"式aで表される化合物。[式a中、A1は、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基又は式a-1で表される基を表す。式a-1中、sは、0又は1を表す。A10及びA12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。A11は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。ただし、A10、A11、A12、X10及びX11の炭素数の合計は6以下である。R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は、炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。]前記式aのA1が炭素数1~6のアルカンジイル基である請求項1記載の化合物。前記式aのA1がエチレン基である請求項1記載の化合物。前記式aのR2が、式a1-1で表される基又は式a1-2で表される基である請求項1~3のいずれか記載の化合物。請求項1~4のいずれか記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。請求項5記載の樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。さらに塩基性化合物を含む請求項6記載のレジスト組成物。さらに溶剤を含む請求項6又は7記載のレジスト組成物。1請求項6~8のいずれか1つ記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程及び5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来の樹脂を含有するレジスト組成物から製造されるレジストパターンは、マスクエラーファクターMEFが必ずしも満足できない場合や、レジストパターン製造時において欠陥の発生数が極めて多い場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式aで表される化合物。[式a中、A1は、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基又は式a-1で表される基を表す。式a-1中、sは、0又は1を表す。A10及びA12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。A11は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。ただし、A10、A11、A12、X10及びX11の炭素数の合計は6以下であるR1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は、炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。]2前記Aが、前記式aのA1がエチレン基である化合物に由来する構造単位を有する樹脂である前記1記載のレジスト組成物。3前記Bが、前記式B1のYが置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基である塩を含む前記1又は2記載のレジスト組成物。4前記式aのR2が、式a1-1で表される基又は式a1-2で表される基である前記1~3のいずれか記載の化合物。5前記1~4のいずれか記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。6前記5記載の樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。7さらに塩基性化合物を含む前記6記載のレジスト組成物。8さらに溶剤を含む6又は7のいずれか記載のレジスト組成物。91前記6~8のいずれか1つに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明の化合物に由来する構造単位を有する樹脂によれば、マスクエラーファクターMEFに優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造し得るレジスト組成物が提供できる。本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。直鎖状、分岐状又は環状をとることができるものは、そのいずれをも含み、かつそれらが混在していてもよい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。また、は結合手を表す。炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の双方を含み、特に定義しない限り、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基が組み合わせられたものをも包含する。また、これら脂肪族炭化水素基は、その一部に炭素‐炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基が好ましい。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち1価のものとしては、典型的にはアルキル基が挙げられる。アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられる。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち2価のものとしては、アルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基及びプロパン-2,2-ジイル基、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等が挙げられる。環式の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基というは、典型的には、シクロアルキル基を意味し、以下に示す単環式及び多環式のいずれをも包含する。脂環式炭化水素基のうち1価のものとして、単環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-1~KA-7で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。多環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-8~KA-22で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。脂環式炭化水素基のうち2価のものとしては、式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基などが挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などが挙げられる。アルキルチオ基としては、アルコキシ基の酸素原子が硫黄原子に置き換わったものが挙げられ、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基及びドデシルチオ基などが挙げられる。アシル基としては、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキサノイル基C6、ヘプタノイル基C7、オクタノイル基C8、デカノイル基C10及びドデカノイル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの、ベンゾイル基C7などのアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などが挙げられる。アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基C6、ナフチルオキシ基C10、アントニルオキシ基C14、ビフェニルオキシ基C12、フェナントリルオキシ基C14及びフルオレニルオキシ基C13などのアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、典型的には、アリール基が挙げられる。アリール基としては、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントリル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などが挙げられる。芳香族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基は、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。また、メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種及びアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。式aで表される化合物本発明の化合物は、式aで表される化合物以下、場合により化合物aというである。[式a中、A1は、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基又は式a-1で表される基を表す。式a-1中、sは0又は1を表す。A10及びA12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。A11は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。ただし、A10、A11、A12、X10及びX11の炭素数の合計は6以下であるR1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は、炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。]式aにおいて、脂肪族炭化水素基の置換基としては、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基などが好ましい。以下、基a-1について具体例を示す。酸素原子を有する基a-1としては、以下の基が挙げられる。カルボニル基を有する基a-1としては、以下の基が挙げられる。カルボニルオキシ基を有する基a-1としては、以下の基が挙げられる。オキシカルボニル基を有する基a-1としては、以下の基が挙げられる。A1は炭素数1~6のアルカンジイル基が好ましく、炭素数1~4のアルカンジイル基がより好ましく、エチレン基がさらに好ましい。R2は、炭素数6~14の芳香族炭化水素基が好ましく、中でも、式a1-1で表される基又は式a1-2で表される基がより好ましく、式a1-1で表される基がさらに好ましい。式aで表される化合物は、例えば以下の化合物が挙げられる。また、式a1~式a8のいずれかで表される式aの化合物において、以下に示す部分構造Mcを部分構造Acに置き換えたものも化合物aの具体例として挙げることができる。化合物aは、例えば以下に示すように、式as-1で表される化合物と式as-2で表される化合物とを反応させることにより製造することができる。このような反応は、通常、塩基性触媒及び溶媒の存在下で行われる。溶媒としては、メチルイソブチルケトンなどが挙げられる。塩基性触媒としては、ピリジンなどが挙げられる。式as-1で表される化合物としては、ヒドロキシエチルメタクリレートなどが挙げられる。このヒドロキシエチルメタクリレートは市場から容易に入手できる。式as-2で表される化合物としては、クロロギ酸フルオレニルメチルなどが挙げられる。このクロロギ酸フルオレニルメチルは市場から容易に入手できる。レジスト組成物本発明のレジスト組成物は、樹脂以下、場合により樹脂Aという及び酸発生剤以下、場合により酸発生剤Bというを含む。さらに必要に応じて、溶剤及び/又はクエンチャーと呼ばれる塩基化合物などの添加剤を含むことがある。樹脂A本発明のレジスト組成物は、酸発生剤Bと相互作用によりレジストパターンを形成できる樹脂を含有する。このような樹脂は、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性以下、場合により酸作用特性というを有する。ここで酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるとは、酸の接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。樹脂Aは、化合物aに由来する構造単位以下、場合により構造単位aというを有する限り、酸作用特性を有するもの以下、場合により樹脂AAというであっても、酸作用特性を有しないもの以下、場合により樹脂ABというであってもよい。ただし、樹脂Aが後者である場合、酸作用特性を有し、樹脂Aとは異なる樹脂以下、場合により樹脂Xというが本発明のレジスト組成物に含有される。樹脂AA及び樹脂ABのいずれにおいても、それらに含有される構造単位aは、1種であっても、複数種であってもよい。酸作用特性を有する樹脂AAは、分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸の接触により脱離し得る保護基により保護されているものであり、酸と接触するとその保護基が脱離して、アルカリ水溶液に可溶となる。該保護基により保護されている親水性基を、以下酸不安定基という。該親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。酸作用特性を有しない樹脂ABは、本発明のレジスト組成物においては、添加剤として使用できる。樹脂AA及び/又は樹脂AB等の樹脂Aを含有することにより、本発明のレジスト組成物は、欠陥の発生量が少なく、マスクエラーファクターMEFが良好なレジストパターンを製造することができる。樹脂Aは、構造単位aの構造及び特性酸に安定又は不安定に応じて、樹脂AA又は樹脂ABのいずれかに分類される。構造単位aが酸不安定基を有さない場合には、樹脂AAは、構造単位aの他に、酸不安定基を有する構造単位を有する。また、樹脂AAは、酸不安定基を有する構造単位及び構造単位a以外の構造単位として、例えば、後述する酸安定モノマーに由来する構造単位を有していてもよい。樹脂AAは、酸作用特性を有する範囲で、樹脂AAが有する酸不安定基を有する構造単位も、1種であっても、複数種であってもよい。樹脂ABは、構造単位a以外に、例えば、後述する酸安定モノマーに由来する構造単位を有していてもよい。この構造単位は、1種であっても、複数種であってもよい。樹脂Aにおいて、樹脂Aの全構造単位100モルに対する構造単位aの合計モル量樹脂Aの構造単位aの含有割合は1~100モルの範囲が好ましく、5~95モルの範囲がより好ましく、10~90モルの範囲がさらに好ましい。なお、このような範囲とするためには、構造単位aを含む樹脂Aは、樹脂A製造時に用いる全モノマーの総モル量に対する化合物aの使用モル量を調節すればよい。上述したように、樹脂AA及び/又は樹脂ABが、構造単位aを複数種有する場合には、これら構造単位aの合計含有割合が、上述した樹脂Aにおける構造単位aの含有割合を満たす範囲で、適宜調整することができる。同様に、樹脂AA又は樹脂ABが、構造単位a以外の構造単位を有する場合には、上述した樹脂Aにおける化合物aの含有割合を満たす範囲で、構造単位a以外の構造単位の合計含有割合を、適宜調整することが好ましい。<酸不安定基を有するモノマーa1>モノマーa1において、親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、カルボキシ基の水素原子が有機残基に置き換わり、カルボキシ基の-O-と結合する該有機残基の炭素原子が第三級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基としては、好ましくは、例えば、以下の式1で表される基以下、場合により酸不安定基1というである。式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2が互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Ra1及びRa2が互いに結合して形成される環又は脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。-CRa1Ra2Ra3で表される基において、Ra1及びRa2が互いに結合して形成する環としては、例えば、以下のものが挙げられる。このような環の炭素数は、好ましくは3~12である。酸不安定基1としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブトキシカルボニル基であることが好ましい。、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、このヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造又はケタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基としては、好ましくは、例えば、以下の式2で表される基以下、場合により酸不安定基2というである。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、あるいはRb2及びRb3は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成し、前記環又は炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。式2では、Rb1及びRb2のうち、少なくとも1つは水素原子であるものが好ましい。酸不安定基2としては、例えば、以下の基が挙げられる。酸不安定基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーである。モノマーa1は、好ましくは、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2と、炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーである。酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の脂肪族環構造を有する基であることが好ましい。立体的に嵩高い脂肪族環構造を有する基を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂AAは、該樹脂AAを含むレジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。脂肪族環構造とする酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-1というを与えるモノマー又は式a1-2で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-2というを与えるモノマーが好ましい。樹脂AA製造の際には、これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表す。で表される基を表す。ここで、はカルボニル基-CO-との結合手である。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表し、n1は0~10の整数を表す。n1’は0~5の整数を表す。La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又はk1が1~4の整数である-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、より好ましくは酸素原子又はk1が1の-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra4及びRa5は、それぞれ、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7は、それぞれ、好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~8の脂環式炭化水素基であり、さらに好ましくは炭素数1~6のアルキル基又は炭素数3~6の脂環式炭化水素基である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1’は、好ましくは0~2の整数、より好ましくは0又は1である。式a1-1で表される構造単位としては、以下のものが挙げられる。式a1-1-1~式a1-1-38のいずれかで表される構造単位a1-1の具体例において、以下の部分構造Mc’を部分構造Ac’に置き換えたものも構造単位a1-1の具体例として挙げることができる。構造単位a1-1のなかでも、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1並びにこれらの構造単位a1-1の部分構造Mcを部分構造Acに置き換えたものが好ましく、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1がより好ましく、式a1-1-1及び式a1-1-2のいずれかで表される構造単位a1-1がさらに好ましい。なお、これら好ましい構造単位a1-1を有する樹脂AAは、該樹脂AAを製造する際に、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート又は2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートなどを製造用原料モノマーとして用いればよい。式a1-2で表される構造単位としては、以下のものが挙げられる。式a1-2-1~式a1-2-12のいずれかで表される構造単位a1-2の具体例において、化合物aの具体例と同様に、部分構造Mcを部分構造Acに置き換えたものも構造単位a1-2の具体例として挙げることができる。なかでも、式a1-2-1、式a1-2-2、式a1-2-4及び式a1-2-5のいずれかで表される構造単位a1-2、あるいはこれらの構造単位a1-2の部分構造Mcを部分構造Acに置き換えたものがより好ましく、式a1-2-4及び式a1-2-4のいずれかで表される構造単位、あるいはこれらの構造単位a1-2の部分構造Mc’を部分構造Ac’に置き換えたものがさらに好ましい。このような構造単位a1-2を有する樹脂AAを製造するためには、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレートなどをモノマーとして用いればよい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を有する樹脂AAを製造する場合、得られる樹脂AAの全構造単位100モルに対して、これら構造単位の合計含有割合は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましく、25~60モルの範囲が一層好ましい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の含有割合の合計をこのような範囲にするためには、樹脂AAを製造する際に用いる全モノマーの使用量に対する構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーの使用量を調整すればよい。具体的には、樹脂AAを製造するために全モノマー量100モルに対して、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーの使用量が、10~95モルの範囲であると好ましく、15~90モルの範囲であるとより好ましく、20~85モルの範囲であるとさらに好ましく、25~60モルの範囲であると一層好ましい。樹脂AAには、構造単位a1-1及び構造単位a1-2のようなメタアクリル系モノマーから誘導される構造単位以外に、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とを分子内に有する他の構造単位が含まれていてもよい。他の構造単位を有するモノマーとしては、例えば、以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、場合によりモノマーa1-3というが挙げられる。モノマーa1-3に由来する構造単位を有する樹脂は、嵩高い構造を有するので、レジスト組成物に用いた場合に、解像度を向上させることができる。さらに、モノマーa1-3は、樹脂の主鎖に剛直なノルボルナン環を導入してレジスト組成物のドライエッチング耐性を向上させることができる。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、カルボキシル基、シアノ基又は-COORa13を表す。Ra13は、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra10~Ra12は、それぞれ独立に、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表すか、或いは、Ra10及びRa11が結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び該環を構成する水素原子は、ヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該環を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。ヒドロキシ基を有するアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。式a1-3においては、Ra13は、好ましくは、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基である。Ra10及びRa11が互いに結合して形成される環は、脂環式炭化水素が好ましく、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環がより好ましい。モノマーa1-3としては、例えば、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチルなどが挙げられる。良好な解像度でレジストパターンを製造でき、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという観点から、樹脂AAの全構造単位100モルに対するモノマーa1-3に由来する構造単位の含有割合は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。さらに、他のモノマーとしては、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という場合があるを用いてもよい。式a1-4中、Ra32は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33は互いに同一であっても異なってもよい。Ra34及びRa35は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は置換基を有していていもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又は-NRc-で示される基に置き換わっていてもよい。ここで、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、置換基を有していてもよい炭素数1~18の炭化水素基である。ハロゲン原子を有するアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基及びトリヨードメチル基などのハロアルキル基が挙げられる。式a1-4においては、アルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。Xa2の脂肪族炭化水素基としては、好ましくは、鎖式脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくはアルキル基である。Ya3の炭化水素基としては、好ましくは、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基である。Ra34及びRa35の炭化水素基のうち、鎖式脂肪族炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましく、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基などが好ましく、芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニルなどが好ましい。Xa2における置換基は、好ましくは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基及び炭素数2~4のアシルオキシ基からなる群より選ばれる基であり、より好ましくはヒドロキシ基である。Ya3における置換基は、好ましくは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基であり、より好ましくはヒドロキシ基である。モノマーa1-4としては、以下のモノマーが挙げられる。ここに示すモノマーa1-4において、以下に示す部分構造Vを部分構造Pに置き換えたものもモノマーa1-4の具体例として挙げることができる。樹脂AAが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーa1としては、メタアクリル系モノマーが好ましく、例えば、式a1-5で表されるモノマー以下、場合によりモノマーa1-5という場合があるが挙げられる。式a1-5中、R31は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。L1~L3は、オキシ基、チオキシ基又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。Z1は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基中に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。s1及びs1’は、それぞれ独立して、0~4の整数を表す。式a1-5においては、R31は、好ましくは、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基であり、より好ましくは水素原子及びメチル基である。L1は、酸素原子が好ましい。L2及びL3は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であることが好ましい。s1は、1が好ましい。s1’は、0~2が好ましい。Z1は、単結合又は-CH2-CO-O-が好ましい。モノマーa1-5としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂AAが、モノマーa1-5に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、10~90モルの範囲がより好ましく、10~85モルの範囲がさらに好ましく、10~70モルの範囲が一層好ましい。さらに、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とを分子内に有する他の構造単位を誘導するモノマーを用いてもよい。このようなモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂AAがその他の酸不安定モノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。樹脂AAにおいて、アダマンチル基を有するモノマー特に、モノマーa1-1をモノマーa1に用いる場合、該モノマーa1の使用量の総量100モルに対して、アダマンチル基を有するモノマーの使用量を15モル以上とすることが好ましい。この範囲とすることにより、樹脂AAを含むレジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。<酸安定基を有するモノマー>樹脂AAは、化合物a及び酸不安定基を有するモノマーa1由来の構造単位に加えて、酸不安定基を有さないモノマー以下、場合により酸安定モノマーという由来の構造単位以下、場合により酸安定構造単位というを有していることが好ましい。また、添加物、つまり樹脂ABとして、化合物a及び酸安定モノマー由来の構造単位を含む樹脂を用いてもよい。酸安定モノマーを併用して樹脂AAを製造する場合、モノマーa1の使用量を基準にして、酸安定性モノマーの使用量を定めることが好ましい。モノマーa1の使用量と酸安定モノマーの使用量の割合は、モノマーa1/酸安定モノマーで表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するものが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa2という及び/又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa3というに由来する構造単位を有する樹脂AAは、樹脂AAを含むレジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなる。また、このレジスト組成物は良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。<酸安定モノマーa2>酸安定モノマーa2を樹脂AAの製造に用いる場合、当該樹脂AAを含むレジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類等によって、各々、好適な酸安定モノマーa2を1種又は2種以上選択することができる。例えば、レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光波長:248nm、電子線又はEUVなどの高エネルギー線露光に用いる場合には、酸安定モノマーa2として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0例えば、ヒドロキシスチレン類等を用いることが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光波長:193nmを用いる場合は、酸安定モノマーa2として、後述の式a2-1で表される酸安定モノマーを用いることが好ましい。<酸安定構造単位a2-0>フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位は、以下の式a2-0で表されるもの以下、場合により酸安定構造単位a2-0というを挙げることができる。式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は互いに同一であっても異なってもよい。式a2-0においては、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ra31のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。酸安定構造単位a2-0を与えるモノマー以下、場合により酸安定モノマーa2-0というとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。ここに例示する具体例において、ベンゼン環に結合しているメチル基及びエチル基を、Ra31として例示したその他の置換基に置き換えたものも、酸安定モノマーa2-0の具体例である。このような酸安定モノマーa2-0を用いて、樹脂Aを製造する場合は、該酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されているモノマーを用いることもできる。例えば、塩基又は酸で脱離する保護基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、塩基又は酸との接触により該保護基が脱保護されるため、酸安定構造単位a2-0が得られる。ただし、樹脂Aは上述のとおり、酸不安定基を有する構造単位a1を有しているので、この前駆構造単位を脱保護する際には、構造単位a1の酸不安定基を著しく損なわないよう、塩基との接触により脱保護することが好ましい。塩基との接触により脱保護する保護基としては例えば、アセチル基、ベンゾイル基等が好ましい。塩基としては、例えば、4-ジメチルアミノピリジン及びトリエチルアミンなどが挙げられる。酸安定モノマーa2-0としては、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。これらを用いて、樹脂AAを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護したものを用いることが好ましい。樹脂AAが、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、5~95モルが適しており、好ましくは10~80モルの範囲、より好ましくは15~80モルの範囲である。また、樹脂ABが、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂ABの全構造単位100モルに対して、90モル以下の範囲から選ばれ、10~80モルの範囲が好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。酸安定構造単位a2-1としては、例えば、以下の式a2-1で表される構造単位以下、場合により酸安定構造単位a2-1という。が挙げられる。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-k2は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1においては、La3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1~4の整数である-O-CH2k2-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。式a2-1-1~式a2-1-17のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1の具体例において、部分構造Mc’を部分構造Ac’に置き換えたものも酸安定構造単位a2-1の具体例として挙げることができる。酸安定構造単位a2-1の中でも、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1並びにこれらの酸安定構造単位a2-1の部分構造Mc’を部分構造Ac’に置き換えたものが好ましく、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1がより好ましい。これらの酸安定構造単位a2-1を有する樹脂Aは、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート又はメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルなどを、樹脂AA製造用のモノマーとして用いればよい。樹脂AAが、酸安定構造単位a2-1を有する場合、その含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、3~40モルの範囲が好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、3~30モルの範囲がさらに好ましく、3~15モルが特に好ましい。また、樹脂ABが、酸安定構造単位a2-1を有する場合、その含有割合は、樹脂ABの全構造単位100モルに対して、90モル以下の範囲が好まし、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<ラクトン環を有する酸安定モノマーa3>ラクトン環を有する酸安定構造単位a3は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定構造単位a3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものが挙げられる。樹脂Aは、これらのうち1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で表されるものを酸安定構造単位a3-1という場合があり、式a3-2で表されるものを酸安定構造単位a3-2という場合があり、式a3-3で表されるものを酸安定構造単位a3-3という場合がある。[式a3-1~式a3-3中、La4~La6は、それぞれ独立して、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21は互いに同一であっても異なってもよい。Ra22及びRa23は、それぞれ独立して、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は、互いに同一であっても異なってもよく、r1が2以上の場合、複数のRa23は、互いに同一であっても異なってもよい。p1は、0~5の整数を表す。q1は、0~3の整数を表す。r1は、0~3の整数を表す。]式a3-1~式a3-3において、La4~La6は、それぞれ独立に、酸素原子又はk3が1~4の整数である-O-CH2k3-CO-O-で表される基が好ましく、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。酸安定構造単位a3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。酸安定構造単位a3-3は例えば、以下のものが挙げられる。式a3-1-1~式a3-1-11、式a3-2-1~式a3-2-11、式a3-3-1~式a3-3-6のいずれかで表される酸安定構造単位において、構造単位aaの例示と同様に、部分構造Mc’を部分構造Ac’に置き換えたものも、各々酸安定構造単位の具体例として挙げることができる。また、この例示において、ラクトン環が有する置換基Ra21~Ra23としてメチル基を有するものも例示したが、このメチル基を上述のような基に置き換えたものも、酸安定構造単位a3の具体例として挙げられる。酸安定構造単位a3の中でも、α-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-β,β-ジメチル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル及びメタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルなどから誘導される酸安定構造単位a3が好ましい。樹脂AAが、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3からなる群より選ばれる酸安定構造単位a3を有する場合、その合計含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、5~70モルの範囲が好ましく、10~65モルの範囲がより好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましく、15~55モルの範囲が特に好ましく、15~50モルの範囲が一層好ましい。また、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3それぞれの含有量は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、5~70モルの範囲が好ましく、10~65モルの範囲がより好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましく、15~55モルの範囲が特に好ましく、15~50モルの範囲が一層好ましい。また、樹脂ABが、酸安定構造単位a3を有する場合、その合計含有割合は、樹脂ABの全構造単位100モルに対して、90モル以下の範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<その他の酸安定モノマーa4>その他の酸安定モノマーa4としては、以下の式3で表される基を有するモノマー[以下、場合により、酸安定モノマーa4という。]が挙げられる。[式3中、R10は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。は結合手を表す。]フッ化アルキル基としては、例えば、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-ペルフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2-ペルフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。式3においては、フッ化アルキル基は、その炭素数が1~4であるものが好ましく、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。酸安定モノマーa4としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。樹脂AAが、酸安定モノマーa4に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、1~30モルの範囲が好ましく、3~25モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。また、樹脂ABが、酸安定モノマーa4に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂ABの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa5>酸安定モノマーa5は以下の式4で表される基を有するモノマー[以下、場合により、酸安定モノマーa5という。]も挙げられる。[式4中、R11は置換基を有してもよい炭素数6~12の芳香族炭化水素基を表す。R12は、置換基を有してもよい炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A2は、単結合、-CH2m10-SO2-O-又は-CH2m10-CO-O-を表し、ここに示すアルカンジイル鎖-CH2m10-に含まれるメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよく、当該アルカンジイル鎖にある水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。m10は、1~12の整数を表す。]R11における芳香族炭化水素基の置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などが挙げられる。R11としては、以下のものが挙げられる。は炭素原子との結合手である。R12における炭化水素が含んでいてもよいヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子などが挙げられる。また、連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含む形態でもよい。このようなヘテロ原子を含むR12としては、以下の基が挙げられる。A2としては、下記に示す基が挙げられる。式4で表される基を含む酸安定モノマーa5としては、例えば、式a5-1で表される酸安定モノマー[以下、場合により酸安定モノマーa5-1という。]が挙げられる。[式a5-1中、R13は、水素原子又はメチル基を表す。R11、R12及びA2は、前記と同義である。]酸安定モノマーa5-1としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。樹脂AAが、酸安定モノマーa5-1に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、1~30モルの範囲が好ましく、3~25モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。また、樹脂ABが、酸安定モノマーa5-1に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂ABの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa6>酸安定モノマーa6は、以下の式a6-1で表されるもののように分子内に脂環を有するメタアクリル系モノマー以下、場合により、酸安定モノマーa6-1という。が挙げられる。式a6-1中、環W1は、炭素数3~36の脂環式炭化水素環を表す。A3は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、A3においては酸素原子に結合している原子は炭素原子である。R14は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロアルキル基を表す。R15及びR16は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロアルキル基を表す。式a6-1においては、環W1は、炭素数は5~18の脂環式炭化水素環が好ましく、6~12の範囲がより好ましい。具体的には、上述した式KA-1~式KA-19で示した脂環式炭化水素環が挙げられる。すなわち、式a6-1において、で示される部分構造は、式KA-1~式KA-22で示した脂環式炭化水素に含まれる1個の水素原子がA3との結合手に、脂環式炭化水素の環原子である炭素原子の1つに結合している2つの水素原子が、-O-CO-R15及び-O-CO-R16との結合手に置き換わったものを挙げることができる。環W1としては、シクロヘキサン環、アダマンタン環、ノルボルナン環及びノルボルネン環が特に好ましい。A3の脂肪族炭化水素基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が好ましい。A3としては、例えば、アルカンジイル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた脂肪族炭化水素基であることが適している。このような脂肪族炭化水素基としては、以下の式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cで表される基などが挙げられる。式中、XX1及びXX2は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基を表し、XX1及びXX2がともに単結合であることはなく、式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cで表される基の総炭素数は17以下である。A3における脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、式aの基a-1で例示したものが挙げられる。なかでも、A3は、単結合又は-CH2s1-CO-O-は-O-との結合手を表し、s1は1~6の整数を表す。で表される基が好ましく、単結合又は-CH2-CO-O-は-O-との結合手を表すで表される基がより好ましい。R14は、水素原子又はメチル基が好ましい。R14~R16におけるハロゲン原子としては、フッ素原子が特に好ましい。R14及びR16のハロアルキル基のうち、好ましくはトリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基及びペルフルオロブチル基などが挙げられ、より好ましくは、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基である。酸安定モノマーa6-1としては、例えば、以下に示すものが挙げられる。R14~R16及びA3は、前記と同義である。これらの中でも、以下のものが好ましい。がより好ましい。酸安定モノマーa6-1としては、以下のものが挙げられる。酸安定モノマーa6-1は、式a6-1-aで表される化合物と、式a6-1-bで表される化合物とを反応させることにより製造することができる。式a6-1-aで表される化合物は、例えば、特開2002-226436号公報に記載されている1-メタクリロイルオキシ-4-オキソアダマンタンなどが挙げられる。式a6-1-bで表される化合物としては、例えば、ペンタフルオロプロピオン酸無水物、ヘプタフルオロ酪酸無水物及びトリフルオロ酢酸無水物などが挙げられる。この反応は、用いる式a6-1-bで表される化合物の沸点温度付近で加温することにより、実施することが好ましい。[式a6-1-a及び式a6-1-b中、W1、A3、R14、R15及びR16は、前記と同義である。]樹脂AAが、酸安定モノマーa6-1に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、1~30モルの範囲が好ましく、3~25モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。また、樹脂ABが、酸安定モノマーa6-1に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂ABの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa7>樹脂A製造には、その他の酸安定モノマーを用いてもよい。以下、このような酸安定モノマーを酸安定モノマーa7という場合がある。酸安定モノマーa7としては、たとえば、式a7-1で表される無水マレイン酸、式a7-2で表される無水イタコン酸及び式a7-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa7-3という場合があるなどが挙げられる。式a7-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、シアノ基、カルボキシ基又は-COORa27を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く例えば、Ra27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まない。ヒドロキシ基を有していてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが好ましい。脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数1~6のアルキル基及び炭素数4~12の脂環式炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などがさらに好ましい。酸安定モノマーa7-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂AAが、式a7-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a7-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及び酸安定モノマーa7-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位酸安定モノマーa7に由来する構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~30モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。また、樹脂ABが、式a7-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a7-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及び酸安定モノマーa7-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位酸安定モノマーa7に由来する構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂ABの全構造単位100モルに対して、5~70モルの範囲が好ましく、10~60モルの範囲がより好ましく、20~50モルの範囲がさらに好ましい。さらに、酸安定モノマーa7としては、例えば、式a7-4で表されるスルトン環を有するモノマー以下、酸安定モノマーa7-4という場合がある。などが挙げられる。式a7-4中、La7は、酸素原子又は-T-CH2k2-CO-O-をk2は1~7の整数を表す。Tは酸素原子又はNHである。表し、はカルボニル基との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W10は、置換基を有していてもよいスルトン環基を表す。スルトン環基のスルトン環としては、脂環式炭化水素に含まれる隣り合うメチレン基のうち、一方が酸素原子、他方がスルホニル基に置き換わったもの、すなわち環骨格中に-O-SO2-を有する環であり、下記に示すものなどが挙げられる。スルトン環基の代表例は、下記スルトン環にある水素原子の1つが、結合手に置き換わったものであり、式a7-4においてはLa7との結合手が該当する。スルトン環基に置換されていてもよい置換基は、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基及び炭素数1~8のアシルオキシ基が挙げられる。アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基C2及びエトキシカルボニル基C3等が挙げられる。式a7-4で表されるスルトン環を有する酸安定モノマーとしては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。樹脂AAが、式a7-4で表される酸安定モノマーa7に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。また、樹脂ABが、式a7-4で表される酸安定モノマーa7に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂ABの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。また、樹脂A製造には、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有するモノマー以下、酸安定モノマーa8という場合があるを用いてもよい。このようなモノマーの中でも、単環式又は多環式の環式の炭化水素を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂AAが、酸安定モノマーa8に由来する構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、1~20モルの範囲が好ましく、2~15モルの範囲がより好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。また、樹脂ABが、酸安定モノマーa8に由来する構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂ABの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<樹脂の製造>樹脂AAは、化合物aと、モノマーa1と、任意に酸安定基を有するモノマーとを重合することによって製造することができる。より好ましくは、化合物aと、モノマーa1と、酸安定モノマーa2及び/又は酸安定モノマーa3とを共重合することにより製造することができる。樹脂AAを製造する場合、モノマーa1として、アダマンチル基を有するモノマーa1-1及びシクロへキシル基を有するモノマーa1-2のうち、少なくとも1種を用いることが好ましく、アダマンチル基を有するモノマーモノマーa1-1を用いることがさらに好ましい。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1及び酸安定モノマーa3を用いることが好ましい。酸安定モノマーa3としては、γ-ブチロラクトン環を有するモノマーa3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有するモノマーa3-2の少なくとも1種を用いることが好ましい。樹脂AAは、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。樹脂ABは、例えば、化合物aと、任意に酸安定基を有するモノマー、つまり、酸安定モノマーa4、酸安定モノマーa5、酸安定モノマーa6、酸安定モノマーa7及び酸安定モノマーa8からなる群より選ばれるモノマーとを重合することによって製造することができる。ここで、酸安定基を有するモノマーとしては、酸安定モノマーa5及び酸安定モノマーa6が好ましい。樹脂ABは、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。樹脂AAの重量平均分子量は、2,500以上50,000以下であると好ましく、3,000以上30,000以下がより好ましい。樹脂ABの重量平均分子量は、特に該樹脂ABを本発明のレジスト組成物の添加剤として用いる場合、8,000以上80,000以下が好ましく、10,000以上60,000以下がより好ましい。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。なお、本発明のレジスト組成物において、樹脂AAを含有させない場合は、樹脂ABに加えて、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶の樹脂となる特性を有する樹脂Xを含有させることが必要である。樹脂Xは、樹脂AAから化合物aに由来する構造単位を除いたものが挙げられる。特に、モノマーa1と、酸安定モノマーa2及び/又は酸安定モノマーa3とを共重合させたものが好ましい。樹脂X製造に用いるモノマーa1は、アダマンチル基を有するモノマーa1-1及びシクロへキシル基を有するモノマーa1-2の少なくとも1種であると好ましく、アダマンチル基を有するモノマーa1-1がさらに好ましい。樹脂X製造に用いる酸安定モノマーa2は、ヒドロキシアダマンチル基を有するモノマーa2-1が好ましく、酸安定モノマーa3は、γ-ブチロラクトン環を有するモノマーa3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有するモノマーa3-2の少なくとも1種が好ましい。樹脂Xの製造及び重量平均分子量は、実質的に樹脂AAと同様のものが挙げられる。<酸発生剤B>酸発生剤は、非イオン系とイオン系とに分類される。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン4-スルホネート、スルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩及びヨードニウム塩などが代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン及びスルホニルメチドアニオンなどがある。酸発生剤としては、例えば、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。酸発生剤は、以下の式B1で表される酸発生剤以下、場合により酸発生剤B1という場合があるが好ましい。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、置換基を有していてもよい炭素数1~17の2価の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。ペルフルオロアルキル基としては、フッ化アルキル基のうちのペルフルオロアルキル基が挙げられる。式B1においては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子がより好ましい。Lb1における脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1~式b1-6のいずれかで表される基が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。は結合手を表し、一方はYと、他方はCQ1Q2の炭素原子と結合している。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の脂肪族炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の2価の脂肪族炭化水素基を表し、Lb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表し、Lb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の脂肪族炭化水素基を表す。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の脂肪族炭化水素基を表し、Lb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。式b1-1で表される2価の基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで表される基であり、さらに好ましくは式b1-1~式b1-3のいずれかで表される基である。これらの中でも、Lb1として、式b1-1で表される2価の基、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基がより好ましい。Lb1における脂肪族炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基等が挙げられる。Yはアルキル基及び脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基及び炭素数3~12の脂環式炭化水素基がより好ましく、炭素数3~12の脂環式炭化水素基がさらに好ましい。Yにおける脂肪族炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表すなどが挙げられる。ここで、芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基をさらに有していてもよい。Yの脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。Yの脂環式炭化水素基の好ましい基は、以下に示す式Y1~式Y5のいずれかで表される脂環式炭化水素基であり、これらのうち、式Y1、式Y2、式Y3及び式Y5のいずれかで表される脂環式炭化水素基がより好ましく、式Y1及び式のいずれかで表される脂環式炭化水素基がさらに好ましい。置換基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば、以下のものが挙げられる。なかでも、Yとしては、ヒドロキシアダマンチル基が特に好ましい。なお、Yがアルキル基であり、かつLb1が炭素数1~17の2価の脂肪族炭化水素基である場合、Yと結合する該2価の脂肪族炭化水素基のメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていることが好ましい。この場合、Yのアルキル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わらない。スルホン酸アニオンとしては、例えば、式b1-1-1~式b1-1-9で表されるものが挙げられる。この式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同じであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基及びヒドロキシ基が好ましく、メチル基及びヒドロキシ基がより好ましい。式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとしては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されているスルホン酸アニオンが挙げられる。スルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。酸発生剤B1中の有機カチオンZは、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、有機ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、有機スルホニウムカチオンがより好ましく、さらに好ましくは、以下の式b2-1~式b2-4のいずれかで表される有機カチオンである。式b2-1~式b2-4において、Rb4~Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の炭化水素基を表し、該炭化水素基としては、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。該アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、該脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、該脂肪族炭化水素基としては、炭素数は1~12のアルキル基であることが好ましく、炭素数は3~18の脂環式炭化水素基であることが好ましく、炭素数4~12であることがより好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。該炭化水素基のうち、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10及び/又はRb11とRb12は、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環の脂肪族環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環の脂肪族環又は該脂肪族環を構成するメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わった環である。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一でも異なっていてもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一でも異なっていてもよく、s2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一でも異なっていてもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一でも異なっていてもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。Rb9とRb10とが結合して形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12とが結合して形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。式b2-1~式b2-4で表される有機カチオンの具体例は、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という場合がある。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表し、該脂肪族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一でも異なっていてもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なっていてもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なっていてもよい。式b2-1-1においては、脂肪族炭化水素基の炭素数は1~12であることが好ましく、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基がより好ましい。Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であることが好ましい。カチオンb2-1-1としては、以下のものが挙げられる。式b2-3で表される有機カチオンとしては、以下の化合物が挙げられる。酸発生剤B1は、上述のスルホン酸アニオン及び上述の有機カチオンの組合せである。これらは、例えば、表1に示すように、任意に組み合わせることができる。表1では、式b1-s-1で表されるスルホン酸アニオンなどを、その式番号に応じて、b1-s-1などと表し、式b2-c-1で表される有機カチオンなどを、その式番号に応じて、b2-c-1などと表す。さらに好ましい酸発生剤B1は、式B1-1~式B1-17のいずれかで表されるものである。中でも、酸発生剤Bは、中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含む塩及びトリトリルスルホニウムカチオンを含む塩が好ましく酸発生剤B1である、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-7、式B1-11、式B1-12、式B1-13又はB1-14で表される塩が好ましく、式B1-2、式B1-3、B1-6、式B1-7又は式B1-11で表される塩がより好ましい。酸発生剤Bは、酸発生剤B1とは異なる酸発生剤を含んでいてもよい。この場合は、酸発生剤Bの総量における酸発生剤B1の含有割合は、70質量以上が好ましく、90質量以上がより好ましい。ただし、本発明のレジスト組成物における酸発生剤Bは、実質的に酸発生剤B1のみであることがさらに好ましい。<塩基性化合物以下、場合により塩基性化合物Cという>本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物Cを含有していてもよい。ここでいう塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、上述した酸発生剤から発生する酸を捕捉する特性を有する化合物を意味する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及び塩基性のアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンのいずれでもよい。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1及び式C1-1中、Rc1~Rc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一でも異なっていてもよい。][式C2~式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一でも異なっていてもよい。]アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。[式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14はそれぞれ独立であり、p3が2以上であるとき、複数のRc15は互いに同一でも異なっていてもよい。Lc1は、炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は互いに同一でも異なっていてもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc19は互いに同一でも異なっていてもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一でも異なっていてもよい。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン及び4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、これらの中でも、ジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリン特に好ましい。式C2で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン及びビピリジンなどが挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリンなどが挙げられる。<溶剤D>溶剤Dは、用いる樹脂A樹脂AA又は樹脂ABの種類及びその量、並びに、酸発生剤Bの種類及びその量などに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上にレジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。溶剤Dとしては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類;γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>レジスト組成物は、必要に応じて、本技術分野で広く用いられている添加剤以下、成分Fという場合があるを含んでいてもよい。成分Fとしては、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などが挙げられる。<レジスト組成物の調製>レジスト組成物は、樹脂A及び酸発生剤B並びに必要に応じて用いられる樹脂X、塩基性化合物C、溶剤D及び成分Fを混合することにより調製することができる。混合順序は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、用いる化合物aに由来する構造単位を有する樹脂などの種類や化合物aに由来する繰り返し単位を含む樹脂等の溶剤Dに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて選べばよく、0.5~24時間が好ましい。なお、混合手段は特に限定されず、攪拌混合などを用いることができる。本発明のレジスト組成物を調製する際に用いる各成分の使用量により、本発明のレジスト組成物中の各成分の含有量を調節することができる。このように、各成分を混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。溶剤Dの含有割合は、上述のとおり、樹脂Aの種類などに応じて適宜調節できるが、レジスト組成物総質量に対して90質量以上、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上であり、好ましくは99.9質量以下であり、より好ましくは99質量以下である。このような含有割合で溶剤Dを含むレジスト組成物は、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成可能な薄膜レジストとして適している。この溶剤Dの含有割合は、レジスト組成物を調製する際の溶剤Dの使用量により制御可能であり、レジスト組成物を調製した後には、レジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。樹脂Aの含有割合は、樹脂Aが樹脂AAである場合、レジスト組成物の固形分に対して、例えば、80質量以上99質量以下であることが好ましい。ここで、レジスト組成物の固形分とは、本発明のレジスト組成物の総質量から溶剤Dの含有量を除いた量のことをいう。溶剤Dの含有割合が90質量である場合、本発明のレジスト組成物の固形分は10質量である。なお、樹脂Aが樹脂ABである場合、樹脂AB及び樹脂Xの合計が、本発明のレジスト組成物の固形分に対して、例えば、80質量以上99質量以下であることが好ましい。樹脂ABの含有割合は、本発明のレジスト組成物の固形分に対して0.1質量以上10質量以下であることが好ましい。酸発生剤Bの含有質量は、レジスト組成物に含まれる樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上であり、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。レジスト組成物が塩基性化合物Cを含む場合、本発明のレジスト組成物の固形分に対する塩基性化合物Cの含有割合は、0.01~1質量程度であることが好ましい。これら樹脂A及び酸発生剤B並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物Cの各々の好適な含有割合は、レジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能である。レジスト組成物を調製した後には、レジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー等の公知の分析手段に供して求めることもできる。成分Fをレジスト組成物に用いる場合には、成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。<レジストパターンの製造方法>本発明のレジストパターンの製造方法は、1レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程及び5加熱後の組成物層を現像する工程を含む。工程1におけるレジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。このようにして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜の形成には、例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、塗布膜を乾燥させて、溶剤Dを除去する。このような乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク又は減圧装置を用いた減圧手段或いはこれらの手段を組み合わせて行われる。乾燥の条件は、レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類等に応じて選択でき、例えばホットプレートの場、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にすることが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。このようにして、基板上に組成物層が形成される。工程3は組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光することができる。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線又は超紫外光EUVを照射するもの等、種々のものを用いることができる。露光機は液浸露光機であってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では組成物層に含まれる酸発生剤B1が露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、樹脂AA又は樹脂Xにある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じ、結果として露光部の組成物層にある樹脂AA又は樹脂Xはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、樹脂AA又は樹脂Xはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。このように、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違する。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応及び/又はその進行を促進するために、加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークを行う。加熱処理は工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段などが好ましい。なお、工程4におけるホットプレート加熱を行う場合、ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がより好ましい。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置を用いて現像する工程であ。現像する工程で、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させると、露光部の組成物層は該アルカリ水溶液に溶解して除去され、未露光部の組成物層は基板上に残るため、基板上にレジストパターンが製造される。前記アルカリ水溶液としては、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液、2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。現像後、製造されたレジストパターンは、好ましくは超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することがより好ましい。以上のような工程1~工程5を含むレジストパターン製造方法によれば、本発明のレジスト組成物は、マスクエラーファクターMEFに優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを形成できる。<用途>本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。以下に、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記しないかぎり質量基準である。樹脂Aの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製実施例1式M-Eで表される化合物aの合成式E-1で表される化合物13.00部、メチルイソブチルケトン65.00部及びピリジン8.69部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、0°Cまで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式E-2で表される化合物24.55部を、1時間かけて添加した。その後、温度を上げ、10°Cに到達した時点で、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物にn-ヘプタン333.73部、5塩酸水溶液32.09部及びイオン交換水100.12部を加え、23°Cで30分間攪拌した。回収された有機層に、イオン交換水100.12部を仕込み23°Cで30分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を4回行った。回収された有機層を濃縮し、式M-Eで表される化合物30.31部を得た。MS:352.1実施例2式M-Mで表される化合物aの合成式M-1で表される化合物13.00部、メチルイソブチルケトン65.00部及びピリジン8.69部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、0°Cまで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式M-2で表される化合物16.19部を、1時間かけて添加した。その後、温度を上げ、10°Cに到達した時点で、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物にn-ヘプタン308.64部、5塩酸水溶液32.09部及びイオン交換水92.59部を加え、23°Cで30分間攪拌した。回収された有機層に、イオン交換水92.59部を仕込み23°Cで30分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を4回行った。回収された有機層を濃縮し、式M-Mで表される化合物19.49部を得た。MS:264.1以下に示すモノマーM-A~モノマーM-Mを用いて、樹脂を合成した。実施例3樹脂A1の合成モノマーとして、モノマーM-K、モノマーM-D、モノマーM-C、モノマーM-L及びモノマーM-Eを用い、そのモル比モノマーM-K:モノマーM-D:モノマーM-C:モノマーM-L:モノマーM-Eが40:10:17:30:3となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を、再びジオキサンに溶解させて溶解液を得た。この溶解液をメタノール/水混合溶媒に注ぎ、樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。この再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.2×103の樹脂A1共重合体を収率63で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有する。実施例4樹脂A2の合成モノマーとして、モノマーM-E及びモノマーM-Fを用い、そのモル比モノマーM-E:モノマーM-Fが30:70となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.7mol及び2.1mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を、再びジオキサンに溶解させて溶解液を得た。得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。この再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.5×104の樹脂A2共重合体を収率70で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有する。実施例5樹脂A3の合成モノマーとして、モノマーM-E及びモノマーM-Gを用い、そのモル比モノマーM-E:モノマーM-Gが50:50となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.7mol及び2.1mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を、再びジオキサンに溶解させて溶解液を得た。得られた溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。この再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.4×104の樹脂A3共重合体を収率70で得た。この樹脂A3は、以下の構造単位を有する。実施例6樹脂A4の合成モノマーとして、モノマーM-E及びモノマーM-Hを用い、そのモル比モノマーM-E:モノマーM-Hが50:50となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.7mol及び2.1mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を、再びジオキサンに溶解させて溶解液を得た。得られた溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。この再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.6×104の樹脂A4共重合体を収率67で得た。この樹脂A4は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A5の合成モノマーとして、モノマーM-K、モノマーM-J、モノマーM-D、モノマーM-L及びモノマーM-Cを用い、そのモル比モノマーM-K:モノマーM-J:モノマーM-D:モノマーM-L:モノマーM-Cが32:7:8:10:43となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を、再びジオキサンに溶解させて溶解液を得た。得られた溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。この再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.9×103の樹脂A5共重合体を収率78で得た。この樹脂A5は、以下の構造単位を有する。樹脂A6の合成モノマーとして、モノマーM-B、モノマーM-C及びモノマーM-Dを用い、そのモル比モノマーM-B:モノマーM-C:モノマーM-Dが35:45:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1.0mol及び3.0mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて溶解液を得た。得られた溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。この再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.0×103の樹脂A6共重合体を収率75で得た。この樹脂A6は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A7の合成モノマーとして、モノマーM-A及びモノマーM-Bを用い、そのモル比モノマーM-A:モノマーM-Bが80:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.5mol及び1.5mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて溶解液を得た。得られた溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。この再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量2.8×104の樹脂A7共重合体を収率70で得た。この樹脂A7は、以下の構造単位を有する。実施例7樹脂A8の合成モノマーとして、モノマーM-M及びモノマーM-Fを用い、そのモル比モノマーM-M:モノマーM-Fが30:70となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.7mol及び2.1mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を、再びジオキサンに溶解させて溶解液を得た。得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。この再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.7×104の樹脂A8共重合体を収率67で得た。この樹脂A8は、以下の構造単位を有する。実施例及び比較例<レジスト組成物の調製>表2に示す成分を、以下に示す溶剤に混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1~A8:上述した樹脂の合成例で得られた樹脂A1~樹脂A8<酸発生剤>B1:特開2010-152341号公報の実施例に従って合成B2:WO2008/99869号の実施例及び特開2010-26478号公報の実施例に従って合成B3:特開2005-221721号公報の実施例に従って合成<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン東京化成工業株製<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部2-ヘプタノン20.0部γ-ブチロラクトン3.5部<レジスト組成物層の欠陥評価>12インチのシリコン製ウェハに、レジスト組成物を、乾燥後の膜厚が0.15μmとなるようにスピンコートにより塗布した。塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に示す温度で60秒間プリベークPBし、ウェハ上に組成物層を形成した。組成物層を形成したウェハに、現像機[ACT-12;東京エレクトロン株製]を用いて、60秒間、水リンスを行った。その後、欠陥検査装置[KLA-2360;KLAテンコール製]を用いて、ウェハ上の欠陥数を測定した。その結果を表3に示す。<レジスト組成物の液浸露光によるマスクエラーファクターMEFの評価>12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。得られた有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。得られたシリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、表2のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。このようにレジスト組成物膜を形成したウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、3/4AnnularX-Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表2のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。各レジスト膜において、50nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量を実効感度とした。マスクエラーファクターMEF評価マスクサイズが48nm、50nm、52nmのマスクパターンを用いて、上述した実効感度で露光し、パターンをそれぞれ形成した。マスクサイズを横軸に、各マスクパターンを用いて形成したラインパターンの線幅を縦軸にプロットした場合の直線の傾きを、MEFとした。この結果を表3に示す。実施例8~14のレジスト組成物を用いて得られるレジストパターンは欠陥数が少なく、優れたMEFで、レジストパターンを形成することができた。一方、比較例1のレジスト組成物では、得られるレジストパターンの欠陥数が多く、MEFも不良であった。"