半導体チップと、前記半導体チップが搭載されるダイパッドと、前記半導体チップに電気的に接続される複数のリードと、前記ダイパッド上において前記半導体チップを封止する封止体とを備え、前記ダイパッドにおける前記半導体チップが搭載された面とは反対側である裏面上に、第1のめっき層と、前記第1のめっき層とは材料が異なる第2のめっき層とを含む複数のめっき層が形成され、前記第2のめっき層は、前記第1のめっき層とは異なる領域を含む領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項1の半導体装置において、前記第1のめっき層は、前記ダイパッドの前記裏面の中央部に形成され、前記第1のめっき層の周囲を含む領域に前記第2のめっき層が形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項1又は2の半導体装置において、前記第1のめっき層は、前記半導体装置の実装時に接続材料と反応して前記接続材料よりも低融点の反応層を生じることを特徴とする半導体装置。請求項1~3のいずれか1つの半導体装置において、前記第1のめっき層は、平面視において、前記半導体チップの搭載箇所を含むように形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項1~4のいずれか1つの半導体装置において、前記ダイパッドの前記裏面に凹部が形成され、前記第1のめっき層は、前記凹部内に形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項1~5のいずれか1つの半導体装置において、前記ダイパッドの前記裏面に、放射線状に延びる複数の溝が形成され、前記複数の溝は、平面視において、前記半導体チップの搭載箇所よりも外側に位置していることを特徴とする半導体装置。請求項1~6のいずれか1つの半導体装置において、前記ダイパッドの前記裏面に、複数のディンプルが形成され、前記複数のディンプルは、平面視において、前記半導体チップの搭載箇所よりも外側に位置していることを特徴とする半導体装置。請求項1~7のいずれか1つの半導体装置において、前記第1のめっき層の融点は、前記第2のめっき層の融点よりも低いことを特徴とする半導体装置。請求項1~8のいずれか1つの半導体装置において、前記第1のめっき層は、ビスマス又はビスマス合金を含むめっき層であり、前記第2のめっき層は、パラジウムを含むめっき層であることを特徴とする半導体装置。請求項1~9のいずれか1つの半導体装置において、前記第2のめっき層は、前記ダイパッドの裏面全体を覆うように形成され、前記第1のめっき層は、前記第2のめっき層の一部を覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項1~9のいずれか1つの半導体装置において、前記第1のめっき層は、前記ダイパッドの裏面の一部を覆うように形成され、前記第2のめっき層は、前記ダイパッドの裏面の他の部分を覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項1~11のいずれか1つの半導体装置を含む実装体であって、回路基板上に設けられた放熱層上に、接続材料を介して前記ダイパッドが接続されていることを特徴とする実装体。請求項12の実装体において、前記接続材料は、鉛を含まない金属材料からなることを特徴とする実装体。請求項13の実装体において、前記金属材料は、錫、銀及び銅の合金とフラックスとを含む半田材料であることを特徴とする実装体。請求項12~14のいずれか1つの実装体において、前記放熱層の面積と、前記ダイパッドの裏面の面積とが同一であることを特徴とする実装体。ダイパッド及び複数のリードを有するリードフレームを準備する工程aと、前記ダイパッドの第1の面に半導体チップを搭載する工程bと、前記工程bの後に、前記ダイパッドの前記第1の面上において前記半導体チップを樹脂封止する封止体を形成する工程cと、前記工程cの前又は後に、前記ダイパッドの第2の面に複数の異なるめっき層を形成する工程dとを備え、前記工程dは、第1の領域に第1のめっき層を形成する工程と、第2の領域に、前記第1のめっき層とは材料が異なる第2のめっき層を形成する工程とを含み、前記第2の領域は、前記第1の領域とは異なる領域を含むことを特徴とする半導体装置請求項16の半導体装置の製造方法において、前記工程dは、前記第1の領域が開口された第1のマスクを形成する工程と、前記第2の領域が開口された第2のマスクを形成する工程との少なくとも一方を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項16又は17の半導体装置の製造方法において、前記第1のめっき層と、前記第2のめっき層とは、前記ダイパッドの前記第2の面における異なる領域を覆うことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項16又は17の半導体装置の製造方法において、前記第1のめっき層は、前記第2のめっき層の一部の上に積層されることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記の半導体装置において、接続材料を用いてダイパッドの裏面が回路基板に接続するように実装すると、放熱性が十分に向上しない場合がある。このような場合、半導体装置及びその実装体において、熱特性に問題が生じることになる。この点に鑑みて、本開示の目的は、ダイパッドにおける半導体チップの搭載された面上に樹脂封止体が形成され、ダイパッドの裏面は樹脂封止体には覆われない構造の半導体装置を実装する際に、十分な放熱性を得ることのできる半導体装置及び実装体と、その製造方法を実現することである。前記の目的を達成するために、本願発明者は放熱性が十分に向上しない原因を種々検討し、次の点に着目した。接続材料を用いて回路基板上に半導体装置を実装する際、ダイパッドの裏面半導体チップが搭載される面とは反対側の面に形成されためっき層と接続材料との界面付近にボイドが発生する場合がある。これは、実装の際、一般に接続材料が加熱され、揮発性ガスが発生することに起因する。ボイドが発生すると、半導体チップにおいて発生した熱が回路基板にまで伝導するのを妨げるので、放熱性が十分に向上せず、熱特性に問題を生じる原因となる。このことに基づき、本願発明者は、実装時のボイドの発生を抑制することにより、放熱性を改善することを着想した。具体的に、本開示の半導体装置は、半導体チップと、半導体チップが搭載されるダイパッドと、半導体チップに電気的に接続される複数のリードと、ダイパッド上において半導体チップを封止する封止体とを備え、ダイパッドにおける半導体チップが搭載された面とは反対側である裏面上に、第1のめっき層と、第1のめっき層とは材料が異なる第2のめっき層とを含む複数のめっき層が形成され、第2のめっき層は、前記第1のめっき層とは異なる領域を含むように形成されている。尚、第1のめっき層は、ダイパッドの裏面の中央部に形成され、第1のめっき層の周囲を含む領域に第2のめっき層が形成されている。このような半導体装置によると、互いに材料が異なる第1のめっき層及び第2のめっき層を備えることができ、実装の際に接続材料と接合するまでの時間に差を設けることができる。この時間差を利用して、例えばダイパッドの内側から外側に向かって溶融及び接合を進めることができるので、接続材料から発生した揮発性ガスを逃がすことができる。従って、ボイドの発生を抑制することができる。ここで、第1のめっき層と第2のめっき層とは一部が積層されていても良いし、積層されるのを避けて形成されていても良い。また、第1のめっき層は、半導体装置の実装時に接続材料と反応して接続材料よりも低融点の反応層を生じても良い。このような場合、第1のめっき層と接続材料とが実装時の加熱により反応し、接続材料よりも低融点の反応層として接続材料の他の部分よりも先に溶融する。当該溶融した反応層がダイパッドの裏面に濡れ広がることにより、接続材料から発生した揮発性ガスを反応層から逃がすことができる。また、第1のめっき層は、平面視において、半導体チップの搭載箇所を含むように形成されていても良い。半導体装置が実装された際、放熱性を向上させるためには、半導体チップの搭載箇所においてボイドの発生を避けることが重要である。従って、第1のめっき層は、前記の範囲に形成されているのがよい。また、ダイパッドの裏面に凹部が形成され、第1のめっき層は、凹部内に形成されていても良い。半導体装置の製造工程、例えばダイボンド工程、ワイヤーボンド工程又は封止工程等において、ダイパッドの裏面から加熱が行なわれる。特に、ダイパッドの裏面にヒータープレート等を接触させて加熱を行なう場合、ダイパッドの裏面に形成されためっき層の酸化が進行し、実装時の接合性を劣化させることがある。これに対し、ダイパッドの裏面に凹部を形成し、当該凹部に第1のめっき層を形成すると、ヒータープレートが第1のめっき層に接するのを避けることができる。これにより、第1のめっき層の酸化を抑制し、実装時の接合性の劣化を低減できる。また、ダイパッドの裏面に、放射線状に延びる複数の溝が形成され、該複数の溝は、平面視において、半導体チップの搭載箇所よりも外側に位置していても良い。ダイパッドの裏面に形成された溝は、実装時において、接続材料内に発生した揮発性ガスを逃がすための経路として機能する。従って、ボイドの発生を抑制するために効果を発揮する。ダイパッドの裏面に、複数のディンプルが形成され、複数のディンプルは、平面視において、半導体チップの搭載箇所よりも外側に位置していても良い。半導体装置を実装する際、スタンドオフ実装体における半導体装置の封止体の裏面と回路基板との距離のバラツキに対応できるように接続材料が供給されるで、スタンドオフが比較的小さい場合には、接続材料が供給過多になるおそれがある。供給過多になった接続材料は、半導体装置の実装時に回路基板上に溢れ出し、実装不良及びリード間のショート等の不良の原因になる。これに対し、複数のディンプル凹みを設けることによりダイパッドの裏面の表面積が増加し、供給過多となった接続材料を吸収できるので、前記不良を抑制できる。また、第1のめっき層の融点は、第2のめっき層の融点よりも低くていても良い。これにより、実装時に第1のめっき層及び第2のめっき層が接続材料と接合するまでの時間に差を設けることが確実にできる。また、第1のめっき層は、ビスマス又はビスマス合金を含むめっき層であり、第2のめっき層は、パラジウムを含むめっき層であっても良い。また、第2のめっき層は、ダイパッドの裏面全体を覆うように形成され、第1のめっき層は、第2のめっき層の一部を覆うように形成されていても良い。また、第1のめっき層は、ダイパッドの裏面の一部を覆うように形成され、第2のめっき層は、ダイパッドの裏面の他の部分を覆うように形成されていても良い。このように、第1のめっき層及び第2のめっき層は、積層されていても良いし、積層されずに別々の領域を覆っていても良い。次に、本開示の実装体は、本開示のいずれか1つの半導体装置を含み、回路基板上に設けられた放熱層上に、接続材料を介して前記ダイパッドが接続されている。このような実装体によると、接続材料内におけるボイドの発生と、それに起因する放熱性の劣化を抑制することができるので、信頼性の高い実装体が実現する。尚、接続材料は、鉛を含まない金属材料からなっていても良い。また、金属材料は、錫、銀及び銅の合金とフラックスとを含む半田材料であっても良い。半導体装置においても、鉛を用いない接続材料鉛フリー半田等を用いることが要望されている。また、接続材料に鉛が含まれている場合、鉛と第1のめっき層の材料とによって非常に低い融点を有する合金が形成され、実装体の信頼性を大きく低下させる場合がある。これを避けるためにも、鉛を用いない接続材料を使用するのが良い。また、放熱層の面積と、ダイパッドの裏面の面積とが同一であっても良い。放熱層の面積とダイパッドの裏面の面積とが異なると、実装の信頼性が低下する原因になる。例えば、ダイパッドの裏面の面積が放熱層の面積よりも大きい場合、接続材料にかかる応力が放熱層の外周端と接続材料との接触部付近に集中し、実装の信頼性が低下する原因になる。これを避けるために、放熱層の面積とダイパッドの裏面の面積とは同一であるのがよい。次に、本開示の半導体装置の製造方法は、ダイパッド及び複数のリードを有するリードフレームを準備する工程aと、ダイパッドの第1の面に半導体チップを搭載する工程bと、工程bの後に、ダイパッドの第1の面上において半導体チップを樹脂封止する封止体を形成する工程cと、工程cの前又は後に、ダイパッドの第2の面に複数の異なるめっき層を形成する工程dとを備え、工程dは、第1の領域に第1のめっき層を形成する工程と、第2の領域に、第1のめっき層とは材料が異なる第2のめっき層を形成する工程とを含み、第2の領域は、第1の領域とは異なる領域を含む。このような半導体装置の製造方法により、本開示の半導体装置が製造される。第1のめっき層及び第2のめっき層については、樹脂封止を行なう前及び後のいずれにおいて形成しても良い。尚、工程bは、第1の領域が開口された第1のマスクを形成する工程と、第2の領域が開口された第2のマスクを形成する工程との少なくとも一方を含んでいても良い。つまり、第1のめっき層が形成される領域及び第2のめっき層が形成される領域の少なくとも一方は、マスクを用いて決められても良い。また、第1のめっき層と、第2のめっき層とは、ダイパッドの第2の面における異なる領域を覆っても良い。また、第1のめっき層は、第2のめっき層の一部の上に積層されても良い。このようにして、第1のめっき層と第2のめっき層とが異なる領域を多う場合及び第1のめっき層が第2のめっき層上に積層される場合に対応することができる。本開示の半導体装置とその実装体及び製造方法によると、ダイパッドの裏面上において半導体チップが封止された構造の半導体装置を回路基板上に実装する構造において、半導体装置と回路基板との間の接続材料中に発生するボイドを低減し、放熱性を改善することができる。以下、本開示の半導体装置とその実装体及び製造方法の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1a及びbは、本実施形態の半導体装置50について説明する図である。図1aは、半導体装置50が回路基板14上に実装された実装体の断面を模式的に示す。また、図1bは、半導体装置50をダイパッド1の裏面半導体チップ2の搭載される面とは反対側の面側から見た模式的な平面図である。尚、図1a及びbはいずれも模式図であって、各構成要素の寸法等は必ずしも対応していない。図1aに示す通り、半導体装置50において、鉄及びニッケルを主成分とする合金である金属材料及び銅を主成分とする合金である金属材料からなるダイパッド上に、レジン又は銀ペースト等の接着剤5により、シリコン等からなる半導体チップ2が固定されている。半導体チップ2は、複数の金属細線6を介して、ダイパッド1の周囲に配置された複数のインナーリード7に対して電気的に接続されている。各インナーリード7には、アウターリード8がそれぞれ一体に連結されており、インナーリード7及びアウターリード8によりリードが構成されている。ダイパッド1、接着剤5、金属細線6及びインナーリード7は、樹脂封止体10によって封止されている。樹脂封止体10は方形の平板状に形成され、その各辺からそれぞれアウターリード8が導出されている図1bを参照。アウターリード8は、リード部めっき層9によって覆われている。また、図1bにも示す通り、ダイパッド1の裏面は樹脂封止体10には覆われず、当該裏面にめっき層が設けられている。めっき層は、ダイパッド1の裏面の中央付近に設けられている第1のめっき層3と、その周囲に設けられている第2のめっき層4とを含む。このような半導体装置50は、回路基板14上の所定位置にマウントされ、半田材料等の接続材料11を用いて接続実装される。ガラスエポキシ等の絶縁材料からなる回路基板14の表面又は内部図1aの例では内部に、アウターリード8との電気的接続を行なうための配線層13と、ダイパッド1の裏面に接続され、放熱性を向上するための放熱層12とが設けられている。実装の際には、配線層13上にアウターリード8、放熱層12上にダイパッド1が配置され、それぞれ接続材料11を例えば約260°Cに加熱して溶融することにより接続される。ここで、ダイパッド1の裏面に設けられた第1のめっき層3及び第2のめっき層4について、異なるめっき層を用いることにより、互いに異なる融点を有するようにすることができる。これにより、半導体装置50を回路基板14に実装する際、融点が異なる第1のめっき層3及び第2のめっき層4は、接続材料11との接合に要する時間が異なるようになる。このような時間差が生じるので、加熱によりダイパッド1の中央部に位置する第1のめっき層3が先に溶融し、更に加熱することで周縁部に位置する第2のめっき層4が溶融することにより接合が進行する。従って、接続材料11である半田材料に含まれるフラックスから発生した揮発性ガスを逃がすことができる。この結果、接続材料11中のボイドが減少するので、半導体チップ2から発生した熱を回路基板14の放熱層に効率良く熱伝導させすることができる。つまり、半導体装置50が回路基板14に実装された実装体において、放熱性を向上させることができる。これについて、図2a及びbを参照して更に説明する。また、第1のめっき層3及び第2のめっき層4が、実装時に接続材料11と反応して接続材料11よりも低融点になることについて説明する。図2aは、実装を行なうために半導体装置50を回路基板14上にマウントした状態を示す模式的な断面図である。但し、回路基板14の放熱層12上に、接続材料11を介して、第1のめっき層3及び第2のめっき層4が形成されたダイパッド1の裏面が配置されていることを拡大して示し、他の構成要素の図示は省略している。また、図2aでは、回路基板14上に放熱層12が設けられた例を示している。この時点では、接続材料11上に第1のめっき層3及び第2のめっき層4が接しているだけであり、接続はされていない。本実施形態において、第1のめっき層3は、ビスマス又はビスマス合金めっきである。また、第2のめっき層4は、パラジウムめっき例えば、ニッケルめっき上に、パラジウムめっき及びパラジウム合金めっきを施し、更に、場合によって金フラッシュめっきを施したものである。接続材料11は、一般的な鉛フリー半田である錫、銀及び銅の合金とフラックスとを含む半田材料融点は例えば約217°Cである。尚、第1のめっき層3の融点は例えば約270°Cである。また、第2のめっき層4については、最表面が金であることから半田材料が溶融すると濡れ広がるので、約217°Cにて接続される。図2bは、図2aのようにマウントした後、接続のための加熱を行なっている状態を示す。この際、常温から例えば260°C程度まで加熱することにより、接続材料11としての半田材料を溶融させて接続を行なう。加熱により、最初に、第1のめっき層3に含まれるビスマスと、接続材料11に含まれる錫とが反応し、これらの錫及びビスマスを含む第1の反応層15を形成する。第1の反応層15の融点は例えば139°Cであり、接続材料11の融点よりも低い温度において溶融する。溶融した第1の反応層15は、ダイパッド1の裏面に濡れ広がる。また、ビスマス又はビスマスを含む第1のめっき層3と接続材料11とが溶融して混ざることにより、接続材料11に含まれるフラックスから揮発性ガス20が発生し、ボイドとなる。発生した揮発性ガス20は、ダイパッド1の裏面に溶融した第1の反応層15が濡れ広がっているので、未反応の第2のめっき層4側にまだ接続されていない第2のめっき層4と接続材料11との隙間に移動することができる。その後、更なる加熱により、第2のめっき層4に含まれるパラジウムと接続材料11とが反応して、第2の反応層16が形成される。第2の反応層16の融点は、第1の反応層15の融点よりも高く、接続材料11である半田材料の融点約217°Cにおいて溶融する。第2の反応層16は、第1の反応層15に続いて溶融し、ダイパッド1の裏面に濡れ広がる。この結果、第1の反応層15から押し出された揮発性ガス20は、更に、接続材料11の外側にまで押し出される。以上のようにして、接続材料11に含まれるフラックスから発生した揮発性ガスは、接続材料11の外に押し出される。従って、接続材料11内におけるボイドの発生を抑えることができるので、半導体チップ2において発生した熱を回路基板14の放熱層12まで効率良く伝導させることができる。第1のめっき層3及び第2のめっき層4と、第1の反応層15及び第2の反応層16とは、実装工程が完了した時点においては接続材料11内に拡散されて一体化する。この状態を、図2cに示す。尚、図1aにおいて、第1のめっき層3及び第2のめっき層4を個別に図示しているが、実装工程の後には、接続材料11中に拡散されて一体化している。アウターリード8を覆うリード部めっき層9についても、配線層13上の接続材料11と接する部分については同様に当該接続材料11と一体化することになる。更に、後に説明する図8、図9等においても同様である。また、実装時の加熱により、ダイパッド1裏面の第1のめっき層3に含まれるビスマスは、半田材料である接続材料11内に拡散する。このように半田材料内にビスマスが拡散することにより、接続材料11の強度が向上し、信頼性が向上する。尚、第1のめっき層3としては、ビスマス又はビスマス合金の他に、インジウム又はインジウム合金を用いても良いし、亜鉛又は亜鉛合金を用いても良い。錫を成分とする半田材料と混ざった際に、半田材料自体の融点よりも低い融点を示す材料からなるめっき層であれば、第1のめっき層3として使用できる。また、第1のめっき層3及び接続材料11を基に形成される第1の反応層15の融点が、第2のめっき層4及び接続材料11を基に形成される第2の反応層16の融点よりも低くなるように、第1のめっき層及び第2のめっき層4の材料を選択する。第2のめっき層4としては、Agめっき、Cuめっき及びNi/Auめっき等を用いることもできる。次に、図3a~dには、半導体チップ2が搭載されたダイパッド1の裏面における第1のめっき層3及び第2のめっき層4の構成について示している。図3a及びbは、ダイパッド1の裏面のうち中央付近に第1のめっき層3が例えば蒸着又は電界めっきにより選択的に形成され、その周囲に第2のめっき層4が選択的に形成されている例を示す断面図及び裏面からの平面図である。つまり、図1a及びb、図2a及びbに示すのと同様の構造を示している。これに対し、図3c及びdは、ダイパッド1の裏面全体に第2のめっき層4が形成されると共に、当該第2のめっき層4上に積層して、中央付近に第1のめっき層3が形成されている例を示している。第1のめっき層3及び第2のめっき層4は、例えばこのようないずれの配置であっても良い。次に、図4a~cに、半導体装置50のダイパッド1を裏面側から見た構成の例を示す。図4a~cにおいて、半導体チップ2の配置箇所を破線にて示している。半導体チップ2において発生した熱を、ダイパッド1を介して回路基板14の放熱層12に効率良く熱伝導させるためには、半導体チップ2の配置箇所の下方において、接続材料11内のボイド発生を抑えることが重要である。これを実現するには、例えば図4aのように、第1のめっき層3が、平面視において半導体チップ2よりも面積が広く且つ半導体チップ2の配置箇所を含むように設けられるのが良い。図4bには、ダイパッド1上に複数の半導体チップ2が配置される例を示している。このような場合にも、それぞれの半導体チップ2に対応して、配置箇所を含むように、第1のめっき層3を形成する。尚、図4bでは、それぞれ1つずつ半導体チップ2の配置箇所を含むように第1のめっき層3が複数箇所2箇所に分かれて設けられている。これに対し、図4cに示すように、1つの第1のめっき層3が複数の半導体チップ2の配置箇所を含むように形成されていても良い。以上のように、第1のめっき層3として、半導体チップ2の配置箇所の面積以上の面積を確保することにより、放熱性に優れた半導体装置を実現できる。以下、半導体装置50におけるダイパッド1の裏面の構造について更に説明する。図5a及びbは、ダイパッド1の裏面に凹部21を設けることについて説明する断面図である。一般に、半導体装置の製造工程において、ダイパッド1における樹脂封止体10に覆われない裏面が加熱されることがある。例えば、ダイパッド1上に接着剤5を用いて半導体チップ2を接続するダイボンド工程では、例えば約200°Cに加熱される。また、半導体チップ2とインナーリード7とを金属細線6によって接続するワイヤーボンド工程では、例えば約250°Cに加熱される。更に、封止樹脂を用いて樹脂封止体10を形成する封止工程では、例えば約200°Cに加熱される。これらの工程において、ダイパッド1の裏面に直接ヒータープレートを接触させて加熱を行なう。従って、図5bに示すような凹部21の無い構造図1a等に示す構造のダイパッド1である場合、第1のめっき層3及び第2のめっき層4の表面において、ヒータープレート17が接触して加熱されることにより、酸化膜の形成が加速される。特に、第1のめっき層3の表面において酸化膜が厚くなると、半導体チップ2の配置箇所において、半導体装置を回路基板に実装する際にダイパッド1と接続材料11との接合が十分に行なわれず、ボイドの発生等を引き起こす原因となる。そこで、図5aに示すように、ダイパッド1の裏面の中央付近に、凹部21を設ける。これにより、ダイパッド1の厚さは、凹部21の部分において、その周囲よりも小さくなっている。また、第1のめっき層3を、凹部21内に配置する。このようにすると、ヒータープレート17が第1のめっき層3に直に触れるのを避けることができるので、第1のめっき層3の表面における酸化膜形成を抑えることができる。従って、半導体装置の実装をより短時間で且つ確実に行なうことができる。尚、凹部21は、第1のめっき層3がヒータープレート17に直に接触しないだけの深さ、例えば20μm以上の深さを有することが望ましい。また、凹部21は、平面視において半導体チップ2の面積よりも大きく、半導体チップ2の配置箇所を含むように形成されていることが望ましい。これにより、半導体チップ2の配置箇所においてボイドの発生等を抑え、放熱性を向上させることができる。凹部21の形状については特に限定されず、四角形又は円形等、自由に選択可能である。次に、図6a及びbは、ダイパッド1の裏面に放射線状の溝22を設けることについて説明する図である。ダイパッド1を裏面から見た平面図を図6a、そのVIbVIb線による断面図を図6bに示す。図6bに示す通り、ダイパッド1を裏面のうち半導体チップ2の配置箇所よりも外側に、複数の溝22を放射線状に設けても良い。このようにすると、半導体装置50を接続材料11により回路基板14上に実装する際、発生した揮発性ガスを逃がすための経路として溝22を利用することができる。従って、接続材料11の外に効率良く揮発性ガスを押し出すことができるので、ボイドの発生を抑制し、半導体チップ2から放熱層12への熱伝導性を向上させることができる。結果として、半導体装置50の特性を維持し、更には向上することができる。溝22は、図6bに示すように、ダイパッド1を裏面の外側ほど深くなっているのが良い。これにより、より確実に揮発性ガスを逃がすことができる。また、複数の溝22を放射線状に配置すると、揮発性ガスを逃がす経路を短くすることができるので、望ましい。尚、揮発性ガスを逃がす目的においては、溝22を極力ダイパッド1の外周端に近い位置にまで設けるのが良い。しかしながら、溝22がダイパッド1の外周端にまで達していると、実装の際に溶融した接続材料11がダイパッド1よりも外側にはみ出し、キャピラリーボール等の不良を発生させる原因となる。また、封止工程において溝22に封止樹脂が入り込むことも考えられる。これらのことを避けるために、溝22がダイパッド1の外周端に達するを避ける方が良い。また、溝22は、半導体チップ2の配置箇所内には設けないことが望ましい。これは、溝22を設けるとダイパッド1の厚さに変化が生じるので、このことの熱伝導に対する影響及び接続性に対する影響を避けるためである。次に、図7には、ダイパッド1を裏面のうち半導体チップ2の配置箇所よりも外側に、複数の小さな窪みディンプル23を設けることについて示している。ダイパッド1の裏面が樹脂封止体10に覆われない構造の半導体装置50を回路基板14に実装する際、回路基板14上に半田材料である接続材料11を塗布する。例えば印刷工法により半田材料を供給すると、回路基板14の放熱層12上及び配線層13上における接続材料11の高さを同じにすることができる。しかしながら、図8に示す半導体装置50の実装体におけるスタンドオフ24については、製造の過程において、約±50μmのバラツキが生じる。スタンドオフとは、半導体装置50の樹脂封止体10の最下面と、回路基板14の上面との距離である。このようなバラツキに対応して、確実に実装を行なうために、スタンドオフ24が最も高い状態を想定して接続材料11が供給される。従って、最も高く想定された高さよりもスタンドオフ24が低い場合には、放熱層12上の接続材料11は供給過多になる。余分な接続材料11は放熱層12とダイパッド1との間から溢れ出し、回路基板14上に広がるので、アウターリード8間にショートを発生させる原因になる。また、溢れ出した接続材料11の表面張力によって半導体装置50が持ち上げられ、アウターリード8と配線層13とが接続されない実装不良の原因にもなる。そこで、図7に示すように、ダイパッド1の裏面のうち半導体チップ2の配置箇所よりも外側に、複数のディンプル23を設ける。このようにすると、ダイパッド1の裏面の表面積が増加するので、供給過多となった接続材料11を吸収することができる。これにより、接続材料11の供給過多に起因する実装不良を減少させることができる。尚、ディンプル23は、実装時に発生する揮発性ガスの揮発経路を複雑化させて、ボイドを増加させる原因となりうる。従って、ダイパッド1の裏面のうち、半導体チップ2の配置箇所には設けないようにするのが良い。また、ディンプル23と共に溝22を形成して、揮発性ガスを逃がす経路を確保することが望ましい。次に、接続材料11の具体的材料について説明する。近年、鉛を用いない接続材料が要望されており、且つ、二酸化炭素の排出量の抑制や消費電力の削減の観点から、融点の低い接続材料が要望されている。そこで、本開示の接続材料11には、鉛フリー半田として、錫を主成分として銀及び銅を添加したもの、錫を主成分としてビスマス及びインジウムの少なくとも一方を添加したもの、及び、錫を主成分として亜鉛を添加したもの等を用いるのが良い。また、鉛を用いない接続材料11には、前記の環境保護の観点以外に、実装の信頼性向上においても効果がある。仮に、接続材料11として鉛及び錫を含む半田材料を用いた場合、第1のめっき層3としてビスマス及びビスマス合金のめっきを形成すると、実装時には錫、鉛及びビスマスの合金が形成される。このような合金は、非常に低い融点例えば98°Cを有するので、信頼性を大きく低下させる原因となる。これを避けるために、鉛を含まない接続材料11を用いることが望ましい。また、図1a、図2a及びb等に示しているように、回路基板14の放熱層12の面積と、ダイパッド1の面積とを同一にしている。これらの面積が同一でない場合、実装の信頼性を低下させる原因になる。例えば、図9の比較例に示すように、ダイパッド1の面積が放熱層12の面積よりも大きい場合を考える。このような場合、製品の使用環境において繰り返される温度サイクル等によって接続材料11に発生する応力は、回路基板14と接続材料11の接合部25に集中する。このことが実装の信頼性を低下させる。従って、これを避けるために、回路基板14の放熱層12の面積と、ダイパッド1の面積とを同一にするのが良い。半導体装置の製造方法次に、半導体装置50の製造方法、特に、樹脂封止体10に覆われていないダイパッド1の裏面に複数のめっき層を形成することについて説明する。ダイパッド1の裏面に対するめっき層の形成は、半導体チップ2の搭載、樹脂封止体10の形成等よりも先に行なっても良い。この場合の一例として、まず、銅を主成分とする金属材料と、銅合金を主成分とする金属材料とからなり且つダイパッド1及びリードを有するリードフレームを準備し、その全面に、ニッケル、パラジウム、金の順にめっきを積層する。図10aには、このようにしてダイパッド1の両面の全面に、第2のめっき層4が形成された状態を示す。次に、図10bに示すように、ダイパッド1の裏面に対し、所定の領域が選択的に開口されたマスク31を形成し、当該領域に対して第1のめっき層3例えばビスマスを含むめっき層を形成する。これにより、ダイパッド1の裏面全面に設けられた第2のめっき層4と、その中央付近の領域上に積層された第1のめっき層3とが得られる。この後、マスク31を除去する。このように、マスキングを利用すると共にめっき層の蒸着を繰り返すことにより、ダイパッド1の裏面における各々所定の領域に複数のめっき層を形成する。この後、図10cに示すように、ダイパッド1の搭載面第2のめっき層4が形成された面とは反対側の面。尚、図10cでは、図10a及びbに対してダイパッド1を裏返して示している上に、シリコン等からなる半導体チップ2を接着剤5によって固定する。これにより、図3c及びdに示したのと同様の構造が得られる。尚、接着剤5としては、レジン又は銀ペースト等が利用できる。続いて、金属細線6を用いて、半導体チップ2と複数のインナーリード7とを電気的に接続する。更に、封止樹脂を用いて、半導体チップ2、金属細線6及びインナーリード7等を封止する樹脂封止体10を形成する図1a等を参照。この際、それぞれのインナーリード7と一体に形成されたアウターリード8は樹脂封止体10の外に導出され、ダイパッド1の裏面は覆わないように樹脂封止体10を形成する。以上により、半導体装置50が製造される。また、ダイパッド1の裏面に対するめっき層の形成は、樹脂封止体10を形成した後に行なっても良い。この場合の一例として、まず、鉄及びニッケルを主成分とする金属材料と、銅を主成分とする金属材料とからなるリードフレームを準備し、そのダイパッド1の裏面に、図11aに示すように、シリコン等からなる半導体チップ2を接着剤5によって固定する。接着剤5としては、レジン又は銀ペースト等が利用できる。次に、図11bに示す工程を行なう。ここでは、金属細線6を用いて、半導体チップ2と複数のインナーリード7とを電気的に接続する。更に、封止樹脂を用いて、半導体チップ2、金属細線6及びインナーリード7等を封止する樹脂封止体10を形成する。この際、それぞれのインナーリード7と一体に形成されたアウターリード8は樹脂封止体10の外に導出され、ダイパッド1の裏面は覆わないように樹脂封止体10を形成する。この後、マスキングを利用して、ダイパッド1の裏面の所定領域にめっき層を形成する。例えば、図11cに示すように、ダイパッド1の裏面のうち、中央付近にマスク32を形成し、その周囲の部分に、第2のめっき層4例えばパラジウムめっきを形成する。続いて、マスク32を除去した後、図11dに示すように、第2のめっき層4上を覆うマスク33を形成して、その開口部分に第1のめっき層3ビスマスめっきを形成する。このような方法によっても、半導体装置50を製造することができる。尚、凹部21、溝22及びディンプル23については、めっき層の形成、半導体チップ2の配置等を行なう前に、あらかじめダイパッド1の裏面に形成しておく。例えば、リードフレームの製作工程において、エッチングフレームであればハーフエッチ、プレスフレームであればパンチングを行ない、溝22、ディンプル23を形成する。