"炭化珪素基板のイオン注入面全体を被覆しており、炭化珪素基板の非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングされている、有機膜または炭素膜を材料とする保護膜を成膜する成膜工程と、保護膜が形成された炭化珪素基板に保護膜側の表面からイオン注入を行うイオン注入工程と、イオン注入後の炭化珪素基板を、イオン注入面全体が保護膜によって被覆されている状態でアニール処理するアニール工程と、を含み、保護膜は、アニール工程の開始時に炭素膜である、炭化珪素を材料とする半導体装置の製造方法。炭化珪素基板の非イオン注入領域の表面に形成された保護膜の厚さは、炭化珪素基板のイオン注入領域の表面に形成された保護膜の厚さよりも厚い、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。成膜工程では、炭化珪素基板の非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングされている有機保護膜が成膜され、有機保護膜は、成膜工程とアニール工程の間に行われる炭化工程で炭素保護膜化する、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。成膜工程は、炭化珪素基板のイオン注入面全体を被覆する炭素膜の第1保護膜を形成する工程と、第1保護膜の表面に、炭化珪素基板の非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングされている有機膜の第2保護膜を形成する工程を含んでおり、第2保護膜は、成膜工程とアニール工程の間に行われる炭化工程で炭素膜化される、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。特許文献1では、イオン注入のためのパターンマスクを除去した後に、SiC基板表面の全体を被覆する保護膜が形成されるため、製造工程の工数が増える。また、イオン注入時のレジストは、イオン注入を行う領域のSiC基板表面には形成されていないため、レジストが炭化することによって形成される保護膜は、イオン注入を行う領域のSiC基板表面には形成されない。このため、アニール処理時に、露出したSiC基板表面が荒れ、そこからイオン脱離が起こる。本願は、SiCを材料とする半導体装置の製造方法を提供する。この製造方法は、SiC基板のイオン注入面全体を被覆しており、SiC基板の非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングされている、有機膜または炭素膜を材料とする保護膜を成膜する成膜工程と、保護膜が形成されたSiC基板に保護膜側の表面からイオン注入を行うイオン注入工程と、イオン注入後のSiC基板を、イオン注入面全体が保護膜によって被覆されている状態でアニール処理するアニール工程と、を含み、保護膜は、アニール工程の開始時に炭素膜である。上記の製造方法によれば、保護膜が非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングされているため、イオン注入工程においてパターンマスクとして用いることができる。保護膜は、アニール工程の開始時にはSiC基板のイオン注入面全体を被覆する炭素膜となっており、アニール工程においてSiC基板を保護する。半導体装置の製造工程において、保護膜を形成する前にイオン注入のためのパターンマスクを除去する工程を省略することと、SiC基板のイオン注入面全体を炭素膜によって被覆してアニール工程を行い、SiC基板の表面荒れやイオン脱離を防止することとを両立できる。SiC基板の非イオン注入領域の表面に形成された保護膜の厚さは、SiC基板のイオン注入領域の表面に形成された保護膜の厚さよりも厚くてもよい。成膜工程では、SiC基板の非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングされている有機保護膜が成膜され、有機保護膜は、成膜工程とアニール工程の間に行われる炭化工程で炭素保護膜化されてもよい。成膜工程は、SiC基板のイオン注入面全体を被覆する炭素膜の第1保護膜を形成する工程と、第1保護膜の表面に、SiC基板の非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングされている有機膜の第2保護膜を形成する工程を含んでおり、第2保護膜は、成膜工程とアニール工程の間に行われる炭化工程で炭素膜化されてもよい。本願に係る製造方法によれば、半導体装置の製造工程において、保護膜を形成する前にイオン注入のためのパターンマスクを除去する工程を省略することと、SiC基板のイオン注入面全体を炭素膜によって被覆してアニール工程を行い、SiC基板の表面荒れやイオン脱離を防止することとを両立できる。本願に係るSiCを材料とする半導体装置の製造方法は、SiC基板のイオン注入面全体を被覆しており、SiC基板の非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングされている、有機膜または炭素膜を材料とする保護膜を成膜する成膜工程と、保護膜が形成されたSiC基板に保護膜側の表面からイオン注入を行うイオン注入工程と、イオン注入後のSiC基板を、イオン注入面全体が保護膜によって被覆されている状態でアニール処理するアニール工程と、を含み、保護膜は、アニール工程の開始時に炭素膜である。SiC基板の非イオン注入領域の表面に形成された保護膜の厚さは、SiC基板のイオン注入領域の表面に形成された保護膜の厚さよりも厚くてもよい。イオン注入工程において、このようにパターニングした保護膜を介してイオン注入を行うと、イオン注入領域のSiC基板にはイオンが注入され、非イオン注入領域のSiC基板にはイオンが注入されないようにすることができる。保護膜の厚さを変化させてパターニングする場合、エッチング等によって容易にパターニングを行うことができる点において好ましいが、これに限定されない。例えば、非イオン注入領域とイオン注入領域に応じて、保護膜の材料や材料特性を変化させてもよい。成膜工程では、炭素膜を形成してもよく、炭化することによって炭素膜化する有機膜を形成してもよい。有機膜としては、レジストとして用いられる有機膜が特に好ましい。例えば、成膜工程では、SiC基板の非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングされている有機膜の保護膜が成膜されてもよい。有機膜の保護膜は、アニール工程の開始時に炭素膜となっているように、成膜工程とアニール工程の間に行われる炭化工程で炭素膜化される。また、例えば、成膜工程は、SiC基板のイオン注入面全体を被覆する炭素膜の第1保護膜を形成する工程と、第1保護膜の表面に、SiC基板の非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングされている有機膜の第2保護膜を形成する工程を含んでいてもよい。第2保護膜は、アニール工程の開始時に炭素膜となっているように、成膜工程とアニール工程の間に行われる炭化工程で炭素膜化される。有機膜の保護膜は、例えば、有機膜を熱処理することによって炭素膜化することができる。炭化工程は、イオン注入工程の前に行ってもよく、イオン注入工程の後に行ってもよい。炭化工程の条件は、有機膜の種類によって適宜設定されるが、例えば、真空中で500°C程度以上かつ1000°C程度以下の条件で熱処理を行うことによって、簡易に有機膜を炭素膜化することができる。さらに、イオン注入工程を高温で行う場合には、イオン注入工程とともに行うこともできる。例えば、500°C程度以上かつ1000°C程度以下の基板温度で真空中でイオン注入を行う場合には、イオン注入工程において、有機膜が炭素膜化される。すなわち、炭化工程は、イオン注入工程に含まれる。保護膜は、アニール工程の開始時に炭素膜であればよい。アニール工程の開始時の炭素膜は、レジスト等の有機膜をSiC基板上で炭素膜化したものであってもよいし、SiC基板上に、プラズマCVD法、スパッタ法等のPVD法等によってダイヤモンドライクカーボン等の非晶質カーボンを析出させたものであってもよい。アニール工程後の保護膜は、酸素プラズマ処理等によってSiC基板から除去することができる。実施例1および実施例2においては、図1に示す半導体装置1を製造する方法について説明する。図1に示すように、半導体装置1は、SiCを材料とする半導体基板10を備えているダイオードである。半導体基板10は、n型のウェハ層11、n型のエピタキシャル層12が積層されており、エピタキシャル層12の表面の一部にp型の不純物層13が形成されている。ウェハ層11は、4H-SiCの<0001>面から[11-20]方向に4°傾けた、オフ角が4°であるSiC基板であり、n型の不純物濃度が1×1018cm-3である。エピタキシャル層12は、膜厚が10μmであり、n型の不純物濃度は1×1016cm-3である。エピタキシャル層12は、ウェハ層11を下地基板としてウェハ層11上に成長したエピタキシャル層である。実施例1および実施例2に係る製造方法は、ウェハ層11とエピタキシャル層12とを備えた半導体基板に、成膜工程、イオン注入工程、アニール工程等を行い、エピタキシャル層12の表面の一部に不純物層13を形成する場合を例示して説明する。実施例1に係る半導体装置の製造方法について、図2~図5を参照して説明する。実施例1に係る製造方法は、成膜工程、イオン注入工程、アニール工程を含んでおり、成膜工程では、SiC基板の非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングされている有機膜の保護膜が成膜される。成膜工程図2に示すように、ウェハ層11とエピタキシャル層12からなるSiC基板の表面に、レジスト層102を形成する。レジスト層102は、エピタキシャル層12の表面全体を被覆している。次に、図3に示すように、有機膜の保護膜としてのレジスト層102を、SiC基板の非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングする。レジスト層102のうち、エピタキシャル層12に不純物層13を形成しない領域非イオン注入領域の表面に形成された部分105の厚さを、エピタキシャル層12に不純物層13を形成する領域イオン注入領域の表面に形成された部分104の厚さよりも厚くする。部分104の厚さh1と部分105の厚さh2は、例えば、フォトエッチングの条件を適宜設定することによって調整できる。厚さh1は、0よりも大きくする必要がありh1>0、アニール工程で保護膜として機能するためには、0.2μm以上であることが好ましい。イオン注入工程イオン注入工程では、レジスト層102を除去することなく、イオン注入工程を行う。なお、限定されないが、p型のイオン注入では、アルミニウム、ボロン等のp型の不純物イオンを好適に用いることができ、加速電圧は20~700eV、不純物量は1×1017~1019が好ましい。本実施例では、真空中かつ500~1000°C程度のSiC基板温度でイオン注入工程を行うため、イオン注入工程においてレジスト層102が炭素膜化されて、図4に示すように、炭素膜層103に変化する。図4に示すように、レジスト層102図4では炭素膜層103に変化した状態で図示されているを介してエピタキシャル層12にp型のイオン注入を行うと、部分104の下方では、注入されたイオンがエピタキシャル層12に到達し、イオン注入部15が形成される。部分105の下方では、注入されたイオンがエピタキシャル層12に到達することがない。エピタキシャル層12のイオン注入領域にのみ選択的にp型のイオン注入を行うことができる。イオン注入工程において、イオン注入領域にのみ選択的にイオン注入できるように、前工程である成膜工程で、図3に示す厚さh1および厚さh2が調整される。厚さh1は、エピタキシャル層12に注入されたイオンが到達できる厚さに調整され、厚さh2は、エピタキシャル層12にイオンが到達しない厚さに調整される。本実施例では、h1=0.2μm、h2=2.0μmに調整されており、部分104の下方のエピタキシャル層12に選択的にイオン注入部15を形成することができる。アニール工程アニール工程では、1500°C程度以上~1700°C程度以下のSiC基板温度で熱処理を行い、イオン注入部15に注入されたイオンを活性化する。これによって、図5に示すように、エピタキシャル層12の表面の一部に不純物層13が形成される。アニール工程の開始時には、SiC基板のイオン注入面エピタキシャル層12側の表面全体は保護膜としての炭素膜層103によって被覆されているから、SiC基板の表面荒れやイオン脱離を防止することを防止できる。膜除去工程膜除去工程において、図5に示す炭素膜層103を除去することによって、図1に示す半導体装置1を製造することができる。炭素膜層103を除去する方法としては、特に限定されないが、例えば、酸素プラズマ処理等を用いることができる。実施例2に係る半導体装置の製造方法について、図6~図9を参照して説明する。実施例2に係る製造方法は、成膜工程、イオン注入工程、アニール工程を含んでおり、成膜工程は、SiC基板のイオン注入面全体を被覆する炭素膜の第1保護膜を形成する工程と、第1保護膜の表面に、SiC基板の非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングされている有機膜の第2保護膜を形成する工程を含んでいる。成膜工程図6に示すように、ウェハ層11とエピタキシャル層12からなるSiC基板の表面に、第1保護膜としての炭素膜層201を形成する。炭素膜層201は、エピタキシャル層12の表面全体を被覆している。炭素膜層201としては、特に限定されないが、例えば、実施例1と同様に、レジスト層を形成して、これを真空中で500°C~1000°Cで熱処理することによって、形成することができる。また、炭素膜層201として、スパッタ法等によって形成したダイヤモンドライクカーボン等の炭素膜を用いることもできる。炭素膜層201の厚さh3は、0よりも大きくする必要がありh3>0、アニール工程で保護膜として機能するためには、0.2μm以上であることが好ましい。0.2μm以上であることが好ましい。次に、第2保護膜としてのレジスト層202を炭素膜層201の表面全体に形成した後、図7に示すように、SiC基板の非イオン注入領域とイオン注入領域に応じてパターニングする。レジスト層202のうち、イオン注入領域の表面側に形成された部分205のレジスト層202を残し、非イオン注入領域の表面側に形成された部分のレジスト層202を除去して、開口部204を形成する。開口部204では、炭素膜層201が露出している。イオン注入工程レジスト層202を除去することなく、イオン注入工程を行う。イオン注入工程は、実施例1と同様の条件で行うことができる。イオン注入工程においてレジスト層202が炭素膜化されて、図8に示すように、炭素膜層203に変化する。図8に示すように、炭素膜層201およびレジスト層202図8では炭素膜層203に変化した状態で図示されているを介してエピタキシャル層12にp型のイオン注入を行うと、開口部204の下方では、注入されたイオンがエピタキシャル層12に到達し、イオン注入部15が形成される。部分205の下方では、注入されたイオンがエピタキシャル層12に到達することがない。エピタキシャル層12のイオン注入領域にのみ選択的にp型のイオン注入を行うことができる。前工程である成膜工程で、図6,7に示す厚さh3および厚さh4が調整される。厚さh3は、エピタキシャル層12に注入されたイオンが到達できる厚さに調整され、厚さh4は、エピタキシャル層12にイオンが到達しない厚さに調整される。本実施例では、h3=0.2μm、h4=2.0μmに調整されており、開口部204の下方のエピタキシャル層12に選択的にイオン注入部15を形成することができる。アニール工程アニール工程では、実施例1と同様に、1500°C程度以上~1700°C程度以下のSiC基板温度で熱処理を行い、イオン注入部15に注入されたイオンを活性化する。これによって、図9に示すように、エピタキシャル層12の表面の一部に不純物層13が形成される。アニール工程の開始時には、SiC基板のイオン注入面エピタキシャル層12側の表面全体は保護膜としての炭素膜層201,203によって被覆されているから、SiC基板の表面荒れやイオン脱離を防止することを防止できる。膜除去工程実施例1と同様に、膜除去工程において、図9に示す炭素膜層201,203を除去することによって、図1に示す半導体装置1を製造することができる。以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"