表面に可視光の波長よりも小さい間隔で、凹部及び凸部のいずれか一方が複数配置され、前記凹部及び凸部のうちの配置された一方において、前記凹部及び凸部のうちの配置されなかった他方が形成されたことを特徴とする光学素子。前記凹部の中に前記凸部が形成されたことを特徴とする請求項1に記載の光学素子。前記凹部の水平面による横断面の形状が、円形又は多角形であることを特徴とする請求項2に記載の光学素子。前記凸部が、円錐状又は多角垂状であることを特徴とする請求項2に記載の光学素子。前記凹部の深さが、前記凸部の高さより大きいことを特徴とする請求項2に記載の光学素子。前記凸部上に前記凹部が形成されたことを特徴とする請求項1に記載の光学素子。前記凸部が、円柱状又は多角柱状であることを特徴とする請求項6に記載の光学素子。前記凹部が、円錐状又は多角錘状である請求項6に記載の光学素子。前記凸部の高さが、前記凹部の深さより大きいことを特徴とする請求項6に記載の光学素子。前記複数配置された凹部又は凸部が、格子状に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の光学素子。前記複数配置された凹部又は凸部の、配置されるドットピッチDpに対する、前記凹部又は凸部の径rの比率が、70以上であるように、前記凹部又は凸部が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の光学素子。前記配置された凹部又は凸部の配置の間隔が、250nm以下160nm以上であることを特徴とする請求項1に記載の光学素子。前記光学素子を形成する基材が、可視光を透過可能であることを特徴とする請求項1に記載の光学素子。前記基材の屈折率が1から3の間にあることを特徴とする請求項13に記載の光学素子。前記光学素子を形成する基材が、光を吸収する略黒体であり、光の反射を抑えて光を吸収することを特徴とする請求項1に記載の光学素子。前記光学素子の上面から下面までの間で、深さに応じて、水平面による横断平面の中に占める前記光学素子そのものの横断面積の割合が、前記光学素子の上面から下面に向かうほど連続的に増加することを特徴とする請求項1に記載の光学素子。表面に可視光の波長よりも小さい間隔で、凹部及び凸部のいずれか一方が複数配置され、前記凹部及び凸部のうちの配置された一方において、前記凹部及び凸部のうちの配置されなかった他方が形成された光学素子のための、光学素子作製用複製基板の製造方法において、基板の表面に有機物層を形成する第1の工程と、前記有機物層の表面にレジスト層を形成する第2の工程と、前記レジスト層にレーザー光を前記基板を移動させながら間欠的に照射して露光する第3の工程と、前記レジスト層を現像処理し、エッチングのマスクパターンを形成する第4の工程と、前記マスクパターンをマスクとするエッチング処理を行うことで、前記基板の表面に凹凸構造を形成する第5の工程と、前記凹凸構造を有する前記基板の表面に、導電膜をスパッタリングし、更に加えて電気鋳造メッキを行なう第6の工程であって、電気鋳造メッキを行なう際に前記凹凸構造の凹部分の空間を電気鋳造メッキで用いる金属が埋め尽くす前に、前記金属が前記凹部分の表面を覆ってしまうように、前記凹部分の開口部の寸法及び前記凹部分の深さが調整されている、第6の工程と、前記導電膜部分及び電気鋳造メッキ部分を、前記凹凸構造を有する前記基板の表面から剥離することで、複製基板を作製する第7の工程とを備える光学素子作製用複製基板の製造方法。請求項17記載の光学素子作製用複製基板の製造方法で製造された複製基板を用いる光学素子の製造方法であって、前記複製基板の表面に溶解した樹脂を塗布する第1の工程と、塗布した溶解した樹脂を冷却させ、前記複製基板から剥離することで光学素子を形成する第2の工程とを備える光学素子の製造方法。請求項17記載の光学素子作製用複製基板の製造方法で製造された複製基板を用いる光学素子の製造方法であって、前記複製基板の表面にUV硬化樹脂を塗布する第1の工程と、塗布したUV硬化樹脂を硬化させ、前記複製基板から剥離することで光学素子を形成する第2の工程とを備えた光学素子の製造方法。請求項17記載の光学素子作製用複製基板の製造方法で製造された複製基板を用いる光学素子の製造方法であって、前記複製基板を金型として射出成形を行う第1の工程を備えた光学素子の製造方法。しかしながら、上記のような、反射率の低減のための構造体を備える光学素子においても、構造体の配置される間隔ピッチと波長の条件によって、反射率低減効果に差が生じる。そのために、反射率の波長分散や入射角依存性が残存する、という問題点がある。つまり、ピッチを狭くすれば波長依存や入射角依存を低減するという効果は拡がるが、構造体を形成し得る小ささの限度により、物理的にピッチを一定以上小さくすることはできない。その結果として、広い波長帯域、例えば可視光の全ての帯域において、反射率を低減せしめる光学素子は、これまで実現されていない。本発明は、上記の課題を解決するものであり、広い波長帯域、例えば、可視光の全ての帯域において反射率を低減する光学素子、及びその光学素子の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、上記の問題を解決するために為されたものである。本発明に係る光学素子は、表面に可視光の波長よりも小さい間隔で、凹部及び凸部のいずれか一方が複数配置され、前記凹部及び凸部のうちの配置された一方において、前記凹部及び凸部のうちの配置されなかった他方が形成されたことを特徴とする。また、本発明に係る光学素子作製用複製基板の製造方法は、表面に可視光の波長よりも小さい間隔で、凹部及び凸部のいずれか一方が複数配置され、前記凹部及び凸部のうちの配置された一方において、前記凹部及び凸部のうちの配置されなかった他方が形成された光学素子のための、光学素子作製用複製基板の製造方法において、基板の表面に有機物層を形成する第1の工程と、前記有機物層の表面にレジスト層を形成する第2の工程と、前記レジスト層にレーザー光を前記基板を移動させながら間欠的に照射して露光する第3の工程と、前記レジスト層を現像処理し、エッチングのマスクパターンを形成する第4の工程と、前記マスクパターンをマスクとするエッチング処理を行うことで、前記基板の表面に凹凸構造を形成する第5の工程と、前記凹凸構造を有する前記基板の表面に、導電膜をスパッタリングし、更に加えて電気鋳造メッキを行なう第6の工程であって、電気鋳造メッキを行なう際に前記凹凸構造の凹部分の空間を電気鋳造メッキで用いる金属が埋め尽くす前に、前記金属が前記凹部分の表面を覆ってしまうように、前記凹部分の開口部の寸法及び前記凹部分の深さが調整されている、第6の工程と、前記導電膜部分及び電気鋳造メッキ部分を、前記凹凸構造を有する前記基板の表面から剥離することで、複製基板を作製する第7の工程とを備える。更に、本発明に係る光学素子の製造方法は、本発明に係る光学素子作製用複製基板の製造方法で製造された複製基板を用いる光学素子の製造方法であって、前記複製基板の表面に溶解した樹脂を塗布する第1の工程と、塗布した溶解した樹脂を冷却させ、前記複製基板から剥離することで光学素子を形成する第2の工程とを備える。本発明によれば、広い波長帯域に対して、反射率を低減することができる光学素子を実現できる。本発明の実施の形態に係る光学素子は、平面状に多数の微小な構造体を配置して形成されるシート状の光学素子である。個々の構造体は数100nmのピッチで配置される。本発明に係る光学素子を利用することにより、本願発明者は、広い波長帯域で反射率を低減できることを確認している。<第1の実施の形態>以下、本発明に係る第1の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。1.光学素子の構成図1aは、第1の実施の形態に係る光学素子1の一部の平面図である。図1bは、図1aの平面図に示される光学素子1の更に一部についての断面図及び斜視図である。更に、図1cは、第1の実施の形態に係る光学素子1に配置される構造体2の斜視図である。光学素子1は、略透明な材料からなり、図1b及び図1cに示す微小な構造体2が規則正しく多数配置されて形成されている。図1に示す光学素子1では、縦方向にトラックピッチTpで、横方向にドットピッチDpで、多数の構造体2が配置されている。なお、本明細書では、図1aにおける構造体2の横方向の行をトラックと称するものとする。1.1.構造体の構成個々の構造体2は、直方体形状の本体部100と、本体部100に設けられた円柱状の凹部101と、凹部101の中に設けられた凸部以下、突出部という102とにより構成される。なお、個々の本体部100は独立して配置されるのではなく、後で説明するように、本体部100同士は連続的且つ一体的に形成されている。図1b及び図1cに示す構造体2では、凹部101は円柱状である。即ち、凹部101の水平面による横断面の形状は円形である。また、突出部102は円錐状である。ここで、凹部101の水平面による横断面の形状が三角形や四角形などの多角形であってもよく、突出部102が三角錐や四角錘などの多角垂状であってもよい。また、図1に示す光学素子1では、構造体2が格子状に配置されているが、各トラック間の構造体の配置は、格子状の配置に制限されるものではなく、千鳥状の配置であってもよい。更に、その他の配置、例えば、ランダム状の配置であってもよい。また、多数配置される構造体2の夫々のサイズ即ち、凹部101の径、突出部の径又は高さ等も、均一なものでなくてもよい。1.2.構造体の構成例図2は、第1の実施の形態に係る光学素子1の一部の表面形状を示す写真画像である。図2に示す光学素子1は、紫外線硬化樹脂により構成されており、構造体2における凹部101は一定のピッチ本例では、200nmで形成されている。光学素子1を形成する基材は透明体であり可視光を透過し得るものである。基材の屈折率は、透明体として存在し得る1から3の間であることが好ましい。また、構造体2における凹部101が配置される一定のピッチは、160nm~250nmであることが好ましいが、他の間隔であってもよい。図3は、光学素子1の構造体2の断面構造を示す写真画像である。図3aに示す画像は、円柱状の凹部101の部分における縦断面を示すものである。図3aに示される円柱状の凹部101の高さは、約375nmである。図3bに示す画像は、円柱状の凹部101と、その中の円錐状の突出部102との部分における断面を示すものである。図3bに示される円錐状の突出部102の高さは、約225nmである。なお、ここでの凹部101及び突出部102の高さは一例である。2.光学素子の反射率特性図4は、第1の実施の形態に係る光学素子1の反射率特性を示すグラフである。図4のグラフにおいて、横軸は光の波長、縦軸はその波長での垂直に入射する光の反射率を示す。図4においては、比較のため、市販フィルムの反射率特性も併せて示してある。図4に示す市販フィルムは、膜を積層した、従来の反射防止膜を有するタイプのものである。市販フィルムの特性では、可視域400nm~700nmのうち450nm以上の波長では、反射率が抑制される。しかしながら、波長によって反射率の変動ムラがある。特に、450nm以下の短波長や、赤外領域となる700nm以上の長波長では、反射率は1以上であり、その反射防止効果は十分ではない。これに対し、第1の実施の形態に係る光学素子1の特性では、全波長域に渡って市販フィルムよりも反射率が低く、即ち、波長に依存することなく反射率が低くなっている。第1の実施の形態に係る光学素子1において、構造体2の配置のピッチを、反射率を低減させる光の波長以下のサイズにするのが好ましい。特に、構造体2の配置のピッチを、光学的な分解能の限界とされる波長の半分以下のサイズとすることにより、反射率を抑制する効果が高まる。従って、可視光に対しては、人の目で認識できる波長のうち、長い方の色である赤色の波長の約半分である300nm以下であるのが望ましく、更には、人の目による感度が高い緑色の波長の半分以下である250nm以下とするのが望ましい。また、構造体2の凹部101の深さも深いほど反射率抑制効果は高く、少なくとも200nm以上であるのが望ましい。その際、凹部101の深さとその中の突出部102の高さについては、円柱状の凹部101の深さに対して、内側の円錐状の突出部102の高さを同じにする、若しくは小さくすることが望ましい。また、構造体2の反射率低減効果を高めるには、光学素子1の上面から下面までの間で、深さに応じて、水平面による横断平面の中に占める構造体2の横断面積の割合が連続的に変化することが望ましく、特に、凹部101の開口部から奥に向かうほど即ち、光学素子1の上面から下面に向かうほど連続的に増加することが望ましい。つまり、光学素子1の上面から下面までの間で、深さに応じて、水平面による横断平面の中に占める光学素子1そのものの横断面積の割合が、連続的に変化すること特に、凹部101の開口部から奥に向かうほど即ち、光学素子1の上面から下面に向かうほど連続的に増加することが望ましい。そのためには、内側の突出部102が、円柱状の凹部101の上端から突出しないことが望ましい。また、凹部101と突出部102の形状の組み合わせは、円柱状と円錐状や、四角柱状と四角錘状などでもよいが、光学素子1の上面から下面までの間で、深さに応じて、水平面による横断平面の中に占める構造体2の横断面積の割合が連続的に変化増加することが望ましいことから、内側の突出部は略円錐状円錐状、釣鐘状、富士山形状などや、略四角錘状などの形状であることがより望ましい。また、第1の実施の形態に係る光学素子を、透明な材料ではなく、光を吸収する黒体に近い材料、例えばカーボンブラックを主とする材料で形成することもできる。このような光学素子は、表面反射を抑えた光の吸収体としての性能を有する光学素子となる。つまり、波長に依存せず黒体に近い特性を持つ光学素子が実現され得る。更に、材料が金属、例えばNiであっても、その反射率を抑えた光学素子を得ることができる。3.光学素子の製造方法次に、第1の実施の形態に係る光学素子1の製造方法のいくつかの例について説明する。第1の実施の形態に係る光学素子の製造方法は、原盤を製造する工程と、光学素子作製用複製基板を製造する工程と、光学素子を形成する工程とを含む。以下、図面を参照しながら、いくつかの製造方法の例について、これらの工程を説明する。3.1.第1の例の製造方法3.1.1.原盤を製造する工程図5は、第1の実施の形態に係る光学素子のための、第1の例の製造方法における、原盤を製造する工程と光学素子作製用複製基板を製造する工程を示す図である。まず、図5aに示すように、基板11を準備する。この基板11は、例えば、シリコンウエハなどであればよい。次に、図5bに示すように、基板11の表面に有機物層12を形成する。例えば、有機物層12として、アクリル樹脂が用いられる。アクリル樹脂の濃度は、例えば45でよく、厚さは、例えば400nmであればよい。次に、図5cに示すように、レジスト層13を形成する。レジスト層13は無機レジストであればよく、無機レジストとしては、MoWの部分酸化膜などの遷移金属を用いることができる。MoWの部分酸化膜は30nm形成されればよい。このレジスト層13が、後で示すように、マスクとして作用する。次に、図5dに示すように、基板11上のレジスト層13に、露光ビームとしてレーザー光14が照射される。第1の例の製造方法においては、光ディスク製造において使用される露光装置を用いて、基板11を回転させながら露光を行う。このとき、基板11を半径方向に移動させながら、レーザー光14を間欠的に照射することで、レジスト層13が全面にわたって露光される。なお、トラックピッチTpが250m、ドットピッチDpが250nmになるように露光がなされればよい。レーザー光14としては、例えば周期的または非周期的に振幅が変化する波形を有するものが用いられる。基板11の回転と、露光のためのパルスとのタイミングが適宜調節されることにより、露光により形成されるドットを格子状に配置することも、稠密状態に配置することも可能となる。ここで稠密状態に配置するのであれば、上記ドットにより形成される穴の径をrとすると、rがドットピッチDpの70以上であるように配置されることが望ましい。なお、光学素子上の広い面積に構造体を形成するのであれば、X-Y描画装置を用いるのが望ましい。次に、図5eに示すように、基板11を回転させながらレジスト層13上に現像液15を滴下し、続いて、レジスト層13を現像処理する。これにより、図5fに示すように、エッチングのためのマスクとなるパターンが形成される。第1の例の製造方法では、例えば、現像液として濃度2.38のTMAHが用いられる。次に、基板11の上に形成されたレジスト層13のパターンをマスクとして、基板11の上に形成された有機物層12のエッチング処理を行う。これにより、図5gに示すように基板11上に有機物層12の穴形状凹部分が形成される。エッチング工法としては、例えば、酸素ガスによるドライエッチングにより行われればよい。第1の例の製造方法では、例えば、酸素ガスを用いて流量300sccmで1分間のエッチングを行う。ここまでの工程により原盤が形成される。3.1.2.光学素子作製用複製基板を製造する工程次に、エッチングを行った図5gに示す基板11上に導電膜16を形成する。導電膜16は、例えば、Niによるスパッタリングにより形成される図5h参照。更に、図5hに示す基板11に対して、電気鋳造メッキを行う図5i参照。電気鋳造は、例えばNiを用いて行われる。図5iにおける導電膜部分及び電気鋳造メッキ部分を基板11から剥離することにより、図6に示すスタンパ光学素子作製用複製基板18が形成される。図6は、形成されるスタンパ18の一部の縦断面を示す図である。また、図7は、スタンパ18表面の一部の写真画像である。図5iに示す電気鋳造メッキを行なう際、原盤の穴凹部分の空間をNiが埋め尽くす前に、Niが穴の表面を覆ってしまうように、穴凹部分の開口部の寸法及び穴凹部分の深さを調整しておくことが必要である。つまり、穴凹部分の空間の容積に対して、穴凹部分の中に入るNiの体積が小さくなるように、穴凹部分の開口部の寸法及び穴凹部分の深さを調整しておくことが必要である。このようにすることで、図6に示すように形成されるスタンパ18を構成する基板構造体20の形状は、単なる円柱状ではなく、不足したNiにより中心部に窪み22を有する円柱状となる。3.1.3.光学素子を形成する工程以上のようにして作成したスタンパ18を用いて光学素子1が形成される。具体的には、スタンパ18に、溶解した樹脂を塗布し、塗布した樹脂を冷却させた後、スタンパ18から剥離することで光学素子11が形成される。スタンパ18からの剥離性を確保するため、樹脂は、冷却後も弾性が残る材料であることが望ましい。第1の例の製造方法では、樹脂としてPC等を用いる。3.2.第2の例の製造方法第1の実施の形態に係る光学素子1の、第2の例の製造方法について説明する。第2の例の製造方法は、基本的に第1の例の製造方法と同様のものであり、原盤を製造する工程と、光学素子作製用複製基板を製造する工程と、光学素子を形成する工程とを含む。第1の例の製造方法の場合と同様に図5を用いて、これらの工程を説明する。3.2.1.原盤を製造する工程図5aに示すように、基板11を準備する。この基板11は、例えば、石英基板、ナトリウムガラスなどであればよい。次に、図5bに示すように、基板11の表面に有機物層12を形成する。例えば、有機物層12としては、ノボラック樹脂や化学増幅型レジストなどが用いられる。次に、図5cに示すように、レジスト層13を形成する。レジスト層13は無機レジストであればよく、無機レジストとしては、TePdの酸化物を用いることができる。TePdの酸化物は厚さ40nmの膜として形成されればよい。このレジスト層13が、マスクとして作用する。次に、図5dに示すように、基板11上のレジスト層13に、露光ビームとしてレーザー光14が照射される。第2の例の製造方法においても、光ディスク製造において使用される露光装置を用いて、基板11を回転させながら露光を行う。第2の例の製造方法では、トラックピッチTpが200m、ドットピッチDpが200nmになるように露光がなされる。次に、図5eに示すように、基板11を回転させながらレジスト層13上に現像液15を滴下し、続いて、レジスト層13を現像処理する。これにより、図5fに示すように、エッチングのためのマスクとなるパターンが形成される。第2の例の製造方法においては、例えば、現像液として無機現像液ロームアンドハース製が用いられる。次に、基板11の上に形成されたレジスト層13のパターンをマスクとして、基板11の上に形成された有機物層12のエッチング処理を行う。これにより、図5gに示すように基板11上に有機物層12の穴形状凹部分が形成される。エッチング工法としては、例えばアルゴンガスによるドライエッチングにより行われればよい。第2の例の製造方法では、例えば、アルゴンガスを用いて流量400sccmで5分間のエッチングを行う。ここまでの工程により原盤が形成される。3.2.2.光学素子作製用複製基板を製造する工程エッチングを行った図5gに示す基板11上に導電膜16を形成する。導電膜16は、例えば、Niの部分酸化膜によるスパッタリングにより形成される図5h参照。更に、図5hに示す基板11に対して、電気鋳造メッキ17を行う図5i参照。電気鋳造は、例えば、Niを用いて行われる。図5iに示す導電膜部分及び電気鋳造メッキ部分を基板11から剥離することにより、図6に示すスタンパ光学素子作製用複製基板18が形成される。3.2.3.光学素子を形成する工程以上のようにして作成したスタンパ18を用いて光学素子1が形成される。具体的には、スタンパ18に、UV硬化樹脂を塗布し、塗布したUV硬化樹脂をUV光にて硬化させた後、スタンパ18から剥離することで光学素子1が形成される。スタンパ18からの剥離性を確保するため、UV硬化樹脂は、冷却後も弾性が残る材料であることが望ましい。第2の例の製造方法では、UV硬化樹脂としてPMMA等を用いる。3.3.第3の例の製造方法第1の実施の形態に係る光学素子1の、第3の例の製造方法について説明する。第3の例の製造方法も、基本的に第1の例の製造方法と同様のものであり、原盤を製造する工程と、光学素子作製用複製基板を製造する工程と、光学素子を形成する工程とを含む。第1の例の製造方法の場合と同様に図5を用いて、これらの工程を説明する。3.3.1.原盤を製造する工程基板11を準備する工程図5a、及び有機物層12を形成する工程図5bが、第2の例の製造方法と同様に行なわれる。次に、図5cに示すように、レジスト層13を形成する。レジスト層13は無機レジストであればよく、無機レジストとしては、Niを用いることができる。Niは厚さ40nmの膜として形成されればよい。このレジスト層13が、マスクとして作用する。次に、レジスト層13にレーザー光14が照射される工程図5d及びレジスト層13を現像処理する工程図5eも、第2の例の製造方法と同様に行なわれる。次に、基板11の上に形成されたレジスト層13のパターンをマスクとして、基板11の上に形成された有機物層12のエッチング処理を行う。これにより、図5gに示すように基板11上に有機物層12の穴形状凹部分が形成される。エッチング工法としては、例えばCHF3によるドライエッチングにより行われればよい。第3の例の製造方法では、例えば、CHF3を用いて流量400sccmで3分間のエッチングを行う。ここまでの工程により原盤が形成される。3.3.2.光学素子作製用複製基板を製造する工程エッチングを行った基板11上に導電膜16及び電気鋳造メッキ17を形成し図5h、i、形成された導電膜部分及び電気鋳造メッキ部分を基板11から剥離することにより、スタンパ光学素子作製用複製基板18が形成される図6工程も、第2の例の製造方法と同様に行なわれる。3.3.3.光学素子を形成する工程以上のようにして作成したスタンパ18を用いて光学素子1が形成される。具体的には、スタンパ18を金型として用いて、射出成形を行うことにより光学素子1が形成される。スタンパ18からの剥離性を確保するため、射出成形の樹脂は、剥離時にも弾性が残る材料であることが望ましい。第3の例の製造方法では、射出形成の樹脂としてPET等を用いる。3.4.その他の製造方法第1の実施の形態に係る光学素子の製造方法は、以上のものに限定されない。例えば、UV硬化樹脂等の樹脂の背面にシートを配し、シートに紫外線硬化樹脂が残るようにしてスタンパ18から樹脂及びシートを剥離することでも、光学素子を形成することができる。<第2の実施の形態>上述の第1の実施の形態では、構造体2は、直方体形状の本体部100と、本体部100に設けられた円柱状の凹部101と、凹部101の中に設けられた凸部突出部102とにより形成したが、別の形状であっても単体の円柱形状や円錐形状よりも微細な構造であれば、その形状に捉われず同様の効果を得ることができる。図8aは、第2の実施の形態に係る光学素子1’の一部の平面図である。図8bは、図8bの平面図に示される光学素子1’の更に一部についての断面図及び斜視図である。更に、図8cは、第2の実施の形態に係る光学素子1’に配置される構造体2’の斜視図である。図8に示す第2の実施の形態に係る光学素子1’では、構造体2’が、図1に示す第1の実施の形態に係る光学素子1における構造体2と、凹部と凸部が逆転した形状となっている。第2の実施の形態に係る光学素子1’も略透明な材料からなり、図8b及び図8cに示す微小な構造体2’が、縦方向にトラックピッチTpで横方向にドットピッチDpで、規則正しく多数配置されている。個々の構造体2’は、凸部101’と、凸部101’の表面から内部に設けられた凹部以下、窪みという102’とにより構成される。更に構造体2’は、構造体2’と同じ材料からなる平面状シート103’上に配置される。図8b及び図8cに示す構造体2’では、凸部101’は円柱状である。また、窪み102’は円錐状であるが、円錐を逆さにした形状である。つまり、窪み102’は、構造体2’の上面の開口部において横断面積が大きく、構造体2’の下面に向かうにつれて横断面積が小さくなっている。更に、窪み102’の深さは、凸部101’の高さよりも小さい。凸部101’は、三角柱状や四角柱状などの多角柱状であってもよい。窪み102’は、三角錘状や四角錘状などの多角錘状であってもよい。また、図8に示す光学素子1’では、構造体2’が格子状に配置されているが、各トラック間の構造体2’の配置は、格子状の配置に制限されるものではなく、千鳥状の配置やその他の配置であってもよい。図8に示す第2の実施の形態に係る光学素子1’は、前述の第1の実施の形態に係る光学素子1のための、第1~第3の例の製造方法に対して、図6に示すスタンパ18の凹凸を逆転させたスタンパを作成する工程を加えた製造方法により、製造されるものである。このような構成の第2の実施の形態に係る光学素子1’は、第1の実施の形態に係る光学素子1と同様に、反射率を低減する効果を得ることができる。<まとめ>以上のように、本発明の実施の形態に係る光学素子は、平面状に多数の微小な構造体を配置して形成される。このため、実施の形態に係る光学素子は、広い波長帯域に関して反射率を低減できるものとなっている。