"フォトダイオードと、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、電荷蓄積容量部と、第1乃至第6の端子と、を有し、前記電荷蓄積容量部の一方の電極は、前記第1のトランジスタのソース電極、前記第2のトランジスタのドレイン電極、前記第3のトランジスタのドレイン電極、及び前記第6の端子と電気的に接続され、前記電荷蓄積容量部の他方の電極は、前記フォトダイオードのアノード、前記第3のトランジスタのソース電極、及び前記第2の端子と電気的に接続され、前記第2のトランジスタのソース電極は、前記フォトダイオードのカソードと電気的に接続され、前記第1のトランジスタのドレイン電極は、前記第1の端子と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第3の端子と電気的に接続され、前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第4の端子と電気的に接続され、前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第5の端子と電気的に接続されることを特徴とする光電変換装置。請求項1において、前記第1乃至第3のトランジスタは酸化物半導体を含んで形成されていることを特徴とする光電変換装置。フォトダイオードと、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタ及び第5のトランジスタからなるカレントミラー回路と、電荷蓄積容量部と、第1乃至第6の端子と、を有し、前記電荷蓄積容量部の一方の電極は、前記第1のトランジスタのソース電極、前記第2のトランジスタのドレイン電極、前記第3のトランジスタのドレイン電極、及び前記第6の端子と電気的に接続され、前記電荷蓄積容量部の他方の電極は、前記第3のトランジスタのソース電極、前記第4のトランジスタのソース電極、前記第5のトランジスタのソース電極、及び前記第2の端子と電気的に接続され、前記第2のトランジスタのソース電極は、前記第5のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのドレイン電極は、前記フォトダイオードのカソード、及び前記第1の端子と電気的に接続され、前記第4のトランジスタのドレイン電極は、前記フォトダイオードのアノード、前記第4のトランジスタのゲート電極、及び前記第5のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第3の端子と電気的に接続され、前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第4の端子と電気的に接続され、前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第5の端子と電気的に接続されることを特徴とする光電変換装置。請求項3において、前記第1乃至第5のトランジスタは酸化物半導体を含んで形成されていることを特徴とする光電変換装置。請求項3または4において、前記第4のトランジスタに並列接続する第6のトランジスタが設けられていることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記第1の端子は高電位端子、前記第2の端子は低電位端子、前記第3乃至前記第5の端子は信号入力端子、前記第6の端子は信号出力端子であることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至6のいずれか一項において、前記第1乃至第3のトランジスタはnチャネル型であることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至6のいずれか一項において、前記第1のトランジスタはpチャネル型であり、前記第2のトランジスタ及び第3のトランジスタはnチャネル型であることを特徴とする光電変換装置。電荷蓄積容量部の一方の電極が、第1のトランジスタのソース電極、第2のトランジスタのドレイン電極、第3のトランジスタのドレイン電極、及び第6の端子と電気的に接続され、前記電荷蓄積容量部の他方の電極が、フォトダイオードのアノード、前記第3のトランジスタのソース電極、及び第2の端子と電気的に接続され、前記第2のトランジスタのソース電極が、前記フォトダイオードのカソードと電気的に接続され、前記第1のトランジスタのドレイン電極が、第1の端子と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのゲート電極が、第3の端子と電気的に接続され、前記第2のトランジスタのゲート電極が、第4の端子と電気的に接続され、前記第3のトランジスタのゲート電極が、第5の端子と電気的に接続された光電変換装置において、前記第1の端子を高電源電位、前記第2の端子を低電源電位とし、前記第3のトランジスタがオンとなる電位を前記第5の端子に供給して、前記電荷蓄積容量部の放電を行い、前記第3のトランジスタがオフとなる電位を前記第5の端子に供給した後、前記第1のトランジスタがオンとなる電位を前記第3の端子に供給して、前記電荷蓄積容量部の充電を行い、前記第1のトランジスタがオフとなる電位を前記第3の端子に供給した後、前記第2のトランジスタがオンとなる電位を前記第4の端子に供給して、前記電荷蓄積容量部の放電を前記フォトダイオードを介して行い、前記第2のトランジスタがオフとなる電位を前記第4の端子に供給した後、前記電荷蓄積容量部の電位を前記第6の端子を介して信号として読み取ることを上記順序で行う光電変換装置の動作方法。電荷蓄積容量部の一方の電極が、第1のトランジスタのソース電極、第2のトランジスタのドレイン電極、第3のトランジスタのドレイン電極、及び第6の端子と電気的に接続され、前記電荷蓄積容量部の他方の電極が、前記第3のトランジスタのソース電極、第4のトランジスタのソース電極、第5のトランジスタのソース電極、及び第2の端子と電気的に接続され、前記第2のトランジスタのソース電極が、前記第5のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのドレイン電極が、フォトダイオードのカソード、及び第1の端子と電気的に接続され、前記第4のトランジスタのドレイン電極が、前記フォトダイオードのアノード、前記第4のトランジスタのゲート電極、及び前記第5のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのゲート電極が、第3の端子と電気的に接続され、前記第2のトランジスタのゲート電極が、第4の端子と電気的に接続され、前記第3のトランジスタのゲート電極が、第5の端子と電気的に接続された光電変換装置において、前記第1の端子を高電源電位、前記第2の端子を低電源電位とし、前記第3のトランジスタがオンとなる電位を前記第5の端子に供給して、前記電荷蓄積容量部の放電を行い、前記第3のトランジスタがオフとなる電位を前記第5の端子に供給した後、前記第1のトランジスタがオンとなる電位を前記第3の端子に供給して、前記電荷蓄積容量部の充電を行い、前記第1のトランジスタがオフとなる電位を前記第3の端子に供給した後、前記第2のトランジスタがオンとなる電位を前記第4の端子に供給して、前記電荷蓄積容量部の放電を前記第5のトランジスタを介して行い、前記第2のトランジスタがオフとなる電位を前記第4の端子に供給した後、前記電荷蓄積容量部の電位を前記第6の端子を介して信号として読み取ることを上記順序で行う光電変換装置の動作方法。特許文献1に開示されているフォトICは、フォトダイオードと同様に、常に逆バイアスをかけた状態で信号を読み出すことから、消費電力が大きいことが問題となっている。上記問題を鑑み、本発明の一態様は、消費電力の少ない光電変換装置及びその動作方法を提供することを目的とする。本明細書で開示する本発明の一態様は、電荷蓄積容量部、フォトダイオード及びトランジスタを含む光電変換装置であり、電荷蓄積容量部を充電した後にフォトダイオードまたはフォトダイオードに接続されたカレントミラー回路を介して電荷蓄積容量部を放電させることを特徴とする。本明細書で開示する本発明の一態様は、フォトダイオードと、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、電荷蓄積容量部と、第1乃至第6の端子と、を有し、電荷蓄積容量部の一方の電極は、第1のトランジスタのソース電極、第2のトランジスタのドレイン電極、第3のトランジスタのドレイン電極、及び第6の端子と電気的に接続され、電荷蓄積容量部の他方の電極は、フォトダイオードのアノード、第3のトランジスタのソース電極、及び第2の端子と電気的に接続され、第2のトランジスタのソース電極は、フォトダイオードのカソードと電気的に接続され、第1のトランジスタのドレイン電極は、第1の端子と電気的に接続され、第1のトランジスタのゲート電極は、第3の端子と電気的に接続され、第2のトランジスタのゲート電極は、第4の端子と電気的に接続され、第3のトランジスタのゲート電極は、第5の端子と電気的に接続されることを特徴とする光電変換装置である。なお、本明細書等における第1、第2、第3などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、順序や数を限定するものではないことを付記する。本明細書で開示する本発明の他の一態様は、フォトダイオードと、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタ及び第5のトランジスタからなるカレントミラー回路と、電荷蓄積容量部と、第1乃至第6の端子と、を有し、電荷蓄積容量部の一方の電極は、第1のトランジスタのソース電極、第2のトランジスタのドレイン電極、第3のトランジスタのドレイン電極、及び第6の端子と電気的に接続され、電荷蓄積容量部の他方の電極は、第3のトランジスタのソース電極、第4のトランジスタのソース電極、第5のトランジスタのソース電極、及び第2の端子と電気的に接続され、第2のトランジスタのソース電極は、第4のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続され、第1のトランジスタのドレイン電極は、フォトダイオードのカソード、及び第1の端子と電気的に接続され、第5のトランジスタのドレイン電極は、フォトダイオードのアノード、第4のトランジスタのゲート電極、及び第5のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、第1のトランジスタのゲート電極は、第3の端子と電気的に接続され、第2のトランジスタのゲート電極は、第4の端子と電気的に接続され、第3のトランジスタのゲート電極は、第5の端子と電気的に接続されることを特徴とする光電変換装置である。上記第1の端子は高電位端子、第2の端子は低電位端子、第3乃至第5の端子は信号入力端子、第6の端子は信号出力端子である。上記トランジスタは、酸化物半導体を含んで形成されていることが好ましい。上記トランジスタは、nチャネル型で構成することができる。また、第1のトランジスタをpチャネル型とし、その他のトランジスタをnチャネル型で構成しても良い。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、電荷蓄積容量部の一方の電極が、第1のトランジスタのソース電極、第2のトランジスタのドレイン電極、第3のトランジスタのドレイン電極、及び第6の端子と電気的に接続され、電荷蓄積容量部の他方の電極が、フォトダイオードのアノード、第3のトランジスタのソース電極、及び第2の端子と電気的に接続され、第2のトランジスタのソース電極が、フォトダイオードのカソードと電気的に接続され、第1のトランジスタのドレイン電極が、第1の端子と電気的に接続され、第1のトランジスタのゲート電極が、第3の端子と電気的に接続され、第2のトランジスタのゲート電極が、第4の端子と電気的に接続され、第3のトランジスタのゲート電極が、第5の端子と電気的に接続された光電変換装置において、第1の端子を高電源電位、第2の端子を低電源電位とし、第3のトランジスタがオンとなる電位を第5の端子に供給して、電荷蓄積容量部の放電を行い、第3のトランジスタがオフとなる電位を第5の端子に供給した後、第1のトランジスタがオンとなる電位を第3の端子に供給して、電荷蓄積容量部の充電を行い、第1のトランジスタがオフとなる電位を第3の端子に供給した後、第2のトランジスタがオンとなる電位を第4の端子に供給して、電荷蓄積容量部の放電をフォトダイオードを介して所定の期間行い、第2のトランジスタがオフとなる電位を第4の端子に供給した後、電荷蓄積容量部の電位を第6の端子を介して信号として読み取ることを上記順序で行う光電変換装置の動作方法である。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、電荷蓄積容量部の一方の電極が、第1のトランジスタのソース電極、第2のトランジスタのドレイン電極、第3のトランジスタのドレイン電極、及び第6の端子と電気的に接続され、電荷蓄積容量部の他方の電極が、第3のトランジスタのソース電極、第4のトランジスタのソース電極、第5のトランジスタのソース電極、及び第2の端子と電気的に接続され、第2のトランジスタのソース電極が、第5のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続され、第1のトランジスタのドレイン電極が、フォトダイオードのカソード、及び第1の端子と電気的に接続され、第4のトランジスタのドレイン電極が、フォトダイオードのアノード、第4のトランジスタのゲート電極、及び第5のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、第1のトランジスタのゲート電極が、第3の端子と電気的に接続され、第2のトランジスタのゲート電極が、第4の端子と電気的に接続され、第3のトランジスタのゲート電極が、第5の端子と電気的に接続された光電変換装置において、第1の端子を高電源電位、第2の端子を低電源電位とし、第3のトランジスタがオンとなる電位を第5の端子に供給して、電荷蓄積容量部の放電を行い、第3のトランジスタがオフとなる電位を第5の端子に供給した後、第1のトランジスタがオンとなる電位を第3の端子に供給して、電荷蓄積容量部の充電を行い、第1のトランジスタがオフとなる電位を第3の端子に供給した後、第2のトランジスタがオンとなる電位を第4の端子に供給して、電荷蓄積容量部の放電を第5のトランジスタを介して所定の期間行い、第2のトランジスタがオフとなる電位を第4の端子に供給した後、電荷蓄積容量部の電位を第6の端子を介して信号として読み取ることを上記順序で行う光電変換装置の動作方法である。本発明の一態様により、消費電力の少ない光電変換装置及びその動作方法を提供することができる。以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略することがある。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様における光電変換装置の構成及びその動作について説明する。図1Aは、本発明の一態様における光電変換装置の回路図である。光電変換装置100は、第1のトランジスタ101、第2のトランジスタ102、第3のトランジスタ103、電荷蓄積容量部107、フォトダイオード108、保護抵抗109、第1の端子111、第2の端子112、第3の端子113、第4の端子114、第5の端子115、及び第6の端子116を含んで構成される。なお、トランジスタは全てnチャネル型である。第1の端子111には、保護抵抗109を介して第1のトランジスタ101のドレイン電極が接続され、第2の端子112には、第3のトランジスタ103のソース電極、電荷蓄積容量部107の一方の電極、及びフォトダイオード108のアノードが接続される。また、電荷蓄積容量部107の他方の電極には、第1のトランジスタ101のソース電極、第2のトランジスタ102のドレイン電極、及び第3のトランジスタ103のドレイン電極が接続され、第2のトランジスタ102のソース電極にはフォトダイオード108のカソードが接続される。ここで、第1の端子111は高電位側の電源端子、第2の端子112は低電位側の電源端子として用いられる。また、第1のトランジスタ101のゲート電極には第3の端子113が接続され、第2のトランジスタ102のゲート電極には第4の端子114が接続され、第3のトランジスタ103のゲート電極には第5の端子115が接続される。これら第3乃至第5の端子は、信号入力端子として用いられる。また、電荷蓄積容量部107の他方の電極には第6の端子116が接続される。第6の端子116は、電荷蓄積容量部107の電位V1を出力するための出力端子である。このように、本発明の一態様における光電変換装置は、計6端子を有する。なお、保護抵抗109の抵抗値や電荷蓄積容量部107の容量値は実施者が適宜決定すれば良く、どちらか、または両方を省くこともできる。例えば、電荷蓄積容量部107は、第1乃至第3のトランジスタのソース領域及びドレイン領域の容量や、配線容量を容量素子の代替とすることができる。フォトダイオード108には、単結晶シリコンで形成されるpn型フォトダイオードや多結晶シリコンやアモルファスシリコンで形成されるpin型フォトダイオードなどを用いることができる。本実施の形態の光電変換装置100を光センサとして用いる場合には、目的の波長に対応したフォトダイオードを選べばよい。例えば、可視光線の波長領域を検出するにはアモルファスシリコンで形成されたフォトダイオードを用いることが好ましく、赤外線を含む波長領域を検出するには単結晶シリコンまたは多結晶シリコンで形成されたフォトダイオードを用いることが好ましい。第1乃至第3のトランジスタは、シリコン半導体や酸化物半導体を用いて形成することができる。シリコン半導体としては、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどがあり、酸化物半導体としては、In-Ga-Zn-O系金属酸化物などがある。例えば、単結晶シリコンウェハや、ガラス基板などの絶縁表面を有する基板上の多結晶シリコンまたは酸化物半導体を用いて該トランジスタを作製すれば良い。用いる酸化物半導体としては、少なくともインジウムInあるいは亜鉛Znを含むことが好ましい。特にInとZnを含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガリウムGaを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズSnを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウムHfを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウムAlを有することが好ましい。また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタンLa、セリウムCe、プラセオジムPr、ネオジムNd、サマリウムSm、ユウロピウムEu、ガドリニウムGd、テルビウムTb、ジスプロシウムDy、ホルミウムHo、エルビウムEr、ツリウムTm、イッテルビウムYb、ルテチウムLuのいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるIn-Zn系酸化物、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸化物、Zn-Mg系酸化物、Sn-Mg系酸化物、In-Mg系酸化物、In-Ga系酸化物、三元系金属の酸化物であるIn-Ga-Zn系酸化物IGZOとも表記する、In-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Zn系酸化物、Sn-Ga-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、Sn-Al-Zn系酸化物、In-Hf-Zn系酸化物、In-La-Zn系酸化物、In-Ce-Zn系酸化物、In-Pr-Zn系酸化物、In-Nd-Zn系酸化物、In-Sm-Zn系酸化物、In-Eu-Zn系酸化物、In-Gd-Zn系酸化物、In-Tb-Zn系酸化物、In-Dy-Zn系酸化物、In-Ho-Zn系酸化物、In-Er-Zn系酸化物、In-Tm-Zn系酸化物、In-Yb-Zn系酸化物、In-Lu-Zn系酸化物、四元系金属の酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn系酸化物、In-Hf-Ga-Zn系酸化物、In-Al-Ga-Zn系酸化物、In-Sn-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Hf-Zn系酸化物、In-Hf-Al-Zn系酸化物を用いることができる。In-Ga-Zn系の酸化物半導体材料は、無電界時の抵抗が十分に高くオフ電流を十分に小さくすることが可能であり、かつ、電界効果移動度が高い特徴を有している。また、In-Sn-Zn系酸化物半導体材料を用いたトランジスタは、In-Ga-Zn系の酸化物半導体材料を用いたトランジスタよりも電界効果移動度を三倍以上にすることができ、かつ、しきい値電圧を正にしやすい特徴を有している。これらの半導体材料は、本発明の一態様における半導体装置を構成するトランジスタに用いることのできる好適な材料の一つである。なお、ここで、例えば、In-Ga-Zn系酸化物とは、InとGaとZnを主成分として有する酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn以外の金属元素が入っていてもよい。また、酸化物半導体として、InMO3ZnOmm>0、且つ、mは整数でないで表記される材料を用いてもよい。なお、Mは、Ga、Fe、Mn及びCoから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、In3SnO5ZnOnn>0、且つ、nは整数で表記される材料を用いてもよい。例えば、In:Ga:Zn=1:1:1=1/3:1/3:1/3あるいはIn:Ga:Zn=2:2:1=2/5:2/5:1/5の原子数比のIn-Ga-Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。あるいは、In:Sn:Zn=1:1:1=1/3:1/3:1/3、In:Sn:Zn=2:1:3=1/3:1/6:1/2あるいはIn:Sn:Zn=2:1:5=1/4:1/8:5/8の原子数比のIn-Sn-Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。しかし、これらに限られず、必要とする半導体特性移動度、しきい値、ばらつき等に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間結合距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。例えば、In-Sn-Zn系酸化物では比較的容易に高い移動度が得られる。しかしながら、In-Ga-Zn系酸化物でも、バルク内欠陥密度を低減することにより移動度を上げることができる。なお、例えば、In、Ga、Znの原子数比がIn:Ga:Zn=a:b:cabc=1である酸化物の組成が、原子数比がIn:Ga:Zn=A:B:CABC=1の酸化物の組成の近傍であるとは、a、b、cが、a―A2b―B2c―C2≦r2を満たすことをいい、rは、例えば、0.05とすればよい。他の酸化物でも同様である。酸化物半導体は単結晶でも、非単結晶でもよい。後者の場合、アモルファスでも、多結晶でもよい。また、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でも、非アモルファスでもよい。アモルファス状態の酸化物半導体は、比較的容易に平坦な表面を得ることができるため、これを用いてトランジスタを作製した際の界面散乱を低減でき、比較的容易に、比較的高い移動度を得ることができる。また、結晶性を有する酸化物半導体では、よりバルク内欠陥を低減することができ、表面の平坦性を高めればアモルファス状態の酸化物半導体以上の移動度を得ることができる。表面の平坦性を高めるためには、平坦な表面上に酸化物半導体を形成することが好ましく、具体的には、平均面粗さRaが1nm以下、好ましくは0.3nm以下、より好ましくは0.1nm以下の表面上に形成するとよい。なお、Raは、JISB0601で定義されている中心線平均粗さを面に対して適用できるよう三次元に拡張したものであり、基準面から指定面までの偏差の絶対値を平均した値と表現でき、以下の式にて定義される。なお、上記において、S0は、測定面座標x1,y1x1,y2x2,y1x2,y2で表される4点によって囲まれる長方形の領域の面積を指し、Z0は測定面の平均高さを指す。Raは原子間力顕微鏡AFM:AtomicForceMicroscopeにて評価可能である。酸化物半導体層144をスパッタ法で作製するためのターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の酸化物ターゲットを用いる。また、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の酸化物ターゲットを用いてもよい。また、酸化物半導体としてIn-Zn-O系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、In:Zn=50:1~1:2mol数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1~1:4、好ましくはIn:Zn=20:1~1:1mol数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1~1:2、さらに好ましくはIn:Zn=15:1~1.5:1mol数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2~3:4とする。例えば、In-Zn系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5XYとする。また、In-Sn-Zn系酸化物の形成には、In:Sn:Znが原子数比で、1:2:2、2:1:3、1:1:1、または20:45:35などとなる酸化物ターゲットを用いる。ここで酸化物半導体が結晶性を有する場合として、c軸配向し、かつab面、表面または界面の方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、c軸においては金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列しており、ab面においてはa軸またはb軸の向きが異なるc軸を中心に回転した結晶CAAC:CAxisAlignedCrystalともいう。を含む酸化物について説明する。CAACを含む酸化物とは、広義に、非単結晶であって、そのab面に垂直な方向から見て、三角形、六角形、正三角形または正六角形の原子配列を有し、かつc軸方向に垂直な方向から見て、金属原子が層状、または金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む酸化物をいう。CAACは単結晶ではないが、非晶質のみから形成されているものでもない。また、CAACは結晶化した部分結晶部分を含むが、1つの結晶部分と他の結晶部分の境界を明確に判別できないこともある。CAACに酸素が含まれる場合、酸素の一部は窒素で置換されてもよい。また、CAACを構成する個々の結晶部分のc軸は一定の方向例えば、CAACを支持する基板面、CAACの表面などに垂直な方向に揃っていてもよい。または、CAACを構成する個々の結晶部分のab面の法線は一定の方向例えば、CAACを支持する基板面、CAACの表面などに垂直な方向を向いていてもよい。CAACは、その組成などに応じて、導体であったり、半導体であったり、絶縁体であったりする。また、その組成などに応じて、可視光に対して透明であったり不透明であったりする。このようなCAACの例として、膜状に形成され、膜表面または支持する基板面に垂直な方向から観察すると三角形または六角形の原子配列が認められ、かつその膜断面を観察すると金属原子または金属原子および酸素原子または窒素原子の層状配列が認められる結晶を挙げることもできる。CAACに含まれる結晶構造の一例について図10乃至図12を用いて詳細に説明する。なお、特に断りがない限り、図10乃至図12は上方向をc軸方向とし、c軸方向と直交する面をab面とする。なお、単に上半分、下半分という場合、ab面を境にした場合の上半分、下半分をいう。また、図10において、丸で囲まれたOは4配位のOを示し、二重丸で囲まれたOは3配位のOを示す。図10Aに、1個の6配位のInと、Inに近接の6個の4配位の酸素原子以下4配位のOと、を有する構造を示す。ここでは、金属原子が1個に対して、近接の酸素原子のみ示した構造を小グループと呼ぶ。図10Aの構造は、八面体構造をとるが、簡単のため平面構造で示している。なお、図10Aの上半分および下半分にはそれぞれ3個ずつ4配位のOがある。図10Aに示す小グループは電荷が0である。図10Bに、1個の5配位のGaと、Gaに近接の3個の3配位の酸素原子以下3配位のOと、Gaに近接の2個の4配位のOと、を有する構造を示す。3配位のOは、いずれもab面に存在する。図10Bの上半分および下半分にはそれぞれ1個ずつ4配位のOがある。また、Inも5配位をとるため、図10Bに示す構造をとりうる。図10Bに示す小グループは電荷が0である。図10Cに、1個の4配位のZnと、Znに近接の4個の4配位のOと、を有する構造を示す。図10Cの上半分には1個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配位のOがある。または、図10Cの上半分に3個の4配位のOがあり、下半分に1個の4配位のOがあってもよい。図10Cに示す小グループは電荷が0である。図10Dに、1個の6配位のSnと、Snに近接の6個の4配位のOと、を有する構造を示す。図10Dの上半分には3個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配位のOがある。図10Dに示す小グループは電荷が1となる。図10Eに、2個のZnを含む小グループを示す。図10Eの上半分には1個の4配位のOがあり、下半分には1個の4配位のOがある。図10Eに示す小グループは電荷が-1となる。ここでは、複数の小グループの集合体を中グループと呼び、複数の中グループの集合体を大グループユニットセルともいう。と呼ぶ。ここで、これらの小グループ同士が結合する規則について説明する。図10Aに示す6配位のInの上半分の3個のOは、下方向にそれぞれ3個の近接Inを有し、下半分の3個のOは、上方向にそれぞれ3個の近接Inを有する。図10Bに示す5配位のGaの上半分の1個のOは、下方向に1個の近接Gaを有し、下半分の1個のOは、上方向に1個の近接Gaを有する。図10Cに示す4配位のZnの上半分の1個のOは、下方向に1個の近接Znを有し、下半分の3個のOは、上方向にそれぞれ3個の近接Znを有する。このように、金属原子の上方向に近接する4配位のOの数と、そのOの下方向にある近接金属原子の数は等しく、同様に金属原子の下方向に近接する4配位のOの数と、そのOの上方向にある近接金属原子の数は等しい。小グループ同士の結合に寄与するOは4配位なので、Oの下方向にある近接金属原子の数と、Oの上方向にある近接金属原子の数の和は4になる。したがって金属原子の上方向にある4配位のOの数と、別の金属原子の下方向にある4配位のOの数との和が4個のとき、金属原子を有する二種の小グループ同士は結合することができる。例えば、6配位の金属原子InまたはSnが下半分の4配位のOを介して結合する場合、4配位のOが3個であるため、5配位の金属原子GaまたはIn、または4配位の金属原子Znのいずれかと結合することになる。これらの配位数を有する金属原子は、c軸方向において、4配位のOを介して結合する。また、このほかにも、層構造の合計の電荷が0となるように複数の小グループが結合して中グループを構成する。図11Aに、In-Sn-Zn-O系の層構造を構成する中グループのモデル図を示す。図11Bに、3つの中グループで構成される大グループを示す。なお、図11Cは、図11Bの層構造をc軸方向から観察した場合の原子配列を示す。図11Aにおいては、簡単のため、3配位のOは省略し、4配位のOは個数のみ示し、例えば、Snの上半分および下半分にはそれぞれ3個ずつ4配位のOがあることを丸枠の3として示している。同様に、図11Aにおいて、Inの上半分および下半分にはそれぞれ1個ずつ4配位のOがあり、丸枠の1として示している。また、同様に、図11Aにおいて、下半分には1個の4配位のOがあり、上半分には3個の4配位のOがあるZnと、上半分には1個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配位のOがあるZnとを示している。図11Aにおいて、In-Sn-Zn-O系の層構造を構成する中グループは、上から順に4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるSnが、4配位のOが1個ずつ上半分および下半分にあるInと結合し、そのInが、上半分に3個の4配位のOがあるZnと結合し、そのZnの下半分の1個の4配位のOを介して4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるInと結合し、そのInが、上半分に1個の4配位のOがあるZn2個からなる小グループと結合し、この小グループの下半分の1個の4配位のOを介して4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるSnと結合している構成である。この中グループが複数結合して大グループを構成する。ここで、3配位のOおよび4配位のOの場合、結合1本当たりの電荷はそれぞれ-0.667、-0.5と考えることができる。例えば、In6配位または5配位、Zn4配位、Sn5配位または6配位の電荷は、それぞれ3、2、4である。従って、Snを含む小グループは電荷が1となる。そのため、Snを含む層構造を形成するためには、電荷1を打ち消す電荷-1が必要となる。電荷-1をとる構造として、図10Eに示すように、2個のZnを含む小グループが挙げられる。例えば、Snを含む小グループが1個に対し、2個のZnを含む小グループが1個あれば、電荷が打ち消されるため、層構造の合計の電荷を0とすることができる。具体的には、図11Bに示した大グループが繰り返されることで、In-Sn-Zn-O系の結晶In2SnZn3O8を得ることができる。なお、得られるIn-Sn-Zn-O系の層構造は、In2SnZn2O7ZnOmmは0または自然数。とする組成式で表すことができる。また、このほかにも、四元系金属の酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn系酸化物や、三元系金属の酸化物であるIn-Ga-Zn系酸化物IGZOとも表記する。、In-Al-Zn系酸化物、Sn-Ga-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、Sn-Al-Zn系酸化物や、In-Hf-Zn系酸化物、In-La-Zn系酸化物、In-Ce-Zn系酸化物、In-Pr-Zn系酸化物、In-Nd-Zn系酸化物、In-Sm-Zn系酸化物、In-Eu-Zn系酸化物、In-Gd-Zn系酸化物、In-Tb-Zn系酸化物、In-Dy-Zn系酸化物、In-Ho-Zn系酸化物、In-Er-Zn系酸化物、In-Tm-Zn系酸化物、In-Yb-Zn系酸化物、In-Lu-Zn系酸化物や、二元系金属の酸化物であるIn-Zn系酸化物、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸化物、Zn-Mg系酸化物、Sn-Mg系酸化物、In-Mg系酸化物や、In-Ga系酸化物などを用いた場合も同様である。例えば、図12Aに、In-Ga-Zn-O系の層構造を構成する中グループのモデル図を示す。図12Aにおいて、In-Ga-Zn-O系の層構造を構成する中グループは、上から順に4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるInが、4配位のOが1個上半分にあるZnと結合し、そのZnの下半分の3個の4配位のOを介して、4配位のOが1個ずつ上半分および下半分にあるGaと結合し、そのGaの下半分の1個の4配位のOを介して、4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるInと結合している構成である。この中グループが複数結合して大グループを構成する。図12Bに3つの中グループで構成される大グループを示す。なお、図12Cは、図12Bの層構造をc軸方向から観察した場合の原子配列を示している。ここで、In6配位または5配位、Zn4配位、Ga5配位の電荷は、それぞれ3、2、3であるため、In、ZnおよびGaのいずれかを含む小グループは、電荷が0となる。そのため、これらの小グループの組み合わせであれば中グループの合計の電荷は常に0となる。また、In-Ga-Zn-O系の層構造を構成する中グループは、図12Aに示した中グループに限定されず、In、Ga、Znの配列が異なる中グループを組み合わせた大グループも取りうる。第1乃至第3のトランジスタに酸化物半導体を用いる構成としては、シリコン半導体で形成したトランジスタとの複合であってもよい。酸化物半導体を用いたトランジスタは、極めてオフ電流が小さい電気特性を有する。酸化物半導体は、水素などの不純物が十分に除去され、更に十分な酸素が供給されることにより、高純度化されたものであることが望ましい。具体的には、例えば、酸化物半導体の水素濃度は5×1019atoms/cm3以下、望ましくは5×1018atoms/cm3以下、より望ましくは5×1017atoms/cm3以下とする。なお、上述の酸化物半導体中の水素濃度は、二次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectrometryで測定されるものである。このように、水素濃度が十分に低減されて高純度化され、十分な酸素の供給により酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位が低減された酸化物半導体では、水素等のドナーに起因するキャリア密度が1×1012/cm3未満、望ましくは、1×1011/cm3未満、より望ましくは1.45×1010/cm3未満となる。また、例えば、室温25°Cでのオフ電流ここでは、単位チャネル幅1μmあたりの値は100zA1zAゼプトアンペアは1×10-21A以下、望ましくは10zA以下となる。このように、i型化真性化または実質的にi型化された酸化物半導体を用いることで、極めて優れたオフ電流特性のトランジスタを得ることができる。第1乃至第3のトランジスタに極めてオフ電流の低い酸化物半導体を用いたトランジスタを用いると、電荷蓄積容量部107の電位を長期間保持することができるようになる。また、従来のフォトダイオードやフォトダイオードと同様に逆バイアスを印加して信号を読み出す光電変換装置では、動作時に常に電力を消費していたが、本発明の一態様における光電変換装置は、電荷蓄積容量部107の充電動作に電力を消費する以外、待機時や読み出し時に電力を消費することなく動作させることができる。図1Aの回路構成におけるフォトダイオード108、第2のトランジスタ102、第3のトランジスタ103、及び電荷蓄積容量部107について、その接続形態の一例を図9の断面図に示す。例示したフォトダイオード108は、ガラス基板1000側からp層、i層及びn層を積層したpin型であり、p層側がアノード、n層側がカソードとなる。該トランジスタは、酸化物半導体層、ソース電極及びドレイン電極である金属層、ゲート絶縁膜、並びにゲート電極である金属層を含んで構成される。また、電荷蓄積容量部107は、該トランジスタのソース電極及びドレイン電極である金属層、ゲート絶縁膜、並びにゲート電極である金属層と同一の材料から構成される。フォトダイオード108のアノードには、接続電極130が接続され、カソードには裏面電極140が接続される。裏面電極140は、第2のトランジスタ102のソース電極と接続される。また、図示はされていないが、接続電極130は、第3のトランジスタ103のソース電極、及び電荷蓄積容量部107の他方の電極120と接続する配線150と接続される。このような接続形態で、図1Aの回路構成の光電変換装置を作製することができる。なお、図9では、酸化物半導体を用いたトップゲート型のトランジスタを例示したが、ボトムゲート型であっても良い。また、シリコン半導体材料を用いたトランジスタであっても良い。次に、図1Aに示す本発明の一態様における光電変換装置100の動作について説明する。図5Aは、図1Aの光電変換装置の動作を説明するタイミングチャートであり、S5は第5の端子115に入力する信号電位、S3は第3の端子113に入力する信号電位、S4は第4の端子114に入力する信号電位を示す。また、V1は、電荷蓄積容量部107の電位である。なお、図示はしていないが、第1の端子111の電位は常時高電位例えば電源電位、第2の端子112の電位は常時低電位例えば接地電位とする。また、T1乃至T5は時刻である。まず、時刻T1において、S5がHhighになり、第3のトランジスタ103がオンしてV1をリセットする。時刻T2において、S5をLlowとし、S3をHにすると、第3のトランジスタ103がオフとなり、第1のトランジスタ101がオンして電荷蓄積容量部107が充電され、V1は所定の値となる。時刻T3において、S3をLとし、S4をHにすると、第1のトランジスタ101がオフとなり、第2のトランジスタ102がオンする。このとき、フォトダイオード108は逆バイアス状態となり、照度に準じた放電電流が電荷蓄積容量部107からフォトダイオード108を介して第2の端子112へ流れることによりV1が変化する。時刻T4において、S4をLにすると、第2のトランジスタ102がオフし、V1はその時点の値に保持される。ここで、時刻T3から時刻T4までの放電期間を調整することによってV1の値を調整することができる。例えば、照度が低い環境下で使用する機器に該光電変換装置を用いる場合には、点線で図示してあるように時刻T3から時刻T5までの長い放電期間を設定することによりダイナミックレンジを拡大することができる。また、逆に照度が高い環境下で使用する機器に該光電変換装置を用いる場合には、放電期間を短くすることにより電荷蓄積容量部107の過放電を防止し、ダイナミックレンジを拡大することができる。次に、時刻T4または時刻T5以降の任意の時刻において、第6の端子116からV1を信号として読み出す。なお、電荷蓄積容量部107に接続されるトランジスタに、オフ電流の極めて小さい酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることで、V1を長時間保持することが可能となる。以上の動作の中で、電源からの電力消費は、電荷蓄積容量部107を充電する時刻T2から時刻T3までの期間のみであり、該光電変換装置は極めて低消費電力で動作させることができる。なお、図1Bに示す回路構成においても、図1Aと同様に動作させることができる。図1Bの光電変換装置200は、第1のトランジスタ201、第2のトランジスタ202、第3のトランジスタ203、電荷蓄積容量部207、フォトダイオード208、保護抵抗209、第1の端子211、第2の端子212、第3の端子213、第4の端子214、第5の端子215、及び第6の端子216を含んで構成される。なお、第1のトランジスタ201はpチャネル型、その他のトランジスタはnチャネル型である。第1の端子211には、保護抵抗209を介して第1のトランジスタ201のソース電極が接続され、第2の端子212には、第3のトランジスタ203のソース電極、電荷蓄積容量部207の一方の電極、及びフォトダイオード208のアノードが接続される。また、電荷蓄積容量部207の他方の電極には、第1のトランジスタ201のドレイン電極、第2のトランジスタ202のドレイン電極、及び第3のトランジスタ203のドレイン電極が接続され、第2のトランジスタ202のソース電極にはフォトダイオード208のカソードが接続される。ここで、第1の端子211は高電位側の電源端子、第2の端子212は低電位側の電源端子として用いられる。また、第1のトランジスタ201のゲート電極には第3の端子213が接続され、第2のトランジスタ202のゲート電極には第4の端子214が接続され、第3のトランジスタ203のゲート電極には第5の端子215が接続される。これら第3乃至第5の端子は、信号入力端子として用いられる。また、電荷蓄積容量部207の他方の電極には第6の端子216が接続される。第6の端子216は、電荷蓄積容量部207の電位V1を出力するための出力端子である。図1Aの光電変換装置100と図1Bの光電変換装置200との違いは、第1のトランジスタの極性が異なるだけであり、その他の構成は同じである。光電変換装置100の第1のトランジスタ101はnチャネル型であるのに対し、光電変換装置200の第1のトランジスタ201はpチャネル型である。図5Bは、光電変換装置200の動作を説明するタイミングチャートである。基本的な動作は図5Aの説明と同様であり、pチャネル型である第1のトランジスタ201の動作を行うためのS3の信号のみが図5Aと異なる。第1のトランジスタがnチャネル型である場合、第1のトランジスタの動作にはV1より高い電源電圧が必要になるが、第1のトランジスタがpチャネル型である場合は、V1の値に関係なく第1のトランジスタを動作させることができる。従って、第1のトランジスタにpチャネル型のトランジスタを用いると、出力信号に必要な電圧を確保できる範囲内において電源電圧を下げることができる。第6の端子116、216には、図8A、Bに例示する回路の出力信号制御回路900の出力信号入力部910が接続される。出力信号制御回路900はインバータとアナログスイッチを含んで構成され、出力信号入力部910と出力制御信号入力部920を有する。該アナログスイッチには、図8Aに示すソースフォロア回路や、図8Bに示すオペアンプなどが接続される。以上のように、本発明の一態様によって、極めて低消費電力で動作させることが可能な光電変換装置を提供することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1とは異なる光電変換装置の構成及びその動作について説明する。図2Aは、本発明の一態様における光電変換装置の回路図である。光電変換装置300は、第1のトランジスタ301、第2のトランジスタ302、第3のトランジスタ303、第4のトランジスタ304、第5のトランジスタ305、電荷蓄積容量部307、フォトダイオード308、保護抵抗309、第1の端子311、第2の端子312、第3の端子313、第4の端子314、第5の端子315、及び第6の端子316を含んで構成される。第4のトランジスタ304及び第5のトランジスタ305は、カレントミラー回路320を構成しており、出力側トランジスタ第5のトランジスタ305を一つとして例示してあるが、複数であっても良い。なお、トランジスタは全てnチャネル型である。第1の端子311には、フォトダイオード308のカソード、及び保護抵抗309を介して第1のトランジスタ301のドレイン電極が接続され、第2の端子312には、第3のトランジスタ303のソース電極、電荷蓄積容量部307の一方の電極、第4のトランジスタ304のソース電極、及び第5のトランジスタ305のソース電極が接続される。また、電荷蓄積容量部307の他方の電極には、第1のトランジスタ301のソース電極、第2のトランジスタ302のドレイン電極、及び第3のトランジスタ303のドレイン電極が接続され、第2のトランジスタ302のソース電極には、第5のトランジスタ305のドレイン電極が接続される。また、フォトダイオード308のアノードには第4のトランジスタ304のドレイン電極及びゲート電極が接続される。ここで、第1の端子311は高電位側の電源端子、第2の端子312は低電位側の電源端子として用いられる。また、第1のトランジスタ301のゲート電極には第3の端子313が接続され、第2のトランジスタ302のゲート電極には第4の端子314が接続され、第3のトランジスタ303のゲート電極には第5の端子315が接続される。これら第3乃至第5の端子は、信号入力端子として用いられる。また、電荷蓄積容量部307の他方の電極には第6の端子316が接続される。第6の端子316は、電荷蓄積容量部307の電位V1を出力するための出力端子である。このように、本発明の一態様における光電変換装置は、計6端子を有する。フォトダイオード及びトランジスタには、実施の形態1で説明した光電変換装置100、200と同様のものを用いることができる。特に、極めてオフ電流の低い酸化物半導体を用いたトランジスタを用いた場合には、電荷蓄積容量部307の電位を長期間保持することができるようになる。また、本発明の一態様における光電変換装置は、実施の形態1で説明した光電変換装置100、200と同様に電荷蓄積容量部307の充電動作に電力を消費する以外、待機時や読み出し時に電力を消費することなく動作させることができる。次に、図2Aに示す本発明の一態様における光電変換装置300の動作について説明する。光電変換装置300の動作は、実施の形態1で説明した光電変換装置100の動作と同様であり、図5Aのタイミングチャートを用いて説明できる。S5は第5の端子315に入力する信号電位、S3は第3の端子313に入力する信号電位、S4は第4の端子314に入力する信号電位を示す。また、V1は、電荷蓄積容量部307の電位である。なお、図示はしていないが、第1の端子311の電位は常時高電位例えば電源電位、第2の端子312の電位は常時低電位例えば接地電位とする。また、T1乃至T5は時刻である。まず、時刻T1において、S5がHhighになり、第3のトランジスタ303がオンしてV1をリセットする。時刻T2において、S5をLlowとし、S3をHにすると、第3のトランジスタ303がオフとなり、第1のトランジスタ301がオンして電荷蓄積容量部307が充電され、V1は所定の値となる。時刻T3において、S3をLとし、S4をHにすると、第1のトランジスタ301がオフとなり、第2のトランジスタ302がオンする。このとき、フォトダイオード308が接続されたカレントミラー回路320では、フォトダイオード308から第4のトランジスタ304に照度に応じた電流が流れており、第5のトランジスタ305のゲート電極にゲート電圧が生じているため、第5のトランジスタ305もオンする。そして、第2のトランジスタ302及び第5のトランジスタ305を介して照度に応じた電流が流れ、V1が変化する。時刻T4において、S4をLにすると、第2のトランジスタ302がオフし、V1はその時点の値に保持される。ここで、時刻T3から時刻T4までの放電期間を調整することによってV1の値を調整することができる。例えば、照度が低い環境下で使用する機器に該光電変換装置を用いる場合には、点線で図示してあるように時刻T3から時刻T5までの長い放電期間を設定することによりダイナミックレンジを拡大することができる。また、逆に照度が高い環境下で使用する機器に該光電変換装置を用いる場合には、放電期間を短くすることにより電荷蓄積容量部307の過放電を防止し、ダイナミックレンジを拡大することができる。次に、時刻T4または時刻T5以降の任意の時刻において、第6の端子316からV1を信号として読み出す。ここで、電荷蓄積容量部307に接続されるトランジスタに、オフ電流の極めて小さい酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることで、V1を長時間保持することができる。以上の動作の中で、電源からの電力消費は、電荷蓄積容量部307を充電する時刻T2から時刻T3までの期間のみであり、該光電変換装置は極めて低消費電力で動作させることができる。なお、図2Bに示す回路構成においても、図2Aと同様に動作させることができる。図2Bの光電変換装置400は、第1のトランジスタ401、第2のトランジスタ402、第3のトランジスタ403、第4のトランジスタ404、第5のトランジスタ405、電荷蓄積容量部407、フォトダイオード408、保護抵抗409、第1の端子411、第2の端子412、第3の端子413、第4の端子414、第5の端子415、及び第6の端子416を含んで構成される。第4のトランジスタ404及び第5のトランジスタ405は、カレントミラー回路420を構成しており、出力側トランジスタ第5のトランジスタ405を一つとして例示してあるが、複数であっても良い。なお、第1のトランジスタ401はpチャネル型、その他のトランジスタはnチャネル型である。第1の端子411には、フォトダイオード408のカソード、及び保護抵抗409を介して第1のトランジスタ401のソース電極が接続され、第2の端子412には、第3のトランジスタ403のソース電極、電荷蓄積容量部407の一方の電極、第4のトランジスタ404のソース電極、及び第5のトランジスタ405のソース電極が接続される。また、電荷蓄積容量部407の他方の電極には、第1のトランジスタ401のドレイン電極、第2のトランジスタ402のドレイン電極、及び第3のトランジスタ403のドレイン電極が接続され、第2のトランジスタ402のソース電極には第5のトランジスタ405のドレイン電極が接続される。また、フォトダイオード408のアノードには第4のトランジスタ404のドレイン電極及びゲート電極が接続される。ここで、第1の端子411は高電位側の電源端子、第2の端子412は低電位側の電源端子として用いられる。また、第1のトランジスタ401のゲート電極には第3の端子413が接続され、第2のトランジスタ402のゲート電極には第4の端子414が接続され、第3のトランジスタ403のゲート電極には第5の端子415が接続される。これら第3乃至第5の端子は、信号入力端子として用いられる。また、電荷蓄積容量部407の他方の電極には第6の端子416が接続される。第6の端子416は、電荷蓄積容量部407の電位V1を出力するための出力端子である。図2Aの光電変換装置300と図2Bの光電変換装置400との違いは、第1のトランジスタの極性が異なるだけであり、その他の構成は同じである。光電変換装置300の第1のトランジスタ301はnチャネル型であるのに対し、光電変換装置400の第1のトランジスタ401はpチャネル型である。光電変換装置400の動作は、図5Bのタイミングチャートで説明することができる。基本的な動作は図5Aの説明と同様であり、pチャネル型である第1のトランジスタ401の動作を行うためのS3の信号のみが図5Aと異なる。第1のトランジスタがnチャネル型である場合、第1のトランジスタの動作にはV1より高い電源電圧が必要になるが、第1のトランジスタがpチャネル型である場合は、V1の値に関係なく第1のトランジスタを動作させることができる。従って、第1のトランジスタにpチャネル型のトランジスタを用いると、出力信号に必要な電圧を確保できる範囲内において電源電圧を下げることができる。なお、光電変換装置300、400に含まれるカレントミラー回路では、ゲート容量に蓄積された電荷が第4のトランジスタ304、404を介するパスで排出されるため、ゲート容量に生じるゲート電位がリセットされるまで長時間を要する。この期間に光電変換装置の次の動作が行われると異常値を出力することもあり、ゲート電位のリセットは短時間で行われることが好ましい。従って、図3A、Bに示すように、第4のトランジスタ304,404と並列に第6のトランジスタ306、406としてnチャネル型のトランジスタを接続し、ゲート容量のリークパスを形成する構成としても良い。なお、第6のトランジスタ306、406を設ける場合は、第6のトランジスタのゲート電極に接続される第7の端子317、417が設けられるため、光電変換装置300、400は計7端子となる。次に、第6のトランジスタ306、406を設けた場合の動作を図6A、Bのタイミングチャートを用いて説明する。基本的な動作は、図5A、Bと同様であり、第6のトランジスタのゲート電極に接続される第7の端子317、417に入力する信号電位S7は、第5のトランジスタがオンする時刻T3から時刻T4までの期間がL、それ以外の期間をHとする。このような回路構成、及び回路動作を行うことで、カレントミラー回路のゲート容量に蓄積された電荷を急速に排出し、誤動作を防ぐことができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2とは異なる光電変換装置の構成及びその動作について説明する。図4Aは、本発明の一態様における光電変換装置の回路図である。光電変換装置700は、第1のトランジスタ701、第3のトランジスタ703、第4のトランジスタ704、第5のトランジスタ705、第6のトランジスタ706、電荷蓄積容量部707、フォトダイオード708、保護抵抗709、第1の端子711、第2の端子712、第3の端子713、第5の端子715、及び第6の端子716を含んで構成される。第4のトランジスタ704及び第5のトランジスタ705は、カレントミラー回路720を構成しており、出力側トランジスタ第5のトランジスタ705を一つとして例示してあるが、複数であっても良い。また、第6のトランジスタ706は、カレントミラー回路720のゲート容量の蓄積電荷のリークパス用途に設けられるものであり、省くこともできる。なお、トランジスタは全てnチャネル型である。第1の端子711には、フォトダイオード708のカソード、及び保護抵抗709を介して第1のトランジスタ701のドレイン電極が接続され、第2の端子712には、第3のトランジスタ703のソース電極、電荷蓄積容量部707の一方の電極、第4のトランジスタ704のソース電極、及び第5のトランジスタ705のソース電極が接続される。また、電荷蓄積容量部707の他方の電極には、第1のトランジスタ701のソース電極、第3のトランジスタ703のドレイン電極、及び第5のトランジスタ705のドレイン電極が接続される。また、フォトダイオード708のアノードには第4のトランジスタ704のドレイン電極及びゲート電極が接続される。ここで、第1の端子711は高電位側の電源端子、第2の端子712は低電位側の電源端子として用いられる。また、第1のトランジスタ701のゲート電極には第3の端子713が接続され、第3のトランジスタ703のゲート電極には第5の端子715が接続され、第6のトランジスタ706のゲート電極には第7の端子717が接続される。これら第3、第5及び第7の端子は、信号入力端子として用いられる。また、電荷蓄積容量部707の他方の電極には第6の端子716が接続される。第6の端子716は、電荷蓄積容量部707の電位V1を出力するための出力端子である。このように、本発明の一態様における光電変換装置は、第1、第2、第3、第5、第6、及び第7の端子の計6端子を有する。なお、第6のトランジスタ706を設けない場合は、計5端子となる。本実施の形態における光電変換装置700の回路構成は、実施の形態2における光電変換装置300に類似しているものであるが、光電変換装置700は、光電変換装置300が有する第2のトランジスタ302を省いた構成となっている。従って、本実施の形態の光電変換装置700に用いることのできるフォトダイオードやトランジスタの説明、及びそれらを用いることによる効果の説明は、実施の形態2を参照することができる。次に、図4Aに示す本発明の一態様における光電変換装置700の動作について説明する。図7Aは、光電変換装置700の動作を説明するタイミングチャートである。S5は第5の端子715に入力する信号電位、S3は第3の端子713に入力する信号電位、S7は第7の端子717に入力する信号電位を示す。また、V1は、電荷蓄積容量部707の電位である。なお、図示はしていないが、第1の端子711の電位は常時高電位例えば電源電位、第2の端子712の電位は常時低電位例えば接地電位とする。また、T1乃至T4は時刻である。まず、時刻T1において、S5がHhighになり、第3のトランジスタ703がオンしてV1をリセットする。また、S7をHとしておくことで、第6のトランジスタ706をオンし、カレントミラー回路のゲート容量の蓄積電荷を排出しておく。このとき、フォトダイオードの光電流は、第6のトランジスタ706に流れるため、カレントミラー回路のゲート電極には電圧が生じず、第5のトランジスタ705はオンしない。時刻T2において、S5をLlowとし、S3をHにすると、第3のトランジスタ703がオフとなり、第1のトランジスタ701がオンして電荷蓄積容量部707が充電され、V1は所定の値となる。時刻T3において、S3及びS7をLにすると、第1のトランジスタ701及び第6のトランジスタ706がオフとなる。このとき、フォトダイオード708が接続されたカレントミラー回路720では、フォトダイオード708から第4のトランジスタ704に照度に応じた電流が流れており、第5のトランジスタ705のゲート電極にゲート電圧が生じているため、第5のトランジスタ705もオンする。そして、第5のトランジスタ305を介して照度に準じた放電電流が流れ、V1が変化する。このとき、V1はリセット電位に向かって変化し続けるため、時刻T3からリセット電位に戻る時刻T4までの任意の時刻において、第6の端子716からV1を信号として読み出す。ここで、電荷蓄積容量部707に接続されるトランジスタに、オフ電流の極めて小さい酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることで、不用意なV1の低下を抑えることができ、正確な信号を出力することができる。以上の動作の中で、電源からの電力消費は、電荷蓄積容量部707を充電する時刻T2から時刻T3までの期間のみであり、該光電変換装置は極めて低消費電力で動作させることができる。なお、図4Bに示す回路構成においても、図4Aと同様に動作させることができる。図4Bの光電変換装置800は、第1のトランジスタ801、第3のトランジスタ803、第4のトランジスタ804、第5のトランジスタ805、第6のトランジスタ806、電荷蓄積容量部807、フォトダイオード808、保護抵抗809、第1の端子811、第2の端子812、第3の端子813、第5の端子815、及び第6の端子816を含んで構成される。第4のトランジスタ804及び第5のトランジスタ805は、カレントミラー回路820を構成しており、出力側トランジスタ第5のトランジスタ805を一つとして例示してあるが、複数であっても良い。なお、第1のトランジスタ801はpチャネル型、その他のトランジスタはnチャネル型である。第1の端子811には、フォトダイオード808のカソード、及び保護抵抗809を介して第1のトランジスタ801のソース電極が接続され、第2の端子812には、第3のトランジスタ803のソース電極、電荷蓄積容量部807の一方の電極、第4のトランジスタ804のソース電極、及び第5のトランジスタ805のソース電極が接続される。また、電荷蓄積容量部807の他方の電極には、第1のトランジスタ801のドレイン電極、第3のトランジスタ803のドレイン電極、及び第5のトランジスタ805のドレイン電極が接続される。また、フォトダイオード808のアノードには第4のトランジスタ804のドレイン電極及びゲート電極が接続される。ここで、第1の端子811は高電位側の電源端子、第2の端子812は低電位側の電源端子として用いられる。また、第1のトランジスタ801のゲート電極には第3の端子813が接続され、第3のトランジスタ803のゲート電極には第5の端子815が接続され、第6のトランジスタ806のゲート電極には第7の端子817が接続される。これら第3、第5、及び第7の端子は、信号入力端子として用いられる。また、電荷蓄積容量部807の他方の電極には第6の端子816が接続される。第6の端子816は、電荷蓄積容量部807の電位V1を出力するための出力端子である。図4Aの光電変換装置700と図4Bの光電変換装置800との違いは、第1のトランジスタの極性が異なるだけであり、その他の構成は同じである。光電変換装置700の第1のトランジスタ701はnチャネル型であるのに対し、光電変換装置800の第1のトランジスタ801はpチャネル型である。光電変換装置800の動作は、図7Bのタイミングチャートで説明することができる。基本的な動作は図7Aの説明と同様であり、pチャネル型である第1のトランジスタ801の動作を行うためのS3の信号のみが図7Aと異なる。第1のトランジスタがnチャネル型である場合、第1のトランジスタの動作にはV1より高い電源電圧が必要になるが、第1のトランジスタがpチャネル型である場合は、V1の値に関係なく第1のトランジスタを動作させることができる。従って、第1のトランジスタにpチャネル型のトランジスタを用いると、出力信号に必要な電圧を確保できる範囲内において電源電圧を下げることができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。"