絶縁基板と、前記絶縁基板の上に形成された金属パターンと、前記金属パターンの上に固定された電力端子と、前記金属パターンの上に固定された複数のパワーチップと、を備え、前記複数のパワーチップのすべてが、前記電力端子と熱絶縁される距離だけ前記電力端子から離れたことを特徴とする半導体装置。前記電力端子と前記パワーチップの間の前記金属パターンの上には放熱体が固定されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記金属パターンは銅で形成されており、前記パワーチップはIGBTチップ又はダイオードチップであり、前記電力端子と、前記複数のパワーチップのうち前記電力端子と最も近接するパワーチップとの距離は、5mm以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。パワーチップで発生した熱が金属パターンを介して電力端子に伝わり、電力端子が高温になることがあった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、電力端子が高温になることを防止できる半導体装置を提供することを目的とする。本願の発明に係る半導体装置は、絶縁基板と、該絶縁基板の上に形成された金属パターンと、該金属パターンの上に固定された電力端子と、該金属パターンの上に固定された複数のパワーチップと、を備える。そして、該複数のパワーチップのすべてが、該電力端子と熱絶縁される距離だけ該電力端子から離れたことを特徴とする。本発明によれば、電力端子とパワーチップを熱絶縁するので電力端子が高温になることを防止できる。実施の形態.図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の平面図である。半導体装置10は、ケース12を備えている。ケース12にはCuベース14が固定されている。Cuベース14の上には複数の絶縁基板16が固定されている。絶縁基板16はAlNセラミックで形成されている。絶縁基板16の上には金属パターン18が形成されている。金属パターン18は銅で形成されたパターンである。金属パターン18の上にはIGBTチップ20が固定されている。また、金属パターン18の上にはダイオードチップ22が固定されている。これらははんだにより固定されている。金属パターン18、IGBTチップ20、及びダイオードチップ22はワイヤ24により電気的に接続されている。IGBTチップ20とダイオードチップ22をパワーチップと称することがある。金属パターン18の表面のはんだのうち、パワーチップの固定に用いられず表面に露出したものは、はんだ19で示されている。金属パターン18の上にははんだ25を介して電力端子26が固定されている。電力端子26は半導体装置10の主電流を流す端子である。ケース12の側面には信号端子28が固定されている。信号端子28はIGBTチップ20のゲートと接続されている。図2は、図1のII-II断面矢示図である。電力端子26ははんだ25を介して金属パターン18に固定されている。IGBTチップ20ははんだ21を介して金属パターン18に固定されている。電力端子26と、電力端子26に最も近接するパワーチップIGBTチップ20は5mmだけ離れている。図2では電力端子26とパワーチップの最短距離は距離L5mmで示されている。本発明の実施の形態1に係る半導体装置はパワーチップを複数有するが、その全てのパワーチップが、最も近接する電力端子26と5mm以上離れている。図3は、電力端子26の温度と距離Lとの関係を示すグラフである。距離Lが5mmより小さいと、距離Lが小さくなるほどパワーチップの発熱の影響を受け電力端子26の温度が上がる。一方、距離Lが5mm以上であると、電力端子26の温度と距離Lの有意な相関が無くなる。従って、距離Lが5mm以上であると電力端子26とIGBTチップ20を熱絶縁できる。なお、本発明における熱絶縁とは完全に伝熱を遮断するものではなく、伝熱を実用上十分に抑制するものである。電力端子26の温度上昇の要因は、電力端子26に流す大電流と、パワーチップからの熱伝導である。これらの要因により電力端子の温度が上昇し電力端子が高温となることがあった。ところが、本発明の実施の形態に係る半導体装置10によれば、電力端子26とパワーチップを熱絶縁しているのでパワーチップからの熱伝導による電力端子26の温度上昇を抑制できる。よって、電力端子26が高温になることを防止できる。本発明は、複数のパワーチップのすべてが、電力端子26と熱絶縁される距離だけ電力端子26から離れていることを特徴とするものである。ゆえに、パワーチップはIGBTチップ20とダイオードチップ22に限定されず、これらのうちの一方であってもよいし、他の発熱するチップであってもよい。また、金属パターン18の材料もCuに限定されない。また、本発明は、電力端子と、これに最も近接するパワーチップの距離が5mm以上であることに限定されない。パワーチップと電力端子を熱絶縁するために必要な距離は、金属パターンの材質やパワーチップの到達温度などを考慮して定めればよい。本発明の実施の形態に係る半導体装置10は図2に示すように、電力端子26とIGBTチップ20の間は、はんだ19が形成されているものの部品が固定されないデッドスペースとしたが本発明はこれに限定されない。たとえば、電力端子26とパワーチップの間の金属パターン18に放熱体を固定してもよい。図4は、電力端子26とIGBTチップ20の間の金属パターン18に、はんだ19を介して放熱体40を固定したことを示す断面図である。放熱体40は冷却フィンで形成されている。放熱体40により距離Lを短くしつつ電力端子26とIGBTチップ20の熱絶縁できる。