装置であって、第1の縦軸を有する第1のコネクタと、第2の縦軸を有する第2のコネクタと、1つ以上のコンポーネントを含むコンポーネントアセンブリと、を備え、コンポーネントの少なくとも1つが、第1のコネクタに結合され、コンポーネントの少なくとも1つが、第2のコネクタに結合され、1つ以上のコンポーネントが、第3の軸を中心にして対称に配置された、装置。第3の軸が、第1の縦軸および第2の縦軸と実質的に同一の直線上にある、請求項1に記載の装置。1つ以上のコンポーネントが、第3の軸を中心にして同心円状に配置された、請求項1に記載の装置。1つ以上のコンポーネントが、第3の軸を中心にして等距離に配置された、請求項1に記載の装置。コンポーネントが、RF整合回路網の同調コンポーネントおよび負荷コンポーネントである、請求項1に記載の装置。1つ以上のコンポーネントの少なくとも1つが、キャパシタである、請求項1に記載の装置。1つ以上のコンポーネントの少なくとも1つが、インダクタである、請求項1に記載の装置。1つ以上のコンポーネントの少なくとも1つが、抵抗である、請求項1に記載の装置。1つ以上のコンポーネントの少なくとも1つが、可変インピーダンスコンポーネントである、請求項1に記載の装置。1つ以上のコンポーネントを含むコンポーネントアセンブリが、電流ホットスポットの形成を防止するように適合された、請求項1に記載の装置。システムであって、RF電力発生器と、電気的な負荷と、電気的な負荷および電力発生器に結合されたRF整合回路網と、を備え、RF整合回路網が、軸を中心にして対称に配置された1つ以上のコンポーネントを含む、システム。1つ以上のコンポーネントが、軸を中心にして同心円状に配置された、請求項11に記載のシステム。1つ以上のコンポーネントが、軸を中心にして等距離に配置された、請求項11に記載のシステム。1つ以上のコンポーネントが、RF整合回路網の同調コンポーネントおよび負荷コンポーネントである、請求項1に記載のシステム。1つ以上のコンポーネントの少なくとも1つが、キャパシタである、請求項11に記載のシステム。1つ以上のコンポーネントの少なくとも1つが、インダクタである、請求項11に記載のシステム。1つ以上のコンポーネントの少なくとも1つが、抵抗である、請求項11に記載のシステム。1つ以上のコンポーネントの少なくとも1つが、可変インピーダンスコンポーネントである、請求項11に記載のシステム。1つ以上のコンポーネントを含むRF整合回路網が、電流ホットスポットの形成を防止するように配置された、請求項11に記載のシステム。第1の軸を有する第1のコネクタにおいてRFエネルギーを受け取るステップと、第1のコネクタにおいて受け取られたRFエネルギーを、第2の軸を中心にして対称に配置された1つ以上のコンポーネントを有するRF整合回路網に結合するステップと、RF整合回路網におけるRFエネルギーを、第3の軸を有する第2のコネクタに結合するステップと、RFエネルギーが第2のコネクタから反射されるのを防止するステップと、を備える方法。RFエネルギーの反射を防止するステップが、実質的に同一の直線上に配列された状態で第1の軸、第2の軸、および第3の軸を整列させる工程を含む、請求項20に記載の方法。第2のコネクタからRFエネルギーが反射されるのを防止するステップが、RFエネルギーの周波数を変える工程を含む、請求項20に記載の方法。第2のコネクタからRFエネルギーが反射されるのを防止するステップが、1つ以上のコンポーネントの少なくとも1つのインピーダンスを変える工程を含む、請求項20に記載の方法。第1のコネクタにおけるRFエネルギーを、第2の軸を中心にして対称に配置された1つ以上のコンポーネントを有するRF整合回路網に結合するステップが、ホットスポットの形成を防止する工程を含む、請求項20に記載の方法。RF整合回路網におけるRFエネルギーを第2のコネクタに結合するステップが、ホットスポットの形成を防止する工程を含む、請求項20に記載の方法。プラズマ処理チャンバにおいて処理される基板は、より大きくなりつつある。したがって、技術の代々の世代ごとに、より大きな基板を収容するために、より大きなプラズマ処理チャンバが、製造されている。プラズマ処理チャンバの増大する大きさのために、必要なプロセスステップ例えば、エッチング、堆積および/または打ち込みを実行するのに必要とされる電力が、増加している。本発明の発明者は、必要とされるRF電力の増加は既存のRF整合回路網設計構造内において局部的に過大な電流濃度をもたし、それに続いて、既存のRF整合回路網設計構造のコンポーネントおよび/または導体の局部的な加熱しばしば、ホットスポットと呼ばれるをもたらすことがあることを確認している。したがって、ホットスポットの形成を防止するために、改善されたRF整合回路網が、必要とされる。本発明によれば、固定値を有する1つのコンポーネントまたは複数のコンポーネントを含む新しいRF整合回路網が提供される。固定値のコンポーネントは、縦軸を中心にして対称および/または同心円の配列で配置される。対称および/または同心円の配列は、同心円状に製造された単一コンポーネントを含んでもよい。あるいは、対称および/または同心円の配列は、同様に配列された複数の固定値コンポーネントを含んでもよい。整合回路網の効率は、縦軸を中心にして対称および/または同心円の配列によって改善される。なぜなら、RF電流は、コンポーネントのそれぞれに均一に分配されるからである。これは、ホットスポットが発生する可能性を減少させ、それによって、より少ないかつそれほど高価ではないコンポーネントを含むことを可能にする。図3に戻ると、新しいRF整合回路網300の斜視図が描かれている。固定値を有するコンポーネントは、対称および/または同心円の配列で配置される。この実施形態においては、固定値を有する負荷キャパシタ204が、入力接地フランジ206と入力コア202との間に配置され、かつ、それらを結合する。入力コア202は、キャパシタ極板220に結合される。出力ディスク228が、可変インピーダンス負荷302に結合される。さらに、同調キャパシタ222が、入力コア202と出力ディスク228との間に配置され、かつ、それらを結合する。入力コア202は、RF供給システム305の電気的に励振される導体に結合される。入力接地フランジ206は、RF供給システムの接地された部分に結合される。さらに、この図面には、冷却液の入力および出力が描かれ、それらの入力および出力は、外部流体チャンネル218A~218D6つのうち4つしか示されないに結合される。図4に戻ると、図3のRF整合回路網の細部が、概略的に図示されている。入力コア202は、RF供給システム305の電気的に励振される導体を介して、RF発生器304に接続される。入力コア202は、RF整合回路網300の負荷キャパシタ204に結合される。負荷キャパシタ204は、負荷キャパシタボルト208Aを用いて、入力接地フランジ206に結合される。入力接地フランジ206と負荷キャパシタ204との間に配置されるのは、同心円のばね210Aであり、それらの同心円のばね210Aは、負荷キャパシタ204の周りを一周する。入力接地フランジ206とキャパシタボルト208Aとの間には、O-リング212Aが存在する。さらに、O-リング212Bが、負荷キャパシタ204と入力接地フランジ206との間に介装される。それぞれの負荷キャパシタ204ごとのO-リング212Aおよび212Bは、それぞれの負荷キャパシタ204の近くに流体貯蔵器214Aを形成する。流体貯蔵器214Aは、流体チャンネル2161つしか示さないを介して、お互いに接続される。さらに、貯蔵器214Aのうち少なくとも2つ1つの入力および1つの出力は、外部流体チャンネル2181つしか示さないを介して、流体の外部供給源図示しないに接続される。さらにまた、キャパシタ極板220および出力ディスク228は、この実施形態において、同様に、流体チャンネル216および外部流体チャンネル218を含む。入力コア202は、さらに、キャパシタ極板220に結合される。入力コア202は、負荷キャパシタ204および同調キャパシタ222の両方にねじ込まれたねじ込みボルト224の圧縮力によって、同調キャパシタ極板220に結合される。入力コア202のキャパシタ極板220への結合は、位置合わせピン226によって助けられる。また、キャパシタ極板220は、同心円のばね210Bを介して、同調キャパシタ222に結合される。さらに、同調キャパシタ222とキャパシタ極板220との間に介装されるのは、O-リング212Dである。上述したように、同調キャパシタ222とキャパシタ極板220との間に配置されたO-リング212Dは、負荷キャパシタ204と入力コア202との間のO-リング212Cとともに、それぞれの同調キャパシタ222の近くに流体貯蔵器214Bを形成する。同調キャパシタ222は、ボルト208Bによって、出力ディスク228に結合される。上述したように、同調キャパシタ222と出力ディスク228との間に介装されたO-リング212Eは、ボルト208と出力リング228との間に介装されたO-リング212Fとともに、それぞれの同調キャパシタ222の端部の近くに流体貯蔵器214Cを形成する。また、同調キャパシタ222は、同心円のばね210Cを介して、出力ディスク228に結合される。さらに、出力ディスク228は、可変インピーダンス負荷302例えば、処理チャンバに結合される。本発明の第1の態様において、対称および/または同心円の構成を有する新規のRF整合回路300は、可変周波数回路網を提供される。この実施形態において、同調キャパシタ222および負荷キャパシタ204は、対称および/または同心円の構成で配列される。同調キャパシタ222および負荷キャパシタ204は、RF整合回路300を構成する電気的な回路内に配列された不変のキャパシタである。同調キャパシタ222は、可変インピーダンス負荷と直列である。負荷キャパシタ204は、RF発生器のインピーダンスに整合させられるべき可変インピーダンス負荷と並列である。この実施形態において、RF電流は、同軸ケーブルのコア導体を介して、新規のRF整合回路網300の入力コア202に供給される。入力コア202は、RF整合回路網300の第1のコネクタとして採用されてもよい。入力コア202の縦軸は、RF整合回路300の縦軸とほぼ同一の直線上にあるように位置付けられ、RF整合回路網の同調キャパシタ222および負荷キャパシタ204を対称および/または同心円状に配列するのを容易にする。入力コア202は、複数の同調キャパシタ222および負荷キャパシタ204に電気的に結合されたロッドおよびディスクを含む。負荷キャパシタ204は、アースへの高周波結合であり、対称および/または同心円の構成で配列され、入力接地フランジ206に逆戻りし、それによって、アースへの電気的な結合を形成する。入力接地フランジ206は、RF供給システムに電気的に結合されることによって、電気的なアースに保持され、あるいは、電気的なアースの近傍に保持される。この対称および/または同心円の逆戻り構成は、等しい容量値の負荷キャパシタ204をRF整合回路網300の軸を中心にして等距離に置くことによって実現される。電気的には、負荷キャパシタ204は、並列であり、したがって、近似回路分析に使用することのできる電気的に等価な集中容量値を生成する。集中容量値は近似値であり、設計構造の電気的特性を完璧に分析するために、電磁気的な周波数領域および時間領域分析を施されてもよい。あるいは、負荷コンポーネントまたは同調コンポーネントの異なる配列から利益を得るような用途においては、負荷キャパシタ204および/または同調キャパシタ222の代わりに、あるいは、それらと直列に、あるいは、それらと並列に配列された抵抗および/またはインダクタが、存在してもよい。あるいは、例えば、キャパシタと同心円状に交互に現れるインダクタのように、あるいは、インダクタまたはキャパシタによって取り囲まれた幾つかの抵抗からなる内部リングのように、異なる物理的な配列が、対称および/または同心円の配列に使用されてもよい。一部の実施形態では、単一のキャパシタ、インダクタ、抵抗が、対称および/または同心円状に形成または製造されてもよく、それによって、受動コンポーネントおよび/または抵抗からなる対称および/または同心円の配列が、生成される。さらに、RF整合回路網300の様々な用途に最適な解決方法を提供するために、不変または可変のコンポーネントからなる様々な組み合わせの対称および/または同心円の構成が、可変周波数発生器の有無にかかわらず採用されてもよい。例えば、可変周波数発生器と組み合わせて可変キャパシタおよび/またはインダクタを組み合わせ、それによって、類似するインピーダンス特性を有さない複数の異なるプロセスまたはチャンバにおいて単一整合回路網を使用するのを可能にすることによって、利益が得られる。一般的には、可変周波数整合回路網は、ほとんど変動のない負荷とともに使用される。可変コンポーネントは、より広い窓のインピーダンスを有する用途において採用されてもよい。コンポーネントの対称および/または同心円の配列は、整合回路網に限定されるのではなく、コンポーネントの対称および/または同心円の構成から利益を得るあらゆる回路に適用されてもよいことに注意されたい。幾つかの実施形態によっては、ダイオードまたはトランジスタのような能動コンポーネントが、高出力増幅器回路網に使用されてもよい。図4の実施形態に戻ると、同調キャパシタ222および負荷キャパシタ204の対称および/または同心円の構成は、入力コア202と入力接地フランジ206とを備えるディスク状の噛み合い表面を使用することによって、容易に実現される。これらのディスク状の噛み合い表面は、以下で説明するように、熱を放散し、かつ冷却をさらに容易にするように生成されたへこみを収容するほど十分に平坦かつ厚いものであってもよい。しかしながら、さらなる実施形態は、例えば、同調キャパシタ222および負荷キャパシタ204の近くに流体を循環させるのを容易にするハブとスポークの形態のようなその他の支持構造体の配列を含んでもよい。さらに、より薄いおよび/またはより長い構造体から利益を得る用途の場合、コンポーネントを対称および/または同心円の構成で配列するがRF整合回路網300の軸に沿って非対称に配列する支持構造体が、採用されてもよい。さらに、図4の実施形態において、負荷キャパシタ204は、一端例えば、RF端部またはホット端部を入力コア202および入力接地フランジ206に機械的に結合される。機械的な結合または締結は、ボルト224を置くことによって実現され、そのボルト224は、入力コア202の孔の内径よりもかなり小さい外径を備えそれによって、ボルト224と入力コア202またはキャパシタ極板220とは接触しない、入力コア202のその孔から、ボルトが、負荷キャパシタ204および同調キャパシタ222のねじ込み孔の中に置かれる。変形においては、溶接、リベット結合、および/または、それらに類似するもののような、結合または締結のその他の手段が、採用されてもよい。さらに、図4の実施形態においては、負荷キャパシタ204および同調キャパシタ222の入力接地フランジ206およびキャパシタ極板220への電気的な結合は、傾斜型コイルばね210A~210Cを、入力コア202、出力ディスク228、および/または、キャパシタ極板220のえぐられたへこみdishes230A~230Cの中に置くことによって、実現されてもよい。へこみ230A~230Cは、機械的に安定したプラットフォームを提供し、そのプラットフォームによって、周りを一周するコイルばね210A~210Cおよびキャパシタ204および222を置き、キャパシタ204および222の中心に配置された構成を保証する。さらに、へこみ230A~230Cは、負荷キャパシタ204、同調キャパシタ222、キャパシタ極板220、および入力コア202の間に同心円のかつ信頼性のある電気的な接続をもたらし、それによって、電気的なノードを形成する。さらに、へこみ230A~230Cは、以下で論じるように、えぐられた形状を提供してもよく、そのえぐられた形状は、その中に置かれたO-リング212A~212Fが負荷キャパシタ204および同調キャパシタ222を冷却するための流体貯蔵器214A~214Cを形成する空間を画成するのを可能にする。へこみ230A~230Cの配列および寸法は、負荷キャパシタ204および同調キャパシタ222および電気的および機械的な結合をもたらすその他のコンポーネントの配列および寸法に依存する。前述したように、図4の実施形態においては、配列は、RF整合回路300を冷却するように提供され、それによって、発生し得る何らかの加熱を防止してもよい。冷却することは、ボルト208A、負荷キャパシタ204、へこみ230A、およびO-リング212Aおよび212Bの本体で流体貯蔵器214Aを形成することによって、提供されてもよい。O-リング212Aおよび212Bは、ボルトのシャフトおよびキャパシタを中心にして同心円状に配列される。ボルト208Aをしっかりと締めることによって、O-リング212Aおよび212Bは、それによって、押しつけられ、流体シールを形成する。ボルト208Aの外径は、入力接地フランジ206または入力コア202の貫通孔よりもかなり小さい寸法を有するので、流体貯蔵器214Aが、形成される。さらに、同調キャパシタ222および負荷キャパシタ204の端部は、キャパシタのそれぞれの端部にへこみを提供することによって、流体循環のためのさらなる空間を作ってもよい。あるいは、O-リング212A~212Fは、ボルトがしっかりと締められているときにO-リングを所定の場所に保持するように形成された溝の中に設置されてもよい。平坦なチェムレッツ型chemrezO-リング、ニッケル黄銅単一圧縮ディスク、または、その他のこのような実施形態のような別の形態のシーリングが、シールを形成するのに採用されてもよい。それぞれの負荷キャパシタ204の近くの流体貯蔵器214Aは、入力接地フランジの中に機械加工または形成されてもよい流体チャンネル216を介して、お互いに流体連絡する状態にある。流体チャンネル216は、それぞれの流体貯蔵器214A、214B、または、214Cを連絡するように配列され、冷却流体がすべてのキャパシタに均等に供給されることを保証し、それによって、ホットスポットの形成を防止する。この実施形態における配列は、すべての流体貯蔵器214Aまたは214Bまたは214Cを接続する流体チャンネル216からなる同心円のループである。流体チャンネルからなるスポークおよび車輪の配列のような、あるいは、それぞれの流体貯蔵器または貯蔵器のそれぞれの組を接続する銅管のような入力コアまたは入力接地フランジの外に存在するその他の連絡チャンネルのような、代替の配列が実施されてもよい。あるいは、流体貯蔵器は、同心円状および/または対称に配列された冷却ループと置き換えられてもよく、その冷却ループは、入力コア202および入力接地フランジ206に取り付けられてもよい。そのような実施形態は、はんだ付け、接着剤、その他のそのような接続および/または接着方法のような技術を使用することによって、整合アセンブリのコストを減少させることができる。あるいは、RF整合回路300を冷却するために、入力コア202および入力接地フランジ206からなるハブ構造およびスポーク構造の組み合わせが、空気を流し込むことまたはその他の非内蔵流体に浸けることとともに採用され、それによって、コストを減少させてもよい。内蔵流体および非内蔵流体の様々な組み合わせが、コストと設計目標とを最適に譲歩させるのに採用されてもよい。脱イオン水が、冷却流体として使用される。しかしながら、その他の流体が、採用されてもよい。脱イオン水のアースとの高いインピーダンスのために、脱イオン水が選択されてもよく、それによって、回路の電気的に励起された部分が、流体連絡によって、入力接地フランジ206のようなアースから電気的に分離された状態のままであることを保証する。図4の実施形態をさらに参照すると、負荷キャパシタ204および同調キャパシタ222は、ねじ込みボルト224によってお互いに取り付けられる。ねじ込みボルト224の外径は、スタッドが挿入されるキャパシタ極板220および入力コア202の孔の内径よりもかなり小さい。ねじ込みボルト224を入力コア202およびキャパシタ極板220の孔から負荷キャパシタ204の一端にねじ込み、それに続いて、同調キャパシタ222をねじ込みボルト224の他端にねじ込むことによって、キャパシタ極板220および入力コア202は、同調キャパシタ222および負荷キャパシタ204に機械的に結合される。同調キャパシタ222、負荷キャパシタ204、キャパシタ極板220、および入力コア202間の電気的な接続は、RFエネルギーによるホットなまたは励起された単一の電気的なノードと考えることができる。図4の実施形態をさらに参照すると、出力ディスク228は、同調キャパシタ222に結合される。上述した機械的な結合の場合と同様に、出力ディスク228は、キャパシタ極板220および入力コア202に関係して先に記載した配列に類似する形で配列されたねじ込みボルト208Bによって、同調キャパシタ222に機械的に結合される。出力ディスク228は、RF整合回路網300のための第2のコネクタとして採用されてもよい。出力ディスク228の縦軸は、RF整合回路網300の縦軸とほぼ同一の直線上にある。さらに、出力ディスク228は、入力コア202およびキャパシタ極板220に類似する形で、流体貯蔵器214C、チャンネル216に類似するチャンネル、および/または、チャンネル218に類似する供給源チャンネルをもたらすように形成されてもよい。また、キャパシタ極板220および入力コア202の場合に、先に記載したように、冷却および電気的な接続の変形が、出力ディスク228に施されてもよい。処理チャンバへの電気的な接続は、可変インピーダンス負荷302例えば、チャンバの内部に結合するように延びるバスバー229図5によって、実現されてもよい。同軸ケーブルへの同軸接続または出力ディスク228にボルトで留められた単純な銅ケーブルのようなその他の接続手段が採用されてもよい。出力ディスク228は、可変インピーダンス負荷302に接続されるので、RF整合回路網300のRF発生器側においては有益である電気的な対称性を提供するために、対称な形状を維持しなくてもよい。しかしながら、出力ディスク228に接続する方法は、大きな接触面およびしっかりとした締結を提供するほどに堅牢なものであってもよい。なぜなら、処理チャンバへの電流経路は、このコネクタを流れるように制限されるからである。さらに、この接続を冷却する方法が、提供されてもよい。図5および図6に戻ると、第2の実施形態のRF整合回路網500が描かれている。RF供給システム305の内部導体は、入力コア202’に結合される。入力コア202’は、ねじ込みボルト224図6によって、負荷キャパシタ204に結合される。また、入力コア202’は、ねじ込みボルト224図6によって、同調キャパシタ222に結合される。入力コア202’は、入力コア202’を冷却する銅管330Bを含む。負荷キャパシタ204は、ボルト208A図6によって、入力接地フランジ206’に接続される。入力接地フランジ206’は、アースに直接に結合することによって、電気的なアースであってもよく、あるいは、RF供給システムの接地されたコネクタを介して、電気的なアースの近傍に存在してもよい。同調キャパシタ222は、ボルト208Bによって、出力ディスク228’に接続される。出力ディスク228’は、電気的に励起されてもよく、RF電流をRF整合回路網500からバスバー229を介して可変インピーダンス負荷へ流す。図6を詳細に参照すると、図5の第2の実施形態の概略図が描かれている。入力コア202’は、RF供給システム305の励起される導体に接続されるように示される。入力コア202’は、ねじ込みボルト224によって、負荷キャパシタ204に接続される。負荷キャパシタ204は、ボルト208Bによって、入力接地フランジ206’に結合される。入力コア202は、ねじ込みボルト224によって、同調キャパシタ222に結合される。同調キャパシタ222は、ボルト208Bによって、出力ディスク228’に結合される。出力ディスク228は、バスバー接続229図5によって、可変インピーダンス負荷例えば、処理チャンバに結合される。図5および図6の実施形態において、入力接地フランジ冷却ループ330Aが、例えば、入力接地フランジ冷却ループ330Aを入力接地フランジ206’にはんだ付けすることによって、入力接地フランジ206’に結合されてもよい。同様に、入力コア冷却ループ330Bが、はんだを使用して、入力コア202’に結合されてもよい。さらに、出力冷却ループ330Cが、はんだを使用して、出力ディスク228’に結合されてもよい。入力接地フランジ冷却ループ330A、入力コア冷却ループ330B、および出力ディスク冷却ループ330Cは、冷却流体例えば、脱イオン水の外部供給源に接続されてもよい。それぞれは、それぞれの冷却ループごとの2つのコネクタを介して、冷却流体例えば、脱イオン水の供給源および排出路に個々に接続されてもよい。入力接地フランジ冷却ループ330Aは、コネクタ320Aおよび320Eによって接続されてもよい。入力コア冷却ループ330Bは、コネクタ320Fおよび320Dによって接続されてもよく、また、出力ディスク冷却330Cは、コネクタ320Bおよび320Cによって接続されてもよい。コネクタ対における2つのコネクタのうち一方は、冷却流体を供給するためのものである。他方のコネクタは、冷却流体を戻すためのものである。それによって、流体をそれぞれの入力接地フランジ冷却ループ330A、入力コア冷却ループ330B、および出力ディスク冷却ループ330Cに循環させることができる。この実施例としての実施形態においては、入力接地フランジ冷却ループ330A、入力コア冷却ループ330B、および出力ディスク冷却ループ330Cに使用される材料は、銅であってもよい。しかしながら、実施可能ないかなる材料も、冷却流体を循環させることのできる内蔵経路を提供するのに使用することができる。そのような材料は、例えば、ステンレス鋼またはアルミニウムを含んでもよい。さらに、アレイ状の管または機械加工された表面におけるサンドイッチ格子状の孔のような様々な材料およびジオメトリーが、冷却ループに採用されてもよい。このように、本発明は、その例示的な実施形態に関連して、開示されたが、その他の実施形態は、特許請求の範囲に規定される本発明の精神および範囲の中に存在することを理解すべきである。