"複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、電子部品素子を搭載するキャビティが形成され、前記キャビティの壁面には、前記キャビティの幅方向外方に膨らむ曲面が含まれたことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、電子部品素子を搭載するキャビティが形成され、前記キャビティの壁面には、前記キャビティ内の予め設定した基準点から放射状に拡がった点の集合体からなる曲面が含まれ、前記予め設定した基準点は複数有り、前記複数の基準点は1つの面上に配されることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージにおいて、少なくとも1つの前記封止部材が、請求項1または2に記載の電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする電子部品パッケージ。複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材の製造方法において、当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材に、電子部品素子を搭載するキャビティを形成する形成工程を有し、前記形成工程では、ウエットエッチングによって底面を有する凹部を前記基材に形成し、前記凹部の底面をエッチング対象としてウエットエッチングによって前記キャビティの壁面の少なくとも一部を曲面に形成することを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材の製造方法。請求項4に記載の電子部品パッケージ用封止部材の製造方法において、前記形成工程では、電着レジストにより前記基材にレジスト層を形成し、形成した前記レジスト層を用いてエッチングを行うことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材の製造方法。特許文献1に開示の水晶振動子本発明でいう電子部品のベースは、底部と壁部とから箱状体に成形され、底部と壁部とによって囲まれたキャビティが形成されている。このベースのキャビティの壁面壁部の内側面はテーパー状に形成されている。そのため、壁面が垂直に成形された形態に比較して、テーパー成形された部分だけ、キャビティにおける電子部品素子の実装領域実装面積が減少する。そこで、上記の課題を解決するために、本発明は、キャビティにおける電子部品素子の実装領域を増やすことができる電子部品パッケージ用封止部材、電子部品パッケージ、および電子部品パッケージ用封止部材の製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージ用封止部材は、複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、電子部品素子を搭載するキャビティが形成され、前記キャビティの壁面には、前記キャビティの幅方向外方に膨らむ曲面が含まれたことを特徴とする。本発明によれば、前記キャビティの壁面に前記キャビティの幅方向外方に膨らむ曲面が含まれるので、上記の従来技術のような前記キャビティの壁面全てがテーパー形成された形態に対して、前記キャビティにおける電子部品素子の実装領域を増やすことが可能となる。また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージ用封止部材は、複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、電子部品素子を搭載するキャビティが形成され、前記キャビティの壁面には、前記キャビティ内の予め設定した基準点から放射状に拡がった点の集合体からなる曲面が含まれ、前記予め設定した基準点は複数有り、前記複数の基準点は1つの面上に配されることを特徴とする。本発明によれば、前記キャビティの壁面には、前記キャビティ内の予め設定した基準点から放射状に拡がった点の集合体からなる曲面が含まれ、前記予め設定した基準点は複数有り、前記複数の基準点は1つの面上に配されるので、上記の従来技術のような前記キャビティの壁面全てがテーパー形成された形態に対して、前記キャビティにおける電子部品素子の実装領域を増やすことが可能となる。また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージは、複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージにおいて、少なくとも1つの前記封止部材が、本発明の電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする。本発明によれば、少なくとも1つの前記封止部材が、本発明の電子部品パッケージ用封止部材であるので、上記の本発明の電子部品パッケージ用封止部材による作用効果を有する。また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージ用封止部材の製造方法は、複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材の製造方法において、当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材に、電子部品素子を搭載するキャビティを形成する形成工程を有し、前記形成工程では、ウエットエッチングによって底面を有する凹部を前記基材に形成し、前記凹部の底面をエッチング対象としてウエットエッチングによって前記キャビティの壁面の少なくとも一部を曲面に形成することを特徴とする。本発明によれば、前記キャビティの壁面の少なくとも一部を曲面にする前記形成工程を有するので、上記の従来技術のような前記キャビティの壁面全てがテーパー形成された形態に対して、前記キャビティにおける電子部品素子の実装領域を増やすことが可能となる。前記製造方法において、前記形成工程では、電着レジストにより前記基材にレジスト層を形成し、形成した前記レジスト層を用いてエッチングを行ってもよい。この場合、電着レジストによる前記レジスト層を前記基材に形成するので、前記凹部の内側面および内側の底面にまで、前記レジスト層を形成することが可能となる。本発明によれば、キャビティにおける電子部品素子の実装領域を増やすことができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態では、電子部品パッケージとして圧電振動デバイスである水晶振動子のパッケージに本発明を適用し、さらに電子部品素子として圧電振動片である音叉型水晶振動片に本発明を適用した場合を示す。<実施の形態1>本実施の形態1に係る水晶振動子1には、図1に示すように、音叉型水晶片からなる図7に示す水晶振動片2本発明でいう電子部品素子と、この水晶振動片2を保持し、水晶振動片2を気密封止するためのベース4本発明でいう封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材と、ベース4と対向するように配置され、ベース4に保持した水晶振動片2の励振電極31,32図7に示す電極であり、本発明でいう電子部品素子の電極を気密封止するための蓋7とが設けられている。この水晶振動子1では、ベース4と蓋7とが、AuとSnの合金からなる接合材12と、下記の第1接合層48と、下記の第2接合層74とにより接合され、これらの接合により、気密封止された内部空間11を備える本体筐体が構成される。この内部空間11では、ベース4に、水晶振動片2が、金バンプ等の導電性バンプ13を用いたFCB法FlipChipBondingにより電気機械的に超音波接合されている。なお、本実施の形態1において、導電性バンプ13には、金バンプ等の非流動性部材のメッキバンプが用いられている。次に、この水晶振動子1の各構成について説明する。ベース4は、等方性材料であるホウケイ酸ガラス等のガラス材料の基材からなり、図1~4に示すように、底部41と、ベース4の一主面42の外周に沿って底部41から上方に延出した壁部44とから構成された箱状体に成形されている。このようなベース4は、直方体の一枚板の基材をウエットエッチングして箱状体に成形される。ベース4の壁部44の天面は、蓋7との接合面であり、この接合面には、蓋7と接合するための第1接合層48が設けられている。第1接合層48は、複数の層の積層構造からなり、ベース4の壁部44の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成された第1スパッタ膜93と、第1スパッタ膜93の上にスパッタ形成された第2スパッタ膜94と、第2スパッタ膜94の上にメッキ形成された第1メッキ膜95と、第1メッキ膜95の上にメッキ形成された第2メッキ膜96と、第2メッキ膜96の上にメッキ形成された第3メッキ膜97と、第3メッキ膜97の上にメッキ形成された第4メッキ膜98とからなる。第1スパッタ膜93は、ベース4の壁部44の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたMoからなるMo膜であり、5~10nmの厚みを有する。第2スパッタ膜94は、第1スパッタ膜93上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたCuからなるCu膜であり、0.3μmの厚みを有する。第1メッキ膜95は、第2スパッタ膜94上にメッキ形成されたCuからなるCu膜であり、2~6μmの厚みを有する。第2メッキ膜96は、第1メッキ膜95上にメッキ形成されたNiからなるNi膜であり、1~3μmの厚みを有する。第3メッキ膜97は、第2メッキ膜96上にメッキ形成されたAuからなるAuストライクメッキ膜もしくはPdからなるPdメッキ膜であり、0.1~0.3μmの厚みを有する。第4メッキ膜98は、第3メッキ膜97上にメッキ形成されたAuからなるAuメッキ膜であり、0.1~0.3μmの厚みを有する。また、ベース4の一主面42には、底部41と壁部44とによって囲まれた平面視長方形のキャビティ45が成形されている。キャビティ45には、その長手方向の一端部452の全体に沿って台座部46がエッチング成形されている。この台座部46に、水晶振動片2が搭載される。キャビティ45の壁面451は、壁部44の内側面であり、キャビティ45は、ベース4をフォトリソグラフィ法によりエッチングして成形する際、下記の貫通孔49の成形と同時に形成される。このキャビティ45の壁面451は、図1~3に示すように、平坦面壁面451の一部と曲面壁面451の一部とから構成されている。具体的には、壁面451は、台座部46上に立ち上げ形成された第1壁面453と、キャビティ45の底面456一主面42上に立ち上げ形成された、台座部46の壁面となる第2壁面454と、キャビティ45の底面456一主面42上に立ち上げ形成され、第1壁面453,第2壁面454以外の壁面となる第3壁面455とから構成される。第1壁面453は、平坦面であり、図1,2に示すように、壁部44の天面441に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。なお、壁部44の天面441とキャビティ45の第1壁面453とがなす角度は、約45度である。第2壁面454は、曲面であり、図1,2に示すように、キャビティ45の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この曲面は、キャビティ45内の予め設定した基準点457図12参照から放射状に拡がった点の集合体からなる。このように、第2壁面454は、基準点457を中心中心点とした球体の曲面球面であり、また、基準点457図12参照を中心とした球面の法線が面B1図2,12に示す二点鎖線の仮想面上に配される。ここでいう予め設定した基準点457は複数有り、複数の基準点457は、1つの面B1上に配され、面B1上において不図示の円形の線無端状の平面視円形の線となる。また、面B1は、ベース4の両主面42,43と同じ面方向とされ、図2に示すベース4の断面視を参照して、ベース4の両主面42,43と平行な面となる。また、第2壁面454は、上記の通り、複数の基準点457図12参照を中心した曲面となり、基準点457を中心とした法線が面B1上に配されるので、キャビティ45では、面B1に沿った径が最大幅寸法となり、台座部46の主面461は、上記の面B1上にあり、台座部46の主面461と第2壁面454との角度が直角となる。第3壁面455は、平坦面4551と曲面4552とから構成され、キャビティ45の底面456一主面42に連続して曲面4552が形成され、曲面4552に連続して平坦面4551が形成され、平坦面4551に連続して壁部44の天面441が形成される。第3壁面455の平坦面4551は、図1,2に示すように、壁部44の天面441に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。なお、壁部44の天面441と第3壁面455の平坦面4551とがなす角度は、約45度である。また、第3壁面455の曲面4552は、図1,2に示すように、キャビティ45の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この曲面4552は、キャビティ45内の予め設定した基準点457図12参照から放射状に拡がった点の集合体からなる。このように、曲面4552は、基準点457を中心中心点とした球体の曲面球面であり、また、基準点457図12参照を中心とした球面の法線が面B1図2,12に示す二点鎖線の仮想面上に配される。ここでいう予め設定した基準点457は複数有り、複数の基準点457は、1つの面B1上に配され、面B1上において不図示の円形の線無端状の平面視円形の線となる。また、面B1は、ベース4の両主面42,43と同じ面方向とされ、図2に示すベース4の断面視を参照して、ベース4の両主面42,43と平行な面となる。また、曲面4552は、上記の通り、複数の基準点457図12参照を中心した曲面となり、基準点457を中心とした法線が面B1上に配されるので、キャビティ45では、面B1に沿った径が最大幅寸法となる。また、第3壁面455には、キャビティ45内に突出する突起部458が形成されている。突起部458の突起端縁4581は、曲面4552の端縁である。また、ベース4には、図3に示すように、水晶振動片2の励振電極31,32それぞれと電気機械的に接合する一対の電極パッド51,52と、外部部品や外部機器と電気的に接続する外部端子電極53,54と、電極パッド51と外部端子電極54、及び電極パッド52と外部端子電極53を電気的に接続させる配線パターン55とが形成されている。これら電極パッド51,52と外部端子電極53,54と配線パターン55とにより、ベース4の電極5が構成される。電極パッド51,52は、台座部46の表面に形成されている。また、2つの外部端子電極53,54は、図4に示すように、ベース4の他主面43において、長手方向の両端部にそれぞれ形成され、長手方向に沿って離間して並設されている。また、外部端子電極54の一隅部外部端子電極53に対面する側の1つの隅部には切り欠き部541が形成され、この切り欠き部541は、当該水晶振動子1の製造工程におけるベースの位置決めや、当該水晶振動子1を外部部品や外部機器へ搭載する際の位置決めを行うサポートの役割を果たす。電極パッド51,52は、第1接合層48と同様に、複数の層の積層構造からなり、ベース4の基板上に、第1スパッタ膜93と、第2スパッタ膜94と、第1メッキ膜95と、第2メッキ膜96と、第3メッキ膜97と、第4メッキ膜98とが順に積層されてなる。配線パターン55は、電極パッド51,52と外部端子電極53,54とを電気的に接続させるように、ベース4の一主面42から貫通孔49下記参照の内側面491を介してベース4の他主面43に形成されている。また、配線パターン55のうち貫通孔49およびその近傍に形成された部分と、基板の他主面43に形成された部分では、第1シード膜91と第2シード膜92とが、第1スパッタ膜93下の下層膜として形成されている。第1シード膜91はベース4上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたMoからなるMo膜であり、5~10nmの厚みを有する。また、第2シード膜92は、第1シード膜91上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたCuからなるCu膜であり、0.3μmの厚みを有する。また、ベース4の一主面42では、配線パターン55は、第2シード膜92および基板上に、第1スパッタ膜93、第2スパッタ膜94、第1メッキ膜95、第2メッキ膜96、第3メッキ膜97、および第4メッキ膜98が順に積層されてなる。一方、ベース4の他主面43では、感光性を有する樹脂材からなる樹脂パターン61下記参照が、第2シード膜92、貫通孔49および基板上に形成されている。すなわち、ベース4の他主面43の一部接触領域58,59を除く全面に樹脂パターン61が形成されている。なお、樹脂パターン61が形成されていない他主面43の一部接触領域58,59には、図1に示すように、配線パターン55第2シード膜92が形成されている。そして、ベース4の他主面43の樹脂パターン61および接触領域58,59の第2シード膜92上に、第1スパッタ膜93、第2スパッタ膜94、第1メッキ膜95、第2メッキ膜96、第3メッキ膜97、および第4メッキ膜98が順に積層されて、外部端子電極53,54が構成されている。また、ベース4には、図1~4に示すように、水晶振動片2の励振電極31,32を電極パッド51,52を介して配線パターン55により、キャビティ45内からキャビティ45外に導出させるための貫通孔49が形成されている。貫通孔49は、ベース4をフォトリソグラフィ法によりエッチングして成形する際、キャビティ45の成形と同時に形成され、図1~図5に示すように、ベース4に2つの貫通孔49が両主面一主面42、他主面43間を貫通して形成されている。この貫通孔49の内側面491は、図5に示すように、平坦面494内側面491の一部と曲面495内側面491の一部とから構成され、ベース4基材の一主面42に連続して曲面495が形成され、ベース4基材の他主面43に連続して平坦面494が形成され、平坦面494に連続して曲面495が形成されている。本実施の形態1では、貫通孔49のアスペクト比長さと幅の比率は1.3長さ:145μm、幅:110μmである。平坦面494は、図5に示すように、ベース4の一主面42及び他主面43に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。また、ベース4の一主面42と貫通孔49の内側面491の平坦面494とがなす角度は、約45度である。なお、本実施の形態1では、ベース4の一主面42と貫通孔49の内側面491とがなす角度θは、約45度であるが、これに限定されない。例えば、ベース4の一主面42と貫通孔49の内側面491とがなす角度θは、45度より大きく、具体例としては、70度~90度であってもよい。また、曲面495は、図5に示すように、貫通孔49の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この曲面495は、貫通孔49の孔内の予め設定した基準点499図12参照から放射状に拡がった点の集合体からなる。曲面495は、基準点499を中心中心点とした球体の曲面球面であり、また、基準点499図12参照を中心とした球面の法線が面B2図5に示す二点鎖線の仮想面上に配される。ここでいう予め設定した基準点499は複数有り、複数の基準点499は、1つの面B2上に配され、面B2上において不図示の円形の線無端状の平面視円形の線となる。また、面B2は、ベース4の両主面42,43と同じ面方向とされ、図5に示すベース4の断面視を参照して、ベース4の両主面42,43と平行な面となる。また、面B2は、ベース4の他主面43よりも一主面42に近い側に位置する。また、曲面495は、上記の通り、複数の基準点499図12参照を中心した曲面となるので、基準点499を中心とした法線が面B2上に配される。そのため、貫通孔49では、面B2に沿った径が最大幅寸法となる。また、貫通孔49の内側面491には、孔内に突出する2つの突起部498が形成されている。突起部498の突起端縁4981は、曲面495の端縁である。なお、本実施の形態1にかかる2つの突起部498は、それぞれ環状図3,4に示す平面視の貫通孔49参照に成形されている。また、2つの突起部498の間の貫通孔49の内側面491が、曲面495で形成されている。なお、本実施の形態1では、2つの突起部498を形成しているが、これに限定されるものではなく、複数個であればよい。貫通孔49は、図5に示すように、ベース4の他主面43の側にある貫通孔49の他端開口端493の径と、ベース4の一主面42の側にある貫通孔49の一端開口端492の径とが同じもしくは略同等となる。本実施の形態1では、貫通孔49の両開口端一端開口端492と他端開口端493の開口寸法比は0.9一端開口端492:φ100μm、他端開口端493:φ110μmである。このような貫通孔49の内側面491には、配線パターン55の一部である第1シード膜91および第2シード膜92が形成されている。さらに、貫通孔49の内部には、樹脂パターン61と同材料の樹脂材便宜上符号61とするが充填されている。この樹脂材61により貫通孔49が塞がれている。なお、樹脂材61では、図5に示すように、ベース4の一主面42の側の一端面が、ベース4の一主面42の表面と面一で、他主面43の側の他端面が、一主面42の側に凹むように形成されている。また、貫通孔61の内側面491に曲面495が含まれているため、貫通孔49の内部の樹脂材61が曲面495に沿って充填されるので、樹脂材が入り込んでアンカー効果が生じる。このようにアンカー効果を発揮することにより、樹脂材61及び貫通孔49の内側面491との間の密着性が確保されている。このように、樹脂材61が貫通孔49にくい込んでいる構成により、アンカー効果を得て、樹脂パターン61の貫通孔49への密着強度が向上する。上記のように、ベース4を構成する基材の他主面43には、外部端子電極53,54と配線パターン55と樹脂パターン61とが形成され、他主面43の基材および配線パターン55上に樹脂パターン61が積層され、配線パターン55および樹脂パターン61上に外部端子電極53,54が積層されている。そして、他主面43には、図4に示すように、外部電子電極53,54と配線パターン55とを接触させる接触領域58,59がそれぞれ1つ設けられ、これら接触領域58,59にて外部端子電極53,54と配線パターン55とが接触される積層される。つまり、接触領域58,59にて外部電子電極53,54と配線パターン55とが電気的に接続される。なお、図4に示すように、本実施の形態1では、樹脂パターン形成領域47内に接触領域58,59がそれぞれ1つ設けられているが、接触領域58,59の個数はこれに限定されるものではなく、樹脂パターン形成領域47内外部端子電極53,54の積層下に任意の個数の接触領域58,59をそれぞれ設けてもよい。また、樹脂材61や樹脂パターン61には、ポリベンズオキサゾールPBOが使用されている。なお、樹脂材61や樹脂パターン61は、ポリベンズオキサゾールPBOに限定されず、ベース4を構成する材料例えば、ガラス材料との密着性が良好な樹脂材をいずれも使用することができる。よって、樹脂パターン61を構成する樹脂材には、例えば、ベンゾシクロブテンBCB、エポキシ、ポリイミド、又はフッ素系樹脂からなる樹脂材を使用してもよい。また、本実施の形態1で使用した樹脂パターン61を構成する樹脂材、即ち、ポリベンズオキサゾールPBOは、感光性を有する樹脂材であり、フォトリソグラフィ法によるパターン形成が可能な樹脂材である。ここで、本発明でいう感光性を有する樹脂材とは、感光性を有する樹脂からなる樹脂材の他、感光剤と樹脂とを含む感光性樹脂組成物を含む広い概念とする。蓋7は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図1及び図6に示すように、頂部71と、蓋7の一主面72の外周に沿って頂部71から下方に延出した壁部73とから構成されている。このような蓋7は、直方体の一枚板の基材をウエットエッチングして成形される。蓋7の壁部73の両側面内側面731及び外側面732は、テーパー状に成形されている。また、壁部73には、ベース4と接合するための第2接合層74が形成されている。蓋7の第2接合層74は、図1に示すように、蓋7の壁部73の天面733から外側面732にかけて形成されている。この第2接合層74は、TiからなるTi膜図示省略が形成され、Ti膜の上にAuからなるAu膜図示省略が形成された複数の積層構造からなり、これらTi膜及びAu膜は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されている。なお、本実施の形態1では、Ti膜及びAu膜とから第2接合層74を構成しているが、Au膜の代わりにCuからなるCu膜を用いてもよい。上記のベース4と蓋7とを接合させるための接合材12は、蓋7の第2接合層74に積層されている。この接合材12は、蓋7の第2接合層74の上にAuとSnとの合金からなるAu/Sn膜図示省略がメッキ形成され、このAu/Sn膜の上にAu膜図示省略がメッキ形成された複数の積層構造からなる。なお、Au膜は、Auストライクメッキ膜がメッキ形成され、Auストライクメッキ膜の上にAuメッキ膜がメッキ形成された複数の層の積層構造からなる。このような接合材12では、Au/Sn膜が、加熱により溶融して、AuSn合金膜となる。なお、接合材12は、蓋7の第2接合層74の上にAuSn合金膜をメッキ形成することにより構成されたものであってもよい。また、本実施の形態1において、接合材12は、蓋7の第2接合層74に積層されているが、ベース4の第1接合層48に積層されていてもよい。水晶振動片2は、異方性材料の水晶片である水晶素板図示省略から、ウエットエッチング形成された水晶Z板である。この水晶振動片2は、図7に示すように、振動部である2本の脚部21,22と、基部23と、ベース4の電極パッド51,52に接合される接合部24とから構成されており、基部23の一端面231に2本の脚部21,22が突出して設けられ、基部23の他端面232に接合部24が突出して設けられた圧電振動素板20からなる。基部23は、図7に示すように、平面視左右対称形状とされている。また、基部23の側面233は、一端面231の側の部位が一端面231と同一幅で、他端面232の側の部位が一端面231の側から他端面232の側にかけて漸次幅狭になるように形成されている。2本の脚部21,22は、図7に示すように、基部23の一端面231から、同一方向に突出して設けられている。これら2本の脚部21,22の先端部211,221は、脚部21,22の他の部位と比べて幅広突出方向に対して直交する方向に幅広に形成され、さらに、それぞれの先端隅部は曲面形成されている。また、2本の脚部21,22の両主面には、CI値を改善させるために、溝部25が形成されている。接合部24は、図7に示すように、基部23の他端面232の幅方向の中央部から突出して設けられている。この接合部24は、基部23の他端面232に対して平面視垂直方向に突出した短辺部241と、短辺部241の先端部と連なり基部23の幅方向に延出する長辺部242とから構成され、長辺部242の先端部243は、基部23の幅方向に向いている。すなわち、接合部24は、平面視直角に折曲された平面視L字状に成形されている。また、接合部24には、ベース4の電極パッド51,52と導電性バンプ13を介して接合される2つの接合箇所27が設けられている。上記した構成からなる水晶振動片2には、異電位で構成された第1及び第2の励振電極31,32と、これら第1及び第2の励振電極31,32をベース4の電極パッド51,52に電気的に接合させるために第1及び第2励振電極31,32から引き出された引出電極33,34とが形成されている。また、第1及び第2の励振電極31,32の一部は、脚部21,22の溝部25の内部に形成されている。このため、水晶振動片2を小型化しても脚部21,22の振動損失が抑制され、CI値を低く抑えることができる。第1の励振電極31は、一方の脚部21の両主面と、他方の脚部22の両側面及び先端部221の両主面とに形成されている。同様に、第2の励振電極32は、他方の脚部22の両主面と、一方の脚部21の両側面及び先端部211の両主面に形成されている。また、引出電極33,34は、基部23及び接合部24に形成されており、基部23に形成された引出電極33により、一方の脚部21の両主面に形成された第1の励振電極31が、他方の脚部22の両側面及び先端部221の両主面に形成された第1の励振電極31に繋げられ、基部23に形成された引出電極34により、他方の脚部22の両主面に形成された第2の励振電極32が、一方の脚部21の両側面及び先端部211の両主面に形成された第2の励振電極32に繋げられている。なお、基部23には、圧電振動素板20の両主面を貫通する2つの貫通孔26が形成されており、これら貫通孔26内には、導電性材料が充填されている。これらの貫通孔26を介して、引出電極33,34が基部23の両主面間に引回されている。上記構成からなる水晶振動子1では、図1に示すように、ベース4の一主面42に形成された台座部46に水晶振動片2の接合部24が導電性バンプ13を介してFCB法により電気機械的に超音波接合される。この接合により、水晶振動片2の励振電極31,32が、引出電極33,34と、導電性バンプ13とを介してベース4の電極パッド51,52に電気機械的に接合され、ベース4に水晶振動片2が搭載される。そして、水晶振動片2が搭載されたベース4に、蓋7がFCB法により仮接合され、その後、真空雰囲気下で加熱されることにより、接合材12と第1接合層48と第2接合層74とが溶融し、これにより、ベース4の第1接合層48に蓋7の第2接合層74が接合材12を介して接合されて、水晶振動片2を気密封止した水晶振動子1が製造される。なお、導電性バンプ13には、非流動性部材のメッキバンプが用いられている。次に、この水晶振動子1及びベース4の製造方法について図8~図20を用いて説明する。本実施の形態1では、ベース4を多数個形成するガラス材料からなる一枚板のウエハ8を用いる。まず、ウエハ8の両主面81,82に、図8に示すように、CrからなるMo膜910もしくはCr膜をスパッタ形成し、Mo膜910上にAuからなるAu膜911をスパッタ形成し、Au膜911上にレジストをディップコート法により塗布して、ポジレジスト層912を形成する。ポジレジスト層912を形成した後、キャビティ45を構成するための凹部459以下、キャビティ45の凹部459というと、貫通孔49の平坦面494を構成するための凹部496以下、貫通孔94の凹部496というとを形成するために、ウエハ8の両主面81,82のポジレジスト層912に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したMo膜910とAu膜911とをメタルエッチングして、図9に示すように、所定のパターン台座部46を含むキャビティ45と、貫通孔49の平坦面494を構成するための凹部496を形成する。図9に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりウエハ8をエッチングして、図10に示すように、ウエハ8に、キャビティ45の凹部459と、貫通孔94の凹部496とを形成したベース4とを多数個成形する。なお、図10に示すキャビティ45の凹部459の内側の底面は、面B1図2に示す二点鎖線の仮想面を設定するための基準面となる。また、キャビティ45の凹部459の内側面は平坦面とされているが、これに限定されるものではなく、ウエハ8の一主面81ベース4の一主面42参照に対してテーパー状に形成されたテーパー面であればよい。そのため、テーパー面には、ウエットエッチングのエッチング方向に膨らむ曲面が少なくとも一部に含まれてもよい。また、図10に示す貫通孔49の凹部496の内側の底面は、面B2図5に示す二点鎖線の仮想面を設定するための基準面となる。また、貫通孔49の凹部496の内側面は平坦の面平坦面494とされているが、これに限定されるものではなく、ウエハ8の他主面82ベース4の他主面43参照に対してテーパー状に形成されたテーパー面であればよい。そのため、テーパー面には、ウエットエッチングのエッチング方向に膨らむ曲面が少なくとも一部に含まれてもよい。ウエハ8に、キャビティ45の凹部459と、貫通孔49の凹部496を形成した後に、図11に示すように、ポジレジスト層912とMo膜910とAu膜911を剥離除去して、ウエハ8素板にする。図11に示すウエハ8に対して、キャビティ45と貫通孔49とベース4の他主面43の外周縁とを形成するために、ウエハ8の両主面81,82に、新たなMo膜910をスパッタ形成し、Mo膜910上に新たなAu膜911をスパッタ形成し、Au膜911上にレジストを電着コート法もしくはスプレーコート法により塗布して、新たなポジレジスト層912を形成する。本実施の形態1では、新たなポジレジスト層912を形成するために、電着コート法もしくはスプレーコート法を用いているため、キャビティ45の凹部459の内面4592内側面および内側の底面および、貫通孔49の凹部496の内面497内側面および内側の底面にまで新たなポジレジスト層912を形成することができる。そして、新たなポジレジスト層912を形成した後、キャビティ45と貫通孔49とベース4の他主面43の外周縁とを成形するために、ウエハ8の両主面81,82のポジレジスト層912に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したMo膜910とAu膜911とをエッチングして、図12に示すように、所定のパターンキャビティ45と貫通孔49とベース4の他主面43の外周縁を形成する。この時、キャビティ45の凹部459では、内側の底面の外周縁部を除き、中央部を含む部分のポジレジスト層912とMo膜910とAu膜911を剥離除去している。なお、ここでいうキャビティ45の凹部459の内側の底面上に形成されたポジレジスト層912Mo膜910とAu膜911も含むから露出した露出端縁図12の符号457で示すポイント参照が、上記の複数の基準点457で構成される線無端状の平面視円形の線となる。複数の基準点457は、面B1図12に示す二点鎖線の仮想面上にある。また、貫通孔49の凹部496では、内側の底面の中央部のみのポジレジスト層912とMo膜910とAu膜911を剥離除去している。なお、ここでいう貫通孔49の凹部496の内側の底面上に形成されたポジレジスト層912Mo膜910とAu膜911も含むから露出した中央部の露出端縁図12の符号499で示すポイント参照が、上記の複数の基準点499で構成される線無端状の平面視円形の線となる。複数の基準点499は、面B2図12に示す二点鎖線の仮想面上にある。図12に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりエッチングして、図13に示すように、ウエハ8に、キャビティ45と貫通孔49と他主面43の外周縁とを形成したベース4を多数個成形する。ウエハ8に、キャビティ45と貫通孔49と他主面43の外周縁とを形成した後に、図14に示すように、ポジレジスト層912とMo膜910とAu膜911を剥離除去して、複数のベース4を成形したウエハ8素板にする。ここまでのウエハ8のエッチング形成工程が本発明でいう形成工程に対応する。なお、出願時において、水晶振動子1ベース4が小型化されたベース4における曲面495の形成に物理的なエッチングドライエッチングなどを用いることは、面形成の精度や費用の面から考えられていない。そして、図14に示すウエハ8に対して、ウエハ8両主面81,82や貫通孔49の内側面491などに、MoからなるMo層第1シード膜91をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。第1シード膜91の形成後に、第1シード膜91上に、CuからなるCu層第2シード膜92をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。第1シード膜91及び第2シード膜92を形成した後、第2シード膜92上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層912を形成する。その後、貫通孔49の内側面491およびその近傍と、ベース4の他主面43の配線パターンとに対応した所定のパターンを形成するために、ポジレジスト層912に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、その後、露光および現像により露出した部分に対して、第1シード膜91と第2シード膜92とをメタルエッチングする。第1シード膜91と第2シード膜92とのメタルエッチング後に、ポジレジスト層912を剥離除去する図15参照。ここで形成した第1シード膜91および第2シード膜92により、図1に示すベース4の配線パターン55の一部を構成する。図15に示すウエハ8に対して、レジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層912を形成する図示省略。その後、貫通孔49の内側面491およびその近傍と、ベース4の他主面43の所定のパターンを形成するために、ポジレジスト層912に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行う。その後、Cuからなる樹脂層をウエハ8の両主面81,82にメッキ形成する。樹脂層を形成した後に、ポジレジスト層912を剥離除去して、図16に示すように、貫通孔49およびベース4の他主面43に樹脂パターン61を形成する。樹脂パターン61を形成した後に、ウエハ8の両主面81,82に、MoからなるMo層第1スパッタ膜93をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。第1スパッタ膜93の形成後に、第1スパッタ膜93上に、CuからなるCu層第2スパッタ膜94をスパッタリング法によりスパッタリング形成する図17参照。第1スパッタ膜93及び第2スパッタ膜94を形成した後、第2シード膜92上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層912を形成する。その後、第1メッキ層95~第4メッキ層98を形成するために、第1メッキ層95~第4メッキ層98に対応した所定のパターンのポジレジスト層912に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行う図18参照。ポジレジスト層912の露光及び現像を行った後に、ウエハ8の両主面81,82に第1メッキ層95を形成し、第1メッキ層95上に第2メッキ層96を形成し、第2メッキ層96上に第3メッキ層97を形成し、第3メッキ層97上に第4メッキ層98を形成する図19参照。図19に示すように、第1メッキ層95~第4メッキ層98を形成した後に、ポジレジスト層912およびポジレジスト層912下の第1スパッタ膜93と第2スパッタ膜94とを除去して、ベース4をウエハ8に多数個形成する図20参照。ここで形成した第1スパッタ膜93、第2スパッタ膜94、第1メッキ層95~第4メッキ層98により、図1に示すベース4の電極パッド51,52、配線パターン55の一部、および第1接合層48を構成する。ベース4をウエハ8に多数個形成した後、多数個のべース4を個別分割して多数個のベース4を個片化し、多数個の図2に示すベース4を製造する。そして、図2に示すベース4に、切り欠き部541の位置に基づいて図7に示す水晶振動片2を配し、導電性バンプ13を介してベース4に水晶振動片2をFCB法により電気機械的に超音波接合して、ベース4に水晶振動片2を搭載保持する。また、別工程で、図6に示す蓋7の第2接合層74上に接合材12を積層する。その後、水晶振動片2を搭載保持したベース4に蓋7を配し、ベース4の第1接合層48と蓋7の第2接合層74とを接合材12を介してFCB法により電気機械的に超音波接合して、図1に示す水晶振動子1を製造する。本実施の形態1にかかる水晶振動子1、およびベース4、ベース4の製造方法によれば、キャビティ45の壁面451に曲面第2壁面454,第3壁面455が含まれるので、上記の従来技術のようなキャビティの壁面全てがテーパー形成された形態に対して、キャビティ45における水晶振動片2の実装領域を増やすことができる。ここでいう曲面第2壁面454,第3壁面455は、キャビティ45の幅方向外方に膨らむ面であり、キャビティ45内の予め設定した基準点457から放射状に拡がった点の集合体からなる。また、基準点457は複数有り、複数の基準点は1つの面B1上に配される。また、本実施の形態1にかかる水晶振動子1、およびベース4、ベース4の製造方法によれば、貫通孔49の内側面491に曲面495が含まれるので、上記の従来技術のような内側面全てがテーパー形成された貫通孔に対して、貫通孔49の両方の開口端一端開口端492,他端開口端493の幅を狭くしても貫通孔49を形成することができる。その結果、貫通孔49の開口端一端開口端492,他端開口端493を小さくして、ベース4の両主面42,43において49の開口端一端開口端492,他端開口端493が占める占有面積を小さくすることができる。また、本実施の形態1によれば、貫通孔49に充填する部材に対してアンカー効果を生じさせることができる。特に、曲面によるアンカー効果は、平坦面によるアンカー効果よりも有効である。また、貫通孔49の内側面491に2つの突起部498が形成され、突起部498の突起端縁4981は、曲面495の端縁であるので、突起端縁4981および曲面495により貫通孔49に充填する部材に対して効率よくアンカー効果を生じさせることができる。また、2つの突起部498の間に曲面495が形成されるので、ベース4基材の両主面42,43に直交する直交方向両方向に対して2つの突起部498および曲面495によりアンカー効果を生じさせることができる。また、ベース4基材の一主面42に連続して貫通孔49の曲面495が形成され、ベース4基材の他主面43に連続して貫通孔49のテーパー状の平坦面494が形成され、平坦面494に連続して曲面495が形成されるので、ベース4の両主面42,43において49の開口端一端開口端492,他端開口端493が占める占有面積を小さくすることができるだけでなく、曲面495により貫通孔49に充填する部材がベース4基材の一主面42から出るのを抑えることができる。また、ベース4基材の他主面43に連続して平坦面494が形成されるので、平坦面494から貫通孔49に充填物本実施の形態1では、樹脂材61を充填することで、貫通孔49への充填物の充填を容易にすることができる。なお、本実施の形態1に係る水晶振動子1において、樹脂材61は、貫通孔49の内側面の第1シード膜91および第2シード膜92にメッキ形成されたCuメッキ層により構成されているが、樹脂材61は、貫通孔49に導電性材料を充填して構成されるものであれば、これに限定されるものではない。つまり、樹脂材61は、貫通孔49に金属ペースト導電性フィラーの添加されたペースト状樹脂材を充填することにより構成されてもよい。また、本実施の形態1に係る水晶振動子1のベース4では、第1シード膜91をMo膜で構成しているが、これに限定されるものではなく、Mo膜の代わりにTiからなるTi膜を用いてもよい。また、本実施の形態1では、ベース4及び蓋7の材料としてガラスを用いているが、ベース4及び蓋7は、いずれも、ガラスを用いて構成されたものに限定されるものではなく、等方性材料であればよい。また、本実施の形態1では、接合材12として、主にAuSnを用いているが、接合材12は、ベース4と蓋7とを接合させることができるものであれば特に限定されず、例えば、CuSn等のSn合金ろう材を用いて構成されたものであってもよい。また、上記した実施の形態1に係る水晶振動子1では、水晶振動片として、図7に示す音叉型水晶振動片2を使用したが、ATカット水晶振動片を使用してもよい。また、本実施の形態1に係るベース4に、水晶振動片2に加えて、ICチップを搭載し、発振器を構成してもよい。ベース4にICチップを搭載する場合には、ICチップの電極構成に合わせた電極がベース4に形成される。また、本実施の形態1では、2端子の水晶振動子1を用いているが、これに限定されるものではなく、4端子の水晶振動子1にも適用できる。また、本実施の形態1では、壁部44の天面441と第1壁面453や第3壁面455とがなす角度θは、約45度であるが、これに限定されない。例えば、壁部44の天面441と第1壁面453や第3壁面455とがなす角度θは、45度より大きく、具体例としては、70度~90度であってもよい。また、本実施の形態1では、台座部46上に立ち上げ形成された第1壁面453が、テーパー状に形成された平坦面とされているが、これに限定されるものではなく、曲面を有してもよい。そこで、第1壁面453に曲面を含めた形態を実施の形態2として、以下に図面を用いて説明する。<実施の形態2>次に、本実施の形態2にかかる水晶振動子1を図面を用いて説明する。なお、本実施の形態2にかかる水晶振動子1は、上記の実施の形態1に対して、ベース4のキャビティ45の形状が異なる。そのため、同一構成による作用効果及び変形例は、上記の実施の形態1と同様の作用効果及び変形例を有する。そこで、本実施の形態2では、上記の実施の形態1と異なる構成ベース4のキャビティ45について説明し、同一の構成についての説明を省略する。本実施の形態2に係る水晶振動子1には、図21に示すように、図7に示す水晶振動片2と、図22に示すベース4と、図6に示す蓋7とが設けられている。以下、上記の実施の形態1と異なる構成であるベース4のキャビティ45について、図21~23を用いて説明する。ベース4の一主面42には、底部41と壁部44とによって囲まれた平面視長方形のキャビティ45が成形されている。キャビティ45には、その長手方向の一端部452の全体に沿って台座部46がエッチング成形されている。キャビティ45の壁面451は、壁部44の内側面であり、キャビティ45は、ベース4をフォトリソグラフィ法によりエッチングして成形する際、下記の貫通孔49の成形と同時に形成される。このキャビティ45の壁面451は、図21~23に示すように、平坦面壁面451の一部と曲面壁面451の一部とから構成されている。具体的には、壁面451は、台座部46上に立ち上げ形成された第1壁面453と、キャビティ45の底面456一主面42上に立ち上げ形成された、台座部46の壁面となる第2壁面454と、キャビティ45の底面456一主面42上に立ち上げ形成され、第1壁面453,第2壁面454以外の壁面となる第3壁面455とから構成される。第1壁面453は、平坦面4531と曲面4532とから構成され、台座部46の主面461に連続して曲面4532が形成され、曲面4532に連続して平坦面4531が形成され、平坦面4531に連続して壁部44の天面441が形成される。第1壁面453の平坦面4531は、図21~23に示すように、壁部44の天面441に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。なお、壁部44の天面441と第1壁面453の平坦面4531とがなす角度は、約45度である。また、第1壁面453の曲面4532は、図21,22に示すように、キャビティ45の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この曲面4532は、キャビティ45内の予め設定した基準点4571図29参照から放射状に拡がった点の集合体からなる。このように、曲面4532は、基準点4571を中心中心点とした球体の曲面球面であり、また、基準点4571図29参照を中心とした球面の法線が面B3図22,29に示す二点鎖線の仮想面上に配される。ここでいう予め設定した基準点4571は複数有り、複数の基準点4571は、1つの面B3上に配され、面B3上において不図示の円形の線無端状の平面視円形の線となる。また、面B3は、ベース4の両主面42,43と同じ面方向とされ、図22に示すベース4の断面視を参照して、ベース4の両主面42,43と平行な面となる。また、曲面4532は、上記の通り、複数の基準点4571図29参照を中心した曲面となり、基準点4571を中心とした法線が面B3上に配されるので、キャビティ45では、面B3に沿った径が最大幅寸法となる。また、第1壁面453には、キャビティ45内に突出する突起部458が形成されている。突起部458の突起端縁4581は、曲面4532の端縁である。第2壁面454は、曲面であり、図21,22に示すように、キャビティ45の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この曲面は、キャビティ45内の予め設定した基準点4572図35参照から放射状に拡がった点の集合体からなる。このように、第2壁面454は、基準点4572を中心中心点とした球体の曲面球面であり、また、基準点4572図35参照を中心とした球面の法線が面B4図22,35に示す二点鎖線の仮想面上に配される。ここでいう予め設定した基準点4572は複数有り、複数の基準点4572は、1つの面B4上に配され、面B4上において不図示の円形の線無端状の平面視円形の線となる。また、面B4は、ベース4の両主面42,43と同じ面方向とされ、図22に示すベース4の断面視を参照して、ベース4の両主面42,43と平行な面となる。また、第2壁面454は、上記の通り、複数の基準点4572図35参照を中心した曲面となり、基準点4572を中心とした法線が面B4上に配されるので、キャビティ45では、面B4に沿った径が最大幅寸法となり、台座部46の主面461は、上記の面B4上にあり、台座部46の主面461と第2壁面454との角度が直角となる。第3壁面455は、平坦面4551と曲面4552とから構成されている。曲面4552は、第1曲面4553と第2曲面4554とからなる。第3壁面455に関して、キャビティ45の底面456一主面42に連続して第2曲面4554が形成され、第2曲面4554に連続して第1曲面4553が形成され、第1曲面4553に連続して平坦面4551が形成され、平坦面4551に連続して壁部44の天面441が形成される。第3壁面455の平坦面4551は、図1,2に示すように、壁部44の天面441に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。なお、壁部44の天面441と第3壁面455の平坦面4551とがなす角度は、約45度である。第3壁面455の第1曲面4553は、図21,22に示すように、キャビティ45の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この第1曲面4553は、キャビティ45内の予め設定した基準点4571図29参照から放射状に拡がった点の集合体からなる。このように、第1曲面4553は、基準点4571を中心中心点とした球体の曲面球面であり、また、基準点4571図29参照を中心とした球面の法線が面B3図22,29に示す二点鎖線の仮想面上に配される。ここでいう予め設定した基準点4571は複数有り、複数の基準点4571は、1つの面B3上に配され、面B3上において不図示の円形の線無端状の平面視円形の線となる。また、面B3は、ベース4の両主面42,43と同じ面方向とされ、図22に示すベース4の断面視を参照して、ベース4の両主面42,43と平行な面となる。また、第1曲面4553は、上記の通り、複数の基準点4571図29参照を中心した曲面となり、基準点4571を中心とした法線が面B3上に配されるので、キャビティ45では、面B3に沿った径が最大幅寸法となる。第3壁面455の第2曲面4554は、図21,22に示すように、キャビティ45の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この第2曲面4554は、キャビティ45内の予め設定した基準点4572図35参照から放射状に拡がった点の集合体からなる。このように、第2曲面4554は、基準点4572を中心中心点とした球体の曲面球面であり、また、基準点4572図35参照を中心とした球面の法線が面B4図22,35に示す二点鎖線の仮想面上に配される。ここでいう予め設定した基準点4572は複数有り、複数の基準点4572は、1つの面B4上に配され、面B4上において不図示の円形の線無端状の平面視円形の線となる。また、面B4は、ベース4の両主面42,43と同じ面方向とされ、図22に示すベース4の断面視を参照して、ベース4の両主面42,43と平行な面となる。また、第2曲面4554は、上記の通り、複数の基準点4572図35参照を中心した曲面となり、基準点4572を中心とした法線が面B4上に配されるので、キャビティ45では、面B4に沿った径が最大幅寸法となる。また、第3壁面455には、キャビティ45内に突出する突起部458が2つ形成されている。2つの突起部458の突起端縁4581は、第1曲面4553と第2曲面4554との端縁である。次に、ベース4の製造方法について図24~図43を用いて説明する。本実施の形態2では、ベース4を多数個形成するガラス材料からなる一枚板のウエハ8を用いる。まず、ウエハ8の両主面81,82に、図24に示すように、CrからなるMo膜910もしくはCr膜をスパッタ形成し、Mo膜910上にAuからなるAu膜911をスパッタ形成し、Au膜911上にレジストをディップコート法により塗布して、ポジレジスト層912を形成する。ポジレジスト層912を形成した後、キャビティ45を構成するための凹部459以下、キャビティ45の凹部459というを形成するために、ウエハ8の一主面81のポジレジスト層912に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したMo膜910とAu膜911とをメタルエッチングして、図25に示すように、所定のパターンキャビティ45の凹部459を形成する。図25に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりウエハ8をエッチングして、図26に示すように、ウエハ8に、キャビティ45の凹部459を形成したベース4とを多数個成形する。なお、図26に示すキャビティ45の凹部459の内側の底面は、面B3図22に示す二点鎖線の仮想面を設定するための基準面となる。また、キャビティ45の凹部459の内側面は平坦面とされているが、これに限定されるものではなく、ウエハ8の一主面81ベース4の一主面42参照に対してテーパー状に形成されたテーパー面であればよい。そのため、テーパー面には、ウエットエッチングのエッチング方向に膨らむ曲面が少なくとも一部に含まれてもよい。ウエハ8に、キャビティ45の凹部459を形成した後に、図27に示すように、ポジレジスト層912とMo膜910とAu膜911を剥離除去して、ウエハ8素板にする。図27に示すウエハ8に対して、ウエハ8の両主面81,82に、図28に示すように、CrからなるMo膜910をスパッタ形成し、Mo膜910上にAuからなるAu膜911をスパッタ形成し、Au膜911上にレジストを電着コート法もしくはスプレーコート法により塗布して、新たなポジレジスト層912を形成する。本実施の形態2では、新たなポジレジスト層912を形成するために、電着コート法もしくはスプレーコート法を用いているため、キャビティ45の凹部459の内面4592内側面および内側の底面にまで新たなポジレジスト層912を形成することができる。ポジレジスト層912を形成した後、キャビティ45台座部46を形成するために、ウエハ8の一主面81のポジレジスト層912に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したMo膜910とAu膜911とをメタルエッチングして、図29に示すように、所定のパターン台座部46を含むキャビティ45を形成する。ここでいうキャビティ45の凹部459の内側の底面上に形成されたポジレジスト層912Mo膜910とAu膜911も含むから露出した露出端縁図29の符号4571で示すポイント参照が、上記の複数の基準点4571で構成される線無端状の平面視円形の線となる。なお、複数の基準点4571は、面B3図22に示す二点鎖線の仮想面上にある。図29に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりウエハ8をエッチングして、図30に示すように、ウエハ8に、台座部46主面461と第1壁面453平坦面4531,曲面4532と第3壁面455の平坦面4551,第1曲面4553とを形成したベース4とを多数個成形する。ウエハ8に、台座部46主面461と第1壁面453と第3壁面455の平坦面4551,第1曲面4553とを形成した後に、図31に示すように、ポジレジスト層912とMo膜910とAu膜911を剥離除去して、ウエハ8素板にする。図31に示すウエハ8に対して、ウエハ8の両主面81,82に、図32に示すように、CrからなるMo膜910をスパッタ形成し、Mo膜910上にAuからなるAu膜911をスパッタ形成し、Au膜911上にレジストを電着コート法もしくはスプレーコート法により塗布して、新たなポジレジスト層912を形成する。本実施の形態2では、新たなポジレジスト層912を形成するために、電着コート法もしくはスプレーコート法を用いているため、キャビティ45の凹部459にまで新たなポジレジスト層912を形成することができる。ポジレジスト層912を形成した後、キャビティ45と、貫通孔49の平坦面494を構成するための凹部496以下、貫通孔94の凹部496というとを形成するために、ウエハ8の両主面81,82のポジレジスト層912に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したMo膜910とAu膜911とをメタルエッチングして、図33に示すように、所定のパターンキャビティ45の凹部459と、貫通孔49の凹部496を形成する。図33に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりウエハ8をエッチングして、ウエハ8に、キャビティ45の凹部459と、貫通孔94の凹部496とを形成したベース4図34参照を多数個成形する。なお、キャビティ45の凹部459の内側の底面図34参照は、面B4図22に示す二点鎖線の仮想面を設定するための基準面となる。また、キャビティ45の凹部459の内側面は平坦面とされているが、これに限定されるものではなく、ウエハ8の一主面81ベース4の一主面42参照に対してテーパー状に形成されたテーパー面であればよい。そのため、テーパー面には、ウエットエッチングのエッチング方向に膨らむ曲面が少なくとも一部に含まれてもよい。また、貫通孔49の凹部496の内側の底面図34参照は、面B2図22に示す二点鎖線の仮想面を設定するための基準面となる。また、貫通孔49の凹部496の内側面は平坦の面平坦面494とされているが、これに限定されるものではなく、ウエハ8の他主面82ベース4の他主面43参照に対してテーパー状に形成されたテーパー面であればよい。そのため、テーパー面には、ウエットエッチングのエッチング方向に膨らむ曲面が少なくとも一部に含まれてもよい。ウエハ8に、キャビティ45の凹部459と、貫通孔49の凹部496とを形成した後に、図34に示すように、ポジレジスト層912とMo膜910とAu膜911を剥離除去して、ウエハ8素板にする。図34に示すウエハ8に対して、キャビティ45と貫通孔49とベース4の他主面43の外周縁とを形成するために、ウエハ8の両主面81,82に、新たなMo膜910をスパッタ形成し、Mo膜910上に新たなAu膜911をスパッタ形成し、Au膜911上にレジストを電着コート法もしくはスプレーコート法により塗布して、新たなポジレジスト層912を形成する。本実施の形態2では、新たなポジレジスト層912を形成するために、電着コート法もしくはスプレーコート法を用いているため、キャビティ45の凹部459の内面4592内側面および内側の底面および、貫通孔49の凹部496の内面497内側面および内側の底面にまで新たなポジレジスト層912を形成することができる。そして、新たなポジレジスト層912を形成した後、キャビティ45と貫通孔49とベース4の他主面43の外周縁とを成形するために、ウエハ8の両主面81,82のポジレジスト層912に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したMo膜910とAu膜911とをエッチングして、図35に示すように、所定のパターンキャビティ45と貫通孔49とベース4の他主面43の外周縁を形成する。この時、キャビティ45の凹部459では、内側の底面の外周縁部を除き、中央部を含む部分のポジレジスト層912とMo膜910とAu膜911を剥離除去している。また、貫通孔49の凹部496では、内側の底面の中央部のみのポジレジスト層912とMo膜910とAu膜911を剥離除去している。ここでいうキャビティ45の凹部459の内側の底面上に形成されたポジレジスト層912Mo膜910とAu膜911も含むから露出した露出端縁図35の符号4572で示すポイント参照が、上記の複数の基準点4572で構成される線無端状の平面視円形の線となる。なお、複数の基準点4572は、面B4図22に示す二点鎖線の仮想面上にある。また、貫通孔49の凹部496の内側の底面上に形成されたポジレジスト層912Mo膜910とAu膜911も含むから露出した中央部の露出端縁図35の符号499で示すポイント参照が、上記の複数の基準点499で構成される線無端状の平面視円形の線となる。なお、複数の基準点499は、面B2図22に示す二点鎖線の仮想面上にある。図35に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりエッチングして、図36に示すように、ウエハ8に、キャビティ45と貫通孔49と他主面43の外周縁とを形成したベース4を多数個成形する。ウエハ8に、キャビティ45と貫通孔49と他主面43の外周縁とを形成した後に、図37に示すように、ポジレジスト層912とMo膜910とAu膜911を剥離除去して、複数のベース4を成形したウエハ8素板にする。ここまでのウエハ8のエッチング形成工程が本発明でいう形成工程に対応する。なお、出願時において、水晶振動子1ベース4が小型化されたベース4における曲面キャビティ45や貫通孔49の曲面の形成に物理的なエッチングドライエッチングなどを用いることは、面形成の精度や費用の面から考えられていない。そして、図37に示すウエハ8に対して、ウエハ8両主面81,82や貫通孔49の内側面491などに、MoからなるMo層第1シード膜91をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。第1シード膜91の形成後に、第1シード膜91上に、CuからなるCu層第2シード膜92をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。第1シード膜91及び第2シード膜92を形成した後、第2シード膜92上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層912を形成する。その後、貫通孔49の内側面491およびその近傍と、ベース4の他主面43の配線パターンとに対応した所定のパターンを形成するために、ポジレジスト層912に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、その後、露光および現像により露出した部分に対して、第1シード膜91と第2シード膜92とをメタルエッチングする。第1シード膜91と第2シード膜92とのメタルエッチング後に、ポジレジスト層912を剥離除去する図38参照。ここで形成した第1シード膜91および第2シード膜92により、図21に示すベース4の配線パターン55の一部を構成する。図38に示すウエハ8に対して、レジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層912を形成する。その後、貫通孔49の内側面491およびその近傍と、ベース4の他主面43の所定のパターンを形成するために、ポジレジスト層912に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行う。その後、Cuからなる樹脂層61をウエハ8の両主面81,82にメッキ形成する。樹脂層61を形成した後に、ポジレジスト層912を剥離除去して、図39に示すように、貫通孔49およびベース4の他主面43に樹脂パターン61を形成する。樹脂パターン61を形成した後に、ウエハ8の両主面81,82に、MoからなるMo層第1スパッタ膜93をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。第1スパッタ膜93の形成後に、第1スパッタ膜93上に、CuからなるCu層第2スパッタ膜94をスパッタリング法によりスパッタリング形成する図40参照。第1スパッタ膜93及び第2スパッタ膜94を形成した後、第2シード膜92上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層912を形成する。その後、第1メッキ層95~第4メッキ層98下記の図42参照を形成するために、第1メッキ層95~第4メッキ層98に対応した所定のパターンのポジレジスト層912に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行う図41参照。ポジレジスト層912の露光及び現像を行った後に、ウエハ8の両主面81,82に第1メッキ層95を形成し、第1メッキ層95上に第2メッキ層96を形成し、第2メッキ層96上に第3メッキ層97を形成し、第3メッキ層97上に第4メッキ層98を形成する図42参照。図42に示すように、第1メッキ層95~第4メッキ層98を形成した後に、ポジレジスト層912およびポジレジスト層912下の第1スパッタ膜93と第2スパッタ膜94とを除去して、ベース4をウエハ8に多数個形成する図43参照。ここで形成した第1スパッタ膜93、第2スパッタ膜94、第1メッキ層95~第4メッキ層98により、図21に示すベース4の電極パッド51,52、配線パターン55の一部、および第1接合層48を構成する。ベース4をウエハ8に多数個形成した後、多数個のべース4を個別分割して多数個のベース4を個片化し、多数個の図22に示すベース4を製造する。そして、図22に示すベース4に、切り欠き部541の位置に基づいて図7に示す水晶振動片2を配し、導電性バンプ13を介してベース4に水晶振動片2をFCB法により電気機械的に超音波接合して、ベース4に水晶振動片2を搭載保持する。また、別工程で、図6に示す蓋7の第2接合層74上に接合材12を積層する。その後、水晶振動片2を搭載保持したベース4に蓋7を配し、ベース4の第1接合層48と蓋7の第2接合層74とを接合材12を介してFCB法により電気機械的に超音波接合して、図21に示す水晶振動子1を製造する。本実施の形態2にかかる水晶振動子1、およびベース4、ベース4の製造方法によれば、上記の実施の形態1にかかる水晶振動子1、およびベース4、ベース4の製造方法による作用効果と同様の作用効果を有する。なお、本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。"