"下記式1で表される化合物及び重量平均分子量が3000~500000である酸解離性溶解抑止基を有する重合体を含有している感放射線性組成物。式中、R’は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、これら基のうち2以上を組み合わせた基、又は下記式2~4で表される基のいずれかである。R1は、それぞれ水素原子、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーロキシ基、アルコキシアルコキシ基、シロキシ基、これらの基と二価の基とが結合した基、式Iで示される基、式IIで示される基、式IIIで示される基、式IVで示される基又はOR1’R1’は、溶解性調整基であるであり、前記二価の基は、置換もしくは無置換のアルキレンオキシ基、置換もしくは無置換のアリーレンオキシ基、置換もしくは無置換のシリレンオキシ基、エステル結合基-COO-、炭酸エステル結合基-CO3-、エーテル結合基-O-、これらの基が2以上結合してなる基、又はこれらの基から選択される1以上と、これらの結合から選択される1以上が結合した基である。R2は、それぞれR1で表される基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、炭素数6~10の芳香族基、酸素原子を含む基、又は酸解離性溶解抑止基ORである。Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を2以上組み合わせた基、又はアルキレン基及びエーテル結合から選択される1以上と置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を組み合わせた基であり、置換基を有する場合の置換基は、臭素原子、フッ素原子、ニトリル基又は炭素数1~10のアルキル基である。R3は、それぞれR1で表される基、又は酸解離性溶解抑止基ORである。R4及びR5は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、又はこれら基のうち2以上を組み合わせた基である。A1は、単結合、アルキレン基、エーテル結合及びアルキレン基から選択される2以上を組み合わせた基、又はアルキレン基1以上及びエーテル結合1以上を組み合わせた基である。xは1~5の整数であり、yは0~3の整数であり、zは0~4の整数である。Aは、置換もしくは無置換の炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~10の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基である。Bは、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基、又はこれらから選択される基と炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基を組み合わせた基である。Cは、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基、又はこれらから選択される基と炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基を組み合わせた基である。Dは、置換もしくは無置換の炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~10の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基である。複数のR’、R1、R2、R3、R4、R5、Ar、A1、A、B、C、D、x、y及びzは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。前記式1で示される化合物が式I~IVで示される基のいずれかを有する請求項1に記載の感放射線性組成物。ベンゼン環に結合する2つのR1のうち、一方のR1が水酸基であり、他方のR1が炭素数1~4の直鎖又は分岐アルコキシである請求項1又は2に記載の感放射線性組成物。R’が式2~4で表される基のいずれかである請求項1~3のいずれかに記載の感放射線性組成物。R3が三級脂肪族構造、芳香族構造、単環状脂肪族構造又は複環状脂肪族構造を有する、分子量が15以上2000以下の基、式I~IVで示される基のいずれかである請求項1~4のいずれかに記載の感放射線性組成物。R2が水素原子である請求項1~5のいずれか記載の感放射線性組成物。前記重合体が下記式iの単位を有する請求項1~6のいずれかに記載の感放射線性組成物。式中、Raは、炭素数1~30の炭化水素基であり、lが2以上の場合、複数のRaは同一でも異なっていてもよく、複数のRaは互いに結合して環を形成してもよい。ORbは酸解離性溶解抑止基である。mが2以上の場合、複数のRbは同一でも異なっていてもよい。Rcは水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基又はアシルオキシメチル基である。l、m及びnは整数であり、lmn≦5である。前記重合体が下記式iiの単位を有する請求項1~6のいずれかに記載の感放射線性組成物。式中、Rcは水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基又はアシルオキシメチル基である。ORdは酸解離性溶解抑止基である。前記重合体が前記式i及びiiの単位を含む請求項1~6のいずれかに記載の感放射線性組成物。請求項1~9のいずれかに記載の感放射線性組成物及び溶剤を含有するフォトレジスト組成物。さらに光酸発生剤を含有する請求項10に記載のフォトレジスト組成物。さらに塩基性有機化合物をクエンチャーとして含有する請求項10又は11に記載のフォトレジスト組成物。請求項10~12のいずれかに記載のフォトレジスト組成物を用いた微細加工方法。請求項13に記載の微細加工方法により作製した半導体装置。請求項14に記載の半導体装置を備えた装置。本発明の目的は、塗布溶媒溶解性に優れ、高感度、高微細加工性、低アウトガス性である感放射線性組成物及びフォトレジスト組成物を提供することである。本発明によれば、以下の感放射線性組成物等が提供される。1.下記式1で表される化合物及び重量平均分子量が3000~500000である酸解離性溶解抑止基を有する重合体を含有している感放射線性組成物。式中、R’は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、これら基のうち2以上を組み合わせた基、又は下記式2~4で表される基のいずれかである。R1は、それぞれ水素原子、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーロキシ基、アルコキシアルコキシ基、シロキシ基、これらの基と二価の基とが結合した基、式Iで示される基、式IIで示される基、式IIIで示される基、式IVで示される基又はOR1’R1’は、溶解性調整基であるであり、前記二価の基は、置換もしくは無置換のアルキレンオキシ基、置換もしくは無置換のアリーレンオキシ基、置換もしくは無置換のシリレンオキシ基、エステル結合基-COO-、炭酸エステル結合基-CO3-、エーテル結合基-O-、これらの基が2以上結合してなる基、又はこれらの基から選択される1以上と、これらの結合から選択される1以上が結合した基である。R2は、それぞれR1で表される基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、炭素数6~10の芳香族基、酸素原子を含む基、又は酸解離性溶解抑止基ORである。Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を2以上組み合わせた基、又はアルキレン基及びエーテル結合から選択される1以上と置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を組み合わせた基であり、置換基を有する場合の置換基は、臭素原子、フッ素原子、ニトリル基又は炭素数1~10のアルキル基である。R3は、それぞれR1で表される基、又は酸解離性溶解抑止基ORである。R4及びR5は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、又はこれら基のうち2以上を組み合わせた基である。A1は、単結合、アルキレン基、エーテル結合及びアルキレン基から選択される2以上を組み合わせた基、又はアルキレン基1以上及びエーテル結合1以上を組み合わせた基である。xは1~5の整数であり、yは0~3の整数であり、zは0~4の整数である。Aは、置換もしくは無置換の炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~10の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基である。Bは、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基、又はこれらから選択される基と炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基を組み合わせた基である。Cは、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基、又はこれらから選択される基と炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基を組み合わせた基である。Dは、置換もしくは無置換の炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~10の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基である。複数のR’、R1、R2、R3、R4、R5、Ar、A1、A、B、C、D、x、y及びzは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。2.前記式1で示される化合物が式I~IVで示される基のいずれかを有する1に記載の感放射線性組成物。3.ベンゼン環に結合する2つのR1のうち、一方のR1が水酸基であり、他方のR1が炭素数1~4の直鎖又は分岐アルコキシである1又は2に記載の感放射線性組成物。4.R’が式2~4で表される基のいずれかである1~3のいずれかに記載の感放射線性組成物。5.R3が三級脂肪族構造、芳香族構造、単環状脂肪族構造又は複環状脂肪族構造を有する、分子量が15以上2000以下の基、式I~IVで示される基のいずれかである1~4のいずれかに記載の感放射線性組成物。6.R2が水素原子である1~5のいずれか記載の感放射線性組成物。7.前記重合体が下記式iの単位を有する1~6のいずれかに記載の感放射線性組成物。式中、Raは、炭素数1~30の炭化水素基であり、lが2以上の場合、複数のRaは同一でも異なっていてもよく、複数のRaは互いに結合して環を形成してもよい。ORbは酸解離性溶解抑止基である。mが2以上の場合、複数のRbは同一でも異なっていてもよい。Rcは水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基又はアシルオキシメチル基である。l、m及びnは整数であり、lmn≦5である。8.前記重合体が下記式iiの単位を有する1~6のいずれかに記載の感放射線性組成物。式中、Rcは水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基又はアシルオキシメチル基である。ORdは酸解離性溶解抑止基である。9.前記重合体が前記式i及びiiの単位を含む1~6のいずれかに記載の感放射線性組成物。10.1~9のいずれかに記載の感放射線性組成物及び溶剤を含有するフォトレジスト組成物。11.さらに光酸発生剤を含有する10に記載のフォトレジスト組成物。12.さらに塩基性有機化合物をクエンチャーとして含有する10又は11に記載のフォトレジスト組成物。13.10~12のいずれかに記載のフォトレジスト組成物を用いた微細加工方法。14.13に記載の微細加工方法により作製した半導体装置。15.14に記載の半導体装置を備えた装置。本発明によれば、塗布溶媒溶解性に優れ、高感度、高微細加工性、低アウトガス性である感放射線性組成物及びフォトレジスト組成物が提供できる。本発明の感放射線性組成物は、下記式1で表される化合物及び重量平均分子量が3000~500000である酸解離性溶解抑止基を有する重合体を含有する。式中、R’は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、これら基のうち2以上を組み合わせた基、又は下記式2~4で表される基のいずれかである。R1は、それぞれ水素原子、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーロキシ基、アルコキシアルコキシ基、シロキシ基、これらの基と二価の基とが結合した基、式Iで示される基、式IIで示される基、式IIIで示される基、式IVで示される基又はOR1’R1’は、溶解性調整基であるであり、前記二価の基は、置換もしくは無置換のアルキレンオキシ基、置換もしくは無置換のアリーレンオキシ基、置換もしくは無置換のシリレンオキシ基、エステル結合基-COO-、炭酸エステル結合基-CO3-、エーテル結合基-O-、これらの基が2以上結合してなる基、又はこれらの基から選択される1以上と、これらの結合から選択される1以上が結合した基である。R2は、それぞれR1で表される基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、炭素数6~10の芳香族基、酸素原子を含む基、又は酸解離性溶解抑止基ORである。Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を2以上組み合わせた基、又はアルキレン基及びエーテル結合から選択される1以上と置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を組み合わせた基であり、置換基を有する場合の置換基は、臭素原子、フッ素原子、ニトリル基又は炭素数1~10のアルキル基である。R3は、それぞれR1で表される基、又は酸解離性溶解抑止基ORである。R4及びR5は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、又はこれら基のうち2以上を組み合わせた基である。A1は、単結合、アルキレン基、エーテル結合及びアルキレン基から選択される2以上を組み合わせた基、又はアルキレン基1以上及びエーテル結合1以上を組み合わせた基である。xは1~5の整数であり、yは0~3の整数であり、zは0~4の整数である。Aは、置換もしくは無置換の炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~10の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基である。Bは、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基、又はこれらから選択される基と炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基を組み合わせた基である。Cは、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基、又はこれらから選択される基と炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基を組み合わせた基である。Dは、置換もしくは無置換の炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~10の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基である。複数のR’、R1、R2、R3、R4、R5、Ar、A1、A、B、C、D、x、y及びzは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。ORは酸解離性溶解抑止基であり、酸解離性溶解抑止基とは、酸と反応するとアルカリ水溶液への溶解性が変化する基である。酸解離性溶解抑止基は、好ましくは三級脂肪族基、芳香族構造、単環状脂肪族構造又は複環状脂肪族構造を有する分子量が15以上2000以下の置換基である。例えば、式I~IVで表される基である。また、Rは好ましくは、直鎖状又は分岐脂肪族炭化水素基、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の単環もしくは複環脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基、置換もしくは無置換の原子数6~10の複素環基又はこれらの基と二価の基を組み合わせた基である。B及びCの単環状脂肪族基及び複環状脂肪族基には、それぞれ単環状脂肪族炭化水素基及び複環状脂肪族炭化水素基のほか、ラクトン環等の環状エステルが含まれる。式1の溶解性調整基とは、通常のフォトレジストの条件で露光しても分解せず、かつ現像液によって分解しない基をいう。露光は、EUV、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、電子線を照射することによって行われる。具体的には、溶解性調整基は、例えば、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基、アルコキシアルキル基、置換もしくは無置換のシロキシ基、又はこれらの基と二価の基置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアリーレン基、置換もしくは無置換のシリレン基、これらの基を2以上組み合わせた基、又はこれらの基1以上と、エステル結合基、炭酸エステル結合基及びエーテル結合基から選択される1以上を組み合わせた基が結合した基である。式1の酸素原子を含む基としては、OR3で表される基、OR10R10は溶解性調整基であるで表される基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基等が好ましい。式1で示される化合物以下、環状化合物ともいうは好ましくは酸解離性溶解抑止基を有し、例えば式I~IVで示される基を有する。尚、式1で示される化合物のR1が、酸解離性溶解抑止基である式I~IVで示される基であってもよいし、式1で示される化合物のR’が式2~4で表される基のいずれかであって、式2~4で表される基に含まれるR3が、酸解離性溶解抑止基である式I~IVで示される基であってもよい。酸解離性溶解抑止基は、EUVL極端紫外光及び電子線に対し、高い反応性を有するため、感度の面で優れており、かつエッチング耐性の面でも優れる。そのため、式1の化合物が酸解離性溶解抑止基を含むと、超微細加工用のフォトレジスト基材として好適に使用できる。酸解離性溶解抑止基の具体例として、下記式に示される基を挙げられる。式中、rはそれぞれ上記式で表される置換基の内、rを有さない置換基のいずれかを表す。式1のR1は、水酸基又は炭素数1~4の直鎖又は分岐アルコキシが好ましく、ベンゼン環に結合する2つのR1の一方が水酸基で他方が炭素数1~4の直鎖又は分岐アルコキシであることがより好ましい。R2は水素原子が好ましい。R’は式2~4で表される基のいずれかが好ましい。式2~4において、Arは、フェニレン基、メチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、テトラメチルフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、オキシジフェニレン基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、オキシジフェニレン基がより好ましく、フェニレン基が最も好ましい。A1は単結合又はオキシメチレン基-O-CH2-が好ましく、単結合がより好ましい。R3は式I~IVで示される基のいずれかが好ましい。R4,R5は水素原子又はアルキル基が好ましい。xは1が好ましい。yは0又は1が好ましい。zは0又は1が好ましい。上記式I~IVのA,Dは、直鎖状又は分岐脂肪族炭化水素基が好ましい。直鎖状又は分岐脂肪族炭化水素基は炭素数1~4のアルキル基例えばメチレン基が好ましい。式I~IVにおいて、三級脂肪族基としてはt-ブチル、t-アミル等が挙げられる。芳香族基としてはフェニル、ナフチル、テトラヒドロナフチル、インダニル、クロマニル等が挙げられる。単環状脂肪族基としてはシクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。複環状脂肪族基としてはノルボルニル、アダマンチル、ビアダマンチル、ジアマンチル等が挙げられる。また、環状脂肪族基には環状エーテルやオキシ酸のラクトン等も含む。Bが、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基であるとき、好ましくは、これら基に含まれる三級炭素が酸素原子と結合する。Bが、ベンゼン環を含む基であるとき、好ましくは、ベンジル位の炭素が酸素原子と結合する。上記式I~IVのB,Cの芳香族基、単環状脂肪族基、複環状脂肪族基の置換基は、好ましくは炭素数1~4のアルキル、アルコキシ、カルボキシ、カルボニル、水酸基である。置換基がカルボニルのときは、環の中に含む。式1で表わされる化合物は、好ましくはR1が水酸基又は炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルコキシ基であって、ベンゼン環に結合する2つのR1のうち、一方のR1が水酸基であり、他方のR1が炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルコキシ基であり、R2が水素原子であり、R’が式2~4で表わされる基のいずれかである化合物である。式1で表わされる化合物は、より好ましくは、上記に加えてR’に含まれるArがフェニレン基であり、R3が三級脂肪族構造、芳香族構造、単環状脂肪族構造又は複環状脂肪族構造を有する分子量が15以上2000以下の基、式I~IVで示される基のいずれかである化合物である。式1で表わされる化合物は、さらに好ましくは、上記に加えてR’に含まれるR3が上記の酸解離性溶解抑止基の具体例のいずれかである。環状化合物は公知の方法により製造できる。例えば、酸触媒存在下、所定の構造のアルデヒド化合物と、所定の芳香族化合物との縮合環化反応により、カリックスレゾルシナレン誘導体前駆体を合成し、所定の基に対応する化合物を、エステル化反応、エーテル化反応、アセタール化反応等により前駆体に導入することで合成できる。上記重合体は、好ましくは下記式iの単位を有する。式中、Raは、炭素数1~30の炭化水素基であり、lが2以上の場合、複数のRaは同一でも異なっていてもよく、複数のRaは互いに結合して環を形成してもよい。ORbは酸解離性溶解抑止基である。mが2以上の場合、複数のRbは同一でも異なっていてもよい。Rcは水素、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基又はアシルオキシメチル基である。l、m及びnは整数であり、lmn≦5である。上記重合体は式iの単位を2種以上含んでもよい。Rcは好ましくは、水素又は炭素数1~4の直鎖状もしくは分岐状アルキル基である。mは好ましくは1である。l,nは好ましくは0である。上記重合体は、好ましくは1又は2以上の式iの単位m=1、l,n=0と、式iの単位n=1、l,m=0のみからなる共重合体である。ORbは酸解離性溶解抑止基であり、酸解離性溶解抑止基とは、酸と反応するとアルカリ水溶液への溶解性が変化する基である。酸解離性溶解抑止基は、好ましくは三級脂肪族基、芳香族構造、単環状脂肪族構造又は複環状脂肪族構造を有する分子量が15以上2000以下の置換基である。例えば、式I~IVで表される基である。酸解離性溶解抑止基、式I~IVで表される基の具体例、好適例については上述の通りである。また、Rbは好ましくは、直鎖状又は分岐脂肪族炭化水素基、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の単環もしくは複環脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基、置換もしくは無置換の原子数6~10の複素環基又はこれらの基と二価の基を組み合わせた基である。各基の好適例は上述の通りである。また、ORbは、好ましくは以下に示すように水酸基とアルケニルエーテル例えばビニルエーテルもしくはビニルエステル化合物から得られるC-O-C基を有する基である。重合体は中間体となるmが0の単位を含んでもよい。式iのORbのRbは特に限定されるものではないが、具体的にはt-ブチル基、t-アミル基等の3級アルキル基、t-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、アセタール基を含有する基が挙げられる。式iの単位を以下に例示する。また、上記重合体は好ましくは下記式iiの単位を有する。式中、Rcは上記式iと同じである。式iiにおいて、Rcは好ましくは水素又は炭素数1~4の直鎖状もしくは分岐状アルキル基である。ORdは酸解離性溶解抑止基であり、上記式iのORbと同様の基が挙げられる。上記重合体は式iiの単位を2種以上含んでもよい。また、好ましくは式iiの単位のみからなる。以下に式iiの単位を例示する。式中、Rαは上記Rcと同じである。上記に示す繰り返し単位の他に、密着性付与、及び酸拡散長の制御のために、式の単位として、通常用いられるレジスト解像条件下で酸分解性を有さない繰り返し単位を含んでもよい。酸分解性を有さない繰り返し単位としては、例えば以下のものが挙げられる。式中、Rα及びRcと同じである。即ち、Rαは、それぞれ水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基又はアシルオキシメチル基である。j及びkは、それぞれ0~3の整数であり、s及びlは、それぞれ1~6の整数である。上記重合体は、異なる式iの単位、異なる式iiの単位、又は式iの単位と式iiの単位を共に含む共重合体であってもよい。この重合体は、重量平均分子量が3000~500000であり、好ましくは5000~30000である。重量平均分子量はGPC法を用いて測定する。重合体は、対応するモノマーを重合して製造してもよいし、前駆体となる重合体を製造後対応する基を導入して製造してもよい。本発明の組成物における好適な環状化合物の割合は50wt~99.99wtであり、重合体の割合は0.01wt~50wtである。より好ましくは環状化合物は80wt~99.5wtであり、重合体の0.5wt~20wtである。本発明の組成物はフォトレジスト基材、特に、極端紫外光波長15nm以下や電子線等のリソグラフィーによる超微細加工の際に用いるフォトレジスト基材として有用である。本発明のフォトレジスト組成物は、上記の組成物以下、基材ともいうと溶剤を含有する。基材の配合量は、溶剤を除く全組成物中好ましくは50~99.9重量、より好ましくは75~95重量である。本発明のフォトレジスト組成物に使用される溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;乳酸メチル、乳酸エチルEL等の乳酸エステル類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチルPE等の脂肪族カルボン酸エステル類;3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。これらの溶剤は、単独で又は2種以上を使用することができる。本発明のフォトレジスト組成物は、基材の分子が、EUV及び/又は電子線に対して活性なクロモフォアを含み単独でフォトレジストとしての能力を示す場合には特に添加剤は必要としないが、フォトレジストとしての性能感度を増強する必要がある場合は、必要に応じて、クロモフォアとして光酸発生剤PAG等を含むことが一般的である。光酸発生剤としては、特に限定されず、化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、ヨードニウム塩やスルホニウム塩等のオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキル又はビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリビススルホニルジアゾメタン類等のジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤等多種のものが知られている。これらの光酸発生剤の中で、特に好ましくは活性光線又は放射線の作用により有機スルホン酸を発生する化合物が好ましい。PAGの配合量は、溶剤を除く全組成物中0~40重量、好ましくは5~30重量、さらに好ましくは5~20重量である。本発明においては、放射線照射により酸発生剤から生じた酸のレジスト膜中における拡散を制御して、未露光領域での好ましくない化学反応を阻止する作用等を有する酸拡散制御剤クエンチャーをフォトレジスト組成物に配合してもよい。この様な酸拡散制御剤を使用することにより、フォトレジスト組成物の貯蔵安定性が向上する。また解像度が向上するとともに、電子線照射前の引き置き時間、電子線照射後の引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。このような酸拡散制御剤としては、例えば、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デカニルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミン;1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン等の環状アミン等の窒素原子含有塩基性化合物、塩基性スルホニウム化合物、塩基性ヨードニウム化合物等の電子線放射分解性塩基性化合物が挙げられる。酸拡散制御剤は、単独で又は2種以上を使用することができる。クエンチャーの配合量は、溶剤を除く全組成物中0~40重量、好ましくは0.01~15重量である。本発明においては、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解制御剤、増感剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料、顔料等を適宜、添加含有させることができる。組成物中の溶剤以外の成分、即ちフォトレジスト固形分の量は所望のフォトレジスト層の膜厚を形成するために適する量とするのが好ましい。具体的にはフォトレジスト組成物の全重量の0.1~50重量が一般的であるが、用いる基材や溶剤の種類、あるいは、所望のフォトレジスト層の膜厚等に合わせて規定できる。溶剤は全組成物中好ましくは50~99.9重量配合する。レジストパターンを形成するには、まず、シリコンウェハー、ガリウムヒ素ウェハー、アルミニウムで被覆されたウェハー等の基板上に本発明のフォトレジスト組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の塗布手段によって塗布することによりレジスト膜を形成する。必要に応じて、基板上に表面処理剤を予め塗布してもよい。表面処理剤としては、例えばヘキサメチレンジシラザン等のシランカップリング剤重合性基を有する加水分解重合性シランカップリング剤等、アンカーコート剤又は下地剤ポリビニルアセタール、アクリル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等、これらの下地剤と無機微粒子とを混合したコーティング剤が挙げられる。必要に応じて、大気中に浮遊するアミン等が侵入するのを防ぐために、レジスト膜に保護膜を形成してもよい。保護膜を形成することにより、放射線によりレジスト膜中に発生した酸が、大気中に不純物として浮遊しているアミン等の酸と反応する化合物と反応して失活し、レジスト像が劣化し感度が低下することを防止できる。保護膜用の材料としては水溶性かつ酸性のポリマーが好ましい。例えば、ポリアクリル酸、ポリビニルスルホン酸等が挙げられる。高精度の微細パターンを得るため、また露光中のアウトガスを低減するため、放射線照射前露光前に加熱するのが好ましい。その加熱温度は、フォトレジスト組成物の配合組成等により変わるが、20~250°Cが好ましく、より好ましくは40~150°Cである。次いで、KrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線又はX線等の放射線により、レジスト膜を所望のパターンに露光する。露光条件等は、フォトレジスト組成物の配合組成等に応じて適宜選定される。本発明においては、高精度の微細パターンを安定して形成するために、放射線照射後露光後に加熱するのが好ましい。露光後加熱温度PEBは、フォトレジスト組成物の配合組成等により変わるが、20~250°Cが好ましく、より好ましくは40~150°Cである。次いで、露光されたレジスト膜をアルカリ現像液で現像することにより、所定のレジストパターンを形成できる。前記アルカリ現像液としては、例えば、モノ-、ジ-あるいはトリアルキルアミン類、モノ-、ジ-あるいはトリアルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH、コリン等のアルカリ性化合物の1種以上を溶解した、好ましくは1~10重量、より好ましくは1~5重量のアルカリ性水溶液を使用する。アルカリ現像液には、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類や前記界面活性剤を適量添加することもできる。酸解離性溶解抑止基を有する環状化合物をフォトレジスト基材として用いる場合は、KrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線又はX線等の放射線により、レジスト膜を所望のパターンに露光することにより、酸解離性溶解抑止基が脱離ないし構造が変化することにより、アルカリ現像液に溶解するようになる。一方、パターンの露光されていない部分はアルカリ現像液に溶解しないことが好ましい。尚、場合によっては上記アルカリ現像後、ポストベーク処理を行ってもよいし、基板とのレジスト膜の間には有機系又は無機系の反射防止膜を設けてもよい。レジストパターンを形成した後、エッチングすることによりパターン配線基板が得られる。エッチングは、プラズマガスを使用するドライエッチング、アルカリ溶液、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液等を用いるウェットエッチング等公知の方法で行うことができる。レジストパターンを形成した後、銅めっき、はんだめっき、ニッケルめっき、金めっき等のめっき処理を行うこともできる。エッチング後の残留レジストパターンは、有機溶剤やアルカリ現像液より強アルカリ性の水溶液で剥離することができる。上記有機溶剤としては、PGMEA、PGME、EL、アセトン、テトラヒドロフラン等が挙げられ、強アルカリ水溶液としては、例えば、1~20重量の水酸化ナトリウム水溶液、及び1~20重量の水酸化カリウム水溶液が挙げられる。剥離方法としては、例えば、浸漬方法、スプレイ方式等が挙げられる。またレジストパターンが形成された配線基板は、多層配線基板でもよく、小径スルーホールを有していてもよい。本発明のフォトレジスト組成物を用いてレジストパターンを形成した後、金属を真空蒸着し、その後レジストパターンを溶液で溶離する方法、即ちリフトオフ法により配線基板を形成することもできる。本発明のフォトレジスト組成物を用いて微細加工方法により、半導体装置を作製できる。この半導体装置は、テレビ受像機、携帯電話、コンピュータ等の電気製品電子機器、ディスプレイ、コンピュータ制御する自動車等の様々な装置に備えることができる。本発明の組成物は公知の成形方法によって各種成形品シリコンウェハ等の基板に形成した薄膜、フィルム、薄板、ファイバー等を製造することができる。本発明の組成物は、フォトレジスト薄膜としての用途の他、光学レンズ、光ファイバー、光導波路、フォトニック結晶等の種々の光情報処理装置向け光学薄膜、半導体用層間絶縁膜、半導体用保護膜等のULSI装置向け薄膜、液晶ディスプレー、液晶プロジェクター、プラズマディスプレー、ELディスプレー、LEDディスプレー等の画像表示装置向け薄膜、CMOSイメージセンサ、CCDイメージセンサ等に使用される薄膜として有用である。さらにこれら薄膜は、CPU、DRAM、フラッシュメモリ等の半導体装置、情報処理用小型電子回路装置、高周波通信用電子回路装置等の電子回路装置、画像表示装置、光情報処理用装置、光通信用装置等の部材、表面保護膜、耐熱膜において利用することもできる。製造例11環状化合物P-1の製造窒素気流下、容量200ミリリットルの丸底フラスコに、3-メトキシフェノール50.0g402.8ミリモル、東京化成、4-ホルミル安息香酸60.5g402.8ミリモル、東京化成、及び脱水ジクロロメタン関東化学500ミリリットルを加えて氷水浴に浸漬させ、5°C以下に冷却した。この混合物に対して、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル付加体60.8ミリリットル483.6ミリモル、広島和光を内温が15°Cを越えないように滴下した後、室温まで昇温して8時間撹拌した。反応溶液を氷水浴で冷却し、ゆっくり水を滴下してクエンチし、析出した固体をろ別した。ろ別した析出物を中性になるまで水洗した後、N-メチル-2-ピロリドン広島和光に溶解させ、酢酸エチルで再沈し、析出した固体をろ別することにより、環状化合物P-194.4g、91を得た。尚、環状化合物P-1の構造は、液体クロマトグラフィー及び1H-NMR測定により確認した。1H-NMRの測定結果を図1に示す。液体クロマトグラフィーによる測定の結果、目的物の純度は97であった波長280nm測定時の面積。2環状化合物1の製造200ミリリットルの2口フラスコに、製造した環状化合物P―11.00g、1.00ミリモルを加えて窒素雰囲気下とした後、無水N-メチル-2-ピロリドン40ミリリットル、広島和光をさらに加え室温で攪拌し、トリエチルアミン0.7ミリリットル、5.00ミリモル、アルドリッチ、無水N-メチル-2-ピロリドン1ミリリットルで希釈したブロモ酢酸エチルアダマンチル1.50g、5.00ミリモル、及び1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]-7-ウンデセン0.22ミリリットル,1.50ミリモル、広島和光を滴下した。室温で10時間攪拌した後、イオン交換水30ミリリットル及び酢酸エチル30ミリリットルを加えて有機層を抽出した。得られた有機層を濃縮して得た溶液に、イオン交換水と少量の塩を加えた後、沈殿物をろ別して環状化合物1を得た収率93。尚、環状化合物1の構造は液体クロマトグラフィー測定及び1H-NMR測定により確認した。1H-NMRの測定結果を図2に示す。液体クロマトグラフィーによる測定の結果、目的物の純度は93であった波長280nm測定時の面積製造例2十分乾燥し窒素ガスにて置換した三口フラスコ容量1リットルに、製造例11で製造した環状化合物P―110.0g、10ミリモル及びジメチルホルムアミド344ミリリットルを封入し、40°Cまで加熱することで溶解させた。室温まで放冷した後0°Cまで冷却し、トリエチルアミン10.4g、103ミリモルを加え10分攪拌し、アダマンチルオキシメチレンクロリド10.9g、54ミリモルを加えた。室温まで昇温し21時間攪拌した後、飽和塩化アンモニウム溶液を加えることで反応を停止させた。続いて、酢酸エチルにて反応溶液を抽出し、純水及び飽和食塩水にて洗浄した。得られた溶液を濃縮し、酢酸エチル及びヘキサンの混合溶媒にて再沈殿させ、環状化合物2を得た10.5g、収率62。尚、環状化合物2の構造は液体クロマトグラフィー測定及び1H-NMR測定により確認した。1H-NMRの測定結果を図3に示す。液体クロマトグラフィーによる測定の結果、目的物の純度は94であった波長280nm測定時の面積製造例3A-3は以下のように合成した。窒素気流下、500ml丸底フラスコにポリ4-ビニルフェノール20g平均分子量8000、アルドリッチ製、ブロモ酢酸tert-ブチル22ml150.01mmol、炭酸ナトリウム17.4g164.16mmol、アセトン200mlを加え10時間加熱還流を行った。室温まで放冷、不溶物をろ別し、ろ液を50mlまで濃縮した。エーテル100mlを加えた後0.5mol/l酢酸水溶液150mlで洗浄後、イオン交換水で水相がpH7になるまで洗浄を繰り返した。有機層を50mlまで濃縮後、ヘキサン500mlを加え、析出した沈殿をろ別乾燥を行いA-3として使用した。回収量は20.6gであった保護基導入率~87、重量平均分子量15000。なお、分子量は装置:ウォーターズALC/GPC150Cカラム:東ソー製、GMHHRHSHT×2温度:145°C溶媒:1,2,4-トリクロロベンゼン流量:1ミリリットル/min.の条件にて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC法によりポリエチレン換算で測定した。製造例4A-4は以下のように合成した。窒素気流下、500ml丸底フラスコにM-120g、82.2mmol,M-29.7g,41.1mmol,M-318.2g、82mmol,200mlのテトラヒドロフランに溶解しアゾビスイソブチロニトリル1.5gを加え10時間加熱還流した。室温まで放冷後反応溶液を50mlまで濃縮し、1.5Lヘキサンに投入した。析出した沈殿をろ別乾燥し、添加剤としてそのまま用いた。回収量は20.6g、重量平均分子量85000。実施例1~8基材として製造例1で合成した環状化合物1、光酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート16重量、クエンチャーとしてDABCO1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン3wt、及び成分2としてA-1~A-4の化合物を表1に示す割合で混合し、フォトレジスト溶液を調製した。A-1,A-2は下記市販品をそのまま使用した。A-1:商品名MWP-240L低保護、広島和光製、下記単位を有する重合体、重量平均分子量20000A-2:商品名MWP-240H高保護、広島和光製、下記単位を有する重合体、重量平均分子量20000溶媒として酢酸2-メトキシ-1-メチルエチルPEGME/1-メトキシ-2-プロパノールPEGME=1/1重量を用い、固体成分の濃度が2.5重量になるようにフォトレジスト溶液を調製した。次に、調製したフォトレジスト溶液を、HMDSヘキサメチルジンラザン処理を施したシリコンウェハ上にスピンコートし、130°Cで90秒加熱することにより薄膜を形成させた。次いで、この薄膜を有する基板に対して電子線描画装置加速電圧50kVを用いて描画し、110°Cで60秒ベークした後、濃度が2.38重量のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間現像処理し、純水にて60秒洗浄し、その後、窒素気流により乾燥した。走査型電子顕微鏡による観察結果から得られた40nm解像時の感度必要な電子線ドーズ量40nmL/S解像時感度の結果を表1に示す。比較例1成分2を加えない以外は、実施例1と同様にフォトレジスト溶液を調製し、薄膜を作成し、評価した。結果を表1に示す。表1より、成分2を加えることにより、光酸発生剤量を増加させることなく高感度化が可能となり、アウトガス低減に有用であることが分かる。実施例9基材として製造例2で合成した環状化合物2、成分2としてA-4を1wt添加した以外は実施例1と同様の操作を行った。走査型電子顕微鏡による観察結果から得られた結果を表2に示す。走査型電子顕微鏡による観察結果から得られた、サイズが1/1のライン/スペースパターンを作製した際の解像度ハーフピッチと感度して評価した。比較例2成分2を加えない以外は、実施例9と同様にフォトレジスト溶液を調製し、薄膜を作成し、評価した。結果を表2に示す。表2より、成分2を加えることにより微細解像性向上が可能となることが分かる。実施例10-15成分2として化合物A-11及びA-12のいずれかを用いた他は実施例1と同様にしてフォトレジスト溶液を調製し、薄膜を作成し、評価した。結果を表3に示す。尚、比較例1の結果を表3にも記載する。上記化合物A-11は下記市販品をそのまま使用した。A-11:商品名MWP-241、広島和光製、下記単位を有する重合体、重量平均分子量20000上記化合物12は下記市販品をそのまま使用した。A-12:商品名MWP-307、広島和光製、下記単位を有する重合体、重量平均分子量20000"