"主鎖を構成する繰り返し単位中に、下記一般式1で表される繰り返し単位を有することを特徴とする有機電界発光素子用重合体。ここで、Rは水素原子、C1~C20のアルキル基、C1~C20のアルコキシ基、C6~C30のアリール基、C6~C30のアリールオキシ基、C7~C36のアリールアルキル基、C7~C36のアリールアルキルオキシ基、C3~C30のヘテロアリール基、C3~C30のヘテロアリールオキシ基、又はC3~C30のシクロアルキル基であり、同一であっても異なっていてもよい。Yは単結合、C1~C20のアルキレン基、C6~C30のアリーレン基、C3~C30のヘテロアリーレン基、CO、COO、又はOである。ZはN位で結合するインドロカルバゾリル基であり、Wは電荷輸送性基であるが、Zと同じであることはない。m及びnは存在モル比を表わし、全繰り返し単位を100モルとしたとき、mは0~95モル、nは5~100モルである。lは平均の繰り返し数を表わし、2~10000である。一般式1において、mは0モルである請求項1に記載の有機電界発光素子用重合体。一般式1において、mは5~95モル、nは5~95モルである請求項1に記載の有機電界発光素子用重合体。重量平均分子量が1000~1000000である請求項1に記載の有機電界発光素子用重合体。一般式1におけるZが、下記式2~7に示すインドロカルバゾリル基から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子用重合体。式2~7中、Xは各々独立にCH、N又はC-Lの何れかであり、Lは独立にC6~C30のアリール基、C3~C30のヘテロアリール基、又はC12~C60のジアリールアミノ基を表す。R1は独立に、C1~C20のアルキル基、C1~C20のアルコキシ基、C6~C30のアリール基、C6~C30のアリールオキシ基、C7~C36のアリールアルキル基、C7~C36のアリールアルキルオキシ基、C3~C30のヘテロアリール基、C3~C30のヘテロアリールオキシ基、又はC3~C30のシクロアルキル基である。一般式1におけるWが、下記式8または9に示す電荷輸送性基である請求項1に記載の有機電界発光素子用重合体。式8、9中、X2は各々独立にCH、N、O,S又はC-Lの何れかであり、Lは独立にC6~C30のアリール基、C3~C30のヘテロアリール基、又はC12~C60のジアリールアミノ基であり、X2を含む環と結合して縮合環を形成してもよい。一般式1におけるWが、下記式10または11に示す電荷輸送性基であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子用重合体。式10、11中、R2は水素原子、C1~C20のアルキル基、C1~C20のアルコキシ基、C6~C30のアリール基、C6~C30のアリールオキシ基、C7~C36のアリールアルキル基、C7~C36のアリールアルキルオキシ基、C3~C30のヘテロアリール基、C3~C30のヘテロアリールオキシ基、又はC3~C30のシクロアルキル基であり、同一であっても異なっていてもよい。基板上に積層された陽極層及び陰極層の間に有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層の少なくとも一層に請求項1~7のいずれかに記載の有機電界発光素子用重合体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。有機電界発光素子用重合体を含有する有機層が正孔輸送層である請求項8に記載の有機電界発光素子。以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。本発明の有機電界発光素子用重合体は、一般式1で表されるオリゴマー又は高分子である。ここで、本発明の有機電界発光素子用重合体は単独重合体であることも、共重合体であることもできる。なお、一般式12は、一般式1において、mが0である場合に該当し、一般式12中の、R、Y及びZは一般式1と同意であり、pはlに対応するので、一般式1の説明からこれらの記号の意味が理解される。一般式1に係る説明は一般式12にも共通するので、一般式1に係る説明で代表する。一般式1において、Z及びWはペンダント側鎖であり、ZはN位で結合するインドロカルバゾール骨格を有する基であり、Wは電荷輸送性基である。Zを含む単位をUz、Wを含む単位をUwとすれば、一般式1は、次式1Aのように表わすことができる。mnl1A本発明の有機電界発光素子用重合体は、優れた電荷輸送能力、特に正孔輸送能力を付与できるインドロカルバゾール骨格を、主鎖を構成する単位中にペンダント側鎖として有している。ここで、主鎖を構成する単位は繰り返し単位を意味するが、この繰り返し単位は1種だけでなく、2種以上であってもよい。一般式1または一般式12において、l及びpは繰り返し数であり、重量平均分子量によって定まるが、平均数平均の繰り返し数としては2~10000、好ましくは5~1000である。また、本発明の有機電界発光素子用重合体は、一般式1で表わされる繰り返し単位以外の単位又は末端を含んでもよいが、一般式1で表わされる繰り返し単位が全繰り返し単位の50モル以上、好ましくは80モル以上であることがよい。一般式1において、Rは水素原子、C1~C20のアルキル基、C1~C20のアルコキシ基、C6~C30のアリール基、C6~C30のアリールオキシ基、C7~C36のアリールアルキル基、C7~C36のアリールアルキルオキシ基、C3~C30のヘテロアリール基、C3~C30のヘテロアリールオキシ基、又はC3~C30のシクロアルキル基であり、同一であっても異なっていてもよい。これらの基に炭化水素鎖が含まれる場合は、直鎖であっても分岐鎖であってもよく、Cl、F等のハロゲンが置換していても構わない。好ましくは、水素原子、C1~C12のアルキル基、C1~C12のアルコキシ基、C6~C24のアリール基、C6~C24のアリールオキシ基、C7~C28のアリールアルキル基、C7~C28のアリールアルキルオキシ基、C3~C24のヘテロアリール基、C3~C24のヘテロアリールオキシ基、又はC3~C24のシクロアルキル基である。Zを含む単位Uz、及びWを含む単位Uw中には、それぞれ3個のRが存在するが、その2つ又は3つが水素原子であることが好ましく、更には3つが水素原子であることがより好ましい。また、これらの基は置換基を有していても良く、置換基を有する場合、前記炭素数は置換基も含めて計算するものとする。その置換基としては、性能を阻害するものでなければ特に限定するものではないが、C1~C4のアルキル基、フェニル基、ピリジル基、カルバゾリル基であることが好ましい。Yは、単結合、C1~C20のアルキレン基、C6~C30のアリーレン基、C3~C30のヘテロアリーレン基、CO、COO、又はOであり、好ましくは単結合、C6~C30のアリーレン基、C3~C30のヘテロアリーレン基である。これらの基に炭化水素鎖が含まれる場合は、直鎖であっても分岐鎖であってもよく、Cl、F等のハロゲンが置換していても構わない。また、これらの基は置換基を有していても良く、前記Rで説明した置換基と同様である。Yは連結基が長くなるほど繰り返し単位中の電荷輸送能力が低下すると共に熱的にも不安定性になるため、単結合であることがより好ましい。Zは、N位で結合するインドロカルバゾリル基である。このインドロカルバゾリル基は、インドール環とカルバゾール環が縮合した5環の縮合環化合物の1つのN位に置換基を有する化合物からHを1つとって生じる基である。このインドロカルバゾリル基は、2つのNを有するが、1つのNは置換基と結合し、他の1つのNはYを介して主鎖と結合するN位置換インドロカルバゾリル基であることがよい。また、このN位で結合するインドロカルバゾリル基は、Nインドロカルバゾリル基ともいい、インドロカルバゾール環を構成する炭素に置換基を有することができる。このインドロカルバゾリル基は、インドール環とカルバゾール環との縮合可能な位置が複数存在するため、下記式A~Fの6種類の構造異性体の基をとり得るが、いずれの構造異性体であってもよい。また、インドロカルバゾリル基は、主鎖と結合していない他方のN位に6員環芳香族基を有することが好ましい。また、インドロカルバゾール基前記他方のN位に置換する6員環芳香族基を含むは、本発明の効果を阻害しない範囲で、置換基を有することができる。式A~Fは、インドロカルバゾール骨格と主鎖との結合位置のみ表示一般式1中のZで表されるNインドロカルバゾリル基としては、上記式2~7に示す構造からなる群より選択されるいずれか1つ、もしくは2つ以上のインドロカルバゾリル基である。2つ以上である場合は、一般式1中のZは、2種類以上のインドロカルバゾリル基からなることになる。前記式2~7において、R1は独立に、C1~C20のアルキル基、C1~C20のアルコキシ基、C6~C30のアリール基、C6~C30のアリールオキシ基、C7~C36のアリールアルキル基、C7~C36のアリールアルキルオキシ基、C3~C30のヘテロアリール基、C3~C30のヘテロアリールオキシ基、又はC3~C30のシクロアルキル基であり、好ましくはC1~C20のアルキル基、C6~C30のアリール基、C7~C36のアリールアルキル基、C3~C30のヘテロアリール基である。これらの基に炭化水素鎖が含まれる場合は、直鎖であっても分岐鎖であってもよく、Cl、F等のハロゲンが置換していても構わない。また、これらの基はさらに置換基を有していても良く、前記一般式1中のRで説明した置換基と同様である。前記式2~7において、Xは、各々独立にCH、N又はC-Lの何れかである。ここで、Lは独立にC6~C30のアリール基、C3~C30のヘテロアリール基、又はC12~C60のジアリールアミノ基であり、C6~C24のアリール基、C3~C24のヘテロアリール基、又はC12~C36のジアリールアミノ基であることが好ましい。ここで、好ましいアリール基、ヘテロアリール基、又はジアリールアミノ基のアリール基としては、ベンゼン、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アズレン、ヘプタレン、オクタレン、インダセン、アセナフチレン、フェナレン、フェナンスレン、アントラセン、トリンデン、フルオランテン、アセフェナントリレン、アセアントリレン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、テトラフェン、テトラセン、プレイアデン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン、テトラフェニレン、コラントリレン、ヘリセン、ヘキサフェン、ルビセン、コロネン、トリナフチレン、ヘプタフェン、ピラントレン、オバレン、コラヌレン、フルミネン、アンタントレン、ゼトレン、テリレン、ナフタセノナフタセン、トルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、キサンテン、オキサトレン、ジベンゾフラン、ペリキサンテノキサンテン、チオフェン、チオキサンテン、チアントレン、フェノキサチイン、チオナフテン、イソチアナフテン、チオフテン、チオファントレン、ジベンゾチオフェン、ピロール、ピラゾール、テルラゾール、セレナゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、フラザン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、インドリジン、インドール、イソインドール、インダゾール、プリン、キノリジン、イソキノリン、カルバゾール、インドロカルバゾール、イミダゾール、ナフチリジン、フタラジン、キナゾリン、ベンゾジアゼピン、キノキサリン、シンノリン、キノリン、プテリジン、フェナントリジン、アクリジン、ペリミジン、フェナントロリン、フェナジン、カルボリン、フェノテルラジン、フェノセレナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、アンチリジン、テベニジン、キンドリン、キニンドリン、アクリンドリン、フタロペリン、トリフェノジチアジン、トリフェノジオキサジン、フェナントラジン、アントラジン、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、ベンゾイソチアゾール又はこれら芳香環が複数連結された芳香族化合物から水素を除いて生じる基、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基等が挙げられる。より好ましくはベンゼン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、インドール、カルバゾール又はこれら芳香環が複数連結された芳香族化合物から水素を除いて生じる基、ジフェニルアミノ基が挙げられる。なお、芳香環が複数連結された芳香族化合物から生じる基である場合、連結される数は2~10が好ましく、より好ましくは2~5であり、連結される芳香環は同一であっても異なっていても良い。また、前記アリール基、ヘテロアリール基、又はジアリールアミノ基のアリール基は、置換基を有していてもよく、置換基を有する場合、置換基の総数は1~10、好ましくは1~6であり、より好ましくは1~4である。なお、芳香環が複数連結された芳香族化合物から生じる基も同様に置換基を有することができる。置換基は限定されるものではないが、好ましい置換基としては炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数1~20のアルキルチオ基、炭素数1~20のアルキル置換アミノ基、炭素数2~20のアシル基、炭素数12~24のジアリールアミノ基等が挙げられる。より好ましくはメチル基、エチル基、nプロピル基、iプロピル基、nブチル基、tブチル基、メトキシ基、エトキシ基、nプロポキシ基、iプロポキシ基、フェニル基、ピリジル基、ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基があげられる。置換基を2つ以上有する場合は、同一であっても異なっていても良い。また、一般式1において、m及びnは存在モル比を表わし、全繰り返し単位を100モルとしたとき、mは5~95モル、nは5~95モルである。mは、好ましくは10~90モル、より好ましくは50~80モルである。nは、好ましくは10~90モル、より好ましくは20~50モルである。lは繰り返し数を表わし、重量平均分子量によって定まるが、平均数平均の繰り返し数としては2~10000、好ましくは5~1000である。前記一般式1中のWは、電荷輸送性基である。この電荷輸送性基には、正孔輸送性基と電子輸送性基がある。正孔輸送性基は、主として正孔の輸送を担うため、正孔に対する安定性すなわち酸化安定性が求められ、一方、電子輸送性基は電子の輸送を担うため、電子に対する安定性すなわち還元安定性が求められる。また、それぞれの電荷に対する移動度、すなわち正孔輸送性基の場合は正孔移動度が、電子輸送性基の場合は電子移動度が高い方が、正孔注入層等の隣接した層から移動してきた電荷を効率よく発光層へ取り込むことができ、素子の駆動電圧を下げることが可能となるため、より好ましい。正孔輸送性基としては、カルバゾールやフェニルアミン等の単位を含む基が、電子輸送性基としては、オキサジアゾール単位、トリアジン単位、トリアゾール単位等を含む基が使用できる。しかし、一般式1において、WはZと同じであることはないので、WはN位置換のインドロカルバゾリル基であることはない。電荷輸送性基としては、前記式8~9、式10~11で表わされるいずれかの電荷輸送性基が好ましく挙げられる。式8~9中、X2は各々独立にCH、N、O,S又はC-Lの何れかであり、Lは独立にC6~C30のアリール基、C3~C30のヘテロアリール基、又はC12~C60のジアリールアミノ基であり、X2を含む環と結合して縮合環を形成してもよい。また、これらの基はさらに置換基を有していても良く、前記一般式2~7のXで説明した置換基と同様である。式10~11中、R2は水素原子、C1~C20のアルキル基、C1~C20のアルコキシ基、C6~C30のアリール基、C6~C30のアリールオキシ基、C7~C36のアリールアルキル基、C7~C36のアリールアルキルオキシ基、C3~C30のヘテロアリール基、C3~C30のヘテロアリールオキシ基、又はC3~C30のシクロアルキル基であり、同一であっても異なっていてもよい。これらの基に炭化水素鎖が含まれる場合は、直鎖であっても分岐鎖であってもよい。また、これらの基はさらに置換基を有していても良く、前記一般式1のRで説明した置換基と同様である。一般式1及び12において、主鎖を形成する繰り返し単位は、特に限定するものではないが、重合の容易さ、素子性能向上の観点から、インドロカルバゾリル基または電荷輸送性基が置換したビニル化合物を重合または共重合してなるエチレン鎖やスチレン鎖を繰り返し単位とする重合体であることが好ましい。次に、一般式1又は式1Aにおいて、Nインドロカルバゾリル基を有する単位又はUzを与えるビニル化合物を以下に例示する。このビニル化合物は必要に応じて1種又は2種以上を混合して使用してもよい。また、例示された化合物に限定されない。次に、一般式1又は式1Aにおいて、電荷輸送性基を有する単位又はUwを与えるビニル化合物を以下に例示する。ここで、電荷輸送性基が置換したビニル化合物には、正孔輸送性基が置換したビニル化合物と電子輸送性基が置換したビニル化合物、または両方の輸送性基が置換したビニル化合物がある。このビニル化合物は必要に応じて1種又は2種以上を混合して使用してもよい。また、例示された化合物に限定されない本発明のインドロカルバゾール系有機電界発光素子用重合体は公知の方法でモノマーを重合して容易に製造することができる。例えば、以下の反応式により製造することができる。重合方法は、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合、付加重合のいずれでもよいが、汎用的観点からラジカル重合が望ましい。上記は、単独のモノマーを重合して得られる重合体の製造例であるが、複数のモノマーを共重合して得られる重合体の製造例は、上記と同様にして電荷輸送性基を有するモノマーを製造し、これを上記モノマーと共重合する例が示される。本発明のインドロカルバゾール系重合体の重量平均分子量Mwは、1,000~1,000,000であり、好ましくは5,000~300,000である。Mwが1,000未満であると均一な膜を形成することが困難となり、1,000,000より大きくなると有機溶剤に対する溶解性が極端に悪くなり溶液塗布が困難となる。以下に、本発明のインドロカルバゾール骨格を有する重合体の一例を示すが、これらに限定されるものではない。なお、本発明の有機電界発光素子用重合体は、本発明の効果を阻害しない範囲で、その他の繰り返し単位を少量存在させてもよい。例えば、メタアクリル酸エステルやスチレンから生じる単位を少量存在させてもよい。また、有機電界発光素子用重合体が共重合体である場合は、重合形式はランダムであっても、ブロックであっても差し支えない。なお、式p11~p12の共重合体は交互に重合した形式となっているが、ランダムであっても、ブロックであっても差し支えない。本発明の有機電界発光素子用重合体は、有機EL素子の有機層に含有させることにより、優れた有機電界発光素子を与える。好ましくは、発光層、正孔輸送層、電子輸送層及び正孔阻止素子層から選ばれる少なくとも一つの有機層に含有させることがよい。更に好ましくは、正孔輸送層の材料として含有させることがよい。次いで、本発明の有機電界発光素子用重合体を用いた有機電界発光素子について説明する。以下、本発明の有機電界発光素子用重合体を本発明の重合体ともいう。本発明の重合体を用いた有機電界発光素子は、一対の陽極と陰極の間に複数の有機層を持ち、特に正孔輸送層/発光層兼電子輸送層、正孔輸送層兼発光層/電子輸送層、または正孔輸送層/発光層/電子輸送層からなることが好ましい。特に好ましくは、正孔輸送層/発光層/電子輸送層の層構造である。また、本発明の有機電界発光素子は、また各有機層を形成した後、それぞれに保護層を設けることもできる。更に、素子全体を水分や酸素から保護するために保護膜を設けてもよい。発光層は、発光材料を含有する層であり、蛍光であっても燐光であっても構わない。また、発光材料をドーパントとして用い、ホスト材料を併用しても構わない。発光層における発光材料は、蛍光発光材料としては以下に示すような化合物が使用可能である。一方、燐光発光材料としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金から選ばれる少なくとも一つの金属を含む有機金属錯体を含有するものがよい。かかる有機金属錯体は、前記特許文献等で公知であり、これらが選択されて使用可能である。高い発光効率を得るための燐光発光材料としては、Ir等の貴金属元素を中心金属として有するIr3等の錯体類、Ir2acac3等の錯体類、PtOEt3等の錯体類が挙げられる。以下に、燐光発光材料を具体的に例示するが、これらに限定されるものではない。発光材料の種類を変えることによって様々な発光波長を持つ有機電界発光素子とすることができる。前記発光材料をドーパントとして使用する場合、発光層中に含有される量は、1~50重量の範囲にあることが好ましい。より好ましくは5~30重量である。発光層におけるホスト材料としては、公知のホスト材料が使用可能で有り、本発明の重合体をホスト材料として用いることもできる。また、本発明の重合体と他のホスト材料を併用してもよい。使用できる公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有し、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高いガラス転移温度を有する化合物であることが好ましい。このような他のホスト材料は、多数の特許文献等により知られているので、それらから選択することができる。ホスト材料の具体例としては、特に限定されるものではないが、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8―キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体、ポリシラン系化合物、ポリNビニルカルバゾール誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。正孔輸送層を形成する正孔輸送性化合物としては、本発明の有機電界発光素子用重合体有利に使用される。必要に応じて、本発明の目的を損なわない範囲で、第3級アミンのトリフェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体などが例示される。低分子正孔輸送性化合物などを添加剤として1種又は2種以上配合し、組成物として用いてもよい。以下に、正孔輸送性化合物を具体的に例示するが、これらに限定されるものではない。電子輸送層を形成する電子輸送性化合物としては、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアゾール誘導体などが例示される。必要に応じて、本発明の目的を損なわない範囲で、低分子電子輸送性化合物などを添加剤として1種又は2種以上配合し、組成物として用いてもよい。以下に、電子輸送性化合物を具体的に例示するが、これらに限定されるものではない。また、陽極からの正孔注入効率を向上させるために陽極と正孔輸送層又は発光層の間に正孔注入層を入れてもよい。正孔注入層形成する正孔注入材料としては、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体などの導電性高分子が使用できる。中でも、ポリチオフェン誘導体のポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSSが正孔注入効率の点から好ましい。正孔注入層を使用する場合、その厚さは好ましくは200nm以下、より好ましくは100nm以下である。陽極は、正孔注入層、正孔輸送層または発光層などに正孔を供給するものであり、一般的にガラス基板上に形成される。本発明に用いられる陽極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウムスズ酸化物ITO、スズ酸化物などの導電性金属酸化物や金、銀、白金などの金属が挙げられる。また、市販のITO付ガラスを使用することもできる。市販のITO付ガラスは、通常、洗浄剤水溶液、溶剤洗浄後、UVオゾン照射装置又はプラズマ照射装置により清浄して使用される。陰極は、電子輸送層または発光層に電子を供給するものであり、本発明に用いられる陽極材料は特に限定されないが、具体的にはLi、Mg、Ca、Alなどの金属やそれらの合金、例えばMg-Ag合金、Mg-Al合金などが挙げられる。陰極及び陽極は公知の方法、つまり真空蒸着法やスパッタリング法によって形成できる。陰極の厚さは、好ましくは300nm以下、より好ましくは200nm以下であり、一方、陽極の厚さは、好ましくは200nm以下、より好ましくは100nm以下である。高分子発光材料、正孔輸送層用高分子材料又は電子輸送層用高分子材料などの高分子層の製膜法としては、一般的にスピンコート法が用いられており、その他にも大面積の有機高分子層を製膜する手法として、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、ディスペンサー法などが挙げられるが、何らこれらに限定されるものではない。以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。実施例で合成した化合物は、1H-NMR溶媒:重クロロホルム、FD-MS、GPC、TGA、DSC、UV及びIR分析から選ばれる1種類以上の分析法により同定した。実施例1スキーム13に従い化合物A-1から化合物A-2を合成し、次いで重合体P-1を合成する。窒素雰囲気下、100mlナスフラスコに、化合物A-1を2.00g6.02mmolに1,2-ジクロロエタン30.0gを加え、バス温50°Cにて攪拌した。臭化テトラブチルアンモニウム0.76g2.36mmolと水酸化カリウム17.56g314mmol、炭酸カリウム15.8g114mmolを4回に分けて投入しながら、バス温50°Cで101時間攪拌した。室温まで降温後、固形分をろ別し、ろ液を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して白色粉末の化合物B-1を1.93g収率81得た。次いで、窒素雰囲気下、ジムロートを具備した300mlナスフラスコに、化合物B-1を2.59g6.56mmol、イソプロピルアルコール125.0g、テトラヒドロフランTHF50.0g、ヒドロキノン36mg0.33mmol、水酸化カリウム12.5g223mmolを投入し、23時間、バス温90°Cにて加熱還流した。室温まで降温後、蒸留水200gを装入し、イソプロピルアルコールおよびTHFを減圧留去した。この溶液を、ジクロロメタン250gで4回抽出し、抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。固形物を吸引ろ過後、溶剤を減圧留去し、粗生成物5.48gを得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製後、ジクロロメタン/イソプロピルアルコールにて2回再結晶を行い、化合物A-2を2.10g収率89得た。化合物A-2の1H-NMR及びFDMSスペクトルを以下に示す。1H-NMR400MHz、CDCl3:δppm;8.7251H、d、8Hz、8.0831H、brd、8Hz、8.0661H、d、8Hz、7.8611H、dd、10、16Hz、7.8321H、brd、8Hz、7.6572H、t、8Hz、7.5982H、d、8Hz、7.5421H、t、8Hz、7.4481H、t、8Hz、7.3982H、m、7.3153H、m、5.6711H、d、16Hz、5.6641H、d、10HzFD-MSスペクトル:358M、base得られた化合物A-2を重合させて重合体P-1を合成した。具体的には、化合物A-20.5g0.17mmolをベンゼン25mlに溶解し、触媒としてAIBN0.27gを添加し、窒素置換後70°C、17時間反応させた。反応液を希釈後、アセトニトリルを用いて再沈殿精製させた。精製したポリマー分を回収し、これを再度アセトニトリルに投入して繰り返しリスラリーすることにより、重合体P-1を0.10gを得た。得られたポリマーは、GPC、TGA及びDSCで同定した。Mwは、GPCTHFのポリスチレン換算で6,000、分子量分布2.0であった。また、DSCより求めたTgは、221°Cであった。実施例2実施例1で得た重合体P-1の素子評価を行った。まず、溶媒洗浄、UVオゾン処理した膜厚150nmからなるITO付ガラス基板に、正孔注入層としてポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS:エイチシーシュタルク株式会社製、商品名:クレビオスPCH8000を膜厚25nmで製膜した。次に、合成した重合体P-1をTHFに溶解して0.4wt溶液に調製し、スピンコート法により正孔輸送層として20nmを製膜した。次に、真空蒸着装置を用いて、発光層ドーパントとしてトリス2-p-トリルピリジンイリジウムIIIを、発光層ホストとして4,4’-ビス9H-カルバゾル-9-イルビフェニルを用い、ドーパント濃度が0.6wtとなるように共蒸着し、40nm発光層を製膜した。その後、真空蒸着装置を用いて、トリス8-ヒドロキシキノリネートアルミニウムAlq3を35nm、陰極としてLiF/Alを膜厚170nmで製膜し、この素子をグローブボックス内で封止することにより有機電界発光素子を作製した。こうして得られた有機電界発光素子に外部電源を接続し、0~10Vの直流電圧を印加した時に、電流密度20mA/cm2で表1のような発光特性を有することが確認された。なお、素子発光スペクトルの極大波長は550nmであり、イリジウム錯体由来の緑色発光が観測された。実施例3化合物A-2を重合させる際、開始剤であるAIBN量を0.12g、溶媒のベンゼン量を15mlに変更した以外は、実施例1と同様にして重合体P-2を得た。このポリマーのMwは20,000、分子量分布2.2であった。また、ポリマーのTgは214°Cであった。素子評価は、実施例2と同様に行った。実施例4スキーム14に従い化合物A-1から化合物A-3を合成し、次いで重合体P-3を合成する。窒素雰囲気下、100mlナスフラスコに、化合物A-1を2.00g6.02mmol、ジメチルホルムアミド30.0g、4-クロロメチルスチレン1.01g6.63mmolを投入し、室温で攪拌した。62.3wt水素化ナトリウム0.46g12.05mmolを数回に分けて投入し、投入終了後、3時間攪拌した。少量の蒸留水で過剰な水素化ナトリウムをクエンチした後、反応混液に蒸留水100gを追加装入し、固形物をろ過した。この固形物をTHFで再結晶し、化合物A-3を2.38g収率88得た。化合物A-3の1H-NMR及びFDMSスペクトルを以下に示す。1H-NMR400MHz、CDCl3:δppm;8.1411H、d、8Hz、8.1211H、brd、8Hz、8.0661H、brd、8Hz、7.6552H、m、7.5882H、d、8Hz、7.5421H、t、8Hz、7.4494H、m、7.24-7.376H、m、7.0721H、ddd、2、7、8Hz、6.7291H、dd、11、18Hz、6.1362H、s、5.7541H、dd、1、18Hz、5.2501H、dd、1、11HzFD-MSスペクトル:448M、base得られた化合物A-30.30g、溶媒を脱水THF30ml、触媒としてAIBNを5.6mgを投入し、60°Cで48時間重合した。重合液をアセトンを用いて再沈澱精製させ、重合体P-30.11gを得た。このポリマーのMwは17,000、分子量分布2.6であった。また、ポリマーのTgは217°Cであった。素子評価は、実施例2と同様に行った。実施例5スキーム15に従い化合物A-4を合成し、次いで重合体P-4を合成する。窒素雰囲気下、500mlナスフラスコに、化合物A-1を18.2g54.7mmolに1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン180.0gを入れ、バス温190°Cにて攪拌した。3-ヨードベンズアルデヒド25.4g109.3mmolと酸化第一銅1.96g13.6mmol、炭酸カリウム11.3g82mmolを投入して20時間攪拌した。室温まで降温後、固形分をろ別し、ろ液にトルエン及び水を加えて油水分離した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水し、減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで2回精製して白色粉末の化合物B-2を14.4g収率60得た。次いで、窒素雰囲気下、500mlナスフラスコに、化合物B-2を14.2g32.6mmol、臭化メチルトリフェニルホスホニウム12.2g34.2mmol及び脱水テトラヒドロフラン380mlを加えて室温にて攪拌した。これにtertブトキシド4.0g35.8mmolの脱水THF溶液30mlを20分間かけて滴下しさらに室温で2時間反応させた。これを2Lナスフラスコに移して水400mlを投入した。THFを留去した後、ジクロロメタンを入れて油水分離し有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水して減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで2回精製して白色粉末の化合物A-4を7.2g収率51得た。化合物A-4の1H-NMR及びFDMSスペクトルを以下に示す。1H-NMR400MHz、CDCl3:δppm;8.1711H、d、8Hz、8.1521H、dd、8、1Hz、7.54-7.726H、m、7.51-7.542H、m、7.16-7.351H、7H、m、6.8071H、dd、17、11、6.8031H、dt、1、8Hz、6.0561H、d、8Hz、5.8111H、d、17Hz、5.3291H、d、11HzFD-MSスペクトル:434M、base化合物A-42.5g、脱水トルエン10ml、触媒としてAIBNを34.1mg、重合時間を20時間に変更した以外は、実施例1と同様に重合及び後処理して重合体P-41.21gを得た。このポリマーのMwは13,000、分子量分布2.1であった。また、ポリマーのTgは262°Cであった。素子評価は、実施例2と同様に行った。実施例6スキーム16に従い化合物A-5を合成し、次いで重合体P-5を合成する。化合物A-16.4g19.3mmolに4-ヨードベンズアルデヒド8.8g38.3mmolを用いる以外は、実施例5と同様に反応、後処理を行うことにより、白色粉末の化合物A-5を3.2g収率71得た。化合物A-2の1H-NMR及びFDMSスペクトルを以下に示す。1H-NMR400MHz、CDCl3、δppm;8.1651H、d、8Hz、8.1481H、dt、7、1Hz、7.7022H、brd、8Hz、7.58-7.676H、m、7.5291H、tt、7、2Hz、7.28-7.365H、m、7.2251H、ddd、8、7、1Hz、6.9301H、dd、18、11Hz、6.8171H、ddd、8、7、1Hz、6.1261H、brd、8Hz、5.9311H、dd、18、1Hz、5.4341H、dd、11、1HzFD-MSスペクトル:434M、base化合物A-52.0g、脱水トルエン20ml、触媒としてAIBNを25.6mgを投入し、重合時間を28時間に変更した以外は、実施例1と同様に重合及び後処理して重合体P-51.13gを得た。このポリマーのMwは11,000、分子量分布1.9であった。また、ポリマーのTgは275°Cであった。素子評価は、実施例2と同様に行った。実施例7スキーム17に従い化合物A-7を合成し、次いで重合体P-6を合成する。化合物A-627.8g108mmolと3-ヨードベンズアルデヒド25.0g108mmolを用いて化合物B-4をまず合成し、次いでヨードベンゼン48.7g239mmolを反応させる以外は、実施例5と同様に反応、後処理を行うことにより、白色粉末の化合物A-7を7.3g収率64を得た。化合物A-7の1H-NMR及びFDMSスペクトルを以下に示す。1H-NMR400MHz、CDCl3、δppm;8.171、8.149、7.55-7.668H、m、7.469、7.28-7.38、7.222、6.8081H、dd、11,18Hz、6.789ddd、8、7、1Hz5.9401H、dd、8、1Hz、5.8311H、dd、18、1Hz、5.3551H、d、11HzFD-MSスペクトル:434M、base25mlナス型フラスコに、化合物A-71.2g、エチルベンゼン1mlを入れた混合液を脱揮、窒素置換を繰り返した後、バス温125°Cで65時間重合した。重合液を希釈後、メタノールを用いて再沈殿精製させた。精製したポリマー分を回収し、これを再度メタノールに投入して繰り返しリスラリーすることにより、重合体P-60.54gを得た。このポリマーのMwは300,000、分子量分布2.3であった。また、ポリマーのTgは280°Cであった。素子評価は、実施例2と同様に行った。比較例1スキーム18に従い4-ジフェニルアミノベンズアルデヒドから化合物B-6をを合成し、次いで重合体EP-1を合成する。窒素雰囲気下、4-ジフェニルアミノベンズアルデヒド10.00g、臭化メチルトリフェニルホスホニウム13.71g、脱水THF250mlを入れた混合液中に、カリウムt-ブトキシド4.52gの脱水THF溶液を滴下し、室温で5時間攪拌した。反応混液に蒸留水200gを添加した後、THFを減圧下で留去した。この溶液を、ジエチルエーテル200gで2回抽出し、抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。固形物を吸引ろ過後、溶剤を減圧留去し、粗生成物12.8gを得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製後、ヘキサンにて再結晶を行い、化合物B-6を6.26g収率63得た。化合物B-6の1H-NMR及びFDMSスペクトルを以下に示す。1H-NMR400MHz、CDCl3:δppm;7.2872H、d、8Hz、7.2372H、d、8Hz、7.2492H、t、8Hz、7.0904H、d、8Hz、7.0164H、t、8Hz、6.6611H、dd、11、18Hz5.6371H、dd、1、18Hz、5.1551H、dd、1、11HzFD-MSスペクトル:271M、baseモノマーとして、化合物B-6を用いる以外は実施例1と同様な方法で重合、後処理を実施した。得られた重合体EP-1のMwは29,000、分子量分布2.3であった。また、ポリマーのTgは137°Cであった。素子評価は、実施例2と同様に行った。比較例2モノマーとして、4-N-カルバジルメチルスチレンを用いる以外は実施例1と同様な方法で重合、後処理を実施した。得られた4-N-カルバジルメチルスチレン重合体重合体EP-2のMwは11,000、分子量分布2.0であった。また、ポリマーのTgは148°Cであった。素子評価は、実施例2と同様に行った。素子評価に使用した重合体と評価結果を表1に示す。重合体はいずれも正孔輸送層に使用したものである。表1に示す輝度は、20mA/cm2での値である。なお、素子発光スペクトルの極大波長は550nmであり、イリジウム錯体由来の緑色発光が観測された。実施例8化合物A-2と合成例6で得た化合物B-6を共重合させて共重合体CP-1を合成した。具体的にはスキーム19に示すように、化合物A-20.36g1.0mmol、化合物B-60.07g0.25mmolをベンゼン20mlに溶解し、触媒としてAIBN4.7mgを添加し、窒素置換後70°C、16時間反応させた。反応液を希釈後、アセトニトリルを用いて再沈殿精製させた。精製したポリマー分を回収し、これを再度アセトニトリルに投入して繰り返しリスラリーすることにより、重合体CP-1を0.14g得た。得られた重合体は、GPC、TGA及びDSCで同定した。Mwは、GPCTHFのポリスチレン換算で9,000、分子量分布2.2であった。重合体CP-1について、化合物A-2及び化合物B-6由来の繰り返し単位の比を1H-NMRで測定したところ、A-2/B6=72/28molmolであった。また、DSCより求めたTgは、193°Cであった。実施例9実施例8で得た重合体CP-1の素子評価は、まず溶媒洗浄、UVオゾン処理した膜厚150nmからなるITO付ガラス基板に、正孔注入層としてポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS:エイチシーシュタルク株式会社製、商品名:クレビオスPCH8000を膜厚40nmで製膜した。次に、合成した重合体CP-1をテトラヒドロフランに溶解して0.4wt溶液に調製し、スピンコート法により正孔輸送層として20nmを製膜した。次に、真空蒸着装置を用いて、発光層ドーパントとしてトリス2-p-トリルピリジンイリジウムIII、発光層ホストとして、4,4’-ビス9H-カルバゾル-9-イルビフェニルを用い、ドーパント濃度が0.6wtとなるように共蒸着し、発光層として40nmを製膜した。その後、真空蒸着装置を用いて、Alq3を25nm、陰極としてLiF/Alを膜厚170nmで製膜し、この素子をグローブボックス内で封止することにより有機電界発光素子を作製した。こうして得られた有機電界発光素子に外部電源を接続し、0~10Vの直流電圧を印加した時に、電流密度20mA/cm2で、表2のような発光特性を有することが確認された。なお、素子発光スペクトルの極大波長は550nmであり、イリジウム錯体由来の緑色発光が観測された。実施例10開始剤であるAIBN量を2.0mgに変更した以外は、実施例8と同様にして共重合体CP-2を得た。このポリマーのMwは24,000、分子量分布2.3であり、A-2/B-6は72/28molmolであり、Tgは194°Cであった。素子評価は、実施例9と同様に行った。実施例11スキーム20に従い重合体CP-3を合成する。50mlナス型フラスコに、化合物A-30.45g1.0mmolと化合物B-60.03g0.11mmol、脱水THF20mlを入れた混合液中に、触媒としてAIBNを5.0mgを投入し、脱揮、窒素置換を繰り返した後、60°Cで24時間重合した。重合液を希釈後、アセトンを用いて再沈殿精製させた。精製したポリマー分を回収し、これを再度アセトンに投入して繰り返しリスラリーすることにより、共重合体CP-30.14gを得た。このポリマーのMwは21,000、分子量分布2.3であり、Tgは204°Cであり、A-3/B-6は84/16molmolであった。得られた共重合体CP-3の素子評価は、実施例9と同様に行った。比較例3スキーム21に従い、重合体EP-3を合成する。モノマーとして、スチレンと化合物B-6を用いる以外は実施例8と同様な方法で重合及び後処理を実施した。得られた重合体EP-3のMwは32,000、分子量分布2.6であり、Tgは119°Cであった。スチレンSt及び化合物B-6に由来する繰り返し単位の比は、St/B-6=62/38molmolであった。また、ポリマーの素子評価は、実施例9と同様に行った。素子評価に使用した重合体と評価結果を表2に示す。重合体はいずれも正孔輸送層に使用したものである。本発明の有機電界発光素子用重合体を用いることにより、有機電界発光素子の正孔注入性が改善され、発光効率に優れるものとなる。また、塗布成膜法等による大面積素子が容易に作製可能となる。"