第1太陽電池と、前記第1太陽電池と一部重畳され、前記第1太陽電池に接続される第2太陽電池と、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。前記第1太陽電池は、第1導電基板と、前記第1導電基板の上に配置される第1光吸収層と、前記第1光吸収層の上に配置される第1ウィンドウ層と、を含み、前記第2太陽電池は、第2導電基板と、前記第2導電基板の上に配置される第2光吸収層と、前記第2光吸収層の上に配置される第2ウィンドウ層と、を含み、前記第1導電基板の下面は前記第2ウィンドウ層の上面に接続されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第1導電基板はI族元素を含み、前記第1光吸収層は、前記I族元素、III族元素、及びVI族元素を含むことを特徴とする、請求項2に記載の太陽光発電装置。前記第1光吸収層の前記I族元素の組成は、前記第1導電基板に近づくにつれて高まることを特徴とする、請求項3に記載の太陽光発電装置。前記I族元素は銀または銅を含むことを特徴とする、請求項3に記載の太陽光発電装置。前記第1太陽電池及び前記第2太陽電池の間に介され、前記第1太陽電池及び前記第2太陽電池を連結させる接続部材を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記接続部材は伝導性高分子を含むことを特徴とする、請求項6に記載の太陽光発電装置。前記第1太陽電池の幅は約0.8cm乃至約1.2cmであり、前記接続部材の幅は約20μm乃至約500μmであることを特徴とする、請求項6に記載の太陽光発電装置。前記第1太陽電池及び前記第2太陽電池の下方に付着される支持基板を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記支持基板はフレキシブルであることを特徴とする、請求項9に記載の太陽光発電装置。絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置される第1太陽電池と、一部が前記絶縁基板及び前記第1太陽電池間に挿入され、前記第1太陽電池の下面に接続される第2太陽電池と、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。前記第1太陽電池の下面及び前記第2太陽電池の上面の間に介され、前記第1太陽電池の下面及び前記第2太陽電池の上面に直接接触される接続部材を含むことを特徴とする、請求項11に記載の太陽光発電装置。前記第1太陽電池及び前記第2太陽電池を覆う保護基板を含むことを特徴とする、請求項11に記載の太陽光発電装置。前記絶縁基板、前記第1太陽電池、前記第2太陽電池、及び前記保護基板はフレキシブルであることを特徴とする、請求項13に記載の太陽光発電装置。第1太陽電池と、前記第1太陽電池に連結される第2太陽電池と、前記第1太陽電池及び前記第2太陽電池を互いに連結させる接続部材と、を含み、前記接続部材は伝導性高分子を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。前記第1太陽電池はI族元素を含む導電基板を含み、前記第2太陽電池は透明な導電性酸化物を含むウィンドウ層を含み、前記接続部材は前記導電基板及び前記ウィンドウ層に直接接触することを特徴とする、請求項15に記載の太陽光発電装置。前記導電基板は銅または銀を含み、前記ウィンドウ層はジンクオキサイドを含むことを特徴とする、請求項16に記載の太陽光発電装置。前記第1太陽電池及び前記第2太陽電池は互いに重畳され、前記接続部材は前記第1太陽電池の下面及び前記第2太陽電池の上面に直接接触することを特徴とする、請求項15に記載の太陽光発電装置。前記伝導性高分子はアントラセン系伝導性高分子、ポリアニリン系伝導性高分子、またはポリエチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルフォネートpolyethylenedioxythiophene:polystyrenesulfonate;PEDOT:PSS系伝導性高分子であることを特徴とする、請求項15に記載の太陽光発電装置。前記接続部材は弾性を有することを特徴とする、請求項15に記載の太陽光発電装置。本発明は、製造が容易で、向上した効率を有し、フレキシブルな太陽光発電装置を提供することをその目的とする。一実施形態に従う太陽光発電装置は、第1太陽電池、及び上記第1太陽電池と一部重畳され、上記第1太陽電池に接続される第2太陽電池を含む。一実施形態に従う太陽光発電装置は、絶縁基板、上記絶縁基板の上に配置される第1太陽電池、及び一部が上記絶縁基板及び上記第1太陽電池の間に挿入され、上記第1太陽電池の下面に接続される第2太陽電池を含む。一実施形態に従う太陽光発電装置は、第1太陽電池、上記第1太陽電池に連結される第2太陽電池、及び上記第1太陽電池及び上記第2太陽電池を互いに連結させる接続部材を含み、上記接続部材は伝導性高分子を含む。本発明に従う太陽光発電装置は、多数個の太陽電池を重複させて互いに連結させる。したがって、実施形態に従う太陽光発電装置は多数個の太陽電池を互いに区分し、連結するためのパターニング工程の適用無しで形成できる。これによって、本発明に従う太陽光発電装置は容易に製造できる。また、本発明に従う太陽光発電装置は、太陽電池が重畳される領域の面積を最小化することができる。また、重畳される領域も太陽光を電気エネルギーに変換させる活性領域である。したがって、本発明に従う太陽光発電装置は向上した発電効率を有する。また、太陽電池及び太陽電池の下に配置される絶縁体である支持基板はフレキシブルであり、これによって、本発明に従う太陽光発電装置はフレキシブルである。特に、接続部材に伝導性高分子などが使われる場合、接続部材は太陽電池を互いに効果的に連結させることができる。これによって、本発明に従う太陽光発電装置は、向上した電気的な特性を有することができる。本発明を説明するに当たって、各基板、電極、領域、または層などが、各基板、電極、領域、または層などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は本発明の実施形態に従う太陽光発電装置を示す平面図である。図2は太陽電池の断面を示す断面図である。図3は高さに従う光吸収層でのI族元素の組成を示す図である。図4は図1のA-A’に沿って切断した断面を示す断面図である。図1乃至図4を参照すると、実施形態に従う太陽光発電装置は、支持基板10、多数個の太陽電池C1、C2、及び多数個の接続部材21、22を含む。上記支持基板10はプレート形状またはシート形状を有する。上記支持基板10は上記太陽電池C1、C2を支持する。上記支持基板10は絶縁体である。即ち、上記支持基板10は絶縁基板である。上記支持基板10はフレキシブルflexibleである。これとは異なり、上記支持基板10はリジッドrigidでありうる。上記支持基板10に使われる物質の例としては、エチレンビニルアセテートethylenevinylacetate;EVAなどが挙げられる。上記太陽電池C1、C2は上記支持基板10の上に配置される。上記太陽電池C1、C2は互いに連結される。より詳しくは、上記太陽電池C1、C2は互いに直列に連結される。上記太陽電池C1、C2は一方向に延びる形状を有することができる。即ち、上記太陽電池C1、C2はストライプ形状に配置できる。上記太陽電池C1、C2の幅W1は約0.5cm乃至約2.5cmでありうる。より詳しくは、上記太陽電池C1、C2の幅W1は約0.8cm乃至約1.2cmでありうる。また、上記太陽電池C1、C2は互いに重畳される。即ち、上記太陽電池C1、C2は互いに重畳される部分を通じて互いに連結される。この際、上記太陽電池C1、C2が互いに重畳される部分の幅W2は約1mm乃至約5mmでありうる。上記接続部材21、22は上記太陽電池C1、C2を互いに連結させる。例えば、上記接続部材21、22は互いに重畳される太陽電池C1、C2を互いに連結させる。より詳しくは、上記接続部材21、22は互いに重畳される太陽電池C1、C2の間に介される。上記接続部材21、22の幅は上記太陽電池C1、C2が重畳される部分の幅W2と同一でありうる。これとは異なり、上記接続部材21、22は上記太陽電池C1、C2の下面の全体を覆うことができる。また、上記接続部材21、22の厚さは約20μm乃至約500μmでありうる。上記接続部材21、22は伝導性高分子を含むことができる。より詳しくは、上記接続部材21、22に使われる物質の例としては、アントラセン系伝導性高分子、ポリアニリン系伝導性高分子、またはポリエチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルフォネートpolyethylenedioxythiophene:polystyrenesulfonate;PEDOT:PSS系伝導性高分子などが挙げられる。これによって、上記接続部材21、22は上記太陽電池C1、C2に含まれるI族元素及び導電性酸化物に高い接合特性を有することができる。また、上記接続部材21、22に含まれる物質は、低温工程でも上記太陽電池C1、C2を容易に接続させることができる。特に、上記接続部材21、22に使われる伝導性高分子は、高い耐食性を有するので、上記太陽電池C1、C2の間の断線を防止することができる。また、上記伝導性高分子はポリマーであるので、低温工程で上記太陽電池C1、C2を容易に接合させることができる。また、上記伝導性高分子は弾性を有し、低い熱膨脹係数を有するので、熱膨張などによる上記太陽電池C1、C2の間の断線を防止することができる。また、上記伝導性高分子は上記太陽電池C1、C2を向上した接着力で接合させることができる。図2に示すように、各々の太陽電池C1、C2は、裏面電極基板100、光吸収層200、バッファ層300、高抵抗バッファ層400、及びウィンドウ層500を含む。上記裏面電極基板100はプレート形状を有し、上記光吸収層200、上記バッファ層300、上記高抵抗バッファ層400、及び上記ウィンドウ層500を支持する。上記裏面電極基板100は導電体である。即ち、上記裏面電極基板100は導電基板である。上記裏面電極基板100はフレキシブルである。上記裏面電極基板100はI族元素を含む。即ち、上記支持基板10に使われる物質の例としては、銅Cuまたは銀AgなどのI族元素が挙げられる。より詳しくは、上記裏面電極基板100はI族元素からなる。より詳しくは、上記裏面電極基板100は銅または銀を含むことができる。より詳しくは、上記裏面電極基板100は銅または銀からなる。上記裏面電極基板100の厚さは約100μm乃至約15mmでありうる。より詳しくは、上記裏面電極基板100の厚さは約300μm乃至約5mmでありうる。上記光吸収層200は上記裏面電極基板100の上に配置される。上記光吸収層200はI族元素を含む。より詳しくは、上記光吸収層200はI族元素の化合物を含む。より詳しくは、上記光吸収層200はI族-III族-VI族系化合物を含む。より詳しくは、上記光吸収層200はI族-III族-VI族系化合物からなる。I族-III族-VI族系化合物の例としては、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系化合物、銅-インジウム-セレナイド系化合物、銅-ガリウム-セレナイド系化合物、銅-インジウム-ガリウム-サルファイド系化合物、銅-インジウム-サルファイド系化合物、銅-ガリウム-サルファイド系化合物、及び銅-インジウム-ガリウム-セレニウム-サルファイド系化合物などの銅-III族-VI族系化合物、または銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系化合物、銅-インジウム-セレナイド系化合物、銅-ガリウム-セレナイド系化合物、銅-インジウム-ガリウム-サルファイド系化合物、銅-インジウム-サルファイド系化合物、銅-ガリウム-サルファイド系化合物、及び銅-インジウム-ガリウム-セレニウム-サルファイド系化合物などの銅-III族-VI族系化合物が挙げられる。上記光吸収層200に含まれたI族元素の組成は上記光吸収層200の位置によって変わることができる。より詳しくは、上記光吸収層200に含まれたI族元素の組成は、上記裏面電極基板100に近づくほど、より大きくなる。また、上記光吸収層200に含まれたI族元素の組成は上記裏面電極基板100から遠ざかるほど小さくなる。即ち、上記光吸収層200は高さが高まるにつれて、低い組成のI族元素を含み、高さが低くなるにつれて、高い組成のI族元素を含むことができる。言い換えると、上記光吸収層200は上記裏面電極基板100に隣接する第1領域及び上記第1領域の上に位置する第2領域を含むことができる。上記第1領域はI族元素の組成の高いI族-III族-VI族系化合物を含み、上記第2領域は上記第1領域よりI族元素の組成の低いI族-III族-VI族系化合物を含むことができる。また、上記光吸収層200の最下面のI族-III族-VI族系化合物は、最も高いI族元素組成を有する。また、上記光吸収層200の最上面のI族-III族-VI族系化合物は、最も低いI族元素組成を有する。例えば、上記裏面電極基板100は銅からなり、上記光吸収層200は銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系化合物、銅-インジウム-セレナイド系化合物、銅-ガリウム-セレナイド系化合物、銅-インジウム-ガリウム-サルファイド系化合物、銅-インジウム-サルファイド系化合物、銅-ガリウム-サルファイド系化合物、または銅-インジウム-ガリウム-セレニウム-サルファイド系化合物などの銅-III族-VI族系化合物を含むことができる。より詳しくは、上記銅-III族-VI族系化合物は、次の化学式で表現することができる。化学式1:CuXIn、GaYSe2Z化学式2:CuXInYSe2Z化学式3:CuXGaYSe2Z化学式4:CuXIn、GaYS2Z化学式5:CuXInYS2Z化学式6:CuXGaYS2Z化学式7:CuXIn、GaYSe、S2Zここで、X、Y、及びZは0より大きく、2より小さい。この際、図3に示すように、上記光吸収層200は上記裏面電極基板100に近づくほど、高いXの銅-III族-VI族系化合物を含む。反対に、上記光吸収層200は上記裏面電極基板100から遠ざかるほど、低いXの銅-III族-VI族系化合物を含む。即ち、上記銅-III族-VI族系化合物のXは、上記裏面電極基板100から遠ざかるほど徐々に低くなる。例えば、上記裏面電極基板100及び上記光吸収層200の界面でのXの値Aは約0.9乃至約1.5でありうる。上記光吸収層200及び上記バッファ層300の界面でのXの値Bは約0.5乃至約0.95でありうる。したがって、上記光吸収層200は上記裏面電極基板100との界面で最も高い銀組性を有する銅-III族-VI族系化合物を含むことができる。また、上記光吸収層200は上記バッファ層300との界面で最も低い銅組成を有する銅-III族-VI族系化合物を含むことができる。上記バッファ層300は上記光吸収層200の上に配置される。上記バッファ層300は硫化カドミウムを含み、上記バッファ層300のエネルギーバンドギャップは約2.2eV乃至2.4eVである。上記高抵抗バッファ層400は上記バッファ層300の上に配置される。上記高抵抗バッファ層400は、不純物がドーピングされないジンクオキサイドi-ZnOを含む。上記高抵抗バッファ層400のエネルギーバンドギャップは約3.1eV乃至3.3eVである。上記ウィンドウ層500は上記高抵抗バッファ層400の上に配置される。上記ウィンドウ層500は透明で、導電層である。上記ウィンドウ層500は透明な導電性酸化物を含むことができる。上記ウィンドウ層500に使われる物質の例としては、アルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドAldopedZnO;AZOなどが挙げられる。上記裏面電極基板100は、銀または銅などのI族元素を含むので、低い抵抗を有する。特に、上記裏面電極基板100はモリブデンなどからなる電極より低い抵抗を有し、向上した電気的な特性を有する。また、上記光吸収層200にI族-III族-VI族系化合物のI族元素の組成は最適の光-電変換効率を有するように位置によって変わることができる。即ち、上記光吸収層200は上記裏面電極基板100に近づくほど、I族元素の組成の高いI族-III族-VI族系化合物を含むことができる。これによって、上記太陽電池C1、C2は上記裏面電極基板100に近づくほど、低いバンドギャップエネルギーを有する光吸収層200を含むことができる。上記光吸収層200は、効率良く太陽光を電気エネルギーに変換させることができる。また、上記裏面電極基板100自体がフレキシブルであり、上記太陽電池C1、C2は全体的にフレキシブルである。図4に示すように、上記太陽電池C1、C2は互いに重畳される。より詳しくは、互いに隣接する太陽電池C1、C2は互いに一部重畳される。即ち、上記太陽電池C1、C2は互いに重畳されて、互いに連結される。例えば、第1太陽電池C1の一部は第2太陽電池C2の上に重畳されるように配置される。即ち、上記第2太陽電池C2の一部は上記支持基板10及び上記第1太陽電池C1の間に介される。即ち、上記第2太陽電池C2の一部は上記支持基板10及び上記第1太陽電池C1の間に挿入される。また、上記第2太陽電池C2の上面は上記第1太陽電池C1の下面に接続される。より詳しくは、上記第1太陽電池C1は、順次に積層される第1裏面電極基板110、第1光吸収層210、第1バッファ層310、第1高抵抗バッファ層410、及び第1ウィンドウ層510を含む。また、上記第2太陽電池C2は、順次に積層される第2裏面電極基板120、第2光吸収層220、第2バッファ層320、第2高抵抗バッファ層420、及び第2ウィンドウ層520を含む。この際、上記第1裏面電極基板110の一部は湾曲されて、上記第2ウィンドウ層520の上に配置される。上記第1裏面電極基板110の下面は上記第2ウィンドウ層520の上面に接続される。また、上記第1裏面電極基板110の下面及び上記第2ウィンドウ層520の上面の間に第1接続部材21が介される。上記第1裏面電極基板110は、上記第1接続部材21を通じて上記第2ウィンドウ層520に接続される。即ち、上記第1接続部材21は上記第1裏面電極基板110の下面及び上記第2ウィンドウ層520の上面に直接接触される。上記第1接続部材21は前述したように、伝導性高分子などを含むことができる。また、上記第1接続部材21は導電体であり、ソルダペーストまたは導電性テープでありうる。また、上記第1接続部材21は次のような工程により形成される。上記第1接続部材21を形成するために、上記第1裏面電極基板110の下面及び/または上記第2ウィンドウ層520に伝導性高分子がコーティングされる。より詳しくは、上記伝導性高分子は上記第1太陽電池C1及び上記第2太陽電池C2が重畳される領域に対応してコーティングされる。以後、上記第1太陽電池C1及び上記第2太陽電池C2は互いに重畳され、熱圧着工程により互いに接合される。これによって、上記第1太陽電池C1及び上記第2太陽電池C2の間に、伝導性高分子を含む上記第1接続部材21が形成される。このように、上記第1接続部材21は伝導性高分子を含むため、コーティング及び熱圧着工程のような簡単な工程により容易に形成できる。上記第1接続部材21は伝導性高分子などを含むため、上記第1裏面電極基板110及び上記第2ウィンドウ層520に効果的に接合できる。これによって、上記第1接続部材21は上記第1裏面電極基板110及び上記第2ウィンドウ層520に効果的に接合され、上記第1太陽電池C1及び上記第2太陽電池C2は物理的及び電気的に互いに効果的に連結される。これとは異なり、上記第1裏面電極基板110の下面は上記第2ウィンドウ層520の上面に直接接触により接続できる。また、上記第2太陽電池C2の一部は第3太陽電池C3の上に重畳されるように配置される。即ち、上記第3太陽電池C3の一部は上記支持基板10及び上記第2太陽電池C2の間に介される。即ち、上記第3太陽電池C3の一部は上記支持基板10及び上記第2太陽電池C2の間に挿入される。また、上記第3太陽電池C3の上面は上記第2太陽電池C2の下面に接続される。より詳しくは、上記第3太陽電池C3は、順次に積層される第3裏面電極基板130、第3光吸収層230、第3バッファ層330、第3高抵抗バッファ層430、及び第3ウィンドウ層530を含む。この際、上記第2裏面電極基板120の一部は湾曲されて、上記第3ウィンドウ層530の上に配置される。上記第2裏面電極基板120の下面は上記第3ウィンドウ層530の上面に接続される。また、上記第2裏面電極基板120の下面及び上記第3ウィンドウ層530の上面の間に第2接続部材22が介される。上記第2裏面電極基板120は、上記第2接続部材22を通じて上記第3ウィンドウ層530に接続される。即ち、上記第2接続部材22は、上記第2裏面電極基板120の下面及び上記第3ウィンドウ層530の上面に直接接触される。上記第2接続部材22は導電体であり、ソルダペーストまたは導電性テープでありうる。上記第1接続部材21と同様に、上記第2接続部材22は伝導性高分子などを含むことができ、上記第2太陽電池C2及び上記第3太陽電池C3は上記第2接続部材22により効果的に接続される。これとは異なり、上記第2裏面電極基板120の下面は上記第3ウィンドウ層530の上面に直接接触により接続される。このように、上記太陽電池C1、C2は互いに重畳されて、互いに接続され、互いに直列に連結される。したがって、実施形態に従う太陽光発電装置は多数個の太陽電池C1、C2を互いに区分し、連結するためのパターニング工程の適用無しで形成できる。これによって、実施形態に従う太陽光発電装置は容易に製造できる。また、実施形態に従う太陽光発電装置は、上記太陽電池C1、C2が重畳される領域の面積を最小化することができる。また、上記太陽電池C1、C2が重畳される領域は太陽光を電気エネルギーに変換させることができる。例えば、上記第1太陽電池C1及び上記第2太陽電池C2が重畳される領域の第1太陽電池C1は太陽光を電気エネルギーに変換させることができる。したがって、実施形態に従う太陽光発電装置は向上した発電効率を有する。また、実施形態に従う太陽光発電装置は、上記太陽電池C1、C2を覆う保護基板を更に含むことができる。この際、上記保護基板は透明で、絶縁体で、フレキシブルである。上記保護基板は、例えばエチレンビニルアセテートフィルムでありうる。また、上記太陽電池C1、C2及び上記支持基板10もフレキシブルである。これによって、実施形態に従う太陽光発電装置は全体的にフレキシブルである。図5乃至図8は、太陽電池の製造方法を示す断面図である。本実施形態に従う製造方法を説明するに当たって、前述した装置に対する説明が本質的に結合できる。図5を参照すると、I族元素を含む裏面電極基板100が提供される。図6を参照すると、上記裏面電極基板100の上に予備光吸収層201が形成される。上記予備光吸収層201はIII族元素またはVI族元素を含むことができる。より詳しくは、上記予備光吸収層201はIII族元素のみを含むことができる。より詳しくは、上記予備光吸収層201はIII族元素及びVI族元素を含むことができる。また、上記予備光吸収層201は1つの層または多数個の層に形成される。また、上記予備光吸収層201の厚さは約100nm乃至約1000nmでありうる。例えば、上記予備光吸収層201はIII族-VI族系化合物を含む単一層でありうる。より詳しくは、上記予備光吸収層201はインジウム-セレナイド系化合物、インジウム-ガリウム-セレナイド系化合物、ガリウム-セレナイド系化合物、インジウム-サルファイド系化合物、インジウム-ガリウム-サルファイド系化合物、ガリウム-サルファイド系化合物、またはインジウム-ガリウム-セレニウム-サルファイド系化合物からなる。上記III族-VI族系化合物はスパッタリング工程により蒸着される。即ち、上記III族-VI族系化合物を含むスパッタリングターゲットを使用するスパッタリング工程により上記予備光吸収層201が形成される。上記予備光吸収層201はIII族元素及びVI族元素を同時に蒸発して蒸着させる同時蒸発法により形成される。また、上記予備光吸収層201はIII族-VI族系化合物を含むペーストが上記裏面電極基板100にプリンティングされて形成される。上記予備光吸収層201はIII族-VI族系化合物を含む溶液が上記裏面電極基板100に噴射されて形成される。これとは異なり、上記予備光吸収層201はVI族元素を含まず、III族元素のみを含むことができる。図7を参照すると、上記予備光吸収層201が形成された後、上記裏面電極基板100及び上記予備光吸収層201は熱処理される。これによって、上記裏面電極基板100に含まれたI族元素が上記予備光吸収層201に広がり、同時に上記予備光吸収層201に含まれたIII族-VI族系化合物が上記裏面電極基板100の一部に広がる。また、上記裏面電極基板100に含まれたI族元素及び上記予備光吸収層201に含まれたIII族-VI族系化合物が反応して、I族-III族-VI族系化合物が形成される。これによって、上記裏面電極基板100の上にI族-III族-VI族系化合物を含む光吸収層200が形成される。上記熱処理工程は約300°C乃至約650°Cの温度で進行され、約5分乃至約60分間進行される。図8を参照すると、上記光吸収層200の上に硫化カドミウムが蒸着されてバッファ層300が形成される。以後、上記バッファ層300の上にジンクオキサイドが蒸着されて、高抵抗バッファ層400が形成される。以後、上記高抵抗バッファ層400の上にアルミニウムドーピングされたジンクオキサイドが蒸着されてウィンドウ層500が形成される。実施形態に従う太陽電池の製造方法は光吸収層200を形成するために、銀または銅などのI族元素を蒸着するための工程を必要としない。したがって、上記光吸収層200は低い温度で形成され、上記太陽電池C1、C2は容易に製造できる。このように製造された太陽電池C1、C2の上面の一外郭に接続部材21、22が配置され、互いに重畳されるように接続される。以後、互いに接続された太陽電池C1、C2の上下面に保護基板及び支持基板10が合着され、実施形態に従う太陽光発電装置が製造される。このように、パターニング工程無しで、実施形態に従う太陽光発電装置が提供できる。図9及び図10は他の実施形態に従う光吸収層を形成する過程を示す図である。本実施形態では前述した実施形態を参照し、予備光吸収層を形成する過程及び光吸収層を形成する過程について追加的に説明する。本実施形態の説明において、変更された部分を除いては、前述した実施形態の説明が本質的に結合できる。図9を参照すると、裏面電極基板100の上に予備光吸収層202が形成される。上記予備光吸収層202はIII族元素を含む。より詳しくは、上記予備光吸収層202はIII族元素、またはIII族元素の化合物からなる。この際、上記予備光吸収層202はVI族元素を含まない。例えば、上記予備光吸収層202はインジウム及び/またはガリウムからなるか、インジウムオキサイドまたはガリウムオキサイドを含むことができる。上記予備光吸収層202はインジウムオキサイド層及びガリウムオキサイド層を含むことができる。図10を参照すると、上記予備光吸収層202及び上記裏面電極基板100はセレニウムのようなVI族元素雰囲気で熱処理されて、上記裏面電極基板100の上に光吸収層200が形成される。即ち、上記裏面電極基板100に含まれたI族元素、上記予備光吸収層201に含まれたIII族元素、及び上記予備光吸収層202の周囲のVI族元素が反応してI族-III族-VI族化合物が形成され、上記光吸収層200が形成される。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。