基板と、前記基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡と、第1の半導体多層膜反射鏡上に形成された活性領域と、活性領域上に形成された前記第1導電型と異なる第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡と、前記基板上に形成され、前記第2の半導体多層膜反射鏡から前記第1の半導体多層膜反射鏡に至る方向に延在する柱状構造と、前記柱状構造内に形成され、選択的に酸化された酸化領域によって囲まれた導電領域を有する電流狭窄層と、前記柱状構造の頂部に形成され、前記第2の半導体多層膜反射鏡と電気的に接続され、かつ光出射口を規定する環状の第1の電極と、発振波長を透過可能な第1の屈折率n1を有する材料から構成され、前記光出射口を覆う第1の誘電体膜と、発振波長を透過可能な第2の屈折率n2を有する材料から構成され、前記第1の誘電体膜上に形成された第2の誘電体膜とを有し、前記第2の誘電体膜は、前記基板の主面と平行な面において長軸と短軸とを有する異方形状を有し、前記第2の誘電体膜は、前記基板側からみて前記導電領域と重複する位置にあり、前記第2の屈折率n2は第1の屈折率n1よりも大きく、前記第1の誘電体膜の膜厚は、λ/4n1λは発振波長の奇数倍であり、前記第2の誘電体膜は、λ/4n2の奇数倍である、面発光型半導体レーザ。前記導電領域の平面形状が円形であるとき、前記第2の誘電体膜の長軸と短軸との交点が前記導電領域の中心と一致し、かつ前記第2の誘電体膜の長軸の長さは、前記導電領域の直径よりも小さい、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。前記導電領域の平面形状が長軸と短軸とを有する異方形状であるとき、前記第2の誘電体膜の長軸と短軸の交点が前記導電領域の長軸と短軸の交点に一致し、前記第2の誘電体膜の長軸方向が前記導電領域の長軸方向に一致し、前記第2の誘電体膜の長軸の長さが前記導電領域の長軸の長さよりも小さい、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。前記第2の半導体多層膜反射鏡を構成する半導体層の発振波長に対する第3の屈折率n3は、第2の屈折率n2よりも大きい、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。基板と、前記基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡と、第1の半導体多層膜反射鏡上に形成された活性領域と、活性領域上に形成された前記第1導電型と異なる第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡と、前記基板上に形成され、前記第2の半導体多層膜反射鏡から前記第1の半導体多層膜反射鏡に至る方向に延在する柱状構造と、前記柱状構造内に形成され、選択的に酸化された酸化領域によって囲まれた導電領域を有する電流狭窄層と、前記柱状構造の頂部に形成され、前記第2の半導体多層膜反射鏡と電気的に接続され、かつ光出射口を規定する環状の第1の電極と、発振波長を透過可能な第1の屈折率n1を有する材料から構成され、前記光出射口を覆う第1の誘電体膜と、発振波長を透過可能な第2の屈折率n2を有する材料から構成され、前記第1の誘電体膜上に形成された第2の誘電体膜とを有し、前記第2の誘電体膜は、前記基板の主面と平行な面において長軸と短軸とを有する異方形状の開口部を含み、当該開口部は、前記基板側からみて前記導電領域と重複する位置にあって前記光出射口内の第1の誘電体膜を露出させ、前記第2の屈折率n2は第1の屈折率n1よりも大きく、前記第1の誘電体膜の膜厚は、λ/2n1λは発振波長の正の整数倍であり、前記第2の誘電体膜は、λ/4n2の奇数倍である、面発光型半導体レーザ。前記導電領域の平面形状が円形であるとき、前記第2の誘電体膜の開口部の長軸と短軸との交点が前記導電領域の中心と一致し、かつ前記第2の誘電体膜の開口部の長軸の長さは、前記導電領域の直径よりも小さい、請求項7に記載の面発光型半導体レーザ。前記導電領域の平面形状が長軸と短軸とを有する異方形状であるとき、前記第2の誘電体膜の開口部の長軸と短軸の交点が前記導電領域の長軸と短軸の交点に一致し、前記第2の誘電体膜の開口部の長軸方向が前記導電領域の長軸方向に一致し、前記第2の誘電体膜の開口部の長軸の長さが前記導電領域の長軸の長さよりも小さい、請求項7に記載の面発光型半導体レーザ。前記第2の半導体多層膜反射鏡を構成する半導体層の発振波長に対する第3の屈折率n3は、第2の屈折率n2よりも大きい、請求項7ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザからの光を入射する光学部材と、を実装した面発光型半導体レーザ装置。請求項9に記載された面発光型半導体レーザ装置と、前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段と、を備えた光伝送装置。請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、を有する情報処理装置。本発明は、基本横モード光の偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザを提供することを目的とする。請求項1は、基板と、前記基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡と、第1の半導体多層膜反射鏡上に形成された活性領域と、活性領域上に形成された前記第1導電型と異なる第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡と、前記基板上に形成され、前記第2の半導体多層膜反射鏡から前記第1の半導体多層膜反射鏡に至る方向に延在する柱状構造と、前記柱状構造内に形成され、選択的に酸化された酸化領域によって囲まれた導電領域を有する電流狭窄層と、前記柱状構造の頂部に形成され、前記第2の半導体多層膜反射鏡と電気的に接続され、かつ光出射口を規定する環状の第1の電極と、発振波長を透過可能な第1の屈折率n1を有する材料から構成され、前記光出射口を覆う第1の誘電体膜と、発振波長を透過可能な第2の屈折率n2を有する材料から構成され、前記第1の誘電体膜上に形成された第2の誘電体膜とを有し、前記第2の誘電体膜は、前記基板の主面と平行な面において長軸と短軸とを有する異方形状を有し、前記第2の誘電体膜は、前記基板側からみて前記導電領域と重複する位置にあり、前記第2の屈折率n2は第1の屈折率n1よりも大きく、前記第1の誘電体膜の膜厚は、λ/4n1λは発振波長の奇数倍であり、前記第2の誘電体膜は、λ/4n2の奇数倍である、面発光型半導体レーザ。請求項2は、前記導電領域の平面形状が円形であるとき、前記第2の誘電体膜の長軸と短軸との交点が前記導電領域の中心と一致し、かつ前記第2の誘電体膜の長軸の長さは、前記導電領域の直径よりも小さい、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。請求項3は、前記導電領域の平面形状が長軸と短軸とを有する異方形状であるとき、前記第2の誘電体膜の長軸と短軸の交点が前記導電領域の長軸と短軸の交点に一致し、前記第2の誘電体膜の長軸方向が前記導電領域の長軸方向に一致し、前記第2の誘電体膜の長軸の長さが前記導電領域の長軸の長さよりも小さい、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。請求項4は、前記第2の半導体多層膜反射鏡を構成する半導体層の発振波長に対する第3の屈折率n3は、第2の屈折率n2よりも大きい、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。請求項5は、基板と、前記基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡と、第1の半導体多層膜反射鏡上に形成された活性領域と、活性領域上に形成された前記第1導電型と異なる第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡と、前記基板上に形成され、前記第2の半導体多層膜反射鏡から前記第1の半導体多層膜反射鏡に至る方向に延在する柱状構造と、前記柱状構造内に形成され、選択的に酸化された酸化領域によって囲まれた導電領域を有する電流狭窄層と、前記柱状構造の頂部に形成され、前記第2の半導体多層膜反射鏡と電気的に接続され、かつ光出射口を規定する環状の第1の電極と、発振波長を透過可能な第1の屈折率n1を有する材料から構成され、前記光出射口を覆う第1の誘電体膜と、発振波長を透過可能な第2の屈折率n2を有する材料から構成され、前記第1の誘電体膜上に形成された第2の誘電体膜とを有し、前記第2の誘電体膜は、前記基板の主面と平行な面において長軸と短軸とを有する異方形状の開口部を含み、当該開口部は、前記基板側からみて前記導電領域と重複する位置にあって前記光出射口内の第1の誘電体膜を露出させ、前記第2の屈折率n2は第1の屈折率n1よりも大きく、前記第1の誘電体膜の膜厚は、λ/2n1λは発振波長の正の整数倍であり、前記第2の誘電体膜は、λ/4n2の奇数倍である、面発光型半導体レーザ。請求項6は、前記導電領域の平面形状が円形であるとき、前記第2の誘電体膜の開口部の長軸と短軸との交点が前記導電領域の中心と一致し、かつ前記第2の誘電体膜の開口部の長軸の長さは、前記導電領域の直径よりも小さい、請求項7に記載の面発光型半導体レーザ。請求項7は、前記導電領域の平面形状が長軸と短軸とを有する異方形状であるとき、前記第2の誘電体膜の開口部の長軸と短軸の交点が前記導電領域の長軸と短軸の交点に一致し、前記第2の誘電体膜の開口部の長軸方向が前記導電領域の長軸方向に一致し、前記第2の誘電体膜の開口部の長軸の長さが前記導電領域の長軸の長さよりも小さい、請求項7に記載の面発光型半導体レーザ。請求項8は、前記第2の半導体多層膜反射鏡を構成する半導体層の発振波長に対する第3の屈折率n3は、第2の屈折率n2よりも大きい、請求項7ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。請求項9は、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザからの光を入射する光学部材と、を実装した面発光型半導体レーザ装置。請求項10は、請求項9に記載された面発光型半導体レーザ装置と、前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段と、を備えた光伝送装置。請求項11は、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、を有する情報処理装置。請求項1、5によれば、基本横モード光を偏光制御することができる。請求項2、6によれば、導電領域が円形を持たない面発光型半導体レーザと比較して、素子の寿命を長くすることができる。請求項3、7によれば、導電領域が円形の面発光型半導体レーザと比較して、偏光制御をより安定化させることができる。請求項4、8によれば、第3の屈折率n3が第2の屈折率n2よりも大きい関係にない面発光型半導体レーザと比較して、基本横モード発振を促進し、高次横モード発振を抑制することができる。次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。以下の説明では、選択酸化型の面発光型半導体レーザVCSEL:VerticalCavitySurfaceEmittingLaserを例示し、面発光型半導体レーザをVCSELと称する。なお、図面のスケールは、発明の特徴を分かり易くするために強調しており、必ずしも実際のデバイスのスケールと同一ではないことに留意すべきである。図1は、本発明の第1の実施例に係るVCSELの概略平面図とその断面図である。同図に示すように、本実施例のVCSEL10は、n型のGaAs基板100上に、Al組成の異なるAlGaAs層を交互に重ねたn型の下部分布ブラック型反射鏡DistributedBraggReflector:以下、DBRという102、下部DBR102上に形成された上部および下部スペーサ層に挟まれた量子井戸層を含む活性領域104、活性領域104上に形成されたAl組成の異なるAlGaAs層を交互に重ねたp型の上部DBR106を積層している。n型の下部DBR102は、例えば、Al09Ga01As層とAl03Ga07As層との対の複数層積層体で、各層の厚さはλ/4nr但し、λは発振波長、nrは媒質の屈折率であり、これらを交互に40周期で積層してある。n型不純物であるシリコンをドーピングした後のキャリア濃度は、例えば、3×1018cm3である。活性領域104の下部スペーサ層は、例えば、アンドープのAl06Ga04As層であり、量子井戸活性層は、アンドープAl011Ga089As量子井戸層およびアンドープのAl03Ga07As障壁層であり、上部スペーサ層は、アンドープのAl06Ga04As層である。p型の上部DBR106は、例えば、Al09Ga01As層とAl03Ga07As層との対の複数層積層体で、各層の厚さはλ/4nrであり、これらを交互に24周期積層してある。p型不純物であるカーボンをドーピングした後のキャリア濃度は、例えば、3×1018cm3である。また、上部DBR106の最上層には、p型GaAsからなるコンタクト層106Aが形成され、上部DBR106の最下層もしくはその内部には、p型のAlAsからなる電流狭窄層108が形成される。上部DBR106から下部DBR102に至るまで半導体層をエッチングすることにより、基板100上に円筒状のメサ柱状構造Mが形成される。メサMのエッチングは、少なくとも電流狭窄層108を側面に露出させる深さであればよい。電流狭窄層108は、メサMの側面で露出され、当該側面から選択的に酸化された酸化領域108Aと酸化領域108Aによって囲まれた導電領域酸化アパーチャ108Bとを有する。電流狭窄層108の酸化工程において、AlAs層の酸化速度は、AlGaAs層よりも速く、メサMの側面から内部に向けてほぼ一定の速度で酸化が進行する。このため、導電領域108Bの基板100の主面と平行な面内の平面形状は、メサMの外形を反映した円形状となり、その中心は、メサMの軸方向の中心、すなわち光軸と一致する。導電領域108Bの径は、高次横モード発振が生じる大きさであることができ、例えば、780nmの波長帯で、5ミクロンまたはそれ以上とすることができる。メサMの最上層または頂部には、金属製の環状のp側電極110が形成される。p側電極110は、例えば、AuまたはTi/Auなどを積層した金属から構成され、上部DBR106のコンタクト層106Aにオーミック接続される。p側電極110の中央には、円形状の開口部が形成され、当該開口部は、光を出射する光出射口110Aを規定する。好ましくは、光出射口110Aの中心は、メサMの光軸に一致し、光出射口110Aの直径は、導電領域108Bの直径よりも大きい。p側電極110の光出射口110Aを覆うように円形パターンの第1の誘電体膜112が形成される。第1の誘電体膜112は、発振波長を透過可能な材料から構成され、その膜厚は、媒質内波長のλ/4の奇数倍、すなわち2n-1λ/4である但し、nは正の整数である。第1の誘電体膜112の外径は、p側電極の外径よりも小さくかつ光出射口110Aの径よりも大きく、これにより、光出射口110Aは、第1の誘電体膜112によって完全に覆われる。メサMの底部、側部および頂部の周縁を覆うように層間絶縁膜114が形成される。メサMの頂部において、層間絶縁膜114には円形状のコンタクトホール116が形成され、p側電極110の一部が露出される。p側電極110は、コンタクトホール116を介して図示しない配線に接続される。さらに第1の誘電体膜112上には、発振波長を透過可能な材料から構成された第2の誘電体膜118が形成される。第2の誘電体膜118は、好ましくは長軸と短軸とを有する異方形状を有し、第1の実施例では、第2の誘電体膜118は楕円形状に加工されている。第2の誘電体膜118は、基板100から見たとき導電領域108Bと重複する位置に形成され、好ましくは、第2の誘電体膜118の中心長軸と短軸との交点は光軸に一致し、第2の誘電体膜118の長軸および短軸の長さは、導電領域108Bの直径Dよりも小さい。さらに第2の誘電体膜118の縦横比長軸/短軸をNとし、第2の誘電体膜118の短軸の長さが1ミクロンであるとしたとき、1<N<Dの関係にあることが望ましい。つまり、長軸の長さは、導電領域108Bの直径よりも小さい。また、第2の誘電体膜118の膜厚は、媒質内波長のλ/4の奇数倍、すなわち2n-1λ/4である但し、nは正の整数である。好ましい例では、第2の誘電体膜118は、層間絶縁膜114と同一の材料を用いることで同一の工程によって形成することができる。そして、基板100の裏面には、下部DBR102と電気的に接続されるn側電極120が形成される。ここで、第1の誘電体膜112の屈折率をn1、第2の誘電体膜118の屈折率をn2、上部DBR108の半導体層コンタクト層106Aの屈折率をn3とすると、n1<n2<n3の関係にある。また、上記したように、第1および第2の誘電体膜112、118の膜厚は、λ/4の奇数倍である。その結果、第2の誘電体膜118によって覆われた領域の反射率r1は、第2の誘電体膜118によって覆われていない領域の反射率r2よりも高くなる。このため、光出射口110A内において、第2の誘電体膜118が存在する光軸近傍の発振が促進され、他方、第2の誘電体膜118が存在しない光軸から離れた周辺領域の発振が抑制され、光出射口110Aからは基本横モード発振の光が出力される。同時に、第2の誘電体膜118は、光軸に関して異方性を有するため、光出射口110A内に反射率差r1-r2に異方性が生じることで、基本横モード光が長軸方向に偏光制御される。好ましくは、第1および第2の誘電体膜112、118の屈折率n1とn2の差が大きくなるような材料を選択することが望ましい。これにより、第2の誘電体膜118によって覆われた領域と覆われていない領域の反射率差r1-r2を大きくすることができる。例えば、第1の誘電体膜112は、SiONから構成され、第2の誘電体膜118は、SiNから構成される。これ以外にも、第1の誘電体膜112および第2の誘電体膜118は、図2に示すような組合せから構成されることができる。上部DBR106がAl09Ga01As層とAl03Ga07As層の24周期であり、第1の誘電体膜112がSiONλ/4の膜厚から構成され、第2の誘電体膜118がSiNλ/4の膜厚から構成されたとき、第2の誘電体膜118によって覆われた領域の反射率r1は、約99.7であり、第2の誘電体膜118によって覆われていない領域の反射率r2は、約99.2である。典型的にレーザ発振に必要な反射率は、おおよそ99.5であるため、第2の誘電体膜118上の光軸上に発生する光が発振され易くなり、他方、光軸から離れた高次横モードの発振が抑制される。当業者であれば、上部DBR106の周期数や第1および第2の誘電体膜112、118の材料を選択することで、反射率r1、r2を適宜調整することが可能である。高速高画質プリンターで使用するVCSELは、シングルモード動作が要求され、今後はさらなるプリント性能の改善に向けて、シングルモード光出力をさらに高め、偏光が安定な長寿命のVCSELが求められる。シングルモード光出力をさらに高めて寿命を延ばすためには、導電領域酸化アパーチャ108Bの径を広径化する必要があるが、楕円形状のような異方性を持つ導電領域にすると、シングルモードが得られる径は長軸で決まってしまう。そのため、酸化アパーチャが楕円形状だと、短軸はシングルモードが得られる最大径よりも小さくしなければならず、長軸のサイズで円を形成した導電領域の面積よりも小さくなる。したがって、導電領域の面積が小さい分抵抗が増加し、素子の自己発熱の影響が強まり光出力寿命としても円形状の酸化アパーチャ径よりも不利となる。シングルモード光出力をさらに高めた偏光が安定な長寿命の面発光半導体レーザを実現するためには、本実施例では、導電領域酸化アパーチャ108Bは異方性を持たずに円形状にし、光出射口110Aの異方性の誘電体膜において偏光を安定化させている。また、従来より光出射面の一部に透明な誘電体膜を付加して反射率に異方性を持たせるものがあるが、半導体層が露出する領域があり、水分の影響などで信頼性に不利という点がある。本実施例では、光出射口110Aの全域が第1の誘電体膜112によって完全に覆われ、保護されており、半導体層が水分の影響を受けることはない。また、同一材料を用いその膜厚差を利用することで反射率差を形成する従来例も存在するが、そのような膜厚差を制御良く作製するのは難しい。本実施例では、2つの異なる誘電体膜112、118の膜厚を制御することで比較的容易に基本横モードを制御することができる。図3は、第1の実施例に係るVCSELの第1の変形例を示す平面図である。図3に示すVCSEL10Aでは、第2の誘電体膜118Aが長軸と短軸とを有する矩形状に加工されている。第2の誘電体膜118Aが矩形状である以外の構成は、図1の構成と同様である。好ましくは、第2の誘電体膜118Aの対角線の交点が光軸に一致し、その短辺および長辺の長さは、導電領域108Bの直径よりも小さい。本変形例においても、光出射口110Aから出力される光は、第2の誘電体膜118Aの利得の異方性により、基本横モードが制御されかつ長辺方向に偏光が制御される。図4は、第1の実施例に係るVCSELの第2の変形例を示す平面図とそのA-A線およびB-B線断面図である。第2の変形例に係るVCSEL10Bでは、メサM1が楕円形状に形成されている点で、図1に示すVCSEL10と構成を異にしている。メサM1を楕円状にすることで、メサM1の酸化領域108Aにより囲まれた導電領域108Bの平面形状が楕円形状となる。導電領域108Bの長軸方向は、第2の誘電体膜118の長軸方向に一致し、第2の誘電体膜118の長軸および短軸の長さは、導電領域108Bの長軸および短軸の長さよりもそれぞれ小さい。第2の変形例では、導電領域108Bが光軸に関し長軸と短軸を有する異方性であるため利得にも異方性が生じ、第2の誘電体膜118と相俟って、より効果的な偏光制御を行うことができる。なお、図4において、p側電極110の光出射口110Aを楕円形状にしているが、光出射口110Aは、図1のときと同様に円形状であってもよい。図5は、第1の実施例に係るVCSELの第3の変形例を示す図である。第3の変形例に係るVCSEL10Cは、第2の変形例と同様に楕円状のメサM1を有し、楕円状の導電領域108Bが形成されているが、第2の誘電体膜118の配向を異にしている。すなわち、第2の誘電体膜118の長軸方向は、導電領域108Bの長軸方向と直交する関係にある。第3の変形例においても、第2の誘電体膜118の長軸の長さは、導電領域108Bの短軸の長さよりも小さく、第2の誘電体膜118の短軸の長さは、導電領域108Bの長軸の長さよりも小さい。好ましくは導電領域108Bの面積を大きくすることで、レーザ発振の利得を大きくし、第2の誘電体膜118により基本横モード制御されかつ偏光制御されたレーザ光を出力させる。次に、本発明の第2の実施例ついて説明する。図6は、本発明の第2の実施例に係るVCSEL12の平面図と、そのA-A線断面図、B-B線断面図であり、第1の実施例と同一構成については同一参照番号を付してある。第1の実施例と異なる点は、光出射口110Aに形成される第1および第2の誘電体膜210、220の構成である。第2の実施例において、第1の誘電体膜210は、p側電極110の開口部によって規定された光出射口110Aの全体を覆い、かつ表面保護膜として機能する。さらに、第1の誘電体膜210上に第2の誘電体膜220が形成される。第2の誘電体膜220の中央には、第1の誘電体膜210を露出させる開口部220Aが形成される。開口部220Aは、長軸および短軸を有する異方形状であり、ここでは、開口部220Aは、楕円形状に加工される。開口部220Aは、基板100からみたとき導電領域108Bと重複するように位置決めされ、好ましくは、開口部220Aの中心短軸と長軸との交点は、導電領域108Bの中心光軸に一致し、開口部220Aの長軸および短軸の長さは、導電領域108Bの直径よりも小さい。また、第2の誘電体膜220の屈折率n2は、第1の誘電体膜210の屈折率n1よりも大きくn2>n1、第1の誘電体膜210の光学的膜厚は、λ/2の整数倍、第2の誘電体膜220の光学的膜厚は、λ/4の奇数倍であることが望ましい。第2の誘電体膜220の開口部220Aの反射率r1よりも、第2の誘電体膜220によって覆われている領域の反射率r2を小さくすることができる。これにより、光軸から離れた位置で発生する高次横モード発振が抑制される。その結果、光出射口110Aからは基本横モード光が出力される。また、第2の誘電体膜220の開口部220Aが異方形状を有するため、反射率に異方性が生じ、基本横モード光が偏光制御される。なお、第1および第2の誘電体膜210、220は、反射率差r1-r2が大きくなるような屈折率を有する材料が選択されることが望ましい。第2の実施例に係るVCSELについても、第1の実施例のときの第1ないし第3の変形例を適用することが可能である。第2の誘電体膜220の開口部220Aの形状は、第1の変形例図3を参照のように長辺と短辺を有する矩形状にすることができる。また、メサMを第2の変形例図4、図5を参照のように楕円状にすることで、導電領域108Bの平面形状を楕円形状にすることも可能である。上記第1、第2の実施例では、長軸および短軸を有する異方形状として、楕円形状、矩形状を例示したが、これ以外の形状であってもよい。また、第1、第2の実施例では、AlAsから構成された電流狭窄層108を例示したが、電流狭窄層108は、Al組成を他のDBRのAl組成よりも高くしたAlGaAs層であってもよい。さらに、電流狭窄層108の導電領域酸化アパーチャ108Bの径は、要求される光出力などに応じて適宜変更することができる。さらに上記実施例では、GaAs系のVCSELを例示したが、本発明は、他のIII-V族の化合物半導体を用いたVCSELにも適用することができる。さらに上記実施例では、n型のGaAs基板の裏面にn側電極を形成したが、n側電極は、下部DBR102と電気的に接続されるようにメサ底部に形成してもよい。この場合、基板は、半絶縁性であってもよい。さらに上記実施例では、シングルスポットのVCSELを例示したが、基板上に多数のメサ発光部が形成されたマルチスポットのVCSELあるいはVCSELアレイであってもよい。次に、本実施例のVCSELを利用した面発光型半導体レーザ装置、光情報処理装置および光伝送装置について図面を参照して説明する。図7Aは、VCSELと光学部材を実装パッケージした面発光型半導体レーザ装置の構成を示す断面図である。面発光型半導体レーザ装置300は、VCSELが形成されたチップ310を、導電性接着剤320を介して円盤状の金属ステム330上に固定する。導電性のリード340、342は、ステム330に形成された貫通孔図示省略内に挿入され、一方のリード340は、VCSELのn側電極に電気的に接続され、他方のリード342は、p側電極に電気的に接続される。チップ310を含むステム330上に矩形状の中空のキャップ350が固定され、キャップ350の中央の開口352内に光学部材のボールレンズ360が固定されている。ボールレンズ360の光軸は、チップ310のほぼ中心と一致するように位置決めされる。リード340、342間に順方向の電圧が印加されると、チップ310から垂直方向にレーザ光が出射される。チップ310とボールレンズ360との距離は、チップ310からのレーザ光の広がり角θ内にボールレンズ360が含まれるように調整される。また、キャップ内に、VCSELの発光状態をモニターするための受光素子や温度センサを含ませるようにしてもよい。図7Bは、他の面発光型半導体レーザ装置の構成を示す図であり、同図に示す面発光型半導体レーザ装置302は、ボールレンズ360を用いる代わりに、キャップ350の中央の開口352内に平板ガラス362を固定している。平板ガラス362の中心は、チップ310のほぼ中心と一致するように位置決めされる。チップ310と平板ガラス362との距離は、平板ガラス362の開口径がチップ310からのレーザ光の広がり角度θ以上になるように調整される。図8は、VCSELを光情報処理装置の光源に適用した例を示す図である。光情報処理装置370は、図7Aまたは図7BのようにVCSELを実装した面発光型半導体レーザ装置300または302からのレーザ光を入射するコリメータレンズ372、一定の速度で回転し、コリメータレンズ372からの光線束を一定の広がり角で反射するポリゴンミラー374、ポリゴンミラー374からのレーザ光を入射し反射ミラー378を照射するfθレンズ376、ライン状の反射ミラー378、反射ミラー378からの反射光に基づき潜像を形成する感光体ドラム380を備えている。このように、VCSELからのレーザ光を感光体ドラム上に集光する光学系と、集光されたレーザ光を光体ドラム上で走査する機構とを備えた複写機やプリンタなど、光情報処理装置の光源として利用することができる。図9は、図7Aに示す面発光型半導体レーザ装置を光伝送装置に適用したときの構成を示す断面図である。光伝送装置400は、ステム330に固定された円筒状の筐体410、筐体410の端面に一体に形成されたスリーブ420、スリーブ420の開口422内に保持されるフェルール430、およびフェルール430によって保持される光ファイバ440を含んで構成される。ステム330の円周方向に形成されたフランジ332には、筐体410の端部が固定される。フェルール430は、スリーブ420の開口422に正確に位置決めされ、光ファイバ440の光軸がボールレンズ360の光軸に整合される。フェルール430の貫通孔432内に光ファイバ440の芯線が保持されている。チップ310の表面から出射されたレーザ光は、ボールレンズ360によって集光され、集光された光は、光ファイバ440の芯線に入射され、送信される。上記例ではボールレンズ360を用いているが、これ以外にも両凸レンズや平凸レンズ等の他のレンズを用いることができる。さらに、光伝送装置400は、リード340、342に電気信号を印加するための駆動回路を含むものであってもよい。さらに、光伝送装置400は、光ファイバ440を介して光信号を受信するための受信機能を含むものであってもよい。以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。