"LEDモジュールの製造方法において、基板に絶縁膜を形成する段階;前記絶縁膜上に互いに分離された第1の接地パッド及び第2の接地パッドを形成する段階;前記接地パッド間の間隔を埋める第1分離膜と、前記第1の接地パッドの一面上に積層される第2の分離膜と、前記第2の接地パッドの一面上に積層される第3の分離膜とを形成する段階;前記各分離膜の上部に所定の高さの第1の隔壁層を形成する段階;前記第1の隔壁層が形成された基板にシード金属をスパッタリングする段階;前記第1の隔壁層の上部に所定の高さの第2の隔壁層を形成する段階;前記第2の隔壁層が形成された基板に金属メッキ工程を行い、第1の接地パッドに接続される第1のミラーと、前記第2の接地パッドに接続される第2のミラーとを形成する段階;前記第1の隔壁層及び第2の隔壁層を除去する段階;前記第1のミラー上にツェナーダイオードを接続し、前記第2のミラー上にLEDを接続する段階;及び、前記第1のミラー及び第2のミラーにより形成された空間が充填されるように、蛍光体物質を積層する段階を含むことを特徴とする、LEDモジュールの製造方法。前記第1の隔壁層を形成する段階は、前記分離膜が形成された基板に第1のフォトレジスト層を積層する段階;及び、前記第1の接地パッド及び第2の接地パッドの一部が露出されるように、前記第1のフォトレジスト層をエッチングする段階を含むことを特徴とする、請求項1に記載のLEDモジュールの製造方法。前記第2の隔壁層を形成する段階は、前記第1の分離膜上に形成された第1の隔壁層の上面が、前記第2の隔壁層により全部カバーされるようにすることを特徴とする、請求項1に記載のLEDモジュールの製造方法。前記第2の隔壁層を形成する段階は、前記第2及び第3の分離膜上に形成された第1の隔壁層の上面が、前記第2の隔壁層により一部露出されるようにすることを特徴とする、請求項1に記載のLEDモジュールの製造方法。前記第2の隔壁層を形成する段階は、前記スパッタリングが行われた基板に第2のフォトレジスト層を積層する段階;及び、前記第1の接地パッド及び第2の接地パッドの一部が露出され、前記第1の分離膜上に形成された第1の隔壁層の上面が、第2のフォトレジスト層により全部カバーされるように、前記第2のフォトレジスト層をエッチングする段階を含むことを特徴とする、請求項1に記載のLEDモジュールの製造方法。前記絶縁膜を形成する段階は、前記基板上に酸化アルミニウム層AAO,AnodicAluminumOxideを形成し、前記酸化アルミニウム層上に酸化シリコンSiO2層を蒸着する段階を含むことを特徴とする、請求項1に記載のLEDモジュールの製造方法。前記第1の接地パッド及び第2の接地パッドを形成する段階は、前記絶縁膜上にシード金属をスパッタリングし、前記第1の接地パッド及び第2の接地パッドを製作するためのフォト工程及び金属メッキ工程を行う段階を含むことを特徴とする、請求項1に記載のLEDモジュールの製造方法。前記シード金属としてTi又はAuを用い、前記金属メッキ工程にCu又はAu金属メッキを用いることを特徴とする、請求項7に記載のLEDモジュールの製造方法。前記第1の分離膜~第3の分離膜は、前記第1の接地パッド及び第2の接地パッド上にポリマーを塗布して形成されることを特徴とする、請求項1に記載のLEDモジュールの製造方法。前記第1のミラー及び第2のミラーは、前記第2の隔壁層が形成された基板にNi、Su、Cu、Au及びAgの一つ以上を電気メッキして形成されることを特徴とする、請求項1に記載のLEDモジュールの製造方法。LEDモジュールの製造方法において、基板にツェナーダイオードを挿入する段階;前記基板に絶縁膜を形成する段階;前記絶縁膜上に互いに分離された第1の接地パッド及び第2の接地パッドを形成する段階;前記接地パッド間の間隔を埋める第1の分離膜と、前記第1の接地パッドの一面上に積層される第2の分離膜と、前記第2の接地パッドの一面上に積層される第3の分離膜とを形成する段階;前記各分離膜の上部に所定の高さの第1の隔壁層を形成する段階;前記第1の隔壁層が形成された基板にシード金属をスパッタリングする段階;前記第1の隔壁層の上部に所定の高さの第2の隔壁層を形成する段階;前記第2の隔壁層が形成された基板に金属メッキ工程を行い、前記第1の接地パッドに接続される第1のミラーと、第2の接地パッドに接続される第2のミラーとを形成する段階;前記第1の隔壁層及び第2の隔壁層を除去する段階;前記第2のミラー上にLEDを接続する段階;及び、前記第1のミラー及び第2のミラーにより形成された空間が充填されるように、蛍光体物質を積層する段階を含むことを特徴とする、LEDモジュールの製造方法。前記挿入されたツェナーダイオードは、前記第1のミラーの下段の方に位置することを特徴とする、請求項11に記載のLEDモジュールの製造方法。前記第1の隔壁層を形成する段階は、前記分離膜が形成された基板に第1のフォトレジスト層を積層する段階と、前記第1の接地パッド及び第2の接地パッドの一部が露出されるように、前記第1のフォトレジスト層をエッチングする段階とを含み、前記第2の隔壁層を形成する段階は、前記スパッタリングが行われた基板に第2のフォトレジスト層を積層する段階と、前記第1の接地パッド及び第2の接地パッドの一部が露出され、前記第1の分離膜上に形成された第1の隔壁層の上面が前記第2のフォトレジスト層により全部カバーされるようにし、前記第2及び第3の分離膜上に形成された第1の隔壁層の上面が前記第2の隔壁層により一部露出されるように、前記第2のフォトレジスト層をエッチングする段階を含むことを特徴とする、LEDモジュールの製造方法。前記絶縁膜を形成する段階は、前記基板上に酸化アルミニウム層AAO,AnodicAluminumOxideを形成し、前記酸化アルミニウム層の上段に酸化シリコンSiO2層を蒸着する段階を含み、前記第1の接地パッド及び第2の接地パッドを形成する段階は、前記絶縁膜上にTi又はAuシード金属をスパッタリングし、前記第1の接地パッド及び第2の接地パッドを製作するためのフォト工程及びCu又はAuを用いた金属メッキ工程を行う段階を含むことを特徴とする、請求項11に記載のLEDモジュールの製造方法。前記第1の分離膜~第3の分離膜は、前記第1の接地パッド及び第2の接地パッド上にポリマーを塗布して形成され、前記第1のミラー及び第2のミラーは、前記第2の隔壁層が形成された基板にNi、Su、Cu、Au及びAgの一つ以上を電気メッキして形成されることを特徴とする、請求項11に記載のLEDモジュールの製造方法。前記絶縁膜上にドライバーICを接続させる段階をさらに含むことを特徴とする、請求項1又は請求項11に記載のLEDモジュールの製造方法。前記絶縁膜上に集積受動素子を接続させる段階をさらに含むことを特徴とする、請求項1、請求項11及び請求項16の何れか1項に記載のLEDモジュールの製造方法。LEDモジュールにおいて、絶縁膜が形成された基板上に互いに分離して形成された第1の接地パッド及び第2の接地パッドと、前記第1の接地パッドに一面が接続された第1のミラーと、前記第2の接地パッドに一面が接続された第2のミラーと、前記第1のミラーに接続されたツェナーダイオードと、前記第2のミラーの一面上に配置されたLEDと、前記ツェナーダイオード及びLED上に形成された蛍光体とを含み、前記第1のミラーの他面及び第2のミラーの他面は、互いに対向するように形成されることを特徴とする、LEDモジュール。前記接続されたツェナーダイオードは、前記第1のミラーの下段の方に位置することを特徴とする、LEDモジュール。本発明の目的は、高輝度LEDモジュールの製造の際、LED素子の熱放出特性を向上させて素子の発光効率を高め、低輝度LEDをモジュール状に製作して低価且つ小型の高輝度LEDモジュールを製作できる、LEDモジュール及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の目的は、個々のLED素子に反射板を製作して光の放出特性を向上させ、多様な形態のモジュールを製作して多機能を持つ照明用高輝度LEDを製作できる、LEDモジュール及びその製造方法を提供することにある。そして、本発明の目的は、半導体工程を用いるため、量産性に優れ、モジュールの不良率を著しく低減でき、生産単価も画期的に低下させることができる、LEDモジュール及びその製造方法を提供することにある。前記課題を解決するために、本発明の第1の側面に係るLEDモジュールの製造方法は、基板に絶縁膜を形成する段階;絶縁膜上に互いに分離された第1の接地パッド及び第2の接地パッドを形成する段階;接地パッド間の間隔を埋める第1の分離膜と、第1の接地パッドの一面上に積層される第2の分離膜と、第2の接地パッドの一面上に積層される第3の分離膜とを形成する段階;各分離膜の上部に所定の高さの第1の隔壁層を形成する段階;第1の隔壁層が形成された基板にシード金属をスパッタリングする段階;第1の隔壁層の上部に所定の高さの第2の隔壁層を形成する段階;第2の隔壁層が形成された基板に金属メッキ工程を行い、第1の接地パッドに接続される第1のミラーと、第2の接地パッドに接続される第2のミラーとを形成する段階;第1の隔壁層及び第2の隔壁層を除去する段階;第1のミラー上にツェナーダイオードを接続し、第2のミラー上にLEDを接続する段階;及び、第1のミラー及び第2のミラーにより形成された空間が充填されるように、蛍光体物質を積層する段階を含む。また、本発明の第2の側面に係るLEDモジュールの製造方法は、基板にツェナーダイオードを挿入する段階;基板に絶縁膜を形成する段階;絶縁膜上に互いに分離された第1の接地パッド及び第2の接地パッドを形成する段階;接地パッド間の間隔を埋める第1の分離膜と、第1の接地パッドの一面上に積層される第2の分離膜と、第2の接地パッドの一面上に積層される第3の分離膜とを形成する段階;各分離膜の上部に所定の高さの第1の隔壁層を形成する段階;第1の隔壁層が形成された基板にシード金属をスパッタリングする段階;第1の隔壁層の上部に所定の高さの第2の隔壁層を形成する段階;第2の隔壁層が形成された基板に金属メッキ工程を行い、第1の接地パッドに接続される第1のミラーと、第2の接地パッドに接続される第2のミラーとを形成する段階;第1の隔壁層及び第2の隔壁層を除去する段階;第2のミラー上にLEDを接続する段階;及び、第1のミラー及び第2のミラーにより形成された空間が充填されるように、蛍光体物質を積層する段階を含む。また、本発明の第3の側面に係るLEDモジュールは、絶縁膜が形成された基板上に互いに分離して形成された第1の接地パッド及び第2の接地パッドと、第1の接地パッドに一面が接続された第1のミラーと、第2の接地パッドに一面が接続された第2のミラーと、第1のミラーに接続されたツェナーダイオードと、第2のミラーの一面上に配置されたLEDと、ツェナーダイオード及びLED上に形成された蛍光体とを含み、第1のミラーの他面及び第2のミラーの他面は、互いに対向するように形成される。上述した本発明によれば、高輝度LEDモジュールの製造の際、LED素子の熱放出特性を向上させて素子の発光効率を高め、低輝度のLEDをモジュール形態に製作して低価且つ小型の高輝度LEDモジュールを製作できる。また、上述した本発明によれば、個々のLED素子に反射板を製作して光の放出特性を向上させ、多様な形態のモジュールを製作できるため、多機能を持つ照明用高輝度LEDを製作できる。また、上述した本発明によれば、半導体工程を用いるため、量産性に優れ、モジュールの不良率を著しく低減でき、生産単価も画期的に低下させることができる。以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。但し、本発明はこれに限定されず、多様に具現可能である。また、図面において、本発明を明確に説明するために、説明と関係ない部分は省略し、明細書において類似な部分に対しては類似な図面符号を付けた。明細書の全般において、ある部分が他の部分と連結されているというのは、直接的に連結されている場合だけでなく、その中間に他の素子を挟んで電気的に連結されている場合も含む。また、ある部分がある構成要素を含むというのは、特別に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するものでなく、他の構成要素をさらに含むことを意味する。図1a~図1hは、本発明の一実施例に係るLEDモジュールの製造方法を示す図である。本発明の実施例に係るLEDモジュールは、絶縁膜120が形成された基板110上に、互いに分離して形成された第1の接地パッド142及び第2の接地パッド144と、第1の接地パッド142に一面が接続された第1のミラー182と、第2の接地パッド144に一面が接続された第2のミラー184と、第1のミラー182に接続されたツェナーダイオード191と、第2のミラー184の一面上に配置されたLED192と、ツェナーダイオード191及びLED192上に形成された蛍光体194とを含む。このとき、第1のミラー182の他面及び第2のミラー184の他面は、対向するように形成され得る。以下、LEDモジュールの製造方法については、より具体的に説明する。まず、図1aに示すように、基板110に絶縁膜120を形成する。具体的には、Si基板110上にAl金属を蒸着し、陽極酸化方式により5nm以下の小さなナノ孔poreが形成された酸化アルミニウム層AAO、AnodicAluminumOxideを形成し、酸化シリコンSiO2層をプラズマ化学気相装置により蒸着して、LEDモジュールのための絶縁膜120を製作する。このような絶縁膜120を製作する具体的な内容は、本出願人の先行技術韓国特許登録番号10-0899894を参照されたい。次に、図1bに示すように、絶縁膜120上に接地パッド140を形成するが、互いに分離されている第1の接地パッド142及び第2の接地パッド144を形成する。ここで、絶縁膜120上にシード金属をスパッタリングし、第1の接地パッド142及び第2の接地パッド144を製作するためのフォトレジスト層130を用いたフォト工程及び金属メッキ工程により、第1の接地パッド142及び第2の接地パッド144が形成され得る。より具体的には、電気メッキのためのシード金属であるTi又はAuをスパッタリングして感光膜を塗布した後、フォト工程により接地パッドを製作するためのパターンを形成する。そして、電気メッキにて接地パッドをCu又はAuを用いて製作する。次に、図1cに示すように、分離膜150を形成するが、接地パッド142、144間の間隔を埋める第1の分離膜151と、第1の接地パッド142の一面上に積層される第2の分離膜152と、第2の接地パッド144の一面上に積層される第3の分離膜153とを形成する。ここで、第1の分離膜151~第3の分離膜153は、第1の接地パッド142及び第2の接地パッド144上にポリマーを塗布して形成され得る。次に、図1dに示すように、分離膜150の上部に所定の高さの第1の隔壁層160を形成する。ここで、第1の隔壁層160は、分離膜150が形成された基板110に第1のフォトレジスト層を積層し、第1の接地パッド142及び第2の接地パッド144の一部が露出されるように、第1のフォトレジスト層をエッチングする過程により形成され得る。そして、図1eに示すように、第1の隔壁層160が形成された基板110にシード金属162をスパッタリングする。また、図1fに示すように、第1の隔壁層160の上部に所定の高さの第2の隔壁層170を形成する。具体的に、スパッタリングが行われた基板110に第2のフォトレジスト層を積層し、第1の接地パッド142及び第2の接地パッド144の一部が露出され、第1の分離膜151上に形成された第1の隔壁層160の上面164が第2のフォトレジスト層により全部カバーされるように第2のフォトレジスト層をエッチングする。ここで、第1の分離膜151上に形成された第1の隔壁層160の上面164が第2の隔壁層170により全部カバーされるように第2の隔壁層170を形成できる。また、第2及び第3の分離膜153上に形成された第1の隔壁層160の上面166、168が第2の隔壁層170により一部露出されるように第2の隔壁層170を形成できる。これにより、第1の分離膜151上に形成された第1の隔壁層160の周辺にミラー180が形成されることを防止できる。次に、図1gに示すように、第2の隔壁層170が形成された基板110に金属メッキ工程を行い、第1の接地パッド142に接続される第1のミラー182と、第2の接地パッド144に接続される第2のミラー184とを形成する。ここで、第1のミラー182及び第2のミラー184は、第2の隔壁層170が形成された基板110にNi、Su、Cu、Au、Agを電気メッキして形成され得る。これにより、第1の隔壁層160、第1の隔壁層160にスパッタリングしたシード金属、スパッタリングしたシード金属を一部カバーする第2の隔壁層170の構成により、示すようなミラー180の構造を形成できる。次に、図1hに示すように、第1の隔壁層160及び第2の隔壁層170を除去する。そして、第1のミラー182上にツェナーダイオード191を接続し、第2のミラー184上にLED192を接続する。そして、電気配線のためのAuワイヤボンディングwirebonding193を行い、第1のミラー182及び第2のミラー184により形成された空間が充填されるように、蛍光体194物質を積層する。図2は、本発明の一実施例に係る図1a~図1hの過程により製造されたLEDモジュールを示す断面図である。図2に示すように、前記のように製造されたLEDモジュールにおいて、個々のLED素子に反射板を製作して光の放出特性を向上させ、多様な形態のモジュールを製作して多機能を持つ照明用高輝度LEDを製作できる。そして、半導体工程を用いるため、量産性に優れ、モジュールの不良率を著しく低減でき、生産単価も画期的に低下させることができる。また、多様な種類のカラーランクcolorrankが異なるLEDを一つのモジュール内に組み立てることで、LEDを用いた感性照明装置の製作が可能になる。図3a~図3cは、本発明の他の実施例に係るLEDモジュールの製造方法を示す図である。図3aに示すように、基板110に絶縁膜120を形成する前、基板110にツェナーダイオード191を挿入し得る。ここで、挿入されたツェナーダイオード191は、第1のミラー182の下段の方に位置し得る。このように、ツェナーダイオード191を先に挿入すれば、工程をより簡単化することができ、小型化したLEDモジュールの製作が可能になる。そして、図3bに示すように、LEDモジュールの絶縁膜120上にドライバーICIntegratedCircuit200を付着し得る。すなわち、製作が完了したLEDモジュール上に、LEDのドライバーIC200をベアbare状に付着してワイヤボンディングを行うと、モジュールの集積度を高めることができる。そして、図3cに示すように、絶縁膜120上に集積受動素子210を共に集積することができる。このように、高輝度LEDモジュールを製造する際、LED素子の熱放出特性を向上させて素子の発光効率を高めると共に、低輝度のLEDをモジュール状に製作して低価且つ小型の高輝度LEDモジュールを製作できる。図4は、本発明の一実施例に係るLEDモジュールの製造方法を示すフローチャートである。まず、基板110に絶縁膜120を形成するS101。ここで、基板110上に酸化アルミニウム層を形成し、酸化アルミニウム層上に酸化シリコンSiO2層を蒸着する過程により絶縁膜120を形成できる。また、他の実施例では、段階S101の前にツェナーダイオード191が挿入され得る。次に、絶縁膜120上に互いに分離された第1の接地パッド142及び第2の接地パッド144を形成するS111。ここで、絶縁膜120上にシード金属をスパッタリングし、第1の接地パッド142及び第2の接地パッド144を製作するためのフォト工程及び金属メッキ工程を行う。そして、シード金属としてTi又はAuを用い、金属メッキ工程にCu又はAu金属メッキを用いる。次に、接地パッド間の間隔を埋める第1の分離膜151と、第1の接地パッド142の一面上に積層される第2の分離膜152と、第2の接地パッド144の一面上に積層される第3の分離膜153とを形成するS121。ここで、第1の分離膜151~第3の分離膜153は、第1の接地パッド142及び第2の接地パッド144上にポリマーを塗布して形成され得る。次に、各分離膜の上部に所定の高さの第1の隔壁層160を形成するS131。ここで、第1の隔壁層160は、分離膜が形成された基板110に第1のフォトレジスト層を積層し、第1の接地パッド142及び第2の接地パッド144の一部が露出されるように、第1のフォトレジスト層をエッチングする過程により形成され得る。次に、第1の隔壁層160が形成された基板110にシード金属をスパッタリングS141。次に、第1の隔壁層160の上部に所定の高さの第2の隔壁層170を形成するS151。ここで、第1の分離膜151上に形成された第1の隔壁層160の上面164が、第2の隔壁層170により全部カバーされるように、第2の隔壁層170を形成できる。また、第2及び第3の分離膜153上に形成された第1の隔壁層160の上面166、168が、第2の隔壁層170により一部露出されるように、第2の隔壁層170を形成できる。次に、第2の隔壁層170が形成された基板110に金属メッキ工程を行い、第1の接地パッド142に接続される第1のミラー182と、第2の接地パッド144に接続される第2のミラー184とを形成するS161。第1のミラー182及び第2のミラー184は、第2の隔壁層170が形成された基板110にNi、Su、Cu、Au又はAgを電気メッキして形成され得る。次に、第1の隔壁層160及び第2の隔壁層170を除去するS171。次に、第1のミラー182上にツェナーダイオード191を接続し、第2のミラー184上にLED192を接続するS181。次に、第1のミラー182及び第2のミラー184により形成された空間が充填されるように、蛍光体194物質を積層するS191。一方、他の実施例において、LEDモジュールの絶縁膜120上にドライバーIC200及び集積受動素子210が共に集積され得る。上述した本発明の説明は例示のためのものであり、本発明が属する技術分野の通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須な特徴を変更しなくて他の具体的な形態に容易に変形可能であることが分かる。よって、上述した実施例は、全般的に例示的であり、限定的でないことが分かる。例えば、単一型に説明されている各構成要素は分散されて実施され得、同様に、分散されたものとして説明されている構成要素も、結合された形態として実施され得る。本発明の範囲は前記詳細な説明より後述する特許請求の範囲により示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、その均等概念から導出される全ての変更又は変形された形態は、本発明の範囲に含まれるものと解析されるべきである。"