主成分が、酸化鉄と、酸化亜鉛と、酸化マンガンと、から構成され、前記主成分100重量に対して、副成分として、酸化ケイ素をSiO2換算で60~250ppm、酸化カルシウムをCaO換算で360~1000ppm、を含有し、さらにPbの含有量が10ppm以下、Cdの含有量が10ppm以下であるフェライト組成物であって、前記フェライト組成物の磁気損失の極小温度Tspが-10~50°Cの範囲にあり、前記主成分における前記酸化鉄の含有量をFe2O3換算でXモル、前記酸化亜鉛の含有量をZnO換算でZモル、残部を前記酸化マンガンとしたときに、前記フェライト組成物のキュリー温度Tc、前記Xおよび前記Zが下記式1~3を満足することを特徴とするフェライト組成物。Tc=12.8×X-2/3×Z-358...式162.1≦X≦65.1...式2293°C≦Tc≦396°C...式3請求項1に記載のフェライト組成物であって、さらに以下の式4および5を満足することを特徴とするフェライト組成物。Tsp=21.6X0.52Z-1520...式4-10°C≦Tsp≦50°C...式5請求項1または2に記載のフェライト組成物から構成されるフェライトコアを有し、1MHz以上の周波数領域で使用される電子部品。本発明は、このような実状に鑑みてなされ、高周波数の環境下において、使用温度あるいは環境温度が室温付近あるいは外気温付近で、高い飽和磁束密度を有するフェライト組成物および電子部品を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、フェライト組成物のキュリー温度Tcと、フェライト組成物の主成分組成と、を所定の範囲に制御するとともに、フェライト組成物の副成分の含有量を所定の範囲に制御することにより、高周波数の環境下において、使用温度あるいは環境温度室温付近あるいは外気温付近で、フェライト組成物の磁気損失が最小となり、しかも高い飽和磁束密度例えば570mT以上を実現することができることを見出し、本発明を完成するに到った。すなわち、本発明に係るフェライト組成物は、主成分が、酸化鉄と、酸化亜鉛と、酸化マンガンと、から構成され、前記主成分100重量に対して、副成分として、酸化ケイ素をSiO2換算で60~250ppm、酸化カルシウムをCaO換算で360~1000ppm、を含有し、さらにPbの含有量が10ppm以下、Cdの含有量が10ppm以下であるフェライト組成物であって、前記フェライト組成物の磁気損失の極小温度Tspが-10~50°Cの範囲にあり、前記主成分における前記酸化鉄の含有量をFe2O3換算でXモル、前記酸化亜鉛の含有量をZnO換算でZモル、残部を前記酸化マンガンとしたときに、前記フェライト組成物のキュリー温度Tc、前記Xおよび前記Zが下記式1~3を満足することを特徴とする。Tc=12.8×X-2/3×Z-358...式162.1≦X≦65.1...式2293°C≦Tc≦396°C...式3本発明では、上記の式1~3を用いて主成分の組成を決定し、さらに副成分の含有量を上記の特定の範囲としている。このようにすることで飽和磁束密度Bsが高いフェライト組成物例えば570mT以上を得ることができる。さらに、Tspが-10~50°Cの範囲内となるフェライト組成物とすることで、飽和磁束密度Bsを高く保ちつつ、高周波領域例えば1MHz以上においても、使用温度あるいは環境温度が室温付近あるいは外気温付近例えば-10~50°Cで、電力損失を低減することができる。本発明に係るフェライト組成物は、さらに、下記式4および5を満足することを特徴とする。Tsp=21.6X0.52Z-1520...式4-10°C≦Tsp≦50°C...式5本発明では、上記式4および式5を用いて、Tspが-10~50°Cの範囲内となるフェライト組成物の主成分組成を高精度で決定することができる。これにより、高周波領域例えば1MHz以上においても、使用温度あるいは環境温度が室温付近あるいは外気温付近例えば-10~50°Cで、電力損失が低減され、かつ高い飽和磁束密度を有するフェライト組成物を得ることができる。本発明に係る電子部品は、上記に記載のフェライト組成物から構成されるフェライトコアを有し、1MHz以上の周波数領域で使用される。本発明に係る電子部品は、フェライト組成物のTspが-10~50°Cの温度範囲にあるため、使用温度あるいは環境温度が室温付近または外気温付近例えば-10~50°Cである部品として好適である。しかも、高い飽和磁束密度を有すると共に、使用温度あるいは環境温度において磁気損失が最小となり、電力損失を低減できることから、省電力を実現することができる。このような電子部品としては、特に制限されないが、各種電子機器に用いられるDC-DCコンバータのコイル部品などが挙げられる。コイル部品としては、インダクタやチョークコイル等が挙げられる。また、Tspを示す温度付近までトランスを冷却することで、本発明に係る電子部品をトランスにも好適に用いることができる。トランス部品としては、スイッチング用、インバータ用等の電源トランス等が挙げられる。特に、使用温度あるいは環境温度が室温付近あるいは外気温付近例えば-10~50°Cとなる携帯電話やスマートフォン、PC、タブレットPC等の部品として好適である。以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。本実施形態に係るDC-DCコンバータ用フェライトコアとしては、図1に示したトロイダル型のほか、FT型、ET型、EI型、UU型、EE型、EER型、UI型、ドラム型、ポット型、カップ型等を例示することができる。このDC-DCコンバータ用フェライトコアの周囲に巻き線を所定巻数だけ巻回することにより所望のコイル磁芯を得る。本実施形態に係るDC-DCコンバータ用フェライトコアは、本実施形態に係るフェライト組成物で構成してある。本実施形態に係るフェライト組成物は、主成分が、酸化鉄と、酸化亜鉛と、酸化マンガンと、から構成され、前記主成分における前記酸化鉄の含有量をFe2O3換算でXモル、前記酸化亜鉛の含有量をZnO換算でZモル、残部を前記酸化マンガンとしたときに、前記フェライト組成物のキュリー温度Tc、前記Xおよび前記Zが下記式1~3を満足する。Tc=12.8×X-2/3×Z-358...式162.1≦X≦65.1...式2293°C≦Tc≦396°C...式3さらに、本実施形態に係るフェライト組成物は、前記フェライト組成物の磁気損失の極小温度Tsp、前記Xおよび前記Zが、さらに下記式4および5を満足する。Tsp=21.6X0.52Z-1520...式4-10°C≦Tsp≦50°C...式5したがって、本実施形態では、主成分100モル中、酸化鉄の含有量Xおよび酸化亜鉛の含有量Zは、Fe2O3およびZnO換算で、上記の式1~5を満足するように決定される。なお、主成分の残部は、酸化マンガンから構成される。Xは、好ましくは62.1~65.1モル、より好ましくは63.2~63.9モルである。酸化鉄の含有量が多すぎても少なすぎても、飽和磁束密度が低下する傾向にある。本実施形態に係るフェライト組成物は、上記の式で算出される主成分に加え、副成分として、酸化ケイ素および酸化カルシウムを含有している。このような副成分を含有させることで、高い飽和磁束密度を得ることができる。酸化ケイ素の含有量は、主成分100重量に対して、SiO2換算で、60~250ppm、より好ましくは100~200ppmである。酸化ケイ素の含有量が多くても少なすぎても、飽和磁束密度が低下する傾向にある。酸化カルシウムの含有量は、主成分100重量に対して、CaO換算で、360~1000ppm、より好ましくは360~730ppmである。酸化カルシウムの含有量が多くても少なすぎても、飽和磁束密度が低下する傾向にある。また、本実施形態に係るフェライト組成物は、上記主成分および副成分の他に、CdおよびPbを含有している。このような成分を所定の範囲に制御することにより、高い飽和磁束密度を得ることができる。Pbの含有量は、主成分100重量中に、10ppm以下、好ましくは2~5ppmである。その含有量が、主成分100重量中に、10ppmを超えると、飽和磁束密度が低下する傾向にある。Cdの含有量は、主成分100重量中に、10ppm以下、好ましくは2~5ppmである。その含有量が、主成分100重量中に、10ppmを超えると、飽和磁束密度が低下する傾向にある。PbおよびCdは、主成分原料である酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マンガン中に含まれることがある。PbおよびCdの含有量が所定の範囲を超えると、飽和磁束密度が低下する傾向にあることが、本願発明者らによって見出された。そこで、本発明では、原料中のCdおよびPbの含有量を厳密に管理し、上記の範囲内となるようにする。なお、PbおよびCdの含有量を所定の範囲に制御する方法は、特に限定されず、主成分にCdおよびPbの酸化物等を添加することで所定の範囲に制御してもよい。本実施形態に係るフェライト組成物は、上記の関係式1~5で算出される主成分に加え、所定の副成分を含有させることで、高い飽和磁束密度を有し、所望のTspに制御することができる。従来、Mn-Zn系フェライトにおいて、Tspを求める式としては、下記の式αが知られていた電子材料シリーズフェライト丸善株式会社発行、昭和63年の79頁記載。Tsp=-45.5X0.2Z2620...式α式αにおいて、XはFe2O3量モル、ZはZnO量モルである。しかし、Fe2O3量が多い領域例えば、58モル以上について、上記Tspを求める式αを用いて、Fe2O3量およびZnO量を決定しようとすると、例えばTspが-200°C以下となってしまい、現実的ではなく、上記のTspを求める式は、Fe2O3量が多い例えば、58モル以上場合には、成り立たないことが判明した。従来、Fe2O3量が多い領域例えば、58モル以上については、Tspを求める指標となるものが存在しないため、十分な検討がなされておらず、特に、1MHz以上の高周波数領域において、磁気損失を低減でき、高い飽和磁束密度を有するフェライト組成物については、何ら知見なかった。そこで、本発明者等は鋭意実験を行い、フェライト組成物中の酸化鉄の含有量が比較的多い場合に、Tspと酸化鉄および酸化亜鉛とが、上記の式αとは異なる関係を有することを見出した。すなわち、フェライト組成物中の酸化鉄の含有量をFe2O3換算でXモル、酸化亜鉛の含有量をZnO換算でZモルとしたときに、Tspと、XおよびZとは、下記の式4および式6を満足する。Tsp=21.6X0.52Z-1520...式4X≧58.0...式6酸化鉄の含有量が多い場合には例えば、58モル以上、磁気損失が極小となる温度Tspと、酸化鉄および酸化亜鉛の含有量と、が上記の関係式4を満足する。なお、主成分の残部は、酸化マンガンから構成される。このような新たなTspの関係式4によれば、酸化鉄の含有量が多い領域例えば、58モル以上についても、現実的なTspの値と、最適な酸化鉄及び酸化亜鉛の含有量を決定することが可能となる。本発明者等は、このような知見に基づき、従来のTspを求める式αにとらわれることなく、酸化鉄の含有量が多い領域例えば、58モル以上についても、鋭意研究を行った結果、特に、高い飽和磁束密度例えば570mT以上が得られる、フェライト組成物のキュリー温度Tcと、フェライト組成物中の酸化鉄および酸化亜鉛の含有量との関係を見出し、本発明に至った。すなわち、フェライト組成物中の酸化鉄の含有量をFe2O3換算でXモル、酸化亜鉛の含有量をZnO換算でZモルとしたときに、Tcと、XおよびZとは、下記の関係式1~3を満足する。Tc=12.8×X-2/3×Z-358...式162.1≦X≦65.1...式2293°C≦Tc≦396°C...式3本実施形態では、主成分100モル中、酸化鉄の含有量Xおよび酸化亜鉛の含有量Zは、Fe2O3およびZnO換算で、上記の式1を満足するように決定される。なお、主成分の残部は、酸化マンガンから構成される。ここで、キュリー温度Tcとは、フェライト組成物固有の物性値である。また、上記の式1により、フェライト組成物中の酸化鉄Fe2O3換算および酸化亜鉛ZnOの含有量により一義的に決定される値として、知られている。上記の式1~3を満足することによって、高い飽和磁束密度例えば570mT以上が得られるフェライト組成物の主成分組成を決定することができる。Xは、好ましくは62.1~65.1モル、より好ましくは63.2~63.9モルである。酸化鉄の含有量が多すぎても少なすぎても、飽和磁束密度が低下する傾向にある。さらに、本実施形態に係るフェライト組成物は、磁気損失が最小となる温度Tspが、-10~50°C、より好ましくは0~50°Cの範囲内にある。Tspをこの範囲とすることにより、高周波領域例えば1MHz以上においても、室温あるいは外気付近例えば-10~50°Cに使用温度および環境温度がある部品について、磁気損失を低く保つことができ、好適に使用することができる。特に、携帯電話やスマートフォン、PC、タブレットPC等の電子部品としての使用に適している。なお、高い飽和磁束密度を有する本実施形態に係るフェライト組成物は、上記Tcの関係式1~3を満足すると共に、下記式4および5を満足することにより、高い飽和磁束密度を有し、所望のTsp例えば-10~50°Cを有するフェライト組成物として、主成分100モル中の酸化鉄の含有量Xおよび酸化亜鉛の含有量Zを、さらに特定することができる。Tsp=21.6X0.52Z-1520...式4-10°C≦Tsp≦50°C...式5本実施形態に係るフェライト組成物は、上記式2で特定されているように酸化鉄の含有量が多いため62.1~65.1モル、磁気損失が極小となる温度Tspと、酸化鉄および酸化亜鉛の含有量と、が上記の新たなTspの式4を満足する。そのため、高い飽和磁束密度を有する本実施形態に係るフェライト組成物について、上記Tcの関係式1~3により主成分組成を限定し、さらに上記の新たなTspの式4を用いて、Tspを所定の範囲例えば-10~50°Cに制御することが可能となる。これにより、所望のTspと、高い飽和磁束密度を有するフェライト組成物を高精度に得ることができる。なお、Tspを所定の範囲例えば-10~50°Cに制御する方法は特に限定されず、上記の新たなTspの式4により予め組成から決定してもよいし、上記Tcの関係式1~3を満足するフェライト組成物について、Tspの実測値を測定し、所定の範囲にあるフェライト組成物のみを厳選してもよい。本実施形態に係るフェライト組成物は、所定のTsp例えば-10~50°Cを有することにより、使用温度あるいは環境温度が室温付近あるいは外気温付近-10~50°Cであっても、電力損失を低減することができる。すなわち、Tspは、フェライト組成物の磁気損失の極小温度であるところ、当該Tspが所定の範囲内にある場合には、室温付近あるいは外気温付近-10~50°Cにおいて、電力損失が最小となると考えられる。本実施形態に係るフェライト組成物は、フェライト組成物の磁気損失の極小温度Tspが-10~50°Cの範囲にあり、フェライト組成物のキュリー温度Tc、フェライト組成物中の酸化鉄の含有量Xおよび酸化亜鉛の含有量Zが上記式1~3を満足することを特徴とする。このような本実施形態に係るフェライト組成物によれば、高周波数の環境下において、使用温度あるいは環境温度が室温付近あるいは外気温付近-10~50°Cであっても、電力損失を低減することができ、かつ高い飽和磁束密度例えば570mT以上、より好ましくは590mT以上を実現することができる。次に、本実施形態に係るフェライト組成物の製造方法の一例を説明する。まず、出発原料主成分の原料および副成分の原料を、所定の組成比となるように秤量して混合し、原料混合物を得る。混合する方法としては、例えば、ボールミルを用いて行う湿式混合や、乾式ミキサーを用いて行う乾式混合が挙げられる。なお、平均粒径が0.1~3μmの出発原料を用いることが好ましい。主成分の原料としては、酸化鉄α-Fe2O3、酸化亜鉛ZnO、酸化マンガンMn3O4、あるいは複合酸化物などを用いることができる。さらに、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物等を用いることができる。焼成により上記した酸化物になるものとしては、例えば、金属単体、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、ハロゲン化物、有機金属化合物等が挙げられる。なお、主成分中の酸化マンガンの含有量はMnO換算で計算されるが、主成分の原料としては、Mn3O4が好ましく用いられる。副成分の原料としては、主成分の原料の場合と同様に、酸化物だけではなく複合酸化物や焼成後に酸化物となる化合物を用いればよい。酸化ケイ素SiO2の場合には、SiO2を用いることが好ましい。また、酸化カルシウムCaOの場合には、炭酸カルシウムCaCO3を用いることが好ましい。CdおよびPbについては、主成分の原料である酸化鉄、酸化亜鉛および酸化マンガンに含まれる場合がある。そのため、CdおよびPbの含有量の異なる種々の酸化鉄、酸化亜鉛および酸化マンガン原料の使用量を調整することで、CdおよびPbの含有量を調整することができる。なお、CdおよびPbの含有量を所定の範囲に制御する方法は、特に限定されず、主成分にCdおよびPbの酸化物等を添加することで所定の範囲に制御してもよい。この他、本実施形態に係るフェライト組成物には、原料中の不可避的不純物元素の酸化物が数ppm~数百ppm程度含まれ得る。具体的には、B、C、S、Cl、As、Se、Br、Te、Iや、Li、Na、Mg、Al、K、Ga、Ge、Sr、In、Sn、Sb、Ba、Bi等の典型金属元素や、Sc、Ti、V、Cr、Y、Nb、Mo、Pd、Ag、Hf、Ta等の遷移金属元素が挙げられる。次に、原料混合物の仮焼きを行い、仮焼き材料を得る。仮焼きは、原料の熱分解、成分の均質化、フェライトの生成、焼結による超微粉の消失と適度の粒子サイズへの粒成長を起こさせ、原料混合物を後工程に適した形態に変換するために行われる。こうした仮焼きは、好ましくは800~1100°Cの温度で、通常1~3時間程度行う。仮焼きは、大気空気中で行ってもよく、大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気や純酸素雰囲気で行っても良い。なお、主成分の原料と副成分の原料との混合は、仮焼きの前に行ってもよく、仮焼き後に行ってもよい。次に、仮焼き材料の粉砕を行い、粉砕材料を得る。粉砕は、仮焼き材料の凝集をくずして適度の焼結性を有する粉体とするために行われる。仮焼き材料が大きい塊を形成しているときには、粗粉砕を行ってからボールミルやアトライターなどを用いて湿式粉砕を行う。湿式粉砕は、仮焼き材料の平均粒径が、好ましくは1~2μm程度となるまで行う。次に、粉砕材料の造粒顆粒を行い、造粒物を得る。造粒は、粉砕材料を適度な大きさの凝集粒子とし、成形に適した形態に変換するために行われる。こうした造粒法としては、例えば、加圧造粒法やスプレードライ法などが挙げられる。スプレードライ法は、粉砕材料に、ポリビニルアルコールなどの通常用いられる結合剤を加えた後、スプレードライヤー中で霧化し、低温乾燥する方法である。次に、造粒物を所定形状に成形し、成形体を得る。造粒物の成形としては、例えば、乾式成形、湿式成形、押出成形などが挙げられる。乾式成形法は、造粒物を、金型に充填して圧縮加圧プレスすることにより行う成形法である。成形体の形状は、特に限定されず、用途に応じて適宜決定すればよいが、本実施形態ではトロイダル型形状とされる。次に、成形体の本焼成を行い、焼結体本実施形態のフェライト組成物を得る。本焼成は、多くの空隙を含んでいる成形体の粉体粒子間に、融点以下の温度で粉体が凝着する焼結を起こさせ、緻密な焼結体を得るために行われる。このような本焼成は、好ましくは900~1300°Cの温度で、通常2~5時間程度行う。本焼成は、大気空気中で行ってもよく、大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気で行っても良い。このような工程を経て、本実施形態に係るフェライト組成物は製造される。以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。例えば、上述した実施形態では、トロイダル型形状とするために、本焼成前に該形状に成形しているが、本焼成後に該形状に成形加工してもよい。以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。まず、主成分の原料として、Fe2O3、ZnOおよびMn3O4を準備した。副成分の原料として、SiO2およびCaCO3を準備した。なお、CdおよびPbについては、主成分の原料である酸化鉄、酸化亜鉛および酸化マンガンに含まれる。そのため、最終的に得られるサンプルが表1~3に記載のCd量およびPb量を含有するよう、CdおよびPbの含有量の異なる種々の酸化鉄、酸化亜鉛および酸化マンガン原料の使用量を調整して準備した。次に、準備した主成分の原料の粉末を、上記の式1により算出された含有量となるように秤量し、さらに、副成分の原料の粉末を表1~3に示す量となるように秤量した後、ボールミルで5時間湿式混合して原料混合物を得た。次に、得られた原料混合物を、空気中において950°Cで2時間仮焼して仮焼き材料とした後、ボールミルで20時間湿式粉砕して、平均粒径が1.5μmである粉砕材料を得た。次に、この粉砕材料を乾燥した後、該粉砕材料100重量に、バインダーとしてのポリビニルアルコールを1.0重量添加して造粒し、20メッシュの篩で整粒して顆粒とした。この顆粒を196MPa2ton/cm2の圧力で加圧成形して、トロイダル形状寸法=外径22mm×内径12mm×高さ6mmの成形体を得た。次に、これら各成形体を、酸素分圧を適宜制御しながら、1270°Cで2.5時間焼成して、焼結体としてのトロイダルコアサンプルを得た。得られたサンプルについて、蛍光X線分析を行い、フェライトコアの組成を測定した。結果を表1~3に示す。<飽和磁束密度Bs>得られたトロイダルコアサンプルに、巻線を60回巻回した後、B-Hカーブトレーサー理研電子株式会社製ModelBHS40を用いて2kA/mの磁場を印加したときの飽和磁束密度Bsを25°Cおよび100°Cにおいて測定した単位:mT。結果を表1~3および図2に示す。<損失が最小となる温度Tsp>得られたトロイダルコアサンプルに、1次巻線および2次巻線を3回ずつ巻回し、1MHz-50mTの条件において、-40~100°Cにおける電力損失Pcv単位:kW/m3を測定し、損失が最小となる温度Tspを求めた。表1および図2に示されるように、フェライト組成物のキュリー温度Tcおよびフェライト組成物中の酸化鉄Fe2O3の含有量が、所定の範囲内に制御されていないフェライト組成物は試料1~7、12~16および42~49、本発明の範囲外であり、570mT以上の高い飽和磁束密度を実現することができない。また、表1および図3に示すように、フェライト組成物の磁気損失が最小になる温度Tspが、所定の範囲内にないフェライト組成物は試料25、33、40および41等、本発明の範囲外であり、高周波数の環境下において、使用温度あるいは環境温度が室温付近あるいは外気付近である場合に、十分に電力損失を低減できず、使用に耐えない。一方、本発明のフェライト組成物は、フェライト組成物の磁気損失が最小になる温度Tspも所定の範囲内にあり、フェライト組成物のキュリー温度Tcおよびフェライト組成物中の酸化鉄Fe2O3の含有量が、所定の範囲内となるように主成分組成が制御されているため、高周波数の環境下において、使用温度あるいは環境温度が室温付近あるいは外気付近で、高い飽和磁束密度例えば570mT以上を実現できる試料8~11、17~24、26~32および34~39。また、表2より、副成分SiO2およびCaOを含有させても、Tspは変化せず、副成分の含有量を本発明の範囲内とすることで試料51~53および56~59、高い飽和磁束密度が得られることが確認できた。これに対し、表2より、副成分SiO2およびCaOの含有量が本発明の範囲外となっている場合試料50、54、55および60には、飽和磁束密度が良好な範囲とならないことが確認できた。また、表3より、原料中から含まれる、Cd、Pbの含有量を本発明の範囲内とすることで試料61~65および67~71、高い飽和磁束密度が得られることが確認できた。これに対し、表3より、CdまたはPbが本発明の範囲外となっている場合試料66および72には、飽和磁束密度が良好な範囲とならないことが確認できた。