アルミニウムの原料と、ガリウムの原料と、窒素の原料と、水素を含むキャリアガスと、を混合したガス中に基板結晶を配置し、前記基板結晶上にAlxGa1-xNを結晶成長させる方法において、前記キャリアガス中の水素濃度分圧比を所望の値に設定し、前記結晶組成値xの値を調節することによって、前記基板結晶の格子定数と整合するAlxGa1-xN結晶を成長させる初期工程と、前記キャリアガス中の水素濃度分圧比を変化させ、前記結晶組成値xの値を変化させながら、所望の結晶組成値xを持つAlxGa1-xN結晶に成長させるグレーディング工程と、前記結晶組成値を維持することにより所望のAlxGa1-xN結晶を成長させる結晶成長工程と、を備え、前記アルミニウム原料、前記ガリウム原料、及び前記窒素原料の供給比を一定に維持し、前記各工程を連続的に行うことを特徴とするAlxGa1-xN結晶の気相成長方法。請求項1記載のAlxGa1-xN結晶の気相成長方法において、前記グレーディング工程は、前記キャリアガス中の水素濃度分圧比を時間の経過に伴ってステップ状に変化させるステップ状変化工程、を含むことを特徴とするAlxGa1-xN結晶の気相成長方法。請求項2記載のAlxGa1-xN結晶の気相成長方法において、前記グレーディング工程は、前記キャリアガス中の水素濃度分圧比を時間の経過に伴って連続的に変化させる連続変化工程、を含むことを特徴とするAlxGa1-xN結晶の気相成長方法。請求項1~3のいずれかに記載のAlxGa1-xN結晶の気相相成長方法によって製造されたAlxGa1-xN結晶の基板。このように、組成のグレーディング傾斜変化を供給原料濃度の制御で行うのは、繁雑な作業を必要とし、結晶の生産性に問題が生じる恐れがある。そこで、本願発明者らは、HVPE法を用いてAlGaNの結晶を成長させる場合、原料部の水素濃度分圧比でグレーディングを行うことが可能であれば、精度良く目的の組成のエピタキシャル結晶の成長が行えると考えた。その理由は、以下の通りである。すなわち、上で述べたように、成長部結晶を成長させる部分での原料濃度の急峻な変化を阻害する要因は、原料部に体積があるからである。この体積の存在によって、迅速に原料濃度を変化させることが困難となるのである。また、この体積の存在によって、原料濃度の値が変動し、濃度値の再現性が劣ってしまうという結果をもたらすと考えられる。また、原料濃度は、原料部における化学反応に依存するため、迅速に原料濃度を変化させることが一層困難となる。一方、水素濃度分圧比の変化は、原料部とは無関係に行えるため、その原料部の体積は関係なくなるのである。その結果、成長部の水素濃度分圧比変化によって成長させる結晶の組成の制御を行う手法によれば、目的となる組成の結晶成長を高い再現性で実現することができる。このような考えに基づき、本願発明者は、原料部の動作は変化させず、水素濃度分圧比を変化させることによって、組成を制御しようと考えたのである。さて、成長部の水素濃度分圧比変化によって成長させる結晶の組成の制御を行う手法によれば、原料濃度の時間に対する不安定性がなくなるので、急峻な組成変化を実現することができ、さらに、目的の組成の結晶成長を高い再現性で実現することができる。したがって、従来のHVPE法において行われていた成長中断等の処理が不要となり、効率的に高品質のAlGaNの結晶成長が可能となる。AlGaNについてまず、AlGaNは、AlNとGaNのいわば混晶しばしば固溶体と呼ばれるであるので、その比率を明示的にするために、AlxGa1-xNと記載する場合が多い。ここで、xは、結晶中のAlNの比率であり、0以上1以下の値を取りうる。そして、0から1の全ての値に対して原子レベルで結合し、いわゆる固溶体を形成する。xが0の場合は、AlNの組成比率は0であるので、全てGaNである。一方、xが1の場合は、全てAlNである。このxの値を制御すれば、その物性をAlNからGaNまで連続的に変化させ、所望の組成の結晶を得ることができるはずである。なおこのxは、結晶組成値xとも呼んでいる請求の範囲参照。このように、本発明の目的は、水素濃度分圧比の調節によって、上記の組成グレーディングを行う際の結晶の組成を正確に設定することであり、以て、より高品質なAlGaNの結晶の製造方法装置を実現することである。上記課題に鑑み、本願発明者らは鋭意研究を重ねた結果、一定の原料供給比を保ったまま、水素濃度分圧比を変化させることによって、析出組成を変化させることが可能であることを見いだした。この様子を示すグラフが図2に示されている。図2のグラフについては、後に詳述する。そこで、本願発明者らは、原料供給比を保ったまま、水素濃度分圧比を変化させて結晶組成値xを調節する手法を開発し、本発明を完成するに至った。A.AlxGa1-xNの気相成長方法及びその方法で得られたAlxGa1-xN基板の発明1本発明は、上記課題を解決するために、アルミニウムの原料と、ガリウムの原料と、窒素の原料と、水素を含むキャリアガスと、を混合したガス中に基板結晶を配置し、前記基板結晶上にAlxGa1-xNを結晶成長させる方法において、前記キャリアガス中の水素濃度分圧比を変化させて、前記結晶組成値xの値を調節する工程、を含むことを特徴とするAlGaN結晶の気相成長方法である。このように水素濃度分圧比を変化させて結晶組成値xを調節するので、結晶組成値xの値を速やかに且つ正確に調節することができる。2また、本発明は、アルミニウムの原料と、ガリウムの原料と、窒素の原料と、水素を含むキャリアガスと、を混合したガス中に基板結晶を配置し、前記基板結晶上にAlxGa1-xNAlGaNを結晶成長させる方法において、前記キャリアガス中の水素濃度分圧比を所望の値に設定し、前記結晶組成値xの値を調節することによって、前記基板結晶の格子定数と整合するAlxGa1-xN結晶を成長させる初期工程と、前記キャリアガス中の水素濃度分圧比を変化させ、前記結晶組成値xの値を変化させながら、AlxGa1-xN結晶を成長させるグレーディング工程と、前記グレーディング工程において、前記結晶組成値xの値が、最終的に製造したいAlxGa1-xN結晶の結晶組成値xに達した場合、前記キャリアガス中の水素濃度分圧比の値の変化を中止してその際の値に維持し、最終的に製造したい組成のAlxGa1-xN結晶を成長させる結晶成長工程と、を含むことを特徴とするAlGaN結晶の気相成長方法である。このような構成で、いわゆる組成グレーディングを容易に実行することができる。3また、本発明は、上記2記載のAlGaN結晶の気相成長方法において、前記グレーディング工程は、前記キャリアガス中の水素濃度分圧比を時間の経過に伴ってステップ状に変化させるステップ状変化工程、を含むことを特徴とするAlGaN結晶の気相成長方法である。水素濃度分圧比をステップ状階段状に変化させているので、いわゆるステップグレーディング法を容易に実行することができる。4また、本発明は、上記2記載のAlGaN結晶の気相成長方法において、前記グレーディング工程は、前記キャリアガス中の水素濃度分圧比を時間の経過に伴って連続的に変化させる連続変化工程、を含むことを特徴とするAlGaN結晶の気相成長方法である。水素濃度分圧比を連続的に変化させているので、いわゆるリニアーグレーディング法を容易に実行することができる。5また、本発明は、1~4のいずれかに記載の気相成長方法によって製造されたAlGaN結晶の基板である。上記のような方法で製造すれば、より高品質なAlGaN結晶の基板が得られる。B.AlxGa1-xNの気相成長装置及びその装置で得られたAlxGa1-xNの発明6本発明は、上記課題を解決するために、基板結晶が配置されている成長部と、アルミニウムの原料をキャリアガスと共に成長部に供給するアルミニウム原料供給手段と、ガリウムの原料をキャリアガスと共に前記成長部に供給するガリウム原料供給手段と、窒素の原料をキャリアガスと共に前記成長部に供給する窒素原料供給手段と、水素を含むキャリアガスを前記成長部に供給する水素ガス供給手段であって、前記キャリアガスの供給量を調整可能な水素ガス供給手段と、を備え、前記成長部に配置された基板結晶上にAlGaNを結晶成長させるAlGaN結晶の気相成長装置である。このような構成によって、水素ガス供給手段が成長部に水素ガスを含むキャリアガスを供給する。そして、水素ガスを含むキャリアガスの供給量を調整することによって、成長部における水素ガス濃度分圧比を速やかに変化させることができる。7本発明は、上記課題を解決するために、基板結晶が配置されている成長部と、アルミニウムの原料をキャリアガスと共に成長部に供給するアルミニウム原料供給手段と、ガリウムの原料をキャリアガスと共に前記成長部に供給するガリウム原料供給手段と、窒素の原料をキャリアガスと共に前記成長部に供給する窒素原料供給手段と、水素を含むキャリアガスを前記成長部に供給する水素ガス供給手段であって、前記キャリアガス中の水素濃度分圧比を調節可能な水素ガス供給手段と、を備え、前記成長部に配置された基板結晶上にAlGaNを結晶成長させるAlGaN結晶の気相成長装置である。このような構成によって、水素ガス供給手段が成長部に水素ガスを含むキャリアガスを供給する。そして、この水素ガスの濃度分圧比を調節することによって、成長部における水素ガス濃度分圧を速やかに変化させることができる。8また、本発明は、上記6又は7に記載の気相成長装置で製造したAlGaN結晶の基板である。上記のような方法で製造すれば、より高品質なAlGaN結晶の基板が得られる。以上述べたように、本発明によれば、AlxGa1-xN結晶を成長させる際に、水素濃度分圧比を調節することによって、析出する結晶の組成を調整することができた。したがって、原料供給比を変化させる必要がないので、より迅速に析出組成を変化させることができる。その結果、より高品質なAlGaNをより迅速に製造することが可能となる。以下、図面を参照して、本発明に係るAlGaNエピタキシャル層の成長方法の好適な実施形態について詳細に説明する。気相成長装置の構成図1には、本実施の形態で利用する気相成長装置10を模式的に表した模式図が示されている。この図1を参照して、本実施の形態で使用するHVPEHydrideVaporPhaseEpitaxy法用の気相成長装置10を説明する。図1に示すように、気相成長装置10は、アルミニウム原料を供給するアルミニウム原料供給部12と、ガリウム原料を供給するガリウム原料供給部14と、窒素原料を供給する窒素原料供給部16と、を備えている。各供給部から出力されるガスは混合部18において混合された後、成長部20において結晶成長に供される。成長部20は、石英反応チャンバーで構成されており、排気ポート20aが備えられている。さらに、本実施の形態において特徴的なことは、H2IGキャリアガスのみを供給する水素ガス供給ポート30が設けられていることである。この水素ガス供給ポート30から供給する水素ガスによって混合部18中の水素濃度分圧比が変化し、その結果、成長部20における成長する結晶の組成を迅速に且つ高精度に調整することができる。この水素ガス供給ポート30には、図示されていないH2IG源が接続しており、H2IGガスを混合部18及び成長部20に供給する。このH2IG源は、アルミニウム原料供給部12、ガリウム原料供給部14、窒素原料供給部16、等の各原料部にH2IGを供給する手段と共通の手段を用いることが一般的には好ましい。また、水素ガス供給ポート30には、流量を調整する調整バルブ30aが設けられており、混合部18及び成長部20に供給するH2IGの量を調整することができる。この流量を調整することによって、成長する結晶中の結晶組成値xを所望の値に設定することが可能である。このような水素ガス供給ポート30、調整バルブ30a、及びH2IG源不図示は、請求の範囲の水素ガス供給手段の好適な一例に相当する。アルミニウム原料供給部アルミニウム原料供給部12は、図1に示すように、所定の反応室内に金属アルミニウムが収容された反応室である。このアルミニウム原料供給部12には、第1ガス導入路12aが設けられており、この第1ガス導入路12aを介してHClと、水素ガスH2と、キャリアガスIGが導入される。この結果、金属アルミニウムとこれらガスとが反応し、AlGaNのアルミニウム原料であるAlCl3が生成されるのである。AlCl3が生成される際の反応式は以下の通りである。化1Al3HCl→AlCl33/2H2このようにして得られたAlCl3は、キャリアガスと共に混合部18に移送される。本実施の形態において特徴的なことは用いているキャリアガス中の水素濃度分圧比の値が所定の値の範囲にあることである。この値を所定の範囲内にすることによって、最終的に製造されるAlxGa1-xNの組成であるxの値を所望の値に設定することが容易となるのである。水素濃度分圧比の具体的な値については後に詳述する。なお、アルミニウム原料供給部12は図示されていない加熱装置を用いて所定の温度に維持する。具体的には、Al金属とHClの反応によりAlCl3が他の物質AlClより多く生成する温度範囲750°C以下に保つことが望ましい。本実施の形態では、500°Cの温度に保っている。また、本実施の形態では、以上のようにしてAlCl3を生成したが、AlCl3粉末を昇華させて混合部18に送り込むことも好ましい。ガリウム原料供給部ガリウム原料供給部14は、図1に示すように、所定の反応室内に金属ガリウムが収容された反応室である。このガリウム原料供給部14には、第2ガス導入路14aが設けられており、この第2ガス導入路14aを介してHClと、水素ガスH2と、キャリアガスIGが導入される。この結果、金属ガリウムとこれらガスとが反応し、AlGaNのガリウム原料であるGaClが生成されるのである。GaClが生成される際の反応式は以下の通りである。化2GaHCl→GaCl1/2H2このようにして得られたGaClは、キャリアガスと共に混合部18に移送される。なお、本実施の形態において特徴的なことは用いているキャリアガス中の水素濃度分圧比の値を調整することである。この値を調整することによって、最終的に製造されるAlxGa1-xNの組成であるxの値を、速やかに且つ正確に設定することが容易となるのである。特に、本実施の形態では、後述する水素ガス供給ポート30を設けることによって、ガリウム原料供給部14における原料供給動作を変化させずに、独立して水素濃度分圧比を変化させている。なお、本実施の形態では、このガリウム原料供給部14の温度TGAsourceは、750°Cに設定している。窒素原料供給部窒素原料供給部16は、図1に示すように、所定の反応室である。この窒素原料供給部16には、第3ガス導入路16aが設けられており、この第3ガス導入路16aを介して水素ガスH2と、キャリアガスIGと、アンモニアNH3が導入される。図示されていないが、この窒素原料供給部16の周囲には加熱装置が設けられており、所定の温度に加熱されている。この熱によって、窒素原料供給部16内のアンモニアNH3は所定の割合で分解した状態に置かれる。このような所定の割合で分解したアンモニアNH3と、水素ガスH2と、キャリアガスIGとの混合ガスが、混合部18に移送される。混合部混合部18は、上述したアルミニウム原料供給部12、ガリウム原料供給部14、窒素原料供給部16、の各原料部から供給されてくる原料ガスが混合される。また、所定の温度に維持するため、不図示の所定の加熱装置が設けられている。水素ガス供給ポート上記混合部18には、水素ガス供給ポート30によって、別途H2IGの供給源から水素ガスを含んだキャリアガスIGが供給されている。これによって、混合ガス中の水素濃度分圧比を調節することができる。本実施の形態において特徴的なことは、この水素ガス供給ポート30の存在である。この水素ガス供給ポート30には、図示されていないH2IG源が接続されており、所定の流量のガスがこの水素ガス供給ポート30を介して混合部18及び成長部20に供給される。本実施の形態において、水素ガスの濃度分圧比F0を増加させる場合は、水素ガス供給ポート30を介して供給されるH2IGの供給量を増やせばよい。調整バルブ30aを調節することによって流量を調整することができる。この結果、混合部18における水素ガスの濃度分圧比F0は速やかに増加する。当然のことではあるが、混合部18における水素ガスの濃度分圧比F0が速やかに増加すれば、成長部20における水素ガスの濃度分圧比F0も速やかに増加する。本実施の形態において、水素ガスの濃度分圧比F0を減少させる場合は、水素ガス供給ポート30を介して供給されるH2IGの供給量を減らせばよい。調整バルブ30aを調整することによって、流量を減少させることができる。この結果、混合部18における水素ガスの濃度分圧比F0は速やかに減少する。当然のことではあるが、混合部18における水素ガスの濃度分圧比F0が速やかに減少すれば、成長部20における水素ガスの濃度分圧比F0も速やかに減少する。供給する水素ガスの濃度分圧比ところで、調節できる範囲を広くするために、アルミニウム原料供給部12、ガリウム原料供給部14、窒素原料供給部16、等の原料部側に供給する水素濃度分圧比は、低めに設定しておき、水素ガス供給ポート30を介して供給されるH2IGガス中の水素濃度分圧比を高めに設定することが好ましい。このように設定しておくことによって、水素ガス供給ポート30を介して供給されるH2IGガスの供給量によって混合部18や成長部20に供給される水素ガス濃度分圧比の値の変化幅を広くことが可能である。その他の調節手法なお、水素ガス供給ポート30を介して供給されるH2IGの供給量は変化させずにH2IG中の水素濃度分圧比を変化させて、混合部18や成長部20における水素ガスの濃度分圧比F0を調節することも好ましい。濃度分圧比を調節する場合は、キャリアガス源と、水素源と、を用意し、それぞれからの流量を調整する流量制御手段を設ければよい。このようなガス源や、流量を調整する手段は、従来からよく知られているので、当業者であればそのような構成を作製することは容易である。またさらに、供給量及び濃度分圧比の双方を変化させることも好ましい。成長部成長部20には、結晶が成長するための基板結晶22が収容されている。また、結晶の成長に適した温度とするために、図示されていない所定の加熱装置が設けられている。このような加熱装置は、従来から知られている種々の構成を採用することが可能である。例えば、電熱線による加熱や、高周波加熱等を利用することができる。特に、本実施の形態においては、基板結晶22を集中的に加熱するために、高周波加熱を用いている。また、基板結晶22を集中的に加熱するために、光加熱を用いることも極めて好ましい。これらの加熱装置は従来からよく知られいる加熱装置である。本実施の形態においては、基板結晶22として、サファイア基板等を用いることができる。但し、後述する実施例では、組成グレーディングの例を示すために、基板結晶22として、AlNやGaNを用いる例を示している。この基板結晶22は、カーボンサセプタ24上に載置されている。水素濃度分圧比と組成比率の関係以上のような装置の構成によって、基板結晶22上にAlN及びGaNの混晶であるAlxGa1-xN0≦x≦1の固溶体を成長させることができる。図2には、本願発明者らが実験で得た水素濃度分圧比F0と析出組成の関係を示すグラフが示されている。このグラフにおいて、横軸は水素濃度分圧比F0を表す。水素濃度分圧比F0が0.0グラフの左端は、水素濃度が0を表し、水素濃度分圧比F0が1.0グラフの右端は、濃度分圧比が100であることを意味する。なお、xの値は、得られた組成物を、従来より用いられている手法で測定し、Alの組成比率を求めることにより決定する。また、このグラフの縦軸は、成長させた結晶AlxGa1-xN0≦x≦1のxの値、すなわち成長させた結晶中のアルミニウムの結晶組成値を表す。このxの値が0.0の場合は、GaNであり、一方、このxの値が1.0の場合は、AlNである。また、このグラフ中のRAlは、アルミニウムの気相供給比を表す。この値がおよそ0.001以上0.1以下であれば、水素濃度分圧比F0を調節することによって、結晶組成を広い範囲に調整できることが理解されよう。例えば、RAlは、=0.001に固定した状態で、水素濃度分圧比F0が0.0から1.0まで変化させれば、得られる結晶中のAl組成xをおよそ0から0.45まで調整できることがグラフから理解されよう。なお、アルミニウムの結晶組成値xを0.7以上の比較的大きな値に設定する場合は、アルミニウムの気相供給比RAlを0.01以上に設定することが好ましい。さらに、0.05以上に設定することがより一層好ましい。結晶成長の反応の諸条件まず、上記アルミニウム原料供給部12の温度TAlsourceは、図2に示すように500°Cの温度に保たれている。これによって、AlClの生成が抑制され、AlCl3が多く発生する。その結果、反応容器が石英で構成されている場合でも、石英を腐食してしまう恐れが少ない。また、ガリウム原料供給部14の温度TGasourceは、図示されていない加熱装置を用いて700°Cの温度に保持されている。また、窒素原料供給部16も図示されていない加熱装置を用いて所定の温度に維持する。温度は、アルミニウム原料供給部12と同様としてもよいし、別の温度に制御することも好ましい。また、混合部18はアルミニウム原料供給部12で生成されたAlCl3が石英容器内で析出しない温度で、且つ、この混合部18においてのAlNやGaNの析出が生じない温度範囲に保つことが好ましい。このような温度に保つことによって、原料を途中で析出させずに、成長部20に送ることができるからである。本実施の形態においては、混合部の温度は、具体的には160°C以上750°C以下の温度範囲に保たれる。このような温度範囲に保つために、混合部18の周囲にも図示されていない加熱装置が設けられている。また、基板結晶は、900°Cから1600°Cの温度範囲中の所定の温度に設定される。本実施の形態では、成長部20の基板結晶は1000°Cに維持される。基板結晶22を集中的に加熱することによって、基板結晶22にたどり着く前にAlNやGaNが析出してしまうことを防止し、効率的に基板結晶22上で結晶を成長させることができる。本実施の形態では、加熱方式として、高周波加熱を採用したが、高周波加熱以外の加熱方法例えば、光加熱抵抗加熱を採用してもかまわない。なお、カーボンサセプタ24以外の支持部材を用いてもかまわない。また、図2に示すように、III族Al、Gaの分圧P0IIIは、1×10-3atmであり、NH3の分圧P0NH3は、0.1atmである。混合ガスの全圧力図2中ΣPiは、1atmである。キャリアガス本実施の形態におけるキャリアガスとしては、N2やHe又はArガス等の不活性ガスに所定量のH2を混合させたガスを用いた。本実施の形態において特徴的なことは、上述したように、このキャリアガス中のH2濃度を調節することによって、生成される結晶中のアルミニウムとガリウムの比率とを調整したことである。この手法によれば、結晶中の組成を急峻に且つ正確に設定することができる。この結果、生成される結晶中の材料比率を所望の値に正確に且つ速やかに調整することが可能となり、いわゆる組成グレーディングを容易に実現することが可能である。組成グレーディング本実施の形態では、水素濃度分圧比F0を調節することによって、成長する結晶の組成を速やかに且つ正確に設定することができ、この原理を用いて組成グレーディングを容易に実行することが可能である。本願発明者らは、下記のような条件で結晶を成長させ、いずれの場合も迅速に且つ高品質のAlGaNが得られた。結晶基板22として、AlN基板を用いた。そして、この上にステップグレーディング法を用いてAl0.5Ga0.5Nを結晶成長させた。まず、AlN=Al1.0Ga0.0Nの結晶成長から開始し初期工程、一定時間毎に、Alの結晶組成値xの値を下げていったグレーディング工程。この初期工程は、請求の範囲の初期工程の好適な一例に相当し、グレーディング工程は、請求の範囲のグレーディング工程の好適な一例に相当する。以下も同様である。このステップグレーディングのステップとしては0.05組成比率のステップを採用した。この結果、AlN=Al1.0Ga0.0Nからxの値を0.05ずつステップ状に変化させ、最終的にAl0.5Ga0.5Nの結晶を成長させた。以降、この組成の結晶成長を続けた。この最終的なAl0.5Ga0.5Nの結晶成長は、請求の範囲の結晶成長工程の好適な一例に相当する。以下も同様である。なお、0.05ずつ変化させたので、10ステップで最終的に得たい組成であるAl0.5Ga0.5Nに到達する。なお、ステップグレーディング法を用いたのは、AlNよりAl0.5Ga0.5Nの方が、格子定数が大きいからである。結晶基板22として、AlN基板を用いた。そして、この上にステップグレーディング法を用いてAl0.2Ga0.8Nを結晶成長させた。まず、AlN=Al1.0Ga0.0Nの結晶成長から開始し初期工程、一定時間毎に、Alの結晶組成値xの値を下げていったグレーディング工程。ステップグレーディングのステップとしては0.05組成比率のステップを採用した。この結果、AlN=Al1.0Ga0.0Nからxの値を0.05ずつステップ状に変化させ、最終的にAl0.2Ga0.8Nの結晶を成長させた。以降、この組成の結晶成長を続けた結晶成長工程。0.05ずつ変化させたので、4ステップで最終的に得たい組成であるAl0.2Ga0.8Nに到達する。なお、ステップグレーディング法を用いたのは、AlNよりAl0.2Ga0.8Nの方が、格子定数が大きいからである。結晶基板22として、GaN基板を用いた。そして、この上にリニアーグレーディング法を用いてAl0.2Ga0.8Nを結晶成長させた。まず、GaN=Al0.0Ga1.0Nの結晶成長から開始し初期工程、一定時間毎に、Alの結晶組成値xの値を上げていったグレーディング工程。つまり、GaN=Al0.0Ga1.0Nからxの値を連続的に変化させ、最終的にAl0.2Ga0.8Nの結晶を成長させた。以降、この組成の結晶成長を続けた結晶成長工程。なお、リニアーグレーディング法を用いたのは、GaNよりAl0.2Ga0.8Nの方が、格子定数が小さいからである。まとめ以上述べたように、本実施の形態においては、キャリアガス中の水素濃度分圧比の値F0を調整することによって、原料の供給比を変化させずに、成長させるAlxGa1-xNの結晶中の結晶組成値であるxの値を調節することができた。特に、上記F0の値を調節する手法によれば、速やかに且つ正確に上記結晶組成値xの値を調節することができる。従って、特にいわゆる組成グレーディングを行って結晶成長を行う場合にも、蓋等をすることによって結晶成長を中断させることなく結晶成長を行わせることができ、生産効率の向上に寄与する。さらに、本実施の形態によれば、原料ガスの導入ポート以外に、水素ガス供給ポート30を設けたので、水素濃度分圧比の値F0をより一層速やかに調節することが可能である。