"上面に電子部品素子の搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部から前記絶縁基板の内部にかけて形成された貫通導体と、銅または銅を主成分とする合金からなり、前記絶縁基板の上面から前記貫通導体の端部にかけて被着された、前記半導体素子の電極がはんだを介して接合される接続パッドとを備える配線基板であって、平面視で前記貫通導体の端部に被着された領域において、前記接続パッドの上面にニッケルまたはニッケルを主成分とする合金からなる金属層が被着されていることを特徴とする配線基板。前記貫通導体がガラス成分を含有しており、前記接続パッドは、前記貫通導体と接続している部分において他の部分よりも多くのガラス成分を含有していることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。前記接続パッドは、前記はんだが接合されている上面側においてガラス成分を含有していないことを特徴とする請求項2に記載の配線基板。請求項1~請求項3のいずれかに記載の配線基板と、前記接続パッドに接合されたはんだバンプとを備えることを特徴とするはんだバンプ付き配線基板。請求項1~請求項3のいずれかに記載の配線基板と、前記搭載部に搭載され、主面に形成された電極が前記接続パッドにはんだを介して接合された半導体素子とを備えることを特徴とする半導体装置。しかしながら、上記従来技術の配線基板においては、接続パッドにはんだはんだバンプを介して半導体素子の電極を接合して通電したときに、接続パッドのはんだとの接合部分にボイド空隙が発生する可能性があるという問題点があった。これは、貫通導体から接続パッドを通ってはんだバンプに流れる電流が、接続パッドのうち平面視で貫通導体が接続された領域に集中しやすいことによる。接続パッドのうち平面視で貫通導体が接続された領域において電流密度が高くなりやすいため、この領域において接続パッドの主成分である銅がエレクトロマイグレーションを生じ、部分的にはんだバンプ内に拡散して空隙を生じる可能性がある。このようなエレクトロマイグレーションによる空隙が生じると、接続パッドとはんだバンプとの間で局部的な電気抵抗の増加や断線等の不具合を生じる。特に、近年、半導体素子の高速化に伴い、外部電気回路から貫通導体を通って接続パッドおよびはんだバンプに流れる電流がさらに大きくなる傾向にあるため、上記電流密度の増加が顕著であり、エレクトロマイグレーションによる空隙がさらに発生しやすくなってきている。本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、絶縁基板の搭載部に接続パッドが配置され、半導体素子の電極がはんだバンプを介して接続パッドに接合される配線基板において、接続パッドおよび電極のエレクトロマイグレーションによる空隙を抑制することが可能な配線基板を提供することにある。また、本発明の目的は、そのような接続パッドおよび電極のはんだバンプとの接合面における空隙を効果的に抑制することが可能なはんだバンプ付き配線基板および半導体装置を提供することにある。本発明の配線基板は、上面に電子部品素子の搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部から前記絶縁基板の内部にかけて形成された貫通導体と、銅または銅を主成分とする合金からなり、前記絶縁基板の主面から前記貫通導体の端部にかけて被着された、前記半導体素子の主面の電極がはんだを介して接合される接続パッドとを備える配線基板であって、平面視で前記貫通導体の端部に被着された領域において、前記接続パッドの上面にニッケルまたはニッケルを主成分とする合金からなる金属層が被着されていることを特徴とする。また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記貫通導体がガラス成分を含有しており、前記接続パッドは、前記貫通導体と接続している部分において他の部分よりも多くのガラス成分を含有していることを特徴とする。また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記接続パッドは、前記はんだが接合されている上面側においてガラス成分を含有していないことを特徴とする。本発明のはんだバンプ付き配線基板は、上記いずれかの構成の配線基板と、前記接続パッドに接合されたはんだバンプとを備えることを特徴とする。本発明の半導体装置は、上記いずれかの構成の配線基板と、前記搭載部に搭載され、主面に形成された電極が前記接続パッドにはんだを介して接合された半導体素子とを備えることを特徴とする。本発明の配線基板によれば、上記構成を備え、平面視で貫通導体の端部に被着された領域において、接続パッドの上面にニッケルまたはニッケルを主成分とする合金からなる金属層が被着されていることから、金属層によって、接続パッドの主成分である銅のエレクトロマイグレーションを抑制することができ、接続パッドにおける空隙の発生を抑制することができる。すなわち、上記構成においては、貫通導体から接続パッドを通ってはんだはんだバンプに流れる電流の電流密度が他の部分よりも高い部分である、平面視で貫通導体の端部に被着された領域において、はんだに直接に接しているのがニッケルまたはニッケルを主成分とする合金からなる金属層である。また、銅に比べてニッケルがエレクトロマイグレーションしにくい金属である。また、金属層によって、接続パッドからはんだバンプに流れる電流に対する抵抗を金属層が被着されていない部分に比べて高くして、接続パッドのうち平面視で貫通導体が接続された領域における上記電流の電流密度をある程度抑制することもできる。そのため、上記のようにエレクトロマイグレーションによる接続パッドにおける空隙の発生を抑制することができる。また、本発明の配線基板は、上記構成において、貫通導体がガラス成分を含有しており、接続パッドは、貫通導体と接続している部分において他の部分よりも多くのガラス成分を含有している場合には、貫通導体および接続パッドと絶縁基板との間、および貫通導体と接続パッドとの間の接合の強度を、互いのガラス成分同士の結合によって、より高くすることができる。したがって、この場合には、上記空隙の抑制が可能であるとともに、貫通導体および接続パッドと絶縁基板との間、貫通導体と接続パッドとの間のそれぞれの接合電気的および機械的な接続の信頼性等がより高い配線基板を提供することができる。また、本発明の配線基板は、上記構成において、接続パッドが、はんだが接合されている上面側においてガラス成分を含有していない場合には、上記のように接続パッドおよび電極における空隙の発生の抑制、および貫通導体と接続パッドとの間等の接合強度の向上等が可能であり、接続パッドとはんだとの接合電気的および機械的な接続の信頼性を高くする上でも有利な配線基板を提供することができる。また、接続パッドとはんだとの間の接触抵抗を低く抑える上でも有利である。本発明のはんだバンプ付き配線基板によれば、上記いずれかの構成の配線基板と、接続パッドに接合されたはんだバンプとを備えることから、はんだバンプに半導体素子の電極を接合して通電するときに、金属層によって接続パッドのはんだバンプとの接合面におけるエレクトロマイグレーションを抑制し、接続パッドにおける空隙の発生を効果的に抑制することができる。そのため、信頼性の高い半導体装置を製作することが可能なはんだバンプ付き配線基板を提供することができる。また、本発明の半導体装置によれば、上記いずれかの構成の配線基板と、搭載部に搭載され、主面に形成された電極が接続パッドにはんだを介して接合された半導体素子とを備えることから、上記配線基板の場合と同様に、接続パッドのはんだとの接合面におけるエレクトロマイグレーションを抑制することができ、接続パッドに空隙が発生することを効果的に抑制することが可能な、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。本発明の配線基板、その配線基板を用いてなるはんだバンプ付き配線基板および半導体装置を添付の図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、電子部品素子として半導体素子を用いた例を挙げて説明する。電子部品素子は、半導体素子に限らず、半導体素子が中継基板等に搭載されてなる素子や圧電素子等の他の電子部品素子であっても構わない。図1は本発明の配線基板の実施の形態の一例における要部を示す断面図である。また、図2aは、図1に示す配線基板の全体の一例を示す平面図であり、図2bは、図2aのA-A線における断面図である。図1および図2において、1は絶縁基板,2は接続パッド,3は貫通導体,4は半導体素子,5は半導体素子4の電極である。絶縁基板1と、絶縁基板1の上面の搭載部1aに配置された接続パッド2と、端部に接続パッド2が被着された貫通導体3とによって、半導体素子4を搭載するための配線基板が基本的に構成されている。なお、図1においては、配線基板に半導体素子4を搭載し、半導体素子4の電極5を接続パッド2に、はんだはんだバンプ6を介して接合した電気的および機械的に接続した状態を示し、図2においては配線基板のみを示している。配線基板の接続パッド2に半導体素子4の電極5が、はんだ付けリフロー等の方法ではんだバンプ6を介して接合されて半導体装置が形成されている。配線基板は、半導体素子4を搭載して半導体装置を作製するための、いわゆるICパッケージ等である。配線基板は、例えば、ガラスセラミック焼結体や酸化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料や、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂等の樹脂材料、セラミック材料やガラス材料等と樹脂材料との複合材料等の絶縁材料によって形成された絶縁基板1の上面に半導体素子4の搭載部1aを有し、この搭載部1aに接続パッド2が配置されて形成されている。絶縁基板1は、例えば、ガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。即ち、ホウケイ酸系ガラス等のガラス成分と酸化アルミニウム等のセラミック成分とを主成分し、焼結助剤等を添加して作製した原料粉末に適当な有機バインダおよび有機溶剤を添加混合して泥漿状とし、これをドクターブレード法やリップコータ法等のシート成形技術を採用してシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを得て、その後、セラミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工により適当な形状とするとともにこれを複数枚積層し、最後にこの積層されたセラミックグリーンシートを還元雰囲気中において約800~1000°Cの温度で焼成することによって製作される。絶縁基板1は、例えば四角板状であり、その上面の中央部の四角形状等の領域が半導体素子4の搭載部1aとなっている。この搭載部1aに、半導体素子4の複数の電極5がそれぞれ電気的に接続される複数の接続パッド2が配置されている。接続パッド2は、絶縁基板1の上面の搭載部1aに、半導体素子4の主面図1の例では下面に配置された電極5と対向するように配置されている。接続パッド2と半導体素子4の電極5とがはんだバンプ6を介して互いに接合されることによって半導体素子4と配線基板とが電気的および機械的に接続され、半導体装置が形成される。接続パッド2は、銅または銅を主成分とする金属材料により形成されている。接続パッド2の主成分が銅であり、銅の電気抵抗抵抗率が低いため、接続パッド2における電気抵抗を低く抑えることができる。接続パッド2は、例えば平面視で円形状や楕円形状,四角形状等であり、対向して接続される電極5の形状や寸法に応じて適宜、形状および寸法が設定されている。例えば電極5が直径約100~300μm程度の円形状等の場合であれば、接続パッド2は、これよりも若干大きな円形状直径が約200~400μm程度等に形成される。接続パッド2は、メタライズ層やめっき層,蒸着層等の形態で形成することができる。例えば、接続パッド2が銅のメタライズ層からなる場合であれば、銅の粉末を有機溶剤およびバインダとともに混練して作製した金属ペーストを、絶縁基板1となるセラミックグリーンシートの表面絶縁基板1の上面となる表面から後述する貫通導体3となる金属ペーストの露出した端部にかけて、所定の接続パッド2のパターンで、スクリーン印刷法等の印刷法で印刷して同時焼成することによって形成することができる。接続パッド2は、絶縁基板1の搭載部1aから内部にかけて形成された貫通導体3を介して外部の電気回路図1および図2では図示せずと電気的に接続される。すなわち、貫通導体3は、接続パッド2を外部の電気回路と電気的に接続させるための導電路を形成するためのものである。そのため、貫通導体3が搭載部1aから絶縁基板1の内部にかけて形成され、絶縁基板1の上面から貫通導体3の端部搭載部1aに露出した端部にかけて接続パッド2が被着されている。貫通導体3の端部に接続パッド2下面が直接に接続されていることによって、接続パッド2と貫通導体3とが互いに電気的に接続されている。なお、接続パッド2は、絶縁基板1の上面から貫通導体3の端部にかけて被着されているため、平面視において、貫通導体3と重なる部分と、絶縁基板1の上面と重なる部分とを有している。搭載部1a側の端部に接続パッド2が被着された貫通導体3は、反対側の端部が絶縁基板1の内部や下面に形成された配線導体7と接続されている。配線導体7のうち絶縁基板1の下面等に露出した部分を外部の電気回路にはんだや導電性接着剤等の導電性接続材を介して接合すれば、半導体素子4の電極5と電気的に接続された接続パッド2を、貫通導体3および配線導体7を介して外部の電気回路に電気的に接続することができる。貫通導体3は、例えば、直径が約75~200μm程度の円形状円柱状であり、平面視で接続パッド2の中央部に接続している。なお、平面視における貫通導体3の端部の接続パッド2に対する接続位置は、接続パッド2の中央部に限らず、外周部であってもよい。また、複数の貫通導体3が1つの接続パッド2に接続していてもよい。また、貫通導体3は、円形状に限らず、楕円形状や四角形状等でもよい。貫通導体3および配線導体7は、接続パッド2と同様の金属材料を用いて、同様の方法で形成することができる。貫通導体3および配線導体7を形成する金属材料については、銅および銀が、それぞれの電気抵抗を低く抑える上で有利である。この場合、例えば、絶縁基板1となるセラミックグリーンのうち接続パッド2を形成する予定の位置にあらかじめ貫通孔を形成しておいて、この貫通孔内に貫通導体3となる銅や銀等の金属ペーストを充填し、同時焼成を行なうことによって、絶縁基板1の厚み方向に貫通導体3を形成することができる。接続パッド2と半導体素子4の電極5とを接合する電気的および機械的に接続するはんだバンプ6を形成するはんだ材料としては、例えばスズ-鉛やスズ-銀,スズ-銀-銅,スズ-銀-ビスマス等を用いることができる。はんだバンプ6は、環境への悪影響を避ける上では、鉛等の有害物質を含有しない、いわゆる鉛フリーはんだであることが好ましい。これらのはんだ材料は、スズを約90質量以上含んでいるため、はんだバンプ6の電気抵抗抵抗率は、スズの電気抵抗抵抗率と同じ程度である。はんだバンプ6は、例えば上記のはんだ材料を用いて作製したはんだボールを接続パッド2上に位置合わせしてセットしておいて、電気炉中で一体的に加熱するリフローによって形成することができる。この方法で形成されたはんだバンプ6は、接続パッド2との接合部分が平らに潰れた球形状になる。なお、半導体素子4の電極5との接続を容易とするために、複数のはんだバンプ6をまとめて上側から平坦な面プレス用の金型等で加圧した場合には、はんだバンプ6の上面側も平坦になる。接続パッド2の上面には、平面視で貫通導体3の端部に被着された領域以下、被着領域ともいうにおいて、ニッケルまたはニッケルを主成分とする合金からなる金属層8が被着されている。このような金属層8が被着されていることから、金属層8によって、接続パッド2の主成分である銅のエレクトロマイグレーションを抑制することができ、接続パッド2における空隙の発生を抑制することができる。すなわち、上記構成においては、貫通導体3から接続パッド2を通ってはんだバンプ6に流れる電流の電流密度が他の部分よりも高い部分である、平面視で貫通導体3の端部に被着された領域において、はんだバンプ6に直接に接しているのがニッケルまたはニッケルを主成分とする合金からなる金属層8である。また、銅に比べてニッケルがエレクトロマイグレーションしにくい金属である。なお、経験的に、銅は電流密度が約5000~6000A/cm2でマイグレーションする可能性があるのに対し、ニッケルは約15000A/cm2程度でもマイグレーションがしないことが確認されている。また、金属層8によって、接続パッド2からはんだバンプ6に流れる電流に対する抵抗を金属層8が被着されていない部分に比べて高くして、接続パッド2のうち平面視で貫通導体3が接続された領域における上記電流の電流密度をある程度抑制することもできる。そのため、上記のようにエレクトロマイグレーションによる接続パッド2における空隙の発生を抑制することができる。また、本発明の配線基板によれば、接続パッド2のうちニッケルまたはニッケルを主成分とする金属層8が被着されているのが、平面視で貫通導体3の端部に被着された領域であって、全域ではないことから、銅または銅を主成分とする合金からなる接続パッド2が直接に接続される部分を含む。そのため、はんだバンプ6を介して半導体素子4の電極5を接続パッド2に接合して通電したときに、電極5におけるエレクトロマイグレーションを抑制することもできる。これは、接続パッド2の銅成分が半導体素子4の電極5側に熱拡散して、電極5の表面に、上記拡散した銅と、はんだバンプ6のスズ成分と、電極5を形成しているニッケル等の金属とを主成分とする合金層が形成され、この合金層がエレクトロマイグレーションしにくいことによる。このような金属層8は、例えばめっき法や蒸着法等の方法で、接続パッド2の上面に被着させることができる。金属層8は、例えばめっき法で被着させる場合であれば、硫酸ニッケル等のニッケル成分と、次亜リン酸ナトリウム等の還元剤とを主成分とする無電解ニッケルめっき液中に接続パッド2を所定時間、所定の温度等の条件で浸漬することによって被着させることができる。金属層8は、金属層8となるめっき層を被着させる際にめっき用の導通線が不要であり、配線基板における接続パッド2や配線導体7等の高密度化に有利であることを考慮すれば、無電解めっき法によって被着させたものであることが好ましい。なお、金属層8を、接続パッド2の被着領域に位置ずれを抑制して被着させるには、例えば、接続パッド2の外周位置例えば外周の任意の2点を基準にして、画像認識装置を用いてマスク材を接続パッド2の上面に被着させて被着領域以外にマスク材を被着させてマスク材から露出した部分にニッケルめっき層を被着させるようにすればよい。マスク材としては、例えば紫外線硬化型等の樹脂膜が挙げられる。また、マスク材は、めっき層金属層8を被着した後に、薬液等で完全に除去できるものが望ましい。金属層8の厚みは、エレクトロマイグレーションを抑制する上では厚いほど効果があるが、厚くしすぎると、金属層8の内部応力に起因する金属層8の接続パッド2に対する被着の強度や経済性が低下する可能性がある。また、厚くしすぎると金属層8の比抵抗が大きくなるため、金属層8以外の部分に電流が集中しやすくなる可能性があり、また半導体装置全体の抵抗上昇につながる可能性がある。このような条件を考慮して、金属層8の厚みは、例えば、はんだバンプ6がスズ-銀-銅Sn-3Ag-05Cuからなり、被着領域を流れる電流の電流密度が約5000~15000A/cm2程度の場合であれば、1~3μm程度に設定すればよい。また、金属層8の厚みは、金属層8が被着されている部分の全域においてエレクトロマイグレーションを抑制する効果を偏りなく得るために、全域において同じ程度の厚みであることが好ましい。また、金属層8は、少なくとも被着領域の全域において接続パッド2の上面に被着されている必要はあるが、正確に被着領域と一致している必要はなく。被着領域の外側に多少はみ出ていても構わない。金属層8について、ニッケルを主成分とする合金としては、例えば、ニッケル-リンやニッケル-コバルト-リン等が挙げられる。ニッケル-リンにおけるニッケルの含有率は、例えば無電解めっき法で形成された場合であれば、約90~98質量程度である。なお、金属層8は、例えば、図3に示すように、金属層8の形成時の被着領域に対する位置決めの手間を抑えるために、接続パッド2の上面のうち金属層8を被着させる範囲を被着領域よりも若干大きめに設定してもよい。なお、図3aは、本発明の配線基板の実施の形態の他の例における要部を示す断面図であり、図3bは、図3aの平面図である。図3において図1と同様の部位には同様の符号を付している。また、図3aは、配線基板に半導体素子4を搭載し、半導体素子4の電極5を接続パッド2に、はんだはんだバンプ6を介して接合した電気的および機械的に接続した状態を示し、図3bは、配線基板のみを示している。金属層8が被着領域の外側にはみ出る場合には、例えば円形状の接続パッド2の上面において、円形状の金属層8よりも外側の、接続パッド2にはんだバンプ6が直接に接合される円環状の部分の幅が5μm以上確保されることが好ましい。このような配線基板は、貫通導体3がガラス成分を含有しており、接続パッド2は、貫通導体3と接続している部分において他の部分よりも多くのガラス成分を含有している場合には、貫通導体3および接続パッド2と絶縁基板1との間、および貫通導体3と接続パッド2との間の接合の強度を、互いのガラス成分同士の結合によって、より高くすることができる。したがって、この場合には、上記接続パッド2における空隙の抑制が可能であるとともに、貫通導体3および接続パッド2と絶縁基板1との間、貫通導体3と接続パッド2との間のそれぞれの接合強度や電気的な接続の信頼性等がより高い配線基板を提供することができる。この場合、例えば図1に示しているように、接続パッド2は、ガラス成分の含有量が比較的多い下層2aと、比較的少ない上層2bとによって構成されているとみなすこともできる。貫通導体3に含有させるガラス成分としては、例えば、絶縁基板1をガラスセラミック焼結体で形成するときに用いるガラス成分と同様のものが挙げられる。また、貫通導体3におけるガラス成分の含有量は、絶縁基板1を形成する材料や貫通導体3の寸法等に応じて、適宜設定すればよい。例えば、絶縁基板1がホウケイ酸ガラスを用いたガラスセラミック焼結体からなり、貫通導体3に添加するガラス成分がホウケイ酸ガラスであり、貫通導体3の寸法が、直径が100μmの円形状円柱状の場合であれば、貫通導体3におけるガラス成分の含有量は10~20質量程度に設定すればよい。接続パッド2について、上記のようにガラス成分の含有量が互いに異なる部分を有するものとする、例えば図1に示したように下層2aと上層2bとからなるものとするには、接続パッド2をメタライズ法で形成するときに、接続パッド2となる金属ペーストについて、互いにガラス含有量が異なるものを準備しておいて、ガラス含有量が多い第1ペーストをまず最初に、セラミックグリーンシートの表面から貫通導体3となる金属ペーストの端部にかけて印刷し、次に、その印刷した第1ペースト上に、ガラス含有量が少ない第2ペーストを、例えば第1ペーストと同じパターンで印刷するようにし、その後焼成するようにすればよい。なお、上記の場合において、接続パッド2のうちガラス成分の含有量が少ない部分、例えば上層2bは、ガラス成分を含有しない部分であってもよい。例えば、上記第2ペーストを、銅粉末のみを用いて有機溶剤等とともに混練して作製すれば、はんだバンプ6が接合される上面を含む上部が銅銅の含有率が9999質量以上である、いわゆる純銅からなるものとすることができる。上記配線基板は、接続パッド2が、はんだバンプ6が接合されている上面側例えば上層2bにおいてガラス成分を含有していない場合には、上記のように接続パッド2および電極5における空隙の発生の抑制、および貫通導体3と接続パッド2との間等の接合強度の向上等が可能であり、接続パッド2とはんだバンプ6との接合電気的および機械的な接続の信頼性を高くする上でも有利な配線基板を提供することができる。接続パッド2のうちガラス成分を含有していない部分上層2b等の厚さは、例えば、はんだ付けリフロー工程での溶蝕を考慮すると、5μm以上であることが望ましい。この配線基板の接続パッド2にはんだバンプ6を接合すれば、図4に示すようなはんだバンプ付き配線基板となる。なお、図4は、本発明のはんだバンプ付き配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図4において図1と同様の部位には同様の符号を付している。このようなはんだバンプ付き配線基板によれば、上記構成の配線基板と、接続パッド2に接合されたはんだバンプ6とを備えることから、接続パッド2のはんだバンプ6との接合面における、エレクトロマイグレーションによる空隙の発生を効果的に抑制することが可能であり、信頼性の高い半導体装置を製作することが可能なはんだバンプ付き配線基板を提供することができる。はんだバンプ6は、上記のようにスズ-鉛やスズ-銀,スズ-銀-銅,スズ-銀-ビスマス等のはんだ材料によって形成されている。はんだバンプ6は、環境への悪影響を避ける上では、鉛等の有害物質を含有しない、いわゆる鉛フリーはんだであることが好ましい。はんだバンプ6は、例えば上記のはんだ材料を用いて作製したはんだボールを接続パッド2上に位置合わせしてセットしておいて、電気炉等を用いてリフローすることによって形成することができる。この方法で形成されたはんだバンプ6は、接続パッド2との接合部分が平らに潰れた球形状になる。なお、半導体素子4の電極5との接続を容易とするために、複数のはんだバンプ6をまとめて上側から平坦な面プレス用の金型等で加圧してもよい。この場合には、はんだバンプ6の上面側も平坦になる。また、上記構成の配線基板の搭載部1aに半導体素子4を搭載し、半導体素子4の主面の電極5を接続パッド2に、はんだはんだバンプ6を介して接合すれば、図5に示すような半導体装置が製作される。なお、図5は、本発明の半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図である。図5において図1と同様の部位には同様の符号を付している。はんだバンプ6を介した電極5と接続パッド2との接合は、例えば、上記本発明のはんだバンプ付き配線基板のはんだバンプ6上に半導体素子4の電極5を位置合わせして載せ、リフローする方法で行なうことができる。また、上記半導体装置は、半導体素子4の電極5にはんだを凸状に接合しておいて電極5側にはんだバンプ6を形成しておいて、その後、電極5に接合したはんだバンプ6を介して、配線基板の接続パッド2に半導体素子4の電極5を接合するようにして製作することもできる。半導体素子4は、シリコンやガリウム砒素リン,ゲルマニウム,ヒ化ガリウム,窒化ガリウム,炭化珪素等の半導体材料からなる半導体基板によって形成されている。半導体素子4は、例えば、1辺の長さが約3~10mm程度の四角板状のシリコン基板であり、その主面に銅やアルミニウム等からなる電極5が形成されている。電極5は、半導体素子4の電子回路集積回路図示せずを配線基板に電気的に接続させ、配線基板を介して半導体素子4と外部の電気回路とを電気的に接続させるためのものである。電極5は、例えば銅やアルミニウム,銀,パラジウム,ニッケル等の金属材料によって形成されている。これらの金属材料のうち銅およびアルミニウムが、電気抵抗が低いことや経済性等を考慮して電極5を形成する金属材料の主成分として多く用いられる。なお、電極5の形状および寸法は、電子回路の配置位置等に応じて適宜設定され、例えば、直径が約100~300μmの円形状等に形成されている。半導体素子4は、例えば半導体基板シリコンウエハ等の主面にシリコンの酸化膜符号なしを形成した後、アルミニウムや銅を、所定の電子回路や電極5のパターンに、蒸着法およびフォトリソグラフ法等の微細加工技術で形成することによって作製されている。半導体基板のうち電極5等の導体同士の間には、ポリイミド樹脂等の絶縁材料からなるパッシベーション層符号なしが形成されている。このような半導体装置は、例えばコンピュータや通信機器,検査装置等の各種の電子機器に部品として実装される。電子機器が備えるマザーボード等の回路が外部の電気回路に相当する。このような半導体装置によれば、上記構成のはんだバンプ付き配線基板と、搭載部1aに搭載され、主面に形成された電極5が接続パッド2にはんだバンプ6を介して接合された半導体素子4とを備えることから、接続パッド2のはんだバンプ6との接合面における、エレクトロマイグレーションによる空隙の発生を効果的に抑制することが可能な、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、以上の配線基板,はんだバンプ付き配線基板および半導体装置において、金属層8は、同じ材料で形成されているものである必要はなく、複数の材料が積層されて形成されているものであってもかまわない。また、同じ材料が複数回に分けて被着されてなる複数層の構成のものであってもよい。例えば、金属層8は、リンの含有率が互いに異なる2種類のニッケル-リン層が積層されて形成されたものであってもよい。下記の半導体素子および配線基板を準備し、半導体素子の電極と配線基板の接続パッドとをスズ-銀はんだからなるはんだバンプを介して互いに電気的および機械的に接続して、実施例の半導体装置本発明の配線基板を用いた半導体装置の一例および比較例の半導体装置を作製した。実施例の半導体装置は、平面視で貫通導体の端部に被着された領域被着領域において、接続パッドの上面に金属層を形成し、比較例の半導体装置では金属層を形成しなかった。半導体素子:半導体基板として、辺の長さが5×5mmの正方形板状のシリコン基板を用い、この半導体基板の主面にシリコンの酸化膜を介してアルミニウムからなる電子回路と銅および銅を被覆するニッケル層からなる電極を配置したものを用いた。電極は、直径が約100μmの円形状であり、半導体基板の主面に縦横の並びに64個8×8配列させた。配線基板:ガラスセラミック焼結体を用いて作製した、各辺の長さが約10×10×1mmの正方形板状の絶縁基板の上面に、銅のメタライズ層によって、直径が約150μmの円形状の接続パッドを形成した。接続パッドの個数は半導体素子の電極の個数と同じ64個であり、各接続パッドは、半導体素子の電極に対応する位置に形成した。貫通導体は、接続パッドと同様に銅を用いて、直径が約100μmの円形状円柱状に形成し、その端部を接続パッドの中央部に直接に接続した。金属層:無電解めっき法により、ニッケル-リン合金からなる金属層を接続パッドの上面に被着させた。金属層について、その厚さは約15μmであり、ニッケルの含有率は約95質量であった。はんだバンプ:スズ-銀-銅Sn-3Ag-05Cuはんだを用いた。はんだバンプの形成は、上記組成のはんだボールを半導体素子の電極上に載せて、約260°Cでリフローして凸状に接合させることによって行なった。以上の実施例および比較例、それぞれの半導体装置について、プリント回路基板に実装した後、配線基板と半導体素子との間で通電を500時間行なった後、接続パッドと電極との間における通電前後の抵抗値の上昇率を算出し、上昇率20以上で故障と判定した。各接続パッドにおける通電量配線基板の各貫通導体から接続パッドを通ってはんだバンプ、さらに電極にかけて流れる電流の、それぞれの接続パッドにおける大きさは約08Aとした。半導体素子の電極においても同様に約08Aの電流を通電させた。接続パッドにおける電流密度は約4527A/cm2であり、電極における電流密度は約10185A/cm2であった。以上の結果、本発明の実施例の半導体装置では故障発生が見られなかったのに対し、比較例の半導体装置では20の接続パッドにおいて故障が発生していた。これにより、本発明の配線基板を用いて作製した半導体装置における、接続パッドおよび電極での空隙の発生を抑制する効果を確認することができた。"