"回転中心を頂点とし僅かな山形状の保持面を備えた回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持された基板を研削する研削砥石が環状に配設された研削ホイールを回転可能に支持した研削手段と、該チャックテーブルに対して該研削手段を相対的に研削送りする研削送り手段とを備えた研削装置を用いて、結晶方向に異方性を有する単結晶基板の第1の面と該第1の面と反対側の第2の面とを研削する単結晶基板の研削方法であって、単結晶基板の第1の面をチャックテーブルの保持面で保持する第1の保持工程と、該第1の保持工程実施後、該チャックテーブルを回転させると共に該研削ホイールを回転させ、該チャックテーブルに保持された単結晶基板の回転中心を該研削砥石が通過するように該研削ホイールを位置づけて、単結晶基板の第2の面を研削する第1の研削工程と、単結晶基板の第2の面を該チャックテーブルの保持面で保持する第2の保持工程と、該第2の保持工程実施後、該チャックテーブルを回転させると共に該研削ホイールを回転させ、該チャックテーブルに保持された単結晶基板の回転中心を該研削砥石が通過するように該研削ホイールを位置づけて、単結晶基板の第1の面を研削する第2の研削工程とを具備し、該第2の研削工程における研削方向は、該第1の研削工程における研削方向が単結晶基板の回転中心から外周に至る方向であれば外周から回転中心に至る方向であり、該第1の研削工程における研削方向が単結晶基板の外周から回転中心に至る方向であれば回転中心から外周に至る方向であることを特徴とする単結晶基板の研削方法。単結晶基板はサファイア基板から構成される請求項1記載の単結晶基板の研削方法。そこで、CMPによってサファイア基板を所望の厚みに形成するのに替えて、研削装置によりサファイア基板の両面を研削してサファイア基板を所望の厚みに形成することを試みた。ところが、サファイア基板の両面を研削するとサファイア基板にうねりが生じ、その後CMPを実施してもうねりが除去できないという問題が生じた。このような問題は、SiC基板、GaN基板等の結晶方位に異方性を有する単結晶基板にも生じることが判明した。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、結晶方位に異方性を有する単結晶基板にうねりを生じさせることなく両面を研削可能な単結晶基板の研削方法を提供することである。本発明によると、回転中心を頂点とし僅かな山形状の保持面を備えた回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持された基板を研削する研削砥石が環状に配設された研削ホイールを回転可能に支持した研削手段と、該チャックテーブルに対して該研削手段を相対的に研削送りする研削送り手段とを備えた研削装置を用いて、結晶方向に異方性を有する単結晶基板の第1の面と該第1の面と反対側の第2の面とを研削する単結晶基板の研削方法であって、単結晶基板の第1の面をチャックテーブルの保持面で保持する第1の保持工程と、該第1の保持工程実施後、該チャックテーブルを回転させると共に該研削ホイールを回転させ、該チャックテーブルに保持された単結晶基板の回転中心を該研削砥石が通過するように該研削ホイールを位置づけて、単結晶基板の第2の面を研削する第1の研削工程と、単結晶基板の第2の面を該チャックテーブルの保持面で保持する第2の保持工程と、該第2の保持工程実施後、該チャックテーブルを回転させると共に該研削ホイールを回転させ、該チャックテーブルに保持された単結晶基板の回転中心を該研削砥石が通過するように該研削ホイールを位置づけて、単結晶基板の第1の面を研削する第2の研削工程とを具備し、該第2の研削工程における研削方向は、該第1の研削工程における研削方向が単結晶基板の回転中心から外周に至る方向であれば外周から回転中心に至る方向であり、該第1の研削工程における研削方向が単結晶基板の外周から回転中心に至る方向であれば回転中心から外周に至る方向であることを特徴とする単結晶基板の研削方法が提供される。本発明の研削方法によると、第1の面の研削方向と第2の面の研削方向とを逆転させるように研削するので、第1の面のうねりと第2の面のうねりとが相殺されてうねりの無い所望の厚みの単結晶基板を形成することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の研削方法を実施するのに適した研削装置2の外観斜視図が示されている。4は研削装置2のベースであり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向に伸びる一対のガイドレール8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット研削手段10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、スピンドルハウジング12と、スピンドルハウジング12を保持する支持部14を有しており、支持部14が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台16に取り付けられている。研削ユニット10は、スピンドルハウジング12中に回転可能に収容されたスピンドル18と、スピンドル18を回転駆動するモータ20と、スピンドル18の先端に固定されたホイールマウント22と、ホイールマウント22に着脱可能に装着された研削ホイール24とを含んでいる。研削装置2は、研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ30とパルスモータ32とから構成される研削ユニット送り機構34を備えている。パルスモータ32を駆動すると、ボールねじ30が回転し、移動基台16が上下方向に移動される。ベース4の上面には凹部4aが形成されており、この凹部4aにチャックテーブル機構36が配設されている。チャックテーブル機構36はチャックテーブル38を有しており、図示しない移動機構によりウエーハ着脱位置Aと、研削ユニット10に対向する研削位置Bとの間でY軸方向に移動される。特に図示しないが、チャックテーブル38は一点が固定で他の2点が可動の3点で支持されており、これによりチャックテーブル38の保持面41図2参照が傾斜可能に構成されている。可動支点は、例えばパルスモータとボールねじの組み合わせにより構成されている。40,42は蛇腹である。ベース4の前方側には、研削装置2のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル44が配設されている。図2を参照すると、チャックテーブル38の縦断面図が示されている。チャックテーブル38は、SUS等から形成された枠体39と、ポラスセラミックス等から形成された吸引部41とから構成される。チャックテーブル38の吸引部41はチャックテーブル38の回転中心を頂点として僅かな山形状に形成された保持面41aを有しており、吸引部41の直径を10cmとすると、保持面41aの中心部と周辺部との高さの差は10~20μm程度に形成されている。枠体39の吸引路43は真空吸引源に選択的に接続される。次に、上述したような研削装置2を使用した本発明実施形態に係る結晶方向に異方性を有する単結晶基板の研削方法について説明する。図3を参照すると、結晶方向に異方性を有する単結晶基板の一種であるサファイア基板11の第1の面11aをチャックテーブル38で吸引保持する第1の保持工程の分解斜視図が示されている。サファイア基板11の第1の面11aがチャックテーブル38に吸引保持されると、サファイア基板11の第2の面11bが露出する。このようにチャックテーブル38でサファイア基板11を吸引保持した後、サファイア基板11の第2の面11bを研削する第1の研削工程を実施する。第1実施形態による第1の研削工程は、図4に示すように、チャックテーブル38を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール24を矢印bで示す方向に例えば1400rpmで回転させ、チャックテーブル38に保持されたサファイア基板11の回転中心を研削砥石28が通過するように研削ホイール24を位置付ける。そして、研削ユニット送り機構34を駆動して、研削ホイール24を所定の研削送り速度例えば0.3μm/sで下方に所定量研削送りしながらサファイア基板11の第2の面11bを研削する。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでサファイア基板11の厚さを測定しながら、サファイア基板11を所定の厚さに研削する。第1の研削工程では、図2に示すように、チャックテーブル38の保持面41aが回転中心を頂点とした僅かな山形状に形成され、更にチャックテーブル38を手前側が高くなるように僅かに傾斜するように調整しているため、研削砥石28がサファイア基板11の第2の面11bに接触する研削領域がサファイア基板11の回転中心から外周に至る領域に限定され、更に研削方向はサファイア基板11の回転中心から外周裾野に至る方向となる。サファイア基板11の第2の面11bの研削が終了すると、チャックテーブル38でサファイア基板11の第2の面11bを吸引保持し、サファイア基板11の第1の面11aを露出させる第2の保持工程。このようにサファイア基板11の研削が終了した第2の面11bをチャックテーブル38で吸引保持してから、サファイア基板11の第1の面11aを研削する第2の研削工程を実施する。第1実施形態による第2の研削工程は、図5に示すように、チャックテーブル38を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール24を第1の研削工程と反対方向の矢印cで示す方向に例えば1400rpmで回転させ、チャックテーブル38に保持されたサファイア基板11の回転中心を研削砥石28が通過するように研削ホイール24を位置付ける。そして、研削ユニット送り機構34を駆動して、研削ホイール24を所定の研削送り速度例えば0.3μm/sで下方に所定量研削送りしながらサファイア基板11の第1の面11aを研削する。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでサファイア基板11の厚さを測定しながら、サファイア基板11を所定の厚さに研削する。第2の研削工程では、図5に示すように、研削ホイール24を図4に示した第1の研削工程の回転方向と逆方向に回転しているため、サファイア基板11の第1の面11aの研削方向はサファイア基板11の外周から回転中心に至る方向となる。このようにサファイア基板11の第1の面11aの研削方向と第2の面11bの研削方向とを逆転するように研削することにより、第1の面11aのうねりと第2の面11bのうねりとが相殺されてうねりのないサファイア基板11を形成することができる。次に、図6及び図7を参照して、本発明研削方法の第2実施形態について説明する。図6Aは第2実施形態の第1の研削工程を示す斜視図、図6Bはその側面図である。図6Bでは、チャックテーブル38の傾斜は誇張されて示されている。第2実施形態の第1の研削工程では、上述した第1実施形態の第1の研削工程と同様に、チャックテーブル38を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転させつつ、研削ホイール24を矢印bで示す方向に例えば1400rpmで回転させ、チャックテーブル38に保持されたサファイア基板11の回転中心を研削砥石28が通過するように研削ホイール24を位置付ける。そして、研削ホイール24を所定の研削送り速度例えば0.3μm/sで下方に所定量研削送りしながらサファイア基板11の第2の面11bをサファイア基板11の回転中心から外周裾野に至る方向に研削する。本実施形態の第2の研削工程では、図7に示すように、図示しないチャックテーブル送り機構を駆動してチャックテーブル38を研削ホイール24を横切るように研削装置2の奥側まで移動し、チャックテーブル38に保持されたサファイア基板11の回転中心を研削砥石28が通過するように研削ホイール24を位置付ける。そして、チャックテーブル38を矢印a方向に例えば300rpmで回転させつつ、研削ホイール24を第1の研削工程と同様に矢印bで示す方向に例えば1400rpmで回転させ、研削ホイール24を所定の研削送り速度例えば0.3μm/sで下方に所定量研削送りしながら、サファイア基板11の第1の面11aをサファイア基板11の外周裾野から回転中心に至る方向に研削する。このように第2の実施形態では、第2の研削工程での研削位置を第1の研削工程での研削位置からずらしたことにより、第2の研削工程での研削ホイール24の回転方向が第1の研削工程での回転方向と同一であっても、サファイア基板11の第1の面11aの研削方向と第2の面11bの研削方向と逆転して研削することができ、第1の面11aのうねりと第2の面11bのうねりとが相殺されてうねりのないサファイア基板11を形成することができる。尚、上述した第1及び第2実施形態では、第1の研削工程をサファイア基板11の中心から外周方向に研削しているが、第1の研削工程をサファイア基板11の外周から回転方向に研削し、第2の研削工程をサファイア基板11の中心から外周方向に研削するようにしてもよい。上述した実施形態では、本発明をサファイア基板11の研削に適用した例について説明したが、本発明の研削方法はサファイア基板11に限定されるものではなく、例えばSiC基板、GaN基板等の結晶方位に異方性を有する単結晶基板に同様に適用することができる。"