"出力サイクルを有する交流AC電源に結合された電流駆動回路であって、第1照明セグメントと第2照明セグメントとを有する半導体ランプへ電流を供給するように構成された駆動回路であり、前記第1照明セグメントの入力に直接的に結合されるように駆動回路が構成され、前記第2照明セグメントの入力が前記第1照明セグメントの出力に直接的に結合される、駆動回路と、前記電流駆動回路に結合されて、前記第2照明セグメントの前記入力に結合されるように構成されたバイパス回路であって、前記出力サイクル中の時間に前記駆動回路からのバイパス電流を前記第2照明セグメントへ供給するように構成されたバイパス回路と、を含む照明駆動回路。直列接続された複数の第1発光ダイオードを前記第1照明セグメントが包含し、直列接続された複数の第2発光ダイオードを前記第2照明セグメントが包含する、請求項1に記載の照明駆動回路。前記第2照明セグメントの前記入力の電圧に基づいて、前記バイパス回路が前記駆動回路からの前記バイパス電流を前記第2照明セグメントへ供給する、請求項1に記載の照明駆動回路。前記バイパス回路がさらに、前記第2照明セグメントの前記入力の電圧が閾値を超えた時に前記駆動回路からのバイパス電流の流れを終了させるように構成される、請求項1に記載の照明駆動回路。前記バイパス回路がさらに、前記駆動回路と前記第2照明セグメントの前記入力とに電気結合されたドレーンおよびソースを有する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFETを含む、請求項1に記載の照明駆動回路。前記MOSFETのゲートが前記第2照明セグメントの前記入力に結合される、請求項5に記載の照明駆動回路。電流の全高調波歪みTHDiが15未満である、請求項1に記載の照明駆動回路。前記駆動回路の出力係数が95を超える、請求項1に記載の照明駆動回路。前記AC電源が120ボルト電源を含む、請求項1に記載の照明駆動回路。前記AC電源が240ボルト電源を含む、請求項1に記載の照明駆動回路。第1照明セグメントと第2照明セグメントとを有する半導体ランプであって、前記第2照明セグメントの入力が前記第1照明セグメントの出力に結合される、半導体ランプと、出力サイクルを有する交流AC電源に結合される電流駆動回路であって、半導体ランプへ電流を供給するように構成された駆動回路であり、前記第1照明セグメントの入力に結合される駆動回路と、前記電流駆動回路と前記第2照明セグメントの前記入力とに結合されるバイパス回路であって、前記出力サイクル中の時間に前記駆動回路からのバイパス電流を前記第2照明セグメントへ供給するように構成されたバイパス回路と、を含む照明システム。直列接続された複数の第1発光ダイオードを前記第1照明セグメントが含み、直列接続された複数の第2発光ダイオードを前記第2照明セグメントが含む、請求項11に記載の照明システム。前記第2照明セグメントの前記入力の電圧に基づいて、前記バイパス回路が前記駆動回路からの前記バイパス電流を前記第2照明セグメントへ供給する、請求項11に記載の照明システム。前記バイパス回路がさらに、前記第2照明セグメントの前記入力の電圧が閾値を超える時に前記駆動回路からのバイパス電流の流れを終了させるように構成される、請求項11に記載の照明システム。前記バイパス回路がさらに、前記駆動回路と前記第2照明セグメントの前記入力とに電気結合されたドレーンおよびソースを有する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFETを含む、請求項11に記載の照明システム。前記MOSFETのゲートが前記第2照明セグメントの前記入力に結合される、請求項15に記載の照明システム。電流の全高調波歪みTHDiが15未満である、請求項11に記載の照明システム。出力サイクルを有する交流ACを供給することと、前記交流を整流して全波整流信号を形成することと、前記全波整流信号に基づいて駆動電流を発生させることと、第1照明セグメントと前記第1照明セグメントに結合された第2照明セグメントとを有する半導体ランプに通電することと、通電時間中に前記駆動電流からの電流を前記第2照明セグメントへバイパスすることと、バイパスされた前記電流により前記第2照明セグメントから光線を発生させることと、を含む光線を発生させるための方法。電圧に基づいて前記バイパス電流を終了させることと、前記駆動電流により前記第1照明セグメントおよび前記第2照明セグメントから光線を発生させることと、をさらに含む、請求項18に記載の方法。前記バイパス電流の終了が、前記第2照明セグメントの前記入力の電圧に基づく、請求項19に記載の方法。したがって、半導体照明ドライバおよびシステムを改良する必要性が存在する。第一の態様では、電流駆動回路とバイパス回路とを包含する照明駆動回路が提供される。電流駆動回路は、出力サイクルを有する交流AC電源に結合され、第1照明セグメントと第2照明セグメントとを有する半導体ランプへ電流を供給するように駆動回路が構成されている。駆動回路は第1照明セグメントの入力に直接的に結合されるように構成され、第2照明セグメントの入力は第1照明セグメントの出力に直接的に結合されている。バイパス回路は電流駆動回路に結合されて、第2照明セグメントの入力に結合されるように構成され、出力サイクル中の時間に駆動回路からのバイパス電流を第2照明セグメントへ供給するようにバイパス回路が構成されている。照明駆動回路の第一好適実施形態では、直列接続された複数の第1発光ダイオードLEDを第1照明セグメントが好ましくは包含し、直列接続された複数の第2LEDを第2照明セグメントが好ましくは包含する。バイパス回路は好ましくは、第2照明セグメントの入力の電圧に基づいて駆動回路からのバイパス電流を第2照明セグメントへ供給する。好ましくは、第2照明セグメントの入力の電圧が閾値を超えた時に駆動回路からのバイパス電流の流れを終了させるようにバイパス回路がさらに構成される。バイパス回路は、駆動回路と第2照明セグメントの入力とに電気結合されたドレーンおよびソースを有する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFETを好ましくは包含する。MOSFETのゲートは、好ましくは第2照明セグメントの入力に結合される。電流の全高調波歪みTHDiは、好ましくは15未満である。駆動回路の出力係数は、好ましくは95を超える。AC電源は、好ましくは120ボルト電源を包含する。AC電源は、好ましくは240ボルト電源を包含する。第二の態様では、半導体ランプと電流駆動回路とバイパス回路とを包含する照明システムが提供される。半導体ランプは第1照明セグメントと第2照明セグメントとを有し、第2照明セグメントの入力は第1照明セグメントの出力に結合されている。電流駆動回路は出力サイクルを有する交流AC電源に結合され、半導体ランプへ電流を供給するように電流駆動回路が構成されている。駆動回路は、第1照明セグメントの入力に結合されている。バイパス回路は、電流駆動回路と第2照明セグメントの入力とに結合されている。出力サイクル中の時間に駆動回路からのバイパス電流を第2照明セグメントへ供給するようにバイパス回路が構成されている。第二好適実施形態では、直列接続された複数の第1発光ダイオードLEDを第1照明セグメントが好ましくは包含し、直列接続された複数の第2LEDを第2照明セグメントが好ましくは包含する。好ましくは、第2照明セグメントの入力の電圧に基づいて、バイパス回路が駆動回路からのバイパス電流を第2照明セグメントへ供給する。好ましくはバイパス回路がさらに、第2照明セグメントの入力の電圧が閾値を超えた時に駆動回路からのバイパス電流の流れを終了させるように構成される。好ましくはバイパス回路がさらに、駆動回路と第2照明セグメントの入力とに電気結合されたドレーンおよびソースを有する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFETを包含する。MOSFETのゲートは、好ましくは第2照明セグメントの入力に結合される。電流の全高調波歪みTHDiは、好ましくは15未満である。第三の態様では、光線を発生させるための方法が提供される。この方法は、出力サイクルを有する交流ACを供給することと、交流を整流して全波整流信号を形成することと、全波整流信号に基づいて駆動電流を発生させることと、第1照明セグメントと第1照明セグメントに結合された第2照明セグメントとを有する半導体ランプに通電することと、通電時間中に駆動電流からの電流を第2照明セグメントへバイパスすることと、バイパス電流により第2照明セグメントから光線を発生させることとを包含する。第三好適実施形態では、電圧に基づいてバイパス電流を終了させることと、駆動電流により第1照明セグメントおよび第2照明セグメントから光線を発生させることとを、方法が好ましくはさらに包含する。バイパス電流の終了は、好ましくは第2照明セグメントの入力の電圧に基づく。本発明の以上および他の特徴および長所は、関連の図についての好適実施形態の説明によりさらに明白となるだろう。以下の好適実施形態は、半導体照明ドライバおよびシステムについてのものである。発光ダイオードLEDなどの半導体照明器具は、白熱灯など従来の光源と比較してかなり高い出力効率および動作寿命を示す。しかし、一般的に120ボルトVの交流ACを供給する既設の照明器具へLEDを新たに取り付けるには、いくつかの難題が存在する。LEDは、順方向バイアス構成で動作する時のみ光線を発し、LEDの発光波長に応じて1.9Vから3.2Vの範囲の順方向電圧降下が見られる。LEDは直列接続されて、120VのAC電源の最高電圧に近い全体電圧降下が見られるLEDストリングを形成する。しかし、LEDは出力サイクルの一部分のみで光線を発し、出力効率の低下および全高調波歪みTHDi:totalharmonicdistortionofcurrentの増大が生じる。一実施形態では、駆動電圧が低い時にLEDの第1照明セグメントをバイパスしてLEDの第2照明セグメントに通電するTHDiバイパス回路の結果として、THDiが減少する。LEDの第1照明セグメントにおける電圧が閾値に達すると、LEDの第2照明セグメントへのバイパス電流の流れをTHDiバイパス回路が終了させて、ドライバ回路がLEDのチェーン全体に電力供給する。その結果、LEDストリングが出力サイクルの大部分にわたって光線を発し、THDiを減少させる。LEDを駆動するための従来アプローチの大部分は、スイッチモード電源などの外部LEDドライバを用いるか、受動抵抗アプローチを用いることにより、ACライン電圧を低DC電圧に変換する駆動回路構成を使用する。実施形態では、限定数のコンポーネントを使用する能動的かつ単純な直接高電圧またはオフラインLEDの解決法が提供される。また、出力係数の向上、可変電圧による駆動電流の安定化、およびTHDiの減少についての優れた性能が、実施形態で提供される。さらに、一般的にはLEDよりも先に機能しなくなる電解コンデンサに頼る従来のアプローチと比較して向上した動作寿命が、実施形態で見られる。従来のLEDドライバで用いられる一般的な電解コンデンサと異なり長い動作寿命が可能であるセラミックコンデンサのみが、実施形態で使用される。従来のLEDドライバの短所を克服する能動的で単純かつ低コストの効果的なオフライン駆動解決法が、実施形態で提供される。半導体照明システムおよびドライバに関する教示は、ともにLeeらによる米国公報番号第2008/0265801号および第2010/0045198号により提供される開示を含み、これら公報は本文に充分な記載が行われたかのように引用される。図1は、直列接続された多数のLEDを有する照明アセンブリ101の機能ブロック図を示す。交流電源102は、ピン106,104を介してブリッジ整流器110に電気接続されている。ブリッジ整流器110は、ダイオード111,112,113,114を包含する。ブリッジ整流器110は交流ライン電圧を整流して、出力103で全波整流信号を供給する。ブリッジ整流器110の出力103は、限流器120に接続されている。限流器120は、以下に記載される電流駆動回路でよい。限流器120は、直列接続されたLEDモジュール130a~130mに結合されている。LEDモジュール130aなどの各LEDモジュールは、直列接続された3個のLED131,132,133を有する。こうして、13個のLEDモジュール、つまり直列接続された39個のLEDが設けられる。最終LEDモジュール130mの出力は、ピン105を介してブリッジ整流器110に接続されている。図2は、図1に図示された照明アセンブリについての代表的な電圧201および電流251のグラフを示す。電圧201は、図1にVinおよびVoutと記された限流器120の出力125とLEDモジュール130mの出力126との電圧の差である。電流251は、LEDモジュール130aから130mに流れる電流である。電圧201はブリッジ整流器110の結果として全波整流パターンを示し、正弦波の絶対値として変化する。一般的な120ボルトの電気供給ラインでは、電圧201はポイント220で0Vから変化してポイント210ではおよそ170Vの最大値まで上昇する。LEDは、赤外線LEDの場合のおよそ1.9Vから白色または青色LEDの場合のおよそ3.2Vまでの範囲の順方向電圧Vfを有する。順方向電圧Vfより低い電圧で駆動されると、LEDの漏洩電流は最小となる。しかし、順方向電圧Vfより高い電圧でLEDが駆動されると、駆動電流が急激に上昇する。図2は、3.2Vの順方向電圧Vfを各々が有する39個のLEDを有する実施形態についての代表的なグラフを図示したものである。こうして電流251はポイント205で突然上昇し、ここでLEDモジュール130aから130mの電位は、LED1個あたり3.2Vを39個のLED全体で掛け合わせた積に達し、総電圧降下はおよそ126Vとなる。限流器120の結果として、電流251は上方領域255では一定のままである。電位が126V未満まで降下すると、ポイント260で電流251がゼロ付近まで低下する。照明アセンブリ101は良好な出力係数を示すが、高いTHDiが難点である。多くの公益企業は、低いTHDiを有する照明器具には払い戻しを行っている。ゆえに、必要な20レベルよりもTHDiを低くするようにTHDiバイパス回路が設計されていた。図3は、代表的なTHDiバイパス回路310を有する照明アセンブリ301の機能ブロック図を示す。照明アセンブリ301は、直列接続されたLEDモジュール130aから130jを包含する第1照明セグメント302と、直列接続されたLEDモジュール130kから130mを包含する第2照明セグメント303とを有する。第2照明セグメント303の入力は、ポイント127で第1照明セグメント302の出力に直接的に接続されている。照明アセンブリ301は、ブリッジ整流器110と限流器120とを有する。バイパス回路310は、ライン304を通して限流器120の出力により給電される。バイパス回路310は、第1照明セグメント302の出力127と第2照明セグメント303の出力126にも接続されている。バイパス回路310は、ポイント127で第2照明セグメント303の入力へバイパス電流を供給する。バイパス回路310は、いくつかのLEDに充分な通電を行って、いくつかのLEDを低電圧および低電流レベルで発光させるように構成されている。図4は、図3に図示された照明アセンブリ301についての代表的な電圧305および電流350のグラフを示す。電圧305は、図3にVinおよびVoutと記された限流器120の出力125とLEDモジュール130mの出力126との間の電位の差である。電流350は限流器120から流れる電流であって、限流器120によって例えば20ミリアンペアmAなどの最高駆動電流に制限される。この非限定的な例では最高電流レベルはおよそ20mAであるが、他の最高電流レベルが使用されてもよいことは理解されるはずである。電圧305が0Vから上昇してポイント312で~25Vに達する際に、バイパス回路310は、電流プロットの範囲352に示された電流により第2照明セグメント303のLEDつまりLEDモジュール130kから130mが発光するように、駆動電流の一部分を出力127へバイパスする構成を持つ。ポイント314で電圧305がおよそ80Vの電圧に達すると、第1照明セグメント302を電流が流れた結果として電圧Vbypassが充分に高いため、バイパス回路はバイパス電流の導通を中断する。電圧がおよそ80Vよりも上昇すると、電流プロットの範囲353に示されているように電流350が上昇する。電圧305がポイント316でおよそ126Vに達すると、例えば限流器120によっておよそ20mAに制限される一定電流レベル356により、第1および第2照明セグメント302,303が発光する。ポイント318で電圧305がおよそ126Vよりも低下すると、電流プロットの範囲357に示されているように電流が低下する。ポイント320で電圧305がおよそ80Vよりも低下すると、電流プロットの範囲358に示されているように電流350が低下する。ポイント322で電圧305がおよそ25Vよりも低下すると、電流レベル359で電流の流れが終了する。図5は、代表的なTHDiバイパス回路560を有する照明アセンブリ501の一実施形態の機能ブロック図であり、照明アセンブリ501は120ボルトの用途に合わせて構成されている。照明アセンブリ501は、電流駆動回路520とバイパス回路560とを包含する。照明アセンブリはさらに、直列接続されたLEDモジュール130aから130jを包含する第1照明セグメント502と、LEDモジュール130kから130mを包含する第2照明セグメント503とを包含する。出力サイクル中の時間にLEDモジュール130kから130mを包含する第2照明セグメント503に通電するように、バイパス回路が構成されている。第1照明セグメント502の出力は、ポイント526で第2照明セグメント503の入力に接続されている。図5はこの非限定的な例のLEDストリングを図示しているが、第1照明セグメントと第2照明セグメントとを有して第2セグメントの入力が第1セグメントの出力に結合される他のタイプの半導体ランプが一つ以上の実施形態で考えられることが理解されるべきである。電流駆動回路520は、出力サイクルを有する交流AC電源102に結合されている。駆動回路520は第1および第2照明セグメント502,503へ電流I1を供給し、第1照明セグメント502の入力に直接的に電気接続されている。駆動回路520は、限流器、または図6に描かれて以下に記載される駆動回路620に関して以下に記載される電流源でよい。バイパス回路560は、電流駆動回路520の出力と第2照明セグメント503の入力とに電気接続されている。出力サイクルの通電時間中に、バイパス回路は駆動回路から第2照明セグメントへバイパス電流Ibpを供給する。ポイント526での第2照明セグメントの入力の電圧V2に基づいて、バイパス回路560は駆動回路から第2照明セグメント503へバイパス電流を供給するとよい。バイパス回路は、抵抗器512,514とセラミックコンデンサ518とダイオード516とともに用いられるNチャネル強化モードMOSFET510から成るとよい。回路は、LEDストリング内に接続されて指定数のLEDに通電するタップポイント526を有する。一実施形態において、バイパス回路560は、電流駆動回路520の出力と強化MOSFET510Q2のドレーンとに接続された抵抗器512R2を包含する。MOSFET510のソースは、第2照明セグメント503の入力に接続されている。MOSFET510のゲートは、コンデンサ518C1およびダイオード516DD1に接続された抵抗器R3に接続されている。コンデンサ518は第2照明セグメント503の出力に接続され、ダイオード516は第2照明セグメント503の入力に接続されている。一実施形態において、MOSFET510は、例えばZetex製のZVN4525E6など、250VのNチャネル強化モードMOSFETであるとよく、抵抗器512,514は4.7kオーム抵抗器であり、コンデンサ518は0.01μF/100Vコンデンサであるとよい。同様に、図6は、代表的なバイパス回路660を有する照明アセンブリ601の一実施形態についての機能ブロック図を示し、照明アセンブリ601は240ボルトの用途に合わせて構成されている。照明アセンブリ601は、電流駆動回路620とバイパス回路660とを包含する。照明アセンブリはさらに、直列接続されたLEDモジュール130aから130vを包含する第1照明セグメント603と、LEDモジュール130wから130zを包含する第2照明セグメント604とを包含する。バイパス回路は、出力サイクル中の時間にLEDモジュール130wから130zを包含する第2照明セグメント604に通電するように構成されている。第1照明セグメント603の出力は、ポイント626で第2照明セグメント604の入力に接続されている。照明アセンブリ601は、電流駆動回路620とバイパス回路660とを包含する。電流駆動回路620は、出力サイクルを有する交流AC電源602に結合されている。駆動回路620は、第1照明セグメント603の入力に直接的に電気接続されている。電流駆動回路620は、抵抗器655とともに用いられて一定電流を供給するNチャネル空乏モードMOSFET650を包含するとよい。抵抗器655により電流が制御される。MOSFET650と抵抗器655とは、広範囲の電圧にわたって一定の駆動電流を供給するように構成されている。一実施形態において、MOSFET650は、Supertex製のDN3135など、低いオン抵抗および高いIdssでAC動作欧州用途では350Vなどにおいて使用される高いVdsを有するNチャネル空乏モードMOSFETでよく、抵抗器655は175オーム抵抗器でよい。バイパス回路660は、電流駆動回路620と第2照明セグメント604の入力とに電気接続されている。バイパス回路660は、出力サイクル内の通電時間中に駆動回路から第2照明セグメント604へバイパス電流Ibpを供給する。一実施形態では、電流駆動回路620の出力と強化MOSFET610Q2のドレーンとに接続された抵抗器612R2を、バイパス回路660が包含する。MOSFET610のソースは、第2照明セグメント604の入力に接続されている。MOSFET610のゲートは、コンデンサ618C1とダイオード616DD1とに接続された抵抗器614R3に接続されている。コンデンサ618は第2照明セグメント604の出力に接続され、ダイオード616は第2照明セグメントの入力に接続されている。一実施形態において、MOSFET610は、例えばZetex製のZVN4525E6など、250VのNチャネル強化モードMOSFETでよく、抵抗器612は15kオーム抵抗器でよく、抵抗器614は4.7kオーム抵抗器でよく、コンデンサ618は0.01μFの200Vコンデンサでよい。図7は、図5に図示された照明アセンブリについての代表的な電圧プロット702および電流プロット750のグラフを示し、バイパス回路560の作用を図示したものである。図1に図示された照明アセンブリ101について上に記載したように、バイパス回路560,660などのバイパス回路を使用しない回路は、それぞれおよそ130Vまたは260に電位が達するまでLEDを顕著に発光させない。バイパス回路を有する実施形態は、電位が130V未満である時に、LEDストリング内の低LEDに通電してこれを発光させる。702の電圧がポイント701でおよそ0Vとおよそ25Vの間である時には、第1平坦領域751に示されているように電流の流れは0mAに近い。電圧702がおよそ25Vを超えると、VD>VSであるならばコンデンサ618C1がMOSFET610を準備状態に維持するので、MOSFET610が駆動電流からのバイパス電流を通し始めて、LED503の第2セグメントに通電してこれを発光させる。電圧がおよそ100Vに達すると、第1セグメント502のLEDが電気を通し始めるため、MOSFET510のドレーンでの電圧はMOSFET510のソースでの電圧より低くなる。これは、第2平坦領域752により示されているように、MOSFET510をオフに切り換えてバイパス電流の流れを終了させる作用を持つ。電圧がおよそ100Vを上回っている間は、MOSFET510はバイパス電流を通さない。こうして、バイパス回路560はさらに、この例ではおよそ100Vである閾値を電流駆動回路の電圧が超えた時に駆動回路からのバイパス電流の流れを終了させるように構成されている。電圧がおよそ130Vに達すると、第3平坦領域753により示されているように、第1照明セグメント502および第2照明セグメント503のLEDのすべてに駆動電流が充分に通電される。ポイント705で電圧がおよそ100Vまで降下すると、第4平坦領域754に示されているようにMOSFET510がバイパス電流を通し始める。電圧がおよそ25Vよりも降下すると、第5平坦領域755により示されているように、LEDの第1および第2照明セグメントには顕著な電流の流れは見られない。バイパス回路560の重要な固有特徴の一つは、電圧検出またはDC変換を用いずにバイパス回路がオンおよびオフに切り換えられることである。また、バイパス回路560は、固有の長い寿命を有する5個のコンポーネントのみを包含する。設定駆動電流、入力電圧、およびLEDへのタップ位置など、所望の回路変数に従って抵抗値を変化させることにより、THDiは20未満まで減少可能である。20未満のTHDiが達成可能である。実施形態では、11未満のTHDiを示してもよい。また、実施形態に見られる出力係数は95を超え、99に近い。THDiの値をさらに低下させるには、二つ以上のTHDiバイパス回路が使用されるとよい。一実施形態では、多数のTHDiバイパス回路を有する照明アセンブリが独立動作を行う。二組のTHDiバイパス回路では、THDiの値をおよそ10まで低下させることができ、三組のTHDiバイパス回路では、THDiの値を5未満まで低下させることができる。特定実施形態について本発明を説明してきたが、上記の長所を達成するのに他の形で概念が具現化されてもよいことは明白で、理解されるべきである。上記の好適実施形態は、主としてシステムのTHDiを低下させる全高調波歪みTHDiバイパス回路を有する半導体照明ドライバおよびシステムについて説明された。これに関して、半導体ドライバおよびシステムについての上記の説明は、例示および説明を目的として提示されたものである。さらに、説明はここに開示される形に発明を限定することを意図するものではない。したがって、関連技術についての以下の教示、技術、知識と矛盾しない変形および変更は、本発明の範囲に含まれる。上述した実施形態はさらに、ここに開示される発明の実行についての周知の態様を説明して、同等の、または代替的な実施形態において、また本発明の特定の用途また使用に必要と考えられる様々な変更とともに、他の当業者が発明を利用できるようにすることを意図している。"