電流線を通流する被測定電流からの誘導磁界を検出する磁気抵抗効果素子と、前記電流線と前記磁気抵抗効果素子との間に配置された磁気シールドと、を備え、前記磁気シールドは、前記磁気抵抗効果素子に印加される前記誘導磁界の強度を弱めるように配置された平板状の第1磁気シールドと、前記磁気抵抗効果素子に印加される前記誘導磁界の強度を弱めると共に、前記第1磁気シールドの残留磁化の影響を低減するように前記第1磁気シールドの主表面の面内方向において前記第1磁気シールドから離間して配置された平板状の第2磁気シールドと、を含んで構成されたことを特徴とする電流センサ。前記磁気抵抗効果素子が検出する誘導磁界を相殺するようにキャンセル磁界を発生させるフィードバックコイルを備えたことを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。前記第2磁気シールドは、前記第1磁気シールドから前記誘導磁界の方向に離間して配置されたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電流センサ。前記第2磁気シールドの前記誘導磁界の方向に対して垂直な方向の幅は、前記第1磁気シールドの前記誘導磁界の方向に対して垂直な方向の幅以上であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の電流センサ。前記第2磁気シールドの前記キャンセル磁界に平行な方向の幅は、前記第1磁気シールドの前記キャンセル磁界に平行な方向の幅以下であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の電流センサ。前記第1磁気シールドと前記第2磁気シールドとの間隔は、2μm~40μmであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の電流センサ。ところで、上述したシールドは磁気に対してヒステリシスを持つため、このシールドによって低減された外部磁界を受けるとセンサ出力もヒステリシスを持つことになり、電流測定精度が低下してしまう。そこで、シールドの磁界方向の幅を小さくすることで、シールドのヒステリシスを抑えて電流測定精度の低下を抑制する方法が検討されている。シールドの磁界方向の幅を小さくするとシールドの形状異方性形状磁気異方性が大きくなるため、ヒステリシスを抑制できる。これにより、シールドのヒステリシスに起因する電流測定精度の低下を抑制できる。しかしながら、上述のようにシールドの磁界方向の幅を小さくすると、シールドの面積が小さくなり、磁界を低減する効果が低下してしまう。その結果、電流センサの電流測定範囲を十分に広くできない等の問題が生じる。本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、外部磁界を低減し、かつ、ヒステリシスの影響を抑制可能な磁気シールドを備える電流センサを提供することを目的とする。本発明の電流センサは、電流線を通流する被測定電流からの誘導磁界を検出する磁気抵抗効果素子と、前記電流線と前記磁気抵抗効果素子との間に配置された磁気シールドと、を備え、前記磁気シールドは、前記磁気抵抗効果素子に印加される前記誘導磁界の強度を弱めるように配置された平板状の第1磁気シールドと、前記磁気抵抗効果素子に印加される前記誘導磁界の強度を弱めると共に、前記第1磁気シールドの残留磁化の影響を低減するように前記第1磁気シールドの主表面の面内方向において前記第1磁気シールドから離間して配置された平板状の第2磁気シールドと、を含んで構成されたことを特徴とする。この構成によれば、磁気シールドが、平板状の第1磁気シールドと、第1磁気シールドから離間して配置された平板状の第2磁気シールドとを含んで構成されているため、第1磁気シールドのみで磁気シールドを構成する場合と比較して外部磁界を低減できる。また、第1磁気シールドから離間して配置された平板状の第2磁気シールドにより、第1磁気シールドの残留磁化の影響を低減できるため、第1磁気シールドのみで磁気シールドを構成する場合と比較してヒステリシスの影響を抑制できる。これにより、外部磁界を低減し、かつ、ヒステリシスの影響を抑制可能なシールドを備える電流センサが実現できる。本発明の電流センサにおいて、前記磁気抵抗効果素子が検出する誘導磁界を相殺するようにキャンセル磁界を発生させるフィードバックコイルを備えても良い。本発明の電流センサにおいて、前記第2磁気シールドは、前記第1磁気シールドから前記誘導磁界の方向に離間して配置されることが好ましい。この構成によれば、外部磁界をより低減し、ヒステリシスの影響をより抑制できる。本発明の電流センサにおいて、前記第2磁気シールドの前記誘導磁界の方向に対して垂直な方向の幅は、前記第1磁気シールドの前記誘導磁界の方向に対して垂直な方向の幅以上であることが好ましい。この構成によれば、第2磁気シールドの形状異方性が第1磁気シールドの形状異方性より大きくなるため、第2磁気シールドの飽和磁界が第1磁気シールドの飽和磁界より大きくなって、外部磁界をより効果的に低減できる。本発明の電流センサにおいて、前記第2磁気シールドの前記キャンセル磁界に平行な方向の幅は、前記第1磁気シールドの前記キャンセル磁界に平行な方向の幅以下であることが好ましい。この構成によれば、第2磁気シールドの形状異方性が第1磁気シールドの形状異方性より大きくなるため、第2磁気シールドの飽和磁界が第1磁気シールドの飽和磁界より大きくなって、外部磁界をより効果的に低減できる。本発明の電流センサにおいて、前記第1磁気シールドと前記第2磁気シールドとの間隔は、2μm~40μmであることが好ましい。この構成によれば、ヒステリシスの影響を十分に抑制することができる。本発明によれば、外部磁界を低減し、ヒステリシスの影響を抑制可能な磁気シールドを備える電流センサを提供することができる。本発明者は、磁気抵抗効果素子及び磁気シールドを備える電流センサにおいて、磁気抵抗効果素子と重なる領域に配置される第1磁気シールドと、第1磁気シールドの周囲において第1磁気シールドと離間して配置される第2磁気シールドとを含むように磁気シールドを構成することで、磁気シールドが持つヒステリシスの影響を抑制しつつ、外部磁界を低減できることを見出した。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本実施の形態に係る磁気平衡式電流センサの構成例を示す模式図である。図1では、主に、磁気平衡式電流センサを構成する磁気抵抗効果素子122a~122dなどの接続関係について示し、その具体的な構成や配置などは図2以降で詳述する。図1に示されるように、本実施の形態の磁気平衡式電流センサは、被測定電流Iが通流する導体電流線11の近傍に配置されている。この磁気平衡式電流センサは、被測定電流Iによる誘導磁界Aを打ち消すキャンセル磁界Bを生じさせるフィードバック回路12を備えている。フィードバック回路12は、フィードバックコイル121と、4つの磁気抵抗効果素子122a~122dとを含んで構成されている。なお、本実施の形態では、磁気平衡式電流センサについて示すが、本発明は、フィードバックコイル121を用いない磁気比例式電流センサに対して適用することもできる。フィードバックコイル121は渦巻状の平面的な配線パターンによって構成されており、当該配線パターンに電流が通流することで、誘導磁界Aに対応する逆向きのキャンセル磁界Bを発生可能になっている。磁気抵抗効果素子122a~122dは、外部磁界が印加されることで抵抗値が変化する素子である。このような素子として、GMRGiantMagnetoResistance素子、TMRTunnelMagnetoResistance素子などを用いることができる。本実施の形態の磁気平衡式電流センサにおいて、磁気抵抗効果素子122a~122dは所定の関係で接続されており、これにより外部磁界の変動を検出する磁界検出ブリッジ回路が構成されている。磁気抵抗効果素子122a~122dを含む磁界検出ブリッジ回路を用いることで、被測定電流Iによる誘導磁界Aを高感度に検出可能な磁気平衡式電流センサを実現できる。なお、磁界検出ブリッジ回路は、図1に示すものに限られない。磁界検出ブリッジ回路は、外部磁界による抵抗値変化のない固定抵抗素子などを含んで構成されても良い。図1に示す磁界検出ブリッジ回路において、磁気抵抗効果素子122bと磁気抵抗効果素子122cとの接続点には電源電圧Vddを与える電源が接続されている。また、磁気抵抗効果素子122aの一端と磁気抵抗効果素子122dの一端には接地電圧GNDを与えるグランドが接続されている。磁気抵抗効果素子122aと磁気抵抗効果素子122bとの接続点から第1の出力電圧Out1が取り出され、磁気抵抗効果素子122cと磁気抵抗効果素子122dとの接続点から第2の出力電圧Out2が取り出される。これら2つの出力の電圧差は、磁気抵抗効果素子122a~122dに加わる外部磁界に対応するようになっている。第1の出力電圧Out1と第2の出力電圧Out2との電圧差は増幅器123で増幅され、フィードバックコイル121に電流フィードバック電流として与えられる。つまり、フィードバック電流は第1の出力電圧Out1と第2の出力電圧Out2との電圧差に対応する大きさになる。フィードバックコイル121にフィードバック電流が通流すると、フィードバックコイル121の周囲には被測定電流Iによる誘導磁界Aを相殺するようにキャンセル磁界Bが発生する。誘導磁界Aの磁界強度が強い状態では、磁界検出ブリッジ回路の電圧差が大きくなり、フィードバックコイル121を通流するフィードバック電流が大きくなるため、キャンセル磁界Bも大きくなる。誘導磁界Aの磁界強度が弱い状態では、磁界検出ブリッジ回路の電圧差が小さくなり、フィードバックコイル121を通流するフィードバック電流が小さくなるため、キャンセル磁界Bも小さくなる。このように、フィードバックコイル121は誘導磁界Aを相殺するようなキャンセル磁界Bを発生する。そして、誘導磁界Aとキャンセル磁界Bとが相殺される平衡状態のフィードバック電流の電流値に基づいて、検出部である検出抵抗Rおいて被測定電流Iが算出される。図2は、本実施の形態に係る磁気平衡式電流センサの具体的構成を示す平面図である。図2の中央には、X方向に延在する磁気検出パターン以下、長尺パターンと呼ぶを含む磁気抵抗効果素子122a~122dが、磁気抵抗効果素子122b、122a、122d、122cの順に配置されている。各磁気抵抗効果素子122a~122dにおいて、磁気検出感度が最大となる方向S以下、感度軸方向と呼ぶは、長尺パターンの延在方向X方向に対して垂直な方向Y方向である。このため、磁気抵抗効果素子122a~122dは、電流線11を通流する被測定電流Iからの誘導磁界Aの向きに対し、感度軸方向となる方向S長尺パターンの延在方向と直交する方向Y方向が一致するように配置されている。磁気抵抗効果素子122a~122dには、配線などを介して各種端子電極が接続されている。例えば、磁気抵抗効果素子122bは、電源が接続される電源端子V、及び第1の出力端子O1と接続されており、磁気抵抗効果素子122aは、グランドが接続される接地端子G1、及び第1の出力端子O1と接続されている。磁気抵抗効果素子122dは、グランドが接続される接地端子G2、及び第2の出力端子O2と接続されており、磁気抵抗効果素子122cは、電源が接続される電源端子V、及び第2の出力端子O2と接続されている。なお、磁気平衡式電流センサにおいて、磁気抵抗効果素子122a~122d、配線、各種端子電極などの具体的構成は図2に示すものに限られない。図3は、本実施の形態に係る磁気抵抗効果素子122a~122dを拡大して示す部分拡大図である。図3に示すように、磁気抵抗効果素子122a~122dは、複数の長尺パターン31を、当該長尺パターン31の長手方向X方向と直交する方向Y方向に、略平行に配列させた磁気検出パターンを含む。図3において、感度軸方向方向Sは、長尺パターン31の長手方向と直交する方向Y方向である。このため、磁気抵抗効果素子122a~122dは、磁気抵抗効果素子122a~122dが受ける誘導磁界A及びキャンセル磁界Bの方向が方向SY方向に一致するように配置される。図3では、7個の長尺パターン31a~31gを含む磁気検出パターンを示しているが、長尺パターン31の数はこれに限定されない。長尺パターン31の配列方向Y方向において、最も外側に設けられた長尺パターン31aの一端部側図3に示す左側端部は、接続端子32aと接続されている。一方、長尺パターン31aの配列方向において、長尺パターン31aから最も離れて設けられた長尺パターン31gの他端部図3に示す右側端部は、接続端子32bと接続されている。長尺パターン31aの他端部と、この長尺パターン31aに隣接する長尺パターン31bの他端部とは、接続部33aによって接続され、長尺パターン31bの一端部と、この長尺パターン31bに隣接する長尺パターン31cの一端部とは接続部33bによって接続されている。同様に、長尺パターン31cの他端部と、隣接する長尺パターン31dの他端部とは、接続部33cによって接続され、長尺パターン31dの一端部と、隣接する長尺パターン31eの一端部とは接続部33dによって接続されている。このように、長尺パターン31の端部は、接続部33a~33fによって隣接する長尺パターン31と接続されており、これによってミアンダ形状の磁気検出パターンが構成されている。上述したミアンダ状の磁気検出パターンを通じて電源電源電圧Vddとグランド接地電圧GNDとの間に電流が流れると、ミアンダ状の磁気検出パターンでは、その電気抵抗値に応じて電圧降下が生じる。ミアンダ状の磁気検出パターンの電気抵抗値は外部磁界により変動するようになっているため、磁気検出パターンにおける電圧降下は、誘導磁界A及びキャンセル磁界Bに応じて変動する。磁気検出パターンの接続端子32a、32bの一方は、配線などを介して第1の出力端子O1、第2の出力端子O2の一方と接続されている。これにより、第1の出力電圧Out1又は第2の出力電圧Out2として、磁気検出パターンにおいて生じた電圧降下に対応する電圧値が得られる。図2に示すように、磁気抵抗効果素子122a~122dの上方紙面手前には、絶縁膜などを介して渦巻状の配線パターンによるフィードバックコイル121が形成されている。フィードバックコイル121の配線パターンは、平面視において一部が下方紙面奥の磁気抵抗効果素子122a~122dと重なるように配置されている。磁気抵抗効果素子122a~122dと重なる領域においてフィードバックコイル121の配線パターンは長尺パターンの延在方向X方向に略平行に延在するように設けられている。これにより、フィードバックコイル121は、長尺パターンの延在方向に略垂直な方向Y方向のキャンセル磁界Bを発生できるようになっている。つまり、磁気抵抗効果素子122a~122dと重なる領域において、磁気抵抗効果素子122a~122dが受けるキャンセル磁界Bの向きは、磁気抵抗効果素子122a~122dの感度軸方向に一致するようになっている。なお、磁気平衡式電流センサにおいて、フィードバックコイル121の具体的構成は図2に示すものに限られない。磁気抵抗効果素子122a~122dと重なる領域において、フィードバックコイル121の上方紙面手前には、絶縁膜などを介して高透磁率材料でなる平板状の第1磁気シールド124aが設けられている。また、第1磁気シールド124aの周囲には、第1磁気シールドと離間して配置された第2磁気シールド124b、124cが設けられている。第2磁気シールド124b、124cは、磁気抵抗効果素子122a~122dの長尺パターンの延在方向又はフィードバックコイル121の配線パターンの延在方向に対して直交する方向Y方向において、第1磁気シールド124aと離間して配置されている。すなわち、第2磁気シールド124b、124cは、第1磁気シールド124aから誘導磁界A及びキャンセル磁界Bの方向に離間して配置されている。第1磁気シールド124a、第2磁気シールド124b、124cは、いずれも平面形状が略長方形であり、その長手方向が磁気抵抗効果素子122a~122dの長尺パターンの延在方向X方向と一致するように構成されている。つまり、長手方向に垂直な方向が、磁気抵抗効果素子122a~122dの長尺パターンの延在方向に垂直な方向Y方向を向いている。このため、平面視における第1磁気シールド124aの誘導磁界A及びキャンセル磁界Bに平行な方向の幅長さWY1は、第1磁気シールド124aの誘導磁界A及びキャンセル磁界Bに垂直な方向の幅長さWX1より短くなっている。また、平面視における第2磁気シールド124b、124cの誘導磁界A及びキャンセル磁界Bに平行な方向の幅長さWY2、WY3は、第2磁気シールド124b、124cの誘導磁界A及びキャンセル磁界Bに垂直な方向の幅長さWX2、WX3より短くなっている。このように、第1磁気シールド124a、第2磁気シールド124b、124cの磁界方向の幅WY1、WY2、WY3を小さくすると、その形状異方性形状磁気異方性が大きくなるため、ヒステリシスを抑制できる。本実施の形態に係る磁気平衡式電流センサでは、磁気シールド124により、磁気抵抗効果素子122a~122dが受ける誘導磁界Aの磁界強度が小さくなる。これにより、実質的に測定できる磁界強度の上限が高くなり、磁気平衡式電流センサの電流測定範囲を広くできる。また、第1磁気シールド124aと、第2磁気シールド124b、124cとが誘導磁界A及びキャンセル磁界Bの方向に離間して配置されているため、誘導磁界Aやキャンセル磁界Bなどの影響で第1磁気シールド124aに磁化が残留し、残留磁化に起因する還流磁界が生じる場合でも、第1磁気シールド124aから発生する還流磁界を、第2磁気シールド124b、124cによってシールドすることができる。このため、第1磁気シールド124aによる磁気抵抗効果素子122a~122dへの還流磁界の影響を抑制できる。つまり、誘導磁界Aの磁界強度を低減して電流センサの電流測定範囲を広くできると共に、第1磁気シールド124aのヒステリシスの影響を緩和することができる。さらに、本実施の形態に係る磁気平衡式電流センサにおいて、磁気抵抗効果素子122a~122dが受ける誘導磁界A及びキャンセル磁界Bに平行な方向に関する第2磁気シールド124b、124cの幅WY2、WY3は、磁気抵抗効果素子122a~122dが受ける誘導磁界A及びキャンセル磁界Bに平行な方向に関する第1磁気シールド124aの幅WY1より短くなっている。また、磁気抵抗効果素子122a~122dが受ける誘導磁界A及びキャンセル磁界Bに垂直な方向に関する第2磁気シールド124b、124cの幅WX2、WX3は、磁気抵抗効果素子122a~122dが受ける誘導磁界A及びキャンセル磁界Bに垂直な方向に関する第1磁気シールド124aの幅WX1と等しくなっている。このようにすることで、第2磁気シールド124b、124cの形状異方性が第1磁気シールド124aの形状異方性より大きくなるため、第2磁気シールド124b、124cの飽和磁界が第1磁気シールド124aの飽和磁界より大きくなる。この結果、第2磁気シールド124b、124cは第1磁気シールド124aと比較して磁化が残留しにくくなる。このため、第1磁気シールド124aに磁化が残留し、当該残留磁化に起因する還流磁界が生じる場合でも、第2磁気シールド124b、124cによって磁気抵抗効果素子122a~122dへの還流磁界の影響を抑制できる。つまり、第1磁気シールド124のヒステリシスの影響をさらに抑制できる。なお、第2磁気シールド124b、124cの誘導磁界A及びキャンセル磁界Bに平行な方向の幅WY2、WY3を、第1磁気シールド124aの誘導磁界A及びキャンセル磁界Bに平行な方向の幅WY1以下とする場合、又は第2磁気シールド124b、124cの誘導磁界A及びキャンセル磁界Bに垂直な方向の幅WX2、WX3を、第1磁気シールド124aの誘導磁界A及びキャンセル磁界Bに垂直な方向の幅WX1以上とする場合も、同様に、第2磁気シールド124b、124cの形状異方性を第1磁気シールド124aの形状異方性より大きくできる。よって、この場合も、第1磁気シールド124のヒステリシスの影響をさらに抑制できる。第1磁気シールド124aと第2磁気シールド124b、124cとの間隔D1、D2は、2μm~40μmであることが好ましい。この範囲において、ヒステリシスの影響を特に効果的に抑制できるためである。なお、本実施の形態において、第1磁気シールド124aを挟み込むように2個の第2磁気シールド124b、124cを配置しているが、第2磁気シールド124b、124cのいずれか一方のみを配置しても良い。また、第2磁気シールド124b、124cに代えて、それぞれ複数の第2磁気シールドを配置しても良い。本実施の形態に示すような磁気平衡式電流センサにおいては、上述した磁気シールド124がキャンセル磁界Bに対する磁気ヨークとしても機能する。これにより、磁気抵抗効果素子122a~122dが受けるキャンセル磁界Bの磁界強度が大きくなるため、フィードバックコイル121に流れる電流が小さくとも、十分な磁界強度のキャンセル磁界Bを発生させることが可能である。このように、本実施の形態に係る磁気平衡式電流センサでは消費電力低減の効果も得られる。図4は、磁気平衡式電流センサの積層構造を示す断面模式図である。図4では、フィードバックコイル121、磁気抵抗効果素子122a、及び磁気シールド124を含む断面図2のEE矢視断面を示している。なお、図4では、積層構造全体を示すためにフィードバックコイル121、磁気抵抗効果素子122aの構成は簡略化しており、配線などの構成の一部は省略している。図4に示すように、シリコンを含んで構成される基板21上に絶縁膜である熱シリコン酸化膜22が形成されている。熱シリコン酸化膜22上には、アルミニウム酸化膜23が形成されており、アルミニウム酸化膜23上に磁気抵抗効果素子122aが設けられている。なお、図4では磁気抵抗効果素子122aを1個のブロックで示しているが、実際には、X方向に延在する複数の長尺パターンがY方向に並列された構成になっている。磁気抵抗効果素子122aの上方には、ポリイミド膜24及びシリコン酸化膜25を介してフィードバックコイル121が設けられている。ポリイミド膜24は、例えば、ポリイミド材料を塗布し、硬化することにより形成することができる。シリコン酸化膜25は、例えば、スパッタリング、プラズマCVDなどの方法により形成することができる。フィードバックコイル121は、例えば、金属等の導電性材料を含む膜を形成した後に、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いるパターン加工によって形成することができる。なお、図4ではフィードバックコイル121を1個のブロックで示しているが、実際には、X方向に延在する複数の配線パターンがY方向に並列された構成になっている。フィードバックコイル121を覆うようにポリイミド膜26が形成されている。ポリイミド膜26上には、平面視において磁気抵抗効果素子122aと重なる第1磁気シールド124a、及びX方向に離間して設けられた第2磁気シールド124b、124cを含む磁気シールド124が形成されている。磁気シールド124は、アモルファス磁性材料、パーマロイ系磁性材料、又は鉄系微結晶材料等の高透磁率材料を用いて形成することができる。ポリイミド膜26及び磁気シールド124上には、シリコン酸化膜27が形成されている。図5は、本実施の形態に係る磁気平衡式電流センサにおけるヒステリシスの影響と、第2磁気シールド124b、124cを有しない磁気平衡式電流センサにおけるヒステリシスの影響とを比較して示す断面模式図である。図5Aは、第2磁気シールド124b、124cを有しない磁気平衡式電流センサの場合を示しており、図5Bは、本実施の形態に係る磁気平衡式電流センサの場合を示している。図5Aに示すように、第2磁気シールド124b、124cを有しない磁気平衡式電流センサにおいて、第1磁気シールド124aに磁化が残留した場合、当該残留磁化による還流磁界Cは、磁気抵抗効果素子122a~122dに対して直接的に影響を与える。この場合、還流磁界Cの影響により磁気平衡式電流センサの電流測定精度は大きく低下する。これに対し、図5Bに示すように本実施の形態に係る磁気平衡式電流センサの場合、第1磁気シールド124aの残留磁化による還流磁界Cは、第1磁気シールド124aと離間して配置された第2磁気シールド124b、124cによって吸収される。このため、本実施の形態に係る磁気平衡式電流センサにおいて、還流磁界Cは、磁気抵抗効果素子122a~122dに対してほとんど影響を与えない。このように、本実施の形態に係る磁気平衡式電流センサは、第1磁気シールド124a、及びこれと離間して設けられた第2磁気シールド124b、124cを含んで構成されているため、磁気シールド124aのヒステリシスの影響を緩和することができる。これにより、磁気シールドを用いて磁気平衡式電流センサの電流測定範囲を広くする場合に、電流測定精度が低下せずに済む。図6は、本実施の形態の効果を確認するために行ったシミュレーションモデルを示す模式図である。図6Aに示すように、平面視において磁気抵抗効果素子122a~122dと重なるように第1磁気シールド124aが配置されている。また、図6A、Bに示すように、第1磁気シールドに対して外部磁界の方向Y方向に離間する第2磁気シールド124b、124cが配置されている。ここでは、300Oeの外部磁界を想定してシミュレーションを行った。図7は、第2磁気シールド124b、124cの有無と磁気抵抗効果素子122a~122dが受ける実効的な磁界強度との関係について示す特性図である。ここでは、磁気抵抗効果素子122a~122dが受ける実効的な磁界強度を、外部磁界強度に対する実効磁界強度の比αによって評価した。αは、磁気シールド124を用いない場合つまり、第1磁気シールド124a、第2磁気シールド124b、124cをいずれも用いない場合において、磁気抵抗効果素子122a~122dに生じる抵抗変化ΔR/Rminを基準として、各条件における抵抗変化ΔR/Rminから算出した。第1磁気シールド124aと磁気抵抗効果素子122a~122dとの距離DZZ方向の距離は13.5μmとし、第1磁気シールド124aのY方向の幅WY1は200μmとした。第2磁気シールド124b、124cを有する条件では、第2磁気シールド124b、124cのY方向の幅WY2、WY3をそれぞれ100μmとし、第1磁気シールド124aと第2磁気シールド124b、124cとの間隔D1、D2をそれぞれ10μmとした。また、第1磁気シールド124a、第2磁気シールド124b、124cの厚さT1、T2、T3は、いずれも16.5μm、又は25μmとした。図7から、厚さT1、T2、T3が大きくなると、外部磁界強度に対する実効磁界強度の比αは小さくなることが分かる。また、第2磁気シールド124b、124cを有する場合、第2磁気シールド124b、124cを有しない場合と比較して、外部磁界強度に対する実効磁界強度の比αは小さくなることが分かる。このことから、第2磁気シールド124b、124cにより、磁気抵抗効果素子122a~122dが受ける誘導磁界の磁界強度を小さくできることが確認できる。図8は、第1磁気シールド124aと第2磁気シールド124b、124cとの間隔D1、D2と、実効的な磁界強度との関係、及び間隔D1、D2と、磁気シールド124のヒステリシスとの関係について示す特性図である。ここでは、図7の場合と同様に、第1磁気シールド124aと磁気抵抗効果素子122a~122dとの距離DZZ方向の距離は13.5μmとし、第1磁気シールド124aのY方向の幅WY1は200μmとした。また、第2磁気シールド124b、124cのY方向の幅WY2、WY3をそれぞれ100μmとし、第1磁気シールド124a、第2磁気シールド124b、124cの厚さT1、T2、T3は、いずれも25μmとした。図8から、第1磁気シールド124aと第2磁気シールド124b、124cとの間隔D1、D2が大きくなると、外部磁界強度に対する実効磁界強度の比αが大きくなることが分かる。これは、間隔D1、D2が大きくなることで、第2磁気シールド124b、124cによる磁界低減の効果が低下することを意味している。一方で、磁気シールド124のヒステリシスは、間隔D1、D2が2μm~40μmの範囲において十分に小さくなる。ヒステリシスの影響を抑制するという観点からは、第1磁気シールド124aと第2磁気シールド124b、124cとの間隔D1、D2を、2μm~40μmの範囲にすることが好ましい。以上のように、本発明の電流センサは、磁気シールドが、第1磁気シールドと、第1磁気シールドから離間して配置された第2磁気シールドとを含んで構成されているため、第1磁気シールドのみで磁気シールドを構成する場合と比較して外部磁界を低減できる。また、第1磁気シールドから離間して配置された第2磁気シールドにより、第1磁気シールドの残留磁化の影響を低減できるため、第1磁気シールドのみで磁気シールドを構成する場合と比較してヒステリシスの影響を抑制できる。これにより、外部磁界を低減し、かつ、ヒステリシスの影響を抑制可能なシールドを備える電流センサが実現できる。なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態において電流センサを構成する膜は、電流センサの機能に影響を与えない範囲において追加、省略が可能である。