"ロールツーロール法を用いて、長尺状の被処理体に所望の有機薄膜を複数、順に重ねて積層してなる有機薄膜太陽電池の成膜装置であって、前記被処理体に向けて前記有機薄膜の原材料を付着させる塗布手段、前記被処理体に付着した原材料を熱処理する焼成手段、及び、前記有機薄膜の厚さを求める膜厚評価手段を含み、前記塗布手段の後段側に前記焼成手段、前記膜厚評価手段が順に配置されると共に、前記膜厚評価手段により求めた情報に基づき、該膜厚評価手段より前段に位置する前記塗布手段の設定条件を調整する制御手段を付属してなるユニットを備えた、ことを特徴とする有機薄膜太陽電池の成膜装置。前記有機薄膜太陽電池を構成する各層に対応して、前記ユニットが個別に配置されており、特定のユニットを構成する前記膜厚評価手段が、該特定のユニットにおいて形成された前記有機薄膜の厚さを求める際には、該特定のユニットより1つ前に位置するユニットを構成する前記膜厚評価手段が出力した情報を、該特定のユニットにおける前記被処理体の情報バックグラウンド情報として利用する、ことを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜太陽電池の成膜装置。前記膜厚評価手段は、エリプソ法を用いて、前記被処理体上に形成された前記有機薄膜の厚さを算出する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の有機薄膜太陽電池の成膜装置。前記塗布手段は、インクジェット法を用いて、前記有機薄膜の原材料を前記被処理体に付着させる、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機薄膜太陽電池の成膜装置。本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、ロールツーロール法により有機薄膜太陽電池を成膜する際に、基材の全面に亘って膜厚を均一に形成することができ、高品質の有機薄膜太陽電池を製造することができ、さらに製造効率を高めた、有機薄膜太陽電池の成膜装置を提供することを目的とする。本発明の請求項1に記載の有機薄膜太陽電池の成膜装置は、ロールツーロール法を用いて、長尺状の被処理体に所望の有機薄膜を複数、順に重ねて積層してなる有機薄膜太陽電池の成膜装置であって、前記被処理体に向けて前記有機薄膜の原材料を付着させる塗布手段、前記被処理体に付着した原材料を熱処理する焼成手段、及び、前記有機薄膜の厚さを求める膜厚評価手段を含み、前記塗布手段の後段側に前記焼成手段、前記膜厚評価手段が順に配置されると共に、前記膜厚評価手段により求めた情報に基づき、該膜厚評価手段より前段に位置する前記塗布手段の設定条件を調整する制御手段を付属してなるユニットを備えた、ことを特徴とする。本発明の請求項2に記載の有機薄膜太陽電池の成膜装置は、請求項1において、前記有機薄膜太陽電池を構成する各層に対応して、前記ユニットが個別に配置されており、特定のユニットを構成する前記膜厚評価手段が、該特定のユニットにおいて形成された前記有機薄膜の厚さを求める際には、該特定のユニットより1つ前に位置するユニットを構成する前記膜厚評価手段が出力した情報を、該特定のユニットにおける前記被処理体の情報バックグラウンド情報として利用する、ことを特徴とする。本発明の請求項3に記載の有機薄膜太陽電池の成膜装置は、請求項1又は2において、前記膜厚評価手段は、エリプソ法を用いて、前記被処理体上に形成された前記有機薄膜の厚さを算出する、ことを特徴とする。本発明の請求項4に記載の有機薄膜太陽電池の成膜装置は、請求項1乃至3のいずれか1項において、前記塗布手段は、インクジェット法を用いて、前記有機薄膜の原材料を前記被処理体に付着させる、ことを特徴とする。本発明では、ロールツーロール法を用いて、長尺状の被処理体に所望の有機薄膜を複数、順に重ねて積層形成する際に、前記被処理体に向けて前記有機薄膜の原材料を付着させる塗布手段、前記被処理体に付着した原材料を熱処理する焼成手段、及び、前記有機薄膜の厚さを求める膜厚評価手段、が順に配置され、前記膜厚評価手段により求めた情報に基づき、該膜厚評価手段より前段に位置する前記塗布手段の設定条件を調整する制御手段を付属してなるユニットを備え、該膜厚評価手段で測定された膜厚情報に基づいて、塗布手段の設定条件を調整しているので、基材の全面に亘って膜厚を均一に形成することができる。これにより本発明では、高品質の有機薄膜太陽電池を製造することができ、さらに製造効率を高めた有機薄膜太陽電池の成膜装置を提供することができる。以下、本発明に係る有機薄膜太陽電池の成膜装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明を適用して製造される有機薄膜太陽電池の一例を示す要部拡大斜視図である。また、図2は図1の太陽電池の層構成を示す断面図である。太陽電池10は、透明な絶縁性の基板11の一面11aに光電変換体12を形成してなる。基板11は、例えば、透明樹脂フィルムなど、太陽光の透過性に優れ、可塑性のある絶縁材料で形成されていればよい。このような基板11の他面11b側から太陽光を入射させる。光電変換体12は、基板11側から順に第一電極層13、半導体層発電部14、第二電極層裏面電極15を積層してなる。第一電極層13の構成材料としては、導電性と透明性を兼ね備えたものであれば特に限定されるものではなく、In-Zn-OIZO、In-Sn-OITO、ZnO-AlZAO、Zn-Sn-OSZO等を挙げることができ、中でも、ITOが好ましく用いられる。また、第二電極層裏面電極15は、Ag,Cuなど導電性の金属膜によって形成されていればよい。半導体層発電部14は、例えば、p型有機半導体膜p層とも呼ぶ16上にn型有機半導体膜n層とも呼ぶ17が積層されてなるヘテロ接合を有する。この半導体層14に太陽光が入射すると、p層16においてはホールが、n層17においては電子が、それぞれ生じ、p層16とn層17との電位差によって、n層の電子はp層へ、p層のホールはn層へ流れ込む。これが連続的に繰り返されることで第一電極層13と第二電極層15との間に電位差が生じる光電変換。ゆえに、p層はホール輸送層Holetransportlayerあるいは電子受容体、n層は電子輸送層Electrontransportlayerあるいは電子供与体、とも呼ばれる。p型有機半導体膜16の材料としては、特に限定されるものではないが、インクジェット法により成膜可能なものであることが好ましい。中でも電子供与性の導電性高分子材料であることが好ましい。導電性高分子はいわゆるπ共役高分子であり、炭素-炭素またはヘテロ原子を含む二重結合または三重結合が、単結合と交互に連なったπ共役系から成り立っており、半導体的性質を示すものである。また、導電性高分子材料は、導電性高分子材料を溶媒に溶解もしくは分散させた塗工液を用いることでインクジェット法により容易に成膜可能であることから、大面積の有機薄膜太陽電池を高価な設備を必要とせず低コストで製造できるという利点がある。p型有機半導体16としては、例えば、ポリチオフェンP3HT、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリシラン、ポリカルバゾール、ポリビニルカルバゾール、ポルフィリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、及びびこれらの誘導体、ならびにこれらの共重合体、あるいは、フタロシアニン含有ポリマ、カルバゾール含有ポリマ、有機金属ポリマ等の高分子材料が用いられる。上記の中でも、チオフェン-フルオレン共重合体、ポリアルキルチオフェン、フェニレンエチニレン-フェニレンビニレン共重合体、フェニレンエチニレン-チオフェン共重合体、フェニレンエチニレン-フルオレン共重合体、フルオレン-フェニレンビニレン共重合体、チオフェン-フェニレンビニレン共重合体等が好ましく用いられる。これらの電子供与性材料は、多くのn型有機半導体材料に対して、最低非占有分子軌道LUMOのエネルギー準位差が適切なヘテロ接合を形成することが可能である。n型有機半導体膜17の材料としては、特に限定されるものではないが、インクジェット法により成膜可能なものであることが好ましい。n型有機半導体としては、例えば、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、及びこれらの誘導体、ならびにこれらの共重合体等の高分子材料、あるいは、カーボンナノチューブCNT、フェニルC61-ブチリック酸メチルエスタPCBM等のフラーレン誘導体、シアノCN基又はトリフルオロメチルCF3基含有ポリマ、及びそれらのCF3基置換ポリマ等が用いられる。光電変換体12は、スクライブ線スクライブライン19によって、例えば外形が短冊状の多数の区画素子21,21...に分割されている。この区画素子21,21...は互いに電気的に区画されるとともに、互いに隣接する区画素子21どうしの間で、例えば電気的に直列に接続される。これにより、光電変換体12は、区画素子21,21...を全て電気的に直列に繋いだ形態となり、高い電位差の電流を取り出すことができる。スクライブ線19は、例えば、基板11の一面に均一に光電変換体12を形成した後、レーザー光線などによって光電変換体12に所定の間隔で溝を形成することにより形成すれば良い。なお、このような光電変換体12をなす第二電極層15の上に、さらに絶縁性の樹脂などからなる保護層図示せずを形成する構成がより好ましい。次に、以上のような構成の太陽電池の製造方法について説明する。まず、図2に示すように、透明な基板11の一面11aに上に光電変換体12を形成する光電変換体の形成工程。光電変換体12は、例えば、基板11側から順に第一電極層13、半導体層14p型有機半導体膜16及びn型有機半導体膜17、第二電極層裏面電極15を積層したものであればよい。なお、本発明に係る半導体層14としては、必要に応じて、p型有機半導体膜16の上にn型有機半導体膜17が形成された結果、p型有機半導体膜16とn型有機半導体膜17との間に、p型とn型が混在してなる、マクロな真性半導体層[iintrinsicsemiconductor層]が配された構成、いわゆるp-i-n接合型の構成としても構わない。以下では、本発明の有機薄膜太陽電池の成膜装置について説明する。図3は、本発明の有機薄膜太陽電池の成膜装置100A100の一構成例を模式的に示す図である。本発明の有機薄膜太陽電池の成膜装置100A100は、ロールツーロール法を用いて、長尺状の被処理体101に所望の有機薄膜102を複数、順に重ねて積層成膜するものであり、前記被処理体101に向けて前記有機薄膜102の原材料を付着させる塗布手段110、前記被処理体101に付着した原材料を熱処理する焼成手段120、及び、前記有機薄膜102の厚さを求める膜厚評価手段130を有するユニット150を備える。このユニット150においては、前記塗布手段110の後段側に前記焼成手段120、前記膜厚評価手段130が順に配置されている。ここで、本発明の成膜装置100A100で形成する有機薄膜102は、半導体層14並びに、該半導体層14をなすp型有機半導体膜16及び/又はn型有機半導体膜17を示すものとする。ロールツーロール方式の成膜装置A100では、長尺フィルム上の被処理体101を連続走行させる巻出ロール107及び巻取ロール108を有し、被処理体101は、巻出ロール107から巻取ロール108へ向けて、間に複数配された支持ロール109に支持されつつ走行する。巻出ロール107と巻取ロール108との間の位置に前記ユニット150が配置されている。なお、被処理体101には、基板11上に第一電極層13が予め形成されてなるものを用いてもよい。塗布手段110は、巻出ロール107から供給された前記被処理体101に向けて前記有機薄膜102の原材料を付着させる。本実施形態では、塗布手段110は、インクジェット法を用いて、前記有機薄膜102の原材料を前記被処理体101に付着させる。有機薄膜102を形成するための材料をインクジェット用塗工液インクとして調製し、インクジェット法を適用することにより、大面積の被処理体101上にも、有機薄膜102を容易に形成することができる。また、インクジェット法を採用することにより、微細なパターン印刷が可能となるほか、設定条件を制御しやすくなる。例えば、インクジェットヘッド塗布手段110からの吐出液量や単位時間当たりの吐出回数を調整することによって有機薄膜102の厚みを制御することができる。有機薄膜102の形成材料としては、高分子ポリマ、溶剤を主成分とし、任意に添加剤などを添加した塗布組成物を使用することができる。焼成手段120は、前記被処理体101に付着した原材料を熱処理する。塗工液の塗布後は、焼成手段120によって熱処理し、塗膜を乾燥する。塗工液に含まれる溶媒等を早期に除去することにより、所望の有機薄膜102を高い生産性をもって形成することができる。膜厚評価手段130は、前記有機薄膜102の厚さを求める。本実施形態において、膜厚評価手段130は、エリプソ法を用いて、前記被処理体101上に形成された前記有機薄膜102の厚さを算出する。ここで、エリプソ法による膜厚の計測原理を説明する。図4は分光エリプソメトリ方式における分光波形取得のための光学系の一例を示す図である。まず、光源131から出射した光は偏光子132を通り透過光軸に沿った直線偏光になるように偏光子の回転角度を設定する。偏光子132を通過した光は試料133ここでは有機薄膜102に照射され、反射回折した光は検光子134を通り、プリズム135にて周波数分解され、検出器136にて検出される。検光子134は測定の際回転し、試料133へ照射前後の光の偏光状態の変化からエリプソパラメータとして、Δ、Ψが得られるそれぞれはp、sの偏光状態の位相差Δおよび振幅比Ψを示す。そして、この得られたΔ、Ψより膜測値の算出が可能となる。そして本発明の有機薄膜太陽電池の製造装置100A100では、前記ユニット150が、前記膜厚評価手段130により求めた情報αに基づき、該膜厚評価手段130より前段に位置する前記塗布手段110の設定条件を調整βする制御手段140を付属してなる。本実施形態では、インクジェットヘッド塗布手段110からの吐出液量を決定し、前記インクジェットヘッドからの吐出液量を制御するようにした。すなわち、有機薄膜102の膜厚を膜厚評価手段130により測定し、得られた膜厚から現実に吐出されている吐出液量を決定し、制御手段140において、現実の吐出液量と、設定されている吐出液量とを比較して、インクジェットヘッド塗布手段110からの吐出液量を調整する。このように本発明では、有機薄膜102の測定された膜厚情報に基づいて、塗布手段110の設定条件を調整しているので、基材の全面に亘って膜厚を均一に形成することができる。これにより本発明では、高品質の有機薄膜太陽電池を製造することができ、さらに製造効率を高めることができる。なお、ここでは、塗布手段110の設定条件として、インクジェットヘッド塗布手段110からの吐出液量を調整する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、吐出液量以外の条件を調整するものであってもよい。図5は、本発明の有機薄膜太陽電池の成膜装置の一構成例を模式的に示す図である。図5に示すように、この成膜装置100B100では、前記有機薄膜太陽電池10を構成する各層に対応して、前記ユニット150が個別に配置されている。ここでは、被処理体101上にp型有機半導体膜16を形成する第一ユニット151150、第一ユニット151150で形成されたp型有機半導体膜16上にn型有機半導体膜17を形成する第二ユニット152150が、順に配されている。そして、特定のユニットを構成する前記膜厚評価手段130が、該特定のユニットにおいて形成された前記有機薄膜102の厚さを求める際には、該特定のユニットより1つ前に位置するユニットを構成する前記膜厚評価手段130が出力した情報γを、該特定のユニットにおける前記被処理体101の情報バックグラウンド情報として利用する。すなわち、第二ユニット152を構成する前記膜厚評価手段が、該第二ユニット151において形成される前記n型有機半導体膜17の厚さを求める際には、第二ユニット150より1つ前に位置する第一ユニット151を構成する前記膜厚評価手段130が出力した情報p型有機半導体膜16の厚さを、第二ユニット152における前記被処理体101の情報バックグラウンド情報として利用する。これにより、第二ユニット152によって形成されるn型有機半導体膜17の厚さを、所望の数値により正確に制御することが可能となる。有機薄膜102半導体層14が形成された被処理体101は、巻取ロール108に巻き取られ、その後、所定手段によって半導体層14上に第二電極層15が形成される。次に、光電変換体12に向けて、例えばレーザーを照射して、スクライブ線スクライブライン19を形成し、短冊状の多数の区画素子21,21...に分割する区画素子の形成工程。また、基板11の他面11b側から、基板周縁部に所定のレーザーを照射して、積層膜の周縁部いわゆる額縁部の全周に亘って、その周縁部の下地層を含めて積層膜を除去するとともに、周縁部を絶縁処理するエッジディレーション工程。以上のようにして、図1に示した有機薄膜太陽電池10が得られる。この有機薄膜太陽電池10は、電池を構成する各層が、基材の全面に亘って膜厚が均一に形成されているので、高品質のものとなる。また、生産効率も向上したものとなる。以上、本発明の有機薄膜太陽電池の製造装置について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。例えば、上述した実施形態では、被処理体として、基材上に第一電極が予め形成されたものを用い、インクジェット法により有機薄膜p型有機半導体膜及びn型有機半導体膜を形成する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、基材上に、第一電極層、有機薄膜、第二電極層をインクジェット法により連続積層形成するものであってもよい。また、上述した実施形態では、インクジェット法により有機薄膜を形成する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、インクジェット法以外の塗布方法により有機薄膜を形成するものであってもよい。また、上述した実施形態では、半導体層の構成として、p型有機半導体膜上にn型有機半導体膜を積層した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の層構成を有するものであってもよい。"