"光透過性の基板の一面に順に積層された波長変換層、光透過性の第一電極、有機発光層、および第二電極を有する発光デバイスであって、少なくとも前記有機発光層の、積層方向に沿って広がる側面に接してバンクを形成し、該バンクは光反射性を有する材料から構成されることを特徴とする発光デバイス。前記第二電極は遮光性を有する材料から構成されることを特徴とする請求項1記載の発光デバイス。前記波長変換層の側面にバンクを備え、該バンクは光反射性を有する材料から構成されることを特徴とする請求項1または2記載の発光デバイス。前記バンクは白色材料から構成されることを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載の発光デバイス。前記バンクは光反射性に加えて更に光拡散性を有する材料から構成されることを特徴とする請求項1ないし4いずれか1項記載の発光デバイス。前記バンクは樹脂中に微細な光反射性粒子を分散させてなることを特徴とする請求項1ないし5いずれか1項記載の発光デバイス。前記光反射性粒子は、粒径が200nm~5μmであることを特徴とする請求項6記載の発光デバイス。前記基板と前記波長変換層の間、前記基板と第一電極との間の、いずれか一方または双方に、前記基板よりも屈折率の低い低屈折率層を更に形成したことを特徴とする請求項1ないし7いずれか1項記載の発光デバイス。請求項1ないし8いずれか1項記載の発光デバイスに対して、該発光デバイスの発光を制御する駆動部を配置したことを特徴とする表示装置。請求項1ないし8いずれか1項記載の発光デバイスに対して、該発光デバイスの発光を制御する駆動部を配置したことを特徴とする照明装置。しかしながら、上述した特許文献1~4に開示された発明では、光取出し効率を向上させることができるとされているものの、光取出し効率の向上効果が限定的であるという課題があった。即ち、有機発光層や電極を介して面方向に沿って光が伝播し、外部へ出射される光が減少することへの対策が全くなされていなかった。例えば、有機発光層の典型的な屈折率が1.8程度、絶縁層バンクの典型的な屈折率が1.5~1.8程度、透明電極層であるITOの典型的な屈折率が2.1~2.2程度であるため、低屈折率層屈折率1.0~1.3程度との屈折率差のために、低屈折率層との界面で全反射されてしまう成分が多い。この全反射された成分は、有機発光層、絶縁層、透明電極層などを介して面方向に沿って伝播し、外部に出射されることなく損失する。透明電極層を有機発光層の画素領域ごとに区画する絶縁層バンクは、従来、ポリメチルメタクリレート、ポリイミドなどの高分子材料やSiO2等の無機材料から構成されており、色調は透明か黒色であった。このため、面方向に沿って広がった光は、絶縁層バンクが黒色の場合は、この絶縁層に吸収されて損失する。また、絶縁層バンクが透明光透過性の場合は、この絶縁層を介して隣接する有機発光層や透明電極層に向けて光が伝播して損失する。また、特許文献5及び6には、発光部分の側面に反射膜を形成することにより光取出し効率を向上させる技術が開示されており、さらに、特許文献6には反射膜として金属粉、金属粒子もしくは白色顔料を含む樹脂からなることが開示されているが、構造上、プロセス上の課題があった。特許文献5の技術においては、側面の反射膜が導電性であるため、反射膜状にさらに絶縁層を設ける必要があり、プロセスが複雑になる欠点があった。しかも、反射膜が形成されている部分が、基板に対して斜めになっている隔壁側面であるため、生産時のプロセス制御性が困難であるばかりでなく、パターン形成のための露光位置合わせマージンなどを考えると、画素開口部が小さくなるという課題があった。画素開口部が小さくなると、ディスプレイとしての所望の輝度を得るために、画素開口部での発光輝度を上げる必要がある。特許文献6の技術においては、蛍光体層の側面に反射膜を形成する技術、反射膜として金属粉、金属粒子もしくは白色顔料を含む樹脂からなる技術が開示されているが、この技術を有機EL発光部分に適用することについてはなんら開示も示唆もされていない。また、この技術を有機EL発光部に適用し、有機発光部の側面に反射膜を形成しようとすると構造上、プロセス上の課題が生じる。まず、有機ELの発光部分に用いられる有機材料は水分、酸素、溶剤などに対して極めて弱く、この有機EL発光部分の側面に反射膜を形成することはプロセス上極めて困難である。また、この技術は有機ELの各画素ごとに発光層が分離形成されている場合はともかく、発光層が画素ごとに分離させず全面形成された構造には適用できないという課題もある。さらに、有機EL発光部からの光導波による光損失を考えるときには、電極など発光部分以外からの導波も考えなければならないが、特許文献6には、それらについてはなんら開示も示唆もされていない。本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、有機発光層にカラーフィルタや蛍光体などの波長変換層などを組み合わせた素子において、発光光を外部に向けて効率よく出射させ、高輝度に発光可能な発光デバイス、表示装置、及び照明装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明のいくつかの態様は次のような発光デバイス、表示装置、及び照明装置を提供した。すなわち、本発明の発光デバイスは、光透過性の基板の一面に順に積層された波長変換層、光透過性の第一電極、有機発光層、および第二電極を有する発光デバイスであって、少なくとも前記有機発光層の、積層方向に沿って広がる側面に接してバンクを形成し、該バンクは光反射性を有する材料から構成されることを特徴とする。前記第二電極は遮光性を有する材料から構成されることを特徴とする。また、前記波長変換層の側面にバンクを備え、該バンクは光反射性を有する材料から構成されることを特徴とする。前記バンクは白色材料から構成されることを特徴とする。また、前記バンクは光反射性に加えて更に光拡散性を有する材料から構成されることを特徴とする。前記バンクは樹脂中に微細な光反射性粒子を分散させてなることを特徴とする。また、前記光反射性粒子は、粒径が200nm~5μmであることを特徴とする。前記基板と前記波長変換層の間、前記基板と第一電極との間の、いずれか一方または双方に、前記基板よりも屈折率の低い低屈折率層を更に形成したことを特徴とする。本発明の表示装置は、前記各項記載の発光デバイスに対して、該発光デバイスの発光を制御する駆動部を配置したことを特徴とする。本発明の照明装置は、前記各項記載の発光デバイスに対して、該発光デバイスの発光を制御する駆動部を配置したことを特徴とする。本発明によれば、高発光効率高輝度の発光デバイス、表示装置、及び照明装置を提供することができる。以下、図面を参照して、本発明に係る発光デバイス、表示装置、及び照明装置の一実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。発光デバイス:第一実施形態図1は第一実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス10は、光透過性の基板11と、この基板11の一面11aに順に積層された波長変換層15、光透過性の第一電極下部電極12、有機発光層14、第二電極上部電極13と、少なくとも、積層方向に沿って広がる有機発光層14の側面に接して配置されるバンク17を備え、該バンク17は光反射性を有する材料から構成されている。バンク17は、例えば有機発光層14の1画素に相当する領域を区画するように形成されている。照明デバイスなどの場合、こうした領域は1つでもよいが、複数の領域を形成しても良い。作製プロセスとしては、例えば、基板11上に波長変換層15を形成し、次に、第一電極下部電極12を形成し、その後バンク17を形成し、さらに有機発光層14、第二電極上部電極13を形成するプロセスなどを用いることができる。有機ELに用いられる材料は水分、酸素などに極めて弱いため、有機発光層14の形成前、すなわち、第一電極下部電極12及びバンク17を形成した後に、十分な脱水工程ベーク工程、真空乾燥工程などを行うことが好ましい。また、波長変換層15と第一電極下部電極12との間に、層間膜、平坦化膜、第二の基板などのいずれか、あるいは全てを挿入することも好ましい。基板11は、光透過性の材料、例えば、ガラス、透明樹脂などから構成される。具体例として、液晶ディスプレイなどで頻繁に使われている0.7mm厚のガラス基板を用いることができる。波長変換層15は、カラーフィルタ、蛍光体などで形成することができる。波長変換層15をカラーフィルタで構成する場合、カラーフィルタは液晶ディスプレイなどで一般に用いられているカラーフィルタ材料を用いて作製することができる。また、カラーフィルタに散乱性粒子などを添加し、カラーフィルタに散乱性を付与することも、カラーフィルタを通った後の光プロファイルが等方的になるため好ましい。波長変換層15を蛍光体層として構成する場合、蛍光体と高分子樹脂との混合体などにより形成することができる。蛍光体としては、無機蛍光体、有機蛍光体、有機無機ハイブリッド蛍光体、量子ドット蛍光体などを用いることができる。また、蛍光体として、ホスト-ゲストタイプなど、複数の材料で構成することも可能である。また、波長変換層15として、蛍光体層とカラーフィルタ層とを重ねて積層することも好ましい。通常は、発光した光をまず蛍光体層に入射させ、蛍光体層で発光した光がカラーフィルタを通して外部に出てゆくようにする。この場合、カラーフィルタ層は、波長スペクトルを適切なものに整える作用と、外光反射を抑制する作用とを併せ持つ。さらに、蛍光体層とカラーフィルタ層のいずれかにブラックマトリクス層を重ねて積層することも好ましい。また、蛍光体層とカラーフィルタ層との積層膜にブラックマトリクス層を重ねて積層することも好ましい。これらの場合、ブラックマトリクス層は外光反射を抑制する効果を持ち、明室環境下でのコントラスト向上に寄与する。第一電極下部電極12は、透明電極であればよく、例えば、ITOIndiumtinoxideや、ZnOZincoxideなどが用いられる。第一電極12の厚さは例えば、100nm程度である。なお、第一電極12は、通常はアノードであるが、カソードとすることも可能であり、その場合には低仕事関数の材料を用いる。また、配線抵抗を下げる目的等で補助配線を併設してもいい。補助配線は、例えばAl,Ag,Ta,Ti,Niなどの金属材料で形成することができる。第一電極下部電極12は、バンク絶縁層15によって、所定の領域毎に複数に区画されている。本実施形態の発光デバイス10を表示装置有機ELディスプレイとして用いる場合には、第一電極下部電極12は、1画素に相当する領域毎に区画されていればよい。第二電極上部電極13は、遮光性である場合と光透過性である場合とがある。第二電極上部電極13が遮光性や反射性など光不透過性である場合は、いわゆるボトムエミッション型の発光デバイスとなる。また、第二電極上部電極13が光透過性である場合は、両面発光型の発光デバイスとなる。第二電極13は、通常はカソードを成し、光不透過性の場合は、LiF/Al,MgAg/Al,Ba/Al,Ca/Agなどを用いることが出来る。また、光透過性の場合には、LiF/ITO,MgAg/IZOなどを用いることができる。なお、第二電極上部電極13をアノードとすることも可能であり、その場合には、仕事関数の高い材料、例えば、ITOなどが好ましく用いられる。これら以外にも、第一電極12及び第二電極13を形成する電極材料として、各種の公知の電極材料を用いることができる。アノードである場合には、有機発光層14への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が4.5eV以上の金Au、白金Pt、ニッケルNi等の金属、及び、インジウムInと錫Snからなる酸化物ITO、錫Snの酸化物SnO2インジウムInと亜鉛Znからなる酸化物IZO等が透明電極材料として挙げられる。また、カソードを形成する電極材料としては、有機発光層14への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が4.5eV以下のリチウムLi、カルシウムCa、セリウムCe、バリウムBa、アルミニウムAl等の金属、又は、これらの金属を含有するMg:Ag合金、Li:Al合金等の合金が挙げられる。第一電極12及び第二電極13は上記の材料を用いてEB蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本発明はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により、形成した電極をパターン化することもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターン化した電極を形成することもできる。その膜厚は、50nm以上が好ましい。膜厚が50nm未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。有機発光層有機EL発光体14は、第一電極12と第二電極13との間に印加された電圧によって、所定の波長帯の光を発する。有機発光層有機EL発光体14は、単層でもよいが、通常は複数層からなり、例えば、α-NPDとAlq3の積層膜などを用いることができる。また、アノードである第一電極下部電極12と、カソードである第二電極上部電極13との間に、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、ホールブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などからなる複層の有機発光層を形成することも行われている。これらの層以外に、MoO3層、C60層、フラーレン含有層、量子ドット含有層などさまざまな層を併用することも盛んに検討されており、いずれも本発明を適用できることは言うまでもない。量子ドット含有層を用いた発光素子は、QLEDQuantumdotlightemittingdiodeと呼ばれている。また、発光領域を積層するいわゆるタンデム構造を用いることもできる。第一電極12と第二電極13との間に配置される層の膜厚は、通常、各層が数10nm程度である。もちろん、本発明の技術は、本発明の構成をとるものであれば、現在まだ発明されていない発光素子、一般に認知されていない発光素子などにも適用可能であることはいうまでもない。有機発光層14の層構造としての具体的として、下記の構成が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。1有機発光層2正孔輸送層/有機発光層3有機発光層/電子輸送層4正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層5正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層6正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層7正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/正孔防止層/電子輸送層8正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/正孔防止層/電子輸送層/電子注入層9正孔注入層/正孔輸送層/電子防止層/有機発光層/正孔防止層/電子輸送層/電子注入層ここで、有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層及び電子注入層の各層は、単層構造でも多層構造でもよい。有機発光層14は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよく、また、これらの材料が高分子材料結着用樹脂又は無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率寿命の観点からは、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。有機発光材料としては、有機発光層用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。また、上記発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでもよく、低消費電力化の観点で、発光効率の高い燐光材料を用いる事が好ましい。ここで、具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。発光層に任意に含まれる発光性のドーパントとしては、有機発光層用の公知のドーパント材料を用いることができる。このようなドーパント材料としては、例えば、紫外発光材料としては、p-クォーターフェニル、3,5,35テトラtブチルセクシフェニル、3,5,35テトラtブチルp-クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。青色発光材料として、スチリル誘導体等の蛍光発光材料、ビス[4,6-ジフルオロフェニル-ピリジナト-N,C2‘]ピコリネートイリジウムIIIFIrpic、ビス4’6‘-ジフルオロフェニルポリジナトテトラキス1-ピラゾイルボレートイリジウムIIIFIr6等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。また、ドーパントを用いる時のホスト材料としては、有機EL用の公知のホスト材料を用いることができる。このようなホスト材料としては、上述した低分子発光材料、高分子発光材料、4,4‘-ビスカルバゾールビフェニル、9,9-ジ4-ジカルバゾール-ベンジルフルオレンCPF、3,6-ビストリフェニルシリルカルバゾールmCP、PCF等のカルバゾール誘導体、4-ジフェニルフォスフォイル-N,NジフェニルアニリンHM-A1等のアニリン誘導体、1,3-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンmDPFB、1,4-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンpDPFB等のフルオレン誘導体等が挙げられる。電荷注入輸送層は、電荷正孔、電子の電極からの注入と発光層への輸送注入をより効率よく行う目的で、電荷注入層正孔注入層、電子注入層と電荷輸送層正孔輸送層、電子輸送層に分類され、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料結着用樹脂又は無機材料中に分散された構成であってもよい。電荷注入輸送材料としては、有機発光層用の公知の電荷輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料及び電子注入輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。正孔注入正孔輸送材料としては、例えば、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等の酸化物、無機p型半導体材料、ポルフィリン化合物、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビスフェニル-ベンジジンTPD、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジンNPD等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリンPANI、ポリアニリン-樟脳スルホン酸PANI-CSA、3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイトPEDOT/PSS、ポリトリフェニルアミン誘導体Poly-TPD、ポリビニルカルバゾールPVCz、ポリp-フェニレンビニレンPPV、ポリp-ナフタレンビニレンPNV等の高分子材料等が挙げられる。また、アノードからの正孔の注入輸送をより効率よく行う点で、正孔注入層として用いる材料としては、正孔輸送層に使用する正孔注入輸送材料より最高被占分子軌道HOMOのエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましく、正孔輸送層としては、正孔注入層に使用する正孔注入輸送材料より正孔の移動度が、高い材料を用いることが好ましい。また、より正孔の注入輸送性を向上させるため、前記正孔注入輸送材料にアクセプターをドープする事が好ましい。アクセプターとしては、有機発光層用の公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。アクセプター材料としては、Au、Pt、W,Ir、POCl3、AsF6、Cl、Br、I、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等の無機材料、TCNQ7,7,8,8,-テトラシアノキノジメタン、TCNQF4テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、TCNEテトラシアノエチレン、HCNBヘキサシアノブタジエン、DDQジシクロジシアノベンゾキノン等のシアノ基を有する化合物、TNFトリニトロフルオレノン、DNFジニトロフルオレノン等のニトロ基を有する化合物、フルオラニル、クロラニル、ブロマニル等の有機材料が挙げられる。この内、TCNQ、TCNQF4、TCNE、HCNB、DDQ等のシアノ基を有する化合物がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。電子注入電子輸送材料としては、例えば、n型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体等の低分子材料;ポリオキサジアゾールPoly-OXZ、ポリスチレン誘導体PSS等の高分子材料が挙げられる。特に、電子注入材料としては、特にフッ化リチウムLiF、フッ化バリウムBaF2等のフッ化物、酸化リチウムLi2O等の酸化物等が挙げられる。電子のカソードからの注入輸送をより効率よく行う点で、電子注入層として用いる材料としては、電子輸送層に使用する電子注入輸送材料より最低空分子軌道LUMOのエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましく、電子輸送層として用いる材料としては、電子注入層に使用する電子注入輸送材料より電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。また、より電子の注入輸送性を向上させるため、前記電子注入輸送材料にドナーをドープする事が好ましい。ドナーとしては、有機発光層用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。ドナー材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Al、Ag、Cu、In等の無機材料、アニリン類、フェニレンジアミン類、ベンジジン類N,N,N’,N’-テトラフェニルベンジジン、N,N’-ビス-3-メチルフェニル-N,N’-ビス-フェニル-ベンジジン、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジン等、トリフェニルアミン類トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン等、トリフェニルジアミン類N,N’-ジ-4-メチル-フェニル-N,N’-ジフェニル-1,4-フェニレンジアミン等の芳香族3級アミンを骨格にもつ化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の縮合多環化合物ただし、縮合多環化合物は置換基を有してもよい、TTFテトラチアフルバレン類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等の有機材料がある。この内特に、芳香族3級アミンを骨格にもつ化合物、縮合多環化合物、アルカリ金属がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層及び電子注入層等の有機発光層は、上記の材料を溶剤に溶解、分散させた有機発光層形成用の塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線EB蒸着法、分子線エピタキシーMBE法、スパッタリング法、有機気相蒸着OVPD法等の公知のドライプロセス、又は、レーザー転写法等により形成することができる。なお、ウエットプロセスにより有機発光層を形成する場合には、有機発光層形成用の塗液は、レベリング剤、粘度調整剤等の塗液の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。上記の有機発光層14を構成する各層の膜厚は、通常1~1000nm程度であるが、10~200nmが好ましい。膜厚が10nm未満であると、本来必要とされる物性電荷の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性が得なれない。また、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じるおそれがある。また、膜厚が200nmを超えると有機発光層の抵抗成分により駆動電圧の上昇が生じ、消費電力の上昇に繋がる懸念がある。バンク17は、少なくとも光反射性を有する材料から構成される。光反射性に加えて光拡散性を有する材料を用いることも好ましい。光拡散性を有する材料としては、色調が白色の材料を用いることが好ましい。単に光反射性のみの場合には、バンク17の側面の基板11に対する角度やバンク17の形状によって、取り出される光のプロファイルが大きく変わるため、所望の光プロファイルを得るためには、バンク17の側面の基板に対する角度やバンク17の形状を適切なものに制御する必要も出てくる。これに対し、バンク17が光反射性に加えて、白色性、光散乱性を有していると、バンク17で反射する光の方向が広がるため、取り出される光のプロファイルは、バンク17の側面の基板11に対する角度や、バンク17の形状にそれほど依存せず、自然な発光プロファイルが得られやすい。一例として、バンク17を、例えば、特開2007-322546号公報、特開2008-211036号公報、特開2011-66267号公報など開示されている高反射率の白色ソルダーレジストを利用して形成することができる。あるいは、ポリイミド系やアクリル系などの感光性樹脂にTiO2などの粒子を分散させて、バンク17に光反射性、光散乱性、白色性などの機能を付与することも有効な手法である。バンク17は、光透過性の基板11の一面11a上に、所定のパターンで形成される。バンク17を所定の形状にパターン化するためには、光感光性樹脂に酸化チタン粒子などを添加したものをフォトリソグラフィーを用いてパターン化する方法、樹脂に酸化チタン粒子などを添加したものを全面形成し、その上にフォトレジストをパターン形成して、酸化チタン粒子を添加した樹脂層を所定のパターンにエッチングする方法など、半導体製造工程や液晶パネル製造工程などで用いられる公知の製造工程を適用することができる。バンク17の膜厚は、例えば1μm~5μmが概ね適切な範囲ではあるが、目的に合わせて適宜膜厚を選定してもよい。例えば、100nm~数10μmの高さのバンクも使用可能であり、いずれの場合であっても本発明の効果を得ることができる。バンク17によって有機発光層14から発した光や色変換膜から発した光を反射する前に、全反射を繰り返してそのたびごとに光がロスするのは好ましくないので、互いに隣接するバンク17どうしの間隔開口径はあまり大きくないほうがよい。隣接するバンク17どうしの間隔は、50mm,20mm,10mm,5mm,1mm,500μm,100μm,50μm,20μmなどである。バンク17に光散乱性を持たせる場合には、バンク17を構成する樹脂中に微細な光反射性粒子を分散させることが好ましい。光反射性粒子は、粒径が200nm~5μmであることが好ましい。これによって、バンク17は光反射性を持つとともに、光の反射方向をランダムにする光散乱性も持つことができる。バンク17は、また、第一電極下部電極12のエッジ部分でのリークを防ぐ役割も果たす。即ち、第一電極12に有機発光層14を形成した場合、第一電極12の端面で有機発光層14の膜厚が薄くなる。このため第一電極12と第二電極13との間でショートが起こりやすくなる。バンク17をこうした領域に配置することによって、ショートを防止することができる。この場合、バンク17は、一般的にエッジカバー、ないし絶縁層などと称される構成物となる。以上のような構成の発光デバイスの作用について説明する。図1に示すように、発光デバイス10の第一電極下部電極12と第二電極上部電極13との間に、所定の電圧値の電圧が印加されると、有機発光層14中に注入された電子と正孔との再結合によって生じた励起子エキシトンによって、有機発光層14が発光する。有機発光層14で発光した光励起光のうち、透明な第一電極下部電極12に向かう方向に出射された光は、第一電極12を透過して波長変換層15に入射する。また、有機発光層14で発光した光励起光のうち、光不透過性の第二電極上部電極13に向かう方向に出射された光は、第二電極13の表面で反射され、再び有機発光層14を透過し、第一電極12を透過して波長変換層15に入射する。一方、有機発光層14で発光した光励起光のうち、面広がり方向積層方向に直角な方向に向けて出射された光は、バンク17に入射する。バンク17に入射した光は、バンク17が光反射性を有する材料から構成されているため、入射した光を反射、および好ましくは拡散させる。そして、バンク17で反射された光も、第一電極12を透過して波長変換層15に入射する。次に、波長変換層15に光が入射した後のことを述べる。波長変換層15が、特段の光散乱性機能がないカラーフィルタの場合、波長変換層15に入射した光は、波長スペクトルが変化し、進行方向については基本的には屈折率差に基づく進行方向変化が生じるのみであり、光は基板11を通して外部に出射される。一方、波長変換層15が蛍光体または、光散乱機能を有するカラーフィルタの場合、波長変換層15からの光はさまざまな方向に進む。このうち、基板11側に進む光は、基板11を介して外部に出射される。基板11と反対方向に進む光は、光不透過性の第二電極上部電極13の表面で反射され、再び波長変換層15、および基板11を透過して外部に出射される。また、面広がり方向積層方向に直角な方向に向けて出射された光の一部はバンク17に入射する。バンク17に入射した光は、バンク17が光反射性を有する材料から構成されているため、入射した光を反射、および好ましくは拡散させる。そして、バンク17で反射された光も、波長変換層15、および基板11を透過して外部に出射される。このように、本実施形態の発光デバイス10によれば、バンク17に光反射性があるため、バンク17に向かって出射された光が、バンク17で吸収されてしまったり、バンク17内を導波して損失することがない。そして、バンク17に向かって出射された光をバンク17で反射させて基板11から外部に出射させることによって、光取出し効率を格段に向上させることが可能になる。即ち、従来の発光デバイスは、有機発光層の屈折率や散乱性、あるいは形状の制御によって光取出し効率を上げるという発想に対して、本発明においては、有機発光層14において発光した光を、バンク17で囲われた領域内に閉じ込め、バンク17の方向に伝播させないことにある。こうした構成によって、光の出射を光を取り出したい方向にだけ限定でき、光をロスすることなく効率よく取り出せる。これによって、従来知られている発光デバイスと比較して、光取出し効率を格段に向上させることができる。なお、バンク17は、光反射性は必須であるが、更に加えて正反射ではなく、乱反射性、散乱性を有する材料から構成することがより好ましい。正反射よりも、乱反射、散乱の方が、バンク17に入射した光がランダムな方向に反射されるため、光の取り出し効率をより一層高められる。また、バンク17を配置する位置は、理想的には、所定の形状にパターン化された第一電極下部電極12の周辺すべてをバンク17で覆うことが好ましい。しかし、その一部のみをバンク17覆っても、光取出し効率の向上効果は得られる。ただし、第一電極下部電極12の周辺長さに対して、例えば、1程度の長さに対してのみ光反射性のバンク17を配置しただけでは、残り99の長さの部分からは光が面広がり方向に導波して損失することになり、光取出し効率の向上効果は限定的である。有機発光層14で発光した光が面広がり方向に導波して逃げてゆくか、あるいは光反射性のバンク17によって反射されて、基板11側から取り出されるかは、第一電極12の周辺長さに対して、バンク17が配置されている長さの割合が相関している。例えば、光反射性のバンクを用いない場合の光取出し効率が25と仮定すると、損失分は75となる。第一電極12の周辺長さに対して、バンク17が配置されている長さの割合が10であれば、概算で約7.5の光が取り出される可能性があり、トータルの光取出し効率は32.5となり、光反射性のバンク17を形成しない場合の取り出し効率25に対して、約30の効率向上となる。しかし、第一電極12の周辺長さに対して、バンク17が配置されている長さの割合が1であれば、最大でも0.75しか光取出しは向上せず、トータルの光取出し効率は25.75にしかならない。これは、光反射性のバンク17を設けない場合の光取出し効率25に対して、僅か3の改善でしかなく、得られる効果はあまりに小さい。この様な観点から、第一電極下部電極12の周辺長さに対して、バンク17が配置されている長さの割合は、理想的には100であるが、概ね5以上あれば、相応の光取り出し効率の向上効果は得られることになる。第一電極12の周辺長さに対して、バンク17が配置されている長さの割合が5の場合、光反射性のバンク17によって取り出される光は最大3.7575×5であり、トータル27.75となる。これは光反射性のバンク17を設けない場合の光取出し効率25に対して、15の向上であり、意味のある改善といえる。ただし、実質的には、他の構成部での光損失や、基板11内での導波によるロスなどがあるため、好ましくは、第一電極12の周辺長さに対して、光反射性のバンク17が配置されている長さの割合が50以上が好ましく、特に100にすることが好ましい。第一電極12の周辺長さに対して、バンク17が配置されている長さの割合をどれくらいにするかは、例えば、バンク17をパターン化する際の形状で決めることができる。一般的なケースで考えれば、第一電極12の周辺をすべてバンク17で覆うことはなんら困難ではなく、第二電極13と第一電極12との間のリークの抑制、およびウェットプロセスで形成する場合の隣接画素への流れ込み防止という観点も考えると、第一電極下部電極12の周辺をすべて光反射性バンク17で覆うことが好ましい。また、発光デバイス10は、信頼性確保のため、適切な方法で周囲を封止するのが好ましい。封止の方法は、公知の方法などを用いることができる。例えば、缶封止と乾燥剤を用いる方法、キャップガラスと乾燥剤を用いる方法、ガラスフリット封止、透湿性を抑えた膜とガラスとで張り合わせる方法などが挙げられる。発光デバイス:第二実施形態図2は第二実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス20は、光透過性の基板21と、この基板21の一面21aに順に積層された波長変換層25、光透過性の第一電極下部電極22、第二電極上部電極23と、この第一電極22および第二電極23の間に形成された有機発光層24と、少なくとも、有機発光層24の側面に配置されるバンク27とを備え、該バンク27は光反射性を有する材料から構成されている。そして、この実施形態においては、有機発光層24を、例えば画素毎に区切って形成している。即ち、第一実施形態においては、有機発光層14はバンク17を乗り越えて一連の層として形成されていたが図1参照、第二実施形態においては、有機発光層24はバンク27の上部第二電極側で区切られて複数に分割されている。これによって、有機発光層24を伝播して面広がり方向に伝播していく光を遮断し、光取出し効率を更に向上させることができる。発光デバイス:第三実施形態図3は第三実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス30は、光透過性の基板第一の基板31と、この基板31の一面31aに順に積層された波長変換層35、層間膜38、光透過性の第二の基板39、第一電極下部電極32、有機発光層34、第二電極上部電極33と、少なくとも、波長変換層35及び有機発光層34の双方の側面に配置されるバンク37を備え、該バンク37は光反射性を有する材料から構成されている。この第三実施形態では、層間膜38、光透過性の第二の基板39を用いているが、これら層間膜38、第二の基板39のいずれかあるいは両方を省略することもできる。また、この第三実施形態では、有機発光層34がバンク37を乗り越えて一連の層として形成されているが、有機発光層34を、画素毎に区切って形成してもよい。第三実施形態においては、有機発光層34と波長変換層35の双方の側面に光反射性のバンク37を配置しているため、光取出し効率の観点からは第一実施形態、第二実施形態より好ましい。第三実施形態の作製プロセスとしては、例えば、基板31上に順次、膜や構造物を積み上げていっても良いが、基板31上にバンク37と波長変換層35とを形成し、一方、第二の基板39上に、第一電極下部電極32、有機発光層34、第二電極上部電極33を形成し、基板第一の基板31と第二の基板39とを貼り合せる方法で作製することもできる。発光デバイス:第四実施形態図4は第四実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。第四実施形態における発光デバイス40は、光透過性の基板第一の基板41と、この基板41の一面41aに順に積層された波長変換層45、層間膜48、光透過性の第二の基板49、第一電極下部電極42、有機発光層44、第二電極上部電極43と、少なくとも、波長変換層45及び有機発光層44の双方の側面に配置されるバンク47を備え、該バンク47は光反射性を有する材料から構成されている。第四実施形態においては、波長変換層45を、例えば画素毎に区切って形成している。即ち、第三実施形態においては、波長変換層35はバンク37を乗り越えて一連の層として形成されていたが図3参照、第四実施形態においては、波長変換層45はバンク47の上部第二電極側で区切られて複数に分割されている。これによって、波長変換層45を伝播して面広がり方向に伝播していく光を遮断し、光取出し効率を更に向上させることができる。第四実施形態では、層間膜48、光透過性の第二の基板49を用いる形態で説明しているが、これら層間膜48、光透過性の第二の基板49いずれかあるいは両方を省略することもできる。また、第四実施形態では、有機発光層44がバンク47を乗り越えて一連の層として形成されているが、有機発光層44を、区画毎に区切って形成してもよい。第四実施形態においては、有機発光層44と波長変換層45の双方の側面に光反射性のバンク47を配置しているため、光取出し効率の観点からは第一実施形態、第二実施形態より好ましい。また、第四実施形態の作製プロセスであるが、基板41上に順次、膜や構造物を積み上げていっても良いが、基板41上にバンク47と波長変換層45とを形成し、一方、第二の基板49上に、第一電極下部電極42、有機発光層44、第二電極上部電極43を形成し、これら基板第一の基板41と第二の基板49とを貼り合せる方法で作製することもできる。なお、上述した第三実施形態や第四実施形態において、有機発光層34,44、波長変換層35,45の形成領域を所定の範囲内に限定して形成する方法としては、例えば、マスク蒸着法、インクジェット法、印刷などによるウェット法を用いた塗り分け、LITILaserInducedThermalimaging、LIPSlaserInducedPatternwiseSublimationなどのレーザーを用いる手法、フォトブリーチ法などの方法を適宜用いればよい。バンク37,47は、また、インクジェットなどウェットプロセスによって有機発光層34,44を形成する場合に、基板31,41のある画素領域に塗布された液体が、隣接する画素領域に流れることを防止する。こうした機能をより高めるために、バンク37,47に更に撥液性を付与する処理を施すことも好ましい。発光デバイス:第五実施形態図5は第五実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。第五実施形態に係る発光デバイス50は、光透過性の基板51と、この基板51の一面51aに順に積層された波長変換層55、第一電極下部電極52、有機発光層54、第二電極上部電極53と、少なくとも、波長変換層55及び有機発光層54の双方の側面に配置されるバンク57を備え、該バンク57は光反射性を有する材料から構成されている。この第五実施形態では、波長変換層55、第一電極52、有機発光層54がバンク57を乗り越えて一連の層として形成された構成となっている。なお、第五実施形態では、更に層間膜を波長変換層55と第一電極52の間に挿入しても良い。発光デバイス:第六実施形態図6は第六実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。第六実施形態に係る発光デバイス60は、光透過性の基板61と、この基板61の一面61aに順に積層された波長変換層65、第一電極下部電極62、有機発光層64、第二電極上部電極63と、少なくとも、波長変換層65及び有機発光層65の双方の側面に配置されるバンク67を備え、該バンク67は光反射性を有する材料から構成されている。このような第六実施形態では、更に層間膜を波長変換層65と第一電極62との間に挿入しても良い。第六実施形態においては、波長変換層65、第一電極62、および有機発光層64を、例えば画素毎に区切って形成している。即ち、第五実施形態においては、波長変換層55、第一電極52、有機発光層54は、バンク57を乗り越えて一連の層として形成されていたが図5参照、第六実施形態においては、波長変換層65、第一電極62、および有機発光層64はバンク67の上部第二電極側で区切られて複数に分割されている。これによって、波長変換層65、第一電極62、および有機発光層64を伝播して面広がり方向に伝播していく光を遮断し、光取出し効率を更に向上させることができる。また、第六実施形態では、波長変換層65、第一電極62、および有機発光層64がバンク67によって区切られているが、この三者のうち、二者あるいは一者だけをバンク67を乗り越えて一連の層として形成することも可能である。発光デバイス:第七実施形態図7は第七実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。第七実施形態に係る発光デバイス70は、光透過性の基板71と、この基板71の一面71aに順に積層された波長変換層75、第一電極下部電極72、有機発光層74、第二電極上部電極73と、少なくとも、波長変換層75及び有機発光層74の双方の側面に配置されるバンク77とを備え、該バンク77は光反射性を有する材料から構成されている。第七実施形態では、更に層間膜を波長変換層75と第一電極72との間に挿入しても良い。第七実施形態においては、波長変換層75、第一電極下部電極72、有機発光層74、第二電極73は全面に渡って形成するが、バンク77によって各区域あるいは各画素ごとに区切られる方式である。これを実現するための手法はいろいろあるが、現実的な方法としては、光反射性のバンク77を図7に示すように逆テーパー形状に形成する方法である。バンク77を逆テーパー形状に形成することにより、波長変換層75、第一電極下部電極72、有機発光層74、および第二電極73は自然に段切れが生じ、波長変換層75、有機発光層74から出た光は基板71側に向かうことになり、光取出し効率の点で好ましい。発光デバイス:第八実施形態図8A~図8Dは第八実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。この実施形態の発光デバイス80a~80dは、波長変換層85、第一電極下部電極82、有機発光層84、第二電極上部電極83、および有機発光層84の側面に配置されるバンク87とを備え、該バンク87は光反射性を有する材料から構成されている。そして、基板81と波長変換層85あるいは、基板81と第一電極下部電極82との間に、基板81よりも屈折率の低い低屈折率層86を形成している。この低屈折率層86の屈折率は基板81の屈折率より低いことが好ましく、理想的には、屈折率1.0がもっとも好ましい。以下、低屈折率層の形成例を図8A~図8Dに示すが、本実施形態はこれに限られるものではない。図8Aは、図1に示した発光デバイスに対して、更に基板81と波長変換層85との間に、基板81よりも屈折率の低い低屈折率層86を形成した発光デバイス80aを示している。図8Bは、図3に示した発光デバイスに対して、更に基板81と波長変換層85との間に、基板81よりも屈折率の低い低屈折率層86を形成した発光デバイス80bを示している。図8Cは、図4に示した発光デバイスに対して、更に基板第一の基板81と波長変換層85との間、及び第二の基板89と第一電極82の間に、基板81や第二の基板89よりも屈折率の低い低屈折率層86をそれぞれ形成した発光デバイス80cを示している。図8Dは、図7に示した発光デバイスに対して、更に基板81と波長変換層85との間に、基板81よりも屈折率の低い低屈折率層86を形成した発光デバイス80dを示している。なお、これら図8A~図8Dにそれぞれ示す発光デバイス80a~80dにおいても、光反射性のバンク87を設けずに、低屈折率層86を形成しただけでは、波長変換層85と低屈折率層86との界面、あるいは第一電極82と低屈折率層86との界面で跳ね返った光が正反射を繰り返して面広がり方向に逃げてゆくことになり、光取出し効率はそれほど向上しない。ゆえに、光反射性のバンク87と低屈折率層86とを組み合わせて用いることにより、光取出し効率の大幅な向上効果を得ることができる。バンクの形状例図9は、上述した各実施形態に適用可能な光反射性を有する材料から構成されるバンクの形状例を示した断面図である。なお、図9においては、波長変換層、第一電極など、発光デバイスの層構成については図示を省略している。図9aでは、バンク91は、基板90から上部に向かって幅が狭まった断面台形となるように形成されている。図9bでは、バンク92は、基板90から上部に向かって幅が広がった断面台形となるように形成されている。図9cでは、バンク93は、断面が半円形ないし半楕円形となるように形成されている。図9dでは、バンク94は、断面が半円形で、かつ頂部が平坦面となるように形成されている。図9eでは、バンク95は、基板90から上部に向かって角を形成する断面三角形となるように形成されている。これら図9a~eにそれぞれ示すバンクのうち、特に図9a、図9c、図9d、図9のように、光の出射側、即ち基板90寄りが広がっている形状が、光がより出射されやすいという効果がある。こうした効果は、発光プロファイルにも影響を与えるので、表示装置に適用した場合の広視野角化に寄与する。この広視野角という視点では、図9に示す断面三角形のバンク95の形状がもっとも好ましい。一方、バンクに重ねて成膜する層がエッジ部分で切れてしまうことを抑制するためには、図9c、図9dのようにバンク93,94のように丸みを帯びた形状が好ましい。一方、パッシブ駆動有機EL表示装置でよく用いられる手法であるが、図9bに示すような逆テーパー形状のバンク92を形成し、これによって、第二電極上部電極を全面に渡って形成したときに、バンク92のエッジ部分角部で段切れを生じさせ、第二電極上部電極をストライプ状に形成することも可能である。更に、図9bのバンク92の構造は、プライベート使用を主たる目的とした有機EL表示装置において、視野角を狭くしてプライバシーフィルタの役割を果たすことにも有効である。表示装置:第1実施形態図10は、本実施形態に係る表示装置の第一実施形態を示す概略断面図である。この実施形態では、発光デバイスをアクティブマトリクス駆動させた有機EL表示装置を示す。有機EL表示装置表示装置100は、発光デバイスを構成する各層、即ち光透過性の基板101、低屈折率層106、波長変換層105、第一電極下部電極102、有機発光層104、第二電極上部電極103、および、少なくとも波長変換層105と有機発光層104の双方の側面に配置されるバンク107を備え、該バンク107は光反射性を有する材料から構成されている。なお、低屈折率層106は、必要に応じて省略されても良い。また、基板101と第一電極下部電極102との間には、アクティブマトリックス駆動素子110が形成される。基板101上には、アクティブマトリックス駆動素子110を構成するゲート電極111a、ゲート酸化膜112が形成される。ゲート酸化膜112上には、活性層111d、ソース電極111b、ドレイン電極111cが形成され、さらに、層間絶縁膜113が形成される。層関絶縁膜113にはコンタクトホール114が設けられており、ドレイン電極111cと第一電極102とが電気的に接合される。アクティブマトリックス駆動素子110は、これらゲート電極111a、ゲート酸化膜112、ソース電極111b、ドレイン電極111cおよび活性層111dなどから構成されている。発光デバイスの発光を制御するアクティブマトリックス駆動素子110は、スイッチング用及び駆動用として機能する。こうしたアクティブマトリックス駆動素子110は公知の材料、構造及び形成方法を用いて形成することができる。活性層111dの材料としては、例えば、非晶質シリコンアモルファスシリコン、多結晶シリコンポリシリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム-酸化ガリウム-酸化亜鉛等の酸化物半導体材料又は、ポリチオフェン誘導体、チオフエンオリゴマー、ポリp-フェリレンビニレン誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、TFTの構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型が挙げられる。活性層111の形成方法としては、1プラズマ誘起化学気相成長PECVD法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、2シランSiH4ガスを用いた減圧化学気相成長LPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、3Si2H6ガスを用いたLPCVD法又はSiH4ガスを用いたPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法低温プロセス、4LPCVD法又はPECVD法によりポリシリコン層を形成し、1000°C以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、nポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法高温プロセス、5有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、6有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。ゲート絶縁膜112は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO2又はポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO2等が挙げられる。また、TFTの信号電極線、走査電極線、共通電極線、第1駆動電極及び第2駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、タンタルTa、アルミニウムAl、銅Cu等が挙げられる。層間絶縁膜113は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSiN、又は、Si2N4、酸化タンタルTaO、又は、Ta2O5等の無機材料、又は、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。また、その形成方法としては、化学気相成長CVD法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じてフォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。なお、アクティブマトリックス駆動素子110を基板101上に形成した場合には、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって発光デバイスの欠陥例えば、画素電極の欠損、有機EL層の欠損、対向電極の断線、画素電極と対向電極の短絡、耐圧の低下等等が発生するおそれがある。これらの欠陥を防止するために、層間絶縁膜113上に更に平坦化膜を設けてもよい。こうした平坦化膜は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜の形成方法としては、CVD法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられるが、本発明はこれらの材料及び形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜は、単層構造でも多層構造でもよい。表示装置:第2実施形態図11は第2実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。この実施形態では、発光デバイスをアクティブマトリクス駆動させた有機EL表示装置を示す。有機EL表示装置表示装置120は、光透過性の基板121、低屈折率層126、波長変換層125、第一電極下部電極122、有機発光層124、第二電極上部電極123と、少なくとも、波長変換層125及び有機発光層124の双方の側面に配置されるバンク127を備え、該バンク127は光反射性を有する材料から構成されている。なお、低屈折率層126は、必要に応じて省いても良い。また、基板121と第一電極下部電極122との間には、アクティブマトリックス駆動素子130が形成される。基板121上に、ゲート電極131a、ゲート酸化膜132が形成される。ゲート酸化膜132上には、活性層131d、ソース電極131b、ドレイン電極131cが形成され、さらに、層間絶縁膜133が形成される。層関絶縁膜133にはコンタクトホール134が設けられており、ドレイン電極131cと第一電極122が電気的に接合される。アクティブマトリックス駆動素子130は、ゲート電極131a、ゲート酸化膜132、ソース電極131b、ドレイン電極131cおよび活性層131dなどからなる。発光デバイスの適用例発光デバイスの適用例としては、図12Aに示す携帯電話機、図12Bに示す有機ELテレビなどが挙げられる。図12Aに示す携帯電話機1000は、本体1001、表示部1002、音声入力部1003、音声出力部1004、アンテナ1005、操作スイッチ1006等を備えており、表示部1002に前記各実施形態の発光デバイスが用いられている。図12Bに示すテレビ受信装置1100は、本体キャビネット1101、表示部1102、スピーカー1103、スタンド1104等を備えており、表示部1102に前記各実施形態の発光デバイスが用いられている。これら携帯電話機や有機ELテレビにおいては、前記各実施形態の発光デバイスが用いられているため、輝度が高く表示品位に優れている。また、発光デバイスの適用例として、例えば、図13Aに示すシーリングライト照明装置に適用できる。図13Aに示すシーリングライト1400は、照明部1401、吊具1402、及び電源コード1403等を備えている。そして、照明部1401として前記各実施形態の発光デバイスが好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る発光デバイスをシーリングライト1400の照明部1401に適用することによって、少ない消費電力で明るく、かつ自在な色調の照明光を得ることができ、光演出性の高い照明器具を実現することができる。また、均一な照度で色純度の高い面発光が可能な照明器具を実現することができる。また、発光デバイスの適用例として、例えば、図13Bに示す照明スタンドに適用できる。図13Bに示す照明スタンド1500は、照明部1501、スタンド1502、電源スイッチ1503、及び電源コード1504等を備えている。そして、照明部1501として前記各実施形態の発光デバイスが好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る発光デバイスを照明スタンド1500の照明部1501に適用することによって、少ない消費電力で明るく、かつ自在な色調の照明光を得ることができ、光演出性の高い照明器具を実現することができる。また、均一な照度で色純度の高い面発光が可能な照明器具を実現することができる。"