"基板上にはんだ接合により半導体素子を実装した半導体装置の検査装置において、前記半導体素子にON電圧を印加する電源供給部と、前記半導体素子にON電圧を印加したときに、前記半導体素子に短絡電流を通電させる短絡回路と、はんだ接合部に生じるボイドのサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係から予め設定された所定時間だけ前記半導体素子に短絡電流を通電する制御手段と、を備えたことを特徴とする半導体装置の検査装置。前記制御手段は、前記半導体装置に規定される短絡耐量時間だけ前記半導体素子に短絡電流を通電し、その後、前記所定時間だけ前記半導体素子に短絡電流を通電することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の検査装置。前記半導体装置を当該半導体装置の使用温度に昇温し、保温した状態で前記半導体素子に短絡電流を通電することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の検査装置。基板上にはんだ接合により半導体素子を実装した半導体装置の検査方法において、前記半導体素子にON電圧を印加したときに、前記半導体素子に短絡電流を通電させる短絡回路を前記半導体素子に形成し、前記はんだ接合部に生じるボイドのサイズと短絡耐量時間との関係から予め設定された所定時間だけ前記半導体素子に短絡電流を通電することを特徴とする半導体装置の検査方法。しかしながら、上述したX線透過等の断層撮影による方法では、はんだ部とボイド部の割合が撮影する断面の位置や二値化処理の閥値等によって変化するために一定の検出精度を保つことが容易でなく、高価な機材が必要であるため、導入は容易ではない。また、上述したPN接合を有する半導体電子部品のはんだ接合部の検査方法は、半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無や位置を検査する場合には適用できるものではない。本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無や位置を精度よく検出することが可能な半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、基板上にはんだ接合により半導体素子を実装した半導体装置の検査装置において、前記半導体素子にON電圧を印加する電源供給部と、前記半導体素子にON電圧を印加したときに、前記半導体素子に短絡電流を通電させる短絡回路と、はんだ接合部に生じるボイドのサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係から予め設定された所定時間だけ前記半導体素子に短絡電流を通電する制御手段と、を備えたことを特徴とする。上記構成によれば、半導体素子の破壊の有無により、半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無及び位置を検査できる。この方法は、特殊な機材を利用することなく低コストで容易に実行可能である上、測定毎のばらつきが極めて小さく、容易に高精度で検査できる。上記構成において、前記制御手段は、前記半導体装置に規定される短絡耐量時間だけ前記半導体素子に短絡電流を通電し、その後、前記所定時間だけ前記半導体素子に短絡電流を通電してもよい。上記構成によれば、1回目の短絡電流の通電による半導体素子の破壊の有無から、半導体素子の欠陥の有無を検査でき、2回目の短絡電流の通電による半導体素子の破壊の有無から、半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無及び位置を検査できる。検査を2段階に分けることにより、半導体素子の異常か、半導体素子の実装時の異常かを分別でき、どの工程で異常が発生したかを確認できる。また、1回目の短絡電流の通電によって半導体装置が発熱するため、2回目の短絡電流の通電でのボイドの検出感度が上がる。上記構成において、半導体装置を当該半導体装置の使用温度に昇温し、保温した状態で前記半導体素子に短絡電流を通電してもよい。上記構成によれば、実際の使用環境に近い条件で検査できるので、半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無及び位置を効果的に検出できる。また、半導体装置を保温するため、ボイドの検出感度を上げることができる。また、本発明は、基板上にはんだ接合により半導体素子を実装した半導体装置の検査方法において、前記半導体素子にON電圧を印加したときに、前記半導体素子に短絡電流を通電させる短絡回路を前記半導体素子に形成し、前記はんだ接合部に生じるボイドのサイズと短絡耐量時間との関係から予め設定された所定時間だけ前記半導体素子に短絡電流を通電することを特徴とする。上記構成によれば、半導体素子の破壊の有無により、半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無及び位置を検査できる。この方法は、特殊な機材を利用することなく低コストで容易に実行可能である上、測定毎のばらつきが極めて小さく、容易に高精度で検査できる。本発明によれば、半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無及び位置を、高価な機材を必要としない方法によって、容易に高精度で検査できる。また、1回目の短絡電流の通電により、半導体素子の欠陥の有無を検査でき、2回目の短絡電流の通電により、半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無及び位置を検査できる。検査を2段階に分けることにより、半導体素子の異常か、半導体素子の実装時の異常かを分別でき、どの工程で異常が発生したかを確認できる。また、1回目の短絡電流の通電によって半導体装置が発熱するため、2回目の短絡電流の通電でのボイドの検出感度が上がり、半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドをより精度良く検査できる。また、実際の使用環境に近い条件で検査できるので、半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無及び位置を効果的に検出できる。また、半導体装置を保温するため、ボイドの検出感度が上がり、半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドをより精度良く検査できる。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、以下の説明では、パワー半導体装置として、直流を交流に変換する電力変換装置たるインバータ装置のアームを例示し、当該アームを被試験デバイスいわゆる、DUTとして検査する検査装置について説明する。図1は、本実施形態に係る検査装置1の検査対象としてのアーム2を模式的に示す断面図である。図2は、アーム2を模式的に示す断面図である。検査装置1は、図1に示すように、インバータ装置が備える1相分のアーム2を検査する装置である。アーム2は、逆並列接続されたダイオード4を有する2つのスイッチング素子半導体素子6を直列接続して構成されており、電位が高圧側P側のラインと、低圧側N側のラインとの間に接続され、アーム2の中点Pから出力が得られる。スイッチング素子6には、パワー半導体素子の一例たるIGBTが用いられている。アーム2は、パワーモジュールに組み込む前のベアチップ状態で検査される。スイッチング素子6が実装される基板3は、図2に示すように、セラミックス層31、銅箔32,33、及び、銅箔33にはんだ接合部35を介して接合された放熱ベース部36を有し、銅箔32にはスイッチング素子6がはんだ接合部34により接合されている。セラミックス層31は熱伝導性の高いセラミックス材料で構成され、スイッチング素子6が発する熱が銅箔32、セラミックス層31、銅箔33及びはんだ接合部35を経て、所定厚さの銅板等からなる放熱ベース部36に伝えられ、放熱される。スイッチング素子6は、アーム2の周囲を囲む樹脂ケースに設けられた外部端子不図示と、導電ワイヤたるアルミニウム製のワイヤ37,38により電気的に接続されている。ワイヤ37はエミッタ又はコレクタ端子に接続されて主要電流を通電する通電線であり、ワイヤ38はベース端子に接続されて信号を入力する信号線である。ところで、スイッチング素子6の材料となるシリコンウエハの状態での結晶格子に潜在的な欠陥例えば、孔がある場合や、スイッチング素子6にワイヤ37,38を接合する際ワイヤボンディング行程にスイッチング素子6に傷が生じた場合、ワイヤ37,38の接合不良がある場合に、スイッチング素子6に短絡電流が流れると、パワーモジュールの仕様に規定する短絡耐量時間内であっても、スイッチング素子6が破壊することがある。なお、スイッチング素子6の潜在的な欠陥、ワイヤボンディング行程で生じるスイッチング素子6の損傷、ワイヤ37,38の接合不良を、以下単に欠陥と言う。また、一般にはんだ接合部34,35には、ボイド20が発生することがある。はんだ接合部34,35にボイド20があると、ボイド20部分の放熱経路が寸断されることとなり、ボイド20がない部分に比べ温度が上昇する。スイッチング素子6は、温度上昇によって熱暴走を起こす特性があり、それにより破壊されるおそれがある。そこで、本実施形態では、検査装置1により、スイッチング素子6の欠陥を検査するとともに、アーム2の耐久性能に影響を与えるボイド20の有無や位置を検査する。検査装置1は、図1に示すように、検査装置1の全体を中枢的に制御する制御部制御手段11と、制御部11の制御に従ってスイッチング素子6に通電する電源部電源供給部12と、この電源部12の高圧側に接続されるP側バスライン13と、低圧側に接続されるN側バスライン14とを備え、これらP側バスライン13及びN側バスライン14にアーム2が電気的に接続されている。制御部11は、図示しないCPU、CPUが実行する制御プログラム及び各種設定値のデータ等を記憶したROM、CPUが処理するプログラムやデータを一時的に記憶するRAM等を備え、CPUが制御プログラムを実行することによって検査装置1の各部を制御する。一のスイッチング素子6本実施形態では、P側には、ゲート端子に制御信号としてのゲート電圧を与えて駆動するゲートドライブ回路GDが接続されている。他のスイッチング素子6本実施形態では、N側には、コレクタ-エミッタ間を短絡させる短絡回路15が設けられている。また、検査装置1は、一のスイッチング素子6に流れる電流コレクタ電流Icを測定する電流測定器16と、アーム2を所定温度に昇温して保温する保温手段不図示とを備えている。制御部11は、保温手段によってアーム2を所定温度に保温した状態で、電源部12により、第1の時間t1だけスイッチング素子6にON電圧を印加して短絡電流を通電し、スイッチング素子6の破壊の有無によってアーム2の欠陥を検査する第1の検査と、第1の検査の後、電源部12により、第2の時間所定時間t2だけスイッチング素子6にON電圧を印加して短絡電流を通電し、スイッチング素子6の破壊の有無によってボイド20の有無を検査する第2の検査とを行う。制御部11は、第1の検査で上昇したスイッチング素子6の温度が下がりきる前に、第2の検査を行う。制御部11は、第1の時間t1、第2の時間t2、及び第1の時間t1と第2の時間t2の間の待機時間Δtを予めROMに記憶している。第1の時間t1は、パワーモジュールの設計上短絡する可能性のある時間であって、パワーモジュールアーム2の仕様に規定される短絡耐量時間、例えば、略3μ秒~6μ秒に設定される。短絡電流の通電時間が短絡耐量時間であれば、アーム2の発熱がスイッチング素子6に留まる。本実施形態では、アーム2の発熱をスイッチング素子6に留まらせるべく、第1の時間t1を略4μ秒としている。一方、第2の時間t2は、予め取得したボイド20のサイズ及び位置と短絡時に破壊に至る時間短絡耐量時間との関係に基づいて、アーム2の要件を満たすボイド20のサイズ及び位置を検出可能な時間として設定される。図3は、ボイド20のサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係を取得する行程を示す説明図であり、図3Aはボイド20の形成行程を、図3Bはボイド20が形成されたはんだ41を、図3Cははんだ付け行程を示す図である。まず、図3Aに示すように、シート状のはんだ41の任意の位置に、先端が任意のポンチ径であるポンチ42を打ち付け、図3Bに示すように、はんだ41に所定サイズの孔41Aを空ける。次に、図3Cに示すように、放熱ベース部36上に孔を空けていないはんだ43を介して基板3を配置し、基板3上に孔41Aを空けたはんだ41を介してスイッチング素子6を配置する。基板3やスイッチング素子6の傾きを調整するため、必要であればスイッチング素子6の上に錘不図示を載せる。そして、この積層体をリフロー炉不図示に入れてリフロー加熱することにより、基板3、スイッチング素子6、及び放熱ベース部36がはんだ接合部34,25を介して接合されアーム2を形成する。このとき、通常ボイド除去を目的として行うはんだ溶融温度以上での真空引きは行わずに、アーム2を冷却する。これにより、はんだ41の孔41Aを空けた部分には、リフロー加熱によりはんだが溶融しても広がらず、はんだ41の孔41Aがポンチ径と略同一の大きさのボイド20となる。このように形成したアーム2を図1に示す検査装置1に接続し、短絡電流を印加して、スイッチング素子6が破壊に至った通電時間短絡耐量時間を測定する。また、ボイド20のサイズボイド径及び位置を変えて、ボイド20のサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係を取得する。ボイド20のサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係を取得する際に、サーモビューワ等の温度センサを用い、スイッチング素子6の温度を測定すると、信号入力のためのワイヤ38の接合部では、主要電流が通電されるワイヤ37の接合部に比べ、発熱が小さい。したがって、ワイヤ38の接合部直下のボイド22は、ワイヤ37の接合部直下のボイド21に比べ、耐久性能に与える影響が小さい。そこで、本実施形態では、ワイヤ37の接合部直下に形成したボイド21のサイズと短絡耐量時間との関係に基づき第2の時間を設定している。図4は主要電流が通電されるワイヤ37の接合部直下に形成したボイド21のサイズと短絡耐量時間との関係を示すグラフであり、図5は図4の関係をボイド率と短絡耐量との関係として示すグラフである。図中、横軸はボイド径サイズ、縦軸は短絡耐量時間である。また、Aは実測データの平均、Bは99.7信頼区間、Cは実測データの近似曲線を示す。図4及び図5に示すように、ボイド径が大きくなるほど、すなわち、ボイド率が高くなるほど、短絡耐量時間は短くなる。本実施形態では、例えば、ボイド率5を不良品とすべく、短絡耐量を略12μ秒としている。以下、アーム2の検査方法について説明する。図6は、検査装置1による検査方法を示すフローチャートである。まず、アーム2は、検査装置1に接続され、検査装置1の保温手段によってアーム2の使用温度、例えば、120~160°Cの所定温度に昇温されて保温される。これにより、実際の使用環境に近い条件で検査できるので、アーム2としての耐久性能に影響を与えるボイド20の有無及び位置を効果的に検出できる。また、アーム2を保温するため、ボイド20の検出感度が上がり、アーム2としての耐久性能に影響を与えるボイド20をより精度良く検査できる。図6に示すように、検査装置1の制御部11は、電源部12を制御して、第1の時間t1だけスイッチング素子6に短絡電流を通電するステップS1。このとき、制御部11は、電流測定器16が計測した電流Icと通電時間を監視している。次いで、制御部11は、短絡電流によってスイッチング素子6が破壊されたか否か判定するステップS2。ここで、本実施形態では、制御部11は、図示しないサーモビューワ等の温度センサを用い、スイッチング素子6の温度を測定し、スイッチング素子6の温度が所定の破壊温度Tbに到達した場合に、スイッチング素子6が破壊したと判定する。スイッチング素子6が破壊された場合ステップS2:Yes、制御部11は、スイッチング素子6に欠陥があるとして、処理を終了する。これらのステップS1,S2の処理が第1の検査である。スイッチング素子6が破壊されなかった場合ステップS2:No、制御部11は、第1の時間t1から待機時間Δtだけ経過した後に、電源部12を制御して、第2の時間t2だけスイッチング素子6に短絡電流を通電するステップS3。このとき、制御部11は、ステップS1と同様に、電流Ic及び通電時間を監視している。次いで、制御部11は、短絡電流によってスイッチング素子6が破壊されたか否か判定し、処理を終了するステップS4。ここで、本実施形態では、ステップ2と同様に、制御部11は、スイッチング素子6の温度が所定の破壊温度Tbに到達した場合に、スイッチング素子6が破壊したと判定する。ここで、ボイド20のサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係はデータベースとして取得しているため、設定した第1の時間t1から、ボイド20のサイズ及び位置を推定できる。また、破壊に至った時間を取得しておけば、その時間から、ボイド20のサイズ及び位置をより精度良く推定できる。これらのステップS3,S4の処理が第2の検査である。このように、ボイド20のサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係から予め設定された第1の時間t1だけ短絡電流を通電することで、熱抵抗測定では検査できない耐久性能に影響を与えるボイド20のサイズと位置を、X線透過装置等の高価な機材を用いることなく、精度良く安価に検査できる。第1の検査を第2の検査の前に行うことで、スイッチング素子6の欠陥による破壊か、ボイド20による破壊かを判別することができるので、どの工程で異常が発生したかを容易に確認できる。図7は、検査装置1による検査工程を示す説明図である。図中、横軸は時間、縦軸はスイッチング素子6の温度である。また、Dは良品のスイッチング素子6のデータ、Eは耐久性能に影響を与えるボイド20を有するスイッチング素子6のデータを示す。良品のスイッチング素子6に第1の時間t1及び第2の時間t2だけ短絡電流を通電した場合、その温度は上昇するものの破壊温度Tbに到達しない。一方、耐久性能に影響を与えるボイド20を有するスイッチング素子6に第1の時間t1だけ短絡電流を通電してもその温度は破壊温度Tbに到達しないが、第2の時間t2の間短絡電流を通電するとその温度は破壊温度Tbに到達し、スイッチング素子6が破壊される。以上説明したように、本実施形態によれば、スイッチング素子6にON電圧を印加する電源部12と、スイッチング素子6にON電圧を印加したときに、スイッチング素子6に短絡電流を通電させる短絡回路15と、はんだ接合部34,35に生じるボイド20のサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係から予め設定された所定時間だけスイッチング素子6に短絡電流を通電する制御部11と、を備える構成とした。この構成により、アーム2としての耐久性能に影響を与えるボイド20の有無及び位置を、高価な機材を必要としない方法によって、容易に高精度で検査できる。また、本実施形態によれば、制御部11は、アーム2に規定される短絡耐量時間だけスイッチング素子6に短絡電流を通電し、その後、所定時間だけスイッチング素子6に短絡電流を通電する構成とした。この構成によれば、1回目の短絡電流の通電により、スイッチング素子6の欠陥の有無を検査でき、2回目の短絡電流の通電により、アーム2としての耐久性能に影響を与えるボイド20の有無及び位置を検査できる。検査を2段階に分けることにより、スイッチング素子6の異常か、スイッチング素子6の実装時の異常かを分別でき、工程を増やすことなくどの工程で異常が発生したかを確認できる。また、1回目の短絡電流の通電によってアーム2が発熱するため、2回目の短絡電流の通電でのボイド20の検出感度が上がり、アーム2としての耐久性能に影響を与えるボイド20をより精度良く検査できる。また、本実施形態によれば、アーム2を当該アーム2の使用温度に昇温し、保温した状態でスイッチング素子6に短絡電流を通電する構成とした。この構成により、実際の使用環境に近い条件で検査できるので、アーム2としての耐久性能に影響を与えるボイド20の有無及び位置を効果的に検出できる。また、アーム2を保温するため、ボイド20の検出感度が上がり、アーム2としての耐久性能に影響を与えるボイド20をより精度良く検査できる。但し、上記実施形態は本発明の一態様であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能であるのは勿論である。例えば、上記実施形態では、P側のスイッチング素子6に短絡回路15を形成したが、N側のスイッチング素子6に短絡回路15を形成してもよい。また、上記実施形態では、制御部11は、スイッチング素子6の温度が破壊温度Tbに達した場合にスイッチング素子6が破壊されたと判定したが、スイッチング素子6の破壊の判定方法は、これに限定されるものではない。例えば、制御部11は、電流測定器16で測定した電流が第1の時間t1の間に低下、又はゼロになった場合に、スイッチング素子6が破壊したと判定してもよい。また、上記実施形態では、アーム2をアーム2の使用温度である所定温度に保温した状態で検査を行ったが、アーム2を室温で検査してもよい。また、上述した実施形態では、被試験デバイスとしてインバータ装置のアームを検査する検査装置を例示したが、これに限らず、IGBTやMOSFET等のパワー半導体デバイス、及び当該パワー半導体により構成したモジュールデバイスの検査装置として広く用いることができる。"