"TiとAlを原子比で0.001≦Ti/ZnAlTi≦0.079かつ0.001≦Al/ZnAlTi≦0.079、ただし、0.01≦TiAl/ZnAlTi≦0.08の割合で含有し、中心線平均表面粗さRaが30nm以上200nm以下であり、表面にサイズの異なるテクスチャを有し、そのテクスチャ幅の平均値が100nm~10μmであることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。透明導電膜の表面積が、100μm2区画あたり101μm2~200μm2である請求項1に記載の透明導電膜。テクスチャの形状が凹型レンズ状である請求項1または2に記載の透明導電膜。凹型レンズの幅/深さの平均値が1以上5以下であり、これらのレンズが互いに境界を共有しランダムに配置された形状を有する請求項1~3いずれかに記載の透明導電膜。凹型レンズ状テクスチャaの内部に、さらに凹型レンズ状テクスチャbが1つ以上の存在し、その凹型レンズ状テクスチャbのサイズがi凹型レンズ状テクスチャaより小さなレンズ幅を有し、ii凹型レンズの幅/深さの平均値が1以上5以下である請求項3または4に記載の透明導電膜。TiとAlを、原子比で0.001≦Ti/ZnAlTi≦0.079かつ0.001≦Al/ZnAlTi≦0.079、ただし、0.001≦TiAl/ZnAlTi≦0.08の割合で含有する酸化亜鉛系ターゲットを用いて、加熱した基板上にスパッタリング法で成膜し、成膜した膜表面に表面処理を施すことを特徴とする、請求項1~5いずれかに記載の透明導電膜の製造方法。加熱した基板の温度が250°C以下である、請求項6に記載の製造方法。表面処理が、水素イオン濃度が0.001~0.2mol/lの酸を用いたウェットエッチングである請求項6または7に記載の製造方法。請求項1~5いずれかに記載の透明導電膜と基材により構成されることを特徴とする基体。請求項9に記載の基体を用いた電子素子または光学素子。請求項9に記載の基体を用いた光電変換素子。請求項1~5いずれかに記載の透明導電膜を有することを特徴とする太陽電池。従来の凹型レンズ状テクスチャにおいても、可視光領域においては適度に高い光散乱能は得られていたが、前述の素子の性能を一層向上させるためには、さらに可視光領域における光散乱能を高めることに加えて、近赤外領域の光散乱能を向上させる必要がある。また、材料の選択性を著しく広げるためには製造プロセスにおける温度を低く抑えることが望まれていた。本発明は、以上の課題を解決するために、表面テクスチャの微細構造を精密に制御した透明導電膜、その製造方法及びその用途を提供することを目的とする。本発明者らは上記課題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。即ち本発明は、1TiとAlを原子比で0.001≦Ti/ZnAlTi≦0.079かつ0.001≦Al/ZnAlTi≦0.079、ただし、0.01≦TiAl/ZnAlTi≦0.08の割合で含有し、中心線平均表面粗さRaが30nm以上200nm以下であり、表面にサイズの異なるテクスチャを有し、そのテクスチャ幅の平均値が100nm~10μmであることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。2透明導電膜の表面積が、100μm2区画あたり101μm2~200μm2である1に記載の透明導電膜。3テクスチャの形状が凹型レンズ状である1または2に記載の透明導電膜。4凹型レンズの幅/深さの平均値が1以上5以下であり、これらのレンズが互いに境界を共有しランダムに配置された形状を有する1~3いずれかに記載の透明導電膜。5凹型レンズ状テクスチャaの内部に、さらに凹型レンズ状テクスチャbが1つ以上の存在し、その凹型レンズ状テクスチャbのサイズがi凹型レンズ状テクスチャaより小さなレンズ幅を有し、ii凹型レンズの幅/深さの平均値が1以上5以下である3または4に記載の透明導電膜。6TiとAlを、原子比で0.001≦Ti/ZnAlTi≦0.079かつ0.001≦Al/ZnAlTi≦0.079、ただし、0.001≦TiAl/ZnAlTi≦0.08の割合で含有する酸化亜鉛系ターゲットを用いて、加熱した基板上にスパッタリング法で成膜し、成膜した膜表面に表面処理を施すことを特徴とする、1~5いずれかに記載の透明導電膜の製造方法。7加熱した基板の温度が250°C以下である、6に記載の製造方法。8表面処理が、水素イオン濃度が0.001~0.2mol/lの酸を用いたウェットエッチングである6または7に記載の製造方法。9上述の1~5いずれかに記載の透明導電膜と基材により構成されることを特徴とする基体。10上述の9に記載の基体を用いた電子素子または光学素子。11上述の9に記載の基体を用いた光電変換素子。12上述の1~5いずれかに記載の透明導電膜を有することを特徴とする太陽電池。である。以下に、本発明の詳細を説明する。本発明は特定の組成と表面形状を持つ透明導電膜である。透明導電膜とはシート抵抗が100Ω/□以下であり、膜厚1μmで少なくとも波長400nm~800nmにおける平均透過率が50以上である膜を意味する。本発明において、透明導電膜の組成は、AlおよびTiが原子比でそれぞれ0.001≦Al/ZnAlTi<0.079かつ0.001≦Ti/ZnAlTi<0.079、ただし0.01≦TiAl/ZnAlTi≦0.08である。好ましくは、AlおよびTiがそれぞれ0.006≦Al/ZnAlTi≦0.04かつ0.006≦Ti/ZnAlTi≦0.04であり、より好ましくは0.01≦Al/ZnAlTi≦0.02かつ0.01≦Ti/ZnAlTi≦0.02である。本発明において、酸化亜鉛系透明導電膜はその表面にサイズの異なるテクスチャを有する。ここでテクスチャとは、前述のように表面の微細な凹凸を意味するが、その形状には特に限定はなく、凹型レンズ状、V字状のくぼみ、山形の凸部、またはスパイク状のもの等をあげることができる。そのテクスチャの幅とは、1つのテクスチャを二本の平行な線ではさんだとき、二直線間の距離が最大となる値をいう。本発明において、テクスチャの幅の平均値は100nm~10μmであり、200nm~5μmが好ましく、300nm~3μmがさらに好ましい。ここでいう平均値とは、任意の25μm2区画を選択し、そこに存在する全テクスチャの幅の平均を求めたものである。本発明のように、表面にサイズの異なるテクスチャが形成された薄膜は、特定サイズのテクスチャが形成された薄膜と比較して高い光散乱能を示す。また本発明において、膜の中心線平均表面粗さRaは30nm以上200nm以下である。好ましくは40nm~150nmであり、更に好ましくは50nm~150nmである。また本発明において、膜の二乗平均粗さRmsは特に限定されるものではないが、好ましくは50nm~450nm、更に好ましくは60nm~300nmである。膜の表面積は、100μm2区画あたり101μm2~200μm2が好ましく、105μm2~150μm2がさらに好ましい。なお100μm2区画とは、10μm×10μmの正方形で囲まれた領域である。膜の表面積が大きすぎると表面に微小な隙間の多い膜となり、積層膜を形成した場合に下層膜が上層膜を突き抜けるという現象がおきたり、また上層膜の成膜時に膜成長に悪影響を与えるおそれがある。その結果、光学素子、電子素子などの性能に悪影響を与えることがある。本発明においては、テクスチャの形状が凹型レンズ状であることが好ましい。以下に、凹型レンズ状テクスチャについて詳細に説明する。凹型レンズ状テクスチャは、膜を通過する光を屈折させる小型レンズとして作用する。凹型レンズ状テクスチャの形状については特に限定はなく、深さ方向の曲面形状は円弧形であるが、必ずしも完全な円弧である必要はない。また、凹型レンズの真上から見た形状は完全円形である必要はない。凹型レンズの深さとは、1つの凹型レンズの、水平方向に対して最も低い位置にある点と最も高い位置にある点との高低差を表す。凹型レンズの幅/深さとは、凹型レンズの幅とレンズの深さとの比を意味する。凹型レンズの幅/深さの値は各レンズが有する光散乱能を決定する主要要因の一つである。凹型レンズの幅/深さの値が小さいことはレンズが深く狭く形成されていることを表し、凹型レンズの幅/深さの値が大きいことは浅く平面的なレンズが形成されていることを意味する。本発明において、凹型レンズの幅/深さは、平均値が1以上5以下であることが好ましく、1~3がさらに好ましい。本発明の透明導電膜の表面形状および構成を、図1を用いて模式的に説明する。本発明の透明導電膜は、図1に示されるように、膜表面に複数の凹型レンズ状テクスチャが互いに境界を共有してランダムに配置されている。ここで、境界を共有するとは、一つのレンズ輪郭が隣接するレンズ輪郭に一点以上で接していることを意味する。また、ランダムに配置とは凹型レンズが特定の規則性を持たずに配置されていること意味する。これらの凹型レンズ状テクスチャが薄膜表面に占める割合は薄膜表面積の90以上であることが好ましい。光散乱能を高めるためにこれら凹型レンズ状テクスチャは、凹型レンズ状テクスチャaの内部に凹型レンズ状テクスチャbを有していることが好ましい。かつ凹型レンズ状テクスチャaまたはbの端部が他の凹型レンズ状テクスチャaまたはbと境界を共有する構造となっているとよい。また、凹型レンズ状テクスチャa内部に存在する凹型レンズ状テクスチャbの幅は、凹型レンズ状テクスチャaの幅より小さく、好ましくは凹型レンズ状テクスチャaの幅の80以下である。凹型レンズ状テクスチャbの幅がaの幅の80を超えると、テクスチャの複雑さが低下するため光散乱能が低下する恐れがある。膜表面に形成されたa、bの凹型レンズ幅/深さの平均値は1~5であることが好ましい。凹型レンズ幅/深さの平均値が5を超えると光を効率的に散乱する曲率が無くなるため光散乱能が低下する恐れがある。また、凹型レンズ幅/深さの平均値が1未満となると凹型レンズの曲面と基板とがなす角が大きくなり、凹型レンズ曲面での全反射を誘起するため、光の散乱能を低下させる恐れがある。また、多様なサイズの凹型レンズが互いに境界を共有してランダムに配置されて表面テクスチャを構成している方が光散乱能の向上が期待できる。膜表面に形成される凹型レンズ状テクスチャa、bの総数は合計で1.0×106~5.0×106個/mm2が好ましく、より好ましくは2.0×106~4.0×106個/mm2である。a、bの数の割合はaが10~80、bが90~20であることが好ましい。より好ましくはaが30~70、bが70~30である。ただし、ab=100である。凹型レンズの総数が1.0×106個/mm2を下回ると表面テクスチャの形状の複雑さが低下するため光散乱能が低下する恐れがある。さらにa、bの割合が偏りすぎると表面テクスチャの形状の複雑さが低下するため光散乱能が低下することがある。本発明において、これら表面形状は以下に示す方法により測定することが可能である。すなわち、膜表面を走査型電子顕微鏡SEM、原子間力顕微鏡AFM、または透過型電子顕微鏡TEMで観察し、得られる観察写真より凹型レンズの幅、深さ、膜表面のテクスチャ形状を解析し、表面に形成された凹型レンズの数、凹型レンズサイズの分布、表面粗さ、表面積を求めることができる。本発明では、光散乱能を評価するパラメータとしてヘーズ率Hを使用する。ヘーズ率は評価するサンプルを透過する光のうち、サンプルによって散乱された光の量を表しており、この値が大きいとき、その物質の光散乱能は大きいことを意味しており、一般的に光散乱を評価するパラメータとして用いられる。ここで、ヘーズ率は、サンプルの透過率Taと散乱透過率Tdを用いて以下のように定義される。H=Td/Ta×100本発明で得られる薄膜のヘーズ率は、90以上波長:400nm~600nmにおける平均値に達する場合もある。本発明で得られる薄膜は、好ましくは400nm~600nmにおけるヘーズ率の平均値が90以上、かつ600nm~1000nmにおけるヘーズ率の平均値が50以上である。また、透明導電膜を光学素子、電子素子等に使用する場合、その耐久性は素子の寿命を決定する上で重要な因子の一つとなる。従って、高寿命化の観点から、透明導電膜は高い耐久性を有することが好ましい。この耐久性は以下の方法で評価することができる。すなわち、試料を温度85°C、相対湿度85の環境に連続的に1000時間曝し、抵抗率の変化を観察する。このとき、試験前後の抵抗率をそれぞれA、Bとしたときに、B-A/Aの値を単位で求めて耐久性の指標とすることができる。通常、この値は試験時間とともに増加傾向にあり、値が小さいほど耐久性が優れていることを示す。次に、本発明の透明導電膜を成膜する方法について説明する。本発明では、TiとAlを前述の割合で含有する酸化亜鉛系ターゲットを用いるが、このターゲットの組成は、好ましくはAlおよびTiがそれぞれ0.006≦Al/ZnAlTi≦0.04かつ0.006≦Ti/ZnAlTi≦0.04であり、より好ましくは0.01≦Al/ZnAlTi≦0.02かつ0.01≦Ti/ZnAlTi≦0.02である。このようなターゲットは、このような組成を有する原料粉末を混合、成形、焼結し、得られた焼結体を用いて構成することができる。導電性薄膜を成膜する方法としてはスパッタリングを使用するが、中でもDCマグネトロンスパッタリング法を用いることがより好ましい。上記の表面テクスチャを表面処理により形成するには、薄膜の結晶構造が六方晶系で002面に配向している必要がある。このことから、比較的容易に002面に配向した薄膜が得られるスパッタリング法により成膜する。スパッタリング法により加熱した基板上に成膜するが、基板温度は特に限定されない。好ましくは250°C以下、さらに好ましくは50°C~200°Cである。従来のように、Tiを含有せず、Alのみを少量添加した酸化亜鉛系透明導電膜では、成膜時に基板を300°C以上に加熱しないと002面に十分に配向した膜が得られず、表面処理を行っても前述の凹型レンズ状テクスチャは得られなかった。これに対し、本発明のように、TiおよびAlを含有する酸化亜鉛系透明導電膜では、基板温度250°C以下で成膜しても、表面処理により、従来の基板温度300°C以上の高温下で形成した導電性薄膜と同等以上の光散乱能を有する透明導電膜を形成することが可能である。成膜時の条件としては、通常はO2分圧0.1以下のAr雰囲気で行う。O2分圧が1以上では所望のテクスチャが得られない恐れがある。スパッタ圧は0.2~0.6Paであることが好ましい。この圧力範囲において、TiおよびAlを添加した酸化亜鉛ターゲットを用いて成膜を行うことで002面に配向した膜が得られやすくなる。スパッタ圧が1.0Paを上回ると配向性が劣るため所望の表面テクスチャを得ることが難しくなる。また、0.2Paを下回ると表面処理で形成される凹型レンズの数が著しく減少し、光散乱能が悪化することがある。本発明で用いられる基材については特に限定はない。例えば、アルミニウム、銅、ステンレス等の金属、アルミナ、チタニア、シリコンカーバイド等のセラミックス、ガラスなどの無機基材に成膜し、基体とすることができる。さらに成膜温度を250°C以下とできるためPETポリエチレンテレフタレート、PENポリエチレンナフタレート、PESポリエーテルスルホン、COPシクロオレフィンポリマー、ポリイミド、TACトリアセチルセルロースフィルム、アクリルフィルムなどの有機基材に成膜し、基体とすることができる。ここで、基体とは薄膜が成膜された基材を意味する。成膜した膜表面に施す表面処理に関しては、ドライエッチングおよびウェットエッチング等を好適に用いることができるが、好ましくはウェットエッチングである。ウェットエッチングには無機酸硫酸、塩酸、硝酸、リン酸などおよび有機酸酢酸、シュウ酸、酪酸、クエン酸など等の酸、アルカリアルカリ金属、アルカリ土類金属の水酸化物などまたは多種類の酸を混合したもの、多種類のアルカリを混合したものを用いることができ、膜表面に接触させればよい。中でも水素イオン濃度を0.001~0.2mol/lとした酸を用いることが好ましく、酸の種類としては塩酸を用いることがさらに好ましい。それは塩酸の塩化物イオンのサイズが他の酸硝酸、硫酸、酢酸の陰イオンより小型であるからである。加えて、塩酸を用いる場合、その液温は室温~沸点未満で行うことができるが、その液温は40°C~50°Cであることが好ましい。これは、液温がやや高めである方が002面方向のエッチング速度とその他の結晶面のエッチング速度との差が大きくなるため光散乱に適したテクスチャ形状を形成しやすいためである。さらに好ましくは、エッチングは複数回に分けて行う方が良く、短時間のエッチングを繰り返した方が高いヘーズ率を得やすい。また、水素イオン濃度が0.2mol/lより高い場合、エッチング速度の制御が困難になり、表面の微細な凹型レンズ状テクスチャの内部に形成される凹型レンズ状テクスチャ前述の凹型レンズ状テクスチャbの形成が困難となる恐れがある。また、水素イオン濃度が0.001mol/lを下回ると表面処理速度が著しく低下し、製造プロセスにおいて生産性が著しく劣るため好ましくない。このようにして表面処理された基体は太陽電池、フォトダイオード、光センサー、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ、光情報伝達装置などに用いる電子素子または光学素子に好適に応用される。また、この基体は、光電変換素子に好適に用いられる。この基体を用いた光電変換素子では、素子に到達した光が本発明のテクスチャ構造によって散乱するため垂直反射が低減され、素子内部に入射する光をより増加させることができる。また、このときの入射光は素子に対して斜めに入射するため、素子に対して垂直入射したときより光路長が大きくなる。この結果、より多くの光を電流に変換させることが可能となり、高い変換効率を達成することが可能となる。本発明によれば、特定の表面形状を有する透明導電膜を得ることができ、それによって広い波長領域において高い光散乱能を付与することができる。従って、太陽電池、フォトダイオード、FPDのバックライト拡散体など光学素子または電子素子へ様々に応用することができる。また本発明では、基板温度200°C以下で成膜しても本発明の透明導電膜を得ることができるので、低温で成膜することが必要なフレキシブル基板へも適用できる。実施例および比較例を以下に示す。テクスチャの数、透過率、ヘーズ率は、各実施例を5回行い、その平均値を記した。また、凹型レンズ幅/深さの値はAFMで観測された各凹型レンズにおける値の平均値を示しており、ここでいう平均値とは、任意の25μm2区画を選択し、そこに存在する全凹型レンズにおける値の平均を求めたものである。実施例1~8スパッタリングターゲットは、表1に示す原子比となるようにZnO,TiO2,Al2O3の各粉末を混合、成形したのち、1200°Cで焼結し、得られた焼結体をバッキングプレートに接合したものを用いた。スパッタの条件は、ガラス基板を200°Cに加熱し、酸素分圧0.1以下のアルゴン雰囲気下でスパッタ圧0.4Paにて投入電力300WでDCマグネトロンスパッタリングを行い、膜厚1μmの膜を製造した。この膜を水素イオン濃度が0.17mol/lである塩酸中液温40°Cに20秒浸漬したのち一度乾燥させ、さらに5秒間ずつ2回エッチングを行い、合計30秒間エッチングを施すことで表面処理を実施した表2。エッチング後、表面形状をSEM、TEM、AFMにより観察し、透過率およびヘーズ率の測定は分光器日立ハイテクノロジーズ社製U-4100を用いて行い、各波長領域における平均値を示した。結果を表3,4に示す。また、これらの膜の耐久性は以下のようにして調べた。すなわち、試料を温度85°C、相対湿度85の環境に連続的に1000時間曝し、抵抗率の変化を観察した。このとき、試験前後の抵抗率をそれぞれA、Bとしたときに、B-A/Aの値を単位で求めて耐久性の指標とした。通常、この値は試験時間とともに増加傾向にあり、値が小さいほど耐久性が優れていることを示している。実施例9表1に記載の原子比となるようにZnO,TiO2,Al2O3の各粉末を配合してターゲットを作製し、実施例1と同様に行った。ただし、エッチングに用いる溶液は、水素イオン濃度が0.05mol/lであるリン酸/酢酸1:1=mol/mol混合溶液とした。結果を表3,4に示す。実施例10表1に記載の原子比となるようにZnO,TiO2,Al2O3の各粉末を配合してターゲットを作製し、実施例1と同様に行った。ただし、エッチングに用いる溶液は、水素イオン濃度が0.05mol/lである塩酸溶液とした。結果を表3,4に示す。実施例11表1に記載の原子比となるようにZnO,TiO2,Al2O3の各粉末を配合してターゲットを作製し、実施例1と同様に行った。ただし、成膜時の基板温度は100°Cとした。結果を表3,4に示す。実施例12表1に記載の原子比となるようにZnO,TiO2,Al2O3の各粉末を配合してターゲットを作製し、実施例1と同様に行った。ただし、エッチングの方法は、20秒溶液に浸漬したのち乾燥させ、さらに5秒間ずつエッチングを7回繰り返し行い、合計55秒20秒5秒×7回エッチングを行うことで表面処理を行った。結果を表3,4に示す。実施例13表1に記載の原子比となるようにZnO,TiO2,Al2O3の各粉末を配合してターゲットを作製し、実施例1と同様に行った。ただし、スパッタ圧は4Paとした。結果を表3,4に示す。得られた膜にはサイズの異なるスパイク状テクスチャが観察され、テクスチャの90は、高さ30nm~500nm、幅100nm~1000nmの範囲内であった。またそのスパイク状テクスチャは、高低差:最大500nm、スパイクの頂点の間隔:平均500nmであり、実施例3のテクスチャと比べて曲面の少ないものであった。比較例1表1に記載の原子比となるようにZnO,Al2O3の各粉末を配合してターゲットを作製し、実施例1と同様に行った。結果を表3,4に示す。比較例2表1に記載の原子比となるようにZnO,Ga2O3の各粉末を配合してターゲットを作製し、実施例1と同様に行った。結果を表3,4に示す。比較例3表1に記載の原子比となるようにZnO,Al2O3の各粉末を配合してターゲットを作製し、実施例1と同様に行った。結果を表3,4に示す。得られた膜にはサイズの異なるスパイク状テクスチャが観察され、テクスチャの90は、高さ30nm~350nm、幅80nm~1000nmの範囲内であった。またそのスパイク状テクスチャは、高低差:最大350nm、スパイクの頂点の間隔:平均400nmであり、実施例3のテクスチャと比べて曲面の少ないものであった。比較例4表1に記載の原子比となるようにZnO,TiO2,Al2O3の各粉末を配合してターゲットを作製し、実施例1と同様に行った。ただし、成膜時における基板温度は300°Cで行った。結果を表3,4に示す。比較例5、6表1に記載の原子比となるようにZnO,TiO2,Al2O3の各粉末を配合してターゲットを作製し、実施例1と同様に行った。結果を表3,4に示す。比較例7、8表1に記載の原子比となるようにZnO,TiO2,Ga2O3の各粉末を配合してターゲットを作製し、実施例1と同様に行った。結果を表3,4に示す。太陽電池の作製実施例1、3、4、5、8、9、10、11、12、13および比較例1~6と同様にして成膜及び表面処理を行い、得られた膜を用いて図2に示す太陽電池を作製し、評価した。すなわち、透光性絶縁基板1として表面が平滑な無アルカリガラス基板を用い、その主面上にマグネトロンスパッタリング法により表面電極層2の透明導電膜を形成し、その表面処理を行った。得られた透明導電膜の特性は表3,4に示すものと同じであった。表面電極層2の上に、シランSiH4、水素、ジボランB2H6またはホスフィンPH3を混合したガスを原料として、a-Si:H膜を、基板加熱温度180°CにてプラズマCVD法で成膜することにより、p-i-n接合を有する光電変換層3を厚さ約500nm積層した。ここでp-i-n接合とはp層、i層、n層がこの順番で形成されたものである。p層形成時には、シラン、水素、ジボランのガスを混合して用い、i層形成時にはシランガスを用い、n層形成時にはシラン、水素、ホスフィンのガスを混合して用いた。次に、バリア層4として、マグネトロンスパッタリング法により、アルミニウムを2重量添加した酸化亜鉛膜を酸素分圧0.1以下のアルゴン雰囲気下、基板加熱温度100°Cにて、スパッタ圧0.4Pa、投入電力150Wにて、厚さ50nmとなるように形成した。最後に、裏面電極層5として、Agターゲットを用いてマグネトロンスパッタリング法により、Ag膜を室温で酸素分圧0.1以下のアルゴン雰囲気下、スパッタ圧0.4Pa、投入電力100Wにて、厚さ約300nmとなるように形成した。以上の手順により、透光性絶縁基板1側から光を入射するスーパーストレート型の薄膜シリコン太陽電池を作製した。得られた太陽電池にソーラーシミュレータでAM1.5100mW/cm2の光を照射したときの電流-電圧特性を測定し、短絡電流、開放電圧、曲線因子、及び光電変換効率を評価した。それぞれの結果は、表面電極層2に従来より用いられているアルミニウムのみを添加した酸化亜鉛膜比較例1を用いて得られた値を1.00とし、相対値に換算して表5に示す。ここで、光照射時において、両電極を短絡したときの電流を短絡電流、両電極を開放したときの出力電圧を開放電圧と言い、短絡電流を有効受光面積で割ったものを短絡電流密度と言う。短絡電流と開放電圧の積がこの太陽電池における理想的に取り出せる電力値であり、その値に対して、実際に取り出し得る電力の比を表すのが曲線因子FFである。また変換効率は、入射光の出力100mW/cm2に対して実際に取り出された電力短絡電流密度×開放電圧×曲線因子の比で表わされる。したがって、短絡電流密度、開放電圧、曲線因子、変換効率の値が大きい方が太陽電池において優れた特性を有していることになる。"