"放射ビームを調節する照明システムと、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持する支持体と、基板を保持する基板テーブルと、前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、前記基板のターゲット部分への前記パターン付放射ビームの投影に先立ってアライメントストラテジーに従って前記基板を整列させるアライメント装置と、1つ以上のモニタウェーハからベースライン制御パラメータを定義する測定値を周期的に取り出して、前記ベースライン制御からパラメータドリフトを決定することで、支持体、基板テーブル、及び投影システムの少なくとも1つを制御するスキャン制御モジュールであって、前記1つ以上のウェーハが第1のアライメントストラテジーを用いて最初に露光される、スキャン制御モジュールと、を備える、リソグラフィ装置であって、前記装置は、前記第1のアライメントストラテジーとは異なる第2のアライメントストラテジーを用いて量産基板を露光するときに、パラメータドリフトに対して実行された修正を調整し、それによって、前記1つ以上のモニタウェーハの露光に前記第2のアライメントストラテジーが使用されていたとすれば実行されたはずの修正に実質的に近づくようにする、リソグラフィ装置。前記スキャン制御モジュールは、基板の露光中に前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の差を決定し、前記差を用いて修正を調整する、請求項1に記載の装置。前記スキャン制御モジュールは、前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の差を、少なくとも1つのモニタウェーハから読み出したオーバレイ測定値と、前記少なくとも1つのモニタウェーハの露光プロセスで前記リソグラフィ装置によって測定された前記アライメントデータとに前記第1のアライメントストラテジーが与える影響の決定と、前記第2のアライメントストラテジーと、前記リソグラフィ装置によって測定された前記アライメントデータとに基づいて、前記少なくとも1つのモニタウェーハの露光に前記第2のアライメントストラテジーが使用されていたとすれば前記第2のアライメントストラテジーが実行するはずの修正の決定と、から決定する、請求項2に記載の装置。前記スキャン制御モジュールは、前記第2及び第1のアライメントストラテジーの使用の影響の差を決定する、請求項3に記載の装置。前記スキャン制御モジュールは、前記第2及び第1のアライメントストラテジーの使用の影響の決定された差を、前記照明システム、前記基板テーブル、前記投影システム、及び前記アライメント装置の少なくとも1つに伝搬する、請求項4に記載の装置。前記スキャン制御モジュールは、幾つかの所定のアライメントストラテジーの使用の影響と、前記第1のアライメントストラテジーの使用の影響と、の差を、前記照明システム、前記基板テーブル、前記投影システム、及び前記アライメント装置の少なくとも1つに伝搬する、請求項4に記載の装置。前記スキャン制御モジュールは、前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の決定された差に基づいて前記ベースライン制御パラメータを調整する、請求項4に記載の装置。前記リソグラフィ装置内のコントローラモジュールをさらに備え、前記コントローラモジュールは、前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の差を決定する、請求項3に記載の装置。前記リソグラフィ装置は、同じアライメントストラテジーを用いて複数のモニタウェーハを露光する、請求項1に記載の装置。前記複数のモニタウェーハは、各々1つ以上のアライメントマークを含み、前記アライメントマークは、量産基板上のアライメントマークに整列する、請求項9に記載の装置。前記リソグラフィ装置は、前記複数のモニタウェーハの各々に量産基板の露光期間と実質的に同様の露光継続時間を適用する、請求項10に記載の装置。前記リソグラフィ装置は、2つの組の複数のモニタウェーハを使用し、前記第1のアライメントストラテジーを用いて前記第1の組のモニタウェーハを露光し、複数のアライメントマークを用いて前記第2の組のモニタウェーハを露光して前記アライメント装置の基準格子を正確にマッピングする、請求項1に記載の装置。前記スキャン制御モジュールは、前記第1の組のモニタウェーハからオーバレイ情報を入手し、前記第2の組のモニタウェーハから前記アライメント装置のパラメータドリフトに関する情報を入手する、請求項12に記載の装置。前記リソグラフィ装置は、前記第1の組のモニタウェーハの各々に1つ以上の量産基板の露光期間と実質的に同様の露光継続時間を適用し、前記第2の組のモニタウェーハの各々の露光期間は、前記1つ以上の量産基板の露光期間に基づかない、請求項13に記載の装置。スキャン機能に関するベースライン制御パラメータを決定するために少なくとも1つのモニタウェーハを露光するステップであって、前記露光が第1のアライメントストラテジーを用いて実行されるステップと、前記少なくとも1つのモニタウェーハから前記ベースライン制御パラメータを周期的に取り出すステップと、前記ベースライン制御パラメータからパラメータドリフトを決定し、前記決定に基づいて修正を加えるステップと、前記第1のアライメントストラテジーとは異なる第2のアライメントストラテジーを用いて量産基板を露光するステップと、前記少なくとも1つのモニタウェーハの露光に前記第2のアライメントストラテジーが使用されていたとすれば実行されたはずの予想される修正に実質的に近づくように修正を変更するステップと、を含む、方法。前記修正の変更ステップは、基板の露光中に前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の差を決定し、前記差を適用して前記修正を調整するステップを含む、請求項15に記載の方法。前記影響の差を決定するステップは、前記少なくとも1つのモニタウェーハから読み出したオーバレイ測定値と、前記少なくとも1つのモニタウェーハの露光時にリソグラフィ装置によって測定されたアライメントデータと、に前記第1のアライメントストラテジーが与える影響を決定するステップと、前記第2のアライメントストラテジーと、前記リソグラフィ装置によって測定された前記アライメントデータと、に基づいて、前記少なくともモニタウェーハの露光に前記第2のアライメントストラテジーが使用されていたとすれば前記第2のアライメントストラテジーが実行するはずの修正を決定するステップと、を含む、請求項16に記載の方法。前記影響の差を決定するステップは、スキャン制御モジュールを用いて前記第1及び第2のアライメントストラテジーの影響の差を決定するステップを含む、請求項17に記載の方法。前記影響の差を決定するステップは、前記第2及び第1のアライメントストラテジーの使用の影響の決定された差を、前記照明システム、前記基板テーブル、前記投影システム、及び前記アライメント装置の少なくとも1つに伝搬するステップを含む、請求項18に記載の方法。前記影響の差を決定するステップは、幾つかの所定のアライメントストラテジーの使用の影響と、前記第1のアライメントストラテジーの使用の影響と、の差を、前記照明システム、前記基板テーブル、前記投影システム、及び前記アライメント装置の少なくとも1つに伝搬するステップを含む、請求項18に記載の方法。前記影響の差を決定するステップは、前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の決定された差に基づいて前記ベースライン制御パラメータを調整するステップを含む、請求項18に記載の方法。前記リソグラフィ装置内のコントローラモジュールを用いて、前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の差を決定するステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。少なくとも1つのモニタウェーハの前記露光ステップは、複数のモニタウェーハの露光ステップを含み、前記モニタウェーハの各々は、同じアライメントストラテジーを使用する、請求項15に記載の方法。前記複数のモニタウェーハの露光ステップは、1つ以上のアライメントマークで前記1つ以上のモニタウェーハを露光するステップを含み、前記アライメントマークは、量産基板上のアライメントマークに整列する、請求項23に記載の方法。前記複数のモニタウェーハの露光ステップは、量産基板の各々の露光期間と実質的に同様の露光期間で1つ以上のモニタウェーハを露光するステップを含む、請求項15に記載の方法。前記少なくとも1つのモニタウェーハの露光ステップは、2つの組の複数のモニタウェーハを使用するステップと、前記第1のアライメントストラテジーを用いて前記第1の組のモニタウェーハを露光するステップと、複数のアライメントマークを用いて前記第2の組のモニタウェーハを露光してアライメント装置の基準格子を正確にマッピングするステップと、を含む、請求項15に記載の方法。前記第1の組のモニタウェーハの露光ステップは、オーバレイ情報を入手するステップを含み、前記第2の組のモニタウェーハの露光ステップは、前記アライメント装置のパラメータドリフトに関する情報を入手するステップを含む、請求項26に記載の方法。少なくとも1つのモニタウェーハの前記露光ステップは、前記第1の組のモニタウェーハの各々に1つ以上の量産基板の露光期間と実質的に同様の露光継続時間を使用するステップを含み、前記第2の組のモニタウェーハの露光期間は、前記1つ以上の量産基板の露光期間に基づかない、請求項27に記載の方法。放射ビームを調節する照明システムと、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持する支持体と、基板を保持する基板テーブルと、前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、前記パターン付放射ビームの基板の前記ターゲット部分への投影に先立ってアライメントストラテジーに従って前記基板を整列させるアライメント装置と、少なくとも1つの基準基板からベースライン制御パラメータを定義する測定値を周期的に取り出してベースライン制御パラメータからパラメータドリフトを決定することで、前記支持体、前記基板テーブル、又は前記投影システムの少なくとも1つの制御を助け、それによって、前記ドリフトの修正を可能にするように動作可能なスキャン制御モジュールであって、前記基準基板は、前記ベースライン制御パラメータを決定するために最初に露光されており、前記最初の露光が第1のアライメントストラテジーを用いて実行されるスキャン制御モジュールと、を備える、リソグラフィ装置であって、前記装置は、前記第1のアライメントストラテジーとは異なる第2のアライメントストラテジーを用いて量産基板を露光するときに、パラメータドリフトに対して実行された修正を調整して、前記少なくとも1つの基準基板の露光に前記第2のアライメントストラテジーが使用されていたとすれば実行されたはずの修正に実質的に近づくようにさらに動作可能である、リソグラフィ装置。基板の露光中に前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の差を決定し、前記差を用いて修正を調整するように動作可能である、請求項29に記載の装置。前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の差を、少なくとも1つの基準基板から読み出したオーバレイ測定値と、前記少なくとも1つの基準基板の露光プロセスでリソグラフィ装置によって測定された前記アライメントデータと、に前記第1のアライメントストラテジーが与える影響の決定と、前記第2のアライメントストラテジーと、前記リソグラフィ装置によって測定されたアライメントデータと、の情報から、前記少なくとも1つの基準基板の露光に前記第2のアライメントストラテジーが使用されていたとすれば前記第2のアライメントストラテジーが実行するはずの修正の決定と、から決定するように動作可能である、請求項30に記載の装置。前記第2及び第1のアライメントストラテジーの使用の影響の差がスキャン制御モジュールによって決定されるように動作可能である、請求項30又は31に記載の装置。前記第2及び第1のアライメントストラテジーの使用の影響の決定された差が量産基板の露光中に適用可能にするために、前記リソグラフィ装置の他の要素に利用可能にされるように動作可能である、請求項32に記載の装置。幾つかの所定のアライメントストラテジーの使用の影響と、前記第1のアライメントストラテジーの使用の影響と、の差が決定され、適宜、適用するために前記リソグラフィ装置の他の要素に利用可能にされるように動作可能である、請求項32に記載の装置。前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の決定された差が前記スキャン制御モジュールによって使用され、前記ベースライン制御パラメータが調整されるように動作可能である、請求項32に記載の装置。前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の差が前記リソグラフィ装置内に含まれるスキャン制御モジュールとは別のコントローラによって決定されるように動作可能である、請求項30又は31に記載の装置。複数の基準基板を使用し、同じアライメントストラテジーを用いて前記複数の基準基板の各々を露光するように動作可能である、請求項29から36のいずれか1項に記載の装置。前記基準基板上のアライメントマークは、量産基板上のアライメントマークとできる限り整列する、請求項37に記載の装置。前記基準基板の各々の露光期間は、量産基板の各々の露光期間と実質的に同様であるように動作可能である、請求項38に記載の装置。2つの組の複数の基準基板を使用し、前記第1のアライメントストラテジーを用いて前記第1の組の基準基板の各々を露光し、多数のアライメントマークを用いて前記第2の組の基準基板の各々を露光して前記アライメント装置の基準格子を正確にマッピングするように動作可能である、請求項29から36のいずれか1項に記載の装置。前記第1の組の基準基板を用いてオーバレイ情報が入手され、前記第2の組の基準基板を用いてアライメント装置のパラメータドリフトに関する情報が入手される、請求項40に記載の装置。前記第1の組の基準基板の各々の露光期間が量産基板の各々の露光期間と実質的に同様であり、前記第2の組の基準基板の各々の露光期間がそれほど制限されていないように動作可能である、請求項40又は41に記載の装置。リソグラフィ装置のスキャン機能を制御する方法であって、スキャン機能に関するベースライン制御パラメータを決定するように少なくとも1つの基準基板を露光するステップであって、前記露光が第1のアライメントストラテジーを用いて実行される、ステップと、前記少なくとも1つの基準基板から前記ベースライン制御パラメータを周期的に取り出すステップと、前記ベースライン制御パラメータからパラメータドリフトを決定し、前記決定に基づいて修正を加えるステップと、前記第1のアライメントストラテジーとは異なる第2のアライメントストラテジーを用いて量産基板を露光するステップと、前記少なくとも1つの基準基板の露光に前記第2のアライメントストラテジーが使用されていたとすれば実行されたはずの修正に実質的に近づくように修正を変更するステップと、を含む、方法。基板の露光中に前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の差が決定され、前記差を使用して修正が調整される、請求項43に記載の方法。前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の差を決定するために、少なくとも1つの基準基板から読み出したオーバレイ測定値と、前記少なくとも1つの基準基板の露光プロセスで前記リソグラフィ装置によって測定された前記アライメントデータと、に前記第1のアライメントストラテジーが与える影響を決定するステップと、前記第2のアライメントストラテジーと前記リソグラフィ装置によって測定されたアライメントデータとの情報から、前記少なくとも1つの基準基板の露光に第2のアライメントストラテジーが使用されていたとすれば前記第2のアライメントストラテジーが実行するはずの修正を決定するステップと、が実行される、請求項44に記載の方法。前記第2及び第1のアライメントストラテジーの使用の影響の差は、前記スキャン制御モジュールによって決定される、請求項44又は45に記載の方法。前記第2及び第1のアライメントストラテジーの使用の影響の決定された差は、量産基板の露光中に適用可能にするために、前記リソグラフィ装置の他の要素に利用可能にされる、請求項46に記載の方法。幾つかの所定のアライメントストラテジーの使用の影響と、前記第1のアライメントストラテジーの使用の影響と、の差が決定され、適宜、適用するために前記リソグラフィ装置の他の要素に利用可能にされる、請求項46に記載の方法。前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の決定された差は、前記スキャン制御モジュールによって使用され、前記ベースライン制御パラメータが調整される、請求項46に記載の方法。前記第2及び第1のアライメントストラテジーの影響の差は、前記リソグラフィ装置内に含まれる前記スキャン制御モジュールとは別のコントローラによって決定される、請求項44又は45に記載の方法。複数の基準基板が使用され、同じアライメントストラテジーを用いて前記複数の基準基板の各々が露光される、請求項43から50のいずれか1項に記載の方法。前記基準基板上のアライメントマークは、量産基板上のアライメントマークとできる限り整列する、請求項51に記載の方法。前記基準基板の各々の露光期間は、量産基板の各々の露光期間と実質的に同様である、請求項52に記載の方法。2つの組の複数の基準基板が使用され、前記第1のアライメントストラテジーを用いて前記第1の組の基準基板の各々が露光され、多数のアライメントマークを用いて前記第2の組の基準基板の各々が露光されて、前記アライメント装置の基準格子が正確にマッピングされる、請求項43から50のいずれか1項に記載の装置。前記第1の組の基準基板を用いてオーバレイ情報が入手され、前記第2の組の基準基板を用いて前記アライメント装置のパラメータドリフトに関する情報が入手される、請求項54に記載の方法。前記第1の組の基準基板の各々の露光期間は、量産基板の各々の露光期間と実質的に同様であり、前記第2の組の基準基板の各々の露光期間は、それほど制限されていない、請求項54又は55に記載の方法。0020本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ1つ以上の実施形態を開示する。開示された実施形態は本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は、開示された実施形態に限定されない。本発明は、添付の特許請求の範囲によって規定される。0021記載された実施形態、及び本明細書で一実施形態、ある実施形態、例示的実施形態などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。0022本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組合せで実施してもよい。また、本発明の実施形態は、1つ以上のプロセッサによって読み出して実行することができる機械読み取り可能媒体に格納された命令として実施してもよい。機械読み取り可能媒体は、機械例えば、コンピュータ装置が読み取れる形式で情報を記憶又は伝送できる任意の機構を含んでもよい。例えば、機械読み取り可能媒体は、読取専用メモリROM、ランダムアクセスメモリRAM,磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音声信号及びその他を含んでもよい。さらに、本明細書に一定の動作を実行するファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を記載してもよい。しかし、そのような記載は便宜のためだけであり、そのような動作は、実際には、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行するコンピュータ装置、プロセッサ、コントローラ、又はその他のデバイスによって行われる。0023このような実施形態を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが有用であろう。0024図1は、本発明の実施形態で使用できるリソグラフィ装置の例を概略的に示す。この装置は、放射ビームB例えばUV放射又はDUV放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMTと、基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ以上のダイを含むに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSと、を含む。0025照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。0026支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支えている。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムPSなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0027本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、例えば集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。0028パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。0029本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なすことができる。0030本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。0031リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル及び/又は2つ以上のマスクテーブルを有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に1つ以上のテーブルで予備プロセスを実行することができる。0032リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する液浸という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。0033図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0034イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するように設定されたアジャスタADを含んでいてもよい。通常、イルミネータILの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調節することができる。また、イルミネータILは、例えば、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを含んでいてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。0035放射ビームBは、マスク支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクMAを横断した放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2の位置決めデバイスPW及び位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサの助けにより、基板テーブルWTを、例えば様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第1の位置決めデバイスPMと別の位置センサ図1には明示されていないを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めできる。一般に、マスクテーブルMTの移動は、第1の位置決めデバイスPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。同様に、基板テーブルWT又は基板支持体の移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして知られている。同様に、マスクMA上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。0036図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用することができる。00371.ステップモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。00382.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分のスキャン方向における高さが決まる。00393.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。この別のモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプの例えばプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。0040上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0041図2に示すように、本発明の実施形態で使用することができるリソグラフィ装置LAは、リソセル又はクラスタとも呼ばれることがあるリソグラフィセルLCの一部を形成し、それは基板上で露光前及び露光後プロセスを実行する装置も含む。従来、これらはレジスト層を堆積させるスピンコータSC、露光されたレジストを現像する現像器DE、チルプレートCH及びベークプレートBKを含む。基板ハンドラ、すなわちロボットROは入力/出力ポートI/O1、I/O2から基板を取り上げ、それを様々なプロセス装置間で移動させ、次にそれらをリソグラフィ装置のローディングベイLBに送出する。多くの場合まとめてトラックと呼ばれるこれらのデバイスは、トラック制御ユニットTCUの制御下にあり、それ自体は監視制御システムSCSによって制御され、それはリソグラフィ制御ユニットLACUを介してリソグラフィ装置も制御する。したがってスループット及び処理の効率を最大化するために様々な装置を動作させることができる。0042リソグラフィ装置によって露光される基板が正確かつ一貫して確実に露光されるように、露光した基板を検査し、後続層間のオーバレイ誤差、ラインの太さ、クリティカルディメンションCDなどのような特性を測定することが望ましい。誤差が検出された場合は、特に同じバッチの他の基板がまだ露光されないほど十分即座にかつ高速で検査を実行できる場合は、後続基板の露光を調節することができる。また、既に露光した基板を歩留まりを改善するために取り外して再加工するか、又は廃棄し、それにより欠陥があることが分かっている基板で露光を実行するのを回避することができる。基板の幾つかのターゲット部分のみに欠陥がある場合、良好であると見なすそれらのターゲット部分のみでさらなる露光を実行することができる。0043基板の特性を、特に異なる基板又は同じ基板の異なる層の特性が層ごとにいかに変化するかを決定するために、検査装置が使用される。検査装置をリソグラフィ装置LAに組み込むことができる、又はリソセルLCは独立型デバイスとすることができる。迅速な測定を可能にするために、検査装置は露光直後に露光したレジスト層の特性を測定することが望ましい。しかし、レジストの潜像はコントラストが非常に低く、放射に露光してあるレジストの部分と露光していない部分との間には屈折率の非常に小さい差しかないすべての検査装置が、潜像を有用に測定するほど十分な感度を有しているわけではない。したがって、露光後ベークステップPEBの後に測定を実行することができ、これは通常は露光した基板で実行する最初のステップであり、レジストの露光部分と非露光部分との間のコントラストを増大させる。この段階で、レジストの像を半潜像と呼ぶことができる。現像したレジスト像でその時点でレジストの露光部分又は非露光部分は除去されている又はエッチングなどのパターン転写ステップの後で測定することも可能である。後者の見込みは、欠陥がある基板を再加工する見込みを制限するが、それでも有用な情報を提供することができる。0044図3は、本発明の実施形態に使用できるスキャトロメータの例を示す。このスキャトロメータは、放射を基板Wに投影する広帯域白色光放射プロジェクタ2を含む。反射した放射はスペクトロメータ検出器4へと渡され、これは鏡面反射した放射のスペクトル10波長の関数としての強度を測定する。このデータから、検出されるスペクトルを生じる構造又はプロファイルを処理ユニットPUにより例えば、RigorousCoupledWaveAnalysis及び非線形回帰により、又は図3の下部に図示されたようなシミュレートしたスペクトルのライブラリとの比較により再構成することができる。概して、再構築するために構造の全体的形状を知り、幾つかのパラメータは、構造を作成したプロセスの知識から仮定して、スキャトロメータのデータから決定するべき構造のパラメータはわずかしか残らない。このようなスキャトロメータは、垂直入射スキャトロメータ又は斜め入射スキャトロメータとして構成することができる。0045本発明のある実施形態で使用できる別のスキャトロメータが、図4に示されている。このデバイスでは、放射源2によって放出された放射が、レンズシステム12を使用してコリメートされ、干渉フィルタ13及び偏光子17を通して伝達され、部分反射面16によって反射して、好ましくは少なくとも0.9、さらに好ましくは少なくとも0.95の高い開口数NAを有する顕微鏡の対物レンズ15を介して基板Wに集束する。液浸スキャトロメータは、開口数が1を超えるレンズを有することさえある。反射した放射は次に、散乱スペクトルを検出させるために部分反射する面16を通って検出器18内に伝達される。検出器は、レンズシステム15の焦点距離にある逆投影された瞳面11に位置付けることができるが、瞳面は、代わりに補助光学系図示せずで検出器に再結像することができる。瞳面は、放射の半径方向位置が入射角度を画定し、角度位置が放射の方位角を画定する面である。検出器は、基板ターゲット30の2次元角度散乱スペクトルを測定できるように、2次元検出器であることが好ましい。検出器18は、例えばCCD又はCMOSセンサのアレイでよく、例えば1フレーム当たり40ミリ秒の積分時間を使用することができる。0046例えば、入射放射の強度を測定するために、基準ビームを使用することが多い。そのために、放射ビームがビームスプリッタ16に入射すると、その一部がビームスプリッタを通って基準ビームとして基準ミラー14に向かって伝達される。次に、基準ビームは同じ検出器18の異なる部分へ又は代替的に異なる検出器図示せず上へと投影される。0047例えば405~790nm又はさらに低く、200~300nmなどの範囲の対象となる波長を選択するために、1組の干渉フィルタ13が使用可能である。干渉フィルタは、1組の様々なフィルタを備えるのではなく、調整可能とすることができる。干渉フィルタではなく格子を使用することができる。0048検出器18は、1つの波長又は狭い波長範囲で散乱光の強度を、複数の波長で別個に、又はある波長範囲にわたって積分された強度を測定することができる。さらに、検出器は横方向磁気光及び横方向電気分極光の強度及び/又は横方向磁気光と横方向電気分極光の位相差を別個に測定することができる。0049広帯域光源すなわち光の周波数又は波長の範囲が広い光源を使用することが可能であり、これは大きいエタンデュを生じ、複数の波長を混合できるようにする。広帯域の複数の波長は、好ましくはそれぞれΔλの帯域幅及び少なくとも2Δλすなわち帯域幅の2倍の間隔を有する。幾つかの放射源は、ファイバ束を使用して分割されている延在した放射源の様々な部分でもよい。この方法で、角度分解散乱スペクトルを複数の波長で平行して測定することができる。3次元スペクトル波長と2つの異なる角度を測定することができ、これは2次元スペクトルより多くの情報を含む。これによって、より多くの情報を測定することができ、それはメトロロジープロセスのロバスト性を高める。このことは、参照により全体を本明細書に組み込むものとするEP1,628,164Aでさらに詳細に説明されている。0050基板W上のターゲット30は、現像後にバーが実線のレジスト線で形成されるように印刷される1D格子であってもよい。ターゲット30は、現像後に格子が実線のレジストピラー又はレジスト内のビアで形成されるように印刷される2D格子であってもよい。あるいはバー、ピラー又はビアを基板内にエッチングしてもよい。このパターンは、リソグラフィ投影装置、特に投影システムPL内の色収差の影響を受けやすく、このような収差の照明対称と存在は印刷された格子の変化に現れる。したがって、印刷された格子のスキャトロメトリデータを用いて格子が再構築される。線幅及び形状などの1D格子のパラメータ、又はピラー又はビア幅又は長さ又は形状などの2D格子のパラメータを、印刷ステップ及び/又はその他のスキャトロメトリプロセスの情報から、処理ユニットPUによって実行される再構築プロセスに入力することができる。0051正確なリソグラフィの主要なコンポーネントの1つがリソグラフィスキャナとスキャン機能の制御能力の向上であるスキャナと言う場合、本明細書に記載するスキャンモードすべてと、機能並びにその他のスキャン機能を含むと解釈されたい。スキャナの合焦とオーバレイ層同士のアライメントの均一性が本出願人のBaseliner商標スキャナ安定性モジュールによって最近改良され、所与のフィーチャサイズとチップ用途のためのプロセスウィンドウが最適化され、より小さくより先進のチップの継続的な作成が可能になった。0052リソグラフィシステムは、最初の設置の時点で較正して最適な動作を確保しなければならない。しかし、時間と共に、システムの性能パラメータはドリフトする。少量のドリフトには耐えられるが、ドリフトがあまり大きくなるとシステムは仕様に適合しなくなる。したがって、製造業者は、再較正のために製造を周期的に停止しなければならない。システムの較正の頻度を上げるとプロセスウィンドウが拡大するが、その結果、予定の停止時間が増加することになる。0053他の利益の中でもとりわけ、スキャナ安定性モジュールは、上記の生産停止を大幅に低減する。ある実施形態では、スキャナ安定性モジュールは、定期的に通常、数日おきに事前定義されたベースラインへ向けてシステムを自動的に駆動する。これを実行するために、スキャナ安定性モジュールは、メトロロジーツールを用いて1つ以上のモニタウェーハから得た標準測定値を検索する。モニタウェーハは、特別のスキャトロメトリマークを含む特別のレチクルを用いて露光される。当日の測定値から、スキャナ安定性モジュールは、システムがそのベースラインからどの位ドリフトしたかを決定する。次に、スキャナ安定性モジュールは、ウェーハレベルのオーバレイと合焦修正セットを計算する。次に、リソグラフィシステムは、これらの修正セットを後続の量産ウェーハ上の露光ごとの特定の修正値に変換する。0054大量生産の場合、スキャナに露光のための層を割り当てる際に十分な融通性を有することが望ましい。代替案の層とスキャナの専用使用によって毎月の出力容量は危険に曝される。これは、リソクラスタのほんのわずかな擾乱のその月の出力に直接出現するからである。このリスクを克服する既知の方法の1つは、いわゆるオーバレイ格子マッチングである。すべてのスキャナがオーバレイに多少とも同じ平均格子を有するように、すべてのスキャナ格子は、意図的にわずかにオフセットされている。この格子は、多くの場合、ホリー又はゴールデン格子と呼ばれる。これで各々の製品層を同じタイプの各スキャナ上で露光することができる。ゴールデン格子は露光され、いわゆる基準ウェーハ上にエッチングされる。これらのゴールデンマッチングウェーハがランダムモニタリングウェーハの代わりにオーバレイ安定性制御のためのベースラインとして使用される場合、オーバレイ格子マッチング及び長期安定性は単一の自動化ステップで達成することができる。0055図5は、スキャナ安定性モジュール500この例では基本的にサーバ上で実行されるアプリケーションを組み込んだ総合リソグラフィ及びメトロロジー方法のある実施形態を示す。図はまた、3つのメインプロセス制御ループを示す。ある実施形態では、第1のループは、スキャナ安定性モジュール500とモニタウェーハを用いた局所スキャナ制御を提供する。図示のモニタウェーハ505は、メインリソグラフィユニット510から渡され、露光されて合焦及びオーバレイのベースラインパラメータを設定する。後で、メトロロジーユニット515は、これらのベースラインパラメータを読み込み、これらのパラメータはスキャナ安定性モジュール500によって解釈され、修正ルーチンが計算され、スキャナフィードバック550が提供され、これがメインリソグラフィユニット510へ渡され、さらに露光が実行される際に使用される。0056ある実施形態では、第2の高度プロセス制御APCループは、製品上の局所スキャナ制御合焦、ドーズ量、及びオーバレイを決定する用である。露光された製品ウェーハ520は、メトロロジーユニット515へ渡され、例えば、そこでクリティカルディメンション、側壁角及びオーバレイに関連する情報が決定され、高度プロセス制御APCモジュール525上へ渡される。このデータは、スキャナ安定性モジュール500へも渡される。製造実行システムMES535が引き継ぐ前にプロセス修正540が実行され、スキャナ安定性モジュール500と連通するメインリソグラフィユニット510へのスキャナ制御が提供される。0057ある実施形態では、第3のループは、第2のAPCループへのメトロロジーの統合例えば、二重パターニングのためのを可能にする。エッチング後のウェーハ530は、メトロロジーユニット515へ渡され、メトロロジーユニット515は、例えばウェーハから読み取ったクリティカルディメンション、側壁角及びオーバレイに関する情報を再度高度プロセス制御APCモジュールへ渡す。ループは、第2のループ同様に連続する。0058図6は、装置が2重の基板支持体と別々のメトロロジー及び露光ステーションを有する図1の装置の一実施形態の構成を概略的に示す。0059ベースフレームFBは、地上の装置を支持し取り囲む。装置内では、正確な位置基準としての役割を果たすメトロロジーフレームFMが、この環境でそれを振動から隔離するエアベアリング602上に支持されている。このフレーム上には、普通は露光ステーションEXPの中核を形成する投影システムPSと、メトロロジーステーションMETの機能要素である機器604、606、608とが装着されている。これらのステーションの上方には、マスクテーブルMT及びマスクMAが投影システムPSの上に装着されている。第1のポジショナPMは、上記ロングストローク粗アクチュエータ610と、ショートストローク微細アクチュエータ612、614とを備える。これらはアクティブフィードバック制御を用いて投影システムPS、したがって、メトロロジーフレームFMに対するマスクMAの所望の位置を得る。この測定の概略を616に示す。マスクMAの位置決め機構全体がアクティブエアベアリング618などによってB点でベースフレーム上に支持されている。フレーム及びその他のコンポーネントへ伝達される振動を低減するために、少なくともマスクテーブルMTの粗い運動及び位置決めを模倣するバランスマス620が提供される。低周波のサーボ制御は、バランスマス620を所望の平均位置に維持する。投影システムの下に示すウェーハテーブルWTも同様に、投影システムPSの出口レンズに対して基板Wを正確に位置決めする粗アクチュエータ622と微細アクチュエータ624、626を有する。さらに、この例のデュアルステージ構成によれば、重複ウェーハテーブルWT’と位置決め機構PW’が提供される。図示のように、これらの重複要素はメトロロジーステーションMETで第2の基板W’を支持する。ウェーハテーブルWT、WT’及びそれぞれのポジショナPW及びPW’は、共有バランスマス628上に担持され、かつそれに接続されている。さらに、エアベアリング、又は磁気、静電などのその他の好適な軸受を例として630に概略的に示す。ウェーハW及びW’の位置の粗及び微細制御に用いるウェーハテーブル位置の測定がメトロロジーステーションの要素606と露光ステーションのPSとに対して実行され、それら両者が最終的にはメトロロジーフレームFMを基準とする。0060図7は、本発明のある実施形態による図6のツインステージ装置内で基板W上のダイを露光するステップを示す。点線のボックス内の左側にはメトロロジーステーションMETで実行されるステップ、右側には露光ステーションEXPで実行されるステップが示されている。露光ステーションには基板Wがすでに装着されている。新しい基板W’が図示しない機構によってステップ700で装置に装着される。メトロロジープロセスの全体のスループットを増加させるためにこれら2つの基板が並列処理される。新たに装着された基板W’について言えば、これは装置内の初回の露光用の新しいフォトレジストで作成された未処理の基板であってもよい。しかし、一般に、記載するリソグラフィプロセスは一連の露光及び処理ステップの1つのステップに過ぎず、基板W’はこの装置及びその他のリソグラフィをすでに数回通過しており、さらにそれらに後続のプロセスが実行されてもよい。702で、基板マークP1及び画像センサIAS1などを用いたアライメント測定値を使用して基板テーブルWTに対する基板のアライメントを測定し記録することができる。実際、基板W’全体にわたる幾つかのマークが測定されて、名目の正規格子に対する任意の歪を含む、基板全体にわたるマークの分布を非常に正確にマッピングするウェーハ格子が確立される。ステップ704で、露光パターンの正確な合焦で使用するX-Y位置に対するウェーハ高さのマップも測定される。0061基板W’が装着されると、レシピデータ706が受領され、実行する露光と、ウェーハの特性と以前に作成されまたその上に作成されるパターンと、を定義する。これらのレシピデータに702、704で測定された測定値が追加され、レシピ及びメトロロジーデータ708の完全なセットを露光ステージに渡すことができる。710で、ウェーハW’とWがスワップされ、測定された基板W’が露光装置に進入する基板Wになる。このスワッピングは装置内のWTとWT’の交換によって実行されるため、基板W、W’はクランプされた状態を正確に保ち、これらの支持体上に位置して、基板テーブルと基板自体との相対的なアライメントが維持される。したがって、テーブルがスワップされると、投影システムPSと基板テーブルWT以前はWT’との間の相対位置を決定するだけで、露光ステップの制御下の基板W以前はW’の測定情報702、704を利用できるようになる。ステップ712で、マスクアライメントメークM1、M2を用いてレチクルアライメントが実行される図3C。ステップ714、716、718で、幾つかのパターンの露光を完了するために、基板W全体にわたる連続するダイの場所にスキャン運動と放射パルスとが印加される。アライメントとレベルマップデータとのおかげで、これらのパターンは所望の場所、特に、同じ基板上に先に実装されたフィーチャに対して正確に整列する。現在WIIのラベルが付いた露光された基板がステップ720で装置から取り外され、露光されたパターンに従ってエッチング又はその他のプロセスにかけられる。0062別々の基板テーブルを採用することで、露光ステージによる基板スループットに関する装置の性能が維持され、一方で、比較的時間がかかる一組の測定を実行してウェーハと以前にウェーハ上に蒸着されたパターンとを特徴付けることができる。他方、各々がそれぞれのポジショナPW、PW’センサを備えたデュアルステージの提供は、装置のコストを大幅に増加させる。さらに、ステップ702、704での測定の性能と上記測定を用いたステップ714、716、718での最終的な露光との間には明確な時間間隔例えば、30~60秒があるため、基板寸法とその位置が全体的かつ局所的に露光前に変化し格子ドリフト、アライメントの精度の低下オーバレイエラーを引き起こすリスクが発生する。特に、装置の内外の環境の温度は極めて慎重に制御されているが、30秒程度の時間間隔で発生する微小な温度変化でもウェーハ上に実装されたパターンの歪を引き起こすのに十分である。0063ある実施形態では、スキャナ安定性モジュール製品の定義は、製品上のオーバレイに関する調整についてスキャナを制御するためにオーバレイデータ上記のタイプの検査装置によって測定されるだけが使用されることを前提とする。これは、スキャナ安定性モジュールが、測定側MET側の格子ドリフトによるアライメントエラーと測定側格子に対する露光側格子の相対的なドリフトによる露光エラーの両方の組合せの影響をモニタ/制御できるが、2つの影響を分離することはできないということを意味する。0064同じ測定側の格子ドリフトでも、異なるアライメントストラテジーすなわち、マークの数、マークの位置、及びアライメントモデルを用いる異なる露光でアライメントエラーが異なることがあることに留意されたい。0065すべてのオーバレイクリティカルな顧客の製品上の露光が同様のアライメントマーク分散及びアライメントモデルを用いて実行される場合、この問題は、測定側格子の影響を打ち消す効果があるスキャナ安定性モジュールのモニタウェーハの同等のアライメントストラテジーを用いて緩和することができる。0066しかし、製品ごとに別のアライメントストラテジーを用いる例えば、ある層には高次ウェーハ整列モデル、別の層には線形モデルを用いる場合、単一のスキャナ安定性モジュール制御スレッドではスキャナを完全に制御できず、各々が対応する製品群について顧客が用いるアライメントストラテジーに似たアライメントストラテジーを有する複数のスレッドを使用する必要がある。0067しかし、各スキャナに複数のスキャナ安定性モジュールスレッドを使用することは、スキャナ及び検査装置の両方の利用可能性に悪影響を与え、製造の自動化を複雑にする。さらに、各製品に適合する複数のスレッドの必要性は、顧客の製品/プロセスをスキャナ制御から切り離すというスキャナ安定性モジュールの概念の主要な利点を否定することになる。0068この問題を扱う1つの方法は、スキャナ安定性モジュールの機能にアライメントに関する影響の制御を含むことである。これによって、製品上の露光で用いる異なるアライメントストラテジーの数にかかわらずスキャナ当たり単一のスキャナ安定性モジュールスレッドを実行することができる。0069これを達成するために、スキャナ安定性モジュールのモニタウェーハを用いて測定側格子情報を収集することができる。特に、例えば、モニタウェーハにエッチングされたすべての測定されたアライメントマークの座標とモニタウェーハを露光するために用いるアライメントモデルの説明などのスキャナ装置が生成するアライメント情報をスキャナ安定性モジュールコントローラが利用できるようにする必要がある。これによって、スキャナ安定性モジュールは、測定側スキャナの格子ドリフトを測定し、顧客がモニタウェーハ露光のためのストラテジーとは異なるアライメントストラテジーを使用するときでも、製品上のオーバレイへの影響を計算することができる。0070これを実行するための4つの主要な実施形態について説明する。第1の実施形態は顧客が使用するアライメントストラテジーにかかわらずすべてのモニタウェーハで同じアライメントストラテジーを使用する。これは、以下にモニタアライメントストラテジーと呼ぶ固定された簡単なアライメントモデルを使用する。0071スキャナは、ウェーハ上の印刷されたアライメントマークの位置を測定することでウェーハの形状をモデリングするウェーハは処理による屈曲及び/又は理想的でないクランプによって平坦でない場合がある。大半の顧客は、通常、約20個のアライメントマークを測定し、6パラメータ線形ウェーハ形状モデル例えば、平行移動x、平行移動y、対称回転rs、非対称回転ra、対称拡大ms、非対称拡大maを適合させる。顧客によっては4パラメータモデル例えば、平行移動x、平行移動y、対称回転rs、対称拡大msを使用する。ウェーハの実際の形状の適合精度は、測定されるアライメントマークの数を増やしこれは測定ノイズを有効に低減する、高次モデルを使用する実際のウェーハ形状とモデル適合との不一致を低減することで向上する。しかし、測定可能なアライメントマークの数の増加はウェーハがスループットを低減しないために、リソグラフィ装置の測定側で費やせる時間時間当たりの露光ウェーハ数によって制限される。0072異なる顧客は、製品特有のレイアウト制限に応じてその異なる製品に異なるアライメントマーク位置を使用する。スキャナ安定性モジュールは、例えば、可能な限り多数の顧客製品のためのアライメント結果を予測するのに十分なアライメントマークを測定しなければならない。特に、スキャナ安定性モジュールは、顧客製品上のアライメントマークが位置する全位置の付近のアライメントマークを測定しなければならない。0073露光側で露光される直前にスキャナ装置の測定側の各ウェーハについてアライメントデータが測定される。スキャナは、アライメントデータを用いてXY方向のウェーハ形状歪を計算し、オーバレイ改良のために露光中に歪を補償する。これは、モニタウェーハにも当てはまる。この手順の主要なステップは以下の通りである。アライメントマークが測定される。前のステップで測定された生のアライメントデータによって固定の簡単なアライメントモデルを適合させることでウェーハ歪がウェーハごとに計算されるモニタアライメントストラテジー。XY方向のウェーハ歪を補償するためにモデリングデータを用いて露光ルーティングが調整される。ウェーハが露光される。0074次に、検査装置/スキャトロメータオフラインを用いて、モニタウェーハ上のオーバレイが測定される。このオーバレイデータに基づいて、モニタウェーハの露光に用いるアライメントストラテジーすなわち、モニタアライメントストラテジーのためにスキャナベースライン定数SBC:スキャナ安定性モジュールのベースラインを定義するパラメータが計算される。モニタウェーハからスキャナによって測定されたアライメントデータ及び既知のアライメントストラテジーに基づいて、モニタアライメントストラテジーと異なる顧客製品モデルのために使用されるアライメントストラテジーとの間の差異によって引き起こされるオーバレイへの影響を計算することができる。顧客製品が同じアライメントストラテジーを用いる場合、モニタウェーハ上で測定されるスキャナが原因のオーバレイエラーも顧客製品を表す。0075しかし、顧客製品が異なるアライメントマークを用いる場合、以下のステップを実行しなければならない。モニタウェーハの露光前にスキャナによって測定された同じアライメントデータを用いてモニタウェーハに顧客製品アライメントストラテジーが用いられたとすると、顧客製品アライメントストラテジーは実行したはずの修正を計算する。2つのアライメントストラテジーの差を計算し、同じアライメントストラテジーを用いる各製品群を露光するときにこの計算された差をスキャナが利用できるようにする。あるいは、計算された差を顧客が利用できるようにし、又はこれを用いて製品ロットを露光する前にスキャナ安定性モジュールのSBCパラメータが自動的に調整される。0076事前定義されたアライメントストラテジーの組についてアライメントストラテジー間の差がコントローラによって計算でき、例えば、修正のアレイの形でスキャナがこれを利用できる。これによって、スキャナは顧客製品を露光するときに適当なアレイを適用できるここで、製品に使用されるアライメントストラテジーと修正を計算するアライメントストラテジーとを比較することで選択を実行できる。0077第2の実施形態では、モニタウェーハが、各々が以下のステップを含む専用のアライメントストラテジーを用いる2つのジョブとして露光される。すなわち、簡単なアライメントストラテジーが第1のジョブに使用される例えば、上記第1の実施形態に記載したように、上記スキャナ安定性モジュールウェーハの測定-露光タイミングが量産ウェーハのそれと同様であることを確認するステップ。このジョブの目的は、スキャトロメータを介してオーバレイ情報を提供することである。第2のジョブにはフルアライメントが使用される測定-露光タイミングに関する製品設定からの偏差を必要とするか否かにかかわらず、必要なだけ多数のアライメントマークを用いて、スキャナの測定側格子を正確にマッピングするステップ。このジョブの目的は、測定側格子ドリフトに関する情報を収集することである。0078検査装置/スキャトロメータオフラインを用いて、第1のジョブから得たモニタウェーハ上のオーバレイが測定される。このオーバレイデータに基づいて、スキャナベースライン係数SBCがモニタウェーハの第1のジョブを露光するときに用いるアライメントストラテジーに関して計算される。0079第2のジョブから得たスキャナによって測定されたアライメントデータに基づいて、スキャナ安定性モジュールコントローラは顧客アライメントモデルの各々とモニタウェーハの第1のジョブに使用されるアライメントモデルとの差を第1の実施形態と同様の方法で計算し、次に、計算された差を顧客が利用可能にし、又は顧客製品ロットのために使用されるアライメントストラテジーに応じて、製品ロットを露光する前にスキャナ安定性モジュールのSBCパラメータを自動的に調整する。0080この例では、第2のジョブで得たモニタウェーハを用いて、例えば、フィールド内指紋又は合焦に関連する誘発された測定-露光のタイミングの差に左右されないパラメータの追加のスキャナ固有の情報を収集することができる。0081第1の実施形態では、タイミングは制約要因であるため、限られた数のマークだけが測定できる。その結果、モニタウェーハ上で測定されたアライメントマークから遠く離れた位置にあるマークに整列する顧客製品があってもよい。これは、非ネイティブモニタアライメントデータを用いる顧客製品アライメントストラテジーの影響を計算する際に重大なエラー源になるおそれがある。非ネイティブアライメントデータとは、顧客のアライメントマーク位置での実際のアライメント測定値を使用するのではなく、モニタアライメントマーク位置で測定したアライメントデータを使用するという意味である。これは、モニタアライメントデータすなわち、モニタアライメントストラテジーに対応するアライメントマークの位置の測定値が様々なアライメントマーク位置を使用する顧客アライメントストラテジーの影響を計算するために使用されるからである。これによって精度の低下が発生する。0082これとは対照的に、第2の実施形態では、ウェーハタイミングは重要でないため、アライメントマークの極めて稠密なサンプリングを達成できる。したがって、任意の顧客アライメントマーク位置の付近にあり、それを表すモニタアライメントマークが常に見つかるため、この問題は緩和される。モニタウェーハ上で測定されるとは限らない顧客アライメントマーク位置と、測定されたモニタアライメントマーク位置と、が互いに近い場合、顧客アライメントマーク位置のためのモニタマーク位置上で測定されるモニタアライメントデータの使用が小さい補間エラーを引き起こす。ここで別の方法をとることができる。すなわち、最も近い隣接位置のデータを使用する、又は顧客マーク位置の周囲の複数の測定されたアライメント位置の平均を使用できる。0083第3の実施形態は第1の実施形態と同様であるが、スキャナがスキャナ安定性モジュールコントローラ内のアライメントモデルの差を計算する代わりに、モニタウェーハの露光中に収集した生のアライメントデータを用いて測定側格子ドリフトが顧客ロットに与える影響を計算する。同様に、第4の実施形態は第2の実施形態と同様であるが、スキャナを用いて、モニタウェーハの第2のジョブの露光中に収集した生のアライメントデータを用いて測定側格子ドリフトが顧客ロットに与える影響を計算する。0084モニタアライメントストラテジーとは異なるアライメントストラテジーを使用する顧客製品の各グループについて上記方法を実行することで、モニタウェーハを露光するために使用されてきた顧客製品アライメントストラテジーであったかのように状況を仮想的にモデリングすることができる。0085本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。0086光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。0087本明細書で使用する放射及びビームという用語は、例えば、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線UV放射例えば、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有する及び極端紫外線光EUV放射例えば、5nm~20nmの範囲の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。0088レンズという用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。0089以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとることができる。0090上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような実施形態を変更できることが当業者には明らかである。0091なお、発明の概要及び要約書の項ではなく、発明を実施するための形態の項を用いて特許請求の範囲を解釈するように企図されていることを理解されたい。発明の概要及び要約書の項は、発明者が考える本発明の1つ以上の例示的実施形態を記載できるがそのすべては記載できないため、本発明及び添付の特許請求の範囲を決して限定するものではない。0092以上、特定の機能及びそれらの関係の実施態様を示す機能ビルディングブロックを使用して本発明の実施形態について説明した。本明細書においては、これらの機能ビルディングブロックの境界は、説明の便宜上、任意に画定されている。特定の機能及びそれらの関係が適切に実施される限り、代替境界を画定することもできる。0093特定の実施形態についての上記説明は、本発明の一般的な性質を余すところなく開示しており、したがって当業者は、当分野における知識を適用することにより、不適切な過度の実験作業を必要とすることなく、また、本発明の一般概念から逸脱することなく、様々な用途のためにこのような特定の実施形態に容易に修正を加え、及び/又は適合させることができる。したがって、このような適合及び修正は、開示されている実施形態の、本明細書において示されている教示及び手引きに基づく同等物の意味及び範囲内に含まれることが意図されている。本明細書における表現又は用語は、説明を目的としたものであって本発明を限定するためのものではなく、したがって本明細書の用語又は表現は、当業者によって、教示及び手引きに照らして解釈されるべきものであることを理解されたい。0094本発明の実施形態の広さ及び範囲は、上で説明したいずれの例示的実施形態によっても限定されず、唯一添付の特許請求の範囲及びそれらの同等物によってのみ定義されるものとする。"