放射性物質で汚染された水と、ガスハイドレートを形成することのできる一種若しくは二種以上のガスとを、前記水の氷点より高い温度であって且つガスハイドレートを形成する条件下で接触させて、前記水に懸濁するガスハイドレートを得る工程と、ガスハイドレート状態を実質的に維持しつつ、ガスハイドレート外壁に付着する放射性物質その他の不純物を洗浄水で洗浄する工程と、ガスハイドレート状態を維持しつつ、洗浄水とガスハイドレートとを分離する工程と、ガスハイドレート状態よりも高い温度或いは低圧にすることにより、ガスハイドレートを放射性物質が除去または低減された水とガスにする工程とをこの順序で包含することを特徴とする放射性物質で汚染された水から放射性物質を除去または低減する方法。ガスハイドレート外壁に付着する放射性物質その他の不純物を洗浄水で洗浄する工程における洗浄水が最初、放射性物質で汚染された水でなされ、徐々に純度の高い水を用いることを特徴とする請求項1に記載の放射性物質で汚染された水から放射性物質を除去または低減する方法。ガスハイドレート外壁に付着する放射性物質その他の不純物を洗浄水で洗浄する工程における最初の洗浄である放射性物質で汚染された水とガスハイドレートとの洗浄が攪拌洗浄であることを特徴とする請求項2に記載の放射性物質で汚染された水から放射性物質を除去または低減する方法。攪拌洗浄の後、ガスハイドレートから水を排出し、新たに放射性物質で汚染された水をガスハイドレートに加えて攪拌することを繰り返すことを特徴とする請求項3に記載の放射性物質で汚染された水から放射性物質を除去または低減する方法。放射性物質で汚染された水より純度の高い水が、ガスハイドレートの上から噴霧されるか或いは流され、水より比重の小さいガスハイドレートが水に浮くことを利用して上層のガスハイドレートを洗浄場から除くか、網目状基板上に薄板状に敷かれたガスハイドレートの上から噴霧され、網目状基板の網目より排水されることを特徴とする請求項2に記載の放射性物質で汚染された水から放射性物質を除去または低減する方法。放射性物質で汚染された水が、ガスハイドレート形成過程で用いた放射性物質で汚染された水であってガスハイドレートと分離されたものであることを特徴とする請求項2に記載の放射性物質で汚染された水から放射性物質を除去または低減する方法。放射性物質を包含する洗浄水を蒸発させる工程がさらになされることを特徴とする請求項1乃至6項のいずれか一項に記載の放射性物質で汚染された水から放射性物質を除去または低減する方法。本発明は、放射性物質で汚染された水から放射性物質を除去または低減するとともに、集約された放射性物質含有物の量を低減することを目的とする。本発明は放射性物質で汚染された水と、ガスハイドレートを形成することのできる一種若しくは二種以上のガスとを、前記水の氷点より高い温度であって且つガスハイドレートを形成する条件下で接触させて、前記水に懸濁するガスハイドレートを得る工程と、ガスハイドレート状態を実質的に維持しつつ、ガスハイドレート外壁に付着する放射性物質その他の不純物を洗浄水で洗浄する工程と、ガスハイドレート状態を維持しつつ、洗浄水とガスハイドレートとを分離する工程と、ガスハイドレート状態よりも高い温度或いは低圧にすることにより、ガスハイドレートを放射性物質が除去または低減された水とガスにする工程とをこの順序で包含することを特徴とする放射性物質で汚染された水から放射性物質を除去または低減する方法である。本発明によれば、放射性物質の濃度が数百分の1以下に低減された水を得ることができる。それとともに、ガスハイドレートを洗浄するのに用いた、放射性物質で汚染された水以外の水の使用量は放射性物質で汚染された水の量の数分の一から十数分の一に止めることができる。さらに強制的にせよ、自然にせよ、水分を蒸発させることで減容化されて最終的には洗浄水に溶けていた放射性物質、その他の溶質が残り、廃棄すべき量が原理的には極度に低減される。更に、洗浄の程度を適宜変更することで、放射性物質が除去または低減された水は心理的には飲む気になれないかもしれないが、飲料水にもできる程度の水にもなり得、農業用水、工業用水、生活用水等に容易に使用可能である。放射性物質で汚染された水からのガスハイドレート形成工程本発明では放射性物質で汚染された水と、ガスハイドレートを形成することのできる一種若しくは二種以上のガスとを、前記水の氷点より高い温度であって且つガスハイドレートを形成する条件下で接触させて、前記水に懸濁するガスハイドレートを得る。ガスハイドレートの構造はI型、II型、H型のいずれでもよいが、好適にはII型が用いられる。I型、II型の場合、ハイドレート相と氷相と水相とガス相の4重点Q1と、ハイドレート相と水相と液化ガス相とガス相の4重点Q2との間における温度と圧力で形成され、ガスハイドレートの構造がH型の場合には、ハイドレート相と氷相と水相とガス相と炭化水素の液体相の5重点Q1と、H型ハイドレート相と氷相と水相とガス相と炭化水素の液体相の5重点Q2との間における温度と圧力で形成されるが、より正確に言えば、これら4重点、あるいは5重点の間の平衡温度より若干過冷却な温度でガスハイドレートが形成される。本発明でいうガスハイドレートを形成する条件とは、このような過冷却状態を包含する。ガスハイドレートが形成する過程で、放射性物質で汚染された水に溶けている放射性セシウム137は汚染されている水に含まれている他の不純物、例えば、海水であれば、海水中の塩分などとともにガスハイドレートの篭状構造を形成する水の結晶からははじき出されて、その外壁に析出され外壁にこびりついた状態になる。このうちの一部はガスハイドレートの外壁の外側にある、放射性物質で汚染された水にも溶け出すが、大部分は析出したままである。通常、水の存在下において、ガスハイドレートの形成は低温ほど低圧力で形成できるが、水が固体になる条件下では反応速度が遅くなるので、水の氷点以下では実用的ではない。この点から、海水は塩水であるので、氷点降下が起き、ガスハイドレードの形成条件は塩分のない水に較べて、広く選択可能であるが、海水でなくても、氷点以上でガスハイドレートを形成することが可能なガスを選定すればよい。具体的には5MPa以下、中でも3MPa以下、特に好ましくは2MPa以下でガスハイドレートを形成するガスが装置コストの面から用いられる。このような観点から、海水の場合には、例えばイソブタンQ2のT=1.88°C、P=0.165MPa、プロパンQ2のT=5.7°C、P=0.545MPa、シクロプロパンQ2のT=16.2°C、P=0.559MPa、CH3CHF2Q2のT=14.9°C、P=0.430MPa、CH3CClF2Q2のT=13.09°C、P=0.229MPaなどが挙げられるが、中でもイソブタン、プロパン、シクロプロパン、CH3CHF2、CH3CClF2などは非常に低い圧力でガスハイドレートができる点で特に好ましい。海水でない場合には、炭酸ガスQ2のT=9.9°C、P=4.44MPa、塩素Q2のT=28.3°C、P=0.84MPa、硫化水素Q2のT=29.5°C、P=2.21MPa、亜硫酸ガスQ2のT=12.1°C、P=0.229MPa、エタン、シクロプロパン、プロパン、CH3Cl、CH2ClF、CHClF2、CHCl2F、CCl2F2、CCl3F、CH3CClF2、CH3Brなどが例示される。尚、ガスは循環して使えるので、コストをあまり考慮する必要がない。また、ガスはガスハイドレートを形成しないガスが包含されていても差し支えない。ガスハイドレートはガスを結晶核として結晶生成を起こすが、本発明においては、できるだけガスハイドレートの大きさが大きいほど、洗浄効率が良いので、結晶成長を促進させることが好ましい。結晶成長を促進させる上で、水スプレー方式よりも気液攪拌方式の方が好ましい。放射性物質で汚染された水とガスハイドレートとを分離する工程ガスハイドレートを形成した後の、放射性物質で汚染された水は、もともと存在していた放射性物質に加え、ガスハイドレートの外壁に析出した放射性物質や不純物からの溶解も若干ながら加わるので、次の洗浄工程の前に好ましくはガスハイドレートと分離する。その際、ガスハイドレート形成条件を維持しつつなされる。分離するのは濾過、遠心分離、或いはガスハイドレートと水との比重の違いを利用した比重分離であってもよい。比重分離による場合には特別操作する必要もなく、自然に行なわれ、ガスハイドレートと水とを一緒にして次の洗浄工程に移してよいし、別々にしてもよい。通常、ガスハイドレートを形成した後の、放射性物質で汚染された水は原料である放射性物質で汚染された水よりも放射性物質にせよ、不純物にせよ、若干ながら高濃度であるが、その差は僅かである。仕分けされた場合には、原料である放射性物質で汚染された水に戻してもよいし、或いは別タンクに収容してもよい。洗浄工程次に、前記ガスハイドレート形成条件を実質的に維持しつつ、ガスハイドレート外壁に付着する放射性物質その他の不純物を洗浄水で洗浄する。洗浄水としては、始めはガスハイドレートを形成するのに用いた原料水であり、徐々に純度の高い水を用いるのが好ましい。一見すると原料水で洗浄しても無意味に思われるかもしれないが、外壁に付着する放射性物質その他の不純物の濃度はガスハイドレート内部が純水である故に、原料水よりずっと高濃度である。したがって、初めに用いる洗浄水としてコスト的に割安な原料水で洗浄するのが好ましい。原理的には、洗浄水が原料水であれば、ガスハイドレート外壁に付着する不純物は、原料水の不純物程度にまで下げることが可能である。そのようなレベルにするのには、ガスハイドレートと原料水との両方が流動する攪拌とかガスハイドレートがほぼ固定されていて原料水が例えば、噴霧、流水のような流動状態になることが必要であって、これによってガスハイドレート形成体の外壁に付着する成分が除かれる。液を交換することなく、攪拌させたのでは液中の濃度が高まってしまい、効率的でないので、攪拌後の液を攪拌槽から排出させ、新たな原料水を攪拌槽に導入し、攪拌するという過程を繰り返すのがよい。このような洗浄で、原料水の不純物濃度より若干高い濃度の不純物が付着したままの状態となったガスハイドレートが得られる。他方、洗浄後の洗浄水はタンクに収容される。タンクはガスハイドレート形成後の原料水が別タンクに収容されるときはそれと一緒か、それとは別タンクである。放射性物質の濃度は原料水、ガスハイドレート形成後の原料水、原料水で洗浄攪拌した後の洗浄水の順に高くなる。原料水で洗浄した後、前記ガスハイドレート形成条件を実質的に維持しつつ、ガスハイドレートに付着する成分を原料水より高純度の水で洗浄する。以下原料水より高純度の水を単に高純度水あるいは純度の高い水という場合がある。ここで原料水より高純度の水としては、いきなり、不純物が100ppm以下のような水を用いるのではなく、この場合も、順次、純度の高い水を使用して洗浄するのがよい。洗浄方法も、高純度水を用いるときには、攪拌よりも、水を有効に利用しつつ洗浄する方法が好適に用いられる。その一つの方法としては、高純度水をガスハイドレートの上から噴霧或いは流しつつ、高純度水より比重の軽いガスハイドレートが浮力により浮くことを利用して上層のガスハイドレートを洗浄の場から除く方法である。この場合、高純度水は噴霧状のように細かい水滴状にしてガスハイドレートに均一に洗い流す方式が好ましい。また、別の方法としては、網目状基板上に薄板状にガスハイドレートを敷き、上から高純度水による噴霧をし、洗浄後の高純度水を網目状基板の網目より排水させる方法が挙げられる。洗浄工程では、ガスハイドレート構造をできるだけ残しながらガスハイドレートに付着する放射性物質その他の不純物をできるだけ除去する。ガスハイドレート構造を残すためには、洗浄過程における温度、圧力は依然として平均的にはガスハイドレート形成条件下に置かれるべきであるが、ガスハイドレートに付着する放射性物質その他の不純物を除去する洗浄水の温度は、水の溶解性を高めるべく、高い温度が好まれる。両者のバランスの中で、洗浄水の温度は選択される。ガスハイドレートに接触する前の洗浄水の温度はガスハイドレート形成条件より高い温度でも差し支えなく、むしろ、そのほうが好ましく、ガスハイドレートと接触してからはガスハイドレート形成条件の上限付近の温度であることが望ましい。このようなものをも包含するため、本発明でいう、ガスハイドレート形成条件を実質的に維持とは、洗浄水とガスハイドレートを混合する過程で洗浄水の熱でガスハイドレートが部分的に壊れることは勿論、50程度までガスハイドレートが壊れる状態までを意味する。このような観点から、ガスハイドレートを形成するゲスト分子としてはQ2が高いものとか、Q2がない場合、若しくは知られていない場合には、低圧且つ0°C以上の温度、好ましくは2°C以上、より好ましくは3°C以上、特に好ましくは5°C以上でガスハイドレートを形成するものが好適である。圧力としては好ましくは5MPa以下、より好ましくは3MPa以下、特に好ましくは1MPa以下でガスハイドレートを形成するものが用いられる。洗浄水とガスハイドレートとを分離する工程次の工程であるガスハイドレート状態を壊すことでガスと水にする前に、洗浄水とガスハイドレートとを分離する。さもないと洗浄水は放射性物質で汚染されているので、ガスハイドレートを壊したあとの水に洗浄水が混入してしまうからである。その際、ガスハイドレート形成条件を維持しつつなされる。分離するのは濾過、遠心分離、比重分離など公知の手段の一種若しくは二種以上を併用して行われる。仕分けされた水は、原料である放射性物質で汚染された水に戻してもよいし、或いは別タンクに収容してもよい。ガスハイドレートを水とガスにする工程次に、より高温あるいは低圧にして、ガスハイドレート条件を外すことにより、ガスハイドレートをガスと水にする。ガスは循環使用してもよいし、環境に差し支えなければ、大気中に放出してもよい。水は洗浄の程度により、残留放射性物質の濃度が異なるので、それに応じた使用に用いる。放射性物質を包含する洗浄水の蒸発工程原料水の大部分がガスハイドレートに転換使用された後は別タンクに収容されていた使用済みの放射性物質で汚染された水と一緒にした物を用いて、前述したのと同様に、ガスハイドレートを形成し、最初の洗浄水として使用されるのがより好ましい。この循環を繰り返すことで、徐々に使用済みの放射性物質で汚染された水の中に含まれる放射性物質の濃度は高められていくので、この繰り返しがある程度なされると、最初の洗浄水として使用するのにも洗浄効率が悪くなるので、その段階で、この汚染水は自然蒸発或いは強制加熱することで濃縮される。通常、濃縮前、若しくは、濃縮後の汚染水又は濃縮後の水も蒸発してしまった放射性物質その他の不純物は法律が定める所定の場所で管理される。以下、実施例により、本発明をより具体的に説明する。放射性セシウムであるセシウム137と非放射性セシウム133とは放射性能の違いは別として、その他の物性は変わらないと考えられるので、以下の実施例では非放射性セシウム133で代用して実験している。放射性物質で汚染された水として20ppmの水酸化セシウム無水物換算であり、セシウムとしては17.75ppmを含有する海水塩分濃度3.5を貯蔵タンクに貯蔵し、温度1°Cに制御するガスハイドレート形成槽内に貯蔵タンクから前述のセシウム含有海水を注入し、ガス貯蔵タンクからイソブタンを注入し、ガスタンクからの圧力を1.7気圧に維持して、ガスハイドレートを形成した。その後、イソブタンの加圧から窒素の加圧に変え、1.8気圧と若干加圧気味にしてガスハイドレート状態を維持したままで、ガスハイドレートを形成するために用いられた前述のセシウムを含有する海水をガスハイドレート形成槽の下部出口に設けられているメッシュにより、ガスハイドレートと濾別し、新たに貯蔵タンクから別のセシウムを含有する海水を等量導入した後、約1200rpmで2分間攪拌し、海水を再びガスハイドレートと濾別除去した。この攪拌工程と濾別工程をさらに2回繰り返した。次に得られたガスハイドレートの乾燥質量200gを、ガスハイドレート形成槽の下方にある洗浄槽に移した。洗浄槽はガスハイドレート状態を維持しており、洗浄槽の外装は一部がガラスで大部分が金属製であり、その中に設けられている、400メッシュ篩を手動で振動させ、篩の上で内径300mmで厚さ約3mmにして、上から、液圧0.24MPa、エアー圧0.26MPa、流量1.8L/時間で、ラウンドスプレー型二流体ノズルを用い、60秒間水道水30cc相当を噴霧した。この後、常圧に戻した。ガスハイドレートから得られた水中のセシウム含量は0.051ppmであった。以上より、洗浄に用いた水のうち、放射能で汚染されていない水の使用量は30ccであり、それにより、200ccの放射性物質が実質的に存在していないといえる水が得られた。