"マスクパターンの結像を向上させるためにリソグラフィ装置の照射源を構成する方法であって、前記照射源の瞳面をピクセル群に分割する工程であって、各ピクセル群が前記瞳面に1つまたは複数の照射源ピクセルを含む、工程と、初期の照射源として前記照射源のピクセル群の初期の組を選択する工程と、前記初期の照射源の前記選択されたピクセル群の組の少なくとも1つのサブグループからのピクセル群の偏光状態を繰り返し変化させ、前記変化させられた偏光状態の結果として、前記マスクパターンの少なくとも一部分に関連したリソグラフィのメトリックを計算し、前記変化させられた偏光状態により、前記計算されたリソグラフィのメトリックが改善されたとき、前記ピクセル群の前記偏光状態の変化を適用して、変更された照射源を生成する工程と、前記繰返し計算の結果に基づいて前記照射源のピクセル群の前記初期の組を調節する工程とを含む方法。前記リソグラフィのメトリックが、前記パターンのクリティカルディメンションの均一性、プロセスウィンドウ、プロセスウィンドウの大きさ、MEEF、最大のNILS、焦点外れの最大のNILS、焦点深度または露光ラチチュードである請求項1に記載の方法。前記方法が、前記マスクパターンの前記少なくとも一部分に関連した前記リソグラフィのメトリックに対するピクセル群の偏光変化の感度を定義する偏光感度係数を求める工程をさらに含み、ピクセル群の前記偏光感度係数が、前記ピクセル群の偏光状態を変化させる工程と、前記ピクセル群の前記偏光状態の変化から結果として生じる前記マスクパターンの少なくとも一部分に関連した前記リソグラフィのメトリックに対する漸進的効果を求める工程と、前記求められた漸進的効果を用いて、前記リソグラフィのメトリックに関する前記偏光感度係数を計算する工程とによって求められ、前記反復プロセスの工程における前記偏光状態を変化させる工程が、前記ピクセル群の前記偏光を適合させるのに、前記計算された偏光感度係数を用いる工程を含む請求項1に記載の方法。前記偏光感度係数が、前記初期の照射源の前記選択されたピクセル群に対して求められる請求項3に記載の方法。前記マスクパターンの前記少なくとも一部分が、1つまたは複数のクリティカルディメンションを備える請求項1に記載の方法。前記マスクパターンの前記少なくとも一部分に関連した前記リソグラフィのメトリックに対するピクセル群の強度変化の感度を定義する強度感度係数を求める工程をさらに含み、ピクセル群の前記強度感度係数が、前記ピクセル群の強度を変化させる工程と、前記ピクセル群の前記強度の変化から結果として生じる前記マスクパターンの少なくとも一部分に関連した前記リソグラフィのメトリックに対する漸進的効果を求める工程と、前記求められた漸進的効果を用いて、前記リソグラフィのメトリックに関する前記強度感度係数を計算する工程とによって求められ、前記照射源を構成する前記方法が、前記計算された強度感度係数を用いて、前記初期の照射源の前記ピクセル群の強度の変化の結果として前記リソグラフィのメトリックを繰り返し計算する工程であって、前記初期の照射源の前記ピクセル群の強度の前記変化が、別の変更された照射源を生成する、工程をさらに含む請求項1に記載の方法。前記強度感度係数が、前記初期の照射源の前記選択されたピクセル群に対して求められる請求項1に記載の方法。初期の照射源として前記照射源のピクセル群の初期の組を選択する以前に、先行の最適化された照射源および先行の最適化されたマスクパターンを見いだすために、スカラ結像を用いて、照射源マスク最適化手順を実施する工程を含む請求項1に記載の方法。前記初期の照射源が前記先行の最適化された照射源である請求項8に記載の方法。マスクパターンの結像を向上させるためにリソグラフィ装置の照射源を構成する方法であって、先行の最適化された照射源および先行の最適化されたマスクパターンをもたらすために、スカラ結像を用いて照射源マスク最適化手順を実施する工程と、前記先行の最適化された照射源および前記先行の最適化されたマスクパターンを初期条件として用いて、照射源マスク偏光最適化手順を実施する工程とを含む方法。リソグラフィ装置の基板上にパターンの結像の転写を構成する方法であって、前記パターンが、前記リソグラフィ装置の照射源によって照光される、方法において、前記パターンを照光するように構成された第1の照射源を求める工程と、前記パターンに関連した3次元効果を考慮して照射源マスク偏光最適化手順を実施する工程であって、前記照射源マスク偏光最適化手順が、前記第1の照射源を、前記照射源マスク偏光最適化手順における初期の照射源として用いて実施される、工程とを含む方法。前記パターンがサポート上に配置され、前記3次元効果が、前記照射源マスク偏光最適化手順において前記サポートの厚さおよび/または前記サポートの材料を用いることにより考慮に入れられる請求項11に記載の方法。前記照射源マスク偏光最適化手順が、前記サポートによって生成される3次元効果による焦点シフトおよび/または焦点傾斜を低減するように実施される請求項12に記載の方法。放射ビームを調整するように構成された照射源と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターニングデバイスによってパターニングされた放射ビームを前記基板の表面上に投影するように構成された投影システムと、基板上へのパターンの結像を向上させるために照射源を構成する方法を実施するように構成されたプロセッサであって、前記基板上の前記マスクパターンの前記像が複数のクリティカルディメンションを有するプロセッサとを備えるリソグラフィ装置であって、前記方法が、前記照射源をピクセル群に分割する工程であって、各ピクセル群が前記照射源の瞳面に1つまたは複数の照射源ポイントを含む、工程と、各ピクセル群の偏光状態を変化させて、各ピクセル群の偏光状態の前記変化からもたらされる、前記複数のクリティカルディメンションのそれぞれに対する漸進的効果を求める工程と、前記求められた漸進的効果を用いて、前記複数のクリティカルディメンションのそれぞれに関する第1の複数の感度係数を計算する工程と、初期の照射源を選択する工程と、前記計算された第1の複数の感度係数を用いて、前記初期の照射源のピクセル群の偏光状態の変化の結果としてリソグラフィのメトリックを繰り返し計算する工程であって、前記初期の照射源の前記ピクセル群の前記偏光状態の変化が、変更された照射源を生成する、工程と、前記繰返し計算の結果に基づいて前記初期の照射源を調節する工程とを含むリソグラフィ装置。基板上のマスクパターンの結像を向上させるためにリソグラフィ装置の照射源を構成する方法を実施するようにマシンによって実行可能な命令を有するコンピュータ製品であって、基板上のマスクパターンの像が複数のクリティカルディメンションを有し、前記方法が、前記照射源をピクセル群に分割する工程であって、各ピクセル群が前記照射源の瞳面に1つまたは複数の照射源ポイントを含む、工程と、各ピクセル群の偏光状態を変化させて、各ピクセル群の偏光状態の前記変化からもたらされる、前記複数のクリティカルディメンションのそれぞれに対する漸進的効果を求める工程と、前記求められた漸進的効果を用いて、前記複数のクリティカルディメンションのそれぞれに関する第1の複数の感度係数を計算する工程と、初期の照射源を選択する工程と、前記計算された第1の複数の感度係数を用いて、前記初期の照射源のピクセル群の偏光状態の変化の結果としてリソグラフィのメトリックを繰り返し計算する工程であって、前記初期の照射源の前記ピクセル群の前記偏光状態の前記変化が、変更された照射源を生成する、工程と、前記繰返し計算の結果に基づいて前記初期の照射源を調節する工程とを含むコンピュータ製品。0048図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、0049放射ビームB例えばUV放射またはDUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、0050パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構築され、あるパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続されるサポート構造例えばマスクテーブルMTと、0051基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、あるパラメータに正確に従って基板を位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、0052基板Wのターゲット部分C例えば1つまたは複数のダイを備える上にパターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを投影するように構成された投影システム例えば屈折性の投影レンズシステムPSとを備える。0053この照明システムは、放射を導くか、整形するか、または制御するために、屈折、反射、回折、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプの光学コンポーネント、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含むことができる。0054サポート構造MTは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件によって決まる形でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空、静電気、または他のクランプ技法を用いてパターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば必要に応じて固定または可動とすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書においてレチクルまたはマスクという用語を用いることがあれば、それは、パターニングデバイスという、より一般的な用語と同義と見なすことができる。0055本明細書に用いられる用語パターニングデバイスは、基板のターゲット部分内にパターンを作製するなど、その横断面内にパターンを備えた放射ビームを与えるために使用することができるあらゆるデバイスを指すものと広義に解釈されたい。放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャすなわちいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンと正確には一致しないことがある点に留意されたい。一般的には、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分中に生成されるデバイスにおける特定の機能層に相当することになる。0056パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型alternating位相シフト、ハーフトーン型attenuated位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。0057本明細書で使用される投影システムという用語は、使用される露光放射に対して、あるいは液浸液の使用または真空の使用など他の要素に対して適切な屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電光学システム、あるいはこれらの任意の組合せを含むどんなタイプの投影システムも包含するものとして広く解釈されたい。本明細書における用語投影レンズのいかなる使用も、より一般的な用語投影システムと同義と見なされてもよい。0058ここで図示されているように、この装置は透過型である例えば、透過型マスクを使用する。あるいは、装置を反射型にすることもできる例えば、上で言及したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、あるいは反射型マスクを使用する。0059リソグラフィ装置は、2つデュアルステージまたはそれより多い基板テーブルおよび/または2つ以上のパターニングデバイステーブルを有したタイプのものとすることができる。このようなマルチステージ機械では、追加のテーブルを並行して使用するか、あるいは1つまたは複数のテーブル上で予備工程を実行しながら1つまたは複数の他のテーブルを露光に使用することができる。0060リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプとすることもできる。液浸液は、リソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影システムとの間に適用することもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を増大することで、当技術分野で周知である。本明細書で用いられる液浸という用語は、基板など、ある構造を液体内に沈めなければならないことを意味しておらず、逆に、液体が、露光中に投影システムと基板の間に位置することを意味するにすぎない。0061図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。例えばこの放射源がエキシマレーザであるとき、放射源とリソグラフィ装置は別体であってもよい。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムBDを使用して放射源SOからイルミネータILへ渡される。他の例では、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源はリソグラフィ装置の一体型部品であってもよい。放射源SOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDも一緒に、放射システムと呼ばれてもよい。0062イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタADを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、σouter、σinnerとそれぞれ呼ばれるを調整することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなどの様々な他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータは、放射ビームがその横断面において所望の均一性および強度分布を有するように調節するのに使用されてもよい。0063放射ビームBは、サポート構造例えばマスクテーブルMTに保持されるパターニングデバイス例えばマスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームBはパターニングデバイスMAを通過した後、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦する。第2のポジショナPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサを用いて、例えば放射ビームBの経路中に様々なターゲット部分Cを位置決めするように基板テーブルWTを正確に移動することができる。同様に、第1のポジショナPMおよび別の位置センサ図1に明確には示されていないを使用して、例えばマスクライブラリからの機械的に取り出した後、またはスキャン中に、パターニングデバイスMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、サポート構造MTの移動は、第1のポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使用して実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、サポート構造MTはショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2および基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示された基板アライメントマークスクライブラインアライメントマークとして既知であるは、専用ターゲット部分を占めるが、ターゲット部分の間のスペースに配置されてもよい。同様に、1つよりも多いダイがパターニングデバイスMA上に設けられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。0064図示される装置は、以下のモードの少なくとも1つにおいて使用することが可能である。1.ステップモードでは、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを本質的に静止したままにしながら、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分C上に一度に投影されるすなわち単一静的露光。次に、基板テーブルWTは、異なるターゲット部分Cを露光することができるようにX方向および/またはY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像するターゲット部分Cのサイズが制限される。2.スキャンモードでは、サポート構造MTと基板テーブルWTとが同期してスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分C上に投影されるすなわち単一動的露光。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大縮小および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向の幅が制限されるが、スキャン移動の長さによって、ターゲット部分のスキャン方向の縦幅が決定される。3.別のモードでは、サポート構造MTは本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルWTが移動またはスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分C上に投影される。このモードでは、一般的にはパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの各移動の後で、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この作動モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することが可能である。0065前述の使用モードまたはまったく異なった使用モードの組合せおよび/または変形形態も用いられてもよい。0066図2は、例えばHgランプまたはレーザまたはEUV光源である放射源11に接続されたイルミネータ10の一例を示す。イルミネータは、ビーム拡散光学部品12、偏光部材13、反射エレメントの配列14および方向変更光学部品15をこの順番で備える。作動中、放射源は、ビーム拡散光学部品12および偏光部材13を通って反射エレメントの配列14に向けられる平行ビームを生成する。ビーム拡散レンズが、このビームを複数のサブビームに拡張して、それぞれのサブビームを反射エレメントの配列14の反射エレメント14a、14b、14c、14d、14eに関連づける。ビーム拡散光学部品12は、平行ビームを与える。拡張されたビームの断面は、ビームが反射エレメント14a~14eのすべてまたはサブセットに入射するのに十分なものである。図2は、一例として、拡張されたビームの3つのサブビームを示す。ビーム拡散レンズは、サブビームの拡散を設定するための収斂レンズまたはレンズの配列をさらに含むことができる。以下でさらに説明されるやり方でビームを偏光する偏光部材13が、反射エレメントの配列14に対して光学的に共役な平面に、または同平面の近くに配置される。0067図2は、反射エレメント14bに入射する第1のサブビームを示す。配列14の他の反射エレメント14aおよび14c~14eと同様に、反射エレメント14bは、サブビームを、方向変更光学部品15を通して中間の平面16へ反射する。配列14の反射エレメント14a~14eは、コントローラCT1によって制御される。例えば集束レンズである方向変更光学部品15は、サブビームをイルミネータの中間の平面16の所望の領域に向ける。中間の平面16は、前述のように2次放射源として働く瞳面と一致してもよい。さらに、反射エレメント14c、14dは、方向変更光学部品15を通って中間の平面16の他の領域へ送り出される他の2つのサブビームを反射する。反射エレメント14a~14eの配向を調節してサブビームが入射する中間の平面16の領域を決定することにより、中間の平面16におけるほとんどあらゆる空間強度分布を生成することができる。0068反射エレメントの配列14は、5つの反射エレメント14a~14eとして図2に示されているが、実際上、かなり多くの反射エレメントが配列に設けられてもよい。配列は、例えば2次元配列を備えることができる。配列は、例えば100個以上の反射エレメントを備えることができる。一実施形態では、配列は、1000個を上回る反射エレメントを含むことができる。0069図3aおよび図3bを参照すると、これらの図は、本発明の一実施形態による反射エレメントの配列14を示している。反射エレメントの配列14は、放射8の入射ビームを瞳面16の様々な所望の領域へ反射するように構成された1000個を上回る複数の反射エレメントまたはミラーを含む。一実施形態では、配列14のそれぞれの反射エレメントまたはミラーは、放射8の入射ビームを瞳面16の任意の位置へ向けるように適合される。0070図4を参照すると、この図は、選択されたマスクパターン9の結像を最適化するための様々な手法を示している。手法1は、選択されたパターン9のプリントを従来型照明および環状照明を用いて最適化することから成る。手法11は、1990年代の初期に開発された。手法22は、パターン9のプリントを二重極照明または四重極照明を用いて最適化することから成る。二重極照明または四重極照明は、回折光学エレメントDOEを用いて生成することができる。手法33は、選択されたパターン9のプリントを、6つ以上の極および/またはソフトな極すなわち強度を低下させた極および/または複数のリング照明を用いて最適化することから成る。最適化手法3は、X偏光、Y偏光および/またはX/Y偏光を用いることができる。X偏光、Y偏光および/またはX/Y偏光は、照明システムに配置された様々な偏光波長板によってもたらされ得る。手法3の照明は、回折光学エレメントを用いて生成することができる。手法44は、パターン9のプリントを、図2に示された反射エレメント14の配列および可撓性イルミネータを用いたX偏光、Y偏光、X/Y偏光、TE偏光および/またはTM偏光を用いて最適化することから成る。手法4のイルミネータは、自由形式の照明形状をもたらすことができる。手法3および4では、所望のX偏光、Y偏光、X/Y偏光あるいはTE偏光またはTM偏光を生成するのに、個別の偏光波長板が必要とされる。すなわち、手法4において、X偏光、Y偏光、X/Y偏光からTE偏光またはTM偏光へ偏光を変化させることが望まれる場合、照明システムに新規のプレートを挿入しなければならず、これは望ましいことではない。0071イルミネータの瞳面における照明形状を生成する回折光学エレメントまたは反射エレメントの使用に関するさらなる情報は、米国特許第7,015,491号、米国特許第6,737,662号、米国特許第7,525,642号および米国公開第2009-0174877号から収集することができ、それらの内容の全体が参照によって本明細書に組み込まれる。0072本発明の一実施形態によれば、照明システムの瞳面16の任意の位置に任意の所望の偏光X偏光、Y偏光、XY偏光、TE偏光およびまたはTM偏光を生成するために、手法55は、図2の可撓性照明自由形式の照明形状をもたらすために可撓性イルミネータを用いるおよび自由形式タイプの偏光図5で6と称されるを用いることから成るプログラマブル偏光方式を示す図5を参照されたい。自由形式タイプの偏光は、プログラマブル偏光と称することができる。非偏光、Y偏光、X偏光、X/Y偏光、TE偏光およびTM偏光、またはそれらの任意の組合せを用いることの利益は、これらのモードが1つのリソグラフィシステムで有効であり得ることである。しかし、これによって後方互換性および柔軟性が生じる可能性がある。自由形式偏光を用いる利益は、より高度な偏光を用いて改善された結像を生成することができることである。現行の自由形式偏光では、瞳のいかなる位置も45°ステップで偏光され得る。0073次に、図6a~図6dを参照すると、これらの図は、本発明の一実施形態による自由形式偏光を生成する方法を示している。自由形式偏光は、入射ビーム8の選択された部分の偏光を、配列14の反射エレメントが別々の偏光を有するビームを反射するように変化させることにより達成される。偏光の変化は、3枚の別々の45°偏光された移動可能な波長板1~3図6a~図6dでP1、P2およびP3と称されるを用いて行われる。例えば、図6aを参照すると、この図は、Y偏光を有する入来放射8を示している。入来放射ビーム8の偏光が変化しなければ、瞳面16に生成された照明パターンはY偏光されることになる。一方、図6bに示されるように、入来放射8の一部分に第1の波長板1が挿入されると、入来放射ビーム8のその部分の偏光が、Y偏光からX/Y偏光45°まで変化することになる。その結果、配列14の反射エレメントの一部分は、X/Y偏光されたビームを照明の瞳面16内のいかなる場所でも反射することができることになる。図6cおよび図6dは、プレート1~3を入射ビーム8の残存部分で重ねることにより、X偏光および135°の偏光が達成され得る様子を示す。以下でより詳細に説明されるように、波長板1~3は移動可能であっても固定されていてもよい。別々の、またはより多くの、偏光を変化させるプレートを用いると、本発明の範囲から逸脱することなくより多くの偏光状態が生成され得ることが当業者には理解されよう。0074図7および図8は、偏光部材13の別の実施形態13aを一方の側から見たものを概略的に示す。偏光部材は、フレーム18上に配置され、かつミラーアレイ14に対して固定された3つの波長板20a~20cおよびウィンドウ21を備える。波長板20a~20cのそれぞれは、放射源11から送出された放射ビーム8に対して別々の偏光を与えるように構成されている。この実施形態では、放射源から送出された放射ビームは、直線的にx方向に偏光この例ではTE偏光される。この偏光は、ウィンドウ21の水平の双方向矢印によって概略的に表されている。第1の波長板20aは、次に放射ビームがy方向に偏光この例ではTM偏光されるように、放射ビームの偏光を90°まで回転するように構成される。これは、第1の波長板20aの垂直の双方向矢印によって概略的に表されている。第2の波長板20bは、放射ビームがx=-y平面に存在することになるように放射ビームの偏光を回転するように構成される。これは、第2の波長板20bの右下がりの双方向矢印によって概略的に示されている。第3の波長板20cは、放射ビームがx=y平面に存在することになるように放射ビームの偏光を回転するように構成される。これは、第3の波長板20cの右上がりの双方向矢印によって概略的に示されている。0075使用するとき、リソグラフィ装置図1を参照されたいによってパターニングデバイスMAから基板W上に投影されるパターンは、x方向に偏光された放射を用いて投影されてもよい。この場合、コントローラCT1は、ウィンドウ21を通過した放射を受け取った反射エレメントだけが、リソグラフィ装置で用いられる照明モードを形成するのに用いられるように、反射エレメント14a~14eの配向を制御することができる。波長板20a~20cを通過して反射エレメント14a~14eに入射する放射は、反射エレメント14a~14eにより、例えばビームダンプの方へ、または照明モードに寄与しない別の位置へ向けられてもよい。したがって、本発明の一実施形態により、コントローラCT1によって、リソグラフィ装置の照明システムにおいてx偏光された放射のみを選択することが可能になる。0076パターニングデバイスMAから基板W上に投影されるパターンが、y方向に偏光された放射を用いるとよりよく投影される場合、コントローラCT1は、第1の波長板20aを通過した放射だけが照明モードを形成するのに用いられるように、反射エレメントの配列14の反射エレメント14a~14eを制御することができる。同様に、x=-y平面に偏光された放射がよりよい結像をもたらすことになるようなパターンの場合は、コントローラCT1は、第2の波長板20bを通過した放射だけが照明モードを形成するのに用いられるように、反射エレメント14a~14eを制御することができる。同様に、x=y平面に偏光された放射がよりよい結像をもたらすことになるようなパターンの場合は、コントローラCT1は、第2の波長板20cを通過した放射だけが照明モードを形成するのに用いられるように、反射エレメント14a~14eを制御することができる。0077いくつかの例では、図7に示された4つの偏光のうち1つがない放射ビームを用いることが望まれる可能性がある。この場合、複数の波長板20a~20cを通過した放射、またはウィンドウ21および1つまたは複数の波長板20a~20cを通過した放射が、所望の偏光を得るために用いられてもよい。例えば、ウィンドウ21を通過した放射および第3の波長板20cを通過した放射が、照明モードを形成するのに用いられてもよい。この例では、放射は、x方向から約22.5°の角度の偏光を有することになる。さらなる例では、第1の波長板20aおよび第3の波長板20cを通過した放射が、照明モードを形成するのに用いられてもよい。この例では、放射は、y方向に対して約22.5°の角度を形成する偏光を有することができる。0078いくつかの例では、偏光されない放射または偏光されない放射に近似する放射を用いることが望まれる可能性がある。この場合、ウィンドウ21および第1の波長板20aを通過した放射が用いられてもよい。あるいは、第2の波長板20bおよび第3の波長板20cを通過した放射が用いられてもよい。さらなる代替形態では、3枚の波長板20a~20cのすべてとウィンドウ21とを通った放射が用いられてもよい。0079照明システムの放射ビームが進む光学距離の一致をもたらすために、ウィンドウ21は、波長板20a~20cと同一の光学距離を有してもよい。0080偏光部材13aは、図7に示された4つの偏光すなわちx方向、y方向、xy平面およびxy平面の組合せである放射ビームに対して任意の偏光を適用するように使用され得る。図7に示された偏光の簡単な組合せから形成することができない偏光を用いて放射をもたらすことが望まれる場合、変更された手法が用いられてもよい。変更された手法は、別々の波長板20a~20cおよび/またはウィンドウ21の下にある配列14の別々の反射エレメントによって反射される放射の別々のビームを組み合わせる工程を含む。例えば、放射ビームは、偏光部材および反射エレメントを使用して、ウィンドウ21を通過した放射のサブセットを照明モードに向け、第3の波長板20cを通過した放射の半分だけを照明モードへ通すことにより形成されてもよい。これは、x方向から約12°の偏光をもたらすことになる。当業者には理解されるように、他の偏光を得るために反射された放射ビームの他の組合せ例えば、波長板20aによって偏光された4本の放射ビームと波長板20bによって偏光された2本の放射ビームの組合せを用いることができる。0081本発明のさらなる実施形態による偏光部材13bが、図9に概略的に示されている。偏光部材は、第1の波長板30a、第2の波長板30bおよび第3の波長板30cを備える。各波長板はウィンドウ31a~31cに接続される。各ウィンドウは、コントローラCT2によって作動されるアクチュエータ32a~32cに接続される。0082コントローラCT2は、放射ビーム中空の矢印によって示されているが、波長板30a~30cの1つまたは複数を通過するか、またはどの波長板も通過しないように、アクチュエータ32a~32cのそれぞれを独立して動かすのに使用されてもよい。放射ビームが波長板を通過しないとき、放射ビームは、代わりに、その波長板30a~30cに関連したウィンドウ31a~31cを通過し、それによって放射ビームが進む経路長の一貫性をもたらす。0083図9Aを参照すると、アクチュエータ32a~32cは、放射ビームが、ウィンドウ31a~31cを通過していかなる波長板30a~30cも通過しないように配置されてもよい。この例では、放射ビームの偏光は不変である。このことは、放射ビームがウィンドウを通過する以前はx方向に偏光されていて、ウィンドウを通過した後もx方向に偏光されている放射ビームを示す双方向矢印によって示されている。0084図9Bで、アクチュエータは、放射ビームが2つのウィンドウ31a、31bを通過して第3の波長板30cを通過するように構成されている。双方向矢印によって示されるように、これによって、放射ビームの偏光が、x方向からx=-y平面へ変化する。0085図9Cで、アクチュエータは、放射が1つのウィンドウ31aを通過して第2の波長板30bおよび第3の波長板30cを通過するように配置されている。双方向矢印によって示されるように、これによって、放射ビームの偏光が、x方向からy方向へ変化する。0086図9Dで、アクチュエータは、放射ビームが第1、第2および第3の波長板30a~30cを通過するように配置されている。図4Bに示されたように、これによって、放射ビームの偏光が、x方向からx=y平面へ変化する。0087図9から推測され得るように、波長板30a~30cのそれぞれが、45°まで放射ビームの偏光を回転させる効果がある。したがって、波長板が1枚だけ使用されるとき偏光が45°だけ回転され、波長板が2枚使用されるとき偏光が90°だけ回転され、波長板が3枚使用されるとき偏光が135°だけ回転される。0088図9に示される偏光部材13bにより、放射ビームから顕著な強度の損失なしで、放射ビームの偏光を制御することが可能になる。0089偏光部材13は、図2ではビーム拡散光学部品12と反射エレメントの配列14の間に配置して示されているが、適切な位置に設けられてもよい。図4に示された偏光部材13bの実施形態は、照明システムの別の位置に設けられた波長板を備えてもよい波長板が互いに隣接した位置にある必要はない。0090上記の実施形態では、放射源11から発せられた放射ビームが偏光され、この偏光は1つまたは複数の波長板を備える偏光部材13を使用して変更された。いくつかの例では、放射源11から発せられた放射ビームは非偏光であってもよい。この場合、図3に示された波長板は、偏光子と置換されてもよく、各偏光子が別々の偏光を与えるように構成される。例えば、偏光は、図3に示された双方向矢印の方向に一致してもよい。0091次に図10を参照すると、一実施形態では、ターゲットの偏光された瞳は、照射源マスク偏光最適化方法SMPOを用いて既存の瞳必要とされる偏光を有する、システムA、またはA1上の測定された瞳を最適化することにより達成される。新規の瞳は、SMPO方法を用いて較正またはシミュレートされ得て、較正済の偏光された瞳のライブラリを生成するために、各新規較正済の偏光された瞳は、リソグラフィ装置システムB、またはB1のメモリに記憶され得る。測定された瞳は、回折光学エレメントまたは可撓性イルミネータを含むリソグラフィ装置を備えることができる。ライブラリに記憶されたそれぞれの較正済の偏光された瞳は、瞳面16に所望のX、Y、XY、TE、TMまたは自由形式の偏光形状を生成するために、リソグラフィ装置のユーザによってほとんど即座に再ロードされ得る。また、一実施形態では、最大の生産性を達成するために、あらゆる偏光形状向けにあらゆる所望の自由形式のグレイスケール照射源すなわち最適化された位置/角度および強度を有するものを得ることができる。0092さらに、一実施形態では、リソグラフィ装置のユーザインターフェイスが自由形式偏光を含むように適合される。一実施形態では、ユーザインターフェイスによってもたらされる自由形式偏光は、各マスク層に対して選択可能である。本発明の一実施形態では、瞳の品質は、配列14の各ミラーの閉ループ制御および偏光子波長板図6a~図6dのプレート1~3ならびに図7および図8の波長板20a~20cの閉ループ制御によって製作の期間中保証される。0093図11を参照すると、この図は、TE偏光されたビームおよび非偏光ビーム図11でUPと称されるを用いて照光されたラインの配列のハーフピッチ距離の関数としてNILSによって測定された像コントラストを示している。ラインの配列1:1の配置では行間隔=線幅となるは、バイアスなしのバイナリマスクBIMおよび最適化された開口数NAを用いて193nmで二重極0.9σを用いて照光される。膜の屈折率RIは1.7である。図11に見られるように、偏光の利点は、照明システムの開口数NAが増加するのにつれてまた、k1が減少するのにつれて増加する。0094図13aは、回折パターンに基づいて最適な偏光を求めることができることを示す。例えば、図11の密なラインの配列のプリントを最適化するために、0次および1次の回折次数を用いるのが望ましく、0次と1次の回折次数の偏光ベクトルが整列するとき、最善の結果が得られる。これはTE偏光に相当する。図13aで、このパターンは、k1=0.28で、二重極およびバイナリマスクBIMを用いて照光された密なラインの配列1:1である。0095図12を参照すると、この図は、TM偏光されたビームおよび非偏光ビームUPと称されるを用いて193nmで1.35のNAおよびバイアスのない6のハーフトーン型attenuated位相シフトマスクを用いて照光された孔の配列1:1の配置では孔の間隔=孔の直径に関するk1の関数としての像コントラストNILSによって測定されたものを示す。膜の屈折率RIは1.7である。孔は、四重極クエーサー登録商標照明を用いて、k1>0.36でハーフトーン型attenuated位相シフトマスクを用いて照光される。孔の配列は、四重極を用いて照光される。図12に見られるように、密な孔配列は、TM偏光されたビームを用いて、より高いコントラストで結像され得る。密な孔配列をプリントするのにTM偏光を用いる利点に関するさらなる情報が、N.Baba-Ali、H.Sewell、J.KreuzerASMLProc.SPIE5040、13522003年による記事および米国特許第7,090,964号から収集することができ、参照によってそれらの全体が本明細書に組み込まれる。0096図13bは、回折パターンに基づいて最適な偏光を求めることができることを示している。例えば、図12の密なラインの配列のプリントを最適化するために、01および10の回折次数1次の回折次数を用いるのが望ましく、というのは、00次が弱く、結像はより高い回折次数によって支配されるからである。01と10の回折次数の偏光ベクトルが整列するとき、最善の結果が得られる。これはTM偏光に相当する。0097図14は、様々な2次元の長方形の配列に配置された50nmの孔のグリッドに関するクリティカルディメンションCDの変化を示す。図14のCDの変化は、別々の最適化方法を用いて達成される。グリッドのピッチは、X方向およびY方向XYに変化する例えば95/95、100/100、110/110、110/130、110/150、110/170、110/190、130/130、130/150、130/170、130/190、150/150、150/170、150/190、170/170、170/190、190/190nmピッチのマンハッタンすなわち孔のグリッド配列が50nmターゲットでプリントされる。図14に見られるように、従来型の環状照明を用いたとき、さらなる最適化または偏光なしで図14ではANUPと称される8nmより大きなCDの変化が達成される。それらのCDの変化は、偏光のない照射源最適化図14ではSMOUPと称されるを用いると約12低減され得る。それらのCDの変化は、照明システムの瞳面において偏光例えばXY偏光を変化させることにより、さらに約8低減され得る。最後に、照明システムの瞳面において自由形式偏光図14ではSMPO4と称される4つの角度の偏光を用いると、それらのCDの変化は、さらに約4だけ低減され得る。上記で説明されて図14に示されたように、自由形式偏光を用いると、瞳面の様々な位置が別々の偏光を有する。自由形式偏光の最適化により、他のタイプのパターンについてはCDの変化をさらに低減することができると予見される。0098当業者には理解されるように、瞳面の自由形式偏光は、かなりの結像の改善を示す。それらの改善は、ランダム連絡孔または様々なピッチで配置された連絡孔などの2次元構造体に対して顕著である。一実施形態では、クリティカルディメンションの均一性CDUが約19だけ改善され得る。一実施形態では、照射源マスク偏光最適化SMPOは、シミュレータ例えばTachyon商標で対応することができる。0099図15を参照すると、この図は、図2の照明システムを用いて瞳面に生成することができる照明パターン150を示している。図15で、パターン150は、リングおよび中央の極Fに沿って配置された複数の極を含む。複数の極はTEタイプの偏光を有し、中央の極は非偏光である。図2の照明システムを用いて、あらゆるタイプの照明/偏光の形状を達成することができることが理解されよう。00100図16は、本発明の一実施形態による図2の照明システムを使用して瞳面に生成することができる照明パターン160を示す。図16では、様々なタイプの偏光を同一の極内に生成することができ、偏光方向X、YおよびXYは、黒いラインで示されるように照射源内で変化する。00101図17は、本発明の一実施形態による図2の照明システムを用いて瞳面に生成することができる照明パターン170を示す。照明パターン170は、理論的なTE偏光170aで示されているによく似た方位角偏光170bを含んでいる。偏光は45°のステップで行われる。理論的な限界IPS好ましい状態における強度は85である。00102上記で論じられたプログラマブル偏光は、各マスク層の偏光を独立して最適化することができるので、より柔軟性をもたらすことが理解されよう。さらに、自由形式偏光を用いて任意の偏光例えばXY偏光とTE偏光およびTM偏光との両方を達成することができるので、プロセスウィンドウおよびクリティカルディメンションの均一性をかなり改善することが可能である。00103一実施形態では、瞳面の照明形状は、自由形式偏光を、照射源最適化とともに用いて、または照射源最適化から独立して用いて、調整するかまたは最適化することができる。00104次に図18を参照すると、この図は、本発明の一実施形態によって照射源マスクの偏光を最適化するSMPO方法を示す。00105この方法は工程180で始まり、ここでは、線形感度係数または感度を確立するために個々のピクセル群または照射源ポイントの漸進的効果が計算される。感度係数または感度は、偏光の変化の効果が、この場合マスクパターンの構造体のクリティカルディメンション、クリティカルディメンションの均一性、プロセスウィンドウの大きさ焦点深度および線量ラチチュードを含む、マスク誤差増加要因MEEF、および結像の対数傾斜ILSまたは正規化された結像の対数傾斜NILSであり得るリソグラフィのメトリックなどのさらなるメトリックにどのように影響を及ぼすかといった推定をもたらす。ピクセル群は、照明システムの瞳面内の1つまたは複数の照射源ポイントを含む。一実施形態では、ピクセル群の状態は、初期の照明形状にピクセル群を追加するかまたは同照明形状から完全にピクセル群を除去するものすなわち2値の手法とは対照的に、漸進的工程によって例えばピクセル群の強度を増減する例えば10増加するかまたは例えば偏光の方向を45°だけ変化させることによって変化し得る。2値の手法を用いてピクセル群で照射源を最適化することに関するさらなる情報は、米国特許出願第12/000,092号から収集することができ、その内容の全体が参照によって本明細書に組み込まれる。00106一実施形態では、照射源最適化は、工程180で、瞳面内の小さな照射源領域に対してピクセル群を加えたり減じたりすることの、選択されたパターンの各クリティカルディメンションCDに対する漸進的効果を計算する工程を包含する。00107一実施形態では、照射源は、瞳面の選択された部分例えば象限で最適化することができる。最適化された照射源は、瞳面の残りの部分で対称性によって求めることができる。一実施形態では、照射源最適化を実行するために、所定のピクセル群例えば117のピクセルの群象限を選択することができる。00108一実施形態では、照射源最適化方法に関する感度係数または感度を計算するために、各ピクセル群の強度が所定量、例えば±10だけ漸進的に増加され、CDのすべてに対するこのような漸進的変化の効果が求められる。したがって、各CD測定値に対して、一実施形態では117のピクセル群を検討するものと仮定すると、234の感度係数または感度が計算されることになる117のピクセル群×2±10に相当する=234。例えば、パターンのCDが、所与のピクセル群に関する-10の強度の変化の結果0.1nmだけ低減された場合、そのピクセル群に関する感度は、10の強度減少につき0.1nmである。00109偏光チューニング方法に関する感度係数または感度の計算は、照射源チューニング方法と類似のやり方で進行する。すなわち、偏光最適化方法に関する感度係数または感度を計算するために、各ピクセル群の偏光が所定の角度、例えば±45°だけ漸進的に変化し例えば回転され、CDのすべてに対するこのような漸進的変化の効果が求められる。例えば、パターンのCDが、所与のピクセル群に関する45°の偏光回転の結果0.1nmだけ低減された場合、そのピクセル群に関する感度は、45°の回転変化につき0.1nmである。一実施形態では、工程180の偏光最適化は、各ピクセル群に関する3つの偏光補正の、選択されたパターンの各CDに対する漸進的効果を計算する工程を包含する。各ピクセル群および別々の偏光状態例えば、±45°偏光回転、および非偏光であるが90°偏光回転するもの、および環状偏光も用いられ得るに対して評価が実行される。この実施形態では、117のピクセル群があると仮定すると、各CD測定値に対して計算される351の感度係数または感度が存在することになる117のピクセル群×3±45°の偏光回転および非偏光の状態に相当する=351。00110工程180における求められた感度係数または感度は、2つの線形モデルを定義するのに用いることができ、線形モデルの一方は照射源に関するものであり、他方は偏光に関するものである。本質的には、各感度係数または感度は、ピクセル群の状態の変化からその強度を±10だけ変化させることにより、またはその偏光を±45°偏光もしくは非偏光に変化させることにより結果として生じるCDの変化を表す。00111次いで、工程180で感度係数を求めた後、この方法は工程185に進み、ここで、照明形状、強度および偏光条件に関して初期の照射源が、選択されたパターンを正確にプリントするその適性に関して選択される。一実施形態では、初期の照射源は測定された照射源であってもよい。あるいは、初期の照射源は、従来型の最適化方法を用いてあらかじめ最適化された照射源であってもよい。初期の照射源は、例えばリソグラフィシミュレーションまたは測定値を用いて、あらかじめ最適化されていてもよいことが当業者には理解されよう。00112初期の照射源および偏光条件を選択した後、この方法は工程190aおよび/または190bに進み、ここで、初期の照射源は、すべてのシングルステップの照射源強度例えば10の増分および偏光補正の効果を順次に評価することにより変更される。すなわち工程190a~190bで、選択されたパターンの各CDは、変更された照射源/偏光条件に対して計算される。00113すべてのシングルステップの照射源強度例えば10の増分および偏光補正の効果の評価は、反復手順のパスまたは繰り返しを通じて、複数の乗算器nによって感度係数または感度を掛け、リソグラフィのメトリックを計算することにより行われる。1回の反復修正を通じて、すべての感度係数が順次に検討され、リソグラフィのメトリックの改善が最も大きい乗算器/ピクセル群が維持される。このプロセスは、それ以上メトリックの改善が見いだされなくなるまで反復して繰り返される。線形感度係数を使用すると、図18の高速計算をもたらすことが理解されよう。一実施形態では、このプロセスは、100~1000回繰り返され得る。00114例えば、一実施形態では、CDの変化に対するピクセル群の影響は、照射源強度に関して別々の乗算器を使用して±10の増分で、または偏光に関して別々の乗算器を使用して、±45°の偏光状態および非偏光状態で、各ピクセル群に対して順次に評価される。このプロセスは、工程190aにおいて様々なピクセル群強度に対して別々の乗算器を使用して、±10の増分で、また、工程190bにおいて様々な偏光状態に対して別々の乗算器を使用して、±45°偏光、および非偏光で繰り返し反復される。すべての可能なシングルステップ補正例えば10増加した強度または45°の偏光回転を有するピクセル群が、乗算器で感度係数または感度を掛けることにより評価された後、CDの変化を最も低減するものすなわち乗算器が維持され、その感度係数と乗算器とによって定義されたピクセル群が、初期の照射源群に追加される工程195。00115工程190aおよび190bの最適化プロセスが別個に行われ得ることが理解されよう。例えば、この方法は、照射源を最適化するために先ず工程190aに進み、次いで、瞳面の各ピクセル群の偏光を最適化する工程190bに進むことができ、その逆も可能である。00116さらに、反復プロセスの期間中、照射源とともに選択されたパターンを変更する例えばさらに最適化することができることが理解されよう。このような変更は、並行して、または工程195で最適化された照射源を求めた後に例えば照射源のすべてのピクセル群を順次に評価した後に行われてもよい。例えば、初期の選択されたパターンに対して最適化された照射源が見いだされた後、工程185で、選択されたパターンおよび光学的近接効果OPCフィーチャの寸法を変化させることができる。図18に示された手順は、工程195で求められた最適化された照射源および変更されたパターン例えば別々のOPCを含むに対して繰り返されてもよい。00117一実施形態では、最適化された照射源は、工程200でシミュレーションによるアニールを実行することにより、さらに最適化され得る。シミュレーションによるアニールは、以前の最適化の間に見つかった係数のいくつかをランダムに変えて、工程185および工程201で再度線形感度の最適化を開始することにより、局部的最小値を回避することを試みるものである。これは複数回例えば100~1000回行うことができ、より優れた解をもたらす。一実施形態では、精度を保つために外挿長さが最小化される。00118次に図19を参照すると、この図は、図18の照射源最適化190aを用いて得られた選択パターンの35のCD測定値に関するCDの変化を示す。各CD測定値は35nmである。図19では偏光最適化は実施されていない。初期の照射源191aは、すべてのCDを45nmでプリントするように構成されている。次に、フィーチャのうち7つのCDを、他の28のCDに影響を与えることなく2nm大きくプリントするために再度ターゲットとする場合を検討する。選択されたパターンのこれら7つのCDがこれらの新規ターゲットのCD値の方へ大部分が近づくように、図18の方法を用いて初期の照射源191aを変更することができる。図19に見られるように、図18の方法を用いて初期の照射源を最適化またはチューニングすることにより、識別された7つのCDを47nmの近くへ選択的にプリントすることが可能である。標準偏差誤差RMSは0.18nmであった。全シミュレーションで求めたRMSは0.26nmであった。さらに、図18の線形感度計算によって得られた結果が、従来型のシミュレーションによって得られた結果を裏づけることが理解されようoptimizedtuningsimulationverificationを参照されたい。図19では、合計183のピクセル群のフリップがあった1強度フリップ。最適化された照射源が、191bに示されている。図19の凡例は以下の通りである。初期I、新規のターゲットNT、最適化されたチューニング予測の線形感度OTPLS、最適化されたチューニングシミュレーションの確認OTSV。00119図20は、図19の照射源最適化190aを用いて得られた選択パターンの35のCD測定値に関するCDの変化を示す。図20では、チューニングまたは最適化された照射源201aが、図18の方法を用いてさらにチューニングされた。標準偏差誤差RMSは0.21nmであった。全シミュレーションを用いた追加のチューニングが、さらなる改善をもたらすことが理解され得る。偏光はXYに固定されている。最適化された照射源が、201bに示されている。図20の凡例は以下の通りである。初期I、初期のチューニングIT、新規のターゲットNT、第2のチューニング2T。00120一実施形態では、図18の方法は偏光チューニングのみを用いて実行され得る。偏光チューニングを用いると、小さな変化が1つのピクセル群でさえ、新規のターゲットに応じるのに大きな改善を与えることができる。00121次に、図21を参照すると、この図は、図18の偏光最適化190bすなわち、偏光チューニングのみを用いて得られた、選択されたパターンの35のCD測定値に関するCDの変化を示す。図21では照射源形状が一定であり最適化なし、個々のピクセル群の偏光が変更される。初期の偏光はX/Y偏光であった。照射源の正確な対角線は、非偏光UPに保たれる。図19と同様に、初期の照射源は、選択されたパターンのCDのうちの7つが、45nmの代わりに47nmすなわち452nmの値を有するように、図18の方法を用いて変更されるステップ190b。初期のRMSすなわち35のCDすべての45nmでの測定値は、0.89nmである。図21に見られるように、図18の方法を用いて初期の照射源の偏光を最適化またはチューニングすることにより、識別された7つのCDを37nmのターゲットの近くへ選択的にプリントすることが可能である工程190b。標準偏差誤差RMSは、0.89nmから0.28nmに低減された。図21の凡例は以下の通りである。初期I、新規のターゲットNT、最善の単一フリップBSF、最善の2つのフリップ線形感度予測BTFLSP、最善の2つのフリップ全シミュレーションチェックBTFFSC。00122図22は、照射源最適化と偏光最適化を同時に用いて得られた、選択されたパターンの35のCD測定値に関するCDの変化を示す。図22に見られるように、照射源最適化190aと図18の偏光最適化190bの組合せは、RMSをさらに0.07nmだけ低減することができる0.28nmから0.21nmまでの減少を参照されたい。すなわち、未補正の初期の照射源の偏光を用いて得られたRMSは0.89nmであった。1つの偏光フリップの後に得られたRMSは0.28nmであった。偏光フリップおよび照射源チューニングの後に得られたRMSは、0.21nmに低減された。図22の最適化の方法は、単一偏光ピクセル群の最善の変化メトリックが0.89nm→0.28nmを用いる工程と、この一定の偏光を用いて照射源チューニングピクセル群の感度を計算する工程と、最善の照射源チューニングを見いだすために解析を行って結果を確認する工程と、照射源の小さな調節を実行する工程とを含む。図22に見られるように、線形感度予測はほぼ正確である。図22で、一定の偏光はXYに設定され、1つの45°ピクセル群変化および10の全ピクセル群フリップだけが行われた1の強度/フリップ。図22の凡例は以下の通りである。初期I、新規のターゲットNT、偏光フリップのみPFO、照射源チューニング線形感度の付加PSTLSおよび照射源チューニング全シミュレーションチェックの付加PSTFSC。00123図23は、本発明の一実施形態による偏光最適化のみを用いて最適化された選択パターンのCDの変化を示す。照射源は、初期設定に固定された。図23に見られるように、RMSが、0.89nmから0.22nmまでさらに低減された。図23の最適化の方法は、一定の照射源を用いてメトリックに対する一定のピクセル群のスワップ±45°と非偏光の効果を評価する工程を含んでいる。好ましい変化は維持された。図23の凡例は以下の通りである。初期I、新規のターゲットNT、偏光を調整したPT。00124SMPO手順の期間中、様々なパラメータ例えば照射源形状、偏光角、マスクフィーチャを一度に変化させると最適解を見いだすのが困難になる恐れがあり、初期の1つまたは複数の偏光の仮定が不正確なSMPO解をもたらす可能性もあるので、本発明の一実施形態では複数工程の手法が実施され得る。実際、照射源マスク最適化に対する追加の自由度として偏光を追加するとき、最適化手順が問題に直面することが認められた。部分的には、これは、偏光状態、必要とされる光近接補正、および回折パターンの結合によるものである。00125一実施形態による新規の手法では、照射源は、最初に偏光を考慮に入れることなく構成されるかまたは最適化される。これはスカラ結像のみを用いて行われ、スカラ結像は、当業者には理解されるように、非直感的偏光条件を棄損しない。当技術分野で知られているように、スカラ結像は、偏光を無視し、リソグラフィ装置を通って伝搬する電磁波の電界および磁界を、スカラ関数を用いてモデル化する。スカラ関数は、電界または磁界の振幅を表し、マスクパターンの空間像を計算するのに用いられる。00126例えば図24を参照すると、この図は、本発明の一実施形態による照射源を構成する方法240を示している。方法240は、工程245で、照射源マスク最適化SMO解を見いだす工程246ために、スカラ結像を用いてSMO手順を実施する工程を含み、SMO解は、先行の最適化された照射源および先行の最適化されたマスクパターンに相当する。次いで、工程247で、照射源マスク偏光最適化手順SMPOの初期解としてSMO解246が入力される。工程247の、偏光が最適化されたベクトル解が、スカラ計算の性能測定基準に近づくはずであることが理解されよう。00127一実施形態では、スカラ結像を用いるSMO手順は、図18に示される最適化手順と類似のやり方であるが工程190bを実施することなく実施され得る。同様に、工程247のSMPO手順は、図18に示された最適化手順と類似のやり方で実施され得る。一実施形態では、工程246のSMO解が、初期条件185図18を参照されたいとして工程247のSMPO手順に用いられる。00128一実施形態では、工程245のスカラ結像手順を用いて、図25に示されたSRAM孔パターン250に関して2つの別個の最小値が見いだされた。SRAMパターンの測定されたフィーチャは、示された6つの孔51~56の水平および垂直のカットである。スカラ結像を用いたSMOの結果が、図26a、図26b左の部分に示されている。最適化メトリックにより、6の線量誤差、80nmの焦点誤差、1nmのマスクのCD誤差といった誤差量を有する図25の12個のカットに対するCDの変化単位nmが最小化された。最適化には4つの固定された偏光角0、±45°、90°が含まれていた。どちらの場合も、手順は、ターゲットパターンに対するマスク選択および環状照明として始まった。図26aは最初に照射源最適化が強調されたとき見いだされた最小値であり、図26bは最初にマスク最適化が強調されたときもたらされたものである。最初にマスク最適化が強調されると、マスクパラメータおよびスカラ結像の計算の期間中リソグラフィのメトリックを最適化する例えばCDの誤差を最小化するアシストフィーチャが照射源パラメータとは対照的により重視される。SRAMパターンが図25から図26bでかなり変わったのは、このためである。反対に、照射源最適化が最初に強調されると、マスクパラメータとは対照的にリソグラフィのメトリックを最適化する例えばCDの誤差を最小化する照射源パラメータがより重視される。例えば、一実施形態では、初期の照射源強調の期間中、照射源ピクセル群が、マスクのアシストフィーチャの検討に先行して最初に追加のマスクのアシストフィーチャなしで順次検討される。一方、初期のマスク強調の期間中、マスクタイルが、初期の固定された照射源を用いて可能なマスクのアシストフィーチャの追加分とともに照射源変化の検討に先行して最初に順次検討される。00129スカラ結像手順の結果の260a、260bは、最善の照射源形状をうまく表しており、ベクトルSMPO手順アシストフィーチャのパターンは固定されたに進むことにより、図26a、図26bの右側に示された最終の偏光された照射源261a、261bが得られた。スカラ照射源260a、260bのメトリックは、検討したパターンに対してそれぞれ6.34nmおよび5.31nmである。偏光された照射源261a、261bのメトリックは、検討したパターンに対してそれぞれ6.96nmおよび5.82nmである。これら2つの解は、応答面上の別個の最小値を表しており、マスクデコレーション量の大きな差に基づいて、それぞれ弱いマスク解および強いマスク解と称することができる。プリントされるパターン次第で、より優れたリソグラフィ性能例えば露光ラチチュード、CDの変化などをもたらすために、1つのマスク解が、その適性に関して他方のものより好ましいことがある。00130照射源マスク最適化SMO手順および照射源マスク偏光最適化SMPO手順は、一般に、カーカフの近似とも称される平坦なマスク近似を用いて実施される。しかし、フィーチャサイズおよびプロセスウィンドウが縮小するのにつれて、様々なマスクパターンのオーバーラップするプロセスウィンドウのサイズが、3次元3Dのマスク効果によって通常もたらされるフィーチャ依存の最善の焦点シフトおよび焦点傾斜によってしばしばかなり劣化する。したがって、SMOおよびSMPOの手順の結果として得られる解は、3Dマスク効果による影響を受ける可能性がある。本発明の一態様によれば、照射源の構成の期間を通じて、3Dマスク効果の明細が明らかにされる。00131図27を参照すると、この図は、本発明の一実施形態によって照射源を構成する方法270を示す。具体的には、方法270は、リソグラフィ装置の照射源によって照光されることになるパターンの像のリソグラフィ装置内の基板上への転写を構成するのに用いることができる。方法270は、リソグラフィシミュレーションを用いて実行することができる。方法270は、照射源、偏光およびマスクまたはパターンの詳細を含む、初期の、すなわち第1の照射源を求める工程工程271を含む。工程271の照射源は、例えば図18に示されたSMPO手順の解になり得る。しかし、これは限定するものではない。工程271の照射源は、3次元効果または他の最適化手順を考慮するか否かにかかわらず、照射源マスク最適化手順の解になり得る。00132一旦、初期の照射源が選択されると、この方法は工程272へ進み、ここで、初期の照射源のすべての照光した照射源ピクセルまたはグループ化されたピクセルが、試験によって、例えば、それらの偏光および強度例えばオンまたはオフのリソグラフィの性能測定基準に対する影響を、パターンに関連した3D効果を用いて順次に評価される。リソグラフィ性能は、検討中の1つまたは複数のパターンのクリティカルディメンションの均一性CDUによって表すことができる。例えば、工程272で、クリティカルディメンションの均一性CDUが、焦点誤差、線量誤差およびマスク誤差の想定された量に対して3Dマスク効果を用いて計算され得る。一実施形態では、計算で、マスクの様々なパラメータを用いて3Dマスク効果の明細が明らかにされる。マスクパラメータの例は、厚さおよびマスクの材料を含む。しかし、これは限定するものではない。例えば、一実施形態では、パターンは、プログラマブルパターニングデバイス例えばプログラマブルミラーアレイのサポート上に配置され、3次元効果は、サポートの厚さおよび/またはサポートの材料を用いることにより考慮に入れられる。00133方法270では、評価中の照射源ピクセルまたはグループ化されたピクセルの偏光または強度の変化によってメトリックが改善した場合、その変化が記憶される。反対に、偏光または強度の変化によってメトリックが改善しない場合には、初期の偏光および/または強度が維持され、別のピクセルまたはピクセル群が評価される。一旦ピクセルまたはピクセル群のすべてが評価されると、手順270は終了する。00134図28aを参照すると、この図は、次の5つの配列のパターン/カットをプリントするように構成されている初期の照射源形状を示す。140nmの傾斜した1:1のライン80nmのピッチで配置されている、2100nm180nmのピッチのVライン、31000nmのアイソVライン、480nmのアイソVトレンチ、および580nmのアイソHトレンチ。図28aの初期の照射源形状は、5つのパターンを最大のラチチュードでプリントするように最適化されている。図28aは、先行のカーカフ最適化の結果であった。00135図28aに見られるように、初期の照射源は、それぞれが様々な偏光-22.5°、22.5°、-67.5°、67.5°を有するピクセルの様々な群を含んでいる。リソグラフィのメトリックは、以下のように定義されるクリティカルディメンションの均一性CDUである。各パターンまたはカットに関して、CDUは次式で計算される。プロセス誤差の範囲は、焦点外れが80nm、線量誤差が6、マスク誤差が1nmである。5つのパターンまたはカットに関して、全体の最適化メトリックは次式で表される。CDUtotal=avgCDUcutmaxCDUcut/200136本発明の他の実施形態では、初期の照射源形状を最適化するために、他のメトリックを用いることができることが理解されよう。00137次に図28bを参照すると、この図は、図27の工程272を実施した後の変更済の照射源を示す。図28aで、照射源のピクセルは、リソグラフィのメトリックCDUに対するそれらの偏光およびそれらの強度オンまたはオフの影響を求めるために、3Dマスク効果を用いて順次に評価された。影響は、CDUtotalの減少を単位として測定される。図28bに見られるように、照射源の中心の近くに配置されたピクセルの偏光は、67.5°から-67.5°まで変化した。さらに、軸外しピクセル群のピクセルのいくつかの偏光は、22.5°から67.5°まで変化した。ピクセル群の強度は、同一すなわちすべてオンのままである。したがって、3Dマスク効果が考慮に入れられるとき、軸外しピクセル群のピクセルのいくつか4つのピクセルは、それらと隣接したピクセルとは異なる最適の偏光を有することが認められる。00138それと比較して、図28cは、初期の照射源に対してカーカフ最適化を実施した後の変更済の照射源を示す。したがって、図28cは、3Dマスク効果を考慮に入れずに工程272と同一の計算を用いて得られるものである。むしろ、計算は平坦なマスクに関して実施される。図28cに見られるように、照射源の中心に配置されたピクセルの偏光も、67.5°から-67.5°まで変化した。しかし、図28bでそれらの隣接したピクセルとは異なる最適の偏光を有した軸外しピクセル群の4つのピクセルは、ここではオフすなわち暗である。00139図29を参照すると、この図は、様々な偏光-22.5°、22.5°、-67.5°、67.5°に関して図28bでそれらの隣接したピクセルとは異なる最適の偏光を有した4つのピクセル群に関する正規化されたCDUを示す。図29に見られるように、3Dマスク効果の最適化およびカーカフ最適化に関する4つのピクセル群の正規化されたCDUは1である。これも図29に見られるように、正規化されたCDUの減少は、カーカフ最適化の場合より3Dマスク効果の最適化の場合の方がより大きい67.5°対暗を参照されたい。00140図30aおよび図30bは、それぞれ、図28bの最適化された照射源3Dマスク効果および図28cの最適化された照射源カーカフ最適化を用いて、深さ80nmのアイソトレンチパターンに対して得られた焦点露光グラフFEMを示す。図30aに見られるように、3Dマスク効果を用いて照射源が最適化されると、FEMの傾斜がより小さい。このことは、メトリックの改善を促進する。00141図31aおよび図31bは、それぞれ、図28bの最適化された照射源3Dマスク効果および図28cの最適化された照射源カーカフ最適化を用いる、5つのパターンの対応するプロセスウィンドウPWを示す。図31aおよび図31bは、オーバーラップするプロセスウィンドウも示している。図31aに見られるように、3Dマスク効果を用いて照射源が最適化されると、オーバーラップするプロセスウィンドウは実質的に中心に置かれ、より大きい。00142図32aおよび図32bは、それぞれ、図28bの最適化された照射源3Dマスク効果および図28cの最適化された照射源カーカフ最適化を用いる、組み合わせた5つのパターンに関する露光ラチチュード対焦点深度のグラフを示す。図32aに見られるように、露出ラチチュード対焦点深度は、照射源が3Dマスク効果を用いて最適化されたときの方がより大きい6の露出ラチチュードにおける133nm対6の露出ラチチュードにおける114nm。00143方法270の工程271で、初期の照射源は、本発明の様々な実施形態の3次元マスク効果を考慮に入れても入れなくても、第1の照射源マスク偏光最適化手順を実施することにより、または照射源マスク最適化手順を実施することにより求められ得ることが理解されよう。00144方法270では、3Dマスク効果は、以前に見いだされた最適照射源からの照光されたピクセルを調査することにより明細が明らかになっている。しかし、これは限定するものではない。図18で説明されたSMPO手順の期間中、3Dマスク効果の明細が直接的に明らかにされ得ることが理解されよう。すなわち、一実施形態では、3D効果を用いてピクセル群の限定数だけに対して応答指令信号を送るか調査するのでなく、3Dマスク効果を用いてイルミネータのすべてのピクセル群を評価することができる。一実施形態では、感度係数を計算するときに3Dマスク効果の明細を明らかにすることができる。例えば、図33は、3Dマスク効果を用いる図18の手順を用いて得られた照射源を示す。図18のSMPO手順を通じて3Dマスク効果の明細が明らかになれば、結果として生じる照射源は、図29aおよび図29bのものとかなり異なる可能性があることが理解されよう。00145図34aおよび図34bは、図28bおよび図33の照射源に対する全体のプロセスウィンドウを示す。図34bに見られるように、SMPO手順を通じて3Dマスク効果の明細が明らかになると、焦点シフトが低減される。00146図35aおよび図35bは、図28bおよび図33の照射源に関する組み合わせた露光ラチチュード対焦点深度のグラフを示す。図35bに見られるように、SMPO手順を通じて3Dマスク効果の明細が明らかになると、露光ラチチュード対焦点深度は、133nm6のELにおける133nmから148nm6のELにおける148nmまで増加する。00147図36aおよび図36bは、深さ80nmのアイソトレンチパターンに対して、それぞれ図28bおよび図33の最適化された照射源を用いて得られた焦点露光グラフFEMを示す。図36bに見られるように、SMPO手順を通じて3Dマスク効果の明細が明らかになると、FEMの傾斜が低減される。00148照射源の構成に付随する様々な行為が、マシンによって実行可能な命令またはコードで実行され得ることが理解されよう。これらのマシン実行可能命令は、例えばリソグラフィ装置の制御ユニットのデータ記憶媒体またはリソグラフィ装置と別のコンピュータシステムに内蔵され得る。制御ユニットまたはコンピュータシステムは、プロセッサを含むことができる。プロセッサは、調整装置AMを制御し、かつ照明システムILを出るビームの断面の強度分布を変更するように構成され得る。プロセッサは、これらの命令を実行するように構成され得る。00149説明の多くが最適化に関するものであったが、時間のすべてまたは一部分で最適化を実施する必要はなく、あるいは照明および/またはパターン/パターニングデバイスのすべての部分に対して最適化を実施する必要はない。例えば、照射源最適化および/または偏光最適化は、パターニングデバイス/パターン、などの部分に対して、結像の要件により、完全に、または部分的には便宜的に半ば最適に実施されてもよい。00150実行可能なコードを含むプログラミングを包含するコンピュータシステムのソフトウェアの機能は、前述の結像モデルを実施するために用いられてもよい。ソフトウェアコードは、汎用コンピュータによって実行可能であり得る。作動中、コードおよび場合によっては関連するデータレコードは、汎用コンピュータプラットフォーム内に記憶されてもよい。しかし、他の場合には、ソフトウェアは、適切な汎用コンピュータシステムにロードするために、他の場所に記憶され、かつ/または転送されてもよい。したがって、上記で論じられた実施形態は、1つまたは複数のソフトウェアまたはコンピュータ製品を、少なくとも1つの機械可読媒体によって保持されたコードの1つまたは複数のモジュールの形で含む。プラットフォームは、このようなコードをコンピュータシステムのプロセッサによって実行することにより、基本的には本明細書で論じて説明した実施形態で実施されるやり方で、これらの機能を実施することができる。00151本明細書で用いられる、コンピュータまたは機械読取可能媒体などの用語は、実行のためにプロセッサに命令を与えることに関与するあらゆる媒体を指す。このような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体、および伝送媒体を含めて、これらに限定されない多くの形態を採ることができる。不揮発性媒体は、例えば、上記で論じたように動作するあらゆる1つまたは複数のコンピュータの記憶デバイスのうち任意のものなどの光磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、コンピュータシステムのメインメモリなどのダイナミックメモリを含む。物理的伝送媒体は、同軸ケーブル、銅線、および光ファイバを含み、コンピュータシステム内のバスを構成するワイヤを含む。搬送波の伝送媒体は、電気的信号もしくは電磁気的信号、あるいは無線周波数RFおよび赤外線IRのデータ通信中に発生するような音波または光波の形態も採ることができる。したがって、コンピュータ読取可能媒体の一般的形態は、例えば、フロッピー登録商標、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、任意の他の磁気媒体、CD-ROM、DVD、任意の他の光学的媒体、パンチカード、紙テープ、孔のパターンを持つ任意の他の物理的媒体などのあまり一般的に使用されない媒体、RAM、PROM、およびEPROM、フラッシュEPROM、任意の他のメモリチップまたはカートリッジ、データまたは命令を運ぶ搬送波、そのような搬送波を運ぶケーブルまたはリンク、あるいはコンピュータが読み取るか、またはプログラムコードおよび/またはデータを送ることができるあらゆる他の媒体を含む。これらの形態のコンピュータ読取可能媒体の多くは、1つまたは複数の命令の1つまたは複数のシーケンスを、実行のためにプロセッサに搬送することに従事することができる。00152ICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して本説明に特定の参照がなされてもよいが、本明細書に説明されたリソグラフィ装置が、磁気ドメインメモリ、平面パネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなど向けの集積光学システム、誘導パターンおよび検出パターンの製造など他の用途を有し得ることを理解されたい。それらのような代替の用途において、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという語は、いずれも、より一般的な語である基板またはターゲット部分とそれぞれ同義であると見なしてもよいことが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック一般に基板にレジストの層を与え、露出したレジストを現像するツール、メトロロジーツールおよび/またはインスペクションツール内で処理されてもよい。適用可能であれば、本開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてもよい。その上、基板は、例えば多層ICを作製するために複数回処理されてもよく、そのため、本明細書に用いられる用語の基板は、既に複数の処理済の層を含む基板も意味してもよい。00153本発明の実施形態の使用に対して、光リソグラフィの文脈において上記で特定の参照がなされていても、本発明は、他の用途、例えばインプリントリソグラフィおよび状況が許すところで使用されてもよく、光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス中のトポグラフィが、基板上に作製されるパターンを画定する。パターニングデバイスの微細構成は、基板に与えられたレジストの層へ押しつけられてもよく、その後、レジストは、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えることによって硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後、レジスト中にパターンを残してレジストから離される。00154本明細書に使用される用語放射およびビームは、紫外線UV放射例えば365nm、355nm、248nm、193nm、157nmまたは126nmの、またはそのくらいの波長を有するものまたは超紫外線EUV放射例えば約13.5nm以上の波長を有するものを含むすべてのタイプの電磁放射を包含する。00155レンズという語は、場合が許すならば、屈折式、反射式、磁気式、電磁式および静電式光学コンポーネントを含む種々のタイプの光学コンポーネントの中の任意の1つまたは組合せを意味し得る。00156本発明は、以下の条項を用いてさらに説明され得る。条項1.基板上のマスクパターンの結像を向上させるためにリソグラフィ装置の照射源を構成する方法であって、基板上のマスクパターンの像が複数のクリティカルディメンションを有し、この方法が、照射源をピクセル群に分割する工程であって、各ピクセル群が照射源の瞳面に1つまたは複数の照射源ポイントを含む、工程と、各ピクセル群の偏光状態を変化させて、各ピクセル群の偏光状態の変化からもたらされる、複数のクリティカルディメンションのそれぞれに対する漸進的効果を求める工程と、求められた漸進的効果を用いて、複数のクリティカルディメンションのそれぞれに関する第1の複数の感度係数を計算する工程と、初期の照射源を選択する工程と、計算された第1の複数の感度係数を用いて、初期の照射源のピクセル群の偏光状態の変化の結果としてリソグラフィのメトリックを繰り返し計算する工程であって、初期の照射源のピクセル群の偏光状態の変化が、変更された照射源を生成する、工程と、繰返し計算の結果に基づいて初期の照射源を調節する工程とを含む方法。条項2.リソグラフィのメトリックが、パターンのクリティカルディメンションの均一性、プロセスウィンドウ、プロセスウィンドウの大きさ、MEEF、最大のNILS、焦点外れの最大のNILS、焦点深度または露光ラチチュードである条項1に記載の方法。条項3.各ピクセル群の強度を変化させて、各ピクセル群の強度の変化からもたらされる、複数のクリティカルディメンションのそれぞれに対する漸進的効果を求める工程と、各ピクセル群の強度変化によって求められた漸進的効果を用いて、複数のクリティカルディメンションのそれぞれに関する第2の複数の感度係数を計算する工程と、計算された第2の複数の感度係数を用いて、初期の照射源のピクセル群の強度の変化の結果としてリソグラフィのメトリックを繰り返し計算する工程であって、初期の照射源のピクセル群の強度の変化が、別の変更された照射源を生成する、工程とを含む条項1に記載の方法。条項4.3次元マスクの効果の明細を明らかにするために、調整された照射源を変更する工程を含み、この変更する工程が、調整された照射源の各ピクセル群に対して、計算された第1の複数の感度係数を用いて、ピクセル群の偏光状態または照明状態の変化の結果としてリソグラフィのメトリックを計算する工程であって、リソグラフィのメトリックが3次元マスクの効果を用いて計算される、工程を含む条項1に記載の方法。条項5.繰り返し計算する工程が、乗算器によって第1の複数の感度係数を掛ける工程を含む条項1に記載の方法。条項6.各ピクセル群の偏光状態が、少なくとも2つの別々の偏光状態に変化させられる条項1に記載の方法。条項7.各ピクセル群の偏光状態が、所定の量だけ漸増的に回転される条項1に記載の方法。条項8.上記の所定の量が±45°である条項7に記載の方法。条項9.各ピクセル群の強度を変化させて、各ピクセル群の強度の変化からもたらされる、複数のクリティカルディメンションのそれぞれに対する漸進的効果を求める工程と、各ピクセル群の強度変化によって求められた漸進的効果を用いて、複数のクリティカルディメンションのそれぞれに関する第2の複数の感度係数を計算する工程と、計算された第2の複数の感度係数を用いて、初期の照射源のピクセル群の強度の変化の結果としてリソグラフィのメトリックを繰り返し計算する工程であって、初期の照射源のピクセル群の強度の変化が、別の変更された照射源を生成する、工程とを含む条項1に記載の方法。条項10.各ピクセル群の強度が所定の増分だけ変化させられる条項9に記載の方法。条項11.上記の所定の増分が±10である条項10に記載の方法。条項12.リソグラフィのメトリックが、パターンのクリティカルディメンションの均一性、プロセスウィンドウ、プロセスウィンドウの大きさ、MEEF、最大のNILS、焦点外れの最大のNILS、焦点深度または露光ラチチュードである条項9に記載の方法。条項13.リソグラフィのメトリックが3次元マスクの効果を用いて計算される条項1に記載の方法。条項14.3次元マスクの効果の明細を明らかにするために、調整された照射源を変更する工程を含む条項1に記載の方法。条項15.上記の変更する工程が、調整された照射源の各ピクセル群に対して、計算された第1の複数の感度係数を用いて、ピクセル群の偏光状態または照明状態の変化の結果としてリソグラフィのメトリックを計算する工程であって、リソグラフィのメトリックが3次元マスクの効果を用いて計算される、工程を含む条項14に記載の方法。条項16.基板上のマスクパターンの結像を向上させるためにリソグラフィ装置の照射源を構成する方法を実施するようにマシンによって実行可能な命令を有するコンピュータ製品であって、基板上のマスクパターンの像が複数のクリティカルディメンションを有し、上記の方法が、照射源をピクセル群に分割する工程であって、各ピクセル群が照射源の瞳面に1つまたは複数の照射源ポイントを含む、工程と、各ピクセル群の偏光状態を変化させて、各ピクセル群の偏光状態の変化からもたらされる、複数のクリティカルディメンションのそれぞれに対する漸進的効果を求める工程と、求められた漸進的効果を用いて、複数のクリティカルディメンションのそれぞれに関する第1の複数の感度係数を計算する工程と、初期の照射源を選択する工程と、計算された第1の複数の感度係数を用いて、初期の照射源のピクセル群の偏光状態の変化の結果としてリソグラフィのメトリックを繰り返し計算する工程であって、初期の照射源のピクセル群の偏光状態の変化が、変更された照射源を生成する、工程と、繰返し計算の結果に基づいて初期の照射源を調節する工程とを含むコンピュータ製品。条項17.各ピクセル群の偏光状態が、所定の量だけ漸増的に回転される条項16に記載のコンピュータ製品。条項18.上記の所定の量が±45°である条項17に記載のコンピュータ製品。条項19.リソグラフィのメトリックが、パターンのクリティカルディメンションの均一性、プロセスウィンドウ、プロセスウィンドウの大きさ、MEEF、最大のNILS、焦点外れの最大のNILS、焦点深度または露光ラチチュードである条項16に記載のコンピュータ製品。条項20.上記の方法が、各ピクセル群の強度を変化させて、各ピクセル群の強度の変化からもたらされる、複数のクリティカルディメンションのそれぞれに対する漸進的効果を求める工程と、各ピクセル群の強度変化によって求められた漸進的効果を用いて、複数のクリティカルディメンションのそれぞれに関する第2の複数の感度係数を計算する工程と、計算された第2の複数の感度係数を用いて、初期の照射源のピクセル群の強度の変化の結果としてリソグラフィのメトリックを繰り返し計算する工程であって、初期の照射源のピクセル群の強度の変化が、別の変更された照射源を生成する、工程とを含む条項16に記載のコンピュータ製品。条項21.各ピクセル群の強度が所定の増分だけ変化させられる条項20に記載のコンピュータ製品。条項22.上記の所定の増分が±10である条項21に記載のコンピュータ製品。条項23.リソグラフィのメトリックが、パターンのクリティカルディメンションの均一性、プロセスウィンドウ、プロセスウィンドウの大きさ、MEEF、最大のNILS、焦点外れの最大のNILS、焦点深度または露光ラチチュードである条項20に記載のコンピュータ製品。条項24.マスクパターンの結像を向上させるためにリソグラフィ装置の照射源を構成する方法であって、先行の最適化された照射源および先行の最適化されたマスクパターンをもたらすために、スカラ結像を用いて照射源マスク最適化手順を実施する工程と、先行の最適化された照射源および先行の最適化されたマスクパターンを初期条件として用いて、照射源マスク偏光最適化手順を実施する工程とを含む方法。条項25.リソグラフィ装置の照射源によって照光されることになるパターンの像のリソグラフィ装置内の基板上への転写を構成する方法であって、前記パターンを照光するように構成された第1の照射源を求める工程と、前記パターンに関連した3次元効果を考慮して照射源マスク偏光最適化手順を実施する工程であって、前記照射源マスク偏光最適化手順が、前記第1の照射源を、前記照射源マスク偏光最適化手順における初期の照射源として用いて実施される、工程とを含む方法。条項26.上記のパターンがサポート上に配置され、3次元効果が、前記照射源マスク偏光最適化手順においてサポートの厚さおよび/またはサポートの材料を用いることにより考慮に入れられる条項25に記載の方法。条項27.上記のサポートがリソグラフィマスクである条項26に記載の方法。条項28.前記求める工程および前記実施する工程が、コンピュータシミュレーションによって実行される条項25に記載の方法。条項29.第1の照射源を求める工程が、第1の照射源マスク偏光最適化手順を実施する工程、あるいは3次元効果を考慮に入れ、または考慮に入れることなく照射源マスク最適化手順を実施する工程を含む条項25に記載の方法。00157上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施され得ることが理解されよう。例えば、本発明は、上記で開示されている方法を記述する機械可読命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいは、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスクの形態を採ることができる。00158上記の説明は、制限するものでなく、例示的なものであることを意図する。したがって、以下で述べられている特許請求の範囲から逸脱することなしに、述べられている本発明に変更を加えることができることが、当業者には明らかであろう。"