"GaNで形成された下地層と、前記下地層上に形成され、前記下地層よりも格子定数が小さいInAlGaNで形成された障壁層と前記下地層よりも格子定数が大きいInGaNで形成された量子井戸層とが交互に積層された発光層と、を備える発光ダイオードであって、100A/cm2以上の電流密度で作動させ、前記障壁層でAl組成又はIn組成が傾斜していることを特徴とする半導体装置。前記障壁層は、前記量子井戸層よりも低いIn組成を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。互いに隣接する前記障壁層と前記量子井戸層との間に設けられ、InGaNで形成され且つ前記量子井戸層よりも低いIn組成を有する中間層をさらに備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。前記発光層上に形成され、前記障壁層よりも高いAl組成を有するオーバーフロー防止層をさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。前記発光層上に形成された、p-InuAlvGa1uvN0≦u<1,0<v<1層をさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。前記下地層は、基板の実質的に0001面上に形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置。本発明は、発光効率の高い発光ダイオードを得ることが可能な半導体装置を提供することを目的としている。本発明の一視点に係る半導体装置は、下地層と、前記下地層上に形成され、InAlGaNで形成された障壁層とInGaNで形成された量子井戸層とが交互に積層された発光層と、を備える。本発明によれば、発光効率の高い発光ダイオードを得ることが可能な半導体装置を提供することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。実施形態1図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置発光ダイオードの基本的な構成を模式的に示した断面図である。図1に示した半導体装置は、基板10と、基板10上に形成された下地層20と、下地層20上に形成された発光層30によって構成されている。基板10にはサファイア基板が用いられ、サファイア基板10の上面素子形成面はサファイア結晶の0001面すなわちC面となっている。サファイア基板10の上面C面上には、下地層20としてGaN層が形成されている。GaN層20上には、多重量子井戸構造を有する発光層30が形成されている。図2は、図1に示した発光層30の詳細な構成を模式的に示した断面図である。なお、図2では、便宜上、発光層30の1周期分のみを示しているが、実際には図2に示した発光層30が2周期以上積層されている。図2に示すように、発光層30は、障壁層バリア層31、中間層32、量子井戸層33、中間層34及び障壁層バリア層35の積層構造によって構成されている。障壁層31は、InAlGaN一般的には、InxAlyGa1xyN0<x<1、0<y<1と表されるで形成されており、厚さは12.5nmである。具体的には、障壁層31は、In002Al033Ga065Nで形成されている。中間層32は、InGaN一般的には、InxGa1xN0<x<1と表されるで形成されており、厚さは0.5nmである。具体的には、中間層32は、In002Ga098Nで形成されている。量子井戸層33は、InGaN一般的には、InxGa1xN0<x<1と表されるで形成されており、厚さは2.5nmである。具体的には、量子井戸層33は、In015Ga085Nで形成されている。中間層34は、InGaN一般的には、InxGa1xN0<x<1と表されるで形成されており、厚さは0.5nmである。具体的には、中間層34は、In002Ga098Nで形成されている。障壁層35は、InAlGaN一般的には、InxAlyGa1xyN0<x<1、0<y<1と表されるで形成されており、厚さは11.5nmである。具体的には、障壁層35は、In002Al033Ga065Nで形成されている。本実施形態では、図2の積層構造が5周期分形成されている。そして、最上層には、キャップ層として、厚さは15nmのInAlGaN一般的には、InxAlyGa1xyN0<x<1、0<y<1と表される層が形成されている。具体的には、キャップ層は、In002Al033Ga065Nで形成されている。なお、上述した構造は、サファイア基板10の実質的に0001面すなわちC面上に、下地層20及び発光層30をエピタキシャル成長させることで形成される。具体的には、エピタキシャル成長法として、有機金属気相成長MOCVD法や分子線エピタキシーMBE法などを用いることが可能である。上述した本実施形態の半導体装置では、発光効率の高い高輝度の発光ダイオードを得ることが可能である。以下、その理由について説明する。図3は、化合物半導体における格子定数とバンドギャップ禁制帯幅との関係を示した図である。図3からわかるように、GaNよりもInGaNの方が格子定数が大きく、InGaNのIn組成を増加させるにしたがってInGaNの格子定数が増加する。したがって、GaN層上に量子井戸層のようにIn組成が高いInGaN層を成長させた場合、面方向a軸方向には圧縮歪みが生じ、成長方向c軸方向には引っ張り歪みが生じる。この場合、障壁層としてIn組成が低いInGaN層或いはIn組成が低いInAlGaN層を設けることで、面方向a軸方向の圧縮歪みを緩和することが可能である。しかしながら、障壁層としてIn組成が低いInGaN層を用いた場合には、成長方向c軸方向の引っ張り歪みを大きく緩和することはできない。c軸方向の引っ張り歪みが大きいと、圧電分極によるピエゾ電界が大きくなる。そのため、電子と正孔の再結合確率が低下し、発光効率が低下する。c軸方向の引っ張り歪みに起因したピエゾ電界は、In組成の増加にしたがって増加する。さらに、ピエゾ電界が大きい場合、量子効率の注入電流密度依存性を調べると、高注入電流密度領域での量子効率の低下が著しく、高注入電流密度で用いる発光ダイオードに適さない。したがって、量子井戸層のIn組成を増加させると、発光効率が低下する。一方、図3からわかるように、発光波長を長波長化させるバンドギャップを減少させるためには、量子井戸層のIn組成を増加させる必要がある。以上のことから、障壁層としてIn組成が低いInGaN層を用いた場合には、発光効率を大幅に低下させることなく、発光波長を長波長化させることは困難である。これに対して、障壁層としてIn組成が低いInAlGaN層を用いた場合には、成長方向c軸方向の引っ張り歪みを大きく緩和することができる。そのため、発光波長を長波長化させるために量子井戸層のIn組成を増加させても、発光効率の大幅な低下を抑えることができる。したがって、本実施形態のように、障壁層としてInAlGaN層を用いることにより、発光効率を大幅に低下させずに発光波長を長波長化させることが可能である。また、本実施形態はピエゾ電界を小さくすることができるので、高注入電流密度領域での量子効率の低下を抑えることができ、高注入電流密度かつ高効率の発光ダイオードを提供することが可能である。さらに、障壁層としてInAlGaNを用いることで、障壁層のバンドギャップエネルギーが大きくなり、キャリア、特に電子のオーバーフローを抑えることができる。そのため、高注入電流密度で用いる発光ダイオードに最適である。例えば、100A/cm2程度以上の電流密度を有するハイパワーの発光ダイオードを得ることが可能である。また、本願発明者の実験結果によれば、量子井戸層のIn組成が同じであっても、障壁層としてInAlGaN層を用いた場合には、障壁層としてInGaN層を用いた場合に比べて、発光波長を長波長化できることが確認された。このような観点からも、本実施形態では、発光効率を大幅に低下させずに発光波長を長波長化させることが可能である。逆の観点で言えば、同一発光波長の発光ダイオードを作製する場合、本実施形態では量子井戸層のIn組成を低くすることが可能である。以下、説明を加える。本来は、InGaN量子井戸層のIn組成が同じであれば、発光波長は変化しないはずである。それにもかかわらず、障壁層としてInAlGaN層を用いることで発光波長を長波長化できるのは、以下のような理由ではないかと考えられる。図3からもわかるように、AlNとInNとの間のバンドギャップ差及び格子定数差は、GaNとInNとの間のそれに比べて大きい。そのため、障壁層としてInAlGaN層を用いた場合には、熱力学的な組成変調が生じやすい。そのため、局所的にIn組成の高いInGaN層が形成され、発光波長を長波長化させることができるのではないかと考えられる。量子井戸層のIn組成を低くすることができるため、熱力学的な組成変調が抑制され、熱力学的にも安定した結晶となるため、高信頼性の半導体装置を提供可能となる。また、量子井戸層のIn組成を低くすることができるため、量子井戸層の膜厚を厚くすることが可能であり、量子井戸層1つあたりの電流密度を低くすることが可能となる。以上のように、本実施形態では、障壁層としてInAlGaN層を用いることにより、発光効率を大幅に低下させずに発光波長を長波長化させることが可能である。その結果、従来困難であった発光効率の高い緑色光を得ることが可能となる。また、本実施形態では、図2に示すように、障壁層31と量子井戸層33との間に中間層32を設け、障壁層35と量子井戸層33との間に中間層34を設けている。このように、障壁層と量子井戸層との間に中間層を介在させることにより、障壁層と量子井戸層との間の格子不整合を抑制することができる。その結果、相分離や欠陥の発生を抑制することができ、発光層の発光効率を向上させることが可能である。以下、この点について説明する。図3に示すように、AlNとInNの格子定数差は大きい。また、InAlGaN障壁層のAl組成はある程度高く、InGaN量子井戸層のIn組成はある程度高い。そのため、中間層を介さずにInAlGaN障壁層とInGaN量子井戸層とを積層すると、障壁層のAlNと量子井戸層のInNとが直接的に接する状況が生じやすい。その結果、急激な格子不整合が生じ、障壁層と量子井戸層との界面近傍で相分離や結晶欠陥が生じやすくなる。本実施形態では、障壁層と量子井戸層との間に、バンド構造に影響を及ぼさない程度にIn組成の低いInGaN中間層を介在させている。すなわち、InGaN中間層では、In組成に比べてGa組成の方が格段に高く、GaNが支配的である。図3からわかるように、GaNは、AlNの格子定数とInNの格子定数の中間的な格子定数を有している。したがって、InAlGaN障壁層とInGaN量子井戸層との間にInGaN中間層を介在させることで、障壁層と量子井戸層との間の急激な格子不整合を抑制することができる。その結果、相分離や欠陥の発生を抑制することができ、発光効率を向上させることが可能となる。図4は、本実施形態に係る半導体装置発光ダイオードの測定結果を示した図である。具体的には、顕微フォトルミネッセンスPLによる測定結果を示した図である。図4に示すように、中心波長が495nmである非常に発光強度の強い緑色の発光スペクトルが得られた。図5は、本実施形態の第1の比較例に係る半導体装置発光ダイオードの測定結果を示した図である。第1の比較例では、障壁層をInGaNで形成するとともに、発光波長を長波長化するために、量子井戸層のIn組成を0.35と高くしている。本実施形態に比べて、比較例では発光強度が大きく低下している。比較例では、長波長化をはかるために量子井戸層のIn組成を高くしているため、すでに述べたような理由から発光効率が大幅に低下していると考えられる。図6は、本実施形態の第2の比較例に係る半導体装置発光ダイオードの測定結果を示した図である。第2の比較例では、中間層を設けずに障壁層と量子井戸層とを積層している。本実施形態に比べて、比較例では発光強度が大きく低下している。比較例では、中間層を介さずに障壁層と量子井戸層とを直接積層しているため、すでに述べたような理由から発光効率が大幅に低下していると考えられる。なお、一般的には、障壁層のAl組成は0.2~0.4の範囲であることが好ましく、障壁層のIn組成は0.01~0.05の範囲であることが好ましい。障壁層の膜厚は、4~20nmの範囲であることが好ましい。また、中間層は、障壁層と同じ又は障壁層よりも高いIn組成を有することが好ましい。特に、中間層のIn組成は障壁層のIn組成と同等の0.01~0.05の範囲であることが好ましい。このようにすることで、急激な格子不整合が抑制され、相分離や欠陥の発生を効果的に抑制することができる。また、量子井戸層のIn組成は0.1~0.3の範囲であることが好ましい。量子井戸層のIn組成を0.3よりも高くすると、ピエゾ電界の影響が顕著となり、発光効率が大幅に低下するおそれがあるためである。量子井戸層のIn組成を0.3以下とし、障壁層のAl組成を調整することで発光波長を制御することが好ましい。また、中間層の厚さは、0.5~1.5nmの範囲であることが好ましい。実施形態2次に、本発明の第2の実施形態について説明する。なお、基本的な構成は第1の実施形態と同様であり、第1の実施形態で説明した事項については説明を省略する。図7は、本実施形態に係る半導体装置発光ダイオードの構成を模式的に示した断面図である。基板10にはサファイア基板が用いられ、サファイア基板10の上面素子形成面はサファイア結晶の0001面すなわちC面となっている。サファイア基板10の上面C面上には、n型GaNコンタクト層21、n型GaNガイド層22、多重量子井戸構造を有する発光層30、p型AlGaNオーバーフロー防止層41、p型GaN層42、及びp型GaNコンタクト層43が積層されている。また、n型GaNコンタクト層21の露出面上には、Ti/Pt/Auからなるn側電極50が形成されている。さらに、p型GaNコンタクト層43の表面には、Ni/Auからなるp側電極60が形成されている。発光層30の構造は、第1の実施形態で説明した構造と同様である。オーバーフロー防止層は、特に、例えば100A/cm2程度以上の電流密度を有するハイパワーの発光ダイオードにおいて有効である。オーバーフロー防止層としては、上記の例以外に例えば、p-InuAlvGa1uvN0≦u<1,0<v<1の組成を有する層があげられる。このときオーバーフロー防止層は、その目的のために障壁層よりも高いAl組成を有することが望ましい。本実施形態においても、発光層30の構造が第1の実施形態で説明した構造と同様であるため、第1の実施形態で説明した効果と同様の効果を得ることができる。以下、本実施形態の半導体装置発光ダイオードの製造方法について説明する。本半導体装置の各層は、有機金属気相成長MOCVD法により形成する。原料には、トリメチルガリウムTMG、トリメチルアルミニウムTMA、トリメチルインジウムTMI、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを用いることができる。ガス原料としては、アンモニアNH3、シランSiH4を用いることができる。キャリアガスとしては、水素及び窒素を用いることができる。まず、有機洗浄及び酸洗浄によって処理したサファイア基板を、MOCVD装置の反応室内に導入し、高周波によって加熱されるサセプタ上に設置する。続いて、常圧の窒素/水素雰囲気下において、温度1100°Cまで約12分かけて昇温する。昇温過程において、基板表面に対して気相エッチングを施し、基板表面の自然酸化膜を除去する。次に、キャリアガスとして窒素/水素を用い、アンモニアを6L/分、TMGを50cc/分、SiH4を10cc/分の流量で60分間供給し、n型GaNコンタクト層21を形成する。続いて、温度を1060°Cまで降下するとともに、SiH4を3cc/分まで下げ、約3分間でn型GaNガイド層22を形成する。次に、TMG及びSiH4の供給を停止し、基板温度を800°Cまで下げる。キャリアガスを窒素のみに切り替え、アンモニアを12L/分、TMGを3cc/分の流量で供給する。この中に、TMIを5cc/分、SiH4を1cc/分の流量で2分間供給した後、さらにTMAを16cc/分の流量で追加、12分間供給する。その後、TMAの供給を停止し、TMG及びSiH4の供給はそのままで2分間の成長を行う。その後、TMIの供給量を80cc/分に増加させ、40秒の成長を行う。これらの一連の処理を5回繰り返して行い、最後にTMGを3cc/分、TMIを5cc/分の流量で約14分間供給することにより、多重量子井戸構造を有する発光層30を形成する。なお、同一構造で5回繰り返す以外にも、TMG、TMA或いはTMIの流量を変化させ、障壁層31や中間層32でAl組成やIn組成を傾斜させてもよい。また、多重量子井戸構造の周期も5に限定されることなく、2~10の範囲で選択可能である。次に、TMG及びTMIの供給を停止し、窒素とアンモニアはそのままで1030°Cまで昇温する。温度を1030°Cに保持した状態で、窒素/水素雰囲気下にてアンモニアを4L/分の流量に切り替える。その中に、TMGを25cc/分、TMAを約30cc/分、Cp2Mgを6cc/分の流量で約1分間供給し、p型AlGaNオーバーフロー防止層41を形成する。なお、p型AlGaNのAl組成は、0.2以上であればよいが、InAlGaN障壁層31のAl組成よりも高いことが望ましい。これにより、電子のオーバーフローを格段に抑えることができ、特に高電流密度で用いる半導体装置に望ましい。次に、上記の状態からTMAのみ供給を停止し、Cp2Mgを8cc/分の流量に切り替えて約6分供給することにより、p型GaN層42を形成する。次に、上記の状態からCp2Mgを50cc/分の流量で約3分間供給し、p型GaNコンタクト層43を形成する。続いて、有機金属原料の供給を停止し、キャリアガスのみ引き続き供給し、基板温度を自然降温する。ただし、アンモニアの供給は基板温度が500°Cに達した際に停止する。次に、上記のようにして得られた多層構造の一部をn型GaNコンタクト層21に達するまでドライエッチングによって除去し、露出したコンタクト層21にTi/Pt/Auからなるn側電極50を形成する。また、p型GaNコンタクト層43上には、Ni/Auからなるp側電極60を形成する。次に、上記のようにして得られた構造を実装した半導体装置発光ダイオードに対して、I-V特性を測定したところ、良好な特性が得られた。この発光ダイオードの動作電圧は20mA時で3.5~4V、光出力は10mWであった。また、波長測定を行なったところ、波長中心が500nmのピークが得られた。なお、上述した第1及び第2の実施形態では、基板としてサファイア基板を用いたが、GaN基板、SiC基板、ZnO基板等を用いることも可能である。また、素子形成面はC面に限定されるものではなく、非極性面上に各層を形成することも可能である。また、ウエハの裏面側に電極を設けた構造を適用することも可能である。さらに、発光効率の高い緑色発光ダイオードのみならず、発光効率の高い青色発光ダイオードを得ることも可能である。以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば発明として抽出され得る。"