基板上に形成された少なくとも1層の膜をウエットエッチングする処理工程と、前記処理工程を終えた前記基板を水洗する水洗工程と、前記水洗工程を終えた前記基板を乾燥する乾燥工程とを備えたウエットエッチング方法であって、前記処理工程と前記水洗工程との間に、超音波を印加したエッチング液を前記基板に噴射する超音波液噴射工程を実施するウエットエッチング方法。前記超音波液噴射工程において、前記基板への前記エッチング液の噴射方向を、前記基板の面方向に対して垂直方向からずれた斜め方向で、かつ、前記基板の搬送方向の反対側に向けた方向とする請求項1に記載のウエットエッチング方法。前記超音波液噴射工程において、前記エッチング液が前記基板の搬送方向に対して平行な一側端側から前記他側端側に向けて流れるように、前記エッチング液を前記基板に噴射する請求項1に記載のウエットエッチング方法。酸化物導電膜用である請求項1~3のいずれかに記載のウエットエッチング方法。基板上に形成された少なくとも1層の膜をウエットエッチングする処理部と、前記処理部による処理を終えた前記基板を水洗する水洗部と、前記水洗部による水洗を終えた前記基板を乾燥する乾燥部とを備えたウエットエッチング装置であって、前記処理部内に、超音波を印加したエッチング液を前記ウエットエッチング終了後の前記基板に噴射する超音波液噴射手段を備えたウエットエッチング装置。前記超音波印加手段から前記基板への前記エッチング液の噴射方向が、前記基板の面方向に対して垂直方向からずれた斜め方向で、かつ、前記基板の搬送方向の反対側に向けた方向である請求項5に記載のウエットエッチング装置。前記超音波液噴射手段から噴射される前記エッチング液が前記基板の搬送方向に対して平行な一側端側から他側端側に向けて流れるように、前記超音波印加手段が配置された請求項5に記載のウエットエッチング装置。酸化物導電膜用である請求項5~7のいずれかに記載のウエットエッチング装置。エッチング処理後のITO膜においては、本来エッチング除去されるべき部分に、微結晶化した残渣が残る場合がある特許文献2の段落0003~0007を参照。理由は定かではないが、SiN膜等からなる下地との界面において、ファンデワールス力あるいはゼータ電位等によって、下地と微結晶ITOとが引き合って、微結晶ITOが残渣として留まると推測される。微結晶化した残渣は、水洗のみでは充分に除去することが難しい。微結晶ITOの残渣は電極間ショートなど歩留まり低下の原因となり得る。特許文献1~4には、水洗時に超音波を印加する超音波水洗によりエッチング残渣を除去する装置あるいは方法が提案されている特許文献1の請求項2、特許文献2の請求項3、特許文献3の請求項13、及び特許文献4の請求項7。微結晶ITOの残渣は、エッチング処理後の水洗処理時において超音波水洗を行うだけでは、充分に除去できない場合がある。微結晶ITOの残渣をブラシ等による物理的に除去する方法が考えられるが、かき集められた微結晶が紐状等の塊りとなって残り、電極間ショートの問題をより大きくしてしまう恐れがある。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、エッチング残渣を良好に除去することが可能なウエットエッチング方法及びウエットエッチング装置を提供することを目的とするものである。本発明のウエットエッチング方法は、基板上に形成された少なくとも1層の膜をウエットエッチングする処理工程と、前記処理工程を終えた前記基板を水洗する水洗工程と、前記水洗工程を終えた前記基板を乾燥する乾燥工程とを備えたウエットエッチング方法であって、前記処理工程と前記水洗工程との間に、超音波を印加したエッチング液を前記基板に噴射する超音波液噴射工程を実施するものである。本発明のウエットエッチング装置は、基板上に形成された少なくとも1層の膜をウエットエッチングする処理部と、前記処理部による処理を終えた前記基板を水洗する水洗部と、前記水洗部による水洗を終えた前記基板を乾燥する乾燥部とを備えたウエットエッチング装置であって、前記処理部内に、超音波を印加したエッチング液を前記ウエットエッチング終了後の前記基板に噴射する超音波液噴射手段を備えたものである。本発明において、超音波液噴射工程で用いるエッチング液は、処理工程で用いるエッチング液と同一でも非同一でも良く、同一であることが好ましい。本発明において、水洗には、水、若しくは水に界面活性剤等の洗浄剤を添加したものによる洗浄が含まれるものとする。本発明によれば、エッチング残渣を良好に除去することが可能なウエットエッチング方法及びウエットエッチング装置を提供することができる。ウエットエッチング方法本発明のウエットエッチング方法は、基板上に形成された少なくとも1層の膜をウエットエッチングする処理工程と、前記処理工程を終えた前記基板を水洗する水洗工程と、前記水洗工程を終えた前記基板を乾燥する乾燥工程とを備えたウエットエッチング方法であって、前記処理工程と前記水洗工程との間に、超音波を印加したエッチング液を前記基板に噴射する超音波液噴射工程を実施するものである。ウエットエッチング装置の一実施形態図面を参照して、本発明に係る一実施形態のウエットエッチング装置、及びこれ用いたウエットエッチング方法について説明する。図1は本実施形態のウエットエッチング装置の概略全体断面図である。図2は処理部の構造を示す部分構成図である。図3は超音波振動子から基板へのエッチング液の噴射方向を示す側面図である。これらの図において、各構成要素の図示は実際のものとは異ならせて簡略化してある。図1に示すように、本実施形態のウエットエッチング装置101は、基板Aの導入側から、ローダ部1、処理部2、水洗部3、乾燥部4、及びアンローダ部5が連続して配設された構成を有している。装置全体に基板Aを搬送する搬送コンベア6搬送手段が配設されている。図中、符号Bは基板の搬送方向を示している。図2に示すように、処理部2内の上部には、搬送コンベア6によって搬送される基板Aに向けてエッチング液を散布するエッチング液ノズル7が配設されている。エッチング液ノズル7にはエッチング液循環タンク10が接続されており、エッチング液循環ポンプ11によってエッチング液循環タンク10内のエッチング液がエッチング液ノズル7に供給される。処理部2で使用されたエッチング液はエッチング液循環タンク10に戻り、再使用される。本実施形態では、処理部2内の出口付近に、ウエットエッチングに用いるエッチング液と同一のエッチング液に超音波を印加して基板Aに噴射する超音波振動子超音波液噴射手段9が設けられている。図中、超音波振動子9から噴射されるエッチング液に符号ELを付してある。超音波振動子9にはエッチング液循環タンク10が接続されており、エッチング液循環ポンプ11によってエッチング液循環タンク10内のエッチング液が超音波振動子9に供給される。超音波振動子9から処理部2内に供給されたエッチング液は、エッチング液ノズル7から処理部2内に供給されたエッチング液と同様、エッチング液循環タンク10に戻り、再使用される。処理部2において、超音波振動子9の後段には、基板Aに付着したエッチング液を液切りする液切りエアナイフ12が配設されている。図1に示すように、水洗部3内の搬送コンベア6の上方及び下方には、搬送コンベア6によって搬送される基板Aに向けて水洗液を散布する水洗液ノズル8a、8bが配設されている。水洗液としては、水、又は、水を主成分として界面活性剤等の任意成分を含むものが使用できる。乾燥部4には、搬送コンベア6によって搬送される基板Aに向けて、エア又は不活性ガス等の乾燥ガスを噴出する乾燥用のエアナイフ図示略が配設されている。本実施形態では、ローダ部1に導入された基板Aは処理部2でウエットエッチング処理を受け処理工程、液切エアナイフ12によりエッチング液が適度に切られた後、水洗部3で水洗され水洗工程、乾燥部4で乾燥され乾燥工程、アンローダ部5から装置外に導出される。本実施形態では、これらの一連の工程の間に、より具体的には、処理部2でのウエットエッチング処理工程と水洗部3での水洗工程との間に、超音波を印加したエッチング液ELを基板Aに噴射する超音波液噴射工程を実施することができる。本実施形態では、超音波液噴射工程で用いるエッチング液ELを処理工程で用いるエッチング液と同一としているが、非同一でも構わない。もともとエッチング液は処理対象の膜の成分を除去する成分を含んでいるので、エッチング液を基板Aに噴射することで、エッチング液の成分による化学的作用と噴射による物理的作用によって、基板Aに付着した微結晶等の膜の残渣を効果的に取り除くことができる。さらに、本実施形態では、エッチング液に超音波を印加しているので、基板Aに付着した微結晶等の膜の残渣を超音波によって揺さぶり浮き上がらせることができ、残渣の物理的除去効果を高めることができる。また、エッチング液中に浮き上がらせた残渣には、エッチング液に含まれる界面活性剤による再付着防止作用が効率的に働き、基板Aへの再付着が抑制される。したがって、本実施形態の装置及び方法によれば、処理工程と水洗工程との間に、超音波を印加したエッチング液によって基板Aに付着した微結晶等の膜の残渣を効果的に取り除くことができる。以上の理由から、本実施形態の装置及び方法によれば、水洗工程時に超音波を印加するよりも、効果的に基板Aに付着した微結晶等の膜の残渣を効果的に取り除くことができる。本実施形態では、水洗工程時の超音波印加は必須ではないが、水洗時に超音波を印加して水洗効率を高めても構わない。本実施形態では、処理部2を通過中の基板Aに対して、処理部2で用いるのと同一または非同一のエッチング液を用いて超音波洗浄を行うので、残渣除去用に別に処理部を設ける必要がなく、既存の処理部2の改造で対応ができ、他の工程への影響もなく、従来の装置及び方法を大きく変えることなく低コストに対応可能である。本実施形態の装置及び方法は、ITOインジウム錫酸化物膜等の酸化物導電膜用として好適に用いることができる。超音波振動子9としては特に制限されず、キャビテーションが発生しない領域の周波数を用いるメガソニックタイプでも良いし、キャビテーションが発生する領域の周波数を用いる投げ込み式でも良い。ただし、基板Aへのダメージが少なく、構造がシンプルであり装置全体の設計が大掛かりにならず、大型基板にも対応でき、既存装置への改造取付けが容易であるなどの理由から、キャビテーションが発生しない領域の周波数を用いるメガソニックタイプを用いることが好ましい。超音波振動子9から基板Aへのエッチング液ELの噴射方向は特に制限されない。超音波振動子9からの液噴射方向は、基板Aの面方向に対して垂直方向Hからずれた斜め方向で、かつ、基板Aの搬送方向Bの反対側に向けた方向であることが好ましい。かかる噴射方向とすることで、超音波振動子9から基板Aへのエッチング液ELの流下方向を一定にし、エッチング液ELが滞留することを抑制することができ、基板Aの面内処理均一性を向上させ、微結晶を効率的に除去することができる。例えば、図2及び図3に示すように、超音波振動子9を傾斜させて配置することで、超音波振動子9の内部の液ノズル図示略が基板Aの面方向に対して垂直方向Hからずれた斜め方向で、かつ、基板Aの搬送方向Bの反対側に向けた方向とすることができる。図中、符号NDは超音波振動子9の内部の液ノズルの軸方向を示している。基板Aは方向Bに搬送されているので、超音波振動子9からの液噴射方向は、液ノズルの軸方向NDと基板Aの搬送方向に対して反対方向とを合わせたベクトル方向となる。図示するように、エッチング液ELは超音波振動子9から噴射されて後方に流されながら基板Aに到達する。図中のエッチング液ELの流れはイメージ図である。超音波振動子9からの液噴射方向は、基板Aの面方向に対して垂直方向Hからずれた斜め方向で、かつ、基板Aの搬送方向Bに向けた方向でも良い。ただし、基板Aの搬送方向Bと、超音波振動子9からの液噴射方向の基板Aに対して平行なベクトル方向とが互いに逆方向である方が、エッチング液ELの基板Aに対する衝突エネルギーが高くなり、残渣の除去効果が高まる。超音波振動子9からの液噴射方向は、基板Aの面方向に対して垂直方向Hからずれた斜め方向で、かつ、エッチング液ELが基板Aの一側端側から他側端側に向けて流れる方向であってもよい。例えば図4に示すように、超音波振動子9の内部もしくは吐出口に流れを制御する少なくとも1個の斜めスリット9Sを設けることで、超音波振動子9からの液噴射方向LDを、基板Aの面方向に対して垂直方向Hからずれた斜め方向で、かつ、エッチング液ELが基板Aの一側端側から他側端側に向けて流れる方向とすることができる。図4は、超音波振動子9及び基板Aを搬送方向Bに対して前方から見た正面図である。図中、符号9Lは超音波振動子9の搬送方向Bに向かって左側端、符号9Rは搬送方向Bに向かって超音波振動子9の右側端を示している。図中、符号LDは超音波振動子9からの液噴射方向を示している。図示する例では、搬送方向Bに向かって左方から右方に横方向にエッチング液ELが流れる場合について図示してあるが、エッチング液ELの流下方向は逆方向右方から左方でも構わない。搬送方向Bに向かって横方向にエッチング液ELが流れる液噴射方向でも、エッチング液ELの流れを一定方向に制御することができ、エッチング液ELが滞留することを抑制することができ、基板Aの面内処理均一性を向上させることができる。基板Aの大型化に伴って、基板Aを、搬送方向Bに対して平行な一側端を他側端より高く傾斜させて搬送する場合がある。例えば図5に示すように、基板Aを、搬送方向Bに向かって左側端ALを右側端ARより高く傾斜させて搬送することができる基板Aの傾斜方向は逆でも構わない。。図5は、超音波振動子9及び基板Aを搬送方向Bに対して前方から見た正面図である。図6は、超音波振動子9及び基板Aの上面図である。図中、符号Nは超音波振動子9内の複数の液ノズルを示している。図示例では、超音波振動子9の内部の液ノズルの軸方向NDは、基板Aの面方向に対して垂直方向と一致している。かかる構成では、超音波振動子9の液噴射方向LDは、液ノズルの軸方向NDと重力方向とを合わせたベクトル方向となる。かかる構成では、図5及び図6に示すように、基板Aの面内の処理均一性を高めるために、超音波振動子9内において、相対的に上側に位置する液ノズルNのノズル径を相対的に下側に位置する液ノズルNのノズル径より大きくすることが好ましい。さらに、図7に示すように、基板Aの面内の処理均一性を高めるために、超音波振動子9内において、相対的に上側に位置する液ノズルNから吐出される液が相対的に下側に位置する液ノズルNから吐出される液よりも先に基板Aに到達するよう、複数の液ノズルNの配置をずらすことがより好ましい。図7は図6に対応した上面図である。以上説明したように、本実施形態によれば、エッチング残渣を良好に除去することが可能なウエットエッチング装置101及びこれを用いたウエットエッチング方法を提供することができる。設計変更本発明は上記実施形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、設計変更可能である。