"ニッケル鉄合金NiFeからなり、かつ、平坦化された上面を有する基体としての第1磁気シールド層と、タンタルTaからなり、かつ、スパッタエッチング処理により表層がアモルファス化された被覆層と、シード層と、反強磁性材料からなるピンニング層と、ピンド層と、アルミニウムAl膜が酸化処理されてなるトンネルバリア層と、強磁性材料からなる磁化フリー層と、キャップ層と、ニッケル鉄合金NiFeからなり、前記第1磁気シールド層と共に積層面と直交する方向にセンス電流を流すための電流経路となる第2磁気シールド層とを順に備えたことを特徴とする磁気トンネル接合素子。前記シード層は、35原子パーセントat以上45原子パーセントat以下のクロムCrを含有するニッケルクロム合金NiCrにより構成され、4.0nm以上6.0nm以下の厚みを有していることを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。前記タンタルTaからなる被覆層は、6.0nm以上8.0nm以下の厚みを有するタンタル膜がスパッタエッチング処理により2.0nm以上3.0nm以下の厚み分だけ除去されたものであることを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。前記ピンニング層は、マンガン白金合金MnPtにより構成され、10.0nm以上20.0nm以下の厚みを有していることを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。前記ピンド層は、Co90Fe10からなり1.5nm以上2.0nm以下の厚みをなす第1磁化固着層と、ルテニウムRuからなり0.7nm以上0.8nm以下の厚みをなす結合層と、Co75Fe25またはCo50Fe50からなり1.8nm以上2.5nm以下の厚みをなす第2磁化固着層とが順に積層されたものであり、前記第1磁化固着層と第2磁化固着層とが互いに逆平行の磁化を示し、反強磁性結合するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。前記トンネルバリア層は、アルミニウム原子2つ分の厚みを有するアルミニウム層を自然酸化法により酸化処理したものであることを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。前記トンネルバリア層は、0.1nm以上0.2nm以上の厚みを有するハフニウムHf層と0.4nm以上0.5nm以上の厚みを有するアルミニウムAl層との2層構造を自然酸化処理することによって得られたハフニウムおよびアルミニウムの複合酸化物HfAlOxからなる単層体であることを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。前記磁化フリー層は、0.5nm以上1.5nm以下の厚みを有するコバルト鉄合金Co90Fe10層と、2.5nm以上3.5nm以下の厚みを有するニッケル鉄合金Ni82Fe18層とを含んでいることを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。前記キャップ層は、タンタルTaからなり、20.0nm以上30.0nm以下の厚みを有していることを特徴とする請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。ところで、最近では、磁気記録媒体の高記録密度化やMRAMアレイの高集積化が著しく進んでいることから、MTJ素子のさらなる高性能化が強く求められるようになってきている。本発明はかかる問題に鑑みてなされたもので、その目的は、より良好な磁化特性を発現し、高記録密度化や高集積化に対応可能であると共に高い信頼性を有する磁気トンネル接合素子を提供することにある。本発明における磁気トンネル接合素子は、以下のA1~A9の各構成要件を順に備えるようにしたものである。A1ニッケル鉄合金NiFeからなり、かつ、平坦化された上面を有する基体としての第1磁気シールド層。A2タンタルTaからなり、かつ、スパッタエッチング処理により表層がアモルファス化された被覆層。A3シード層。A4反強磁性材料からなるピンニング層。A5ピンド層。A6アルミニウムAl膜が酸化処理されてなるトンネルバリア層。A7強磁性材料からなる磁化フリー層。A8キャップ層。A9ニッケル鉄合金NiFeからなり、第1磁気シールド層と共に積層面と直交する方向にセンス電流を流すための電流経路となる第2磁気シールド層。本発明における磁気トンネル接合素子では、タンタルTaからなり、かつ、スパッタエッチング処理により表層がアモルファス化された被覆層と、シード層とを順に備えるようにしたので、ピンニング層およびピンド層を介して設けられたトンネルバリア層が、非常に優れた平滑性および均質性を有するものとなる。このため、トンネルバリア層が非常に薄いものであっても、それを備えた磁気トンネル接合素子は十分な接合抵抗を有するものとなる。本発明における磁気トンネル接合素子では、シード層が、35原子パーセントat以上45原子パーセントat以下のクロムCrを含有するニッケルクロム合金NiCrにより構成され、4.0nm以上6.0nm以下の厚みを有していることが望ましい。また、被覆層が、6.0nm以上8.0nm以下の厚みとなるように形成されたタンタル膜を、スパッタエッチング処理により2.0nm以上3.0nm以下の厚み分だけ除去したものであることが望ましい。ピンニング層は、マンガン白金合金MnPtにより構成され、10.0nm以上20.0nm以下の厚みを有していることが望ましい。ピンド層は、Co90Fe10からなり1.5nm以上2.0nm以下の厚みをなす第1磁化固着層と、ルテニウムRuからなり0.7nm以上0.8nm以下の厚みをなす結合層と、Co75Fe25またはCo50Fe50からなり1.8nm以上2.5nm以下の厚みをなす第2磁化固着層とを順に含み、かつ、第1磁化固着層と第2磁化固着層とが互いに逆平行の磁化を示し、反強磁性結合するように構成されていることが望ましい。トンネルバリア層は、アルミニウム原子2つ分の厚みを有するアルミニウム層を自然酸化法により酸化処理したものであることが望ましい。あるいはトンネルバリア層は、0.1nm以上0.2nm以上の厚みを有するハフニウムHf層と0.4nm以上0.5nm以上の厚みを有するアルミニウムAl層との2層構造を自然酸化処理することによって得られたハフニウムおよびアルミニウムの複合酸化物HfAlOxからなる単層構造をなすものであることが望ましい。磁化フリー層は、0.5nm以上1.5nm以下の厚みを有するコバルト鉄合金Co90Fe10層と、2.5nm以上3.5nm以下の厚みを有するニッケル鉄合金Ni82Fe18層とを含んでいることが望ましい。キャップ層は、タンタルTaからなり、20.0nm以上30.0nm以下の厚みを有していることが望ましい。本発明における磁気トンネル接合素子によれば、ニッケル鉄合金からなる第1磁気シールド層と、タンタルからなり、かつ、スパッタエッチング処理により表層がアモルファス化された被覆層と、シード層と、反強磁性材料からなるピンニング層と、ピンド層と、アルミニウム膜を酸化処理してなるトンネルバリア層と、強磁性材料からなる磁化フリー層と、キャップ層と、ニッケル鉄合金からなり、第1磁気シールド層と共に積層面と直交する方向にセンス電流を流すための電流経路となる第2磁気シールド層とを順に設けるようにしたので、トンネルバリア層が非常に優れた平滑性および均質性を有するものとなる。このため、トンネルバリア層における十分な電気絶縁性が確保され、より大きな抵抗変化率を得ることができるうえ、絶縁破壊電圧を向上させることができる。よって、高記録密度化や高集積化に対応可能であると共に高い信頼性を確保することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。[第1の実施の形態]最初に、図1A~図1Dを参照して、本発明における第1の実施の形態としての磁気トンネル接合MTJ;magnetictunneljunction素子について以下に説明する。本実施の形態のMTJ素子は、特に、MRAMアレイにおける磁気メモリセルとして好適に用いられる構造を有するものである。MRAMアレイは複数の磁気メモリセルMTJ素子がマトリックス状に配置された集合体であり、磁気情報の書き換え、格納および検出を行う際に使用される駆動回路associatecircuitryと接続されている。このようなMRAMアレイでは、MTJ素子が、複数のワード線と複数のビット線との各交差点において、ワード線と電気絶縁性と保ちつつビット線と電気的に接続されるように構成されている。本実施の形態におけるMTJ素子は、例えば、NiCr/Ru/TaSE/NiCr/MnPt/CoFe/[Al/ROX]/CoFe/NiFe/Ruという積層構造をなすものである。上記のNiCr/Ru/TaSEは、平滑なsmooth下部導電リード層である。詳細には、NiCrが第1シード層であり、Ruが非磁性金属層であり、TaSEがスパッタエッチング処理されて表層がアモルファス化された被覆層である。さらにTaSEの上に形成されたNiCr/MnPt/CoFeが下部電極である。詳細にはNiCrが第2シード層であり、MnPtがピンニング層であり、CoFeがピンド層である。また、[Al/ROX]はアルミニウム層をラジカル酸化法を利用して酸化処理することにより得られるトンネルバリア層である。このトンネルバリア層の上に形成されたCoFe/NiFe/Ruが上部電極である。詳細にはCoFe/NiFeが磁化フリー層であり、Ruが上部導電リード層を兼ねたキャップ層である。なお、下部導電リード層および上部導電リード層は、MTJ素子に対して、その積層面と直交する方向にセンス電流を流すための電流経路となる。以下、上記構成を有する本実施の形態のMTJ素子を形成する方法について順に説明する。以下で述べる全ての層は、超高真空装置の中でスパッタリングにより形成される。超高真空装置としては、例えば、プラズマ酸化用チャンバをも兼ねる超高真空スパッタリングチャンバを備えたアネルバAnelva社製7100システムである。このアネルバ社製7100システムでは、スパッタリングによるデポジッション成膜操作と、エッチング操作との双方を実施することが可能である。なお、これは本発明の必須要件ではなく、デポジッション操作とエッチング操作とを個別の装置で行うようにしてもよい。ただし、真空状態を保持したまま、デポジッション用チャンバとエッチング用チャンバとの移動を行うようにする必要がある。最初に、図1Aに示したように、平坦化された上面を有する基板10を用意する。基板10は、例えばシリコンSiやそのほかの半導体からなるものであり、トランジスタやダイオードなどのデバイスを含むように構成されたものである。基板10を用意したのち、基板10上に第1シード層20、非磁性金属層30およびタンタルTa膜40を順に積層する。第1シード層20については、クロムCrを35~45含有するニッケルクロム合金NiCrを用いて例えば5nm以上10nm以下好ましくは5nmの厚みとなるように形成する。非磁性金属層30については、ルテニウムRuを用いて、例えば25nm以上100nm以下好ましくは40nmの厚みとなるように形成する。さらに、タンタル膜40については、タンタルTaを用いて6.0nm以上8.0nm以下好ましくは6.0nmの厚みとなるように形成する。第1シード層20は、その上に形成される非磁性金属層30の結晶成長を促進する機能を有する。非磁性金属層30の結晶面は、その表面と平行をなすように配列される。タンタル膜40を形成したのち、図1Bに示したように、タンタル膜40の上面をスパッタエッチング処理することにより被覆層45を形成する。ここでは、スパッタエッチング処理により、例えば2.0nm以上3.0nm以下好ましくは3.0nmの厚み分だけ除去するようにする。被覆層45は、その表層スパッタエッチング処理された側がアモルファス化されており、こののちに形成されるピンニング層50後出を形成する際の下地層となる。被覆層45を形成したのち、35at以上45at以下のクロムを含有するNiCrを用いて、例えば4nm以上6nm以下好ましくは4nmの厚みをなすように第2シード層85を形成する。続いて、図1Cに示したように、第2シード層85の上に反強磁性材料を用いてピンニング層50を形成する。反強磁性材料としては、マンガン白金合金MnPtやイリジウムマンガン合金IrMnなどが用いられる。MnPtを用いる場合には10.0nm以上20.0nm以下好ましくは15.0nmの厚みをなすように形成し、IrMnを用いる場合には、例えば9nmの厚みとなるように形成することが望ましい。さらに、ピンニング層50の上に、シンセティック反強磁性構造をなすピンド層60を形成する。具体的には、第1磁化固着層62と結合層64と第2磁化固着層66とを順に積層する。第1磁化固着層62については、Co90Fe10を用いて1.5nm以上2.5nm以下好ましくは2.0nmの厚みとなるように形成する。結合層64については、ルテニウムRuを用いて0.7nm以上0.8nm以下好ましくは0.75nmの厚みとなるように形成する。さらに第2磁化固着層66については、Co75Fe25またはCo50Fe50を用いて1.0nm以上2.0nm以下好ましくは1.5nmの厚みとなるように形成する。結合層64の作用により、第1磁化固着層62と第2磁化固着層66とが互いに逆平行の磁化を示し、互いに強固な反強磁性結合を形成するようになる。なお、ピンド層60はCoFeなどからなる単層構造であってもよい。さらに、ピンド層60の上にトンネルバリア層70を形成する。ここでは、ピンド層60の上に0.7nm以上1.2nm以下好ましくは1.0nmの厚みを有するアルミニウム層図示せずを形成したのち、プラズマ酸化用チャンバプラズマ酸化処理室の内部において、ラジカル酸化法ROX;radicaloxidationを利用して上記アルミニウム層の酸化処理を施すことにより、トンネルバリア層70を形成するようにする。より詳細には、プラズマ酸化用チャンバには、上部イオン化電極と、下部イオン化電極と、それらの間に配置された格子状部材キャップとが備えられている。このようなプラズマ酸化用チャンバの内部に、基板10上に、第1シード層20、非磁性金属層30、被覆層45、第2シード層85、ピンニング層50、ピンド層60およびアルミニウム層が順に積層された積層膜を載置したのち、このアルミニウム層を、下部イオン化電極と電気的に連結する。次いで、プラズマ酸化用チャンバへ0.5リットルの酸素ガスを投入すると共に500ワットW以上800ワットW以下の電力を上部イオン化電極へ供給することにより、格子状部材を通過してアルミニウム層の表面へ到達するように酸素ガスが変換された酸素種酸素原子、酸素分子、酸素ラジカルおよび酸素イオンからなるシャワーを形成する。最後に、図1Dに示したように、トンネルバリア層70の上にCoFe層82とNiFe層84との2層構造からなる磁化フリー層80を形成したのち、磁化フリー層80の上にキャップ層90を形成する。磁化フリー層80については、0.5nm以上1.5nm以下好ましくは1.0nmの厚みをなすようにコバルト鉄合金Co90Fe10を用いてCoFe層82を形成したのち、CoFe層82の上に、2.0nm以上5.0nm以下好ましくは3.0nmの厚みをなすようにニッケル鉄合金Ni82Fe18からなるNiFe層84を形成するようにする。キャップ層90については、ルテニウムを用いて10nm以上30nm以下好ましくは25nmの厚みをなすように形成する。以上により、本実施の形態のMTJ素子の形成が完了する。このようにして得られたMTJ素子におけるトンネルバリア層70は、極めて厚みが薄いながらも、平滑smoothかつ均質conformalであり、高い絶縁破壊電圧を示すものである。これは、スパッタエッチング処理を施されてアモルファス化した表層を有する被覆層45と、その上に設けられたNiCrからなる第2シード層85とを含むようにしたことに起因する結果である。すなわち、第2シード層85の上に形成されるピンニング層50およびピンド層60の結晶性が向上して粗さが低減され、結果として、その上に設けられたトンネルバリア層70の平滑性および均質性も優れたものとなると考えられる。このため、トンネルバリア層70が非常に薄いものであっても、十分な電気絶縁性が確保され、より大きな抵抗変化率を得ることができるうえ、絶縁破壊電圧を向上させることができる。よって、高集積化に対応可能であると共に高い信頼性を確保することができる。[第2の実施の形態]最初に、図2A~図2Dを参照して、本発明における第2の実施の形態としてのMTJ素子について以下に説明する。本実施の形態のMTJ素子は、例えば磁気ディスク装置などに搭載されて、磁気記録媒体ハードディスクに記録された磁気情報を読み出す磁気デバイスとして機能する磁気再生ヘッドのセンサ部として用いられるものである。本実施の形態のMTJ素子は、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層との間に、例えば、1;TaSE/NiCr/AFM/SyAP/[Al/NOX]/Co90Fe10/Ni82Fe18/Ta2;TaSE/NiCr/AFM/SyAP/[Al-Hf/NOX]/Co90Fe10/Ni82Fe18/Taという構造を備えている。上記のTaSEは、タンタルTa膜を下部導電リード層の上に形成したのち、その一部をスパッタエッチングSE;sputteretchingにより除去することにより得られたタンタル層を表している。また、下部磁気シールド層および上部磁気シールド層は、MTJ素子に対して、その積層面と直交する方向にセンス電流を流すための電流経路となるものである。またNiCrはシード層であり、AFMは反強磁性antiferromagnetic材料からなるピンニング層であり、SyAPはシンセティック構造を有するピンド層であり、[Al/NOX]および[Al-Hf/NOX]はアルミニウム層またはアルミニウム層とハフニウム層との積層体を自然酸化処理して得られるトンネルバリア層であり、Co90Fe10/Ni82Fe18は磁化フリー層であり、Taはキャップ層である。以下、本実施の形態におけるMTJ素子の形成方法について説明する。以下で述べる全ての層は、超高真空装置の中でスパッタリングにより形成される。最初に、図2Aに示したように、NiFeなどからなる基板としての下部磁気シールド層110を用意し、その上に、タンタル膜120を形成する。タンタル膜120については、5.0nm以上8.0nm以下の厚みとなるように好ましくは6.0nmの厚みとなるように形成する。次いで、図2Bに示したように、タンタル膜120をスパッタエッチング処理により2.0nm以上3.0nm以下の厚み分好ましくは3.0nmの厚み分だけ除去することにより薄型化し、被覆層125を形成する。このスパッタエッチング処理により、タンタル膜120の表層をアモルファス化して平滑にすることができる。続いて、被覆層125の上に35at以上45at以下のクロムCrを含有するNiCrを用いてシード層140を形成する。シード層140については、4nm以上6nm以下特に5nmの厚みとなるように形成することが望ましい。シード層140は、被覆層125により平滑性が促進される。さらに、シード層140の上に、例えばMnPtを用いて、10.0nm以上20.0nm以下好ましくは15.0nmの厚みとなるようにピンニング層50を形成する。あるいは、イリジウムマンガン合金IrMnを用いて、5.0nm以上10.0nm以下好ましくは9.0nmの厚みとなるように形成するようにしてもよい。さらに、ピンニング層50の上に、シンセティック反強磁性構造をなすピンド層60を形成する。具体的には、第1磁化固着層62と結合層64と第2磁化固着層66とを順に積層する。第1磁化固着層62については、Co90Fe10を用いて1.5nm以上2.0nm以下好ましくは1.9nmの厚みとなるように形成する。結合層64については、ルテニウムRuを用いて0.7nm以上0.8nm以下好ましくは0.75nmの厚みとなるように形成する。さらに第2磁化固着層66については、Co75Fe25またはCo50Fe50を用いて1.8nm以上2.5nm以下好ましくは2.0nmの厚みとなるように形成する。結合層64の作用により、第1磁化固着層62と第2磁化固着層66とが互いに逆平行の磁化を示し、互いに強固な反強磁性結合を形成するようになる。さらに、図2Cに示したように、ピンド層60の上にトンネルバリア層70を形成する。ここでは、例えばスパッタリング法により形成したアルミニウム層図示せずを、酸化用チャンバの内部において自然酸化法insitu法により酸化処理し、例えば0.9nm以上1.0nm以下特に0.9nmの厚みをなす酸化アルミニウムAl2O3を形成する。具体的には、111方向においてアルミニウム原子2つ分の厚みに相当する0.575nmの厚みとなるように111面のアルミニウム層を形成したのち、約15分間に亘り、約75mTorr10.00Paの酸素ガス雰囲気中に晒すことで酸化処理を行うようにする。このような薄いアルミニウム層を酸化処理したものは、十分に広いバンドギャップを有しており、トンネルバリア層70として機能する。このトンネルバリア層70は、極めて平滑、かつ均質であると共に、高い絶縁破壊電圧を有するものとなる。これらは、被覆層125とその上に形成されたシード層140とを形成したことに起因する結果である。なお、0.575nm程度の厚みのアルミニウム層は、自然酸化法insitu法による酸化処理に最も適している。これよりも厚みの大きな場合例えば0.7nm~1.2nm程度の場合には、ラジカル酸化法ROX;radicaloxidationが適している。また、変形例として、0.1nm以上0.2nm以下好ましくは0.15nmの厚みをなすハフニウムHf層と、0.4nm以上0.5nm以下好ましくは0.45nmの厚みをなすアルミニウム層とを積層したのち、自然酸化法により上記の条件で酸化処理を施すことによりトンネルバリア層70を形成するようにすることも可能である。その場合、ハフニウムとアルミニウムとの単層の複合酸化物HfAlOxが形成されることとなる。続いて、図2Dに示したように、トンネルバリア層70の上にCoFe層82とNiFe層84との2層構造からなる磁化フリー層80を形成したのち、磁化フリー層80の上にキャップ層90を形成する。磁化フリー層80については、0.5nm以上1.5nm以下好ましくは1.0nmの厚みをなすようにコバルト鉄合金Co90Fe10を用いてCoFe層82を形成したのち、CoFe層82の上に、2.5nm以上3.5nm以下好ましくは3.0nmの厚みをなすようにニッケル鉄合金Ni82Fe18からなるNiFe層84を形成するようにする。キャップ層90については、ルテニウムを用いて20nm以上30nm以下好ましくは25nmの厚みをなすように形成する。最後に、キャップ層90を覆うように、例えばNiFeからなる上部磁気シールド導電リード層100を形成する。以上により、本実施の形態のMTJ素子の形成が完了する。このようにして得られたMTJ素子におけるトンネルバリア層70は、上記第1の実施の形態と同様に、極めて厚みが薄いながらも、平滑smoothかつ均質conformalであり、高い絶縁破壊電圧を示すものである。これは、スパッタエッチング処理を施されてアモルファス化した表層を有する被覆層125と、その上に設けられたNiCrからなるシード層140とを含むようにしたことに起因する結果である。すなわち、シード層140の上に形成されるピンニング層50およびピンド層60の結晶性が向上して粗さが低減され、結果として、その上に設けられたトンネルバリア層70の平滑性および均質性も優れたものとなると考えられる。このため、トンネルバリア層70が非常に薄いものであっても、十分な電気絶縁性が確保され、より大きな抵抗変化率を得ることができるうえ、絶縁破壊電圧を向上させることができる。よって、高記録密度化に対応可能であると共に高い信頼性を確保することができる。次に、本発明の具体的な実施例について説明する。ここでは、上記第1の実施の形態に対応するMTJ素子に相当する3種類のサンプルを実施例1~3として作製し、いくつかの評価項目について特性値を調査した。その結果を表1に示す。また、本実施例の比較対象として、従来例としてのサンプルを作製して同様の特性値を調査した。表1に併せて掲載する。表1に示したように、実施例1は、スパッタエッチング処理により表層がアモルファスかされた被覆層としてのタンタル層Ta-SEと、4nmの厚みを有する第2シード層としてのNiCr層と、15nmの厚みを有するピンニング層としてのMnPt層と、4nmの厚みを有するピンド層としてのCoFe層と、1nmの厚みを有するアルミニウム層をラジカル酸化法ROXにより酸化処理して得られたトンネルバリア層としての酸化アルミニウム層とを順に備えたものである。実施例2は、第2シード層としてのNiCr層をNiFe層厚さ5nmに置換したものである。実施例3は、第2シード層としてのNiCr層をNiFe層厚さ4nmに置換したうえ、ピンニング層としてのMnPt層をMnIr層厚さ9nmに置換したものである。さらに、従来例は、スパッタエッチング処理がなされていない、通常の結晶化したタンタル層を備えるようにしたのである。ただし、トンネルバリア層については、いずれもラジカル酸化法によりアルミニウム層を酸化処理して得た同質のものとした。さらに、磁化フリー層については表1に示さないが、いずれも同様のものとした。各サンプルに対する評価項目は、抵抗変化率DR/R、接合抵抗RAΩμm2および絶縁破壊電圧Vbである。その結果、実施例1~3は、従来例と比べて全ての項目で良好な数値を示した。すなわち、本実施例では、適切な酸化処理がなされた良質なトンネルバリア層が得られたことにより非常に高い接合抵抗RA、抵抗添加率DR/Rおよび絶縁破壊電圧Vbを確保することができた。一方、従来例では、トンネルバリア層の酸化処理が不十分であると推測される。特に実施例1は、実施例2,3よりもよい結果が得られたことから、シード層としてNiCr層を用いることによりNiFe層を用いた場合と比べて、よりいっそう均質かつ平滑なトンネルバリア層が形成されることが確認できた。NiFe層は、タンタル層の表面において111方向に結晶成長する。このようなNiFe層の上にピンニング層を形成した場合には十分に大きな交換磁界が得られるものの、抵抗変化率DR/Rや接合抵抗RAあるいは絶縁破壊電圧Vbの向上にはあまり寄与しない。一方、NiCr層であれば、抵抗変化率DR/Rや接合抵抗RAあるいは絶縁破壊電圧Vbの飛躍的な向上を図ることが可能である。さらに、本実施例のトンネルバリア層について高分解能のTEM観察を実施したところ、非常に平滑かつ均質に酸化処理されていることが確認できた。以上、いくつかの実施の形態および実施例以下、実施の形態等という。を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。すなわち当技術分野を熟知した当業者であれば理解できるように、上記実施の形態等は本願発明の一具体例であり、本願発明は、上記の内容に限定されるものではない。本発明の範囲と一致する限り、製造方法、材料、構造および寸法などについての修正および変更がなされてもよい。"