"酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた第1繰り返し単位を含み且つ酸の作用により有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する第1化合物と、溶剤と、フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含み、塩基性を有するか又は酸の作用により塩基性が増大する第2化合物とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記第2化合物は含窒素化合物である請求項1に記載の組成物。前記第2化合物は低分子化合物である請求項1又は2に記載の組成物。前記第2化合物は下記一般式1Nにより表される請求項1乃至3の何れか1項に記載の組成物。一般式1N中、Ra、Rb1、Rb2及びRb3は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。Rb1、Rb2及びRb3のうち少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。但し、Rb1、Rb2及びRb3の全てが同時に水素原子となる場合を除く。Rcは、単結合又は2価の連結基を示す。Rfは、有機基を表す。xは0又は1を、yは1又は2を、zは1又は2をそれぞれ表し、xyz=3である。x=z=1のとき、RaとRcとは、互いに結合して、含窒素複素環を形成していてもよい。z=1のとき、Rfは、フッ素原子又はケイ素原子を含んでいる。z=2のとき、2つのRfの少なくとも一方は、フッ素原子又はケイ素原子を含んでおり、2つのRc及び2つのRfは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、2つのRcは、互いに結合して、環を形成していてもよい。前記第2化合物はオリゴマー又は高分子化合物である請求項1又は2に記載の組成物。前記第2化合物は、フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含んだ第2繰り返し単位と、塩基性基及び酸の作用により塩基性が増大する基の少なくとも一方を備えた第3繰り返し単位とを含んでいる請求項5に記載の組成物。前記第1繰り返し単位は、下記一般式I-1乃至I-10からなる群より選択される少なくとも1つにより表される請求項1乃至6の何れか1項に記載の組成物。式中、Raは、各々独立に、水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2により表される基を表す。ここで、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。R1は、n1価の有機基を表す。R2は、m≧2の場合は各々独立に、単結合又はn1価の有機基を表す。OPは、各々独立に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる前記基を表す。n≧2及び/又はm≧2の場合、2以上のOPが互いに結合して、環を形成していてもよい。Wは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。n及びmは、1以上の整数を表す。lは、0以上の整数を表す。L1は、-COO-、-OCO-、-CONH-、-O-、-Ar-、-SO3-又は-SO2NH-により表される連結基を表す。ここで、Arは、2価の芳香環基を表す。Rは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R0は、水素原子又は有機基を表す。L3は、m2価の連結基を表す。RLは、m≧2の場合は各々独立に、n1価の連結基を表す。RSは、p≧2の場合は各々独立に、置換基を表す。p≧2の場合、複数のRSは、互いに結合して環を形成していてもよい。pは、0~3の整数を表す。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる前記基は、下記一般式II-1乃至II-9からなる群より選択される少なくとも1つにより表される請求項1乃至7の何れか1項に記載の組成物。式中、R3は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR3は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R4は、各々独立に、1価の有機基を表す。少なくとも2つのR4は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R3とR4とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R5は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。少なくとも2つのR5は、互いに結合して、環を形成していてもよい。但し、3つの前記R5のうち1つ又は2つが水素原子である場合は、残りの前記R5のうち少なくとも1つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。R6は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R6は、互いに結合して、環を形成していてもよい。前記第1繰り返し単位は、下記一般式IIIにより表される請求項1乃至8の何れか1項に記載の組成物。式中、R1は、n1価の有機基を表す。Raは、水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2により表される基を表す。ここで、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。R3は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R3は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R4は、n≧2の場合は各々独立に、1価の有機基を表す。R4は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R3とR4とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。nは、1以上の整数を表す。前記R1は非芳香族性の炭化水素基を表す請求項9に記載の組成物。前記R1は脂環状炭化水素基を表す請求項10に記載の組成物。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる前記基は前記一般式II-1により表わされ、前記R3の少なくとも一方は1価の有機基を表す請求項8乃至11の何れか1項に記載の組成物。前記第1繰り返し単位は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる前記基を2つ以上備えている請求項1乃至12の何れか1項に記載の組成物。前記樹脂は、アルコール性ヒドロキシ基を備えた繰り返し単位を更に含んでいる請求項1乃至13の何れか1項に記載の組成物。前記樹脂は、シアノ基を備えた繰り返し単位を更に含んでいる請求項1乃至14の何れか1項に記載の組成物。前記樹脂は、酸の作用により分解してカルボキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を更に含んでいる請求項1乃至15の何れか1項に記載の組成物。請求項1乃至16の何れか1項に記載の組成物を用いて形成されたレジストパターン。A請求項1乃至16の何れか1項に記載の組成物を用いて膜を形成することと、B前記膜を露光することと、C前記露光された膜を現像することとを含んだパターン形成方法。前記現像は有機溶剤を含んだ現像液を用いて行われる請求項18に記載の方法。前記現像液に含まれる前記有機溶剤は、エステル系、ケトン系、アルコール系、アミド系、エーテル系、及び炭化水素系の何れかである請求項19に記載の方法。前記現像により形成されるパターンはネガ型である請求項19又は20に記載の方法。本発明の目的は、ラフネス特性、フォーカス余裕度、ブリッジ欠陥性能、及び、感度の露光後加熱PEB温度依存性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法を提供することにある。本発明は、例えば、以下の通りである。1酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた第1繰り返し単位を含み且つ酸の作用により有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する第1化合物と、溶剤と、フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含み、塩基性を有するか又は酸の作用により塩基性が増大する第2化合物とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。2前記第2化合物は含窒素化合物である1に記載の組成物。3前記第2化合物は低分子化合物である1又は2に記載の組成物。4前記第2化合物は下記一般式1Nにより表される1~3の何れかに記載の組成物。一般式1N中、Ra、Rb1、Rb2及びRb3は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。Rb1、Rb2及びRb3のうち少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。但し、Rb1、Rb2及びRb3の全てが同時に水素原子となる場合を除く。Rcは、単結合又は2価の連結基を示す。Rfは、有機基を表す。xは0又は1を、yは1又は2を、zは1又は2をそれぞれ表し、xyz=3である。x=z=1のとき、RaとRcとは、互いに結合して、含窒素複素環を形成していてもよい。z=1のとき、Rfは、フッ素原子又はケイ素原子を含んでいる。z=2のとき、2つのRfの少なくとも一方は、フッ素原子又はケイ素原子を含んでおり、2つのRc及び2つのRfは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、2つのRcは、互いに結合して、環を形成していてもよい。5前記第2化合物はオリゴマー又は高分子化合物である1又は2に記載の組成物。6前記第2化合物は、フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含んだ第2繰り返し単位と、塩基性基及び酸の作用により塩基性が増大する基の少なくとも一方を備えた第3繰り返し単位とを含んでいる5に記載の組成物。7前記第1繰り返し単位は、下記一般式I-1乃至I-10からなる群より選択される少なくとも1つにより表される1~6の何れかに記載の組成物。式中、Raは、各々独立に、水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2により表される基を表す。ここで、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。R1は、n1価の有機基を表す。R2は、m≧2の場合は各々独立に、単結合又はn1価の有機基を表す。OPは、各々独立に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる前記基を表す。n≧2及び/又はm≧2の場合、2以上のOPが互いに結合して、環を形成していてもよい。Wは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。n及びmは、1以上の整数を表す。lは、0以上の整数を表す。L1は、-COO-、-OCO-、-CONH-、-O-、-Ar-、-SO3-又は-SO2NH-により表される連結基を表す。ここで、Arは、2価の芳香環基を表す。Rは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R0は、水素原子又は有機基を表す。L3は、m2価の連結基を表す。RLは、m≧2の場合は各々独立に、n1価の連結基を表す。RSは、p≧2の場合は各々独立に、置換基を表す。p≧2の場合、複数のRSは、互いに結合して環を形成していてもよい。pは、0~3の整数を表す。8酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる前記基は、下記一般式II-1乃至II-9からなる群より選択される少なくとも1つにより表される1~7の何れかに記載の組成物。式中、R3は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR3は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R4は、各々独立に、1価の有機基を表す。少なくとも2つのR4は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R3とR4とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R5は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。少なくとも2つのR5は、互いに結合して、環を形成していてもよい。但し、3つの前記R5のうち1つ又は2つが水素原子である場合は、残りの前記R5のうち少なくとも1つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。R6は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R6は、互いに結合して、環を形成していてもよい。9前記第1繰り返し単位は、下記一般式IIIにより表される1~8の何れかに記載の組成物。式中、R1は、n1価の有機基を表す。Raは、水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2により表される基を表す。ここで、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。R3は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R3は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R4は、n≧2の場合は各々独立に、1価の有機基を表す。R4は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R3とR4とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。nは、1以上の整数を表す。10前記R1は非芳香族性の炭化水素基を表す9に記載の組成物。11前記R1は脂環状炭化水素基を表す10に記載の組成物。12酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる前記基は前記一般式II-1により表わされ、前記R3の少なくとも一方は1価の有機基を表す8~11の何れかに記載の組成物。13前記第1繰り返し単位は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる前記基を2つ以上備えている1~12の何れかに記載の組成物。14前記樹脂は、アルコール性ヒドロキシ基を備えた繰り返し単位を更に含んでいる1~13の何れかに記載の組成物。15前記樹脂は、シアノ基を備えた繰り返し単位を更に含んでいる1~14の何れかに記載の組成物。16前記樹脂は、酸の作用により分解してカルボキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を更に含んでいる1~15の何れかに記載の組成物。171~16の何れかに記載の組成物を用いて形成されたレジストパターン。18A1~16の何れかに記載の組成物を用いて膜を形成することと、B前記膜を露光することと、C前記露光された膜を現像することとを含んだパターン形成方法。19前記現像は有機溶剤を含んだ現像液を用いて行われる18に記載の方法。20前記現像液に含まれる前記有機溶剤は、エステル系、ケトン系、アルコール系、アミド系、エーテル系、及び炭化水素系の何れかである19に記載の方法。21前記現像により形成されるパターンはネガ型である19又は20に記載の方法。本発明によると、ラフネス特性、フォーカス余裕度、ブリッジ欠陥性能、及び、感度の露光後加熱PEB温度依存性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法を提供することが可能となる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、ここでは、置換又は無置換を明示していない基及び原子団には、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していないアルキル基は、置換基を有していないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有しているアルキル基置換アルキル基をも包含することとする。<感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物>まず、本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物について説明する。この組成物は、ネガ型の現像に用いてもよく、ポジ型の現像に用いてもよい。即ち、この組成物は、有機溶剤を含んだ現像液を用いた現像に用いてもよく、アルカリ現像液を用いた現像に用いてもよい。本発明に係る組成物は、典型的には、ネガ型の現像、即ち有機溶剤を含んだ現像液を用いた現像に用いられる。即ち、本発明に係る組成物は、典型的には、ネガ型のレジスト組成物である。本発明に係る組成物は、a酸の作用により有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂以下、酸分解性樹脂ともいうと、b活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物以下、酸発生剤ともいうと、c溶剤と、dフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含み、塩基性を有するか又は酸の作用により塩基性が増大する化合物とを含んでいる。また、この組成物は、e塩基性を有するか又は酸の作用により塩基性が増大する、d以外の化合物;f活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物;g疎水性樹脂;h界面活性剤;及びiその他の添加剤の少なくとも1つを更に含んでいてもよい。以下、これら各成分について、順に説明する。a酸分解性樹脂本発明に係る組成物は、酸分解性樹脂を含んでいる。酸分解性樹脂は、酸分解性基として、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位Pを含んでいる。本発明者らは、酸分解性基の少なくとも一部が酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基である場合、例えば、酸分解性基が酸の作用により分解してカルボキシ基を生じる基のみからなる場合と比較して、例えば、感度、限界解像力、ラフネス特性、露光ラチチュードEL、露光後加熱PEB温度依存性、及びフォーカス余裕度DOFが向上することを見出している。その理由は必ずしも明らかではないが、本発明者らは、以下のように推測している。即ち、本発明者らは、酸分解性基の少なくとも一部として酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を用いると、酸分解性樹脂の反応性が向上すると共に、酸分解性基の分解による上記樹脂の極性変化が大きくなり、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストが向上するためであると考えている。また、本発明者らは、酸分解性基の少なくとも一部が酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基である場合、酸分解性基が酸の作用により分解してカルボキシ基を生じる基のみからなる場合と比較して、例えば、露光後加熱PEB時の膜厚の低下を抑制できることを見出している。本発明者らは、これは、前者の場合、後者の場合と比較して、酸の作用による分解の前後での樹脂の極性の変化がより大きいためであると考えている。なお、この極性変化の大きさの差異は、酸の作用により脱離する保護基の分子量が小さい場合に特に顕著である。なお、上記の基が酸の作用により分解して生じ得るアルコール性ヒドロキシ基のpKaは、例えば12以上であり、典型的には12以上且つ20以下である。このpKaが過度に小さいと、酸分解性樹脂を含んだ組成物の安定性が低下し、性能の経時変動が大きくなる場合がある。なお、ここでpKaとは、富士通株式会社製ACD/pKaDBを用いて、カスタマイズをしていない初期設定のもとで計算した値である。上記の繰り返し単位Pは、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を2つ以上備えていることが好ましい。こうすると、酸分解性樹脂を含んだ組成物の限界解像力及びラフネス特性を更に向上させることができる。繰り返し単位Pは、下記一般式I-1乃至I-10からなる群より選択される少なくとも1つにより表されることが好ましい。この繰り返し単位は、下記一般式I-1乃至I-3からなる群より選択される少なくとも1つにより表されることがより好ましく、下記一般式I-1により表されることが更に好ましい。式中、Raは、各々独立に、水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2により表される基を表す。ここで、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。R1は、n1価の有機基を表す。R2は、m≧2の場合は各々独立に、単結合又はn1価の有機基を表す。OPは、各々独立に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる前記基を表す。n≧2及び/又はm≧2の場合、2以上のOPが互いに結合して、環を形成していてもよい。Wは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。n及びmは、1以上の整数を表す。なお、一般式I-2、I-3又はI-8においてR2が単結合を表す場合、nは1である。lは、0以上の整数を表す。L1は、-COO-、-OCO-、-CONH-、-O-、-Ar-、-SO3-又は-SO2NH-により表される連結基を表す。ここで、Arは、2価の芳香環基を表す。Rは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R0は、水素原子又は有機基を表す。L3は、m2価の連結基を表す。RLは、m≧2の場合は各々独立に、n1価の連結基を表す。RSは、p≧2の場合は各々独立に、置換基を表す。p≧2の場合、複数のRSは、互いに結合して環を形成していてもよい。pは、0~3の整数を表す。Raは、水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2により表される基を表す。Raは、水素原子又は炭素数が1~10のアルキル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましい。Wは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Wは、メチレン基又は酸素原子であることが好ましい。R1は、n1価の有機基を表す。R1は、好ましくは、非芳香族性の炭化水素基である。この場合、R1は、鎖状炭化水素基であってもよく、脂環状炭化水素基であってもよい。R1は、より好ましくは、脂環状炭化水素基である。R2は、単結合又はn1価の有機基を表す。R2は、好ましくは、単結合又は非芳香族性の炭化水素基である。この場合、R2は、鎖状炭化水素基であってもよく、脂環状炭化水素基であってもよい。R1及び/又はR2が鎖状炭化水素基である場合、この鎖状炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。また、この鎖状炭化水素基の炭素数は、1~8であることが好ましい。例えば、R1及び/又はR2がアルキレン基である場合、R1及び/又はR2は、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、n-ブチレン基、イソブチレン基又はsec-ブチレン基であることが好ましい。R1及び/又はR2が脂環状炭化水素基である場合、この脂環状炭化水素基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。この脂環状炭化水素基は、例えば、モノシクロ、ビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を備えている。この脂環状炭化水素基の炭素数は、通常は5以上であり、6~30であることが好ましく、7~25であることがより好ましい。この脂環状炭化水素基としては、例えば、以下に列挙する部分構造を備えたものが挙げられる。これら部分構造の各々は、置換基を有していてもよい。また、これら部分構造の各々において、メチレン基-CH2-は、酸素原子-O-、硫黄原子-S-、カルボニル基-C=O-、スルホニル基-S=O2-、スルフィニル基-S=O-、又はイミノ基-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基によって置換されていてもよい。例えば、R1及び/又はR2がシクロアルキレン基である場合、R1及び/又はR2は、アダマンチレン基、ノルアダマンチレン基、デカヒドロナフチレン基、トリシクロデカニレン基、テトラシクロドデカニレン基、ノルボルニレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロデカニレン基、又はシクロドデカニレン基であることが好ましく、アダマンチレン基、ノルボルニレン基、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、テトラシクロドデカニレン基又はトリシクロデカニレン基であることがより好ましい。R1及び/又はR2の非芳香族性の炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~4のアルコキシ基、カルボキシ基、及び炭素数2~6のアルコキシカルボニル基が挙げられる。上記のアルキル基、アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、及びアルコキシ基が挙げられる。L1は、-COO-、-OCO-、-CONH-、-O-、-Ar-、-SO3-又は-SO2NH-により表される連結基を表す。ここで、Arは、2価の芳香環基を表す。L1は、好ましくは-COO-、-CONH-又は-Ar-により表される連結基であり、より好ましくは-COO-又は-CONH-により表される連結基である。Rは、水素原子又はアルキル基を表す。アルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、好ましくは1~6であり、より好ましくは1~3である。Rは、好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくは水素原子である。R0は、水素原子又は有機基を表す。有機基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキニル基、及びアルケニル基が挙げられる。R0は、好ましくは、水素原子又はアルキル基であり、より好ましくは、水素原子又はメチル基である。L3は、m2価の連結基を表す。即ち、L3は、3価以上の連結基を表す。このような連結基としては、例えば、後掲の具体例における対応した基が挙げられる。RLは、n1価の連結基を表す。即ち、RLは、2価以上の連結基を表す。このような連結基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基及び後掲の具体例における対応した基が挙げられる。RLは、互いに結合して又は下記RSと結合して、環構造を形成していてもよい。RSは、置換基を表す。この置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、及びハロゲン原子が挙げられる。nは、1以上の整数である。nは、1~3の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。また、nを2以上とすると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることが可能となる。従って、こうすると、限界解像力及びラフネス特性を更に向上させることができる。mは、1以上の整数である。mは、1~3の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。lは、0以上の整数である。lは、0又は1であることが好ましい。pは、0~3の整数である。以下に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位の具体例を示す。なお、具体例中、Ra及びOPは、一般式I-1乃至I-3における各々と同義である。また、複数のOPが互いに結合して環を形成している場合、対応する環構造は、便宜上O-P-Oと表記している。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、下記一般式II-1~II-4からなる群より選択される少なくとも1つにより表されることが好ましい。式中、R3は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R3は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R4は、各々独立に、1価の有機基を表す。R4は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R3とR4とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R5は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。少なくとも2つのR5は、互いに結合して、環を形成していてもよい。但し、3つの前記R5のうち1つ又は2つが水素原子である場合は、残りの前記R5のうち少なくとも1つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、下記一般式II-5~II-9からなる群より選択される少なくとも1つにより表されることも好ましい。式中、R4は、一般式II-1~II-3におけるものと同義である。R6は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R6は、互いに結合して、環を形成していてもよい。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、一般式II-1乃至II-3から選択される少なくとも1つにより表されることがより好ましく、一般式II-1又はII-3により表されることが更に好ましく、一般式II-1により表されることが特に好ましい。R3は、上述した通り、水素原子又は1価の有機基を表す。R3は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましい。R3のアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。R3のアルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましく、1~3であることがより好ましい。R3のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、及びn-ブチル基が挙げられる。R3のシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。R3のシクロアルキル基の炭素数は、3~10であることが好ましく、4~8であることがより好ましい。R3のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、及びアダマンチル基が挙げられる。また、一般式II-1において、R3の少なくとも一方は、1価の有機基であることが好ましい。このような構成を採用すると、特に高い感度を達成することができる。R4は、1価の有機基を表す。R4は、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。これらアルキル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R4のアルキル基は、置換基を有していないか、又は、1つ以上のアリール基及び/又は1つ以上のシリル基を置換基として有していることが好ましい。無置換アルキル基の炭素数は、1~20であることが好ましい。1つ以上のアリール基により置換されたアルキル基におけるアルキル基部分の炭素数は、1~25であることが好ましい。1つ以上のシリル基により置換されたアルキル基におけるアルキル基部分の炭素数は、1~30であることが好ましい。また、R4のシクロアルキル基が置換基を有していない場合、その炭素数は、3~20であることが好ましい。R5は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。但し、3つのR5のうち1つ又は2つが水素原子である場合は、残りのR5のうち少なくとも1つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。R5は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。アルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基を有していなくてもよい。アルキル基が置換基を有していない場合、その炭素数は、1~6であることが好ましく、1~3であることが好ましい。R6は、上述した通り、水素原子又は1価の有機基を表す。R6は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、水素原子又は置換基を有していないアルキル基であることが更に好ましい。R6は、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素数1~10であり且つ置換基を有していないアルキル基であることが更に好ましい。なお、R4、R5及びR6のアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にR3について説明したのと同様のものが挙げられる。以下に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基の具体例を示す。上述した通り、繰り返し単位Pは、上記一般式I-1により表されることが特に好ましい。また、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、上記一般式II-1により表されることが特に好ましい。即ち、繰り返し単位Pは、下記一般式IIIにより表されることが特に好ましい。式中、R1、Ra、R3、R4、及びnは、一般式I-1及びII-1における各々と同義である。繰り返し単位Pの好ましい態様として、例えば、下記一般式D-1により表される部分構造を有するものも挙げられる。式中、LD1は、単結合又は2価以上の連結基を表す。RDは、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。3つのRDのうち少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。XD1は、単結合、又は、炭素数が1以上の連結基を表す。LD1、RD及びXD1は、互いに結合して、環を形成していてもよい。また、LD1、RD及びXD1の少なくとも1つは、ポリマーの主鎖を構成している炭素原子と結合して、環を形成していてもよい。RD1は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。2つのRD1は、互いに結合して、環を形成していてもよい。LD1により表される2価以上の連結基としては、例えば、-COO-、-OCO-、-CONH-、-O-、-Ar-、-SO3-、-SO2NH-、アルキレン基、シクロアルキレン基、又は、これらの2以上の組み合わせにより表される連結基が挙げられる。ここで、Arは、2価の芳香環基を表す。LD1がアルキレン基を含んでいる場合、このアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素数は、1~6であることが好ましく、1~3であることが更に好ましく、1であることが特に好ましい。このようなアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、及びプロピレン基が挙げられる。LD1がシクロアルキレン基を含んでいる場合、このシクロアルキレン基の炭素数は、3~10であることが好ましく、5~7であることが更に好ましい。このようなシクロアルキレン基としては、例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、及びシクロヘキシレン基が挙げられる。これらアルキレン基及びシクロアルキレン基の各々は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲン原子;メルカプト基;ヒドロキシ基;メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基及びベンジルオキシ基のアルコキシ基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロヘプチル基等のシクロアルキル基;シアノ基;ニトロ基;スルホニル基;シリル基;エステル基;アシル基;ビニル基;及びアリール基が挙げられる。LD1は、-COO-を含んでいることが好ましく、-COO-とアルキレン基との組み合わせにより表される連結基であることがより好ましく、-COO-CH2n-により表される連結基であることが更に好ましい。ここで、nは自然数を表し、1~6であることが好ましく、1~3であることが更に好ましく、1であることが特に好ましい。また、LD1が-COO-とアルキレン基との組み合わせにより表される連結基である場合、このアルキレン基とRDとが互いに結合して環を形成する態様も好ましい。RDにより表されるアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、好ましくは1~6であり、より好ましくは1~3である。RDにより表されるシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、ノルボルニル基、及びアダマンチル基が挙げられる。3つのRDのうち少なくとも2つが互いに結合して形成し得る環は、5~7員環であることが好ましく、6員環であることがより好ましい。XD1により表される炭素数が1以上の連結基としては、例えば、アルキレン基が挙げられる。このアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素数は、1~6であることが好ましく、1~3であることが更に好ましく、1であることが特に好ましい。このようなアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、及びプロピレン基が挙げられる。RD1により表されるアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、好ましくは1~6であり、より好ましくは1~3である。RD1により表されるシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このシクロアルキル基としては、例えば、RDにより表されるシクロアルキル基として先に説明したのと同様のものが挙げられる。2つのRD1が互いに結合して形成し得る環は、単環式であってもよく、多環式であってもよいが、溶剤への溶解性の観点から、単環式であることがより好ましい。また、この環は、5~7員環であることが好ましく、6員環であることがより好ましい。上記一般式D-1により表される繰り返し単位Pは、典型的には、下記一般式D-2により表される構成を有している。式中、Raは、上記一般式I-1におけるものと同義である。Raは、メチル基であることが特に好ましい。LD1、RD、XD1及びRD1は、上記一般式D-1における各々と同義である。以下に、一般式D-1により表される繰り返し単位Pの具体例を挙げる。酸分解性樹脂は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位Pを2種類以上含んでいてもよい。このような構成を採用すると、反応性及び/又は現像性の微調整が可能となり、諸性能の最適化が容易となる。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位の含有量は、酸分解性樹脂の全繰り返し単位に対して、好ましくは10mol~100molの範囲内とし、より好ましくは30mol~90molの範囲内とし、更に好ましくは50mol~80molの範囲内とする。酸分解性樹脂は、上記の繰り返し単位P以外に、他の繰り返し単位を更に含んでいてもよい。他の繰り返し単位としては、例えば、以下に説明するものが挙げられる。A極性基を有する繰り返し単位酸分解性樹脂は、極性基を有する繰り返し単位Aを更に含んでいることが好ましい。こうすると、例えば、酸分解性樹脂を含んだ組成物の感度を更に向上させることができる。繰り返し単位Aが含み得る極性基としては、例えば、以下の1~4が挙げられる。なお、以下において、電気陰性度とは、Paulingによる値を意味している。1酸素原子と、酸素原子との電気陰性度の差が1.1以上である原子とが、単結合により結合した構造を含む官能基このような極性基としては、例えば、ヒドロキシ基などのO-Hにより表される構造を含んだ基が挙げられる。2窒素原子と、窒素原子との電気陰性度の差が0.6以上である原子とが、単結合により結合した構造を含む官能基このような極性基としては、例えば、アミノ基などのN-Hにより表される構造を含んだ基が挙げられる。3電気陰性度が0.5以上異なる2つの原子が二重結合又は三重結合により結合した構造を含む官能基このような極性基としては、例えば、C≡N、C=O、N=O、S=O又はC=Nにより表される構造を含んだ基が挙げられる。4イオン性部位を有する官能基このような極性基としては、例えば、N又はSにより表される部位を有する基が挙げられる。繰り返し単位Aが含み得る極性基は、例えば、Iヒドロキシ基、IIシアノ基、IIIラクトン基、IVカルボン酸基又はスルホン酸基、Vアミド基、スルホンアミド基又はこれらの誘導体に対応した基、VIアンモニウム基又はスルホニウム基、及び、これらの2以上を組み合わせてなる基からなる群より選択される少なくとも1つである。この極性基は、アルコール性ヒドロキシ基、シアノ基、ラクトン基、又は、シアノラクトン構造を含んだ基であることが特に好ましい。酸分解性樹脂にアルコール性ヒドロキシ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、酸分解性樹脂を含んだ組成物の露光ラチチュードELを更に向上させることができる。酸分解性樹脂にシアノ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、酸分解性樹脂を含んだ組成物の感度を更に向上させることができる。酸分解性樹脂にラクトン基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができる。また、こうすると、酸分解性樹脂を含んだ組成物のドライエッチング耐性、塗布性、及び基板との密着性を更に向上させることも可能となる。酸分解性樹脂にシアノ基を有するラクトン構造を含んだ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができる。また、こうすると、酸分解性樹脂を含んだ組成物の感度、ドライエッチング耐性、塗布性、及び基板との密着性を更に向上させることも可能となる。加えて、こうすると、シアノ基及びラクトン基のそれぞれに起因した機能を単一の繰り返し単位に担わせることが可能となり、酸分解性樹脂の設計の自由度を更に増大させることも可能となる。以下に、極性基が含み得る構造の具体例を挙げる。好ましい繰り返し単位Aとしては、例えば、上記の繰り返し単位Pにおいて、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基をアルコール性ヒドロキシ基に置換したものが挙げられる。このような繰り返し単位Aは、上記一般式I-1乃至I-10の各々において、OPをOHに置換した構造を有していることが好ましい。即ち、この繰り返し単位は、下記一般式I-1H乃至I-10Hからなる群より選択される少なくとも1つにより表されることが好ましい。特には、この繰り返し単位Aは、下記一般式I-1H乃至I-3Hからなる群より選択される少なくとも1つにより表されることがより好ましく、下記一般式I-1Hにより表されることが更に好ましい。式中、Ra、R1、R2、OP、W、n、m、l、L1、R、R0、L3、RL、RS及びpは、一般式I-1乃至I-10における各々と同義である。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位と、上記一般式I-1H乃至I-10Hからなる群より選択される少なくとも1つにより表される繰り返し単位とを併用すると、例えば、アルコール性ヒドロキシ基による酸拡散の抑制と、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基による感度の増大とにより、他の性能を劣化させることなしに、露光ラチチュードELを改良することが可能となる。上記の繰り返し単位Pにおいて、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基をアルコール性ヒドロキシ基に置換した繰り返し単位Aの含有率は、酸分解性樹脂中の全繰り返し単位に対し、5~100molが好ましく、より好ましくは10~90mol、更に好ましくは20~80molである。以下に、一般式I-1H乃至I-10Hの何れかにより表される繰り返し単位の具体例を示す。なお、具体例中、Raは、一般式I-1H乃至I-10Hにおけるものと同義である。他の好ましい繰り返し単位Aとしては、例えば、ヒドロキシ基又はシアノ基を有する繰り返し単位が挙げられる。これにより基板密着性、及び現像液親和性が向上する。ヒドロキシ基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、ヒドロキシ基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。ヒドロキシ基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましいヒドロキシ基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、ヒドロキシ基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、ヒドロキシ基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、ヒドロキシ基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、ヒドロキシ基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdにより表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。ヒドロキシ基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有率は、酸分解性樹脂中の全繰り返し単位に対し、5~70molが好ましく、より好ましくは5~60mol、更に好ましくは10~50molである。ヒドロキシ基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。他の好ましい繰り返し単位Aとしては、例えば、ラクトン構造を備えた繰り返し単位が挙げられる。ラクトン構造を備えた繰り返し単位は、5~7員環のラクトン構造を備えていることが好ましく、5~7員環のラクトン構造にビシクロ構造又はスピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが更に好ましい。より具体的には、下記一般式LC1-1~LC1-17の何れかにより表されるラクトン構造が挙げられる。好ましいラクトン構造としては、LC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14及びLC1-17が挙げられる。特定のラクトン構造を用いることにより、ラインエッジラフネス及び現像欠陥を更に減少させ得る。式中、Rb2は置換基を表し、n2は0~4の整数を表す。n2は0~2の整数であることが好ましい。Rb2の好ましい例としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数1~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、及び後述する酸分解性基が挙げられる。これらのうち、炭素数1~4のアルキル基、シアノ基又は酸分解性基が特に好ましい。なお、n2≧2の場合、複数のRb2は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら複数のRb2は、互いに結合して、環を形成していてもよい。ラクトン構造を備えた繰り返し単位としては、例えば、下記一般式AII’により表される繰り返し単位が挙げられる。一般式AII’中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、ヒドロキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Vは、上記一般式LC1-1~LC1-17の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。ラクトン構造を備えた繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。ラクトン構造を備えた繰り返し単位の好ましい例としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン基を選択することにより、例えば、パターンプロファイル及び/又は疎密依存性を最適化できる。なお、ラクトン基を備えた繰り返し単位には、通常は光学異性体が存在するが、上述したように、何れの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度が90ee以上であることが好ましく、95ee以上であることがより好ましい。ラクトン基を備えた繰り返し単位は、下記一般式1により表される繰り返し単位であってもよい。一般式1中、Aは、エステル結合又はアミド結合を表す。R0は、nS≧2の場合は各々独立に、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はそれらの組み合わせを表す。Zは、nS≧2の場合は各々独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。式中、Rは、例えば、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。R8は、ラクトン構造を備えた1価の有機基を表す。nSは、1~5の整数を表す。nSは、1であることが好ましい。R7は、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。このアルキル基は、置換基を有していてもよい。R7は、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基又はアセトキシメチル基を表す。R0は、上述した通り、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はそれらの組み合わせを表す。R0としてのアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素数は、1~6であることが好ましく、1~3であることが更に好ましい。このようなアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、及びプロピレン基が挙げられる。R0としてのシクロアルキレン基の炭素数は、3~10であることが好ましく、5~7であることが更に好ましい。このようなシクロアルキレン基としては、例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、及びシクロヘキシレン基が挙げられる。これらアルキレン基及びシクロアルキレン基の各々は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲン原子;メルカプト基;ヒドロキシ基;メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基及びベンジルオキシ基のアルコキシ基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロヘプチル基等のシクロアルキル基;シアノ基;ニトロ基;スルホニル基;シリル基;エステル基;アシル基;ビニル基;及びアリール基が挙げられる。Zは、上述した通り、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。Zは、好ましくはエーテル結合又はエステル結合であり、特に好ましくはエステル結合を表す。R8は、上述した通り、ラクトン構造を備えた1価の有機基を表す。この有機基は、例えば、上記一般式LC1-1~LC1-17の何れかにより表されるラクトン構造を備えている。これらのうち、一般式LC1-4、LC1-5又はLC1-17により表される構造がより好ましく、一般式LC1-4により表される構造が特に好ましい。R8は、無置換のラクトン構造を備えているか、又は、メチル基、シアノ基若しくはアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造を備えていることが好ましい。特には、R8は、シアノ基を置換基として有するラクトン構造即ち、シアノラクトン構造を備えた1価の有機基であることが好ましい。以下に、一般式1により表される繰り返し単位の具体例を示す。下記具体例中、Rは、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。このアルキル基は、置換基を有していてもよい。Rは、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基又はアセトキシメチル基を表す。一般式1により表される繰り返し単位は、好ましくは、下記一般式2により表される繰り返し単位である。一般式2中、R7、A、R0、Z及びnSは、一般式1における各々と同義である。Rbは、m≧2の場合には各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を表す。なお、m≧2の場合、2つ以上のRbが互いに結合し、環を形成していてもよい。Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。mは、0~5の整数を表す。mは、0又は1であることが好ましい。Rbのアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル及びシクロヘキシル基が挙げられる。アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、及びt-ブトキシカルボニル基が挙げられる。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-ブトキシ基及びt-ブトキシ基が挙げられる。Rbのアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシ基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、メトキシ基及びエトキシ基などのアルコキシ基;シアノ基;並びにフッ素原子などのハロゲン原子が挙げられる。Rbは、メチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることが更に好ましい。m≧1である場合、少なくとも1つのRbは、ラクトンのカルボニル基のα位又はβ位に置換していることが好ましい。特には、Rbは、ラクトンのカルボニル基のα位に置換していることが好ましい。Xのアルキレン基としては、例えば、メチレン基及びエチレン基が挙げられる。Xは、酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることがより好ましい。以下に、一般式2により表される繰り返し単位の具体例を示す。下記具体例中、Rは、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。このアルキル基は、置換基を有していてもよい。Rは、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基又はアセトキシメチル基を表す。本発明の効果を高めるために、一般式1から選ばれる2種以上のラクトン繰り返し単位を併用することも可能である。併用する場合には一般式1の内、nSが1である繰り返し単位から2種以上を選択し併用することが好ましい。ラクトン構造を備えた繰り返し単位の含有量は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、10~80molであることが好ましく、15~70molであることがより好ましく、20~60molであることが更に好ましい。他の好ましい繰り返し単位Aとしては、例えば、カルボキシ基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、又はα位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール基例えばヘキサフルオロイソプロパノール基を備えたものが挙げられる。この繰り返し単位Aは、カルボキシ基を備えていることがより好ましい。上記基を有する繰り返し単位を含有することにより、コンタクトホール用途での解像性が増す。このような繰り返し単位Aとしては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接上記基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖に上記基が結合している繰り返し単位、さらには上記基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。上記基を有する繰り返し単位Aの含有率は、酸分解性樹脂中の全繰り返し単位に対し、0~20molが好ましく、より好ましくは3~15mol、更に好ましくは5~10molである。上記基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rxは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。B酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基以外の極性基を生じる基を備えた繰り返し単位酸分解性樹脂は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基以外の極性基を生じる基を備えた繰り返し単位Bを更に含んでいることが好ましい。特には、酸分解性樹脂は、酸の作用により分解してカルボキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を更に含んでいることが好ましい。この場合、酸分解性樹脂を含んだ組成物のフォーカス余裕度DOFを更に向上させることができる。繰り返し単位Bは、極性基が酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。この極性基としては、例えば、フェノール性ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましい極性基としては、カルボキシ基、スルホン酸基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらの極性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01~R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては、好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。酸分解性樹脂が含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIにより表される繰り返し単位が好ましい。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、例えば、炭素数5以下のアルキル基、アシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx1~Rx3の少なくとも2つが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成してもよい。Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx1~Rx3の少なくとも2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。酸分解性樹脂は、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位及び/又は一般式IIにより表される繰り返し単位を有することがより好ましい。式I及びII中、R1、R3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は1価の有機基を表す。R2、R4、R5、R6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。R1は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。R2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10、更に好ましくは炭素数1~5のものであり、例えばメチル基、エチル基が挙げられる。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3~7、より好ましくは5又は6である。R3は好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくはメチル基である。R4、R5、R6におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R4、R5、R6におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。一般式Iにより表される繰り返し単位としては、例えば、下記一般式1-aにより表される繰り返し単位が挙げられる。式中、R1及びR2は、一般式Iにおける各々と同義である。一般式IIにより表される繰り返し単位は、以下の一般式II-1により表される繰り返し単位であることがより好ましい。式II-1中、R3~R5は、一般式IIにおけるものと同義である。R10は極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基を有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、ヒドロキシ基を有するアルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。pは0~15の整数を表す。pは好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。酸分解性樹脂は、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位及び一般式IIにより表される繰り返し単位の少なくとも一方を含んだ樹脂であることがより好ましい。また、他の形態において、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位の少なくとも2種を含んだ樹脂であることがより好ましい。本発明の樹脂が、繰り返し単位Bを有する場合、その合計としての含有率は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、3~50molが好ましく、5~40molがより好ましく、7~30molが更に好ましい。また、この場合、繰り返し単位Bと繰り返し単位Pとのモル比は、5:95~70:30であることが好ましく、7:93~50:50であることがより好ましく、10:90~30:70であることが特に好ましい。好ましい繰り返し単位Bの具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合は各々独立である。pは0又は正の整数を表す。酸分解性樹脂が複数の繰り返し単位Bを含んでいる場合、好ましい組み合わせとしては、以下のものが挙げられる。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。C極性基を備えていない脂環炭化水素構造を有し且つ酸分解性を示さない繰り返し単位酸分解性樹脂は、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し且つ酸分解性を示さない繰り返し単位Cを更に含んでいてもよい。繰り返し単位Cとしては、例えば、一般式IVにより表される繰り返し単位が挙げられる。一般式IV中、R5は少なくとも一つの環状構造を有し、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.026]デカン、トリシクロ[4.3.1.125]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基はさらに置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。保護基としては、例えばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。繰り返し単位Cの含有率は、酸分解性樹脂中の全繰り返し単位に対し、0~40molが好ましく、より好ましくは1~20molである。繰り返し単位Cの具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。Dその他の繰り返し単位酸分解性樹脂は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、パターンプロファイル、さらに感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3有機溶剤に対する現像性、4膜べり親疎水性、極性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。なお、酸分解性樹脂において、各繰り返し構造単位の含有モル比は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物のドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、パターンプロファイル、さらには、上記組成物の一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明に係る組成物をArF露光用に用いる場合、ArF光への透明性の点から、酸分解性樹脂は芳香族基を有さないことが好ましい。特には、酸分解性樹脂は、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。また、酸分解性樹脂は、後述する化合物d及び疎水性樹脂gとの相溶性の観点から、フッ素原子及びケイ素原子を含有しないことが好ましい。酸分解性樹脂として好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol以下であることが好ましい。本発明に係る組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線EUVなどを照射する場合には、酸分解性樹脂は、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、メタアクリル酸3級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有することが好ましい。ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t-ブトキシカルボニルオキシスチレン、1-アルコキシエトキシスチレン、メタアクリル酸3級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、2-アルキル-2-アダマンチルメタアクリレート及びジアルキル1-アダマンチルメチルメタアクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。本発明の酸分解性樹脂は、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類や、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシ基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、さらに好ましくは60~100°Cである。本発明の酸分解性樹脂の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~15,000、特に好ましくは3,000~10,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1~3であり、好ましくは1~2.6、更に好ましくは1~2、特に好ましくは1.4~2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、パターン形状が優れ、且つパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明において酸分解性樹脂の組成物全体中の配合率は、全固形分中30~99質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。また、本発明の樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。なお、本発明の効果を損なわない範囲で、上述した酸分解性樹脂以外の他の樹脂を併用してもよい。以下に、酸分解性樹脂の具体例を示す。また、下記表1に、これら樹脂の重量平均分子量Mw、分散度Mw/Mn、及び、各繰り返し単位の組成比左から順に対応を示す。b酸発生剤本発明に係る組成物は、酸発生剤を含んでいる。酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。酸発生剤としては、例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、例えば、米国特許第3,849,137号明細書、独国特許第3914407号明細書、特開昭63-26653号公報、特開昭55-164824号公報、特開昭62-69263号公報、特開昭63-146038号公報、特開昭63-163452号公報、特開昭62-153853号公報、特開昭63-146029号公報等に記載の化合物を用いることができる。さらに米国特許第3779778号明細書、欧州特許第126712号明細書等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII又はZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Zは、非求核性アニオンを表す。Zとしての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオン等を挙げることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数2~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオンとしては、下記式BIにより表されるスルホン酸に対応したアリールスルホン酸アニオンも好ましい。式BI中、Arは、芳香族環を表し、A基以外に更に置換基を有してもよい。pは、0以上の整数を表す。Aは、炭素数3以上の炭化水素基を有する基を表す。pが2以上のとき、複数のA基は同一でも異なっていてもよい。一般式BIについて更に詳細に説明する。Arにより表される芳香族環としては、炭素数6~30の芳香族環が好ましい。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセタフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、ペンタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、インデン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、フェナジン環等が挙げられ、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。上記芳香族環がA基以外に有し得る置換基としては、炭素原子数が1以上の炭化水素基を有する基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基等を挙げることができる。炭素原子数が1以上の炭化水素基を有する基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、tert-ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、p-トリルオキシ基等のアリールオキシ基、メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、tert-ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基、フェニルチオキシ基、p-トリルチオキシ基等のアリールチオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基、2―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基及び分岐アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、アセチレン基、プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンゾイル基、アセチル基、トリル基等のアシル基等が挙げられる。また、2以上の置換基を有する場合、少なくとも二つの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。Aにより表される、炭素原子数が3以上の炭化水素基を有する基における炭化水素基としては、非環式炭化水素基、又は環状脂肪族基が挙げられる。A基としては、Arに隣接する炭素原子が3級若しくは4級の炭素原子であることが好ましい。A基としての非環式炭化水素基としては、イソプロピル基、t―ブチル基、t―ペンチル基、ネオペンチル基、s-ブチル基、イソブチル基、イソヘキシル基、3,3-ジメチルペンチル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。非環式炭化水素基の有する炭素数の上限としては、好ましくは12以下、更に好ましくは10以下である。A基としての環状脂肪族基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基、ピネニル基等が挙げられ、置換基を有していてもよい。環状脂肪族基の有する炭素数の上限としては、好ましくは15以下、更に好ましくは12以下である。上記非環式炭化水素基又は環状脂肪族基が置換基を有している場合、その置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、tert-ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、p-トリルオキシ基等のアリールオキシ基、メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、tert-ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基、フェニルチオキシ基、p-トリルチオキシ基等のアリールチオオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基、2―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基、及び分岐アルキル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、アセチレン基、プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基、カルボニル基、シアノ基等が挙げられる。Aとしての環状脂肪族基又は非環式炭化水素基の具体例としては以下のものが挙げられる。酸拡散抑制の観点から、上記の中でも下記構造がより好ましい。pは0以上の整数を表し、その上限は化学的に可能な数であれば特に限定されない。酸の拡散抑制の観点から、pは通常0~5、好ましくは1~4、更に好ましくは2~3、最も好ましくは3を表す。A基は、酸拡散抑制の観点から、スルホン酸基の少なくとも1つのオルト位o位を置換している事が好ましく、2つのオルト位o位を置換している構造であることがより好ましい。酸発生剤は、一態様において、下記一般式BIIで表される酸を発生する化合物である。式中、Aは一般式BIにおけるAと同様であり、2つのAは同一でも異なってもよい。R1~R3は、各々独立に、水素原子、炭素原子数が1以上の炭化水素基を有する基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基又はニトロ基を表す。炭素原子数が1以上の炭化水素基の具体例としては、上記に例示した基と同様の基が挙げられる。また、好ましいスルホン酸アニオンとして、下記一般式I-Aで表される酸を生じるアニオンも挙げることができる。式中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Lは、単結合又は2価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。Aは、環状構造を有する基を表す。xは1~20の整数を表し、yは0~10の整数を表し、zは0~10の整数を表す。一般式I-Aについて、更に詳細に説明する。Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1~10であり、より好ましくは炭素数1~4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfとして好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。具体的にはフッ素原子、CF3が好ましい。R1、R2のアルキル基、並びに、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、炭素数1~4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。具体的には、CF3が好ましい。yは0~4が好ましく、0がより好ましい。xは1~8が好ましく、中でも1~4が好ましい。zは0~8が好ましく、中でも0~4が好ましい。Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S―、-SO―、―SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基などがあげられる。このなかでも―COO-、-OCO-、-CO-、-O―、―SO2-が好ましく、―COO-、-OCO-、―SO2-がより好ましい。Aの環状構造を有する基としては、環状構造を有するものであれば特に限定されず、脂環基、アリール基、複素環構造を有する基芳香属性を有するものだけでなく、芳香属性を有さないものも含む等が挙げられる。脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEFマスクエラーエンハンスメントファクター向上の観点から好ましい。アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環が挙げられる。中でも193nmにおける光吸光度の観点から低吸光度のナフタレンが好ましい。複素環構造を有する基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環が挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環が好ましい。また、複素環構造としては、ラクトン構造を有する環構造であってもよい。上記環状構造を有する基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基直鎖、分岐、環状のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸エステル基等が挙げられる。脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。上記一般式ZIにおけるR201、R202及びR203の有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3又はZI-4における対応する基を挙げることができる。尚、酸発生剤は、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3及びZI-4を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。該複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基である化合物は、一般的なスルホンアミド化反応を用いることで合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的にアミン化合物と反応させて、スルホンアミド結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物をアミン化合物と反応させ開環させる方法により得ることができる。次に、一般式PA-IIで表される化合物について説明する。一般式PA-II中、Q1及びQ2は、各々独立に、1価の有機基を表す。但し、Q1及びQ2のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Q1とQ2は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有してもよい。X1及びX2は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。なお、-NH-は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。一般式PA-IIに於ける、Q1、Q2としての1価の有機基は、好ましくは炭素数1~40であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。Q1、Q2におけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~30の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に、酸素原子、硫黄原子及び/又は窒素原子を有していてもよい。Q1、Q2におけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子及び/又は窒素原子を有していてもよい。Q1、Q2におけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基である。Q1、Q2におけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7~20のアラルキル基が挙げられる。Q1、Q2におけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、上記アルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。上記各基が有してもよい置換基としては、上記式PA-1における各基が有していてもよい置換基として先に例示したものと同様の基を挙げることができる。Q1、Q2の少なくともいずれかが有する塩基性官能基の好ましい部分構造としては、一般式PA-IのRが有する塩基性官能基として説明したものと同様のものが挙げられる。Q1とQ2とが、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有する構造としては、例えば、Q1とQ2の有機基が更にアルキレン基、オキシ基、イミノ基等で結合された構造を挙げることができる。一般式PA-IIに於いて、X1及びX2の少なくとも一方が、-SO2-であることが好ましい。次に、一般式PA-IIIで表される化合物を説明する。一般式PA-III中、Q1及びQ3は、各々独立に、1価の有機基を表す。但し、Q1及びQ3のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Q1とQ3は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有していてもよい。X1、X2及びX3は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。A2は、2価の連結基を表す。Bは、単結合、酸素原子又は-NQx-を表す。Qxは、水素原子又は1価の有機基を表す。Bが、-NQx-の時、Q3とQxとが結合して環を形成していてもよい。mは、0又は1を表す。なお、-NH-は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。Q1は、一般式PA-IIに於けるQ1と同義である。Q3の有機基としては、一般式PA-IIに於けるQ1、Q2の有機基と同様のものを挙げることができる。A2における2価の連結基としては、好ましくは、炭素数1~8のフッ素原子を有する2価の連結基であり、例えば、炭素数1~8のフッ素原子を有するアルキレン基、フッ素原子を有するフェニレン基等が挙げられる。より好ましくはフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2~6、より好ましい炭素数は2~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、水素原子数の30~100がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、炭素数2~4のパーフルオロアルキレン基が特に好ましい。Qxにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数4~30の有機基であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は上記式PA-IにおけるRxと同様のものを挙げることができる。一般式PA-IIIに於いて、X1、X2、X3は、-SO2-であることが好ましい。化合物PAとしては、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物のスルホニウム塩化合物、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物のヨードニウム塩化合物が好ましく、更に好ましくは下記一般式PA1又はPA2で表される化合物である。一般式PA1において、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表し、具体的には、上記酸発生剤における式ZIのR201、R202及びR203と同様である。X-は、一般式PA-Iで示される化合物の-SO3H部位若しくは-COOH部位の水素原子が脱離したスルホン酸アニオン若しくはカルボン酸アニオン、又は一般式PA-II若しくはPA-IIIで表される化合物の-NH-部位から水素原子が脱離したアニオンを表す。前記一般式PA2中、R204及びR205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、具体的には、上記酸発生剤における式ZIIのR204及びR205と同様である。X-は、一般式PA-Iで示される化合物の-SO3H部位若しくは-COOH部位の水素原子が脱離したスルホン酸アニオン若しくはカルボン酸アニオン、又は一般式PA-II若しくはPA-IIIで表される化合物の-NH-部位から水素原子が脱離したアニオンを表す。化合物PAは、活性光線又は放射線の照射により分解し、例えば、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物を発生する。一般式PA-Iで表される化合物は、塩基性官能基又はアンモニウム基とともにスルホン酸基又はカルボン酸基を有することにより、化合物PAに比べて塩基性が低下、消失、又は塩基性から酸性に変化した化合物である。一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物は、塩基性官能基とともに有機スルホニルイミノ基若しくは有機カルボニルイミノ基を有することにより、化合物PAに比べて塩基性が低下、消失、又は塩基性から酸性に変化した化合物である。本発明に於いて、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下することは、活性光線又は放射線の照射により化合物PAのプロトン活性光線又は放射線の照射により発生された酸に対するアクセプター性が低下することを意味する。アクセプター性が低下するとは、塩基性官能基を有する化合物とプロトンとからプロトン付加体である非共有結合錯体が生成する平衡反応が起こる時、あるいは、アンモニウム基を有する化合物の対カチオンがプロトンに交換される平衡反応が起こる時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。このように、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する化合物PAが組成物膜に含有されていることにより、未露光部においては、化合物PAのアクセプター性が十分に発現されて、露光部等から拡散した酸と酸分解性樹脂との意図しない反応を抑制することができる。また、露光部においては、化合物PAのアクセプター性が低下するので、酸と酸分解性樹脂との意図する反応がより確実に起こる。このような作用機構の寄与により、ラフネス特性、フォーカス余裕度DOF及びパターン形状に優れたパターンが得られるものと推測される。なお、塩基性は、pH測定を行うことによって確認することができるし、市販のソフトウェアによって計算値を算出することによって確認することも可能である。活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する化合物PAの具体例としては、例えば特開2006-208781号公報、特開2006-330098号公報に記載のものを挙げることができる。以下、活性光線又は放射線の照射により一般式PA-Iで表される化合物を発生する化合物PAの具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物の合成は、一般式PA-Iで表される化合物又はそのリチウム、ナトリウム、カリウム塩と、ヨードニウム又はスルホニウムの水酸化物、臭化物、塩化物等から、特表平11-501909号公報又は特開2003-246786号公報に記載されている塩交換法を用いて容易に合成できる。また、特開平7-333851号公報に記載の合成方法に準ずることもできる。以下、活性光線又は放射線の照射により一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物を発生する化合物PAの具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物は、一般的なスルホン酸エステル化反応あるいはスルホンアミド化反応を用いることで容易に合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的に一般式PA-II又はPA-IIIで表される部分構造を含むアミン、アルコールなどと反応させて、スルホンアミド結合、スルホン酸エステル結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物を一般式PA-IIで表される部分構造を含むアミン、アルコールにより開環させる方法により得ることができる。一般式PA-II又はPA-IIIで表される部分構造を含むアミン、アルコールは、アミン、アルコールを塩基性下にてR’O2C2OやR’SO22O等の無水物、R’O2CClやR’SO2Cl等の酸クロリド化合物と反応させることにより合成できるR’は、メチル基、n-オクチル基、トリフルオロメチル基等。特に、特開2006-330098号公報の合成例などに準ずることができる。化合物PAの分子量は、500~1000であることが好ましい。化合物PAは、単独であるいは2種以上で用いられる。また、化合物PAは、上述した化合物eと併用してもよい。本発明に係る組成物中の化合物PAの含量は、組成物の固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは0.1~10質量である。g疎水性樹脂本発明に係る組成物は、特に液浸露光に適用する際、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂上記樹脂Gを除くを含有してもよい。これにより、膜表層に疎水性樹脂が偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。疎水性樹脂は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。疎水性樹脂は、典型的には、フッ素原子及び/又はケイ素原子を含んでいる。これらフッ素原子及び/又はケイ素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、この樹脂は、フッ素原子を含んだ部分構造として、フッ素原子を含んだアルキル基、フッ素原子を含んだシクロアルキル基、又はフッ素原子を含んだアリール基を備えていることが好ましい。フッ素原子を含んだアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐鎖アルキル基である。このアルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数が1~4であることがより好ましい。このフッ素原子を含んだアルキル基は、フッ素原子以外の置換基を更に有していてもよい。フッ素原子を含んだシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環式又は多環式のシクロアルキル基である。このフッ素原子を含んだシクロアルキル基は、フッ素原子以外の置換基を更に有していてもよい。フッ素原子を含んだアリール基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアリール基である。このアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。このフッ素原子を含んだアリール基は、フッ素原子以外の置換基を更に有していてもよい。フッ素原子を含んだアルキル基、フッ素原子を含んだシクロアルキル基、及びフッ素原子を含んだアリール基の好ましい例として、上記樹脂Gにおいて説明した一般式F2~F4により表される基が挙げられる。フッ素原子を含んだ繰り返し単位の具体例は、上記樹脂Gにおいて例示したものと同様である。疎水性樹脂がケイ素原子を含んでいる場合、この樹脂は、ケイ素原子を含んだ部分構造として、アルキルシリル構造又は環状シロキサン構造を備えていることが好ましい。このアリキルシリル構造は、好ましくは、トリアルキルシリル基を含んだ構造である。アルキルシリル構造及び環状シロキサン構造の好ましい例としては、上記樹脂Gにおいて説明した一般式CS-1~CS-3により表される基が挙げられる。一般式CS-1~CS-3により表される基を有する繰り返し単位の具体例は、上記樹脂Gにおいて例示したものと同様である。疎水性樹脂は、下記x~zからなる群より選択される少なくとも1つの基を更に含んでいてもよい。x酸基;yラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基;z酸分解性基x酸基としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、及びトリスアルキルスルホニルメチレン基が挙げられる。好ましい酸基としては、フッ素化アルコール基、スルホンイミド基及びビスカルボニルメチレン基が挙げられる。好ましいフッ素化アルコール基としては、ヘキサフルオロイソプロパノール基が挙げられる。酸基を有する繰り返し単位は、例えば、アクリル酸及びメタクリル酸による繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接酸基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、酸基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、酸基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。酸基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~50モルであることが好ましく、3~35モルであることがより好ましく、5~20モルであることが更に好ましい。以下に、酸基を有する繰り返し単位の具体例を示す。式中、Rxは水素原子、CH3、CF3、又は、CH2OHを表す。yラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基としては、ラクトン構造を有する基が特に好ましい。これらの基を含んだ繰り返し単位は、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接この基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、この基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、この基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば、先に、酸分解性樹脂の項で説明したラクトン構造を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。該ラクトン構造を有する基としてより好ましくは、下記一般式KA-1により表される部分構造を有するものである。この構造を有することにより、液浸液の後退接触角の向上などが期待される。一般式KA-1中、Zka1は、nkaが2以上の場合には各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシ基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。nkaが2以上の場合、複数のZka1が互いに結合して、環を形成していてもよい。この環としては、例えば、シクロアルキル環、並びに、環状エーテル環及びラクトン環等のヘテロ環が挙げられる。nkaは0~10の整数を表す。nkaは、好ましくは0~8であり、より好ましくは0~5であり、更に好ましくは1~4であり、特に好ましくは1~3である。なお、一般式KA-1により表される構造は、樹脂の主鎖、側鎖、末端などに存在する部分構造であり、この構造中に含まれる少なくとも1つの水素原子を除いてなる1価以上の置換基として存在する。Zka1は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシ基又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキルエーテル基又はシクロアルキルエーテル基が好ましい。Zka1のアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。Zka1のアルキル基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基及びt-ブチル基等の炭素数が1~4のものであることが好ましい。Zka1のシクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。後者の場合、シクロアルキル基は、有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は、橋かけ構造を有していてもよい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。単環型のシクロアルキル基としては、炭素数が3~8のものが好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロオクチル基が挙げられる。多環型のシクロアルキル基としては、例えば、炭素数が5以上のビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を有する基が挙げられる。この多環型のシクロアルキル基は、炭素数が6~20であることが好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基及びアンドロスタニル基が挙げられる。これら構造は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基、及びアルコキシカルボニル基が挙げられる。置換基としてのアルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基及びブチル基等の低級アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基であることが更に好ましい。置換基としてのアルコキシ基は、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基及びブトキシ基等の炭素数が1~4のものが挙げられる。これら置換基としてのアルキル基及びアルコキシ基は、更なる置換基を有していてもよい。この更なる置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子及びアルコキシ基好ましくは炭素数1~4が挙げられる。Zka1のアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。Zka1のアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が更に有し得る置換基としては、例えば、水酸基;ハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;上記のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基及びt-ブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ベンジル基、フェネチル基及びクミル基等のアラルキル基;アラルキルオキシ基;ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基及びバレリル基等のアシル基;ブチリルオキシ基等のアシロキシ基;アルケニル基;ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基及びブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基;上記のアリール基;フェノキシ基等のアリールオキシ基;並びに、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基が挙げられる。Zka1の電子求引性基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、オキシ基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、ニトリル基、ニトロ基、スルホニル基、スルフィニル基、-CRf1Rf2-Rf3により表されるハロシクロアルキル基、ハロアリール基、及びこれらの組み合わせが挙げられる。なお、ハロシクロアルキル基とは、少なくとも1つの水素原子がハロゲン原子で置換されたシクロアルキル基を意味している。Zka1のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。これらのうち、フッ素原子が特に好ましい。-CRf1Rf2-Rf3により表されるハロシクロアルキル基において、Rf1は、ハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表す。このRf1は、フッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基であることがより好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが更に好ましい。-CRf1Rf2-Rf3により表されるハロシクロアルキル基において、Rf2及びRf3は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表す。この有機基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基及びアルコキシ基が挙げられる。これら基は、ハロゲン原子等の置換基を更に有していてもよい。Rf1~Rf3のうち少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。この環としては、例えば、シクロアルキル環、ハロシクロアルキル環、アリール環、及びハロアリール環が挙げられる。Rf1~Rf3のアルキル基及びハロアルキル基としては、例えば、先にZka1について説明したアルキル基、及び、これらアルキル基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子により置換された基が挙げられる。上記のハロシクロアルキル基及びハロアリール基としては、例えば、先にZka1について説明したシクロアルキル基及びアリール基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子により置換された基が挙げられる。このハロシクロアルキル基及びハロアリール基としては、より好ましくは、-CnF2n-2Hにより表されるフルオロシクロアルキル基、及びパーフルオロアリール基などが挙げられる。ここで、炭素数nの範囲に特に制限はないが、nは5~13の整数であることが好ましく、nは6であることが特に好ましい。Rf2は、Rf1と同一の基であるか、又は、Rf3と結合して環を形成していることがより好ましい。上記の電子求引性基は、ハロゲン原子、ハロシクロアルキル基又はハロアリール基であることが特に好ましい。上記の電子求引性基は、フッ素原子の一部がフッ素原子以外の電子求引性基で置換されていてもよい。なお、電子求引性基が2価以上の基である場合、残りの結合手は、任意の原子又は置換基との結合に供される。この場合、上記の部分構造は、更なる置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に結合していてもよい。上記一般式KA-1で表されるもののうち、更に、以下の一般式KY-1で表されるものが好ましい。式KY-1中、Rky6~Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシ基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。Rky6~Rky10のうち少なくとも2つが互いに結合して、環を形成していてもよい。Rky5は、電子求引性基を表す。電子求引性基としては、上記一般式KA-1におけるZka1と同様のものが挙げられる。この電子求引性基は、好ましくは、ハロゲン原子、-CRf1Rf2-Rf3により表されるハロシクロアルキル基、又はハロアリール基である。nkbは、0又は1を表す。Rkb1、Rkb2は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は電子求引性基を表す。これら原子団として具体的には、上記一般式KA-1におけるZka1と同様のものが挙げられる。一般式KY-1により表される構造は、下記一般式KY-1-1により表される構造であることがより好ましい。式KY-1-1中、Zka1及びnkaの各々は、上記一般式KA-1におけるものと同義である。Rky5、Rkb1、Rkb2及びnkbの各々は、上記一般式KY-1におけるものと同義である。Lkyは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としては、例えば、メチレン基及びエチレン基が挙げられる。Lkyは、酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることがより好ましい。Rsは、各々独立に、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。nsが2以上の場合、複数のRsは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。Lsは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレイレン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。nsは、-Rs-Ls-により表される連結基の繰り返し数であり、0~5の整数を表す。一般式KA-1で表される構造を有する繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、これに限定されない。Raは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~40モルであることが好ましく、3~30モルであることがより好ましく、5~15モルであることが更に好ましい。z酸分解性基としては、例えば、先にa酸分解性樹脂の項で説明したのと同様のものが挙げられる。酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~80モルであることが好ましく、10~80モルであることがより好ましく、20~60モルであることが更に好ましい。疎水性樹脂は、上記樹脂Gにおいて説明した一般式III’又はCII-ABにより表される繰り返し単位を含んでいてもよい。一般式III’又はCII-ABにより表される繰り返し単位の具体例は、上記樹脂Gにおいて例示したものと同様である。疎水性樹脂Gが一般式III’又はCII-ABにより表される繰り返し単位を含む場合、その繰り返し単位の量は、疎水性樹脂Gを構成する全繰り返し単位に対して、1~100モルであるのが好ましく、5~95モルであるのがより好ましく、20~80モルであるのが更に好ましい。以下に、疎水性樹脂の具体例を挙げる。また、下記表2に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、及び分散度Mw/Mnを示す。疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂の分子量を基準として、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含んだ繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位を基準として、10~100質量であることが好ましく、30~100質量であることがより好ましい。疎水性樹脂がケイ素原子を含んでいる場合、ケイ素原子の含有量は、疎水性樹脂の分子量を基準として、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、ケイ素原子を含んだ繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位を基準として、10~100質量であることが好ましく、20~100質量であることがより好ましい。疎水性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000であり、より好ましくは1,000~50,000であり、更に好ましくは2,000~15,000である。疎水性樹脂の分散度は、1~5であることが好ましく、1~3であることがより好ましく、1~2であることが更に好ましい。こうすると、より優れた解像度、パターン形状及びラフネス特性を達成することが可能となる。疎水性樹脂は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。疎水性樹脂の含有量は、組成物中の全固形分を基準として、0.01~10質量であることが好ましく、0.05~8質量であることがより好ましく、0.1~5質量であることが更に好ましい。疎水性樹脂としては、市販品を使用してもよく、常法に従って合成したものを使用してもよい。この樹脂の一般的な合成方法としては、例えば、先に酸分解性樹脂について説明したのと同様の方法が挙げられる。疎水性樹脂は、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、単量体及びオリゴマー成分の残存量が0~10質量であることが好ましく、0~5質量であることがより好ましく、0~1質量であることが更に好ましい。これにより、液中異物の量を減少させ、感度等の経時変化を低減することが可能となる。本発明に係る組成物から形成された膜について、活性光線又は放射線の照射時に、膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが好ましくは純水である。液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ組成物膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー波長;193nmである場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。また、さらに屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上の組成物膜を溶解させず、且つレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤液体を僅かな割合で添加しても良い。その添加剤としては水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、組成物膜上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水D2Oを用いてもよい。本発明の組成物による膜と液浸液との間には、膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、組成物膜上層部への塗布適正、放射線、特に193nmに対する透明性、液浸液難溶性である。トップコートは、組成物と混合せず、さらに組成物膜上層に均一に塗布できることが好ましい。トップコートは、193nm透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂Gはトップコートとしても好適なものである。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染するという観点からは、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、有機溶媒を含んだ現像液で剥離できることが好ましい。トップコートと液浸液との間には屈折率の差がない方が、解像力が向上する。ArFエキシマレーザー波長:193nmにおいて、液浸液として水を用いる場合には、ArF液浸露光用トップコートは、液浸液の屈折率に近いことが好ましい。屈折率を液浸液に近くするという観点からは、トップコート中にフッ素原子を有することが好ましい。また、透明性屈折率の観点から薄膜の方が好ましい。トップコートは、膜と混合せず、さらに液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。さらに、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。h界面活性剤本発明に係る組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。界面活性剤を含有することにより、波長が250nm以下、特には220nm以下の露光光源を使用した場合に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥のより少ないパターンを形成することが可能となる。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を用いることが特に好ましい。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられる。また、エフトップEF301若しくはEF303製;フロラードFC430、431若しくは4430製;メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120若しくはR08大日本インキ化学工業株製;サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105若しくは106旭硝子株製;トロイゾルS-366トロイケミカル株製;GF-300若しくはGF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製;エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802若しくはEF601株ジェムコ製;PF636、PF656、PF6320若しくはPF6520OMNOVA社製;又は、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D若しくは222D株ネオス製を用いてもよい。なお、ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製も、シリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤は、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる又はオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物を用いて合成してもよい。具体的には、このフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を備えた重合体を、界面活性剤として用いてもよい。このフルオロ脂肪族化合物は、例えば、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することができる。フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレート及び/又はポリオキシアルキレンメタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布していても、ブロック共重合していてもよい。ポリオキシアルキレン基としては、例えば、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基及びポリオキシブチレン基が挙げられる。また、ポリオキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体及びポリオキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体等の、同じ鎖内に異なる鎖長のアルキレンを有するユニットであってもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体は、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマー及び異なる2種以上のポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレート等を同時に共重合してなる3元系以上の共重合体であってもよい。例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476及びF-472大日本インキ化学工業株製が挙げられる。さらに、C6F13基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、C6F13基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、C8F17基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、及び、C8F17基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体等が挙げられる。また、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載されているフッ素系及び/又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。これら界面活性剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。本発明に係る組成物が界面活性剤を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0~2質量、より好ましくは0.0001~2質量、更に好ましくは0.0005~1質量である。iその他の添加剤本発明に係る組成物は、溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び/又は現像液に対する溶解性を促進させる化合物例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、又はカルボキシ基を含んだ脂環族若しくは脂肪族化合物を更に含んでいてもよい。本発明に係る組成物は、溶解阻止化合物を更に含んでいてもよい。ここで溶解阻止化合物とは、酸の作用により分解して有機溶剤を含んだ現像液中での溶解度が減少する、分子量3000以下の化合物である。この溶解阻止化合物としては、波長が220nm以下の光に対する透過性を低下させないため、ProceedingofSPIE2724355に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体等の、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。この酸分解性基及び脂環構造としては、例えば、先に説明したのと同様のものが挙げられる。なお、本発明に係るレジスト組成物をKrFエキシマレーザーで露光するか又は電子線で照射する場合には、溶解阻止化合物としては、フェノール化合物のフェノール性ヒドロキシ基を酸分解基で置換した構造を含んだ化合物が好ましい。フェノール化合物としては、フェノール骨格を1~9個含有するものが好ましく、2~6個含有するものが更に好ましい。本発明に係る組成物が溶解阻止化合物を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは3~50質量であり、より好ましくは5~40質量である。以下に、溶解阻止化合物の具体例を挙げる。分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4-122938号、特開平2-28531号、米国特許第4,916,210号、及び欧州特許第219294号等に記載の方法を参考にして、容易に合成することができる。カルボキシ基を含んだ脂環族若しくは脂肪族化合物としては、例えば、コール酸、デオキシコール酸及びリトコール酸等のステロイド構造を含んだカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、並びにシクロヘキサンジカルボン酸が挙げられる。<パターン形成方法>本発明に係るパターン形成方法は、A上で説明したレジスト組成物を用いて膜を形成することと、Bこの膜を露光することと、C露光された膜を現像することとを含んでいる。Cの現像工程は、典型的には、有機溶剤を含んだ現像液を用いて行う。また、上記の有機溶剤を含んだ現像液を用いた現像により形成されるパターンは、典型的には、ネガ型である。なお、この方法は、Dリンス液を用いて現像された膜をリンスすることを更に含んでいてもよい。製膜後、露光工程の前に、前加熱PB;Prebake工程を含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱PEB;PostExposureBake工程を含むことも好ましい。加熱温度は、PB工程及びPEB工程共に、40~130°Cで行うことが好ましく、50~120°Cで行うことがより好ましく、60~110°Cで行うことが更に好ましい。特に、PEB工程を60~90°Cの低温で行った場合、露光ラチチュードEL及び解像力を顕著に向上させることができる。また、加熱時間は、30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。本発明に係るパターン形成方法において、組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、加熱工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。上記の露光に用いられる光源の波長に制限は無いが、例えば、KrFエキシマレーザー波長248nm、ArFエキシマレーザー波長193nm、及び、F2エキシマレーザー波長157nmが挙げられる。本発明に係る組成物を用いて形成した膜に対しては、液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を更に向上させることができる。用いる液浸媒体としては、空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが、好ましくは純水である。この場合、上述した疎水性樹脂を組成物に予め添加しておいてもよく、膜を形成した後、その上に液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。なお、トップコートに求められる性能及びその使用法などについては、シーエムシー出版液浸リソグラフィのプロセスと材料の第7章に解説されている。トップコートは、波長193nmのレーザーに対する透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、例えば、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、及びフッ素含有ポリマーが挙げられる。上述した疎水性樹脂は、トップコートとしても好適なものである。また、市販のトップコート材料も適宜使用可能である。露光後にトップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、現像液により剥離できることが好ましい。本発明において膜を形成する基板には、特に制限はない。この基板としては、IC等の半導体製造工程、液晶及びサーマルヘッド等の回路基板の製造工程、並びにその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。このような基板としては、例えば、シリコン、SiN及びSiO2等の無機基板、並びに、SOG等の塗布系無機基板が挙げられる。更に、必要に応じて、膜と基板との間に、有機反射防止膜を形成させてもよい。有機溶剤を含んだ現像液としては、例えば、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤等の極性溶剤、並びに、炭化水素系溶剤を含んだ現像液が挙げられる。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、及びプロピレンカーボネートが挙げられる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸n-ペンチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルー3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、プロピオン酸メチル、3メトキシプロピオン酸メチルMMP、プロピオン酸エチル、3エトキシプロピオン酸エチルEEP、及び、プロピオン酸プロピルが挙げられる。特には、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル及び酢酸アミル等の酢酸アルキルエステル又はプロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、及びプロピオン酸プロピルなどのプロピオン酸アルキルエステルが好ましい。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール及びn-デカノール等のアルコール;エチレングリコール、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコール等のグリコール;並びに、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びメトキシメチルブタノール等のグリコールエーテルが挙げられる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記のグリコールエーテルの他、ジオキサン及びテトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、及び1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノンが挙げられる。炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン及びアニソール等の芳香族炭化水素系溶剤、並びに、ペンタン、ヘキサン、オクタン及びデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。上記の溶剤は、2種類以上を混合して用いてもよい。また、十分な性能を発揮できる範囲内で、上記以外の溶剤及び/又は水と混合して用いてもよい。但し、現像液全体としての含水率が10質量未満であることが好ましく、現像液が実質的に水分を含有しないことがより好ましい。即ち、この現像液は、実質的に有機溶剤のみからなる現像液であることが好ましい。なお、この場合であっても、現像液は、後述する界面活性剤を含み得る。また、この場合、現像液は、雰囲気由来の不可避的不純物を含んでいてもよい。現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、80質量以上100質量以下であることが好ましく、90質量以上100質量以下であることがより好ましく、95質量以上100質量以下であることが更に好ましい。特に、現像液が含んでいる有機溶剤は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1つであることが好ましい。有機溶剤を含んだ現像液の蒸気圧は、20°Cに於いて、5kPa以下であることが好ましく、3kPa以下であることが更に好ましく、2kPa以下であることが特に好ましい。現像液の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、基板上又は現像カップ内での現像液の蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果として、ウェハ面内の寸法均一性が向上する。5kPa以下の蒸気圧を有する現像液の具体例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン及びメチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤;酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル及び乳酸プロピル等のエステル系溶剤;n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、及びn-デカノール等のアルコール系溶剤;エチレングリコール、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコール等のグリコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びメトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤;テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド及びN,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶剤;トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素系溶剤;並びに、オクタン及びデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。2kPa以下の蒸気圧を有する現像液の具体例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン及びフェニルアセトン等のケトン系溶剤;酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル及び乳酸プロピル等のエステル系溶剤;n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール及びn-デカノール等のアルコール系溶剤;エチレングリコール、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコール等のグリコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びメトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド及びN,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤;キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤;並びに、オクタン及びデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。現像液には、必要に応じて、界面活性剤を適当量添加することができる。この界面活性剤に特に制限はないが、例えば、イオン性又は非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を用いることができる。これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば、特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができる。この界面活性剤は、非イオン性であることが好ましい。非イオン性の界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることが更に好ましい。なお、界面活性剤の使用量は、現像液の全量に対して、通常は0.001~5質量であり、好ましくは0.005~2質量であり、更に好ましくは0.01~0.5質量である。現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、及び、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法が挙げられる。上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧吐出される現像液の単位面積あたりの流速は、好ましくは2mL/sec/mm2以下であり、より好ましくは1.5mL/sec/mm2以下であり、さらに好ましくは1mL/sec/mm2以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると、0.2mL/sec/mm2以上であることが好ましい。吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜及び/又はレジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。なお、現像液の吐出圧mL/sec/mm2は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法、及び、加圧タンクからの供給で圧力を調整することでを変える方法が挙げられる。また、現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。本発明に係るパターン形成方法は、上記の現像工程の後に、リンス工程有機溶剤を含んだリンス液を用いて膜を洗浄する工程を含んでいることが好ましい。リンス工程に用いるリンス液としては、現像後のパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含んだ溶液を使用することができる。リンス液としては、例えば、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含んだものが挙げられる。このリンス液は、より好ましくは、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含んだものであり、更に好ましくは、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含んだものである。このリンス液は、1価アルコールを含んでいることがより好ましく、炭素数5以上の1価アルコールを含んでいることが更に好ましい。これら1価アルコールは、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよく、環状であってもよい。これら1価アルコールとしては、例えば、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、シクロペンタノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、及び4-オクタノールが挙げられる。炭素数5以上の1価アルコールとしては、例えば、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、4-メチルー2-ペンタノール、1-ペンタノール、及び3-メチル-1-ブタノールが挙げられる。上記の各成分は、2種類以上を混合して使用してもよく、上記以外の有機溶剤と混合して使用してもよい。リンス液の含水率は、10質量未満であることが好ましく、5質量未満であることが好ましく、3質量未満であることが更に好ましい。即ち、リンス液に対する有機溶剤の使用量は、リンス液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることがより好ましく、97質量以上100質量以下であることが特に好ましい。リンス液の含水率を10質量未満にすることにより、更に良好な現像特性を達成し得る。リンス液の蒸気圧は、20°Cに於いて、0.05kPa以上且つ5kPa以下であることが好ましく、0.1kPa以上且つ5kPa以下であることがより好ましく、0.12kPa以上且つ3kPa以下であることが更に好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上且つ5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上すると共に、リンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。なお、リンス液には、界面活性剤を適当量添加してもよい。リンス工程においては、現像を行ったウェハを、上記のリンス液を用いて洗浄する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、及び、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法が挙げられる。この中でも、回転塗布法で洗浄処理を行った後、基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。本発明に係るパターン形成方法は、有機溶剤を含んだ現像液による現像工程に加えて、アルカリ現像液を用いた現像工程ポジ型パターンの形成工程を含んでいてもよい。アルカリ現像液を用いた現像工程と、有機溶剤を含んだ現像液を用いた現像工程との順序に特に制限はないが、アルカリ現像液を用いた現像を有機溶剤を含んだ現像液を用いた現像の前に行うことがより好ましい。また、各現像工程の前に、加熱工程を伴うことが好ましい。アルカリ現像液の種類は特に限定されないが、通常は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液が用いられる。アルカリ現像液には、アルコール類及び/又は界面活性剤を適当量添加してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。アルカリ現像液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38質量水溶液を用いることが特に好ましい。アルカリ現像液を用いた現像の後にリンス処理を行う場合、リンス液としては、典型的には純水を使用する。このリンス液には、界面活性剤を適当量添加してもよい。<酸分解性樹脂及び疎水性樹脂>合成例1:樹脂P-1の合成窒素気流下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルの6/4質量比の混合溶剤40gを3つ口フラスコに入れ、これを80°Cに加熱した溶剤1。下記繰り返し単位に対応するモノマーをそれぞれモル比40/60の割合でプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルの6/4質量比の混合溶剤に溶解し、22質量のモノマー溶液400gを調製した。更に、重合開始剤V-601和光純薬工業製をモノマーに対し8molを加え、溶解させた溶液を、上記溶剤1に対して6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に80°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン3600ml/酢酸エチル400mlに注ぎ、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂P-1が74g得られた。得られた樹脂P-1の重量平均分子量は11000であり、分散度Mw/Mnは1.6であった。合成例2:疎水性樹脂6bの合成まず、以下のスキームに従って、化合物4を合成した。上記化合物1を、国際公開第07/037213号パンフレットに記載の方法で合成した。化合物135.00gに水150.00gを加え、更に水酸化ナトリウム27.30gを加えた。加熱、還流条件で、9時間攪拌した。塩酸を加え、酸性とした後、酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、濃縮することにより化合物236.90gを得た収率93。1H-NMR400MHz/CD32CO:δppm=1.56-1.591H,1.68-1.721H,2.13-2.151H,2.13-2.472H,3.49-3.511H,3.681H,4.45-4.461H。化合物220.00gにCHCl3200mlを加え、更に、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピルアルコール50.90g、4-ジメチルアミノピリジン30.00gを加え攪拌した。該溶液中に、1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド塩酸塩22.00gを加え、3時間攪拌した。500mlの1NHCl中に反応溶液を加え、反応を停止した。有機層を更に1NHClで洗浄し、次に水で洗浄し、有機層を濃縮することにより化合物330.00gを得た収率85。1H-NMR400MHz/CD32CO:δppm=1.621H,1.91-1.951H,2.21-2.241H,2.45-2.532H,3.61-3.631H,3.761H,4.32-4.581H,6.46-6.531H化合物315.00gにトルエン300.00gを加え、更にメタクリル酸3.70g、p-トルエンスルホン酸1水和物4.20gを加え、生成する水を共沸により取り除きながら、15時間還流した。反応液を濃縮し、濃縮物をカラムクロマトグラフィーで精製することにより化合物411.70gを得た収率65。1H-NMR400MHz/CD32CO:δppm=1.76-1.791H,1.933H,2.16-2.222H,2.57-2.611H,2.76-2.811H,3.73-3.741H,4.731H,4.84-4.861H,5.69-5.701H,6.121H,6.50-6.561H。次に、下記樹脂6bの各繰り返し単位に対応するモノマーを各々90/10の割合モル比で仕込み、PGMEAに溶解し、固形分濃度15質量の溶液450gを調製した。この溶液に和光純薬製重合開始剤V-601を1mol加え、これを窒素雰囲気下、6時間かけて、100°Cに加熱したPGMEA50gに滴下した。滴下終了後、反応液を2時間撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、メタノール5Lに晶析、析出した白色粉体を濾取し、目的物である樹脂6bを回収した。NMRから求めたポリマー組成比は90/10であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は12000であり、分散度は1.5であった。各繰り返し単位に対応するモノマーを、所望の組成比モル比となるように使用した以外は、上記合成例1と同様にして、樹脂P-2~P-14及び疎水性樹脂1b~5bを合成した。以下に、樹脂P-1~P-14及び疎水性樹脂1b~6bの構造を示す。また、これら樹脂の組成比モル比、重量平均分子量、分散度を、表3に示す。<酸発生剤>酸発生剤として、下記化合物PAG-1~PAG-12を準備した。<化合物d、e及びPA>化合物dとして、下記化合物B-7~B-18を準備した。これらのうち、化合物B-12~B-18は、上記樹脂Gに該当する。化合物eとして、下記化合物B-1~B-6を準備した。化合物PAとして、下記化合物B-19を準備した。合成例3:化合物B-10の合成1-tert-ブトキシカルボニルイソニペコチン酸2.3gにテトラヒドロフランTHF50mlを加え、更に、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピルアルコール3.4g、4-ジメチルアミノピリジン1.7gを加え攪拌した。該溶液中に、1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド塩酸塩3.5gを加え、3時間攪拌した。30mlの1NHCl中に反応溶液を加え、反応を停止した。有機層を更に1NHClで洗浄し、次に水で洗浄し、有機層を濃縮することにより化合物B-103.2gを得た収率83。1H-NMR400MHz/CD32CO:δppm=1.459H,1.6-1.752H,1.90-2.002H,2.701H,2.85-3.002H,3.95-4.102H,5.751H。合成例4:化合物B-12の合成上記繰り返し単位に対応するモノマーを各々39/49/10/2の割合モル比で仕込み、PGMEAに溶解し、固形分濃度15質量の溶液450gを調製した。この溶液に和光純薬製重合開始剤V-601を1mol加え、これを窒素雰囲気下、6時間かけて、100°Cに加熱したPGMEA50gに滴下した。滴下終了後、反応液を2時間撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、メタノール5Lに晶析、析出した白色粉体を濾取し、目的物である化合物B-12を回収した。NMRから求めたポリマー組成比は39/49/10/2であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は4300であり、分散度は1.5であった。他の化合物B-1~B-9、B-11及びB-13~B-19についても、合成例3及び4で説明したのと同様にして、合成した。下記表4に、化合物B-12~B-18の組成比モル比、重量平均分子量、分散度を、示す。<界面活性剤>界面活性剤としては、以下のものを用いた。W-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製シリコン系。W-4:PF-6320OMNOVA社製フッ素系。<溶剤>溶剤としては、以下のものを用いた。A1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAA2:γ-ブチロラクトンA3:シクロヘキサノンB1:プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEB2:乳酸エチルB3:2-ヘプタノンB4:プロピレンカーボネートC1:ジイソペンチルエーテル。<レジスト及びトップコート組成物の調製>下記表5に示す成分を同表に示す溶剤に溶解させて、全固形分濃度3.5質量とし、それぞれを0.03μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、レジスト組成物Ar-1~Ar-28及びトップコート組成物t-1を調製した。調製したレジスト組成物を用いて、下記の方法でレジストパターンを形成した。<実施例1露光→ベーク→現像→リンス:略号EBDR>シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。その上に、レジスト組成物Ar-1を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハに対し、ArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、アウターシグマ0.89、インナーシグマ0.65を用い、露光マスクライン/スペース=1/1を使用して、パターン露光を行った。その後、100°Cで60秒間加熱した後、下記表6に記載の現像液を30秒間パドルして現像し、同表に記載のリンス液で30秒間パドルしてリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させ、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、100nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。<実施例2、3、5、10、11、14、15、18~23、及び26>表5及び表6に記載のレジスト及び条件を採用した以外は、実施例1の方法と同様にして、100nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。<実施例6液浸露光→ベーク→現像→リンス:略号iEBDR>シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚95nmの反射防止膜を形成した。その上に、レジスト組成物Ar-6を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハに対して、ArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向を用い、露光マスクライン/スペース=1/1を介して、パターン露光を行った。この際、液浸液としては超純水を用いた。その後、100°Cで60秒間加熱した後、下記表6に記載の現像液を30秒間パドルして現像し、同表に記載のリンス液で30秒間パドルしてリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させ、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、100nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。<実施例7~9、12、24及び25>表5及び表6に記載のレジスト及び条件を採用した以外は、実施例6の方法と同様にして、100nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。<実施例13露光→ベーク→現像:略号EBD>シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ar-13を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハに対し、ArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、アウターシグマ0.89、インナーシグマ0.65を用い、露光マスクライン/スペース=1/1を使用して、パターン露光を行った。その後、100°Cで60秒間加熱した後、下記表6に記載の現像液を30秒間パドルして現像し、4000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させ、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、100nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。<実施例16露光→ベーク→現像→回転リンス:略号EBDR2>シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ar-16を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハに対し、ArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、アウターシグマ0.89、インナーシグマ0.65を用い、露光マスクライン/スペース=1/1を使用して、パターン露光を行った。その後100°Cで60秒間加熱した後、下記表6に記載の現像液を30秒間パドルして現像し、500rpmの回転数でウエハを回転させながら同表に記載のリンス液をウエハ上に流して30秒間リンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させ、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、100nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。<実施例17露光→ベーク→回転現像→リンス:略号EBD2R>シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ar-17を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハに対し、ArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、アウターシグマ0.89、インナーシグマ0.65を用い、露光マスクライン/スペース=1/1を使用して、パターン露光を行った。その後100°Cで60秒間加熱した後、500rpmの回転数でウエハを回転させながら下記表6に記載の現像液をウエハ上に流して30秒間現像し、同表に記載のリンス液で30秒間パドルしてリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させ、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、100nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。<実施例4液浸露光→ベーク→現像→リンス略号tiEBDR>シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚95nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ar-4を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。更にその上にトップコート組成物t-1を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚100nmのトップコート膜を形成した。得られたウエハに対し、ArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向を用い、露光マスクライン/スペース=1/1を介して、パターン露光を行った。この際、液浸液としては超純水を用いた。その後、100°Cで60秒間加熱した後、下記表6に記載の現像液を30秒間パドルして現像し、同表に記載のリンス液で30秒間パドルしてリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させ、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、100nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。<実施例27無機反射防止膜基板→露光→ベーク→現像→リンス略号IEBDR>無機反射防止膜を有する基板としてSiON基板を使用した以外は、実施例2の方法と同様にして、100nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。表6中、PBは露光前の加熱を表し、PEBは露光後の加熱を表している。また、PB、トップコートベーク及びPEBの各列において、XCYsは、X°CでY秒間に亘って加熱を行ったことを意味している。なお、現像液及びリンス液の各列におけるA1及びB1は、上述した溶剤を表している。<評価方法>感度Eopt得られたレジストパターンを測長走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9380IIを使用して観察し、スペースパターンの長手方向2μmの範囲を等間隔で50点線幅を測定し、その平均値を測定して求めたパターンの線幅が所望の線幅100nm1:1のラインアンドスペースとなる露光量をレジストの感度とした。ラインウィズスラフネスLWR100nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを測長走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9380IIを使用して観察し、スペースパターンの長手方向2μmの範囲を等間隔で50点線幅を測定し、その標準偏差から3σnmを算出することで測定した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。デフォーカス余裕度DOF100nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを形成する露光量及びフォーカスをそれぞれ最適露光量及び最適フォーカスとし、露光量を最適露光量としたまま、フォーカスを変化デフォーカスさせた際に、パターンサイズが100nm±10を許容するフォーカスの幅を求めた。値が大きいほどフォーカス変化による性能変化が小さく、デフォーカス余裕度DOFが良好である。ブリッジ欠陥パターン形状最適露光量及び最適フォーカスにおける100nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを、測長走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9380IIを用いて観察した。ブリッジ欠陥が見られなかった水準を○Good、ブリッジ欠陥は見られないがややT-top形状となった水準を△Fair、ブリッジ欠陥が見られた水準を×Insufficientとした。下記表7に、各実施例についての評価結果を纏める。表7に示す結果から、実施例に係る組成物は、ラフネス特性、フォーカス余裕度、及び、ブリッジ欠陥性能に優れていることが分かった。<実施例28及び29>下記表8に記載のレジスト及び条件を採用した以外は、実施例1の方法と同様にして、100nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。<評価方法>感度のPEB温度依存性実施例28及び29について、先に述べたのと同様にして、感度Eoptを測定した。その結果を、下記表9に示す。表9に示す結果から、実施例に係る組成物は、感度のPEB温度依存性が小さいことが分かった。<酸分解性樹脂>先に樹脂P-1について説明したのと同様にして、下記の樹脂P-15~P-24を合成した。下記表10に、これら樹脂P-15~P-24の組成比モル比、重量平均分子量、及び分散度を纏める。<レジスト組成物の調製>これら樹脂を用いて、先に説明したのと同様にして、下記表11に示すレジスト組成物を調製した。これらレジスト組成物を用いて、下記表12に示す条件でレジストパターンを形成した。表12において、プロセス略号等の項目は、先に表6について説明したのと同義である。これら実施例に対応した評価結果を、下記表13に纏める。評価方法等は、先に説明したのと同様である。表13に示す結果から、実施例に係る組成物は、ラフネス特性、フォーカス余裕度、及び、ブリッジ欠陥性能に優れていることが分かった。下記表14に記載のレジスト及び条件を採用した以外は、先に説明したのと同様にして、PEB温度依存性を評価した。その結果を、下記表15に示す。表15に示す結果から、実施例に係る組成物は、感度のPEB温度依存性が小さいことが分かった。"