"平面コイルと、この平面コイルの上面、下面、側面のうち少なくとも1箇所に絶縁膜を介して配置された透磁率可変素子とを備え、前記透磁率可変素子は、マトリックス中に多数の磁性ナノ粒子を分散させた磁性ナノコンポジット膜と、この磁性ナノコンポジット膜の上面または下面の少なくとも一方の面に形成された絶縁膜と、前記磁性ナノコンポジット膜と接する面と反対側の絶縁膜の面に形成された電極膜とを備え、前記透磁率可変素子の電極膜への電圧印加により前記透磁率可変素子の磁性ナノコンポジット膜の磁気特性を変化させ、前記平面コイルのインダクタンスを変化させることを特徴とする可変インダクタ。請求項1に記載の可変インダクタにおいて、前記平面コイルは、絶縁膜を介して複数積層されることを特徴とする可変インダクタ。請求項1または2に記載の可変インダクタにおいて、前記平面コイルは、水平方向に複数配置され、前記透磁率可変素子は、複数の前記平面コイルの上面または下面に絶縁膜を介して配置されることを特徴とする可変インダクタ。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の可変インダクタにおいて、前記透磁率可変素子は、複数積層されることを特徴とする可変インダクタ。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の可変インダクタにおいて、前記マトリックスは、無機半導体または有機半導体からなることを特徴とする可変インダクタ。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の可変インダクタにおいて、前記磁性ナノ粒子は、単磁区であり室温付近で超常磁性を示すことを特徴とする可変インダクタ。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の可変インダクタにおいて、前記磁性ナノ粒子は、Fe,Co,Niのうち少なくとも1つを含む材料からなることを特徴とする可変インダクタ。請求項1乃至7のいずれか1項に記載の可変インダクタにおいて、前記磁性ナノ粒子は、粒径が2~20nmであることを特徴とする可変インダクタ。請求項1乃至8のいずれか1項に記載の可変インダクタにおいて、前記磁性ナノ粒子は、その外周部に保護層が形成されていることを特徴とする可変インダクタ。特許文献1に記載された可変インダクタでは、強磁性体からなる磁歪層に応力を加えるため、スパイラルコイルにも応力を与えてしまうという問題点があり、コイルの特性を変化させてしまったり、長期間の使用により可変インダクタが破損する等の問題が生じる可能性があった。特許文献2に記載された可変インダクタでは、板状の素子を動かすために大きな力が必要であり、消費電力が増えたり、駆動速度が遅くなったりするという問題点があった。特許文献3に記載された可変インダクタでは、インダクタンスの変化がステップ状であり、インダクタンスの連続的な変化が実現できないという問題点があった。また、特許文献3に記載された可変インダクタでは、開放端を短絡または開放するスイッチとしてMOSFETを利用しているが、MOSFETのオン抵抗が数kΩ程度と大きいため、スイッチによる損失が大きく、可変インダクタのQ値が低くなるという問題点があった。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、低消費電力で発熱が少なく信頼性の高い小型の透磁率可変素子を用いた、インダクタンス変化範囲が広く、損失が少ない可変インダクタを提供することを目的とする。本発明の可変インダクタは、平面コイルと、この平面コイルの上面、下面、側面のうち少なくとも1箇所に絶縁膜を介して配置された透磁率可変素子とを備え、前記透磁率可変素子は、マトリックス中に多数の磁性ナノ粒子を分散させた磁性ナノコンポジット膜と、この磁性ナノコンポジット膜の上面または下面の少なくとも一方の面に形成された絶縁膜と、前記磁性ナノコンポジット膜と接する面と反対側の絶縁膜の面に形成された電極膜とを備え、前記透磁率可変素子の電極膜への電圧印加により前記透磁率可変素子の磁性ナノコンポジット膜の磁気特性を変化させ、前記平面コイルのインダクタンスを変化させることを特徴とするものである。また、本発明の可変インダクタの1構成例において、前記平面コイルは、絶縁膜を介して複数積層される。また、本発明の可変インダクタの1構成例において、前記平面コイルは、水平方向に複数配置され、前記透磁率可変素子は、複数の前記平面コイルの上面または下面に絶縁膜を介して配置される。また、本発明の可変インダクタの1構成例において、前記透磁率可変素子は、複数積層される。また、本発明の可変インダクタの1構成例において、前記マトリックスは、無機半導体または有機半導体からなる。また、本発明の可変インダクタの1構成例において、前記磁性ナノ粒子は、単磁区であり室温付近で超常磁性を示す。また、本発明の可変インダクタの1構成例において、前記磁性ナノ粒子は、Fe,Co,Niのうち少なくとも1つを含む材料からなる。また、本発明の可変インダクタの1構成例において、前記磁性ナノ粒子は、粒径が2~20nmである。また、本発明の可変インダクタの1構成例において、前記磁性ナノ粒子は、その外周部に保護層が形成されている。本発明では、平面コイルと、平面コイルの上面、下面、側面のうち少なくとも1箇所に絶縁膜を介して配置された透磁率可変素子とを設けることにより、低消費電力で発熱が少ない小型の透磁率可変素子を用いた、インダクタンス変化範囲が広く、損失が少ない可変インダクタを実現することができる。本発明では、平面コイルに応力を加えないので、可変インダクタの信頼性を向上させることができる。また、本発明では、従来の可変インダクタのようなスイッチを使用しないため、低損失の可変インダクタを実現することができ、Q値の劣化を抑制することができる。本発明の可変インダクタを高周波回路に適用すれば、可変キャパシタのみを使用する場合と比較して、Q値の劣化を抑制することができる。また、本発明では、平面コイルの周りに磁性体磁性ナノコンポジット膜があるため、平面コイルからの漏れ磁界を抑制することができ、周囲の回路へのノイズなどの影響を低減することができる。本発明の可変インダクタは、電界共鳴型送電、マイクロ波送電、電磁誘導送電などにおける回路でのインピーダンスマッチングにも使用できる。また、本発明の可変インダクタをスイッチング電源のインダクタとして使用し、インダクタを負荷変動に応じて制御することにより、スイッチング電源の高性能化を実現できる。また、本発明では、平面コイルを水平方向に複数配置し、透磁率可変素子を、複数の平面コイルの上面または下面に絶縁膜を介して配置することにより、複数の平面コイルの磁気結合の強さを制御することができる。また、本発明では、磁性ナノ粒子の外周部に保護層を形成することにより、磁性ナノ粒子の酸化防止を実現することができる。[発明の原理]本発明の可変インダクタで用いる透磁率可変素子は、半導体からなるマトリックス母材中に磁性ナノ粒子が分散した磁性ナノコンポジット膜の上面または下面の少なくとも一方の面に絶縁膜を介して電極膜を形成し、電極膜に接続された電圧印加手段で磁性ナノコンポジット膜に与える電界を制御することにより、半導体マトリックス中を動くことができるキャリア電子や正孔の密度を変化させ、磁性ナノコンポジット膜中の磁性ナノ粒子間のキャリアを介した相互作用の強さを変化させて、磁性ナノコンポジット膜の透磁率あるいは、磁気抵抗、磁化率、磁化の強さ等の磁気特性を変化させるものである。マトリックスとなる半導体としては、無機物や有機物がある。無機半導体としては、例えばアモルファスシリコンやポリシリコン、アモルファス酸化物などがある。有機半導体としては、π共役系で電界によりキャリアを注入できるものであり、高分子系や低分子系があり、例えばポリアニリン、ポリアセン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセチレン、ペンタセンなどのポリマーや、これらの誘導体、複合体などがある。磁性ナノ粒子は、Fe,Co,Niの単体、または、そのうちの少なくとも1つを含む材料、具体的にはFe,Co,Niのうち少なくとも1つを含む化合物例えば、Fe3O4や合金例えば、FeCo、NiFeなどからなる。磁性ナノ粒子は、単磁区であり、室温付近で超常磁性を示す粒径1~40nmより好ましくは2~20nm程度のものである。このような磁性ナノ粒子を0.1~10nmより好ましくは0.5~5nm程度の間隔でマトリックス中にほぼ均一に分散させて配置する。[磁性ナノコンポジット中の磁性ナノ粒子間のキャリアを介した相互作用]以下、磁性ナノコンポジット中の磁性ナノ粒子間のキャリアを介した相互作用について説明する。マトリックス母材が無機半導体の場合、磁性ナノ粒子間の相互作用は、半導体中のキャリア電子や正孔を介して隣接する磁性ナノ粒子間で働く間接交換相互作用RKKY相互作用によるものである。つまり、本発明の透磁率可変素子は、半導体からなるマトリックス中に超常磁性の特性を示す磁性ナノ粒子が分散した磁性ナノコンポジット膜の上面または下面の少なくとも一方の面に絶縁膜を介して電極膜を形成し、電極膜に接続された電圧印加手段で磁性ナノコンポジット膜に与える電界を制御することにより、マトリックス中を動くことができるキャリア電子や正孔の密度を変化させ、磁性ナノコンポジット膜中の磁性ナノ粒子間のキャリアを介した間接交換相互作用RKKY相互作用の強さを変化させて、磁性ナノコンポジット膜の透磁率等の磁気特性を変化させるというものである。キャリア密度が増えると、相互作用は強くなる。電極膜に正電圧を与えると、絶縁膜近傍の半導体マトリックス中には電子が蓄積され、負電圧を与えると正孔が蓄積される。間接交換相互作用RKKY相互作用は、一般的に伝導電子を媒介としたスピン間の相互作用であり、例えば5~10nm程度の距離まで作用し、粒子表面間距離の3乗に反比例する。また、粒子表面間距離に対してスピンの向きを平行強磁性的または反平行反強磁性的にする作用が余弦関数的に振動し、その作用の周期は伝導電子のフェルミ波数で決められる。よって、磁性ナノ粒子間距離の設定に応じて、キャリアの増加により超常磁性→強磁性透磁率大に変化させたり、超常磁性→反強磁性透磁率小に変化させたりすることができる。まず、磁性ナノ粒子間が近い側では強磁性になり、磁性ナノ粒子間が離れていくと反強磁性になり、さらに離れていくと強磁性になる、というように余弦関数的に振動しながら作用が減衰していくため、大きな効果を得るためには、磁性ナノ粒子同士が接触または近接して磁性ナノ粒子同士の電子軌道が重なり、直接交換相互作用が起こる距離よりは離間した上で、出来るだけ粒子表面間を例えば、0.5~2nm程度に近接させて動作させることが好ましい。[磁性ナノ粒子の超常磁性]次に、磁性ナノ粒子の超常磁性について説明する。通常のバルクの強磁性体は静磁エネルギーを下げるため磁壁を作り磁区と呼ばれる多数の領域に分かれている多磁区構造となっているが、磁性体のサイズが数10~数100nm程度以下になると、磁壁を作るエネルギーの方が大きくなるため磁区に分かれず単磁区構造をとるようになる。単磁区構造では、保磁力の最大値が現れる。超常磁性とは、さらに強磁性体粒子の径を数10nm程度以下にすると、各粒子の磁化方向を一定方向にして磁化の回転の障壁となる磁気異方性エネルギーKuVが熱振動エネルギーKBTより小さくなるKuV<KBTため、粒子内では磁化方向は揃っているが粒子間では磁化方向がばらばらになっている性質のことを言う。ここで、Kuは結晶磁気異方性定数、Vは体積、KBはボルツマン定数、Tは温度である。超常磁性では、基本的に保磁力や磁化曲線のヒステリシスが無くなり、磁化の大きさは常磁性体よりも4~5桁も大きく、飽和に要する磁界が小さい。超常磁性状態の磁性ナノ粒子を使用することによって、磁性ナノコンポジット膜の透磁率等の磁気特性を変化させやすくなり、磁気特性の変化の範囲も大きくなる。[磁性ナノ粒子間に働く相互作用全体]ここで、磁性ナノ粒子間に働く相互作用の種類について詳細に説明しておく。まず、磁性ナノ粒子間に働く相互作用は大きく2つに分けられる。その1つは、ナノ構造に限らず磁気モーメントを持つすべての磁性体間で長距離にわたり作用する静磁気学的な双極子間相互作用である。マトリックスが非磁性絶縁体の場合は、双極子間相互作用の影響が大きくなる。もう1つは、ナノ構造特有の量子力学的な相互作用である直接交換相互作用、超交換相互作用、間接交換相互作用RKKY相互作用、2重交換相互作用などである。直接交換相互作用は、隣接原子間の電子の重なりにより原子間のスピンの向きをそろえ強磁性や反強磁性を生み出す作用であり、その強さは双極子間相互作用よりも3桁程度大きいことが知られている。直接交換相互作用は、磁性ナノ粒子同士が接触、または磁性ナノ粒子表面間の距離が原子間距離の数倍程以下例えば1nm程度以下であり、磁性ナノ粒子間が磁性かつ導電性のマトリックス材料で分離されているようなときに作用する。超交換相互作用は、酸化物磁性体などにおける、酸素やハロゲンなどの陰イオンを媒介としたスピン相互作用であり、主として反強磁性的に働く。超交換相互作用によると、イオン間の角度が180度のときは反強磁性、90度のときは強磁性になることが報告されている。間接交換相互作用RKKY相互作用は、上述したとおりであり、磁性ナノ粒子間が非磁性導電性のマトリックス材料で分離されているときに作用する。2重交換相互作用は、電子の移動と磁性が強く結びついて作用する。本発明の構成では間接交換相互作用RKKY相互作用の影響が主体的に働き磁気特性を変化させるが、双極子間相互作用の影響も含まれ、製造方法によっては磁性ナノ粒子同士の接触により直接交換相互作用の影響もわずかに含まれるかもしれない。磁気特性を変化させる効果の大きさは、直接交換相互作用の効果>間接交換相互作用RKKY相互作用の効果>>双極子間相互作用の効果、という大小関係になる。一方、効果が働く粒子間距離は、直接交換相互作用が働く距離<間接交換相互作用RKKY相互作用が働く距離<<双極子間相互作用が働く距離、という大小関係になる。よって、磁性ナノ粒子間距離の設定を適切に行うことにより、直接交換相互作用の発生を避け、間接交換相互作用RKKY相互作用が効果的に働くようにする。なお、長距離で作用する双極子間相互作用の場合は磁性ナノ粒子の中心間距離が対象になり、短距離で作用する直接交換相互作用、間接交換相互作用RKKY相互作用の場合は磁性ナノ粒子の表面間距離が対象になる。マトリックスが有機半導体の場合も基本的には上記の無機半導体の場合と同様に、電極膜に接続された電圧印加手段で磁性ナノコンポジット膜に与える電界を制御することにより、マトリックス中を動くことができるキャリア電子や正孔の密度を変化させ、磁性ナノコンポジット膜中の磁性ナノ粒子間のキャリアを介した相互作用の強さを変化させて、磁性ナノコンポジット膜の透磁率等の磁気特性を変化させる。π共役系有機半導体には、多数のベンゼン環からなるアセン系の結晶性低分子化合物や、π結合と呼ばれる2重結合が交互に結合したπ共役系が1次元につながった高分子があり、いずれもπ電子と呼ばれる活性の高い電子を含んでおり、電界印加、化学処理、光照射などの方法によりドーピングができる。ただし、1次元鎖を持つ導電性高分子は、一般に電子系と格子系との相互作用が強く、シリコンなどの3次元の結晶とは異なり、単純に電子や正孔とはならず、広範な格子歪を伴ったソリトンやポーラロン状態が現れるポリアセチレンなどの縮退系ではソリトン、その他ほとんどの導電性高分子が該当する非縮退系ではポーラロン。電気伝導の経路としては、分子鎖内、分子鎖間ホッピング伝導、フィブリルまたは粒子間ホッピング伝導の3種類がある。分子鎖内ではこのソリトンやポーラロンが電気伝導のキャリアとなる。ポーラロンは、1/2または-1/2のスピンとまたは-の電荷を持ち、ドーピング濃度が多くなると、スピンを持たないバイポーラロンになる場合とスピンを持つポーラロンペアになる場合とがある。バイポーラロンになるかポーラロンペアになるかは、電子相関も含めた安定性から決まる。本発明において、磁性ナノ粒子間の相関作用を起こしてスピンを平行に近づけて強磁性的な性質または反平行に近づけて反強磁性的な性質を誘起するためには、キャリアがスピンを持っていることが必要である。しかし、ポーラロンがバイポーラロンになり、磁性ナノ粒子間の相関作用が弱くなる効果を利用して磁気特性を変化させることも可能である。なお、磁性ナノコンポジット膜の代わりに、磁性半導体を使用することも考えられるが、透磁率などの磁気的特性が低く、ほとんどが低温でしか動作しないものであるため好ましくない。また、半導体からなるマトリックスのキャリア密度を電界により変化させる方法は、一般的なTFTThinFilmTransisterにおいてキャリア密度を変化させる方法とほぼ同様であるが、TFTには磁性ナノ粒子は含まれていない。[第1の参考例]以下、本発明の参考例について図面を参照して説明する。図1は本発明の第1の参考例に係る透磁率可変素子の構成を示す断面図である。本参考例の透磁率可変素子は、基板1と、基板1上に形成されたマトリックス中に多数の磁性ナノ粒子が分散して配置された磁性ナノコンポジット膜2と、磁性ナノコンポジット膜2上に形成された絶縁膜3と、絶縁膜3上に形成された電極膜4とから構成される。基板1は、半導体、またはセラミックス、ガラス、樹脂などの絶縁体からなる。本参考例では、基板1として半導体を用いている。磁性ナノコンポジット膜2のマトリックスとなる半導体としては、上記のとおり無機物や有機物がある。絶縁膜3は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミナ、高分子樹脂などからなる。絶縁膜3は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマCVDChemicalVaporDeposition、エアロゾルデポジッション、塗布法などの方法で作製することができる。電極膜4は、アルミニウム、金、タンタル、モリブデン、又はこれらの金属を含む合金、導電性高分子などからなる。電極膜4は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマCVD、塗布法などの方法で作製することができる。図示しない電圧印加手段によって電極膜4に電圧を印加すると、磁性ナノコンポジット膜2のマトリックス中を動くことができるキャリア電子や正孔の密度が変化するので、磁性ナノコンポジット膜2中の磁性ナノ粒子間のキャリアを介した相互作用の強さを変化させることができ、磁性ナノコンポジット膜2の透磁率あるいは、磁気抵抗、磁化率、磁化の強さ等の磁気特性を制御することができる。このとき、磁性ナノコンポジット膜2は、グランド等の安定した一定電位に接続されているのが好ましい。本参考例では、半導体からなる基板1を接地することにより、磁性ナノコンポジット膜2を基板1を介してグランド電位に接続している。次に、磁性ナノコンポジット膜2の製造方法について説明する。最初に、磁性ナノコンポジット膜2のマトリックスとして無機半導体マトリックスを使用する場合について説明する。無機半導体マトリックスとしては、TFTや太陽電池などで使用されている材質と同様なアモルファスシリコンやポリシリコン、あるいはアモルファス酸化物などが使用できる。TFTや太陽電池などでは、これらの無機半導体はプラズマCVDなどで製作されるが、無機半導体マトリックス中に磁性ナノ粒子を分散させて磁性ナノコンポジット膜2を形成するためには以下のような製造方法を用いる。例えば、ポリシランをベースとした液体シリコンシリコンインクを基板1に塗布焼成することによりアモルファスシリコンを作る製造方法を利用して、コロイドを用いた自己組織化法などでマトリックス中に磁性ナノ粒子を均一に分散配置した磁性ナノコンポジット膜2を作製することができる。液体シリコンにボロンやリン等のドーパントを含有させることも可能である。また、ポリシランをベースとした液体シリコンシリコンインクに、表面に粒子間の凝集を防ぐための分散剤や界面活性剤などを付加して分散処埋を施した磁性ナノ粒子を分散させた上で、液体シリコンを基板1に塗布焼成することにより、アモルファスシリコン中に磁性ナノ粒子を均一に分散配置した磁性ナノコンポジット膜2を作製することができる。同様に、シリコン粒子含有のインクをインクジェット方式で基板1に塗布して紫外線レーザーを当てて固めることにより、アモルファスシリコンを製造する方法例えば特表2010-514585号公報参照も利用することもできる。このシリコン粒子含有のインクに、表面に粒子間の凝集を防ぐための分散剤や界面活性剤などを付加して分散処埋を施した磁性ナノ粒子を分散させた上で、インクをインクジェット方式で基板1に塗布して紫外線レーザーを当てて固めることにより、アモルファスシリコン中に磁性ナノ粒子を均一に分散配置した磁性ナノコンポジット膜2を作製することができる。磁性ナノ粒子は、Fe,Co,Niおよびそれらを含む化合物のいずれかであり、単磁区で、室温付近で超常磁性を示す粒径1~40nmより好ましくは2~20nm程度のものであり、マトリックス中に0.1~10nmより好ましくは0.5~5nm程度の間隔でほぼ均一に分散して配置される。なお、粒径2nm以下では常磁性体になってしまうことが多く、一方、粒径を大きくしていくと磁化は強くなるが、粒径20nm以上だと室温では超常磁性にならないことが多く、また、粒子表面間距離を小さくするためにはマトリックス中の粒子濃度体積濃度、質量濃度をかなり高くする必要があるため粒子表面間を数nm程度の距離に設定することが困難になる。また、ガスフロースパッタ法を使ったクラスター堆積装置を用いても磁性ナノコンポジット膜2を作製可能である。具体的には、ガスフロースパッタ源を2機備えた装置により、磁性ナノ粒子からなるクラスターを、例えばシリコンなどの異なる物質マトリックス中に埋め込みながら堆積することにより、磁性ナノコンポジット膜2を作製することができる。ガスフロースパッタ法は、パイプ型や対向平板型のターゲット電極の中で放電させ、その中で生成したターゲット原子をアルゴンガスにより基板上へ移送堆積させるスパッタ法の一種である。ガスフロースパッタ法では、チャンバー内の圧力を100Pa程度に設定できるため、CVD的なソフトなプロセスが実現でき、基板や膜へのダメージが少なく高品質な膜が得られ、また、反応ガスを供給することにより高速な反応スパッタも行えるという特長がある。さらに、類似のプラズマガス凝縮クラスター堆積装置を利用しても、同様に磁性ナノコンポジット膜2を作製することができる。次に、磁性ナノコンポジット膜2のマトリックスとして有機半導体マトリックスを使用する場合の磁性ナノコンポジット膜2の製造方法について説明する。ペンタセン等の結晶性低分子化合物は、汎用溶媒に対し極めて溶解性が低く、溶解できても溶液からの半導体析出を制御することが難しく、印刷適応性が低いため、薄膜化する際には主に真空蒸着工程などが用いられる。しかし、文献HiromiMinemawari,ToshikazuYamada,HiroyukiMatsui,JunyaTsutsumi,SimonHaas,RyosukeChiba,ReijiKumaiandTatsuoHasegawa,Inkjetprintingofsinglecrystalfilms,Nature,Vol475,p364367,21July2011に記載されているダブルショットインクジェット印刷法を応用して、コロイドを用いた自己組織化法などでマトリックス中に磁性ナノ粒子を均一に分散配置した磁性ナノコンポジット膜2を作製することができる。ダブルショットインクジェット印刷法は、分子レベルの平坦性を持つ半導体単結晶薄膜が製作できる方法であり、有機半導体を溶解させたインクと有機半導体の結晶化を促すインクの2種類のインクによるミクロ液滴を基板1上に交互に印刷するというものである。例えば、優れた可溶性を持つ有機半導体C8-BTBTジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェンと磁性ナノ粒子を含む半導体マトリックス磁性ナノ粒子インクと結晶化インクの2種類のインクを用い、2基のインクジェットヘッドから基板1上に塗布する。まず、1基目のインクジェットヘッドから結晶化インクを基板1上に塗布し、続いて2基目のヘッドから半導体マトリックス磁性ナノ粒子インクを結晶化インク上に重ねて塗布して基板1上にミクロな混合液滴を形成すると、半導体結晶が成長して磁性ナノコンポジット膜2が形成できる。なお、上述の半導体マトリックス磁性ナノ粒子インクコロイド溶液は、使用する有機半導体を溶解または膨潤することができる溶媒に磁性ナノ粒子が分散した磁性ナノ粒子分散液に、有機半導体を入れて、磁性ナノ粒子分散液と有機半導体とを混合、攪拌、脱泡することにより、作製すればよい。また、磁性ナノ粒子分散液を使用せずに、溶媒に溶解または膨潤した有機半導体中に、表面に粒子間の凝集を防ぐための分散剤や界面活性剤などを付加して分散処理を施した磁性ナノ粒子を入れて、種々のミキサーやスクリュー、混練機などで直接混練脱泡することにより、半導体マトリックス磁性ナノ粒子インクを作製してもよい。また、磁性ナノ粒子を結晶化インクの方に混合したり、磁性ナノ粒子が分散したインクを3基目のヘッドから別に塗布したりしてもよい。一方、高分子は溶媒に可溶なものが多くなってきたため、塗布法、印刷法を用いてほぼ常温常圧でマトリックスを製造することができ、コロイドを用いた自己組織化法などでマトリックス中に磁性ナノ粒子を均一に分散配置した磁性ナノコンポジット膜2を作製することができる。例えば、トルエン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジクロロメタンなどの有機溶媒などに溶解または膨潤した導電性高分子中に磁性ナノ粒子が分散したコロイド溶液を製作し、スピンコートやインクジェット等の周知の塗布、印刷、乾燥技術で基板1上に形成すればよい。導電性高分子中に磁性ナノ粒子が分散したコロイド溶液は、導電性高分子を溶解または膨潤することができる溶媒に磁性ナノ粒子が分散した磁性ナノ粒子分散液に、導電性高分子を入れて、磁性ナノ粒子分散液と導電性高分子とを混合、攪拌、脱泡することにより、作製すればよい。また、磁性ナノ粒子分散液を使用せずに、溶媒に溶解または膨潤した導電性高分子中に、表面に粒子間の凝集を防ぐための分散剤や界面活性剤などを付加して分散処理を施した磁性ナノ粒子を入れて、種々のミキサーやスクリュー、混練機などで直接混練脱泡することにより、導電性高分子中に磁性ナノ粒子が分散したコロイド溶液を作製してもよい。さらに、特開2005-139438号公報に開示されている技術のように高分子に金属イオンをドープし、過熱還元処埋により粒子化する方法も利用することができる。なお、磁性ナノ粒子が金属の場合は非常に酸化しやすいため、磁性金属ナノ粒子が出来るだけ大気や水分に触れないようにする必要があり、製作は基本的に酸化防止のため窒素またはアルゴンなどの不活性ガス雰囲気のチャンバーやグローブボックス内で行うことが好ましい。それぞれの粒子表面間の概略距離は、以下の要領で設定することができる。平均粒子表面間距離hsuspは、幾何学的に考えると粒子径dpと粒子濃度F体積濃度,vol.の関数で与えられ、粒子の中心の位置が六方最密充填の位置に配置したとした式や、ウッドコックWoodcockが文献LVWoodcock,ProceedingofaworkshopheldatZentrumfurinterdisziplinareForschungUniversityBielefield,Nov1113,1985EditedbyThDorfmullerandGWilliamsで提案した式1が知られている。よって、このような式を使用して粒子径dpと粒子濃度Fの調整により、概略の平均粒子表面間距離hsuspを設定することが出来る。例えば、粒子濃度が4.5vol.のとき、粒径3,5,10nmの粒子における平均粒子表面間距離はそれぞれ約2.4,3.9,7.8nmになる。次に、磁性ナノ粒子について補足説明する。磁性ナノ粒子としては、バルク状態で軟磁性の特性を示すものの方が好ましいが、バルク状態で硬磁性の特性を示すものでも上述のように粒子サイズが小さくなると超常磁性の特性を示すようになるのでかまわない。軟磁性とは、磁化曲線においてヒステリシスが小さく、つまり保磁力が小さく、かつ透磁率や飽和磁化が大きい性質であり、簡単に言うと磁化し易く消磁し易い性質であり、磁気回路やトランスのコアなどに使用される。軟磁性材料は、結晶磁気異方性や磁歪が小さい。一方、硬磁性とは、ヒステリシスが大さく、つまり保磁力が大きく結晶磁気異方性が大、エネルギーBH積が大きい性質のことであり、永久磁石に使用される。なお、磁性ナノ粒子の粒子径は出来るだけ均一でばらつきが小さい方が磁気特性的には好ましいが、透磁率を大きくすることを優先する場合は大小の粒径を混合することも考えられる。大きい粒子は磁化が大きく、大きい粒子間の隙間を小さい粒子が埋めて磁束の漏れや反磁界を小さく出来るため、透磁率可変素子の透磁率を高く出来る。また、大きい粒子も小さい粒子の超常磁性に引きずられて超常磁性になりやすくなる。なお、基本的に磁性ナノ粒子の磁化率は体積に比例半径の3乗に比例するが、ナノ粒子では体積に比べて表面積が非常に大きくなるため、ナノ粒子特有の表面効果の影響が強くなり、例えば、磁性ナノ粒子表面ではスピンの乱れスピンキャンティングがあるため磁化の強さは弱くなる。よって、あまり粒径が小さくなりすぎると磁気特性は悪くなるため、適度な粒径サイズ例えば、5~10nm程度がある。また、金属ナノ粒子は酸化しやすく、表面付近の酸化された部分FeO,CoO,NiOなどは反強磁性になることが多いため磁化の強さはさらに弱くなる。ナノ粒子では、体積に占める表面の割合が非常に大きいため,表面酸化による性能の低下は顕著に現れる。また、内部コアと表面シェルの間で磁気的な相互作用も生じて特性に影響を及ぼす。例えば、強磁性体のコアと反強磁性体のシェルの間に発生する交換異方性による一方向異方性などが知られており、コアの強磁性体の磁化の回転がシェルの反強磁性体によって制約を受ける。さらに、部分的には許容できる場合もあるが、粒子表面が酸化されると磁性ナノ粒子が絶縁されてしまい本発明の作用が低下してしまうため、磁性ナノ粒子の酸化は極力防ぐ必要がある。よって、キャリアを介した磁性ナノ粒子間の相互作用を阻害しない範囲において、磁性ナノ粒子の外周部に酸化防止のための薄い保護層が形成されていることが好ましい。本参考例に必要な導電性を持つ保護層の材質としては、炭素Cや耐食性が高い白金などの貴金属などがあり、アーク放電法、プラズマ蒸発法、液相合成法、固相還元法などで製作することができる。なお、Fe,Co,Niなどの合金や化合物例えば、FePtを形成することにより、粒子自体の耐酸化性、耐食性、耐久性を高めることも可能である。磁性ナノ粒子の製法としては、従来の粉体で使われている粉砕法ではなく、原子分子レベルから粒子を作り上げていく合成法が使用され、その中でも蒸発凝縮法や気相反応法などの気相法と、化学沈殿法や溶媒蒸発法などの液相法が主に用いられている。化学沈殿法には、コロイド法、均一沈殿法、アルコキシド法、水熱合成法、マイクロエマルション法などがある。磁性ナノ粒子としては、球状や棒状、紐状など様々な形状の粒子が使用できる。磁性ナノ粒子分散液は、上記の方法で製作した磁性ナノ粒子の表面に粒子間の凝集を防ぐための分散剤や界面活性剤を付加したものを溶媒に分散させて製作される。特に、活性液面連続真空蒸着法で作られた磁性金属ナノ粒子分散液は、非常に良い分散性能を示すので好ましい。絶縁膜3と電極膜4の材料および製造方法は、上記のとおりである。本参考例では、低消費電力で発熱が少ない小型の透磁率可変素子を実現することができる。また、高周波回路で使用される磁性薄膜方向性結合器において、2本の平行線路の上部または下部に本参考例の透磁率可変素子を配置すれば、線路間磁気結合の強さを制御することができ、インピーダンスを制御することができる。[第2の参考例]次に、本発明の第2の参考例について説明する。図2は本発明の第2の参考例に係る透磁率可変素子の構成を示す断面図である。本参考例の透磁率可変素子は、基板10と、基板10上に形成された絶縁膜11と、絶縁膜11上に形成された電極膜12と、電極膜12上に形成された磁性ナノコンポジット膜13と、磁性ナノコンポジット膜13上に形成された絶縁膜14と、絶縁膜14上に形成された電極膜15とから構成される。本参考例の透磁率可変素子は、第1の参考例において基板と磁性ナノコンポジット膜との間に、絶縁膜と電極膜を挿入した構成に相当する。基板10は、半導体、またはセラミックス、ガラス、樹脂などの絶縁体からなる。本参考例では、基板10として半導体を用いている。絶縁体からなる基板10を用いる場合には、絶縁膜11は不要である。絶縁膜11,14は、絶縁膜3と同様の材料および製造方法によって作製することができる。電極膜12,15は、電極膜4と同様の材料および製造方法によって作製することができる。磁性ナノコンポジット膜13は、磁性ナノコンポジット膜2と同様の材料および製造方法によって作製することができる。本参考例では、下部の電極膜12を接地電極として接地して、図示しない電圧印加手段によって上部の電極膜15に電圧を印加すればよい。透磁率可変素子の動作は第1の参考例と同様なので、説明は省略する。こうして、本参考例においても、第1の参考例と同様の効果を得ることができる。[第3の参考例]次に、本発明の第3の参考例について説明する。図3は本発明の第3の参考例に係る透磁率可変素子の構成を示す断面図である。本参考例の透磁率可変素子は、基板20と、基板20上に形成された絶縁膜21と、絶縁膜21上に形成された電極膜22と、電極膜22上に形成された絶縁膜23と、絶縁膜23上に形成された磁性ナノコンポジット膜24と、磁性ナノコンポジット膜24上に形成された電極膜25と、電極膜25上に形成された磁性ナノコンポジット膜26と、磁性ナノコンポジット膜26上に形成された絶縁膜27と、絶縁膜27上に形成された電極膜28とから構成される。基板20は、半導体、またはセラミックス、ガラス、樹脂などの絶縁体からなる。本参考例では、基板20として半導体を用いている。絶縁体からなる基板20を用いる場合には、絶縁膜21は不要である。絶縁膜21,23,27は、絶縁膜3と同様の材料および製造方法によって作製することができる。電極膜22,25,28は、電極膜4と同様の材料および製造方法によって作製することができる。磁性ナノコンポジット膜24,26は、磁性ナノコンポジット膜2と同様の材料および製造方法によって作製することができる。本参考例では、電極膜25を接地電極として接地して、図示しない電圧印加手段によって電極膜22,28に電圧を印加すればよい。電極膜22,28には同一の電圧を印加すればよい。図示しない電圧印加手段によって電極膜22,28に電圧を印加すると、磁性ナノコンポジット膜24,26のマトリックス中を動くことができるキャリア電子や正孔の密度が変化するので、磁性ナノコンポジット膜24,26中の磁性ナノ粒子間のキャリアを介した相互作用の強さを変化させることができ、磁性ナノコンポジット膜24,26の透磁率あるいは、磁気抵抗、磁化率、磁化の強さ等の磁気特性を制御することができる。磁性ナノコンポジット膜中でキャリアが集中して磁性ナノ粒子間の相互作用が強く働く領域は、電極膜近傍の薄い層のみである。このため、本参考例のように透磁率可変素子を積層すると、磁気特性を制御する効果を高めることができる。なお、本参考例では、磁性ナノコンポジット膜を2層としているが、3層以上積層してもよい。この場合には、磁性ナノコンポジット膜と絶縁膜と電極膜とを構成単位として、近接する2つの磁性ナノコンポジット膜が互いに向き合うようにして構成単位を複数積層し、2つの磁性ナノコンポジット膜の間に接地電極膜を設けるようにすればよい。[実施の形態]次に、本発明の実施の形態について説明する。図4Aは本発明の実施の形態に係る可変インダクタの構成を示す断面図、図4Bは可変インダクタの平面図である。本実施の形態の可変インダクタは、基板30と、基板30上に形成された絶縁膜31と、絶縁膜31上に形成された平面コイル32と、平面コイル32の一端と接続するように絶縁膜31上に形成された配線33と、平面コイル32および配線33を覆うように絶縁膜31上に形成された絶縁膜35と、スルーホール34を介して平面コイル32の他端と接続するように絶縁膜35上に形成された配線36と、配線36を覆うように絶縁膜35上に形成された絶縁膜37と、絶縁膜37上に形成された磁性ナノコンポジット膜38と、磁性ナノコンポジット膜38上に形成された絶縁膜39と、絶縁膜39上に形成された電極膜40とから構成される。なお、図4Bでは、絶縁膜35,37,39、磁性ナノコンポジット膜38および電極膜40を透視して平面コイル32および配線33,36を記載している。本実施の形態では、基板30上に絶縁膜31を形成した後、絶縁膜31上に平面コイル32および配線33のパターンを形成し、平面コイル32および配線33を絶縁膜35で覆った後、スルーホール34を介して平面コイル32の他端と接続するように絶縁膜35上に配線36を形成し、配線36を絶縁膜37で覆うようにすればよい。そして、絶縁膜37上に、磁性ナノコンポジット膜38と絶縁膜39と電極膜40とからなる透磁率可変素子を形成すればよい。基板30は、半導体、またはセラミックス、ガラス、樹脂などの絶縁体からなる。本実施の形態では、基板30として半導体を用いている。絶縁体からなる基板30を用いる場合には、絶縁膜31は不要である。平面コイル32と配線33,36は、アルミニウム、銅などの金属からなる。平面コイル32と配線33,36は、真空蒸着、スパッタリングなどの方法で作製することができる。絶縁膜31,35,37,39は、絶縁膜3と同様の材料および製造方法によって作製することができる。電極膜40は、電極膜4と同様の材料および製造方法によって作製することができる。磁性ナノコンポジット膜38は、磁性ナノコンポジット膜2と同様の材料および製造方法によって作製することができる。図示しない電圧印加手段によって電極膜40に電圧を印加すると、第1の参考例で説明した動作原理により、磁性ナノコンポジット膜38の透磁率あるいは、磁気抵抗、磁化率、磁化の強さ等の磁気特性を制御することができる。このとき、磁性ナノコンポジット膜38は、グランド等の安定した一定電位に接続されているのが好ましい。平面コイル32の一端は配線33を介して可変インダクタの第1の端子不図示に接続され、平面コイル32の他端は配線36を介して可変インダクタの第2の端子不図示に接続されている。平面コイル32の上に配置された磁性ナノコンポジット膜38の透磁率が変化すると、平面コイル32が発生させる磁束の密度が変化するので、その結果として平面コイル32のインダクタンスが変化する。こうして、電気的な手段によってインダクタンスを変化させることが可能な可変インダクタを実現することができる。本実施の形態によれば、低消費電力で発熱が少ない小型の透磁率可変素子を用いた、インダクタンス変化範囲が広く、損失が少ない可変インダクタを実現することができる。本実施の形態では、特許文献3に記載された可変インダクタのようなスイッチを使用しないため、低損失の可変インダクタを実現することができ、Q値の劣化を抑制することができる。本実施の形態の可変インダクタを高周波回路に適用すれば、可変キャパシタのみを使用する場合と比較して、Q値の劣化を抑制することができる。また、本実施の形態では、平面コイル32の周りに磁性体磁性ナノコンポジット膜38があるため、平面コイル32からの漏れ磁界を抑制することができ、周囲の回路へのノイズなどの影響を低減することができる。本実施の形態の可変インダクタは、電界共鳴型送電、マイクロ波送電、電磁誘導送電などにおける回路でのインピーダンスマッチングにも使用できる。また、本実施の形態の可変インダクタをスイッチング電源のインダクタとして使用し、インダクタを負荷変動に応じて制御することにより、スイッチング電源の高性能化を実現できる。負荷電流変動が大きい時は、インダクタンスを小さくすることにより高速化することができ、負荷電流変動が小さい時はインダクタンスを大きくすることにより低リップル化ができる。インダクタンスを小さくすると、リップルが大きくなるので、キャパシタを大きくすることが好ましい。なお、本実施の形態では、平面コイル32としてスパイラルコイルを用いているが、これに限るものではなく、ミアンダコイルを用いてもよい。平面コイル32の寄生容量を減らすため、電極膜40を平面視櫛型や平面視格子状にして電極膜40の面積を減らしてもよい。また、平面コイル32の渦電流を減らすため、電極膜40や磁性ナノコンポジット膜38に細いスリットを入れたり、電極膜40や磁性ナノコンポジット膜38をいくつかの領域に分割したりしてもよい。また、本実施の形態では、平面コイル32の上に透磁率可変素子を配置しているが、透磁率可変素子は平面コイル32の周囲の少なくとも1箇所に配置すればよく、平面コイル32の下に透磁率可変素子を配置してもよいし、平面コイル32の側面に透磁率可変素子を配置してもよい。また、本実施の形態では、1層の平面コイル32を用いているが、複数の平面コイルを絶縁膜を介して積層してもよい。また、複数の平面コイルを水平方向に並べ、複数の平面コイルの上面または下面に絶縁膜を介して共通の透磁率可変素子を形成し、透磁率可変素子の透磁率を変化させることにより、複数の平面コイルの磁気結合の強さを制御することも可能である。また、第3の参考例のように透磁率可変素子を積層してもよい。"