"第1金属層と、該第1金属層の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有する第2金属層とが交互に5層以上積層され、最下層および最上層には前記第1金属層が配されているとともに、内層に配される前記第1金属層の少なくとも1層の厚さが前記最下層および最上層に配される前記第1金属層の厚さよりも厚い放熱部材と、該放熱部材の前記最上層表面に設けられた電子部品を搭載する領域に並設された端子台と、該端子台に設けられた配線導体とを具備するとともに、前記第1金属層を挟んで上下に配された前記第2金属層の圧延方向が互いに直交するように配されていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。前記第1金属層は、銅または銀を主成分とする金属から成ることを特徴とする請求項1記載の電子部品収納用パッケージ。前記第2金属層は、モリブデンまたはタングステンを主成分とする金属から成ることを特徴とする請求項1または請求項2記載の電子部品収納用パッケージ。前記第2金属層の厚みが30μm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ。前記第1金属層および前記第2金属層は、各金属層の厚さが中央に配された金属層に関して対称となるように配されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ。第1キャリア金属層と、該第1キャリア金属層の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有する第2キャリア金属層とが交互に5層以上積層され、最下層および最上層には前記第1キャリア金属層が配されているとともに、内層に配される前記第1キャリア金属層の少なくとも1層の厚さが前記最下層および最上層に配される前記第1キャリア金属層の厚さよりも厚いキャリアが前記放熱部材の前記領域内の最上層表面にさらに接合されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ。請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージと、前記領域に搭載されるとともに電極が前記配線導体に電気的に接続された電子部品と、前記領域を塞ぐように取着された蓋体または前記領域の前記電子部品を覆う封止樹脂とを具備していることを特徴とする電子装置。本発明の電子部品収納用パッケージおよび電子装置について以下に詳細に説明する。図1Aは本発明の電子部品収納用パッケージに用いられる放熱部材の一例を示す断面図、図1Bは本発明の電子部品収納用パッケージに用いられる放熱部材の他の例を示す断面図、図1Cは本発明の電子部品収納用パッケージに用いられる放熱部材のさらに他の例を示す断面図である。図2は本発明の電子部品収納用パッケージに用いられる放熱部材の組立斜視図である。図3Aは切断製造工程後の放熱部材の要部説明のための断面図であり、図3Bは図3Aに示す放熱部材のA部拡大断面図である。図4は図1Aに示す放熱部材が用いられた本発明の電子部品収納用パッケージおよび電子装置の組立斜視図である。図5は本発明の電子部品収納用パッケージに用いられる放熱部材の他の例を示す断面図である。図6は本発明の電子部品収納用パッケージおよび電子装置の他の例を示す断面図である。これらの図において、1は最上層表面に電子部品5が搭載される領域1aを有する平板状の放熱部材、1bは中間層、1cは最上層表面と最下層表面との中央を示す中央線、10は第2金属層、11は第1金属層、11aは内層に配される第1金属層、11bは最上層の第1金属層、11cは最下層の第1金属層、12は側面金属層、2は放熱部材1の最上層表面に領域1aを取り囲んで取着されるとともに端子台の機能を有する枠体、2aは枠体2によって取り囲まれる領域1aと枠体2の外側とを接続する配線導体、4は枠体2の上面に枠体2の内側を塞ぐように取着された蓋体、5は半導体素子や抵抗等の発熱性の電子部品である。なお、内層に配される第1金属層11aが複数層あって区別する場合は、各図の上方側に位置する上層から順に11a-1,11a-2,11a-3のように記している。なお、端子台は配線導体2aを支持できるものであればよく、必ずしも電子部品5の搭載領域1aを取り囲む枠状の枠体2である必要はない。例えば、配線導体2aを有する絶縁体が領域1aと接近した部分に設置されたものでもよい。また、この端子台は、領域1aの外周の一箇所に設置されてもよいし、外周の二箇所以上に分割して設置されてもよい。そして、配線導体2aには一端に電子部品5が接続され、他端には電子部品収納用パッケージの外側の回路配線が接続される。以下、端子台として枠体2を用いる形態を例に説明する。これら放熱部材1と端子台としての枠体2および配線導体2aとで電子部品5を収納する電子部品収納用パッケージが構成される。また、この放熱部材1の電子部品搭載領域1a以下、搭載部1aともいうに電子部品5を搭載した後に、枠体2の上面に蓋体4を放熱部材1と枠体2とによって取り囲まれる凹部状の領域1dを塞ぐように取着して電子部品5を封止することにより、または、図示しないが、配線導体2aに接続された電子部品5を封止樹脂によって覆い、電子部品5を封止することにより、本発明の電子装置が構成される。枠体2は、アルミナAl2O3質焼結体,窒化アルミニウムAlN質焼結体,ムライト3Al2O32SiO2質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミックス、または、鉄Fe-ニッケルNi-コバルトCoまたはFe-Ni等の低熱膨張性の金属で、第2金属層の熱膨張係数と熱膨張係数が近似する金属等から成り、ロウ材を介して放熱部材1の最上層表面に搭載部1aを取り囲んで取着される。なお、このロウ材による取着に際しては、ロウ付け用の金属層図示せずが枠体2の放熱部材1との接合部に形成されてもよい。また、枠体2が金属から構成されている場合、配線導体2aを枠体2を構成する金属と絶縁させるために配線導体2aの周囲をセラミックスや樹脂、ガラス等の絶縁体で覆えばよい。また、樹脂を枠体2として用いてもよい。また、放熱部材1には、その最上層表面の中央部等に設けられた搭載部1aに電子部品5が樹脂,ガラスまたはロウ材等の接着材を介して固定される。なお、接着材としてロウ材を用いる場合には、ロウ付け用の金属層図示せずとしてニッケルNi層および/または金Au層がメッキ法等によって放熱部材1の電子部品5との接合部に形成されてもよい。ただし、放熱部材1の搭載部1aに露出する最上層の第1金属層11b表面に、十分にロウ付けができる場合には、ロウ付け用の金属層は特に必要ではない。枠体2は、例えば、Al2O3質焼結体から成る場合であれば、Al2O3,酸化珪素SiO2,酸化マグネシウムMgOおよび酸化カルシウムCaO等の原料粉末に適当な有機バインダ,溶剤,可塑剤および分散剤等を混合添加して泥漿状となすとともに、これからドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシートセラミック生シートを形成し、しかる後に、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに、タングステンW,Mo,マンガンMn,Cu,銀Ag,Ni,AuまたはパラジウムPd等の金属材料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤を混合して成る導電性ペーストをスクリーン印刷法等により所定の配線導体2aのパターンに印刷塗布した後に、これらのグリーンシートを複数枚積層し、約1600°Cの温度で焼成することによって作製される。また、枠体2には、放熱部材1と枠体2とで枠体2内側に構成される凹部1dの内面であり、搭載部1aの周辺から枠体2の外側にかけて導出される配線導体2aが形成されており、配線導体2aの枠体2の内側の一端には電子部品5の各電極がボンディングワイヤ等の電気的接続手段6を介して電気的に接続される。また、枠体2の外側の配線導体2aの他端には外部電気回路基板との接続用のリード端子3が接続される。配線導体2aはWおよび/またはMo等の高融点金属、Cu等の低抵抗金属から成り、W,Mo等の金属粉末に適当な有機バインダ,溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを枠体2となるセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷法等によって所定のパターンに印刷塗布しておくことによって、放熱部材1および枠体2による凹部1dの内面から枠体2の外面にかけて被着形成される。また、配線導体2aはその露出する表面にNi,Au等の耐食性に優れ、かつ電気的接続手段6のボンディング性に優れる金属を1~20μmの厚みにメッキ法によって被着させておくと、配線導体2aの酸化腐食を有効に防止できるとともに配線導体2aへの電気的接続手段6の接続を強固となすことができる。放熱部材1は、第2金属層10と内層に配される第1金属層11aとが交互に3層以上積層されてなる中間層1bと、中間層1bの上表面に電子部品5を搭載するための搭載部1aを有した最上層の第1金属層11bと、中間層1bの下表面に設けられた最下層の第1金属層11cとから成る。すなわち、内層に配される熱伝導性に優れるが熱膨張係数が比較的大きい第1金属層11aは、その層の厚み方向両面に第1金属層11aより比較的小さい熱膨張係数の第2金属層10が配されることによって、第1金属層11aの自由な熱膨張が拘束される。最上層の第1金属層11bおよび最下層の第1金属層11cは、片面が第2金属層10によって自由な熱膨張が拘束される。例えば、放熱部材1は図1Aに示すように、上から順に最上層の第1金属層11b,第2金属層10,内層に配される第1金属層11a,第2金属層10および最下層の第1金属層11cの5層が積層されて成り、内層に配される第1金属層11aの層厚さLが最上層の第1金属層11bおよび最下層の第1金属層11cの層厚さMよりも厚くなっているとともに、第2金属層10は層厚さNが最上層の第1金属層11bおよび最下層の第1金属層11cの層厚さMよりも薄くなっている。また、例えば、放熱部材1は、図1Bに示すように、上から順に最上層の第1金属層11b,第2金属層10,第一の内層に配される第1金属層11a-1,第2金属層10,第二の内層に配される第1金属層11a-2,第2金属層10および最下層の第1金属層11cの7層が積層されることによって成り、第一の内層に配される第1金属層11a-1および第二の内層に配される第1金属層11a-2の層厚さLが最上層の第1金属層11bおよび最下層の第1金属層11cの層厚さMよりも厚くされている。また、第2金属層10の層厚さNは、最上層の第1金属層11bおよび最下層の第1金属層11cの層厚さMよりも薄くされている。また、例えば、放熱部材1は、図1Cに示すように、上から順に最上層の第1金属層11b,第2金属層10,第一の内層に配される第1金属層11a-1,第2金属層10,第二の内層に配される第1金属層11a-2,第2金属層10,第三の内層に配される第1金属層11a-3,第2金属層10および最下層の第1金属層11cの9層が積層されることによって成り、第二の内層に配される第1金属層11a-2の層厚さLが最上層の第1金属層11bおよび最下層の第1金属層11cの層厚さMよりも厚くなっている。図1Cの例のように、内層に配される第1金属層11aは、それらの内、少なくとも1層の厚さが最下層および最上層に配される第1金属層11c,11bの厚さよりも厚く構成される。すなわち、最も層厚さの厚い第1金属層11は、中間層1bに配される。また、この例においても、第2金属層10は、最上層の第1金属層11bおよび最下層の第1金属層11cよりも薄く構成されている。第2金属層10は、第1金属層11の熱膨張を拘束できる厚さであれば、できる限り薄く形成される。放熱部材1は、電子部品5の作動に伴い発生する熱を、電子部品5の搭載部1aから離れる場所へ伝導させる機能を有する。熱は、その後大気中に伝えて放散されたり、外部放熱板図示せずに伝えて放熱されたりする。放熱部材1の一部となる第2金属層10は、例えば、Mo,W,Fe、またはこれらの合金等を圧延加工,打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって成る。これら金属は、熱膨張係数が小さく、半導体素子等の電子部品の熱膨張係数との適合性に優れるが、熱伝導率が小さく、また、縦弾性係数が大きい性質を有している。第2金属層10は、放熱部材1の熱膨張を抑制するために設けられるものであり、第2金属層10の各厚みは、放熱部材1全体の熱膨張係数が大きくならないよう熱膨張係数を抑制できる厚みとできる範囲内においてできるだけ薄くし、最上層の第1金属層11bおよび最下層の第1金属層11cよりも薄くするのがよい。また、放熱部材1全体の熱膨張係数が大きくならないように分散させて本発明の放熱部材1の内層に配される。放熱部材1においては、第2金属層10の層構成が2層以上となり、第2金属層10の各厚みを薄くしても、2層以上の低熱膨張性の第2金属層10で第1金属層11の熱膨張を拘束し、第1金属層11が大きく熱膨張するのを防止できるので、放熱部材1の面方向各層の延びる方向の熱膨張係数を抑制できる。また、熱伝導経路の途中となる第2金属層10が薄いので層の厚み方向の熱伝導を妨げるのを防止し、放熱部材1の熱放散性を良好なものとすることができる。具体的には、第2金属層10の厚みをそれぞれ10~30μmまで薄くしても、第1金属層11の熱膨張を十分拘束することができることが確認され、また、この厚みであれば、放熱部材1の熱放散性も十分確保できることが確認された。好ましくは、第2金属層10の層数は極力少なくする例えば2層とするのがよく、これにより熱伝導が低下せず、放熱部材1の上下方向厚さ方向の熱伝導率を向上させることができる。また好ましくは、第2金属層10は、図2に示すように、上下方向放熱部材の厚み方向に隣り合う層の圧延方向A,Bが交互に直交するようにして積層されているのがよく、これにより、放熱部材1の面方向縦横の熱膨張係数をほぼ均一とすることができる。この結果、熱膨張係数が大きい方向と小さい方向とが生じることがなく、枠体2をロウ付け等によって接合する際に反り等の変形が生じるのを防止することができる。圧延方向とは、例えば、第2金属層10をロール圧延等により圧延する際にロールの回転方向等によって第2金属層10となる金属板が引き伸ばされる方向を言う。この圧延される方向によって、多少熱膨張係数が変化する。また、ロール圧延する際は、引き伸ばされた方向に細かいロール目筋が入るので、このロール目の方向で確認することができる。さらに、第2金属層10の断面をSEMで観察し、結晶粒の形状を確認することによる方法でも確認できる。また、第1金属層11内層に配される第1金属層11a,最上層の第1金属層11b,最下層の第1金属層11cは、第2金属層10よりも熱伝導率が大きい材料、例えばCu,Ag,アルミニウムAl,Au,ステンレス鋼SUS等の金属材料またはこれらの合金から成る。しかしながら、これら金属材料は熱膨張係数が大きく、また、縦弾性係数が小さい性質を有する。また、電子部品5が搭載される面は、図1A,図1Bまたは図1Cに示すように、第1金属層11最上層の第1金属層11bの表面から成ることにより、電子部品5の作動時に発生する熱を最上層の第1金属層11bで層の厚み方向および面方向に高い熱伝導率で速やかに伝える機能を有する。そして、最上層の第1金属層11bの第2金属層10と接合される側の面から電子部品との接合面積より広い面積に拡散させて、層の面方向と直交する方向放熱部材1の厚さ方向に配された第2金属層10に熱を伝える。以降、順次積層された内層に配された第1金属層11aおよび第2金属層10を経由して、最下層の第1金属層11cから放熱部材1の外部に熱を伝える。最上層の第1金属層11bおよび最下層の第1金属層11cは、各金属層11b,11cの面方向にも熱を分散させるために、厚みを10~1000μm、好ましくは10~500μmとし、第2金属層10の厚みの1倍~100倍、好ましくは1倍~50倍程度にするのがよい。最上層の第1金属層11bおよび最下層の第1金属層11cの厚みを厚くしすぎると、第2金属層10によって最上層の第1金属層11bの熱膨張を十分に拘束することが難しくなる。また、中間層における第1金属層11aの厚みは10~1000μm、好ましくは10~500μmにするのがよい。ところで、内層に配される第1金属層11aのうち少なくとも1層が厚くされており、他の金属層10,11b,11cのどれよりも厚いことから、内層に配される第1金属層11aによって、金属層の面方向に熱を拡散することができ、放熱部材1の最下層の第1金属層11cの広い面を用いて放熱部材1の外部に熱を伝えることができる。この目的のために、内層に配される第1金属層11aはできるだけ厚いものとするのが好ましく、複数層の内層に配される第1金属層11aが配される場合には、各層とも厚いものとするのが好ましい。さらに好ましくは、第1金属層11は全ての層が第2金属層10よりも厚いのがよい。それぞれの第1金属層11で面方向に熱を拡散させつつ下層の金属層に熱を伝導するので、搭載部1aから最下層の第1金属層11cに向けての放熱部材1の熱伝導率がよくなる。一方、最上層の第1金属層11bおよび最下層の第1金属層11cは、薄くされていることから、この金属層11b,11cの外表面は、これらの金属層11b,11cに隣接する第2金属層10によって強く熱膨張が拘束されることになり、放熱部材1の熱膨張係数を電子部品の熱膨張係数に近似する所望の値とすることができる。さらに、図1A,図1Bおよび図1Cに示すように、放熱部材1の下側主面最下層の第1金属層11cの外側表面も第1金属層11最下層の第1金属層11cから成ることにより、最下層の第1金属層11cから外部放熱板への熱放散性を良好なものとすることができる。また、最下層の第1金属層11cは、縦弾性係数が小さく、ビッカース硬さも小さい柔らかい金属であるので、外部放熱板との密着性がよく、放熱性に優れたものとなる。放熱部材1は、好ましくは、中央に配された金属層の両側に配される各金属層10,11の順番およびその金属層の厚さが、中央に配された金属層に関して対称となるように配されるのがよい。これによって、最上層に配された第1金属層11bの外表面と最下層に配された第1金属層11cの外表面との間の中央および中央に配された金属層の中央となる中央線1cを中心に第1金属層11と第2金属層10との層が上下対称配置となることから、放熱部材1の中央線1cより上側の部分および中央線1cより下側の部分の熱膨張係数がほぼ同じとなり、放熱部材1に反り変形が生ずるのを防止することができる。その結果、放熱部材1の表面を平坦に保持することができ、電子部品5の作動時においても電子部品5および下表面に配される外部放熱板との密着性がよく、放熱特性を維持することができる。例えば、図1Aにおいては、中央線1cは内層に配される第1金属層11aの中央に位置し、中央線1cに関してその上面側および下面側の両側に配置される金属層が対称となっている。また、図1Bにおいては、中央線1cは中央の第2金属層10の中央に位置し、中央線1cに関してその上面側および下面側の両側に配置される金属層が対称となっている。また、図1Cにおいては、中央線1cは内層に配される第1金属層11a-2の中央に位置し、中央線1cに関してその上面側および下面側の両側に配置される金属層が対称となっている。また、図5に示すように、中央に配された金属層の両側に配される各金属層10,11の順番およびその金属層の厚さが、中央に配された金属層に関して非対称となるように配されるようにしてもよい。これによって、最上層に配された第1金属層11bの外表面と最下層に配された第1金属層11cの外表面との間の中央となる中央線1cを中心に第1金属層11と第2金属層10との層が上下非対称配置となることから、放熱部材1の中央線1cより上側の部分および中央線1cより下側の部分の熱膨張係数が異なるようになり、温度変化によって放熱部材1が反るようにすることができる。例えば、図5のように、中央線1cより上側の部分の第1金属層11の厚さを中央線1cより下側の部分の第1金属層11の厚さよりも厚くすることにより、温度下降に伴って放熱部材1を下側に凸となるように反らせ、放熱部材1の下側に凸となった底面を外部放熱部材に接触させ易くして密着させることができる。その結果、電子部品5から多量に熱が発生する場合においても、電子部品5から発生する熱を効率良く外部に放散させることができる。放熱部材1は、好ましくは、第1金属層11最上層の第1金属層11b,内層に配される第1金属層11a,最下層の第1金属層11cがCuまたはAgから成り、かつ第2金属層10がMoまたはWから成ることにより、放熱部材1の熱放散性を極めて良好にできるとともに、放熱部材1全体の熱膨張を抑制することができる。放熱部材1は、好ましくは、第1金属層11内層に配される第1金属層11a,最上層の第1金属層11b,最下層の第1金属層11cと第2金属層10とが真空雰囲気中の熱間一軸加圧法、いわゆるホットプレスによって積層される。この真空雰囲気中のホットプレスによれば、第1金属層11と第2金属層10との間に空気等の気体が入り込むことが無く、また第1金属層11および第2金属層10の表面に付着している酸化被膜等も真空処理にて気散する。さらに、第1金属層11および第2金属層10の表面に付着している異物も高温雰囲気中で焼失する。そして、第1金属層11と第2金属層10とが異種層を介することなく直接密着して接合される。このことから、第1金属層11と第2金属層10との界面における熱伝導率を劣化させることがない。そして、放熱部材1の最上層から最下層への熱伝導性を良好なものとすることができる。またホットプレスにおいて、材料を高温約850°Cにするので材料の塑性変形が生じ易い状態となり、低い圧力約600KPaで第1金属層11と第2金属層10とを接合させることができる。また、第1金属層11と第2金属層10とが真空雰囲気中のホットプレスによって積層されることによって、第1金属層11と第2金属層10との間に隙間が生じることがなく、電子装置のリーク検査時に、第1金属層11と第2金属層10との隙間に検査ガスが侵入することがないので、リーク検査が誤判定これを疑似リークというとなるのを防止することができる。また好ましくは、放熱部材1は、上記真空雰囲気中のホットプレスによって第1金属層11および第2金属層10を交互に5層以上積層した積層板を作製した後、この積層板を金型によって打ち抜いて外形が形成される。このときに、第1金属層11の打ち抜き加工時に、放熱部材1の変形によって、第2金属層10の側面を覆うように厚さ5μm~50μmの側面金属層12が形成されるようにする。WまたはMoから成る第2金属層10はメッキ性が悪く、メッキ金属層が被着され難いが、最上層が第1金属層11から成り、最下層が第1金属層11から成るとともに積層された放熱部材1の側面が全周にわたって第1金属層11と同じ材質から成る側面金属層12によって覆われていることで、放熱部材1は、その全面がメッキ性に優れたものとなる。そして、表面が酸化腐食することのない放熱部材1とすることができる。また、第1金属層11と第2金属層10とを積層した側面を全周にわたって第1金属層11と同じ材質から成る側面金属層12によって覆うことによって、第1金属層11と第2金属層10との間を起点に放熱部材1が腐食したり、放熱部材1の表面にメッキ金属層を被着させる場合に、第1金属層11と第2金属層10との間にメッキ液が浸入し、メッキ後にメッキ液がしみ出すという不具合が発生するのを防止することができる。また、第1金属層11および側面金属層12は第2金属層10に比べ電気伝導性にも優れるので、電子部品5が搭載される面が第1金属層11最上層の第1金属層11bから成るとともに積層された側面が全周にわたって第1金属層11と同じ材質から成る側面金属層12によって覆われていることで、接地導体を形成する最上層の第1金属層11bが側面金属層12を介して最下層の第1金属層11cに優れた電気伝導性で電気的に接続されることとなる。即ち、最上層の第1金属層11bの接地が強化され、放熱部材1に高周波信号で作動する電子部品5を搭載した際に、高周波信号に対する電子部品5の応答性が優れたものとなる。側面金属層12は、図3Aに示すように、放熱部材1の外形を打ち抜き加工によって形成する際に、第1金属層11の外周部がだれるように変形されて、隣接する第1金属層11の外周部同士が密着することによって形成される。だれるように変形した第1金属層11、即ち側面金属層12は、下側の第1金属層11に境界面12aを介して打ち抜き加工時の圧力によって接触した状態となる。なお、図3Aは最下層の第1金属層11c側に打ち抜き金型の抜き型を当て、最上層の第1金属層11b側に臼型を当て、抜き型を臼型方向に動かすことによって打ち抜いた場合を示す。また、放熱部材1を打ち抜く際、第2金属層10は剛性が高く、第1金属層11より延性が小さいため、図3A,図3Bに示すように放熱部材1の外周部付近で、破断片10aが形成される場合がある。その場合でも、破断片10aは第1金属層11の材質で取り囲まれて埋まり、破断片10aの周囲で第1金属から成る側面金属層12を接続させることができる。また、側面金属層12の厚みは、打ち抜き金型の臼型と抜き型のクリアランスを調整することによって10μm~25μmとすることができる。これによって、第2金属層10の側面を露出させることなく側面金属層12で確実に覆うことができる構成となるので、放熱部材1はメッキ性に優れたものとなる。そして、酸化腐食することのない放熱部材1とすることができる。側面金属層12の厚みを25μmよりも大きくすると、側面金属層12内の上下方向における熱膨張による応力が大きくなり、側面金属層12が剥離したり、変形したりする場合がある。また好ましくは、搭載部1aは、図6に示すように、放熱部材1の最上層の第1金属層11b表面に、さらに第1金属層11と第2金属層10とが交互に5層以上積層されて成り、最下層および最上層には第1金属層11b,11cが配されているとともに、内層に配される第1金属層11aの少なくとも1層の厚さが最下層および最上層に配される第1金属層11b,11cの厚さよりも厚いキャリア7が設けられていてもよい。すなわち、上記放熱部材1を搭載部1aの形状に合わせて小面積に切断加工した放熱部材1をキャリア7として本発明の電子部品収納用パッケージの搭載部1aに設置し、このキャリア7の上面に電子部品5を搭載するものである。この場合、電子部品5が薄型のものであっても、キャリア7に電子部品5を搭載することによって、電子部品5の各電極と配線導体2aとの間の距離を短くすることができる。電子部品5の各電極と配線導体2aとの間のボンディングワイヤ等の電気的接続手段6の長さを短くできるので、電気的接続手段6で発生する電気信号の伝送損失を最小限に抑えることができる。また、電子部品5をキャリア7を介して搭載部1aに搭載することにより、キャリア7の熱伝導性が良好なので、電子部品5から発生する熱の外部放散を大きく損なうことがない。キャリア7は、放熱部材1の上側主面にAg-Cuロウ等のロウ材を介して接合することによって設けてもよいし、熱間一軸加圧法によって放熱部材1と一体積層することによって設けてもよい。なお、第1金属層の材料がCuから成るときは、純Cuに限られるものではなく、熱伝導性が良好で第2金属層10と十分な接合強度が得られるものであれば、Cuを主成分とする各種のCu合金であっても構わない。また、第1金属層の材料がAg,Al等の他の材料から成る場合についても上記同様に純金属である必要はない。かくして、上述のパッケージによれば、放熱部材1の搭載部1a上に電子部品5をガラス,樹脂またはロウ材等から成る接着材を介して接着固定するとともに、電子部品5の各電極をボンディングワイヤ等の電気的接続手段6を介して所定の配線導体2aに電気的に接続し、しかる後に、放熱部材1と枠体2とから成る凹部1dの内側に電子部品5を覆うようにエポキシ樹脂等の封止樹脂を注入して電子部品5を封止することによって、あるいは、樹脂,金属またはセラミックス等から成る蓋体4を枠体2の上面に凹部1dを覆って塞ぐように取着して電子部品5を封止することによって製品としての電子装置となる。実施例1本発明の放熱部材1の具体的な金属層構成として、図1A,図3Aに示すような5層構造であり、最上層の第1金属層11bおよび最下層の第1金属層11cをそれぞれ純度99.6のCuから成る0.1mmの厚みとし、内層に配される第1金属層11aを純度99.6のCuから成る0.8mmの厚みとし、2層の第2金属層10をそれぞれ純度99.6のMoから成る25μmの厚みとし、側面金属層12の厚みを25μmとしたものを作製した。その結果、放熱部材1の熱放散性を極めて良好にできるとともに上下面間の熱伝導率400W/mK、放熱部材1全体の熱膨張を有効に抑制面方向の熱膨張係数9×10-6/Kすることができた。実施例2平面視の大きさが縦300mm×横300mmの第1金属層11内層に配される第1金属層11a,最上層の第1金属層11b,最下層の第1金属層11cとなる純度99.6の各所定厚みのCu板と、第2金属層10となる純度99.6の各所定厚みのMo板とを最下層から最上層に向けて表1の下行から上行の配置となるように順に積み重ね、850°Cの真空雰囲気中において600KPaの圧力を加えるホットプレスを施すことによって積層板を作製した。次いで、このように作製された第1金属層11と第2金属層10とから成る積層板を、打ち抜き金型によって打ち抜くことによって、直径10.2mmの円板状の放熱部材1のサンプルA,B,C,Dを各3個ずつ作製した。なお、表1に示す各金属層の厚さは積層後のものを示す。また、打ち抜き金型の臼型と抜き型のクリアランスを調整することによって側面金属層12の厚みが25μmになるようにした。表1において、空欄は金属層数が少なく、該当の金属層がないことを示す。すなわち、例えばサンプルCは0.1mmのCu層,0.025mmのMo層,0.8mmのCu層,0.025mmのMo層,0.8mmのCu層,0.025mmのMo層,0.1mmのCu層が順に積層された7層構成の放熱部材1であることを示す。これらサンプルA,B,C,D各3個、即ち合計12個のサンプルについて、サンプルの上側主面にレーザー光を照射した際の下側主面の温度履歴曲線から放熱部材1の上下方向厚さ方向の熱伝導率を求めるレーザーフラッシュ法によって測定した。測定には、真空理工製の機種番号:TC-700を用い、JISR1611の手順に準拠して、測定温度25°C,湿度68の測定環境下で測定した。レーザーフラッシュ法によるサンプルA,B,C,Dの上下方向厚さ方向の熱伝導率の測定結果を表2に示す。表2に示すように、サンプルAでは381W/mK以上平均値386W/mK、サンプルBでは390W/mK以上平均値402W/mK、サンプルCでは395W/mK以上平均値410W/mK、サンプルDでは318W/mK以上平均値322W/mKの熱伝導率を得ることができた。実施例3実施例2で作製したサンプルBをヒーターブロックに載せて加熱し、最上層の第1金属層11bの表面の熱膨張係数を測定した。最上層の第1金属層11bの表面の熱膨張係数の測定方法としては、熱膨張係数が例えば5.0×10-6/K、9.0×10-6/K、10.8×10-6/Kの3種類の歪ゲージを最上層の第1金属層11bの表面の中央部に貼り付けた状態のサンプルをヒーターブロックに載せ、300°Cで5分間加熱し、300°Cにおける放熱部材1のサンプルBと歪ゲージとの熱膨張差による歪を測定する。歪ゲージの歪の値が0となる場合、放熱部材1のサンプルBと歪ゲージとの熱膨張係数が一致することとなり、300°Cにおける放熱部材1のサンプルBのおよその熱膨張係数を求めることができる。熱膨張係数が5.0×10-6/Kの歪ゲージとして共和電業製:SKF-25552を用い、熱膨張係数が9.0×10-6/Kの歪ゲージとして共和電業製:SKF-25553を用い、熱膨張係数が10.8×10-6/Kの歪ゲージとして共和電業製:KFU-2-120-C1-11H1M3を用いてサンプルBの歪の値を測定した。この結果、熱膨張係数が5.0×10-6/Kの歪ゲージで約1750×10-6の歪となり、熱膨張係数が9.0×10-6/Kの歪ゲージで約750×10-6の歪となり、熱膨張係数が10.8×10-6/Kの歪ゲージで約170×10-6の歪となった。次に、この3つの測定結果を縦軸に歪ゲージの熱膨張係数の値をとり、横軸に歪の値をとったグラフ上にプロットして3点を直線でむすび、この直線上において歪の値が0になるときの熱膨張係数を求めた。即ち、直線と縦軸との交点における熱膨張係数を求めた。この結果、交点における熱膨張係数の値は約11.6×10-6/Kとなることがわかった。よって、第1金属層11の熱膨張係数19.0×10-6/Kが第2金属層10によって拘束されて、適当な熱膨張係数とすることができることがわかった。11.6×10-6/Kの熱膨張係数は、Al2O3質焼結体から成る枠体2の熱膨張係数7.8×10-6/Kに近似したものであり、これによって、本発明の電子部品収納用パッケージに、放熱部材1と枠体2との間の熱膨張差によって熱歪が生じてしまったりすることがなく、この熱歪によって電子部品収納用のパッケージの封止性または搭載される半導体素子の性能等に悪い影響を及ぼすことがない。このように、第1金属層11および第2金属層10の各層の厚みを調整することにより、第1金属層11単体の場合より小さい所望の熱膨張係数を有する放熱部材1とすることができる。なお、本発明は以上の実施の形態の例および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更が可能である。例えば、放熱部材1の最上層表面の搭載部1aにディスクリートな電子部品5の代わりに枠体2の機能を兼ね備えたセラミックス製の回路基板が搭載され、この回路基板に電子部品5が搭載されていてもよい。この構成により、回路基板にクラック等の破損を発生させることなく、回路基板に搭載される電子部品5から発生する熱を効率よく放散できるものとなる。また、上記実施の形態および実施例の説明において上下左右等の用語は、単に図面上の位置関係を説明するために用いたものであり、実際の使用時における位置関係を意味するものではない。本発明は、以下の実施の形態が可能である。1第1金属層と、該第1金属層の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有する第2金属層とが交互に5層以上積層され、最下層および最上層には前記第1金属層が配されているとともに、内層に配される前記第1金属層の少なくとも1層の厚さが前記最下層および最上層に配される前記第1金属層の厚さよりも厚い放熱部材と、該放熱部材の前記最上層表面に設けられた電子部品を搭載する領域に並設された端子台と、該端子台に設けられた配線導体とを具備している電子部品収納用パッケージ。2前記第1金属層は、銅または銀を主成分とする金属から成ることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。3前記第2金属層は、モリブデンまたはタングステンを主成分とする金属から成ることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。4隣り合う前記第2金属層の圧延方向が互いに直交するように配されていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。5前記第2金属層の厚みが30μm以下であることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。6前記第1金属層および前記第2金属層は、各金属層の厚さが中央に配された金属層に関して対称となるように配されていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。7前記第2金属層の側面は、前記第1金属層と同じ金属から成る側面金属層によって覆われていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。8前記側面金属層は、各第1金属層の外周部同士が圧接されて成ることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。9前記第1金属層と前記第2金属層とが交互に5層以上積層され、最下層および最上層には前記第1金属層が配されているとともに、内層に配される第1金属層の少なくとも1層の厚さが前記最下層および最上層に配される第1金属層の厚さよりも厚いキャリアが前記放熱部材の前記領域内の最上層表面にさらに接合されていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。10前記電子部品収納用パッケージと、前記領域に搭載されるとともに電極が前記配線導体に電気的に接続された電子部品と、前記領域を塞ぐように取着された蓋体または前記領域の前記電子部品を覆う封止樹脂とを具備していることを特徴とする電子装置。"