発光部と受光部とを備え、対象物に対して前記発光部から光を照射し、前記対象物からの反射光を前記受光部で受光する光学装置であって、前記発光部及び前記受光部は前記対象物に対して同じ側に設けられ、前記発光部は前記受光部より前記対象物側に位置し、前記発光部は、透光性を有すると共に、第一電極と第二電極との間に設けられた発光層を備え、前記第一電極は第一第一電極と第二第一電極とを有し、前記第一第一電極と前記第二第一電極とは別々に電源に接続され、前記受光部は、光量を計測する計測セルを備える事を特徴とする光学装置。前記第一第一電極と前記第二第一電極とは櫛歯状で、互いに噛み合う様に配置されている事を特徴とする請求項1に記載の光学装置。請求項2に記載の光学装置を用いた撮像方法であって、前記第一第一電極又は前記第二第一電極の一方が前記電源に接続された状態で前記反射光を前記受光部にて受光して前記対象物の画像が形成される事を特徴とする撮像方法。請求項2に記載の光学装置を用いた生体認証方法であって、画像形成工程と認証工程とを含み、前記画像形成工程では、前記第一第一電極又は前記第二第一電極の一方が前記電源に接続された状態で前記反射光を前記受光部にて受光して前記対象物の画像が形成され、前記認証工程では、前記対象物の画像を用いて生体認証が行われる事を特徴とする生体認証方法。請求項2に記載の光学装置を用いた撮像方法であって、前記第一第一電極が前記電源に接続された状態で前記反射光を前記受光部にて受光して前記対象物の第一画像が形成され、前記第二第一電極が前記電源に接続された状態で前記反射光を前記受光部にて受光して前記対象物の第二画像が形成され、前記第一画像と前記第二画像とを用いて前記対象物の画像が形成される事を特徴とする撮像方法。請求項2に記載の光学装置を用いた生体認証方法であって、画像形成工程と認証工程とを含み、前記画像形成工程では、前記第一第一電極が前記電源に接続された状態で前記反射光を前記受光部にて受光して前記対象物の第一画像が形成され、前記第二第一電極が前記電源に接続された状態で前記反射光を前記受光部にて受光して前記対象物の第二画像が形成され、前記第一画像と前記第二画像とを用いて前記対象物の画像が形成され、前記認証工程では、前記対象物の画像を用いて生体認証が行われる事を特徴とする生体認証方法。請求項2に記載の光学装置を用いた撮像方法であって、オフ画像形成工程と元画像形成工程と差分工程とを含み、前記オフ画像形成工程では、前記第一第一電極と前記第二第一電極とが前記電源に接続されぬ状態で前記対象物のオフ画像が形成され、前記元画像形成工程では、前記第一第一電極又は前記第二第一電極の一方が前記電源に接続された状態で前記反射光を前記受光部にて受光して前記対象物の元画像が形成され、前記差分工程では、前記元画像から前記オフ画像を減じて前記対象物の画像が形成される事を特徴とする撮像方法。請求項2に記載の光学装置を用いた生体認証方法であって、画像形成工程と認証工程とを含み、前記画像形成工程では、前記第一第一電極と前記第二第一電極とが前記電源に接続されぬ状態で前記対象物のオフ画像が形成され、前記第一第一電極が前記電源に接続された状態で前記反射光を前記受光部にて受光して前記対象物の第一元画像が形成され、前記第二第一電極が前記電源に接続された状態で前記反射光を前記受光部にて受光して前記対象物の第二元画像が形成され、前記第一元画像から前記オフ画像を減じて第一画像が形成され、前記第二元画像から前記オフ画像を減じて第二画像が形成され、前記第一画像と前記第二画像とを用いて前記対象物の画像が形成され、前記認証工程では、前記対象物の画像を用いて生体認証が行われる事を特徴とする生体認証方法。請求項1又は2に記載の光学装置を備えた事を特徴とする静脈センサー。請求項1又は2に記載の光学装置を備えた事を特徴とする指紋センサー。しかしながら、特許文献1に記載された生体情報取得装置では、鮮明な画像を撮像し難いという課題があった。即ち、情報を読み取るべき反射光シグナル光よりも、場合によっては、光量が大きい出射光ノイズ光が受光素子に導入され、シグナル光のノイズ光に対する割合S/N比が低下していた。これは、各画素に入射する反射光の光路上各画素から鉛直方向に延びる直線上に、反射光よりも光量が大きい光源からの出射光を導光する導光板が存在する為であり、又、光源からの出射光の一部が、導光板の背面側に形成された低屈折率層や反射層半反射層を透過して受光素子側に漏れ出てしまう為である。こうした結果、受光素子が指からの反射光を精度よく受光する事ができないという課題があった。本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。適用例1本適用例に係わる光学装置は、発光部と受光部とを備え、対象物に対して発光部から光を照射し、対象物からの反射光を受光部で受光する光学装置であって、発光部及び受光部は対象物に対して同じ側に設けられ、発光部は受光部より対象物側に位置し、発光部は、透光性を有すると共に、第一電極と第二電極との間に設けられた発光層を備え、第一電極は第一第一電極と第二第一電極とを有し、第一第一電極と第二第一電極とは別々に電源に接続され、受光部は、光量を計測する計測セルを備える事を特徴とする。この構成によれば、第一第一電極による発光と第二第一電極による発光とを交互に行い得るので、一方の領域が発光している際に他方の領域で受光する事ができ、シグナル光のノイズ光に対する割合S/N比を高める事ができる。即ち、鮮明な画像を容易に撮像する事ができる。適用例2上記適用例に係わる光学装置において、第一第一電極と第二第一電極とは櫛歯状で、互いに噛み合う様に配置されている事が好ましい。この構成によれば、発光している領域発光領域と受光している領域受光領域との距離を近過ぎず遠過ぎず最適にし得るので、鮮明な画像を容易に撮像する事ができる。適用例3適用例2に記載の光学装置を用いた撮像方法であって、第一第一電極又は第二第一電極の一方が電源に接続された状態で反射光を受光部にて受光して対象物の画像が形成される事を特徴とする。この構成によれば、電源に接続している方の第一電極部を発光領域とし、電源に接続していない方の第一電極部を受光領域とするので、鮮明な画像を容易に撮像する事ができる。適用例4適用例2に記載の光学装置を用いた生体認証方法であって、画像形成工程と認証工程とを含み、画像形成工程では、第一第一電極又は第二第一電極の一方が電源に接続された状態で反射光を受光部にて受光して対象物の画像が形成され、認証工程では、対象物の画像を用いて生体認証が行われる事を特徴とする。この構成によれば、鮮明な画像を用いて生体認証が行われるので、認証精度を高める事ができる。適用例5適用例2に記載の光学装置を用いた撮像方法であって、第一第一電極が電源に接続された状態で反射光を受光部にて受光して対象物の第一画像が形成され、第二第一電極が電源に接続された状態で反射光を受光部にて受光して対象物の第二画像が形成され、第一画像と第二画像とを用いて対象物の画像が形成される事を特徴とする。第一画像では第二第一電極部のS/N比が高く、第二画像では第一第一電極部のS/N比が高くなる。両画像でS/N比が高い領域は相補的になり、これらの合成画像を作れるので、この構成によれば、画像全域に渡りS/N比を高くする事ができる。適用例6適用例2に記載の光学装置を用いた生体認証方法であって、画像形成工程と認証工程とを含み、画像形成工程では、第一第一電極が電源に接続された状態で反射光を受光部にて受光して対象物の第一画像が形成され、第二第一電極が電源に接続された状態で反射光を受光部にて受光して対象物の第二画像が形成され、第一画像と第二画像とを用いて対象物の画像が形成され、認証工程では、対象物の画像を用いて生体認証が行われる事を特徴とする。この構成によれば、S/N比が高い鮮明な画像を用いて生体認証が行われるので、認証精度を高める事ができる。適用例7適用例2に記載の光学装置を用いた撮像方法であって、オフ画像形成工程と元画像形成工程と差分工程とを含み、オフ画像形成工程では、第一第一電極と第二第一電極とが電源に接続されぬ状態で対象物のオフ画像が形成され、元画像形成工程では、第一第一電極又は第二第一電極の一方が電源に接続された状態で反射光を受光部にて受光して対象物の元画像が形成され、差分工程では、元画像からオフ画像を減じて対象物の画像が形成される事を特徴とする。この構成によれば、背景光バックグラウンドノイズ光を除去できるので、より鮮明な画像を容易に撮像する事ができる。適用例8適用例2に記載の光学装置を用いた生体認証方法であって、画像形成工程と認証工程とを含み、画像形成工程では、第一第一電極と第二第一電極とが電源に接続されぬ状態で対象物のオフ画像が形成され、第一第一電極が電源に接続された状態で反射光を受光部にて受光して対象物の第一元画像が形成され、第二第一電極が電源に接続された状態で反射光を受光部にて受光して対象物の第二元画像が形成され、第一元画像からオフ画像を減じて第一画像が形成され、第二元画像からオフ画像を減じて第二画像が形成され、第一画像と第二画像とを用いて対象物の画像が形成され、認証工程では、対象物の画像を用いて生体認証が行われる事を特徴とする。この構成によれば、S/N比が高く、より鮮明な画像を用いて生体認証が行われるので、認証精度を高める事ができる。適用例9適用例1又は2に記載の光学装置を備えた事を特徴とする静脈センサー。この構成によれば、S/N比が高く、より鮮明な静脈画像を得る事ができる。適用例10適用例1又は2に記載の光学装置を備えた事を特徴とする指紋センサー。この構成によれば、S/N比が高く、より鮮明な指紋画像を得る事ができる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。実施形態1光学装置の概要先ず、光学装置の概要を、図1を参照して説明する。図1は、実施形態1における光学装置1の断面図である。光学装置1は発光部10と受光部20とを備え、指などの対象物Fに対して発光部10から照射光ILを照射し、対象物Fからの反射光RLを受光部20にて受光する。発光部10及び受光部20は対象物Fに対して同じ側に設けられ、発光部10は受光部20より対象物F側に位置している。即ち、指などの対象物Fと受光部20との間に発光部10が位置することになる。発光部10は受光部20よりも光学装置1の表側対象物Fを設置する側の面に設けられるので、フロントライトとも呼ばれる。この発光部10は、第一発光部11と第二発光部12とを備えると共に、透光性を有している。第一発光部11と第二発光部12とは其々独立に制御され、独立に発光させる事が可能となっている。勿論、第一発光部11と第二発光部12とを同時に発光させる事も可能である。図1では第一発光部11が照射光ILを発光し、第二発光部12は発光していない状態を描いてある。第一発光部11と第二発光部12との間には、部間透光部13が設けられ、発光部10及び部間透光部13は反射光RLを透過させる。従って、第一発光部11が発光している際には、図1に示す様に、反射光RLは、第二発光部12と部間透光部13とを透過して、受光部20に到る。反対に、第二発光部12が発光している際には、反射光RLは、第一発光部11と部間透光部13とを透過して、受光部20に到る。受光部20には、反射光RLの光量を計測する計測セル21が複数個備えられている。各計測セル21は、そのセルで受光した光を、その光量に応じた電気信号へと変換する。光学装置1は発光部10と受光部20との他に、制御部30と記憶部40及び出力部50とを備える。記憶部40は、フラッシュメモリーやハードディスク等の不揮発性メモリーを含み、画像形成プログラムや認証プログラムなどの各種プログラムや、認証情報例えば光学装置1が静脈センサーとして使用される場合には、事前に登録された静脈像や、或いはその特徴点情報などが記憶されている。記憶部40は不揮発性メモリーの他にリードオンリーメモリーROMを備えていても良く、不揮発性メモリーに記憶されるとした先の情報の一部又は全部は、ROMに納められていても良い。制御部30は、中央演算装置CPUや一時記憶装置を備える。一時記憶装置は、ダイナミックランダムアクセスメモリーDRAMやスタティックランダムアクセスメモリーSRAM等であり、撮像された対象物Fの画像等を一時的に記憶する。この様に画像を一時的に記憶する装置は、ヴィデオランダムアクセスメモリーVRAMとも呼ばれる。制御部30は、発光部10の点灯や消灯を制御すると共に、受光部20に備わる各計測セル21から受光信号を読み出し、読み出した1フレーム分撮像領域分の受光信号に基づいて対象物Fの画像を生成する。又、制御部30は、撮像された画像を解析し、記憶部40に登録されている認証情報と照合し、生体認証を行う事もできる。例えば、光学装置1が静脈センサーとして使用される場合、制御部30は、照合する二つの静脈像撮像された静脈像と登録された静脈像の特徴点情報例えば静脈の分岐点の数や位置関係等を比較し、類似度が予め定められた閾値以上であった場合に、対象物Fとしての指が記憶部40に登録されている指であると認証する。出力部50は、認証情報や撮像された画像を外部に出力する部位であり、例えば認証情報を電気信号にて外部の装置ATMなどに出力したり、或いは、画像を表示部に表示したりする、との各種形態の出力をなす部位である。尚、制御部30の一時記憶装置に設けられたVRAMは、不揮発性メモリーの一部に設けても良い。光学装置の構成次に、光学装置の概要を、図2を参照して説明する。図2は、発光部10と受光部20との構成を説明した図で、aは発光部10を表側から見た平面図で、bはaのA-A’に相当する光学装置1の断面を拡大した図である。図2aに示す様に、発光部10は、第一発光部11と第二発光部12とを含み、第一発光部11と第二発光部12とは平面的に重畳する事はなく、離間されて形成されている。又、第一発光部11と第二発光部12とは櫛歯状で、互いに噛み合うように形成されている。第一電極16は、第一第一電極112と第二第一電極122とを含み、第一発光部11は第一第一電極112に接続し、第二発光部12は第二第一電極122に接続する。従って、第一第一電極112と第二第一電極122とは平面的に重畳する事はなく、離間されて形成されている事になる。同様に、第一第一電極112と第二第一電極122とは櫛歯状で、互いに噛み合うように形成されている。第一第一電極112と第二第一電極122とは別々に電源に接続され得るので、第一発光部11と第二発光部12とは別々に発光する事が可能となる。第一発光部11と第二発光部12との間即ち、第一第一電極112と第二第一電極122との間は部間透光部13であり、透光性を有している。発光部10は撮像する対象物Fに適した波長の照射光ILを発光する。例えば、撮像する対象物Fが指の静脈の場合、照射光ILは波長が750nmから3000nmより好ましくは800nmから900nmの範囲にある近赤外光である。静脈を流れる還元ヘモグロビンは近赤外光を吸収する性質がある。従って、近赤外光を用いて指を撮像すると、指の皮下にある静脈部分が周辺組織に比べて暗く写り、この明暗の差による紋様が静脈像となって撮像される。図2bに示す様に、光学装置1では発光部10と受光部20とが積層して形成されている。発光部10は第一基板31に形成され、受光部20は第二基板32に形成され、第一基板31の発光素子101が形成されている面第一基板31の表面と第二基板32の計測セル21が形成されている面とが対向する様に、両基板が接合されている。更に、第三基板33にはマイクロレンズMLが複数個形成され、第三基板33のマイクロレンズMLが形成された面第三基板33の表面と第一基板31の裏面表面の反対の面とが接合されている。第一基板31には、第一発光部11に第一第一電極112を備える第一発光素子111が複数個形成され、第二発光部12に第二第一電極122を備える第二発光素子121が複数個形成されている。隣り合う第一発光素子111の間、及び隣り合う第二発光素子121の間は、内部透光部14であり、部間透光部13と同様に透光性を有する。要するに、第一発光部11は複数の第一発光素子111と複数の内部透光部14とを有し、第二発光部12は複数の第二発光素子121と複数の内部透光部14とを有する。第一発光素子111も第二発光素子121も素子自体の透光性は低いが、発光部10は、内部透光部14を備える為に、透光性を備える事になる。受光部20には、複数の計測セル21が行列状に配置されている。また、各計測セル21の法線上で、発光部10の上部発光部10の対象物F側には複数のマイクロレンズMLが行列状に設けられている。マイクロレンズMLの配列ピッチは計測セル21の配列ピッチと同じであり、各マイクロレンズMLは、対象物Fからの反射光RLを真下に位置する計測セル21の受光面に結像する。即ち、マイクロレンズMLにて集光された反射光RLは内部透光部14や部間透光部13を透過して、計測セル21に到る。第一基板31と第三基板33、及びマイクロレンズMLは、照射光ILや反射光RLに対して高い透光性を示す材料が用いられ、例えば透明なガラスや透明なプラスチック等が適している。第二基板32は計測セル21を形成するのに適した材料が使用される。本実施形態では薄膜素子を用いて計測セル21を形成するので、薄膜素子形成に適した無アルカリガラスや石英ガラスが使用される。これ以外にもシリコン基板の様な半導体基板を使用し、半導体素子にて計測セル21を形成しても良い。図3は、図2aのB-B’に相当する発光部10の構成を説明した図で、aは平面図、bは断面図である。尚、第一発光部11と第二発光部12とは同じ構造をなし、両者を特に区別する必要がない際には単に発光部10と記し、第一発光素子111と第二発光素子121とを併せて発光素子101とし、第一第一電極112と第二第一電極122とを併せて第一電極16とする。図3aに示す様に、発光部10は、発光素子101と内部透光部14とを横方向B-B’方向にも縦方向図3aの平面内で横方向に直交する方向にも交互に規則的に配置した市松模様チェスボード模様となっている。先に説明した様に、計測セル21は第二基板32で内部透光部14に対応する位置に形成されるので、計測セル21も第二基板32上で市松模様状に配置される。計測セル21の情報を読み出すには4ビット又は8ビット毎に読み出すのが便利なので、縦方向にも横方向にも、計測セル21とそれに応ずる内部透光部14は4又は8の倍数となる個数作られる。図3bに示す様に、発光素子101は第一電極16と第二電極18との間に設けられた発光層17を備えている。発光層17は半導体材料を含み、発光ダイオードとして機能する。半導体材料は有機物又は無機物が用いられ、本実施形態では有機半導体を用いた。従って、発光素子101は所謂有機EL素子である。第一電極16はダイオードの陽極アノード又は陰極カソードで、第二電極18は第一電極16の反対の極性である。即ち、第一電極16が陽極であれば第二電極18は陰極であり、第一電極16が陰極であれば第二電極18は陽極である。本実施形態では、第一電極16が陽極でインジウム錫酸化物ITOからなり、第二電極18が陰極でマグネシウム銀MgAgからなる。マグネシウム銀は薄く、透光性を有する。第一基板31の表面のほぼ全域に第二電極18が形成され、次いで発光層17、第一電極16、反射板15がパターニングされて、積層されている。発光層17で発生した照射光ILは、直接第一基板31側に放射される成分と、第一基板31の反対側に放射され、反射板15にて反射されて第一基板31側に放射される成分と、がある。尚、第二電極18もパターニングされていても良い。受光部の回路次に、受光部の回路構成を、図4を参照して説明する。図4は、受光部20の回路構成を説明した図である。受光部20は計測領域22を有し、計測領域22には複数の計測セル21が規則的に配列されている。ここでは計測セル21が行列状に配置されている。前述の如く、計測セル21は、その法線上の第一基板31に部間透光部13や内部透光部14が設けられ、第三基板33にマイクロレンズMLが設けられる位置に形成される。これらの計測セル21が個別に光量を計測する事で、画像が撮像される。計測領域22の外側には選択回路SCやパラレルシリアル変換回路PSCが備えられている。選択回路SCは第一選択回路SCAと第二選択回路SCBとを含んでいる。又、パラレルシリアル変換回路PSCはサンプルホールド回路SHCとサンプルホールド選択回路SHSとを含んでいる。これらの計測領域22や選択回路SC、及びパラレルシリアル変換回路PSCには制御部30に接続する配線が引かれている。尚、図4では、複数種類の配線も象徴として一本の黒線で描いてある場合例えば、パラレルシリアル変換回路PSCへの入力PSINや選択回路SCへの入力SCIN、及び出力線DOUTもある。又、計測領域22には複数の計測セル21が設けられているが、理解を容易とする為に、一つの計測セル21とそれに接続する配線とを描いてある。光学装置1にて一枚の画像を取得するには、初期化工程と露光工程と露光データ読み出し工程とが必要となる。初期化工程では露光の準備をし、露光工程で光量を電気情報に変換し、得られた電気情報は露光データ読み出し工程でサンプルホールド回路SHCを介して制御部30に出力される。初期化工程と露光工程と露光データ読み出し工程は選択回路SCにて行毎に設定される。露光データ読み出し工程で各計測セル21の電気情報が個別に読み出される。具体的には選択回路SCにて行方向に揃う一行の計測セル21が選択される。選択された行に属する計測セル21が取得した電気情報はサンプルホールド回路SHCに保持される。サンプルホールド回路SHCは複数のアナログデータ値を独立に保持すべく、複数個の要素回路を有している。即ち、要素回路は列毎に設けられ、一つの要素回路がその列に出力されたアナログデータの電気情報を保持する。サンプルホールド選択回路SHSはこれら複数の要素回路から、八つの要素回路を選択し、それらの要素回路のデータを8本の出力線DOUTに其々出力する。こうして列方向に並列する電気情報は八つずつシリアルデータとして8本の出力線DOUTに出力される。計測セルの回路構成次に計測セルの回路構成を、図4を参照して説明する。尚、図4にはトランジスターのソースとドレインとをsとdとで示し、ダイオードのアノードとカソードとをAとCとで示してある。計測領域22には、第一選択線GSELAと、読み出し線Senseと、第二選択線GSELBと、リセット線GRSTと、正電源Vddと、負電源Vssとが配線されている。計測セル21は行列状に並ぶが、第一選択線GSELAが行方向を定め、読み出し線Senseが列方向を定めている。即ち、i行目の第一選択線GSELAとj列目の読み出し線Senseとの交点に、i行j列に位置する計測セル21が配置される。従って、計測セル21がM行N列の行列状に配置されている場合、第一選択線GSELAはM本設けられ、読み出し線SenseはN本設けられる。尚、MもNも1以上の整数である。第二選択線GSELBも、第一選択線GSELAに一対一対応してM本設けられるのが好ましく、図4にもそう描かれている。但し、本実施形態では第二選択線GSELBは選択非選択の動作がなされず、全計測セル21で同じ電位を取るので、複数行又は複数列の計測セル21で一本の第二選択線GSELBを共用しても良い。同様に正電源Vddと負電源Vssも、複数行又は複数列の計測セル21で一本の正電源Vdd、或いは一本の負電源Vssを共用しても良い。第一選択線GSELAは第一選択回路SCAに電気的に接続し、第一選択回路SCAによって選択される。同様に、第二選択線GSELBは第二選択回路SCBに電気的に接続し、第二選択回路SCBによって選択される。同様に、リセット線GRSTは第三選択回路SCCに電気的に接続し、第三選択回路SCCによって選択される。読み出し線Senseは、列毎に設けられた一つの要素回路に電気的に接続される。尚、AとBとが電気的に接続するとは、AとBとが配線で直接結ばれている場合の他に、AとBとの間にパスゲートなどのスイッチが設けられ、スイッチが導通状態になった際にAとBとが導通状態になる場合をも含んでいる。計測セル21は、受光素子PDと、第一トランジスターAMPTFT1と、第二トランジスターAMPTFT2と、選択トランジスターSELTFTと、リセットトランジスターRSTTFTと負荷素子と、を備えている。ここで負荷素子は、電流源トランジスターCSTFTであるが、単純な抵抗体であっても良い。負荷素子を設ける事で、第一トランジスターAMPTFT1のゲート電位変化をソース電位の変化に変換して増幅できる。これにより光量の計測結果を、計測が容易で精度が高い電位に変換する事が可能となる。受光素子PDはフォトダイオードである。これの第一極がカソードで、第一トランジスターAMPTFT1のゲートと、リセットトランジスターRSTTFTのソースとに電気的に接続している。リセットトランジスターRSTTFTのドレインは正電源Vddに電気的に接続されているので、フォトダイオードのカソードはリセットトランジスターRSTTFTを介して正電源Vddに電気的に接続されている事になる。一方、受光素子PDの第二極はアノードで、これは負電源Vssに電気的に接続されている。従って、受光素子PDは正電源Vddと負電源Vssとの間に逆バイアス状態になる様に配置されている。リセットトランジスターRSTTFTのゲートは、リセット線GRSTに電気的に接続され、リセットトランジスターRSTTFTはリセット線GRSTに供給される電気信号で制御される。第一トランジスターAMPTFT1は、そのドレインが正電源Vddに電気的に接続され、ソースが第二トランジスターAMPTFT2のゲートと負荷素子の一方の端子とに電気的に接続されている。負荷素子の他方の端子は負電源Vssに電気的に接続されている。前述の如く、負荷素子は電流源トランジスターCSTFTであり、一方の端子が電流源トランジスターCSTFTのドレインに相当し、他方の端子は電流源トランジスターCSTFTのソースに相当する。従って、第一トランジスターAMPTFT1のソースは、負電源Vssに電気的に接続されている事になる。電流源トランジスターCSTFTのゲートは、第二選択線GSELBに電気的に接続され、電流源トランジスターCSTFTは第二選択線GSELBに供給される電気信号で制御される。第二トランジスターAMPTFT2は、そのドレインが正電源Vddに電気的に接続され、ソースが選択トランジスターSELTFTのドレインに電気的に接続されている。選択トランジスターSELTFTのソースは読み出し線Senseに電気的に接続されている。選択トランジスターSELTFTのゲートは第一選択線GSELAに電気的に接続され、選択トランジスターSELTFTは第一選択線GSELAに供給される電気信号で制御される。この構成では、第一トランジスターAMPTFT1のゲート幅を狭くして、トランジスター容量CTを小さくするので、受光部20を高感度とする事ができる。同時に第二トランジスターAMPTFT2のゲート幅を広くして、第二トランジスターAMPTFT2のオン抵抗を下げるので、オン抵抗と読み出し線との寄生容量との積で定まる時定数を短くする事ができ、短時間での出力が可能になる。即ち、高感度測定を迅速に行える様になる。画像取得方法次に光学装置を用いて一枚の画像を取得する方法を、図4を参照して説明する。第一選択線GSELAと第二選択線GSELBとリセット線GRSTとには選択信号か非選択信号が供給される。選択信号とはその配線にゲートが接続するトランジスターをオン状態とする信号で、非選択信号とはその配線にゲートが接続するトランジスターをオフ状態とする信号である。本実施形態では、リセットトランジスターRSTTFTや電流源トランジスターCSTFT、選択トランジスターSELTFTにN型トランジスターを用いているので、選択信号が高電位正電源Vdd以上の高い電位となり、非選択信号が低電位例えば、接地電位などの負電源Vssとなる。光学装置1を用いた撮像は、初期化工程と、露光工程と、露光データ読み出し工程と、リセットデータ読み出し工程と、待機工程と、で一周期をなして一枚の画像が得られる。以下、この一周期を、順を追って説明する。初期化工程では、リセット線GRSTにリセット選択信号が供給されて、リセットトランジスターRSTTFTはオン状態とされる。対象物画像の形成方法は後述するが、初期化工程期間中に、オフ画像を撮像する場合には発光部10は発光していない。又、第一元画像を撮像する場合には、第一発光部11が発光し、第二発光部12は発光していない。第二元画像を撮像する場合には、第二発光部12が発光し、第一発光部11は発光していない。リセット選択信号の電位は、リセットトランジスターRSTTFTの閾値電圧よりも高く、リセットトランジスターRSTTFTをオン状態とする値である。好ましくは、リセット選択信号の電位は、正電源Vdd以上の値である。その結果、第一トランジスターAMPTFT1は、初期化工程期間中に、そのゲートが正電源Vddへと充電される。第二選択線GSELBには第二選択信号が供給され、電流源トランジスターCSTFTを定電流源として動作させる。第二選択信号の電位は、電流源トランジスターCSTFTの閾値電圧を僅かに超えた値Vthδ、0<δ<0.3V程度か、それよりも僅かに小さい。第二選択信号の電位がVthδ程度ならば、電流源トランジスターCSTFTは殆どの場合、飽和動作し、定電流源となる。又、第二選択信号の電位がVthよりも小さければ、電流源トランジスターCSTFTは閾値下領域に入るので矢張り飽和動作し、定電流源となる。次の露光工程では、リセット線GRSTに非選択信号が供給されて、リセットトランジスターRSTTFTはオフ状態とされている。第一画像を撮像する場合、露光工程期間中に第一発光部11が発光し、第二発光部12は発光していない。又、第二画像を撮像する場合、露光工程期間中に第二発光部12が発光し、第一発光部11は発光していない。オフ画像を撮像する場合、露光工程期間中に第一発光部11も第二発光部12も発光していない。こうした状態で受光素子PDは反射光RLを受光するオフ画像撮像時には背景光を受光する。受光した光量に応じて受光素子PDは電荷を漏らし、第一トランジスターAMPTFT1のゲート電位は変化する。これに合わせて、第二トランジスターAMPTFT2のゲート電位も変化する。第二選択線GSELBには、初期化工程と同じく、第二選択信号が供給されている。又、第一選択線GSELAには非選択信号が供給されている。露光工程が終了すると、露光データ読み出し工程に移る。この期間中、リセット線GRSTには非選択信号が供給されて、リセットトランジスターRSTTFTはオフ状態とされて、第一トランジスターAMPTFT1のゲート電位は保存される。即ち、第一トランジスターAMPTFT1のゲート電位は露光量に応じた固定値に定まっている。露光量に応じた固定値はゼロVからVddの間にある。第二選択線GSELBには、露光工程と同じく、第二選択信号が供給されている。従って、露光データ読み出し期間中、第二トランジスターAMPTFT2のゲート電位は、露光量に応じた固定値に保たれている。読み出しの選択がなされる計測セル21では、第一選択線GSELAに第一選択信号が供給されている。第一選択信号の電位は選択トランジスターSELTFTの閾値電圧以上の値で、好ましくは正電源Vdd以上の値である。その結果、選択トランジスターSELTFTはオン状態とされ、読み出し線Senseを介して第二トランジスターAMPTFT2のソース電位が測定される。一方、読み出しの選択がなされない非選択の計測セル21では、第一選択線GSELAには非選択信号が供給されており、選択トランジスターSELTFTはオフ状態とされている。露光データ読み出し工程が終了すると、リセットデータ読み出し工程に移る。この期間中、リセット線GRSTにはリセット選択信号が供給されて、リセットトランジスターRSTTFTはオン状態とされ、第一トランジスターAMPTFT1のゲート電位は正電源Vddとされる。第二選択線GSELBには、露光工程と同じく、第二選択信号が供給されている。従って、リセットデータ読み出し期間中、第二トランジスターAMPTFT2のゲート電位は、第一トランジスターAMPTFT1のゲート電位が正電源Vddとされている状態に応じた固定値に保たれている。読み出しの選択がなされる計測セル21では、第一選択線GSELAに第一選択信号が供給され、選択トランジスターSELTFTはオン状態とされる。即ち、読み出し線Senseを介して、第一トランジスターAMPTFT1のゲート電位が正電源Vddとされている状態に応じた第二トランジスターAMPTFT2のソース電位が測定される。一方、読み出しの選択がなされない非選択の計測セル21では、第一選択線GSELAには非選択信号が供給されており、選択トランジスターSELTFTはオフ状態とされている。露光データ読み出し工程では光量に応じた電位Vphotoと第一トランジスターの閾値電圧Vth1と第二トランジスターの閾値電圧Vth2との和に対応する電圧値VphotoVth1Vth2を読み出す。これに対して、リセットデータ読み出し工程では充電した電位Vddと第一トランジスターの閾値電圧と第二トランジスターの閾値電圧との和に対応する電圧値VddVth1Vth2を読み出す。従って、これら両者の引き算する事で、第一トランジスターの閾値電圧と第二トランジスターの閾値電圧とを消去して、充電した電位と光量に応じた電位との差を得る事ができる。即ち、第一トランジスターの閾値電圧や第二トランジスターの閾値電圧の計測セル21間でのばらつきに関係なく、総ての計測セル21にて同じ精度で光量に応じた電位を計測できる。リセットデータ読み出し工程が終わると、計測セル21は待機状態となる。この期間中、リセット線GRSTに選択信号が供給されて、リセットトランジスターRSTTFTはオン状態とされる。又、第一選択線GSELAは非選択信号が供給されて、選択トランジスターSELTFTはオフ状態とされている。以降、次の露光工程が始まる迄、待機状態が維持される。対象物画像の形成方法次に図5乃至8を参照して、対象物の画像を形成する方法を説明する。対象物Fの画像は、第一画像を用いて、或いは第二画像を用いて、或いは第一画像と第二画像とを用いて、形成される。第一画像は、第一元画像から、又は第一元画像とオフ画像とから、形成される。第二画像は、第二元画像から、又は第二元画像とオフ画像とから、形成される。図5はオフ画像形成工程時における発光部10の状態を示した図である。オフ画像形成工程では、前述の画像取得方法に則って対象物Fが撮像されて、オフ画像が形成される。この際に、図5に示す様に、露光工程時に第一発光部11も第二発光部12も発光していない。即ち、第一第一電極112と第二第一電極122とが電源に接続されない状態で露光工程が行われ、対象物Fのオフ画像が形成される。オフ画像とは背景光バックグラウンド光に起因するノイズ画像に相当する。図6は第一画像形成工程時における発光部10の状態を示した図である。第一画像形成工程でも、前述の画像取得方法に則って対象物Fが撮像されて、まず第一元画像が形成される。この際に、図6に示す様に、露光工程時に第一発光部11が発光し、第二発光部12は発光していない。即ち、第一第一電極112が電源に接続し、第二第一電極122は電源に接続されない状態で露光工程が行われる。第一発光部11から放射された照射光ILは対象物Fにて反射し、この反射光RLを受光部20にて受光しての第一元画像が形成される。第一元画像で、部間透光部13と第二発光部12とに対応した領域に位置する計測セル21では、主として反射光RLIL信号光が受光され、この領域ではS/N比の高い鮮明な画像が得られる。一方、第一元画像で、第一発光部11に対応した領域に位置する計測セル21では、反射光RLIL信号光と共に乱反射や漏れ出た照射光ILノイズ光も受光され、この領域ではS/N比は或る程度低下する恐れがある。第一元画像はそのまま第一画像として使用する事も可能である。図7は第二画像形成工程時における発光部10の状態を示した図である。第二画像形成工程でも、前述の画像取得方法に則って対象物Fが撮像されて、まず第二元画像が形成される。この際に、図7に示す様に、露光工程時に第二発光部12が発光し、第一発光部11は発光していない。即ち、第二第一電極122が電源に接続し、第一第一電極112は電源に接続されない状態で露光工程が行われる。第二発光部12から放射された照射光ILは対象物Fにて反射し、この反射光RLを受光部20にて受光しての第二元画像が形成される。第二元画像で、部間透光部13と第一発光部11とに対応した領域に位置する計測セル21では、主として反射光RLIL信号光が受光され、この領域ではS/N比の高い鮮明な画像が得られる。一方、第二元画像で、第二発光部12に対応した領域に位置する計測セル21では、反射光RLIL信号光と共に乱反射や漏れ出た照射光ILノイズ光も受光され、この領域ではS/N比は或る程度低下する恐れがある。第二元画像はそのまま第二画像として使用する事も可能である。この様に、第一元画像や第二元画像と言った元画像を撮像するには、第一第一電極112又は第二第一電極122の一方が電源に接続された状態で対象物Fの画像が撮像される。図8は画像形成工程S1図9参照で対象物Fの画像を形成する手順を説明したフローチャート図である。対象物Fの画像を形成するには、まずオフ画像を前述の方法で形成するS11。これがオフ画像形成工程である。次に第一元画像を前述の方法で形成するS12。更に、第二元画像を前述の方法で形成するS13。第一元画像形成S12と第二元画像形成S13とが元画像形成工程である。次に第一元画像からオフ画像を減じて第一画像を形成するS14。次に第二元画像からオフ画像を減じて第二画像を形成するS15。第一画像形成S14と第二画像形成S15とが差分工程である。差分工程により第一元画像や第二元画像からバックグラウンドノイズが除去され、鮮明な第一画像や第二画像が得られる。次いで第一画像と第二画像とを用いて対象物F画像を形成するS16。即ち、第一画像のS/N比の高い領域と第二画像のS/N比の高い領域とを組み合わせて、対象物F画像を合成する。第一画像のS/N比の高い領域と第二画像のS/N比の高い領域とは相補的であるので、撮像領域全体画像全体にてS/N比が向上する。対象物F画像形成S16は合成工程である。この様にして、対象物Fの画像が形成される。オフ画像形成S11から第二元画像形成S13迄は連続して行われるのが好ましい。即ち、オフ画像形成S11でリセットデータ読み出し工程が終了したら、待機工程を経ずに直ちに第一元画像形成S12の初期化工程に進み、第一元画像形成S12でリセットデータ読み出し工程が終了したら、待機工程を経ずに直ちに第二元画像形成S13の初期化工程に進む。オフ画像と第一元画像と第二元画像と、三枚の画像を連続して撮像する事で、撮像期間を短縮する事ができる。これにより、撮像期間中に生ずる外部環境変化や対象物Fの動きを最少にし、鮮明な対象物Fの画像を形成する事ができる。本実施形態では、オフ画像形成S11に引き続いて第一元画像形成S12、第二元画像形成S13との順番が採られたが、これらの順番は任意に設定できる。具体的には、S11-S13-S12との順番や、S12-S11-S13との順番や、S12-S13-S11との順番や、S13-S11-S12との順番や、S13-S12-S11との順番のいずれかとしても良い。又、対象物Fの画像を複数枚形成する際には、一枚形成する毎にオフ画像形成S11を行うのが好ましいが、オフ画像形成S11は複数枚に一回と兼用させても良い。尚、本実施形態では第一画像と第二画像とを用いて対象物Fの画像を形成したが、第一画像だけで対象物Fの画像としても良いし、第二画像だけで対象物Fの画像としても良い。又、第一画像は第一元画像からオフ画像を減じて作成したが、第一元画像をそのまま第一画像としても良い。同様に、第二画像は第二元画像からオフ画像を減じて作成したが、第二元画像をそのまま第二画像としても良い。電子機器上述の光学装置1は静脈センサーや指紋センサーなどの各種生体認証センサーに適応できる。これらの他にも、デジタルカメラやイメージセンサー、スキャナーなどの電子機器に本実施形態に係わる光学装置1を適用する事ができる。光学装置1を静脈センサーや指紋センサーに適応する場合、光学装置1に接触センサーを設け、対象物が光学装置1に触れた時に、光学装置1が自動的に動作する様にしても良い。生体認証方法光学装置1は静脈センサーや指紋センサーなどの各種生体認証センサーに適応できる。ここでは光学装置1を用いた生体認証方法を、図9を参照して、説明する。図9は生体認証方法を説明するフローチャート図である。生体認証は対象物Fの画像形成S1から始まる。これは前述の通りで、これが画像形成工程である。次に、得られた画像を用いて、静脈パターンや指紋パターンを強調したり、或いは特徴点を抽出したりするなどの画像処理が行なわれS2、生体情報が取得される。これが画像処理工程である。次いで取得された生体情報取得データと登録されている生体情報登録データとを照合するS3。これが認証工程である。認証工程の結果は出力工程S4で出力される。取得データと登録データとが一致すれば、許可の情報を出力するS4A。反対に、取得データと登録データとが一致しなければ、拒絶の情報を出力するS4R。生体情報は日々少しずつ変わる可能性があるので、取得データと登録データとが一致した場合には、取得データを登録データに加味して新たな登録データを作成するS5。これが更新工程である。本実施形態では、発光部10は第一発光部11と第二発光部12と、二つに分割されていたが、分割数はN個Nは3以上の整数であっても良い。分割数がN個の場合も、本実施形態と同様に、第一発光部11から第N発光部1Nへと順次発光させて、第一元画像から第N元画像とN枚の元画像を作成する。これらを用いて、第一画像から第N画像を作成する。更に、第一画像から第N画像を合成して最終的に対象物Fの画像を形成する。以上述べた様に、本実施形態に係わる光学装置1と撮像方法、及び生体認証方法に依れば、以下の効果を得る事ができる。第一第一電極112による発光と第二第一電極122による発光とを交互に行い得るので、一方の領域が発光している際に他方の領域で受光する事ができる。又、発光している領域発光領域と受光している領域受光領域との距離を近過ぎず遠過ぎず最適にできる。これらの結果、シグナル光のノイズ光に対する割合S/N比を高める事ができる。又、背景光バックグラウンドノイズ光を除去できる。背景光除去に関しては、オプティカルブラック画素で引き算する場合や、出荷時にオフ画像のデータを記憶部40に記憶させておく方式ではできない、計測セル毎の暗電流補正や温度補正が可能となる。又、メカニカルシャッターを着けるよりも薄型化できると共に、メカニカルシャッターではできない外光の影響を除去できる。即ち、鮮明な画像を容易に撮像する事ができる。こうした鮮明な画像を用いて生体認証が行われるので、認証精度を高める事ができる。尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。変形例1第一電極と第二電極とが異なる形態図10は、変形例1に係わる発光部10の構成を説明しており、図2のB-B’を拡大した断面図である。尚、実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。本変形例図10は実施形態1図3bと比べて、発光素子101を構成する第一電極16と第二電極18とが異なっている。それ以外の構成は、実施形態1とほぼ同様である。実施形態1では第一電極16が陽極で第二電極18が陰極であったが、本変形例では第一電極16がアルミニウムAlから成る陰極で、第二電極18はITOから成る陽極である。第一基板31の表面のほぼ全域に第二電極18が形成され、次いで発光層17と第一電極16とがパターニングされて、積層されている。発光層17で発生した照射光ILは、直接第一基板31側に放射される成分と、第一電極16で反射されて第一基板31側に放射される成分と、がある。尚、第二電極18もパターニングされていても良い。以上述べたように、本変形例に係わる光学装置1によれば、実施形態1の効果に加え、簡単な構成で発光素子101を形成する事ができる。変形例2発光素子が異なる形態図11は、変形例2に係わる発光部10の構成を説明しており、図2のB-B’を拡大した平面図である。尚、実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。本変形例図11は実施形態1図3aと比べて、発光素子101の平面形状と大きさとが異なっている。それ以外の構成は、実施形態1とほぼ同様である。実施形態1では、発光素子101と内部透光部14とがほぼ同じ大きさの正方形であったが、発光素子101と内部透光部14との形状と大きさはこれに限られない。発光素子101の中心と内部透光部14計測セル21が位置する場所とが、横方向にも縦方向にも交互に規則的に配置した市松模様であれば良い。例えば、図11aに示す様に、発光素子101は、一辺が繰り返し周期長の半分よりも短い四角形であっても良い。繰り返し周期長とは一つの発光素子101の中心とその隣の発光素子101の中心との間の距離である。又、図11bに示す様に、発光素子101は、直径が繰り返し周期長の半分よりも短い円形であっても良い。反対に、発光素子101の一辺又は直径は、内部透光部14を設けられる範囲で、繰り返し周期長の半分よりも長くても良い。又、発光素子101の平面形状は正方形や円形に限られることはなく、長方形や菱形、多角形、楕円形などであっても良い。以上述べたように、本変形例に係わる光学装置1によれば、実施形態1の効果に加え、発光素子101の平面形状や大きさを、発光素子101の発光量と検出セルの感度とに応じて、最適にする事ができる。変形例3画像形成工程が異なる形態図12は変形例3に係わる画像形成工程S1図9参照で、対象物Fの画像を形成する手順を説明したフローチャート図である。尚、実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。本変形例図12は実施形態1図8と比べて、画像形成の順番が異なっている。それ以外の構成は、実施形態1とほぼ同様である。実施形態1では第一元画像形成S12と第二元画像形成S13が終わった後に、第一画像形成S14と第二画像形成S15とが行われたが、これらの順番を変更しても良い。即ち、図12に示す様に、オフ画像形成S11に続いて、第一元画像形成S12を行い、以降、第一画像形成S14、第二元画像形成S13、第二画像形成S15、対象物Fの画像形成S16としても良い。