アンテナ端子に接続された、通過帯域の異なる複数のデュプレクサと、前記アンテナ端子と前記複数のデュプレクサのそれぞれとの間に接続された複数の弾性波フィルタと、を備え、前記複数の弾性波フィルタのうち第1弾性波フィルタのフィルタ特性は、前記複数のデュプレクサのうち、前記第1弾性波フィルタに接続された第1デュプレクサの送信及び受信双方の通過帯域の信号を通過させ、前記複数のデュプレクサのうち、前記第1弾性波フィルタとは異なる第2弾性波フィルタに接続された第2デュプレクサの送信及び受信双方の通過帯域の信号を抑圧するように設定されていることを特徴とする電子回路。前記複数の弾性波フィルタのうち少なくとも1つは、バンドパスフィルタであることを特徴とする請求項1に記載の電子回路。前記複数の弾性波フィルタのうち少なくとも1つは、2重モードフィルタであることを特徴とする請求項1または2に記載の電子回路。前記複数の弾性波フィルタのうち少なくとも1つは、バルク波を用いるフィルタであることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の電子回路。前記複数の弾性波フィルタのうち少なくとも1つは、圧電薄膜を用いたCRFCoupledResonatorFilterであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の電子回路。前記圧電薄膜は、圧電定数を高める元素を含む窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項5に記載の電子回路。前記複数の弾性波フィルタのうち少なくとも1つは、板波を用いることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の電子回路。請求項1~7のいずれか1項に記載の電子回路を備えた電子モジュール。従来のCAにおける送受信用の高周波回路は、アンテナ端子と各デュプレクサとの間にダイプレクサが配置されていた。しかし、ダイプレクサは小型化が難しく、挿入損失が比較的大きいという課題があった。また、ダイプレクサの減衰曲線のスカート特性は急峻ではないため、CarrierAggregationで使用される複数の周波数帯同士が接近している場合に、互いの周波数帯において充分な信号抑圧が確保できない場合があった。本発明は上記の課題に鑑みなされたものであり、フィルタにおける挿入損失の低下及び小型化が可能な電子回路、及び当該電子回路を搭載した電子モジュールを提供することを目的とする。本発明は、アンテナ端子に接続された、通過帯域の異なる複数のデュプレクサと、前記アンテナ端子と前記複数のデュプレクサのそれぞれとの間に接続された複数の弾性波フィルタと、を備え、前記複数の弾性波フィルタのうち第1弾性波フィルタのフィルタ特性は、前記複数のデュプレクサのうち、前記第1弾性波フィルタに接続された第1デュプレクサの送信及び受信双方の通過帯域の信号を通過させ、前記複数のデュプレクサのうち、前記第1弾性波フィルタとは異なる第2弾性波フィルタに接続された第2デュプレクサの送信及び受信双方の通過帯域の信号を抑圧するように設定されていることを特徴とする電子回路、及び当該電子回路を含む電子モジュールである。上記構成において、前記複数の弾性波フィルタのうち少なくとも1つは、バンドパスフィルタである構成とすることができる。上記構成において、前記複数の弾性波フィルタのうち少なくとも1つは、2重モードフィルタである構成とすることができる。上記構成において、前記複数の弾性波フィルタのうち少なくとも1つは、バルク波を用いるフィルタである構成とすることができる。上記構成において、前記複数の弾性波フィルタのうち少なくとも1つは、圧電薄膜を用いたCRFCoupledResonatorFilterである構成とすることができる。上記構成において、前記圧電薄膜は、圧電定数を高める元素を含む窒化アルミニウムである構成とすることができる。上記構成において、前記複数の弾性波フィルタのうち少なくとも1つは、板波を用いる構成とすることができる。本発明によれば、フィルタにおける挿入損失の低下及び小型化を図ることができる。図1は、比較例に係る電子モジュールの全体ブロック図である。電子モジュールは、2つのアンテナ端子第1アンテナ端子10及び第2アンテナ端子20と、アンテナ端子を介して入出力される信号の処理を行うための内部回路30とを備えている。アンテナ端子10、20と内部回路30との間には、ダイプレクサ及びデュプレクサにより構成されるフィルタ回路が、それぞれの信号経路毎に設けられている。第1アンテナ端子10には、スイッチ11が接続されている。スイッチ11は、1対多端子型のSPNT-SWSinglepoleNthrowスイッチであり、第1アンテナ端子10からの信号を、複数の信号線に切り替えて出力すると共に、複数の信号線からの信号を第1アンテナ端子10へと出力する。スイッチ11から出力される信号線のうち1つは、ダイプレクサ12に接続されており、他の信号線は図示しない同様な回路を介して内部回路30に接続されている。内部回路30は、アンテナ端子から入力された高周波信号を、回路内のローノイズアンプ不図示によりダウンコンバートして、ベースバンド信号へと変換する。また、内部回路30は、送信用のベースバンド信号をアップコンバートして、アンテナ端子から出力可能な高周波信号に変換する。ダイプレクサ12は、ハイパスフィルタ及びローパスフィルタが組み合わされた構成を有し、スイッチ11からの信号を2つの信号成分高周波側と低周波側に分割して出力すると共に、内部回路30側からの信号をスイッチ11へと出力する。ダイプレクサ12は、例えば、積層されたセラミックの中に、インダクタとコンデンサを形成した集中定数型またはλ/4線路を形成した分布定数型とすることができる。ダイプレクサ12から出力される2本の信号線には、それぞれデュプレクサ13及び14が接続されている。デュプレクサ13及び14は、それぞれ2つのバンドパスフィルタ13a及び13b、14a及び14bが組み合わされた構成を有する。送信側のバンドパスフィルタ13a、14aは、内部回路30から入力された信号のうち、特定の周波数帯の信号を通過させ、アンテナ側へと出力する。受信側のバンドパスフィルタ13b、14bは、ダイプレクサ12から入力された信号のうち、特定の周波数帯の信号を通過させ、内部回路30へと出力する。これらのバンドパスフィルタにより、送信側の信号が受信側の信号線に混入すること、及び受信側の信号が送信側の信号線に混入することが抑制されている。デュプレクサ13及び14を構成するバンドパスフィルタは、例えば圧電薄膜共振器FBAR、あるいは、弾性表面波共振器SAWをラダー型に組み合わせたフィルタにより実現することができる。デュプレクサ13及び14からは、それぞれ2本ずつの信号線が内部回路30へと接続されている。2本の信号線のうち一方は送信信号を、他方は受信信号をそれぞれ伝達する。送信側のバンドパスフィルタ13a、14aに接続された信号線には、それぞれ信号増幅用のパワーアンプ15及び16が設けられている。第2アンテナ端子20には、1段目のダイプレクサ21が接続されている。ダイプレクサ21は、第2アンテナ端子20からの信号を2本の信号線に分割して内部回路30側へ出力すると共に、内部回路30側からの信号を第2アンテナ端子20へと出力する。ダイプレクサ21に接続された内部回路30側の2本の信号線のうち、一方はダイプレクサ22へと接続され、他方はデュプレクサ25へと接続されている。第2アンテナ端子20側のフィルタ回路におけるデュプレクサ23、24、25及びダイプレクサ21、22の構成等は、第1アンテナ端子10側のフィルタ回路におけるデュプレクサ13、14及びダイプレクサ12と同様とすることができる。2段目のダイプレクサ22から出力される2本の信号線には、それぞれデュプレクサ23及び24が接続されている。デュプレクサ23及び24は、それぞれ2つのバンドパスフィルタ23a及び23b、24a及び24bが組み合わされた構成を有する。送信側のバンドパスフィルタ23a、24aは、内部回路30から入力された信号のうち、特定の周波数帯の信号を通過させ、アンテナ側へと出力する。受信側のバンドパスフィルタ23b、24bは、ダイプレクサ21から入力された信号のうち、特定の周波数帯の信号を通過させ、内部回路30へと出力する。これらのバンドパスフィルタにより、送信側の信号が受信側の信号線に混入すること、及び受信側の信号が送信側の信号線に混入することが抑制されている。デュプレクサ23及び24を構成するバンドパスフィルタは、例えば圧電薄膜共振器FBAR、あるいは、弾性表面波共振器SAWをラダー型に組み合わせたフィルタにより実現することができる。デュプレクサ23及び24からは、それぞれ2本ずつの信号線が内部回路30へと接続されている。2本の信号線のうち一方は送信信号を、他方は受信信号をそれぞれ伝達する。送信側のバンドパスフィルタ23a、24aに接続された信号線には、それぞれ信号増幅用のパワーアンプ26及び27が設けられている。また、1段目のダイプレクサ21に接続されたデュプレクサ25からは、2本の信号線が内部回路30へと接続されており、送信側のバンドパスフィルタ25aに接続された信号線には、パワーアンプ28が設けられている。図1に示すように、比較例では、アンテナ端子とデュプレクサとの間にダイプレクサが挿入されている。例えば、第2アンテナ端子20側の回路において、デュプレクサ23及び24の前段アンテナ端子側に、ダイプレクサ22が接続されている。前述のように、ダイプレクサは積層セラミックにより形成されているため、低背化及び小型化が比較的困難である。また、ダイプレクサが挿入されることにより、信号損失例えば、0.5dB程度が発生してしまう例えば、800MHz及び2GHzの組み合わせ等。さらに、ダイプレクサはQ値が低く、スカート特性減衰特性が急峻ではない。このため、CarrierAggregationで使用される2つの周波数帯の間隔が狭い例えば、1.5GHz及び2GHzの組み合わせ等場合、互いの周波数帯で充分な抑圧が確保することが難しい。仮に、充分な抑圧を確保しようとすると、インダクタやコンデンサによる回路を多段にしなければならず、トレードオフとして通過帯域の損失が増加してしまう。以下の実施例では、上記の課題を解決するための電子回路について説明する。図2は、実施例1に係る電子モジュールの全体ブロック図である。比較例図1と異なり、領域32において、2段目のダイプレクサ22の代わりに弾性波フィルタ40、41が設けられている。具体的には、1段目のダイプレクサ21の出力が2系統の信号線に分割され、そのうち一方が弾性波フィルタ40に、他方が弾性波フィルタ41にそれぞれ接続されている。弾性波フィルタ40から出力される信号線はデュプレクサ23へ接続され、弾性波フィルタ41から出力される信号線はデュプレクサ24へと接続されている。弾性波フィルタ40、41は、後段のデュプレクサの送信周波数、受信周波数の双方を通過させる帯域幅を有するフィルタである必要がある。これは、弾性表面波フィルタSAWでは実現が難しい。なお、デュプレクサは2つの場合を例示しているが、3個以上であっても構わない。ここで、デュプレクサ23は例えば800MHz帯のBand8送信帯域:880~915MHz、受信帯域925~960MHzのデュプレクサとし、デュプレクサ24は例えば2GHz帯のBand2送信帯域:1850~1910MHz、受信帯域:1930~1990MHzのデュプレクサとすることができる。これにより、比較例に係るフィルタに比べ、0.2~0.4dB程度低損失な領域32を形成することができ、異なる周波数帯Band8及びBand2を用いたCarrierAggregationを実現することができる。また、周波数帯の間隔がさらに狭い1.5GHz及び2GHzの組み合わせに本実施例を用いれば、低損失でかつ互いの周波数帯で十分な抑圧を確保することのできる領域32を形成でき、狭い周波数帯を組み合わせたCarrierAggregationが実現できる。図3は、図2に示すデュプレクサの回路構成図である。ここでは、デュプレクサ23の構成について説明する。デュプレクサ23と第2アンテナ端子20との間にあるダイプレクサ21、弾性波フィルタ40の記載は省略している。デュプレクサ23は、送信端子TX及び受信端子RXにそれぞれ接続されたラダーフィルタ23a及び23bを含む。送信側のラダーフィルタ23aは、アンテナ端子20と送信端子TXとの間に接続された直列共振器S10~S13と、それぞれの直列共振器の間に接続された並列共振器P10~P12とを含む。並列共振器P10~P12の一端は、共通のインダクタL10を介して接地されている。受信側のラダーフィルタ23bは、アンテナ端子20と受信端子RXとの間に接続された直列共振器S20~S23と、それぞれの直列共振器の間に接続された並列共振器P20~P22とを含む。並列共振器P20~P22の一端は、それぞれ別個のインダクタL20~L22を介して接地されている。なお、デュプレクサ24もデュプレクサ23と同様の回路構成となっている図5にて図示。2つのラダーフィルタ23a及び23bとアンテナ端子20との間には、整合回路が設けられている。本実施例では、整合回路は片側が接地されたインダクタL1により構成されている。このL1は、図5ではL2、L3として示されているが、L1はL2もしくはL3と同じ機能である。図4は、図2に示す弾性波フィルタ40、41の一例の断面模式図である。弾性波フィルタ40、41には、共にCRFCoupledResonatorFilter構造を有する2重モード型の弾性波フィルタを用いることができる。すなわち、弾性波フィルタ40は、基板50上に、圧電薄膜共振器FilmBulkAcousticResonator:FBARである第1共振器60及び第2共振器80が、デカプラ膜70を挟んで重ねられた構成を有する。第1共振器60は、下部電極62、圧電薄膜64、及び上部電極66を含み、第2共振器80は、下部電極82、圧電薄膜84、及び上部電極86を含む。また、第1共振器60の下部電極62と基板50との間に空隙52が形成されている。第1共振器60の下部電極62は第1端子56に接続され、第2共振器80の上部電極86は第2端子54に接続されている。第1共振器60の上部電極66及び第2共振器80の下部電極82は、共に接地されている。圧電薄膜64及び84には、例えば、AlNに圧電定数を高める元素例えば、アルカリ土類金属スカンジウムSc等または希土類金属エルピウムEr等を添加した材料を用いることができる。また、上記の材料の代わりに、AlNよりも圧電性の大きいPZTLeadZirconateTitanateまたはBSTBariumStrontiumTitanateを用いることもできる。これらの材料を用いることにより、圧電定数を高める元素が添加がされていないAlN圧電膜を用いる場合に比べ、十分な帯域幅をもち且つ低損失な特性を有するバンドパスフィルタを実現することができる。なお、通常のAlN圧電膜の圧電定数圧電歪定数は1.55[C/m2]であるが、本実施例では圧電定数を高める元素を添加することにより、圧電定数が3.0[C/m2]まで高められている。基板50には、例えばシリコンSiを用いることができる。下部電極62、82及び上部電極66、86を形成する電極膜には、例えばタングステンWを用いることができる。デカプラ膜70には、例えば酸化シリコンSiO2を用いることができる。この構成により、弾性波フィルタ40、41は、後段のデュプレクサの送信周波数、受信周波数の双方を通過させる通過帯域送信及び受信双方の通過帯域を有し、低損失で、高抑圧のフィルタを実現できる。図5は、図2に示す弾性波フィルタ40、41及びデュプレクサ23、24の構成を示す上面模式図であり、図3の回路図に対応する。弾性波フィルタ40、41は、それぞれCRF構造を有する弾性波フィルタである。弾性波フィルタ40は、3つの端子T1a、T1b、T1cを備える。T1aはアンテナ側の信号端子であり、図4における第1端子56及び第2端子54の一方に相当する。T1bは内部回路側の信号端子であり、図4における第1端子56及び第2端子54の他方に相当する。T1cは接地端子であり、図4におけるグランドに相当する。弾性波フィルタ40には、デュプレクサ23における送信側のラダーフィルタ23aと、受信側のラダーフィルタ23bが接続されている。送信側のラダーフィルタ23aは、直列共振器S10~S13及び並列共振器P10~P12を含み、各共振器の間は配線42実際は上部電極と下部電極からなるにより電気的に接続されている。受信側のラダーフィルタ23bは、直列共振器S20~S23及び並列共振器P20~P22を含み、各共振器の間は配線43実際は上部電極と下部電極からなるにより電気的に接続されている。弾性波フィルタ40とラダーフィルタ23a、23bとの間には、整合回路L2が設けられている。ラダーフィルタを構成する直列共振器及び並列共振器は、圧電薄膜共振器FBARにより形成されている。弾性波フィルタ41は、3つの端子T2a、T2b、T2cを備える。T2aはアンテナ側の信号端子であり、図4における第1端子56及び第2端子54の一方に相当する。T2bは内部回路側の信号端子であり、図4における第1端子56及び第2端子54の他方に相当する。T2cは接地端子であり、図4におけるグランドに相当する。弾性波フィルタ41には、デュプレクサ24における送信側のラダーフィルタ24aと、受信側のラダーフィルタ24bが接続されている。送信側のラダーフィルタ24aは、直列共振器S30~S33及び並列共振器P30~P32を含み、各共振器の間は配線44実際は上部電極と下部電極からなるにより電気的に接続されている。受信側のラダーフィルタ24bは、直列共振器S40~S43及び並列共振器P40~P42を含み、各共振器の間は配線45実際は上部電極と下部電極からなるにより電気的に接続されている。弾性波フィルタ41とラダーフィルタ24a、24bとの間には、整合回路L3が設けられている。ラダーフィルタを構成する直列共振器及び並列共振器は、圧電薄膜共振器FBARにより形成されている。実施例1に係る電子回路によれば、デュプレクサとアンテナ端子との間に接続されるフィルタにおいて、ダイプレクサに代えて弾性波フィルタを用いている。弾性波フィルタは、積層セラミック型のダイプレクサに比べ、小型化低背化が容易である。また、弾性波フィルタは、挿入損失が小さく、減衰曲線のスカート特性が急峻であるという特性を有する。特に、CarrierAggregationにおいて近い周波数帯の信号を使用する場合、スカート特性が急峻であれば、互いの周波数帯で十分な信号抑圧を確保することが容易となり、フィルタ全体の挿入損失を低下させることができる。図6は、実施例1に係る弾性波フィルタ図2の符号40及び41と、比較例に係るダイプレクサ図1の符号22とのシミュレーションによるフィルタ特性の比較を示すグラフである。図6~図9のシミュレーションでは、弾性波フィルタとして図4に示すCRFを用いた。第1共振器60及び第2共振器80において、下部電極62、82及び上部電極66、86には、タングステンWを用い、それぞれの膜厚を、Band2側は170nm62、86、380nm66、82、Band8側は260nm62、86、730nm66、82とした。圧電薄膜64、84には、圧電定数を高める元素を添加することにより、圧電定数を2.2[C/m2]まで高めたAlN薄膜を用い、それぞれの膜厚を、810nmBand2側、1760nmBand8側とした。デカプラ膜70の膜厚は、380nmBand2側、820nmBand8側とした。図6aは、Band2側のフィルタ特性を、図6bは、Band8側のフィルタ特性をそれぞれ示している。図中のBand2及びBand8は、それぞれのバンドにおける通過帯域を示す。また、グラフ中の実線は弾性波フィルタ実施例1の特性を、点線はダイプレクサ比較例の特性をそれぞれ示している。図示するように、弾性波フィルタはダイプレクサに比べスカート特性が急峻であり、通過帯域近傍の周波数の抑制に優れている。また、弾性波フィルタ40、41はバンドパスフィルタであるため、低周波側と高周波側の両方を抑圧することができ、ダイプレクサに比べて広帯域抑圧に優れている。図7は、弾性波フィルタ及びデュプレクサを組み合わせたフィルタ図2の領域32に相当する部分の帯域特性を示すグラフである。図7aは、Band2側のフィルタ特性を、図7bは、Band8側のフィルタ特性をそれぞれ示している。また、グラフ中の実線は弾性波フィルタとデュプレクサとの組み合わせフィルタ実施例1の特性を、点線はダイプレクサとデュプレクサとの組み合わせフィルタ比較例の特性をそれぞれ示している。図示するように、実施例1に係るフィルタは、比較例に係るフィルタに比べ、0.2~0.4dB程度低損失となっている。図8及び図9は、上記組み合わせフィルタの広帯域特性を示すグラフである。図8aは、Band2の送信側TXのフィルタ特性を、図8bは、Band2の受信側RXのフィルタ特性を、図9aは、Band8の送信側TXのフィルタ特性を、図9bは、Band8の受信側RXのフィルタ特性をそれぞれ示している。また、グラフ中の実線は弾性波フィルタとデュプレクサとの組み合わせフィルタ実施例1の特性を、点線はダイプレクサとデュプレクサとの組み合わせフィルタ比較例の特性をそれぞれ示している。図示するように、実施例1に係るフィルタは、比較例に係るフィルタに比べ、広帯域抑圧に優れている。一般的に、帯域内損失と広帯域抑圧とはトレードオフの関係にあるため、実施例1のように広帯域抑圧に余裕があるフィルタでは、フィルタ特性を低損失設計とすることにより、挿入損失を更に低下させることができる。以上のように、実施例1に係る電子回路によれば、挿入損失を抑制し、広帯域抑圧に優れたフィルタ特性を得ることができる。また、上記電子回路を種々の電子モジュール例えば、携帯電話等に組み込むことにより、電子モジュールの小型化及び高性能化を図ることができる。図10a~cは、図2の領域32に示す弾性波フィルタ及びデュプレクサの実装形態を示す模式図である。弾性波フィルタ40、41と第2アンテナ端子20との間にあるダイプレクサ21の記載は省略している。図12aに示す形態では、弾性波フィルタ40及び41が同一のパッケージC1に封止されて一体となり、その他のデュプレクサ23、24は個別のパッケージC2、C3に封止されている。図10bに示す形態では、弾性波フィルタ40とそれに接続されたデュプレクサ23、及び弾性波フィルタ41とそれに接続されたデュプレクサ24が、それぞれ同一のパッケージC1、C2に封止されて一体となっている。図10cに示す形態では、弾性波フィルタ40、41とデュプレクサ23、24とが、全て同一のパッケージC1に封止されて一体となっている。このように、図2に示す高周波回路における領域32のフィルタ回路は、様々な実装方法により実現することができる。図11は、実施例1図2、図5に係る電子回路を搭載した電子モジュールの外観を示す斜視図である。図11に示すように、電子回路を構成する弾性波フィルタ40、41及びデュプレクサ23a、23b、24a、24bは、それぞれパッケージ化され、プリント基板100の上面に実装されている。図11では、弾性波フィルタ及びデュプレクサがそれぞれ別個にパッケージングされた例を示しているが、図10a~cにて説明したように、弾性波フィルタ及びデュプレクサを一体化してもよい。実施例2は、弾性波フィルタ40、41に、CRFの代わりに板波を利用するフィルタを用いた例である。図12は、実施例2に係る弾性波フィルタの上面及び断面模式図である。基板90上に圧電薄膜91が設けられている。圧電薄膜91は、スパッタ等の物理気相成長、あるいは、圧電単結晶基板を薄板化することにより作製される。圧電薄膜91上に櫛形電極92~94及び反射電極95~96が形成されている。櫛形電極92~94及び反射電極95~96は、弾性波の伝搬方向に配列されている。また、櫛形電極92~94及び反射電極95~96が形成された領域の下方には、基板90と圧電薄膜91との間に空隙97が設けられている。中央に配置された櫛形電極93の一端は、第1端子T1に接続され、他方は接地されている。櫛形電極93の両側に配置された櫛形電極92及び94の一端は、共通の第2端子T2に接続され、他方は接地されている。実施例2に係る弾性波フィルタは、板波を用いる弾性波フィルタである。板波はバルク波の一種であり、ラム波及びSH波がこれに含まれる。実施例2に係る弾性波フィルタでは、圧電体結晶圧電薄膜91のカット面の方位を調節することにより、ラム波またはSH波のいずれを用いるかを決定することができる。例えば、ラム波を利用する場合には、ZカットX伝播のLiNbO3等を使用することができ、SH波を利用する場合には、42°YカットX伝播のLiTaO3等を使用することができる。実施例2に係る弾性波フィルタは、ラム波及びSH波のうちいずれを用いても実現することができる。実施例2に係る電子回路によれば、実施例1と同様に、挿入損失を抑制し、広帯域抑圧に優れたフィルタ特性を得ることができる。また、上記電子回路を種々の電子モジュール例えば、携帯電話等に組み込むことにより、電子モジュールの小型化及び高性能化を図ることができる。このように、弾性波フィルタ40、41に板波を利用するフィルタを用いた場合でも、後段のデュプレクサの送信周波数及び受信周波数の双方を通過させる通過帯域送信及び受信双方の通過帯域を有し、低損失で、高抑圧のフィルタを実現することができる。実施例1~2では、弾性波フィルタ40、41にバンドパスフィルタを用いている。ハイパスフィルタとローパスフィルタを組み合わせたダイプレクサでは、高周波側と低周波側のいずれか一方しか抑圧することができない。これに対し、バンドパスフィルタでは、高周波側と低周波側の両方を抑圧することができるため、広帯域抑圧に優れている。また、バンドパスフィルタは、ダイプレクサに比べQ値が高く、減衰曲線のスカート特性が急峻である。このため、CarrierAggregationにおいて間隔の近い2つの周波数帯を用いる場合に特に好適である。実施例1~2では、弾性波フィルタ40、41に2重モードフィルタを用いている。2重モードフィルタとしては、DMSDoubleModeSAWFilter及びCRF等を用いることができる。2重モードフィルタは、広帯域抑圧に優れるため、フィルタ特性を低損失設計とすることで、挿入損失を更に低下させることができる。このように、弾性波フィルタ40、41に2重モードフィルタを用いることで、後段のデュプレクサの送信周波数、受信周波数の双方を通過させる通過帯域送信及び受信双方の通過帯域を有し、低損失で、高抑圧のフィルタを実現することができる。実施例1~2では、弾性波フィルタ40、41にバルク波を利用する弾性波フィルタを用いている。弾性波フィルタには、表面波を利用するフィルタSAWフィルタ等と、バルク波を利用するフィルタFBAR、CRF、板波フィルタ等がある。表面波を利用するフィルタでは、IDTInterdigitalTransducerに微細な電極パターンを使用するため、耐電力性が弱く、ハイパワーの信号を用いた通信には不向きである。これに対し、バルク波を利用するフィルタのうち、FBAR及びCRF図4は微細な電極パターンを使用しないため、耐電力性に優れている。また、板波フィルタ図12はIDT櫛形電極を使用するフィルタであるが、板波の伝搬速度は表面波よりも早いため、IDTの電極指幅を太くすることができ、SAWフィルタよりも耐電力性に優れている。このように、弾性波フィルタ40、41をバルク波を利用する弾性波フィルタとすることで、耐電力性に優れ、ハイパワーの信号通信に適したフィルタを実現することができる。実施例1~2では、弾性波フィルタの後段に接続されるデュプレクサをラダー型フィルタとした例について説明したが図3、他の型例えば、ラティス型または2重モード型のフィルタを用いてもよい。ラダー型フィルタとした場合の共振器の数も、図3の形態に限定されるものではない。また、実施例1では、デュプレクサにおける整合回路にシャントインダクタL1、L2、L3を使用したが、整合回路はλ/4線路等他の回路で構成してもよい。また、フィルタ設計でインピーダンスを最適化することが出来る場合には、整合回路を設けなくともよい。実施例1~2に係る電子回路は、種々の高周波回路に対し適用することが可能であるが、異なる周波数帯のキャリアを複数束ねて通信を行うCarrierAggregationに対し、特に好適である。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。