半導体基板上にレジスト層を形成する工程と、グレーティングマスクを用いて前記レジスト層を露光する工程と、露光された前記レジスト層を現像し、勾配を有するレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクを介して、前記半導体基板にイオンを注入することで不純物領域を形成する工程と、を具備し、前記イオンを注入する工程において、520keV以上でイオン注入を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記レジスト層の膜厚は、前記イオン注入の加速電圧に応じた膜厚であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記グレーティングマスクは、光透過率をマスクの開口部の密度により制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。本発明は、グレーティングレジストによりポテンシャルを形成する場合に、ポテンシャルのばらつきを抑制することを目的とする。本実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、半導体基板上にレジスト層を形成する工程と、グレーティングマスクを用いてレジスト層を露光する工程と、露光されたレジスト層を現像し、勾配を有するレジストマスクを形成する工程と、レジストマスクを介して、半導体基板にイオンを注入することで不純物領域を形成する工程と、を具備する。イオンを注入する工程において、520keV以上でイオン注入を行う。以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。図1は、本実施例に係る半導体装置の断面図を示す。本実施例に係る半導体装置は、例えば、CCDChargeCoupledDeviceである。図1には、破線により、半導体基板中のポテンシャルを示す。図1に示すように、本実施例に係る半導体装置1は、p型の半導体基板10にn型の不純物領域11が形成されている。不純物領域11は、濃度勾配を有し、濃度の最も濃い箇所と、最も濃度が薄い箇所とが互いに接合されている。さらに、半導体基板上には、酸化膜図示せずを介して、転送電極13が配置されている。図1中の、破線は、半導体基板10に形成されるポテンシャルを示す。半導体装置1がCCD装置である場合において、ポテンシャルのばらつきが生じると、CCD装置の特性がばらつき、歩留まりがばらつく問題がある。本実施例では、ポテンシャルを形成する工程において、グレーディングレジスト膜厚とイオン注入の加速電圧を調整することにより、ポテンシャルのばらつきを抑制する技術を提供する。図2から図6を参照して、本実施例の半導体装置の製造工程について説明する。図2に示すように、まず、半導体基板10上にレジスト層20を形成する。次に、図3に示すように、グレーティングマスクを用いて、レジスト層20を露光する。次いで、露光されたレジスト層20を現像し、勾配を有するレジストマスク21を形成する。グレーティングマスクには、複数の開口部が形成され、開口部の密度により光透過率を制御する。次に、図4に示すように、レジストマスク21を介して、半導体基板10にイオン注入し、不純物領域11を形成する。次いで、図5に示すようにレジストマスク21を除去する。本実施例では、イオン注入の加速電圧を520keV以上とする。次に、転送電極を形成することにより、図1に示す半導体装置が形成される、図6は、イオン注入の加速電圧とレジストマスク膜厚とポテンシャルの関係を示す模式図である。図6において、横軸は、図4におけるイオン注入時の、レジストマスクの膜厚を示す。縦軸は、図5において形成されるポテンシャルの大きさを示す。図6には、イオン注入の加速電圧を320keVとした場合と、520keVとした場合とを示す。図6に示すように、イオン注入の加速電圧を320keVとした場合には、レジストマスク膜厚に対するポテンシャルの勾配が急峻である。つまり、レジストマスク膜厚にわずかなばらつきが発生した場合、形成されるポテンシャルは大きくばらつくことが分かる。一方、イオン注入の加速電圧を520keVとした場合には、レジストマスク膜厚に対するポテンシャルの勾配が緩やかとなる。つまり、レジストマスク膜厚にばらつきが発生した場合でも、形成されるポテンシャルは影響を受けにくくなる。このように、本実施例では、520keV以上の加速電圧でイオン注入を行い、所望のポテンシャルとなるレジストマスク膜厚を用いる。つまり、レジストマスク膜厚は、イオン注入の加速電圧に応じた膜厚とする。図7に、レジストマスク膜厚とイオン注入の加速電圧の膜厚との関係を示す。図7に示すように、従来技術のように低加速の電圧を用いる場合には、レジストマスク膜厚は薄く形成されるが、本実施例のように高加速の電圧を用いる場合には、レジストマスク膜厚は、従来より厚く形成される。以上のように、本実施例では、イオン注入時の加速電圧を520keV以上とすることで、グレーティング技術によりポテンシャルを形成する場合に、ばらつきの小さいポテンシャルを形成することが可能となる。