"第1の層を形成する工程と、前記第1の層上に第2の層を形成する工程と、前記第2の層の表面に対してGCIB照射を行うことにより、前記第1及び第2の層の一方の結晶情報を他方に転写する工程とを具備する多層膜の製造方法。第1の層を形成する工程と、前記第1の層上に第2の層を形成する工程と、前記第2の層上に第3の層を形成する工程と、前記第3の層の表面に対してGCIB照射を行うことにより、前記第2の層の結晶情報を前記第1及び第3の層に転写する工程とを具備する多層膜の製造方法。前記第1の層が磁性層、前記第2の層が非磁性層のとき、前記第2の層の結晶情報が前記第1の層に転写され、前記第1の層が非磁性層、前記第2の層が磁性層のとき、前記第1の層の結晶情報が前記第2の層に転写される請求項1に記載の多層膜の製造方法。前記非磁性層は、MgO層である請求項3に記載の多層膜の製造方法。前記第2の層がMgO層のとき、前記GCIB照射は、O原子をAr原子で囲んだ構造を有するクラスターを用いて行う請求項1に記載の多層膜の製造方法。前記第2の層がMgO層のとき、前記GCIB照射は、Ar原子を含むクラスターを用いる第1の照射と、前記第1の照射後に行うO原子を含むクラスターを用いる第2の照射とを備える請求項1に記載の多層膜の製造方法。前記第1及び第2の層は、共に、10nm以下の厚さを有する請求項1に記載の多層膜の製造方法。前記GCIB照射に用いるクラスターの合計数をNとし、前記クラスターの平均原子数をAとしたとき、Aは、500以上、かつ、N×A>1×1017cm-2である請求項1乃至7のいずれか1項に記載の多層膜の製造方法。前記GCIB照射に用いるクラスターの平均原子数をAとしたとき、Aは、500以上、かつ、1原子あたりのエネルギーは、1eV以下である請求項1乃至8のいずれか1項に記載の多層膜の製造方法。第1の磁性層を形成する工程と、前記第1の磁性層上にトンネルバリア層を形成する工程と、前記トンネルバリア層の表面に対してGCIB照射を行うことにより、前記トンネルバリア層の結晶情報を前記第1の磁性層に転写する工程と、前記トンネルバリア層上に第2の磁性層を形成する工程と、前記第2の磁性層の表面に対してGCIB照射を行うことにより、前記トンネルバリア層の結晶情報を前記第2の磁性層に転写する工程とを具備する磁気抵抗効果素子の製造方法。第1の磁性層を形成する工程と、前記第1の磁性層上にトンネルバリア層を形成する工程と、前記トンネルバリア層上に第2の磁性層を形成する工程と、前記第2の磁性層の表面に対してGCIB照射を行うことにより、前記トンネルバリア層の結晶情報を前記第1及び第2の磁性層に転写する工程とを具備する磁気抵抗効果素子の製造方法。実施形態は、多層膜内の特定層だけに格子振動を与えてその多層膜の特性を向上させる技術を提案する。実施形態によれば、多層膜の製造方法は、第1の層を形成する工程と、前記第1の層上に第2の層を形成する工程と、前記第2の層の表面に対してGCIB照射を行うことにより、前記第1及び第2の層の一方の結晶情報を他方に転写する工程とを備える。以下、実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。[基本構成]実施形態の多層膜の製造方法では、第1の層上に第2の層を積み重ねた後に、第2の層の表面に対してGCIBGasclusterionbeam照射を行うことにより、第1及び第2の層の一方の結晶情報を他方に転写する技術を提案する。GCIB照射を第2の層の表面に対して行うと、第1及び第2の層内の原子配列が相互に影響し合い、第1及び第2の層のうちの1つの原子配列が変化する。また、第1及び第2の層以外の他の層、例えば、第1及び第2の層の下地となる層には原子の相互拡散が発生しないため、多層膜の特性を向上させることができる。例えば、第1の層が磁性層CoFeB層など、第2の層が非磁性層MgO層などのとき、第2の層の結晶情報が第1の層に転写される。また、第1の層が非磁性層MgO層など、第2の層が磁性層CoFeB層などのとき、第1の層の結晶情報が第2の層に転写される。ところで、GCIB照射に用いるクラスターは、第2の層を構成する原子を含んでいてもよいし、第2の層を構成する原子及びそれとは異なる他の原子を含んでいてもよい。また、GCIB照射は、それぞれ異なるクラスターを用いる複数のイオンビーム照射の組み合わせであってもよい。例えば、第2の層がMgO層のとき、GCIB照射は、O原子をAr原子で囲んだ構造を有するクラスターを用いて行うことができる。また、第2の層がMgO層のとき、GCIB照射は、Ar原子を含むクラスターを用いる第1の照射と、第1の照射後に行うO原子を含むクラスターを用いる第2の照射とにより構成できる。いずれの場合においても、GCIB照射により第2の層としてのMgO層から離脱し易いO原子を、O原子を含むクラスターにより補うことができ、MgO層の組成を最適値に保つことが可能になる。また、O原子をAr原子で囲んだ構造を有するクラスターを用いると、そのクラスターがMgO層に衝突するエネルギーが大きくなるため、O原子の供給が効率的に行える。尚、実施形態の多層膜の製造方法は、第1及び第2の層が、共に、10nm以下の厚さを有するときに効果が顕著である。また、実施形態の多層膜の製造方法では、第1の層上に第2の層を形成し、第2の層上に第3の層を形成するとき、第3の層の表面に対してGCIB照射を行うことにより、第2の層の結晶情報を第1及び第3の層に転写する技術を提案する。GCIB照射を第3の層の表面に対して行うと、第1乃至第3の層内の原子配列が相互に影響し合い、第1及び第3の層の原子配列が変化する。また、第1乃至第3の層以外の他の層には原子の相互拡散が発生しないため、多層膜の特性を向上させることができる。尚、多層膜内の特定層の結晶化のみを促進するために、N×A>1×1017cm-2とするのが望ましい。但し、Nは、GCIB照射に用いるクラスターの合計数であり、Aは、クラスターの平均原子数である。以上の基本構成によれば、多層膜内の特定層だけに格子振動を与えてその多層膜の特性を向上させることができる。例えば、多層膜が磁気抵抗効果素子を構成するとき、実施形態の適用により、磁気抵抗効果素子のMR比の向上、書き込み電流の低下、信頼性の向上、プロセスウインドウが広くなることによる歩留り向上、製造コストの低下などの効果を享受することができる。[第1の実施例]図1A乃至図1Gは、第1の実施例に係わる製造方法を示している。この製造方法は、磁気抵抗効果素子の製造方法に関する。まず、図1Aに示すように、半導体基板11上に素子12を形成する。素子12は、MOSトランジスタなどのスイッチ素子、FEOLFrontEndOfLineなどの導電線を含む。また、素子12上に層間絶縁層13を形成し、この層間絶縁層13内に素子12に達するコンタクトプラグ14を形成する。この後、CMPChemicalMechanicalPolishing及びエッチバックにより、相間絶縁層13の上面を平坦化する。層間絶縁層13は、例えば、酸化シリコンSiO2であり、コンタクトプラグ14は、例えば、タングステンWである。次に、図1Bに示すように、例えば、スパッタ法を用いて、コンタクトプラグ14上に、下地層15、磁気記録層磁気フリー層16、トンネルバリア層17を、順次、形成する。下地層15は、例えば、磁気記録層16の磁化方向を膜面下地層の上面に対して垂直方向に向けるために必要な層である。ここで、図2及び図3は、図1Bの磁気記録層16の例を詳細に示している。この例では、磁気記録層16は、PdとCoとからなる層を6回積み重ねた構造と、この構造上のTa及びCoFeBとを備える。また、トンネルバリア層17は、例えば、体心立方格子BCC:Bodycenteredcubiclattice構造で、001面に配向したMgO層厚さ1nmから構成される。そして、トンネルバリア層17としてのMgO層の表面に対してGCIBガスクラスターイオンビーム照射を行う。但し、クラスターの合計数Nは、例えば、1×1014cm-2であり、クラスターの平均原子数Aは、例えば、10000であり、N×Aは、例えば、1×1018cm-2である。また、GCIB照射に用いるクラスターは、例えば、Arクラスター18であり、これを、例えば、加速電圧5kVでイオンビーム照射する。この時、1原子当たりの平均エネルギーは、0.5eVである。このGCIB照射により、CoFeBは、結晶化が促進され、MgOと同じ結晶構造となる。即ち、CoFeBは、例えば、体心立方格子BCC構造で、001面に配向した結晶構造に変化する。GCIB照射前のCoFeBは、微結晶状態又はアモルファス状態であるため、この照射によってMgOの結晶情報がその直下のCoFeBに転写されたことになる。この時、Pd/Co多層膜に相互拡散は観察されなかった。次に、図1Cに示すように、例えば、スパッタ法を用いて、トンネルバリア層17上に磁気参照層ピンド層19を形成する。ここで、図4は、図1Bの磁気記録層16及び磁気参照層19の例を詳細に示している。磁気参照層19は、例えば、CoFeBを備える。また、磁気参照層19としてのCoFeBの表面に対してGCIB照射を行う。但し、クラスターの合計数Nは、例えば、1×1014cm-2であり、クラスターの平均原子数Aは、例えば、10000であり、N×Aは、例えば、1×1018cm-2である。また、GCIB照射に用いるクラスターは、例えば、Arクラスター18であり、これを、例えば、加速電圧5kVでイオンビーム照射する。この時、1原子当たりの平均エネルギーKは、0.5eV=5kV/10000である。このGCIB照射により、CoFeBは、結晶化が促進され、MgOと同じ結晶構造となる。即ち、CoFeBは、例えば、体心立方格子BCC構造で、001面に配向した結晶構造に変化する。GCIB照射前のCoFeBは、微結晶状態又はアモルファス状態であるため、この照射によってMgOの結晶情報がその直上のCoFeBに転写されたことになる。この時も、Pd/Co多層膜に相互拡散は観察されなかった。GCIBクラスターは、Ar以外にNe,Kr,Xeなどの希ガスでも良い。クラスターを構成する原子の平均原子数Aは、500以上、さらに、1原子当たりのエネルギーKは、1eV以下であることがイオン照射面にダメージを導入しない観点で望ましい。また、アニール効果を与えるためには、クラスターの照射密度Nと、クラスターを構成する原子の平均原子数Aの積N×Aは、1×1017cm-2以上であることが望ましい。しかし、Kを1eVよりも大きくし、膜表面にエッチングを発生させながらGCIB照射することでも本実施例による効果を発揮できる。その際は、初期膜厚を設計値よりも大きく設定しておく必要がある。尚、磁気参照層19として、この後、Ta、Co、Pt/Coをさらに積み重ね、磁気抵抗効果素子の磁気的バイアスを調整してもよい。次に、図1Dに示すように、例えば、スパッタ法を用いて、磁気参照層19上に電極層20を形成する。電極層20は、例えば、タンタルTa層を含む。電極層20上にフォトレジスト層を形成した後、フォトレジスト層をマスクにして電極層20をエッチングし、レジストパターンを電極層20に転写する。この後、電極層20をマスクにして、例えば、イオンミリングにより磁気参照層19をエッチングする。続けて、例えば、磁気参照層19及び電極層20を覆う絶縁層21,22を形成する。この絶縁層21,22は、磁気参照層19が多層であるときに、各層の側面に隙間を設けることなく、その側面に付着する。次に、図1Eに示すように、絶縁層22上にフォトレジスト層を形成した後、フォトレジスト層をマスクにして、RIEにより、絶縁層21,22、磁気参照層19、トンネルバリア層17、磁気記録層16及び下地層15をエッチングし、独立した磁気抵抗効果素子MTJを形成する。この後、磁気抵抗効果素子MTJを覆う層間絶縁層23を形成する。層間絶縁層23は、例えば、酸化シリコンSiO2又は窒化シリコンSiNである。この後、CMP法を用いて、層間絶縁層23の上面を平坦化する。次に、図1Fに示すように、CMP法を用いて、層間絶縁層23の上面をさらに研磨し続け、電極層20の上面を露出させる。最後に、図1Gに示すように、層間絶縁層23上に、電極層20に接続される導電線24を形成する。導電線24は、例えば、アルミニウムAl又は銅Cuである。以上の製造方法により磁気ランダムアクセスメモリMRAMの磁気抵抗効果素子を形成したところ、そのMR比は、100以上の大きな値を観測することができた。これに対し、CoFeBの結晶化をオーブンによる加熱350°C、1時間で行ったときのMR比は、75であった。また、磁気抵抗効果素子の破壊電圧に関しては、オーブンを用いるときは、1.8Vであるのに対し、GCIB照射を用いるときは、2Vであった。以上のように、第1の実施例によれば、オーブン等による加熱の代わりに、GCIB照射を用いることにより、多層膜の特性を大幅に向上させることが可能になる。尚、以上の効果は、Arクラスターの代わりに、Neクラスター、Krクラスター及びXeクラスターのうちの1つを用いたときも、それぞれ得ることができた。[第2の実施例]この製造方法も、磁気抵抗効果素子の製造方法に関する。第2の実施例が第1の実施例と異なる点は、GCIB照射に用いるクラスターの種類にある。まず、コンタクトプラグ上に磁気記録層及びトンネルバリア層を形成するまでを第1の実施例と同じ工程により実行する図1A及び図1B参照。磁気記録層は、例えば、図2に示すように、PdとCoとからなる層を6回積み重ねた構造と、この構造上のTa及びCoFeBとを備える。また、トンネルバリア層は、例えば、体心立方格子BCC構造で、001面に配向したMgO層厚さ1nmから構成される。そして、図5に示すように、トンネルバリア層としてのMgO層の表面に対して1回目のGCIB照射を行う。但し、クラスターの合計数Nは、例えば、5×1013cm-2であり、クラスターの平均原子数Aは、例えば、10000であり、N×Aは、例えば、5×1017cm-2である。また、GCIB照射に用いるクラスターは、例えば、Arアルゴンクラスター18aであり、これを、例えば、加速電圧5kVでイオンビーム照射する。この時、1原子当たりの平均エネルギーは、0.5eVである。続けて、図6に示すように、トンネルバリア層としてのMgO層の表面に対して2回目のGCIB照射を行う。但し、クラスターの合計数Nは、例えば、5×1013cm-2であり、クラスターの平均原子数Aは、例えば、10000であり、N×Aは、例えば、5×1017cm-2である。また、GCIB照射に用いるクラスターは、例えば、O酸素クラスター18bであり、これを、例えば、加速電圧5kVでイオンビーム照射する。この時、1原子当たりの平均エネルギーは、0.5eVである。これら2回のGCIB照射におけるN×A値を加算すると、1×1018cm-2となり、第1の実施例のそれと同じとなる。このGCIB照射により、CoFeBは、結晶化が促進され、MgOと同じ結晶構造となる。即ち、CoFeBは、例えば、体心立方格子BCC構造で、001面に配向した結晶構造に変化する。GCIB照射前のCoFeBは、微結晶状態又はアモルファス状態であるため、この照射によってMgOの結晶情報がその直下のCoFeBに転写されたことになる。この時、Pd/Co多層膜に相互拡散は観察されなかった。また、本例では、Arクラスターの照射後にOクラスターの照射を行う。これは、Arクラスターの照射時に瞬間的に高温になったMgO層の表面からO原子が離脱し易くなるためである。Arクラスターの照射によりMgO層から離脱したO原子を、Oクラスターの照射により補うことで、MgO層の組成を最適値に保つことが可能になる。尚、Arクラスターの照射とOクラスターの照射とは、同時に行ってもよい。また、Arクラスターの照射とOクラスターの照射からなる工程2回に分けても、同時でもよいは、複数回繰り返し行ってもよい。GCIBクラスターは、Ar以外にNe,Kr,Xeなどの希ガスでも良い。クラスターを構成する原子の平均原子数Aは、500以上、さらに、1原子当たりのエネルギーKは、1eV以下であることがイオン照射面にダメージを導入しない観点で望ましい。また、アニール効果を与えるためには、クラスターの照射密度Nと、クラスターを構成する原子の平均原子数Aの積N×Aは、1×1017cm-2以上であることが望ましい。しかし、Kを1eVよりも大きくし、膜表面にエッチングを発生させながらGCIB照射することでも本実施例による効果を発揮できる。その際は、初期膜厚を設計値よりも大きく設定しておく必要がある。次に、第1の実施例と同様に、例えば、スパッタ法を用いて、トンネルバリア層上に磁気参照層ピンド層を形成する図1C参照。磁気参照層は、例えば、図7に示すように、CoFeBを備える。また、図7に示すように、磁気参照層としてのCoFeBの表面に対して1回目のGCIB照射を行う。但し、クラスターの合計数Nは、例えば、5×1013cm-2であり、クラスターの平均原子数Aは、例えば、10000であり、N×Aは、例えば、5×1017cm-2である。また、GCIB照射に用いるクラスターは、例えば、Arクラスター18aであり、これを、例えば、加速電圧5kVでイオンビーム照射する。この時、1原子当たりの平均エネルギーは、0.5eVである。続けて、図8に示すように、磁気参照層としてのCoFeBの表面に対して2回目のGCIB照射を行う。但し、クラスターの合計数Nは、例えば、5×1013cm-2であり、クラスターの平均原子数Aは、例えば、10000であり、N×Aは、例えば、5×1017cm-2である。また、GCIB照射に用いるクラスターは、例えば、O酸素クラスター18bであり、これを、例えば、加速電圧5kVでイオンビーム照射する。この時、1原子当たりの平均エネルギーは、0.5eVである。これら2回のGCIB照射におけるN×A値を加算すると、1×1018cm-2となり、第1の実施例のそれと同じとなる。このGCIB照射により、CoFeBは、結晶化が促進され、MgOと同じ結晶構造となる。即ち、CoFeBは、例えば、体心立方格子BCC構造で、001面に配向した結晶構造に変化する。GCIB照射前のCoFeBは、微結晶状態又はアモルファス状態であるため、この照射によってMgOの結晶情報がその直上のCoFeBに転写されたことになる。この時も、Pd/Co多層膜に相互拡散は観察されなかった。また、本例では、上述と同様の理由により、Arクラスターの照射後にOクラスターの照射を行う。また、Arクラスターの照射とOクラスターの照射とは、同時に行ってもよいし、Arクラスターの照射とOクラスターの照射からなる工程2回に分けても、同時でもよいは、複数回繰り返し行ってもよい。尚、磁気参照層として、この後、Ta、Co、Pt/Coをさらに積み重ね、磁気抵抗効果素子の磁気的バイアスを調整してもよい。この後の工程は、第1の実施例と同様に行い、磁気ランダムアクセスメモリMRAMを形成する図1D乃至図1G参照。以上の製造方法により磁気抵抗効果素子を形成したところ、第1の実施例と同様に、そのMR比は、100以上の大きな値を観測することができた。また、磁気抵抗効果素子の破壊電圧に関しては、2Vであった。以上のように、第2の実施例においても、GCIB照射を用いることにより、多層膜の特性を大幅に向上させることが可能になる。尚、以上の効果は、Arクラスターに代えて、Neクラスター、Krクラスター及びXeクラスターのうちの1つを用いたときも、それぞれ得ることができた。[第3の実施例]この製造方法も、磁気抵抗効果素子の製造方法に関する。第3の実施例が第1の実施例と異なる点は、GCIB照射に用いるクラスターの種類にある。まず、コンタクトプラグ上に磁気記録層及びトンネルバリア層を形成するまでを第1の実施例と同じ工程により実行する図1A及び図1B参照。磁気記録層は、例えば、図2に示すように、PdとCoとからなる層を6回積み重ねた構造と、この構造上のTa及びCoFeBとを備える。また、トンネルバリア層は、例えば、体心立方格子BCC構造で、001面に配向したMgO層厚さ1nmから構成される。そして、図9に示すように、トンネルバリア層としてのMgO層の表面に対してGCIB照射を行う。但し、クラスターの合計数Nは、例えば、5×1013cm-2であり、クラスターの平均原子数Aは、例えば、20000であり、N×Aは、例えば、1×1018cm-2である。また、GCIB照射に用いるクラスターは、O原子をAr原子で囲んだ構造を有するクラスターを用いる。例えば、1個のO酸素クラスターを5個のArアルゴンクラスターで囲んだ混合クラスター18cを用いて、加速電圧5kVでGCIB照射する。この時、1原子当たりの平均エネルギーは、0.25eVである。このGCIB照射により、CoFeBは、結晶化が促進され、MgOと同じ結晶構造となる。即ち、CoFeBは、例えば、体心立方格子BCC構造で、001面に配向した結晶構造に変化する。GCIB照射前のCoFeBは、微結晶状態又はアモルファス状態であるため、この照射によってMgOの結晶情報がその直下のCoFeBに転写されたことになる。この時、Pd/Co多層膜に相互拡散は観察されなかった。また、本例では、OクラスターをArクラスターで囲んだ混合クラスターを用いてGCIB照射を行う。これは、GCIB照射によりMgO層から離脱したO原子を、O原子を含む混合クラスターの照射により補うことにより、MgO層の組成を最適値に保つためである。また、この混合クラスターを用いることにより、第1及び第2の実施例で用いるクラスターの照射よりも、MgO層の表面を局所的にさらに高温にできるため、O原子の効率的な供給が可能になる。次に、第1の実施例と同様に、例えば、スパッタ法を用いて、トンネルバリア層上に磁気参照層ピンド層を形成する図1C参照。磁気参照層は、例えば、図10に示すように、CoFeBを備える。また、図10に示すように、磁気参照層としてのCoFeBの表面に対してGCIB照射を行う。但し、クラスターの合計数Nは、例えば、5×1013cm-2であり、クラスターの平均原子数Aは、例えば、20000であり、N×Aは、例えば、1×1018cm-2である。また、GCIB照射に用いるクラスターは、O原子をAr原子で囲んだ構造を有するクラスターを用いる。例えば、1個のO酸素クラスターを5個のArアルゴンクラスターで囲んだ混合クラスター18cを用いて、加速電圧5kVでGCIB照射する。この時、1原子当たりの平均エネルギーは、0.25eVである。このGCIB照射により、CoFeBは、結晶化が促進され、MgOと同じ結晶構造となる。即ち、CoFeBは、例えば、体心立方格子BCC構造で、001面に配向した結晶構造に変化する。GCIB照射前のCoFeBは、微結晶状態又はアモルファス状態であるため、この照射によってMgOの結晶情報がその直上のCoFeBに転写されたことになる。この時も、Pd/Co多層膜に相互拡散は観察されなかった。尚、磁気参照層として、この後、Ta、Co、Pt/Coをさらに積み重ね、磁気抵抗効果素子の磁気的バイアスを調整してもよい。この後の工程は、第1の実施例と同様に行い、磁気ランダムアクセスメモリMRAMを形成する図1D乃至図1G参照。以上の製造方法により磁気抵抗効果素子を形成したところ、第1の実施例と同様に、そのMR比は、100以上の大きな値を観測することができた。また、磁気抵抗効果素子の破壊電圧に関しては、2Vであった。以上のように、第3の実施例においても、GCIB照射を用いることにより、多層膜の特性を大幅に向上させることが可能になる。尚、以上の効果は、Oクラスターを囲むクラスターとして、Arクラスターに代えて、Neクラスター、Krクラスター及びXeクラスターのうちの1つを用いたときも、それぞれ得ることができた。[第4の実施例]この製造方法は、HDDの再生磁気ヘッドTMRヘッドの製造方法に関する。この製造方法は、HDDの再生磁気ヘッドに関するものであるが、当然に、磁気抵抗効果素子に適用することも可能である。まず、図11に示すように、NiFeシールド層上にTaギャップ層を形成する。また、Taギャップ層上にPt-Mn層を形成する。Taギャップ層は、Pt-Mn層の下地層となる。この後、Pt-Mn層の表面に対してGCIB照射を行う。このGCIB照射は、上述の第1乃至第3の実施例で説明した方法のうちの1つを用いることができるが、ここでは、Arクラスターを用いる場合第1の実施例に対応について説明する。即ち、GCIB照射に用いるクラスターは、Arクラスター18であり、これを、例えば、加速電圧5kVでイオンビーム照射する。Arクラスターの合計数Nは、例えば、5×1013cm-2であり、クラスターの平均原子数Aは、例えば、10000であり、N×Aは、例えば、5×1017cm-2である。この時、1原子当たりの平均エネルギーは、0.5eVである。このGCIB照射により、Pt-Mn層は、結晶化が促進され、例えば、面心正方FCT:Facecenteredtetragonal構造で、111面に配向した結晶構造に変化する。次に、図12に示すように、Pt-Mn層上に、CoFe層1.5nm、Ru層1nm、CoFeB層1.5nm、MgO層1nm及びCoFeB層1nmを順次形成する。この後、CoFeB層の表面に対してGCIB照射を行う。GCIB照射に用いるクラスターは、Arクラスター18であり、これを、例えば、加速電圧5kVでイオンビーム照射する。Arクラスターの合計数Nは、例えば、1×1014cm-2であり、クラスターの平均原子数Aは、例えば、20000であり、N×Aは、例えば、2×1018cm-2である。この時、1原子当たりの平均エネルギーは、0.4eVである。このGCIB照射により、MgO層の上下に存在するCoFeB層は、それぞれ、結晶化が促進され、MgO層と同じ結晶構造となる。即ち、CoFeB層は、例えば、体心立方格子BCC構造で、001面に配向した結晶構造に変化する。GCIB照射前のCoFeB層は、微結晶状態又はアモルファス状態であるため、この照射によってMgO層の結晶情報がその上下に存在するCoFeB層に同時に転写されたことになる。この時、CoFeB直下の多層膜に相互拡散は観察されなかった。尚、MgO層の上下に存在するCoFeB層に同時にMgO層の結晶情報を転写する技術は、上述の第1乃至第3の実施例で説明した磁気抵抗効果素子に適用することも可能である。逆に、本例の再生磁気ヘッドの製造方法におけるGCIB照射に関し、上述の第1乃至第3の実施例の方法を適用してもよい。次に、図13に示すように、CoFeB層上に、Ru層1nm、Fe-Co層1nm及びTa層3nmを順次形成する。続けて、Ta層上にNiFeシールド層を形成する。以上の製造方法によりHDDの再生磁気ヘッドを形成したところ、そのMR比は、100以上の大きな値を観測することができた。これに対し、従来の製造方法では、Pt-Mn層の結晶化のために270°C以上のアニールが必要であり、CoFeB層の結晶化のために300°C以上のアニールが必要である。この場合、Pt-Mn層内のMn原子が拡散し、縦バイアス特性に劣化が生じる。本例のように、GCIB照射を用いることにより、Pt-Mn層及びCoFeB層の結晶化を局所的に促進することができるため、広いプロセスウインドウによる歩留まりの向上、さらには、製造コストの低下を図ることができる。[むすび]実施形態によれば、多層膜内の特定層だけに格子振動を与えることにより、その多層膜内での相互拡散を抑制し、結果として、その多層膜の特性を向上させることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"