炭素原料ガスを導入し、シリコン基板の温度を第1の温度範囲の温度にして、前記シリコン基板の表面に炭化層を形成することと、前記炭素原料ガスの導入を止めて前記シリコン基板の温度を、前記第1の温度範囲の温度よりも低い第2の温度範囲の温度に下降させることと、前記シリコン基板の温度が前記第2の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガスを導入し、前記シリコン基板と前記炭化層との間の界面に形成された空孔にシリコンをエピタキシャル成長させて前記空孔を埋めることと、前記シリコン原料ガスの導入を止め、前記炭素原料ガスを導入しつつ前記シリコン基板の温度を、前記第2の温度範囲の温度よりも高い第3の温度範囲の温度に上昇させることと、前記シリコン基板の温度が前記第3の温度範囲の温度となったところで、前記シリコン原料ガス及び前記炭素原料ガスを導入し、前記炭化層上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることと、を有することを特徴とする立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。前記シリコン原料ガス及び前記炭素原料ガスの導入を止めて前記シリコン基板の温度を、前記第3の温度範囲の温度よりも低い第4の温度範囲の温度に下降させることを有し、前記立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることの後に、前記第4の温度範囲の温度に下降させることと、前記空孔を埋めることと、前記第3の温度範囲の温度に上昇させることと、前記立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることとを順に行うサイクルを1回以上繰り返し行うことを特徴とする請求項1に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。前記第4の温度範囲が700°C以上900°C以下の範囲であることを特徴とする請求項2に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。前記第3の温度範囲の温度に上昇させることにおいて導入する前記炭素原料ガスの流量を、前記立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることにおいて導入する前記炭素原料ガスの流量よりも小さくすることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。前記第1の温度範囲が950°C以上1400°C以下の範囲であり、前記第2の温度範囲が700°C以上900°C以下の範囲であり、前記第3の温度範囲が950°C以上1400°C以下の範囲であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。前記炭化層を形成することの前に、真空雰囲気の下で、前記炭素原料ガス及び前記シリコン原料ガスを導入せずに前記シリコン基板を加熱し、前記シリコン基板の表面に形成された酸化膜を除去することを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。前記炭素原料ガスがネオペンタンガスであることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。前記空孔を埋めることにおいて、前記第2の温度範囲の温度は、前記空孔にシリコンがエピタキシャル成長する成長量が前記空孔からシリコンが昇華する昇華量よりも大きくなる温度であることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。しかしながら、Si基板の表面を炭化処理してSi基板上へ3C-SiC層を形成した場合においても、3C-SiC層に結晶欠陥、ピンホール等が生じることを完全に抑えることは困難である。3C-SiC層に結晶欠陥、ピンホール等が生じると、この欠陥部分によりSi基板表面からSiが昇華してSi基板に空孔が形成され、3C‐SiC層に結晶欠陥が生じることがある。本発明の一態様は、結晶欠陥の少ない高品質な3C-SiC層を形成することが可能な立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を提供するものである。上記の課題を解決するため、本発明の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法は、炭素原料ガスを導入し、シリコン基板の温度を第1の温度範囲の温度にして、前記シリコン基板の表面に炭化層を形成することと、前記炭素原料ガスの導入を止めて前記シリコン基板の温度を、前記第1の温度範囲の温度よりも低い第2の温度範囲の温度に下降させることと、前記シリコン基板の温度が前記第2の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガスを導入し、前記シリコン基板と前記炭化層との間の界面に形成された空孔にシリコンをエピタキシャル成長させて前記空孔を埋めることと、前記シリコン原料ガスの導入を止め、前記炭素原料ガスを導入しつつ前記シリコン基板の温度を、前記第2の温度範囲の温度よりも高い第3の温度範囲の温度に上昇させることと、前記シリコン基板の温度が前記第3の温度範囲の温度となったところで、前記シリコン原料ガス及び前記炭素原料ガスを導入し、前記炭化層上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることと、を有することを特徴とする。シリコン基板の表面に炭化層を形成した後、炭化層に結晶欠陥、ピンホール等の欠陥部分が形成されることがある。すると、この欠陥部分によりシリコン基板表面からシリコンが昇華してシリコン基板に空孔が形成される場合がある。本発明の方法によれば、シリコン基板に形成された空孔にシリコンをエピタキシャル成長させることによって空孔を埋めることができる。また、空孔を埋めるときのシリコン基板の温度を炭化層を形成するときのシリコン基板の温度よりも下げているので、シリコン基板に形成された空孔にシリコンを埋めるときにシリコン基板の空孔からシリコンが昇華することを抑制することができる。よって、シリコン基板の空孔にシリコンをより確実に埋めることができる。次いで、炭素原料ガスを導入しているので、シリコン基板の温度を上昇させているときにシリコン基板の空孔からシリコンが昇華することを抑制することができる。最後に、炭化層上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることによって炭化層に形成された欠陥部分を埋めることができる。よって、結晶欠陥の少ない高品質な立方晶炭化珪素層を形成することができる。なお、シリコンと炭化層との格子定数が異なるため、炭化層の表面にはシリコン膜が形成されない。つまり、シリコン基板の空孔に対して選択的にシリコンが形成される。同様に、残存したシリコン基板の空孔には立方晶炭化珪素膜が形成されることはない。また、本発明の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法は、前記シリコン原料ガス及び前記炭素原料ガスの導入を止めて前記シリコン基板の温度を、前記第3の温度範囲の温度よりも低い第4の温度範囲の温度に下降させることを有し、前記立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることの後に、前記第4の温度範囲の温度に下降させることと、前記空孔を埋めることと、前記第3の温度範囲の温度に上昇させることと、前記立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることとを順に行うサイクルを1回以上繰り返し行ってもよい。この方法によれば、シリコン基板に形成された空孔にシリコンをエピタキシャル成長させることによって空孔を埋めることと炭化層上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることとが複数回繰り返されるので、より確実に結晶欠陥の少ない高品質な立方晶炭化珪素層を形成することができる。また、本発明の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法は、前記第4の温度範囲が700°C以上900°C以下の範囲であってもよい。このような温度範囲であればより確実に結晶欠陥の少ない高品質な立方晶炭化珪素層を形成することができる。また、本発明の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法は、前記第3の温度範囲の温度に上昇させることにおいて導入する前記炭素原料ガスの流量を、前記立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることにおいて導入する前記炭素原料ガスの流量よりも小さくしてもよい。この方法によれば、立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることにおいて炭素原料ガスの無駄を少なくして空孔からシリコンが昇華することを抑制することができる。また、炭素原料ガスが炭化層上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させる原料ガスとなるとともに空孔からシリコンが昇華することを抑制するガスとして機能する。このため、原料ガスとは別に、空孔からシリコンが昇華することを抑制するガスを導入する必要がないので、製造効率の向上を図ることができるまた、本発明の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法は、前記第1の温度範囲が950°C以上1400°C以下の範囲であり、前記第2の温度範囲が700°C以上900°C以下の範囲であり、前記第3の温度範囲が950°C以上1400°C以下の範囲であってもよい。このような温度範囲であればより確実に結晶欠陥の少ない高品質な立方晶炭化珪素層を形成することができる。また、本発明の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法は、前記炭化層を形成することの前に、真空雰囲気の下で、前記炭素原料ガス及び前記シリコン原料ガスを導入せずに前記シリコン基板を加熱し、前記シリコン基板の表面に形成された酸化膜を除去してもよい。この方法によれば、シリコン基板の表面に炭化層を形成する前にシリコン基板表面の酸化膜自然酸化膜などのクリーニングが行われるので、欠陥部分の少ない炭化層が形成され易くなる。よって、高品質な立方晶炭化珪素層を形成することが容易となる。また、本発明の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法は、前記炭素原料ガスがネオペンタンガスであってもよい。ネオペンタンは、炭素原料ガスの中でも低温度で例えば400°C程度から熱分解を起こし、CH3ラジカルを放出することが知られている。このような低温で炭化層を形成したり立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させたりすることにより、シリコン基板の空孔からシリコンが昇華することを抑制することができる。また、本発明の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法は、前記空孔を埋めることにおいて、前記第2の温度範囲の温度は、前記空孔にシリコンがエピタキシャル成長する成長量が前記空孔からシリコンが昇華する昇華量よりも大きくなる温度であってもよい。この方法によれば、シリコン基板に形成された空孔にシリコンを埋めるときに、空孔からシリコンが昇華する昇華量よりも多い量のシリコンを空孔にエピタキシャル成長させることができる。よって、シリコン基板の空孔にシリコンをより確実に埋めることができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。第1実施形態図1は、本発明に係る立方晶炭化珪素半導体基板の概略構成を示す模式図である。図1に示すように、立方晶炭化珪素半導体基板1は、シリコン基板11と、シリコン基板11の一面11aを炭化処理して形成された炭化層12と、炭化層12の一面12aに立方晶炭化珪素3C‐SiCがエピタキシャル成長して形成された立方晶炭化珪素エピタキシャル膜13以下、単にエピタキシャル膜13と略記する。と、を具備して構成されている。シリコン基板11は、例えば、CZ法チョクラルスキー法により引上げられたシリコン単結晶インゴットをスライス、研磨して形成されている。このシリコン基板11の上面はミラー指数100で表される結晶面である第1の面11aを成している。また、第1の面11aの結晶軸が数度傾いたオフセット基板を用いてもよい。なお、本実施形態では、シリコン基板11としてシリコン単結晶基板を用いるがこれに限らない。例えば、石英、サファイア、ステンレスからなる基板上に単結晶シリコン膜を形成したものでもよい。本願明細書において、シリコン単結晶基板、また例えば、石英、サファイア、ステンレスからなる基板上に単結晶シリコン膜を形成したものをシリコン基板という。また、シリコン基板11の上面はミラー指数100で表される結晶面をなすものとされるが、100面以外にも、100面に対して54.73度傾斜した111面であってもよい。このような単結晶シリコンの格子定数は0.543nmである。エピタキシャル膜13は、炭化層12の一面12aに形成されている。エピタキシャル膜13は、立方晶炭化珪素3C‐SiCがエピタキシャル成長して形成された半導体膜である。3C‐SiCは、バンドギャップ値が2.2eV以上と広く、熱伝導率や絶縁破壊電界が高いため、パワーデバイス用のワイドバンドギャップ半導体として好適である。このような3C-SiCからなるエピタキシャル膜13の格子定数は0.436nmである。炭化層12は、シリコン基板11とエピタキシャル膜13との間に形成されている。炭化層12は、炭化珪素3C-SiCの単結晶層または多結晶層である。炭化層12は、シリコン基板11の一面11aを炭化処理することにより、エピタキシャル膜13を形成する際のシリコン基板11表面からのシリコンの昇華を抑制し、かつ、シリコン基板11より詳しくはシリコン基板11を構成する単結晶シリコン膜とエピタキシャル膜13との格子不整合を緩和し、エピタキシャル膜13に転移欠陥が生じるのを抑制する機能を有するものである。炭化層12の厚みは、少なくとも1原子層分の厚みで形成されていればよく、例えば2nm以上30nm以下の厚みとされている。次に、この立方晶炭化珪素半導体基板1の製造方法について説明する。図2は、本実施形態に係る立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を示す過程図である。図3は、本実施形態に係る立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法の説明図である。図3において、横軸は時間、右側の縦軸はシリコン基板11に加える熱処理の温度シリコン基板11の温度、左側の縦軸は導入するガスの流量を示している。なお、以下の説明においては、シリコン基板11の温度を単に基板温度ということがある。先ず、シリコン基板11を用意し、このシリコン基板11を熱処理炉のチャンバー図示略に収容する図2a参照。次に、チャンバー内を真空雰囲気にして、炭素原料ガス及びシリコン原料ガスを導入せずに原料ガスを導入せずに、シリコン基板11を、基板温度を概ね750°C、処理時間5分の条件で熱処理し、シリコン基板11の表面11aの自然酸化膜等のクリーニングを行う図3参照。ここで、概ね750°Cとは、基板温度の設定誤差を含む温度範囲の温度であり、例えば740°C以上760°C以下の範囲である。なお、クリーニングの工程は省略してもよい。次に、シリコン基板11の温度を600°Cまで下降する。そして、シリコン基板11の温度が安定した後、炭化層12の原料ガス炭素原料ガスをチャンバー内に1sccm導入し、そのままシリコン基板11の温度を第1の温度範囲の温度まで上昇させて5分間維持する図3参照。なお、第1の温度範囲は950°C以上1400°C以下の範囲である。本実施形態では、一例として第1の温度範囲の温度を1000°Cとしている。炭素原料ガスとしては、炭化水素系ガスが好ましく、例えば、メタンCH4、エタンC2H6、アセチレンC2H2、エチレンC2H4、プロパンC3H8、ノルマルブタンn-C4H10、イソブタンi-C4H10、ネオペンタンneo-C5H12等が好適に用いられる。これらは、1種のみを単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。本実施形態では、炭素原料ガスとしてネオペンタンを用いる。これにより、シリコン基板11の一面11aに炭化層12を形成する第1の工程、図2b参照。ところで、シリコン基板11の表面を炭化処理して炭化層12を形成した場合、この炭化層12に結晶欠陥、ピンホール等の欠陥部分12hが生じることがある図2b参照。炭化層12に欠陥部分12hが生じると、この欠陥部分12hによりシリコン基板11表面からシリコンが昇華してシリコン基板11に空孔11hが形成されることがある図2c参照。この状態で炭化層12の一面12aに3C-SiCをエピタキシャル成長させると、形成されたエピタキシャル膜に結晶欠陥や異常粒成長等の欠陥部分が生じるといった問題があった。そこで、本発明においては、シリコン基板11に形成された空孔11hにシリコンをエピタキシャル成長させて空孔11hを埋める工程第3の工程を有する立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を採用している。以下、本工程の詳細について説明する。シリコン基板11の一面11aに炭化層12を形成した後に、炭素原料ガスの導入を止めて基板温度を処理時間2分程度で第2の温度範囲の温度まで下げる第2の工程。なお、第2の温度範囲は700°C以上900°C以下の範囲である。本実施形態では、一例として第2の温度範囲の温度を900°Cとしている。基板温度が900°Cになったところで、シリコン原料ガスをチャンバー内に20sccm導入し、そのまま3分間維持して、シリコン基板11と炭化層12との間の界面に形成された空孔11hにシリコンをエピタキシャル成長させて空孔11hを埋める第3の工程、図2d参照。シリコン原料ガスとしては、塩化ケイ素系ガスやシラン系ガスが好ましい。例えば、塩化ケイ素系ガスとしては、ジクロロシランSiH2Cl2、テトラクロロシランSiCl4、トリクロロシランSiHCl3、ヘキサクロロジシランSi2Cl6等が好適に用いられる。これらは、1種のみを単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、シラン系ガスとしては、シランSiH4、ジシランSi2H6、モノメチルシランSiH3CH3、ジメチルシランSiH2CH32、トリメチルシランSiHCH33等が好適に用いられる。これらは、1種のみを単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。本実施形態では、シリコン原料ガスとしてジクロロシランを用いる。これにより、シリコン基板11の空孔11hを起点にシリコンがエピタキシャル成長し、複数の空孔11hのうち一部は埋め戻されて消失し、残りの一部は小さくなる図2d参照。第3の工程においては、シリコン基板11の空孔11hにシリコンがエピタキシャル成長する成長量が空孔11hからシリコンが昇華する昇華量よりも大きくなるよう、第2の温度範囲の温度700°C以上900°C以下の範囲の温度を設定することが好ましい。なお、第3の工程において、炭化層12の一面12aにはシリコン膜は形成されない。これは、シリコンと炭化層との格子定数が異なるためである。つまり、第3の工程においては、シリコン基板11の空孔11hにのみ選択的にシリコンが形成される。次に、シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスをチャンバー内に1sccm導入しつつ基板温度を処理時間1分程度で第3の温度範囲の温度まで上昇させる第4の工程。なお、第3の温度範囲は950°C以上1400°C以下の範囲である。本実施形態では、一例として第3の温度範囲の温度を1000°Cとしている。次に、基板温度が1000°Cになったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、そのまま5分間維持して、炭化層12の一面12aに3C-SiCをエピタキシャル成長させる第5の工程、図2e参照。第5の工程において、シリコン原料ガスの流量は20sccmであり、炭素原料ガスの流量は5sccmである。第5の工程においては、炭素原料ガスに加えてシリコン原料ガスを導入し、かつ、導入する炭素原料ガスの流量を第4の工程における炭素原料ガスの流量よりも大きくすることが好ましい。つまり、第4の工程におけるチャンバー内に導入する炭素原料ガスの流量は1sccmであったが、第5の工程においてはチャンバー内に導入する炭素原料ガスの流量を5sccmに変更している。これにより、炭化層12の一面12aにエピタキシャル膜13が形成されるとともに、炭化層12の欠陥部分12hのうち一部は埋め戻されて消失し、残りの一部は小さくなる図2e参照。なお、第5の工程において、シリコン基板11に残存した空孔11hにはエピタキシャル膜13は形成されない。これは、シリコンと炭化層との格子定数が異なるためである。つまり、第5の工程においては、炭化層12の一面12aに対して選択的にエピタキシャル膜13が形成される。以上の工程により、本実施形態の立方晶炭化珪素半導体基板1を製造することができる。本実施形態の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法によれば、第3の工程においてシリコン基板11に形成された空孔11hにシリコンをエピタキシャル成長させることによって空孔11hを埋めることができる。また、第3の工程における基板温度を第1の工程における基板温度よりも下げているので、シリコン基板11に形成された空孔11hにシリコンを埋めるときにシリコン基板11の空孔11hからシリコンが昇華することを抑制することができる。よって、シリコン基板11の空孔11hにシリコンをより確実に埋めることができる。次いで、第4の工程において炭素原料ガスを導入しているので、基板温度を上昇させているときにシリコン基板11の空孔11hからシリコンが昇華することを抑制することができる。最後に、第5の工程において炭化層12上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることによって炭化層12に形成された欠陥部分12hを埋めることができる。よって、結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜13を形成することができる。また、この方法によれば、第1の温度範囲が950°C以上1400°C以下の範囲であり、第2の温度範囲が700°C以上900°C以下の範囲であり、第3の温度範囲が950°C以上1400°C以下の範囲である。このような温度範囲であればより確実に結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜13を形成することができる。また、この方法によれば、シリコン基板11の上面11aに炭化層12を形成する前にシリコン基板表面11aの酸化膜自然酸化膜などのクリーニングが行われるので、欠陥部分の少ない炭化層12が形成され易くなる。よって、高品質なエピタキシャル膜13を形成することが容易となる。また、この方法によれば、第4の工程で導入する炭素原料ガスの流量を、第5の工程で導入する炭素原料ガスの流量よりも小さくしているので、第4の工程において炭素原料ガスの無駄を少なくして空孔11hからシリコンが昇華することを抑制することができる。また、炭素原料ガスが炭化層12上に3C-SiCをエピタキシャル成長させる原料ガスとなるとともに空孔11hからシリコンが昇華することを抑制するガスとして機能する。このため、原料ガスとは別に、空孔11hからシリコンが昇華することを抑制するガスを導入する必要がないので、製造効率の向上を図ることができる。また、この方法によれば、第1の工程、第4の工程、及び第5の工程で導入する炭素原料ガスがネオペンタンガスである。ネオペンタンは、炭素原料ガスの中でも低温度で例えば400°C程度から熱分解を起こし、CH3ラジカルを放出することが知られている。このような低温で炭化層12を形成したり3C-SiCをエピタキシャル成長させたりすることにより、シリコン基板11の空孔11hからシリコンが昇華することを抑制することができる。また、この方法によれば、シリコン基板11に形成された空孔11hにシリコンを埋めるときに、空孔11hからシリコンが昇華する昇華量よりも多い量のシリコンを空孔11hにエピタキシャル成長させることができる。よって、第3の工程においてシリコン基板11の空孔11hにシリコンをより確実に埋めることができる。なお、本実施形態では、第3の工程及び第5の工程で導入するシリコン原料ガスとしてジクロロシランを用い、第4の工程及び第5の工程で導入する炭素原料ガスとしてネオペンタンを用い、各工程で導入するシリコン原料ガス、炭素原料ガスとして同じ種類のガスを用いているが、これに限らない。例えば、第5の工程で導入するシリコン原料ガスとしてジクロロシラン以外のシリコン原料を用いたり、第5の工程で導入する炭素原料ガスとしてネオペンタン以外の炭素原料ガスを用いたりして、各工程で導入するシリコン原料ガス、炭素原料ガスとして異なる種類のガスを用いてもよい。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態に係る立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法について説明する。なお、第2実施形態の説明にあたっては、第1実施形態と同様の構成、工程については同じ符号を付し、その説明を省略する。図4は、本実施形態に係る立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を示す過程図である。図5は、本実施形態に係る立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法の説明図である。なお、図5において、横軸は時間、右側の縦軸はシリコン基板11に加える熱処理の温度基板温度、左側の縦軸は導入するガスの流量を示している。本実施形態の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法は、第5の工程の後に、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスの導入を止めて基板温度を第4の温度範囲の温度まで下げる第6の工程を有し、第5の工程の後に、第6の工程と第3の工程と第4の工程と第5の工程とをこの順に行うサイクルを1回以上繰り返し行う方法である。なお、第4の温度範囲は700°C以上900°C以下の範囲である。本実施形態では、一例として第4の温度範囲の温度を900°Cとする。上述した第1実施形態の製造工程第1の工程~第5の工程を経て製造された立方晶炭化珪素半導体基板においても、シリコン基板11に空孔11hが残存することがある図2e参照。そこで、本実施形態では以下の工程を採用している。第5の工程の後に、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスの導入を止めて基板温度を900°Cまで下げる第6の工程。次いで、基板温度が900°Cとなったところで、チャンバー内にシリコン原料ガスを導入し、シリコン基板11に残存した空孔11hにシリコンをエピタキシャルさせて残存した空孔11hを埋める第3の工程。これにより、シリコン基板11に残存した空孔11hにシリコンがエピタキシャル成長し、複数の残存した空孔11hのうち一部は埋め戻されて消失し、残りの一部は小さくなる図4a参照。次に、シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板11の温度を1000°Cまで上昇させる第4の工程。シリコン基板11の温度が1000°Cとなったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層12上に3C-SiCをエピタキシャル成長させる第5の工程。これにより、エピタキシャル膜13が成長し、かつ、炭化層12に残存した欠陥部分12hのうち一部は埋め戻されて消失し、残りの一部は小さくなる図4b参照。また、第5の工程の後に、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスの導入を止めて基板温度を第4の温度範囲の温度まで下げ、次いで、第3の工程、第4の工程、第5の工程を順に行うサイクルを1回だけ行って製造された立方晶炭化珪素半導体基板においても、シリコン基板11に空孔11hが残存することがある図4b参照。この場合は、同様に以下の工程を繰り返して行ってもよい。第5の工程の後に、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスの導入を止めて基板温度を900°Cまで下げる。次いで、基板温度が900°Cとなったところで、チャンバー内にシリコン原料ガスを導入し、シリコン基板11に残存した空孔11hにシリコンをエピタキシャルさせて残存した空孔11hを埋める第3の工程。これにより、シリコン基板11に残存した空孔11hにシリコンがエピタキシャル成長し、例えば、残存した空孔11hの全てが埋め戻されて消失する図4c参照。次に、シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板11の温度を1000°Cまで上昇させる第4の工程。シリコン基板11の温度が1000°Cとなったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層12上に3C-SiCをエピタキシャル成長させる第5の工程。これにより、エピタキシャル膜13が成長し、かつ、炭化層12に残存した欠陥部分12hの全てが埋め戻されて消失する図4d参照。つまり、本実施形態の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法は、炭化層12上にエピタキシャル膜13を形成した後に、下記の1~4の工程を繰り返し行う。1シリコン原料ガス及び炭素原料ガスの導入を止めてシリコン基板11の温度を900°Cまで下げる工程。2シリコン基板11の温度が900°Cとなったところで、チャンバー内にシリコン原料ガスを導入し、シリコン基板11に残存した空孔11hにシリコンをエピタキシャルさせて残存した空孔11hを埋める工程。3シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板11の温度を1000°Cまで上昇させる工程。4シリコン基板11の温度が1000°Cとなったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層12上に3C-SiCをエピタキシャル成長させる工程。上記の1~4の工程を1サイクルとしたサイクル以下、単にサイクルという場合がある、複数回繰り返し行うことにより、本実施形態の立方晶炭化珪素半導体基板を製造することができる。図6は、本実施形態の製造方法で製造された立方晶炭化珪素半導体基板の表面状態を示す走査型電子顕微鏡像である。図6aは、第5の工程の後に、サイクルを5回行ったときの立方晶炭化珪素半導体基板の表面状態である。図6bは、第5の工程の後に、サイクルを10回行ったときの立方晶炭化珪素半導体基板の表面状態である。図6cは、第5の工程の後に、サイクルを20回行ったときの立方晶炭化珪素半導体基板の表面状態である。図6a~cにおいて、立方晶炭化珪素半導体基板の表面に示される黒い部分はエピタキシャル膜に形成された結晶欠陥やピンホール等の欠陥部分である。図6a~cに示すように、サイクル回数が増すに従って、エピタキシャル膜に形成される欠陥部分が徐々に小さくなり、欠陥部分が消失していくことが確認される。本実施形態の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法によれば、シリコン基板11に形成された空孔11hにシリコンをエピタキシャル成長させることによって空孔11hを埋める工程第3の工程と炭化層12上に3C-SiCをエピタキシャル成長させる工程第5の工程とが複数回繰り返されるので、より確実に結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜13を形成することができる。また、この方法によれば、第4の温度範囲が700°C以上900°C以下の範囲である。このような温度範囲であればより確実に結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜13を形成することができる。