"シリコン含有物を含み、かつ第1面と該第1面の裏側の第2面とを有する被処理基板を大気圧近傍下にてエッチングする方法であって、フッ化水素蒸気及び水蒸気を含有する処理雰囲気中に前記被処理基板を配置し、前記第1面の温度を前記処理雰囲気のフッ化水素及び水の凝縮点より高温になるよう、かつ前記第2面の温度を前記凝縮点以下になるよう調節することを特徴とするエッチング方法。前記第1面の温度を前記凝縮点より0°C超~40°C高温にすることを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。前記第2面の温度を前記凝縮点より0°C~10°C低温にすることを特徴とする請求項1又は2に記載のエッチング方法。前記処理雰囲気が存する処理空間に連なる搬入口から前記被処理基板を前記処理空間に搬入し、前記処理空間に連なる搬出口から前記被処理基板を搬出し、前記搬入口の近傍及び前記搬出口の近傍でガスを吸引することを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載のエッチング方法。シリコン含有物を含み、かつ第1面と該第1面の裏側の第2面とを有する被処理基板を大気圧近傍かつ湿度0超の処理空間内にてエッチングする装置であって、フッ化水素及び水のうち少なくともフッ化水素を含有する処理ガスを前記処理空間内に供給して前記被処理基板の少なくとも前記第2面に接触させる吹出ノズルと、前記第1面の温度が前記処理空間におけるフッ化水素及び水の凝縮点より高温になるよう、かつ前記第2面の温度が前記凝縮点以下になるよう調節する調節手段と、を備えたことを特徴とするエッチング装置。前記調節手段が、前記処理空間における前記被処理基板が配置される位置を挟んで前記吹出ノズルとは反対側において前記位置に近接して配置されたヒータを含み、前記ヒータの設定温度が前記凝縮点より0°C超~60°C高温であることを特徴とする請求項5に記載のエッチング装置。前記調節手段が、前記第2面の温度を前記凝縮点より0°C~10°C低温にすることを特徴とする請求項5又は6に記載のエッチング装置。上掲特許文献1、2等に開示されたエッチング処理技術は、例えばガラス基板の裏面を軽く粗化する処理等に適用できる。裏面を軽く粗化しておくことによって、そのガラス基板をステージに載置して主面おもて側の面を表面処理した後、ステージから搬出する際、ガラス基板をステージから容易に引き離すことができる。上記エッチング処理によるガラス基板の裏面の粗化度は、ガラス基板をステージから容易に引き離すことができる範囲内で、なるべく小さいことが好ましい。粗化度が大き過ぎると、その後の主面の表面処理の際、ガラス基板をステージに密着させにくくなったりガラス基板の光学特性が損なわれたりするおそれがある。しかし、エッチング用の処理ガスが、拡散によってガラス基板の主面にも接触することが考えられる。そうすると、主面までもが粗面化されてしまう。本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ガラス基板等のシリコン含有物を含む被処理基板の第1面例えば主面のエッチングを抑制又は防止しながら、裏側の第2面をエッチングすることにある。上記問題点を解決するために、本発明方法は、シリコン含有物を含み、かつ第1面と該第1面の裏側の第2面とを有する被処理基板を大気圧近傍下にてエッチングする方法であって、フッ化水素蒸気及び水蒸気を含有する処理雰囲気中に前記被処理基板を配置し、前記第1面の温度を前記処理雰囲気のフッ化水素及び水の凝縮点より高温になるよう、かつ前記第2面の温度を前記凝縮点以下になるよう調節することを特徴とする。被処理基板の第2面においては、前記凝縮点と第2面の温度との関係により、第2面上でフッ化水素及び水が凝縮してフッ化水素酸の凝縮層が形成される。これにより、第2面を構成するシリコン含有物のエッチング反応が起き、第2面をエッチング粗化を含むすることができる。一方、第1面においては、前記凝縮点と第1面の温度との関係により、凝縮層が形成されるのを回避できる。よって、第1面のエッチングを抑制又は防止できる。前記第1面の温度を前記凝縮点より0°C超~40°C高温にすることが好ましい。より好ましくは、前記第1面の温度を前記凝縮点より5°C~30°C高温にする。第1面の加温度ひいては第1面に付与すべき熱量を小さくすることにより、熱が第2面まで伝達するのを回避又は抑制でき、第2面の温度上昇を防止又は抑制できる。したがって、第2面の温度を確実に前記凝縮点以下にすることができる。よって、第1面のエッチングを確実に防止又は抑制しながら、第2面を確実にエッチングすることができる。前記第2面の温度を前記凝縮点より0°C~10°C低温にすることが好ましい。凝縮点と第2面の温度との差を小さくすることにより、第1面を少し加温すれば、第1面の温度が前記凝縮点を上回るようにすることができる。第1面の加温度ひいては第1面に付与すべき熱量を小さくすることにより、熱が第2面まで伝達するのを回避又は抑制でき、第2面の温度上昇を防止又は抑制できる。したがって、上記第2面の温度を確実に前記凝縮点以下にすることができる。よって、第1面のエッチングを確実に防止又は抑制しながら、第2面を確実にエッチングすることができる。前記処理雰囲気が存する処理空間に連なる搬入口から前記被処理基板を前記処理空間に搬入し、前記処理空間に連なる搬出口から前記被処理基板を搬出し、前記搬入口の近傍及び前記搬出口の近傍でガスを吸引することにしてもよい。これによって、外気が搬入口又は搬出口を通って処理空間に達する前に、搬入口又は搬出口の近傍で吸引して排気でき、外気が処理空間に流入するのを防止できる。上記の流入外気の流量や流速は、被処理基板の搬入及び搬出に伴って変動する。このような変動があっても、上記の吸引によって処理雰囲気への外気混入を防止できるから、処理雰囲気のガス組成ひいてはフッ化水素蒸気分圧及び水蒸気分圧を、それぞれ処理ガス自体のものと略同じに維持することができる。この結果、第2面のエッチング処理が不均一になるのを防止することができる。また、処理雰囲気の湿度に対して外気の湿度が高くても第1面側の処理雰囲気の湿度が上昇するのを防止でき、第1面に凝縮層が形成されるのを防止できる。したがって、第1面までもがエッチングされてしまうのを回避できる。本発明装置は、シリコン含有物を含み、かつ第1面と該第1面の裏側の第2面とを有する被処理基板を大気圧近傍かつ湿度0超の処理空間内にてエッチングする装置であって、フッ化水素及び水のうち少なくともフッ化水素を含有する処理ガスを前記処理空間内に供給して前記被処理基板の少なくとも前記第2面に接触させる吹出ノズルと、前記第1面の温度が前記処理空間におけるフッ化水素及び水の凝縮点より高温になるよう、かつ前記第2面の温度が前記凝縮点以下になるよう調節する調節手段と、を備えたことを特徴とする。吹出しノズルからの処理ガスが処理空間内の処理雰囲気に混合される。処理ガスはフッ化水素及び水のうち少なくともフッ化水素を含有し、かつ処理空間の湿度は0超であるから、処理雰囲気はフッ化水素蒸気及び水蒸気を含有することになる。この処理雰囲気が被処理物に接触する。このとき、被処理物の第2面においては、前記調節手段による前記凝縮点と第2面の温度との関係調節によって、処理雰囲気中のフッ化水素及び水が被処理物の第2面上に凝縮してフッ化水素酸の凝縮層が形成される。したがって、第2面を構成するシリコン含有物のエッチング反応が起き、第2面をエッチング粗化を含むすることができる。一方、被処理物の第1面においては、前記調節手段による前記凝縮点と第1面の温度との関係調節によって、処理雰囲気中のフッ化水素及び水が第1面上に凝縮するのを回避でき、フッ化水素酸の凝縮層が形成されるのを回避できる。したがって、第1面を構成するシリコン含有物のエッチング反応を抑制又は防止できる。前記処理空間の湿度は、0を超えていればよく、100RH以下であればよい。前記調節手段は、被処理基板の第1面の温度を制御するものであってもよく、第2面の温度を制御するものであってもよく、処理ガスのフッ化水素分圧や水蒸気分圧を制御するものであってもよく、処理空間内の処理雰囲気の水蒸気分圧を制御するものであってもよく、或いは処理空間内に流入する外気の水蒸気分圧を制御するものであってもよい。前記調節手段が、前記処理空間における前記被処理基板が配置される位置を挟んで前記吹出ノズルとは反対側において前記位置に近接して配置されたヒータを含み、前記ヒータの設定温度が前記凝縮点より0°C超~60°C高温であることが好ましい。これにより、被処理基板の第1面の温度を処理雰囲気のフッ化水素及び水の凝縮点より確実に高温にすることができる。第1面の加温度ひいては第1面に付与すべき熱量を小さくすることにより、熱が第2面まで伝達するのを回避又は抑制でき、第2面の温度上昇を防止又は抑制できる。したがって、上記第2面の温度を確実に前記凝縮点以下にすることができる。これにより、第1面のエッチングを確実に抑制又は防止しながら、第2面を確実にエッチングすることができる。被処理基板を前記吹出ノズルに対して相対移動させる場合、その移動速度を考慮して前記ヒータの設定温度を設定することが好ましい。例えば、前記移動速度が比較的大きいときは、前記設定温度を前記第1面の所望温度より比較的大きくする。これによって、前記第1面が前記所望温度に達する迄の所要時間を短縮できる。一方、移動速度が比較的大きいから、第2面までもが前記凝縮点より高温にならないうちに処理を終了できる。前記移動速度が比較的小さいときは、前記設定温度を前記所望温度とほぼ同じにしてもよい。これによって、被処理基板の温度が前記所望温度を大きく超えるのを回避できる。一方、移動速度が小さいと加熱時間が長くなるが、前記設定温度及び前記所望温度を前記凝縮点より少しだけ高温に設定することによって、第2面の温度を前記凝縮点以下に維持することができる。前記調節手段が、前記第2面の温度を前記凝縮点より0°C~10°C低温にすることが好ましい。処理雰囲気のフッ化水素及び水の凝縮点と第2面の温度との差を小さくすることにより、第1面を少し加温すれば、第1面の温度が前記凝縮点を上回るようにすることができる。第1面の加温度ひいては第1面に付与すべき熱量を小さくすることにより、熱が第2面まで伝達するのを回避又は抑制でき、第2面の温度上昇を防止又は抑制できる。したがって、上記第2面の温度を確実に前記凝縮点以下にすることができる。よって、第1面のエッチングを確実に抑制又は防止しながら、第2面を確実にエッチングすることができる。ここで、大気圧近傍とは、1.013×104~50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、1.333×104~10.664×104Paが好ましく、9.331×104~10.397×104Paがより好ましい。本発明によれば、被処理基板の第1面のエッチングを抑制又は防止しながら、裏側の第2面をエッチングすることができる。以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。図1及び図2は、本発明の第1実施形態を示したものである。被処理基板9は、例えばフラットパネルディスプレイ等の半導体装置になるべきガラス基板である。ガラス基板9は、SiO2等のシリコン含有物を主成分として含んでいる。ガラス基板9の厚さは、例えば0.5mm~0.7mm程度である。ガラス基板9は、四角形の平板状をなし、おもて側の第1面9a主面と、その裏側の第2面9b裏面とを有している。第1面9aは、絶縁層、導電層、半導体層等の各種電子素子層が設けられるべき主面である。第2面9bは、大気圧エッチング装置1による粗化エッチング処理の対象となる裏面である。第2面9bを粗化処理したうえで、第1面9aに対し、上記各種電子素子層を形成するための表面処理を行なう。図1に示すように、大気圧エッチング装置1は、原料ガス供給手段10と、処理部20と、搬送手段30を備えている。原料ガス供給手段10は、フッ素系原料供給部11と、水添加部12を含む。フッ素系原料供給部11は、エッチング用の処理ガスエッチャントとなる原料ガスを供給する。原料ガスは、フッ素含有ガスとキャリアガスを含む。フッ素含有ガスとして、CF4が用いられている。フッ素含有ガスとしてCF4に代えて、C2F6、C3F6、C3F8等の他のPFCパーフルオロカーボンを用いてもよく、CHF3、CH2F2、CH3F等のHFCハイドロフルオロカーボンを用いてもよく、SF6、NF3、XeF2等のPFC及びHFC以外のフッ素含有化合物を用いてもよい。キャリアガスは、フッ素含有ガスを搬送する機能の他、フッ素含有ガスを希釈する希釈ガスとしての機能、後記プラズマ放電を生成する放電ガスとしての機能等を有している。キャリアガスとしては、好ましくは不活性ガスを用いる。キャリアガスとなる不活性ガスとして、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等の希ガスや窒素が挙げられる。ここでは、キャリアガスとして、アルゴンArが用いられている。フッ素含有ガスとキャリアガスとの流量比CF4:Arは、1:1000~1:10が好ましい。キャリアガスを省略してもよい。水添加部12は、上記原料ガスCF4Arに水H2Oを添加し、原料ガスを加湿する。この水添加量を調節することによって、原料ガスの水蒸気分圧ひいては処理ガスのフッ化水素分圧及び水蒸気分圧を調節する。水添加部12は、例えば恒温槽等のタンクを備えた加湿器にて構成されている。このタンク内に液体の水が蓄えられている。供給部11からの原料ガスが、上記タンクの水面より上側部分に供給され、上記上側部分の飽和水蒸気と混合される。或いは、供給部11からの原料ガスを上記タンク内の水中にバブリングすることによって、原料ガスに水蒸気を添加してもよい。上記タンクを温度調節することによって蒸気圧を調節し、これにより水添加量を調節してもよい。水添加部12の水分添加量ひいては処理ガスの露点は、第2面9bのエッチング処理性能を満足するように調整するのが好ましい。水添加前の原料ガスの露点は、好ましくは-40°C以下である。露点-40°Cを水蒸気分圧に換算すると0.03Torr程度であり、体積濃度に換算すると0.004程度であり、原料ガス中の水蒸気量は殆どゼロに等しい。水添加後の原料ガス中の水分量は、水添加前の原料ガスの露点と、水添加部12における水の気化量とから算出することができる。フーリエ変換型赤外分光器FTIRを用いて水添加後の原料ガス中の水分量を測定してもよい。図1に示すように、処理部20は、天板21と、底板22と、吹出ノズル40と、吸引ノズル50を含む。天板21は、水平な板状になっている。天板21における図1の紙面と直交する方向以下y方向と称すに沿う幅寸法は、被処理基板9のy方向の幅寸法より若干大きい。天板21は、プレートヒータにて構成され、後述する温度調節手段を兼ねている。天板21すなわちプレートヒータ21のハウジングは、アルミニウム等の金属にて構成されている。天板21の表面のうち少なくとも下面には、ポリテトラフルオロエチレン等の耐フッ素性、耐プラズマ性の高い樹脂被膜を設けるのが好ましい。底板22は、水平な板状をなして天板21の下方に平行に配置されている。底板22のy方向図2の左右方向の幅寸法は、被処理基板9のy方向の幅寸法より若干大きい。底板22は、アルミニウム等の金属にて構成されていてもよく、樹脂にて構成されていてもよく、ガラス板にて構成されていてもよい。底板22が金属にて構成されている場合、その表面のうち少なくとも上面には、ポリテトラフルオロエチレン等の耐フッ素性、耐プラズマ性の高い樹脂被膜を設けるのが好ましい。吹出ノズル40は、処理部20における図1の左右方向以下x方向と称すの一端部図1において右に配置されている。図1及び図2に示すように、吹出ノズル40は、y方向に長く延びる容器状になっている。吹出ノズル40の上端面に吹出し口41が設けられている。吹出し口41は、y方向に延びるスリット状になっている。吹出し口41のy方向に沿う長さは、被処理基板9のy方向に沿う幅寸法より若干大きい。底板22のx方向の一端部図1において右に吹出しノズル40が接している。吹出ノズル40の上端面が底板22の上面と面一になっている。天板21の一端部図1において右が、底板22よりも一端側図1において右へ延び出し、吹出ノズル40の上側に被さっている。天板21の一端部と吹出ノズル40との間に、搬入口26が形成されている。吸引ノズル50は、処理部20におけるx方向の他端部図1において左に配置されている。吸引ノズル50は、y方向に長く延びる容器状になっている。吸引ノズル50の上端面に吸い込み口51が開口されている。吸い込み口51は、y方向に延びるスリット状になっている。吸い込み口51のy方向に沿う長さは、被処理基板9のy方向に沿う幅寸法より若干大きい。底板22のx方向の他端部図1において左に吸引ノズル50が接している。吸引ノズル50の上端面は、底板22の上面と面一になっている。天板21の他端部図1において左が、底板22よりも他端側へ延び出し、吸引ノズル50の上側に被さっている。天板21の他端部と吸引ノズル51との間に、搬出口27が形成されている。処理部20における上側の天板21と下側の構成部22,40,50との間に処理部内空間29が形成されている。処理部内空間29のx方向の一端部図1において右に搬入口26が連なっている。処理部内空間29のx方向の他端部図1において左に搬出口26が連なっている。処理部内空間29のx方向の両端部が、搬入出口26,27を介して処理部20の外部の空間に連なっている。図2に示すように、処理部内空間29のy方向の両端部は、それぞれ側壁24にて塞がれている。図1に示すように、処理部内空間29における、吹出し口41のx方向の位置から吸い込み口51のx方向の位置までの部分が、処理空間23を構成している。処理部20における上側の天板21と下側の構成部22,40,50と両側壁24は、処理空間画成部を構成している。処理空間23は、吹出し口41よりx方向の一端側の処理部内空間29を介して搬入口26に連なっている。かつ、処理空間23は、吸込み口51よりx方向の他端側の処理部内空間29を介して搬出口27に連なっている。処理空間23の厚さd0は、天板21の下面と底板22の上面との間の間隔に等しく、例えばd0=5mm~10mm程度である。吹出ノズル40の下部には、整流部42が設けられている。詳細な図示は省略するが、整流部42は、y方向に延びるチャンバー又はスリットやy方向に並べられた多数の小孔の列等を含む。水添加後の上記原料ガスCF4ArH2Oが、整流部42に導入されてy方向に均一化される。吹出ノズル40の内部にはプラズマ生成部60が格納されている。プラズマ生成部60は、少なくとも一対の電極61,61を含む。これら電極61,61は、それぞれy方向に延びている。少なくとも1つの電極61の対向面に固体誘電体層図示省略が設けられている。一方の電極61に電源図示省略が接続されている。他方の電極61が電気的に接地されている。一対の電極61間に略大気圧のプラズマ放電空間62が生成される。放電空間62は、電極61と同じくy方向に延びるスリット状になっている。放電空間62において、上記原料ガスCF4ArH2Oがプラズマ化分解、励起、活性化、ラジカル化、イオン化等を含む。される。これにより、原料ガス成分が分解されて、フッ化水素HF、COF2等のフッ素系反応成分を含む処理ガスが生成される式1等。上記フッ素系反応成分のうちCOF2は更に水と反応してフッ化水素に変換される式3。COF2H2O→2HFCO2式3この実施形態では、原料ガス中のH2Oの殆ど全量がフッ化水素の生成反応式1、式3に寄与するよう、水添加部12の添加量等が設定されている。したがって、処理ガス中のH2O含有量は、実質的に無視できる程度に小さく、若しくは0である。処理ガスは、上記フッ素系反応成分の他、未分解の原料ガス成分CF4、Ar、H2Oをも含む。この処理ガスが、吹出し口41から上方へ吹出される。処理ガスの吹出し流は、y方向に均一である。図示は省略するが、吸引ノズル50に吸引ポンプ等の排気手段が接続されている。上記排気手段の駆動によって、処理空間23内のガスが、吸引ノズル590の吸い込み口51に吸い込まれて排気される。吸引ノズル50からの排気流量は、吹出ノズル40からの処理ガスの供給流量より大きい。上記排気流量と供給流量の差に相当する量の外気空気等が、搬入口26及び搬出口27から処理部内空間29に流入する。搬入口26からの外気は、吹出し口41を過ぎて処理空間23内に流入する。一方、搬出口27からの外気は、吸込み口51に吸い込まれ、処理空間23にはほとんど達しない。したがって、処理空間23内の処理雰囲気は、上記搬入口26からの流入外気と処理ガスとの混合ガスになる。以下、流入外気は、特に断らない限り、上記搬入口26から処理空間23内に流入する外気を言うものとする。通常、流入外気は水分を含み、湿度は少なくとも0超である。この実施形態では、吸引ノズル50からの排気流量が処理ガスの供給流量より十分に大きく、上記流入外気の流量が処理ガスの供給流量より十分に大きく例えば10倍程度になるよう設定されている。したがって、処理ガスの水含有量が極めて小さいことと相俟ち、処理空間23内の処理雰囲気の水蒸気分圧は、外気の水蒸気分圧とほぼ等しい。搬送手段30は、処理部20の下部に設けられたローラシャフト31及び搬送ローラ32を含む。複数のローラシャフト31が、それぞれ軸線を幅方向yに向けてx方向に間隔を置いて平行に並べられている。各ローラシャフト31の軸方向yに間隔を置いて複数の搬送ローラ32が設けられている。搬送ローラ32の上端部が、底板22のローラ穴25に通され、底板22の上面より上へ突出し、処理空間23内に臨んでいる。搬送ローラ32の底板22上面からの突出量が、被処理基板9の第2面9bと吹出し口41との間の距離ワーキングディスタンスWDに対応する。ワーキングディスタンスWDは、例えばWD=2mm~10mm程度である。搬送手段30は、被処理基板9を水平に支持しながらx方向に沿って矢印aの向き図1において左方に搬送する。これにより、被処理基板9が、搬入口26から処理空間23内に差し入れられ、処理空間23内を通過し、搬出口27から出される。搬送手段30による被処理基板9の搬送速度は、0.1m/min~20m/min程度が好ましい。搬送手段30は、被処理基板9を支持して処理空間23内に配置する支持手段を兼ねる。被処理基板9の第1面9aは上に向けられ、第2面9bは下に向けられている。更に、大気圧エッチング装置1は調節手段を備えている。上記調節手段は、被処理基板9の第1面9a及び第2面9bの温度を、処理空間23内のフッ化水素及び水の混合系の凝縮点との関係で調節する。この実施形態では、天板21が、前述したようにプレートヒータからなり、調節手段の主要素として提供されている。天板すなわちプレートヒータ21は、処理空間23内における被処理基板9が配置される位置を挟んで吹出ノズル40とは反対側に配置され、しかも上記位置に近接して配置されている。天板すなわちヒータ21の下面と上記位置に配置された被処理基板9の第1面9aとの距離d1は、例えばd1=2mm~10mm程度が好ましい。ヒータ21は、室温から例えば50°C程度までの範囲で温度設定できる。ヒータ21の設定温度は、外気の湿度ひいては処理空間23内の処理雰囲気の水蒸気分圧、処理ガスひいては処理空間23内の処理雰囲気のフッ化水素分圧等に応じて設定される。上記のように構成された大気圧エッチング装置1にて被処理基板9をライトエッチングする方法を説明する。フッ素系原料供給部11からの原料ガスCF4Arに水添加部12にて所定量の水蒸気H2Oを添加し、加湿原料ガスを得る。この加湿原料ガスCF4ArH2Oを整流部42にて幅方向yに均一化したうえで、プラズマ生成部60にてプラズマ化する。これにより、フッ化水素及び水のうち少なくともフッ化水素を含む処理ガスを生成する。水添加部12における水蒸気添加量等を調節することによって、処理ガスのフッ化水素分圧及び水蒸気分圧を調節できる。ここでは、原料ガス中の水分の殆ど全量がフッ化水素の生成に消費され、処理ガスの水蒸気分圧は実質0である。処理ガスの温度は室温付近である。この処理ガスを吹出し口41から吹き出して処理空間23内に供給する。併行して、処理空間23内のガスを吸引ノズル50に吸引して排気する。この排気流量を処理ガス供給流量より十分に大きくする。したがって、処理ガスよりも十分に多量の外気が処理空間23内に巻き込まれて処理ガスと混合される。そして、処理空間23内の処理雰囲気処理ガスと上記流入外気との混合ガスの水蒸気分圧が、外気の水蒸気分圧とほぼ等しくなる。処理雰囲気のフッ化水素分圧は、処理ガスのフッ化水素分圧に等しい。処理雰囲気のフッ化水素分圧及び水蒸気分圧に応じて、当該処理雰囲気中のフッ化水素及び水の凝縮点が決まる。すなわち、フッ化水素酸の凝縮層が生成される臨界温度が決まる図11。被処理基板9の初期温度は、通常、室温であるか、ないしは15°C~35°C程度である。ここで、被処理基板9の初期温度とは、被処理基板9を処理部23内に搬入する直前の被処理基板9の温度を言う。通常、上記搬入の直前では、被処理基板9の全体が、上記初期温度になっている。したがって、第1面9a及び第2面9bが上記初期温度になっている。この被処理基板9を、搬入口26から処理空間23内に差し入れ、図1の矢印aの方向に沿って処理空間23の一端側図1において右から他端側図1において左へ搬送する。すると、被処理基板9が吹出ノズル40の上方に被さり、吹出し口41から吹き出された処理ガスが被処理基板9の少なくとも第2面9bに接触する。更に、処理空間23内に拡散した処理ガスの一部が被処理基板9の第1面9aに接触する。上述したように、処理ガスの吹出し温度と被処理基板9の初期温度は共に室温付近であり、両者間の温度差は小さい。したがって、被処理基板9の温度は、処理ガスの吹き付けによっては殆ど変化することがない。上記被処理基板9の搬入に先立ち、天板すなわちヒータ21を設定温度まで加温し、該設定温度に保温しておく。上記ヒータ21の設定温度は、処理雰囲気中のフッ化水素及び水の凝縮点より高温に設定し、好ましくは上記凝縮点を少しだけ上回るようにする。例えば、上記ヒータ21の設定温度は、上記凝縮点より0°C超~60°C程度高温になるよう調節する。このヒータ21の熱が、処理空間23内に導入された被処理基板9の第1面9aに非接触で伝達される。これにより、第1面9aを所望温度まで加温できる。上記所望温度は、上記凝縮点より高温であり、かつ上記設定温度とほぼ等しいか設定温度より低く、例えば凝縮点より0°C超~40°Cである。ヒータ21と被処理基板9との間の距離d1を小さくすることにより、第1面9aを確実に加温温度調節できる。上記被処理基板9の第1面9aを加温する際、第2面9bの温度は、上記凝縮点以下例えば凝縮点より0°C~10°C低温に維持されるようにし、好ましくは上記初期温度にほぼ維持されるようにする。すなわち、ヒータ21からの熱が、被処理基板9の第2面9bには殆ど伝達されないようにする。上述したように、上記凝縮点と被処理基板9の初期温度との差を小さくし、被処理基板9の第1面9aを少しだけ加熱すれば上記凝縮点より高温の設定温度に達するようにしておくことによって、ヒータ21から被処理基板9の第1面9aに付与する熱量を小さく抑えることができる。これにより、熱が被処理基板9の第2面9bまで達するのを抑制又は阻止できる。熱が第2面9bに達する前に被処理基板9が処理空間23ひいては搬出口27から搬出されるよう、搬送手段30による搬送速度を調節してもよい。この場合、搬送手段30は、特許請求の範囲の調節手段の要素となる。上記ヒータ21の設定温度は、搬送速度を考慮して設定する。搬送速度が比較的大きいときは、ヒータ21の設定温度を第1面9aの所望温度より充分に高くする。これによって、第1面9aが所望温度に達する迄の所要時間を短縮できる。一方、高速搬送にすることで、第2面9bまでもが凝縮点より高温にならないうちに、被処理基板9を搬出口27から搬出できる。これに対し、搬送速度が比較的小さいときは、ヒータ21の設定温度を第1面9aの所望温度とほぼ同じにしてもよい。これによって、被処理基板9が上記所望温度より高温になるのを回避できる。一方、低速搬送の場合は加熱時間が長くなるが、設定温度を上記凝縮点より少しだけ高温に設定することによって、第2面9bの温度を上記凝縮点以下に維持することができる。例えば、処理ガスの温度が室温であり、かつ第1面9aの所望温度が40°C~50°Cの場合、搬送速度が5mm/sec~10mm/sec程度の高速搬送時には、ヒータ21の設定温度を第1面9aの所望温度より10°C~20°C程度高くする。これに対し、搬送速度が1mm/sec程度以下の低速搬送時には、ヒータ21の設定温度を第1面9aの所望温度とほぼ等しくする。第2面9bの温度が上記凝縮点以下であるため、処理雰囲気中のフッ化水素蒸気及び水蒸気が第2面9bに接触すると凝縮してフッ化水素酸の凝縮層が形成される。この結果、第2面9bを構成するSiO2等のシリコン含有物のエッチング反応が起き、第2面9bを軽く粗化することができる。一方、被処理基板9の第1面9aについては上記凝縮点より高温になっているため、処理雰囲気中のフッ化水素蒸気及び水蒸気が第1面9aに接触しても凝縮が起きない。したがって、第1面9aに凝縮層が形成されるのを防止できる。この結果、第1面9aがエッチングされるのを防止することができ、第1面9aの表面状態を良好に保つことができる。上記大気圧エッチング装置1による粗化処理の後、被処理基板9を別の表面処理装置図示せずへ搬送する。この表面処理装置のステージに被処理基板9を載置し、第2面9bをステージに接触させ吸着する。第2面9bの粗化度が小さいため、被処理基板9をステージに確実に吸着して保持できる。そして、第1面9aに洗浄、表面改質、エッチング、アッシング、成膜等の表面処理を施す。第1面9aは、上述した粗面化処理において粗面化を回避されているから、良好な表面処理を行なうことができる。ひいては、上記表面処理によって形成される絶縁層、導電層、半導体層等の各種電子素子層の品質を良好にすることができる。第1面9aの表面処理の後、被処理基板9をステージから搬出する。第2面9bには上記粗面化処理によって微小凹凸が形成されているため、ステージから被処理基板9を容易に引き離すことができる。この結果、被処理基板9が撓んだり割れたりするのを防止できる。次に本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において、既述の形態と重複する部分については図面に同一符号を付して説明を適宜省略する。図3及び図4に示すように、第2実施形態の大気圧エッチング装置1Aは、被処理基板9の搬送手段30として、搬入用ローラコンベア33と、処理用ローラコンベア34と、搬出用ローラコンベア35を備えている。各ローラコンベア33,34,35が、x方向図3の左右方向に並べられた複数のローラシャフト31と、各ローラシャフト31に設けられた搬送ローラ32を有している。搬入用ローラコンベア33は、処理部20よりx方向の一端側図3において右に配置され、被処理基板9を処理空間23に搬入する。処理用ローラコンベア34は、底板22の下部に設けられ、処理空間23内の被処理基板9を搬送する。搬出用ローラコンベア35は、処理部20よりx方向の他端側図3において左に配置され、被処理基板9を処理空間23から搬出する。底板22の下部には、処理用ローラコンベア34のための複数のカバー70が設けられている。カバー70は、処理用ローラコンベア34のローラシャフト31と一対一に対応している。カバー70は、ローラシャフト31の軸線方向yに長く延びる容器状になっている。各カバー70に、対応するローラシャフト31及び搬送ローラ32が収容されている。カバー70の上面は開口され、かつ底板22の下面に突き当てられている。カバー70は、アルミニウム等の金属にて構成されていてもよく、塩化ビニール等の樹脂にて構成されていてもよい。カバー70の内面に、ポリテトラフルオロエチレン等の耐フッ素性、耐プラズマ性の高い樹脂被膜を設けてもよい。図4に示すように、処理用ローラコンベア34のローラシャフト31が、カバー70の長手方向の両側の端壁74を貫通している。端壁74には気密軸受75が設けられている。気密軸受75によって、ローラシャフト31が回転可能に支持されている。かつ、気密軸受75によって、ローラシャフト31と端壁74との間が気密にシールされている。気密軸受75の構成部材は、ポリテトラフルオロエチレン等の耐フッ素性、耐プラズマ性の高い樹脂にて構成されていることが好ましい。カバー70の内部は、ローラ穴25を介して処理空間23とのみ連通している。第2実施形態によれば、大気圧エッチング装置1Aの下方の外気空気等が、ローラ穴25を通って処理空間23内に引き込まれるのを防止できる。また、処理空間23の処理ガスが、ローラ穴25を通って底板22の下側へ漏れたときには、この処理ガスをカバー70の内部に閉じ込めることができる。したがって、処理ガスが外部へ漏れるのを防止することができる。第2実施形態の吸引ノズル50は、底板22のx方向の中間部に配置されている。天板21及び底板22が、吸引ノズル50よりもx方向の他端側図3において左すなわち基板9の搬送方向の下流側へ延び出ている。天板21における吹出ノズル40と吸引ノズル50との間に対応する部分だけが調節手段として設定温度に保温されるようになっていてもよく、天板21の全域が調節手段として設定温度に保温されるようになっていてもよい。図5及び図6は、本発明の第3実施形態を示したものである。この実施形態の大気圧エッチング装置1Bは、底板22を有していない。吹出ノズル40の上面の全体と天板21の下面とによって処理空間23が画成されている。処理空間23内にHF蒸気及び水蒸気を含む処理雰囲気が存する。吹出しノズル40のx方向の長さを調節することで処理空間23の長さを調節でき、ひいては被処理基板9が処理雰囲気と接触する処理時間を増減できる。この結果、第2面9bのエッチング量が所望になるよう調節できる。図5に示すように、大気圧エッチング装置1Bは、ガス吸引系80を備えている。ガス吸引系80は、吸引ポンプ81と、一対の添え板82,84を含む。一対の添え板82,84は、吹出ノズル40を挟んでx方向の両側に垂直に配置されている。添え板82,84の上端部が、吹出ノズル40の上面と面一になるよう揃えられている。添え板82,84の厚みは、例えば数mm~十数mm程度であり、ここでは5mm程度である。図6に示すように、搬入側図において右の添え板82は、吹出ノズル40の搬入側の外面に沿ってx方向と直交するy方向に延びている。図5及び図6に示すように、添え板82と吹出ノズル40の搬入側の外面との間に吸引路83が画成されている。吸引路83の下端部が、吸引ポンプ81に接続されている。吸引路83の上端部吸い込み口は、処理空間23の搬入側の端部に連なっている。吸引路83の吸い込み口のx方向の開口幅は、例えば数mm~数十mm程度であり、ここでは10mm程度である。吸引路83の吸い込み口の近傍に搬入口26が配置されている。搬入口26は、添え板82の上端部と天板21の搬入側の端部とによって画成されている。搬入口26は、処理空間23の搬入側の端部に連なるとともに、吸引路83に連なっている。図6に示すように、搬出側図において左の添え板84は、吹出ノズル40の搬出側の外面に沿ってy方向に延びている。図5及び図6に示すように、添え板84と吹出ノズル40の搬出側の外面との間に吸引路85が画成されている。吸引路85の下端部が、吸引ポンプ81に接続されている。吸引路85の上端部吸い込み口は、処理空間23の搬出側の端部に連なっている。吸引路85の吸い込み口のx方向の開口幅は、例えば数mm~数十mm程度であり、ここでは10mm程度である。吸引路85の吸い込み口の近傍に搬出口27が配置されている。搬出口27は、添え板84の上端部と天板21の搬出側の端部とによって画成されている。搬出口27は、処理空間23の搬出側の端部に連なるとともに、吸引路85に連なっている。図6に示すように、処理部20の幅方向yの両端部には端壁86がそれぞれ設けられている。端壁86によって吸引路83,85の幅方向yの両端部が塞がれている。第3実施形態の大気圧エッチング装置1Bにおいて、被処理基板9の第2面9bをライトエッチングする際は、プラズマ化した処理ガスg1を吹出し口41から処理空間23内に吹き出す。これと併行して、ガス吸引系80の吸引ポンプ81を駆動し、吸引路83,85からガス吸引を行なう。図7aに示すように、被処理基板9が処理空間23内に導入されていない状態において、処理ガスg1は、処理空間23内における吹出し口41の真上部分で搬入側図において右へ向かう流れと搬出側図において左へ向かう流れとに分かれる。搬入側へ向かった処理ガスは、処理空間23の搬入側の端部から吸引路83に吸い込まれる。搬出側へ向かった処理ガスは、処理空間23の搬出側の端部から吸引路85に吸い込まれる。更に、ガス吸引系80のガス吸引によって、外気が搬入口26に入り込む。この外気は、搬入口26から吸引路83に吸い込まれる。同様に、搬出口27にも外気が入り込む。この外気は、搬出口27から吸引路85に吸い込まれる。したがって、外気が吹出ノズル40の上面と天板21との間の処理空間23まで流入することは殆どない。よって、処理空間23内の処理雰囲気のガス組成は、プラズマ化後の処理ガス自体の組成と略等しい。すなわち、処理空間23内のHF分圧及び水蒸気分圧は、処理ガス自体のHF分圧及び水蒸気分圧と略等しい。したがって、外気の湿度や温度等が変動しても処理空間23内のHF分圧及び水蒸気分圧は殆ど変動しない。図7bに示すように、被処理基板9の端部が搬入口26に搬入されてくると、搬入口26の開口面積が狭くなり、流通抵抗が増大することによって、搬入口26から流入する外気g2の流量が低下し、又は流速が増大する。この流入外気g2には、被処理基板9より上側を通る外気g2aと、第2面9bより下側を通る外気g2bとがある。そのうち、下側の流入外気g2bは、搬入口26から直ぐに吸引路83に吸い込まれる。したがって、下側の流入外気g2bが処理空間23まで入り込むことは殆どない。上側の流入外気g2aは、被処理基板9の端部が搬入口26に位置している状態では被処理基板9の端面に沿って下方へ回り込み、吸引路83に吸い込まれる。したがって、上側の流入外気g2aについても処理空間23まで入り込むことは殆どない。よって、被処理基板9の端部が搬入口26から搬入される時に流入外気g2の流量及び流速が変動しても、処理空間23内のガス組成が変動するのを抑制又は防止できる。図7cに示すように、やがて被処理基板9が吸引路83に被さる。この状態になると、処理空間23のうち被処理基板9より上側の部分以下第1処理空間部23aと称すにはガス吸引系80の吸引力があまり働かなくなり、外気g2aの吸い込み流量が減る。上側の外気g2aは、被処理基板9の上面との粘性で搬入口26内に流入し得るが、その流入量は吸引系80で吸引できた時図7a~bと比べると十分に小さい。したがって、天板21と被処理基板9との間の処理雰囲気は、処理ガス自体とほぼ同じガス組成に維持される。被処理基板9の下側からの外気g2bの流入量は、上側の外気g2aの流入量が低下した分、大きくなる。流量が大きくなっても流入外気g2bの殆ど全部が直ぐに吸引路83に吸い込まれる。したがって、外気g2bが処理空間23まで入り込むことは殆どなく、被処理基板9と吹出ノズル40との間の処理空間以下第2処理空間部23bと称すの処理雰囲気は、処理ガス自体とほぼ同じガス組成に維持される。上記のような外気流入の変動は、被処理基板9が処理空間23から搬出される際にも同様に起きる。この場合、搬出口25から流入する外気の流量及び流速が変動する。この搬出口25からの流入外気は、その殆ど全部が吸引路85に吸い込まれる。したがって、搬出時においても、流入外気の流量や流速の変動に拘わらず、処理空間23内のガス組成がほぼ一定に維持される。このように、エッチング装置1Bでは、搬入口26及び搬出口27を通して処理空間23に流入する外気g2の流量や流速が被処理基板9の搬入及び搬出に伴って変動したとしても、処理空間23内の処理雰囲気のガス組成ひいてはHF分圧及び水蒸気分圧を、それぞれ処理ガス自体のものと略同じに維持することができる。この結果、第2面9bのエッチング処理が不均一になるのを防止することができる。また、天板21と被処理基板9との間の処理雰囲気の湿度が上昇するのを防止でき、第1面9aに凝縮層が形成されるのを防止できる。したがって、第1面9aまでもがエッチングされてしまうのを回避できる。処理ガスひいては処理空間23内の処理雰囲気の湿度に対して外気の湿度がかなり高い時でも、第1面9aに凝縮層が形成されるのを確実に防止でき、第1面9aがエッチングされるのを確実に回避できる。なお、後述するように、図7cの状態において、第1処理空間部23aへの外気g2aの巻き込みが有る場合でも、この巻き込み量等を制御することで第2面9bのみを粗化可能である。本発明は、上記実施形態に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の改変をなすことができる。例えば、上記実施形態では、第1面9aが電子素子を設けるべき主面であり、粗化エッチングすべき第2面9bが裏面であったが、第1面9aが裏面であり、粗化エッチングすべき第2面9aが電子素子を設けるべき主面であってもよい。第1面と第2面の両方が、電子素子が設けられる面であってもよい。被処理基板は、ガラスに限られず、半導体ウェハ等でもよい。更に、被処理基板は、電子素子が形成される基板ないしは半導体装置用の基板に限られない。エッチング対象のシリコン含有物は、SiO2に限られず、SiN、Si、SiC、SiOC等であってもよい。被処理基板9にシリコン含有物からなる膜が形成されていてもよく、本発明装置1が上記膜をエッチングするものであってもよい。被処理基板9の第1面9a及び第2面9bの温度調節手段は、プレートヒータ以外の電熱ヒータや熱媒ヒータや輻射ヒータでもよい。熱媒ヒータとして、例えば天板21が、温調された水等の熱媒を通す熱媒流路や、上記熱媒を溜める貯留室を有していてもよい。貯留室に溜めた熱媒を加熱等して温度調節してもよい。第1実施形態においても、天板21の全域が温度調節されるようになっていてもよく、天板21の一部例えば中央部や一端部等が部分的に温度調節されるようになっていてもよい。温度調節手段ヒータが、天板21とは別体に設けられていてもよく、温度調節手段ヒータが天板21を加温し、天板21を介して被処理基板9の第1面9aを加温するようにしてもよい。被処理基板の第2面9bを冷却し、これにより第2面9bの温度が上記凝縮点より低温の所望温度になるよう調節してもよい。例えば、底板22に冷水等の冷却媒体を通す媒体流路を設け、底板22を冷却することにより、被処理基板の第2面9bを冷却してもよい。この場合、第2面9bの上記冷却手段は、特許請求の範囲の調節手段の要素になる。冷却手段にて、第2面9bの温度を上記凝縮点より0°C~10°C低温になるよう調節するのが好ましい。装置1の周辺の湿度を調節し、ひいては処理雰囲気中の水蒸気分圧を調節することにしてもよい。この場合、装置1の周辺の湿度調節手段は、特許請求の範囲の調節手段の要素になる。処理ガスがある程度の水分を含有するようにしてもよい。処理雰囲気中の水蒸気分圧が、水添加部12による水添加量に大きく依存するようにしてもよい。この場合、水添加部12は、特許請求の範囲の調節手段の要素になる。プラズマ生成部60が、吹出ノズル40の外部に設けられていてもよく、吹出ノズル40から離れて設けられていてもよい。プラズマ生成部60にて原料ガスをプラズマ化して処理ガスを生成した後、この処理ガスを吹出ノズル40へ輸送することにしてもよい。処理ガスは、プラズマ化により形成するものに限られない。例えば、処理ガス源としてフッ化水素水溶液を蓄えたタンクを用意し、上記フッ化水素水溶液を気化させて吹出ノズル40へ輸送することにしてもよい。処理ガスが、オゾン等の酸化成分を含んでいてもよい。オゾンはオゾナイザーや酸素プラズマ生成装置にて生成できる。被処理基板9の姿勢は、水平に限られず鉛直でもよく、水平又は鉛直に対し斜めであってもよい。被処理基板9の第2面を上に向け、第1面を下に向けてもよい。温度調節手段ヒータを被処理基板9の下側に配置し、吹出ノズル40を被処理基板9の上側に配置して、処理ガスを被処理基板9の上方から被処理基板9に吹き付けることにしてもよい。被処理基板9がx方向の矢印aの向きに片道移動するのに限られず、処理空間23内を往復移動するようにしてもよい。被処理基板9を支持する支持手段を搬送手段30とは別途に設けてもよい。支持手段にて被処理基板9の位置を固定し、搬送手段にて処理部20を移動させることにしてもよい。被処理基板9及び処理部20を互いに相対移動させながらエッチング処理を行なうのに限られず、被処理基板9及び処理部20の相対位置を固定した状態でエッチング処理を行なうことにしてもよい。実施例を説明する。本発明が以下の実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。実施例1では、図1及び図2と実質的に同じ大気圧エッチング装置1を用いた。被処理基板9としてガラス基板を用い、第1面9a及び第2面9bにそれぞれSiNシリコン含有物を被膜した。被処理基板9の寸法は、以下の通りであった。x方向に沿う長さ:670mmy方向の幅:550mm厚さ:0.7mm大気圧エッチング装置1の寸法構成は、以下の通りであった。底板22のx方向に沿う長さ:0.3m処理空間23の上下方向の厚さ:d0=8mm処理空間23のy方向の幅:600mmワーキングディスタンス:WD=4mm天板すなわちプレートヒータ21の下面と被処理基板9の上面との距離:d1=4mm原料ガスの組成は以下の通りとした。Ar:8.7slmCF4:0.3slmH2O:0.19sccm上記原料ガスを整流部42にてプラズマ化して処理ガスを生成した。したがって、処理ガスの流量は、9sccm強であった。プラズマ生成条件は以下の通りとした。電極間間隔:1mm電極間電圧:Vpp=12.8kV電極間電圧の周波数:25kHzパルス波供給電力:パルス変換前の直流電圧=370V、電流=9.4A吸込み口51からの排気量は500slmとした。これにより、搬入口26から処理空間23に引き込まれる外気は約120slmであった。処理ガスひいては処理空間23内の処理雰囲気のフッ化水素分圧は6.2Torrであった。装置周辺は大気圧であり、装置周辺の温度室温は、25°Cであり、相対湿度は、約30であった。図11に示すように、この相対湿度に対応する水蒸気分圧は、7.1Torrである。また、この処理雰囲気中のフッ化水素及び水の凝縮点は約27°Cである。被処理基板9の処理空間23へ搬入する前の初期温度は、25°Cであった。被処理基板9をx方向の矢印aの向きに搬送して処理空間23に通した。被処理基板9を処理空間23に通した回数スキャン回数は、1回であった。被処理基板9の搬送速度は、4m/minとした。吹出ノズル40からの処理ガスの吹き出しは、被処理基板9を処理空間23に搬入する前から開始し、被処理基板9が処理空間23から搬出されるまで継続して行った。天板すなわちプレートヒータ21を設定温度に保温し、ひいては第1面9aの温度を調節した。ヒータ21の設定温度は、25°C、30°C、35°C、45°Cの4通りとした。25°Cでは天板21の下面に結露が形成された。30°C、35°C、45°Cでは、天板21の下面に結露が形成されなかった。なお、天板21を25°Cから加温していくと、27°C~28°Cで結露が消失した。処理後の被処理基板9について、第1面9a上のSiN膜及び第2面9b上のSiN膜のエッチングレートを測定した。測定位置は、被処理基板9の各面9a,9bのx方向の中央部において、幅方向yに1mm間隔置きの箇所とした。測定位置毎に、エッチング深さをスキャン回数で割って、1スキャン片道1回の搬送当たりのエッチング量nm/scanを求めた。更に、各面9a,9bにおける上記各測定位置のエッチングレートの平均値を求めた。図8は、上記平均のエッチングレートを示したものである。同図に示す通り、ヒータ設定温度が25°Cのときは、第2面9bのSiN膜だけでなく、第1面9aのSiN膜についても第2面9b側と同程度にエッチングされた。ヒータ設定温度が30°Cのときは、第2面9bのSiN膜については十分なエッチング量を得られたのに対し、第1面9aのSiN膜のエッチング量が極めて小さくなり、SiN膜が殆どエッチングされないことが確認された。ヒータ設定温度が35°C及び45°Cのときについても、30°Cのときと同様に、第2面9bのSiN膜については十分なエッチング量を得られたのに対し、第1面9aのSiN膜は殆どエッチングされなかった。以上の結果から、第1面9aの温度を処理雰囲気中のフッ化水素及び水の凝縮点より高温にし、かつ第2面9bの温度を上記凝縮点より低温にすることにより、第1面9aがエッチングされるのを抑制又は防止しながら、第2面9bをエッチングできることが確認された。図9及び図10は、各面9a,9bの上記各測定位置におけるエッチングレートであり、幅方向yのエッチングレートの分布を示したものである。図9aに示すように、ヒータ設定温度が25°Cのときは、第1面9a、第2面9b共に、幅方向yの位置に応じてエッチングレートが大きくばらついた。不均一の要因としては、搬送ローラ33の影響も考えられる。搬送ローラ33の配置位置は、図9及び図10の横軸における-35mm、0mm、35mmの各位置であった。これに対し、図9bに示すように、ヒータ設定温度が30°Cのときは、第1面9a、第2面9b共に、エッチングレートがほぼ均一になった。図10a及び図10bに示すように、ヒータ設定温度が35°C及び45°Cのときについても、30°Cのときと同様に、第1面9a、第2面9b共に、エッチングレートがほぼ均一になった。以上の結果から、第1面9aを処理雰囲気中のフッ化水素及び水の凝縮点より高温にすることで、第1面9aのエッチングが抑制されるだけでなく、第1面9a及び第2面9bのエッチングの均一性が高まることが判明した。更に、HF水溶液の気液平衡曲線に基づいて、図11に示すように、HF-H2O系の温度に応じた凝縮条件を算出してグラフにした。同グラフにおいて、水平な破線は、相対湿度RHを示し、処理雰囲気のH2O分圧に対応する。同グラフにおいて、実施例1の処理雰囲気のH2O分圧7.1Torr相対湿度30及びHF分圧6.2Torrに対応する点Aは、25°Cの気液平衡曲線に対しては気相側に位置し、30°C以上の気液平衡曲線に対しては液相側に位置する。よって、実施例1の結果が理論上の計算データと符合することが確認された。したがって、処理条件を設定する際は、図11に例示するグラフを用い、処理雰囲気のHF分圧及びH2O分圧に対応する上記グラフ上の点が、室温ないしは被処理基板9の初期温度に対応する気液平衡曲線よりも気相側に位置し、かつヒータ設定温度に対応する気液平衡曲線よりも液相側に位置するよう、上記ヒータ設定温度や処理ガスレシピ原料ガス成分の流量、水蒸気の添加量等を設定するとよい。図12は、第3実施形態図5~図7のエッチング装置1BにおけるHF-H2O系の凝縮条件のグラフである。エッチング装置1Bでは、処理空間23内に外気が殆ど入り込まないため、処理雰囲気のガス組成は、プラズマ化後の処理ガスのガス組成とほぼ同じである。加湿後のフッ素系原料ガスすなわちプラズマ化前の処理ガスCF4ArH2OのH2O分圧は、例えば10.8Torrである図12の一点鎖線L1。この処理ガス中の水がプラズマ化によって分解される。したがって、プラズマ化後の処理ガスのH2O分圧は、プラズマ化前より低下し、例えば8.1Torrになる図12の破線L2。更にプラズマ化後の処理ガスのHF分圧は、例えば4.2Torrである図12の破線L3。破線L2と破線L3の交点Bが、プラズマ化後の処理ガスのHF及びH2O分圧を示し、ひいては処理空間23内の処理雰囲気のHF及びH2O分圧を示す。したがって、被処理基板9の第2面9bの温度が、点Bの温度以下の例えば25°C程度であれば、第2面9b上にフッ化水素酸の凝縮層が形成され、これによって第2面9bを確実にエッチングできる。かつ、ヒータ21によって被処理基板9の第1面9aの温度を、点Bより高温の例えば30°C程度になるよう加熱すれば、第1面9aに凝縮層が形成されるのを回避でき、第1面9aがエッチングされるのを確実に防止できる。なお、被処理基板9の第1面9aの温度を、ヒータ21によって点Bより高温にしなくても、第1面9aがエッチングされるのを防止することができる。上述した図12の点Bで示される処理雰囲気のガス組成で、且つ処理雰囲気の温度が25°Cの場合を例にして説明する。図5に示す第3実施形態において、ヒータ21の下面と被処理基板9の第1面9aとの距離を広げる。処理空間23の雰囲気は点Bで示される条件であるが、被処理基板9が搬入口26から処理空間23に入ることで、外気を巻き込んでくる。ところが、吹き出てくる処理ガスおよび搬入側の吸引路83からの処理空間手前での排気によって、第2面9bと吹出ノズル40の上面との間の第2処理空間部23bには、外気が入ってこない。一方、第1面9aとヒータ21との間の第1処理空間部23aには、外気が入ってくる。すると、第1処理空間部23aのHF分圧が下がり、点Bから25°Cの気液平衡曲線を跨いだ気相側に処理雰囲気の分圧組成が変わる。したがって、第1面9aに凝縮層は形成されず、第1面9aはエッチングされない。このように、ヒータ21の下面と被処理基板9の第1面9aとの距離を適当に調整し、被処理基板9による第1処理空間部23aへの外気の巻き込み量を制御することで、ヒータ21にて加温しなくても第2面9bのみ粗化できる。このとき、外気は、処理ガスより低湿であるのが好ましい。"