酸素が六角格子配置された面を主面とするGa2O3基板上に、第1のAlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶を第1の温度で成長させてバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に第2のAlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶を成長させて窒化物半導体層を形成する工程と、を含み、前記バッファ層を形成するより前に、前記第1の温度よりも高い温度で前記Ga2O3基板の表面を窒化する工程を含まない、結晶積層構造体の製造方法。前記Ga2O3基板を窒素原料ガスに曝した状態で前記第1の温度で10分以下の時間保持した後、前記Ga2O3基板を前記N原料ガス及びAl原料ガスに曝した状態で前記第1の温度で保持して、前記第2のAlxGayInzN結晶を成長させる、請求項1に記載の結晶積層構造体の製造方法。前記Ga2O3基板の前記主面は、101、-201、301、3-10のいずれかの面である、請求項1又は2に記載の結晶積層構造体の製造方法。前記第1のAlxGayInzN結晶はAlN結晶である、請求項1~3のいずれか1項に記載の結晶積層構造体の製造方法。前記第2のAlxGayInzN結晶はGaN結晶である、請求項1~4のいずれか1項に記載の結晶積層構造体の製造方法。しかし、Ga2O3基板の窒化された部分は電気抵抗が高くなるため、特許文献1に記載された半導体素子は、Ga2O3基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が高く、低電圧では動作しない。したがって、本発明の目的は、Ga2O3基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体の製造方法を提供することにある。本発明の一態様は、上記目的を達成するために、[1]~[5]の結晶積層構造体の製造方法を提供する。[1]酸素が六角格子配置された面を主面とするGa2O3基板上に、第1のAlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶を第1の温度で成長させてバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に第2のAlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶を成長させて窒化物半導体層を形成する工程と、を含み、前記バッファ層を形成するより前に、前記第1の温度よりも高い温度で前記Ga2O3基板の表面を窒化する工程を含まない、結晶積層構造体の製造方法。[2]前記Ga2O3基板を窒素原料ガスに曝した状態で前記第1の温度で10分以下の時間保持した後、前記Ga2O3基板を前記N原料ガス及びAl原料ガスに曝した状態で前記第1の温度で保持して、前記第2のAlxGayInzN結晶を成長させる、前記[1]に記載の結晶積層構造体の製造方法。[3]前記Ga2O3基板の前記主面は、101、-201、301、3-10のいずれかの面である、前記[1]又は[2]に記載の結晶積層構造体の製造方法。[4]前記第1のAlxGayInzN結晶はAlN結晶である、前記[1]~[3]のいずれか1つに記載の結晶積層構造体の製造方法。[5]前記第2のAlxGayInzN結晶はGaN結晶である、前記[1]~[4]のいずれか1つに記載の結晶積層構造体の製造方法。本発明によれば、Ga2O3基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体の製造方法を提供することができる。実施の形態結晶積層構造体の構造図1は、実施の形態に係る結晶積層構造体の断面図である。結晶積層構造体1は、Ga2O3基板2と、Ga2O3基板2上のバッファ層3と、バッファ層3上の窒化物半導体層4を含む。Ga2O3基板2は、β-Ga2O3単結晶からなる。また、Ga2O3基板2の主面は、酸素が六角格子配置された面、例えば101面、-201面、301面、又は3-10面であることが好ましい。この場合、バッファ層3が薄い例えば10nm以下場合であっても、表面が平坦な窒化物半導体結晶をバッファ層3上に成長させ、窒化物半導体層4を形成することができる。特に、Ga2O3基板2の主面は101であることがより好ましい。バッファ層3は、AlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶からなる。また、Ga2O3基板2と窒化物半導体層4との間の電気抵抗を下げるために、Ga2O3基板2の表面の窒化物半導体4層の直下の領域をバッファ層3が被覆する割合は、10~90であることが好ましく、例えば、バッファ層3は、図1に示されるように、アイランド状に形成される。また、バッファ層3は、AlxGayInzN結晶の中でも、特にAlN結晶x=1、y=z=0からなることが好ましい。バッファ層3がAlN結晶からなる場合、Ga2O3基板2と窒化物半導体層4との密着性がより高まる。バッファ層3の厚さは、例えば、5nmである。窒化物半導体層4は、AlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶からなり、特に、結晶品質のよいGaN結晶y=1、x=z=0からなることが好ましい。窒化物半導体層4の厚さは、例えば、2μmである。なお、Ga2O3基板2及び窒化物半導体層4は、Si等の導電型不純物を含んでもよい。結晶積層構造体の製造方法図2a、bは、本実施の形態に係る結晶積層構造体の製造工程順序の一例を表すグラフである。図3a、bは、比較例に係る結晶積層構造体の製造工程順序の一例を表すグラフである。図2a、図3aの折れ線は時間の経過に伴う温度条件の変化を表し、図2b、図3bの矢印は原料ガスが供給される時間を表す。まず、図2a、bを用いて、実施の形態に係る結晶積層構造体の製造工程順序の一例について説明する。実施の形態に係る結晶積層構造体の製造工程では、バッファ層3を形成する前のGa2O3基板2の表面の窒化処理を実施しない。まず、150°Cに加熱した濃度98wtのリン酸を用いて、Ga2O3基板2に120分間の前処理を施す。次に、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition装置のチャンバー内にGa2O3基板2を搬送した後、チャンバー内にN2、NH3等のN原料ガスを供給しながら、ガスチャンバー内の温度をT1まで上げるステップS1。ここで、T1は370~500°Cであり、例えば、450°Cである。次に、チャンバー内の温度をT1に保持した状態で、10分以下の時間、例えば2分間、Ga2O3基板2の表面をN原料ガスに曝すステップS2。このステップS2を経ることにより、Ga2O3基板2の温度が安定化する。Ga2O3基板2の表面がN原料ガスに曝される時間、すなわちステップS2の時間が10分を超える場合、窒化が進みすぎてGa2O3基板2の表面の電気抵抗が増加するおそれがある。さらに、チャンバー内の温度をT1に保持した状態で、III族元素原料ガス、すなわち、トリメチルガリウムTMGガス等のGa原料ガス、トリメチルアルミニウムTMAガス等のAl原料ガス、及びトリメチルインジウムTMIガス等のIn原料ガス、をチャンバー内に供給して、AlxGayInzN結晶をGa2O3基板2上に成長させ、バッファ層3を形成するステップS3。次に、チャンバー内の温度をT2まで上げるステップS4。ここで、T2は、例えば、1050°Cである。次に、チャンバー内の温度をT2に保持した状態で、AlxGayInzN結晶をバッファ層3上に成長させ、窒化物半導体層4を形成するステップS5。その後、チャンバー内の温度を下げステップS6、結晶積層構造体1をチャンバー内から取り出す。次に、図3a、bを用いて、比較例に係る結晶積層構造体の製造工程順序の一例について説明する。比較例に係る結晶積層構造体の製造工程では、バッファ層3を形成する前にGa2O3基板2の表面に窒化処理を施す。まず、150°Cに加熱した濃度98wtのリン酸を用いて、Ga2O3基板2に120分間の前処理を施す。次に、MOCVD装置のチャンバー内にGa2O3基板2を搬送した後、チャンバー内にN原料ガスを供給しながら、チャンバー内の温度をT0まで上げるステップS11。ここで、T0は前述の温度T1よりも高く、例えば、800°Cである。次に、チャンバー内の温度をT0に保持し、Ga2O3基板2の表面に窒化処理を施すステップS12。次に、チャンバー内の温度をT1まで下げるステップS13。ここで、T1は図2に示されるT1と同じ温度である。次に、チャンバー内の温度をT1に保持した状態で、III族元素原料ガスをチャンバー内に供給して、AlxGayInzN結晶をGa2O3基板2上に成長させ、バッファ層3を形成するステップS14。その後のステップS15~17は、前述のステップS4~6と同様であるので、説明を省略する。実施の形態の効果本実施の形態によれば、Ga2O3基板を窒素原料ガスに曝した状態で10分以下の時間保持ステップS2した後、Ga2O3基板上にAlxGayInzN結晶を成長させてバッファ層を形成するステップS3ことにより、バッファ層を形成する前のGa2O3基板の窒化処理バッファ層のAlxGayInzN結晶の成長温度よりも高い温度での窒化処理を実施せずに、品質のよい窒化物半導体層を形成することができる。この窒化処理を実施しないため、Ga2O3基板の表面に電気抵抗の高い窒化部分がほとんど形成されず、Ga2O3基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体を得ることができる。そして、その結晶構造体を用いることにより、低電圧駆動の半導体素子を得ることができる。実施の形態の結晶積層構造体1のGa2O3基板2と窒化物半導体層4との間に所定の大きさの電流を流したときの電圧を測定した。本実施例では、バッファ層3としてAlN結晶からなるAlN層、窒化物半導体層4としてGaN結晶からなるGaN層を用いた。図2におけるステップS2の時間を2分間実施の形態の制限内とした工程で製造した結晶積層構造体1以下、第1の結晶積層構造体と呼ぶと、ステップS2の時間を30分間実施の形態の制限外とした工程で製造した結晶積層構造体1以下、第2の結晶積層構造体と呼ぶとをそれぞれ5つずつサンプル番号1~5用意した。図4は、結晶積層構造体に所定の大きさの電流を流したときのGa2O3基板と窒化物半導体層との間の電圧の測定値を示す。図4の横軸は、結晶積層構造体のサンプル番号を表し、縦軸は窒化物半導体層の表面における電流密度が200A/cm2である電流が流れたときのGa2O3基板と窒化物半導体層との間の電圧[V]を表す。図中のマーク◇は第1の結晶積層構造体の測定値、◆は第2の結晶積層構造体の測定値を示す。電圧の測定は、Ga2O3基板及びGaN結晶層にそれぞれ電極を接続して行った。図4に示されるように、第1の結晶積層構造体は、第2の結晶積層構造体と比較して電圧が低く、また、サンプル間の電圧のばらつきが小さい。これは、第1の結晶積層構造体のGa2O3基板2の表面が、ステップS2において電気抵抗に影響を及ぼすほどには窒化されていないことによると考えられる。以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明したが、上記に記載した実施の形態及び実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び実施例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。