"磁化を有する磁性体層と、スピン軌道相互作用を有する材料を含む複数の電極と、位置情報入力手段と、を含む位置検出装置であって、前記位置検出装置の駆動バイアス源として前記磁性体層に印加された温度勾配によって熱起電力を生成するスピンゼーベック効果を用い、前記電極周辺の実効等価回路の一部を前記位置情報入力手段によって局所変調することで、位置情報を入力することを特徴とする位置検出装置。請求項1に記載の位置検出装置において、前記複数の電極が、互いに略平行にストライプ状に配置されていることを特徴とする位置検出装置。請求項1又は2に記載の位置検出装置において、前記複数の電極が、互いに略垂直な2つの方向にマトリクス状に配置されていることを特徴とする位置検出装置。請求項3に記載の位置検出装置において、前記磁性体層の磁化方向が、前記2つの電極配置方向の中間方向であることを特徴とする位置検出装置。請求項1から4の内のいずれか一項に記載の位置検出装置において、前記位置情報入力手段として、素子の静電容量を変調することで、位置情報を入力することを特徴とする位置検出装置。請求項5に記載の位置検出装置において、前記駆動バイアスを変調することを特徴とする位置検出装置。請求項6に記載の位置検出装置において、前記駆動バイアスを、前記磁化方向を変化させることによって変調することを特徴する位置検出装置。請求項1から4のいずれか一項に記載の位置検出装置において、前記位置情報入力手段として、素子の抵抗を変調することで、位置情報を入力することを特徴とする位置検出装置。請求項1から8の内のいずれか一項に記載の位置検出装置において、前記位置検出電極の周縁部に、電気回路特性を読み取るための複数の端子を有することを特徴とする位置検出装置。しかし、抵抗膜方式、静電容量方式、赤外線方式等のタッチパネル方式では、位置を検出するためにバイアス電圧印加や光学的走査等のプローブ駆動手段に外部電源を必要とすることから、待機電力が大きくなる。このため、電力供給が難しい場面では利用が制限され、電池を用いた場合でも、その交換などの保守管理負担が避けられない。将来的なセンサネットワークやユビキタス端末など、屋内屋外問わず様々な場面での利用が期待される状況においては、電源が不要、もしくは実効的な発電機能が組み込まれた位置検出手段が求められる。そこで、本発明の目的は、外部電源が不要な位置検出装置を提供することにある。前記目的を達成するために、本発明の位置検出装置は、磁化を有する磁性体層と、スピン軌道相互作用を有する材料を含む位置検出電極群と、位置情報入力手段とからなる。位置検出装置の駆動バイアス源としては、磁性体層に印加された温度勾配によって熱起電力を生成するスピンゼーベック効果を用いる。これにより、位置検出電極群中にバイアス電場が印加された状態を位置検出装置の待機状態とする。この状態で、位置検出電極群の実効等価回路の一部を局所変調することで、位置情報を入力する。具体的には、外部からの種々の入力手段による静電容量変調や抵抗変調によって、位置検出電極群の実効的な等価回路特性を変調することで、位置検出電極群における起電力分布が変化させる。この変調信号を読み取ることで、入力手段が行使された2次元位置情報の検出が可能となる。本発明で示した構造により、外部電源が不要な位置検出装置が可能となり、簡便な構成による低待機電力のタッチパネルやタッチパッドなどを実現することができる。本発明の位置検出装置は、2次元平面において外部入力手段が行使された箇所を特定する装置であって、これを駆動するためのバイアス電源として、磁性体中の温度勾配から熱起電力を生成するスピンゼーベック効果を用いる。本発明の位置検出装置は、いずれの実施形態においても、このスピンゼーベック効果によるバイアス電圧生成部熱電変換部を有している。第1の実施の形態本発明の第1の実施の形態では、静電容量型位置検出装置について説明する。[原理]本発明の位置検出素子は、発熱部分の2次元座標を特定する素子であって、温度勾配から熱起電力を生成するスピンゼーベック効果を用いる。図1は、特許文献1などで示されているスピンゼーベック効果の基本的な構成原理を示す図である。図1に示すように、基本的な素子構造は、図示しない基板上に成膜した磁化Mを有する磁性体層2と、その上部に配置された金属ワイヤ膜からなる金属電極50とを有する。このような構造に対して面直方向の温度勾配を図面z方向に印加した場合、金属ワイヤ膜金属電極50と磁性体層2の間の界面45に矢印21に示すスピン流Jsが誘起される。このスピン流Jsを、金属ワイヤ膜50における逆スピンホール効果によって、電気的な起電力信号に変換することで、温度勾配から熱起電力を生成する熱電変換が可能となる。図1では、熱電変換の具体例として、素子の上面2aと底面4aの間に温度差ΔTを印加した場合を示している。この場合、スピンゼーベック効果によって、金属ワイヤ膜50/磁性体層2の界面45において、電子とマグノンの有効温度差Tmeによってスピン流Jsが駆動される。この界面45で生成されたスピン流JSは、金属ワイヤ膜50内において、逆スピンホール効果によって、電場信号EISHEに変換され、金属ワイヤ膜50の端部51,52間には起電力信号Vが生じる。ここで、電場EISHEとスピン流Js、磁化Mとの関係は、以下の式で与えられる。EISHE=θSHρJs×M/│M│ここで、θSHはスピンホール角電流-スピン流間の変換効率に相当、ρは位置検出電極群のシート抵抗を表す。この式が示すように、熱誘起された電場EISHEは、スピン流Jsと磁化Mの両方に垂直な方向に生じる。従って、位置検出電極群面において生じる熱起電力Vも、スピン流Js及び温度勾配の方向z方向と磁化方向x方向にそれぞれ垂直な方向y方向において、大きな値を有する。本発明では、このスピンゼーベック効果を駆動バイアス源として用いることで、外部電源が不要な位置検出装置を実装する。[構成]図2は第1の実施の形態による静電容量型位置検出装置の基本素子構造を示す図で、aは斜視図、bは平面図である。図2a及びbに示すように、本実施の形態では、位置情報の入力手段として、静電容量の変調を用いており、この容量変化を測定する静電容量検出装置11,12を有することで位置検出機能を実現する。この素子の最小構成単位は、磁性体層2と、磁性体層2の上部にさらに設けられた位置検出電極群5とを備えてなる。位置検出電極群5は、X位置検出電極53x1~x8とY位置検出電極群54x1~x8とを有する。これらの積層構造は、熱源4の近傍に配置されており、積層面に垂直な方向面直方向Zに定常的な温度勾配が印加されている。また、必要に応じて熱源4と磁性体層2との間にバッファ層6を挿入し、素子を保護するカバー層3を用いる。図3a,b,c,及びdは、図2bの位置検出電極群を示す平面図で、図3bは図3aのX位置検出電極を示す図、図3cは、y位置検出電極を示す図、図3dは図3aの部分61における位置検出電極の拡大図、図3eは図3dにおける位置検出電極の部分62の拡大斜視図である。図3a,b,c,及びdに詳しく示すように、本発明の第1の実施の形態において、2次元位置を電気的に検出するための位置検出電極群5は、図面のy方向に伸びた複数のここでは8本のX方向検出電極53x1~x8と、図面のx方向に伸びた複数のここでは8本のY位置検出電極54y1~y8とからなるマトリックス構造を有する。なお、ここでは、それぞれのX位置検出電極53を左からx1~x8、Y位置検出電極54を上からy1~y8と定義している。このようにマトリックス状に配置された位置検出電極群5を用いることで、加熱された2次元位置座標を正確に把握することが容易になる。さらに、図3a乃至cに示すように、菱形をつなげた電極形状の採用は、単純な線形状電極のマトリックス配置と比較して、以下の3つ点で望ましい。1電極が磁性体と接する面積を最大化し、磁性体中で熱駆動されるスピン流のエネルギーを最大限に有効活用する。2十分な電極面積を確保することで、後述する静電容量変調手段による容量変調を十分大きなものとし、高感度化を図る。3X位置検出電極53とY位置検出電極54とが重なる面積を小さくして、これらの間の信号干渉による位置検出分解能の低下を防ぐ。以上の点から、図3のような形状の位置検出電極群5を用いることは特に望ましい。ただし、これ以外の形状でも位置検出動作は可能であり、ここで示した構造に必ずしも限定されない。なお、本実施の形態では、図3d及びeに示すように、X位置検出電極53x1~x8と、Y位置検出電極54y1~y8とが交わる交差点において、絶縁層7を挿入することで、これらの間の電気的導通に伴う信号干渉を防いでいる。高分解能の位置検出が求められる用途では、このような電極間の電気絶縁を行うことが望ましい。ただし、電極の抵抗が高い場合には、絶縁層7がなくても動作は可能である。以下では、これらの各構成要素において、望ましい材料構造作製方法などについて説明する。磁性体層2は、膜面図2のxy面に平行な一方向の磁化を有しているものとする。スピンゼーベック効果の発現に必要な対称性を満たすために、磁性体層2は、位置検出電極群5におけるY位置検出電極54y1~y8の長手方向x方向に対しても、X位置検出電極53x1~x8の長手方向y方向に対しても、有限な角度をもつ方向に磁化Mを有するものとする。具体的には、XY面内で30~60°、120~150°、-30~-60°、-120~-150°のいずれかの範囲内の磁化方向を有することが望ましい。特に、X方向とY方向の中間xy面内の45°、135°、-45°、-135°のいずれかに磁化方向を有することが最も望ましい。位置検出電極群5に生じる熱起電力信号によって高い分解能を有する位置検出機能を実現するためには、これに接する磁性体層2として、電気伝導性の低い材料を採用することが望ましい。加えて、イ熱が逃げるのを防いで温度差を保持して高感度な熱起電力を生成する、ロ熱拡散を抑制して高い位置検出分解能を実現する、という2つの目的から、熱伝導率の小さい材料を用いることが望ましい。以上の理由から、本発明の実施の形態では、伝導電子による導電性が無く、熱伝導も小さな磁性絶縁体を用いる。磁性体層2の具体的な材料としては、例えば、ガーネットフェライト、スピネルフェライトなどの酸化物磁性材料を適用することができる。このようなガーネット磁性体は、引き上げ法やブリッジマン法といった融液からの結晶成長法などで作製できるほか、液相エピタキシャル成長法によっても結晶薄膜が作製できる。また、例えば有機金属堆積法MOD法、ゾルゲル法、エアロゾルデポジション法AD法といった塗布印刷ベースの成膜方法によっても、基板4上に成膜することができる。このような生産性の高い成膜法を用いれば、大面積基板にも一括成膜することが可能で、低コストな位置検出装置の実装が可能となる。また、YIGなどのガーネット膜は広い波長範囲で透過性が高いことから、タッチパネル素子のように、ディスプレイ等と組み合わせて用いる透明な位置入力デバイスとしての応用に特に適している。さらに、磁性体層2として保磁力を有する磁性材料を用いれば、一旦外部磁場などで磁化方向を初期化しておくことで、ゼロ磁場の下でも動作可能な素子が得られる。位置検出電極群5は、逆スピンホール効果を用いて熱起電力を取り出すために、スピン軌道相互作用を有する材料を含んでいる。例えば、スピン軌道相互作用の比較的大きなAuやPt、Pd、Irなどの金属材料、またはそれらを含有する合金材料を用いる。また、Cuなどの低コスト低抵抗金属に、上記のようなスピン軌道相互作用を有する不純物を少量1~10程度ドープした材料でも、熱起電力を取り出すことができる。このような位置検出電極群5は、金属マスク法や光リソグラフィ法などのパターニングプロセスと併用して、スパッタや蒸着などの方法で成膜する。また、インクジェット法やスクリーン印刷法などの方法でも作製できる。ここで、スピン流を高い効率で無駄なく電気に変換するためには、位置検出電極群5の厚さは、少なくとも金属材料のスピン拡散長以上に設定するのが好ましい。例えば、Auであれば50nm以上、Ptであれば10nm以上に設定するのが望ましい。ただし、本実施の形態のように熱起電力を電圧信号として電位計で読み取る用途では、シート抵抗ρが大きいほうが望ましく、このため位置検出電極群5が薄いほどより大きな電圧出力が得られる。これら両方を考慮すると、位置検出電極群5の厚さは、金属材料のスピン拡散長程度が最も望ましい。例えば、Auであれば50~100nm程度、Ptであれば10~30nm程度に設定する。カバー層3の材料構造としては、以下の2点を満たすことが望ましい。1電極55354と磁性体の積層構造からなる熱起電力生成部を保護する材料構造。2外部からの静電容量変調手段による静電容量変化が十分に達成できるような高誘電率材料もしくは薄い膜厚構造。上記の条件を満たすために、カバー層は0.01mm以上かつ1mm以下が望ましい。具体的な材料としては、石英ガラスや合成サファイアなどの酸化物材料などが利用できる。また、アクリル系樹脂やポリイミドなどの有機樹脂材料を用いれば、塗布印刷プロセスで作製することもできる。熱源4は、電極5354、磁性体層2に温度勾配を印加するためのものであり、室温より高い温度を有する物体であれば、詳細は問わない。例えば、ディスプレイや、IT機器の側面、太陽光が当たる建築物の壁や窓など、様々なものが利用できる。また、室温より低い温度を有する冷熱源を用いてもよい。基本動作および検出方法の説明次に、本発明における位置情報の検出方法について説明する。本実施の形態では、位置情報の入力手段として静電容量の変調を用いており、この容量変化ΔCを、静電容量検出装置11、12を用いて測定することで、位置検出機能を実現する。まず、図4a、b、c、dは位置検出装置に入力手段が行使されていない待機状態を示す図で、aは斜視図、bは断面図、cは平面図、dはcの部分63の電極の等価回路である。図4aの斜視図に示すように、電極5/磁性体層2には、熱源4に近接させることによって定常的な温度勾配ΔTが印加された状態となっている。これによるスピンゼーベック効果の結果、図4bの断面図のように、加熱地点近傍の位置検出電極群5/磁性体層2界面において、スピン流JSが誘起される。このスピン流JSは、位置検出電極群5における逆スピンホール効果を通して、図4cのように電場EISHEを生成し、電気的に測定可能な起電力信号へと変換される。これは、等価回路としては図4dのように、スピンゼーベック効果による電流源と、電極材料に依存する内部抵抗とを並列配置したものとして表現できる。本発明では全ての実施の形態を通して、このスピンゼーベック効果による熱起電力を、本発明の位置検出装置における実効的なバイアス電源として利用する。位置情報の検出を可能にするために、位置検出電極群5における静電容量を、静電容量検出装置11、12によって評価する。入力手段が行使されない待機状態においても、静電容量検出装置11,12によって、位置検出電極における静電容量の測定記録を継続的に行うが、この場合の静電容量値は通常一定値を示す。図5は位置検出装置の動作説明に供せられる図で、aは待機状態を示す斜視図、bはaの断面図、cはbの部分64の位置検出電極3の等価回路図、bは位置情報を入力したときの状態を示す斜視図で、eはdの部分断面図、fはeの64′の位置検出電極×3の等価回路図である。ここで、図5aの待機状態から、図5dのように、静電容量変調手段10が素子に近接させると、位置検出電極群5と静電容量変調手段10との間に追加的な静電容量ΔCが生じる結果、静電容量検出装置11、12で測定される静電容量値に変化が生じる。簡単な静電容量変化の評価法としては、例えば、各位置検出電極における出力電圧値の測定などを採用することができる。ΔCの追加による素子の等価回路変化に伴って、スピンゼーベック起電力によって位置検出電極群5に生じる電圧分布も変化する。したがって、この電気特性変化を、静電容量検出装置11、12によって検出記録することで、入力手段が行使された2次元位置情報を決定するための参照信号が得られる。このような静電容量変調においては、X位置検出電極53x1~x8およびY位置検出電極54y1~y8の中で、静電容量変調手段10による入力が行われた座標に近い電極ほど大きな容量変化を受ける。従って、例えば、X位置検出電極53x1~x8の中で、どの電極が大きな容量変化を示したかを調べることで、入力が行われたx座標を推定できる。同様に、Y位置検出電極54y1~y8の容量評価結果から、入力のy座標を推定できる。このように、それぞれの電極における静電容量変化の大きさを相対比較することによって、2次元位置情報の決定が可能となる。なお、このような位置検出動作を行う際、容量変化を高感度でプローブするためには、印加するバイアスはパルスであるか、交流AC成分を有することが望ましい。本実施の形態では、静電容量変調手段10を素子に接触させた際の素子の温度変化によって、スピンゼーベック効果によるバイアス起電力の大きさが変調されることから、これによるACバイアス成分を利用することで、容量変化測定を可能にしている。この方法で検出できる情報は、単純な2次元位置座標のみに限られない。例えば容量変調が生じた場所の空間的な広がりについても、複数の電極の信号から推定することができる。また、多地点で同時に静電容量変化が生じた場合についても、複数の電極における容量評価によって各地点の位置情報の推定が可能で、多重入力が可能な位置検出装置としても利用できる。第2の実施の形態本発明の第2の実施の形態では、バイアス変調手段を有する静電容量型位置検出装置について説明する。第1の実施の形態で述べたように、静電容量変化を検出して位置入力動作を行うには、バイアスが交流成分を有することが望ましい。本実施の形態では、図7aに示すように、外部磁場Hを素子に対して印加し、その向きを変調することによって、磁化Mの方向を周期的に反転させ、交流バイアスを生成する。図7bは外部磁場の時間依存性、図7cは磁化の時間依存性、図7dはスピンゼーベック効果生成電場の時間依存性を夫々示している。図7a、b、c、及びdに示すように、x軸とy軸の中間方向Hが正の場合は45度方向で、Hが負の場合は-135度方向に、外部磁場Hを印加しており、Hが正と負の値を交互に取るように、その大きさを連続的に変化させている。Hが磁性体層2の保磁力を超えると、磁性体層2の磁化Mは、外部磁場Hの向き45度もしくは-135度に揃うように向きを変える。前述したように、スピンゼーベック効果および逆スピンホール効果に基づいて生成される電場EISHEの方向は、磁化方向に依存する。このため、磁化の向きが反転すると、逆スピンホール電場EISHEの符号も反転する。この結果、図8に示すように、実効的な等価回路における電流源の方向、すなわち起電力の方向も、外部磁場Hによって反転する。図7a、b,c及びdに示すようにHを周期的に反転させると、図8a~cと図8d~fの状態を交互に繰り返すことになる。従って、外部磁場Hを用いて磁化方向を変調することによって、バイアス起電力は交流となる。この交流バイアスを用いることで静電容量変化をより高い感度で検出することが可能となる。なお、本実施の形態では、外部磁場で磁化を変調することで交流成分を作り出しているが、交流バイアス生成法はこれに限られない。例えば、温度や振動歪みなど、別のパラメータを変調することで交流成分を生成してもよい。第3の実施の形態本発明の第3の実施の形態による抵抗変化型位置検出装置について説明する。上記の実施の形態では、素子の等価回路特性の中で、特に静電容量のパラメータを変調することによって、位置情報の入力を行った。しかし、スピンゼーベック効果を駆動バイアスとして用いる場合、位置情報入力機能の実装は、上記の静電容量方式に限られず、他の回路パラメータを変えることによっても実現できる。本実施の形態では具体例として、素子の抵抗パラメータを変化させることで、位置入力を行う。図9a及びbは本発明の抵抗変化型位置検出装置の概略を示す図で、aは斜視図、bは平面図である。図9a及びbに示すように、本発明の第1の実施の形態と同様に、位置検出電極5/磁性体層2部分に定常温度勾配ΔTを印加することにより、位置検出電極内に起電力を生成させ、これを駆動バイアスとして用いる。第1の実施の形態との違いは、カバー層3を無くした点と、入力手段として抵抗変調手段30を用いている点にある。抵抗変調手段30は、上記の抵抗パラメータ変調のために、素子に接触させる表面に導電性を有する材料を含むことが望ましい。図10a,b,c、d、e、及びfは、抵抗変化型位置検出装置の動作原理を示す図で、aは待機状態、bはaの断面図、cはbの一部分63の一検出電極3の等価回路図、dは位置情報の入力状態を示す斜視図、eはdの一部分を示す断面図、fはeの部分69の位置検出電極×3の等価回路図である。本実施の形態では、位置情報の入力方法として外部手段による電極部分の抵抗変化を用いており、この抵抗変化ΔRを、抵抗変化検出装置13、14を用いて測定することで、位置検出機能を実現する。ここでは、熱源4に起因するスピンゼーベック効果の結果、電極には熱起電力が定常的に印加された状態になっており、これを実効的なバイアス電源として利用する。位置情報の検出を可能にするために、位置検出電極群5における抵抗変化を、抵抗変化検出装置13、14によって評価する。具体的には、スピンゼーベック効果に基づく熱起電力電圧分布の変化を観測することで、実効的な抵抗測定が可能となる。図10aのように、入力手段が行使されない待機状態においても、抵抗変化検出装置13,14によって抵抗値の測定記録は継続的に行うが、この場合の抵抗値は通常一定値を示す。ただし、スピン-ゼーベック効果によって、金属膜5/磁性体層2の境界面にスピン流JSが形成される。ここで、図10bのように、表面に導電性を有する抵抗変調手段30を、位置検出電極群5に対して接触させると、位置検出電極群5における抵抗状態が局所的に変化する。具体的には、外部から導電性物体が電極膜に接触する結果、この部分の実効的な電極膜厚が局所的に増大し、抵抗が低下する。この効果は、等価回路的には、追加的な抵抗ΔRが、電極の内部抵抗に対して並列に加わったものとみなすことができる。このように電極等価回路が変化する結果、熱起電力による電圧分布も変化する。したがって、この電気特性変化を、抵抗変化検出装置13、14によって検出記録することで、入力手段が行使された2次元位置情報を決定するための参照信号を得ることができる。なお、本実施形態では、抵抗変化に基づく位置検出を行っていることから、バイアス起電力が完全に直流であっても動作上の問題は生じない。第4の実施の形態次に、本発明の第4の実施の形態である抵抗変化型位置検出装置について説明する。第3の実施形態と同様の原理を用いているが、本実施の形態も、構成動作上の異なる点として、抵抗変調手段30で直接電極の抵抗を変調するのではなく、圧力印加手段40を用いて、抵抗変調層41を電極に押し付けることによって、入力を行う。図12aは本発明の第4の実施の形態である抵抗変化型位置検出装置を示す斜視図で、bはaの一部分75の待機状態を示す斜視図で、cはaの一部分75の入力時の状態を示す斜視図である。図12aに示すように、第4の実施の形態による素子の基本構成は第3の実施の形態と同じだが、位置検出電極群5の上に、ドットスペーサ42を介して、抵抗変調手段30を配置している。抵抗変調層41は、位置検出電極群5の等価回路を変化させるためのものであり、金属や半導体などの導電材料を表面に含むことが望ましい。ただし、圧力印加によって歪むような弾力性を有する材料特性が必要で、歪みに対する耐性壊れにくさも求められる。ドットスペーサ42は、待機状態において抵抗変調層41と位置検出電極群5とを隔離するために用いるものであり、絶縁体材料で構成されることが望ましい。例えばガラスビーズなどのアモルファス酸化物や、アクリルウレタン、ポリイミドなどの有機樹脂材料が利用できる。図12bに示すように、圧力が印加されない待機状態では、位置検出電極群5と抵抗変調層41とはドットスペーサ42によって隔離されているために、これらの間は電気的な絶縁状態にある。ここで、図12cに示すように、外部から圧力印加手段40によって素子上面に圧力が印加されると、抵抗変調層41が下方に歪むことによって、これと位置検出電極群5とが局所的に導通する。本実施の形態では、これによる位置検出電極群5内での回路特性の変化を利用して、位置入力動作を実現する。図13a,b,c,d,及びeは具体的な動作例を示している。図13a、b、及びcの状態から、図13d,e,fに示すように、上面に圧力が印加され、素子の抵抗状態が変化することから、出力電圧分布も変化する。これを検出することで位置情報の入力が可能となる。以上説明したように、本発明による位置検出装置では、スピンゼーベック効果を用いて熱発電した起電力を駆動バイアス電源として利用することから、IT機器などの発熱や、太陽光などによる環境熱を用いれば、外部電源が不要な位置検出手段を提供できる。これにより、簡便な構成による低待機電力のタッチパネルやタッチパッドなどへの応用が可能となる。以下、本発明の実施例について説明する。実施例1次に、本発明の具体的な実施例を、図6を参照して説明する。図6は本発明の実施例1に係る位置検出装置を示す図で、aは斜視図、bはaの一部分65を示す断面図、cは平面図、dはaの一部分66の拡大図、eはfの一部分67の拡大斜視図である。ここでは、サイズ30×30mm2の素子を示している。磁性体層2としては膜厚1μmのイットリウム鉄ガーネット以後、YIGと呼ぶ。組成はY3Fe5O12を、位置検出電極群5の材料としては膜厚10nmのPtをそれぞれ用いている。バッファ層6には厚さ0.1mmのガラス合成石英板を、カバー層3には厚さ0.1mmの合成サファイア板を採用した。なお、熱源4としては、ここでは表面温度が40°Cに加熱されているガラス材を用いている。YIGからなる磁性体層2は、バッファ層6上にエアロゾルデポジション法により成膜する。YIG原料には、直径700nmのYIG微粒子を用いる。このYIG微粒子をエアロゾル発生容器に詰めておき、基板に相当するバッファ層6は成膜チャンバ内のホルダーに固定する。この状態で成膜チャンバとエアロゾル発生容器との間に圧力差を生じさせることで、YIG微粒子が成膜チャンバ内へと引き込まれ、ノズルを通してバッファ層上に吹き付けられる。このときのバッファ層での衝突エネルギーによって微粒子が粉砕再結合し、YIG多結晶が形成される。基板ステージを2次元的にスキャンすることで、均一なYIG磁性体層2を膜厚1μmで成膜する。YIG表面は、Ptとの良好な界面を得るために、研磨を行っている。実施例2図11は本発明の第3の実施の形態に対応する具体的な実施例2を示す図で、aは斜視図、bは一部71の断面図、cはaの一部22を示す断面図、dは平面図、eはaの一部分73の拡大図、fはeの一部分を示す斜視図である。素子サイズは30×30mm2で、磁性体層2としては膜厚1μmのイットリウム鉄ガーネット以後YIGと呼ぶ。組成はY3Fe5O12を、位置検出電極群5の材料としては膜厚10nmのPtをそれぞれ用いている。熱源4としては、ここでは表面温度が40°Cに加熱されているガラス材を用いている。これらは、第1の実施形態で示した実施例と同様の方法で作製する。電極構造やサイズ等についても、第1の実施の形態の場合と同様の構造を採用する。図11a及びbに示すように、抵抗変化手段30としては、ガラス31の先端に銅Cu32をコートした構造を用いる。ここではCu32の厚さが200nm、先端の幅が0.3mmのものを用いている。これを位置検出電極5に押し付けることで、電極の抵抗状態が変化する。具体的な電極周辺の等価回路としては、追加的な抵抗ΔR=10~300Ωが並列に付加される。これによる出力電圧分布の変化を抵抗変化検出装置13、14で検出することで、位置情報の検出が可能となる。実施例3図14は本発明の第3の実施の形態を更に具体化した実施例3を示す図で、aは斜視図、bは一部分78の断面図である。図14a、bに示すように、素子サイズは、30×30mm2で、磁性体層2としては膜厚1μmのイットリウム鉄ガーネット以後YIGと呼ぶ。組成はY3Fe5O12を、位置検出電極群5の材料としては膜厚10nmのPtをそれぞれ用いている。熱源4としては、ここでは表面温度が40°Cに加熱されているガラス材を用いている。これらは、第1の実施形態で示した実施例と同様の方法で作製する。カバー層3には膜厚0.1mmのアクリル樹脂を、ドットスペーサ42としては直径10μmの球状のアクリルウレタン樹脂を、抵抗変調層41としては膜厚200nmのCu層を、それぞれ用いる。外部から圧力を印加して、抵抗変調層41であるCu層を位置検出電極に押し付けることで、電極の抵抗状態が変化する。具体的な電極周辺の等価回路としては、追加的な抵抗ΔR=10~100Ωが並列に付加される。これによる出力電圧分布の変化を抵抗変化検出装置13、14で検出することで、位置情報の検出が可能となる。電極構造やサイズ等についても、実施例1の場合と同様の構造を採用する。"