"圧電性超音波変換子装置との接続を形成する方法であって、前記圧電性超音波変換子装置は、機器基板上の誘電層上に配置された変換子機器を備え、かつ第1の電極および第2の電極の間に配置された圧電性材料を含み、前記機器基板および前記誘電層は、前記第1の電極にまで延在し、かつ第1の伝導性材料で実質的に充填された第1のビアを画定し、前記変換子機器は、前記機器基板および前記第1の伝導性材料と係合される支持部材をさらに含み、かつそこにまで延在する第2のビアを画定し、前記第2のビアは、その上に配置された第2の伝導性材料を有し、かつ前記第1の伝導性材料との電気伝導性係合を形成し、前記第2の伝導性材料は、前記支持部材の外に接近可能であるように前記第2のビアの外方に延在し、前記方法は、前記支持部材および前記第2の伝導性材料のうち1つに接続支持基板を接合することと、前記接続支持基板を食刻し、前記第2の伝導性材料にまで延在する第3のビアを画定することと、前記接続支持基板に接続素子を接合することであって、前記接続素子は、前記第3のビアに挿入され、かつ前記第2の伝導性材料と電気伝導性係合することと、を含む、方法。接続支持基板を接合することが、接続支持基板を前記支持部材および前記第2の伝導性材料のうち1つに、それらの間に係合される非伝導性接合材料で接合することをさらに含む、請求項1に記載の方法。接続素子を接合することが、接続素子を前記接続支持基板および前記第2の伝導性材料のうち1つに、それらの間かつ前記第3のビア内に係合される、伝導性エポキシ等の接合材料で接合することをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記接続支持基板上に絶縁体材料を堆積させることであって、前記絶縁体材料は、前記接続支持基板を食刻した後および前記接続素子を接合する前に、前記第3のビアに延在しかつ前記第2の伝導性材料に近接することをさらに含む、請求項1に記載の方法。接続素子を接合することが、絶縁体により外接される細長い導体を備える接続素子を、前記接続支持基板に接合することであって、前記導体が前記第2の伝導性材料と電気伝導性係合するように、前記接続素子が前記第3のビアに挿入されることをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記接続支持基板に接続素子を接合することが、前記接続支持基板に接続素子を、それらの間かつ前記第3のビアの外に係合される、非伝導性エポキシ等の接合材料で接合することをさらに含む、請求項1に記載の方法。圧電性超音波変換子装置との接続を形成する方法であって、前記圧電性超音波変換子装置は、機器基板上の誘電層上に配置された変換子機器を備え、かつ第1の電極および第2の電極の間に配置された圧電性材料を含み、前記機器基板および前記誘電層は、前記第1の電極にまで延在し、かつ第1の伝導性材料で実質的に充填された第1のビアを画定し、前記変換子機器は、前記機器基板および前記第1の伝導性材料と係合され、かつそこにまで延在する第2のビアを画定する支持部材をさらに含み、前記第2のビアは、その上に配置された第2の伝導性材料を有し、かつ前記第1の伝導性材料との電気伝導性係合を形成し、前記第2の伝導性材料は、前記支持部材の外に接近可能であるように前記第2のビアの外方に延在し、前記方法は、接続支持基板を食刻し、そこを通じて延在する第3のビアを画定することと、前記接続支持基板に接続素子を接合することであって、前記接続素子は、前記第3のビアに挿入され、かつそこを通じて延在することと、前記接続素子が前記第2の伝導性材料と電気伝導性係合するように、前記支持部材および前記第2の伝導性材料のうち1つに前記接続素子および前記接続支持基板のうち1つを接合することと、を含む、方法。前記接続支持基板を食刻した後および前記接続素子および前記接続支持基板の1つを接合する前に、絶縁体材料が前記第3のビアに沿って延在するように、前記接続支持基板上に前記絶縁体材料を堆積させることをさらに含む、請求項7に記載の方法。接続素子を接合することが、前記接続支持基板に接続素子を、それらの間かつ前記第3のビアの外に係合される、非伝導性エポキシ等の接合材料で接合することをさらに含む、請求項7に記載の方法。接続素子を接合することが、絶縁体により外接される細長い導体を備える接続素子を、前記接続支持基板に接合することであって、前記導体が前記第3のビアを通じて延在するように、前記接続素子が前記第3のビアに挿入されることをさらに含む、請求項7に記載の方法。前記支持部材および前記第2の伝導性材料のうち1つに前記接続素子および前記接続支持基板のうち1つを接合する前に、前記接続素子および前記接続支持基板を平面化することをさらに含む、請求項7に記載の方法。前記支持部材および前記第2の伝導性材料のうち1つに前記接続素子および前記接続支持基板のうち1つを接合することが、少なくとも前記接続支持基板を前記支持部材に、それらの間に係合される非伝導性接合材料で接合することをさらに含む、請求項7に記載の方法。前記支持部材および前記第2の伝導性材料のうち1つに前記接続素子および前記接続支持基板のうち1つを接合することが、そこを通じて延在する前記接続素子を有する前記接続支持基板に前記非伝導性接合材料を貼付することと、前記非伝導性接合材料を通じて延在し、かつ前記接続素子を露出する第4のビアを形成するように、前記非伝導性接合材料を選択的に除去することと、第3の伝導性材料が前記接続素子と電気伝導性係合を形成し、かつ前記第2の伝導性材料と前記電気伝導性係合を形成するように前記非伝導性接合材料を少なくとも通じて延在するように、前記第4のビア内に前記第3の伝導性材料を堆積させることと、をさらに含む、請求項12に記載の方法。前記支持部材および前記第2の伝導性材料のうち1つに前記接続素子および前記接続支持基板のうち1つを接合することが、そこを通じて延在する前記接続素子を有する前記接続支持基板に前記非伝導性接合材料を貼付することであって、前記非伝導性接合材料は、そこを通じて延在しかつ前記接続素子を露出する第4のビアを画定するようにあらかじめパターン形成されることと、第3の伝導性材料が前記接続素子と電気伝導性係合を形成し、かつ前記第2の伝導性材料と前記電気伝導性係合を形成するように前記非伝導性接合材料を少なくとも通じて延在するように、前記第4のビア内に前記第3の伝導性材料を堆積させることと、をさらに含む、請求項12に記載の方法。前記支持部材および前記第2の伝導性材料のうち1つに前記接続素子および前記接続支持基板のうち1つを接合することが、少なくとも前記接続素子を前記第2の伝導性材料に、それらの間に係合される、異方伝導性エポキシ等の伝導性接合材料で接合すること、または、前記接続素子を前記前記第2の伝導性材料に、それらの間に係合される伝導性半田素子および伝導性鋲素子の1つで接合することをさらに含む、請求項7に記載の方法。前記接続素子および前記接続支持基板のうち1つと、前記支持部材および前記第2の伝導性材料のうち1つとの間に集積回路機器を間置することであって、前記集積回路機器は、少なくとも前記接続素子および前記第2の伝導性材料と電気伝導性係合するか、または、少なくとも前記接続素子および前記第2の伝導性材料の間で電気伝導性係合を容易化するように構成されることをさらに含む、請求項15に記載の方法。圧電性超音波変換子装置であって、機器基板上の誘電層上に配置され、かつ第1の電極および第2の電極の間に配置された圧電性材料を含む変換子機器であって、前記機器基板および前記誘電層は、前記第1の電極にまで延在し、かつ第1の伝導性材料で実質的に充填された第1のビアを画定し、前記変換子機器は、前記機器基板および前記第1の伝導性材料と係合され、かつそこにまで延在する第2のビアを画定する支持部材をさらに含み、前記第2のビアは、その上に配置され、かつ前記第1の伝導性材料との電気伝導性係合を形成する第2の伝導性材料を有し、前記第2の伝導性材料は、前記支持部材の外に接近可能であるように前記第2のビアの外方に延在する、変換子機器と、接続支持基板により画定された第3のビアを通じて延在し、かつ前記第2の伝導性材料と電気伝導性係合する接続素子であって、前記接続素子および前記接続支持基板のうち1つは、それらの間に係合される接合材料により前記支持部材および前記第2の伝導性材料のうち1つに接合される、接続素子と、を備える、装置。前記接続支持基板が前記支持部材に、それらの間に係合される非伝導性接合材料で接合される、請求項17に記載の装置。前記接続要素が前記第2の伝導性材料に、それらの間に係合される伝導性エポキシ、伝導性半田素子、伝導性鋲素子、および異方伝導性エポキシのうち1つで接合される、請求項17に記載の装置。前記接続素子が前記接続支持基板に、それらの間かつ前記第3のビアの外に係合される非伝導性エポキシで接合される、請求項17に記載の装置。前記接続素子および前記接続支持基板のうち1つと、前記支持部材および前記第2の伝導性材料のうち1つとの間に間置された集積回路機器であって、前記集積回路機器は、少なくとも前記接続素子および前記第2の伝導性材料と電気伝導性係合するか、または、少なくとも前記接続素子および前記第2の伝導性材料の間で電気伝導性係合を、それにより画定された機器ビア内でそこを通じて延在する伝導性素子を経由して容易化するように構成される、集積回路機器をさらに備える、請求項17に記載の装置。圧電性超音波変換子装置との接続を形成する方法であって、前記圧電性超音波変換子装置は、機器基板上の誘電層上に配置された変換子機器を備え、かつ第1の電極および第2の電極の間に配置された圧電性材料を含み、前記機器基板および前記誘電層は、前記第1の電極にまで延在し、かつ第1の伝導性材料で実質的に充填された第1のビアを画定し、前記変換子機器は、前記機器基板および前記第1の伝導性材料と係合され、かつそこにまで延在する第2のビアを画定する支持部材をさらに含み、前記第2のビアは、その上に配置された第2の伝導性材料を有し、かつ前記第2のビアの端壁の周りに前記第1の伝導性材料と電気伝導性係合を形成し、前記方法は、前記支持部材に接続素子を接合することであって、前記接続素子は、前記第2の伝導性材料と電気伝導性係合し、かつ前記第2のビアの前記端壁から相隔たるように、前記第2のビアに受け入れられること、を含む、方法。接続素子を接合することが、接続素子を前記支持部材に、それらの間かつ前記第2のビアの外に係合される、伝導性エポキシ等の接合材料で接合することをさらに含む、請求項22に記載の方法。接続素子を接合することが、接続素子を前記支持部材に、前記接続素子および前記第2の伝導性材料の間で電気伝導性係合する伝導性エポキシで接合することであって、前記伝導性エポキシは前記第2のビアの外に配置されることをさらに含む、請求項23に記載の方法。前記接続素子を接続支持基板と係合させることであって、前記接続素子は、前記支持部材に前記接続素子を接合する前に、前記接続支持基板により画定された第3のビアに挿入され、かつそこを通じて延在することをさらに含む、請求項23に記載の方法。前記接続支持基板に前記接続素子を接合する前に、前記接続支持基板を食刻し、そこを通じて延在する前記第3のビアを画定することをさらに含む、請求項25に記載の方法。音響部材を前記接続支持基板と係合させることであって、前記音響部材は、前記接続素子を前記接続支持基板と係合させる前に、前記第3のビアに対応する音響部材ビアを画定し、前記接続素子は、前記支持部材に前記接続素子を接合する前に、前記接続支持基板により画定された前記第3のビア、および前記音響部材により画定された前記音響部材ビアに挿入され、かつそこを通じて延在することをさらに含む、請求項25に記載の方法。圧電性超音波変換子装置であって、機器基板上の誘電層上に配置され、かつ第1の電極および第2の電極の間に配置された圧電性材料を含む変換子機器であって、前記機器基板および前記誘電層は、前記第1の電極にまで延在し、かつ第1の伝導性材料で実質的に充填された第1のビアを画定し、前記変換子機器は、前記機器基板および前記第1の伝導性材料と係合され、かつそこにまで延在する第2のビアを画定する支持部材をさらに含み、前記第2のビアは、その上に配置された第2の伝導性材料を有し、かつ前記第2のビアの端壁の周りに前記第1の伝導性材料との電気伝導性係合を形成する、変換子機器と、前記支持部材により画定された前記第2のビアに受け入れられ、かつそれらの間に係合される接合材料により前記支持部材に接合される接続素子であって、前記接続素子は、前記第2の伝導性材料と電気伝導性係合し、かつ前記第2のビアの前記端壁から相隔たる、接続素子と、を備える、装置。前記第2の伝導性材料が、前記支持部材の外に接近可能である、請求項28に記載の装置。前記接合材料が、前記第2のビアの外で、前記接続素子および前記第2の伝導性材料の間に係合され、かつそれらと電気伝導性係合する電気伝導性エポキシを含む、請求項28に記載の装置。前記接続素子を挿入されかつそこを通じて延在する第3のビアを画定する接続支持基板をさらに備える、請求項28に記載の装置。前記接続支持基板と係合される音響部材であって、前記音響部材は、前記第3のビアに対応する音響部材ビアを画定し、前記接続素子を挿入されかつそこを通じて延在する、音響部材をさらに備える、請求項31に記載の装置。開示の詳細な記載本開示は、ここで、添付図面を参照して下文により十分に記載されることになり、その中で、本開示のいくつかの、しかし全てでない態様が示されている。実際に、本開示を多くの異なる形態で具現してよく、かつ本明細書に明記されている態様に限定されるものとして解釈するべきでなく、むしろ、こうした態様は、本開示が該当する法定要件を満足することになるように提供される。同様の数字は、全体を通じて同様の要素を指す。本開示の態様は超音波変換子に概して適用可能であるが、特定の態様は、空気支持された空洞部を有する圧電性の微小機械加工された超音波変換子pMUTをとりわけ対象にする。より具体的には、本開示の態様は、pMUT機器と、例えば、集積回路IC、屈曲ケーブル、またはケーブル組立体との間に電気伝導性接続を形成する改善された方法を対象にし、それにより、個々の信号導線が、変換子群列内の各自のpMUT機器を係合させるように、変換子群列の操作方向に平行に延在する概して、例えば、図2を参照されたい。そのような態様では、例えば、図3に示されているように、1Dおよび2Dの変換子群列に実装された代表的なpMUT機器は、機器基板240上の誘電層220上に配置された変換子機器を備えることがあり、そこで、変換子機器200は、第1の電極280および第2の電極300の間に配置された圧電性材料260を含む。機器基板240および誘電層220は、第1の電極280にまで延在する第1のビア320を画定し、そこで、第1のビア320は、第1の伝導性材料340で実質的に充填される。変換子機器200は、機器基板240および第1の伝導性材料340と係合され、かつそこにまで延在する第2のビア380を画定する支持部材360例えば、絶縁体上ケイ素基板をさらに含む。第2のビア380は、その上に配置された第2の伝導性材料400を有し、第2の伝導性材料400は、第1の伝導性材料340との電気伝導性係合を形成する。第2の伝導性材料400は、支持部材360の外に接近可能であるように第2のビア380の外方に延在する。そのようなpMUT変換子機器200は、例えば、三角座研究学会ResearchTriangleInstituteにも譲渡され、かつ参照により全体として本明細書に組み込まれている、同時係属の米国特許出願第61/299,514号微小機械加工された超音波変換子を形成するための方法、および関連する装置MethodsforFormingaMicromachinedUltrasonicTransducerandAssociatedApparatusesに開示されている。この点について、圧電性材料260のために実装することができる特定の材料としては、例えば、ZnO、AlN、LiNbO4、スズ酸鉛アンチモン、タンタル酸鉛マグネシウム、タンタル酸鉛ニッケル、ジルコン酸チタン酸鉛PbZrxTi1-xO3PZT、ジルコン酸チタン酸鉛ランタンPLZT、ジルコン酸チタン酸鉛ニオブPNZT、BaTiO3、SrTiO3、ニオブ酸鉛マグネシウム、ニオブ酸鉛ニッケル、ニオブ酸鉛マンガン、ニオブ酸鉛亜鉛、チタン酸鉛を含む、鉛、バリウム、ビスマス、またはストロンチウムのチタン酸塩、タングステン塩、ジルコン酸塩、またはニオブ酸塩を含む陶材が挙げられる。フッ化ポリビニリデンPVDF、フッ化ポリビニリデン-トリフルオロエチレンPVDF-TrFE、またはフッ化ポリビニリデン-テトラフルオロエチレンPVDF-TFE等の、圧電性重合体材料も用いることができる。そのため、pMUT機器との電気伝導性接続を形成する方法は、本開示の1つのそのような態様では、図3~5に概略的に例解されている。この点について、変換子群列の操作方向に平行に延在する個々の信号導線は、変換子群列内の各自のpMUT機器を直接係合させるように構成される。図3に示されているように、例えば、ケイ素基板等の接続支持基板420を、最初に、例えば、エポキシ、接着テープ、または他の適切な接着材料440を用いて、pMUT群列を形成するpMUT変換子機器200のうち1つ以上と関連付けられた、支持部材360および第2の伝導性材料400のうち1つに接合することができる。より具体的には、接着材料440を初めに接続支持基板420に塗布し、その後、接続支持基板420を、支持部材360および第2の伝導性材料400のうち1つに、接着材料440によりそこに固定されるように貼付することができる。そのようにする際に、第2のビア380は充填されていないままであることがあるか、または、第1および第2の電極280、300を介して作動されるときに、圧電性材料が音響エネルギーを屈曲および生成することを可能にするように、音響材料図示せずで部分的にもしくはそうでなければ不完全に充填されることがある。いくつかの場合では、接着材料440は、例えば、SU-8光結像可能エポキシ等の非伝導性接合材料を特に含むことがある。その後、図4に示されているように、例えば、深反応性イオン食刻DRIE工程を用いて、接続支持基板420を食刻し、接着材料440を通じて第2の伝導性材料400にまで延在する第3のビア460を画定することができる。このように、第1の電極280と電気伝導性係合する第2の伝導性材料400は、第3のビア460を通じて露出される。図5に示されているように、その後、接続素子480が第3のビアに挿入され、かつ第2の伝導性材料400との電気伝導性係合するように、接続素子480を接続支持基板420に接合することができる。例えば接続素子480および第2の伝導性材料400の間で、第3のビア460内に配置された、電気伝導性エポキシ等の接合材料500により、接続素子480を接続支持基板420に接合することができる。接合材料500を第3のビア460に、接続素子480がその中に挿入される前に挿入することができるか、また、接合材料500を個々の接続素子480に、第3のビア460へのその挿入の前に塗布することができる。いくつかの場合では、接続素子480は微細径電線例えば、45AWG、約50μmの直径を備えることがあり、そこで、当該電線は、いくつかの場合では、絶縁体により外接される細長い導体を備えることがある。そのような場合では、絶縁体を、導体および接続支持基板420の間に電気的分離を提供するように構成することができる。他の場合では、当該電線が絶縁体を含まない場合に、最初は第3のビア460に延在しかつ第2の伝導性材料400に近接するように、接続支持基板420を食刻した後および接続素子480を接合する前には、導体を接続支持基板420から電気的に分離するように、絶縁体材料図示せずを接続支持基板420上に堆積させることができる。いくつかの態様では、接続素子480を接続支持基板420に、それらの間かつ第3のビア460の外に係合される接合材料520で接合することもできる。例えば、図5に示されているように、接続素子480を接続支持基板420に挿入し、その後、接着材料440に対向する基板の表面上の接続素子480の周りに塗布される、非伝導性エポキシ等の接合材料520でそれに固定することができる。そのような微細径電線は、例えば、標準的な磁石線、微小同軸ケーブル、または微小小型リボンケーブルの形態で利用可能であり得る。pMUT機器との電気伝導性接続を形成する方法は、本開示の別の態様では、図6~10に概略的に例解されている。既に開示されているように、個々の信号導線は、変換子群列の操作方向に平行に延在する一方で、変換子群列内の各自のpMUT機器を直接係合させるように配列される。図6に示されているように、接続支持基板540は、例えば、DRIE工程を用いて最初に食刻され、そこを通じて延在する第3のビア560を画定する。その後、接続素子580は接続支持基板540に接合され、接続素子580は第3のビア560に挿入されかつそこを通じて延在する。いくつかの場合では、接続素子580は微細径電線を備えることがあり、そこで、当該電線は、いくつかの場合では、絶縁体により外接される細長い導体を備えることがある。そのような場合では、絶縁体を、導体および接続支持基板540の間に電気的分離を提供するように構成することができる。他の場合では、当該電線が絶縁体を含まない場合に、最初は第3のビア560を通じて延在するように、接続支持基板540を食刻した後には、導体を接続支持基板540から電気的に分離するように、絶縁体材料図示せずを接続支持基板540上に堆積させることができる。いくつかの態様では、接続素子580を接続支持基板540に、それらの間かつ第3のビア560の外に係合される接合材料600で接合することもできる。例えば、図6に示されているように、接続素子580を接続支持基板540により画定された第3のビア560を通じて挿入し、その後、そこを通じて接続素子580が延在する接続支持基板540の表面に対向する接続支持基板540の表面上の接続素子580の周りに塗布される、非伝導性エポキシ等の接合材料600でそれに固定することができる。図7に示されているように、接続素子580が接続支持基板540に固定された時点で、そこを通じて接続素子580が延在する接続支持基板540の表面は、例えば、機械研磨工程または化学機械研磨CMP工程を用いて平面化され、接続素子580の端部620を露出する実質的に平面状の表面を生み出す。いくつかの場合では、接続素子580および第3のビア560を画定する壁の間のいかなる間隙も、例えば、非伝導性エポキシで充填し、後続の加工のための接続支持基板540の空所のない、平面状の表面を提供することができる。その後、接続素子580および/または接続支持基板540は、支持部材360および/または第2の伝導性材料400に接合される。1つの場合では、SU-8光結像可能エポキシ等の、回転塗布または積層した接着剤等の非伝導性接合材料640を、接続支持基板540の平面化された表面に塗布することができる。その後、非伝導性接合材料640を通じて延在し、かつ接続素子580の端部620を露出する第4のビア660を形成するように、非伝導性接合材料640を選択的に除去すなわち、パターン形成することができる。他の場合では、接続素子580の端部620が、非伝導性接合材料640の塗布の際に第4のビア660を通じて露出されるように、非伝導性接合材料640を、接続支持基板540の平面化された表面に塗布される前にあらかじめパターン形成することができる。図8に示されているように、その後、第3の伝導性材料680が接続素子580との電気伝導性係合を形成し、かつ非伝導性接合材料640を少なくとも通じて延在するように、例えば、メッキされた銅または電気伝導性エポキシ等の第3の伝導性材料680を、第4のビア内に堆積させることができる。その後、接続素子580が、例えば、非伝導性接合材料640を含むエポキシ材料を硬化させることにより、第2の伝導性材料400との電気伝導性係合を形成するように、接続支持基板540を少なくとも支持部材360に接合することができる。別の態様では、図9に示されているように、接続素子580は第2の伝導性材料400と、例えば、それらの間に配置された伝導性接合材料700を介して電気伝導性係合される。1つのそのような態様では、伝導性接合材料700は、例えば、図9に示されているように、半田突起を含むことがある。そのような場合では、半田突起を含む半田を再流動させることにより、接合をもたらすことができる。別の態様では、伝導性接合材料700は、電線接合機を用いるかまたは電気メッキすることにより形成される、金属すなわち、Au、Al、またはCu鋲突起を含むことがあり、そこで、電気伝導性係合を提供するように、そのような鋲突起を熱圧縮接合することができる。他の態様では、接続素子580および/または接続支持基板540を、支持部材360および/または第2の伝導性材料400のうち1つに、それらの間に係合される異方伝導性エポキシ710で接合することができる。この点について、電気伝導性係合を接続素子580および第2の伝導性材料400の間に、異方伝導性エポキシ710を通じて、そのような電気伝導性係合が異方伝導性エポキシ710を通じて他の変換子機器にまで横方に延在することなく形成することができる。よりさらなる場合では、図10に示されているように、集積回路機器および/または再分配素子720を、接続素子580および/または接続支持基板540ならびに支持部材360および/または第2の伝導性材料400の間に間置することができる。そのような場合では、集積回路機器および/または再分配素子720は、少なくとも接続素子580および第2の伝導性材料400の間で、それらの間にそれぞれ係合される異方伝導性エポキシ710、730を経由して電気伝導性係合することがある。集積回路機器および/または再分配素子720は、少なくとも接続素子580および第2の伝導性材料400の間で、例えば、半田突起によるかまたは金属鋲突起により電気伝導性係合することもある。そのような場合では、集積回路機器および/または再分配素子720は、またそれにより画定されかつそこを通じて延在し、かつ、例えば、第2の伝導性材料400および接続素子580の間に電気的接続を提供するように構成された、対応する機器ビア725を経由して、そこを通じて延在する1つ以上の伝導性素子を含むこともある。pMUT機器との電気伝導性接続を形成する方法は、本開示のなお別の態様では、図11~13に概略的に例解されている。既に開示されているように、個々の信号導線は、変換子群列の操作方向に平行に延在する一方で、変換子群列内の各自のpMUT機器を直接係合させるように配列される。図11に示されているように、接続素子740を支持部材360に直接接合することができ、それにより、接続素子740は、第2の伝導性材料400と電気伝導性係合し、かつ、第2の伝導性材料400が第1の伝導性材料340との電気伝導性係合を形成する、第2のビア380の端壁760から相隔たるように、第2のビア380に受け入れられる。接続素子740は、変換子機器200の圧電性材料260が振動するすなわち、第1および第2の電極280、300を介する作動の際に屈曲し、このようにして意図されたように機能することを可能にするように、第2のビア380の端壁760から相隔たる。例えば、電気伝導性エポキシ等の、第2のビア380内に配置された接合材料により、接続素子740および第2の伝導性材料400の間で、接続素子740を支持部材360に接合することができ、そこで、当該接合材料を個々の接続素子740に、第2のビア380へのその挿入の前に塗布することができる。このようにして、接続素子740および端壁760の間の間隔を維持することができる。他の場合では、接続素子740を支持部材360に、それらの間かつ第2のビア380の外に係合される、電気伝導性エポキシ等の接合材料800で接合することができる。より具体的には、接合材料800が接続素子740および第2の伝導性材料400の間で電気伝導性係合するように、第2のビア380の外側で、支持部材380の表面上の接続素子740の周りに接合材料800を塗布することができる。いくつかの態様では、接合材料800は、任意の隣接するpMUT機器をそれらの第2のビアに入り込むことにより汚染しないように、特に第2のビアが互いに電気的に分離される場合に塗布される。いくつかの場合では、図12に示されているように、接続素子740を接続支持基板820と係合させることができ、接続素子740は、接続素子740が支持部材360に接合される前に、接続支持基板820により画定された第3のビア840に挿入されかつそこを通じて延在し、そこで、接続支持基板820を前もって食刻し、そこを通じて延在する第3のビア840を画定することができる。さらに他の場合では、図13に示されているように、音響部材860を接続支持基板820と係合させることもでき、それにより、音響部材860は、接続素子740を接続支持基板820と係合させる前に、接続支持基板820により画定された第3のビア840に対応する音響部材ビア880を同様に画定することができる。そのようなものとして、接続素子740は、接続素子740を支持部材360に接合する前に、接続支持基板820により画定された第3のビア840、および音響部材860により画定された音響部材ビア880に挿入され、かつそこを通じて延在することがある。そのような場合では、pMUT変換子群列に望ましい音響減弱を提供するようにすなわち、圧電性材料からの振動が圧電性材料に反響するのを阻害または防止するように、適切な音響減弱特性により音響部材860を選択することができる。他の態様では、接続素子740を、支持部材360および接続支持基板820のうち少なくとも1つに挿入することができる。そのような場合では、音響部材860は、例えば、接続支持基板820および支持部材360の間の間隙に裏込めすることができる、流体/液体状態にある重合体材料を含むことがあり、そこで、その後、流体/液体重合体を硬化させて音響部材860を形成することができる。本開示の別の態様は、同一物を伴う場合において、接続支持基板またはpMUT変換子群列との接続素子のうち1つ以上の係合を対象にする。より具体的には、本開示のそのような態様は、接続素子/接続支持基板またはpMUT変換子群列の係合工程を容易化および/または促進することを対象にする。いくつかの例示的な場合では、変換子群列内のpMUT変換子機器の間隔幅は、ほぼ約100μmおよび約200μmの間にあり得る一方で、対応する接続素子例えば、電線の直径はほぼ約50μmである。そのようなものとして、接続支持基板との接続素子の正確な整列は、製造工程において考慮すべき事柄である。そのため、図14は、接続支持基板またはpMUT変換子群列概して、素子920を参照されたいに対する接続素子すなわち、電線の2D群列の組み立てを対象にする、本開示の1つの態様を概略的に例解している。1つの場合では、接続支持基板/変換子群列920の1つの寸法とほぼ同じくらい幅広い案内基板940を、その幅を横切って延在するかつ、案内基板940の長さに沿って延在する複数の、相隔たる経路960を画定するように構成することができ、そこで、経路960の間隔は、接続支持基板により画定された第3のビアの間隔、および/または変換子群列内のpMUT機器の第2のビアの間隔に対応する。いくつかの態様では、案内基板940はケイ素から成ることがあり、経路960はV形状であることがある。例えば、ケイ素の異方性結晶学的食刻により形成された経路960のV形状は、例えば、接続素子900のそれらの間の所望の間隔に対する整列を助長することができる。接続素子900が各経路960内に、それらの外方に縦に延在するように敷設された時点で、経路960内に接続素子900を保持するように、保持部材980を経路960の全体に除去可能に貼付することができる。準備された時点で、意図された接続支持基板/pMUT変換子群列920に隣接してすなわち、微小位置付け器を用いて案内基板940を配置し、かつ、意図された接続支持基板/pMUT変換子群列920を係合させるように、接続素子900を経路960に沿って摺動させるか、またはそうでなければ縦に指向することができる。いくつかの場合では、経路960および、必要であれば保持部材980は、接続素子900との静電引力を阻害または防止するために、抗静摩擦塗膜例えば、フッ素重合体をそれらに塗布されることがある。接続素子900を接合する際に、必要に応じて、保持部材980および案内基板940を除去し、接続素子900を意図された接続支持基板/pMUT変換子群列920と係合させておくことができる。示されているように、案内基板940/保持部材980を、一度に2D変換子群列の1つの横列または縦列に宛てるように構成することができる。そのようなものとして、開示されている工程の反復適用は、2D変換子群列に接続素子900の適切な補足を追加するために必要とされることがある。個々の接続素子用のそのような組立工程に加え、上記に開示されているように、本開示の別の態様は、接続素子の適切な組立体の直接の統合を対象とすることがある。この点について、いくつかの態様は、適切な担体基盤1020内に接続素子1000を形成することを対象とすることがある。例えば、図15に概略的に示されているように、ナノ繊維を案内基板の経路内に形成し、必要であれば、伝導性材料でメッキして伝導ケーブルを作り出すことができるだろう。他の場合では、例えば、共押出工程により、重合体基盤内に配列された接続素子を有する可撓性合成組立体を製作することにより、一体型ケーブルを得ることができる。例えば、1つのそのような構成は、例えば、非ドープ型のPETまたはポリプロピレンから成る絶縁体基盤内において、ドープ型PET重合体すなわち、例えば、20μオームcm等の、約5オームcm以下の抵抗性を有するの共押出物を含むことがある。1つの望ましい場合では、接続素子は約20オーム未満の抵抗をそれぞれ有することがある。形成された時点で、図16に示されているように、pMUT変換子群列への適切な接合材料での接合を平面状の表面に提供するように、一体型ケーブル態様の一端をすなわち、縦軸に垂直に研磨することができる。特定の場合では、望ましい音響減弱をpMUT変換子群列に提供するようにすなわち、圧電性材料からの振動が圧電性材料に反響するのを阻害または防止するように、絶縁体基盤に用いられる重合体を音響減弱特性により選択することができる。本明細書に明記されている開示の多くの修正および他の態様は、先の記載および関連する図面に提示されている教示の恩恵を有する、こうした開示が属する技術分野の当業者の頭に浮かぶだろう。例えば、本明細書に開示されているような例示的な方法およびそれらの態様は、そうでなければ本明細書に開示されているように、それらと関連する関連装置を有することもある。さらに、本明細書に開示されているpMUT変換子機器を、必要または所望に応じて、IC例えば、増幅器または合波器等の制御IC、間置体例えば、ケイ素または屈曲ケーブル、または再分配素子と、例えば、特定のpMUT変換子機器の第2の伝導性材料と、IC、屈曲ケーブル、ケーブル組立体、間置体、または再分配素子との間に電気伝導性係合を提供するように、半田突起、金鋲突起、金属鋲突起、異方伝導性エポキシ、または他の適切な電気伝導性接続の提供物を用いて係合させることができる。加えて、本明細書に開示されている例示的な方法のうちいくつかにおいて、時として、接合材料を支持部材と、それにより画定された第2のビアを横切って延在するように係合させることができる。他の場合では、接合材料を含む適切に選択された材料は、圧電性材料から発せられた振動を吸収および/または放散し、それにより、第2のビアに沿って圧電性材料の反響を阻害または防止するための音響減弱器として、接合材料が望ましく機能することを可能にすることができる。そのようなものとして、本明細書に開示されている装置および方法を、本開示の範囲内において、そのような場合に対処するように適切に適合させることができる。従って、本開示が開示されている具体的な態様に限定されるものではないことと、修正および他の態様が添付の請求項の範囲内に含まれることを意図されることと、を理解されたい。具体的な用語が本明細書で使用されるが、それらは総称的かつ記述的な意味でのみ用いられ、制限の目的のためには用いられない。"