"感光性表面上にパターンを露光する方法において、イメージデータの行と列からなる矩形マトリックスパターンを含む空間変調光ビームを表面上に形成する工程であって、前記空間変調光ビームは前記表面の隣接するサブ露光領域の露光が操作可能であり、各サブ露光領域が前記イメージデータの1つのデータと関連する工程と、前記表面を露光するために、前記空間変調光ビームの行と列のうちの1つを走査方向に整列させ、前記空間変調光ビームの行列のうちの他方をクロス走査方向に整列させる工程と、前記変調光ビームの少なくとも1つの部分を、前記変調光ビームの第2の部分に対して、2つのサブ露光領域の中心中心間距離より小さい量でクロス走査方向にシアリングする工程と、シアリングした空間変調光ビームで走査方向に前記表面を露光する工程と、スキャニングの結果としてクロス走査方向に露光されたサブ領域をオーバーラップさせる工程と、を有することを特徴とする方法。前記隣接するサブ露光領域は間にスペースがないとぎれのない露光領域を形成することを特徴とする請求項1に記載の方法。前記シアリングはイメージデータのひと綴れの行からなる2から6個のブロックに適用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。nをブロック数とした場合、前記シアリングは隣接するサブ露光領域の中心中心間距離の1/nとして規定することを特徴とする請求項3に記載の方法。前記シアリングはクロス走査方向の分解能を規定することを特徴とする請求項1に記載の方法。前記表面はデカルトアドレスで露光されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記空間変調光ビームはシングルDMDにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。リセット間隔は、前記変調光ビームのサブ露光領域により露光された領域の非整数倍として規定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記露光間隔は、クロス走査方向に供される分解能に調和するように規定されることを特徴とする請求項8に記載の方法。露光は書き込みを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。表面上にパターンをスキャニングするシステムにおいて、走査方向に表面を適切に走査させるスキャナーと、行と列からなるマトリックスパターンに配列されたイメージデータを含む空間変調光ビームを適切に供給する空間光変調器であって、各データは前記表面上にサブ露光領域を適切に露光し、また前記列は走査方向に整列し、前記行はクロス走査方向に整列する空間光変調器と、ずれたマトリックスパターンを形成するために、前記イメージデータのマトリックスパターンの少なくとも第1の部分を、少なくとも第2の部分に対して、隣接するサブ露光領域の中心中心間距離より小さい量でクロス走査方向に適切にシフトさせる光学シアリング素子と、前記マトリックスパターンの第1及び第2の部分の1つによるサブ露光領域が前記第1及び第2の部分の他方のサブ露光領域をオーバーラップするように、実質的に隣接するサブ露光領域のパターンとして前記表面上に前記ずれたマトリックスパターンを適切に露光させるイメージシステムと、を具備することを特徴とするシステム。前記シアリングはイメージデータのひと綴れの行からなる2から6個のブロックに適用されることを特徴とする請求項11に記載のシステム。各ブロックは192から270個の隣接する行を含むことを特徴とする請求項11に記載のシステム。前記光学シアリング素子は、互いに関して角度を有する複数の透明な区域を含むとともに、前記透明な区域の数はブロックの所定の数に対応し、また前記透明な区域の各々はイメージデータの所定のブロックの1つを適切にシフトすることを特徴とする請求項12に記載のシステム。nをイメージデータのブロック数とした場合、各透明な区域は、隣接するアドレスポイント間の距離の1/nに対応するシフトを供給するために角度をつけられていることを特徴とする請求項14に記載のシステム。前記光学シアリング素子は行方向にリニアシアリングを適切に供給するために曲がった表面となっていることを特徴とする請求項11に記載のシステム。前記光学シアリング素子は前記目標対象物に近接して置かれていることを特徴とする請求項11に記載のシステム。前記空間光変調器はDMDである請求項11に記載のシステム。前記システムは走査方向の望む分解能に対応して適切にスキャニング間隔を設定するコントローラを具備することを特徴とする請求項11に記載のシステム。前記スキャニング間隔はクロス走査方向に供される分解能に調和するように規定されることを特徴とする請求項19に記載のシステム。前記スキャナーはデカルトアドレスで適切に走査することを特徴とする請求項11に記載のシステム。本発明の実施の形態の1つの側面は、周知のチルトとステップアンドリピートに付随するいくつかの又はすべての問題を縮小あるいは除去しながら、走査にDMDまたはほかのSLMを使用して、マスクレスリソグラフィシステムの印刷品質特性を改善及び/又は調節するためのシステム及び方法を提供することである。実施の形態によれば、走査されたパターンのクロス走査分解能は、通常クロス走査方向に空間変調した光ビームを変形することにより制御される。実施の形態によれば、走査方向の分解能は、走査方向の連続的な露光領域のオーバーラップ量を同時にコントロールすることにより制御される。本使用における走査方向はシングルパス又はスワス中に目標対象物が進む方向をいい、クロス走査方向は走査方向に実質的に垂直な方向をいう。マルチパス走査の場合、パス間のステッピングは通常クロス走査方向である。本発明の実施の形態の1つの側面は、感光性表面上にパターンを露光する方法を提供することであり、その方法は、イメージデータの行と列からなる矩形マトリックスパターンを含む空間変調光ビームを表面上に形成する工程であって、前記空間変調光ビームは前記表面の隣接するサブ露光領域の露光が操作可能であり、各サブ露光領域が前記イメージデータの1つのデータと関連する工程と、前記表面を露光するために、前記空間変調光ビームの行と列のうちの1つを走査方向に整列させ、前記空間変調光ビームの行列のうちの他方をクロス走査方向に整列させる工程と、前記変調光ビームの少なくとも1つの部分を、前記変調光ビームの第2の部分に対して、2つのサブ露光領域の中心中心間距離より小さい量でクロス走査方向にシアリングする工程と、シアリングした空間変調光ビームで走査方向に前記表面を露光する工程と、走査の結果としてクロス走査方向に露光されたサブ領域をオーバーラップさせる工程とを有する。前記隣接するサブ露光領域は間にスペースがないとぎれのない露光領域を形成するようにしてもよい。前記シアリングはイメージデータのひと綴れ行からなる2から6個のブロックに適用してもよい。前記シアリングは隣接するサブ露光領域の中心中心間距離の1/nとして規定してもよい。ここでnはブロック数である。前記シアリングはクロス走査方向の分解能を規定するものであってもよい。随意に、前記表面はデカルトアドレスで露光される。前記空間変調光ビームはシングルDMDにより形成するようにしてもよい。走査間隔は、前記変調光ビームのサブ露光領域により露光された領域の非整数倍として規定してもよい。前記露光間隔は、クロス走査方向に供される分解能に調和するように規定してもよい。露光は書き込みを含むことでもよい。本発明の実施形態の1つの側面は表面上にパターンを走査するシステムを提供することであり、そのシステムは、走査方向に表面を適切に走査させるスキャナーと、行と列からなるマトリックスパターンに配列されたイメージデータを含む空間変調光ビームを適切に供給する空間光変調器において、各データは前記表面上にサブ露光領域を適切に露光し、また前記列は走査方向に整列し、前記行はクロス走査方向に整列する空間光変調器と、ずれたマトリックスパターンを形成するために、前記イメージデータのマトリックスパターンの少なくとも第1の部分を、少なくとも第2の部分に対して、隣接するサブ露光領域の中心中心間距離より小さい量でクロス走査方向に適切にシフトさせる光学シアリング素子と、前記マトリックスパターンの第1及び第2の部分の1つによるサブ露光領域が前記第1及び第2の部分の他方のサブ露光領域をオーバーラップするように、実質的に隣接するサブ露光領域のパターンとして前記表面上に前記ずれたマトリックスパターンを適切に露光させるイメージシステムとを具備する。前記シアリングはイメージデータのひと綴れの行からなる2から6個のブロックに適用してもよい。各ブロックは192から270個の隣接する行を含むようにしてもよい。前記光学シアリング素子は、互いに関して角度を有する複数の透明な区域を含むとともに、前記透明な区域の数はブロックの所定の数に対応し、また前記透明な区域の各々はイメージデータの所定のブロックの1つを適切にシフトするようにしてもよい。各透明な区域は、隣接するアドレスポイント間の距離の1/nに対応するシフトを供給するために角度をつけられており、ここでnはイメージデータのブロック数である。前記光学シアリング素子は行方向にリニアシアリングを適切に供給するために曲がった表面となっていてもよい。前記光学シアリング素子は前記目標対象物に近接して配置してもよい。前記空間光変調器はDMDであってもよい。前記システムは走査方向の望む分解能に対応して適切に走査間隔を設定するコントローラを具備するようにしてもよい。前記走査間隔はクロス走査方向に供される分解能に調和するように規定してもよい。前記スキャナーはデカルトアドレスで適切に走査するようにしてもよい。ほかに定義されてないかぎり、ここで使用されるすべての技術的及び/又は科学的用語は、発明に関係する当業者により一般に理解されるのと同じ意味を持っている。ここで説明した方法と材料と均等あるいは同一のものは本発明の実施形態を実際にあるいはテストする際に使用できるものの、以下において、例示的な方法及び/又は材料を説明する。相容れない場合は、定義を含む明細書で照らし合わせる。更に、材料、方法及び例は単に例証であり必ずしも限定されない。本発明はマスクレスリソグラフィに関し、特に、但し限定されないが、マスクレスリソグラフィにおける空間分解能制御に関する。本発明のいくつかの実施の形態の1つの側面は、光学的にクロス走査方向にずらされたDMDイメージで目標表面を走査することにより、露光された目標表面のアドレス密度を増加させることである。本発明の実施の形態によれば、シアリング方向はDMDの行方向と揃っており、走査方向はDMDの列方向と揃っている。ほかの実施の形態ではこれらの方向が反対であってもよい。実施の形態によれば、DMDのアドレス密度の増加は結果的に露光領域のオーバーラップをもたらす。実施の形態によれば、走査中に、アドレスの密度は直交するアドレス空間を維持しつつ増加する。アドレスの増加密度はスムーズで精密なパターンを提供する。複数のオーバーラップ露光は斜め方向エッジを改善する。各アドレスポイントにおける露光回数が均一なことから、パターンエッジの品質保証を維持できる。本実施の形態では、ずれはイメージが離散した部分の間に賦課される。例えば、DMD上のイメージデータのひと綴れの行で区画されたブロックの間に設けられる。本実施の形態では、シアリング2つの隣り合った部分の間の空間的シフトは、DMDのシングルエレメントから露光された領域のサイズの端数に対応する。例えば、露光領域スポットサイズの端数及び/又は2つの隣り合うアドレスポイント間の距離の端数である。本発明の実施の形態によれば、シフトされた部分はDMD上のひと綴れの行で区画されたブロックである。通常、各ブロックに含まれる行の綴れは、各アドレスポイントに供給されるオーバーライト量を規定する。更には、シフトされた部分すなわちブロックはクロス走査方向のアドレス密度を規定する。必要ならば、クロス走査方向のアドレス密度を、露光領域あたり2から5アドレスポイントまで増加させる。本発明者らは、露光領域あたりクロス走査方向のアドレス密度を2から5アドレスポイントに増加させると、システム電子機器による書き込みデータに多大な処理負担を掛けることなく、ピクセレーション及び/又はエイリアシング効果が低減されることを見出した。本発明の実施の形態によれば、走査方向に露光された領域間のオーバーラップは、クロス走査方向のオーバーラップと適合すように規定される。通常、走査方向に露光された領域間のオーバーラップは、連続するフレーム間のリセット間隔を制御することにより、例えば低減することにより増加される。本施の形態によれば、望ましいアドレス密度及び/又は露光された領域間のオーバーラップを得るために、走査方向及びクロス走査方向のオーバーラップが独立して制御可能である。本発明の実施の形態によれば、シアリングは、クロス走査方向のDMDからのイメージデータの行間のアライメントを、DMDの要素サイズの端数に等しい距離の割合で変更するのに役立つ。通常、各部分は隣接する部分に対して同じ量だけシフトされ、このシフトはクロス走査方向のDMD要素サイズの1/nに対応する。ここで、nは整数である。通常、nは、基本的なDMD分解能に関連したアドレス分解能増加に対応する。空間変調ビームの部分間のサブ要素シフトはアドレスポイントの数をnの割合で増加させ、またこれによりクロス走査方向の分解能を増加させる。部分間のサブ要素シフトは各アドレスポイントのオーバーライト量も低減する。通常、アドレスポイントの数が増加すると、各アドレスポイントのオーバーライト量は低減する。先述した平面グラフィックプレート印刷分野の特許文献7に、本発明の場合と似たような離散した光学シアリング方法が開示されているが、特許文献7の結末が意味するところは、シャープなドットエッジを維持しながらクロス走査方向に露光可能なドット数を増加させることにある。特許文献7では、走査方向あるいはクロス走査方向のドット露光スミアが抑制される。一方、本発明では、光学シアリングが複数のオーバーラップ露光を供給し、これにより書込システム用のスムーズで精密なパターンを得ている。本発明者らは、本記載のシステム及び方法に基づいた分解能向上によりエネルギー効率が改善され、高品質の制御可能な出力が提供されることを見出した。高品質出力、例えば、斜めパターンとエッジの印刷について、既に論じておいた。本発明者らはまた、データ処理及び走査速度の管理も露光されたイメージをずらすことにより改善されることを見出した。通常、連続したDMDフレーム間に必要なリセット間隔は、DMDのひと綴れの行からのオーバーライト量に直接関係している。本実施の形態では、空間的に変換された光ビームをずらすことは、連続したDMDフレーム間のブランク期間の必要性も排除しながら隣接する走査間のオーバーラップ量を低減する。ブランク期間の排除は、露光のデューティファクターを実質的に継続した露光にまで増加させ、これによりエネルギー効率が高まる。本実施の形態では、ブランク期間の排除は最小限の低い及び/又は低減されたモーションブラーをもたらす。オーバーラップについては、隣接する走査によるオーバーラップが低減されると、一般的にデータ処理の負担が低減される。任意に、隣接する走査によるオーバーラップ量は、ほかの部分に対して光学的にずらされたDMDイメージの部分のサイズを画定することにより、直接制御される。そのうえ、本発明の実施の形態によれば、走査の間に空間変調データにチルトを賦課するシステムや方法に比べ、走査が列方向に平行に行われるので、DMDユニット間又は走査スワス間のクロス走査方向には一般的により小さいオーバーラップが必要とされる。オーバーラップ量を低減することにより、DMDユニットの数を増加させずに必要な走査スワス数の低減が可能となる。これにより走査の速度が増加する。以下に本発明の実施の形態に基づいて、図1Aと図1Bの概略図を参照して、シアリング前後の例示的な4行SLMから投影された代表的なイメージデータの配列を示す。図1Aと図1Bにおいて、例証の簡便化のために、4つの行及び7つの列だけを含む露光パターンを示す。本発明の実施の形態によれば、露光パターン100に配列された空間変調光ビームによるイメージデータはずれたマトリクスパターン110に光学的に変更される。通常、イメージデータは、サブ露光領域間のスペースが殆んど全くない及び/又は実質的にない状態で隣接する複数のサブ露光領域120から構成される。通常、各サブ露光領域120は、各サブ露光領域120にわたり中央に置かれたアドレスポイント150と関連している。本発明の実施の形態によれば、ずれたパターン110は、マトリクスパターン100の隣接する部分を光学的にシフトすることにより得られる。例えば、図1Bに示されるすべての行101、102、103及び104または、以下に論ずるようにひと綴れの行からなるすべてのブロックを行クロス走査方向135に光学的にシフトする。例証しやすいように、図には単一の行からなるブロック群をシアリングした4つの行のSLMを示す。本発明の実施の形態によれば、行間のシフトは行方向135のサブ露光領域120の寸法の端数に等しい。例えば、行方向の2つの隣接するアドレスポイント150間の距離dの端数である。サブ露光領域120 ́及びアドレスポイント150 ́が対称的にシフトされ及び/又は均等にまたは一様に行方向に分配され、またクロス走査方向の分解能が一様になるように、通常、各行間には同じシフトが賦課され、シフトは、シフトされるブロック数の逆数により求められるサブ露光領域120の端数に等しい。例えば、図1Bにおいて、露光パターン110は4つの部分に分割されるn=4。例えば、行101、102、103及び104であり、各部分は行方向のサブ露光領域120 ́の1/n1/n=1/4の割合で、行方向135に互いにシフトされる。例えば、d/4の割合である。シフトに対応して、すべてのアドレスポイント150 ́は行方向に一様に分配され、行方向の分解能はアドレスポイント150の4倍となる図1A。ほかに例示した実施の形態では、露光パターン110は2つの部分に分割される。例えば、行101及び行102が第1の部分で、行103及び行104が第2の部分であり、各部分間のシフトはd/2である。4つの行より多く含む空間光変換マトリックスに対して、ほかの分割やシフトが可能である。例えば、768行からなるDMDアレイを192行からなる4つの隣接するブロックに分割してもよい。各々のブロックは素子サイズの1/4の割合で漸進的にシフトされる。代わりに、765行を、各々153行で構成された隣接する行からなる5つのブロックに分割してもよい。各々のブロックは素子サイズの1/5の割合で漸進的にシフトされる。各ブロックのアクティブ行の数を等しくするためにいくつかの行をブランクにしてもよい。本発明の実施の形態によれば、行方向135の空間分解能は、イメージデータの区画した部分間に賦課されるシフト量に基づいて直接制御される。例えば、シフトサイズを低下すること及び/又はシフトされた部分の数を増加することは、行方向135の空間分解能を増加させる。ほかの選択肢として、シフトサイズを増加すること及び/又はシフトされた部分の数を低下することは、空間分解能を低下させる。以下に本発明の実施の形態に基づいて、図2Aと図2Bの概略図を参照して、シアリング前後の例示的な4行SLMから投影された代表的なイメージデータの配列を示す。本発明の実施の形態によれば、露光パターン200に配列された空間変調光ビームによるイメージデータはずれたマトリクスパターン210に光学的に変更される。例えば、行方向135に漸進的にシフトされたブロック201、202、203及び204に変更される。一般的に、各ブロックは複数の行を含み、例えば、互いに整列したシフトではない行101、102、103、104及び105を含む。本発明の実施の形態によれば、ブロック間のシフトは、サブ露光領域120の寸法の端数及び/又は隣接するアドレスポイント150間の距離dの端数に等しい。通常、隣接するブロックの各ペア間に同じシフトが賦課される。例えば、ブロック201とブロック202間、ブロック202とブロック203間、ブロック203とブロック204間である。例えば、行が4つのブロックに分割された露光パターン210では、隣接するブロックの各ペア間のシフトはd/4である。この例示シフトの結果、異なるブロックによるアドレスポイント150 ́は行方向に均等に分配され、行方向の分解能は、露光パターン200で提供される分解能の4倍となる。ほかの実施の形態では、露光パターン200は2つの部分に分割され、各部分間のシフトは行方向135のサブ露光領域120のサイズの1/2である。例えば、d/2となる。以下に本発明の実施の形態に基づいて、図3のフローチャートの概略図を参照して、ずれた露光パターンで表面を走査する例示的な方法を示す。一般的に、印刷される露光データパターンは、イメージを形成するためにDMDに供給される。例えば、露光のためのイメージ100または200ブロック230。通常、イメージは、目標対象物を走査しながらDMDに付与されるリセットパルスに応じて画定した露光間隔で提供される。本発明の実施の形態によれば、DMDより提供されたイメージは、クロス走査方向に規定したずれた露光パターンで目標対象物上に投影されるブロック235。例えば、露光パターン110または210である。一般に、DMDイメージをずれたイメージにシアするためにシアリングモジュールが用意される。通常、イメージ、例えば、DMDより提供されたイメージデータはシアリング用に形成される。本実施の形態によれば、各リセット間隔の間に、DMDはアップデートされブロック245、露光領域は走査方向に所定距離の割合で進むブロック250。例示した実施の形態では、露光領域がクロス走査方向にずれたイメージの部分間のシフトが量d/nに等しい割合で進むごとに、次の露光が供される。これにより、走査及びクロス走査方向に沿って同一の分解能隣り合うアドレスポイント間の距離を持つ露光アドレスグリッドが生成される。走査及びクロス走査方向に同一の分解能を生成するほかのリセット間隔も可能である。例えば、図2Bに示す4-ブロックの場合、3d/4またはほかのd/4の奇数倍に等しいリセット間隔は、走査及びクロス走査方向に等しいアドレス分解能を生成する。任意に、露光領域がdM1/nの割合で進むごとに次の露光を行うことにより、走査及びクロス走査方向に同一の分解能が供される。ここでMはゼロまたは整数である。ほかの実施の形態として、異なるリセット間隔を利用してもよい。例えば、ある応用に必要なら、非同一の走査及びクロス走査分解能を生成することもできる。通常、このプロセスは目標対象物のスイープが完了するまで継続するブロック240。露光されていない領域を走査するために追加スイープスワスが必要であればブロック255、DMDイメージがアップデートされブロック260、露光された領域はクロス走査方向に未露光領域にシフトされブロック265、追加スイープが開始される。このときは通常反対方向である。一般的に、スイープ間にスワスオーバーラップが準備される。スワスオーバーラップはアライメントの許容度を埋め合わせるために使用可能である。通常、シングルSLMイメージの総面積は10から60mmの範囲である。スワスオーバーラップ量は、通常0.1から1mmの範囲であるが、使用されるSLMの行素子の数及び印刷分解能に依存する。代わりに、ほかの実施の形態では、引例としてあげた2010年4月22日出願の国際出願PCT/IL2010/000320号に記載されるように、基板の全幅にまたがるように複数のSLMデバイスまたは随意に分割したSLMデバイスが使用される。そのような実施の形態では、基板はクロス走査移動の必要なくシングルスイープで走査してもよい。以下に本発明の実施の形態に基づいて、図4Aと図4Bの概略図を参照して、周知の矩形パターンと3つの連続した露光から得られるずれた露光パターンを比較する。図4Aと図4Bでは、例証の簡単化のために、4つの行及び7つの列を含む露光パターンを示す。本発明の実施の形態によれば、図3を参照して上で説明したように、露光間のリセット間隔は、走査方向145に露光された領域間にオーバーラップを提供するように規定される。図4Aと図4Bでは、各露光によるアドレスポイントが識別できるように異なる形状で描かれている。ドット形状のアドレスポイント150と150 ́は第1の露光イメージ211と221にそれぞれ対応する。三角形状のアドレスポイント151と151 ́は第2の露光イメージ212と222にそれぞれ対応する。星形状のアドレスポイント152と152 ́は第3の露光イメージ213と223にそれぞれ対応する。列方向145の走査間に、図4Aのイメージ211、212、213の各々及び図4Bのイメージ221、222、223の各々は、それらが部分的にオーバーラップするように基板に投影される。各イメージは走査方向145にd/nの割合でシフトされここではd/4、クロス走査方向135にはシフトされない。図4Aにおいて、クロス走査方向のイメージのアライメントは、結果的に露光パターン100で示す元のクロス走査アドレス分解能を維持するとともに、なんら新しいアドレス列は付加されない。分解能及びアドレスは走査方向にのみ増加する。選択的に、元のパターン100に比較して、図4Aのアドレス分解能は4倍に増加する。図4Bにおいて、図4Bのアドレスが走査方向に4倍増加し、またクロス走査方向に4倍増加するように、イメージ221、222、223によりずれたアドレスポイントは、図4Aの露光されたパターンに示す列の間に追加アドレス列を提供する。以下に本発明の実施の形態に基づいて、図5を参照して、ずれた露光パターンにより複数の露光にわたって得られるアドレスポイントのパターンを示す。例証の簡単化のために、露光するサブ領域は省略し、関連するアドレスポイントのみを示す。アドレスポイント160 ́は第1イメージ図4Bのイメージ221から得られるアドレスポイントに対応し、アドレスポイント150 ́は以降の全イメージフレーム、例えば222、223などから得られるアドレスポイントに対応する。13回露光によるアドレスポイントが示されており、露光間隔はサブ露光領域120の寸法の1/4に対応するイメージ221のずれた部分の数の逆数に対応。クロス走査方向135のアドレス分解能を増加するための周知の方法では同一領域の繰り返し走査が必要である。例えば、ステップアンドリピートにおいて、走査方向に関してSLMのチルト通常DMDが利用されるを行う及び/又は同一領域を走査するために1つ以上のSLMまたはDMDを使用する。これら周知の方法は、それぞれ上記した不都合を1つ以上伴う。本発明者らは、例えば図5Aに示されるような、ずれたマトリックスパターンに配列されたイメージデータが、シングルDMDを用いた列方向145のとぎれのないスイープのクロス走査方向及び走査方向の両方の分解能を増加するために提供されることを見出した。ずれたマトリックスパターンのイメージデータを走査するときに、アドレスポイントの各セット、例えば、第1のイメージ221のアドレスポイント160 ́は選択的に列方向145にシフトされ、図5Aに示すように、アドレスポイント150 ́の微細な分解能のグリッドにわたってイメージデータを印刷する。この列方向のシフトにより、走査は列方向に進むので、すくなくとも最初は先行アドレスポイントを上書きすることなく、新しいアドレスポイント150 ́が提供される。13番目の露光で、図5Aに最後の1つが示されている、十全のクロス走査分解能を持つ第1の行305が埋められる。図1B,図4B,図5A及び図5Bの簡略化した例に示すように、1つのシングル行で構成されたブロック例の場合、アドレスポイント159 ́の上書きは起こらないことに注意されたい。上書きは通常DMD印刷の有用な側面を持ち、低輝度の非レーザの光源と両立できることに注意されたい。更に、上書きは各ポイントにおける露光の精密な制御を可能とする。ほかの例示的な実施の形態において、また一般的に、複数の隣接した行、例えば100から400行または192から270行がブロック単位でシフトされる。そのような場合、上書きは起こらず、上書きは各ブロックに含まれる行数に依存する。通常、アドレスポイントの上書き量は、クロス走査方法の分解能、例えば、アドレスポイントの数、に逆比例する関係にある。クロス走査方向の分解能が増加すると、アドレスポイントの上書きが低下する。一般に、DMDのような領域SLMと共に、例えば、LED及びアークランプなどのインコヒーレントな光源を使用するとき、例えば、露光強度を増加し制御するために、ある量の上書きが要求される。必要であれば、上書きサイクル数を低減及び/又は制御するために長いリセット間隔が使用され、高い速度の露光を行うために有用となる。任意に、各ブロックのいくつかの行がブランクにされる。図5Aに示す例では、13回露光後に、第1のアドレス行305が完了する。本発明の実施の形態に基づいて、図5Bに追加露光におけるクロス走査空間シフトで得られるアドレスポイントの概略図を示した。図5Aに示す例に続いて、39回露光後のアドレスを図5Bに示す。12回目の露光後の各露光はほかのアドレス行を埋め書きする。ここで説明したシステム及び方法の利点は、アドレスポイント150 ́が走査方向と整列するので、チルトによるイメージに要求されるスワスオーバーラップに比して、以降のスイープに要求されるスワスオーバーラップが最小なことである。本発明の実施の形態に基づいて、図6に、ひと綴れの行からなるブロックに分割され、互いに空間的にシフトされたブロックのSLMから得られる書き込みイメージの概略図を示す。一般的に、DMDタイプのSLMは莫大なミラー素子を含み、例えば、感光性表面にイメージされるとき、1024x768からなる素子が各々サブ露光領域に関連する。例示した実施の形態では、DMDイメージは光学的に2から6ブロックに分割可能である。例えば、隣接する行からなる4つのブロックで、各ブロックは通常複数の行を含む。例えば、互いにシフトする192行を含む。図6に示す簡略化した例では、SLMからのイメージはブロック501、502、503、及び504に分割され、前もって規定したサブ露光領域の1/4のシフトが、行方向135の各ブロックに賦課される。そのような構成の場合、1/4サブ露光領域シフトに等しいリセット間隔で走査する間に、各アドレスポイントは、各ブロックに含まれる行数に対応した複数回数上書きされる。すなわち、図6の簡略化した例では12回である。同一のSLMを使用したほかの実施の形態の場合、リセット間隔を3/4サブ露光領域としてもよい。この場合、各アドレスポイントは12/3、すなわち4回露光される。サブ露光領域、例えば、サブ露光領域120及び/又は120 ́は、画像光学機器により投影されたSLM素子またはピクセルであってもよく、従ってSLMの元のピクセルと全く同一の形状及びサイズを持たなくてもよいことに注意されたい。任意に、図1A,図1B,図2A,図2B,図4A,図4B,図5A、図5B及び図6における隣接するアドレスポイント150及び/又は150 ́は、SLMの2つの隣接するピクセル間の距離にイメージ光学機器の倍率を掛けた距離で空間的に分離する。本発明の実施の形態に基づき、図7A及び図7Bに、SLMデータのクロス走査空間シフトを賦課するための2つの例示的な光学シアリング素子を示す。また図8A及び図8Bに、図7A及び図7Bでそれぞれ示した例示的な光学的シアリング素子で得られた対応シアリングパターンを示す。本実施の形態によれば、光学的シアリング素子530はある角度に曲げられた複数のウィンドウ531、532、533及び534からなる。上記したように、これらのウィンドウは各々、サブ露光領域の端数の割合でDMDイメージの部分を行方向にシフトするために、特定の角度で曲げられている。本実施の形態によれば、光学シアリング素子530を用いて矩形のDMDイメージがずらされて、ずれたDMD形状2530図8Aが得られる。例証のために、図7Aに描いたチルト角度と図8Aのシアリング量は大きく誇張されている。一般に、チルト角度は視覚的にほとんど目立たない。角度を持つ各ウィンドウの数とサイズは、欲するシフト部分の数と各部分のサイズに対応する。本実施の形態では、角度を持つウィンドウ531から534は共通するエッジ539で出会う。ほかの実施の形態では、角度を持つウィンドウのトップ表面は各表面の中間長に沿った共通線で出会う。表面が各表面の中間長に沿った共通線で出会う場合、異なる表面間の高さの差異が低減され、高さの差異に起因する焦点面のミスアライメントも低減される。例示的な実施の形態では、光学的素子は複屈折材料からなる隣接した平板から構成される。一般的には、光学的素子は引例にあげたと挙文献7の図7に示された素子50に類似している。通常、イメージデータのシフトは光学素子による屈折から提供される。例示的な実施の形態では、分離した表面531から534のエッジ近くに当たるイメージの部分の到着点は曖昧である。実施の形態では、曖昧さは、ぼかしや光学シアリング素子530の許容度の結果及び/又は表面間の高さの変動による障害に起因する。例示的な実施の形態では、曖昧さは表面のエッジ近くに当たるサブ露光領域をブランクにすることにより回避される。図7B及び図8Bを参照して、本実施の形態では、光学素子560は、分離したブロック部分とは反対に連続的な空間的横方向シフトを提供する。任意に、表面560の形状は光学素子530のスムーズバージョンに対応し、ずれたイメージ形状2560を得るために、図8Bに示すように、クロス走査方向のイメージデータのリニアシアリングを提供する。例証の目的のために、示したリニアシアリングは誇張されていることに注意されたい。好適には、光学シアリング素子、例えば光学シアリング素子530または光学シアリング素子560は、シフトが行方向のみになるようにDMDと整列している。本発明の実施の形態に基づき、図9Aと図9Bを参照して、クロス走査方向の空間シフト露光データのための2つの例示的光学システムの概略図示す。本実施の形態によれば、入射ビーム705がSLM710に衝突するときに空間変調ビーム790が形成される。例示的な実施の形態では、SLM710はDMDである。必要であれば、ビーム790は、SLM710を光学シアリング素子730上にイメージするイメージシステム720を通過する。通常、上記したように、所定のシフトによりビームの部分を互いにシフトするために、ビーム790はビームシアリング素子730により屈折させられる。例示的な実施の形態では、スプリット素子730がSLM710のイメージの焦点面725上及び/又は周囲に覆い広がる。本発明者らは、焦点面725上にシアリング素子730を覆い広げることで、シアリング素子730の異なる表面間の非連続性に起因するSLMの使用できない部分が縮小されることを見出した。本実施の形態では、SLMの焦点面上及び/又は周囲にスプリット素子730を覆い広げることで、ぼかし効果が縮小され、ビーム混合が回避される。任意に、一次イメージシステム720は、SLMとスプリット素子730間のテレセントリックイメージを含む。本発明の実施の形態によれば、書き込み可能な表面760のような表面上にサブビーム795の焦点を合わせるために、二次イメージシステム750が使用される。通常、二次イメージシステム750は追加のテレセントリックレンズシステムを有する。通常、サブビーム795は書き込み可能な表面に、実際上垂直に正面から衝突する。図9Bを参照して、例示的な実施の形態では、ビームシアリング素子730は露光された書き込み表面760に極めて接近して配置される。書き込み表面にはSLM710がイメージされ、二次イメージシステム750を必要としない本発明の実施の形態では、列方向に走査している間のイメージデータの空間シフト行について説明してきたが、本実施の形態の場合、ここで説明した方法及びシステムを使用して、行方向に走査している間にイメージデータの行を空間シフトしてもよいことに注意されたい。本発明の実施の形態に基づいて、図10を参照して、PCBパネル上にパターンを露光するためのマスクレスリソグラフィシステムの概略図を示す。通常、PCBパネル1510は可動テーブル1520上にある。実施の形態によれば、モーター1530がリニア走査モーションでテーブル1520の移動を制御する間に、光学ヘッド1550は、フォトレジストが塗布されたPCB上にずれたイメージパターンを所定の速度で露光する。一般的に、走査の間、モーションアクチュエータ/エンコーダ1530がテーブル1520の走査方向1570の移動を制御する。任意に、テーブル1520または光学ヘッド1550をクロス走査方向1575に移動させるために、第2のモーションアクチュエータを設けることができる。例えば、以降のスイープのために。通常、コントローラ1540は露光速度及び露光光学ヘッド1550のタイミングを調節する。例えば、DMDリセット間隔、走査方向の希望する分解能に基づいたテーブル1520の移動速度で。通常、コントローラ1540は、イメージ露光の速度及び通常メモリ、例えばディスクファイルに蓄積したCAM書き込みデータベース1560に基づくテーブル1530の移動を制御する。例示的な実施の形態では、走査中、一次移動方向は走査方向である。モーター1530はテーブル1520の移動を制御するために示されているが、走査中、テーブル1520は静止して、光学ヘッド1550が走査及びクロス走査方向に進むようにしてもよい。本発明の実施の形態によれば、露光光学ヘッド1550は1つ以上の入射ビーム源、1つ以上のSLM、例えばDMD、及び1つ以上の光学システムを含む。通常、光学システムは、クロス走査方向にイメージデータの画定したシフトを提供するために1つ以上のビームシアリング素子を含む。用語comprises,comprising,including,having及びそれらの同根語は含みつつしかも限定されないを意味する。用語consistingofは含みつつしかも限定されるを意味する。用語consistingessentiallyofは組成、方法または構造が付加的構成要素、工程及び/又は部品を含んでもよいが、しかし付加的構成要素、工程及び/又は部品がクレームした組成、方法または構造の基本的で新規な特徴を実質的に変更しない場合のみであることを意味する。明確さのために、分離した実施の形態の文脈で説明した発明の特徴は、単一の実施の形態で組み合わせて提供してもよい。逆にいえば、簡潔さのために、単一の実施の形態で説明した発明の諸々の特徴は、分離して、または適するサブコンビネーションで、あるいはほかに説明した実施の形態に適するとして提供することもできる。諸々の実施の形態の文脈で説明したいくつかの特徴は、それらの要素なしでは実施の形態が無効でないかぎり、実施の形態の本質的な特徴とみなされることはない。"