"感光Siエピタキシャル裏面と、前記感光Siエピタキシャル裏面の頂部に、耐火金属酸化物またはフッ化物誘電体の層状連続体とを備える裏面照射型固体撮像センサ。請求項1記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、前記センサは、CMOSセンサおよびCCDセンサからなる群より選択されることを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。請求項2記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、前記感光Siエピタキシャル裏面は、10~300μmの範囲の厚さを有することを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。請求項1記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、前記耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらうちの一方の層状連続体は、HfO2、TiO2、SiO、SiO2、Ti2O3、Al2O3、Y2O3、LaF3、AlF3およびDyF3からなる群に含まれることを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。請求項1記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、前記耐火金属酸化物またはフッ化物誘電体の層状連続体は、個々の層厚さが2~300nmであることを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。請求項1記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、前記耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体は、反射率がエタロン振動振幅のピークを中心とする波長に対し1以下でかつ400~1100nmの範囲波長に対し11未満となるように追加されて連続体の厚さが決定されることを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。請求項1記載の裏面照射型固体撮像センサは、更に、テトラフェニルブタジエンTPBまたはナフタルイミドLumogen登録商標からなる群の波長シフト発光体膜を備える裏面照射型固体撮像センサ。請求項7記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、前記波長シフト発光体は、3000~5000オングストローム300-500nmの層厚さを有することを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。請求項1記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、前記センサは、EM-CCDであることを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。請求項9記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、前記感光Siエピタキシャル裏面は、8~50μmの範囲の厚さを有することを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。請求項9記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、前記感光Siエピタキシャル裏面は、既存絶縁誘電体層を有することを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。請求項9記載の裏面照射型固体撮像センサにおいて、前記感光Siエピタキシャル裏面は、前記撮像センサの前記感光領域の頂部において誘電絶縁層の副領域を覆うように配置されたアルミニウム被覆マスクを有することを特徴とする裏面照射型固体撮像センサ。CCD、CMOSまたはEM-CCDからなる群の撮像センサを提供するステップと、前記撮像センサに感光Siエピタキシャル裏面を提供するステップと、前記感光Siエピタキシャル裏面の頂部に耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうち一方の層状連続体を形成するステップとを備える裏面照射型固体撮像センサの製造方法。請求項13記載の方法は、更に、前記層状連続体の頂部にテトラフェニルブタジエンTPBまたはナフタルイミドLumogen登録商標からなる群の波長シフト発光体膜を形成するステップを備える方法。請求項13記載の方法において、前記耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体は、HfO2、TiO2、SiO、SiO2、Ti2O3、Al2O3、Y2O3、LaF3、AlF3およびDyF3からなる群に含まれることを特徴とする方法。請求項13記載の方法において、前記感光Siエピタキシャル裏面は、既存絶縁誘電体層を有することを特徴とする方法。請求項13記載の方法は、更に、前記撮像センサの前記感光領域の頂部において誘電絶縁層の副領域を覆うようにアルミニウム被覆マスクを配置するステップを備える方法。請求項13記載の方法において、前記耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体は、HfO2、TiO2、SiO、SiO2、Ti2O3、Al2O3、Y2O3、LaF3、AlF3およびDyF3からなる群に含まれることを特徴とする方法。請求項13記載の方法において、前記耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体は、2~300nmの個々の層厚さを有することを特徴とする方法。請求項13記載の方法において、前記耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体は、反射率がエタロン振動振幅のピークを中心とする波長に対し1以下でかつ400~1100nmの範囲の波長に対し11未満となるように追加されて連続体の厚さが決定されることを特徴とする方法。請求項14記載の方法において、前記波長シフト発光体は、3000~5000オングストローム300-500nmの層厚さを有することを特徴とする方法。本発明の実施形態は、UV-NIRスペクトルに亘り高い素子QEを保持しながらNIRスペクトルに亘るエタロニングを最小にするように、固体撮像センサの感光領域の頂部に物理蒸着法により成膜される層状誘電性耐火金属酸化物および金属フッ化物もしくはそれらのうちの一方の形態の反射防止構造を採用する固体撮像センサを提供して前述したニーズに対応する。本発明の実施形態において、物理蒸着法PVD:physicalvapordeposition技術を採用して、量子効率QEを高めつつ、電磁スペクトルのNIR部分で観察されるエタロニングを最小にするために、固体撮像センサの感光面に屈折率nの高いおよび低い耐火金属酸化物およびフッ化物誘電材料誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体を成長させる。一般的なPVD技術として、電子ビーム蒸着法Eビーム、イオンアシスト蒸着法IAD:ion-assisteddepositionおよび抵抗加熱法RH:resistiveheatingが挙げられるがこれに限定されない。本発明の一側面によれば、電磁スペクトルのUV-NIR部分に亘る高いQEおよびNIRスペクトルに亘る最小のエタロニングを有する裏面照射型固体撮像センサが提供され、CCDまたはCMOSセンサからなる群の撮像センサと、裏側の感光Siエピタキシャル面と、感光Siエピタキシャル裏面の頂部にある耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体と、テトラフェニルブタジエンTPB:tetra-phenyl-buthadieneまたはナフタルイミドLumogen登録商標からなる群の波長シフト発光体膜とを備える。一実施形態において、裏側の感光Siエピタキシャル層は10~300umの範囲の厚さを有してもよい。別の実施形態において、耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体は、個々の層厚さが2~300nmのHfO2、TiO2、SiO、SiO2、Ti2O3、Al2O3、Y2O3、LaF3、AlF3およびDyF3からなる群に含まれてもよい。別の実施形態において、層状連続体は、Eビーム、IADまたはRHからなる群の物理蒸着法PVDの技術により成膜してもよい。層状連続体は、前述の誘電体のうちの少なくとも2つにより構成されてもよい。各層の種類、順序および厚さは、以下の式1で計算されるピーク理論エタロン振動振幅に対応する波長の反射率を最小にするように選択される。反射率がエタロン振動振幅のピークを中心とする波長に対し1以下でかつ400~1100nmの範囲の波長に対し11未満になるように層を追加し、その厚さを決定する。一実施形態において、波長シフト発光体は、3000~5000オングストローム300-500nmの層厚さを有してもよい。本発明の別の側面によれば、電磁スペクトルのUV-NIR部分に亘る高いQEおよびNIRスペクトルに亘る最小のエタロニングを有する裏面照射型固体撮像センサを提供し、EM-CCDセンサと、感光Siエピタキシャル裏面と、感光Siエピタキシャル裏面の頂部にある耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体と、テトラフェニルブタジエンTPBまたはナフタルイミドLumogen登録商標からなる群の波長シフト発光体膜とを備える。EM-CCDセンサの一実施形態において、裏側の感光Siエピタキシャル層は、10~300umの範囲の厚さを有してもよい。別の実施形態において、裏側の感光Siエピタキシャル層は、28~250nmの層厚さを有するHfO2、TiO2、SiO、SiO2、Ti2O3、Al2O3、Y2O3、LaF3、AlF3およびDyF3からなる群の単一の既存絶縁誘電体層を有してもよい。別の実施形態において、撮像センサの感光領域の頂部において誘電絶縁層の副領域を覆うようにアルミニウム被覆マスクが存在していてもよい。別の実施形態において、耐火金属酸化物およびフッ化物誘電体もしくはそれらのうちの一方の層状連続体は、個々の層厚さが2~300nmのHfO2、TiO2、SiO、SiO2、Ti2O3、Al2O3、Y2O3、LaF3、AlF3およびDyF3からなる群に含まれてもよい。別の実施形態において、層状連続体は、Eビーム、IADまたはRHからなる群の物理蒸着法PVDの技術により成膜してもよい。別の実施形態において、層状連続体は、前述の誘電体のうちの少なくとも2つにより構成されてもよい。各層の種類、順序および厚さは、以下の式1で計算されるピーク理論エタロン振動振幅に対応する波長の反射率を最小にするように選択される。別の実施形態において、反射率がエタロン振動振幅のピークを中心とする波長に対し1以下でかつ400~1100nmの範囲の波長に対し11未満になるように層を追加し、その厚さを決定する。別の実施形態において、上述の特徴を有する裏面照射型センサを製造するための方法を開示する。本明細書中、基板という用語は、光が入射し、固体検出器の本質的な部分であり、電荷結合素子CCD、CMOSまたはEM-CCDセンサ等の感光Siエピタキシャル層を意味する。本明細書中、反射防止構造という用語は、基板の裏面に塗布される多層薄膜コーティングを意味する。本明細書は、センサの感光Siエピタキシャル層の裏面に塗布される層状誘電性耐火金属酸化物および金属フッ化物もしくはそれらのうちの一方の形態の反射防止構造を採用した裏面照射型固体撮像センサを開示する。この新規な撮像センサは、撮像のための新たな種類の裏面照射型固体検出器を提供する。層状の反射防止構造は、特に幅広い波長300~1100nmに亘り高いQEを維持しながら、NIRにおける干渉縞の発生を低減するように設計されている。図1は、埋込みPチャンネル層20と、ポリシリコンゲート電極10とシリコン基板30とを有する裏面照射型電荷結合素子CCDとして発明の固体イメージング検出器100を模式的に示す。光子50は、CCDの裏面35に付着される反射防止構造40から素子に入り、シリコン基板30に吸収される。縞抑制層40は、幅広い範囲の波長に亘り高いQEを維持すべく作用する反射防止膜としても作用する。12μm厚さのSi基板を有し、波長900nmの平行非干渉単色光で照射される標準裏面照射型CCDにおいて、観察される干渉縞の振幅は、Si基板を検出器のSi基板と等しい厚さを有する平行平面光学エタロンとすることで、理論的にモデル化してもよい。理論エタロンを通る透過強度は、以下の式1のように求められる。図2Aおよび図2Bは、Si基板厚さdが12μmで、rSiがベアSiの反射率に等しい検出器の入射波長の関数として観察された干渉縞振幅2Bおよびシミュレートされた干渉縞振幅2Aを示す。このシミュレーションは、入射波長が845nmで32のピーク間の最大干渉縞振幅を予測しているが、観察データは、ピーク間値が60を示している。このモデルでの干渉縞振幅の不一致は、Si基板の前面境界に薄いSiO2のゲート酸化物層の存在に起因し、これにより、屈折率の不連続性が引き起こされる。開示される反射防止構造は、ピーク干渉縞振幅の波長でSi基板の裏面から反射される光の量を最小にするように設計されている。これにより、ピーク干渉縞振幅の波長でフィネス係数Fが最小値となる。Fは、光学エタロンが干渉縞をどの程度解像するかに関連する。そのため、Fがゼロに近づくほど、干渉縞振幅もゼロに近づく。反射防止構造は、幅広い範囲の波長300~1100nmに亘り低い反射率を維持することも目的としている。これにより、幅広い範囲の前記波長に亘り、高いレベルのQEが維持される。図3は、Si基板に付着された状態の反射防止構造の測定反射率を示す。図3のグラフの差込図に示すように、反射防止構造の反射率の最小値は約850nmで、これは予測した最大干渉縞振幅の波長845nmに非常に近い。図4は、Si基板の厚さが約12μmでありかつ900nmの波長の単色光で照射される裏面照射型CCDを有する実施形態について、計算干渉パターンおよび観察干渉パターンをプロットしたものである。このシミュレーションは、d=12μmの値および図3に示す反射防止構造の反射率に等しいrSiを使用する。シミュレーションは、1未満のピーク間干渉縞振幅を予測しているが、観察データは、約10の最大ピーク間干渉縞振幅を示している。例示的なAR膜を施したCCDは、図2にプロットした未処理のCCDの六分の一の最大ピーク間干渉縞振幅を有する。図5は、裏面に一般的なミッドバンド反射防止膜を塗布したSi基板の厚さが12μmの一般的な裏面照射型CCDについてシミュレートした絶対QE20°Cでと、裏面の頂部に反射防止構造を成膜した発明のCCDのQEとの両方を示す。計算したQEは、340~500nmおよび662~1100nmの波長について一般的な裏面照射型CCDのものよりも大きいようである。開示される固体画像化検出器は、現在市販されている裏面照射型検出器よりもいくつか大きな利点を有する。第一に、これは300~1100nmの波長範囲に亘りNIR干渉縞のピーク間振幅の最大が10以下を示す分光用途および撮像用途の両方で使用されると共に約10~20μmのSiエピタキシャル層を備える唯一の裏面薄型固体画像化検出器と考えられる。現在、これに匹敵するまたはそれ以下のピーク間NIR干渉縞振幅を有する唯一の固体画像化検出器は、厚さが50μmより大きいSi基板を有する深層空乏裏面照射型CCDまたは全空乏裏面照射型CCDである。これらは、厚く50~300μm、抵抗率が高いSi基板通常は10kΩ-cmを使用して形成される裏面照射型CCDである。この裏面照射型CCDによれば、一旦十分な大きさの印加電界が存在すれば、ほぼまたは完全に電荷が空乏化する。これらの検出器は、ピーク干渉縞振幅の波長がより厚いSi基板に対しより長い波長で発生するため、NIR干渉フリンジングの減少を示す。このことは、Siの吸収長が波長と共に大きくなることの結果であり、厚さが12,20,50μmのSi基板について図6に示している。しかしながら、深層空乏または全空乏裏面照射型CCDなどの検出器の場合、一般に、Si基板の厚さが10~20μmの発明のCCD検出器よりも暗電流が100倍高い。第二に、縞抑制層の反射率の最小値は、任意の厚さのSi基板を有する裏面照射型検出器を収容するように調整される。図6に示すように、ピーク干渉縞振幅の波長は、Si基板の厚さが大きくなるにつれ長い波長にシフトする。図面に示す発明のCCD検出器で測定するのと同様な性能を提供するため、縞抑制層の反射率の最小値が、計算ピーク干渉縞振幅に従ってシフトされる。更に、Si基板の裏面に塗布される縞抑制層の発明の組み合わせは、裏面照射型でかつ入射面としてSi基板を有するあらゆる固体光子感知素子に適用できるとの利点を有する。光子感知素子は、Siベースのフォトダイオード、電荷結合素子CCD、ハイブリッドCCD/CMOS固体イメージング検出器、CMOS固体イメージング検出器、またはアクティブピクセルセンサアレイAPS:activepixelsensorarrayであってもよい。これらの用途で、縞抑制層の反射率の最小値は、検出器の利用可能な波長範囲に対してピーク干渉縞振幅の波長に調和するように選択される。本発明を詳細にかつ具体的な実施例を参照して説明してきたが、当業者であればその思想および範囲を逸脱することなく種々の変更および修正を行えることは明らかである。"