樹脂基板上にガスバリア性を有する透明ガスバリア層が形成された透明ガスバリアフィルムであって、前記透明ガスバリア層が、第1の無機層と第2の無機層とを積層した積層体であり、前記第1の無機層が、金属および半金属から選択される少なくとも1種と、窒素とを含む層であり、前記第2の無機層が、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも1種の炭化物を含むターゲットを用いたスパッタリング法により形成され、かつ、金属および半金属の少なくとも一方と、炭素と、水素とを含む層であることを特徴とする透明ガスバリアフィルム。前記第1の無機層が、窒化ケイ素または窒化アルミニウムを含むことを特徴とする、請求項1記載の透明ガスバリアフィルム。前記炭化金属が炭化アルミニウムであり、前記炭化半金属が炭化シリコンであることを特徴とする、請求項1または2記載の透明ガスバリアフィルム。前記第2の無機層が、さらに窒素を含むことを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の透明ガスバリアフィルム。樹脂基板上にガスバリア性を有する透明ガスバリア層を形成する透明ガスバリアフィルムの製造方法であって、前記樹脂基板上に、金属および半金属から選択される少なくとも1種と、窒素とを含む第1の無機層を形成する第1の無機層形成工程と、前記第1の無機層の上に、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも1種の炭化物を含むターゲットを用い、反応ガスとして水素含有ガスを用いるスパッタリング法により、金属および半金属の少なくとも一方と、炭素と、水素とを含む第2の無機層を形成する第2の無機層形成工程とを有することを特徴とする、透明ガスバリアフィルムの製造方法。前記反応ガスが、さらに窒素を含むことを特徴とする、請求項5記載の透明ガスバリア層の製造方法。前記炭化金属が炭化アルミニウムであり、前記炭化半金属が炭化シリコンであることを特徴とする、請求項5または6記載の透明ガスバリアフィルムの製造方法。前記ターゲットが、さらに、金属および半金属の少なくとも1種を含み、前記金属および前記半金属が、単体、混合物または合金であることを特徴とする、請求項5から7のいずれか一項に記載の透明ガスバリアフィルムの製造方法。前記スパッタリング法が、パルスDC直流スパッタリング法またはRF高周波スパッタリング法であることを特徴とする、請求項5から8のいずれか一項に記載の透明ガスバリアフィルムの製造方法。前記第1の無機層形成工程が、蒸着法、スパッタリング法および化学気相堆積法CVDの少なくとも1つにより行われることを特徴とする、請求項5から9のいずれか一項に記載の透明ガスバリアフィルムの製造方法。請求項5から10のいずれか一項に記載の透明ガスバリアフィルムの製造方法によって製造されたことを特徴とする透明ガスバリアフィルム。基板上に、陽極層、有機発光層および陰極層が、この順序で設けられた積層体を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記基板が、請求項1から4のいずれか一項または請求項11記載の透明ガスバリアフィルムであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。前記積層体の少なくとも一部が、さらに請求項1から4のいずれか一項または請求項11記載の透明ガスバリアフィルムで被覆されていることを特徴とする、請求項12記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。太陽電池セルを含む太陽電池であって、前記太陽電池セルが、請求項1から4のいずれか一項または請求項11記載の透明ガスバリアフィルムで被覆されていることを特徴とする太陽電池。集電層、陽極層、固体電解質層、陰極層および集電層が、この順序で設けられた積層体を有する薄膜電池であって、前記積層体が、請求項1から4のいずれか一項または請求項11記載の透明ガスバリアフィルムで被覆されていることを特徴とする薄膜電池。しかしながら、本発明者らの検討によると、スパッタ時に窒素を加えることで、ガスバリア性は向上するが光透過性の低い層が形成され、また、酸素を加えることで、光透過性は向上するが、ガスバリア性が低下するという問題が見出された。すなわち、ガスバリア性と光透過性とは、ガスバリア層形成条件においてトレードオフの関係にある。そこで、本発明は、積層数が少なくてもガスバリア性に優れ、かつ、高い透明性を有する透明ガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供することを目的とする。本発明の透明ガスバリアフィルムは、樹脂基板上にガスバリア性を有する透明ガスバリア層が形成された透明ガスバリアフィルムであって、前記透明ガスバリア層が、第1の無機層と第2の無機層とを積層した積層体であり、前記第1の無機層が、金属および半金属から選択される少なくとも1種と、窒素とを含む層であり、前記第2の無機層が、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも1種の炭化物を含むターゲットを用いたスパッタリング法により形成され、かつ、金属および半金属の少なくとも一方と、炭素と、水素とを含む層であることを特徴とする。本発明の透明ガスバリアフィルムの製造方法は、樹脂基板上にガスバリア性を有する透明ガスバリア層を形成する透明ガスバリアフィルムの製造方法であって、前記樹脂基板上に、金属および半金属から選択される少なくとも1種と、窒素とを含む第1の無機層を形成する第1の無機層形成工程と、前記第1の無機層の上に、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも1種の炭化物を含むターゲットを用い、反応ガスとして水素含有ガスを用いるスパッタリング法により、金属および半金属の少なくとも一方と、炭素と、水素とを含む第2の無機層を形成する第2の無機層形成工程とを有することを特徴とする。本発明の他の態様の透明ガスバリアフィルムは、前記本発明の透明ガスバリアフィルムの製造方法によって製造されたことを特徴とする。また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板上に、陽極層、有機発光層および陰極層が、この順序で設けられた積層体を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記基板が、前記本発明の透明ガスバリアフィルムであることを特徴とする。また、本発明の太陽電池は、太陽電池セルを含む太陽電池であって、前記太陽電池セルが、前記本発明の透明ガスバリアフィルムで被覆されていることを特徴とする。また、本発明の薄膜電池は、集電層、陽極層、固体電解質層、陰極層および集電層が、この順序で設けられた積層体を有する薄膜電池であって、前記積層体が、前記本発明の透明ガスバリアフィルムで被覆されていることを特徴とする。本発明によれば、樹脂基板を用いて、透明ガスバリア層の積層数が少なくてもガスバリア性に優れ、かつ、高い透明性を有する透明ガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供することができる。本発明の透明ガスバリアフィルムにおいて、前記第1の無機層が、窒化ケイ素または窒化アルミニウムを含むことが好ましい。本発明の透明ガスバリアフィルムにおいて、前記炭化金属が炭化アルミニウムであり、前記炭化半金属が炭化シリコンであることが好ましい。本発明の透明ガスバリアフィルムにおいて、前記第2の無機層が、さらに窒素を含むことが好ましい。本発明の透明ガスバリアフィルムの製造方法において、前記反応ガスが、さらに窒素を含むことが好ましい。本発明の透明ガスバリアフィルムの製造方法において、前記炭化金属が炭化アルミニウムであり、前記炭化半金属が炭化シリコンであることが好ましい。本発明の透明ガスバリアフィルムの製造方法において、前記ターゲットが、さらに、金属および半金属の少なくとも1種を含み、前記金属および前記半金属が、単体、混合物または合金であってもよい。本発明の透明ガスバリアフィルムの製造方法において、前記スパッタリング法が、パルスDC直流スパッタリング法またはRF高周波スパッタリング法であることが好ましい。本発明の透明ガスバリアフィルムの製造方法において、前記第1の無機層形成工程が、蒸着法、スパッタリング法および化学気相堆積法CVDの少なくとも1つにより行われることが好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記積層体の少なくとも一部が、さらに前記本発明の透明ガスバリアフィルムで被覆されていることが好ましい。つぎに、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の記載により制限されない。上記において、炭化金属または炭化半金属のスパッタリングにおいて、反応ガスとして酸素を用いることで、透明であるがガスバリア性の低い層が形成されることを述べた。さらに、本発明者らは、前記層の形成時に、樹脂基板上に酸素や水分が存在すると、ガスバリア性の低い層が形成されることを見出した。そこで、樹脂基板上に、金属および半金属から選択される少なくとも1種と窒素とを含む第1の無機層を形成して、前記第1の無機層上に第2の無機層を形成したところ、高いガスバリア性を有することがわかった。ここで、前記第2の無機層は、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも1種の炭化物を含むターゲットを用いたスパッタリング法により形成され、かつ、金属および半金属の少なくとも一方と、炭素と、水素とを含む層である。前記第1の無機層は、窒化ケイ素あるいは窒化アルミニウムを含んでいることが好ましい。これらの材料は、層内におけるネットワーク構造網目状の構造を緻密に形成することが可能であるためガスバリア性が高く、透明ガスバリア層のガスバリア性の向上の点で好ましい。前記第1の無機層を樹脂基板上に形成すると、前記樹脂基板からの酸素分子や水分子が透過しにくいため、前記第1の無機層の表面に、これらに起因する酸素や水分が存在しにくくなる。このような第1の無機層の上に前記第2の無機層を形成することで、高いガスバリア性を得ることができる。前記第1の無機層は、酸素を含んでいないことが好ましいが、前記第1の無機層における酸素の元素組成が20以下であれば、本発明の効果は阻害されるものではない。前記第1の無機層における酸素の元素組成は、10以下であることがより好ましい。前記第1の無機層の形成方法は、蒸着法、スパッタリング法および化学気相堆積法CVDの少なくとも1つにより行われることが好ましい。真空雰囲気下で層形成が行われるこれらの方法を用いることによって、酸素の混在を抑制した層を形成することができる。例えば、シリコンターゲットに反応ガスとして窒素を用いたスパッタリング法、シランガスSiH4と窒素とのプラズマ化学気相堆積法PECVDなどが挙げられる。前記第1の無機層1の厚みは、0.01~1μmの範囲であることが好ましい。前記厚みを0.01μm以上とすることで、十分なガスバリア性を得ることができ、1μm以下とすることで、内部応力を低くすることができ、クラックの発生を防ぐことができる。前記厚みは、0.02~0.2μmの範囲であることがより好ましい。本発明において、透明ガスバリア層における第2の無機層では、その形成工程において、反応ガスとして水素含有ガスを用いることによりスパッタ雰囲気内で形成される水素原子が、ガスバリア層の化学構造に作用し、形成するガスバリア層は透明になり、さらに、ガスバリア層内の応力が緩和される。さらに、窒素を導入することでガスバリア層のバリア性、透明性が向上する。また、反応ガスとして、アンモニアガスのように、水素と窒素との化合物のガスを用いてもよく、この場合も同様の効果が得られる。水素と窒素との化合物のガスを用いる場合、スパッタ雰囲気内で、前記化合物のガスから水素および窒素が解離され、ガスバリア層に窒素が導入されるとともに、水素が前記作用を行うと考えられるが、本発明はこの推測によって限定されるものではない。前記効果は反応ガスにおける窒素と水素との混合比率流量比によらず発現されるが、窒素の混合比流量比が水素のそれ以上であるとより良好な特性を発現することができ、好ましい。窒素と水素との混合比率は、窒素/水素=0.3~3.0であることが好ましく、より好ましくは、0.5~2.0である。本発明の透明ガスバリアフィルムの製造方法において、第2の無機層形成工程は、スパッタリング法によるものであり、ターゲットとしては、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも1種の炭化物を含むものを用いる。前記炭化金属としては炭化アルミニウムが好ましく、前記炭化半金属としては炭化シリコンが好ましい。これらの材料は、透明ガスバリア層内におけるネットワーク構造網目状の構造を緻密に形成することが可能であり、透明ガスバリア層のガスバリア性の向上の点で好ましい。また、他の炭化金属および炭化半金属に比べ、透明ガスバリア層形成時の内部応力が高くない点でも好ましい。また、前記ターゲットが、さらに、金属および半金属の少なくとも1種を含んでいてもよい。前記金属および半金属は、単体、混合物または合金であってもよい。前記混合物は、複数種類の金属の混合物、複数種類の半金属の混合物、金属と半金属との混合物、単体と合金との混合物のいずれであってもよく、制限されない。前記金属および半金属の少なくとも1種を含む前記ターゲットを用いると、層形成速度を速くすることができ、製造の効率化を図ることが可能となる。また、例えば、炭化シリコンとシリコンとの混合ターゲットの場合、炭化窒化シリコンと窒化シリコンの成分を有する層が得られ、良好なガスバリア性が得られる。前記金属および半金属から選択される少なくとも1種を含む単体、混合物または合金の混合比率は、80重量以下であることが好ましい。前記混合比率を80重量以下とすることで、例えば、ターゲット内において粒界での割れの発生を防ぐことができ、スパッタリングでの層形成状態が劣化するのを防ぐことができる。前記混合比率は、より好ましくは50重量以下で、さらに好ましくは30重量以下である。前記金属および半金属は、前記炭化金属および炭化半金属を構成する金属および半金属と同じものであっても異なっているものであってもよいが、スパッタ効率等を考慮すると、同じものであることが好ましい。前記スパッタリング法は、パルスDC直流スパッタリング法またはRF高周波スパッタリング法で行うことが好ましい。前記パルスDCスパッタリング法は、通常のDCスパッタリング法と比較して、ターゲットの表面に窒化物や酸化物などの絶縁層ができるのを防ぐことができ、スパッタによる層形成が不安定になるのを防ぐことができる。RFスパッタリング法による場合、周波数は10kHz~30MHzの範囲であることが好ましく、より好ましくは、30kHz~20MHzの範囲である。放電出力は、例えば、1~10W/cm2の範囲であり、好ましくは3~6W/cm2の範囲である。前記パルスDCスパッタリング法での周波数や負バイアスとなるデューティー比には特に制限はないが、放電の時間は短いほうが好ましく、30~95の範囲であることが好ましい。前記第2の無機層形成時のスパッタリング条件に特に制限はない。例えば、真空槽内を10-4Pa以下に排気した後、放電ガスとしてアルゴンガスを、反応ガスとして、例えば窒素ガスを含有する水素ガスを導入し、系の内圧が0.1~1Paになるようにマスフローコントローラで流量制御圧力制御を行う。スパッタ時の放電出力は、1~10W/cm2を印加し、所望の厚みになるまでスパッタリングを行う。前記第2の無機層の厚みは、0.01~1μmの範囲であることが好ましい。前記厚みを0.01μm以上とすることで、十分なガスバリア性を得ることができ、1μm以下とすることで、内部応力を低くすることができ、クラックの発生を防ぐことができる。前記厚みは、0.1~0.3μmの範囲であることがより好ましい。前記第1の無機層と前記第2の無機層とを積層した積層体である、本発明における透明ガスバリア層形成時の加熱温度は120°C以下であることが好ましく、より好ましくは80~110°Cの範囲である。この場合、前記透明ガスバリア層形成時には、前記樹脂基板樹脂フィルムを120°C以下で加熱することが好ましい。本発明の透明ガスバリアフィルムの製造方法は、透明で良好なガスバリア性能を有する層を低温形成することも可能であるので、基材が例えば樹脂の場合であっても、樹脂の性質や形状を損なわない条件設定をすることが可能となる。樹脂基板の材質は、透明であれば制限はなく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニルサルファイド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドナイロン、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデンなどがあげられる。また、前記樹脂基板の厚みは20~200μmの範囲であることが好ましく、より好ましくは50~150μmの範囲である。透明ガスバリア層の厚みは、0.1~0.5μmの範囲であることが好ましい。前記厚みを0.1μm以上とすることで、十分なガスバリア性を得ることができ、0.5μm以下とすることで、内部応力を低くすることができ、クラックの発生を防ぐことができる。前記厚みは、0.1~0.3μmの範囲であることがより好ましい。透明ガスバリア層において、第2の無機層の厚みは、第1の無機層の厚みよりも厚いことが好ましい。第1の無機層は下地層としての役割を有しており、第2の無機層がガスバリア性に大きく寄与していると考えられる。また、第1の無機層は、ある一定の厚み以上厚くしても効果は変わらないことがわかった。そこで、同じ厚みの透明ガスバリア層を形成する場合には、高いガスバリア性を得るために、第2の無機層の厚みを第1の無機層の厚みより厚くすることが、層形成効率の点からも好ましい。前記透明ガスバリア層は、バッチ方式でも連続生産方式でも製造することができる。連続生産方式の場合、前記透明ガスバリア層形成時に真空槽内において、前記透明樹脂フィルムをロールにより連続的に搬送しながら、前記透明樹脂フィルムの上に前記透明ガスバリア層を形成する。図1に、本発明の透明ガスバリアフィルムを連続生産方式で製造する装置の構成の一例を示す。本例では、第1の無機層と第2の無機層をともにスパッタリング法で形成する場合を示すが、これに限定されるものではない。図示のとおり、この製造装置10は、真空槽11、巻出ロール13a、キャンロール15、巻取ロール13b、二つの補助ロール14aおよび14b、カソード16、真空ポンプ20、スパッタリング用ガス供給手段18、反応ガス供給手段19を主要な構成部材として有する。真空槽11内には、巻出ロール13a、キャンロール15、巻取ロール13b、および二つの補助ロール14a、14bが配置されており、巻出ロール13aから、巻取ロール13bにわたり、キャンロール15および二つの補助ロール14a、14bを介して、透明樹脂フィルム12が掛け渡されている。前記カソード16は、前記キャンロール15と対向するように、前記真空槽11の底部に設置されている。前記カソード16の上面には、前記ターゲット17が装着されている。前記ターゲット17は複数装着しておき、形成する層の組成に応じて使用するターゲットを変更することもできる。前記真空ポンプ20は、前記真空槽11の側壁同図においては、右側側壁に配置されており、これにより、前記真空槽11内を減圧することが可能となっている。前記スパッタリング用ガス供給手段18および前記反応ガス供給手段19は、前記真空槽11の側壁同図においては、右側側壁に配置されている。前記スパッタリング用ガス供給手段18は、スパッタリング用ガスボンベ21に接続されており、これにより、適度な圧力のスパッタリング用ガス例えば、アルゴンガスを、前記真空槽11内に供給することが可能となっている。前記反応ガス供給手段19は、窒素を含有する反応ガス用ガスボンベ22および水素を含有する反応ガス用ガスボンベ23に接続されており、これにより、適度な圧力の反応ガスを、前記真空槽11内に供給することが可能となっている。前記キャンロール15には、温度制御手段図示せずが接続されている。これにより、前記キャンロール15の表面温度を調整することで、前記透明樹脂フィルム12の温度を、前記所定の範囲とすることが可能となっている。前記温度制御手段としては、例えば、シリコーンオイル等を循環する熱媒循環装置等があげられる。本装置による連続生産は、フィルムを連続して装置内に導入し、フィルムを移動させながら反応ガスの存在下でスパッタリングを行い、連続して透明ガスバリア層を形成する。反応ガスおよびターゲットを切り替えて、この工程を繰り返すことで、所定の積層体を形成することができる。本装置による連続生産は、フィルムを移動させながらスパッタリングを行うこと以外は、後述のバッチ生産方式で製造する装置と同様に実施できる。図2に、本発明の透明ガスバリアフィルムをバッチ生産方式で製造する装置の構成の一例を示す。図2において、図1と同一部分には、同一符号を付している。図示のとおり、この製造装置30は、前記各種ロールに代えて、真空槽31内に、基板加熱ヒータ33が配置され、前記基板加熱ヒータ33に透明樹脂基板例えば、透明樹脂フィルム32が設置されている以外は、図1と同様の構成である。前記基板加熱ヒータ33としては、前記温度制御手段と同様のものがあげられる。本発明の有機EL素子は、基板上に、陽極層、有機発光層および陰極層が、この順序で設けられた積層体を有するものであって、前記基板が本発明の透明ガスバリアフィルムであることを特徴とする。前記陽極層としては、例えば、透明電極層として使用できる、ITOIndiumTinOxideやIZO登録商標、IndiumZincOxideの層が形成される。前記有機発光層は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層からなる。陰極層としては、反射層を兼ねてアルミニウム層、マグネシウム/アルミニウム層、マグネシウム/銀層等が形成される。この積層体を大気に曝さないようにこの上から金属、ガラス、樹脂等により封止を行う。本発明の有機EL素子は、前記積層体の少なくとも一部が、さらに本発明の透明ガスバリアフィルムで被覆されていてもよい。すなわち、本発明の透明ガスバリアフィルムは有機EL素子の背面封止部材としても適用可能である。この場合、本透明ガスバリアフィルムを前記積層体上に接着剤を用いて、または、ヒートシールなどにより設置することで十分に封止性を保つことが可能である。有機EL素子の基板として、本発明の透明ガスバリアフィルムを用いると、有機EL素子の軽量化、薄型化および柔軟化が可能となる。したがって、ディスプレイとしての有機EL素子はフレキシブルなものとなり、これを丸めるなどして、電子ペーパーのように使用することも可能となる。また、本発明の透明ガスバリアフィルムを背面封止部材として用いると、被覆が容易であり、また、有機EL素子の薄型化も可能となる。本発明の太陽電池は、太陽電池セルを含み、前記太陽電池セルが、前記本発明の透明ガスバリアフィルムで被覆されている。前記本発明の透明ガスバリアフィルムは、太陽電池の受光側フロントシートおよび保護用バックシートとしても好適に使用できる。太陽電池の構造の一例としては、薄膜シリコンやCIGSCopperIndiumGalliumDiSelenide薄膜により形成した太陽電池セルを、エチレン-酢酸ビニル共重合体等の樹脂により封止し、さらに本発明の透明ガスバリアフィルムにより挟み込むことで構成されるものがあげられる。前記樹脂による封止をせずに、本発明の透明ガスバリアフィルムで直接挟み込んでもよい。本発明の薄膜電池は、集電層、陽極層、固体電解質層、陰極層および集電層が、この順序で設けられた積層体を有する薄膜電池であって、前記積層体が、前記本発明の透明ガスバリアフィルムで被覆されている。薄膜電池としては、薄膜リチウムイオン電池などがあげられる。前記薄膜電池としては、基板上に金属を用いた集電層、金属無機膜を用いた陽極層、固体電解質層、陰極層、金属を用いた集電層を順次積層させた構成が代表的である。前記本発明の透明ガスバリアフィルムは薄膜電池の基板としても使用することができる。つぎに、本発明の実施例について比較例と併せて説明する。なお、本発明は、下記の実施例および比較例によってなんら限定ないし制限されない。また、各実施例および各比較例における各種特性および物性の測定および評価は、下記の方法により実施した。水蒸気透過速度水蒸気透過速度WVTRは、JISK7126に規定される水蒸気透過速度測定装置MOCON社製、商品名PERMATRANにて、温度40°C、湿度90RHの環境下で測定した。なお、前記水蒸気透過率測定装置の測定範囲は0.01gm-2day-1以上である。光線透過率光線可視光透過率は、大塚電子株式会社製の紫外可視光域分光光度計商品名:MCPD-3700を使用して測定し、550nmの透過率で表した。透明ガスバリア層の厚み透明ガスバリア層の厚みは、透明ガスバリアフィルムの断面を、株式会社日立製作所製の透過型電子顕微鏡TEM、商品名:HF-2000にて観察し、基板フィルム表面から透明ガスバリア層表面までの長さを測長し、算出した。[実施例1]透明樹脂フィルムの準備透明樹脂フィルム樹脂基板として、東レ株式会社製のポリエチレンテレフタレートPETフィルム厚み100μm、商品名ルミラーT60を準備した。透明ガスバリア層形成工程第1の無機層つぎに、前記PETフィルムを、図2に示す製造装置に装着した。カソード16の上面には、多結晶シリコンターゲット純度4N:99.9917を装着した。真空ポンプ20により真空槽31内を減圧し、到達真空度1.0×10-4Pa以下を得た。その後、スパッタリング用ガス供給手段18および反応ガス供給手段19により、前記真空槽31内にスパッタリング用ガスとしてアルゴンガスおよび反応ガスとして窒素ガスを導入した。ついで、放電出力を3W/cm2の条件下で、DCスパッタリング法により、前記PETフィルム上に厚み50nmの窒化シリコン層第1の無機層を形成した。この際、アルゴンガスの供給量流量は、50sccm50×1.69×10-3Pam3/秒、窒素ガスの供給量流量は、40sccm40×1.69×10-3Pam3/秒とした。また、このとき、系内圧力は0.05Paで、基板加熱ヒータ温度は80°Cとした。第2の無機層次に、ターゲットとして炭化ケイ素ターゲット純度5N:99.99917を装着した。真空ポンプ20により真空槽31内を減圧し、到達真空度1.0×10-4Pa以下を得た。その後、スパッタリング用ガス供給手段18および反応ガス供給手段19により、前記真空槽31内にスパッタリング用ガスとしてアルゴンガスおよび反応ガスとして窒素ガスおよび水素ガスを導入した。ついで、DCパルスを200kHz、放電出力を3W/cm2の条件下で、パルスDCスパッタリング法により、前記第1の無機層上に厚み150nmの窒化炭化シリコン層第2の無機層を形成し、本実施例の透明ガスバリアフィルムを得た。この際、アルゴンガスの供給量流量は、50sccm50×1.69×10-3Pam3/秒、窒素ガスの供給量流量は、30sccm30×1.69×10-3Pam3/秒、水素ガスの供給量流量は、10sccm10×1.69×10-3Pam3/秒とした。また、このとき、系内圧力は0.03Paで、基板加熱ヒータ温度は80°Cとした。[実施例2]第1の無機層の形成において、ターゲットとして多結晶アルミニウム純度4Nを用い、反応ガスとして窒素ガスを50sccm50×1.69×10-3Pam3/秒の流量で導入した他は、実施例1と同様にして、本実施例の透明ガスバリアフィルムを得た。[実施例3]第2の無機層の形成において、ターゲットとして炭化アルミニウム純度5Nを用い、反応ガスとして窒素ガスを30sccm30×1.69×10-3Pam3/秒、水素ガスを20sccm20×1.69×10-3Pam3/秒の流量で導入した他は、実施例1と同様にして、本実施例の透明ガスバリアフィルムを得た。[実施例4]第2の無機層の形成において、ターゲットとして炭化アルミニウム純度5Nを用い、反応ガスとして窒素ガスを30sccm30×1.69×10-3Pam3/秒、水素ガスを20sccm20×1.69×10-3Pam3/秒の流量で導入した他は、実施例2と同様にして、本実施例の透明ガスバリアフィルムを得た。[実施例5]第2の無機層の形成において、ターゲットとして炭化ケイ素80wtとケイ素20wtとの合金を用いた他は、実施例1と同様にして、本実施例の透明ガスバリアフィルムを得た。[実施例6]第2の無機層の形成において、ターゲットとして炭化ケイ素80wtとケイ素20wtとの合金を用いた他は、実施例2と同様にして、本実施例の透明ガスバリアフィルムを得た。[実施例7]第2の無機層の形成において、ターゲットとして炭化アルミニウム70wtとアルミニウム30wtとの合金を用いたことの他は、実施例3と同様にして、本実施例の透明ガスバリアフィルムを得た。[実施例8]第2の無機層の形成において、ターゲットとして炭化アルミニウム70wtとアルミニウム30wtとの合金を用いたことの他は、実施例4と同様にして、本実施例の透明ガスバリアフィルムを得た。[比較例1]第1の無機層を形成せずに、第2の無機層を形成したことの他は、実施例1と同様にして、本比較例の透明ガスバリアフィルムを得た。[比較例2]第1の無機層を形成せずに、第2の無機層を形成したことの他は、実施例3と同様にして、本比較例の透明ガスバリアフィルムを得た。[比較例3]第1の無機層を形成せずに、第2の無機層を形成したことの他は、実施例5と同様にして、本比較例の透明ガスバリアフィルムを得た。[比較例4]第1の無機層を形成せずに、第2の無機層を形成したことの他は、実施例7と同様にして、本比較例の透明ガスバリアフィルムを得た。実施例1~8および比較例1~4で得られた透明ガスバリアフィルムについて、水蒸気透過速度WVTR、550nmの波長における光線透過率を測定した。測定結果を表1に示す。前記表1に示すとおり、実施例で得られた透明ガスバリアフィルムは、良好なガスバリア性と、良好な可視光透過性透明性とを有しており、少ない積層数の透明ガスバリア層で良好な特性を有する透明ガスバリアフィルムが得られたことがわかる。また、混合ターゲットを用いた実施例5~8では、他の実施例に比べて、スパッタリングによる層形成速度を速くすることができ、効率よく透明ガスバリア層付きフィルムを製造することができた。一方、比較例2~4においては、可視光透過率が60~65であり、光透過性は十分とはいえなかった。なお、比較例1は、実施例1および2において、第1の無機層を設けなかった例であるが、光線透過率がこれら実施例に比べて低くなっている。同様に、比較例2は、実施例3および4において、第1の無機層を設けなかった例であるが、光線透過率がこれら実施例に比べて低くなっている。この理由としては、実施例においては、第1の無機層と第2の無機層との屈折率差により反射率が減少したことによって、光線透過率が向上したことが考えられる。また、第1の無機層が存在することで、第2の無機層形成時の酸化が抑制され、または、窒化や水素化が促進されるなどで、層の化学組成が、比較例とは異なったものとなっていることも考えられる。これらはいずれも推測であり、この推測メカニズムによって本発明は限定されるものではない。また、実施例においては、第1の無機層を設けずに、同じ第2の無機層を形成した比較例に比べ、ガスバリア性が向上していることがわかる。