球状の光電変換素子を被覆する反射防止膜をドライエッチングして、この反射防止膜にテクスチャー構造を付与するのに際し、前記反射防止膜の表面にマスクを形成するマスク形成方法であって、上型と下型とを有し、これら上型と下型とを互いに接合したときに、球状光電変換素子の輪郭に対応したキャビティが画成されるように上型と下型の両接合面に窪み部が夫々形成され、各窪み部の表面にその全面に亘って凹凸形状が夫々形成されたものを用い、前記窪み部に形成した凹凸形状の各凹部に有機物を充填する工程と、前記キャビティ内に、反射防止膜で被覆された光電変換素子が収容されるように上型と下型とを互いに接合し、前記窪み部に形成した凹凸形状の各凸部を反射防止膜に圧接する工程と、前記上型と下型とを加熱し、有機物を反射防止膜の表面に転写する工程と、を含むことを特徴とするマスク形成方法。請求項1記載のマスク形成方法であって、前記上型と下型とがアルミニウム製であるものにおいて、前記窪み部に対するアルマイト処理により前記各窪み部の表面にその全面に亘って微細な凹凸形状を夫々付与することを特徴とするマスク形成方法。本発明は、以上の点に鑑み、球状の光電変換素子を被覆する反射防止膜の表面にエッチング用マスクを、簡単な工程で効率よく形成し得るマスク形成方法を提供することをその課題とする。上記課題を解決するために、本発明は、球状の光電変換素子を被覆する反射防止膜をドライエッチングして、この反射防止膜にテクスチャー構造を付与するのに際し、前記反射防止膜の表面にマスクを形成するマスク形成方法であって、上型と下型とを有し、これら上型と下型とを互いに接合したときに、球状光電変換素子の輪郭に対応したキャビティが画成されるように上型と下型の両接合面に窪み部が夫々形成され、各窪み部の表面にその全面に亘って凹凸形状が夫々形成されたものを用い、前記窪み部に形成した凹凸形状の各凹部に有機物を充填する工程と、前記キャビティ内に、反射防止膜で被覆された光電変換素子が収容されるように上型と下型とを互いに接合し、前記窪み部に形成した凹凸形状の各凸部を反射防止膜に圧接する工程と、前記上型と下型とを加熱し、有機物を反射防止膜の表面に転写する工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、上型及び下型の各窪み部を含む接合面に、例えば、マスクを構成する有機物の溶液を塗布した後、加熱乾燥や紫外線照射して、少なくとも各窪み部に夫々形成された凹凸形状の各凹部に有機物を充填する。この場合、上型及び下型の接合面の有機物はそのまま残しておいてもよい。次に、下型の各窪み部の全てに、反射防止膜で被覆された球状光電変換素子を夫々充填していく。この場合の充填方法としては、例えば、各窪み部が上方を向く姿勢で下型を設置し、この状態で下型の接合面上を、反射防止膜で被覆された球状光電変換素子を転動させ、下型の各窪み部に夫々落とし込み、その残余のものを回収すればよい。次に、各窪み部にて画成されるキャビティ内に、反射防止膜で被覆された球状光電変換素子が収容されるように、下型の上方から上型を接合する。これにより、窪み部に形成した凹凸形状の各凸部が、反射防止膜の表面を圧接する。この状態で、例えば、抵抗加熱式やランプ式のヒータで上型及び下型を加熱する。これにより、上型及び下型の各凹部に充填された有機物が溶解して反射防止膜の表面に転写される。このとき、各凸部が反射防止膜に圧接されているため、溶解した有機物が凸部の外側に滲み出さない。このため、反射防止膜の表面のうち凹部に対応する部分にのみ有機物が転写される。その結果、反射防止膜の表面全体に亘って、凸部に対応する間隔を存して粒状の有機物、即ち、マスクが形成される。このように本発明では、一対の型を用い、マスク材料を構成する有機物を光電変換素子の反射防止膜に対して押圧し、この状態で加熱して転写するだけであるため、上記従来の如くリソグラフィ技術を用いるものと比較して、簡単な工程で効率よく、反射防止膜の表面に有機物からなるエッチング用マスクを形成することができる。本発明においては、上型と下型とがアルミニウム製であるものにおいて、窪み部に対するアルマイト処理すれば、各窪み部の表面にその全面に亘って微細な凹凸形状を夫々付与することができる。この場合、アルマイト処理された各窪み部の表面はハニカム構造を有するため、上型及び下型の強度が向上できてよい。尚、本発明においては、上型及び下型に形成される窪み部の形状は半球状とすれば、キャビティの寸法管理等が容易にできてよい。また、反射防止膜の表面に転写される有機物としては、水素シルセスキオキサンHSQ、メチルシルセスキオキサンMSQ、ウレタン樹脂等を用いることができる。このような有機物を用いることで、反射防止膜に転写された有機物が上型及び下型から外れ易くなる。使用する有機物に応じて、上型と下型の加熱温度を適宜設定することができる。例えば、有機物がHSQである場合には、加熱温度を70~140°C、加熱時間を25~45分とすればよい。この場合、70°Cより低い温度では、反射防止膜に転写された有機物の硬化が不足して型崩れが生じるという不具合が生じ、140°Cより高い温度では、反射防止膜に転写された有機物が軟化して型崩れが生じるという不具合が生じる。更に、マスクが転写される反射防止膜が、SnO2膜、ITO膜、Si3N4膜、TiO2膜であるとき、本発明は適している。また、反射防止膜に有機物を転写し、この有機物が転写されたものを上型及び下型から取り出した後、有機物を硬化させるために加熱処理を行ってもよい。この場合、加熱温度を130~150°C、加熱時間を25~45分とすればよい。130°Cよりも低い温度では、ドライエッチング時の耐プラズマ性が低下し、150°Cよりも高い温度では、有機物が軟化して型崩れが生じる虞がある。以下、図面を参照して、本発明の実施形態のマスク形成方法について、球状の光電変換素子を被覆する反射防止膜をドライエッチングして、この反射防止膜にテクスチャー構造を付与するのに際し、前記反射防止膜の表面に粒状のマスクを形成する場合を例に説明する。図1は、本実施形態のマスク形成方法に用いられる転写装置を示す。転写装置TMは、アルミニウム製で平板状の上型1と下型2とを備える。これら上型1及び下型2の対向する両接合面1a、2aには窪み部1b、2bが夫々形成され、両接合面1a、2aを互いに接合したときに、後述する球状光電変換素子の輪郭に対応したキャビティが画成されるようになっている。窪み部1b、2bの形状は特に制限されないが、半球状にすれば、各窪み部1b、2bで画成されるキャビティの寸法管理等が容易にできてよい。この場合、上記キャビティの輪郭が球状光電変換素子の輪郭よりも略同等または僅かに小さくなるように、窪み部1b、2bの直径R1は例えば1mm程度にされる。窪み部1b、2bを含む上型1及び下型2の表面には、アルマイト処理陽極酸化処理により、陽極酸化皮膜3たる多孔質酸化アルミニウム膜が形成されている。このため、各窪み部1b、2bには、その全面に亘って凹凸形状が夫々形成されている。アルマイト処理に用いる酸性電解液としては、例えば、濃度が0.7M以下の硫酸やシュウ酸が挙げられる。酸性電解液の濃度が0.7Mを超えると、電流値が高くなりすぎて、酸化皮膜の表面に荒れが生じる虞がある。また、アルマイト処理時の電圧は30~60Vの範囲内に設定でき、浴温は30°C以下に設定できる。このような条件でアルマイト処理を行うことで、酸化皮膜3内に、例えば、径が20~150nmの円筒状の微細孔3aが複数形成される。この場合、酸化皮膜3がハニカム構造を有することで、上型1及び下型2の強度が向上できてよい。上型1の接合面1aと反対側の上面には、各凹部1bが下方を向く姿勢で上型1を位置決め保持する役割を兼ねる加熱/冷却プレート4が設けられている。また、下型2の接合面2aと反対側の下面には、各凹部2bが上方を向く姿勢で下型2を位置決め保持する役割を兼ねる加熱/冷却プレート5が設けられている。これらの加熱/冷却プレート4、5は、上型1及び下型2よりも大きな輪郭を有する本体41、51を備える。本体41、51には、図示省略の抵抗加熱式ヒータと、冷媒循環路とが設けられている。このヒータに図外の電源から通電することで本体41、51が加熱され、加熱された本体41、51と接触する上型1及び下型2が加熱される。また、冷媒循環路に図外の冷媒供給手段から冷媒を供給することで本体41、51が冷却され、冷却された本体41、51と接触する上型1及び下型2が冷却される。尚、抵抗加熱式ヒータの代わりに、ランプ式ヒータにより本体41、51を加熱するように構成してもよい。加熱/冷却手段4の本体41の上面には、この上面に対して直交方向に駆動軸6aが立設され、駆動軸6aに連結された加圧手段6により駆動軸6aを下方に駆動することで、固定の加熱/冷却手段5の本体51上に保持された下型2に対して上型1を所定圧力で押圧できる。また、駆動軸6aを上方に駆動することで、下型2から上型1を離間させることができるようになっている。以下、上記転写装置TMを用いたマスク形成方法について説明する。先ず、上型1及び下型2の各窪み部1b、2bを含む接合面1a、2aに、例えば、マスクを構成する有機物の溶液を塗布した後、加熱乾燥や紫外線照射を行う。これにより、図2aに示すように、少なくとも各窪み部1a、2aに夫々形成された凹凸形状の凹部、即ち、酸化皮膜3の微細孔3aに有機物7を充填する図2aでは下型2のみを示す。この場合、上型1及び下型2の接合面1a、2aの有機物はそのまま残しておいてもよい。有機物7としては、水素シルセスキオキサンHSQ、メチルシルセスキオキサンMSQ、ウレタン樹脂を用いることができる。かかる有機物7を用いることで、後述する反射防止膜に転写された有機物が上型1及び下型2から外れ易くなる。次に、下型2の各窪み部2bの全てに、反射防止膜ARで被覆された球状光電変換素子Eを夫々充填していく。この場合の充填方法としては、各窪み部2bが上方を向く姿勢で配置された下型2の接合面2a上を、球状光電変換素子Eを転動させ、各窪み部2bに夫々落とし込み、その残余の球状光電変換素子Eを回収すればよい。球状光電変換素子Eとしては、溶融シリコンを滴下させて得た球状p型シリコン結晶と、このシリコン結晶の表層にリン等のn型不純物を拡散させて形成したn型拡散層と、で構成される公知のものを用いることができる。反射防止膜ARが、例えば、SnO2膜、ITO膜、Si3N4膜、TiO2膜等であるとき、本実施形態は適している。このような反射防止膜ARは、スピンコート法、スクリーン印刷法又は真空蒸着法のような公知の方法を用いて形成することができる。次いで、各窪み部1b、2bにて画成されるキャビティ内に、反射防止膜ARで被覆された球状光電変換素子Eが収容されるように、加圧手段6により駆動軸6aを下方に駆動して、下型2の上方から上型1を接合して加圧する。これにより、図2bに示すように、各窪み部1b、2bに形成した凹凸形状の各凸部が、反射防止膜ARの表面に圧接する。そして、この状態で、加熱/冷却手段4、5の本体41、51を加熱することにより、上型1及び下型2を加熱する。これにより、各窪み部1b、2bに形成した凹凸形状の各凹部に充填された有機物7が溶解して反射防止膜ARの表面に転写される。このとき、各凸部が反射防止膜ARに圧接されているため、溶解した有機物7が凸部の外側に滲み出さない。このため、反射防止膜ARの表面のうち凹部に対応する部分にのみ有機物7が転写される。その結果、反射防止膜ARの表面全体に亘って、凸部に対応する間隔を存して粒状の有機物7が形成される。尚、上型1及び下型2の加熱温度は、有機物7の融点を考慮して適宜設定することができる。例えば、有機物7がHSQである場合には、加熱温度を70~140°C、加熱時間を25~45分とすればよい。この場合、70°Cより低い温度では、反射防止膜に転写された有機物の硬化が不足して型崩れが生じるという不具合が生じ、140°Cより高い温度では、反射防止膜に転写された有機物が軟化して型崩れが生じるという不具合が生じる。その後、加熱/冷却手段4、5の本体41、51を冷却することにより、上型1及び下型2を冷却する。冷却後、加圧手段6により駆動軸6aを上方に駆動することにより、加圧を解除して、上型1が下型2から所定距離だけ離間すると、球状光電変換素子Eを回収する。図3に示すように、回収した球状光電変換素子Eを被覆する反射防止膜ARの表面全体に亘って粒状の有機物7が転写されている。このように転写された有機物7を更に硬化させるため、例えばランプ式ヒータやホットプレート等の加熱手段を用いて加熱処理を行ってもよい。この場合、加熱温度を130~150°C、加熱時間を25~45分とすればよい。130°Cよりも低い温度では、ドライエッチング時の耐プラズマ性が低下し、150°Cよりも高い温度では、有機物が軟化して型崩れが生じる虞がある。以上説明した本実施形態によれば、一対の型1、2を用い、マスク材料を構成する有機物7を光電変換素子Eの反射防止膜ARに対して押圧し、この状態で転写するだけで、反射防止膜ARに粒状のエッチング用マスクを形成できる。従って、従来のリソグラフィ技術を用いるものと比較して、簡単な工程で効率よく、反射防止膜ARの表面に有機物7からなるエッチング用マスクを形成できる。そして、上記実施形態により形成された粒状の有機物7をマスクとして、公知のドライエッチング方法により反射防止膜ARをエッチングすることで反射防止膜ARにテクスチャー構造を付与することができる。その後、球状光電変換素子の電極形成部分を切除する。テクスチャー構造を有する反射防止膜で被覆された球状光電変換素子を備える球状太陽電池は、単に反射防止膜で被覆された球状光電変換素子を備えるものに比べて、受光光の反射を一層低減できる。[実施例]純度が99.5のアルミ製の平板状の上型1と下型2の両接合面1a、2aに直径が1mm程度の半球状の窪み部1b、2bを形成し、電解研磨を行って表面粗さRaを0.5μm以下にした。電解研磨が施された上型1及び下型2を、浴温17°Cの0.3Mシュウ酸水溶液中に浸漬させ、直流電圧40Vで30分間アルマイト処理を行うことで、上型1及び下型2の窪み部1b、2bを含む接合面1a、2aに陽極酸化皮膜3を形成した。得られた陽極酸化皮膜3には、図4のSEM写真で示すように、直径が20~150nmであり、かつピッチが40~300nmである複数の円柱状の孔凹部が形成されていることが判った。このように陽極酸化皮膜3を形成した上型1及び下型2を上記転写装置TMにセットした。これら上型1及び下型2の各窪み部1b、2bに形成された陽極酸化皮膜3の表面にHSQの溶液を塗布し、加熱乾燥することで、微細孔3aの内部にHSQを充填した。次いで、下型2の各窪み部2bの全てに、反射防止膜ARで被覆された球状光電変換素子Eを充填し、この下型2の接合面2aに上型1の接合面1aを圧接した状態で、100°Cの温度に加熱した。30分加熱した後、下型2から上型1を離間させて球状光電変換素子Eを回収した。回収したものを確認したところ、球状光電変換素子Eを被覆する反射防止膜ARの表面全体に亘って粒状の有機物7が転写されていた。そして、上記粒状の有機物7が転写されたものをランプ式ヒータにより140°Cの温度で30分加熱することで、有機物7を更に硬化させた。この有機物7をマスクとして、HIガス系を用いた公知のドライエッチング方法により、反射防止膜をドライエッチングすることで、反射防止膜にテクスチャー構造を付与できることを確認した。尚、本発明は上記実施形態及び実施例に限定されるものではない。例えば、本実施形態では、球状光電変換素子の表面全体を被覆する反射防止膜の表面にマスクを形成する場合について説明したが、球状光電変換素子の電極形成部分が切除され、電極形成部分以外を被覆する反射防止膜の表面にマスクを形成する場合にも本発明を適用することができる。