"Aポリシロキサン、B極性基及びエステル基から選ばれる少なくとも一種を有する窒素含有化合物、並びにC紫外光の照射又は加熱により酸を発生する化合物を含むことを特徴とする、ポリシロキサン組成物。B窒素含有化合物が、極性基及びエステル基を有する化合物である、請求項1に記載のポリシロキサン組成物。B窒素含有化合物が、極性基として、水酸基及びカルボキシル基から選ばれる少なくとも一種を有する化合物である、請求項1又は2に記載のポリシロキサン組成物。B窒素含有化合物が、エステル基として、下記式Xで表される基が窒素原子に結合した構造を有する化合物である、請求項1乃至3に記載のポリシロキサン組成物。式X中、は窒素原子との結合位置を示し、R1及びR2は、相互に独立に、炭素数1~4のアルキル基または炭素数4~12の1価の脂環式炭化水素基を示すか、R1とR2とが結合して、両者が結合している炭素原子と共に、炭素数4~12の脂環式炭化水素基を形成する。R3は、炭素数1~4のアルキル基または炭素数4~12の1価の脂環式炭化水素基を示す。B化合物が、下記式X-1で表される化合物である、請求項4に記載のポリシロキサン組成物。式X-1中、R1、R2及びR3は上記式Xと同じ定義であり、Zは窒素原子と共に形成される複素環構造を示し、Aは、複数存在する場合はそれぞれ独立に、単結合、炭素数1~8の2価の炭化水素基、炭素数1~8のアルコキシアルキル基を示し、R4は水酸基又はカルボキシル基を示し、nは1~6の整数を示す。Aポリシロキサンが、下記一般式1で表される化合物、及び下記一般式2で表される化合物を加水分解縮合させて得られるポリシロキサンを含む、請求項1乃至3に記載のポリシロキサン組成物。RaSiX4-a1一般式1中、Rは水素原子、フッ素原子、炭素数1~5のアルキル基、シアノ基、シアノアルキル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルケニル基、又はアリール基を示し、Xはハロゲン原子又は-OR1を示し、R1は1価の有機基を示し、aは1~3の整数を示す。尚、R及びXは、それぞれ複数存在する場合は、相互に同一であっても異なっていてもよい。SiX42一般式2中、Xは前記一般式1の定義に同じ。Aポリシロキサンが、一般式1及び2におけるXが-OR1を示す化合物を加水分解縮合させて得られるポリシロキサンを含む、請求項6に記載のポリシロキサン組成物。Aポリシロキサンの含有量SiO2換算100重量部に対して、B化合物の含有量が1~30重量部である、請求項1に記載のポリシロキサン組成物。Aポリシロキサンの含有量SiO2換算100重量部に対して、C化合物の含有量が0.1~30重量部である、請求項1に記載のポリシロキサン組成物。更に、水を含むことを特徴とする請求項1乃至9に記載のポリシロキサン組成物。レジスト下層膜用組成物である、請求項1乃至10に記載のポリシロキサン組成物。1ポリシロキサンと、酸拡散制御剤と、紫外光の照射又は加熱により酸を発生する化合物とを含有するポリシロキサン組成物を、被加工基板上に塗布してシリコン含有膜を形成する工程と、2得られた前記シリコン含有膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成する工程と、3得られた前記レジスト被膜に、フォトマスクを透過させることにより選択的に放射線を照射して前記レジスト被膜を露光する工程と、4露光した前記レジスト被膜を現像して、レジストパターンを形成する工程と、5前記レジストパターンをマスクとして、前記シリコン含有膜及び前記被加工基板をドライエッチングしてパターンを形成する工程と、を備えることを特徴とするパターン形成方法。酸拡散制御剤として、窒素含有化合物を含有するポリシロキサン組成物を用いる、請求項12に記載のパターン形成方法。ポリシロキサン組成物として、請求項1に記載のポリシロキサン組成物を用いる、請求項12乃至13に記載のパターン形成方法。パターンの微細化が進むにつれて、上記レジスト下層膜に対してより高い性能が求められるようになってきた。すなわち、アルカリ溶液によるポジ現像、有機溶剤によるネガ現像どちらのプロセスにおいてもレジストとの密着性に優れ、エッチングによる高いパターン転写性を有するレジスト下層膜が求められており、とりわけ、アルカリ溶液によるポジ現像、有機溶剤によるネガ現像どちらのプロセスにおいてもレジスト下層膜上に形成されるレジストパターンの形状が良好で倒れが少ないレジスト下層膜及びパターン形成方法が求められている。すなわち本発明の課題は、レジスト下層膜形成用に適し、アルカリ溶液によるポジ現像、有機溶剤によるネガ現像どちらのプロセスにおいてもレジスト膜との密着性に優れるシリコン含有膜を形成することができると共に、高いパターン転写性を有し、アルカリ溶液によるポジ現像、有機溶剤によるネガ現像どちらのプロセスにおいても得られる下層膜上に形成されるレジストパターンの形状が良好で倒れが少ないポリシロキサン組成物と、レジストパターンの形状が良好で倒れが少なく、微細化が可能なパターン形成方法を提供することである。本発明のポリシロキサン組成物は、Aポリシロキサン以下、ポリシロキサンAともいう、B極性基及びエステル基から選ばれる少なくとも一種を有する窒素含有化合物以下、化合物Bともいう、並びにC紫外光の照射又は加熱により酸を発生する化合物以下、化合物Cともいうを含むことを特徴とする。化合物Bは、極性基及びエステル基を有する化合物であることが好ましい。化合物Bは、極性基として、水酸基及びカルボキシル基から選ばれる少なくとも一種を有する化合物であることが好ましい。また、化合物Bは、エステル基として、下記式Xで表される基が窒素原子に結合した構造を有する化合物であることが好ましい。式X中、は窒素原子との結合位置を示し、R1及びR2は、相互に独立に、炭素数1~4のアルキル基または炭素数4~12の1価の脂環式炭化水素基を示すか、R1とR2とが結合して、両者が結合している炭素原子と共に、炭素数4~12の脂環式炭化水素基を形成する。R3は、炭素数1~4のアルキル基または炭素数4~12の1価の脂環式炭化水素基を示す。さらに、化合物Bは、下記式X-1で表される化合物であることが好ましい。式X-1中、R1、R2及びR3は上記式Xと同じ定義であり、Zは窒素原子と共に形成される複素環構造を示し、Aは、複数存在する場合はそれぞれ独立に、単結合、炭素数1~8の2価の炭化水素基、炭素数1~8のアルコキシアルキル基を示し、R4は水酸基又はカルボキシル基を示し、nは1~6の整数を示す。ポリシロキサンAは、下記一般式1で表される化合物以下、化合物1ともいう、及び下記一般式2で表される化合物以下、化合物2ともいうを加水分解縮合させて得られるポリシロキサンを含むことが好ましい。RaSiX4-a1一般式1中、Rは水素原子、フッ素原子、炭素数1~5のアルキル基、シアノ基、シアノアルキル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルケニル基、又はアリール基を示し、Xはハロゲン原子又は-OR1を示し、R1は1価の有機基を示し、aは1~3の整数を示す。尚、R及びXは、それぞれ複数存在する場合は、相互に同一であっても異なっていてもよい。SiX42一般式2中、Xは前記一般式1の定義に同じ。また、本発明のポリシロキサン組成物は、ポリシロキサンAの含有量SiO2換算100重量部に対して、化合物Bの含有量が1~30重量部であることが好ましい。さらに、本発明のポリシロキサン組成物は、ポリシロキサンAの含有量SiO2換算100重量部に対して、化合物Cの含有量が0.1~30重量部であることが好ましい。さらに本発明のポリシロキサン組成物は、水を含んでいてもよい。本発明のポリシロキサン組成物は、レジスト下層膜用組成物として好適に用いられる。本発明のパターン形成方法は、1ポリシロキサンと、酸拡散制御剤と、紫外光の照射又は加熱により酸を発生する化合物以下、酸発生剤ともいうとを、被加工基板上に塗布してシリコン含有膜を形成する工程と、2得られた前記シリコン含有膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成する工程と、3得られた前記レジスト被膜に、フォトマスクを透過させることにより選択的に放射線を照射して前記レジスト被膜を露光する工程と、4露光した前記レジスト被膜を現像して、レジストパターンを形成する工程と、5前記レジストパターンをマスクとして、前記シリコン含有膜及び前記被加工基板をドライエッチングしてパターンを形成する工程と、を備えることを特徴とする。本発明のパターン形成方法に用いられるポリシロキサン組成物は、酸拡散制御剤を含有することが好ましい。本発明のパターン形成方法に用いられるポリシロキサン組成物は、本発明のポリシロキサン組成物であることが好ましい。以下、本発明の詳細を下記のとおり説明する。<ポリシロキサン組成物>本発明のポリシロキサン組成物は、ポリシロキサンAと、極性基及びエステル基から選ばれる少なくとも一種を有する窒素含有化合物Bと、紫外光の照射又は加熱により酸を発生する化合物Cとを含有することを特徴とする。本発明のポリシロキサン組成物は、その用途は特に限定されず、層間絶縁膜、保護膜、反射防止膜等の膜形成材料として用いることができるが、特に、レジスト下層膜用組成物として好適に用いられる。中でも、本発明のパターン形成方法におけるレジスト下層膜を形成するための組成物として、好適に用いることができる。ポリシロキサンAポリシロキサンAは、構造が特に限定されるものではないが、好ましくは、前記一般式1で表される化合物1、及び前記一般式2で表される化合物2を加水分解縮合させて得られるものであり、化合物1及び化合物2は、それぞれ一種でも数種を混合して用いてもよい。前記一般式1におけるRの、炭素数1~5のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基等の直鎖状のアルキル基;イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、イソアミル基等の分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。尚、これらのアルキル基における1又は2以上の水素原子は、フッ素原子等で置換されていてもよい。シアノアルキル基としては、シアノエチル基、シアノプロピル基等が挙げられる。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。アルケニル基としては、下記一般式iで表される基が好ましいものとして挙げられる。CH2=CH-CH2n-i一般式i中、nは0~4の整数を示し、は、結合手を示す。前記一般式iにおけるnは、0~4の整数であり、好ましくは0又は1の整数、更に好ましくは0ビニル基である。また、前記一般式iで表される基以外のアルケニル基としては、例えば、一般式i以外で表せるブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基等が挙げられる。前記一般式1及び2におけるXは、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子又は-OR1である。このR1における1価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基等の炭素数1~4のアルキル基が好ましいものとして挙げられる。更に、前記一般式1におけるaは1~3の整数であり、1又は2であることがより好ましい。前記一般式1で表される化合物1の具体例としては、例えば、フェニルトリメトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、フェネチルトリメトキシシラン、4-メチルフェニルトリメトキシシラン、4-エチルフェニルトリメトキシシラン、4-メトキシフェニルトリメトキシシラン、4-フェノキシフェニルトリメトキシシラン、4-ヒドロキシフェニルトリメトキシシラン、4-アミノフェニルトリメトキシシラン、4-ジメチルアミノフェニルトリメトキシシラン、4-アセチルアミノフェニルトリメトキシシラン、3-メチルフェニルトリメトキシシラン、3-エチルフェニルトリメトキシシラン、3-メトキシフェニルトリメトキシシラン、3-フェノキシフェニルトリメトキシシラン、3-ヒドロキシフェニルトリメトキシシラン、3-アミノフェニルトリメトキシシラン、3-ジメチルアミノフェニルトリメトキシシラン、3-アセチルアミノフェニルトリメトキシシラン、2-メチルフェニルトリメトキシシラン、2-エチルフェニルトリメトキシシラン、2-メトキシフェニルトリメトキシシラン、2-フェノキシフェニルトリメトキシシラン、2-ヒドロキシフェニルトリメトキシシラン、2-アミノフェニルトリメトキシシラン、2-ジメチルアミノフェニルトリメトキシシラン、2-アセチルアミノフェニルトリメトキシシラン、246-トリメチルフェニルトリメトキシシラン、4-メチルベンジルトリメトキシシラン、4-エチルベンジルトリメトキシシラン、4-メトキシベンジルトリメトキシシラン、4-フェノキシベンジルトリメトキシシラン、4-ヒドロキシベンジルトリメトキシシラン、4-アミノベンジルトリメトキシシラン、4-ジメチルアミノベンジルトリメトキシシラン、4-アセチルアミノベンジルトリメトキシシラン等の芳香環含有トリアルコキシシラン;メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ-n-プロポキシシラン、メチルトリ-iso-プロポキシシラン、メチルトリ-n-ブトキシシラン、メチルトリ-sec-ブトキシシラン、メチルトリ-tert-ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルトリクロロシラン、メチルトリイソプロペノキシシラン、メチルトリスジメチルシロキシシラン、メチルトリスメトキシエトキシシラン、メチルトリスメチルエチルケトキシムシラン、メチルトリストリメチルシロキシシラン、メチルシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ-n-プロポキシシラン、エチルトリ-iso-プロポキシシラン、エチルトリ-n-ブトキシシラン、エチルトリ-sec-ブトキシシラン、エチルトリ-tert-ブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラン、エチルビストリストリメチルシロキシシラン、エチルジクロロシラン、エチルトリアセトキシシラン、エチルトリクロロシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、n-プロピルトリ-n-プロポキシシラン、n-プロピルトリ-iso-プロポキシシラン、n-プロピルトリ-n-ブトキシシラン、n-プロピルトリ-sec-ブトキシシラン、n-プロピルトリ-tert-ブトキシシラン、n-プロピルトリフェノキシシラン、n-プロピルトリアセトキシシラン、n-プロピルトリクロロシラン、iso-プロピルトリメトキシシラン、iso-プロピルトリエトキシシラン、iso-プロピルトリ-n-プロポキシシラン、iso-プロピルトリ-iso-プロポキシシラン、iso-プロピルトリ-n-ブトキシシラン、iso-プロピルトリ-sec-ブトキシシラン、iso-プロピルトリ-tert-ブトキシシラン、iso-プロピルトリフェノキシシラン、n-ブチルトリメトキシシラン、n-ブチルトリエトキシシラン、n-ブチルトリ-n-プロポキシシラン、n-ブチルトリ-iso-プロポキシシラン、n-ブチルトリ-n-ブトキシシラン、n-ブチルトリ-sec-ブトキシシラン、n-ブチルトリ-tert-ブトキシシラン、n-ブチルトリフェノキシシラン、n-ブチルトリクロロシラン、2-メチルプロピルトリメトキシシラン、2-メチルプロピルトリエトキシシラン、2-メチルプロピルトリ-n-プロポキシシラン、2-メチルプロピルトリ-iso-プロポキシシラン、2-メチルプロピルトリ-n-ブトキシシラン、2-メチルプロピルトリ-sec-ブトキシシラン、2-メチルプロピルトリ-tert-ブトキシシラン、2-メチルプロピルトリフェノキシシラン、1-メチルプロピルトリメトキシシラン、1-メチルプロピルトリエトキシシラン、1-メチルプロピルトリ-n-プロポキシシラン、1-メチルプロピルトリ-iso-プロポキシシラン、1-メチルプロピルトリ-n-ブトキシシラン、1-メチルプロピルトリ-sec-ブトキシシラン、1-メチルプロピルトリ-tert-ブトキシシラン、1-メチルプロピルトリフェノキシシラン、tert-ブチルトリメトキシシラン、tert-ブチルトリエトキシシラン、tert-ブチルトリ-n-プロポキシシラン、tert-ブチルトリ-iso-プロポキシシラン、tert-ブチルトリ-n-ブトキシシラン、tert-ブチルトリ-sec-ブトキシシラン、tert-ブチルトリ-tert-ブトキシシラン、tert-ブチルトリフェノキシシラン等のアルキルトリアルコキシシラン類;ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ-n-プロポキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリ-n-ブトキシシラン、ビニルトリ-sec-ブトキシシラン、ビニルトリ-tert-ブトキシシラン、ビニルトリフェノキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリ-n-プロポキシシラン、アリルトリイソプロポキシシラン、アリルトリ-n-ブトキシシラン、アリルトリ-sec-ブトキシシラン、アリルトリ-tert-ブトキシシラン、アリルトリフェノキシシラン等のアルケニルトリアルコキシシラン類;等が挙げられる。これらのなかでも、反応性、物質の取り扱い容易性の観点から、フェニルトリメトキシシラン、4-メチルフェニルトリメトキシシラン、4-メトキシフェニルトリメトキシシラン、4-メチルベンジルトリメトキシシランメチルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ-n-プロポキシシラン、メチルトリ-iso-プロポキシシラン、メチルトリ-n-ブトキシシラン、メチルトリ-sec-ブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ-n-プロポキシシラン、エチルトリ-iso-プロポキシシラン、エチルトリ-n-ブトキシシラン、エチルトリ-sec-ブトキシシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、n-プロピルトリ-n-プロポキシシラン、n-プロピルトリ-iso-プロポキシシラン、n-プロピルトリ-n-ブトキシシラン、n-プロピルトリ-sec-ブトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン等が好ましい。また、前記一般式2で表される化合物2の具体例としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ-n-プロポキシシラン、テトラ-iso-プロポキシシラン、テトラ-n-ブトキシラン、テトラ-sec-ブトキシシラン、テトラ-tert-ブトキシシラン、テトラフェノキシシラン、テトラクロロシラン等が挙げられる。これらのなかでも、テトラメトキシシラン及びテトラエトキシシランが、反応性、物質の取り扱い容易性の観点から好ましい。ポリシロキサンAを得るための加水分解性シラン化合物としては、必要に応じて、化合物1及び2以外にも、下記一般式iiで表わされる加水分解性シラン化合物以下、化合物iiともいう。を併用してもよい。一般式iiにおいて、R2及びR5は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、フッ素原子、アルコキシル基、炭素数1~5の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シアノ基、シアノアルキル基、又はアルキルカルボニルオキシ基を示す。R3は、それぞれ独立に、1価の有機基を示す。R4は、アリーレン基、メチレン基、又は炭素数2~10のアルキレン基を表し、R4が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。bは1~3の整数を示し、mは1~20の整数を示す。前記一般式iiのR2及びR5におけるアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基等を挙げることができる。また、炭素数1~5の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。尚、これらのアルキル基における1又は2以上の水素原子は、フッ素原子等に置換されていてもよい。シアノアルキル基としては、シアノエチル基、シアノプロピル基等が挙げられる。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。前記一般式iiのR3における1価の有機基としては、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、アルケニル基;グリシジル基等の環状エーテル構造を有する基等が挙げられる。これらのなかでも、アルキル基、アルコキシル基、アリール基であることが好ましい。前記アルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。尚、これらのアルキル基における1又は2以上の水素原子は、フッ素原子等に置換されていてもよい。前記アルコキシル基としては、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシル基が挙げられる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基等が挙げられる。前記アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、ベンジル基、フェネチル基、エチルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基等が挙げられる。これらのなかでも、フェニル基が好ましい。前記アルケニル基としては、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基アリル基、3-ブテニル基、3-ペンテニル基、3-ヘキセニル基等が挙げられる。尚、R4が複数存在する場合即ち、前記mが2~20の整数である場合、複数のR4は、それぞれ、同一であってもよいし、異なっていてもよい。前記一般式iiのR4におけるアリーレン基としては、例えば、炭素数6~10のアリーレン基が好ましい。具体的には、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、メチルフェニレン、エチルフェニレン、クロロフェニレン基、ブロモフェニレン基、フルオロフェニレン基等が挙げられる。また、炭素数2~10のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等が挙げられる。前記一般式iiにおけるbは、1~3の整数であり、好ましくは1又は2である。また、mは、1~20の整数であり、好ましくは5~15、更に好ましくは5~10である。化合物iiの具体例としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、1,1,1,2,2-ペンタメトキシ-2-メチルジシラン、1,1,1,2,2-ペンタエトキシ-2-メチルジシラン、1,1,1,2,2-ペンタフェノキシ-2-メチルジシラン、1,1,1,2,2-ペンタメトキシ-2-エチルジシラン、1,1,1,2,2-ペンタエトキシ-2-エチルジシラン、1,1,1,2,2-ペンタフェノキシ-2-エチルジシラン、1,1,1,2,2-ペンタメトキシ-2-フェニルジシラン、1,1,1,2,2-ペンタエトキシ-2-フェニルジシラン、1,1,1,2,2-ペンタフェノキシ-2-フェニルジシラン、1,1,2,2-テトラメトキシ-1,2-ジメチルジシラン、1,1,2,2-テトラエトキシ-1,2-ジメチルジシラン、1,1,2,2-テトラフェノキシ-1,2-ジメチルジシラン、1,1,2,2-テトラメトキシ-1,2-ジエチルジシラン、1,1,2,2-テトラエトキシ-1,2-ジエチルジシラン、1,1,2,2-テトラフェノキシ-1,2-ジエチルジシラン、1,1,2,2-テトラメトキシ-1,2-ジフェニルジシラン、1,1,2,2-テトラエトキシ-1,2-ジフェニルジシラン、1,1,2,2-テトラフェノキシ-1,2-ジフェニルジシラン、1,1,2-トリメトキシ-1,2,2-トリメチルジシラン、1,1,2-トリエトキシ-1,2,2-トリメチルジシラン、1,1,2-トリフェノキシ-1,2,2-トリメチルジシラン、1,1,2-トリメトキシ-1,2,2-トリエチルジシラン、1,1,2-トリエトキシ-1,2,2-トリエチルジシラン、1,1,2-トリフェノキシ-1,2,2-トリエチルジシラン、1,1,2-トリメトキシ-1,2,2-トリフェニルジシラン、1,1,2-トリエトキシ-1,2,2-トリフェニルジシラン、1,1,2-トリフェノキシ-1,2,2-トリフェニルジシラン、1,2-ジメトキシ-1,1,2,2-テトラメチルジシラン、1,2-ジエトキシ-1,1,2,2-テトラメチルジシラン、1,2-ジフェノキシ-1,1,2,2-テトラメチルジシラン、1,2-ジメトキシ-1,1,2,2-テトラエチルジシラン、1,2-ジエトキシ-1,1,2,2-テトラエチルジシラン、1,2-ジフェノキシ-1,1,2,2-テトラエチルジシラン、1,2-ジメトキシ-1,1,2,2-テトラフェニルジシラン、1,2-ジエトキシ-1,1,2,2-テトラフェニルジシラン、1,2-ジフェノキシ-1,1,2,2-テトラフェニルジシラン;ビストリメトキシシリルメタン、ビストリエトキシシリルメタン、ビストリ-n-プロポキシシリルメタン、ビストリ-イソプロポキシシリルメタン、ビストリ-n-ブトキシシリルメタン、ビストリ-sec-ブトキシシリルメタン、ビストリ-tert-ブトキシシリルメタン、1,2-ビストリメトキシシリルエタン、1,2-ビストリエトキシシリルエタン、1,2-ビストリ-n-プロポキシシリルエタン、1,2-ビストリ-イソプロポキシシリルエタン、1,2-ビストリ-n-ブトキシシリルエタン、1,2-ビストリ-sec-ブトキシシリルエタン、1,2-ビストリ-tert-ブトキシシリルエタン、1-ジメトキシメチルシリル-1-トリメトキシシリルメタン、1-ジエトキシメチルシリル-1-トリエトキシシリルメタン、1-ジ-n-プロポキシメチルシリル-1-トリ-n-プロポキシシリルメタン、1-ジ-イソプロポキシメチルシリル-1-トリ-イソプロポキシシリルメタン、1-ジ-n-ブトキシメチルシリル-1-トリ-n-ブトキシシリルメタン、1-ジ-sec-ブトキシメチルシリル-1-トリ-sec-ブトキシシリルメタン、1-ジ-tert-ブトキシメチルシリル-1-トリ-tert-ブトキシシリルメタン、1-ジメトキシメチルシリル-2-トリメトキシシリルエタン、1-ジエトキシメチルシリル-2-トリエトキシシリルエタン、1-ジ-n-プロポキシメチルシリル-2-トリ-n-プロポキシシリルエタン、1-ジ-イソプロポキシメチルシリル-2-トリ-イソプロポキシシリルエタン、1-ジ-n-ブトキシメチルシリル-2-トリ-n-ブトキシシリルエタン、1-ジ-sec-ブトキシメチルシリル-2-トリ-sec-ブトキシシリルエタン、1-ジ-tert-ブトキシメチルシリル-2-トリ-tert-ブトキシシリルエタン、ビスジメトキシメチルシリルメタン、ビスジエトキシメチルシリルメタン、ビスジ-n-プロポキシメチルシリルメタン、ビスジ-イソプロポキシメチルシリルメタン、ビスジ-n-ブトキシメチルシリルメタン、ビスジ-sec-ブトキシメチルシリルメタン、ビスジ-tert-ブトキシメチルシリルメタン、1,2-ビスジメトキシメチルシリルエタン、1,2-ビスジエトキシメチルシリルエタン、1,2-ビスジ-n-プロポキシメチルシリルエタン、1,2-ビスジ-イソプロポキシメチルシリルエタン、1,2-ビスジ-n-ブトキシメチルシリルエタン、1,2-ビスジ-sec-ブトキシメチルシリルエタン、1,2-ビスジ-tert-ブトキシメチルシリルエタン、ビスジメチルメトキシシリルメタン、ビスジメチルエトキシシリルメタン、ビスジメチル-n-プロポキシシリルメタン、ビスジメチル-イソプロポキシシリルメタン、ビスジメチル-n-ブトキシシリルメタン、ビスジメチル-sec-ブトキシシリルメタン、ビスジメチル-tert-ブトキシシリルメタン、1,2-ビスジメチルメトキシシリルエタン、1,2-ビスジメチルエトキシシリルエタン、1,2-ビスジメチル-n-プロポキシシリルエタン、1,2-ビスジメチル-イソプロポキシシリルエタン、1,2-ビスジメチル-n-ブトキシシリルエタン、1,2-ビスジメチル-sec-ブトキシシリルエタン、1,2-ビスジメチル-tert-ブトキシシリルエタン、1-ジメトキシメチルシリル-1-トリメチルシリルメタン、1-ジエトキシメチルシリル-1-トリメチルシリルメタン、1-ジ-n-プロポキシメチルシリル-1-トリメチルシリルメタン、1-ジ-イソプロポキシメチルシリル-1-トリメチルシリルメタン、1-ジ-n-ブトキシメチルシリル-1-トリメチルシリルメタン、1-ジ-sec-ブトキシメチルシリル-1-トリメチルシリルメタン、1-ジ-tert-ブトキシメチルシリル-1-トリメチルシリルメタン、1-ジメトキシメチルシリル-2-トリメチルシリルエタン、1-ジエトキシメチルシリル-2-トリメチルシリルエタン、1-ジ-n-プロポキシメチルシリル-2-トリメチルシリルエタン、1-ジ-イソプロポキシメチルシリル-2-トリメチルシリルエタン、1-ジ-n-ブトキシメチルシリル-2-トリメチルシリルエタン、1-ジ-sec-ブトキシメチルシリル-2-トリメチルシリルエタン、1-ジ-tert-ブトキシメチルシリル-2-トリメチルシリルエタン、1,2-ビストリメトキシシリルベンゼン、1,2-ビストリエトキシシリルベンゼン、1,2-ビストリ-n-プロポキシシリルベンゼン、1,2-ビストリ-イソプロポキシシリルベンゼン、1,2-ビストリ-n-ブトキシシリルベンゼン、1,2-ビストリ-sec-ブトキシシリルベンゼン、1,2-ビストリ-tert-ブトキシシリルベンゼン、1,3-ビストリメトキシシリルベンゼン、1,3-ビストリエトキシシリルベンゼン、1,3-ビストリ-n-プロポキシシリルベンゼン、1,3-ビストリ-イソプロポキシシリルベンゼン、1,3-ビストリ-n-ブトキシシリルベンゼン、1,3-ビストリ-sec-ブトキシシリルベンゼン、1,3-ビストリ-tert-ブトキシシリルベンゼン、1,4-ビストリメトキシシリルベンゼン、1,4-ビストリエトキシシリルベンゼン、1,4-ビストリ-n-プロポキシシリルベンゼン、1,4-ビストリ-イソプロポキシシリルベンゼン、1,4-ビストリ-n-ブトキシシリルベンゼン、1,4-ビストリ-sec-ブトキシシリルベンゼン、1,4-ビストリ-tert-ブトキシシリルベンゼン等が挙げられる。更には、ポリジメトキシメチルカルボシラン、ポリジエトキシメチルカルボシラン等のポリカルボシラン等が挙げられる。これらの化合物のなかでも、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、1,1,2,2-テトラメトキシ-1,2-ジメチルジシラン、1,1,2,2-テトラエトキシ-1,2-ジメチルジシラン、1,1,2,2-テトラメトキシ-1,2-ジフェニルジシラン、1,2-ジメトキシ-1,1,2,2-テトラメチルジシラン、1,2-ジエトキシ-1,1,2,2-テトラメチルジシラン、1,2-ジメトキシ-1,1,2,2-テトラフェニルジシラン、1,2-ジエトキシ-1,1,2,2-テトラフェニルジシラン、ビストリメトキシシリルメタン、ビストリエトキシシリルメタン、1,2-ビストリメトキシシリルエタン、1,2-ビストリエトキシシリルエタン、1-ジメトキシメチルシリル-1-トリメトキシシリルメタン、1-ジエトキシメチルシリル-1-トリエトキシシリルメタン、1-ジメトキシメチルシリル-2-トリメトキシシリルエタン、1-ジエトキシメチルシリル-2-トリエトキシシリルエタン、ビスジメトキシメチルシリルメタン、ビスジエトキシメチルシリルメタン、1,2-ビスジメトキシメチルシリルエタン、1,2-ビスジエトキシメチルシリルエタン、ビスジメチルメトキシシリルメタン、ビスジメチルエトキシシリルメタン、1,2-ビスジメチルメトキシシリルエタン、1,2-ビスジメチルエトキシシリルエタン、1-ジメトキシメチルシリル-1-トリメチルシリルメタン、1-ジエトキシメチルシリル-1-トリメチルシリルメタン、1-ジメトキシメチルシリル-2-トリメチルシリルエタン、1-ジエトキシメチルシリル-2-トリメチルシリルエタン、1,2-ビストリメトキシシリルベンゼン、1,2-ビストリエトキシシリルベンゼン、1,3-ビストリメトキシシリルベンゼン、1,3-ビストリエトキシシリルベンゼン、1,4-ビストリメトキシシリルベンゼン、1,4-ビストリエトキシシリルベンゼン、ポリジメトキシメチルカルボシラン、ポリジエトキシメチルカルボシラン等が好ましい。化合物iiは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。尚、ポリシロキサンAは、本発明における絶縁パターン形成材料に1種のみ含有されていてもよいし、2種以上含有されていてもよい。ポリシロキサンAの分子量は、サイズ排除クロマトグラフィによるポリスチレン換算の重量平均分子量が、好ましくは1,000~100,000、より好ましくは1,000~50,000、特に好ましくは1,000~30,000である。なお、本明細書におけるポリシロキサンAの分子量は、東ソー社製のGPCカラム商品名G2000HXL2本、商品名G3000HXL1本、商品名G4000HXL1本を使用し、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、カラム温度:40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより測定した。化合物1、化合物2及び必要に応じて他の加水分解性シラン化合物を加水分解および/または部分縮合する方法としては、公知の加水分解及び縮合の方法を用いることができる。また、本発明のポリシロキサン組成物を構成するにあたり、組成物中の沸点100°C以下のアルコールの含量が、20重量以下、特に5重量以下であることが好ましい。沸点100°C以下のアルコールは、上記化合物A及び化合物Cで表される化合物の加水分解および/またはその部分縮合の際に生じる場合があり、その含量が20重量以下、好ましくは5重量以下になるように蒸留等により除去する事が好ましい。化合物B化合物Bは、極性基及びエステル基から選ばれる少なくとも一種を有する窒素含有化合物である。化合物Bは、塩基性アミノ基を有する化合物、または酸の作用により塩基性アミノ基となる化合物であり、本発明のポリシロキサン組成物をレジスト下層膜用組成物に用いた場合、該組成物から得られる下層膜上でのレジストのリソグラフィー性能を向上させる効果を有する。この効果は、化合物Bが下層膜に存在することにより、露光後のポストエクスポージャーベークPEB時におけるレジスト膜中からの酸の下層膜中での拡散が抑えられるため、レジストのリソグラフィー性能をより向上させるに至ると考えられる。この効果は、従来のアミン化合物と比べて顕著なものである。従来のアミン化合物に比べ極性基及びエステル基から選ばれる少なくとも一種を有する化合物を用いることで、下層膜ベーク時にアミン化合物の昇華が抑えられ、下層膜中に残存するため上記効果を十分に発揮すると考えられる。また、化合物Bは、環状構造を有する化合物であることが好ましく、具体的には、窒素含有複素環構造を有することが好ましい。このような構造を用いることで、下層膜組成物としての保存安定性向上に効果があると考えられる。化合物Bにおける窒素含有複素環構造としては、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、2-メチルイミダゾール、4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、4-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-メチル-4-フェニルイミダゾール、2-メチルベンズイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類のほか、インドール、ピロール、ピラゾール、アデニン、グアニン、プリン、ピロリジン、2-ピロリジンメタノール、3-ピロリジノール、ピペリジン、モルホリン、4-ヒドロキシピペリジン、2,6-ジメチルピペリジン、4-ヒドロキシ-2,6-ジメチルピペリジン、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン、4-ヒドロキシ-2,2,6,6-テトラメチルピペリジン、ピペラジン、ホモピペラジン、1-メチルピペラジン、1-エチルピペラジン、2-メチルピペラジン、1-イソプロピルピペラジン、1-ピペラジンエタノール、2,5-ジメチルピペラジン、2,6-ジメチルピペラジン、3-アミノピロリジン、L-プロリン、4-ヒドロキシ-L-プロリン、ピペコリン酸、ニペコチン酸、イソニペコチン酸、2-ピペラジンカルボン酸、1,4,7-トリアザシクロノナン、1,4,7,10-テトラアザシクロドデカン等を挙げることができる。化合物Bにおける極性基及びエステル基は、上記窒素含有複素環構造に結合していても良く、連結基を介して結合していてもよい。当該連結基としては、-O-、-CO-、-NH-、-SO2-等を途中に含んでいてもよい炭素数1~20の2価の炭化水素基等が挙げられる。極性基としては、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、オキセタニル基等が挙げられ、水酸基及びカルボキシル基が好ましく、水酸基が特に好ましい。エステル基としては、アルキルエステル基、アリールエステル基、シクロアルキルエステル基等が挙げられるが、好ましくは、上記式Xで表される基が挙げられる。上記式Xを有する化合物Bは、酸の作用により-CR1R2R3基が解離して塩基性アミノ基となる化合物であり、液状態での保存安定性に優れるという効果を有する。上記式X中、R1、R2及びR3で表される炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基等が挙げられる。R1、R2及びR3で表される炭素数4~12の1価の脂環式炭化水素基、並びにR1及びR2が互いに結合している炭素原子と共に形成する炭素数4~12の2価の脂環式炭化水素基としては、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロオクタン、シクロデカン等のシクロアルカン類;ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタン等の有橋脂環族類に由来する基が挙げられる。上記式1における-CR1R2R3で表される1価の基としては、t-ブチル基、t-アミル基、1-エチル-1-メチルプロピル基、1,1-ジエチルプロピル基等の分岐状アルキル基;下記式i-1~i-15で表される脂環構造を有する基が好ましい。中でも、t-ブチル基及びt-アミル基が合成容易である点でより好ましい。化合物Bとしては、極性基及びエステル基を両方有する化合物がより好ましく、上記式X-1で表される化合物が特に好ましい。上記式X-1中、Aで示される炭素数1~8の2価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、n-ブチレン基、n-ヘキシレン基、n-オクチレン基等の2価の鎖状炭化水素基;上述したR1、R2及びR3で表される脂環式炭化水素基から水素原子を1つ除いた2価の脂環式炭化水素基等が挙げられる。nは1~6の整数であり、好ましくは1又は2、さらに好ましくは1である。上記式X-1で表される化合物の特に好ましい具体例としては、例えば、下記式X-1-1~X-1-4が挙げられる。また、上記式X-1で表される化合物以外の化合物Bとしては、下記のような化合物が好適に用いられる。なお、これらの化合物Bは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。化合物Bの使用量は、パターン形状を良好にする観点から前記ポリシロキサンSiO2換算A100質量部に対して、通常、1.0~30質量部であり、好ましくは1.0~10質量部である。化合物C化合物Cは、紫外光の照射及び/又は加熱により酸を発生する酸発生化合物であり、この酸発生剤Cとしては、例えば、スルホニウム塩やヨードニウム塩等のオニウム塩、有機ハロゲン化合物、ジスルホン類やジアゾメタンスルホン類等のスルホン化合物等が挙げられる。化合物Cの具体例としては、例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムN,N’-ビスノナフルオロ-n-ブタンスルホニルイミデート、トリフェニルスルホニウムサリチレート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムトリシクロ[3.3.1.137]デカニルジフルオロメタンスルホネート、等のトリフェニルスルホニウム塩化合物;4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムN,N’-ビスノナフルオロ-n-ブタンスルホニルイミデート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート等の4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物;4-t-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-t-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-t-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-t-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-t-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、4-t-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムN,N’-ビスノナフルオロ-n-ブタンスルホニルイミデート、4-t-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート等の4-t-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物;トリ4-t-ブチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ4-t-ブチルフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリ4-t-ブチルフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリ4-t-ブチルフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリ4-t-ブチルフェニルスルホニウム2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、トリ4-t-ブチルフェニルスルホニウムN,N’-ビスノナフルオロ-n-ブタンスルホニルイミデート、トリ4-t-ブチルフェニルスルホニウムカンファースルホネート等のトリ4-t-ブチルフェニルスルホニウム塩化合物;ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムN,N’-ビスノナフルオロ-n-ブタンスルホニルイミデート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート等のジフェニルヨードニウム塩化合物;ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムN,N’-ビスノナフルオロ-n-ブタンスルホニルイミデート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホネート等のビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム塩化合物;1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムN,N’-ビスノナフルオロ-n-ブタンスルホニルイミデート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等の1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム塩化合物;1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムN,N’-ビスノナフルオロ-n-ブタンスルホニルイミデート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等の1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム塩化合物;N-トリフルオロメタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-カンファースルホニルオキシスクシンイミド等のスクシンイミド類化合物;N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等のビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド類化合物等が挙げられる。尚、これらの化合物Cは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。化合物Cの使用量は、パターン形状を良好にする観点から前記ポリシロキサンA100質量部に対して、通常、0.1~30質量部であり、好ましくは0.1~20質量部、さらに好ましくは0.1~10質量部である。本発明では組成物に水を添加してもよい。水を添加すると、ケイ素含有化合物が水和されるため、保存安定性が向上する。また、水を添加すると、成膜時の硬化が促進され、緻密な膜を得ることができる。組成物の溶剤成分における水の含有率は0~30質量であり、好ましくは0.1~20質量、さらに好ましくは0.2~10質量である。水の添加量が多すぎると、保存安定性が悪化したり、塗布膜の均一性が悪くなったりする場合がある。その他の成分本発明のポリシロキサン組成物には、更に、β-ジケトンが含まれていてもよい。β-ジケトンを用いることにより、塗布性及び保存安定性の向上という効果が得られる。β-ジケトンとしては、アセチルアセトン、2,4-ヘキサンジオン、2,4-ヘプタンジオン、3,5-ヘプタンジオン、2,4-オクタンジオン、3,5-オクタンジオン、2,4-ノナンジオン、3,5-ノナンジオン、5-メチル-2,4-ヘキサンジオン、2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン、1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ-2,4-ヘプタンジオン等の1種または2種以上である。本発明において、膜形成用組成物中のβ-ジケトン含有量は、全溶剤の50重量以下、好ましくは30重量以下とすることが好ましい。このような範囲でβ-ジケトンを添加すれば、一定の保存安定性が得られるとともに、組成物の塗膜均一性等の特性が低下するおそれが少ない。また、本発明のポリシロキサン組成物には、更に、コロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、有機ポリマー、界面活性剤、塩基発生剤等の成分が含まれていてもよい。前記コロイド状シリカは、高純度の無水ケイ酸を親水性有機溶媒に分散した分散液であり、通常、平均粒径が5~30nm、好ましくは10~20nm、固形分濃度が10~40質量程度のものである。このような、コロイド状シリカとしては、例えば、日産化学工業株製、メタノールシリカゾル、イソプロパノールシリカゾル;触媒化成工業株製、オスカル等が挙げられる。これらのコロイド状シリカは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、前記コロイド状アルミナとしては、例えば、日産化学工業株製のアルミナゾル520、同100、同200;川研ファインケミカル株製のアルミナクリアーゾル、アルミナゾル10、同132等が挙げられる。これらのコロイド状アルミナは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。前記有機ポリマーとしては、例えば、ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物、糖鎖構造を有する化合物、ビニルアミド系重合体、アクリレート化合物、メタクリレート化合物、芳香族ビニル化合物、デンドリマー、ポリイミド,ポリアミック酸、ポリアリーレン、ポリアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、フッ素系重合体等が挙げられる。これらの有機ポリマーは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、前記界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、含フッ素界面活性剤等が挙げられる。これらの界面活性剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。ポリシロキサン組成物の製造方法本発明のポリシロキサン組成物の製造方法は特に限定されないが、例えば、ポリシロキサンA、化合物B、化合物C及び必要に応じて水、前記他の添加剤を混合し、有機溶剤に溶解または分散して得られる。有機溶剤としては、公知の有機溶剤を用いることができ、加水分解性シラン化合物を加水分解および/または部分縮合する際に用いるものと同様な溶剤を使用することができる。なお、本発明のポリシロキサン組成物の固形分濃度は、0.5重量~20重量、好ましくは0.6重量~15重量である。レジスト下層膜本発明の組成物から得られるレジスト下層膜は、レジスト膜や他の下層膜反射防止膜との密着性が高く、裾引き等のないボトム形状に優れるレジストパターンが得られるという特徴を有する。そのため、多層レジストプロセスにおいて好適に用いることができる。また、多層レジストプロセスのなかでも、90nmよりも微細な領域ArF、液侵露光でのArF、F2、EUV、ナノインプリントでの多層レジストプロセスを用いたパターン形成において、特に好適に用いることができる。このレジスト下層膜は、前述の本発明のポリシロキサン組成物を用いることにより得ることができる。具体的には、レジスト被膜や他の下層膜反射防止膜等の表面に塗布することにより、レジスト下層膜形成用組成物の塗膜を形成し、この塗膜を加熱処理することにより、硬化させ、レジスト下層膜シリコン含有膜を形成することができる。ポリシロキサン組成物を塗布する方法としては、スピンコート法、ロールコート法、ディップ法等を利用することができる。また、形成される塗膜の加熱温度は、通常50~450°Cであり、加熱処理後の膜厚は、通常10~200nmである。<パターン形成方法>本発明のパターン形成方法は、1ポリシロキサンと酸拡散制御剤と酸発生剤とを含有するポリシロキサン組成物を、被加工基板上に塗布してシリコン含有膜を形成する工程以下、単に工程1という。と、2得られた前記シリコン含有膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成する工程以下、単に工程2という。と、3得られた前記レジスト被膜に、フォトマスクを透過させることにより選択的に放射線を照射して前記レジスト被膜を露光する工程以下、単に工程3という。と、4露光した前記レジスト被膜を現像して、レジストパターンを形成する工程以下、単に工程4という。と、5前記レジストパターンをマスクエッチングマスクとして、前記シリコン含有膜及び前記被加工基板をドライエッチングしてパターンを形成する工程以下、単に工程5という。と、を備える。本発明のパターン形成方法によれば、ドライエッチングプロセスにおいて、被加工基板にレジストパターンを再現性よく忠実に転写することができる。工程1前記工程1では、ポリシロキサンと酸拡散制御剤と酸発生剤とを含有するポリシロキサン組成物を用いて、被加工基板上にシリコン含有膜を形成する。これにより、被加工基板上に下層膜が形成されたレジスト下層膜付き基板を得ることができる。工程1で用いられるポリシロキサン組成物としては、本発明のポリシロキサン組成物が特に好ましく用いられるが、ポリシロキサン、酸拡散制御剤、酸発生剤いずれも、その構造は特に限定されるものではない。酸拡散制御剤としては、露光により生じた酸が、工程1において得られるシリコン含有膜中に拡散することを防ぐ働きを有する化合物であり、一般に、塩基性化合物が用いられる。特に好ましいものとしては上述した化合物Bが挙げられるが、その他、化合物B以外のアミノ化合物、酸の作用により弱酸を生じて塩基性を喪失するオニウム塩等を用いてもよい。前記被加工基板としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、ポリシロキサン等の絶縁膜、以下、全て商品名で、ブラックダイヤモンドAMAT社製、シルクダウケミカル社製、LKD5109JSR社製等の低誘電体絶縁膜で被覆したウェハ等の層間絶縁膜を使用することができる。また、この被加工基板としては、配線講トレンチ、プラグ溝ビア等のパターン化された基板を用いてもよい。また、前記被加工基板には、予め他の下層膜前述のポリシロキサン組成物から得られるシリコン含有膜とは異なる他のレジスト下層膜が形成されていてもよい。このレジスト下層膜は、レジストパターン形成において、シリコン含有膜及び/又はレジスト被膜が有する機能を更に補ったり、これらが有していない機能を得るために、必要とされる所定の機能例えば、反射防止機能、塗布膜平坦性、CF4等のフッ素系ガスに対する高エッチング耐性が付与されたりした膜のことである。また、シリコン含有膜とレジストとの密着性をさらに向上させるため、シリコン含有膜表面をメチルシリル化処理しても良い。シリル化処理剤としては、例えばアリロキシトリメチルシラン、N,O-ビストリメチルシリルアセトアミド、ビストリメチルシリルトリフルオロアセトアミド、ビストリメチルシリル尿素、トリメチルクロロシラン、N-トリメチルシリルアセトアミド、トリメチルシリルアジド、トリメチルシリルシアナニド、N-トリメチルシリルイミダゾール、3-トリメチルシリル-2-オキサゾリジノン、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルフォネート、ヘキサメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ヘキサメチルジシロキサン、N-メチル-N-トリメチルシリルトリフルオロアセトアミド、N,N-ジメチルアミノトリメチルシラン、ノナメチルトリシラザン、1,1,3,3-テトラメチルジシラザン、トリメチルヨードシランなどを挙げることが出来る。シリコン含有膜のメチルシリル化は、上記シリル化剤をシリコン含有膜上にディップコートやスピンコートすることや、シリル化剤の蒸気雰囲気にシリコン含有膜を曝すことによって行うことが出来、さらにはメチルシリル化の後、塗膜を50~300°Cに加熱しても良い。シリコン含有膜は、反射防止膜上に形成することもできる。反射防止膜としては、NFCHM8006JSR株製等の商品名で市販されている材料が挙げられる。前記シリコン含有膜の形成方法は特に限定されないが、例えば、ポリシロキサン組成物を被加工基板上に、スピンコート法等の公知の方法により塗布して形成された塗膜を、露光及び/又は加熱することにより硬化して形成することができる。この露光に用いられる放射線としては、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、電子線、γ線、分子線、イオンビーム等が挙げられる。また、塗膜を加熱する際の温度は、特に限定されないが、90~550°Cであることが好ましく、より好ましくは90~450°C、更に好ましくは90~300°Cである。尚、前記シリコン含有膜の膜厚は特に限定されないが、100~20,000nmであることが好ましい。工程2前記工程2では、レジスト組成物を用いて、工程1にて得られたシリコン含有膜上にレジスト被膜を形成する。この工程2にて用いられるレジスト組成物としては、例えば、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を有する化学増幅型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド系感光剤とからなるポジ型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂と架橋剤を含有するネガ型レジスト組成物等を好適例として挙げることができる。また、当該レジストパターンの形成には、微細パターンを形成する手法であるダブルパターニング法、ダブルエクスポージャー法等を適宜用いてもよい。また、特開2008-292975号公報に記載されているような、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を有するレジスト組成物を、有機溶剤で現像してネガ型パターンを形成する方法を用いてもよく、該方法とダブルエクスポージャー法とを組み合わせて用いてもよい。また、レジスト組成物の固形分濃度は特に限定されないが、例えば、5~50質量であることが好ましい。また、レジスト組成物としては、孔径0.2μm程度のフィルターを用いてろ過したものを好適に用いることができる。尚、本発明のパターン形成方法においては、このようなレジスト組成物として、市販品のレジスト組成物をそのまま使用することもできる。レジスト組成物を塗布する方法は特に限定されず、例えば、スピンコート法等の従来の方法によって塗布することができる。尚、レジスト組成物を塗布する際には、得られるレジスト被膜が所定の膜厚となるように、塗布するレジスト組成物の量を調整する。前記レジスト被膜は、前記レジスト組成物を塗布することによって形成された塗膜をプレベークすることにより、塗膜中の溶媒即ち、レジスト組成物に含有される溶媒を揮発させて形成することができる。プレベークする際の温度は、使用するレジスト組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、30~200°Cであることが好ましく、より好ましくは50~150°Cである。工程3前記工程3では、工程2において得られたレジスト被膜に、フォトマスクを透過させることにより選択的に放射線を照射してレジスト被膜を露光する。この工程3において用いられる放射線としては、レジスト組成物に使用されている酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、電子線、γ線、分子線、イオンビーム等から適切に選択されるが、遠紫外線であることが好ましく、特に、KrFエキシマレーザー248nm、ArFエキシマレーザー193nm、F2エキシマレーザー波長157nm、Kr2エキシマレーザー波長147nm、ArKrエキシマレーザー波長134nm、極紫外線波長13nm等等を好適例として挙げることができる。また、露光する方法についても特に制限はなく、従来公知のパターン形成において行われる方法に準じて行うことができる。工程4前記工程4では、工程3において露光したレジスト被膜を現像して、レジストパターンを形成する。現像に用いる現像液は、使用されるレジスト組成物の種類に応じて適宜選択することができ、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性水溶液を用いることができる。また、これらのアルカリ性水溶液は、水溶性有機溶媒、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類や、界面活性剤を適量添加したものであってもよい。また、ネガ型レジスト組成物の場合には、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類等のアルカリ類の水溶液等を用いることができる。さらに、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を有するレジスト組成物を有機溶剤で現像してネガ型パターンを形成するために使用し得る有機溶剤系現像液としては、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等を用いることができる。例えば、ケトン系溶剤としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等を挙げることができる。アルコール系溶剤としては、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。エーテル系溶剤としては、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。アミド系溶剤としては、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。エステル系溶剤としては、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等を挙げることができる。上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。工程4においては、前記現像液で現像を行った後、洗浄し、乾燥することによって、前記フォトマスクに対応した所定のレジストパターンを形成することができる。尚、この工程4では、解像度、パターンプロファイル、現像性等を向上させるため、現像を行う前即ち、工程3における露光を行った後に、ポストベークを行うことが好ましい。このポストベークの温度は、使用されるレジスト組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、50~200°Cであることが好ましく、より好ましくは80~150°Cである。工程5前記工程5では、工程4にて形成したレジストパターンをマスクエッチングマスクとして、シリコン含有膜及び被加工基板をドライエッチングしてパターンを形成する。尚、他のレジスト下層膜が形成された被加工基板を用いた場合には、シリコン含有膜及び被加工基板と共に該レジスト下層膜もドライエッチングする。前記ドライエッチングは、公知のドライエッチング装置を用いて行うことができる。また、ドライエッチング時のソースガスとしては、被エッチ膜の元素組成にもよるが、O2、CO、CO2等の酸素原子を含むガス、He、N2、Ar等の不活性ガス、Cl2、BCl4等の塩素系ガス、H2、NH3のガス等を使用することができる。尚、これらのガスは混合して用いることもできる。本発明のパターン形成方法では、これまでに説明した工程1~5を適宜行うことにより、所定の基板加工用のパターンを形成することができる。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、実施例、比較例中の部及びは、特に断らない限り質量基準である。尚、本実施例における固形分の含有割合の決定、及び重量平均分子量Mwの測定は下記の方法により行った。<固形分の含有割合の決定>シロキサン樹脂溶液0.5gを30分間250°Cで焼成することで、樹脂溶液0.5gに対する固形分の重量を測定し、シロキサン樹脂溶液の固形分の含有割合を決定した。<重量平均分子量Mwの測定>東ソー社製のGPCカラム商品名G2000HXL2本、商品名G3000HXL1本、商品名G4000HXL1本を使用し、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、カラム温度:40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより測定した。[1]重合体[ポリシロキサンA]の合成後述の各合成例においては、下記構造の単量体を用いて、重合体の合成を行った。化合物M-1;テトラメトキシシラン化合物M-2;フェニルトリメトキシシラン化合物M-3;4-メチルフェニルトリメトキシシラン化合物M-4;1,2-ビストリエトキシシリルベンゼン化合物M-5;メチルトリメトキシシラン合成例1[ポリシロキサンA-1]シュウ酸1.28gを水12.85gに加熱溶解させて、シュウ酸水溶液を調製した。その後、テトラメトキシシラン前記式M-125.05g、フェニルトリメトキシシラン前記式M-23.63g、及びプロピレングリコールモノエチルエーテル57.19gを入れたフラスコに、冷却管と、調製したシュウ酸水溶液を入れた滴下ロートをセットした。次いで、オイルバスにて60°Cに加熱した後、シュウ酸水溶液をゆっくり滴下し、60°Cで4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレーターにセットし、反応により生成したメタノールを除去して樹脂溶液97.3gを得た。この樹脂溶液中における固形分をポリシロキサンA-1とする。得られた樹脂溶液中の固形分の含有割合は18.0であった。また、得られたポリシロキサンの重量平均分子量Mwは2000であった。合成例2[ポリシロキサンA-2]テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.92gを水8.75gに加熱溶解させて、テトラアンモニウムヒドロキシド水溶液を調製した。その後、調製したテトラアンモニウムヒドロキシド水溶液11.67g、水4.53g、及びメタノール20gを入れたフラスコに、冷却管と、テトラメトキシシラン前記式M-110.66g、4-メチルフェニルトリメトキシシラン前記式M-32.12g、メチルトリメトキシシラン前記式M-42.72g、及びメタノール20gを入れた滴下ロートをセットした。次いで、オイルバスにて50°Cに加熱した後、モノマーのメタノール溶液をゆっくり滴下し、50°Cで2時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷した。その後、無水マレイン酸4.39gを、水16.14g、及びメタノール16.14gに溶解させて別途調製したマレイン酸メタノール溶液36.67gに対し、上述のように放冷した反応液を滴下し、30分間攪拌した。次いで、4-メチル-2-ペンテノン50gを添加してからエバポレーターにセットし、反応溶媒及び反応により生成したメタノールを除去して4-メチル-2-ペンテノン樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液を分液ロートへ移してから、水80gを添加して1回目の水洗を行い、水40gを添加して2回目の水洗を行った。その後、分液ロートよりフラスコへ移した4-メチル-2-ペンテノン樹脂溶液に、プロピレングリコール-1-エチルエーテル50gを添加してからエバポレーターにセットし、4-メチル-2-ペンテノンを除去して樹脂溶液51gを得た。この樹脂溶液中における固形分をポリシロキサンA-2とする。得られた樹脂溶液中の固形分の含有割合は14.5であった。また、得られたポリシロキサンの重量平均分子量Mwは4000であった。合成例3~9[ポリシロキサンA-3~A-5]<ポリシロキサンA-3~A-5>表1に示す各単量体を、表1に示す配合量で用いた以外は、合成例1と同様の手法にて、ポリシロキサンA-3~A-5を合成した。得られた樹脂溶液の固形分の含有割合と、得られたポリシロキサンの重量平均分子量Mwを、合成例1、2と共に表1にまとめて示す。[2]ポリシロキサン組成物の製造前述の各合成例で得られたポリシロキサンA[ポリシロキサンA-1~A-5]、化合物B[化合物B-1~B-6]、化合物C[化合物C-1~C-3]、水及び有機溶媒E[有機溶媒E-1~E-2]を用いて、下記のように、実施例1~14及び比較例1~5のポリシロキサン組成物塗工液1~19を調製した。用いた化合物B、化合物C及び有機溶媒Eは下記のとおりである。<化合物B><化合物C><有機溶剤E>E-1:プロピレングリコールモノエチルエーテルE-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート<実施例1>表2に示すように、合成例1で得られたポリシロキサンA-19.40部、化合物B-10.05部、化合物C-10.05部、水、有機溶媒E-121.75部、及び有機溶媒E-268.75部に溶解させた後、この溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して、実施例1のポリシロキサン組成物を得た。<実施例2~16及び比較例1~4>表2に示す割合で各成分を用いる以外は実施例1と同じ要領にて、実施例2~12及び比較例1~3のポリシロキサン組成物を調製した。<レジスト下層膜の形成とその評価>シリコンウェハー上に、実施例及び比較例で得られた組成物を、スピンコート法により塗布した。スピンコートには、商品名CLEANTRACKACT12東京エレクトロン株製を使用した。以下、特に記載のないものについては同じ。得られた塗膜に対して220°Cのホットプレートで1分間PBを行い、レジスト下層膜を形成した。得られたレジスト下層膜の膜厚を膜厚測定装置商品名M-2000D、J.A.Woollam社製で測定したところ30nmであった。得られたレジスト下層膜について、以下に示す方法でレジスト下層膜の評価を行った。基板反射率各シリコン含有膜、下層膜形成用組成物商品名NFCHM8006、JSR株製、レジスト材料それぞれの屈折率パラメーターn及び消衰係数kを高速分光エリプソメーターM-2000J.A.Woollam社製により測定し、この測定値を元にシュミレーションソフトプロリスKLA-Tencor社製を用いて、NA1.3、Dipole条件下におけるレジスト材料/各シリコン含有膜/下層膜形成用組成膜を積層させた膜の基板反射率を求めた。反射率が1以下は○、1を超える場合を×とした。酸素エッチング耐性レジスト下層膜を、ドライエッチンッグ装置東京エレクトロン製、TeliusSCCMを用いて、100Wで120秒間O2処理し、処理前後の膜厚差を測定した。両者の差が10nm未満の場合は酸素エッチング耐性は非常に良好であり、10~15nmの範囲内である場合は使用可能な範囲、15nmを超える場合は不良であると評価できる。リソグラフィー評価、アルカリ水溶液現像12インチシリコンウェハ上に、下層反射防止膜商品名HM8006、JSR株製をスピンコートした後、PB250°C、60秒を行うことにより膜厚100nmの塗膜を形成した。該塗膜上に、実施例又は比較例で調製した組成物をスピンコートし、PB220°C、60秒した後、冷却23°C、60秒することにより膜厚30nmのレジスト下層膜を形成した。次いで、レジスト組成物商品名ARFAR2772JN、JSR株製を該レジスト下層膜上にスピンコートし、PB100°C、60秒した後、冷却23°C、30秒することにより膜厚100nmのレジスト層を形成した。更に、形成したレジスト膜上に上層膜形成組成物を、商品名LithiusPro-i東京エレクトロン株製を使用してスピンコートし、PB90°C、60秒を行うことにより膜厚90nmの上層膜を形成した。次いで、ArF液浸露光装置商品名S610C、NIKON社製を使用し、NA:1.30、Dipoleの光学条件にて、42nmライン/84nmピッチ形成用のマスクサイズのマスクを介して露光した。商品名LithiusPro-iのホットプレート上でPEB100°C、60秒をし、冷却23°C、30秒した後、現像カップのLDノズルにて、TMAH水溶液を現像液としてパドル現像30秒間し、超純水でリンスした。2000rpm、15秒間振り切りでスピンドライすることにより、42nmライン/84nmピッチのレジストパターンが形成された評価用基板を得て、後述のとおり、最小倒壊前寸法とパターン形状の評価を行った。該評価用基板のレジストパターンの測長及び観察には走査型電子顕微鏡商品名CG-4000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いた。上記評価用基板を得た際に、ラインの線幅が42nmであり、隣り合うライン間の距離スペースが84nmラインアンドスペースが1対2であるレジストパターンを形成した露光量mJ/cm2を最適露光量として、該最適露光量よりも段階的に大きな露光量で順次露光を行った。このとき、得られるパターンの線幅は次第に細くなるため、ある露光量に対応する線幅で最終的にレジストパターンの倒壊が観察される。そこで、レジストパターンの倒壊が確認されない最大の露光量に対応する線幅を最小倒壊前寸法nmと定義してパターン倒れ耐性の指標とした。最小倒壊前寸法の評価基準は、30nm以下の場合は良好、30nmを超え40nm以下の範囲内である場合は使用可能な範囲、40nmを超える場合は不良である。30nmから40nm以下の場合は○、40nmより大きい場合パターン倒れにより評価不可能の場合は×とした。パターン形状はレジストパターンのボトムに裾引きがない場合を○、パターン倒れ又は裾引きがある場合を×と評価した。リソグラフィー評価、有機溶剤現像12インチシリコンウェハ上に、反射防止膜形成材料商品名HM8006、JSR株製をスピンコートした後、PB250°C、60秒を行うことにより膜厚100nmの反射防止膜を形成した。該膜上に、ポリシロキサン組成物をスピンコートし、PB220°C、60秒した後、冷却23°C、60秒することにより膜厚30nmのレジスト下層膜を形成した。次いで、感放射線性樹脂組成物を該レジスト下層膜上にスピンコートし、PB90°C、60秒した後、冷却23°C、30秒することにより膜厚100nmのレジスト膜を形成した。次いで、ArF液浸露光装置商品名S610C、NIKON社製を使用し、NA:1.30、Dipoleの光学条件にて、40nmライン/80nmピッチ形成用のマスクサイズのマスクを介して露光した。商品名LithiusPro-iのホットプレート上でPEB100°C、60秒をし、冷却23°C、30秒した後、酢酸ブチルを現像液としてパドル現像30秒間し、メチルイソブチルカルビノールMIBCでリンスした。2000rpm、15秒間振り切りでスピンドライすることにより、40nmライン/80nmピッチのレジストパターンが形成された評価用基板を得て、後述のとおり、最小倒壊前寸法とパターン形状の評価を行った。該評価用基板のレジストパターンの測長及び観察には走査型電子顕微鏡商品名CG-4000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いた。上記評価用基板を得た際に、ラインの線幅が42nmであり、隣り合うライン間の距離スペースが80nmラインアンドスペースが1対2であるレジストパターンを形成した露光量mJ/cm2を最適露光量として、該最適露光量よりも段階的に小さな露光量で順次露光を行った。このとき、得られるパターンの線幅は次第に細くなるため、ある露光量に対応する線幅で最終的にレジストパターンの倒壊が観察される。そこで、レジストパターンの倒壊が確認されない最大の露光量に対応する線幅を最小倒壊前寸法nmと定義してパターン倒れ耐性の指標とした。最小倒壊前寸法の評価基準は、30nm以下の場合は良好、30nmを超え40nm以下の範囲内である場合は使用可能な範囲、40nmを超える場合は不良である。30nmから40nm以下の場合は○、40nmより大きい場合パターン倒れにより評価不可能の場合は×とした。パターン形状はレジストパターンのボトムに裾引きがない場合を○、パターン倒れ又は裾引きがある場合を×と評価した。得られた各評価結果を併せて表3に記載する。"