"基体と、前記基体に形成された発熱抵抗層と、液体の流路と、前記発熱抵抗層に積層され、その端部が前記発熱抵抗層上で段差部を形成する配線層と、前記発熱抵抗層と前記段差部を含む前記配線層とを覆い、前記発熱抵抗層と前記流路との間に配された複数の保護層と、を有する液体吐出ヘッド基体において、複数の前記保護層のうち最も前記流路に近い保護層が、Cat-CVD法により形成された窒化シリコン系の膜であり、複数の前記保護層のうち最も前記発熱抵抗層に近い保護層が、プラズマCVD法により形成された、SiO膜、もしくは窒化シリコン系の膜であることを特徴とする液体吐出ヘッド基体。複数の前記保護層のうち最も前記発熱抵抗層に近い保護層は、最も前記流路に近い保護層よりも柔らかい層であることを特徴とする請求項1に記載の液体吐出ヘッド基体。請求項1または2に記載の液体吐出ヘッド基体を用いたことを特徴とする液体吐出ヘッド。基体と、前記基体に形成された発熱抵抗層と、液体の流路と、前記発熱抵抗層に積層され、その端部が前記発熱抵抗層上で段差部を形成する配線層と、前記発熱抵抗層と前記段差部を含む前記配線層とを覆い、前記発熱抵抗層と前記流路との間に配された複数の保護層と、を有し、複数の前記保護層のうち最も前記流路に近い保護層が、窒化シリコン系の膜であり、複数の前記保護層のうち最も前記発熱抵抗層に近い保護層が、SiO膜、もしくは窒化シリコン系の膜である液体吐出ヘッド基体の製造方法において、複数の前記保護層のうち最も前記流路に近い保護層は、少なくともシリコンを含むガスと窒素を含むガスとを供給し、基板温度が50°C以上400°C以下の条件で、Cat-CVD法で成膜され、複数の前記保護層のうち最も前記発熱抵抗層に近い保護層は、プラズマCVD法で成膜されることを特徴とする液体吐出ヘッド基体の製造方法。請求項4に記載された液体吐出ヘッド基体の製造方法で製造した基体に、液体を吐出する吐出口を有する流路形成部材を設けることを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。従来の保護層絶縁保護層を形成する方法のうち、温度を下げて450°C以下形成することが可能な方法としては、常圧CVD法、プラズマCVD法およびスパッタリング法が知られている。しかしながら、常圧CVD法は、基板にダメージを与えることが小さいがテーパーカバレッジ性が悪いという問題がある。又、プラズマCVD法およびスパッタリング法は、粒子に高エネルギーを付加し、該粒子を基板堆積させるため、基板表面にダメージを加えるという問題がある。基板に与えるダメージが比較的小さい方法として減圧CVD法があるが、減圧CVD法の場合、800°C程度の高温を必要とするため、金属材料からなる配線を形成後に、絶縁膜を堆積することは困難である。また、各方法により形成された膜の緻密さは、シリコン酸化膜の場合、熱酸化法>減圧CVD法>常圧CVD法>プラズマCVD法と言われている。従来、上述のインクジェットヘッドの保護層はプラズマCVD法によって形成されていたが、このようにして形成される保護層の層質膜質は、成膜温度をより高温にすることで向上させることが可能である。具体的には、配線に耐熱性のあるアルミニウムとシリコン等の合金やチタンシリサイド等のシリサイドを用い、成膜温度をより高温にすることができる。しかしながら、アルミニウムとシリコン等の化合物やチタンシリサイド等のシリサイドは、アルミニウムに比べて高抵抗なために配線の高さがより高くなり、保護層のカバレッジ性がより要求されることとなる。さらに、アルミニウム又はアルミニウム合金は、高温に曝されると、ヒロックと呼ばれる先端が針状の凸部が形成され、表面の平坦性が失われる。このヒロックの形成を抑えるためには、アルミニウム又はアルミニウム合金による配線上に形成する保護層の層厚膜厚を更に厚くしなければならず、薄層化薄膜化の要請に反することになる。このような観点から、成膜温度を上げて保護層の膜質を向上させることは、困難である。更に、プラズマCVD法で形成される保護層は、膜質が要求されるほどの緻密さでないため、以下のような問題点があった。1.インクに対して一定の保護機能を有しているものの、ある種のインクに対して膜が溶出することがある。2.段差部においてカバレッジ性が必ずしも十分ではないため、カバレッジ性の不十分な部分を起点としてインクが侵入してしまい、断線に至ることがある。3.耐キャビテーション性が十分ではなく、発泡と消泡とを繰り返す過程で削られてしまうので、耐キャビテーション性の高いTa等の金属による保護層を必要とする。本発明の目的は、液体吐出ヘッドに用いる保護層として、緻密で化学的および物理的に安定し、薄膜化してもインク等の液体に対して絶縁性および耐性があり、段差部のカバレッジ性に優れた、さらに好ましくはより薄い保護層を提供することにある。上記目的を達成する本発明は、基体と、基体に形成された発熱抵抗層と、液体の流路と、発熱抵抗層に積層され、その端部が発熱抵抗層上で段差部を形成する配線層と、発熱抵抗層と段差部を含む配線層とを覆い、発熱抵抗層と流路との間に配された保護層と、を有する液体吐出ヘッド基体において、保護層は、Cat-CVD法により形成されたことを特徴とする液体吐出ヘッド基体、及び、該液体吐出ヘッド基体用いたことを特徴とする。本発明によれば、液体吐出ヘッドに用いる保護層として、緻密で化学的および物理的に安定し、薄膜化してもインク等の液体に対して絶縁性および耐性があり、段差部のカバレッジ性に優れた、さらに好ましくはより薄い保護層を得ることができる。以下の各実施例では、基体と、基体に形成された発熱抵抗層と、液体の流路と、発熱抵抗層に積層され、その端部が発熱抵抗層上で段差部を形成する配線層と、を有する液体吐出ヘッドを用いて説明する。この液体吐出ヘッドは、さらに、発熱抵抗層と段差部を含む配線層とを覆い、発熱抵抗層と流路との間に配された保護層と、を有する。これにより、金属配線部の保護層絶縁保護層として、緻密、且つ、カバレッジ性の良い、さらに好ましくはより薄膜化が可能な保護層が形成された液体吐出ヘッド基体としてのインクジェットヘッド基板について説明する。また、それを用いた液体吐出ヘッドとしてのインクジェットヘッド、およびそのヘッドを用いた液体吐出装置としてのインクジェット記録装置について説明する。このような優れた保護層は、触媒化学蒸着法Catalyticchemicalvapordeposition:以下、Cat-CVD法と称すを用いて形成することにより得ることができる。Cat-CVD法は、原料ガスを高温1600°C~1800°Cに加熱された熱触媒体に接触分解させ、基板上に堆積させて薄膜形成する方法である。Cat-CVD法により得られる膜は、カバレッジ性の良い膜で、成膜時に基板に与えるダメージが小さい。更に、50°C~400°C、好ましくは100°C~300°C程度の基板温度で成膜された酸化膜の場合、熱酸化法に匹敵する緻密で欠陥の少ない薄膜を形成することが可能となる。もちろん、酸化膜以外の膜であっても、緻密で欠陥の少ない薄膜を形成することが可能である。また、成膜の際の基板温度を下げても緻密な膜が得られるので、基板温度を下げることで膜応力を低減させることができ、薄膜化しても保護機能を維持することができる。保護層の薄膜化により、保護層で覆われた発熱抵抗層からの熱エネルギーを液体インクへの伝熱ロスを抑えることができる。<Cat-CVD装置および該装置を用いたCVD膜の成膜方法>図6に示すCat-CVD装置の概略図を用い、Cat-CVD装置および成膜方法を説明する。Cat-CVD装置は、成膜室301内に、基板ホルダー302と、ガスを接触分解反応させるための触媒体となるヒーター304と、ヒーター304に接触するように原料ガスを導入するガス導入部303とが形成されている。更に、成膜室301を減圧するための排気ポンプ305が配されている。また、基板を加熱するために基板ホルダー302にヒーターを設けても良い。Cat-CVD法は、触媒体となるヒーター304を加熱し、原料ガスをヒーター部304で触媒反応させて分解し、基板ホルダー302に載置された基板表面上に堆積させて膜を形成する方法である。このCat-CVD法は、基板温度を下げて成膜することが可能となる成膜方法である。SiN膜を成膜する場合、シリコンの原料ガスとしてモノシランSiH4や、ジシランSi2H6等を、また窒素の原料ガスとしてはアンモニアNH3を用いることができる。触媒体としては、タングステンWを用いることができる。また、カバレッジ性の改善のために水素H2を添加しても良い。また、DimethylsilaneDMS、TetraethoxysilaneTEOS、DimethyldimethoxysilaneDMDMOS等を原料ガスとして、SiOC膜を作製することができる。この際に、酸素O2を添加しても良い。さらに、HexamethyldisilazaneHMDSを原料ガスとし、アンモニアNH3ガスを添加することにより、SiCN膜を作製することができる。また、上記原料に限らず、Si、N、C、Oを含む原料ガスや原料ガス化合物を用いて成膜を行うことにより、所望の薄膜を形成することができる。以下、本発明の実施態様を詳細に説明する。但し、本発明は、以下に説明する各実施態様のみに限定されるものでなく、本発明の目的を達成し得るものであれば、特許請求の範囲を逸脱することなく適宜の構成を採用しても良いことは言うまでもない。特に、以下に説明する第1の実施態様~第5の実施態様で、各実施態様を相互に組み合わせて液体吐出ヘッド基体や液体吐出ヘッドを作製し得る構成は、本発明が適用できる範囲内のものである。第1の実施態様本実施態様は、触媒化学蒸着法Cat―CVD法を用いて形成された薄膜をインクジェットヘッド基板の発熱部の絶縁保護層として使用することにある。Cat-CVD法は、従来の減圧、常圧あるいはプラズマCVD法やスパッタリング法と比べて低温で緻密で欠陥の少ない薄膜を形成することが可能となる。つまり、従来用いられているような高エネルギーの粒子を用いたスパッタリング法やプラズマを用いたCVD法に比べて欠陥の少ない緻密な膜を、より低い基板温度50°C~400°Cで形成することができる。また、成膜時の基板温度を下げることで膜応力を低減させることができ、緻密な膜が得られる。そのため、薄膜化しても保護層としての優れた保護機能を維持することができる。発熱抵抗層を覆う保護層の薄膜化により、発熱抵抗層からインクへの熱伝導ロスを抑えることができるので、熱エネルギーを有効に利用することができる。さらに、配線にアルミニウムあるいはアルミニウム系の合金例えば、Al-Si等を用いた場合、プラズマを用いたCVD法では、成膜時の高い基板温度の外にプラズマによるダメージも加わり、ヒロックと呼ばれる先端の尖った表面粗れが生じる。これに対し、Cat-CVD法の場合、原料ガスと熱触媒との接触分解反応を用いているために、プラズマによるダメージが配線の表面に加わらないので、配線表面に分解表面粗れが発生しない。そのため、アルミニウム系の配線の表面に、厚い絶縁膜を形成する必要がない。本実施態様のインクジェットヘッド基板は、Cat-CVD法により保護層を形成しているので、従来よりも層厚膜厚の薄い保護層を用いてもインクに対する耐性に優れ、段差部におけるカバレッジ性が良好な保護層形成できる。さらに、Cat-CVD法による保護層は、従来の保護層よりも緻密な膜であり、耐キャビテーション性があるので、タンタルTa等の金属膜からなる上部保護層を形成しないことも可能となる。また、発熱部の保護層の層厚膜厚を薄くすることが可能となり、発熱部から液体のインクへの熱伝導性が良好となるので、発熱部から基板側へ逃げる熱量が減り、インクジェットヘッド自体の蓄熱ないしは昇温の問題を抑制することができる。また、高エネルギーの粒子を用いた成膜法とは異なり、Cat-CVD法による成膜法では接触分解反応を利用して薄膜形成を行うため、膜の応力をコントロールし易い。これは、保護層の上方に有機樹脂等からなるインク流路等のヘッド構造部材を形成する場合、特に、有機樹脂等と保護層との応力のバランスを考慮して薄膜形成を行うことができるので、インクジェットヘッド製造上、好都合である。インクジェットヘッドには、今後のインクジェットプリンタインクジェット記録装置の一形態の高速化高解像度化に対応するために、更なる多ノズル化インク吐出口の増加が要求されている。これに伴い、ノズル列長が長くなり、その結果として、インクジェットヘッド基板が長尺化する傾向にある。半導体集積回路LSIのチップは、正方形に近い矩形であるので保護層の応力による変形が少ない。しかしながら、インクジェットプリンタ用のチップインクジェットヘッド基板は、上述のような理由により、一辺に対し他の片が極端に長い長尺状のチップとなる。このため、チップの変形、破壊の原因となる保護層の膜応力内部応力を低減しておくことは重要である。インクジェットヘッドは、カラーの色再現性を改善するため、多数の色のインクが用いられる。この結果、弱アルカリ性のインクや中性のインクあるいは弱酸性のインクが用いられる。これらのインクが常時膜に接するだけではなく、インク吐出の際の加熱されたインクに直接接するため、インクジェットヘッドに用いる保護層には、種々の制約が課せられる。インクジェットヘッドに用いる保護層には、インクに対する耐性だけでなく発熱体発熱抵抗層からの熱を効率的にインクに伝達することが要求される。そのため、一般的な半導体分野の素子の保護層に比べて制約が大きく、インクへの耐性やエネルギー伝達効率の観点からの膜設計が要求される。Cat-CVD法を用いて形成された保護層は、これらの要求を満たすことができるものであることがわかった。実施例1-1以下、図面を参照して実施例1-1を詳細に説明する。図1および図2は、それぞれ、本発明の実施例1-1のインクジェットヘッド基板1100の熱作用部周辺の模式的平面図およびそのII―II線断面図である。ここで、図1~図2の各部で同様に機能する部分については対応箇所に同一符号を付してある。図1に示すように、インクジェットヘッド基板1100上に形成された電極配線層1105の一部の配線層が除去され、電極配線層1105の下に形成された発熱抵抗層1104が露出している。図2に示すように、シリコン基板1101からなるインクジェットヘッド基板1100上に蓄熱層1102および層間膜1103がこの順に形成され、層間膜1103上に発熱抵抗層1104および電極配線層1105がこの順に形成される。そして、電極配線層1105の一部が除去されることで発熱抵抗層1104が露出して形成される部位が発熱部1104aとなる。発熱抵抗層1104および電極配線層1105は、図1に示されるような配線パターンを有している。更に、電極配線層1105上に絶縁保護層1106および上部保護層1107がこの順に形成されている。ここで、発熱部1104aに対応する、上部保護層1107の表面は、熱作用部1108となる。次に、上述のインクジェットヘッド基板1100の製造方法を説明する。まず、平面の結晶方位が<100>のシリコン基板1101を用意した。シリコン基板1101は、予め駆動用の回路を作り込んだシリコン基板を用いても良い。次に、シリコン基板1101上に熱酸化法により層厚膜厚1.8μmの蓄熱層1102となるSiO膜を形成し、さらに蓄熱層を兼ねる層間膜1103としてSiO膜をプラズマCVD法により膜厚1.2μmに形成した。駆動用の回路を作りこんだシリコン基板を用いる場合、駆動用の回路を構成する半導体素子間を分離する局所酸化膜の形成時の熱酸化膜を用い、半導体素子を形成後、SiO膜をプラズマCVD法により形成することができる。次に、発熱抵抗層1104となるTaSiN膜および電極配線層1105となるアルミニウム層を、スパッタリング法を用いて形成した。TaSiN膜は、合金ターゲットとしてTa-Siを用いた反応性スパッタリング法により、発熱抵抗層1104となるTaSiN膜を形成した。次に、フォトリソグラフィー法を用いてドライエッチングを行い、発熱抵抗層1104および電極配線層1105を同時にパター二ングした。続いて、フォトリソグラフィー法を用いてドライエッチングを行い、電極配線層1105の一部をエッチング除去してヒーターとして機能する20μm×20μmの大きさの発熱部1104aを形成した。なお、パターニングされた電極配線層1105の端部は、後の工程でその端部を覆うように形成される保護層のカバレッジ性を向上させるために、テーパ形状とすることが好ましい。電極配線層1105を構成するアルミニウムのドライエッチングエッチングは等方性エッチングの条件で行うことが好ましいが、ウェットエッチングで行うことも可能である。続いて、絶縁保護層1106となる膜厚250nmのSiN膜を、Cat-CVD法を用いて形成した。最後に、スパッタリング法により上部保護層1107としてタンタル膜を200nmの厚さに形成した後、パターニングを行って図2に示すインクジェットヘッド基板1100を得た。ここで、Cat-CVD法による成膜を、図6を用いて説明する。まず、排気ポンプ305を用いて室301の内部の気圧が1×105Pa~1×106Paになるまで排気した。次いで、ガス口303から成膜室301に、NH3ガス200sccmを導入した。このとき、基板温度を300°Cになるように基板加熱用のヒーター不図示を調整した。また、外部電源を調整することで、加熱触媒体となるヒーター304の温度を1700°Cに加熱した。次に、SiH4ガス5sccmを導入し、NH3ガスとSiH4ガスとの接触分解反応により、基板ホルダー302上に載置されたシリコン基板1101の表面に、SiN膜の形成を行った。なお、ガスを導入して成膜を行なっているときの成膜室301内の圧力成膜圧力は5Paであった。成膜されたSiN膜の膜厚は250nm、膜応力は200MPa引っ張り応力であった。導入するガスの組成を連続的あるいは段階的に変化させることにより、膜厚方向で組成を変化させたSiN膜等の絶縁保護層を形成することもできる。例えば、NH3ガスとSiH4ガスの流量を変化させることにより、SiN膜の組成を膜厚層厚方向に変化させた絶縁保護層を形成することができる。また、原料ガスとしてNH3ガスやSiH4ガスに加えて、微量の酸素を添加することによりSiON膜を作製することもできる。なお、保護層として成膜した膜厚200nmのタンタル膜からなる上部保護層1107は、絶縁保護層1106に比べ熱伝導率が高く、従って熱効率を大きく低下させるものではない。また、上部保護層1107は、緻密な絶縁保護層1106上に直接的に形成されることから、発熱部1104aからの熱エネルギーを熱作用部1108に効率よく伝導し、インクの吐出のために有効に作用させることができる。続いて、上述のシリコン基板1101を用いて構成されるインクジェットヘッド基板1100を、図4に示すインクジェットヘッドの模式的斜視図を用いて説明する。シリコン基板1101の表面には、吐出されるインクを供給するための細長いインク供給口9と、その両側それぞれに熱作用部1108が列状に配されるように各層が図2にあるように積層されている。そのシリコン基板1101の表面に、インク吐出口5と、吐出口5と供給口9とを連通する流路不図示とが形成された流路形成部材4を形成することで、インクジェットヘッド基板1100が構成される。図5は、図4のインクジェットヘッドを製造する工程を示す模式的断面図である。発熱部1104aが形成されたシリコン基板1101の裏面に形成されたSiOX膜1007上に、インク供給口9を形成するための耐アルカリ性を有するパターニングマスク1008を形成した。次に、図2のような積層構造が形成されたシリコン基板の表面側に、ポジ型フォトレジストをスピンコートによって所定の厚さとなるように塗布した。次に、ポジ型フォトレジストをフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることで、型材1003を形成した図5a。次に、型材1003を被覆するように、流路形成部材4の素材をスピンコートによって塗布した後、フォトリソグラフィー技術によって、所望の形状にパターニングした。そして、熱作用部1108と対向する位置に、インク吐出口5をフォトリソグラフィー技術によって開口させた。その後、インク吐出口5が開口された流路形成部材4の表面には、ドライフィルムのラミネートなどによって撥水層1006を形成した図5b。流路形成部材4は、インク流路の流路壁を構成するものであり、インクジェットヘッド使用時には常にインクと接触することになるので、その材料としては、特に、光反応によるカチオン重合性化合物が適している。しかしながら、使用されるインク等の液体および特性によって耐久性などが大きく左右されるので、使用する液体によっては、上記の材料以外の相応の化合物を選択してもよい。次に、シリコン基板1101を貫通する貫通口であるインク供給口9の形成を行う際、インクジェットヘッドの機能素子例えば、熱作用部1108や駆動回路が形成された面やシリコン基板1101の側面にエッチング液が触れないように処置を行なう。具体的には、樹脂からなる保護材1011をスピンコートなどによって塗布することで、エッチング液が触れてはならない部分を覆う。保護材1011の材料としては、異方性エッチングを行う際に使用する強アルカリ液体に対して十分な耐性を有する材料を用いる。このような保護材1011によって流路形成部材4の上面側をも覆うことによって、撥水層1006の劣化を防ぐことも可能となる。次に、予め形成しておいたパターニングマスク1008を用いて、シリコン酸化膜1007をウェットエッチングなどによってパターニングし、シリコン基板1101の裏面が露出する開口部1009を形成した図5c。次に、シリコン酸化膜1007をマスクとして異方性エッチングによってインク供給口9を形成した。その後、パターニングマスク1008と保護材1011とを除去した。次に、型材1003を溶解させ、インク吐出口5およびインク供給口9から除去した図5d。型材1003の溶解除去は、DeepUV光によって全面露光を行った後、現像を行うことによって実施でき、必要に応じて現像の際、超音波浸漬すれば、型材1003を除去することができた。このように製造されたインクジェットヘッドは、プリンタ、複写機、通信システムを有するファクシミリ、プリンタ部を有するワードプロセッサなどの装置、更には各種処理装置と複合的に組み合わせた産業記録装置に搭載可能である。そして、このインクジェットヘッドを用いることによって、紙、糸、繊維、布帛、皮革、金属、プラスチック、ガラス、木材、セラミックスなど種々の記録媒体に記録を行うことができる。なお、本明細書において、記録とは、文字や図形などの意味を持つ画像を記録媒体に対して付与することだけでなく、パターンなどの意味を持たない画像を付与することも意味する。次に、インクジェットヘッドをインクタンクと一体化したカートリッジ形態のインクジェットカートリッジ図7およびこれを用いたインクジェット記録装置図8について説明する。図7は、記録装置に装着可能なカートリッジの形態を有するインクジェットカートリッジ410の構成例を示す図である。外部からインクジェットカートリッジ410へ電力を供給するための端子を有するTABTapeAutomatedBonding用のテープ部材402が、インクジェットカートリッジ410の筐体表面に配置されている。インクジェットカートリッジ410には、インクタンク部404とインクジェットヘッド部405とが配置され、インクジェットヘッド部405の配線は、TAB用のテープ部材402の端子403から延在する配線不図示と接続されている。図8は、図7のインクジェットカートリッジ410を用いて記録を行うインクジェット記録装置の概略構成例を示すものである。インクジェット記録装置には、無端ベルト501に固定されたキャリッジ500が設けられ、ガイドシャフト502に沿って往復方向図中のA方向に主走査される。キャリッジ500上には、カートリッジ形態のインクジェットカートリッジ410が搭載されている。インクジェットカートリッジ410は、インクジェットヘッド部405の吐出口5が記録媒体としての用紙Pと対向し、かつ吐出口5の配列方向が主走査方向と異なる方向例えば用紙Pの搬送方向である副走査方向となるように、キャリッジ500に搭載される。なお、インクジェットヘッド部405およびインクタンク部404の組は、使用するインク色に対応した個数を設けることができ、図示の例では4色例えばブラック、イエロー、マゼンタ、シアンに対応して4組設けられている。記録媒体としての記録紙Pは、キャリッジ500の移動方向と直交する矢印B方向に間欠的に搬送される。以上のような構成によって、キャリッジ500の移動に伴い、インクジェットカートリッジ410の吐出口5の列長に対応した幅の記録の実行と、記録用紙Pの搬送と、を交互に繰り返しながら、記録用紙P全体に対する記録が行われる。なお、キャリッジ500は、記録開始時または記録中に必要に応じてホームポジションと呼ばれる定位置で停止する。このホームポジションには、各インクジェットカートリッジ410の吐出口5が設けられた面吐出口面をキャッピングするキャップ部材513が設けられている。キャップ部材513には、吐出口5から強制的にインクを吸引することで、吐出口5の目詰まり等を防止するための吸引回復手段不図示が接続されている。実施例1-2本実施例のインクジェットヘッド基板1100は、図2のインクジェットヘッド基板1100とは異なり、絶縁保護層1106上に上部保護層1107が形成されていない図3。まず、実施例1-1と同様にして、Cat-CVD法により絶縁保護層1106であるSiN膜を形成した。原料ガスとして、成膜室301へ、NH3ガス50sccm、SiH4ガスをsccm、H2ガス100sccmをそれぞれ導入した。成膜の際の成膜室301内の圧力を5Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は350°Cに設定して行った。形成された絶縁保護層1106は、層厚膜厚250nm、膜応力150MPa引っ張り応力であった。実施例1-3本実施例のインクジェットヘッド基板1100は、SiN膜からなる絶縁保護層1106の組成を、Cat-CVD法を用いて層厚膜厚方向に変化させて形成した。その他は実施例1-2と同じ構成である。絶縁保護層1106は、インクに接する側を発熱抵抗層に接する側よりもSi組成の多い組成とするように形成した。これは、Cat-CVD法による成膜の際に、発熱抵抗層に接する側からインクに接する側に向けてSiH4ガス流量を多くなるように設定することで得られる。まず、NH3ガスを50sccm、H2ガスを100sccm、SiH4ガスを5sccm、成膜のときの成膜室301内の圧力を5Pa、ヒーター304の温度を1700°C、基板温度を350°Cとする条件で成膜を開始した。その後、SiH4ガス量を徐々に増加させていき、膜厚300nmの厚さのSiN膜からなる絶縁保護層1106を形成した。この時の膜応力は、マイナス150MPa圧縮応力であった。実施例1-4本実施例のインクジェットヘッド基板1100は、実施例1-2で説明した図3の構成と同様であり、Cat-CVD法を用いて、膜厚200nmのSiN膜からなる絶縁保護層1106を形成した。成膜条件は、NH3ガスを10sccm、SiH4ガスを5sccm、H2ガスを20sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は5Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は380°Cとした。この時の膜応力は、100MPa引っ張り応力であった。実施例1-5本実施例のインクジェットヘッド基板1100は、実施例1-4で説明した成膜条件と同様の条件で、Cat-CVD法を用いて、膜厚を変化させたSiN膜からなる絶縁保護層1106を形成した。膜厚は100nmであった。実施例1-6本実施例のインクジェットヘッド基板1100は、実施例1-2で説明した成膜条件と同様の条件で、Cat-CVD法を用いて、膜厚を変化させたSiN膜からなる絶縁保護層1106を形成した。膜厚は500nmであった。実施例1-7本実施例のインクジェットヘッド基板1100は、実施例1-2で説明した図3の構成と同様であり、Cat-CVD法を用いて、膜厚300nmのSiON膜からなる絶縁保護層1106を形成した。成膜条件は、NH3ガスを20sccm、SiH4ガスを10sccm、H2ガスを400sccm、O2ガスを200sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は20Pa、ヒーター304の温度は1750°C、基板温度は50°Cとした。この時の膜応力は、500MPa引っ張り応力であった。実施例1-8本実施例のインクジェットヘッド基板1100は、実施例1-2で説明した図3の構成と同様であり、Cat-CVD法を用いて、膜厚230nmのSiN膜からなる絶縁保護層1106を形成した。成膜条件は、NH3ガスを10sccm、SiH4ガスを5sccm、H2ガスを20sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は6Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は400°Cとした。この時の膜応力は100MPa引っ張り応力であった。比較例1-1絶縁保護層をプラズマCVD法を用いて形成する以外は、実施例1-2で説明したものと同様にしてインクジェットヘッド基板を作製した。成膜条件は、SiH4ガスとNH3ガスとを用い、基板温度は400°C、成膜のときの成膜室内の圧力は0.5Pa、膜厚は250nm、膜応力はマイナス900MPa圧縮応力であった。比較例1-2本比較例は、上述の各実施例および比較例1にあるSiN膜の下に、SiN膜の形成に先立ってプラズマCVD法を用いて700nmのPSG膜第1の保護層を形成したものである。そして、PSG膜の上に、第2の保護層として300nmのSiN膜とを形成した。膜応力はマイナス500MPa圧縮応力であった。比較例1-3本比較例は、上述の各実施例および比較例1と同様に第1の保護層は形成しない層構成である。本比較例は、第2の保護層に相当する300nmの膜厚のSiN膜をプラズマCVD法を用いて形成し、その上に膜厚250nmのタンタル膜を形成した。膜応力はマイナス300MPa圧縮応力であった。インクジェットヘッド基板およびインクジェットヘッドの評価<耐インク性の評価結果>SiN膜は酸に対するよりもアルカリに対して耐性が乏しい。そこで、上部保護層Ta膜が形成されていない実施例1-2~実施例1-8、比較例1-1および比較例1-2を、pH9の弱アルカリ性のインク中に浸漬させ、70°Cの恒温槽に3日間放置した。そして、絶縁保護層の浸漬前の層厚膜厚に対して、浸漬放置後の層厚の変化を調べた。その結果、比較例1-1および比較例1-2のインクジェットヘッド基板においては、SiN膜が約80nm減少した。一方、実施例2-1~実施例1-6のインクジェットヘッド基板においては、SiN膜が約10nm減少した。また、実施例1-7のインクジェットヘッド基板においても、SiOX膜が約10nm程度減少した。これより、Cat-CVD法を用いて形成した、SiN膜およびSiON膜は、従来のプラズマCVD法を用いて形成したSiN膜に比べ、約7倍のインク耐性があることがわかった。また、SiN膜の窒素の組成を変化させた実施例1-3も、組成を変化させていないSiN膜と同等のインク耐性を持っていることがわかった。このことから、Cat-CD法を用いて形成したSiN膜は、窒素の組成にかかわらず、従来のプラズマCVD法で形成したSiOX膜よりもインク耐性が高いことがわかった。なお、保護層の層厚膜厚は、エリプソメーターを用い、5箇所の膜厚を測定した平均値を用いた。実施例1-2~実施例1-8は、全てが約10nm程度の層厚膜厚の減少しか測定されなかった。このことから、Cat-CVD法を用いて形成したSiN膜は、従来のプラズマCVD法を用いて成膜したSiN膜よりも、インクに対して耐性の強い膜であることがわかった。これは、従来、絶縁保護層絶縁保護膜として用いていたプラズマCVD法で形成したSiN膜に対して、Cat-CVD法により形成したSiN膜はインク耐性に優れることから、薄膜化しても必要充分な保護性能を得ることができることを示している。これにより、SiN膜の膜厚を従来よりも薄くすることにより、発熱部1104aからインクへの伝熱を良くすることができるので、エネルギー効率の高いインクジェットヘッドを得ることが可能となる。表1に、実施例、比較例および従来の方法で作成した保護層の評価結果を示す。<ヘッド特性>次に実施例1-1~実施例1-8および比較例1-1のインクジェットヘッド基板を用いて構成した各インクジェットヘッドをインクジェット記録装置に取り付け、吐出を開始する発泡開始電圧Vthの測定および記録耐久試験を行った。本試験は、A4サイズの用紙に、インクジェット記録装置に組み込まれている一般的なテストパターンを記録させることで行った。このとき、駆動周波数15KHz、駆動パルス幅1μsのパルス信号を与え、発泡開始電圧Vthを求めた。その結果を表2に示す。図2の構成において、絶縁保護層1106をCat-CVD法により形成し、上部保護層1107を膜厚300nm形成したものでは,Vth=18.0Vであった実施例1-1。また、図3の構成のように、上部保護層1107を形成せずに絶縁保護層1106をインクに接する構成実施例1-2にしたものでは、表2に示されるようにVth=14.5Vの結果が得られた。この表2から分かるように、各実施例では、Vthが約10~約15程度低減され、消費電力の改善が見られた。また、SiN膜からなる絶縁保護層1106の膜厚方向で組成を変化させた実施例1-3や、SiN膜からなる絶縁保護層1106の膜厚を変化させた実施例1-4~実施例1-6および実施例1-8においても、表2のようなVthの低下が見られた。さらに、SiON膜からなる絶縁保護層を形成した実施例1-7のものにおいても、表2のようなVthの低下が見られた。実施例1-6においては、発泡開始電圧Vthは、比較例1-1に比べて高い値となっているが、これは第2保護層の膜厚を500nmと厚くしているためで、同じ膜厚に換算して評価すると、消費電力の改善がされていた。次に、このVthの1.3倍に相当する電圧を駆動電圧Vopとして、1500文字の標準文書の記録を行った。その結果、実施例1-1~実施例1-8のいずれのインクジェットヘッドにおいても、5000枚以上の記録が可能であることが確認され、かつ記録品位の劣化も見られなかった。一方、比較例1-1のインクジェットヘッドにおいては、1000枚程度の記録の後、記録不能となった。この原因を確認したところ、絶縁保護層が主としてキャビテーションおよびインクによる溶出により断線に至ったものであることがわかった。すなわち、本実施態様に係るCat-CVD法による絶縁保護層を用いたインクジェットヘッドは、長期にわたり画像が安定しており、耐久特性にも優れていることがわかった。第2の実施態様インクジェットヘッド基板は、発熱抵抗層および電極配線等を高密度に多数配置すると電極配線の幅が狭くなる場合がある。一定の電力供給することを考慮すると、電極配線の膜厚は厚くなるので、配線端部の段差は大きくなってしまう。Cat-CVD法により得られる膜は、カバレッジ性の良い緻密な膜であるが、段差が大きくなると、カバレッジ性と膜の緻密性とを同時に満足される成長条件を求めることは可能であるものの、膜成長条件の許容範囲が狭くなり、量産性を悪くする場合があった。そこで、電極配線、発熱抵抗層あるいは発熱部といった配線側の絶縁保護膜をカバレッジ性の良い成長条件で成膜し、他方、インクに近い側の絶縁保護膜を耐インク性の高い緻密な絶縁膜とする。この構成により、耐インク性と段差カバレッジ性とを両立させた絶縁保護膜を得ることができる。実施例2-1以下、図面を参照して実施例2-1を詳細に説明する。図9は、本発明の実施例2-1のインクジェットヘッド基板1100の熱作用部1108周辺の模式的断面図である。図9に示すように、シリコン基板1101からなるインクジェットヘッド基板1100上に蓄熱層1102及び層間膜1103がこの順に形成されている。層間膜1103上に発熱抵抗層1104及び電極配線層1105がこの順に形成され、電極配線層1105の一部が除去され発熱抵抗層が露出した発熱部1104aが形成されている。発熱抵抗層1104及び電極配線層1105は、図1に示される配線パターンを有している。本実施例では、更に、電極配線層1105または発熱抵抗層1104、もしくは発熱部1104a等の導電材料で形成された配線層の上に、第1保護層1106a及び第2保護層1106bがこの順に形成されている。つまり、本実施例では、第1保護層1106aは電極配線層等の配された側に配置され、第2保護層1106bはインク液体流路側に配置されている。この相違以外は、インクジェットヘッド基板の製造方法は第1の実施態様の製造方法と同様である。即ち、電極配線層1105が形成された後、続いて第1保護膜1106aとなる膜厚150nmのSiN膜を、Cat-CVD法を用いて形成した。その後、続いて第2保護層1106bとして膜厚100nmのSiN膜をCat-CVDを用いて形成し、パターニングを行って図9に示すインクジェットヘッド基板1100を得た。本実施例では、図6の装置を用いた成膜は、以下のように行なった。排気ポンプ305を用いて成膜室301の内部の気圧が1×105Pa~1×106Paになるまで排気した。次いで、ガス導入口303から成膜室301に、NH3ガス200sccmを導入した。このとき、基板温度を300°Cになるように基板加熱用のヒーター不図示を調整した。また、外部電源を調整することで、加熱触媒体となるヒーター304の温度を1700°Cに加熱した。次に、原料ガスとして、SiH4ガス10sccm、NH3ガス100sccm、H2ガス400sccmを導入した。そして、それらのガスの接触分解反応により、基板ホルダー302上に載置されたシリコン基板1101の表面に、第1保護層1106aとしてのSiN膜の形成を行った。なお、ガスを導入して成膜を行なっているときの成膜室内の圧力は5Paであった。このとき成膜されたSiN膜の膜厚は150nm、膜応力は200MPa引っ張り応力であった。続いて、原料ガスの条件を変えることにより、第2保護層の形成を行った。この時の原料ガスの流量は、SiH4ガス5sccm、NH3ガス200sccmであり、成膜のときの成膜室301内の圧力は5Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は200°Cで第2保護層1106bとしてのSiN膜の形成を行った。このとき成膜されたSiN膜の膜厚は100nm、膜応力は400MPa引っ張り応力であった。インクジェット記録ヘッド基板1101を用いて構成されるインクジェットヘッド1100は、上述の第1の実施態様の実施例1-1の図4に示すインクジェット記録ヘッドで説明したものと同一である。よって、その詳細な説明は省略する。インクジェットヘッドの製法は、上述の第1の実施態様の実施例1-1の図5の模式的工程断面で説明した製法と同一である。よって、ここでの詳細な説明は省略する。インクジェットヘッドをインクタンクと一体化したカートリッジ形態のインクジェットカートリッジ図7およびこれを用いたインクジェット記録装置図8は、上述の第1の実施態様の実施例1-1で説明したものと同一である。よって、その詳細な説明は省略する。実施例2-2本実施例では、上述の図9と異なり、図10に示すように、第1保護層1106aおよび第2保護層1106bの上に、上部保護層1107が形成されている。実施例2-1と同様にして、Cat-CVD法により形成したSiN膜からなる膜厚150nmの第1保護層1106a上に、Cat-CVD法によりSiN膜からなる膜厚100nmの第2保護層1106bを形成した。この時の成膜条件は、実施例2-1と同条件で行った。最後に、スパッタリング法により上部保護層1107としてタンタル膜を100nmの厚さに形成し、パターニングを行って図10に示すインクジェットヘッド基板1100を得た。タンタル膜からなる上部保護層1107は、第1保護層1106aや第2保護層1106bに比べ熱伝導率が高く、熱効率を大きく低下させるものではない。また、上部保護層1107は、緻密な絶縁保護層である第2保護層1106b上に直接的に形成されることから、発熱部1104aからの熱エネルギーを熱作用部1108に効率よく伝導できた。実施例2-3本実施例では、保護層を実施例2-1と同様の2層構成にして、第1保護層1106および第2保護層1106bを形成した。まず、第1保護層1106aとして、Cat-CVD法により膜厚100nmのSiOC膜を形成した。この時の原料ガスとしては上述のTEOSを15sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は10Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度200°Cに設定して行った。この時の膜厚は100nm、膜応力は500MPa引っ張り応力であった。次に、第1保護層1106a上に、Cat-CVD法によりSiN膜からなる第2保護層1106bを形成した。成膜条件は、NH3ガスを50sccm、SiH4ガスを5sccm、H2ガスを100sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は4Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は200°Cとした。この時の膜厚は100nm、膜応力は400MPa引っ張り応力であった。実施例2-4本実施例では、保護層を実施例2-1と同様の2層構成にして、第1保護層1106aおよび第2保護層1106bを形成した。まず第1保護層1106aとして、Cat-CVD法により膜厚120nmのSiOC膜を形成した。成膜条件は、HMDSガスを30sccm、NH3ガスを10sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は10Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度200°Cに設定して行った。この時の膜厚は120nm、膜応力は500MPa引っ張り応力であった。次に、第1保護層1106a上に、Cat-CVD法によりSiN膜からなる第2保護層1106bを形成した。成膜条件は、NH3ガスを50sccm、SiH4ガスを8sccm、H2ガスを100sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は5Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は150°Cとした。この時の膜厚は80nm、膜応力は300MPa引っ張り応力であった。実施例2-5本実施例では、第1保護層1106a、第2保護層1106bを順に形成後、第2保護層1106bの上にさらに第3保護層を形成した。まず、第1保護層1106aとして、Cat-CVD法により膜厚100nmのSiOC膜を形成した。成膜条件は、TEOSを5sccm、O2ガスを10sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は10Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は250°Cとした。この時の膜厚は100nm、膜応力は400MPa引っ張り応力であった。次に、第1保護層1106a上に、Cat-CVD法により膜厚100nmのSiN膜からなる第2保護層1106bを形成した。成膜条件は、HMDSガスを40sccm、NH3ガスを10sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は10Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は200°Cとした。この時の膜厚は100nm、膜応力は400MPa引っ張り応力であった。最後に、第2保護層1106bの上にCat-CVD法によりSiN膜からなる第3保護層を形成した。成膜条件は、NH3ガスを50sccm、SiH4ガスを7sccm、H2ガスを100sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は4Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は250°Cとした。この時の膜厚は50nm、膜応力は500MPa引っ張り応力であった。実施例2-6本実施例では、保護層を実施例2-1と同様の2層構成にして、第1保護層1106aおよび第2保護層1106bを形成した。まず第1保護層1106aとして、Cat-CVD法により膜厚100nmのSiOC膜を形成した。成膜条件は、TEOSを15sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は10Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は200°Cとした。この時の膜厚は100nm、膜応力は500MPa引っ張り応力であった。次に、第1保護層1106a上に、Cat-CVD法によりSiN膜からなる第2保護層1106bを形成した。成膜条件は、NH3ガスを50sccm、SiH4ガスを5sccm、H2ガスを100sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は4Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は200°Cとした。この時の膜厚は300nm、膜応力は500MPa引っ張り応力であった。比較例2-1保護層絶縁保護層を、プラズマCVD法を用いて形成する以外は、実施例2-1と同様にしてインクジェットヘッド基板を作製した。成膜条件は、SiH4ガスとNH3ガスを用い、基板温度は400°C、成膜のときの成膜室内の圧力は0.5Pa、膜厚は250nm、膜応力はマイナス900MPa圧縮応力とした。インクジェットヘッド基板およびインクジェットヘッドの評価<耐インク性の評価結果>上部保護層Ta膜が形成されていない実施例2-1、実施例2-3~実施例2-6および比較例2-1のインクジェットヘッド基板をインク中に浸漬させ、70°Cの恒温槽に3日間放置した。そして、絶縁保護層保護層の浸漬前の層厚膜厚に対して、浸漬放置後の層厚の変化を調べた。ここで、SiN膜およびSiON膜は、酸よりもアルカリ性の液体に対してエッチングされ易いので、耐インク性試験には、pH9程度の弱アルカリ性のインクを用いた。その結果、比較例2-1のインクジェットヘッド基板においては、SiN膜が初期の膜厚に対して約80nm減少したのに対し、本実施態様の各実施例のインクジェットヘッド基板においては約10nm程度の膜厚の減少しか見られなかった。このことから、Cat-CVD法で成膜した各実施例の保護層保護膜は、インクに対して耐性の強い膜であることがわかった。これは、従来、絶縁保護膜絶縁保護層として用いているプラズマCVD法で形成したSiN膜に対して、本実施態様における各実施例のように、複数のCat-CVD法を用いて形成した絶縁保護層では、インク耐性に優れていることがわかった。また、絶縁保護膜の段差部でのクラックの発生等はなく、カバレッジ性にも優れていることがわかった。つまり、複数の保護層で形成された絶縁保護層は、比較的柔軟性のある膜に成膜されて優れたカバレッジ性を備えた保護層を配線側に配し、緻密な膜に成膜されて優れた耐インク性を備えた保護層をインク液体流路側に配する構成とした。この構成により、カバレッジ性と耐インク性との双方の特性に優れ、液体吐出ヘッドあるいはインクジェットヘッドに好適な絶縁保護層が得られた。<ヘッド特性>次に本実施態様の各実施例および比較例2-1のインクジェットヘッド基板を用いて構成した各インクジェットヘッドをインクジェット記録装置に取り付け、吐出を開始する発泡開始電圧Vthの測定および記録耐久試験を行った。本試験は、A4サイズの用紙に、インクジェット記録装置に組み込まれている一般的なテストパターンを記録させることで行った。このとき、駆動周波数15KHz、駆動パルス幅1μsのパルス信号を与え、発泡開始電圧Vthを求めた。その結果を3に示す。図9の構成において、第1保護層1106aをCat-CVD法によるSiN膜で、第2保護層1106bをCat-CVD法によるSiN膜により形成したものでは、Vth=14.2Vであった実施例2-1。また、他の実施例においても同様の結果が得られた。この表3から分かるように、各実施例では、Vthが約10~約15程度低減され、消費電力の改善が見られた。実施例2-6においては、第1保護層および第2保護層を合わせて400nmの厚さに形成しているため、Vthが高くなっている。しかしながら、実際に吐出駆動可能な範囲であり、長期にわたるインクジェット記録を行うためには好ましい構成となっている。次に、このVthの1.3倍に相当する電圧を駆動電圧Vopとし、1500文字の標準文書の記録を行った。その結果、実施例2-1~実施例2-6のいずれのインクジェットヘッドにおいても、5000枚以上の記録が可能であることが確認され、かつ記録品位の劣化も見られなかった。一方、比較例2-1のインクジェットヘッドにおいては、1000枚程度の記録の後、記録不能となった。この原因を確認したところ、絶縁保護層が主としてキャビテーションおよびインクによる溶出により断線に至ったものであることがわかった。すなわち、本実施態様に係るCat-CVD法による絶縁保護層を用いたインクジェット記録ヘッドでは、長期にわたり画像が安定しており、耐久特性にも優れていることがわかった。第3の実施態様本実施態様の積層構造を有する保護層絶縁保護層または絶縁保護膜、もしくは単に保護膜は、第2の実施態様と同様、インク液体流路側インクに近い側にCat-CVD法により成膜した保護層を備えている。第2の実施態様と相違する構成としては、Cat-CVD法で成膜した保護層の下側であって、電極配線または発熱抵抗層もしくは発熱部等の配線側の保護層をプラズマCVD法で成膜したことにある。Cat-CVD法を用いて形成したSiN系の絶縁膜は、プラズマCVD法を用いて形成したSi系の絶縁膜に比べて緻密で、耐インク性および耐キャビテーション性に優れた膜である。一方、プラズマCVD法で形成されたSi系の絶縁膜は、Cat-CVD法で形成されたSiN系の絶縁膜に比べて緻密性と言う点では劣る膜であるが、Cat-CVD法により形成されたSiN膜と比べると柔らかい膜である。そのため、Cat-CVD法により形成されたシリコン窒化膜と比べると柔らかい膜であるプラズマCVD法を用いたシリコン窒化膜が配されているので、クラックの発生を押さえることができる。Cat-CVD法によるSiN膜は、プラズマCVD法による保護層により段差部の急峻性が改善されたなだらかになった状態の上に形成される。そのため、Cat-CVD法によるSiN膜は、段差部における応力集中の発生が大幅に緩和される。また、Cat-CVD法による保護膜は、従来の保護膜よりも緻密な膜であり、耐キャビテーション性があるので、さらにその保護層の上にTa等の金属膜からなる上部保護膜を形成しないことも可能となる。また、発熱部1104aを覆う保護膜の膜厚を薄くすることが可能となり、インクへの熱伝導性が良好となる。また、直接的に膜がインクに接する、あるいは直接的でないにしろ熱エネルギーを利用してインクを吐出するためにインクへの熱伝導効率性の良いことが要求され、一般的な半導体分野の素子の保護膜に比べて制約が大きい。従って、インクへの耐性やエネルギー効率の観点からの膜設計が要求される。プラズマCVD法を用いて形成されたSiN膜の膜厚Tpsnmは、配線の段差部の急峻性を緩和し、且つ、段差部の応力により保護絶縁膜のクラックを防止する目的で設けた膜である。発熱抵抗層の層厚膜厚をThenm、配線の膜厚をTwnmとしたときに、インクジェットヘッドの層構成の範囲内では、実験データから経験的に得られた知見して、100TheTw/3≧Tps≧TheTw/3であることが好ましい。つまり、少なくとも、保護膜の膜厚は、発熱抵抗層の層厚Thenmと配線の膜厚Twnmとの和の1/3以上の膜厚があれば、段差部の応力を緩和することができる。保護層の膜厚の上限は、プラズマCVD法を用いて形成されたSiN膜の膜厚Tpsnmと、Cat-CVD法を用いて形成したSiN膜の膜厚Tctnmと、を合せた膜厚の値で制限される。これらの膜厚の合計膜厚が大きくなると、吐出駆動電圧も大きくなるが、印加できる駆動電圧にも一定の制限があるためである。Cat-CVD法による成膜は、その膜応力の大きさを成膜条件により制御でき、耐インク性および耐キャビテーション性が優れている。これらを考慮すると、Cat-CVD法を用いて形成したSiN膜の膜厚Tctの膜厚を厚くすることが好ましいので、Tctの値はTheTw/2nm程度であることが好ましい。Cat-CVD法を用いて形成したSiN膜は、耐インク試験で、プラズマCVD法を用いて形成されたSiN膜に比べて約8倍の耐性があるので、少なくとも50nm以上であることが好ましく、さらには70nm以上あることがより好ましい。膜厚の大きさの上限は、特に制限されるものではないが、印加できる駆動電圧の大きさで決まる絶縁保護膜の膜厚の大きさの上限で決定される。また、膜の応力は500MPa以下であることが好ましい。プラズマCVD法を用いて形成するSi系の絶縁膜は、SiN膜、SiOx膜あるいはSiOx膜とSiN膜あるいはSiON膜との積層構造であっても良い。実施例3-1以下、図面を参照して実施例3-1を詳細に説明する。本実施例のインクジェットヘッド基板1100は、上述の図9の層構成およびと同様であるので、その詳細な説明は省略する。また、保護層の形成方法以外のインクジェットヘッド基板の製造方法も上述した実施態様のものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。本実施例では、第1保護膜1106aとなる膜厚150nmのSiN膜を、プラズマCVD法を用いて形成した。成膜条件は、原料ガスとしてSiH4ガスとNH3ガスを用い、基板温度は400°C、成膜のときの成膜室301内の圧力は0.5Paとした。次に、第2保護層1106bとして膜厚250nmのSiN膜をCat―CVDを用いて形成し、パターニングを行って図9に示すインクジェットヘッド基板1100を得た。本実施例では、図6の装置を用いた成膜は、上述の第1の実施態様の実施例1-1で説明した各種成膜条件と同じ方法で行なった。また、インクジェットヘッド基板1100を用いたインクジェットヘッドは、上述の第1の実施態様の実施例1-1の図4に示すインクジェットヘッドの説明のものと同一であるので、ここでの詳細な説明は省略する。また、インクジェットヘッドの製法は、上述の第1の実施態様の実施例1-1の図5の模式的工程断面で説明した製法と同じであるので、ここでの詳細な説明は省略する。また、インクジェットヘッドをインクタンクと一体化したカートリッジ形態のインクジェットカートリッジ図7およびこれを用いたインクジェット記録装置図8は、上述の第1の実施態様の実施例1-1で説明したものと同一である。よって、ここでの詳細な説明は省略する。実施例3-2本実施例のインクジェットヘッド基板1100は、図9と異なり、図J10に示すように、第1保護層1106aと第2保護層1106とをこの順に成膜した後、第2保護層1106bの上に上部保護層1107が形成されている。実施例3-1と同様にして、プラズマCVD法により形成したSiN膜からなる膜厚200nmの第1保護層1106a上に、Cat-CVD法によりSiN膜からなる第2保護層1106bを形成した。成膜条件は、NH3ガスを50sccm、SiH4ガスを5sccm、H2ガスを100sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は10Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は350°Cとした。この時の膜厚は50nm、膜応力は150MPa引っ張り応力であった。最後に、スパッタリング法により上部保護層1107としてTa膜を100nmの厚さで形成し、パターニングを行って図10に示すインクジェットヘッド基板1100を得た。Ta膜からなる上部保護層1107は、第1保護層1106aや第2保護層1106bに比べ熱伝導率が高く、熱効率を大きく低下させるものではない。また、上部保護層1107は、緻密な絶縁保護層1106b上に直接的に形成されることから、発熱部1104aからの熱エネルギーを、熱作用部1108を介してその上方のインク液体に効率よく伝導することができた。実施例3-3本実施例のインクジェットヘッド基板1100は、実施例3-1と同様の層構成であり、第1保護層1106a、第2保護層1106bが形成されている。まず、第1保護層1106aとして、プラズマCVD法により膜厚200nmのSiO膜を形成した。次に、第1保護層1106a上に、Cat-CVD法によりSiN膜からなる第2保護層1106bを形成した。成膜条件は、NH3ガスを50sccm、SiH4ガスを5sccm、H2ガスを100sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は4Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は350°Cとした。この時の膜厚は100nm、膜応力は500MPa引っ張り応力であった。実施例3-4本実施例のインクジェットヘッド1100は、第1保護層1106a、第2保護層1106bの上に、さらに第3保護層が形成されている。まず、第1保護層1106aとして、プラズマCVD法により膜厚100nmのSiO膜を形成した。次に、第1保護層1106a上に、プラズマCVD法により膜厚100nmのSiN膜からなる第2保護層1106bを形成した。最後に、第2保護層1106bの上に、Cat-CVD法によりSiN膜からなる第3保護層を形成した。成膜条件は、NH3ガスを50sccm、SiH4ガスを5sccm、H2ガスを100sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は4Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は100°Cとした。この時の膜厚は80nm、膜応力は400MPa引っ張り応力であった。実施例3-5本実施例のインクジェットヘッド基板1100は、上述の実施例3-2と同様の層構成であり、第1保護層1106a、第2保護層1106b、および上部保護層1107が形成されている。第1保護層1106aとして、プラズマCVD法により膜厚300nmのSiN膜を形成した。次に、第1保護層1106a上に、Cat-CVD法によりSiN膜からなる第2保護層1106bを形成した。成膜条件は、NH3ガスを50sccm、SiH4ガスを5sccm、H2ガスを100sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は10Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は350°Cとした。この時の膜厚は200nm、膜応力は200MPa引っ張り応力であった。最後に、スパッタリング法により上部保護層1107としてTa膜を100nmの厚さで形成した。実施例3-6本実施例のインクジェットヘッド基板1100は、上述の実施例3-1と同様層構成であり、第1保護層1106a、第2保護層1106bが形成されている。第1保護層1106aとして、プラズマCVD法により膜厚200nmのSiO膜を形成した。次に、第1保護層1106a上に、Cat-CVD法によりSiON膜からなる第2保護層1106bを形成した。成膜条件は、NH3ガスを20sccm、SiH4ガスを10sccm、H2ガスを400sccm、O2ガスを200sccmとし、成膜時の成膜室301内の圧力は20Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は300°Cとした。この時の膜厚は100nm、膜応力は500MPa引っ張り応力であった。比較例3-1絶縁保護層を、プラズマCVD法を用いて形成する以外は、実施例3-1と同様にしてインクジェットヘッド基板を作製した。成膜条件は、SiH4ガスとNH3ガスを用い、基板温度は400°C、成膜のときの成膜室内の圧力は0.5Pa、膜厚は250nmとした。膜応力はマイナス900MPa圧縮応力であった。インクジェットヘッド基板およびインクジェットヘッドの評価<耐インク性の評価結果>上部保護層Ta膜を形成していない実施例3-1、実施例3-3、実施例3-4、実施例3-6および比較例3-1のインクジェットヘッド基板をインク中に浸漬させ、70°Cの恒温槽に3日間放置した。そして、保護層の浸漬前の層厚膜厚に対して、浸漬放置後の膜厚の変化を調べた。ここで、SiN膜およびSiON膜は、酸よりもアルカリ性の液体に対してエッチングされ易いので、耐インク性試験には、pH9程度の弱アルカリ性のインクを用いた。その結果、比較例3-1のインクジェットヘッド基板においてはSiN膜の膜厚が約80nm減少したのに対し、実施例3-1、実施例3-3、実施例3-4、実施例3-6のインクジェットヘッド基板においては約10nm程度の膜厚の減少しか見られなかった。このことから、本実施態様に係る実施例の保護層は、インクに対して耐性の強い膜であることがわかった。従来、絶縁保護膜として用いているプラズマCVD法で形成したSiN膜に対して、本実施態様の各実施例では、複数の絶縁保護層からなり、少なくとも最上層の絶縁保護層をCat-CVD法により形成した膜とした。このようにして形成された保護層は、優れた耐インク性を備えていることがわかった。また、この保護層は、膜の段差部でクラックの発生等はなく、優れたカバレッジ性を備えていることがわかった。<ヘッド特性>次に実施例3-1~実施例3-6および比較例3-1のインクジェットヘッド基板を用いて構成した各インクジェットヘッドをインクジェット記録装置に取り付け、吐出を開始する発泡開始電圧Vthの測定および記録耐久試験を行った。本試験は、A4サイズの用紙に、インクジェット記録装置に組み込まれている一般的なテストパターンを記録させることで行った。このとき、駆動周波数15KHz、駆動パルス幅1μsのパルス信号を与え、発泡開始電圧Vthを求めた。その結果を表4に示す。図9の構成において、第1保護層1106aをプラズマCVDで、第2保護層1106bをCat-CVD法により形成したものでは、Vth=14.2Vであった実施例3-1。また、他の実施例においても同様の結果が得られた。この表4から分かるように、各実施例では、Vthが約5程度低減され、消費電力の改善が見られた。なお、実施例3-5においては、第1保護層、第2保護層および上部保護層の総膜厚は600nmと他の実施例に比べて厚いため、Vthは高くなっている。しかしながら、実際の駆動できる範囲であり、長期の記録を行うためには好ましい構成となっている。次に、このVthの1.3倍に相当する電圧を駆動電圧Vopとし、1500文字の標準文書の記録を行った。その結果、実施例3-1~実施例3-6のいずれのインクジェットヘッドにおいても、5000枚以上の記録が可能であることが確認され、かつ記録品位の劣化も見られなかった。一方、比較例3-1のインクジェットヘッドにおいては、1000枚程度の記録の後、記録不能となった。この原因を確認したところ、絶縁保護膜が主としてキャビテーションおよびインクによる溶出により断線に至ったためであることがわかった。すなわち、本実施態様に係る保護層保護膜を適用したインクジェットヘッドでは、長期にわたり画像が安定しており、耐久特性にも優れていることがわかった。第4の実施態様本実施態様のインクジェットヘッド基板1100は、基板上に複数の発熱部1104aが形成されている。各々の発熱部1104aは、発熱抵抗層1104を覆う絶縁保護層に設けられた開口保護層を貫通するスルーホールを介して外部電源と電気的に接続されている。これは、発熱抵抗層1104が、絶縁保護膜に設けられた開口にメッキ法により形成された金、銅等の金属からなる共通配線と接続される構成となっている。本実施態様では、液体吐出ヘッド基体インクジェットヘッド基板の共通配線を覆う絶縁保護膜を、基板温度を室温もしくは50°C~200°Cの条件でCat-CVD法を用いて形成するものである。Cat-CVD法は、基板の温度を室温もしくは50°C~200°Cに下げて成膜しても膜の緻密性および被覆性が悪くなることが無い。このため、金および銅のようなメッキ法を用いて膜厚の厚い共通配線を形成後に、基板表面の保護膜としてSiN系の絶縁膜を成膜しても金等の金属材料が熱により拡散して隣接する配線間でのマイグレーションを起こすことがない。実施例4-1以下、図面を参照して実施例4-1を詳細に説明する。本実施例のインクジェットヘッド基板1100の構成は、上述の実施例1-1と基本的には同じ構成である。本実施例では、上述の各実施態様では説明されていない、共通配線と電極配線との接続部の構成に関するものである。図11は、共通配線と電極配線との接続部を示す模式的断面である。発熱抵抗層1104上に形成されたアルミニウム、あるいはアルミニウムを主体とする合金からなる電極配線層1105は、表面を保護層1106が覆っている。電極配線1105上に形成された保護層1106を貫通するスルーホールの側面、底面および保護層1106の共通配線が形成される領域に膜厚200nmのTiWからなる密着向上層バリアメタル3001を形成した。その後、密着向上層3001上に、金からなる膜厚50nmのメッキ用導体の金属3002、および、共通配線を形成する膜厚5μmのメッキ配線層3003を形成した。その後、基板上に、さらに、Cat-CVD法による膜厚300nmのシリコン窒化膜からなる絶縁保護膜3004を形成した。次に、図12の製造工程断面図を用いて、メッキ法による厚膜配線の製造方法を説明する。保護膜1106上に通常のフォトリソグラフィー法を用いて、保護膜1106のエッチング保護膜となるレジストパターン不図示を形成した。その後、通常のドライエッチング法を用いて電極配線1105が露出する開口を形成した。その後、高融点金属材料であるTiW等の密着向上層バリアメタル3001をスパッタリングにより200nm成膜した図12a。次に、配線用金属となるメッキ用導体の金層3002をスパッタリングにより50nm成膜した図12b。本実施例では導体金属として金を用いた。その後、メッキ用導体の金層の表面にフォトレジスト3005をスピンコート法により塗布した図12c。このとき、所望とする共通配線の厚さよりも、厚くなるようにフォトレジストを塗布した。例えば、5μmのメッキ厚を形成する場合は、6μmのフォトレジスト膜厚となる回転数条件で、スピンコート塗布を行った。次に、フォトリソグラフィー法にてレジスト露光現像処理が行なわれ、共通配線を形成する部位のめっき用導体の金属を露出するようにフォトレジスト3005を除去し、メッキ用の型材となるレジストを形成した。その後、電解メッキ法により亜硫酸金塩の電解浴中でメッキ用導体の金属に所定の電流を流し、フォトレジスト3005で覆われていない所定の領域に金3003を析出させた図12d。次に共通配線層の形成に使用したフォトレジスト3005を、レジスト除去液により除去した図12e。これにより、密着向上層3001を露出させた図12f。その後、共通配線をマスクにして密着向上層3001を、H2O2系のエッチング液に所定の時間にわたって浸漬させた。これにより、露出していた高融点金属材料からなる密着向上層3001を除去した図12g。次に、膜厚300nmのSiN膜からなる絶縁保護膜3004をCat-CVD法を用いて形成した。膜応力は200MPa引っ張り応力であった。ここで、Cat-CVD法による成膜は、上述の図6に示す装置で上述と同様にして行なった。なお、インクジェットヘッド基板1101を用いて構成されるインクジェットヘッド1100は、上述の第1の実施態様の実施例1-1の図4に示すインクジェットヘッドで説明したものと同一であるので、ここでの詳細な説明は省略する。また、インクジェットヘッドの製法は、上述の第1の実施態様の実施例1-1の図5a~dの模式的工程断面で説明した製法と同じであるので、ここでの詳細な説明は省略する。また、インクジェットヘッドをインクタンクと一体化したカートリッジ形態のインクジェットカートリッジ図7およびこれを用いたインクジェット記録装置図8は、上述の第1の実施態様の実施例1-1で説明したものと同一である。よって、ここでの詳細な説明は省略する。なお、本実施例では、発熱抵抗体層1104上に形成する絶縁保護膜1106はプラズマCVD法を用いて形成し、絶縁保護膜1106上に上部保護膜となるTa膜を形成している。絶縁保護膜1106は、第1実施態様で説明したように、Cat-CVD法を用いて形成したSiN膜であった方が好ましく、この場合には、上部保護膜となるTa膜を形成しなくとも良い。比較例4-1絶縁保護層をプラズマCVD法を用いて形成する以外は、実施例4-1と同様にしてインクジェットヘッド基板を作製した。成膜条件は、SiH4ガスとNH3ガスを用い、基板温度は400°C、成膜室内の圧力は0.5Pa、膜厚は1000nmとした。膜応力はマイナス900MPa圧縮応力であった。実施例4-2本実施例では、実施例4-1と同様にして、Cat-CVD法によりSiN膜を形成した。成膜条件は、NH3ガスを10sccm、SiH4ガスを5sccm、H2ガスを20sccmとし、成膜室301内の圧力は5Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は50°Cとした。この時の膜厚は300nm、膜応力は150MPa引っ張り応力であった。その後、実施例4-1と同様にして、インクジェットヘッドを作製した。インクジェットヘッド基板およびインクジェットヘッドの評価実施例4-1および実施例4-2においては、200°C以下の低温における成膜を行っている。このため、メッキ法で形成された金属が熱により拡散されて生じるマイグレーションにより、隣接配線間で電流リークが生じる、といった問題が解消された。一方、比較例4-1において形成されたプラズマCVD法による絶縁保護膜は、400°Cの高温にて成膜が行われている。このため、金属の熱拡散によるマイグレーションにより、隣接配線間で電流のリークが発生した。このように、比較例4-1のインクジェットヘッドでは、搭載されている駆動素子の耐圧低下の問題が発生し、歩留の低下を引き起こした。この結果、本実施態様の各実施例によると、高温における成膜を行う比較例4-1に示すプラズマCVD成膜よりも、配線間のリーク電流が小さく、耐圧の大きい信頼性の高いインクジェットヘッドを得ることができた。なお、Cat-CVD法による保護膜の成膜は200°C以下室温までの低温で行っているが、耐インク性は特に問題なかった。第5の実施態様シリコン基板上にインクジェットヘッドを駆動するための半導体素子を形成した場合、半導体素子の特性の安定化のため、水素化処理が行なわれている。水素雰囲気中で350°C~450°C程度の温度の拡散炉等で処理を行なう水素化処理が行なわれている。水素化処理は、表面保護膜となるSiN膜の形成後、350°C~450°C程度の温度の拡散炉内部を水素雰囲気にしてシリコン基板を曝す処理である。この処理により、アルミニウム系の金属配線とシリコン基板および絶縁膜との密着性を高めることができる。水素化処理の上限の温度は、p型の不純物となるボロンの拡散が生じない温度である450°C以下であることが好ましい。シリコン基板を構成するシリコン原子の未結合手ダングリングボンドが水素と結合するためには所定のエネルギーが必要であるため、水素化処理は、350°C以上の温度での熱処理が必要である。通常、水素化処理は、保護膜となるSiN膜を形成後、基板を成膜室から拡散炉へ移送し、バッチ処理することにより行われている。つまり、連続した工程で処理するのではなく、別な工程で行う必要があった。そのため、インクジェットヘッド基板の製造に要する時間がかかり、コスト的に不利になることは避けられなかった。従来のプラズマCVD法を用いる場合、アルミニウム系の金属を用いた配線の表面にプラズマによるダメージと高い基板温度によるダメージとから、ヒロックが発生する。一方、Cat-CVDの場合、プラズマによるダメージがないため、基板温度を350°C~400°Cとして膜成長させても、アルミニウム配線表面にヒロックが発生することがない。このため、保護膜を薄く形成することができる。本実施態様では、原料ガスとしてSiH4ガスおよびNH3ガス、希釈ガスとしてH2ガスを用い、Cat-CVD法により、膜厚100nm~500nmのSiN膜からなる絶縁保護膜を形成した。このときのSiN膜の成長時間は30分~1時間であった。このように、基板温度を350°C~400°Cにして、H2ガスで雰囲気を希釈しながらSiN膜等の保護層を成膜することで、シリコン基板の水素化処理を兼ねさせることができた。アルミニウム系の金属よりも融点の高いAu、Cu等の配線を用いる場合には、上述の基板温度よりも高い温度に、設定して基板の水素化処理を行うことが可能である。基板温度は、上述の基板温度に限定されるものではない。以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。但し、本発明は、以下に説明する各実施態様のみに限定されるものでなく、本発明の目的を達成し得るものであれば、特許請求の範囲を逸脱することなく適宜の構成を採用してもよいことは勿論である。本実施態様におけるインクジェットヘッド基板の製造は、例えば上述の第1の実施態様で説明したものと同様である。両者が相違する点は、Cat-CVD法で保護層を成膜する際の基板温度の設定内容や、本実施態様では希釈ガスとしてH2ガスが用いられることである。以下に、上述の図6にあるCat-CVD装置を用いた、本実施態様の絶縁保護層の成膜について説明する。Cat-CVD法で成膜される絶縁保護層膜1106となるSiN膜は、膜厚250nmとしたが、100nm以上500nm以下、好ましくは150nm以上300nm以下が好ましい。膜の応力は、応力によるクラックの発生や基板の変形が生じない範囲に設定することが好ましい。例えば、500MPa引っ張り応力からマイナス500MPa圧縮応力の範囲が好ましい。Cat―CVD法は、上述したように、触媒体となるヒーター304表面での原料ガスの触媒反応を利用するものなので、本来、基板温度を下げて成膜することが可能となる。しかしながら、本実施態様では、絶縁保護層の成膜と同時に水素化処理をも兼ねるため、基板温度を350°C~400°Cに制御した。まず、排気ポンプ305を用いて成膜室301の内部の気圧が1×105Pa~1×106Paになるまで排気した。次いで、ガス導入口から成膜室301に、H2ガス100sccmおよびNH3ガス50sccmを導入した。このとき、基板温度を400°Cになるように基板温度調整用のヒーターを調節した。次に、外部の電源により加熱触媒体となるヒーター304の温度を1700°Cとなるように調整した。次に、SiH4ガスを10sccm導入し、NH3ガスとSiH4ガスとの接触分解反応によりSiN膜を形成した。成膜時間は約30分で、膜応力は200MPa引っ張り応力であった。なお、このときの成膜室301内の圧力は5Paであった。Cat-CVD法では、希釈ガスとして水素ガスを用いる場合、基板温度を350°C以上に設定し、成長時間を30分以上にすることで、従来の水素アニールをCat-CVD法による保護膜成長と兼ねることができる。基板温度の上限は、トランジスタ素子のドレインソース領域に拡散した不純物が保護膜を成長する際の基板温度により拡散し、特性を変化させない範囲で選択することが可能である。一方、成膜温度を上げることで基板と保護膜とのストレスが増大するので、ストレスの増大を防ぐため、450°C以下であることが好ましく、400°C以下であることがより好ましい。以上のようにして、絶縁保護層の形成と同時に半導体素子の水素アロイ処理を行なった。最後に、スパッタリング法により上部保護層としてTa膜1107を200nmの厚さに形成した。インクジェットヘッド基板1101を用いて構成されるインクジェットヘッド1100は、上述の第1の実施態様の実施例1-1の図4に示すインクジェットヘッドで説明したものと同一であるので、ここでの詳細な説明は省略する。インクジェットヘッドの製法は、上述の第1の実施態様の実施例1-1の図5の模式的工程断面で説明した製法と同じであるので、ここでのは詳細な説明は省略する。また、インクジェットヘッドをインクタンクと一体化したカートリッジ形態のインクジェットカートリッジ図7およびこれを用いたインクジェット記録装置図8は、上述の第1の実施態様の実施例1-1で説明したものと同一である。よって、ここでの詳細な説明は省略する。実施例5-1上述の製造方法を用いて、以下のようなインクジェットヘッド基板を製造した。膜構成としては、まず、蓄熱層1102熱酸化膜を1.8μm、層間膜1103CVDによるSiO膜を1.0μm、発熱抵抗層1104TaSiN膜を40nm、電極配線層1105Alを400nm、それぞれ成膜した。その後、絶縁保護膜1106Cat-CVDによるSiN膜を250nm、上部保護層1107Taを200nm、それぞれ成膜した。実施例5-2本実施例は、実施例5-1と同様にして、Cat-CVD法を用いてSiN膜を形成した。成膜条件は、NH3ガスを60sccm、SiH4ガスを8sccm、H2ガスを80sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は4Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は380°Cとし、40分間、成膜を行なった。この時の膜厚は250nm、膜応力は150MPa引っ張り応力であった。実施例5-1においては、上部保護層1107としてTa膜を形成したが、本実施例においては、図3のような上部保護層を設けない構成とした。実施例5-3本実施例は、図9の構成のように、Cat-CVD法を用いて、SiN膜を膜厚方向にその組成を変化させて形成した。SiN膜は、インクに近い側を、発熱抵抗層1104に接する側よりもSiの多い組成とするように形成した。つまり、発熱抵抗層1104に接する側からインクに近い側に向けて、SiH4ガス流量を多くなるように設定した。まず、H2ガスを120sccm、NH3ガスを50sccm、SiH4ガスを5sccm、成膜室301内の圧力を5Pa、ヒーター304の温度を1800°C、基板温度を390°Cとする条件で成膜を開始した。その後、SiH4ガスの流量を、6sccm、7sccmと徐々に増加させて、膜厚300nmのSiN膜を形成した。成膜時間は、全体で40分であった。この時の膜応力は、マイナス150MPa圧縮応力であった。それ以外は、実施例5-2と同様にして、インクジェットヘッド基板を製造した。実施例5-4本実施例は、実施例5-2と同様にして、Cat-CVD法を用いてSiN膜を形成した。成膜条件は、NH3ガスを60sccm、SiH4ガスを8sccm、H2ガスを80sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は2Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は380°Cとし、60分間、成膜を行った。この時の膜厚は250nm、膜応力は160MPa引っ張り応力であった。実施例5-5本実施例は、実施例5-2と同様にして、Cat-CVD法を用いてSiN膜を形成した。成膜条件は、NH3ガスを60sccm、SiH4ガスを8sccm、H2ガスを80sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は4Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は350°Cとし、40分間、成膜を行った。この時の膜厚は250nm、膜応力は150MPa引っ張り応力であった。実施例5-6本実施例は、実施例5-2と同様にして、Cat-CVD法を用いてSiN膜を形成した。成膜条件は、NH3ガスを50sccm、SiH4ガスを10sccm、H2ガスを100sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は5Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は400°Cとし、15分間、成膜を行った。この時の膜厚は100nm、膜応力は220MPa引っ張り応力であった。実施例5-7本実施例は、実施例5-2と同様にして、Cat-CVD法を用いてSiN膜を形成した。成膜条件は、NH3ガスを50sccm、SiH4ガスを10sccm、H2ガスを100sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は5Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は400°Cとし、60分間、成膜を行った。この時の膜厚は500nm、膜応力は300MPa引っ張り応力であった。従来技術従来より製造されているインクジェットヘッド基板を、以下のような成膜条件で製造した。第1保護層は、プラズマCVD法を用いて成膜した、膜厚700nmのPSG膜である。第2保護層は、プラズマCVD法を用いて成膜した、膜厚300nmのシリコン酸化膜である。上部保護層は、スパッター法を用いて成膜した、膜厚250nmのTa膜である。そして、これらを順に積層してインクジェットヘッド基板を作成した。第2の保護膜の膜応力は900Pa引っ張り応力であった。比較例5-1本比較例は、絶縁保護層を、プラズマCVD法を用いて形成する以外は、実施例5-2と同様にしてインクジェットヘッド基板を作成した。成膜条件は、SiH4ガスを200sccm、NH3ガスを1500sccmとし、成膜のときの成膜室内の圧力は0.5Pa、基板温度は400°Cとした。この時の膜厚は250nm、膜応力はマイナス900MPa圧縮応力であった。本比較例においては、絶縁保護膜を形成したインクジェットヘッド基板を加熱炉に入れ、炉内雰囲気をH2ガスとN2ガスとの混合ガスにして水素処理を行った。その時の基板温度は400°C、処理時間は30分であった。比較例5-2本比較例は、実施例5-2と同様であって、上部保護膜となるTaが形成されておらず、また、SiN膜はCat-CVD法を用いて形成されている。本比較例が実施例5-2と相違するのは、実施例5-2がCat-CVD法による保護層成膜と同時に水素化処理を行なうのに対し、本比較例では、水素化処理をCat-CVD法による保護層形成後に別工程で行なうことである。成膜条件は、NH3ガスを20sccm、SiH4ガスを10sccm、H2ガスを400sccm、O2ガスを200sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は20Pa、ヒーター304の温度は1750°C、基板温度は100°Cとした。このようにして、膜厚300nmのSiN膜を形成した。成膜時間は80分であった。また、膜応力は500MPa引っ張り応力であった。その後、比較例5-1と同様に、基板温度400°Cとして、H2ガスとN2ガスとの混合ガス中で、30分間の水素処理を行った。比較例5-3本比較例は、実施例5-2と同様にして、Cat-CVD法によりSiN膜を形成した。本比較例が実施例5-2と相違するのは、実施例5-2がCat-CVD法による保護層成膜と同時に水素化処理を行なうのに対し、本比較例では、水素化処理をCat-CVD法による保護層形成後に別工程で行なうことである。成膜条件は、NH3ガスを60sccm、SiH4ガスを5sccm、H2ガスを80sccmとし、成膜のときの成膜室301内の圧力は4Pa、ヒーター304の温度は1700°C、基板温度は300°Cとし、膜厚250nmのSiN膜を形成した。成膜時間は、40分間であった。このSiN膜の膜厚は250nm、膜応力は150MPa引っ張り応力であった。その後、比較例5-1と同様に、基板温度400°Cとして、H2ガスとN2ガスとの混合ガス中で、30分間の水素処理を行った。インクジェットヘッド基板およびインクジェットヘッドの評価<耐インク性の評価結果>SiN膜およびSiON膜は、酸よりもアルカリ性の液体に対してエッチングされ易いので、pH9程度の弱アルカリ性のインクを用いて耐インク性の試験を行った。上部保護層Ta膜を形成していない実施例5-2~実施例5-7および比較例5-1~比較例5-3のインクジェットヘッド基板をインク中に浸漬させ、70°Cの恒温槽に3日間放置した。そして、保護層の浸漬前の層厚膜厚に対して、浸漬放置後の膜厚の変化を調べた。その結果、比較例5-1のインクジェットヘッド基板においては、SiN膜の膜厚が80nm減少したのに対し、実施例5-2~実施例5-7、比較例5-2および比較例5-3のインクジェットヘッド基板においては、10nmの減少しか見られなかった。これより、従来、絶縁保護膜として用いているプラズマCVD法で形成したSiN膜に対して、本実施態様の各実施例のCat-CVD法により形成した膜はインク耐性に優れることが分かった。そのため、保護層を薄膜化しても要求される保護性能を得ることができるので、従来よりも薄膜化することができる。この結果、エネルギー効率の高い層構成が得られることが分かった。また、この結果から分かるように、比較例5-2および比較例5-3でも、Cat-CVD法で保護層を形成後に、別工程で水素化処理を行なっても良好な結果を得ることはできた。しかしながら、本実施例のように、Cat-CVD法による保護層形成とともに水素化処理を行なうことで、製造に係る時間の短縮化と簡素化を図ることができた。<ヘッド特性>次に、本実施態様に係る各実施例および各比較例のインクジェットヘッド基板を用いて製造したインクジェットヘッドをインクジェット記録装置に取り付け、吐出を開始する発泡開始電圧Vthの測定および記録耐久試験を行った。この試験は、A4サイズの用紙に、インクジェット記録装置に組み込まれている一般的なテストパターンを記録させることで行った。このとき、駆動周波数15KHz、駆動パルス幅1μsのパルス信号を与え、発泡開始電圧Vthを求めた。その結果を表6に示す。図2の構成において、絶縁保護層をCat-CVD法により形成し、上部保護層を膜厚200nmと形成したものではVth=18.0Vであった実施例5-1。また、図3のように、上部保護層を形成せずに絶縁保護層をインクに接する構成した実施例5-2~実施例5-7の場合、表6の結果から、Vthが約10~約15程度低減されたことが分かり、消費電力の改善が見られた。なお、実施例5-7においては、保護層の膜厚を500nmと厚く形成しているためにVthは高くなっている。しかしながら、実際にインクジェットヘッドとして駆動できる範囲であり、長期にわたる記録を行うためには好ましい構成となっている。また、絶縁保護層の膜厚方向で組成を変化させた実施例5-3も含めて、本実施態様の実施例5-1~実施例5-7においては、各比較例と比べてもヘッドの駆動に特に異常は見られなかった。また、比較例5-2および比較例5-3のように、水素化処理を絶縁保護層の形成後に行ったものと、本実施態様のように絶縁保護層の形成と同時水素化処理を行ったものでも、差は見られなかった。これは、本実施態様の製造方法においても、水素化処理が従来と同様に有効に行われていることを示す。次に、このVthの1.3倍に相当する電圧を駆動電圧Vopとして、1500文字の標準文書の記録を行った。その結果、実施例5-1~実施例5-7、比較例5-2および比較例5-3のいずれのインクジェットヘッドにおいても、5000枚以上の記録が可能であることが確認され、かつ記録品位の劣化も見られなかった。一方、比較例5-1のインクジェットヘッドにおいては、1000枚程度の記録の後、記録不能となった。この原因を確認したところ、絶縁保護層が主としてキャビテーションおよびインクによる溶出により断線に至ったものであることがわかった。すなわち、Cat-CVD法による基板温度条件を、水素化アニールを兼ねるために350°C~400°Cに上げた実施例も、基板温度を100°C~300°Cの比較的低温で成膜した比較例も、長期にわたり画像が安定しており、耐久特性に優れていることがわかった。これは、Cat-CVDの基板温度条件を、水素化アニールを兼ねるために350°C~400°Cに上げても、アルミニウム系の配線の表面にヒロックが発生せず、絶縁保護膜を薄くしても絶縁保護膜にピンホールの発生がない、ということに起因するものである。"