セラミックで構成された基板と、前記基板上に形成された発熱体と、前記発熱体を覆うように形成されたオーバーコート層と、を備えるセラミックヒータの製造方法において、前記発熱体は、炭素系の発熱体であり、前記オーバーコート層は、焼成温度が400~500°Cであるガラスを40μm以下の厚みになるように焼成する工程を複数回行うことにより、厚みTが60μm以上とされるセラミックヒータの製造方法。前記発熱体はグラファイト、前記ガラスはビスマス系のガラスである請求項1に記載のセラミックヒータの製造方法。セラミックで構成された基板と、前記基板上に形成された発熱体と、前記発熱体を覆うように形成されたオーバーコート層と、を備えるセラミックヒータにおいて、前記発熱体は、炭素系の発熱体であり、前記オーバーコート層は、焼成温度が400~500°Cであるガラスで構成されているとともに、厚みTが60μm以上であり、そのガラス表面に直径Rが0.2mm以上の発泡が存在しない、および/またはそのガラス表面に存在する直径Rが0.1mm~0.2mmの発泡が1個/cm2以下であるセラミックヒータ。本発明が解決しようとする課題は、絶縁耐電圧が高く、かつばらつきの少ないセラミックヒータおよびセラミックヒータの製造方法を提供することにある。上記課題を達成するために、実施形態のセラミックヒータは、セラミックで構成された基板と、前記基板上に形成された発熱体と、前記発熱体を覆うように形成されたオーバーコート層と、を備えるセラミックヒータの製造方法において、前記発熱体は、炭素系の発熱体であり、前記オーバーコート層は、焼成温度が400~500°Cであるガラスを40μm以下の厚みになるように焼成する工程を複数回行うことにより、厚みTが60μm以上とされる。以下、発明を実施するための実施形態について説明する。第1の実施形態第1の実施形態のセラミックヒータについて、図面を参照して説明する。図1は、第1の実施形態のセラミックヒータについて説明するための図、図2は第1の実施形態のセラミックヒータの断面について説明するための図である。セラミックヒータは、トナー定着用のヒータであり、主要部として基板1を備えている。基板1は、例えば厚みは1mm、幅は10mm、長さは280mmであるような細長い基板である。基板1は、絶縁性および熱伝導性に優れた酸化アルミニウムAl2O3、窒化アルミニウムAlN、窒化ケイ素Si3N4などのセラミックで構成されている。基板1の一方の面上には、導電パターン2、3が形成されている。導電パターン2、3は、例えば銀Agや銀とパラジウムの合金Ag/Pdで構成された金属のパターンであり、基板1の長手方向に沿うように、かつ互いに所定の間隔を保って形成されている。その端部には、電力が供給される部分である電極部21、31が形成されている。また、基板1の面上には、導電パターン2、3に積層するように、発熱体4が形成されている。発熱体4は、グラファイトなどの炭素系の材料で構成された抵抗体である。この発熱体4は、温度が上昇すると抵抗値が低くなる特性、いわゆるNTC特性を有している。さらに、基板1の面上には、発熱体4を覆うように、オーバーコート層5が形成されている。オーバーコート層5は、焼成温度が400~500°Cのガラスで構成されている。焼成温度とは、加熱によってガラス粉末が溶融して膜状になる温度であり、一般的には軟化温度よりも10~50°C高い温度がこれに該当する。このようなガラスとしては、ビスマス塩系ガラス、ビスマス亜鉛系ガラス、リン酸塩系ガラス、リン酸亜鉛系ガラス、バナジウム系ガラスなどが挙げられる。特に、酸化ビスマスBi2O3を含むビスマス系のガラスが望ましい。また、ガラス中には、発熱体4等との熱膨張係数を調整するために、酸化物、窒化物、シリカ等からなるフィラーが添加されている。このオーバーコート層5は、厚みTが60μm以上であるとともに、ガラス表面には直径Rが0.2mm以上の発泡が存在しない、および/またはそのガラス表面に存在する直径Rが0.1mm~0.2mmの発泡が1個/cm2以下となっている。発泡とは、オーバーコート層5の表面を拡大した写真である図3において、Fとして示すような泡である。なお、この写真では、発泡の直径Rは、約0.3mmである。基板1の他方の面上には、摺動層6が形成されている。摺動層6は、オーバーコート層5と比較して表面が滑らかなガラスで構成されており、通紙される側の面となる。つまり、発熱体4側の面では熱を発生させ、摺動層6側の面では通紙させながら、トナー定着が行われる。本実施形態のセラミックヒータの一製造方法を図4を参照しながら説明する。まず、セラミックで構成された基板1の一方の面上に、導電ペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥させたのちに焼成して導電パターン2、3を形成するS1。導電ペーストには、例えば銀Agまたはその粉末、有機溶剤、バインダ、ホウ珪酸ガラスなどを含むペーストを使用できる。次に、基板1の他方の面上に、ガラスペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥させたのちに焼成して摺動層6を形成するS2。次いで、導電パターン2、3に積層するように、基板1上に抵抗ペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥させたのちに焼成して発熱体4を形成するS3。抵抗ペーストには、グラファイトCまたはその粉末、有機溶剤、バインダ、ホウ珪酸ガラスなどを含むペーストを使用できる。次に、発熱体4を覆うように、基板1上にガラスペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥させたのちに焼成して第1のコート層51を形成するS4。ガラスペーストには、例えばガラス、有機溶剤、増粘材としてエチルセルロースを含有するバインダ、フィラーとしてアルミナAl2O3の粉末などを含むペーストを使用できる。このガラスには、焼成可能な温度が400~500°Cのガラスを使用する必要がある。これは炭素系の発熱体4が、500~700°C程度で酸化、燃焼による消耗が生じてしまうためである。本実施形態では、酸化ビスマスBi2O3と酸化ホウ素B2O3とアルカリ金属からなる軟化点が438°Cのビスマス系のガラスを用いている。ここで、焼成は、図5aに示すように、焼成後のガラス層、すなわち第1のコート層51の厚みT1が40μm以下となるように行われる。これは、焼成後のガラス中に発泡が残存することを抑制するためである。なお、ガラスは、焼成前後で厚みが変化するので注意が必要である。例えば、乾燥のときにガラス層の厚みが50μmであった場合、焼成後は厚みが33μmとなるので、それを考慮して塗布、乾燥、焼成を行うことが望ましい。また、焼成後のガラス中に発泡が残存することを抑制するために、焼成は、図6に示すように、温度を10分以上かけて400°C~500°Cまで上昇させたのち、10分前後400°C~500°Cを保ち、その後は10分以上かけて常温まで温度を下降させるような焼成条件で行うとなおよい。具体的には、熱電対で測定したときの基板1の表面温度において、温度をほぼ一定の温度勾配で10分以上かけてガラスの焼成温度まで上げていったのちに、その温度を約10分間ほぼ一定温度に保ち、その後、ほぼ一定の温度勾配で10分以上かけて常温まで下げていくような焼成条件で行うとよい。次に、第1のコート層51上に、S4の工程で使用したものと同じガラスペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥させたのちに焼成して第2のコート層52を形成しS5、さらに第2のコート層52上に、S4の工程で使用したものと同じガラスペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥させたのちに焼成して第3のコート層53を形成するS6。この第2のコート層52の厚みT2も第3のコート層53の厚みT3も、図5b、Cに示すように、焼成後のガラス層の厚みがそれぞれ40μm以下となるように行われる。以上のように、第1~第3のコート層51、52、53を積層することにより、厚みが100μmで、ガラス中の発泡が抑制されたオーバーコート層5を備えるセラミックヒータが完成する。ここで、オーバーコート層の厚みを変えて焼成したときの絶縁耐電圧について試験を行った。その結果を図7に示す。ヒータAは一度の焼成によって33μmの膜厚のガラスを形成する工程を1回行ったもの、ヒータBは同様の工程を2回行ったもの、ヒータCは同様の工程を3回行ったもの、ヒータDは同様の工程を4回行ったものである。つまり、○は33μm×nnは整数を意味する。同様に、△は50μm×nnは整数を、□は65μm×nnは整数を意味する。なお、絶縁体電圧は、オーバーコート層の上に金属板を配置した状態で電極部に電圧を印加していき、その金属板と電極部とで短絡が発生したときの電圧値であり、○、△、□が絶縁耐電圧、その上下のバーが絶縁耐電圧の上限値、下限値を意味している。試験数は各5個である。結果からわかるように、オーバーコート層の厚みが増すほど絶縁耐電圧が上昇する傾向がある。また、ヒータBとヒータH、ヒータCとヒータFおよび○、△、□を結んだ点線から、オーバーコート層の厚みが同じでも、薄めの層を複数回に分けて形成する方が絶縁耐電圧が高くなることがわかる。これは、焼成方法と発泡の発生に関係があるためである。本実施形態のように、焼成温度が400°C~500°Cのガラスを用いると、バインダの焼成温度もそれに近いため、ガラスが焼成されるまでにバインダ、特にエチルセルロース等が十分に焼尽しきらず、それらが燃焼して生じる炭酸ガスなどがガラス中に残って、図3のような発泡が生じやすい。発泡が生じると当該部分は実質的にガラスの厚みが薄くなることと同じになるため絶縁耐電圧が低くなる。これに対して、一度に焼成するガラスの厚みを小さくすると、そのバインダが燃焼する際に生じるガスをガラス外部に排出しやすくなり、発泡が生じにくくなるため、絶縁耐電圧が高くなると考えられる。また、ヒータA~DとヒータE~Iから、薄めの層である方が絶縁耐電圧のばらつきが小さいことがわかる。これは、ある一層でその層の厚みを貫くほどの深さの発泡が生じたり、ある場所に偏って複数の発泡が生じても、その発泡による絶縁耐電圧低下の影響をその薄い一層だけに留めることができるためと考えられる。発明者のさらなる試験の結果、1回の焼成により形成するガラス層の厚みを40μm以下にする焼成工程を複数回行い、オーバーコート層の厚みTを60μm以上とすることにより、絶縁体電圧を当該用途において実用的なレベルである2.0kV以上とすることができ、かつそのばらつきの小さくすることができることがわかった。また、1回の焼成により形成するガラス層の厚みを35μm以下にする焼成工程を複数回行い、オーバーコート層の厚みTを80μm以上とすることにより、絶縁体電圧を2.5kV以上とすることができ、かつそのばらつきをさらに小さくすることができることがわかった。なお、1回の焼成により形成するガラス層の厚みが小さすぎると所定の厚みを得るためには工程が増え、製造に要する時間が長くなることから、一焼成工程で形成するガラス層の厚みは15μm以上、さらには20μm以上が望ましい。また、オーバーコート層の厚みTは、200μm以上、さらには150μm以下が望ましい。また、発泡は、焼成工程のみならず、ガラスペーストの組成や粘度、印刷の仕方などにも影響するため、適宜それらも調整するのが望ましい。さらに、ヒータA~Iについて観察したところ、発泡の大きさ、数と絶縁耐電圧およびそのばらつきとには相関があることがわかった。すなわち、発泡はおおよそ目視できないほど小さいものから、直径Rが0.5mmのものまで存在するが、大きいものが1個でも存在すると絶縁耐電圧が大きく低下し、大きくなくても多く存在すると絶縁耐電圧のばらつきが大きくなることがわかった。具体的には、オーバーコート層5の表面に直径Rが0.2mmよりも大きい発泡が存在すると絶縁耐電圧が大きく低下し、直径Rが0.1mm~0.2mm以上の発泡が1個/cm2より多く存在すると絶縁耐電圧のばらつきが大きくなり、それよりも直径Rが小さい発泡であれば絶縁耐電圧にそれほど影響を与えない傾向を見出した。したがって、オーバーコート層5の表面に直径Rが0.2mm以上の発泡は存在せず、オーバーコート層5の存在する直径Rは0.1mm~0.2mmの発泡が1個/cm2以下であることで、絶縁耐電圧およびそのばらつきを小さくすることができる。もちろん、オーバーコート層5の表面において、直径Rが0.1mm以上の発泡が存在しないのが最適である。第1の実施形態においては、炭素系の発熱体4を用いたセラミックヒータの製造方法において、焼成温度が400~500°Cであるガラスを40μm以下の厚みになるように焼成する工程を複数回行うことにより、オーバーコート層5の厚みTを60μm以上としたことで、絶縁耐電圧を高くすることができるとともに、絶縁耐電圧のばらつきを小さくすることができる。セラミックヒータとしては、厚みTを60μm以上とし、かつそのガラス表面に直径Rが0.2mm以上の発泡が存在しない、および/またはそのガラス表面に存在する直径Rが0.1mm~0.2mmの発泡が1個/cm2以下であることにより、絶縁耐電圧を高くすることができるとともに、絶縁耐電圧のばらつきを小さくすることができる。この発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。