"III族窒化物半導体層を有するIII族窒化物半導体素子であって、前記III族窒化物半導体層の000-1面側の所定領域に、ドーム型形状の丸みを有する複数の凸部を有し、前記所定領域の上面に電極を有することを特徴とするIII族窒化物半導体素子。隣接する前記凸部により形成される谷の底部が角になっている請求項1に記載のIII族窒化物半導体素子。前記凸部の表面は、ファセット面が特定できないランダム面である請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体素子。サポート体と、該サポート体上に順次位置する第1導電型III族窒化物半導体層、活性層および第2導電型III族窒化物半導体層と、を有するIII族窒化物半導体素子であって、前記第2導電型III族窒化物半導体層の、前記サポート体と反対側が000-1面側であり、前記第2導電型III族窒化物半導体層の000-1面側の所定領域に、ドーム型形状の丸みを有する複数の凸部を有し、前記所定領域の上面に電極を有することを特徴とするIII族窒化物半導体素子。前記第2導電型がn型である請求項4に記載のIII族窒化物半導体素子。前記電極がTi/Al電極である請求項4または5に記載のIII族窒化物半導体素子。III族窒化物半導体層を有するIII族窒化物半導体素子の製造方法であって、前記III族窒化物半導体層の000-1面側の所定領域に異方性エッチングを施し、多角錐形の突起を複数形成する工程と、前記所定領域に等方性エッチングを施し、前記突起をドーム型形状の丸みを有する複数の凸部へと変化させる工程と、前記凸部を有する所定領域の上面に電極を形成する工程と、を有することを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。前記異方性エッチングは、前記突起の表面を000-1面以外のファセット面とするウェットエッチングである請求項7に記載のIII族窒化物半導体素子の製造方法。前記ファセット面は10-1-1面、10-1-2面、および10-1-3面のいずれかである請求項8に記載のIII族窒化物半導体素子の製造方法。前記異方性エッチングには、アルカリ性の溶液を用いる請求項8または9に記載のIII族窒化物半導体素子の製造方法。前記等方性エッチングは、前記凸部の表面をファセット面が特定できないランダム面とするドライエッチングである請求項8~10のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体素子の製造方法。前記電極を形成する工程は、前記所定領域の上面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法によって電極形成部位のレジストを除去する工程と、前記電極形成部位の前記保護膜を除去する工程と、前記電極形成部位に電極を形成する工程と、を有する請求項7~11のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体素子の製造方法。成長用基板上にリフトオフ層、第2導電型III族窒化物半導体層、活性層および第1導電型III族窒化物半導体層をこの順に形成する工程と、前記第1導電型III族窒化物半導体層上に、サポート体を形成する工程と、前記リフトオフ層を除去することで、前記成長用基板を前記第2導電型III族窒化物半導体層から剥離する工程と、000-1面側である、露出した前記第2導電型III族窒化物半導体層の所定領域に異方性エッチングを施し、多角錐形の突起を複数形成する工程と、前記所定領域に等方性エッチングを施し、前記突起をドーム型形状の丸みを有する複数の凸部へと変化させる工程と、前記凸部を有する所定領域の上面に電極を形成する工程と、を有することを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。上記横型構造の素子では、n側電極およびp側電極はともに、それぞれn型III族窒化物半導体層およびp型III族窒化物半導体層の0001面側に形成される。しかし、上記縦型構造の素子では、p側電極はp型III族窒化物半導体層の0001面側に形成されるが、n側電極はn型III族窒化物半導体層の000-1面側に形成される。本発明者らの検討によれば、特許文献1のようなIII族窒化物半導体基板の場合だけでなく、III族窒化物半導体層上に電極を形成する場合にも、0001面側に形成するか、000-1面側に形成するかによって、得られるオーミック接触性が異なることが明らかになった。すなわち、上記縦型構造の場合には、000-1面側のn型III族窒化物半導体層とn側電極とのオーミック接触が十分に得られず、n側電極が高抵抗すなわち高電圧をなってしまうという問題があった。さらに本発明者らが検討したところ、リフトオフ層の除去に伴い露出したn型III族窒化物半導体層の000-1面にウェットエッチングを施して、特定のファセット面を表面に有する多角錐形の突起部を多数形成し、その上にn側電極を形成したところ、n型III族窒化物半導体層とn側電極とのオーミック接触が十分に得られず、むしろ、突起部を形成しない場合よりも高抵抗となってしまうことが判明した。そこで本発明は、上記課題に鑑み、III族窒化物半導体の000-1面側に電極を形成するIII族窒化物半導体素子において、III族窒化物半導体層の000-1面側と電極との良好なオーミック接触を実現し、より低電圧で動作可能なIII族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は以下のとおりである。1III族窒化物半導体層を有するIII族窒化物半導体素子であって、前記III族窒化物半導体層の000-1面側の所定領域に、ドーム型形状の丸みを有する複数の凸部を有し、前記所定領域の上面に電極を有することを特徴とするIII族窒化物半導体素子。2隣接する前記凸部により形成される谷の底部が角になっている上記1に記載のIII族窒化物半導体素子。3前記凸部の表面は、ファセット面が特定できないランダム面である上記1または2に記載のIII族窒化物半導体素子。4サポート体と、該サポート体上に順次位置する第1導電型III族窒化物半導体層、活性層および第2導電型III族窒化物半導体層と、を有するIII族窒化物半導体素子であって、前記第2導電型III族窒化物半導体層の、前記サポート体と反対側が000-1面側であり、前記第2導電型III族窒化物半導体層の000-1面側の所定領域に、ドーム型形状の丸みを有する複数の凸部を有し、前記所定領域の上面に電極を有することを特徴とするIII族窒化物半導体素子。5前記第2導電型がn型である上記4に記載のIII族窒化物半導体素子。6前記電極がTi/Al電極である上記4または5に記載のIII族窒化物半導体素子。7III族窒化物半導体層を有するIII族窒化物半導体素子の製造方法であって、前記III族窒化物半導体層の000-1面側の所定領域に異方性エッチングを施し、多角錐形の突起を複数形成する工程と、前記所定領域に等方性エッチングを施し、前記突起をドーム型形状の丸みを有する複数の凸部へと変化させる工程と、前記凸部を有する所定領域の上面に電極を形成する工程と、を有することを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。8前記異方性エッチングは、前記突起の表面を000-1面以外のファセット面とするウェットエッチングである上記7に記載のIII族窒化物半導体素子の製造方法。9前記ファセット面は10-1-1面、10-1-2面、および10-1-3面のいずれかである上記8に記載のIII族窒化物半導体素子の製造方法。10前記異方性エッチングには、アルカリ性の溶液を用いる上記8または9に記載のIII族窒化物半導体素子の製造方法。11前記等方性エッチングは、前記凸部の表面をファセット面が特定できないランダム面とするドライエッチングである上記8~10のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体素子の製造方法。12前記電極を形成する工程は、前記所定領域の上面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法によって電極形成部位のレジストを除去する工程と、前記電極形成部位の前記保護膜を除去する工程と、前記電極形成部位に電極を形成する工程と、を有する上記7~11のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体素子の製造方法。13成長用基板上にリフトオフ層、第2導電型III族窒化物半導体層、活性層および第1導電型III族窒化物半導体層をこの順に形成する工程と、前記第1導電型III族窒化物半導体層上に、サポート体を形成する工程と、前記リフトオフ層を除去することで、前記成長用基板を前記第2導電型III族窒化物半導体層から剥離する工程と、000-1面側である、露出した前記第2導電型III族窒化物半導体層の所定領域に異方性エッチングを施し、多角錐形の突起を複数形成する工程と、前記所定領域に等方性エッチングを施し、前記突起をドーム型形状の丸みを有する複数の凸部へと変化させる工程と、前記凸部を有する所定領域の上面に電極を形成する工程と、を有することを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。本発明のIII族窒化物半導体素子によれば、III族窒化物半導体層の000-1面側の所定領域に、ドーム型形状の丸みを有する複数の凸部を設け、この所定領域の上面に電極を設けた。これにより、III族窒化物半導体層の000-1面側と電極との良好なオーミック接触を実現し、より低電圧で動作可能なIII族窒化物半導体素子を得ることが可能となった。また、本発明のIII族窒化物半導体素子の製造方法によれば、異方性エッチングおよびそれに続く等方性エッチングをIII族窒化物半導体層の000-1面側の所定領域に施すことによって、上記凸部表面を有効に形成することができる。よって、III族窒化物半導体層の000-1面側と電極との良好なオーミック接触を実現し、より低電圧で動作可能なIII族窒化物半導体素子を得ることが可能となった。以下、図面を参照しつつ本発明をより詳細に説明する。なお、半導体素子の模式断面図においては、説明の便宜上、サポート体に対してその他の層を実状とは異なる比率で厚み方向に誇張して示す。III族窒化物半導体素子図1を用いて、本発明の一実施形態によるIII族窒化物半導体素子100以下、単に素子100ともいう。を説明する。素子100は、サポート体116と、このサポート体116上に順次位置するp型III族窒化物半導体層114以下、単にp層という。、活性層112およびn型III族窒化物半導体層110以下、単にn層という。と、を有する。n層110上にはn側電極128が位置し、n層と電気的に接続している。また、サポート体116は導電性を有し、p層114と電気的に接続するp側電極を兼ねている。なお、n層110の外周上に位置する超格子バッファ層108およびAlNバッファ層106、ならびに各半導体層の周囲およびサポート体116の表面の周縁部を覆うマスク118の詳細は後述する。ここで、n層110は一対の表面のうち、サポート体116側が0001面であり、サポート体116と反対側が000-1面となっている。そして、n層110の000-1面側の所定領域120に、ドーム型形状の丸みを有する複数の凸部124を有し、この所定領域の上面にn側電極128を有している。本発明者らは、この構成によれば、後述の図4Bに示す、n層110の000-1面側が平坦で000-1面が露出している場合や、後述の図4Aに示す、n層110の000-1面側に多角錐の突起があり000-1面以外のファセット面が露出している場合よりも、n層110とn側電極128とのオーミック接触を向上させ、素子をより低電圧で動作させることができることを見出した。III族窒化物半導体素子の製造方法上記素子100を好適に製造する、本発明の一実施形態によるIII族窒化物半導体素子の製造方法を、図2および図3により説明する。まず、図2Aに示すように、成長用基板102上にリフトオフ層104を形成し、その上にAlNバッファ層106、超格子バッファ層108を順次形成し、さらにその上に、n型III族窒化物半導体層110、活性層112およびp型III族窒化物半導体層114をこの順に形成する。また、超格子バッファ層108は、その上に形成するn層110との格子不整合を緩和し、n層110の結晶品質を向上させるために形成する。次に、積層した半導体層106~114に対して成長用基板102が底面で露出する格子状の溝を形成し、互いに独立した半導体構造部を形成する。図2Bには、溝で区画した1つの半導体構造部のみを示している。そして、図2Bに示すように、p層114上にサポート体116を形成する。サポート体116は、次に述べる成長用基板102の剥離後に、積層した半導体層を支持する。次に、図2Cに示すように、ケミカルリフトオフ法によってリフトオフ層104を除去することで、成長用基板102をn層110、超格子バッファ層108、AlNバッファ層106などから剥離する。次に、図2Dに示すように、マスク118を形成して、AlNバッファ層106表面の周縁部、各半導体層の周囲およびサポート体116の表面の周縁部を覆う。マスク118は、SiO2、SiNなどの絶縁膜からなり、後述の異方性エッチングおよび等方性エッチングから被覆部分を保護する。次に、図2Eに示すように、異方性エッチング、例えば2.38質量水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH溶液のようなアルカリ溶液によるウェットエッチングを、マスク118に被覆されず露出した所定領域120のAlNバッファ層106に施す。エッチングが進行すると、AlNバッファ層106および超格子バッファ層108が除去され、n層110が露出する。このとき露出するのは、n層110の000-1面側である。III族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる場合、既述のとおり、層はc軸方向に成長し、成長する層の表面がいわゆるGa面と呼ばれる0001面となり、反対側サポート体と接する側がいわゆるN面を呼ばれる000-1面となる。そのため、図2Aの層形成段階では、n層110のうち超格子バッファ層108と接する面が000-1面となり、活性層112が成長する面が0001面となるからである。図2Eでは、000-1面側である、露出したn層110の所定領域120に対して引き続き異方性エッチングを施す。n層110の000-1面側に異方性エッチングを施すと、図3Aにも示すように、n層110の表面には多角錐形の突起122が複数形成される。III族窒化物半導体は六方晶系であるため、通常六角錐形の突起が形成される。そして、この異方性エッチングは、突起122の表面を000-1面以外のファセット面とするウェットエッチングである。本実施形態のようにエッチング液をアルカリ溶液とした場合、突起122の表面に露出するファセット面は10-1-1面またはこれと等価な面となることがこれまで報告されている。次に、図2Fに示すように、所定領域120に等方性エッチングを施す。すると、図3Bに示すように、複数の突起122は、ドーム型形状の丸みを有する複数の凸部124へと変化する。等方性エッチングは、例えば反応性イオンエッチングRIEのようなドライエッチングである。等方性エッチングの結果、図3Bに示す凸部124の表面は、ファセット面が特定できないランダム面となる。n層110が000-1面側に図3Bの凸部124を有する状態で、図2Gに示すように、n層110の所定領域120の上面にn側電極128を形成する。以上の工程を経て、本実施形態の素子100が完成する。このような素子100およびその製造方法の実施形態に内在する本発明の特徴的構成を、その作用効果とともに説明する。本発明のIII族窒化物半導体素子の製造方法は、図2E~Gおよび図3A,Bに示したように、III族窒化物半導体層の000-1面側の所定領域に異方性エッチングを施し、多角錐形の突起を複数形成する工程と、前記所定領域に等方性エッチングを施し、前記突起をドーム型形状の丸みを有する複数の凸部へと変化させる工程と、前記凸部を有する所定領域の上面に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。そして、本発明のIII族窒化物半導体素子は、例えば上記の製造方法により得ることができ、III族窒化物半導体層の000-1面側の所定領域に、ドーム型形状の丸みを有する複数の凸部を有し、前記所定領域の上面に電極を有することを特徴とする。図2Eに示すn層110の表面を露出させる工程を、等方性エッチングのみで行った場合、図4Bに示すように、n層110の表面は平坦となり、000-1面が露出する。また、同工程を異方性エッチングのみで行った場合、図4Aに示すように、n層110の表面は多角錐形六角錐形の突起122となる。この突起122の表面は、10-1-1面またはそれと等価な面となることが報告されている。本発明者らの検討によれば、上記2通りのn層110表面上にそれぞれn側電極を形成した場合、いずれも十分なオーミック接触が得られず、n側電極2点間の電圧を測定したところ、高電圧となった。これは、素子が動作可能な電圧も高電圧となることを意味する。一方、この素子100のように000-1面側にドーム型形状の丸みを有する複数の凸部124を有するn層110の表面上にn側電極を配置した場合、良好なオーミック接触が得られ、n側電極2点間の電圧が上記2通りの場合に比べて十分に低くなった。そして、このような凸部表面は、異方性エッチングおよびそれに続く等方性エッチングをIII族窒化物半導体層の000-1面側の所定領域に施すことによって有効に形成することができた。このような素子100およびその製造方法によって、III族窒化物半導体層の000-1面側と電極との良好なオーミック接触を実現し、より低電圧で素子が動作可能となった。なお、上記特徴的構成によりn側電極2点間の電圧が低下する作用は完全に解明できていないが、少なくともn層のn側電極との接触面積とは関連性が低いと思われる。図4Aの場合と本発明である図3Bの場合とで、n層の表面積はそこまで大差がないと思われるが、n側電極2点間の電圧の差は顕著であるためである。また、本製造方法では、異方性エッチングおよびそれに続く等方性エッチングの前に、AlN層106および超格子バッファ層108の全部または一部を除去する目的で、等方性エッチングを行ってもよい。成長用基板102は、サファイア基板またはサファイア基板上にAlN膜を形成したAlNテンプレート基板を用いるのが好ましい。形成するリフトオフ層の種類やIII族窒化物半導体からなる半導体積層体のAl、Ga、Inの組成、LEDチップの品質、コストなどにより適宜選択すればよい。リフトオフ層104は、エッチング液で溶解できる材料であれば特に限定されず、CrNなどのIII族以外の金属や金属窒化物バッファ層を挙げることができる。AlNバッファ層106、超格子バッファ層108、n層110、活性層112およびp層114は、例えばMOCVD法によりリフトオフ層104上に順次エピタキシャル成長させることができる。超格子バッファ層108は、Al組成xが異なる2つのAlxGa1-xN0≦x≦1を交互に積層してなる。n層110およびp層114は、AlInGaN系など任意のIII族窒化物半導体からなり、活性層を挟むクラッド層や、それぞれn側電極およびp側電極と接触するコンタクト層からなる。活性層112は、III族窒化物半導体により多重量子井戸MQW構造を形成した発光層とすることができる。この場合、素子100はLEDとなる。通常、AlNバッファ層106、超格子バッファ層108、n層110、活性層112およびp層114のそれぞれの膜厚は0.6~2μm、0.6~3μm、1~4μm、1~100nm、0.1~1μm程度とする。サポート体116は導電性シリコン基板やCuW合金基板、Mo基板などを接合法により形成してもよいし、湿式あるいは乾式めっきにより形成することもできる。たとえばCuまたはAuの電気めっきでは、接続層としてCu,Ni,Auなどを用いることができる。サポート体116はp側電極を兼ねることができる。ケミカルリフトオフ法に使用可能なエッチング液は特に限定されない。リフトオフ層がCrNの場合、硝酸第二セリウムアンモン溶液や過マンガン酸カリウム系の溶液などのCrNに対して選択性のあるエッチング液を用いることができる。リフトオフ層がScNやHf、Zrの場合、選択性のある酸性のエッチング液を用いることができる。マスク118は、例えばSiO2やSiNを用いることができる。形成方法は、特に限定されないが、例えばAlNバッファ層106の全面、各半導体層の周囲およびサポート体116の表面の周縁部に対してCVD法でSiO2を成膜後、所定領域120のみ露出させる金属マスク例えばNiを形成し、RIEにより所定領域120のSiO2をエッチングすることで、図2Dに示す状態とすることができる。異方性エッチングはIII族窒化物半導体層の000-1面側に多角錐形の凸部を形成可能であれば特に限定されないが、例えば2.38質量水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH溶液、NaOH溶液やKOH溶液のようなアルカリ溶液によるウェットエッチングとすることができる。この場合、凸部は六角錐形となり、凸部の表面六角錐の六つの側面は平面状となり、この表面は主に10-1-1面である。なお、他のエッチング液リン酸などによっては10-1-2面、および10-1-3面が出ると記載する文献ApplPhysLettVol73No182November1998もある。ただし、10-1-1面の方が、凸部の角度が大きく谷が深くなるためより好ましい。異方性エッチングの処理条件もIII族窒化物半導体層の000-1面側に多角錐形の凸部を形成可能であれば特に限定されない。本実施形態において、AlNバッファ層106および超格子バッファ層108を除去し、かつ、n層110に凸部を形成する必要がある。AlNバッファ層106および超格子バッファ層108の厚みにも依存するが、2.38質量TMAH溶液の場合、異方性エッチングの処理時間が1分以上であることが好ましく、5~60分の範囲がより好ましい。等方性エッチングは平坦な表面に対して施す場合、表面内の位置に依らず均一な速度でエッチングが進行する。しかし、本製造方法のように、図3Aの多角錐形の凸部のある表面に対して施す場合、凸部の底部に比べて物理的吸着と離脱が容易な頂部でエッチングの進行が早い傾向がある。そのため、本製造方法では異方性エッチングに続いて等方性エッチングを行うことで、突起122を頂部が丸みを有する凸部124へと変化させることができる。凸部の寸法は、高さが0.1~3μmであるが、必ずしも均一ではない。また、凸部は異方性エッチングおよび等方性エッチング処理を施した領域の全体に分布するが、局所的に見れば、必ずしも均一に分布しない領域も存在する。ただし、丸み形状には均一性があり、すなわち、異方性エッチングおよび等方性エッチング処理を施した領域の全体に分布する丸みを有する凸部は、いずれも同様にドーム型形状であり、かつ、図3Bのように、隣接する凸部124により形成される谷の底部126が角になっている。このように谷の底部126が角になるのは、2段階エッチングの1段階目に異方性エッチングを行うためである。すなわち、マスクパターン等を用いて凸部を形成する場合にくらべ、本発明では異方性エッチングと等方性エッチングの組み合わせにより、最大で3μmにもなる深さで形成される谷の底部は、異方性エッチングにより形成された角となり、より微細で複雑なランダム面を形成することができる。そのためオーミック電極と接触するランダム面の面積も大きく、オーミックコンタクト性の向上効果が高い。凸部124は異方性エッチングによる形状の規則性を一部引き継いで谷の底部126が角であるため、図3Cに示すように、凸部断面には、谷の底部126を繋いで底辺とし、底辺から凸部の頂点までの高さhの3分の1の高さh/3に底辺と水平な線を引き、凸部との交点と谷の底部126との直線を辺とする三角形を描くことができる。そのため、本明細書中におけるドーム型形状の丸みとは、外接させた三角形の底辺から頂点までの高さに対して該底辺から凸部の頂部までの高さが低く、すなわち、外接する三角形の底辺から頂点に向けた角度θ1に対し、三角形の底辺から凸部の頂部に向けた角度θ2が小さく、さらに底辺から凸部の頂部にかけて非直線的に形成されることをいう。上記2つの角度平均値の差θ1-θ2は、例えば3~30度である。なお、凸部断面は該底辺から該凸部の頂部にかけて凸部の外方に向かって凸な丸みを帯びている形状が好ましい。等方性エッチングは、例えば反応性イオンエッチングRIEのようなドライエッチングを用いることができる。RIEの場合、窒化物半導体をエッチングする際には、塩素、4塩化ケイ素、3塩化ホウ素などのガスを用いることができる。上記のようなドーム型形状の凸部を確実に形成する観点から、時間以外の条件にも拠るが等方性エッチングの処理時間は3分以上であることが好ましく、5分以上がより好ましい。n側電極128の電極材としてはAl、Cr、Ti、Ni、Pt、Auなどが用いられるが、安定したオーミック特性を得やすいため、Ti/Al電極とすることが好ましく、例えばスパッタ法により形成することができる。なお、本実施形態では、第1導電型をp型とし、第2導電型をn型とした。これは、p型層の抵抗が高く電流が広がりにくいため、より抵抗が低いn型層を光取出し側とすることで発光効率を高めやすいからである。図2Gに示すn側電極128の形成方法は特に限定されないが、レジストをマスクとしたリフトオフ法により形成することができる。このリフトオフ法を用いる場合、特に図5に示す方法が好ましい。図5は、n層110上の電極形成部位を拡大した断面図である。まず、図5Aに示すように、n層110の少なくとも所定領域120の上面に保護膜130を形成する。保護膜130は、マスク118と同様にSiO2やSiNの絶縁膜をCVD法で成膜して形成する。次に、図5Bに示すように、保護膜130上にレジスト132を塗布し、図5Cに示すように、フォトリソグラフィー法によって電極形成部位134のレジストを除去する。このとき、n層110表面が保護膜130に覆われているため、レジストを除去するために用いる、2.38質量TMAHなどのアルカリ溶液がn層110に接触しない。このため、n層110の表面状態、すなわち凸部124の表面が等方性エッチングにより形成されたランダム面である状態を維持できるため好ましい。次に、図5Dに示すように、電極形成部位134の保護膜130を除去する。この除去は、BHF、HFなど保護膜のエッチング性はあるが、n層110を侵食しない任意のエッチング液を用いて行うことができる。次に、図5Eに示すように、スパッタ法により電極形成部位134にTi/Al電極などのn側電極128を形成する。なお、レジスト132上に堆積した電極材料は、図5Fに示すようにアセトンなどによりレジスト132を除去するとともに除去可能である。最後に、n層とn側電極との良好なオーミック接触形成のため、真空中で、400~600°C程度の温度でアニール処理を行う。以上は代表的な実施形態の例を示したものであって、本発明はこの実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲を逸脱しない範囲において適宜変更が可能である。実施例1図2および図3に示す製造方法で、図1に示すIII族窒化物半導体LED素子を作製した。具体的には、まず、成長用のサファイア基板上に、MOCVD法を用いてAlN単結晶層厚さ:1μmを成長させて、AlN0001テンプレートを作製した。この成長用基板上に、スパッタ法を用いて、Sc厚さ:8nmで成膜し、その後、MOCVD装置内で窒化処理を施し、リフトオフ層としてのScN層を形成した。その後、リフトオフ層上に半導体層として、AlN層厚さ:1μm、超格子バッファ層AlN/GaNの積層体、厚さ:1μm、n型III族窒化物半導体層Al0.3Ga0.7N層、厚さ:2μm、発光層AlInGaN系MQW層、厚さ:0.2μm、p型III族窒化物半導体層Al0.3Ga0.7N層、厚さ:0.4μm、p型GaNコンタクト層厚さ:0.05μmを順次積層した。その後、サファイア基板の一部が露出するよう、半導体層の一部をRIEにより除去して格子状の溝を形成することで、横断面の形状が正方形の互いに独立した複数個の半導体構造部を形成した。p型コンタクト層上にp型オーミック電極Ni/Au、厚さ:200/3000Åを形成した。その上に、接合層Ti/Pt/Au、厚さ:100/2000/7000Å層を形成した。その後、接合層としてTi/Pt/Au/Sn/Au、厚さ:100/2000/1000/2000/7000Åを形成したサポート体のSi基板と接合層同士を合わせて熱圧着することで、Si基板と半導体構造部とを接合した。その後、ケミカルリフトオフ法を用いて成長用のサファイア基板を剥離した。エッチング液は、ScN層に選択性のある硝酸第二セリウムアンモン溶液とした。次に、AlNバッファ層の全面、各半導体層の周囲およびサポート体の表面の周縁部に対してプラズマCVD法でSiO2厚さ:3μmを成膜後、さらにスパッタ法によりNiマスクを形成した。Niマスクは、フォトリソグラフィー法により、レジストパターンを形成し、n層を露出させる部位のみNi膜をウェットエッチングで除去して形成した。その後、RIEにより露出したSiO2をエッチング除去した。次に、n層表面の形成プロセスを説明する。形成したSiO2をマスクとして、表1に示す条件でエッチング処理を行い、AlNバッファ層および超格子バッファ層を除去するとともに、n層表面を露出させた。表1の異方性エッチングは、2.38質量TMAH溶液を用いた。また、表1の等方性エッチングはRIEとし、具体的な条件は圧力0.1Pa、ICPおよびBIASの出力400W、Cl2ガス7.5sccm、BCl3ガス7.5sccmとした。表1に記載のとおり、実施例1では異方性エッチングを40°Cで10分間行い、その後RIEを20分間行った。その後、純水での洗浄を行った。なお、上記のエッチングは成長用基板を剥離した側に行っており、露出するn層はn層の000-1面側となる。その後、以下の方法で露出したn層上にTi/Al電極を形成した。まず、露出したn層上にプラズマCVD法でSiO2厚さ:0.1μmを成膜した。その後、SiO2上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法により電極形成部位のレジストを除去した。レジストの除去には、2.38質量TMAH溶液を用いた。その後、BHF溶液で1分間処理することにより、電極形成部位のSiO2を除去した。その後、スパッタ法によりTi/Al厚さ:20nm/600nmの電極を形成した。アセトンでフォトレジストとその上に堆積したTi/Alを除去した。最後に、400°C、真空中でアニール処理した。実施例1では、保護膜としてのSiO2があるため、レジスト除去時にn層にTMAH溶液による異方性エッチングが施されることはない。実施例2~7,比較例1~4n層表面の形成プロセスを表1に記載のものとした以外は実施例1と同様にして、III族窒化物半導体LED素子を作製した。比較例5n層表面の形成プロセスを表1に記載のものとし、Ti/Al電極の形成時に、SiO2の形成および除去を行わなかった以外は、実施例1と同様にして、III族窒化物半導体LED素子を作製した。この場合、電極形成部位のレジスト除去時に2.38質量TMAH溶液がn層に接触するため、n層形成プロセスの後さらに電極形成部位のn層表面に異方性エッチングが施される。<SEMによる観察>各試験例について、走査型電子顕微鏡SEMにより、n層表面の形成プロセスの後n側電極形成前に、n層表面を斜め視野から観察した。また、n側電極形成さらに熱処理後に、n側電極形成面付近の断面を撮影した。図6~10に、それぞれ実施例1、比較例3、比較例4、実施例6、実施例7のSEM画像を代表して示す。Aがn側電極形成前の斜め視野の画像、Bがn側電極形成後、熱処理後の断面の画像である。図11には、比較例5のn側電極形成前の斜め視野の画像を示す。実施例1では、図6A,Bに示すように、n層表面にドーム型形状の丸みを有する複数の凸部が観察できた。また、図6Bから明らかなように、隣接する凸部により形成される谷の底部は角になっていた。丸みの程度を測定するため、この凸部に図3Cで説明した三角形を描き、三角形の底辺から三角形の頂点に向けた角度θ1と、三角形の底辺から凸部の頂部に向けて直線をひいた角度θ2とを計10箇所測定し、その平均値を計算した。実施例1ではθ1が62度であり、θ2は51度であった。実施例6ではθ1が64度であり、θ2は50度であった。実施例2~5,7も同程度の角度を有しており、θ1はおよそ60度であり、θ2はおよそ50度であった。また、等方性エッチングの処理時間が1分の実施例7では、図10に示すように、ドーム型形状の丸みを有する凸部と、断面形状が三角形のままの凸部図10A中の比較的大きな凸部であって、割合としては約1/3とが混在していた。処理時間が1分では形状変化は不十分ではあるものの、ドーム型形状の丸みを有する凸部が作られることにより、電圧の低減効果があることは比較例2との比較から明らかである。一方、等方性エッチングの処理時間が5分以上の実施例1~6では、ほぼ全てがドーム型形状の丸みを有していた。そして、これら実施例1~7の形状のドーム型形状の丸みを有する凸部の表面は、異方性エッチングで報告されるような極性面や半極性面のファセット面とは考えられず、ファセット面が特定できないランダム面となっていることは明らかである。比較例3では、異方性エッチングの後等方性エッチングを行わないため、図7A,Bに示すように、n層表面に六角錐の突起が複数形成された。これまでにウェットエッチングで10-1-1面が露出するという報告があり、図7から突起の側面は底辺に対しおよそ60度の角度を有し、突起の表面は10-1-1面であると推定できる。比較例1,2も同様であった。比較例4では、等方性エッチングのみを行ったため、図8A,Bに示すように、n層の表面は平坦となり000-1面が露出した。なお、比較例5ではn層形成プロセスの後、フォトリソグラフィー法により、Ti/Al電極を形成する部位のレジストを除去する際に、n層表面の電極形成部位が2.38質量TMAH溶液に接触し、異方性エッチングが施される。その結果、図11に示すように電極形成部位のレジスト除去後のn層表面には凸部の頂部にさらに微小な凸部が形成されており、ドーム型形状の丸みを有する凸部ではなくなっていた。この微小な凸部は、等方性エッチングにより露出したランダム面のうち、原子間の繋がりが弱く異方性エッチング液によりエッチングされやすい部分が優先的にエッチングされたために発生したと考えられる。電極形成部位のレジスト除去にかかる時間異方性エッチングの時間は90秒と短いが、実施例5に比べn-n間電圧が大きくなったことから、コンタクト抵抗を下げる効果のあったランダム面が異方性エッチングにより変化して、表面に主に異方性エッチングにより形成される面が再生されたことが確認された。<n側電極2点間の電圧測定>1辺が100μmの正方形の電極を、50μmの間隔をあけて配置した。その電極間に20mAの電流を流した際の電圧値を測定した。結果を表1に示す。各実施例では、比較例よりもn電極間の電圧を顕著に低減することができた。特に、ほぼ全ての凸部がドーム型形状になっている実施例1~6は、実施例7よりもさらに低減していた。"