"平均粒子径DSEMが100nm以上であり、X線回折によるミラー指数111と200における結晶子径の比[結晶子径DX111/結晶子径DX200]が1.40以上であることを特徴とする銀微粒子。平均粒子径DSEMが100nm以上1μm未満である請求項1記載の銀微粒子。ミラー指数111における結晶子径DX111が20nm以下である請求項1又は請求項2記載の銀微粒子。ミラー指数200における結晶子径DX200が14nm以下である請求項1から請求項3のいずれかに記載の銀微粒子。銀微粒子の粒子表面が数平均分子量1,000以上の高分子系分散剤から選ばれる1種又は2種以上で被覆されている請求項1から請求項4のいずれかに記載の銀微粒子。請求項1から請求項5のいずれかに記載の銀微粒子を含む導電性ペースト。請求項6記載の導電性ペーストを用いて形成された導電性膜。請求項7記載の導電性膜を有する電子デバイス。前出特許文献1から特許文献5に開示されている銀微粒子は、いずれも平均粒子径及び結晶子径、BET比表面積値等が限定されてはいるが、X線回折によるミラー指数111と200における結晶子径の比[結晶子径DX111/結晶子径DX200]については考慮されておらず、後出比較例に示す通り、上記結晶子径DX111/結晶子径DX200]が1.40未満の場合には、良好な低温焼結性を有する銀微粒子を得ることが困難となる。また、結晶子径DX111が20nmを超える場合には、銀微粒子の結晶子径が大きいため銀微粒子内部の反応性としては低いものとなり、低温焼結には不利となる。そこで、本発明は、低温焼成が可能な導電性ペーストの原料用として好適な、平均粒子径100nm以上の銀微粒子を提供することを技術的課題とする。前記技術的課題は、次の通りの本発明によって達成できる。即ち、本発明は、平均粒子径DSEMが100nm以上であり、X線回折によるミラー指数111と200における結晶子径の比[結晶子径DX111/結晶子径DX200]が1.40以上であることを特徴とする銀微粒子である本発明1。また、本発明は、平均粒子径DSEMが100nm以上1μm未満である本発明1の銀微粒子である本発明2。また、本発明は、ミラー指数111における結晶子径DX111が20nm以下である本発明1又は本発明2の銀微粒子である本発明3。また、本発明は、ミラー指数200における結晶子径DX200が14nm以下である本発明1から本発明3のいずれかの銀微粒子である本発明4。また、本発明は、銀微粒子の粒子表面が数平均分子量1,000以上の高分子系分散剤から選ばれる1種又は2種以上で被覆されている本発明1から本発明4のいずれかの銀微粒子である本発明5。また、本発明は、本発明1から本発明5の銀微粒子を含む導電性ペーストである本発明6。また、本発明は、本発明6の導電性ペーストを用いて形成された導電性膜である本発明7。また、本発明は、本発明7の導電性膜を有する電子デバイスである本発明8。本発明に係る銀微粒子は、X線回折によるミラー指数111と200における結晶子径の比[結晶子径DX111/結晶子径DX200]が1.40以上であることから、低温焼成が可能な導電性ペースト等の原料として好適である。本発明の構成をより詳しく説明すれば、次の通りである。まず、本発明に係る銀微粒子について述べる。本発明に係る銀微粒子は、平均粒子径DSEMが100nm以上であり、X線回折によるミラー指数111と200における結晶子径の比[結晶子径DX111/結晶子径DX200]が1.40以上であることを特徴とする銀微粒子である。本発明に係る銀微粒子の平均粒子径DSEMは100nm以上であり、好ましくは100nm以上1μm未満、より好ましくは100~500nmである。平均粒子径DSEMが上記範囲にあることにより、配線及び電極のファイン化への対応が容易となる。平均粒子径DSEMが100nm未満の場合には、常温においても焼結が生じやすく、また、導電ペースト中における分散性及び分散安定性が低下する傾向にある。平均粒子径DSEMが1μmを超える場合には、低温での焼結性が低下するため好ましくない。また、粒子サイズが大きすぎるため、これを用いて得られる電子デバイスのファイン化が困難となる。本発明に係る銀微粒子のX線回折によるミラー指数111と200における結晶子径の比[結晶子径DX111/結晶子径DX200]は1.40以上であり、好ましくは1.44以上、より好ましくは1.48以上である。結晶子径DX111と結晶子径DX200の比が1.40以上とすることにより、低温焼結性の優れた銀微粒子を得ることができる。本発明に係る銀微粒子のX線回折によるミラー指数111における結晶子径DX111は20nm以下であることが好ましく、より好ましくは10~19nm、更により好ましくは10~18nmである。結晶子径DX111が20nmを超える場合には、銀微粒子中の反応性が低下し、低温焼結性が損なわれてしまうため好ましくない。また、結晶子径DX111が10nm未満の場合には、銀微粒子が不安定となり、常温においても部分的に焼結融着が生じ始めるため好ましくない。本発明に係る銀微粒子のX線回折によるミラー指数200における結晶子径DX200は14nm以下であることが好ましく、より好ましくは13nm以下、更により好ましくは12nm以下である。結晶子径DX200は、[結晶子径DX111/結晶子径DX200]を1.40以上とするために、小さい方が好ましい。本発明に係る銀微粒子の低温焼結性は、後述する加熱による結晶子径の変化率[150°Cで30分間加熱後の銀微粒子の結晶子径/加熱前の銀微粒子の結晶子径×100]によって評価を行い、150°Cの加熱による結晶子径の変化率が120以上であることが好ましく、より好ましくは125以上である。結晶子径の変化率が120未満の場合には、低温焼結性が優れているとは言いがたい。本発明においては、210°Cで30分間加熱した場合、結晶子径の変化率は150以上であることが好ましく、より好ましくは170以上である。本発明に係る銀微粒子のBET比表面積値は、5m2/g以下であることが好ましい。BET比表面積値が5m2/gを超える場合、これを用いて得られる導電性ペーストの粘度が高くなるため好ましくない。本発明に係る銀微粒子の粒子形状は、球状もしくは粒状が好ましい。本発明に係る銀微粒子は、銀微粒子の粒子表面が数平均分子量1,000以上の高分子系分散剤から選ばれる1種又は2種以上で被覆されていることが好ましい。分散剤の数平均分子量は1,000以上であることが好ましく、より好ましくは1,000~150,000、更により好ましくは5,000~100,000である。数平均分子量が1,000未満の分散剤を表面処理した銀微粒子粉末は、分散剤を処理した効果が不十分であり、その後の粉砕処理において、銀微粒子が凝集する傾向がある。一方、数平均分子量が150,000を超える場合には分散剤の粘度が高くなり、銀微粒子表面への均一な処理が困難となる。また、銀微粒子表面への高分子化合物の処理の均一性及び処理効果を考慮すれば、分散剤として、酸価とアミン価の両方を有する分散剤もしくは、酸価を有する分散剤とアミン価を有する分散剤とを併用することが好ましい。分散剤の被覆量は、銀微粒子のBET表面積値にもよるが、銀微粒子粉末に対して0.1~3.0重量が好ましく、より好ましくは0.2~2.5重量である。0.1重量未満の場合には、分散剤の処理量が不十分であり、その後の粉砕処理において、銀微粒子粉末が凝集する傾向がある。3.0重量を超える場合には、銀微粒子粉末の凝集を抑制することはできるが、導電性に関与しない有機物成分が増えるため好ましくない。前記高分子系分散剤としては、一般に顔料分散剤として市販されているものを使用することができ、具体的には、ANTI-TERRA-U、ANTI-TERRA-205、DISPERBYK-101、DISPERBYK-102、DISPERBYK-106、DISPERBYK-108、DISPERBYK-109、DISPERBYK-110、DISPERBYK-111、DISPERBYK-112、DISPERBYK-116、DISPERBYK-130、DISPERBYK-140、DISPERBYK-142、DISPERBYK-145、DISPERBYK-161、DISPERBYK-162、DISPERBYK-163、DISPERBYK-164、DISPERBYK-166、DISPERBYK-167、DISPERBYK-168、DISPERBYK-170、DISPERBYK-171、DISPERBYK-174、DISPERBYK-180、DISPERBYK-182、DISPERBYK-183、DISPERBYK-184、DISPERBYK-185、DISPERBYK-2000、DISPERBYK-2001、DISPERBYK-2008、DISPERBYK-2009、DISPERBYK-2022、DISPERBYK-2025、DISPERBYK-2050、DISPERBYK-2070、DISPERBYK-2096、DISPERBYK-2150、DISPERBYK-2155、DISPERBYK-2163、DISPERBYK-2164、BYK-P104、BYK-P104S、BYK-P105、BYK-9076、BYK-9077、BYK-220S、ビックケミージャパン株式会社製;EFKA4008、EFKA4009、EFKA4046、EFKA4047、EFKA4010、EFKA4015、EFKA4020、EFKA4050、EFKA4055、EFKA4060、EFKA4080、EFKA4300、EFKA4330、EFKA4400、EFKA4401、EFKA4402、EFKA4403、EFKA4406、EFKA4800、EFKA5010、EFKA5044、EFKA5244、EFKA5054、EFKA5055、EFKA5063、EFKA5064、EFKA5065、EFKA5066、EFKA5070BASFジャパン株式会社製;SOLSPERSE3000、SOLSPERSE13240、SOLSPERSE13940、SOLSPERSE16000、SOLSPERSE17000、SOLSPERSE18000、SOLSPERSE20000、SOLSPERSE21000、SOLSPERSE24000SC、SOLSPERSE24000GR、SOLSPERSE26000、SOLSPERSE27000、SOLSPERSE28000、SOLSPERSE31845、SOLSPERSE32000、SOLSPERSE32500、SOLSPERSE32550、SOLSPERSE34750、SOLSPERSE35100、SOLSPERSE35200、SOLSPERSE36000、SOLSPERSE36600、SOLSPERSE37500、SOLSPERSE38500、SOLSPERSE39000、SOLSPERSE41000日本ルーブリゾール株式会社製;アジスパーPB821、アジスパーPB822、アジスパーPB881、アジスパーPN-411、アジスパーPA-111、味の素ファインテクノ株式会社製;DISPARLONKS-860、DISPARLONKS-873N、DISPARLON7004、DISPARLON1831、DISPARLON1850、DISPARLON1860、DISPARLONDA-7301、DISPARLONDA-325、DISPARLONDA-375、DISPARLONDA-234楠本化成株式会社製;フローレンDOPA-15B、フローレンDOPA-17HF、フローレンDOPA-22、フローレンDOPA-33、フローレンG-700、フローレンG-820、フローレンG-900共栄社化学株式会社製等が挙げられる。これらの顔料分散剤は、1種類又は2種類以上を組み合わせて使用してもよい。次に、本発明に係る銀微粒子の製造方法について述べる。本発明に係る銀微粒子は、銀塩錯体含有水溶液に還元剤含有水溶液を添加して銀微粒子を還元析出させる銀微粒子の製造方法、又は、還元液に硝酸銀水溶液を添加して銀微粒子を還元析出させる銀微粒子の製造方法のいずれによっても得ることができるが、いずれの場合においても、反応から乾燥までの全ての工程を30°C以下の温度範囲で行なうことが重要である。銀塩錯体含有水溶液に還元剤含有水溶液を添加して銀微粒子を還元析出させる銀微粒子の製造方法の場合、銀塩錯体含有水溶液と還元剤含有水溶液をそれぞれ予め調液しておく。本発明における銀塩錯体は、銀原料として硝酸銀もしくは酢酸銀と、アンモニア水、アンモニウム塩又はキレート化合物等を混合することにより得ることができる。アンモニアの添加量としては、アンミン錯体におけるアンモニアの配位数が2であるため、銀1モルに対してアンモニアを2モル以上添加することが好ましい。生産安定性や得られる銀微粒子の粒度分布の改善を考慮すれば、アンモニアの添加量は銀1モル当たり4モル以上がより好ましく、更により好ましくは10モル以上である。本発明における還元剤としては、エリソルビン酸、アスコルビン酸、アルカノールアミン、ヒドロキノン、グルコース、ピロガロール、ヒドラジン、過酸化水素水及びホルムアルデヒドから選ばれる1種又は2種以上を用いることができる。得られる銀微粒子の導電性ペースト中における分散性向上の観点から、有機系還元剤を用いることが好ましく、より好ましくはエリソルビン酸又はアスコルビン酸である。還元剤の添加量は、銀1モルに対して1.0モル以上添加することが好ましく、より好ましくは1.0~2.0モルである。殊に、還元剤としてアスコルビン酸又はエリソルビン酸を用いた場合、銀1モルに対して2.0モルを超える場合には、生成した銀微粒子同士が凝集する傾向があるため好ましくない。還元液に硝酸銀水溶液を添加して銀微粒子を還元析出させる銀微粒子の製造方法の場合も、還元液と硝酸銀水溶液をそれぞれ予め調液しておく。本発明における硝酸銀水溶液は、硝酸銀とイオン交換水もしくは純水とを混合することにより得ることができる。水溶液中における硝酸銀の濃度は、0.08~2.0mol/lの範囲であることが好ましく、より好ましくは0.1~1.8mol/lである。還元液は、アンモニア水とイオン交換水もしくは純水及び還元剤を混合攪拌することにより得ることができる。なお、還元液に用いる還元剤としては、前述の還元剤を用いることができる。還元剤の添加量は、銀1モルに対して1.0モル以上添加することが好ましく、より好ましくは1.0~2.0モルである。殊に、還元剤としてアスコルビン酸又はエリソルビン酸を用いた場合、銀1モルに対して2.0モルを超える場合には、生成した銀微粒子同士が凝集する傾向があるため好ましくない。銀塩錯体含有水溶液、還元剤含有水溶液、還元液及び硝酸銀水溶液は、調液する際に、液温を18°C以下に保ち、銀塩錯体含有水溶液と還元剤含有水溶液又は還元液と硝酸銀水溶液を混合攪拌する際にも液温が20°Cを超えないよう調整することが好ましい。反応温度が20°Cを超える場合には、銀微粒子の結晶子径DX111が大きくなるとともに、結晶子径DX111/結晶子径DX200の比が1.40未満となり、低温焼結性が損なわれるため好ましくない。銀塩錯体含有水溶液への還元剤含有水溶液の添加又は還元液への硝酸銀水溶液の添加は、可能な限り短時間で行なうことが好ましく、より好ましくは20秒以内、更により好ましくは15秒以内である。銀塩錯体含有水溶液への還元剤含有水溶液の添加時間又は還元液への硝酸銀水溶液の添加時間が長くなると、生成した銀微粒子同士が凝集を起こし、粒子サイズが大きくなると共に、粒度分布が大きくなる傾向にある。銀塩錯体含有水溶液へ還元剤含有水溶液の添加後又は還元液への硝酸銀水溶液の添加後、生成した銀微粒子同士が凝集しないようゆるやかに攪拌混合を行った後、常法により濾過水洗を行う。このとき、濾液の電導度が60μS/cm以下になるまで洗浄を行う。得られた銀微粒子のケーキを親水性有機溶媒中に再分散させ、銀微粒子表面の水分を親水性有機溶媒に置換した後、常法により濾過した銀微粒子を、温度30°C以下で乾燥機もしくは真空乾燥を用いて乾燥を行う。乾燥温度が30°Cを超える場合には、銀微粒子の結晶子径DX111が大きくなるとともに、結晶子径DX111/結晶子径DX200の比が1.40未満となり、低温焼結性が損なわれるため好ましくない。銀微粒子表面の水分を親水性有機溶媒に置換することにより、乾燥後の銀微粒子同士が強固に凝集した状態になるのを防止することができ、その後の粉砕処理又は表面処理粉砕処理等が容易になる。親水性有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール及びアセトン等を用いることができる。乾燥による溶媒の除去を考慮すれば、メタノール及びエタノールが好ましい。乾燥後の銀微粒子は、常法により粉砕することによって本発明の銀微粒子を得ることができる。本発明に係る銀微粒子は、粉砕処理前に、数平均分子量1,000以上の高分子系分散剤から選ばれる1種又は2種以上によって表面処理をしておくことが好ましい。分子量10,000以上の高分子化合物による被覆量は、銀微粒子に対して0.1~3.0重量であることが好ましく、より好ましくは0.2~2.5重量である。高分子化合物による処理量が上記範囲にあることにより、粉砕処理による十分な処理効果を得ることができる。高分子化合物によって表面処理をしておくことにより、その後に行う粉砕処理において高い粉砕処理効果が得られ、より均一な粉砕処理が可能となる。一方、高分子化合物を銀微粒子の還元析出反応中に添加した場合は、処理量及び処理効果の均一性に問題があり、その後に行なう粉砕処理において凝集塊が生じ、得られた銀微粒子は導電ペースト中での分散性が困難になるため好ましくない。高分子化合物による銀微粒子の表面処理は、親水性有機溶媒による置換乾燥後の銀微粒子を、高分子化合物を有機溶媒中に溶解させた高分子化合物溶液中に再分散させ、30~300分間ゆるやかに攪拌した後、有機溶媒を除去し、30°C以下で乾燥機もしくは真空乾燥を用いて乾燥を行う。高分子化合物によって表面処理を行った銀微粒子の粉砕は、ジェット式粉砕機を用いることが好ましい。次に、本発明に係る銀微粒子を含む導電性ペーストについて述べる。本発明に係る導電性ペーストは、焼成型ペースト及びポリマー型ペーストのいずれの形態でもよく、焼成型ペーストの場合、本発明に係る銀微粒子及びガラスフリットからなり、必要に応じてバインダー樹脂、溶剤等の他の成分を配合してもよい。また、ポリマー型ペーストの場合、本発明に係る銀微粒子及び溶剤からなり、必要に応じて、バインダー樹脂、硬化剤、分散剤、レオロジー調整剤等の他の成分を配合してもよい。バインダー樹脂としては、当該分野において公知のものを使用することができ、例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース等のセルロース系樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン変性ポリエステル樹脂、エポキシ変性ポリエステル樹脂、アクリル変性ポリエステル等の各種変性ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド等が挙げられる。これらバインダー樹脂は、単独でも、又は2種類以上を併用することもできる。溶剤としては、当該分野において公知のものを使用することができ、例えば、テトラデカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、アミルベンゼン、p-シメン、テトラリン及び石油系芳香族炭化水素混合物等の炭化水素系溶剤;エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールモノ-t-ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコ-ルモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル又はグリコールエーテル系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のグリコールエステル系溶剤;メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤;テルピネオール、リナロール、ゲラニオール、シトロネロール等のテルペンアルコール;n-ブタノール、s-ブタノール、t-ブタノール等のアルコール系溶剤;エチレングリコール、ジエチレングリコール等のグリコール系溶剤;γ-ブチロラクトン及び水等が挙げられる。溶剤は、単独でも、又は2種類以上を併用することもできる。導電性ペースト中の銀微粒子の含有量は用途に応じて様々であるが、例えば配線形成用途の場合などは可能な限り100重量に近いことが好ましい。本発明に係る導電性ペーストは、各成分を、ライカイ機、ポットミル、三本ロールミル、回転式混合機、二軸ミキサー等の各種混練機、分散機を用いて、混合分散させることにより得ることができる。本発明に係る導電性ペーストは、スクリーン印刷、インクジェット法、グラビア印刷、転写印刷、ロールコート、フローコート、スプレー塗装、スピンコート、ディッピング、ブレードコート、めっき等各種塗布方法に適用可能である。また、本発明に係る導電性ペーストは、FPDフラットパネルディスプレイ、太陽電池、有機EL等の電極形成やLSI基板の配線形成、更には微細なトレンチ、ビアホール、コンタクトホールの埋め込み等の配線形成材料として用いることができる。また、積層セラミックコンデンサや積層インダクタの内部電極形成用等の高温での焼成用途はもちろん、低温焼成が可能であることからフレキシブル基板やICカード、その他の基板上への配線形成材料及び電極形成材料として好適である。また、導電性被膜として電磁波シールド膜や赤外線反射シールド等にも用いることができる。エレクトロニクス実装においては部品実装用接合材として用いることもできる。<作用>本発明において重要な点は、平均粒子径DSEMが100nm以上であり、X線回折によるミラー指数111と200における結晶子径の比[結晶子径DX111/結晶子径DX200]が1.40以上である銀微粒子は、低温焼成が可能であるという事実である。本発明に係る銀微粒子が低温焼結性に優れている理由は不明であるが、本発明者らが多数の実験を行なった結果、低温での焼結性に優れる銀微粒子は、いずれも結晶子径の比[結晶子径DX111/結晶子径DX200]が1.40以上の値を有することを見出した。これは、結晶子径DX111と結晶子径DX200の比が大きいほど結晶格子の歪みが大きく不安定であり、銀微粒子が活性であることを示しているものと考えられる。以下に、本発明における実施例を示し、本発明を具体的に説明する。銀微粒子の平均粒子径は、走査型電子顕微鏡写真S-4800HITACHI製を用いて粒子の写真を撮影し、該写真を用いて粒子100個以上について粒子径を測定し、その平均値を算出し、平均粒子径DSEMとした。銀微粒子の比表面積は、モノソーブMS-11カンタクロム株式会社製を用いて、BET法により測定した値で示した。銀微粒子の結晶子径DX111及び結晶子径DX200は、X線回折装置RINT2500株式会社リガク製を用いて、CuのKα線を線源とした面指数1,1,1面及び2,0,0面のピークの半値幅を求め、Scherrerの式より結晶子径を計算した。銀微粒子のX線回折によるミラー指数111と200における結晶子径の比は、上述の結晶子径DX111及び結晶子径DX200を用い、[結晶子径DX111/結晶子径DX200]より求めた。銀微粒子の加熱による結晶子径の変化率は、銀微粒子を150°Cで30分間加熱した後の結晶子径と加熱前の銀微粒子の結晶子径を用いて、下記数1に従って算出した値である。尚、加熱条件を210°Cで30分間と変えた場合も同様にして結晶子径の変化率を求めた。<数1>結晶子径の変化率=加熱後の銀微粒子の結晶子径/加熱前の銀微粒子の結晶子径×100焼成型ペーストを用いた導電性塗膜の特性は、下記の方法により求めた。即ち、後述する焼成型の導電性ペーストをアルミナ基板上に塗布し、120°Cで30分予備乾燥した後、200°C、300°C、400°C、500°C、600°Cで30分間加熱することにより得られた導電性膜について、4端子電気抵抗測定装置ロレスタGP/MCP-T600株式会社三菱化学アナリテック製を用いて測定し、シート抵抗と膜厚より比抵抗を算出し、グラフの横軸に温度、縦軸にシート比抵抗をプロットし、シート比抵抗が1×10-5Ωcm以下となる温度で示した。また、120°C、200°C及び400°Cでそれぞれ30分間加熱したときの導電性膜のシート比抵抗を示した。また、ポリマー型ペーストの場合は、後述する導電性ポリマー型の導電性ペーストを、膜厚50μmのポリイミドフィルム上に塗布した導電膜を、120°C、210°C及び300°Cでそれぞれ30分間加熱したときの導電性膜のシート比抵抗を示した。<実施例1-1:銀微粒子の製造>50Lの反応塔に還元剤としてエリソルビン酸739g銀1molに対して1.5mol、純水32.3L及びアンモニア水25780g銀1molに対して4.1molを加えた後、18°C以下となるよう冷却しながら混合攪拌を行い、還元液を調整した。別に、20mLのポリ容器に硝酸銀475gと純水6,300gを加えた後、18°C以下となるよう冷却しながら混合攪拌を行い、硝酸銀水溶液を調整した。次いで、反応系を20°C以下になるよう冷却しつつ、攪拌しながら硝酸銀水溶液を還元液に添加した添加時間は10秒以下。添加終了後、30分間攪拌した後、30分間静置して固形物を沈降させた。上澄み液をデカンテーションにより取り除いた後、ろ紙を用いて吸引ろ過し、続いて、純水を用いてろ液の電導度が7μS/cmになるまで洗浄ろ過を行った。得られた銀微粒子のケーキをメタノール溶液中に再分散させ、銀微粒子表面の水分をメタノールに置換濾過後、真空乾燥機中25°Cで6時間乾燥した。次いで、純水とメタノールの混合用液水:メタノール比が1:10中に高分子化合物DISPERBYK-106商品名:ビックケミージャパン株式会社製を2.4g分散させた溶液に、得られた銀微粒子300gを添加銀微粒子に対して0.8重量し、真空乾燥機中25°Cで12時間乾燥した後、ジェット式粉砕機により粉砕して実施例1-1の銀微粒子を得た。得られた銀微粒子の粒子形状は粒状、平均粒子径DSEMは268nm、結晶子径DX111は14.2nm、結晶子径DX200は9.0nm、DX111/DX200は1.58、BET比表面積値は1.5m2/gであり、結晶子径の変化率150°C×30分は128、結晶子径の変化率210°C×30分は179であった。<実施例2-1:導電性ペーストの製造焼成型ペースト>実施例1-1の銀微粒子100重量部に対してエチルセルロース樹脂2.5重量部、無鉛ガラスフリット2.5重量部、フタル酸ジノルマルブチル3.0重量部及びテキサノール/1-フェノキシ-2-プロパノール1:115.4重量部を加え、自転公転ミキサーあわとり練太郎ARE-310株式会社シンキー社製、登録商標を用いてプレミックスを行った後、3本ロールを用いて均一に混練分散処理を行い、実施例2-1の導電性ペースト焼成型ペーストを得た。上記で得られた導電性ペースト焼成型ペーストをアルミナ基板上に塗布し、120°Cで30分予備乾燥した後、200°C、300°C、400°C、500°C、600°Cで30分間加熱することにより導電性塗膜を得た。得られた導電性塗膜のシート比抵抗が1.0×10-5Ωcm以下になる温度は195°Cであった。また、120°Cで30分間加熱処理した場合の比抵抗は7.7×10-5Ωcmであり、200°Cで30分間加熱処理した場合の比抵抗は9.1×10-6Ωcmであり、400°Cで30分間加熱処理した場合の比抵抗は4.7×10-6Ωcmであった。<実施例3-1:導電性ペーストの製造ポリマー型ペースト>実施例1-1の銀微粒子100重量部に対してポリエステル樹脂11.0重量部及び硬化剤1.4重量部と、導電性ペーストにおける銀微粒子の含有量が70wtとなるようにジエチレングリコールモノエチルエーテルを加え、プレミックスを行った後、3本ロールを用いて均一に混練分散処理を行い、実施例3-1の導電性ペーストを得た。上記で得られた導電性ペーストポリマー型ペーストを膜厚50μmのポリイミドフィルム上に塗布し、120°C、210°C及び300°Cでそれぞれ30分間加熱することにより導電性塗膜を得た。得られた導電性塗膜を120°Cで30分間加熱処理した場合の比抵抗は3.7×10-4Ωcmであり、210°Cで30分間加熱処理した場合の比抵抗は2.8×10-6Ωcmであり、300°Cで30分間加熱処理した場合の比抵抗は9.8×10-6Ωcmであった。前記実施例1-1、実施例2-1及び実施例3-1に従って銀微粒子及び導電性ペーストを作製した。各製造条件及び得られた銀微粒子末及び電性ペーストの諸特性を示す。実施例1-2~1-4及び比較例1-1~1-2:銀微粒子の生成条件を種々変更することにより、銀微粒子得た。なお、比較例1-5の粒子は市販のミクロンサイズの銀粒子粉末である。このときの製造条件を表1に、得られた銀微粒子の諸特性を表3に示す。<実施例1-6:銀微粒子の製造>50Lの反応塔に銀原料として硝酸銀595g、純水38L及びアンモニア水252,381g銀1molに対して10.0molを加えた後、10°C以下となるよう冷却しながら混合攪拌を行い、銀塩錯体水溶液を調整した。別に、20Lのポリ容器に還元剤としてエリソルビン酸925g銀1molに対して1.5mol、と純水8,333gを加えた後、10°C以下となるよう冷却しながら混合攪拌を行い、還元剤含有水溶液を調整した。次いで、反応系を10°C以下になるよう冷却しつつ、攪拌しながら還元剤含有水溶液を銀塩錯体水溶液に添加した添加時間は10秒以下。添加終了後、30分間攪拌した後、30分間静置して固形物を沈降させた。上澄み液をデカンテーションにより取り除いた後、ろ紙を用いて吸引ろ過し、続いて、純水を用いてろ液の電導度が20μS/cmになるまで洗浄ろ過を行った。得られた銀微粒子のケーキをメタノール溶液中に再分散させ、銀微粒子表面の水分をメタノールに置換濾過後、真空乾燥機中25°Cで6時間乾燥した。次いで、純水とメタノールの混合用液水:メタノール比が1:10中に高分子化合物DISPERBYK-106商品名:ビックケミージャパン株式会社製を3.6g分散させた溶液に、得られた銀微粒子300gを添加銀微粒子に対して1.2重量し、真空乾燥機中25°Cで12時間乾燥した後、ジェット式粉砕機により粉砕して実施例1-1の銀微粒子を得た。実施例1-7~1-9及び比較例1-3~1-4:銀微粒子の生成条件を種々変更することにより、銀微粒子得た。このときの製造条件を表2に、得られた銀微粒子の諸特性を表3に示す。<導電性ペースト焼成型ペーストの製造>実施例2-2~2-9及び比較例2-1~2-5:銀微粒子の種類を種々変化させた以外は、前記実施例2-1の導電性ペースト焼成型ペーストの作製方法に従って導電性ペースト及び導電性塗膜を製造した。このときの製造条件及び得られた導電性塗膜の諸特性を表4に示す。<導電性ペーストポリマー型ペーストの製造>実施例3-2~3-9及び比較例3-1~3-5:銀微粒子の種類を種々変化させた以外は、前記実施例3-1の導電性ペーストポリマー型ペーストの作製方法に従って導電性ペースト及び導電性塗膜を製造した。このときの製造条件及び得られた導電性塗膜の諸特性を表5に示す。"