書き込みヘッドの製造方法であって、第1のリーディングエッジシールド層の少なくとも一部分を除去してストッパ層を露出させるステップと、前記第1のリーディングエッジシールド層及び前記露出したストッパ層の上に第2のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、前記第2のリーディングエッジシールド層の少なくとも一部分を除去することによりテーパ状の第2のリーディングエッジシールド層を形成し、前記ストッパ層を露出させるステップと、を含む、書き込みヘッドの製造方法。前記ストッパ層及び前記第2のリーディングエッジシールド層の上に絶縁層を堆積するステップと、前記絶縁層にトレンチをエッチングするステップと、前記トレンチ内に非磁性シード層を堆積するステップと、前記絶縁層上及び前記トレンチ内の前記非磁性シード層上に第1の磁性層を堆積するステップと、前記絶縁層を除去して前記第2のリーディングエッジシールド層を露出させるステップと、前記第2のリーディングエッジシールド層及び前記第1の磁性層の上に磁性シード層を堆積するステップと、前記磁性シード層上に第2の磁性層を堆積するステップと、前記第2の磁性層を化学機械研磨するステップと、前記第2の磁性層上に書き込みギャップ層を堆積するステップと、前記書き込みギャップ層上にシード層を堆積するステップと、前記書き込みギャップ層及び前記シード層をパターニングするステップと、前記シード層及び前記第2の磁性層の上にトレーリングエッジシールド層を堆積するステップと、をさらに含む、請求項1に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記書き込みギャップ層が、前記第2の磁性層上にコンフォーマルに堆積される、請求項2に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記ストッパ層及び前記第2のリーディングエッジシールド層の上に絶縁層を堆積するステップと、前記絶縁層にトレンチをエッチングするステップと、前記トレンチ内に第1の非磁性シード層を堆積するステップと、前記トレンチ内の前記第1の非磁性シード層上に第1の磁性層を堆積するステップと、前記絶縁層を除去して前記第2のリーディングエッジシールド層を露出させるステップと、前記第2のリーディングエッジシールド層、前記第1の非磁性シード層及び前記第1の磁性層の上に第2の非磁性シード層を堆積するステップと、前記第2の非磁性シード層をパターニングするステップと、第2の磁性層を堆積するステップと、前記第2の磁性層を研磨して前記第2の非磁性シード層を露出させるステップと、前記第2の非磁性シード層上に書き込みギャップ層を堆積するステップと、前記書き込みギャップ層上にシード層を堆積するステップと、前記書き込みギャップ層及び前記シード層をパターニングするステップと、前記シード層及び前記第2の磁性層の上にトレーリングエッジシールド層を堆積するステップと、をさらに含む、請求項1に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記第1のリーディングエッジシールド層の少なくとも一部分を除去した後、前記第1のリーディングエッジシールド層と前記ストッパ層とが実質的に平坦になる、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記ストッパ層が、ルテニウム、イリジウム、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の書き込みヘッドの製造方法。書き込みヘッドの製造方法であって、基板上に第1の絶縁層を形成するステップと、前記基板及び前記第1の絶縁層の上にストッパ層を堆積するステップと、前記ストッパ層上に第1のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、前記第1のリーディングエッジシールド層を化学機械研磨して前記ストッパ層を露出させるステップと、前記第1のリーディングエッジシールド層及び前記露出したストッパ層の上に第2のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、前記第2のリーディングエッジシールド層の少なくとも一部分を除去することによりテーパ状の第2のリーディングエッジシールド層を形成し、前記ストッパ層を露出させるステップと、前記ストッパ層及び前記第2のリーディングエッジシールド層の上に第2の絶縁層を堆積するステップと、前記第2の絶縁層を化学機械研磨するステップと、を含む、書き込みヘッドの製造方法。前記第2の絶縁層の中にトレンチをエッチングするステップと、前記トレンチ内に非磁性シード層を堆積するステップと、前記第2の絶縁層上及び前記トレンチ内の前記非磁性シード層上に第1の磁性層を堆積するステップと、前記第2の絶縁層を除去して前記第2のリーディングエッジシールド層を露出させるステップと、前記第2のリーディングエッジシールド層及び前記第2の磁性層の上に磁性シード層を堆積するステップと、前記磁性シード層上に第2の磁性層を堆積するステップと、前記第2の磁性層を化学機械研磨するステップと、前記第2の磁性層上に書き込みギャップ層を堆積するステップと、前記書き込みギャップ層上にシード層を堆積するステップと、前記書き込みギャップ層及び前記シード層をパターニングするステップと、前記シード層及び前記第2の磁性層の上にトレーリングエッジシールド層を堆積するステップと、をさらに含む、請求項7に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記書き込みギャップ層が少なくともテーパ状の一部分を有する、請求項8に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記第2の絶縁層の中にトレンチをエッチングするステップと、前記トレンチ内に第1の非磁性シード層を堆積するステップと、前記トレンチ内の前記非磁性シード層上に第1の磁性層を堆積するステップと、前記第2の絶縁層を除去して前記第2のリーディングエッジシールド層を露出させるステップと、前記第2のリーディングエッジシールド層、前記第1の非磁性シード層及び前記第1の磁性層の上に第2の非磁性シード層を堆積するステップと、前記第2の非磁性シード層をパターニングするステップと、第2の磁性層を堆積するステップと、前記第2の磁性層を研磨して前記第2の非磁性シード層を露出させるステップと、前記第2の非磁性シード層上に書き込みギャップ層を堆積するステップと、前記書き込みギャップ層上にシード層を堆積するステップと、前記書き込みギャップ層及び前記シード層をパターニングするステップと、前記シード層及び前記第2の磁性層の上にトレーリングエッジシールド層を堆積するステップと、をさらに含む、請求項7に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記書き込みギャップ層が少なくともテーパ状の一部分を有する、請求項10に記載の書き込みヘッドの製造方法。書き込みヘッドの製造方法であって、基板上に第1の磁性層を堆積するステップと、前記第1の磁性層をパターニングして前記基板を露出させるステップと、前記露出した基板及び前記第1の磁性層の上に第1の絶縁層を堆積するステップと、前記第1の絶縁層を化学機械研磨して前記第1の磁性層を露出させるステップと、前記第1の磁性層の少なくとも一部分を除去して前記基板を露出させるステップと、前記基板及び前記第1の絶縁層の上にストッパ層を堆積するステップと、前記ストッパ層上に第1のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、前記第1のリーディングエッジシールド層を化学機械研磨して前記ストッパ層を露出させるステップと、前記第1のリーディングエッジシールド層及び前記露出したストッパ層の上に第2のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、前記第2のリーディングエッジシールド層上にレジストマスクを形成するステップと、前記第2のリーディングエッジシールド層をミリングすることによりテーパ状の第2のリーディングエッジシールド層を形成し、前記ストッパ層を露出させるステップと、前記レジストマスクを除去するステップと、前記ストッパ層及び前記第2のリーディングエッジシールド層の上に第2の絶縁層を堆積するステップと、前記第2の絶縁層を化学機械研磨するステップと、を含む、書き込みヘッドの製造方法。前記ストッパ層が、ルテニウム、イリジウム、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項12に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記ストッパ層がスパッタリングにより堆積される、請求項13に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層の各々がアルミナを含む、請求項12乃至14のいずれか1項に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記第1のリーディングエッジシールド層及び前記第2のリーディングエッジシールド層の各々がニッケル-鉄を含む、請求項15に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記第2の絶縁層の中にトレンチをエッチングするステップと、前記トレンチ内に非磁性シード層を堆積するステップと、前記トレンチ内の前記非磁性シード層上に第2の磁性層を堆積するステップと、前記第2の絶縁層を除去して前記第2のリーディングエッジシールド層を露出させるステップと、前記第2のリーディングエッジシールド層及び前記第2の磁性層の上に磁性シード層を堆積するステップと、前記磁性シード層上に第3の磁性層を堆積するステップと、前記第3の磁性層を化学機械研磨するステップと、前記第3の磁性層上に書き込みギャップ層を堆積するステップと、前記書き込みギャップ層上にシード層を堆積するステップと、前記書き込みギャップ層及び前記シード層をパターニングするステップと、前記シード層及び前記第3の磁性層の上にトレーリングエッジシールド層を堆積するステップと、をさらに含む、請求項12乃至16のいずれか1項に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記書き込みギャップ層が少なくともテーパ状の一部分を有する、請求項17に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記第2の絶縁層の中にトレンチをエッチングするステップと、前記トレンチ内に第1の非磁性シード層を堆積するステップと、前記トレンチ内の前記第1の非磁性シード層上に第2の磁性層を堆積するステップと、前記第2の絶縁層を除去して前記第2のリーディングエッジシールド層を露出させるステップと、前記第2のリーディングエッジシールド層、前記第1の非磁性シード層及び前記第2の磁性層の上に第2の非磁性シード層を堆積するステップと、前記第2の非磁性シード層をパターニングするステップと、第3の磁性層を堆積するステップと、前記第3の磁性層をパターニングして前記第2の非磁性シード層を露出させるステップと、前記第2の非磁性シード層上に書き込みギャップ層を堆積するステップと、前記書き込みギャップ層上にシード層を堆積するステップと、前記書き込みギャップ層及び前記シード層をパターニングするステップと、前記シード層及び前記第3の磁性層の上にトレーリングエッジシールド層を堆積するステップと、をさらに含む、請求項12乃至16のいずれか1項に記載の書き込みヘッドの製造方法。前記書き込みギャップ層が少なくともテーパ状の一部分を有する、請求項19に記載の書き込みヘッドの製造方法。従って、性能が向上した垂直書き込みヘッドを提供することが望ましい。本発明は、概してラップアラウンドシールドとコンフォーマルサイドギャップとを有する垂直書き込みヘッドに関する。書き込みヘッドの製造において、リーディングエッジシールドが、化学機械研磨ストッパ層と実質的に面一レベルになるまで化学機械研磨され得る。リーディングエッジシールドと化学機械研磨ストッパ層とが実質的に平坦になるため、ギャップ層をコンフォーマルに堆積させることができる。一実施形態において、書き込みヘッドの製造方法が開示される。本方法は、第1のリーディングエッジシールド層を化学機械研磨して化学機械研磨ストッパ層を露出させるステップと、第1のリーディングエッジシールド層及び露出した化学機械研磨ストッパ層の上に第2のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、第2のリーディングエッジシールド層の少なくとも一部分を除去することによりテーパ状の第2のリーディングエッジシールド層を形成し、化学機械研磨ストッパ層を露出させるステップとを含む。別の実施形態において、書き込みヘッドの製造方法が開示される。本方法は、基板上に第1の絶縁層を形成するステップと、基板及び第1の絶縁層の上に化学機械研磨ストッパ層を堆積するステップとを含む。本方法はまた、化学機械研磨ストッパ層上に第1のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、第1のリーディングエッジシールド層を化学機械研磨して化学機械研磨ストッパ層を露出させるステップと、第1のリーディングエッジシールド層及び露出した化学機械研磨ストッパ層の上に第2のリーディングエッジシールド層を堆積するステップとを含む。本方法はさらに、第2のリーディングエッジシールド層の少なくとも一部分を除去することによりテーパ状の第2のリーディングエッジシールド層を形成し、化学機械研磨ストッパ層を露出させるステップと、化学機械研磨ストッパ層及び第2のリーディングエッジシールド層の上に第2の絶縁層を堆積するステップと、第2の絶縁層を化学機械研磨するステップとを含む。別の実施形態において、書き込みヘッドの製造方法が開示される。本方法は、基板上に第1の磁性層を堆積するステップと、第1の磁性層をパターニングして基板を露出させるステップと、露出した基板及び第1の磁性層の上に第1の絶縁層を堆積するステップとを含む。本方法はまた、第1の絶縁層を化学機械研磨して第1の磁性層を露出させるステップと、第1の磁性層の少なくとも一部分を除去して基板を露出させるステップと、基板及び第1の絶縁層の上に化学機械研磨ストッパ層を堆積するステップと、化学機械研磨ストッパ層上に第1のリーディングエッジシールド層を堆積するステップとを含む。本方法はさらに、第1のリーディングエッジシールド層を化学機械研磨して化学機械研磨ストッパ層を露出させるステップと、第1のリーディングエッジシールド層及び露出した化学機械研磨ストッパ層の上に第2のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、第2のリーディングエッジシールド層上にレジストマスクを形成するステップと、第2のリーディングエッジシールド層をミリングすることによりテーパ状の第2のリーディングエッジシールド層を形成し、化学機械研磨ストッパ層を露出させるステップとを含む。本方法はまた、レジストマスクを除去するステップと、化学機械研磨ストッパ層及び第2のリーディングエッジシールド層の上に第2の絶縁層を堆積するステップと、第2の絶縁層を化学機械研磨するステップとを含む。上記に記載した本発明の特徴を詳しく理解できるようにするため、実施形態を参照することによって上記に概要を述べた本発明のより詳細な説明を得ることができ、それらの実施形態のいくつかは添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、従って、本発明は他の同等に効果的な実施形態を認め得るため、本発明の範囲の限定と見なされてはならないことに留意されたい。理解を助けるため、可能な場合には、図に共通する同一の要素を同一の参照符号を使用して指示している。ある実施形態の要素及び特徴は、特に記載がなくとも他の実施形態に有利に組み込まれ得ることが企図される。以下では、本発明の実施形態を参照する。しかしながら、本発明は具体的に説明される実施形態に限定されないことが理解されなければならない。むしろ、以下の特徴及び要素の任意の組み合わせが、異なる実施形態に関するものであるか否かを問わず、本発明の実行及び実施に対して企図される。さらに、本発明の実施形態は他の可能な解決法と比べて、及び/又は先行技術と比べて利点を実現し得るが、所与の実施形態によって特定の利点が実現されるか否かは本発明を限定するものではない。従って、以下の態様、特徴、実施形態及び利点は例示に過ぎず、特許請求の範囲に明示的に記載されない限り、添付の特許請求の範囲の要素又は限定とは見なされない。同様に、本発明というとき、それは本明細書に開示される発明主題の一般化として解釈されてはならず、且つ特許請求の範囲に明示的に記載されない限り、添付の特許請求の範囲の要素又は限定であると見なされてはならない。本発明は、概して、ラップアラウンドシールドとコンフォーマルサイドギャップとを有する垂直書き込みヘッドに関する。書き込みヘッドの製造において、リーディングエッジシールドが、化学機械研磨ストッパ層と実質的に面一レベルになるまで化学機械研磨され得る。リーディングエッジシールドと化学機械研磨ストッパ層とが実質的に平坦になるため、ギャップ層をコンフォーマルに堆積させることができる。本明細書に開示される実施形態は、リーディングエッジシールドLESと、リーディングエッジテーパLETと、自己整合型コンフォーマルサイドギャップと、低磁束密度Bsサイドシールドとを備えたダマシンベースの高密度垂直磁気記録ヘッドを作製する設計及び方法を含む。本明細書に開示される実施形態は、ダマシンベースの4サイドラップアラウンドシールドライタにおいて80nm未満のコンフォーマルサイドギャップこれは750Gbit/in2を超える高密度ヘッドに好ましいを可能にする。コンフォーマルサイドシールドはリーディングエッジシールドと磁気的に接続されるとともに、高性能記録ヘッドにおいてビット誤り率BERを改善し、隣接トラック干渉ATIを最小限に抑え得る。LES又は特定の実施形態では複数のLESの一部は反応性イオンエッチRIEストッパとして働き、足場を作ることなしに完全な4サイドWASを可能にする。LESプロセスで製造されるCMPストッパ例えば、Ru又はIrもまた、LESと共に、トレンチのRIEのRIEストッパとして働く。図1Aは、一実施形態に係る書き込みヘッド100の断面図である。書き込みヘッドは、第1のリーディングエッジシールド層102を含む。一実施形態において、第1のリーディングエッジシールド層102は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、第1のリーディングエッジシールド層102は、NiFe20などのニッケルと鉄との合金を含み得る。第1のリーディングエッジシールド層102の上に第2のリーディングエッジシールド層104が堆積され得る。一実施形態において、第2のリーディングエッジシールド層104は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、第2のリーディングエッジシールド層104は、NiFe20などのニッケルと鉄との合金を含み得る。図1Cに示されるとおり、第2のリーディングエッジシールド層104はテーパ状であり得る。製造中、第1のリーディングエッジシールド層102の一部はRIEストッパ層として働き、足場を作ることも、リーディングエッジシールドとサイドシールドとを切り離すこともなしに、完全な4サイドWASを可能にする。第2のリーディングエッジシールド層104の上にサイドシールド106が形成される。一実施形態において、サイドシールド層106は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、サイドシールド層106は、NiFe30などのニッケルと鉄との合金を含み得る。別の実施形態において、サイドシールド層106は、第1のリーディングエッジシールド層102及び第2のリーディングエッジシールド層104のいずれよりも高い磁気モーメントを有し得る。サイドシールド層106はエッチングされ、トレンチを形成し得る。トレンチ内にサイドギャップ層108が形成される。一実施形態において、サイドギャップ層108はルテニウムを含み得る。別の実施形態において、サイドギャップ層108は非磁性材料を含み得る。別の実施形態において、サイドギャップ層108はイリジウムを含み得る。一実施形態において、サイドギャップ層108は約50nm~約100nmの厚さを有し得る。サイドギャップ層108内に磁性層110が堆積される。一実施形態において、磁性層110は、ニッケル、コバルト、鉄、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される強磁性材料を含み得る。磁性層110及びサイドシールド106の上に、書き込みギャップ層112が形成され得る。一実施形態において、書き込みギャップ層112は非磁性材料を含み得る。別の実施形態において、書き込みギャップ層112はアルミナを含み得る。別の実施形態において、書き込みギャップ層112はニッケル-クロムを含み得る。一実施形態において、書き込みギャップ層112は約20nm~約25nmの厚さを有し得る。書き込みギャップ層112の上に高Bsシード層114が堆積され得る。一実施形態において、高Bsシード層114は、コバルト、ニッケル、鉄、又はそれらの組み合わせを含み得る。一実施形態において、高Bsシード層114はCoNiFeを含み得る。一実施形態において、高Bsシード層114は高磁気モーメント材料を含み得る。一実施形態において、高Bsシード層114は約2.0テスラ~約2.4テスラの磁束密度を有し得る。サイドシールド106及び高Bsシード114の上に、トレーリングシールド層116が堆積され得る。一実施形態において、トレーリングシールド層116は約1.5テスラ~約1.8テスラの磁束密度を有し得る。別の実施形態において、トレーリングシールド層116は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、トレーリングシールド層116は、NiFe45、NiFe55、又は他のより高い磁気モーメントを有する磁性材料から選択され得る。図示しないが、トレーリングエッジシールド層116を堆積する前に、トレーリングエッジシールド層116と実質的に同じ組成を有するシード層が堆積され得る。図1Bは、別の実施形態に係る書き込みヘッド150の断面図である。図1Bの書き込みヘッド150は、図1Aと同様の層、材料、及び特性を含む。特に、書き込みヘッド150は、第1のリーディングエッジシールド層152と、第2のリーディングエッジシールド層154と、サイドシールド156と、書き込みギャップ層162と、高Bsシード層164と、トレーリングシールド166と、磁性層160と、サイドギャップ層158とを含む。しかしながら、書き込みヘッド150はまたシード層168も含む。シード層168及びサイドギャップ層158の双方を合わせた使用は、サイドギャップの厚さの制御に用いることができる。第1のリーディングエッジシールド層152の一部はRIEストッパ層として機能し、足場を作ることなしに完全な4サイドWASを可能にし得る。図1Cは、図1A及び図1Bの断面図である。図1Cの書き込みヘッドは、図1A及び図1Bの書き込みヘッドの断面図である。図1Cに示されるとおり、第2のリーディングエッジシールド層104/154はテーパ状である。第1のリーディングエッジシールド層102/152は絶縁層172に隣接している。一実施形態において、絶縁層172はアルミナを含み得る。絶縁層172上にRIEストッパ層170が堆積される。書き込みギャップ層及びサイドギャップ層は、双方ともテーパ状で、テーパ状磁極174を形成する。キャップ178もまたテーパ状176である。一実施形態において、キャップ178はタンタルを含み得る。別の実施形態において、キャップ178はルテニウムを含み得る。別の実施形態において、キャップ178は、タンタル/ルテニウム/タンタルの多層スタックを含み得る。別の実施形態において、キャップ178は、タンタルとルテニウムとの合金を含み得る。キャップ178上に第2の絶縁層180が堆積され得る。一実施形態において、第2の絶縁層180はアルミナを含み得る。図1A-図1Cの設計により、サイドシールド厚さの独立した制御が可能となる。図1Aでは、サイドギャップ層はコンフォーマルであり、サイドシールド106はリーディングエッジシールドと完全に接続している。図1Bでは、サイドギャップ層はサイドギャップ層158とシード層168とから構成される。図2Aは、一実施形態に係る書き込みヘッド200の断面図である。図2Aの書き込みヘッド200は、図1Aと同様の層、材料、及び特性を含む。しかしながら、図2Aの書き込みヘッド200は、第1のリーディングエッジシールド又は第2のリーディングエッジシールドのいずれも含まない。むしろ、書き込みヘッド200は絶縁基板202を有する。一実施形態において、絶縁基板202はアルミナを含み得る。書き込みヘッド200はまた、RIEストッパ層204も含む。一実施形態において、RIEストッパ層204は、ルテニウム、NiCr、又はRu/NiCrを含む。RIEストッパ層204及び絶縁基板202は実質的に平坦であり、テーパ状ではない。書き込みヘッド200はまた、サイドシールド206、書き込みギャップ層212、高Bsシード層214、トレーリングシールド216、磁性層210、及びサイドギャップ層208も含む。図2Bは、別の実施形態に係る書き込みヘッド250の断面図である。図2Bの書き込みヘッド250は、図2Aと同様の層、材料、及び特性を含む。特に、書き込みヘッド250は、絶縁基板252、RIEストッパ層254、サイドシールド256、書き込みギャップ層262、高Bsシード層264、トレーリングシールド266、磁性層260、及びサイドギャップ層258を含む。しかしながら、書き込みヘッド250はまた、サイドギャップ層258を堆積する前にトレンチに堆積されるシード層268も含む。シード層268及びサイドギャップ層258の双方を合わせた使用は、サイドギャップの厚さの制御に用いることができる。図2Cは、別の実施形態に係る書き込みヘッドの断面図である。図2Cの書き込みヘッドは、図2A及び図2Bの書き込みヘッドの断面図である。図2Cに示されるとおり、絶縁基板202/252、RIEストッパ層204/254、及びサイドギャップ層208/258はテーパ状ではない。書き込みギャップ層はテーパ状で、テーパ状磁極270を形成する。キャップ274もまたテーパ状272である。一実施形態において、キャップ274はタンタルを含み得る。別の実施形態において、キャップ274はルテニウムを含み得る。別の実施形態において、キャップ274は、タンタル/ルテニウム/タンタルの多層スタックを含み得る。別の実施形態において、キャップ274は、タンタルとルテニウムとの合金を含み得る。第2の絶縁層276がキャップ274上に堆積され得る。一実施形態において、第2の絶縁層276はアルミナを含み得る。図3A-図3Fは、書き込みヘッドの様々な作製段階における概略断面図である。図3Aに示されるとおり、犠牲マスキング層304が基板上に堆積される。一実施形態において、犠牲マスキング層304は、NiFeなどの強磁性材料を含み得る。犠牲マスキング層304は、電気化学めっきなどの従来の堆積法により堆積され得る。次に、犠牲マスキング層304はパターニングされる。パターニングは、その上にハードマスクを堆積させて、露出した犠牲マスキング層304をミリングすることにより行われ得る。或いは、フォトレジストマスクが犠牲マスキング層304上に形成されてもよく、露出した犠牲マスキング層304を除去して基板の少なくとも一部分を露出させてもよい。犠牲マスキング層304の一部分を除去した後、絶縁層302が基板及び犠牲マスキング層304の上に堆積され得る。絶縁層302はブランケット堆積法により堆積され得るため、基板上だけではなく、犠牲マスキング層304上にも堆積される。次に絶縁層302を研磨して、犠牲マスキング層304を覆う絶縁層302を除去し得る。研磨はCMPにより行われ得る。絶縁層302の研磨中、犠牲マスキング層304はCMPストッパ層として機能する。CMPストッパ層はまた、堆積されるリーディングエッジシールドのCMP均一性も促進し得る。絶縁層302の研磨後、次に犠牲マスキング層304が除去され得る。一実施形態において、犠牲マスキング層304はウェットエッチング法により除去され得る。犠牲マスキング層304が除去されると、CMPストッパ層306が堆積され得る。一実施形態において、CMPストッパ層306は非磁性材料を含み得る。別の実施形態において、CMPストッパ層306はイリジウムを含み得る。別の実施形態において、CMPストッパ層306はルテニウムを含み得る。一実施形態において、CMPストッパ層306は、原子層堆積又は物理蒸着により堆積され得る。CMPストッパ層306上に、第1のリーディングエッジシールド層308が堆積され得る。一実施形態において、第1のリーディングエッジシールド層308は電気めっきにより堆積され得る。一実施形態において、第1のリーディングエッジシールド層308は、鉄、ニッケル、コバルト、及びCoNiFe、NiFe又はNiFe20などのそれらの組み合わせの1つ又は複数を含み得る。一実施形態において、第1のリーディングエッジシールド層は約1.0テスラ~約2.0テスラの磁束密度を有し得る。第1のリーディングエッジシールド層308は、CMPストッパ層306上にハードマスクを置き、次にCMPストッパ層306の露出した部分の上に第1のリーディングエッジシールド層308を電気めっきすることにより堆積され得る。次にハードマスクが除去され得る。第1のリーディングエッジシールド層308及びCMPストッパ層306の垂直縁部がリーディングエッジシールド厚さを決定する。一実施形態において、第1のリーディングエッジシールド層308は約100nm~約500nmの厚さを有し得る。CMPストッパ層306及び第1のリーディングエッジシールド層308の双方が、トレンチRIEプロセスにおいてRIEストッパとして働き得る。次に第1のリーディングエッジシールド層308が、CMPストッパ層306をCMPプロセスの停止点として使用して平坦化され得る。CMPプロセスの後、第1のリーディングエッジシールド層308とCMPストッパ層306とは実質的に平坦になる。次に第2のリーディングエッジシールド層310が第1のリーディングエッジシールド層308並びにCMPストッパ層306の上に堆積され得る。第2のリーディングエッジシールド層310は、第1のリーディングエッジシールド層308と同じ材料から選択され得る。しかしながら、第2のリーディングエッジシールド層310と第1のリーディングエッジシールド層308とは異なってもよい。第2のリーディングエッジシールド層310は、リーディングエッジテーパ領域におけるRIEストッパとして働き得る。リーディングエッジテーパミリングを実施して第2のリーディングエッジシールド層310をテーパ状にする。第2のリーディングエッジシールド層310上にレジストマスク312を形成して、ミリングするべき第2のリーディングエッジシールド層310の範囲を画定する。第2のリーディングエッジシールド層310のテーパ部分は、主磁極におけるリーディングエッジテーパの基礎となる。テーパ加工後、レジスト312が剥離されてもよく、絶縁層314が堆積され、平坦化され得る。一実施形態において、絶縁層314はアルミナを含み得る。絶縁層314はダマシントレンチの基材となり得る。第2のリーディングエッジシールド層310及びCMPストッパ層306は、絶縁層314トレンチを形成する際のRIEストッパ層として用いられ得る。第2のリーディングエッジシールド層310が磁極端領域近傍のRIEストッパとなり得るとともに、CMPストッパ層306がヨーク領域近傍のRIEストッパとなり得る。図4A-図4Hは、書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。図4I-図4Pは、それぞれ図4A-図4Hの概略断面図である。図4A-図4Pは、コンフォーマルサイドギャップ、サイドシールド、トレーリングギャップ、高Bsシード、及びトレーリングシールドを形成するプロセスの流れの一例を示す。図4A-図4Pを参照して説明される方法により製造され得る構造の一例は、図1Aに示される構造である。絶縁層402が、第1のリーディングエッジシールド層410及び第2のリーディングエッジシールド層408の上に形成される。絶縁層402にトレンチがエッチングされる。次にトレンチが非磁性シード層404で、及び次に磁性層406で充填され得る。一実施形態において、絶縁層402はアルミナを含み得る。一実施形態において、非磁性シード層404はルテニウムを含み得る。別の実施形態において、非磁性シード層404はイリジウムを含み得る。一実施形態において、磁性層406は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、磁性層406は、鉄、ニッケル、コバルト、又はそれらの組み合わせを含み得る。次に、絶縁層402、磁性層406、及び非磁性層404の上にフォトレジストマスク412が形成され得る。露出した絶縁層402が反応性イオンエッチング法により除去され得る。その後、残りの絶縁層402がウェットエッチング法により除去され得る。一実施形態において、反応性イオンエッチング法は省略されてもよく、絶縁層402はウェットエッチングにより除去されてもよい。次に磁性シード層414が、露出した第2のリーディングエッジシールド層408、非磁性層404、及び磁性層406の上に堆積され得る。一実施形態において、磁性シード層414は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、磁性シード層414は、鉄、コバルト、ニッケル、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含み得る。磁性シード層414はスパッタリングにより堆積され得る。磁性シード層414が堆積された後、フォトレジストマスクが形成されてもよく、サイドシールドとなり得る磁性層416が、磁性シード層414の露出部分に電気めっきされ得る。次にフォトレジストマスクが除去されてもよく、磁性シード層414の露出部分がミリングにより除去されてもよい。ここで磁性層416と第1のリーディングエッジシールド層410とが磁気的に接続される。一実施形態において、磁性層416は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、磁性層416は、鉄、ニッケル、コバルト、又はそれらの組み合わせを含み得る。別の実施形態において、磁性層416は、NiFe及びCoNiFeからなる群から選択される。別の実施形態において、磁性層416は約1.0テスラ~約1.3テスラの磁束密度を有し得る。次に磁性層416及び磁性シード層414を、CMP法を用いた研磨により後退させ得る。ABS418が破線により示される。シード層404がCMPストッパとして働く。均一性を促進するため、ルテニウム、イリジウム、ロジウム、又はダイヤモンド様炭素などのさらなるCMPストッパ層が、ヨーク及びめっきされたサイドシールド周辺の範囲に用いられ得る。次にテーパ状磁極がイオンミリングにより形成される。レジストマスク又はハードマスクなどのマスクにより、テーパ状にされない構造範囲をマスキングする。除去される部分が、符号420により破線で示される。除去されない部分により、トレーリングエッジテーパTETバンプ422が設けられる。一実施形態において、マスクは炭化ケイ素を含む。別の実施形態において、ハードマスクはアルミナを含む。次に書き込みギャップ層424及び高Bsシード層426が堆積され、フォトリソグラフィ及びミリングによりパターニングされ得る。書き込みギャップ424は非磁性材料を含み得る。一実施形態において、書き込みギャップ424は、アルミナ又は酸化ルテニウムなどの酸化物を含み得る。一実施形態において、高Bs層426は、CoFe又はCoNiFeなどの強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、高Bs層426は約2.3テスラ~約2.4テスラの磁束密度を有し得る。書き込みギャップ層424上の高Bs層426は磁界勾配を亢進し、BERの改善に役立つ。次にトレーリングエッジシールド428が、シード層の堆積、リソグラフィ、電気めっき、及びシードのミリングによりパターニングされ得る。一実施形態において、トレーリングエッジシールド428は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、トレーリングエッジシールド428はNiFe又はCoNiFeを含み得る。一実施形態において、トレーリングエッジシールド428は約1.2テスラ~約2.4テスラの磁束密度を有し得る。図5A-図5Hは、別の実施形態に係る書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。図5I-図5Pは、それぞれ図5A-図5Hの概略断面図である。図5A-図5Pは、コンフォーマルサイドギャップ、サイドシールド、トレーリングギャップ、高Bsシード層、及びトレーリングシールドを形成するプロセスの流れの別の例を示す。図5A-図5Pに示されるプロセスの流れにより、図1Bに示されるものなどの書き込みヘッドが製造され得る。絶縁層502が、第1のリーディングエッジシールド層510及び第2のリーディングエッジシールド層508上に形成される。絶縁層502にトレンチがエッチングされる。次にトレンチが、非磁性シード層504で、及び次に磁性層506で充填される。一実施形態において、絶縁層502はアルミナを含み得る。一実施形態において、非磁性シード層504はルテニウムを含み得る。別の実施形態において、非磁性シード層504はイリジウムを含み得る。一実施形態において、磁性層506は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、磁性層506は、鉄、ニッケル、コバルト、又はそれらの組み合わせを含み得る。次に、絶縁層502、磁性層506、及び非磁性層504の上にフォトレジストマスク512が形成され得る。露出した絶縁層502が反応性イオンエッチング法により除去され得る。その後、残りの絶縁層502がウェットエッチング法により除去され得る。一実施形態において、反応性イオンエッチング法は省略されてもよく、絶縁層502はウェットエッチング法により除去されてもよい。その後、フォトレジストマスク512が除去され得る。次に非磁性シード層513が堆積され得る。一実施形態において、非磁性シード層513はルテニウムを含み得る。別の実施形態において、非磁性層513はAl2O3を含み得る。非磁性シード層513はスパッタリングにより堆積され得る。次に非磁性シード層513はパターニングされ得る。非磁性シード層513はサイドギャップの一部となり、また、後の処理においてはCMPストッパ層としても働く。サイドギャップの全厚は、トレンチの内側に堆積された非磁性層504の厚さと、トレンチの外側に堆積された非磁性シード層513との合計となり得る。一実施形態において、サイドギャップの厚さは約70nm~約100nmであってもよい。一実施形態において、非磁性シード層513は約30nm~約50nmの厚さを有し得る。別の実施形態において、非磁性層504は約20nm~約50nmの厚さを有し得る。非磁性シード層513は、原子層化学気相成長法などのコンフォーマル堆積法により堆積され得る。非磁性シード層513が堆積された後、フォトリソグラフィ及びイオンミリングによって非磁性シード層513がパターニングされ得る。非磁性シード層513の僅かな部分はABSにおいてサイドシールドと第2のリーディングエッジシールド層508との間に残る。最高約500nmまでのテール長さに対して厚さが50nm未満のとき、この僅かな部分の影響は無視できる。次に磁性シード層が、露出した第2のリーディングエッジシールド層508及び非磁性シード層513の上に堆積され得る。一実施形態において、磁性シード層は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、磁性シード層は、鉄、コバルト、ニッケル、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含み得る。磁性シード層はスパッタリングにより堆積され得る。磁性シード層が堆積された後、フォトレジストマスクが形成されてもよく、サイドシールドとなり得る磁性層516が、磁性シード層存在する場合の露出部分の上に電気めっきされ得る。次にフォトレジストマスクが除去されてもよく、磁性シード層の露出部分がミリングにより除去されてもよい。ここで磁性層516と第1のリーディングエッジシールド層510とが磁気的に接続される。一実施形態において、磁性層516は、鉄、ニッケル、コバルト、又はそれらの組み合わせなどの強磁性材料を含み得る。詳細な実施形態において、磁性層516は、NiFe及びCoNiFeからなる群から選択される。別の実施形態において、磁性層516は約1.0テスラ~約1.8テスラの磁束密度を有し得る。次に磁性層516及び磁性シード層を、CMP法を用いた研磨により後退させ得る。ABS518が破線により示される。非磁性層513がCMPストッパとして働き、優れた磁極厚さ均一性を提供し得る。均一性を亢進するため、ルテニウム、イリジウム、ロジウム、又はダイヤモンド様炭素などのさらなるCMPストッパ層が、ヨーク及びめっきされたサイドシールド周辺の範囲に用いられ得る。次にテーパ状磁極がイオンミリングにより形成される。レジストマスク又はハードマスクなどのマスクにより、テーパ状にされない構造範囲をマスキングする。除去される部分が、符号520により破線で示される。除去されない部分により、トレーリングエッジテーパTETバンプ522が設けられる。一実施形態において、マスクは炭化ケイ素を含む。別の実施形態において、ハードマスクはアルミナを含む。次に書き込みギャップ層524及び高Bsシード層526が堆積され、フォトリソグラフィ及びミリングによりパターニングされ得る。書き込みギャップ524は非磁性材料を含み得る。一実施形態において、書き込みギャップ524はアルミナ又は酸化ルテニウムなどの酸化物を含む。一実施形態において、高Bs層526は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、高Bs層526はCoFe又はCoNiFeを含み得る。別の実施形態において、高Bs層526は約2.3テスラ~約2.4テスラの磁束密度を有し得る。書き込みギャップ層524上の高Bs層526は磁界勾配を亢進し、BERの改善に役立つ。次にトレーリングエッジシールド528が、シード層の堆積、リソグラフィ、電気めっき、及びシードのミリングによりパターニングされ得る。一実施形態において、トレーリングエッジシールド528は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、トレーリングエッジシールド528はNiFe又はCoNiFeを含み得る。一実施形態において、トレーリングエッジシールド528は約1.2テスラ~約2.4テスラの磁束密度を有し得る。リーディングエッジシールドは、化学機械研磨ストッパ層と実質的に面一レベルになるまで化学機械研磨されるため、ギャップ層をコンフォーマルに堆積することができる。これにより、コンフォーマルサイドシールドがリーディングエッジシールドと磁気的に接続され、デバイス性能が向上し得る。前述の記載は本発明の実施形態に関するものであるが、本発明の他の及びさらなる実施形態を、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考案することができ、及び本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲により決定される。