各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜であって前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合う画素電極であって前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向する第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。前記第1配向膜は前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理され、前記第2配向膜は前記第1配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理されたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。第1方向に沿って延出したゲート配線と、第1方向に直交する第2方向に沿ってそれぞれ延出した第1ソース配線及び第2ソース配線と、前記ゲート配線及び前記第1ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子を覆う第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に形成された共通電極と、前記第1層間絶縁膜及び前記共通電極の上に配置され第1ソース配線と前記第2ソース配線との間において前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された第2層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜及び前記第2層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記第2層間絶縁膜の上において前記共通電極と向かい合い前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記第2層間絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向する第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。前記スリットの長軸は、第2方向に平行であり、前記第1配向膜は第2方向に対して交差する方向に配向処理され、前記第2配向膜は前記第1配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理されたことを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。前記第1配向膜は、光配向処理されたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。本実施形態の目的は、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することにある。本実施形態によれば、各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜であって前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合う画素電極であって前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向する第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。本実施形態によれば、第1方向に沿って延出したゲート配線と、第1方向に直交する第2方向に沿ってそれぞれ延出した第1ソース配線及び第2ソース配線と、前記ゲート配線及び前記第1ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子を覆う第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に形成された共通電極と、前記第1層間絶縁膜及び前記共通電極の上に配置され第1ソース配線と前記第2ソース配線との間において前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された第2層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜及び前記第2層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記第2層間絶縁膜の上において前記共通電極と向かい合い前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記第2層間絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向する第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルLPNの構成及び等価回路を概略的に示す図である。すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの透過型の液晶表示パネルLPNを備えている。液晶表示パネルLPNは、第1基板であるアレイ基板ARと、アレイ基板ARに対向して配置された第2基板である対向基板CTと、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えている。このような液晶表示パネルLPNは、画像を表示するアクティブエリアACTを備えている。このアクティブエリアACTは、m×n個のマトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている但し、m及びnは正の整数である。アレイ基板ARは、アクティブエリアACTにおいて、第1方向Xに沿ってそれぞれ延出したn本のゲート配線GG1~Gn及びn本の容量線CC1~Cn、第1方向Xに直交する第2方向Yに沿ってそれぞれ延出したm本のソース配線SS1~Sm、各画素PXにおいてゲート配線G及びソース配線Sと電気的に接続されたスイッチング素子SW、各画素PXにおいてスイッチング素子SWに各々電気的に接続された画素電極PE、画素電極PEと向かい合う共通電極CEなどを備えている。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って共通に形成されている。画素電極PEは、各画素PXにおいて島状に形成されている。各ゲート配線Gは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、ゲートドライバGDに接続されている。各ソース配線Sは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、ソースドライバSDに接続されている。各容量線Cは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、補助容量電圧が供給される電圧印加部VCSと電気的に接続されている。共通電極CEは、コモン電圧が供給される給電部VSと電気的に接続されている。ゲートドライバGD及びソースドライバSDは、例えばその少なくとも一部がアレイ基板ARに形成され、駆動ICチップ2と接続されている。図示した例では、液晶表示パネルLPNを駆動するのに必要な信号源としての駆動ICチップ2は、液晶表示パネルLPNのアクティブエリアACTの外側において、アレイ基板ARに実装されている。また、図示した例の液晶表示パネルLPNは、FFSモードあるいはIPSモードに適用可能な構成であり、アレイ基板ARに画素電極PE及び共通電極CEを備えている。このような構成の液晶表示パネルLPNでは、画素電極PE及び共通電極CEの間に形成される横電界例えば、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界を主に利用して液晶層LQを構成する液晶分子をスイッチングする。図2は、図1に示したアレイ基板ARにおける画素PXの構造を対向基板CTの側から見た概略平面図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。ゲート配線G1及びG2は、第1方向Xに沿ってそれぞれ延出している。このようなゲート配線G1及びG2は、第2方向Yに沿って第1ピッチで配置されている。ソース配線S1及びS2は、第2方向Yに沿ってそれぞれ延出している。このようなソース配線S1及びS2は、第1方向Xに沿って第1ピッチよりも小さい第2ピッチで配置されている。ゲート配線G1及びG2とソース配線S1及びS2とで規定された画素PXは、第1方向Xに沿った長さが第2方向Yに沿った長さよりも短い縦長の長方形状である。つまり、画素PXの第2方向Yに沿った長さはゲート配線間の第1ピッチに相当し、画素PXの第1方向Xに沿った長さはソース配線間の第2ピッチに相当する。なお、図中では、スイッチング素子の図示を省略しているが、図中の左側の画素PXにおいては、例えば、スイッチング素子は、ゲート配線G2とソース配線S1との交差部付近に配置され、ゲート配線G2及びソース配線S1と電気的に接続されている。共通電極CEは、第1方向Xに沿って延在している。すなわち、共通電極CEは、各画素PXに配置されるとともにソース配線Sの上方を跨いで、第1方向Xに隣接する複数の画素PXに亘って共通に形成されている。各画素PXの画素電極PEは、共通電極CEの上方に配置されている。各画素電極PEは、各画素PXにおいて長方形状の画素形状に対応した島状に形成されている。図示した例では、画素電極PEは、第1方向Xに沿った短辺と、第2方向Yに沿った長辺と、を有する概略長方形状に形成されている。このような各画素電極PEには、共通電極CEと向かい合う複数のスリットPSLが形成されている。図示した例では、スリットPSLのそれぞれは、第2方向Yに沿って延出しており、第2方向Yと平行な長軸を有している。画素電極PEとソース配線S1及びS2との位置関係に着目すると、画素電極PEのスリットPSLは、いずれもソース配線S1とソース配線S2との間に位置している。また、いずれのスリットPSLも共通電極CEの上方に位置している。図3は、図1に示した液晶表示パネルLPNの断面構造を概略的に示す図である。すなわち、アレイ基板ARは、ガラス基板などの光透過性を有する第1絶縁基板10を用いて形成されている。このアレイ基板ARは、第1絶縁基板10の内面すなわち対向基板CTに対向する側10Aにスイッチング素子SW、共通電極CE、画素電極PEなどを備えている。ここに示したスイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタTFTである。このスイッチング素子SWは、ポリシリコンやアモルファスシリコンによって形成された半導体層を備えている。なお、スイッチング素子SWは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良いが、図示した例では、トップゲート型を採用している。すなわち、スイッチング素子SWは、第1絶縁基板10の上に配置されたポリシリコンからなる半導体層SCを備えている。なお、第1絶縁基板10と半導体層SCとの間に絶縁膜からなるアンダーコート層が介在していても良い。この半導体層SCは、第1絶縁膜11によって覆われている。また、この第1絶縁膜11は、第1絶縁基板10の上にも配置されている。スイッチング素子SWのゲート電極WGは、第1絶縁膜11の上に形成され、半導体層SCの直上に位置している。このゲート電極WGは、図示しないゲート配線に電気的に接続され、第2絶縁膜12によって覆われている。また、この第2絶縁膜12は、第1絶縁膜11の上にも配置されている。スイッチング素子SWのソース電極WS及びドレイン電極WDは、第2絶縁膜12の上に形成されている。また、ソース配線S1及びS2も同様に第2絶縁膜12の上に形成されている。ソース電極WSは、ソース配線S1に電気的に接続されている。これらのソース電極WS及びドレイン電極WDは、それぞれ第1絶縁膜11及び第2絶縁膜12を貫通するコンタクトホールを通して半導体層SCにコンタクトしている。このような構成のスイッチング素子SWは、ソース配線S1及びS2とともに第3絶縁膜13によって覆われている。この第3絶縁膜13は、第2絶縁膜12の上にも配置されている。この第3絶縁膜13には、ドレイン電極WDまで貫通した第1コンタクトホールCH1が形成されている。このような第3絶縁膜13は、スイッチング素子SWを覆う第1層間絶縁膜として機能する。なお、第3絶縁膜13は、例えば、透明な樹脂材料によって形成されている。共通電極CEは、第3絶縁膜13の上に形成されている。なお、この共通電極CEは、第3絶縁膜13に形成された第1コンタクトホールCH1には延出していない。このような共通電極CEは、透明な導電材料、例えば、インジウムティンオキサイドITOやインジウムジンクオキサイドIZOなどによって形成されている。この共通電極CEの上には、第4絶縁膜14が配置されている。また、この第4絶縁膜14は、第3絶縁膜13の上にも配置されている。このような第4絶縁膜14には、ソース配線S1とソース配線S2との間において、共通電極CEまで貫通した複数の貫通孔THが形成されている。この貫通孔THは、後述する画素電極PEのスリットPSLに対応して形成され、第2方向Yに沿って直線的に延出している。このような貫通孔THは、例えば、第4絶縁膜14の上面14Tから下方つまり共通電極CEに向かうにしたがって径あるいは幅が小さくなっている。換言すると、貫通孔THの間に位置する第4絶縁膜14は、共通電極CEに接している面から上面14Tに向かうにしたがって幅が小さくなるテーパー状に形成されている。なお、貫通孔THの間に位置する第4絶縁膜14の上面14Tは略平坦である。また、この第4絶縁膜14は、第1コンタクトホールCH1の一部を覆っている。この第4絶縁膜14の第1コンタクトホールCH1を覆っている部分においては、ドレイン電極WDまで貫通した第2コンタクトホールCH2が形成されている。このような第4絶縁膜14は、第2層間絶縁膜として機能する。なお、第4絶縁膜14は、例えば、シリコン窒化物SiNxによって形成されている。画素電極PEは、第4絶縁膜14の上に形成され、共通電極CEと向かい合っている。この画素電極PEは、第3絶縁膜13を貫通する第1コンタクトホールCH1及び第4絶縁膜14を貫通する第2コンタクトホールCH2を介してスイッチング素子SWのドレイン電極WDに電気的に接続されている。また、この画素電極PEには、第4絶縁膜14の貫通孔TH上にスリットPSLが形成されている。つまり、画素電極PEは、第4絶縁膜14の上面14Tに位置している一方で、貫通孔THには延在していない。このため、貫通孔THにおいては、共通電極CEは、第4絶縁膜14及び画素電極PEから露出している。この画素電極PEは、透明な導電材料、例えば、ITOやIZOなどによって形成されている。なお、第4絶縁膜14の貫通孔TH及び画素電極PEのスリットPSLは、エッチングなどの手法により一括して形成することが可能である。このような画素電極PEは、第1配向膜AL1によって覆われている。この第1配向膜AL1は、貫通孔THにおいて第4絶縁膜14から露出した共通電極CEも覆っている。このような第1配向膜AL1は、水平配向性を示す材料によって形成され、アレイ基板ARの液晶層LQに接する面に配置されている。一方、対向基板CTは、ガラス基板などの光透過性を有する第2絶縁基板30を用いて形成されている。この対向基板CTは、第2絶縁基板30の内面すなわちアレイ基板ARに対向する側30Aに、各画素PXを区画するブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33などを備えている。ブラックマトリクス31は、第2絶縁基板30の内面30Aにおいて、アレイ基板ARに設けられたゲート配線Gやソース配線S、さらにはスイッチング素子SWなどの配線部に対向するように形成されている。カラーフィルタ32は、第2絶縁基板30の内面30Aに形成され、ブラックマトリクス31の上にも延在している。このカラーフィルタ32は、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。異なる色のカラーフィルタ32間の境界は、ブラックマトリクス31上に位置している。オーバーコート層33は、カラーフィルタ32を覆っている。このオーバーコート層33は、ブラックマトリクス31やカラーフィルタ32の表面の凹凸を平坦化する。このようなオーバーコート層33は、透明な樹脂材料によって形成されている。また、オーバーコート層33は、第2配向膜AL2によって覆われている。この第2配向膜AL2は、水平配向性を示す材料によって形成され、対向基板CTの液晶層LQに接する面に配置されている。上述したようなアレイ基板ARと対向基板CTとは、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ARと対向基板CTの間には、一方の基板に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップが形成される。アレイ基板ARと対向基板CTとは、セルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層LQは、これらのアレイ基板ARの第1配向膜AL1と対向基板CTの第2配向膜AL2との間に形成されたセルギャップに封入された液晶分子LMを含む液晶組成物によって構成されている。このような構成の液晶表示パネルLPNに対して、その背面側には、バックライトBLが配置されている。バックライトBLとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオードLEDを利用したものや冷陰極管CCFLを利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。アレイ基板ARの外面、すなわち第1絶縁基板10の外面10Bには、第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1が配置されている。また、対向基板CTの外面、すなわち第2絶縁基板30の外面30Bには、第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2が配置されている。第1偏光板PL1の第1偏光軸あるいは第1吸収軸と第2偏光板PL2の第2偏光軸あるいは第2吸収軸とは、例えば、クロスニコルの位置関係にある。第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、図2に示したように、基板主面あるいは、X-Y平面と平行な面内において、互いに平行な方位に配向処理例えば、光配向処理されている。第1配向膜AL1は、スリットPSLの長軸図2に示した例では第2方向Yに対して45°以下の鋭角に交差する方向に沿って配向処理されている。第1配向膜AL1の配向処理方向R1は、例えば、スリットPSLが延出した第2方向Yに対して5°~15°の角度をもって交差する方向である。また、第2配向膜AL2は、第1配向膜AL1の配向処理方向R1と平行な方向に沿って配向処理されている。第1配向膜AL1の配向処理方向R1と第2配向膜AL2の配向処理方向R2とは互いに逆向きである。なお、このとき、第1偏光板PL1の第1偏光軸は、例えば、第1配向膜AL1の配向処理方向R1と平行な方位に設定され、第2偏光板PL2の第2偏光軸は、第1配向膜AL1の配向処理方向R1と直交する方位に設定されている。第2配向膜AL2は、アクティブエリアACTの略全域に亘って略平坦であり、ラビング処理により略均一な配向処理が可能である。一方、第1配向膜AL1については、第4絶縁膜14の上面14Tに位置する画素電極PEに積層された部分と、第4絶縁膜14の貫通孔THで露出した共通電極CEに積層された部分とで段差が生じており、ラビング処理では均一に配向処理できないおそれがあるため、配向処理の手法として光配向処理を適用することが望ましい。図4は、図3において共通電極CEから画素電極PEに至るまでの経路を図中のA-B線で展開した断面図である。図中のAは、本実施形態に相当し、共通電極CEから貫通孔TH及びスリットPSLを通り画素電極PEに至るまでの経路の断面図に相当し、図中のBは、スリットPSLの直下に位置する第4絶縁膜14に共通電極CEに至る貫通孔を形成しなかった比較例に相当し、共通電極CEから第4絶縁膜14及びスリットPSLを通り画素電極PEに至るまでの経路の断面図に相当する。Aで示した本実施形態においては、液晶層LQと画素電極PEとの間には第1配向膜AL1のみが介在し、液晶層LQと共通電極CEとの間にも第1配向膜AL1のみが介在している。つまり、液晶層LQに対して共通電極CE及び画素電極PEは、対称の電極構造となる。このため、液晶層LQに含まれる不純物イオンなどが第1配向膜AL1の表面に吸着したり、第1配向膜AL1がチャージアップしたりしたとしても、画素電極側及び共通電極側の双方で同様の電荷の注入あるいは放電を生じることになる。これにより、画素電極-共通電極間に電圧が印加されていない状態では、電荷の非対称性に起因したDCの印加を抑制することが可能となる。一方、Bで示した比較例においては、液晶層LQと画素電極PEとの間には第1配向膜AL1のみが介在するのに対して、液晶層LQと共通電極CEとの間には第4絶縁膜14及び第1配向膜AL1が介在している。つまり、液晶層LQに対して共通電極CE及び画素電極PEは、非対称の電極構造となる。このため、上記したように、画素電極側では電荷が減少する傾向を呈する一方で、共通電極側では電荷が蓄積される傾向を呈する。これにより、画素電極-共通電極間に電圧が印加されていない状態であっても、電荷の非対称性に起因したDCが印加された状態を形成してしまう。つまり、共通電極CEと画素電極PEとの間に層間絶縁膜として第4絶縁膜が介在し、画素電極PE及びそのスリットPSLが共通電極CEの直上に位置する構成においては、第4絶縁膜14に、スリットPSLに対応した貫通孔THを設けないと、画素電極PEと共通電極CEとが非対称な電極構造となってしまい、この構造固有の課題DCの印加が生じてしまう。したがって、第4絶縁膜14にはスリットPSLに対応した貫通孔THを形成し、画素電極PEと共通電極とが対称な電極構造となることで、固有の課題を解消することが可能となる。以下に、上記構成の液晶表示装置における動作について説明する。画素電極PEと共通電極CEとの間に電位差を形成するような電圧が印加されていないOFF時においては、液晶層LQに電圧が印加されていない状態であり、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない。このため、液晶層LQに含まれる液晶分子LMは、図2に実線で示したように、X-Y平面内において、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2の配向処理方向R1及びR2に初期配向する液晶分子LMが初期配向する方向を初期配向方向と称する。OFF時には、バックライトBLからのバックライト光の一部は、第1偏光板PL1を透過し、液晶表示パネルLPNに入射する。液晶表示パネルLPNに入射した光は、第1偏光板PL1の第1偏光軸と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、OFF時の液晶表示パネルLPNを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルLPNを透過した直線偏光は、第1偏光板PL1に対してクロスニコルの位置関係にある第2偏光板PL2によって吸収される黒表示。また、このOFF時には、画素電極-共通電極間において、電荷の非対称性に起因したDCの印加が抑制されるため、いわゆる焼き付きといった表示不良の発生を抑制することができ、十分に透過率あるいは輝度が低下した黒表示を実現することが可能となる。また、黒表示の際の輝度を十分に低下することができるため、コントラスト比を向上することが可能となる。一方、画素電極PEと共通電極CEとの間に電位差を形成するような電圧が印加されたON時においては、液晶層LQに電圧が印加された状態であり、画素電極PEと共通電極CEとの間にフリンジ電界が形成される。このため、液晶分子LMは、図2に破線で示したように、X-Y平面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。ポジ型の液晶材料においては、液晶分子LMは、電界と略平行な方向つまり、スリットPSLの長軸と略直交する方向に配向する。このようなON時には、第1偏光板PL1の第1偏光軸と直交する直線偏光は、液晶表示パネルLPNに入射し、その偏光状態は、液晶層LQを通過する際に液晶分子LMの配向状態に応じて変化する。このため、ON時においては、液晶層LQを通過した少なくとも一部の光は、第2偏光板PL2を透過する白表示。以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することができる。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、上記の実施形態においては、画素電極PEのスリットPSLは第2方向Yに平行な長軸を有するように形成したが、第1方向Xに平行な長軸を有するように形成しても良いし、第1方向X及び第2方向Yに交差する方向に平行な長軸を有するように形成しても良いし、くの字形に屈曲した形状に形成しても良い。