"リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去する方法であって、剛性支持層および前記剛性支持層上に設けられた変形可能層を備える基板を前記装置内に装填すること、前記基板の前記変形可能層を、汚染がそこから除去される前記装置の表面に接触させること、前記変形可能層と汚染がそこから除去される前記装置の前記表面との間の相対運動を導入することであって、それにより、除去のために前記表面から汚染を分離する、導入すること、および、前記分離した汚染を除去することを含む方法。前記変形可能層は、前記分離した汚染の少なくとも一部を保持する請求項1に記載の方法。前記基板は、前記分離した汚染の前記一部を除去するために、前記装置からはずされる請求項2に記載の方法。前記分離した汚染の少なくとも一部は、流体を使用して除去される請求項1に記載の方法。前記流体は液浸液である請求項4に記載の方法。前記装置は、リソグラフィ装置の液浸フードである請求項1に記載の方法。リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去するのに適し、前記リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板であって、剛性支持層と、前記剛性支持層上に設けられた変形可能層とを備える基板。前記変形可能層は複数のブラシを備える請求項7に記載の基板。前記変形可能層は複数の繊維を備える請求項7に記載の基板。前記変形可能層はスポンジを備える請求項7に記載の基板。前記変形可能層はポリビニルアルコールスポンジを備える請求項7に記載の基板。前記変形可能層は、接着剤を使用して前記剛性支持層に付着される請求項7に記載の基板。前記変形可能層は、前記剛性支持層に融着される請求項7に記載の基板。前記基板は、形状が実質的に円柱である請求項7に記載の基板。前記基板は、約200mmの直径、または、約300mmの直径を有する請求項7に記載の基板。前記基板の深さは、約0.5mm~約3.5mmの範囲から選択される請求項7に記載の基板。前記剛性層は、石英、シリコン、または金属から形成される請求項7に記載の基板。リソグラフィにおいて使用される装置によって少なくとも部分的に収容される流体から汚染を除去する方法において、一連の突出部または凹所を備える基板を前記装置内に装填することであって、前記一連の突出部または凹所は、前記流体から前記クリーニング基板への汚染の移動を促進するために、前記流体に対して濡れ性があるか、または、濡れ性がない、装填すること、前記基板を、汚染がそこから除去される流体に近接させることであって、それにより、汚染が、前記流体から除去され、前記突出部上に、または、前記凹所内に堆積する、近接させること、および、前記装置から前記基板をはずすことを含む方法。前記基板と汚染がそこから除去される流体との間に相対運動を導入することをさらに含む請求項18に記載の方法。前記装置は、リソグラフィ装置の液浸フードである請求項18に記載の方法。前記流体は液浸液である請求項18に記載の方法。リソグラフィにおいて使用される装置によって少なくとも部分的に収容される流体から汚染を除去するのに適し、前記リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板であって、一連の突出部または凹所を備え、前記一連の突出部または凹所は、前記流体から前記クリーニング基板への汚染の移動を促進するために、前記流体に対して濡れ性があるか、または、濡れ性がない基板。前記基板は、濡れ性がない、または、濡れ性がある材料から形成される請求項22に記載の基板。前記突出部または凹所は、濡れ性がない皮膜または濡れ性がある皮膜を備える請求項22に記載の基板。前記基板は、前記一連の突出部または凹所を形成するように処理された濡れ性がない材料または濡れ性がある材料の層を備える請求項22に記載の基板。前記一連の突出部または凹所は、液浸液に対して濡れ性がない、または、濡れ性がある請求項22に記載の基板。前記一連の突出部または凹所は、疎水性であるか、または、親水性である請求項22に記載の基板。前記基板は、一連の凹所および突出部を備え、前記凹所および突出部は、前記流体に対して濡れ性がない請求項22に記載の基板。前記基板は、一連の凹所および突出部を備え、前記凹所および突出部は、前記流体に対して濡れ性がある請求項22に記載の基板。前記基板は、一連の凹所および突出部を備え、前記凹所は、前記流体に対して濡れ性があり、前記突出部は、前記流体に対して濡れ性がない請求項22に記載の基板。前記基板は、一連の凹所および突出部を備え、前記凹所は、前記流体に対して濡れ性がなく、前記突出部は、前記流体に対して濡れ性がある請求項22に記載の基板。前記一連の突出部は、異なる高さの突出部を含む請求項22に記載の基板。前記一連の凹所は、異なる深さの凹所を含む請求項22に記載の基板。前記一連の突出部または凹所は、前記基板にわたって規則的なパターンを形成する請求項22に記載の基板。前記一連の突出部または凹所は、前記基板にわたって不規則的なパターンを形成する請求項22に記載の基板。前記基板は、形状が実質的に円柱である請求項22に記載の基板。前記基板は、約200mmの直径、または、約300mmの直径を有する請求項22に記載の基板。前記基板の深さは、約0.5mm~約3.5mmの範囲から選択される請求項22に記載の基板。リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去する方法において、基板上に汚染を引き寄せるために、前記基板を前記装置内に装填することであって、装填することを含み、前記基板は、汚染を引き寄せるように構成された第1領域および第2領域を備え、前記第2領域は、前記第1領域に対して異なる極性または電荷を有し、前記第1領域および前記第2領域は、それぞれ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電しているのうちの1つである、装填すること、および前記装置から前記基板をはずすことを含む方法。前記汚染は、前記装置によって少なくとも部分的に収容される流体から汚染を除去する請求項39に記載の方法。前記基板を、汚染がそこから除去される流体に近接させるか、または、接触させることを含む請求項40に記載の方法。前記基板と汚染がそこから除去される流体との間に相対運動を導入することをさらに含む請求項41に記載の方法。前記装置は、リソグラフィ装置の液浸フードである請求項39に記載の方法。前記流体は、リソグラフィ装置の液浸液である請求項40に記載の方法。リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去するのに適し、前記リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板であって、汚染を引き寄せるように構成された第1領域および第2領域を備え、前記第2領域は、前記第1領域に対して異なる極性または電荷を有し、前記第1領域および前記第2領域は、それぞれ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電しているのうちの1つである基板。前記第1領域および前記第2領域は、前記基板にわたって繰り返される請求項45に記載の基板。前記基板は、前記第1領域および前記第2領域に対して異なる極性または電荷を有する第3領域を備え、前記第3領域は、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電しているのうちの1つである請求項45に記載の基板。前記第1領域、前記第2領域、および前記第3領域は、前記基板にわたって繰り返される請求項47に記載の基板。前記基板は、前記第1領域、前記第2領域、および前記32領域に対して異なる極性または電荷を有する第4領域を備え、前記第4領域は、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電しているのうちの1つである請求項45に記載の基板。前記第1領域、前記第2領域、前記第3領域、および前記第4領域は、前記基板にわたって繰り返される請求項49に記載の基板。前記第1領域および前記第2領域は、チェッカーボードパターン、同心リングのアレイ、リングのアレイ、リングセグメントのアレイ、または直線ストリップのアレイのうちの1つを形成する請求項45に記載の基板。極性がありかつ正に帯電している領域は、アミン官能基化シリコン表面によって設けられる請求項45に記載の基板。極性がありかつ負に帯電している領域は、シリコン表面によって設けられる請求項45に記載の基板。無極性でありかつ正に帯電している領域は、アミン官能基化HMDSヘキサメチルジシラザン処理されたシリコン表面によって設けられる請求項45に記載の基板。無極性でありかつ負に帯電している領域は、HMDSヘキサメチルジシラザン処理されたシリコン表面によって設けられる請求項45に記載の基板。リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去する方法において、第1基板上に汚染を引き寄せるために、前記第1基板を前記装置内に装填することであって、前記第1基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電しているのうちの1つである領域を備える、装填すること前記装置から前記第1基板をはずすこと、第2基板上に汚染を引き寄せるために、前記第2基板を前記装置内に装填することであって、前記第2基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、前記第1基板の前記領域に対して異なる極性または電荷を有し、かつ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電しているのうちの1つである領域を備える、装填すること、および前記装置から前記第2基板をはずすことを含む方法。第3基板上に汚染を引き寄せるために、前記第3基板を前記装置内に装填することであって、前記基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、前記第1基板の前記領域および前記第2基板の前記領域に対して異なる極性または電荷を有する領域を備え、この第3領域は、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電しているのうちの1つである、装填すること、および前記装置から前記第3基板をはずすことをさらに含む請求項56に記載の方法。第4基板上に汚染を引き寄せるために、前記第4基板を前記装置内に装填することであって、前記基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、前記第1基板の前記領域、前記第2基板の前記領域、および前記第3基板の前記領域に対して異なる極性または電荷を有する領域を備え、この第4領域は、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電しているのうちの1つである、装填すること、および前記装置から前記第3基板をはずすことをさらに含む請求項57に記載の方法。前記汚染は、前記装置によって少なくとも部分的に収容された流体から除去される請求項56に記載の方法。前記基板を、汚染がそこから除去される流体に近接させるか、または、接触させることを含む請求項59に記載の方法。前記基板と汚染がそこから除去される流体との間に相対運動を導入することをさらに含む請求項59に記載の方法。前記装置は、リソグラフィ装置の液浸フードである請求項56に記載の方法。前記流体は液浸液である請求項59に記載の方法。0004たとえば、本明細書で確認されようと、他のどこかで確認されようと、従来技術の問題の1つまたは複数を取り除く、または、軽減する、1つまたは複数の基板および1つまたは複数の基板を使用する1つまたは複数の方法を提供することが望ましい。0005本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去する方法が提供され、方法は、剛性支持層および剛性支持層上に設けられた変形可能層を備える基板を装置内に装填すること、基板の変形可能層を、汚染がそこから除去される装置の表面に接触させること、変形可能層と汚染がそこから除去される装置の表面との間の相対運動を導入することであって、それにより、除去のために表面から汚染を分離する、導入すること、および、分離した汚染を除去することを含む。0006本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去するのに適し、リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板が提供され、基板は、剛性支持層と、剛性支持層上に設けられた変形可能層とを備える。0007本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置によって少なくとも部分的に収容される流体から汚染を除去する方法が提供され、方法は、一連の突出部または凹所を備える基板を装置内に装填することであって、一連の突出部または凹所は、流体から前記クリーニング基板への汚染の移動を促進するために、流体に対して濡れ性があるか、または、濡れ性がなく、基板を、汚染がそこから除去される流体に近接させることであって、それにより、汚染が、流体から除去され、突出部上に、または、凹所内に堆積する、近接させること、および、装置から基板をはずすことを含む。0008本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置によって少なくとも部分的に収容される流体から汚染を除去するのに適し、リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板が提供され、基板は、一連の突出部または凹所を備え、一連の突出部または凹所は、流体からクリーニング基板への汚染の移動を促進するために、流体に対して濡れ性があるか、または、濡れ性がない。0009本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去する方法が提供され、方法は、基板を前記装置内に装填することであって、それにより、前記基板上に汚染を引き寄せる、装填することを含み、基板は、汚染を引き寄せるように構成された第1領域および第2領域を備え、第2領域は、第1領域に対して異なる極性または電荷を有し、第1領域および第2領域は、それぞれ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電している、のうちの1つであり、装置から基板をはずすことを含む。0010本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去するのに適し、リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板が提供され、基板は、汚染を引き寄せるように構成された第1領域および第2領域を備え、第2領域は、第1領域に対して異なる極性または電荷を有し、第1領域および第2領域は、それぞれ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電している、のうちの1つである。0011本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去する方法が提供され、方法は、第1基板を前記装置内に装填することであって、それにより、第1基板上に汚染を引き寄せる、装填することを含み、第1基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電している、のうちの1つである領域を備え、装置から第1基板をはずすこと、第2基板を装置内に装填することであって、それにより、第2基板上に汚染を引き寄せる、装填することを含み、第2基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、第1基板の領域に対して異なる極性または電荷を有し、かつ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電している、のうちの1つである領域を備え、装置から第2基板をはずすことを含む。0012本発明の実施形態は、ここで、添付略図を参照して例としてだけ述べられるであろう。図では、対応する参照シンボルは、対応する部品を示す。0018本明細書において、ICの製造においてリソグラフィ装置の使用が特に参照される場合があるが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積化した光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造などの、他の用途を有してもよいことが理解されるべきである。こうした代替の用途の文脈で、本明細書における、ウェーハまたはダイという用語のいずれの使用も、それぞれ、基板またはターゲット部分というより一般的な用語と同意語であると考えられてもよいことを、当業者は理解するであろう。本明細書で言及される基板は、露光の前または後で、たとえば、トラックツール通常、レジスト層を基板に与え、露光されたレジストを現像するツール、または、メトロロジーツール、または、インスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合、本明細書における開示は、こうした、また、他の基板処理ツールに適用されてもよい。さらに、基板は、たとえば、多層ICを作成するために、2回以上処理されてもよく、本明細書で使用される基板という用語は、処理された複数の層を既に含む基板のことを言う場合もある。0019本明細書で使用される放射およびビームという用語は、紫外UV放射たとえば、365、248、193、157、または126nmの波長を有する、および、極端紫外EUV放射たとえば、5~20nmの範囲の波長を有する、ならびに、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含む、全てのタイプの電磁放射を包含する。0020本明細書で使用されるパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを作成するためなどで、放射ビームの断面において放射ビームに、あるパターンを与えるのに使用されることができるデバイスのことを指しているものと、幅広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に対応しない場合があることが留意されるべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分で作成されるデバイスの特定の機能層に相当するであろう。0021パターニングデバイスは、透過式であってよい、または、反射式であってよい。パターニングデバイスの実施例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルを含む。マスクは、リソグラフィではよく知られており、2値、レベンソン型alternating位相シフト、ハーフトーン型attenuated位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに、種々のハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの実施例は、小さなミラーのマトリクス機構を採用し、ミラーはそれぞれ、個々に傾斜して、到来する放射ビームを異なる方向へ反射することができる。こうして、反射ビームが、パターニングされる。0022図1は、リソグラフィ装置を概略的に示す。装置は、0023-放射ビームPBたとえば、UV放射またはEUV放射を調整するためのイルミネーションシステムイルミネータILと、0024-パターニングデバイスたとえば、マスクMAを支持するためのものであり、かつ、アイテムPLに関してパターニングデバイスを正確に位置決めするために第1ポジショニングデバイスPMに接続された支持構造体たとえば、マスクテーブルMTと、0025-基板たとえば、レジストコートウェーハWを保持するためのものであり、かつ、アイテムPLに関して基板を正確に位置決めするために第2ポジショニングデバイスPWに接続された基板テーブルたとえば、ウェーハテーブルWTと、0026-パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに与えられたパターンを、基板Wのターゲット部分Cたとえば、1つまたは複数のダイを含む上に結像するように構成された投影システムたとえば、屈折投影レンズPLと、0027-投影システムPLと基板Wの一部との間に液浸流体図示せずを少なくとも部分的に保持するための液浸フードIH液浸ヘッドと呼ばれることもあるとを備える。0028本明細書で示すように、装置は、透過タイプたとえば、透過マスクを採用するである。あるいは、装置は反射タイプたとえば、先に参照したタイプのプログラマブルミラーアレイを採用するであってよい。0029支持構造体MTは、パターニングデバイスを保持する。支持構造体は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かなどの他の条件に応じるように、パターニングデバイスを保持する。支持構造体MTは、機械式締付け、真空、または他の締付け技法、たとえば、真空状況下での静電式締付けを使用することができる。支持構造体MTは、たとえば、所望に応じて、固定されるかまたは可動であってよく、また、パターニングデバイスが、たとえば、投影システムに対して所望の位置にあることを確実にしてもよい、フレームまたはテーブルであってよい。本明細書における、レチクルまたはマスクという用語の任意の使用は、パターニングデバイスという、より一般的な用語と同意語であると考えられてもよい。0030イルミネータILは、放射源SOからの放射ビームを受け取る。たとえば、放射源がエキシマレーザであるとき、放射源およびリソグラフィ装置は、別々の実体であってもよい。こうした場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射ビームは、たとえば、適した誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムBDを使用して、放射源SOからイルミネータILへ通される。他の場合では、たとえば、放射源が水銀ランプであるとき、放射源は、リソグラフィ装置と一体の部分であってよい。放射源SOおよびイルミネータILは、必要である場合、ビームデリバリシステムBDと共に、放射システムと呼ばれてもよい。0031イルミネータILは、ビームの角度強度分布を調整するための調整手段AMを備えてもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の、少なくとも外側および/または内側半径範囲一般に、それぞれ、σ-outerおよびσ-innerと呼ぶの強度分布を調整することができる。さらに、イルミネータILは、一般に、インテグレータINおよびコンデンサCOなどの種々の他のコンポーネントを備えてもよい。イルミネータは、放射ビームの断面において所望の均一性および強度分布を有する調整された放射ビームPBを提供する。0032イルミネーションシステムはまた、放射を誘導し、成形し、制御するための、屈折、反射、および反射屈折光学コンポーネントを含む種々のタイプの光学コンポーネントを包含してもよく、また、こうしたコンポーネントは、以下で、ひとまとめに、または、単数形でレンズと呼ばれてもよい。0033放射ビームPBは、支持構造体MT上に保持される、パターニングデバイスたとえば、マスクMA上に入射する。パターニングデバイスMAを横切って、ビームPBはレンズPLを通過し、レンズPLは、液浸フードIHによって保持された液浸流体を介して基板Wのターゲット部分C上にビームを収束させる。第2ポジショニングデバイスPWおよび位置センサIFたとえば、干渉デバイスを使用して、基板テーブルWTは、たとえば、ビームPBの経路内で異なるターゲット部分Cを位置決めするために、正確に移動することができる。同様に、第1ポジショニングデバイスPMおよび別の位置センサ図1には、明示的には示されないを使用して、たとえば、マスクライブラリから機械的に取出した後か、または、スキャン中に、ビームPBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクトテーブルMTおよびWTの移動は、ポジショニングデバイスPMおよびPWの一部を形成する、ロングストロークモジュール粗動位置決めとショートストロークモジュール微動位置決めを使用して実現されるであろう。しかし、スキャナと対照的にステッパの場合、支持構造体MTは、ショートストロークアクチュエータだけに接続されるか、または、固定されてもよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2および基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせされてもよい。0034本明細書で使用される投影システムという用語は、たとえば、使用される露光放射、あるいは、液浸流体の使用、または、真空の使用などの、他の因子に適切である、屈折光学システム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含む、種々のタイプの投影システムを包含するものと、幅広く解釈されるべきである。本明細書における、投影レンズという用語の任意の使用は、投影システムという、より一般的な用語と同意語であると考えられてもよい。0035リソグラフィ装置は、2つ2重ステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上の支持構造体を有するタイプであってよい。こうした複数ステージ機械装置では、付加的なテーブルおよび/または支持構造体が平行に使用されてもよく、または、1つまたは複数の他のテーブルおよび/または支持構造体が露光のために使用されている間に、準備工程が、1つまたは複数の他のテーブルおよび/または支持構造体上で実施されてもよい。0036リソグラフィ装置はまた、投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を充填するために、基板が、比較的高い屈折率を有する液体、たとえば、水の中に浸されるタイプであってもよい。液浸液は、たとえば、マスクと投影システムの第1エレメントとの間で、リソグラフィ装置内の他に空間に適用されてもよい。投影システムの開口数を増加するための液浸技法は、当技術分野でよく知られている。0037示される装置は、以下のモードのうちの1つまたは複数のモードで使用されることができる。00381.ステップモードでは、支持構造体MTおよび基板テーブルWTは、放射ビームに与えられる全体のパターンが、ターゲット部分C上に1度で投影される間、実質的に静止状態に保たれるすなわち、単一静的露光。基板テーブルWTは、その後、異なるターゲット部分Cを露光できるようにXおよび/またはY方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズを制限する。00392.スキャンモードでは、支持構造体MTおよび基板テーブルWTは、ビームPBに与えられるパターンが、ターゲット部分C上に投影される間に、同期して走査されるすなわち、単一動的露光。支持構造体MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの縮小率拡大率およびイメージ反転特性によって決められる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光のターゲット部分走査しない方向の幅を制限し、一方、走査運動の長さは、ターゲット部分の走査方向の高さを決める。00403.別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持する支持構造体MTは、実質的に静止状態に保たれ、基板テーブルWTは、ビームPBに与えられるパターンが、ターゲット部分C上に投影される間、移動する、または、走査される。このモードでは、一般に、パルス放射源が採用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTのそれぞれの移動後か、または、スキャン中における連続放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどの、プログラマブルパターニングデバイスを利用するマスク無しリソグラフィに容易に適用されることができる。0041上述した使用モードに関する組合せ、および/または、変形、あるいは、全く異なる使用モードが採用されてもよい。0042上述したように、リソグラフィで遭遇する問題は汚染である。リソグラフィ装置の一部の汚染の低減すること、可能である場合、なくすことが望ましい。たとえば、リソグラフィ装置のエレメントの汚染の低減は、基板上に投影された1つまたは複数のパターン内の欠陥の数を低減する場合がある。基板にパターンを与えるのに使用される放射波長が益々減少することは、より小さな寸法を有する汚染が、問題のより大きな部分になることを意味する。本発明の実施形態によれば、リソグラフィ装置の一部の汚染を低減する方法は、リソグラフィ装置から汚染を除去するように、特別に処理された、かつ/または、設計された基板を採用することである。こうしたクリーニング基板は、リソグラフィ装置の汚染を低減するために、リソグラフィ装置たとえば、基板上に放射を投影する装置、コーティングモジュール、炉、または、リソグラフィプロセスで使用される任意の他の装置を通過させられてもよい。こうした基板は、汚染が、その上で低減される、かつ/または、除去される表面に物理的に接触してもよく、または、汚染を引き寄せ、それにより、汚染を隣接する環境から抽出してもよい。こうしたクリーニング基板は、液浸流体を採用するリソグラフィ装置の汚染を低減するのに特に有益である場合がある。0043汚染は、関係するプロセスの性質のために、液浸リソグラフィにおいて頻繁に起こる可能性がある。たとえば、液浸フードIHが、投影システムPLと基板Wとの間で液浸流体を少なくとも部分的に保持することが図1を見てわかる。液浸フードIHおよび液浸フードIHが保持する液浸流体によって、基板Wの上面に圧力が加えられる。この圧力は、基板W上に堆積されたレジストおよび/または他の層が、緩み、さらに、剥離するようにさせる可能性がある。これは、液浸フードおよび/または液浸流体の汚染をもたらし、おそらく、両者の有効性を減じる可能性がある。0044図2Aは、本発明の実施形態によるクリーニング基板CW1を示す。クリーニング基板CW1は、剛性支持層の役をする標準的な基板1を備える。基板1は、レジスト層で被覆され、図1のリソグラフィ装置を使用してパターニングされてもよい基板と同じ幅であるため標準的であるたとえば、基板は、たとえば、形状が実質的に円柱の直径が200mmまたは300mmのウェーハであってよい。元の図2Aを参照すると、基板1は、ブラシ層2を与えられる。ブラシ層2は、複数の個々のブラシ、繊維、ストランドなどから形成されてもよい。たとえば、ブラシ、繊維、またはストランドは、PVAポリビニルアルコールスポンジから形成されることができる。ブラシ層2を形成するブラシ、繊維、またはストランドは、非常に密に詰められるため、ブラシ層2は、連続した押しつぶされない層を効率的に形成する。あるいは、図2Bに示すように、ブラシ層2は、それほど密に詰められないため、層22からの繊維は、連続層を形成しない。もちろん、基板表面は、異なるエリア上で密に詰まったブラシ2と密に詰まっていないブラシ2の両方の組合せを有してもよい。0045ブラシ層2は、ブラシ層2が基板1に融着するように、基板1の加熱によって基板1に付着されてもよい。別法として、または、付加的に、ブラシ層2は、任意の適した接着剤を使用して付着されてもよく、たとえば、アクリルベース圧力感応性接着剤が使用されてもよい。こうした接着剤は、たとえば、3M米国ミネソタ州から得られることができる。代表的な例は、3MVHB接着剤である。基板1自体は、シリコン、石英、金属、または任意の適した材料から形成されてもよい。0046使用時、クリーニング基板CW1は、汚染された表面にブラシ層2を接触させるように、リソグラフィ装置および/または他のツールを通過してもよい。ブラシ層2をこうした表面に接触させることは、表面および/またはクリーニング基板CW1の移動によって、あるいは、クリーニング基板CW1のサイズ、たとえば、基板1および/またはブラシ層2の厚さの適切な設計によって達成されることができる。たとえば、リソグラフィで使用される従来の基板は、約1mm厚であってよい。リソグラフィ装置は、適切である場合、基板とリソグラフィ装置のエレメントとの間にある程度の隙間を提供するように設計される。ブラシ層2とリソグラフィ装置の1つまたは複数のエレメントとの間に隙間が存在しないすなわち、ブラシ層2がエレメント複数可に接触するように、基板1および/またはブラシ層2の組合せた厚さは、0.5mm~3.5mmであってよい。0047図2Cは、クリーニング基板CW1の使用の例を示す。液浸フードIHは、投影システムPLの下に配設されて示されるたとえば、図1の液浸フードIHと投影システムPL。クリーニング基板CW1は、ブラシ層2が液浸フードIHに接触するように位置決めされる。液浸フードIHの最も下の表面上の汚染は、液浸フードIHに対してクリーニング基板CW1を移動させることによって、かつ/または、クリーニング基板CW1に対して液浸フードIHを移動させることによって除去されてもよい。0048汚染は、ブラシ層2を形成する材料によって吸収されてもよく、または、汚染は、層2のブラシ上に、かつ/または、ブラシの間に入り込んでもよい。ブラシ層2は、同様に、または、別法として、液浸フードIHの最も下の表面から汚染を分離させてもよい。分離された汚染は、クリーニング基板CW1と投影システムPLとの間の液浸フードIHによって保持されてもよい液浸流体によって洗い流されることができる。ブラシ層2は、液浸フードIHに損傷を生じないように、望ましくは、変形可能である。0049液浸フードIHの最も下の表面から汚染を除去することによって、この汚染が、分離し、液浸流体を汚染し、および/または、投影システムPLによって放射に露光される基盤を汚染する可能性が、減るか、または、なくなる。0050図3Aは、図2Aのクリーニング基板と同様のクリーニング基板を示し、図3Bは、図2Cに関して示した使用と同様のクリーニング基板の使用を示す。図3Aは、剛性支持層の役をし、その上にスポンジ層4が設けられる基板3を備えるクリーニング基板CW2を示す。スポンジ層4は、接着剤たとえば、図2Aのクリーニング基板CW1に関して述べた接着剤を使用して、かつ/または、スポンジ層4が、基板3上で部分的に溶解し、基板3に結合するように基板3を加熱することによって、基板3に付着されてもよい。0051クリーニング基板CW2は、リソグラフィで使用される標準的なサイズであってよい。たとえば、クリーニング基板CW2は、直径が200mmであるか、直径が300mmであるか、または、任意の他のサイズ、リソグラフィ装置で使用されるウェーハであってよく、また、形状が実質的に円柱であってよい。これは、クリーニング基板CW2が、レジスト層を備えた基板がそうであるのと同じ方法で、リソグラフィ装置内に装填され、リソグラフィ装置の周りで移動することができるようなものである。基板3は、任意の適した材料、たとえば、シリコン、石英、金属などから形成されてもよい。スポンジ層4は、任意の適した材料から形成されてもよい。特に良好な材料は、PVAスポンジである。この種類のスポンジは、濡れると非常に柔軟になることがわかっており、表面から汚染を除去するのが得意である。スポンジ層4のための代替の、または、付加的な材料はポリウレタンである。0052使用時、クリーニング基板CW2は、汚染された表面にスポンジ層4を接触させるように、リソグラフィ装置および/または他のツールを通過してもよい。スポンジ層4をこうした表面に接触させることは、表面および/またはクリーニング基板CW2の移動によって、あるいは、クリーニング基板CW1のサイズ、たとえば、基板3および/またはスポンジ層4の厚さの適切な設計によって達成されることができる。たとえば、リソグラフィで使用される従来の基板は、約1mm厚であってよい。リソグラフィ装置は、適切である場合、基板とリソグラフィ装置のエレメントとの間にある程度の隙間を提供するように設計される。スポンジ層4とリソグラフィ装置の1つまたは複数のエレメントとの間に隙間が存在しないすなわち、スポンジ層4がエレメント複数可に接触するように、基板3および/またはスポンジ層4の組合せた厚さは、0.5mm~3.5mmであってよい。0053図3Bは、図3Aのクリーニング基板CW2の使用を示す。図3Bでは、クリーニング基板CW2が、たとえば、図1のリソグラフィ装置内に装填されていることが見てわかる。クリーニング基板CW2の位置は、スポンジ層4が、液浸フードIHの最も下の表面に接触するようなものである。液浸フードIHに対するクリーニング基板CW2の移動またはその逆は、スポンジ層4が、液浸フードIHの最も下の表面をこすり、汚染をそこから除去するようにさせる。汚染たとえば、薄片または粒子は、スポンジ層4の表面に付着するか、スポンジ層4の表面または本体の孔内に入り込む場合がある。別法として、または、付加的に、スポンジ層4は、液浸フードIHの最も下の表面から汚染を分離させてもよい。スポンジ層4が液浸フードIH上で使用されると同時に、液浸流体が液浸フードIHによって保持される場合、液浸流体は、分離された汚染を洗い流してもよい。スポンジ層4は、液浸フードIHに損傷を生じないように、望ましくは、変形可能である。0054図2Aおよび3Aのクリーニング基板CW1、CW2の一方または両方は、液浸フードIHを清浄にするために使用されたとき、後のステージで同じ液浸フードIHを清浄にするか、または別の液浸フードまたは他の装置を清浄にするのに再使用されることができる。再使用される前に、液浸フードIHから除去され、ブラシ層2またはスポンジ層4上に堆積した汚染は、除去されるべきである。これは、層2,4をすすぐことによって、または、別のプロセスによって、行われることができる。あるいは、層2,4は、層2,4を支持するそれぞれの基板から剥離され、別の清浄な層と置換えられることができる。あるいは、新しい置換クリーニング基板が使用されることができる。あるいは、新しい層2、4が、汚染した層の上に重ねられることができる。0055図2Aおよび3Aのクリーニング基板CW1、CW2の一方または両方が、液浸フードIHを清浄にするために使用される前に、ブラシ層2またはスポンジ層4は、たとえば、超純水または同様なもので濡らされてもよい。層2、4を濡らすことは、表面たとえば、液浸フードIHの最も下の表面から汚染を除去するときに、層2、4をより変形可能にし、かつ/または、より有用にする場合がある。0056図2Aおよび3Aのクリーニング基板CW1、CW2は、使用時に、液浸フードIHを清浄にするものとして述べられたが、その一方または両方は、代わりに、または、それに加えて、別の表面を清浄にするのに使用されてもよい。別の表面を清浄にすることは、液浸フードIHを清浄にすることとほとんど同じ方法で達成されてもよい。すなわち、クリーニング基板CW1、CW2は、ある位置に移動し、それにより、層が表面をこすり、その表面から汚染を除去するように、ブラシ層2またはスポンジ層4が表面に接触する。0057ブラシ層2またはスポンジ層4を備える図2Aおよび3Aのクリーニング基板CW1、CW2の代わりに、または、それに加えて、任意の適した変形可能な層または他の1つの構造または複数の構造が使用されてもよい。0058図4Aは、パターニングされた上部面を備えた基板10を備えるクリーニング基板CW3を示す。パターンは、一連の突出部11および凹所12を備える。基板10は、たとえば、図1のリソグラフィ装置で使用される液浸流体に対して濡れ性のない材料から形成されるか、または、突出部11および凹所12が、液浸流体に対して濡れ性のないように処理される。0059図4Bは、さらなる実施形態を示す。図4Bは、クリーニング基板CW4を示す。この実施形態では、基板20は、一連の突出部21および凹所22を与えられた。この実施形態では、一連の突出部21および凹所22は、使用される液浸流体に対して濡れ性のない層23に関して提供される。たとえば、層23は、HMDSヘキサメチルジシラザン層であってよい。0060図4Cは、さらなる実施形態を示す。図4Cは、クリーニング基板CW5を示す。この実施形態では、基板30は、液浸流体に対して濡れ性のない層31を備えた。層31は、一連の突出部32および凹所33を与えられる。層31は、たとえば、HMDS層であってよい。0061図4A~4Cのクリーニング基板は、リソグラフィで使用される標準的なサイズであってよい。たとえば、クリーニング基板は、直径が200mmであるか、直径が300mmであるか、または、任意の他のサイズ、リソグラフィ装置で使用されるウェーハであってよく、また、形状が実質的に円柱であってよい。これは、クリーニング基板が、レジスト層を備えた基板がそうであるのと同じように、リソグラフィ装置内に装填され、リソグラフィ装置のあちこちを移動することができるようにするためである。0062図4A~4Cでは、突出部および凹所は、たとえば、エッチング、放射に対する露光、または、使用される材料にとって適切な任意のプロセスを使用して、従来の任意の方法で形成されることができる。現在のところ、図1に示すようなリソグラフィ装置で使用されるのに最も適した液浸流体として、超純水が提案されてきた。水が液浸流体である場合、上述し、また、濡れ性がないものとして参照された表面または構造は、疎水性であろう。もちろん、液浸流体が水でない場合、上述し、また、濡れ性がないものとして参照された表面および構造は、代替の液浸流体に対して濡れ性がないであろう。0063基板または基板上の層は、内因的に濡れ性がなくてもよくたとえば、HMDSは疎水性である、または、基板または層は、濡れ性をなくされるように処理されてもよい。たとえば、基板および/または層は、濡れ性をなくされるように、プラズマに露光されてもよい。0064図4Dおよび4Eは、図4Aのクリーニング基板CW3の使用を示す。しかし、クリーニング基板CW4およびクリーニング基板CW5は、同じ方法で使用されてもよいことが理解されるであろう。図4Dは、図1の投影システムPLおよび液浸フードIHを示す。液浸フードIHは、投影システムPLとクリーニング基板CW3との間に液浸流体40を少なくとも部分的に保持する。クリーニング基板CW3は、液浸フードIHに対して静止状態で保たれてもよく、または、より望ましくは、液浸フードIHに対して移動してもよいかつ/または、液浸フードIHは、クリーニング基板CW3に対して移動してもよい。液浸流体40内に位置する小さなドットは、汚染41を表す。クリーニング基板CW3の突出部11および凹所12は、濡れ性がないため、液浸流体40は、凹所12内に流れないことが見てわかる。経時的に、汚染41は、クリーニング基板CW3の方に流れる、または、降下するであろう。これは、重力、または、ファンデルワールス力などの他の力によってもよい。0065図4Eは、汚染41が、クリーニング基板CW3の方に降下するか、または、流れた状況を示す。汚染41は、クリーニング基板CW3に付着するか、または、凹所12内に降下してもよい。クリーニング基板CW3は、その後、リソグラフィ装置から除去されてもよい。クリーニング基板CW3は、後で同じ液浸フードIHを清浄にするか、または、別の液浸フードまたは、他の装置を清浄にするのに使用されるように、汚染を除去されることができる。たとえば別法として、また、クリーニング基板が構築される仕方に応じて、基板上に堆積される層は、汚染を除去するために剥離されてもよい。層は置換えられ、クリーニング基板は再使用されることができる。0066図4A~4Cのクリーニング基板は、使用される液浸流体に対して濡れ性がない一連の突出部および凹所を与えられるものとして述べられた。これは、本質的ではない。一実施形態では、突出部は、実際に濡れ性がなく、凹所は、実際に濡れ性があってもよい。別の実施形態では、突出部は、実際に濡れ性があり、凹所は、実際に濡れ性がなくてもよい。別の実施形態では、突出部および凹所は、実際に共に濡れ性があってもよい。要約すると、凹所および/または突出部は、液浸流体からクリーニング基板への汚染の移動を促進させるために、適切に濡れ性があるか、または、濡れ性がないようにされるべきである。0067図4A~4Cのクリーニング基板は、液浸フードおよび/または液浸流体を清浄にすることに関して述べられたが、他の状況で使用されてもよい。たとえば、クリーニング基板は、任意の流体から汚染が除去される場合に特に使用されてもよい。流体は液体であっても気体であってよい。0068図5Aは、クリーニング基板CW6の平面図を示す。クリーニング基板CW6は、モザイクパターン51を有する基板50を備える。モザイクパターン51は、基板50内にまたは基板50上に直接設けられてもよく、または、基板50上に堆積された1つまたは複数の層内にまたは1つまたは複数の層上に設けられてもよい。0069クリーニング基板CW5は、リソグラフィで使用される標準的なサイズであってよい。たとえば、クリーニング基板CW5は、直径が200mmであるか、直径が300mmであるか、または、任意の他のサイズ、リソグラフィ装置で使用されるウェーハであってよく、また、形状が実質的に円柱であってよい。これは、クリーニング基板CW5が、レジスト層を備えた基板がそうであるのと同じように、リソグラフィ装置内に装填され、リソグラフィ装置のあちこちを移動することができるようにするためである。基板50は、任意の適した材料、たとえば、シリコン、石英、金属などから形成されてもよい。0070図5Bは、モザイクパターン51のセクションをより詳細に示す。4つの個々のパターンセクション51a、51b、51c、51dが示され、これら4つの個々のパターンセクションは、基板50にわたって繰り返される。それぞれのパターンセクション51a、51b、51c、51dは、特定の性質の汚染粒子を引き寄せるように設計される。すなわち、第1パターンセクション51aは、正電荷の粒子を引き寄せるように構成されてもよい。第2パターンセクション51bは、負電荷の粒子を引き寄せるように構成されてもよい。第3パターンセクション51cは、極性のある性質の粒子を引き寄せるように構成されてもよい。第4パターンセクション51dは、無極性の性質の粒子を引き寄せるように構成されてもよい。パターンセクション51a、51b、51c、51dは、電荷および極性の組合せのうちの1つを有する汚染を引き寄せるように構成されてもよい。第1パターンセクション51aは、正電荷を有する極性のある汚染を引き寄せるように構成されてもよい。第2パターンセクション51bは、負電荷を有する極性のある汚染を引き寄せるように構成されてもよい。第3パターンセクション51cは、正電荷を有する無極性の汚染を引き寄せるように構成されてもよい。第4パターンセクション51dは、負電荷を有する無極性の汚染を引き寄せるように構成されてもよい。パターンセクションは、ゼータ電位効果を利用することによって、中性汚染すなわち、内因性電荷を持たないを引き寄せてもよく、ゼータ電位効果では、内因性電荷を持たない汚染は、汚染がその中に浸される流体によって影響を及ぼされる負または正の表面電荷をとることができる。たとえば、水では、イオンタイプおよび濃度、より具体的には、酸性またはアルカリ性の性質すなわち、pH値が、ゼータ電位に影響を及ぼす。0071パターンセクションは、所望の性質の粒子を引き寄せるために、任意の適した材料から形成されるまたは、任意の適した方法で処理されることができる。たとえば、第1パターンセクション51aは、ベアシリコンたとえば、基板50自体の露出領域であることができる。このセクションは、負電荷を有し、かつ、極性のある表面であることになる。したがって、このセクションは、正電荷を有する極性のある汚染を引き寄せることになる。第2パターンセクション51bは、アミン官能基化シリコンであることができる。このセクションは、正電荷を有し、かつ、極性のある表面であることになる。したがって、このセクションは、負電荷を有する極性のある汚染を引き寄せることになる。第3パターンセクション51cは、HMDS処理されたシリコンであることができる。したがって、このセクションは、負電荷を有し、かつ、無極性の表面であることになる。したがって、このセクションは、正電荷を有する無極性の汚染を引き寄せることになる。第4セクション51dは、アミン官能基化されたHMDS処理されたシリコンを備えることができる。したがって、このセクションは、正に帯電し、かつ、無極性の表面であることになる。したがって、このセクションは、負電荷を有する無極性の汚染を引き寄せることになる。0072第1、第2、第3、および第4のパターンセクション51a、51b、51c、51dは、任意の適した方法で、たとえば、モザイクたとえば、チェッカーボードパターン、同心リングのアレイ、リング、リングセグメント、基板にわたって延びる直線ストリップのアレイ、または、任意の好都合なパターンで構成されることができる。0073図5Cは、図1のリソグラフィ装置の投影システムPLおよび液浸フードIHを示す。液浸フードIHは、投影システムPLとクリーニング基板CW6との間に液浸流体60を少なくとも部分的に保持する。液浸流体60が汚染61を含むことが見てわかる。クリーニング基板CW6は、望ましくは、パターン51の大きな面積を液浸フードIHと液浸流体60に露出させるために、液浸フードIHと液浸流体60に対して移動するおよび/またはその逆。0074図5Dは、液浸流体60と液浸流体60が含む汚染61が、クリーニング基板CW6の非常に近くにあるとき、経時的に起こることを示す。図5Aおよび5Bに関して述べたパターン表面51の性質のために、汚染が、パターン表面51に引き寄せられたことが見てわかる。クリーニング基板CW6は、ある期間後に、液浸流体60および液浸フードIHと近接状態にあることから解除されることができる。クリーニング基板CW6は、その後、パターン表面51から汚染61を除去するために、清浄にされることができる。清浄プロセスは、たとえば、パターン表面から汚染を除去してもよく、または、別法として、パターン表面51自体を除去してもよい。パターン表面は、適切である場合、基板50に再適用されることができる、または、別のクリーニング基板が使用されることができるであろう。00754つの異なる繰り返しパターンセクションを有することは必須でない。異なる電気特性たとえば、電荷と極性を有する2つのパターンセクション、または、さらに3つのパターンセクションが使用されてもよい。パターンセクションの数は、表面から除去されることを意図される汚染、または、リソグラフィ装置または、他のツールで使用される流体に依存してもよい。0076異なる電気特性を有するモザイクパターン51をクリーニング基板に与える代わりに、複数の基板を使用するが、同じ一般原理が適用されることができる。たとえば、異なる電気特性を有する複数のパターンセクションを単一基板に与える代わりに、基板が、電気特性の単一の組合せを有するセクションを与えられるだけでもよい。複数の基板は、それぞれ、電気特性の異なるセットまたは電気特性のある組合せを有する単一セクションを与えられることができる。これらの基板は、たとえば、液浸フードおよび/または液浸流体を清浄にするために、リソグラフィ装置を連続して通過させられることができる。たとえば、第1基板は、上述したように、ベアシリコン表面を与えられることができる。第2基板は、上述したように、アミン官能基化シリコン表面を与えられることができる。第3基板は、上述したように、HMDS処理されたシリコン層を与えられることができる。第4基板は、上述したように、アミン官能基化されたHMDS処理されたシリコン層を与えられることができる。液浸フードおよび/または液浸流体を清浄にするために、複数の基板を使用するプロセスは、うまく働くことになるが、最も効率的な方法ではない。たとえば、異なる基板は、装置を清浄にするために、装置を連続して通過させられる必要があることになり、一方、図5Aおよび5Bに関して述べた基板は、異なる電気特性を有する複数のセクションを与えられるため、1回、装置を通過させられる必要があるだけであってよい。そのため、リソグラフィ装置からの汚染の除去が、それぞれが、異なる性質の汚染を引き寄せるための異なる電気特性を有する、2つ以上のセクションを有する基板を使用して、より迅速に達成されてもよい。0077上述したクリーニング基板は全て、特にまたもっぱらクリーニング基板として使用されてもよい。しかし、これらの基板は、他の目的および/または機能を有してもよい。たとえば、上述した清浄機能は、チャック温度制御または任意の他の目的のために通常使用される基板内に導入されることができる。たとえば、上述した清浄特性は、リソグラフィ装置の、基板テーブル、支持構造体などを位置合わせするのに使用される基準基板に対して導入されることができる。0078上述したクリーニング基板は、任意の適切な時間に使用されることができることが理解されるであろう。たとえば、クリーニング基板は、レジストで被覆された基板の各露光でかつ全ての露光の前に使用されることができる。しかし、スループットが悪い影響を及ぼされるため、これは、理想的ではない場合がある。レジストで被覆された多数の基板たとえば、バッチが、放射ビームに露光される前に、上述した基板の1つまたは複数を使用して、清浄プロセスに着手することが、より望ましい場合がある。0079既に上述したように、クリーニング基板は、たとえば、汚染されたクリーニング基板を層などから剥離することを含んでもよい適切な清浄後に、再使用されてもよい。あるいは、リソグラフィ装置の一部を清浄にするために、クリーニング基板が廃棄され、新しいクリーニング基板が使用されることができる。あるいは、新しい層などが、クリーニング基板上で、既存の汚染された層の上に設けられてもよい。0080上述した実施形態では、突出部および凹所は、均一であるものとして図に示される。これは、必須ではなく、突出部および凹所は、基板の表面にわたって高さおよび深さが変わってもよい。異なる高さを持つことで、突出部および凹所は、空気または液浸流体の乱流を増加させ、表面または液浸流体からの汚染の除去についての効率の増加をもたらす可能性がある。突出部の高さまたは凹所の深さは、突出部および/または凹所が構造的に不安定になるようなものであるべきではない。一般に、突出部または凹所を形成するのに使用されるフィーチャは、フィーチャの幅の5倍以下であるべきである。突出部および凹所のピッチは、突出部の幅と隣接する凹所の幅を足した値として規定される。ピッチは、50nm~1000nmまで変わってもよい。ピッチは、凹所内への汚染の堆積または、換言すれば、収集に優先的に有利になるように変わってもよい。カラムに似た凹所および突出部の使用は必須ではないことも理解されるであろう。突出部および凹所は、汚染を保持することができる任意のものであってよい。たとえば、突出部および凹所は、たとえば、化学的研磨または機械的研磨を使用して、基板の表面を引っ掻くことによって形成されることができる。パターンは、規則的である必要はなく、不規則パターンは、空気および/または液浸流体の乱れを増加させ、それにより、汚染の除去の効率が増すために望まれる場合がある。0081ある時点で、または、連続して、2つ以上のクリーニング基板が使用されてもよい。たとえば、1つのクリーニング基板は、リソグラフィ装置のある部分で使用されてもよく、そのとき、別の基板は、リソグラフィ装置の別の部分で使用される。たとえば、リソグラフィ装置は、別の基板が、そのトポロジを決定するためにスキャンされる間に、1つの基板を放射に対して露光することによって働いてもよい。クリーニング基板は、これら2つのステージ内の、または、その周りのエリアを清浄にするのに使用されることができる。0082本明細書で述べるクリーニング基板の1つまたは複数についての1つまたは複数の態様が、単一基板上で組合せて使用されてもよい。たとえば、クリーニング基板は、ブラシ層およびスポンジ層を含んでもよく、または、クリーニング基板は、ブラシ層および上述した突出部と凹所の配置構成を含んでもよい。さらに、本明細書のクリーニング基板は、基板の一方の面上に清浄機能を有するものとして主に述べられた。清浄機能は、基板の1つまたは複数の他の面上に設けられて、さらなる清浄たとえば、液浸フードIH、および、液浸フードIHを清浄にするために、クリーニング基板がその上に支持される基板テーブルWTの同時の清浄が提供されるか、または、他の表面が使用後に汚染したとき、清浄時に使用される清浄な表面が提供されることができる。0083上述したように、述べたクリーニング基板は、リソグラフィ装置の任意の適切な表面を清浄にするのに使用されてもよい。クリーニング基板は、リソグラフィの分野以外でさらに使用されてもよい。しかし、上述したクリーニング基板は、リソグラフィにおいて、特に、液浸フードおよび/または液浸流体の汚染がかなりの問題になり、また、益々減少する露光波長の使用によって、将来、増加する可能性がある液浸リソグラフィにおいて、使用するのに適する。リソグラフィで使用される装置を清浄にするためにクリーニング基板を使用することの重要な利点は、装置が、基板を操作するために既に構成されていることである。これは、普通なら、さらなる汚染が装置に入ることを可能にすると思われる、装置を開ける、または、少なくとも部分的に装置を分解する必要無しで、クリーニング基板によって装置が清浄にされることができることを意味する。0084本発明の特定の実施形態が先に述べられたが、本発明は、述べた以外の方法で実施されてもよいことが理解されるであろう。説明は、本発明を制限することを意図されない。"