タッチパネルの製造方法であって、第一基板と、前記第一基板と反対の第二基板とを含むディスプレイパネルを提供するステップと、前記ディスプレイパネルを薄くして、薄型ディスプレイパネルを形成するステップと、前記薄型ディスプレイパネルの外表面に、タッチパネルを形成するステップと、を含むことを特徴とする製造方法。前記ディスプレイパネルを薄くするステップは、前記第一基板、又は、前記第二基板を薄くするステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のタッチパネルの製造方法。前記ディスプレイパネルを薄くするステップは、前記第一基板及び前記第二基板を薄くするステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のタッチパネルの製造方法。前記ディスプレイパネルの製造工程として、前記第一基板と前記第二基板を提供するステップと、液晶滴下注入方法により、前記第一基板、又は、前記第二基板上に、液晶層を形成するステップと、前記第一基板と前記第二基板を組み立てて、前記第一基板と前記第二基板間に、前記液晶層を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のタッチパネルの製造方法。前記タッチセンサの形成後に、更に、前記第一基板と前記第二基板との間に、液晶層を注入するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のタッチパネルの製造方法。前記タッチセンサの形成前に、更に、前記第一基板と前記第二基板との間に、液晶層を注入するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のタッチパネルの製造方法。更に、前記第一基板に近い前記第二基板の第一表面上に、カラーフィルタ装置を形成するステップと、前記第一基板から離れた前記第二基板の第二表面上に、タッチセンサを形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のタッチパネルの製造方法。前記タッチセンサを形成するステップは、蒸着プロセスにより、前記第一基板から離れた前記第二基板の前記第二表面上に、透明導電層を直接形成するステップと、前記透明導電層をパターン化して、パターン化透明導電層を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項7に記載のタッチパネルの製造方法。前記パターン化透明導電層の形成後に、更に、前記パターン化透明導電層を焼きなますステップを含むことを特徴とする請求項8に記載のタッチパネルの製造方法。前記蒸着プロセスは、化学気相蒸着、又は、物理的気相成長法を含むことを特徴とする請求項8に記載のタッチパネルの製造方法。前記パターン化透明導電層は、インジウムスズ酸化物ITO、インジウムスズ酸化物IZO、カドミウムスズ酸化物CTO、アルミニウム酸化亜鉛AZO、インジウムスズ酸化亜鉛ITZO酸化亜鉛、酸化カドミウムCdO、酸化ハフニウムHfO、インジウムガリウム酸化亜鉛InGaZnO、インジウムガリウム亜鉛酸化マグネシウムInGaZnMgO、インジウムガリウム酸化マグネシウムInGaMgO、又は、インジウムガリウム酸化アルミニウムInGaAlOを含むことを特徴とする請求項8に記載のタッチパネルの製造方法。前記タッチセンサを形成するステップは、接着層により、前記第一基板から離れた前記第二基板の前記第二表面上に、前記タッチセンサを接着するステップを含むことを特徴とする請求項7に記載のタッチパネルの製造方法。更に、前記第一基板に近い前記第二基板の第一表面上に、薄膜トランジスタ装置を形成するステップと、前記第一基板から離れた前記第二基板の第二表面上に、タッチセンサを形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のタッチパネルの製造方法。更に、前記タッチパネル上に、偏向板を形成するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のタッチパネルの製造方法。本発明は、タッチパネルの製造方法を提供し、上述の問題を解決することを目的とする。本発明は、タッチパネルの製造方法を提供し、この製造方法は、第一基板と第一基板に相対して設置される第二基板とを含むディスプレイパネルを提供するステップと、ディスプレイパネルを薄くし、薄型ディスプレイパネルを形成するステップと、薄型ディスプレイパネルの外表面に、タッチパネルを形成するステップと、を含む。本発明によれば、タッチパネルの厚さと重量を減少させ、製造プロセスを簡潔にし、プロセスコストを減少させることができる。図2Aは、本発明の具体例によるタッチパネル200の断面図である。タッチパネル200は、第一基板210、液晶層220、第二基板230、及びタッチセンサ240を含み、第二基板230は、第一基板210の反対に設置され、液晶層220が、第一基板210と第二基板230間に設置される。本発明の主な特徴は、タッチセンサ240が、液晶層220から離れた第二基板230の表面232上に直接形成され、タッチセンサ240はパターン化された透明導電層を含むことである。一具体例では、第一基板210は薄膜トランジスタTFT基板であり、第二基板230はカラーフィルタ基板である。更に、特に、薄膜トランジスタ装置は、第二基板230に近い第一基板210表面上に形成され、カラーフィルタ装置は、第一基板210に近い第二基板230表面上に形成される。別の具体例では、第一基板210はカラーフィルタ基板であり、第二基板230は薄膜トランジスタTFT基板である。更に、特に、カラーフィルタ装置は、第二基板230に近い第一基板210表面上に形成され、薄膜トランジスタ装置は、第一基板210に近い第二基板230表面上に形成される。TFT基板は、サブ基板とアレイ層を含み、サブ基板の材料は、ガラス、石英、プラスチック、樹脂、又は他の適当な材料を含む。ガラスは、幅広く、サブ基板として用いられている。アレイ層は、薄膜トランジスタ、画素電極、スキャンライン、及びデータラインを含む。カラーフィルタ基板は、カラーフィルタ層とブラックマトリクスBMを含む。カラーフィルタ層は、赤カラーフィルタ、青カラーフィルタ、及び緑カラーフィルタを含み、ブラックマトリクスは、異なる色のカラーフィルタ層間に形成される。図2Aにおいて、第一基板210と第二基板230は、厚さ約0.5mmであり、液晶層220はより小さい約2-5μm厚さである。よって、タッチパネル200の厚さは、第一基板210と第二基板230の厚さの合計に制限される。別の具体例では、第一基板210と第二基板230の厚さが減少される。図2B-2Dを参照すると、薄型第一基板210a、又は、薄型第二基板230aが提供され、薄厚方法例えば、物理研磨、又は、化学エッチング方法により形成される。図2Bを参照すると、薄型第一基板210aが提供され、厚さは、0.3mm以下、好ましくは、約0.15-0.30mmである。図2Cを参照すると、薄型第二基板230aが提供され、厚さは、0.3mm以下、好ましくは、約0.15-0.30mmである。図2Dで示されるように、薄型第一基板210aと薄型第二基板230aが提供され、独立して、0.3mm以下、好ましくは、約0.15-0.30mmの厚さを有する。これにより、図2B-2Dのタッチパネル200の厚さは、約0.80-0.30mmに減少して、薄型の光電子製品の実装要求を満たすことになる。図3Aは、本発明の具体例による第二基板230上に形成されるタッチセンサ240の断面図である。タッチセンサ240は、パターン化透明導電層241、金属層243、誘電層245、及び、保護層247を含み、パターン化透明導電層241は、複数の平面パターン化透明導電層241aとブリッジパターン化透明導電層241bを含む。図3Aの装置は、以下のステップにより製造される。最初に、平面パターン化透明導電層241aは、蒸着プロセスとパターン化プロセスにより、透明層の蒸着とパターン化により形成される。その後、金属層243が、蒸着プロセスにより、平面パターン化透明導電層241a外側に形成される。次に、誘電層245が、各平面パターン化透明導電層241aの間に形成される。ブリッジパターン化透明導電層241bが、誘電層245の上、及び、隣接する平面パターン化透明導電層241aの間に設置され、互いに電気的に接続するように設計される。最後に、保護層247が、第二基板230、平面パターン化透明導電層241a、ブリッジパターン化透明導電層241b、金属層243、及び、誘電層245の上に設置され、外部の湿度と粉塵公害から保護する。図3Bは、本発明の別の具体例による第二基板230上に形成されるタッチセンサ240の断面図である。タッチセンサ240は、パターン化透明導電層241、金属層243、誘電層245、及び、保護層247を含み、金属層243は、複数の平面金属243aとブリッジ金属層243bを含む。図3Bは、以下のステップにより形成される。最初に、パターン化透明導電層241が、蒸着プロセスとパターン化プロセスにより、透明層の蒸着とパターン化により形成される。その後、誘電層245が、各パターン化透明導電層241の間に形成される。その後、平面金属層243aが、蒸着プロセスの実行により、パターン化透明導電層241の外側に形成される。次に、ブリッジ金属層243bが誘電層245の上、及び、隣接するパターン化透明導電層241の間に設置され、互いに電気的に接続するように設計される。最後に、保護層247が、第二基板230、パターン化透明導電層241、平面金属層243a、ブリッジ金属層243b、誘電層245の上に形成され、外部の湿度と粉塵公害から保護する。注意すべきことは、図3Aと図3B間の差異は、互いに電気的に接続するように設計された隣接するパターン化透明導電層241が、図3Aのブリッジパターン化透明導電層241b、及び、図3Bのブリッジ金属層243bにより接続されることである。パターン化プロセスは、フォトレジストコーティングphotoresistcoating、ソフトベーキングsoftbaking、マスク整合maskaligning、露光、後露光、現像フォトレジスト、及び、ハードベーキングプロセスhardbakingprocesses等のフォトリソグラフィプロセスphotolithographyprocessを含む。これらのプロセスは公知技術であるので、ここで詳細は省略する。パターン化透明導電層241は、インジウムスズ酸化物ITO、インジウムスズ酸化物IZO、カドミウムスズ酸化物CTO、アルミニウム亜鉛酸化物AZO、インジウムスズ亜鉛酸化物ITZO酸化亜鉛、酸化カドミウムCdO、酸化ハフニウムHfO、インジウムガリウム酸化亜鉛InGaZnO、インジウムガリウム亜鉛酸化マグネシウムInGaZnMgO、インジウムガリウム酸化マグネシウムInGaMgO、又は、インジウムガリウム酸化アルミニウムInGaAlOを含む。一具体例では、透過率が90以上なので、インジウムスズ酸化物ITOが、パターン化透明導電層241として用いられる。更に、パターン化透明導電層241は、独立したマトリクス構造、又は、交差マトリクス構造を含む。一具体例において、ITO透明導電マトリクスは、独立したマトリクス感知素子として用いられる。別の具体例では、二個の絶縁された水平方向columns及び垂直方向columnのITO透明導電層が、ロウ及びカラムの感知素子の交差マトリクスとして用いられる。蒸着プロセス、例えば、化学気相蒸着CVD、又は、物理的気相成長法PVDにより、タッチセンサ240のパターン化透明導電層241が形成される。好ましい具体例では、透明導電層は、直接、第二基板230上に蒸着され、パターン化されて、パターン化透明導電層241を形成する。この他、図1を参照すると、公知技術中、ディスプレイパネル20とタッチセンサ40は接着剤30により結合される。よって、タッチセンサ40の基板41は一定の厚さがあり、接着剤30が不可欠である。注意すべきことは、公知技術と比較すると、本発明のタッチセンサ240は、直接、第二基板230上に形成され、よって、タッチパネルの基板例えば、図1の基板41と接着層例えば、図1の接着層30の除外により、タッチセンサ240の厚さが減少するということである。この他、パターン化透明導電層241が電極として用いられと、パターン化透明導電層241は自己周波数を生成する。パターン化透明導電層241の自己周波数は、ディスプレイパネル第一基板210、液晶層220、及び、第二基板230により形成の周波数により影響されないので、パターン化透明導電層241は遮蔽層として用いられる。図4A-4Dは、本発明の具体例によるタッチパネル製造の各種段階の断面図である。図4Aを参照すると、第一基板210と第二基板230を含むディスプレイパネル310が提供され、第一基板210は厚さ約d1であり、第二基板230は厚さ約d2であり、d1とd2は、同じであっても異なっていてもよい。ある具体例において、第一基板210は、第一基板210、又は、第二基板230の外側周辺に形成されるシーリング剤215により、第二基板230に接着される。よって、第一基板210は、第二基板230の反対に設置され、開口217を有するシーリング空間235を形成する。その後、図4Bを参照すると、ディスプレイパネル310が薄くされる。図4Bにおいて、第一基板210と第二基板230が薄くされて、薄型第一基板210aと薄型第二基板230aが形成され、よって、第一基板210の厚さはd1からd3に減少し、第二基板230の厚さはd2からd4に減少する。d3とd4は、同じであっても異なっていてもよい。別の具体例では、第一基板210、又は、第二基板230が薄くされる。基板は、薄型方法例えば、物理研磨、又は、化学エッチング方法により薄くされる。注意すべきことは、ある具体例において、第一基板210と第二基板230の厚さは0.5mmから0.3mmに減少することである。よって、ディスプレイパネル310の総厚さは1.0mmから0.6mmに減少する。好ましい具体例では、0.4mmの薄型ディスプレイパネル310aが得られる。次に、図4Cを参照すると、タッチセンサ240は、薄型ディスプレイパネル310aの外表面232上に形成され、つまり、タッチセンサ240は、薄型第一基板210aから離れた薄型第二基板230aの外表面232上に形成される。ある具体例において、タッチセンサ240は、蒸着プロセスにより、薄型第一基板210aから離れた薄型第二基板230aの表面232上に、直接、透明導電層を形成することにより形成される。蒸着プロセスは、化学気相蒸着CVD、又は、物理的気相成長法PVDプロセスを含む。蒸着プロセスの後、透明導電層がパターン化されて、パターン化透明導電層を形成する。パターン化透明導電層形成後、金属層、誘電層、及び、保護層が、連続して、パターン化透明導電層上に形成される。別の具体例では、タッチセンサ240は、接着層により、薄型第一基板210aから離れた薄型第二基板230aの表面232上に形成される。更に、図4Dのステップで処理される前、別に、焼きなましステップが、タッチセンサ240、特に、タッチセンサ240のパターン化透明導電層241に導入される。焼きなましステップの目的は、透明導電層のシート抵抗を減少させることである。その後、図4Dにおいて、タッチセンサ240の形成後、液晶層220は、薄型第一基板210aと薄型第二基板230aと間の開口217により、シーリング空間235に注入される。最後に、開口217が封じられ、液晶が漏れるのを防止する。更に別の具体例では、タッチセンサ240の形成前、液晶層220がシーリング空間235に注入される。例えば、図4Bの薄型化ステップの前に、注入ステップが導入されるか、又は、図4Aの組み立てステップの後に、注入ステップが導入される。更に、液晶層220が高温の焼きなましステップ後に形成される場合、他にも長所が得られ、高温の焼きなましステップにより生じる液晶層220の色ずれ問題が解決される。図5A-5Cは、本発明の別の具体例によるタッチパネルの製造の各種段階の断面図で、類似素子は、図4A-4Dの同じ参照符号で示され、詳細を省略する。図5Aを参照すると、第一基板210と第二基板230を含むディスプレイパネル310が提供され、液晶層220は、第一基板210と第二基板230との間に形成される。第一基板210は厚さ約d1であり、第二基板230は厚さ約d2であり、d1とd2は同じであっても異なっていてもよい。ある具体例において、第一基板210は、第一基板210、又は、第二基板230の外側周辺に形成されるシーリング剤215により、第二基板230に接着される。よって、第一基板210は、第二基板230と反対に設置されて、開口217を有するシーリング空間235を形成する。その後、液晶層220がシーリング空間235に注入される。別の具体例では、まず、シーリング剤215が、第一基板210の外側に形成され、液晶層220は、液晶滴下注入ODF方法により、第一基板210上に形成される。最後に、第一基板210と第二基板230が組み立てられて、第一基板210と第二基板230との間に、液晶層220が形成される。また、最初に、シーリング剤215が、第二基板230の外側周辺に形成され、液晶層220は、液晶滴下注入ODF方法により、第二基板230上に形成される。その後、注入ステップと組み立てステップが連続して実行される。その後、図5Bを参照すると、ディスプレイパネル310が薄くされる。図5Bにおいて、第一基板210と第二基板230が薄くされて、薄型第一基板210aと薄型第二基板230aが形成され、よって、第一基板210の厚さはd1からd3に減少し、第二基板230の厚さはd2からd4に減少する。d3とd4は、同じであっても異なっていてもよい。別の具体例では、第一基板210、又は、第二基板230が薄くされる。基板は、薄厚方法例えば、物理研磨や化学エッチング方法により薄くされる。次に、図5Cを参照すると、タッチセンサ240が薄型ディスプレイパネル310aの外表面232上に形成され、つまり、タッチセンサ240は、薄型第一基板210aから離れた薄型第二基板230aの外表面232上に形成される。タッチセンサの形成ステップは図4Dと同じであるので、説明を省略する。本発明のタッチパネルの形成は、以下のステップが続けられる。例えば、偏光板がタッチパネル上に形成され、カバーガラスが偏光板上に形成され、第二偏光板は薄型第一基板210a下に形成される。別の素子は、実際の必要に応じて、タッチパネル上、又は、下に形成される。なお、タッチセンサ240が、直接、第二基板230上に形成されるので、タッチパネルはオンセルoncellタッチパネルとも称される。操作の際には、ユーザは、スタイラス、又は、指により、タッチセンサ240にタッチすることができ、パターン化透明導電層241の容量変化を検出することにより信号が生成される。注意すべきことは、公知技術と比較すると、本発明のタッチセンサ240は、直接、第二基板230上に形成されるので、タッチパネルの基板例えば、図1の基板41と接着層例えば、図1の接着層30の除外により、タッチセンサ240の厚さが減少するということである。更に、図1の接着剤30の除外によって、タッチパネルの透過率も改善される。更に、タッチパネルのディスプレイ品質が改善される。タッチセンサをディスプレイパネルに直接形成し、第一基板、又は、第二基板を薄くすることにより、タッチパネルの総厚さと重量が減少する。これにより、タッチパネルは、薄型の光電子製品の実装要求を満たすことができる。本発明のタッチパネルは、液晶ディスプレイLCDs、例えば、インプレーンスイッチングIPSLCDs、又は、フリンジフィールドスイッチングFFSLCDsに適用される。本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。