アルカリ金属又はアルカリ土類金属からなる金属A、遷移金属M、及び酸素Oで構成され、各元素の原子価により決定される整数x、y、zを用いた一般式がAxMyOzで表される熱電変換材料の製造方法において、前記熱電変換材料の固体原料である塊状金属酸化物と、固体、液体、又は気体のいずれか1の状態の塩とを用い、前記塊状金属酸化物と前記塩とを拡散反応させることを特徴とする熱電変換材料の製造方法。請求項1記載の熱電変換材料の製造方法において、基板上に前記AxMyOzを形成することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。請求項2記載の熱電変換材料の製造方法において、前記基板は金属板であって、該金属板を構成する金属の酸化物の絶縁膜を介して、前記AxMyOzを形成することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。請求項2記載の熱電変換材料の製造方法において、前記基板はセラミックス板であって、蒸着又はメッキにより該セラミックス板上に金属膜を形成した後、該金属膜を酸化させて前記塊状金属酸化物とすることを特徴とする熱電変換材料の製造方法。請求項1~4のいずれか1項に記載の熱電変換材料の製造方法において、前記塊状金属酸化物はコバルト酸化物、前記塩はナトリウム塩、前記金属Aはナトリウム、前記遷移金属Mはコバルト、前記AxMyOzはNaCo2O4であることを特徴とする熱電変換材料の製造方法。請求項1~4のいずれか1項に記載の熱電変換材料の製造方法において、前記塊状金属酸化物はマンガン酸化物、前記塩はカルシウム塩、前記金属Aはカルシウム、前記遷移金属Mはマンガン、前記AxMyOzはCaMnO3であることを特徴とする熱電変換材料の製造方法。請求項1~4のいずれか1項に記載の熱電変換材料の製造方法において、前記塊状金属酸化物はコバルト酸化物、前記塩はカルシウム塩、前記金属Aはカルシウム、前記遷移金属Mはコバルト、前記AxMyOzはCa3Co4O9又はCa2Co2O5あることを特徴とする熱電変換材料の製造方法。請求項1~4のいずれか1項に記載の製造方法によって製造された熱電変換材料であって、前記塊状金属酸化物はコバルト酸化物、前記塩はナトリウム塩、前記金属Aはナトリウム、前記遷移金属Mはコバルト、前記AxMyOzはNaCo2O4であることを特徴とする熱電変換材料。請求項1~4のいずれか1項に記載の製造方法によって製造された熱電変換材料であって、前記塊状金属酸化物はマンガン酸化物、前記塩はカルシウム塩、前記金属Aはカルシウム、前記遷移金属Mはマンガン、前記AxMyOzはCaMnO3であることを特徴とする熱電変換材料。請求項1~4のいずれか1項に記載の製造方法によって製造された熱電変換材料であって、前記塊状金属酸化物はコバルト酸化物、前記塩はカルシウム塩、前記金属Aはカルシウム、前記遷移金属Mはコバルト、前記AxMyOzはCa3Co4O9又はCa2Co2O5あることを特徴とする熱電変換材料。請求項1~7のいずれか1項に記載の熱電変換材料の製造方法に用いる製造装置であって、前記塊状金属酸化物と前記塩を装入する反応容器と、該反応容器内の前記塊状金属酸化物と前記塩を加熱して拡散反応を進行させる加熱手段とを有することを特徴とする熱電変換材料の製造装置。しかしながら、前記従来の方法には、未だ解決すべき以下のような問題があった。特許文献3や非特許文献2の方法は、例えば数μmの微細な扁平状Co3O4結晶とNa2CO3とを反応させてNaCo2O4などを生成し、最終的には、扁平な微細粒子を焼結させてバルク化する工程を経る。このため、微細な粉末を焼結する際に生じる、空洞、未反応生成物、及び異種相の存在、あるいは結晶粒界の弱結合による弊害を解消できない。従って、NaCo2O4の緻密化が図れず、熱電変換材料として利用する際の性能電気伝導率が低下する。また、非特許文献3や非特許文献4の方法では、類似の物質であるCa3Co4O9やSrCo4O9では薄膜の配向化に成功しているものの、NaCo2O4では薄膜化もできていない。従って、配向化による高性能化も実現されていない。本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、単結晶に比較して低コストで容易に製造でき、しかも単結晶の性能に近づけることが可能な多結晶の熱電変換材料の製造方法及び熱電変換材料並びにこの製造方法に用いる製造装置を提供することを目的とする。前記目的に沿う本発明に係る熱電変換材料の製造方法及びこれによって製造された熱電変換材料は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属からなる金属A、遷移金属M、及び酸素Oで構成され、各元素の原子価により決定される整数x、y、zを用いた一般式がAxMyOzで表される熱電変換材料の製造方法又は熱電変換材料において、前記熱電変換材料の固体原料である塊状金属酸化物と、固体、液体、又は気体のいずれか1の状態の塩とを用い、前記塊状金属酸化物と前記塩とを拡散反応させて、結晶方位の揃った前記熱電変換材料を生成させる。本発明に係る熱電変換材料の製造方法及びこの方法によって製造された熱電変換材料において、基板上に前記AxMyOzを形成することが好ましい。ここで、前記基板は金属板であって、該金属板を構成する金属の酸化物の絶縁膜を介して、前記AxMyOzを形成することができる。また、前記基板はセラミックス板であって、蒸着又はメッキにより該セラミックス板上に金属膜を形成した後、該金属膜を酸化させて前記塊状金属酸化物とすることもできる。ここで、前記塊状金属酸化物はコバルト酸化物、前記塩はナトリウム塩、前記金属Aはナトリウム、前記遷移金属Mはコバルト、前記AxMyOzはNaCo2O4であることが好ましい。また、前記塊状金属酸化物はマンガン酸化物、前記塩はカルシウム塩、前記金属Aはカルシウム、前記遷移金属Mはマンガン、前記AxMyOzはCaMnO3であってもよい。そして、前記塊状金属酸化物はコバルト酸化物、前記塩はカルシウム塩、前記金属Aはカルシウム、前記遷移金属Mはコバルト、前記AxMyOzはCa3Co4O9又はCa2Co2O5であってもよい。本発明に係る熱電変換材料の製造方法に用いる製造装置であって、前記塊状金属酸化物と前記塩を装入する反応容器と、該反応容器内の前記塊状金属酸化物と前記塩を加熱して拡散反応を進行させる加熱手段とを有する。本発明に係る熱電変換材料の製造方法及びこれによって製造された熱電変換材料は、熱電変換材料の固体原料である塊状金属酸化物と塩とを拡散反応させることにより、結晶方位の揃った熱電変換材料を生成させることができる。これは、結晶方位に異方性がある合金系では、一般に、拡散の速い拡散のし易い方位に結晶が成長し、柱状の結晶粒界をもった拡散層が形成されることによる。これによって、従来の方法に比較し空洞や欠陥が極めて少なく緻密で且つ結晶方位の揃った熱電変換材料を生成させることができる。また、塊状金属酸化物を使用し、拡散反応を用いるので、空洞、未反応生成物、及び異種相の発生を抑制、更には防止でき、拡散層を緻密な組織に形成できる。従って、単結晶に比較して低コストで容易に製造でき、しかも単結晶の性能に近づけることが可能な多結晶の熱電変換材料を製造できる。ここで、基板を金属板で構成し基板上にAxMyOzを形成する場合、脆いAxMyOzを金属板で補強できると共に、金属板を構成する金属の酸化物である絶縁膜により、金属板とAxMyOzとの直接接触を防止絶縁できる。また、基板をセラミックス板例えば、アルミナ板で構成し基板上にAxMyOzを形成する場合、蒸着又はメッキなどの方法を用いて、例えば、アルミナ板に金属膜を数μm~数mmの厚さで成膜させ、これを直接炭酸ナトリウム塩中に浸漬させて金属膜を酸化させることにより塊状金属酸化物に相当、AxMyOzを形成することもできる。あるいは、アルミナ板に成膜させた金属膜を予め酸化させ、これを炭酸ナトリウム塩と反応させて、AxMyOzを形成することもできる。熱電発電素子は、熱電変換材料であるP型半導体とN型半導体とを組み合わせて作製される。この際、1つのPN接合対では、取り出せる電力が小さいため、数多くの対を直列に接続する必要がある。多くの場合、熱電変換材料は金属電極で接合されるが、例えば、NaCo2O4やCoOは脆いため、接合時に容易に破損する恐れがある。そこで、AxMyOzを、絶縁膜を介して金属板上に、又はセラミックス板上に形成することで、熱電変換材料の破損を抑制でき、その結果、単結晶に比較して低コストで容易に多結晶の熱電変換材料を製造できる。特に、AxMyOzがNaCo2O4である場合、その熱電特性が、これまでの金属系熱電変換材料の代表的存在であるBi2Te3系の熱電特性に比較して著しく良いため、本発明の効果がより顕著になる。また、熱電変換材料の製造方法に用いる製造装置が、塊状金属酸化物と塩を装入する反応容器と、この反応容器内の塊状金属酸化物と塩を加熱して拡散反応を進行させる加熱手段とを有する場合、簡単な装置構成で熱電変換材料を製造できる。従って、単結晶に比較して低コストで容易に多結晶の熱電変換材料を製造できる。続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施例につき説明し、本発明の理解に供する。図1に示すように、本発明の一実施例に係る熱電変換材料の製造方法は、ナトリウム金属Aの一例、コバルト遷移金属Mの一例、及び酸素Oで構成されたNaCo2O4AxMyOzの一例で表される熱電変換材料P型半導体の製造方法であり、熱電変換材料の固体原料であるコバルト酸化物塊状金属酸化物の一例10と炭酸ナトリウムナトリウム塩の一例11とを拡散反応させて、結晶方位の揃った熱電変換材料を生成させる方法である。なお、図1中の符号12は、熱電変換材料の生成過程で形成される中間体である。以下、詳しく説明する。製造する熱電変換材料はNaCo2O4であるが、本発明が対象とする熱電変換材料は、このNaCo2O4に限定されるものではなく、例えば、カルシウム金属Aの一例、コバルト遷移金属Mの一例、及び酸素Oで構成されたCa3Co4O9やCa2Co2O5がある。また、カルシウム金属Aの一例、マンガン遷移金属Mの一例、及び酸素Oで構成されたCaMnO3で表される熱電変換材料N型半導体もある。更に、以下に示すアルカリ金属又はアルカリ土類金属からなる金属A、遷移金属M、及び酸素Oで構成され、各元素の原子価により決定される整数x、y、zを用いた一般式がAxMyOzで表されるものもある。ここで、金属Aであるアルカリ金属としては、例えば、リチウムLi、ナトリウム、カリウムK、ルビジウムRb、又はセシウムCsがあり、またアルカリ土類金属としては、例えば、マグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr、又はバリウムBaがある。そして、遷移金属遷移元素Mとしては、例えば、チタンTi、バナジウムV、クロムCr、マンガンMn、鉄Fe、コバルト、ニッケルNi、銅Cu、アルミニウムAl、ゲルマニウムGe、ヒ素As、イットリウムY、ジルコニウムZr、モリブデンMo、カドミウムCd、インジウムIn、錫Sn、タンタルTa、又はタングステンWがある。前記したNaCo2O4を製造するに際しては、まず、コバルト酸化物酸化コバルト:CoOもしくはCo3O4等10を準備する。このコバルト酸化物は粉状のものではなく、例えば、厚みが0.1~5mm程度の板状のもの板材を使用できるが、使用目的に応じて、厚みや形状を変更することは勿論可能である例えば、厚みが数μm~数mm程度の膜でもよい。また、コバルト酸化物は、コバルト板を加熱し酸化させることで得られるが、これに限定されるものではなく、予め作製したコバルト酸化物の薄板を準備してもよい。なお、CaMnO3を製造するに際しては、マンガン酸化物酸化マンガン:MnO2を準備する。そして、このコバルト酸化物10に、ナトリウムをカチオンとした炭酸塩酸素酸塩の一例である炭酸ナトリウムNa2CO311を接触させる。コバルト酸化物に接触させる塩としては、ナトリウムをカチオンとした水酸化物、他の酸素酸塩、又はハロゲン化物のうちのいずれか1種又は2種以上を使用してもよい。なお、他の酸素酸塩には、例えば、硝酸塩硝酸ナトリウム:NaNO3、亜硝酸塩、硫酸塩、又はリン酸塩があり、また、ハロゲン化物には、例えば、塩化物塩化ナトリウム:NaCl、フッ化物、臭化物、又はヨウ化物がある。なお、使用する塩は、熱電変換材料を構成する金属Aの種類に応じて、アルカリ金属又はアルカリ土類金属をカチオンとする水酸化物、酸素酸塩、又はハロゲン化物のうちのいずれか1種又は2種以上を使用することもできる。例えば、Ca3Co4O9やCa2Co2O5、またCaMnO3の場合は、炭酸カルシウムCaCO3、塩化カルシウムCaCl2、又は硝酸カルシウムCaNO32等のカルシウム塩を使用できる。ここで、コバルト酸化物10と炭酸ナトリウム11との接触は、図2Aに示す熱電変換材料の製造装置以下、単に製造装置ともいう13により行う。この製造装置13は、コバルト酸化物10と炭酸ナトリウム11を装入する反応容器14と、この反応容器14内のコバルト酸化物10と炭酸ナトリウム11を加熱する加熱手段図示しないとを有する。なお、反応容器としては、例えば、蓋付きのるつぼアルミナ製等を使用できるが、コバルト酸化物と炭酸ナトリウムを装入できれば、これに限定されるものではない。また、加熱手段としては、例えば、電気炉等を使用できるが、反応容器内のコバルト酸化物と炭酸ナトリウムを加熱して拡散反応を進行させることができれば、これに限定されるものではない。ここで、反応容器に装入するコバルト酸化物と炭酸ナトリウムの質量比は、炭酸ナトリウムの質量を、コバルト酸化物の質量の例えば、0.5倍以上10倍以下好ましくは、下限を1倍とするのがよい。コバルト酸化物の質量に対する炭酸ナトリウムの質量が0.5倍未満の場合、コバルト酸化物に対する炭酸ナトリウムの量が少な過ぎて、NaCo2O4の成長に必要なNaの供給が絶たれ、NaCo2O4の成長が止まり、十分に成長させることができない。一方、炭酸ナトリウムの質量が10倍を超える場合、コバルト酸化物に対する炭酸ナトリウムの量が多過ぎて、NaCo2O4が生成し成長するまでに時間を要する。このように、反応容器14内に装入したコバルト酸化物10と炭酸ナトリウム11を、加熱手段により加熱することで、炭酸ナトリウム11を液体の状態溶融塩にする。なお、液体にした炭酸ナトリウムの中に、コバルト酸化物を入れてもよい。ここで、加熱温度は、NaCo2O4が安定に存在し得る温度範囲であり、かつ、炭酸ナトリウムの融点851°Cよりも高い温度であることが望ましい。具体的には、860~950°Cの範囲図2B中の斜線領域内に設定する。なお、加熱温度は、NaCo2O4が安定に存在し得る温度範囲であれば、使用する塩の種類に応じて変更でき、NaCo2O4が安定に存在し得る温度範囲であり、かつNaCo2O4が成長できる条件下であれば、一般的に高温ほど成長速度が速くなる傾向にある。これにより、図1に示すように、コバルト酸化物10の表面に炭酸ナトリウム11を接触させ、コバルト酸化物10と炭酸ナトリウム11との反応によって、NaCo2O4の単相を、コバルト酸化物の炭酸ナトリウムとの接触面側に生成できる。なお、上記した加熱温度の保持時間、即ち拡散に要する時間は、例えば、10~200時間程度としているが、これに限定されるものではなく、形成するNaCo2O4の厚みに応じて種々変更できる。また、コバルト酸化物に接触させる溶融状態の炭酸ナトリウムには、予め酸化コバルトCoOを溶解飽和も含むさせたものを使用することもできる。このように、溶融状態の炭酸ナトリウムに酸化コバルトを予め溶解させることで、コバルト酸化物に接触させた際に、一度生成したNaCo2O4が炭酸ナトリウムに再溶解することを抑制、更には防止できる。従って、この場合、炭酸ナトリウムの質量を、前記した上限値即ち、10倍よりも多く、例えば、炭酸ナトリウムの質量をコバルト酸化物の質量の100倍程度まで多くすることもできる。これにより、NaCo2O4の生成時間を更に短縮できる。なお、酸化コバルトを一定量溶解させた炭酸ナトリウムは、例えば、アルミナ製のるつぼ内に、炭酸ナトリウムと酸化コバルトの粉末粒でもよいを所定量装填し、860~950°Cで加熱する方法により製造できる。また、炭酸ナトリウムは、気体の状態蒸気にして、コバルト酸化物に接触させることもできる。例えば、コバルト酸化物側を860~950°Cに加熱し、炭酸ナトリウム側を900~1100°Cに加熱することで、炭酸ナトリウムあるいは酸化ナトリウムの蒸気がコバルト酸化物側に飛散し、コバルト酸化物との反応によって、NaCo2O4の単相を生成できる。なお、塩としては、炭酸ナトリウム以外の塩も使用できるが、この場合、塩の加熱温度は、使用する塩の種類に応じて種々変更できる。更に、炭酸ナトリウムは、固体の状態のままで、コバルト酸化物に接触させることもできる。この場合、コバルト酸化物と炭酸ナトリウムとを、共に溶融しない温度範囲例えば、800~850°C程度で加熱し、コバルト酸化物と炭酸ナトリウムとの反応によって、NaCo2O4の単相を生成できる。なお、加熱温度は、使用する塊状金属酸化物と塩の種類に応じて種々変更でき、例えば、塊状金属酸化物と塩のうちのいずれか低い融点より5~150°C好ましくは、下限を10°C、上限を100°C低い温度範囲内に設定する。また、上記したNaCo2O4は脆いため、金属板基板の一例であるコバルト板上に、酸化コバルトCoO:金属板を構成する金属の酸化物の一例の絶縁膜を介して形成し、補強することもできる。この方法としては、まず、コバルト板を準備し、コバルトが残存するように加熱して酸化コバルトを形成し、この酸化コバルトの一部を残してNaCo2O4を形成するのがよい。なお、初期のコバルト板厚みと初期の酸化コバルトの膜厚は、コバルト板の残存厚み、酸化コバルトの残存膜厚、及び生成したNaCo2O4厚みを最適とするため、コバルト板を酸化させるときの酸化コバルト、及び酸化コバルトと炭酸ナトリウムを反応させるときのNaCo2O4の生成及び生長過程を、種々の加熱温度や時間で調査することにより過去の実績データに基づいて、選択できる。ここで、NaCo2O4形成後のコバルト板の残存厚みは、例えば、0.5~1mm程度、また、NaCo2O4形成後の酸化コバルトの残存膜厚は、例えば、0.01~0.5mm程度である。そして、形成するNaCo2O4の厚みは、例えば、50μm~2mm程度である。なお、上記した各厚みは、使用用途に応じて種々変更できる。また、上記したNaCo2O4は、金属板の代わりにセラミックス板等の上に形成することもできる。この場合、蒸着又はメッキによりセラミックス板上にCo膜金属膜の一例を形成した後、このCo膜を酸化させて前記したコバルト酸化物塊状金属酸化物とし、前記した方法でNaCo2O4を形成する。このコバルト酸化物は、全てNaCo2O4を作製するために使用できるが、例えば、その一部を絶縁膜として残存させてもよい。なお、金属膜の成膜は、セラミックス板上に金属膜を形成できれば、蒸着やメッキに限定されるものではない。また、上記したNaCo2O4を補強するための基板は、金属板やセラミックス板に限定されるものではなく、NaCo2O4を補強できれば、他の材質の基板を使用することもできる。このように、拡散反応を用いることで、生成するNaCo2O4の結晶方位を、c軸方向拡散方向の一方向に揃えることができる。ここで、一方向に揃えるとは、全ての結晶方位が完全に同じ方向に揃っている必要はなく、例えば、生成するNaCo2O4のうち、面積比で70好ましくは、80、更には90以上の結晶方位が、c軸方向に対して±45度好ましくは、±30度の範囲内で傾斜しているものも含まれる。以上のことから、拡散反応を用いることで、単結晶に比較して、低コストで、しかも作製法が容易な多結晶NaCo2O4の性能を、単結晶に匹敵する性能に近づけることが可能となる。従って、このNaCo2O4をP型半導体とし、例えば、ZnOやCaMnO3をN型半導体とすることで、PN接合が可能となり、これを熱電発電素子として利用できる。特に、CaMnO3を、上記した本発明の方法を用いて作製すれば、P型のNaCo2O4と同時に作製することも可能であり、製造プロセスが著しく簡素化される。次に、本発明の作用効果を確認するために行った実験例について説明する。まず、純度が99.5質量のCo板を1100°Cで72時間加熱して、酸化させた。コバルト酸化物は、室温ではCo3O4が安定であるが、図3に示すX線回折の結果から、CoOになっていることを確認できた。次に、作製したCoO板0.6gをアルミナ製角板の上に置き、このCoO板の上をNa2CO30.5gで覆い、860°Cにおいて24時間、大気中で加熱した。この温度では、Na2CO3は融解して液体となっている。この結果、CoO板とNa2CO3の反応によって、図4に示すように、NaCo2O4が単相として拡散生成した。この生成したNaCo2O4は、CoOとNa2CO3図4中では樹脂との間に生成し、CoOとの接合面に対して垂直方向に結晶粒界が形成され、柱状晶のNaCo2O4が生成されていることが観察された。なお、図4において、Na2CO3の代わりに樹脂があるのは、試料を水で洗い流していることによる。また、図4は、本発明方法で作成されたNaCo2O4の顕微鏡組織写真を示すが、下部のCoOと上部の樹脂の間に観察されるNaCo2O4の結晶粒界が拡散方向とほぼ平行になっていると共に、空洞や介在物などの欠陥が観察されていない。結晶粒界が拡散方向とほぼ平行になっていることは結晶方位が特定の方向に揃っていることを示唆しているが、その結晶方位は下記のX線回折の結果からc軸方向に揃っていることが示される。次に、拡散生成層が存在する表面をX線回折した結果について、図5を参照しながら説明する。図5に示すように、NaCo2O4の回折ピークが得られ、特に<001>方向の回折ピーク強度が強いことが分かった。このことは、NaCo2O4の<001>方位が、拡散方向c軸方向に向けて一方向に揃っていることを示している。この点に着目して、図4をみると、NaCo2O4の結晶粒界が拡散方向に平行CoO面に垂直に整列していることが分かる。この図5は本方法で作成された熱電変換材料の結晶方位が揃っていることを示しており、図5の太い実線で示すNaCo2O4粉末の回折ピークは例えば<102>、<104>のピークが観察されているのに対して細い実線で示した本方法で作成された試験片では、これらのピークは観察されず、<002>、<004>のc軸方向に結晶方位が揃っていることが分かる。以上のことから、本発明の熱電変換材料の製造方法を使用することで、単結晶に比較して低コストで容易に製造でき、しかも単結晶の性能に近づけることが可能な多結晶の熱電変換材料を製造できることが分かった。以上、本発明を、実施例を参照して説明してきたが、本発明は何ら上記した実施例に記載の構成に限定されるものではなく、請求の範囲に記載されている事項の範囲内で考えられるその他の実施例や変形例も含むものである。例えば、前記したそれぞれの実施例や変形例の一部又は全部を組合せて本発明の熱電変換材料の製造方法及び熱電変換材料並びにこの製造方法に用いる製造装置を構成する場合も本発明の権利範囲に含まれる。