"イオン注入用の注入量測定装置において、注入電流を推定するモジュールCURと、二次電子検出器DSEと、前記注入電流と前記二次電子検出器からの電流との差をとることによりイオン電流を推定する制御回路CCと、を含む注入量測定装置であって、前記高エネルギー二次電子検出器が、ちょうど3つの互いに絶縁された電極、即ち、電子を通すための少なくとも1つのオリフィスを備え、跳ね返されるべき所定の符号の電荷を跳ね返す第1の反発電極G1,A1,T1と、電子を通すための少なくとも1つのオリフィスを備え、跳ね返されるべき反対符号の電荷を跳ね返す第2の反発電極G2,A2,T2と、電子を通すための少なくとも1つのオリフィスを備えた選択電極G3,A3,T3と、を支持するコレクタCOL,Pを含むことを特徴とする注入量測定装置。前記電極のオリフィスが、前記電子検出器DSEの開口を構成する導体シリンダD上で一直線になっていることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記コレクタCOLが、カップの形であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の装置。前記電極G1-A1-T1,G2-A2-T2,G3-A3-T3が、アルミニウムで作成されたことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の装置。2つの連続した電極G1-G2,G2-G3の間隔が、6mm~10mmの範囲であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の装置。前記電極G1-A1-T1,G2-A2-T2,G3-A3-T3の開口が、15mm2~30mm2の範囲であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の装置。前記電極が、格子G1,G2,G3によって構成されたことを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の装置。前記格子G1,G2,G3の透過率が、50より大きいことを特徴とする請求項7に記載の装置。2つの連続した格子間の距離がhと定義され、前記格子のオリフィスの直径がDと定義されたとき、h/Dと定義される比率が1より大きいことを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の装置。前記電極が、リングA1-T1,A2-T2,A3-T3によって構成されたことを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の装置。2つの連続したリング間の距離がhと定義され、前記導体シリンダの直径がDと定義されたとき、h/Dと定義される比率が1より大きいことを特徴とする請求項10に記載の装置。イオンの所定の種の前記比率を推定する分光計SPCも含み、前記制御回路CCが、前記比率を前記イオン電流に適用する手段を含むことを特徴とする請求項1~11のいずれか一項に記載の装置。少なくとも1つの追加の二次電子検出器を含むことを特徴とする請求項1~12のいずれか一項に記載の装置。本発明はその状況に対して改良を提供するものである。本発明によれば、イオン注入の注入量測定装置は、注入電流を推定するモジュールと、二次電子検出器と、前記注入電流と前記二次電子検出器からの電流との差をとることによりイオン電流を推定する制御回路とを含み、更に、高エネルギー二次電子検出器は、ちょうど3つの互いに絶縁された電極、即ち、電子を通すための少なくとも1つのオリフィスを備え、跳ね返されるべき所定の符号の電荷を跳ね返す第1の反発電極と、電子を通すための少なくとも1つのオリフィスをやはり備え、跳ね返されるべき反対符号の電荷を跳ね返す第2の反発電極と、電子を通すための少なくとも1つのオリフィスをやはり備えた選択電極と、を支持するコレクタを含む。本発明の好ましい実施形態では、前記電極内のオリフィスは、前記電子検出器の開口を構成する導体シリンダ上で一直線になっている。更に、前記コレクタは、カップの形である。本発明の更なる特徴によれば、前記電極は、アルミニウムで作成される。2つの連続した電極の間隔は、6ミリメートルmm~10mmの範囲であることが好ましい。理想的には、前記電極の開口は、15平方ミリメートルmm2~30mm2の範囲の面積である。二次電子検出器の第1の実施形態では、前記電極は、格子によって構成される。前記格子の透過率は、50より大きいと有利である。また、2つの連続した格子間の距離がhと定義され、前記格子内のオリフィスの直径がDと定義されるとき、h/Dと定義された比率は1より大きいことが望ましい。二次電子検出器の第2の実施形態では、電極はリングによって構成される。同様に、2つの連続したリング間の距離がhと定義され、前記導体シリンダの直径がDと定義されるとき、h/Dと定義された比率は1より大きい。測定は、更に、装置が、イオンの所定の種の比率を推定する分光計も含む場合に改善され、前記制御回路は、前記比率を前記イオン電流に適用する手段を含む。少なくとも1つの追加の二次電子検出器を提供することが望ましいことがある。本発明は、例示として示された実施形態の以下の説明の上で、及び添付図面の参照をもって、以下に詳細に示される。複数の図に示された要素は、それぞれ同じ参照符号が与えられる。図1に示されたように、イオン注入装置は、真空筐体ENVの内側と外側に配置された複数の要素を含む。マイクロエレクトロニクス用途では、鉄、クロミウム、ニッケル、コバルトなどの金属元素による汚染を制限する、必要があれば、アルミニウム合金で作成された筐体を使用することを推奨する。ケイ素又は炭化ケイ素の被覆を使用することもできる。基板支持体プラテンPPSは、縦軸AXTのまわりに回転可能な水平面内の円盤の形であり、イオン注入にさらされる基板SUBを収容する。基板支持体プラテンPPSは、グランドにも接続された高電圧電源HTに接続される。筐体ENVの上部は、円筒状でありかつ縦軸AXP上にある発生源CSを収容する。この発生源は、石英で作成される。発生源は、最初に閉じ込めコイルBOCi及びBOCjによって取り囲まれ、次に外部無線周波数アンテナANTによって外部的に取り囲まれる。プラズマ生成ガスの入口INGは、発生源CSの縦軸AXPと同軸である。この縦軸AXPは、注入用の基板SUBが載せられた基板支持体プラテンPPSの表面にぶつかる。放電、誘導結合プラズマICP、ヘリコン、マイクロ波、アークなどの任意の種類のパルスプラズマ源を使用することができる。これらのプラズマ源は、高電圧のプラテンPPSとグランド電位の筐体ENVとの間で生じる電界が、発生源のパルス動作を妨げる放電プラズマを発生させないようにする十分に低い圧力レベルで動作しなければならない。より正確には、注入量測定装置は、基板支持体PPSとグランドとの間に接続された電流計として働く、注入電流を推定するモジュールCURを含む。注入電流は、基板SUBにバイアスをかける高電圧電源HTによって直接供給されてもよい。装置は、また、二次電子検出器DSEを含み、また注入電流の単位面積当たりの密度と二次電子検出器からの電流の単位面積当たりの密度との差をとることによりイオン電流の単位面積当たりの密度を推定する制御回路CCを含む。二次電子検出器DSEは、基板SUBに向かって配列される。所定の種類のイオンの注入量の測定は、筐体ENV内の分光計SPC例えば、質量分析計、光学分光計を使用することによって大幅に改善することができる。分光計は、プラズマ中の化学種の比率を識別し、その比率を、その比率を検討する制御回路CCに提供する。例えば、注入量は、イオン電流にその比率を掛けることによって推定される。装置は、更に、複数の二次電子検出器が提供され、基板上に配列された場合に改善される。これにより、注入の均一性を監視することができる。図2を参照すると、第1の実施形態では、検出器DSEは、カップ又はベルの形のコレクタCOLを含む。コレクタCOLは、二次電子電流を測定する電流計AMPを介してグランドに接続される。コレクタCOLには、第1の絶縁体D1が載せられ、第1の絶縁体D1自体には、第1の導電性格子G1が載せられる。第1の格子G1には、第2の絶縁体D2が載せられ、第2の絶縁体D2自体には、第2の導電性格子G2が載せられる。第2の格子G2には、第3の絶縁体D3が載せられ、第3の絶縁体D3自体には、第3の導電性格子G3が載せられる。格子G1-G2及びG2-G3の間隔は、6mm~10mmの範囲であることが好ましい。典型的には、この間隔は8mmである。透過率は、格子の全面積に対する格子の開口の面積の比率として定義されることを想起されたい。この例では、格子の透過率は、極めて高くなければならず、50より大きいことが好ましい。これらの開口は、また、コレクタに達してしまう電荷化学種を取得しないように、比較的大きい面積でなければならない。この面積は、15mm2~30mm2の範囲だと有利である。例えば、円形開口は、約5mmの直径でよい。検出器は、コレクタCOL上の高エネルギー二次電子を回収する機能と、高エネルギー電子の衝突により生じるときのコレクタ上の低エネルギー二次電子を回収する機能と、低エネルギー電子とプラズマのイオンを跳ね返す機能とを果たす必要がある。また、格子G1、G2及びG3にバイアス電圧が印加される結果、検出器内にプラズマやアークが発生しないようにすることが適切である。この目的のため、パッシェンの法則が参照されることがある。検出器は、プラズマを汚染する化学種を加えてはならない。マイクロエレクトロニクス分野での用途では、導体にアルミニウム、絶縁体にアルミナを選択すると有利である。また、イオン注入装置内で生成されたプラズマを妨げないようにしなければならない。第1の格子G1は、第1のケーブルL1によって、コレクタCOLに対して120ボルト未満、典型的には100ボルトの負電圧にバイアスされる。第2の格子G2は、第2のケーブルL2によって、コレクタCOLに対して120ボルト未満、典型的には100ボルトの正電圧にバイアスされる。第3の格子G3は、第3のケーブルL3によって、コレクタCOLに対して60ボルト未満、典型的には50ボルトの負電圧にバイアスされる。この第1の実施形態では、検出器は、複数の開口を有し、これらの開口はそれぞれ、格子を介して一直線になった3つのオリフィスに対応する。これにより、これらの開口はそれぞれ、直径Dの導体シリンダ上で一直線になっている。これらの開口の直径をDと記述し、2つの格子間の距離をhと記述すると、h/Dと記述された比率は、約1.5の大きさを有し、いかなる場合も1より大きいことが好ましい。第2の実施形態では、検出器は、複数の開口がなく、単一の開口を有する管状構造を呈する。図3のaを参照すると、第1の変形では、コレクタPが、板の形である。コレクタには、第1の絶縁リングI1が載せられ、第1の絶縁リングI1自体には、第1の導電性リングA1が載せられている。これらの2つのリングの内径はDである。第1の絶縁リングI1の厚さは、第1の導電性リングA1の厚さより実質的に大きく、これらの2つの厚さの和はhである。第1の導電性リングA1には、第2の絶縁リングI2が載せられ、第2の絶縁リングI2自体には、第2の導電性リングA2が載せられる。これらの第2のリングI2及びA2は、第1のリングI1及びA1と同じ形状を有する。第2の導電性リングA2には、第3の絶縁リングI3が載せられ、第3の絶縁リングI3自体には、第3の導電性リングA3が載せられる。これらの第3のリングI3及びA3は、同様に、第1のリングI1及びA1と同じ形状である。コレクタPは、同様に、電流計AMPを介してグランドに接続される。形状は、第1の実施形態での開口の形状と同じである。したがって、比率h/Dは、1より大きいことが好ましい。第1、第2及び第3の導電性リングA1、A2及びA3はそれぞれ、第1の実施形態での第1、第2及び第3の格子G1、G2及びG3と同じようにバイアスがかけられる。図3のbを参照すると、第2の変形では、コレクタPは、同様に、板の形である。コレクタには、第1の絶縁リングS1が載せられ、第1の絶縁リングS1自体には、第1の導電性リングT1が載せられている。これらの2つのリングの内径もまたDである。これと対照的に、第1の絶縁リングS1の厚さは、第1の導電性リングT1の厚さよりかなり小さく、これらの2つの厚さの和はやはりhである。第1の導電性リングT1には、第2の絶縁リングS2が載せられ、第2の絶縁リングS2自体には第2の導電性リングT2が載せられている。これらの第2のリングS2,T2は、第1のリングS1,T1と同じ形状を有する。同様に、第2の導電性リングT2には、第3の絶縁リングS3が載せられ、第3の絶縁リングS3自体には、第3の導電性リングT3が載せられている。これらの第3のリングS3,T3は、同様に、第1のリングS1,T1と同じ形状である。この場合も、形状は、第1の実施形態の開口を複製する。したがって、比率h/Dは、1より大きいことが好ましい。この第2の変形では、リングは、第1のリングと類似しているが、絶縁要素と導体要素の厚さが置き換えられている。本発明の前述の実施形態は、その具体的な性質のために選択されたものである。しかしながら、本発明が対象とする全ての実施形態を網羅的に列挙することはできない。詳細には、述べた手段はいずれも、本発明の範囲を越えない範囲で等価手段によって置き換えることができる。"