ロール状母基板上にフレキシブル基板を形成する段階と、前記フレキシブル基板を前記ロール状母基板から分離する段階と、前記ロール状母基板と接触していた前記フレキシブル基板の分離面上に電子素子を形成する段階と、を含むフレキシブル電子素子の製造方法。ロール状母基板上にフレキシブル基板を形成する段階と、一面に接着層が形成された仮基板を、前記接着層を利用して前記フレキシブル基板上に付着する段階と、前記フレキシブル基板を前記ロール状母基板から分離する段階と、前記ロール状母基板と接触していた前記フレキシブル基板の分離面上に電子素子を形成する段階と、を含むフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板と前記ロール状母基板の間に剥離層がさらに形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板と前記ロール状母基板の間に平坦化層がさらに形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記剥離層の一面または両面に平坦化層がさらに形成されることを特徴とする請求項3に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記仮基板と前記接着層の間に分離層を形成することを特徴とする請求項2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記仮基板を前記フレキシブル基板から分離する段階をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板が形成されるロール状母基板面の表面粗さは、AFMAtomicForceMicroscopeを利用して10μm×10μmのスキャン範囲で観測するとき、0<Rms<100nm、0<Rp-v<1000nmであることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記ロール状母基板は、ガラスまたは金属または高分子材料からなることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板は、2以上の異なる材料で積層した複合構造であることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板は、金属からなることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板は、Fe、Ag、Au、Cu、Cr、W、Al、W、Mo、Zn、Ni、Pt、Pd、Co、In、Mn、Si、Ta、Ti、Sn、Zn、Pb、V、Ru、Ir、Zr、Rh、Mg、INVAR及びステンレス鋼からなる群より選択される一つ以上の金属であることを特徴とする請求項11に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記接着層は、エポキシとシリコン及びアクリル系からなる群より選択される少なくとも一つ以上の高分子接着剤を含むことを特徴とする請求項2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記平坦化層は、ポリイミドPolyimide:PIまたはポリイミドを含む共重合体、ポリアクリル酸polyacrylicacidまたはポリアクリル酸を含む共重合体、ポリスチレンpolystyreneまたはポリスチレンを含む共重合体、ポリスルファートpolysulfateまたはポリスルファートを含む共重合体、ポリアミド酸polyamicacidまたはポリアミド酸を含む共重合体、ポリアミンpolyamineまたはポリアミンを含む共重合体、ポリビニルアルコールPolyvinylalcohol;PVA、ポリアリルアミンPolyallyamine及びポリアクリル酸polyacrylicacidからなる群より選択される一つ以上の高分子化合物を含むことを特徴とする請求項4に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記平坦化層は、ポリイミドPolyimide:PIまたはポリイミドを含む共重合体、ポリアクリル酸polyacrylicacidまたはポリアクリル酸を含む共重合体、ポリスチレンpolystyreneまたはポリスチレンを含む共重合体、ポリスルファートpolysulfateまたはポリスルファートを含む共重合体、ポリアミド酸polyamicacidまたはポリアミド酸を含む共重合体、ポリアミンpolyamineまたはポリアミンを含む共重合体、ポリビニルアルコールPolyvinylalcohol;PVA、ポリアリルアミンPolyallyamine及びポリアクリル酸polyacrylicacidからなる群より選択される一つ以上の高分子化合物を含むことを特徴とする請求項5に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板は、鋳造法、電子線蒸着法、熱蒸着法、スポット蒸着法、化学気相蒸着法または電気メッキ法により形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記電子素子は、有機発光表示装置organiclightemittingdisplay:OLED、液晶表示装置liquidcrystaldisplay:LCD、電気泳動表示装置Electrophoreticdisplay:EPD、プラズマディスプレイパネルplasmadisplaypanel:PDP、薄膜トランジスタthin-filmtransistor:TFT、マイクロプロセッサーmicroprocessor及びラムRandomaccessmemory:RAMからなる群より選択される一つ以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記接着層はSiO2、MgO、ZrO2、Al2O3、Ni、Al及び雲母からなる群より選択される1以上の物質を含み、使用温度が450°C以上であることを特徴とする請求項2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。請求項1または2に記載の方法により製造されたフレキシブル電子素子。ロール状母基板上にフレキシブル基板を形成した後、前記ロール状母基板から分離した前記フレキシブル基板の分離面を電子素子の形成面として使用することを特徴とするフレキシブル基板。研磨加工なしに、前記分離面の表面粗さはAFMAtomicForceMicroscopeを利用して10μm×10μmのスキャン範囲で観測するとき、0<Rms<100nm、0<Rp-v<1000nmであることを特徴とする請求項20に記載のフレキシブル基板。前記フレキシブル基板は、金属からなることを特徴とする請求項20または21に記載のフレキシブル基板。前記金属は、インバールINVAR合金またはステンレス鋼であることを特徴とする請求項22に記載のフレキシブル基板。前記フレキシブル基板は、1μm~500μmの厚さで形成されることを特徴とする請求項20または21に記載のフレキシブル基板。前記電子素子は、有機発光表示装置organiclightemittingdisplay:OLED、液晶表示装置liquidcrystaldisplay:LCD、電気泳動表示装置Electrophoreticdisplay:EPD、プラズマディスプレイパネルplasmadisplaypanel:PDP、薄膜トランジスタthin-filmtransistor:TFT、マイクロプロセッサーmicroprocessor及びラムRandomaccessmemory:RAMからなる群より選択される一つ以上であることを特徴とする請求項20または21に記載のフレキシブル基板。本発明は上記のような従来技術の問題点を解決するためのもので、本発明の主な課題は、既存のガラス基板工程と同じ水準の素子特性が得られる低い表面粗さを有するフレキシブル基板の製造方法を含むフレキシブル電子素子の製造方法を提供することである。本発明の他の課題は、既存のガラス基板を使用した工程と同一またはさらに高い温度の工程を適用することができる高性能フレキシブル電子素子の製造方法を提供することである。本発明のさらに他の課題は、基板と基板上に製作される素子との熱膨脹係数の差により発生する亀裂や剥離などの欠陥が生じないように、低い熱膨脹係数を有するフレキシブル電子素子用金属基板の製造方法を提供することである。本発明のさらに他の課題は、フレキシブル基板の特性をロールツーロール工程に適用して高い生産速度及び量産化が可能なフレキシブル電子素子用金属基板の製造方法を提供することである。上記課題を解決するための本発明の一側面によるフレキシブル電子素子の製造方法は、ロール状母基板上にフレキシブル基板を形成する段階と、上記フレキシブル基板を上記ロール状母基板から分離させる段階と、上記ロール状母基板と接触していた上記フレキシブル基板の分離面上に電子素子を形成する段階と、を含んで構成される。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法は、非常に低い表面粗さを有し、且つ繰り返し使用できるロール状母基板の表面にフレキシブル基板を形成した後、フレキシブル基板をロール状母基板から分離すると、フレキシブル基板の分離面はロール状母基板の表面状態とほぼ類似する表面状態となるため、従来のように表面粗さを低めるための高分子塗布が必要なく、高温工程を通じた高性能の電子素子を具現することができ、高価の研磨工程、高い欠陥密度による低収率問題も同時に解決できるため、経済性の向上にも有利である。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法は、ロール状母基板が適用されたロールツーロールRollToRoll工程を用いるため、フレキシブル基板をロールに巻いた状態で返送することができ、必要に応じては、基板の生産、移送、電子素子の形成のような工程が連続的に行われることができ、高い生産速度及び経済性において有利である。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法は金属基板を使用するため、基板の曲がり、返送、整列などの問題なく、450°C以上の高温工程を用いる既存のガラス基板の工程条件及び設備をそのまま利用することができる。本発明の他の側面によるフレキシブル電子素子の製造方法は、ロール状母基板上にフレキシブル基板を形成する段階と、一面に接着層が形成された仮基板を、上記接着層を利用して上記フレキシブル基板上に付着する段階と、上記フレキシブル基板を上記ロール状母基板から分離させる段階と、上記ロール状母基板と接触していた上記フレキシブル基板の分離面上に電子素子を形成する段階と、を含んで構成される。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法において、上記フレキシブル基板と上記ロール状母基板の間に剥離層がさらに形成されてもよい。フレキシブル基板とロール状母基板の間に薄い剥離層を追加しても、剥離層がロール状母基板と類似する水準の表面粗さを示すため、フレキシブル基板の分離面の表面粗さをロール状母基板と類似する水準に保持することができる。このように剥離層を追加すると、ロール状母基板からフレキシブル基板を分離することが容易でない材料を使用した場合、分離過程でフレキシブル基板やロール状母基板が損傷することを防止することができる。また、剥離層は、必要に応じて、様々な物質で多層に積層した複合層からなることができる。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法において、上記フレキシブル基板と上記ロール状母基板の間に平坦化層をさらに形成してもよく、上記剥離層の一面または両面に平坦化層をさらに形成してもよい。このような平坦化層は高分子化合物であるにも係らず、フレキシブル基板ではないロール状母基板に適用されるため、電子素子製作の温度に影響を及ぼさず、フレキシブル基板の表面粗さをより低く保持するのに役に立つ。平坦化層には、表面粗さを低く保持することができる材料であれば何れも使用してよく、ポリイミドPolyimide:PIまたはポリイミドを含む共重合体、ポリアクリル酸polyacrylicacidまたはポリアクリル酸を含む共重合体、ポリスチレンpolystyreneまたはポリスチレンを含む共重合体、ポリスルファートpolysulfateまたはポリスルファートを含む共重合体、ポリアミド酸polyamicacidまたはポリアミド酸を含む共重合体、ポリアミンpolyamineまたはポリアミンを含む共重合体、ポリビニルアルコールPolyvinylalcohol;PVA、ポリアリルアミンPolyallyamine及びポリアクリル酸polyacrylicacidからなる群より選択される一つ以上の高分子化合物を含むことが好ましい。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法において、上記仮基板の分離をより容易にするために、上記仮基板と上記接着層の間に一つ以上の薄膜からなる分離層を形成することができる。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法において、上記フレキシブル基板が形成されるロール状母基板面の表面粗さを測定する装備であるAFMAtomicForceMicroscopeや3-Dprofilerなどその他の表面粗さを測定する装備を利用して10μm×10μmのスキャン範囲で観測するとき、0<Rms<100nm、0<Rp-v<1000nmであることが好ましい。これは、上記表面粗さの範囲から外れる場合、フレキシブル基板の分離面の表面粗さも高くなり、後続研磨処理なしに電子素子を形成する場合、高品質の電子素子を具現しにくいためである。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法において、上記ロール状母基板は、ガラスと金属及び高分子材料からなる群より選択される一つ以上からなってもよい。中でも、上記ガラスは、ケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、リン酸塩ガラス、溶融シリカガラス、石英、サファイア、E2K、バイコールVycor登録商標からなる群より選択される一つ以上のガラス材料を含んでもよい。上記金属は、Fe、Ag、Au、Cu、Cr、W、Al、W、Mo、Zn、Ni、Pt、Pd、Co、In、Mn、Si、Ta、Ti、Sn、Zn、Pb、V、Ru、Ir、Zr、Rh、Mg、INVAR及びSUSSteelUseStainlessからなる群より選択される一つ以上の金属またはこれらの合金を含んでもよい。上記高分子材料は、ポリイミドPolyimide:PIまたはポリイミドを含む共重合体、ポリアクリル酸polyacrylicacidまたはポリアクリル酸を含む共重合体、ポリスチレンpolystyreneまたはポリスチレンを含む共重合体、ポリスルファートpolysulfateまたはポリスルファートを含む共重合体、ポリアミド酸polyamicacidまたはポリアミド酸を含む共重合体、ポリアミンpolyamineまたはポリアミンを含む共重合体、ポリビニルアルコールPolyvinylalcohol;PVA、ポリアリルアミンPolyallyamine及びポリアクリル酸polyacrylicacidからなる群より選択される一つ以上の高分子化合物を含むことができる。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法において、上記フレキシブル基板は金属からなることを特徴とする。上記フレキシブル基板を成す金属としては、Fe、Ag、Au、Cu、Cr、W、Al、W、Mo、Zn、Ni、Pt、Pd、Co、In、Mn、Si、Ta、Ti、Sn、Zn、Pb、V、Ru、Ir、Zr、Rh、Mg、INVAR及びSUSSteelUseStainlessからなる群より選択される一つ以上の金属またはこれらの合金を含んでもよいが、特に、インバールINVAR合金は、SiやSiO2、SiNなどの無機物半導体、絶縁体に類似する水準に熱膨脹係数を調節することができるため、温度上昇率と下降率などの工程条件を変える必要がなく、熱膨脹係数の差による亀裂発生を減少させるのに有利である。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法において、上記フレキシブル基板は鋳造法、電子線蒸着法、熱蒸着法、スポット蒸着法、化学気相蒸着法または電気メッキ法により形成されてもよい。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法において、上記電子素子は、有機発光表示装置organiclightemittingdisplay:OLED、液晶表示装置liquidcrystaldisplay:LCD、電気泳動表示装置Electrophoreticdisplay:EPD、プラズマディスプレイパネルplasmadisplaypanel:PDP、薄膜トランジスタthin-filmtransistor:TFT、マイクロプロセッサーmicroprocessor及びラムRandomaccessmemory:RAMからなる群より選択される一つ以上であってもよい。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法において、上記接着層はSiO2、MgO、ZrO2、Al2O3、Ni、Al及び雲母からなる群より選択される1以上の物質を含み、使用温度が450°C以上であることが好ましい。また、上記接着層はエポキシ、シリコン及びアクリル系からなる群より選択される少なくとも一つ以上の高分子接着剤を含む。また、本発明は上記フレキシブル電子素子の製造方法で製造されたフレキシブル電子素子を提供する。また、本発明は、ロール状母基板上にフレキシブル基板を形成した後上記母基板から分離した上記フレキシブル基板の分離面を電子素子の形成面として使用することを特徴とするフレキシブル基板を提供する。本発明によるフレキシブル基板は、研磨加工なしに、上記分離面の表面粗さをAFMAtomicForceMicroscopeを利用して10μm×10μmのスキャン範囲で観測するとき、0<Rms<100nm、0<Rp-v<1000nmであることを特徴とする。本発明によるフレキシブル基板は金属からなることを特徴とし、Fe、Ag、Au、Cu、Cr、W、Al、W、Mo、Zn、Ni、Pt、Pd、Co、In、Mn、Si、Ta、Ti、Sn、Zn、Pb、V、Ru、Ir、Zr、Rh、Mg、INVAR及びSUSSteelUseStainlessからなる群より選択される一つ以上の金属またはこれらの合金を含むことができる。中でも、インバールINVAR合金は、熱膨脹係数を非常に低く調節することができるため、最も好ましい。本発明によるフレキシブル基板は、1μm~500μmの厚さに形成されたことを特徴とする。本発明によるフレキシブル基板において、上記電子素子は、有機発光表示装置organiclightemittingdisplay:OLED、液晶表示装置liquidcrystaldisplay:LCD、電気泳動表示装置Electrophoreticdisplay:EPD、プラズマディスプレイパネルplasmadisplaypanel:PDP、薄膜トランジスタthin-filmtransistor:TFT、マイクロプロセッサーmicroprocessor及びラムRandomaccessmemory:RAMからなる群より選択される一つ以上であることを特徴とする。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法、フレキシブル電子素子及びフレキシブル基板は、以下のような効果が得られるため、高性能のフレキシブル電子素子を低費用で製造するのに大きく寄与すると期待される。第一に、ロール状母基板とほぼ同じ表面粗さを有する分離面上に電子素子を形成することで、既存のフレキシブル電子素子の製造方法では解決できなかったフレキシブル基板、特に、金属製フレキシブル基板の表面粗さの問題を容易に解決することができる。第二に、フレキシブル基板の表面粗さを極めて低く保持することができ、工程温度を350°C以下に低める高分子系の平坦化層が必要ないため、工程時間、費用が節減できるだけでなく、450°C以上の高温工程を通じてポリシリコンTFTのような高性能の電子素子を製作することができるという長所がある。第三に、フレキシブル基板の製造において、高価の研磨工程が必要なくなり、高い密度による低収率問題を解決することができて経済性が改善する。第四に、本発明によるフレキシブル基板の材料をインバール合金にする場合、SiやSiO2、SiNなどの無機物半導体、絶縁体と類似する水準に熱膨脹係数を低く調節することができるため、温度上昇率と下降率などの工程条件を変える必要がなくて、熱膨脹係数の差による亀裂発生を減少させるのに有利である。第五に、本発明の一側面として、フレキシブル基板を支持する仮基板を利用する電子素子の製造方法によると、フレキシブル基板の曲がり、返送、整列などの問題なく、既存のガラス基板の工程条件及び設備をそのまま利用することができ、ハンドリングが容易であることができる。第六に、母基板がロール状であるため、フレキシブル基板の蒸着と剥離をロールツーロールRollToRoll工程にすることができる。また、フレキシブル基板をロールに巻いた状態で返送することができ、必要に応じては、基板の生産、移送、電子素子の形成のような工程が連続的に行われることができるため、高い生産速度及び経済性において有利である。以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳しく説明する。また、本明細書及び請求の範囲に用いられる用語または単語は、通常、且つ辞書的な意味で解釈されてはならず、発明者らは自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に即し、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。従って、本明細書に記載された実施形態と図面に示された構成は、本発明の好ましい実施形態に過ぎず、本発明の技術的思想を全て代弁するものではない。よって、本出願時点において、これらに取り替えられる多様な均等物と変形例があり得、本発明の範囲は以下に記述する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものであり、また、図面における膜または領域の大きさまたは厚さは、明細書の明確な理解のために誇張されている。第1実施形態図1~図5は本発明の第1実施形態によるフレキシブル電子素子の製造方法を概略的に示したものである。図1~図5を参照すると、本発明の第1実施形態によるフレキシブル電子素子の製造方法は大きく分けて、ロール状母基板100にフレキシブル基板200を形成し図1のA1と図2、ロール状母基板100からフレキシブル基板200を分離してフレキシブル基板を製造する段階図1のB1と図3、図1のC1と図4と、分離したフレキシブル基板200の分離面に電子素子300と封止層400を形成する段階図5からなる。本発明の第1実施形態では、ロール状母基板100として、鏡面処理した表面粗さがRms<100nm、Rp-v<1000nmであるステンレス棒を使用し、電気メッキ方式によりCuで15μmのフレキシブル基板200を形成した後、キャリアロール110にフレキシブル基板200を巻いた。次いで、ロール状母基板100から分離したフレキシブル基板200の分離面上にOLED素子を形成した。OLED素子はフォトレジストを利用してパターンを形成した後、Cuフレキシブル基板上にAgで100nmの反射電極を形成し、CuOで1nm厚さの正孔注入層を形成し、上記正孔注入層上にa-NPDで70nm厚さの正孔輸送層を形成し、上記正孔輸送層上にAlq3で40nm厚さの発光層を形成し、上記発光層上にBCPで5nm厚さの正孔防止層を形成し、上記正孔防止層上にAlq3で20nm厚さの電子輸送層を形成し、上記電子輸送層上にAlで10nm厚さの透明電極を形成する方法により製造され、これにより、フレキシブルOLEDを製造することができた。第2実施形態図6~図8に示されたように、本発明の第2実施形態では、第1実施形態と異なって、ロール状母基板100とフレキシブル基板200の間に剥離層500を形成する方法によりフレキシブル基板200を製造した。このように剥離層500を形成する場合、フレキシブル基板200の分離形態は、図6に示されているように、フレキシブル基板200の界面で分離されたり、図7に示されているように、ロール状母基板100と剥離層500の界面で分離されたり、図8に示されているように、剥離層500の内面で分離されることができる。このとき、図6の場合は後続工程が必要ないが、図7及び図8の場合は剥離層500を除去する工程が追加されることもある。本発明の第2実施形態では、ロール状母基板100とフレキシブル基板200の分離方法として、本発明の第1実施形態と同様に、剥離層500とフレキシブル基板200の低い界面結合力を利用して物理的に剥がす方法を用いたが、酸、塩基性ソルベントなどを使用して化学的に剥離層500のみを選択的に除去する方法、照射するレーザー波長に比べて相対的にバンドギャップの小さい剥離層物質にレーザーを照射して分解剥離させる方法など、公知の多様な方法を用いてもよい。中でも、別途の化学的物質投入及び高価のレーザー照射装備が必要ないロール状母基板100とフレキシブル基板200の低い界面結合力を利用して物理的に剥がす方法が最も好ましい。本発明の第2実施形態では、ロール状の母基板100上に、剥離層として120nm厚さのITO層を形成した後、50nm厚さのTi下地層、100nm厚さのAuシード層、40μm厚さのINVAR層からなるTi/Au/INVAR層のフレキシブル基板を形成してから、Ti/Au/INVAR層のフレキシブル基板をガラス基板/ITO層から物理的に剥がす方式で分離した。第3実施形態図9~図14は本発明の第3実施形態によるフレキシブル電子素子の製造方法を概略的に示したものである。図9~図14を参照すると、本発明の第3実施形態によるフレキシブル電子素子の製造方法は、ロール状母基板100にフレキシブル基板200を蒸着して形成した後図9のA2と図10、その上に接着層700を介在して仮基板600をフレキシブル基板200に付着する図9のB2と図11、図9のC2と図12。その後、フレキシブル基板200上に形成されたロール状母基板100を分離し図9のD2と図13、フレキシブル基板200の分離面上に電子素子300及び封止層400を形成してフレキシブル電子素子を製造する段階図9のE2と図14からなる。即ち、第3実施形態は、フレキシブル基板200をハンドリングするための仮基板600を使用する点で第1実施形態と差異がある。一方、付着した仮基板600の使用用途によって、付着した状態で利用したり、分離することができる。仮基板600を分離する必要がある場合には、接着層700と仮基板600の間にさらに分離層を形成することが好ましい。具体的には、ロール状母基板100であるガラス基板上に5μm厚さのAgフレキシブル基板を熱蒸着法で形成した。その上にエポキシ接着剤を塗布した後、仮基板600であるPET基板を接着した。その後、80°Cで、1時間エポキシ接着剤を硬化させた後、Agフレキシブル基板をガラス基板から物理的に剥がして分離した。そして、ガラス基板から分離したフレキシブル基板200の分離面上にOLED素子を形成した。OLED素子は、PRPhotoResistを利用してパターンを形成した後、フレキシブル基板であるAgを反射電極として、CuOで1nm厚さの正孔注入層を形成し、上記正孔注入層上にa-NPDで70nm厚さの正孔輸送層を形成し、上記正孔輸送層上にAlq3で40nm厚さの発光層を形成し、上記発光層上にBCPで5nm厚さの正孔防止層を形成し、上記正孔防止層上にAlq3で20nm厚さの電子輸送層を形成し、上記電子輸送層上にAlで10nm厚さの透明電極を形成して製造した。