圧電材料を適用することにより、ナノポアを通るポリマーを制御するための装置を製造する方法であって、導電性流体で充填されたリザーバを形成することと、前記リザーバを分離する膜を形成することと、前記膜を通るナノポアを形成することと、を含み、前記膜は、導電層、圧電層、及び電気絶縁層を含み、電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポアのサイズを制御するよう動作する、前記方法。電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記膜の一部の厚さを制御するよう動作する、請求項1に記載の方法。電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポアを通るポリマーを制御するよう動作する、請求項1に記載の方法。電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポア内のポリマーを固定するよう動作する、請求項1に記載の方法。電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポア内のポリマーを延伸するよう動作する、請求項1に記載の方法。電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポア内のポリマーを切断するよう動作する、請求項1に記載の方法。電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、ポリマーを2つの位置において固定し、前記ポリマーを切断するよう動作する、請求項1に記載の方法。電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、厚さが増大し、前記ナノポアを通る、圧電層により固定されたポリマーを移動させるよう動作する、請求項1に記載の方法。前記ポリマーは、荷電又は非荷電である、請求項8に記載の方法。圧電材料を用いて、ナノポアを通るポリマーを制御するための装置であって、導電性流体で充填されたリザーバと、前記リザーバを分離する膜であって、導電層、圧電層、及び絶縁層を含む、膜と、前記膜を通るナノポアと、を含み、電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポアを通るポリマーを制御するよう動作する、前記装置。電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記膜の一部の厚さを制御するよう動作する、請求項10に記載の装置。電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポア内の前記ポリマーを固定するよう動作する、請求項10に記載の装置。電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポア内の前記ポリマーを延伸するよう動作する、請求項10に記載の装置。電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポア内の前記ポリマーを切断するよう動作する、請求項10に記載の装置。前記ポリマーは、荷電又は非荷電である、請求項10に記載の装置。圧電材料を用いて、ナノポアを通るポリマーを制御するためのシステムであって、導電性流体で充填されたリザーバと、前記リザーバを分離する膜であって、導電層、圧電層、及び電気絶縁層を含む、膜と、前記膜を通るナノポアと、を含む装置と、電圧バイアスと、を含み、前記電圧バイアスが前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポアを通るポリマーを制御するよう動作する、前記システム。前記電圧バイアスが前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記膜の厚さを制御するよう動作する、請求項16に記載のシステム。前記電圧バイアスが前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポア内のポリマーを固定するよう動作する、請求項16に記載のシステム。前記電圧バイアスが前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポア内のポリマーを延伸するよう動作する、請求項16に記載のシステム。前記電圧バイアスが前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、2つの地点において前記ポリマーを固定することにより、特定の位置において前記ポリマーを切断するよう動作する、請求項16に記載のシステム。圧電材料を含む、ナノポアを通るポリマーを制御するための装置を動作させる方法であって、リザーバを分離する、導電層、圧電層、及び電気絶縁層を含む膜を有し、ナノポアが前記膜を通って形成される装置内に、ポリマーを配置することと、電圧を前記圧電層に加えることと、を含み、前記電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポアのサイズを制御するよう動作する、前記方法。前記電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記膜の一部の厚さを制御するよう動作する、請求項21に記載の方法。前記電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポアを通る、圧電層により固定されたポリマーを制御するよう動作する、請求項21に記載の方法。前記電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポア内のポリマーを固定するよう動作する、請求項21に記載の方法。前記電圧が前記圧電層に印加されたとき、前記圧電層は、前記ナノポア内のポリマーを延伸するよう動作する、請求項21に記載の方法。圧電材料を用いて、ナノポアを通るポリマーを制御するための装置、システム及び方法を提供することを目的とする。1つの例示的な実施形態によると、圧電材料を適用することにより、ナノポアを通るポリマーを制御するための装置を製造する方法が提供される。リザーバが、導電性流体で充填された状態で形成される。膜が形成され、該膜はリザーバを分離する。ナノポアが、膜を通って形成される。この膜は、導電層と、圧電層と、絶縁層とを含む。電圧が圧電層に印加されたとき、圧電層は、ナノポアのサイズと、上層と下層との間の相対距離とを制御する。実施形態に従った他のシステム、方法、装置、設計構造体、及び/又は、コンピュータプログラムが、以下の図面及び詳細な説明を吟味することにより当業者にとって明らかであり、又は明らかになるであろう。全てのこうした付加的なシステム、方法、装置、設計構造体、及び/又はコンピュータプログラムが本説明に含まれ、例示的な実施形態の範囲内にあり、添付の特許請求の範囲により保護されることが意図されている。特徴をより良く理解するために、説明及び図面を参照されたい。本発明とみなされる主題は、本明細書の最後にある特許請求の範囲において具体的に示され、明確に特許請求されている。上記の及び他の特徴は、添付図面と併用される以下の詳細な説明から明らかである。ナノポアDNAシーケンシング手法に対する主要な課題の1つは、ナノポアを通るDNAの動きを、正確に、且つ、1つ1つの塩基を検出できるほど十分にゆっくり制御することである。本開示は、圧電材料を用いて、任意の電気的に制御された速度でナノポアを通るDNA又は任意の他のポリマーを固定clampし、移動させる技術及び機構を提供する。例えば、例示的な実施形態は、ナノポア内及び/又はナノポアが作られ膜内に埋め込まれた圧電層を用いて、ナノポアを通るDNA又は任意の他のポリマーの動きを制御する問題に対処する方法を提供する。例示的な実施形態は、圧電材料及び他の材料を通って穿孔されたナノポアに基づいている。例示的な実施形態は、ナノポアを通る、DNA、RNA等のポリマーの動きを制御するように設計されたマイクロ電気機械装置を提供する。本開示において、例示的な実施形態は、圧電材料を、ナノポアを囲む壁の一部として及び/又はナノポアが作られる膜の一部として利用して、ナノポアのサイズを電気的に調整し、ナノポアを通るDNA分子等のポリマーを固定及び解放できるようにする。DNAにかかる電気駆動力及び/又は圧電材料で作られた別の組の部分と組み合わせることにより、例示的な実施形態は、ナノメートルnmの解像度でDNAの動きを制御することができる。圧電材料で作られた部分を用いることにより、ポリマーとナノポアの壁との間の静止摩擦力のみに依存して、ポリマーの固定、解放及び駆動の全てを行なうことができ、このプロセスは、通常、いずれのポリマー荷電又は非荷電のにも適用することができる。ここで図1及び図2を参照すると、図1及び図2は、例示的な実施形態による、ナノポアを通るDNA等のポリマーの動きを促すように、電気駆動力と組み合わされた、圧電材料で作られたナノポアの断面概略図を示す。フィルム101、102及び103を含む膜150が、リザーバ104を2つの部分に分割する。ナノポアと呼ばれるナノメートルサイズの孔105が、膜150を通って形成される。次に、リザーバ104及び孔105が、イオン緩衝液流体106で充填される。膜150のフィルム102は、導電性である必要があり、フィルム101及び103は、フィルム102を導電性イオン緩衝液106から隔離するように、電気絶縁性である必要がある。リザーバ104は、導電性イオン緩衝液106の溶液を保持するように構成された絶縁容器である。円形状の圧電材料107は、孔105の内面内にあり、導電性フィルム102とイオン緩衝液106との間に挟まれている。荷電ポリマー108電荷は、109として示されるが、リザーバ104の2つの部分のイオン緩衝液106中に浸漬された2つの電気化学電極111及び112を介して、孔105の両端に印加された電圧バイアス110により孔105内に装填される。ここで図2を参照すると、図2は、導電性フィルム102とイオン緩衝液106との間に印加された別の電圧バイアス113を示す。電圧バイアス113は、圧電材料107における孔105のサイズを調整して、荷電ポリマー108の固定及び/又は解放を制御することができる。図2に見られるように、ポリマー108を保持するために、円形状の圧電材料107が固定される。電圧バイアス110及び/又は113のいずれかがパルス化された場合、次に、孔105を通して荷電ポリマー108を制御された方法で駆動することができる。図3、図4、図5、図6、図7、図8、図9、及び図10を参照すると、図3、図4、図5、図6、図7、図8、図9、及び図10は、例示的な実施形態による、ナノポアを通るDNA又はいずれかのポリマーの動きを制御するための、幾つかの圧電部分フィルムで作られたナノポアの概略図を示す。図3-図10に示されるナノデバイスは、ポリマー図1及び図2におけるようにを駆動するために、ポリマー211にかかる電気力に依存しないので、このナノデバイスは、非荷電ポリマー211又は荷電ポリマーを含むいずれのポリマーにも適用することができる。ここで図3を参照すると、フィルム201、202、203、204及び205を含む膜250が、リザーバ206を2つの部分に分割する。ナノメートルサイズの孔207が、膜250を通って作られる。次に、リザーバ206及び孔207が、イオン緩衝液流体208で充填される。膜のフィルム202及び204は、導電性であり、膜のフィルム201及び205は、フィルム202及び204を導電性イオン緩衝液208から隔離するように電気絶縁性である。膜のフィルム203は圧電材料で作られる。円形状の圧電材料209及び210が、孔207の内面内にある。円形状の圧電材料209が、導電性フィルム202とイオン緩衝液208との間に挟まれている。円形状の圧電材料210が、導電性フィルム204とイオン緩衝液208との間に挟まれている。ポリマー211は、リザーバ206の2つの部分のイオン緩衝液208中に浸漬された2つの電気化学電極213及び214を介して、孔207の両端に印加される電圧バイアス212により、孔207内に装填することができるポリマー211が荷電の場合。ポリマー211が非荷電の場合、図10に示すように、ポリマー211は、リザーバの2つの部分間の圧力バイアスにより、孔207内に装填することができる。図10において、1つの入口がリザーバ206の上部に形成され、1つの出口がリザーバ206の下部に作られる。2つのプランジャ219及び220を用いて、それぞれ入口と出口を密封する。プランジャ219及び220に加えられた力は、緩衝液208中にあるポリマー211と協働して、緩衝液208を、ナノポア207を通ってリザーバ206の上部からリザーバ206の下部に強制的に流す。電極213と電極214の間のイオン電流の変化から、ナノポア207内のポリマー211の存在を検出できるので、ポリマー211がナノポア207に入るとすぐに、プランジャ219及び220に加えられる力を停止することができる。これで、非荷電ポリマー211をナノポア207内に装填するプロセスが完了する。図3に戻ると、電圧バイアス215が、導電性フィルム202とイオン緩衝液208との間に印加され、これにより圧電材料209間の孔207のサイズが調整され、よってフィルム202のその位置における荷電又は非荷電ポリマー211の固定及び解放を制御することができる。電圧バイアス216が、導電性フィルム204とイオン緩衝液208との間に印加され、これにより圧電材料210における孔207のサイズが調整され、よってフィルム204のその位置における荷電又は非荷電ポリマー211の固定及び解放を制御することができる。電圧バイアス217が、2つの導電性フィルム202及び204の間に印加され、これによりフィルム203の厚さを調整することができる。図4に示されるように、電圧216を変化させることにより、フィルム204の位置において、圧電固定部piezoelectricclamp210がポリマー211を固定することができる。矢印218は、フィルム202に対するポリマー211の相対位置を示す。図5に示されるように、次に、電圧217を調整して、フィルム203の厚さを増大させ又は減少させ、固定されたポリマー211に対するフィルム202の相対位置矢印218で示されるを変えることができる。従って、圧電フィルム203の厚さの増大又は減少のために、フィルム202が、矢印218に対して上方に又は下方にシフトされる。図6に示されるように、電圧215を変化させることにより、フィルム202の位置において、ポリマー211が、圧電固定部209により固定される。図7に示されるように、電圧216を変化させることにより、フィルム204の位置における圧電固定部210が解放される。図8に示されるように、電圧217を変化させることにより、フィルム203は、図4に示される元の厚さに戻る。図9に示されるように、電圧216を変化させることにより、フィルム204の位置における圧電固定部210を用いて、ポリマー211を固定することができる。次に、電圧215を変化させることにより、フィルム202の位置における圧電固定部209が解放され、デバイスは、図4に示される元の状態に戻り、ポリマー211は下方に又は上方に移動される。図4-図9は、ポリマー211を下方に移動させるための1サイクルを示す。次に、他のサイクルを開始して、ポリマー211を1サイクルごとに僅かなステップだけ移動させることができる。つまり、圧電材料203の伸縮と併せて、圧電固定部209及び210を固定及び解放し、孔207を通ってポリマー211を駆動させることができる。さらに、例示的な実施形態においては、図11、図12及び図13に下述されるように、2つの固定点圧電固定部209及び圧電固定部210におけるを用いて、特定の位置ユーザが選択する任意の特定の位置においてポリマー211を延伸し、これを切断することができる。図11、図12及び図13は、例示的な実施形態による、特定の位置においてナノポア内のポリマーを延伸及び切断するための、幾つかの圧電部分フィルムで作られたナノポアの断面概略図を示す。図11、図12及び図13に示すように、部分301-317は、それぞれ図3-図9の部分201-217に対応する。電圧316及び317を変化させることによって、圧電固定部309及び310により、フィルム302及び304の位置でポリマー311を固定することができる。図12に示されるように、電圧317を調整してフィルム303の厚さを増大させることにより、固定されたポリマー311を延伸し、これを切断することができる。図13は、切断されたポリマー311を示す。必要に応じて、ユーザは、ポリマー311を切断せず、単に所望の長さまで延伸させてもよい。孔を穿孔した後にナノポア内に円形状107、209及び210を製造するので、図1の円形状の圧電材料107、並びに図3-図10の円形状の圧電材料209及び210は、製造するのが困難である場合がある。代替案は、孔を穿孔した後、円形状の圧電材料107、209及び210を堆積させる必要がない。図14は、例示的な実施形態による、ナノポアを通るDNA又は任意のポリマーの動きを制御するための、幾つかの圧電部分フィルムで作られたナノポアの断面概略図を示す。図14に示されるように、部分401-413は、図1及び図2の部分101-113に対応し、かつ、図1及び図2に上述されたように働くように構成される。図14の円形状の圧電材料407は、図14の孔405が穿孔される前に堆積され、パターン形成される。圧電材料407は、図1及び図2に説明されるように、荷電ポリマー408を固定するように構成される。図14において、圧電固定部407は、圧電固定部107と同じように、ポリマー408を固定し、これを制御するよう動作する。図15は、例示的な実施形態による、ナノポアを通るDNA又は任意のポリマーの動きを制御するための、幾つかの圧電部分フィルムで作られたナノポアの断面概略図を示す。図15に示されるように、部分501-517は、図3-図9の部分201-217に対応し、かつ、例示的な実施形態によるナノポアを通るDNA又は任意のポリマーの動きを制御するために、図3-図9に上述されたように働くよう構成されている。図15の円形状の圧電材料509及び510は、図15の孔507が穿孔される前に堆積され、パターン形成される。また、図11-図13に示されるように、図15のナノデバイスは、図11-図13に上述されたように、ポリマー511を延伸し、これを切断するように構成される。図15において、圧電固定部509及び510は、図11-図13の圧電固定部309及び310、並びに圧電材料303と同じように、2つの位置においてポリマー511を固定し、圧電材料503を伸ばすことにより、圧電材料503を延伸し、これを切断するよう動作する。図16は、例えば、図1、図2、図3-図9、図11-図15におけるように、例示的な実施形態による、圧電材料を適用することによって、ナノポアを通るポリマーを制御するための装置を製造する方法を示す。605において、リザーバが、導電性流体で充填される。610において、膜を形成し、この膜はリザーバを分離する。615において、膜を通ってナノポアを形成する。620において、導電層と、圧電層と、絶縁層とを含むように、膜を形成する。625において、電圧が圧電層に印加されたとき、圧電層は、ナノポアのサイズを制御するよう動作するように形成される。さらに、電圧が圧電層に印加されたとき、圧電層は、膜の一部の厚さを制御するよう動作するように形成される。電圧が圧電層に印加されたとき、圧電層は、ナノポアを通る、圧電層により固定されたポリマーを駆動するよう動作するように形成される。また、電圧が圧電層に印加されたときに、圧電層は、ナノポア内のポリマーを固定するよう動作するように形成される。電圧が圧電層に印加されたとき、圧電層は、ナノポア内のポリマーを延伸するよう動作するように形成される。さらに、電圧が圧電層に印加されたときに、圧電層は、ナノポア内のポリマーを切断するよう動作するように形成される。電圧が圧電層に印加されたとき、圧電層は、2つの位置においてポリマーを固定し、ポリマーを切断するよう動作するように形成される。電圧が圧電層に印加されたとき、圧電層は、厚さが増大し又は減少し、ナノポアを通る、圧電層により固定されたポリマーを移動させるよう動作するように形成される。図17は、例えば、半導体IC論理設計、シミュレーション、試験、レイアウト及び製造で用いられる例示的な設計フロー700のブロック図を示す。設計フロー700は、上で説明され、かつ、図1-図15に示された設計構造体及び/又はデバイスの論理的又は機能的に等価な表現を作成するために、設計構造体又はデバイスを処理するためのプロセス、機械及び/又は機構を含む。設計フロー700によって処理及び/又は作成される設計構造体を機械可読伝送又はストレージ媒体上でコード化して、データ処理システム上で実行又は処理されたときにハードウェアコンポーネント、回路、デバイス又はシステムの論理的、構造的、機械的、又はその他、機能的に等価な表現を作成するデータ及び/又は命令を含むようにすることができる。機械は、これらに限られるものではないが、回路、コンポーネント、デバイス又はシステムの設計、製造、又はシミュレーションなどのIC設計プロセスに用いられるあらゆる機械を含む。例えば、機械は、リソグラフィ機械、マスクを生成するための機械及び/又は機器例えば、Eビームライター、設計構造体をシミュレートするためのコンピュータ又は機器、製造又は試験プロセスに用いられるあらゆる装置、或いは設計構造体の機能的に等価な表現を任意の媒体にプログラムするための任意の機械例えば、プログラマブルゲートアレイをプログラムするための機械を含むことができる。設計フロー700は、設計される表現のタイプによって変えることができる。例えば、特定用途向けICASICを構築するための設計フロー700は、標準的なコンポーネントを設計するための設計フロー700、又はプログラマブルアレイ、例えば、Altera登録商標Inc.又はXilinx登録商標Inc.から提供されているプログラマブルゲートアレイPGA又はフィールドプログラマブルゲートアレイFPGAに設計をインスタンス化するための設計フローとは異なり得る。図17は、好ましくは設計プロセス710によって処理される入力設計構造体720を含む、複数のこうした設計構造体を示す。設計構造体720は、設計プロセス710によって生成及び処理され、ハードウェアデバイスの論理的に等価な機能的表現を生じる、論理シミュレーション設計構造体とすることができる。設計構造体720はさらに、或いは代替的に、設計プロセス710によって処理されたときにハードウェアデバイスの物理的構造の機能的表現を生成するデータ及び/又はプログラム命令を含むことができる。機能的及び/又は構造的設計特徴のどちらを表現するのであれ、設計構造体720は、コア開発者/設計者によって実装されるような電子的コンピュータ支援設計ECADを使用して生成することができる。機械可読データ伝送、ゲートアレイ、又はストレージ媒体上でコード化された場合、設計構造体720を設計プロセス710内の1つ又は複数のハードウェア及び/又はソフトウェアモジュールによってアクセス及び処理して、図1-図15に示されるもののような電子コンポーネント、回路、電子若しくは論理モジュール、装置、デバイス、又はシステムをシミュレーションするか、又は他の方法で機能的に表現することができる。そのため、設計構造体720は、設計又はシミュレーションデータ処理システムによって処理されたときに回路又は他のレベルのハードウェア論理設計を機能的にシミュレーションするか、又は他の方法で表現する、人間及び/又は機械可読のソースコード、コンパイルされた構造体、及びコンピュータ実行可能コード構造体を含む、ファイル又は他のデータ構造体を含むことができる。このようなデータ構造体は、ハードウェア記述言語HDL設計エンティティ、又は、Verilog及びVHDLのような低レベルHDL設計言語、及び/又はC若しくはCのような高レベル設計言語に適合する及び/又は互換性のある他のデータ構造体を含むことができる。設計プロセス710は、設計構造体720のような設計構造体を含むことができるネットリスト780を生成するために、好ましくは、図1-図15に示されるコンポーネント、回路、デバイス又は論理構造体の設計/シミュレーションの機能的等価物を合成、翻訳又はその他の方法で処理するためのハードウェア及び/又はソフトウェアモジュールを使用し、組み込むことが好ましい。ネットリスト780は、例えば、集積回路設計内の他の素子及び回路への接続を記述する配線、個別のコンポーネント、論理ゲート、制御回路、I/Oデバイス、モデル等のリストを表わす、コンパイル又はその他の方法で処理されたデータ構造体を含むことができる。ネットリスト780は、繰り返しプロセスを用いて合成することができ、このプロセスにおいて、ネットリスト780は、デバイスの設計仕様及びパラメータに応じて1回又は複数回再合成される。ここで説明された他の設計構造体のタイプと同様に、ネットリスト780を機械可読データストレージ媒体上に記録し、又はプログラマブルゲートアレイにプログラムすることができる。媒体は、磁気又は光ディスクドライブのような不揮発性ストレージ媒体、プログラマブルゲートアレイ、コンパクトフラッシュ、又は他のフラッシュメモリとすることができる。それに加えて又は代替的に、媒体は、インターネット又は他のネットワーキングに適した手段を介してデータパケットを伝送し、中間的に格納することができる、システム又はキャッシュメモリ、バッファ領域、又は電気的若しくは光学的に伝導性のデバイス及び材料とすることができる。設計プロセス710は、ネットリスト780を含む様々な入力データ構造のタイプを処理するためのハードウェア及びソフトウェアモジュールを含むことができる。このようなデータ構造タイプは、例えば、ライブラリ要素730内に存在することができ、これは、所与の製造技術例えば、異なる技術ノード、32nm、45nm、90nm等について共通して用いられるモデル、レイアウト、及び記号表現を含めた素子、回路及びデバイスのセットを含むことができる。データ構造タイプは、設計仕様740、特徴データ750、検証データ760、設計規則770、並びに入力試験パターン、出力試験結果及び他の試験情報を含むことができる試験データファイル785をさらに含むことができる。設計プロセス710は、例えば、応力分析、熱分析、機械事象シミュレーション、並びにキャスティング、モールディング、及びダイプレス成形のような操作についてのプロセスシミュレーション等のような標準的な機械設計プロセスをさらに含むことができる。機械設計の当業者でれば、本発明の範囲及び思想から逸脱することなく、設計プロセス710において用いられる、可能な機械設計ツール及び用途の範囲を認識することができるであろう。設計プロセス710はまた、タイミング分析、検証、設計規則確認、位置及び経路の操作等のような標準的な回路設計プロセスを実行するモジュールを含むことができる。設計プロセス710は、第2の設計構造体790を作成するために、HDLコンパイラ及びシミュレーションモデル構築ツールのような論理的及び物理的設計ツールを使用し、組み込んで、設計構造体720を、図示された支持データ構造体のうちの幾つか又は全てと共に、いずれかの付加的な機械設計又はデータ適用可能な場合と併せて処理する。設計構造体790は、機械的なデバイス及び構造体のデータの交換に用いられるデータ形式例えば、IGES、DXF、ParasolidXT、JT、DRG又はこのような機械的設計構造体を格納又はレンダリングするのに適したその他の形式で格納される情報でストレージ媒体又はプログラマブルゲートアレイ上に存在する。設計構造体720と同様に、設計構造体790は、好ましくは、1つ又は複数のファイル、データ構造体、又は他のコンピュータコード化データ又は命令を含み、これは、伝送又はデータストレージ媒体上に存在し、ECADシステムによって処理されると図1-図15に示される1つ又は複数の本発明の実施形態の、論理的又はその他の方式で機能的に等価な形態を生成する。1つの実施形態において、設計構造体790は、図1-図15に示されるデバイスを機能的にシミュレーションする、コンパイルされた実行可能なHDLシミュレーションモデルを含むことができる。また、設計構造体790は、集積回路のレイアウトデータの交換に用いられるデータ形式及び/又は記号データ形式例えば、GDSIIGDS2、GL1、OASIS、マップファイル、又はこのような設計データ構造体を格納するためのその他のいずれかの適切な形式で格納される情報も使用することができる。設計構造体790は、例えば、記号データ、マップファイル、試験データファイル、設計コンテンツファイル、製造データ、レイアウトパラメータ、配線、金属のレベル、ビア、形状、製造ラインを通じた経路選択のデータ、並びに、上で説明し、図1-図15に示されるようなデバイス又は構造体を製造するために製造者又は他の設計者/開発者によって要求されるその他のいずれかのデータといった情報を含むことができる。次に、設計構造体790は、ステージ795に進み、ここで、例えば、設計構造体790は、テープアウトされたり、製造に引き渡されたり、マスク会社に引き渡されたり、別の設計会社に送られたり、顧客に送り返されたりされる。本明細書において用いられる用語は、特定の実施形態を説明する目的のためのものにすぎず、本発明を限定することを意図するものではない。本明細書において用いられる場合、文脈から明らかにそうでないことが示されていない限り、単数で示されたものは、複数でも良いことが意図されている。含む及び/又は含んでいるという用語は、本発明において用いられる場合、言明された特徴、整数、ステップ、動作、要素、及び/又は構成要素の存在を特定するものではあるが、1つ又は複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、構成要素、及び/又はそれらの群の存在又は追加を排除するものではないこともさらに理解されるであろう。以下の特許請求の範囲における全ての手段又はステップと機能との組合せ要素の対応する構造、材料、行為及び均等物は、その機能を、明確に特許請求されているように他の特許請求された要素と組み合わせて実行するための、いかなる構造、材料又は行為をも含むことが意図される。本発明の説明は、例示及び説明の目的で提示されたものであるが、網羅的であることを意図するものではなく、本発明を開示された形態に限定することを意図するものでもない。本発明の範囲及び思想から逸脱することのない多くの変更及び変形が、当業者には明らかである。実施形態は、本発明の原理及び実際の用途を最も良く説明するため、及び、当業者が本発明を種々の変更を有する種々の実施形態について企図される特定の使用に好適なものとして理解することを可能にするために、選択及び記載された。ここに示されるフロー図は、単なる例にすぎない。本発明の思想から逸脱することなく、ここに説明されるこれらの図又はステップ或いは、動作に対する多くの変形があり得る。例えば、ステップを異なる順序で実行することができ、或いはステップを付加し、削除し、又は変更することができる。これら変形の全てが、本発明の特許請求の範囲の一部と考えられる。本発明の好ましい実施形態を説明したが、当業者であれば、現在においても将来においても、上記の特許請求の範囲内に含まれる種々の改良及び向上を行ない得ることが理解されるであろう。これらの特許請求の範囲は、最初に説明された本発明に関する適切な保護を維持するように解釈すべきである。