基材上に被着させた導電性薄膜の多層を基にした少なくとも1つの電極を含む有機発光ダイオードデバイスを製造するための方法であって、前記多層の被着が次の工程、すなわち、少なくとも2つの薄膜の間に少なくとも1つの薄い銀膜を含む薄膜多層を前記基材の片面に被着させる工程、及び、被覆した面を、当該多層のシート抵抗が少なくとも5低下するように500nmと2000nmの間の少なくとも一つの波長で放射されるレーザー光の少なくとも1つの放射源を使って熱処理する工程、を含む有機発光ダイオードデバイスの製造方法。処理前の前記多層が前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜を少なくとも1つ含み、その結果として当該レーザー光の少なくとも1つの波長における前記多層の吸収率が、当該多層で被覆した厚さ4mmの透明ガラス基材の当該レーザー光の前記少なくとも1つの波長での吸収率が10以上であるようなものとなる、請求項1記載の方法。前記レーザー光の少なくとも1つの放射源で処理される面の反対側の基材の面の温度が前記熱処理の間100°Cを超えず、特に50°C、更には30°Cを超えない、請求項1又は2記載の方法。前記多層のシート抵抗を前記熱処理により少なくとも15又は20低下させる、請求項1~3の1つに記載の方法。前記基材がガラス製又は有機高分子物質製である、請求項1~4の1つに記載の方法。前記基材がポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンナフタレート製である、請求項5記載の方法。前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜が前記銀膜の上に直接又は前記銀膜の下に直接被着される金属膜であり、その厚さが2nmと5nmの間、特に3nmと5nmの間であって、この金属膜は特に、チタン、ニッケル、クロム、ニオブ、又はそれらのいずれかの合金に基づく膜から選ばれる、請求項2~6の1つに記載の方法。前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜が窒化物膜、特に、化学量論量の窒化チタン、あるいは窒素が化学量論量未満の窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ニオブもしくは窒化チタン、又はそれらのいずれかの混合物から選ばれる窒化物膜である、請求項2~7の1つに記載の方法。前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜が、金属、酸素が化学量論量未満の金属酸化物、又は金属窒化物で製作される膜である、請求項2~8の1つに記載の方法。前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜が、前記銀膜の下に、好ましくはそれと接触して位置する、又は前記銀膜の上に、好ましくはそれと接触して位置する、酸素が化学量論量未満の金属酸化物である、請求項2~9の1つに記載の方法。前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜が、空気と接触する、炭素を基にした膜、特にグラファイト又は非晶質の膜である、請求項2~10の1つに記載の方法。前記レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜が、酸化インジウムと、スズ及び亜鉛から選ばれる少なくとも1種の元素との膜であって、特に前記多層のうちの最後の膜である、請求項2~11の1つに記載の方法。前記多層上での前記レーザー光の表面パワーが1kW/cm2以上、特に20kW/cm2以上である、請求項1~12の1つに記載の方法。前記レーザー光を、前記基材の幅の全部又は一部に同時に照射する線の形をした少なくとも1つのレーザー光線により放射する、請求項1~13の1つに記載の方法。前記基材と前記レーザーのそれぞれの速度の差を4m/分以上、特に6m/分以上とするように、前記膜で被覆した基材と前記レーザーの線とを相対的に移動させる、請求項14記載の方法。前記レーザー光の波長が530nmと1000nmの間である、請求項1~15の1つに記載の方法。前記多層をマグネトロンスパッタリングにより被着させる、請求項1~16の1つに記載の方法。請求項1~17の1つに記載の方法により得ることができる有機発光ダイオードデバイス。本発明の目的は、低抵抗率と高い視感透過率及び低粗度とを組み合わせる導電性の多層を得るのを可能にする方法を提供することによって前述の欠点を除くことである。この目的のために、本発明の1つ対象とするものは、基材上に被着させた導電性薄膜の多層を基にした少なくとも1つの電極を含む有機発光ダイオードデバイスを製造するための方法であって、前記多層の被着が次の工程、すなわち、少なくとも2つの薄膜の間に少なくとも1つの薄い銀の膜を含む薄膜多層を前記基材の片面に被着させる工程、及び、被覆した面を、当該多層のシート抵抗が少なくとも5低下するように500nmと2000nmの間の少なくとも一つの波長で放射されるレーザー光の少なくとも1つの放射源を使って熱処理する工程、を含む有機発光ダイオードデバイスの製造方法である。所定のシート抵抗について、本発明による方法はより薄い銀の膜を使用するのを可能にし、そのためこれらの膜はより高い視感透過率を有する。逆に、所定の銀の厚さについて、本発明により得られた膜は抵抗率がより低い一方で、著しく平滑なままである。好ましくは、処理前の多層はレーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜を少なくとも1つ含み、その結果当該レーザー光の少なくとも1つの波長における多層の吸収は、前記多層で被覆した厚さ4mmの透明ガラス基材の当該レーザー光の前記少なくとも1つの波長での吸収率が10以上となるようなものとなる。多層で被覆した基材の所定の波長での吸収率は、100から同じ被覆基材の同じ波長での透過率を差し引き、且つ同じ被覆基材の多層側における同じ波長での反射率を差し引いたものとして定義される。透明ガラスという用語は、フロート法により得られ、膜で被覆されておらず、4mmの厚さについて光透過率がほぼ90、光反射率がほぼ8、そしてエネルギー透過率がほぼ83の、ソーダ-石灰-シリカガラスを意味するものと理解される。光及びエネルギー透過率と反射率は、NFEN410標準規格で定義されているようなものである。典型的な透明ガラスは、例えば、サン-ゴバングラスフランス社によりSGGPlaniluxの名称で市販されているもの、あるいはAGCFlatGlassEurope社によりPlanibelClearの名称で市販されているものである。本発明による方法は、言うまでもなく、透明ガラス基材上にあるいは厚さ4mmの基材上に被着させた被覆物に限定されない。被覆物は任意のタイプの基材上に被着させることができるが、多層の吸収率は、それを厚さが4mmの透明ガラス基材上に被着させた場合にこの多層被覆基材の吸収率が特許請求の範囲に規定のとおりとなるようなものでなければならない。本発明による方法は、膜に既に存在していながら、なおも固相中にとどまっている種の周囲での物理化学的な結晶成長メカニズムにより銀薄膜の結晶化を促進するのに十分なエネルギーの供給を可能にする。銀膜の結晶化の促進は、特に、非晶質相の残留物が消失し、及び/又はコヒーレント回折ドメインの大きさが増大し、及び/又は点欠陥空所あるいは割れ目もしくは表面欠陥もしくはバルク欠陥、例えば双晶など、の密度が低下するという結果をもたらすことができる。本発明による方法には、基材全体を有意に加熱することなしに導電性の多層のみを加熱するという利点がある。よって、ガラスを切断又は保管する前に基材に制御されたゆっくりの冷却を受けさせることはもはや必要ない。この方法はまた、ヒーターを既存の連続生産ラインに、もっと詳しく言えばマグネトロンラインの真空被着室の出口とガラスを積み重ねる方式で保管するための装置との間に位置する空間に、統合するのを可能にする。場合により、本発明による処理を実際の真空被着室内で行うことも可能である。最後に、この方法はポリマー有機物質製の基材の使用を可能にする。レーザー光を用いることには、基材の第1面の反対側の面すなわち被覆していない面で一般に100°C未満、多くの場合50°C未満、の温度になるという利点がある。これは、熱交換係数が非常に大きく、一般に400W/m2sより大きいという事実のために、特に有利な特徴である。処理する多層でのレーザー光の表面パワーは1kW/cm2以上、特に10kW/cm2、更には20kW/cm2以上が好ましい。この非常に高いエネルギー密度は、多層の所望の温度を極度に素早く一般に1秒以下の時間で得ること、その結果相応して処理時間を制限することを可能にし、この場合に発生する熱には基材中に拡散する時間がない。こうして、多層中の各点は好ましいことに、一般には1秒以下の時間、あるいは0.5秒以下の時間、本発明による処理にかけられるそして特に300°C以上の温度に加熱される。それに対して、通常用いられる赤外線ランプ放射線が集中する装置なしのは単位面積あたりのこれらの高いパワーレベルを実現することができないので、所望の温度に達する処理時間がより長く多くの場合数秒続く、そのため基材は、放射線の波長を薄膜だけに吸収され基材には吸収されないように適応させたとしても、熱の拡散のため必然的に高温に加熱される。本発明による方法に付随する非常に高い熱交換係数のために、薄膜から0.5mmのところにあるガラスの部分は一般に100°Cより高い温度にはさらされない。レーザー光の少なくとも1つの放射源により処理される面と反対側の基材の面の温度は、熱処理中に100°Cを超えず、特に50°Cを超えず、更には30°Cを超えないのが好ましい。従って、供給されるエネルギーの大部分は、多層が含む銀膜の結晶特性を向上させるように多層によって使用される。本発明による方法はまた、多層により被覆された厚さ4mmの透明ガラス基材のレーザー光の少なくとも1つの波長での吸収率が10以上となるように十分レーザー光を吸収する少なくとも1つの薄膜が処理前の多層中に存在することによって改善される。処理前の多層は、本書の以下において吸収膜と呼ばれるこれらの膜を1つ以上含むことができる。多層は、例えば、1つの吸収膜を含んでもよく、あるいは2つ又は3つ又は4つの吸収膜、更には5つ又は6つの吸収膜を含んでもよい。吸収膜の数がいくつであれ、重要な点は、レーザー波長での多層の吸収が特許請求の範囲に規定されたとおりであることである。少なくとも1つの吸収膜が存在する場合、これはレーザー処理の効果をかなり高め、すなわち吸収膜によって吸収されるエネルギーは事実上銀膜の近くに再放射されて、この膜の局所的な温度を上昇させる。この場合、その結果得られたレーザー処理の有効性の増大は、最終的な多層の抵抗率特性を向上させ、及び/又は処理を加速し、及び/又はより低いパワーを使用し従って費用がそれほどかからないレーザーを使用するのに役立つ。レーザー処理の有効性を更に増大させるためには、多層の吸収は、多層により被覆された厚さ4mmの透明ガラス基材の吸収率がレーザー処理前に、レーザー光の少なくとも1つの波長において好ましくは12以上、あるいは13又は15以上、更には20又は25又は30以上であるようなものである。本発明による方法を使用して得られる結晶化度は、好ましくは20又は50以上であり、特に70、そして更には90以上である。結晶性物質の質量を物質の全質量で除したものとして定義される、この結晶化度は、リートベルト法を使ってX線回折により測定することができる。種又は核から出発する結晶性粒子の成長による結晶メカニズムのために、結晶化度の増大には一般に、結晶粒子の大きさ又はX線回折によって測定されるコヒーレント回折ドメインの増加が付随する。結晶特性の向上はまた、被覆基材の光透過率を絶対値で少なくとも5、とりわけ10、あるいは15、そして更にはやはり絶対値で相対的な増加でなく少なくとも20、増加させるのを可能にする。光透過率は、NFEN410標準規格により計算される。好ましくは、多層のシート抵抗は少なくとも10、又は15、更には20、熱処理によって低下する。ここでは、これは処理前のシート抵抗値に対する相対的な低下である。基材は、ガラスあるいは有機高分子物質製であるのが好ましい。それは透明で無色であることこの場合、それは透明ガラスであるか超透明ガラスである、あるいは例えば青色、灰色又はブロンズ色に着色されているのが好ましい。ガラスは好ましくはソーダ-石灰-シリカタイプのものであるが、それはホウケイ酸又はアルミノホウケイ酸タイプのガラスでもよい。好ましい有機高分子物質は、ポリカーボネート又はポリメチルメタクリレート又はポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、さもなければエチレンテトラフルオロエチレンETFEなどのフルオロポリマーである。基材は、少なくとも1つの寸法が1m以上、又は2mあるいは更には3m以上であるのが好ましい。基材の厚さは、ガラス基材の場合一般には0.025mmと19mmの間、好ましくは0.4mmと6mmの間、特に0.7mmと2.1mmの間であり、ポリマー基材の場合好ましくは0.025mmと0.4mmの間、特に0.075mmと0.125mmの間である。基材は平らであっても湾曲していてもよく、更には可撓性であってもよい。ガラス基材は好ましくはフロートガラスタイプのものであり、すなわち溶融したガラスを溶融したスズの浴フロート浴と呼ばれるの上へ流し込むものである方法によって得ることができるタイプのものである。この場合、処理しようとする膜は、基材の雰囲気側と同様にスズ側にもうまく被着させることができる。雰囲気側及びスズ側という用語は、それぞれ、フロート浴において雰囲気と接触していた基材の面及び溶融したスズと接触していた基材の面を意味するものと理解される。スズ側は、ガラスの構造中へ拡散した少量の表面のスズを含む。基材は、2つのローラー間での圧延により得ることもでき、この手法は特にガラスの表面に模様を刻みつけるのを可能にする。熱処理前あるいは熱処理後の導電性の多層は、少なくとも2つの膜の間に少なくとも1つの銀の膜を含む。多層中には吸収膜が存在することが好ましい。以下において、本発明により処理された多層の好ましい構造を最初に説明してから、そのような構造中の吸収膜の位置について詳しく説明することにする。特に指示しない限り、記載する厚さは物理的な厚さである。熱処理前あるいは熱処理後の導電性の多層は好ましくは、基材から出発して、少なくとも第1の誘電体膜を含む第1の被覆物、少なくとも1つの銀膜、任意選択的なオーバーブロッカー膜、そして少なくとも第2の膜を含む第2の被覆物、を含む。第1及び第2の被覆物は、特に基材が有機の、例えば可撓性の、ポリマーで製作されている場合、あるいは基材に積層中間層が付随している場合には、湿分あるいはガスに対するバリヤ層として働くのが有利である。好ましくは、銀膜の物理的厚さは6nmと20nmの間である。オーバーブロッカー膜は、その後の膜の被着中に例えばこれを酸化性又は窒化性雰囲気中で被着させる場合及び更なる熱処理の際に、銀膜を保護しようとするものである。銀膜は、アンダーブロッカー膜上にそれと接触して被着させることもできる。よって、多層は、銀膜の側面に位置するオーバーブロッカー膜及び/又はアンダーブロッカー膜を含むことができる。ブロッカーアンダーブロッカー及び/又はオーバーブロッカー膜は一般に、ニッケル、クロム、チタン、ニオブ又はこれらの各種金属の合金を基礎材料とする。特にニッケル-チタン合金とりわけ各金属を約50wt含有しているもの及びニッケル-クロム合金とりわけニッケルを80wt及びクロムを20wt含有しているものを挙げることができる。オーバーブロッカー膜はいくつかの重ね合わせた膜からなることができ、例えば、基材側から数えてチタン膜とその次のニッケル合金とりわけニッケル-クロム合金膜からなることができ、あるいはその逆であってもよい。列挙した各種金属又は合金は部分的に酸化されていてもよく、特に酸素が化学量論量未満例えばTiOx又はNiCrOxであってもよい。これらのブロッカーアンダーブロッカー及び/又はオーバーブロッカー膜は、多層の光透過率に影響を与えないように、非常に薄く、標準的に1nm未満の厚さであり、そして本発明による熱処理の際に部分的に酸化することができる。以下において示すように、少なくとも1つのブロッカー膜の厚さは、本発明による吸収膜を構成するように、より厚くてもよい。一般に、ブロッカー膜は、雰囲気から又は基材からやってくる酸素を捕捉することができ、従って銀膜を酸化から保護することができる犠牲膜である。第1の誘電体膜は通常は酸化物とりわけ酸化スズであり、好ましくは窒化物、とりわけ窒化ケイ素、である。一般に、窒化ケイ素には、それをスパッタリング技術により被着するのをより容易にするように、例えばアルミニウム又はホウ素を、ドープすることができる。ドープの度合いケイ素の量に対する原子百分率に相当するは、一般に2atを超えない。これらの誘電体膜の機能は、銀膜を化学的又は機械的攻撃から保護することであって、それらはまた干渉現象により多層の光学的特性、特に反射率に影響を及ぼす。第1の被覆物は、1つの誘電体膜、又は複数の、一般には2つ又は3つの、誘電体膜を含むことができる。これらの誘電体膜は、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化スズ及び酸化亜鉛から選ばれる材料、あるいはそれらの混合物又は固溶体のいずれか、例えば酸化亜鉛スズ又は酸化亜鉛チタン、で製作されるのが好ましい。誘電体膜の物理的な厚さ、あるいは全ての誘電体膜の全体としての物理的厚さは、好ましくは15nmと60nmの間であり、特に20nmと50nmの間である。第1の被覆物は、銀膜の直下に又は任意選択的なアンダーブロッカー膜の下に、湿潤膜を含むのが好ましく、これの機能は銀膜の濡れと結合を増大させることである。酸化亜鉛が、特にアルミニウムをドープされた場合に、これに関して特に有利であることが分かる。第1の被覆物は、湿潤膜の直下に、部分的に又は完全に非晶質の混合酸化物従って粗さが非常に小さいものである、平滑化層を含むこともでき、これの機能は優先結晶方位の湿潤膜の成長を促進し、それによりエピタキシャル現象による銀の結晶化を促進することである。平滑化層は、Sn、Zn、In、Ga及びSbから選ばれる少なくとも2種の金属の混合酸化物で構成されるのが好ましい。好ましい酸化物はアンチモンをドープされた酸化スズ亜鉛である。第1の被覆物において、湿潤膜あるいは任意選択的な平滑化膜は、第1の誘電体膜の上に直接被着させるのが好ましい。第1の誘電体膜は、基材の上に直接被着させるのが好ましい。多層の光学的特性とりわけ反射の見かけを最も有利に適合させるためには、別の方法として、第1の誘電体膜を別の酸化物又は窒化物膜の上に、例えば酸化チタン又は窒化ケイ素膜の上に、被着させてもよい。第2の被覆物内では、好ましくは導電性である第2の膜を、銀膜の上に直接、又は好ましくはオーバーブロッカーの上に、あるいは多層の光学的特性を適合させることを目的とする他の酸化物又は窒化物膜の上に、被着させることができる。例えば、酸化亜鉛膜、特にアルミニウムをドープされたもの、あるいは酸化スズ膜、又は酸化スズ亜鉛膜を、オーバブロッカーと第2の膜との間に配置することができる。酸化亜鉛、特にアルミニウムをドープされた酸化亜鉛は、銀膜と上側の膜との密着性を向上させるのに役立つ。このように、本発明により処理された多層は、できるだけZnO/Ag/ZnOと連続するものを含むのが好ましい。酸化亜鉛にはアルミニウムをドープしてもよい。アンダーブロッカー膜を銀膜とその下の膜との間に配置してもよい。別の実施形態においてあるいは追加して、オーバーブロッカー膜を銀膜とその上の膜との間に配置してもよい。最後に、第2の被覆物の上に、多層を何らかの機械的攻撃引掻きなど又は化学的攻撃から保護することを目的とするオーバーコートを配置してもよい。このオーバーコートは一般に、多層の反射の見かけに影響を及ぼさないように非常に薄いその厚さは概して1nmと5nmの間である。それは、化学量論量的に不足の形で被着させたチタン酸化物又はスズと亜鉛の混合酸化物、特にアンチモンをドープされたもの、を基礎材料とするのが好ましい。以下において示すように、このオーバーコートの組成は、それが吸収膜となりあるいは多層の吸収膜となるように選ぶことができる。好ましくは、多層の最後の膜は、高仕事関数の透明な導電性酸化物、例えば酸化インジウムなどと、スズ及び亜鉛から選ばれる少なくとも1種の元素とで作製されるITO、IZO又はITZO膜。多層は、1以上の銀膜、特に2つ又は3つの銀膜を含むことができる。2つ以上の銀膜が存在する場合、先に提示した一般的な構造を繰り返すことができる。この場合、所定の銀膜に関する従ってこの銀膜の上に位置する第2の被覆物は一般に、次の銀膜に関しる第1の被覆物と一致するものとなる。熱処理前の多層は、少なくとも1つの吸収膜を含むのが好ましい。薄い吸収膜は、銀膜の方へ再放射されたエネルギーの移動を向上させるように、銀膜と直接接触してもよい。薄い吸収膜を、特に銀膜の下にすなわち基材の近くに及び/又は銀膜の上に位置させることができる。第1の好ましい実施形態によれば、レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜は、銀膜の上に直接被着された金属膜オーバーブロッカー膜又は銀膜の直下に被着された金属膜アンダーブロッカー膜であり、その厚さは2nmと5nmの間、とりわけ3nmと5nmの間である。このブロッカー膜はレーザー処理の際に部分的に酸化されて、光吸収率が低下した一般に酸素が化学量論量未満の酸化物を生じさせる。もっと薄い膜は、銀膜へのエネルギーの移動を認知できるのに十分な吸収率を有することがない。更に、もっと薄い膜はレーザー処理の際に完全に酸化されがちであり、その結果として最終の多層の機械的強度が不十分になってしまう。従って、上述の厚さの範囲は、ブロッカー膜の標準的な厚さより厚いために異例であるが、本発明による処理には特に好適である。ブロッカー膜の化学的性質に関しては、上述のものが、ブロッカー膜が本発明による吸収膜である場合にもやはり当てはまる。第2の好ましい実施形態によれば、レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜は窒化物の膜、とりわけ化学量論量の又は窒素が化学量論量未満のものである。化学量論量の窒化物は、レーザーの波長範囲における吸収率が高い窒化チタンであるのが好ましい。窒素が化学量論量未満の窒化物は、化学量論量未満の窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン又は窒化ニオブ、あるいはそれらのいずれかの混合物から選ばれるのが好ましい。吸収性の窒化物膜は、厚さが好ましくは2nmと10nmの間であり、特に2nmと5nmの間である。第3の好ましい実施形態によれば、レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜は、金属、酸素が化学量論量未満の金属酸化物、又は金属窒化物で作製される。従ってこれは、先に提示した一般的な構造との関連で言えば、オーバーコートである。このオーバーコートは一般に、レーザー処理の間に酸化し、そのためレーザー処理後のその光吸収率は非常に小さい。空気と接触するこのオーバーコートの厚さは、5nm以下又は3nm以下であるが、1nm以上であるのが好ましい。これほどの小さい厚さで、所望の吸収率を得るのに一般に十分である。小さい厚さはまた、本発明による処理後の完全な酸化を可能にし、従って大きな光透過率をもたらすことになる。金属は、ケイ素、ニオブ、チタン、アルミニウム、亜鉛、スズ、ニッケル及びジルコニウム、あるいはそれらのいずれかの合金から選ぶのが好ましい。好ましくは、酸素が化学量論量未満の酸化物は、酸化ケイ素、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化スズ又は酸化ジルコニウムであるか、あるいはそれらのいずれかの混合物である。窒化物は化学量論量のものでよく、この場合には、それは窒化チタンが好ましい。窒化物は化学量論量未満のものであってもよく、この場合それは窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化ニオブ、窒化亜鉛、窒化スズ又は窒化ジルコニウムであるか、あるいはそれらのいずれかの混合物である。第4の好ましい実施形態によれば、レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜は、酸素が化学量論量未満の金属酸化物の膜であって、銀膜の下に好ましくはそれと接触して位置しており、及び/又は銀膜の上に好ましくはそれと接触して位置している。詳しく言うと、それは先に明らかにした湿潤膜であることができる。酸素が化学量論量未満の酸化物は、酸化亜鉛、酸化チタン及び酸化スズ、あるいはそれらの混合物のうちの1つから選ぶのが好ましい。第5の好ましい実施形態によれば、レーザー光を少なくとも部分的に吸収する薄膜は、空気と接触し炭素を基礎材料とする膜である。好ましくは、炭素はグラファイト又は非晶質タイプのものであり、及び/又は少なくとも50、あるいは100のsp2炭素を含有している。炭素を基礎材料とする薄膜は、好ましくは炭素からなるが、とは言え金属をドープされていてもよく、あるいは部分的に水素化されていてもよい。炭素膜の厚さは好ましくは5nm未満であり、特に2nm未満、更には1nm未満である。炭素は、可視及び赤外領域における吸収能力が高い。炭素膜は、とりわけグラファイト又は非晶質タイプの、主としてsp2混成炭素である場合において特に、また厚さが薄い場合において特に、恐らくは酸化されて二酸化炭素となり、蒸発することによって、処理中に消失し、そのため処理後の残存吸収率は最小となる。炭素を基礎材料とする薄膜は、いろいろな方法によって、特にマグネトロンスパッタリングによって、例えばアルゴン雰囲気中でグラファイトターゲットを使用して、得ることができる。その他の被着方法としては、CVD化学気相成長、アークによる被着、蒸着及びゾル-ゲル法が挙げられる。第6の好ましい実施形態によれば、吸収膜は、酸化インジウムとスズ及び亜鉛から選ばれる少なくとも一方の元素との膜である。この膜は一般に、多層の最後の膜基材から一番遠い膜である。それは詳しく言えばITO膜である。多層における位置がどうであれ、吸収膜あるいはそのような膜の一つは、遷移金属例えば、鉄、クロム、バナジウム、マンガン、コバルト、ニッケル又は銅あるいは希土類例えば、ネオジム又はユーロピウムのうちの少なくとも1種のイオンをドープされた酸化物を基礎材料とすることもできる。処理された多層は、単一の吸収膜を含んでもよい。それはまた、特に単一の吸収膜の存在することが多層全体としての所望の吸収率を得るのに十分でない場合に、より多くの吸収膜、例えば2つ、3つ、4つ又は5つのそのような膜を含んでもよい。従って、多層は、組み合わせた場合に所望の吸収率を得るのを可能にするが、一つ一つではそうはならない複数の吸収膜を有するように選ぶことができる。これは特に、2以上の銀膜、とりわけ2つ又は3つの銀膜を含む多層について言えることであり、ブロッカーアンダーブロッカー及び/又はオーバーブロッカーの数が増加すると、レーザーの波長における吸収率を大きくできるようになるのに対し、おのおのの膜だけではこの吸収率を得るのに厚さが十分でない。従って、多層によるレーザー光の吸収率を更に向上させるために、それは上述のいくつかのタイプの吸収膜を含むことができる。特に、説明した好ましい実施形態のおのおのを、1以上のその他の実施形態と組み合わせることができる。詳しく言うと、以下の好ましい実施形態を組み合わせることができる。すなわち、1と2、1と3、1と4、1と5、1と6、2と3、2と4、3と4、2と5、2と6、3と5、3と6、1と2と3、1と2と4、1と2と5、1と2と6、1と3と4、1と3と5、1と3と6、2と3と4、2と3と5、2と3と6、3と4と5、3と4と6、4と5と6、1と2と3と4、1と2と3と5、1と2と3と6、1と2と4と5、1と2と4と6、1と3と4と5、1と3と4と5と6、2と3と4と5、2と3と4と5と6、及び1と2と3と4と5と6を組み合わせることができる。一例として、多層は、1つの厚膜化したブロッカー膜厚さが2nmと5nmの間と1つの吸収オーバーコート第1及び第3の好ましい実施形態の組み合わせを含むことができる。特定の好ましい実施形態をそれら自体と組み合わせることもできる。従ってこれは、多層が複数の窒化物吸収膜を含むことができるという意味で、第2の好ましい実施形態の場合である。同様に、多層は、レーザー光の吸収率を増大させるように厚くした複数のブロッカーアンダーブロッカー及び/又はオーバーブロッカー膜を含んでもよい第1の実施形態の組み合わせ。次に、本発明により処理することができる多層の限定しない例をいくつか説明する。膜は、基材から出発する被着の順番に示す。多層1:Si3N4/SnZnOx/ZnO/Ag/Ti/ITO多層2:Si3N4/SnZnOx/ZnO/Ag/Ti/ZnO/SnZnOx/ZnO/Ag/Ti/ITO多層1の場合において、吸収膜は、厚くされる場合にはオーバーブロッカーここではチタンで製作されるが、上述の金属又は合金を使用してもよいにより、及びITOにより形成される。従って、この多層は第1及び第6の好ましい実施形態を例示するものとなる。多層2は、2つの銀膜を含む多層を例示するものとなる。先に提示した多層において、少なくとも1つの酸化亜鉛膜は、酸素が化学量論量未満であってもよく、第4の好ましい実施形態を例示する吸収膜を構成することができる。多層のRMS粗さは、処理前及び処理後において、好ましくは最大で2nm、特に1nmである。本発明による処理は一般に、境界の明瞭な波長を有する放射線源を使用して実施される。とは言え、本発明は、被覆された基材が波長を異にする複数の放射線源の作用を受けるように、複数の異なるレーザーの使用を排除しない。放射線の波長は、好ましくは530nmと1000nmの間、又は600nmと1000nmの間であり、とりわけ700nmと990nmの間、あるいは更に800nmと990nmの間であるが、その理由は、銀がより長い波長の赤外線未満のこのタイプの放射線を反射するからである。従って、処理がより効果的になる。更に、基材は、透明なガラスで製作される場合に、この波長範囲でそれほど吸収せず、高温にさらされにくい。例えば、約808nm、880nm、915nm、あるいは940nmもしくは980nmの波長で発光するレーザーダイオードを使用するのが好ましい。ダイオードのシステムによって非常に大きなパワーを得ることができ、処理される多層において1kW/cm2より大きい、更には10kW/cm2又は20kW/cm2より大きい単位面積あたりのパワーを可能にする。実施をより簡単にするために、本発明との関連で用いられるレーザーはファイバーを利用することができ、これはレーザー光を光ファイバー内に投入し、その後処理すべき表面の直前で収束ヘッドを通して供給することを意味する。レーザーは、増幅媒体そのものが光ファイバーであるという意味において、ファイバーレーザーであってもよい。レーザー光線はポイントレーザー光線であることができ、この場合には基材の平面でレーザー光線を移動させるための装置を用意することが必要である。とは言え、好ましくは、レーザー光は、直線を形成し、以下においてレーザー線と称される、少なくとも1つのレーザー光線によって放射され、それは基材の幅の全て又は一部に同時に照射する。この実施形態は、一般にかさばりそして保守するのが難しい高価な移動用装置の使用を回避するので、好ましいものである。特に、収束用光学装置と組み合わせて高パワーのレーザーダイオードのシステムを使用してインラインレーザー光線を得ることができる。直線の太さは0.01mmと1mmの間が好ましい。直線の長さは一般に5mmと1mの間である。直線の輪郭は、特にガウス曲線であることができ、あるいはシルクハット形状を有することができる。基材の幅の全部又は一部に同時に照射するレーザー線は、単一の直線この場合、それは基材の幅の全体に照射するで構成してもよく、あるいは複数の、所望により切り離された、直線で構成してもよい。複数の直線を使用する場合には、多層の全面積を処理するように各直線を配置するのが好ましい。直線は、好ましくは、基材の走行方向に垂直となるように配置され、あるいは斜めに配置される。各種の直線で基材を同時に処理してもよく、あるいは遅延式に処理してもよい。重要な点は、表面全体を処理することである。膜の全表面を処理するためには、膜で被覆した基材と各レーザー線とを相対的に移動させことが好ましい。例えば、固定したレーザー線の一般には下を、とは言え所望によっては上を、並進走行するように、基材を移動させることができる。この実施形態は、連続処理にとって特に有利である。あるいは別法として、基材を固定し、レーザーを移動させてもよい。好ましくは、処理速度を確実に大きくするように、基材とレーザーのそれぞれの速度の差を1m/分以上、又は4m/分以上、あるいは6、8、10又は15m/分以上とする。本発明によれば、多層の特定の膜を慎重に選ぶことによって、大きな走行速度の場合にあって抵抗率を非常に大きく低下させることが可能であり、その結果処理速度を大きくすることが可能である。移動するのが、特に並進移動するのが基材である場合、それは任意の機械的搬送手段、例えばベルト、ローラー、又は並進走行するトレイ、を使って移動させることができる。この搬送手段は、走行速度を制御し調節するために使用される。基材が可撓性の有機高分子物質製である場合、それはローラーが連続している形式の膜移送装置を使って移動させることができる。レーザーを、基材との間隔を調整するように移動させることもでき、これは特に基材が曲げられている場合に有用であるが、そのような場合にのみ有用なわけではない。実際のところ、処理しようとする被覆物にレーザー光線を、被覆物が焦点面から1mm以下の距離のところに位置するように集中させるのが好ましい。基材を移動させる装置又はレーザーを移動させる装置が基材と焦点面との間隔に関して十分に正確でない場合には、レーザーと基材との間隔を調整できることが好ましい。この調整は自動式でよく、特に処理の上流側での間隔の測定を利用して調節することができる。レーザー線が移動する場合には、基材の上又は下に位置する、レーザーを移動させるための装置を用意する必要がある。処理時間は、レーザー線の走行速度により調節される。言うまでもなく、基材の表面にうまく照射できることを条件に、基材とレーザーとの全ての相対的な位置関係が可能である。より一般的に言えば、基材は水平に配置されるが、それは垂直に配置することもでき、あるいは任意の可能な傾斜角で配置することもできる。基材を水平に配置する場合には、レーザーは一般に基材の上面に照射するよう配置される。レーザーは、基材の下面に照射することもできる。この場合には、基材の支持装置、そして基材が移動する場合には所望により基材の搬送装置が、照射すべきゾーンにレーザー光が当たるようにするものであることが必要である。これは、例えば搬送ローラーを使用する場合に言える。ローラーは個別の存在であるから、レーザーを2つの並んだローラー間に位置するゾーンへ進ませるのを可能にする。基材の両側を処理しようとする場合には、基材が水平であれ、垂直であれ、あるいは任意の斜めの位置であれ、基材の両側に位置する複数のレーザーを使用することが可能である。放射装置、例えばインラインレーザーは、膜被着ラインに、例えばマグネトロンスパッタリングライン又は化学気相成長CVDラインに、特に真空下のプラズマ支援PECVDライン又は大気圧のプラズマ支援AP-PECVDラインに、統合することができる。一般に、ラインには、基材ハンドリング装置、被着ユニット、光学制御装置及び積み重ね装置が含まれる。例えば、基材はコンベアローラーで搬送され、各装置又はユニットを次々に通過する。放射装置、例えばインラインレーザーは、膜被着ユニットの直後に、例えば被着ユニットの出口に、位置するのが好ましい。こうして、被覆された基材を、膜を被着後に、被着ユニットの出口で、且つ光学制御装置の前で、あるいは光学制御装置の後であって基材積み重ね装置の前で、インライン処理することができる。放射装置を被着ユニットへ統合させてもよい。例えば、レーザーをスパッタリング被着ユニットのチャンバーの1つへ、特に雰囲気が希薄であり、とりわけ106mbarと102mbarの間の圧力のチャンバーに、取り込んでもよい。レーザーは、被着ユニットの外部に、しかしながらこのユニット内に位置する基材を処理するように、配置することもできる。このためには、使用する放射線の波長に対して透明な窓を設ければ十分であって、レーザー光線はそれを通過して膜を処理する。このようにして、膜例えば銀の膜を、同じユニットにおいて続いて別の膜を被着させる前に、処理することが可能になる。吸収膜がオーバーコート、例えば金属製のオーバーコートである場合、基材を真空チャンバー内に入れるならば、処理中にそれが酸化するのを妨げることができる。この場合、酸化雰囲気を制御した特別なチャンバー内で多層を処理することが可能である。放射装置が被着ユニットの外部にあろうとそれに統合されていようと、これらのインラインプロセスは、ガラス基材を被着工程と熱処理との間において積み重ねることを必要とするオフライン作業を伴うプロセスよりも好ましい。とは言え、オフライン作業を伴うプロセスには、本発明による熱処理を被着を行うのとは異なる場所で、例えばガラスの転化を行う場所で、行う場合に利点がある。従って、放射装置を膜被着ライン以外のラインに統合してもよい。例えば、それを複合窓ガラス特に二重又は三重窓ガラス製造ラインに統合してもよく、あるいは積層窓ガラス製造ラインに統合してもよい。これらの様々な場合において、本発明による熱処理は、複合窓ガラス又は積層窓ガラスを製造する前に行うのが好ましい。多層は基材上に任意のタイプの方法で被着させることができ、特に主として非晶質又は非結晶性の膜を生じさせる方法、例えばスパッタリング法、特にマグネトロンスパッタリング法、プラズマ支援化学気相成長PECVD法、真空蒸着法又はゾル-ゲル法などで被着させることができる。好ましくは、多層はスパッタリング、特にマグネトロンスパッタリングによって被着される。更に簡単にするため、膜のレーザー処理は空気中及び/又は大気圧で行うのが好ましい。とは言え、膜の熱処理を事実上真空の被着室内で、例えばその後の被着に先立ち、行うことが可能である。好ましくは、レーザー処理は、薄膜の結晶化速度を増大させ、それを継続し保つように、且つ当該薄膜が溶融する工程なしに、薄膜の各点を少なくとも300°Cの温度に昇温する一方で、基材の前記第1面の反対側の面の各点を100°Cを超えない温度に保持するようなものである。従って、薄膜はこの処理を受けても連続のままである。連続の薄膜との表現は、本件との関連で言えば、膜が実質的に基材全体を覆うこと、あるいは多層の場合において、下にある膜の全体を覆うことを意味するものと理解される。薄膜のこの連続特性従ってその有利な性質が本発明による処理によって維持されることは重要である。膜の各点との表現は、所定の瞬間において処理を受けている膜の領域を意味するものと理解される。本発明によれば、膜全体及びその結果各点を少なくとも300°Cの温度に昇温するが、膜の各点を必ずしも同時に処理することはない。膜はその全体を同時に処理してもよく、膜の各点は少なくとも300°Cの温度まで同時に昇温される。あるいはまた、膜は、膜の様々な点又は点の群を少なくとも300°Cの温度に相次いで加熱するように処理してもよく、この別の実施形態は工業規模で連続に実施する場合によく用いられる。本発明による方法は、水平あるいは垂直に配置した基材で実施することができる。両面に薄膜を備え、片面の又は各面の少なくとも1つの膜が本発明により処理される基材で実施してもよい。基材の両面に被着させた薄膜を本発明により処理する場合には、各面のその薄膜を、特に処理される膜の性質が同じであるか異なるかに応じ、同じ又は異なる方法により、同時にあるいは連続して処理することが可能である。従って、本発明による処理を基材の両面で同時に行う場合は、もちろん本発明の範囲内である。本発明が対象とするもののもう一つは、本発明による方法により得ることができる有機発光ダイオードデバイスである。次に、以下の限定されない例を利用して本発明を説明する。例1有機発光部品のための電極として働く銀を基にした多層を、出願人によりSGGPlaniluxの商標名で市販される厚さ1.6mmのガラス基材上にスパッタリングで被着させた。多層を形成する膜とそれらのそれぞれの幾何学的厚さを下記の表1に示す。表中の最初の膜が基材上に被着させた最初の膜である。処理前のシート抵抗は2.4オームであった。次に、その多層で被覆された基材を、波長980nmの放射線を放射するインラインレーザーを使用し、それに向かい合わせてその被覆基材を8m/分の速度で並進走行させて処理した。レーザー線のパワー密度は40kW/cm2であった。処理後のシート抵抗は2.33オームであり、すなわち5の低下であった。多層のRMS粗さは処理後において1nm未満のままであった。例2例1と同じタイプの有機発光部品のための電極として働く銀を基にした多層を、厚さ0.7mmのガラス基材上にスパッタリングで被着させた。処理前の多層のシート抵抗は3.3オームであった。次に、その多層で被覆された基材を、波長が980nmでパワー密度が50kW/cm2の放射線を放射するインラインレーザーを使用し、それに向かい合わせてその被覆基材を13m/分の速度で並進走行させて処理した。処理後のシート抵抗は2.43オームであり、すなわち24.5の低下であった。多層のRMS粗さは処理後において1nm未満のままであった。例3例1と同じタイプの有機発光部品のための電極として働く銀を基にした多層を、厚さ2.1mmのガラス基材上にスパッタリングで被着させた。処理前の多層のシート抵抗は4.87オームであった。次に、その多層で被覆された基材を、波長が980nmの放射線を放射するインラインレーザーを使用し、それに向かい合わせてその被覆基材を19m/分の速度で並進走行させて処理した。レーザーラインのパワー密度は50kW/cm2であった。処理後のシート抵抗は3.95オームであり、すなわち19の低下であった。多層のRMS粗さは処理後において1nm未満のままであった。