電力変換部を構成する半導体素子群が一つのユニットで構成され、前記電力変換部の主回路は、直流正端子と直流負端子との間に第1の半導体素子から第4の半導体素子の4個の半導体素子を直列に接続すると共に、第1のダイオードおよび第2のダイオードを直列に接続し、第2の半導体素子と第3の半導体素子との接続点に交流端子を接続すると共に、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードとの接続点に中性点端子を接続し、前記第1のダイオードは前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子との接続点に接続され、前記第2のダイオードは前記第3の半導体素子と前記第4の半導体素子との接続点に接続されて構成され、前記一つのユニットを構成する前記半導体素子群は同一平面上の冷却器受熱部に設置され、自冷あるいは強制風冷により放熱するようにした電力変換装置において、前記第1の半導体素子と前記第4の半導体素子が前記冷却器受熱部の風上側に配置され、前記第2の半導体素子と前記第3の半導体素子が前記冷却器受熱部の冷却風方向の中央に配置され、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードを前記冷却器受熱部の風下側に配置され、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子、前記第3の半導体素子と前記第4の半導体素子はそれぞれ前記冷却器受熱部の冷却風方向の中心線に対し、左右方向で互いに反対側の位置に配置され、前記第1のダイオードは前記第2の半導体素子と前記中心線に対し、左右方向で同じ側に配置され、前記第2のダイオードは前記第3の半導体素子と前記中心線に対し、左右方向で同じ側に配置されていることを特徴とする電力変換装置。請求項1に記載の電力変換装置において、自冷により放熱する前記電力変換装置には、前記第1の半導体素子と前記第4の半導体素子が前記冷却器受熱部の鉛直方向の下側に配置されることを特徴とする電力変換装置。請求項1または請求項2に記載の電力変換装置において、前記電力変換部を構成する半導体素子群は、前記冷却器受熱部へ配置するときの半導体素子の端子の向きが、風上側がコレクタ端子、風下側がエミッタ端子となるように配置されていることを特徴とする電力変換装置。請求項1または請求項2に記載の電力変換装置において、前記電力変換部を構成する半導体素子群は、前記冷却器受熱部へ配置するときの半導体素子の端子の向きが、前記第2の半導体素子と前記第3の半導体素子は、冷却風方向と直交する向きにエミッタ端子及びコレクタ端子が並ぶように配置され、前記第1の半導体素子と前記第4の半導体素子は、冷却風方向の向きにエミッタ端子及びコレクタ端子が並ぶように配置され、前記第1の半導体素子と前記第4の半導体素子の一方のエミッタ端子は風上側に配置され、他方のエミッタ端子は風下側に配置されることを特徴とする電力変換装置。請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の電力変換装置において、前記第2の半導体素子と前記第3の半導体素子との接続点の交流出力端子にトランスの一次巻線が接続され、前記トランスの二次巻線と接続された整流ダイオードブリッジ回路と、前記整流ダイオードブリッジ回路の出力側にリアクトルとコンデンサで構成されるフィルタ回路が接続され、前記トランス二次巻線出力側に共振リアクトルが設けられ、半導体スイッチと共振コンデンサからなる共振スイッチ回路が前記整流ダイオードブリッジの出力側に並列接続され、前記共振リアクトルと前記共振スイッチ回路の共振コンデンサの直列共振回路を構成する直流電源装置であって、前記一つのユニットで構成される半導体素子群の発熱が、前記第1の半導体素子と前記第4の半導体素子が最も大きく、次に、前記第2の半導体素子と前記第3の半導体素子であり、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードが最も小さくなるような3レベル回路で構成された半導体素子群であることを特徴とする電力変換装置。しかしながら、上述の特許文献2の発明には以下に述べる問題があった。これを、図11を用いて説明する。図11に、図3の経路IIで示した電流経路を示す。電流経路は大きなループ状となり、経路長が長くなることが分かる。このため、回路の寄生インダクタンスが大きくなり、半導体素子のターンオフ時にこの寄生インダクタンスに発生する過電圧が素子に印加され、半導体素子を破壊するという問題があった。このため、特許文献2では、半導体素子の電圧上昇を抑えるため、スナバ回路5を挿入した対策を施しているが、部品点数の増加による装置のサイズ、重量の増加や部品故障のリスク増加による装置信頼性の低下を招いていた。本発明は、上記課題を解決するものであって、半導体素子の発熱差を活かして冷却器の冷却性能を向上させた電力変換装置において、寄生インダクタンスを低減することにより、スナバ回路を付加すること無く素子に印加される過電圧を抑制し、電力変換器の信頼性を向上することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の電力変換装置は、電力変換部を構成する半導体素子群が一つのユニットで構成され、前記電力変換部の主回路は、直流正端子と直流負端子との間に第1の半導体素子から第4の半導体素子の4個の半導体素子を直列に接続すると共に、第1のダイオードおよび第2のダイオードを直列に接続し、第2の半導体素子と第3の半導体素子との接続点に交流端子を接続すると共に、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードとの接続点に中性点端子を接続し、前記第1のダイオードは前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子との接続点に接続され、前記第2のダイオードは前記第3の半導体素子と前記第4の半導体素子との接続点に接続されて構成され、前記一つのユニットを構成する前記半導体素子群は同一平面上の冷却器受熱部に設置され、自冷あるいは強制風冷により放熱するようにした電力変換装置において、前記第1の半導体素子と前記第4の半導体素子が前記冷却器受熱部の風上側に配置され、前記第2の半導体素子と前記第3の半導体素子が前記冷却器受熱部の冷却風方向の中央に配置され、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードを前記冷却器受熱部の風下側に配置され、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子、前記第3の半導体素子と前記第4の半導体素子はそれぞれ前記冷却器受熱部の冷却風方向の中心線に対し、左右方向で互いに反対側の位置に配置され、前記第1のダイオードは前記第2の半導体素子と前記中心線に対し、左右方向で同じ側に配置され、前記第2のダイオードは前記第3の半導体素子と前記中心線に対し、左右方向で同じ側に配置されていることを特徴とする。また、本発明の電力変換装置は、自冷により放熱する前記電力変換装置には、前記第1の半導体素子と前記第4の半導体素子が前記冷却器受熱部の鉛直方向の下側に配置されることを特徴とする。また、本発明の電力変換装置は、前記電力変換部を構成する半導体素子群は、前記冷却器受熱部へ配置するときの半導体素子の端子の向きが、風上側がコレクタ端子、風下側がエミッタ端子となるように配置されていることを特徴とする。また、本発明の電力変換装置は、前記電力変換部を構成する半導体素子群は、前記冷却器受熱部へ配置するときの半導体素子の端子の向きが、前記第2の半導体素子と前記第3の半導体素子は、冷却風方向と直交する向きにエミッタ端子及びコレクタ端子が並ぶように配置され、前記第1の半導体素子と前記第4の半導体素子は、冷却風方向の向きにエミッタ端子及びコレクタ端子が並ぶように配置され、前記第1の半導体素子と前記第4の半導体素子の一方のエミッタ端子は風上側に配置され、他方のエミッタ端子は風下側に配置されることを特徴とする。また、本発明の電力変換装置は、前記第2の半導体素子と前記第3の半導体素子との接続点の交流出力端子にトランスの一次巻線が接続され、前記トランスの二次巻線と接続された整流ダイオードブリッジ回路と、前記整流ダイオードブリッジ回路の出力側にリアクトルとコンデンサで構成されるフィルタ回路が接続され、前記トランス二次巻線出力側に共振リアクトルが設けられ、半導体スイッチと共振コンデンサからなる共振スイッチ回路が前記整流ダイオードブリッジの出力側に並列接続され、前記共振リアクトルと前記共振スイッチ回路の共振コンデンサの直列共振回路を構成する直流電源装置であって、前記一つのユニットで構成される半導体素子群の発熱が、前記第1の半導体素子と前記第4の半導体素子が最も大きく、次に、前記第2の半導体素子と前記第3の半導体素子であり、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードが最も小さくなるような3レベル回路で構成された半導体素子群であることを特徴とする。以上のように、3レベル回路における半導体素子群の冷却器への配置を、図1に示すように配置した電力変換装置とする。なお、ファンやブロアなどにより強制風冷を行う場合には、冷却器下段側にファンやブロアを設置するとよい。本発明は、上記課題を解決するための手段に記載のように半導体素子を配置することによって、3レベルで構成した回路において、Q1→Q2→Q3→D6の閉回路、あるいは、Q2→Q3→Q4→D5を通る閉回路の距離を短くすることにより、回路の寄生インダクタンスを抑えることができる。また、図2に示したような3レベル回路においては、各素子の発熱が大きいほうから順に、半導体素子Q1、Q4>半導体素子Q2、Q3>クランプダイオードD5、D6の順となるため、冷却器の冷却効果の高い側に発熱の大きい素子を置くことで冷却性能も最適にすることができ、冷却器を小型化できる。とくに自冷式の冷却器では、この配置で冷却性能の最大利用と回路インダクタンスの最小化を同時に実現することができる。また、縦に3段配置とすることによって、冷却器の冷却風に直交する方向の長さ横幅をより小さくすることができ、電力変換装置を鉄道車両の床下に艤装するような場合に、電力変換装置の寸法を小さくすることができる。以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明していく。図2は、本発明における電気回路構成の例を示す図である。直流正端子Pと直流負端子Nとの間に第1の半導体素子Q1~第4の半導体素子Q4からなる4個の半導体素子を直列に接続すると共に、第1のダイオードD5および第2のダイオードD6を直列に接続して構成される。第1のダイオードD5および第2のダイオードD6の直列接続体は、第1の半導体素子Q1と第2の半導体素子Q2との接続点、および第3の半導体素子Q3と第4の半導体素子Q4との接続点の間に接続される。第2の半導体素子Q2と第3の半導体素子Q3との接続点と、第1のダイオードD5と第2のダイオードD6との接続点の間にはトランス14Trが接続されている。また、直流正端子Pと直流負端子Nとの間にはフィルタコンデンサ11FC1、12FC2が接続されている。この回路の動作を、動作タイミングチャートを示した図4、および転流経路を示した図3を用いて、以下に説明する。時刻t0において、半導体素子Q1がオフ、Q2がオン状態である。この状態から、時刻t1において半導体素子Q1がターンオンし、半導体素子Q1、Q2には電流Ipが流れる。このとき、整流回路15のダイオードD21、D24には電流Irが流れる。時刻t2において、共振スイッチQzがターンオンする。これによって共振リアクトルLzと共振コンデンサCzによって共振電流Izが流れ、共振コンデンサCzが充電される。この共振動作に伴って、半導体スイッチQ1、Q2に流れる電流Ipと、ダイオードD21、D24を流れる電流も増加する。時刻t3では、共振コンデンサCzが放電状態となっており、このとき負荷電流Idは共振回路21から供給されている状態であり、ダイオードD21、D24には電流は流れない。また、このとき半導体素子Q1、Q2を流れる電流IpはトランスTrの励磁電流分が流れている。この状態で半導体素子Q1をターンオフすると、半導体素子Q1にはこのターンオフに伴うスイッチング損失が発生する。さて、この半導体素子Q1がターンオフするとき、それまで、フィルタコンデンサFC1の正側端子→半導体素子Q1→半導体素子Q2→点a→トランスTr→点b→フィルタコンデンサFC1の負側端子の経路経路i-aとするで流れていた負荷電流は減少し、トランスTr→点b→クランプダイオードD5→半導体素子Q2→点a→トランスTrの経路経路i-bとするに転流した電流は増加する。この経路i-aと経路i-bの合計回路インダクタンスは、図3の経路Iの回路インダクタンスであり、この回路のインダクタンスをLiとすると、経路i-aと経路i-bの電流変化率di/dtとから、半導体素子Q1のターンオフ時における誘起電圧VはV=Li×di/dtとなり、コンデンサFC1の電圧にこの誘起電圧Vが加わった電圧が半導体素子Q1に加わることになる。時刻t4では、半導体素子Q3がターンオンする。このとき、共振コンデンサCzからの放電が終わった状態では、整流回路15のダイオードD21~D24には負荷電流Idが還流して流れている。時刻t5では、半導体素子Q2がターンオフする。Q2に流れている電流は、通常動作時には、転流によって還流するわずかな電流しか流れずほぼゼロであるため、スイッチング損失は極小である。このため、半導体素子Q1のターンオフ時に発生するようなスイッチング損失は発生せず、半導体素子Q1と半導体素子Q2で損失に差があり、発熱量にも差が出る。また、このとき、トランスTr→点b→クランプダイオードD5→半導体素子Q2→点a→トランスTrの経路経路ii-aとするで還流していた電流は減少し、コンデンサFC2の負側端子→半導体素子Q4のフライホイールダイオード→半導体素子Q3のフライホイールダイオード→点a→トランスTr→点b→フィルタコンデンサFC2の正側端子の経路経路ii-bとするへ転流した電流は増加する。この経路ii-aと経路ii-bの合計回路インダクタンスは、図3の経路IIのインダクタンスであり、この回路のインダクタンスをLiとすると、経路ii-aと経路ii-bの電流変化率di/dtとから、半導体素子Q2のターンオフ時における誘起電圧VはV=Li×di/dtとなり、フィルタコンデンサFC2の電圧にこの誘起電圧Vが加わった電圧が半導体素子Q2に加わることになる。通常動作時の半導体素子Q2のターンオフ時、電流がほぼゼロであるため、通常使用の範囲内では、それほど問題ないが、異常時の保護動作などにより、電流が流れた状態からターンオフさせるような場合には、発生する誘起電圧が大きくなるため、この経路IIのインダクタンスにも注意が必要である。時刻t6では、半導体素子Q4がターンオンし、半導体素子Q3、Q4には電流Inが流れる。このとき、整流回路15のダイオードD22、D23には電流Ioが流れる。時刻t7において、共振スイッチQzがターンオンする。これによって共振リアクトルLzと共振コンデンサCzによって共振電流Izが流れ、共振コンデンサCzが充電される。この共振動作に伴って、半導体スイッチQ3、Q4に流れる電流Inと、ダイオードD22、D23を流れる電流も増加する。時刻t8では、共振コンデンサCzが放電状態となっており、このとき負荷電流は共振回路21から供給されている状態であり、ダイオードD22、D23には電流は流れない。また、このとき半導体素子Q3、Q4を流れる電流InはトランスTrの励磁電流分が流れている。この状態で半導体素子Q4をターンオフすると、半導体素子Q4にはこのターンオフに伴うスイッチング損失が発生する。この半導体素子Q4がターンオフするとき、それまで、フィルタコンデンサFC2の正側端子→点b→トランスTr→点a→半導体素子Q3→半導体素子Q4→フィルタコンデンサFC2の負側端子の経路経路iv-aとするで流れていた負荷電流は減少し、トランスTr→点a→半導体素子Q3→クランプダイオードD6→点b→トランスTrの経路経路iv-bとするに転流した電流は増加する。この経路iv-aと経路iv-bの合計回路インダクタンスは、図3の経路IVの回路インダクタンスであり、この回路のインダクタンスをLiとすると、経路iv-aと経路iv-bの電流変化率di/dtとから、半導体素子Q4のターンオフ時における誘起電圧VはV=Li×di/dtとなり、フィルタコンデンサFC2の電圧にこの誘起電圧Vが加わった電圧が半導体素子Q4に加わる。時刻t9では、半導体素子Q2がターンオンする。このとき、共振コンデンサCzからの放電が終わった状態では、整流回路15のダイオードD21~D24には負荷電流Idが還流して流れている。時刻t10では、半導体素子Q3がターンオフする。Q3に流れている電流は、通常動作時には、転流によって還流するわずかな電流しか流れずほぼゼロであるため、スイッチング損失は極小である。このため、半導体素子Q4のターンオフ時に発生するようなスイッチング損失は発生せず、半導体素子Q3と半導体素子Q4で損失に差があり、発熱量にも差が出る。また、このとき、トランスTr→点a→半導体素子Q3→クランプダイオードD6→点b→トランスTrの経路経路iii-aとするで還流していた電流は減少し、フィルタコンデンサFC1の負側端子→点b→トランスTr→点a→半導体素子Q2のフライホイールダイオード→半導体素子Q1のフライホイールダイオード→フィルタコンデンサFC1の正側端子の経路経路iii-bとするへ転流した電流は増加する。この経路iii-aと経路iii-bの合計回路インダクタンスは、図3の経路IIIのインダクタンスであり、この回路のインダクタンスをLiとすると、経路iii-aと経路iii-bの電流変化率di/dtとから、半導体素子Q2のターンオフ時における誘起電圧VはV=Li×di/dtとなり、フィルタコンデンサFC1の電圧にこの誘起電圧Vが加わった電圧が半導体素子Q3に加わる。通常動作時の半導体素子Q3のターンオフ時、電流がほぼゼロであるため、通常使用の範囲内では、それほど問題ないが、異常時の保護動作などにより、電流が流れた状態からターンオフさせるような場合には、発生する誘起電圧が大きくなるため、この経路IIIのインダクタンスにも注意が必要である。以上の動作において、半導体素子Q1~Q4のターンオフ時における電圧が過大であると、半導体素子の耐圧を超え、素子破壊に至ってしまう場合がある。この電圧を低減するためには、先に示した図3経路I~経路IVの回路インダクタンスLiを低減すればよい。経路の回路インダクタンスLiを低減するためには、経路の配線長を極力短くしたり、電流の経路を互いに近接する往復路とし、往復路を流れる電流により発生する磁界を打ち消すようにすればよい。経路I~経路IVの中で、特に経路IIと経路IIIは経路の距離が長くなり、インダクタンスが大きくなるため、これらの経路の距離を極力小さくすることが必要である。また、半導体素子Q1~Q4での発生損失による発熱と、クランプダイオードD5、D6の発生損失による発熱には違いがあり、発熱は大きいほうから順に、半導体スイッチQ1、Q4>半導体スイッチQ2、Q3>クランプダイオードD5、D6の順となる。このため、この発熱ばらつきに対して、効率よく冷却できる冷却器1とする必要がある。この図3の経路IIと経路IIIの距離を最小としつつ、かつ効率よく半導体素子群を冷却できるようにした半導体素子群の冷却器1への素子配置方法の第一の実施例を図1に示す。以下に、この配置方法について説明する。電力変換部を構成する半導体素子Q1~Q4およびD5、D6が一つのユニットで構成され、一つのユニットを構成する半導体素子群は、鉄道車両の床下の水平面に垂直に、鉛直方向に配置された同一平面上の冷却器1に設置され自冷熱せられた空気が上昇することにより生じる空気の対流により放熱するようにする。素子の冷却器1への配置方法は、図1に示すように、冷却器1の鉛直方向に配置された同一平面上に、第1の半導体素子Q1と第4の半導体素子Q4を受熱部の下側に配置し、第2の半導体素子Q2と第3の半導体素子Q3を受熱部の中央に配置し、第1のダイオードD5と第2のダイオードD6を受熱部の上側に配置する。また、第1の半導体素子Q1と第2の半導体素子Q2、第3の半導体素子Q3と第4の半導体素子Q4は、それぞれ冷却器1の上下方向の中心線線Sに対し、左右方向で互いに反対側の位置、即ち、点Rに対してクロスする位置に配置し、第1のダイオードD5は第2の半導体素子Q2と前記中心線線Sに対し、左右方向で同じ側に配置し、第2のダイオードD6は第3の半導体素子Q3と前記中心線線Sに対し、左右方向で同じ側に配置する。各半導体素子群の接続に、平板状の導体を用いて、電流の往路電流と復路電流が互いに近接するように、平板状導体は重ねて接続すれば、往路電流と復路電流で磁界を打ち消すようにしてインダクタンスの低減を図ることができる。この素子配置によって、特に自冷式タイプの冷却器1では、冷却器1の効率を向上させることができる。暖かい空気は上昇し、冷たい空気は下降するため、自冷式タイプの冷却器1では、このように発熱の大きい素子を冷却器1の下側に配置し、発熱の小さい素子を冷却器1の上側に配置する。上側に配置された素子は、下側に配置された素子の発熱によるあぶりを受けるが、上側に配置された素子は、発熱が小さいため、結果として、冷却器1全体で熱が均一化され、効率よく冷却することができる。ファンやブロアなどにより強制風冷を行う場合には、冷却器1の下段側にファンやブロアを設置して、下段側から冷却風を送るようにするとよい。また、ファンやブロアなどにより横方向に風を流して強制風冷を行う場合には、図1に示す冷却器1を左右いずれかに90度回転させた向きとし、第1の半導体素子Q1と第4の半導体素子Q4を配置した方向から冷却風を送るようにすれば良い。また、従来技術では、図11の太矢印に示すように経路IIの電流経路の距離が長かったが、これを最短配線とすることができ、図5の太矢印に示すように経路IIの距離を短くすることができる。経路IIIについても、経路IIと同様に距離を短くできる。さらにこの構成は、半導体素子群を上下方向に3段にて配置していることにより、冷却器1の左右方向寸法冷却風に直交する方向の長さ寸法を小さくでき、電力変換装置が小型化でき、鉄道車両の床下に艤装する場合に、レール方向の寸法を小さくできる。なお、本実施例では、共振回路を利用してスイッチング損失を低減させたDC-DCコンバータのコンバータ回路を構成する3レベルの半導体素子群で用いる例を説明したが、交流を直流に変換するコンバータや、直流を交流に変換するVVVFインバータ回路などで、同様の3レベル回路を構成したとき、半導体素子群の発熱が本実施例で示すような発熱ばらつきとなった場合にも、本実施例で示すような冷却器1への素子配置とすることで、インダクタンスの低減と効率的な冷却性能を確保することができる。図3の経路IIと経路IIIの距離を最小としつつ、かつ効率よく半導体素子群を冷却できるようにした半導体素子群の冷却器1への素子配置方法の第二の実施例を図6に示す。図6内の太矢印は、図3の経路IIの転流経路を示している。実施例1にて説明した図1の配置方法と異なる点は、半導体素子Q1~Q4のエミッタ端子あるいはコレクタ端子の向きが異なる点にある。図6に示すように、下段に配置した半導体素子Q1と半導体素子Q4とを互いに180度向きを変えて配置する。つまりこの例では、半導体素子Q1は、コレクタ端子が冷却器1の下側にくるように配置され、半導体素子Q4は、コレクタ端子が冷却器1の上側にくるように配置される。また、半導体素子Q2と半導体素子Q3を半導体素子Q1と半導体素子Q4に対して90度向きを変えて配置し、半導体素子Q2と半導体素子Q3は向きを同じ方向に配置する。つまり、冷却風方向と直交する向きにエミッタ端子及びコレクタ端子を配置する。この例では、半導体素子Q2、半導体素子Q3は、コレクタ端子が冷却器の右側にくるように配置され、エミッタ端子が冷却器の左側にくるように配置される。このように半導体素子の向きを変えて配置した例である。このような素子配置によって、往路電流と復路電流による磁界の相殺と、配線距離をさらに短くすることができ、回路のインダクタンスをさらに低減することができる。