"中心導体と、誘電体材料からなり前記中心導体の外周に設けられた第一誘電体部と、前記第一誘電体部の外周に設けられた外導体と、前記外導体の先端側の外周面上に誘電体材料を被覆してなる第二誘電体部とを備えたことを特徴とする、電界プローブ。前記第二誘電体部が、空気よりも大きい比誘電率を有する誘電体材料を含有することを特徴とする、請求項1記載の電界プローブ。前記第二誘電体部の端面が、前記外導体の端面に一致することを特徴とする、請求項1又は2記載の電界プローブ。前記中心導体が、前記外導体の端面から突出して設けられることを特徴とする、請求項1~3の何れか1項に記載の電界プローブ。前記第二誘電体部が、電磁波を吸収する損失性材料を含有することを特徴とする、請求項1~4の何れか1項に記載の電界プローブ。前記損失性材料が、磁性損失材料を含有することを特徴とする、請求項5記載の電界プローブ。前記損失性材料が、誘電性損失材料を含有することを特徴とする、請求項5又は6記載の電界プローブ。前記損失性材料部が、前記外導体の端部側ほど前記電磁波の吸収率が高く設定されていることを特徴とする、請求項5~7の何れか1項に記載の電界プローブ。前記第二誘電体部が、前記外導体の端部側ほど細く形成されたテーパ形状であることを特徴とする、請求項1~8の何れか1項に記載の電界プローブ。前記第二誘電体部が、前記外導体の端部側ほど比誘電率が大きく設定されていることを特徴とする、請求項1~9の何れか1項に記載の電界プローブ。電界強度に応じた信号を出力する電界プローブと、前記電界プローブから出力された信号の強度を表示する計測装置とを備えた電界測定装置において、前記電界プローブが、軸状の中心導体と、誘電体材料からなり前記中心導体の外周に設けられた第一誘電体部と、前記第一誘電体部の外周に設けられた外導体と、前記外導体の先端側の外周面上に誘電体材料を被覆してなる第二誘電体部と、を有することを特徴とする、電界測定装置。しかしながら、電界を検出する電界プローブ自身によって、その検出対象の電界が乱されてしまう場合がある。すなわち、同軸型の電界プローブは基準電位グランドを規定する外導体に内挿された中心導体で電界強度を検出する構造を持つため、導電性の外導体によって中心導体に作用する電界が変化してしまい、正確な電界強度を検出できない。事実、電界プローブを用いた電界強度の実測結果は、有限差分時間領域法FDTD法等のシミュレーションで得られる理論的な電界分布と必ずしも一致しない。電界プローブの侵襲性による測定精度の劣化現象は、従来の電磁界解析分野における懸案事項の一つであり、それゆえ、非侵襲性の高い電界プローブの開発が待望されている。また、電子機器の近傍界における電界ベクトルの方向は、電磁波の放射源を中心とした放射方向とは限らない。例えば、高周波回路や部品の接続に用いられるマイクロストリップライン構造では、信号線路が設けられる基板の裏面側に接地面グランドパターンが設けられるため、信号線路から放射された電気力線の進行方向が基板表面に向かって湾曲し、その曲率は信号線路との位置関係によって大きく変化する。一方、電界プローブはその先端に作用する電界の傾き方向を識別することができないため、電界プローブによる測定結果から電磁波の放射源の位置を特定することが難しい。なお、マイクロストリップライン構造の基板の板面に対して平行な方向にx軸,y軸を設定し、板面に垂直な方向にz軸を設定すると、放射源の位置はxy平面内で最もz軸方向の電界成分が大きい座標に相当するものと考えられる。換言すると、z軸方向の電界成分が正確に把握されれば、放射源の位置も特定される。しかし、電界プローブの先端にはz軸方向の成分だけでなくx軸,y軸方向の電界成分が作用し、三軸の電界成分が反映された電界が検出されることになる。つまり、電界のx軸成分やy軸成分の存在によって正確なz軸成分の値が不明確となり、このことが放射源の位置の特定を困難にしているという実情がある。本件の目的の一つは、このような課題に鑑み創案されたもので、電界の測定精度を向上させることである。また、前記目的に限らず、後述する発明を実施するための形態に示す各構成により導かれる作用効果であって、従来の技術によっては得られない作用効果を奏することも本件の他の目的として位置づけることができる。開示の電界プローブは、中心導体と、誘電体材料からなり前記中心導体の外周に設けられた第一誘電体部と、前記第一誘電体部の外周に設けられた外導体とを備える。また、前記外導体の先端側の外周面上に誘電体材料を被覆してなる第二誘電体部を備える。開示の技術によれば、電界の検出精度を向上させることができる。以下、図面を参照して電界プローブ及び電界測定装置に係る実施の形態を説明する。ただし、以下に示す実施形態はあくまでも例示に過ぎず、実施形態で明示しない種々の変形や技術の適用を排除する意図はない。すなわち、本実施形態を、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形実施形態及び各変形例を組み合わせる等して実施することができる。[1.装置構成]図1は、実施形態に係る電界測定装置10の構成を例示する斜視図である。この電界測定装置10は、例えば電子部品を実装したプリント回路基板12や、電子回路を内蔵した家電機器,コンピュータ,無線送受信装置,携帯電話機といった電子機器類の近傍における電界を測定するものであり、スペクトラムアナライザ6計測装置及び電界プローブ1を備える。電子機器類から放射される電磁波による電界及び磁界の特性は、放射源からの距離によって大きく変動する。およそ電磁波の一波長よりも距離が小さい範囲は近傍界と呼ばれ、これよりも距離が大きい範囲は遠方界と呼ばれる。本電界測定装置10は、電子機器類の近傍界における電界強度の測定に用いて好適であるが、遠方界での測定に適用することも可能である。スペクトラムアナライザ6は、入力される高周波信号の周波数スペクトルを測定し表示する装置である。ここでは、電界プローブ1から入力される電圧信号がスペクトラムアナライザ6の測定対象となる。スペクトラムアナライザ6は、電界プローブ1から入力される信号の周波数スペクトル毎の強度をディスプレイに表示する。電界プローブ1は、探査対象と非接触状態で電界を検出する同軸型のプローブであり、電界プローブ1の先端部近傍に作用した電界強度の変化に対応する信号を出力するものである。この電界プローブ1は、図2a,bに示すように、中心導体2,第一誘電体部3,外導体4及び第二誘電体部5を有する。中心導体2は、例えば銅線からなる芯線であり、電界プローブ1の中心に配置される。中心導体2は導体損失の低い物質で形成することが好ましく、また表皮効果を考慮して中心導体2の表面に銀めっき加工等を施してもよい。外導体4は、中空円筒状の導体として形成され、中心導体2と同軸に配置される部位である。外導体4は、その中心軸が中心導体2の中心軸Cに一致するように配置され、内部に中心導体2を挿通した状態で第一誘電体部3を介して中心導体2と一体に固定される。この外導体4は、中心導体2に入力される電界の基準電位グラウンドを規定する機能を持つ。なお、中心導体2と同様に、導体損失の低い物質で外導体4を形成することが好ましい。電界プローブ1をセミリジッド型の同軸プローブとする場合には、外導体4を銅管で形成してもよい。また、電界プローブ1をフレキシブル型の同軸プローブとする場合には、外導体4を網組み銅線等で形成してもよい。第一誘電体部3は、中心導体2及び外導体4間に充填された誘電体材料絶縁物からなる層である。第一誘電体部3の比誘電率は、電界プローブ1に要求される特性インピーダンスに応じて設定される。なお、特性インピーダンスは、外導体4の内径と中心導体2の外径との比、及び、第一誘電体部3の比誘電率によって定められる。この第一誘電体部3は、誘電体損失の低い物質で形成することが好ましく、例えば化学的活性の低いフッ素樹脂やポリエチレン等を用いることが考えられる。また、絶縁体として空気を利用する場合には、第一誘電体部3を省略してもよい。この場合、中心導体2を外導体4に対して任意の絶縁物を介して固定すれば、中心導体2と外導体4との間の空間が誘電層として機能する。第二誘電体部5は、空気よりも大きい比誘電率交流電場に対する比誘電率を持つ誘電体材料からなり、外導体4の外周面に装荷された中空円筒状の部材である。第二誘電体部5の内径は外導体4の外形に一致する寸法に形成され、第二誘電体部5はその内筒面を外導体4の外周面4bに対して接触させた状態で固定される。なお、第二誘電体部5は、少なくとも外導体4の先端4a側の端部における外周面4bを被覆するように設けられる。外導体4と第二誘電体部5との接触状態は、密嵌状態としてもよいし、着脱自在に摺接させてもよい。第二誘電体部5の材質は、第一誘電体部3の材質と同一であってもよいが、異なるものとしてもよく、比誘電率の大きい材料とすることが好ましい。比誘電率が大きいほど、電界プローブ1の先端部近傍における電界の矯正作用が強化される。ここでいう比誘電率とは高周波域の交流電場に対する比誘電率である。本実施形態では、比誘電率の周波数依存特性を考慮して、500MHz以上の高周波域の電磁波に対して空気よりも大きい比誘電率を有する材質とする。より好ましくは、1GHz以上の高周波域の電磁波に対して空気よりも大きい比誘電率を有する材質とする。電界プローブ1の先端形状に着目すると、図2aに示すように、中心導体2の先端2a,第一誘電体部3の先端3a,外導体4の先端4a及び第二誘電体部5の先端5aは全て同一平面上に位置し、これにより電界プローブ1の先端はフラットに形成されている。つまり、中心導体2,第一誘電体部3,外導体4及び第二誘電体部5の端面は全て一致している。また、電界プローブ1の断面形状に着目すると、図2bに示すように、中心導体2,第一誘電体部3,外導体4及び第二誘電体部5は全て同心円状に配置されている。[2.数値解析][2-1.理論値]上記の電界プローブ1による電界測定の数値解析モデルとして用意されたマイクロストリップライン9電磁波伝送路を図3に例示する。このマイクロストリップライン9は、誘電体からなる基板8の上面に直線状の導体線路7を設けたものである。また、基板8の下面は全面がグラウンド層13である。この数値解析に際し、マイクロストリップライン9の基板8を200mm角の正方形状とし、その厚さ導体線路7とグラウンド層13との距離を1mm,導体線路7の幅を2mmに設定し、基板端部で導体線路7を終端させた。なお、基板の比誘電率は4とした。マイクロストリップライン9に1GHzの高周波電圧を印加した場合における電界分布の数値解析結果を図4に示す。ここでは、導体線路7の中心にy軸x0を設定し、これと直交する水平方向にx軸を設定するとともに、鉛直方向にz軸を設定した。また、板面から鉛直上方に1mmの高さの水平面内において、導体線路7の直上方x0を解析位置の始点とし、走査方向をx軸方向xの増大方向とした。図4中に太実線で示すように、数値解析による電界強度の理論値は、距離x0で最大値をとり、距離xが増大するに連れて減少する。また、xx1で極小値,xx2で極大値をとり、距離x2よりも遠方では大きく減衰する。[2-2.比較用プローブ]次に、上記の数値解析モデルに対し、従来の同軸型プローブに相当する比較用プローブ11を適用した場合に検出される電界強度の推定値を数値解析し、比較用プローブ11の侵襲性を確認した。この解析で想定した比較用プローブ11は、図3中に示すように、前述の電界プローブ1から第二誘電体部5を取り除いたものに相当する。すなわち、比較用プローブ11は、上述の中心導体2,第一誘電体部3及び外導体4を有するプローブとした。また、比較用プローブ11の諸元は、外径1mm,長さ48mm,中心導体の直径を027mm,誘電体の比誘電率を22とした。比較用プローブ11による走査方向は、図3に示すように、導体線路7の直上方x0を始点とするx軸方向とした。なお、比較用プローブ11の配置方向は、z軸方向板面に垂直とした。図4中に破線で示すように、比較用プローブ11による電界強度の検出推定値は、理論値から大きく乖離していることが読みとれる。特に、破線グラフの極小値となる距離x3が理論値の場合の極小値をとる距離x1と大きく相違し、距離x2よりも遠方に位置している。また、その位置での電界強度が過小評価されていることがわかる。さらに、その後の距離xの増大に対して電界強度の減衰作用が極めて小さく、あたかも強度が一定の電界が広範囲に渡って拡散しているかのような結果となる。これは、比較用プローブ11がマイクロストリップライン9の電界のうち、z方向の電界成分Ez成分だけでなくx方向の電界成分Ex成分をも検出しているためであると考えられる。[2-3.電界プローブ]続いて、上記の数値解析モデルに対し、上述の電界プローブ1を適用した場合に検出される電界強度の推定値を数値解析した。ここで想定した電界プローブ1は、上記の比較用プローブ11の先端に第二誘電体部5を装荷したものである。ここでは、第二誘電体部5の外径を11mmとし、長さを25mmとした。また、第二誘電体部5の化学的組成は誘電体材料とし、比誘電率を100,損失を0とした。図4中に細実線で示すように、電界プローブ1による電界強度の推定値は、理論値との類似性が強く、精度よく電界強度が検出されることが読みとれる。特に、理論値の極小値となる距離x1がほぼ一致しているだけでなく、距離x2よりも遠方での電界の減衰特性も酷似している。[2-4.電界の矯正作用]マイクロストリップライン9の近傍における電気力線の状態を図5に模式的に示す。ここでは、導体線路7上の電荷が正である瞬間の状態を例示する。電界プローブ1が存在しないとき、マイクロストリップライン9を中心として放射方向に延びるそれぞれの電気力線がグラウンド層13に向かって垂直に進入する。一方、電界プローブ1が導体線路7の上方に位置するとき、電界プローブ1の下方で電気力線が中心導体2側に引き寄せられる。このとき、もしも電界プローブ1の外導体4の周囲に第二誘電体部5が設けられていなければ、図5中に破線で示すように、電気力線が外導体4の表面に対して回り込むように配向され、外導体4近傍のEx成分電界ベクトルのうちx軸方向の成分が中心導体2に作用する。この結果、Ex成分に由来する乱れがEz成分の検出信号に混入する。つまり、第二誘電体部5が設けられていない比較用プローブ11を用いた場合には、電界のEz成分だけでなくEx成分も併せて検出されてしまい、これらの各成分を識別することができない。これに対し、第二誘電体部5が装荷された電界プローブ1を用いた場合には、図5中に実線で示すように、電気力線が第二誘電体部5の下面に引き寄せられ、外導体4近傍のEx成分がz軸方向に矯正される。これにより、中心導体2に作用する電界はEz成分が優位となり、Ex成分に由来する乱れが減少し、電界プローブ1は中心導体2の先端2aに作用するEz成分に対応する電圧信号を生成する。したがって、マイクロストリップライン9の近傍界の電界測定において、電界プローブ1はEx成分の影響を受けにくくなり、電界のEz成分の検出精度が向上する。[2-5.電界の一致度の評価]第二誘電体部5の組成及び形状を変更したときに電界の検出精度がどのように変化するかを推定したシミュレーション結果を図6a~dに示す。ここでは、第二誘電体部5の比誘電率及び損失の大きさを以下の表1に示すような設定とし、それぞれの場合のシミュレーション結果を図6a~dに示す。上記のシミュレーションに際し、図6eに示すように、第二誘電体部5の外径と内径との差の寸法を厚さDとし、電界プローブ1の延在方向の寸法を長さLとして、これらの厚さD,長さLを変更したときの電界強度の推定値を数値解析した。また、この推定値と理論値との一致度を数値化するために、推定値と理論値との絶対値誤差の合計を演算した。ここでいう絶対値誤差とは、例えば図4に示すグラフでいえば、太実線で示される理論値グラフと、細実線で示される推定値グラフとに囲まれた領域の面積に相当するパラメータであり、絶対値誤差が小さいほどグラフの形状が類似しているものと評価される。ハッチングの種類及びそのハッチングが意味する絶対値誤差の大小関係は、図6fに示す通りであり、絶対値誤差が小さいほど濃度が薄くなるハッチングを施して、厚さD及び長さLと絶対値誤差との関係を視覚化した。図6a~dのそれぞれに示すように、第二誘電体部5の組成が一定の場合、厚さD,長さLがそれぞれ過大であっても過小であっても絶対値誤差が増大する。これは、厚さD,長さLが過小である場合には、図5に示すような第二誘電体部5による電界の矯正作用が微弱となり、電界のEx成分が誤って検出されてしまうことを意味する。逆に、厚さD,長さLが過大である場合には、電界の矯正作用が過剰となり、第二誘電体部5によってマイクロストリップライン9の本来の電界が乱されてしまうものと考えられる。つまり、第二誘電体部5の形状を考慮するとき、絶対値誤差を最も小さくする厚さD,長さLのそれぞれの最適値が存在し、厚さD,長さLのそれぞれが最適値から離れるほど絶対値誤差が増大し、推定値と理論値との一致度が低下する。また、図6a,bを比較すると、比誘電率がほとんど同一の場合、絶対値誤差の大きさは第二誘電体部5の損失の大きさにほとんど影響を受けないことがわかる。一方、図6c,dに示すように、第二誘電体部5の比誘電率を増大させると、厚さD,長さLの値に関わらず、絶対値誤差が全体的に減少し、推定値と理論値との一致度が上昇するものと判断できる。したがって、電界プローブ1の第二誘電体部5には、損失の大小に関わらず、比誘電率の大きい材料を用いることが好ましいといえる。[3.効果]1開示の電界プローブ1によれば、外導体4の先端4a側の外周面4bを第二誘電体部5で被覆することにより、電界プローブ1の先端部近傍に作用する電界の向きを電界プローブ1の延在方向すなわちz軸方向に矯正することができる。これにより、x軸方向の電界成分を減少させることができ、測定対象の電界強度を精度よく検出することができる。2また、図2aに示すように、上記の電界プローブ1は外導体4の先端4aと第二誘電体部5の先端5aとが同一平面上に位置するように設けられ、外導体4の外周面4bが電界に対して露出しない。このような端部形状により、電気力線を外導体4に引き寄せにくくすることができ、電界のEx成分によって電界プローブ1での検出結果が攪乱されることを防止できる。したがって、電界プローブ1による電界の検出精度を向上させることができる。また、電気力線の密度が高い外導体4の先端4a側が第二誘電体部5で覆われるため、電界プローブ1を測定対象物に近接させた場合であっても電界のEx成分の影響を受けにくくすることができる。さらに、電界のEz成分の検出精度が高いこのような電界プローブ1を用いた電界検知により、スペクトラムアナライザ6で測定される電界分布の精度をも向上させることができる。3なお、第二誘電体部5は、空気よりも大きい比誘電率を有する誘電体材料からなるため、電界プローブ1の先端部近傍における電気力線を確実に引き寄せることができる。これにより、外導体4近傍の電界のEx成分をz軸方向に矯正することができ、換言すれば電界のEx成分の影響を減少させることができ、電界の検出精度を向上させることができる。[4.変形例]開示の実施形態の一例に関わらず、本実施形態の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。本実施形態の各構成及び各処理は、必要に応じて取捨選択することができ、あるいは適宜組み合わせてもよい。以下の変形例において、上述の実施形態と同一の要素については同一の符号を用いて説明を省略する。[4-1.第二誘電体部の組成]上述の実施形態では、第二誘電体部5に空気よりも大きい比誘電率を有する誘電体材料を含む電界プローブ1を例示したが、さらに損失性材料を第二誘電体部5に含ませることで電界の検出精度をより向上させることが可能となる。損失性材料とは、電磁波を吸収して熱エネルギーに変換する機能を持つ材料であり、エネルギーの変換メカニズムの相違により、おもに磁性損失材料と誘電性損失材料との二種類に分類される。磁性損失材料とは、磁性材料の磁性損失能により電磁波のエネルギーを熱に変換する材料である。例えば、酸化鉄Fe2O3に二価酸化金属NiO,ZnO等を焼結したフェライト系電波吸収体や、ケイ素鋼FeSi,パーマロイFeNi,ステンレスFeCrSi等の粉末を焼結した合金系電波吸収体、希土類磁石化合物等を用いることが考えられる。また、これらの金属の粉末をゴムや樹脂中に混入させたゴムフェライト等の複合材料を用いてもよい。なお、使用する材料の比透磁率の複素成分が大きいほど電磁波のエネルギー損失量が増大し、すなわち電磁波の吸収量が増大する。一方、誘電性損失材料とは、誘電材料の誘電損失能により電磁波のエネルギーを熱に変換する材料である。例えば、チタン酸バリウムBaTi3及び炭素粒子を樹脂中に混合した電波吸収体や、生体等価ファントム用の材料、高分子材料等を用いることが考えられる。なお、第二誘電体部5の誘電性損失材料としては、第一誘電体部3に適用される低損失の材料とは逆の特性を持つもの、すなわち誘電体損失の大きいものが好ましい。使用する材料の比誘電率の複素成分が大きいほど、電磁波のエネルギー損失量が増大し、電磁波の吸収量が増大する。[4-2.電界ベクトル分析]ここで、第二誘電体部5の代わりに誘電体材料及び磁性損失材料を含む損失性材料部15を取り付けた電界プローブ14を用いた電界測定を想定して、マイクロストリップライン9の近傍界における電界分布の変化について説明する。図7aは、導体線路7の直上部に比較用プローブ11が位置する状態での電界分布であり、図7bは、損失性材料部15を取り付けた電界プローブ14の場合のものである。なお、図7a,b中の矢印の向きが電界の向きを表し、矢印の大きさが電界強度を表す。比較用プローブ11を用いた場合には、図7a中に符号Dで示すように、導体線路7を始点とした電気力線が、破線で囲まれた範囲において外導体4の表面に対して回り込むように発生し、外導体4近傍のEx成分電界ベクトルのうちx軸方向の成分が中心導体2に作用する。この結果、Ez成分の変動によって中心導体2に発生する検出信号に対し、Ex成分に由来する乱れが混入する。つまり、比較用プローブ11は電界のEz成分だけでなく、Ex成分も検出してしまう。一方、損失性材料部15が装荷された電界プローブ14を用いた場合には、図7bに符号Eで示すように、損失性材料部15の存在により外導体4の表面への電気力線の回り込みが抑制され、破線で囲まれた範囲内の電界成分が減少する。また、損失性材料部15の内部では、電界のエネルギーが磁性損失能により熱エネルギーに変換されるため、損失性材料部15の内部に進入した電界強度が減衰し、電界の変動が抑制される。さらに、上述の実施形態と同様に、損失性材料部15に含まれる誘電体の作用によって電気力線が第二誘電体部5の下面に引き寄せられ、外導体4近傍のEx成分がz軸方向に矯正される。これらの電界の矯正作用と減衰作用との協働によって、中心導体2に作用する電界はEz成分が強く優位となり、電界プローブ14は中心導体2の先端2aに作用するEz成分の変化に対応する電圧信号を生成する。このように、マイクロストリップライン9の近傍界の電界測定において、電界プローブ14はEx成分の影響を受けにくくなり、非侵襲性が向上する。このように、損失性材料部15に含まれる損失性材料により、外導体4の外周面4bよりも外側での電界変動を抑制することができる。これにより、中心導体2に作用する電界のEx成分を減衰させることができ、電界プローブ1による電界の測定精度を向上させることができる。特に、損失性材料部15に磁性損失材料を用いた場合には、その磁性損失能を利用して確実に電磁波のエネルギーを熱に変換することができ、外導体に作用する電界のEx成分を減衰させることができる。なお、比透磁率の複素成分を増大させることでEx成分による中心導体2への影響を減少させることができ、電界の検出精度をさらに向上させることができる。一方、損失性材料部15に誘電性損失材料を用いた場合であっても、その誘電損失能を利用した電磁エネルギーの変換が可能であり、外導体に作用する電界のEx成分を減衰させることができる。なお、磁性損失材料の場合と同様に、比誘電率の複素成分を増大させることでEx成分による中心導体2への影響を低めることができ、電界の検出精度をさらに向上させることができる。[4-3.電界プローブの先端形状]上述の実施形態では、電界プローブ1の先端がフラットに形成されたものを例示したが、図8aに示すように、中心導体2を第一誘電体部3,外導体4及び第二誘電体部5の端面から突出させてもよい。この場合、第一誘電体部3及び第二誘電体部5の端面を外導体4の端面と一致させて、外導体4の内周面及び外周面4bを露出させないようにすることが考えられる。ここで、外導体4の端面からの中心導体2の突出量をH1とおき、中心導体2の先端2aから測定対象までの距離をH2とおくと、この電界プローブ1で検出される電界強度は、測定対象からの距離がH1H2の位置での電界強度に相当する。このように、中心導体2を第二誘電体部5の端面よりも突設させることにより、外導体4の端面と中心導体2との交点すなわち、中心導体2が突出している根元部分に作用する微弱な電界を検出することが可能となり、電界の検出感度を向上させることができる。なお、第二誘電体部5の端面は、必ずしも外導体4の端面に一致していなくてもよい。ただし、第二誘電体部5の先端5aよりも下方で外導体4の外周面4bが露出してしまうと、第二誘電体部5による電界の矯正作用が弱められてしまう。したがって、少なくとも第二誘電体部5の先端5aを外導体4の先端4aと同一平面上に位置させるか、あるいは第二誘電体部5の先端5aを外導体4の先端4aよりも下方まで延設するつまり、外導体4の外周面4bを覆うように突出させることが好ましい。第一誘電体部3に関しても同様であり、第一誘電体部3の先端3aを外導体4の先端4aと同一平面上に位置させるか、あるいは先端4aよりも下方まで延設することが好ましい。[4-4.第二誘電体部の形状]また、上述の実施形態では、円筒状に形成された第二誘電体部5を例示したが、第二誘電体部5の具体的な形状はこれに限定されない。例えば、図8bに示すように、外導体4の先端4a側ほど外径が縮径した形状としてもよい。第二誘電体部5の先端を細く形成することにより、狭隘な箇所の電界を検出しやすくすることができる。また、図8cに示すように、外導体4の先端4a側ほど外径が拡径した形状としてもよい。すなわち、検出対象に近い電界から受ける影響が大きい第二誘電体部5の先端の厚みを大きくすることにより、中心導体2に作用しうる電界のEx成分への矯正効果を向上させることができ、電界の検出精度をさらに向上させることができる。あるいは、図8dに示すように、第二誘電体部5を電界プローブ1の延在方向に分割した二段構造としてもよい。この場合、先端側に位置する一方を先端誘電体部51,他方を基端誘電体部52とおき、先端誘電体部51側を基端誘電体部52よりも比誘電率の大きい材料で形成する。あるいは、先端誘電体部51側を基端誘電体部52よりも電磁波の吸収率が高い材料で形成する。また、第二誘電体部5を三段以上の複数段に分割した場合には、外導体4の先端4a側ほど比誘電率が大きく、あるいは電磁波の吸収率が高い材料で形成することが考えられる。これらのような構成により、図8cに示すものと同様に、電界プローブ1の先端側における不要な電界干渉を抑制することが可能となり、電界の検出精度をさらに向上させることができるとともに、非侵襲性をさらに向上させることができる。特に、電界プローブ1の先端側ほど電界強度が大きく干渉しやすいため、電界の矯正作用や減衰作用を強めることが可能となり、電界の検出精度の向上に大きく寄与しうる。また、図8eに示すように、第二誘電体部5の縮径部53を他の部位よりも比誘電率の大きい材料や電磁波の吸収率が高い材料で形成してもよい。これにより、電界プローブ1の利便性を向上させつつ電界の検出精度を向上させることができる。また、上述の実施形態では、図2bに示すように、中心導体2,第一誘電体部3,外導体4及び第二誘電体部5が同心円状に配置されたものを例示したが、これらの各要素の断面形状や外形状はこれに限定されない。例えば、各要素の断面形状を円形状や多角形状にしてもよいし、各要素の立体形状を球形状や楕円の回転体形状等としてもよい。また、第二誘電体部5に損失性材料を含ませる場合には、電波吸収性を考慮して、第二誘電体部5の外表面に凹凸を設けてもよい。なお、上述の実施形態では、電界プローブ1をスペクトラムアナライザ6に直接的に接続した電界測定装置10を例示したが、具体的な電界の測定手法はこれに限定されない。例えば、増幅器や安定器をこれらの間に介装させてもよいし、スペクトラムアナライザ6に加えてあるいは代えて他の計測装置やコンピュータを接続してもよい。"