サファイア単結晶からなり、その面を結晶成長面としてサファイア単結晶を成長させるためのサファイアシードの製造方法であって、前記サファイアシードの側面が、{1100}面±10°以内の結晶面となり、かつ前記サファイアシードの形状が、六角柱形状または三角柱形状を含むように加工されたサファイアシードを用意する工程と、該サファイアシードに対して所定の熱処理を施す工程と、を具えることを特徴とするサファイアシードの製造方法。前記熱処理は、1400~1800°Cの範囲の第1熱処理を含む請求項1に記載の結晶成長用サファイアシードの製造方法。前記熱処理は、前記第1熱処理と、1000~1200°Cの範囲の第2熱処理とからなる2段熱処理を含む請求項2に記載の結晶成長用サファイアシードの製造方法。前記熱処理は、前記2段熱処理を複数回含む請求項3に記載の結晶成長用サファイアシードの製造方法。前記熱処理は、前記第1熱処理を30分以上行う請求項2、3または4に記載の結晶成長用サファイアシードの製造方法。前記熱処理は、前記第2熱処理を10分以上行う請求項3または4に記載の結晶成長用サファイアシードの製造方法。サファイア単結晶からなり、その面を結晶成長面としてサファイア単結晶を成長させるためのサファイアシードであって、該サファイアシードの側面が、{1-100}面±10°以内の結晶面であり、かつ前記結晶成長用サファイアシードの形状が、六角柱形状または三角柱形状を含み、結晶成長面の転位密度が103/cm2以下であることを特徴とするサファイアシード。前記サファイアシードは、結晶成長面のサイズが5~12mmの範囲である請求項7に記載のサファイアシード。サファイア単結晶の製造方法であって、サファイア単結晶からなるサファイアシードであって、その側面が、{1100}面±10°以内の結晶面となり、かつ、その形状が、六角柱形状または三角柱形状を含むように加工されたサファイアシードに対して、所定の熱処理を施す工程と、サファイア単結晶を成長させるための原料をルツボ内に充填し、加熱融解させることにより原料融液を形成する工程と、熱処理後の前記サファイアシードを前記原料融液に接触させる工程と、該サファイアシードを上方に引き上げながら、該サファイアシードの面にサファイア単結晶を成長させる工程と、を具えるサファイア単結晶の製造方法。前記熱処理は、前記サファイアシードを前記原料融液の上方に配置して行う請求項9に記載のサファイア単結晶の製造方法。前記熱処理は、サファイアシード先端の温度が1400~1800°Cの範囲となる原料融液上方の第1位置での第1熱処理を含む請求項10に記載のサファイア単結晶の製造方法。前記熱処理は、前記第1熱処理と、サファイアシード先端の温度が1000~1200°Cの範囲となる原料融液上方の第2位置での第2熱処理とからなる2段熱処理を含む請求項11に記載のサファイア単結晶の製造方法。前記熱処理は、前記2段熱処理を複数回含む請求項12に記載のサファイア単結晶の製造方法。前記熱処理は、前記第1熱処理を30分以上行うことを含む請求項11、12または13に記載のサファイア単結晶の製造方法。前記熱処理は、前記第2熱処理を10分以上行うことを含む請求項12または13に記載のサファイア単結晶の製造方法。本発明の目的は、上記問題を解決し、転位密度を低減した結晶成長用のサファイアシードとその製造方法を提供することにある。また、本発明の目的は、上記問題を解決し、高品位のサファイア単結晶を成長させることが可能なサファイア単結晶の製造方法を提供することにある。本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、サファイア単結晶からなり、その面を結晶成長面としてサファイア単結晶を成長させるためのサファイアシードに、所定の熱処理を施すことにより、c軸に平行な転位密度を低減できることがわかった。また、結晶成長用のサファイアシードの形状を六角柱形状または三角柱形状を含むものとし、この側面を{1100}面に対し±所定の範囲内となるようにすることにより、サファイアシードの結晶成長面の転位密度を低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、上記の知見に立脚するもので、その要旨構成は以下の通りである。1サファイア単結晶からなり、その面を結晶成長面としてサファイア単結晶を成長させるためのサファイアシードの製造方法であって、前記サファイアシードの側面が、{1100}面±10°以内の結晶面となり、かつ前記サファイアシードの形状が、六角柱形状または三角柱形状を含むように加工されたサファイアシードを用意する工程と、該サファイアシードに対して所定の熱処理を施す工程と、を具えることを特徴とするサファイアシードの製造方法。2前記熱処理は、1400~1800°Cの範囲の第1熱処理を含む上記1に記載の結晶成長用サファイアシードの製造方法。3前記熱処理は、前記第1熱処理と、1000~1200°Cの範囲の第2熱処理とからなる2段熱処理を含む上記2に記載の結晶成長用サファイアシードの製造方法。4前記熱処理は、前記2段熱処理を複数回含む上記3に記載の結晶成長用サファイアシードの製造方法。5前記熱処理は、前記第1熱処理を30分以上行う上記2、3または4に記載の結晶成長用サファイアシードの製造方法。6前記熱処理は、前記第2熱処理を10分以上行う上記3または4に記載の結晶成長用サファイアシードの製造方法。7サファイア単結晶からなり、その面を結晶成長面としてサファイア単結晶を成長させるためのサファイアシードであって、該サファイアシードの側面が、{1-100}面±10°以内の結晶面であり、かつ前記結晶成長用サファイアシードの形状が、六角柱形状または三角柱形状を含み、結晶成長面の転位密度が103/cm2以下であることを特徴とするサファイアシード。8前記サファイアシードは、結晶成長面のサイズが5~12mmの範囲である上記7に記載のサファイアシード。9サファイア単結晶の製造方法であって、サファイア単結晶からなるサファイアシードであって、その側面が、{1100}面±10°以内の結晶面となり、かつ、その形状が、六角柱形状または三角柱形状を含むように加工されたサファイアシードに対して、所定の熱処理を施す工程と、サファイア単結晶を成長させるための原料をルツボ内に充填し、加熱融解させることにより原料融液を形成する工程と、熱処理後の前記サファイアシードを前記原料融液に接触させる工程と、該サファイアシードを上方に引き上げながら、該サファイアシードの面にサファイア単結晶を成長させる工程と、を具えるサファイア単結晶の製造方法。10前記熱処理は、前記サファイアシードを前記原料融液の上方に配置して行う上記9に記載のサファイア単結晶の製造方法。11前記熱処理は、サファイアシード先端の温度が1400~1800°Cの範囲となる原料融液上方の第1位置での第1熱処理を含む上記10に記載のサファイア単結晶の製造方法。12前記熱処理は、前記第1熱処理と、サファイアシード先端の温度が1000~1200°Cの範囲となる原料融液上方の第2位置での第2熱処理とからなる2段熱処理を含む上記11に記載のサファイア単結晶の製造方法。13前記熱処理は、前記2段熱処理を複数回含む上記12に記載のサファイア単結晶の製造方法。14前記熱処理は、前記第1熱処理を30分以上行うことを含む上記11、12または13に記載のサファイア単結晶の製造方法。15前記熱処理は、前記第2熱処理を10分以上行うことを含む上記12または13に記載のサファイア単結晶の製造方法。本発明によれば、面を結晶成長面とする結晶成長用のサファイアシードの側面を、{1-100}面±所定範囲内の結晶面とし、かつサファイアシードの形状を、六角柱形状または三角柱形状を含むようにし、このサファイアシードに所定の熱処理を施す。そのため、結晶成長面の転位密度を所定値以下とするサファイアシードを得ることができる。さらに、このサファイアシードを用いて、その0001面上に、低転位密度または無転位である高品位のサファイア単結晶を成長させることができる。サファイアシードの製造方法本発明のサファイアシードの製造方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。本発明に従うサファイアシードの製造方法は、サファイア単結晶からなり、その面を結晶成長面としてサファイア単結晶を成長させるためのサファイアシードの製造方法であって、サファイアシードの側面が、{1100}面±10°以内の結晶面となり、かつサファイアシードの形状が、六角柱形状または三角柱形状を含むように加工されたサファイアシードを用意する工程と、このサファイアシードに対して所定の熱処理を施す工程と、を具えることを特徴とし、かかる工程を有することにより、結晶成長面の転位密度を低減したサファイアシードを製造することができるものである。図1は、サファイア単結晶の単位格子を示したものである。サファイア単結晶は、正確には菱面体晶系の結晶構造を有するが、図1に示すように、六方晶系で近似して表すことができる。本発明で製造するサファイアシードは、サファイア単結晶からなるものである。通常、サファイア単結晶のインゴットから例えばGaN成膜用のウェーハを切り出す場合、ウェーハの主面がサファイア単結晶の面となるように切り出すことが一般的である。材料をなるべく無駄にしないためには、c軸方向に結晶を育成して略円柱状のインゴットを得るとともに、このインゴットをc軸方向インゴットの軸方向に対して垂直に切断することが望ましい。したがって、サファイアシードの結晶成長面は面とする。なお、結晶成長面が0001面であることは、結晶の成長軸方向を0001としたことと同義である。すなわち、シード結晶の軸方位が0001である、つまり0001面に垂直であれば、シードの先端の形状に依らず、シードに単結晶として繋がる結晶の軸方位は0001となり、マクロでみれば0001面で成長していることになる。図2および図2は、それぞれサファイアシードの形状が六角柱形状または三角柱形状の場合のサファイアシードの模式的断面図を示したものである。図2または図2にそれぞれ示されるように、サファイアシードの6つまたは3つの側面の全てが、{1100}面±10°以内の結晶面となり、かつサファイアシードの形状が、六角柱形状または三角柱形状となるように、サファイアシードを加工する。この加工は、X線回折法により方位を計測し、例えばダイヤモンドブレード等を用いて行うことができる。なお、サファイアシードの側面が、{1100}面±10°以内とは、図3に破線および一点鎖線で示されるように、サファイアシードの側面が、{1100}面である実線からc軸を回転中心として±10°以内だけ回転させたときの結晶面を含めることを意味する。本発明では、上記のように加工されたサファイアシードを用意し、このサファイアシードに対して所定の熱処理を施す。この熱処理工程は、空気、酸素、アルゴン、ヘリウムHeおよび窒素等の雰囲気中で行うことができる。本発明は理論に縛られるものではないが、以下のような作用により転位密度を減少させることができると考えられる。サファイアシード中の転位は、面の<1100>方向で最も安定している。また、シードの表面近傍では、転位に大きな鏡像力が作用するため、転位には、シードの表面に垂直になろうとする大きな力が働いている。上述したように、サファイアシードの側面を、{1100}面に対し、c軸を回転中心として±10°以内の結晶面となるよう形成したことにより、転位の安定な方向と鏡像力の作用の方向を一致させることができる。また、サファイア単結晶を高温に保持すると、点欠陥が転位の周囲のひずみ場により集められて上昇運動し、転位の形状が変わることが知られている。また、温度勾配による熱応力により、転位がすべり運動をすることも知られている。このため、サファイアシードに熱処理を施すことにより、シードの表面に露出している転位は、鏡像力と上昇運動あるいはすべり運動とにより、シードの表面に対して垂直になる。転位には短くなる力が働くので、転位が動ける温度では、表面近傍の垂直な成分が次第に長くなる。その結果、軸に平行な転位の密度を下げることができるものと考えられる。熱処理は、1400~1800°Cの範囲の第1熱処理高温熱処理を含むのが好ましい。第1熱処理が1400°C未満だと、転位の上昇運動が十分に起きず、転位の形状の変化が不充分となるおそれがあり、第1熱処理が1800°Cを超えると、転位のすべり運動により転位が増殖し、転位密度が増加するおそれがあるためである。熱処理は、上記第1熱処理と、この第1熱処理の後に行う、1000~1200°Cの範囲の第2熱処理低温熱処理とからなる2段熱処理を含むのが好ましい。高温熱処理により点欠陥を大量に発生させ、その後の低温熱処理により点欠陥を過飽和にし、過飽和な点欠陥により転位を動かすためである。そして、第2熱処理が1000°C未満だと、点欠陥の拡散が遅くなるおそれがあり、第2熱処理が1200°Cを超えると、点欠陥の過飽和度が小さくなるおそれがあるため、1000~1200°Cの範囲が好ましい。熱処理は、高温熱処理とその後の低温熱処理とからなる2段熱処理を複数回含むのが好ましい。2段熱処理を複数回行うことにより、点欠陥の過飽和度を上げて転位の上昇運動を促進するという効果が得られるためである。熱処理は、転位の上昇運動やすべり運動により転位がシード表面と垂直となる部分を長くするため、第1熱処理を30分以上行うのが好ましい。この処理時間は、熱処理の温度が高い程短くすることができる。熱処理は、シードの温度を所定の温度まで十分に下げるため、第2熱処理を10分以上行うのが好ましい。この処理時間は、熱処理の温度が高い程短くすることができる。サファイアシード本発明のサファイアシードの実施形態について説明する。本発明に従うサファイアシードは、サファイア単結晶からなり、その面を結晶成長面としてサファイア単結晶を成長させるためのサファイアシードであって、このサファイアシードの側面が、{1-100}面±10°以内の結晶面であり、かつ結晶成長用サファイアシードの形状が、六角柱形状または三角柱形状を含み、結晶成長面の転位密度が103/cm2以下であることを特徴とし、かかる構成を有することにより、サファイアシードの結晶成長面上に、低転位密度または無転位である高品位のサファイア単結晶を成長させることができるものである。このサファイアシードは、既述のような製造方法により得ることができるものである。サファイアシードは、結晶成長面のサイズが5~12mmの範囲であることが好ましい。ここで、結晶成長面のサイズとは、サファイアシードの形状が六角柱形状である場合には、六角形に外接する円の直径のことをいい、三角柱形状である場合には、三角形に外接する円の直径のことをいう。結晶成長面のサイズが5mm未満だと、シーディング工程で、融液のわずかな温度変動によりシードが溶けるおそれがあり、一方、結晶成長面のサイズが12mmを超えると、シードの先端に垂直に存在する転位数が多くなり、転位を低減できないおそれがあるためである。サファイア単結晶の製造方法本発明のサファイア単結晶の製造方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。本発明に従うサファイア単結晶の製造方法は、図4に示すように、サファイア単結晶を成長させるための原料をルツボ1内に充填し、加熱融解させることにより原料融液2を形成する工程と、原料融液2にサファイアシード3を接触させる工程と、このサファイアシード3を上方に引き上げながら、サファイアシードの結晶成長面にサファイア単結晶4を成長させる工程とを具える。そして、本発明で用いるサファイアシード3は、サファイア単結晶からなり、その側面が{1100}面±10°以内の結晶面となり、かつ、その形状が六角柱形状または三角柱形状を含むように加工され、所定の熱処理を施したものである。以下、サファイアシードを熱処理することをシード加熱工程という。この熱処理を施したサファイアシード3の0001面を原料融液2に接触させる。本発明では、かかる工程を有することにより、サファイアシードの0001面上に、低転位または無転位である高品位のサファイア単結晶を成長させることができる。シード加熱工程は、サファイアシードを原料融液2の上方に配置して行うことを含むのが好ましい。これにより、原料融液からの熱を利用して、適切な温度でサファイアシードを加熱することができ、その後連続してサファイア単結晶の成長が行えるため、プロセスが簡易である。サファイアシードに対して施す熱処理の好ましい態様は、記述のとおりである。すなわち、シード加熱工程は、サファイアシード先端の温度が1400~1800°Cの範囲となる原料融液上方の第1位置での第1熱処理を含むのが好ましい。また、シード加熱工程は、第1熱処理と、この第1熱処理の後に行う、サファイアシード先端の温度が1000~1200°Cの範囲となる原料融液上方の第2位置での第2熱処理とからなる2段熱処理を含むのが好ましい。なお、ここでサファイアシード先端とは、サファイアシードのうち最も原料融液に近い側の端部を意味する。さらに、シード加熱工程は、この2段熱処理を複数回含むのが好ましい。これは、サファイアシード3を原料融液2上方で上下させて行う。そして、シード加熱工程は、第1熱処理を30分以上、第2熱処理を10分以上行うのが好ましい。このようなシード加熱工程を経ることにより、サファイアシードの結晶成長面の転位密度を103/cm2以下とすることができる。また、本発明に用いるサファイアシードの形状は、全体を六角柱形状または三角柱形状とする場合の他、先端形状を六角錐とした六角柱や、先端形状を三角錐とした三角柱とすることもできる。特に、先端を角錐形状とした場合、着液時の熱ショックによる転位の導入を効果的に防止することができる。上述したところは、本発明の実施形態の一例を示したものであって、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。<第1の実験例>実施例1サファイア単結晶から、側面が{1-100}面である六角柱のサファイアシードを作製した。シードの表面は、研磨およびエッチングにより仕上げ処理を行った。このサファイアシードに対して、空気中で1500°C、20分の熱処理を施し、サファイア単結晶シードを作製した。上記サファイア単結晶シードを用い、面を結晶成長面として、CZ法により、サファイア単結晶を成長させて、インゴットを作製した。実施例2熱処理の時間を30分としたこと以外は、実施例1と同様の方法によりサファイア単結晶シードを作製し、サファイア単結晶を成長させた。実施例3熱処理の時間を60分としたこと以外は、実施例1と同様の方法によりサファイア単結晶シードを作製し、サファイア単結晶を成長させた。実施例4熱処理の時間を120分としたこと以外は、実施例1と同様の方法によりサファイア単結晶シードを作製し、サファイア単結晶を成長させた。実施例5熱処理を、1500°C、30分の高温熱処理と、それに続く1200°C、10分の低温熱処理としたこと以外は、実施例1と同様の方法によりサファイア単結晶シードを作製し、サファイア単結晶を成長させた。実施例6熱処理を、1500°C、30分の高温熱処理と、それに続く1200°C、10分の低温熱処理とを2回繰り返したこと以外は、実施例1と同様の方法によりサファイア単結晶シードを作製し、サファイア単結晶を成長させた。比較例1サファイア単結晶から、面を結晶成長面とし、側面が任意の面である四角柱のサファイアシードを作製したこと以外は、実施例1と同様の方法によりサファイア単結晶シードを作製し、サファイア単結晶を成長させた。比較例2サファイア単結晶から、面を結晶成長面とし、側面が{1-100}面に対し、c軸を回転中心として15°ずれた面としたこと以外は、実施例1と同様の方法によりサファイア単結晶シードを作製し、サファイア単結晶を成長させた。比較例3サファイア単結晶から、面を結晶成長面とし、側面が任意の面である四角柱のサファイアシードを作製したこと以外は、実施例6と同様の方法によりサファイア単結晶シードを作製し、サファイア単結晶を成長させた。比較例4サファイア単結晶から、面を結晶成長面とし、側面が{1-100}面に対し、c軸を回転中心として15°ずれた面としたこと以外は、実施例6と同様の方法によりサファイア単結晶シードを作製し、サファイア単結晶を成長させた。評価上記実施例1~6および比較例1~4の成長したサファイア単結晶について、成長方向に垂直に約1mmの厚さにスライスして表面を研磨し、非対称反射X線トポグラフ法により基板表面近傍の転位を観察し、転位密度を測定した。具体的には、X線トポグラフ像において転位は線状に見えるため、転位線の長さを測定する。転位密度は、単位体積あたりの転位線の長さcm/cm3=cm-2として定義される。測定結果を表1に示す。表1から、本発明に従う製造方法により得たサファイア単結晶シードを用いて単結晶サファイアの成長を行った実施例1~6は、比較例1~4と比較して、単結晶サファイア中の転位密度が小さく、高品位のサファイア単結晶が得られていることがわかる。<第2の実験例>実施例1サファイア単結晶から、側面が{1-100}面である六角柱のサファイアシードを作製した。シードの表面は、研磨およびエッチングにより仕上げ処理を行った。直径200mmのMoからなるルツボに、アルミナを装填し、融点以上に温度を上げて、原料融液を作製した。上記サファイアシードを原料融液上350mmの位置に1時間保持し、第1熱処理を行った。その後、シードの温度を融液温度に近づける目的で、融液直上の位置まで静かに下ろして30分間保持した。その後、サファイアシードの面を原料融液に着液し、肩広げを行い、直径100mm、長さ200mmのサファイア単結晶を成長させて、インゴットを作製した。実施例2実施例1と同様のサファイアシードを、アルミナ原料が溶解するまでは、先端の温度が1200°C以下となる位置に保持した。原料溶解後に、原料融液上350mmの位置に30分保持し、第1熱処理を行った。その後、600mmの位置温度:1200°Cまで上昇させて、10分間保持し、第2熱処理を行った。再度、融液上350mmの位置温度:1800°Cで30分保持し、第1熱処理を行った。その後、シードの温度を融液温度に近づける目的で、融液直上の位置まで静かに下ろして30分間保持した。これ以外の点は、実施例1と同様の方法によりサファイア単結晶を成長させた。比較例1サファイア単結晶から、面を結晶成長面とし、側面が任意の面である四角柱のサファイアシードを作製したこと以外は、実施例1と同様の方法によりサファイアシードを作製し、サファイア単結晶を成長させた。比較例2サファイア単結晶から、面を結晶成長面とし、側面が{1-100}面に対し、c軸を回転中心として15°ずれた面としたこと以外は、実施例1と同様の方法によりサファイアシードを作製し、サファイア単結晶を成長させた。比較例3サファイア単結晶から、面を結晶成長面とし、側面が任意の面である四角柱のサファイアシードを作製したこと以外は、実施例2と同様の方法によりサファイアシードを作製し、サファイア単結晶を成長させた。比較例4サファイア単結晶から、面を結晶成長面とし、側面が{1-100}面に対し、c軸を回転中心として15°ずれた面としたこと以外は、実施例2と同様の方法によりサファイアシードを作製し、サファイア単結晶を成長させた。評価上記実施例1~2および比較例1~4の成長したサファイア単結晶について、成長方向に垂直に約1mmの厚さにスライスして表面を研磨し、非対称反射X線トポグラフ法により基板表面近傍の転位を観察し、転位密度を測定した。測定結果を表2に示す。表2から、本発明に従って単結晶サファイアの成長を行った実施例1~2は、比較例1~4と比較して、単結晶サファイア中の転位密度が小さく、高品位のサファイア単結晶が得られていることがわかる。