"燃料ガスと接触して前記燃料ガスを反応させる燃料側電極と、前記燃料側電極に設けられた固体電解質からなる電解質膜と、前記酸素を含むガスを反応させる空気側電極であって前記電解質膜を前記燃料側電極と空気側電極とで挟むように前記電解質膜に設けられた空気側電極と、からなる固体酸化物形燃料電池の発電部と、前記燃料側電極に電気的に接続されるように設けられた緻密な導電性セラミックからなるインターコネクタと、前記インターコネクタの表面に形成された多孔質のP型半導体膜と、を備えた固体酸化物形燃料電池において、前記インターコネクタと前記P型半導体膜とを含む断面における前記インターコネクタと前記P型半導体膜との界面に対応する線である境界線の長さに対する、前記境界線上において前記インターコネクタと前記P型半導体膜とが接触している複数の部分の長さの合計の割合である接合率が21~75である、固体酸化物形燃料電池。請求項1に記載の固体酸化物形燃料電池において、前記境界線上において前記インターコネクタと前記P型半導体膜とが接触している前記複数の部分の長さの平均である接合幅が1~5.1μmである、固体酸化物形燃料電池。請求項1又は請求項2に記載の固体酸化物形燃料電池において、前記インターコネクタは、化学式La1-xAxCr1-y-zByO3ただし、A:Ca,Sr,Baから選択される少なくとも1種類の元素、B:Co,Ni,Mg,Alから選択される少なくとも1種類の元素、xの範囲:0.05~0.2、yの範囲:0.02~0.22、zの範囲:0~0.05で表わされるランタンクロマイトからなる、固体酸化物形燃料電池。請求項1又は請求項2に記載の固体酸化物形燃料電池において、前記インターコネクタは、化学式A1-x,Bx1-zTi1-y,DyO3ただし、A:アルカリ土類元素から選択される少なくとも1種類の元素、B:Sc,Y,及びランタノイド元素から選択される少なくとも1種類の元素、D:第4周期、第5周期、第6周期の遷移金属、及びAl,Si,Zn,Ga,Ge,Sn,Sb,Pb,Biから選択される少なくとも1種類の元素、xの範囲:0~0.5、yの範囲:0~0.5、zの範囲:-0.05~0.05で表わされるチタン酸化物からなる、固体酸化物形燃料電池。請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の固体酸化物形燃料電池において、前記P型半導体膜は、ペロブスカイト型結晶構造を有する遷移金属複合酸化物からなる、固体酸化物形燃料電池。請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の固体酸化物形燃料電池において、前記P型半導体膜は、スピネル型結晶構造を有する遷移金属複合酸化物からなる、固体酸化物形燃料電池。構成図1は、本発明の実施形態に係るSOFCのセル100の構成を示す。SOFC100は、燃料側電極110と、燃料側電極110の上面に積層された電解質膜120と、電解質膜120の上面に積層された空気側電極130を備える。これらの3層からなる積層体は、SOFC100の発電部を構成している。なお、燃料側電極110の内部に燃料ガスを流す流路が設けられていても良い。また、SOFC100では、燃料側電極100の下面にインターコネクタ140が電気的に接続されるように設けられている接合されている。インターコネクタ140の下面にはP型半導体からなる導電膜P型半導体膜150が形成されている。SOFC100を上方からみた形状は、例えば、1辺が1~30cmの正方形、長辺が5~30cmで短辺が3~15cmの長方形、又は直径が1~30cmの円形である。SOFC100全体の厚さは、0.1~3mmである。なお、インターコネクタ140は、燃料側電極110の下面の全面に設けられていてもよいし、一部のみに設けられていてもよい。また、P型半導体膜150は、インターコネクタ140の下面の全面に設けられていてもよいし、一部のみに設けられていてもよい。また、空気側電極130の上面にインターコネクタが設けられていてもよい。燃料側電極110アノード電極は、酸化ニッケルNiO及び/又はニッケルNiとイットリア安定化ジルコニアYSZとから構成される多孔質の薄板状の焼成体である。燃料側電極110の厚さは0.1~3mmである。SOFC100の各構成部材の厚さのうち燃料側電極110の厚さが最も大きく、燃料側電極110は、SOFC100の支持体支持基板、最も剛性が高い部材として機能している。なお、燃料側電極110アノード電極は、酸化ニッケルNiO及び/又はニッケルNiとイットリアY2O3とから構成されていてもよい。また、燃料側電極110は、燃料極集電層インターコネクタ側と燃料極活性層電解質膜側との2層によって構成されていてもよい。この場合、燃料極活性部は、例えば、酸化ニッケルNiOとイットリア安定化ジルコニアYSZ8YSZとから構成され得る。或いは、酸化ニッケルNiOとガドリニウムドープセリアGDCとから構成されてもよい。燃料極集電部は、例えば、酸化ニッケルNiOとイットリア安定化ジルコニアYSZ8YSZとから構成され得る。或いは、酸化ニッケルNiOとイットリアY2O3とから構成されてもよいし、酸化ニッケルNiOとカルシア安定化ジルコニアCSZとから構成されてもよい。燃料極活性部の厚さは、5~30μmであり、燃料極集電部の厚さは、50~500μmである。このように、燃料極集電部は、電子伝導性を有する物質を含んで構成される。燃料極活性部は、電子伝導性を有する物質と酸化物イオン酸素イオン伝導性を有する物質とを含んで構成される。燃料極活性部における気孔部分を除いた全体積に対する酸化物イオン伝導性を有する物質の体積割合は、燃料極集電部における気孔部分を除いた全体積に対する酸化物イオン伝導性を有する物質の体積割合よりも大きい。電解質膜120は、YSZから構成される緻密な薄板状の焼成体である。電解質膜120の厚さは3~30μmである。空気側電極130カソード電極は、ランタンストロンチウムコバルトフェライトLSCFLa0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3からなる多孔質の薄板状の焼成体である。空気側電極130の厚さは5~50μmである。空気側電極130は、LSCFからなる第1層電解質膜側とランタンストロンチウムマンガナイトLSMLa0.8Sr0.2MnO3又はランタンストロンチウムコバルタイトLSCLa0.8Sr0.2CoO3からなる第2層第1層の上面に積層された層との2層によって構成されてもよい。なお、SOFC作製時又は作動中のSOFC100内において電解質膜120内のYSZと空気側電極130内のストロンチウムとが反応して電解質膜120と空気側電極130との間の電気抵抗が増大する現象の発生を抑制するために、電解質膜120と空気側電極130との間に反応防止層が介装されてもよい。反応防止層は、セリアからなる緻密な薄板状の焼成体であることが好ましい。セリアとしては、具体的には、GDCガドリニウムドープセリア、SDCサマリウムドープセリア等が挙げられる。インターコネクタ140は、導電性セラミックからなる緻密な薄板状の導電性接続部材である。インターコネクタ140の厚さは1~100μmである。インターコネクタ140の気孔率は、5以下である。導電性セラミックとしては、例えば、化学式が下記1式で表されるランタンクロマイトLCが採用される。下記1式において、Aは、Ca,Sr,Baから選択される少なくとも1種類の元素である。Bは、Co,Ni,Mg,Alから選択される少なくとも1種類の元素である。xの範囲は、0.05~0.2であり、yの範囲は、0.02~0.22であり、zの範囲は、0~0.05である。δは0を含む微小値である。La1-xAxCr1-y-zByO3-δ...1P型半導体膜150は、P型半導体からなる多孔質の薄板状の導電膜である。P型半導体膜150の厚さは1~100μmである。P型半導体膜の気孔率は、20~50である。P型半導体としては、例えば、空気側電極130と同じ材料であるLSCF、LSC、LSM等が採用される。なお、P型半導体膜150の内部にてP型半導体の材料が50体積以上含まれる限りにおいて、P型半導体膜150の内部に、焼結性改善のための絶縁性材料例えば、ガラスや導電性改善のための貴金属材料例えば、白金等が添加されていてもよい。このSOFC100に対して、燃料側電極110に燃料ガス水素ガス等を供給するとともに空気側電極130に酸素を含むガス空気等を供給することにより、下記2、3式に示す化学反応が発生する。これにより、燃料側電極110と空気側電極130との間に電位差が発生する。この電位差は、電解質膜120の両面の酸素ポテンシャル差に基づく。1/2O22e-→O2-於:空気側電極130...2H2O2-→H2O2e-於:燃料側電極110...3この電位差に起因して、SOFC100において、電流は、P型半導体膜150→インターコネクタLC140→燃料側電極110→電解質膜120→空気側電極130の方向に流れる電子は、空気側電極130→電解質膜120→燃料側電極110→インターコネクタLC140→P型半導体膜150の方向に流れる。そして、インターコネクタLC140及び、空気側電極130に設けられた図示しないインターコネクタを介して、前記電位差に基づく電力がSOFC100の外部に取り出される。なお、本例では、膜の気孔率は、以下のように測定された。先ず、膜の気孔内に樹脂が進入するようにその膜に対して所謂樹脂埋め処理がなされた。その樹脂埋め処理された膜の表面に対して機械研磨がなされた。機械研磨された表面の微構造を走査型電子顕微鏡を用いて観察して得られた画像に対して画像処理を行うことによって、気孔の部分樹脂が進入している部分と気孔でない部分樹脂が進入していない部分の面積がそれぞれ算出された。その比率が膜の気孔率とされた。製造方法次に、図1に示したSOFC100の製造方法の一例について説明する。先ず、燃料側電極110の前駆体焼成前が以下のように形成された。即ち、NiO粉末とYSZ粉末とが混合され、この混合物にバインダーとしてポリビニルアルコールPVAが添加されてスラリーが作製された。このスラリーがスプレードライヤーで乾燥造粒され、燃料側電極用の粉末が得られた。この粉末が金型プレス成形法により成形されて、燃料側電極110の前駆体が形成された。次に、電解質膜120の前駆体焼成前が、以下のように燃料側電極110の前駆体の上面に形成された。即ち、YSZ粉末に水とバインダーが加えられ、この混合物がボールミルで24時間混合されてスラリーが作製された。このスラリーが、燃料側電極110の前駆体の上面に塗布乾燥されて、電解質膜120の前駆体膜が形成された。なお、燃料側電極110の前駆体の上面に電解質膜120の前駆体膜を形成するに際し、テープ積層法、印刷法等が用いられてもよい。次いで、インターコネクタ140の前駆体焼成前が、ランタンクロマイト粉末を用いて、印刷法、テープ積層法、スラリーディップ法、プラズマ溶射法、或いはエアロゾルデポジション法等を利用して、燃料側電極110の前駆体の下面に形成された。以上より、燃料側電極110の前駆体、電解質膜120の前駆体、及びインターコネクタ140の前駆体の3層からなる積層体焼成前が形成された。この積層体焼成前が、1300~1600°Cで2時間共焼結されて、多孔質の燃料側電極110、緻密な電解質膜120、及び緻密なインターコネクタ140の3層からなる積層体焼成後が得られた。次に、空気側電極130が、以下のように前記積層体の電解質膜120の上面に形成された。即ち、LSCF粉末に水とバインダーが加えられ、この混合物がボールミルで24時間混合されてスラリーが作製された。このスラリーが、電解質膜120の上面に塗布乾燥され、電気炉酸素含有雰囲気中で空気中にて1000°Cで1時間焼成されて、電解質膜120の上面に多孔質の空気側電極130が形成された。次に、P型半導体膜150が、以下のようにインターコネクタ140の下面に形成された。即ち、LSCF粉末に水とバインダーが加えられ、この混合物がボールミルで24時間混合されてスラリーが作製された。そのスラリーを利用して、インターコネクタ140の下面にスプレー法等によって膜が形成された。この膜を1000~1400°Cで2時間焼成することにより、インターコネクタ140の下面に多孔質のP型半導体膜150が形成された。P型半導体膜の形成方法としては、印刷法、テープ積層法、スラリーディップ法も適用可能である。なお、P型半導体膜の焼成が空気側電極の焼成と同じ温度で実行される場合、P型半導体膜と空気側電極とが同時に焼成されてもよい。また、P型半導体膜の焼成が空気側電極の焼成より高い温度で実行される場合、P型半導体膜の焼成は、空気側電極の焼成の前に実行されてもよいし、インターコネクタの焼成と同時に実行されてもよい。なお、このように、緻密な導電性セラミックからなるインターコネクタが形成完成された後に、その表面にP型半導体膜が焼成により形成される場合、P型半導体膜は多孔質となる。これは、以下の理由に基づくと考えられる。即ち、P型半導体膜の前駆体である前記スラリーグリーン成形体の焼成の際、グリーン成形体焼成前が所謂焼成収縮により収縮しようとする一方で、既に焼成済みの緻密層インターコネクタは収縮しない。即ち、グリーン成形体全体の体積が減少しようとする一方で、グリーン成形体における緻密層との界面近傍の部分では、所謂アンカー効果により、平面方向界面に沿う方向における寸法の減少が妨げられる。この結果、グリーン成形体の内部に多数の気孔が形成される。即ち、焼成体であるP型半導体膜は多孔質となる。以上、インターコネクタ140とP型半導体膜150との界面は、緻密層と多孔質層との境界となる。以上により、SOFC100を構成する部材の積層が完了する。ここで、燃料側電極110は導電性を有する必要がある。従って、焼成後の燃料側電極110焼成体に対して、800°Cの高温下にて還元ガスを供給する熱処理還元処理が行われる。この還元処理により、NiOがNiへと還元されて、燃料側電極110は導電性を獲得する。以上、図1に示したSOFC100の製造方法の一例について説明した。以下、材料がP型半導体であるかN型半導体であるかの判別手法について付言する。この判別は、ゼーベック係数に基づいてなされ得る。一般に、ゼーベック係数が正であるものがP型半導体であり、負であるものがN型半導体であると判定され得る。具体的には、例えば、以下のように判定がなされる。先ず、材料の粉末を一軸プレスを用いて成形し、その成形体を1400°C×2時間で焼成し、焼結体を得る。得られた焼結体から、φ3.0mm、L=10mmの試験片を作製し、ULVAC理工のZME-3シリーズの評価装置を用いてゼーベック係数の測定を行う。この測定は、例えば、不活性ガスの雰囲気下、750°Cで行われる。この測定の結果、ゼーベック係数が正となったものがP型半導体、負となったものがN型半導体と判定され得る。上述のP型半導体膜150ではゼーベック係数が正となる。インターコネクタとP型半導体膜との界面以下、インターコネクタ140とP型半導体膜150との界面、即ち、緻密層と多孔質層との境界に着目する。図2は、本発明の実施形態に係るインターコネクタ140とP型半導体膜150とを含む断面積層方向膜の厚さ方向に沿う断面、各要素各膜の平面方向に垂直の断面を電子顕微鏡で1000倍に拡大して観察した様子を示す。本明細書では、この断面においてインターコネクタ140緻密層とP型半導体膜150多孔質層との界面に対応する線図2に示した例では、線分Lを境界線と呼ぶ。この境界線は、例えば、以下のように定義され得る。即ち、断面上において、多孔質層に含まれる多数の気孔のうちで緻密層に面して存在する複数の気孔が抽出される。抽出された複数の気孔のそれぞれについて、気孔内に対応する領域において最も緻密層側の点図2に示した例では、気孔内に対応する領域において最も下側の点がプロットされる図2に示した例では、複数の黒いドットを参照。プロットされた複数の点と周知の統計的手法の一つ例えば、最小二乗法とを用いて、プロットされた複数の点のそれぞれの近傍を通る線直線、又は曲線が決定される。この線図2に示した例では、線分Lが境界線となる。なお、図2に示した例では、インターコネクタが平板状であるために境界線が直線になっているが、例えば、インターコネクタが反っていたり湾曲している場合には境界線は曲線となる。また、境界線が、直線と曲線との組み合わせで構成されていてもよい。このように定義された境界線に対して、接合率及び接合幅を以下のように定義する。接合率は、境界線の長さ図2に示した例では、図中の線分Lの長さに対する、境界線上においてインターコネクタ140とP型半導体膜150とが接触している複数の部分気孔に対応しない複数の部分の長さの合計の割合、と定義される。接合幅は、上記複数の部分の長さの平均、と定義される。本発明者は、接合率が21~75である場合、接合率が21~75でない場合と比べて、インターコネクタとP型半導体膜との界面において、接合強度が大きくなることを見出した。以下、このことを確認した試験Aについて説明する。試験A試験Aでは、本実施形態に係るSOFCの一部である、インターコネクタとP型半導体膜との接合体以下、接合体と呼ぶ。について、インターコネクタの材質、P型半導体膜の材質、及び、接合率の組み合わせが異なる複数のサンプルが作製された。具体的には、表1に示すように、18種類の水準組み合わせが準備された。各水準に対して20個のサンプルN=20が作製された。各サンプル接合体としては、上方からみた形状が円形直径:約2cmで厚さが約1mmのインターコネクタと、上方からみた形状が円形直径:約1cmで厚さが約100μmのP型半導体膜と、が積層された積層体が使用された。各サンプル接合体は、焼成により既に完成したインターコネクタの表面にP型半導体膜が焼成により形成されることで作製された。接合率の調整は、P型半導体膜の焼成に使用される粉末LSCF粉末等の粒径及び比表面積、有機成分バインダー、造孔材の量、及び、P型半導体膜の焼成温度等を調整することにより達成された。具体的には、粉末の平均粒径は、0.5~5μmの範囲内で調整された。粉末の比表面積は、3~30m2/gの範囲内で調整された。有機成分の量重量は、粉体の全重量に対して10~50の範囲内で調整された。造孔材としては、セルロース、カーボン、PMMA等が使用された。焼成温度は、850~1300°Cの範囲内で調整された。焼成時間は、1~20時間の範囲内で調整された。なお、水準13~18では、P型半導体膜の材質として、スピネル型結晶構造を有する遷移金属複合酸化物MnCo2O4が使用されている。これらの焼成の際、スピネル系材料を構成する2種類の金属元素Mn、Coのそれぞれの粉末が出発原料として使用され、この粉末が焼成時に酸化させられることで、スピネル型結晶構造を有する遷移金属複合酸化物が形成された後述する試験Bについても同様。そして、各サンプル接合体について、引張強度が測定された。この測定は以下のようになされた。即ち、サンプル接合体の上下面P型半導体膜の上面、及びインターコネクタの下面にそれぞれ、引張試験用の治具が貼り付けられた。上下の治具に対して上下方向に引き離す力引っ張り力が加えられ、この引っ張り力が徐々に増大された。サンプル接合体の接合部位インターコネクタとP型半導体膜との界面近傍の部位が剥離する際の引っ張り力の大きさ以下、引張強度と呼ぶ。が測定された。引張強度の測定結果は表1に示すとおりである。測定結果としては、各水準についてN=20の平均値が採用された。表1から理解できるように、接合率が21未満である場合、引張強度が小さい。また、接合率が75より大きい場合も引張強度が小さい。これは、理由は明確ではないが、以下のように考えられる。つまり、接合率が大きくなるということは、即ち、接合界面におけるインターコネクタとP型半導体膜との焼結が進行したことを意味する。焼結が進行すると、それぞれの元素は相互に拡散し、接合界面に異なる組成の相が生成される。係る異相が生成されると、それが接合界面の剥離の基点となり得る。以上のことから、接合率が大きいと、上述した接合率が小さい場合と同様、引張強度が小さくなる、と考えられる。なお、上記の接合界面の異相の生成については、例えば、JElectrochemSocVol143No7July1996の2338頁等に詳細に記載されている。一方、接合率が21~75である場合、接合率が21~75でない場合と比べて、引張強度が大きい。即ち、接合率が21~75である場合、接合率が21~75でない場合と比べて、インターコネクタとP型半導体膜との界面において、接合強度が大きい、ということができる。また、本発明者は、接合率が21~75である場合において、接合幅が1~5.1μmであると、インターコネクタとP型半導体膜との界面において、特に接合強度が大きくなることも見出した。以下、このことを確認した試験Bについて説明する。試験B試験Bでも、試験Aと同様、本実施形態に係るSOFCの一部である、インターコネクタとP型半導体膜との接合体について、インターコネクタの材質、P型半導体膜の材質、接合率、及び接合幅の組み合わせが異なる複数のサンプルが作製された。具体的には、表2に示すように、18種類の水準組み合わせが準備された。各水準に対して20個のサンプルN=20が作製された。各サンプル接合体の形状は試験Aのものと同形とされた。各サンプル接合体の接合率は全て、21~75の範囲内となっている。接合幅の調整も、接合率の調整と同様、P型半導体膜の焼成に使用される粉末LSCF粉末等の粒径及び比表面積、有機成分バインダー、造孔材の量、及び、P型半導体膜の焼成温度等を調整することにより達成された。粉末の平均粒径、粉末の比表面積、有機成分の量重量、焼成温度、並びに焼成時間のそれぞれの調整範囲は、上述した試験Aの場合と同じである。そして、各サンプル接合体について、試験Aと同様の手法により、引張強度が測定された。この測定結果は、表2に示すとおりである。表2から理解できるように、接合率が21~75である場合、接合幅が1~5.1μmであると、接合幅が1~5.1μmでない場合に比して、引張強度が大きい。即ち、接合率が21~75である場合、接合幅が1~5.1μmであると、インターコネクタとP型半導体膜との界面において、接合強度が特に大きい、ということができる。なお、この試験A表1、及び、試験B表2では、インターコネクタの材質としてランタンクロマイトLCのみが採用されているが、発明の概要の欄で述べたチタン酸化物が採用された場合も、LCが採用された場合と同じ結果が得られることが確認されている。加えて、P型半導体膜の材質としてのスピネル型結晶構造を有する遷移金属複合酸化物として、MnCo2O4のみが採用されているが、CuMn2O4が採用された場合も、MnCo2O4が採用された場合と同じ結果が得られることが確認されている。以上の内容、並びに、表1、2の結果より、より具体的には、インターコネクタの材質としてLC又はチタン酸化物が採用され、且つ、P型半導体膜の材質としてLSM、LSCF等のペロブスカイト型結晶構造を有する遷移金属複合酸化物が採用された場合、接合率が21~75であると引張強度が大きく、接合幅が1~4μmであると引張強度が特に大きい、ということができる。同様に、インターコネクタの材質としてLC又はチタン酸化物が採用され、且つ、P型半導体膜の材質としてMnCo2O4、CuMn2O4等のスピネル型結晶構造を有する遷移金属複合酸化物が採用された場合、接合率が23~75であると引張強度が大きく、接合幅が1~5.1μmであると引張強度が特に大きい、ということができる。なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、本発明の範囲内において種々の変形例を採用することができる。例えば、上記実施形態では、燃料側電極110内に燃料ガスの流路が形成されていないが、燃料側電極内に燃料ガスの流路が形成されていてもよい。加えて、SOFC100を構成する積層体は、単独で存在しているが図1を参照、この積層体が、或る装置全体の一部分として存在していてもよい。また、接合率が21~75及び接合幅が1~5.1μmは、インターコネクタ及びP型半導体膜を含む任意の1つの断面について成立していればよい。或いは、接合率が21~75及び接合幅が1~5.1μmは、インターコネクタ及びP型半導体膜を含む任意の複数の断面例えば、或る方向に平行な2つの断面と、その方向に直交する方向に平行な2つの断面のそれぞれについて成立している必要がある。"