単結晶シリコンの引き上げに用いられるシリカガラスルツボであって、側壁部と、底部と、前記側壁部および前記底部を連接するラウンド部と、を備え、前記側壁部の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗が、前記ラウンド部の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗よりも大きい、シリカガラスルツボ。請求項1に記載のシリカガラスルツボにおいて、前記ラウンド部の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗が、前記底部の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗よりも大きい、シリカガラスルツボ。請求項1又は2に記載のシリカガラスルツボにおいて、前記シリカガラスルツボが、気泡含有層および透明層を含む2層以上の構造を有し、前記側壁部の気泡含有層の厚みが、前記ラウンド部の気泡含有層の厚みよりも大きい、シリカガラスルツボ。請求項3に記載のシリカガラスルツボにおいて、前記ラウンド部の気泡含有層の厚みが、前記底部の気泡含有層の厚みよりも大きい、シリカガラスルツボ。請求項1又は2に記載のシリカガラスルツボにおいて、前記シリカガラスルツボが、互いに熱伝導率の異なる異種材料を含む2層以上の構造を有する、シリカガラスルツボ。請求項5に記載のシリカガラスルツボにおいて、前記2層以上のうち外側層が、不純物としてアルミニウムを含有する、シリカガラスルツボ。請求項5又は6に記載のシリカガラスルツボにおいて、前記2層以上のうち内側層が、不純物として窒素を含有する、シリカガラスルツボ。しかしながら、上記文献記載の従来技術は、以下の点で改善の余地を有していた。第一に、特許文献1に記載のシリカガラスルツボでは、シリカガラスルツボを保持するためのサセプタをユーザが独自に用意したり、シリカガラスルツボに投入する多結晶シリコンの量をユーザが独自に決めたりする場合には、初期メルトラインより上方であり、かつカーボンサセプターの上端より下方となるような位置に周状の溝をあらかじめ設けることができない場合があり得る。第二に、特許文献2に記載の方法では、平均融液内温度勾配Gと、単結晶引き上げ中に育成単結晶の成長界面以外で発生する固化の発生率との関係から、引き上げ条件を設定したとしてもルツボの座屈又は側壁部のルツボ内部への倒れ込みを有効に抑制することは困難である。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、シリカガラスルツボの座屈又は側壁部のルツボ内部への倒れ込みを有効に抑制する技術を提供することを目的とする。本発明によれば、単結晶シリコンの引き上げに用いられるシリカガラスルツボであって、側壁部と、底部と、その側壁部およびその底部を連接するラウンド部と、を備え、その側壁部の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗が、そのラウンド部の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗よりも大きい、シリカガラスルツボが提供される。この構成によれば、側壁部の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗が、そのラウンド部の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗よりも大きいため、単結晶シリコンの引上げを行う際にシリコン融液の液面がラウンド部に差し掛かった時点でシリカガラスルツボの加熱強度を緩めることができる。その結果、この構成によれば、シリコン融液の液面がラウンド部に差し掛かった時点でシリカガラスルツボの側壁部又はラウンド部が過剰に加熱されることを抑制できるため、シリカガラスルツボの座屈又は側壁部のルツボ内部への倒れこみを抑制することができる。本発明によれば、シリカガラスルツボの座屈又は側壁部のルツボ内部への倒れこみを抑制することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。<シリカガラスルツボ>図1は、シリカガラスルツボの構成の概要について説明するための断面図である。本実施形態のシリカガラスルツボ12は、内表面側に透明層11と、外表面側に気泡含有層14を有するものである。このシリカガラスルツボ12は、チョクラルスキー法CZ法などによって単結晶シリコンの引上げに用いられる際には、開口部が上向きになるようにサセプター不図示上に載置されている。このシリカガラスルツボ12は、曲率が比較的大きいラウンド部別名、コーナー部とも称される17と、上面に開口した縁部を有する円筒状の側壁部15と、直線または曲率が比較的小さい曲線からなるすり鉢状の底部16を有する。本実施形態において、ラウンド部17とは、側壁部15と底部16を連接する部分であり、ラウンド部17の曲線の接線がシリカガラスルツボ12の側壁部15と重なる点から、底部16と共通接線を有する点までの部分のことを意味する。さらに詳しく説明すると、ルツボの側壁部15は、ルツボの中心軸Z軸と平行な円筒状の部分であって、ルツボの開口から略真下に延びている。但し、側壁部15はZ軸に対して完全に平行である必要はなく、開口に向かって徐々に広がるように傾斜していてもよい。また、側壁部15は直線的であってもよく、緩やかに湾曲していてもよい。ルツボの底部16は、ルツボのZ軸との交点を含む略円盤状の部分であり、底部16と側壁部15との間にはラウンド部17が形成されている。ルツボ底部16の形状はいわゆる丸底であってもよく、平底であってもよい。また、ラウンド部17の曲率や角度も任意に設定することができる。ルツボ底部16が丸底の場合には、底部16も適度な曲率を有するため、底部16とラウンド部17の曲率差は平底に比べて非常に小さい。例えば、シリカガラスルツボ12の側壁部15が曲がり始める点が側壁部15とラウンド部17の境界としてもよい。さらに、ルツボの底の曲率が一定の部分が底部16であり、ルツボの底の中心からの距離が増したときに曲率が変化し始める点が底部16とラウンド部17との境界としてもよい。この場合、ルツボ底部16が平底の場合には、底部16が平坦或いは極めて緩やかな湾曲面をなし、ラウンド部17の曲率は非常に大きい。なお、底部16は、Z軸と直交するXY平面に対するルツボ壁面の接線傾斜角が5度以下、10度以下、15度以下、20度以下、25度以下又は30度以下となる領域として定義してもよい。このような形状を有するシリカガラスルツボ12の場合、チョクラルスキー法CZ法などによって単結晶シリコンの引上げに用いられる際には、側壁部15の自重18によって側壁部15からラウンド部17に大きな力がかかり、側壁部15が内側に倒れ込む力もかかることになる。一方で、単結晶シリコンの引上げの初期では、シリカガラスルツボ12内部にシリコン融液が側壁部15の上の方まで充填されているため、このシリコン融液から側壁部15、ラウンド部17および底部16に対して大きな圧力がかかり、ラウンド部17での座屈19または側壁部15の内側への倒れこみが抑制される。しかしながら、シリコン融液の液面がラウンド部17のあたりまで下がってくると、シリコン融液から側壁部15に対する圧力がなくなってしまう。また、シリコン融液からラウンド部17および底部16に対してかかる圧力も小さくなってしまう。しかも、シリカガラスルツボ12を支えるモールド不図示の外周部に設けられたカーボンヒータ不図示からは相変わらず大きな熱量が側壁部15に流れ込んでくるため、側壁部15は高温に加熱されてしまう。しかしながら、高温に加熱された側壁部15はもはやシリコン融液に接触されてないために熱の逃げ場が少なくなってしまい、側壁部15はいわゆる空焚きの状態になってしまって過剰に加熱されてシリカガラスが自重18を支えるのが困難なくらいに軟化してしまうことがある。そのため、ラウンド部17での座屈19または側壁部15の内側への倒れこみが発生しやすくなる。<気泡含有層の厚みの違いに基づく温度勾配の調整による座屈および倒れこみの抑制>図2は、実施形態1に係るシリカガラスルツボの側壁部の温度勾配について説明するための断面図である。また、図3は、実施形態1に係るシリカガラスルツボのラウンド部の温度勾配について説明するための断面図である。本実施形態では、側壁部15の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗が、ラウンド部17の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗よりも大きい。また、ラウンド部17の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗が、底部16の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗よりも大きい。ここで、熱抵抗とは、以下の式で示すように、物体に熱を与えた時におこる熱移動において、熱の流れにくさを表す係数であり、単位はK/W又は°C/Wで表される。熱抵抗°C/W=温度差°C÷熱源の熱量Wなお、本実施形態では、この厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗は、実際のシリコン単結晶の引き上げ時の条件に近い条件で測定されたものであることが好ましい。具体的には、シリカガラスルツボの外側の周囲温度が1000°C、1050°C、1100°C、1200°C、1300°C、1400°C、1500°C、1600°C、1700°C、1800°C、1900°C、2000°Cのいずれかである条件で測定された値であることが好ましい。また、シリカガラスルツボの内側の周囲温度が外側の周囲温度に比べて、1°C、2°C、3°C、4°C、5°C、6°C、7°C、8°C、9°C、10°C、20°C、30°C、40°C、50°C、60°C、70°C、80°C、90°C、100°Cのいずれかだけ低い条件で測定された値であることが好ましい。本実施形態では、シリカガラスルツボ12に充填されたシリコン融液の液面24から単結晶シリコンをうまく引き上げるためには、液面24の温度を所定の温度範囲に維持する必要がある。そして、単結晶シリコンの引上げの初期では、このシリカガラスルツボ12の側壁部15の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗が大きいため、図2に示すように、側壁部15の外側と内側との温度差温度勾配28が大きくなる。そのため、液面24の温度を所定の温度範囲に維持するためには、シリカガラスルツボ12を支えるモールド不図示の外周部に設けられたカーボンヒータ20から大きな熱量22をシリカガラスルツボ12に供給する必要がある。その結果、高温に加熱された側壁部15は軟化しやすくなるが、シリコン融液から側壁部15、ラウンド部17および底部16に対して大きな圧力がかかっているため、ラウンド部17での座屈19または側壁部15の内側への倒れこみは抑制される。一方、シリコン融液の液面がラウンド部17のあたりまで下がってくると、シリコン融液から側壁部15に対する圧力がなくなってしまう。また、シリコン融液からラウンド部17および底部16に対してかかる圧力も小さくなってしまう。しかしながら、本実施形態では、このシリカガラスルツボ12のラウンド部17の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗が側壁部15よりも小さいため、図3に示すように、ラウンド部17の外側と内側との温度差温度勾配28が小さくなる。そのため、液面24の温度を所定の温度範囲に維持するために、シリカガラスルツボ12を支えるモールド不図示の外周部に設けられたカーボンヒータ20から小さな熱量をラウンド部17に流しこめばよいため、ラウンド部17は過剰に加熱されてしまうことがない。また、側壁部15はもはやシリコン融液に接触されてないために熱の逃げ場が少なくなってしまい、側壁部15はいわゆる空焚きの状態になってしまっているが、カーボンヒータ20からは小さな熱量しか流れこんでこないためにシリカガラスが自重18を支えるのが困難なくらいに軟化してしまうことを回避できる。そのため、ラウンド部17での座屈19または側壁部15の内側への倒れこみが発生することを抑制できる。さらに、シリコン融液の液面が底部16のあたりまでさらに下がってくると、シリコン融液から側壁部15およびラウンド部17に対する圧力がなくなってしまう。また、シリコン融液から底部16に対してかかる圧力もさらに小さくなってしまう。しかしながら、本実施形態では、このシリカガラスルツボ12の底部16の厚さ方向の単位面積あたりの熱抵抗が側壁部15およびラウンド部17よりも小さいため、底部の外側と内側との温度差温度勾配がさらに小さくなる。そのため、液面24の温度を所定の温度範囲に維持するために、シリカガラスルツボ12を支えるモールド不図示の外周部に設けられたカーボンヒータ20からさらに小さな熱量を底部16に流しこめばよいため、底部16は過剰に加熱されてしまうことがない。また、側壁部15およびラウンド部17はもはやシリコン融液に接触されてないために熱の逃げ場が少なくなってしまい、側壁部15およびラウンド部17はいわゆる空焚きの状態になってしまっているが、カーボンヒータ20からはさらに小さな熱量しか流れこんでこないためにシリカガラスが自重18を支えるのが困難なくらいに軟化してしまうことを回避できる。そのため、ラウンド部17での座屈19または側壁部15の内側への倒れこみが発生することを抑制できる。このような条件を満たすシリカガラスルツボ12としては、様々な構造が想定できるために、特に限定はしない。例えば、図2及び図3に示すように、シリカガラスルツボ12が気泡含有層14および透明層11を含む2層以上の構造を有し、側壁部15の気泡含有層14の厚みが、ラウンド部17の気泡含有層14の厚みよりも大きく、ラウンド部17の気泡含有層14の厚みが、底部16の気泡含有層14の厚みよりも大きい構造があげられる。この場合、気泡含有層14は単位面積あたりの熱抵抗が大きいため、気泡含有層14の外側と内側との間での温度差温度勾配32は大きい。一方、透明層11は単位面積あたりの熱抵抗が気泡含有層14よりも小さいため、透明層11の外側と内側との間での温度差温度勾配30は小さい。そのため、図2に示すように、側壁部15の気泡含有層14の厚みが大きい場合には、側壁部15全体の外側と内側との間での温度差温度勾配28が大きくなる。一方、図3に示すように、ラウンド部17の気泡含有層14の厚みが側壁部15よりも小さい場合には、ラウンド部17全体の外側と内側との間での温度差温度勾配28が側壁部15よりも小さくなる。また、底部16の気泡含有層14の厚みがラウンド部17よりもさらに小さい場合には、底部16全体の外側と内側との間での温度差温度勾配がラウンド部17よりもさらに小さくなる。その結果、側壁部15の気泡含有層14の厚みがラウンド部17の気泡含有層14の厚みよりも大きく、ラウンド部17の気泡含有層14の厚みが底部16の気泡含有層14の厚みよりも大きい構造であれば、上記のような条件を満たすシリカガラスルツボ12が得られる。<異種材料を用いた温度勾配の調整による座屈および倒れこみの抑制>図4は、実施形態2に係るシリカガラスルツボの側壁部の温度勾配について説明するための断面図である。また、図5は、実施形態2に係るシリカガラスルツボのラウンド部の温度勾配について説明するための断面図である。本実施形態では、シリカガラスルツボ12が、図4および図5に示すように、互いに熱伝導率の異なる異種材料を含む2層以上の構造を有する。具体的には、これらの2層以上のうち外側層44は、不純物としてアルミニウムを含有するため、単位面積あたりの熱抵抗が大きい。なお、不純物としてアルミニウムを含有する外側層44は、シリカガラスルツボ12を製造する際に用いるモールドの内側に天然石英粉にアルミナ粉を混合した材料をアーク溶融して得られる。一方、これらの2層以上のうち内側層46は、不純物として窒素を含有するため、単位面積あたりの熱抵抗が小さい。なお、不純物として窒素を含有する内側層46は、合成シリカ粉を窒素ガスまたはアンモニアガス雰囲気でアーク溶融して得られる。この場合には、例えば、図4及び図5に示すように、シリカガラスルツボ12が互いに熱伝導率の異なる異種材料を含む2層以上の構造を有し、側壁部15の外側層44の厚みがラウンド部17の外側層44の厚みよりも大きく、ラウンド部17の外側層44の厚みが底部16の外側層44の厚みよりも大きい構造があげられる。この場合、外側層44は単位面積あたりの熱抵抗が大きいため、外側層44の外側と内側との間での温度差温度勾配32は大きい。一方、内側層46は単位面積あたりの熱抵抗が外側層44よりも小さいため、内側層46の外側と内側との間での温度差温度勾配30は大きい。そのため、図4に示すように、側壁部15の外側層44の厚みが大きい場合には、側壁部15全体の外側と内側との間での温度差温度勾配28が大きくなる。一方、図3に示すように、ラウンド部17の外側層44の厚みが側壁部15よりも小さい場合には、ラウンド部17全体の外側と内側との間での温度差温度勾配28が側壁部15よりも小さくなる。また、底部16の外側層44の厚みがラウンド部17よりもさらに小さい場合には、底部16全体の外側と内側との間での温度差温度勾配がラウンド部17よりも小さくなる。その結果、側壁部15の外側層44の厚みがラウンド部17の外側層44の厚みよりも大きく、ラウンド部17の外側層44の厚みが底部16の外側層44の厚みよりも大きい構造であれば、上記のような条件を満たすシリカガラスルツボ12が得られる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。