被加熱体に対して位置を移動させ、励磁された後、被加熱体に対して加熱を行う誘導コイルと、前記誘導コイル近くの予定位置に配置し、誘導コイルの磁場を増強させたりして、遮断させる少なくとも一つの磁気伝導体とを備えることを特徴とする誘導加熱装置。前記被加熱体はモールドインサートとし、モールドインサートはモールド内に配置されることを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。前記磁気伝導体は磁粉コアにより構成される立体、片体等の必要な形状とすることを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。前記磁気伝導体はソフトマグネット材により製作される立体、片体等の必要な形状とすることを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。前記磁気伝導体は誘導コイルの被加熱体に近い側の予定位置に配置することを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。前記磁気伝導体は誘導コイルの被加熱体から離れた側の予定位置に配置することを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。前記磁気伝導体の厚さは3mmを超えるものとすることを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。前記磁気伝導体の厚さは5mmを超えるものとすることを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。前記被加熱体は少なくとも一つの端部を備え、端部は被加熱体と誘導コイルに距離変化を起こさせる部分により形成され、前記磁気伝導体は端部に対応させて配置することを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。前記誘導コイルは螺旋状をなして繞設され、前記磁気伝導体は誘導コイルの中央部分に配置することを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。誘導加熱装置の制御方法には、少なくとも一つの誘導コイルを被加熱体の近くに配置し、少なくとも一つの磁気伝導体を誘導コイルに近い予定位置に配置し、誘導コイルを励磁し、磁気伝導体の位置によって励磁後の誘導コイルの磁場を増強したり遮断するステップを含むことを特徴とする誘導加熱装置の制御方法。前記磁気伝導体を誘導コイルの被加熱体に近い側の予定位置に配置し、磁場の遮断効果を生じさせることを特徴とする請求項11に記載の誘導加熱装置の制御方法。前記被加熱体には少なくとも一つの端部を備え、前記端部は被加熱体と誘導コイルに距離変化を起こさせる部分により形成され、前記磁気伝導体は端部に対応させて配置することを特徴とする請求項12に記載の誘導加熱装置の制御方法。前記誘導コイルは誘導コイルの被加熱体から離れた側の予定位置に配置し、磁場の増強効果を生じさせることを特徴とする請求項11に記載の誘導加熱装置の制御方法。前述の問題点に鑑み、本発明の目的は、誘導加熱装置及びその制御方法を提供することにある。それは、誘導コイル上に磁気伝導体を配置し、磁気伝導体と誘導コイルの対応位置を変化させることにより磁場を強めたり弱めたりし、更に磁場の分布を変化させて加熱効率及び均等度を向上させる効果を達成するものである。前述の目的を実現するために、本発明の誘導加熱装置は、少なくとも一つの誘導コイルと少なくとも一つの磁気伝導体により構成する。前記誘導コイルは被加熱体に対して位置移動可能とし、励磁後の誘導コイルは被加熱体に対する加熱を行う。前記磁気伝導体は誘導コイルに近い予定位置に配置し、誘導コイルの磁場を強めたり遮断したりする。本発明の誘導加熱装置の制御方法には、被加熱体の近くに少なくとも一つの誘導コイルを配置し、少なくとも一つの磁気伝導体を誘導コイルに近い予定位置に配置し、誘導コイルを励磁し、磁気伝導体の位置によって励磁後の誘導コイルの磁場を強めたり遮断するステップを含む。前述の磁気伝導体を被加熱体近くの誘導コイルの一方側に配置し、磁気伝導体で磁気伝導体近くの誘導コイルの磁力線を吸引すると、一部磁力線は被加熱体に送られず、遮断作用を起こす。また、磁気伝導体を被加熱体から離れた誘導コイルの一方側に配置すると、磁気伝導体は誘導コイルの磁力線を受けて磁化された後、磁気伝導体に対応する被加熱体への誘導コイルの磁場を強化し、磁場の増強作用を起こす。一実施例において、被加熱体はモールドインサートとし、モールドインサートは、モールド内に配置される。一実施例において、磁気伝導体は磁粉コアにより構成される。一実施例において、磁気伝導体はソフトマグネット材により製作される。一実施例において、磁気伝導体の厚さは3mmを超えるものとする。一実施例において、磁気伝導体の厚さは5mmを超えるものを最良とする。一実施例において、被加熱体は少なくとも一つの端部を備え、端部は被加熱体と誘導コイルに距離変化を起こさせる部分により形成される。前記磁気伝導体は被加熱体に近い誘導コイル側の端部に対応する位置に配置すると、端部に対する磁場の遮断効果を生じさせる。一実施例において、誘導コイルは螺旋状をなして繞設される。前記磁気伝導体は被加熱体から離れた誘導コイルの一方側の誘導コイルの中央箇所に配置すると、誘導コイルの中央箇所に対する磁場の増強効果を生じさせる。次の実施例では本発明の特徴及び長所についての詳細説明を行う。その内容は関連技術の熟知者に本発明の技術内容を理解し実施させるために充分なものである。また、本明細書に開示した内容、特許請求の範囲及び図面に基づき、関連技術の熟知者は、本発明に関する目的と長所を簡単に理解することができる。本発明の誘導加熱装置及びその制御方法は、磁気伝導体によって磁場の分布と強弱をコントロールする効果を有する。本発明の実施例の詳細は次のとおりである。図1乃至図4において、図1には、本発明の誘導加熱装置の構造図、図2には、誘導加熱装置の制御方法に関するフローチャート、図3には、磁気伝導体原理を応用し磁気伝導体の位置を変化させた本発明の磁場遮断を示す図、図4には、磁気伝導体原理を応用し磁気伝導体の位置を変化させた本発明の磁場増強を示す図を表示した。まず、図1に示すとおり、本発明の誘導加熱装置1は、誘導コイル10と磁気伝導体2により構成される。前記誘導コイル10は、被加熱体3例えばモールド内のモールドインサートに対して位置移動可能とし、励磁後の誘導コイル10は、被加熱体3に対する加熱を行う。前記磁気伝導体2は、誘導コイル10に近い予定位置に配置し、誘導コイル10の磁場を増強または遮断する。図2に示した本発明の誘導加熱装置の制御方法の流れ図のとおり、本発明の誘導加熱装置の制御方法のステップには、ステップS1:誘導コイル10を被加熱体3の近くに配置し、ステップS2:磁気伝導体2を誘導コイル10に近い予定位置に配置し、ステップS3:誘導コイル10を励磁し、ステップS4:磁気伝導体2の位置によって励磁後の誘導コイル10の磁場を強めたり遮断する、ステップを含む。本実施例では、一つの誘導コイルと一つの磁気伝導体を例に挙げて説明したが、これによって制限されることはなく、実際の応用においては、一つの誘導コイルと複数の磁気伝導体、或いは複数の誘導コイルと複数の磁気伝導体とを組み合わせることも可能である。前記被加熱体3はモールド未図示に配置されるモールドインサート3A図3参照とすることが可能である。磁気伝導体2は磁粉コア或いはソフトマグネット材によって製作された立体、片体等の必要形状とする。また、磁気伝導体2の厚さは3mm以上とするのがよく、5mm以上の厚さを最良とする。磁気伝導体2の設置位置については、必要とする磁場分布に応じて変化させることが可能で、これによって、磁場分布と被加熱体3の加熱効果をコントロールする。図3には、磁気伝導体原理を応用し磁気伝導体の位置を変化させた本発明の磁場遮断を示す図を表示した。被加熱体3をモールドインサート3Aとする時、モールドインサート3A内にモールド穴31を配置しているため、モールド穴31の深さの変化箇所にモールドインサート3Aと誘導コイル10間の距離変化が生じ、更に端部32が形成される。端部32が誘導加熱の過程において端部効果EndEffectを生み、過度に加熱されるのを避けるために、前記磁気伝導体2は、誘導コイル10の被加熱体3に近い側の端部32に対応する位置に配置可能である。よって、磁気伝導体2に近い誘導コイル10の磁力線は、磁気伝導体2によって吸引されるため、磁力線の一部は被加熱体3に伝わらない。誘導コイル10のその他部分の磁力線について言えば、磁気伝導体2に近い磁力線はわずかな一部だけが被加熱体3箇所に伝わり、磁気伝導体2に対する被加熱体3の加熱効果を遮断するため、遮断作用が起きる。図4には、磁気伝導体原理を応用し磁気伝導体の位置を変化させた本発明の磁場増強を示す図を表示した。誘導コイル10は通常、螺旋状をなして繞設されているため、誘導コイル10の中央部分には磁場の弱い箇所が形成され、被加熱体3の加熱の均等度に影響を及ぼすため、磁気伝導体2を誘導コイル10の被加熱体3から離れた側の中央位置に配置する。これにより、磁気伝導体2に近い誘導コイル10の磁力線が磁気伝導体2に吸引され、しかも、磁気伝導体2を誘導コイル10の被加熱体3から離れた側に配置しているため、磁気伝導体2は誘導コイル10の磁力線を受けて磁化された後、磁気伝導体2に対応する被加熱体3への誘導コイル10の磁場を強化し、誘導コイル10全体の磁場分布を更に均等化し、更に、誘導コイル10による被加熱体3の加熱均等度を向上させることができる。簡単に言えば、磁気伝導体を誘導コイルの被加熱体に近い側に配置すると、磁場遮断効果を生じさせ、磁気伝導体を誘導コイルの被加熱体から離れた側に配置すると、磁場増強効果を生じさせる。よって、実際の応用において、被加熱体の加熱要求に応じて、磁気伝導体の位置を変化、調整することができ、磁場分布、加熱効果、及び加熱の均等性をコントロールするマルチ効果を達成する。前述は、問題点を解決するために採用した本発明の技術手段の良好な実施方式及び実施例を挙げたのみで、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。よって、本発明の特許請求の範囲の内容に符合する、もしくは本発明の特許請求の範囲に基づいて為された同等効果を有する変化及び修飾はすべて、本発明の特許請求の範囲に含まれることをここに明記する。