一次光を発光する発光素子と、前記一次光の一部を吸収して二次光を発光する波長変換部を備えた発光装置において、前記波長変換部は少なくとも蛍光体を含む樹脂層からなる、第1の波長変換部と第2の波長変換部とを含む複数の樹脂層からなり、前記複数の樹脂層は互いに異なる発光帯域を有し、前記第1の波長変換部は、前記第2の波長変換部より、前記発光素子に近い側に配置され、前記波長変換部は、前記一次光の光路方向の厚みが均一でないことを特徴とする発光装置。前記複数の樹脂層は、相対的に長い波長の二次光を発する順序で前記発光素子に近い側から配置されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。前記第1の波長変換部は、ナノ結晶である蛍光体を含む樹脂層から構成され、前記第2の波長変換部は、希土類付活蛍光体もしくは遷移金属元素付活蛍光体を含む樹脂層から構成されていることを特徴とする請求項2記載の発光装置。前記ナノ結晶蛍光体は、III―V族化合物半導体または、II―VI化合物半導体よりなることを特徴とする請求項3記載の発光装置。前記ナノ結晶蛍光体は、InPまたはCdSeのうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項4記載の発光装置。前記希土類付活蛍光体は、付活剤としてCeもしくはEuを含むことを特徴とする請求項3記載の発光装置。前記希土類付活蛍光体は、窒化物系蛍光体であることを特徴とする請求項3ないし5のいずれかに記載の発光装置。前記窒化物系蛍光体は、サイアロン蛍光体であることを特徴とする請求項7記載の発光装置。前記第2の波長変換部は、前記一次光の波長の光路方向の厚みが均一でないことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の発光装置。前記第1の波長変換部と、前記第2の波長変換部が接する面において、前記第2の波長変換部側の面積が、前記第1の波長変換部側の面積より小さいことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の発光装置。前記発光装置は、前記発光素子の近傍に放熱板を備えることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の発光装置。パッケージの底面上に発光素子を搭載する工程と、前記発光素子を覆うように第1の蛍光体が混練された液状樹脂を注入して硬化させることにより、第1の波長変換部を形成する工程と、前記第1の波長変換部の上に、第2の蛍光体が混練された液状樹脂を注入して硬化させることにより、第2の波長変換部を形成する工程と、前記第2の波長変換部の一部を除去する工程を含む発光装置の製造方法。しかしながら、上記特許文献1における発光装置90を実際に発光させた場合、発光素子91からの光が蛍光体の各層を通過する際に、上部の層において光が一部吸収されたり、あるいは光散乱が起こることにより、特に最下層93からの赤色光の取り出し効率が低くなってしまう。このため、各色の発光強度のバランスが崩れ、理想的な色再現性及び明るさを得ることは困難である。また、発光素子から放射される熱が十分に発光装置内から放出されず、電気エネルギーが光エネルギーに変換できず、発光装置の発光効率の低下あるいは発光装置の劣化を進行させることがある。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡単な方法で発光色の調整、設定が可能で、光散乱の影響を緩和し、明るく、色再現性が良く、発光素子の放熱効果を上げて、発光装置の発光効率の低下あるいは発光装置の劣化の進行を防ぐ発光装置を提供することにある。本発明に係る発光装置は、一次光を発光する発光素子と、前記一次光の一部を吸収して二次光を発光する波長変換部を備えた発光装置において、前記波長変換部は少なくとも蛍光体を含む樹脂層からなる、第1の波長変換部と第2の波長変換部とを含む複数の樹脂層からなり、前記複数の樹脂層は互いに異なる発光帯域を有し、前記第1の波長変換部は、前記第2の波長変換部より、前記発光素子に近い側に配置され、前記波長変換部は、前記一次光の光路方向の厚みが均一でないことを特徴とする。また、前記複数の樹脂層は、相対的に長い波長の二次光を発する順序で前記発光素子に近い側から配置されていることを特徴としてもよい。また、前記第1の波長変換部は、ナノ結晶である蛍光体を含む樹脂層から構成され、前記第2の波長変換部は、希土類付活蛍光体もしくは遷移金属元素付活蛍光体を含む樹脂層から構成されていることを特徴としてもよい。また、前記ナノ結晶蛍光体は、III―V族化合物半導体または、II―VI化合物半導体よりなることを特徴としてもよい。また、前記ナノ結晶蛍光体は、InPまたはCdSeのうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする。また、前記希土類付活蛍光体は、付活剤としてCeもしくはEuを含むことを特徴としてもよい。また、前記希土類付活蛍光体は、窒化物系蛍光体であることを特徴としてもよい。また、前記窒化物系蛍光体は、サイアロン蛍光体であることを特徴としてもよい。また、前記第2の波長変換部は、前記一次光の波長の光路方向の厚みが均一でないことを特徴としてもよい。また、前記第1の波長変換部と、前記第2の波長変換部が接する面において、前記第2の波長変換部側の面積が、前記第1の波長変換部側の面積より小さいことを特徴としてもよい。また、前記発光素子の近傍に放熱板を備えることを特徴としてもよい。本発明に係る発光装置の製造方法は、パッケージの底面上に発光素子を搭載する工程と、前記発光素子を覆うように第1の蛍光体が混練された液状樹脂を注入して硬化させることにより、第1の波長変換部を形成する工程と、前記第1の波長変換部の上に、第2の蛍光体が混練された液状樹脂を注入して硬化させることにより、第2の波長変換部を形成する工程と、前記第2の波長変換部の一部を除去する工程を含むことを特徴とする。本発明の発光装置によれば、簡単な方法で発光色の調整や設定が可能で、光散乱の影響を緩和し、明るく、色再現性が良く、また、発光装置の発光効率の低下あるいは発光装置の劣化の進行を防ぐ発光装置を実現することができる。以下、本発明の一つの実施形態について図1~図7を用いて以下に説明する。なお、図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。本願において、ナノ結晶とは結晶サイズを励起子ボーア半径程度まで小さくし、量子サイズ効果による励起子の閉じ込めやバンドギャップの増大が観測される結晶を指すものとする。<実施形態1>図1は、第1の実施形態に係る発光装置10の断面図である。発光装置10は、電極1が形成された基板2と、電極1上に設けられたパッケージ3及び発光素子4と、発光素子4と電極1を接続するワイヤ5、発光素子4の光路順に半導体ナノ粒子を含有する第1の波長変換部6とEu付活β型サイアロン蛍光体を含有する第2の波長変換部7が積層されたものとで構成される。電極1を形成する導体は、発光素子4を電気的に接続するための電導路としての機能を有し、ワイヤ5にて発光素子4と電気的に接続されている。導体としては、たとえばW、Mo、Cu、またはAg等の金属粉末を含むメタライズ層を用いることができる。基板2は、熱伝導性が高く、かつ全反射率の大きいことが求められるため、たとえばアルミナ、窒化アルミニウム等のセラミック材料のほかに、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂が好適に用いられる。パッケージ3は、高い反射率を持ちつつ、封止樹脂との密着性が良いポリフタルアミドなどにより構成される。発光素子4は、光源として用いられ、たとえば450nmにピーク波長を有するGaN系発光ダイオード、ZnO系発光ダイオード、ダイヤモンド系発光ダイオード等を用いることができる。第1の波長変換部6は、蛍光体を含む樹脂層から構成され、例えば、InP系のナノ結晶を用いることができる。InPは粒径を小さくナノ結晶化していくと、量子効果によってバンドギャップを青色から赤色の範囲で制御することができる。例えば、赤色発光する粒径を有する、InP系ナノ結晶をシリコーン樹脂中に混合し硬化させたものが用いられる。このほか、波長変換部6として、InP以外のIII―V族化合物半導体やII―VI化合物半導体よりなるナノ結晶である赤色蛍光体を用いてもよい。たとえば、II―VI族化合物半導体やIII―V族化合物半導体よりなるナノ結晶の化合物半導体としては、二元系では、II-VI族化合物半導体として、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbSe、PbS等が挙げられる。III-V族化合物半導体としては、GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs等が挙げられる。また、三元系や四元系では、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、InGaN、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、InAlPAs等が挙げられる。そして、第1の波長変換部6としては、InおよびPを含むナノ結晶、または、CdおよびSeを含むナノ結晶を用いることが好ましい。その理由は、InおよびPを含むナノ結晶、または、CdおよびSeを含むナノ結晶は、可視光域380nm~780nmで発光する粒径のナノ結晶を作製し易いためである。その中でも特に、InP、またはCdSeを用いることが好ましい。理由としては、InPとCdSeは、構成する材料が少ないため作製がし易い上、高い量子収率を示す材料であり、LEDの光を照射した際、高い発光効率を示すからである。ここでの量子収率とは、吸収した光子数に対する蛍光として発光した光子数の割合のことである。さらに言えば、第1の波長変換部6として、強い毒性を示すCdを含まないInPを用いることが好ましい。第2の波長変換部は、例えば、図1に示すように中央部にくぼみが設けられ、発光素子4の光路方向の厚みが一定ではない。また、第2の波長変換部7は、上記第1の波長変換部と異なる発光帯域を有する蛍光体を含む樹脂層から構成され、例えば、希土類付活蛍光体もしくは遷移金属元素付活蛍光体を用いることが出来る。これらの蛍光体は、酸素や水分の影響で蛍光体の発光効率が低下しにくい蛍光体であり、たとえば、蛍光体母体がイットリウムアルミニウムガーネットYAGに付活剤としてセリウムCeを導入したYAG:Ceなどが挙げられる。さらに、これらの蛍光体は希土類や遷移金属元素を付活された窒化物系蛍光体であることが望ましい。窒化物系蛍光体は、高温下でも発光効率の低下が起きにくい特徴を持つ。窒化物系蛍光体としては、たとえば、サイアロン蛍光体が考えられ、β型サイアロンSiAlONに希土類元素や遷移金属元素を付活した蛍光体が知られている。Tb、Yb、Agを付活したβ型サイアロンは525nmから545nmの緑色を発光する蛍光体となる。さらに、β型サイアロンにEu2を付活した緑色の蛍光体が知られている。Eu付活β型サイアロン蛍光体は、従来の公知の方法にて製造することが出来る。具体的には、たとえばEu2O3、EuN等の光学活性元素Euを含有する金属化合物と窒化アルミニウムAlN粉末と窒化珪素粉末Si3N4とを均一に混合し、1800~2000°C程度の温度で焼成することで得られる。これら原料粉末の混合比は、焼成後の蛍光体の組成比を考慮して適宜選択される。次に、発光装置10の製造方法を以下に説明する。本実施形態では、樹脂層が2層の場合について説明するが、樹脂層は互いに異なる発光帯域を有しておればよく、層の数が増えても発光装置の製造は同様にして行うことが可能である。図2及び図3は、発光装置10の製造工程を説明する図である。まず、図2に示されるように電極1、基板2、パッケージ3、発光素子4、そしてワイヤ5が備わったLEDパッケージを用意する。次に、重量比で樹脂:ナノ結晶である赤色蛍光体=1000:4.62の比になるよう樹脂とナノ結晶である赤色蛍光体を含有するトルエン溶液を混合する。ナノ結晶である赤色蛍光体には、InP結晶からなるものを使用した。また、シリコーン樹脂は、信越化学工業株式会社製SCR1011を使用した。SCR1011以外でも、ナノ結晶である赤色蛍光体が均一に分散される樹脂であって、透明であり、熱や光に強い樹脂であれば使用することが出来る。次に、図3に示すように、上記LEDパッケージにナノ結晶である赤色蛍光体を含有した液状樹脂を滴下し、所定の時間で硬化させることで第1の波長変換部6を作製した。次に、重量比で樹脂:Eu付活β型サイアロン蛍光体=1000:200の比で混合する。シリコーン樹脂は、信越化学工業株式会社製SCR1011硬化前粘度350mPasを使用した。SCR1011以外でも、Eu付活β型サイアロン蛍光体が均一に分散される樹脂であって、透明であり、熱や光に強い樹脂であれば使用することが出来る。その後、第1の波長変換部6が形成されているLEDパッケージにEu付活β型サイアロン蛍光体を含有する液状樹脂を滴下し、所定の時間で硬化させることで第2の波長変換部7を作製した。今回は、第1の波長変換部6と第2の波長変換部7の一次光の光路方向の厚みは、同じになるよう調整したが、求められる発光装置の仕様にしたがって、厚みを設定すればよい。その後、イオンビームで第2の波長変換部7を削り取る。上記のようにして、図1に示すような発光装置10が作製される。図4a~dは、本実施形態における発光装置10a~10dの断面図である。図4aに示す発光装置10aにおいては、第2の波長変換部72には、その表面に波型のくぼみが複数設けられている。図4bに示す発光装置10bにおいては、第2の波長変換部73は、中央付近において断面略U字状のくぼみが設けられている。図4cに示す発光装置10cにおいては、第2の波長変換部74は、中央付近において断面略V字状のくぼみが設けられている。図4dに示す発光装置10dにおいては、第2の波長変換部75は、断面が凹凸状となっている。これらの作製方法については、上記で説明した作製方法と同様である。本実施形態によれば、第2の波長変換部において、一次光波長の光路方向に対する厚みが厚い部分と、一次光波長の光路方向に対する厚みが薄い部分が存在する。発光素子4及び第1の波長変換部6からの発光は、厚みが厚い部分より、厚みが薄い部分において、よく通過する。理由は、第2の波長変換部を構成する樹脂層の厚みの薄い部分では、樹脂層の厚みが厚い部分に比べ、樹脂層を構成する樹脂及び蛍光体の絶対量が少ないため、当然、発光素子4及び第1の波長変換部6からの発光を吸収する量も減り、前記発光が取り出しやすくなるためである。さらに、樹脂層の厚みが薄い部分に含まれる蛍光体の総数は、樹脂層の厚みが厚い部分に比べ少ないので、発光素子4及び第1の波長変換部6からの発光が、第2の波長変換部に含まれる蛍光体によって散乱を起こす可能性が低くなるからである。このように第2の波長変換部の厚みを部分的に異ならせることで、第1の波長変換部からの光を効率よく取り出すことができる。また、第2の波長変換部7は、厚みが薄い部分が存在すること、または、第2の波長変換部7が部分的に削り取られていることで、空気と接する表面積が大きくなっている。そのため、発光素子4から放射される熱が発光装置10内から上部に放出されやすく、熱による発光効率の低下を抑えることができる。また、熱による発光装置10の劣化を防ぐことができる。なお、本実施形態のように、第1の波長変換部6に熱に弱いという特性を持つナノ結晶である蛍光体を用いた場合には、前記放熱効果により、ナノ結晶である蛍光体の劣化を抑えることもできるので、特に有効である。さらに、図5に示すように、発光素子4の下部に放熱板11を配しても良い。放熱板11の材料としてはアルミニウムや銅などが用いられる。放熱板11を配することにより、発光装置10の下部からも放熱が可能となり、発光装置10の上下から放熱されるので、さらに温度上昇を抑える効果が期待できる。なお、本実施形態では、第2の波長変換部の形状として4つの例を挙げて説明したが、これに限られるものではなく、発光装置10に求められる光の色味や光量に応じて、形状や厚みを適宜調整すればよい。<実施形態2>次に、図6を参照して第2の実施形態について説明する。本実施形態では、第1の波長変換部6と第2の波長変換部7が接する面において、第2の波長変換部7側の面積が、第1の波長変換部6側の面積より小さいという点で、前記実施形態1の構成とは異なっている。図6は、本実施形態における発光装置20の断面図である。第1の波長変換部6と、前記第2の波長変換部76が接する面において、第2の波長変換部76側の面積:第1の波長変換部6側の面積=1:2になるように作製している。作製方法としては、実施形態1で説明した製造方法で発光装置10を作製した後、イオンビームで第2の波長変換部76側の面積:第1の波長変換部6側の面積=1:2になるように第2の波長変換部76を削り取り、第1の波長変換部6を露出させる。本実施形態によれば、第1の波長変換部6からの光は、第2の波長変換部76を通過して発光する部分と、第2の波長変換部76を通過せず、直接発光する部分が存在し、第1の波長変換部6からの光を効率よく取り出すことができる。本実施形態では、例として、第1の波長変換部6と、前記第2の波長変換部76が接する面において、第2の波長変換部76側の面積:第1の波長変換部6側の面積=1:2になるように作製したが、この比率は、発光装置20に求められる光の色味や光量に応じて適宜調整すればよい。このような構成をとることで、第1の波長変換部6からの発光の一部については、第2の波長変換部7を通過しないでそのまま取り出されるため、第2の波長変換部7に光が一部吸収されたり、光散乱の影響を受けることがなく、上述のようにそれぞれの波長変換部の接する面における面積比を調整することで、第1の波長変換部6から所望の赤色発光量を得ることができる。また、第1の波長変換部6の上部の第2の波長変換部7が無い部分においては、発光素子4から放射される熱が発光装置10内から上部に放出されやすく、熱による発光効率の低下を抑えることができる。さらに、熱による発光装置10の劣化を防ぐことができる。なお、本実施形態のように、第1の波長変換部6に熱に弱いという特性を持つナノ結晶である蛍光体を用いた場合には、前記放熱効果により、ナノ結晶である蛍光体の劣化を抑えることもできるので、特に有効である。<実施形態3>次に、図7を用いて、第3の実施形態について説明する。本実施形態では、波長変換部が3層の樹脂層にて形成されている。それぞれの樹脂層には蛍光体が含まれており、互いに異なる発光帯域を持つ。樹脂層の積層順としては、相対的に長い波長の二次光を発する順序で前記発光素子に近い側から配置されていることが所望の色バランスを得やすくなるという点からも望ましい。その理由としては、例えば青色蛍光体のように、短い波長の励起エネルギーの大きい蛍光体で発光した二次光は、例えば赤色蛍光体のように、長い波長の励起エネルギーの小さい蛍光体に吸収されてしまい、所望の色バランスを得るのが難しくなるからである。上記実施形態1、2においても同様のことが言える。図7a~dは、本実施形態における発光装置30a~30dの断面図である。図7aに示す発光装置30aにおいては、樹脂層81には、中央付近において断面略四角形の形状のくぼみが設けられている。図7bに示す発光装置30bにおいては、樹脂層81および樹脂層82にまたがり、中央付近において断面略U字状のくぼみが設けられている。図7cに示す発光装置30cにおいては、樹脂層81には、中央付近において断面略V字状のくぼみが設けられている。図7dに示す発光装置30dにおいては、樹脂層81、樹脂層82、樹脂層83にまたがり、断面略V字状のくぼみが設けられている。このように波長変換部の厚みを異ならせることで、発光素子4に近い側の樹脂層に含まれた蛍光体からの光を取り出しやすくすることができる。また、樹脂層の薄い部分においては、発光素子4から放射される熱が発光装置10内から上部に放出されやすく、熱による発光効率の低下を抑えることができる。さらに、熱による発光装置10の劣化を防ぐことができる。なお、本実施形態のように、第1の波長変換部6に熱に弱いという特性を持つナノ結晶である蛍光体を用いた場合には、前記放熱効果により、ナノ結晶である蛍光体の劣化を抑えることもできるので、特に有効である。樹脂層の数、くぼみの形状、及び大きさ、深さについては、本実施形態で示した例に限られるものではなく、求められる発光装置の仕様により適宜決定すればよい。以上のように、波長変換部の厚みを異ならせることにより、発光色の調整や設定が可能となり、光散乱の影響を緩和し、明るく、色再現性のよい発光装置を実現することが可能となった。