"複数の画素を有し、前記複数の画素の内の少なくとも一部の画素が、それぞれ、複数の光電変換部と、マイクロレンズと、前記複数の光電変換部と前記マイクロレンズとの間に形成され、前記複数の光電変換部にそれぞれ対応するように一体的に構成された複数の層内レンズとを有し、前記複数の層内レンズは、該複数の層内レンズへの入射光を、それぞれ対応する前記複数の光電変換部に入射させることを特徴とする撮像素子。前記画素はそれぞれが、前記複数の層内レンズと、前記複数の光電変換部との間にそれぞれ構成された複数の導波路を更に有することを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。前記複数の層内レンズは、前記マイクロレンズの焦点位置に配置されることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像素子。前記複数の層内レンズは、ギャップレスレンズ構造であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の撮像素子。前記マイクロレンズと、前記複数の光電変換部は、前記複数の層内レンズにより共役であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の撮像素子。前記画素のそれぞれにおける前記複数の光電変換部は、光電変換を行わない領域により分離され、該領域は、前記複数の光電変換部によって共用される構成、及び、前記複数の光電変換を分離するための分離領域の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の撮像素子。撮影レンズと、前記撮影レンズからの入射光を受光する請求項1乃至6のいずれか1項に記載の撮像素子とを備えたことを特徴とする撮像装置。複数の画素を有し、前記複数の画素の内の少なくとも一部の画素が、それぞれ、複数の光電変換部と、マイクロレンズと、前記複数の光電変換部と前記マイクロレンズとの間に形成され、前記複数の光電変換部にそれぞれ対応するように一体的に構成された複数の層内レンズとを有し、前記複数の層内レンズは、該複数の層内レンズへの入射光を、それぞれ対応する前記複数の光電変換部に入射することを特徴とする撮像素子において、前記複数の層内レンズを形成する形成方法であって、前記複数の層内レンズの材料となる層を形成する第1の工程と、前記1の工程で形成された層の上に、有機材料を形成する第2の工程と、前記第2の工程で形成された層に、グレイトーンマスクを利用して、フォトリソグラフィにより前記複数の層内レンズの形状を形成する第3の工程と、エッチバックにより、前記第3の工程で形成された形状を、前記第1の工程で形成された層に転写する第4の工程とを有することを特徴とする形成方法。しかしながら、固体撮像装置における通常の撮影において、前述したように分割された光電変換部からの出力を加算して通常の撮像信号として用いる場合、以下のような問題があった。先ず、特許文献1及び2のような分割された光電変換部を有する画素を構成する際、各画素の複数の光電変換部の間には、様々な画素構成要素が配置される可能性がある。例えば、感度向上のために光電変換部の面積を大きくしたい場合、光電変換部毎にフローティングディフュージョン部FD部や出力信号線を配置するのではなく、複数の光電変換部がFD部などを共用する構成が好ましい。この際、FD部は、FD部を共用する複数の光電変換部の中心に配置することが望ましい。このように、光電変換部の間にFD部などの画素構成要素を配置すると、各分割画素の複数の光電変換部の間には、感度を持たない領域が存在することになる。一方、仮に、複数の光電変換部の間に配置する構成要素を無くしたとしても、画素部の製造精度やアライメント精度等から、各画素における複数の光電変換部の間の隙間を全く無くす事は困難である。上記の理由により、各画素における複数の光電変換部の間には、感度を持たない、画素構成要素の領域や、各光電変換部を分離する分離領域以下、まとめて分離領域と呼ぶ。が必要となっている。しかし、これらの分離領域があるために、画素毎に複数の光電変換部からの出力信号を加算して1つの画素信号として使用しようとしたときに、光電変換部を分割していない通常の画素と比べて、分離領域の分だけ感度が低下してしまっていた。また、分離領域が感度を持たないため、分離領域に到達する光束は出力信号には現れなくなるが、撮影レンズの状態や、絞り量、入射光の角度等によって撮像画素が受光する光量に対する分離領域に到達する光量が変動してしまう。そのため、出力信号に絞り依存性や、入射角依存性などが生じてしまっていた。また、特許文献2は、分割された領域への入射光の分離を目的として、画素前方に間隙を設ける方法も提案されている。しかし、画素前方に配する間隙自体が分離領域に相当するため、やはり、画素を分割しない構成の場合と比べて、感度の低下や入射角特性の劣化を発生させてしまっていた。本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、1画素内に構成される複数の光電変換部を感度を持たない領域により分離した場合に、該領域による画素の感度低下や、入射角特性の劣化を低減することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の撮像素子は、複数の画素を有し、前記複数の画素の内の少なくとも一部の画素が、それぞれ、複数の光電変換部と、マイクロレンズと、前記複数の光電変換部と前記マイクロレンズとの間に形成され、前記複数の光電変換部にそれぞれ対応するように一体的に構成された複数の層内レンズとを有し、前記複数の層内レンズは、該複数の層内レンズへの入射光を、それぞれ対応する前記複数の光電変換部に入射させることを特徴とする。本発明によれば、1画素内に構成される複数の光電変換部を感度を持たない領域により分離した場合に、該領域による画素の感度低下や、入射角特性の劣化を低減することができる。以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。ただし、本形態において例示される構成部品の寸法、材質、形状、それらの相対配置などは、本発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものであり、本発明がそれらの例示に限定されるものではない。図1は、本発明の第1の実施形態にかかる撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図1において、101はレンズ及び絞りからなる光学系、102はメカニカルシャッタである。また、103は入射光を電気信号に変換する、複数の画素からなる撮像素子である。なお、撮像素子103の構成については、詳細に後述する。106は撮像素子103から出力される画像信号に対してアナログ信号処理を行うアナログ信号処理回路である。アナログ信号処理回路106は、相関二重サンプリングを行うCDS回路107、アナログ信号を増幅する信号増幅器108、水平OBクランプを行うクランプ回路109、アナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換器110を含む。111は、撮像素子103及びアナログ信号処理回路106を動作させる信号を発生するタイミング信号発生回路、112は、光学系101及びメカニカルシャッタ102の駆動回路である。113は撮影した画像データに必要なデジタル信号処理を行うデジタル信号処理回路である。デジタル信号処理回路113は、画像データに対して必要な補正処理を行う画像補正回路114、デジタル信号を増幅する信号増幅回路115、画像データに対して必要な画像処理を行う画像処理回路116を含む。117は信号処理された画像データを記憶する画像メモリ、118は撮像装置から取り外し可能な記録媒体、119は信号処理された画像データを記録媒体118に記録する記録回路である。120は信号処理された画像データを表示する画像表示装置、121は画像表示装置120に画像を表示する表示回路である。122は撮像装置全体を制御するシステム制御部である。123は、システム制御部122で実行される制御方法を記載したプログラム、プログラムを実行する際に使用されるパラメータやテーブル等の制御データ、キズアドレス等の補正データを記憶しておく不揮発性メモリROMである。124は不揮発性メモリ123に記憶されたプログラム、制御データ及び補正データを転送して記憶しておき、システム制御部122が撮像装置を制御する際に使用する揮発性メモリRAMとなっている。125は撮像素子103あるいはその周辺回路の温度を検出する温度検出部、126は撮像素子103の蓄積時間を設定する蓄積時間設定部、127はISO感度設定などの撮影条件設定や、静止画撮影と動画撮影の切り替えなどを行う、撮影モード設定部である。次に、上記構成を有する撮像装置における撮影動作について説明する。なお、撮影動作に先立ち、撮像装置の電源投入時等のシステム制御部122の動作開始時において、不揮発性メモリ123から必要なプログラム、制御データ及び補正データを揮発性メモリ124に転送して記憶しておくものとする。これらのプログラムやデータは、システム制御部122が撮像装置を制御する際に使用する。また、必要に応じて、追加のプログラムやデータを不揮発性メモリ123から揮発性メモリ124に転送したり、システム制御部122が直接、不揮発性メモリ123内のデータを読み出して使用したりするものとする。まず、光学系101は、システム制御部122からの制御信号により、絞りとレンズを駆動して、適切な明るさに設定された被写体像を撮像素子103上に結像させる。次に、メカニカルシャッタ102は、静止画像撮影時においては、システム制御部122からの制御信号により、必要な露光時間となるように撮像素子103の動作に合わせて撮像素子103を遮光するように駆動される。この時、撮像素子103が電子シャッタ機能を有する場合は、メカニカルシャッタ102と併用して、必要な露光時間を確保してもよい。またメカニカルシャッタ102は、動画像撮影時においては、システム制御部122からの制御信号により、撮影中は常に撮像素子103が露光されているように、開放状態で維持される。撮像素子103は、システム制御部122により制御されるタイミング信号発生回路111が発生する動作パルスを基にした駆動パルスで駆動され、被写体像を光電変換により電気信号に変換する。更に、入射光量に応じて設定された増幅率のゲインを変換された電気信号にかけ、アナログ画像信号として出力する。撮像素子103から出力されたアナログの画像信号は、システム制御部122により制御されるタイミング信号発生回路111が発生する動作パルスにより、アナログ信号処理回路106で処理される。具体的には、CDS回路107でクロック同期性ノイズを除去し、信号増幅器回路108で入射光量に応じて設定された増幅率のゲインをかける。更に、クランプ回路109で水平OB領域の信号出力を基準電圧としてクランプし、A/D変換器110でデジタル画像信号に変換する。次に、アナログ信号処理回路106から出力されたデジタル画像信号に対して、システム制御部122により制御されるデジタル信号処理回路113は、色変換、ホワイトバランス、ガンマ補正等の画像処理、解像度変換処理、画像圧縮処理等を行う。まず、画像補正回路114でキズ補正、ダークシェーディング補正などの各種画像補正処理を施し、信号増幅回路115で入射光量に応じて設定された増幅率のゲインをかける。その後、画像処理回路116で色変換、ホワイトバランス、ガンマ補正等の画像処理、解像度変換処理、画像圧縮処理等の各種画像処理を行う。画像メモリ117は、上述した信号処理中のデジタル画像信号を一時的に記憶したり、信号処理されたデジタル画像信号である画像データを記憶したりするために用いられる。デジタル信号処理回路113で信号処理された画像データや画像メモリ117に記憶されている画像データは、記録回路119において記録媒体118に適したデータ例えば、階層構造を持つファイルシステムデータに変換される。そして、記録媒体118に記録される。また、デジタル信号処理回路113で解像度変換処理を実施された後、表示回路121において画像表示装置120に適した信号例えば、NTSC方式のアナログ信号等に変換されて、画像表示装置120に表示されたりする。ここで、デジタル信号処理回路113においては、システム制御部122からの制御信号により信号処理をせずにデジタル画像信号をそのまま画像データとして、画像メモリ117や記録回路119に出力してもよい。また、デジタル信号処理回路113は、システム制御部122から要求があった場合に、信号処理の過程で生じたデジタル画像信号や画像データの情報、あるいは、それらから抽出された情報をシステム制御部122に出力する。なお、信号処理の過程で生じたデジタル画像信号や画像データの情報とは、例えば、画像の空間周波数、指定領域の平均値、圧縮画像のデータ量等の情報である。さらに、記録回路119は、システム制御部122から要求があった場合に、記録媒体118の種類や空き容量等の情報をシステム制御部122に出力する。次に、記録媒体118に画像データが記録されている場合の再生動作について説明する。システム制御部122からの制御信号により、記録回路119は記録媒体118から画像データを読み出す。同じくシステム制御部122からの制御信号により、デジタル信号処理回路113は、画像データが圧縮画像であった場合には、画像伸長処理を行い、また、圧縮画像でなかった場合には画像伸長処理を行わずに、画像メモリ117に記憶する。そして、画像メモリ117に記憶された画像データは、デジタル信号処理回路113で解像度変換処理を実施された後、表示回路121において画像表示装置120に適した信号に変換されて画像表示装置120に表示される。図2は本発明の第1の実施形態における撮像素子103の画素配列を説明する配置図である。図2において、0,0、1,0、0,1等で示される各領域は、撮像信号における1画素を示す。また、この撮像信号における1画素毎に、1つのマイクロレンズが配置されている。なお、図2では、6×6画素のみが示されているが、実際には非常に多数の画素から構成されている。また、a、b、c、dで示される各領域は、複数の画素それぞれに形成された複数の光電変換部である。図2に示すように、本第1の実施形態においては、各画素はそれぞれ、2×2配列された4つの光電変換部a、b、c、dを含み、同一の記号により示される光電変換部は、マイクロレンズとの位置関係において、各画素の同じ象現にあることを意味する。また、各画素に記されたR、G、Bの文字は、各画素上に形成されるカラーフィルタの色相を表す。図2に示す画素配列を有する撮像素子103を用いた撮像装置においては、撮像信号を生成する場合は、各画素の光電変換部a、b、c、dからの出力信号の和をもって、1画素の出力信号とする。また、撮像素子103の出力を焦点検出用信号もしくは立体画像生成用信号として使用する場合には、次のようにして信号を生成する。即ち、光電変換部a、bの出力信号の和と光電変換部c、dの出力信号の和を生成したり、光電変換部a、cの出力信号の和と光電変換部b、dの出力信号の和を生成して利用する。なお、図2に示す例では、全ての画素の光電変換部が4つに分割されている場合を示しているが、本願発明はこれに限られるものではなく、撮像素子103の少なくとも一部の画素の光電変換部が、2以上の光電変換部に分割されていればよい。次に、本第1の実施形態に係る撮像素子103を構成する画素の構造について説明する。図3は、本第1の実施形態に係る撮像素子103の1画素分の水平方向の断面図である。図3に示す画素は、図2を用いて説明した4つに分割された光電変換部の内、撮像素子103における水平方向の2つの光電変換部a、b図3では402a、402bを示している。なお、残りの2つの光電変換部c、dは不図示であるが、図3の奥行き方向に光電変換部402a、402bと同様の構成のものが配されている。まず、光電変換部402a、402bの周辺には、光電変換部402a、402bで発生した電荷を転送するためのポリシリコンで構成された第1の電極403a、403bが配置される。光電変換部402a、402bの光入射側には、光電変換部402a、402bにそれぞれ対応する層内レンズ445a、445bが一体的に形成される。実際には図3の奥行き方向にも不図示の光電変換部402c、402dにそれぞれ対応する不図示の層内レンズ445c、445dが存在するが、層内レンズ445a~445dの形状については、図7を参照して詳細に後述する。また、転送された電荷を選択的に外部に出力するために、アルミニウムで構成された第2の電極416及び第3の電極417が配置される。第1の電極403a、403bと第2の電極416との間、及び、第2の電極416と第3の電極417との間には、層間絶縁膜415が配置される。第1の電極403a、403bと第2の電極416、及び、第2の電極416と第3の電極417とは、タングステンで構成された不図示の第1のプラグ及び第2のプラグでそれぞれ接続されている。第3の電極417の上部には、保護層としての窒化シリコンSiN膜454が形成される。また、SiN膜454の光入射側には、平坦化層443を介してカラーフィルタ441が形成される。また、カラーフィルタ441の上には、平坦化層443を介してマイクロレンズ442が形成される。マイクロレンズ442の厚さは、不図示の撮影レンズの瞳と層内レンズ445a、445bの上面図3の結像面αとが略結像関係になるレンズパワーになるように設定されている。次に、第1の実施形態に係る撮像素子103に入射する光について説明する。図3に示す画素では、マイクロレンズ442に入射した光束は集光され、カラーフィルタ441で一部吸収され、層内レンズ445a、445bの表面結像面α近傍に集光する。マイクロレンズ442によって、不図示の撮影レンズの瞳と層内レンズ445a、445bの表面結像面αとが略結像関係になっており、層内レンズ445a、445bに入射した光束は光電変換部402a、402bに到達する。そのため、光電変換部402a、402bは、各層内レンズ445a、445bの開口を撮影レンズの瞳側に逆投影した瞳領域の光束を受光可能になっている。以上説明したような第1の実施形態に係る撮像素子103の構造においては、本来、光電変換部402aと402bの間にある分離領域に入射するはずの光束も、層内レンズ445a、445bを介して光電変換部402a、402bに集光可能となる。図4は、第1の実施形態において、マイクロレンズ442の結像面近傍の層内レンズ445a、445bの開口に光束が収束され、光電変換部に到達する様子を示している。図4aは、入射角0での光束の様子で、層内レンズ445a、445bの開口のちょうど真ん中に収束する。その後、層内レンズ445a、445bそれぞれにより光束が屈折され、光電変換部402a、402bそれぞれに広がりながら到達する。図4bは、入射角θ1での光束の様子で、層内レンズ445bの光学中心曲率頂点に収束する。その後、層内レンズ445bにより光束が屈折され、光電変換部402bに広がりながら到達する。図4cは,入射角θ2での光束の様子で、層内レンズ445bの端側に収束する。その後、層内レンズ445bにより光束が屈折され、光電変換部402bに広がりながら到達する。図5は、第1の実施形態において、マイクロレンズ442の開口位置と光電変換部402bとが層内レンズ445bにより共役な関係になっていることを示す図である。なお、図5aは,入射角0~θ2でマイクロレンズ442の左端部に到達した光束が光電変換部402bに到達するまでの様子を示す。図から分かるように、マイクロレンズ442の屈折により、層内レンズ445bの開口全域を透過し、光電変換部402bの右端部に収束する。図5bは,入射角0~θ2でマイクロレンズ442の中央に到達した光束が光電変換部402bに到達するまでの様子を示す。図から分かるように、マイクロレンズ442の屈折により、層内レンズ445bの開口全域を透過し、光電変換部402bの中央部に収束する。図5cは,入射角0~θ2でマイクロレンズ442の左端部に到達した光束が光電変換部402bに到達するまでの様子を示す。図から分かるように、マイクロレンズ442の屈折により、層内レンズ445bの開口全域を透過し、光電変換部402bの左端部に収束する。なお、図4及び図5においては、図に向かって左方向に入射角を有する光束について説明しているが、図に向かって右方向に入射角を有する光束の場合は、光電変換部402aに光束が入射することになる。次に、本発明の第1実施形態に係る撮像素子103の製造方法を、図6を用いて説明する。図6は、本発明の第1実施形態に係る撮像素子103の製造方法を示す1画素分の工程断面図である。図6aに示す工程では、光電変換部402が形成された半導体基板411の上に、第1の電極403a、403bを形成する。第1の電極403a、403bは、例えば、ポリシリコンpSiで形成する。その後、光電変換部402a、402bと第1の電極403a、403bとを覆うように、層間絶縁膜415を形成する。層間絶縁膜415は、例えば、二酸化珪素SiO2で形成する。図6bに示す工程第1の工程では、層内レンズ445a、445bの材料となる層452を、高屈折材、例えば窒化シリコンSiNで形成する。図6cに示す工程第2の工程では、有機材料をスピンコートすることにより、平坦化層453を形成する。図6dに示す工程第3の工程では、平坦化層453に、後述するグレイトーンマスクを用いたフォトリソグラフィによるギャップレスのマイクロレンズ453a、453bを形成する。図6eに示す工程第4の工程では、エッチバックを行うことにより、図6dで形成したマイクレンズ形状を高屈折材例えばSiNで形成された層452に転写して、層内レンズ445a、445bを形成する。図6fに示す工程では、第2の電極416、第3の電極417、更に層間絶縁膜415、不図示のスルーホール配線を形成する。図6gに示す工程では、電極を保護するための保護層であるSiN膜454を形成する。SiN膜454は、例えば、10nmの厚さで形成される。図6hに示す工程では、SiN膜454の上に有機材料をスピンコートすることにより、平坦化層443を形成する。その後、フォトリソグラフィにより、平坦化層443の上にカラーフィルタ441を形成する。更に、カラーフィルタ441の上に有機材料をスピンコートすることにより、更に平坦化層443を形成する。図6iに示す工程では、平坦化層443の上に、マイクロレンズ442を形成する。例えば、平坦化層443の上に有機材料等で形成した膜をパターニングし、そのパターンを熱溶融させることにより、球面を有するマイクロレンズ442を形成する。次に、層内レンズ445a、445bを形成するために形状転写される元の、図6dの工程におけるマイクロレンズ453a、453bの形成方法について説明する。従来のマイクロレンズは、フォトリソグラフィ工程でマイクロレンズの開口形状と相似のレジストパターンを形成し、その後、熱溶融させることにより球面のマイクロレンズを形成する。本発明のギャップレス形状の層内レンズを形成するためには、従来の製造方法は適用することができない。そのためグレイトーンマスクを利用したフォトリソグラフィにより、露光箇所でレジスト除去深さを異ならせるプロセスを適用する。図7に層内レンズ445a~445dの等高線を、図8にグレイトーンマスク500の一例を示す。図7からわかるように、4つの層内レンズ445a~445dは、個々に光学的にパワーがある状態の部分で領域が区切られ、一体的に構成されている。このような状態をギャップレスレンズ構造と呼ぶ。ギャップレスレンズ構造の場合、層内レンズ445a~445d間の境界領域で光学的な不感帯が存在せず、マイクロレンズ442から各層内レンズ445a~445dの開口に入射した光束全てが光電変換部402に到達する。従って、不感帯を生じずに光電変換部402a~402dにて到達した光束を光電変換することができる。ここで、図5で示したように、マイクロレンズ442の開口位置と光電変換部402a~402dとが層内レンズ445a~445dにより共役な関係になっている。そのため、各層内レンズ445a~445dの光軸は各光電変換部402a~402dの中心に対し、内側に配置される。従って、各層内レンズ445a~445dの開口に対し、各層内レンズ445a~445dの光軸は内側に非対称な系とすることが望ましい。但し、光電変換部402a~402dの配置を工夫することにより、正方形形状の開口で、光軸を対象に持っていってもよい。図8では元々の設計形状に対し段々形状となっているが、グレイトーンマスク500の単一パターンピッチを細かくすることによって、設計形状との誤差が減り、実質的な差を無くすことができる。図9はグレイトーンマスク500の単一パターン内での開口率とレジスト除去深さとの関係を示すグラフである。露光装置とレジスト材料に対して事前にこのような関係データを取得することにより、マイクロレンズ設計形状をグレイトーンマスク500のパターンにデータ変換することができる。以上の方法により、マイクロレンズに任意の開口形状と面曲率を形成することができる。このように、マイクロレンズ453a~453dは、従来の製造方法のマスクパターンを変更することによって製造することができ、従来とほぼ同等のコストで、図7に示すようなギャップレスの層内レンズ445a~445dを形成することが可能となる。図10は第1の実施形態における撮像素子103の1画素分の概略断面図である。図10において、411は半導体基板であるP型ウェル、412は二酸化珪素SiO2膜で構成されたゲート絶縁膜である。414a及び414bは、P型ウェル411の表面に形成されたp層であり、n層413a、413bと共に光電変換部402a、402bを構成する。423a及び423bは、光電変換部402a、402bで発生した信号電荷をフローティングディフュージョンFD部407へ転送するための転送ゲートである。441はカラーフィルタ、442はマイクロレンズオンチップレンズであり、マイクロレンズ442は、不図示の撮影レンズ光学系101の瞳と撮像素子103の光電変換部402a及び402bとが略共役になるような形状及び位置に形成される。また、光電変換部402a、402bとカラーフィルタ441との間には、それぞれ層内レンズ445a、445bが配置される。なお、この画素では、FD部407の周りに、FD部407を共用する4つの光電変換部402a~402dがそれぞれ形成される。また、各光電変換部402a、402bで発生した信号電荷をそれぞれFD部407へ転送する転送ゲート423a、423bが形成されると共に、不図示ではあるが、光電変換部402c、402dについても、転送ゲート423c、423dが同様に形成される。図11は第1の実施形態における撮像素子103の1画素分の構成及び読み出し回路の構成を示す回路図である。図11において、408は各画素毎、即ち、4つの光電変換部402a~402d毎に配置される画素共通部である。また、転送ゲート423a~423dは、光電変換部402a~402dの光電変換によって生成された電荷をパルスPTXa~PTXdの制御によってFD部407に転送する。画素共通部408は、転送ゲート423a~423dによって転送された電荷を蓄積するFD部407、画素アンプ406のゲートと接続されたFD部407をリセットパルスPRESによって電位SVDDのレベルにリセットするリセットスイッチ404を含む。更に、FD部407に蓄積された電荷をソースフォロワとして増幅する画素アンプ406、不図示の垂直走査回路により選択される行の画素を選択パルスPSELにより選択する行選択スイッチ405を含む。行選択スイッチ405によって選択された行の画素の電荷は、負荷電流源421によりソースフォロワで増幅されて垂直出力線422に出力され、信号出力パルスPTSにより転送ゲート425をONとして転送容量427に蓄積される。一方、行選択スイッチ405によって選択された行のノイズ成分の電荷も同様に、負荷電流源421によりソースフォロワで増幅されて垂直出力線422に出力され、ノイズ出力パルスPTNにより転送ゲート424をONとして転送容量426に蓄積される。続けて不図示の水平走査回路からの制御信号PHS、PHNにより転送スイッチ428、429を介して、ノイズ成分は容量430に、信号成分は容量431に蓄えられ、両者の差分を差動アンプ432によって画素信号として出力する。図12は第1の実施形態における第1の駆動タイミングを示すタイミングチャートである。図12において説明する第1の駆動タイミングは、図11に示す光電変換部402a~402dそれぞれの出力信号を独立に読み出すための駆動タイミングである。この第1の駆動タイミングによる信号読み出しを行う場合には、出力信号をデジタル信号処理回路113により焦点検出用信号もしくは立体画像生成用信号に加工して利用することができる。図12のタイミングチャートにおいて説明される駆動においては、光電変換部402a、402b、402c、402dの順に読み出すような構成としている。HBLKaHSRaの期間では、光電変換部402aの信号の読み出しを行う。先ず、1水平走査期間の開始を示す信号HDの立下りに伴い、不図示の回路により垂直出力線422は定電位にリセットされる。その後、PRES信号でリセットスイッチ404がONされることにより、T1aの期間に画素アンプ406のゲートに設けられたFD部407に蓄積された電荷が定電位SVDDになるようにリセットされる。続いてPRES信号をハイレベルとし、リセットスイッチ404をOFFとした後、PSEL信号をハイレベルにする。これにより、行選択スイッチ405であるMOSトランジスタと負荷電流源421で構成されたソースフォロワ回路が動作状態になり、垂直出力線422上に画素アンプ406のフローティングゲートリセット電位に応じたノイズ出力がなされる。このPSELがハイレベルの期間にPTN信号をハイレベルにすることで、ノイズ成分を蓄積する転送容量426が垂直出力線422と接続され、この転送容量426はノイズ成分の信号を保持するようになる。続いて、光電変換部402aで発生した光電荷とノイズ成分の混合信号の蓄積が行われる。垂直出力線422は、不図示の回路により、定電位にリセットされる。その後、PTXa信号がハイレベルにされ、光電変換部402aに蓄積された光電荷は、T3aの期間に転送ゲート423aがONされることにより、画素アンプ406のフローティングゲートに転送される。その際、PSEL信号はハイレベルのままであるために、ソースフォロワ回路が動作状態となり、垂直出力線422上に画素アンプ406のフローティングゲートの電位に応じた光信号ノイズ信号の出力がなされる。このT3aの期間を内包する期間T4aの間に、PTS信号をハイレベルにすることで、転送容量427が垂直出力線422と接続され、この転送容量427に光電荷成分ノイズ成分の信号が保持される。上述のようにして、1行分のノイズ成分と、光電変換部402aで発生した光信号ノイズ成分が、それぞれ転送容量426、427に保持される。次に、HSRaの期間に、転送容量426、427にそれぞれ蓄積された信号を、不図示の水平シフトレジスタにより制御される制御パルスPHN、PHSによってそれぞれ容量430、431に転送する。そして容量430、431に蓄積されたノイズ成分と光信号ノイズ成分は、差動アンプ432によって、光信号ノイズ成分-ノイズ成分の差分が取られ、光信号となって出力される。続けて、HBLKbHSRbの期間に、制御信号PTXb、PRES、PSELを制御し、光電変換部402bからの信号の読み出しを行う。なお、光電変換部402bからの信号読み出しタイミングは、上述した光電変換部402aの信号読出しタイミングと同様のため、説明は割愛する。更に、同様にして、光電変換部402c、402dからも信号の読み出しを行う。以上のようにして読み出しを行うことで、1行分の4つの光電変換部402a~402dの信号読み出しを終了する。図13は本発明の実施形態における第2の駆動タイミングを示すタイミングチャートである。図13において説明する第2の駆動タイミングは、図11に示す光電変換部402a~402dそれぞれの出力信号を一括で読み出すための駆動タイミングである。この第2の駆動タイミングによる信号読み出しは、通常撮像時など、個々の光電変換部402a~402dからの出力信号が不要な場合などに行われ、高速に読み出すことができる。図13における駆動タイミングにおいて、PSEL信号がハイレベルの期間にPTN信号をハイレベルにすることで、転送容量426にノイズ成分の信号を保持するようにするところまでは、図6を用いて説明した、第一の駆動タイミングと同じである。続いて、光電変換部402a~402dで発生した光電荷とノイズ成分の混合信号の転送が行われる。まず垂直出力線422は、不図示の回路により、定電位にリセットされる。その後、PTXa~PTXd信号が同時にハイレベルにされ、光電変換部402a~402dに蓄積された光電荷は、T3の期間に転送ゲート423a~423dがONされることにより、画素アンプ406のフローティングゲートに転送される。その際、PSEL信号はハイレベルのままであるために、ソースフォロワ回路が動作状態となり、垂直出力線422上に画素アンプ406のフローティングゲートの電位に応じた光信号ノイズ信号の出力がなされる。このT3の期間を内包する期間T4の間に、PTS信号をハイレベルにすることで、転送容量427が垂直出力線422と接続され、この転送容量427に光電荷成分ノイズ成分の信号が保持される。上述のように、1行分のノイズ成分と、光電変換部402a~402dで発生した光信号ノイズ成分が、それぞれ転送容量426、427に保持される。次に、HSRの期間に、転送容量426、427にそれぞれ蓄積された信号を、不図示の水平シフトレジスタにより制御される制御パルスPHN、PHSによってそれぞれ容量430、431に転送する。そして容量430、431に蓄積されたノイズ成分と光信号ノイズ成分は、差動アンプ432によって、光信号ノイズ成分-ノイズ成分の差分が取られ、光信号となって出力される。上記の通り本第1の実施形態によれば、1画素内に構成される複数の光電変換部を感度を持たない領域により分離した場合であっても、該領域による画素の感度低下や、入射角特性の劣化を緩和することができる。<第2の実施形態>次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図14は、第2の実施形態における撮像素子600の1撮像画素分の水平方向の断面図であり、第1の実施形態で説明した撮像素子103の代わりに用いることができる。なお、図14において、図3と同一の部材には同一の符号を記している。第1の実施形態で説明した図3に示す撮像素子103との構造の違いは、以下の2点である。即ち、光電変換部402a、402bの上部に導波路601a、601bを形成している点と、層内レンズ445a、445bが第2の電極416と第3の電極417との間に配置されている点である。その他は、図3の構成と同等であるため、適宜説明を省略する。カラーフィルタ441の上には、平坦化層443を介してマイクロレンズ442が形成される。マイクロレンズ442の厚さは、不図示の撮影レンズの瞳と層内レンズ445の上面図14の結像面αとが略結像関係になるレンズパワーになるように設定されている。次に、第2の実施形態に係る撮像素子600に入射する光について説明する。図14に示す画素では、マイクロレンズ442に入射した光束は集光され、カラーフィルタ441で一部吸収され、層内レンズ445a、445bの表面結像面α近傍に集光する。マイクロレンズ442によって、不図示の撮影レンズの瞳と層内レンズ445a、445bの表面結像面αとが略結像関係になっている。そして、層内レンズ445a、445bに入射した光束は、導波路601a、601bを通って光電変換部402a、402bに到達する。即ち、光電変換部402a、402bは、各層内レンズ445a、445bの開口を撮影レンズの瞳側に逆投影した瞳領域の光束を受光可能になっている。以上説明したような第2の実施形態に係る撮像素子600の構造においては、本来、光電変換部402aと402bの間にある分離領域に入射するはずの光束も、層内レンズ445a、445bを介して光電変換部402a、402bに集光可能となる。図15は、第2の実施形態において、マイクロレンズ442の焦点位置近傍の層内レンズ445a、445bの開口に光束が収束され、導波路601a、601bの開口に到達する様子を示している。図15aは,入射角0での光束の様子で、層内レンズ445a、445bの開口ちょうど真ん中に収束する。その後、層内レンズ445a、445bのそれぞれにより光束が屈折され、導波路601a、bの開口それぞれに広がりながら到達する。図15bは,入射角θ1での光束の様子で、層内レンズ445bの光学中心曲率頂点に収束する。その後、層内レンズ445bより光束が屈折され、導波路601bの開口に広がりながら到達する。図15cは,入射角θ2での光束の様子で、層内レンズ445bの端側に収束する。その後、層内レンズ445bにより光束が屈折され、導波路601bの開口に広がりながら到達する。図16は、第2の実施形態において、マイクロレンズ442の開口位置と導波路601bの開口とが層内レンズ445bにより共役な関係になっていることを示す図である。図16aは,入射角0~θ2でマイクロレンズ442の左端部に到達した光束が導波路601bの開口に到達するまでの様子を示す。図から分かるように、マイクロレンズ442の屈折により、層内レンズ445bの開口全域を透過し、導波路601bの開口の右端部に収束する。図16bは,入射角0~θ2でマイクロレンズ442の中央に到達した光束が導波路601bの開口に到達するまでの様子を示す。図から分かるように、マイクロレンズ442の屈折により、層内レンズ445bの開口全域を透過し、導波路601bの開口の中央部に収束する。図16cは,入射角0~θ2でマイクロレンズ442の左端部に到達した光束が導波路601bの開口に到達するまでの様子を示す。図から分かるように、マイクロレンズ442の屈折により、層内レンズ445bの開口全域を透過し、導波路601bの開口の左端部に収束する。なお、図15及び図16においては、図に向かって左方向に入射角を有する光束について説明しているが、図に向かって右方向に入射角を有する光束の場合は、導波路601aに光束が入射することになる。上記の通り第2の実施形態によれば、導波路を用いて、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。以上、図1~図16を用いて本発明の実施形態にかかる撮像装置の実施形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されることはなく、様々な形態をとることが可能である。"