"基板の主面に、第1の半導体層および該第1の半導体層にヘテロ接合した金属カルコゲナイドおよび金属水酸化物の混晶化合物を含む第2の半導体層を含む光電変換体を設ける工程と、該光電変換体の主面について、該光電変換体に電界を印加して得られるエレクトロルミネッセンス強度の面内分布を測定する工程と、該面内分布における前記エレクトロルミネッセンス強度の低い側の値を示す前記光電変換体の主面の領域に対して、前記第1の半導体層によって吸収される光を、前記面内分布における前記エレクトロルミネッセンス強度の高い側の値を示す前記光電変換体の主面の領域に対してよりも高い光エネルギーとなるように光照射を行なう工程とを具備する光電変換装置の製造方法。前記光照射を行なった後に前記光電変換体を封止材で封止する、請求項1に記載の光電変換装置の製造方法。前記第1の半導体層にI-III-VI族化合物を含ませ、前記第2の半導体層にII-VI族化合物およびIII-VI族化合物の少なくとも一方を含ませる、請求項1または2に記載の光電変換装置の製造方法。光電変換装置は常に光電変換効率の向上が求められている。しかしながら、光電変換装置を大面積化しようとすると、上記欠陥の数にばらつきが生じ、光電変換効率が全面において均一に成りにくい。このような欠陥の数にばらつきを有する光電変換装置に、上記のような光照射を行なっても、欠陥の数の多い部分では十分に欠陥を減少させることが困難である。また、光強度を高くして欠陥を十分に減少させようとした場合、ある限度を超えて光照射を行なうと逆に光電変換効率が低下する傾向があり、欠陥の数の少ない部分において光電変換効率が低下する。その結果、光電変換効率を十分に高めることが困難である。よって、本発明の一つの目的は光電変換効率を向上させることにある。本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、基板の主面に、第1の半導体層および該第1の半導体層にヘテロ接合した金属カルコゲナイドおよび金属水酸化物の混晶化合物を含む第2の半導体層を含む光電変換体を設ける工程と、該光電変換体の主面について、該光電変換体に電界を印加して得られるエレクトロルミネッセンス強度の面内分布を測定する工程と、該面内分布における前記エレクトロルミネッセンス強度の低い側の値を示す前記光電変換体の主面の領域に対して、前記第1の半導体層によって吸収される光を、前記面内分布における前記エレクトロルミネッセンス強度の高い側の値を示す前記光電変換体の主面の領域に対してよりも高い光エネルギーとなるように光照射を行なう工程とを具備する。本発明によれば、光電変換装置における光電変換効率が向上する。以下に本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。<光電変換装置の構成>図1は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置の一例を示す要部斜視図であり、図2はその要部断面図である。光電変換装置11は、基板1上に複数の光電変換セル10が並べられて互いに電気的に接続されている。なお、図1においては図示の都合上、2つの光電変換セル10のみを示しているが、実際の光電変換装置11においては、図面左右方向、あるいはさらにこれに垂直な方向に、多数の光電変換セル10が平面的に二次元的に配設されていてもよい。図1、図2において、基板1上に複数の下部電極層2が平面配置されている。隣接する下部電極層2のうち、一方の下部電極層2a上から他方の下部電極層2b上にかけて、光吸収層以下、第1の半導体層3ともいう、第2の半導体層4および透明導電膜5が設けられている。そして、下部電極層2b上において、接続導体7が下部電極層2bと透明導電膜5とを電気的に接続するように設けられている。これら、下部電極層2、第1の半導体層3、第2の半導体層4、透明導電膜5および接続導体7によって、1つの光電変換セル10を構成している。そして、隣接する光電変換セル10同士を下部電極層2bが接続しており、このような構成によって、隣接する光電変換セル10同士が直列接続された光電変換装置11となる。なお、本実施形態における光電変換装置11は、第1の半導体層3に対して第2の半導体層4側から光が入射されるものを想定しているが、これに限定されず、基板1側から光が入射されるものであってもよい。また、光吸収層としての第1の半導体層3と、第2の半導体層4とは逆の構成であってもよく、基板1上に第2の半導体層4および第1の半導体層3が順に積層されていてもよい。基板1は、光電変換セル10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。基板1としては、例えば、厚さ1~3mm程度の青板ガラスソーダライムガラスを用いることができる。下部電極層2下部電極層2a、2bは、基板1上に設けられた、Mo、Al、TiまたはAu等の導電体である。下部電極層2は、スパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成手法を用いて、0.2μm~1μm程度の厚みに形成される。第1の半導体層3は第1導電型の半導体層である。第1の半導体層3は、光吸収層として機能し、例えば1μm~3μm程度の厚みを有する。第1の半導体層3としては特に限定されず、例えば、II-VI族化合物、I-III-VI族化合物およびI-II-IV-VI族化合物等の金属カルコゲナイドや、II-IV-V族化合物等が用いられてもよい。II-VI族化合物とは、II-B族12族元素ともいうとVI-B族元素16族元素ともいうとの化合物半導体であり、閃亜鉛鉱構造を有するものが好適に用いられ得る。II-VI族化合物としては、例えば、CdTe等が挙げられる。I-III-VI族化合物とは、I-B族元素11族元素ともいうとIII-B族元素13族元素ともいうとVIB族元素16族元素ともいうとの化合物であり、カルコパイライト系を有するものが好適に用いられ得る。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuInSe2二セレン化銅インジウム、CISともいう、CuIn,GaSe2二セレン化銅インジウムガリウム、CIGSともいう、CuIn,GaSe,S2二セレンイオウ化銅インジウムガリウム、CIGSSともいうが挙げられる。あるいは、第1の半導体層3は、薄膜の二セレンイオウ化銅インジウムガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウムガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。I-II-IV-VI族化合物とは、I-B族元素とII-B族元素とIV-B族元素14族元素ともいうとVI-B族元素との化合物である。I-II-IV-VI族化合物としては、例えば、Cu2ZnSnS4CZTSともいう、Cu2ZnSnS,Se4CZTSSeともいう、およびCu2ZnSnSe4CZTSeともいうが挙げられる。II-IV-V族化合物とは、II-B族元素12族元素ともいうとIV-B族元素14族元素ともいうとV-B族元素15族元素ともいうとの化合物である。II-IV-V族化合物としては、例えば、CdSnP2、CdSnSb2、CdGeAs2、CdGeP2、CdSiAs2、CdSiP2、CdSiSb2、ZnSnSb2、ZnSnAs2、ZnSnP2、ZnGeAs2、ZnGeP2、ZnGeSb2、ZnSiAs2、ZnSiP2、ZnSiSb2等が挙げられる。第1の半導体層3は、スパッタリング法、蒸着法などのいわゆる真空プロセスによって形成可能であるほか、いわゆる塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによって形成することもできる。塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスは、第1の半導体層3の構成元素の錯体溶液を下部電極層2の上に塗布し、その後、乾燥熱処理を行うプロセスである。第2の半導体層4は、第1の半導体層3にヘテロ接合された、金属カルコゲナイドおよび金属水酸化物の混晶化合物を含む半導体層である。第2の半導体層4は第1の半導体層3に対するバッファ層として機能する。第2の半導体層4は第1の半導体層3とは異なる第2導電型を有していてもよい。例えば、第1の半導体層3がp型であれば、第2の半導体層4はn型である。第1の半導体層3がn型で、第2の半導体層4がp型であってもよい。第1の半導体層3および第2の半導体層4が電気的に接続することにより、電荷を良好に取り出すことが可能な光電変換体Pが形成される。第2の半導体層4は金属カルコゲナイドおよび金属水酸化物の混晶化合物を主に含んでいる。金属カルコゲナイドとは、金属元素とカルコゲン元素との化合物であり、カルコゲン元素とは、VI-B族元素のうち、S、Se、Teをいう。第2の半導体層4において、ヒドロキシ基のモル数はカルコゲン元素のモル数の0.5~2倍程度であってもよい。また、第2の半導体層4は、金属カルコゲナイドおよび金属水酸化物に加えて金属酸化物を含んだ混晶化合物であってもよい。第2の半導体層4としては、CdS,OH、ZnS,OH、ZnSe,OH、InS,OH、InSe,OHZn,InS,OH、Zn,InSe,OH、Zn,MgS,OH、等、あるいはこれらの混晶体が挙げられる。なお、上記化学式において、金属元素をMとし、カルコゲン元素をXとしたときにMX,OHで表わされる化合物は、Mがカルコゲン化物および水酸化物として存在している混晶化合物を意味する。また、複数種の金属元素をM1、M2とし、カルコゲン元素をXとしたときに、M1,M2X,OHで表わされる化合物は、金属元素M1およびM2がカルコゲン化物および水酸化物として存在している混晶化合物を意味する。第2の半導体層4は、例えば水溶液を用いたケミカルバスデポジションCBD法等で10~200nmの厚みで形成される。図1、図2のように、第2の半導体層4上にさらに上部電極層5が設けられていてもよい。上部電極層5は、第2の半導体層4よりも抵抗率の低い層であり、第1の半導体層3および第2の半導体層4で生じた電荷を良好に取り出すことが可能となる。光電変換効率をより高めるという観点からは、上部電極層5の抵抗率が1Ωcm未満でシート抵抗が50Ω/□以下であってもよい。上部電極層5は、例えばITO、ZnO等の0.05~3μmの透明導電膜である。透光性および導電性を高めるため、上部電極層5は第2の半導体層4と同じ導電型の半導体で構成されてもよい。上部電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成され得る。また、図1、図2に示すように、上部電極層5上にさらに集電電極8が形成されていてもよい。集電電極8は、第1の半導体層3および第2の半導体層4で生じた電荷をさらに良好に取り出すためのものである。集電電極8は、例えば、図1に示すように、光電変換セル10の一端から接続導体7にかけて線状に形成されている。これにより、第1の半導体層3および第4の半導体層4で生じた電流が上部電極層5を介して集電電極8に集電され、接続導体7を介して隣接する光電変換セル10に良好に導電される。集電電極8は、第1の半導体層3への光透過率を高めるとともに良好な導電性を有するという観点から、50~400μmの幅を有していてもよい。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。図1、図2において、接続導体7は、第1の半導体層3、第2の半導体層4および第2の電極層5を貫通する溝内に設けられた導体である。接続導体7は、金属や導電ペースト等が用いられ得る。図1、図2においては、集電電極8を延伸して接続導体7が形成されているが、これに限定されない。例えば、上部電極層5が延伸したものであってもよい。<光電変換装置の製造方法>次に、光電変換装置11の製造プロセスについて説明する。図3a~c、図4d~fおよび図5は、光電変換装置11の製造途中の様子を示す要部断面図である。なお、図3および図4で示される要部断面図は、図2で示される断面に対応する部分の製造途中の様子を示す。まず、図3aで示されるように、洗浄された基板1の略全面に、スパッタリング法などが用いられて、Moなどからなる下部電極層2が成膜される。そして、下部電極層2の一部に第1溝部P1が形成される。第1溝部P1は、YAGレーザーその他のレーザー光が走査されつつ形成対象位置に照射されることで溝加工が行われる、レーザースクライブ加工によって形成されてもよい。図3aは、第1溝部P1が形成された後の状態を示す図である。第1溝部P1が形成された後、下部電極層2の上に、第1の半導体層3が形成される。第1の半導体層3は、スパッタリング法、蒸着法などのいわゆる真空プロセスによって形成可能であるほか、いわゆる塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによって形成することもできる。塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスは、第1の半導体層3の構成元素の錯体溶液を下部電極層2の上に塗布し、その後、乾燥熱処理を行うプロセスである。図3bは、第1の半導体層3が形成された後の状態を示す図である。第1の半導体層層3が形成された後、第1の半導体層3の上に、第2の半導体層4および上部電極層5が、CBD法やスパッタリング法等で順次形成される。図3cは、第2の半導体層4および上部電極層5が形成された後の状態を示す図である。第2の半導体層4および上部電極層5が形成された後、上部電極層5の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層2の上面に至る領域に、第1溝部P1に沿って直線状に延在する第2溝部P2が形成される。図4dには、第2溝部P2が形成された後の状態が示されている。第2溝部P2は、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライブ加工等によって形成され得る。第2溝部P2が形成された後、上部電極層5上および第2溝部P2内に、例えば、Agなどの金属粉を樹脂バインダーなどに分散させた導電ペーストをパターン状に印刷し、これを加熱硬化することで、集電電極8および接続導体7が形成される。図4eは、集電電極8および接続導体7が形成された後の状態を示す図である。集電電極8および接続導体7が形成された後、第2溝部P2からずれた位置で、第1の半導体層3~集電電極8をメカニカルスクライブ加工により除去することで第3溝部P3が形成され、複数の光電変換セル10が形成される。図4fには、複数の光電変換セル10が形成された後の状態が示されている。複数の光電変換セル10が形成された後、各光電変換セル10に電圧が印加されることによって各光電変換セル10の光電変換体Pからエレクトロルミネッセンスが発せられる。そして、このエレクトロルミネッセンスの強度が光電変換セル10の各領域において測定される。具体的には、図6の光電変換装置11の平面図に示されるように、光電変換セル10が、例えば、縦が6個、横が7個のマトリックス状の領域に分けられ、各領域のエレクトロルミネッセンス強度がそれぞれ測定される。図6において、一点鎖線で囲まれた領域が1つのエレクトロルミネッセンスの測定領域を表わしている。なお、図6は光電変換装置11全体の概略を示す平面図である。図6では光電変換セル10が横方向に7個配置されている例が示されているが、これに限定されない。また、図6では測定領域が、6個×7個のマトリックスに分けられている例が示されているがこれに限定されず、測定領域は種々のパターンに分けられたものが採用され得る。このように光電変換セル10が複数の測定領域に分けられ、エレクトロルミネッセンス強度が各測定領域においてそれぞれ測定されることにより、光電変換体Pに存在する欠陥の面内分布が把握できる。つまり、エレクトロルミネッセンス強度が高いほど欠陥が少なく、エレクトロルミネッセンス強度が低いほど欠陥が多い。各測定領域のエレクトロルミネッセンス強度が測定された後、各測定領域のエレクトロルミネッセンス強度に応じてエネルギー量が異なるように、各測定領域の光電変換体Pに対し光照射が行なわれる。すなわち、各測定領域のエレクトロルミネッセンス強度から光電変換装置11全体におけるエレクトロルミネッセンス強度の面内分布を求め、この面内分布におけるエレクトロルミネッセンス強度の低い側の値を示す測定領域に対して照射される光エネルギーが、上記面内分布におけるエレクトロルミネッセンス強度の高い側の値を示す測定領域に対して照射される光エネルギーよりも高くなるようにする。なお、上記面内分布におけるエレクトロルミネッセンス強度の高い側の値を示す測定領域に対しては光照射が行なわれなくてもよく、ある程度光照射が行なわれてもよい。各測定領域に照射される光は、エレクトロルミネッセンス強度が低いものほど光エネルギー量が高くなるように設定されてもよいがこれに限定されない。例えば、エレクトロルミネッセンス強度の面内分布における最低値と最高値との間に基準値を設定し、この基準値よりも低い値を示す群と高い値を示す群とに分け、同じ群に所属する各測定領域に対しては同じエネルギー量の光照射が行なわれてもよい。なお、この基準値は複数あって3以上の群に分けられてもよい。各測定領域に対する光照射は、例えば、図5のようにして実施される。図5は光電変換装置11に対して光照射が行なわれている様子を示す概略図である。図5において、光照射機101は複数の光源100を下面に備えている。光源100は光電変換体Pが吸収する光L1~L7を発する。光電変換装置11が太陽電池として用いられる場合、光源100が発する光L1~L7は、例えば、太陽光標準スペクトルAMエアマス1.5の疑似太陽光が用いられてもよい。光照射機101において光源100は、上記光電変換装置11状の測定領域に対応して、6個×7個のマトリックス状に配置されている。なお、光源100は、この例では測定領域の数に相当する42個が配置されているが、これに限定されず、測定領域の数よりも多くてもよい。そして、各測定領域のエレクトロルミネッセンス強度に応じて、各測定領域に対して配置されている光源100から発せられる光L1~L7の各光エネルギーの量が調整される。各光源100から発せられる光エネルギーの量は、例えば各光源100の光強度や照射時間を変えることに調整され得る。例えば、低い側にエレクトロルミネッセンス強度を示す測定領域に対応した光源100の光強度は高くされ、高い側にエレクトロルミネッセンス強度を示す測定領域に対応した光源100の光強度は低くされる。あるいは、低い側にエレクトロルミネッセンス強度を示す測定領域に対応した光源100の照射時間は長くされ、高い側にエレクトロルミネッセンス強度を示す測定領域に対応した光源100の照射時間は短くされる。また、各光源100において光強度および照射時間がともに調整されてもよい。光電変換体Pは光照射されると、始めは付与した光エネルギーの増加とともに光電変換効率が上昇するが、ある程度のところで飽和に達する傾向がある。よって、予め光電変換体Pのエレクトロルミネッセンス強度と、光電変換効率が飽和に達するのに必要な光エネルギーの量との関係を実験により求めておくことで、各測定領域に対して必要な光エネルギー量を設定することができる。以上のように、光電変換体Pのエレクトロルミネッセンス強度に応じて光照射を行なうことにより、光電変換装置11の光電変換効率が向上する。すなわち、欠陥が多くてエレクトロルミネッセンス強度の低い領域については、光照射のエネルギー量を高くすることにより、欠陥を効率よく低減させることができる。一方、欠陥が比較的少なくてエレクトロルミネッセンス強度の高い領域については、過度の光照射による光電変換効率の低下を抑制できる。このようにして作製された光電変換装置11は、上記光照射が行なわれた後に、光電変換セル10が、例えばエチレン酢酸ビニル共重合樹脂EVA等の封止材で封止される。なお、光電変換装置11は、先に封止材で光電変換セル10が封止された後、各光電変換セル10に対して光照射が行なわれてもよい。光電変換装置11が長期にわたり高い光電変換効率を維持するようにするという観点では、光電変換セル10が封止材によって封止される前に、光照射が行なわれるのがよい。この理由としては、光電変換体Pに存在する欠陥が光照射によって修復される際、化学変化が起こって副生成物が生成することが要因ではないかと考えられる。つまり、光電変換セル10が封止される前に光照射された場合は、この生成した副生成物が大気中に放出されるが、光電変換セル10が封止された後に光照射された場合は、上記副生成物が封止材に閉じ込められるため、この閉じ込められた副生成物が再度、欠陥を形成するのではないかと考えられる。具体的には、第2の半導体層4としてZnS,OH等のII族元素の混晶化合物やInS,OH等のIII族元素の混晶化合物が水溶液を用いたCBD法で形成されている場合、光照射により混晶化合物中の水酸化物が酸化物となり、副生成物として水素や水が生じていると考えられる。本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が施されることは何等差し支えない。"