"試料上に描画すべきパターン内の各位置毎に電子ビームの最適照射量を求め、該求めた最適照射量に従って電子ビームを照射することにより試料上に所望パターンを描画する描画方法において、前記パターンを所定の大きさの複数の領域に分割するステップと、前記分割した各領域毎に実質的な電子ビームの照射量である蓄積エネルギーを求めるステップと、前記求めた各領域毎の蓄積エネルギーを用いて共役勾配法により前記最適照射量を求めるステップとを備える描画方法。前記共役勾配法により最適照射量を求めるステップは、行列Aを係数とする連立一次方程式Ax=bの解を求める共役勾配法に従う反復計算手順αk=rkrk/pkApkxk1=xkαkpkrk1=rk-αkApkβk=rk1rk1/rkrkpk1=rkβkpkk=k1において、前記行列式Apkの計算を行う代わりに前記求めた蓄積エネルギーを用いることを特徴とする請求項1に記載の描画方法。前記蓄積エネルギーを求めるステップは、電子ビームの前方散乱による蓄積エネルギーを算出するステップと電子ビームの後方散乱による蓄積エネルギーを算出するステップとを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の描画方法。前記蓄積エネルギーを求めるステップは、蓄積エネルギー分布式に従って蓄積エネルギーを求めるものであって、前記PSF関数は電子ビームの加速電圧や基盤の材質により決まる近似式により近似されてなり、該近似式に従い前方散乱による蓄積エネルギー又は後方散乱による蓄積エネルギーをそれぞれ算出することを特徴とする請求項3に記載の描画方法。前記PSF関数の近似式は、であることを特徴とする請求項4に記載の描画方法。前記電子ビームの後方散乱による蓄積エネルギーを算出するステップは、各領域毎の蓄積エネルギーを近接する複数の領域の各蓄積エネルギーに基づく双一次補間によって算出することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の描画方法。描画すべきパターン内の各位置毎に電子ビームの最適照射量を求め、該求めた最適照射量に従って電子ビームを照射することにより試料上に所望パターンを描画する描画装置において、前記パターンを所定の大きさの複数の領域に分割する分割手段と、前記分割した各領域毎に蓄積エネルギーを求める蓄積エネルギー算出手段と、前記求めた各領域毎の蓄積エネルギーを用いて共役勾配法により前記最適照射量を求める共役勾配法計算手段とを備える描画装置。請求項1乃至6のいずれかに記載の描画方法における各ステップをコンピュータに実行させるためのプログラム。以下、この発明の実施の形態を添付図面に従って詳細に説明する。図1は、本発明に係る描画方法を適用した描画装置の全体構成の一実施例を示す概念図である。ここに示された描画装置は一例として電子ビーム描画装置を示したものであって、10は試料室、11はターゲット試料、12は試料台、20は電子光学鏡筒、21は電子銃、22a~22eは各種レンズ系、23~26は各種偏向系、27aはブランキング板、27b,27cはビーム成形用アパーチャマスクを示している。また、31は試料台駆動回路部、32はレーザ側長系、33は偏向制御回路部、34はブランキング制御回路部、35は可変成形ビーム寸法制御回路部、36はバッファメモリ及び制御回路部、37は制御計算部、38は共役勾配法計算部、42はCADシステムを示している。図1に示した電子ビーム描画装置の動作を簡単に説明すると、電子銃21から照射された電子ビームはブランキング用偏向器23によりオン/オフされる。本装置はこの際の電子ビーム照射時間の長短を調整することによって、試料台12に載置されたターゲット11への照射位置に応じた電子ビームの照射量を変化させることができるようになっている。ブランキング板27aを通過した電子ビームは、ビーム成形用偏向器24及びビーム成形用アパーチャマスク27b,27cにより矩形ビームに成形されると共に、その矩形の寸法が可変される。そして、この矩形状に成形された電子ビームは走査用偏向器25,26によりターゲット11上で偏向走査され、このビーム走査によりターゲット11上に所望のパターンが描画されるものとなっている。すなわち、ターゲット11上に描画される所望のパターンは複数の矩形の組み合わせに分割され、個々の矩形ごとに電子ビームが照射される。前記矩形ごとの電子ビームの最適照射量つまりは電子ビーム照射時間の長短は、CADシステム42で作成された電子ビーム露光用の元データに基づき共役勾配法計算部38によって算出される。共役勾配法計算部38は例えばCPU、ROM、RAM等を含んでなるコンピュータであって、近接効果を補正して矩形ごとに前記電子ビームの最適照射量を算出する。この共役勾配法計算部38では共役勾配法を利用して、例えば上記数1で表せるような行列式ここでは便宜上、Ax=bと記載するを解く。共役勾配法を利用すると、行列式Ax=bは相関関数行列Aとベクトルxの掛け算の繰り返しにより解くことができる。そこで、共役勾配法による行列式Ax=bを解くための処理手順について以下に説明する。まず、初期値としてrk=b-Axk、pk=rkk=0とする。これらpkとrkは中間変数ベクトルであって、kは繰り返し計算の回数を示す。次に、以下に示す数8~数13までの計算を所定の繰り返し条件を満たすまで繰り返し行うことによって行列式Ax=bを解きxを求める。なお、以下に示す各数式内におけるドットつきの括弧表記は内積を表す。ところで、上記計算手順の過程で現われるApkのAはm×nの大きさの行列であり、pkはmの大きさのベクトルである数1参照。したがって、通常の方法でApkを計算するにはm×m回の掛け算が必要となり、しかも繰り返し計算ごとにそうした計算が行われるために、当該処理の計算量を削減することが処理時間を高速化するために重要であることが理解できる。また、Aの要素数は矩形数の2乗になることに鑑みれば、上記計算手順をそのまま用いたのでは多大な計算時間が必要とされて都合が悪い。そこで、行列式Ax=bを高速に解くために、本実施形態にかかる共役勾配法計算部38は蓄積エネルギー計算部39を有する。この蓄積エネルギー計算部39では、上記計算手順の過程で現われるApkが各矩形のドーズ量がpkであるときの各評価点での蓄積エネルギーに等しいことに注目して、Apkの値を後述のように1つの評価点を有する矩形要素ごとに1つの蓄積エネルギーで管理する。すなわち、先の行列[A]は系の振る舞いを表すものであるので、行列式Ax=bとは各矩形のドーズ量が[x]であるときの各評価点での蓄積エネルギーが[b]になっていると言うことを意味する。したがって、蓄積エネルギー計算部39では各評価点における蓄積エネルギーを計算すればよく、評価点の数及び矩形の数に比例して増減する多数の要素からなる巨大な行列Aを管理してApkの計算をわざわざ行う必要がない。また、蓄積エネルギー計算部39は前方散乱寄与分計算部40と後方散乱寄与分計算部41とを有してなり、前方散乱が寄与する分の蓄積エネルギーと後方散乱が寄与する分の蓄積エネルギーとを別々に計算して各評価点における蓄積エネルギーを求める。こうすることによって、共役勾配法を利用した前記矩形ごとの電子ビームの最適照射量の算出を高速に処理することのできるようにしている。具体的な計算手順については後述する。以下では、近接効果補正により最適照射量を算出する対象のチップ範囲の一例を示した図6を適宜に参照しながら、矩形ごとの電子ビーム最適照射量最適ドーズ量の算出手順について説明する。図2は、図1に示した共役勾配法計算部38における矩形ごとの電子ビーム最適照射量最適ドーズ量の算出処理の一実施例を示すフローチャートである。ステップS1は、CADシステム42から取得した電子ビーム露光用の元データに基づき特定される複数の図形Z1~Z7回路パターンを構成する図形それぞれを、適切に複数の矩形領域に相当に分割する。例えば、各図形Z1~Z7を後方散乱径の1/10程度の大きさの複数の矩形に分割する。この際に、図6において示される図形Z1,Z3,Z4,Z5などのようにもともとの形状が四角形以外である図形である場合には、前記サイズの複数の矩形を組み合わせてなるように当該図形を分割する。ここに示す例では、図形Z1が3個の矩形に、図形Z3が2個の矩形に、図形Z4が4個の矩形に、図形Z5が2個の矩形にそれぞれ分割されている。このようにして、各図形Z1~Z7は大きさが異なる1乃至複数の矩形に分割される。こうした図形Z1~Z7を1乃至複数の矩形に分割する方法は公知のどのようなものであってもよいことから、ここでの説明を省略する。ステップS2は、前記分割した各矩形につき1つのエネルギー評価点を決める。図6に示すように、通常のPECでは各矩形を形成する最も長い外周部分の一片の中央位置をエネルギー評価点に決める図中において黒丸で示す。この点、各矩形を形成する各片すべての中央位置をエネルギー評価点に決定するつまり4つの評価点がある、従来知られた自己整合法とは異なる。なお、GrayScalePECである場合には各矩形の中心位置をエネルギー評価点に決めるとよい。ステップS3は、数1に示されるような行列式Ax=bを解くための初期化処理として、各矩形の初期ドーズ量x0に初期値0を、p0及びr0=b-Ax0に適当なエネルギー目標値を設定する。ここで、bはm元の列ベクトルである。また、上記したようにpkとrkは中間変数ベクトルであり、kは繰り返し計算の回数を示すものである。前記エネルギー目標値として、通常のPECである場合には各矩形が属する図形Z1~Z7外周部分のエネルギー目標値を、GrayScalePECである場合には各矩形が属する図形Z1~Z7を含むレイヤの蓄積エネルギー目標値をそれぞれ設定する。ステップS4は、行列式Ax=bを共役勾配法により解く処理手順に現れるApk数8参照を蓄積エネルギー計算部39で計算する。上述したように、蓄積エネルギー計算部39で上記Apkを計算するには、前記決定したエネルギー評価点における蓄積エネルギーqkを算出すればよい。蓄積エネルギーqkはレジストが電子の衝突によって得たエネルギー分布であって、描画する矩形とPSF関数との積分計算Convolutionにより算出される。ここで、蓄積エネルギー計算部39での各評価点における蓄積エネルギーqkの算出手順について、図3を用いて説明する。図3は、蓄積エネルギー計算部Aでの各評価点における蓄積エネルギー算出処理の一実施例を示すフローチャートである。ステップS21は、前方散乱が寄与する分の蓄積エネルギー計算処理を実行する。ステップS22は、後方散乱が寄与する分の蓄積エネルギー計算処理を実行する。ステップS23は、上記各処理によって算出された前方散乱が寄与する分の蓄積エネルギーと後方散乱が寄与する分の蓄積エネルギーとを同じ評価点毎に加算累算して、各評価点における蓄積エネルギーを算出する。上記前方散乱が寄与する分の蓄積エネルギー計算処理図3のステップS21について、図4を用いて説明する。図4は、前方散乱寄与分計算部40における前方散乱が寄与する分の蓄積エネルギー計算処理の一実施例を示すフローチャートである。ステップS31は、試料ここでは1チップを適切な大きさ例えば500nm程度のメッシュこれを評価点メッシュと呼ぶに区切り、全ての評価点を評価点メッシュごとに振り分ける。図6に示す例では、4つに区切られた評価点メッシュ0~3それぞれに、4個、1個、3個、5個の評価点が振り分けられる。ステップS32は、図形Z1~Z7を分割した矩形のうち1つの矩形を処理対象に決定する。ステップS33は、前記決定した1つの矩形が影響を及ぼす範囲である影響範囲を決定する。図6では一例として斜線で示した矩形が処理対象に決定されており、その影響範囲を点線で囲む範囲で示している。この影響範囲は、例えば矩形の外周部を前方散乱径の4倍程度の長さだけ広げた範囲に決定される。これは、前方散乱による影響は直接の電子ビーム照射位置に近接する範囲で生じ得ることに鑑みナノメートル単位、その影響範囲を所定の範囲で制限するものである計算量の削減に寄与する。勿論、前記影響範囲は上記例に限らず、例えば矩形の中心を基準に前方散乱径の4倍等の適宜の半径を持つ円状の範囲に決定するなどしてもよい。ステップS34は、前記決定した影響範囲と重なる位置関係にある評価点メッシュに含まれる評価点を1つ特定する図6の例では上記決定した矩形の評価点H1以外の4つの評価点H2~H5のいずれか。ステップS35は、蓄積エネルギー分布を表す数14に従って前記特定した評価点における蓄積エネルギーを計算する。ここで、X,Yは前記決定した矩形の評価点例えばH1の座標であり、x,yは蓄積エネルギーを計算したい前記特定した評価点例えばH2~H5のいずれかの座標である。上記の数14内に含まれるPSF関数は例えば数3に示したようなダブルガウシアン近似式で近似されるが、ここでは影響範囲によって他の評価点への電子ビーム照射によって生じ得る前方散乱の影響のみを考慮して後方散乱の影響を排除することから、数3に示したダブルガウシアン近似式のうち前方散乱の寄与分である第1項のみを必要とし後方散乱の寄与分である第2項を無視する。したがって、数14で採用されるPSF関数は数15に示すように簡潔に表される。ステップS36は、前記決定した影響範囲と重なる位置関係にある評価点メッシュに含まれる評価点全てについて上記蓄積エネルギー計算を行ったか否かを判定する。影響範囲と重なる位置関係にある評価点メッシュに含まれる評価点全てについて上記蓄積エネルギー計算を行っていないと判定した場合にはステップS36のNO、ステップS34の処理に戻って他の評価点についても同様に蓄積エネルギーを算出する。他方、影響範囲と重なる位置関係にある評価点メッシュに含まれる評価点全てについて上記蓄積エネルギー計算を行ったと判定した場合にはステップS36のYES、図形Z1~Z7の全ての矩形について上記処理を行ったか否かを判定するステップS37。全ての矩形について上記処理を行っていないと判定した場合にはステップS37のNO、ステップS32の処理へ戻る。全ての矩形について上記処理を行ったと判定した場合にはステップS37のYES、前記処理過程において算出された各評価点における蓄積エネルギーを各評価点毎にまとめて塁算して処理を終了するステップS38。このようにして、図形分割後の各矩形ごとに1つずつ決定される評価点ごとに、前方散乱が寄与する分の蓄積エネルギーを求める。すなわち、本実施形態では前方散乱が影響を与えうる範囲は狭くほとんどの他の評価点に対して相互作用はゼロであることに鑑み、前方散乱が影響を与えうる前記影響範囲内にある近い評価点に対してのみ相互作用を計算することによって、前方散乱が寄与する分の蓄積エネルギーを高速な計算スピードで求めることができるようにしている。次に、上記後方散乱が寄与する分の蓄積エネルギー計算処理図3のステップS22について、図5を用いて説明する。図5は、後方散乱寄与分計算部41における後方散乱が寄与する分の蓄積エネルギー計算処理の一実施例を示すフローチャートである。ステップS41は、試料ここでは1チップを適切な大きさ例えば1um~後方散乱径の1/10程度のメッシュに区切り、区切られたメッシュごとに各メッシュの面積に占める当該メッシュに含まれる図形の面積の割合を求めて密度マップとする。ここでは、後方散乱による影響が直接の電子ビーム照射位置から離れた位置で生じ得ることに鑑みてマイクロメートル単位、上述した前方散乱のときと比べて1um程度といった大きな範囲であるメッシュに区切られる。前記密度マップは例えば図6に示されるメッシュ3において、当該メッシュ3に図形Z1の一部、図形Z2の一部、図形Z3の全て、図形Z7の一部が含まれており、これらメッシュ3に含まれる前記各図形の一部又は全ての面積を合計したものがメッシュ3の面積に占める割合である。ステップS42は、前記区切ったメッシュのうちの1つを処理対象に決定する。ステップS43は、上記した数14に従って前記求めた密度マップとPSF関数との積分計算コンボリューションを行い、各メッシュの中央位置において後方散乱が寄与する分の蓄積エネルギー後方散乱強度と呼ぶを計算する。ただし、ここでは電子ビーム照射によって生じ得る後方散乱の影響のみを考慮し前方散乱の影響を排除することから、数3に示したダブルガウシアン近似式のうち後方散乱の寄与分である第2項のみを必要とし前方散乱の寄与分である第1項を無視する。したがって、この場合に数14で採用するPSF関数は数16に示すように簡潔に表される。ステップS44は、前記区切られたメッシュ全てについて上記後方散乱強度の計算を行ったか否かを判定する。メッシュ全てについて上記後方散乱強度の計算を行っていないと判定した場合にはステップS44のNO、ステップS42の処理に戻って他のメッシュについても同様に後方散乱強度を算出する。他方、メッシュ全てについて上記後方散乱強度の計算を行ったと判定した場合にはステップS44のYES、評価点を1つ特定するステップS45。ステップS46は、前記特定した評価点を含む周囲の4つのメッシュの各後方散乱強度に基づき、当該評価点における後方散乱強度蓄積エネルギーを求める。この際に、双一次補間によって特定された評価点における後方散乱強度蓄積エネルギーを求める。例えば、図6において評価点H1が特定されていると仮定した場合には、メッシュ0~メッシュ3の各後方散乱強度に基づき後方散乱強度が求められる。ここで、双一次補間による後方散乱強度の算出手順について図7を用いて説明する。図7は、双一次補間による後方散乱強度の算出手順を説明するための概念図である。図7に示すように、例えば前記特定した評価点を含む周囲の4つの各メッシュ0~3の中央点の座標をx,y,xm,y,xm,ym,x,ymとし、それぞれの座標での後方散乱強度をf0,f1,f2,f3とする。そのときの、前記4つの中央点の内側に位置する任意の評価点xdx,ydyの後方散乱強度は数17に示す式によって求めることができる。ステップS47は、全ての評価点について上記処理を行ったか否かを判定する。全ての評価点について上記処理を行っていないと判定した場合にはステップS47のNO、ステップS45の処理へ戻る。全ての評価点について上記処理を行ったと判定した場合にはステップS47のYES、処理を終了する。このようにして、各評価点ごとに後方散乱が寄与する分の蓄積エネルギーを求める。本実施形態では、個別の矩形ごとに相互作用を計算する代わりに、チップ範囲をメッシュに区切り、そのメッシュごとの相互作用を計算することによって、後方散乱が寄与する分の蓄積エネルギーを高速な計算スピードで求めることができる。図2の説明に戻って、ステップS5は、全ての図形Z1~Z7のpkqkとrkrkを合計する。すなわち、ΣpkqkとΣrkrkを求める。ステップS6は、αk=Σrkrk/Σpkqk共役勾配法の処理手順における数8の処理に相当とする。ステップS7は、全ての図形のxとrをxk1=xkαkpk共役勾配法の処理手順における数9の処理に相当rk1=rk-αkpk共役勾配法の処理手順における数10の処理に相当とする。ステップS8は、全ての図形のrk1rk1を合計する以下では、これをΣrrNextと記載。ステップS9は、ΣrrNextが十分に小さいか否かつまりは計算誤差が予め設定された許容値よりも小さくなったか否かを判定する。ΣrrNextが十分に小さいと判定した場合にはステップS9のYES、繰り返し計算を終了して列ベクトルxを各図形の最適補正量として出力するステップS13。他方、ΣrrNextが十分に小さくないと判定した場合にはステップS9のNO、ステップS10及びステップS11及びステップS12の処理を行ったうえで上記ステップS4の処理に戻り、上記した各計算処理を繰り返し実行する。ステップS10は、βk=ΣrrNext/Σrkrk共役勾配法の処理手順における数11の処理に相当とする。ステップS11は、全ての図形のpをpk1=rk1βkpk共役勾配法の処理手順における数12の処理に相当に更新する。ステップS12は、繰り返し回数kに1を加算する共役勾配法の処理手順における数13の処理に相当。なお、上記の計算処理を繰り返すか否かを判定する繰り返し条件としては、上記したようなΣrrNextの大小を条件とするものに限らないステップS9参照。例えば、シミュレーションなどによって予め収束する繰り返し回数を調査した上で繰り返し回数を設定する方法、繰り返し計算をしても誤差が変動しなくなったことを確認する方法などがある。なお、理論上、繰り返し回数の最大上限回数はm回である。以上のように、本実施形態においては共役勾配法を用いて近接効果を補正した電子ビームの最適照射量を求める。その際には、試料上に描画するパターンを分割した各領域毎に実質的な電子ビームの照射量である蓄積エネルギーを求め、該求めた各領域毎の蓄積エネルギーを用いて共役勾配法により、近接効果による回路パターンの寸法変化を低減するのに最適な電子ビームの照射量を求める。具体的には、行列Aを係数とする連立一次方程式Ax=bの解を求める共役勾配法に従う反復計算手順数8~数13参照のうち行列式Apkの計算が含まれる手順数8及び数10参照において、行列式Apkの計算を行う代わりに前記求めた蓄積エネルギーを用いて計算を行う。また、蓄積エネルギーを求める際には、電子ビームの前方散乱による蓄積エネルギーと後方散乱による蓄積エネルギーとを別々に算出する。このようにして、行列式Apkの値を蓄積エネルギーで管理して共役勾配法に従う反復計算手順により電子ビームの最適照射量を求めるようにすれば、従来の方法のように回路パターンの微細化に応じた多数の要素からなる巨大な行列Aを管理してApkの計算をわざわざ行う必要がなく、高速の処理速度つまりは計算スピードでかつ精度よく電子ビームの最適照射量を求めることができるようになる。以上、図面に基づいて実施形態の一例を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な実施形態が可能であることは言うまでもない。例えば、上述した実施例においては前方散乱と後方散乱それぞれの影響を考慮して蓄積エネルギーを計算するものを示したがこれに限らず、例えば数18から求められる数値を前方散乱による影響分として用いて蓄積エネルギーを計算するようにしてもよいこうすると積分計算が省略されるので計算が速くに行われる。さらには、前方散乱の影響を無視して後方散乱の影響のみを考慮して蓄積エネルギーを計算するようにしてもよい。図8に、図1に示した共役勾配法計算部38における後方散乱の影響のみを考慮した矩形ごとの電子ビーム最適照射量最適ドーズ量の算出処理の一実施例を示す。ステップS51は、チップ範囲を所定の大きさのメッシュ領域に相当に分割する。ステップS52は、分割した各メッシュの面積密度dを求める。この面積密度は、区切られた各メッシュの面積に占める当該メッシュに含まれる図形の面積の割合である。ステップS53は、数1に示されるような行列式Ax=bを解くための初期化処理として、各メッシュの初期ドーズ量x0に初期値0を、p0及びr0=b-Ax0に適当なエネルギー目標値を設定する。ここで、通常のPECである場合には、メッシュの面積密度d、ドーズ量x、共役ベクトルp、残差rの各情報をメッシュ毎に保持することになるが、GrayScalePECである場合には上記情報をメッシュ毎にさらにレイヤ数に応じただけ保持することになる。したがって、GrayScalePECである場合には最終的に求める最適照射量についてもメッシュ毎にレイヤ数に応じただけ求める。ステップS54では各メッシュただし、GrayScalePECである場合にはさらにレイヤ毎;以下同様の面積密度dとpkとの積を求め、これを大きさがメッシュに等しい図形を描画する際のドーズ量と看做す。ステップS55は、行列式Ax=bを共役勾配法により解く処理手順に現れるApk数8参照を蓄積エネルギー計算部39で計算する。ただし、ここでは前方散乱の影響を無視するので、蓄積エネルギー分布を表す上記した数14及び数16に従って前記看做しのドーズ量に基づく各メッシュの中央位置での蓄積エネルギーqk後方散乱強度を、後方散乱寄与分計算部41のみで算出することになる。ステップS56は、全てのメッシュのpkqkとrkrkを合計する。すなわち、ΣpkqkとΣrkrkを求める。ステップS57は、αk=Σrkrk/Σpkqkとする。ステップS58は、全てのメッシュのxとrをxk1=xkαkpkrk1=rk-αkpkとする。ステップS59は、全てのメッシュのrk1rk1を合計する以下では、これをΣrrNextと記載。ステップS60は、ΣrrNextが十分に小さいか否かつまりは計算誤差が予め設定された許容値よりも小さくなったか否かを判定する。ΣrrNextが十分に小さいと判定した場合にはステップS60のYES、当該処理を終了する。他方、ΣrrNextが十分に小さくないと判定した場合にはステップS60のNO、ステップS61~ステップS64の処理を行ったうえで上記ステップS54の処理に戻り、上記した各計算処理を繰り返し実行する。ステップS61は、βk=ΣrrNext/Σrkrkとする。ステップS62は、全てのメッシュのドーズ量pをpk1=rk1βkpkに更新する。ステップS63は、各矩形の最適照射量を、メッシュの最適ドーズ量xk1から双一次補間によって算出する。ステップS64は、繰り返し回数kに1を加算する。これによれば、前方散乱の影響を無視して後方散乱の影響のみを考慮する場合には従来知られた代表図形法などと同様にして、個別の矩形ごとに相互作用を計算する代わりに、チップ範囲をメッシュに区切り、そのメッシュごとの相互作用を計算するだけで後方散乱が寄与する分の蓄積エネルギーが求められる。そして、これを利用して共役勾配法に従えば、各評価点における最適照射量を高速な計算スピードで求めることができることになる。特に、GrayScalePECである場合には、各レイヤに属する矩形の蓄積エネルギー目標値を適切に設定することでステップS53参照、任意のレジスト現像後三次元形状を実現するためのドーズ量分布の計算を速くに行うことができる、という利点がある。なお、前方散乱の影響を無視して後方散乱の影響のみを考慮して蓄積エネルギーを計算するか、後方散乱の影響だけでなく前方散乱の影響をも考慮して蓄積エネルギーを計算するかを、ユーザが任意に選択することのできるようになっていてよい。あるいは、通常のPECであるか、GrayScalePECであるかに従って、後方散乱の影響だけでなく前方散乱の影響をも考慮して蓄積エネルギーを計算するか通常のPECの場合、前方散乱の影響を無視して後方散乱の影響のみを考慮して蓄積エネルギーを計算するかGrayScalePECである場合を、自動的に選択することのできるようにしてあってもよい。なお、上述した実施例ではPSF関数を数3に示したダブルガウシアン近似式で表した場合を例に説明したが、上述したダブルガウシアン近似式はPSF関数の一例であってこれに限らず、PSF関数を他の近似式で表してもよいことは言うまでもない。その場合に、例えば主に電子ビームの加速電圧や基盤の材質によりPSF関数近似式は決まる。なお、上述した実施例では本発明に係る描画方法を可変成形ビーム方式の電子ビーム描画装置に適用した例を示したが、これ以外の方式の描画装置にも適用できる。さらに、電子ビームの代わりにイオンビームを用いたイオンビーム描画装置に適用することも可能である。また、本発明は電子ビーム描画装置の使用目的に限定するものではない。例えば、ウェハ上に直接レジストパターンを形成するという目的以外にも、X線マスクを作成する際、光ステッパ用マスク、レチクル等を作成する際にも利用可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能である。"