半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光する第1レンズと、前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された第2レンズと、前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、前記絶縁体は、第1部分、及び前記第1部分とは異なる第2部分を有し、前記光電変換部と前記第1部材とが並ぶ第1方向と交差する第2方向に沿って、前記第1部分、前記第1部材、及び前記第2部分が並んで配され、前記第1部材と前記第1レンズとの間に配された第2部材を有し、前記第2部材の面積は前記第1部材の面積よりも大きく、前記第2部材を構成する材料の屈折率は前記第1レンズを構成する材料の屈折率より低いことを特徴とする光電変換装置。半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光する第1レンズと、前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された第2レンズと、前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、前記絶縁体は、前記光電変換部と重ならない位置に配された第1部分、及び前記第1部分とは異なり、前記光電変換部と重ならない位置に配された第2部分を有し、前記第1部材は、前記第1部分と前記第2部分との間に配され、前記第1部材と前記第1レンズとの間に配された第2部材を有し、前記第2部材の面積は前記第1部材の面積よりも大きく、前記第2部材を構成する材料の屈折率は前記第1レンズを構成する材料の屈折率より低いことを特徴とする光電変換装置。前記第2部材を構成する前記材料の前記屈折率は、前記第1部材を構成する材料の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の光電変換装置。前記光電変換装置は、前記第1部材と前記第2部材との間に配された第3部材をさらに有し、前記第3部材を構成する材料の屈折率は、前記第1部材を構成する前記材料の前記屈折率よりも低く、かつ前記第2部材を構成する前記材料の前記屈折率よりも高いことを特徴とする請求項3に記載の光電変換装置。前記第3部材の厚さd1、前記第3部材を構成する前記材料の前記屈折率X、及び前記波長選択部によって選択された光の波長pが、関係式1及び関係式2を満足することを特徴とする請求項4に記載の光電変換装置:関係式1d1>p/8X、関係式2d1<3p/8X。前記光電変換装置は、前記第1部材と前記レンズとの間に配された第4部材をさらに有し、前記第4部材を構成する材料の屈折率は、前記レンズを構成する前記材料の前記屈折率よりも低く、かつ前記第2部材を構成する前記材料の前記屈折率よりも高いことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光電変換装置。前記第4部材の厚さd2、前記第4部材を構成する前記材料の前記屈折率Y、及び前記波長選択部によって選択された光の波長pが、関係式3及び関係式4を満足することを特徴とする請求項6に記載の光電変換装置:関係式3d2>p/8Y、関係式4d2<3p/8Y。前記光電変換装置は、導電部材を含む配線層をさらに有し、前記半導体基板から前記第1部材の前記半導体基板とは反対側の面までの第1の距離が、前記半導体基板から前記導電部材の前記半導体基板とは反対側の面までの第2の距離よりも大きく、前記半導体基板から前記第1部材の前記半導体基板の側の面までの第3の距離が、前記半導体基板から前記導電部材の前記半導体基板の側の面までの第4の距離よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の光電変換装置。前記半導体基板は、複数の前記光電変換部が配された撮像領域と、前記光電変換部からの信号を処理する回路が配された回路領域とを含み、前記第2部材は少なくとも前記撮像領域の全体に重なって配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の光電変換装置。前記第1部材を構成する材料の屈折率は、前記第1部分の屈折率及び前記第2部分の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の光電変換装置。前記第1部材と前記第1部分との間、及び前記第1部材と前記第2部分との間に、前記第1部材に入射した光を反射する反射部材が配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の光電変換装置。前記第1部材と前記第1部分との間、及び前記第1部材と前記第2部分との間に、エアギャップが配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の光電変換装置。前記光電変換装置は、前記光電変換部とは別の光電変換部と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材と同じ材料で形成された膜を有し、前記膜は前記第1部材、前記第1部分、及び前記第2部分と接して配され、前記膜は前記光電変換部と前記別の光電変換部との間の領域に延在して配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の光電変換装置。前記第1レンズの前記半導体基板の側の面の面積は、前記第1部材の前記光電変換部とは反対側の面の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載の光電変換装置。半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光するレンズと、前記レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、前記絶縁体は、第1部分、及び前記第1部分とは異なる第2部分を有し、前記光電変換部と前記第1部材とが並ぶ第1方向と交差する第2方向に沿って、前記第1部分、前記第1部材、及び前記第2部分が並んで配され、前記レンズと前記第1部材との間に前記レンズより屈折率の低い膜のみが配され、前記膜の面積は前記第1部材の面積より大きいことを特徴とする光電変換装置。半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光するレンズと、前記レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、前記絶縁体は、前記光電変換部と重ならない位置に配された第1部分、及び前記第1部分とは異なり、前記光電変換部と重ならない位置に配された第2部分を有し、前記第1部材は、前記第1部分と前記第2部分との間に配され、前記レンズと前記第1部材との間に前記レンズより屈折率の低い膜のみが配され、前記膜の面積は前記第1部材の面積より大きいことを特徴とする光電変換装置。半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光するレンズと、を有する光電変換装置において、前記絶縁体は、第1部分、及び前記第1部分とは異なる第2部分を有し、前記光電変換部と前記第1部材とが並ぶ第1方向と交差する第2方向に沿って、前記第1部分、前記第1部材、及び前記第2部分が並んで配され、前記光電変換装置はさらに、前記第1部材と前記レンズとの間に配された第1中間部材を有し、前記第1部材と前記第1中間部材の間に第2中間部材を有し、前記レンズと前記第1中間部材の間に第3中間部材を有し、前記レンズを構成する材料の屈折率nf1、前記第3中間部材の屈折率nf2、前記第1中間部材の屈折率nf3、前記第2中間部材の屈折率nf4、及び前記第1部材の屈折率nf5が、nf1>nf5>nf2>nf4>nf3の関係を満たすことを特徴とする光電変換装置。半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光するレンズと、を有する光電変換装置において、前記絶縁体は、前記光電変換部と重ならない位置に配された第1部分、及び前記第1部分とは異なり、前記光電変換部と重ならない位置に配された第2部分を有し、前記第1部材は、前記第1部分と前記第2部分との間に配され、前記光電変換装置はさらに、前記第1部材と前記レンズとの間に配された第1中間部材を有し、前記第1部材と前記第1中間部材の間に第2中間部材を有し、前記レンズと前記第1中間部材の間に第3中間部材を有し、前記レンズを構成する材料の屈折率nf1、前記第3中間部材の屈折率nf2、前記第1中間部材の屈折率nf3、前記第2中間部材の屈折率nf4、及び前記第1部材の屈折率nf5が、nf1>nf5>nf2>nf4>nf3の関係を満たすことを特徴とする光電変換装置。特許文献1に開示された光電変換装置では、層内レンズと光導波路の間に層内レンズの材料と同じ高屈折率材料からなる膜が配される。そのため、層内レンズを通過した光が光導波路に入射しない恐れがある。また、特許文献2に開示された光電変換装置では、光導波路と層内レンズとが互いに接するように配される。このような構成では、層内レンズの外周近傍に入射した光が光導波路に入射しない恐れがある。上述の課題は、光軸に対して斜めに層内レンズに入射する光について顕著である。このため、従来の光電変換装置においては、撮像領域の中心付近の画素と撮像領域の外周近傍の画素との間で感度の差が生じる恐れがある。撮像領域の外周近傍の画素は、中心付近の画素に比べて斜め入射光の割合が多いからである。また、光電変換装置の撮像面積が大きければ大きいほど、この課題は顕著になる。上述の課題に鑑み、本発明はより多くの光を導波路に入射させることが可能な光電変換装置を提供することを目的とする。本発明の第1の側面に係る光電変換装置は、半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光する第1レンズと、前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された第2レンズと、前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、前記絶縁体は、第1部分、及び前記第1部分とは異なる第2部分を有し、前記光電変換部と前記第1部材とが並ぶ第1方向と交差する第2方向に沿って、前記第1部分、前記第1部材、及び前記第2部分が並んで配され、前記第1部材と前記第1レンズとの間に配された第2部材を有し、前記第2部材の面積は前記第1部材の面積よりも大きく、前記第2部材を構成する材料の屈折率は前記第1レンズを構成する材料の屈折率より低いことを特徴とする。本発明の別の側面に係る光電変換装置は、半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光する第1レンズと、前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された第2レンズと、前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、前記絶縁体は、前記光電変換部と重ならない位置に配された第1部分、及び前記第1部分とは異なり、前記光電変換部と重ならない位置に配された第2部分を有し、前記第1部材は、前記第1部分と前記第2部分との間に配され、前記第1部材と前記第1レンズとの間に配された第2部材を有し、前記第2部材の面積は前記第1部材の面積よりも大きく、前記第2部材を構成する材料の屈折率は前記第1レンズを構成する材料の屈折率より低いことを特徴とする。本発明の第2の側面に係る光電変換装置は、半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光するレンズと、を有する光電変換装置において、前記絶縁体は、第1部分、及び前記第1部分とは異なる第2部分を有し、前記光電変換部と前記第1部材とが並ぶ第1方向と交差する第2方向に沿って、前記第1部分、前記第1部材、及び前記第2部分が並んで配され、前記光電変換装置はさらに、前記第1部材と前記レンズとの間に配された第1中間部材を有し、前記第1部材と前記第1中間部材の間に第2中間部材を有し、前記レンズと前記第1中間部材の間に第3中間部材を有し、前記レンズを構成する材料の屈折率nf1、前記第3中間部材の屈折率nf2、前記第1中間部材の屈折率nf3、前記第2中間部材の屈折率nf4、及び前記第1部材の屈折率nf5が、nf1>nf5>nf2>nf4>nf3の関係を満たすことを特徴とする。本発明のさらに別の側面に係る光電変換装置は、半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光するレンズと、を有する光電変換装置において、前記絶縁体は、前記光電変換部と重ならない位置に配された第1部分、及び前記第1部分とは異なり、前記光電変換部と重ならない位置に配された第2部分を有し、前記第1部材は、前記第1部分と前記第2部分との間に配され、前記光電変換装置はさらに、前記第1部材と前記レンズとの間に配された第1中間部材を有し、前記第1部材と前記第1中間部材の間に第2中間部材を有し、前記レンズと前記第1中間部材の間に第3中間部材を有し、前記レンズを構成する材料の屈折率nf1、前記第3中間部材の屈折率nf2、前記第1中間部材の屈折率nf3、前記第2中間部材の屈折率nf4、及び前記第1部材の屈折率nf5が、nf1>nf5>nf2>nf4>nf3の関係を満たすことを特徴とする。光電変換装置本発明によれば、集光能力を向上させることが可能となる。本発明の第1の側面に係る光電変換装置100について説明する図1。光電変換装置100は半導体基板101を有する。半導体基板は、光電変換装置を構成する部材のうち半導体材料の部分である。例えば、半導体基板は、半導体ウェハに対して周知の半導体製造プロセスにより半導体領域が形成されたものを含む。半導体材料としては例えばシリコンが挙げられる。半導体材料と別の材料との界面が半導体基板の主面102である。例えば、別の材料は半導体基板上に該半導体基板と接して配された熱酸化膜などである。本明細書において、平面は主面102と平行な面である。例えば、後述する光電変換部が配された領域における主面102、あるいはMOSトランジスタのチャネルにおける主面102を基準としてよい。本明細書において、断面は平面に対して交差する面である。半導体基板101に、光電変換部103が配される。半導体基板101の主面102側に、絶縁体104が配される。絶縁体104は光電変換部103に対応した穴105を有する。導波路部材106が穴105に配される。言い換えると、半導体基板101上の光電変換部103に重なる位置に導波路部材106が配される。導波路部材106の周囲には絶縁体104が配される。穴105の全体に導波路部材106が配されることが好ましい。しかし、穴105の一部に導波路部材106が配されていなくてもよい。導波路部材106を形成する材料の屈折率は、絶縁体104の屈折率より高いことが好ましい。このような屈折率の関係によって、導波路部材106に入射した光のうち、絶縁体104に漏れ出す光の量を低減することができる。そのため、導波路部材106の少なくとも一部が光電変換部103と重なって配されれば、光電変換部103に入射する光の量を増やすことができる。導波路部材106の屈折率が必ずしも絶縁体104より高い必要はない。導波路部材106に入射した光が周囲の絶縁体に漏れ出ない構成であれば光導波路として機能する。例えば穴105の側壁に光を反射する反射部材が配され、穴105の他の部分に導波路部材106が埋め込まれた構成としてもよい。また、穴105に配された導波路部材106と絶縁体104との間にエアギャップがあってもよい。エアギャップは真空であってもよいし、気体が配されていてもよい。これらの場合、導波路部材106を構成する材料の屈折率と絶縁体104を構成する材料の屈折率とは、どのような大小関係になっていてもよい。ここで、絶縁体104と導波路部材106との位置関係について説明する。ある平面において導波路部材106が配された領域が絶縁体104の配された領域に囲まれている、あるいは挟まれている。言い換えると、光電変換部103と導波路部材106とが並ぶ方向と交差する方向に沿って、絶縁体104の第1部分、第1部分とは異なる第2部分、及び導波路部材106が並んでいる。光電変換部103と導波路部材106が並ぶ方向と交差する方向は、例えば半導体基板101の主面102に沿った方向である。また別の観点では、絶縁体104が光電変換部103と重なっていない第1部分と第2部分を含んでおり、第1部分及び第2部分の間に導波路部材106が配される。導波路部材106に対して半導体基板101とは反対側に、層内レンズ107が配される。層内レンズ107は、層内レンズ107の半導体基板101とは反対側の面から層内レンズ107に入射した光を集光する。導波路部材106に集光するとは、光を導波路部材106に向けて屈折させることである。例えば、層内レンズ107の半導体基板101とは反対側の面から層内レンズ107に入射した光が光軸OPに向かって屈折する。光軸OPは、層内レンズ107の半導体基板101側の面の中心と、導波路部材106の半導体基板101とは反対側の面の中心とを通る直線である。なお光軸OPが定義されない場合がある。その場合でも、層内レンズ107に入射した光が導波路部材106に向かって屈折する構成であればよい。層内レンズ107に対して半導体基板101とは反対側には、波長選択部108及びマイクロレンズ109が配される。波長選択部108は、所定の波長の光を選択的に光電変換部に入射させる機能を有する。波長選択部108は被写体あるいは光源から層内レンズ107までの光路上に配されていればよい。導波路部材106と層内レンズ107との間に第1中間部材110が配される。本発明の第1の側面の特徴は、第1中間部材110を構成する材料の屈折率が層内レンズ107を構成する材料の屈折率よりも低いことである。また、第1中間部材110の面積は導波路部材106の面積より大きい。本明細書において第1中間部材110の面積とは、第1中間部材110がある平面に投影された場合に、当該平面において第1中間部材110が射影された領域の面積を意味する。他の部分について面積という言葉を用いた場合は、特に断りのない限り同様の意味を持つ。例えば、第1中間部材110は複数の光電変換部103が配された撮像領域の全面に配される。さらに、第1中間部材110が周辺回路領域も含めて半導体基板101の全面に延在して配されてもよい。図1において、矢印L1は半導体基板101に入射する光の光路を示す。光は不図示の被写体あるいは光源から発せられる。主面102から半導体基板101の内部に向かって光が入射する。光はマイクロレンズ109によって集光される点A。マイクロレンズ109によって集光された光は、層内レンズ107によって集光される点B。そして、層内レンズ107によって集光された光は、層内レンズ107と第1中間部材110との界面点Cで屈折する。このとき、層内レンズ107の屈折率より第1中間部材110の屈折率のほうが低いため、層内レンズ107によって集光された光はさらに光軸OPに向かって屈折する。その後、光は導波路部材106に入射する点D。結果として光電変換部103に入射する光の量を増やすことができる。図1の破線の矢印L2は、比較例の場合の光路を示している。比較例として、導波路部材106と層内レンズ107との間に配された部材の屈折率が、層内レンズ107の屈折率と同じである場合を考える。比較例の光電変換装置においては、層内レンズ107の半導体基板側の端点Cにおいて光が屈折しない。そのため、層内レンズ107によって集光された光は破線の矢印L2で示される光路に沿って導波路部材106以外の場所に入射する点E。導波路部材106に入射しなかった光は、配線での反射などよって光電変換部に入射しない確率が高い。したがって、このような構成では感度が低下する恐れがある。本発明の第2の側面に係る光電変換装置600について説明する図5。光電変換装置600は半導体基板101を有する。半導体基板は、光電変換装置を構成する部材のうち半導体材料の部分である。例えば、半導体基板は、半導体ウェハに対して周知の半導体製造プロセスにより半導体領域が形成されたものを含む。半導体材料としては例えばシリコンが挙げられる。半導体材料と別の材料との界面が半導体基板の主面102である。例えば、別の材料は半導体基板上に該半導体基板と接して配された熱酸化膜などである。半導体基板101に、光電変換部103が配される。半導体基板101の主面102側に、絶縁体104が配される。絶縁体104は光電変換部103に対応した穴105を有する。導波路部材106が穴105に配される。言い換えると、半導体基板101上の光電変換部103に重なる位置に導波路部材106が配される。導波路部材106の周囲には絶縁体104が配される。穴105の全体に導波路部材106が配されることが好ましい。しかし、穴105の一部に導波路部材106が配されていなくてもよい。導波路部材106を形成する材料の屈折率は、絶縁体104の屈折率より高いことが好ましい。このような屈折率の関係によって、導波路部材106に入射した光のうち、絶縁体104に漏れ出す光の量を低減することができる。そのため、導波路部材106の少なくとも一部が光電変換部103と重なって配されれば、光電変換部103に入射する光の量を増やすことができる。導波路部材106の屈折率が必ずしも絶縁体104より高い必要はない。導波路部材106に入射した光が周囲の絶縁体に漏れ出ない構成であれば光導波路として機能する。例えば穴105の側壁に光を反射する反射部材が配され、穴105の他の部分に導波路部材106が埋め込まれた構成としてもよい。また、穴105に配された導波路部材106と絶縁体104との間にエアギャップがあってもよい。エアギャップは真空であってもよいし、気体が配されていてもよい。これらの場合、導波路部材106を構成する材料の屈折率と絶縁体104を構成する材料の屈折率とは、どのような大小関係になっていてもよい。ここで、絶縁体104と導波路部材106との位置関係について説明する。ある平面において導波路部材106が配された領域が絶縁体104の配された領域に囲まれている、あるいは挟まれている。言い換えると、光電変換部103と導波路部材106とが並ぶ方向と交差する方向に沿って、絶縁体104の第1部分、第1部分とは異なる第2部分、及び導波路部材106が並んでいる。光電変換部103と導波路部材106が並ぶ方向と交差する方向は、例えば半導体基板101の主面102に沿った方向である。また別の観点では、絶縁体104が光電変換部103と重なっていない第1部分と第2部分を含んでおり、第1部分及び第2部分の間に導波路部材106が配される。導波路部材106に対して半導体基板101とは反対側に、レンズ107が配される。レンズ107は、レンズ107の半導体基板101とは反対側の面からレンズ107に入射した光を集光する。導波路部材106に集光するとは、光を導波路部材106に向けて屈折させることである。例えば、レンズ107の半導体基板101とは反対側の面からレンズ107に入射した光が光軸OPに向かって屈折する。光軸OPは、レンズ107の半導体基板101側の面の中心と、導波路部材106の半導体基板101とは反対側の面の中心とを通る直線である。なお光軸OPが定義されない場合がある。その場合でも、レンズ107に入射した光が導波路部材106に向かって屈折する構成であればよい。導波路部材106とレンズ107との間に第1中間部材601、第2中間部材602、及び第3中間部材603が配される。第2中間部材602は、第1中間部材601と導波路部材106との間に配される。第3中間部材603は第1中間部材601とレンズ107との間に配される。本発明の第2の側面の特徴は、レンズ107、導波路部材106、第3中間部材603、第2中間部材602、第1中間部材601の順に屈折率が高いことである。つまり、レンズ107を構成する材料の屈折率がnf1、第3中間部材603の屈折率がnf2、第1中間部材601の屈折率がnf3、第2中間部材602の屈折率がnf4、導波路部材106の屈折率がnf5であるときに、nf1>nf5>nf2>nf4>nf3の関係が成り立つことである。図5において、矢印L1は半導体基板101に入射する光の光路を示す。光は不図示の被写体あるいは光源から発せられる。主面102から半導体基板101の内部に向かって光が入射する。光はレンズ107によって集光される点A。レンズ107と第3中間部材603の屈折率の関係は、nf1>nf2である。そのため、レンズ107によって集光された光は、界面Bでは導波路の中央部に向かって屈折する。さらに、nf2>nf3であるため、界面Cにおいても光は導波路部材106の中央に向かって屈折する。なお、屈折率の関係はnf1>nf2>nf3であるため、第3中間部材603は反射防止膜としても機能しうる。これにより、光の取り込み量を大きくすることが可能である。次いで第1中間部材601と第2中間部材602との屈折率の関係は、nf3<nf4である。そのため、界面Dにおいては、斜め光が垂直光に近づく方向に屈折する。さらにnf4<nf5であるから、界面Eにおいても導波路内へは垂直光に近づく方向に屈折する。また、屈折率の関係はnf3<nf4<nf5であるため、第2中間部材602は反射防止膜としても機能しうる。これにより、光の導波路への光の取り込み量すなわちフォトダイオードへの光の取り込み量を大きくすることが可能である。図6の破線の矢印L2は、比較例の場合の光路を示している。比較例として、導波路部材106とレンズ107との間に配された部材の屈折率が、レンズ107の屈折率と同じである場合を考える。比較例の光電変換装置においては、レンズ107の半導体基板側の端点Cにおいて光が屈折しない。そのため、レンズ107によって集光された光は破線の矢印L2で示される光路に沿って導波路部材106以外の場所に入射する点F。導波路部材106に入射しなかった光は、配線での反射などよって光電変換部に入射しない確率が高い。したがって、このような構成では感度が低下する恐れがある。本発明に係る光電変換装置の実施例について図面を用いて説明する。図1は本実施例の光電変換装置100の断面構造の概略図である。本実施例では1つの光電変換部が示されている。複数の光電変換部が行列状に配されてもよい。以下の説明では、電子が信号電荷である場合について説明するが、ホールが信号電荷であってもよい。ホールが信号電荷である場合には、半導体領域の導電型を反対にすればよい。101は半導体基板である。本実施例では半導体基板101はN型のエピタキシャル層である。半導体基板101にP型ウェル、N型ウェル、P型半導体領域、N型半導体領域が配される。102は半導体基板101の主面である。本実施例では、主面102は半導体基板101と半導体基板101に積層された熱酸化膜不図示との界面である。主面102を通って光が半導体基板101に入射する。103は光電変換部、例えばフォトダイオードである。本実施例では、光電変換部103は、隣接するP型半導体領域とPN接合を構成したN型半導体領域を含む。光電変換によって発生した電荷が光電変換部のN型半導体領域に収集される。光電変換部103の主面102と接する領域にP型半導体領域が配されてもよい。114はフローティングディフュージョン以下、FDである。FD114はN型半導体領域である。光電変換部103で発生した電荷はFD114に転送され、電圧に変換される。FD114は不図示の増幅部の入力ノードに電気的に接続される。あるいは、FD114は信号出力線に電気的に接続される。111は不図示の熱酸化膜を介して半導体基板101上に配されたゲート電極である。ゲート電極111は光電変換部103とFD114との間の電荷の転送を制御する。104は半導体基板101上に配された絶縁体である。本実施例では、絶縁体104を構成する材料はシリコン酸化膜である。絶縁体104を構成する材料は、シリコン酸化膜に限らず、絶縁性を有する材料であればよい。なお、絶縁体104は必ずしも半導体基板101と接している必要はない。絶縁体104を構成する材料の屈折率は1.40~1.60であることが好ましい。また、半導体基板101上に第1配線層112a、第2配線層112bが配される。本実施例において、第1配線層112a、及び第2配線層112bの導電部材は銅で形成される。導電部材は導電性の材料であれば銅以外の材料で形成されてもよい。第1配線層112aの一部の導電部材と第2配線層112bの一部の導電部材とは不図示のコンタクトによって電気的に接続されていてもよい。コンタクトによって電気的に接続される部分を除いて、第1配線層112aの導電部材と第2配線層112bの導電部材とは絶縁体104によって互いに絶縁されている。すなわち絶縁体104は層間絶縁膜を含んでいてもよい。なお、配線層の数は2層に限らず、配線層が単層であっても、3層以上であってもよい。105は絶縁体104に配された穴である。穴105は光電変換部103に対応して配される。穴の断面形状については、穴105が必ずしも絶縁体104を貫通している必要はない。絶縁体104が有する凹みが穴105であってもよい。穴の平面形状については、穴の境界が円形や四角形等の閉じたループである。あるいは、穴の平面形状が、複数の光電変換部にわたって延在する溝のような形状であってもよい。つまり本明細書において、ある平面において絶縁体104の配されていない領域が絶縁体104の配された領域に囲まれている、あるいは挟まれているときに、絶縁体104は穴を有するという。なお、絶縁体104が配されていない領域は、必ずしも空隙である必要はない。平面における穴105の位置について、穴105の少なくとも一部が光電変換部103と平面的に重なって配される。すなわち、穴105及び光電変換部103を同一の平面に投写した時に、当該同一の平面に穴105及び光電変換部103の両方が投写された領域が存在する。穴105には導波路部材106が配される。本実施例では、導波路部材106を構成する材料はシリコン窒化膜である。あるいは、導波路部材106がシリコン酸窒化膜、または有機材料ポリイミド系高分子等の樹脂で構成されてもよい。導波路部材106を構成する材料は、後述する波長選択部によって選択された波長の光もしくは電磁波が透過することが可能な材料であればよい。導波路部材106の屈折率は絶縁体104の屈折率よりも高いことが好ましい。導波路部材106の屈折率は1.60以上であることが好ましい。導波路部材106の屈折率が1.80以上であることがさらに好ましい。本実施例においてシリコン窒化膜の屈折率は1.70~2.30の範囲である。本実施例では穴105の全体に導波路部材106aが配されている。しかしながら、穴105aの一部だけに導波路部材106aが配されてもよい。また、導波路部材106aが複数の材料を含んで構成されていてもよい。この場合、複数の材料のうちいずれか一つの材料の屈折率が、絶縁体104の屈折率よりも高いことが好ましい。例えば、導波路部材106がシリコン窒化膜とシリコン酸窒化膜とで構成されていてもよい。あるいは、穴105の側壁及び底の近傍にシリコン窒化膜が配され、穴105の内部の他の領域にシリコン窒化膜よりも埋め込み特性に優れる有機材料が配された構成でもよい。図1の104aは絶縁体104に含まれる第1部分である。104bは絶縁体104に含まれる第2部分である。第1部分104aと第2部分104bとは異なる領域に配されている。図1が示すように、導波路部材106は第1部分104aと第2部分104bとの間に配される。あるいは、光電変換部103と導波路部材106とが並ぶ方向とは交差する方向に、第1部分104a、第2部分104b、及び導波路部材106が並んで配される。光電変換部103と導波路部材106が並ぶ方向と交差する方向は例えば半導体基板101の主面102に沿った方向である。図1では光電変換部103と導波路部材106が並ぶ方向と、第1部分104a、第2部分104b、及び導波路部材106が並ぶ方向が直交している。しかし、光電変換部103と導波路部材106とが半導体基板101の主面102に対して垂直な方向から傾いた方向に沿って配される場合がある。このような場合には、光電変換部103と導波路部材106が並ぶ方向と、第1部分104a、第2部分104b、及び導波路部材106が並ぶ方向とが、必ずしも直交する必要はない。図1では、第1部分104a及び104bは光電変換部103とは重ならない位置に配されている。しかし、絶縁体104の一部が光電変換部103と重なっていてもよい。また、実際に、第1部分104a及び第2部分104bと、その周囲の絶縁体104との間には境界があるわけではない。いずれも同じ材料で構成されている。本実施例において、導波路部材106の半導体基板101とは反対側の面から主面102までの距離は、第2配線層112bに含まれる導電部材の半導体基板101とは反対側の面から主面102までの距離よりも大きい。また、導波路部材106の半導体基板101側の面から主面102までの距離は、第1配線層112aに含まれる導電部材の半導体基板101側の面から主面102までの距離よりも小さい。なお、導波路部材106と配線層の構造はこのような構造に限られない。例えば、導波路部材106の半導体基板101側の面から主面102までの距離が、第2配線層112bに含まれる導電部材の半導体基板101側の面から主面102までの距離よりも小さく、第1配線層112aに含まれる導電部材の半導体基板101とは反対側の面から主面102までの距離よりも大きくてもよい。また、図1では、導波路部材106と半導体基板101とが互いに接するように配される。しかし、導波路部材106の半導体基板101側の面と主面102とが所定の距離だけ離れていてもよい。例えば、導波路部材106と半導体基板101との間に、保護膜や反射防止膜が設けられてもよい。107は層内レンズである。層内レンズ107は導波路部材106の半導体基板101とは反対側に配される。本実施例では、層内レンズ107はシリコン窒化膜で形成される。層内レンズ107を形成する材料の屈折率は1.80以上であることが好ましい。層内レンズ107に対して半導体基板101とは反対側に層間絶縁膜113が配される。本実施例では、層間絶縁膜113はシリコン酸化膜で形成される。層間絶縁膜113を構成する材料の屈折率は、層内レンズを構成する材料の屈折率より低いことが好ましい。層内レンズ107の半導体基板101とは反対側の面は、半導体基板101とは反対の方向に凸の形状となっている。層間絶縁膜113と層内レンズ107との界面の凸形状、及び屈折率の差によって光が集光される。層内レンズ107が本実施例のように単一の材料で構成される場合、層内レンズ107を構成する材料の屈折率は、当該単一の材料の屈折率によって決まる。単一の材料としては、無機化合物やポリマー等が含まれる。ポリマーは一種類のモノマーが重合したものであってもよいし、複数の種類のモノマーが重合したものであってもよい。また、層内レンズ107を構成する材料は、必ずしも本実施例のように単一の材料である必要はない。複数の材料の混合物が層内レンズ107を構成してもよい。例えば、有機樹脂中に無機材料のビーズが分散した混合物であってもよい。複数の材料が均一に混合された混合物によって構成される場合には、層内レンズ107を構成する材料の屈折率とは、当該混合物の屈折率によって決まる。ビーズの径が波長に対して十分小さい場合には、混合物の屈折率は、混合されるそれぞれの材料の屈折率及び体積比に基づいて求めることができる。また、層内レンズ107の屈折率分布は一様でなくてもよい。例えば、層内レンズ107がそれぞれ異なる材料からなる複数の部分を有しており、当該複数の部分の屈折率がそれぞれ異なっていてもよい。あるいは、有機樹脂中に無機材料のビーズが分散した混合物で構成される層内レンズ107において、ビーズが均一に分散していない場合には、屈折率分布が一様でないことがある。または、紫外線によって硬化する樹脂と、紫外線によって硬化しない樹脂との均一な混合物でレンズ形状を形成し、一部に紫外線を照射することで、屈折率分布が一様でない層内レンズ107を形成することができる。屈折率分布が一様でない層内レンズ107においては、層内レンズ107を構成する材料の屈折率は、層内レンズ107の最も半導体基板101に近い部分を構成する材料の屈折率としてよい。層内レンズ107の最も半導体基板101に最も近い部分において、主面102に沿った方向に屈折率分布がある場合には、その中で最も屈折率が低い部分の屈折率が、層内レンズ107を構成する材料の屈折率であるとすればよい。なお、層内レンズが複数の部分によって構成される場合には、該複数の部分のうち層間絶縁膜113と接する部分を構成する材料の屈折率に比べて、層間絶縁膜113を構成する材料の屈折率が低いことが好ましい。層内レンズ107の屈折率分布が一様でない場合には、層内レンズ107のうち層間絶縁膜113と接する部分の屈折率に比べて、層間絶縁膜113を構成する材料の屈折率が低いことが好ましい。必要に応じて、層間絶縁膜113の半導体基板101とは反対側の面は平坦化される。例えば、CMPによって層間絶縁膜113は平坦化されてもよい。また、層間絶縁膜113と層内レンズ107との間に、層間絶縁膜113の屈折率と層内レンズ107の屈折率との中間の屈折率を有する膜が配されてもよい。層内レンズ107の半導体基板101とは反対側に、波長選択部108が配される。波長選択部108は、例えばカラーフィルターである。カラーフィルターを構成する材料は例えば所定の波長の光を透過し、他の波長の光を吸収する有機樹脂である。また、波長選択部108は、所定の波長の光のみを分離するプリズムであってもよい。また、波長選択部108は、所定の波長の光を別の波長の光に変換する機能を有していてもよい。例えば、波長選択部108がシンチレーターであってもよい。なお、波長選択部108が配される位置は図1に示された位置にかぎらない。波長選択部108は被写体あるいは光源から層内レンズ107までの光路のいずれかに配されればよい。波長選択部108の半導体基板101とは反対側に、マイクロレンズ109が配される。本実施例において、マイクロレンズ109は有機樹脂で形成される。マイクロレンズ109は、入射した光を集光する機能を有する。層内レンズ107と導波路部材106との間に、第1中間部材110が配される。本実施例では、第1中間部材110はシリコン酸化膜である。第1中間部材110を構成する材料の屈折率は、層内レンズ107を構成する材料の屈折率よりも低い。層内レンズ107が複数の部分から構成される場合は、該複数の部分のうち最も半導体基板101に近い部分を構成する材料の屈折率より、第1中間部材110を構成する材料の屈折率が低い。層内レンズ107を構成する材料の屈折率に対する、第1中間部材110の屈折率の比は0.95以下であることが好ましい。さらには、屈折率の比が0.85以下であることがより好ましい。第1中間部材110の屈折率の好適な範囲は1.40~1.60である。第1中間部材の屈折率が1.40~1.50であることがさらに好ましい。第1中間部材110は波長選択部108によって選択された波長帯の光または電磁波に対して透明であることが好ましい。また、第1中間部材110の屈折率は平面内で均一でなくてもよい。第1中間部材110が相対的に屈折率の低い領域と、相対的に屈折率の高い領域を含んでいてもよい。本実施例において、第1中間部材110は複数の光電変換部が配された撮像領域の全面に配される。第1中間部材110が半導体基板101の全面に延在して配されてもよい。しかし、第1中間部材110が必ずしも撮像領域の全面に配される必要はない。少なくとも第1中間部材110の面積が導波路部材106の面積より大きくなるように、第1中間部材110が配されていればよい。ここで、平面で見たときの第1中間部材110の外周の面積が導波路部材106の面積より大きければよい。たとえば、平面で見たときの導波路部材106の中央部に第1中間部材110が配されていない構成でもよい。すなわち平面で見たときにリング状に第1中間部材110が配されてもよい。この場合、実際に第1中間部材110が配された領域の面積が導波路部材106の面積より小さくなっても、第1中間部材110の外周の面積が導波路部材106の面積より大きければよい。比較例として、第1中間部材110の面積が、導波路部材106の面積より小さい場合を説明する。このような場合は、導波路部材106の全部に第1中間部材110が重ならない。第1中間部材110が配されない部分では屈折によって光が集光されない。そのため、導波路部材106に入射する光量が低減される。第1中間部材110の膜厚は、60nm~500nmの範囲であることが好ましい。より好ましくは、第1中間部材110の膜厚が80nm~120nmの範囲であることが好ましい。膜厚は、第1中間部材110の半導体基板101側の面から、第1中間部材110の半導体基板101とは反対側の面までの距離である。第1中間部材110の膜厚は、導波路部材106の高さよりも小さいことが好ましい。なお、層内レンズ107の半導体基板101側の面と、導波路部材106の半導体基板101とは反対側の面との距離は700nm未満であることが好ましい。図2は、本実施例の光電変換装置の平面構造の概略図である。図2の線分ABに沿った断面が図1に示される。図1と同様の機能を有する部分については同じ符号を付してある。図2においては、4つの光電変換部103が配される。ここでは、簡単のために光電変換部の一部であるN型半導体領域が示される。光電変換部の間には、信号電荷に対するポテンシャルバリア201が配置されている。ポテンシャルバリア201はPDとPDとの間の信号電荷の行き来を抑制する、素子分離領域としての機能を有する。4の光電変換部103に対応して4つのゲート電極111が配される。本実施例では、FD114が複数の光電変換部103によって共有される。言い換えると、複数の光電変換部103の電子が1つのFD114に転送される。本実施例においては、さらに複数のFD114が配線202によって電気的に接続される。FD114と配線202とはシェアードコンタクト203によって電気的に接続される。こうして、回路的には4つの光電変換部103の電子が1つのノードに転送される。なお、配線202は、増幅トランジスタのゲート電極と一体となっている。また、互いに電気的に接続された複数のFD114のうち、少なくとも1つがリセットトランジスタのソースあるいはドレインと共通の領域となっている。203はリセットトランジスタのゲート電極である。図2が示す通り、導波路部材106は光電変換部103と重なる位置に配される。導波路部材106の平面形状は図2に示された円形に限られない。たとえば、四角形などの多角形であってもよいし、楕円であってもよい。また、図2では、光電変換部103の一部には導波路部材106が重なっていない。しかし、光電変換部103の全部が導波路部材106と重なっていてもよい。図2において、第1中間部材110は半導体基板101の全面に配される。したがって、導波路部材106の面積よりも、第1中間部材110の面積のほうが大きい。なお、第1中間部材110は必ずしも半導体基板の全面にわたって配される必要はない。また、複数の導波路部材106に対応して配された複数の第1中間部材110が、必ずしも互いに一体として形成される必要はない。以上に述べた通り、本実施例では層内レンズ107と導波路部材106との間に、層内レンズ107よりも屈折率の低い第1中間部材110が配される。そして、第1中間部材110の面積は導波路部材106の面積より大きい。このような構成によって、導波路部材106に入射する光の量を増やすことができる。導波路部材106に光を入射させることができれば、光電変換部まで光が伝搬させることができる。導波路部材106に入射できなかった光は配線での反射等によって損失となる。特に導波路部材106の周囲に配線が配される場合、導波路部材106の入口を大きくするには限度がある。そのため、層内レンズ107の面積が導波路部材106の入口の面積より大きくすることが好ましい。このような場合に、本発明の効果は顕著となる。また、導波路部材106が光を光電変換部へ伝搬するためには、できるだけ導波路部材106の屈折率ができるだけ高いことが好ましい。したがって、第1中間部材110の屈折率よりも、導波路部材106の屈折率が高いほうが好ましい。導波路部材106が複数の材料で構成されている場合には、複数の材料の中で最も高い屈折率が第1中間部材110の屈折率よりも高いことが好ましい。本発明に係る光電変換装置の別の実施例について図面を用いて説明する。図3は本実施例の光電変換装置300の断面構造の概略図である。図1と同様の機能を有する部分については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施例の特徴は、導波路部材106と第1中間部材110との間に第2中間部材301が配され、第1中間部材110と層内レンズ107との間に第3中間部材302が配されたことである。第2中間部材301の屈折率は第1中間部材110の屈折率より高く、導波路部材106の屈折率より低い。第3中間部材302の屈折率は第1中間部材110の屈折率より高く、層内レンズ107を構成する材料の屈折率より低い。例えば、第2中間部材301及び第3中間部材302の屈折率は1.60~1.80であることが好ましい。第2中間部材301の屈折率は、導波路部材106の屈折率と第1中間部材110の屈折率との平均値であることがさらに好ましい。また、第3中間部材302の屈折率は、第1中間部材110の屈折率と層内レンズ107を構成する材料の屈折率との平均値であることがさらに好ましい。本実施例においては、第2中間部材301及び第3中間部材302はシリコン酸窒化膜で構成される。シリコン酸窒化膜の屈折率は約1.72である。第2中間部材301及び第3中間部材302が配されたことによって、入射光の反射が低減される。一般に、屈折率n1の媒質から屈折率n2の媒質に光が進むとき、n1とn2の差が大きいほど反射率が大きくなる。導波路部材106と第1中間部材110との間に、両者の中間の屈折率を有する第2中間部材301が配されることによって、界面での屈折率の差が小さくなる。結果として、導波路部材106と第1中間部材110とが互いに接して配された場合に比べて、第1中間部材110から導波路部材106に光が入射する場合の反射率を小さくすることができる。同様に第1中間部材110と層内レンズ107との間に、両者の中間の屈折率を有する第3中間部材302が配されることによって、界面での屈折率の差が小さくなる。結果として、層内レンズ107から第1中間部材110に光が入射する場合の反射率を小さくすることができる。第2中間部材301が配されたことによる反射率の低減の度合いは、第2中間部材301の膜厚d、第2中間部材301の屈折率N、及び入射光の波長pの関係によって変化する。これは、複数の界面からの多重反射光が互いに打消しあうからである。理論的には、kが0以上の任意の整数であるとき、式1の条件の時に反射率が最も低減される。すなわち、第2中間部材301の膜厚が、p/4Nの奇数倍の時に、理論的には最も反射率が低減される。したがって、上記の式1に基づいて、第2中間部材301の膜厚を設定すればよい。特に、第2中間部材301の膜厚は以下の式2を満足することが好ましい。さらに、式2においてk=0の場合が最も好ましい。例えば、第1中間部材110の屈折率が1.45、第2中間部材301の屈折率が1.72、導波路部材106の屈折率が2.00であり、入射光の波長が550nmである場合を考える。このとき、第2中間部材301の膜厚を80nmとすると、第1中間部材110から導波路部材106へ透過する光の透過率は約1.00である。これに対して、第1中間部材110と導波路部材106とが互いに接して配された場合、透過率は約0.97である。第3中間部材302によって反射率が低減される度合いも、膜厚、屈折率及び入射光の波長の関係によって変化する。そこで、上述の理論に基づいて、第3中間部材302の膜厚を設定すればよい。本実施例では、層内レンズ107と導波路部材106との間に、第1中間部材110、第2中間部材301、及び第3中間部材302が配される。そのため、各層において、上述の理論に基づいて適宜膜厚を設定すればよい。また、第2中間部材301の膜厚、及び第3中間部材302の膜厚は第1中間部材110の膜厚よりも小さいことが好ましい。層内レンズ107と導波路部材106との間が一定の距離である場合に、屈折率の低い膜の割合が多いほうが本発明の効果が顕著になるためである。本実施例においては、第2中間部材301及び第3中間部材302の両方が配された構成を説明した。しかしながら、第2中間部材301及び第3中間部材302の一方のみが配されていてもよい。この場合でも、反射率低減の効果を得ることができる。本発明に係る光電変換装置のさらに別の実施例について図面を用いて説明する。図4は本実施例の光電変換装置300の断面構造の概略図である。図1または図3と同様の機能を有する部分には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。また、図4には複数の画素が示されている。複数の画素間で同一の機能を有する部分については説明を省略する。本実施例の特徴は、第1中間部材110と導波路部材106との間に、第4中間部材401が配されたことである。第4中間部材401は導波路部材106と接するように配される。そして、第4中間部材401は複数の光電変換部の間の領域に延在している。第4中間部材401は、導波路部材106と同じ材料で形成される。第4中間部材401によって、導波路部材106に入射する光の量を増やすことができる。図4の矢印L3は光電変換装置に入射する光の光路を示す。導波路部材106が配されていない領域に入射した光矢印L3で示される光は、配線での反射などによって光電変換部に入射しない可能性がある。しかし、第4中間部材401が複数の光電変換部の間の領域に配されたことで、第4中間部材401に光が入射する。第4中間部材401に入射した光は、第4中間部材401の内部を伝搬して導波路部材106に入射することができる。このように、第4中間部材401が配されたことによって、導波路部材106に入射する光の量が増えるので、光電変換装置の感度を向上させることができる。また、本実施例では層内レンズ107と第1中間部材110との間に、層内レンズ107と接するように第5中間部材402が配される。第5中間部材402は複数の光電変換部の間の領域に延在している。そして、第5中間部材402は層内レンズ107と同じ材料で形成される。なお、図4における右側の画素に対応して配された波長選択部108Gは主に緑色の波長の光を選択する。左側の画素に対応して配された波長選択部108Bは主に青色の波長の光を選択する。本発明に係る光電変換装置のさらに別の実施例について図面を用いて説明する。図5は本実施例の光電変換装置600の断面構造の概略図である。図3と同様の機能を有する部分には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施例において実施例2と異なる点は、レンズ107、導波路部材106、第3中間部材603、第2中間部材602、第1中間部材601の順に屈折率が高いことである。つまり、レンズ107を構成する材料の屈折率がnf1、第3中間部材603の屈折率がnf2、第1中間部材601の屈折率がnf3、第2中間部材602の屈折率がnf4、導波路部材106の屈折率がnf5であるときに、nf1>nf5>nf2>nf4>nf3の関係が成り立つことである。なお、これらの部材の配置は、実施例2と同様であってもよい。第3中間部材603の屈折率nf2は、nf1とnf3の中間値平均値に近いことが好ましい。また、第2中間部材602の屈折率nf4は、nf3とnf5の中間値平均値に近いことが好ましい。さらに、本実施例では、レンズ107より上層に配された部材が省略されている。具体的には、波長選択部材108、マイクロレンズ109、層間絶縁膜113が省略される。もちろん、これらの部材を備えた変形例も、本発明の範囲に含まれる。なお、レンズ107、導波路部材106、第3中間部材603、第2中間部材602、第1中間部材601の構造と配置は、実施例2と同様である。しかしながら、本実施例の特徴は、これらの部材の屈折率の関係である。したがって、例えば第1中間部材601の面積が導波路部材106の面積より小さい構造の変形例も本実施例の効果を有する。すなわちこのような変形例も本発明に含まれる。以上に説明した点を除いて、本実施例の構造は実施例1乃至実施例3のいずれかと同様である。したがって、実施例1~3のいずれかまたは複数の構成を組み合わせた変形例も本発明に含まれる。本実施例によれば、レンズ107と導波路部材106との間に屈折率の低い部材が配される。そのため、光電変換部103に入射する光の量を増やすことができる。さらに、本実施例によれば、レンズ107と導波路部材106との間に第2中間部材602、第3中間部材603が配される。これらの膜が反射防止膜として機能しうるため、界面での光の反射による影響を低減することが可能である。図6は、本発明の好適な実施形態の光電変換装置の概略構成を示す図である。本実施形態では、光電変換装置としてCMOS型光電変換装置を例に挙げる。図6において、光電変換装置501は、撮像領域511と、垂直走査回路512と、2つの読み出し回路513と、2つの水平走査回路514と、2つの出力アンプ515を備えている。撮像領域511以外の領域が回路領域516である。撮像領域511は、複数の画素が2次元状に配列されて構成される。画素の構造は図1~図5に示された画素の構造を適宜適用できる。読み出し回路513は、例えば、列アンプ、CDS回路、加算回路等を含み、垂直走査回路512によって選択された行の画素から垂直信号線を介して読み出された信号に対して増幅、加算等を行う。列アンプ、CDS回路、加算回路等は、例えば、画素列又は複数の画素列毎に配置される。水平走査回路514は、読み出し回路513の信号を順番に読み出すための信号を生成する。出力アンプ515は、水平走査回路514によって選択された列の信号を増幅して出力する。以上の構成は、光電変換装置の一つの構成例に過ぎず、本実施形態は、これに限定されるものではない。読み出し回路513と水平走査回路514と出力アンプ515とは、2系統の出力経路を構成するため、撮像領域511を挟んで上下に1つずつ配置されている。しかし、出力経路は3つ以上設けられていてもよい。