"弁作用を有する金属からなる陽極箔と、炭化物粒子を保持するウィスカが表面に形成された陰極箔とが順に積層され、前記陽極箔と前記陰極箔との間に導電性高分子からなる固体電解質層が形成されていることを特徴とする積層型固体電解コンデンサ。前記陽極箔の引き出し部は、前記陽極箔と一体の一枚箔からなることを特徴とする請求項1記載の積層型固体電解コンデンサ。前記陰極箔の引き出し部は、前記陰極箔と一体の一枚箔からなることを特徴とする請求項1または2記載の積層型固体電解コンデンサ。前記陰極箔、前記固体電解質層および前記陽極箔からなる単位素子は、複数積層されており、前記陽極箔の引き出し部のそれぞれおよび前記陰極箔の引き出し部のそれぞれは、溶接により接続されていることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の積層型固体電解コンデンサ。しかしながら、特許文献2の技術に係る固体電解コンデンサにおいては、電極箔と引き出しリードとが電気的に接続されていることから、接続抵抗を無視できない。また、積層化することにより大容量化されても、電極箔の積層数分の引き出しリードを取り付ける必要がある。したがって、接続抵抗が増大する。その結果、高周波域での特性が悪化する。また、積層数の増加に伴って薄型化が困難となる。さらに、特許文献3および特許文献4に係る固体電解コンデンサにおいては、陽極酸化皮膜は完全無欠陥ではないことから、グラファイト層および銀ペースト層においてショートするおそれがある。本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、周波数特性に優れ、大容量化、薄型化が可能であり、耐ショート性を備える積層型固体電解コンデンサを提供することを目的とする。本発明に係る積層型固体電解コンデンサは、弁作用を有する金属からなる陽極箔と、炭化物粒子を保持するウィスカが表面に形成された陰極箔とが順に積層され、陽極箔と陰極箔との間に導電性高分子からなる固体電解質層が形成されていることを特徴とするものである。本発明に係る積層型固体電解コンデンサにおいては、陽極箔と陰極箔とが固体電解質層を介して積層されていることから、陽極箔と陰極箔とが直接接触することが防止される。したがって、耐ショート性が向上する。また、陰極箔を構成する金属と固体電解質層とは、直接的に接触するのではなくウィスカによって保持された炭化物粒子を介して接触することになる。それにより、陰極箔と固体電解質層との密着性が向上する。さらに、通常の酸化皮膜のエッチングピットよりも炭化物粒子同士の空隙の方が広くなるため、固体電解質層が効率よく形成される。それにより、陰極箔と固体電解質層との界面抵抗が減少し、tanδ誘電損失およびESRが低下する。その結果、積層型固体電解コンデンサの周波数特性が向上する。また、積層型固体電解コンデンサへの通電時には、陰極箔、炭化物粒子および固体電解質層が導通することになる。それにより、炭化物粒子および固体電解質層は、積層型固体電解コンデンサの陰極としての容量に影響を及ぼさず、陽極側の静電容量が積層型固体電解コンデンサの合成容量となる。その結果、積層型固体電解コンデンサの容量達成率が大幅に向上する。さらに、積層型固体電解コンデンサの容量が増大することから、積層数を低減させることができる。それにより、積層型固体電解コンデンサを薄型化することができる。陽極箔の引き出し部は、陽極箔と一体の一枚箔からなっていてもよい。また、陰極箔の引き出し部は、陰極箔と一体の一枚箔からなっていてもよい。この場合、引き出し部における接続抵抗が存在しない。それにより、各極箔のそれぞれにリードを設ける場合に比較して、電気抵抗を抑制することができる。陰極箔、固体電解質層および陽極箔からなる単位素子は、複数積層されており、陽極箔の引き出し部のそれぞれおよび陰極箔の引き出し部のそれぞれは、溶接により接続されていてもよい。この場合、電気抵抗をより効果的に抑制することができる。それにより、本発明に係る積層型固体電解コンデンサの高周波特性がさらに向上する。本発明によれば、周波数特性が向上し、容量達成率が大幅に向上し、薄型化が可能であり、耐ショート性が向上する。以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。図1は、本発明の一実施の形態に係る積層型固体電解コンデンサの一例である積層型固体電解コンデンサ100を示す模式的外観図である。図1に示すように、積層型固体電解コンデンサ100は、コンデンサ素子10、陰極端子30および陽極端子40を備える。コンデンサ素子10の外装は、樹脂20によりモールドされている。以下、コンデンサ素子10の詳細について説明する。図2は、コンデンサ素子10の詳細を説明するための図である。図2aはコンデンサ素子10の模式的断面図であり、図2bはコンデンサ素子10の模式的平面図である。図2aおよび図2bに示すように、コンデンサ素子10は、陰極箔11上にセパレータ12および陽極箔13が順に積層された単位素子が複数積層された構造を有し、単位素子間にもセパレータ12が積層されている。このような構成により、陰極箔11と陽極箔13とが直接接触することが防止される。したがって、コンデンサ素子10の耐ショート性が向上する。陰極箔11、セパレータ12および陽極箔13は、平板状である。陰極箔11、セパレータ12および陽極箔13の形状は、特に限定されず、矩形であっても円形であってもよい。各陰極箔11にはそれぞれ引き出し部111が一体的に形成されており、各陽極箔13にはそれぞれ引き出し部131が一体的に形成されている。陰極箔11および引き出し部111と陽極箔13および引き出し部131とは、それぞれ一体の一枚箔からなる。それにより、引き出し部111,131における接続抵抗が存在しない。その結果、各極箔のそれぞれにリードを設ける場合に比較して、電気抵抗を抑制することができる。また、各引き出し部111は溶接部112によって接続されており、各引き出し部131は溶接部132によって接続されている。溶接部112,132は、レーザ溶接、抵抗溶接、超音波溶接等により形成されている。それにより、電気抵抗をより効果的に抑制することができる。その結果、本実施の形態に係る積層型固体電解コンデンサ100の高周波特性が向上する。なお、溶接部112によって接続された複数の引き出し部111によって陰極端子30が形成され、溶接部132によって接続された複数の引き出し部131によって陽極端子40が形成される。引き出し部111の両面の陰極箔11側の端部および引き出し部131の両面の陽極箔13側の端部には、絶縁層14が形成されている。それにより、セパレータ12から後述する導電性高分子が染み上がることが防止される。絶縁層14は、例えば、シリコン樹脂やエポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性を備えた合成樹脂からなる。なお、引き出し部111,131が設けられる場所および数量は特に限定されない。例えば、引き出し部111,131は、陰極箔11および陽極箔13において複数設けられていてもよい。また、図2においては引き出し部111および引き出し部131がコンデンサ素子10を挟んで反対側に設けられているが、いずれか一方の側に設けられていてもよい。ただし、引き出し部111,131を溶接する際に、互いに重複しないように配置する必要がある。引き出し部111,131の個数が多くなれば、外部との接触抵抗はさらに低減される。図3および図4は、コンデンサ素子10の他の例であるコンデンサ素子10aおよびコンデンサ素子10bを示す模式的平面図である。図3に示すように、コンデンサ素子10aにおいては、引き出し部111が陰極箔11の一辺に1つ形成され、引き出し部131が陽極箔13の他辺に2つ形成されている。また、図4に示すように、コンデンサ素子10bにおいては、引き出し部111が陰極箔11の一辺に2つ形成され、引き出し部131が陽極13の他辺に2つ形成されている。このように、本発明においては、引き出し部111,131が設けられる場所および数量は特に限定されない。続いて、コンデンサ素子10の材質等について説明する。図5は、陰極箔11、セパレータ12および陽極箔13の模式的断面図である。図5に示すように、陰極箔11とセパレータ12との隙間および陽極箔13とセパレータ12との隙間に、固体電解質層として機能する導電性高分子層16が形成されている。陰極箔11は、アルミニウム、銅、鉄、ニッケル等の金属からなり、本実施の形態においてはアルミニウム箔から構成される。陰極箔11の膜厚は、例えば、30μm程度である。陰極箔11の表面には、炭化物の蒸着処理または物理的吸着処理が施されている。その結果、炭化物粒子17が陰極箔11の表面に吸着している。このように、陰極箔11を構成する金属と導電性高分子層16とは、直接的に接触するのではなく有機物である炭化物粒子17を介して接触することになる。それにより、陰極箔11と導電性高分子層16との密着性が向上する。また、通常の酸化皮膜のエッチングピットよりも炭化物粒子17同士の空隙の方が広くなるため、導電性高分子層16が効率よく形成される。それにより、陰極箔11と導電性高分子層16との界面抵抗が減少し、tanδおよびESRが低下する。その結果、積層型固体電解コンデンサ100の周波数特性が向上する。さらに、積層型固体電解コンデンサ100への通電時には、陰極箔11、炭化物粒子17および導電性高分子層16が導通することになる。それにより、炭化物粒子17および導電性高分子層16は、積層型固体電解コンデンサ100の陰極としての容量に影響を及ぼさず、陰極側の静電容量が積層型固体電解コンデンサ100の合成容量となる。その結果、積層型固体電解コンデンサ100の容量達成率が大幅に向上する。また、積層型固体電解コンデンサ100の容量が増大することから、単位素子の積層数を低減させることができる。それにより、積層型固体電解コンデンサ100を薄型化することができる。なお、単位素子の積層数を調整することにより、任意の容量に設定することができる。炭化物粒子17は、炭素を含む素材であれば特に限定されない。炭化物粒子17としては、例えば、カーボン、グラファイト、窒化炭素、炭化物、炭化化合物等を用いることができる。炭化物粒子17が吸着する層の厚さは、0.1μm~5μm程度であることが好ましく、1μm~2μm程度であることがより好ましい。炭化物粒子が吸着する層の厚さを上記範囲に設定することにより、合成容量が増加するからである。なお、炭化物粒子17は、陰極箔11の表面に形成されるウィスカによって保持されていてもよい。陽極箔13は、表面に誘電体酸化皮膜18が形成された弁金属からなる。陽極箔13に用いられる弁金属としては、アルミニウム等の金属があげられる。陽極箔13の膜厚は、例えば、100μm程度である。誘電体酸化皮膜18は、陽極箔13の表面にエッチング処理および化成酸化処理を施すことによって形成することができる。なお、陽極箔13は、誘電体酸化皮膜が形成された弁金属を所定の形状に抜き取ることによって形成することができる。この抜き取りの際、陽極箔13の端面において弁金属が露出し、誘電体酸化皮膜の欠損が発生する。したがって、露出した弁金属上に酸化皮膜を新たに形成する必要がある。例えば、抜き取り後に化成処理および熱処理を数回施すことによって、弁金属の露出部に誘電体酸化皮膜を新たに形成することができる。この化成処理は、アジピン酸アンモニウム濃度0.5~2を主体とした化成液を用いて誘電体酸化皮膜18の化成電圧値に近似した電圧で行われる。また、熱処理は、200°C~280°Cの温度範囲で行われる。セパレータ12は、PET繊維、アクリル繊維等の高分子繊維を単独または混紗した合成繊維を主体とする。導電性高分子層16は、セパレータ12に重合性モノマー及び酸化剤を適量含侵させることにより形成することができる。導電性高分子層16は、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等の重合性物質からなる。導電性高分子層16としてポリエチレンジオキシチオフェンを用いた場合には、導電性高分子層16の固有抵抗が低減し、ESRが低減する。このポリエチレンジオキシチオフェンからなる導電性高分子層16は、例えば、3,4エチレンジオキシチオフェン等の重合性モノマー及び酸化剤により重合させることにより形成することができる。重合性モノマーの代わりに、重合性モノマーと揮発溶液とを1:1~1:3の体積比で混合したモノマー溶液を用いることもできる。この揮発性溶液としては、炭素数1以上の有機溶媒であって、ペンタン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ギ酸エチル等のエステル類、アセトン等のケトン類、メタノール等のアルコール類、アセトニトリル等の窒素化合物等を用いることができ、これらの混合溶媒を用いることもできる。特に、メタノール、エタノール、アセトン等を用いることが好ましい。酸化剤としては、エタノール、ブタノール等のアルコール等の炭素数1以上の有機溶媒を用いることができる。この場合、酸化剤分子が分散し、上記重合性モノマーの重合反応が促進される。その結果、重合時間の短縮化が図れる。また、p-トルエンスルホン酸第2鉄、ドデシルベンゼンスルホン酸第2鉄、メトキシベンゼンスルホン酸第2鉄およびアルキルベンゼンスルホン酸第2鉄のうち1種類以上を溶解したアルコール溶液を用いることができる。この場合、アルコール溶媒と酸第二鉄との比率は任意でよいが、40~70溶液を用いることが好ましい。酸化剤濃度が高くなることから、上記重合性モノマーの重合反応においてより緻密で収量が大きい高分子が形成されるからである。それにより、導電性高分子層16は導電性に優れる性質を持つ。その結果、ESRを低下させることができる。また、重合性モノマーと酸化剤との配合比は、1:1~1:6の範囲が好ましい。以下、本発明に係る積層型固体電解コンデンサ100を作製し、その特性を調べた。実施例1実施例1においては、図1の積層型固体電解コンデンサ100を作製した。陰極箔11には、膜厚が30μmであり、表面に炭化物粒子17が保持され、炭化物粒子17が保持される層厚が2μmであるものを用いた。セパレータ12には、合成繊維を主体としたものを用いた。陽極箔13には、膜厚が100μmであり、エッチング処理および化成処理が施されたアルミニウム箔を用いた。陰極箔11および陽極箔13は、所定の大きさになるように抜き取った。陰極箔11および陽極箔13の有効面積は、14mm×10mmである。次に、陽極箔13に対してアジピン酸アンモニウム濃度0.5~2を主体とした化成液を用いて陽極箔13の酸化皮膜の化成電圧値に近似した電圧で化成処理を施し、200°C~280°Cの温度範囲で熱処理を施した。次いで、陰極箔11および陽極箔13に絶縁層14を形成した。次に、陰極箔11、セパレータ12および陽極箔13を順に積層させた単位素子を、単位素子間にセパレータ12を積層させつつ、10素子分、積層させた。次いで、セパレータ12に純モノマーおよびP-トルエンスルホン酸第2鉄をエタノール溶媒に溶解させた60の酸化剤を含侵させ、徐々に加熱して導電性高分子層16を形成した。次に、レーザ溶接により、溶接部112,132を形成した。次いで、コンデンサ素子10の外装に樹脂20によりモールドした。その後、コンデンサ素子10に電圧処理を施した。それにより、積層型固体電解コンデンサ100を完成させた。なお、実施例1に係る積層型固体電解コンデンサの容量は、2.5V1500μFである。比較例1,2比較例1においては、引き出し部111,131を有さない実施例1の積層型固体電解コンデンサを作製した。各陰極箔および各陽極箔には、それぞれ引き出しリードを取り付けた。各陰極箔には、従来の化成箔を用いた。比較例2においては、実施例1の陽極箔13と同様の陽極箔を備え、陰極箔およびセパレータを有しない従来型の積層型固体電解コンデンサを作製した。なお、比較例1,2に係る積層型固体電解コンデンサの容量は、2.5V1500μFである。分析実施例1及び比較例1,2の積層型固体電解コンデンサの静電容量、tanδ、漏れ電流およびESRの値を表1に示す。実施例1及び比較例1,2の固体電解コンデンサはそれぞれ30個ずつ作製されており、表1の各値はそれらの平均値を示している。表1に示すように、実施例1の固体電解コンデンサにおいては、比較例1,2の固体電解コンデンサに比較して、静電容量が大幅に増加し、tanδ、漏れ電流およびESRが大幅に低減している。これは、炭化物粒子および導電性高分子層の密着性が向上し、炭化物粒子同士の広い空隙における導電性高分子層の形成状態が良好であることから、界面抵抗が減少したためであると考えられる。また、引き出し部111,131が陰極箔11および陽極箔13と一体的に形成されていることにより、接触抵抗が大幅に低減したからであると考えられる。さらに、陰極箔、炭化物粒子および導電性高分子層が導通化していることから、炭化物粒子および導電性高分子層が存在することが陰極としての容量に影響を及ぼさない。それにより、陽極側の静電容量が積層型固体電解コンデンサの合成容量となる。その結果、実施例1の積層型固体電解コンデンサの容量達成率が大幅に向上したため、上記特性が得られたと考えられる。"