"A無機粒子、有機粒子、若しくは、それらの混合物又は複合物、B分散剤又は電荷判定剤としての、少なくとも1種類の有機高分子化合物であって、ホスホン酸塩P=OOR1OR2又はホスホン酸P=OOH2部分、若しくはそれらの脱プロトン化体をペンダント基として有し、R1は、アルキル、アリール、アルキルアリール又はアリールアルキルであり、R2は、H、アルキル、アリール、アルキルアリール又はアリールアルキルである有機高分子化合物、及び、C水性媒体、を含有する、化学機械研磨CMP組成物。前記CMP組成物は、当該CMP組成物の全質量に対し、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体を含有しない、若しくは、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体を0.5ppm未満含有する請求項1に記載のCMP組成物。Bは、ペンダント基としてホスホン酸‐P=OOH2部分又はその脱プロトン化体を含む、分散剤又は電荷反転剤としての、少なくとも1種類の有機高分子化合物である請求項1又は2に記載のCMP組成物。Bは、B1分散剤又は電荷反転剤としての、少なくとも1種類の式Iのポリビニルホスホン酸又はその塩nは5以上1000以下の整数、及び/又は、B2分散剤又は電荷反転剤としての、M1ビニルホスホン酸とM2少なくとも1種類の他のモノマーとをモノマー単位として含む少なくとも1種類の共重合体又は当該共重合体の塩、である請求項1~3のいずれか1項に記載のCMP組成物Bは、B2分散剤又は電荷反転剤としての、少なくとも1種類の共重合体若しくはその共重合体の塩であって、当該共重合体は、M1ビニルホスホン酸、及び、M2少なくとも1種類の他のモノマーをモノマー単位として含む請求項1~4のいずれか1項に記載のCMP組成物。Bは、B2A分散剤又は電荷反転剤としての、少なくとも1種類の共重合体若しくはその共重合体の塩であって、当該共重合体は、M1ビニルホスホン酸、及び、M2ビニル芳香族化合物、ビニル基により置換されたヘテロ環式化合物、アクリレート、メタクリレート、アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリル酸、メタクリル酸、ビニルエーテル、ビニル基により置換された糖化合物からなる群より選択される少なくとも1種類のモノマー、をモノマー単位として含む請求項1~5のいずれか1項記載のCMP組成物。Bは、B2a分散剤又は電荷反転剤としての、少なくとも1種類の共重合体若しくはその共重合体の塩であって、当該共重合体は、ビニルホスホン酸及びアクリル酸をモノマー単位として含む請求項1~6のいずれか1項に記載のCMP組成物。ゲル浸透クロマトグラフィーにより測定されるBの重量平均分子量が、1000ダルトン以上20000ダルトン以下の範囲にある請求項1~7のいずれか1項に記載のCMP組成物。前記粒子Aがセリア粒子である請求項1~8のいずれか1項に記載のCMP組成物。動的光散乱により測定される前記粒子Aの平均粒子径が、50nm以上250nm以下である請求項1~9のいずれか1項に記載のCMP組成物。前記CMP組成物のpH値が5.5以上9以下である請求項1~10のいずれか1項に記載のCMP組成物。SiN抑制剤D1として、糖アルコールを更に含有する請求項1~11のいずれか1項に記載のCMP組成物。ACMP組成物中に0.05質量以上4質量以下の量の、動的光散乱により測定される平均粒子径が50nm以上250nm以下のセリア粒子、BCMP組成物中に10ppm以上800ppm以下の量の、分散剤又は電荷反転剤としての式Iのポリビニルホスホン酸若しくはその塩nは5以上1000以下の整数、及び、C水性媒体、を含む請求項1又は請求項2に記載のCMP組成物。ACMP組成物中に0.05質量以上4質量以下の量の、動的光散乱により測定される平均粒子径が50nm以上250nm以下のセリア粒子、BCMP組成物中に10質量ppm以上800質量ppm以下の量の、分散剤又は電荷反転剤としての共重合体若しくはその塩であって、当該共重合体がモノマー単位としてビニルホスホン酸及びアクリル酸を含む共重合体又はその塩、及び、c水性媒体、を含む請求項1又は請求項2に記載のCMP組成物。請求項1~14のいずれか1項に記載のCMP組成物の存在下で、基板を化学-機械研磨する工程を含む半導体装置の製造方法。請求項1~14のいずれか1項に記載のCMP組成物を、シリコン窒化物及び/又はポリシリコンを含む基板の化学-機械研磨に使用する方法。本発明の目的の一つは、シリコン窒化物及び/又はポリシリコンを含む基板の化学-機械研磨に適したCMP組成物及びCMP方法を提供することであって、改善された研磨性能、特に、シリコン酸化物の高い材料除去速度以下、MRRと称すると、MRRについての、シリコン酸化物のシリコン窒化物又はポリシリコンに対する高い選択性との組み合わせを示す。更に、可能な限り少ない工程数を必要とし、適用が容易であるCMP方法を求めるものである。A無機粒子、有機粒子、又はそれらの混合物若しくは複合物と、B少なくとも1種類の、分散剤又は電荷反転剤chargereversalagentとしての有機高分子化合物であって、ホスホン酸塩P=OOR1OR2又はホスホン酸P=OOH2部分、又はそれらの脱プロトン化体をペンダント基として有し、R1は、アルキル、アリール、アルキルアリール又はアリールアルキル、R2は、H、アルキル、アリール、アルキルアリール又はアリールアルキル、である有機高分子化合物と、C水性媒体と、を含むCMP組成物を発見した。このCMP組成物は、以下、Q又はCMP組成物Qと称する。更に、CMP組成物Qの存在下で化学-機械研磨する工程を含む半導体装置の製造方法も発見した。更に、シリコン窒化物及び/又はポリシリコンを含む基板の化学-機械研磨のためのCMP組成物Qの使用方法も発見した。好ましい実施形態は、特許請求の範囲及び明細書で説明される。好ましい実施形態の組み合わせは、本発明の範囲内にあると考えられる。半導体装置は、本発明のCMP組成物の存在下で、基板のCMP工程を含む方法により製造可能である。好ましくは、前記方法は、誘電率が6未満の基板である誘電体基板のCMPを含む。前記方法は、より好ましくは、二酸化ケイ素を含む基板のCMPを含み、最も好ましくは、二酸化ケイ素及びシリコン窒化物又はポリシリコンを含む基板のCMPであり、特に、浅溝分離shallow-trenchisolation、STI装置又はその一部である基板の二酸化ケイ素層のCMPであり、例えば、二酸化ケイ素及びシリコン窒化物又はポリシリコンを含む基板の二酸化ケイ素層のCMPである。前記方法が、二酸化ケイ素及びシリコン窒化物を含む基板のCMP工程を有する場合、MRRについての、二酸化ケイ素のシリコン窒化物に対する選択性は、好ましくは3:1より高く、より好ましくは7:1より高く、最も好ましくは12:1より高く、特に、18:1より高く、例えば24:1より高い。この選択性は、有機高分子化合物Bの濃度及び種類により、そして、pH値のような他のパラメータにより、調整可能である。前記方法が、二酸化ケイ素とポリシリコンを含む基板のCMPを含む場合、MRRについての、二酸化ケイ素のポリシリコンに対する選択性は、好ましくは1.45:1より高く、より好ましくは7:1より高く、最も好ましくは12:1より高く、特に25:1より高く、例えば50:1よりも高い。この選択性は、有機高分子化合物Bの濃度及び種類により、そして、pH値のような他のパラメータにより、調整可能である。本発明のCMP組成物は、半導体産業で使用されるいかなる基板の研磨にも使用される。前記CMP組成物は、好ましくは、誘電率が6未満の基板である誘電体基板の研磨に使用され、より好ましくは、二酸化ケイ素を含む基板の研磨に使用され、最も好ましくは、二酸化ケイ素及びシリコン窒化物又はポリシリコンを含む基板の研磨に使用され、特に、浅溝分離shallow-trenchisolation、STI装置又はその一部である基板の二酸化ケイ素層の研磨に使用され、そして、例えば、二酸化ケイ素及びシリコン窒化物又はポリシリコンを含む基板の二酸化ケイ素層の研磨に使用される。本発明のCMP組成物が、二酸化ケイ素及びシリコン窒化物を含む基板の研磨に使用される場合、MRRについての、二酸化ケイ素のシリコン窒化物に対する選択性は、好ましくは、3:1より高く、より好ましくは、7:1より高く、最も好ましくは、12:1より高く、特に18:1より高く、例えば、24:1より高い。本発明のCMP組成物が、二酸化ケイ素及びポリシリコンを含む基板の研磨に使用される場合、MRRについての、二酸化ケイ素のポリシリコンに対する選択性は、好ましくは、1.45:1より高く、より好ましくは、7:1より高く、最も好ましくは、12:1より高く、特に25:1より高く、例えば、50:1より高い。CMP組成物Qは、下記成分A、B、Cを含有する。CMP組成物Qは、無機粒子、有機粒子、又はこれらの混合物若しくは複合物Aを有する。Aは、1種類の無機粒子、異なる種類の無機粒子の混合物若しくは複合物、1種類の有機粒子、異なる種類の有機粒子の混合物若しくは複合物、又は、1種以上の無機粒子及び1種以上の有機粒子の混合物若しくは複合物と、することができる。複合物は、機械的、化学的又は他の方法で互いに結合した、2種以上の粒子を含む複合粒子である。複合物の例は、外側球体シェルの1種類の粒子と、内側球体コアの他の種類の粒子を有するコア-シェル粒子である。通常、粒子Aは、CMP組成物Q中に多様な量で含有可能である。好ましくは、Aの量は、組成物Qの全質量に対し、8wt以下wtは質量を意味する、より好ましくは4wt以下、最も好ましくは1.5wt以下、特には0.9wt以下、例えば0.6wt以下である。好ましくは、Aの量は、組成物Qの全質量に対し、少なくとも0.002wt、より好ましくは少なくとも0.01wt、最も好ましくは少なくとも0.05wt、特には少なくとも0.2wt、例えば、少なくとも0.4wtである。通常、粒子Aは、多様な粒径particlesize分布で含有される。粒子Aの粒径分布は、モノモーダル単頂性又はマルチモーダル多頂性になることができる。マルチモーダル粒径分布の場合、バイモーダル二頂性がしばしば好ましい。本発明のCMP方法の間、容易に再現可能な状態と容易に再現可能な特性プロファイルを得るためには、Aに関し、モノモーダル粒径分布が好ましい。最も好ましいのは、Aがモノモーダル粒径分布を具備することである。粒子Aの平均粒子径は、広い範囲で変更可能である。その平均粒子径は、水性媒体D中のAの粒径分布のd50値であり、動的光散乱技術を使用して測定することができる。d50値は、粒子が原則球体であるとの仮定の下で計算される。平均粒子径分布の幅は、2つの交点間の距離x-軸の単位で付与されるであり、それら交点は、粒径分布曲線極大粒子カウントが100高さとして標準化した場合の、相対的粒子カウントの50高さと、粒子分布曲線とが交差するところである。好ましくは、粒子Aの平均粒子径が好ましくは1000nm以下であり、より好ましくは500nm以下であり、最も好ましくは300nm以下であり、特には250nm以下であり、例えば、220nm以下であり、そして、粒子Aの平均粒子径は、好ましくは少なくとも5nmであり、より好ましくは少なくとも25nmであり、最も好ましくは少なくとも50nmであり、特には少なくとも65nmであり、例えば、少なくとも80nmであるHoribaLB550又はマルバーンインスツールメンツ社の高パフォーマンス粒子径測定器HPPSのような機器を用い、動的光散乱技術を用いて測定する粒径。粒子Aは多様な形状のものとすることができる。従って、粒子Aを、形状が1種類又は実質1種類のみのとすることできるが、異なる形状を持つ粒子Aとすることも可能である。例えば、異なる形状にした2種類の粒子aを存在させることもある。例えば、Aは、立方体、角が面取りされた立方体、正八面体、二十面体、小塊、球体等の形状とすることもできるし、それらの形状に更に突起やギザギザがあってもなくてもよい。好ましくは、それらは、突起やぎざぎざが無いあっても非常に少ない球体である。粒子Aの化学的特徴は特に限定されない。Aは、同一の化学的特徴のもの、又は異なる化学的特徴が複合又は混合されたものでもよい。概して、同一の化学的特徴の粒子Aが好まれる。通常、Aは;金属、金属酸化物又は炭化物のような無機粒子メタロイド、メタロイド酸化物又は炭化物を含む、ポリマー粒子のような有機粒子、又は、無機及び有機粒子の複合物又は混合物とすることができる。粒子Aは、好ましくは無機粒子である。それらの中でも、金属又はメタロイドの酸化物及び炭化物が好ましい。より好ましくは、粒子Aは、アルミナ、セリア、酸化銅、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化マンガン、シリカ、シリコン窒化物、シリコン炭化物、酸化錫、チタニア、炭化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、ジルコニア、又はそれらの混合物若しくは複合物である。最も好ましくは、粒子Aは、アルミナ、セリア、シリカ、チタニア、ジルコニア、又はそれらの混合物若しくは複合物である。特に、Aは、セリア粒子である。例えば、Aは、コロイダルセリア粒子である。典型的には、コロイダルセリア粒子は、湿式沈殿法により製造される。Aが有機粒子、又は、無機及び有機粒子の混合物若しくはその複合体である他の実施例では、有機粒子としてポリマー粒子が好ましい。ポリマー粒子は、単独-又は共重合体とすることができる。後者は、例えば、ブロック-共重合体、統計コポリマーである。単独-又は共重合体は、例えば、直鎖、分岐、櫛型状、樹枝状、絡み合い又は架橋等の多様な構造を持つことができる。ポリマー粒子は、アニオン性、カチオン性、調整ラジカル、フリーラジカル機構に基づき、懸濁又は乳化重合法で製造することができる。好ましくは、ポリマー粒子は、ポリスチレン、ポリエステル、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリラクトン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエーテル、ポリN-アルキルアクリルアミド、ポリメチルビニルエーテル、又は共重合体モノマー単位として、ビニル芳香族化合物、アクリレート、メタクリレート、マレイン酸無水物アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリル酸、又はメタクリル酸、又は、それらの混合物若しくは複合物を少なくとも1種類含むのうちの、少なくとも1種類である。これらの中でも、架橋構造を持つポリマー粒子が好ましい。CMP組成物Qは、分散剤又は電荷反転剤Bとして、少なくとも1種類の有機高分子化合物を有し、当該高分子化合物は、ホスホン酸塩P=OOR1OR2又はホスホン酸P=OOH2部分、又はそれらの脱プロトン化体をペンダント基として有するR1は、アルキル、アリール、アルキルアリール又はアリールアルキルであり、R2は、H、アルキル、アリール、アルキルアリール又はアリールアルキルである。好ましくは、Qは、1~2種類の機高分子化合物Bを含有し、より好ましくは1種類の有機高分子化合物Bを含有する。通常、CMP組成物で使用する分散剤は、懸濁液に添加すると、粒子の分離を改善し、沈降又は凝集を防止する表面-活性化合物である。通常、CMP組成物中の電荷反転剤は、CMP組成物中に存在する研磨粒子の電荷を反転させる能力を持つ化合物である。通常、分散剤は、フィルム-形成剤又は腐食防止剤を兼ねないnotatthesametime。また、電荷反転剤もフィルム-形成剤又は腐食防止剤を兼ねない。有機高分子化合物Bは、CMP組成物Q中で多様な量を含有させることができる。好ましくは、Bの量は、組成物Qの全質量に対し、4000ppm以下ppmは百万分の一を意味する、より好ましくは1600ppm以下、最も好ましくは800ppm以下、特に350ppm以下、例えば220以下である。好ましくは、Bの量は、組成物Qの全質量に対し、少なくとも0.1ppm、より好ましくは少なくとも1ppm、最も好ましくは少なくとも10ppm、特に少なくとも50ppm、例えば少なくとも80ppmである。組成物Qの全質量に対する粒子Aの質量と、組成物Qの全質量に対する有機高分子化合物Bとの比は、広い範囲で変更することができる。この比を、以下A/B比と称する。好ましくは、A/B比は、3000:1以下、より好ましくは1000:1以下、最も好ましくは500:1以下、特に100:1以下、例えば、60:1以下である。好ましくは、A/B比は、少なくとも1:1、より好ましくは、少なくとも5:1、最も好ましくは少なくとも10:1、特に少なくとも15:1、例えば少なくとも20:1である。Bが、分散剤又は電荷反転剤としての、ホスホン酸塩-P=OOR1OR2部分又はそれらの脱プロトン化体をペンダント基として有する有機高分子化合物である場合、R1は通常、いかなる置換又は非置換のアルキル、アリール、アルキルアリール又はアリールアルキルでもよく、好ましくは、いかなる非置換のアルキル、アリール、アルキルアリール又はアリールアルキルでもよく、より好ましくは、いかなる非置換のアルキル基でもよい。そして、R2は、H、又は、いかなる置換又は非置換の、アルキル、アリール、アルキルアリール又はアリールアルキルでもよく、好ましくは、H、又は非置換のアルキル、アリール、アルキルアリール又はアリールアルキルであり、より好ましくは、H又はいかなる非置換アルキルでもよく、特にHである。好ましくは、有機高分子化合物Bは、分散剤又は電荷反転剤としての、少なくとも1種類の有機高分子化合物を含み、当該高分子化合物は、ホスホン酸-P=OOH2部分、又はそれらの脱プロトン化体をペンダント基として有する。より好ましくは、有機高分子化合物Bは;B1分散剤又は電荷反転剤としての、少なくとも1種類の式Iのポリビニルホスホン酸nは5以上1000以下の整数又はその塩、及び/又は、B2分散剤又は電荷反転剤としての、M1ビニルホスホン酸及びM2少なくとも1種類の他のモノマーをモノマー単位として含む少なくとも1種類の共重合体又はこの共重合体の塩、を含有する。最も好ましくは、有機高分子化合物BはB2である。特に、有機高分子化合物Bは;B2A分散剤又は電荷判定剤として、少なくとも1種類の共重合体又はその塩を含有し、当該共重合体は、下記M1、M2をモノマー単位として含む。M1ビニルホスホン酸、及び、M2ビニル芳香族化合物、ビニル基により置換されたヘテロ環式化合物、アクリレート、メタクリレート、アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリル酸、メタクリル酸、ビニルエーテル、ビニル基により置換された糖化合物からなる群より選択されるモノマーの少なくとも1種類。特に好ましくは、有機高分子化合物Bは下記B2aである。B2a分散剤又は電荷判定剤として、少なくとも1種類の共重合体又はその塩を含有し、当該共重合体は、モノマー単位としてビニルホスホン酸及びアクリル酸を含む。例えば、有機高分子化合物Bは、非置換のビニルホスホン酸と非置換のアクリル酸の共重合により得られる、ポリビニルホスホン酸―アクリル酸共重合体である以下、PVPA-PAA共重合体とも称する。Bが含有するビニルホスホン酸モノマーM1は置換又は非置換とすることが可能であり、好ましくは非置換である。Bが含有するモノマーM2は、置換又は非置換とすることが可能であり、好ましくは非置換である。B2aが含有するアクリル酸モノマーは、置換又は非置換とすることが可能であり、好ましくは非置換である。有機高分子化合物Bが式Iのポリビニルホスホン酸又はその塩である場合、式Iの数nは、5以上1000以下のいかなる整数とすることができ、好ましくは900以下、より好ましくは750以下、最も好ましくは、600以下、特に500以下、例えば400以下であって、好ましくは少なくとも10、より好ましくは、少なくとも30、最も好ましくは、少なくとも60、特に少なくとも100、例えば少なくとも200である。通常、有機高分子化合物Bは、いかなる重量平均分子量を持つことが可能である。Bの重量平均分子量は、好ましくは、120000ダルトン以下、より好ましくは70000ダルトン以下、最も好ましくは40000ダルトン以下、特に20000ダルトン以下、例えば13000ダルトン以下であって、その重量平均分子量は、好ましくは、少なくとも500ダルトン、より好ましくは少なくとも1500ダルトン、最も好ましくは、少なくとも4000ダルトン、特に少なくとも7000ダルトン、例えば少なくとも9000ダルトンであるそれぞれゲル浸透クロマトグラフィーGPCにより測定。本発明によれば、CMP組成物Qは、水性媒体Cを含む。Cは1種類の水性媒体、又は、異なる種類の水性媒体の混合物とすることができる。通常、水性媒体Cは、水を含むものであればどのような媒体でもよい。好ましくは、水性媒体Cは、水と、水に対し混和可能な有機溶媒の混合物であり、有機溶媒は、アルコール、好ましくはC1~C3アルコール、又は、アルキレングリコール誘導体等である。より好ましくは、水性媒体Cは水である。最も好ましくは、水性媒体Cは脱イオン化水である。C以外の成分の量を、全体でCMP組成物のy質量とすると、Cの量は、CMP組成物の100-y質量である。CMP組成物Qは、更に、少なくとも1種類のSiN抑制剤SiNsuppressorD1、例えば、1種類のSiN抑制剤D1を任意に含有する。通常、SiN抑制剤とは、CMP組成物に添加されると、シリコン窒化物層の化学-機械研磨を阻害する化合物であって、阻害の結果、シリコン酸化物のような他の基板と比較してシリコン窒化物の低MRR等、他の基板例:シリコン酸化物のシリコン窒化物に対する高い選択性を生じるものである。好ましくは、D1は、糖アルコールである。より好ましくは、D1は、少なくとも4つのヒドロキシル-OH基を有する糖アルコールである。最も好ましくは、D1は、エリトリトール、トレイトール、アラビトール、キシリトール、リビトール、マンニット、ソルビット、ダルシトール、イジトール、イソマルト、マルチトール、ラクチトール、ポリグリシトール、イノシトール、又は、それらの立体異性体又はそれらの混合物である。例えば、D1はイノシトールである。存在するのであれば、SiN抑制剤D1は、多様な量で含有されることが可能である。存在するのであれば、D1の量は、対応するCMP組成物の全質量に対し、好ましくは、10質量以下、より好ましくは5質量以下、最も好ましくは2.5質量以下、特に1.5質量以下、例えば1.1質量以下である。存在するのであれば、D1の量は、対応するCMP組成物の全質量に対し、好ましくは、少なくとも0.0005質量、より好ましくは少なくとも0.005質量、最も好ましくは少なくとも0.025質量、特に少なくとも0.1質量、例えば少なくとも0.5質量である。CMP組成物Qは、更に、少なくとも1種類のポリシリコン抑制剤D2、例えば1種類のポリシリコン抑制剤D2を任意に含有することが可能である。通常、ポリシリコン抑制剤は、CMP組成物に添加した場合に、ポリシリコン層の化学-機械研磨を阻害する化合物であって、その阻害の結果、シリコン酸化物等の他の基板と比較してポリシリコンの低MRR等、他の基板例:シリコン酸化物のポリシリコンに対する高選択性を生ずるものである。好ましくは、D2は、ポリエーテル化合物である。より好ましくは、D2は、脂肪族ポリエーテル化合物である。最も好ましくは、D2は、パラホルムアルデヒド、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、又はそれらの混合物である。例えば、D2はポリエチレングリコールである。存在するのであれば、ポリシリコン抑制剤D2は、多様な量で含有されることが可能である。存在するのであれば、D2の量は、対応するCMP組成物の全質量に対し、好ましくは、0.5質量以下、より好ましくは0.1質量以下、最も好ましくは0.05質量以下、特に0.02質量以下、例えば0.012質量以下である。存在するのであれば、D2の量は、対応するCMP組成物の全質量に対し、好ましくは、少なくとも0.0001質量、より好ましくは少なくとも00005質量、最も好ましくは少なくとも0.001質量、特に少なくとも0.004質量、例えば少なくとも0.008質量である。CMP組成物Qは、更に、少なくとも1種類の殺生物剤E、例えば1種類の殺生物剤を任意に含有可能である。通常、殺生物剤は、化学的又は生物的手段により、いかなる有害生物をも阻止し、無害にし、その制御効果を実行する物質である。好ましくは、Eは、四級アンモニウム化合物、イソチアゾリノンをベースにした化合物、N-置換二酸化ジアゼニウムN-substituteddiazeniumdioxide、又は、N‘-ヒドロキシ-酸化ジアゼニウム塩N’-hydroxy-diazeniumoxidesaltである。より好ましくは、Eは、N-置換二酸化ジアゼニウム又はN‘-ヒドロキシ-酸化ジアゼニウム塩である。特に、Eは、N‘-ヒドロキシ-N-シクロヘキシル-酸化ジアゼニウムのカリウム塩である。存在するのであれば、殺生物剤Eは、多様な量で含有させることができる。存在するのであれば、Eの量は、対応する組成物の全質量に対し、好ましくは0.5質量以下、より好ましくは0.1質量以下、最も好ましくは0.05質量以下、特に0.02質量以下、例えば0.008質量以下である。また、存在するのであればEの量は、対応する組成物の全質量に対し、好ましくは、少なくとも0.00001質量、より好ましくは、少なくとも0.0001質量、最も好ましくは少なくとも0.0005質量、特に少なくとも0.0008質量、例えば少なくとも0.001質量である。CMP組成物Qは、更に、少なくとも1種類の腐食防止剤F、例えば2種類の腐食防止剤を任意に含有することが可能である。通常、Ge及び/又は酸化ゲルマニウムの表面上の保護分子層を形成する全ての化合物が腐食防止剤として使用可能である。好ましい腐食防止剤は、チオール、フィルム形成ポリマー、ポリオール、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾール並びにそれらの誘導体例:ベンゾトリアゾール又はトリルトリアゾールである。存在するのであれば、腐食防止剤Fは、多様な量で含有可能である。存在するのであれば、Fの量は、対応するCMP組成物の全質量に対し、好ましくは10質量以下であり、より好ましくは2質量以下であり、最も好ましくは0.5質量以下であり、特に0.1質量以下であり、例えば0.05質量以下である。存在するのであれば、Fの量は、対応するCMP組成物の全質量に対し、好ましくは少なくとも0.0005質量であり、より好ましくは少なくとも0.005質量であり、最も好ましくは少なくとも0.025質量であり、特に少なくとも0.1質量であり、例えば少なくとも0.4質量である。安定性、研磨性能等の、CMP組成物Q、並びにQの存在下での方法の特徴は、対応するCMP組成物のpHに影響される。組成物QのpH値は、好ましくは少なくとも4、より好ましくは少なくとも5、最も好ましくは少なくとも5.5、特に少なくとも6、例えば少なくとも6.5である。組成物QのpH値は、好ましくは10以下、より好ましくは9以下、最も好ましくは8以下、特に7.5以下、例えば7.0以下である。CMP組成物Qは、更に、少なくとも1種類のpH調整剤Gを任意に含むことが可能である。通常、pH調整剤Gは、CMP組成物Qに、そのpH値を所望の値に調整する目的で添加される化合物である。好ましくは、CMP組成物Qは、少なくとも1種のpH調整剤Gを含む。好ましいpH調整剤は、無機酸、カルボン酸、アミン塩基、アルカリ水酸化物、水酸化アンモニウム水酸化テトラアルキルアンモニウムを含むである。例えば、pH調整剤Gは、硝酸、硫酸、アンモニア、水酸化ナトリウム、又は水酸化カリウムである。存在するのであれば、pH調整剤Gは、多様な量で含有させることができる。存在するのであれば、Gの量は、対応するCMP組成物の全質量に対し、好ましくは10質量以下、より好ましくは2質量以下、最も好ましくは0.5質量以下、特に0.1質量以下、例えば、0.05質量以下である。存在するのであれば、Gの量は、対応するCMP組成物の全質量に対し、好ましくは少なくとも0.0005質量、より好ましくは少なくとも0.005質量、最も好ましくは少なくとも0.025質量、特に少なくとも0.1質量、例えば少なくとも0.4質量である。CMP組成物Qは、必要であれば、多様な他の添加剤をも含むことがあり、他の添加剤はそれらに限定さないが、例えば、安定剤、界面活性剤、摩擦減少剤等を含む。前記他の添加剤は、例えば、CMP組成物で一般に使用されるものであり、当業者に知られたものである。このような添加剤は、例えば分散を安定化させ、又は、研磨性能や異なる層間の選択性を向上させることが可能である。存在するのであれば、前記他の添加剤は、多様な量で含有されることが可能である。好ましくは、前記他の添加剤の全量は、対応するCMP組成物の全質量に対し、10質量以下、より好ましくは2質量以下、最も好ましくは0.5質量以下、特に0.1質量以下、例えば0.01質量以下である。好ましくは、前記他の添加剤の全量は、対応するCMP組成物の全質量に対し、少なくとも0.0001質量、より好ましくは少なくとも0.001質量、最も好ましくは少なくとも0.008質量、特に少なくとも0.05質量、例えば、少なくとも0.3質量である。好ましくは、CMP組成物Qは、当該CMP組成物の全質量に対し、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシドを全く含有しないか、0.5ppm未満の量を含有する。Qは、より好ましくは、当該CMP組成物の全質量に対し、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体を、好ましくは0.5ppm未満、より好ましくは0.1ppm未満、特に0.01ppm未満、特に好ましくは0.001ppm未満含有する。例えば、Aは、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体を含有しない。一実施形態によれば、CMP組成物Qは、下記A~Cを含有する。A動的光散乱により測定される平均粒子径が、50nm以上250nm以下のセリア粒子を、CMP組成物中に0.05質量以上4質量以下の量、B分散剤又は電荷反転剤としての、式1のポリビニルホスホン酸又はその塩nは5以上1000以下の整数を、CMP組成物中に10ppm以上800ppm以下の量、及び、C水性媒体。本発明の他の好ましい実施形態によれば、CMP組成物Qは、下記A~Cを含有する。A動的光散乱により測定される平均粒子径が、50nm以上250nm以下のセリア粒子を、CMP組成物中に0.05質量以上4質量以下の量、B分散剤又は電荷反転剤としての、式1のポリビニルホスホン酸又はその塩nは5以上1000以下の整数を、CMP組成物中に10質量ppm以上800質量ppm以下の量、及び、C水性媒体。ここで、CMP組成物は、当該CMP組成物の全質量に対し、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体を全く含まないか、0.5ppm未満含む。本発明の他の好ましい実施形態によれば、CMP組成物Qは、下記A~Dを含有する。Aセリア粒子を、CMP組成物中に0.05質量以上4質量以下の量、B分散剤又は電荷反転剤として、式1のポリビニルホスホン酸nは5以上1000以下の整数、及び/又は、モノマー単位としてビニルホスホン酸及びアクリル酸を含む共重合体又はそれらの塩を、CMP組成物中に10質量ppm以上800質量ppm以下の量、C水性媒体、及び、DD1シリコン窒化物抑制剤及び/又はD2ポリシリコン抑制剤。ここで、CMP組成物は、当該CMP組成物の全質量に対し、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体を全く含まないか、0.5ppm未満含む。ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体。本発明の他の好ましい実施形態によれば、CMP組成物Qは、下記A~Dを含有する。Aセリア粒子を、CMP組成物中に0.05質量以上4質量以下の量、B分散剤又は電荷反転剤として、モノマー単位としてビニルホスホン酸及びアクリル酸を含有する共重合体又はその共重合体の塩を、CMP組成物中に10質量ppm以上800質量ppm以下の量、C水性媒体、及び、DD1シリコン窒化物抑制剤としての糖アルコール及び/又はD2ポリシリコン抑制剤としての、パラホルムアルデヒド、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、又はそれらの混合物。本発明の他の好ましい実施形態によれば、CMP組成物Qは、下記A~C、Eを含有する。Aセリア粒子を、CMP組成物中に0.05質量以上4質量以下の量、B分散剤又は電荷反転剤としての、モノマー単位としてビニルホスホン酸並びにアクリル酸を含有する共重合体又はその共重合体の塩を、CMP組成物中に10質量ppm以上800質量ppm以下の量、C水性媒体、及び、E殺生物剤として、四級アンモニウム化合物、イソチアゾリノンをベースにした化合物、N-置換二酸化ジアゼニウム、又は、N‘-ヒドロキシ-酸化ジアゼニウム塩。CMP組成物の調整方法は、通常公知のものでよい。それらの製法は、CMP組成物Qの製造にも適用可能である。これは、上記成分A、Bを、水性媒体C、好ましくは水に、分散又は溶解させ、任意にpH調整剤Gを添加してpHを調整し、行うことができる。この目的のためには、通常の、標準的な、混合方法及び混合装置撹拌層、高せん断撹拌羽、超音波ミキサー、ホモジナイザーノズル又は向流ミキサー等を用いることができる。CMP組成物Qは、好ましくは、粒子Aの分散、少なくとも1種類の有機高分子化合物B、及び任意に他の添加剤を水性媒体C中に分散/溶解させて製造される。研磨方法は通常公知であって、集積回路を備えたウェハの製造におけるCMP用に、通常使用される方法、機器、条件により行われる。研磨方法を実行可能な機器に関し、制限はない。当該技術において公知のように、CMP工程用の典型的な機器は、研磨パッドで被覆された回転盤からなる。また、環状研磨機も使用されている。ウェハは、キャリア又はチャックに搭載される。処理されるウェハ面は、研磨パッドと対面するシングルサイド研磨処理。止め輪が、ウェハの水平位置を保持する。キャリア下方では、より大径の盤も通常水平に配置され、研磨対象のウェハに対し、水平な面を提供する。盤上の研磨パッドは、平坦化処理の間、ウェハ表面と接触する。材料を除去するため、ウェハは研磨パッドに押し付けられる。キャリア及び盤の両方が、通常、キャリア及び盤から垂直に伸びるそれらの各軸の周囲を回転する。回転キャリア軸は、その位置が、回転盤と相対的に固定されるか、盤に対して水平に振動する。キャリアの回転方向は、通常、必須ではないが盤の回転方向と同じである。キャリアと盤の回転速度は、通常、必須ではないが異なる値に設定される。本発明のCMP方法の間、CMP組成物Qは、通常、連続流又は液滴の様式で、研磨パッドに塗布される。慣習上、盤の温度は10°C以上70°Cに設定される。ウェハ上の荷重は、例えば、バッキングフィルムとしばしば呼ばれるソフトパッドで覆われた鋼製平板により付与可能である。より発展した機器が使用される場合は、空気又は窒素圧で荷重されるフレキシブル膜で、ウェハをパッド上に押し付けてもよい。硬盤設計を備えたキャリアの場合と比べて、ウェハ上のダウン圧力分布がより均一になるので、上記のような膜キャリアは、硬研磨パッドを使用するときには、小さいダウンフォース圧力が好ましい。ウェハ上の圧力分布を制御するオプションを備えたキャリアも、本発明に用いることができる。それらは、通常、互いに独立して、一定程度迄荷重可能な多数の異なるチャンバーと共に設計される。更なる詳細は、国際公開第2004/063301号明細書の、特に、図2に関連し、16頁、段落0036から18頁段落0040を参照のこと。本発明のCMP方法によれば、集積回路を備え、誘電体層を含むウェハが得られ、そのウェハは優れた機能を持つ。CMP組成物Qは、CMP方法において、長い貯蔵寿命を持ち、長期間安定した粒子径分布を示す、使用準備済みのスラリーとして使用することができる。従って、それらは、貯蔵、取扱いが容易である。それらは、特に、シリコン酸化物の高材料除去速度以下、MRRと称すると、MRRについてのシリコン酸化物のシリコン窒化物又はポリシリコンに対する高い選択性の組み合わせに関し、優れた研磨性能を示す。<実施例及び比較例>pH電極を用いてpH値を測定したスコット、ブルーライン、PH0-14/-5100°C/3mol/L、塩化ナトリウム。粒径分布d50値は、HoribaLA-920を用いて測定した。ゼータ電位は、Malvernzetasizerを用いて測定した。実施例で使用した無機粒子これら実施例で粒子Aとして使用するセリア粒子は、一次粒子が60nm、平均粒子径が100nm以上200nmのコロイダルセリア粒子であるマルバーンインスツールメンツ社の高パフォーマンス粒子径測定器HPPS又はHoribaLB550のような機器を使用し、動的光散乱により測定。これらセリア粒子は、下記ではセリア粒子A1とする。実施例で使用した有機高分子化合物Bこれら実施例では、ポリビニルホスホン酸―アクリル酸共重合体を有機高分子化合物Bとして使用した。ProgressinPolymerScience2010年、358、1078~1092頁、LaviniaMacarie、GheorgheIlia著、ProgressinPolymerScienceポリビニルホスホン酸及びその誘導体のセクション3.1.1に記載されたように、ポリビニルホスホン酸は、ラジカル開始剤アゾ型過酸化物の存在下、水性媒体中でビニルホスホン酸の共重合により合成した。ポリビニルホスホン酸―アクリル酸共重合体は、下記のように合成した。320gの水中に、ビニルホスホン酸130g、アクリル酸9.6g、及びペルオキソ二硫酸ナトリウム1gを加えた溶液を、窒素雰囲気で加熱し、99°C迄撹拌した。その温度で、183gのアクリル酸を、5時間に亘って添加し、水100gにペルオキソ二硫酸ナトリウム18gを加えた溶液を6時間添加した。反応混合物を99°Cで更に2時間維持した。固形分45の澄んだ重合体溶液を得た。ポリビニルホスホン酸又はポリビニルホスホン酸-アクリル酸共重合体の重量平均分子量を、サイズ排除クロマトグラフィーゲル浸透クロマトグラフィーにより、0.15mol/NaCl及び0.01mol/lNaN3存在下の蒸留水中、0.08mol/lの2-アミノ-2-ヒドロキシメチル-プロパン-1,3-ジオール緩衝剤pH=7.0で、3本のSUPREMA-GelHEMAカラム上で、260nmでのUV検出器を用い、測定した。目盛補正は、MJRCantowetalJPolymSciA-151391~13941967年の方法論に従い、ポリアクリル酸ナトリウム塩に対して行った。フィーケンチャーのK値は、H.フィーケンチャー著のCellulose-Chemie、13巻、58~64頁及び71~74頁1932年に従い、pH補整なしに1質量水性溶液中25°Cで測定した。CMP実験用の通常の手順CMP方法:研磨機器:AMATMirr200mmウェハを研磨可能研磨基板:高密度プラズマHDPシリコン酸化物、又は、テトラエトキシシランTEOSシリコン酸化物、LPCVDシリコン窒化物SiN及び非晶質ポリシリコンウェハpoly-Siを含む多層基板この基板を、以下、基板S1とする。流量:160ml/分研磨パッド:IC1010-kグローブパッドコンディショナー:3MA166;インサイチュコンディショニング5lbs盤rpm:93rpmキャリアrpm:87rpmダウンフォース:2psi又は3.5psi研磨時間:60秒研磨する基板の膜厚を、CMPの前と後で、ThermawaveOptiprobe2600を用いて測定した。これにより、材料除去速度が得られた。スラリー作製の手順水性研磨組成物Q1~Q7の作製のため;セリア粒子A1、ポリビニルホスホン酸重量平均分子量~10,000;pH~1.0;nが約82の式Iのポリビニルホスホン酸、又は、ポリビニルホスホン酸-アクリル酸共重合体重量平均分子量~30,000-40,000ダルトン、フィーケンチャーのK値が約18、及び、任意に更なる添加剤、を、下記表1に挙げたように、超純水に分散又は溶解させた。通常、pH調整のため、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAHのようなpH調整剤が使用される。水性研磨組成物Q1~Q7作製のためには、pH調整剤として、水酸化カリウムを使用した。表1:CMP組成物Q1~Q7実施例Q1~Q7のCMP組成物と、それらのpH特性を下記表1に示す。ここでは、CMP組成物の水性媒体Cは、脱イオン化水である。成分A、B、D1、D2及びEの量は、対応するCMP組成物の、質量wt又は百万分の一ppmで特定される。又はC以外の成分の量が、全体でCMP組成物のy質量である場合、Cの量は、CMP組成物の100-y質量である。表2は、CMP組成物Q1~Q4中の、ポリビニルホスホン酸重量平均分子量~10,000pH~1.0nが約82の式1のポリビニルホスホン酸又は、ポリビニルホスホン酸-アクリル酸共重合体重量平均分子量~30,000-40,000ダルトン、フィーケンチャーのK値が約18に分散したセリア粒子の粒径分布とゼータ電位である。d50値は、HoribaLA-920を用いて測定し、粒子が原則球形と過程して算出した平均粒子径分布の幅は、2つの交点間の距離x-軸の単位で付与されるであり、それら交点は、粒径分布曲線極大粒子カウントが100高さとして標準化した場合の、相対的粒子カウントの50高さと、粒子分布曲線とが交差するところである。ゼータ電位は、Malvernzetasizerを用いて測定した。その結果から、ポリビニルホスホン酸とポリビニルホスホン酸-アクリル酸共重合体が、良好な分散性を有することが確認された。表3:CMP組成物Q1~Q7の研磨性能表3は、異なるダウンフォース2psi、3.5psiで、CMP組成物Q1~Q7を用いて基板S1の化学-機械研磨を行った場合の研磨性能を示し、HDP/SiN選択性は、MRRについての、高密度プラズマシリコン酸化物HDPのシリコン窒化物SiNに対する選択性であり、HDP/PolySi選択性は、MRRについての高密度プラズマシリコン酸化物HDPのポリシリコンPolySiに対する選択性である。CMP組成物のこれら実施例を用いた本発明のCMP方法は、改善された研磨性能を示した。"