"基板と、前記基板の上方に支持されている可動部と、前記可動部に設けられている可動電極部と、前記基板の主面に設けられ、且つ、前記可動電極部に対向して配置されている固定電極部と、を備え、前記固定電極部は、前記基板の前記主面に設けられている固定電極用配線に接続され、前記可動電極部は、前記可動部を介して、前記基板の前記主面に設けられている可動電極用配線に接続され、前記固定電極用配線と前記可動電極用配線との間の少なくとも一部には、シールド部が設けられていることを特徴とする物理量センサー。請求項1に記載の物理量センサーにおいて、前記固定電極部は、前記可動電極部の一方の側に配置された第1固定電極部と、他方の側に配置された第2固定電極部と、を有し、前記固定電極用配線は、第1配線と第2配線とを含み、前記第1固定電極部は、前記第1配線に接続され、前記第2固定電極部は、前記第2配線に接続され、前記第1配線及び前記第2配線の間の少なくとも一部には、前記シールド部が設けられていることを特徴とする物理量センサー。請求項1または請求項2に記載の物理量センサーにおいて、前記基板は、絶縁材料が用いられ、前記可動部、前記可動電極部、及び前記固定電極部は、半導体材料が用いられていることを特徴とする物理量センサー。請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、前記シールド部は、前記可動部、前記可動電極部、及び前記固定電極部と同一材料が用いられていることを特徴とする物理量センサー。請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、前記基板の前記主面には、複数の凹部が設けられ、前記凹部の各々の内部に前記固定電極用配線及び前記可動電極用配線が設けられていることを特徴とする物理量センサー。請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の物理量センサーを備えたことを特徴とする電子機器。特許文献1によれば、上記物理量センサーは、容量変化検出型であって、第1の固定電極からの配線以下、第1配線という及び第2の固定電極からの配線以下、第2配線というが、半導体基板の一方の面に設けられ、第1の固定電極及び第2の固定電極の電位を外部に取り出すことが可能な構成となっている。上記物理量センサーは、小型化を図るために、第1配線と第2配線とを互いに近接して設ける必要があることから、第1配線と第2配線との間の寄生容量浮遊容量が増大する虞がある。これにより、上記物理量センサーは、検出した本来の静電容量に、増大した上記寄生容量が付加されてしまうことから、容量変化検出型の物理量センサーとしての検出精度などの検出特性が劣化する虞がある。この結果、上記物理量センサーは、物理量検出における信頼性を損なう虞がある。特に、差動検出方式の物理量センサーの場合、固定電極の配線と可動電極の配線間の寄生容量を減らすことが課題となっている。本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかる物理量センサーは、基板と、前記基板の上方に支持されている可動部と、前記可動部に設けられている可動電極部と、前記基板の主面に設けられ、且つ、前記可動電極部に対向して配置されている固定電極部と、を備え、前記固定電極部は、前記基板の前記主面に設けられている固定電極用配線に接続され、前記可動電極部は、前記可動部を介して、前記基板の前記主面に設けられている可動電極用配線に接続され、前記固定電極用配線と前記可動電極用配線との間の少なくとも一部には、シールド部が設けられていることを特徴とする。これによれば、物理量センサーは、固定電極部が固定電極用配線に接続され、可動電極部が可動部を介して、可動電極用配線に接続され、固定電極用配線と可動電極用配線との間の少なくとも一部には、シールド部が設けられている。これにより、物理量センサーは、物理量検出時における固定電極用配線と可動電極用配線との間の寄生容量が、シールド部によって低減されることから、検出した静電容量値と本来の静電容量値との誤差を少なくすることができる。したがって、物理量センサーは、検出精度などの検出特性を向上させることができる。この結果、物理量センサーは、物理量検出における信頼性を向上させることが可能となる。[適用例2]上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記固定電極部は、前記可動電極部の一方の側に配置された第1固定電極部と、他方の側に配置された第2固定電極部と、を有し、前記固定電極用配線は、第1配線と第2配線とを含み、前記第1固定電極部は、前記第1配線に接続され、前記第2固定電極部は、前記第2配線に接続され、前記第1配線及び前記第2配線の間の少なくとも一部には、前記シールド部が設けられていることが好ましい。これによれば、物理量センサーは、固定電極用配線の第1配線と第2配線との間の少なくとも一部に、シールド部が設けられたことから、物理量検出時における第1配線及び第2配線との間の寄生容量が、シールド部によって低減される。このことから、物理量センサーは、例えば、検出した静電容量値と本来の静電容量値との誤差を更に少なくすることができる。したがって、物理量センサーは、検出精度などの検出特性を更に向上させることができる。この結果、物理量センサーは、物理量検出における信頼性を更に向上させることが可能となる。[適用例3]上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記基板は、絶縁材料が用いられ、前記可動部、前記可動電極部、及び前記固定電極部は、半導体材料が用いられていることが好ましい。これによれば、物理量センサーは、基板に絶縁材料が用いられ、可動部、可動電極部、及び固定電極部に半導体材料が用いられたことから、基板と、可動部、可動電極部、及び固定電極部との絶縁分離を確実に行うことができる。[適用例4]上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記シールド部は、前記可動部、前記可動電極部、及び前記固定電極部と同一材料が用いられていることが好ましい。これによれば、物理量センサーは、シールド部に、可動部、可動電極部、及び固定電極部と同一材料が用いられたことから、例えば、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて、一枚の板材からシールド部と可動部、可動電極部、及び固定電極部とを一括して形成することができる。この結果、物理量センサーは、シールド部と可動部、可動電極部、及び固定電極部との材料が異なる場合と比較して、生産性を向上させることが可能となる。[適用例5]上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記基板の前記主面には、複数の凹部が設けられ、前記凹部の各々の内部に前記固定電極用配線及び前記可動電極用配線が設けられていることが好ましい。これによれば、物理量センサーは、基板の主面に複数の凹部が設けられ、各凹部内に固定電極用配線及び可動電極用配線が設けられたことから、各配線の上記主面からの突出を回避することができる。この結果、物理量センサーは、各配線と非接続部材例えば、第1配線であれば第2固定電極部、第2配線であれば第1固定電極部との短絡を回避することが可能となる。また、物理量センサーは、凹部によって各配線間を更に隔てることが可能なことから、物理量検出時における各配線間の寄生容量を更に低減することができる。[適用例6]本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の物理量センサーを備えたことを特徴とする。これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の物理量センサーを備えたことから、上記適用例のいずれか一例に記載された効果を奏する電子機器を提供できる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。実施形態最初に、本実施形態にかかる、例えば、加速度や角速度などの物理量を検出する容量変化検出型の物理量センサーの構成について説明する。図1は、本実施形態の物理量センサーの概略構成を示す模式平面図であり、図2は、図1のA-A線での模式断面図であり、図3は、図1のB-B線での模式断面図であり、図4は、図1のC-C線での模式要部断面図である。なお、説明の便宜上、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図1では、蓋部材を破線にて記載してある。なお、以下では、説明の便宜上、図1中の紙面手前側を上、紙面奥側を下、右側を右、左側を左という。また、図1~図3では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸及びZ軸が図示されている。また、以下では、X軸に平行な方向左右方向をX軸方向、Y軸に平行な方向をY軸方向、Z軸に平行な方向上下方向をZ軸方向という。図1~図4に示すように、物理量センサー1は、基板としてのベース基板2と、ベース基板2に支持されたセンサー素子3と、ベース基板2上に設けられたシールド部4と、センサー素子3及びシールド部4を覆うように設けられた蓋部材5と、を備えている。ベース基板2は、センサー素子3を支持する機能を有する。ベース基板2は、板状をなし、その上面である主面2aには、凹部21が設けられている。この凹部21は、ベース基板2を平面視したときに、後述するセンサー素子3の可動部33、可動電極部36,37及び連結部34,35が収まるように形成されている。凹部21は、センサー素子3の可動部33、可動電極部36,37及び連結部34,35がベース基板2に接触することを回避する逃げ部を構成する。これにより、ベース基板2は、センサー素子3の可動部33の変位を許容することができる。なお、この逃げ部は、凹部21に代えて、ベース基板2をその厚さ方向Z軸方向に貫通する貫通孔であってもよい。また、本実施形態では、凹部21の平面視形状は、四角形具体的には長方形をなしているが、これに限定されるものではない。また、ベース基板2の主面2aには、前述した凹部21の外側に、その外周に沿って、凹部22が設けられている。凹部22の一端部側は、ベース基板2の外周部まで延びている。また、ベース基板2の主面2aの凹部21の外側であって、凹部22との間には、凹部22に沿って凹部23が設けられている。凹部23の一端部側は、ベース基板2の外周部まで延びている。また、ベース基板2の主面2aには、凹部24が凹部21の左側縁部近傍から凹部23に沿ってベース基板2の外周部まで設けられている。この凹部22~24は、平面視で配線に対応した形状をなしている。具体的には、凹部22は、後述する固定電極用配線の第1配線としての配線41及び接続端子である電極44に対応した形状をなし、凹部23は、後述する固定電極用配線の第2配線としての配線42及び接続端子である電極45に対応した形状をなし、凹部24は、後述する可動電極用配線としての配線43及び接続端子である電極46に対応した形状をなしている。ここで、凹部22~24の深さ寸法は、それぞれ配線41~43の厚さ寸法よりも大きくなっている。また、凹部22~24の電極44~46が設けられた部位の深さは、それぞれ配線41~43が設けられた部位よりも深くなっている。このように凹部22~24の一部の深さを深くすることにより、後述する物理量センサー1の製造時において、電極44~46と、後にセンサー素子3となるセンサー基板との接合や外部部材との接触を回避することができる。ベース基板2の構成材料としては、具体的には、絶縁性を有する絶縁材料である、高抵抗なシリコン材料、ガラス材料を用いることが好ましい。特に、センサー素子3がシリコン材料を主材料としたシリコン基板で構成されている場合には、アルカリ金属イオン可動イオンを含むガラス材料例えば、パイレックス登録商標ガラスのような硼珪酸ガラスを用いることが好ましい。これにより、物理量センサー1は、ベース基板2ガラス基板とセンサー素子3シリコン基板とを陽極接合することができる。また、ベース基板2の構成材料は、センサー素子3の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいことが好ましく、具体的には、ベース基板2の構成材料とセンサー素子3の構成材料との熱膨張係数差が3ppm/°C以下であることが好ましい。これにより、物理量センサー1は、ベース基板2とセンサー素子3との接合時などにおいて、高温下にさらされても、ベース基板2とセンサー素子3との間の残留応力熱応力を低減することができる。センサー素子3は、固定部31,32と、可動部33と、連結部34,35と、可動電極部36,37と、固定電極部38,39と、を備えている。センサー素子3は、例えば、加速度や角速度などの物理量の変化に応じて、可動部33及び可動電極部36,37が、連結部34,35を弾性変形させながら、X軸方向X方向または-X方向に変位する。物理量センサー1は、このような変位に伴って、可動電極部36と固定電極部38との間の隙間、及び可動電極部37と固定電極部39との間の隙間の大きさがそれぞれ変化する。すなわち、物理量センサー1は、このような変位に伴って、可動電極部36と固定電極部38との間の静電容量、及び可動電極部37と固定電極部39との間の静電容量の大きさがそれぞれ変化する。したがって、物理量センサー1は、差動検出方式の物理量センサーとして、これらの静電容量の変化に基づいて、加速度や角速度などの物理量を検出することできる。この固定部31,32、可動部33、連結部34,35及び可動電極部36,37は、例えば、一枚のシリコン基板から一体的に形成されている。固定部31,32は、それぞれ、前述したベース基板2の主面2aに接合されている。具体的には、固定部31は、ベース基板2の主面2aの凹部21に対して-X方向側図中左側の部分に接合され、固定部32は、凹部21に対してX方向側図中右側の部分に接合されている。また、固定部31,32は、平面視したときに、それぞれ、凹部21と凹部21の外周縁部とに跨るように設けられている。なお、固定部31,32の位置及び形状などは、連結部34,35や配線41~43の位置及び形状などに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。2つの固定部31,32の間には、可動部33が設けられている。本実施形態では、可動部33は、X軸方向に延びる長手形状をなしている。なお、可動部33の形状は、センサー素子3を構成する各部の形状、大きさなどに応じて決められるものであり、上述した構成に限定されない。可動部33は、固定部31に対して連結部34を介して連結され、固定部32に対して連結部35を介して連結されている。より具体的には、可動部33の左側の端部が連結部34を介して固定部31に連結されるとともに、可動部33の右側の端部が連結部35を介して固定部32に連結されている。この連結部34,35は、可動部33を固定部31,32に対して変位可能に連結している。本実施形態では、連結部34,35は、図1にて矢印aで示すように、X軸方向X方向または-X方向に可動部33を変位し得るように構成されている。具体的に説明すると、連結部34は、2つの梁341,342で構成されている。そして、梁341,342は、それぞれ、Y軸方向に蛇行しながらX軸方向に延びる形状をなしている。換言すると、梁341,342は、それぞれ、Y軸方向に複数回本実施形態では3回折り返された形状をなしている。なお、各梁341,342の折り返し回数は、1回または2回であってもよいし、4回以上であってもよい。同様に、連結部35は、Y軸方向に蛇行しながらX軸方向に延びる形状をなす2つの梁351,352で構成されている。このように、ベース基板2に対してX軸方向に変位可能に支持された可動部33の幅方向での一方側Y方向側には、可動電極部36が設けられ、他方側-Y方向側には、可動電極部37が設けられている。可動電極部36は、可動部33からY方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指361~365を備えている。この可動電極指361,362,363,364,365は、―X方向側からX方向側へ、この順に並んでいる。同様に、可動電極部37は、可動部33から-Y方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指371~375を備えている。この可動電極指371,372,373,374,375は、―X方向側からX方向側へ、この順に並んでいる。複数の可動電極指361~365及び複数の可動電極指371~375は、それぞれ、可動部33の変位する方向すなわちX軸方向に並んで設けられている。これにより、後述する固定電極部38の固定電極指382,384,386,388と可動電極部36との間の静電容量、及び固定電極指381,383,385,387と可動電極部36との間の静電容量を可動部33の変位に応じて効率的に変化させることができる。同様に、後述する固定電極部39の固定電極指392,394,396,398と可動電極部37との間の静電容量、及び固定電極指391,393,395,397と可動電極部37との間の静電容量を可動部33の変位に応じて効率的に変化させることができる。可動電極部36は、固定電極部38に対して間隔を隔てて対向している。また、可動電極部37は、固定電極部39に対して間隔を隔てて対向している。固定電極部38は、前述した可動電極部36の複数の可動電極指361~365に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指381~388を備えている。固定電極指381~388の可動部33側とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板2の主面2aの凹部21に対してY方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指381~388は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が-Y方向へ延びている。固定電極指381~388は、―X方向側からX方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指381,382は、対をなし、前述した可動電極指361,362の間に設けられ、固定電極指383,384は、対をなし、可動電極指362,363の間に設けられ、固定電極指385,386は、対をなし、可動電極指363,364の間に設けられ、固定電極指387,388は、対をなし、可動電極指364,365の間に設けられている。ここで、固定電極指382,384,386,388は、それぞれ、第1固定電極指第1固定電極部であり、固定電極指381,383,385,387は、それぞれ、ベース基板2上で第1固定電極指に対して空隙間隙を介して配置された第2固定電極指第2固定電極部である。このように、複数の固定電極指381~388は、交互に並ぶ複数の第1固定電極指及び複数の第2固定電極指で構成されている。換言すれば、複数の固定電極指381~388は、可動電極指の一方の側に第1固定電極指が配置され、他方の側に第2固定電極指が配置されている。第1固定電極指382,384,386,388と第2固定電極指381,383,385,387とは、ベース基板2上で互いに分離している。これにより、第1固定電極指382,384,386,388と第2固定電極指381,383,385,387とを電気的に絶縁することができる。そのため、第1固定電極指382,384,386,388と可動電極部36との間の静電容量、及び第2固定電極指381,383,385,387と可動電極部36との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。同様に、固定電極部39は、前述した可動電極部37の複数の可動電極指371~375に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指391~398を備えている。固定電極指391~398の可動部33とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板2の主面2aの凹部21に対して-Y方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指391~398は、その固定された側の端を固定端とし、自由端がY方向へ延びている。固定電極指391~398は、―X方向側からX方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指391,392は、対をなし、前述した可動電極指371,372の間に設けられ、固定電極指393,394は、対をなし、可動電極指372,373の間に設けられ、固定電極指395,396は、対をなし、可動電極指373,374の間に設けられ、固定電極指397,398は、対をなし、可動電極指374,375の間に設けられている。ここで、固定電極指392,394,396,398は、それぞれ、第1固定電極指第1固定電極部であり、固定電極指391,393,395,397は、それぞれ、ベース基板2上で第1固定電極指に対して空隙間隙を介して配置された第2固定電極指第2固定電極部である。このように、複数の固定電極指391~398は、交互に並ぶ複数の第1固定電極指及び複数の第2固定電極指で構成されている。換言すれば、複数の固定電極指391~398は、可動電極指の一方の側に第1固定電極指が配置され、他方の側に第2固定電極指が配置されている。第1固定電極指392,394,396,398と第2固定電極指391,393,395,397とは、前述した固定電極部38と同様、ベース基板2上で互いに分離している。これにより、第1固定電極指392,394,396,398と可動電極部37との間の静電容量、及び、第2固定電極指391,393,395,397と可動電極部37との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。センサー素子3の構成材料としては、前述したような静電容量の変化に基づく物理量の検出が可能であれば、特に限定されないが、半導体材料が好ましく、具体的には、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコンなどのシリコン材料を用いるのが好ましい。すなわち、固定部31,32、可動部33、連結部34,35、複数の固定電極指381~388,391~398及び複数の可動電極指361~365,371~375は、それぞれ、シリコンを主材料として構成されていることが好ましい。シリコンは、エッチングにより高精度に加工することができる。そのため、センサー素子3をシリコンを主材料として構成することにより、センサー素子3の寸法精度を優れたものとし、その結果、物理量センサー1の高感度化を図ることができる。また、シリコンは特性上、弾性疲労が少ないため、物理量センサー1の耐久性を向上させることもできる。また、センサー素子3を構成するシリコン材料には、リン、ボロンなどの不純物がドープされていることが好ましい。これにより、物理量センサー1は、センサー素子3の導電性を優れたものとすることができる。また、センサー素子3は、前述したように、ベース基板2の主面2aに固定部31,32及び固定電極部38,39が接合されることにより、ベース基板2に支持されている。このようなセンサー素子3とベース基板2との接合方法は、特に限定されないが、陽極接合法を用いることが好ましい。配線41~43は、前述したベース基板2の主面2a側に設けられている。詳述すると、配線41は、前述したベース基板2の凹部21の外側に設けられ、凹部21の外周に沿うように凹部22内に形成されている。そして、配線41の一端部は、ベース基板2の主面2aの外周部ベース基板2上の蓋部材5の外側の部分において、電極44に接続されている。配線41は、前述したセンサー素子3の第1固定電極指第1固定電極部である各固定電極指382,384,386,388及び各固定電極指392,394,396,398に電気的に接続されている。また、配線42は、前述した配線41の内側、且つ、前述したベース基板2の凹部21の外側でその外周縁に沿って凹部23内に設けられている。そして、配線42の一端部は、前述した電極44に対して間隔を隔てて並ぶようにベース基板2の主面2aの外周部ベース基板2上の蓋部材5の外側の部分において、電極45に接続されている。配線42は、前述したセンサー素子3の第2固定電極指第2固定電極部である固定電極指381,383,385,387及び固定電極指391,393,395,397に電気的に接続されている。配線43は、ベース基板2の固定部31との接合部から、ベース基板2の主面2aの外周部ベース基板2上の蓋部材5の外側の部分に延びるように凹部24内に設けられている。そして、配線43の固定部31側とは反対側の端部は、前述した電極44に対して間隔を隔てて並ぶようにベース基板2の主面2aの外周部ベース基板2上の蓋部材5の外側の部分において、電極46に接続されている。このような配線41~43の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、In3O3、SnO2、Sb含有SnO2、Al含有ZnOなどの酸化物透明電極材料、Au、Pt、Ag、Cu、Alまたはこれらを含む合金などが挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。配線41~43の構成材料としては、透明電極材料特にITOを用いるのが好ましい。これによれば、物理量センサー1は、配線41~43がそれぞれ透明電極材料で構成されていると、ベース基板2が透明基板である場合、ベース基板2の主面2a上に存在する異物などをベース基板2の主面2aとは反対側の面から容易に視認することができる。また、電極44~46の構成材料としては、それぞれ、前述した配線41~43と同様、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができる。本実施形態では、電極44~46の構成材料として、後述する突起部471,472,481,482,50の構成材料と同じものが用いられている。そして、配線41上の、平面視において、センサー素子3の固定電極指382,384,386,388と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部481が設けられ、配線41上の、平面視において、固定電極指392,394,396,398と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部482が設けられている。そして、物理量センサー1は、突起部481を介して固定電極指382,384,386,388と配線41とが電気的に接続されるとともに、突起部482を介して固定電極指392,394,396,398と配線41とが電気的に接続されている。同様に、配線42上の、平面視において、センサー素子3の固定電極指381,383,385,387と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部471が設けられ、配線42上の、平面視において、固定電極指391,393,395,397と重なる部分には、それぞれ導電性を有する突起部472が設けられている。そして、物理量センサー1は、突起部471を介して固定電極指381,383,385,387と配線42とが電気的に接続されるとともに、突起部472を介して固定電極指391,393,395,397と配線42とが電気的に接続されている。同様に、配線43上の、平面視において、センサー素子3の固定部31と重なる部分には、導電性を有する突起部50が設けられている。そして、物理量センサー1は、突起部50を介して固定部31と配線43とが電気的に接続されている。ここで、物理量センサー1は、配線41~43の厚さ寸法が、凹部22~24の深さ寸法よりも小さく、且つ、配線41~43の厚さ寸法と突起部471,472,481,482,50の厚さ寸法との和が、凹部22~24の深さ寸法よりも大きくなっている但し、電極44~46部分は除く。これにより、物理量センサー1は、ベース基板2とセンサー素子3との接合時に、ベース基板2とセンサー素子3とが密着することで、配線41~43と突起部471,472,481,482,50とが押圧され、上述した電気的な接続が確実になされている。物理量センサー1は、電極44配線41及び電極46配線43を用いることにより、第1固定電極指382,384,386,388と可動電極部36との間の静電容量及び第1固定電極指392,394,396,398と可動電極部37との間の静電容量を測定検出できる。そして、物理量センサー1は、電極45配線42及び電極46配線43を用いることにより、第2固定電極指381,383,385,387と可動電極部36との間の静電容量及び第2固定電極指391,393,395,397と可動電極部37との間の静電容量を測定できる。突起部471,472,481,482,50の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、Au、Pt、Ag、Cu、Alなどの金属単体またはこれらを含む合金などの金属が好適に用いられる。物理量センサー1は、このような金属を用いて突起部471,472,481,482,50を構成することにより、配線41~43と固定電極部38,39及び固定部31との間の接触抵抗を小さくすることができる。また、図4に示すように、配線42,43には、絶縁膜6が設けられている。そして、前述した突起部471,472,481,482,50上には、絶縁膜6は形成されずに突起部471,472,481,482,50の表面上面が露出するように構成されている。なお、図示はしないが、配線41にも絶縁膜6が設けられている。この絶縁膜6は、配線41~43とセンサー素子3の非接続部との電気的接続短絡を回避する機能を有する。これにより、物理量センサー1は、配線41と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、第1固定電極指382,384,386,388,392,394,396,398と配線41との電気的接続、配線42と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、第2固定電極指381,383,385,387,391,393,395,397と配線42との電気的接続、及び配線43と非接続部との短絡をより確実に回避しつつ、固定部31と配線43との電気的接続を行うことができる。本実施形態では、絶縁膜6は、突起部471,472,481,482,50及び電極44~46の形成領域を除いて、ベース基板2の主面2a凹部21~24を含むの略全域に亘って形成されている。なお、絶縁膜6の形成領域は、配線41~43を覆うことができれば、これに限定されず、例えば、ベース基板2の主面2aのセンサー素子3との接合部位や蓋部材5との接合部位を除くような形状をなしていてもよい。このような絶縁膜6の構成材料としては、特に限定されず、絶縁性を有する各種材料を用いることができるが、ベース基板2がガラス材料特に、アルカリ金属イオンが添加されたガラス材料で構成されている場合、二酸化珪素SiO2を用いることが好ましい。これにより、物理量センサー1は、前述したような短絡を回避することができる。また、絶縁膜6の厚さ平均厚さは、特に限定されないが、10~1000nm程度であるのが好ましく、10~200nm程度であるのがより好ましい。物理量センサー1は、このような厚さの範囲で絶縁膜6を形成すると、前述したような短絡を回避することができる。また、物理量センサー1は、ベース基板2がアルカリ金属イオンを含むガラス材料で構成され、且つ、センサー素子3がシリコンを主材料として構成されている場合、ベース基板2の主面2aのセンサー素子3との接合部位に絶縁膜6が存在していても、絶縁膜6を介してベース基板2とセンサー素子3とを陽極接合することができる。シールド部4は、ベース基板2の主面2a上に絶縁膜6を介して配線41と配線42との間、及び配線42と配線43との間にあって、配線41と配線42、配線42と配線43とを隔てる、断面が略矩形の壁状に設けられている。シールド部4は、配線41と配線42との間、及び配線42と配線43との間の寄生容量を低減する機能を有する。シールド部4は、図4に示す配線42,43からの距離Wと、高さHとの比H/Wが、1~20になるように形成されるのが好ましい。シールド部4は、H/Wが1より小さいと、配線42,43間の寄生容量を低減する機能シールド効果が弱まり、H/Wが20より大きいと、エッチングなどによる製造時間が長くなり、生産性が低下する虞がある。本実施形態では、好適な一例として、H/Wが6.25H:25μm、W:4μmに設定されている。なお、図4における配線42,43とシールド部4との段差は、実際にはH/Wに関して寸法的に無視できるレベルである。なお、配線41とシールド部4との寸法関係H/Wも上記と同様である。シールド部4は、センサー素子3の固定電極指381~388,391~398と干渉しない位置に設けられている。本実施形態では、シールド部4は、固定電極指381~388の左側部分と右側部分とに分割されている。シールド部4の左側部分は、固定電極指381の左側-X方向側から-X方向に延在し、配線41及び配線42に沿って-Y方向へ屈曲し、蓋部材5の内壁の近傍まで設けられ、更に蓋部材5の内壁に沿って配線42と配線43との間にも設けられている。一方、シールド部4の右側部分は、固定電極指388の右側X方向側からX方向に延在し、配線41及び配線42に沿って-Y方向へ屈曲後-X方向へ屈曲し、固定電極指398の近傍まで設けられている。シールド部4は、配線41~43とは電気的に独立しており、図示しない配線を介して、配線41~43とは異なる電位例えば、GNDになるように構成されている。なお、シールド部4と配線との接続構造は、固定電極指381~388,391~398と配線41,42との接続構造に準じる。シールド部4の構成材料としては、半導体または導体であれば、特に限定されず、各種材料を用いることができるが、例えば、シリコン、ITO、IZO、In3O3、SnO2、Sb含有SnO2、Al含有ZnOなどの酸化物透明電極材料、Au、Pt、Ag、Cu、Alまたはこれらを含む合金などが挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、シールド部4の構成材料にシリコンを用いる場合には、リン、ボロンなどの不純物がドープされていることが好ましい。これにより、物理量センサー1は、シールド部4の導電性を優れたものとすることができる。なお、シールド部4の構成材料は、固定電極部38,39センサー素子3と同一材料とすることが好ましい。これにより、物理量センサー1は、例えば、一枚のシリコン基板からシールド部4と固定電極部38,39センサー素子3とを、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて一括して形成することができ、陽極接合によりシールド部4をベース基板2に接合することができる。なお、シールド部4の構成材料としては、配線41,42間、配線42,43間の寄生容量を低減できるものであれば、半導体または導体に限定されない。蓋部材5は、前述したセンサー素子3及びシールド部4を保護する機能を有する。蓋部材5は、板状をなし、その一方の面下面に凹部51が設けられている。この凹部51は、センサー素子3の可動部33及び可動電極部36,37などの変位が可能なようにセンサー素子3との間、及びシールド部4との間に空隙を設けて形成されている。そして、蓋部材5の下面は、前述したベース基板2の主面2aに接合されている。蓋部材5とベース基板2との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法などを用いることができる。また、蓋部材5の構成材料としては、前述したような機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料などを好適に用いることができる。次に、物理量センサー1の製造方法の一例について説明する。図5a~e、図6f~h、図7a~dは、物理量センサーの製造工程を説明する模式断面図である。物理量センサー1の製造方法は、配線形成工程と、絶縁膜形成工程と、接合工程と、センサー素子及びシールド部形成工程と、蓋部材接合工程と、分割工程と、を含んでいる。なお、ここでは、複数個取りを前提として説明するが、個別に製造しても構わない。[配線形成工程]まず、図5aに示すように、後に個片化することでベース基板2となるウエハー状の基板102を用意する。次に、図5bに示すように、基板102の上面主面102aをエッチングすることにより、凹部21~23を形成する。このとき、図5bでは図示しないが、凹部24も同様に形成する。凹部21~24の形成方法エッチング方法としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングなどの物理的エッチング法、ウェットエッチングなどの化学的エッチング法などのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。また、上述したようなエッチングに際しては、例えば、フォトリソグラフィー法により形成されたマスクを好適に用いることができる。また、マスク形成、エッチング、マスク除去を複数回繰り返し、凹部21と凹部22~24とを順に形成することができる。そして、このマスクは、エッチング後に、除去される。このマスクの除去方法としては、例えば、マスクがレジスト材料で構成される場合には、レジスト剥離液、マスクが金属材料で構成される場合には、リン酸溶液のようなメタル剥離液などを用いることができる。なお、マスクとして、例えば、グレースケールマスクを用いることにより、凹部21と凹部22~24と深さの異なる複数の凹部を一括形成してもよい。次に、図5cに示すように、基板102に配線41~43、突起部471,472,481,482,50を形成する。以下、図7に基づき、配線41~43、突起部471,472,481,482,50の形成について詳述する。まず、図7aに示すように、凹部22内に配線41を形成するとともに、凹部23内に配線42を形成する。このとき、図7では図示しないが、凹部24内に配線43を配線41,42と一括して形成する。そして、図7bに示すように、配線41に複数の突起部481,482を形成成膜し、配線42に複数の突起部471,472を形成する。このとき、図7bでは図示しないが、配線41に電極44を形成し、配線42に電極45を形成し、配線43に突起部50及び電極46を形成する。配線41~43、突起部471,472,481,482,50の形成方法成膜方法としては、特に限定されないが、例えば、真空蒸着、スパッタリング低温スパッタリング、イオンプレーティングなどの乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキなどの湿式メッキ法、溶射法、薄膜接合法などが挙げられる。なお、以下の各工程における成膜においても、同様の方法を用いることができる。なお、基板102には、絶縁性を有する絶縁性基板を用いることが好ましく、絶縁性基板として透明基板を用いることがより好ましい。具体的には、基板102には、アルカリ金属イオン可動イオンを含むガラス材料例えば、パイレックス登録商標ガラスのような硼珪酸ガラスを用いたガラス基板を用いることが好ましい。また、配線41~43の構成材料としては、透明電極材料特にITOを用いることが好ましい。[絶縁膜形成工程]次に、図7cに示すように、配線41,42などを覆うように、基板102の主面102aに絶縁膜106を形成成膜する。ここで、絶縁膜106は、後述する個片化を経て絶縁膜6となるものである。次に、図7dに示すように、絶縁膜106の突起部471,472,481,482を覆っている部分を除去する。また、図7dでは図示しないが、絶縁膜106の突起部50及び電極44~46を覆っている部分も除去する。これにより、突起部471,472,481,482,50及び電極44~46を露出させる。なお、この際、突起部471,472,481,482,50の上面は、絶縁膜106の上面と殆ど段差がない状態になっている。[接合工程]図5に戻って、次に、図5dに示すように、後に複数のセンサー素子3及びシールド部4となるウエハー状のセンサー基板103を用意し、基板102の主面102aにセンサー基板103を接合する。これにより、センサー基板103と突起部471,472,481,482とが接続される。このとき、図5dでは図示しないが、センサー基板103と突起部50とが同様に接続される。なお、基板102とセンサー基板103との接合には、陽極接合法を用いることが好ましい。ここで、センサー基板103は、センサー素子3の厚さより厚くしておくことが好ましい。これにより、センサー基板103の取り扱い性を向上させることができる例えば、搬送時、段取り時などにおける破損低減など。なお、センサー基板103の厚さは、当初からセンサー素子3の厚さと同じであってもよい。なお、センサー基板103には、半導体基板であるシリコン基板を用いることが好ましく、突起部471,472,481,482,50の構成材料としては、Auを用いることが、接触抵抗を小さくする上で好ましい。次に、図5eに示すように、センサー基板103をセンサー素子3の厚さまで肉薄化する。肉薄化の方法は、特に限定されないが、例えば、CMP法、ドライポリッシュ法を好適に用いることができる。なお、センサー基板103の厚さが、当初からセンサー素子3の厚さと同じであれば、この肉薄化は必要ない。[センサー素子及びシールド部形成工程]次に、図6fに示すように、センサー基板103をエッチングすることによりセンサー素子3及びシールド部4図4参照を形成する。なお、シールド部4は、配線41~43、電極44~46及び突起部471,472,481,482,50と同様の形成方法により形成された図示しない配線及び突起部を介して、基板102上に設けられた図示しない電極と電気的に接続されている。[蓋部材接合工程]次に、図6gに示すように、基板102の主面102aに、複数の凹部51を有し個片化することにより蓋部材5となるウエハー状の基板105を接合する。これにより、基板102と基板105とで各センサー素子3及び各シールド部4を各凹部51内に収容する。なお、基板102と基板105との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法などを用いることができる。[分割工程]次に、図6hに示すように、センサー素子3を収容し一体となった基板102及び基板105を、図示しない分割装置ダイシング装置などを用いてセンサー素子3及びシールド部4毎の個片に分割することにより、物理量センサー1を得る。なお、分割により、基板102はベース基板2となり、基板105は蓋部材5となる。上述したように、本実施形態の物理量センサー1は、第1固定電極指第1固定電極部382,384,386,388,392,394,396,398が、ベース基板2の主面2a側に設けられた配線41に接続され、第2固定電極指第2固定電極部381,383,385,387,391,393,395,397が、ベース基板2の主面2a側に設けられた配線42に接続されている。加えて、物理量センサー1は、可動電極部36,37が可動部33を介して、ベース基板2の主面2a側に設けられた配線43に接続されている。そして、物理量センサー1は、配線41と配線42との間、及び配線42と配線43との間の一部に、配線41と配線42、及び配線42と配線43とを隔てるシールド部4が設けられている。これにより、物理量センサー1は、物理量検出時における配線41と配線42との間、及び配線42と配線43との間の寄生容量が、シールド部4によって低減されることから、検出した静電容量値と本来の静電容量値との誤差を少なくすることができる。したがって、物理量センサー1は、検出精度などの検出特性を向上させることができる。この結果、物理量センサー1は、物理量検出における信頼性を向上させることが可能となる。また、物理量センサー1は、シールド部4にシリコンなどの半導体またはITO、IZO、Au、Pt、Ag、Cu、Alなどの導体を構成材料として用いていることから、物理量検出時における配線41と配線42との間、及び配線42と配線43との間の寄生容量を確実に低減することができる。また、物理量センサー1は、ベース基板2の主面2aに凹部22~24が設けられ、凹部22~24内に配線41~43が設けられたことから、配線41~43のベース基板2の主面2aからの突出を回避することができる。この結果、物理量センサー1は、配線41~43と非接続部材例えば、配線41であれば第2固定電極指381,383,385,387,391,393,395,397、配線42であれば第1固定電極指382,384,386,388,392,394,396,398との短絡を回避することが可能となる。また、物理量センサー1は、凹部22~24によって配線41と配線42、配線42と配線43とを更に隔てることが可能なことから、物理量検出時における配線41と配線42との間、及び配線42と配線43との間の寄生容量を更に低減することができる。また、物理量センサー1は、ベース基板2が硼珪酸ガラスなどの絶縁性を有する材料絶縁材料で構成され、センサー素子3がシリコンなどの半導体材料で構成されたことから、ベース基板2とセンサー素子3との絶縁分離を確実に行うことができる。また、物理量センサー1は、シールド部4がセンサー素子3と同一材料例えば、シリコンで構成されたことから、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて、例えば、一枚のシリコン基板からシールド部4とセンサー素子3とを一括して形成することができる。この結果、物理量センサー1は、シールド部4とセンサー素子3との材料が異なる場合と比較して、生産性を向上させることが可能となる。電子機器次に、上記実施形態及び変形例の物理量センサーを備えた電子機器について説明する。図8は、物理量センサーを備えた電子機器としてのモバイル型またはノート型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。図8に示すように、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部100を有する表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター1100には、物理量センサー1が内蔵されている。図9は、物理量センサーを備えた電子機器としての携帯電話機PHSも含むの構成を示す斜視図である。図9に示すように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204及び送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部100が配置されている。このような携帯電話機1200には、物理量センサー1が内蔵されている。図10は、物理量センサーを備えた電子機器としてのデジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図10には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCDChargeCoupledDeviceなどの撮像素子により光電変換して撮像信号画像信号を生成する。デジタルスチルカメラ1300におけるケースボディー1302の背面図中手前側には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース1302の正面側図中奥側には、光学レンズ撮像光学系やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送格納される。また、このデジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子1312には、テレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314には、パーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。このようなデジタルスチルカメラ1300には、物理量センサー1が内蔵されている。このような電子機器は、高精度化され信頼性に優れた物理量センサー1を備えたことから、優れた性能を発揮することができる。なお、上記物理量センサーを備えた電子機器は、図8のパーソナルコンピューターモバイル型パーソナルコンピューター、図9の携帯電話機、図10のデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置例えばインクジェットプリンター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳通信機能付も含む、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡、魚群探知機、各種測定機器、計器類例えば、車両、航空機、船舶の計器類、フライトシミュレーターなどに適用することができる。以上、本発明の物理量センサー及び電子機器について図示の実施形態及び変形例に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。例えば、固定電極部は、櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指の少なくとも1つの固定電極指がその他の固定電極指に対して絶縁性を有する基板上で分離していれば、前述した実施形態及び変形例に限定されない。また、固定電極部の複数の固定電極指と、これに噛み合うように設けられた可動電極部の複数の可動電極指との本数、配置及び大きさなどの形態は、前述した実施形態及び変形例に限定されない。また、可動部は、Y軸方向に変位させるように構成してもよいし、X軸に平行な軸線まわりに回動させるように構成してもよい。この場合は、可動電極指と固定電極指との対向面積の変化による静電容量変化に基づいて物理量を検出すればよい。"