ゲート電極、前記ゲート電極と絶縁された活性層、前記ゲート電極と絶縁され、前記活性層にコンタクトされるソース電極及びドレイン電極、及び前記ソース電極及びドレイン電極と前記活性層との間に介された絶縁層を備える薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された有機発光素子と、を備え、前記ソース電極は、相互分離形成された第1ソース電極及び第2ソース電極と、前記第1ソース電極及び前記第2ソース電極を電気的に連結する第3ソース電極とを備え、前記ドレイン電極は、相互分離形成された第1ドレイン電極及び第2ドレイン電極と、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極を電気的に連結する第3ドレイン電極とを備えることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。前記第1ソース電極及び前記第1ドレイン電極は、前記活性層が形成された領域と対応する領域に形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記ゲート電極のコーナーと対応する領域には形成されないことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第1ソース電極、前記第2ソース電極、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極は、平坦に形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第1ソース電極、前記第2ソース電極、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極は、前記絶縁層が平坦に形成された領域の上部のみに形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記薄膜トランジスタと前記有機発光素子との間に、前記ソース電極及びドレイン電極を覆うようにパッシベーション層が介在されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第1ソース電極と前記第2ソース電極とのそれぞれ少なくとも一部が露出されるように、前記パッシベーション層にホールが形成され、前記ホールを充填するように、前記第3ソース電極が形成されて、前記第1ソース電極と前記第2ソース電極とが電気的に連結され、前記第1ドレイン電極と前記第2ドレイン電極とのそれぞれ少なくとも一部が露出されるように、前記パッシベーション層にホールが形成され、前記ホールを充填するように、前記第3ドレイン電極が形成されて、前記第1ドレイン電極と前記第2ドレイン電極とが電気的に連結されることを特徴とする請求項6に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記有機発光素子は、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された第1電極と、前記第1電極上に形成される有機層と、前記有機層上に形成される第2電極と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第1電極、前記第3ソース電極及び前記第3ドレイン電極は、同一層に同一物質で所定間隔離隔されて形成されることを特徴とする請求項8に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第3ソース電極及び前記第3ドレイン電極は、ITO、IZO、ZnO群から選択された一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。基板上にゲート電極を形成する工程と、前記基板上に前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上に活性層を形成する工程と、前記活性層の少なくともチャネル領域を覆う絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に前記活性層とコンタクトされるソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、前記ソース及びドレイン電極のうち一つと電気的に連結された有機発光素子を形成する工程と、を含み、前記ソース電極及びドレイン電極を形成する工程は、相互離隔されて形成された第1ソース電極及び第2ソース電極を形成する工程と、前記第1ソース電極及び前記第2ソース電極を電気的に連結する第3ソース電極を形成する工程と、相互離隔されて形成された第1ドレイン電極及び第2ドレイン電極を形成する工程と、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極を電気的に連結する第3ドレイン電極を形成する工程と、を含む有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1ソース電極及び前記第1ドレイン電極は、前記活性層が形成された領域と対応する領域に前記活性層とコンタクトするように形成されることを特徴とする請求項11に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記ソース電極及びドレイン電極を形成する工程は、前記ゲート電極のコーナーの上部には、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成されないようにすることを特徴とする請求項11に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1ソース電極、前記第2ソース電極、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極は、平坦に形成されることを特徴とする請求項11に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1ソース電極、前記第2ソース電極、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極は、前記絶縁層が平坦に形成された領域の上部のみに形成されることを特徴とする請求項11に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記ソース及びドレイン電極のうち一つと電気的に連結された有機発光素子を形成する工程は、前記薄膜トランジスタに第1電極を電気的に連結する工程と、前記第1電極上に有機層を形成する工程と、前記有機層上に第2電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項11に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1電極、前記第3ソース電極及び前記第3ドレイン電極は、同一層に同一物質で所定間隔離隔されて形成されることを特徴とする請求項16に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の上部に前記ゲート電極と絶縁された活性層を形成する工程と、前記活性層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に導電層を形成する工程と、前記導電層をパターニングして、第1ソース電極、第2ソース電極、第1ドレイン電極及び第2ドレイン電極を形成する工程と、前記第1ソース電極、第2ソース電極、第1ドレイン電極及び第2ドレイン電極を覆うようにパッシベーション層を形成する工程と、前記第1ソース電極、第2ソース電極、第1ドレイン電極及び第2ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部が露出されるように、前記パッシベーション層にホールを形成する工程と、前記第1ソース電極と第2ソース電極とを電気的に連結する第3ソース電極と、前記第1ドレイン電極と第2ドレイン電極とを電気的に連結する第3ドレイン電極とを形成する工程と、前記第1ソース電極、第2ソース電極、第1ドレイン電極及び第2ドレイン電極のうち少なくとも一つと電気的に連結された有機発光素子を形成する工程と、を含む有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第3ソース電極と前記第3ドレイン電極とを形成する工程は、前記第1ソース電極と前記第2ソース電極とのそれぞれ少なくとも一部が露出されるように、前記パッシベーション層に形成されたホールを充填して前記第3ソース電極が形成され、前記第1ドレイン電極と前記第2ドレイン電極とのそれぞれ少なくとも一部が露出されるように、前記パッシベーション層に形成されたホールを充填して前記第3ドレイン電極が形成されることを特徴とする請求項18に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1ソース電極、前記第2ソース電極、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極は、平坦に形成されることを特徴とする請求項18に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1ソース電極、前記第2ソース電極、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極は、前記絶縁層が平坦に形成された領域の上部のみに形成されることを特徴とする請求項18に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1電極、前記第3ソース電極及び前記第3ドレイン電極は、同一層に同一物質で所定間隔離隔されて形成されることを特徴とする請求項18に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、ソースドレイン電極のコーナー部分に強くかかる電界による絶縁破壊及び素子劣化現象を防止できる有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することである。上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、ゲート電極、前記ゲート電極と絶縁された活性層、前記ゲート電極と絶縁され、前記活性層にコンタクトされるソース電極及びドレイン電極、及び前記ソース電極及びドレイン電極と前記活性層との間に介在された絶縁層を備えるTFT;前記TFTに電気的に連結された有機発光素子;を備え、前記ソース電極は、相互分離形成された第1ソース電極及び第2ソース電極と、前記第1ソース電極及び前記第2ソース電極を電気的に連結する第3ソース電極とを備え、前記ドレイン電極は、相互分離形成された第1ドレイン電極及び第2ドレイン電極と、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極を電気的に連結する第3ドレイン電極とを備えることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置が提供される。本発明において、前記第1ソース電極及び前記第1ドレイン電極は、前記活性層が形成された領域と対応する領域に形成されうる。本発明において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記ゲート電極のコーナーと対応する領域には、形成されない。本発明において、前記第1ソース電極、前記第2ソース電極、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極は、平坦に形成されうる。本発明において、前記第1ソース電極、前記第2ソース電極、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極は、前記絶縁層が平坦に形成された領域の上部のみに形成されうる。本発明において、前記TFTと前記有機発光素子との間に、前記ソース電極及びドレイン電極を覆うようにパッシベーション層が介在されうる。ここで、前記第1ソース電極と前記第2ソース電極とのそれぞれ少なくとも一部が露出するように、前記パッシベーション層にホールが形成され、前記ホールを充填するように、前記第3ソース電極が形成されて、前記第1ソース電極と前記第2ソース電極とが電気的に連結され、前記第1ドレイン電極と前記第2ドレイン電極とのそれぞれの少なくとも一部が露出するように、前記パッシベーション層にホールが形成され、前記ホールを充填するように前記第3ドレイン電極が形成されて、前記第1ドレイン電極と前記第2ドレイン電極とが電気的に連結されうる。本発明において、前記有機発光素子は、前記TFTに電気的に連結された第1電極と、前記第1電極上に形成される有機層と、前記有機層上に形成される第2電極と、を備えうる。ここで、前記第1電極、前記第3ソース電極及び前記第3ドレイン電極は、同一層に同一物質で所定間隔離隔されて形成されうる。本発明において、前記第3ソース電極及び前記第3ドレイン電極は、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、ZnO群から選択された一つ以上の物質を含みうる。他の側面に関する本発明は、基板上にゲート電極を形成する工程と、前記基板上に前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上に活性層を形成する工程と、前記活性層の少なくともチャネル領域を覆う絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に前記活性層とコンタクトされるソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、前記ソース及びドレイン電極のうち一つと電気的に連結された有機発光素子を形成する工程と、を含み、前記ソース電極及びドレイン電極を形成する工程は、相互離隔されて形成された第1ソース電極及び第2ソース電極を形成する工程と、前記第1ソース電極及び前記第2ソース電極を電気的に連結する第3ソース電極を形成する工程と、相互離隔されて形成された第1ドレイン電極及び第2ドレイン電極を形成する工程と、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極を電気的に連結する第3ドレイン電極を形成する工程と、を含む有機発光ディスプレイ装置の製造方法を提供する。本発明において、前記第1ソース電極及び前記第1ドレイン電極は、前記活性層が形成された領域と対応する領域に、前記活性層とコンタクトするように形成されうる。本発明において、前記ソース電極及びドレイン電極を形成する工程は、前記ゲート電極のコーナーの上部には、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成されないようにできる。本発明において、前記第1ソース電極、前記第2ソース電極、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極は、平坦に形成されうる。本発明において、前記第1ソース電極、前記第2ソース電極、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極は、前記絶縁層が平坦に形成された領域の上部のみに形成されうる。本発明において、前記ソース及びドレイン電極のうち一つと電気的に連結された有機発光素子を形成する工程は、前記TFTに第1電極を電気的に連結する工程と、前記第1電極上に有機層を形成する工程と、前記有機層上に第2電極を形成する工程と、を含みうる。ここで、前記第1電極、前記第3ソース電極及び前記第3ドレイン電極は、同一層に同一物質で所定間隔離隔されて形成されうる。さらに他の側面に関する本発明は、基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の上部に前記ゲート電極と絶縁された活性層を形成する工程と、前記活性層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に導電層を形成する工程と、前記導電層をパターニングして、第1ソース電極、第2ソース電極、第1ドレイン電極及び第2ドレイン電極を形成する工程と、前記第1ソース電極、第2ソース電極、第1ドレイン電極及び第2ドレイン電極を覆うように、パッシベーション層を形成する工程と、前記第1ソース電極、第2ソース電極、第1ドレイン電極及び第2ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部が露出されるように、前記パッシベーション層にホールを形成する工程と、前記第1ソース電極と第2ソース電極とを電気的に連結する第3ソース電極と、前記第1ドレイン電極と第2ドレイン電極とを電気的に連結する第3ドレイン電極を形成する工程と、前記第1ソース電極、第2ソース電極、第1ドレイン電極及び第2ドレイン電極のうち少なくとも一つと電気的に連結された有機発光素子を形成する工程と、を含む有機発光ディスプレイ装置の製造方法を提供する。本発明において、前記第3ソース電極と前記第3ドレイン電極とを形成する工程は、前記第1ソース電極と前記第2ソース電極とのそれぞれの少なくとも一部が露出されるように、前記パッシベーション層に形成されたホールを充填して前記第3ソース電極が形成され、前記第1ドレイン電極と前記第2ドレイン電極とのそれぞれの少なくとも一部が露出されるように、前記パッシベーション層に形成されたホールを充填して前記第3ドレイン電極が形成されうる。本発明において、前記第1ソース電極、前記第2ソース電極、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極は、平坦に形成されうる。本発明において、前記第1ソース電極、前記第2ソース電極、前記第1ドレイン電極及び前記第2ドレイン電極は、前記絶縁層が平坦に形成された領域の上部のみに形成されうる。本発明において、前記第1電極、前記第3ソース電極及び前記第3ドレイン電極は、同一層に同一物質で所定間隔離隔されて形成されうる。以上説明したように本発明によれば、ソースドレイン電極のコーナーにかかる強い電界効果による絶縁破壊現象及び素子劣化現象を防止でき、これにより、素子不良が減少する効果が得られる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図1は、本発明の望ましい一実施形態による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示した断面図である。図1を参照すれば、基板1上に薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistor2と有機発光素子3とが備えられる。図1は、有機発光ディスプレイ装置の一画素の一部を示した図面であって、本発明の有機発光ディスプレイ装置は、このような画素が複数個存在する。前記TFT2は、基板1上に形成されたゲート電極21と、このゲート電極21を覆うゲート絶縁層22と、ゲート絶縁層22上に形成された活性層23と、活性層23を覆うようにゲート絶縁層22上に形成された絶縁層24と、絶縁層24上に形成されて、活性層23とコンタクトされるソース電極25及びドレイン電極26と、を備える。図1には、ボトムゲート構造のTFT2を例示したが、本発明の権利範囲は、必ずしもこれに限定されず、トップゲート構造のTFTにも適用可能である。基板1上には、酸化シリコンなどの無機物で、バッファ層-6-チオフェン、アルファ-5-チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、金属を含有したり含有していないフタロシアニン及びこれらの誘導体、ピロメリット酸二無水物PMDA:PyromelliticDianhydrideまたはピロメリット酸ジイミド及びこれらの誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸二無水物PTCDA:PeryleneTetracarboxylicDianhydrideまたはぺリレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体を含みうる。また、活性層23は、酸化物半導体で形成され、詳細には、ガリウム、リン、亜鉛及びスズ群から選択された一つ以上の元素及び酸素を含みうる。例えば、前記活性層23は、ZnO、ZnGaO、ZnInO、GaInO、GaSnO、ZnSnO、InSnO、HfInZnOまたはZnGaInOなどの物質を含み、望ましくは、G-I-Z-O層abc層でありうる。このような活性層23を覆うように、絶縁層24が形成される。前記絶縁層24は、特に活性層23のチャネル23aを保護するためのものであって、図1に示したように、前記絶縁層24は、ソースドレイン電極2526とコンタクトされる領域を除外した活性層23の全体を覆うようにできるが、必ずしもこれに限定されず、図面に示されていないが、チャネル23aの上部のみに形成されることもある。一方、絶縁層24上には、ソース電極25及びドレイン電極26が前記活性層23とコンタクトされるように形成される。ここで、本発明の一実施形態に関する有機発光ディスプレイ装置は、ソース電極25とドレイン電極26とは、それぞれ分離されて形成された第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び第2電極を連結する第3電極とを備えることを特徴とするが、これについては、詳細に後述する。そして、前記絶縁層24上には、このソース電極25及びドレイン電極26を覆うように、パッシベーション層27が形成され、このパッシベーション層27上には、ドレイン電極26とコンタクトされる有機発光素子3の第1電極31が形成される。前記パッシベーション層27上には、前記第1電極31の一部を露出させる画素定義膜29が形成され、画素定義膜29に露出された第1電極31の上部に、有機層32及び第2電極33が形成される。詳細には、画素定義膜29は、第1電極31のエッジを覆うように備えられる。この画素定義膜29は、発光領域を定義する役割以外に、第1電極31のエッジと第2電極33との間隔を広めて、第1電極31のエッジ部分で電界が集中する現象を防止することによって、第1電極31と第2電極33との短絡を防止する役割を行う。前記第1電極31は、各画素別にパターニングされるように備えられる。第2電極33の方向に画像を具現する前面発光型構造の場合、前記第1電極31は、反射型電極で備えられうる。このために、Al、Agなどの合金で備えられた反射膜を備えるようにする。前記第1電極31をアノード電極として使用する場合、仕事関数の高いITO、IZO、ZnOなどの金属酸化物からなる層を含むようにする。前記第1電極31をカソード電極として使用する場合には、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Caなどの仕事関数の低い高導電性の金属を使用する。したがって、この場合には、前述した反射膜は、不要になる。前記第2電極33は、透光型電極で備えられうる。このために、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Caなどを薄膜で形成した半透過反射膜を備えるか、またはITO、IZO、ZnOなどの透光性金属酸化物を含みうる。前記第1電極31をアノードとする場合、第2電極33は、カソードとし、前記第1電極31をカソードとする場合、前記第2電極33は、アノードとする。前記第1電極31と第2電極33との間に介された有機層32は、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層がいずれもまたは選択的に積層されて備えられうる。但し、発光層は、必須的に備える。一方、図面に示していないが、前記第2電極33上には、保護層がさらに形成され、ガラスによって密封されうる。以下では、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置のうち、ソース電極25及びドレイン電極26について詳細に説明する。従来の有機発光ディスプレイ装置のソースドレイン電極の場合、ゲート電極の両端部を覆うように形成され、したがって、ソースドレイン電極は、ゲート電極のコーナーを過ぎる部分で一定程度傾斜した部分が発生する。しかし、ゲート電極のコーナーとソースドレイン電極との間の強いフィールドによって、ソースドレイン電極の傾斜した部分で絶縁破壊が発生する可能性が存在し、したがって、これによる不良が発生する可能性が存在した。このような問題点を解決するために、本発明の一実施形態に関する有機発光ディスプレイ装置は、ソースドレイン電極の傾斜した部分をパターニングして除去した後、画素電極の形成時、相互分離された二つの部分を電気的に画素電極と同じ層に連結させることによって、ゲートのコーナー及びソースドレインの傾斜した部分から発生するフィールドによって、絶縁破壊現象の発生を防止することを一特徴とする。詳細には、絶縁層24にホールを形成し、金属または導電性金属酸化物などの物質を絶縁層24上に塗布し、これをパターニングして、ソース電極25及びドレイン電極26を形成するにおいて、前記パターニング時にソース電極25とドレイン電極26とのそれぞれ中間部分、すなわち、ゲート電極21のコーナー部と対応する位置に傾斜して形成された部分をパターニングして除去する。それにより、ソース電極25は、相互分離されて形成された第1ソース電極25aと第2ソース電極25bとを含む。ここで、第1ソース電極25aは、活性層23の上部に形成され、第2ソース電極25bは、活性層23が形成されていない部分に形成される。この時、第1ソース電極25aと第2ソース電極25bとは、それぞれ傾斜した部分なしに平坦に形成される。同様に、第1ドレイン電極26aは、活性層23の上部に形成され、第2ドレイン電極26bは、活性層23が形成されていない部分に形成される。この時、第1ドレイン電極26aと第2ドレイン電極26bとは、それぞれ傾斜した部分なしに平坦に形成される。次いで、ソース電極25とドレイン電極26とを覆うように、パッシベーション層27を形成し、このパッシベーション層27上には、ドレイン電極26とコンタクトされる有機発光素子3の第1電極31を形成する。詳細には、パッシベーション層27にホールを形成し、金属または導電性金属酸化物などの物質をパッシベーション層27上に塗布し、これをパターニングして、第1電極31、第3ソース電極25c及び第3ドレイン電極25dを形成する。ここで、前記第3ソース電極25cは、第1ソース電極25aと第2ソース電極25bとを連結するように形成され、前記第3ドレイン電極25dは、第1ドレイン電極26aと第2ドレイン電極26bとを連結するように形成される。このように、ソースドレイン電極の傾斜した部分を除去した後、これをITO電極で連結することによって、ソースドレイン電極の傾斜した部分によって発生する絶縁破壊現象を防止でき、これにより、素子不良が減少する効果が得られる。次いで、このような本発明のソースドレイン電極についての製造方法を具体的に説明する。図2ないし図14は、図1による実施形態の製造方法を順次に示した断面図である。図2を参照すれば、まず基板1を設ける。このような基板1としては、シリコン、ガラスまたは有機物材料を使用できる。シリコン基板を使用する場合、熱酸化工程によって、その表面に絶縁層をさらに形成できる。次いで、基板1上に金属または導電性金属酸化物などの導電性物質を塗布した後、これをパターニングすることによって、ゲート電極21を形成する。次いで、図3を参照すれば、ゲート電極21の上部に絶縁物質を塗布してパターニングして、ゲート絶縁層22を形成する。次いで、図4を参照すれば、ゲート電極21に対応するゲート絶縁層22上に半導体物質をPVDPhysicalVaporDeposition、CVDChemicalVaporDepositionまたはALDAtomicLayerDepositionなどの工程で塗布した後にパターニングすることによって、活性層23を形成する。ここで、半導体物質は、無機半導体または有機半導体から選択されて形成されうる。また、活性層23は、酸化物半導体で形成され、例えば、G-I-Z-O層abc層でありうる。次いで、図5を参照すれば、活性層23を覆うように、絶縁層24を形成する。ここで、前記絶縁層24は、エッチング防止層の役割を行える。次いで、図6に示したように、絶縁層24にホール24aを形成し、図7に示したように、金属または導電性金属酸化物などの物質からなる導電層250を絶縁層24上に塗布した後、図8に示したように、活性層23の両側部に連結されるようにパターニングすることによって、ソース電極25及びドレイン電極26を形成する。詳細には、導電層250が絶縁層24上に形成されるにおいて、ゲート電極21のコーナー部分に対応する導電層250は、傾斜して形成される。この傾斜した部分を含むようにソースゲート電極が形成される場合、ゲート電極のコーナーとソースドレイン電極との強いフィールドによって、ソースドレイン電極の傾斜した部分で絶縁破壊が発生する可能性が存在し、したがって、これによる不良が発生する可能性が存在した。これを解決するために、本発明の一実施形態に関する有機発光ディスプレイ装置は、ソースドレイン電極の傾斜した部分をパターニングして除去する。すなわち、ソースドレイン電極を相互分離された二つの部分で形成する。それにより、ソース電極25は、相互分離されて形成された第1ソース電極25aと第2ソース電極25bとを含む。ここで、第1ソース電極25aは、活性層23の上部に形成され、第2ソース電極25bは、活性層23が形成されていない部分に形成される。この時、第1ソース電極25aと第2ソース電極25bとは、それぞれ傾斜した部分なしに平坦に形成される。同様に、第1ドレイン電極26aは、活性層23の上部に形成され、第2ドレイン電極26bは、活性層23が形成されていない部分に形成される。この時、第1ドレイン電極26aと第2ドレイン電極26bとは、それぞれ傾斜した部分なしに平坦に形成される。次いで、図9に示したように、ソース電極25及びドレイン電極26を覆うように、パッシベーション層27を形成し、図10に示したように、パッシベーション層27にホール27a27b27c27d27eを形成する。詳細には、第1ホール27aは、後述する第1電極31と第2ドレイン電極26bとが接触できるように、第2ドレイン電極26bに対応する領域に形成される。一方、第2ホール27bは、第2ドレイン電極26bが露出されるように、第2ドレイン電極26bと対応する領域に形成され、第3ホール27cは、第1ドレイン電極26aが露出されるように、第1ドレイン電極26aと対応する領域に形成され、第4ホール27dは、第1ソース電極25aが露出されるように、第1ソース電極25aと対応する領域に形成され、第5ホール27eは、第2ソース電極25bが露出されるように、第2ソース電極25bと対応する領域に形成される。次いで、図11に示したように、金属または導電性金属酸化物などの物質からなる導電層30をパッシベーション層27上に塗布する。この時、前記導電層30は、前記パッシベーション層27に形成されたホール27a27b27c27d27eを充填するように形成される。次いで、図12に示したように、第1電極31、第3ソース電極25c及び第3ドレイン電極26cを形成する。ここで、第1電極31は、第2ドレイン電極26bとコンタクトするように形成される。また、前記第3ソース電極25cは、第1ソース電極25aと第2ソース電極25bとを連結するように形成され、前記第3ドレイン電極26cは、第1ドレイン電極26aと第2ドレイン電極26bとを連結するように形成される。このように、相互分離されたソースドレイン電極を連結する第3ソース電極25c及び第3ドレイン電極26cを、第1電極31と同じ層に同じ物質で形成することによって、別途のマスク工程を追加せずとも、絶縁破壊現象を防止する効果が得られる。次いで、図13に示したように、パッシベーション層27上には、絶縁物質で形成された画素定義膜28を形成し、図14に示したように、第1電極31の一部が露出されるように、画素定義膜28をパターニングして、ホール29aを形成する。最後に、画素定義膜28を通じて露出された第1電極31の上部に有機層32及び第2電極33を形成すれば、図1に示したような有機発光ディスプレイ装置の製造が完了する。このように、本発明の有機発光ディスプレイ装置は、ソースドレイン電極の傾斜した部分を除去した後、これをITO電極で連結することによって、ソースドレイン電極の傾斜した部分によって発生する絶縁破壊現象を防止でき、これにより、素子不良が減少する効果が得られる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。