"配線が形成された基板と、基板の配線に接続された半導体素子と、基板と半導体素子との間に、少なくとも一部が配線に接するように配置された封止樹脂と、を含む半導体装置において、封止樹脂が、A一般式1:式中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立して、水素または炭素数1~3のアルキル基であるで表されるキサンチン類を含有することを特徴とする、半導体装置。A成分が、カフェイン、テオフィリン、テオブロミンおよびパラキサンチンからなる群より選択される少なくとも1種である、請求項1記載の半導体装置。封止樹脂が、さらに、Bカップリング剤を含有する、請求項1または2記載の半導体装置。封止樹脂が、さらに、Cフィラーを含有する、請求項1~3のいずれか1項記載の半導体装置。封止樹脂が、さらに、Dゴム成分を含有する、請求項1~4のいずれか1項記載の半導体装置。A成分が、封止樹脂:100質量部に対して、0.05~12質量部である、請求項1~5のいずれか1項記載の半導体装置。本発明は、基板上の配線の耐マイグレーション性の向上と、配線の腐食抑制を目的とする。本発明は、以下の構成を有することによって上記問題を解決した半導体装置およびその製造方法に関する。1配線が形成された基板と、基板に搭載された半導体素子と、基板と半導体素子との間に、少なくとも一部が配線に接するように配置された封止樹脂と、を含む半導体装置において、封止樹脂が、A一般式1:式中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立して、水素または炭素数1~3のアルキル基であるで表されるキサンチン類を含有することを特徴とする、半導体装置。2A成分が、カフェイン、テオフィリン、テオブロミンおよびパラキサンチンからなる群より選択される少なくとも1種である、上記1記載の半導体装置。3封止樹脂が、さらに、Bカップリング剤を含有する、上記1または2記載の半導体装置。4封止樹脂が、さらに、Cフィラーを含有する、上記1~3のいずれか記載の半導体装置。5封止樹脂が、さらに、Dゴム成分を含有する、上記1~4のいずれか記載の半導体装置。6A成分が、封止樹脂:100質量部に対して、0.05~12質量部である、上記1~5のいずれか記載の半導体装置。本発明によれば、基板上の配線の耐マイグレーション性に優れ、配線の腐食が抑制される半導体装置を提供することができる。本発明の半導体装置は、配線が形成された基板と、基板の配線に接続された半導体素子と、基板と半導体素子との間に、少なくとも一部が配線に接するように配置された封止樹脂と、を含む半導体装置において、封止樹脂が、A一般式1:式中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立して、水素または炭素数1~3のアルキル基であるで表されるキサンチン類を含有することを特徴とする。なお、封止樹脂は、封止樹脂組成物を硬化することにより、形成される。図1に、半導体装置の断面の模式図の一例を示す。図1は、フリップチップボンディングの場合である。本発明の半導体装置50は、基板51上の配線52と、半導体素子53と、をバンプ54で接合し、半導体素子53と基板51の間隙を、封止樹脂55で封止し、封止樹脂55が、A成分である一般式1で表されるキサンチン類を含有する。なお、図1は、フリップチップボンディングの場合であるため、配線52と、半導体素子53とが、バンプ54で接合されている。A成分は、配線の耐マイグレーションと耐リード腐食性を向上させる。A成分の2個の酸素と、5員環中で2重結合を持つ窒素が、配線から生成する金属イオンに配位することでマイグレーションを抑制する、と考えられる。A成分としては、一般式1で、R1、R2及びR3が、それぞれ独立して、水素または炭素数1のアルキル基であると好ましく、式2:のカフェイン、式3:のテオフィリン、式4:のテオブロミンおよび式5:のパラキサンチンからなる群より選択される少なくとも1種であると、より好ましい。A成分は、封止樹脂:100質量部に対して、0.05~12質量部含むと好ましく、0.05~10質量部含むと、より好ましく、0.1~7.5質量部含むと、さらに好ましく、0.5~6質量部含むと特に好ましい。0.05質量部以上であると、耐リード腐食性が良好であり、12質量部以下であると、液状樹脂組成物の増粘率の上昇を抑制することができる。A成分は、例えば、和光純薬工業から市販されている試薬を使用すればよい。ここで、A成分の定量分析は、質量分析法で行う。A成分を、封止樹脂中に保持するための樹脂は、特に限定されないが、封止樹脂として一般的に求められる特性を満足させるために、エポキシ樹脂と硬化剤を含有すると、好ましい。エポキシ樹脂としては、液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂、液状ビスフェノールF型エポキシ樹脂、液状ナフタレン型エポキシ樹脂、液状アミノフェノール型エポキシ樹脂、液状水添ビスフェノール型エポキシ樹脂、液状脂環式エポキシ樹脂、液状アルコールエーテル型エポキシ樹脂、液状環状脂肪族型エポキシ樹脂、液状フルオレン型エポキシ樹脂、液状シロキサン系エポキシ樹脂等が挙げられ、液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂、液状ビスフェノールF型エポキシ樹脂、液状アミノフェノール型エポキシ樹脂、液状シロキサン系エポキシ樹脂が、封止樹脂組成物の硬化性、耐熱性、接着性、耐久性の観点から好ましい。また、エポキシ当量は、封止樹脂組成物の粘度調整の観点から、80~250g/eqが好ましい。市販品としては、新日鐵化学製ビスフェノールF型エポキシ樹脂品名:YDF8170、新日鐵化学製ビスフェノールF型エポキシ樹脂品名:YDF870GS、三菱化学製アミノフェノール型エポキシ樹脂グレード:JER630、JER630LSD、DIC製ナフタレン型エポキシ樹脂品名:HP4032D、モメンティブパフォーマンス製シロキサン系エポキシ樹脂品名:TSL9906、新日鐵化学株式会社製1,4-シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル品名:ZX1658GS等が挙げられる。エポキシ樹脂は、単独でも2種以上を併用してもよい。硬化剤としては、酸無水物、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤が挙げられ、封止樹脂の良好な反応性硬化速度、封止樹脂組成物への適度な粘性付与の観点から、酸無水物が好ましい。酸無水物としては、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルブテニルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、アルキル化テトラヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルハイミック酸無水物、アルケニル基で置換されたコハク酸無水物、ドデセニル無水コハク酸、メチルナジック酸無水物、グルタル酸無水物等が挙げられ、メチルブテニルテトラヒドロフタル酸無水物が好ましい。アミン系硬化剤としては、鎖状脂肪族アミン、環状脂肪族アミン、脂肪芳香族アミン、芳香族アミンが挙げられ、芳香族アミンが好ましい。市販品としては、三菱化学製酸無水物グレード:YH306、YH307、日本化薬製アミン硬化剤カヤハードA-A等が挙げられる。硬化剤は、単独でも2種以上を併用してもよい。封止樹脂は、封止樹脂組成物の良好な反応性、封止樹脂の信頼性の観点から、樹脂にエポキシ樹脂、硬化剤に酸無水物を用いる場合には、エポキシ樹脂のエポキシ当量:1に対して、硬化剤の酸無水当量が、好ましくは0.6~1.2であり、より好ましくは0.65~1.1である。0.6以上であると、封止樹脂組成物の反応性、封止樹脂のPCT試験での耐湿信頼性、耐マイグレーション性が良好であり、一方、1.2以下であると、封止樹脂組成物注入時のボイドの発生が抑制される。封止樹脂は、さらに、B成分であるカップリング剤を含有すると、密着性の観点から好ましく、B成分としては、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルトリメトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビストリエトキシシリルプロピルテトラスルフィド、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシランが、密着性の観点から好ましい。市販品としては、信越化学工業製KBM403、KBE903、KBE9103等が挙げられる。B成分は、単独でも2種以上を併用してもよい。封止樹脂は、さらに、C成分であるフィラーを含有すると好ましい。C成分としては、コロイダルシリカ、疎水性シリカ、微細シリカ、ナノシリカ等のシリカ、アクリルビーズ、ガラスビーズ、ウレタンビーズ、ベントナイト、アセチレンブラック、ケッチェンブラック等が挙げられる。また、C成分としてのフィラーの平均粒径粒状でない場合は、その平均最大径は、特に限定されないが、0.05~50μmであることが、半導体樹脂封止剤中にフィラーを均一に分散させるうえで好ましく、また、半導体封止剤をアンダーフィルとして使用した際の注入性に優れる等の理由から好ましい。0.05μm未満だと、半導体樹脂封止剤の粘度が上昇して、アンダーフィルとして使用した際に注入性が悪化するおそれがある。50μm超だと、半導体樹脂封止剤中にフィラーを均一に分散させることが困難になるおそれがある。C成分としてのフィラーの平均粒径は、0.1~30μmであることがより好ましい。市販品としては、日本アエロジル製疎水性フュームドシリカ製品名:R805、平均粒径:20nm、扶桑化学工業製製品名:SP03B、平均粒径:300nm等が挙げられる。ここで、C成分の平均粒径は、動的光散乱式ナノトラック粒度分析計により測定する。C成分は、単独でも2種以上を併用してもよい。封止樹脂は、さらに、Dゴム成分を含有すると、液状樹脂組成物の硬化物の応力緩和の観点から好ましく、D成分としては、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴムが挙げられる。D成分は、固体のものを使用することができる。形態は特に限定されず、例えば粒子状、粉末状、ペレット状のものを使用することができ、粒子状の場合は、例えば平均粒径が10~750nm、好ましくは30~500nm、より好ましくは、50~300nmである。D成分は、常温で液状のものも使用することもでき、例えば、平均分子量が比較的低いポリブタジエン、ブタジエンアクリロニトリルコポリマー、ポリイソプレン、ポリプロピレンオキシド、ポリジオルガノシロキサンが挙げられる。また、D成分は、末端にエポキシ基と反応する基を有するものを使用することができ、これらは固体、液状いずれの形態であってもよい。市販品としては、宇部興産製ATBN1300-16、CTBN1008-SP等が挙げられる。D成分は、単独でも2種以上を併用してもよい。B成分は、封止樹脂にエポキシ樹脂を使用する場合には、封止樹脂:100質量部に対して、好ましくは0.01~5質量部、より好ましくは0.1~3質量部含有される。0.01質量部以上であると、封止樹脂の密着性が向上し、PCT試験での耐湿信頼性がより良好になり、5質量部以下であると、封止樹脂組成物の発泡が抑制される。C成分は、封止樹脂:100質量部に対して、好ましくは0.1~90質量部、より好ましくは0.5~40質量部、さらに好ましくは1~30質量部含有される。1~30質量部であると、線膨張係数を下げられ、かつ注入性の悪化をさけることができる。D成分は、封止樹脂にエポキシ樹脂を使用する場合には、封止樹脂:100質量部に対して、好ましくは0.1~30質量部、より好ましくは0.5~25質量部、さらに好ましくは1~20質量部含有される。0.1質量部以上であると、封止樹脂の応力を緩和し、30質量部以下であると耐湿信頼性が低下しない。封止樹脂には、本発明の目的を損なわない範囲で、更に必要に応じ、硬化促進剤、カーボンブラックなどの顔料、染料、消泡剤、酸化防止剤、応力緩和剤、イオントラップ剤、界面活性剤、表面改質剤、その他の添加剤等を配合することができる。封止樹脂組成物を形成するための封止樹脂組成物は、例えば、A成分~D成分およびその他添加剤等を同時にまたは別々に、必要により加熱処理を加えながら、撹拌、溶融、混合、分散させることにより得ることができる。これらの混合、撹拌、分散等の装置としては、特に限定されるものではないが、撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、3本ロールミル、ボールミル、プラネタリーミキサー、ビーズミル等を使用することができる。また、これら装置を適宜組み合わせて使用してもよい。封止樹脂は、封止樹脂組成物を、ディスペンサー、印刷等で基板の所望の位置に形成塗布した後、硬化することにより形成する。ここで、封止樹脂組成物を、フレキシブル配線基板等の基板と半導体素子との間に、少なくとも一部が基板の配線上に接するように形成する。ここで、封止樹脂組成物は、温度:25°Cでの粘度が50~2000mPasであると、注入性の観点から好ましい。ここで、粘度は、東機産業社製E型粘度計型番:TVE-22Hで測定する。封止樹脂組成物の硬化は、80~300°Cで行うことが好ましく、また、200秒以内で硬化させると、生産性向上の観点から好ましい。なお、半導体素子、基板は、所望のものを使用することができるが、フリップチップボンディングの半導体素子とCOFパッケージ用基板の組合せが好ましい。このように、本発明の半導体装置は、基板上の配線の耐マイグレーション性、および配線の腐食性に優れ、高信頼性である。本発明について、実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下の実施例において、部、はことわりのない限り、質量部、質量を示す。実施例1~22、比較例1、2表1~表3に示す配合で、封止樹脂組成物以下、樹脂組成物というを作製した。作製した樹脂組成物は、すべて液状であった。なお、B成分の酸無水またはアミン当量/A成分のエポキシ当量は、実施例1~22、比較例1、2のすべてで0.90にした。粘度の評価作製した直後の樹脂組成物の粘度初期粘度、単位:mPasを、東機産業社製E型粘度計型番:TVE-22Hで測定した。表4~表6に、初期粘度の測定結果を示す。また、樹脂組成物を24時間または48時間、25°C、相対湿度50で保管した後の粘度を測定し、24または48時間後の粘度/初期粘度を粘度上昇率単位:とした。表4~表6に、結果を示す。吸水率の評価作製した樹脂組成物を150°C、60分で硬化させた封止樹脂の試験片の初期重量をW0gとし、PCT試験槽121°C±2°C/湿度100/2atmの槽中に20時間置いた後、室温まで冷却して得た封止樹脂の試験片の重量をW1gとし、下記式で、封止樹脂の吸水率単位:を求めた。吸水率=W1-W0/W0×100表4~表6に、封止樹脂の吸水率の評価結果を示す。曲げ弾性率の評価離型剤を塗布したガラス板とガラス板との間に、作製した樹脂組成物を挟み、150°C、60分で350μmのシート状に硬化させ、万能試験機株島津製作所製AG-Iを用いて、封止樹脂の室温での曲げ弾性率を求めた。なお、n=3で測定し、平均値を用いた。また、封止樹脂の試験片の膜厚及び幅は、5点測定し、平均値を計算値に用いた。曲げ弾性率は、好ましくは、2.0~4.0GPaである。表4~表6に、封止樹脂の曲げ弾性率の評価結果を示す。抽出Clイオン量の評価作製した樹脂組成物を150°C、60分で硬化させて得た試料を、5mm角程度に粉砕した。封止樹脂:2.5gにイオン交換水25cm3を加え、PCT試験槽121°C±2°C/湿度100/2atmの槽中に20時間置いた後、室温まで冷却して得た抽出液を試験液とした。上記の手順で得られた抽出液のClイオン濃度を、イオンクロマトグラフを用いて測定した。表4~表6に、抽出Clイオン量の評価結果を示す。注入性の評価図3に、樹脂組成物の注入性の評価方法を説明する模式図を示す。まず、図3Aに示すように、基板20上に20μmのギャップ40を設けて、半導体素子の代わりにガラス板30を固定した試験片を作製した。但し、基板20としては、フレキシブル基板の代わりにガラス基板を使用した。次に、この試験片を110°Cに設定したホットプレート上に置き、図3Bに示すように、ガラス板30の一端側に、作製した樹脂組成物10を塗布し、図3Cに示すように、ギャップ40が樹脂組成物11で満たされるまでの時間を測定し、90秒以下で満たされた場合を良とした。表4~表6に、注入性の評価結果を示す。Siチップとの密着性の評価図4に、Siチップの密着強度の評価方法を説明する模式図を示す。基板61として、150°Cで20分乾燥したFR-4基板と、半導体素子63として、2mm角のSiN膜付きSiチップを準備した。0.5mgの樹脂組成物を、基板61上の封止樹脂65を形成したい位置にディスペンサーで塗布して、樹脂組成物上に、半導体素子63をマウントした。この後、150°Cで60分間、樹脂組成物を硬化させ、封止樹脂65を形成した。アイコ-エンジニアリング製卓上強度試験器型番:1605HTPを使用して、剪断強度単位:Nを測定した。表4~表6に、Siチップとの密着性の評価結果を示す。耐マイグレーション性の評価樹脂組成物の耐マイグレーション性を評価するため、高温高湿バイアス試験THB試験を実施した。図5に、耐マイグレーション性の評価に用いた櫛歯電極の模式図を示す。図5に示すような櫛歯電極として、ポリイミドテープ基材上に、スズメッキ0.2±0.05μmされた銅配線正極71および負極72のパターン幅は10μm、正極71と負極72間のパターンの線間幅は15μm、正極71および負極72のパターンピッチは25μmを作製した。銅配線が形成されたポリイミドテープ基材上に、作製した樹脂組成物を20μm厚みで塗布し、150°Cで30分間処理し、樹脂組成物を硬化させて、封止樹脂の試験片を作製した。この試験片についてイオンマイグレーション評価システムエスペック社製を用いて、110°C/湿度85の条件下で、正極71と負極72間に、DC60Vの電圧を印加したときの抵抗値の変化を測定し、抵抗値が1.00×107Ωを下回った時点を閾値として、銅配線のマイグレーションを評価した単位:時間。表4~表6に、耐マイグレーション性の評価結果を示す。また、図6、7に、耐マイグレーション性評価後の写真を示す。写真にスケールはついていないが、上記のようにパターン幅10μm、線間幅15μmの銅配線である。図6は実施例4、図7は比較例2の写真である。配線の腐食性の評価上記耐マイグレーション性の評価を行った試験片を、光学顕微鏡オリンパス製型番:STM6を用いて、50倍の対物レンズで観察した。配線の腐食が配線幅の1/3に満たないものを○、1/3以上のものを×とした。表4~表6に、配線の腐食性の評価結果を示す。表4~表6からわかるように、実施例1~22の全てで、樹脂組成物は、粘度上昇率が低く、注入性が良好で、封止樹脂の吸水率が低く、耐マイグレーション性、および耐配線腐食性が優れており、曲げ弾性率が所望値であった。これに対して、A成分を含まない比較例1は、耐配線腐食性が悪かった。また、A成分の代わりに、ベンゾトリアゾールを含む比較例2は、樹脂組成物の粘度上昇率が高く、耐配線腐食性も良くなかった。実施例4の図6と、比較例2の図を比較すると、図7ではリードの激しい腐食が観察された。上記のように、本発明の半導体装置は、基板上の配線のマイグレーションを防止し、かつ配線の腐食性を抑制し、特に、フリップチップ型半導体素子向けに適している。"