第1金属層、剥離層、及び第2金属層の積層体のうち、前記第1金属層の端部を除去することにより、前記第1金属層を平面視で前記第2金属層よりも小さく加工する第1工程と、基材上に前記積層体の前記第1金属層側を当接させて前記第1金属層と前記基材とを接着するとともに、前記第1工程において前記積層体の前記端部を除去した加工部と前記基材とを接着することにより、支持体を形成する第2工程と、前記支持体の前記第2金属箔の上に、配線基板を形成する第3工程と、前記支持体及び前記配線基板のうち、平面視で前記加工部と重複する重複部分を除去する第4工程と、前記第4工程の後に、前記第2金属箔及び前記配線基板を、前記支持体から分離する第5工程とを含む、配線基板の製造方法。前記第1工程において加工される前記端部は、前記第1金属層の外周にわたる端部であり、前記基材と接着される前記加工部は前記剥離層の外周部である、請求項1記載の配線基板の製造方法。前記第1工程において加工される前記端部は、前記第1金属層及び前記剥離層の外周にわたる端部であり、前記基材と接着される前記加工部は前記第2金属層の外周部である、請求項1記載の配線基板の製造方法。前記基材は接着性を有し、前記第2工程において、前記積層体と前記基材とを加熱加圧して接着する、請求項1乃至3のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。前記第4工程では、前記基材、前記積層体、及び前記配線基板のうち、前記重複部分よりも平面視で所定長さ内側の部分まで除去する、請求項1乃至4のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。前記第5工程において、前記剥離層と前記第1金属層との間で剥離を行い、前記支持体から前記剥離層、前記第2金属層、及び前記配線基板を分離する、請求項1乃至5のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。前記第5工程において、前記剥離層と前記第2金属層との間で剥離を行い、前記支持体から前記第2金属層、及び前記配線基板を分離する、請求項1乃至5のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。前記第5工程の後に、前記配線基板と前記第2金属層とを分離する、請求項1乃至7のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。前記基材はプリプレグである、請求項1乃至8のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。前記配線基板は、ビルドアップ基板である、請求項1乃至9のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。前記基材の両面に前記積層体を積層し、前記基材の両面に前記配線基板を形成する、請求項1乃至10のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。前記第1金属層は、前記第2金属層よりも薄い、請求項1乃至11のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。前記基材として、複数の基材を積層させて用いる、請求項1乃至12のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。第1金属層、剥離層、及び第2金属層の積層体であって、前記第1金属層の端部を除去することにより、前記第1金属層を平面視で前記第2金属層よりも小さく加工した積層体と、前記積層体の前記第1金属層側において、前記第1金属層と、前記端部を除去した加工部と接着される基材とを含む、配線基板用の構造体。第1金属層、剥離層、及び第2金属層の積層体であって、前記第1金属層の端部を除去することにより、前記第1金属層を平面視で前記第2金属層よりも小さく加工した積層体と、前記積層体の前記第1金属層側において、前記第1金属層と、前記端部を除去した加工部と接着される基材とを含む、配線基板製造用の支持体。しかしながら、従来の配線基板の製造方法は下地層を用いるため、配線基板の製造コストが高くなるという課題があった。下地層としては、銅箔等が用いられていた。そこで、低コストで配線基板を製造できる配線基板の製造方法、配線基板用の構造体、及び、配線基板製造用の支持体を提供することを目的とする。本発明の実施の形態の配線基板の製造方法は、第1金属層、剥離層、及び第2金属層の積層体のうち、前記第1金属層の端部を除去することにより、前記第1金属層を平面視で前記第2金属層よりも小さく加工する第1工程と、基材上に前記積層体の前記第1金属層側を当接させて前記第1金属層と前記基材とを接着するとともに、前記第1工程において前記積層体の前記端部を除去した加工部と前記基材とを接着することにより、支持体を形成する第2工程と、前記支持体の前記第2金属箔の上に、配線基板を形成する第3工程と、前記支持体及び前記配線基板のうち、平面視で前記加工部と重複する重複部分を除去する第4工程と、前記第4工程の後に、前記第2金属箔及び前記配線基板を、前記支持体から分離する第5工程とを含む。本発明の実施の形態の配線基板用の構造体は、第1金属層、剥離層、及び第2金属層の積層体であって、前記第1金属層の端部を除去することにより、前記第1金属層を平面視で前記第2金属層よりも小さく加工した積層体と、前記積層体の前記第1金属層側において、前記第1金属層と、前記端部を除去した加工部と接着される基材とを含む。本発明の実施の形態の配線基板製造用の支持体は、第1金属層、剥離層、及び第2金属層の積層体であって、前記第1金属層の端部を除去することにより、前記第1金属層を平面視で前記第2金属層よりも小さく加工した積層体と、前記積層体の前記第1金属層側において、前記第1金属層と、前記端部を除去した加工部と接着される基材とを含む。低コストで配線基板を製造できる配線基板の製造方法、及び、配線基板用の構造体を提供することができる。以下、本発明の配線基板の製造方法、配線基板用の構造体、及び、配線基板製造用の支持体を適用した実施の形態1、2について説明する。<実施の形態1>図1A~Cは、実施の形態1の配線基板の製造方法で積層体を加工する工程を示す図である。ここでは、図1A~Cに示すようにXYZ座標系を定義する。実施の形態1の配線基板の製造方法では、まず、図1Aに示す断面構造を有する積層体10を用意する。積層体10は、金属箔11、剥離層12、及び金属箔13をこの順に積層させた積層構造を有する。金属箔11、剥離層12、及び金属箔13は、平面視では同一の寸法を有する矩形状の部材であることとする。金属箔11、剥離層12、及び金属箔13の平面視での寸法X軸方向及びY軸方向の寸法は、後に形成する配線基板の大きさに応じて任意の値に設定することができる。なお、図1Aに示す断面は、平面視における積層体10の略中央をXZ平面で切断して得る断面を表す。図1Bに示す断面は、図1CにおけるA-A矢視断面である。金属箔11は、第1金属層の一例であり、例えば、銅箔である。金属箔11のZ軸方向の厚さは、例えば、3μm~5μm程度である。剥離層12は、金属箔11と金属箔13との間に設けられる剥離層の一例であり、例えば、ニッケルNiあるいはクロムCr等の金属層、シリコーンオイル等の無機材料による層、又は、イミダゾール、トリアゾール、又はシランカップリング剤等の有機材料製の樹脂層を用いることができる。剥離層12は、金属箔11と金属箔13とを接着して積層体10を構築するために用いられるとともに、後の工程で金属箔11を分離するために用いられる。このため、剥離層12には、積層体10を構築するための接着力が求められるとともに、金属箔11を剥離できるようにするために接着力が弱いことが求められる。このため、金属箔11と剥離層12の接着力は、金属箔13と剥離層12の接着力よりも低い接着力に設定されている。金属箔13は、第2金属層の一例であり、例えば、銅箔である。金属箔13のZ軸方向の厚さは、例えば、10μmから15μm程度である。ここでは、金属箔13の厚さの方が金属箔11の厚さよりも厚い形態について説明するが、金属箔11と金属箔13の厚さは等しくてもよく、金属箔13の方が金属箔11よりも薄くてもよい。なお、剥離層12を接着する金属箔13の表面に、表面を粗くする粗化処理、シランカップリング処理、又はプライマー処理などを行うことにより、剥離層12と金属箔13の密着性を向上させてもよい。このような処理は、特に、剥離層12が有機材料製の樹脂層である場合に有効的である。以上のような積層体10は、予め金属箔11、剥離層12、及び金属箔13を積層した状態で販売しているものを用いてもよい。上述のような積層体10を用意したら、図1Aに示す積層体10の金属箔11の端部11Aを金属箔11の四辺に沿って除去する。端部11Aを除去する工程は、第1工程の一例である。端部11Aは、金属箔11の四辺に沿って所定の幅を有する部分であり、金属箔11の外周にわたる矩形環状の部分である。この結果、図1Aに示す積層体10は、図1B及び図1Cに示す積層体10Aになる。すなわち、図1Aに示す積層体10の金属箔11は、図1B及び図1Cに示すように、平面視で剥離層12及び金属箔13よりも外形が小さく加工され、金属箔11Bになる。図1B及び図1Cに示す金属箔11Bは、図1Aに示す金属箔11から端部11Aを取り除いた残りの部分である。ここで、剥離層12のうち、平面視で金属箔11Bよりも外側に位置する部分を周端部12Aと称す。周端部12Aは、図1Cに示すように、剥離層12の四辺に沿って所定の幅を有する部分であり、図1Aに示す金属箔11の端部11Aが除去されることによって剥離層12の一部が表出した部分である。周端部12Aは、積層体10Aの加工部の一例である。端部11Aの除去は、例えば、金型を用いて端部11Aと金属箔11Bの境界に切れ目を入れて端部11Aを剥がす方法によって行うことができる。この他、レーザで端部11Aと金属箔11Bの境界に切れ目を入れてハーフカットを行って端部11Aを剥がす方法、又は、金属箔11Bの表面にマスクを形成してウェットエッチングで端部11Aを除去する方法等によって行うこともできる。端部11Aの除去は、これら以外の方法で行ってもよい。次に、図2を用いて、積層体10Aをプリプレグに接着することにより、配線基板製造用の支持体を製造する工程について説明する。図2A~Cは、実施の形態1の配線基板の製造方法で支持体を製造する工程を示す図である。図2A~Cでは、図1A~Cと同様にXYZ座標系を定義する。図2A及び図2Bは、製造工程の一部を示す断面図であり、図2Cは製造工程の一部を示す平面図である。図2Bは、図2CのB-B矢視断面を示し、図2Aは図2Bに対応する断面を示す。図2A~Cに示す工程では、プリプレグ20を用いる。プリプレグ20は、接着層の一例である。プリプレグ20としては、例えば、所謂B-ステージ半硬化状態のものが使用される。プリプレグ20は、例えば、ガラス繊維や炭素繊維等の織布や不織布に、エポキシやポリイミド等の絶縁性樹脂を含浸させたプリプレグである。絶縁性樹脂は、熱硬化性樹脂が好適である。プリプレグ20は、放熱性や強度が維持可能なものであればよく、絶縁性樹脂にフィラーを混ぜたものでも、繊維を含まない絶縁性樹脂で形成されたものであってもよい。フィラーとしては、例えば、アルミナやシリカを用いてもよい。実施の形態1では、プリプレグ20の平面視の寸法X軸方向及びY軸方向の寸法は、積層体10Aの剥離層12及び金属箔13と同一の寸法である。また、プリプレグ20のZ軸方向の厚さは、例えば、200μm~1000μm程度である。まず、図2Aに示すように、2つの積層体10Aとプリプレグ20を用意し、位置合わせを行う。プリプレグ20の上側Z軸正方向側の積層体10Aは、金属箔11Bを下側に向けて、剥離層12及び金属箔13とプリプレグ20との位置を合わせる。プリプレグ20の下側Z軸負方向側の積層体10Aは、金属箔11Bを上側に向けて、剥離層12及び金属箔13とプリプレグ20との位置を合わせる。次に、真空ラミネータを用いて、2つの積層体10Aでプリプレグを挟んだ状態で、加熱加圧処理を行うことによってプリプレグ20を硬化させ、2つの積層体10Aをプリプレグ20の上下に接着する。この工程は、第2工程の一例である。このとき、図2B及び図2Cに示すように、平面視で、積層体10Aの中央部では、金属箔11Bとプリプレグ20が接着される。また、平面視で金属箔11Bよりも外側では、剥離層12の周端部12Aとプリプレグ20が接着される。図2Bでは、周端部12Aとプリプレグ20とが接着される部分を破線で囲んで示す。このようにして2つの積層体10Aとプリプレグ20とを固着することにより、図2B及び図2Cに示すように、配線基板製造用の支持体30が完成する。支持体30は、プリプレグ20の上下に積層体10Aが1つずつ接着された部材である。支持体30は、後の工程で積層体10Aの金属箔13にビルドアップ基板を形成する際に、ビルドアップ基板を支持する剛性を有する。実施の形態1の支持体30では、金属箔11Bと、剥離層12の周端部12Aとがプリプレグ20に接着されている。金属箔11Bとプリプレグ20の接着力は、金属箔11Bと剥離層12の接着力よりも強力である。ここで、金属箔11Bと剥離層12の接着力は、後に金属箔11Bを剥がす工程があるために、非常に弱く設定されている。このため、図2Bに示す状態では、積層体10Aとプリプレグ20は、主に、周端部12Aとプリプレグ20の接着力によって接着されている。次に、図3及び図4を用いて、ビルドアップ基板を形成する工程について説明する。まず、図3を用いて、金属箔13の表面にビルドアップ基板のパッドを形成する工程について説明する。図3A~Cは、実施の形態1の配線基板の製造方法でビルドアップ基板のパッドを形成する工程を示す図である。図3A~Cでは、図1A~Cと同様にXYZ座標系を定義する。また、図3A~Cには、図1A~C及び図2A~Cと同様の断面を示す。まず、図3Aに示すように、支持体30の2つの金属箔13の表面に、めっきレジスト40を形成する。めっきレジスト40は、後にパッドを形成する所望の位置に開口部40Aを有するようにパターニングを行う。次に、2つの金属箔13に電圧を印加して給電層として用いて、図3Bに示すように、電解めっきによるパッド41を形成する。パッド41は、配線基板の配線層の一例であり、例えば、金Auや銅Cu等で形成することができる。また、パッド41は、複数の金属層を積層してもよく、例えば、金属箔13側から順番に、金Au、パラジウムPd、ニッケルNi、銅Cuの層を積層してもよい。次に、めっきレジスト40を除去することにより、図3Cに示すように、支持体30の金属箔13の所望の位置にパッド41が形成された構造を得る。次に、図4を用いて、ビルドアップ基板の絶縁層等を形成する工程について説明する。図4A~Dは、実施の形態1の配線基板の製造方法でビルドアップ基板を形成する工程を示す図である。図4A~Dでは、図1A~Cと同様にXYZ座標系を定義する。また、図4A~Dには、図1A~C乃至図3A~Cと同様の断面を示す。まず、図4Aに示すように、2つの金属箔13とその表面に形成されたパッド41を覆うように、絶縁層42を形成する。絶縁層42は、例えば、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂による絶縁層であり、ビルドアップ基板に含まれる絶縁層の一例である。絶縁層42は、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を半硬化状態の樹脂フィルムにし、半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネータで加熱加圧して積層させるとともに硬化することによって作製される。次に、図4Bに示すように、絶縁層42にビアホール42Aを形成する。ビアホール42Aの形成は、例えば、レーザ加工によって行えばよい。ビアホール42Aは、パッド41を底面とし、絶縁層42の表面に開口部を有する形状であって、例えば、底面側の開口部より開口部側の径が大きい、円錐台形状の断面を有する。次に、図4Cに示すように、ビアホール42Aの内部及び上部に配線層43を形成する。配線層43は、ビアホール42Aを介して、パッド41に接続される。配線層43の形成は、例えば、セミアディティブ法によって行えばよい。配線層43は、ビルドアップ基板に含まれる配線層の一例である。セミアディティブ法による配線層43の形成は、例えば次の通りである。絶縁層42及びビアホール42Aの内壁及び底面上に、銅の無電解めっきやスパッタによりシード層を形成し、シード層上に配線パターンの形状の開口部を有するめっきレジストパターンを形成する。次いで、シード層を給電層とする、銅の電解めっきにより、開口部に露出するシード層上とビアホール42A内に配線パターン形状となる銅めっきを析出させる。次いで、めっきレジストを除去し、配線パターンから露出するシード層を除去することにより、配線層43を形成する。その後、さらに、図4A~Cと同様の工程を繰り返すことにより、図4Dに示すように、絶縁層44及び配線層45を形成する。配線層45は、絶縁層44に形成されるビアホールを通じて、配線層43に接続されている。以上により、図4Dに示す構造体50が出来上がる。図4A~Dに示す工程は、ビルドアップ基板を形成する第3工程の一例である。次に、ビルドアップ基板のソルダーレジスト層を形成する工程と、構造体を分離する工程について説明する。図5A~Dは、実施の形態1の配線基板の製造方法でビルドアップ基板のソルダーレジスト層を形成する工程と、構造体を分離する工程を示す図である。図5A~Dでは、図1A~Cと同様にXYZ座標系を定義する。また、図5A、B、Dには、図1A~C乃至図3A~Cと同様の断面を示す。図5Cは、図5Bに示す構造体の上面を示す。まず、図4Dの工程で得た構造体50に、図5Aに示すようにソルダーレジスト層46を形成する。ソルダーレジスト層46は、例えば、感光性のソルダーレジスト樹脂を構造体50の上面及び下面に塗布し、ネガフィルムを用いて露光を行い、所望のパターンを残すことによって形成される。ソルダーレジスト層46は、配線層45を露出する開口部を有するようにパターニングされる。ソルダーレジスト46の開口部から配線層45が露出する部分は、パッドとなる。このようにして、図5Aに示す構造体51を得る。構造体51は、配線基板用の構造体の一例である。次に、図5B及び図5Cに示す一点鎖線に沿って、構造体51を切断する。図5Cに示す破線は、図5Bに示す金属箔11Bの平面視における輪郭を表す。一点鎖線は、金属箔11Bの外周よりも所定の長さL1だけ内側に位置する。構造体51の切断は、例えば、レーザあるいはカッター等を用いた切断工程、又は、ドリルあるいはルーターを用いて孔部を形成することによる切断工程によって行えばよい。構造体51を一点鎖線に沿って切断する工程は、第4工程の一例である。なお、構造体51の切断は、一点鎖線で示すように、破線で示す金属箔11Bの外形よりも内側で行うことが好ましいが、周端部12Aとプリプレグ20との接着部を除去できるのであれば、破線上で行ってもよい。この場合は、構造体51のうち、加工部の一例である周端部12Aと平面視で重複する部分破線よりも外側の部分を除去することになる。構造体51のうち破線よりも外側の部分は、重複部分の一例である。一点鎖線に沿って切断を行う場合は、加工部の一例である周端部12Aと平面視で重複する部分よりも所定の長さL1内側の部分までを除去することになる。次に、図5Cで切断を行った構造体において、図5Dに示すように金属箔11Bを剥離層12から剥離させることにより、2層の金属箔11B及びプリプレグ20と、2つの構造体52とを分離する。構造体52は、剥離層12、金属箔13、パッド41、絶縁層42、配線層43、絶縁層44、配線層45、及びソルダーレジスト層46を含み、剥離層12及び金属箔13をキャリアとして、キャリアにビルドアップ基板が積層された構造体52である。ビルドアップ基板は、パッド41、絶縁層42、配線層43、絶縁層44、配線層45、及びソルダーレジスト層46を含む。図5Dに示す分離工程では、ビルドアップ基板を含む2つの構造体52が得られる。図5Aに示す構造体51では、プリプレグ20と剥離層12との間は、主に、周端部12Aとプリプレグ20の接着力によって接着されている。これは、上述したように、金属箔11Bと剥離層12との接着力は、周端部12Aとプリプレグ20の接着力よりも弱く、図5Dに示す分離工程で、剥離層12から金属箔11Bを剥がせる程度の接着力に設定されているからである。このため、図5B及び図5Cに示す一点鎖線に沿って構造体51を切断すると、剥離層12の周端部12Aとプリプレグ20との接着部は除去され、プリプレグ20と構造体52との間には、金属箔11Bと剥離層20との接着部だけが残る。従って、図5B及び図5Cに示す一点鎖線に沿って構造体51を切断した後に、例えば、ごく弱い応力を与えることにより、図5Dに示すように、金属箔11Bと剥離層20とを容易に分離することができる。図5Dに示す工程は、第5工程の一例である。次に、図6を用いて、構造体52から剥離層12及び金属箔13を除去する工程について説明する。図6は、実施の形態1の配線基板の製造方法によって製造されるビルドアップ基板を示す断面図である。図6では、図5Dに示す2つの構造体52のうち、プリプレグ20の下側の構造体52と同様の座標系を定義する。また、図6には、図5Dと同様の断面を示す。図6に示すビルドアップ基板53は、パッド41、絶縁層42、配線層43、絶縁層44、配線層45、及びソルダーレジスト層46を含む。ビルドアップ基板53は、実施の形態1の配線基板の製造方法によって製造される配線基板の一例である。ビルドアップ基板53は、図5Dに示す構造体52から、剥離層12及び金属箔13を除去することによって製造される。剥離層12及び金属箔13の除去は、例えば、ウェットエッチングによって行えばよい。以上、実施の形態1によれば、金属箔11の端部11Aを除去して剥離層12の周端部12Aとプリプレグ20を接着した状態で、ビルドアップ基板53のための配線層43等を形成した後に、周端部12Aとプリプレグ20の接着部を切除する図5B及び図5C参照。その後に、プリプレグ20及び金属箔22Bから構造体52を分離し、さらに構造体52から剥離層12及び金属箔13を除去することにより、ビルドアップ基板53を製造する。このため、従来の配線基板の製造方法のように下地層を用いずに、低コストでビルドアップ基板53を製造できる。また、従来の配線基板の製造方法のように下地層を用いる場合は、例えば、下地層に異物が付着している場合に、下地層と金属箔との間に異物が入り込み、製造工程の途中で、金属箔に打痕が生じる虞がある。打痕が生じると、打痕による歪みが積層構造に含まれることになるため、最終製品としてのビルドアップ基板53に歪みが生じる虞がある。これに対して、実施の形態1の配線基板の製造方法は、下地層を用いずにビルドアップ基板53を製造でき、下地層を含まない分だけ、製造工程において異物が混入する可能性が低くなる。従って、下地層を用いる従来の配線基板の製造方法よりも、製造工程の信頼性を向上させることができる。また、もし金属箔11図1A参照の端部11Aを除去しないと、構造体51図5A参照において、プリプレグ20と配線層43等との間には、金属箔11と剥離層12によってのみ接着される部分が生じることになる。金属箔11と剥離層12の接着力は、剥離を行うために比較的小さく設定される必要があるが、接着力が弱すぎると、ビルドアップ基板53を製造する工程で、金属箔11と剥離層12が剥がれてしまう虞がある。もし金属箔11と剥離層12が剥がれてしまうと、それ以降に、配線層43等を形成することは困難になる。また、金属箔11と剥離層12の接着力が大きく強くしすぎると、図5Dに示すように金属箔11と剥離層12を分離する工程で、分離が困難になる虞がある。このように、剥離層12の接着力の設定は、容易ではなく、種々の要因を考慮する必要がある。これに対して、実施の形態1の配線基板の製造方法では、金属箔11の端部11Aを除去し、剥離層12の周端部12Aをプリプレグ20と接着する。プリプレグ20と周端部12Aの接着は、プリプレグ20を加熱加圧することによって行うため、剥離層12の周端部12Aとプリプレグ20は、剥離層12の接着力に関係なく非常に強固に接着される。そして、構造体51図5A参照を製造した後に、図5B及び図5Cに示す一点鎖線より外側を切断し、図5Dに示すように、構造体52を金属箔11B及びプリプレグ20から分離させる。従って、剥離層12の接着力は、剥離層12と金属箔11Bとを接着できる程度で足りるため、金属箔11の端部11Aを除去しない場合に比べて、剥離層12の接着力の設定が非常に容易である。以上より、実施の形態1によれば、ビルドアップ基板53を非常に容易に製造することができる。なお、以上では、プリプレグ20の上下にビルドアップ基板53を1つずつ形成する形態について説明したが、プリプレグ20の上側又は下側のいずれか一方のみにビルドアップ基板53を形成してもよい。また、例えば、図7に示すように、プリプレグ20の上下で、それぞれ複数のビルドアップ基板53を製造してもよい。図7は、実施の形態1の変形例の配線基板の製造方法の一工程を示す図である。図7は、図5Cに示す工程の変形例を表す。図7には、ビルドアップ基板53を製造する領域53AをX軸方向に4つ、Y軸方向に4つ示す。図7に示す構造体51Aは、図5Aに示す構造体51の構造を単位構造として、X軸方向に4つ、Y軸方向に4つの単位構造が形成された構造体である。構造体51Aを製造した後に、図7に示す一点鎖線で構造体51Aを切断し、さらに金属箔11B及びプリプレグ20を分離する。その後さらに、剥離層12及び金属箔13を除去した後に、構造体51Aを16個の領域53Aについて個片化する。このような工程を行うことにより、図7に示す構造体51Aのプリプレグ20の上側及び下側から、それぞれ、16個のビルドアップ基板53図6参照を得ることができる。すなわち、一つの構造体51Aから、合計32個のビルドアップ基板53を製造することができる。このように、プリプレグ20の上側及び下側に、それぞれ、複数のビルドアップ基板53を作製してもよい。図8A、Bは、実施の形態の他の変形例の製造方法の一工程を示す図である。図8A、Bは、それぞれ、図2A、Bに示す工程の変形例を表す。図8Aに示すように、2枚のプリプレグ20A、20Bを重ねて用いてもよい。プリプレグ20A、20Bは、ともに、図2A、Bに示すプリプレグ20と同様である。図8Bでは、周端部12Aとプリプレグ20A、20Bとが接着される部分を破線で囲んで示す。2枚のプリプレグ20A、20Bを用いて支持体30Aを作製すれば、プリプレグ20A、20Bの合計の厚さが厚くなる分だけ、支持体30Aの剛性を向上させることができる。従って、例えば、最終的に製造するビルドアップ基板53の重量、又は、製造工程で受ける荷重等に応じて、プリプレグの枚数を調整し、支持体の剛性を調整することができる。なお、プリプレグは3枚以上用いてもよい。また、実施の形態1の配線基板の製造方法によって製造されるビルドアップ基板53は、所謂コア材を用いずに製造されるコアレス型のビルドアップ基板である。典型的なコア材は、例えば、ガラス布基材をエポキシ樹脂に含浸させ、両面に銅箔を貼り付けたものである。コア材があると、ガラス布基材の分だけ厚くなるとともに、ビアホール等の形成をファインピッチで行うことが困難になる。実施の形態1の配線基板の製造方法によれば、薄型化とファインピッチでのビアホール等の形成とを実現可能なコアレス型のビルドアップ基板53を低コストで製造することができる。ここで、図9A、Bを用いて、実施の形態1の配線基板の製造方法によって製造されたビルドアップ基板53に半導体チップを実装した半導体パッケージについて説明する。図9A、Bは、実施の形態1の配線基板の製造方法によって製造されたビルドアップ基板に半導体チップを実装した半導体パッケージを示す断面図である。図9A、Bでは、図1A~Cと同様にXYZ座標系を定義する。また、図9A、Bには、図6と同様の断面を示す。図9Aには、パッド41にバンプ61を接続するとともに、アンダーフィル樹脂62を用いて、ビルドアップ基板53に半導体チップ63をフリップチップ実装する形態を示す。また、図9Bには、図9Aに示すビルドアップ基板53とは天地を逆にして、配線層45のパッドにバンプ61を接続するとともに、アンダーフィル樹脂62を用いて、ビルドアップ基板53に半導体チップ63をフリップチップ実装する形態を示す。バンプ61としては、例えば、はんだや金Au製のバンプを用いればよい。アンダーフィル樹脂62としては、例えば、エポキシ樹脂等を用いればよい。また、半導体チップ63は、所謂LSILargeScaleIntegratedcircuit:大規模集積回路で構築される、例えば、CPUCentralProcessingUnit:中央演算処理装置チップ等を用いればよい。なお、半導体チップ63の実装は、剥離層12及び金属箔13を除去する前に行ってもよい。図10A~Cは、実施の形態1の他の変形例による配線基板の製造方法の工程を示す図である。図10A~Cに示す工程は、図5D及び図6に示す工程の変形例である。図10A~Cでは、図5Dに示す2つの構造体52のうち、プリプレグ20の上側の構造体52と同様の座標系を定義する。図10Aには、構造体52を示す。構造体52は、ビルドアップ基板53から剥離層12及び金属箔13を除去する前の状態における構造体である。図10Bに示すように、構造体52の配線層45にバンプ61を接続するとともに、アンダーフィル樹脂62を用いて、ビルドアップ基板53に半導体チップ63をフリップチップ実装してもよい。その後、剥離層12及び金属箔13を除去することにより、図10Cに示すように、半導体チップ63がフリップチップ実装されたビルドアップ基板53を製造してもよい。図11A~Cは、実施の形態1の他の変形例による配線基板の製造方法の工程を示す図である。図11A~Cに示す工程は、図5Bに示す工程の変形例である。図11Aに示すように、構造体51のうちの周端部12Aとプリプレグ20との接着部一点鎖線より外側の部分を切断する前に、構造体51の両面の配線層45にバンプ61を接続するとともに、アンダーフィル樹脂62を用いて、一対の半導体チップ63を構造体51にフリップチップ実装してもよい。その後、プリプレグ20及び金属箔11を分離して、図11Bに示すように個片化を行うことにより、半導体チップ63がフリップチップ実装された構造体52を得る。そして、剥離層12及び金属箔13を除去することにより、図11Cに示すように、半導体チップ63がフリップチップ実装されたビルドアップ基板53を製造することができる。なお、以上では、図3A~Cに示したように、パッド41を金属箔13の上に直接形成する形態について説明したが、犠牲層を介してパッド41を金属箔13の上に形成してもよい。犠牲層は、金属箔13を給電層として電解めっきによるパッド41を形成する前に形成すればよい。例えば、銅Cu製のパッド41を用いる場合には、ニッケルNi製の犠牲層を金属箔13の上に形成してもよい。また、金属箔13側から順番に、金Au、パラジウムPd、ニッケルNi、銅Cuの4層構造のパッド41を用いる場合には、銅Cu製の犠牲層を金属箔13の上に形成してもよい。犠牲層は、金属箔13を給電層とする電解めっきで形成すればよい。犠牲層は、剥離層12及び金属箔13を除去した後に、例えば、ウェットエッチングによって除去すればよい。このように犠牲層を形成し、その後除去することにより、パッド41の表面を絶縁層42の表面からオフセットさせることができる。なお、以上では、図1A~Cに示すように、金属箔11の端部11Aを四辺に沿って除去する形態について説明したが、端部11Aの除去は、四辺の全てについて行うのではなく、対向辺X軸方向の一対の辺、又は、Y軸方向の一対の辺に沿って行ってもよい。この場合は、図5Bに示す工程において、構造体51のX軸方向の両端のみ、又は、Y軸方向の両端のみを切断すればよい。<実施の形態2>実施の形態2の配線基板の製造方法は、金属箔11の端部11Aに加えて、剥離層12の端部も除去し、プリプレグ20と金属箔13を接着する点が実施の形態1の配線基板の製造方法と異なる。以下、実施の形態1における構成要素と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図12A~Cは、実施の形態2の配線基板の製造方法で積層体を加工する工程を示す図である。ここでは、図12A~Cに示すようにXYZ座標系を定義する。図12A~Cは、実施の形態1の図1A~Cに対応する図である。実施の形態2の配線基板の製造方法では、まず、図12Aに示す断面構造を有する積層体10を用意する。積層体10は、金属箔11、剥離層12、及び金属箔13をこの順に積層させた積層構造を有する。図12Aに示す積層体10を用意したら、図12Aに示す積層体10の金属箔11及び剥離層12の端部11A、12Bを金属箔11及び剥離層12の四辺に沿って除去する。端部11A、12Bを除去する工程は、第1工程の一例である。端部11A、12Bは、金属箔11及び剥離層12の四辺に沿って所定の幅を有する端部であり、金属箔11及び剥離層12の外周にわたる矩形環状の部分である。この結果、図12Aに示す積層体10は、図12B及び図12Cに示す積層体10Bになる。すなわち、図12Aに示す積層体10の金属箔11及び剥離層12は、図12B及び図12Cに示すように、平面視で金属箔13よりも小さく加工され、それぞれ、金属箔11B及び剥離層12Cになる。図12B及び図12Cに示す金属箔11B及び剥離層12Cは、図12Aに示す金属箔11及び剥離層12から、それぞれ、端部11A、12Bを取り除いた残りの部分である。ここで、金属箔13のうち、平面視で金属箔11B及び剥離層12Cよりも外側に位置する部分を周端部13Aと称す。周端部13Aは、図12Cに示すように、金属箔13の四辺に沿って所定の幅を有する部分であり、図12Aに示す金属箔11及び剥離層12の端部11A、12Bが除去されることによって金属箔13の一部が表出した部分である。周端部13Aは、積層体10Bの加工部の一例である。端部11A、12Bの除去は、例えば、金型を用いて端部11A、12Bと金属箔11B及び剥離層12Cの境界に切れ目を入れて端部11A、12Bを剥がす方法によって行うことができる。この他、レーザで端部11A、12Bと金属箔11B及び剥離層12Cの境界に切れ目を入れてハーフカットを行って端部11A、12Bを剥がす方法、又は、金属箔11Bの表面にマスクを形成してウェットエッチングで端部11A、12Bを除去する方法等によって行うこともできる。端部11A、12Bの除去は、これら以外の方法で行ってもよい。次に、図13を用いて、積層体10Bをプリプレグ20に接着することにより、支持体を製造する工程について説明する。図13A、Bは、実施の形態2の配線基板の製造方法で支持体を製造する工程を示す図である。図13A、Bでは、図12A~Cと同様にXYZ座標系を定義する。図13A及び図13Bは、製造工程の一部を示す断面図である。図13A、Bは、実施の形態1の図2A、Bに対応する図である。まず、図13Aに示すように、2つの積層体10Bとプリプレグ20を用意し、位置合わせを行う。プリプレグ20の上側Z軸正方向側の積層体10Bは、金属箔11Bを下側に向けて、金属箔13とプリプレグ20との位置を合わせる。プリプレグ20の下側Z軸負方向側の積層体10Bは、金属箔11Bを上側に向けて、金属箔13とプリプレグ20との位置を合わせる。次に、真空ラミネータを用いて、2つの積層体10Bでプリプレグ20を挟んだ状態で、加熱加圧処理を行うことによってプリプレグ20を硬化させ、2つの積層体10Bをプリプレグ20の上下に接着する。この工程は、第2工程の一例である。このとき、図13Bに示すように、積層体10Bの中央部では、金属箔11Bとプリプレグ20が接着される。また、平面視で金属箔11Bよりも外側では、金属箔13の周端部13Aとプリプレグ20が接着される。図13Bでは、周端部13Aとプリプレグ20とが接着される部分を破線で囲んで示す。このようにして2つの積層体10Bとプリプレグ20とを固着することにより、図13Bに示すように、支持体30Bが完成する。支持体30Bは、プリプレグ20の上下に積層体10Bが1つずつ接着された部材である。支持体30Bは、後の工程で積層体10Bの金属箔13にビルドアップ基板53を形成する際に、ビルドアップ基板53を支持する剛性を有する。実施の形態2の支持体30Bでは、金属箔11Bと、金属箔13の周端部13Aとがプリプレグ20に接着されている。金属箔11Bとプリプレグ20の接着力は、金属箔11Bと剥離層12Cの接着力よりも強力である。ここで、金属箔11Bと剥離層12Cの接着力は、後に金属箔11Bを剥がす工程があるために、非常に弱く設定されている。このため、図13Bに示す状態では、積層体10Bとプリプレグ20は、主に、周端部13Aとプリプレグ20の接着力によって接着されている。支持体30Bが完成したら、その後は、実施の形態1における図3Aから図5Dに示す工程を行うことにより、図6に示すビルドアップ基板53を製造することができる。実施の形態2の配線基板の製造方法によれば、実施の形態1と同様に、低コストでビルドアップ基板53を製造できるとともに、製造工程の信頼性を向上させることができる。また、剥離層1212Cの接着力の設定に関係する要因が従来よりも少ないため、ビルドアップ基板53の製造が非常に容易である。なお、以上では、金属層11と剥離層12の接着力が金属層13と剥離層12の接着力より低い形態について説明したが、実施の形態2では、金属層13と剥離層12の接着力を金属層11と剥離層12の接着力より低くしてもよい。この場合は、ビルドアップ基板53を形成した後に、図5Dに示す工程で、金属箔13と剥離層12との間で分離を行い、プリプレグ20、2層の金属層11B、及び2層の剥離層12と、金属箔13、パッド41、絶縁層42、配線層43、絶縁層44、配線層45、及びソルダーレジスト層46をそれぞれ含む2つの構造体構造体52から剥離層12を除いた構造体とに分離することによってビルドアップ基板53を製造すればよい。以上、本発明の例示的な実施の形態の配線基板の製造方法、配線基板用の構造体、及び、配線基板製造用の支持体について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。