"リソグラフィ装置の液浸流体供給システム下方でのテーブルの動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させる方法であって、前記テーブルの前記動作予定を、複数の個別動作に分割することと、前記複数の個別動作のうちある個別動作について、前記液浸流体供給システムから漏れた液浸流体が存在する場所が前記液浸流体供給システム下方を通るか否かを決定することによって、当該ある個別動作中に前記リソグラフィ装置のパターン付けられたビームが通過する前記液浸流体供給システムの液浸流体の中に存在するあるサイズより大きなサイズの気泡のリスクを決定することと、1気泡のリスクが決定される個別動作より前の個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方、及び/または、2気泡のリスクが決定される個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方、を適応させることと、を含む方法。前記ある個別動作について、前記液浸流体供給システムから液浸流体の漏れる場所を決定することをさらに含み、決定された場所が前記リスクを決定する際に使用される、請求項1に記載の方法。前記場所を決定することは、前記ある個別動作について、当該個別動作中に前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定することを含み、及び/または、前記場所を決定することは、前記液浸流体供給システムの漏れ挙動の経験的モデルを使用することにより、前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定することを含み、及び/または、前記場所を決定することは、前記液浸流体供給システムからの前記液浸流体との前記液浸流体供給システム及び前記テーブル及び前記テーブル上の任意の物体の物理的挙動のモデルを使用することにより、前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定することを含む、請求項2に記載の方法。前記場所を決定することは、前記テーブル上にあるメニスカス保持形状部分が前記液浸流体供給システムの端部の下方を通るか否かを決定することにより、前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定することを含む、請求項3に記載の方法。前記場所を決定することは、前記液浸流体供給システムの端部が前記ある個別動作中に前記テーブル上にある前記物体から外れた場所の上方に位置付けられた状態から前記物体上の場所の上方に位置付けられた状態へと移行するか否かを決定することにより、前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定することを含み、及び/または、前記場所を決定することは、前記ある個別動作の終点にて前記物体外の場所の上方に位置付けられた前記液浸流体供給システムの前記端部の部分の長さが前記端部の全長のあるパーセンテージより大きいか否かを決定することにより、前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定することを含み、及び/または、前記場所を決定することは、前記ある個別動作に先行する個別動作について前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れる場所を決定することが前記液浸流体供給システムからの液浸流体漏れありとの決定に至ったか否か、を決定することにより、前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定することを含む、請求項4に記載の方法。前記場所を決定することにおいては、完全に前記液浸流体供給システムの下方を通る場所について、前記場所を決定することにより前記ある個別動作より前の個別動作中に前記液浸流体供給システムから漏れたと決定された液浸流体を免除すると決定され、及び/または、前記複数の個別動作のうち所与の個別動作について前記場所を決定すること、前記リスクを決定すること、及び前記適応させることが順次実行され、その後に、前記複数の個別動作のうち前記所与の個別動作の直後の個別動作について前記場所を決定すること、前記リスクを決定すること、及び前記適応させることが順次実行される、請求項2から5のいずれかに記載の方法。前記リスクを決定することは、前記液浸流体供給システムから液浸流体の漏れる場所が前記ある個別動作中に前記リソグラフィ装置のパターン付けられたビームにより照明されるべき場所であるか否かを決定することにより、前記ある個別動作中に前記パターン付けられたビームが通過する前記液浸流体供給システムの液浸流体の中に存在するあるサイズより大きなサイズの気泡のリスクを決定する、請求項1から6のいずれかに記載の方法。前記適応させることは、気泡のリスクが決定される前記ある個別動作中に前記リソグラフィ装置のパターン付けられたビームが通過する前記液浸流体供給システムの液浸流体の中に存在するあるサイズより大きいサイズの気泡のリスクが前記液浸流体供給システムから液浸流体の漏れる場所に生じないよう少なくとも1つの個別動作中の液浸流体損失を回避するように、前記ある個別動作より前の個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び/または経路を低減する、請求項1から7のいずれかに記載の方法。前記適応させることは、前記液浸流体供給システムから漏れる液浸流体と前記液浸流体供給システムの中の液浸流体との衝突によるある大きさより大きなサイズの気泡の形成を回避するように、気泡のリスクが決定される前記ある個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度を低減し、及び/または、前記分割することは、前記動作予定を、ステップ動作とスキャン動作とに分割する、請求項1から8のいずれかに記載の方法。前記リスクを決定する間に、前記液浸流体供給システムから前記テーブル上のマーカに対応する場所へ液浸流体が漏れたか否かを決定することをさらに含む、請求項1から9のいずれかに記載の方法。前記適応させることは、1前記マーカに相当する場所へ流体が漏れたと決定される個別動作より前の個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させること、及び/または、2前記マーカに相当する場所へ流体が漏れたと決定される個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させること、を含む、請求項10に記載の方法。リソグラフィ装置の作動方法であって、パターン付けられた放射ビームを液浸流体供給システムにより供給された液浸流体を通じてテーブル上の物体の目標部分に投影する投影システムに対し、請求項1から11のいずれかに記載の方法に従って適応された動作予定に従って前記テーブルを移動させることを含む方法。液浸リソグラフィ装置であって、基板を支持する基板テーブルと、パターン付けられた放射ビームを基板に向ける投影システムと、前記投影システムと基板または前記基板テーブルまたはその両方との間に画定される空間に液浸流体を供給し閉じ込める液浸流体供給システムと、前記液浸流体供給システムまたは前記投影システムまたはその両方と基板または前記基板テーブルまたはその両方との相対位置を決定する位置決めシステムと、動作予定に従ってテーブルを制御するコントローラであって、前記動作予定を複数の個別動作に分割することと、前記複数の個別動作のうちある個別動作について前記液浸流体供給システムから漏れた液浸流体が存在する場所の上方を前記液浸流体供給システムが通るか否かを決定することによって当該ある個別動作中に前記リソグラフィ装置のパターン付けられたビームが通過する前記液浸流体供給システムの液浸流体の中に存在するあるサイズより大きなサイズの気泡のリスクを決定することと、1気泡のリスクが決定される個別動作より前の個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させ、及び/または、2気泡のリスクが決定される個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させることと、によって、前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させるコントローラと、を備える装置。リソグラフィ装置の液浸流体供給システム下方でのテーブルの動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させる方法であって、前記テーブルの前記動作予定を、複数の個別動作に分割する分割ステップと、前記複数の個別動作のうちある個別動作について、前記液浸流体供給システムから漏れた液浸流体が存在する場所の上方を前記液浸流体供給システムが通るか否かを決定することによって、当該ある個別動作中に前記リソグラフィ装置のパターン付けられたビームが通過する前記液浸流体供給システムの液浸流体の中に存在するあるサイズより大きなサイズの気泡のリスクを決定するリスク決定ステップと、1前記リスク決定ステップが気泡のリスクを決定する個別動作より前の少なくとも1つの個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させ、及び/または、2前記リスク決定ステップが気泡のリスクを決定する個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させる適応ステップと、を含む方法。リソグラフィ装置の作動方法であって、パターン付けられた放射ビームを液浸流体供給システムにより供給された液浸流体を通じてテーブル上の物体の目標部分に投影する投影システムに対し、請求項14に記載の方法に従って適応された動作予定に従って前記テーブルを移動させることを含む方法。図1は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、放射ビームB例えばUV放射またはDUV放射を調整するよう構成されている照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するよう構成され、いくつかのパラメタに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするよう構成されている第1の位置決め装置PMに接続されている支持構造例えばマスクテーブルMTと、基板例えばレジストで被覆されたウエーハWを保持するよう構成され、いくつかのパラメタに従って基板Wを正確に位置決めするよう構成されている第2の位置決め装置PWに接続されている基板テーブル例えばウエーハテーブルWTと、フレームにより支持されており、パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの例えば1つまたは複数のダイからなる目標部分Cに投影するよう構成されている投影システム例えば屈折投影レンズ系PSと、を備える。照明システムは、放射の方向や形状の調整、または放射の制御のために、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。支持構造MTは、パターニングデバイスを保持する。支持構造MTは、パターニングデバイスの向きやリソグラフィ装置の設計、あるいはパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。支持構造MTは、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定技術を用いてもよい。支持構造MTは例えばフレームまたはテーブルであってよく、固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。支持構造MTは、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書ではレチクルまたはマスクという用語を用いた場合には、より一般的な用語であるパターニングデバイスに同義であるとみなされるものとする。本明細書で使用されるパターニングデバイスという用語は、基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に一致していなくてもよい。このような場合には例えば、パターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスにおける特定の機能層に対応する。パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜可能であるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。本明細書で使用される投影システムという用語は、使用される露光放射あるいは液浸液や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムをも包含するよう広く解釈されるべきである。投影システムには屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では投影レンズという用語は、より一般的な用語である投影システムと同義に用いられ得る。ここに図示されるのは、例えば透過型マスクを用いる透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。リソグラフィ装置は2つ以上2つの場合にはデュアルステージと呼ばれるの基板テーブル及び/または2つ以上のパターニングデバイステーブルを備えてもよい。こうした多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは1以上のテーブルで露光が行われている間に他の1以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合には、放射源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは放射源からイルミネータILへとビーム搬送系BDを介して受け渡される。ビーム搬送系BDは例えば適当な方向変更用のミラー及び/またはビームエキスパンダを備える。あるいは放射源が例えば水銀ランプである場合には、放射源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。放射源SOとイルミネータILとは、またビーム搬送系BDが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称されてもよい。イルミネータILは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタADを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び/または内径通常それぞれシグマ-アウタσ-outer、シグマ-インナσ-innerと呼ばれるが調整される。加えてイルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために使用されてもよい。放射源SOと同様に、イルミネータILはリソグラフィ装置の一部を構成するとみなされてもよいし、そうでなくてもよい。例えば、イルミネータILは、リソグラフィ装置に一体の部分であってもよいし、リソグラフィ装置とは別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置はイルミネータILを搭載可能に構成されていてもよい。イルミネータILは取り外し可能とされ、例えば、リソグラフィ装置の製造業者によって、またはその他の供給業者によって別々に提供されてもよい。放射ビームBは、支持構造例えばマスクテーブルMTに保持されるパターニングデバイス例えばマスクMAに入射して、パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイスMAを通過した放射ビームBは投影システムPSに進入する。投影システムPSはビームを基板Wの目標部分Cに合焦する。第2の位置決め装置PWと位置センサIF例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなどにより基板テーブルWTを正確に移動させることができる。そうして基板テーブルWTは例えば放射ビームBの経路に異なる目標部分Cを順次位置決めするように移動される。同様に、第1の位置決め装置PMと他の位置センサ図1には明示せずとにより放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリからのマスクの機械的交換後や走査中に行われる。一般に支持構造MTの移動は、第1の位置決め装置PMの一部を構成するロングストロークモジュール粗い位置決め用及びショートストロークモジュール精細な位置決め用により実現される。同様に基板テーブルWTの移動は、第2の位置決め装置PWの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパではスキャナとは異なり、支持構造MTはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスMAと基板Wとは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよいこれはスクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、パターニングデバイスMAに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。図示の装置は例えば次のうちの少なくとも1つのモードで使用され得る。1.ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が1回の照射すなわち単一静的露光で目標部分Cに投影される間、支持構造MT及び基板テーブルWTは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルWTがX方向及び/またはY方向に移動されて、異なる目標部分Cが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で結像される目標部分Cのサイズを制限することになる。2.スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間すなわち単一動的露光の間、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期して走査される。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大縮小特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分の非走査方向の幅を制限し、走査移動距離が目標部分の走査方向の長さを決定する。3.別のモードにおいては、支持構造MTがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、基板テーブルWTが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルWTの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。投影システムPSの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は2種類に大きく分類することができる。浴槽型の構成といわゆる局所液浸システムとである。浴槽型は基板Wの実質的に全体と任意的に基板テーブルWTの一部とが液槽に浸される。局所液浸システムは、基板の局所域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用する。後者の分類においては、液体で満たされる空間は平面図にて基板上面よりも小さく、液体で満たされた領域は基板Wがその領域の下を移動しているとき投影システムPSに対し実質的に静止状態にある。もう1つの構成は、本発明のある実施形態に向けられるものであるが、液体が閉じ込められない全濡れ型である。この構成においては、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全体または一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体は、基板上の例えば薄い液体フィルムであってもよい。図2乃至図5の液体供給デバイスのいずれもがこうしたシステムにも使用可能であるが、シール構造はなくすか、動作させないか、通常ほどは効果的でないようにするか、あるいはその他の手法で、局所域のみに液体を封じないようにする。4つの異なる形式の局所液体供給システムが図2乃至図5に図示されている。図2乃至図4に開示される液体供給システムは既に説明した。提案されている別の構成は液体閉じ込め部材をもつ液体供給システムを設けることである。液体閉じ込め部材は投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。こうした構成を図5に示す。液体閉じ込め部材は、投影システムに対してXY面で実質的に静止しているが、Z方向光軸の方向では多少の相対運動があってよい。液体閉じ込め部材と基板表面との間にシールが形成される。ある実施例においては、液体閉じ込め構造と基板の表面との間にシールが形成され、このシールはガスシール等の非接触シールであってもよい。こうしたシステムは米国特許出願公開第2004-0207824号に開示されている。図5は、バリア部材12,IHを有する局所液体供給システムを模式的に示す図である。バリア部材は、投影システムの最終要素と基板テーブルWTまたは基板Wとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する以下の説明においては、そうではないと明示していない限り、基板Wの表面との言及は、それに加えてまたはそれに代えて基板テーブルの表面にも言及するものと留意されたい。バリア部材12は、投影システムに対してXY面で実質的に静止しているが、Z方向一般には光軸方向では多少の相対運動があってよい。ある実施例においては、バリア部材と基板Wの表面との間にシールが形成され、このシールは流体シール望ましくはガスシール等の非接触シールであってもよい。バリア部材12は、投影システムPSの最終要素と基板Wとの間の空間11の少なくとも一部に液体を収容する。基板Wに対する非接触シール16が投影システムの像フィールドの周囲に形成され、基板W表面と投影システムPSの最終要素との間の空間に液体が閉じ込められてもよい。この空間は少なくとも一部が、投影システムPSの最終要素の下方に配置され当該最終要素を囲むバリア部材12により形成される。液体が、投影システム下方かつバリア部材12内部の空間に、液体入口13によって供給される。液体出口13によって液体が除去されてもよい。バリア部材12は、投影システムの最終要素の少し上方まで延在していてもよい。液位が最終要素の上まで上昇することで、液体のバッファが提供される。ある実施例においてはバリア部材12は、上端において内周が投影システムまたはその最終要素の形状に近似し、例えば円形であってもよい。下端において内周が像フィールドの形状に近似し、例えば長方形であってもよい。これらの形状は必須ではない。ある実施例においては、液体は、バリア部材12の底部と基板Wの表面との間に使用時に形成されるガスシール16によって空間11に収容されてもよい。ガスシールは、例えば空気又は合成空気、一実施例ではN2又はその他の不活性ガスなどの気体によって形成される。ガスシールの気体は、圧力の作用で入口15を介してバリア部材12と基板Wとの隙間に提供される。気体は出口14から抜き取られる。気体入口15での過剰圧力、出口14の真空レベル、及び当該隙間の幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流れ16が存在するように構成される。バリア部材12と基板Wとの間の液体に作用する気体の力が空間11に液体を収容する。入口及び出口は空間11を取り巻く環状溝であってもよい。環状溝は連続していてもよいし不連続であってもよい。気体流れ16は空間11に液体を収容する効果がある。こうしたシステムは米国特許出願公開第2004-0207824号に開示されている。図5の例はいわゆる局所域型であり、液体はいかなる時点においても基板Wの上面の局所域に供給されるのみである。異なる構成も可能であり、例えば米国特許出願公開第2006-0038968号には、単相抽出器または二相抽出器を利用する流体ハンドリングシステムを含む構成が開示されている。ある実施例においては、単相抽出器または二相抽出器は、多孔質材料に覆われている入口を備えてもよい。単相抽出器の一実施例においては、多孔質材料が気体から液体を分離し単相の液体抽出を可能とするために使用される。多孔質材料の下流のチャンバがいくらか負圧に保たれて液体で満たされる。そのチャンバの負圧は、多孔質材料の孔に形成されるメニスカスが周囲の気体のチャンバへの引き込みを妨げるような大きさとされる。その一方、多孔質材料が液体に接触すれば流れを制限するメニスカスはなくなるので液体が自由にチャンバに流入できる。多孔質材料は多数の小孔、例えば5μm乃至300μmの、望ましくは5μm乃至50μmの範囲の直径の小孔を有する。ある実施例においては、多孔質材料は少なくともいくらかの親液性例えば親水性をもつ。すなわち、多孔質材料は液浸液例えば水に対する接触角が90度未満である。あり得る別の構成は、気体抵抗原理に基づき動作するものである。このいわゆる気体抵抗原理が説明されているのは、例えば、米国特許出願公開第2008-0212046号及び2008年5月8日出願の米国特許出願第US61/071,621号である。こうしたシステムにおいては抽出孔が、望ましくは角をもつ形状に配列されている。この角はステップ方向またはスキャン方向に整列されている。これにより、ステップ方向またはスキャン方向の所与の速度における流体ハンドリング構造表面の2開口間のメニスカスに生じる力が、仮にそれら2つの排液口がスキャン方向に垂直に整列されている場合に比べて、小さくなる。US2008-0212046には主液体回収形状の半径方向外側に位置するガスナイフも開示されている。ガスナイフは、主液体回収形状を通過した液体を捕捉する。こうしたガスナイフは、US2008-0212046に開示されるようにいわゆる気体抵抗原理の構成であってもよいし、米国特許出願公開第US2009-0262318号等に開示されるように単層抽出器または二層抽出器の構成であってもよいし、あるいはその他の任意の構成であってもよい。その他に多くの液体供給システムの形式があり得る。本発明はいかなる特定の形式の液体供給システムにも限定されない。以下の説明から明らかであるように、本発明の一実施形態はいかなる形式の局所液体供給システムを使用してもよい。本発明の一実施形態は液体供給システムとしてのいかなる局所液体供給システムの使用にも特に関連する。ある液浸システム、例えば閉じ込め型の液浸システムにおいては、液浸液が液体閉じ込め構造12から漏れ出ることがある。漏れ出た液体は基板テーブルの表面または結像がなされる基板に定在するかもしれない。漏れ出た液体は滴またはフィルムの形をとりうる以下では、1つまたは複数の滴、及び/またはフィルムを、滴と言及する。滴は1つまたは複数の欠陥問題の原因となり得る。基板W上または基板テーブルWT上で滴のある場所が液体閉じ込め構造12の下方を通過することがある。ある欠陥問題は、滴と閉じ込められた液体との衝突に起因する。例えば、閉じ込め液浸システムにおいては、液体閉じ込め構造12と基板Wとの間に延びる液体メニスカスに滴が衝突することがある。こうした衝突は、気体例えば空気を気泡として液体に含ませる原因となる。気泡は例えば5μmないし10μmの直径であるが、1μmないし500μmの直径である場合もある。普通は気泡サイズは5ミクロンから10ミクロンの間である。気泡は液浸液を投影システムPSと基板Wとの間の空間11へと移動しうる。あるいは気泡は基板W上に静止し、空間11に対する基板Wの相対移動によって空間11へと移動されうる。この場所に存在する気泡は結像に影響しうる。すなわち、気泡がレジストに露光されて像欠陥を引き起こしうる。液漏れのリスクが高まるのは、基板Wの端部が液体閉じ込め構造12の下方を移動するとき、例えば基板を横断する一列のダイに結像をした後あるいは一列のダイへの結像の最初である。基板端部を横断するときには、基板端部及び基板テーブルWTが液体閉じ込め構造12の下方を移動して、液浸空間11が基板W表面に代えて基板テーブルWTにより画定されるようになる。投影システムPSの下方から基板Wが移動して基板テーブルWTに置き換わる際には、隙間が投影システムPSの下方を通過する。これがメニスカスの安定性を失わせる原因となり得る。その結果液が漏れることがある。2010年2月1日出願の米国特許出願第US12/697,583号は、空間11の中に大きな気泡があることにより生じる結像エラーを防止するようにするために、基板端部周辺で結像をするときの基板移動のすべてが減速される、という方法を開示する。本発明の一実施形態は、露光前に基板上の気泡がその内部にあると予期される可能性のある領域の境界を予測することを含む。こうした領域が予測される場合には、リソグラフィ装置内の液浸流体供給システム下方でのテーブル動作予定の変更をすることが可能となる。この変更は、液浸流体供給システム下方でのテーブル動作予定の一部分である速度及び/または経路を適応させることを含んでもよい。フィールドレイアウト及びその露光のスキャン方向、基板テーブルWT運動特性、及び液浸流体供給システム寸法を使用して、液浸流体供給システム下方での基板テーブルWTの動きのシミュレーションがなされてもよい。言い換えれば、液浸流体供給システム下方での基板テーブルの時間的な位置変化のシミュレーションがなされてもよい。フィルム引き寄せ作用及び欠陥形成作用を取り込んだ各ステップ動作及び各スキャン動作についての液体損失予測アルゴリズムを使用して、最適な速度及び経路が、例えば欠陥問題及び不必要なスループットへの打撃を回避しつつ各露光についてレジスト特性を考慮に入れて決定されてもよい。図6は予測される欠陥を表す図である。本方法の一実施形態は、3つの主たる段階を含む。すなわち、分割ステップ、リスク決定ステップ、及び適応ステップである。分割ステップの間に、基板テーブルWTの動作予定が複数の個別動作に分割される。図6には平面図で基板Wが示されており、その上に各露光フィールド100が重ね合わされている。液浸流体供給システム下方での基板テーブルWTの経路120が図示されている。この経路は、上行スキャン動作122、下行スキャン動作126、及びステップ動作124を含む。上行スキャン動作122及び下行スキャン動作126の間に、隣接する複数のフィールド100に例えば、結像がなされる。分割ステップの間に、動作予定120がスキャン動作122、126、及びステップ動作124に個別に分割される。これらが即ち複数の個別動作である。これらの個別ステップ動作124、個別スキャン動作122、及び個別スキャン動作126のそれぞれについて、リスク決定ステップが実行される。リスク決定ステップには液浸流体の中に存在する気泡のリスクを決定することが含まれる。すなわち、気泡リスクのある領域が決定される。特に、当該動作中にリソグラフィ装置のパターンビームBが通過する液浸流体供給システムの液浸流体の中に存在しているあるサイズより大きなサイズをもつ気泡のリスクが評価される。ある実施形態においては、このリスク計算のために、液浸流体供給システムから漏れた液浸流体が存在する場所の上方に、液浸流体供給システムが、例えば、液体供給システム自身の移動によって、または基板の移動によって、あるいはそれら両方によって位置付けられることになる場合に、あるサイズより大きなサイズをもつ気泡のリスクが存在すると仮定する。ある実施形態においては、液浸流体供給システムが場所の上方に位置付けられることになるとは、液浸流体供給システム例えば、液体供給システムと対向表面例えば基板または基板テーブルとの間にのびるメニスカスによって収容された液体の塊を意味する。したがって、リスク決定ステップの間にはまず、液体損失予測アルゴリズムを使用して液体損失が予測されるサブルーチンがある。僅かな液体損失であっても液体損失予測アルゴリズムにより予測された場所は記憶される。漏れた液浸流体が存在する場所の上方に液浸流体供給システムが位置付けられることになる可能性があると計算された場合には、液浸流体供給システムにある液浸流体の中に存在するあるサイズより大きなサイズをもつ気泡のリスクが高いと決定される。気泡の存在するリスクを計算する別の方法では、例えば物理モデルが使用されてもよい。後述するモデルは経験的モデルであり、即ち現実の単純化である。気泡リスクを正確に予測するために現場での観察に基づくルールを使用する経験的モデルを以下に説明する。それよりも物理的なモデル、例えば、液体特性及び表面特性から導出される方程式に基づく液体の物理的挙動のモデルを使用することも可能であろう。こうしたモデルは基板特性例えば、接触角、脱濡れ速度のような入力を要するであろう。ある動作中にリソグラフィ装置のパターン付けられたビームが通過する液浸流体供給システムの液浸流体の中に存在するあるサイズより大きなサイズをもつ気泡のリスクが高いとリスク決定ステップが決定した場合には、適応ステップが行われる。適応ステップの間には、リスク決定ステップにて決定された気泡リスクを低減または除去する結果を得る可能性のあるあらゆる行動をとることが可能である。ある実施形態においては、リスク決定ステップが気泡のリスクがあると決定する個別動作の速度が適応させられる。ある実施形態においては、露光フィールド上方のスキャン動作122、126のみが適応させられる。減速によって速度を適応させることにより、液浸流体供給システムの液浸流体に含まれている気泡のリスクを低減させることができる。それは、液浸流体供給システムと基板との間に延びるメニスカスとそれ以前の動作中に液浸流体供給システムから漏れたと予測された基板上の液滴との衝突速度が低減されるからである。速度が遅ければ、液浸流体の中に気泡を含ませる衝突の起こる可能性は低減される。代案として、または、追加として、リスク決定ステップにより気泡のリスクの予測がなされた動作は、基板上の液体との衝突を回避するように経路が変更されてもよい。代案として、または、追加として、リスク決定ステップが気泡のリスクを決定する動作よりも前の動作に対応する動作予定の一部分である速度が適応させられてもよい。ある実施形態においては、速度の適応低減の大きさは、液浸流体供給システムと基板との間に延びるメニスカスと基板W端部との間の角度に基づいて決定されることができる。その角度が小さいほど、速度低減を大きくする。こうして、リスク決定ステップが気泡リスクを決定する動作の間に基板上に液体が実質的に存在しないように、液浸流体供給システムからの流体漏れが防止されてもよい。代案として、または、追加として、動作予定のうち気泡リスクが決定された動作よりも前の経路が変更されることも可能であろう。残された液体が液浸流体供給システムのメニスカスとの衝突を生じさせる可能性のある場所には残されず、それによって気泡を生まないように、そうした変更が行われてもよい。リスク決定ステップが気泡のリスクを決定する個別動作より前の少なくとも1つの個別動作に対応する動作予定の一部分である経路を適応させることは、当該動作予定においてフィールド100の露光方向と露光順序との一方または双方を変更することを含むことも可能であろう。リスク決定ステップが気泡のリスクを決定する個別動作に対応する動作予定の一部分である経路を適応させることは、当該動作予定におけるフィールド100の露光方向と露光順序との一方または双方を変更することを含むことも可能であろう。複数回の露光に際しての動作に起因する適切な欠陥予測を可能とするために、シミュレーション範囲は、1つの露光フィールド100ではなく基板W全体をカバーする。本方法による最適な速度設定及び経路設定の決定後に、それらに従って実際の露光が実行される。本発明の実施形態はあらゆる顧客の状況への対処を可能とし得る。予測モデルを使用することの更なる潜在的利益は、スループットの向上である本発明の一実施形態に係る方法及び装置を使用して減速させられるかもしれない露光レイアウトのフィールド100の数と、米国特許出願第US12/697,583号に説明された方法及び装置を使用して減速させられるかもしれない露光レイアウトのフィールド100の数と、を対比して下記表を参照されたい。実際の数は、モデルの変化により時間とともに変化しうる。要約すれば、米国特許出願第US12/697,583号に説明された方法及び装置は、減速させられるフィールド100が多すぎるかもしれない。気泡は液浸システムにとって課題である。液体損失とそれに続く液浸流体供給システムと基板W及び/または基板テーブルWTとの間に延びるメニスカス以下では液浸流体供給システムメニスカスというと滴との衝突がその根本的要因となりがちである。本発明の一実施形態に係る方法は、リスク決定ステップの一部分を構成する液体損失予測モデルを、露光レイアウト例えば、露光フィールド100のパターン及び提案された単純化された動作予定を入力として、使用する。本モデルは動作予定蛇行とも呼ぶをたどって進む。リスク決定ステップの一部として、液浸流体供給システムからの液浸流体損失が基板W端部が通過するとき生じるようモデル化される。リスク決定ステップにおいて気泡リスクは、当該動作予定においてフィールド100各々への露光に先立って液浸流体が漏れてしまったフィールド100を発見することによって、決定される。液浸流体損失の原因であると決定された関与ステップ動作または関与スキャン動作は、液浸流体損失ひいては気泡形成を低減または回避するために、減速されることができる。あるいは、気泡リスクがあると決定された関与ステップ動作または関与スキャン動作は、液浸流体供給システムメニスカスと滴との衝突による気泡の形成を低減または回避するために、減速されることができる。基板露光の終わりに基板Wに液浸流体が残されているという結果を与えると予測されるあらゆる動作を減速するために、本モデルを使用することができる。基板に残される液体乾燥ステインまたは液体マークを低減または回避するために、これを使用することもできる。透過イメージセンサTISマーカの結像中に当該マーカ上に滴が残されるのを回避してそのマーカから得られる読み取りの誤りを回避するために、同様の方法を使用することもできる。図6に示される陰付きの領域は、補正行動が取られなければ気泡のリスクがあると予測される領域である。領域130について気泡リスクが生成されるのは、気泡のリスクのあるフィールドの上行スキャン中である。これに対する解は、その特定のスキャン動作の速度を低減することであるかもしれない。代案として、または追加として、そのフィールドに液体を残すことになる動作を減速してもよいかもしれない。追加の、または代案となる選択肢は、そこに液体が載っている間はそのフィールドのスキャンを回避するよう動作予定の経路を変更することであろう。また、領域131については気泡リスクがステップ動作中に生成され、その解はステップ動作の速度を低減することであるかもしれない。図7は、本発明の一実施形態に係る論理モジュール190を表す。論理モジュール190に入力200が与えられる。その入力は機械定数を含んでもよい。機械定数には例えば、スキャンの種類例えば、いわゆるマンハッタンまたはダイアゴナル、スキャン座標X座標、Y座標及びスキャンシーケンス座標の露光順序、スキャンパラメタv速度、a加速度、jジャーク、Tsettle後述、液浸流体供給システムの寸法、その他任意の必要な機械定数がある。これらの入力はモデル210へと受け渡され、かつ手動上書きモジュール220へと受け渡される。モデル210及び手動上書きモジュール220からの出力は速度セレクタ230に与えられる。速度セレクタ230は動作予定に必要な任意の適応を施して、修正された動作予定240を出力する。この修正された動作予定は、当該動作予定の必要パラメタを含む。本発明の一実施形態に係るモデル210または方法は概ね以下のように分けて説明することができる。1.延伸長さ及び簡易追跡の生成。これは、テーブル動作予定を複数の個別動作に分割するための分割ステップの一部を構成する。2.液体損失モデル。これは、リスク決定ステップの一部を構成し、ある所与の動作がその動作終了時に基板上に液体を残すことになるか否かを決定する。3.気泡リスクBR及び液体リスクLRの決定。これは、リスク決定ステップの一部を構成し、延伸長さ及び簡易追跡と液体損失モデルとの結果に基づいて気泡のリスクがあるか否かを決定する。モデル210からの出力と、手動上書きモジュール220を使用してユーザにより手動で指示された任意の上書きとが、適応ステップを実行する速度セレクタ230へと受け渡される。速度セレクタ230の出力は、修正された動作予定である。この動作予定においては、リソグラフィ装置のパターン付けられたビームが基板の照明中に通過する液浸流体供給システムの液浸流体の中に生成される気泡のリスクが低減されている。スキャン座標、スキャンシーケンス、及びスキャンパラメタに基づいて、簡易化した動作予定が生成されうる。延伸長さは、後述するように、露光スキャンフィールドの終点から次のステップの動作の始点への距離である。ある実施形態においては、本方法は、実際の露光経路を簡易化した動作予定を生成するにあたり、この延伸長さをN=1のフィールドからNmaxのフィールドまで計算する。これは、実際の連続的な動きを個別化し、矩形状の動きのみと仮定する単純化である。図8は、分割ステップの入出力を示す。入力300は、スキャン座標X座標、Y座標、スキャンシーケンス座標の露光順序、スキャン及びステップの速度v、加速度a、ジャークj、加速度の変化率、及びTsettleである。スキャンパラメタのうちTsettleは、安定した速度で機械が移動する距離である。その他の入力は、スキャンがマンハッタンであるか又はダイアゴナルであるかということと、像シフトと、を含む。マンハッタンは、始めに鉛直方向で次に水平方向またはその反対という矩形動作であり、例えば図13に示す。ダイアゴナルは、ある露光フィールドから別の露光フィールドへの斜め方向の動作であり、図13の右側に示す。xにおける像シフトは、パターニングデバイスレベルでの像選択が非対称である場合に入力として必要とされる。分割ステップ310が行われ、複数の個別動作320が出力される。図8のスキームから得る簡易蛇行、スキャン座標、スキャンシーケンス、及び液浸流体供給システム寸法に基づいて、動作予定の各ステップ及び各スキャンについてBR気泡リスク及びLR液体リスクが液体損失モデルの中で計算される。図9は、液体損失モデルの入出力を示す。モデルへの入力400は簡易蛇行の出力320即ち複数の個別動作であり、座標、速度、及びシーケンスを含む。その他の入力は液浸流体供給システムの寸法、Phi_UWA後述、及び基板テーブルの基板を置く凹部の端の位置である。410にて液体損失がモデル化される。液体損失はどのようにしてモデル化されてもよい。液体損失モデル化の1つの方法は図18及び図19を参照して後述される。出力420は、液浸流体供給システムから漏れたとみなされる液体の場所である。モデル内部での作業は更に後述される。気泡リスクBR及び液体リスクLRの決定は、総気泡基板領域サイズに対する特定動作についての気泡基板領域の相対サイズに基づく。図10は、気泡リスク及び液体リスクの計算モデルの入出力を示す。図10に示すスキャンステップ速度コンバータにおいては、入力500は図9の出力420である。気泡リスク及び液体リスクが510にて計算され、出力520は各個別動作について計算された気泡リスク及び液体リスクである。含まれる気泡のリスクを低減するためのある特定された個別動作についての代替の速度は、気泡リスク及び液体リスクに基づいて決定される。これは、気泡リスクBRまたは液体リスクLRを代替速度に変換することによって行われる。図11に示す。入力600は図10の出力520である。610にて代替速度ある代替的な実施形態においては、及び/または代替経路が計算される。620にて、動作予定の各個別動作スキャンまたはステップについて代替速度ある実施形態においては、及び/または経路指定が出力される。これは、後で使用するために保存されることができる。モデル内部での作業は更に後述される。動作予定によるマーカまたはセンサ例えばTISのマーカまたはセンサ上での液体損失を予測することが可能であり、本発明の実施形態に従って減速された動作または適応された経路はスキャナの信頼性を改善する。図12はモデルへの入出力を示す。入力700は、図9に示す400と同一である。ただし、Phi_UWA及び液体半径外側のマージンは要しないことを除く。その代わりに、基板テーブル上でのマーカまたはセンサの座標が与えられる。液体損失が710にてモデル化され、出力620と同様に、出力720が与えられる。よって、液体損失モデル710は、図9ないし図11に示され基板上での液体損失モデルに相当するステップのうち多くを備える。モデル内部の動作は更に後述される。モデル内部での作業が後述される。延伸長さELが図13に示される。図8の簡易動作予定生成処理は、スキャンパラメタに基づき延伸長さELを自動的に計算するか、延伸長さを手動で設定する。1.自動の場合、次の最悪の場合の公式により計算する。EL=va/2jv/2aTsettle0.5スリットサイズここで、vは速度、jはジャーク、aは加速度、Tsettleは安定化するための時間、スリットサイズは露光スリットのサイズである。2.手動の場合、ELの値を指定する。延伸長さマージン図13に示すELMが機械定数MCにより特定される。すなわち、上式のELにより計算された延伸値に加算または減算されるべき値が特定される。延伸長さELのためのパラメタはMCに組み込まれているべきである。延伸長さELと露光レイアウトとに基づいて簡易動作予定が生成される。これは図13に下記の定義とともに示すようなものである。N=ステップ数とスキャン数の合計=露光レイアウトのフィールド数2-1スキャン=スキャン始点-EL-マージンからスキャン終点ELマージンまでステップ=前回スキャン終点から今回スキャン始点までこの節においては、液体損失モデルは決定木により記述される。液体損失モデルにおいて使用される変数の定義は後述される。図14においては概略のモデルの定義が説明され、図15においては濡れ非抑制領域がどのように定義されるかが説明される。図14における例はスキャン動作縦方向からである。ステップ動作においてはすべてを90度回転させればよい。図14における未露光フィールド810とは、基板レイアウトのうち本モデルによりまだ予測がなされていないフィールド100である図6参照。図14における露光フィールド812とは、基板レイアウトのうち本モデルにより既に予測がなされたすなわち、いま計算されている個別動作に沿っているフィールドである。図14におけるサイドポイントスタート820とは、個別動作開始位置での液浸流体供給システム移動方向に直交する液浸流体供給システムのサイドポイント例えば、平面図で角を4つ有する形状の液浸流体供給システムの側方の角である。こうした位置が2箇所あり、それぞれが液浸流体供給システムの各側部にある。この位置に820a、820bと符号を付す。図14におけるサイドポイントエンド825とは、個別動作終了位置での液浸流体供給システム移動方向に直交する液浸流体供給システムのサイドポイントである。こうした位置が2箇所あり、それぞれが液浸流体供給システムの各側部にある。この位置に825a、825bと符号を付す。図14におけるバックポイントスタート830とは、個別動作開始位置での液浸流体供給システムの後側の角にあたる液浸流体供給システムコーナーの位置である。図14におけるバックポイントエンド835とは、個別動作終了位置での液浸流体供給システムの後側の角の位置である。図14におけるセグメント840とは、バックポイントからサイドポイントまでの液浸流体供給システムの側部である。2つのセグメントがあり、840a、840bと符号を付す。図14における液浸流体供給システムフットプリント12とは、個別動作の終点にて液浸流体供給システムにより覆われる位置であり、斜めのハッチング領域で示す。ある実施形態においては、フットプリント12は液体閉じ込め構造の外側境界であり得るし、あるいは外側境界のいくらか内側の位置例えば、露光フィールド周囲の液体メニスカスの位置であり得る。図14における液浸流体供給システム濡動850とは、個別動作中に液浸流体供給システムと基板との間に延びるメニスカスが通過する領域であり、斜めの交差ハッチング領域で示す。図14における予測された液体損失領域860とは、本モデルにより予測された個別動作の終了時に液浸流体を含む基板上の領域である。図14における予測された気泡BB領域870とは、本モデルにより予測された気泡BBを含む基板上の領域である。図15を参照するに、図15におけるp1とは、サイドポイントスタート820b-サイドポイントエンド825bというベクトルが基板端部に交差する位置である。Phi_UWAとは、液浸流体損失領域を決定する角度である。これはモデルにおいて固定された値であってもよい。代案として、本モデル自身により計算されるPhi_UWAに基づいてもよい。図15におけるu1とは、p1から角度Phi_UWAで出る直線と、液浸流体供給システムの終了位置での液浸流体供給システムの側部セグメント840bとの交点である。図15におけるUWA880とは、頂点バックポイントスタート830、バックポイントエンド835、u1、p1で定義される多角形により決定される濡れ非抑制領域である。1つまたは複数の例外が存在しない限りは、上記の規則が守られる。例外は以下を含む。p1が基板外にある場合、p1=サイドポイントエンド825a、825bである。サイドポイントスタート820b-サイドポイントエンド825bというベクトルが基板W外にある場合、p1=サイドポイントエンド825bである。サイドポイントスタート820b-サイドポイントエンド825bというベクトルが基板W内にある場合、p1はバックポイントスタート830-サイドポイントスタート820bというベクトルと基板端部との交点である。p1から角度Phi_UWAで出る直線が液浸流体供給システムセグメント840bと交わらない場合、バックポイントスタート830とバックポイントエンド835との間の延長線との交点がu1を定める。更なる例外は、二次的な液体損失を考慮することである。すなわち、ある個別動作の始点における液浸流体供給システムセグメント840a、840bに、以前の個別動作による液体多角形が接触している場合、二次液体損失多角形890図16参照が生成される。この二次液体損失多角形890は、新たなp1と、濡れ非抑制領域880に従う前回の液体損失多角形の頂点のうち当該動作の始点にて液浸流体供給システムに接触している頂点の位置により決定される頂点と、により生成される。図16に示すように、UWA880に対応する液体損失領域が液浸流体供給システムの動作開始時に左側に存在する。新たな液浸流体供給システム濡動850が生成される。前回動作による液体損失多角形880が動作開始時に液浸流体供給システムセグメント840bに接触しているから、二次液体損失多角形890が生成される。その他の2つの頂点の位置及びそれによる二次液体損失多角形890の形状に関する規則は図17を参照して後述する。それが如何にして生じたと仮定されるものであっても残されると予測される液体が同様に取り扱われるように、二次液体損失多角形890は処理終了時に、予測された液体損失860へ追加される。Phi_UWAは液体損失領域を決定する角度である。ある実施形態においては、Phi_UWAは固定された値である。別のある実施形態においては、Phi_UWAは後述のモデルによって計算されてもよい。図17は、UWA880または二次液体損失多角形890がどのようにして計算されるかを示す。直線的な気泡端部シールBES基板Wの端部と基板テーブルWTとの隙間、またはUWA880の端部を用いて、角度ベータが次式を使用して計算されることができる。ここで、である。φはスキャン方向と液浸流体供給システムフットプリントの端部との角度である。本モデルのある実施形態においては、最適な方向にスキャンをしている場合、この角度はφ=45°と近似されることができる。αは、親液性端部BESとセグメント840との角度であり、基板W端部が横断される場所に依存する。よってφ=α=45°である場合、これは標準的な垂直BES交差であるが、スキャン速度はβ=0°を得るようVdに等しくすべきであり、そうすれば液体損失はない。TCX041については、これは光活性材料の保護のためにトップコートとして使用される特定の表面特性をもつ商用のコーティング材料であるが、自由移動接触線速度はVd=0.42m/sと近似されることができる。Vscan=0.6m/sのスキャン速度でBES隙間を垂直に横断する場合、UWA880はβ=45°に及ぶ。より高速のスキャンでは上述の関係はもはや保たれない。つまり、液浸流体供給システムの後方の全領域がUWA880となる。このスキャン速度は、液を留まらせる形状が何ら存在しなくても基板上へと液体が失われる臨界値を超えるからである。液体損失モデルは大まかに、i液体損失決定、及びii残りの液体の軌道及び液浸流体供給システムのモッピング拭き取り特性の動作予定を通じての把握という2つの機能部分を含む。図18には、決定木による液体損失モデルが表示されている。液体損失決定それ自体は、図19の別個の決定木により説明される。1010でのモデルへの入力は、複数の個別動作簡易蛇行、スキャン及びステップの座標及びシーケンス、及び、液浸流体供給システムの寸法である。モデルは、最初の動作N1を開始し図18のステップ1020、露光される現在のフィールドに液体が存在するか否かを確認する図18のステップ1030。露光されるべきフィールドに液体が存在し、当該動作がステップ動作ではなくスキャンである場合には、その液体は気体に変換され、気泡BBとして仮定され保存されるすなわち、気泡リスクのある領域図18のステップ1040。それ以外の場合には、モデルはステップ1050へと進む。次にモデルは、液浸流体供給システム濡動に液浸流体が既に存在するか否かを確認する図18のステップ1050。この液浸流体は、液浸流体供給システムのモッピング機能によって基板Wから除去されることになる図18のステップ1060。つまり、液浸流体供給システムが基板上で液体に出会ったとき、基板上のその液体は液浸流体供給システムによって基板から除去されると仮定している。液浸流体供給システムの通過後に基板上に液体が残っているか否かにかかわらず後述の計算がステップ1070にて行われる。個別動作がスキャン動作である場合には液体は既に気泡に変換されている上述のステップ1040。一方、動作がステップ動作である場合には露光が行われないため、ステップ1060にて滴は単に除去される。液浸流体が存在しない場合には、モデルはステップ1070へとまっすぐ進む。図18のステップ1070は、当該動作が後述の液体損失条件を満たすか否かを確認する。ステップ1070は液体損失モデルのもう一つの機能部分であり、図19に示すもう一つの決定木により説明する。液浸流体がない場合、モデルは次の個別動作のためにステップ1020へとまっすぐに戻る。液体損失モデルが液体損失を予測した後、濡れ非抑制領域UWA880が、上述のように多角形機能を使用して生成されてもよい図18のステップ1080。この段階で蛇行の最初のスキャン動作が予測され、次の動作これはステップであるが、以前の動作で予測されたすべての液体領域及び気泡BB領域を考慮に入れてステップ1020に行くことにより開始される。動作予定の全体であるすべての個別動作の予測が完了したときに図18のステップ1090、モデルは終了する。そしてステップ1100にて液体損失及び気泡の予測多角形が出力される。図18の方法のステップ1070動作が液体損失条件を満たすかが別の決定木図19に示されており、後述される。液体損失決定モデルはいくつかの確認で始まる。最初の確認は二次液体損失が生成されるか否かである図19のステップ1210。これは図16を参照して説明されたものである。これが当てはまる場合、他のすべての確認を飛ばして直ちに液体損失多角形がステップ1300にて生成される。二次液体損失がない場合、次の確認は、1つまたは複数の液浸流体供給システムの端点すなわち、サイドポイント及びバックポイントを含む液浸流体供給システムの角が平面図で動作の始点にて基板Wの外に位置するか否かである図19のステップ1220。どの端点も基板外にはない場合、モデルはステップ1230に進み、液体損失が生じていないとみなされる。その次の確認は、その特定の液浸流体供給システム動作が基板Wへと向かっているか否かである図19のステップ1240。その動作が基板W上にない場合、ステップ1230にて液体損失はないと予測される。各セグメントはステップ1250、1260、1270、及び1290に従って実行される計算を有する。2つの確認ステップ1220、1240の結果が肯定的である場合、液体損失予測は、液浸流体供給システムセグメント840a、840bのそれぞれについて計算される図19のステップ1250a、1250b、1260a、1260b、1270a、1270b、及び1290a、1290b。最初にセグメントが特定されるステップ1250。再びいくつかの確認が実行される。バックポイントスタート830及びサイドポイントスタート820の両方が基板W内にある場合、液浸流体損失は発生せず図19のステップ1260a、1260b、ステップ1280にて液浸流体損失がないと決定する。その次の2つの行為は、BES横断動作の始まりにて、液浸流体供給システムの後端即ちセグメント840のうち基板Wの外側にある長さがその即ちセグメント840の全長の50より小さいか否かを確認する。この場合液体損失がないからであるステップ1280。これは、まず上述のように点p1を計算し、その次に、バックポイントスタート830からp1へのベクトルの50未満が基板外に位置するか否かと、サイドポイントスタート820が基板内にあるか否かとの両方を確認することによって、行われる図19のステップ1270。両方がはいである場合、液浸流体損失はなくモデルはステップ1280に進み、いいえである場合、それに続く作業図19のステップ1290が、バックポイントスタート830からp1へのベクトルが50を超えて基板外に位置するか否かと、バックポイントスタート830が基板W内にあるか否かとの両方を確認する。その出力が再びいいえである場合、基板外にあるセグメント840の長さはセグメント840の全長の50より大きく、既に見たように、液浸流体損失が発生し液体損失多角形が生成される図19のステップ1300。回答がはいである場合、ステップ1280が行われ、液浸流体損失が生じていないとみなされる。下記のリストは図19に示す決定及び行為の箱の要点である。1210二次液体損失があるか12201つ以上の端点が基板外にあるか1240動作方向は基板に向かっているか1250セグメントごとに液体損失を予測。1260バックポイントスタートまたはサイドポイントスタートが基板半径内にあるか1270バックポイントスタート-p1間距離<セグメント全体の50、かつ、サイドポイントスタートが基板内か1290バックポイントスタート-p1間距離>セグメント全体の50、かつ、バックポイントスタートが基板内か1300液体損失多角形バックポイントスタート-p1-u1-バックポイントエンドを生成。p1が基板外の場合、p1=サイドポイントエンド825。ベクトルサイドポイントスタート820-サイドポイントエンド825が基板外の場合、p1=サイドポイントエンド825。ベクトルサイドポイントスタート820-サイドポイントエンド825が基板内の場合、p1=ベクトルバックポイントスタート830-サイドポイントスタート820の基板端部交差位置。図20には、ある例示的な露光レイアウトのある領域における気泡の予測の詳細な例を示す。気泡リスクBR及び液体リスクLRが、動作予定のステップ動作及びスキャン動作ごとに、予測された液体気泡BB多角形に基づいて、計算される。図20は液浸流体供給システムの4つの位置を示す。iフィールド7のスキャン露光後の位置、iiフィールド8のスキャンの準備のための上行マンハッタンステップ、iiiフィールド8のスキャンの準備のための左行マンハッタンステップ、ivフィールド8の露光後、である。未露光フィールド810と露光フィールド820が示されている。フィールド6に気泡リスクの領域が表示されている。最初のマンハッタンステップの後に、液浸流体供給システムのセグメント840bの下方を基板Wの端部が通過して非抑制液体損失UWA880が生じたことが観察される。左方へのステップ中にある程度の非抑制液体損失UWA880が液浸流体供給システムの移動によって拭き取られている図18のステップ1050及び1060。フィールド8の左下に表示されているのは、フィールド8のスキャン中において基板Wが液浸流体供給システムに対し引っ張られるように上行するときに、潜在的に高い気泡リスクをもつ領域である図18のステップ1030及び1040。この領域は、最初のマンハッタンステップで残された液体を載せた領域の上方に液浸流体供給システムが位置決めされることの結果である。基板と液浸流体供給システムとの間に延びるメニスカスと基板Wに残された液浸流体との衝突によって気泡が生成される。もう1つの領域がフィールド8の上側中央部分に潜在的気泡リスクの領域として特定されている。これは、たとえ拭き取られたとしても液体がそこに存在したと特定されたからであり、以前の液体損失により気泡の可能性のある区域を表示している。理解されるように、図20における上行マンハッタンステップ中の液体損失が防止されていたならば、フィールド8のスキャン中における気泡は予測されなかったであろう。したがって、動作予定を適応させる1つの方法は、液体損失が生じないか又はより少なくするように上行マンハッタンステップの速度を低減することであろう。左方へのマンハッタンステップはスキャン同様の標準の速度で行うことができるであろう。気泡リスクBR及び液体リスクLRを計算するために使用される別の作業が図21に示される。既述の、特に図20に図示したようにして計算された液体損失気泡多角形である入力を1205にてモデルが受け取る。モデルはまずステップ1210にて各多角形の領域を別々に計算し、ステップ1220において総多角形領域液体損失とBBとを別々にを計算する。そしてBR及びLRがステップ1230において計算される。BR及びLRはそれぞれの多角形領域に応じて決められる。その結果はステップ1240において、テーブルの対応する個別動作とともに保存される。BR/LRの値に適合する代替速度が決定されてもよい。これは、上記の節で計算されたモデル出力BR/LRを代替速度に変換することにより行われてもよい。このリスク速度コンバータは、実際の性能を予測された性能に合わせ、それによって予測と実際との相違を補正することを許容する。BR及びLRのテーブルに、対応する代替速度が特定されて加えられる。代替速度は、機械定数であるリスク-代替速度変換テーブルにより計算される。蛇行によるマーカまたはセンサでの液体損失が予測されることが可能であり、それにより機械の信頼性改善のために動作が減速されてもよい。これは、基板テーブルWTアライメント中に使用されるマーカまたはセンサに存在する液浸流体滴を回避することにより達せられる。図22にはマーカセンサ液体損失モデルが決定木に示されている。マーカセンサ液体損失モデルは液体損失予測モデルと一緒に実行される。モデルは蛇行の最初の露光フィールドのスキャン動作から始まり、その蛇行の最後に到達するまで当該動作予定に対し行われる。各動作についてモデルは、1つまたは複数の定義されたマーカ位置またはセンサ位置例えば6カ所が液浸流体供給システム濡動内に位置するか否かを確認する。これが当てはまる場合、その特定の動作が特定のマーカまたはセンサとともにテーブルに保存される。蛇行の最後に到達したとき、マーカまたはセンサごとに液浸流体供給システム濡動Nmaxが計算され、他のすべての濡動とともに各々が属するマーカセンサのテーブルに保存される。本方法または本モデルは、ある動作予定の実行中に濡れるマーカまたはセンサでの液体損失を予測するために使用されることができる。ステップまたはスキャンが全速力でなされる場合、これらのマーカまたはセンサに液浸流体が残される結果となり、装置の性能や信頼性に影響がある。基本的な発想は、本方法を露光動作によるマーカまたはセンサでの液体損失を予測するために拡張することである。液体損失予測に基づいて、ステップまたはスキャンがマーカまたはセンサでの液体損失を低減あるいは回避さえするよう減速される。こうして性能及び信頼性がよりよくなる。ステップ1500にてステップ700と同一の入力が与えられる。モデルは蛇行の最初の露光フィールドのスキャン動作N1から始まり図22のステップ1510、ステップ1520においてセンサまたはマーカが液浸流体供給システム濡動にあるか否かを確認する。その答えがいいえである場合、処理はステップ1510に戻る。マーカまたはセンサが液浸流体供給システム濡動内にある場合、処理はステップ1530に進み、特定された濡動それによって濡れるマーカまたはセンサとともにテーブルに保存される。ステップ1540にて動作予定の最終個別動作に到達していない場合、処理はステップ1510に戻る。動作予定の最終個別動作に到達した場合、モデルはステップ1550に進み、各マーカセンサを濡らす最後の個別動作が決定される。出力1560が与えられ、各マーカセンサを濡らすすべての個別動作がリスト化され、各マーカセンサを濡らす動作予定の最後の個別動作もリスト化されている。本方法は、その他の特徴部分が投影システムの下方を通過するとき、例えば、ある表面が横断しその表面の端が接近する例えば基板テーブルとブリッジまたはセンサとの隙間が接近するとき、に使用可能である。本発明の一実施形態が使用され得る他の表面には、親液性表面でありそうな表面、または、低減された接触角の部分を少なくとも有する表面、例えばセンサなど、が含まれる。その他の特徴部分が投影システム下方を通ることでもメニスカスは不安定となりうるから、ある実施形態においてはコントローラは、本装置の1つまたは複数の作動条件を、ある特徴部分例えばセンサなどに運動が近接するときに適応させてもよい。センサ例えば、レンズ干渉計例えばILIAS、または透過イメージセンサTIS、またはスポットセンサなどのために、液体閉じ込め構造12のガスナイフは、それらセンサのいずれかの親液性部分での液体損失を回避するために、停止され、または流速が低減されてもよいであろう。したがって、理解されるように、本発明の一実施形態は、多くの形式の液浸リソグラフィ装置に実装可能である。ある実施形態においては、リソグラフィ装置は、液浸流体供給システムから漏れた液浸流体を検出するための、または、液浸流体供給システムまたは液浸流体に存在するあるサイズより大きいサイズの気泡を検出するための、センサを備えてもよい。その検出結果を場所決定ステップ及び/またはリスク決定ステップの結果と比較するために比較器が使用されてもよい。このようにして本モデルが改良されてもよい。特に、液体損失及び気泡形成の計算が改良されてもよい。本明細書は、気泡の在否及び気泡による結像エラーの可能性が予測可能である方法を開示する。液体損失と、液浸流体供給システムと基板との間に延びるメニスカスとの衝突の結果生じる気泡の可能性と、を予測する方法も可能である。例えば、種々の固定点例えば、基板の端部、または、テーブルにより支持された物体とメニスカスとの相互作用を計算する物理的な全体モデルが計算されてもよいであろう。代案として、または追加として、モデルは完全に経験に基づくものであっても、すなわち、漏れ及び/または気泡が生じる条件の観測に基づくものであってもよいであろう。ある側面においては、リソグラフィ装置の液浸流体供給システム下方でのテーブルの動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させる方法であって、前記テーブルの前記動作予定を、複数の個別動作に分割する分割ステップと、前記複数の個別動作のうちある個別動作について、前記液浸流体供給システムから漏れた液浸流体が存在する場所の上方を前記液浸流体供給システムが通るか否かを決定することによって、当該ある個別動作中に前記リソグラフィ装置のパターン付けられたビームが通過する前記液浸流体供給システムの液浸流体の中に存在するあるサイズより大きなサイズの気泡のリスクを決定するリスク決定ステップと、1前記リスク決定ステップが気泡のリスクを決定する個別動作より前の少なくとも1つの個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させ、及び/または、2前記リスク決定ステップが気泡のリスクを決定する個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させる適応ステップと、を含む方法が提供される。ある実施形態においては、この方法は、前記ある個別動作について、前記液浸流体供給システムから液浸流体の漏れる場所を決定する場所決定ステップをさらに含み、前記場所決定ステップの結果が前記リスク決定ステップにおいて使用される。ある実施形態においては、前記場所決定ステップは、前記ある個別動作について、当該個別動作中に前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定する。ある実施形態においては、前記場所決定ステップは、前記液浸流体供給システムの漏れ挙動の経験的モデルを使用することにより、前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定する。ある実施形態においては、前記場所決定ステップは、前記テーブル上にあるメニスカス保持形状部分の上方を前記液浸流体供給システムの端部が通るか否かを決定することにより、前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定する。ある実施形態においては、前記メニスカス保持形状部分は、前記テーブルにより支持される物体の端部、例えば基板またはセンサの端部、を備える。ある実施形態においては、前記場所決定ステップは、前記ある個別動作中に前記テーブル上の物体へと前記液浸流体供給システムの端部が通過するか否かを決定することにより、前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定する。ある実施形態においては、前記場所決定ステップは、前記ある個別動作の終点にて前記物体の外側にある前記液浸流体供給システムの前記端部の部分の長さが前記端部の全長のあるパーセンテージより大きいか否かを決定することにより、前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定する。ある実施形態においては、前記場所決定ステップは、前記ある個別動作に先行する個別動作についての前記場所決定ステップが前記液浸流体供給システムからの液浸流体漏れありとの決定に至ったか否かを決定することにより、前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定する。ある実施形態においては、前記場所決定ステップは、前記液浸流体供給システム及び前記テーブル及び前記テーブル上の任意の物体と前記液浸流体供給システムからの前記液浸流体との物理的な相互作用のモデルを使用することにより、前記液浸流体供給システムから液浸流体が漏れるか否かを決定する。ある実施形態においては、前記場所決定ステップにおいて、前記液浸流体供給システムが完全に上方を通る場所について、前記場所決定ステップにより前記ある個別動作より前の個別動作中に前記液浸流体供給システムから漏れたと決定された液浸流体を免除すると決定される。ある実施形態においては、前記複数の個別動作のうち所与の個別動作について前記場所決定ステップ、前記リスク決定ステップ、及び前記適応ステップが順次実行され、その後に、前記複数の個別動作のうち前記所与の個別動作の直後の個別動作について前記場所決定ステップ、前記リスク決定ステップ、及び前記適応ステップが順次実行される。ある実施形態においては、前記リスク決定ステップは、前記液浸流体供給システムから液浸流体の漏れる場所が前記ある個別動作中に前記リソグラフィ装置のパターン付けられたビームにより照明されるべき場所であるか否かを決定することにより、前記ある個別動作中に前記パターン付けられたビームが通過する前記液浸流体供給システムの液浸流体の中に存在するあるサイズより大きなサイズの気泡のリスクを決定する。ある実施形態においては、前記適応ステップは、前記リスク決定ステップが気泡のリスクを決定する前記ある個別動作中に前記リソグラフィ装置のパターン付けられたビームが通過する前記液浸流体供給システムの液浸流体の中に存在するあるサイズより大きいサイズの気泡のリスクが前記液浸流体供給システムから液浸流体の漏れる場所に生じないよう前記ある個別動作より前の少なくとも1つの個別動作中の液浸流体損失を回避するように、前記少なくとも1つの個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び/または経路を低減する。ある実施形態においては、前記適応ステップは、前記液浸流体供給システムから漏れる液浸流体と前記液浸流体供給システムの中の液浸流体との衝突による前記ある大きさより大きなサイズの気泡の形成を回避するように、前記リスク決定ステップが気泡のリスクを決定する前記ある個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度を低減する。ある実施形態においては、前記分割ステップは、前記動作予定を、ステップ動作とスキャン動作とに分割する。ある実施形態においては、この方法は、前記リスク決定ステップの間に、前記液浸流体供給システムから前記テーブル上のマーカに対応する場所へ液浸流体が漏れたか否かを決定することをさらに含む。ある実施形態においては、前記適応ステップは、1マーカまたはセンサに相当する場所へ流体が漏れたと前記リスク決定ステップが決定する個別動作より前の少なくとも1つの個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させること、及び/または、2マーカまたはセンサに相当する場所へ流体が漏れたと前記リスク決定ステップが決定する個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させること、を含む。ある側面においては、リソグラフィ装置の作動方法であって、パターン付けられた放射ビームを液浸流体供給システムにより供給された液浸流体を通じてテーブル上の物体の目標部分に投影する投影システムに対し、本明細書に記載されたある方法に従って適応された動作予定に従って前記テーブルを移動させることを含む方法が提供される。ある実施形態においては、この方法は、前記ある個別動作中に前記リソグラフィ装置のパターン付けられたビームが通過する液浸流体供給システムから漏れた液浸流体を検出し、または、液浸流体供給システムの液浸流体に存在するあるサイズより大きいサイズの気泡を検出するためのセンサを使用することと、その検出結果を位置決定ステップ及び/またはリスク決定ステップの結果と比較することと、をさらに含む。ある側面においては、基板を支持する基板テーブルと、パターン付けられた放射ビームを基板に向ける投影システムと、前記投影システムと基板または前記基板テーブルまたはその両方との間に画定される空間に液浸流体を供給し閉じ込める液浸流体供給システムと、前記液浸流体供給システムまたは前記投影システムまたはその両方と基板または前記基板テーブルまたはその両方との相対位置を決定する位置決めシステムと、動作予定に従ってテーブルを制御するコントローラと、を備え、前記コントローラは、前記動作予定を複数の個別動作に分割することと、前記複数の個別動作のうちある個別動作について前記液浸流体供給システムから漏れた液浸流体が存在する場所の上方を前記液浸流体供給システムが通るか否かを決定することによって当該ある個別動作中に前記リソグラフィ装置のパターン付けられたビームが通過する前記液浸流体供給システムの液浸流体の中に存在するあるサイズより大きなサイズの気泡のリスクを決定することと、1前記決定することが気泡のリスクを決定する個別動作より前の少なくとも1つの個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させ、及び/または、2前記決定することが気泡のリスクを決定する個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させることと、によって、前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させる、液浸リソグラフィ装置が提供される。ある実施形態においては、この装置は、前記ある個別動作中に前記リソグラフィ装置のパターン付けられたビームが通過する液浸流体供給システムから漏れた液浸流体を検出し、または、液浸流体供給システムの液浸流体に存在するあるサイズより大きいサイズの気泡を検出するためのセンサをさらに備える。ある実施形態においては、この装置は、その検出結果を前記決定の結果と比較するための比較器を備える。ある側面においては、リソグラフィ装置の液浸流体供給システム下方でのテーブルの動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方を適応させる方法であって、前記テーブルの前記動作予定を、複数の個別動作に分割することと、前記複数の個別動作のうちある個別動作について、前記液浸流体供給システムから漏れた液浸流体が存在する場所の上方を前記液浸流体供給システムが通るか否かを決定することによって、当該ある個別動作中に前記リソグラフィ装置のパターン付けられたビームが通過する前記液浸流体供給システムの液浸流体の中に存在するあるサイズより大きなサイズの気泡のリスクを決定することと、1リスク決定ステップが気泡のリスクを決定する個別動作より前の少なくとも1つの個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方、及び/または、2リスク決定ステップが気泡のリスクを決定する個別動作に対応する前記動作予定の一部分である速度及び経路の一方または双方、を適応させることと、を含む方法が提供される。ある実施形態においては、この方法は、前記ある個別動作について、前記液浸流体供給システムから液浸流体の漏れる場所を決定することをさらに含み、当該場所の決定結果が前記リスク決定ステップにおいて使用される。本明細書ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本リソグラフィ装置はマイクロスケールの形状をもつ部品、またはナノスケールの形状をもつ部品を製造する他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造がある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書におけるウェーハあるいはダイという用語がそれぞれ基板あるいは目標部分という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後において例えばトラック典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置、メトロロジツール、及び/またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ICを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。本明細書において放射及びビームという用語は、紫外UV放射例えば約365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長を有するを含むあらゆる種類の電磁放射を示す。レンズという用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子及び反射光学素子を含む1つの光学素子またはこれら各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明の実施形態は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスクであってもよい。機械で読み取り可能な命令は2以上のコンピュータプログラムにより実現されてもよい。それら2以上のコンピュータプログラムは1つまたは複数の異なるメモリ及び/またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。上述のコントローラは信号を受信し処理し送信するのに適切ないかなる構成であってもよい。例えば、各コントローラが上述の方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための1つまたは複数のプロセッサを含んでもよい。コントローラはコンピュータプログラムを記録する記録媒体及び/またはそのような媒体を受けるハードウェアを含んでもよい。本発明の1つまたは複数の実施形態はいかなる液浸リソグラフィ装置に適用されてもよい。特に、上述の形式のものを含むがこれらに限られない。液浸液が浴槽形式で提供されてもよいし、基板の局所領域のみに提供されてもよいし、基板及び/または基板テーブル上で閉じ込められていなくてもよい。非閉じ込め型の構成においては、液浸液が基板及び/または基板テーブルの表面から外部に流れ出ることで、基板テーブル及び/または基板の覆われていない実質的に全ての表面が濡れ状態であってもよい。非閉じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは液浸流体を閉じ込めなくてもよいし、液浸液の一部が閉じ込められるが完全には閉じ込めないようにしてもよい。本明細書に述べた液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施形態においては液体供給システムは、投影システムと基板及び/または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組合せであってもよい。液体供給システムは、1つまたは複数の構造体、1つまたは複数の液体入口、1つまたは複数の気体入口、1つまたは複数の気体出口、及び/または、前記空間に液体を供給するための1つまたは複数の液体出口、の組合せを含んでもよい。ある実施形態においては、前記空間の表面は基板及び/または基板テーブルの一部であってもよい。あるいは前記空間の表面は基板及び/または基板テーブルの表面を完全に含んでもよいし、前記空間が基板及び/または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、性質、形状、流速、またはその他の性状を制御するための1つまたは複数の要素をさらに含んでもよいが、それは必須ではない。上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の特許請求の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。"