単結晶半導体基板に接してアモルファスシリコン層を形成し、該アモルファスシリコン層に接し、且つ、プラズマCVD法により反応室内を450Pa以上10000Pa以下の圧力に調整した成膜条件で微結晶シリコン層を形成する光電変換装置の作製方法。請求項1において、前記微結晶シリコン層は、p型の不純物元素、或いはn型の不純物元素を含むことを特徴とする光電変換装置の作製方法。単結晶半導体基板の一方の面に接して第1のアモルファスシリコン層を形成し、該第1のアモルファスシリコン層に接して第1の極性の不純物拡散層を形成し、前記単結晶半導体基板のもう一方の面に接して第2のアモルファスシリコン層を形成し、該第2のアモルファスシリコン層に接して第2の極性の不純物拡散層を形成し、前記第1の極性の不純物拡散層及び前記第2の極性の不純物拡散層の形成は、反応室内を450Pa以上10000Pa以下の圧力に調整して成膜されることを特徴とする光電変換装置の作製方法。単結晶半導体基板と、その受光面である表面に接して第1のアモルファスシリコン層と、該第1のアモルファスシリコン層に接して第1の極性の不純物拡散層と、前記単結晶半導体基板の裏面に接して第2のアモルファスシリコン層と、該第2のアモルファスシリコン層に接して第2の極性の不純物拡散層と、を有し、前記第1の極性の不純物拡散層及び前記第2の極性の不純物拡散層は、反応室内を450Pa以上10000Pa以下の圧力に調整した成膜条件で成膜された微結晶シリコン層であることを特徴とする光電変換装置。太陽電池で代表される光電変換装置の光電変換効率を向上させるためには、単結晶シリコンウェハ内部における少数キャリアのライフタイムを長くすることが望ましい。本発明の一態様は、単結晶シリコンウェハ内部における少数キャリアのライフタイムを長くする光電変換装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。単結晶シリコン基板と、その受光面である表面に接して第1のアモルファスシリコン層と、該第1のアモルファスシリコン層に接して第1の極性の不純物拡散層p型と、単結晶シリコン基板の裏面に接して第2のアモルファスシリコン層と、該第2のアモルファスシリコン層に接して第2の極性の不純物拡散層n型と、を有する太陽電池セルであり、第1の極性の不純物拡散層及び第2の極性の不純物拡散層は、反応室内を450Pa以上10000Pa以下の圧力に調整した成膜条件で成膜された微結晶シリコン層であることを特徴の一つとしている。n型の不純物拡散層である微結晶シリコン層は、プラズマCVD装置の反応室内において、シリコンを含む堆積性気体と、水素と、ホスフィン水素希釈またはシラン希釈とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。半導体にn型を付与する不純物元素としてはリンなどが挙げられる。また、p型の不純物拡散層である微結晶シリコン層は、プラズマCVD装置の反応室内において、シリコンを含む堆積性気体と、水素と、ジボラン水素希釈またはシラン希釈とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。半導体にp型を付与する不純物元素としてはボロンなどが挙げられる。また、単結晶シリコン基板に接して微結晶シリコン層を形成することは困難であるため、これらの間にi型のアモルファスシリコン層を設けていることも特徴の一つである。なお、単結晶シリコン基板は、単結晶半導体基板の一種であり、FZFloatingZone法で製造されたn型の単結晶シリコン基板である。また、単結晶シリコン基板の製造方法は特に限定されず、例えばMCZMagneticCZ法などに代表されるCZCzochralski法によって製造してもよい。単結晶シリコンウェハ内部における少数キャリアのライフタイムを長くすることができ、光電変換装置の光電変換効率を向上させることができる。以下では、本発明の実施の形態及び実施例について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態で説明する光電変換装置の断面図の一例を図1に示す。図1に示す光電変換装置は、半導体ウェハ101の受光面である表面に接して第1のアモルファスシリコン層104と、該第1のアモルファスシリコン層に接して第1の極性の不純物拡散層105と、半導体ウェハ101の裏面に接して第2のアモルファスシリコン層102と、該第2のアモルファスシリコン層に接して第2の極性の不純物拡散層103とを有する。なお、図1においては受光面を分かりやすく図示するために、入射光106を図示している。以下に図1に示した光電変換装置の作製方法について説明する。まず、半導体ウェハ101の一方の面にプラズマCVD法を用いて第2のアモルファスシリコン層102を形成する。第2のアモルファスシリコン層102の厚さは3nm以上50nm以下とする。成膜条件は、反応室に流量5sccm以上200sccm以下のモノシランガスを導入し、反応室内の圧力を10Pa以上100Pa以下とし、ギャップ間隔誘電体-基板間隔を15mm以上40mm以下とする。次いで、第2のアモルファスシリコン層102に接して第2の極性の不純物拡散層103を形成する。第2の極性の不純物拡散層103は、プラズマCVD法を用いて得られる微結晶シリコン層であり、その厚さは3nm以上50nm以下とする。第2の極性の不純物拡散層103の成膜条件は、反応室内を450Pa以上10000Pa以下の圧力に調整する。次いで、半導体ウェハ101の一方の面受光面にプラズマCVD法を用いて第1のアモルファスシリコン層104を形成する。第1のアモルファスシリコン層104の厚さは3nm以上50nm以下とする。成膜条件は、反応室に流量5sccm以上200sccm以下のモノシランガスを導入し、反応室内の圧力を10Pa以上100Pa以下とし、ギャップ間隔を15mm以上40mm以下とする。次いで、第1のアモルファスシリコン層104に接して第1の極性の不純物拡散層105を形成する。第1の極性の不純物拡散層105は、プラズマCVD法を用いて得られる微結晶シリコン層であり、その厚さは3nm以上50nm以下とする。第1の極性の不純物拡散層105の成膜条件は、反応室内を450Pa以上10000Pa以下の圧力に調整する。以上の工程で図1に示す光電変換装置を作製することができる。必要であれば、第1の極性の不純物拡散層105に接する電極や、第2の極性の不純物拡散層103に接する電極を形成してもよい。こうして得られる光電変換装置は、半導体ウェハ101内部における少数キャリアのライフタイムを長くすることができ、光電変換装置の光電変換効率を向上させることができる。また、受光面である表面には、テクスチャ構造などが形成されていても良い。これにより、光電変換効率を向上させることが可能である。ライフタイムの比較のため、実際にサンプルを作製し、比較を行った。本実施例では、測定装置に、SEMILAB株社製のマイクロ波光導電減衰MicrowavePhotoConductiveDecay法を用いたライフタイム測定装置製品名:WT-2000を使用した。マイクロ波光導電減衰法以下、μ-PCD法というとは、半導体の表面にレーザ光を照射して、半導体中にキャリアを発生させ、且つ、レーザ光が照射されている位置にマイクロ波を照射し、半導体で反射されたマイクロ波の強度の減衰状態を検出することで、ライフタイムを評価する方法である。μ-PCD法では、半導体中にキャリアが生成されると半導体の抵抗値が下がるため、キャリアが発生した領域でのマイクロ波の反射率が高くなることを利用しており、反射マイクロ波の強度を検出することで、ライフタイムを評価している。単結晶シリコンに光を照射すると価電子帯で発生した電子と伝導帯に発生した正孔は、再結合し、消滅する。単結晶シリコン層に汚染や欠陥が多数あると、電荷トラップ中心の密度が高くなるため、単結晶シリコンでのキャリアの再結合の確率が増加するので、ライフタイムは短くなる。このため、ライフタイムは単結晶シリコンなど半導体の結晶構造が完全であるかを評価するパラメータとして利用されている。サンプルの作製に用いる単結晶シリコンウェハは、厚さ280μmのFZ法で製造されたn型の単結晶シリコンウェハを用いる。サンプル1として図1と同じ積層構造を以下の手順で作製する。まず、単結晶シリコンウェハの一方の面にプラズマCVD法を用いて第2のアモルファスシリコン層102を形成する。第2のアモルファスシリコン層102の厚さは3nm以上50nm以下、ここでは10nmとする。成膜条件は、反応室に流量10sccmのモノシランガスを導入し、反応室内の圧力を15Paとし、成膜温度を200°C、RF出力を11W、電源周波数を13.56MHz、ギャップ間隔誘電体-基板間隔を30mmとした。次いで、第2のアモルファスシリコン層102に接して第2の極性の不純物拡散層103を形成する。第2の極性の不純物拡散層103の厚さは3nm以上50nm以下、ここでは10nmとする。成膜条件は、反応室に流量2sccmのモノシランガスと、流量1985sccmの水素ガスと、ガスボンベガス濃度が0.5に水素希釈されたホスフィンガスのガスボンベを用いてホスフィンガス流量15sccmを導入し、反応室内の圧力を1330Paとし、成膜温度を200°C、RF出力を150W、電源周波数を13.56MHz、ギャップ間隔を18mmとした。次いで、単結晶シリコンウェハのもう一方の面受光面にプラズマCVD法を用いて第1のアモルファスシリコン層104を形成する。第1のアモルファスシリコン層104の厚さは3nm以上50nm以下、ここでは10nmとする。成膜条件は、反応室に流量10sccmのモノシランガスを導入し、反応室内の圧力を15Paとし、成膜温度を200°C、RF出力を11W、電源周波数を13.56MHz、ギャップ間隔を30mmとした。次いで、第1のアモルファスシリコン層104に接して第1の極性の不純物拡散層105を形成する。第1の極性の不純物拡散層105の厚さは3nm以上50nm以下、ここでは10nmとする。成膜条件は、反応室に流量2sccmのモノシランガスと、流量2000sccmの水素ガスと、ジボランガス流量15sccmを導入し、反応室内の圧力を1330Paとし、成膜温度を200°C、RF出力を150W、電源周波数を13.56MHz、ギャップ間隔を18mmとした。以上の工程でサンプル1を作製し、ライフタイムを評価した。このライフタイムは表面再結合速度とバルクライフタイムの双方を反映した値である。2インチの半導体ウェハで評価し、半導体ウェハの面内5ポイントの平均値と、MAX値と、MIN値を評価した。その結果を表1に示す。なお、比較例1は、アモルファスシリコン層を設けず、反応室内の圧力を100Pa以下で成膜した不純物拡散層p型を半導体ウェハの一方の面に接して形成し、半導体ウェハのもう一方の面に接して不純物拡散層n型を形成したサンプルである。また、比較例2は、半導体ウェハを熱酸化させて、表面及び裏面に熱酸化膜を設けたサンプルである。また、これらの結果をグラフに示したものが図2である。比較例1及び比較例2に比べ、サンプル1はライフタイムが大幅に長く、サンプル1の作製方法と同じ作製方法を用いて形成される光電変換装置の光電変換効率を向上させることができる。