"直流入力電源と、前記直流入力電源間に接続される少なくとも1つの相補的にスイッチングする第1及び第2のスイッチング素子の直列回路とを出力トランスの1次側に備え、負荷と、前記負荷への出力電流または負荷電圧を検出する負荷検出手段とを前記出力トランスの2次側に備えるとともに、前記スイッチング素子を駆動制御する駆動制御手段と、所望の定電流あるいは定電圧出力する出力制御手段とを備えた電源装置であって、前記駆動制御手段は、前記第1のスイッチング素子のON時間と、前記第2のスイッチング素子のON時間とが異なる場合に、所定の条件が成立したとき、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチングON時間とを入れ替えることを特徴とする電源装置。前記駆動制御手段は、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチング素子のON時間とが異なる状態が所定の時間経過したとき、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチングON時間とを入れ替えることを特徴とする請求項1記載の電源装置。前記第1のスイッチング素子の温度と前記第2のスイッチング素子の温度とを監視するスイッチング素子温度検出手段を備え、前記駆動制御手段は、前記スイッチング素子温度検出手段が所定の温度以上を検出したとき、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチング素子のON時間とを入れ替えることを特徴とする請求項1記載の電源装置。前記第1のスイッチング素子の温度と前記第2のスイッチング素子の温度とを監視するスイッチング素子温度検出手段を備え、前記駆動制御手段は、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチング素子のON時間とが異なる状態が所定の時間経過したとき、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチングON時間とを入れ替えるとともに、前記スイッチング素子温度検出手段が所定の温度以上を検出したとき、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチング素子のON時間とを入れ替えることを特徴とする請求項1記載の電源装置。前記駆動制御手段は、前記負荷検出手段が検出する負荷情報に応じて、前記所定の時間を変更することを特徴とする請求項2または4記載の電源装置。前記駆動制御手段は、前記負荷検出手段が検出する負荷情報に応じて、前記所定の温度を変更することを特徴とする請求項3または4記載の電源装置。前記駆動制御手段は、前記スイッチング素子のON時間を入れ替えるにあたり、前記所定の時間よりも前記スイッチング素子温度検出手段が前記所定の温度以上を検出した場合を優先することを特徴とした請求項4記載の電源装置。前記負荷は二次電池であることを特徴とした請求項1~7のいずれか1項に記載の電源装置。本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、広範囲な出力制御が可能である上に複数のスイッチング素子のスイッチング損失のアンバランスを防いでスイッチング素子の温度上昇を抑制することができる電源装置を提供することを課題とする。。本発明にかかる電源装置は、直流入力電源と、前記直流入力電源間に接続される少なくとも1つの相補的にスイッチングする第1及び第2のスイッチング素子の直列回路とを出力トランスの1次側に備え、負荷と、前記負荷への出力電流または負荷電圧を検出する負荷検出手段とを前記出力トランスの2次側に備えるとともに、前記スイッチング素子を駆動制御する駆動制御手段と、所望の定電流あるいは定電圧出力する出力制御手段とを備えた電源装置であって、前記駆動制御手段は、前記第1のスイッチング素子のON時間と、前記第2のスイッチング素子のON時間とが異なる場合に、所定の条件が成立したとき、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチングON時間とを入れ替えることに特徴を有している。この場合、前記駆動制御手段は、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチング素子のON時間とが異なる状態が所定の時間経過したとき、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチングON時間とを入れ替えるものや、前記第1のスイッチング素子の温度と前記第2のスイッチング素子の温度とを監視するスイッチング素子温度検出手段を備え、前記駆動制御手段は、前記スイッチング素子温度検出手段が所定の温度以上を検出したとき、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチング素子のON時間とを入れ替えるもの、あるいは前記第1のスイッチング素子の温度と前記第2のスイッチング素子の温度とを監視するスイッチング素子温度検出手段を備え、前記駆動制御手段は、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチング素子のON時間とが異なる状態が所定の時間経過したとき、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチングON時間とを入れ替えるとともに、前記スイッチング素子温度検出手段が所定の温度以上を検出したとき、前記第1のスイッチング素子のON時間と前記第2のスイッチング素子のON時間とを入れ替えるものを好適に用いることができる。前記駆動制御手段は、前記負荷検出手段が検出する負荷情報に応じて、前記所定の時間を変更したり、前記負荷検出手段が検出する負荷情報に応じて、前記所定の温度を変更するものであってもよい。また、前記駆動制御手段は、前記スイッチング素子のON時間を入れ替えるにあたり、前記所定の時間よりも前記スイッチング素子温度検出手段が前記所定の温度以上を検出した場合を優先することが好ましい。そして前記負荷は二次電池であることが好ましい。本発明においては、ハーフブリッジ回路を構成して相補的にスイッチングする第1のスイッチング素子のON時間と第2のスイッチング素子のON時間とを入れ替えるために、2つのスイッチング素子のON時間の違いによる温度上昇のアンバランスを防ぐことができるとともに、アンバランスの解消によりスイッチング素子の発熱を吸収するための必要以上の熱容量が不要になるために小型にすることができる。以下本発明を実施の形態の一例に基づいて詳述すると、この電源装置は、充電器用であって、その電源回路構成はハーフブリッジ方式であり、商用電源ACが整流平滑回路10に接続されて入力直流電源部が構成される。また、直流入力電源間に接続されて相補的にスイッチングを行う第1のスイッチング素子FET1及び第2のスイッチング素子FET2の直列回路と、前記スイッチング素子FET1,FET2を駆動制御する駆動制御手段11と、前記スイッチング素子FET2と並列に接続されるコンデンサC1と出力トランスTの1次巻き線との直列回路と、前記出力トランスTの2次巻線出力を整流平滑するダイオードD1,D2とインダクタLと平滑コンデンサC2と、その出力間に接続される負荷Bと、前記負荷Bへの出力電流または負荷電圧を検出する負荷検出手段12と、所望の定電流あるいは定電圧出力する出力制御手段13を備える。ハーフブリッジ方式電源回路構成を備えたものでは、通常、図2に示すように、デッドタイムTdを一定に保ち、2つのスイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間Tonを同等時間にして駆動させる。出力量を上げたい場合はON時間を長く図2し、出力量を下げたい場合はON時間を短くする図2。結果として、出力量を上げる場合は周波数が低くなり、出力量を下げる場合は周波数が高くなる周波数制御となる。ここにおいて、前述のように負荷Bが二次電池で様々な電圧の種類例:3.6V~36Vがある場合、周波数制御だけでは出力電流を数百mAから10Aを超えるような電流を制御しなくてはならず、実際上、不可能である。1MHz程度までスイッチング周波数を上げることで制御可能になる場合もあるが、スイッチング損失の増大等の問題があり、現実的ではない。また、スイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間が同じ場合のスイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2の温度上昇カーブは図3に示すようにほぼ同等となる。ハーフブリッジ方式で出力量の制御性能を向上させるには、デッドタイムTdを一定に保つとともに一方のスイッチング素子FET2のON時間を一定に保ち、スイッチング素子FET1のON時間を変更するPWM制御が有効である。この場合、出力量を下げるときには図4に示すようにスイッチング素子FET2のON時間を一定に保ちつつ、スイッチング素子FET1のON時間を長くする。また、出力量を上げる場合は、図4に示すようにスイッチング素子FET1のON時間を短くすればよい。ただし、スイッチング素子FET2のON時間以下にスイッチング素子FET1のON時間を短くした場合は出力量が低下してしまう。このような制御を行うことで、広範囲の出力量を制御することが可能となる。また、最大周波数を例えば500kHz以下になるように設定すれば、スイッチング損失の増大を防ぐことができる。一方、二次電池、特にリチウム電池を充電する場合は定電流-定電圧充電CC-CV充電を行うのが一般的である。図5にCC-CV充電カーブを示す。通常、リチウム電池は複数の電池セルが直列に配置されて構成された電池パックの形態を持つ。そして電池パック内には電池状態監視手段が設けられて、駆動制御手段11に電池の種類定格容量や電池電圧情報を伝達する。負荷検出手段12は負荷Bの電圧と負荷Bに流れる電流を検出し、出力制御手段13に伝達する。出力制御手段13は電池の種類から充電電流を決定し、CC充電の場合は目標となる電流になるように駆動制御手段11にフィードバック制御を行い、CV充電の場合は目標となる電圧になるように目標電流を下げ、その目標となる電流になるように駆動制御手段11にフィードバック制御を行って、スイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間を変更する。しかし、スイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間が異なる場合、ON時間の小さい方にピーク値の大きな電流が流れてしまう。このような状態が継続されると、ON時間の小さい方のスイッチング素子FET2がON時間の大きい方のスイッチング素子FET1と比較して流れる電流のピーク値が大きくなる。そしてスイッチング素子FET1,FET2のオン損失はスイッチング素子FET1,FET2に流れるドレイン電流の2乗とスイッチング素子FET1,FET2のオン抵抗の積で決定されるために、電流ピーク値が大のスイッチング素子FET2の方が発熱し易くなる。従って、スイッチング素子FET1,FET2は図6に示すようなの温度上昇カーブを描くことになる。ところで、ハーフブリッジ回路はスイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2が相補的にスイッチングすることから、スイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間を入れ替えても、同様の出力量を得ることができる。このために、例えば所定の時間Tcでスイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間を入れ替えることで、2つのスイッチング素子FET1,FET2の温度上昇のアンバランスを防ぐことができ、また温度上昇による破壊を防ぐことができる。図7に所定時間でON時間を入れ替える場合のスイッチング素子FET1,FET2の温度上昇カーブを示す。ここで、2つのスイッチング素子FET1,FET2のON時間を入れ替える場合、一度スイッチング動作を停止させて、ソフトスタートON時間を徐々に長くするさせるのが好ましい。このような動作は、照明用に用いた場合、一瞬の出力停止により照明がちらつくといった問題を招くが、二次電池を充電する場合は気にする必要はない。図8は所定時間でON時間を入れ替える場合の充電電流波形を示している。図9に他例を示す。ここではスイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2の温度を検出するスイッチング素子温度検出手段14,14を設けている。スイッチング素子FET1のON時間が短く、スイッチング素子FET2のON時間が長い場合はスイッチング素子FET1の温度上昇カーブがスイッチング素子FET2の温度上昇カーブを上回ることから、スイッチング素子FET1の温度が所定の温度Tfetになったときに、スイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間を入れ替えると、スイッチング素子FET2のON時間がスイッチング素子FET1のON時間より短くなり、スイッチング素子FET2のON時間が小さくなってスイッチング素子FET2の温度上昇カーブがスイッチング素子FET1の温度上昇カーブを上回るようになる。スイッチング素子FET2の温度が所定の温度Tfetになった場合はスイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間を入れ替える。これを交互に行うことにより、2つのスイッチング素子FET1,FET2の温度上昇のアンバランスを防ぎ、短時間での温度上昇による破壊を防ぎ、長時間の電源駆動が可能となる。図10に所定温度TfetでON時間入れ替える場合のスイッチング素子FET1,FET2の温度上昇カーブを、11に所定温度TfetでON時間入れ替える場合の充電電流波形を示す。更に他の例を図12に示す。ここでは出力制御手段13が目標電流と負荷検出手段12が検出する電池電圧とから出力量を演算し、出力量に応じた時間間隔でスイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間の入れ替えを行う。図中15は負荷Bである二次電池の電池状態監視手段である。出力制御手段13は演算された出力量を駆動制御手段11に常に伝達して、出力量が大きい場合はスイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間の入れ替えの時間間隔は短くなるようにし、出力量が小さい場合はスイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間の入れ替えの時間間隔を長くなるようにする。出力量に応じた時間間隔でスイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間を入れ替えるものであり、この場合、入れ替え時に発生する一瞬の出力停止回数を最適化することができるため、充電時間を必要以上に長期化することなく充電することができる。図13に出力量に対応した時間でON時間を入れ替える場合のスイッチング素子FET1,FET2の温度上昇カーブを示す。図13は出力量が大きい場合を、図13は出力量が小さい場合を示している。別の例を図14に示す。これはスイッチング素子の温度検出と、出力量の演算とを併用したもので、出力制御手段13は目標電流と負荷検出手段12が検出する電池電圧とから出力量を演算し、演算された出力量を駆動制御手段11に常に伝達する。そして駆動制御手段11は出力量に応じてON時間を入れ替える温度を変更する。スイッチング素子FET1のON時間が短く、スイッチング素子FET2のON時間が長い場合はスイッチング素子FET1の温度上昇カーブがスイッチング素子FET2の温度上昇カーブを上回る。そしてスイッチング素子FET1の温度が所定の温度になったとき、スイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間を入れ替えて、スイッチング素子FET2のON時間をスイッチング素子FET1のON時間より短くする。スイッチング素子FET2のON時間が小さくなってスイッチング素子FET2の温度上昇カーブがスイッチング素子FET1の温度上昇カーブを上回るようになり、スイッチング素子FET2の温度が所定の温度になった場合はスイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2のON時間を入れ替える。ここでは上記の所定の温度を出力量に応じて変更するわけであり、出力量が小さい場合はスイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2に流れる電流は小さくなるため、温度上昇カーブは緩やかになる。出力量が大きい場合はスイッチング素子FET1とスイッチング素子FET2に流れる電流は大きくなるため、温度上昇カーブは急になる。出力量が大きい場合はスイッチング素子FET1,FET2の温度上昇カーブが急になるため、スイッチング素子FET1,FET2内のチップ温度とスイッチング素子温度検出手段14が検出する温度の差が大きくなるので、ON時間を入れ替える所定温度を低く設定Tfet2し、出力量が小さい場合はスイッチング素子FETの温度上昇カーブが緩やかになって、スイッチング素子FET内のチップ温度とスイッチングスイッチング素子温度検出手段が検出する温度の差は小さくなるので、ON時間を入れ替える所定温度を高く設定Tfet1する。入れ替え時に発生する一瞬の出力停止回数を最適化することができるため、充電時間を必要以上に長期化することなく充電することができる上に、スイッチング素子FET1,FET2の温度を監視するために、スイッチング素子FET1,FET2の熱破壊を未然に防ぐことができる。図15に出力量に対応した温度でON時間を入れ替える場合のスイッチング素子FET1,FET2の温度上昇カーブを示す。図15は出力量が大きい場合を、図15は出力量が小さい場合を示している。このほか、スイッチング素子温度検出手段14が所定の温度を検出するまでは、図16に示すように、所定の時間TcでON時間の入れ替えを行い、スイッチング素子温度検出手段14が所定の温度Tfetを検出したならば、所定の時間TcによるON時間の入れ替えでなく、所定の温度TfetでのON時間の入れ替えを行うようにしてもよい。この場合、充電開始時から2つのスイッチング素子FET1,FET2の温度アンバランスを防ぐことができ、最終的にはスイッチング素子FET1,FET2の温度でON時間の入れ替えを行うために、スイッチング素子FETの熱破壊を未然に防ぐことができる。いずれにしても、二次電池を充電する充電装置では、一瞬の出力停止が充電性能に影響を与えることがないために、スイッチング素子FET1,FET2のON時間の入れ替えが何ら問題となることはない。また、スイッチング素子FET1,FET2の発熱を吸収するための必要以上の熱容量が不要になるため、小型にすることができる。なお、充電装置としての実施例を示したが、本発明に係る電源装置は、該充電装置の他にも種々のものに適用することができる。"