"被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に割り出し送りする割り出し送り手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザビームを発生するレーザビーム発生手段と、該レーザビーム発生手段が発生したレーザビームを集光して被加工物に照射する集光レンズと、該レーザビーム発生手段と該集光レンズとの間の光路に配設され、該レーザビーム発生手段が発生したレーザビームを複数のレーザビームに分岐するレーザビーム分岐手段とを含み、該レーザビーム分岐手段は、レーザビームを分岐する分岐数が互に異なる複数の回折光学素子と、該複数の回折光学素子の内の一つを選択的にレーザビームの光路に位置付ける位置付け手段とを含むことを特徴とするレーザ加工装置。従来のレーザ加工装置で被加工物に照射するレーザビームの本数を変更する場合には、光学系を取り替えなければならず手間がかかるという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物に照射するレーザビームの本数を容易に変更可能なレーザ加工装置を提供することである。本発明によると、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に割り出し送りする割り出し送り手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザビームを発生するレーザビーム発生手段と、該レーザビーム発生手段が発生したレーザビームを集光して被加工物に照射する集光レンズと、該レーザビーム発生手段と該集光レンズとの間の光路に配設され、該レーザビーム発生手段が発生したレーザビームを複数のレーザビームに分岐するレーザビーム分岐手段とを含み、該レーザビーム分岐手段は、レーザビームを分岐する分岐数が互に異なる複数の回折光学素子と、該複数の回折光学素子の内の一つを選択的にレーザビームの光路に位置付ける位置付け手段とを含むことを特徴とするレーザ加工装置が提供される。本発明のレーザ加工装置は、レーザビームを分岐する分岐数が互に異なる複数の回折光学素子と、複数の回折光学素子の内の一つを選択的にレーザビームの光路に位置づける位置付け手段とを含んだレーザビーム分岐手段を備えているので、光学系を取り替えることなく被加工物に照射するレーザビームの本数を容易に変更することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態のレーザ加工装置の外観斜視図が示されている。レーザ加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、即ちX軸方向に移動される。第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により一対のガイドレール24に沿って割り出し方向、すなわちY軸方向に移動される。第2スライドブロック16上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持された半導体ウエーハをクランプするクランパ30が設けられている。静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にレーザビーム照射ユニット34が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット34は、ケーシング33中に収容された図2に示すレーザビーム発生ユニット35と、ケーシング33の先端に取り付けられたレーザヘッド37とを含んでいる。レーザビーム発生ユニット35は、図2に示すように、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器62と、繰り返し周波数設定手段64と、パルス幅調整手段66と、パワー調整手段68とを含んでいる。特に図示しないが、レーザ発振器62はブリュースター窓を有しており、レーザ発振器62から出射するレーザビームは直線偏光のレーザビームである。レーザヘッド37は、パワー調整手段68からのレーザビーム69を反射するミラー70と、レーザビーム69を複数のレーザビームに分岐するビームスプリッタ74と、集光レンズ72とを含んでおり、ビームスプリッタ74で複数に分岐されたレーザビームが集光レンズ72で集光されてチャックテーブル28に保持されたウエーハWに照射される。再び図1を参照すると、ケーシング33の先端部には、レーザヘッド37とX軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像手段39が配設されている。撮像手段39は、可視光によって半導体ウエーハの加工領域を撮像する通常のCCD等の撮像素子を含んでいる。撮像手段39は更に、半導体ウエーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ制御手段40に送信される。コントローラ40はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置CPU42と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリROM44と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリRAM46と、カウンタ48と、入力インターフェイス50と、出力インターフェイス52とを備えている。56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段56の検出信号はコントローラ40の入力エンターフェイス50に入力される。60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段60の検出信号はコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。撮像手段39で撮像した画像信号もコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。一方、コントローラ40の出力インターフェイス52からパルスモータ10、パルスモータ20、レーザビーム照射ユニット34等に制御信号が出力される。図3を参照すると、本発明第1実施形態のビームスプリッタ74の斜視図が示されている。ビームスプリッタ74は、パルスモータ76の出力軸78に搭載された円板80を含んでいる。円板80には複数個本実施形態では7個の装着穴が形成されており、各装着穴中に回折光学素子DOE:DiffractiveOpticalElement82a~82gが装着されている。82aはレーザビーム69を二つに分岐する二分岐DOEであり、82bはレーザビーム69を三つに分岐する三分岐DOEである。82cは四つに分岐する四分岐DOE、82dは五つに分岐する五分岐DOE、82eは六つに分岐する六分岐DOE、82fは七つに分岐する七分岐DOE、82gは八つに分岐する八分岐DOEである。DOE82a~82gは例えば図4に示すようなブレーズ型DOE84から構成される。ブレーズ型DOE回折光学素子84は、透明プレート85の一面に鋸刃状の断面構造86を微細加工して構成されている。d1の寸法は数十~数百μmである。このブレーズ型DOE84によると、入射されたレーザビームは0次光、1次光、2次光に分岐され、ブレーズ型DOE84からは三つに分岐されたレーザビームが出射される。図3に示した第1実施形態のビームスプリッタ74によると、パルスモータ76を駆動して円板80を反時計周り方向に回転することにより、レーザビーム69を所望のDOE82a~82gに透過させることにより、レーザビーム69を選択的に二分岐、三分岐、......八分岐することができ、分岐されたレーザビームは図2に示す集光レンズ72で集光されてチャックテーブル28に吸引保持されたウエーハWに照射される。図5を参照すると、本発明第2実施形態のビームスプリッタ74Aの斜視図が示されている。本実施形態のビームスプリッタ74Aは、一対のガイド88,90と、ガイド88,90に案内されて矢印A方向に往復動する矩形プレート92を含んでいる。矩形プレート92には複数個本実施形態では6個の装着穴が整列して形成されており、各装着穴中にはDOE94a~94fが装着されている。本実施形態のDOE94a~94fも例えば図4に示したようなブレーズ型DOEから構成される。DOE94aはレーザビームを二分岐する二分岐DOEであり、94bは三分岐DOE、94cは四分岐DOE、94dは五分岐DOE、94eは六分岐DOE、94fは七分岐DOEである。矩形プレート92の一側面にはラック96が形成されている。パルスモータ100の出力軸102にはピニオン98が取り付けられており、ピニオン98はガイド88に形成した開口97を介してラック96に噛み合っている。本実施形態のビームスプリッタ74Aでは、パルスモータ100を作動してピニオン98を回転することにより、ラック96を介して矩形プレート92が矢印A方向に移動されて、入射するレーザビームを所望のDOE94a~94fに通過させ、レーザビームを選択的に二分岐、三分岐、......七分岐することができる。次に、図6を参照して、本発明のレーザ加工装置の作用について説明する。半導体ウエーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周部は環状フレームFに貼着されている。これにより、半導体ウエーハWはダイシングテープTを介して環状フレームFで支持された状態となる。半導体ウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2のストリートS2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画された各領域にデバイスDが形成されている。各ストリートS1、S2の表面にLow-k膜と称する低誘電率絶縁膜が被覆されている。図6に示すように、レーザヘッド37のビームスプリッタ74,74Aで三つに分岐されたレーザビームは集光レンズ72で集光されて半導体ウエーハWのストリートS1に被覆されたLow-k膜に照射される。三つに分岐されたレーザビームのビームスポットをストリートS1の幅方向に整列するように照射し、加工送り手段12を駆動してチャックテーブル28を矢印X1方向に加工送りすることにより、ストリートS1に被覆されたLow-k膜を効率的に除去することができる。尚、レーザ加工条件は例えば以下のとおりである。光源:YAGレーザ波長:355nmYAGレーザの第3高調波出力:3.0W繰り返し周波数:20kHz集光スポット径:10.0μm送り速度:100mm/秒上述した実施形態では、ビームスプリッタ74,74Aをミラー70と集光レンズ72との間に配設した例について説明したが、ビームスプリッタ74,74Aをパワー調整手段68の下流側で且つミラー70の上流側のケーシング33内に配設するようにしてもよい。"