"Aスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子と、B三重結合を有する非イオン性界面活性剤とを含有し、pHが、2以上7以下である、化学機械研磨用水系分散体。請求項1において、前記B三重結合を有する非イオン性界面活性剤が式中、mおよびnはそれぞれ独立に1以上の整数であり、mn≦50を満たす。である、化学機械研磨用水系分散体。請求項1ないし請求項2のいずれか一項において、化学機械研磨用水系分散体に対する前記A成分の含有量をMa重量、前記B成分の含有量をMb重量とした場合、Maが0.1~20重量でありMbが0.001~5重量である、化学機械研磨用水系分散体。請求項3ないし請求項4のいずれか一項において、Ma/Mb=0.02~20,000である、化学機械研磨用水系分散体。請求項1ないし請求項3のいずれか一項において、において、化学機械研磨用水系分散体中における前記Aシリカ粒子のゼータ電位が、-20mV以下である、化学機械研磨用水系分散体。請求項1ないし請求項5のいずれか一項において、ポリシリコン膜が形成された被研磨面を研磨するために用いられる、化学機械研磨用水系分散体。請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体を用いて、半導体装置を構成する複数の基板のうち、化学機械研磨の際に正電荷を帯びる基板を研磨することを特徴とする、化学機械研磨方法。しかしながら、前述した特許文献1および特許文献2に記載の化学機械研磨用水系分散体では、選択比は満足できるレベルではあるが、貯蔵安定性が不良であるため、産業上利用することが困難であった。一方、前述した特許文献3に記載の化学機械研磨用水系分散体では、シリコン窒化膜のCMPにおいて実用的な研磨速度を達成するためには5psi程度の高研磨圧を要するという点や、高選択比が示されているpH領域では研磨液の貯蔵安定性が悪いためポットライフの問題や凝集した砥粒によるスクラッチ等の問題があった。そこで、本発明に係る幾つかの態様は、前記課題を解決することで、高研磨圧を要せずに、シリコン酸化膜やポリシリコン膜に対するシリコン窒化膜の研磨速度比を十分に大きくすることができると共に、貯蔵安定性が良好な化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供するものである。本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。[適用例1]本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の一態様は、Aスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子と、B三重結合を有する非イオン性界面活性剤と、を含有し、pHが、2以上7以下であることを特徴とする。[適用例2]適用例1において、前記B三重結合を有する非イオン性界面活性剤は式中、mおよびnはそれぞれ独立に1以上の整数であり、mn≦50を満たす。であることができる。[適用例3]適用例1または適用例2において、化学機械研磨用水系分散体に対する前記A成分の含有量をMa質量、前記B成分の含有量をMb質量とした場合、Maが0.1~20質量でありMbが0.001~5質量であることができる。[適用例4]適用例1ないし適用例3のいずれか一例において、Ma/Mb=0.02~20,000[適用例5]適用例1ないし適用例3のいずれか一例において、化学機械研磨用水系分散体中における前記Aシリカ粒子のゼータ電位が、-20mV以下であることができる。[適用例6]適用例1ないし適用例5のいずれか一例に記載の化学機械研磨用水系分散体は、ポリシリコン膜が形成された被研磨面をを研磨するために用いることができる。[適用例7]本発明に係る化学機械研磨方法の一態様は、適用例1ないし適用例6のいずれか一例に記載の化学機械研磨用水系分散体を用いて、半導体装置を構成する複数の基板のうち、化学機械研磨の際に正電荷を帯びる基板を研磨することを特徴とする。半導体装置を構成する基板の中でも、シリコン窒化物の表面は化学機械研磨の際に正電荷を帯びており、シリコン酸化物の表面は化学機械研磨の際に負電荷を帯びていることが知られている。したがって、本発明に係る化学機械研磨用水系分散体によれば、Aスルホ基およびその塩から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子の表面が負の電荷を帯びているため、化学機械研磨の際に正電荷を帯びる基板例えば、シリコン窒化膜を選択的に研磨することができる。さらに、B三重結合を有する非イオン性界面活性剤との相乗効果により、特にシリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の研磨速度比をより大きくすることができる。また、本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、シリコン窒化膜をストッパーとし、CMPによりシリコン窒化膜に対してシリコン酸化膜やポリシリコン膜がディッシングしているような半導体装置において、シリコン窒化膜を研磨除去する用途で特に効果を発揮することができる。さらに、シリコン酸化膜やポリシリコン膜に対するシリコン窒化膜の研磨速度比が高く、かつポリシリコン膜に対するシリコン窒化膜やポリシリコン膜の研磨速度比も高いものは米国特許7,166,506公報に記載されているようなプロセスに適応することができる。以下、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、下記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変型例も含む。1.化学機械研磨用水系分散体本発明の一実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、Aスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子以下、単にAシリカ粒子ともいうと、B三重結合を有する非イオン性界面活性剤と、を含有することを特徴とする。以下、本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体に含まれる各成分について、詳細に説明する。1.1.Aシリカ粒子本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、砥粒としてAスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子を含有する。すなわち、本実施の形態において使用されるシリカ粒子は、その表面にスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基が共有結合を介して表面に固定されたシリカ粒子であり、その表面にスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有する化合物が物理的あるいはイオン的に吸着したようなものは含まれない。また、本発明において、スルホ基の塩とは、スルホ基-SO3Hに含まれている水素イオンを金属イオンやアンモニウムイオン等の陽イオンで置換した官能基のことをいう。本実施の形態において使用されるシリカ粒子は、以下のようにして製造することができる。まず、シリカ粒子を用意する。シリカ粒子としては、例えば、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等が挙げられるが、スクラッチ等の研磨欠陥を低減する観点から、コロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカは、例えば、特開2003-109921号公報等に記載されているような公知の方法で製造されたものを使用することができる。このようなシリカ粒子の表面を修飾することにより、本実施の形態で使用可能なAスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子を製造することができる。以下にシリカ粒子の表面を修飾する方法を例示するが、本発明はこの具体例により何ら限定されるものではない。シリカ粒子の表面の修飾は、特開2010-269985号公報やJ.Ind.Eng.Chem.,Vol.12,No.6,2006911-917等に記載されているような公知の方法を適用することが可能である。例えば前記シリカ粒子とメルカプト基含有シランカップリング剤を酸性媒体中で十分に撹拌することにより、前記シリカ粒子の表面にメルカプト基含有シランカップリング剤を共有結合させることで達成できる。メルカプト基含有シランカップリング剤としては、例えば、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。次に、さらに過酸化水素を適量添加して十分に放置することにより、スルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子を得ることができる。Aシリカ粒子の平均粒子径は、本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体を動的光散乱法で測定することによって得られる。かかる場合、Aシリカ粒子の平均粒子径は、15nm以上100nm以下であることが好ましく、30nm以上70nm以下であることがより好ましい。Aシリカ粒子の平均粒子径が前記範囲であると、実用的な研磨速度を達成することができる場合がある。さらに、シリコン酸化膜の研磨速度が抑制できる傾向がある。動的光散乱法による粒子径測定装置としては、ベックマンコールター社製のナノ粒子アナライザーDelsaNanoS、Malvern社製のZetasizernanozs等が挙げられる。なお、動的光散乱法を用いて測定した平均粒子径は、一次粒子が複数個凝集して形成された二次粒子の平均粒子径を表している。Aシリカ粒子のゼータ電位は、化学機械研磨用水系分散体のpHが1以上6以下の場合、化学機械研磨用水系分散体中において負電位であり、その負電位は-20mV以下であることが好ましい。負電位が-20mV以下であると、粒子間の静電反発力によって効果的に粒子同士の凝集を防ぐと共に、化学機械研磨の際に正電荷を帯びる基板を選択的に研磨できる場合がある。なお、ゼータ電位測定装置としては、大塚電子株式会社製のELSZ-1、Malvern社製のZetasizernanozs等が挙げられる。Aシリカ粒子のゼータ電位は、前述したメルカプト基含有シランカップリング剤の添加量を増減することにより適宜調整することができる。Aシリカ粒子の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、好ましくは0.001質量以上20質量以下、より好ましくは0.01質量以上10質量以下、特に好ましくは0.1質量以上5質量以下である。1.2.B三重結合を有する非イオン性界面活性剤B三重結合を有する非イオン性界面活性剤としては、アセチレングリコールエチレンオキサイド付加物、アセチレンアルコール等少なくとも1個のアセチレン基を有する非イオン性界面活性剤が挙げられる。前記例示したB三重結合を有する非イオン性界面活性剤は1種単独で用いることができるが、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、少なくとも1個のアセチレン基を有する三重結合を有する非イオン性界面活性剤であることが好ましく、下記一般式1で示される非イオン性界面活性剤であることがより好ましい。式中、mおよびnはそれぞれ独立に1以上の整数であり、mn≦50を満たす。上記一般式1において、エチレンオキサイドの付加モル数を表すmおよびnをコントロールすることによって、親水親油バランスHLBを調整することができる。上記一般式1において、mおよびnは、好ましくは20≦mn≦50であり、より好ましくは20≦mn≦40である。上記一般式1で示されるB三重結合を有する非イオン性界面活性剤の市販品として、例えば、サーフィノール440HLB値=8、サーフィノール465HLB値=13、サーフィノール485HLB値=17以上、エアープロダクツジャパン社製が挙げられる。本実施形態で用いられるB三重結合を有する非イオン性界面活性剤のHLB値は、好ましくは5~20であり、より好ましくは8~17である。HLB値が5よりも小さいと、水への溶解度が小さすぎるため使用に適さないことがある。1.3.分散媒本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、分散媒を含有する。分散媒としては、水、水およびアルコールの混合媒体、水および水との相溶性を有する有機溶媒を含む混合媒体等が挙げられる。これらの中でも、水、水およびアルコールの混合媒体を用いることが好ましく、水を用いることがより好ましい。1.4.その他の添加剤本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらに必要に応じて酸性化合物、界面活性剤、水溶性高分子、防蝕剤、pH調整剤、酸化剤等の添加剤を添加してもよい。以下、各添加剤について説明する。1.4.1.酸性化合物本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、酸性化合物を添加してもよい。酸性化合物としては、有機酸および無機酸が挙げられる。したがって、本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、有機酸および無機酸から選択される少なくとも1種を使用することができる。酸性化合物は、Aシリカ粒子との相乗効果により、特にシリコン窒化膜の研磨速度を大きくする作用効果を奏する。有機酸としては、特に制限されないが、例えば、マロン酸、マレイン酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、シュウ酸、乳酸等、およびこれらの塩が挙げられる。その中でも酒石酸、リンゴ酸、クエン酸がより好ましく、酒石酸が特に好ましい。前記例示した酒石酸、リンゴ酸およびクエン酸は、分子内に2以上のカルボキシル基および1以上のヒドロキシル基を有している。このヒドロキシル基は、シリコン窒化膜中に存在する窒素原子と水素結合することができるので、シリコン窒化膜の表面に前記例示した有機酸が多く存在するようになる。これにより、前記例示した有機酸中のカルボキシル基がエッチング作用することで、シリコン窒化膜の研磨速度を大きくすることができる。以上のように、酸性化合物として前記例示した酒石酸、リンゴ酸、クエン酸を使用することで、シリコン窒化膜に対する研磨速度をより大きくすることができる。無機酸としては、特に制限されないが、例えば、リン酸、硫酸、塩酸、硝酸等、これらの塩および誘導体が挙げられる。例えば、リン酸またはその誘導体を添加すると、シリコン窒化膜に対する研磨速度を大きくすることができる。これは、リン酸のシリコン窒化膜に対する化学的研磨作用とコロイダルシリカの機械的研磨作用の相乗効果により達成されるものと推測される。これにより、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜に対する研磨速度を調整することができる。前記例示した酸性化合物は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよく、酸性化合物の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、好ましくは0.01~3質量であり、より好ましくは0.1~2質量であり、特に好ましくは0.2~1質量である。酸性化合物の添加量が3質量を超えると、シリコン窒化膜だけでなくシリコン酸化膜の研磨速度を大きくしてしまうため、研磨速度比を大きくすることができない場合がある。1.4.2.界面活性剤本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらに必要に応じて界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤には、化学機械研磨用水系分散体に適度な粘性を付与する効果がある。化学機械研磨用水系分散体の粘度は、25°Cにおいて0.5mPas以上10mPas未満となるように調製することが好ましい。界面活性剤としては、特に制限されず、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤等が挙げられる。アニオン性界面活性剤としては、例えば、脂肪酸石鹸、アルキルエーテルカルボン酸塩等のカルボン酸塩;アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、α-オレフィンスルホン酸塩等のスルホン酸塩;高級アルコール硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩等の硫酸塩;アルキルリン酸エステル等のリン酸エステル塩;パーフルオロアルキル化合物等の含フッ素系界面活性剤等が挙げられる。カチオン性界面活性剤としては、例えば、脂肪族アミン塩、脂肪族アンモニウム塩等が挙げられる。非イオン性界面活性剤としては、例えば、アセチレングリコール、アセチレングリコールエチレンオキサイド付加物、アセチレンアルコール等の三重結合を有する非イオン性界面活性剤;ポリエチレングリコール型界面活性剤等が挙げられる。また、ポリビニルアルコール、シクロデキストリン、ポリビニルメチルエーテル、ヒドロキシエチルセルロース等を用いることもできる。前記例示した界面活性剤の中でも、アルキルベンゼンスルホン酸塩が好ましく、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムがより好ましい。これらの界面活性剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。界面活性剤の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、好ましくは0.001質量以上5質量以下、より好ましくは0.01質量以上2質量以下、特に好ましくは0.05質量以上1質量以下である。1.4.3.水溶性高分子本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらに必要に応じて水溶性高分子を添加してもよい。水溶性高分子には、シリコン窒化膜の表面に吸着し研磨摩擦を低減させる効果がある。この効果により、シリコン窒化膜のディッシングの発生を低減することができる。水溶性高分子としては、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース等が挙げられる。水溶性高分子の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の粘度が10mPas未満となるように調整することができる。1.4.4.防蝕剤本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらに必要に応じて防蝕剤を添加してもよい。防蝕剤としては、例えば、ベンゾトリアゾールおよびその誘導体が挙げられる。ここで、ベンゾトリアゾール誘導体とは、ベンゾトリアゾールの有する1個または2個以上の水素原子を、例えば、カルボキシル基、メチル基、アミノ基、ヒドロキシル基等で置換したものをいう。ベンゾトリアゾール誘導体としては、4-カルボキシルベンゾトリアゾールおよびその塩、7-カルボキシベンゾトリアゾールおよびその塩、ベンゾトリアゾールブチルエステル、1-ヒドロキシメチルベンゾトリアゾールまたは1-ヒドロキシベンゾトリアゾール等が挙げられる。防蝕剤の添加量は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、好ましくは1質量以下であり、より好ましくは0.001質量以上0.1質量以下である。1.4.5.pH調整剤本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらに必要に応じてpH調整剤を添加してもよい。pH調整剤としては、例えば、水酸化カリウム、エチレンジアミン、TMAHテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、アンモニア等の塩基性化合物が挙げられる。1.4.6酸化剤本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらに必要に応じて酸化剤を添加してもよい。酸化剤としては、例えば、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩、過酸化水素、下記の各種のヘテロポリ酸および過マンガン酸カリウム等の過マンガン酸化合物、重クロム酸カリウム等の重クロム酸化合物などの多価金属塩等が挙げられる。ヘテロポリ酸は無機酸が縮合して生成し、2種以上の金属を有するポリ酸であり、その中心原子は、Cu、Be、B、Al、C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Ce、Th、N、P、As、Sb、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、U、S、Se、Te、Mn、I、Fe、Co、Ni、Rh、Os、IrおよびPt等である。また、これらの中心原子と組み合わされるヘテロ原子は、Cu、Be、B、Al、C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Ce、Th、N、P、As、Sb、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、U、S、Se、Te、Mn、I、Fe、Co、Ni、Rh、Os、IrおよびPtのうちの中心原子とは異なる原子である。ヘテロポリ酸としては、中心原子がV、MoまたはWであり、ヘテロ原子がSiまたはPであるものが好ましい。なお、ヘテロポリ酸の具体例としては、ケイモリブデン酸、リンモリブデン酸、ケイタングステン酸およびリンタングステン酸等が挙げられる。また、これらの酸化剤のうちで好ましいものは過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過酸化水素であり、過硫酸アンモニウムが特に好ましい。酸化剤の含有量は、水系分散体を100質量した場合に、0.01~10質量とすることができ、特に0.05~5質量、さらには0.1~3質量とすることが好ましい。酸化剤は、10質量含有させれば十分に研磨速度を向上させることができ、10質量を越えて多量に含有させる必要はない。1.5.pH本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体のpHは、2以上7以下である必要があるが、より好ましくは2以上4以下である。pHが前記範囲にあると、シリコン窒化膜の研磨速度をより大きくすることができる一方で、シリコン酸化膜の研磨速度をより小さくすることができる。その結果、シリコン窒化膜を選択的に研磨することができる。さらに、pHが2以上4以下であると、化学機械研磨用水系分散体の貯蔵安定性が良好となるためより好ましい。1.6.用途本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、主として半導体装置を構成する複数の基板のうち、化学機械研磨の際に正電荷を帯びる基板を研磨するための研磨材として使用することができる。化学機械研磨の際に正電荷を帯びる代表的な基板としては、シリコン窒化膜、ドープされたポリシリコン等が挙げられる。本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、これらの中でもシリコン窒化膜を研磨する用途に特に適している。なお、本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体のシリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の研磨速度比は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリシリコン膜のそれぞれを同一の研磨条件で研磨した際に、[シリコン窒化膜の研磨速度/シリコン酸化膜の研磨速度]および[シリコン窒化膜の研磨速度/ポリシリコン膜の研磨速度]の値がいずれも1以上であることが好ましいといえる。1.7.化学機械研磨用水系分散体の調製方法本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、水等の分散媒に前述した各成分を溶解または分散させることにより調製することができる。溶解または分散させる方法は、特に制限されず、均一に溶解または分散できればどのような方法を適用してもよい。また、前述した各成分の混合順序や混合方法についても特に制限されない。また、本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、濃縮タイプの原液として調製し、使用時に水等の分散媒で希釈して使用することもできる。2.化学機械研磨方法本実施の形態に係る化学機械研磨方法は、前述した本発明に係る化学機械研磨用水系分散体を用いて、半導体装置を構成する複数の基板のうち、化学機械研磨の際に正電荷を帯びる基板例えば、シリコン窒化膜を研磨することを特徴とする。以下、本実施の形態に係る化学機械研磨方法の一具体例について、図面を用いて詳細に説明する。2.1.被処理体図1は、本実施の形態に係る化学機械研磨方法の使用に適した被処理体を模式的に示した断面図である。被処理体100は、以下の工程1ないし4を経ることにより形成される。1まず、シリコン基板10を用意する。シリコン基板10には、図示しないトランジスタ等の機能デバイスが形成されていてもよい。2次に、シリコン基板10の上に、CVD法または熱酸化法を用いて第1酸化シリコン膜12を形成する。さらに、第1シリコン酸化膜12の上に、CVD法を用いてシリコン窒化膜14を形成する。3次に、シリコン窒化膜14をパターニングする。それをマスクとして、リソグラフィー法またはエッチング法を適用してトレンチ20を形成する。4次に、トレンチ20を充填するように、第2シリコン酸化膜16を高密度プラズマCVD法により堆積させると、被処理体100が得られる。2.2.化学機械研磨方法2.2.1.第1研磨工程まず、図1に示すような被処理体100のシリコン窒化膜14上に堆積した第2シリコン酸化膜16を除去するために、シリコン酸化膜の選択比が大きい化学機械研磨用水系分散体を用いて第1研磨工程を行う。図2は、第1研磨工程終了時の被処理体を模式的に示した断面図である。第1研磨工程では、シリコン窒化膜14がストッパーとなり、シリコン窒化膜14の表面で研磨を停止することができる。このとき、酸化シリコンが充填されたトレンチ20では、ディッシングが発生する。これにより、図2に示すように、シリコン窒化膜14が残るが、シリコン窒化膜14上には第2シリコン酸化膜16の研磨残渣がしばしば残存する。この研磨残渣は、その後のシリコン窒化膜14の研磨に影響を及ぼす場合がある。2.2.2.第2研磨工程次に、図2に示すシリコン窒化膜14を除去するために、前述した本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体を用いて、第2研磨工程を行う。図3は、第2研磨工程終了時の被処理体を模式的に示した断面図である。本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の研磨速度比が十分に大きく、シリコン酸化膜の研磨速度が極端に低すぎないために、シリコン酸化膜の研磨残渣の影響を受けることなく、シリコン窒化膜14を円滑に研磨除去することができる。このようにして、図3に示すようなトレンチ20に酸化シリコンが埋め込まれた半導体装置を得ることができる。本実施の形態に係る化学機械研磨方法は、例えば、トレンチ分離STI等に適用することができる。2.3.化学機械研磨装置前述した第1研磨工程および第2研磨工程には、例えば、図4に示すような化学機械研磨装置200を用いることができる。図4は、化学機械研磨装置200を模式的に示した斜視図である。各研磨工程は、スラリー供給ノズル42からスラリー化学機械研磨用水系分散体44を供給し、かつ、研磨布46が貼付されたターンテーブル48を回転させながら、半導体基板50を保持したキャリアーヘッド52を当接させることにより行う。なお、図4には、水供給ノズル54およびドレッサー56も併せて示してある。キャリアーヘッド52の押し付け圧は、10~1,000hPaの範囲内で選択することができ、好ましくは30~500hPaである。また、ターンテーブル48およびキャリアーヘッド52の回転数は10~400rpmの範囲内で適宜選択することができ、好ましくは30~150rpmである。スラリー供給ノズル42から供給されるスラリー化学機械研磨用水系分散体44の流量は、10~1,000mL/分の範囲内で選択することができ、好ましくは50~400mL/分である。市販の研磨装置として、例えば、株式会社荏原製作所製、形式EPO-112、EPO-222;ラップマスターSFT社製、型式LGP-510、LGP-552;アプライドマテリアル社製、型式Mirra、Reflexion等が挙げられる。3.実施例以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。3.1.コロイダルシリカを含む水分散体の調製容量2000cm3のフラスコに、25質量濃度のアンモニア水70g、イオン交換水40g、エタノール175gおよびテトラエトキシシラン21gを投入し、180rpmで撹拌しながら60°Cに昇温した。60°Cのまま2時間撹拌した後冷却し、コロイダルシリカ/アルコール分散体を得た。次いで、エバポレータにより、80°Cでこの分散体にイオン交換水を添加しながらアルコール分を除去する操作を数回繰り返すことにより分散体中のアルコールを除き、固形分濃度20の水分散体を調製した。この水分散体の一部を取り出しイオン交換水で希釈したサンプルについて、動的光散乱式粒子径測定装置株式会社堀場製作所製、形式LB550を用い、算術平均径を平均粒子径として測定したところ、70nmであった。なお、表2において、上記のようにして得られた通常のコロイダルシリカを含む水分散体をシリカタイプBと称する。3.2.スルホ基修飾コロイダルシリカを含む水分散体の調製イオン交換水50gに酢酸5gを投入し、撹拌しながらさらにメルカプト基含有シランカップリング剤信越化学工業株式会社製、商品名KBE8035gを徐々に滴下した。30分後、3.1.コロイダルシリカを含む水分散体の調製において調製された水分散体を1000g添加し、さらに1時間撹拌を継続した。その後、31過酸化水素水を200g投入し、48時間室温にて放置することにより、スルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するコロイダルシリカを得た。この水分散体の一部を取り出しイオン交換水で希釈したサンプルについて、動的光散乱式粒子径測定装置株式会社堀場製作所製、形式LB550を用い、算術平均径を平均粒子径として測定したところ70nmであった。なお、表1および表2において、上記のようにして得られたスルホ基修飾コロイダルシリカを含む水分散体をシリカタイプAと称する。3.3.化学機械研磨用水系分散体の調製3.1.コロイダルシリカを含む水分散体の調製もしくは3.2.スルホ基修飾コロイダルシリカを含む水分散体の調製において調製された水分散体の所定量を容量1000cm3のポリエチレン製の瓶に充填し、これに三重結合を有する非イオン性界面活性剤エアープロダクツジャパン社製、商品名サーフィノール485を表記載の含有量となるようにそれぞれ添加し十分に撹拌した。その後、撹拌しながらイオン交換水を加え、所定のシリカ濃度となるように調節した後、さらにアンモニアを使用して表に記載の所定のpHとした。その後、孔径5μmのフィルタで濾過し、実施例1~14及び比較例1~11の化学機械研磨用水系分散体を得た。3.4.化学機械研磨試験3.3.化学機械研磨用水系分散体の調製において調製した化学機械研磨用水系分散体を用いて、直径8インチのシリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはポリシリコン膜付きシリコン基板を被研磨体として、下記の研磨条件1でそれぞれの膜について化学機械研磨を行った。<研磨条件1>研磨装置:株式会社荏原製作所製、形式EPO-112研磨パッド:ロデールニッタ株式会社製、IC1000化学機械研磨用水系分散体供給速度:200mL/分定盤回転数:64rpm研磨ヘッド回転数:68rpm研磨ヘッド押し付け圧:140hPa3.4.1.研磨速度の算出被研磨体である直径8インチのシリコン窒化膜SiN、シリコン酸化膜SiO2またはポリシリコン膜Poly-Si付き基板のそれぞれについて、研磨前の膜厚をナノメトリクスジャパン株式会社製の光干渉式膜厚計NanoSpec6100を用いて予め測定しておき、上記の条件で1分間研磨を行った。研磨後の被研磨体の膜厚を、同様に光干渉式膜厚計を用いて測定し、研磨前と研磨後の膜厚の差、すなわち化学機械研磨により減少した膜厚を求めた。そして、化学機械研磨により減少した膜厚および研磨時間から研磨速度を算出した。この結果を表1~2に併せて示す。算出したシリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはポリシリコン膜付き基板のそれぞれについての研磨速度を元に、シリコン窒化膜の研磨速度とシリコン酸化膜の研磨速度の比率である研磨速度比SiN/TEOS、シリコン窒化膜の研磨速度とポリシリコン膜の研磨速度の比率である研磨速度比SiN/Poly-Siを算出した。シリコン窒化膜を選択的に研磨する用途に使用する場合、シリコン窒化膜の研磨速度とシリコン酸化膜の研磨速度の比率である研磨速度比SiN/TEOS、シリコン窒化膜の研磨速度とポリシリコン膜の研磨速度の比率である研磨速度比SiN/Poly-Siは、共に1を越えると良好と判断できる。3.4.2.貯蔵安定性の評価3.3.化学機械研磨用水系分散体の調製の項で作製した化学機械研磨用水系分散体を、500ccのポリ瓶に500cc入れ、25°Cの環境下で2週間貯蔵した。貯蔵前後の平均粒子径の変化について、動的光散乱式粒子径測定装置株式会社堀場製作所製、形式LB550を用い、算術平均径を平均粒子径として測定した。貯蔵前の粒子径に対し、貯蔵後の平均粒子径が5未満の増大である場合には貯蔵安定性が非常に良好と判断し○5以上の増大である場合は不良と判断し×と表に記載した。3.4.3.評価結果実施例1~14では、十分なシリコン窒化膜の研磨速度を得ることができ、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の研磨速度比SiN/TEOSが1以上に高められている。特に実施例1~3はシリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の研磨速度比が3以上に高められており、シリコン窒化膜がより選択的に研磨されている。比較例1~7は、スルホ基で修飾されていないコロイダルシリカを用いた例である。比較例1、2、4、6、7は、貯蔵安定性が不良であるため研磨に供することができなかった。。比較例3,5は、研磨速度比SiN/SiO2と研磨速度比SiN/Poly-Siのいずれかが1未満であり不良であった。比較例8~11は、スルホ基修飾コロイダルシリカを用いているが、pHが1以上7以下の範囲になく、研磨速度比あるいは貯蔵安定性が不良であった。3.5.実験例あらかじめシリコン窒化膜が埋め込まれたテスト用ウエハを用いて、化学機械研磨を行った。具体的には、被処理体300として、864CMPアドバンスマテリアルズテクノロジー社製のテスト用ウエハであり、図5に示すような断面構造を有するもので、ベアシリコン110上に第1シリコン酸化膜112、シリコン窒化膜114を順次堆積させた後、リソグラフィー加工により溝加工を行い、さらに第2シリコン酸化膜116を高密度プラズマCVD法により堆積させたものを用いた。前記テスト用ウエハは、あらかじめJSR株式会社製のCMS4301およびCMS4302を使用して、下記の研磨条件2でシリコン窒化膜114の上面が露出するまで予備研磨を行った。シリコン窒化膜114の露出は、研磨機のテーブルトルク電流の変化を終点検出器により検知することで確認した。<研磨条件2>研磨装置:株式会社荏原製作所製、形式EPO-112研磨パッド:ロデールニッタ株式会社製、IC1000化学機械研磨用水系分散体供給速度:200mL/分定盤回転数:64rpmキャリアーヘッド回転数:68rpmキャリアー押し付け圧:140hPa図6は、予備研磨後の被処理体864CMPの状態を模式的に示す断面図である。化学機械研磨後の被研磨面は、図6に示すように、シリコン窒化膜114上に形成された第2シリコン酸化膜116が完全に除去されていた。光干渉式膜厚計NanoSpec6100によりパターン密度50の100μmピッチ内におけるシリコン窒化膜114の厚さを測定したところ、シリコン窒化膜114の厚さは約150nmであった。また、シリコン窒化膜114に対する第2シリコン酸化膜116のディッシングの深さを触針式段差測定装置HRP240により測定したところ、ディッシングの深さは約40nmであった。最後に、実施例6で使用した化学機械研磨用水系分散体を使用して、前記研磨条件1で150秒間本研磨を行った。図7は、本研磨後の被処理体864CMPの状態を模式的に示す断面図である。図7に示すように、本研磨後の被研磨面内におけるシリコン窒化膜114の厚さは、ほぼ0nmであった。パターン密度50の100μmピッチ内におけるディッシングの深さは、約15nmであり、素子分離性能を期待する上で好適であることが分かった。以上のことから、本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の研磨速度比が十分に大きいため、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが共存する半導体装置においてシリコン窒化膜を選択的に研磨できることが分かった。"