直流電力によって動作する負荷と、該負荷に直流電力を供給する直流電力供給手段と、該直流電力供給手段から負荷への電力供給経路に並列接続された一以上のコンデンサであって、検出手段による電流又は電圧の検出が行われる第1のコンデンサと、前記電力供給経路に並列接続された一以上のコンデンサであって、検出手段による電流又は電圧の検出が行われない第2のコンデンサと、前記検出手段による検出結果、又は該検出結果の想定値からの増加量が閾値を上回った場合に、前記第2のコンデンサが劣化したことを示す信号を出力する劣化判定手段と、を備える電子装置。前記劣化判定手段は、当該電子装置の起動時に動作する手段である、請求項1に記載の電子装置。負荷に直流電力を供給する電力供給経路に並列接続された一以上のコンデンサであって、検出手段による電流又は電圧の検出が行われる第1のコンデンサと、前記電力供給経路に並列接続された一以上のコンデンサであって、検出手段による電流又は電圧の検出が行われない第2のコンデンサと、前記検出手段による検出結果、又は該検出結果の想定値からの増加量が閾値を上回った場合に、前記第2のコンデンサが劣化したことを示す信号を出力する劣化判定手段と、を備える電子回路基板ユニット。しかしながら、上記従来の従来の装置のように、劣化を判定する対象となるコンデンサ及び蓄電池の全てに測定用の抵抗等を取り付けて出力電流や電圧変化を監視すると、コストや重量が増大するという問題が生じる。一方、特許文献2には、直接的に監視を行わない非監視対象コンデンサの存在について記載されている。すなわち、コンデンサの劣化特性から、例えば容量低下が20となる時期が一致するような非監視対象コンデンサと監視対象コンデンサを選定する。そして、監視対象コンデンサが劣化して容量低下が20に達したときに、非監視対象コンデンサも同様に劣化したと推定する。しかしながら、前述のようにコンデンサの劣化の進み具合は使用環境によって、製造当初に想定されている特性から乖離したものとなることが多いため、このような推定では正確性を欠く場合がある。本発明はこのような課題を解決するためのものであり、効率良くコンデンサの劣化を判定することが可能な電子装置、及び電子回路基板ユニットを提供することを、主たる目的とする。上記目的を達成するための第1の態様は、直流電力によって動作する負荷と、該負荷に直流電力を供給する直流電力供給手段と、該直流電力供給手段から負荷への電力供給経路に並列接続された一以上のコンデンサであって、検出手段による電流又は電圧の検出が行われる第1のコンデンサと、前記電力供給経路に並列接続された一以上のコンデンサであって、検出手段による電流又は電圧の検出が行われない第2のコンデンサと、前記検出手段による検出結果、又は該検出結果の想定値からの増加量が閾値を上回った場合に、前記第2のコンデンサが劣化したことを示す信号を出力する劣化判定手段と、を備える電子装置である。上記目的を達成するための第2の態様は、負荷に直流電力を供給する電力供給経路に並列接続された一以上のコンデンサであって、検出手段による電流又は電圧の検出が行われる第1のコンデンサと、前記電力供給経路に並列接続された一以上のコンデンサであって、検出手段による電流又は電圧の検出が行われない第2のコンデンサと、前記検出手段による検出結果、又は該検出結果の想定値からの増加量が閾値を上回った場合に、前記第2のコンデンサが劣化したことを示す信号を出力する劣化判定手段と、を備える電子回路基板ユニットである。本発明によれば、効率良くコンデンサの劣化を判定することが可能な電子装置、及び電子回路基板ユニットを提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら実施例を挙げて説明する。<第1実施例>以下、図面を参照し、本発明の第1実施例に係る電子装置1について説明する。本発明の第1実施例に係る電子装置1は、例えばパーソナルコンピュータやサーバ等の情報処理装置である。また、これに限らず、ゲーム機、プリンターコピー等のOA機器等に適用されてもよい。[全体構成]図1は、本発明の第1実施例に係る電子装置1の機能ブロック図である。図示するように、電子装置1は、PSUPowerSupplyUnit10と、直流電源回路30と、負荷70と、を備える。PSU10は、電子装置1の本体に内蔵されてもよいし、周辺機器であるACアダプタに内蔵されてもよい。負荷70は、メインボード80上に搭載されたCPUCentralProcessingUnit82、RAMRandomAccessMemory等のメモリ84、I/O制御回路86、ディスプレイ制御回路88を含む。また、負荷70は、HDDHardDiskDrive90やODDOpticalDiskDrive92等の補助記憶装置、ディスプレイ94等の入出力装置を含んでもよい。メインボード80上には、上記CPU82等の他、直流電源回路30が搭載されている。なお、直流電源回路30は、負荷70のうち消費電力変動の大きい特定の負荷に近接して取り付けられると好適であり、係る特定の負荷が複数個存在する場合、複数の直流電源回路30が存在してもよい。また、直流電源回路30を介さずに、直接PSU10から電力供給を受ける負荷が存在しても構わない。[PSU]図2は、第1実施例に係るPSU10の回路構成例である。図示するように、PSU10は、例えば、トランス15を有する絶縁型フォワードコンバータである。PSU10は、トランス15に関する一次側の構成要素として、入力端子11A、11Bと、整流回路12と、平滑コンデンサ13と、スイッチング素子14と、を備える。また、直流電源回路10は、二次側の構成要素として、ダイオード16と、インダクタ17と、平滑コンデンサ18と、フリーホイールダイオード19と、電圧検出部20と、パルス幅変換部22と、を備える。入力端子11A、11Bは、例えばコンセント等の交流電源に接続されるプラグである。交流電源から入力端子11A、11Bを介して入力される交流電力は、整流回路12に入力される。整流回路12は、4個のダイオードがブリッジ状に接続されたダイオードブリッジ回路であり、交流電源から入力される交流電力を全波整流して出力する。平滑コンデンサ13は、整流回路12により全波整流された電力を平滑化する。平滑コンデンサ13の両端子間には、トランス15の一次巻線15A、及びスイッチング素子14が直列に接続されている。スイッチング素子14は、例えば、MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorである。スイッチング素子14は、パルス幅変換部22からパルス状のゲート電圧が印加されることによってオン/オフが行われ、PWMPulseWidthModulation駆動される。トランス15の二次巻線15Bの一方の端部15Baは、ダイオード16、及びインダクタ17を介して出力端子24Aに接続される。トランス15の二次巻線15Bの他方の端部15Bbは、出力端子24Bに接続される。平滑コンデンサ18は、出力端子24Aと出力端子24Bを接続する。フリーホイールダイオード19のカソードはダイオード16とインダクタ17の間に接続され、アノードは出力端子22Bに接続される。フリーホイールダイオード19は、スイッチング素子14がオフにされ、インダクタ17に蓄えられたエネルギーが放出される際の電流経路となる。フリーホイールダイオード19は、例えば、ショットキーダイオードであり、通常のシリコンダイオード、或いはFET等を用いてもよい。電圧検出部20は、出力端子24Aと出力端子24Bの間の電圧を検出する。パルス幅変換部22は、電圧検出部20により検出された電圧が目標値に近づくように、スイッチング素子14に印加する電圧信号のデューティを決定する。すなわち、パルス幅変換部22は、負荷70の消費電力が大きくなって出力電圧が低下した場合にはスイッチング素子14に印加する電圧信号のデューティを増加させ、逆の場合にはデューティを低下させる。より具体的には、検出電圧と目標電圧の差を増幅し、その出力を三角波などの発振器とコンパレータで比較する事で、PWM信号を生成する。係る制御によって安定化電源を実現することができる。また、インダクタ17や平滑コンデンサ18の働きによって出力電圧の脈動脈流が抑制され、フラットに近い電圧を、直流電源回路30を介して負荷70に供給することができる。[直流電源回路]図3は、第1実施例に係る直流電源回路30の機能ブロック図である。図示するように、直流電源回路30は、コンデンサ又はキャパシタ;以下省略401、402、403、404、405と、抵抗R1、R2、R3、R4、R5と、電流検出部50と、比較処理部60と、を備える。比較処理部60には、各コンデンサの劣化判定に必要な情報各種閾値等を記憶したレジスタ62が接続されている。抵抗R1~R5は、例えばチップ抵抗等である。抵抗R1はコンデンサ401の例えばプラス側端子に直列に取り付けられる。同様に、抵抗R2はコンデンサ402に、抵抗R3はコンデンサ403に、抵抗R4はコンデンサ404に、抵抗R5はコンデンサ405に、それぞれ取り付けられる。電流検出部50は、抵抗R2、R4、R5の両端電圧を検出することにより、コンデンサ402、404、405から流れる電流を検出する。電流検出部50は、例えば電圧センサ、A/Dコンバータ、乗算器等を内蔵し、検出した電圧値に抵抗値を乗じた値を比較処理部60に出力する電圧値そのものを出力しても構わない。なお、抵抗R1、R3については、電流検出には用いられないが、他のコンデンサとの間でインピーダンス条件を揃えるために取り付けられている。図3は、PSU10から各コンデンサに至る経路の抵抗ルート抵抗rと、負荷70と各コンデンサの距離に比例した抵抗r1、r2、r3、r4、r5を加味すると、図4のようになる。図4は、第1実施例に係る直流電源回路30の機能ブロック図に、より詳細な抵抗配置を追加した図である。以下、図4で示す抵抗が生じる構造について説明する。図5は、直流電源回路30がメインボード80に搭載された様子を示す図である。また、図6は、直流電源回路30の各構成要素がメインボード80の導電板80A、80Bに接続される様子を示す分解斜視図である。なお、これらの図において、負荷70のうち、直流電源回路30が近接する特定の負荷を、負荷70と表記する。図6に示すように、メインボード80は、絶縁体で形成された基板表面80Cと、PSU10の出力端子24A、24Bにそれぞれ接続された板状の導電体80A、80Bと、が表面側から順に積層された構造となっている。導電体80A、80Bは、例えば銅Cu箔であり、アルミニウムAlや金Au等を用いてもよい。なお、係る積層構造は一例であり、メインボード80は、信号送受信のための導電体層等が更に追加された多層構造の基板であってもよい。各導電体の間は、樹脂等で絶縁されている。負荷70の電力端子70A、70Bは、それぞれ導電板80A、80Bに接続される。すなわち、端子70Aは、基板表面80Cのスルーホールを貫通して導電板80Aに接続され、端子70Bは、基板表面80C及び導電体80Aのスルーホールを貫通して導電体80Bに接続される。これらの端子が貫通した間隙には、エポキシ樹脂等が注入される。同様に、コンデンサ404の一方の端子404Aは、抵抗R4を介し、基板表面80Cのスルーホールを貫通して導電体80Aに接続され、他方の端子404Bは、基板表面80C及び導電体80Aのスルーホールを貫通して導電体80Bに接続される。コンデンサ405の一方の端子405Aは、抵抗R5を介し、基板表面80Cのスルーホールを貫通して導電体80Aに接続され、他方の端子405Bは、基板表面80C及び導電体80Aのスルーホールを貫通して導電体80Bに接続される。他のコンデンサについても同様である。係る構造によって、導電体80A、80Bにおける端子間の距離に比例した抵抗が、r1、r2、r3、r4、r5として現れる。図5に示すように、本実施例では、r1とr5が比較的大きく、r2、r3、r4が比較的小さいものとする。ところで、前述のように、PSU10の平滑コンデンサ18、及び直流電源回路30の各コンデンサは、PSU10の出力電圧の脈流に応じて充電と放電を繰り返し行うことによって、負荷70への供給電圧を平滑する。図7は、PSU10の出力電圧の変動に応じて、各コンデンサが充電及び放電を行う様子を模式的に示す図である。図7にリップルと表記した出力電圧の変動は、負荷の電力消費が小さい状態では小さいものであり、出力電圧はほぼフラットなものとなるが、負荷の電力消費が大きくなると次第に大きくなり、電流検出部50による検出が容易となる。本実施例では、以下に説明するように、負荷の電力消費が大きくなる所定期間においてリップルの大きさを検出することによって、直流電源回路30の各コンデンサの劣化を判定する。なお、所定期間は、後述するように、電子装置1の起動時における特定の期間とすると好適である。[劣化判定]図3に示したように、電流検出部50は、コンデンサ402、404、405から流れる電流を検出している。以下、これらを電流検出コンデンサと称することとする。また、直接的に電流が検出されないコンデンサ401、403を、電流非検出コンデンサと称する。比較処理部60は、電流検出コンデンサについては、所定期間における出力電流が閾値を下回ったときに或いは、出力電流の想定値からの減少分が閾値を上回ったときに、該当するコンデンサが劣化したことを示す所定の信号を出力する。一方、比較処理部60は、電流非検出検出コンデンサについては、所定期間における電流検出コンデンサのうち少なくとも一部の出力電流が閾値を上回ったときに、電流非検出コンデンサが劣化したことを示す所定の信号を出力する。この場合も、出力電流が閾値を上回ったときにを出力電流の想定値からの増加分が閾値を上回ったときにと置換してよい。想定値は、製品の出荷時に予め定められた値であってもよいし、過去の平均値であってもよい。また、電流検出コンデンサの劣化判定に係る閾値と、電流非検出コンデンサの劣化判定に係る閾値は、異なる値を用いてよい。次式1~5は、ある期間においてコンデンサ401~405から負荷70に流れる電流の合計をICとした場合に、各コンデンサから流れる電流の理論値を示す図である。式中、I1はコンデンサ401から流れる電流を、I2はコンデンサ402から流れる電流を、I3はコンデンサ403から流れる電流を、I4はコンデンサ404から流れる電流を、I5はコンデンサ405から流れる電流を示す。例えば、コンデンサ401が劣化すると、r1が増加した状態とみなすことができる。この結果、r1~r5のうち値が小さいものに該当するコンデンサの電流増加が大きく現れることになる。図4の例では、r2、r3、r4が比較的小さいため、コンデンサ402、403、404の電流増加が大きくなる。また、コンデンサ403が劣化すると、r3が増加した状態とみなすことができる。この結果、r1~r5のうち値が小さいものに対応するコンデンサの電流増加が大きく現れることになる。図4の例では、r2、r4が比較的小さいため、コンデンサ402、404の電流増加が大きくなる。従って、比較処理部60は、I2又はI4の増加量が閾値を上回った場合に、コンデンサ401とコンデンサ403のいずれかが劣化したと判定する。図8は、コンデンサ403が劣化した場合に、コンデンサ402、及びコンデンサ404からの電流が増加する様子を模式的に示す図である。[処理フロー]以下、情報処理装置としての電子装置1の処理の流れについて説明する。図9は、第1実施例に係る電子装置1により実行される処理の流れを示すフローチャートである。本フローは、電子装置1の起動時電源オン時、再起動時等に開始される。まず、電子装置1のCPU82は、BIOSBasicInputOutputSystem処理として、ハードウエアの初期化を行うS100。次に、電子装置1のCPU82は、BIOS処理として、コンデンサの電流測定を指示するS102。そして、比較処理部60の出力に基づいて、コンデンサの劣化判定を行うS104。いずれかのコンデンサが劣化したと判定された場合は、コンデンサの劣化を検出した旨をディスプレイ94に表示するS106。図10は、コンデンサの劣化検出時における表示画面の一例である。コンデンサの劣化を検出した旨をディスプレイ94に表示すると、強制起動の指示待ち状態に遷移しS108、所定時間以内に強制起動の指示がなされたか否かを判定するS110。所定時間以内に強制起動の指示がなされなかった場合は、エラー終了する。所定時間以内に強制起動の指示がなされた場合は、OSOperatingSystemの起動処理を行いS112、正常起動を行う。一方、S104において、コンデンサが劣化していないと判定された場合は、OSの起動処理を行いS112、正常起動を行う。[まとめ]以上説明した本実施例の電子装置1によれば、電流非検出コンデンサの劣化判定を、電流検出コンデンサの電流増加量に基づいて行うため、全てのコンデンサの電流を検出することなく各コンデンサの劣化判定を正確に行うことができる。この結果、コストや重量の増加を抑制しつつ、コンデンサの劣化判定を正確に行うことができる。すなわち、コンデンサの劣化判定を効率良く行うことができる。なお、本実施例における直流電源回路30とメインボード80を合わせたものが、特許請求の範囲における電子回路基板ユニットの一例である。<第2実施例>以下、図面を参照し、本発明の第2実施例に係る電子装置2について説明する。本発明の第2実施例に係る電子装置2は、第1実施例と同様、パーソナルコンピュータやサーバ等の情報処理装置、ゲーム機、プリンターコピー等のOA機器等に適用される。[全体構成]、及び直流電源回路30の基本的機能、図8に示したフロー、劣化検出時の表示画面等については、第1実施例と同様であるため説明を省略し、ここでは第1実施例との相違点を中心に説明する。図11は、第2実施例に係る直流電源回路30がメインボード80に搭載された様子を示す図である。図示するように、本実施例では、複数の負荷70ここでは、負荷70、70とするに近接してコンデンサ401~405が取り付けられている。電流検出コンデンサについては、第1実施例と同様、所定期間における出力電流が閾値を下回ったときに或いは、出力電流の想定値からの減少分が閾値を上回ったときに、該当するコンデンサが劣化したことを示す所定の信号を出力する。また、電流非検出コンデンサについても、原則としては、所定期間における電流検出コンデンサのうち少なくとも一部の出力電流又はその増加分が閾値を上回ったときに、電流非検出コンデンサが劣化したことを示す所定の信号を出力する。更に、本実施例の電子装置2では、いずれかの電流非検出コンデンサが劣化したと判定されたときに、負荷とコンデンサの位置関係に基づいて、電流非検出コンデンサのうち、どのコンデンサが劣化したかを推定する。より具体的には、劣化判定時に電流の増加が大きいコンデンサに近接したコンデンサが劣化したと推定する。図12は、コンデンサの劣化と、電流の増加が大きいコンデンサとの対応関係を示す図である。図示するように、コンデンサ401が劣化した場合は、近接するコンデンサ402、405からの電流が増加する。また、コンデンサ403が劣化した場合は、近接するコンデンサ402、404からの電流が増加する。なお、このような対応関係は、テーブルとしてレジスタ62に格納されているものとする。従って、コンデンサ402、405からの電流が増加した場合は、コンデンサ401が劣化したと判定し、その旨を表示等すると好適である。また、コンデンサ402、404からの電流が増加した場合は、コンデンサ403が劣化したと判定する。なお、電流検出コンデンサであるコンデンサ402、404、405については、それぞれの電流値に基づいて劣化を判定することができる。[まとめ]以上説明した本実施例の電子装置2によれば、電流非検出コンデンサの劣化判定を、電流検出コンデンサの電流増加量に基づいて行うため、全てのコンデンサの電流を検出することなく各コンデンサの劣化判定を正確に行うことができる。この結果、コストや重量の増加を抑制しつつ、コンデンサの劣化判定を正確に行うことができる。すなわち、コンデンサの劣化判定を効率良く行うことができる。また、劣化したコンデンサに近接するコンデンサの電流が増加することを利用して、いずれのコンデンサが劣化したかを判定するため、ピンポイントにコンデンサの取り替え等を行うことができる。なお、本実施例における直流電源回路30とメインボード80を合わせたものが、特許請求の範囲における電子回路基板ユニットの他の例である。以上、本発明を実施するための最良の形態について実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、直流電源回路30が有するコンデンサの総数、それらのうち電流又は電圧が検出されるコンデンサの個数については、電流検出コンデンサと電流非検出コンデンサがそれぞれ一以上であれば、任意に決定することができる。例えば、図13に示すように、3個のコンデンサ401~403を備え、これらのうちコンデンサ403のみについて電流検出が行われるものとしてよい。図13は、直流電源回路の機能ブロック図の他の例である。この例では、コンデンサ403の所定期間における出力電流又は想定値からの減少分が閾値を下回ったときに、該当するコンデンサ403が劣化したと判定する。また、コンデンサ403の所定期間における出力電流又は想定値からの増加分が閾値を上回ったときに、コンデンサ401、又はコンデンサ402が劣化したと判定する。以上の説明に関し、さらに以下の項を開示する。付記1直流電力によって動作する負荷と、該負荷に直流電力を供給する直流電力供給手段と、該直流電力供給手段から負荷への電力供給経路に並列接続された一以上のコンデンサであって、検出手段による電流又は電圧の検出が行われる第1のコンデンサと、前記電力供給経路に並列接続された一以上のコンデンサであって、検出手段による電流又は電圧の検出が行われない第2のコンデンサと、前記検出手段による検出結果又は該検出結果の増加量が閾値を上回った場合に、前記第2のコンデンサが劣化したことを示す信号を出力する劣化判定手段と、を備える電子装置。付記2前記劣化判定手段は、当該電子装置の起動時に動作する手段である、請求項1に記載の電子装置。付記3負荷に直流電力を供給する電力供給経路に並列接続された一以上のコンデンサであって、検出手段による電流又は電圧の検出が行われる第1のコンデンサと、前記電力供給経路に並列接続された一以上のコンデンサであって、検出手段による電流又は電圧の検出が行われない第2のコンデンサと、前記検出手段による検出結果又は該検出結果の増加量が閾値を上回った場合に、前記第2のコンデンサが劣化したことを示す信号を出力する劣化判定手段と、を備える電子回路基板ユニット。付記4付記1又は2に記載の電子装置であって、前記第2のコンデンサは、二以上のコンデンサを含み、前記劣化判定手段は、前記第2のコンデンサが劣化したことを示す信号を出力する際に、前記第1又は第2のコンデンサと前記負荷の位置関係に基づいて、前記第2のコンデンサのうちいずれのコンデンサが劣化したかを特定する手段である、電子装置。付記5付記3に記載の電子回路基板ユニットであって、前記第2のコンデンサは、二以上のコンデンサを含み、前記劣化判定手段は、前記第2のコンデンサが劣化したことを示す信号を出力する際に、前記第1又は第2のコンデンサと前記負荷の位置関係に基づいて、前記第2のコンデンサのうちいずれのコンデンサが劣化したかを特定する手段である、電子回路基板。