半導体素子のパッドまたはリードフレーム上にバンプを形成するバンプ形成方法において、キャピラリに挿通されたワイヤの先端にボールを形成し、このボールを前記キャピラリによりバンプ形成部に接合した後、前記キャピラリを水平移動させて前記ボールから前記ワイヤを切断し、前記ワイヤの切断部を前記パッドまたは前記リードフレーム上にステッチボンディングしてテールを形成することを特徴とするバンプ形成方法。前記ワイヤの切断部に形成されたヒゲをステッチボンディングすることを特徴とする請求項1に記載のバンプ形成方法。前記キャピラリのワイヤ挿通孔の開口部に形成されたエッジ部を用いて前記ワイヤを切断することを特徴とする請求項1または2に記載のバンプ形成方法。前記ボールの接合の際に、前記キャピラリに超音波振動を印加することを特徴とする請求項1または2に記載のバンプ形成方法。前記超音波振動の印加方向は、前記キャピラリの水平移動方向および前記ワイヤの挿通方向に対して略直交する方向であることを特徴とする請求項4に記載のバンプ形成方法。前記キャピラリは、前記超音波振動を印加しながら水平移動することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載のバンプ形成方法。請求項5のバンプ形成方法に用いる前記キャピラリであって、前記キャピラリのワイヤ挿通孔の開口部において、前記キャピラリの水平移動方向にはエッジ部が形成され、前記超音波振動の印加方向には開口部先端に向かって拡径するテーパ部が形成されていることを特徴とするキャピラリ。請求項5のバンプ形成方法に用いる前記キャピラリであって、前記キャピラリのワイヤ挿通孔の開口部には開口部先端に向かって拡径するテーパ部が形成され、前記キャピラリの水平移動方向のテーパ角度が、前記超音波振動の振動方向のテーパ角度よりも小さく形成されていることを特徴とするキャピラリ。上記のバンプ形成方法において、Auワイヤに代えてCuワイヤ等の硬い材質からなるワイヤを用いた場合、ワイヤの変形が起こりにくいため、上述した圧痕部の形成状態が不安定となり、ワイヤを引きちぎる際に望ましくない位置でワイヤが引きちぎられてしまう恐れがある。その結果、キャピラリより延在したワイヤテールの長さが安定しないという問題点があった。本発明は上述のような問題を解決するためになされたもので、安定した長さのテールを形成できるバンプ形成方法およびそれに用いるキャピラリを得ることを目的とする。この発明に係るバンプ形成方法は、半導体素子のパッドまたはリードフレーム上にバンプを形成するバンプ形成方法において、キャピラリに挿通されたワイヤの先端にボールを形成し、このボールをキャピラリによりバンプ形成部に接合した後、キャピラリを水平移動させてボールからワイヤを切断し、ワイヤの切断部をパッドまたはリードフレーム上にステッチボンディングしてテールを形成することを特徴とするものである。この発明によれば、キャピラリを水平移動させてワイヤを切断し、ワイヤの切断部をパッドまたはリードフレーム上にステッチボンディングしてテールを形成するようにしたので、安定した長さのテールを容易に形成することができる。実施の形態1.図1および図2は、実施の形態1に係るバンプ形成方法を示すものであって、図1はバンプの形成に用いるキャピラリを示す断面図、図2はバンプ形成方法を示す工程図である。まず、図1を用いて実施の形態1のバンプ形成方法に用いるキャピラリを説明する。図1において、キャピラリ6は、挿通するワイヤ図示せずの径よりも大きい径のワイヤ挿通孔6aを有している。そして、キャピラリ6のワイヤ挿通孔6aの開口部全周には、先端に向かって拡径するテーパ部6bが形成されている。このテーパ部6bは、後述するボールをバンプ形成部に接合する際において、ボールをキャピラリの中心に位置合わせする役割と、ボールに超音波を伝えやすくする役割を有している。次に、図2を用いて実施の形態1のバンプ形成方法を説明する。まず、図2aに示すように、キャピラリ6のワイヤ孔6aに挿通した直径50μm以下の金属ワイヤ4の先端に、トーチ電極図示せずの熱によってボール7を形成する。なお、以下では金属ワイヤ4の材質がCuであるもので説明するが、金属ワイヤ4の材質はCuに限らずAu等も用いることができる。次に、図2bに示すように、キャピラリ6を下降させて、金属ワイヤ4の先端に形成したボール7を、半導体素子1のパット2上のバンプ形成部に所定の荷重を加えながら押圧する。このとき、押圧と同時に超音波振動子図示せずからキャピラリ6を介してボール7に超音波振動を印加する。荷重と超音波振動により、ボール7はパット2上に接合される。そして、図2cに示すように、ボール7を押圧した状態のキャピラリ6を、超音波振動を印加しながら横方向に水平移動させる。超音波振動を印加する方向は、キャピラリ6が水平移動する方向およびキャピラリ6のワイヤ挿通方向に対して略直交する方向である。この水平移動によって、キャピラリ6のテーパ部6bが金属ワイヤ4をすり切り、ボール7から金属ワイヤ4が切断される。この結果、上部が平坦で広い面を有するバンプ5が形成される。このように、キャピラリ6で金属ワイヤ4をすり切ってバンプ5を形成するので、Cu等の硬い材質の金属ワイヤ4を用いた場合でも、バンプ5上部の形状が安定する。一方、ボール7から切断した金属ワイヤ4の切断部にはヒゲ4aが形成される。このヒゲ4aは、キャピラリ6の先端に付着しており、上記水平移動の方向とは逆方向の横向きに曲がり、先端に向かって細くなる形状で形成される。次に、図2dに示すように、半導体素子1をダイボンドしている平面状のリードフレーム10に、金属ワイヤ4の切断部であるヒゲ4aをステッチボンディングする。リードフレーム10は平面状であるため、ヒゲ4aは確実にリードフレーム10に接合される。また、このステッチボンディングでヒゲ4aが変形し、後述するテールを形成する際に金属ワイヤ4の切断個所となる圧痕部が形成される。ここで、上述した水平移動での金属ワイヤ4の切断により、ヒゲ4aはその先端に向かって細くなるような形状で形成されているので、Cu等の硬い材質の金属ワイヤ4を用いた場合でも、圧痕部を安定して形成することができる。次に、図2eに示すように、キャピラリ6を上昇させる。そして、上昇途中でカットクランパ8を閉じた後、図2fに示すように、カットクランパ8を閉じた状態でキャピラリ6およびカットクランパ8を上昇させる。金属ワイヤ4は、ステッチボンディングの際に形成された圧痕部の位置で破断強度が低下しており、この位置で切断される。これにより、テール9が形成される。なお、このテール9は次のボールを作るための材料となる。このように、水平移動により金属ワイヤ4を切断した後で、切断部であるヒゲ4aをステッチボンディングすることで、圧痕部が安定して形成されるので、金属ワイヤ4の切断位置のバラつきが起こりにくく、安定した長さのテール9を形成することができる。金属ワイヤ4を完全に切断した状態からでも、ステッチボンディングすることでテール9を形成できるため、キャピラリ6を保持するボンディングヘッド図示せずに金属ワイヤ4の繰り出し機構を設ける必要がなく、ボンディング精度の悪化が伴うボンディングヘッドの重量増加を防止できる。実施の形態1のバンプ形成方法によれば、キャピラリを水平移動させてワイヤを切断し、ワイヤの切断部をパッドまたはリードフレーム上にステッチボンディングするようにしたので、安定した長さのテールを容易に形成することができる。これにより、ボール形状が安定し、そのボールを用いた次のボンディング性のバラつきを抑制できる。また、上部が平坦で広い面を有するバンプ5を形成することで、形成したバンプ5上へワイヤボンディングを行う際に、バンプ5とワイヤとの接合力が大きく、接合性のばらつきが小さくなる。また、ボール7から金属ワイヤ4を切断する際に、超音波振動を印加しながらキャピラリ6を水平移動させているので、キャピラリ6が金属ワイヤ4をすり切る効果が増し、金属ワイヤ4の切断が容易になる。これにより、バンプ5上へのワイヤボンディングの際に、バンプと金属ワイヤとの接合の安定性が増す。また、リードフレーム10は平面状であるため、ステッチボンディングの際に金属ワイヤ4の切断部であるヒゲ4aを確実に接合できるとともに、ヒゲ4aに圧痕部を安定して形成することができ、形成するテール9の長さのバラつきが小さくなる。実施の形態2.図3は、実施の形態2のバンプ形成方法におけるステッチボンディング箇所を示す図である。実施の形態1のバンプ形成方法では、図2dに示すように、リードフレーム10上にステッチボンディングするものを示したが、図3に示すようにリードフレームに代えて半導体素子1のパット2上の空いている箇所にステッチボンディングを行うようにしてもよい。このようにすることで、実施の形態1の効果に加えて、キャピラリ6の移動距離を短くすることができ、プロセス時間を短縮することができる。なお、ステッチボンディング箇所を半導体素子1のパッド2上としたこと以外は実施の形態1と同様であるので説明を省略した。実施の形態3.図4は、実施の形態3に係るバンプ形成方法に用いるキャピラリを示す断面図である。実施の形態1では、ワイヤ挿入孔の開口部全周にテーパ部6bが形成されたキャピラリ6を用いたが、図4に示すように、ワイヤ挿入孔の開口部全周にエッジ部6cが形成されたキャピラリ6を用いてもよい。なお、バンプ形成方法は実施の形態1と同様であるのでその説明を省略する。実施の形態3によれば、図2cに示すキャピラリ6の水平移動の際に、キャピラリ6のエッジ部6cで金属ワイヤ4aをすり切るので、金属ワイヤ4の切断がしやすく、形成したバンプ5上に金属ワイヤ4の一部が残ることを防止することができる。なお、実施の形態3では、開口部全周にエッジ部6cが形成されたキャピラリ6を用いたものを例示したが、これに限らず、水平移動する方向にのみエッジ部6cを有し、その他の方向にはテーパ部6bを有するようなキャピラリを用いても上記と同様の作用効果を得ることができる。実施の形態4.図5および図6は、実施の形態4のバンプ形成方法に用いるキャピラリを示すものであって、図5はキャピラリの底面図、図6aは図5のAA方向に沿った断面図、図6bは図5のBB方向に沿った断面図である。実施の形態4のバンプ形成方法に用いられるキャピラリ6は、図5および図6に示すように、キャピラリのワイヤ挿通孔6aの開口部において、キャピラリ6の水平移動方向であるAA方向にはエッジ部6cが形成されている。また、ボール7を接合する際の超音波振動の印加方向であるBB方向には開口部先端に向かって拡径するテーパ部6bが形成されている。なお、パンプの形成方法は実施の形態1と同様であるのでその説明を省略する。実施の形態4によれば、ボール7をキャピラリ6の中心に確実に位置合わせできるとともに、ボール7の接合時において、超音波振動をボール7に良好に伝達することができる。さらに、キャピラリ6を水平移動させた際に、金属ワイヤ4の切断がしやすく、形成したバンプ5上にワイヤの一部が残ることを防止することができる。実施の形態5.図7および図8は、実施の形態5に係るバンプ形成方法に用いるキャピラリを示すものであって、図7はキャピラリの底面図、図8aは図7のAA方向に沿った断面図、図8bは図7のBB方向に沿った断面図である。実施の形態1では、ワイヤ挿通孔6aの開口部全周にテーパ部6bが形成されたキャピラリ6を用いるものを示したが、図7および図8に示すように、このテーパ部6bを、キャピラリ6の水平移動方向であるAA方向のテーパ角度θ1が、ボール7を接合する際の超音波振動の印加方向であるBB方向のテーパ角度θ2よりも小さく形成するようにしてもよい。なお、パンプの形成方法は実施の形態1と同様であるのでその説明を省略する。実施の形態5によれば、キャピラリ6の水平移動方向のテーパ角度θ1を、ボールを接合する際の超音波振動の印加方向のテーパ角度θ2よりも小さくしたので、実施の形態1の効果に加えて、キャピラリ6を水平移動させた際に、金属ワイヤ4の切断がしやすく、形成したバンプ5上にワイヤの一部が残ることを防止することができる。なお、上記各実施の形態においては、直径50μm以下のワイヤを使用してバンプを形成する方法について説明したが、ワイヤの径はこれに限るものではなく、キャピラリを平行移動することでワイヤをカットできる直径のワイヤであれば同様の効果を得ることができる。