"コンポーネントを接合する方法において、ナノ粒子調製物を提供する段階と、前記ナノ粒子調製物を圧縮する段階と、から成ることを特徴とする方法。前記ナノ粒子調製物を提供する段階は、液体中にナノ粒子を分散させる段階を含み、前記液体中にナノ粒子を分散させる段階は、有機溶剤または水溶液中に前記ナノ粒子を分散させる段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。前記ナノ粒子調製物はナノ粒子を含み、前記ナノ粒子調製物を圧縮する段階は、ナノ粒子構造を形成し、さらに、基板に前記ナノ粒子構造を搭載する段階および前記ナノ粒子構造に半導体チップを搭載する段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。前記ナノ粒子調製物に圧力を印加する段階は、機械的圧力および空気的圧力のうちの1つを印加する段階を含み、前記ナノ粒子調製物を圧縮する段階は、前記ナノ粒子調製物に超音波エネルギーを印加する段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。表面を有する支持構造と、前記支持構造上に配置されたナノ粒子プリフォームであって、前記ナノ粒子プリフォームは、金属粒子を含むプリカーサから派生した材料を含む、ことを特徴とするコンポーネント。一般に、本発明は、ボンディング構造および構造を無鉛ボンディングするための方法を提供する。本発明の実施例に従って、例えば半導体コンポーネントのような構造が、ナノ粒子調製物nanoparticlepreparationを提供し、さらに、ナノ粒子調製物を圧縮にすることにより製造される。ナノ粒子調製物は、ナノ粒子、異なるタイプのナノ粒子の混合物、ナノ粒子を液体中に分散させることにより派生したナノ粒子、異なるタイプのナノ粒子を液体中に分散させることにより派生した異なるタイプのナノ粒子の混合物、またはこれらと同種のものから成る。ナノ粒子調製物は、例えば圧縮のために用意されたモールドのような基板に配置または塗布される。ナノ粒子は、機械源または空気源から供給された圧力をナノ粒子に印加することによって圧縮されるが、その圧力は静的、動的、または、静的および動的に印加される。圧縮された後、ナノ粒子構造は、所望の形状およびサイズに切断または形成される。あるいは、ナノ粒子調製物は、例えば、リードフレーム、プリント回路板、セラミック基板、積層プラスチック基板、クリップ、紙ラミネート、プラスチックラミネート、半導体ウェーハ、または同種のもののような基板上で圧縮されてもよい。図1は、本発明の実施例に従って半導体コンポーネントを製造する際に使用するためのナノ粒子プリフォームを形成する方法を示すフローチャート10である。図1のボックス12に示される開始ステップにおいて、予め定められた量または密度を有するナノ粒子が、例えばキャスティングモールド内に分配される。適切なナノ粒子は、例えば、金属フォームとしての銀Ag、リチウムLi、アルミニウムAl、チタンTi、クロミウムCr、マンガンMn、コバルトCo、ニッケルNi、銅Cu、ゲルマニウムGe、イットリウムY、カドミウムCd、インジウムIn、錫Sn、アンチモンSb、ランタンLa、セリウムCe、プラチナPt、金Au、ビスマスBi、鉛Pb、パラジウムPd等、あるいは、合金、金属酸化物、窒化金属、またはそれらと同種のもの、酸化物でコーティングされた金属、他の金属でコーティングされた金属、1またはそれ以上の有機材料または同種のものでコーティングされた金属、のような金属を含む。ナノ粒子は、ほぼ500ナノメータnm未満の粒子サイズであることが好ましい。ナノ粒子は、ナノ粒子構造のプリカーサとしての役割を果たす。他の実施例によれば、ナノ粒子は、モールド上にスクリーン印刷され、モールド上に凝縮され、射出成形法に類似した技術でモールドのキャビティへ射出され、あるいは、当業者間で周知の粒子分配法particledispensingmethodを用いてモールドのキャビティに分配されてもよい。キャスティングモールドにナノ粒子を分配または形成した後、それらは、ナノ粒子に圧力および熱を印加することにより圧縮または圧密される図1のボックス14。圧力は、機械的に生成されても、空気的に生成されてもよく、また、静的、静的、または、静的および動的に印加されてもよい。例えば、印加される圧力は、摂氏約400度°C未満の温度で約20メガパスカルMPa未満である。さらに、圧縮は、例えば、大気雰囲気、不活性ガスから成る雰囲気、真空から成る雰囲気等のような雰囲気中で行なわれる。したがって、ナノ粒子を圧縮するために調整可能な変数は、雰囲気、温度、圧力、乾燥時間または条件、あるいはそれらの組合せを含む。ナノ粒子の圧縮によって、シートまたはフィルムまたはパレットと称されるナノ粒子構造が形成される。あるいは、ナノ粒子調製物は、ナノ粒子に超音波エネルギーを印加することにより、または、ナノ粒子に磁気パルスを印加することにより、または、ナノ粒子に圧力を印加することにより、または、それらの組合せにより圧縮することもできる。ナノ粒子シートは、所望の形状およびサイズを有するプリフォームにシンギュレートされる図1のボックス16。ナノ粒子プリフォーム26は、ナノパックと称され、図4に示される。図2は、ナノ粒子22が分配されたモールド20を示す。ナノ粒子22の分配は、ナノ粒子22の形成またはナノ粒子22の配置とも称される。ナノ粒子22を分配した後、ナノ粒子22に対して、圧縮ツール23によって予め定められた温度および圧力が印加され、ナノ粒子構造24が形成される図3。圧縮は、矢印25によって図2に示される。図1に関して記述したように、ナノ粒子構造24はモールド20から取り外され、所望のサイズおよび形状を有するナノ粒子プリフォーム26にシンギュレートされる図4。図4は、ナノ粒子プリフォーム26が搭載された基板30の断面図である。例えば、基板30は、フラグ32およびリードフレームリード34,35を有する銅のリードフレームである。好ましくは、ナノ粒子プリフォーム26は、フラグ32に搭載される。ナノ粒子プリフォーム26は、リードフレームに搭載されるとは限らず、セラミック基板、プリント回路板、プラスチック、または同種の基板に搭載されてもよい。次に図5を参照して、半導体チップ40がナノ粒子プリフォーム26に搭載されるが、ナノ粒子プリフォーム26は、例えば、大気雰囲気、1またはそれ以上の不活性ガスから成る雰囲気、化成ガスまたは真空から成る雰囲気中にナノ粒子プリフォームを置き、かつ、ナノ粒子プリフォームに加圧および加熱することによって焼結される。圧力は、機械的に生成されても、空気的に生成されてもよく、また、静的、動的、または、静的および動的に印加されてもよい。例えば、印加される圧力は、約400°C未満の温度で、約20MPa未満である。次に図6を参照して、ボンドパッド44は、ワイヤボンド42によってリードフレームリード34に結合され、また、ボンドパッド45は、ワイヤボンド43によってリードフレームリード35に結合される。例えばモールドコンパウンドのような保護材46が、半導体ダイ40、ボンドワイヤ42,43、リードフレームリード34,35、および、フラグ32の少なくとも一部分上に形成され、半導体コンポーネント48を形成する。ボンドワイヤは、ワイヤボンドとも称される。図7は、一実施例に従った半導体コンポーネント51の断面図であり、ナノ粒子プリフォーム26は、チップ受入領域52、ボンドパッド54,55、相互接続56,57、およびボンドパッド58,59を有するプリント回路板50に搭載される。より詳しくは、ナノ粒子プリフォーム26は、チップ受入領域52に搭載され、ボンドパッド54は、相互接続56を介してボンドパッド58に結合され、ボンドパッド55は、相互接続57を介してボンドパッド59に結合される。はんだボール60は、ボンドパッド58,59に結合される。当業者であれば解るように、プリント回路板は、典型的には、各表面上に3つ以上のボンドパッドを有し、さらに、一方の表面上のボンドパッドから反対側の表面上のボンドパッドへ伸びる3つ以上の電気的な相互接続を有する。より完全に説明すると、複数のはんだボールが、半導体チップ40が結合された表面と反対側のプリント回路板50の表面上の対応するボンドパッドに接合されているように示される。すなわち、はんだボールは、底面に接合される。はんだボールが底面のボンドパッドに結合された場合、構造はボールグリッドアレイパッケージと称される場合がある。はんだボール以外の構造が、プリント回路板50の底面上のボンドパッドに接合されてもよいことに注意すべきである。例えば、ピングリッドアレイ構造を形成するために、ピンがボンドパッド58,59のようなボンドパッドに結合されてもよい。あるいは、ボンドパッド58,59は、他の基板に結合されてもよい。次に図8を参照して、ナノ粒子プリフォーム26は、セラミック基板60に搭載され、さらに、構造62が、ナノ粒子プリフォーム26上に、ナノ粒子プリフォーム26と接触するように搭載される。例えば、構造62は半導体ウェーハである。あるいは、構造62は、半導体チップ、他のセラミック構造、プリント回路板などである。ナノ粒子プリフォーム26は導電性であるので、構造62が半導体チップ、半導体ウェーハなどであるとき、構造62の背面接触としての役割を果たす。図9は、本発明の実施例に従って半導体コンポーネントを製造する際に使用するためのナノ粒子プリフォームを形成する方法を示すフローチャート80を示す。開始ステップ82において、予め定められた量または密度を有するナノ粒子が、ナノ粒子分散液nanoparticlesuspensionを生成するために、液体と結合されるか、または、液体中に分散される。ナノ粒子の適切な例については、すでに図1に関して記述した。適切な液体は、アルコール、アセトン、有機溶剤、または、焼結温度を下回る蒸発温度を有する液体、または同種のものを含む。したがって、ナノ粒子調製物は、ナノ粒子を含む有機溶液またはナノ粒子を含む水溶液から成る。その溶液は、例えば、モールド内へ分配され、あるいはモールド内へ凝縮され、あるいは基板上にスクリーン印刷される。ナノ粒子を含む溶液は、ナノ粒子溶液またはナノ粒子分散液と称される。例えば、ナノ粒子分散液はコロイド状の分散液である。ナノ粒子調製物または分散液の分配については、ボックス84に示される。さらに図9を参照して、モールド内へナノ粒子溶液を分配した後、分散液の液体または溶剤の部分は、例えば蒸発によって除外または除去されるボックス85。したがって、液体は、ナノ粒子のキャリヤとしての役割を果たす。ナノ粒子は、ナノ粒子プリフォームに加圧および加熱することにより圧縮される。圧力は、機械的に生成されても、空気的に生成されてもよく、また、静的、動的、あるいは、静的および動的に印加されてもよい。例えば、印加される圧力は、約400°C未満の温度で約20MPa未満である。さらに、圧縮は、例えば、大気雰囲気、不活性ガスから成る雰囲気、真空から成る雰囲気等のような雰囲気中で実行される。したがって、ナノ粒子を圧縮するために調整可能な変数は、雰囲気、温度、圧力、乾燥条件、あるいはそれらの組合せを含む。あるいは、ナノ粒子調製物は、ナノ粒子に超音波エネルギーを加えることにより、または、ナノ粒子に磁気パルスを加えることにより、または、ナノ粒子に圧力を加えることにより、または、それらの組合せにより圧縮することができる。ナノ粒子の圧縮により、シート、またはフィルム、またはパレットと称させるナノ粒子構造が形成される。ナノ粒子シートは、所望の形状およびサイズを有するナノ粒子プリフォーム26にシンギュレートされるボックス88。図10は、本発明の実施例に従って半導体コンポーネントを製造する際に使用するためのナノ粒子プリフォームを形成する方法を示すフローチャート100である。明瞭化するために、図10,11について併せて記述する。ボックス102に示される開始ステップにおいて、予め定められた量または密度を有するナノ粒子が、例えばリードフレーム、プリント回路板、セラミック基板、または同種のもののような基板上に分配される。ナノ粒子の適切な例については、すでに図1に関して記述した。基板上にナノ粒子を分配または形成した後、それらは、ナノ粒子プリフォームに加圧および加熱することにより圧縮されるボックス104。圧力は、機械的に生成されても、空気的に生成されてもよく、また、静的、動的、あるいは、静的および動的に印加されてもよい。例えば、圧力は、約400°C未満の温度で約20MPa未満である。さらに、圧縮は、例えば、大気雰囲気、不活性ガスから成る雰囲気、真空から成る雰囲気等のような雰囲気中で実行される。したがって、ナノ粒子を圧縮するために調整可能な変数は、雰囲気、温度、圧力、乾燥条件、あるいはそれらの組合せを含む。あるいは、ナノ粒子調製物は、ナノ粒子に超音波エネルギーを加えることにより、または、ナノ粒子に磁気パルスを加えることにより、または、ナノ粒子に圧力を加えることにより、または、それらの組合せにより圧縮される。基板上でのナノ粒子の圧縮によってナノ粒子プリフォーム26Aが形成されるが、ナノ粒子プリフォーム26Aは、基板に装着される前にシンギュレートされるシートとしてではなく基板上にプリフォームとして形成されること以外は、ナノ粒子プリフォーム26に類似する図11。ナノ粒子プリフォーム26Aは、ナノパックと称される。例えば半導体チップ40のようなワークピースが、ナノ粒子プリフォーム26Aに接触するようにナノ粒子プリフォーム26Aに搭載されるボックス106。ナノ粒子プリフォーム26Aは、所望の雰囲気中にナノ粒子プリフォーム26Aを置き、かつ、ナノ粒子プリフォーム26Aに加圧および加熱することによって焼結される。圧力は、機械的に生成されても、空気的に生成されてもよく、また、静的、動的、あるいは、静的および動的に印加されてもよい。例えば、印加される圧力は、約400°C未満の温度で約20MPa未満である。ナノ粒子プリフォーム26Aの焼結は、ナノ粒子プリフォーム26Aの加熱とも称され、図10のボックス108によって示される。ワークピースは、半導体チップに限らないことに注意すべきである。あるいは、ワークピースは、例えばチップキャパシタのようなキャパシタ、例えばチップレジスタのようなレジスタ、インダクタ、リードフレーム、プリント回路板、クリップコネクタ、または同種のものでもよい。基板、半導体チップ40、およびナノ粒子プリフォーム26Aは、パッケージングされ図10のボックス110、半導体コンポーネント120を形成する。図11は、半導体コンポーネント120を示し、その中で、基板122は、例えばフラグ124およびリードフレームリード126,127を有する銅のリードフレームであり、また、半導体チップ40は、ナノ粒子プリフォーム26Aを介してリードフレーム122に結合される。さらに、ボンドパッド44は、ボンドワイヤ42を介してリードフレームリード126に結合され、ボンドパッド45は、ボンドワイヤ43を介してリードフレームリード127に結合される。モールドコンパウンド46は、リードフレーム122、半導体チップ40、およびボンドワイヤ42,43の少なくとも一部分上に形成される。半導体チップ40、ボンドワイヤ42,43、およびモールドコンパウンド46については、すでに図6に関して記述した。図12は、基板がプリント回路板130である半導体コンポーネント129の実施例を示す。図12に示されるのは、ナノ粒子プリフォーム26Aを介して半導体チップ受入領域132に結合された半導体チップ40を有するプリント回路板130である。半導体チップ40上のボンドパッド44,45は、ボンドワイヤ42,43を介して、プリント回路板130上のボンドパッド134,135にそれぞれ結合される。ボンドパッド134,135は、相互接続138,139によって、ボンドパッド136,137にそれぞれ結合される。はんだバンプ140は、対応するボンドパッド136,137にそれぞれ結合される。当業者であれば解るように、プリント回路板は、典型的には、各表面上の3つ以上のボンドパッド、および、一方の表面上のボンドパッドから反対側の表面上のボンドパッドへ伸びる3つ以上の電気的な相互接続を有する。より完全に説明すると、3つ以上のボンドパッドが、プリント回路板130の底面上に示され、また、複数のはんだボール140が、プリント回路130の底面上の対応するボンドパッドに接合されているように示される。この構造は、ボールグリッドアレイと称される場合がある。はんだボール以外の構造が、プリント回路板130の底面上のボンドパッドに接合されてもよいことに注意すべきである。例えば、ピンが、ボンドパッド136,137のようなボンドパッドに結合されてピングリッドアレイ構造を形成する。あるいは、ボンドパッド136,137は、他の基板に結合されてもよい。半導体チップ40上のボンドパッドの数、プリント回路板130上のボンドパッドの数、ボンドワイヤの数、ならびに、相互接続およびはんだボールの数は、本発明に制限されないことに注意すべきである。モールドコンパウンド46は、プリント回路板130、半導体チップ40、ボンドワイヤ42,43の少なくとも一部分上に形成される。半導体チップ40、ボンドワイヤ42,43、および、モールドコンパウンド46については、すでに図6に関して記述した。図13は、ワークピース154を有する基板152を含む構造150の断面図であり、ワークピース154はナノ粒子プリフォーム26Aを介して基板152に結合される。プリフォームは、プリフォーム26Aに限定されず、プリフォーム26,26B,または同種のものでもよいことに注意すべきである。例えば、基板152はセラミック基板である。ワークピース154は、例えば、チップ40、例えばプリント回路板130のようなプリント回路板、半導体ウェーハ、セラミック材の他のピース、または同種のもののような半導体チップである。図14は、本発明の実施例に従って半導体コンポーネントを製造する際に使用するためのナノ粒子プリフォームを形成する方法を示すフローチャート175である。明瞭化するために、図14~図17について併せて説明する。さらに、フローチャート175は、半導体コンポーネントを製造する方法の実施例も示す。ボックス176によって示された開始ステップにおいて、ナノ粒子分散液は、ナノ粒子を溶剤に混合することによって調製される。ナノ粒子の適切な例については、すでに図1に関して記述した。適切な液体は、アルコール、アセトン、または、焼結温度を下回る蒸発温度を有する液体、または同種のものを含む。例えば、ナノ粒子分散液はコロイド状の分散液である。ボックス178に示されるように、ナノ粒子分散液190図15は、例えばリードフレーム122図15、プリント回路板130図17、セラミック基板、または同種のもののような基板上に分配される。基板上にナノ粒子分散液190を分配または形成した後、ナノ粒子に加圧および加熱することによって溶剤が除外または除去される図14のボックス180。圧力は機械的に生成されても、空気的に生成されてもよく、静的、動的、または、静的および動的に印加されてもよい。例えば、印加される圧力は、約400°C未満の温度で約20MPa未満である。溶剤の除去は、図15の矢印192によって示される。溶剤が除去された後、ナノ粒子は、ナノ粒子プリフォームに加圧および加熱することにより圧縮される図14のボックス182。圧力は、機械的に生成されても、空気的に生成されてもよく、静的、動的、または、静的および動的に印加されてもよい。例えば、印加される圧力は、約400°C未満の温度で約20MPa未満である。圧縮は、さらに、例えば、大気雰囲気、不活性ガスから成る雰囲気、真空から成る雰囲気等の雰囲気中で実行される。したがって、ナノ粒子を圧縮するために調整可能な変数は、雰囲気、温度、圧力、乾燥条件、またはそれらの組合せを含む。基板上のナノ粒子の圧縮によって、ナノ粒子プリフォーム26B図16が形成されるが、それは、分散液から形成されること以外はナノ粒子プリフォーム26に類似する。ナノ粒子プリフォーム26Bは、ナノパックと称される。例えば半導体チップ40のようなワークピースが、ナノ粒子プリフォーム26Bに搭載される図14のボックス184。ナノ粒子プリフォーム26Bは、ある雰囲気中に置かれ、かつ、ナノ粒子プリフォームに加圧および加熱することによって焼結される。圧力は、機械的に生成されても、空気的に生成されてもよく、静的、動的、または、静的および動的に印加されてもよい。例えば、印加される圧力は、約400°C未満の温度で約20MPa未満である。ナノ粒子プリフォーム26Bの焼結は、ナノ粒子プリフォーム26Bの加熱とも称し、図14のボックス186に示される。基板、半導体チップ40、およびナノ粒子プリフォーム26Bを含む構造は、存在する有機パッシベーション層を除去するために、溶剤に浸漬される。有機パッシベーション層を除去した後、当該構造は大気雰囲気中で乾燥される。あるいは、構造は、1またはそれ以上の不活性ガスから成る雰囲気中または真空中で乾燥されてもよい。ワークピースは、半導体チップに限定されないことに注意すべきである。あるいは、ワークピースは、例えばチップキャパシタのようなキャパシタ、例えばチップレジスタのようなレジスタ、インダクタ、リードフレーム、プリント回路板、クリップコネクタ、または同種のものであってもよい。基板、半導体チップ40、およびナノ粒子プリフォーム26Bは、パッケージングされ図14のボックス188、半導体コンポーネント196を形成する。図16は、半導体コンポーネント196を示す。基板122は、例えばフラグ124およびリードフレームリード126を有する銅のリードフレームであり、また、半導体チップ40は、ナノ粒子プリフォーム26Bを介してリードフレーム122に結合される。さらに、半導体チップ40上で形成された、または、半導体チップ40から形成されたボンドパッド44,45は、対応するボンドワイヤ42,43を介してリードフレームリード126,127にそれぞれ結合される。モールドコンパウンド46は、リードフレーム122、半導体チップ40、およびボンドワイヤ42,43の少なくとも一部分上に形成される。半導体チップ40、ボンドワイヤ42,43、およびモールドコンパウンド46については、すでに図6に関して記述した。図17および図18は、基板がプリント回路板130である実施例に従って半導体コンポーネント200を示す。プリント回路板130の実施例は、図12に関して記述される。図17に示されるのは、プリント回路板130上に分配されたナノ粒子分散液190である。溶剤は、ナノ粒子分散液に加圧または加熱することによって除外または除去される矢印192。圧力は、機械的に生成されても、空気的に生成されてもよく、静的、動的、または、静的および動的に印加されてもよい。例えば、ナノ粒子プリフォーム26Bを形成するために印加される圧力は、約400°C未満の温度で約20MPa未満である。ナノ粒子プリフォーム26Bは、半導体チップ受入領域132上に形成される。はんだバンプ140は、対応するボンドパッド136,137にそれぞれ結合される。ボンドパッド134,135とボンドパッド136,137とは、プリント回路板130の反対側に位置することに注意すべきである。半導体チップ40上のボンドパッド44,45は、ボンドワイヤ42,43を介してプリント回路板130上のボンドパッド134,135にそれぞれ結合される。ここでもまた、半導体チップ40上のボンドパッド、プリント回路板130上のボンドパッド、ボンドワイヤ、相互接続、およびはんだボールの数は、本発明に制限されないことに注意すべきである。プリント回路板130に関して、ボンドパッド、ボンドワイヤ、相互接続、およびはんだバンプの形成については、すでに図12に関して記述した。モールドコンパウンド46は、プリント回路板130、半導体チップ40、ボンドワイヤ42,43の少なくとも一部分上に形成される。半導体チップ40、ボンドワイヤ42,43、および、モールドコンパウンド46については、図6に関してすでに記述した。図19は、他の実施例に従った半導体コンポーネント210の断面図である。図19に示されるのは、表面214を有するプリント回路板212であり、表面214の上に、ボンドパッド216,218,220,222が形成される。ナノ粒子プリフォーム26は、ボンドパッド216~222上に形成される。ナノ粒子プリフォームは、プリフォーム26に限らず、例えばプリフォーム26A,26B、またはこれらと同種のプリフォームであってもよい。半導体コンポーネント226は、ボンドパッド220,222に結合される。半導体コンポーネント226は、パッケージングされた半導体コンポーネントであってもよく、あるいは、フリップチップまたはチップスケールパッケージング構成内に搭載された半導体チップであってもよい。受動コンポーネント228は、ナノ粒子プリフォーム26を介してボンドパッド216,218に結合される。例えば、受動コンポーネント228は、チップキャパシタである。あるいは、受動コンポーネント228は、チップレジスタ、レジスタ、キャパシタ、インダクタなどであってもよい。プリント回路板212は、相互接続232を介してボンドパッド218,220に結合されたボンドパッド230、および、相互接続236を介してボンドパッド222に結合されたボンドパッド234を含む。図示されていないが、半導体コンポーネント210は、半導体コンポーネント226または受動コンポーネント228、またはこれらの両方の上に形成された保護構造を含んでもよく、さらに、半導体コンポーネント210は、ボンドパッド230,234に結合されたはんだバンプを含んでもよい。図20は、本発明の他の実施例に従った表面実装半導体コンポーネント250の断面図である。図20に示されるのは、フラグ254およびリードフレームリード256,258を有するリードフレーム252の一部分の断面図である。フラグ254もまた、チップ受入領域と称する場合がある。ナノ粒子プリフォーム26は、フラグ254上に形成される。ナノ粒子プリフォームは、プリフォーム26に限らず、例えばプリフォーム26A,26B,またはそれらと同種のプリフォームであってもよい。ボンドパッド262,264を有する半導体チップ260は、ナノ粒子プリフォーム26に搭載され、ナノ粒子プリフォーム26は、例えば、ナノ粒子プリフォーム26を、大気雰囲気、1またはそれ以上の不活性ガスから成る雰囲気、フォーミングガスまたは真空から成る雰囲気中に置き、かつ、ナノ粒子プリフォームに加圧および加熱することによって焼結される。圧力は、機械的に生成されても、空気的に生成されてもよく、また、静的、動的、または、静的および動的に印加されてもよい。例えば、印加される圧力は、約400°C未満の温度で約20MPa未満である。さらに図20を参照して、ボンドパッド262は、ワイヤボンド266によってリードフレームリード256に結合され、ボンドパッド264は、ワイヤボンド268によってリードフレームリード258に結合される。例えば、モールドコンパウンドのような保護材270は、半導体ダイ260、ボンドワイヤ266,268、リードフレームリード256,258、およびフラグ254の上に形成され、表面実装半導体コンポーネント250を形成する。ボンドワイヤは、ワイヤボンドとも称される。表面実装半導体コンポーネント250は、小型アウトラインパッケージ、チップキャリヤ、無鉛チップキャリヤ、プラスチック無鉛チップキャリヤなどであってもよいことが理解されるであろう。図21は、本発明の他の実施例に従った半導体コンポーネント300の断面図である。図21に示されるのは、フラグ304およびリードフレームリード306を有するリードフレーム302の一部分の断面図である。フラグ304は、チップ受入領域とも呼ばれる。ナノ粒子プリフォーム26は、フラグ304上に形成される。ナノ粒子プリフォームは、ナノ粒子プリフォーム26に限定されず、例えば、プリフォーム26A,26B、またはそれらと同種のもののようなプリフォームでもよい。表面312,314を有する半導体チップ310は、ナノ粒子プリフォーム26に搭載される。より詳しくは、表面312は、ナノ粒子プリフォーム26と接触するように配置される。もう一つのナノ粒子プリフォーム26は、半導体チップ310の表面314上に形成される。クリップ318は、ナノ粒子プリフォーム26に搭載される。クリップ318は領域320,322を有し、領域320はナノ粒子プリフォーム26に搭載され、領域322は、はんだ図示せずによってリードフレームリード306に接合される。ナノ粒子プリフォーム26は、例えば、それらを大気雰囲気、1または2以上の不活性ガスから成る雰囲気、フォーミングガスまたは真空から成る雰囲気内に置かれるか、または、これらによって処理され、ナノ粒子プリフォームに加圧および加熱することによって焼結される。圧力は、機械的に生成されても、空気的に生成されてもよく、静的、動的、または、静的および動的に印加されてもよい。例えば、印加される圧力は、約400°C未満の温度で約20MPa未満である。例えば、モールドコンパウンドのような保護材326が、半導体ダイ310、フラグ304、クリップ318、および、リードフレームリード306の一部分上に形成される。特定の実施例がここに開示されたが、本発明がここに示された実施例に制限されることを意図するものではない。当業者は、本発明の精神から逸脱することなく、修正および変更を加えることができることを認識するであろう。本発明は、添付された特許請求の範囲に該当するような修正および変更のすべて包含することを意図している。"