"基板を保持するような構造にされる基板テーブルと、前記基板テーブル上の物体と投影システムの間の空間に液体を供給するように構成される液体供給システムと、使用時、前記物体の縁部と前記基板テーブルの間を漏れる液体を収容するように構成される基板テーブル内の排液管とを備え、使用時、前記排液管内のガスの圧力が前記基板テーブル上のガスの周囲圧力とほぼ同じであるように維持される、リソグラフィ装置。使用時、前記排液管が決して液体で一杯にならないような構造にされかつ構成される、請求項1に記載の装置。前記排液管から液体を除去するように構成される液体除去デバイスを前記排液管にさらに備える、請求項1に記載の装置。前記液体除去デバイスが受動的液体除去デバイスである、請求項3に記載の装置。前記受動的液体除去デバイスが毛細管チャンネルを備える、請求項4に記載の装置。前記液体除去デバイスが単相抽出器を備える、請求項3に記載の装置。前記単相抽出器が前記排液管とチャンバの間に少なくとも1つの、好ましくは複数のスルーホールおよび/またはスリットを備え、使用時前記チャンバが、実質的に液体で一杯に満たされかつ負圧に接続される、請求項6に記載の装置。前記複数のスルーホールが前記排液管の出口を覆う網目によって形成される、請求項7に記載の装置。前記液体除去デバイスが、前記排液管の底部表面に複数の個別に間隔の開いた、チャンバまで貫通するスルーホールを備える、請求項3に記載の装置。前記排液管が、前記複数の個別に間隔の開いたスルーホールに向かって内側に傾斜する下側側壁を備える、請求項9に記載の装置。前記排液管が、下側側壁と一緒になるように前記隙間から離れて外向きに傾斜する上側側壁を備える、請求項9に記載の装置。前記液体が前記上側側壁と90°より大きな接触角を有する、請求項11に記載の装置。前記排液管の隣に加熱器をさらに備える、請求項1に記載の装置。前記排液管が、隙間を介して前記基板テーブルの頂部表面に対して開いているチャンバを備え、使用時に前記隙間が前記物体の周辺周りを延びる、請求項1に記載の装置。前記排液管に入る前記隙間の開口部を少なくとも2つに分割するために、前記隙間の真下で前記排液管内に配置される分割器をさらに備える、請求項14に記載の装置。前記分割器が網目を備える、請求項15に記載の装置。前記分割器が複数の実質的に下向きに延びるフィンを備える、請求項15に記載の装置。一直線の垂直通路が、前記基板テーブルの外側から前記隙間を貫通し前記排液管内に通る、請求項14に記載の装置。前記排液管および前記隙間は、前記排液管の底部が前記基板テーブルの頂部表面から少なくとも1mmのところに位置するような高さを有する、請求項18に記載の装置。前記排液管が前記隙間より少なくとも1mm広い、請求項19に記載の装置。使用時、液体が前記隙間を通り前記排液管に入り、互いに向かい合った前記隙間の面の表面および/または前記隙間に最も近い前記排液管の上側表面と、前記液体が90°より大きな接触角を有する、請求項1に記載の装置。前記面が前記隙間の最狭部分を画成する、請求項21に記載の装置。前記面が、前記隙間が中間部で狭くなるように凸である、請求項21に記載の装置。前記面のうちの1つが前記物体の表面である、請求項21に記載の装置。前記もう1つの面が凹であり、前記隙間が前記排液管の入口のところで最も狭くなる、請求項24に記載の装置。使用時、前記隙間を通り前記排液管内に入るガス流れが実質的に全く存在しない、請求項1に記載の装置。前記液体の前記排液管の表面に対する前記接触角が位置に応じて変化する、請求項1に記載の装置。基板を保持するような構造にされる基板テーブルと、前記基板、前記基板テーブルおよび/または物体と投影システムとの間の前記基板、前記基板テーブルおよび/または前記基板テーブル上の前記物体の局所的領域に液体を供給するように構成される液体供給システムと、使用時、前記基板および/または物体の縁部と前記基板テーブルとの間に漏れる液体を収容するように構成される基板テーブル内の少なくとも1つの排液管と、前記少なくとも1つの排液管から液体を除去するために前記少なくとも1つの排液管に接続される負圧源と、前記局所的領域が前記基板および/または物体の縁部上に実質的にあるとき、前記負圧源を前記少なくとも1つの排液管に接続するための制御器と、を備えるリソグラフィ装置。前記局所的領域が前記基板および/または物体の前記縁部から実質的に遠位にあるときにのみ、前記制御器が、前記少なくとも1つの排液管から前記負圧源を切り離すようにされている、請求項28に記載の装置。基板を保持するような構造にされる基板テーブルと、前記基板テーブル上の物体と投影システムの間の空間に液体を供給するように構成される液体供給システムと、チャンバが前記物体の外側縁部の周りのある位置で前記基板テーブルの外側表面に開口するように、使用時、前記物体の前記外側縁部を取り囲む隙間と流体連通する前記基板テーブル内のチャンバとを備え、使用時、前記液体が前記隙間を画成しかつ前記隙間を横切って互いに対面する表面と45°より大きな接触角を有する、リソグラフィ装置。使用時、前記液体が、前記隙間を画成しかつ前記隙間を横切って互いに対面する前記表面と90°より大きな接触角を有する、請求項30に記載の装置。前記表面が、前記隙間が中央部分で狭小化部を有するように凸である、請求項31に記載の装置。前記チャンバが前記隙間の幅より少なくとも1mm広い幅を有する、請求項30に記載の装置。前記チャンバが前記隙間の高さより少なくとも2倍の高さを有する、請求項30に記載の装置。基板を保持するような構造にされる基板テーブルと、前記基板テーブル上の物体と投影システムの間の空間に液体を供給するように構成される液体供給システムと、チャンバが物体の外側縁部の周りのある位置で前記基板テーブルの外側表面に開口するように、使用時、前記物体の外側縁部を取り囲む隙間と流体連通する基板テーブル内のチャンバとを備え、使用時、前記隙間を画成する表面と前記隙間が開口する前記チャンバの表面との間の角度が少なくとも90°である、リソグラフィ装置。前記角度が少なくとも100°である、請求項35に記載の装置。基板を保持するような構造にされる基板テーブルであって、チャンバに通じる通路を備え、前記通路が前記チャンバを前記基板テーブルの外側表面に接続し、かつ使用時、前記基板テーブル上の物体の外側縁部を取り囲む基板テーブルと、前記通路を横切って延伸可能であり、かつ前記通路と前記チャンバの間のガスの流れを実質的に遮断するように付勢され、上からの流体静力学的および/または流体動力学的圧力によって、前記通路から前記チャンバ内への液体の通過を可能にするように前記隙間の遮断を解くように変形可能な、柔軟性のあるフラップと、を備えるリソグラフィ装置。前記柔軟性のあるフラップが前記基板テーブルの2つの部分を横切って延びる、請求項37に記載の装置。前記チャンバから液体を除去するように構成される低圧出口をさらに備える、請求項37に記載の装置。前記柔軟性のあるフラップは、その長さに沿った局所的区域が前記通路から前記チャンバ内への液体の局所的通過を可能にするように変形可能であるのに十分な柔軟性を有する材料からなる周辺部を備える、請求項37に記載の装置。投影システムと基板の間の空間に液体を供給するように構成される液体供給システムと、垂直成分を有する面を伴う縁部を有する、基板を保持するように構成される第1の基板テーブルと、垂直成分を有する面を伴う縁部を有する、基板を保持するように構成される第2の基板テーブルと、を備え、使用時、前記液体が前記面のうちの少なくとも1つの少なくとも一部分と45°より大きな接触角を有する、リソグラフィ装置。各面が、突起部の一部であり、かつ前記それぞれの基板テーブルの最外側境界を形成する、請求項41に記載の装置。パターン化された放射ビームを、液体を介して基板上に投影するステップと、物体の縁部と前記基板を保持するように構成される基板テーブルの間を漏れる液体を、周囲圧力に維持される排液管内に集めるステップと、を含むデバイス製造方法。パターン化された放射ビームを、液体を介して基板上に投影するステップと、物体と前記基板を保持するように構成される基板テーブルの間の隙間を介して液体をチャンバ内に集めるステップと、を含み、前記液体が前記隙間を画成しかつ前記隙間を横切って互いに対面する表面と45°より大きな接触角を有する、デバイス製造方法。パターン化された放射ビームを、液体を介して基板上に投影するステップを含み、物体と前記基板を保持するように構成される基板テーブルの間を漏れる液体が通路に沿って移動し、前記柔軟性のあるフラップから前記液体が除去されて柔軟性のあるフラップが前記通路を再遮断することができるように、前記液体を低圧に曝すために前記通路の出口を横切って延びる柔軟性のあるフラップを移動させる、デバイス製造方法。パターン化された放射ビームを投影システムで液体を介して第1の基板テーブルによって支持される基板上に投影するステップと、第2の基板テーブルを前記第1の基板テーブルの隣に配置し、前記第2の基板テーブルが前記投影システムの下に移動されるように両方の基板テーブルを一緒に投影システムの下に移動させるステップと、を含み、各々が移動中に互いに隣り合って配置される前記第1および第2の基板テーブルの縁部が、各々垂直成分を有する面を備え、前記液体が前記面のうちの少なくとも1つの少なくとも一部分と45°より大きな接触角を有する、デバイス製造方法。パターン化された放射ビームを、液体を介して基板上に投影するステップと、物体と前記基板を保持するように構成される基板テーブルとの間の隙間を介してチャンバ内に液体を集めるステップと、を含み、前記液体が、局所的領域に閉じ込められ、前記局所的領域が前記物体の縁部上にあるときに、液体を除去するための負圧が前記チャンバに与えられ、前記局所的領域が前記物体の前記縁部上にないときには、負圧が前記チャンバに与えられない、デバイス製造方法。0009例えば、物体の縁部とこの物体が上に配置される基板テーブルとの間の隙間からの液体の除去を可能にすることが望ましい。この物体は基板、センサ、クロージングプレート等であり得る。0010本発明の一態様によれば、基板を保持するような構造にされる基板テーブルと、基板テーブル上の物体と投影システムの間の空間に液体を供給するように構成される液体供給システムと、使用時、物体の縁部と基板テーブルの間を漏れる液体を収容するように構成される基板テーブル内の排液管とを備え、使用時、排液管内のガスの圧力が基板テーブル上のガスの周囲圧力とほぼ同じであるように維持されるリソグラフィ装置が提供される。0011本発明の一態様によれば、基板を保持するような構造にされる基板テーブルと、基板テーブル上の物体と投影システムの間の空間に液体を供給するように構成される液体供給システムと、チャンバが物体の外側縁部の周りのある位置で基板テーブルの外側表面に開口するように、使用時、物体の外側縁部を取り囲む隙間と流体連通する基板テーブル内のチャンバとを備え、使用時液体が、隙間を画成しかつ隙間を横切って互いに対面する表面と45°より大きな接触角を有するリソグラフィ装置が提供される。0012本発明の一態様によれば、基板を保持するような構造にされる基板テーブルと、基板テーブル上の物体と投影システムとの間の空間に液体を供給するように構成される液体供給システムと、チャンバが物体の外側縁部の周りのある位置で基板テーブルの外側表面に開口するように、使用時物体の外側縁部を取り囲む隙間と流体連通する基板テーブル内のチャンバとを備え、使用時液体が、隙間を画成する表面と隙間がその上に開口するチャンバの表面との間の角度が少なくとも90°であるリソグラフィ装置が提供される。0013本発明の一態様によれば、基板を保持するような構造にされる基板テーブルであって、チャンバに通じる通路を備え、この通路がチャンバを基板テーブルの外側表面に接続し、かつ使用時基板テーブル上の物体の外側縁部を取り囲む、基板テーブルと、通路を横切って延伸可能であり、かつ通路とチャンバの間のガスの流れを実質的に遮断するように付勢され、上からの流体静力学的および/または流体動力学的圧力によって、通路からチャンバ内への液体の通過が可能になるように隙間の遮断を解くような変形が可能な柔軟性のあるフラップを備えるリソグラフィ装置が提供される。0014本発明の一態様によれば、投影システムと基板の間の空間に液体を供給するように構成される液体供給システムと、垂直成分を有する面を伴う縁部を有する、基板を保持するように構成される第1の基板テーブルと、垂直成分を有する面を伴う縁部を有する、基板を保持するように構成される第2の基板テーブルとを備え、使用時液体が、この面のうちの少なくとも1つの少なくとも一部分と45°より大きな接触角を有するリソグラフィ装置が提供される。0015本発明の一態様によれば、パターン化された放射ビームを、液体を介して基板上に投影するステップと、物体の縁部と基板を保持するように構成される基板テーブルの間を漏れる液体を周囲圧力に維持される排液管内に集めるステップとを含むデバイス製造方法が提供される。0016本発明の一態様によれば、パターン化された放射ビームを、液体を介して基板上に投影するステップと、物体と基板を保持するように構成される基板テーブルの間の隙間を介して液体をチャンバ内に集めるステップとを含み、液体が、隙間を画成しかつ隙間を横切って互いに対面する表面と45°より大きな接触角を有するデバイス製造方法が提供される。0017本発明の一態様によれば、パターン化された放射ビームを、液体を介して基板上に投影するステップを含み、物体と基板を保持するように構成される基板テーブルの間を漏れる液体が通路に沿って移動し、柔軟性のあるフラップから液体が除去されて、柔軟性のあるフラップが通路を再遮断することができるようにこの液体を低圧に曝すように通路の出口を横切って延びる柔軟性のあるフラップを移動させるデバイス製造方法が提供される。0018本発明の一態様によれば、パターン化された放射ビームを投影システムで液体を介して第1の基板テーブルによって支持される基板上に投影するステップと、第2の基板テーブルを第1の基板テーブルの隣に配置し、第2の基板テーブルが投影システムの下に移動されるように両方の基板テーブルを一緒に投影システムの下に移動させるステップとを含み、各々が移動中互いに隣り合って配置される第1および第2の基板テーブルの縁部が垂直成分を有する面を備え、液体がこれらの面のうちの少なくとも1つの少なくとも一部分と45°より大きな接触角を有するデバイス製造方法が提供される。0019本発明の一態様によれば、基板を保持するような構造にされる基板テーブルと、基板、基板テーブルおよび/または物体と投影システムの間の、基板、基板テーブルおよび/または基板テーブル上の物体の局所的領域に液体を供給するように構成される液体供給システムと、使用時、基板および/または物体の縁部と基板テーブルの間を漏れる液体を収容するように構成される基板テーブル内の少なくとも1つの排液管と、前記少なくとも1つの排液管から液体を除去するために、前記少なくとも1つの排液管に接続される負圧源と、前記局所的領域が前記基板および/または物体の縁部上に実質的にあるとき、前記負圧源を前記少なくとも1つの排液管に接続するための制御器を備えるリソグラフィ装置が提供される。0020本発明の一態様によれば、パターン化された放射ビームを、液体を介して基板上に投影するステップと、物体と基板を保持するように構成される基板テーブルとの間の隙間を介して液体をチャンバ内に集めるステップとを含み、前記液体が、計画では、局所的領域に閉じ込められ、前記局所的領域が前記物体の縁部上にあるときに、液体を除去するための負圧が前記チャンバに与えられ、前記局所的領域が前記物体の前記縁部上にないときには、負圧が前記チャンバに与えられない、デバイス製造方法が提供される。0021次に本発明の実施形態を例示の目的でのみ、対応する参照番号が対応する部品を示す添付の概略図面を参照して説明する。0031図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、0032放射ビームB例えば、UV放射またはDUV放射を調整するように構成される照明システム照明器ILと、0033パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持するような構造にされ、特定のパラメータに従ってこのパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成される第1の位置決め装置PMに連結される支持構造体例えば、マスクテーブルMTと、0034基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するような構造にされ、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成される第2の位置決め装置PWに連結される基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、0035放射ビームBに付与されるパターンをパターニングデバイスMAによって基板Wの例えば、1つまたは複数のダイを備えるターゲット部分C上に投影するように構成される投影システム例えば、屈折投影レンズシステムPSとを備える。0036この照明システムは、放射を導き、成形し、または制御するための屈折式、反射式、磁気式、電磁気式、静電式または他の型式の光学構成部品、またはそれらの任意の組合せなどの、様々な型式の光学構成部品を含むことができる。0037支持構造体は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばこのパターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方法でパターニングデバイスを保持する。この支持構造体は、このパターニングデバイスを保持するために機械式、真空式、静電式または他のクランプ技術を使用することができる。この支持構造体は、例えば、必要に応じて固定されたまたは移動可能なフレームまたはテーブルとすることができる。この支持構造体は、例えば投影システムに対してパターニングデバイスが確実に所望に位置のところにあるようにすることができる。本明細書での術語レチクルまたはマスクのどのような使用もより一般的な術語パターニングデバイスと同義語であると見なすことができる。0038本明細書で使用される術語パターニングデバイスは、基板のターゲット部分にパターンを作り出すようなパターンをその横断面に有する放射ビームを付与するために使用することができる任意のデバイスを呼ぶと広く解釈すべきである。放射ビームに付与されるパターンは、例えばこのパターンが位相シフト特徴featureフィーチャまたはいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に対応しない場合があることに留意すべきである。一般に、放射ビームに付与されるこのパターンは、集積回路などのターゲット部分に作り出されるデバイスの特定の機能層に対応するであろう。0039このパターニングデバイスは、透過式または反射式であることができる。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィでよく知られており、バイナリー、交番位相シフト、および減衰位相シフト、ならびに様々な複合マスク型式などのマスク型式を含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さなミラーのマトリックス配置を使用する。それらの各々は、入ってくる放射ビームを異なる方向に反射できるように個別に傾けることができる。この傾けられたミラーが、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。0040本明細書で使用される術語投影システムは、使用される露光放射に対し、または液浸液の使用または真空の使用などの他の因子に対し適切な、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁気式および静電式光学システム、またはそれらの任意の組合せを含む任意の型式の投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書での術語投影レンズのどのような使用も、より一般的な術語投影システムと同義語であると見なすことができる。0041ここで示すものとして、この装置は例えば、透過マスクを使用する透過式のものである。別法として、この装置は例えば、上記で示したような型式のプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する反射式のものであり得る。0042このリソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上の支持構造体を有する型式のものであり得る。そのようなマルチステージ機械では、追加のテーブルを平行して使用することができ、または1つまたは複数の他のテーブルが露光用に使用されている間に1つまたは複数のテーブル上で準備ステップを行うことができる。0043図1を参照すると、照明器ILが放射ビームを放射源SOから受け取る。この放射源およびリソグラフィ装置は、例えば、放射源がエキシマレーザであるとき、別のものとすることができる。そのような場合、この放射源はリソグラフィ装置の一部をなすものと見なされず、放射ビームは、例えば、適当な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを備えるビーム供給システムBDを用いて放射源SOから照明器ILに届けられる。別の場合では、例えば放射源が水銀ランプの場合、この放射源はリソグラフィ装置の一体化した部分であることができる。この放射源SOおよび照明器ILは、必要な場合ビーム供給システムBDと共に、放射システムと呼ぶことができる。0044この照明器ILは、放射ビームの角度強度分布を調整するための調整器ADを備えることができる。一般に、照明器の瞳面の強度分布の少なくとも通常それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれる外側および/または内側半径範囲を調整することができる。さらに照明器ILは、積分器INおよび集光装置COなどの様々な他の構成部品を備えることができる。この照明器は、放射ビームがその横断面で所望の均一性および強度を有するように調整するのに使用することができる。0045この放射ビームBは、支持構造体例えば、マスクテーブル上に保持されるパターニングデバイス例えば、マスクMA上に投射され、パターニングデバイスによってパターン化される。このパターニングデバイスMAを横断して、放射ビームBは、このビームを基板Wのターゲット部分C上に焦点を結ばせる投影システムPSを通過する。第2の位置決め装置PWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサを用いて、基板テーブルWTを正確に、例えば、異なるターゲット部分Cを放射ビームBの通路内に位置決めできるように移動させることができる。同様に、第1の位置決め装置PMおよび図1にはっきりと示されていない別の位置センサを、例えばマスクライブラリからの機械的取り出しの後で、またはスキャン中に、放射ビームBの通路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めするのに使用することができる。一般に、支持構造体MTの移動は、第1の位置決め装置PMの一部をなすロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを用いて行うことができる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2の位置決め装置PWの一部をなすロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて行うことができる。スキャナとは対象的なステッパーの場合は、支持構造体MTは、ショートストロークアクチュエータにのみ連結することができ、または固定することができる。パターニングデバイスMAおよび基板Wは,パターニングデバイスアライメントマークM1、M2および基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示の基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占有しているが、それらはターゲット部分の間の空間に配置することができるそれらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている。同様に、パターニングデバイスMA上に複数のダイが設けられている状況では、このパターニングデバイスアライメントマークは、ダイの間に配置することができる。0046図示の装置は以下の形態の少なくとも1つで使用することができる。00471.ステップ形態では、支持構造体MTおよび基板テーブルWTは基本的に静止して維持され、一方放射ビームに付与される全パターンは一時にターゲット部分C上に投影されるすなわち、単一静止露光。基板テーブルWTは次いで、異なるターゲット部分Cを露光できるように、Xおよび/またはY方向に移動される。ステップ形態では、露光フィールドの最大寸法が単一静止露光でイメージングされるターゲット部分Cの寸法を限定する。00482.スキャン形態では、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分C上に投影される間、支持構造体MTおよび基板テーブルWTは同期してスキャンされるすなわち、単一動的露光。支持構造体MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大縮小および画像反転特性によって決めることができる。スキャン形態では、露光フィールドの最大寸法が単一動的露光でのターゲット部分の非スキャニング方向の幅を限定し、一方スキャニング動作の長さがターゲット部分のスキャニング方向の高さを決める。00493.別の形態では、支持構造体MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止して維持され、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分C上に投影される間、基板テーブルWTが移動またはスキャンされる。この形態では、一般にパルス化される放射源が使用され、基板テーブルWTの各移動の後で、またはスキャン中の連続する放射パルスの中間で、プログラマブルパターニングデバイスは必要に応じてアップデートされる。この動作形態は、上記で述べた型式のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0050上記で説明した使用形態の組合せおよび/または変形形態あるいは完全に異なる使用形態も用いることができる。0051本発明は任意の型式の液体供給システムと共に使用することができるが、この設計は、図5に示すような局所領域液体供給システムと共に使用するように最適化されている。この型式の液体供給システムでは、液体はどの時点においても基板の全頂面の小さな領域にのみ供給される。簡単に例示して局所領域液体供給システムの動作を説明する。0052図5を参照すると、この局所領域液体供給システムは、投影システムの最終エレメントと基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部分に沿って延びる液体閉じ込め構造体を有する液体供給システムを備える。この液体閉じ込め構造体は、Z方向に光学軸の方向にいくらかの相対的な移動が存在する可能性はあるけれども、投影システムに対してXY平面内で実質的に静止している。一実施形態では、この液体閉じ込め構造体と基板の表面の間にシールが形成され、このシールはガスシールなどの非接触シールであることができる。0053この液体閉じ込め構造体12は、投影システムPLの最終エレメントと基板Wの間の空間11内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板表面と投影システムの最終エレメントの間の空間内に閉じ込められるように、基板に対する非接触シール16を投影システムのイメージフィールドの周りに形成することができる。この空間は、投影システムPLの最終エレメントの下に、かつそれを取り囲み配置されるこの液体閉じ込め構造体12によって少なくとも部分的に形成される。液体は、液体入口13によって投影システムの下のこの空間内に、かつ液体閉じ込め構造体12内に持ち込まれ、液体出口13によって除去することができる。この液体閉じ込め構造体12は、投影システムの最終エレメントの若干上に延びることができ、液体のバッファが供給されるように液体レベルは最終エレメントの上に上昇する。この液体閉じ込め構造体12はその上端部のところに、一実施形態では、投影システムまたはその最終エレメントの形状にぴったり合った、かつ例えば丸くすることができる内側周辺部を有する。底部のところでは、この内側周辺部は、必ずしもそうである必要はないが、イメージフィールドの形状、例えば長方形にぴったり合っている。0054この液体は、使用中液体閉じ込め構造体12の底部と基板Wの表面の間に形成されるガスシール16によって空間11内に封じ込められる。このガスシールは、液体閉じ込め構造体12と基板の間の隙間に入口15を介して加圧下供給され、かつ出口14を介して抽出される、ガス例えば空気または合成空気、一実施形態では、N2または他の不活性ガスによって形成される。ガス入口15の超過圧力、出口14の真空レベルおよび隙間の幾何学的形状は、液体を閉じ込める内向きの高速ガス流れが存在するように構成される。それらの入口/出口は、空間11を取り囲む環状溝であることができ、ガスの流れ16は液体を空間11内に封じ込めるのに効果的である。そのようなシステムは、米国特許出願公開第US2004-0207824号に開示されており、その全体を参考として本明細書で援用する。0055他の解決策も可能であり、本発明の1つまたは複数の実施形態も同様にこれらに適用可能である。例えば、ガスシール16の代わりに液体のみ抽出する単相抽出器を有することも可能である。そのような単相抽出器の半径方向外向きに、液体をこの空間内に封じ込めるのを助けるガス流れを発生させるための1つまたは複数の機構を存在させることができる。そのような型式の機構の1つは、ガスの薄いジェットが基板W上に下向きに向けられる、いわゆるガスナイフであることができる。投影システムおよび液体供給システム下での基板のスキャニング動作中、結果として下向きに基板に向かう液体上の圧力になる流体静力学的および流体動力学的力を発生させることができる。0056局所領域液体供給システムと共に、基板Wは投影システムPLおよび液体供給システムの下で移動させられ、基板Wの縁部がイメージングされるべきときまたは基板テーブル上のセンサがイメージングされるべきとき、または基板交換を行うことができるように模造基板またはいわゆるクロージングプレートを液体供給システムの下に位置決めできるように基板テーブルを移動すべきとき、基板Wの縁部は空間11の下を通過し、液体が基板Wと基板テーブルWTの間の隙間内に漏れ入る場合がある。この液体は、流体静力学的または流体動力学的圧力またはガスナイフの力または他のガス流れを作り出すデバイスの下で強制的に入れることができる。0057本発明の1つまたは複数の実施形態は以下で、基板Wの縁部の周りに排液管を設けることに関連して説明されるであろうが、1つまたは複数の実施形態は、例えば限定はしないが、基板交換中、液体供給システムの底部に取付けることによって液体供給システム内に液体を維持するのに使用されるクロージングプレート、および/または1つまたは複数のセンサを含む、基板テーブル上に配置される1つまたは複数の他の物体にも同様に適用可能である。したがって、基板Wに対する以下のどのような参照も、センサまたはクロージングプレートなどの任意の他の物体と同義語であると解釈すべきである。0058図6は本発明の一実施形態を示す。図6は、基板テーブルWTおよび基板Wを通る横断面である。排液管10が、基板Wと基板テーブルWTの間に隙間15が存在する基板Wの外側縁部の周りに設けられている。一実施形態では、この排液管10は、基板Wの周りを延びる。一実施形態では、この排液管10は、基板Wの一部の周辺周りのみ延びることができる。0059基板Wは、基板Wのイメージング中基板テーブルWT上に保持される。この基板Wは、複数の突起部22を有するチャックであるピンプルテーブル20上に位置決めされる。基板Wと突起部22の間の基板テーブルWTの表面との間の隙間内に発生する負圧が、基板Wを突起部22上にクランプする。0060基板Wの正確な寸法の許容範囲および基板Wがピンプルテーブル20上に完全に中央には配置されていない可能性に対応するために、この基板テーブルWTは、この許容範囲に対応するために、隙間/溝/通路15が基板Wと基板テーブルWTの頂部部分との間に設けられるような構造にされ、かつ構成されている。0061基板テーブルWTの頂部部分は、基板Wが基板テーブルWT上に置かれるとき、その頂部表面が基板Wの頂部表面とほぼ平行かつ同平面になるような構造にされ配置されている。これは、基板Wの縁部がイメージングされようとするとき、または基板テーブルWTが基板Wを最初に投影システムの下に持っていくように投影システムの下を通過させ、またはイメージングに続いて基板Wを投影システムの下から外へ移動させ、かつ液体供給システムが基板テーブルWTの頂部表面から基板Wの頂部表面に通過しなければならないまたはその逆のとき、隙間15内への液体の漏れが減少するまたは最小限にするのを確実にするためである。しかしながら、いくらかの液体は否応なく隙間15に入るであろう。0062一実施形態ではこの隙間15は、隙間15に入る液体を除去するために低圧源を装備する。しかしながら、この低圧源は基板Wの縁部がイメージングされていない、したがって液体内で覆われていないとき、基板Wの縁部を横切るガスの流れを作り出す可能性がある。ガスのこの流れは、有害な基板Wの局所的な冷却を引き起こす可能性がある。0063一実施形態では、この隙間15から液体を除去するためのどのような液体除去デバイスも装備しない場合もある例えば、この隙間は柔軟性のある材料で封鎖される場合がある。これは基板Wの局所的な冷却の問題を克服するけれども、残念ながらこれは、隙間が液体供給システムの下を通過するとき液体供給システムの液体内の泡の介在物に繋がる可能性があり、それによってイメージングエラーを持ち込む恐れがある。さらに、または代替として、基板損傷および/または微粒子発生の危険性が存在するので、固体のシール部材と基板Wの間の接触は避けるのが望ましい。00641つまたは複数の実施形態が、1つまたは複数のこれらの問題または他の問題を軽減することを対象としている。1つまたは複数の実施形態は、隙間15を通る液体供給システムからの液体の損失量を減少させる利点を有する。0065次に排液管10の構成について図6を参照して詳細に説明する。図6で、この隙間または通路または溝15は、2つの別個の垂直エレメントを有する。隙間のこの頂部エレメントは、基板Wと基板テーブルWTの頂部部分の間で画成される。下側エレメントである隙間15の最狭部分は、基板テーブルWTの2つの突起部40,60の間で画成される。半径方向内向きの突起部40は、その縁部が基板Wの縁部とほぼ垂直に位置合わせされるようにピンプルテーブル20から、またはピンプルテーブル20の下を半径方向外向きに延びる。しかしながら突起部40の縁部は、基板Wの半径内向きまたは半径方向外向きのいずれでもよい。外側突起部60は、基板テーブルWTの頂部部分よりさらに内側で半径方向内向きに突起するが、やはり必ずしもそうでなければならないわけではなく、それより少なく突起することができる。実際、この外側突起部60は無くすことができ、基板テーブルWTの頂部部分がこの突起部を形成するように下向きに延びることができる。その結果、隙間15の各側面は、基板テーブルWTの1つの突起部によって画成される。0066この隙間または通路または溝15は、チャンバ70を基板テーブルWT上の雰囲気との流体連通に至らせる。一実施形態では、基板テーブルWTの外側から突起部40、60の間の隙間15を貫通してチャンバ70内に線を真っ直ぐ引くことができる。一実施形態では、この線は垂直線であり、かつ/またはチャンバ70の底壁72上でチャンバ70の境界と交差する。隙間15およびチャンバ70の寸法が正しく選択される場合、この配置は、ガスナイフがチャンバ70の底部を感じないので、液体を空間内に封じ込めるのを助けるために液体供給システムに使用することができるガスナイフが隙間15の存在によって影響されないことを意味する利点を有する。この効果またはより正確には効果の欠如を存在させるためには、チャンバ70の底部72は基板テーブルWTの頂部表面から少なくとも1mm、少なくとも2mm、少なくとも3mm、少なくとも4mmまたは少なくとも5mmのところにあるべきである。0067図6の排液管では、チャンバ70内のガス圧力は、基板テーブルWTの外側のガスと同じ圧力すなわち、周囲ガス圧力に維持される。これは、通常動作では、隙間15が液体供給システムによって覆われていないとき隙間15を通るガス流れはほぼ存在せず、液体供給システムの1つまたは複数のガス流れデバイスが隙間15を貫通してガスを吹き飛ばしていることを意味する。液体供給システムが隙間15の一部分を覆っている隙間15が基板Wの周辺を取り囲み、液体供給システムが基板Wの頂部表面よりずっと小さな空間に液体を供給している場合でさえ、チャンバ70が環状または他の形状であり、基板Wの周辺周りの別の位置のところで隙間15を介して基板テーブルWT上の雰囲気に開かれ得るので、周囲圧力はチャンバ70内に依然として維持されるであろう。0068チャンバ70から液体を除去するために、チャンバ70内に負圧を作り出さない液体除去デバイスが使用される。一実施形態では、この液体除去デバイスはチャンバ70内にガス流れを実質的に作り出さない。例えばこの液体除去デバイスは、例えば、液体の除去のために毛細管通路80内の毛管作用を使用する受動的液体除去デバイスであることができる。液浸液が毛細管通路80の内側表面と90°より少ない、または80°、70°、60°、50°、40°、30°、または20°より少ない接触角を有する場合、チャンバ70の底部72にある液体の除去は大きく高められるはずである。例えば、チャンバ70内の通路80の口のところの液体の存在が検出されるときのみ通路80に負圧を与えるデバイス、またはマイクロシーブ単相抽出器例えば、欧州特許出願第EP1628163号参照などの1つまたは複数の他の液体除去デバイスも使用可能な場合がある。単相抽出器の使用の一例は、図10の実施形態に与えられている。0069別の方法では、本発明の一実施形態の一部分は、特に液体が全く存在しないとき隙間15から液体を除去するために能動的な吸引を使用しないことが分かるであろう。実際、一実施形態では、毛細管通路80は負圧源に接続される通常の通路と交換することができる。制御器がこの負圧源をチャンバ70に接続するか否かを制御する。どの時点においても計画で基板の局所的領域にのみ液体を供給する液体供給システム12が、液体供給システムの液体11が隙間内に排液されるように隙間15上に配置されるとき、この負圧源はチャンネル80を介してチャンバ70に接続される。液体供給システムが、隙間上に配置されていないすなわち隙間から遠位にあるとき、この負圧源はチャンバ70に接続されない。したがって、ほとんどの時間中チャンバ70は周囲圧力にあるが、液体がチャンバ内に滴下しているとき、またはチャンバ内に存在するとき、負圧源はチャンバに入る液体を除去するためにチャンネル80を介して与えられる。したがって、このチャンバは、基板の縁部がスキャンされており,したがって液体供給システムのリザーバが基板の縁部の上にあるとき、または液体供給システムが基板上に最初に移動するスキャニング動作の開始および終了のときのみ負圧の状態にある。勿論、いつ負圧源がチャンバ70に接続されるかのタイミングは、上記で説明したことから変更することができることは理解されよう。例えばこの負圧源は、リザーバ11が縁部上を通過した後所定の長さの時間接続されたままであることができ、または全ての液体が排液管から除去されたことを検知するときのみ切断することもできる。この負圧源への接続/切断は、基板と液体供給システムの相対的な位置によって制御することができる。0070使用時、隙間15が液体供給システムのバリア部材の縁部を横切るとき、液浸液の表面張力によって液浸液が基板Wと基板テーブルWTの間の隙間をブリッジするように、隙間15を十分小さくすることが可能である。しかしながら、使用時の流体静力学的および/または流体動力学的圧力、および/またはスキャニング移動に起因する圧力によって、液体の表面張力は、液体が隙間15に入り突起部40、60の間を通過してチャンバ70に入るのを防止するのに十分ではなくなる可能性がある。しかしながら、チャンバ70に負圧を作り出すことなく液体がチャンバ70から受動的に除去されるので、泡がそう簡単に空間内の液体中に導入されないように、隙間からチャンバ70内への液体の単相抽出が可能になる。換言すれば、液体は単に隙間15内に流れ込み、チャンバ70内に滴下する前に隙間を満たし、隙間15内のどのようなガスもチャンバ70内に強制的に入れられるか、または隙間15に沿って横向きに外に強制的に出されるかのいずれかであろう。0071負圧がチャンバ70に全く与えられないので、溝または通路または隙間15を介した液体損失の割合は、チャンバ70に負圧が与えられる場合に比較して大いに減少するはずである。0072隙間15を通る液体の流れを減少させるために、隙間を画成し互いに対面する42、62と標識を付けられた面の表面特性は特別に構成することができる。例えば、この液浸液例えば、超純水UPWが、例えば、強度のUV放射とUPW流れのリソグラフィ装置の動作条件下で、これらの面42、62の表面と45°より大きな接触角を有するすなわち、これらの面は動作条件下で弱疎水性である場合、これらの2つの表面間を延びる液体の任意のメニスカスの強度は、このメニスカス上の液体の流体静力学的および/または流体動力学的力に打ち克つのにしばしば十分高いであろう。一実施形態では、この液浸液は、隙間を画成し隙間を横切って互いに対面する表面と70°、80°または90°より大きな接触角を有する。一実施形態では、面42、62は隙間15の最狭部分を画成する。0073メニスカスの強度は、面42、62の幾何学的形状を変更することによっても増加させることができる。これらの面の形状が毛管動作を高めるように変更される場合は、液浸液がこれらの面の表面と確実に45°より大きな接触角を有することの必要性を減少させることができる。図6に点線で示すように、隙間15の下側縁部が尖った縁部として設けられる例えば、隙間の壁がチャンバの壁と90°より大きな、100°より大きなまたは110°より大きな角度で交わる場合、毛管ロックが形成される可能性がある。液体損失を減少させるための他のいくつかの解決策を図8に示す。0074ある条件でいくらかの液体は漏れる可能性があり、例えば、隙間15がバリア部材の縁部の下を通過するとき、液体は隙間15内に残されるであろう。隙間15は次いで、隙間内の液体の頂部上に吹き付け、液体をチャンバ70内に滴下させる、液体供給システムの一部であり得るガスナイフの下を通過する場合がある。実際にこの方法は、この次に隙間15が隙間に沿ったその場所で液浸液の空間11の下を通過するとき、隙間内のガスが泡としてこの空間内の液浸液中に入る危険性が減少した状態で何故ならどのようなガスも逃げることができ、隙間内の液滴によって閉じ込められていないので、液浸液が隙間15を満たすことができるようにこの隙間が完全にきれいにされることを意味するので、有益である可能性がある。液浸液内に誘起される流体静力学的圧力およびスキャニング圧力が、泡が形成され空間内に上昇するのを避けるように、隙間15を通る液体の適切な流れの方向を確実にすることができる。同様に、この液体はガスナイフによって基板および基板テーブル上に流れ戻ることなく、隙間からきれいに無くすことができる。はねかけおよび関連する欠陥もこの方法で避けることができる。0075図6に示すように、隙間15を画成する突起部40、60は、互いに対面する凸面42、62を有して示されている。したがって、この突起部40、60は、これら2つの突起部の間の中間部分または中間点で隙間15の最狭部分を画成する。他の形状も、限定はしないが図8に示す形状も含めて可能である場合がある。0076本発明の1つまたは複数の実施形態は、2つの基板テーブルWTの間の隙間が基板交換中クロージングプレートの使用なしでブリッジすることができる方法にも適用可能である。この方法では,2つの基板テーブルが接近して一緒に移動され、次いで液体供給システムが1つの基板テーブルからもう1つへ移動するように一緒に投影システムの下に移動される。この場合、図6に示す基板Wの縁部は、この第1の基板テーブルWT1が図6の左手側上に突起部40をもたらし、第2の基板テーブルWT2が図6の右手側上に突起部60をもたらすように、第1の基板テーブルWT1の縁部によって取って代わられる。一実施形態では、いくつかの種類の排液管が1つのまたはもう1つのまたは両方の基板テーブルWT1、WT2に取付けられるであろうが、チャンバ70に取って代わるこの排液管が雰囲気圧力にあるのでこれは問題を示さない。0077一実施形態ではチャンバ70の寸法は、隙間15に入るどのような液体も最初に分裂することなく基板Wを過ぎて極端に移動しないことを確実にするために、隙間15の幅の少なくとも2倍の幅にすべきものである。チャンバ70の幅に対する隙間15の幅の移行部を大きくかつ急激に構成することは、突起部40、60の間をブリッジする液体メニスカスが、液体がチャンバ70内に流れ込み、液体除去デバイス80によって除去することができる底部表面72上に滴下するように、望ましくはその場所で分裂することを確実にする。一実施形態では、このチャンバまたは溝は、隙間15より少なくとも1mm広い。0078図6に示すように、この隙間15はチャンバ70の中央上に配置される。これは必ずしもそうとは限らず、隙間15は、図6に示すように最左手側から最右手側最も内側と最も外側のチャンバ70の幅に沿って何処にでも配置することができる。0079図7は、以下に説明することを除き、図6に関して上記で説明した実施形態と同じ本発明の一実施形態を示す。この実施形態では、隙間15の最狭場所は、基板Wの縁部と基板テーブルWTの頂部部分の間の距離によって画成される。したがって、第1の実施形態の突起部40、60は存在せず、それぞれ基板Wの縁部および基板テーブルWTの頂部部分すなわち、これらがそれぞれ突起部40、60を形成するによって取って代わられる。基板テーブルWT用に使用される材料は通常、親水性または親液性であり、液浸液が基板テーブルWTの表面と90°より小さい接触角を有することを意味する。一実施形態では、基板Wの縁部は疎水性または疎液性であるすなわち、液浸液が表面と90°より大きな接触角を有するように作ることができ、隙間15のもう1つの側を画成する基板テーブルWTの縁部に対しても同じことを行うことができる。これは上記で説明したことと同様である。0080図8は、以下に説明することを除き、図7に関して上記で説明した実施形態と同じである一実施形態を示す。この実施形態は、低液体消費量用に最適化されている。図7の隙間を基板寸法許容誤差の故にもうそれ以上減少させることができないので、基板寸法の変動に対して適切な基板テーブル許容誤差を依然として可能にしながら、隙間15の幅を最小化できるように、異なる突起部形状が選択される図8a。0081図8aの実施形態では、2つの突起部のうちの少なくとも1つの凸表面が凹表面に取って変わられている。この凹表面はチャンバ70に最も近い隙間の、もう1つの側に最も近い。このようにすると、基板W自体の縁部の曲率の故に、基板Wは突起部により接近することができ、それによって隙間を狭くすることができる。それによって、基板Wと基板テーブルWTの間の隙間をブリッジするために、より短いメニスカスが必要になる。より短いメニスカスは長いメニスカスより強い。0082図8bの実施形態では、チャンバ70が横断面で四辺形形状として形成される。隙間15の両側のこのチャンバの表面も、水平面に対してほぼ45°の角度で下向きに傾斜がついている。これは、隙間15に入るどのような液体もチャンバ70の壁の側面を流れ下ることによって隙間から移動して離れることを助ける。この側面の正確な角度は重要ではないが、水平から15°と90°の間の任意の角度が特に適している。実際、このチャンバの側面は、チャンバ70の横断面が、横断面で頂部および底部が水平で側面が垂直である正方形であるように、垂直表面によって形成することもできる。これは、ステージ加速度と比較して重力は実際の液体移動に対して2次的な重要度のものでしかないからである。さらに壁67の表面は、液浸液がチャンバ70の壁67と90°または100°より大きな接触角を有するように、疎液性にすることができる。毛管力が、抽出ホールを有する底部コーナー内に流体を好ましく駆動するための主たる原因になる。したがって、水が駆動されるのが望ましいコーナーは親液性である表面を有して作ることができるが、一方もう1つの領域は疎液性とすることができる。水平である頂部および底部壁を有する正方形の横断面チャンバの場合は、この頂部壁および半径方向外向きの側壁は疎液性にすることができる。この隙間15は、約0.6mm幅に作ることができ、これによって、基板Wの直径の許容誤差を受け入れることができるように、基板Wと基板テーブルの頂部表面の間の隙間が約0.15と0.55mmの間で変化することが可能になる。0083チャンバ70の底部72は隙間15の下ほぼ5mmのところにある。チャンバ70の下側側壁は、隙間15と底部72の間の約中間で最大距離間隔から収束するように、隙間15の下部の位置に向かって内向きに傾斜する。チャンバ70の底部72に、複数の別個のホールおよび/またはスリットが設けられている。これらのホールは、排液管の全周の周りに互いから等間隔に配置するのが好ましい。適切な数は約100であり、各々が約0.3mmの直径を有する。これらのホールは、その内側表面がやはり疎液性であり、壁67に対し同様な接触角を有する第2のチャンバ800に貫通している。これらのホールはチャンバ70の半径方向最内側のコーナーにあることが好ましいが、製造の観点からは実際的な位置ではない可能性がある。第2のチャンバ800は、液体のより迅速な除去に繋がる可能性のある、疎液性であることが好ましい。0084負圧がこの第2のチャンバ800に与えられる。これは、ホール81を貫通し、かつ隙間15を貫通するガス流れに繋がるであろう。しかしながら、必要とされるガス/液体抽出流れは低く維持される。隙間15のガス流れに対する抵抗は、それが隙間15の上に配置された、または上を移動する液体供給システムからの液体によって局所的に遮られているときでさえ無視可能である。したがって、第1のチャンバ70は、実際的なレベルで、隙間15を介して周囲に直接接続されている。したがって、混合したガス/液体の流れがホール81を介して抽出されるときでさえ、チャンバ70内に全く負圧は存在しないであろう。0085したがって、隙間15を貫通するガスの低い流れおよびホール81を貫通するガスの高い流れが存在するであろう。ホール81を貫通するガスの高い流れは、実質的な冷却には繋がらない。したがって、液体供給システムが隙間15の上に配置されるとき、チャンバ70は周囲圧力なので実質的にどのような量の水または液体もチャンバ70内に引き込まれないであろう。疎液性表面がチャンバ内に流れ込む低い水の流れを実現させるのを助ける。ホール81によって抽出されるべき液体の量がしたがって少ないので、かつやはりこの液体も毛細管動作によって抽出場所に向かって能動的に輸送されるので、この抽出流れは小さくすることができる。0086図8c~8fは、液体閉じ込め構造体12のガスナイフのガス用の通路を不必要に妨げることなくこの隙間を狭くするためにとることができる他の方策、すなわち、ガスナイフがチャンバ70の底部を感じることがないことを意味する排液管の底なしの特徴を示す。これらの実施形態では、チャンバ内への隙間の開口部を2つまたはそれ以上の隙間に分割するために、少なくとも1つの分割器がチャンバ70内の隙間15の下に配置される。0087図8cに示す実施形態ではバー200が、一実施形態ではバー200が環または他の周辺形状になるように隙間15の全長に沿って、隙間15の下に配置される。このバー200は図8cに示すように、バーと基板Wまたは基板Wのすぐ下の基板テーブルWTとの間に1つ、バー200とバー200の右手側面の基板テーブルWTとの間に1つの、2つのより短いメニスカスが存在するように、隙間15を2つの部分に分割する。しかしながら、ガスナイフからのガスはバー200のいずれの側も容易に通過しチャンバ70内に入り得るので、排液管の底なし特性は妨げられない。0088図8dの実施形態は、このバー200が一連の羽根210に置き換えられていることを除き図8cの実施形態のものと同様である。これらの羽根またはフィン210は、それらが互いの間に隙間15からチャンバ70内への複数の隙間または通路を形成するように配置される。したがってこのフィン210は、一実施形態では、いくつかの環または他の周辺形状を形成するように隙間15の底部全てに沿って延びる長さを有する、横断面で細長い構造であることが分かるであろう。4枚のフィン210が図示されている。しかしながら、技術者は任意の数を設けることができるのを理解するであろう。このフィンは隙間15の幅を、液体メニスカスがそれを横切ってブリッジすることが必要ないくつかのより小さな隙間に分割する。0089図8eの実施形態は、隙間15の左手側の基板テーブルWTと隙間15の右手側の基板テーブルWTの間の隙間にブリッジするように、隙間15の下に網目220が配置される別の着想を示す。やはり一実施形態では、それは隙間15の全ての周りを延びる。この格子または金網または網目220は、それを横切ってメニスカスがブリッジしなければならない多数のギャップを液体に与え、それによって液体が通過しなければならない多数の狭い隙間を提供する。しかしながら、そのような格子または金網または網目でさえも、それを貫通するガスの流れに対し大きな抵抗を示さないであろう。0090図8fは、隙間が2つに分割される別の実施形態を示す。この場合、単一のプレート230が隙間の中央に配置され、それによって隙間を2つに分割し、液体がブリッジしなければならない幅を減少させる。図8fの実施形態では、複数のフィンを有する図8dに示す実施形態と対照的に厚さが与えられた単一のプレートのみが設けられている。図8fの実施形態では、プレート230は、垂直であるとして示されている。しかしながら、このプレート230は、必ずしも垂直である必要はなく、図8dの実施形態でのフィン210のいくつかと同じように角度をつけることもできる。0091上記で説明した実施形態では、様々な表面が疎液性であり、他の表面は親液性であるとして説明されている。実際は、両方の表面が疎液性であり、または両方の表面が親液性であることができる。液体との異なる接触角を有する表面特性がこの効果を達成するものである。すなわち、液体は最も低い接触角を有する表面上および最も狭い場所のところ、すなわち、最低の表面エネルギおよび最小の自由液体表面を有する場所に集まるであろう。したがって、上記で親液性であると説明される領域は、疎液性であるとして説明してきた領域と異なる接触角を液体が有する表面である限り疎液性であることもできる。この逆も真実であるすなわち、疎液性であると説明される領域は、親液性であるとして説明した領域より大きな接触角をそれらが有する限り実際は親液性であることができる。0092例えば、1つの表面が30°の接触を有する場合があり、別の表面が80°の接触を有する場合がある。その例では、上側側壁は80°の接触角を有し、下側側壁は30°の接触角を有するであろう。0093図9a~bは、以下に説明することを除き、図6に関して上記で説明した実施形態と同じである実施形態を示す。この実施形態では、隙間15のチャンバ70への入口をシールするためにフラップ100が設けられている。図9aでは、この隙間15は、基板Wの縁部からチャンバ70内に入る蛇行性の通路であるとして示されている。しかしながら図6、7または8に示すような隙間15もこの本実施形態に使用することができる。0094柔軟性のあるフラップであるこのフラップ100は、隙間15の全周に沿って延びる。このフラップ100は、その最内側または最外側縁部のいずれかのところで基板テーブルに取付けられる。この実施形態では、圧力が周囲圧力より低い負圧でチャンバ70が保持されるように、能動的液体除去デバイスが設けられる。液体供給デバイスが隙間15に沿ったその場所に配置されていないとき、基板Wの縁部の表面を横切るガスの流れを回避するために、このフラップが隙間15のチャンバ70内への入口を覆うように付勢される。液体が隙間15に入り、かつ隙間15に沿ってフラップ100上に押し付けられるとき、フラップの材料特性およびフラップ100の寸法は、フラップの頂部上の液体の重量および/または流体動力学的圧力が、液体が能動的液体除去デバイスによって吸って取り除かれるチャンバ70内に液体が流れ込むことができるように、図9bに示すように基板テーブルに取付けられていない縁部のところでフラップを下向きに押し下げるように選択される。明らかに全ての液体が除去された後フラップ100は、その方向に付勢されていることに起因して、チャンバ70内への通路15を遮断している位置に移動して戻るであろう。0095図9bに示すように、このフラップが隙間をシールすることから離れて移動した後、その重量および/または流体動力学的圧力がフラップ100を強制的に開かせた液体は、チャンバ70内の負圧に曝され、チャンバ70内に吸い込まれ、能動的液体除去デバイス180によってチャンバ70から除去される。0096したがってこの実施形態では、基板の縁部を越えるガスの流れを防止することができる。0097図10は、液体除去デバイスが単相抽出器801の形態であり、排液管加熱器300が設けられていることを除き、図8bに関して説明した実施形態と同じ別の実施形態を示す。この排液管加熱器300は、起こり得る隙間15を貫通するどのような空気の流れも補償するために使用することができ、かつ/または蒸発に起因する熱損失を補償することができる。単層抽出器801は、チャンバ70の底部に配置される。この単層抽出器は、複数のスルーホール805を備える。これらのスルーホールは、金網の形態で設けることができる。このスルーホールは、液体のメニスカスが個々のスルーホール805を横切る隙間をブリッジすることができるような寸法のものである。複数のスルーホール805は、排液管のチャンバ70と負圧が与えられる別のチャンバ810の間に配置される。第2のチャンバ810は液体で満たされ、使用時液体で充満されたままである。0098この小さなホールは、5から50μmの範囲の直径を有し、ホールの表面はやや親液性、すなわち液浸液に対して90°より小さな接触角を有することが好ましい。この型式の液体抽出器は、欧州特許第EP1028163号に開示されており、その文献を単相抽出器810の特徴を示すために参照する。0099この単相抽出器は、単相抽出器801から基板テーブルWTへの振動の伝達を減少させるために、順応性のある取付具825を介して基板テーブルWTに結合される。0100このテキストでリソグラフィ装置のICの製造での使用に対して特に参照しているが、本明細書で説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド、等の製造などの他の用途を有することができることを理解されたい。技術者は、そのような代替の用途の文脈で、本明細書での術語ウェーハまたはダイのどのような使用も、より一般的な術語基板またはターゲット部分とそれぞれ同義語と見なすことができることを理解するであろう。本明細書に示す基板は、露光の前または後で例えば、トラック基板にレジストの層を通常塗布し、露光されたレジストを現像するツール、測定ツールおよび/またはインスペクションツールで処理することができる。適用可能な場合、本明細書での開示はそのようなおよび/または他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、この基板は、例えば多層ICを作り出すために一回以上処理することができ、したがって、本明細書で使用される術語基板は、複数回処理された層を既に含む基板も意味することができる。0101本発明の実施形態の使用について上記で、特定の参照が光学的リソグラフィの文脈で行われてきた場合があるが、本発明は、他の用途、例えばインプリントリソグラフィに使用することができ、文脈が許す場合は、光学的リソグラフィに限定されないことを理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが基板上に作られるパターンを画成する。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に供給されたレジスト層に押し込み、その後このレジストは電磁気的放射、熱、圧力またはそれらの組合せによって硬化させることができる。このパターニングデバイスは、レジストが硬化した後それにパターンを残してレジストから外に移動させられる。0102本明細書で使用される術語放射およびビームは、例えば、約365、248、193、157または126nmの波長を有する紫外UV放射および例えば、5~20nmの範囲の波長を有する極端紫外EUV放射、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含む、全ての種類の電磁気放射を包含する。0103術語レンズは、文脈が許す場合は、屈折式、反射式、磁気式、電磁気式および静電式光学構成部品を含む、様々な型式の光学構成部品の任意の1つまたは組合せを意味することができる。0104本発明の特定の実施形態を上記で説明してきたが、本発明は説明したもの以外で実施できることは理解されるであろう。例えば、本発明は、上記で開示された方法を記載する機械読取可能な命令の1つまたは複数の順序を含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムがその中に記憶されたデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気または光学ディスクの形態をとることができる。0105本発明の1つまたは複数の実施形態は特に、しかしそれに限られず、液浸液が浴の形態で供給されるか基板の局所的な表面領域にのみ供給されるかに関わらず、上記で述べたこれらの種類の任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができる。本明細書で企図されるような液体供給システムは、広く解釈すべきである。ある実施形態では、それは投影システムと基板および/または基板テーブルの間の空間に液体を供給する機構または構造体の組合せであることができる。それは、液体をこの空間に供給する1つまたは複数の構造体、1つまたは複数の液体入口、1つまたは複数のガス入口、1つまたは複数のガス出口、および/または1つまたは複数の液体出口の組合せを備えることができる。一実施形態では、この空間の表面は、基板および/または基板テーブルの一部分であることができ、またはこの空間の表面は完全に基板および/または基板テーブルの表面を覆うことができ、またはこの空間は基板および/または基板テーブルを囲むことができる。この液体供給システムは任意選択でさらに、液体の位置、量、質、形状、流量または任意の他の特性を制御するために、1つまたは複数のエレメントを含むことができる。0106この装置に使用される液浸液は、使用される露光放射の所望の特性および/または波長に従って、異なる成分を有することができる。193nmの露光波長に対して、超純水または水ベースの成分を使用することができ、この理由で液浸液は時には水と呼ばれ、かつ親水性、疎水性、湿度、等などの水に関連する術語が使用される場合がある。0107上記の説明は例示的であることを意図しており、限定する意図ではない。したがって、この分野の技術者には、添付の特許請求の範囲に述べた範囲から逸脱することなく記載された発明に対し改変を行うことができることは明らかであろう。"