基板を薬液処理する工程と、前記薬液処理する工程の後、前記基板を回転させながら、洗浄液ノズルを介して当該基板にリンス液を供給する工程と、前記リンス液を供給する工程の後、前記基板を回転させながら、乾燥液ノズルを介して当該基板に乾燥液を供給する工程と、前記乾燥液を供給する工程の後、前記基板を回転させながら、ガスノズルを介して当該基板に不活性ガスを供給する工程と、を備え、前記リンス液を供給する工程において、前記洗浄液ノズルは、リンス液を前記基板の中心部に供給し、その後、リンス液を供給しながら当該基板の当該中心部に対応する位置から周縁部に対応する位置に移動して当該周縁部に対応する位置に停止し、前記乾燥液を供給する工程は、前記乾燥液ノズルを、乾燥液を供給しながら前記基板の前記周縁部に対応する位置から前記中心部に対応する位置に移動させる第1の工程と、前記第1の工程の後、乾燥液を供給しながら当該乾燥液ノズルを当該基板の当該中心部に対応する位置に所定時間停止させる第2の工程と、を有し、前記不活性ガスを供給する工程において、前記ガスノズルは、不活性ガスを供給しながら前記基板の前記中心部に対応する位置から当該基板の前記周縁部に対応する位置に移動することを特徴とする基板処理方法。前記リンス液を供給する工程において、リンス液を前記基板の前記中心部に供給する際の当該基板の回転数よりも当該基板の回転数を低下させた後、前記洗浄液ノズルが移動することを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。前記乾燥液を供給する工程における前記乾燥液ノズルの移動速度は、前記リンス液供給工程における前記洗浄液ノズルの移動速度より大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理方法。前記乾燥液を供給する工程において、前記第1の工程の前に、前記リンス液を供給する工程における前記洗浄液ノズルが前記基板の前記周縁部に対応する位置に停止した際の当該基板の回転数よりも前記基板の回転数を上昇させることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理方法。前記不活性ガスを供給する工程における前記基板の回転数は、前記乾燥液を供給する工程の前記第2の工程における当該基板の回転数よりも低下していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の基板処理方法。前記洗浄液ノズル、前記乾燥液ノズル、および前記ガスノズルは、一体に移動することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の基板処理方法。基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、前記基板処理方法は、基板を薬液処理する工程と、前記薬液処理する工程の後、前記基板を回転させながら、洗浄液ノズルを介して当該基板にリンス液を供給する工程と、前記リンス液を供給する工程の後、前記基板を回転させながら、乾燥液ノズルを介して当該基板に乾燥液を供給する工程と、前記乾燥液を供給する工程の後、前記基板を回転させながら、ガスノズルを介して当該基板に不活性ガスを供給する工程と、を備え、前記リンス液を供給する工程において、前記洗浄液ノズルは、リンス液を前記基板の中心部に供給し、その後、リンス液を供給しながら当該基板の当該中心部に対応する位置から周縁部に対応する位置に移動して当該周縁部に停止し、前記乾燥液を供給する工程は、前記乾燥液ノズルを、乾燥液を供給しながら前記基板の前記周縁部に対応する位置から前記中心部に対応する位置に移動させる第1の工程と、前記第1の工程の後、乾燥液を供給しながら当該乾燥液ノズルを当該基板の当該中心部に対応する位置に所定時間停止させる第2の工程と、を有し、前記不活性ガスを供給する工程において、前記ガスノズルは、不活性ガスを供給しながら前記基板の前記中心部に対応する位置から当該基板の前記周縁部に対応する位置に移動することを特徴とする記録媒体。基板を保持する回転自在な基板保持部と、前記基板保持部を回転駆動する回転駆動部と、前記基板保持部に保持された前記基板に薬液を供給する薬液供給機構と、前記基板保持部に保持された前記基板に、洗浄液ノズルを介してリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記基板保持部に保持された前記基板に、乾燥液ノズルを介して乾燥液を供給する乾燥液供給機構と、前記基板保持部に保持された前記基板に、ガスノズルを介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、前記洗浄液ノズル、前記乾燥液ノズル、および前記ガスノズルを、前記基板の中心部に対応する位置と当該基板の周縁部に対応する位置との間で移動させるノズル駆動部と、前記回転駆動部、前記薬液供給機構、前記リンス液供給機構、前記乾燥液供給機構、前記不活性ガス供給機構、および前記ノズル駆動部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記リンス液供給機構により前記基板にリンス液を供給する際、前記洗浄液ノズルを、リンス液を供給させながら前記基板の中心部に対応する位置に停止させ、その後、リンス液を供給させながら当該基板の当該中心部に対応する位置から周縁部に対応する位置に移動させて当該周縁部に対応する位置に停止させ、前記乾燥液供給機構により前記基板に乾燥液を供給する際、前記乾燥液ノズルを、乾燥液を供給させながら前記基板の前記周縁部に対応する位置から前記中心部に対応する位置に移動させる第1の工程と、前記第1の工程の後、乾燥液を供給させながら当該乾燥液ノズルを当該基板の当該中心部に対応する位置に所定時間停止させる第2の工程と、を行い、前記不活性ガス供給機構により前記基板に不活性ガスを供給する際、前記ガスノズルを、不活性ガスを供給させながら前記基板の中心部に対応する位置から当該基板の前記周縁部に対応する位置に移動させる、ように、前記リンス液供給機構、前記乾燥液供給機構、前記不活性ガス供給機構、および前記ノズル駆動部を制御することを特徴とする基板処理装置。前記制御部は、前記リンス液供給機構により前記基板にリンス液を供給する際、前記洗浄液ノズルを前記基板の前記中心部に対応する位置に停止させた際の当該基板の回転数よりも当該基板の回転数を低下させた後、前記洗浄液ノズルを移動させるように前記回転駆動部および前記ノズル駆動部を制御することを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。前記制御部は、前記乾燥液供給機構により前記基板に乾燥液を供給する際の前記乾燥液ノズルの移動速度を、前記リンス液供給機構により前記基板にリンス液を供給する際の前記洗浄液ノズルの移動速度より大きくするように、前記ノズル駆動部を制御することを特徴とする請求項8または9に記載の基板処理装置。前記制御部は、前記乾燥液供給機構により前記基板に乾燥液を供給する際、前記第1の工程の前に、当該基板にリンス液を供給している前記洗浄液ノズルが前記基板の前記周縁部に対応する位置に停止した際の当該基板の回転数よりも当該基板の回転数を上昇させるように、前記回転駆動部を制御することを特徴とする請求項8乃至10のいずれかに記載の基板処理装置。前記制御部は、前記不活性ガス供給機構により前記基板に不活性ガスを供給する際の当該基板の回転数を、前記乾燥液供給機構により前記基板に乾燥液を供給する際の前記第2の工程における当該基板の回転数より低下させるように、前記回転駆動部を制御することを特徴とする請求項8乃至11のいずれかに記載の基板処理装置。前記洗浄液ノズル、前記乾燥液ノズル、および前記ガスノズルは、ノズルアームを介して前記ノズル駆動部に連結され、一体に移動することを特徴とする請求項8乃至12のいずれかに記載の基板処理装置。しかしながら、従来の処理方法にあっては、ウエハの疎水性が強い場合、乾燥後のウエハの表面にパーティクル薬液などの析出によって生じる筋状のウォーターマーク等が発生することがあった。特に、径が大きいウエハにおいて、ウエハの周縁部に発生するパーティクルを抑制することが難しかった。また、ウエハの乾燥処理の方法として、ウエハの表面中心にIPA液が供給され、ウエハの表面にIPA液の液膜が形成された後、IPA液を供給するIPAノズルと、窒素ガスを供給するガスノズルとを、ウエハの中心部から周縁部に一体に移動させながら、ウエハにIPA液と窒素ガスとを供給してウエハの表面を乾燥させる方法がある。この場合、窒素ガスが供給される部分のIPA液の液膜の厚さが厚いため、ウエハに供給された窒素ガスによってウエハ上のIPA液がはねることがある。ウエハに供給された窒素ガスによってウエハ上のIPA液がはねることを抑制するために、IPAノズルの移動速度は、比較的小さく設定される。このため、ウエハの乾燥処理に時間がかかると共にIPA液の使用量が多くなるという問題があった。本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができると共に、ウエハの乾燥処理を迅速に行い、乾燥液の使用量を低減することができる基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置を提供することを目的とする。本発明は、基板を薬液処理する工程と、前記薬液処理する工程の後、前記基板を回転させながら、洗浄液ノズルを介して当該基板にリンス液を供給する工程と、前記リンス液を供給する工程の後、前記基板を回転させながら、乾燥液ノズルを介して当該基板に乾燥液を供給する工程と、前記乾燥液を供給する工程の後、前記基板を回転させながら、ガスノズルを介して当該基板に不活性ガスを供給する工程と、を備え、前記リンス液を供給する工程において、前記洗浄液ノズルは、リンス液を前記基板の中心部に供給し、その後、リンス液を供給しながら当該基板の当該中心部に対応する位置から周縁部に対応する位置に移動して当該周縁部に対応する位置に停止し、前記乾燥液を供給する工程は、前記乾燥液ノズルを、乾燥液を供給しながら前記基板の前記周縁部に対応する位置から前記中心部に対応する位置に移動させる第1の工程と、前記第1の工程の後、乾燥液を供給しながら当該乾燥液ノズルを当該基板の当該中心部に対応する位置に所定時間停止させる第2の工程と、を有し、前記不活性ガスを供給する工程において、前記ガスノズルは、不活性ガスを供給しながら前記基板の前記中心部に対応する位置から当該基板の前記周縁部に対応する位置に移動することを特徴とする基板処理方法である。本発明による基板処理方法において、前記リンス液を供給する工程において、リンス液を前記基板の前記中心部に供給する際の当該基板の回転数よりも当該基板の回転数を低下させた後、前記洗浄液ノズルが移動する、ようにしてもよい。本発明による基板処理方法において、前記乾燥液を供給する工程における前記乾燥液ノズルの移動速度は、前記リンス液供給工程における前記洗浄液ノズルの移動速度より大きい、ようにしてもよい。本発明による基板処理方法において、前記乾燥液を供給する工程において、前記第1の工程の前に、前記リンス液を供給する工程における前記洗浄液ノズルが前記基板の前記周縁部に対応する位置に停止した際の当該基板の回転数よりも前記基板の回転数を上昇させる、ようにしてもよい。本発明による基板処理方法において、前記不活性ガスを供給する工程における前記基板の回転数は、前記乾燥液を供給する工程の前記第2の工程における当該基板の回転数よりも低下している、ようにしてもよい。本発明による基板処理方法において、前記洗浄液ノズル、前記乾燥液ノズル、および前記ガスノズルは、一体に移動する、ようにしてもよい。本発明は、基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、前記基板処理方法は、基板を薬液処理する工程と、前記薬液処理する工程の後、前記基板を回転させながら、洗浄液ノズルを介して当該基板にリンス液を供給する工程と、前記リンス液を供給する工程の後、前記基板を回転させながら、乾燥液ノズルを介して当該基板に乾燥液を供給する工程と、前記乾燥液を供給する工程の後、前記基板を回転させながら、ガスノズルを介して当該基板に不活性ガスを供給する工程と、を備え、前記リンス液を供給する工程において、前記洗浄液ノズルは、リンス液を前記基板の中心部に供給し、その後、リンス液を供給しながら当該基板の当該中心部に対応する位置から周縁部に対応する位置に移動して当該周縁部に停止し、前記乾燥液を供給する工程は、前記乾燥液ノズルを、乾燥液を供給しながら前記基板の前記周縁部に対応する位置から前記中心部に対応する位置に移動させる第1の工程と、前記第1の工程の後、乾燥液を供給しながら当該乾燥液ノズルを当該基板の当該中心部に対応する位置に所定時間停止させる第2の工程と、を有し、前記不活性ガスを供給する工程において、前記ガスノズルは、不活性ガスを供給しながら前記基板の前記中心部に対応する位置から当該基板の前記周縁部に対応する位置に移動することを特徴とする記録媒体である。本発明は、基板を保持する回転自在な基板保持部と、前記基板保持部を回転駆動する回転駆動部と、前記基板保持部に保持された前記基板に薬液を供給する薬液供給機構と、前記基板保持部に保持された前記基板に、洗浄液ノズルを介してリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記基板保持部に保持された前記基板に、乾燥液ノズルを介して乾燥液を供給する乾燥液供給機構と、前記基板保持部に保持された前記基板に、ガスノズルを介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、前記洗浄液ノズル、前記乾燥液ノズル、および前記ガスノズルを、前記基板の中心部に対応する位置と当該基板の周縁部に対応する位置との間で移動させるノズル駆動部と、前記回転駆動部、前記薬液供給機構、前記リンス液供給機構、前記乾燥液供給機構、前記不活性ガス供給機構、および前記ノズル駆動部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記リンス液供給機構により前記基板にリンス液を供給する際、前記洗浄液ノズルを、リンス液を供給させながら前記基板の中心部に対応する位置に停止させ、その後、リンス液を供給させながら当該基板の当該中心部に対応する位置から周縁部に対応する位置に移動させて当該周縁部に対応する位置に停止させ、前記乾燥液供給機構により前記基板に乾燥液を供給する際、前記乾燥液ノズルを、乾燥液を供給させながら前記基板の前記周縁部に対応する位置から前記中心部に対応する位置に移動させる第1の工程と、前記第1の工程の後、乾燥液を供給させながら当該乾燥液ノズルを当該基板の当該中心部に対応する位置に所定時間停止させる第2の工程と、を行い、前記不活性ガス供給機構により前記基板に不活性ガスを供給する際、前記ガスノズルを、不活性ガスを供給させながら前記基板の中心部に対応する位置から当該基板の前記周縁部に対応する位置に移動させる、ように、前記リンス液供給機構、前記乾燥液供給機構、前記不活性ガス供給機構、および前記ノズル駆動部を制御することを特徴とする基板処理装置である。本発明による基板処理装置において、前記制御部は、前記リンス液供給機構により前記基板にリンス液を供給する際、前記洗浄液ノズルを前記基板の前記中心部に対応する位置に停止させた際の当該基板の回転数よりも当該基板の回転数を低下させた後、前記洗浄液ノズルを移動させるように前記回転駆動部および前記ノズル駆動部を制御する、ようにしてもよい。本発明による基板処理装置において、前記制御部は、前記乾燥液供給機構により前記基板に乾燥液を供給する際の前記乾燥液ノズルの移動速度を、前記リンス液供給機構により前記基板にリンス液を供給する際の前記洗浄液ノズルの移動速度より大きくするように、前記ノズル駆動部を制御する、ようにしてもよい。本発明による基板処理装置において、前記制御部は、前記乾燥液供給機構により前記基板に乾燥液を供給する際、前記第1の工程の前に、当該基板にリンス液を供給している前記洗浄液ノズルが前記基板の前記周縁部に対応する位置に停止した際の当該基板の回転数よりも当該基板の回転数を上昇させるように、前記回転駆動部を制御する、ようにしてもよい。本発明による基板処理装置において、前記制御部は、前記不活性ガス供給機構により前記基板に不活性ガスを供給する際の当該基板の回転数を、前記乾燥液供給機構により前記基板に乾燥液を供給する際の前記第2の工程における当該基板の回転数より低下させるように、前記回転駆動部を制御する、ようにしてもよい。本発明による基板処理装置において、前記洗浄液ノズル、前記乾燥液ノズル、および前記ガスノズルは、ノズルアームを介して前記ノズル駆動部に連結され、一体に移動する、ようにしてもよい。本発明によれば、基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができると共に、基板の乾燥処理を迅速に行い、乾燥液の使用量を低減することができる。以下、図1乃至図5を参照して、本発明の実施の形態における基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置について説明する。まず、図1および図2により、基板処理装置1の全体構成について説明する。図1に示すように、基板処理装置1は、処理容器10と、この処理容器10内に設けられ、洗浄処理を行う基板例えば、半導体ウエハ、以下単にウエハWと記すを保持する回転自在なスピンチャック基板保持部20と、このスピンチャック20を回転駆動する回転駆動部モータ25と備えている。このうち、処理容器10には、図2に示すように、ウエハWの搬入出口11が設けられている。この搬入出口11には、開閉自在なシャッタ12が設けられており、ウエハWの搬入出時に開くようになっている。このシャッタ12は、処理容器10の内側に設けられており、処理容器10内の圧力が高くなった場合においても、処理容器10内の雰囲気が外方に漏洩することを防止している。なお、シャッタ12には、後述する制御部80が接続されており、シャッタ12は、制御部80からの制御信号に基づいて、開閉するようになっている。図1に示すように、スピンチャック20は、回転プレート21と、この回転プレート21の周縁部に設けられ、ウエハWを保持する保持部材22とを有している。このうち、保持部材22は、回転プレート21の周縁部において、略等間隔に配置され、ウエハWを略水平に保持するようになっている。回転駆動部25は、スピンチャック20の回転プレート21に、回転駆動軸26を介して連結されている。この回転駆動部25には、制御部80が接続されており、制御部80からの制御信号に基づいて回転駆動部25が駆動されることにより、回転プレート21を回転させ、保持部材22に保持されたウエハWが、その中心を回転中心として、略水平面内で回転するようになっている。スピンチャック20に保持されたウエハWの上方に、ウエハWに薬液または純水を供給する洗浄液ノズル30と、ウエハWに乾燥液を供給する乾燥液ノズル31と、ウエハWに不活性ガスを供給するガスノズル32とが設けられている。これら洗浄液ノズル30、乾燥液ノズル31、およびガスノズル32は、ノズルアーム33およびガイドレール34を介して、ノズル駆動部35に連結されている。このうちガイドレール34は、処理容器10内に略水平に配置されており、ノズルアーム33の基端部は、このガイドレール34に沿って略水平に移動自在となるように、ガイドレール34に取り付けられている。このようにして、ノズル駆動部35を駆動することにより、各ノズル30、31、32は、ウエハWの上方において、ウエハWの中心部に対応する位置ウエハWの中心部の上方位置と、ウエハWの周縁部に対応する位置ウエハWの周縁部の上方位置との間で、略水平方向に、一体に移動するようになっている。さらには、各ノズル30、31、32は、ウエハWの周縁部に対応する位置から、ウエハWの周縁外方の上方位置退避位置との間においても、一体に移動するようになっている。なお、ノズル駆動部35には、制御部80が接続されており、制御部80からの制御信号に基づいてノズル駆動部35が駆動されるようになっている。洗浄液ノズル30、乾燥液ノズル31、およびガスノズル32は、連結部材36に、互いに近接して、整列して取り付けられている。この連結部材36とノズルアーム33の先端部との間に、各ノズル30、31、32を一体に昇降させる昇降駆動部37が介在されている。また、連結部材36と昇降駆動部37との間に、昇降軸38が連結されている。なお、昇降駆動部37には、制御部80が接続されており、制御部80からの制御信号に基づいて昇降駆動部37が駆動され、各ノズル30、31、32が昇降するようになっている。このようにして、ウエハWに対する各ノズル30、31、32の高さを調節可能に構成されている。また、洗浄液ノズル30、乾燥液ノズル31、およびガスノズル32は、スピンチャック20に保持されたウエハWの半径方向に直線状に配置されており、各ノズル30、31、32が、ウエハWの中心部の上方に移動可能となるように、ノズルアーム33に一体に取り付けられている。洗浄液ノズル30に、薬液供給機構40が連結されており、スピンチャック20に保持されたウエハWに、洗浄液ノズル30を介して薬液が吐出供給されるようになっている。本実施の形態における薬液供給機構40は、洗浄液ノズル30にSC1供給ライン41を介して連結され、ウエハWにアンモニア過水SC1液を供給するSC1供給源42と、洗浄液ノズル30にDHF供給ライン43を介して連結され、ウエハWに希フッ酸DHF液を供給するDHF供給源44とを有している。このうちSC1供給ライン41にSC1開閉弁45が設けられており、DHF供給ライン43にDHF開閉弁46が設けられている。また、SC1開閉弁45およびDHF開閉弁46には、制御部80が接続されており、各開閉弁45、46は、制御部80からの制御信号に基づいて、開閉するようになっている。また、洗浄液ノズル30に、リンス液供給機構50が連結されており、スピンチャック20に保持されたウエハWに、洗浄液ノズル30を介して純水リンス液が吐出供給されるようになっている。リンス液供給機構50は、洗浄液ノズル30に、リンス液供給ライン51を介して連結され、ウエハWに純水を供給するリンス液供給源52と、リンス液供給ライン51に設けられたリンス液開閉弁53とを有している。なお、リンス液開閉弁53には、制御部80が接続されており、リンス液開閉弁53は、制御部80からの制御信号に基づいて、開閉するようになっている。なお、SC1供給ライン41、DHF供給ライン43、リンス液供給ライン51は、各開閉弁45、46、53と洗浄液ノズル30との間で合流するようになっている。乾燥液ノズル31に、乾燥液供給機構60が連結されており、スピンチャック20に保持されたウエハWに、乾燥液ノズル31を介して乾燥液が吐出供給されるようになっている。乾燥液供給機構60は、乾燥液ノズル31に乾燥液供給ライン61を介して連結され、ウエハWに、純水よりも揮発性の高いイソプロピルアルコールIPAからなる乾燥液を供給する乾燥液供給源62と、乾燥液供給ライン61に設けられた乾燥液開閉弁63とを有している。なお、乾燥液開閉弁63には、制御部80が接続されており、乾燥液開閉弁63は、制御部80からの制御信号に基づいて、開閉するようになっている。ガスノズル32に、不活性ガス供給機構70が連結されており、スピンチャック20に保持されたウエハWに、ガスノズル32を介して不活性ガスが吐出供給されるようになっている。不活性ガス供給機構70は、ガスノズル32にガス供給ライン71を介して連結され、ウエハWに、不活性ガスとして窒素ガスN2ガスを供給するガス供給源72と、ガス供給ライン71に設けられたガス開閉弁73とを有している。なお、ガス開閉弁73には、制御部80が接続されており、ガス開閉弁73は、制御部80からの制御信号に基づいて、開閉するようになっている。上述したように、回転駆動部25、ノズル駆動部35、薬液供給機構40のSC1開閉弁45およびDHF開閉弁46、リンス液供給機構50のリンス液開閉弁53、乾燥液供給機構60の乾燥液開閉弁63、並びに不活性ガス供給機構70のガス開閉弁73に、これらを制御する制御部80が接続されている。このような制御部80は、後述する乾燥処理工程時にリンス液供給機構50によるウエハWに純水を供給する際、洗浄液ノズル30をウエハWの中心部に対応する位置から周縁部に対応する位置に移動させ、乾燥液供給機構60によりウエハWにIPA液を供給する際、乾燥液ノズル31を、ウエハWの周縁部に対応する位置からウエハWの中心部に対応する位置に移動させる第1の工程と、第1の工程の後、乾燥液ノズル31をウエハWの中心部に対応する位置に所定時間停止させる第2の工程と、を行うように、リンス液供給機構50のリンス液開閉弁53、乾燥液供給機構60の乾燥液開閉弁63、および前記ノズル駆動部35を制御する。さらに、制御部80は、不活性ガス供給機構70によりウエハWに窒素ガスを供給する際、ガスノズル32を、ウエハWの中心部に対応する位置からウエハWの周縁部に対応する位置に移動させるように、不活性ガス供給機構70のガス開閉弁73およびノズル駆動部35を制御する。また、制御部80は、ウエハWの回転数を低下させた後、洗浄液ノズル30をウエハWの中心部に対応する位置から周縁部に対応する位置に移動させるように回転駆動部25およびノズル駆動部35を制御する。また、制御部80は、乾燥液供給機構60によりウエハWにIPA液を供給する際の乾燥液ノズル31の移動速度を、リンス液供給機構50によりウエハWに純水を供給する際の洗浄液ノズル30の移動速度より大きくするように、ノズル駆動部35を制御する。さらに、制御部80は、乾燥液供給機構60によりウエハWにIPA液を供給する際、ウエハWの回転数を上昇させると共に、不活性ガス供給機構70によりウエハWに窒素ガスを供給する際のウエハWの回転数を、乾燥液供給機構60によりウエハWにIPA液を供給する際の上述の第2の工程におけるウエハWの回転数より低下させるように、回転駆動部25を制御する。ところで、図1に示すように、制御部80には、工程管理者等が基板処理装置1を管理するために、コマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置1の稼働状況等を可視化して表示するディスプレイ等からなる入出力装置81が接続されている。また、制御部80は、基板処理装置1で実行される処理を実現するためのプログラム等が記録された記録媒体82にアクセス可能となっている。記録媒体82は、ROMおよびRAM等のメモリ、ハードディスク、CD-ROM、DVD-ROM、およびフレキシブルディスク等のディスク状記録媒体等、既知の記録媒体から構成され得る。このようにして、制御部80が、記録媒体82に予め記録されたプログラム等を実行することによって、基板処理装置1においてウエハWの処理が行われるようになっている。次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち、本実施の形態による基板処理方法について説明する。なお、以下に説明する基板処理方法を実行するための各構成要素の動作は、予め記録媒体82に記録されたプログラムに基づいた制御部80からの制御信号によって制御される。まず、図3に示すように、スピンチャック20に、ウエハWが保持されるステップS1。この場合、まず、シャッタ12が開けられて、図示しない搬送アームに保持されたウエハWが、搬入出口11を通って処理容器10内に搬入される。次に、ウエハWが、搬送アームから受け渡され、スピンチャック20の保持部材22に保持される。続いて、回転駆動部25により、ウエハWを保持したスピンチャック20が回転駆動されるステップS2。その後、ノズル駆動部35が駆動され、退避位置に位置していた洗浄液ノズル30がスピンチャック20に保持されたウエハWの中心部に対応する位置に移動するステップS3。次に、ウエハWを回転させながら、ウエハWが薬液処理される。この場合、まず、ウエハWの表面にSC1液が供給されて、ウエハWの表面がSC1液により薬液処理され、洗浄されるステップS4。すなわち、SC1開閉弁45が開き、SC1供給源42から、SC1供給ライン41および洗浄液ノズル30を介して、SC1液がウエハWの表面の中心部に吐出される。このことにより、吐出されたSC1液は、遠心力によりウエハWの表面全体に拡散され、ウエハWの表面にSC1液の液膜が形成される。この際、ウエハWの回転数は、例えば、10~500rpm程度とすることが好ましい。SC1液の液膜が形成された後、SC1開閉弁45を閉じてSC1液の供給を停止し、所定時間放置する。このことにより、SC1液を、遠心力によりウエハWの外方に押し出すことができる。SC1液による薬液洗浄処理の後、ウエハWの表面にDHF液が供給されて、ウエハWの表面がDHF液により薬液処理され、洗浄されるステップS5。すなわち、DHF開閉弁46が開き、DHF供給源44から、DHF供給ライン43および洗浄液ノズル30を介して、DHF液がウエハWの表面の中心部に吐出される。このことにより、吐出されたDHF液は、遠心力によりウエハWの表面全体に拡散され、ウエハWの表面にDHF液の液膜が形成される。この際、ウエハWの回転数は、例えば、10~500rpm程度とすることが好ましい。DHF液の液膜が形成された後、DHF開閉弁46を閉じてDHF液の供給を停止し、所定時間放置する。このことにより、DHF液を、遠心力によりウエハWの外方に押し出すことができる。薬液処理が終了した後、ウエハWを回転させながら、ウエハWがリンス処理されるステップS6。すなわち、リンス液開閉弁53を開き、リンス液供給源52から、リンス液供給ライン51および洗浄液ノズル30を介して、純水がウエハWの表面の中心部に吐出される。このことにより、吐出された純水は、遠心力によりウエハWの表面全体に拡散されて、ウエハWの表面に残存している薬液が押し流され、ウエハWの表面に純水の液膜が形成される。この際、ウエハWの回転数は、例えば、500~1500rpm程度とすることが好ましい。このことにより、ウエハWの表面から薬液を迅速に押し流して純水の液膜を形成することができる。リンス処理工程の終了時点では、薬液が未だ残存した状態の純水の厚い液膜がウエハWの表面上に形成されている。ここで、厚い液膜とは、後述するスロードライステップステップS7-1の終了時の液膜よりも厚い状態のことを意味する。リンス処理が終了した後、ウエハWが乾燥処理されるステップS7。この乾燥処理の工程は、図4に示すように、ウエハWに純水を吐出しながら、ウエハWの回転数をリンス処理時より低下させるスロードライステップステップS7-1と、ウエハWにIPA液を吐出するIPAドライステップステップS7-2と、ウエハWに窒素ガスを吐出するN2ドライステップステップS7-3とを有している。まず、リンス処理が終了したウエハWの中心部に純水を吐出しながら、ウエハWの回転数を低下させるステップS7-1a。ウエハWの回転数が、第1の回転数30~100rpmまで低下した後、ノズル駆動部35により、洗浄液ノズル30を、純水を吐出しながらウエハWの中心部に対応する位置から周縁部に対応する位置に向けて移動スキャンさせる。このことにより、純水の多くを、図5に示すように、洗浄液ノズル30の移動に伴い、ウエハWの中心部から周縁部に向けて移動させることができる。この洗浄液ノズル30のスキャン開始後、洗浄液ノズル30がウエハWの中心部と周縁部との間の所定の途中位置に達するまでの間、ウエハWの回転数を、更に低下させるステップS7-1b。このことにより、洗浄液ノズル30がウエハWの周縁部に対応する位置に近づくにつれてウエハWの回転数が低下し、ウエハWに吐出された純水が、スピンチャック20の保持部材22等に当たってはね返ることを防止することができる。次に、図4に示すように、ウエハWの回転数が、第1の回転数よりも低い第2の回転数10~30rpmまで低下した後、ウエハWの回転数が、この第2の回転数に維持されるステップS7-1c。この間、洗浄液ノズル30は、純水を吐出しながら、ウエハWの周縁部に対応する位置に向けて移動している。その後、洗浄液ノズル30がウエハWの周縁部に対応する位置に達して停止すると共に、リンス液開閉弁53が閉じられて、ウエハWに対する純水の供給を停止し、ウエハWの回転数が、所定時間、この第2の回転数に維持されるステップS7-1d。このことにより、ウエハWの周縁部に集められた純水の多くを、ウエハWの周縁外方に押し出すことができる。なお、この場合においても、ウエハWの表面全体には、純水の薄い液膜が、その表面張力により残っている。つまり薄い液膜を残しながら、フッ化アンモニウムを含んだ大部分の純水をウエハWの表面からウエハWの周縁外方に効果的に押し出すことができる。このため、この後にウエハWにIPA液を供給してウエハWを乾燥処理した場合においても、フッ化アンモニウム等によるパーティクルが発生することを抑制することができる。この結果、ウエハWの表面にパーティクルが発生することを抑制することができる。ここで、薄い液膜とは、前述したリンス処理工程ステップS6の終了時の液膜よりも薄い状態のことを意味する。続いて、IPAドライステップS7-2が行われる。この場合、まず、乾燥液開閉弁63が開き、乾燥液供給源62から、乾燥液供給ライン61および乾燥液ノズル31を介して、IPA液がウエハWの表面周縁部に吐出される。IPA液が吐出された後、ウエハWの回転数を第2の回転数から上昇させるステップS7-2a。ウエハWの回転数が第3の回転数500~1000rpmに達した後、乾燥液ノズル31が、ウエハWの周縁部に対応する位置から中心部に対応する位置に移動スキャンするステップS7-2b、第1の工程。この際、乾燥液ノズル31の移動速度は、スロードライステップS7-1における洗浄液ノズル30の移動速度よりも大きくなっている。また、乾燥液ノズル31は、スロードライステップS7-1の終了後ウエハWの中心部に対応する位置に移動することなく、ウエハWの周縁部に対応する位置からスキャンを開始する。このことにより、ウエハWの表面に残存している純水を、迅速にIPA液に置換することができる。また、ウエハWの表面に残存している純水が少ないため、純水をIPA液に迅速に置換することができる。このため、ウエハWの表面にパーティクルが発生することを抑制することができる。また、上述したように、ウエハWの表面に残存している純水の液膜が薄いことにより、純水の置換に必要なIPA液の量を低減することができる。なお、乾燥液ノズル31がスキャンしている間、ウエハWの回転数は、上述の第3の回転数で一定に維持される。乾燥液ノズル31がウエハWの中心部に対応する位置に達した後、乾燥液ノズル31がこの位置に停止すると共に、ウエハWの回転数が、上述のステップS7-2b時の第3の回転数で、所定時間、維持されるステップS7-2c、第2の工程。このように、ウエハWの回転数が第2の回転数より高くなっていることにより、ウエハWの表面全体に、IPA液を迅速に供給することができる。その後、乾燥液開閉弁63が閉じられて、ウエハWに対するIPA液の供給を停止すると共に、ウエハWの回転数を低下させるステップS7-2d。続いて、ウエハWの回転数が第4の回転数100~500rpmに達した後、N2ドライステップS7-3が行われる。すなわち、ガス開閉弁73が開き、ガス供給源72から、ガス供給ライン71およびガスノズル32を介して、窒素ガスがウエハWの表面に吐出されると共に、ガスノズル32が、ウエハWの中心部に対応する位置から周縁部に対応する位置に向けて移動スキャンするステップS7-3a。ガスノズル32が、ウエハWの周縁部に対応する位置に達した後、ガスノズル32をこの位置で停止させながら、所定時間、窒素ガスが吐出されるステップS7-3b。このことにより、ウエハWの周縁部に残存しているIPA液を、確実に除去して、ウエハWの周縁部を乾燥させることができる。また、N2ドライステップS7-3においては、ウエハWの回転数は、上述の第4の回転数で一定に維持される。このように、IPAドライステップS7-2におけるウエハWの第3の回転数よりも低下させることにより、窒素ガスが吐出される前に、IPA液が、回転力によって、ウエハWの表面から部分的に周縁外方に押し出されることを防止することができる。このため、N2ドライステップS7-3において、ウエハWの中心部から周縁部に向けてIPA液を除去して、ウエハWの周縁部を乾燥させることができる。このようにしてウエハWの乾燥処理が終了する。その後、ウエハWの回転数を低下させてウエハWの回転を停止する。その後、ウエハWを搬入する際の手順とは逆の手順で、図示しない搬送アームをウエハWの下方に挿入して、ウエハWを搬送アームに受け渡し、ウエハWが搬出される。このように本実施の形態によれば、ウエハWのリンス液によるスロードライステップS7-1の終了時にウエハWの周縁部に対応する位置にあった乾燥液ノズル31を、この位置から、ウエハWの中心部に対応する位置に移動させながら、ウエハWにIPA液が供給される。このことにより、ウエハWの表面に残存している純水に、IPA液の供給を開始するまでの時間を短縮することができると共に、ウエハWの表面の全体に亘って、IPA液を迅速に供給することができ、ウエハWの表面上の純水を、IPA液に迅速に置換することができる。また、ウエハWの中心部に対応する位置に達した乾燥液ノズル31をこの位置に停止させながら、ウエハWの中心部に、所定時間、IPA液が吐出される。このことにより、ウエハWの表面上の純水をIPA液に置換するのに十分なIPA液を、ウエハWの表面全体に亘って供給することができる。この結果、ウエハWの表面に、パーティクルが発生することを抑制すると共に、ウエハWの乾燥処理を迅速に行うことができる。また、本実施の形態によれば、ウエハWにIPA液を供給した後、ウエハWの表面に、窒素ガスが供給されて、ウエハWの表面上のIPA液が乾燥される。この場合、ウエハWの表面上には、十分な量のIPA液が残っているため、窒素ガス供給時に、IPA液を供給する必要がない。このことにより、IPA液の使用量を低減することができる。また、本実施の形態によれば、IPAドライステップS7-2の後、ガスノズル32をスキャンしながら、ウエハWに窒素ガスが供給されるN2ドライステップS7-3。このことにより、ウエハWの表面に残存しているIPA液を迅速に乾燥させることができる。とりわけ、窒素ガス供給時にIPA液を供給されないため、IPA液の液膜を薄くすることができ、ウエハに供給された窒素ガスによってウエハW上のIPA液がはねることを防止できる。このため、窒素ガス供給時のガスノズル32のスキャン速度を高くすることができ、乾燥処理に要する時間を短縮することができる。さらに、本実施の形態によれば、ウエハWの回転数を低下させ、ウエハWの回転数が第1の回転数まで低下した後、ウエハWに純水を供給するリンス液供給位置を、ウエハWの中心部から周縁部に向けて移動させながら、ウエハWに純水を供給する。このことにより、薄い液膜を残しながら、フッ化アンモニウムを含んだウエハWの表面上の純水の多くを、ウエハWの周縁外方に押し出すことができる。このため、ウエハWの表面に残存している純水の量を低減して、純水の置換に必要なIPA液の量を低減することができる。また、フッ化アンモニウムなどによるパーティクルが発生することを抑制することができる。この結果、ウエハWの表面にパーティクルが発生することを抑制することができる。以上、本発明による実施の形態について説明してきたが、当然のことながら、本発明の要旨の範囲内で、種々の変形も可能である。以下、代表的な変形例について説明する。本実施の形態においては、IPAドライステップS7-2において、ウエハWの回転数を500~1000rpmに上昇させた後、乾燥液ノズル31をウエハWの周縁部に対応する位置から中心部に対応する位置に向けてスキャンを開始する例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、ウエハWの回転数を500~1000rpmに向けて上昇させている間に、乾燥液ノズル31をウエハWの周縁部に対応する位置から中心部に対応する位置に向けてスキャンを開始するようにしても良い。この場合、ウエハWの表面全体に、より一層迅速にIPA液を供給し、純水をIPA液により一層迅速に置換することができる。また、本実施の形態においては、ウエハWの回転数が第1の回転数まで低下した後、リンス液供給位置を、ウエハWの中心部から周縁部に向けて移動させ、ウエハWの回転数を更に低下させる例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、ウエハWの回転数が第1の回転数例えば、30~100rpmまで低下した後、リンス液供給位置をウエハWの中心部から周縁部に向けて移動させながら、ウエハWの回転数を当該第1の回転数に維持するようにしても良い。すなわち、図4に示すリンス処理工程におけるステップS7-1bにおいて、洗浄液ノズル30を、ウエハWの中心部に対応する位置に停止させ、ステップS7-1cにおいて、洗浄液ノズル30を、ウエハWの中心部に対応する位置から周縁部に対応する位置に移動させる。このことにより、ウエハWの表面上の純水の多くを、洗浄液ノズル30の移動に伴い、ウエハWの中心部から周縁部に向けて移動させ、ウエハWの周縁外方に押し出すことができる。また、本実施の形態においては、SC1液およびDHF液により、ウエハWが薬液洗浄される例について説明したが、薬液洗浄に使用される薬液は、このことに限られることはなく、任意の薬液を使用することができる。また、本実施の形態においては、SC1液による薬液洗浄の後、ウエハWにDHF液を吐出して、DHF液による薬液洗浄を行う例について説明したが、このことに限られることはなく、SC1液による薬液洗浄の後、ウエハWの表面に純水を吐出してウエハWの表面をリンス処理し、その後に、DHF液による薬液洗浄を行うようにしても良い。また、本実施の形態においては、リンス液として純水を用いる例について説明したが、使用するリンス液としては、純水に限られることはない。また、本実施の形態においては、乾燥液としてIPA液を用いる例について説明したが、使用する乾燥液としては、IPAに限られることはない。また、ウエハWに吐出されるIPA液は、液体状のものに限られることはなく、ミスト状霧状、噴流状のものであっても良い。さらには、ウエハWに、加熱されたIPA液を供給するようにしても良い。この場合、IPA液の蒸発を促進させることができる。なお、以上の説明においては、本発明による基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体82、および基板処理装置1を、半導体ウエハWの洗浄処理に適用した例を示している。しかしながらこのことに限られることはなく、LCD基板またはCD基板等、種々の基板等の洗浄に本発明を適用することも可能である。