一面およびその反対面を有し、半導体パワー素子が形成された半導体チップ11、12と、前記半導体チップ11、12の一面側に接続される第1ヒートスプレッダ13と、前記半導体チップ11、12の反対面側に接続される第2ヒートスプレッダ14と、前記半導体パワー素子に電気的に接続される端子15~17と、前記半導体パワー素子に電気的に接続された前記端子15~17の一部を露出させると共に、前記第1、第2ヒートスプレッダ13、14のうち前記半導体チップ11、12と反対側の面を露出させつつ、前記半導体チップ11、12、前記第1、第2ヒートスプレッダ13、14および前記端子15~17を覆い、かつ、冷媒が流される冷媒通路30の一部を構成する板状の樹脂モールド部20と、を有し、前記半導体チップ11、12、前記第1、第2ヒートスプレッダ13、14、前記端子15~17を前記樹脂モールド部20にてモールド化したものを1つのユニット10として、該ユニット10を複数個積層した積層体の両端を蓋部40、41にて挟んだ状態で固定した半導体装置であって、前記端子15~17には、前記半導体パワー素子に対して電流を流すための端子15が含まれ、該電流を流すための端子15は、前記第1ヒートスプレッダ13に接続される引出部15aと、前記引出部15aに接続されると共に板状とされた前記樹脂モールド部20の表裏において電気的な接続を行うための接続部15bとを有した構成とされており、前記ユニット10が複数個積層されることにより、隣り合う前記ユニット10に備えられた前記電流を流すための端子15の前記接続部15b同士が、前記樹脂モールド部20の表裏を貫通して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。前記接続部15bは、前記樹脂モールド20の表裏を貫通する部材で構成されており、一端が前記樹脂モールド部20から突き出した突起部15cとされていると共に、他端が前記突起部15cと対応する形状の凹部15dとされており、前記接続部15bに備えられた前記突起部15cが隣り合う前記ユニット10の前記電流を流すための端子15に備えられた前記接続部15bの前記凹部15d内に嵌まり込むことで、隣り合う前記ユニット10に備えられた前記電流を流すための端子15の前記接続部15b同士が電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記電流を流すための端子15は平型端子にて構成されており、前記接続部15bの先端が前記樹脂モールド20の一面側から突き出していると共に、前記樹脂モールド部20の反対面側における前記接続部15bと対応する位置に端子挿入口20fが形成されており、前記接続部15bの先端が隣り合う前記ユニット10の前記電流を流すための端子15に備えられた前記端子挿入口20f内に嵌まり込むことで、隣り合う前記ユニット10に備えられた前記電流を流すための端子15の前記接続部15b同士が電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記ユニット10の積層体における各ユニット10の間は、前記冷媒通路30を囲むシール部42によってシールされており、前記接続部15bは、前記シール部42の外側に配置されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置。前記接続部15bは、前記冷媒通路30内を通過するように配置され、該接続部15bのうち少なくとも前記樹脂モールド部20から露出している部分の外周面は絶縁部材15e、15gによって覆われており、前記接続部15bと前記冷媒通路30内の冷媒とが絶縁されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置。前記接続部15bのうち前記樹脂モールド部20から露出している部分の外周面は前記絶縁部材を構成する絶縁筒15gによって囲まれており、該絶縁筒15gの両先端にシール部材15fが備えられることで、前記接続部15bのうち前記樹脂モールド部20に覆われていない部分を前記冷媒通路30から隔離し、前記接続部15bと前記冷媒通路30との間のシール性が前記絶縁筒15gおよび前記シール部材15fによって確保されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。前記シール部は、リング状のシール部材42であり、前記ユニット10の積層体と前記蓋部40、41との固定は、前記ユニット10の積層体の両側から前記蓋部40、41にて挟み込む固定具43にて行われていることを特徴とする請求項4ないし6のいずれか1つに記載の半導体装置。前記ユニット10の積層体と前記蓋部40、41との固定は、前記ユニット10の積層体の両側から前記蓋部40、41にて挟み込むボルト43にて行われており、前記接続部15bは、前記樹脂モールド20の表裏を貫通する中空部を有する筒状部材で構成され、前記ボルト43が前記接続部15bの中空部内に嵌め込まれることで、前記ユニット10の積層体と前記蓋部40、41との固定が行われると共に、前記ボルト43と前記ユニット10それぞれの前記電流を流すための端子15に備えられた前記接続部15bとの電気的接続が行われていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記ボルト43の周囲を囲む筒状金属部材43aが配置されており、前記ボルト43を締めることによって前記筒状金属部材43aの径が拡大されることで、前記ユニット10それぞれの前記電流を流すための端子15に備えられた前記接続部15bの内面と前記ボルト43との電気的接続が行われていることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。しかしながら、特許文献1に示す半導体装置のように、各ユニット間のパワー端子同士の接続をバスバー接続とする場合には、溶接工程またははんだ接続工程を行わなければならず、製造工程の煩雑化や部品点数の増加を生じさせ、引いては製造コストの増大を招くことになる。本発明は上記点に鑑みて、ユニット間のパワー端子の接続を溶接やはんだ接続によって行わなくても済む構造の半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、半導体チップ11、12、第1、第2ヒートスプレッダ13、14、端子15~17を樹脂モールド部20にてモールド化したものを1つのユニット10として、該ユニット10の積層体を蓋部40、41にて挟み込み、かつ、ユニット10と蓋部40、41を固定した半導体装置であって、端子15~17には、半導体パワー素子に対して電流を流すための端子15が含まれ、該電流を流すための端子15は、第1ヒートスプレッダ13に接続される引出部15aと、引出部15aに接続されると共に板状とされた樹脂モールド部20の表裏において電気的な接続を行うための接続部15bとを有した構成とされており、ユニット10が複数個積層されることにより、隣り合うユニット10に備えられた電流を流すための端子15の接続部15b同士が、樹脂モールド部20の表裏を貫通して電気的に接続されていることを特徴としている。このように、複数のユニット10を積層したときに、各ユニット10に備えた電流を流すための端子15の接続部15bが隣接するユニット10の電流を流すための端子15の接続部15bに電気的に接続されるようにしている。したがって、ユニット10間の電流を流すための端子15の接続を溶接やはんだ接続によって行わなくても済む構造の半導体装置とすることが可能となる。例えば、請求項2に記載したように、接続部15bを樹脂モールド20の表裏を貫通する部材で構成し、一端に樹脂モールド部20から突き出した突起部15c、他端に突起部15cと対応する形状の凹部15dを備えた構造とすれば、接続部15bに備えられた突起部15cが隣り合うユニット10の電流を流すための端子15に備えられた接続部15bの凹部15d内に嵌まり込むことで、隣り合うユニット10に備えられた電流を流すための端子15の接続部15b同士が電気的に接続されるようにすることができる。また、請求項3に記載したように、電流を流すための端子15を平型端子にて構成し、接続部15bの先端が樹脂モールド20の一面側から突き出すようにすると共に、樹脂モールド部20の反対面側における接続部15bと対応する位置に端子挿入口20fを形成すれば、接続部15bの先端が隣り合うユニット10の電流を流すための端子15に備えられた端子挿入口20f内に嵌まり込むことで、隣り合うユニット10に備えられた電流を流すための端子15の接続部15b同士が電気的に接続されるようにすることができる。請求項4に記載の発明では、ユニット10の積層体における各ユニット10の間が冷媒通路30を囲むシール部42によってシールされるようにし、接続部15bをシール部42の外側に配置することを特徴としている。このような構成とすることで、シール部よりも外側に電流を流すための端子15の接続部15bを配置することで、冷媒が接続部15bに触れないようにすることができる。また、請求項5に記載の発明では、接続部15bは、冷媒通路30内を通過するように配置され、該接続部15bのうち少なくとも樹脂モールド部20から露出している部分の外周面は絶縁部材15e、15gによって覆われており、接続部15bと冷媒通路30内の冷媒とが絶縁されていることを特徴としている。このように、パワー端子15の接続部15bが冷媒通路30内を通過するように配置することもできる。この場合、接続部15bと冷媒通路30内の冷媒とが絶縁されるように、絶縁部材15e、15gで覆うようにすれば、パワー端子15からの漏電を防止することができる。このような構造としても、請求項1に記載の効果を得ることができる。例えば、請求項2に記載したように、接続部15bを一端に樹脂モールド部20から突き出した突起部15c、他端に突起部15cと対応する形状の凹部15dを備えた構造とする場合、突起部15cと凹部15dとの連結箇所にシール部材15fを備えた構造とすれば、突起部15cや凹部15dと冷媒通路30との間のシール性を確保できる。また、請求項6に記載したように、接続部15bのうち樹脂モールド部20から露出している部分の外周面が絶縁部材を構成する絶縁筒15gによって囲まれた構造とし、該絶縁筒15gの両先端にシール部材15fを備えた構造とすることもできる。このような構造としても、接続部15bのうち樹脂モールド部20に覆われていない部分を冷媒通路30から隔離し、接続部15bと冷媒通路30との間のシール性が絶縁筒15gおよびシール部材15fによって確保されるようにできる。例えば、請求項5に記載したように、シール部として、リング状のシール部材42を用いることができる。この場合、ユニット10の積層体と蓋部40、41との固定をユニット10の積層体の両側から蓋部40、41を挟み込む固定具43にて行うようにすれば、固定具43の締め付け力によってシール部材42が押し潰され、これによって上記シールを実現することができる。請求項6に記載の発明では、ユニット10の積層体と蓋部40、41との固定は、ユニット10の積層体の両側から蓋部40、41を挟み込むボルト43にて行われており、接続部15bは、樹脂モールド20の表裏を貫通する中空部を有する筒状部材で構成され、ボルト43が接続部15bの中空部内に嵌め込まれることで、ユニット10の積層体と蓋部40、41との固定が行われると共に、ボルト43とユニット10それぞれの電流を流すための端子15に備えられた接続部15bとの電気的接続が行われていることを特徴としている。このように、電流を流すための端子15の接続部15bの中空部によってボルト43が嵌め込まれるボルト穴を構成するようにしても良い。この場合、請求項7に記載したように、ボルト43の周囲を囲むように筒状金属部材43aを配置し、ボルト43を締めることによって筒状金属部材43aの径を拡大することで、ユニット10それぞれの電流を流すための端子15に備えられた接続部15bの内面とボルト43との電気的接続を行うようにすることもできる。なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。第1実施形態本発明の第1実施形態にかかる冷却機構を備えた半導体装置について説明する。この半導体装置は、例えば車両用の三相モータの駆動を行うためのインバータ等に適用される。図1は、本実施形態にかかる半導体装置1の断面図である。この図に示すように、半導体装置1は、例えばインバータを構成する各種構成部品を樹脂モールドした半導体モジュールを1つのユニット10として、ユニット10を複数個積層することによって構成されている。図2は、半導体装置1を構成するユニット10の1つを取り出した図であり、aはユニット10の正面図、bはaのA-A’断面図である。図2a、bに示されるように、各ユニット10は、半導体パワー素子などが形成された半導体チップ11、12に加えて、ヒートスプレッダ13、14、パワー端子15、負極端子16および制御端子17等を備え、これらが樹脂モールド部20によって樹脂モールドされることで一体化された構造とされている。なお、ここでは各ユニット10に、半導体チップ11、12によってインバータの各相を構成する上下アームのうちの1つのアームのみを構成した1in1構造について説明するが、2つのアームを樹脂モールドした2in1構造、3つのアームを樹脂モールドした3in1構造など、他の構造についても1ユニットとすることができる。半導体チップ11には、IGBTやパワーMOSFETなどの半導体パワー素子以下の説明ではIGBTとして説明するが形成されており、半導体チップ12には、フリーホイールダイオード以下、FWDというが形成されている。例えば、半導体装置1が三相モータ駆動用のインバータに適用される場合、上アームもしくは下アームのいずれか一方を構成する半導体パワー素子とFWDとが半導体チップ11、12にそれぞれ形成される。本実施形態では、半導体パワー素子およびFWDを基板厚み方向に電流を流す縦型の半導体素子としており、半導体チップ11、12の両面には、各種パッドが形成された構造とされている。具体的には、半導体チップ11の一面紙面下側面には、半導体パワー素子のゲート等に接続されるパッドが形成されていると共に、半導体パワー素子のエミッタに接続されるパッドが形成され、他面紙面上側面は、全面が半導体パワー素子のコレクタに繋がるパッドとされている。また、半導体チップ12の一面紙面下側面には、FWDのアノードに接続されるパッドが形成され、他面紙面上側面には、FWDのカソードに接続されるパッドが形成されている。なお、図2ではIGBTやFWDを2つの半導体チップ11、12に形成した構造として示したが、IGBTやFWDを1チップ化した構造としても良い。また、半導体チップ11に基板横方向に電流を流す横型の半導体パワー素子が形成された構造であっても構わない。ヒートスプレッダ13、14は、半導体チップ11、12から伝えられる熱を広範囲に拡散させて放出する放熱板として機能する。一方のヒートスプレッダ13は、半導体チップ11、12の他面側のパッドに物理的にだけでなく電気的にも接続されることで、放熱板としての機能に加えて、IGBTのコレクタおよびFWDのカソードに接続される配線としても機能している。また、他方のヒートスプレッダ14も同様に、放熱板としての機能に加えて、IGBTのエミッタおよびFWDのアノードに接続される配線としても機能している。これらヒートスプレッダ13、14は、銅などの熱伝達率の高い金属にて構成され、例えば所定厚さの四角形の金属板にて構成されている。ヒートスプレッダ13、14のうち半導体チップ11、12と反対側の面は、樹脂モールド部20から露出させられており、後述する冷却水に曝されている。なお、ここでは図示していないが、各半導体チップ11、12とヒートスプレッダ14との間には、半導体チップ11に形成されるIGBTのエミッタとヒートスプレッダ14との間を接続すると共に、半導体チップ12に形成されるFWDのカソードとヒートスプレッダ14との間を接続する金属ブロックを配置している。このような金属ブロックを配置することで、半導体チップ11、12の表面とヒートスプレッダ14との間に所望の間隔が空けられる構造となるようにし、制御端子17と半導体チップ11のゲート等に接続されるパッドとの間のボンディングが容易に行えるようにしてある。また、ヒートスプレッダ13、14のうち冷却水に曝される側の表面には、図示しない絶縁材が備えられており、この絶縁材によって冷却水との絶縁が図られていることから、ヒートスプレッダ13、14が冷却水に接することによるリークの発生については防止されている。パワー端子15は、半導体チップ11、12に対して電圧印加を行う正極端子を構成するものであり、導体材料によって構成されている。このパワー端子15は、ヒートスプレッダ13に対して一体化もしくははんだや溶接等によって接合される引出部15aと、各ユニット10それぞれに備えられるパワー端子15同士を繋ぐ接続部15bとによって構成されている。パワー端子15のうち接続部15bの所定箇所以外は樹脂モールド部20にて覆われることで絶縁されており、冷却水とは接しないようにされている。引出部15aは、ヒートスプレッダ13を介して半導体チップ11の他面紙面上側面に備えられたIGBTのコレクタに繋がるパッドに電気的に接続されている。また、引出部15aにおけるヒートスプレッダ13に接合された端部と反対側の端部は、はんだや溶接等によって接続部15bに接続されている。接続部15bは、図2bに示すように、樹脂モールド部20の表裏を貫通するように備えられている。接続部15bには、樹脂モールド部20の表面紙面上面側において、樹脂モールド部20の表面よりも突出した突起部15cが備えられていると共に、樹脂モールド部20の裏面紙面下面側において、突起部15cと対応する形状の凹部15dが備えられている。具体的には、接続部15bは、樹脂モールド部20に覆われた部分では外径が一定とされた円筒形状とされており、一端側に樹脂モールド部20に覆われた部分よりも外径が縮径された突起部15cが備えられ、他端側に突起部15cと同径もしくは若干径大とされた凹部15dが備えられている。このため、複数のユニット10を積層したときに、隣り合うユニット10に備えられた接続部15bの突起部15cが凹部15d内に嵌め込まれることで、各ユニット10間におけるパワー端子15の接続が行えるようになっている。負極端子16は、半導体チップ11、12の負極に接続されるものである。この負極端子16は、ヒートスプレッダ14に対して一体化もしくははんだや溶接等によって接合され、ヒートスプレッダ14を介して半導体チップ11の他面側に備えられた半導体パワー素子のエミッタに繋がるパッドや半導体チップ11の他面側に備えられたFWDのアノードに繋がるパッドに電気的に接続されている。また、負極端子16におけるヒートスプレッダ14に接合された端部と反対側の端部は、樹脂モールド部20から露出させられており、この露出部分を通じて外部との接続が行えるように構成されている。また、パワー端子15の外周面の全域が樹脂モールド部20によって覆われ、樹脂モールド部20および後述するシール部材としてのOリング42によりパワー端子15が水路30から隔離された構造とされる。制御端子17は、半導体パワー素子のゲート配線や半導体パワー素子に流れる電流のセンス、半導体チップ11の温度のセンス等に用いられるもので、半導体チップ11の表面側に形成された半導体パワー素子のゲート等に接続されるパッドにボンディングワイヤ図示せずを介して電気的に接続されている。制御端子17における半導体チップ11と接続される端部と反対側の端部は、樹脂モールド部20から露出させられており、この露出部分を通じて外部との接続が行えるように構成されている。なお、半導体チップ11の表面とヒートスプレッダ14との間が金属ブロックによって所定間隔空けられていることから、ボンディングワイヤがヒートスプレッダ14と干渉することなく、良好に半導体チップ11と制御端子17との電気的接続が行えるようになっている。樹脂モールド部20は、上述したユニット10内に備えられる各構成部品半導体チップ11、12、ヒートスプレッダ13、14、パワー端子15、負極端子16および制御端子17の接続を終えたものを成形型内に設置したのち、その成形型内に樹脂を注入してモールド化することで構成される。この樹脂モールド部20は、上述した各構成部品を覆いつつ、パワー端子15の突出部15cと凹部15dを露出させると共に、負極端子16および制御端子17の一端側を露出させ、かつ、窓部20a、20bよりヒートスプレッダ13、14の一面側を露出させるように構成されている。そして、樹脂モールド部20により、各構成部品の電気的な接続箇所の防水を行っている。また、樹脂モールド部20は、一方向が長手方向となる長方板状とされ、その長辺を構成する一側面から負極端子16が引き出されており、その長辺と対向する長辺を構成する一側面から制御端子17が引き出されている。また、樹脂モールド部20のうちの四隅のうちの少なくとも1箇所本実施形態では2箇所にパワー端子15の接続部15bが配置されている。また、樹脂モールド部20は、半導体装置1の冷却機構を構成する冷媒通路としての水路30図1参照の一部を構成している。具体的には、樹脂モールド部20には、ユニット10内に備えられる各構成部品を挟んだ両側に主水路を構成する通路穴20cが形成されていると共に、当該樹脂モールド部20の表裏両面において外縁部よりも凹ませた凹部20dが形成されている。これら通路穴20cや凹部20dが水路30の一部を構成しており、複数のユニット10を積層したときに各通路穴20cと凹部20dとを含む水路30が構成されるようになっている。さらに、樹脂モールド部20には、凹部20dを囲むように形成されたシール部材セット用の溝部20eが形成されている。この溝部20eには後述するOリング42図1参照が嵌め込まれる。そして、複数のユニット10を積層したときに、Oリング42によりユニット10同士の間のシールが為され、水路30に流される冷媒としての冷却水が樹脂モールド部20の外部に漏れることを防止している。そして、このOリング42よりもパワー端子15が外側に配置されることで、水路30からパワー端子15への冷却水漏れが防止されている。このような構造により、各ユニット10が構成されている。さらに、半導体装置1には、図1に示すように蓋部40、パイプ付蓋部41、Oリング42および固定具としてのボルト43が備えられている。蓋部40およびパイプ付蓋部41は、上記のように構成されたユニット10を複数個積層したときの積層体の両先端部にそれぞれ配置されるものである。蓋部40は、各ユニット10の樹脂モールド部20と対応する形状の板状部材で構成されている。蓋部40を複数個積層したユニット10の積層体の一方の先端部に配置したときに、蓋部40とユニット10との間には、凹部20dによる隙間が形成されるようになっている。また、蓋部40のうちユニット10側の面には、シール部材セット用の溝部40aが形成されている。パイプ付蓋部41は、各ユニット10の樹脂モールド部20と対応する形状の板状部材に対して2本のパイプ41a、41bを備えた構成とされている。2本のパイプ41a、41bの一方は冷却水の入口、他方は冷却水の出口とされ、それぞれ各ユニット10に形成された通路穴20cと対応する位置に配置されている。このパイプ付蓋部41のうち、各ユニット10に備えられたパワー端子15の接続部15bと対応する位置にも、接続部15bに電気的に接続される終端接続部41cが備えられ、この終端接続部41cを通じて電力源と接続できる機能を実現している。本実施形態では、終端接続部41cは、ユニット10と反対側にパイプ付蓋部41から突き出す突起部41dが備えられ、かつ、ユニット10側に接続部15bの突起部15cが嵌め込まれる凹部41eが備えられた構造とされている。Oリング42は、リング状のシール部材に相当するもので、各ユニット10に形成されたシール部材セット用の溝部20eや蓋部40に形成されたシール部材セット用の溝部40a内に嵌め込まれ、積層された各ユニット10の間やユニット10と蓋部40およびパイプ付蓋部41の間をシールする。ボルト43は、溝部20eおよび溝部41c内にOリング42を嵌め込みつつ、積層した複数個のユニット10の両先端部に蓋部40およびパイプ付蓋部41を配置したのち、蓋部40およびパイプ付蓋部41の両側から挟み込むことで固定するものである。このボルト43によって固定されることで、パイプ41a、41bおよび各ユニット10に形成した通路穴20cおよび凹部20dによる水路30が構成された半導体装置1が構成されている。また、Oリング42がボルト43の締め付け力によって押し潰され、これによって上記シールが実現されている。このボルト43は着脱可能に構成されており、ボルト43を取り外すことにより、各ユニット10や蓋部40およびパイプ付蓋部41が分解できるようになっている。蓋部40およびパイプ付蓋部41にはボルト穴が形成されており、このボルト穴にボルト43を通し、ボルト43を締めて固定することで、半導体装置1が構成される。以上のような構造により、本実施形態にかかる半導体装置1が構成されている。このような構成の半導体装置1は、各ユニット10の間やユニット10と蓋部40およびパイプ付蓋部41の間がOリング42によってシールされているため、水路30からの冷却水漏れを防止しつつ、冷却水による高い冷却効果により各ユニット10に備えられた半導体チップ11を冷却することができる。具体的には、図1に示すようにパイプ41aおよび各ユニット10に形成された2つの通路穴20cのうちの一方にて一方の主水路31が構成されると共に、各ユニット10に形成された2つの通路穴20cのうちの他方およびパイプ41bにて構成されるもう一方の主水路32が構成される。また、各ユニット10の凹部20dにて分岐水路33が構成される。このため、図1中に矢印で示したように、パイプ41aから供給された冷却水が一方の主水路31を通じて各ユニット10に行き渡った後、分岐水路33を通じてもう一方の主水路32側に移動し、さらにその主水路32からパイプ41bを通じて排出される。このとき、各ユニット10に備えられたヒートスプレッダ13、14が冷却水に接して冷却されるため、半導体チップ11で発した熱を効果的に放出することが可能となる。そして、本実施形態のような半導体装置1は、溝部20eおよび溝部41c内にOリング42を嵌め込みつつ、複数のユニット10の積層体の両側を蓋部40およびパイプ付蓋部41にて挟み、その状態でボルト43を締めることによって製造される。このとき、積層される各ユニット10のパワー端子15の接続部15bの突起部15cを隣接するユニット10のパワー端子15の接続部15bの凹部15dやパイプ付蓋部41の終端接続部41cの凹部41eに嵌め込むことで、各ユニット10のパワー端子15およびパイプ付蓋部41の終端接続部41cの電気的接続を図ることができる。以上説明した本実施形態の半導体装置1では、複数のユニット10を積層したときに、各ユニット10に備えたパワー端子15の接続部15bが隣接するユニット10のパワー端子15の接続部15bに電気的に接続されるようにしている。具体的には、各ユニット10に備えたパワー端子15の接続部15bに突起部15cおよび凹部15dを備えた構造としており、かつ、各ユニット10のパワー端子15が同じ位置に配置してある。このため、複数のユニット10を積層したときに、各ユニット10に備えたパワー端子15の接続部15bが隣接するユニット10のパワー端子15の接続部15bの凹部15dに嵌まり込み、電気的に接続されるようにできる。したがって、ユニット10間のパワー端子15の接続を溶接やはんだ接続によって行わなくても済む構造の半導体装置1とすることが可能となる。これにより、製造工程の複雑化や部品点数の増加を抑制できると共に、製造コストの増大を抑制することが可能となる。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置1は、第1実施形態に対してパワー端子15の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なっている部分についてのみ説明する。図3は、本実施形態にかかる半導体装置1の断面図である。また、図4は、図3に示す半導体装置1を構成するユニット10の1つを取り出した図であり、aはユニット10の正面図、bはaのB-B’断面図である。図3および図4に示されるように、本実施形態でも、複数のユニット10を積層したときに、隣り合うユニット10間のパワー端子15同士が互いに接続されるような構造としているが、パワー端子15の構造を第1実施形態に対して変更している。具体的には、本実施形態では、パワー端子15を平型端子にて構成し、ヒートスプレッダ13の平面方向に引き出した平型端子を途中で折り曲げることで、パワー端子15の先端がヒートスプレッダ13の表面に対して垂直方向に向けられた構造としている。この平型端子のうち、ヒートスプレッダ13の平面方向に引き出された部分が引出部15a、引出部15aに対して垂直方向に折り曲げられた部分が接続部15bとなる。接続部15bの先端は、樹脂モールド部20から突き出しており、樹脂モールド部20のうち裏面側には接続部15bまで達する端子挿入口20fが形成されている。端子挿入口20fは、ヒートスプレッダ13の平面に対する垂直方向に空けられた穴であり、接続部15bの突き出している方向と一致させられている。同様に、パイプ付蓋部41に備えた終端接続部41cについても、上記のように平型端子で構成したパワー端子15に対応した形状とされており、終端接続部41cに設けられた凹部41eの形状を平型端子の先端にて構成される接続部15bの先端形状に一致させてある。このような構成により、図3に示されるように、複数のユニット10の積層体を構成する際に、各ユニット10に備えたパワー端子15の接続部15bの先端が隣接するユニット10の樹脂モールド部20に形成された端子挿入口20f内に嵌まり込む。そして、端子挿入口20f内に嵌め込まれた接続部15bがその樹脂モールド部20の内部のパワー端子15に接して、電気的に接続される。また、複数のユニット10のうち、パイプ付蓋部41に接するものについては、パワー端子15の接続部15bがパイプ付蓋部41に備えられた終端接続部41cの凹部41e内に嵌め込まれる。このようにして、各ユニット10のパワー端子15同士およびパイプ付蓋部41の終端接続部41cが電気的に接続されている。以上説明したように、パワー端子15を平型端子によって構成することによっても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。第3実施形態本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置1は、第1実施形態に対してパワー端子15の構成およびボルト43による固定構造を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なっている部分についてのみ説明する。図5は、本実施形態にかかる半導体装置1の断面図である。また、図6は、図5に示す半導体装置1を構成するユニット10の1つを取り出した図であり、aはユニット10の正面図、bはaのC-C’断面図である。図5および図6に示すように、本実施形態では、パワー端子15の接続部15b内にボルト43が嵌め込まれるようにしている。具体的には、図6bに示されるように、各ユニット10に備えたパワー端子15の接続部15bを中空部を有する筒形状としており、複数のユニット10を積層したときに各パワー端子15の接続部15bの中空部が連なってボルト43が嵌め込まれる空洞部が構成されるようにしている。同様に、パイプ付蓋部41に備えた終端接続部41cについても、中空部を有する筒形状としてあり、中空部内にボルト43が嵌め込めるようになっている。このような構成により、図5に示されるように、複数のユニット10の積層体を構成すると、各ユニット10に備えたパワー端子15の接続部15b同士が接触して電気的に接続される。また、複数のユニット10の積層体を蓋部40およびパイプ付蓋部41で挟んだ状態でボルト43によって固定すると、ボルト43が終端接続部41cを通じてもしくは各パワー端子15の接続部15bの中空部の内面に接触して電気的に接続される。したがって、ボルト43を通じて電力源と接続することができる。以上説明したように、パワー端子15の接続部15bの中空部によってボルト43が嵌め込まれるボルト穴を構成するようにしても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。第3実施形態の変形例上記第3実施形態のようにボルト43が嵌め込まれるボルト穴をパワー端子15の接続部15bの中空部によって構成する場合に、ボルト43と終端接続部41cとの電気的な接続もしくはパワー端子15の接続部15bとの電気的な接続が十分に行えない可能性もある。この場合、図7に示す構造を採用することもできる。図7は、第3実施形態の変形例にかかる半導体装置1の断面図である。この図に示されるように、ボルト43の周囲を囲む網目状の筒状金属部材43aを配置している。筒状金属部材43aは、ボルト43が締められる際に、ボルト43の両端によって押圧されることで径が拡大させられる。これにより、筒状金属部材43aがボルト43に接触すると共に、各パワー端子15の接続部15bの内面に接触し、各パワー端子15とボルト43との電気的接続を行うことが可能となる。このように、ボルト43の周囲に筒状金属部材43aを配置することによって、ボルト43と各ユニット10のパワー端子15との電気的接続が確実に行えるような構造としても良い。なお、このような筒状金属部材43aを備える場合には、ボルト43とパワー端子15とを筒状金属部材43aにて電気的に接続できることから、パイプ付蓋部41に終端接続部41cを備えないようにすることもできる。第4実施形態本発明の第4実施形態について説明する。ここでは、本発明の一実施形態を2つの半導体パワー素子を樹脂モールドした2in1構造のユニット10を積層した半導体装置1に対して適用した場合について説明する。図8は、本実施形態にかかる半導体装置1の断面図である。また、図9は、図8に示す半導体装置1を構成するユニット10の1つを取り出した図であり、aはユニット10の正面図、bはaのD-D’断面図である。図8および図9に示される本実施形態の半導体装置1では、2つの半導体チップ11、12それぞれに半導体パワー素子となるIGBTとFWDを備えている。つまり、IGBTとFWDを1チップ化した構造によって半導体チップ11、12を構成している。これらのうち半導体チップ12が上アームのIGBTとFWDを備えたものであり、半導体チップ11が下アームのIGBTとFWDを備えたものとされている。半導体チップ11と半導体チップ12は、表裏が逆に配置されている。具体的には、半導体チップ12は、紙面上側にIGBTのコレクタおよびFWDのカソードが配置され、紙面下側にIGBTのゲートやエミッタおよびFWDのアノードが配置されている。また、半導体チップ11は、紙面上側にIGBTのゲートやエミッタおよびFWDのアノードが配置され、紙面下側にIGBTのコレクタおよびFWDのカソードが配置されている。そして、ヒートスプレッダ13は、2つに分割されており、一方のヒートスプレッダ13aが半導体チップ12の紙面上側の面に接続され、もう一方のヒートスプレッダ13bが半導体チップ11の紙面上側の面に接続されている。また、ヒートスプレッダ14は、上下アームで共通化させられており、半導体チップ11、12の紙面下側の面にそれぞれ接続されている。このような構成において、ヒートスプレッダ13aに対してパワー端子15が接続されており、パワー端子15が第1実施形態と同様の構造とされている。このように、2in1構造の半導体装置1においても、第1実施形態と同様の構造のパワー端子15を備えることが可能である。これにより、第1実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。第5実施形態本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置1は、第1実施形態に対してパワー端子15の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なっている部分についてのみ説明する。上記各実施形態では、シール部の外側にパワー端子15における接続部15bを配置した構造としたが、接続部15bのうち各ユニット10同士での電気的な接続を行う箇所以外を絶縁膜で覆うなどによって絶縁すれば、シール部の内側に配置されるようにすることもできる。つまり、水路30内に接続部15bが配置される構造とされていても、パワー端子15が基本的に絶縁された構造であれば問題ない。図10は、本実施形態にかかる半導体装置1の断面図である。また、図11は、図10に示す半導体装置1を構成するユニット10の1つを取り出した図であり、aはユニット10の正面図、bはaのE-E’断面図である。図10および図11に示すように、本実施形態では、第1実施形態などと同様、パワー端子15の接続部15bが樹脂モールド部20の表裏を貫通するように形成されているが、貫通している位置を第1実施形態などに対して変更している。具体的には、パワー端子15の接続部15bをOリング42の内側に配置し、冷媒通路を構成する水路30内を通過するように接続部15bを配置している。また、パワー端子15のうち接続部15bの外周面を絶縁部材としての絶縁膜15eで被覆して絶縁処理している。そして、各ユニット10間での突起部15cと凹部15dとの連結箇所や突起部15cとパイプ付蓋部41に備えられた終端接続部41cの凹部41eとの連結箇所にシール部材としてのOリング15fを配置している。このような構成により、Oリング15fが隣り合うユニット10同士の接続部15bに挟み込まれることで、その内部に位置する突起部15cと凹部15dとを水路30から隔離し、突起部15cや凹部15dと水路30との間のシール性を確保している。なお、各ユニット10の連結部15bを水路30内で接続する場合において、本実施形態ではOリング15fが樹脂モールド部20内に入り込むように、接続部15bの凹部15dが樹脂モールド部20のうち凹部20dの底面よりも凹んだ位置に配置されるようにしてある。このような形態とされる場合、蓋部40側において連結部15bの凹部15dが水路30に露出させられることになる。このため、蓋部40にも連結部15bの凹部15dと対応する突起部40bを設けると共に、その周囲にOリング40cを配置することで、蓋部40側で連結部15bの凹部15dが水路30に露出しない構造としてある。このように、パワー端子15の接続部15bが水路30内を通過するように配置することもできる。この場合、接続部15bと水路30内の冷却水冷媒とが絶縁されるように、絶縁膜15eで接続部15bを被覆すれば、パワー端子15からの漏電を防止することができる。このような構造としても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。第6実施形態本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置1も、第1実施形態に対してパワー端子15の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なっている部分についてのみ説明する。図12は、本実施形態にかかる半導体装置1の断面図である。また、図13は、図12に示す半導体装置1を構成するユニット10の1つを取り出した図であり、aはユニット10の正面図、bはaのF-F’断面図である。図12および図13に示すように、本実施形態では、第5実施形態と同様、パワー端子15の接続部15bをOリング42の内側に配置し、冷媒通路を構成する水路30内を通過するように配置している。ただし、本実施形態では、接続部15bのうち水路30内に配置される部分が絶縁部材としての絶縁筒15gによって囲まれるようにすると共に、絶縁筒15gの両先端にOリング14fを配置している。このような構造とすることで、接続部15bのうち樹脂モールド部20に覆われていない部分を水路30から隔離し、接続部15bと水路30との間のシール性が絶縁筒15gやOリング14fによって確保される。このように、パワー端子15の接続部15bが水路30内を通過するように配置する場合において、接続部15bのうち樹脂モールド部20から露出する部分のみを絶縁筒14gによって囲み、かつ、その絶縁筒14gの両先端にOリング14fを設けた構造としても良い。このような構造としても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。他の実施形態1上記第1実施形態では、ボルト43によって複数のユニット10の積層体と蓋部40およびパイプ付蓋部41を固定する場合について説明したが、ボルト43によらない他の固定方法を適用しても良い。例えば、両端がフックとされた固定具を用い、両端のフックの間の間隔が蓋部40と複数個のユニット10およびパイプ付蓋部41を積層したときの幅よりも狭くなるようにしておくことで、両フックの弾性力によって固定することもできる。また、複数のユニット10や蓋部40およびパイプ付蓋部41を接着固定することも可能である。その場合、接着箇所によってシール性を保つことで、Oリング42を無くすこともできる。なお、この場合にも、複数のユニット10や蓋部40およびパイプ付蓋部41の接着箇所よりも外側にパワー端子15の接続部15bを配置することで、冷却水が接続部15bに触れないようにすることができる。2上記各実施形態では、各ユニット10に備えられるパワー端子15を2箇所に設けている場合について説明したが、少なくとも1箇所に備えられていれば良く、3箇所以上であっても構わない。3上記実施形態では、蓋材40およびパイプ付蓋材41を絶縁材料で構成する場合について説明しているが、これらを導体材料で構成することもできる。その場合、終端接続部41cがパイプ付蓋材41から絶縁されるように、終端接続部41cの周囲を絶縁膜などで覆うようにすれば良い。さらに、上記実施形態では、パイプ付蓋材41に各ユニット10のパワー端子15と電気的に接続される終端接続部41cを備えた構造とした。しかしながら、パイプ付蓋材41ではなく、冷却水の入口および出口を構成するパイプ41a、41bと反対側となる蓋材40に対して終端接続部を備え、この部分で電力源との電気的な接続が図れるようにしても良い。4上記第4実施形態では、2in1構造の一例として、半導体チップ11、12の表裏を裏返す構造について説明したが、半導体チップ11、12の表裏を揃えるような構造とすることもできる。その場合、ヒートスプレッダ13、14を共に2つに分割し、分割した各ヒートスプレッダ13、14をそれぞれ半導体チップ11、12の表裏面に対して接続すると共に、上アームのIGBTのエミッタおよびFWDのアノードと下アームのIGBTのコレクタおよびFWDのカソードと接続部材を介して電気的に接続する構造とすればよい。5上記第4実施形態では、2in1構造の半導体装置1として、第1実施形態に示したパワー端子15の構造を採用したものについて説明したが、第2、第3、第5、第6実施形態第3実施形態の変形例を含むに示した構造のパワー端子15を適用することもできる。6上記各実施形態では、ヒートスプレッダ13、14を四角形状のもので構成する場合について説明したが、ヒートスプレッダ13、14の面積が大きいほど高い放熱効果を得ることができるため、樹脂モールド部内においてヒートスプレッダ13、14を拡大することもできる。その場合、ヒートスプレッダ13、14のうち、パワー端子15に接続されないものについては、パワー端子15と接触しないように、パワー端子15を貫通させるための切り欠きを備えるようにすれば良い。7上記各実施形態では、樹脂モールド部20を長方板状で構成したが、板状であれば良く、必ずしも長方板状とする必要はない。例えば、樹脂モールド部20を長円形板状としても良い。8上記第5、第6実施形態では、パワー端子15の接続部15bが第1実施形態の形態のものを例に挙げて説明したが、第6実施形態のような絶縁筒14gを用いる形態の場合、第2実施形態のような平型端子を用いる構造についても適用することができる。9上記各実施形態では、ユニットを積層したときにパワー端子の電気的な接続が行える構造について説明したが、半導体パワー素子に対して電流を流すための電流経路を構成する他の端子、例えばインバータの下アーム側の負極端子同士を接続する場合にも本発明を適用することができる。また、例えば、2in1構造の場合には、パワー端子同士を接続しつつ、かつ、負極端子同士を接続するような構造とすることもできる。