電界発光試料分析装置であって、前記電界発光試料にパルス駆動信号を印加するパルス発生器と、前記パルス駆動信号を印加することにより前記電界発光試料から放出されるELElectroluminescenceを受光し、受光信号を得るEL検出器と、前記電界発光試料の温度を可変させるための温度可変器と、前記電界発光試料の温度変化による前記受光信号のトランジェント区間の変化を分析し、前記電界発光試料に存在する欠陷性の電荷トラップに関する情報を得るELTSElectroluminescenceTransientSpectroscopy分析部と、を含む電界発光試料分析装置。前記パルス発生器は、前記温度可変器による前記電界発光試料の温度変化時点に対応して矩形波パルスを発生し、前記EL検出器は、前記矩形波パルスが印加されるとき、前記電界発光試料から前記印加された矩形波パルスに反応して放出されたELを検出することを特徴とする請求項1に記載の電界発光試料分析装置。前記EL検出器により得られる前記受光信号は、光電流信号、光電圧信号及び電気容量信号のうちのいずれか一つであり、前記ETLS分析部は、前記受光信号のトランジェント区間内の2つの時点をサンプリング時間として前記2つのサンプリング時点における受光信号の差を算出し、前記温度変化による前記受光信号の差の変化関係を用いて、前記欠陷性の電荷トラップの活性化エネルギー準位、前記欠陷性の電荷トラップの濃度、前記欠陷性の電荷トラップの捕獲断面積のうちの少なくとも一つの情報を得ることを特徴とする請求項1に記載の電界発光試料分析装置。前記ELTS分析部は、任意の固定温度で得られた受光信号のトランジェント区間を分析して寿命情報をさらに取得し、前記寿命情報は、少数キャリアminoritycarrier及び前記欠陷性の電荷トラップに関する情報のうちの少なくとも一つであり、指数的に変化する前記トランジェント区間の時定数を算出することにより得られることを特徴とする請求項1に記載の電界発光試料分析装置。前記電界発光試料から放出されたELに関するELイメージを得るための撮像装置と、前記ELイメージに基づいて前記電界発光試料の表面欠陷を分析する表面欠陥分析部と、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の電界発光試料分析装置。前記ELの光経路を基準とし、前記撮像装置の前面にマイクロスコープmicroscopeが位置し、前記表面欠陥分析部は、前記撮像装置から得られたマイクロ単位のELイメージに基づいて、前記電界発光試料の表面欠陷を分析することを特徴とする請求項5に記載の電界発光試料分析装置。前記電界発光試料から放出されたELの一部が前記EL検出器に入力され、残りが前記マイクロスコープに入力されるように光分岐する光分岐器をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の電界発光試料分析装置。前記電界発光試料から放出されたEL光のうち、所望する波長のみを検出するか、または所望しない波長を除去するための光分光部をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の電界発光試料分析装置。本発明は、太陽電池、LEDなどのようなEL放出素子内に存在する欠陷性の電荷トラップらに対して、トラップの分布、構造、エネルギー分布などに関する情報を確認できる電界発光試料分析装置を提供することを目的とする。また本発明は、欠陷性の電荷トラップに関する情報と共にEL放出素子の寿命lifetimeに関する情報も、一つの分析装置により統合して分析できる電界発光試料分析装置を提供することを他の目的とする。また本発明は、EL放出素子の表面欠陷を確認するためのELイメージを、マイクロ単位で撮影及び提供することができる電界発光試料分析装置を提供することをまた他の目的とする。本発明の一側面によれば、電界発光試料分析装置であって、上記電界発光試料にパルス駆動信号を印加するパルス発生器と、上記パルス駆動信号が印加されることにより、上記電界発光試料から放出されるELElectroluminescenceを受光し、受光信号を得るEL検出器と、上記電界発光試料の温度を可変させるための温度可変器と、上記電界発光試料の温度変化による上記受光信号のトランジェント変化を分析し、上記電界発光試料に存在する欠陷性の電荷トラップに関する情報を得るELTSElectroluminescenceTransientSpectroscopy分析部と、を含む電界発光試料分析装置が提供される。一実施例において、上記パルス発生器は、上記温度可変器による上記電界発光試料の温度変化時点に対応して矩形波パルスを発生し、上記EL検出器は、上記矩形波パルスが印加される度に、上記電界発光試料から放出されたELを検出することができる。一実施例において、上記EL検出器により得られる上記受光信号は、光電流信号、光電圧信号及び電気容量信号のうちのいずれか一つであり、上記ETLS分析部は、上記受光信号のトランジェント区間内の2つの時点をサンプリング時間とし、上記2つのサンプリング時点での受光信号の差を算出し、上記温度変化による上記受光信号の差の変化関係を用いて上記欠陷性の電荷トラップの活性化エネルギー準位、上記欠陷性の電荷トラップの濃度、及び上記欠陷性の電荷トラップの捕獲断面積のうちの少なくとも一つの情報を得ることができる。一実施例において、上記ELTS分析部は、任意の固定温度で得られた受光信号のトランジェント区間を分析して少数キャリアminoritycarrierの寿命情報をさらに取得し、上記少数キャリアの寿命情報は、指数的に変化する上記トランジェント区間の時定数を算出することにより得ることができる。一実施例において、上記電界発光試料分析装置は、上記電界発光試料から放出されたELに対するELイメージを得るための撮像装置と、上記ELイメージに基づいて上記電界発光試料の表面欠陷を分析する表面欠陥分析部とをさらに含むことができる。一実施例において、上記ELの光経路を基準として上記撮像装置の前面にマイクロスコープmicroscopeが位置し、上記表面欠陥分析部は、上記撮像装置から得られたマイクロ単位のELイメージに基づいて上記電界発光試料の表面欠陷を分析することができる。一実施例において、上記電界発光試料分析装置は、上記電界発光試料から放出されたELの一部が上記EL検出器に入力され、残りが上記マイクロスコープに入力されるように光分岐する光分岐器をさらに含むことができる。一実施例において、上記電界発光試料から放出されたEL光のうち、所望する波長のみを検出し、または所望しない波長を除去するための光分光部をさらに含むことができる。本発明の実施例によれば、太陽電池、LEDなどのEL放出素子内に存在する欠陷性の電荷トラップらに対して、トラップの分布、構造、エネルギー分布などに関する情報を確認することができる電界発光試料分析装置を提供することができる。また、本発明の実施例によれば、欠陷性の電荷トラップに関する情報以外にもEL放出素子の寿命に関する情報を共に得ることができ、EL放出素子の検査及び分析に必要な時間及び費用を低減することができる。また、本発明の実施例によれば、EL放出素子の表面欠陷を確認するためのELイメージをマイクロ単位で撮影及び提供することができ、表面欠陥検査の信頼性及び正確性を高めることができる。また、本発明の実施例によれば、完製品状態である製品化された素子についても、上記のような欠陷性の電荷トラップに関する情報及び少数キャリアの寿命に関する情報を分析及び測定することができる。本発明は多様な変更を加えることができ、様々な実施例を有することができるため、特定実施例を図面に例示し、詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の実施形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変更、均等物及び代替物を含むものとして理解されるべきである。本発明を説明するに当たって、係る公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。また、本明細書の説明に用いられた数字例えば、第1、第2などは、一つの構成要素を他の構成要素から区別するための識別記号に過ぎない。また、本明細書において、一構成要素が他の構成要素に連結されるあるいは接続されるなどと記載されている場合は、上記一構成要素が上記他の構成要素に直接連結されているか、または直接接続されていることを示し、特に特定する記載がない限り、中間に他の構成要素が存在することも示すことを理解しなければならない。以下、添付された図面に基づいて本発明の実施例による電界発光試料分析装置を詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例に係る電界発光試料分析装置の概略的な構成を示す図面である。図1を参照すると、本発明の一実施例に係る電界発光試料分析装置は、真空チャンバ15、パルス発生器110、温度可変器120、マイクロスコープ130、光分岐器142、EL検出器140、撮像装置150、増幅器160、A/Dコンバータ165、温度検出及び制御部170、及び分析部180などを含むことができる。但し、図1に示された構成要素が必須ではなく、設計により、それより多くの構成要素を含むか、またはそれより少ない構成要素を含む電界発光試料分析装置を実現することができる。本発明の電界発光試料分析装置は、上記のような構成を含むことにより、次の三つの用途を同時に有する装置として活用することができる。上記三つの用途の装置とは、第1に、ELTSElectroluminescenceTransientSpectroscopy分析装置であり、第2に、ELライフタイムElectroluminescenceLifetime分析装置であり、第3に、マイクロ単位の領域での近赤外線映像分析装置がそのものである。以下、これらについて、順に説明する。ELTS分析装置電界発光試料10は、マウント部材125に載置された状態で真空チャンバ15内に位置することができる。このとき、パルス発生器110は、所定のパルス駆動信号本例では、矩形波パルス21であると仮定するを生成して真空チャンバ15内の電界発光試料10に印加する。上記のようにパルス駆動信号が印加されると、電界発光試料10は、EL光を放出する。例えば、LEDの場合は、該当色領域すなわち、該当波長帯域のEL光を放出し、太陽電池の場合は、近赤外線領域のEL光を放出することができる。ここで、ELの放出原理は、次の通りである。材料一般的に、半導体を通過して電流が流れるか、強い電場がかかる時、異なる符号の電荷キャリアchargecarrier、つまり電子と正孔との再結合recombinationの結果により光を出す光学的、電気的現象をELElectroluminescenceという。EL光を得るためには、結晶格子内の電子らをより高いエネルギー準位に上げる必要がある。このとき、発光の強さは、試料における欠陥密度に依存し、欠陷が少ないほど、さらに多い光子を放出することになる。図1には、電界発光試料10から放出されたEL光が、マイクロスコープ130を経た後に、光分岐器142を通過透過してEL検出器140に受光されるように装置構成されている。しかし、これは、本発明による分析装置がELTS分析装置の用途及び後述するマイクロ単位の表面欠陥分析用ELイメージの取得装置の用途を同時に実現できるように装置構成された一例に過ぎない。したがって、上述の2つの用途を同時に実現しながらも、図1に示された装置構成とは異なる設計方式によることもできることは明らかなことである。図1の場合、マイクロスコープ130に入力されたEL光が、光分岐器142を介して一部すなわち、透過光がEL検出器140に受光され、残りすなわち、反射光がCCDカメラなどの撮像装置150に受光されているが、これとは異なる設計方式によることもできる。例えば、上記光分岐器142が上記マイクロスコープ130の後端光出力端ではなく、前端光入力端に位置することができる。この場合、撮像装置150は、光分岐器142及びマイクロスコープ130を経たEL光を受光するが、EL検出器140は、光分岐器142のみを経たEL光を受光することになる。また、電界発光試料10から放出されたEL光を直接受光可能な位置に、上記マイクロスコープ130及び上記EL検出器140をそれぞれ位置させてもよく、この場合、上記光分岐器142は省略可能である。また、図1に係る本発明においては、電界発光試料10から放出されたEL光がマイクロスコープ130を経た後に、EL検出器140または撮像装置150に受光されることを示しているが、これは一例に過ぎず、マイクロスコープ130を経ないで電界発光試料10から放出されたEL光がEL検出器140または撮像装置150に受光されることもできる。また、本発明では、EL検出器140に受光されたEL光が増幅器160を経ることに示されているが、これは一例に過ぎず、増幅器160を省略することもできる。一方、発光試料10から放出されたEL光のうちの特定波長の光のみを分離する分光器図示せずを経てEL光を受光することもできる。このとき、分光器はフィルターなどを用いて所望する波長の光を受光したり、所望しない波長をカットオフcutoffすることができる。以後、EL検出器140を介して検出された受光信号は、図1に示すように、増幅器160及びA/Dコンバータ170を経て分析部180に伝送できる。ここで、EL検出器140は、フォトダイオード、フォトディテクタであってもよく、これにより得られた受光信号は、EL光の強度intensityに対応する光電流photocurrent、光電圧photovoltageまたは電気容量capacitance信号であり得る。EL検出器140から得られた受光信号は、理想的である場合つまり、電界発光試料10に欠陷が存在しない場合は、入力されたパルス駆動信号と同じ波形を有するが、実際には、図1の参照番号22のように、トランジェント区間を有する波形の形態を有する。このような受光信号の波形歪みは、検査対象である電界発光試料10に存在する欠陷に起因するので、受光信号のトランジェント区間を分析すれば、電界発光試料10に存在する欠陷に関する情報を得ることができる。これについては、図2乃至図4を参照して説明する。図2は、電界発光試料に印加するパルス駆動信号及び電界発光試料から放出されるELを受光した受光信号としての光電流を例示した図面である。ELTSの測定のために、パルス発生器110を介して図2aのようなパルス駆動信号を電界発光試料10のジャンクションjunctionに印加すると、EL検出器140は、電界発光試料10から放出されたEL光をセンシングし、EL検出器140の反応関数Current、Voltage、またはCapacitanceによる受光信号として得ることになるが、このとき、受光信号は、図2bのようになり得る。図2bに示すように、EL検出器140の反応関数が光電流である場合、F~C区間は、試料の光励起によりEL検出器140の光キャリアphotocarrirerが発生され、検出器電流が急激に増加する区間であり、C~D区間は、F~C区間で生成されたキャリアらがトラップtrapに捕獲され、準安定quasi-steady状態に維持される区間である。D~E区間は、キャリアらの再結合recombinationにより電流が低減する区間である。最後に、E~F区間は、トラップtrapに捕獲された光キャリアらが熱エネルギーによりデトラッピングde-trappingする区間であり、このとき現われる電流は、トランジェント曲線transientcurveを有する。上述したように、光電流信号のE~F区間がトランジェント曲線形態を有する理由は、次の通りである。これを図3に基づいて説明する。図3は、キャリアの捕獲及び放出過程、並びにトラップに捕獲されたキャリアを説明するための図面である。結晶欠陷がなく、原子らの位置が周期的に配列された完全な結晶においては、位置によるポテンシャルも周期的な関数の形態を有する。しかし、結晶欠陷が存在する部分においては、電気的ポテンシャルの周期性が壊れ、このポテンシャルの歪みは電荷を帯びている粒子に対してトラップtrapを形成する。これらトラップは、結晶内で深い準位を形成するが、深い準位の変数らは、キャリアらの再結合及び生成過程、すなわち、電子捕獲electroncapture、電子放出electronemission、正孔捕獲holecapture、正孔放出holeemissionの過程で説明可能である図3a参照。電子放出は、図3aに示すように、トラップにあった電子がエネルギーを得て伝導帯へ電子を放出する過程であり、電子捕獲は、伝導帯にあった自由電子がエネルギーを失ってトラップに遷移する電子を捕獲する過程である。正孔捕獲は、トラップ準位にあった電子がエネルギーを失って価電子帯へ遷移する過程であって、図3aに示すように、トラップが正孔を捕獲する過程であり、正孔放出は、価電子帯にあった電子がエネルギーを得てトラップ準位へ励起する過程であって、トラップが正孔を放出する過程である。任意トラップにおいて、上述した4つの過程は同時に起こり、トラップに捕獲されていた電子がエネルギーを得て伝導帯へ励起する電子放出過程で自由電子の濃度は増加し、自由電子がエネルギーを失い、トラップ準位へ遷移するトラップの電子捕獲過程で自由電子の濃度は低減する。図3bに示すように、Ecは、伝導帯のエネルギー準位を、Evは価電子帯のエネルギー準位を示し、Etは、トラップのエネルギー準位を示し、△Etは、トラップ準位に捕獲された電子が伝導帯へ励起し、自由電子として役割するに必要な活性化エネルギーactivationenergyを意味する。また、nは、伝導帯の自由電子の濃度を示し、nt及びptは、電子及び正孔を捕獲したトラップの濃度を意味し、Ntは、トラップ密度trapdensityを意味する。従って、電界発光試料に欠陷性の電荷トラップが任意のエネルギー準位に位置する場合、電子-正孔の再結合過程によりELを放出するために使用されるべき自由電子の濃度が低減されることがある。これは、価伝導帯に遷移すべき電子の一部が、上記トラップに捕獲されるからである。このように、トラップに捕獲された一部の電子は、上記電子放出過程により上記活性化エネルギーを得て、遅れて自由電子として役割を担うことになり、図2bのE~F区間と同様のトランジェント区間を有することになる。したがって、上記トラップ準位から伝導帯へ励起するのに必要な活性化エネルギー△Etが分かれば、そのトラップが位置するエネルギー準位Etを確認することができる。以下では、電界発光試料に存在する欠陷性の電荷トラップに関する情報すなわち、活性化エネルギー、トラップ準位、トラップの捕獲断面積、トラップの濃度などを得る方法について、図4を参照して説明する。図4は、温度変化による受光信号のトランジェント区間の変化に対する相関関係及びこれにより欠陷性の電荷トラップの情報を得る方法を説明するための図面である。本発明において、電界発光試料に存在する欠陷性の電荷トラップの情報は、図1の温度可変器120により電界発光試料に温度変化を付与した後に、その温度変化に応じてEL検出器140により得られた受光信号のトランジェント区間の変化を分析することにより得ることができる。つまり、本発明の電界発光試料分析装置の分析部180は、図4に示すように、上記受光信号のトランジェント区間内の2つの時点t1、t2をサンプリング時間とし、上記2つのサンプリング時点での受光信号の差It1―It2を算出した後、上記温度変化による上記受光信号の差の変化関係を利用すれば、欠陷性の電荷トラップに関する情報を得ることができる。例えば、図4に示すように、時間t1及びt2での光電流信号を測定すると、下記のような数学式1に表される、規格化されたELTS信号を得ることができる。式中、enは、放出率emissionrateratewindow、sec-1であり、qは、電子の電荷量、μnは、電子の移動度、Aは、試料の有効断面積、Eは、印加された電場、τnは、リラクゼーションタイムrelaxationtime、Ntは、トラップの密度trapdensityである。数学式1で、dIn/dt=0の条件を用いると、ELTS最大信号の位置でのサンプリング時間samplingtimeと放出率との関係を、次の数学式2のように得ることができる。式中、放出率enは、温度に応じる下記の数学式3のように表される。上記の数学式3により、トラップの活性化エネルギー活性化エネルギー△Et及びトラップの捕獲断面積σTを得ることができる。すなわち、上記温度変化による受光信号の差の変化関係は、図4に示すように、温度変化に応じてガウス分布Gaussiandistributionを有するアレニウスプロットArrheniusplotの形態を有し、このアレニウスプロットを表示すると、直線勾配からトラップの活性化エネルギー△Etを求めることができ、そのトラップの捕獲断面積σTも求めることができる。ELライフタイムの分析装置太陽電池やLED素子から放出される光は、印加された電荷キャリアが欠陥及び不純物などにトラップされる場合、発生される光利得は、これらにより大きく低減することになる。従って、物質内の少数キャリアminoritycarrierのライフタイムτの分析は、結晶性を有する物質がpVphotovoltaic物質として使用可能であるかどうかを評価する方法となる。このために、本発明の電界発光試料分析装置の分析部180は、任意の固定温度で得られた受光信号のトランジェント区間を分析し、少数キャリアminoritycarrierの寿命情報を得る。このとき、少数キャリアの電荷密度は、図5に示すように、指数的に変化する特徴を有し、上記受光信号のトランジェント区間は、少数キャリアに対する電気的特性を示すものであるので、上記少数キャリアの寿命情報は、指数的に変化する上記トランジェント区間の時定数を算出することにより得ることができる。すなわち、本発明では、太陽電池、LEDなどの電界発光試料の素子に関する品質指標中の一つであって、効率に影響を及ぼす少数キャリアの寿命をELTS分析装置を用いて測定する。この分析装置を用いて太陽電池及びLEDのライフタイムを測定する方法は、半導体試料にパルス形態の駆動信号を印加し、その試料から放出されるELからEL検出器を介して得た反応関数Current、VoltageまたはCapacitance信号に対して、時間に応じて指数的に減少するトランジェント区間を分析することにより少数キャリアminority-carrier及びトラップtrapのライフタイムlifetimeを分析する。また、特定固定温度での光の反応関数のうち、静電容量に対するトランジェント区間の測定によりライフタイムを分析することができる。すなわち、OpticalICTSIsothermalCapacitanceTransientSpectroscopyにより、時間に応じて指数的に減少するトランジェント区間のライフタイムを分析する図6参照。これに関する数式は、次の数学式4、5の通りである。式中、Kは、定数であり、Ntは、トラップの濃度であり、NAは、アクセプターの濃度であり、は、光学的正孔放出率であり、は、光学的電子放出率である。現在、太陽電池及びLED製品に対してのセルCellの欠陷やライフタイムの測定は、個別検査装置により測定する実情である。なお、本発明の電界発光試料分析装置によれば、太陽電池及びLEDセルの欠陷やライフタイムの測定を一つの分析装置に統合して分析することができるので、その分析や検査に要求される時間や費用などを低減することができる。マイクロ単位の表面欠陥分析用ELイメージ取得装置また、本発明の電界発光試料分析装置の分析部180は、図1に示すような構成を有することにより、マイクロスコープ130及び撮像装置150を介して得られたELイメージに基づいて、電界発光試料10の表面欠陷をマイクロ単位で検査することができる。つまり、本発明の電界発光試料分析装置は、上述したELTS分析装置としての用途及びELライフタイムの分析装置としての用途以外にも、太陽電池及びLED素子などのような電界発光試料の表面欠陥分析用のマイクロEL映像取得装置としての用途にも活用できる。これにより、太陽電池及びLED素子から放出されるELイメージをマイクロ単位で撮影でき、太陽電池及びLED素子などの表面及び微細な外部欠陷をより正確に検出することができる。以上では、本発明の実施例を参照して説明したが、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば下記の特許請求の範囲に記載した本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更することができることを理解できよう。