓性チップの外円の円周に必要な減少を算出することができる。一実施形態において、曲げられている基板からの変位がウエハーの厚さ例、デバイス層205の厚さよりも大幅に小さい場合、比較的厚い基板上の残留膜応力を有する堆積薄膜によって引き起こされるチップ曲げ湾曲の概算は、ストーニー方程式又は、近似式に基づき得る。薄チップ上の応力がより大きいために、近似式を介して変位を大きく見積もり過ぎないように、数値法を、チップ曲げ湾曲を算出するために用い得る。これにより、変位を、二次元の拘束に起因して、基板の厚さよりも容易に大きくすることができる。図3A~3Cは、本明細書に記載の実施形態に係る溝穴に基づく例示的な非平面チップを示す模式図である。例えば、模式図300Aは、薄ダイス又は薄ウエハーの薄チップ305、及び端部307に応力を緩和する丸角を有する拡張溝穴301を含み得る。薄チップ305が変形されると、溝穴301の2つの側が接触し又は接近し得る。薄チップ305は、キャリア基板から切り離されると、加工処理中にキャリア基板上で圧縮応力を付与され湾曲され得る。一実施形態において、薄チップ305は、余分な周界が除去された、扇/くさび形状で、円形チップの中心から外側に向かう方向に直線路で、あるいは湾曲路、らせん状路、ジグザグ路又はその他適用可能な路で延びる、いくつかの1つ以上の放射状の溝穴を有する、円形チップを備え得る。放射状の溝穴は、薄チップ305の周界から延び、薄チップ305の中心に到達する前に又は、中心から離れて、溝穴301の端部307等の溝穴の端部例、幅約1μmの微細端部で終結し得る。一実施形態において、溝穴の端部は、薄チップ内に位置して、例えば、微細加工処理の分解能限界及び/又はチップの変形によって引き起こされる溝穴の端部の応力拡大係数の増加を調整し得る。溝穴の端部を囲む例、溝穴301の端部307を囲む角は、関連するチップが変形され又は曲げられた場合、丸状になり、鋭角に関連する応力集中を減少させ、丸状になった溝穴の角に応力を分散させ得る。溝穴は、薄チップ305の溝穴301のようなチップの狭い経路領域の一部例えば、切欠き、縦方向の開口部、又は狭開口部を、微細加工処理時の深堀反応性イオンエッチング等を通じて、除去する又は、切断する、スリットを入れることによって形成され得る。溝穴によって、チップの変形応力例えば、正接面内応力を減少させることができ、チップが変形し得る許容度を高めることができる。一実施形態において、溝穴は、溝穴と交差する回路要素間でのチップ内の直接的な連絡を遮断し得る。後述するような、拘束可撓線又はその他の拘束チップへの結合パッドを介してのこのようなジャンパー、あるいは、溝穴の周りのより長い母線及びデータバスは、電力線、基線及び信号線の分配を必要とし得る。図3Bは、溝穴と応力膜で加工され、準球状パッチに曲げられ又は湾曲され、加工中に使用されたキャリアウエハーから切り離された後も湾曲したままとされる、積層薄円盤チップ構造を示す。固定構造は、チップ構造中の溝穴を跨ぐように結合して、チップの湾曲が緩和して元の平面形状に戻ることを防ぎ得る。応力膜が更に曲げ力を与え、チップの拘束を促進し、所望の変形のままとし得る。1つ以上の溝穴を有する薄構造上の応力薄膜は、曲げ効果を非常に高めることができるが、大きな曲げ例えば、30ミクロン厚の網膜チップを曲げる際の70~90ミクロンのエッジ変位は、二次元的な拘束に結び付き得る。変形度は、例えば、マイクロ単位のエッジ変位で測定され得る。その結果、所望の大きな湾曲を得るためには、大きな応力例えば、外部からの曲げを有する比較的厚い膜が必要となり得る。図3Cは、平面チップを湾曲させる例示的な機構を示す。直径dの平面状の円盤例、平面チップを含むを曲率半径R309に曲げた場合、円盤の半径の中心から直径線の終点まで延びる角度311は2θである2Rθ=d。円盤の元の円周は、S=πd=2πRθである;しかしながら、円盤が球形状パッチに変形される場合、変形後の円周313は、S’=2πRSinθとなるべきである。θ>0の場合θ>Sinθであるため、円盤は曲げに対して平面状正接圧縮応力を受けるであろう。半径rがR以下の場合、円周2πr[θ-Sinθ]を超過するためである。円盤が球形状に変形される場合に溝穴の2つのエッジが接触するように、溝穴によって適切な量でこのような超過が除去される。平面チップからある超過材料を除去して湾曲非平面形状にするこのような原理は、本明細書に記載の実施形態に適用可能となり得るものもある。図4A及び図4Bは、可撓線で組み立てられた薄チップの例示的な実施形態を示す模式図である。模式図400Aは、固定構造401と薄チップ403を備え得る。一実施形態において、固定構造401は、丸いリング状に成形される例えば、可撓線ケーブルから形成される可撓線であり得る。可撓線は、透明又は半透明で、変形可能及び/又は成型可能な高分子例、ポリアミドを含み得る。ある実施形態において、可撓線は、必要とされる所望の変形に応じて、全体として又は別の適用可能な形状に成形され得る。薄チップ403は、大きく変形させるためにスリットを有する薄ウエハー/ダイスに基づき得る。一実施形態において、薄チップ403は、4つのスリット又は、溝穴例えば、溝穴405を有する可撓性材料を備え、チップの可撓性を高めて大きく変形させ得る。固定構造401は、可撓性薄チップ403に結合して、チップを曲げ状態に保ち得る。薄チップ上に形成される溝穴の数及び/又はパターン例えば、2、12、又はその他の適用可能な溝穴の数は、チップの所望の変形によって変更し得る。次に図4Bを検討すると、組立品400Bは、例えば、結合パッド407を介して、固定構造401と結合する湾曲薄チップ403を備え得る。固定構造401又は、可撓線からの機械的な拘束によって、薄チップ403を、緩和して元の平面状態に戻ることなく湾曲したままに保ち得る。固定構造401は、適切な厚さ例えば、~10μmの金属ワイヤーと金属結合パッドを備え得る。薄チップ403は、固定構造401の対応する金属結合パッドと結合する、相対的位置の整合結合パッドを備え得る。金属は、気圧力下、通常、150°C乃至450°Cの範囲内で制御された昇温内で、薄膜結合例えば、金Auと金Auを形成し得る。薄膜結合は、データ通信や電力分配のための電気的接続としても用いられ得る。図5A~5Fは、非平面可撓性デバイスの組立又は、接合処理の例示的な手順を示すブロック図である。例えば、非平面可撓性デバイスは、整合パッドを介して可撓性デバイスと結合する湾曲薄ウエハー/ダイスに基づいて加工又は製造され得る。図5Aの手順500Aでは、一実施形態において、ホルダー501は、可撓線又は固定構造を収容する、凹形状例えば、凹部503を有するクリアなホルダーを備え得る。凹部503は、成型又は成形可能な可撓線材料例、高分子を収容し得る。図5Bの手順500Bでは、可撓線507は、凹部503中で細工され得る。一実施形態において、加圧ユニット505とホルダーユニット501は、圧力/熱が付与された状態で接触して、可撓線507を湾曲形状に形成し得る。加圧ユニット505とホルダーユニット501は、曲率半径が共通又は一致する整合面を有して成形され得る。可撓線507は、球状面を有する加圧ユニット505例えば、上部ユニットと整合する球状凹部を有するホルダーユニット501例えば、下部ユニットとの間に挟まれ得る。一実施形態において、可撓線507は、対応する領域の表面の吸引孔、及びホルダー501の内部の吸引経路による吸引によって、又は例えば、静電チャックを用いた静電力によって保持される、高分子系リングを備え得る。図5Cの手順500Cでは、加圧ユニット505を動かして、ホルダーユニット501から分離し、可撓線507を変形した又は、成型したまま所定の位置に例えば、凹部503に残し得る。ある実施形態において、可撓線と結合する薄チップは、可撓線を成型する必要なく、可撓線と薄チップとの間の相互の拘束に基づいて変形され得る。次に図5Dを検討すると、手順500Dでは、加圧ユニット517とホルダーユニット501を一直線に配置した後、加圧ユニット505とホルダーユニット501を接触させて、薄チップ又は、ウエハー509と可撓線507を結合し得る。例えば、薄チップ509は、特定の領域例、結合領域511で可撓線507と結合又は接合し得る。薄チップ509は、金属系パッドを備え得る。それに対応して、可撓線507は、整合パッドを備え得る。一実施形態において、加圧ユニット505を、例えば、三次元回転運動を介してホルダーユニット501と一直線に配置して、薄チップ509のパッドを、可撓線507の対応する整合パッドに接触させることができ得る。加圧ユニット505とホルダーユニット501の少なくとも一方は、一直線に配置することができるようにクリアであり得る。図5Bの加圧ユニット505と、加圧ユニット517は、非平面デバイス用の1つの共通の組立装置における異なった湾曲に湾曲された面を有する、複数の加圧ユニットの一部であり得る。一実施形態において、熱と圧力とを、薄チップ509と可撓線507との間に付与して結合し、例えば、金属パッドと対応する整合パッドとをはんだ付けし得る。薄チップは、例えば、吸引又は静電気力を介して、加圧ユニット例えば、上部加圧機505に保持され得る。加圧機517は、薄チップ509のパッドと可撓線507の整合パッドとを一直線に配置した後、ホルダーユニット501に対して加圧し得る。ある実施形態において、可撓線507は、クリアな下部ホルダー例えば、ホルダー501を用いて作成し得る。多層チップは、加圧ユニットとホルダーユニット501との間に付与された圧力と熱とを介して結合し得る。ホルダーユニット501は、種々のチップデザインに応じて、可撓線又は可撓性チップ例えば、可撓線507を変形させる種々の形状又は型の凹部と関連付けられ得る。結合が完了すると、図5Eの手順500Eにおいて、加圧ユニット505が、ホルダーユニット501から離脱し、非平面形状の可撓線507と結合する薄チップ509を切り離し得る。結合パッドは、結合圧力/熱の冷却時に硬化して、分離チップ/ウエハーを湾曲形状又は非平面形状に接着又は、結合し得る。一実施形態において、可撓線507と結合する薄チップ509は、手順5Eの後、例えば、腐食から保護するためにバリア層及び/又は高分子層で不動態化又は、コーティングされ得る。可撓線507例えば、相互に拘束され湾曲されたままとされる分離チップと薄チップ509との間の空隙を、熱伝導性の誘電性材料で埋戻して、放熱性を向上させ得る。図5Fは、薄チップ509と可撓線507との間の結合パッドの拡大図を示す。例えば、薄チップ509のパッド513は、可撓線507の整合パッド515と結合又は、はんだ付けされ得る。パッド513と整合パッド515は、同一の又は異なる導電性材料例えば、金を含み得る。非平面デバイスの結合接点例えば、整合パッド515と結合するパッド513は、窒化ケイ素、ダイアモンド状炭素、又はその他の適用可能な材料からなる固い不動態化薄層で、被覆又はコーティング例えば、蒸着コーティング又は真空コーティングされることで絶縁性を有し、デバイスの結合接点が露出するのを防ぎ得る。一実施形態において、結合接点によって、湾曲チップの異なる部分間に、機械的な接合による拘束及び/又は任意の電気的接続を与え得る。図6A及び図6Bは、相互に拘束された非平面チップの例示的な実施形態を示す模式図である。例えば、図6Aの模式図600Aは、湾曲チップの組立品の相互の拘束に関するオフセットスリットと整合結合パッドを有する2つの薄ウエハー/ダイスを示し得る。一実施形態において、第一薄チップ601と第二薄チップ607は各々、整合金属結合パッドを有する4つの放射状の溝穴を備え得る。薄チップは、角度をもって位置合わせされる溝穴を有して組み立てられ得る。例えば、溝穴605は、例えば、組み立てられた湾曲薄チップにおいて角度45度で、溝穴603と交差し得る。次に図6Bを検討すると、組立品600Bは、相互の拘束を介して湾曲された、第一薄チップ601と第二薄チップ607とを備え得る。組み立てられた湾曲薄チップ例えば、第一薄チップ601と第二薄チップ607は、結合位置例えば、結合パッド領域で互いに相互の拘束が付与されるため、緩和して元の平らな又は平面状態に戻り得ない。一実施形態において、結合パッドは、薄チップの溝穴の各々を跨ぐように対をなし、溝穴を跨ぐようにチップの部分同士を接着し得る。図7A及び図7Bは、結合パッドを有する組立品の例示的な上面図及び断面図を示す模式図である。例えば、図7Aは、準球状の形状に湾曲された2つの薄チップの積層物例えば、第一薄チップ601上に第二薄チップ607の非平面3Dパッケージングの上面図を示す。積層チップ間の隣接した溝穴は、第二薄チップ607の溝穴605及び第一薄チップ601の溝穴603のように、角度例えば、45度をもって位置合わせされ得る。結合パッドは、溝穴603を跨ぐパッド701及びパッド703のように、溝穴の両側に位置決めされ得る。図7Bは、結合パッド部位と結合する薄膜の断面図例えば、拡大比不問を示す。例えば、第二薄チップ607と第一薄チップ601とを、パッドの結合例えば、パッド703と整合パッド705との間の結合を介して湾曲させたままにし得る。あるいは、又は任意に、薄チップは接着剤を介して結合し、非平面形状にさせたままにし得る。一実施形態において、多重チップが積層する非平面組立品の隣接するチップ間の埋戻し材層例えば、埋戻し材707によって、チップ間の放熱が促進し得る。埋戻し材層は、熱伝導性の誘電性材料を含み、操作において組立構造又は、非平面チップの昇温を制御し得る。例えば、非平面組立品内に組み込まれた高速処理回路から発生する熱は、結合パッドと埋戻し材層の両方を通過して、非平面組立品の冷却を促進し得る。一実施形態において、埋戻し材層は、非平面non-planner組立品中の空隙の熱絶縁を減少させ又は取り除き得る。または、非平面組立品を、液体例えば、シリコンオイルに浸漬して空隙を満たし、冷却効果を得られ得る。積層物は、二層に限定されず、あるいは、丸形状に限定されない。千鳥足状の溝穴を有する多重チップの非平面3D積層物を形成することができる。電力、信号及びデータは、層の間を飛び越えて溝穴を横切り、積層片と隣接片との間に電力と信号とを分配することができる。能動デバイスは曲げ応力下にあるため、N型MOSトランジスタにおける縦方向と横方向の両方への引張応力のトランスコンダクタンスの増加、及びP型トランジスタの場合の増加又は減少のいずれかのような、応力誘導効果は、システム設計において考慮されあらかじめ補正され得る。図8A~8Cは、本明細書中の一実施形態における薄ダイス/ウエハー又は基板の湾曲積層物を組み立てるための例示的な手順を示すブロック図である。例えば、図8Aの手順800Aでは、2つの薄チップである第一薄チップ807と第二薄チップ809が、組立装置に保持され得る。一実施形態において、組立装置は、加圧ユニット803例えば、上部ユニット、ホルダーユニット805例えば、下部ユニット、及び制御ユニット801を備え得る。加圧ユニット803及び/又はホルダーユニット805は、並進及び/又は回転運動を含む三次元様式で動作し、例えば、制御ユニット801によって制御され得る。一実施形態において、第一薄チップ807と第二薄チップ809は、吸引、静電気又はその他の手段のいずれかで、加圧ユニット803とホルダーユニット805とによって、別個に保持され得る。例えば、加圧ユニット803又はホルダーユニット805は、吸引経路の小孔又は開口部であるリングを有する吸引チャックを備え、吸着力を与えて薄チップを保持し得る。加圧ユニット803とホルダーユニット805とは、整合面で結着し、保持される薄チップを変形し得る。一実施形態において、第一薄チップ807は、加圧ユニット803によって保持される場合、加圧ユニット803の第一湾曲面811上で変形され得る。第二薄チップ809は、ホルダーユニット805によって保持される場合、ホルダーユニット805の第二湾曲面813上で変形され得る。第一薄チップ807及び/又は第二薄チップ809は、チップの可撓性を高めて変形させる又は、湾曲させる、曲げる、溝穴を備え得る。第一湾曲面811と第二湾曲面813は、共通の湾曲を有して互いに整合し得る。図8Bの手順800Bでは、ホルダーが一直線に配置された後、接触し得る。例えば、ホルダーユニット805は、クリア又は透明であり、第一薄chinチップ807と第二薄チップ809を介して、加圧ユニット803と一直線に配置させ得る。一実施形態において、ホルダー間を一直線に配置することは、第一薄チップ807と第二薄チップ809との間の対応する結合パッドを整合することに基づき例えば、マスクに基づき得る。加圧ユニット803は、三次元回転で回転して、保持されたチップを一直線に配置し得る。一実施形態において、加圧ユニット803は拘束されて、一次元並進で例えば、ホルダーユニット805に向かって又は離間して動作し、ホルダーの表面例えば、第一湾曲面811と第二湾曲面813を互いに整合させ得る。ある実施形態において、ホルダーの表面は、共通する曲率中心又は、球の中心で整合し得る。加圧ユニット803とホルダーユニット805が接触するにつれて、熱と圧力とが付与されて、金属薄層結合部位の特定の領域例えば、結合領域819で、第一薄チップ807と第二薄チップ809とを結合し得る。金属薄層結合部位は、薄チップ間に整合パッドと一直線に配置されたパッドを備え得る。一実施形態において、パッドが、制御された昇温範囲で共に溶融し得る。例えば、約100~180°C摂氏の熱が、スズ/鉛系パッドに用いられ得る。あるいは、約350~450°Cの熱が、金合金製パッドに必要とされ得る。図8Cの手順800Cでは、加圧ユニット803が、保持する第一チップ807を切り離し、加圧ユニット803をホルダーユニット805から分離し得る。第二チップ809と結合する第一チップ807を備える非平面組立品は、達成されたチップ間の結合から与えられる相互の拘束を介して、湾曲したままにされ得る。上記明細書では、本発明について、その具体的で例示的な実施形態を参照して説明した。以下の特許請求の範囲に記載の本発明の上位の範囲から逸脱しない範囲において、本発明に種々の改変を行うことができることは明らかである。本発明は、具体的な、形態、図面、縮尺及び開示された詳細情報に限定されるものではない。従って、本明細書及び図面は、制限的な意味というよりはむしろ、説明的な意味として見なされるべきである。