"主結晶相としてスピネル固溶体を含有する透明ガラスセラミック材料であって、避けられない微量を除いて、As2O3およびSb2O3を含まず、SnO2、TiO2およびZrO2、並びに100ppm未満のFe2O3を含む組成を有するガラスセラミック材料。前記組成が、酸化物の質量パーセントで表して、0.1~2のSnO2、2~4のTiO2、3~4.5のZrO2、および100ppm未満のFe2O3を含む、請求項1記載のガラスセラミック材料。前記組成が、酸化物の質量パーセントで表して、45~65のSiO2、14~28のAl2O3、4~13のZnO、0~8のMgO、0~8のBaO、0.1~2のSnO2、2~4のTiO2、3~4.5のZrO2、および100ppm未満のFe2O3から実質的になり、ZnOMgO≧8である、請求項1記載のガラスセラミック材料。前記組成が、酸化物の質量パーセントで表して、0.15~0.8のSnO2、および/または2~3のTiO2を含む、請求項1記載のガラスセラミック材料。前記組成が80ppm未満のFe2O3を含む、請求項1記載のガラスセラミック材料。そのような文脈において、本出願の発明者等は、iどのような毒性の清澄剤も含まずAs2O3およびSb2O3を含まない、ii可視および近IRにおける高い透過率を示すそのような高い透過率は、光起電用途または同等の用途の場合、非常に重要である:そのように上層として使用されるガラスセラミックは、最大の太陽エネルギーをシリコン層に到達させられる、すなわち、1mmの厚さで400~450nmの範囲の波長について少なくとも50400~450nmの範囲の波長について好ましくは70超、450~520nmの範囲の波長について80超、および520~1000nmの範囲の波長について85超の透過率を示す、およびiiiその前駆体ガラスが、1500°C未満の液相線および700dPas超の液相線での粘度を示す、スピネルガラスセラミックを提供する技術的課題を検討した。ここに開示された透明スピネルガラスセラミックは、高い歪み点850°C超、より好ましくは875°C超、最も好ましくは900°C超、並びに30~40×107/K範囲のCTE25~300°Cも示すことが有利である。その有利な特徴は、それらのガラスセラミックが、半導体から製造された層、特に結晶性シリコン層の基板として使用されることが目的とされている場合、特に有利である。したがって、そのCTEは、シリコンに対して比較的近い熱的一致を提供し、その高い歪み点のために、高温>850°Cでの成長により高品質の結晶性シリコンを製造するための基板としてそれらのガラスセラミックを使用できる。なお、ここに開示されたガラスセラミックは、上述した5つの条項半導体から製造された層、特に結晶性シリコン層の基体として特に適しているようにに関してより特別に開発されてきたことを留意されたいが、本開示は、最初の3つの条項のみに適合し、他の状況で使用できるガラスセラミックも包含することにも留意されたい。そのような透明なスピネルガラスセラミックは、容易に得られ、毒性の清澄剤を含まず、それ自体で興味深い。酸化スズは、アルミノケイ酸塩ガラスにおける清澄のための、見込みのあるヒ素代用物である。しかしながら、適切な液相線を有するガラスから得られ、高い透過率を有するガラスセラミックの組成に酸化スズを含むことは、全く明白ではなかった。先に説明したように、ヒ素を除去すると、可視範囲の強い吸収がもたらされ、酸化チタンを除去し、それを酸化ジルコニウムで置換すると、透明であるが、許容できない液相線>1500°Cを有する材料がもたらされる。さらに、チタンを含有するガラスセラミックは、おそらくは、原料により不純物としてもたらされる鉄とチタンとの間の電荷移動の存在のために、400~450nmの範囲に強い吸収を有する傾向にある。この吸収は、酸化スズが加えられると強調される。実際に、発明者等は、意外なことに、低レベルの鉄と共に、核形成剤としてのTiO2およびZrO2の共存により、適切な透明スピネルガラスセラミックを得る際のAs2O3の代用物としてSnO2を使用できることを発見した。したがって、AsとSbを含まず、主結晶相としてスピネル固溶体を含有する透明ガラスセラミック材料がここに開示される。特徴として、この材料の組成質量パーセントで表しては、避けられない微量を除いて、As2O3およびSb2O3を含まず、SnO2、TiO2およびZrO2、並びに100ppm未満のFe2O3を含む。透明材料は、ここでは、400~450nmの範囲の波長について少なくとも50400~450nmの範囲の波長について好ましくは70超、450~520nmの範囲の波長について80超、および520~1000nmの範囲の波長について85超の透過率を示す材料を意味し、そのような透過率は、1mmの厚さの材料を通して測定される。この材料中に観察される主結晶相は、式Zn,MgAl2O4のスピネル固溶体であるこの固溶体中にチタンや鉄などの他の元素が入ることは不可能ではない。これは、結晶物質の少なくとも75質量でを占める。本発明の材料内に存在する他の結晶相は、例えば、スリランカイトや石英であって差し支えない。スピネル晶子の平均径は一般に10nm未満である。特徴として、この材料の組成は、透過率の高いスピネルガラスセラミックを生成するように、清澄剤としてSnO2を、核形成剤としてTiO2とZrO2の両方を、および100ppm未満のFe2O3を含む。4種類の先に特定した成分は、以下の表示範囲内で質量組成中に存在することが有利である:0.1~2好ましくは、0.15~0.8のSnO2、2~4好ましくは2~3のTiO2、3~4.5のZrO2、および100ppm未満のFe2O3。SnO2は清澄剤として効率的である。この成分は、核形成剤としての役割を果たし、酸化チタンのレベルを制限するのに役立つようである。この成分は、0.1~2質量の表示レベルで存在することが有利であり、0.15~0.8質量の表示レベルで存在することが非常に有利である。清澄効率と吸収の両方が、酸化スズのレベルと共に増加する。TiO2は、表示範囲内で有利に非常に有利に存在する。この成分は、核形成剤として十分に効率的でありそうでなければ、前記材料は透明ではない、強い吸収の原因ではないべきである。ZrO2は表示範囲内で有利に存在する。この成分は、核形成剤として十分に効率的であり、失透の原因ではないべきである。開示されたガラスは、1500°C未満の液相線温度、および700dPas超の液相線での粘度を示す。TiO2とZrO2の表示範囲の組合せが特に適している。SnO2とTiO2の表示の好ましい範囲非常に有利な変形は互いに関係ないことに留意すべきである。鉄は、原料により導入されるかもしれない不純物である。鉄は、吸収を制限するために100ppm未満の濃度で存在し得る。そのレベルは、80ppm未満が有利であり、60ppm未満が非常に有利である。好ましい変形例によれば、ガラスセラミック材料は、酸化物の質量パーセントで表して、45~65のSiO2、14~28のAl2O3、4~13のZnO、0~8のMgO、0~8のBaO、0.1~2のSnO2、2~4のTiO2、3~4.5のZrO2、および100ppm未満のFe2O3から実質的になり、ZnOMgO≧8である。組成が、化合物酸化物の所定のリストから実質的になると表示されている。これは、ガラスセラミック材料中、列挙された化合物酸化物の合計が少なくとも95質量、一般に、少なくとも98質量であることを意味する。そのガラスセラミック材料中に他の化合物明らかに、要求される性質、より詳しくは透明性に強く有害に作用しない他の化合物が少量見つかるかもしれないことは排除できない。それゆえ、CeO2の存在は、いわば排除されガラスセラミックの組成は一般にCeO2を含まない、またB2O3の際立った存在も排除されるガラスセラミックの組成は一般にB2O3を含まない。ガラスセラミックの歪み点に関して、その組成は、有利には、55質量超のSiO2を含み、その組成内で、モル比R2ORO/Al2O3は0.5から1.5であり、式中、R2Oは、アルカリ酸化物のモル数の合計であり、ROは、アルカリ土類酸化物にZnOを加えたモル数の合計である。そのような組成を有するガラスセラミックは、一般に、少なくとも875°C少なくとも900°Cの高い歪み点を有する。Al2O3は、結晶の主成分の1つである。この成分は、十分な結晶化を確実にする最小量かつ、許容できないムライトの失透を生じるほど多くはない量で、それゆえ、先に示された好ましい範囲で存在し得る。ZnOおよびMgOも結晶の構成成分である。したがって、最小量を含ませることができる。多すぎるレベルでは、MgOは透明性にとって有害である。先に示された好ましい値は、それを考慮している。BaOは残留ガラス中に残る。良好な透明性を有するのに役立つが、その量は、十分な結晶化度および高い歪み点を維持するように制限されるべきであり、それゆえ、先に表示された好ましい範囲であることが観察された。当業者は、ここに開示されたガラスセラミックが非常に興味深いことを気付いたであろう。前駆体ガラスおよびガラスセラミックは環境にやさしいヒ素とアンチモンを含まない。前駆体ガラスは容易に形成される。ガラスセラミックは、透明であり、400nm超で高い透過率を示し、このことは、高い歪み点と相まって、ガラスセラミックを光電池の上層として適したものとする。このガラスセラミックのいくつかは、単結晶または多結晶半導体層の高温清澄を支援するのに特に適している。そのような成長は、ガラスセラミック材料上に形成された種層のエピタキシャル厚膜化にあるであろう。この種層は、アルミニウム誘起結晶化またはアルミニウム誘起層交換によって形成される大きい粒子の多結晶シリコン層であるかONastTPuzzerLMKoschierABSproulSRWenhamApplPhysLett733214、または単結晶シリコン層であろう国際公開第2008/121262号パンフレット。そのような層のエピタキシャル厚膜化は、800°C超の温度で行われることが有利であり、1000°C超の温度で行われることが有利であるIGordonetalSolarEnergyMaterialsSolarCells94381385。高品質の多結晶シリコン層を達成する別の手段は、先に成長させた多結晶シリコン層の高温での急速焼き鈍しを行うことであるBRauetalMaterialsScienceandEngineeringB159160329332。光電池は通常、上層と少なくとも1つの半導体吸収層との間に位置する少なくとも1つの透明導電層を備えている。そのような透明導電層により、半導体吸収層中で生成した電荷担体の収集が可能になる一方で、光子のほとんどが半導体吸収層に到達することができる。透明導電層は、透明導体酸化物層であってよく、またはより有利には、種層のエピタキシャル厚膜化の場合に、高ドープ層であれば、それ自体が種層であってよい。透明導電層は通常、400nm未満の波長で著しい吸収を有し、これにより、収集可能な電荷担体が生成されない。したがって、上層は、400nm超の波長で高い透過率を有することが好ましいであろう。種層が導電層としても働く、エピタキシャル厚膜化の好ましい場合、この半透明の導電層は通常、約450nmまでの波長で著しい吸収を有する。この場合、上層は、450nm超の波長で高い透過率を有することが好ましいであろう。このようにして、本発明のガラスセラミックは、光電池の上層として特に適している。第2の主題によれば、本開示は、上述したガラスセラミック材料の前駆体であるアルミノケイ酸塩ガラス材料に関する。そのようなガラス材料は、先に示した組成ガラスセラミックについてを有することが有利である。その組成内で、酸化ジルコニウムのレベルは、失透を制限するために十分に低いレベルに維持することができる。TiO2およびZrO2の存在により、その要件を満たすことができる。本発明は、上述したガラスセラミック材料から製造された物品にも関する。そのようなガラスセラミック物品は、どのような形状を示しても、どのような使用を目的としてもよい。それらの物品が板であることが有利である。そのような板は一般に0.5から4mmの範囲の厚さを有する。そのような板は、半導体薄膜の支持体基板として使用されることが有利である。さらに別の実施の形態によれば、本開示は、上述したガラスセラミック材料から製造された物品を製造する方法に関する。そのような方法は、ガラス化できる原料のバッチ混合物であって、清澄剤としてSnO2を含有するバッチ混合物を溶融する工程、その後、得られた溶融ガラスを清澄する工程、得られた清澄済み溶融ガラスを冷却すると同時に、そのガラスを目的とする物品の所望の形状に成形する工程、および形成されたガラスをセラミック化する工程を連続的に有してなり、前記バッチ混合物は、上述したガラスセラミック材料の前駆体である。この方法は、適切な鉱物バッチ混合物有利には、より正確に上述した量で、清澄剤としてSnO2を、核形成剤としてTiO2およびZrO2を、100ppm未満のFe2O3を含むに、スピネルガラスセラミックを提供する適切な熱処理で特徴的に行われる。セラミック化処理は一般に、2つの工程:核形成工程700~850°Cの範囲および結晶成長工程850~1050°Cの範囲を含む。これらの工程の各々について、少なくとも1時間を要する。この方法の形成工程は、板を製造するために行われることが有利である。それゆえ、この工程は、圧延ローラの間を通すまたはフロート法にあることが非常に有利である。製造された板は一般に、0.5から4mmの厚さを有する。上述した方法により製造されたどの板も、より一般には、ガラスセラミックのどの板も、その板に加え、半導体から製造された少なくとも1つの層その上に配置されたを含む構造の一部であることが適している。そのような構造はさらに別の主題を構成する。最後に、本開示は、そのような構造ガラスセラミック板半導体から製造された少なくとも1つの層を備えた電子装置および光電装置に関する。そのような装置は、光起電装置、フラットパネルディスプレイ装置、液晶ディスプレイ装置であってよい。そのリストは決して網羅的ではない。当業者には、スピネルガラスセラミック材料の大きな利点が理解される。それらの材料は、As2O3およびSb2O3を含まず、容易に得られ、高温に耐えることもできる。それゆえ、それらの材料は、結晶性シリコン薄膜の完璧な支持体を構成することができる。本発明を、ここで、非限定的様式で、以下の実施例1から6により説明する。その実施例は、所定の比較例AからDと比べられる。本開示を、これらの比較例AおよびBと実施例1および3のいくつかの完全な透過率曲線波長の関数としてを示す添付図面により説明する。1kgの前駆体ガラスのバッチを製造するために、下記の表1の第一部に示された比率酸化物として表された質量比の原料を注意深く混合した。その原料は、不純物微量で、より詳しくは微量のFe2O3を含むことに留意されたい。これらの混合物を白金坩堝内に入れ溶融および清澄のため、1650°Cで4時間に亘り溶融した。溶融後、そのガラスを6mmの厚さに圧延し、720°Cで1時間に亘り焼き鈍しした。次いで、以下のサイクルにしたがって、セラミック化を行った:150分間で800°Cに加熱;120分間に亘り800°Cを維持;40分間で1000°Cに加熱;240分間に亘り1000°Cを維持。積分球を備えた分光偏光計これにより、全透過率、すなわち、直接拡散の透過率を測定することができるにより、1mm厚の研磨サンプルに透過率測定を行った。T80、T85およびT90の列以下の表1の第二部のは、80、85および90の透過率値にそれぞれ到達した波長nmを与えている。値がより低いほうが良い。0.5cm3の容積を有する前駆体ガラス片について、液相線温度を測定した。これらのガラス片に以下の処理を施した:1550°Cに予熱した炉に導入;30分間に亘り1550°Cを維持;温度を、10°C/分で試験温度まで低下させる;17時間に亘り試験温度を維持;サンプルの空気焼き入れ。結晶の存在を光学顕微鏡により観察した。以下の表1において、温度範囲および関連する粘度範囲が液相線として与えられている。最高温度は、結晶が観察されなかった試験の最低温度に相当する;最低温度は、結晶が観察された試験の最高温度に相当する。液相線温度で失透する結晶相の性質も示されている。歪み点は、ビーム曲げ粘度測定法により測定した。温度範囲25~300°Cに亘り線熱膨張係数CTEを膨張計測によって測定した。例A、B、CおよびDは本発明に属さない。それらは比較例である。比較例AのガラスはAs2O3を含有する。このガラスは、特許文献4によるガラスである。比較例Bのガラスは、比較例Aのガラスの組成とほぼ同じ組成を有する。しかしながら、その組成にはAs2O3は含まれない。先に説明したように、このガラスは低い透過率を示す。比較例Cのガラスは、ヒ素を含有しないが、比較例Bのガラスよりも低いレベルのチタンを含有する。その透過率は、高くなったが、それでも低い。比較例Dのカラスは、比較例Cよりも低いレベルで鉄を含む。このガラスは、高い透過率を示すが、比較例AAs2O3の透過率よりもまだはるかに低い。例1~6は本発明の実施例である。例1が好ましい。添付図面は、例Bの透過率が低く、例A、1および3の透過率が、450nm超の任意の波長で80より高く、520nm超の任意の波長で85より高いことを明示している。この図面は、例1の透過率が、400nm超の任意の波長で80より高いので、特に興味深いことも示している。"