"2個の末端分枝鎖ペルフルオロアルキルカルボニル基と、4個以上の鎖中原子を有する介在直鎖、分枝鎖又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントと、を含む、フルオロエーテルジケトンであって、前記ペルフルオロアルキレンセグメントは、前記介在直鎖、分枝鎖又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントが-OC2F4O-基を含有しないという条件で、1個以上の鎖中二価酸素原子を含有し、前記末端分枝鎖ペルフルオロアルキルカルボニル基の分枝鎖は、前記ペルフルオロアルキルカルボニル基のカルボニル部分に隣接している前記ペルフルオロアルキルカルボニル基のペルフルオロアルキル部分の炭素原子上にあり、化合物中の炭素原子の合計数は少なくとも12である、フルオロエーテルジケトン。少なくとも1個のペルフルオロアルキルカルボニル基が少なくとも1個の鎖中二価酸素原子を含む、請求項1に記載のフルオロエーテルジケトン。周囲気圧にて170°C以上の沸点を有する、請求項1に記載のフルオロエーテルジケトン。請求項1に記載のフルオロエーテルジケトンを含む、伝熱流体。式Rf1-COCFRf2OaRf3ObCFRf4CORf1を有する化合物であって、式中、Rf1=少なくとも1個の鎖中酸素又は窒素ヘテロ原子を場合により含有する分枝鎖、環状又はこれらの組み合わせであるペルフルオロアルキル基であり、Rf2及びRf4=-F又は-CF3であり、Rf3=最多で1個の鎖中二価エーテル酸素原子により介在され得る2~9個の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖又は環状であり得るペルフルオロアルキレン部分であり、Rf2又はRf4のうちの少なくとも1つはCF3-であり、a及びbは独立して0又は1であり、ab≧1であり、但し、Rf3は-OCF2CF2O-を含有しない、化合物。及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項4に記載の化合物。デバイスと、前記デバイスへの又は前記デバイスからの伝熱のための機構と、を含む、伝熱のための装置であって、前記機構は、2個の末端分枝鎖ペルフルオロアルキルカルボニル基と、4個以上の鎖中原子を有する介在直鎖、分枝鎖又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントと、を含む、フルオロエーテルジケトンを含む伝熱流体を含み、前記ペルフルオロアルキレンセグメントは、前記介在直鎖、分枝鎖又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントが-OC2F4O-基を含有しないという条件で、1個以上の鎖中二価酸素原子を含有し、ここで、前記末端分枝鎖ペルフルオロアルキルカルボニル基の分枝鎖は、前記ペルフルオロアルキルカルボニル基のカルボニル部分に隣接している前記ペルフルオロアルキルカルボニル基のペルフルオロアルキル部分の炭素原子上にあり、化合物中の炭素原子の合計数は少なくとも12である、装置。少なくとも1個のペルフルオロアルキルカルボニル基が少なくとも1個の鎖中二価酸素原子を含む、請求項7に記載の装置。前記デバイスが、マイクロプロセッサ、半導体デバイスを製造するために使用される半導体ウエファー、電力制御半導体、電気化学電池リチウムイオン電池を含む、配電スイッチ装置、電力変圧器、回路基板、マルチチップモジュール、パッケージ化された又はパッケージ化されていない半導体デバイス、燃料電池、及びレーザーから選択される、請求項7に記載の装置。前記機構が前記デバイスへ伝熱する、請求項7に記載の装置。前記機構が前記デバイスから伝熱する、請求項7に記載の装置。前記機構が前記デバイスを選択温度に維持する、請求項7に記載の装置。伝熱のための前記機構が、前記デバイスを冷却するためのシステム内構成要素であって、前記システムが、PECVDツール内のウエハチャックを冷却するためのシステム、ダイ性能試験のための試験用ヘッド内温度の制御システム、半導体処理装置内の温度制御システム、電子デバイスの熱衝撃試験、及び電子デバイスの定温維持システムから選択される、請求項7に記載の装置。前記デバイスが、はんだ付けされる電子的構成要素と、はんだと、を含む、請求項7に記載の装置。前記機構が気相はんだ付けを含む、請求項14に記載の装置。デバイスを準備することと、機構を用いて前記デバイスへ又は前記デバイスから伝熱することと、を含む、伝熱方法であって、前記機構は、伝熱流体を含み、前記伝熱流体は、2個の末端分枝鎖ペルフルオロアルキルカルボニル基と、4個以上の鎖中原子を有する介在直鎖、分枝鎖又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントと、を含む、フルオロエーテルジケトンを含み、前記ペルフルオロアルキレンセグメントは、前記介在直鎖、分枝鎖又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントが-OC2F4O-基を含有しないという条件で、1個以上の鎖中二価酸素原子を含有し、前記末端分枝鎖ペルフルオロアルキルカルボニル基は、前記ペルフルオロアルキルカルボニル基のカルボニル部分に隣接している前記ペルフルオロアルキルカルボニル基のペルフルオロアルキル部分の炭素原子上にあり、化合物中の炭素原子の合計数は少なくとも12である、伝熱方法。少なくとも1個のペルフルオロアルキルカルボニル基が少なくとも1個の鎖中二価酸素原子を含む、請求項16に記載の伝熱方法。前記デバイスが、はんだ付けされる電子的構成要素である、請求項16に記載の気相はんだ付け方法。以下の説明において、本発明の範囲又は趣旨から逸脱することなく、その他の実施形態を想到し実施し得ることが、理解されるべきである。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味で解釈されるべきではない。他に指示がない限り、本明細書及び特許請求の範囲で使用される特徴の大きさ、量、物理特性を表わす数字はすべて、どの場合においても用語約によって修飾されるものとして理解されるべきである。それ故に、そうでないことが示されない限り、前述の明細書及び添付の特許請求の範囲で示される数値パラメータは、当業者が本明細書で開示される教示内容を用いて、目標対象とする所望の特性に応じて、変化し得る近似値である。終点による数の範囲の使用は、その範囲内例えば、1~5は、1、1.5、2、2.75、3、3.80、4、及び5を含むのすべての数及びその範囲内の任意の範囲を含む。例えば、気相はんだ付けで使用するためなどの市場の高温でのニーズに特に好適である伝熱流体が必要とされ続けている。このような用途では、170°C~250°Cの温度が典型的に使用され、200°Cは、鉛ベースのはんだを用いるはんだ付け用途に特に有用であり、230°Cは、融点がより高い鉛フリーのはんだに有用である。現在、この用途に使用される材料は、ペルフルオロポリエーテルクラスのものである。かつては、この用途領域のための特定のペルフルオロ化アミンが市場に出回っていた。ペルフルオロポリエーテルは、採用される温度で必要とされる熱安定性を有する一方で、これらが非常に環境持続性であるという欠点をも有し、非常に長い大気寿命を持ち、これらの高フッ素含量に起因して高い地球温暖化係数を伴う。このように、大気寿命がはるかに短く、それでいて気相はんだ付け並びに他の高温伝熱用途において有用であるのに十分な安定性を有する新規材料が必要とされている。一部のハイドロフルオロエーテルは、伝熱流体として開示されている。代表的なハイドロフルオロエーテルは、米国特許出願第12/263,661号、表題MethodsofMakingFluorinatedEthers,FluorinatedEthersandUsesThereof2008年11月3日出願、並びに米国特許出願公開第2007/0267464号Vitcaketal.及び同第2008/0139683号Flynnetal.、並びに、米国特許第7,128,133号及び同第7,390,427号Costelloetal.に見出すことができる。しかしながら、不活性で、高い絶縁耐力、低い電気伝導率、化学的不活性、熱安定性、及び効果的熱伝導を有し、幅広い温度範囲にわたって液体であり、広い範囲の温度で良好な伝熱特性を有し、更には地球温暖化係数が比較的低くなるように大気中での寿命が適度に短い伝熱流体の必要性がある。少なくとも170°Cの沸点を有する好適な構造のペルフルオロ化ジケトンは、これらの高温伝熱用途にとって実行可能な候補とするのに必要とされる安定性を有し、並びに、必要な短い大気寿命を持ち、したがって、地球温暖化係数が低い、と考えられる。例えば、低分子量ケトンC2F5COCFCF32は、3MCompanySt.Paul,MNからNOVEC649として入手可能であり、下層大気では光化学的に活性であり、約5日の大気寿命を有する。より高分子量のペルフルオロ化ジケトンは、UVスペクトルにおいて同様の吸収を有し、同様の光化学寿命をもたらすことが予測され、これらの構造に起因してわずかな変化が生じるのみである。提供されるフルオロエーテルジケトンは、少なくとも1個の鎖中二価酸素原子を場合により含む2個の末端分枝鎖ペルフルオロアルキルカルボニル基と、4個以上の鎖中原子を有する介在直鎖、分枝鎖又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントと、を含み、上記ペルフルオロアルキレンセグメントは、介在直鎖、分枝鎖又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントが-OC2F4O-基を含有しないという条件で、1個以上の鎖中二価酸素原子を含有し、上記末端分枝鎖ペルフルオロアルキルカルボニル基の分枝鎖は、上記ペルフルオロアルキルカルボニル基のカルボニル部分に隣接している上記ペルフルオロアルキルカルボニル基のペルフルオロアルキル部分の炭素原子上にあり、化合物中の炭素原子の合計数は少なくとも12である。化合物中の炭素原子の数は、最高30、最高24、最高18又は更には最高16であり得る。分枝鎖ペルフルオロアルキルカルボニル基は、3個以上の炭素又は酸素原子を含むアルキル基を有し、最多で6個、最多で9個、最多で12個又は更には最多で24個を有し得る。分子鎖ペルフルオロアルキルカルボニル基の例としては、CF32CFCO-、C3F7OCFCF3CO-及びC4F9OCFCF3CF2OCFCF3CO-が挙げられる。ペルフルオロアルキルカルボニル基はペルフルオロ化され、親アルキル基又は親アルキル置換基の炭素-水素結合の実質的にすべては、炭素-フッ素結合に置換される。ペルフルオロアルキレンセグメントとしては、一部の実施形態では、CF2CF2OCF2CF2-、CFCF3C2F4OCFCF3-、CFCF3OC4F8OCFCF3-、C3F6OCFCF3-、C3F6OCFCF3CF2OCFCF3-及び-CF2CF2CF2OCF2CF2CF2-を挙げることができる。一部の実施形態では、提供されるジケトンは、A-B-A構造の対称分子であり、式中、Aはペルフルオロアルキルカルボニル基であり、Bはペルフルオロアルキレンセグメントである。提供されるフルオロエーテルジケトンは、式Iの化学構造を有する:Rf1-COCFRf2OaRf3ObCFRf4CORf1I式中、COはカルボニル基を表し、Rf1は、少なくとも1個の鎖中酸素又は窒素ヘテロ原子を場合により含有する分枝鎖、環状又はこれらの組み合わせであるペルフルオロアルキル基であり、Rf2及びRf4=-F又は-CF3であり、Rf3=最多で1個の鎖中二価エーテル酸素原子により介在され得る2~9個の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖又は環状であり得るペルフルオロアルキル部分であり、Rf2又はRf4のうちの少なくとも1つはCF3であり、a及びbは独立して0又は1であり、ab≧1であり、但し、-OCF2CF2O-基は全く存在しない。代表的なRf1基としては、C3F7OCFCF3-、C3F7OCFCF3CF2OCFCF3-、CF3OCFCF3-CF3OC3F6OCFCF3-及びC4F9OCFCF3-などのペルフルオロイソプロピル及びペルフルオロ化アルキル基の誘導体が挙げられる。一部の実施形態では、提供されるフルオロエーテルジケトンとしては、以下のものが挙げられる:及びこれらの組み合わせ。一部の実施形態では、伝熱を必要とする装置が提供される。この装置は、デバイスと、伝熱流体を用いてデバイスへ又はデバイスから伝熱する機構と、を含む。伝熱流体は、上記のようなフルオロエーテルケトンであることができる。代表的な装置として、冷房システム、冷却システム、試験装置、及び機械加工装置が挙げられる。その他の例として、半導体ダイの性能検査用自動試験装置に用いられるテストヘッド、アッシャー、ステッパー、エッチャー、PECVD装置内のシリコンウエファーの保持に使用されるウエファーチャック、恒温槽、及び熱衝撃試験用槽が挙げられる。更に他の実施形態では、提供される装置として、冷凍輸送車両、ヒートポンプ、スーパーマーケットの食料用冷却器、市販の陳列ケース、保管倉庫用冷房システム、地熱暖房システム、太陽熱暖房システム、有機ランキンサイクルデバイス、及びこれらの組み合わせを挙げることができる。特定の実施形態では、提供される装置は、デバイスを含む。本明細書では、デバイスは、冷却される、加熱される、又は選択温度に維持される、構成要素、加工対象物、アセンブリなどとして定義される。このようなデバイスとしては、電気部品、機械部品及び光学部品が挙げられる。本発明のデバイスの例として、マイクロプロセッサ、半導体素子製造に用いられるウエファー、出力制御用半導体、配電スイッチギヤ、電力変圧器、回路基板、マルチチップモジュール、パッケージ化された、及びパッケージ化されていない半導体素子、レーザー、化学反応器、燃料電池、及び電気化学セルが挙げられるが、これらに限定されない。一部の実施形態では、デバイスとして、冷却装置、加熱装置、又はこれらの組み合わせを挙げることができる。他の実施形態では、デバイスは、はんだ付けされる電子的構成要素とはんだを含むことができる。典型的には、はんだ付けに必要とされる熱は、170°C超、200°C超、230°C超又は更に高い温度を有する気相により供給することができる。特定の実施形態では、本開示は、伝熱のための機構を含む。デバイスと熱接触している伝熱機構を配置することにより、熱は伝達される。伝熱機構は、デバイスと熱接触させて配置すると、デバイスから熱を除去し、又は、デバイスに熱を提供し、又は、デバイスを選択された温度に維持する。熱の流れの方向デバイスから又はデバイスへは、デバイスと伝熱機構との間の相対的温度差によって決定される。伝熱機構は、ポンプ、バルブ、流体収納システム、圧力制御システム、コンデンサー、熱交換器、熱源、ヒートシンク、冷却システム、アクティブ温度制御システム、及びパッシブ温度制御システムを非制限的に含む、伝熱流体を管理するための設備を挙げることができる。好適な伝熱機構の例としては、PECVDツールにおける温度制御ウエファーチャック、ダイ性能試験のための温度制御試験ヘッド、半導体加工機器内の温度制御作業領域、熱衝撃試験槽液体貯蔵室、及び恒温槽が挙げられるが、これらに限定されない。エッチャー、アッシャー、PECVDチャンバー、気相はんだ付けデバイスなどの一部のシステムでは、上方の所望される動作温度は、最高170°C、最高200°C又は更に高温であり得る。伝熱機構は、提供される伝熱流体を含む。提供される伝熱流体は、式Iの化学構造により表すことができる:Rf1-COCFRf2OaRf3ObCFRf4CORf1I式中、COはカルボニル基を表し、Rf1は、少なくとも1個の鎖中酸素又は窒素ヘテロ原子を場合により含有する分枝鎖、環状又はこれらの組み合わせであるペルフルオロアルキル基であり、Rf2及びRf4=-F又は-CF3であり、Rf3=最多で1個の鎖中二価エーテル酸素原子により介在され得る2~9個の炭素原子を有する直鎖、分枝鎖又は環状であり得るペルフルオロアルキレン部分であり、Rf2又はRf4のうちの少なくとも1つはCF3-であり、a及びbは独立して0又は1であり、ab≧1であり、但し、-OCF2CF2O-基は全く存在しない。提供される装置及び伝熱流体は、高温伝熱流体に対する市場のニーズを満たす。提供されるフルオロエーテルジケトンは、安定な高温伝熱流体をもたらす。一実施形態では、デバイスは、半導体ダイの性能を試験するために使用される機器を備えることができる。ダイは、半導体基材のウエファーから切り出される個々のチップである。ダイは、半導体製造工場から入手され、これらが性能要件及びプロセッサ速度要件を満たしているか確認するために検査しなければならない。試験は、性能要件を満たさないダイから良品保証済みダイKGDを選別するために使用される。この試験は、通常、約-80°C~約100°Cの範囲の温度にて行われる。一部の場合では、ダイは一つずつ試験され、個々のダイは、チャックに把持される。このチャックは、そのデザインの一部として、ダイの冷却の供給をもたらす。他の場合では、複数のダイがチャックに把持され、連続して又は並行してのいずれかで試験される。この状況で、チャックは、試験手順中に複数のダイに冷却を提供する。高温条件下でダイの性能の特徴を判定するために、高温でダイを試験することが有利であり得る。この場合、室温を優に上回る良好な冷却性能を有する伝熱流体が有利である。一部の場合では、ダイは、非常に低温にて試験される。例えば、相補的な金属酸化物半導体CMOSデバイスは、特に低温ほど迅速に機能する。自動化試験機器ATEがCMOSデバイスを基板上にその恒久論理ハードウェアの部品として採用する場合、低温にて論理ハードウェアを維持することが有利であり得る。それゆえに、ATEに最大の汎用性をもたらすために、伝熱流体は、典型的には、低温及高温の両方にて良好に機能しすなわち、典型的には広い温度範囲にわたって良好な伝熱特性を有し、不活性でありすなわち、不燃性、低毒性、非化学反応性であり、高い絶縁耐力を有し、環境影響が低く、操作温度範囲全体にわたって予測可能な伝熱特性を有する。別の実施形態では、デバイスには、エッチャーを備えることができる。エッチャーは、約70°C~約150°Cの温度範囲にわたって稼働することができる。典型的には、エッチング中、反応性プラズマを使用して、構造体に非等方散乱的にエッチングして半導体にする。半導体は、シリコンウエファーを含むことができるか、あるいは、II~VI又はIII~V半導体を含むことができる。一部の実施形態では、半導体材料は、例えば、GaAs、InP、AlGaAs、GaInAsP又はGaInNAsといった、例えば、III~V半導体材料を挙げることができる。他の実施形態では、提供されるプロセスは、II~VI半導体材料例えば、カドミウム、マグネシウム、亜鉛、セレン、テルル、及びこれらの組み合わせを含むことができる材料などをエッチングするのに有用であり得る。代表的なII-VI半導体材料としては、CdMgZnSe合金を挙げることができる。CdZnSe、ZnSSe、ZnMgSSe、ZnSe、ZnTe、ZnSeTe、HgCdSe、及びHgCdTeなどの他のII~VI半導体材料もまた、提供されるプロセスを用いてエッチングされることができる。処理されることになる半導体は、典型的には、一定温度で保持される。したがって、温度範囲全体にわたって単相を有することができる伝熱流体が、典型的には使用される。加えて、伝熱流体は、典型的には、範囲全体にわたって予測可能な性能を有し、その結果、温度を正確に維持することができる。他の実施形態では、デバイスは、約40°C~約150°Cの範囲の温度にわたって稼働するアッシャーを備えることができる。アッシャーは、ポジ型又はネガ型フォトレジストから作られる光電性有機マスクを除去できるデバイスである。これらのマスクは、エッチング中に使用されて、エッチングされる半導体上にパターンを提供する。一部の実施形態では、デバイスは、約40°C~約80°Cの範囲の温度にわたって稼動できるステッパーを備えることができる。ステッパーは、半導体製造で使用されるフォトリソグラフィの本質的な部品であり、製造に必要とされるレチクルが製造される。レチクルは、ウエファー又はマスク全体を露光するためにステッパーを用いてステッピングし、繰り返す必要があるパターン像を含有するツールである。レチクルを使用して、光電性マスクを露光するのに必要とされる光と影のパターンを作り出す。ステッパーに使用されるフィルムは、典型的には、仕上がりレチクルの良好な性能を維持するために±0.2°Cの温度帯内に維持される。更に他の実施形態では、デバイスは、約50°C~約150°Cの範囲の温度にわたって稼動できるプラズマ強化化学蒸着PECVDチャンバーを備えることができる。PECVDのプロセスでは、酸化ケイ素、窒化ケイ素及び炭化ケイ素のフィルムが、ケイ素と、1酸素、2窒素又は3炭素のいずれかと、を含有する試薬気体混合物中で開始される化学反応により、ウエファー上に成長することができる。ウエファーが置かれるチャックは、それぞれ選択された温度にて均一で一定の温度に保持される。更に他の実施形態では、デバイスは、マイクロプロセッサなどのプロセッサのような電子デバイスを備えることができる。これらの電子デバイスが強力になるにつれて、単位時間当たりに生成する熱量も増加する。したがって、伝熱の機構は、プロセッサ性能において重要な役割を果たす。伝熱流体は、典型的には、良好な伝熱性能、良好な電気適合性たとえ、冷却板を採用するもののような間接接触用途で使用される場合であっても、並びに、低毒性、低又は不燃性及び低環境影響を有する。電気適合性が良好であるには、伝熱流体候補は、高い絶縁耐力、高い体積固有抵抗、及び、極性物質に対する乏しい溶解性を呈することが必要である。加えて、伝熱流体は、良好な機械適合性を呈さなければならず、すなわち、伝熱流体は、構造体の典型的材料に悪影響を与えてはならない。提供されるデバイスは、本明細書では、選択された温度にて冷却、加熱又は維持される、構成要素、部品組立体などとして定義される。このようなデバイスとしては、電気部品、機械部品及び光学部品が挙げられる。本発明のデバイスの例としては、マイクロプロセッサ、半導体デバイス製造に使用されるウエファー、電力制御半導体、配電用スイッチギヤ、電力変圧器、回路基盤、マルチチップモジュール、パッケージ化された及びパッケージされていない半導体デバイス、化学反応素子、燃料電池及びレーザーが挙げられるが、これらに限定されない。提供される装置は、伝熱機構を備える。デバイスと熱接触している伝熱機構を配置することにより、熱は伝達される。伝熱機構は、デバイスと熱接触させて配置すると、デバイスから熱を除去し、又は、デバイスに熱を提供し、又は、デバイスを選択された温度に維持する。熱の流れの方向デバイスから又はデバイスへは、デバイスと伝熱機構との間の相対的温度差によって決定される。提供される装置はまた、冷凍システム、冷却システム、試験機器及び加工機器を備えることもできる。一部の実施形態では、提供される装置は、恒温槽又は熱衝撃試験槽であることができる。伝熱機構は、提供される伝熱流体を含む。加えて、伝熱機構は、例えば、ポンプ、バルブ、流体収納システム、圧力制御システム、コンデンサー、熱交換器、熱源、ヒートシンク、冷却システム、アクティブ温度制御システム、及びパッシブ温度制御システムが挙げられるがこれらに限定されない、伝熱流体を管理するための設備を備えてもよい。好適な伝熱機構の例としては、PECVDツールにおける温度制御ウエファーチャック、ダイ性能試験のための温度制御試験ヘッド、半導体加工機器内の温度制御作業領域、熱衝撃試験槽液体貯蔵室、及び恒温槽が挙げられるが、これらに限定されない。恒温槽は、典型的には、広い温度範囲にわたって操作される。したがって、望ましい伝熱流体は、好ましくは、広い液体範囲及び良好な低温伝熱特性を有する。このような特性を有する伝熱流体は、恒温槽に対して非常に広い稼動範囲を可能にする。典型的には、ほとんどの試験流体は、広い温度限界に対して流体の交換を必要とする。また、良好な温度制御は、伝熱流体の物理特性を精確に予測するのに本質的である。他の態様では、デバイスを準備することと、機構を用いてデバイスへ又はデバイスから伝熱することと、を含む、伝熱方法が提供される。機構は、本明細書に開示されているフルオロエーテルジケトンなどの伝熱流体を含むことができる。提供される方法は、気相はんだ付けを含むことができ、デバイスは、はんだ付けされる電子的構成要素である。本発明の目的及び利点は、以下の実施例によって更に例示されるが、これらの実施例において列挙された特定の材料及びその量は、他の諸条件及び詳細と同様に本発明を過度に制限するものと解釈されるべきではない。特に記載のない限り、すべての溶媒及び試薬は、AldrichChemicalCo.Milwaukee,WIから入手され得る。本明細書で使用するとき、NOVEC-7200は、3MCompanySt.Paul,MNから入手可能であるエチルペルフルオロブチルエーテルを指す。また、本明細書で使用するとき、HFPOはヘキサフルオロプロペンオキシドを指し、HFPはヘキサフルオロプロペンを指す。ジグリムは、ジエチレングリコールジメチルエーテルを指す。実施例1:1,1,1,2,4,5,5,6,6-ノナフルオロ-2-ヘプタフルオロプロピルオキシ-6-1,3,4,4,4-ペンタフルオロ-3-ヘプタフルオロプロピルオキシ-2-オキソ-1-トリフルオロメチル-ブトキシ-4-トリフルオロメチル-ヘキサン-3-オンの調製。II本質的には米国特許第2,713,593号Briceetal.及びR.E.Banks,Preparation,PropertiesandIndustrialApplicationsofOrganofluorineCompounds,p.19~43,HalstedPress,NewYork1982に記載のタイプのSimonsECFセル中のイタコン酸ジメチルの電気化学的フッ素化により、2,2,3-トリフルオロ-3-トリフルオロメチル-ブタンジオイルジフルオリドを調製した。この二塩基酸フッ化物107.3g、0.44mol、フッ化カリウム5.4g、0.093mol、Aldrich及びジグリム30g、Aldrichを600mLのParrリアクター内で組み合わせた。ヘキサフルオロプロピレンオキシド73.75g、0.44mol、DuPontを気体としてリアクターに、温度が12°Cよりも低く維持され、圧力が10pisg68.9kPaよりも低く維持されるような速度にて添加した。2時間後にHFPOの添加を完了した。添加後1時間にわたってこの混合物を撹拌した。次に不均質な生成溶液を濾過し、下方のフルオロエーテル生成物相をジグリム相から分離した。合計103.8gの2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-4-1,2,2,2-テトラフルオロ-1-フルオロカルボニル-エトキシ-2-トリフルオロメチル-ブチリルフルオリドFCOCFCF3CF2CF2OCFCF3COFを単離した。70グラムの単離酸フッ化物0.17molを次に600mLのParrリアクター内で1,1,1,2,2,3,3-ヘプタフルオロ-3-トリフルオロビニルオキシ-プロパン95.7g、0.36mol、Dyneon、フッ化セシウム12.8g、0.085mol及び100グラムのジグリム溶媒と組み合わせた。この混合物を24時間にわたって75°Cに加熱した。この反応混合物を次に濾過し、下方のフルオロエーテル生成物相を溶媒から分離した。生成物は、同心円管カラムを使用し分別蒸留によって精製した。生成物塊は、GC/MSにより検査した。実施例2:CF32CFCOCFCF3OCF2CF2CF2CF2OCFCF3COCFCF32III及びその異性体VIの調製。前駆体FOCCF2CF2COFの調製。本質的には米国特許第2,713,593号Briceetal.及びR.E.Banks,Preparation,PropertiesandIndustrialApplicationsofOrganofluorineCompounds,p.19~43,HalstedPress,NewYork1982に記載のタイプのSimonsECFセル中のブチロラクトンの電気化学的フッ素化により、テトラフルオロスクシニルフルオリドを調製した。分留による精製によって物質を生成し、これは、GC-FID、GC/MS、1H-NMR及び19F-NMR分析によって判定すると、94.3のテトラフルオロスクシニルフルオリド及び4.92のペルフルオロブチロラクトンであった。中間体FOCCFCF3OCF2CF2CF2CF2OCFCF3COF、異性体及び高級オリゴマーの調製。清浄な乾燥させた400mLステンレス鋼で被覆したParr圧力リアクターに、噴霧乾燥フッ化カリウム1.6g及び無水ジグリム27gを充填した。この容器を密閉し、マイナス25°Cに設定したFTSSystems冷却循環槽を用いて、冷却した。テトラフルオロスクシニルフルオリド191.5gをこの密閉したリアクターに充填シリンダーからの液体として添加した。HFPO314gを添加する8時間の間、冷却循環槽を16°Cに設定した。添加中の反応物の温度は、約18~21°Cの範囲であった。反応物を周囲温度にて16時間にわたって維持し、その後、冷却ユニットを元に戻し、リアクターを16°Cに冷却し、HFPOの残り53.2gを2.5時間かけて添加した。1時間の反応に続いて、1時間保持し、その間、相は分離させておき、下方のHFPOテトラフルオロスクシニルフルオリド付加相を排出した530g。GC及びGC/MS分析は、以下の構成要素を示した。CF32CFCOCFCF3OCF2CF2CF2CF2OCFCF3COCFCF32及びその異性体の調製。III及びVI清浄な乾燥させた600mLのステンレス鋼Parr圧力リアクターに噴霧乾燥フッ化カリウム13g、無水ジグリム156g、NOVEC-7200185.6g及びHFPOテトラフルオロスクシニルフルオリド付加物105gを充填した。この容器を密閉し、75°Cに加熱した。HFP73.8gを5時間かけて添加し、16時間にわたって反応させた。HFP40.6gの二回目の充填を更に3時間かけて添加し、3時間維持した後で、反応を完了させた。この混合物を室温に冷却し、40mmHg5.33kPa真空1プレート蒸留に設定した1L丸底フラスコに移した。この混合物を75°Cに加熱して、NOVEC-7200を除去した。フラスコ内容物を周囲温度に冷却し、500mL分液漏斗に移した。約1時間後、下方のフルオロエーテル相を分離し、ほぼ等しい容積の2NのHCl溶液で一回洗浄して、下方のフルオロエーテル相145グラムを回収した。所望の材料の二種の異性体を、GC-FID及びGC/MS分析により分析したところ、純度50.9で得られていた。様々なHFPOテトラフルオロスクシニルフルオリド付加物に対応する他のジケトンは、残りの物質を含んだ。蒸留によりジケトン異性体混合物を更に精製し、この組成物をGC-FID、GC/MS、1H-NMR及び19F-NMR分析により確認したところ、211.6°Cの沸点にて以下の二種の異性体を含有した。実施例3:CF32CFCOCFCF3OCF2CF2CF2CF2OCFCF3CF2OCFCF3COCFCF32IVの調製。実施例2の反応混合物からのより高い沸点の留分の予備分画Refractionationにより、3-1HFPOテトラフルオロスクシニルフルオリド付加物から誘導された30グラムのジケトンを得、これは、GC及びGC/MS分析により測定したところ、約96.1の3-1ジケトンを含有しており、沸点はおよそ243°Cであった。実施例4:CF32CFCOCF2CF2CF2OCFCF3COCFCF32Vの調製。清浄な乾燥させた600mLステンレス鋼Parr圧力リアクターに、フッ化セシウム6g及び無水ジグリム20gを充填した。この容器を密閉し、マイナス25°Cに設定したFTSSystems冷却循環槽を用いて、冷却した。充填シリンダーからテトラフルオロスクシニルフルオリド95.4g、純度81.3をリアクターに添加した。ヘキサフルオロプロペンオキシド73.8gを添加する19時間の間、冷却循環槽をマイナス11°Cに設定した。次に、リアクターを80°Cに加熱し、ヘキサフルオロプロペン153gを24時間かけて添加した。リアクター内容物を周囲温度に冷却し、500mL分液漏斗に移した。下方のフルオロエーテル相を分画して24グラムを得、これをGC-FID及びGC/MS分析により測定したところ、96.4の所望の物質を含有していた。本発明の範囲及び趣旨から逸脱しない本発明の様々な変更や改変は、当業者には明らかとなるであろう。本発明は、本明細書で述べる例示的な実施形態及び実施例によって不当に限定されるものではないこと、また、こうした実施例及び実施形態は、本明細書において以下に記述する特許請求の範囲によってのみ限定されると意図する本発明の範囲に関する例示のためにのみ提示されることを理解すべきである。本開示に引用されたすべての参照文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。"