半導体サブストレート110、302、502、702、902と、サブストレート110、302、502、702、902内にある第1のタイプのドーパントでドープしたサブストレート110、302、502、702、902、912の第1のボリュームを含んだフォトダイオードセル108、304、504、704、904と、サブストレート110、302、502、702、902内にある第1のタイプのドーパントと反対電荷を有する第2のタイプのドーパントでドープしたサブストレート110、302、502、702、902の第2のボリュームを含んだ接地拡散領域318、518、716、718、914と、サブストレート110、302、502、702、902内にあると共にフォトダイオードセル108、304、504、704、904の外側周囲の周りで少なくとも部分的に延びるガードバンド312、314、512、514、712、714であって、該ガードバンド312、314、512、514、712、714は第1のタイプのドーパントでドープしたサブストレート110、302、502、702、902の第3のボリュームを含んでおり、フォトダイオードセル108、304、504、704、904からサブストレート110、302、502、702、902を通ってドリフトする電子または正孔のうちの1つまたは幾つかを伝導させるために接地拡散領域318、518、716、718、914と該ガードバンド312、314、512、514、712、714のうちの少なくとも一方を接地基準116と伝導性に結合させており、該ガードバンド312、314、512、514、712、714は接地拡散領域318、518、716、718、914と比べてフォトダイオードセル108、304、504、704、904のより近くに配置されているガードバンド312、314、512、514、712、714と、を備えるフォトダイオードアセンブリ100、300、500、700、900。前記ガードバンド312、314、512、514、712、714は、フォトダイオードセル108、304、504、704、904から該ガードバンド312、314、512、514、712、714まで連続して延びると共に第2のタイプのドーパントでドープされていないサブストレート110、302、502、702、902の分離部分316によってフォトダイオードセル108、304、504、704、904から分離されている、請求項1に記載のフォトダイオードアセンブリ100、300、500、700、900。前記ガードバンド312、314、512、514、712、714は、互いに対して非平行の角度に向いたサブストレート110、302、502、702、902の細長いドープ領域を含む、請求項1に記載のフォトダイオードアセンブリ100、300、500、700、900。前記ガードバンド312、314、512、514、712、714は、フォトダイオードセル108、304、504、704、904の周り及び接地拡散領域の周りに延びたサブストレート110、302、502、702、902の細長いドープ領域を含む、請求項1に記載のフォトダイオードアセンブリ100、300、500、700、900。前記ガードバンド312、314、512、514、712、714と伝導性に結合させた調整可能な電圧源120をさらに備えており、該ガードバンド312、314、512、514、712、714を該電圧源120からのバイアス用電圧を受け取るように構成している、請求項1に記載のフォトダイオードアセンブリ100、300、500、700、900。フォトダイオードアセンブリ100、300、500、700、900を提供するための方法1100であって、サブストレート110、302、502、702、902の第1のボリューム内に第1のタイプのドーパントを拡散させフォトダイオードセル108、304、504、704、904を形成するステップと、サブストレート110、302、502、702、902内に第2のタイプのドーパントを拡散させることによってサブストレート110、302、502、702、902内に接地拡散領域318、518、716、718、914を形成するステップであって、該第1と第2のタイプのドーパントは反対電荷のドーパントである接地拡散領域形成ステップと、サブストレート110、302、502、702、902内にフォトダイオードセル108、304、504、704、904の外側周囲の周りに少なくとも部分的に延びるガードバンド312、314、512、514、712、714を形成するステップであって、該ガードバンド312、314、512、514、712、714はサブストレート110、302、502、702、902の回収領域内に第1のタイプのドーパントを拡散させることによって形成されており、該ガードバンド312、314、512、514、712、714は接地拡散領域318、518、716、718、914と比べてフォトダイオードセル108、304、504、704、904のより近くに配置されており、フォトダイオードセル108、304、504、704、904からサブストレート110、302、502、702、902を通ってドリフトする電子または正孔のうちの1つまたは幾つかを伝導させるために接地拡散領域318、518、716、718、914と該ガードバンド312、314、512、514、712、714のうちの少なくとも一方を接地基準116と伝導性に結合させているガードバンド形成ステップと、を含む方法1100。ガードバンド312、314、512、514、712、714を形成する前記ステップは、フォトダイオードセル108、304、504、704、904から接地拡散領域318、518、716、718、914まで連続して延びるサブストレート110、302、502、702、902の分離部分316によってフォトダイオードセル108、304、504、704、904から離間させたサブストレート110、302、502、702、902のボリューム内に第1のタイプのドーパントを拡散させるステップを含む、請求項6に記載の方法1100。前記サブストレート110、302、502、702、902の分離部分316は、第2のタイプのドーパントやドーパント接合を存在させることなくフォトダイオードセル108、304、504、704、904とガードバンド312、314、512、514、712、714の間を延びている、請求項7に記載の方法1100。前記ガードバンド312、314、512、514、712、714を調整可能な電圧源120と伝導性に結合させるステップであって、該ガードバンド312、314、512、514、712、714を該電圧源120からバイアス用電圧を受け取るように構成している結合ステップをさらに含む請求項6に記載の方法1100。ガードバンド312、314、512、514、712、714を形成する前記ステップは、互いに対して非平行の角度に向いたサブストレート110、302、502、702、902の細長いドープした領域を含んだサブストレート110、302、502、702、902のボリューム内に第1のタイプのドーパントを拡散させかつ該細長いドープ領域と接合させたサブストレート110、302、502、702、902のジョイント領域を含んだ接地拡散領域内に第2のタイプのドーパントを拡散させるステップを含む、請求項6に記載の方法1100。幾つかの検出器は、サブストレートをより伝導性とするためにリンPなどのnドーパントを高濃度ドープした半導体サブストレートの領域を含む。これらの領域は、クロストークの電子をフォトダイオードアレイから伝導して出すことによってフォトダイオードアレイのセル間でのクロストークのドリフトを防ぐように図る。しかし、nドープの領域を利用すると検出器から除去されるクロストークの量が減少する可能性がある。例えばnドープの領域は、クロストークの正孔などクロストークの一部について、正孔を検出器から出るように伝導するのではなくフォトダイオードセルの方に反射させて戻すことがある。このためクロストークの少なくとも一部はフォトダイオードまでドリフトを続け画像品質を劣化させることがある。一実施形態では、フォトダイオードアセンブリを提供する。本アセンブリは、半導体サブストレートと、フォトダイオードセルと、接地拡散領域と、ガードバンドと、を含む。フォトダイオードセルは、サブストレート内に配置されると共に、第1のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの第1のボリュームを含む。接地拡散領域は、サブストレート内に配置されると共に、第1のタイプのドーパントと反対電荷を有する第2のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの第2のボリュームを含む。ガードバンドは、サブストレート内に配置されると共に、フォトダイオードセルの外側周囲の周りに少なくとも部分的に延びている。ガードバンドは、第1のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの第3のボリュームを含む。接地拡散領域とガードバンドのうちの少なくとも一方は、サブストレートを通してフォトダイオードセルからドリフトする電子または正孔のうちの1つまたは幾つかを伝導させるために接地基準と伝導性に結合させている。ガードバンドは接地拡散領域と比べてフォトダイオードセルのより近くに配置されている。別の実施形態では、フォトダイオードアセンブリを提供するための方法を提供する。本方法は、サブストレートの第1のボリューム内に第1のタイプのドーパントを拡散させフォトダイオードセルを形成するステップと、サブストレート内への第2のタイプのドーパントの拡散によってサブストレート内に接地拡散領域を形成するステップと、を含む。この第1及び第2のタイプのドーパントは反対電荷のドーパントである。本方法はさらに、サブストレート内にフォトダイオードセルの外側周囲の周りに少なくとも部分的に延びるガードバンドを形成するステップを含む。このガードバンドは、第1のタイプのドーパントをサブストレートの回収領域内に拡散させることによって形成されており、また接地拡散領域と比べてフォトダイオードセルのより近くに配置されている。接地拡散領域とガードバンドのうちの少なくとも一方は、サブストレートを通してフォトダイオードセルからドリフトする電子または正孔のうちの1つまたは幾つかを伝導させるために接地基準と伝導性に結合させている。別の実施形態では、別のフォトダイオードアセンブリを提供する。本アセンブリは、半導体サブストレートと、フォトダイオードセルのアレイと、ガードバンドと、接地拡散領域と、を含む。フォトダイオードセルのアレイは、サブストレート内に配置されると共に、第1のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの離間させたボリュームを含む。ガードバンドは、サブストレート内でフォトダイオードセルの間に配置されると共に、第1のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの共通ドープのボリュームを含む。接地拡散領域は、サブストレート内でガードバンドと比べてフォトダイオードセルからより遠くに配置されると共に、第1のタイプのドーパントと異なる第2のタイプのドーパントでドープされている。ガードバンドは、サブストレートを通ってドリフトする電子または正孔のうちの少なくとも一方をフォトダイオードセルから接地基準まで伝導させるように構成されており、また接地拡散領域は、サブストレートを通ってドリフトする電子または正孔のもう一方をフォトダイオードセルから接地基準まで伝導させるように構成されている。本明細書に開示した主題は、添付の図面を参照しながら非限定の実施形態に関する以下の説明を読むことによってより理解が深まろう。本明細書で使用する場合、単数形でaやanの語を前に付けて記載した要素やステップは、これに関する複数の要素またはステップも排除していないこうした排除を明示的に記載している場合を除くと理解すべきである。さらに本発明の一実施形態に関する言及は、記載した特徴を組み込んでいる追加的な実施形態の存在を排除するものではない。特に否定の記載を明示的にしていない限り、ある具体的な特性を有するある1つの構成要素または複数の構成要素を備えたcomprising、含むincludingまたは有するhaving実施形態は、当該の特性を有しない追加的なこうした構成要素を含むことがある。本明細書に記載した主題は撮像システムで使用されるフォトセンサアセンブリに関する。このフォトセンサアセンブリは入射した放射に基づいて画像を作成するために用いられることがある。例えばフォトセンサアセンブリは、入射した放射を画像に変換するためにコンピュータ断層CTシステムによって用いられることがある。別法としてフォトセンサアセンブリは、入射した放射を画像に変換するためあるいは侵入者の有無など身体を検出するためにセキュリティシステムによって用いられることがある。しかし、本明細書に記載した実施形態のうちのすべてがCTシステムやセキュリティシステムに限定されるものではない。画像の形成や別の目的で放射を電気信号に変換する別のシステムや装置が本明細書に記載した1つまたは複数の実施形態を含むことがある。フォトセンサアセンブリは、入射した放射を画像の形成に用いられる電気信号または電荷に変換するフォトダイオードセルをその内部に配置させたサブストレートを含む。サブストレートの内部に沿ってすなわち、一実施形態では外部境界に沿わさずにフォトダイオードセルの間にはドーパントをサブストレート内に拡散させ、ガードバンド及び接地拡散領域を形成している。このガードバンド及び接地拡散領域は、あるフォトダイオードセル内またはその近くで発生した電子及び/または正孔が別の近隣のフォトダイオードセルまでドリフトするのを防止または低減させるためにフォトダイオードアセンブリ内に設けられる。そうでないと電子及び/または正孔のこうしたドリフトによって、近隣のフォトダイオードセルが発生させる信号または電荷が変化することがある。ガードバンドは、フォトダイオードセルからドリフトする正孔を引き寄せるかつ/または受け容れることがある一方、接地拡散領域は正孔をガードバンドの方向に跳ね返すことが可能である。接地拡散領域は、フォトダイオードセルからドリフトする電子を引き寄せるかつ/または受け容れることが可能である。ガードバンドと接地拡散領域は、互いに伝導性に結合させることがあり、また接地拡散領域は電気接地基準と伝導性に結合させることがある。例えばガードバンド及び接地拡散領域を共通電極またはバスと伝導性に結合させることがある。ガードバンド及び接地拡散領域は、電子及び正孔が近くのまたは近隣のフォトダイオードセルに到達する前に電子及び正孔を接地基準まで伝導している。一実施形態ではそのガードバンドは、フォトダイオードセルと同じドーパントまたは同じタイプのドーパントでドープしたサブストレートの正孔回収領域共通ドープの領域を含むことがある。接地拡散領域は、異なるドーパントまたは異なるタイプのドーパントでドープしたサブストレートの電子回収領域異種ドープの領域を含むことがある。例えば、フォトダイオードセルがnドープの半導体サブストレートのp-またはpドープの領域から形成される場合、接地拡散領域は、クロストークの1つの電気的成分としてサブストレートを通ってドリフトする正孔すなわち、サブストレートの半導体格子内の電子の欠如を回収または受け取る半導体サブストレートのnまたはnドープの領域から形成させることがある。これらの正孔及び/または電子は、ガードバンド及び/または接地拡散領域を通って電気接地基準まで伝導させ、別のフォトダイオードセルへのドリフトを防止している。図1は、フォトダイオードアセンブリ100の一部分の一実施形態の斜視図である。図2は、図1に示したフォトダイオードアセンブリ100の断面図である。フォトダイオードアセンブリ100は、CT撮像システムやセキュリティシステム向けの検出器などの画像検出器として使用可能な放射検出デバイスである。例えばフォトダイオードアセンブリ100はその入光側104において、フォトシンチレータからのX線や光及び身体の撮像に使用される減衰X線など入射する放射102を受け取ることがある。フォトダイオードアセンブリ100は、フォトダイオードセル108のアレイ106を含む。フォトダイオードセル108は、放射102の光子がフォトダイオードアセンブリ100に当たるのに応答して電気信号または電荷を発生させる。これらの信号または電荷は、様々なフォトダイオードセル108の位置でフォトダイオードアセンブリ100上に入射する放射102の強度または規模に基づいた画像の作成のために読み出されるあるいは吟味されることがある。例えばフォトダイオードセル108は、伝導性バス202図2参照と伝導性に結合させた読み出し電極200図2参照と伝導性に結合させることが可能である。バス202は、信号または電荷をコンピュータ処理デバイスまたはプロセッサに転送し、これにより信号または電荷に基づいた画像が作成される。フォトダイオードアセンブリ100は、1つまたは複数の半導体材料から形成された半導体サブストレート110を含む。単に一例としてサブストレート110の半導体材料は、ケイ素Si、ヒ化ゲルマニウムGeAs、テルル化カドミウムCdTe、テルル化カドミウム亜鉛CdZnTeまたはCZT、その他を含むことがある。サブストレート110は、アクセプタまたはp型ドーパント例えば、ホウ素Bあるいはドナーまたはn型ドーパント例えば、リンPなど何らかの電荷を有するドーパントでのドープがない真性半導体材料とすることがある。別法としてそのサブストレート110は、反対電荷のp型とn型ドーパントのうちの一方でドープされることがある。フォトダイオードセル108は、サブストレート110内に図1に示した領域で1つまたは複数のドーパントを被着及び/または拡散させる本明細書では一括して拡散させると呼ぶことにすることによって形成されることがある。例えば、サブストレート110の背側112を通してサブストレート110内にp型またはn型ドーパントを拡散させて、フォトダイオードセル108を形成することがある。別法として、サブストレート110の反対の入光側104を通してドーパントをサブストレート110内に拡散させてフォトダイオードセル108を形成することもある。一実施形態では、そのサブストレート110はリンPなどのn型ドーパントでドープされており、またフォトダイオードセル108はホウ素Bなどの反対電荷のp型ドーパントをサブストレート110内に拡散させることによって形成している。別法としてそのフォトダイオードセル108は、サブストレート110をエッチングして間隙を形成しフォトダイオードセル108を形成するように該間隙をドープした半導体材料で満たすことによって形成されることがある。サブストレート110内へのドーパントの拡散によって、p/nドーパント接合例えば、nドープのサブストレート110内にp型ドーパントを拡散させる場合及び/またはn/pドーパント接合例えば、pドープのサブストレート110内にn型ドーパントを拡散させる場合などのドーパント接合が形成される。これらのドーパントは、フォトダイオードセル108を形成するように多種多様な深度でサブストレート110内に拡散させることがある。単に一例としてそのドーパントは、サブストレート110の背側112から概ね0.05マイクロメートル~概ね50マイクロメートルの深度までサブストレート110内に拡散させることがある。フォトダイオードセル108は正方形の形状として図示している。別法としてフォトダイオードセル108は、六角形、八角形、三角形、円形、楕円形、平行四辺形ただし、これらの形状に限らないなど異なる形状を有することがある。フォトダイオードアセンブリ100は、フォトダイオードセル108の外側周囲の周りで少なくとも部分的に延びるガードバンド114を含む。例えば図1に示したようにガードバンド114は、一定間隔のグリッドの形に配列させ、かつ直交方向または垂直方向で近隣のフォトダイオードセル108の間に配置させることがある。ガードバンド114は、サブストレート110内にドーパントp型またはn型ドーパントなどを拡散させることによって形成することが可能である。別法としてガードバンド114は、サブストレート110内にトレンチをエッチングすると共にサブストレート110内にドープした半導体を被着させることによって形成されることがある。一実施形態ではそのガードバンド114は、フォトダイオードセル108を形成させたのと同じタイプのドーパントを拡散させることによって形成される。例えばnドープのサブストレート110では、フォトダイオードセル108及びガードバンド114はp型ドーパントをサブストレート110内に拡散させることによって形成される。ドーパントを拡散させてガードバンド114を形成することによって、サブストレート110内にp/n及び/またはn/pドーパント接合などのドーパント接合が生成される。ドーパントは、ガードバンド114を形成するように多種多様な深度でサブストレート110内に拡散させることがある。単に一例としてそのドーパントは、サブストレート110のフィルム側112から概ね0.20マイクロメートル~概ね50マイクロメートルの深度までサブストレート110内に拡散させることがある。ガードバンド114によって、近隣のフォトダイオードセル108すなわち、隣接セル間で伝導されるまたはドリフトする電気的クロストークの量が減少する。一実施形態ではそのガードバンド114は、信号接地基準116と伝導性に結合させている。例えばガードバンド114は、信号接地基準116と伝導性に結合させた1つまたは複数の伝導性グランド電極118に接合させることがある。ガードバンド114に到達した電気的クロストークは、クロストークが近隣のフォトダイオードセル108に伝導しないように接地基準に伝達される。例えば、フォトダイオードセル108の半導体材料内にあるフォトダイオードセル108から画像信号として読み出されなかった電子及び/または正孔は、サブストレートを通って110フォトダイオードセル108を出るようにドリフトすることがある。この電子及び/または正孔は、ガードバンド114に到達して接地基準116に伝導されるまでサブストレート110の格子構造を通って移動し続ける。別法としてガードバンド114のうちの1つまたは幾つかは、ガードバンド114に調整可能なバイアス用電圧を加えている電池、直流源またはその他の電流源などの調整可能な電圧源120と伝導性に結合させることがある。バイアス用電圧の変更または変化は、手作業ですることも自動式とすることも可能である。このバイアス用電圧は、フォトダイオードセル108からガードバンド114にドリフトする電子及び/または正孔をオフセットまたは排除するためにガードバンド114に加えることが可能である。例えばバイアス用電圧は、ガードバンド114の実効電荷または電気ポテンシャルを変化させることがある。ガードバンド114の実効電荷またはポテンシャルを変化させることによって、ガードバンド114の実効深さ及び/または幅が変動することがある。例えば、ガードバンド114に負のポテンシャルまたは電圧を加えると、ガードバンド114が引き寄せる正孔の数が少なくなり、これによりガードバンド114の実効深さ及び/または幅が実効的に小さくなることがある。これと逆に、ガードバンド114に正のポテンシャルまたは電圧を加えると、ガードバンド114が引き寄せる正孔の数が多くなり、これによりガードバンド114の実効深さ及び/または幅が大きくなることがある。例えば、フォトダイオードセル108が生成する電気的クロストークが概ね10ミリボルトであれば、ガードバンド114に到達する電気的クロストークをオフセット及び/または中和するために電圧源120によってガードバンド114に対して概ね-10ミリボルトのオフセットバイアス用電圧を供給することがある。一実施形態ではそのフォトダイオードアセンブリ100は、サブストレート110の入射側104に背面不活性化backsidepassivation層122を含む。不活性化層122は、サブストレート110を化学的及び/または電気的に不活性化する層である。例えば不活性化層122は、入射側104を通ってサブストレート110内に不純物が拡散するのを防止するため、サブストレート110と入射側104にある別の化学種との間の化学反応を防止するため、かつ/または入射側104と別の体部の間の伝導性の接触を防止するために、サブストレート110上に拡散させることがある。不活性化層122は、二酸化ケイ素SiO2及び/または窒化ケイ素Si3N4、あるいは別の化学的及び/または電気的な不活性化物質の層として拡散させることがある。不活性化層122はさらに、フォトダイオードセル108内において光子を回収するために光子の伝達を促進することがある。不活性化層122の厚さは概ね0.01マイクロメートル~概ね5マイクロメートルとすることがある。別法として使用する厚さは、これより小さくすることも大きくすることもできる。二酸化ケイ素と窒化ケイ素の組み合わせを用いることもある。図3~10は、フォトダイオードアセンブリの幾つかの実施形態に関する底面図及び断面図を表している。図3~10に示した実施形態は、図1及び2に示したフォトダイオードアセンブリ100と同様に動作することがある。例えばフォトセンサアセンブリは、入射した放射を画像作成のために読み出される電気信号または電荷に変換するフォトダイオードセルを含む。フォトセンサアセンブリは、電子及び/または正孔の近隣フォトダイオードセル間でのドリフトを低減または排除しているガードバンド及び接地拡散領域を含む。フォトセンサアセンブリが含むフォトダイオード、ガードバンド及び/または接地拡散領域の数は図面に示した数より多いことがある。図3は、フォトダイオードアセンブリ300の一部分の一実施形態の上面図である。図4は、図3の線4-4で切って見たフォトダイオードアセンブリ300の一部分の断面図である。フォトダイオードアセンブリ300は、pドープ、nドープまたは真性ケイ素Siのサブストレートなどの半導体サブストレート302を含む。一実施形態ではそのサブストレート302はnドープの半導体サブストレートである。別法としてそのサブストレート302は、別の半導体材料から形成されることがある。サブストレート302は、入射した放射を電気信号または電荷に変換するフォトダイオードセル304を含む。フォトダイオードセル304は、フォトダイオードセル304から成る一定間隔のアレイの形で配列させることがある。フォトダイオードセル304は、サブストレート302のドープしたボリューム306を含む、あるいはこれから形成されている。一実施形態ではそのサブストレート302のボリューム306は、サブストレート302内にドーパント接合を形成させるようにドープされることがあり、これらのドーパント接合がフォトダイオードセル304を形成する。一実施形態ではそのフォトダイオードセル304は、ホウ素Bなどのp型ドーパントをサブストレート302のボリューム306内に拡散させてp/n接合を形成することによって形成されている。別の実施形態ではそのフォトダイオードセル304は、別のアクセプタまたはp型ドーパントをサブストレート302内に拡散させることによって形成されている。別法としてそのフォトダイオードセル304は、サブストレート302からボリューム306を例えば、エッチングによって除去し、ボリューム306内にドープした半導体を被着させることによって形成されることがある。別の実施形態ではそのフォトダイオードセル304は、サブストレート302内にn型ドーパントを被着させることによって形成される。図4には図示していないがフォトダイオードセル304は、フォトダイオードセル304が発生させた信号または電荷の取得及びこれを用いた画像作成を可能にするためにフォトダイオードセル108図1参照と同様に読み出しバスと伝導性に結合させることがある。フォトダイオードセル304は、フォトダイオードアセンブリ300を用いて取得される画像の分解能を向上させるために互いにかなり近くに位置決めすることが可能である。フォトダイオードセル304の互いからの空間的分離を離間距離320によって表すことが可能である。一実施形態ではその近隣のフォトダイオードセル304間の離間距離320は、250マイクロメートルまたは9.8ミルを超えない。別の実施形態ではその離間距離320は、150マイクロメートルまたは5.9ミルを超えない。別法としてその離間距離320は、30マイクロメートルまたは1.2ミルを超えない。同様にして別の離間距離320も企図される。フォトダイオードアセンブリ300は、個々のフォトダイオードセル304の外側周囲の周りに少なくとも部分的に延びる細長いガードバンド308を含む。ガードバンド308は、共通ドープの回収領域312、314を含む。本明細書で使用する場合の用語共通ドープのcommonlydopedは、フォトダイオードセルと同じタイプのドーパントまたは同じドーパントでドープしたサブストレートの部分またはボリュームを特定するために使用している。一例として、フォトダイオードセル304がサブストレート302のボリュームをホウ素Bなどのp型またはアクセプタのドーパントでドープすることによって形成されている場合、ホウ素Bであるいは別のp型またはアクセプタのドーパントでドープしたサブストレート302のその他のボリュームのことを共通ドープのボリュームまたは領域と呼ぶことがある。他方、リンPであるいは別のn型またはドナーのドーパントでドープしたサブストレートのボリュームのことを異種ドープのボリュームまたは領域と呼ぶことがある。一実施形態ではそのガードバンドは、サブストレートの共通ドープ領域を含む。回収領域312のことを水平領域と呼ぶことがあり、また回収領域314のことを垂直領域と呼ぶことがある。さらに本明細書で使用する場合の用語水平及び垂直は単に、サブストレート内の異なる拡散領域の向きを示しているに過ぎず、開示した主題の全実施形態の限定を意図したものではない。例えば回収領域312、314を別の方向に向かせることもある。図示した実施形態では回収領域312、314を互いに直交する向きとしているが、別法としてその回収領域312、314は互いに対して斜め向きとするすなわち、90度以外の角度に向けることがある。例えば回収領域312、314は、横向き、あるいは互いに対して非平行の角度に向けることがある。図示した実施形態では、共通ドープの回収領域312、314を互いから分離させている。図示した実施形態では、垂直回収領域314は第1の方向326に沿って近隣のフォトダイオードセル304の間に配置されており、また水平回収領域312は第2の直交方向すなわち垂直方向328で近隣のフォトダイオードセル304の間に配置されている。図3に示したように回収領域312、314は、回収領域312、314が互いに直接結合されないようにすなわち、領域312、314が互いに接しないように離間させている。ガードバンド308の回収領域312、314は、サブストレート302のドープしたボリューム310を含む、あるいはこれから形成されている。サブストレート302のボリューム310は、サブストレート302内にドーパント接合を形成させるようにn型またはp型ドーパントでドープされており、これらのドーパント接合が回収領域312、314を形成する。一実施形態では、回収領域312、314を形成するガードバンド308の個別で分離したセグメントは、フォトダイオードセル304と同じタイプのドーパントを拡散させることによって作成される。例えばフォトダイオードセル304、水平回収セグメント312及び垂直回収セグメント314は、サブストレート302のボリューム306及びボリューム310の中にホウ素Bなどのp型ドーパントを拡散させることによって形成されることがある。別法としてその回収セグメント312、314は、サブストレート302からボリューム310を例えば、エッチングによって除去しボリューム310内にドープした半導体を拡散させることによって形成されることがある。図示した実施形態では、フォトダイオードセル304の隅またはその近くに接地拡散領域318を配置させている。例えば接地拡散領域318は、方向326、328に対して斜めの角度となった方向に沿って近隣のフォトダイオードセル304の間に配置させることがある。ガードバンド308が正方形の形状を有する図3に示した実施形態では接地拡散領域318は、回収領域312、314によって正方形ガードバンド308の各辺が形成されるようにしてガードバンド308によって概して形成された正方形形状の各隅の位置に配置させることがある。別法としてガードバンド308は、六角形、八角形、三角形、円形、楕円形、平行四辺形その他など異なる形状を有することがある。接地拡散領域318は、サブストレート302のn型またはp型ドーパントでドープしたボリュームを含む、またはこれから形成されている。一実施形態ではその接地拡散領域318は、サブストレート302内にドーパント接合を形成しているサブストレート302のドープしたボリュームを示している。接地拡散領域318は、フォトダイオードセル304及び/または回収領域312、314と反対電荷のドーパントを用いることによって形成されることがある。例えば、接地拡散領域318をサブストレート302のnドープのボリュームから形成させことがある一方、フォトダイオードセル304及び回収領域312、314をサブストレート302のpドープのボリュームから形成させている。ガードバンド308はガードバンド114図1参照と同様に、ガードバンド114図1参照と同様の接地基準と伝導性に結合させることがある。例えば接地拡散領域318を信号接地基準と結合させることがあり、また回収領域312、314を接地拡散領域318と接合させることがある。別法として、接地拡散領域318と回収領域312、314の両方を共通の伝導性グランド電極と接合させることがある。回収領域312、314は、回収領域312、314と接地拡散領域318を互いに隣接して拡散させることによって接地拡散領域318と結合させることがある。別法としてまたは追加として、領域312、314、318の間の接続を金属化することによって回収領域312、314と拡散領域318を接触させる伝導性体部またはバスを設けることがある。フォトダイオードセル304によって電気的クロストークすなわち、電子及び/または正孔が発生することがある。クロストークの正孔は回収領域312、314及び/または接地拡散領域318までドリフトすることがある。一実施形態では、この正孔は回収領域312、314に引き寄せられるが、接地拡散領域318によって跳ね返される。接地拡散領域318によって跳ね返されることによって、正孔の少なくとも一部は回収領域の方に導かれることがある。クロストークの電子は接地拡散領域318までドリフトすることがある。正孔は、回収領域312、314を通して接地拡散領域318まで伝導させ、さらに電気接地基準まで伝導させることによって接地基準まで伝導される。電子は、接地拡散領域318を通して接地基準まで伝導させることによって接地基準まで伝導される。図示した実施形態では、サブストレート302がフォトダイオードセル304との間を延びてガードバンド308をフォトダイオードセル304から分離させており、この際フォトダイオードセル304とガードバンド308の間に別の拡散領域または接合を全く配置させていない。例えばサブストレート302は、フォトダイオードセル304の外側周囲から、フォトダイオードセル304と近隣のフォトダイオードセル304の間に配置させたガードバンド308の回収領域312、314まで連続して延びることがある。連続して延びるようにするとフォトダイオードセル304とガードバンド308の間でサブストレート302を、サブストレート302内でフォトダイオードセル304とフォトダイオードセル304を近隣のフォトダイオードセル304から分離させるガードバンド308との間にドープ領域、ドーパント接合及び/またはエッチングしたボリュームを全く配置させることなく配置することができる。サブストレート302は、ドープした追加のボリュームの中断や内包を伴うことなく、フォトダイオードセル304からガードバンド308まで延びることがある。フォトダイオードセル304を分離してこれからガードバンド308まで延びるサブストレート302のボリュームまたは区画のことを、サブストレート302の分離領域316と呼ぶことがある。電気的クロストークは分離領域316を通ってフォトダイオードセル304からガードバンド308まで伝わり、ガードバンド308によって信号接地基準に伝導されることがある。ガードバンド308の幅を変更することによって、フォトダイオードセル304が発生させたクロストーク信号のうちのどれだけがガードバンド308により取り込まれて信号接地基準に伝導されるのかを変化させることが可能である。例えば幅寸法322は、サブストレート302のフィルム側324の位置におけるガードバンド308の水平及び/または垂直回収領域312、314の横幅またはサイズを示すことがある。幅寸法322を増加させることによって幅寸法322がより小さい場合と比べてより大きなクロストーク信号すなわち、よりエネルギー量が大きいクロストーク信号をガードバンド308に取り込ませることができる。一実施形態ではその幅寸法322は100マイクロメートルまたは3.9ミルを超えない。別の実施形態ではその幅寸法322は、50マイクロメートルまたは2.0ミルを超えない。別法としてその幅寸法322は、1マイクロメートルまたは0.04ミルを超えない。信号接地基準に伝導されるクロストーク信号の規模を変更するように、接地拡散領域318のサイズも同様にして調整されることがある。図5は、別の実施形態によるフォトダイオードアセンブリ500の一部分の上面図である。図6は、図5の線6-6で切って見たフォトダイオードアセンブリ500の断面図である。フォトダイオードアセンブリ500はフォトダイオードアセンブリ100図1参照と同様に、pドープ、nドープまたは真性半導体のサブストレートなどの半導体サブストレート502を含む。一実施形態ではそのサブストレート502はnドープのケイ素Siサブストレートである。サブストレート502は、n型またはp型ドーパントでドープしたサブストレート502のボリューム506を含んだまたはこれから形成されたフォトダイオードセル504を含む。一実施形態ではそのフォトダイオードセル504は、サブストレート502のpドープのボリューム506から形成されている。フォトダイオードセル504は、フォトダイオードセル504が発生させた信号または電荷の取得及び画像作成のための使用を可能にするようにフォトダイオードセル108図1参照と同様に読み出しバスと伝導性に結合させることがある。フォトダイオードアセンブリ500は、個々のフォトダイオードセル504の外側周囲の周りに少なくとも部分的に延びる包囲式ガードバンド508を含む。図示した実施形態では、ガードバンド508はフォトダイオードセル504の外側周囲の周りに連続して延びている。一実施形態ではガードバンド508は、サブストレート502の共通ドープのボリュームを含む。例えばガードバンド508は、フォトダイオードセル504と同じドーパントまたは同じタイプのドーパントでドープしたサブストレート502のボリューム510を含むこと、あるいはこれから形成されることがある。共通ドープのボリュームのことを回収領域と呼ぶことがある。ガードバンド508は、近隣のフォトダイオードセル504の間にガードバンド508が配置されるようにフォトダイオードセル504を囲繞することがある。図示した実施形態ではガードバンド508は、共通ドープの回収領域512と共通ドープの相互接続領域516とを含む。回収領域512、514は、フォトダイオードセル504の作成に使用したのと同じタイプのドーパントから形成し得る水平及び垂直回収領域512、514を含む。例えばフォトダイオードセル504及び回収領域512、514はサブストレート502内にホウ素Bなどのp型ドーパントを拡散させることによって形成されることがある一方、接地拡散領域518はサブストレート502内にリンPなどのn型ドーパントを拡散させることによって形成される。サブストレート502は、フォトダイオードセル504及び/または回収領域及び相互接続領域512、514、516の作成に使用したドーパント複数のこともあると異なるまたは反対電荷のドーパントをドープしたサブストレート502のボリュームを含んだ接地拡散領域518を含む。例えば接地拡散領域518は、サブストレート502内にn型ドーパントリンなどを拡散させることによって形成されることがある。接地拡散領域518は電気接地基準と伝導性に結合させることがある。例えば、1つまたは複数の伝導性グランド電極によって接地拡散領域518を接地基準と伝導性に結合させることがある。フォトダイオードアセンブリ300図3参照と異なり、ガードバンド508の回収領域512、514は互いに結合させている。例えば回収領域512、514は、回収領域512、514と相互接続領域516によってフォトダイオードセル504を取り囲む連続体部が形成されるようにガードバンド508の相互接続領域516によって互いに結合させている。相互接続領域516は、水平回収領域512と垂直回収領域514を接合させる水平及び/または垂直回収領域512、514の延長部とすることがある。図5に示したように相互接続領域516は一実施形態では、水平領域512、垂直領域514及び相互接続領域516が図5に示したように接地拡散領域518を全体的に取り囲むように回収領域512、514を結合させている。サブストレート502は図3に示したフォトダイオードアセンブリ300と同様に、フォトダイオードセル504との間を延びてガードバンド508をフォトダイオードセル504から分離している。サブストレート502は、フォトダイオードセル504の外側周囲から、フォトダイオードセル504を少なくとも部分的に囲繞すると共にフォトダイオードセル504を近隣のフォトダイオードセル504から分離しているガードバンド508の回収領域及び相互接続領域512、514、516まで連続して延びることがある。接地拡散領域518もフォトダイオードアセンブリ300図3参照と同様に、信号接地基準と伝導性に結合させることがある。相互接続領域516は、接地拡散領域518と相互接続領域518の間の界面によってドーパント接合が形成されるようにして接地拡散領域518に当接させるまたはこれに重ねることがある。フォトダイオードセル504からの電気的クロストーク信号は、サブストレート502を通って水平及び/または垂直回収領域512、514まで伝導されることがある。回収領域512、514は、サブストレート502と比べてより伝導性が高くなるようにドープされることがある。このため回収領域512、514内のクロストーク信号を、相互接続領域516を介して接地拡散領域518まで伝導することができる。次いで接地拡散領域518はこのクロストーク信号を接地基準まで伝導することができる。図7は、別の実施形態によるフォトダイオードアセンブリ700の一部分の上面図である。図8は、図8の線8-8で切って見たフォトダイオードアセンブリ700の断面図である。フォトダイオードアセンブリ700はフォトダイオードアセンブリ100図1参照と同様に、pドープ、nドープまたは真性半導体のサブストレートなどの半導体サブストレート702を含む。一実施形態ではそのサブストレート702はnドープのケイ素Siサブストレートである。サブストレート702は、n型またはp型ドーパントでドープしたサブストレート702のボリューム706を含んだまたはこれから形成されたフォトダイオードセル704を含む。一実施形態ではそのフォトダイオードセル704は、サブストレート702のpドープのボリューム706から形成されている。フォトダイオードセル704は、フォトダイオードセル704が発生させた信号または電荷の取得及び画像作成のための使用を可能にするようにフォトダイオードセル108図1参照と同様に読み出しバスと伝導性に結合させることがある。フォトダイオードアセンブリ700は、個々のフォトダイオードセル704の外側周囲の周りで少なくとも部分的に延びる個々のセルガードバンド708を含む。ガードバンド708はガードバンド108、308、508図1、3及び5参照と同様に、個々のフォトダイオードセル704を互いに分離させている。図示した実施形態ではガードバンド708は、細長い共通ドープの回収領域712、714を含む。回収領域712、714は、水平回収領域712と垂直回収領域714を含む。上で記載したように共通ドープの回収領域712、714は、フォトダイオードセル704の形成に使用したドーパントすなわち、p型ドーパントと同じタイプのまたは同じ電荷のドーパントを拡散させることによって形成することが可能である。フォトダイオードアセンブリ700はさらに、細長い内部接地拡散領域716と接地拡散領域718を含む。接地拡散領域716、718は、回収領域712、714及び/またはフォトダイオードセル704の形成に使用したドーパント複数のこともあると異なるタイプまたは反対電荷のドーパントをドープしたサブストレート702のボリュームを含む。例えば接地拡散領域716、718は、サブストレート702のnドープのボリュームとして形成されることがある。一実施形態ではその接地拡散領域716、718は一括して、アセンブリ700の信号接地基準と結合させている。図7に示したように細長い内部接地拡散領域716は、接地拡散領域716、718が図7に示したフォトダイオードセル704のそれぞれを取り囲むように接地拡散領域718を相互接続している。回収領域712、714は、相互接続領域716の相対する側に配置させている。例えば相互接続領域716は、1対の水平回収領域712となった水平回収領域712の間に並びに1対の垂直回収領域714となった垂直回収領域714の間に配置させることがある。図7に示したように、水平回収領域712の各対及び垂直回収領域714の各対は、相互接続領域716と比べてフォトダイオードセル704のより近くに配置された1つの水平または垂直回収領域712、714と、相互接続領域716と比べてフォトダイオードセル704からより遠くに配置された1つの水平または垂直回収領域712、714と、を含む。図示した実施形態では接地拡散領域718は、各フォトダイオードセル704の外側周囲に沿って互いから離間させている。相互接続領域716は、フォトダイオードセル704の周りに延びた接地拡散領域718の間に延びてこれを結合させることがある。内部回収領域712、714は、近隣の接地拡散領域718の間を延びてこれを結合させることが可能である。図示した実施形態では、内部回収領域712、714は互いに接合されていない。別法としてその接地拡散領域718は、相互接続領域716、水平回収領域712及び/または垂直回収領域714のうちの1つまたは幾つかから脱結合される、すなわち空間的に分離されることがある。図7に示したように、接地拡散領域718と相互接続領域716がフォトダイオードセル704及び内部回収領域712、714を少なくとも部分的に取り囲んでいる。例えば内部回収領域712、714は、相互接続領域716とフォトダイオードセル704の間に配置されている。サブストレート702はフォトダイオードセル704との間に連続して延びてガードバンド708の水平回収領域712及び垂直回収領域714をフォトダイオードセル704から分離させることがある。例えばサブストレート702は、サブストレート702の内部でその間にドープした領域または接合を全く配置させることなくフォトダイオードセル704の外側周囲から内部回収領域712、714まで連続して延びることがある。内部回収領域712、714は相互接続領域716から離間させている。例えばサブストレート702は、水平回収領域712の間に連続して延びてこれを相互接続領域716から分離し、かつ垂直回収領域714の間に連続して延びてこれを相互接続領域716から分離することがある。接地拡散領域718は、フォトダイオードセル704から信号接地基準までドリフトする電子の伝導のために信号接地基準と伝導性に結合させることがある。ガードバンド708は、接地拡散領域718と結合させることがある。このためフォトダイオードセル704からドリフトした正孔は、水平回収領域及び垂直回収領域712、714内をドリフトしてこの中で回収されることがある。フォトダイオードセル704からのクロストーク信号は、サブストレート702を通って内部水平及び/または垂直回収領域712、714まで伝導されることがある。内部回収領域712、714内のクロストーク信号は、接地拡散領域718を介して信号接地基準まで伝導されることがある。別法としてクロストーク信号の少なくとも一部は水平及び/または垂直回収領域712、714から相互接続領域716に伝導され、また相互接続領域716から接地拡散領域718を介して信号接地基準まで伝導されることがある。図9は、別の実施形態によるフォトダイオードアセンブリ900の一部分の上面図である。図10は、図9の線10-10で切って見たフォトダイオードアセンブリ900の断面図である。フォトダイオードアセンブリ900はフォトダイオードアセンブリ100図1参照と同様に、pドープ、nドープまたは真性半導体のサブストレートなどの半導体サブストレート902を含む。一実施形態ではそのサブストレート902はnドープのケイ素Siサブストレートである。サブストレート902は、n型またはp型ドーパントでドープしたサブストレート902のボリューム906を含んだまたはこれから形成されたフォトダイオードセル904を含む。一実施形態ではそのフォトダイオードセル904は、サブストレート902のpドープのボリューム906から形成されている。フォトダイオードセル904は、フォトダイオードセル904が発生させた信号または電荷の取得及び画像作成のための使用を可能にするようにフォトダイオードセル108図1参照と同様に読み出しバスと伝導性に結合させることがある。フォトダイオードアセンブリ900は、個々のフォトダイオードセル904の外側周囲の周りで少なくとも部分的に延びる同心性のガードバンド908を含む。ガードバンド908はガードバンド108、308、508、708図1、3、5及び7参照と同様に、個々のフォトダイオードセル904を互いから分離させている。図示した実施形態ではガードバンド908は、フォトダイオードセル904を取り囲んだ共通ドープの内部回収領域912を含む。内部回収領域912は異種ドープの接地拡散領域914で取り囲んでいる。別法として、その内部回収領域912はフォトダイオードセル904全体を内部回収領域912が取り囲まないようにして分離、ギャップまたは中断を含むことがあり、かつ/または接地拡散領域914は内部回収領域912全体を接地拡散領域914が取り囲まないようにして分離、ギャップまたは中断を含むことがある。内部回収領域912は、フォトダイオードセル904の生成に使用したのと同じタイプのドーパントすなわち、p型ドーパントから形成されることがある一方、接地拡散領域914はその反対のドーパントすなわち、n型ドーパントから形成されることがある。上で記載したように、領域912、914のうちの1つまたは幾つかは、サブストレート902のボリューム内にドーパントを拡散させること及び/またはサブストレート902をエッチングしてサブストレート902内にドープした半導体を拡散させることによって形成されることがある。図示した実施形態では内部回収領域912は、サブストレート902によって拡散バンド領域914から離間させている。例えばサブストレート902は、拡散バンド領域914との間を連続して延びて内部回収領域912を拡散バンド領域914から分離させることがある。別法として内部回収領域912のうちの1つまたは幾つかを拡散バンド領域914のうちの1つまたは幾つかと当接させるまたは接触させることがある。サブストレート902は、フォトダイオードセル904との間を連続して延びてガードバンド908をフォトダイオードセル904から分離させることが可能である。例えばサブストレート902は、サブストレート902内でフォトダイオードセル904と回収領域912の間にドーパント拡散領域やドーパント接合を伴うことなくフォトダイオードセル904の外側周囲からガードバンド908の内部回収領域912まで連続して延びることがある。一実施形態では回収領域912及び接地拡散領域914は、フォトダイオードセル904から接地基準までドリフトする電子及び/または正孔を伝導させるように接地基準と伝導性に結合させることがある。例えば接地拡散バンド領域914は、信号接地基準と結合させた電極と伝導性に結合させることがある。回収領域912は、接地拡散バンド領域914と接合させること、かつ/または接地拡散バンド領域914を接地基準に結合している同じ電極と伝導性に結合させることがある。フォトダイオードセル904を出るようにドリフトする正孔は、回収領域912によって回収されて接地基準に伝達されることがある。フォトダイオードセル904を出てドリフトする電子は、接地拡散領域914によって回収されて接地基準に伝達されることがある。図11は、フォトダイオードアセンブリを提供するための方法1100の一実施形態の流れ図である。本方法1100は、上述したフォトセンサアセンブリ100、300、500、700、900図1、3、5、7及び9参照のうちの1つまたは幾つかの製作に使用されることがある。1102では、サブストレートが用意される。例えば、サブストレート110、302、502、702、902図1、3、5、7及び9参照のうちの1つまたは幾つかなどの半導体サブストレートが用意されることがある。1104では、1つまたは複数のフォトダイオードセルを形成するようにサブストレート内に第1のドーパントが拡散される。例えば、フォトダイオードセルを形成するようにサブストレート内にホウ素Bなどのp型ドーパントを拡散させることがある。フォトダイオードセルは一定間隔のグリッドまたはアレイの形に配列させることがある。1106では、サブストレート内に第1のドーパントを拡散させてガードバンドの第1の部分を形成させる。例えばサブストレート内にはフォトダイオードセルから離間させた1つまたは複数の箇所で、第1のドーパントあるいはフォトダイオードセルの形成に使用したドーパントと同じ電荷種別のドーパントを拡散させて回収領域を形成させている。フォトダイオードセルから離間させたこれらの箇所に第1のドーパントを拡散させてガードバンドの第1の部分が形成される。フォトダイオードセルとガードバンドの第1の部分とは、サブストレートをマスキングし、フォトダイオードセルとガードバンドの第1の部分に対応する異なるエリアに第1のタイプのドーパントを拡散させることによって同時に形成されることがある。1108では、サブストレートの接地拡散領域を形成するようにサブストレート内に第2の反対電荷のドーパントを拡散させている。例えば、第1のドーパントの電荷と反対電荷を有する第2のドーパントをサブストレート内に拡散させている。この第2のドーパントはリンPなどn型ドーパントとすることが可能である。一実施形態ではその第2のドーパントは、ガードバンドの第1のドーパントから形成された部分と比べてフォトダイオードセルからより遠くに配置させたサブストレートの箇所に拡散させている。1110では、フォトダイオードセルを読み出し電極と伝導性に結合させる。例えばフォトダイオードセルは、読み出し電子回路と伝導性に結合させた電極に結合させることがある。上で記載したようにこの読み出し電子回路によって、画像の作成のために入射する放射がフォトダイオードセルに当たるときにフォトダイオードセルが形成する電荷のサイズまたは規模を決定することが可能である。1112では、ガードバンド及び接地拡散領域を接地基準と伝導性に結合させる。例えば、ガードバンド及び/または回収領域に対して1つまたは複数の電極を結合させることがある。半導体サブストレート内部で電極を接地基準と接合させることが可能である。フォトダイオードセルからの電気的クロストークを接地基準まで伝達するために、これらの電極は信号接地基準と伝導性に結合させている。例えばガードバンドは、フォトダイオードセルからドリフトする電気的クロストークを電気的クロストークが近隣のフォトダイオードセルに到達する前にガードバンドによって接地基準に伝導させるようにフォトダイオードセルの間に配置させることがある。1つまたは複数の実施形態では、フォトダイオードアセンブリを提供するための方法を開示する。本方法は、本明細書で開示している図1~10に示したフォトセンサアセンブリ100、300、500、700、900のうちの1つまたは複数の製作に使用されることがある。本方法は、p型やn型ドーパントをドープさせ得るサブストレートを用意するステップを含む。フォトダイオードセルは、サブストレート内にドーパントを拡散させることによってサブストレート内に形成される。フォトダイオードセルの形成に用いるドーパントは、サブストレート内のドーパントと反対電荷のドーパントとすることがある。例えば、サブストレートにn型ドーパントをドープした場合には、フォトダイオードセルへの拡散にp型ドーパントを用いることがある。本方法はさらに、サブストレート内でフォトダイオードセルの周りにガードバンドを形成するステップを含む。このガードバンドは個々のフォトダイオードセルを互いから分離させている。このガードバンドは、サブストレート内に2つ以上の異なるタイプのドーパントを拡散させることによって設けられることがある。一実施形態ではそのガードバンドは、サブストレート内で近隣のフォトダイオードセル間に共通ドープの領域と異種ドープの領域の両方を形成することによって設けられる。例えばガードバンドは、サブストレートのボリュームにフォトダイオードセルと異なるドーパントまたは異なるタイプのドーパントを拡散させること並びに異種ドープの領域と共通ドープの領域を伴うフォトダイオードセルの間にサブストレートのボリュームを拡散させることによって設けられることがある。図1~10に示したように、フォトダイオードセルとガードバンドに関して様々な配列及びパターンを用いることができる。ガードバンドは、あるフォトダイオードセルからのクロストーク信号の近隣フォトダイオードセルへのドリフトを防止、禁止あるいは大幅に低減する。ガードバンドの異種ドープのボリュームは信号接地基準と伝導性に結合させることが可能である。ガードバンドの共通ドープのボリュームは、フォトダイオードセルと異種ドープのボリュームの間に配置させている。共通ドープのボリュームは、フォトダイオードセルが発生させるクロストーク信号を回収することが可能である。このクロストーク信号は、共通ドープのボリュームから異種ドープのボリュームまで伝達され、ここでクロストーク信号は信号接地基準まで伝導されることがある。上の記述は例示であって限定でないことを理解されたい。例えば上述の実施形態及び/または、その態様は、互いに組み合わせて使用することができる。さらに、具体的な状況や材料を本明細書に開示した主題の教示に適応させるように本趣旨を逸脱することなく多くの修正を実施することができる。本明細書内に記載した材料の寸法及びタイプが本主題の1つまたは複数の実施形態のパラメータを規定するように意図していても、これらの実施形態は決して限定ではなく実施形態の例示にすぎない。上の記述を検討することにより当業者には別の多くの実施形態が明らかとなろう。本明細書に記載した主題の範囲はしたがって、添付の特許請求の範囲、並びに本請求範囲が規定する等価物の全範囲を参照しながら決定されるべきである。添付の特許請求の範囲では、を含むincludingやようになったinwhichという表現をを備えるcomprisingやであるところのwhereinという対応する表現に対する平易な英語表現として使用している。さらに添付の特許請求の範囲では、第1の、第2の及び第3のその他の表現を単にラベル付けのために使用しており、これらはその対象に対して数値的な要件を課すことを意図したものではない。さらに、添付の特許請求の範囲の限定は手段プラス機能形式で記載しておらず、また35U.S.C.§112、第6パラグラフに基づいて解釈されるように意図したものでもないただし、本特許請求の範囲の限定によってのための手段meansforの表現に続いて追加的な構造に関する機能排除の記述を明示的に用いる場合を除く。この記載では、記載した主題の幾つかの実施形態最適の形態を含むを開示するため、並びに当業者による任意のデバイスやシステムの製作と使用及び方法の実行を含む開示した実施形態の実施を可能にするために例を使用している。本主題の特許性のある範囲は本特許請求の範囲によって規定していると共に、当業者により行われる別の例を含むことができる。こうした別の例は、本特許請求の範囲の文字表記と異ならない構造要素を有する場合や、本特許請求の範囲の文字表記と実質的に差がない等価的な構造要素を有する場合があるが、本特許請求の範囲の域内にある。