アイランドと、前記アイランドを囲むように配置された複数のリードと、前記アイランド上に固着された半導体素子と、前記アイランド、前記リード及び前記半導体素子を被覆する樹脂封止体とを有する半導体装置において、前記複数のリードは、前記アイランド上方まで配置され、その一端側が前記樹脂封止体の裏面側から露出し、その他端側が前記半導体素子と導電材を介して電気的に接続する第1のリードと、前記アイランドの近傍まで配置され、少なくともその一部が樹脂封止体の裏面側から露出し、前記半導体素子と金属細線を介して電気的に接続する第2のリードとを有することを特徴とする半導体装置。前記第1及び第2のリードを有するフレームは、前記アイランドが配置されたフレームとは別のフレームであり、且つ、前記アイランドが配置されたフレームよりも厚いフレームであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1のリードは、少なくとも2種類の厚みの異なる領域を有し、前記第1のリードの厚みの薄い領域が、折り曲げ加工され、前記導電材を介して前記半導体素子と接続することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記第2のリードの前記金属細線と接続する領域の厚みは、前記アイランドの厚みよりも厚く、前記アイランドの前記半導体素子との固着面は、前記第2のリードの前記金属細線との接続面よりも前記樹脂封止体の裏面側に位置することを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置。前記アイランドの固着面及び前記第2のリードの接続面は、それぞれ前記フレームの非エッチング加工面であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記樹脂封止体に被覆される前記第2のリードの側面及び前記アイランドの側面は、前記樹脂封止体の裏面側から逆テーパー状の傾斜面となることを特徴とする請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。粘着シート上にアイランドが配置されたフレームを貼り合わせ、前記アイランド上面に半導体素子を固着する工程と、前記アイランド上方まで配置される第1のリードと、前記アイランド近傍まで配置される第2のリードとを有するフレームを準備し、前記第1のリードが前記半導体素子と導電材を介して接続するように、前記アイランドが配置されたフレーム上に前記第1及び第2のリードを有するフレームを積層する工程と、前記半導体素子と前記第2のリードとを金属細線により接続した後、前記アイランド、前記第1及び第2のリード、前記半導体素子及び前記金属細線を被覆するように樹脂封止体を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1及び第2のリードを有するフレームを積層する工程では、前記半導体素子の電極パッド上に前記導電材を形成した後、前記第1のリードを前記導電材上に配置するように位置合わせを行い、前記粘着シート上に前記第1及び第2のリードを有するフレームを貼り合わせることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記アイランドが配置されたフレームには、前記アイランドの周囲に前記第1及び第2のリードが配置されるリード用貫通領域を有し、前記第1及び第2のリードを有するフレームには、少なくとも前記第2のリードの配置領域の内側に前記アイランドが配置されるアイランド用貫通領域を有し、前記アイランドは、前記アイランド用貫通領域を介して前記粘着シート上に固着され、少なくとも前記第1及び第2のリードが、前記リード用貫通領域を介して前記粘着シート上に固着されることで、前記第1及び第2のリードを有するフレームは、前記粘着シート上に固定されることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。前記アイランドが配置されたフレームは、前記第1及び第2のリードを有するフレームよりも薄いフレームであり、前記半導体素子が固着される前記アイランドの固着面及び前記金属細線が接続される前記第2のリードの接続面には、エッチング加工が施されないことを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前述したように、半導体素子55は、アイランド56上面に固着され、半導体素子55の平面的サイズは、アイランド56の平面的サイズと、実質、同等である。そして、リード54は、アイランド56と完全に分離し、アイランド56の周囲に離間距離L3を有して配置される。このとき、図10Cに示すように、アイランド56及びリード54は、1枚のリードフレーム59に対してエッチング加工等を行うことで形成される。そのため、1枚のリードフレーム59では、リードフレーム59の厚みに対応して加工幅に制限が発生するため、アイランド56とリード54との離間距離L3を一定幅以上は狭め難いという問題がある。一方、離間距離L3を狭めることを優先した場合には、リードフレーム59の厚みが薄くなり、アイランド56やリード54の機械的強度が得られないという新たな問題が発生する。この構造により、アイランド56上面に固着される半導体素子55の平面的サイズが大きくなることで、樹脂パッケージ52の平面的サイズも大きくなり、樹脂パッケージ52の小型化を実現し難いという問題がある。また、樹脂パッケージ52の小型化を実現するためには、リード54の面積を狭めることも考えられる。しかしながら、この場合には、樹脂パッケージ52の裏面58から露出するリード54の面積が小さくなり、半導体装置51の実装強度が弱まってしまうという問題が発生する。また、樹脂パッケージ52の薄型化を実現するために、アイランド56の膜厚をリード54の膜厚よりも薄くし、アイランド56表面をリード54表面よりも低い位置にすることも考えられる。しかしながら、前述したように1枚のリードフレーム59をエッチング加工により部分的な膜厚調整を行うことで、製造方法が煩雑化し、製造コストや材料コストが嵩むという問題もある。更に、アイランド56の半導体素子55との固着面をエッチング加工することで、その固着面の平坦性を維持することは難しく、半導体素子55が傾いて固着され、ワイヤーボンディングが行い難くなる等、製品品質を維持し難いという問題が発生する。更に、リード54の金属細線57との接着面をエッチング加工することで、その表面が粗面化し、リード54と金属細線57との接続強度が得られ難いという問題が発生する。前述した各事情に鑑みて成されたものであり、本発明の半導体装置は、アイランドと、前記アイランドを囲むように配置された複数のリードと、前記アイランド上に固着された半導体素子と、前記アイランド、前記リード及び前記半導体素子を被覆する樹脂封止体とを有する半導体装置において、前記複数のリードは、前記アイランド上方まで配置され、その一端側が前記樹脂封止体の裏面側から露出し、その他端側が前記半導体素子と導電材を介して電気的に接続する第1のリードと、前記アイランドの近傍まで配置され、少なくともその一部が樹脂封止体の裏面側から露出し、前記半導体素子と金属細線を介して電気的に接続する第2のリードとを有することを特徴とする。また、本発明の半導体装置の製造方法は、粘着シート上にアイランドが配置されたフレームを貼り合わせ、前記アイランド上面に半導体素子を固着する工程と、前記アイランド上方まで配置される第1のリードと、前記アイランド近傍まで配置される第2のリードとを有するフレームを準備し、前記第1のリードが前記半導体素子と導電材を介して接続するように、前記アイランドが配置されたフレーム上に前記第1及び第2のリードを有するフレームを積層する工程と、前記半導体素子と前記第2のリードとを金属細線により接続した後、前記アイランド、前記第1及び第2のリード、前記半導体素子及び前記金属細線を被覆するように樹脂封止体を形成する工程とを有することを特徴とする。本発明では、リードの一部がクリップ構造として用いられることで、リードでの低抵抗化や放熱性を向上させつつ、パッケージサイズの薄型化が実現される。また、本発明では、アイランドとリードとが別フレームから構成されることで、それらの膜厚調整や両者間の離間距離の調整が容易となり、パッケージサイズの小型化や薄型化が実現される。また、本発明では、実装領域のリードの厚みと折り曲げ加工領域のリードの厚みとを調整することで、生産性や歩留まりが向上される。また、本発明では、アイランドの膜厚が薄くなり、金属細線のループ高さを低くでき、パッケージサイズの薄型化が実現される。また、本発明では、半導体素子は、エッチング加工が施されていないアイランド上面に固着され、金属細線は、エッチング加工が施されていないリード上面に接続され、製品品質が向上される。また、本発明では、アイランド及びリードの側面が、パッケージ裏面に対して逆テーパー状の傾斜面となることで、アイランド及びリードが、パッケージから抜け落ち難い構造が実現される。また、本発明では、2枚のフレームを積層し、クリップ構造のリードを有する搭載部を形成することで、リードでの低抵抗化を図りつつ、パッケージサイズの小型化や薄型化が実現される。また、本発明では、リードのワイヤーボンディング領域の膜厚を厚くすることで、ワイヤーボンディングの際に、リードが折れ曲がることが防止される。また、本発明では、2枚のフレームを準備し、フレームは、それぞれのフレームの貫通領域を介して粘着シート上に積層して固着されることで、リードの積層厚みを抑え、パッケージの小型化や薄型化が実現される。以下に、本発明の半導体装置について説明する。図1Aは、半導体装置の裏面側からの斜視図である。図1Bは、半導体装置の表面側からの平面図である。図2Aは、図1Bに示す半導体装置のA-A線方向の断面図である。図2Bは、図2Aに示す領域を拡大した断面図である。図2Cは、図1Bに示す半導体装置のB-B線方向の断面図である。図2Dは、図2Bに示す半導体装置の一部を拡大した断面図である。図3A及びBは、半導体装置に用いられるフレームを説明する平面図である。図4Aは、半導体装置の裏面側からの斜視図である。図4Bは、半導体装置の表面側からの平面図である。先ず、図1Aに示す如く、半導体装置1は、例えば、QFNQuadFlatNon-leaded型パッケージから成る。詳細な製造方法の説明は後述するが、積層されたフレームの複数の搭載部を一括して封止した後、ダイシングにより個片化するため、樹脂封止体2の側面3からリード4が露出する。そして、露出するリード4は、樹脂封止体2の側面3とほぼ同一面を形成する。尚、樹脂封止体2は、概ね、その表面、裏面5及び4つの側面3から成る6面体である。樹脂封止体2の裏面5にはアイランド6が露出し、このアイランド6は、樹脂封止体2の裏面5とほぼ同一面を形成する。また、樹脂封止体2の裏面5にはリード4が露出し、アイランド6を囲むように配置され、樹脂封止体2の裏面5とほぼ同一面を形成する。尚、樹脂モールドする際に、フレームの裏面に粘着シートを採用すると、アイランド6やリード4は、樹脂封止体2の裏面5から、若干、突出する場合もある。次に、図1Bは、樹脂封止体2の表面側からみた平面図であるが、その説明の都合上、樹脂に被覆された領域も図示している。アイランド6上には半導体素子7が固着され、半導体素子7の電極パッド図示せずとリード4とは、電気的に接続する。リード4は、アイランド6上方まで延在する長いリード4Aと、アイランド6近傍まで配置される短いリード4Bとから構成される。そして、リード4Aは、クリップ構造となり、電極パッドと、直接、接続し、リード4Bは、金属細線8を介して電極パッドと接続する。例えば、樹脂封止体2の4つの側面3には、それぞれ7つのリード4が配置され、中央側には3つのリード4Aが配置され、そのリード4Aの両側には、リード4Bが配置される。図示したように、半導体装置1のコーナー部は、吊りリード9も配置され、リード4の密集する領域となるが、そのコーナー部にはリード4Bが配置されることで、リード4B同士のショートやリード4Bと吊りリード9やアイランド6とのショートが防止される。特に、リード4Bは金属細線8を介して電極パッドと接続することで、リード4Aよりも効率良く配置され、コーナー部に配置されるリード数を増大し易く、多ピン対応の半導体装置が実現される。尚、リード4A、4Bの数や配置箇所は、使用用途に応じて任意の設計変更が可能である。次に、図2Aは、クリップ構造のリード4Aが配置された半導体装置1の断面を示す。前述したように、リード4Aの一端側は、樹脂封止体2の側面3及び裏面5から露出し、半導体装置1の実装領域として用いられる。そして、リード4Aは、アイランド6上へと延在し、折り曲げ加工され、リード4Aの他端側は、半導体素子7の電極パッドと導電材10により、直接、接続される。具体的には、リード4Aは、2種類の厚みT1、T2の領域から形成され、樹脂封止体2の裏面5から露出する領域の厚みT1は、例えば、200μmであり、それ以外の領域の厚みT2は、例えば、50~100μmである。そして、リード4Aの厚みT2の領域は、半導体素子7の厚み等を考慮して折り曲げ加工され、クリップ構造として用いられる。この構造により、金属細線8の場合と比較して、金属プレートによる低抵抗化や放熱性の向上が実現され、大電流素子への対応が可能となる。また、リード4Aの厚みT2から成る領域は、完全に樹脂封止体2内に配置され、その領域の下方には、樹脂が充填される窪み領域が形成される。この構造により、半導体装置1は小型化されるが、リード4Aの長さは長くなり、リード4Aと樹脂封止体2との密着性が向上され、リード4Aが、樹脂封止体2から抜け落ち難い構造が実現される。尚、半導体素子7は、例えば、Agペースト、半田等の接着材11によりアイランド6上に固着される。次に、図2Bは、図2Aの丸印12にて示す領域であり、リード4Aとアイランド6との交差領域を拡大した断面を示す。先ず、図2Aに示す構造では、リード4Aとアイランド6との交差領域には、何も配置せず、樹脂封止体2により両者の絶縁処理が成されている。しかしながら、図2Bに示すように、リード4Aとアイランド6との間に、例えば、樹脂やレジストから成る絶縁性スペーサー13が配置される場合でも良い。半導体装置1の薄型化により、リード4Aとアイランド6との離間距離L1は狭まり易くなり、その間に絶縁性スペーサー13が配置されることで、両者はより確実に絶縁される。また、製造工程において、リード4Aは、半導体素子7の電極パッド、絶縁スペーサー13及び粘着シート41図6A参照の3点により位置固定されることで、リード4Aが安定して固定された状態にてワイヤーボンディング等の工程が行われ、製品品質が向上し、実装不良等を防止し、歩留まりも向上される。次に、図2Cは、アイランド6の近傍にリード4Bが配置される断面を示す。リード4Bと半導体素子7の電極パッドとは、金属細線8により接続される。金属細線8としては、金線や銅線が用いられる。図示したように、リード4Bの厚みT3は、アイランド6の厚みT4よりも厚く形成される。リード4を構成するフレーム18図3B参照とアイランド6を構成するフレーム15図3A参照とは別のフレームであり、この2枚のフレーム15、18を積層することで1つの搭載部が形成される。具体的には、リード4を構成するフレーム18は、例えば、その厚さが約200μmの銅を主材料とするフレームから成り、アイランド6を構成するフレーム15は、例えば、その厚さが約100μmの銅を主材料とするフレームから成る。この構造により、リード4Bの表面4C側及びアイランド6の表面6A側をエッチング加工することなく、それぞれの厚みT3、T4を調整することができる。その結果、リード4Bの表面4Cがエッチング加工により粗面化することなく、金属細線8との接続強度が悪化することはない。また、アイランド6の表面6Aがエッチング加工により凹凸状態となることなく、半導体素子7が傾いて固着されることを防止し、その傾きによりワイヤーボンディング工程での位置認識精度が悪化する等の悪影響を防止できる。また、前述したように、リード4B及びアイランド6は、樹脂封止体2の裏面5と同一面を形成するように配置され、その厚みT3、T4が相違する。この構造により、半導体素子7の電極パッドとリード4Bの表面4Cとの高低差が低減され、金属細線8のループ高さを低くすることができる。その結果、樹脂封止体2の厚みも薄くすることがき、半導体装置1の薄型化が実現される。尚、金属細線8のループ高さは、ステッチボンディングの際に、金属細線8が半導体素子7端部と接触し、切断されない程度において調整される。また、リード4Bの厚みT3は、実質、リード4Aの厚みT1と同じである。更に、リード4Bが、アイランド6よりも厚くなることで、金属細線8をワイヤーボンディングする際の衝撃により、リード4Bが折れ曲がることが防止される。次に、図2Dは、図2Cの丸印13にて示す領域であり、リード4Bとアイランド6との対向領域を拡大した断面を示す。リード4B及びアイランド6は、それぞれのフレーム15、18図3A、B参照をエッチング加工等することで形成される。そして、フレーム15、18は、リード4Bの表面4C及びアイランド6の表面6Aとの反対面側からエッチング加工される。この加工方法により、リード4B及びアイランド6の側面は、樹脂封止体2の裏面5に対して逆テーパー状の傾斜面あるいは曲面となり、丸印14にて示すように、リード4Bの表面4C及びアイランド6の表面6A側が突出する形状となる。そして、この領域にも樹脂が充填されることで、アンカー効果が得られ、樹脂封止体2とリード4B及びアイランド6との密着性が向上され、リード4B及びアイランド6が、樹脂封止体2から抜け落ち難い構造となる。また、前述したように、リード4Bとアイランド6とは、別のフレームから構成されるため、リード4Bとアイランド6との離間距離L2は、両者が接着材11や半導体素子7を介してショートしない範囲にて短くすることが可能となり、半導体装置1の小型化が実現される。この構造により、アイランド6の平面的サイズは、固着される半導体素子7の平面的サイズに合わせて広げることも可能となり、固着後の半導体素子7の安定性が向上され、ワイヤーボンディング時の衝撃により、半導体素子7がアイランド6から剥離することも防止される。また、離間距離L2を狭めることで、半導体装置1の平面的サイズを大きくすることなく、リード4Bの露出面積を増大することもでき、この場合には、半導体装置1の実装強度が向上される。更に、接着材11を介して半導体素子7とアイランド6との接着領域が増大することで、半導体素子7からアイランド6への放熱性が向上される。また、樹脂封止体2の裏面5側から露出するアイランド6の面積も増大することで、樹脂封止体2から外部への放熱性も向上される。次に、図3Aは、主に、アイランド6及び吊りリード9が配置されるフレーム15を示す。フレーム15としては、一般には銅を主材料とするフレームが用いられるが、Feを主材料とするフレームの場合でも良い。また、フレーム15の厚みは、例えば、100μmである。フレーム15には、一点鎖線にて示す搭載部16が複数形成され、マトリックス状に配置される。そして、フレーム15の搭載部16が、例えば、3行3列の9つ集まることで、1つの集合ブロックが形成され、この集合ブロック毎に一体に樹脂モールドされる。具体的には、フレーム15に対してエッチング加工や打ち抜き加工等を行うことで、搭載部16には、アイランド6と、アイランド6を支持する吊りリード9が形成される。そして、吊りリード9は、アイランド6の4つのコーナー部から延在し、フレーム15と連結し、アイランド6が、フレーム15に支持される。また、アイランド6の4側辺に沿った周囲には、フレーム18の複数のリード4が配置される貫通領域17が形成される。次に、図3Bは、主に、リード4が配置されるフレーム18を示す。フレーム18としては、一般には銅を主材料とするフレームが用いられるが、Feを主材料とするフレームの場合でも良い。また、フレーム18の厚みは、例えば、200μmである。フレーム18には、一点鎖線にて示す搭載部19が複数形成され、マトリックス状に配置される。そして、フレーム18の搭載部19は、フレーム15の搭載部16と同じ大きさであり、フレーム15、18を積層した際には、それぞれの搭載部16、19同士が、位置対応し1つの搭載部が構成される。尚、フレーム15と同様に、フレーム18の搭載部19が、例えば、3行3列の9つ集まることで、1つの集合ブロックが形成され、この集合ブロック毎に一体に樹脂モールドされる。具体的には、フレーム18に対してエッチング加工や打ち抜き加工等を行うことで、搭載部19には、複数のリード4A、4Bと、複数のリード4A、4Bを支持するタイバー20が形成される。そして、タイバー20は、フレーム18と連結し、複数のリード4A、4Bが、フレーム18に支持される。また、複数のリード4A、4Bに囲まれた領域には、フレーム15のアイランド6及び吊りリード9が配置される貫通領域21が形成される。詳細は半導体装置の製造方法の説明にて後述するが、粘着シート41図6A参照上面にフレーム15を貼り合せ、ダイボンディング工程を終えた後、フレーム15と位置合わせを行いながら、フレーム18をフレーム15上面に積層させる。このとき、フレーム18のリード4及びタイバー20は、フレーム15の貫通領域17を介して粘着シート41上面に貼り合わされ、フレーム18も粘着シート41に固定される。一方、フレーム15のアイランド6及び吊りリード9は、フレーム18の貫通領域21内に配置されることで、フレーム15、18の積層後の総厚みは、主に、200μm程度以内に抑えられる。このフレーム15、18構造により、積層するフレーム15、18間に接着材を利用する必要はなく、フレームの薄膜化が実現され、前述した半導体装置1の小型化や薄型化の効果等が得られる。また、アイランド6用のフレーム15とリード4用のフレーム18とが別フレームとなることで、それぞれ異なるメッキを施すことも可能となる。例えば、リード4用のフレーム18には、PdメッキやAgメッキやNi/Pd/Agメッキ等を施し、アイランド6用のフレーム15には、半田メッキを施し、あるいは、メッキレスとする場合でも良い。尚、フレーム15、18に対して同じ種類のメッキを施す場合でも良く、フレーム15、18に部分的にメッキを施す場合でも良い。尚、搭載部16、19以外の領域では、フレーム15、18が積層することで、その厚みが300μm程度となるが、樹脂モールド後のダイシング工程にて除去される領域であり、半導体装置1の薄型化を妨げるものではない。また、フレーム15、18に対して、適宜、ハーフエッチング等を行うことで、積層領域の厚みを調整することも出来る。次に、図4A及び図4Bに示す半導体装置22は、全てのリード23がクリップ構造に形成される点において、図1~図3を用いて前述した半導体装置1と異なり、その他の構造は、半導体装置1と同じ構造となるので、前述した説明を参照する。また、半導体装置22においても、アイランド用のフレームとリード用のフレームを積層させて搭載部を形成する方法は同じであり、前述した説明を参照する。先ず、図4Aに示す如く、半導体装置22は、例えば、QFN型パッケージから成る。積層されたフレームの複数の搭載部を一括して封止した後、ダイシングにより個片化するため、樹脂封止体24の側面25からリード23が露出する。そして、露出するリード23は、樹脂封止体24の側面25とほぼ同一面を形成する。また、樹脂封止体24の裏面26から露出するリード23及びアイランド27は、裏面26とほぼ同一面を形成する。尚、樹脂封止体24は、概ね、その表面、裏面26及び4つの側面25から成る6面体である。次に、図4Bは、樹脂封止体24の表面側からみた平面図であるが、その説明の都合上、樹脂に被覆された領域も図示している。アイランド27上には接着材図示せずにより半導体素子28が固着され、半導体素子28の電極パッド図示せずとクリップ構造のリード23とは、導電材図示せずを介して、直接、接続する。そして、リード23は、図1~図3を用いて説明したリード4Aと同一の構造であり、その説明を参照する。また、図4BのC-C線方向の断面図は、図2Aに示す断面図と同一であり、その構造及び効果も前述した説明を参照する。図4A及びBに示す構造では、リード23が全てクリップ構造となることで、リード23での低抵抗化や放熱性の向上が実現され、より大電流素子への対応が可能となる。その他、図2Bに示すように、半導体装置22においても、絶縁スペーサーを用いる場合でも良い。次に、図5A~図5Cでは、図1~図3を用いて説明した半導体装置1を応用した半導体装置29、30、31について説明する。尚、半導体装置29~31の説明では、半導体装置1と同じ構成部材には同一の符番を付し、その説明は参照する。また、半導体装置29~31においても、アイランド用のフレームとリード用のフレームを積層させて搭載部を形成する方法は同じであり、前述した説明を参照する。また、図5A~図5Cは、樹脂封止体の表面側からみた平面図であるが、その説明の都合上、樹脂に被覆された領域も図示している。図5Aに示す半導体装置29では、半導体装置1を応用した構造であり、クリップ構造のリード4Aが、樹脂封止体2の1つの側面3に配置され、残りの3つの側面3にはリード4Bが配置される。図5Bに示す半導体装置30では、樹脂封止体32内に2つの半導体素子33、34が配置される。そして、半導体素子33では、図5Aの半導体装置29の構造と同様に、半導体素子33の1つの側面側にクリップ構造のリード4Aが配置され、残りの3側面側にリード4Bが配置される。図示したように、半導体素子34側は全てリード4Bが配置され、例えば、パワー系の半導体素子33と小信号系の半導体素子34の組み合わせの半導体装置30においても、前述したリード4A、4B構造の適用が可能である。図5Cに示す半導体装置31では、図5Bの半導体装置30において、半導体素子33、34同士が金属細線8により電気的に接続される。尚、本実施の形態では、前述した半導体装置1、22、29、30、31の構造に限定されるものではない。例えば、リード4A、4Bの配置箇所を変更し、種々の半導体素子を1つの樹脂封止体内に組み合わせて配置することも可能であり、あるいは、3つ以上の半導体素子を1つの樹脂封止体内に組み合わせて配置することも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。次に、本発明の実施の形態である半導体装置の製造方法について説明する。図6A及びBは、粘着シートに固着されたフレーム上に半導体素子を固着する工程を説明する図である。図7A及びBは、フレームを積層し、電極パッドとリードとを接続する工程を説明する図である。図8は、樹脂モールド工程を説明する図である。図9は、樹脂モールド後の個片化する工程を説明する図である。尚、本実施の形態では、図1~図3に示す構造の製造方法を説明するため、同一の構成部材には同一の符番を付し、また、適宜、図1~図3を用いて説明する。先ず、図6A及びBに示す如く、粘着シート41及びフレーム15を準備する。粘着シート41は、樹脂モールド工程まで用いられるため、例えば、耐熱用のポリイミドテープから成る。そして、フレーム15は、図3Aを用いて前述したように、搭載部16毎にアイランド6と吊りリード9とが配置されたダイパッド用のフレームである。尚、フレーム15の説明は、図3Aの説明を参照する。次に、粘着シート41の粘着面側にフレーム15を貼り合わせる。尚、粘着シート41上面にフレーム15を貼り合せた状態のものを準備する場合でも良い。そして、例えば、加熱機構が組み込まれたダイボンド装置の載置台上に、フレーム15が固定された粘着シート41を配置し、クランパーにてフレーム15を載置台上に固定する。そして、アイランド6やその作業領域内を、例えば、250~260°C程度に加熱した状態にして、アイランド6上に接着材11を用いて半導体素子7を固着する。次に、図7A及びBに示す如く、フレーム18を準備する。そして、フレーム18は、図3Bを用いて前述したように、搭載部19毎に複数のリード4とタイバー20とが配置された端子用のフレームである。尚、フレーム18の説明は、図3Bの説明を参照する。前述したように、フレーム18のリード4Aは、裏面側からエッチング加工が行われ、その厚みT2の薄い領域を有し、その領域に対して折り曲げ加工を行い、クリップ構造を形成する。次に、フレーム15と位置合わせを行いながら、フレーム18をフレーム15上面に積層する。図7Bに示すように、フレーム18のリード4及びタイバー20は、フレーム15の貫通領域17を介して粘着シート41上面に貼り合わされ、フレーム18も粘着シート41上に固定される。一方、フレーム15のアイランド6及び吊りリード9は、フレーム18の貫通領域21内に配置されることで、フレーム15、18の積層後の総厚みは、主に、200μm程度以内に抑えられる。この製造方法により、フレーム15、18間の接着材を省くことができ、積層フレーム厚みを薄く出来る。また、貫通領域17、21を利用することで、フレームのかしめ加工等を行うことなく、簡易な方法にて積層されたフレーム15、18の位置固定が実現でき、製造工程の簡略化が実現される。このフレーム15、18の積層工程では、リード4Aと接続する半導体素子7の電極パッド上面に、金バンプまたは半田等の導電材10を形成した後、その導電材10上面にリード4Aが配置されるように位置合わせを行い、粘着シート41上面にフレーム18を貼り合わせることで、リード4Aの先端側が導電材10上面に配置される。その後、例えば、GGIGoldtoGoldInterconection接続のように、リード4A上面から超音波を加えることで、リード4Aは電極パッド上に固着される。そして、搭載部毎にリード4Aの配置箇所に対応した押さえ機構により、一括して超音波を加え固着する場合でも、搭載部内の個々のリード4A毎に超音波を加え固着する場合でも良い。また、NCPNonConductivePaste接続のように、リード4Aを加熱した状態にてその上面から圧力を加え、リード4Aと電極パッドとを固着する場合でも良い。尚、粘着シート41によるフレーム15、18の固定の他に、更に、ダイシング工程にて除去される領域のフレーム15、18同士を接着材により貼り合わせる場合でも良い。この場合には、フレーム15、18同士も接着材により固定され、作業中にフレーム15、18がずれることで、例えば、アイランド6とリード4とが位置ずれすることが防止される。その結果、作業中におけるフレーム15、18の位置ずれにより、金属細線8の断線やリード4Aの剥離等の製品不良が防止され、歩留まりの低下も防止される。次に、半導体素子7が固着されたフレーム15、18をワイヤーボンディング装置の載置台図示せず上に配置する。そして、半導体素子7の電極パッド図示せずとリード4Bとを金属細線8にて電気的に接続する。図示したように、リード4Bが配置されるフレーム18は、200μmの厚みを有し、機械的強度を有することで、ワイヤーボンディング時の衝撃により折れ曲がることはない。次に、図8に示す如く、樹脂封止金型図示せず内にフレーム15、18が固定された粘着シート41を配置し、樹脂封止金型のキャビティ内へ樹脂を注入し、共通の樹脂封止体42を形成する。前述したように、共通の樹脂封止体42内には、例えば、9つの搭載部が含まれる。そして、樹脂封止体42が、トランスファーモールドにより形成される場合には、熱硬化性樹脂が用いされ、インジェクションモールドにより形成される場合には、熱可塑性樹脂が用いられる。樹脂封止体42内には、熱伝導率の向上させるための酸化シリコン等のフィラーが混入される場合でも良い。尚、粘着シート41を用いて樹脂モールドを行うことで、リード4やアイランド6の裏面側への樹脂の廻り込みを防止し、樹脂封止体42の裏面側の平坦性が維持される。最後に、図9に示す如く、フレーム15、18から粘着シート41図8参照を剥がし、共通の樹脂封止体42側へダイシング用シート43を貼り合わせる。そして、フレーム15、18側から搭載部毎に共通の樹脂封止体42を切断して、個々の樹脂封止体2へと個片化する。具体的には、スクライブ装置のダイシングブレード44を用い、一点鎖線にて示すダイシングライン45に沿って共通の樹脂封止体42とフレーム15、18とを同時に切断する。このとき、ダイシング用シート43は、その一部のみが切断されることで、個片化された個々の樹脂封止体2は、ダイシング用シート43上に支持される。また、フレーム18の窪んだ領域46をダイシングブレード44にて切断することで、ダイシングブレード44の負担が軽減され、長期間の使用が可能となる。尚、本実施の形態では、アイランド6が配置されるフレーム15とリード4が配置されるフレーム18とを準備し、両フレーム15、18を粘着シート41上に積層し、固定することで、アイランドの周囲に複数のリードが配置される搭載部を形成する場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、アイランド6が配置されるフレーム15を準備し、粘着シート41上にそのフレーム15を貼り合わせた後、複数のリード4がタイバー20に固定され、リード4Aが折り曲げ加工されたものを複数準備し、搭載部のアイランド6の1側辺毎の貫通領域17を介して個別に粘着シート41上に貼り合わせる場合でも良い。また、複数の搭載部毎に一括樹脂モールドし、その後、ダイシングにより搭載部毎に個片化する場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、搭載部毎に個別に樹脂モールドする場合でも良い。また、図2Bに示すように、リード4Aと交差する領域のアイランド6上に絶縁スペーサー13を配置した後、リード4Aが、絶縁スペーサー13上に配置されるように、フレーム18を貼り合わせる場合でも良い。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。