"透光性の基板上に、透明導電性材料からなる第1の電極層と、半導体材料からなる光電変換層と、導電性材料からなる第2の電極層と、を含むセルが形成され、前記セルの前記第2の電極層を、隣接するセルの前記光電変換層との間に形成された溝内で、前記隣接するセルの第1の電極層と接続させて、複数の前記セルが直列に接続された薄膜太陽電池において、前記第2の電極層上に、白色絶縁層からなる反射膜をさらに備え、前記第2の電極層は、前記光電変換層上に、透明導電膜と金属膜とが順に積層されるとともに、少なくとも前記金属膜が線状にパターニングされた構造を有し、前記金属膜は、少なくとも前記溝内で線状にパターニングされて前記隣接するセルの前記第1の電極層と接続され、前記反射膜が前記溝内にも形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池。前記透明導電膜は、前記金属膜とともに線状にパターニングされていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池。前記透明導電膜は、10~1,000nmの厚さを有することを特徴とする請求項2に記載の薄膜太陽電池。前記第2の電極層は、10~1,000μmの幅を有するようにパターニングされていることを特徴とする請求項2または3に記載の薄膜太陽電池。前記第2の電極層は、前記金属膜のみ線状にパターニングされ、前記透明導電膜は、10~500nmの厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池。前記金属膜は、10~1,000μmの幅を有するようにパターニングされていることを特徴とする請求項5に記載の薄膜太陽電池。反射膜は、白色顔料とバインダ樹脂によって構成されることを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の薄膜太陽電池。透光性の基板上に、透明導電性材料からなる膜を形成し、各セル間を分離する第1の分離溝を形成して前記各セルの第1の電極層を形成する第1工程と、前記第1の電極層を形成した前記基板上に、薄膜半導体層を含む光電変換層を形成する第2工程と、前記光電変換層上に透明導電膜を形成する第3工程と、前記透明導電膜と前記光電変換層とを前記セルごとに分離する前記第1の分離溝と平行な第2の分離溝を形成する第4工程と、前記第2の分離溝の形成位置では、前記第2の分離溝の底部で前記第1の電極層と接続されるように、前記透明導電膜上および前記第2の分離溝内に線状の金属膜を形成する第5工程と、前記金属膜、前記透明導電膜および前記光電変換層を前記セルごとに分離する前記第1の分離溝と平行な第3の分離溝を形成する第6工程と、前記第2および第3の分離溝内を埋め込むように、前記金属膜が形成された前記基板上に白色絶縁層からなる反射膜を形成する第7工程と、を含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。前記第3工程では、前記第1の分離溝が延在する第1の方向に所定のピッチで、前記第1の方向に垂直な第2の方向に延在する線状構造の前記透明導電膜を形成し、前記第5工程では、前記線状の前記透明導電膜上に線状の前記金属膜を形成するとともに、前記線状の金属膜と前記第2の分離溝との交差位置で前記第2の分離溝を前記金属膜で埋め込むように、前記金属膜を形成することを特徴とする請求項8に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第3工程では、前記透明導電膜を前記光電変換層上の全面に形成し、前記第5工程では、前記第1の分離溝が延在する第1の方向に所定のピッチで、前記第1の方向に垂直な第2の方向に延在する線状構造の前記金属膜を形成することを特徴とする請求項8に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第5工程では、前記線状構造の金属膜を形成した後、前記線状構造の金属膜をマスクとして前記透明導電膜をエッチングする処理をさらに行うことを特徴とする請求項10に記載の薄膜太陽電池の製造方法。しかしながら、上記特許文献2では、櫛型の金属電極上に透光性絶縁膜を介して裏面反射膜を金属膜で形成しているが、金属膜では鏡面反射となるため光を拡散させて光路長を増加させる効果は少ないという問題点があった。また、特許文献1,2では、隣接するセル光電変換素子間の接続を、裏面電極層を構成する透明導電膜で行うので、接続抵抗を下げるためには裏面の透明導電膜を厚くしなければならないが、透明導電膜の厚膜化によって裏面反射光の吸収が大きくなってしまうという問題点もあった。この発明は、上記に鑑みてなされたもので、光電変換層の裏面側に透過した光を光電変換に適するように光電変換層へ反射させるとともに、隣接するセル間の接続抵抗を低く保つことができる薄膜太陽電池およびその製造方法を得ることを目的とする。上記目的を達成するため、この発明にかかる薄膜太陽電池は、透光性の基板上に、透明導電性材料からなる第1の電極層と、半導体材料からなる光電変換層と、導電性材料からなる第2の電極層と、を含むセルが形成され、前記セルの前記第2の電極層を、隣接するセルの前記光電変換層との間に形成された溝内で、前記隣接するセルの第1の電極層と接続させて、複数の前記セルが直列に接続された薄膜太陽電池において、前記第2の電極層上に、白色絶縁層からなる反射膜をさらに備え、前記第2の電極層は、前記光電変換層上に、透明導電膜と金属膜とが順に積層されるとともに、少なくとも前記金属膜が線状にパターニングされた構造を有し、前記金属膜は、少なくとも前記溝内で線状にパターニングされて前記隣接するセルの前記第1の電極層と接続され、前記反射膜が前記溝内にも形成されていることを特徴とする。この発明によれば、光電変換層上の第2の電極層を透明導電膜と金属膜と積層膜で構成し、少なくとも金属膜が線状にパターニングし、第2の電極層上に白色絶縁層からなる反射膜を設けたので、第2の電極層による光の吸収を大幅に低減することができる。また、線状にパターニングした第2の電極層間の白色絶縁層の散乱反射によって一旦光電変換層を透過した光を再び光電変換層に戻す際の白色絶縁層と光電変換層との間に存在する層における吸収ロスを低減することができる。また、白色絶縁層は光電変換層の裏面側だけでなく、隣接するセル間の金属膜以外の領域にも充填されるため、従来の構造では光電変換層に入射した後、セルの側面へと透過していた光を、光電変換層内へと散乱反射し、光電変換層での変換量を増加させることができる。さらに、隣接するセル間を線状の金属膜で接続するのでセル間の接続抵抗を、透明導電膜で接続する従来例に比して低く保つことができるという効果を有する。以下に添付図面を参照して、この発明の実施の形態にかかる薄膜太陽電池およびその製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、以下の実施の形態で用いられる薄膜太陽電池の断面図は模式的なものであり、層の厚みと幅との関係や各層の厚みの比率などは現実のものとは異なる。実施の形態1.図1は、実施の形態1による薄膜太陽電池の構成を模式的に示す斜視図であり、図2は、図1の一部を拡大した斜視図であり、図3は、図2のA-A断面図である。なお、図2は、図1のCの部分を切り出して拡大した図である。実施の形態1による薄膜太陽電池は、透明絶縁基板11の上に、光電変換素子である複数の単位太陽電池セル10が直列に接続されて集積化されることで、全体として薄膜太陽電池モジュールとして機能する。なお、ここでは図示していないが、直列に接続された単位太陽電池セル10の両端には、外部に電流を取り出す電流取出部が設けられる。ここで、各単位太陽電池セル10間、および単位太陽電池セル10と電流取出部との間は、溝であるスクライブライン20によって分離される。また、隣接するスクライブライン20同士は略平行に配置されている。単位太陽電池セル10は、透明絶縁基板11の上に順に積層された表面電極層12、光電変換層13および裏面電極層14の積層体が、所定の位置に設けられたスクライブライン20によって分離されることで形成される。また、裏面電極層14上には、反射層である白色絶縁層17が設けられる。ここで、透明絶縁基板11は、透明度が高く絶縁性の材料からなり、その上に各薄膜を堆積することが可能であれば特に制限はなく、たとえば白板ガラスなどの高光透過率のガラス材料やポリイミドなどの透光性の有機フィルム材料を用いることができる。また、表面電極層12は、光透過性を有している透明導電膜であればよく、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウムドープ酸化錫IndiumTinOxide:以下、ITOというなどの透明導電性酸化物材料などを用いることができる。さらに、表面電極層12は、表面に凹凸が形成された表面テクスチャ構造を有することが好ましい。このテクスチャ構造は、入射した太陽光を散乱させ、光電変換層13での光利用効率を高める機能を有する。光電変換層13は、pn接合またはpin接合を有し、入射する光により発電を行う薄膜半導体層が1層以上積層されて構成される。光電変換層13がシリコン系薄膜からなる場合には、光電変換層13として非晶質シリコン薄膜や微結晶シリコン薄膜が用いられる。非晶質シリコン薄膜は、通常水素で未結合手が終端された水素化非晶質シリコンと呼ばれ、微結晶シリコンは部分的に非晶質シリコンを含んだ微細な結晶質シリコンを含んだ薄膜である。複数の薄膜半導体層を積層して光電変換層13を構成する場合には、バンドギャップの異なる複数の薄膜半導体層を積層することで、より幅広い光スペクトルを高効率に光電変換可能な構成とすることができる。なお、複数の薄膜半導体層が積層されて光電変換層13が構成される場合には、異なる薄膜半導体層間にSnO2,ZnO,ITOなどの導電性酸化物材料などの中間層を挿入して、異なる薄膜半導体層間の電気的、光学的接続を改善してもよい。裏面電極層14は、光電変換層13上に10μm~1mmの幅を有する線状構造を有する。図1~図3の例では、裏面電極層14は、光電変換層13上にスクライブライン20と略直交する方向に延在する導電性材料からなる複数の細線が、スクライブライン20の延在方向に所定の間隔で配置されることによって構成される。たとえば、裏面電極層14は、10μm~1mmの電極幅を有し、10μm~1mmのピッチで形成される櫛型電極構造を有する。また、この裏面電極層14は、少なくとも光電変換層13との界面にSnO2,ZnO,ITOなどの透明導電性酸化物材料を含む導電性材料によって構成される。実施の形態1では、光電変換層13上に厚さ10~1,000nmのSnO2,ZnO,ITOなどの透明導電膜15と、厚さ100~1,000nmの厚さの金属膜16と、が積層された構造を有する。透明導電膜15は、拡散防止膜としての機能を有する。つまり、金属膜16が光電変換層13上に直接接して形成されると、金属膜16を構成する金属が光電変換層13を構成するシリコン層中に拡散し、光電変換特性が悪化してしまうので、これを防ぐために、光電変換層13と金属膜16との間に設けられる。また、金属膜16は、導電性が高く、電極による反射率の低下を抑えるために反射率の高い金属材料からなることが望ましく、たとえばAgを用いることができる。白色絶縁層17は、裏面電極層14が形成された光電変換層13上に10μm~1mmの厚さで形成される。白色絶縁層17は酸化チタンや硫酸バリウムなどの粒子からなる白色顔料とバインダ樹脂を含む。バインダ樹脂としては、ウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ビニル系、ポリエステル系、ポリアミド系、ゴム系などの合成樹脂を用いることができる。図1と図2に示されるように、スクライブライン20は、実際には、表面電極層12を分離する第1スクライブライン21と、光電変換層13を分離する第2スクライブライン22と、光電変換層13および裏面電極層14を分離する第3スクライブライン23から構成されている。第1スクライブライン21は、隣接する単位太陽電池セル10間の表面電極層12を分離するために設けられており、光電変換層13によって埋め込まれている。また、第2スクライブライン22は、裏面電極層14を隣接する単位太陽電池セル10の表面電極層12と接続するコンタクトを形成するために設けられており、金属膜16が、第2スクライブライン22内の裏面電極層14の形成位置の底部で露出した表面電極層12と接続するように埋め込まれ、その他の位置では白色絶縁層17が埋め込まれる。つまり、金属膜16によって隣接する単位太陽電池セル10の裏面電極層14と表面電極層12とが接続され、単位太陽電池セル10が直列に接続された構造となる。さらに、第3スクライブライン23は、隣接する単位太陽電池セル10間の光電変換層13と裏面電極層14とを分離するために設けられており、白色絶縁層17によって埋め込まれ、隣接する単位太陽電池セル10間を電気的に絶縁している。ここで、このような構造の薄膜太陽電池における動作の概略について説明する。透明絶縁基板11の裏面単位太陽電池セル10が形成されていない方の面から太陽光が入射すると、光電変換層13のi型半導体層で自由キャリアが生成される。生成された自由キャリアは、光電変換層13のp型半導体層とn型半導体層によって形成される内蔵電界によって輸送され、電流が発生する。各単位太陽電池セル10で発生した電流は、第2スクライブライン22内の表面電極層12と裏面電極層14の接続部16aを通って、隣接する単位太陽電池セル10へと流れ込み、薄膜太陽電池モジュール全体の発電電流を生成する。なお、接続部16aは金属膜16によって構成されているため単位太陽電池セル10間の接続抵抗を、接続部16aを透明導電膜で構成した場合に比して低くすることができる。また、このとき、透明絶縁基板11の裏面から入射した太陽光のうち光電変換されなかった太陽光は光電変換層13を通過し、白色絶縁層17へと到達するが、白色絶縁層17で散乱反射され再び光電変換層13へと戻される。また、白色絶縁層17は光電変換層13の裏面側だけでなく、第2スクライブライン22内の金属膜16以外の領域と第3スクライブライン23にも充填されるため、従来の構造では光電変換層13に入射した後スクライブライン20へと透過していた光を、光電変換層13内に散乱反射する。このように、光電変換層13内に戻された光は、上述したように光電変換層13で光電変換される。つぎに、上記した構造を有する薄膜太陽電池の製造方法について説明する。図4-1~図4-3は、この発明の実施の形態1による薄膜太陽電池の製造方法の一例を模式的に示す斜視図である。これらの図では、薄膜太陽電池の一部の範囲のみを示している。まず、図4-1aに示されるように、透明絶縁基板11を用意する。透明絶縁基板11として、たとえば透明ガラス基板が用いられる。ついで、図4-1bに示されるように、透明絶縁基板11上に表面電極層12を低圧CVDChemicalVaporDeposition法やスパッタ法などの成膜法によって形成する。表面電極層12として、たとえばSnO2,ZnO,ITOなどの透明導電性酸化物材料を含む層を用いることができる。スパッタ法で表面電極層12を形成する場合には、希塩酸などを用いたエッチングによって表面電極層12の上面を粗面化して、入射光を光電変換層13に閉じこめるように作用する微細な凹凸表面構造を形成してもよい。また、CVD法で表面電極層12を形成すると、自己組織的に透明導電膜15の表面に微細な凹凸表面構造が形成されるので、希塩酸などでのエッチング処理による粗面化処理の必要はない。ついで、レーザスクライビング法によって表面電極層12上の所定の位置にレーザ光を照射して第1スクライブライン21を形成して、単位太陽電池セル10ごとに表面電極層12を分離するようにパターニングを行う。なお、表面電極層12のパターニングは、フォトリソグラフィ法とエッチング法との組み合わせや、機械加工などを用いて行ってもよい。また、透明絶縁基板11への表面電極層12の成膜時に、透明絶縁基板11上の表面電極層12の形成位置に対応して開口が設けられたメタルマスクを用いて、透明絶縁基板11上に単位太陽電池セル10ごとに分離された表面電極層12を形成してもよい。ついで、図4-1dに示されるように、表面電極層12を形成した透明絶縁基板11上に、光電変換層13を形成する。光電変換層13は、たとえば透明絶縁基板11側からp型半導体層、i型半導体層およびn型半導体層を順に積層した薄膜半導体層によって構成される。なお、p型半導体層とn型半導体層は逆に配置することもできるし、半導体の種類によってはi型層を使用しなくてもよい。また、バンドギャップの異なる薄膜半導体層を複数積層させて光電変換層13を構成することもできる。光電変換層13として、たとえば非晶質シリコン膜または微結晶シリコン膜を用いることができ、プラズマCVD法などの成膜法で形成することができる。その後、図4-2aに示されるように、光電変換層13上に、第1スクライブライン21の延在方向と直交する方向に延在し、第1スクライブライン21の延在方向に所定のピッチで配置される透明導電膜15を、たとえば10~1,000nmの厚さで形成する。たとえば、第1スクライブライン21の延在方向と直交する方向に延在し、第1スクライブライン21の延在方向に所定のピッチで配置された開口パターンを有するマスクを用いて、スパッタ法などの成膜法によってSnO2,ZnO,ITOなどの透明導電性酸化物材料を形成することができる。これによって、光電変換層13上に第1スクライブライン21に直交する方向に延在する櫛型の透明導電膜15が形成される。この透明導電膜15の幅は10μm~1mmであり、透明導電膜15間のピッチは10μm~1mmとすることができる。なお、ここでは、マスクパターニングによるスパッタ法によって櫛型の透明導電膜15を形成する方法を説明したが、マスクパターニングによる低圧CVD法などを用いてもよい。また、透明導電膜15の形状として、櫛型以外に格子状のものやハニカム構造状のものなどを用いることができる。ついで、図4-2bに示されるように、レーザスクライビング法によって透明導電膜15と光電変換層13の所定の位置にレーザ光を照射して、第2スクライブライン22を形成する。第2スクライブライン22は、第1スクライブライン21の形成位置とは異なる位置に、第1スクライブライン21と平行に形成される。その後、図4-2cに示されるように、透明導電膜15上に金属膜16を形成し、透明導電膜15と金属膜16との積層構造からなる裏面電極層14を形成する。金属膜16は、たとえば第1スクライブライン21の延在方向と直交する方向に延在し、第1スクライブライン21の延在方向に透明導電膜15と同じピッチで配置された開口パターンを有するマスクを用いて、蒸着法などの成膜法によって透明導電膜15上に形成することができる。このとき、第2スクライブライン22のマスクの開口パターンと交差位置には金属膜16が埋め込まれ、裏面電極層14と表面電極層12とを接続する接続部16aが形成される。金属膜16として、100~1,000nmの厚さの銀薄膜を用いることができる。なお、金属膜16の透明導電膜15上への積層方法として、他にマスクパターニングによるスパッタ法やスクリーン印刷法などを用いることができる。ついで、図4-3aに示されるように、レーザスクライビング法によって光電変換層13、透明導電膜15および金属膜16の所定の位置にレーザ光を照射して、第3スクライブライン23を形成する。第3スクライブライン23は、第1と第2スクライブライン21,22の形成位置とは異なる位置に、第1と第2スクライブライン21,22と平行に形成される。これによって、隣接する単位太陽電池セル10間の裏面電極層14と光電変換層13とは電気的に絶縁される。そして、図4-3bに示されるように、裏面電極層14が形成された光電変換層13上に白色絶縁層17をスクリーン印刷法やスプレー塗布法などの方法を用いて10~1,000μmの厚さで形成する。このとき、第2スクライブライン22の金属膜16が形成されていない領域内と、第3スクライブライン23内に白色絶縁層17が埋め込まれる。白色絶縁層17として、酸化チタンや硫酸バリウムなどの粒子からなる白色顔料と、ウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ビニル系、ポリエステル系、ポリアミド系、ゴム系などの合成樹脂からなるバインダ樹脂とによって構成される。以上によって、図1~図3に示される薄膜太陽電池が製造される。なお、透明導電膜15に塩酸等で容易にエッチング可能なZnO系材料を用いた場合には、上記した製造方法とは異なる方法で薄膜太陽電池を製造することもできる。図5は、この発明の実施の形態1による薄膜太陽電池の製造方法の他の例を模式的に示す斜視図である。なお、図4-1dまでは、上記した製造方法と同様であるので、説明を省略する。図4-1dに示されるように透明絶縁基板11上に光電変換層13を形成した後、図5aに示されるように、光電変換層13上に透明導電膜15を全面に形成し、レーザスクライビング法によって透明導電膜15と光電変換層13の所定の位置にレーザ光を照射して、第2スクライブライン22を形成する。透明導電膜15として、塩酸等でエッチング可能な、10~1,000nmの厚さのZnO系の膜を用いることができる。また、第2スクライブライン22は、第1スクライブライン21の形成位置とは異なる位置に、第1スクライブライン21と略平行に形成される。ついで、図5bに示されるように、透明導電膜15上に金属膜16を形成する。金属膜16は、第1スクライブライン21の延在方向に所定のピッチで、第1スクライブライン21の延在方向と直交する方向に延在する線状のパターンに形成される。金属膜16として、後の透明導電膜15のウェットエッチング処理時に使用されるエッチング液に溶解し難い材料が用いられる。金属膜16として、たとえば100~1,000nmの厚さの銀薄膜を用いることができる。このような線状構造の金属膜16は、上記したように、マスクパターニングを用いた蒸着法やスパッタ法などの成膜法や、スクリーン印刷法などを用いて形成することができる。なお、第2スクライブライン22と交差する位置では、金属膜16が第2スクライブライン22内に埋め込まれ、裏面電極層14と表面電極層12とを接続する接続部16aが形成される。その後、図5cに示されるように、線状構造の金属膜16をマスクとして、ウェットエッチングによって透明導電膜15をエッチングする。エッチング液として、たとえば塩酸等を用いることができる。これによって、透明導電膜15も金属膜16と同様に線状構造となる。その結果、線状の透明導電膜15と金属膜16との積層構造からなる裏面電極層14が形成される。このとき、第2スクライブライン22の金属膜16aが接していない形成されていない領域から表面電極層12がエッチング液に接触することになるが、表面電極層12として塩酸等に溶解し難いSnO2やITOを用いることで、表面電極層12はエッチングされないため影響はない。また、表面電極層12にZnOを用いる場合でも、裏面側の透明導電膜15に対して十分に厚く形成されていれば、エッチング時間を調整することで表面電極層12への影響をほとんどなくすことができる。その後は、図4-3に示される手順によって、図1~図3に示される薄膜太陽電池が製造される。このようなプロセスを用いることで、図4-1~図4-3に示した方法に比して、線状の透明導電膜15と金属膜16との積層構造からなる裏面電極層14を容易に作製することができる。実施の形態1によれば、光電変換層13上に裏面電極層14として細線の金属膜16を用いて単位太陽電池セル10光電変換素子間を直列に接続してシリーズ抵抗を低く抑えつつ、細線の金属膜16以外では白色絶縁層17を光電変換層13の直上に設けるようにしたので、光電変換層13よりも上の層への太陽光の入射は細線状の裏面電極層14となり、太陽光の吸収が抑制され、光の利用効率が高くなる。また、白色絶縁層17は光電変換層13の裏面側だけでなく、第1および第2スクライブライン21,22に埋め込まれた金属膜16からなる接続部16a以外の領域にも充填されるため、従来の構造では光電変換層13に入射した後、単位太陽電池セル10の側面へと透過していた光を、光電変換層13内へと散乱反射し、光電変換層13での変換量を増加させることができる。その結果、従来の構造に比してより多くの太陽光が光電変換層13へと戻るため光電変換効率が向上するという効果を有する。実施の形態2.図6は、この発明の実施の形態2による薄膜太陽電池の構造の一例を模式的に示す断面図である。この例では、裏面電極層14は、光電変換層13上の全面に形成される厚さ10~500nmの透明導電膜15Aと、透明導電膜15A上に形成される細線状の金属膜16と積層構造によって構成される。金属膜16は、実施の形態1と同様にスクライブライン20に直交する方向に延在して設けられる。また、金属膜16の幅は10~1,000μmであり、細線状の金属膜16間のピッチは100μm~10mmである。ここで、透明導電膜15Aの厚さが10nmより薄いと、金属膜16を構成する金属元素の光電変換層13中への拡散を効果的に抑制することができず、透明導電膜15Aの厚さが500nmよりも厚いと、太陽光の透明導電膜15Aでの減衰量が従来の構造の薄膜太陽電池と同程度となってしまうので、透明導電膜15Aの厚さは上記範囲であることが望ましい。減衰量をさらに減少するために透明導電膜15Aの厚さを10~300nmとしてもよい。このように、実施の形態2では、裏面電極層14を構成する透明導電膜15Aを光電変換層13上の全面に薄く設け、その上に細線状の金属膜16を設けるようにして、透明導電膜15Aで吸収される太陽光の割合を抑制するようにしている。なお、実施の形態1と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略している。また、このような構造の薄膜太陽電池は、裏面電極層14を構成する透明導電膜15Aを光電変換層13上の全面に形成する点以外、実施の形態1と同様の方法で製造することができるので、その説明を省略する。実施の形態2では、裏面電極層14を構成する透明導電膜15Aを極めて薄く製膜したので、白色絶縁層17が光電変換層13の直上にあるのと同様の効果が得られる。また、透明導電膜15Aは光電変換層13と比較して積層方向に垂直な方向の導電性が高いため、光電変換層13上に直接細線状の透明導電膜15Aを用いる実施の形態1の場合と比較すると、微細なパターニングを必要とせずにシリーズ抵抗を低下させることができるという効果を有する。また、透明導電膜15Aを細線状にパターニングする必要がないため、透明導電膜15Aの成膜が容易になるという効果も有する。ここで、この発明の実施の形態による薄膜太陽電池の実施例について、比較例とともに示す。<構造>実施例1にかかる薄膜太陽電池として、実施の形態1の図2と図3に示される構造のものを用い、実施例2にかかる薄膜太陽電池として、実施の形態2の図6に示される構造のものを用いる。透明絶縁基板11としてガラス基板を使用し、表面電極層12として厚さ1μmのAlドープZnO以下、AZOというを用い、光電変換層13として膜厚1μmの微結晶シリコン膜を用いる。実施例1では裏面電極層14を構成する透明導電膜15として厚さ90nmのAZOを用い、実施例2では裏面電極層14を構成する透明導電膜15Aとして厚さ300nmのAZOを用いる。また、裏面電極層14を構成する金属膜16として、厚さ300nmのAgを用い、白色絶縁層17として、酸化チタンをアクリル系のバインダ樹脂に混合させたものを用いる。比較例による薄膜太陽電池として、実施の形態1の図2と図3において、裏面電極層14が1.5μmの膜厚の透明導電膜のAZOのみで構成される金属膜16は形成されない構造のものを用いる。その他の構造は、実施例1と同様である。<評価方法>作製された薄膜太陽電池について、透明絶縁基板11側から擬似太陽光をソーラシュミレータで照射し電流-電圧特性を測定し、短絡電流密度、開放電圧、曲線因子および変換効率を求める。<評価結果>図7は、実施例と比較例による薄膜太陽電池の特性を示す図である。比較例による薄膜太陽電池の短絡電流は17.8mAであるのに対し、実施例1,2の薄膜太陽電池の短絡電流はそれぞれ19.1mA,18.3mAとなり、それぞれ比較例に比べて増加している。また、実施例1,2の開放電圧は、比較例の開放電圧の値0.53Vとほとんど差がない。曲線因子FFは、実施例1では、比較例の値0.725と比較して若干低い0.698となっているが、実施例2では、比較例と同程度となっている。そして、実施例1,2の光電変換効率は、それぞれ6.93、6.98となり、比較例の6.84に比して増加している。このように実施例1の薄膜太陽電池では、細線状の裏面電極層14を設けた光電変換層13上に白色絶縁層17を設け、実施例2の薄膜太陽電池では、全面に透明導電膜15Aが形成された光電変換層13上に細線状の金属膜16を設け、さらにその上に白色絶縁層17を設けたので、入射した太陽光の光電変換層13中での光路長が長くなり、比較例に比較して、変換効率を高めることができるという効果を有する。"