"半導体レーザ素子及び光反射装置を備えており、半導体レーザ素子は、a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層と、GaN系化合物半導体から成り、発光領域を構成する第3化合物半導体層と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えており、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、リッジストライプ構造の一方の端面においてレーザ光が出射され、光反射装置においてレーザ光の一部が反射されて半導体レーザ素子に戻され、レーザ光の残部は光反射装置を通して外部に出射され、リッジストライプ構造の他方の端面においてレーザ光が反射され、リッジストライプ構造の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3を満足する半導体レーザ素子組立体。半導体レーザ素子及び光反射装置を備えており、半導体レーザ素子は、a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層と、GaN系化合物半導体から成り、発光領域を構成する第3化合物半導体層と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えており、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、リッジストライプ構造の一方の端面においてレーザ光が出射され、光反射装置において反射されて半導体レーザ素子に戻され、リッジストライプ構造の他方の端面からレーザ光の一部が外部に出射され、リッジストライプ構造の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3を満足する半導体レーザ素子組立体。半導体レーザ素子及び外部共振器を備えており、半導体レーザ素子は、a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層と、GaN系化合物半導体から成り、発光領域を構成する第3化合物半導体層と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えており、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、リッジストライプ構造の一方の端面においてレーザ光が出射され、外部共振器において反射されて半導体レーザ素子に戻され、リッジストライプ構造の一方の端面あるいは他方の端面から出射されたレーザ光が外部に出射され、リッジストライプ構造の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3を満足する半導体レーザ素子組立体。光反射装置は、ミラー、チャープミラー、ボリュームブラッググレーティング、又は、ファイバーブラッググレーティングから成る請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の記載の半導体レーザ素子組立体。外部に出射されるレーザ光はシングルモードである請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の記載の半導体レーザ素子組立体。1×106m≦Wmin≦3×106mを満足する請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子組立体。第3化合物半導体層は、可飽和吸収領域を更に備え、第2電極は、発光領域を経由して第1電極に電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分、及び、可飽和吸収領域に電界を加えるための第2部分から構成されており、第2電極の第1部分と第2部分とは分離溝によって分離されている請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子組立体。可飽和吸収領域は、外部へのレーザ光出射側の端面とは反対側の端面側に位置する積層構造体の部分に配設されている請求項7に記載の半導体レーザ素子組立体。外部に出射されるレーザ光はパルス発振レーザ光である請求項7に記載の半導体レーザ素子組立体。可飽和吸収領域は、外部へのレーザ光出射側の端面とは反対側の端面側に位置する積層構造体の部分に配設されている請求項9に記載の半導体レーザ素子組立体。外部に出射されるレーザ光は連続発振レーザ光である請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子組立体。Wmin=Wmaxと仮定したときに外部に出射されるレーザ光の光強度をE0としたとき、半導体レーザ素子組立体から出射されるレーザ光の光強度Eoutは、Eout/E0≧1.5を満足する請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の記載の半導体レーザ素子組立体。半導体レーザ素子及び光反射装置を備えており、半導体レーザ素子は、a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層と、GaN系化合物半導体から成り、発光領域を構成する第3化合物半導体層と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えており、第3化合物半導体層は、可飽和吸収領域を更に備え、第2電極は、発光領域を経由して第1電極に電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分、及び、可飽和吸収領域に電界を加えるための第2部分から構成されており、第2電極の第1部分と第2部分とは分離溝によって分離されており、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、リッジストライプ構造の一方の端面においてレーザ光が出射され、光反射装置においてレーザ光の一部が反射されて半導体レーザ素子に戻され、レーザ光の残部は光反射装置を通して外部に出射され、リッジストライプ構造の他方の端面においてレーザ光が反射され、リッジストライプ構造の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3を満足する半導体レーザ素子組立体の駆動方法であって、第2電極の第1部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流す一方、第1電極及び可飽和吸収領域を経由して第2電極の第2部分に電流を流して、パルス発振させ、第2電極の第1部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流し、併せて、第2電極の第2部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流して、若しくは、第2電極の第2部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流すこと無く、連続発振させる半導体レーザ素子組立体の駆動方法。半導体レーザ素子及び光反射装置を備えており、半導体レーザ素子は、a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層と、GaN系化合物半導体から成り、発光領域を構成する第3化合物半導体層と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えており、第3化合物半導体層は、可飽和吸収領域を更に備え、第2電極は、発光領域を経由して第1電極に電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分、及び、可飽和吸収領域に電界を加えるための第2部分から構成されており、第2電極の第1部分と第2部分とは分離溝によって分離されており、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、リッジストライプ構造の一方の端面においてレーザ光が出射され、光反射装置において反射されて半導体レーザ素子に戻され、リッジストライプ構造の他方の端面からレーザ光の一部が外部に出射され、リッジストライプ構造の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3を満足する半導体レーザ素子組立体の駆動方法であって、第2電極の第1部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流す一方、第1電極及び可飽和吸収領域を経由して第2電極の第2部分に電流を流して、パルス発振させ、第2電極の第1部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流し、併せて、第2電極の第2部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流して、若しくは、第2電極の第2部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流すこと無く、連続発振させる半導体レーザ素子組立体の駆動方法。半導体レーザ素子及び外部共振器を備えており、半導体レーザ素子は、a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層と、GaN系化合物半導体から成り、発光領域を構成する第3化合物半導体層と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えており、第3化合物半導体層は、可飽和吸収領域を更に備え、第2電極は、発光領域を経由して第1電極に電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分、及び、可飽和吸収領域に電界を加えるための第2部分から構成されており、第2電極の第1部分と第2部分とは分離溝によって分離されており、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、リッジストライプ構造の一方の端面においてレーザ光が出射され、外部共振器において反射されて半導体レーザ素子に戻され、リッジストライプ構造の一方の端面あるいは他方の端面から出射されたレーザ光が外部に出射され、リッジストライプ構造の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3を満足する半導体レーザ素子組立体の駆動方法であって、第2電極の第1部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流す一方、第1電極及び可飽和吸収領域を経由して第2電極の第2部分に電流を流して、パルス発振させ、第2電極の第1部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流し、併せて、第2電極の第2部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流して、若しくは、第2電極の第2部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流すこと無く、連続発振させる半導体レーザ素子組立体の駆動方法。可飽和吸収領域は、積層構造体の外部へのレーザ光出射側の端面とは反対側の端面側に配設されている請求項13乃至請求項15のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子組立体。モード同期法に基づく半導体レーザ素子の駆動における安定化や小型化を目的として、外部共振器を備えた半導体レーザ素子組立体が、例えば、特開2002-164614や特開2006-041400から周知である。しかしながら、これらの特許公開公報には、ハイパワー化を達成し得る技術について、何ら言及されていない。従って、本開示の目的は、ハイパワー化を達成することができるレーザ光を出射し得る半導体レーザ素子組立体、及び、係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法を提供することにある。上記の目的を達成するための本開示の第1の態様あるいは第2の態様に係る半導体レーザ素子組立体は、半導体レーザ素子及び光反射装置を備えており、半導体レーザ素子は、a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層と、GaN系化合物半導体から成り、発光領域を構成する第3化合物半導体層と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えており、積層構造体はリッジストライプ構造を有している。そして、本開示の第1の態様に係る半導体レーザ素子組立体にあっては、リッジストライプ構造の一方の端面においてレーザ光が出射され、光反射装置においてレーザ光の一部が反射されて半導体レーザ素子に戻され、レーザ光の残部は光反射装置を通して外部に出射され、リッジストライプ構造の他方の端面においてレーザ光が反射され、リッジストライプ構造の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3を満足する。尚、限定するものではないが、一方の端面におけるリッジストライプ構造の幅を最大幅Wmaxとし、他方の端面におけるリッジストライプ構造の幅を最小幅Wminとすることが望ましい。後述する本開示の第1の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法においても同様である。また、本開示の第2の態様に係る半導体レーザ素子組立体にあっては、リッジストライプ構造の一方の端面においてレーザ光が出射され、光反射装置において反射されて半導体レーザ素子に戻され、リッジストライプ構造の他方の端面からレーザ光の一部が外部に出射され、リッジストライプ構造の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3を満足する。尚、限定するものではないが、一方の端面におけるリッジストライプ構造の幅を最大幅Wmaxとし、他方の端面におけるリッジストライプ構造の幅を最小幅Wminとすることが望ましい。後述する本開示の第2の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法においても同様である。上記の目的を達成するための本開示の第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体は、半導体レーザ素子及び外部共振器を備えており、半導体レーザ素子は、a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層と、GaN系化合物半導体から成り、発光領域を構成する第3化合物半導体層と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えており、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、リッジストライプ構造の一方の端面においてレーザ光が出射され、外部共振器において反射されて半導体レーザ素子に戻され、リッジストライプ構造の一方の端面あるいは他方の端面から出射されたレーザ光が外部に出射され、リッジストライプ構造の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3を満足する。尚、限定するものではないが、一方の端面におけるリッジストライプ構造の幅を最大幅Wmaxとし、他方の端面におけるリッジストライプ構造の幅を最小幅Wminとすることが望ましい。後述する本開示の第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法においても同様である。上記の目的を達成するための本開示の第1の態様あるいは第2の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法は、半導体レーザ素子及び光反射装置を備えており、半導体レーザ素子は、a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層と、GaN系化合物半導体から成り、発光領域を構成する第3化合物半導体層と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えており、第3化合物半導体層は、可飽和吸収領域を更に備え、第2電極は、発光領域を経由して第1電極に電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分、及び、可飽和吸収領域に電界を加えるための第2部分から構成されており、第2電極の第1部分と第2部分とは分離溝によって分離されており、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、本開示の第1の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法にあっては、半導体レーザ素子組立体は、更に、リッジストライプ構造の一方の端面においてレーザ光が出射され、光反射装置においてレーザ光の一部が反射されて半導体レーザ素子に戻され、レーザ光の残部は光反射装置を通して外部に出射され、リッジストライプ構造の他方の端面においてレーザ光が反射され、リッジストライプ構造の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3を満足する半導体レーザ素子組立体の駆動方法であり、本開示の第2の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法にあっては、半導体レーザ素子組立体は、更に、リッジストライプ構造の一方の端面においてレーザ光が出射され、光反射装置において反射されて半導体レーザ素子に戻され、リッジストライプ構造の他方の端面からレーザ光の一部が外部に出射され、リッジストライプ構造の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3を満足する半導体レーザ素子組立体の駆動方法である。そして、本開示の第1の態様あるいは第2の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法にあっては、第2電極の第1部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流す一方、第1電極及び可飽和吸収領域を経由して第2電極の第2部分に電流を流して、パルス発振させ、第2電極の第1部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流し、併せて、第2電極の第2部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流して、若しくは、第2電極の第2部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流すこと無く、連続発振させる。尚、電流を流すとは、電圧を印加することと等価である。以下の説明においても同様である。また、第2電極の第1部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流し、併せて、第2電極の第2部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流す場合、例えば、第2電極の第1部分と第2部分とを短絡させればよい。以下においても同様である。尚、パルス発振は、シングルモードでのパルス発振であることが好ましく、連続発振は、シングルモードでの続発振であることが好ましい。以下においても同様である。上記の目的を達成するための本開示の第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法は、半導体レーザ素子及び外部共振器を備えており、半導体レーザ素子は、a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層と、GaN系化合物半導体から成り、発光領域を構成する第3化合物半導体層と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えており、第3化合物半導体層は、可飽和吸収領域を更に備え、第2電極は、発光領域を経由して第1電極に電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分、及び、可飽和吸収領域に電界を加えるための第2部分から構成されており、第2電極の第1部分と第2部分とは分離溝によって分離されており、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、リッジストライプ構造の一方の端面においてレーザ光が出射され、外部共振器において反射されて半導体レーザ素子に戻され、リッジストライプ構造の一方の端面あるいは他方の端面から出射されたレーザ光が外部に出射され、リッジストライプ構造の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3を満足する半導体レーザ素子組立体の駆動方法であって、第2電極の第1部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流す一方、第1電極及び可飽和吸収領域を経由して第2電極の第2部分に電流を流して、パルス発振させ、第2電極の第1部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流し、併せて、第2電極の第2部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流して、若しくは、第2電極の第2部分及び発光領域を経由して第1電極に電流を流すこと無く、連続発振させる。本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体あるいはその駆動方法にあっては、外部共振器構造を有し、しかも、最小幅Wmin及び最大幅Wmaxの関係が規定された、所謂フレア構造を有するリッジストライプ構造を備えているので、ハイパワー化を達成することができる。以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。1.本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体及びその駆動方法、全般に関する説明2.実施例1本開示の第1の態様及び第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体及びその駆動方法3.実施例2本開示の第2の態様及び第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体及びその駆動方法、その他[本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体及びその駆動方法、全般に関する説明]本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体、又は、本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法において、光反射装置あるいは外部共振器は、ミラー本開示の第1の態様及び第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体、又は、本開示の第1の態様及び第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法にあってはハーフミラー、本開示の第2の態様に係る半導体レーザ素子組立体あるいはその駆動方法にあっては全反射ミラー、チャープミラー、ボリュームブラッググレーティングVBG、又は、ファイバーブラッググレーティングFBGから成る構成とすることができる。上記の好ましい構成を含む本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体、あるいは、本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法において、外部に出射されるレーザ光はシングルモードであることが好ましい。ここで、シングルモード単一横モードとは、横モードにおける近視野像の光強度分布において少なくとも1つの光強度ピークが存在し、この1つの光強度ピークの光強度が、全光強度の80以上、好ましくは90以上を占めることを意味する。上記の好ましい構成を含む本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体、あるいは、本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法において、上述したとおり、リッジストライプ構造は、所謂フレア構造を有しているが、リッジストライプ構造の最小幅Wminは、1×106m≦Wmin≦3×106mを満足することが好ましい。Wminの値が1×106m未満であると、所望の光強度を有する半導体レーザ素子組立体を得ることができなくなる虞があるし、Wminの値が3×106mを越えると、半導体レーザ素子組立体から出射されるレーザ光のシングルモード化が達成できない虞がある。リッジストライプ構造の最小幅Wminを上記の範囲内とすることで横シングルモードが許容される。また、以上に説明した各種の好ましい構成を含む本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体において、第3化合物半導体層は、可飽和吸収領域を更に備え、第2電極は、発光領域を経由して第1電極に電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分、及び、可飽和吸収領域に電界を加えるための第2部分から構成されており、第2電極の第1部分と第2部分とは分離溝によって分離されている形態とすることができる。尚、このような構成、構造の半導体レーザ素子、あるいは又、本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法における半導体レーザ素子を、以下、便宜上、多電極型半導体レーザ素子と呼ぶ場合がある。そして、本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体における多電極型半導体レーザ素子にあっては、外部に出射されるレーザ光はパルス発振レーザ光である形態とすることができる。尚、このような形態を含む多電極型半導体レーザ素子において、あるいは又、上記の好ましい構成を含む本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体の駆動方法において、可飽和吸収領域は、光反射装置あるいは外部共振器と対向する端面外部へのレーザ光出射側の端面とは反対側の端面側に位置する積層構造体の部分に配設されており、あるいは又、可飽和吸収領域は、積層構造体の外部へのレーザ光出射側の端面とは反対側の端面側に配設されていることが好ましい。あるいは又、以上に説明した好ましい構成、形態、多電極型半導体レーザ素子を含む本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体において、外部に出射されるレーザ光は連続発振レーザ光である形態とすることができる。多電極型半導体レーザ素子において外部に出射されるレーザ光を連続発振レーザ光とする場合、例えば、第2電極の第1部分と第2部分を短絡させればよいし、あるいは又、第2電極の第2部分には電流を流さなければよい。以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体あるいはその駆動方法にあっては、Wmin=Wmaxと仮定したときに外部に出射されるレーザ光の光強度をE0としたとき、半導体レーザ素子組立体から出射されるレーザ光の光強度Eoutは、Eout/E0≧1.5を満足することが望ましい。以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む多電極型半導体レーザ素子において、第2電極の第1部分と第2部分との間の電気抵抗値は、第2電極と第1電極との間の電気抵抗値の1×10倍以上、好ましくは1×102倍以上、より好ましくは1×103倍以上であることが望ましい。あるいは又、第2電極の第1部分と第2部分との間の電気抵抗値は、1×102Ω以上、好ましくは1×103Ω以上、より好ましくは1×104Ω以上であることが望ましい。このような多電極型半導体レーザ素子にあっては、第2電極の第1部分と第2部分との間の電気抵抗値は、第2電極と第1電極との間の電気抵抗値の1×10倍以上であり、あるいは又、1×102Ω以上である。従って、第2電極の第1部分から第2部分への漏れ電流の流れを確実に抑制することができる。即ち、パルス発振のために、可飽和吸収領域キャリア非注入領域へ印加する逆バイアス電圧を高くすることができるため、時間幅の短い光パルスを有するシングルモードのモード同期動作を実現できる。そして、第2電極の第1部分と第2部分との間のこのような高い電気抵抗値を、第2電極を第1部分と第2部分とに分離溝によって分離するだけで達成することができる。また、以上の好ましい構成、形態を含む多電極型半導体レーザ素子において、限定するものではないが、第3化合物半導体層は、井戸層及び障壁層を備えた量子井戸構造を有し、井戸層の厚さは、1nm以上、10nm以下、好ましくは、1nm以上、8nm以下であり、障壁層の不純物ドーピング濃度は、2×1018cm3以上、1×1020cm3以下、好ましくは、1×1019cm3以上、1×1020cm3以下である形態とすることができる。このように、第3化合物半導体層を構成する井戸層の厚さを1nm以上、10nm以下と規定し、更には、第3化合物半導体層を構成する障壁層の不純物ドーピング濃度を2×1018cm3以上、1×1020cm3以下と規定することで、即ち、井戸層の厚さを薄くし、しかも、第3化合物半導体層のキャリアの増加を図ることで、ピエゾ分極の影響を低減させることができ、時間幅が短く、サブパルス成分の少ない単峰化された光パルスを発生させ得るレーザ光源を得ることができる。また、出来るだけ低い逆バイアス電圧でモード同期駆動を達成することが可能となるし、外部信号電気信号及び光信号と同期が取れた光パルス列を発生させることが可能となる。障壁層にドーピングされた不純物はシリコンSiである構成することができるが、これに限定するものではなく、その他、酸素Oとすることもできる。あるいは又、以上の好ましい構成、形態を含む多電極型半導体レーザ素子において、第2電極を第1部分と第2部分とに分離する分離溝の幅は、2μm以上、多電極型半導体レーザ素子における共振器長以下、単に共振器長と呼ぶの40以下、好ましくは10μm以上、共振器長の20以下であることが望ましい。共振器長として、0.6mmを例示することができるが、これに限定するものではない。以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む本開示の第1の態様~第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体あるいはその駆動方法における半導体レーザ素子以下、これらを総称して、単に、本開示の半導体レーザ素子と呼ぶ場合があるは、リッジストライプ型の分離閉じ込めヘテロ構造SCH構造、SeparateConfinementHeterostructureを有する半導体レーザ素子である形態とすることができる。あるいは又、斜めリッジストライプ型の分離閉じ込めヘテロ構造を有する半導体レーザ素子である形態とすることができる。多電極型半導体レーザ素子にあっては、第2電極の第1部分から発光領域を経由して第1電極に直流電流を流して順バイアス状態とし、第1電極と第2電極の第2部分との間に電圧逆バイアス電圧を印加することによって可飽和吸収領域に電界を加えることで、セルフパルセーション動作及びモード同期動作させることができる。本開示の半導体レーザ素子において、第2電極は、パラジウムPd単層、ニッケルNi単層、白金Pt単層、パラジウム層が第2化合物半導体層に接するパラジウム層/白金層の積層構造、又は、パラジウム層が第2化合物半導体層に接するパラジウム層/ニッケル層の積層構造から成る形態とすることができる。尚、下層金属層をパラジウムから構成し、上層金属層をニッケルから構成する場合、上層金属層の厚さを、0.1μm以上、好ましくは0.2μm以上とすることが望ましい。あるいは又、第2電極を、パラジウムPd単層から成る構成とすることが好ましく、この場合、厚さを、20nm以上、好ましくは50nm以上とすることが望ましい。あるいは又、第2電極を、パラジウムPd単層、ニッケルNi単層、白金Pt単層、又は、下層金属層が第2化合物半導体層に接する下層金属層と上層金属層の積層構造但し、下層金属層は、パラジウム、ニッケル及び白金から成る群から選択された1種類の金属から構成され、上層金属層は、後述する工程Dにおいて第2電極に分離溝を形成する際のエッチングレートが、下層金属層のエッチングレートと同じ、あるいは同程度、あるいは、下層金属層のエッチングレートよりも高い金属から構成されているから成る構成とすることが好ましい。また、後述する工程Dにおいて第2電極に分離溝を形成する際のエッチング液を、王水、硝酸、硫酸、塩酸、又は、これらの酸の内の少なくとも2種類の混合液具体的には、硝酸と硫酸の混合液、硫酸と塩酸の混合液とすることが望ましい。多電極型半導体レーザ素子において、第2電極の第1部分と第2部分の配置状態として、具体的には、11つの第2電極の第1部分と1つの第2電極の第2部分とが設けられ、第2電極の第1部分と、第2電極の第2部分とが、分離溝を挟んで配置されている状態21つの第2電極の第1部分と2つの第2電極の第2部分とが設けられ、第1部分の一端が、一方の分離溝を挟んで、一方の第2部分と対向し、第1部分の他端が、他方の分離溝を挟んで、他方の第2部分と対向している状態32つの第2電極の第1部分と1つの第2電極の第2部分とが設けられ、第2部分の端部が、一方の分離溝を挟んで、一方の第1部分と対向し、第2部分の他端が、他方の分離溝を挟んで、他方の第1部分と対向している状態即ち、第2電極は、第2部分を第1部分で挟んだ構造を挙げることができる。また、広くは、4N個の第2電極の第1部分とN-1個の第2電極の第2部分とが設けられ、第2電極の第1部分が第2電極の第2部分を挟んで配置されている状態5N個の第2電極の第2部分とN-1個の第2電極の第1部分とが設けられ、第2電極の第2部分が第2電極の第1部分を挟んで配置されている状態を挙げることができる。尚、4及び5の状態は、云い換えれば、4’N個の発光領域[キャリア注入領域、利得領域]とN-1個の可飽和吸収領域[キャリア非注入領域]とが設けられ、発光領域が可飽和吸収領域を挟んで配置されている状態5’N個の可飽和吸収領域[キャリア非注入領域]とN-1個の発光領域[キャリア注入領域、利得領域]とが設けられ、可飽和吸収領域が発光領域を挟んで配置されている状態である。多電極型半導体レーザ素子は、製造すべき多電極型半導体レーザ素子の構成、構造にも依るが、例えば、以下の方法で製造することができる。即ち、A基体上に、第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る発光領域及び可飽和吸収領域を構成する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体を形成した後、B第2化合物半導体層上に第2電極を形成し、次いで、C第2電極をエッチング用マスクとして、少なくとも第2化合物半導体層の一部分をエッチングして、リッジストライプ構造を形成した後、D分離溝を第2電極に形成するためのレジスト層を形成し、次いで、レジスト層をウエットエッチング用マスクとして、第2電極に分離溝をウエットエッチング法にて形成し、以て、第2電極を第1部分と第2部分とに分離溝によって分離する、各工程を具備した製造方法に基づき製造することができる。そして、このような製造方法を採用することで、即ち、第2電極をエッチング用マスクとして、少なくとも第2化合物半導体層の一部分をエッチングして、リッジストライプ構造を形成するので、即ち、パターニングされた第2電極をエッチング用マスクとして用いてセルフアライン方式にてリッジストライプ構造を形成するので、第2電極とリッジストライプ構造との間に合わせずれが生じることがない。また、第2電極に分離溝をウエットエッチング法にて形成することが好ましい。このように、ドライエッチング法と異なり、ウエットエッチング法を採用することで、第2化合物半導体層に光学的、電気的特性の劣化が生じることを抑制することができる。それ故、発光特性に劣化が生じることを、確実に防止することができる。尚、製造すべき多電極型半導体レーザ素子の構成、構造にも依るが、工程Cにあっては、第2化合物半導体層を厚さ方向に一部分、エッチングしてもよいし、第2化合物半導体層を厚さ方向に全部、エッチングしてもよいし、第2化合物半導体層及び第3化合物半導体層を厚さ方向にエッチングしてもよいし、第2化合物半導体層及び第3化合物半導体層、更には、第1化合物半導体層を厚さ方向に一部分、エッチングしてもよい。更には、前記工程Dにおいて、第2電極に分離溝を形成する際の、第2電極のエッチングレートをER0、積層構造体のエッチングレートをER1としたとき、ER0/ER1≧1×10、好ましくは、ER0/ER1≧1×102を満足することが望ましい。ER0/ER1がこのような関係を満足することで、積層構造体をエッチングすること無くあるいは、エッチングされても僅かである、第2電極を確実にエッチングすることができる。また、本開示の半導体レーザ素子において、積層構造体は、具体的には、AlGaInN系化合物半導体から成る構成とすることができる。ここで、AlGaInN系化合物半導体として、より具体的には、GaN、AlGaN、GaInN、AlGaInNを挙げることができる。更には、これらの化合物半導体に、所望に応じて、ホウ素B原子やタリウムTl原子、ヒ素As原子、リンP原子、アンチモンSb原子が含まれていてもよい。また、第3化合物半導体層活性層は、量子井戸構造を有することが望ましい。具体的には、単一量子井戸構造[QW構造]を有していてもよいし、多重量子井戸構造[MQW構造]を有していてもよい。量子井戸構造を有する第3化合物半導体層活性層は、井戸層及び障壁層が、少なくとも1層、積層された構造を有するが、井戸層を構成する化合物半導体,障壁層を構成する化合物半導体の組合せとして、InyGaN,GaN、InyGaN,InzGaN[但し、y>z]、InyGaN,AlGaNを例示することができる。更には、本開示の半導体レーザ素子において、第2化合物半導体層は、p型GaN層及びp型AlGaN層が交互に積層された超格子構造を有し;超格子構造の厚さは0.7μm以下である構造とすることができる。このような超格子構造の構造を採用することで、クラッド層として必要な高屈折率を維持しながら、半導体レーザ素子の直列抵抗成分を下げることができ、半導体レーザ素子の低動作電圧化につながる。尚、超格子構造の厚さの下限値として、限定するものではないが、例えば、0.3μmを挙げることができるし、超格子構造を構成するp型GaN層の厚さとして1nm乃至5nmを例示することができるし、超格子構造を構成するp型AlGaN層の厚さとして1nm乃至5nmを例示することができるし、p型GaN層及びp型AlGaN層の層数合計として、60層乃至300層を例示することができる。また、第3化合物半導体層から第2電極までの距離は1μm以下、好ましくは、0.6μm以下である構成とすることができる。このように第3化合物半導体層から第2電極までの距離を規定することで、抵抗の高いp型の第2化合物半導体層の厚さを薄くし、半導体レーザ素子の動作電圧の低減化を達成することができる。尚、第3化合物半導体層から第2電極までの距離の下限値として、限定するものではないが、例えば、0.3μmを挙げることができる。また、第2化合物半導体層には、Mgが、1×1019cm3以上、ドーピングされており;第3化合物半導体層からの波長405nmの光に対する第2化合物半導体層の吸収係数は、少なくとも50cm1である構成とすることができる。このMgの原子濃度は、2×1019cm3の値で最大の正孔濃度を示すという材料物性に由来しており、最大の正孔濃度、即ち、この第2化合物半導体層の比抵抗が最小になるように設計された結果である。第2化合物半導体層の吸収係数は、半導体レーザ素子の抵抗を出来るだけ下げるという観点で規定されているものであり、その結果、第3化合物半導体層の光の吸収係数が、50cm1となるのが一般的である。しかし、この吸収係数を上げるために、Mgドープ量を故意に2×1019cm3以上の濃度に設定することも可能である。この場合には、実用的な正孔濃度が得られる上での上限のMgドープ量は、例えば8×1019cm3である。また、第2化合物半導体層は、第3化合物半導体層側から、ノンドープ化合物半導体層、及び、p型化合物半導体層を有しており;第3化合物半導体層からp型化合物半導体層までの距離は、1.2×107m以下である構成とすることができる。このように第3化合物半導体層からp型化合物半導体層までの距離を規定することで、内部量子効率が低下しない範囲で、内部損失を抑制することができ、これにより、レーザ発振が開始される閾値電流密度を低減させることができる。尚、第3化合物半導体層からp型化合物半導体層までの距離の下限値として、限定するものではないが、例えば、5×108mを挙げることができる。また、リッジストライプ構造の両側面には、SiO2/Si積層構造から成る積層絶縁膜が形成されており;リッジストライプ構造の有効屈折率と積層絶縁膜の有効屈折率との差は、5×103乃至1×102である構成とすることができる。このような積層絶縁膜を用いることで、100ミリワットを超える高出力動作であっても、単一基本横モードを維持することができる。また、第2化合物半導体層は、第3化合物半導体層側から、例えば、ノンドープGaInN層p側光ガイド層、ノンドープAlGaN層p側クラッド層、MgドープAlGaN層電子障壁層、GaN層Mgドープ/AlGaN層の超格子構造超格子クラッド層、及び、MgドープGaN層p側コンタクト層が積層されて成る構造とすることができる。第3化合物半導体層における井戸層を構成する化合物半導体のバンドギャップは、2.4eV以上であることが望ましい。また、第3化合物半導体層活性層から出射されるレーザ光の波長は、360nm乃至500nm、好ましくは400nm乃至410nmであることが望ましい。ここで、以上に説明した各種の構成を、適宜、組み合わせることができることは云うまでもない。本開示の半導体レーザ素子にあっては、半導体レーザ素子を構成する各種のGaN系化合物半導体層を基板に順次形成するが、ここで、基板として、サファイア基板の他にも、GaAs基板、GaN基板、SiC基板、アルミナ基板、ZnS基板、ZnO基板、AlN基板、LiMgO基板、LiGaO2基板、MgAl2O4基板、InP基板、Si基板、これらの基板の表面主面に下地層やバッファ層が形成されたものを挙げることができる。主に、GaN系化合物半導体層を基板に形成する場合、GaN基板が欠陥密度の少なさから好まれるが、GaN基板は成長面によって、極性/無極性/半極性と特性が変わることが知られている。また、半導体レーザ素子を構成する各種のGaN系化合物半導体層の形成方法として、有機金属化学的気相成長法MOCVD法,MOVPE法や分子線エピタキシー法MBE法、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法等を挙げることができる。ここで、MOCVD法における有機ガリウム源ガスとして、トリメチルガリウムTMGガスやトリエチルガリウムTEGガスを挙げることができるし、窒素源ガスとして、アンモニアガスやヒドラジンガスを挙げることができる。また、n型の導電型を有するGaN系化合物半導体層の形成においては、例えば、n型不純物n型ドーパントとしてケイ素Siを添加すればよいし、p型の導電型を有するGaN系化合物半導体層の形成においては、例えば、p型不純物p型ドーパントとしてマグネシウムMgを添加すればよい。また、GaN系化合物半導体層の構成原子としてアルミニウムAlあるいはインジウムInが含まれる場合、Al源としてトリメチルアルミニウムTMAガスを用いればよいし、In源としてトリメチルインジウムTMIガスを用いればよい。更には、Si源としてモノシランガスSiH4ガスを用いればよいし、Mg源としてシクロペンタジエニルマグネシウムガスやメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを用いればよい。尚、n型不純物n型ドーパントとして、Si以外に、Ge、Se、Sn、C、Te、S、O、Pd、Poを挙げることができるし、p型不純物p型ドーパントとして、Mg以外に、Zn、Cd、Be、Ca、Ba、C、Hg、Srを挙げることができる。第1導電型をn型とするとき、n型の導電型を有する第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極は、金Au、銀Ag、パラジウムPd、Alアルミニウム、Tiチタン、タングステンW、Cu銅、Zn亜鉛、錫Sn及びインジウムInから成る群から選択された少なくとも1種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましく、例えば、Ti/Au、Ti/Al、Ti/Pt/Auを例示することができる。第1電極は第1化合物半導体層に電気的に接続されているが、第1電極が第1化合物半導体層上に形成された形態、第1電極が導電材料層や導電性の基板を介して第1化合物半導体層に接続された形態が包含される。第1電極や第2電極は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法等のPVD法にて成膜することができる。第1電極や第2電極上に、外部の電極あるいは回路と電気的に接続するために、パッド電極を設けてもよい。パッド電極は、Tiチタン、アルミニウムAl、Pt白金、Au金、Niニッケルから成る群から選択された少なくとも1種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましい。あるいは又、パッド電極を、Ti/Pt/Auの多層構成、Ti/Auの多層構成に例示される多層構成とすることもできる。多電極型半導体レーザ素子においては、パルス発振のために、上述したとおり、第1電極と第2電極の第2部分との間に逆バイアス電圧を印加する構成即ち、第1電極を正極、第2部分を負極とする構成とすることが望ましい。尚、第2電極の第2部分には、第2電極の第1部分に印加するパルス電流あるいはパルス電圧と同期したパルス電流あるいはパルス電圧を印加してもよいし、直流バイアスを印加してもよい。また、第2電極から発光領域を経由して第1電極に電流を流し、且つ、第2電極から発光領域を経由して第1電極に外部電気信号を重畳させる形態とすることができる。そして、これによって、レーザ光と外部電気信号との間の同期を取ることができる。あるいは又、積層構造体の一端面から光信号を入射させる形態とすることができる。そして、これによっても、レーザ光と光信号との間の同期を取ることができる。また、第2化合物半導体層において、第3化合物半導体層と電子障壁層との間には、ノンドープ化合物半導体層例えば、ノンドープGaInN層、あるいは、ノンドープAlGaN層を形成してもよい。更には、第3化合物半導体層とノンドープ化合物半導体層との間に、光ガイド層としてのノンドープGaInN層を形成してもよい。第2化合物半導体層の最上層を、MgドープGaN層p側コンタクト層が占めている構造とすることもできる。本開示の半導体レーザ素子を、例えば、光ディスクシステム、通信分野、光情報分野、光電子集積回路、非線形光学現象を応用した分野、光スイッチ、レーザ計測分野や種々の分析分野、超高速分光分野、多光子励起分光分野、質量分析分野、多光子吸収を利用した顕微分光の分野、化学反応の量子制御、ナノ3次元加工分野、多光子吸収を応用した種々の加工分野、医療分野、バイオイメージング分野といった分野に適用することができる。実施例1は、本開示の第1の態様及び第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体に関する。実施例1の半導体レーザ素子組立体の概念図を図1のAあるいは図1のBに示し、実施例1における半導体レーザ素子の模式的な平面図を図1のCあるいは図2のA及びBに示す。また、実施例1における半導体レーザ素子の共振器の延びる方向に沿った模式的な端面図XZ平面にて切断したときの模式的な端面図を図3に示し、共振器の延びる方向と直角方向に沿った模式的な断面図YZ平面にて切断したときの模式的な断面図を図4に示す。尚、図3は、図4の矢印I-Iに沿った模式的な端面図であり、図4は、図3の矢印II-IIに沿った模式的な断面図である。実施例1あるいは後述する実施例2における半導体レーザ素子以下、これらの半導体レーザ素子を総称して、実施例1等の半導体レーザ素子と呼ぶ場合があるは、半導体レーザ素子10及び光反射装置70を備えており、半導体レーザ素子10は、a第1導電型各実施例においては、具体的には、n型導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層30と、GaN系化合物半導体から成り、発光領域利得領域41を構成する第3化合物半導体層活性層40と、第1導電型と異なる第2導電型各実施例においては、具体的には、p型導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層50、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層50上に形成された第2電極62、並びに、c第1化合物半導体層30に電気的に接続された第1電極61、を備えている。あるいは又、実施例1等の半導体レーザ素子は、半導体レーザ素子10及び外部共振器70を備えており、半導体レーザ素子10は、a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層30と、GaN系化合物半導体から成り、発光領域利得領域41を構成する第3化合物半導体層40と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層50、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層50上に形成された第2電極62、並びに、c第1化合物半導体層30に電気的に接続された第1電極61、を備えている。実施例1等の半導体レーザ素子は、具体的には、多電極型半導体レーザ素子より具体的には、バイセクション型半導体レーザ素子から成り、第3化合物半導体層活性層40は、可飽和吸収領域42を更に備え、第2電極62は、発光領域41を経由して第1電極61に電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分62A、及び、可飽和吸収領域42に電界を加えるための第2部分62Bから構成されており、第2電極62の第1部分62Aと第2部分62Bとは分離溝62Cによって分離されている。積層構造体はリッジストライプ構造56を有する。具体的には、実施例1等の半導体レーザ素子は、リッジストライプ型の分離閉じ込めヘテロ構造SCH構造を有する半導体レーザ素子である。より具体的には、この半導体レーザ素子は、ブルーレイ光ディスクシステム用に開発されたインデックスガイド型のAlGaInNから成るGaN系半導体レーザ素子である。そして、第1化合物半導体層30、第3化合物半導体層40、及び、第2化合物半導体層50は、具体的には、AlGaInN系化合物半導体から成り、より具体的には、実施例1等の半導体レーザ素子にあっては、以下の表1に示す層構成を有する。ここで、表1において、下方に記載した化合物半導体層ほど、n型GaN基板21に近い層である。第3化合物半導体層40における井戸層を構成する化合物半導体のバンドギャップは3.06eVである。実施例1等における半導体レーザ素子は、n型GaN基板21の0001面上に設けられており、第3化合物半導体層40は量子井戸構造を有する。n型GaN基板21の0001面は、C面とも呼ばれ、極性を有する結晶面である。[表1]第2化合物半導体層50p型GaNコンタクト層Mgドープ55p型GaNMgドープ/AlGaN超格子クラッド層54p型AlGaN電子障壁層Mgドープ53ノンドープAlGaNクラッド層52ノンドープGaInN光ガイド層51第3化合物半導体層40GaInN量子井戸活性層井戸層:Ga092In008N/障壁層:Ga098In002N第1化合物半導体層30n型GaNクラッド層32n型AlGaNクラッド層31但し、井戸層2層10.5nmノンドープ障壁層3層14nmノンドープまた、p型GaNコンタクト層55及びp型GaN/AlGaN超格子クラッド層54の一部は、RIE法にて除去されており、リッジストライプ構造56が形成されている。リッジストライプ構造56の両側にはSiO2/Siから成る積層絶縁膜57が形成されている。尚、SiO2層が下層であり、Si層が上層である。ここで、リッジストライプ構造56の有効屈折率と積層絶縁膜57の有効屈折率との差は、5×103乃至1×102、具体的には、7×103である。そして、リッジストライプ構造56の頂面に相当するp型GaNコンタクト層55上には、第2電極p側オーミック電極62が形成されている。一方、n型GaN基板21の裏面には、Ti/Pt/Auから成る第1電極n側オーミック電極61が形成されている。実施例1等の半導体レーザ素子にあっては、第3化合物半導体層40及びその近傍から発生した光密度分布に、Mgドープした化合物半導体層である、p型AlGaN電子障壁層53、p型GaN/AlGaN超格子クラッド層54及びp型GaNコンタクト層55が出来るだけ重ならないようにすることで、内部量子効率が低下しない範囲で、内部損失を抑制している。そして、これにより、レーザ発振が開始される閾値電流密度を低減させている。具体的には、第3化合物半導体層40からp型AlGaN電子障壁層53までの距離dを0.10μm、リッジストライプ構造56の高さを0.30μm、第2電極62と第3化合物半導体層40との間に位置する第2化合物半導体層50の厚さを0.50μm、第2電極62の下方に位置するp型GaN/AlGaN超格子クラッド層54の部分の厚さを0.40μmとした。実施例1等における半導体レーザ素子において、第2電極62は、発光領域利得領域41を経由して第1電極61に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分62Aと、可飽和吸収領域42に電界を加えるための第2部分62Bパルス発振時、可飽和吸収領域42に逆バイアス電圧を加えるための第2部分62Bとに、分離溝62Cによって分離されている。ここで、第2電極62の第1部分62Aと第2部分62Bとの間の電気抵抗値分離抵抗値と呼ぶ場合があるは、第2電極62と第1電極61との間の電気抵抗値の1×10倍以上、具体的には1.5×103倍である。また、第2電極62の第1部分62Aと第2部分62Bとの間の電気抵抗値分離抵抗値は、1×102Ω以上、具体的には、1.5×104Ωである。図1のAに概念図を示す実施例1の半導体レーザ素子組立体は、集光型の外部共振器構造を有する。また、図1のBに概念図を示す実施例1の半導体レーザ素子組立体の変形例は、コリメート型の外部共振器構造を有する。そして、可飽和吸収領域42側に高反射コート層HRが形成された半導体レーザ素子の端面他方の端面57Bと光反射装置外部共振器70とで外部共振器構造が構成され、光反射装置外部共振器70から光パルスを取り出す。発光領域利得領域41側の半導体レーザ素子の一方の端面光出射端面57Aには無反射コート層ARが形成されている。光学フィルターには、主にバンドパスフィルター例えば、中心波長410nm、光透過率90以上、帯域0.8nmが用いられ、レーザの発振波長の制御のために挿入される。後述するが、モード同期は、発光領域に印加する直流電流と可飽和吸収領域に印加する逆バイアス電圧とによって決定される。外部共振器長さX’によって光パルス列の繰り返し周波数fが決定され、次式で表される。ここで、cは光速であり、nは導波路の屈折率である。f=c/2nX’このように、実施例1の半導体レーザ素子組立体にあっては、リッジストライプ構造56の一方の端面57Aにおいてレーザ光が出射され、光反射装置70においてレーザ光の一部が反射されて半導体レーザ素子10に戻され、レーザ光の残部は光反射装置70を通して外部に出射される。また、リッジストライプ構造56の他方の端面57Bにおいてレーザ光が反射される。あるいは又、リッジストライプ構造56の一方の端面57Aにおいてレーザ光が出射され、外部共振器70において反射されて半導体レーザ素子10に戻され、リッジストライプ構造56の一方の端面57Aあるいは他方の端面57Bから具体的には、実施例1にあっては、一方の端面57Aから出射されたレーザ光が外部に出射される。そして、リッジストライプ構造56の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3=10/3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3=40/3を満足しており、外部に出射されるレーザ光はシングルモードである。より具体的には、実施例1における半導体レーザ素子において、発光領域側の積層構造体の一方の端面光出射端面57Aからレーザ光が出射される。この一方の端面光出射端面57Aには、例えば、反射率0.5以下、好ましくは反射率0.3以下の無反射コート層ARあるいは低反射コート層が形成されている。また、半導体レーザ素子10における一方の端面光出射端面57Aと対向する他方の端面光反射端面57Bには、反射率85以上、好ましくは反射率95以上の高反射コート層HRが形成されている。尚、これらの無反射コート層ARや低反射コート層、高反射コート層HRの図示は省略している。可飽和吸収領域42は、外部へのレーザ光出射側の端面実施例1にあっては、一方の端面57Aとは反対側の端面実施例1にあっては、他方の端面57Bの側に位置する積層構造体の部分に配設されている。無反射コート層あるいは低反射コート層として、酸化チタン層、酸化タンタル層、酸化ジルコニア層、酸化シリコン層及び酸化アルミニウム層から成る群から選択された少なくとも2種類の層の積層構造を挙げることができる。実施例1において、光反射装置70あるいは外部共振器70はハーフミラーから成る。ところで、上述したとおり、第2化合物半導体層50上に、1×102Ω以上の分離抵抗値を有する2電極62を形成することが望ましい。GaN系半導体レーザ素子の場合、従来のGaAs系半導体レーザ素子とは異なり、p型導電型を有する化合物半導体における移動度が小さいために、p型導電型を有する第2化合物半導体層50をイオン注入等によって高抵抗化することなく、その上に形成される第2電極62を分離溝62Cで分離することで、第2電極62の第1部分62Aと第2部分62Bとの間の電気抵抗値を第2電極62と第1電極61との間の電気抵抗値の10倍以上とし、あるいは又、第2電極62の第1部分62Aと第2部分62Bとの間の電気抵抗値を1×102Ω以上とすることが可能となる。図1のCに模式的な平面図を示す半導体レーザ素子10では、一方の端面光出射端面57Aにおけるリッジストライプ構造56の幅を最大幅Wmaxとし、他方の端面光反射端面57Bにおけるリッジストライプ構造56の幅を最小幅Wminとしている。所謂フレア構造を有するリッジストライプ構造56の幅は、一方の端面57Aから他方の端面57Bまで、徐々に、直線的に狭くなっている。尚、図1のC、図2のA、B、図14、図18のA、Bにおいて、分離溝62Cを明示するために分離溝の領域に斜線を付した。図2のAに模式的な平面図を示す半導体レーザ素子10では、第2電極62の第1部分62Aにおけるリッジストライプ構造56の幅は、一方の端面光出射端面57Aにおいて最大幅Wmaxであり、分離溝62Cに面する領域で最小幅Wminであり、最大幅Wmaxから最小幅Wminまで、徐々に、直線的に狭くなっている。第2電極62の第2部分62Bにおけるリッジストライプ構造56の幅は、最小幅Wmin、一定である。図2のBに模式的な平面図を示す半導体レーザ素子10では、第2電極62の第1部分62Aにおけるリッジストライプ構造56の幅は、一方の端面光出射端面57Aから或る領域まで最大幅Wmaxであり、分離溝62Cに面する領域で最小幅Wminであり、この或る領域最大幅Wmaxから最小幅Wminまで、徐々に、直線的に狭くなっている。第2電極62の第2部分62Bにおけるリッジストライプ構造56の幅は、最小幅Wmin、一定である。但し、第2電極62の第1部分62A、第2部分62Bの平面形状は、図1のC、図2のA及びBに図示した例に限定するものではない。そして、リッジストライプ構造56は、所謂フレア構造を有しているが、リッジストライプ構造56の最小幅Wminは、1×106m≦Wmin≦3×106mを満足している。図2のAに図示した半導体レーザ素子において、半導体レーザ素子10の共振器長を600μm、第2電極62の第1部分62A、第2部分62B、分離溝62Cのそれぞれの長さを、560μm、30μm、10μmとし、Wmin=1.5μmとし、Wmaxの値を以下の表2に示す値とした半導体レーザ素子を試作した。[表2]WmaxμmWmax/Wmin実施例1A2.51.7参考例1B5.03.3実施例1C10.06.7実施例1D15.010.0実施例1E20.013.3同様に、図2のAに図示した半導体レーザ素子において、半導体レーザ素子10の共振器長を600μm、第2電極62の第1部分62A、第2部分62B、分離溝62Cのそれぞれの長さを、560μm、30μm、10μmとし、Wmin=2.5μmとし、Wmaxの値を15.0μmWmax/Wmin=6.0とした半導体レーザ素子実施例1Fを試作した。そして、第2電極62の第1部分62A及び発光領域41を経由して第1電極61に電流Igを流す一方、第1電極61及び可飽和吸収領域42を経由して第2電極62の第2部分62Bに電流を流して具体的には、第2電極62の第2部分62Bと第1電極61との間に逆バイアス電圧を印加して、シングルモードでパルス発振させる。また、第2電極62の第1部分62A及び発光領域41を経由して第1電極61に電流Igを流し、併せて、第2電極62の第2部分62B及び発光領域41を経由して第1電極61に電流を流して具体的には、第2電極62の第2部分62Bと第1電極61との間に順バイアス電圧を印加して、若しくは、第2電極62の第2部分62B及び発光領域41を経由して第1電極61に電流を流すこと無く、シングルモードで連続発振させる。尚、逆バイアス電圧を印加するとは、第2電極62の第2部分62Bを負極とし、第1電極61を正極とし、電位差をVsa第2電極62の第2部分62Bの電位を基準としたとき、Vsa<0とすることを意味し、正バイアス電圧を印加するとは、第2電極62の第2部分62Bを正極とし、第1電極61を負極とし、電位差をVsa第1電極61の電位を基準としたとき、Vsa>0とすることを意味する。表3に示すように、各試料に対して電流Igを流し、また、電圧Vsaを印加したときの発振形態及び発振モードを評価した。その結果を表3に示すと同時に、Wmin,Wmax=1.5μm,2.5μmの場合の実施例1Aの近視野像を図6のA及びBに示し、Wmin,Wmax=1.5μm,5.0μmの場合の参考例1B及び比較例1Bの近視野像を図7のA~Cに示し、Wmin,Wmax=1.5μm,10.0μmの場合の実施例1C及び比較例1Cの近視野像を図8のA~Cに示し、Wmin,Wmax=1.5μm,15.0μmの場合の実施例1D及び比較例1Dの近視野像を図9のA~Cに示し、Wmin,Wmax=1.5μm,20.0μmの場合の実施例1E及び比較例1Eの近視野像を図10のA~Cに示し、Wmin,Wmax=2.5μm,15.0μmの場合の実施例1F及び比較例1Fの近視野像を図11のA~Cに示す。尚、比較例1A、比較例1B、比較例1C、比較例1D、比較例1E、比較例1Fは、実施例1A、参考例1B、実施例1C、実施例1D、実施例1E、実施例1Fの半導体レーザ素子組立体において、光反射装置70あるいは外部共振器70を取り外したものである。[表3]ここで、1<Wmax/Wmin<3.3即ち、Wmax/Wmin=5/3の実施例1Aにあっては、パルス発振でシングルモードが得られ、また、連続発振でシングルモードが得られた。また、3.3≦Wmax/Wmin<6即ち、Wmax/Wmin=10/3の参考例1B及び比較例1Bにあっては、パルス発振あるいは連続発振の状態において、シングルモードが得られず、マルチモードとなった。更には、6≦Wmax/Wmin≦13.3即ち、Wmax/Wmin=20/3の実施例1Cにあっては、パルス発振でシングルモードが得られたが、連続発振ではマルチモードが得られ、Wmax/Wmin=30/3の実施例1D、Wmax/Wmin=40/3の実施例1Eにあっては、パルス発振でシングルモードが得られ、また、連続発振でシングルモードが得られた。一方、比較例1C、比較例1D、比較例1Eにあっては、シングルモードが得られず、マルチモードとなった。また、Wmax/Wmin=15.0μm/2.5μm=6.0の実施例1Fにあっては、パルス発振でシングルモードが得られ、また、連続発振でシングルモードが得られた。一方、比較例1Fにあっては、シングルモードが得られず、マルチモードとなった。更には、Wmin=Wmaxとした半導体レーザ素子組立体を比較例1として作製した。そして、比較例1の半導体レーザ素子組立体において、外部に出射されるレーザ光の光強度をE0としたとき、半導体レーザ素子組立体から出射されるレーザ光の光強度Eoutの相対値Eout/E0を求めたところ、結果は、以下のとおりであった。尚、リッジストライプ構造56の幅と、パルス発振時の半導体レーザ素子組立体から出射されるレーザ光のパルスエネルギーとの関係を図12に示すが、Wmaxの値が大きくなるほど、ゲイン部の面積が増加する結果、レーザ光のパルスエネルギーが大きくなる。Eout/E0パルス発振時Eout/E0連続発振時実施例1A1.61.5実施例1C2.3実施例1D2.65.5実施例1E3.27.2実施例1F4.35.8このように、実施例1の半導体レーザ素子組立体あるいはその駆動方法にあっては、外部共振器構造を有し、しかも、最小幅Wmin及び最大幅Wmaxの関係が規定された、所謂フレア構造を有するリッジストライプ構造56を備えているので、ハイパワー化を達成することができ、しかも、シングルモードを有するレーザ光を出射することができた。ところで、第2電極62に要求される特性は、以下のとおりである。即ち、1第2化合物半導体層50をエッチングするときのエッチング用マスクとしての機能を有すること。2第2化合物半導体層50の光学的、電気的特性に劣化を生じさせることなく、第2電極62はウエットエッチング可能であること。3第2化合物半導体層50上に成膜したとき、102Ωcm2以下のコンタクト比抵抗値を示すこと。4積層構造とする場合、下層金属層を構成する材料は、仕事関数が大きく、第2化合物半導体層50に対して低いコンタクト比抵抗値を示し、しかも、ウエットエッチング可能であること。5積層構造とする場合、上層金属層を構成する材料は、リッジストライプ構造を形成する際のエッチングに対して例えば、RIE法において使用されるCl2ガスに対して耐性があり、しかも、ウエットエッチング可能であること。実施例1等における半導体レーザ素子にあっては、第2電極62を厚さ0.1μmのPd単層から構成した。尚、p型GaN層及びp型AlGaN層が交互に積層された超格子構造を有するp型GaN/AlGaN超格子クラッド層54の厚さは0.7μm以下、具体的には、0.4μmであり、超格子構造を構成するp型GaN層の厚さは2.5nmであり、超格子構造を構成するp型AlGaN層の厚さは2.5nmであり、p型GaN層及びp型AlGaN層の層数合計は160層である。また、第3化合物半導体層40から第2電極62までの距離は1μm以下、具体的には0.5μmである。更には、第2化合物半導体層50を構成するp型AlGaN電子障壁層53、p型GaN/AlGaN超格子クラッド層54、p型GaNコンタクト層55には、Mgが、1×1019cm3以上具体的には、2×1019cm3、ドーピングされており、波長405nmの光に対する第2化合物半導体層50の吸収係数は、少なくとも50cm1、具体的には、65cm1である。また、第2化合物半導体層50は、第3化合物半導体層側から、ノンドープ化合物半導体層ノンドープGaInN光ガイド層51及びノンドープAlGaNクラッド層52、並びに、p型化合物半導体層を有しているが、第3化合物半導体層40からp型化合物半導体層具体的には、p型AlGaN電子障壁層53までの距離dは1.2×107m以下、具体的には100nmである。以下、図15のA、B、図16のA、B、図17を参照して、実施例1における半導体レーザ素子の製造方法を説明する。尚、図15のA、B、図16のA、Bは、基板等をYZ平面にて切断したときの模式的な一部断面図であり、図17は、基板等をXZ平面にて切断したときの模式的な一部端面図である。[工程-100]先ず、基体上、具体的には、n型GaN基板21の0001面上に、周知のMOCVD法に基づき、第1導電型n型導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層30、GaN系化合物半導体から成る発光領域利得領域41及び可飽和吸収領域42を構成する第3化合物半導体層活性層40、並びに、第1導電型と異なる第2導電型p型導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層50が、順次、積層されて成る積層構造体を形成する図15のA参照。[工程-110]その後、第2化合物半導体層50上に第2電極62を形成する。具体的には、真空蒸着法に基づきPd層63を全面に成膜した後図15のB参照、Pd層63上に、フォトリソグラフィ技術に基づきエッチング用レジスト層を形成する。そして、王水を用いて、エッチング用レジスト層に覆われていないPd層63を除去した後、エッチング用レジスト層を除去する。こうして、図16のAに示す構造を得ることができる。尚、リフトオフ法に基づき、第2化合物半導体層50上に第2電極62を形成してもよい。[工程-120]次いで、第2電極62をエッチング用マスクとして、第2化合物半導体層50の一部分をエッチングして、リッジストライプ構造56を形成する。具体的には、Cl2ガスを用いたRIE法に基づき、第2電極62をエッチング用マスクとして用いて、第2化合物半導体層50の一部分をエッチングする。こうして、図16のBに示す構造を得ることができる。このように、パターニングされた第2電極62をエッチング用マスクとして用いてセルフアライン方式にてリッジストライプ構造56を形成するので、第2電極62とリッジストライプ構造56との間に合わせずれが生じることがない。[工程-130]その後、分離溝を第2電極62に形成するためのレジスト層64を形成する図17参照。尚、参照番号65は、分離溝を形成するために、レジスト層64に設けられた開口部である。次いで、レジスト層64をウエットエッチング用マスクとして、第2電極62に分離溝62Cをウエットエッチング法にて形成し、以て、第2電極62を第1部分62Aと第2部分62Bとに分離溝62Cによって分離する。具体的には、王水をエッチング液として用い、王水に約10秒、全体を浸漬することで、第2電極62に分離溝62Cを形成する。そして、その後、レジスト層64を除去する。こうして、図3及び図4に示す構造を得ることができる。このように、ドライエッチング法と異なり、ウエットエッチング法を採用することで、第2化合物半導体層50の光学的、電気的特性に劣化が生じることがない。それ故、半導体レーザ素子の発光特性に劣化が生じることがない。尚、ドライエッチング法を採用した場合、第2化合物半導体層50の内部損失αiが増加し、閾値電圧が上昇したり、光出力の低下を招く虞がある。ここで、第2電極62のエッチングレートをER0、積層構造体のエッチングレートをER1としたとき、ER0/ER1≒1×102である。このように、第2電極62と第2化合物半導体層50との間に高いエッチング選択比が存在するが故に、積層構造体をエッチングすること無くあるいは、エッチングされても僅かである、第2電極62を確実にエッチングすることができる。尚、ER0/ER1≧1×10、好ましくは、ER0/ER1≧1×102を満足することが望ましい。第2電極62を、厚さ20nmのパラジウムPdから成る下層金属層と、厚さ200nmのニッケルNiから成る上層金属層の積層構造としてもよい。ここで、王水によるウエットエッチングにあっては、ニッケルのエッチングレートは、パラジウムのエッチングレートの約1.25倍である。[工程-140]その後、n側電極の形成、基板の劈開等を行い、更に、パッケージ化を行うことで、半導体レーザ素子10を作製することができる。一般に、半導体層の抵抗RΩは、半導体層を構成する材料の比抵抗値ρΩm、半導体層の長さX0m、半導体層の断面積Sm2、キャリア密度ncm3、電荷量eC、移動度μm2/V秒を用いて以下のように表される。R=ρX0/S=X0/neμSp型GaN系半導体の移動度は、p型GaAs系半導体に比べて、2桁以上小さいため、電気抵抗値が高くなり易い。よって、断面積が小さいリッジストライプ構造を有する半導体レーザ素子の電気抵抗値は、上式から、大きな値となることが判る。製作した半導体レーザ素子10の第2電極62の第2部分62Aと第2部分62Bとの間の電気抵抗値を4端子法にて測定した結果、分離溝62Cの幅が20μmのとき、第2電極62の第1部分62Aと第2部分62Bとの間の電気抵抗値は15kΩであった。また、製作した半導体レーザ素子10において、第2電極62の第1部分62Aから発光領域41を経由して第1電極61に直流電流を流して順バイアス状態とし、第1電極61と第2電極62の第2部分62Bとの間に逆バイアス電圧を印加することによって可飽和吸収領域42に電界を加えることで、セルフパルセーション動作させることができた。即ち、第2電極62の第1部分62Aと第2部分62Bとの間の電気抵抗値は、第2電極62と第1電極61との間の電気抵抗値の10倍以上であり、あるいは又、1×102Ω以上である。従って、第2電極62の第1部分62Aから第2部分62Bへの漏れ電流の流れを確実に抑制することができる結果、発光領域41を順バイアス状態とし、しかも、可飽和吸収領域42を確実に逆バイアス状態とすることができ、確実にシングルモードのセルフパルセーション動作を生じさせることができた。実施例2は、本開示の第2の態様及び第3の態様に係る半導体レーザ素子組立体に関する。実施例2の半導体レーザ素子組立体の概念図を図5のAあるいは図5のBに示す。尚、図5のAに示す例は集光型であり、図5のBに示す例はコリメート型である。実施例2の半導体レーザ素子組立体にあっては、リッジストライプ構造56の一方の端面58Aにおいてレーザ光が出射され、光反射装置71において反射されて半導体レーザ素子10に戻され、リッジストライプ構造56の他方の端面58Bからレーザ光の一部が外部に出射される。また、実施例2にあっては、光反射装置71あるいは外部共振器71を全反射ミラーから構成する。そして、可飽和吸収領域側他方の端面58Bに反射コート層Rが形成された半導体レーザ素子の他方の端面58Bと光反射装置外部共振器71とで外部共振器構造を構成し、可飽和吸収領域42から光パルスを取り出す。発光領域利得領域41側の半導体レーザ素子の一方の端面58Aには無反射コート層あるいは低反射コート層ARが形成されている。以上の点を除き、実施例2の半導体レーザ素子組立体は、実施例1の半導体レーザ素子組立体と同様の構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。尚、実施例2にあっても、リッジストライプ構造56の最小幅をWmin、最大幅をWmaxとしたとき、1<Wmax/Wmin<3.3又は、6≦Wmax/Wmin≦13.3を満足し、外部に出射されるレーザ光はシングルモードである。尚、一方の端面58Aにおけるリッジストライプ構造56の幅を最大幅Wmaxとし、他方の端面58Bにおけるリッジストライプ構造56の幅を最小幅Wminとする。リッジストライプ構造56は、所謂フレア構造を有しているが、リッジストライプ構造56の最小幅Wminは、1×106m≦Wmin≦3×106mを満足している。また、半導体レーザ素子10は、実施例1と同様に、多電極型半導体レーザ素子具体的には、バイセクション型半導体レーザ素子から構成されており、可飽和吸収領域42は、一方の端面58Aとは反対側の他方の端面58Bの側に位置する積層構造体の部分に配設されている。実施例2にあっても、各種試験の結果、Wmax/Wminとパルス発振/連続発振、シングルモード/マルチモードの関係に関して、実施例1と同様の結果が得られた。以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した半導体レーザ素子、半導体レーザ素子組立体の構成、構造の構成は例示であり、適宜、変更することができる。また、実施例においては、種々の値を示したが、これらも例示であり、例えば、使用する半導体レーザ素子の仕様が変われば、変わることは当然である。例えば、図18のAに模式的な平面図を示す半導体レーザ素子10の変形例にあっては、リッジストライプ構造56は、一方の端面光出射端面57Aにおいて最大幅Wmaxを有し、他方の端面光反射端面57Bにおいて最小幅Wminを有する。そして、第2電極62の第1部分62Aにおけるリッジストライプ構造56の端部とリッジストライプ構造56の軸線との成す角度は、第2電極62の第2部分62Bにおけるリッジストライプ構造56の端部とリッジストライプ構造56の軸線との成す角度よりも大きい。図18のAに示した半導体レーザ素子10の変形例を図18のBに模式的な平面図として示すが、この半導体レーザ素子10にあっては、第2電極62の第1部分62Aにおけるリッジストライプ構造56の幅は、一方の端面光出射端面57Aから或る領域まで最大幅Wmaxである。そして、この或る領域から他方の端面光反射端面57Bに向けてリッジストライプ構造56の幅は狭くなっている。ここで、第2電極62の第1部分62Aにおけるリッジストライプ構造56の端部とリッジストライプ構造56の軸線との成す角度は、第2電極62の第2部分62Bにおけるリッジストライプ構造56の端部とリッジストライプ構造56の軸線との成す角度よりも大きい。また、第2電極を、厚さ20nmのパラジウムPdから成る下層金属層と、厚さ200nmのニッケルNiから成る上層金属層の積層構造としてもよい。尚、王水によるウエットエッチングにあっては、ニッケルのエッチングレートは、パラジウムのエッチングレートの約1.25倍である。発光領域41や可飽和吸収領域42の数は1に限定されない。1つの第2電極の第1部分62Aと2つの第2電極の第2部分62B1,62B2とが設けられた半導体レーザ素子の模式的な端面図XZ平面にて切断したときの模式的な端面図を図13に示す。この半導体レーザ素子にあっては、第1部分62Aの一端が、一方の分離溝62C1を挟んで、一方の第2部分62B1と対向し、第1部分62Aの他端が、他方の分離溝62C2を挟んで、他方の第2部分62B2と対向している。そして、1つの発光領域41が、2つの可飽和吸収領域421,422によって挟まれている。半導体レーザ素子を、斜め導波路を有する斜めリッジストライプ型の分離閉じ込めヘテロ構造の半導体レーザ素子とすることもできる。実施例1あるいは実施例2において説明した半導体レーザ素子に斜め導波路を有する斜めリッジストライプ構造を適用した例を図14に示すが、この図は、リッジストライプ構造56’を上方から眺めた模式図である。この半導体レーザ素子にあっては、直線状の2つのリッジストライプ構造が組み合わされた構造を有し、2つのリッジストライプ構造の交差する角度θの値は、例えば、0<θ≦10度好ましくは、0<θ≦6度とすることが望ましい。斜めリッジストライプ構造を採用することで、無反射コートARをされた端面の反射率を、より0の理想値に近づけることができ、その結果、半導体レーザ素子内で周回してしまうレーザ光の発生を防ぐことができ、主たるレーザ光に付随する副次的なレーザ光の発生を抑制できるといった利点を得ることができる。実施例においては、半導体レーザ素子を、n型GaN基板21の極性面であるC面,{0001}面上に設けた。ところで、このような場合、第3化合物半導体層にピエゾ分極及び自発分極に起因した内部電界によるQCSE効果量子閉じ込めシュタルク効果によって、電気的に可飽和吸収が制御し難くなる場合がある。即ち、場合によっては、セルフパルセーション動作及びモード同期動作を得るために第1電極に流す直流電流の値及び可飽和吸収領域に印加する逆バイアス電圧の値を高くする必要が生じたり、メインパルスに付随したサブパルス成分が発生したり、外部信号と光パルスとの間での同期が取り難くなることがある。このような現象の発生を抑制するためには、{11-20}面であるA面、{1-100}面であるM面、{1-102}面といった無極性面上、あるいは又、{11-24}面や{11-22}面を含む{11-2n}面、{10-11}面、{10-12}面といった半極性面上に、半導体レーザ素子を設ければよい。これによって、半導体レーザ素子の第3化合物半導体層にたとえピエゾ分極及び自発分極が生じた場合であっても、第3化合物半導体層の厚さ方向にピエゾ分極が生じることは無く、第3化合物半導体層の厚さ方向とは略直角の方向にピエゾ分極が生じるので、ピエゾ分極及び自発分極に起因した悪影響を排除することができる。尚、{11-2n}面とは、ほぼC面に対して40度を成す無極性面を意味する。また、無極性面上あるいは半極性面上に半導体レーザ素子を設ける場合、実施例1にて説明したような、井戸層の厚さの制限1nm以上、10nm以下及び障壁層の不純物ドーピング濃度の制限2×1018cm3以上、1×1020cm3以下を無くすことが可能である。"