基板表面に周期性パターンが形成された基板を検査対象とし、前記基板に照明光を複数の照射角度で照射し、前記周期性パターンにより生じる回折光を用いて検査する周期性パターン検査方法であって、少なくとも、前記周期性パターンに含まれる全ての周期Pk、kは整数を検出し記憶する周期検出工程と、前記周期性パターンが含まれる平面以後、パターン面と略す。に含まれ、且つ前記パターン面に垂直な、検査装置の投光部が円弧レール上を移動する平面以後、円弧レール面と略す。が含まれるように設定したY軸と前記Pkの方向が成す角度θkを求め記憶するピッチ角度算出工程と、前記Pkに対して下記の式1を用いてPkによって生じる回折光の回折角φmmは整数。を算出し記憶する回折角算出工程と、前記周期検出工程で求めたPkに対して、前記ピッチ角度算出工程と前記回折角算出工程とで求めたθkとφmを使用して前記検査装置を設定し、全てのφmに対して画像を取得する画像撮影工程と、前記画像撮影工程が終了後、全てのPkに対して前記ピッチ角度算出工程と前記回折角算出工程と前記画像撮影工程を繰り返し実施する繰り返し実施工程とから成り、前記周期検出工程は、周期性パターンを二次元フーリエ変換による画像処理を適用して周期を抽出することを特徴とする周期性パターン検査方法。周期検出工程とピッチ角度算出工程において、水平な面内で照明光の照射角度を変化させる事を特徴とする請求項1に記載の周期性パターン検査方法。請求項1または2に記載の周期性パターン検査方法に使用する周期性パターン検査装置であって、少なくとも、被検査体を載置するX-Y-θステージと、前記被検査体に照明光を照射する照明部と、前記被検査体に照明光が照射されることで得られる像を捉える撮像部と、前記X-Y-θステージと前記照明部と前記撮像部を制御し、必要な情報を入力し、得られた画像を表示する処理制御部とからなり、前記照明部は、少なくとも投光部と前記投光部を円弧状に移動可能とする円弧レールと前記投光部の光源に電力を供給する光源装置とからなり、水平な面内で前記投光部から発せられる照明光の照射角度を変化させる機構を具備した事を特徴とする周期性パターン検査装置。本発明は上記の様な問題に鑑みてなされたものであり、撮像デバイス用フォトマスクや表示デバイス用フォトマスクの様に周期性のあるパターンを持つ被検査体のムラ欠陥を高感度且つ高精度に検出するための周期性パターン検査方法および周期性パターン検査装置を提供することを課題とした。上記の課題を解決するため本発明の請求項1は、基板表面に周期性パターンが形成された基板を検査対象とし、前記基板に照明光を複数の照射角度で照射し、前記周期性パターンにより生じる回折光を用いて検査する周期性パターン検査方法であって、少なくとも、前記周期性パターンに含まれる全ての周期Pk、kは整数を検出し記憶する周期検出工程と、前記周期性パターンが含まれる平面以後、パターン面と略す。に含まれ、且つ前記パターン面に垂直な、検査装置の投光部が円弧レール上を移動する平面以後、円弧レール面と略す。が含まれるように設定したY軸と前記Pkの方向が成す角度θkを求め記憶するピッチ角度算出工程と、前記Pkに対して下記の式1を用いてPkによって生じる回折光の回折角φmmは整数。を算出し記憶する回折角算出工程と、前記周期検出工程で求めたPkに対して、前記ピッチ角度算出工程と前記回折角算出工程とで求めたθkとφmを使用して前記検査装置を設定し、全てのφmに対して画像を取得する画像撮影工程と、前記画像撮影工程が終了後、全てのPkに対して前記ピッチ角度算出工程と前記回折角算出工程と前記画像撮影工程を繰り返し実施する繰り返し実施工程とから成り、前記周期検出工程は、周期性パターンを二次元フーリエ変換による画像処理を適用して周期を抽出することを特徴とする周期性パターン検査方法である。また請求項2は、周期検出工程とピッチ角度算出工程において、水平な面内で照明光の照射角度を変化させる事を特徴とする請求項1に記載の周期性パターン検査方法である。また請求項3は、請求項1または2に記載の周期性パターン検査方法に使用する周期性パターン検査装置であって、少なくとも、被検査体を載置するX-Y-θステージと、前記被検査体に照明光を照射する照明部と、前記被検査体に照明光が照射されることで得られる像を捉える撮像部と、前記X-Y-θステージと前記照明部と前記撮像部を制御し、必要な情報を入力し、得られた画像を表示する処理制御部とからなり、前記照明部は、少なくとも投光部と前記投光部を円弧状に移動可能とする円弧レールと前記投光部の光源に電力を供給する光源装置とからなり、水平な面内で前記投光部から発せられる照明光の照射角度を変化させる機構を具備した事を特徴とする周期性パターン検査装置である。本発明の検査方法、若しくは検査装置によれば、周期性のあるパターン、特に撮像デバイス用フォトマスクや表示デバイス用フォトマスクなどの被検査体の検査において、ムラ欠陥の検出を高感度且つ高精度に実施することを可能にする。また、照明条件導出の効率化により画像取得時間、即ち検査時間の短縮が可能となる。図1は本発明に係る実施形態の方法を適用するムラ検査装置50の一部を概略的に示した構成図である。図1では透過回折光を得るための装置構成例を示している。なお、本装置は外乱光や迷光を極力低減させた暗環境で稼動されることが望ましい。図1に示すように、本装置は検査画像を取得する為の撮像部20と、照明部30と、被検査体10の位置決め動作および基板搬送動作が可能なX-Y-θステージ部52と、処理制御部70から構成されている。被検査体10の基板面には周期性パターンが形成されている。ここで基板面とは被検査体10の厚さ方向の一方に位置する面である。図2は図1のX-Y-θステージ52をカメラ22側から見たものである。X-Y-θステージ52は、被検査体10を図2のX軸方向およびY軸方向に平行移動する機能と、被検査体10をその基板表面と直交する基板面法線周りの回転方向に360°回転させる機能を有するこの回転中心の軸をθ軸とする。。これによって、予め設定した動作手順に従って被検査体10をX軸およびY軸方向に駆動する。また、θ軸を中心として被検査体10を面内回転させることにより、被検査体10の基板面内への照明照射方向の調整が可能である。撮像部20は、カメラ21、カメラ用レンズ22から構成される。撮像部20にて、被検査体10を撮像し、被検査体の画像データを取得する。照明部30では、カメラ21の光軸方向に円弧の中心が位置する円弧レール33が設置されている。円弧レール33には照明投光部31が設けられており、光源35からはライトガイド36を用いて導光している。円弧レール33上で照明投光部31を駆動することによって被検査体10の基板面に対して垂直方向の照射角度φの変更を可能とする。円弧レール33上のどの位置にあっても照明投光部31は、X-Y-θステージ52上の所定位置に照明光を照射することができるように調整されており、これによって、X-Y-θステージ52上の被検査体10の基板面に対して、様々な照射角度からの照射が可能となっている。照明投光部31には平行光学系が設けられている、また、照明光の波長域を変化させる機構を具備する場合もある。処理制御部70は、照明部30、X-Y-θステージ52、撮像部20を構成する機器類の動作制御を行い、撮像部20からの出力を画像情報、あるいは信号情報として入力を行い、演算処理を行う。さらにその処理結果や処理画像を、表示手段72に表示する。図1では撮像部20と照明部30被検査体10の基板を挟んで配置され、透過回折光をカメラで画像取得する構成となっているが、撮像部20と照明部30が被検査体10の同一表面側に配置された反射回折光による画像取得を行う場合も同様である。図3に、本発明の方法を適用する被検査体上のパターンの一例を示す概略図を示す。図3の左側には、図3の右側に示したパターンを構成している単位パターン16を示している。黒色部が遮光膜で形成された領域15で、白色部は遮光膜が取り除かれた領域である開口部14である。図中のX、Y座標はX-Y-θステージ52と同じ方向を指し示している。X方向の周期はPitchX、Y方向の周期はPitchYで示される。ただし、単位パターン間の周期としては、PitchX、PitchYP1と等しい以外にも、斜め方向に伸びるパターンの周期であるP2、パターンの特徴点同士を結んだ線と垂直なP3も、このパターンから抽出できる周期の1つである。ある被検査領域の単位パターンから求められるこれらの周期成分は、被検査体に照明光を照射した際に、条件が揃うと回折光強度の極大を生じさせる。但しその回折現象への寄与の割合は、角度θの変化に伴って変化する。図1に示す検査装置によって図3の右側のパターンを有す被検査体の検査を行う場合には、照明角度φの変化する面は、Y軸を含むように設定してある。X-Y-θステージ52のθが0°の場合に、回折光の挙動を決めるのに当たり、P1の周期が支配的である。同様にθ=θ2、θ=θ3、の場合にはそれぞれP2、P3の周期が支配的となる。パターン形状から求められた周期P1~P3によって式1から複数次数の回折角度φが算出される。このθとφの組合せの照明条件で画像取得を行うと、ムラ欠陥部分の画像輝度コントラストの高い画像、即ちムラ欠陥の可視化に最適な照明条件による検査画像が得られる。本発明の適用形態の一例を図5に示す。図5はある被検査領域Aの検査条件候補を全て検査する為のプロセスのフローチャートである。初めに、ある被検査領域Aに含まれる周期成分Pk周期成分のk番目のピッチを求める。ここで、例えば図3の右側に示す様なパターンレイアウトに2次元フーリエ変換による画像処理を適用して、周期成分を抽出しても良い。周期成分の抽出の後、その周期の方向とX―Y―θステージのY軸との為す角度θkを算出する。Pkに対して式1を適用し、Pkのパターンによる回折光の回折角φmを求める。ここまでに求めたθおよびφを用いて被検査体に検査用照明光を照射する。例えば図3に示すパターンを有する被検査体を図1および図2に示す機構で検査する場合、透明基板の保持ジグ51をθkだけ反時計回りに回転させる。例えば図3に示すP2の周期成分によるパターン検査を行う場合には、図4の様にパターン、即ち被検査体を回転させる。またφの変更は、円弧レール33に沿って投光部31をφmだけ回転させる事によって実施する。Pkに対し式1によって算出される全てのφを用いて画像を取得し、欠陥部の抽出処理を行った後、次の周期成分Pk1に対しても同様の処理を適用する。従来は2方向の照明角度θとφとがあり、これら角度による照明条件の中から最もムラ欠陥の検査に適する条件を導出する為には、装置によって実現可能な照明条件の組合せの全てで画像取得および検査を実施する必要があったが、図5に示すフローチャートを実施する事によって、ムラ欠陥検査に適する条件導出に必要な照明条件の組合せの数を削減する事が出来る。図5に示したフローチャートは、ある被検査体10に含まれる、検査対象領域12仮にAとするの検査処理の工程を示す。初めに検査対象領域Aの単位パターンに含まれる周期成分を求める。周期成分の計数を、変数kによって行う。仮に求められた周期成分の個数がN通りだけあるとする。それぞれP1、P2、、Pk、Pnと呼ぶ。次にある周期成分Pkについて、周期の方向とX-Y-θステージのY軸との為す角度をθkとし、これを求める。次にある周期成分Pkについて、式1を適用して算出される回折光の回折次数の計数を、変数mによって行う。回折次数mの時の回折角度をφmとする。以上の様にして得られた照明条件である、θkを実現する様にX-Y-θステージを回転させる。また、照明角度φmとなるように、照明の位置を変更する。この条件で被検査領域12に照明を当て、カメラで観察した際に、撮像に適当な画像輝度になるまで光源の出力光量を調整した後、カメラによる画像取得を行う。画像から、処理部70によって欠陥部の検出を行う。全てのθ、φの組み合わせに対して撮像を行うまで上記を繰り返し、最適な検査条件の導出を行う。