フィルム基板の巻出し及び/又は巻取りを行う少なくとも一対のロールと、該少なくとも一対のロールの間に配設された薄膜形成用の成膜室と、前記一対のロールのうち巻出し側となる少なくとも一方のロールと前記成膜室との間に配置された少なくとも一つのアイドラローラと、該アイドラローラと前記成膜室との間に配置された加熱ローラとを備え、前記フィルム基板が前記加熱ローラに接触して昇温された後、前記成膜室に導入されるように構成された薄膜形成装置において、前記アイドラローラの位置を変更して前記加熱ローラに対する前記フィルム基板の抱き角を変更する抱き角調整装置を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。一対のロールのうち巻取り側となるロールと前記成膜室との間にも、前記アイドラローラ、前記加熱ローラ及び前記抱き角調整装置が配設されている、請求項1に記載の薄膜形成装置。前記少なくとも一対のロールは、前記フィルム基板を往復移動させる巻出し/巻取り兼用ロールであり、前記アイドラローラ、前記加熱ローラ及び前記抱き角調整装置は、前記各巻出し/巻取り兼用ロールと前記成膜室との間に配設されている請求項1又は2記載の薄膜形成装置。前記抱き角調整装置は、前記アイドラローラと前記加熱ローラとを連結し、前記加熱ローラの回転軸を中心に回動するリンクと、該リンクの回動角を変更する駆動手段とで構成されている請求項1~3のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。前記フィルム基板の移動速度が速いときには前記抱き角を大きくし、前記フィルム基板の移動速度が遅いときには前記抱き角を小さくするように、前記抱き角調整装置を制御する制御手段が設けられている請求項1~4のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。しかしながら、加熱ローラを用いてフィルム基板を予備加熱する場合、以下の問題があった。すなわち、例えば薄い膜厚を成膜するときのように高速搬送を要するプロセスでは、加熱ローラとフィルム基板との接触時間が少なくなるので、フィルム基板が十分昇温しないまま成膜室に導入されるおそれがあった。また、例えば厚い膜厚を成膜するときのように低速搬送を要するプロセスでは、加熱ローラとフィルム基板との接触時間が長くなるので、フィルム基板が過熱されるおそれがあった。そして、フィルム基板が過熱されると、ポリイミド等の可とう性樹脂フィルム基板を用いた場合においては、加熱皺が発生することがあった。よって、本発明の目的は、フィルム基板を適切な温度に予備加熱して、成膜室での薄膜形成を安定して行うことができる薄膜形成装置を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の薄膜形成装置は、フィルム基板の巻出し及び/又は巻取りを行う少なくとも一対のロールと、該少なくとも一対のロールの間に配設された薄膜形成用の成膜室と、前記一対のロールのうち巻出し側となる少なくとも一方のロールと前記成膜室との間に配置された少なくとも一つのアイドラローラと、該アイドラローラと前記成膜室との間に配置された加熱ローラとを備え、前記フィルム基板が前記加熱ローラに接触して昇温された後、前記成膜室に導入されるように構成された薄膜形成装置において、前記アイドラローラの位置を変更して前記加熱ローラに対する抱き角を変更する抱き角調整装置を設けたことを特徴とする。本発明の薄膜形成装置によれば、アイドラローラの位置を変更して加熱ローラに対する抱き角を変更する抱き角調整装置を設けたことにより、フィルム基板の移動速度や成膜条件に応じてフィルム基板と加熱ローラとの接触時間を調整して、フィルム基板を成膜最適温度まで昇温でき、成膜室での薄膜形成を安定して行うことができる。また、フィルム基板の過熱を抑制できるので、可とう性樹脂フィルム基板を用いた場合であっても、加熱皺の発生を防止できる。本発明の薄膜形成装置は、一対のロールのうち巻取り側となる少なくとも一方のロールと前記成膜室との間にも、前記アイドラローラ、前記加熱ローラ及び前記抱き角調整装置が配置されていることが好ましい。成膜室から搬出された基板は、比較的高温なので、急激に常温まで降温するとフィルム基板に皺等が発生することがあるが、巻取り側となるロールと成膜室との間に加熱ローラを設けることにより、成膜直後の高温のフィルム基板を緩やかに冷却でき、皺の発生を防止できる。本発明の薄膜形成装置の前記少なくとも一対のロールは、前記フィルム基板を往復移動させる巻出し/巻取り兼用ロールであり、前記アイドラローラ、前記加熱ローラ及び前記抱き角調整装置は、前記各巻出し/巻取り兼用ロールと前記成膜室との間に配設されていることが好ましい。この態様によれば、フィルム基板を、各巻出し/巻取り兼用ロールと成膜室との間を往復して成膜できるので、装置全体を大型化することなく複数の薄膜を形成できる。本発明の薄膜形成装置の前記抱き角調整装置は、前記アイドラローラと前記加熱ローラとを連結し、前記加熱ローラの回転軸を中心に回動するリンクと、該リンクの回動角を変更する駆動手段とで構成されていることが好ましい。本発明の薄膜形成装置は、前記フィルム基板の移動速度が速いときには前記抱き角を大きくし、前記フィルム基板の移動速度が遅いときには前記抱き角を小さくするように、前記抱き角調整装置を制御する制御手段が設けられていることが好ましい。本発明の薄膜形成装置によれば、フィルム基板の移動速度や成膜条件に応じて基板と加熱ローラとの接触時間を調整してフィルム基板を昇温でき、成膜室での薄膜形成を安定して行うことができる。また、フィルム基板の過熱を抑制できるので、可とう性樹脂フィルム基板を用いた場合であっても、加熱皺の発生を防止できる。本発明の薄膜形成装置について、以下図面を用いて説明する。図1に示すように、この薄膜形成装置は、フィルム基板10が巻かれた巻出しロール11が収容される巻出し室1と、フィルム基板10を巻取る巻取りロール21が収容される巻取り室2と、これら巻出し室1と巻取り室2との間でフィルム基板10の搬送方向に沿って配置される複数個本実施形態では2個の成膜室3とで主に構成される。巻出し室1には、フィルム基板10を巻取った巻出しロール11と、フィルム基板10をガイドしつつフィルム基板10にかかる張力を均一にするためのガイドローラ12と、アイドラローラ13と、加熱ローラ14とが配置されている。図2~6を併せて参照すると、加熱ローラ14の回転軸には、リンク15の一端が化移動可能に取付けられ、リンク15の他端に前記アイドラローラ13が装着されて、アイドラローラ13はリンク15を介して移動可能に取り付けられている。そして、リンク15には駆動シリンダ16のロッド17が連結しており、駆動シリンダ16を動かすことによりリンク15が加熱ローラ14の回転軸を中心に回動してアイドラローラ13の位置が変更されるようになっている。これにより、図4~6に示すように加熱ローラ14へのフィルム基板10の進入角度が変更され、加熱ローラに対するフィルム基板の抱き角αが変更される。なお、本発明において、抱き角とは、フィルム基板10が加熱ローラに接し始めた点Aと、加熱ローラの中心Oと、フィルム基板10が加熱ローラから離れる直前の点Bとでなす角である。この実施形態では、アイドラローラ13と加熱ローラ14とを連結するリンク15、駆動シリンダ16が、本発明における抱き角調整装置をなしている。成膜室3は、室内に搬送されたフィルム基板上に、半導体薄膜例えば、アモルファスシリコン膜、微結晶シリコン膜など等の薄膜を成膜するものである。この実施形態では、図1に示すように、2つの平行平板電極であるカソード電極32とアノード電極31とが互いに間隔を置いて対向して設置されている。アノード電極31は、フィルム基板10を加熱するための加熱機構図示しないを有し、カソード電極32には、コンデンサを介して高周波電源図示しないが接続されている。そして、原料ガス例えば、シラン及び水素などのSi化合物ガスが、マスフローコントローラ図示しないによって流量が制御されて成膜室3内部に供給され、反応後のガスは、図示しない反応ガス排出口を通して室外に排気される。巻取り室2には、加熱ローラ24、アイドラローラ23、フィルム基板10にかかる張力を均一にするためのガイドローラ22、フィルム基板10を巻取る巻取りロール21が配置されている。加熱ローラ24の回転軸には、リンク25の一端が回動可能に取付けられ、リンク25の他端にアイドラローラ23が装着されて、アイドラローラ23はリンク25を介して移動可能に取り付けられている。そして、リンク25には駆動シリンダ26のロッド27が連結しており、駆動シリンダ26を動かすことによりリンク25が加熱ローラ24の回転軸を中心に回動してアイドラローラ23の位置が変更されるようになっている。これにより、加熱ローラに対するフィルム基板の抱き角α’が変更される。次に、本発明の薄膜形成装置の動作について説明する。まず、巻出しロール11及び巻取りロール21を順方向に回転駆動して、巻出しロール11に巻取られたフィルム基板10を引出す。巻出しロール11から引き出されたフィルム基板10は、ガイドローラ12、アイドラローラ13を経由し、加熱ローラ14で加熱されて成膜室3に搬入される。成膜室3に搬入されたフィルム基板10は、成膜室内を移動しながら薄膜が成膜される。そして、成膜室3から搬出されたフィルム基板10は、加熱ローラ24にて除熱されて緩やかに降温し、アイドラローラ23、ガイドローラ22を経由して巻取りロール21に巻取られる。また、この実施形態の薄膜形成装置では、巻出しロール11及び巻取りロール21を、順方向及び逆方向に交互に回転駆動して、巻出しロール11と巻取りロール21との間でフィルム基板10を往復させて、フィルム基板10表面に薄膜を積層して形成することができる。上記のようにフィルム基板10を往復移動させる場合、巻出しロール11及び巻取りロール21は、巻出し/巻取り兼用ロールとして機能することになる。すなわち、巻取りロール21にフィルム基板10を所定長さ巻取った後、巻出しロール11及び巻取りロール21を逆方向に回転駆動して、巻取りロール21に巻取られたフィルム基板10を引出す。巻取りロール21から引き出されたフィルム基板10は、ガイドローラ22、アイドラローラ23を経由し、加熱ローラ24で加熱されて成膜室3に搬入される。成膜室3に搬入されたフィルム基板10は、成膜室内を移動しながら薄膜が成膜される。そして、成膜室3から搬出されたフィルム基板10は、加熱ローラ14にて除熱されて緩やかに降温し、アイドラローラ13、ガイドローラ12を経由して巻出しロール11に巻取られる。このようにして、巻出しロール11及び巻取りロール21を、順方向及び逆方向に交互に回転駆動して、巻出しロール11と巻取りロール21との間でフィルム基板10を往復させることにより、フィルム基板10表面に多層の薄膜を形成することができる。ところで、ロールツーロール方式でフィルム基板上に薄膜を形成する場合、フィルム基板の移動速度は、形成する薄膜の膜厚、成膜速度、成膜室の長さ等の要素により決まる。このため、上述したように、成膜室にて膜厚を薄く成膜する場合においては、フィルム基板の移動速度を速める必要があるが、加熱ローラに対するフィルム基板の抱き角αが一定であると、フィルム基板が成膜最適温度まで昇温されないまま成膜室に搬入されることがあり、成膜初期段階の成膜が安定しないことがあった。また、膜厚を厚く成膜する場合においては、フィルム基板の移動速度を遅くする必要があるので、フィルム基板が過熱され、成膜初期段階の成膜が安定しないことがあった。また、フィルム基板としてポリイミドフィルム等の可とう性樹脂基板を用いた場合には、フィルム基板が過熱されると加熱皺が発生する恐れがあった。この成膜形成装置では、アイドラローラ13がリンク15を介して取り付けられているので、駆動シリンダ16を動かしてリンク15を加熱ローラ14の回転軸を中心に回動させることにより、アイドラローラ13の位置が変更し、加熱ローラに対するフィルム基板の抱き角αを変化させることができる。フィルム基板10の移動速度が速いときは、抱き角αを大きくするようにリンク15を回動してアイドラローラ13の位置を調整することで、フィルム基板10と加熱ローラ14との接触距離が長くなり、フィルム基板の加熱を十分に行えるようになる。また、フィルム基板10の移動速度が遅いときには、抱き角αを小さくするようにリンク15を回動してアイドラローラ13の位置を調整することで、フィルム基板10と加熱ローラ14との接触距離が短くなり、フィルム基板10が過熱されにくくなる。このように、フィルム基板10の移動速度に応じて抱き角αを調整することで、フィルム基板10と加熱ローラ14との接触時間を調整でき、フィルム基板10を過熱し過ぎることなく、成膜最適温度に加熱して成膜室3に搬送できる。図4~6に、図4、図5、図6の順にフィルム基板10の移動速度を速めた場合の、加熱ローラ14に対するフィルム基板10の抱き角αを変化させた状態図抱き角α3>抱き角α2>抱き角α1を示す。また、抱き角と加熱ローラ14の温度の両方を制御してもよい。例えば、抱き角αが大きくなるに伴い、加熱ローラ14の温度を低くすることで、フィルム基板10の過熱をより確実に防止できる。また、抱き角αが小さくなるに伴い、加熱ローラ14の温度を高くすることで、フィルム基板を成膜最適温度まで昇温し易くできる。また、この成膜形成装置は、成膜室の下流側巻取りロール21側にも、加熱ローラ24と、リンク25を介して移動可能とされたアイドラローラ23とが配置されているので、駆動シリンダ26を動かすことによりリンク25が加熱ローラ24の回転軸を中心に回動してアイドラローラ23の位置が変更し、加熱ローラに対するフィルム基板の抱き角α’を変化させることができる。このため、成膜室での成膜温度が高い場合や、フィルム基板10の移動速度が速い場合には、抱き角α’を大きくし、成膜室での成膜温度が低い場合や、フィルム基板10の移動速度が遅い場合には、抱き角α’を小さくすることで、フィルム基板を緩やかに降温させて、皺の発生をより確実に防止できる。なお、この実施形態では、往路巻出しロール11及び巻取りロール21を順方向に回転駆動させたとき、復路巻出しロール11及び巻取りロール21を逆方向に回転駆動させたときのいずれにおいても、それぞれの成膜室で成膜を行ったが、成膜室での成膜は、往路又は復路のいずれか一方のみで行ってもよい。例えば、各成膜室にて、異なる薄膜を成膜した場合、往路と復路とでは、各成膜室で異なる薄膜を成膜する必要が生じる場合がある。このように、一つに成膜室で異なる薄膜を成膜することとなると、その都度成膜室を洗浄する必要が生じ、生産性が損なわれるので、各成膜室で異なる薄膜を成膜する場合は、往路又は復路のいずれか一方向のみで半導体薄膜の成膜を行うことが好ましい。また、この実施形態では、アイドラローラ1323は、リンク1525を加熱ローラの回転軸を中心に回動可能に配置されているが、アイドラローラの移動手段は特に限定はない。アイドラローラ23の位置を変更できるように構成されていればよい。