"キャビティを含むサブマウントと、前記キャビティの内部に配置される発光素子チップと、前記発光素子チップと電気的に連結される電極と、前記キャビティの表面に形成される反射層と、前記反射層の上の誘電体パターンと、前記キャビティを埋める封入材と、を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。前記誘電体パターンは、前記封入材と屈折率が異なることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記誘電体パターンは、50nm乃至3,000nmの周期を有することを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記誘電体パターンは、酸化物、窒化物、または弗化物のうちの少なくとも1つであることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記反射層の上に第2誘電体層を含み、前記誘電体パターンは前記第2誘電体層の上に形成されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記封入材は蛍光体を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記発光素子チップは、前記発光素子チップの上に均一な厚さを有する蛍光体層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。キャビティを含むサブマウントと、前記キャビティの内部に配置される発光素子チップと、前記発光素子チップと電気的に連結される電極と、前記キャビティの表面に形成される反射層と、前記反射層の上の第2誘電体層と、前記キャビティを埋める封入材と、を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。前記第2誘電体層は、前記封入材と屈折率が異なることを特徴とする、請求項8に記載の発光素子パッケージ。前記第2誘電体層は、酸化物、窒化物、または弗化物のうちの少なくとも1つであることを特徴とする、請求項8に記載の発光素子パッケージ。前記第2誘電体層の上に誘電体パターンをさらに含むことを特徴とする、請求項8に記載の発光素子パッケージ。前記誘電体パターンは、前記封入材と屈折率が異なることを特徴とする、請求項11に記載の発光素子パッケージ。前記誘電体パターンは、50nm乃至3,000nmの周期を有することを特徴とする、請求項11に記載の発光素子パッケージ。前記誘電体パターンは、酸化物、窒化物、または弗化物のうちの少なくとも1つであることを特徴とする、請求項11に記載の発光素子パッケージ。前記封入材は、蛍光体を含むことを特徴とする、請求項8に記載の発光素子パッケージ。前記発光素子チップは、前記発光素子チップの上に均一な厚さを有する蛍光体層を含むことを特徴とする、請求項8に記載の発光素子パッケージ。基板と、前記基板の上に設けられた請求項1または請求項8に記載された発光素子パッケージを備える発光モジュールと、を含むことを特徴とする、照明システム。本発明の目的は、反射率が維持され、かつ光の拡散または回折機能を有する発光素子パッケージ及び照明システムを提供することにある。本発明に従う発光素子パッケージは、キャビティを含むサブマウントと、上記キャビティの内部に配置される発光素子チップと、上記発光素子チップと電気的に連結される電極と、上記キャビティの表面に形成される反射層と、上記反射層の上の誘電体パターンと、上記キャビティを埋める封入材と、を含む。また、本発明に従う発光素子パッケージは、キャビティを含むサブマウントと、上記キャビティの内部に配置される発光素子チップと、上記発光素子チップと電気的に連結される電極と、上記キャビティの表面に形成される反射層と、上記反射層の上の第2誘電体層と、上記キャビティを埋める封入材と、を含むことができる。また、本発明に従う照明システムは、基板と、上記基板の上に設けられた上記発光素子パッケージを具備する発光モジュールと、を含む。以下、本発明の実施形態に従う発光素子パッケージ及び照明システムを添付の図面を参照しつつ説明する。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。実施形態図1は、本発明の第1実施形態に従う発光素子パッケージの断面図である。第1実施形態に従う発光素子パッケージ200は、キャビティCを含むサブマウント210、上記サブマウントの上に形成された発光素子チップ100、上記キャビティの側面に形成された反射層220、上記反射層220の上に形成された誘電体パターン240、及び上記キャビティCを埋める封入材250を含むことができる。上記誘電体パターン240は、上記封入材250と屈折率が異なることがある。例えば、上記誘電体パターン240は、封入材250の屈折率より大きくても小さくてもよく、屈折率の差が大きいほど誘電体パターン240の光の拡散機能が作用するようになり、これによって封入材250と空気との境界面で発生する全反射過程による光の再進入確率を低めて、最終の光抽出効率の向上に寄与できる。例えば、封入材250がシリコンゲルSigelの場合、誘電体パターン240の屈折率は約1.4以下、または約1.4以上の屈折率を有することができるが、これに限定されるのではない。上記誘電体パターン240は、約50nm乃至約3,000nmの周期を有することによって、光の回折または拡散効果を有することができる。上記誘電体パターン240は、酸化物Oxide系列の誘電体、窒化物Nitride系列の誘電体、または弗化物Fluoride系列の誘電体のうち、少なくとも1つでありえるが、これに限定されるのではない。上記封入材250は蛍光体を含むことができるが、必ずこれに限定されるのではない。例えば、青色Blue発光素子、緑色Green発光素子、紫外線UV発光素子などは蛍光体を必要としないが、白色white発光素子の場合には蛍光体を含んだ封入材を形成することができる。一方、蛍光体を必要とする場合に、実施形態はパッケージ工程前にチップ工程で蛍光体層が発光素子チップ100の上に形成できる。例えば、上記発光素子チップ100は、コンフォーマルコーティングconformalcoatingなどにより均一な厚さを有する蛍光体層図示せずを発光素子チップの上に含むことができ、蛍光体層を含んだ状態でパッケージ工程によりサブマウントに付着できる。実施形態で、反射層220と発光素子チップ100との間に、酸化膜、窒化膜などで形成された絶縁層290が介されて上記反射層220と上記発光素子チップ100との間の電気的な短絡を防止することができる。上記絶縁層290は、上記反射層220の高さ以上で形成されることができ、上記誘電体パターン240と上記発光素子チップ100との間にも形成できるが、これに限定されるのではない。図6は、本発明の第2実施形態に従う発光素子パッケージ202の断面図である。第2実施形態は、図5のように反射層の酸化を防止し、誘電体パターンの回折効果を増大させるために、上記反射層220の上に第2誘電体層230を含み、上記誘電体パターン240は、上記第2誘電体層230の上に形成できる。実施形態に従う発光素子パッケージによれば、誘電体パターンを含む反射層がLEDパッケージ内に導入されて、本来の反射層の反射率は維持し、かつ発光された光の拡散機能を有することができる。したがって、封入材Encapsulantと空気との境界面で発生する全反射過程による光の再進入確率を低めて、最終の光抽出効率の向上に寄与できる。以下、図2乃至図5を参照して第1実施形態に従う発光素子パッケージの製造方法を説明する。以下、製造方法の説明はその工程段階の順序が限定されるのでなく、説明される順序と異なるように工程を進行させることができる。まず、図2のようにサブマウント210を用意し、上記サブマウント210を一部除去してキャビティCを形成することができる。上記サブマウント210は、アイソレーション工程が進行できる。上記サブマウント210は、熱膨張係数が発光素子チップ材料の熱膨張係数と類似し、熱伝導度に優れる材質でありうる。例えば、上記サブマウント210は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成できる。例えば、サブマウント210は、シリコンSiで形成できるが、これに限定されるのではなく、サブマウント210にPCBまたは低温同時焼成セラミックLTCCなどが利用できる。次に、図3と上記サブマウント210に第1電極層図示せず及び第2電極層図示せずを形成することができる。上記第1電極層及び第2電極層は、互いに電気的に分離され、上記発光素子チップ100に電源を提供する役割をし、上記発光素子チップ100で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。また、上記サブマウント210の内にツエナーダイオードなどの静電気ESD防止のための素子を含むことができるが、これに限定されるのではない。また、上記第1電極層及び第2電極層は、サブマウント210の下面に形成されることもでき、ビアホールを通じて発光素子チップ100と電気的に連結されることもできる。以後、上記サブマウント210のキャビティの側面に反射層220を形成することができる。上記反射層220は、高反射率のAgまたはAg系列の化合物で塗布して形成できるが、これに限定されるのではない。次に、上記反射層220の上に誘電体パターン240を形成する。例えば、上記誘電体パターン240を形成するために、上記反射層220の上に第1誘電体層図示せずを形成する。以後、上記第1誘電体層を乾式または湿式エッチングして誘電体パターン240が形成できるが、これに限定されるのではない。または、上記誘電体パターン240を形成するために、上記反射層220の上にマスクパターン図示せずを形成し、上記マスクパターンの間の上記反射層220の上に誘電体パターン240を形成し、上記マスクパターンを除去liftoffすることができる。この際、上記誘電体パターン240は、約50nm乃至約3,000nmの周期を有することによって、光の回折または拡散効果を有することができる。また、上記誘電体パターン240は、酸化物Oxide系列の誘電体、窒化物Nitride系列の誘電体、または弗化物Fluoride系列の誘電体のうちの少なくとも1つでありえるが、これに限定されるのではない。実施形態に従う発光素子パッケージ及びその製造方法によれば、誘電体パターン240を含む反射層がLEDパッケージの内に導入されて、本来の反射層の反射率は維持し、かつ発光された光の拡散機能を有することができる。したがって、封入材Encapsulantと空気との境界面で発生する全反射過程による光の再進入確率を低めて、最終の光抽出効率の向上に寄与できる。次に、上記サブマウント210の上に発光素子チップ100を付着する。図4は、本発明の実施形態における発光素子チップ100の拡大例示図である。上記発光素子チップ100は、GaN、GaAs、GaAsP、GaPなどの物質で形成できる。例えば、GaN、InGaN、InGaAlP、AlGaAsなどを使用することができるが、これに限定されるのではない。上記発光素子チップ100は、垂直型発光素子チップでありえるが、これに限定されるのでなく、水平型チップまたはフリップチップも可能である。上記発光素子チップ100は、第2導電型半導体層116、活性層114、及び第1導電型半導体層112を含む発光構造物を含むことができる。以下、図4を参照して実施形態における発光素子チップ100の製造方法を説明する。まず、第1基板図示せずを用意する。上記第1基板は、伝導性基板または絶縁性基板を含み、例えば上記第1基板は、サファイアAl2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、及びGa2O3のうち、少なくとも1つを使用することができる。上記第1基板の上には凹凸構造が形成されることができ、これに対して限定するのではない。上記第1基板に対して湿式洗浄を行って表面のドーパントを除去することができる。以後、上記第1基板の上に第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116を含む発光構造物110を形成することができる。上記第1導電型半導体層112は、第1導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族化合物半導体で具現されることができ、上記第1導電型半導体層112がN型半導体層の場合、上記第1導電型ドーパントはN型ドーパントとして、Si、Ge、Sn、Se、及びTeを含むことができるが、これに限定されるのではない。上記第1導電型半導体層112は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体物質を含むことができる。上記第1導電型半導体層112は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、InPのうち、いずれか1つ以上で形成できる。上記第1導電型半導体層112は、化学蒸着方法CVD、分子線エピタキシーMBE、スパッタリング、または水酸化物蒸気相エピタキシーHVPEなどの方法を使用してN型GaN層を形成することができる。また、上記第1導電型半導体層112は、チャンバーにトリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びシリコンSiのようなn型ドーパントを含むシランガスSiH4が注入されて形成できる。上記活性層114は、第1導電型半導体層112を通じて注入される電子と以後に形成される第2導電型半導体層116を通じて注入される正孔とが互いに出会い活性層発光層物質固有のエネルギーバンドにより決定されるエネルギーを有する光を放出する層である。上記活性層114は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWell、量子線QuantumWire構造、または量子点QuantumDot構造のうち、少なくともいずれか1つで形成できる。例えば、上記活性層114は、トリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びトリメチルインジウムガスTMInが注入されて多重量子井戸構造が形成できるが、これに限定されるのではない。上記活性層114の井戸層/障壁層は、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAsInGaAs、/AlGaAs、GaPInGaP/AlGaPのうち、いずれか1つ以上のペア構造で形成できるが、これに限定されるのではない。上記井戸層は、上記障壁層のバンドギャップより低いバンドギャップを有する物質で形成できる。上記活性層114の上または/及び下には導電型クラッド層が形成できる。上記導電型クラッド層は、AlGaN系半導体で形成されることができ、上記活性層114のバンドギャップより高いバンドギャップを有することができる。上記第2導電型半導体層116は、第2導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体物質を含むことができる。上記第2導電型半導体層116は、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択できる。上記第2導電型半導体層116がP型半導体層の場合、上記第2導電型ドーパントはP型ドーパントとして、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどを含むことができる。上記第2導電型半導体層116は、単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第2導電型半導体層116は、チャンバーにトリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びマグネシウムMgのようなp型ドーパントを含むビセチルサイクロペンタジエニルマグネシウムEtCp2Mg{MgC2H5C5H42}が注入されてp型GaN層が形成できるが、これに限定されるのではない。実施形態で、上記第1導電型半導体層112はN型半導体層、上記第2導電型半導体層116はP型半導体層で具現できるが、これに限定されるのではない。また、上記第2導電型半導体層116の上には上記第2導電型と反対の極性を有する半導体、例えばN型半導体層図示せずを形成することができる。これによって、発光構造物110は、N-P接合構造、P-N接合構造、N-P-N接合構造、P-N-P接合構造のうち、いずれか1構造で具現できる。以後、上記第2導電型半導体層116の上に第2電極層120を形成する。上記第2電極層120は、オーミック層図示せず、反射層図示せず、接合層図示せず、伝導性支持基板図示せずなどを含むことができる。例えば、上記第2電極層120はオーミック層を含むことができ、上記オーミック層は上記発光構造物110にオーミック接触されて発光構造物に電源が円滑に供給されるようにすることができ、単一金属、金属合金、金属酸化物などを多重で積層して形成できる。例えば、上記オーミック層は、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IZONIZONitride、AGZOAlGaZnO、IGZOInGaZnO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち、少なくとも1つを含んで形成されることができるが、このような材料に限定されるのではない。また、上記第2電極層120は反射層を含んで上記発光構造物110から入射される光を反射させて、光抽出効率を改善させることができる。例えば、上記反射層は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち、少なくとも1つを含む金属または合金で形成できる。また、上記反射層は、上記金属または合金とIZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATOなどの透光性伝導性物質を用いて多層で形成することができ、例えば、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Niなどで積層できる。また、上記第2電極層120は接合層を含む場合、上記反射層が接合層の機能をするか、バリア金属またはボンディング金属などを含むことができる。例えば、上記接合層は、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むことができる。また、第2電極層120は伝導性支持基板を含むことができる。上記伝導性支持基板は、上記発光構造物110を支持し、上記発光構造物110に電源を提供することができる。上記伝導性支持基板図示せずは電気伝導性に優れる金属、金属合金、または伝導性半導体物質からなることができる。例えば、上記伝導性支持基板は、銅Cu、銅合金CuAlloy、金Au、ニッケルNi、モリブデンMo、銅-タングステンCu-W、キャリアウエハ例えば、Si、Ge、GaAs、GaN、ZnO、SiGe、SiC等のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記伝導性支持基板の厚さは、上記発光素子の設計に従って変わることができるが、例えば、30μm乃至500μmの厚さを有することができる。上記伝導性支持基板を形成させる方法は、電気化学的な金属蒸着方法、メッキ方法やユーテクティックメタルを用いたボンディング方法などを使用することができる。次に、上記第1導電型半導体層112が露出されるように上記第1基板を除去する。上記第1基板を除去する方法は、レーザリフトオフLaserLiftOff方法または化学的リフトオフChemicalLiftOff方法を利用することもできる。また、上記第1基板は物理的に研磨することによって除去することができる。次に、上記発光素子チップ100の上記サブマウント210の上への付着は、高分子接着体を用いて発光素子チップを接着する方法、または発光素子チップにプレーティングされたユーテクティックメタルを用いる方法などにより進行できる。例えば、工程性に優れるシルバー伝導性エポキシAgconductiveepoxyによるソルダリングsolderingにより発光素子チップを付着するか、高熱伝導性を必要とする場合にはユーテクティック接合方式を採用できるが、これに限定されるのではない。また、上記発光素子チップ100は、ワイヤ図示せずを介して上記第1電極層及び/または第2電極層と電気的に連結できる。次に、図4のように上記キャビティCに封入材250を埋めることができる。上記封入材250の封入方法には、ディスペンシング、キャスティングモールディング、トランスファーモールディング方法、真空プリンティング方法などにより進行できる。上記封入材250は、エポキシ封入材やシリコン封入材などにより形成できるが、これに限定されるのではない。上記封入材250の屈折率は、上記誘電体パターン240の屈折率と異なることがある。例えば、上記封入材250の屈折率は、上記誘電体パターン240の屈折率より大きいか小さいことがあり、相互間の屈折率の差が大きいほど誘電体パターン240の光の拡散機能が作用するようになり、これによって封入材250と空気との境界面で発生する全反射過程による光の再進入確率を低めて、最終の光抽出効率の向上に寄与できる。例えば、封入材250がシリコンゲルSigelの場合、誘電体パターン240の屈折率は、約1.4以下、または約1.4以上の屈折率を有することができるが、これに限定されるのではない。上記封入工程において、上記封入材250は蛍光体を含むことができるが、必ずこれに限定されるのではない。例えば、青色Blue発光素子、緑色Green発光素子、紫外線UV発光素子などは蛍光体を必要としないが、白色white発光素子の場合には蛍光体を含んだ封入材を形成することができる。上記封入材250が蛍光体を含む場合、上記蛍光体はホスト物質と活性物質を含むことができ、例えば、イットリウムアルミニウムガーネットYAGのホスト物質にセリウムCe活性物質が、シリゲート系列のホスト物質にユロピウムEu活性物質が採用できるが、これに限定されるのではない。実施形態で、封入材250の上面形状は平らなものに限定されず、ドーム形状などで形成されることもできる。実施形態に従う発光素子パッケージ及びその製造方法によれば、誘電体パターンを含む反射層がLEDパッケージの内に導入されて、本来の反射層の反射率は維持し、かつ発光された光の拡散機能を有することができる。したがって、封入材Encapsulantと空気との境界面で発生する全反射過程による光の再進入確率を低めて、最終の光抽出効率の向上に寄与できる。図6は、本発明の第2実施形態に従う発光素子パッケージ202の断面図である。第2実施形態は、上記第1実施形態の技術的な特徴を採用することができる。第2実施形態は反射層の酸化を防止し、誘電体パターンの回折効果を増大させるために上記反射層220の上に第2誘電体層230を含み、上記誘電体パターン240は上記第2誘電体層230の上に形成できる。例えば、上記反射層220の上に上記第2誘電体層230を形成し、上記第2誘電体層230の上にエッチング工程またはリフトオフ工程などにより誘電体パターン240を形成することができる。上記第2誘電体層230は誘電体パターン240の物質と同一、または異なる物質であることができ、相互間に物質が異なる場合、屈折率の差により誘電体パターンの回折効果を増大させることもできる。図7は、本発明の第3実施形態に従う発光素子パッケージ203の断面図である。第3実施形態は、上記第1実施形態または第2実施形態の技術的な特徴を採用することができる。第3実施形態に従う発光素子パッケージ203は、キャビティCを含むサブマウント210、上記サブマウントの上に形成された発光素子チップ100、上記キャビティの側面に形成された反射層220、上記反射層220の上に形成された誘電体層230、及び上記キャビティCを埋める封入材250を含むことができる。第3実施形態に従う発光素子パッケージ203は、上記反射層220の上に第2誘電体層230が形成できる。上記第2誘電体層230は、封入材250と屈折率が異なることがある。上記第2誘電体層230は、酸化物、窒化物、または弗化物のうち、少なくとも1つでありうる。第3実施形態に従う発光素子パッケージによれば、誘電体層を含む反射層がLEDパッケージの内に導入されて、本来の反射層の反射率は維持、かつ発光された光の拡散機能を有することができる。したがって、封入材Encapsulantと空気との境界面で発生する全反射過程による光の再進入確率を低めて、最終の光抽出効率の向上に寄与できる。図8は、本発明の第4実施形態に従う発光素子パッケージ204の断面図である。第4実施形態は、上記第1実施形態乃至第3実施形態の技術的な特徴を採用することができる。第4実施形態に従う発光素子パッケージ204は、パッケージ工程前にチップ工程で蛍光体層252が発光素子チップ100の上に形成できる。例えば、上記発光素子チップ100は、コンフォーマルコーティングconformalcoatingなどにより均一な厚さを有する蛍光体層252を発光素子チップ100の上に含むことができ、蛍光体層252を含んだ状態でパッケージ工程によりサブマウントに付着できるが、これに限定されるのではない。実施形態に従う発光素子パッケージ及びその製造方法によれば、誘電体パターン及び/または誘電体層を含む反射層がLEDパッケージの内に導入されて、本来の反射層の反射率は維持し、かつ発光された光の拡散機能を有することができる。したがって、封入材Encapsulantと空気との境界面で発生する全反射過程による光の再進入確率を低めて、最終の光抽出効率の向上に寄与できる。更に他の実施形態は、第1実施形態乃至第4実施形態に記載された発光素子パッケージを含む照明機構を含むことができる。上記発光素子パッケージは、例えば、LEDランプ、LED街灯、及びLED光学素子のような照明システムに適用できる。例えば、実施形態に従う発光素子パッケージは複数個が基板の上にアレイされ、上記発光素子パッケージから放出される光の経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シート、蛍光シートなどが配置できる。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、バックライトユニットとして機能するか、照明ユニットとして機能することができ、例えば、照明システムは、バックライトユニット、照明ユニット、指示装置、ランプ、及び街灯を含むことができる。図9は、本発明の実施形態に従う照明ユニット1100の斜視図である。但し、図9の照明ユニット1100は照明システムの一例であり、これに対して限定するのではない。図9を参照すれば、上記照明ユニット1100は、ケース胴体1110、上記ケース胴体1110に設けられた発光モジュール部1130、及び上記ケース胴体1110に設けられ、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1120を含むことができる。上記ケース胴体1110は放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成できる。上記発光モジュール部1130は、基板1132、及び上記基板1132に搭載される少なくとも1つの発光素子パッケージ200を含むことができる。上記基板1132は絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含むことができる。また、上記基板1132は光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば、白色、銀色などで形成できる。上記基板1132の上には上記少なくとも1つの発光素子パッケージ200が搭載できる。上記発光素子パッケージ200の各々は少なくとも1つの発光ダイオードLED:LightEmittingDiode100を含むことができる。上記発光ダイオード100は、赤色、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光ダイオード及び紫外線UV:UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール部1130は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子パッケージ200の組合せを有するように配置できる。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置できる。上記連結端子1120は、上記発光モジュール部1130と電気的に連結されて電源を供給することができる。図9の図示によれば、上記連結端子1120はソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子1120はピンpin形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。図10は、本発明の実施形態に従うバックライトユニットの分解斜視図1200である。但し、図10のバックライトユニット1200は照明システムの一例であり、これに対して限定するのではない。実施形態に従うバックライトユニット1200は、導光板1210、上記導光板1210に光を提供する発光モジュール部1240、上記導光板1210の下に反射部材1220、及び上記導光板1210と発光モジュール部1240と反射部材1220とを収納するボトムカバー1230を含むことができるが、これに限定されるのではない。上記導光板1210は、光を拡散させて面光源化させる役割をする。上記導光板1210は透明な材質からなり、例えば、PMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COCcycloolefincopolymer、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つを含むことができる。上記発光モジュール部1240は、上記導光板1210の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には上記バックライトユニットが設けられるディスプレイ装置の光源として作用するようになる。上記発光モジュール部1240は上記導光板1210と接することができるが、これに限定されるのではない。具体的には、上記発光モジュール部1240は、基板1242、及び上記基板1242に載置された多数の発光素子パッケージ200を含むが、上記基板1242が上記導光板1210と接することができるが、これに限定されるのではない。上記基板1242は、回路パターン図示せずを含む印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoardでありうる。但し、上記基板1242は一般PCBだけでなく、メタルコアPCBMCPCB:MetalCorePCB、軟性PCBFPCB:FlexiblePCBなどを含むこともでき、これに対して限定するのではない。そして、上記多数の発光素子パッケージ200は、上記基板1242の上に光が放出される発光面が上記導光板1210と所定距離離隔するように載置できる。上記導光板1210の下には上記反射部材1220が形成できる。上記反射部材1220は、上記導光板1210の下面に入射された光を反射させて上に向かうようにすることによって、上記バックライトユニットの輝度を向上させることができる。上記反射部材1220は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1230は、上記導光板1210、発光モジュール部1240、及び反射部材1220などを収納することができる。このために、上記ボトムカバー1230は上面が開口されたボックスbox形状で形成できるが、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1230は、金属材質または樹脂材質で形成されることができ、プレス成形または押出成形などの工程を用いて製造できる。実施形態に従う発光素子パッケージ及び照明システムによれば、誘電体パターン及び/または誘電体層を含む反射層がLEDパッケージの内に導入されて、本来の反射層の反射率は維持し、かつ発光された光の拡散機能を有することができる。したがって、封入材Encapsulantと空気との境界面で発生する全反射過程による光の再進入確率を低めて、最終の光抽出効率の向上に寄与できる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"