プリント基板上のコンデンサやプリント基板の寄生成分インダクタンスおよびキャパシタンスによる反共振高インピーダンス点が半導体集積回路のノイズ周波数と一致しないように制御されていることを特徴とするプリント基板。前記制御が、ノイズ源となる半導体集積回路からプリント基板端までのトランスファーインピーダンスの低減によるものであることを特徴とする請求項1記載のプリント基板。前記トランスファーインピーダンスの低減が、半導体集積回路のインピーダンスモデルと、前記プリント基板のインピーダンスモデルとを協調して設計されたものであることを特徴とする請求項2記載のプリント基板。前記協調が、コンデンサの変更によるものであることを特徴とする請求項3記載のプリント基板。プリント基板上のコンデンサやプリント基板の寄生成分インダクタンスおよびキャパシタンスによる反共振高インピーダンス点が半導体集積回路のノイズ周波数と一致しないように制御することを特徴とする放射ノイズ抑制方法。前記制御が、ノイズ源となる半導体集積回路からプリント基板端までのトランスファーインピーダンスを低減させて制御することを特徴とする請求項5記載の放射ノイズ抑制方法。半導体集積回路のインピーダンスモデルと、前記プリント基板のインピーダンスモデルとを協調させて、前記トランスファーインピーダンスを低減することを特徴とする請求項6記載の放射ノイズ抑制方法。前記協調が、コンデンサの変更によるものであることを特徴とする請求項7記載の放射ノイズ抑制方法。これまで、電源端子ノイズ抑制を目的としたインプットインピーダンスZ11低減手法やノイズ伝播抑制を目的としたトランスファーインピーダンスZ21低減手法に関する検討が行われてきたが、これらは、プリント基板単体での評価であり、プリント基板単体とシステム全体チップパッケージボードとでは、インピーダンス特性が異なるため、プリント基板単体ではなくLSIとボードの協調設計により、システム全体の電源ノイズを検証することで、EMI対策を実施する必要がある。本発明は、LSIやパターン設計工程の設計情報が完了していない場合であっても、LSI内部のチップからプリント基板端までのトランスファーインピーダンスZ21を制御することにより、LSIを含んだシステム全体での評価を行ない、放射ノイズが抑制されたプリント基板を提供しようとするものである。請求項1の発明は、プリント基板上のコンデンサやプリント基板の寄生成分インダクタンスおよびキャパシタンスによる反共振高インピーダンス点が半導体集積回路LSIのノイズ周波数と一致しないように制御されたプリント基板であって、得られたプリント基板は、放射ノイズが抑制されたものになる。請求項2の発明は、ノイズ源となる半導体集積回路LSIからプリント基板端までのトランスファーインピーダンスZ21の低減により、反共振高インピーダンス点がノイズ周波数と一致しないように制御されたプリント基板であって、得られたプリント基板は、放射ノイズが抑制されたものになる。請求項3の発明は、前記トランスファーインピーダンスZ21の低減が、半導体集積回路LSIのインピーダンスモデルと、前記プリント基板のインピーダンスモデルとを協調して設計されたプリント基板であって、得られたプリント基板は、放射ノイズが抑制されたものになる。請求項4の発明は、前記協調が、コンデンサの変更によるものであることを特徴とするものであって、コンデンサを選択することによって、放射ノイズが抑制されたプリント基板となる。請求項5の発明は、プリント基板上のコンデンサやプリント基板の寄生成分インダクタンスおよびキャパシタンスによる反共振高インピーダンス点が半導体集積回路LSIのノイズ周波数と一致しないように制御するプリント基板の放射ノイズ抑制方法であって、得られるプリント基板は、放射ノイズが抑制されたものになる。請求項6の発明は、前記制御が、ノイズ源となる半導体集積回路LSIからプリント基板端までのトランスファーインピーダンスZ21を低減させて、反共振高インピーダンス点とノイズ周波数とを一致させないようにするプリント基板の放射ノイズ抑制方法であって、得られるプリント基板は、放射ノイズが抑制されたものになる。請求項7の発明は、半導体集積回路のインピーダンスモデルと、前記プリント基板のインピーダンスモデルとを協調させて、前記トランスファーインピーダンスZ21を低減するプリント基板の放射ノイズ抑制方法であって、得られるプリント基板は、放射ノイズが抑制されたものになる。請求項8の発明は、前記協調が、コンデンサの変更によるものであることを特徴とするものであって、コンデンサを選択することによって、プリント基板の放射ノイズを抑制することができる。本発明によれば、設計情報が完了していない場合であっても、LSIからプリント基板端までのトランスファーインピーダンスZ21を制御することにより、放射ノイズが低減され、さらにLSIのインピーダンスモデルと、プリント基板のインピーダンスモデルとを協調させることにより放射ノイズが低減されたプリント基板となる。LSIモデルボードとマザーボードの作製任意の電源インピーダンス特性を得るために、図1に示すように、それぞれのボードにコンデンサを実装し、両ボードの組み合わせにより、ノイズの発生し易いし難い評価ボードを作製した。LSIモデルボード回路構成は水晶発振器、ShiftRegister、EXOR、Buffer/DriverからなるPRBS信号発生ボードで、クロック周波数は48MHzとした。評価対象をBuffer/Driverのノイズに限定するため、その他ICとは電源供給を分離し、ボードは汎用BGAパッケージをモデルとする32mm×32mmサイズの900BallのBGAとした。マザーボード基板中央にLSIモデルボードが実装可能で、安定化電源から電源供給を受け、LSIモデルボード直下および基板全体の電源グラウンド間にコンデンサを実装可能とした。電流プロファイル取得電流測定用抵抗0.05Ωの両端の電位差を測定し、I=V/Rより電流波形を計算した。また、電流波形をFFTし、周波数データを取得した。測定にはデジタルオシロスコープAgilentTechnologies社DSA90804Aを用いた。電源インピーダンスシミュレーション図2のようなシミュレーション回路において、LSIモデルボード、マザーボードのインピーダンスモデルを平面電磁界解析Ansys社SIWaveよりSパラメータを用いて抽出し、ノイズ源ICBuffer/Driverの内部インピーダンスをZ11測定より算出し、LCRの集中定数としてモデル化した。なお、本形態では、ノイズ源ICの電源端子を仮のノイズ源とし、ポートを付与した。基板端電圧測定スペクトラムアナライザADVANTEST社R3131Aを用いて基板端電圧を測定し、基板端4箇所の測定結果がほぼ同じであることを確認の上、代表1箇所の測定とした。放射ノイズ測定また、プリント基板の放射ノイズ抑制効果を測るために、小型電波暗室外形寸法:7m×3m×3m、アンテナ~試供体間距離:3m、アンテナ高:1m固定にて、放射ノイズを測定した。評価ボードはターンテーブル中央に配置し、安定化電源はテーブル下に配置し、EMCMEASUREMENTSYSTEM東陽テクニカ社により測定した。電流プロファイルのFFT結果より、図3に示すように、クロック周波数48MHzの3次高調波144MHzまでの電流成分が顕著であり、当該プリント基板は、これらの周波数での放射ノイズを抑制することが必要であり、48MHzのノイズを抑制するためには0.01μFのコンデンサが、96MHzのノイズを抑制するためには2200pFのコンデンサが、144MHzのノイズを抑制するためには1000pFのコンデンサが有効であることより、これらを組み合わせた。LSIモデルボード、マザーボードに実装するコンデンサを表1のようにし、放射ノイズの評価を行った。コンデンサはノイズ周波数でトランスファーインピーダンスZ21が高くなる、または低くなるように選択した。表2にノイズ周波数毎のZ21と基板端電圧を示す。Z21と基板端電圧には相関があり、クロック周波数48MHzとその高調波96MHz、144MHzが高インピーダンスとなる条件では、ノイズが大きくなり、Z21はノイズ伝播に寄与している。また、遠方界放射ノイズ測定結果より、表3および図4から11に示すように、Z21の増減傾向と放射ノイズレベルの増減傾向は一致する。プリント基板の放射ノイズを抑制するためには、LSIからプリント基板端までのトランスファーインピーダンスZ21を低減し、さらにLSIのインピーダンスモデルと、プリント基板のインピーダンスモデルとを協調させることが効果的であり、得られるプリント基板は放射ノイズが低減されたプリント基板となる。