"式Aで表されるユニット、および、式Bで表されるユニットからなる二元共重合体を含む被めっき層形成用組成物を基板上に接触させた後、前記基板上の前記被めっき層形成用組成物に対してエネルギーを付与して、前記基板上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記被めっき層上に金属膜を形成するめっき工程と、前記めっき工程後に、金属成分または過酸化水素を含むエッチング液を使用してパターン状金属膜を形成するパターン形成工程と、前記パターン状金属膜を有する基板と、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液とを接触させる酸性溶液接触工程と、前記パターン状金属膜が形成されていない領域の前記被めっき層を、プラズマエッチング処理により除去する被めっき層除去工程と、を備える、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法。式Aおよび式B中、R1、R2、およびR4は、それぞれ独立に、水素原子、またはメチル基を表す。R3は、水素原子、メチル基、エチル基、t-ブチル基、またはn-ブチル基を表す。VおよびWは、それぞれ独立に、単結合、エステル基、アミド基、またはフェニレン基を表す。L1は、2価の炭化水素基を表す。L2は、単結合、または、2価の有機基を表す。Xは、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩を表す。前記エッチング液が酸性である、請求項1に記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。前記金属成分が、銅イオンまたは鉄イオンである、請求項1または2に記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。前記酸性溶液が、塩酸水溶液、硫酸水溶液、または硝酸水溶液である、請求項1~3のいずれかに記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。請求項1~4のいずれかに記載の製造方法によって製造されたパターン状金属膜を有する積層体と、前記パターン状金属膜を有する積層体上に設けられる絶縁層とを備える配線基板。式Aで表されるユニット、および、式Bで表されるユニットからなる二元共重合体を含む被めっき層形成用組成物。式Aおよび式B中、R1、R2、およびR4は、それぞれ独立に、水素原子、またはメチル基を表す。R3は、水素原子、メチル基、エチル基、t-ブチル基、またはn-ブチル基を表す。Vは、単結合、エステル基、またはフェニレン基を表す。Wは、単結合、エステル基、アミド基、またはフェニレン基を表す。L1は、2価の炭化水素基を表す。L2は、単結合、または、2価の有機基を表す。Xは、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩を表す。前記式Aで表されるユニットが、式A-1で表されるユニットである、請求項6に記載の被めっき層形成用組成物。式A-1中、R1、およびR2は、それぞれ独立に、水素原子、またはメチル基を表す。Yは、酸素原子を表す。L1は、2価の炭化水素基を表す。L1が、メチル基、エチル基、およびプロピル基からなる群から選ばれる基で置換されていてもよい炭素数1~6の2価の直鎖状炭化水素基である、請求項7に記載の被めっき層形成用組成物。前記式Bで表されるユニットが、式B-1で表されるユニット、または式B-2で表されるユニットである、請求項6~8のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物。式B-1およびB-2中、R4は、それぞれ独立に、水素原子、またはメチル基を表す。Yは、酸素原子、または-NR5-基を表す。R5は、水素原子、メチル基、エチル基、t-ブチル基、またはn-ブチル基を表す。L2は、メチル基、エチル基、およびプロピル基からなる群から選ばれる基で置換されていてもよい炭素数1~6の2価の直鎖状炭化水素基、エチレンオキシド基、プロピレンオキシド基、エステル基を有する炭素数2~8の2価の炭化水素基を表す。Xは、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩を表す。一方、近年、プリント配線板などの微細配線においては、配線の高集積化に伴い、配線間の絶縁信頼性のより一層の向上が要求されている。また同時に経済性の観点から、全面めっきを行い、エッチングにより配線を形成する工法セミアディティブ工法サブトラクティブ工法に対するニーズが高まっている。本発明者らは、特許文献2に記載の所定のユニットを含むポリマーを、ニーズが高まっているセミアディティブ工法、または、サブトラクティブ工法に適用しようと考え、該ポリマーを用いて被めっき層を形成し、その上にパターン状の金属膜めっき膜を作製した。その際に、金属配線間に残存する被めっき層が金属配線間の絶縁信頼性に関連していることを見出した。つまり、パターン状の金属膜が形成された後、該被めっき層が配線パターン間に残存すると、パターン状の金属膜間の絶縁性を低下させる要因となる場合があることを見出した。そこで、本発明者らは、パターン状の金属膜が設けられていない領域に存在する被めっき層を除去するために、プラズマエッチング処理を行ったところ、被めっき層を除去するのに長時間の処理時間を要する、または、十分に被めっき層を除去することができない、といった問題があることを見出した。本発明は、上記実情に鑑みて、被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れたパターン状金属膜を有する積層体の製造方法、および、該製造方法に使用される被めっき層形成用組成物を提供することを目的とする。本発明者ら、上記課題について鋭意検討した結果、2種の特定のユニットからなる二元系共重合体、および、エッチング液を使用する共に、所定の酸性溶液との接触工程を設けることにより、上記課題を解決できることを見出した。つまり、本発明者らは、以下に示す手段により上記目的を達成しうることを見出した。1後述する式Aで表されるユニット、および、後述する式Bで表されるユニットからなる二元共重合体を含む被めっき層形成用組成物を基板上に接触させた後、前記基板上の前記被めっき層形成用組成物に対してエネルギーを付与して、前記基板上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記被めっき層上に金属膜を形成するめっき工程と、前記めっき工程後に、金属成分または過酸化水素を含むエッチング液を使用してパターン状金属膜を形成するパターン形成工程と、前記パターン状金属膜を有する基板と、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液とを接触させる酸性溶液接触工程と、前記パターン状金属膜が形成されていない領域の前記被めっき層を、プラズマエッチング処理により除去する被めっき層除去工程と、を備える、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法。2前記エッチング液が酸性である、1に記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。3前記金属成分が、銅イオンまたは鉄イオンである、1または2に記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。4前記酸性溶液が、塩酸水溶液、硫酸水溶液、または硝酸水溶液である、1~3のいずれかに記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。51~4のいずれかに記載の製造方法によって製造されたパターン状金属膜を有する積層体と、前記パターン状金属膜を有する積層体上に設けられる絶縁層とを備える配線基板。6後述する式Aで表されるユニット、および、後述する式Bで表されるユニットからなる二元共重合体を含む被めっき層形成用組成物。7前記式Aで表されるユニットが、後述する式A-1で表されるユニットである、6に記載の被めっき層形成用組成物。8L1が、メチル基、エチル基、またはプロピル基で置換されていてもよい炭素数1~6の直鎖状炭化水素基である、7に記載の被めっき層形成用組成物。9前記式Bで表されるユニットが、後述する式B-1で表されるユニット、または後述する式B-2で表されるユニットである、6~8のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物。本発明によれば、被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れたパターン状金属膜を有する積層体の製造方法、および、該製造方法に使用される被めっき層形成用組成物を提供することができる。以下に、本発明のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法、および、該方法に使用される被めっき層形成用組成物について説明する。まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。本発明者らは、従来技術上記特許文献1~3に記載の発明より得られる積層体中の被めっき層を除去する際の問題点について検討を行ったところ、被めっき層中に残存する金属成分が影響を与えていることを見出した。つまり、金属成分が多く残存しているほど、その後の被めっき層のプラズマエッチング処理に影響を及ぼすことを見出した。被めっき層中の金属成分を減らす手としては、めっき触媒の吸着量を減らす手もあるが、この場合、めっき処理の際にある一定時間で十分な厚みの金属膜めっき膜を得ることができないと共に、得られる金属膜の密着性にも劣る。本発明者らは、上記知見に基づき鋭意検討を行った結果、シアノ基などの官能基を実質的に含まずに、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩を有する二元共重合体を使用すると共に、所定のエッチング液で金属膜をエッチングし、さらにプラズマエッチング処理前に被めっき層と酸性溶液とを接触させることにより、所望の効果が得られることを見出した。より具体的には、上記所定の官能基はめっき触媒と吸着する特性を有するが、酸性溶液より水素イオンを供給された場合、めっき触媒を容易に脱着する。つまり、酸性溶液によって、被めっき層中の金属成分が除かれ、プラズマエッチング処理がより良好に進行することを見出した。なお、シアノ基などの場合、水素イオンによるめっき触媒の脱着が起こりにくく、所望の効果が得られない。まず、本発明の被めっき層形成用組成物の構成成分二元共重合体などについて詳述し、その後、該組成物を使用したパターン状金属膜を有する積層体の製造方法について詳述する。<被めっき層形成用組成物>二元共重合体本発明で使用される二元共重合体以後、単にポリマーとも称するは、式Aで表されるユニット、および、式Bで表されるユニットから構成される。ポリマー中に式Aで表されるユニットが含まれることにより、ポリマー間の架橋や、基板とポリマーとの間で化学結合が形成され、得られる金属膜の密着性がより向上する。また、式Bで表されるユニット中のカルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩がめっき触媒を吸着する事が可能であり、後述する無電解めっきなどを行うことができる。また、同時に後述する酸性溶液によって、被めっき層中に吸着していためっき触媒またはその前駆体を脱着することができるため、金属膜のエッチング処理後、露出した被めっき層中にめっき触媒が残存しにくい。そのため、プラズマエッチング処理時において、より効率的に被めっき層を除去することができる。式Aおよび式B中、R1、R2、およびR4は、それぞれ独立に、水素原子、またはメチル基を表す。好ましくは水素原子である。R3は、水素原子、メチル基、エチル基、t-ブチル基、またはn-ブチル基を表す。なかでも、単位重量あたりの重合性基量を多くして反応感度を向上できる点、また、ポリマーへの親水性付与の点から、水素原子が好ましい。Vは、単結合、エステル基、アミド基、またはフェニレン基を表す。なかでも、合成の容易さ、および、本発明の効果が優れる点から、単結合、エステル基、またはフェニレン基が好ましく、エステル基であることが好ましい。Wは、単結合、エステル基、アミド基、またはフェニレン基を表す。なかでも、単位重量あたりのXの含有量を増やす点より、単結合が好ましい。L1は、2価の炭化水素基を表す。炭化水素基の炭素数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、炭素数1~6が好ましく、炭素数1~3がより好ましい。炭化水素基の種類としては、2価の脂肪族炭化水素基例えば、メチレン基、エチレン基、または2価の芳香族炭化水素基例えば、フェニレン基のいずれであってもよい。なお、脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、酸素原子やアルキル基で置換されていてもよい。なかでも、単位重量あたりの重合性基量を多くして感度を向上できる点から、L1は、メチル基、エチル基、およびプロピル基からなる群から選ばれる基で置換されていてもよい炭素数1~3の2価の直鎖状炭化水素基であることが好ましい。L2は、単結合、または、2価の有機基を表す。2価の有機基としては、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基好ましくは炭素数1~8、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基好ましくは炭素数6~12、-O-、-S-、-SO2-、-N-R:アルキル基、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、またはこれらを組み合わせた基例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基などなどが挙げられる。置換または無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、若しくはブチレン基、または、これらの基が、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたものが好ましい。置換または無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニレン基、または、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたフェニレン基が好ましい。なかでも、ポリマーの親水性の点から、L2は、メチル基、エチル基、およびプロピル基からなる群から選ばれる基で置換されていてもよい炭素数1~6の2価の直鎖状炭化水素基、エチレンオキシド基、プロピレンオキシド基、エステル基-COO-を有する炭素数2~8の2価の炭化水素基、または単結合が好ましく、最も好ましくは単結合である。Xは、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩を表す。なかでも、合成の容易性の観点から、カルボン酸基、スルホン酸基が好ましく、化合物の安定性の点から、カルボン酸基がより好ましい。好適態様式Aで表されるユニットの好適態様としては、式A-1で表されるユニットが挙げられる。式A-1中、R1、R2、R3、およびL1の定義は、上述の通りである。式A-1中、Yは、酸素原子、または、-NR5-基を表す。なかでも、本発明の効果が優れる点で、酸素原子が好ましい。R5は、水素原子、メチル基、エチル基、t-ブチル基、またはn-ブチル基を表す。なかでも、単位重量あたりの重合性基量を高める点から、水素原子が好ましい。式Bで表されるユニットの好適態様としては、式B-1で表されるユニット、または式B-2で表されるユニットが挙げられる。式B-1中、R4、L2、およびXの定義は、上述の通りである。式B-1中、Yは、酸素原子、または-NR5-基を表す。R5は、水素原子、メチル基、エチル基、t-ブチル基、またはn-ブチル基を表す。なかでも、合成の容易さの観点から、酸素原子が好ましい。式B-2中、R4およびXの定義は、上述の通りである。なお、式B-1と式B-2では、式B-2がより好ましい態様である。以下に、式Aで表されるユニットの一例を示す。また、以下に式Bで表されるユニットの例示を示す。二元共重合体中における式Aで表されるユニットの含有率は特に制限されないが、反応性硬化性、重合性および合成の際のゲル化の抑制の点から、全共重合体ユニットに対して、10~70モルであることが好ましく、10~40モルであることがより好ましい。また、二元共重合体中における式Bで表されるユニットの含有率は特に制限されないが、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、全共重合体ユニットに対して、30~90モルであることが好ましく、60~90モルであることがより好ましい。二元共重合体の重量平均分子量は特に制限されないが、1000以上70万以下が好ましく、更に好ましくは2000以上20万以下である。特に、重合感度の観点から、20000以上であることが好ましく、合成の際のゲル化抑制の観点から10万以下が好ましい。また、二元共重合体の重合度は特に制限されないが、10量体以上のものを使用することが好ましく、更に好ましくは20量体以上のものである。また、7000量体以下が好ましく、3000量体以下がより好ましく、2000量体以下が更に好ましく、1000量体以下が特に好ましい。被めっき層形成用組成物中の二元共重合体の含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、2~50質量が好ましく、5~30質量がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、被めっき層の層厚の制御がしやすい。<被めっき層形成用組成物中の他の任意成分>溶剤被めっき層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。使用できる溶剤は特に限定されず、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶剤、酢酸などの酸、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドンなどのアミド系溶剤、アセトニトリル、プロピロニトリルなどのニトリル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶剤、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶剤、この他にも、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。この中でも、アミド系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、カーボネート系溶剤が好ましく、具体的には、アセトン、ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトニトリル、プロピオニトリル、N-メチルピロリドン、ジメチルカーボネートが好ましい。被めっき層形成用組成物中に溶剤が含まれる場合、溶剤の含有量は組成物全量に対して、50~98質量が好ましく、70~95質量がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、被めっき層の層厚の制御などがしやすい。その他添加剤本発明の被めっき層形成用組成物には、他の添加剤例えば、重合開始剤、モノマー、増感剤、硬化剤、重合禁止剤、酸化防止剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、粒子、難燃剤、界面活性剤、滑剤、可塑剤などを必要に応じて添加してもよい。<パターン状金属膜を有する積層体の製造方法>上述した被めっき層形成用組成物を使用することにより、パターン状金属膜を有する積層体を製造することができる。その製造方法は、主に、以下の6つの工程を備える。被めっき層形成工程基板上に、上記被めっき層形成用組成物を接触させた後、基板上の被めっき層形成用組成物にエネルギーを付与して、基板上に被めっき層を形成する工程触媒付与工程被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程めっき工程めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成する工程パターン形成工程めっき工程後に、金属成分または過酸化水素を含むエッチング液を使用してパターン状金属膜を形成する工程酸性溶液接触工程パターン状金属膜を有する基板と、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液とを接触させる工程被めっき層除去工程パターン状金属膜が形成されていない領域の前記被めっき層を、プラズマエッチング処理により除去する工程以下に、各工程で使用する材料、および、その操作方法について詳述する。<被めっき層形成工程>被めっき層形成工程は、基板上に、上記被めっき層形成用組成物を接触させた後、被めっき層形成用組成物にエネルギーを付与して、基板上に被めっき層を形成する工程である。該工程によって形成される被めっき層は、式Bで表されるユニット中のカルボン酸基、リン酸基、またはスルホン酸基などの機能に応じて、後述する触媒付与工程でめっき触媒またはその前駆体を吸着付着する。つまり、被めっき層は、めっき触媒またはその前駆体の良好な受容層として機能する。また、式Aで表されるユニット中の二重合結合基は、ポリマー同士の結合や、基板または、後述する密着補助層との化学結合に利用される。その結果、被めっき層の表面に形成される金属膜めっき膜と、基板との間に優れた密着性が発現する。なお、本工程における好ましい態様は、被めっき層と基板とは化学結合を介して結合している態様である。より具体的には、該工程において、図1Aに示されるように基板10の上部に被めっき層12が形成される。なお、後述するように基板10はその表面に密着補助層を有してしてもよく、その場合、被めっき層12は密着補助層上に形成される。まず、本工程で使用される材料基板、密着補助層などについて詳述し、その後該工程の手順について詳述する。基板本発明に用いる基板としては、従来知られているいずれの基板も使用することができ、形状保持性を有するものであればよい。また、その表面が、後述するポリマーと化学結合しうる機能を有することが好ましい。具体的には、基板自体がエネルギー付与例えば、露光によりポリマーと化学結合を形成しうるものであるか、または、基板上に、エネルギー付与により被めっき層と化学結合を形成しうる中間層例えば、後述する密着補助層を設けられていてもよい。基板の材料は特に限定されず、例えば、高分子材料例えば、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリビニルアセタール、ポリイミド、エポキシ、ビスマレインイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン等、金属材料例えば、金属合金、金属含有材料、純粋金属、またはこれらに類似したもの。具体的には、アルミニウム、亜鉛、銅等の混合物、合金、及びこれらのアロイ。、その他の材料例えば、紙、プラスチックがラミネートされた紙、これらの組み合わせ、またはこれらに類似したものなどが挙げられる。また、本発明の積層体は、半導体パッケージ、各種電気配線基板等に適用することができる。このような用途に用いる場合は、以下に示す、絶縁性樹脂を含んだ基板、具体的には、絶縁性樹脂からなる基板絶縁性基板、または、絶縁性樹脂の層絶縁性樹脂層を表面に有する基板絶縁性樹脂層付き基板を用いることが好ましい。なお、基板は、その表面に金属配線層と絶縁性樹脂層とを交互に有し、最表層に絶縁性樹脂層が配置された基板であってもよい。絶縁性樹脂からなる基板、絶縁性樹脂からなる層を得る場合には、公知の絶縁性樹脂組成物が用いられる。絶縁性樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよく、例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂、ABS樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上併用してもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。基板には、本発明の効果を損なわない限り、種々の添加剤が含まれていてもよい。例えば、無機粒子等の充填材充填物例えば、ガラス繊維、シリカ粒子、アルミナ、クレー、タルク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、マイカ、ウォラストナイトや、シラン系化合物例えば、シランカップリング剤やシラン接着剤等、有機フィラー例えば、硬化エポキシ樹脂、架橋ベンゾグアナミン樹脂、架橋アクリルポリマー等、可塑剤、界面活性剤、粘度調整剤、着色剤、硬化剤、衝撃強度改質剤、接着性付与剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などが挙げられる。基板は、半導体パッケージ、各種電気配線基板等への用途を考慮すると、JISB06011994年、10点平均高さ法で測定した表面粗さRzが500nm以下であることが好ましく、より好ましくは100nm以下、更に好ましくは50nm以下、最も好ましくは20nm以下である。下限は特に限定されないが、5nm程度が好ましく、0がより好ましい。密着補助層密着補助層は、上記基板表面上に設けられていてもよい任意の層であり、基板と後述する被めっき層との密着性を補助する役割を果たす。この層は基板と被めっき層に親和性があるものでもよく、硬化時にポリマーと反応し、化学結合を形成してもよい。なお、基板が板状物であれば、その両面に密着補助層を形成してもよい。密着補助層としては、ポリマーが硬化時特に、光硬化時に化学結合を生じるものが好ましい。このような化学結合を生じる密着補助層には、重合開始剤を導入することが好ましい。また、密着補助層は作業性の観点から水分散ラテックスを用いて形成されることも好ましい。密着補助層としては、基板との密着性が良好な樹脂組成物、および、露光によりラジカルを発生しうる化合物重合開始剤を用いて形成されることが好ましい。なお、樹脂組成物を構成する樹脂が、ラジカルを発生しうる部位を有する場合には、ラジカルを発生しうる化合物を別途添加する必要はない。なお、露光によりラジカルを発生しうる化合物としては、従来公知の光重合開始剤が用いられる。この光重合開始剤としては、例えば、p-tert-ブチルトリクロロアセトフェノン、2,2’-ジエトキシアセトフェノンなどが挙げられる。密着補助層に含有させる光重合開始剤露光によりラジカルを発生しうる化合物の量は、固形分で0.1質量~50質量であることが好ましく、1.0質量~30質量であることがより好ましい。本発明における密着補助層としては、例えば、基板が、多層積層板、ビルドアップ基板、またはフレキシブル基板の材料として用いられてきた公知の絶縁性樹脂からなる場合には、該基板との密着性の観点から、密着補助層を形成する際に用いられる樹脂組成物としても、絶縁性樹脂組成物が用いられることが好ましい。以下、基板が絶縁性樹脂からなり、密着補助層が絶縁性樹脂組成物から形成される態様について説明する。密着補助層を形成する際に用いられる絶縁性樹脂組成物は、基板を構成する電気的絶縁性の樹脂と同じものを含んでいてもよく、異なっていてもよいが、ガラス転移点や弾性率、線膨張係数といった熱物性的が近いものを使用することが好ましい。具体的には、例えば、基板を構成する絶縁性樹脂と同じ種類の絶縁性樹脂を使用することが密着の点で好ましい。なお、密着補助層に使用される絶縁性樹脂とは、公知の絶縁膜に使用しうる程度の絶縁性を有する樹脂を意味するものであり、完全な絶縁体でないものであっても、目的に応じた絶縁性を有する樹脂であれば、本発明に適用しうる。絶縁性樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよく、例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド、ABS樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とは、それぞれ単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。本発明における密着補助層の厚みは、一般に、0.1~10μmの範囲であり、0.2~5μmの範囲であることが好ましい。密着補助層を設ける場合、厚みが上記範囲であれば、隣接する基材や、被めっき層との十分な密着強度が得られ、また、一般の接着剤を用いるのに比較して薄層でありながら、その接着剤による層と同様の密着性が達成される。密着補助層は基材表面に、塗布法、転写法、印刷法などの公知の層形成方法を適用して形成される。密着補助層は、所望により、印刷法例えば、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、インプリント法などや、現像法例えば、湿式エッチング、乾式エッチング、アブレーション、光による硬化可塑化ネガ型/ポジ型などなどでパターン化されてもよい。また、密着補助層は基材上に形成された後、何らかのエネルギーを与えて硬化処理を行ってもよい。与えるエネルギーとしては、光、熱、圧力、電子線などが挙げられるが、熱または光が一般的であり、熱の場合は、100°C~300°Cの熱を5分~120分加えることが好ましい。この硬化処理は密着補助層の形成後すぐに行ってもよく、密着補助層形成後に5分~10分程度の予備硬化処理を行っておけば、密着補助層形成後に行われる他のすべてのそれぞれの工程を行ったあとに実施してもよい。工程の手順上述した被めっき層形成用組成物を基板上または密着補助層上に接触させる方法は特に限定されず、被めっき層形成用組成物を直接基板上にラミネートする方法や、被めっき層形成用組成物が溶剤を含む液状である場合、組成物を基板上に塗布する方法などが挙げられる。得られる被めっき層の厚みを制御しやすい点から、組成物を基板上に塗布する方法が好ましい。塗布の方法は特に制限されず、具体的な方法としては、スピンコータ、ディップコータ、ダブルロールコータ、スリットコータ、エアナイフコータ、ワイヤーバーコータ、スライドホッパー、スプレーコーティング、ブレードコータ、ドクターコータ、スクイズコータ、リバースロールコータ、トランスファーロールコータ、エクストロージョンコータ、カーテンコータ、ダイコータ、グラビアロールによる塗工法、押し出し塗布法、ロール塗布法等の公知の方法を用いることができる。取り扱い性や製造効率の観点からは、被めっき層形成用組成物を基板または密着補助層上に塗布乾燥させて、残存する溶媒を除去して、二元共重合体を含む組成物層を形成する態様が好ましい。被めっき層形成用組成物を基板と接触させる場合、その塗布量は、後述するめっき触媒またはその前駆体との充分な相互作用形成性の観点から、固形分換算で0.1g/m2~10g/m2が好ましく、特に0.5g/m2~5g/m2が好ましい。なお、本工程において被めっき層を形成するに際しては、塗布と乾燥との間に、20~40°Cで0.5時間~2時間放置させて、残存する溶剤を除去してもよい。エネルギーの付与基板上の被めっき層形成用組成物にエネルギー付与する方法は特に制限されないが、例えば、加熱や露光などが用いられることが好ましい。露光には、UVランプ、可視光線などによる光照射等が用いられる。光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、等がある。放射線としては、電子線、X線、イオンビーム、遠赤外線などがある。また、g線、i線、Deep-UV光、高密度エネルギービームレーザービームも使用される。一般的に用いられる具体的な態様としては、赤外線レーザーによる走査露光、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光、赤外線ランプ露光などが好適に挙げられる。露光時間としては、ポリマーの反応性および光源により異なるが、通常、10秒~5時間の間である。露光エネルギーとしては、10~8000mJ程度であればよく、好ましくは100~3000mJの範囲である。なお、エネルギー付与として加熱を用いる場合、送風乾燥機、オーブン、赤外線乾燥機、加熱ドラムなどを用いることができる。得られる被めっき層の厚みは特に制限されないが、金属膜の基板への密着性の点から、0.01~10μmが好ましく、0.05~5μmがより好ましい。また、乾燥膜厚で0.05~20g/m2が好ましく、特に0.1~6g/m2が好ましい。さらに、被めっき層の表面粗さRaは、配線形状および密着強度の点から、0.01~0.3μmが好ましく、0.02~0.15μmがより好ましい。なお、表面粗さRaは、非接触式干渉法により、JISB060120010120改訂に記載のRaに基づき、サーフコム3000A東京精密株製を用いて測定した。<触媒付与工程>触媒付与工程は、上記工程で得られた被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程である。本工程においては、被めっき層中の式Bで表されるユニット由来の官能基Xカルボン酸基等が、その機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着吸着する。ここで、めっき触媒またはその前駆体としては、後述するめっき工程における、めっき処理の触媒や電極として機能するものが挙げられる。そのため、めっき触媒またはその前駆体は、めっき工程におけるめっき処理の種類により決定されるが、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。まず、本工程で使用される材料無電解めっき触媒またはその前駆体などについて詳述し、その後該工程の手順について詳述する。無電解めっき触媒本工程において用いられる無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属Niよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるものなどが挙げられる。具体的には、Pd、Ag、Cu、Ni、Pt、Au、Coなどが挙げられる。中でも、触媒能の高さから、Ag、Pd、Pt、Cuが特に好ましい。この無電解めっき触媒としては、金属コロイドを用いてもよい。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤または荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。金属コロイドの荷電は、ここで使用される界面活性剤または保護剤により調節することができる。無電解めっき触媒前駆体本工程において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である0価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは被めっき層へ付与された後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により0価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよい。また、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属無電解めっき触媒に変化させてもよい。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いて被めっき層に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基陰イオンとに解離されるものであれば特に制限はなく、Mn、MCln、M2n、M3nMは、n価の金属原子を表すなどが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。例えば、Agイオン、Cuイオン、Niイオン、Coイオン、Ptイオン、Pdイオンが挙げられる。中でも、触媒能の点で、Agイオン、Pdイオン、Cuイオンが好ましい。本発明で用いられる無電解めっき触媒またはその前駆体の好ましい例の一つとして、パラジウム化合物が挙げられる。このパラジウム化合物は、めっき処理時に活性核となり金属を析出させる役割を果たす、めっき触媒パラジウムまたはその前駆体パラジウムイオンとして作用する。また、パラジウムPdは活性が高く少量で無電解めっきができるため、プラズマエッチング時までにポリマー層に残存しにくい、という利点がある。パラジウム化合物としては、パラジウムを含み、めっき処理の際に核として作用すれば、特に限定されないが、例えば、パラジウムII塩、パラジウム0錯体、パラジウムコロイドなどが挙げられる。また、無電解めっき触媒またはその前駆体としては、銀、または銀イオンが好ましい別の例として挙げられる。銀イオンを用いる場合、以下に示すような銀化合物が解離したものを好適に用いることができる。銀化合物の具体例としては、硝酸銀、酢酸銀、硫酸銀、炭酸銀、シアン化銀、チオシアン酸銀、塩化銀、臭化銀、クロム酸銀、クロラニル酸銀、サリチル酸銀、ジエチルジチオカルバミン酸銀、ジエチルジチオカルバミド酸銀、p-トルエンスルホン酸銀が挙げられる。この中でも、水溶性の観点から硝酸銀が好ましい。上記の中でパラジウム化合物が最も好ましい。その他の触媒本発明において、被めっき層に対して無電解めっきを行わず直接電解めっきを行うために用いられる触媒としては、0価金属を使用することができる。めっき触媒液上記のようなめっき触媒またはその前駆体は、分散液または溶液めっき触媒液として被めっき層に付与されることが好ましい。めっき触媒液の溶媒としては、水や有機溶媒が用いられる。有機溶媒を含有することで、被めっき層に対するめっき触媒またはその前駆体の浸透性が向上し、官能基Xに効率よくめっき触媒またはその前駆体を吸着させることができる。めっき触媒液に使用される水としては、不純物を含まないことが好ましく、そのような観点からは、RO水や脱イオン水、蒸留水、精製水などを用いるのが好ましく、脱イオン水や蒸留水を用いるのが特に好ましい。めっき触媒液に使用される有機溶媒としては、被めっき層に浸透しうる溶媒であれば特に制限は無い。例えば、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、2-1-シクロヘキセニルシクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、N-メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブなどを用いることができる。特に、めっき触媒またはその前駆体との相溶性、および被めっき層への浸透性の観点では水溶性の有機溶剤が好ましく、アセトン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブ、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルが好ましい。更に、分散液や溶液には、目的に応じて他の添加剤を含有することができる。他の添加剤としては、例えば、膨潤剤や、界面活性剤などが挙げられる。工程の手順めっき触媒またはその前駆体を被めっき層に付与する方法は、特に制限されない。例えば、金属を適当な分散媒に分散した分散液、または、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液を調製し、その分散液若しくは溶液めっき触媒液を被めっき層上に塗布する方法、または、その分散液若しくは溶液中に被めっき層が形成された基板を浸漬する方法などが挙げられる。被めっき層とめっき触媒液の接触時間としては、30秒~20分程度であることが好ましく、1分~10分程度であることがより好ましい。接触時のめっき触媒液の温度は、10~60°C程度であることが好ましく、10~30°C程度であることがより好ましい。被めっき層中へのめっき触媒またはその前駆体の吸着量付与量は特に制限されないが、後述する被めっき層除去工程がより良好に進行する点から、100mg/m2以下が好ましく、5~70mg/m2がより好ましい。上記のようにめっき触媒またはその前駆体を接触させることで、被めっき層中の式Bで表されるユニット由来の官能基Xに、ファンデルワールス力のような分子間力による相互作用、イオン結合のような静電的相互作用、または、孤立電子対による配位結合による相互作用を利用して、めっき触媒またはその前駆体を吸着させることができる。<めっき工程>めっき工程は、上記工程でめっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成する工程である。該工程により形成された金属膜は、優れた導電性、密着性を有する。より具体的には、図1Bに示すように、被めっき層12上に金属膜14が形成され、積層体が得られる。本工程において行われるめっき処理の種類は、無電解めっき、電解めっき等が挙げられ、上記工程において、被めっき層との間に相互作用を形成しためっき触媒またはその前駆体の機能によって、選択することができる。なかでも、金属膜の密着性向上の点から、無電解めっきを行うことが好ましい。また、所望の膜厚の金属膜14を得るために、無電解めっきの後に、更に電解めっきを行うことがより好ましい態様である。以下、本工程において好適に行われるめっきについて説明する。無電解めっき無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された基板を、水洗して余分な無電解めっき触媒金属を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行う。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。なお、無電解めっき浴としては、入手のしやすさの点から、アルカリ性の無電解めっき浴pHが9~14程度が好ましいを使用する場合が好ましい。また、無電解めっき触媒前駆体が付与された基板を、無電解めっき触媒前駆体が被めっき層に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な前駆体金属塩などを除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させる。この場合には、無電解めっき浴中において、めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液還元液を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。触媒活性化液は、無電解めっき触媒前駆体主に金属イオンを0価金属に還元できる還元剤を溶解した液で、液全体に対する該還元剤の濃度が0.1~50質量が好ましく、1~30質量がより好ましい。還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボランのようなホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、次亜リン酸などの還元剤を使用することが可能である。浸漬の際には、無電解めっき触媒またはその前駆体が接触する被めっき層表面付近の無電解めっき触媒またはその前駆体の濃度を一定に保つ上で、攪拌または揺動を加えながら浸漬することが好ましい。一般的な無電解めっき浴の組成としては、溶剤例えば、水の他に、1.めっき用の金属イオン、2.還元剤、3.金属イオンの安定性を向上させる添加剤安定剤が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶媒である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、例えば、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物が選択される。このようにして形成される無電解めっきによる金属膜の膜厚は、めっき浴の金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、または、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、0.1μm以上であることが好ましく、0.2~2μmであることがより好ましい。ただし、無電解めっきによる金属膜を導通層として、後述する電解めっきを行う場合は、少なくとも0.1μm以上の膜が均一に付与されていることが好ましい。また、めっき浴への浸漬時間としては、1分~6時間程度であることが好ましく、1分~3時間程度であることがより好ましい。電解めっき電気めっき本工程おいては、上記工程において付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対して、電解めっきを行うことができる。また、前述の無電解めっきの後、形成された金属膜を電極とし、更に、電解めっきを行ってもよい。これにより基板との密着性に優れた無電解めっき膜をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつ金属膜を容易に形成することができる。このように、無電解めっきの後に、電解めっきを行うことで、金属膜を目的に応じた厚みに形成しうるため、金属膜を種々の応用に適用するのに好適である。電解めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電解めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。また、電解めっきにより得られる金属膜の膜厚は、めっき浴中に含まれる金属濃度、または、電流密度などを調整することで制御することができる。なお、一般的な電気配線などに適用する場合、金属膜の膜厚は、導電性の観点から、0.5μm以上であることが好ましく、1~30μmがより好ましい。なお、電気配線の厚みは、電気配線の線幅が狭くなる、すなわち微細化するほどアスペクト比を維持するために薄くなる。従って、電解めっきによって形成される金属膜の層厚は、上記に限定されず、任意に設定できる。<パターン形成工程>パターン形成工程は、めっき工程後に、金属成分または過酸化水素を含むエッチング液を使用してパターン状の金属膜を形成する工程である。該工程により、パターン状の金属膜を表面に有する金属パターン材料が得られる。より具体的には、図1Cに示すように、エッチング液を金属膜14の不要部分に接触させることにより、該部分が除去され、パターン状金属膜16が得られる。エッチング液まず、以下に本工程で使用されるエッチング液について説明する。本工程で使用されるエッチング液は、金属膜14の金属成分を溶解させる。エッチング液としては、金属膜の除去性の観点より、酸性であることが好ましく、具体的には、pHが5以下であることが好ましく、3以下であることがより好ましい。なお、下限は特に制限されないが、被めっき層などへのダメージの点から、0以上が好ましい。なお、pHを調整するために用いられる試薬は特に制限されず、例えば、塩酸、硫酸などが挙げられる。エッチング液に使用される溶媒は特に制限されず、水や、有機溶媒などを使用できる。取扱い性およびエッチング性能の観点から、水が好ましい。使用されるエッチング液は、金属成分または過酸化水素を含む。これらの成分を含むことにより、金属膜めっき膜の除去を行うことができる。金属成分としては、金属イオンを含有することが好ましい。金属イオンの種類は、金属膜を構成する金属により適宜最適な金属が選択されるが、金属膜を構成する金属よりイオン化傾向が大きい金属のイオンであることが好ましく、例えば、銅をエッチングしたい場合は、銅イオン、鉄イオンなどが挙げられる。エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄溶液、または硫酸過酸化水素水混合溶液などが挙げられ、好ましくは塩化第二鉄溶液が挙げられる。エッチング液と金属膜との接触時間は特に制限されないが、生産性、および、金属膜のエッチング性の点から、10秒~10分が好ましく、30秒~3分がより好ましい。処理方法第1の実施態様上記エッチング液を使用してパターン状の金属膜16を形成する方法は特に限定されないが、生産性などの観点から、図2に示す第1の実施態様が好ましく挙げられる。該方法は、いわゆるサブトラクティブ法に基づく方法である。図2Aに示すように、まず、金属膜14上の所定位置にマスク20を設ける。その後、図2Bに示すように、マスク20が設けられていない領域マスク20の非形成領域の金属膜14をエッチング液で除去して、パターン状金属膜16を得る。マスク20としては、公知のレジスト材料を使用することができる。その後、図2Cに示すように、マスク20を除去する。レジスト材料の種類は特に制限されず、ネガ型、ポジ型、液状、フィルム状のものが使用できる。レジスト層の除去方法は特に限定されず、公知の方法アルカリ溶液による除去、ドライエッチングを使用できる。エッチング液を金属膜14に接触させる方法は特に限定されず、エッチング液を金属膜14に塗布例えば、スプレー塗布する方法や、エッチング液中に金属膜14を有する基板を浸漬する方法などが挙げられる。第2の実施態様また、処理方法の他の好適な態様として、図3に示す第2の実施態様が好ましく挙げられる。なお、該方法は、いわゆるセミアディティブ法に基づく方法である。該方法に基づく場合は、まず、上記めっき工程において、無電解めっきを行った後、無電解めっきで得られた金属膜上にパターン状のマスクを設け、マスクが設けられていない領域にさらに金属膜が形成されるように電解めっきを行う。より具体的には、図3Aに示すように、無電解めっきにより被めっき層12に金属膜14aを形成した後、該金属膜14a上にパターン状のマスク20を設ける図3B参照。その後、図3Cに示すように、電解めっきを行うことにより、マスク20が設けられていない領域マスク20の非形成領域に金属膜をさらに設け、凸部22と凹部24を含む凹凸状の金属膜14bを得る。電解めっきを行った後は、図3Dに示すように、マスク20を除去する。次に、得られた凹凸構造を有する金属膜14bに対して、上記エッチング液を用いたクイックエッチングを行うことにより、金属膜14b中の配線部に対応する凸部22以外の凹部24が除去され、パターン状金属膜16が得られる。<酸性溶液接触工程>酸性溶液接触工程は、パターン状金属膜を有する基板と、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液とを接触させる工程である。該工程を実施することにより、パターン状金属膜が形成されていない領域の被めっき層と酸性溶液とが接触し、被めっき層中に含有される金属成分例えば、めっき触媒、または金属膜を構成する金属成分が除去される。該工程を経ることにより、後述するプラズマエッチング処理において被めっき層の除去効率が向上する。なお、該工程を経ることにより、パターン状金属膜が形成されていない領域において、金属成分を実質的に含まない被めっき層が得られることが好ましく、具体的には、被めっき層中の金属成分を3mg/m2以下程度まで減少させることが好ましい。まず、本工程で使用される酸性溶液について詳述し、その後工程の手順について詳述する。酸性溶液本工程において使用される酸性溶液は、酸性を示す。なかでも、被めっき層中の金属成分の除去性能がより優れる点で、酸性溶液のpHは5以下であることが好ましく、0~3であることがより好ましい。酸性溶液中に含まれる溶媒は、通常、水である。また、有機溶媒例えば、エタノール、メタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、イソプロピルアルコールが含有していてもよい。酸性溶液中は、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない。つまり、金属成分を実質的に含まない酸性溶液、過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液が使用される。該酸性溶液を使用することにより、被めっき層中に含有される金属成分を除去しながらも、形成されたパターン状金属膜のパターン性は保持される。なお、ここで実質的に含まないとは、金属成分または過酸化水素の含有量が、酸性溶液全量に対して、1質量以下であることを意味し、0.1質量以下であることが好ましい。なお、含有量が0質量であることが最も好ましい。酸性溶液中に含まれる酸成分は特に制限されないが、例えば、塩酸、硫酸、硝酸など公知の酸成分を使用することができる。例えば、塩酸水溶液、硫酸水溶液、硝酸水溶液などを使用できる。工程の手順パターン状金属膜を有する基板と酸性溶液との接触方法とは特に制限されず、酸性溶液を基板上に塗布する方法や、酸性溶液中に基板を浸漬する方法などが挙げられる。該基板と酸性溶液との接触時間は、使用される酸性溶液の種類などによって適宜最適な時間が選択されるが、被めっき層中の金属成分の除去性の観点から、10秒~10分が好ましく、1~5分がより好ましい。<被めっき層除去工程>被めっき層除去工程は、パターン状金属膜が形成されていない領域の被めっき層をプラズマエッチング処理にて除去する工程である。より具体的には、パターン状金属膜を有する基板にプラズマエッチング処理を施して、図1CおよびDに示すように、パターン状金属膜16が形成されていない領域30にある被めっき層12を除去する。パターン状金属膜間の被めっき層が除去されることにより、配線間金属膜間の絶縁性能がより向上する。なお、上述した密着補助層を介して被めっき層が基板上に配置される場合は、本工程のプラズマエッチング処理によって、被めっき層のみならず、密着補助層も合わせて除去されてもよい。プラズマエッチング処理としては公知の処理方法が実施でき、例えば、減圧プラズマ処理、または、大気圧下で行なう大気プラズマ処理が挙げられる。プラズマエッチング処理について詳細に述べれば、例えば、上記パターン形成工程の終了後の配線パターンが形成された基板を、プラズマ処理装置のチャンバ内に収納し、該チャンバ内にプラズマを発生させて、イオンやラジカルと呼ばれる中性粒子を基板表面に衝突させることにより行われる。本工程においては、形成されたパターン状の金属膜自体配線パターンがエッチングレジストとして機能するため、プラズマエッチング処理により、配線間に露出して残存する被めっき層や、配線間に付着している有機物などの夾雑物を効果的に除去することができる。なお、形成された配線パターンに影響を与えることのない処理条件により、プラズマエッチング処理を行うことが好ましい。プラズマの発生法としては、減圧プラズマ法、大気プラズマ法のいずれも適用することができるが、汎用される減圧プラズマ法が好適に用いられる。プラズマエッチング処理を施す際の雰囲気圧としては、エッチング速度の観点から、100Pa以下であることが好ましく、10Pa以下であることがより好ましい。なお、大気圧プラズマ法を用いる場合であれば、減圧の必要がないため、インライン処理が可能といった利点であり、これにより生産効率の向上が期待できる。当該処理において、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンの中から選ばれる不活性ガス、O2、CF4、C2F4、N2、CO2、SF6、CHF3、少なくともO、N、FまたはClを含む反応性ガスからなる群から選択されるいずれか1種類以上のガスを用いることができる。これらは単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。使用するガスは、例えば、処理後の基板表面状態への影響、処理速度や基板温度の制御などの各種の条件に応じて適宜選定できる。例えば、処理速度の観点からは、酸素ガス、アルゴンガス、CF4、並びに、酸素ガスおよびアルゴンガスの混合ガスが好ましく、アルゴンガス、酸素ガスおよびアルゴンガスの混合ガスがより好ましい。また、プラズマガスとして酸素ガスを使用する場合に関しては、該酸素ガスは処理表面に水酸基を生成させうることから、例えば、配線基板上にエポキシ樹脂等を主成分とするソルダーレジストを配置して、基板表面とソルダーレジストとを熱重合させるような場合において、基板表面とソルダーレジストとの密着性を向上させることができる。また、プラズマガスとしてCF系ガスを使用する場合に関しては、該CF系ガスは処理表面の疎水性を向上させうることができることから、例えば、配線基板を積層してなる積層基板を形成する場合おいて、基板間の界面からの水分等の侵入を効果的に防止しうるなど、配線間の絶縁信頼性をより向上させることもできる。本工程においては、特に、エッチング速度、すなわちプラズマ発生量の点から、プラズマエッチング処理を施す際の雰囲気圧が100Pa以下であり、当該処理において、酸素ガス、アルゴンガス、CF4ガス、およびC2F4ガスからなる群から選択されるいずれか1種類以上のガスを用いることが好ましい。<パターン状金属膜を有する積層体>上記工程を経ることにより、パターン状金属膜間の被めっき層が除去された、パターン状金属膜を有する積層体を得ることができる図1D。得られた積層体は、各種用途に使用することができる。例えば、半導体チップ、各種電気配線板プリント配線基板など、FPC、COF、TAB、アンテナ、多層配線基板、マザーボード、等の様々な用途に適用することができる。なかでも、配線基板として好適に利用できる。また、配線基板と使用する際には、必要に応じて、積層体18上に絶縁層40を設けてもよい図1E。本発明の積層体18と絶縁層40とを含む配線基板50は、平滑な基板との密着性に優れた配線が形成でき、高周波特性も良好であるとともに、微細な高密度配線であっても、配線間の絶縁信頼性に優れる。絶縁層40としては公知の材料を使用することができ、例えば、公知の層間絶縁膜、ソルダーレジストなどが挙げられる。以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。合成例12Lの三口フラスコに酢酸エチル1L、2-アミノエタノール159gを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ2-ブロモイソ酪酸ブロミド150gを内温20°C以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温25°Cまで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mLを追加して反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去することで原料Aを80g得た。次に、500mLの三口フラスコに原料A47.4g、ピリジン22g、酢酸エチル150mLを入れて氷浴にて冷却した。そこへ、アクリル酸クロライド25gを内温20°C以下になるように調節して滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加し、反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにてモノマーAを精製し20g得た。500mLの三口フラスコに、N,N-ジメチルアセトアミド22gを入れ、窒素気流下、60°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーA:29.6g、アクリル酸東京化成製15g、V-65和光純薬製0.59gのN,N-ジメチルアセトアミド38g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N-ジメチルアセトアミド37gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4-ヒドロキシTEMPO東京化成製0.18g、DBU118gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量メタンスルホン酸水溶液116gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーA重量平均分子量4.2万を20g得た。得られたポリマーAの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーAの酸価は5.7mmol/gであった。得られたポリマーAをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーAに含まれていないことが分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとして、アクリル酸が導入されている事が分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが8.1-7.8ppm1H分、5.8-5.6ppm1H分、5.4-5.2ppm1H分、4.2-3.9ppm2H分、3.5-3.3ppm2H分、2.5-0.7ppm6H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニットおよびカルボン酸基ユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。合成例22Lの三口フラスコに酢酸エチル1L、エチレンジアミン400gを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ2-ブロモイソ酪酸ブロミド200gを内温20°C以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温25°Cまで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加して反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製し、片末端のアミノ基のみが反応した原料Bを50g得た。次に、500mLの三口フラスコに、原料B45g、ピリジン22g、および酢酸エチル150mLを入れて氷浴にて冷却した。そこへアクリル酸クロライド25gを内温20°C以下になるように調節して滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加し反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにてモノマーBを精製し30g得た。500mLの三口フラスコに、N,N-ジメチルアセトアミド22gを入れ、窒素気流下、60°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーB:29.5g、アクリル酸東京化成製15g、V-65和光純薬製0.59gのN,N-ジメチルアセトアミド38g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N-ジメチルアセトアミド37gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4-ヒドロキシTEMPO東京化成製0.18g、DBU118gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量メタンスルホン酸水溶液116gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーB重量平均分子量3.4万を15g得た。得られたポリマーBの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーBの酸価は5.8mmol/gであった。得られたポリマーBをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーBに含まれていないことが分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとして、アクリル酸が導入されていることが分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが8.1-7.8ppm2H分、5.8-5.6ppm1H分、5.4-5.2ppm1H分、3.5-3.3ppm4H分、2.5-0.7ppm6H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニットおよびカルボン酸基ユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。合成例32Lの三口フラスコに酢酸エチル1L、3-アミノメチル-3,5,5-トリメチルシクロヘキサノール446gを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ2-ブロモイソ酪酸ブロミド150gを内温20°C以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温25°Cまで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加して反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーで精製する事で原料Cを120g得た。次に、500mLの三口フラスコに、原料C72g、ピリジン22g、酢酸エチル150mLを入れて氷浴にて冷却した。そこへアクリル酸クロライド25gを内温20°C以下になるように調節をして滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加し反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにてモノマーCを精製し25g得た。500mLの三口フラスコに、N,N-ジメチルアセトアミド13gを入れ、窒素気流下、60°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーC:19.6g、アクリル酸東京化成製7g、V-65和光純薬製0.28gのN,N-ジメチルアセトアミド22g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N-ジメチルアセトアミド22gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4-ヒドロキシTEMPO東京化成製0.08g、DBU55.3gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量メタンスルホン酸水溶液55gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーC重量平均分子量4.2万を15g得た。得られたポリマーCの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーCの酸価は4.4mmol/gであった。得られたポリマーCをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーCに含まれていないことが分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されていることが分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが8.1-7.8ppm1H分、5.8-5.6ppm1H分、5.4-5.2ppm1H分、4.4-4.1ppm2H分、3.5-3.3ppm2H分、2.5-0.7ppm21H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニットおよびカルボン酸基ユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。合成例42Lの三口フラスコに酢酸エチル1L、2-2-アミノエトキシエタノール274gを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ2-ブロモイソ酪酸ブロミド150gを内温20°C以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温25°Cまで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加して反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し酢酸エチルを留去する事で原料Dを90g得た。次に、500mLの三口フラスコに、原料D57g、ピリジン22g、酢酸エチル150mLを入れて氷浴にて冷却した。そこへアクリル酸クロライド25gを内温20°C以下になるように調節をして滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加し反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにてモノマーDを精製し22g得た。500mLの三口フラスコに、N,N-ジメチルアセトアミド12gを入れ、窒素気流下、60°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーD:16.2g、アクリル酸東京化成製7g、V-601和光純薬製0.28gのN,N-ジメチルアセトアミド20g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N-ジメチルアセトアミド19gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4-ヒドロキシTEMPO東京化成製0.08g、DBU55gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量メタンスルホン酸水溶液53gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーD重量平均分子量3.8万を12g得た。得られたポリマーDの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーDの酸価は5.0mmol/gであった。得られたポリマーDをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーDに含まれていないことが分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されていることが分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが8.1-7.8ppm1H分、5.8-5.6ppm1H分、5.4-5.2ppm1H分、4.2-3.9ppm2H分、3.8-3.3ppm6H分、2.5-0.7ppm6H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニットおよびカルボン酸基ユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。合成例52Lの三口フラスコに酢酸エチル1L、4-ビニルフェニル-メチルアミン350gを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ2-ブロモイソ酪酸ブロミド150gを内温20°C以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温25°Cまで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mLを追加して反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去する事で原料Eを100g得た。次に、500mLの三口フラスコに、原料E57g、ピリジン24g、酢酸エチル170mLを入れて氷浴にて冷却した。そこへアクリル酸クロライド28gを内温20°C以下になるように調節をして滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加し反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製してモノマーEを得た27g。500mLの三口フラスコに、N,N-ジメチルアセトアミド12gを入れ、窒素気流下、60°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーE:17g、アクリル酸東京化成製7g、V-601和光純薬製0.28gのN,N-ジメチルアセトアミド20g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N-ジメチルアセトアミド20gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4-ヒドロキシTEMPO東京化成製0.08g、DBU55.3gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量メタンスルホン酸水溶液54gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーE重量平均分子量4.0万を11g得た。得られたポリマーEの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーEの酸価は5.0mmol/gであった。得られたポリマーEをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーEに含まれていないことが分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されていることが分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが7.8-8.1ppm1H分、7.0-7.5ppm4H、5.8-5.6ppm1H分、5.4-5.2ppm1H分、4.4-4.6ppm2H分、2.5-0.7ppm6H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニットおよびカルボン酸基ユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。合成例6500mLの三口フラスコに、N,N-ジメチルアセトアミド36gを入れ、窒素気流下、60°Cまで加熱した。そこへ、合成例1で得たモノマーA:29.6g、アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸東京化成製43g、V-601和光純薬製0.59gのN,N-ジメチルアセトアミド66g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N-ジメチルアセトアミド61gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4-ヒドロキシTEMPO東京化成製0.18g、DBU118gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量メタンスルホン酸水溶液116gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーF重量平均分子量4.2万を22g得た。得られたポリマーFの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーFの酸価は3.4mmol/gであった。得られたポリマーFをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーFに含まれていないことが分かった。また、酸価測定によりスルホン酸ユニットとして2-メチルプロパンスルホン酸が導入されていることが分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが8.1-7.8ppm1H分、5.8-5.6ppm1H分、5.4-5.2ppm1H分、4.2-3.9ppm2H分、3.5-3.3ppm2H分、2.5-0.7ppm6H分にブロードに観察され、スルホン酸基ユニットに相当するピークが8.1-7.8ppm1H分、3.1-2.7ppm2H分、2.5-0.7ppm9H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニットおよびスルホン酸基ユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。合成例7500mLの三口フラスコに、N,N-ジメチルアセトアミド34gを入れ、窒素気流下、60°Cまで加熱した。そこへ、合成例1で得たモノマーA:29.6g、ホスマーMユニケミカル製40g、V-601和光純薬製0.59gのN,N-ジメチルアセトアミド69g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N-ジメチルアセトアミド58gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4-ヒドロキシTEMPO東京化成製0.18g、DBU118gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量メタンスルホン酸水溶液116gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーG重量平均分子量4.5万を25g得た。得られたポリマーGの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーGの酸価は3.5mmol/gであった。得られたポリマーGをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーGに含まれていないことが分かった。また、酸価測定により、リン酸ユニットとしてホスマーMが導入されていることが分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが8.1-7.8ppm1H分、5.8-5.6ppm1H分、5.4-5.2ppm1H分、4.2-3.9ppm2H分、3.5-3.3ppm2H分、2.5-0.7ppm6H分にブロードに観察され、りん酸基ユニットに相当するピークが4.3-3.8ppm4H分、2.5-0.7ppm5H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニットおよびりん酸基ユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。合成例8500mLの三口フラスコに、N,N-ジメチルアセトアミド36gを入れ、窒素気流下、60°Cまで加熱した。そこへ、実施例1で得たモノマーA:29.6g、NKエステルA-SA新中村化学製45g、V-601和光純薬製0.59gのN,N-ジメチルアセトアミド68g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N-ジメチルアセトアミド62gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4-ヒドロキシTEMPO東京化成製0.18g、DBU118gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量メタンスルホン酸水溶液116gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマーH重量平均分子量4.1万を25g得た。得られたポリマーHの酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマーHの酸価は3.1mmol/gであった。得られたポリマーHをアセトンに溶解させ、IR測定機株堀場製作所製にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマーHに含まれていないことが分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてNKエステルA-SAが導入されていることが分かった。更に、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが8.1-7.8ppm1H分、5.8-5.6ppm1H分、5.4-5.2ppm1H分、4.2-3.9ppm2H分、3.5-3.3ppm2H分、2.5-0.7ppm6H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが4.2-3.9ppm4H分、2.8-0.7ppm7H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニットおよびカルボン酸基ユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。比較ポリマー1500mLの三口フラスコに、N,N-ジメチルアセトアミド8gを入れ、窒素気流下、65°Cまで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーA:14.3g、アクリロニトリル東京化成工業株製3.0g、アクリル酸東京化成製6.5g、V-65和光純薬製0.4gのN,N-ジメチルアセトアミド8g溶液を、4時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N-ジメチルアセトアミド41gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4-ヒドロキシTEMPO東京化成製0.09g、DBU54.8gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量メタンスルホン酸水溶液54gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式の比較ポリマー1重量平均分子量5.3万を12g得た。得られた比較ポリマー1の酸価を、電位差自動滴定装置京都電子工業株製、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、この比較ポリマー1の酸価は3.9mmol/gであった。得られた比較ポリマー1の同定をIR測定機株堀場製作所製を用いて行った。測定はポリマーをアセトンに溶解させKBr結晶を用いて行った。IR測定の結果、2240cm1付近にピークが観測され、ニトリルユニットであるアクリロニトリルがポリマーに導入されていることが分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されていることが分かった。また、重DMSOジメチルスルホキシドに溶解させ、ブルカー製300MHzのNMRAV-300にて測定を行った。シアノ基含有ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm5H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニットに相当するピークが7.8-8.1ppm1H分、5.8-5.6ppm1H分、5.4-5.2ppm1H分、4.2-3.9ppm2H分、3.3-3.5ppm2H分、2.5-0.7ppm6H分にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5-0.7ppm3H分にブロードに観察され、重合性基含有ユニット、シアノ基含有ユニット、およびカルボン酸基ユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。<実施例1>下地絶縁基板の作製ガラスエポキシ基板商品名:FR-4、松下電工株製上に、味の素ファインテクノ株製のエポキシ系絶縁膜GX-13、45μmを、0.2MPaの圧力で100~110°Cの条件で、真空ラミネーターを用いて加熱および加圧して接着することにより、電気的絶縁層を基板上に形成した。その後、170°Cで1時間加熱処理を行い、該電気的絶縁層の熱層化を行った。密着補助層の形成上記において形成された電気的絶縁層上に、下記組成の密着補助層形成用組成物を厚さ1.5μmになるようにスピンコート法で塗布し、その後、140°Cで30分間乾燥して密着補助層を形成した。密着補助層形成後の基板に対して、さらに180°Cで30分間硬化処理を実施し、基板A1を作製した。密着補助層形成用組成物ビスフェノールA型エポキシ樹脂エポキシ当量185、油化シェルエポキシ株製エピコート82825質量部以下、配合量は全て質量部で表す、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂エポキシ当量215、大日本インキ化学工業株製エピクロンN-67345部、フェノールノボラック樹脂フェノール性水酸基当量105、大日本インキ化学工業株製フェノライト30部を、エチルジグリコールアセテート20部、ソルベントナフサ20部に攪拌しながら加熱溶解させ室温まで冷却した。その後、そこへ上記エピコート828とビスフェノールSからなるフェノキシ樹脂のシクロヘキサノンワニス油化シェルエポキシ株製YL6747H30、不揮発分30質量、重量平均分子量4700030部、2-フェニル-4,5-ビスヒドロキシメチルイミダゾール0.8部、微粉砕シリカ2部、シリコン系消泡剤0.5部を添加し、さらにこの混合物中に下記の方法で合成した重合開始基を有するポリマーPを10部添加し、密着補助層形成用組成物を作製した。重合開始ポリマーPの合成300mlの三口フラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルMFG30gを加え75°Cに加熱した。そこに、2ethyldimethylammoniumbromide8.1gと、2Hydroxyethylmethacrylate9.9gと、isopropylmethacrylate13.5gと、ジメチル-2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート0.43gと、MFG30gとの溶液を2.5時間かけて滴下した。その後、反応温度を80°Cにし、更に2時間反応させ、重合開始基を有する重合開始ポリマーPを得た。被めっき層の形成次に、後述する被めっき層形成用組成物Aを、厚さ1.5μmになるように基板A1上にスピンコート法で塗布し、その後、80°Cで乾燥した。次に、塗布された組成物層に対して、露光機紫外線照射装置、UVX-02516S1LP01、ウシオ電機株製を用いて、波長254nmの紫外光を室温で2分間全面露光した254nmにおけるエネルギー量:1200mJ。全面露光後、不要な被めっき層形成用組成物を除去するために、1重曹液で基板を十分に洗浄した。これにより、基板A1上に被めっき層洗浄後の厚み:0.7μmを有する基板A2を得た。被めっき層形成用組成物AポリマーA3.1g重曹1.2g水25.9g1-メトキシ-2-プロパノール13.0gめっき触媒の付与基板A2を、硝酸パラジウム0.1質量の水溶液液温:25°Cに10分間浸漬し、その後蒸留水で洗浄した。このときのパラジウムイオンの吸着量をICP発光分析装置株島津製作所製にて測定した所、0.1g/m2であった。無電解めっき処理めっき触媒金属塩付与後の基板を、以下組成の無電解めっき浴アルカリ性:pH12.5に1時間浸漬し、厚み0.4μmの無電解銅めっき層を形成した。無電解めっき浴成分硫酸銅0.35g酒石酸NaK1.75g水酸化ナトリウム0.75gホルムアルデヒド0.25g水47.8g電解めっき無電解銅めっき層が形成された基板を、以下組成の電解銅めっき浴に浸漬し、電流密度3A/dm2のもと約20分間、電解めっきを行った。電解めっき後の銅めっき層金属膜の厚みは、約18μmであった。電解めっき浴成分硫酸銅38g硫酸95g塩酸1mLカバーグリームPCMメルテックス株製3.5mL水500gパターン形成工程電解めっき後の基板に対して、170°Cで1時間の加熱処理を行った後、該基板表面にドライレジストフィルム日立化成株製のRY3315、膜厚30μmをラミネートした。次に、ドライレジストフィルムがラミネートされた基板に、サブトラクティブ法にてL/S=40μm/40μmの櫛形パターンが形成できるガラスマスクを密着させ、レジストの感光領域を露光した。露光後、NaHCO3水溶液を2kg/m2のスプレー圧で付与して、現像処理を行った。その後、基板を水洗乾燥し、銅めっき層上にレジストパターンを形成した。レジストパターンを形成した基板に対して、FeCl2/HCl水溶液温度37°CpH:1.5を90秒間シャワーすることにより金属膜のエッチングを行い、レジストパターンの非形成領域に存在する銅めっきを除去した。その後、NaOH4質量水溶液を2kg/m2のスプレー圧で基板上に形成することで、レジストパターンを剥離した。酸性溶液処理その後、塩酸水溶液pH:0.5に10分浸漬し、被めっき層中の金属成分を除去した。このときの被めっき層中のパラジウムイオンの吸着量をICP発光分析装置株島津製作所製にて測定した所、検出限界以下3mg/m2以下であった。被めっき層除去パターン状の金属膜配線パターンを有する基板を、プラズマエッチング装置株SAMCO製、平行平板型プラズマ処理装置、PC-1000のチャンバ内に、配線パターン形成面がプラズマ照射面に向き合うように配置した。チャンバ内を4×101Pa3×103Torrまで減圧し、酸素雰囲気下にて1.5分間、プラズマ処理を行った。処理後の基板表面をSEM像により断面観察したところ、配線間の被めっき層および密着補助層が除去されていることが確認された。ソルダーレジストの貼り付けプラズマ処理後の基板に対して、ソルダーレジストPFR800;太陽インキ製造株製を110°C、0.2MPaの条件で真空ラミネートし、中心波長365nmの露光機にて420mJの光エネルギーを照射した。次いで、基板を80°C/10分間の加熱処理を施した後、NaHCO3:10水溶液を、スプレー圧2kg/m2で基板表面に付与することで現像し、乾燥した。その後、再度、中心波長365nmの露光機にて1000mJの光エネルギーを、基板に対して照射した。最後に150°C/1hrの加熱処理を行ない、ソルダーレジストで被覆された配線基板を得た。<実施例2>上記実施例1の中のめっき触媒の付与の手順を以下に記載の手順に変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。めっき触媒の付与基板A2を、硝酸パラジウム0.1質量の水溶液液温:60°Cに10分間浸漬し、その後蒸留水で洗浄した。このときの被めっき層へのパラジウムイオンの吸着量をICP発行分析装置株島津製作所製にて測定した所、0.2g/m2であった<実施例3>上記実施例1の中のパターン形成工程のFeCl2/HCl水溶液を使用した金属膜のエッチング処理を、以下に記載の手順に変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。パターン形成工程レジストパターンを形成した基板を、Cu4Cl2水溶液温度37°CpH:8.5に浸漬することにより金属膜のエッチングを行い、レジストパターンの非形成領域に存在する銅めっきを除去した。<実施例4>上記実施例1の中の密着補助層の形成の工程を実施せず、下地絶縁基板の作製で作製された電気的絶縁層を有する基板に対して被めっき層の形成の工程を実施して、電気的絶縁層上に被めっき層を作製した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。該実施例4では、密着補助層を介さずに、被めっき層が基板上に配置されている。<実施例5>上記実施例1中の被めっき層形成用組成物Aを、以下の被めっき層形成用組成物Bに変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。被めっき層形成用組成物BポリマーB3.1g重曹1.3g水26.4g1-メトキシ-2-プロパノール13.2g<実施例6>上記実施例1中の被めっき層形成用組成物Aを以下の被めっき層形成用組成物Cに変更し、被めっき層の形成における露光条件を以下のように変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。被めっき層形成用組成物CポリマーC3.1g重曹0.9g水24.0g1-メトキシ-2-プロパノール12.0g露光条件露光機紫外線照射装置、UVX-02516S1LP01、ウシオ電機株製を用いて、波長254nmの紫外光を室温で3分間全面露光した254nmにおけるエネルギー量:1800mJ。<実施例7>上記実施例1中の被めっき層形成用組成物Aを以下の被めっき層形成用組成物Dに変更し、被めっき層の形成における露光条件を以下のように変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。被めっき層形成用組成物DポリマーD3.1g重曹1.1g水25.0g1-メトキシ-2-プロパノール12.5g露光条件露光機紫外線照射装置、UVX-02516S1LP01、ウシオ電機株製を用いて、波長254nmの紫外光を室温で2.5分間全面露光した254nmにおけるエネルギー量:1500mJ。<実施例8>上記実施例1中の被めっき層形成用組成物Aを以下の被めっき層形成用組成物Eに変更し、被めっき層の形成における露光条件を以下のように変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。被めっき層形成用組成物EポリマーE3.1g重曹1.0g水24.7g1-メトキシ-2-プロパノール12.4g露光条件露光機紫外線照射装置、UVX-02516S1LP01、ウシオ電機株製を用いて、波長254nmの紫外光を室温で3分間全面露光した254nmにおけるエネルギー量:1800mJ。<実施例9>上記実施例1中の被めっき層形成用組成物Aを以下の被めっき層形成用組成物Fに変更し、被めっき層の形成における露光条件を以下のように変更し、さらにめっき触媒の付与におけるパラジウム付着量を0.07g/m2に変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。被めっき層形成用組成物FポリマーF3.1g重曹0.7g水22.7g1-メトキシ-2-プロパノール11.3g露光条件露光機紫外線照射装置、UVX-02516S1LP01、ウシオ電機株製を用いて、波長254nmの紫外光を室温で2.5分間全面露光した254nmにおけるエネルギー量:1500mJ。<実施例10>上記実施例1中の被めっき層形成用組成物Aを以下の被めっき層形成用組成物Gに変更し、被めっき層の形成における露光条件を以下のように変更し、さらにめっき触媒の付与におけるパラジウム付着量を0.12g/m2に変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。被めっき層形成用組成物GポリマーG3.1g重曹1.3g水22.9g1-メトキシ-2-プロパノール11.5g露光条件露光機紫外線照射装置、UVX-02516S1LP01、ウシオ電機株製を用いて、波長254nmの紫外光を室温で2.5分間全面露光した254nmにおけるエネルギー量:1500mJ。<実施例11>上記実施例1中の被めっき層形成用組成物Aを以下の被めっき層形成用組成物Hに変更し、被めっき層の形成における露光条件を以下のように変更し、さらにめっき触媒の付与におけるパラジウム付着量を0.08g/m2に変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。被めっき層形成用組成物HポリマーH3.1g重曹0.7g水22.9g1-メトキシ-2-プロパノール11.5g露光条件露光機紫外線照射装置、UVX-02516S1LP01、ウシオ電機株製を用いて、波長254nmの紫外光を室温で2.5分間全面露光した254nmにおけるエネルギー量:1500mJ。<比較例1>実施例1で使用したポリマーAの代わりに、比較ポリマー1を使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を製造した。被めっき層除去後の基板表面をSEM像により断面観察したところ、配線間の被めっき層が残存していることが確認された。<比較例2>実施例1での被めっき層除去を実施しなかった以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を製造した。<比較例3>上記実施例1の中の酸性溶液処理の工程を実施しなかった以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。<評価手法>絶縁性評価上記で得られた配線基板の絶縁信頼性試験は、エレクトロケミカルマイグレーション評価装置株Espec社製、エレクトロケミカルマイグレーション装置AMI及び高温高湿槽プラチナスPR-3Kを用いて行った。試験条件は、バイアス電圧30V、温湿度環境は85°C、85RH、加湿水には抵抗値13Mの蒸留水を使用し、1000時間まで評価を行なった。以下の基準に従って、評価した。結果を表1に示す。×:750時間未満までの評価において、配線基板の抵抗値が1MΩを下回った場合△:750時間以上1000時間未満までの評価において、配線基板の抵抗値が1MΩを下回った場合○:1000時間まで評価を行い、配線基板の抵抗値が1MΩを下回らなかった場合プラズマエッチングレート実施例1~11および比較例1、3において実施された被めっき層除去における、被めっき層と密着補助層とを除去する際のプラズマエッチングのエッチングレートμm/分を表1にまとめて示す。上記表1中、めっき触媒吸着条件欄のAは、めっき触媒の付与において使用される硝酸パラジウム0.1質量水溶液の液温が25°Cの場合、Bは硝酸パラジウム0.1質量水溶液の液温が60°Cの場合を意味する。エッチング液の種類欄のAは、パターン形成工程において使用されるエッチング液がFeCl2/HCl水溶液の場合、Bはエッチング液がCu4Cl2水溶液の場合を意味する。また、表1中、-は未実施を意味する。実施例1~11に示されるように、本発明のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法を実施して得られる配線基板は、優れた絶縁性能を示した。さらに、実施例1~11においては、被めっき層のプラズマエッチングレートも優れていた。なお、実施例1と2との比較より、被めっき層におけるパラジウムイオンの吸着量が少ない実施例1のほうがより絶縁性に優れていた。これは、被めっき層中の金属成分量が少ない方が、被めっき層のエッチング性に優れているためといえる。また、実施例1と3との比較より、エッチング液として酸性エッチング液FeCl2/HCl水溶液を使用したほうが、より絶縁性に優れていることが確認された。これは、該エッチング液を使用すると被めっき層中の金属成分を除去しやすいためといえる。一方、特許文献1に記載のシアノ基を含有する比較ポリマーを使用した比較例1の場合は、被めっき層のプラズマエッチングレートに劣ると共に、得られた配線基板の絶縁性能にも劣っていた。これは、プラズマエッチングでは被めっき層が十分に除去されなかったためである。また、プラズマエッチングを実施しなかった比較例2においては、得られる配線基板の絶縁性能がさらに劣っていた。さらに、酸性溶液との接触工程を実施しなかった比較例3においても、得られる配線基の絶縁性能に劣っていた。これは金属成分が被めっき層中に多量に残存するため、被めっき層を十分にプラズマエッチング除去できないためといえる。耐湿性評価実施例1および後述する比較例4の電解めっきの工程後に得られる金属膜を有する基板積層体を、80°C、90RHにて一週間放置した後、JIS-K5600-5-6:1999に従って碁盤目剥離試験を行った。以下の基準に従って、評価した。○:100目中95目以上が残存する場合×:100目中95目未満が残存する場合実施例1において上記耐湿性評価は○であったが、比較例4においては×であった。これは、本発明の製造方法においては、式Aで表されるユニットがメタアクリルアミド基を有しているため、加水分解されにくく、結果として金属膜の密着性がより向上したものと考えられる。比較例4比較ポリマー2の合成ポリアクリル酸平均分子量25,00018gをDMAc300gに溶解し、ハイドロキノン0.41gと2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート19.4gとジブチルチンジラウレート0.25gを添加し、65°C、4時間反応させた。得られたポリマーの酸価は7.02meq/gであった。その後、1N水酸化ナトリウム水溶液でカルボキシル基を中和し、酢酸エチルに加えポリマーを沈殿させ、よく洗浄し、比較ポリマー2を得た。なお、比較ポリマー2中には、式Aで表されるユニットが含まれていない。被めっき層形成用組成物Aの代わりに、以下の被めっき層形成用組成物Xを用いた以外は、実施例1と同様の手法で配線基板を形成した。被めっき層形成用組成物X比較ポリマー20.25g水5gアセトニトリル3g"