所定の粒径を有するコロイダルシリカ砥粒を含むスラリー及び研磨パッドが配備された定盤を用いてガラス基板に対する研磨を行う研磨工程と、前記研磨工程を経た前記ガラス基板の超音波洗浄を行う超音波洗浄工程とを有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記超音波洗浄工程においては、前記研磨工程を経たガラス基板を、凝集剤が添加された水溶液に接触させ、次に、前記所定の粒径を有するコロイダルシリカ砥粒からなるパーティクルを凝集させる第1の周波数により超音波処理を行い、次に、前記第1の周波数よりも低い第2の周波数により超音波洗浄を行って、前記超音波処理によって形成された凝集体を除去することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記凝集剤は、L-乳酸、DL-乳酸、サリチル酸、L-リンゴ酸、DL-リンゴ酸及びアクリルアミドのうちのいずれか1種類以上であり、前記凝集剤が添加された水溶液における前記凝集剤の濃度は、10ppm乃至1000ppmであることを特徴とする請求項1記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記コロイダルシリカ砥粒の粒径は、10nm乃至40nmであって、前記第1の周波数は、500kHz以上であり、前記第2の周数波は、200kHz以下であることを特徴とする請求項1、または、請求項2記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記ガラス基板は、アモルファスのアルミノシリケートガラスからなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって得られた磁気ディスク用ガラス基板の主面上に、少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。近年、ガラス基板表面の平滑化を向上させるために、ガラス基板の研磨に用いられる研磨砥粒の粒子径は縮小化の一途をたどっている。一方、浮上量のさらなる低下を実現するため、磁気ディスク表面上には極めて微小な凸形状も許されない状況となってきている。したがって、ガラス基板の研磨に用いられた微小な研磨砥粒の除去が重要な課題となっている。ところで、ガラス基板表面のパーティクルの除去を目的として研磨工程後に行われる超音波洗浄工程では、対象粒子径に対して適用する周波数帯が決まるため、洗浄対象の粒子径が縮小するにつれて周波数を高くする必要がある。例えば、特許文献1では、0.8μmの研磨砥粒を用いて研磨した後に、50kHzの超音波洗浄が実施されている。よって、研磨砥粒がこれより小さくなる場合は、超音波の周波数をさらに高く設定する必要があると考えられる。粒径が10nm乃至40nm程度のパーティクルに対しては、比較的低い周波数例えば、80kHzの超音波を照射しても、十分な除去ができない。しかし、超音波周波数が高くなると、研磨砥粒を十分に除去できないことがわかってきた。これは、超音波周波数が高くなることにより、洗浄対象粒子径以外の微粒子の運動も活発になり、大きい粒子に衝突して凝集するためと推察される。例えば、比較的高い周波数120kHz乃至950kHzの超音波を照射することにより、粒径が10nm乃至40nm程度のパーティクルが除去されずに凝集することが分かってきた。超音波周波数が高くなると、除去可能対象粒子径のパーティクルが凝集する結果となるため、ガラス基板表面に存在するパーティクルは凝集物に形態変化して残存することになる。なお、特許文献4及び特許文献5には、凝集剤による凝集物の結合強化及び凝集促進と、超音波による凝集作用とを応用した工場廃液処理方法が記載されている。そこで、本発明は、前述の実情に鑑みて提案されるものであって、ガラス基板の研磨工程で粒径が小さい研磨砥粒を用い、かつ、研磨工程後の超音波洗浄工程において高い周波数で超音波処理を行う場合であっても、ガラス基板表面のパーティクルを効果的に除去することができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。前述の課題を解決し、上記目的を達成するため、本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、以下の構成のいずれか一を有するものである。構成1所定の粒径を有するコロイダルシリカ砥粒を含むスラリー及び研磨パッドが配備された定盤を用いてガラス基板に対する研磨を行う研磨工程と、研磨工程を経たガラス基板の超音波洗浄を行う超音波洗浄工程とを有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、超音波洗浄工程においては、研磨工程を経たガラス基板を凝集剤が添加された水溶液に接触させ、次に、所定の粒径を有するコロイダルシリカ砥粒からなるパーティクルを凝集させる第1の周波数により超音波処理を行い、次に、第1の周波数よりも低い第2の周波数により超音波洗浄を行って超音波処理によって形成された凝集体を除去することを特徴とするものである。構成2構成1を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、凝集剤は、L-乳酸、DL-乳酸、サリチル酸、L-リンゴ酸、DL-リンゴ酸及びアクリルアミドのうちのいずれか1種類以上であり、凝集剤が添加された水溶液における凝集剤の濃度は、10ppm乃至1000ppmであることを特徴とするものである。構成3構成1、または、構成2を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、コロイダルシリカ砥粒の粒径は、10nm乃至40nmであって、第1の周波数は、500kHz以上であり、第2の周数波は、200kHz以下であることを特徴とするものである。構成4構成1乃至構成3のいずれか一を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、ガラス基板は、アモルファスのアルミノシリケートガラスからなることを特徴とするものである。そして、本発明に係る磁気ディスクの製造方法は、以下の構成を有するものである。構成5構成1乃至構成4のいずれか一を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって得られた磁気ディスク用ガラス基板の主面上に、少なくとも磁性層を形成することを特徴とするものである。本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、超音波洗浄工程においては、研磨工程を経たガラス基板を凝集剤が添加された水溶液に接触させ、次に、所定の粒径を有するコロイダルシリカ砥粒からなるパーティクルを凝集させる第1の周波数により超音波処理を行う。このとき、ガラス基板の表面に付着した微小なコロイダルシリカが強く凝集成長され、第1の周波数よりも低い第2の周波数による超音波洗浄による処理が可能な径まで成長する。次に、第1の周波数よりも低い第2の周波数により超音波洗浄を行って、超音波処理によって形成された凝集体を除去する。すなわち、第2の周波数による超音波洗浄により、コロイダルシリカ砥粒は、凝集剤とともに、ガラス基板の表面から除去される。本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、凝集剤は、L-乳酸、DL-乳酸、サリチル酸、L-リンゴ酸、DL-リンゴ酸及びアクリルアミドのうちのいずれか1種類以上であり、凝集剤が添加された水溶液における凝集剤の濃度は、10ppm乃至1000ppmであることが好ましく、特に、20ppm乃至200ppmの範囲が好ましい。凝集剤自体が第1の周波数の超音波により凝集するため、凝集剤濃度は低濃度であるほど好ましいが、10ppm未満になると、凝集作用が十分に得られない。一方、凝集剤濃度が1000ppmを越えると、凝集剤自体の凝集が促進され、ガラス基板の表面を汚染する原因となる虞がある。ガラス基板を凝集剤が添加された水溶液に接触させる方法としては、ガラス基板を水溶液に所定時間に亘って浸漬させる方法のほか、ガラス基板の表面に水溶液を塗布してもよい。本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、第1の周波数を500kHz以上とし、第2の周数波を200kHz以下とすることにより、特に、粒径が10nm乃至40nmのコロイダルシリカ砥粒に対して、好適な除去効果を得ることができる。本発明によれば、ガラス基板に対する研磨工程の後に行う超音波洗浄工程において、研磨工程において粒径が小さいコロイダルシリカ砥粒を用いた場合であっても、微小なコロイダルシリカ砥粒をガラス基板表面から容易に除去することができ、ガラス基板の表面のパーティクルを効果的に除去することができるので、磁気ヘッドが衝突するクラッシュ障害や、空気の断熱圧縮、または、接触により過熱して読出しエラーが生じるサーマルアスペリティ障害を抑制することが可能となる。すなわち、本発明は、ガラス基板の研磨工程で粒径が小さい研磨砥粒を用い、かつ、研磨工程後の超音波洗浄工程において高い周波数で超音波処理を行う場合であっても、ガラス基板表面のパーティクルを効果的に除去することができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法を提供することができるものである。以下、本発明を実施するための実施の形態について説明する。本発明者は、ガラス基板表面の平滑化をより一層向上させることを目的として、所定の粒径を有するコロイダルシリカ砥粒を含むスラリー及び研磨パッドが配備された定盤を用いてガラス基板に対する研磨を行う研磨工程において、使用する研磨砥粒の粒径を縮小させるとともに、研磨後の超音波洗浄工程において、微細なパーティクルを除去することを目的として、比較的高い周波数を用いて超音波洗浄を行ったところ、従来は問題にならなかった研磨砥粒に起因するパーティクル粒径が、例えば、10nm乃至40nmが凝集し、ガラス基板の表面に残存するという問題に直面した。すなわち、研磨砥粒の微小化に伴って、超音波周波数を高くしても、ガラス基板表面に異物が残存してしまうことがわかってきた。この異物を分析したところ、微小な研磨砥粒の凝集体であった。このことから、高い周波数の超音波によって、異物を核とするなどして研磨砥粒が凝集して大きくなったために、当初の高い周波数が洗浄除去には不適切となったためと考えられる。そこで、この問題を解決すべく鋭意検討した結果、研磨工程後に行う超音波洗浄工程において、研磨工程を経たガラス基板を凝集剤が添加された水溶液に接触させ、次に、第1の周波数例えば、500kHz以上で超音波を照射し超音波処理、研磨砥粒に起因するパーティクルを凝集させ、次に、第1の周波数よりも低い第2の周波数例えば、200kHz以下に切り替えて超音波を照射することにより超音波洗浄、ガラス基板の表面のパーティクルを効果的に除去できるとともに、超音波による凹欠陥をガラス基板に生じさせないことを見出した。本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法以下、本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について具体的に説明する。本実施の形態で示す磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、所定の粒径を有するコロイダルシリカ砥粒を含むスラリー及び研磨パッドが配備された定盤を用いてガラス基板に対する研磨を行う研磨工程と、研磨工程後にガラス基板に超音波洗浄を行う超音波洗浄工程とを有する。超音波洗浄工程は、研磨工程を経たガラス基板を凝集剤が添加された水溶液に接触させ、次に、所定の粒径を有するコロイダルシリカ砥粒からなるパーティクルを凝集させる第1の周波数により超音波処理を行って、次に、第1の周波数よりも低い第2の周波数により超音波洗浄を行って、超音波処理によって形成された凝集体を除去する。超音波洗浄工程において、相対的に高い第1の周波数を用いる超音波処理は、洗浄対象となる粒径のパーティクルを除去するとともに、洗浄対象外の粒径例えば、10nm乃至40nmのパーティクル研磨砥粒等を凝集させて凝集体を形成することを目的とするものである。そして、相対的に低い第2の周波数を用いる第2の超音波処理は、ガラス基板に凹欠陥を生じさせることなく、第1の超音波処理により形成された凝集体を除去することを目的とするものである。研磨工程で使用するコロイダルシリカ砥粒の粒径が10nm乃至40nmである場合には、超音波処理を500kHz以上の第1の周波数で行い、超音波洗浄を200kHz以下の第2の周波数で行うことができる。ただし、第2の周波数は、ガラス基板表面に凹欠陥を生じさせない周波数である40kHz以上とする必要がある。超音波洗浄の周波数と洗浄対象物となるパーティクルの粒径との間の関係は、振幅の音速を用いて超音波周波数帯の洗浄対象径の関係を示した下記の式1によって求めることができる。δac=2ν/ω0.5inwater式1∵σac:音圧境界層の厚さ、ν:音速、ω:周波数Hz粒径が10nm乃至40nmの微小なコロイダルシリカ砥粒を用いてガラス基板を研磨した場合、残存した砥粒からなるパーティクルを超音波洗浄によって除去するには、100000kHz以上の周波数が必要となる。しかし、超音波洗浄において、安定して発振可能な周波数帯は、2000kHz程度が限界である。ところで、音波伝搬媒質中に微小球体が存在している場合には、この音波伝搬媒質中に音波を伝搬させると、微小球体は、定在波の中で並進運動の仕事音圧の腹の位置で極大と圧力振動による仕事節の位置で極小を受ける。そして、圧力振動による仕事の方が並進運動による仕事より大きいために、系全体の仕事は節の位置で極小となり、結果として、微小球体は、定在波の音圧に存在する節の方向に力を受けて集まってくる。つまり、発振周波数が高くなるにしたがって、凝集体の形成頻度も高くなるということになる。そこで、微小なコロイダルシリカ砥粒からなるパーティクルは、超音波による洗浄対象物径との関係、さらに、微小パーティクルを凝集する特性を利用すれば、除去することが可能である。具体的には、コロイダルシリカ砥粒を凝集させ、特定の周波数帯域の超音波による除去可能な範囲まで凝集物径を成長させた後に、特定の周波数帯域の超音波により除去する手段である。この手段の場合、より効率的な凝集物の形成は、音波の節の数が多くなる高周波の超音波処理を行うことが効率的であり、短時間で凝集物の形成が可能となる。しかし、コロイダルシリカ砥粒の径がある一定の径未満である場合には、微小砥粒に働く斥力反発力によって、低周波の超音波処理を実施したときに、凝集物の結合破壊が起こり、破壊した凝集物の破片がガラス基板の表面に飛散する。そのため、低周波の超音波処理に耐えうるように、凝集物の結合状態を強化する必要がある。凝集物の結合状態を強化するには、凝集前のコロイダルシリカ砥粒に対して、凝集剤を接触させることにより凝集物結合を強化させた後に、凝集物形成を実施する手段が有効である。使用する凝集剤は、分子構造上、凝集剤同士が絡み易いので、表面に凝集剤が付着した状態のコロイダルシリカ砥粒同士が接触すれば、コロイダルシリカ砥粒の凝集物の結合状態は強固になる。凝集剤は、例えば、L-乳酸、DL-乳酸、サリチル酸、L-リンゴ酸、DL-リンゴ酸及びアクリルアミドのうちのいずれか1種類以上である。凝集剤が添加された水溶液における凝集剤の濃度は、10ppm乃至1000ppmであることが好ましく、特に、20ppm乃至200ppmの範囲が好ましい。凝集剤自体が第1の周波数の超音波により凝集するため、凝集剤濃度は低濃度であるほど好ましいが、10ppm未満になると、凝集作用が十分に得られない。一方、凝集剤濃度が1000ppmを越えると、凝集剤自体の凝集が促進され、ガラス基板の表面を汚染する原因となる虞がある。ガラス基板を凝集剤が添加された水溶液に接触させる方法としては、ガラス基板を水溶液に所定時間例えば、130秒間程度に亘って浸漬させる方法のほか、ガラス基板の表面に水溶液を塗布してもよい。ここで、凝集剤をコリダルシリカ砥粒に接触させる処理と同時に、高周波による超音波処理凝集物形成を実施した場合には、凝集剤自体の凝集物が形成されてガラス基板に付着するという問題が生ずる。したがって、凝集剤による処理は、超音波による凝集物形成処理の以前に実施しておく必要がある。超音波処理を行うときには、ガラス基板上の凝集剤の濃度は、10ppm未満となっていることが好ましい。なお、超音波処理と超音波洗浄とは、異なる2つの洗浄槽に分けて行うことができるが、1つの洗浄槽において途中で周波数を切り替えることにより続けて行うこともできる。超音波処理の周波数から超音波洗浄の周波数へ切り替えるタイミングは、超音波処理で用いる周波数を照射することにより凝集体が形成される時間等を事前に測定しておき、その条件をフィードバックさせることが好ましい。これにより、超音波処理により、超音波洗浄の対象となる粒径の凝集体を十分に形成した後に、超音波洗浄を行うことができる。このようにして、研磨後のガラス基板に対して異なる周波数で超音波洗浄を連続して行い、研磨砥粒に起因するパーティクルを凝集させて凝集体を形成した後に、凝集体を除去することによって、研磨工程で微小な研磨砥粒粒径10nm乃至40nmを用い、かつ、研磨工程後の超音波洗浄工程において比較的高い周波数500kHz以上で超音波処理を行う場合であっても、ガラス基板表面のパーティクルを効果的に除去することができる。また、超音波処理は、アルカリ性に調整された液中例えば、KOH溶液中で行われることが好ましく、超音波洗浄は水、あるいはアルカリ性に調整された液中例えば、KOH溶液中で行われることが好ましい。本発明者の検討によれば、酸性条件化では、微小な研磨砥粒を凝集させて凝集体を得ることが難しい。好ましくは、超音波処理及び超音波洗浄の洗浄液のpHを11乃至14の範囲とすることが好ましく、pHを13乃至14の範囲とすることがより好ましい。もちろん、基板の表面粗さを悪化させない範囲に調整することが望ましい。磁気ディスク用ガラス基板の製造工程以下に、上述した超音波洗浄工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造工程について詳しく説明する。なお、各工程の順序は以下の記載に限定されず、適宜入れ替えることが可能である。1素材加工工程素材加工工程では、板状のガラスを用いることができる。ガラスとしては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、主表面の平坦性及び基板強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を提供することができるという点では、アルミノシリケートガラスを用いることが好ましい。板状ガラスは、これらのガラスを材料として、プレス法やフロート法、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法など、公知の製造方法を用いて製造することができる。これらの方法うち、プレス法を用いれば、板状ガラスを廉価に製造することができる。2第1研削ラッピング工程第1ラッピング工程では、ディスク状のガラス基板の主表面をラッピング加工し、ガラス基板の形状を整える。第1のラッピング工程は、遊星歯車機構を利用した両面研削装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行うことができる。具体的には、ディスク状のガラス基板の両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液をガラス基板の主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行う。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス基板を得ることができる。3形状加工工程穴部を形成するコアリング工程、端部外周端部及び内周端部に面取り面を形成するチャンファリング工程面取り面形成工程コアリング工程では、例えば、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、ディスク状のガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とすることができる。チャンファリング工程においては、内周端面及び外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、ガラス基板に所定の面取り加工を施す。4第2ラッピング工程第2ラッピング工程では、得られたガラス基板の両主表面について、第2ラッピング加工を行う。第2ラッピング工程を行うことにより、前工程である形状加工工程においてガラス基板の主表面に形成された微細な凹凸形状を除去することができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることが可能となる。第2ラッピング工程は、遊星歯車機構を利用した両面研削装置により、ダイヤモンドシートからなる固定砥粒研磨パッドを用いて研削することができる。ダイヤモンドシートは、ダイヤモンド粒子を研削砥粒として備えていればよく、例えば、PETからなる基材にダイヤモンド粒子を付着させたダイヤモンドシートを用いることができる。5端面研磨工程端面研磨工程では、ガラス基板の外周端面及び内周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行う。このとき、研磨砥粒としては、例えば、酸化セリウム砥粒を含むスラリーを用いることができる。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、鏡面状態になる。6主表面研磨工程第1研磨工程主表面研磨工程として、まず第1研磨工程を施す。第1研磨工程は、前述のラッピング工程で両主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とする工程である。この第1研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、両主表面の研磨を行う。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いることができる。また、第1研磨工程を終えたガラス基板は、中性洗剤、純水、IPA等で洗浄することが好ましい。なお、両面研磨装置としては、上下側定盤の主表面部に、一対の研磨布硬質樹脂ポリッシャの研磨パッドを貼付して使用することができる。この両面研磨装置においては、上下側定盤に貼付された研磨布間にガラス基板を設置し、上下側定盤の一方又は双方を移動させて、ガラス基板の両主表面を研磨することができる。7化学強化工程化学強化工程においては、ガラス基板を化学強化液に浸漬して化学強化処理を施す。化学強化処理に用いる化学強化液としては、例えば、硝酸カリウム60と硝酸ナトリウム40の混合溶液などを用いることができる。化学強化処理においては、化学強化液を300°C乃至400°Cに加熱し、ガラス基板を200°C乃至300°Cに予熱し、化学強化溶液中に3時間乃至4時間浸漬することによって行う。この浸漬の際には、ガラス基板の両表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行うことが好ましい。このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化溶液中の相対的にイオン半径の大きなナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。なお、化学強化処理されたガラス基板は、硫酸で洗浄した後に、純水、IPA等で洗浄すればよい。8主表面研磨工程最終研磨工程最終研磨工程として、第2研磨工程を施す。第2研磨工程は、両主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする工程である。第2研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、両主表面の鏡面研磨を行う。研磨砥粒としては、第1研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細な粒径10nm乃至40nmのコロイダルシリカなどを有するスラリーを用いることがきる。この最終研磨工程において、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置を用いて上記第1研磨工程と同様に行うことができる。9超音波洗浄工程最終研磨工程後にガラス基板に超音波を用いた洗浄工程を施す。超音波洗浄工程は、最終研磨工程後にガラス基板の表面に付着したパーティクルを2種類以上の超音波周波数帯を用いて除去することを目的とする工程である。超音波洗浄工程においては、まず、最終研磨工程を施したガラス基板を凝集剤が添加された水溶液に接触させるため、凝集剤が添加された水溶液に所定時間例えば、130秒間程度に亘ってガラス基板を浸漬させる。なお、ガラス基板の表面に水溶液を塗布してもよい。凝集剤は、L-乳酸、DL-乳酸、サリチル酸、L-リンゴ酸、DL-リンゴ酸及びアクリルアミドのうちのいずれか1種類以上である。凝集剤が添加された水溶液における凝集剤の濃度は、10ppm乃至1000ppmであることが好ましく、特に、20ppm乃至200ppmの範囲が好ましい。次に、このガラス基板を純水、KOH水溶液等に浸した後、超音波を照射する。具体的には、まず、相対的に高い第1の周波数500kHz以上で超音波処理を行って凝集体を形成した後、続けて、相対的に低い第2の周波数40kHz以上200kHz以下で超音波洗浄を行うことにより、ガラス基板表面から超音波処理により凝集された凝集体を含むパーティクルを除去する。超音波処理と超音波洗浄とは、1回の超音波洗浄工程において周波数を切り替えることにより行うことができる。超音波処理の周波数から超音波洗浄の周波数への切り替えるタイミングは、事前に比較的高い周波数で超音波を照射した場合に形成される凝集体の大きさ例えば、1000nm乃至3000nmと超音波洗浄時間の関係等を規定し、その条件をフィードバックさせることが好ましい。これにより、超音波処理により、凝集体を十分に形成した後に、超音波洗浄を行うことができる。磁気ディスク製造工程記録層等形成工程上述した工程を経て得られたガラス基板の主表面に、例えば、付着層、軟磁性層、非磁性下地層、垂直磁気記録層、保護層、及び潤滑層を順次成膜することにより、垂直磁気記録ディスクを製造することができる。付着層を構成する材料としては、Cr合金などを挙げることができる。軟磁性層を構成する材料としては、CoTaZr基合金などを挙げることができる。非磁性下地層としては、グラニュラー非磁性層などを挙げることができる。垂直磁気記録層としては、グラニュラー磁性層などを挙げることができる。保護層を構成する材料としては、水素化カーボンなどを挙げることができる。潤滑層を構成する材料としては、フッ素樹脂などを挙げることができる。例えば、これらの記録層等は、より具体的には、インライン型スパッタリング装置を用いて、ガラス基板の上に、CrTiの付着層、CoTaZr/Ru/CoTaZrの軟磁性層、CoCrSiO2の非磁性グラニュラー下地層、CoCrPt-SiO2TiO2のグラニュラー磁性層、水素化カーボン保護膜を順次成膜し、さらに、ディップ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層を成膜することができる。なお、CoCrSiO2の非磁性グラニュラー下地層の替わりにRuの下地層を用いてもよい。また、軟磁性層と下地層の間にNiWのシード層を追加してもよい。また、グラニュラー磁性層と保護層の間にCoCrPtBの磁性層を追加してもよい。次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例及び比較例について説明する。第1の研磨工程と第2の研磨工程最終研磨工程を施したガラス基板に対して、超音波洗浄工程を行った後、ガラス基板の表面に残存している単位面積あたりのパーティクルのサイズ及び個数について光学測定機OSAを用いて評価した。ガラス基板としては、SiO2:58重量乃至75重量、Al2O3:5重量乃至23重量、Li2O:3重量乃至10重量、Na2O:4重量乃至13重量を主成分として含有するアルミノシリケートガラスを使用した。なお、Li2Oは0重量より大きく7重量以下であってもよい。1主表面研磨工程第1研磨工程主表面研磨工程として、まず第1研磨工程を施した。第1研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、主表面の研磨を行った。研磨剤としては、粒径0.2nm乃至4.5nmの酸化セリウムを含むスラリーを用いた。この第1研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、IPAイソプロピルアルコール、の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。2主表面研磨工程最終研磨工程次に、主表面研磨工程として、第2研磨工程を施した。この第2研磨工程は、主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。第2研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研磨剤としては、第1研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細なコロイダルシリカ砥粒平均粒子径10nm乃至40nmを含むスラリーを使用した。なお、本実施例、比較例では、スラリーのpHを2に設定して研磨を行った。このとき、スラリーに酢酸及び酢酸塩を含む添加剤を加えて研磨を行っている。これは、研磨工程中にスラリーのpHを一定にコントロールするためである。スラリー研磨液としては、超純水に上記コロイド状シリカ粒子を加えた混合液を用い、添加剤としてクエン酸を0.5重量添加したものを用いた。3超音波洗浄工程最終研磨工程を終えたガラス基板を、濃度50ppmの凝集剤水溶液に130秒間浸漬し、次に、濃度2重量のKOH水溶液に浸漬して表1に示す各条件にて超音波洗浄を行った。その後、中性洗剤、純水、純水、IPA、IPA蒸気乾燥の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した後に、光学測定機を用いてガラス基板表面に残存しているパーティクルの単位面積あたりの個数及び基板表面のクラックの有無について評価した。比較例1乃至比較例4においては、凝集剤水溶液への浸漬は行わず、実施例1乃至実施例8において、凝集剤水溶液への浸漬を行った。評価結果評価結果を表1に示す。表1より、比較例1乃至比較例4では、粒径15nm乃至40nmのパーティクルの数がいずれも51以上であり、不良×と判定された。ここで、粒径とは、粒子径粒度分布測定装置日機装株式会社製、ナノトラックUPAEX150を用いて光散乱法により測定される粒度分布における累積平均粒子径50径である。実施例1乃至実施例4では、凝集剤水溶液による処理を行い、粒径15nm乃至25nmのパーティクルの数について0~5で、優◎であり、粒径30nm乃至40nmのパーティクルの数について6~10で、良○と判定された。実施例1乃至実施例4では、周波数が高くなるにしたがって音波の節の数が増加するため、凝集物形成頻度が上昇し、より効率的に凝集物を形成でき、ガラス基板表面の微小なコロイダルシリカ砥粒を除去することができたと考えられる。実施例5乃至実施例8では、凝集剤水溶液による処理を行い、粒径15nm乃至40nmのパーティクルの数について、良○、または、可△11~50と判定された。実施例5乃至実施例8では、超音波処理の周波数を変更しているが、前述したように、超音波による除去対象物は粒径が限定されていることから、凝集剤処理及び超音波処理により形成された凝集物の粒径と、第2の周波数による除去対象物の粒径との整合が不十分であると考えられる。なお、ガラス基板に加わる衝撃によるクラックの発生は発見されなかった。DFHタッチダウン試験次に、上記表1に示した条件で洗浄工程を行ったガラス基板を用いて磁気ディスクを作製し、クボタコンプス社製HDFテスターを用いて、DFHヘッド素子部のタッチダウン試験を行った。この試験は、DFH機構によって素子部を徐々に突き出していき、AEセンサーによって磁気ディスク表面との接触を検知することによって、ヘッド素子部が磁気ディスク表面と接触するときの距離を評価するものである。ヘッドは320GB/P磁気ディスク2.5インチサイズ向けのDFHヘッドを用いた。素子部の突き出しがない時の浮上量は10nmである。また、その他の条件は以下の通り設定した。磁気ディスク:2.5インチ内径20mm、外径65mm、板厚0.8mmのガラス基板を製造し、当該ガラス基板に記録層等を成膜評価半径:22mm磁気ディスクの回転数:5400RPM温度:25°C湿度:60DFHタッチダウン試験の結果より、ガラス基板のクラックの発生を抑制するとともに、残存パーティクル数を効果的に低減できた基板実施例2乃至実施例5、実施例6乃至実施例9を用いた場合に、ヘッド素子部と磁気ディスクが接触した距離を1.0nm以下と小さくすることができた。なお、上記実施の形態における材料、サイズ、処理手順、検査方法などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。