"真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内でプラズマ空間に臨むように配置される第1の電極と、前記プラズマ空間側から見て前記第1の電極の背後に配置される第2の電極と、前記プラズマ空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記第1の電極に第1の高周波または直流を印加する第1の給電部と、前記第2の電極に第2の高周波を印加する第2の給電部とを有するプラズマ処理装置。前記プラズマ空間を挟んで前記第1の電極の真向かいに平行に配置される第3の電極を有する、請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記第3の電極に第3の高周波を印加する第3の給電部を有する、請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記処理ガス供給部が、前記処理ガスをシャワー状に噴出するように前記第1の電極に設けられたシャワーヘッドを有する、請求項1~3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。前記第2の下部電極の主面に凹部が形成され、その凹部に誘電体が埋め込まれている、請求項1~4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。前記誘電体の厚さが電極中心部から電極エッジ部に向って次第に小さくなる、請求項5に記載のプラズマ処理装置。しかしながら、上記のような下部2周波重畳印加方式を採る従来のプラズマ処理装置において、プラズマ生成用に高い高周波数領域40MHz以上を使用し、上記のように誘電体や高抵抗部材を埋め込んで電極中心部のインピーダンスを電極エッジ部のインピーダンスよりも相対的に高くする構造の下部電極を採用した場合は、下部電極の主面上面における電界強度分布がプラズマ生成用の周波数の高い高周波については均一性が向上する反面、イオン引き込み用の周波数の低い高周波については電極中心部側が電極エッジ部側よりも低くなり、却って均一性が低下する。このため、プラズマ密度の均一性を改善できてもそれと引き換えに異方性エッチング精度の均一性が低下するというトレードオフの問題があった。本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、容量結合型の片側の電極に周波数の異なる2つの高周波または直流と高周波を印加する方式において両高周波または直流と高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化できるようにしたプラズマ処理装置を提供する。本発明のプラズマ処理装置は、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内でプラズマ空間に臨むように配置される第1の電極と、前記プラズマ空間側から見て前記第1の電極の背後に配置される第2の電極と、前記プラズマ空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記第1の電極に第1の高周波または直流を印加する第1の給電部と、前記第2の電極に第2の高周波を印加する第2の給電部とを有する。上記の構成においては、プラズマ空間に臨む第1の電極には第1の高周波または直流を印加し、第1の電極の背後に配置される第2の電極には第2の高周波を印加するので、第1の電極に第1の高周波または直流の作用に最適な電極構造をもたせ、第2の電極に第2の高周波の作用に最適な電極構造をもたせることができる。本発明の好適な一態様によれば、プラズマ空間を挟んで第1の電極の真向かいに第3の電極が平行に配置される。そして、第3の給電部より第3の電極に第3の高周波が印加される。また、本発明の好適な一態様によれば、第2の電極の主面に凹部が形成され、その凹部に誘電体が埋め込まれる。この場合、誘電体の厚さが電極中心部から電極エッジ部に向って次第に小さくなる構成が好ましい。かかる電極構造によれば、プラズマ密度を高めるために第2の高周波の周波数を相当高くした場合に、第2の電極における表皮効果をキャンセルして第2の高周波に基づく高周波電界を電極半径方向において均一化させ、ひいてはプラズマ空間のプラズマ密度を電極半径方向において均一化させることができる。また、本発明の好適な一態様によれば、第1の電極において、処理ガス供給部のシャワーヘッドを兼ねた電極構造が採られる。本発明のプラズマ処理装置によれば、上記のように、容量結合型の片側の電極に周波数の異なる2つの高周波または直流と高周波を印加する方式において、該片側電極を上下に2分割して両高周波または直流と高周波を別々に印加するようにしたので、両高周波または直流と高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化することができる。以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。図1に、本発明の第1の実施形態によるプラズマエッチング装置の構成を示す。このプラズマエッチング装置は、下部2周波重畳印加方式の容量結合型プラズマエッチング装置として構成されており、たとえばアルミニウムまたはステンレス鋼からなる金属製の円筒型チャンバ処理容器10を有している。チャンバ10は保安接地されている。チャンバ10の底面には、たとえばセラミックからなる環状の絶縁部材12を介して下部電極と基板保持台を兼ねるサセプタ14が設けられる。このサセプタ14は、本発明における第1および第2の下部電極をそれぞれ構成する上部サセプタ電極16および下部サセプタ電極18を有している。上記環状絶縁部材12の上に環状または円筒状の給電体20が配置され、この円筒給電体20の上部に上部サセプタ電極16が略水平に取り付けられる。この上部サセプタ電極16は、被処理基板たとえば半導体ウエハWより一回り大きな口径を有する円形の平板電極であり、後述する理由から好ましくは抵抗率の高い導電材料たとえばタングステンWあるいはシリコンSiなどで構成されている。環状絶縁部材12は、伝送損失の少ない低抵抗率の材質たとえばアルミニウムからなる。上部サセプタ電極16には、第1高周波電源22が整合器24、給電棒26および円筒給電体20を介して電気的に接続されている。第1高周波電源22は、サセプタ14上に保持される半導体ウエハWに対するイオンの引き込みに主として寄与する所定の周波数たとえば2MHzの第1高周波を所望のパワーで出力する。この第1高周波電源22からの第1高周波2MHzは、整合器24、給電棒26および円筒給電体20を通って上部サセプタ電極16に供給される。そして、上部サセプタ電極16の主面上面より上方のプラズマ空間PSに向けて放出されるようになっている。下部サセプタ電極18は、抵抗率の低い導電材料たとえばアルミニウムからなる円形の略平板電極である。周囲16,20から電気的に絶縁された状態で環状絶縁部材12の内側かつ上部サセプタ電極16の直下に配置される。図示のように、下部サセプタ電極18の主面上面には電極中心が底になるようなテーパ状の凹部が形成され、この凹部に誘電体28が埋め込まれている。かかる電極構造は、電極径方向における電界強度ないしプラズマ密度の均一性を向上させるためのものであり、上記特許文献1特開2004-363552記載の技術を用いている。下部サセプタ電極18と環状絶縁部材12、上部サセプタ電極16との間の隙間は、放電を防止するために、たとえばセラミックからなる筒状絶縁体30および円板形絶縁体32で塞いでおくのが好ましい。下部サセプタ電極18には、第2高周波電源34が整合器36および給電棒38を介して電気的に接続されている。第2高周波電源34は、プラズマの生成に主として寄与する所定の周波数たとえば40MHzの高周波を所望のパワーで出力する。この第2高周波電源34からの第2高周波40MHzは、整合器36および給電棒38を通って下部サセプタ電極18に供給される。そして、下部サセプタ電極18の主面上面より上方のプラズマ空間PSに向けて放出されるようになっている。上部サセプタ電極16の上面には、半導体ウエハWを静電吸着力で保持するための静電チャック40が設けられている。この静電チャック40は導電膜からなる電極42を一対の絶縁層または絶縁シート44の間に挟み込んだものであり、電極42には直流電源46が電気的に接続されている。直流電源46からの直流電圧により、クーロン力で半導体ウエハWをチャック上に吸着保持できるようになっている。静電チャック40の周囲には、エッチングの均一性を向上させるためのたとえばシリコンからなるフォーカスリング48が配置されている。環状絶縁部材12および円筒状給電体20の外周面にはたとえば石英からなる円筒状の内壁部材50が貼り付けられている。サセプタ14に載置される半導体ウエハWの温度を制御するために、上部サセプタ電極16の内部に冷媒室または冷媒通路図示せずを設け、外付けのチラーユニット図示せずより該冷媒通路に所定温度の冷媒たとえば冷却水を循環供給する構成も可能である。また、同じく半導体ウエハWの温度を制御するために、伝熱ガス供給機構図示せずからの伝熱ガスたとえばHeガスをガス供給ライン図示せずを介して静電チャック40の上面と半導体ウエハWの裏面との間に供給する構成も可能である。チャンバ10の天井には、サセプタ12と平行に向かい合って接地電位の上部電極を兼ねるシャワーヘッド52が設けられている。このシャワーヘッド52は、多数のガス通気孔54aを有する下面の電極板54と、この電極板54を着脱可能に支持する電極支持体56とを有する。電極板54はたとえばSi,SiCからなり、電極支持体56はたとえばアルマイト処理されたアルミニウムからなる。電極支持体56の内部にガス室58が設けられ、このガス室58にはガス供給管60を介して処理ガス供給源62が接続されており、ガス供給管60にマスフローコントローラMFC64および開閉バルブ66が設けられている。処理ガス供給源62より所定の処理ガスがガス室58に導入されると、電極板54のガス噴出孔54aよりサセプタ14上の半導体ウエハWに向けて処理ガスがシャワー状に噴出されるようになっている。サセプタ14とチャンバ10の側壁との間に形成される環状の空間は排気空間となっており、この排気空間の底にはチャンバ10の排気口68が設けられている。この排気口68に排気管70を介して排気装置72が接続されている。排気装置72は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ10の室内、特にプラズマ処理空間を所望の真空度まで減圧できるようになっている。また、チャンバ10の側壁には半導体ウエハWの搬入出口74を開閉するゲートバルブ76が取り付けられている。このプラズマエッチング装置において、エッチングを行なうには、先ずゲートバルブ76を開状態にして加工対象の半導体ウエハWをチャンバ10内に搬入して、静電チャック40の上に載置する。そして、処理ガス供給源62より所定の処理ガスつまりエッチングガス一般に混合ガスを所定の流量および流量比でチャンバ10内に導入し、排気装置72による真空排気でチャンバ10内の圧力を設定値にする。さらに、第1高周波電源22よりそれぞれ所定のパワーで第1高周波2MHzを上部サセプタ電極16に印加すると同時に、第2高周波電源34よりそれぞれ所定のパワーで第2高周波40MHzを下部サセプタ電極18に印加する。また、直流電源46より直流電圧を静電チャック40の電極42に印加して、半導体ウエハWを静電チャック40上に固定する。上部電極またはシャワーヘッド52より吐出されたエッチングガスは処理空間PSで高周波の放電によってプラズマ化し、このプラズマで生成されるラジカルやイオンによって半導体ウエハWの主面の膜がエッチングされる。この容量結合型プラズマエッチング装置は、サセプタ14の下部サセプタ電極18に40MHzというプラズマ生成に適した比較的高い周波数の第2高周波を印加することにより、プラズマを好ましい解離状態で高密度化し、より低圧の条件下でも高密度プラズマを形成することができる。それと同時に、サセプタ14の上部サセプタ電極16に2MHzというイオン引き込みに適した比較的低い周波数の第1高周波を印加することにより、サセプタ14の上方の半導体ウエハWに対して選択性の高い異方性のエッチングを施すことができる。次に、この実施形態のプラズマエッチング装置において本発明の特徴部分であるサセプタ14の作用を詳細に説明する。上記したように、サセプタ14は上部サセプタ電極16と下部サセプタ電極18とに上下に2分割されており、上部サセプタ電極16には第1高周波電源22からの第1高周波2MHzが印加され、下部サセプタ電極18には第2高周波電源34からの第2高周波40MHzが印加される。ここで、上部サセプタ電極16は単一材質かつ一定板厚の平板電極である。周波数の低い第1高周波2MHzの電流が上部サセプタ電極16の主面を流れる際の表面厚さは厚く表皮効果は小さく、電極中心部に偏ることなく電極主面の各位置からほぼ均一にプラズマ空間PSへ放出される。これにより、第1高周波2MHzによってサセプタ14上に形成される高周波電界の強度分布を電極半径方向においてほぼ均一化することができる。よって、該高周波電界に追従して半導体ウエハWに入射するイオンの引き込み量をウエハ面内の各部で均一化させ、ひいては異方性エッチングの形状または選択性の面内均一性を向上させることができる。一方、下部サセプタ電極18は、上記のように電極主面上面にテーパ状の凹部を形成し、この凹部に誘電体28を埋め込んでいる。周波数が相当高くて表皮厚さの薄い表皮効果の大きい第2高周波40MHzの電流に対しては電極中心への集中を抑制する作用が効いて、電極主面の各位置からほぼ均一にプラズマ空間PSへ放出させる。これにより、第2高周波40MHzによってサセプタ14上に形成される高周波電界の強度分布を電極半径方向においてほぼ均一化することができる。よって、高周波電界による加速でプラズマ空間PS内のガス分子に衝突する高周波電流または電子電流の大きさひいてはプラズマの密度をウエハ直上で均一化させ、ひいてはエッチングレートの面内均一性を向上させることができる。なお、下部サセプタ電極18からプラズマ空間PSに向って高周波電流が放出されるに際して、上部サセプタ電極16にうず電流が流れ、このうず電流によって生成される磁界が下部サセプタ電極18からの高周波の直進を妨げるように働く。このことから、この実施形態では、上部サセプタ電極16を抵抗率の高い材質で構成することで、うず電流を抑制し、下部サセプタ電極18からプラズマ空間PSに向って放出される高周波が上部サセプタ電極16で受ける影響を少なくしている。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、上述した実施形態は本発明を限定するものではない。当業者にあっては、具体的な実施態様において本発明の技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形変更を加えることが可能である。たとえば、上記した実施形態における下部サセプタ電極18の電極構造は一例にすぎない。下部サセプタ電極18においては、電極径方向における電界強度ないしプラズマ密度の均一性を向上させるためにたとえば上記特許文献1に開示されるような種々の電極構造を採ることが可能であり、特に本発明においては上部サセプタ電極16から独立しているので、一層自由な電極構造を採ることが可能である。たとえば、図2に示すように、下部サセプタ電極18をリング状に形成し、下部サセプタ電極18よりプラズマ空間PSに向って放出させる第2高周波を電極中心部で相対的かつ積極的に弱める構成とすることも可能である。また、下部サセプタ電極18をこのようにリング状に形成することで、上部サセプタ電極16に接続する給電棒26を下部サセプタ電極18の中心開口に通すこともできる。この場合、給電棒26と下部サセプタ電極18の内周面との間の隙間を円筒状の絶縁体78で塞いでよい。また、本発明は上部電極側に高周波を印加する方式にも適用可能である。たとえば、図3に示す変形例は、上部電極80およびサセプタ下部電極82に周波数の異なる高周波をそれぞれ印加する方式の容量結合型プラズマエッチング装置において、上部電極80に本発明を応用したものである。この上部電極80は、プラズマ空間PSを挟んで直下のサセプタ82と対向する第1上部電極84と、この第1上部電極84の背後または上方に配置されている第2上部電極86とを有している。より詳細には、第1上部電極84は、シャワーヘッドを兼ねた電極構造を有しており、リング状の誘電体88によってチャンバ90から電気的に絶縁された状態つまりフローティング状態で取り付けられている。この第1上部電極84には可変直流電源92より直流電圧が印加される。また、第1上部電極84の内部またはガス室にはガス供給管60を介して処理ガス供給源62が接続される。第2上部電極86は、上記実施形態における下部サセプタ電極18と同様の電極構造を有するものでよく、逆さの向きで下方を向いて配置される。また、周囲を絶縁体94で囲まれており、第1上部電極84やチャンバ90から電気的に絶縁されている。この第2上部電極86には高周波電源96より整合器図示せずを介してプラズマ生成用の高周波たとえば60MHzが印加される。サセプタ82は、通常の円板形に形成され、その上面に半導体ウエハWを保持する電極構造を有しており、高周波電源98より整合器図示せずを介してイオン引き込み用の高周波たとえば13.56MHzを印加される。このプラズマエッチング装置においては、第2上部電極86よりプラズマ空間PSに向けて放出される高周波60MHzによって電極半径方向において均一化されたプラズマを生成することができる。また、プラズマ生成用の高周波60MHzから独立してサセプタ82よりプラズマ空間PSに向けて放出される高周波13.56MHzによって電極半径方向においてほぼ均一に半導体ウエハWにイオンを引き込むことができる。第1上部電極86は、上記した実施形態と同様に、たとえばタングステンやシリコンなどの高抵抗率の材質からなり、第2上部電極86からプラズマ空間PSに向う高周波60MHzを妨害しないようにしてよい。また、直流電源92より印加される直流電圧により、たとえばプラズマに種々の作用たとえばプラズマポテンシャルを制御する作用、プラズマ密度を上昇させる作用を加えることができる。本発明は、上記実施形態のようなプラズマエッチングに限定されず、プラズマCVD、プラズマ酸化、プラズマ窒化、スパッタリングなどの他のプラズマ処理にも適用可能である。また、本発明における被処理基板は半導体ウエハに限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の基板や、フォトマスク、CD基板、プリント基板等も可能である。"