"シリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法において、前記方法が、前記シリカ系スートまたは前記シリカ系スートでつくられた物品を以下の化合物、iキャリアガス内のCOとCl2の混合気であって、前記混合気内のCOとCl2の総濃度が体積で10より高く、CO:Cl2の比が025と5の間であるような、COとCl2の混合気、及びiiCCl4濃度が体積で1より高いような、キャリアガス内のCCl4、の内の少なくとも一方で処理する工程、を含むことを特徴とするシリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法。CO:Cl2の比が05と2の間であることを特徴とする請求項1に記載のシリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法。前記COとCl2の混合気による処理が900°Cと1200°Cの間で実施されることを特徴とする請求項1または2に記載のシリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法。前記CCl4による処理が600°Cと850°Cの間で実施されることを特徴とする請求項1に記載のシリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法。前記COとCl2の混合気による処理が少なくとも100分間実施されることを特徴とする請求項2または3に記載のシリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法。前記CO/Cl2混合気による処理時間が拡散時間及び反応時間に対して少なくとも、であり、前記拡散時間がスート層厚L単位:cm及び多孔質スートプリフォームまたはばらのシリカスートを通る前記CO/Cl2混合気の拡散速度D実効単位:cm2秒の関数であって、であり、前記反応時間が、である、式中、xCl2はであり、yCl2及びyCOはそれぞれ、塩素及び一酸化炭素の分圧である、ことを特徴とする請求項2または3に記載のシリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法。前記CCl4による処理時間が拡散時間及び反応時間に対して少なくとも、であり、前記拡散時間がスート層厚L単位:cm及び多孔質スートプリフォームを通る前記CCl4の拡散速度D実効CCl4単位:cm2秒の関数であって、であり、前記反応時間が、で与えられることを特徴とする請求項4に記載のシリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法。前記CCl4による処理時間が少なくとも20分であることを特徴とする請求項4に記載のシリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法。シリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法において、前記方法が、前記シリカ系スートまたは前記シリカ系スートでつくられた物品を、iCCl4濃度が体積で1より高いような、キャリアガス内のCCl4、及びiiCOとCl2の混合気であって、前記混合気内のCOとCl2の総濃度が体積で10より高く、CO:Cl2の比が025と5の間であるような、COとCl2の混合気、によって処理する工程、を含み、前記CCl4による処理が前記COとCl2の混合気による処理の前または後に実施される、ことを特徴とするシリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法。i前記CCl4による処理が600°Cと850°Cの間の温度で少なくとも2分間実施され、ii前記COとCl2の混合気による処理が900°Cと1200°Cの間の温度で少なくとも5分間実施されることを特徴とする請求項9に記載のシリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法。しかし、いくつかのプロセス例えばスートのプレス処理については、粒子不純物は粒径がより大きくなり得るし、かなりの濃度で存在し得るから、Cl2による標準処理を用いてそれらを除去することが困難になる。本明細書に挙げられるいずれの参考文献も従来技術を構成するとは認めていない。出願人は挙げられるいずれの文献についてもその正確さ及び適切さに疑問をもつ権利を明白に保持する。本開示の一実施形態はシリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法に関し、本方法は、シリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品を以下の化合物、i混合気内のCOとCl2の総濃度が体積で10より高く、CO:Cl2の比が025と5の間であるような、キャリアガス内のCOとCl2の混合気、及びiiCCl4の濃度が体積で1より高いような、キャリアガス内のCCl4、の内の少なくとも一方で処理する工程を含む。CCl4による処理は、600°Cと850°Cの間の温度で実施されることが好ましい。CO/Cl2混合気による処理は、900°Cと1200°Cの間の温度で実施されることが好ましい。CCl4による処理は、少なくとも20分間行われることが好ましく、少なくとも50分間行われることがさらに好ましい。CO/Cl2混合気による処理は、少なくとも30分間行われることが好ましく、少なくとも100分間行われることがさらに好ましい。本開示の別の実施形態はシリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法に関し、本方法は、シリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品を、iCCl4濃度が体積で1より高いような、キャリアガス内のCCl4、及びii混合気内のCOとCl2の総濃度が体積で10より高く、CO:Cl2の比が025と5の間であるような、キャリアガス内のCOとCl2の混合気、で処理する工程、を含み、CCl4による処理はCO/Cl2混合気による処理の前、または後に、実施される。CCl4による処理は、600°Cと850°Cの間の温度で実施されることが好ましく、CO/Cl2混合気による処理は、900°Cと1200°Cの間の温度で実施されることが好ましい。本明細書に開示される方法にはシリカ系スート及びシリカ系スート物品例えば光学スートプリフォームから耐火物粒子を除去できるという利点がある。本明細書に説明される方法の別の利点は、シリカ系スートプリフォームの処理が、望ましくない耐火物粒子の濃度を下げ、及び/または存在する耐火物粒子を除去し、この結果ファイバ破断の源としてのそのような粒子を除去できることである。本明細書に開示される方法の別の利点は、シリカ系スートプリフォームの処理後、大粒径粒子が低減され、よってそのような粒子はもはやファイバ破断源ではないことである。例えば、1μm、2μmまたは5μmのCr2O3粒子及び/またはZrO2粒子は、あるいは10μmのCr2O3粒子及び/またはZrO2粒子でさえも、粒径が02μmまたは01μmに減じられ、あるいはさらに小さくされる。さらなる特徴及び利点は以下の詳細な説明に述べられ、当業者にはその説明から容易に明らかであろうし、記述及び添付される特許請求の範囲に、また添付図面にも、説明されるように実施形態を実施することによって認められるであろう。上述の全般的説明及び以下の詳細な説明は例示に過ぎず、特許請求項の本質及び特質を理解するための概要または枠組みの提供が目的とされていることは当然である。添付図面はさらに深い理解を提供するために含められ、本明細書に組み込まれて本明細書の一部をなす。図面は1つ以上の実施形態を示し、記述とともに、様々な実施形態の原理及び動作の説明に役立つ。以下の例によって様々な実施形態がさらに明解に説明される。本開示の一実施形態はシリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品のクリーニング方法に関する。この実施形態にしたがえば、本方法は、シリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品を以下の化合物、i混合気内のCOとCl2の総濃度が体積で10より高く、CO:Cl2の比が025と5の間であるような、キャリアガス内のCOとCl2の混合気、及びiiキャリアガス内のCCl4の濃度が体積で1より高いような、キャリアガス内のCCl4、の内の少なくとも一方で処理する工程を含む。例えば、キャリアガス内のCCl4濃度は、15体積、2体積、3体積、5体積、10体積、15体積、20体積、25体積、30体積、35体積または40体積とすることができる。CCl4による処理は600°Cと850°Cの間の温度で実施されることが好ましい。CO/Cl2混合気による処理は、好ましくは900°Cと1200°Cの間、さらに好ましくは1000°Cと1200°Cの間、さらに一層好ましくは1100°Cと1200°Cの間の温度例えば、1050°C、1075°C、1100°C、1125°C、1150°C、1175°Cまたは1190°Cで実施される。キャリアガスは、例えば、He,Ar,N2,またはこれらの組合せとすることができる。CCl4による処理は、少なくとも2分間行われることが好ましく、少なくとも5分間行われることがさらに好ましく、少なくとも10分間または20分間、例えば少なくとも50分間行われることが一層好ましい。CO/Cl2混合気による処理は、少なくとも5分間行われることが好ましく、少なくとも20分間または30分間行われることがさらに好ましく、少なくとも100分間行われることが一層好ましい。Cl2に対するCOの比は05と2の間であることが好ましく、075と1.5の間であることがさらに好ましい。本開示の一実施形態にしたがえば、シリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品をクリーニングする方法は、シリカ系スートまたはシリカ系スートでつくられた物品を、iCCl4濃度が体積で1より高いような、キャリアガス内のCCl4、及びii混合気内のCOとCl2の総濃度が体積で10より高く、CO:Cl2の比が025と5の間であるような、キャリアガス内のCOとCl2の混合気、で処理する工程、を含み、CCl4による処理はCO/Cl2混合気による処理の前、または後に、実施される。CCl4による処理は600°Cと850°Cの間の温度で実施されることが好ましく、CO/Cl2混合気による処理は、900°Cと1200°Cの間の温度例えば、950°C、975°C、1000°C、1025°C、1050°C、1075°C、1100°C、1125°C、1150°C、1175°C、1190°Cで実施されることが好ましい。CCl4による処理は少なくとも2分間行われることが好ましく、CO/Cl2混合気による処理は少なくとも5分間行われることが好ましい。図1は、異なる3つの塩素濃度におけるCl2はCO無しで単独で用いた、1100°Cの処理温度でのCr2O3粒径の減少を示す。Cr2O3粒子の初期粒径は025μmであった。これらの3つの例において、キャリアガス内のCl2濃度はそれぞれ、光学プリフォームの処理時に一般に用いられるCl2濃度より高い、5、10及び25とした。図1は、高濃度約10の塩素が高温約1100°Cで用いられた場合であってさえ、初期Cr2O3粒径が比較的小さく約025μmとも、Cr2O3粒子の除去に必要な時間が比較的長いことを示す。例えば、図1は、10のCl2濃度において、025μmCr2O3粒子を除去するに必要な処理時間がほぼ5時間300分であることを示す。Cl2濃度が25である場合でさえ、025μmCr2O3粒子を除去するに必要な処理時間はほぼ2時間である。図2に示されるように、一酸化炭素と塩素の混合気が用いられると、スート処理時間は劇的に短縮される。例えば、図2はキャリアガス内で10のCl2に10のCOを加えた結果、処理時間が10分の1に図1に示されるような約300分が約30分に短縮されることを示す。図2のCr2O3粒子の初期粒径は図1のCr2O3粒子の初期粒径と同じ約025μmであり、処理温度も同じ約1100°Cである。図2は一酸化炭素に対する塩素の比が1:1のときに最短処理時間が達成されることを示す。Cl2濃度が例えば、約15015気圧1520×104Pa、2002気圧2027×104Pa、25025気圧2533×104Paに高められた場合、CO濃度が対応して高められると、Cr2O3粒子を含有するスートの処理時間はさらに一層短縮され得ることに注意されたい。CO及びCl2のそれぞれの濃度が10のCO/Cl2混合気でシリカスートが処理される場合の、様々な温度における粒径減少率が図3に示される。例えば、処理粒子処理温度が900°Cの場合には、Cr2O3のような金属酸化物粒子の除去のための処理時間は、初期粒径が約025μmであれば、約140分~150分である。処理温度が1100°Cの場合は、Cr2O3のような金属酸化物粒子の除去のための処理時間は初期粒径が約025μmであれば約30~150分である。すなわち、CO/Cl2混合気を用いる場合にシリカスート処理時間を短縮するためには、900°Cより高く、さらに好ましくは1000°Cより高く、さらに一層好ましくは1100°Cより高い、温度例えば、1125°C、1150°C、1175°C、1190°Cにおいて反応させることが有利である。しかし、1200°Cより高い温度においては、CO/Cl2混合気によるシリカスートのかなりのエッチング及びスートプリフォームのいくらかの焼結がおこり得る。したがって、最高温度は1200°Cより高くはないことが好ましい。様々な初期粒径に対する粒径減少率が図4Aに示される。発明者等は、スートプリフォーム内に存在するCr2O3粒子が後にファイバ破断をおこさせ得るに十分に大きい場合に、最大粒径に基づいて処理時間を適切に選ぶ必要があることを見いだした。例えば、直径が2μmまでのCr2O3粒子をシリカスートが含有することがわかれば、処理温度が1100°CであればCO/Cl2混合気キャリアガス内の体積で10/10による処理時間は約4~45時間とするべきである。Cr2O3粒子の最大直径が5μmであれば、同じ濃度のCO/Cl2混合気による処理時間は処理時間が1100°Cであれば約10~12時間とするべきである。しかし、そのような処理時間は、CO/Cl2処理中の温度を1150°C~1175°Cに高めれば短縮することができる。Cl2濃度が例えば、約15、20または25に高められ、対応して、CO:Cl2の比が0.5と2の間になるように、CO濃度が高められれば、粒径が大きい例えば直径が1~10μmないしそれ以上Cr2O3粒子を含有するスートに対する処理時間をさらに一層短縮できることに注意されたい。図4Bは、処理温度が1175°Cキャリアガス内の濃度は同じ10体積のCl2及び10体積のCOの場合の、様々な初期粒径に対する粒径減少率を示す。図4Cは処理温度は1175°CであるがCl2及びCOの濃度がそれぞれ30体積03気圧3040×104Paに高められた場合の、様々な初期粒径に対する粒径減少率を示す。図4A~4Cの4本の線が相互に平行であることに注意されたい。すなわち、最大粒径が図4A~4Cに示される最大粒径以外のCr2O3粒子を含有するスートに対して適切な処理時間を決定するに必要なことは、単に、図4A~4Cに示される線に平行な線を、適切な粒径レベルから始めて、引くことである。同様に、スート内に他の金属酸化物が存在する場合、あるいは異なる濃度のCl2及びCOを用いる場合、スート内に存在し、それぞれの除去またはそれぞれの粒径のあるレベルより下までの減少が必要になるに十分に大きい粒径で存在する、特定の組成の金属酸化物粒子について、図4A~4Cと同様のグラフを作成して、適切な処理時間を決定することができる。発明者等は、塩素及び一酸化炭素の濃度が気圧単位でyCl2及びyCOの塩素ガス及び一酸化炭素ガスの混合気によってK単位でTの温度において処理される、粒径がdp断面長または直径:μm単位のCr2O3粒子に対して、処理時間を以下に、すなわち式[1]:に示されるように、拡散時間及び反応時間より長くすべきであることを見いだした。ここで、拡散時間は、スート層厚L単位:cm及び、多孔質スートプリフォームまたはばらのシリカスートを通る、CO/Cl2混合気の拡散速度D実効単位:cm2秒の関数であり、式[2]:として与えられ、反応時間は式3:として与えられる。多孔質スート内のガスの実効拡散速度D実効を見いだす方法は技術上既知である。式[3]において、パラメータxCl2はxCl2=yCl2yCl2yCOとして与えられ、式中、yCl2及びyCOはそれぞれ、塩素及び一酸化炭素の分圧である。いくつかの実施形態にしたがえば、CO/Cl2混合気による処理時間は5分より長く、例えば1分から100時間である。CO/Cl2混合気による処理時間は10分から15ないし20時間であり、例えば、20分、30分、50分、1時間、15時間、2時間、3時間、4時間、6時間、8時間、10時間、12時間またはこれらの間のいずれかの時間である。スート内にZrO2粒子が存在する場合、塩素とCOの混合気によるスートの化学処理はそれほど効果的ではない。すなわち、いくらかのZrO2粒子は上述したようのCO/Cl2混合気による処理中に除去されるかまたは粒径が適切なレベルまで最小化されるであろうが、全てのZrO2粒子の粒径が適切なレベル01μm以下まで減じられることにはならないであろう。しかし、発明者等はCCl4によるZrO2粒子の処理が非常に有効であることを見いだした。発明者等はシリカスート、例えば多孔質シリカスートを含む光学プリフォームのCCl4処理が600°C~850°Cの間の温度において最も有効であることを見いだした。600°Cより低温ではCCl4の反応が緩やかであり、850°Cより高温ではCCl4が分解してシリカマッフル及びシリカスート粒子と反応し、また元素炭素も形成する。様々なCCl4濃度及び温度における、また特定の初期ZrO2粒径に対する、ZrO2粒径減少率が図5~8に示される。さらに詳しくは、図5及び6は、CCl4濃度が高くなるにつれて、また温度が高くなるにつれて、ZrO2粒径の減少が速まることを示す。例えば、図5に示されるように、527°Cの処理温度において、CCl4濃度が10から3001気圧1013×104Paから03気圧3040×104Paに高められると、断面が1μmまでのZrO2粒子の完全な除去は185分ではなく62分で終わる。図6に示されるように、627°Cの処理温度においては、527°Cでの処理より処理がかなり速く進み、CCl4濃度が10から3001気圧から03気圧に高められると、断面が1μmまでのZrO2粒子の完全な除去は35分ではなく15分未満で終わる。図7は、キャリアガス内10体積01気圧のCCl4濃度に対し、様々な温度におけるZrO2粒径初期粒径=1μmの減少を示す。図7に示されるように、温度が527°Cから727°Cに変更されると、処理時間は約185分から約10分に短縮された。図8は、01気圧すなわち、キャリアガス内10体積のCCl4濃度について727°Cにおける様々な初期粒径に対するZrO2粒径初期粒径=1μmの減少を示す。この図は、与えられるスート内に存在する粒子の粒径に対して、処理時間を適切に選ぶ必要があることを示す。例えば、直径が2μmまでのZrO2粒子をシリカスートが含有することがわかり、処理温度が727°Cであれば、CCl4による処理時間は濃度を1001気圧として20分未満である。ZrO2粒子の最大直径が5μmであれば、CCl4による処理時間は濃度を01気圧として約45~50分である。ZrO2粒子の最大直径が10μmであれば、CCl4による処理時間は濃度を10として約90~95分である。しかし、CCl4濃度を高めれば、これらの処理時間を短縮することができる。実験データ石英ガラスマッフルを備えたチューブ炉に2gのシリカスートを入れた。He内236のCCl4流を確立し、炉温を10°C分で950°Cまで上げた。シリカスート試料の下流でガス生成物の赤外線スペクトルを60秒毎にとった。結果は、400°C未満:反応は無く、スートからの水の脱離のみ;400°C~600°C:スートの乾燥/ドーピング;H2OCCl4→2HClCOCl2乾燥;2H2OCCl4→4HClCO2乾燥;SiO2CCl4→COCl2SiOxClyドーピング;600°C~850°C:CCl4のラジカル分解;CCl4→CCl22Cl→C2Cl4Cl2分解及び再結合;850°C以上:SiO2のエッチング、炭化;SiO2CCl4→SiCl4CO2エッチング;CCl4→C4Cl炭化;を示す。このデータは、iCr2O3及びZrO2のエッチング及び気化を最大化するため、及びiiシリカマッフル及びプリフォームのエッチング及び炭化を最小限に抑えるためには、スートのCCl4処理を約800°Cで行うことが好ましいことを示す。炭素がマッフル内にとどまっていれば炭化は深刻な問題にならないであろうが、実験データは、形成される炭素粒子がマッフルから連行されるに十分に小さく、炉の下流のチューブ内壁に堆積すること示し、この炭素粒子堆積は後に保守問題を生じさせ得るであろう。一実験において、1重量のCr2O3平均粒径:2μm、1重量のFe2O3平均粒径:3μm及び1重量のZrO2平均粒径:5μmをドープしたシリカスート87gをプレスして密度が090gcm3のシリカスートペレットにし、He内5のCCl4混合気本実験ではキャリアガスとしてHeを用いたにより800°Cで45分間処理した。処理後のペレットの化学分析は、053重量Cr2O3の、013重量のFe2O3、及び0062重量のZrO2を示した。この実験データは、シリカスート内の、ZrO2粒子の除去、並びにFe2O3粒子及びCr2O3粒子の量及び粒径の低減におけるCCl4の有効性をさらに実証している。発明者等は、四塩化炭素の濃度が気圧単位でyCCl4の四塩化炭素混合気によってK単位でTの温度において処理される、粒径がdp断面長または直径:μm単位のZrO2粒子に対して、処理時間を以下に、すなわち式[4]:に示されるように、拡散時間及び反応時間より長くすべきであることを見いだした。ここで、拡散時間は、スート層厚L単位:cm及び、多孔質スートプリフォームを通る、CCl4の拡散速度D実効CCl4単位:cm2秒の関数であり、式[5]:として与えられ、反応時間は式[6]:として与えられる。いくつかの実施形態にしたがえば、CCl4による処理時間は2分より長く、例えば、5分から100時間である。CCl4による処理時間は10分から15時間であることが好ましく、例えば、20分、30分、50分、1時間、15時間、2時間、3時間、4時間、6時間、8時間、10時間、12時間またはこれらの間のいずれかの時間である。本発明は表1及び2に示される以下の例によってさらに例証される。表1の例1~54は、最大初期粒径が様々なCr2O3粒子を含む6cm厚シリカ系スート層に対する、Cr2O3粒子の粒径がゼロに減じられるすなわち無Cr2O3になるように、塩素と一酸化炭素の様々な組合せの混合気によって様々な処理温度で処理したときの、総処理時間を示す。これらの例に示されるように、拡散時間は反応時間よりかなり短く、総処理時間は反応時間にほとんど等しい。表2の例55~90は、初期粒径が様々なZrO2粒子を含む6cm厚シリカ系スート層に対する、様々な濃度の四塩化炭素によって様々な処理温度で処理したときの、結果としてZrO2粒径が0まで減少する総処理時間を示す。多くのスート体品はこれらの不純物のいずれも含み、したがって、600°Cと850°Cの間のCCl4による処理及び900°Cと1200°Cの間のCOCl2混合気による処理が必要であろう。いくつかの応用において、Cr2O3粒子及びZrO2粒子の完全除去は、それぞれの粒径が臨界粒径以下まで減じられる限り、必要にはならないことにも注意されたい。例えば、ファイバプリフォームにおいては、これらの粒子がファイバ破断の原因になりそうもないように、それぞれの粒径を単に約0.2μm以下または約01μm以下の最大粒径まで減じさせることを決断することができる。そうではないことが明白に言明されない限り、本明細書に述べられるいずれの方法もその工程が特定の順序で実施される必要があると解されることは全く考えていない。したがって、工程がしたがうべき順序を方法特許請求項が実際に挙げていないか、そうではなくとも、工程が特定の順序に限定されるべきであると特許請求項または説明に特に言明されていない場合には、いかなる特定の順序も推定されるとは全く考えていない。本発明の精神及び範囲を逸脱することなく様々な改変及び変形がなされ得ることが当業者には明らかであろう。本発明の精神及び本質を組み込んでいる開示された実施形態の改変、組合せ、サブ組合せ及び変形が当業者には思い浮かび得るから、本発明は添付される特許請求項及びそれらの等価形態の範囲内に全てを含むと解されるべきである。"