"ABOw但し、Aは、La,Y,Gd,Yb及びLuからなる群から選ばれた少なくとも一種と、0~5モルのBiとからなり、Bは、Sn,Zr及びHfからなる群から選ばれた少なくとも一種であり、Wは、電気的中性を保つための正の数である。で表されるパイロクロア型化合物を主成分とするセラミックスを還元雰囲気中において熱処理してなる、発光セラミックス。厚みが1mmであるときの波長450nm~800nmにおける光透過率が40以上である、請求項1に記載の発光セラミックス。励起光を照射したときに得られる発光量子収率が3以上である、請求項1または2に記載の発光セラミックス。前記Aは、La及びYの少なくとも一方と、0~5モルのBiとからなり、Bは、Zrである、請求項1~3のいずれか一項に記載の発光セラミックス。厚みが1mmであるときの波長450nm~800nmにおける光透過率が75以上であり、励起光を照射したときに得られる発光量子収率が10以上である、請求項4に記載の発光セラミックス。前記Aは、0.001モル以上のBiを含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の発光セラミックス。励起光を照射したときに得られる発光量子収率が10以上である、請求項6に記載の発光セラミックス。前記Aは、Laと、0.001モル~5モルのBiとからなり、Bは、Zr及びHfの少なくとも一方である、請求項6または7のいずれか一項に記載の発光セラミックス。前記Aは、Gdと、0.001モル~5モルのBiとからなり、Bは、Hfである、請求項6または7のいずれか一項に記載の発光セラミックス。厚みが1mmであるときの波長450nm~800nmにおける光透過率が70以上であり、励起光を照射したときに得られる発光量子収率が15以上である、請求項6~9のいずれか一項に記載の発光セラミックス。ABOw但し、Aは、La及びYの少なくとも一方と、0~5モルのBiとからなり、Bは、Zrであり、Wは、電気的中性を保つための正の数である。で表されるパイロクロア型化合物を主成分とし、厚みが1mmであるときの波長450nm~800nmにおける光透過率が75以上である、発光セラミックス。励起光を照射したときに得られる発光量子収率が10以上である、請求項11に記載の発光セラミックス。ABOw但し、Aは、Laと、0.001モル~5モルのBiとからなり、Bは、Zr及びHfの少なくとも一方であり、Wは、電気的中性を保つための正の数である。で表されるパイロクロア型化合物を主成分とし、厚みが1mmであるときの波長450nm~800nmにおける光透過率が70以上である、発光セラミックス。ABOw但し、Aは、Gdと、0.001モル~5モルのBiとからなり、Bは、Hfであり、Wは、電気的中性を保つための正の数である。で表されるパイロクロア型化合物を主成分とし、厚みが1mmであるときの波長450nm~800nmにおける光透過率が70以上である、発光セラミックス。励起光を照射したときに得られる発光量子収率が15以上である、請求項13または14に記載の発光セラミックス。入射光よりも波長が長い光を出射する波長変換セラミックスである、請求項1~15のいずれか一項に記載の発光セラミックス。紫外線が入射したときに、可視光を出射する、請求項16に記載の発光セラミックス。放射線が入射したときに光を出射する放射線-光変換セラミックスである、請求項1~15のいずれか一項に記載の発光セラミックス。請求項1~18のいずれか一項に記載の発光セラミックスからなる発光素子。請求項19に記載の発光素子と、前記発光素子から出射される光を検出する検出器とを備え、前記発光セラミックスは、放射線が入射したときに光を出射する放射線-光変換セラミックスである、シンチレータ。ABOw但し、Aは、La,Y,Gd,Yb及びLuからなる群から選ばれた少なくとも一種と、0~5モルのBiとからなり、Bは、Sn,Zr及びHfからなる群から選ばれた少なくとも一種であり、Wは、電気的中性を保つための正の数である。で表されるパイロクロア型化合物を主成分とするセラミックスを還元雰囲気中において熱処理することにより発光セラミックスを得る、発光セラミックスの製造方法。前記Aは、0.001モル以上のBiを含む、請求項21に記載の発光セラミックスの製造方法。しかしながら、特許文献1,2に記載されているような単結晶の放射線-光変換材料は、製造が困難であり、また、結晶異方性を有するため、放射線-光変換素子への加工が困難であるという問題がある。一方、特許文献3に記載されているセラミックシンチレータであれば、セラミックスであるため、単結晶の放射線-光変換材料よりも容易に製造することができ、かつ、放射線-光変換素子への加工も容易である。しかしながら、発光中心を希土類とした場合は、一般的には、発光減衰時間が数百μ秒~数m秒程度となり、発光減衰時間を十分に短くすることが困難であるという問題がある。従って、製造が容易な放射線-光変換セラミックスであって、発光減衰時間が短い放射線光変換セラミックスが求められている。同様に、例えば、紫外線などの光が入射したときに、入射光よりも波長の長い光を出射する波長変換材料に関しても、製造が容易なセラミックスにより構成されており、かつ発光減衰時間が短いものが求められている。本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、放射線や光が入射したときに光を出射する、波長変換セラミックスや放射線-光変換セラミックスなどの発光セラミックスであって、発光減衰時間が短い発光セラミックスを提供することにある。なお、上記特許文献4には、La,Y,Gd,Yb及びLuから選ばれる少なくとも一種と、Ti,Sn,Zr及びHfから選ばれる少なくとも一種とを含む酸化物であって、パイロクロア型化合物を主成分とし、かつ主成分の結晶系が立方晶である透光性セラミックスが記載されている。しかしながら、特許文献4に記載の透光性セラミックスは、放射線や光を照射したときに実質的に光を出射しない。従って、特許文献4に記載の透光性セラミックスは、発光セラミックスには該当しない。本発明に係る第1の発光セラミックスは、ABOw但し、Aは、La,Y,Gd,Yb及びLuからなる群から選ばれた少なくとも一種と、0~5モルのBiとからなり、Bは、Sn,Zr及びHfからなる群から選ばれた少なくとも一種であり、Wは、電気的中性を保つための正の数である。で表されるパイロクロア型化合物を主成分とするセラミックスを還元雰囲気中において熱処理してなる。本発明に係る第1の発光セラミックスのある特定の局面では、厚みが1mmであるときの波長450nm~800nmにおける光透過率が40以上である。本発明に係る第1の発光セラミックスの他の特定の局面では、発光セラミックスに励起光を照射したときに得られる発光量子収率は、3以上である。本発明に係る第1の発光セラミックスの別の特定の局面では、Aは、La及びYの少なくとも一方と、0~5モルのBiとからなり、Bは、Zrである。本発明に係る第1の発光セラミックスのさらに他の特定の局面では、発光セラミックスの厚みが1mmであるときの波長450nm~800nmにおける光透過率が75以上であり、発光セラミックスに励起光を照射したときに得られる発光量子収率が10以上である。なお、本発明において、発光量子収率とは、試料に吸収された全光子数に対する試料から発せられる全光子数の割合である。本発明に係る第1の発光セラミックスのさらに別の特定の局面では、Aは、0.001モル以上のBiを含む。本発明に係る第1の発光セラミックスのまたさらに他の特定の局面では、発光セラミックスに励起光を照射したときに得られる発光量子収率が10以上である。本発明に係る第1の発光セラミックスのまたさらに別の特定の局面では、Aは、Laと、0.001モル~5モルのBiとからなり、Bは、Zr及びHfの少なくとも一方である。本発明に係る第1の発光セラミックスのさらにまた他の特定の局面では、Aは、Gdと、0.001モル~5モルのBiとからなり、Bは、Hfである。本発明に係る第1の発光セラミックスのさらにまた別の特定の局面では、発光セラミックスの厚みが1mmであるときの波長450nm~800nmにおける光透過率が70以上であり、発光セラミックスに励起光を照射したときに得られる発光量子収率が15以上である。本発明に係る第2の発光セラミックスは、ABOw但し、Aは、La及びYの少なくとも一方と、0~5モルのBiとからなり、Bは、Zrであり、Wは、電気的中性を保つための正の数である。で表されるパイロクロア型化合物を主成分とする。本発明に係る第2の発光セラミックスの厚みが1mmであるときの波長450nm~800nmにおける光透過率は、75以上である。本発明に係る第2の発光セラミックスのある特定の局面では、発光セラミックスに励起光を照射したときに得られる発光量子収率が10以上である。本発明に係る第3の発光セラミックスは、ABOw但し、Aは、Laと、0.001モル~5モルのBiとからなり、Bは、Zr及びHfの少なくとも一方であり、Wは、電気的中性を保つための正の数である。で表されるパイロクロア型化合物を主成分とする。本発明に係る第3の発光セラミックスの厚みが1mmであるときの波長450nm~800nmにおける光透過率は、70以上である。本発明に係る第4の発光セラミックスは、ABOw但し、Aは、Gdと、0.001モル~5モルのBiとからなり、Bは、Hfであり、Wは、電気的中性を保つための正の数である。で表されるパイロクロア型化合物を主成分とする。本発明に係る第4の発光セラミックスの厚みが1mmであるときの波長450nm~800nmにおける光透過率は、70以上である。本発明に係る第3,第4の発光セラミックスのある特定の局面では、発光セラミックスに励起光を照射したときに得られる発光量子収率が15以上である。本発明に係る第1~第4の発光セラミックスの他の特定の局面では、発光セラミックスは、入射光よりも波長が長い光を出射する波長変換セラミックスである。波長変換セラミックスは、入射光を、紫外線、可視光、赤外線、X線またはγ線とするものであってもよい。また、波長変換セラミックスは、出射光を、紫外線、可視光、赤外線、X線またはγ線とするものであってもよい。波長変換セラミックスの具体例としては、紫外線-可視光変換セラミックス、可視光-可視光変換セラミックス、可視光-赤外線変換セラミックス、X線-可視光変換セラミックス、γ線-可視光変換セラミックスなどが挙げられる。なお、本発明において、可視光とは、波長が400nm~800nmの範囲内にある光をいう。紫外線とは、波長が240nm~400nmの範囲内にある光をいう。赤外線とは、波長が800nm~2500nmの範囲内にある光をいう。本発明に係る第1~第4の発光セラミックスのさらに他の特定の局面では、発光セラミックスは、放射線が入射したときに光を出射する放射線-光変換セラミックスである。放射線には、α線、β線、中性子、γ線、X線が含まれる。本発明に係る発光素子は、上記本発明に係る第1~第4の発光セラミックスからなる。本発明に係るシンチレータは、上記本発明に係る発光セラミックスと、発光素子から出射される光を検出する検出器とを備えている。発光セラミックスは、放射線が入射したときに光を出射する放射線-光変換セラミックスである。本発明に係る発光セラミックスの製造方法では、ABOw但し、Aは、La,Y,Gd,Yb及びLuからなる群から選ばれた少なくとも一種と、0~5モルのBiとからなり、Bは、Sn,Zr及びHfからなる群から選ばれた少なくとも一種であり、Wは、電気的中性を保つための正の数である。で表されるパイロクロア型化合物を主成分とするセラミックスを還元雰囲気中において熱処理することにより発光セラミックスを得る。本発明に係る発光セラミックスの製造方法のある特定の局面では、Aは、0.001モル以上のBiを含む。本発明によれば、放射線や光が入射したときに光を出射する、波長変換セラミックスや放射線-光変換セラミックスなどの発光セラミックスであって、発光減衰時間が短い発光セラミックスを提供することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態について、図1に示すシンチレータ1を例に挙げて説明する。但し、シンチレータ1は、単なる例示である。本発明に係るシンチレータは、シンチレータ1に何ら限定されない。また、本発明に係る発光セラミックス及びその製造方法並びに発光素子も、本実施形態において説明する発光セラミックス及びその製造方法並びに発光素子に何ら限定されない。図1は、本実施形態に係るシンチレータの模式図である。図1に示すように、シンチレータ放射線検出器1は、発光素子10と、検出器11とを備えている。本実施形態において、発光素子10は、放射線12が入射したときに、入射した放射線12の強度に応じた強度の光具体的には、可視光13を出射する素子である。発光素子10と検出器11とは、発光素子10から出射された光13が検出器11に入射するように配置されている。検出器11は、入射した光13の強度を検出する。ここで、上述のように、発光素子10は、入射した放射線12の強度に応じた強度の光13を出射する素子である。このため、検出器11により検出された光13の強度は、放射線12の強度と相関する。従って、検出器11において、放射線12の強度が間接的に検出される。なお、検出器11は、例えば、光電子増倍管やフォトダイオードなどにより構成することができる。本実施形態において、発光素子10は、ABOw但し、Aは、La,Y,Gd,Yb及びLuからなる群から選ばれた少なくとも一種と、0~5モルのBiとからなり、Bは、Sn,Zr及びHfからなる群から選ばれた少なくとも一種であり、Wは、電気的中性を保つための正の数である。で表されるパイロクロア型化合物を主成分とする発光セラミックスである。この発光セラミックスは、例えば20μ秒以下という短い発光減衰時間を有している。このため、この発光セラミックスからなる発光素子10を用いることにより、分解能の高いシンチレータ1を実現することができる。また、上記発光セラミックスは、セラミックスであるため、例えば単結晶の発光材料と較べて製造が容易であり、かつ、発光素子10の製造も容易となる。また、この発光セラミックスは、例えば6g/cm3以上という高い密度を有するため、高い放射線吸収能を有する。なお、ABOw但し、Aは、La,Y,Gd,Yb及びLuからなる群から選ばれた少なくとも一種であり、Bは、Sn,Zr及びHfからなる群から選ばれた少なくとも一種であり、Wは、電気的中性を保つための正の数である。で表されるパイロクロア型化合物を主成分とするセラミックスは、焼成後において、直ちに発光セラミックスとして機能するものではない。このセラミックスを還元雰囲気中において熱処理することにより、上記発光セラミックスが得られる。上記発光セラミックスにおいて、Wは、電気的中性を保つための正の数であるが、例えば、3.5である。すなわち、ABOwの具体例としては、例えばA2B2O7が挙げられる。発光セラミックスの発光量を高める観点からは、発光セラミックスの光透過率が高いことが好ましい。より具体的には、発光セラミックスの発光波長における光透過率が高いことが好ましい。この場合、発光セラミックスの内部における発光の発光セラミックスからの取り出し効率が高くなるためである。具体的には、発光セラミックスの厚みが1mmであるときの波長450nm~800nmにおける光透過率が、40以上であることが好ましく、70以上であることがより好ましく、75以上であることがさらに好ましい。また、発光セラミックスの光透過率を高める観点から、AがLa及びGdの少なくとも一方を含み、BがZr及びHfの少なくとも一方からなることが好ましい。さらには、AがLa及びGdの少なくとも一方を80モル以上含み、BがZr及びHfの少なくとも一方からなることが好ましい。また、La及びGd以外にAに含まれるものとしては、Y及びBiのうちの少なくとも一方であることが好ましい。また、発光セラミックスの発光量を高める観点からは、発光セラミックスの発光量子収率が高いことが好ましい。具体的には、発光セラミックスに励起光を照射したときに得られる発光量子収率は、3以上であることが好ましく、10以上であることがより好ましく、15以上であることがさらに好ましい。発光セラミックスの発光量子収率を高める観点からは、AにBiが含まれていることが好ましく、0.001モル以上のBiが含まれていることがより好ましく、0.01モル以上含まれていることがさらに好ましい。AにおけるBiの含有率は、0.5以下であることが好ましく、0.4以下であることがより好ましく、0.3以下であることがさらに好ましい。より具体的には、発光セラミックスは、以下の1~2に示すものであることがより好ましい。1A:La及びYの少なくとも一方及び0~5モルのBiからなる。B:Zr及びHfの少なくとも一方からなる。この1の場合において、AがBiを含んでいない場合は、Bは、Zrからなることがより好ましい。一方、この1の場合において、AがBiを含んでいる場合は、Aは、Laと、Biとからなることがより好ましい。AにおけるBiの含有率の下限値は、0.001モルであることが好ましく、0.01モルであることがより好ましく、0.01モルであることがより好ましい。AにおけるBiの含有率の上限値は、0.05モルであることがより好ましく、0.03モルであることがより好ましい。2A:Gd及び0~5モルのBiからなる。B:Hfからなる。この2の場合において、AにおけるBiの含有率の下限値は、0.001モルであることが好ましく、0.01モルであることがより好ましい。AにおけるBiの含有率の上限値は、0.05モルであることがより好ましく、0.03モルであることがより好ましい。なお、上記セラミックスABOwを還元雰囲気中において熱処理することにより発光セラミックスが得られる理由としては、以下の理由が考えられる。すなわち、セラミックスABOwを焼成により作製する際において、金属原子の欠陥が生成したり、金属原子の価数が変化したりすることにより、多数のホールが発生するものと考えられる。セラミックスABOwを還元雰囲気中において熱処理すると、還元前の酸素サイトからホールに電子が供給されることにより、ホールが中和されるものと考えられる。そして、電子を失った酸素空孔によりアクセプタ準位が形成されることによりセラミックスが発光するようになるものと考えられる。つまり、アクセプタ準位が形成されると、放射線の照射により励起された励起電子がそのアクセプタ準位にトラップされ、その後、失活する際に光が出射されるものと考えられる。AにBiを含有させることで発光セラミックスの発光量子収率が高まる理由は定かではないが、Biイオンの置換に伴う新たな電子準位の生成、あるいは蒸気圧の高いBiイオンの揮発に伴う欠陥準位の増加などに起因して、ドナーアクセプタ対発光の電子遷移確率の上昇、あるいは励起準位からの非輻射遷移確率の低下が生じることにより、発光セラミックスの発光量子収率が高まるものと考えられる。なお、本実施形態では、発光素子10が、放射線の照射により発光する放射線-光変換素子である例について説明したが、発光素子10を構成している発光セラミックスは、入射光よりも波長が長い光を出射する波長変換セラミックスとしても機能する。具体的には、上記実施形態の発光セラミックスは、紫外線が入射したときに、紫外線よりも波長が長い可視光を出射する。このため、本実施形態の発光セラミックスを用いることにより、波長変換素子を作製することも可能である。次に、本実施形態の発光セラミックスの製造方法について説明する。まず、セラミック原料粉末を所定の形状に形成し、未焼成のセラミック成形体を形成する。次に、その未焼成のセラミック成形体を酸素を含む雰囲気中において焼成することにより、セラミックスABOwを作製する。セラミックスABOwの焼成雰囲気は、酸素濃度が98体積以上であることが好ましい。焼成温度最高温度は、例えば、1500°C~1800°C程度とすることができる。焼成工程における焼成温度最高温度保持時間は、例えば、5時間~100時間程度とすることができる。次に、得られたセラミックスABOwを還元雰囲気中において熱処理還元熱処理することにより発光セラミックスを作製する。セラミックスABOwを熱処理する還元雰囲気は、例えば、H2/H2O雰囲気であってもよい。セラミックスABOwの熱処理温度最高温度は、例えば、800°C~1200°Cであることが好ましく、900°C~1100°Cであることがより好ましい。また、セラミックスABOwの熱処理温度最高温度における保持時間は、例えば、1時間~100時間程度とすることができる。なお、セラミックスABOwの波長450nm~800nmにおける光透過率は、上記熱処理により向上する。これは、上述のように、セラミックスABOwを焼成により作製する際に生じたホールがカラーセンターとなって波長450nm~800nmといった短波長の光を吸収していたところ、上記還元アニールによってカラーセンターとなっていたホールが中和されたためであると考えられる。なお、上述の通り、本実施形態における発光セラミックスは、論理上、ABOwで表されるが、AとBのモル比A:Bは、厳密に1:1に限定されるものではない。本発明において、発光セラミックスABOwには、AとBのモル比A/Bが0.95~1.05であるものも含まれるものとする。本実施形態における発光セラミックスの主成分の結晶系は、立方晶であってもよい。また、本実施形態における発光セラミックスは、ABOwで表されるものであるが、A,B,O成分以外に、不可避的に混入する不純物以下、不可避的不純物とする。を含むものであってもよい。不可避的不純物の具体例としては、SiO2,B2O3,Al2O3等が挙げられる。実験例まず、原料として、高純度のLaOH3、Y2O3、Yb2O3、Lu2O3、Gd2O3、ZrO2、HfO2、SnO2、Bi2O3を準備した。これらの原料を下記の表1及び表2の組成に秤量し、ボールミルで20時間湿式混合した。得られた混合物を乾燥させた後、1300°Cで3時間仮焼し、仮焼物を得た。この仮焼物を、水および有機分散剤とともにボールミルに入れ、12時間湿式粉砕した。この粉砕物を用い、湿式成形にて直径30mm、厚さ5mmの円板状に成形した。次に、上記成形物を同組成からなる粉体に埋め、酸素雰囲気下約98酸素濃度で、1700°Cの温度にて20時間焼成し焼結体を得た。得られた焼結体の密度をアルキメデス法を用いて測定した。結果を下記の表1及び表2に示す。その後、焼結体の両面を、厚みが1.0mmの基板となるように鏡面研磨し、その後、基板を半分にカットした。次にその一方についてH2/H2O還元雰囲気酸素分圧:1×10-15MPa中において熱処理を行うことにより評価サンプルを作製し、他方を熱処理前の評価サンプルとした。熱処理の最高温度は、1000°C、1000°Cにおける保持時間は3時間とした。次に、作製した評価サンプル1~34及び熱処理前の評価サンプル1~34について、島津製作所製、紫外可視分光光度計UV-2500PCを用いて光透過率の測定を行った。結果を下記の表1,2及び図2,3に示す。なお、図2に示す光透過率曲線は、サンプルNo.1の熱処理前の光透過率一点破線と、熱処理後の光透過率実線とを表している。一方、図3に示す光透過率曲線は、サンプルNo.3の熱処理前の光透過率一点破線と、熱処理後の光透過率実線とを表している。表1及び表2に示す光透過率は、波長450nmにおける直線透過率である。次に、作製した評価サンプル1~8及び熱処理前の評価サンプル1~8について、株式会社堀場製作所製、蛍光リン光分光光度計FluoroMax-4Pを用いて、表1に記載の波長の紫外線を照射したときの蛍光分光測定を行った。結果を下記の表1に示す。なお、表1において、発光波長とは、発光強度が最大となった波長である。発光強度とは、発光強度が最大となった波長における発光強度である。また、表1に示す発光強度は、評価サンプル1の発光強度を1とした規格化値である。次に評価サンプル1,10について、株式会社堀場製作所製、蛍光リン光分光光度計FluoroMax-4Pを用いて、励起光である、波長355nmの紫外線を照射した際の発光スペクトル測定を行った。結果を図4に示す。次に、評価サンプル1~34について、株式会社堀場製作所製、蛍光リン光分光光度計FluoroMax-4Pを用いて、発光強度の経時変化の測定を行った。なお、この測定は、UV光を照射した際、最も強い発光が得られた波長について行った。具体的には、サンプルNo.1では、励起波長を345nmとし、波長555nmの光の強度を測定した。また、比較として、市販のBGO単結晶ネオトロン製についても同様の測定を行った。なお、BGO単結晶に関しては、励起波長を280nmとし、波長460nmの光の強度を測定した。評価サンプルNo.1,10及びBGO単結晶の測定結果を図5に示す。図5に示す結果では、BGO単結晶の減衰時定数と、評価サンプルNo.1,10の減衰時定数とがほぼ同レベルとなった。図示は省略するが他の評価サンプルの減衰時定数も、BGO単結晶の減衰時定数とほぼ同レベルとの測定結果が得られた。但し、BGO単結晶の減衰時定数は300n秒であり、図5に示す測定結果から算出される20μ秒という減衰時定数は、実際の減衰時定数よりもかなり長いものであった。従って、用いた装置の測定限界が約20μ秒であり、各評価サンプルの減衰時定数は、20μ秒未満であるものと考えられる。次に、作製した評価サンプル1~34及び熱処理前の評価サンプル1~34について、株式会社浜松ホトニクス社製の絶対PL量子収率測定装置C9920-02を用い、励起光である、波長355nmの紫外線を照射したときの発光の量子収率を測定した。また、BGO単結晶についても、励起光波長280nmの紫外線を照射したときの発光の量子収率を、同様にして測定した。測定結果を下記の表2に示す。表1及び表2に示すように、評価サンプルNo.1~34の全てにおいて、紫外線の照射により、減衰時定数が20μ秒以下の発光が観察された。また、紫外線の照射により発光が観察されたことから、紫外線よりも高いエネルギーを有するX線やγ線などの放射線を照射した際にも発光が生じるものと考えられる。また、評価サンプルNo.1~34の全てが6g/cm3以上という高い密度を有していた。評価サンプルNo.1~34の全てにおいて、還元熱処理により波長450nmにおける光透過率の上昇が見られ、熱処理後の波長450nmにおける光透過率は、40以上であった。なかでも、Aが、La及びYの少なくとも一方と、0~5モルのBiとからなり、BがZrである評価サンプル1,7,9~12,32、AがLaと、0.001モル~5モルのBiからなり、BがHfからなる評価サンプル17~20、及びAがGdと、0.001モル~5モルのBiからなり、BがHfからなる評価サンプル25~28で70以上という高い光透過率が得られた。また、評価サンプル1と9~12との比較、評価サンプル2と13~16との比較、評価サンプル3と29との比較、評価サンプル4と30との比較、評価サンプル7と31との比較により、AにBiを含有させることにより、発光量子収率を高めることができることが分かる。評価サンプル9~12の比較により、AがLaとBiとからなり、BがZrからなる場合は、AにおけるBiの含有率を、0.001モル~0.03モルの範囲内とすることにより、発光量子収率を高めることができることが分かる。評価サンプル13~16の比較により、AがLaとBiとからなり、BがSnからなる場合は、AにおけるBiの含有率を、0.001モル~0.03モルの範囲内、より好ましくは、0.01モル~0.03モルの範囲内とすることにより、発光量子収率を高めることができることが分かる。評価サンプル18~20の比較により、AがLaとBiとからなり、BがHfからなる場合は、AにおけるBiの含有率を、0.01モル~0.05モルの範囲内、より好ましくは、0.01モル~0.03モルの範囲内とすることにより、発光量子収率を高めることができることが分かる。評価サンプル21~24の比較により、AがLaとGdとBiとからなり、BがHf及びZrからなる場合は、AにおけるBiの含有率を、0.01モル~0.05モルの範囲内、より好ましくは、0.01モル~0.03モルの範囲内とすることにより、発光量子収率を高めることができることが分かる。評価サンプル25~28の比較により、AがGdとBiとからなり、BがHfからなる場合は、AにおけるBiの含有率を、0.01モル~0.05モルの範囲内、より好ましくは、0.01モル~0.03モルの範囲内とすることにより、発光量子収率を高めることができることが分かる。また、高い発光量子収率と高い光透過率とを両立させる観点からは、AがLaとBiとからなり、BがZrからなることが特に好ましいことが分かる。"