"熱転写素子であって、基板と、受容体に転写される場合に、多層デバイスの第1動作層と第2動作層とを形成するように構成され配置されており、該第1動作層が荷電担体を伝導するかまたは生成するように構成され配置される多成分転写ユニットと、を具備する熱転写素子。前記多成分転写ユニットが、前記多層デバイスの少なくとも1つの追加層を形成するように構成され配置される請求項1記載の熱転写素子。前記多成分転写ユニットが、前記第1動作層と前記第2動作層との間に前記多層デバイスの少なくとも1つの追加層を形成するように構成され配置される請求項1記載の熱転写素子。前記基板と前記多成分転写ユニットとの間に配置された光-熱変換層を更に具備する請求項1記載の熱転写素子。前記光-熱変換層と前記多成分転写ユニットとの間に配置された中間層を更に具備する請求項4記載の熱転写素子。前記多成分転写ユニットが、多層電子デバイスの少なくとも2つの動作層を形成するように構成され配置される請求項1記載の熱転写素子。前記第1動作層が、導電、半導電または超伝導層である請求項1記載の熱転写素子。前記第2動作層が、荷電担体を伝導または生成するように構成され配置される請求項1記載の熱転写素子。前記多成分転写ユニットの前記受容体に対する接着を容易にする接着層を更に具備する請求項1記載の熱転写素子。前記接着層が導電性ポリマを含む請求項9記載の熱転写素子。前記多成分転写ユニットの前記基板からの剥離を容易にする剥離層を更に具備する請求項1記載の熱転写素子。前記剥離層の少なくとも一部が、前記多成分転写ユニットと共に転写されるように構成され配置される請求項11記載の熱転写素子。前記剥離層が、前記多成分転写ユニットが前記受容体に転写される時に前記基板上に実質的にそのまま残るよう構成され配置される請求項11記載の熱転写素子。前記多成分転写ユニットが、前記多成分デバイスの前記第1動作層を形成するように構成され配置される第1層と、前記多成分デバイスの前記第2動作層を形成するよう構成され配置される第2層と、を備える請求項1記載の熱転写素子。前記多成分転写ユニットが、受容体への転写時に、エミッタ層と、電極層と、を形成するように構成され配置される請求項1記載の熱転写素子。前記多成分転写ユニットが、受容体への転写時に、半導体層と、ゲート絶縁層と、を形成するように構成され配置される請求項1記載の熱転写素子。熱転写素子であって、基板と、受容体に転写される場合に、多層デバイスの第1動作層と第2動作層とを形成するよう構成され配置されており、該第1動作層が光を生成しまたは導波させるように構成され配置される多成分転写ユニットと、を具備する熱転写素子。前記多成分転写ユニットが、前記多層デバイスの少なくとも1つの追加層を形成するよう構成され配置される請求項17記載の熱転写素子。前記多成分転写ユニットが、前記第1動作層と前記第2動作層との間に前記多層デバイスの少なくとも1つの追加層を形成するよう構成され配置される請求項17記載の熱転写素子。前記基板と前記多成分転写ユニットとの間に配置された光-熱変換層を更に具備する請求項17記載の熱転写素子。前記多成分転写ユニットが、受容体への転写時に、エミッタ層と、電極層と、を形成するように構成され配置される請求項17記載の熱転写素子。前記多成分転写ユニットが、受容体への転写時に、コア層と、クラッド層と、を形成するように構成され配置される請求項17記載の熱転写素子。受容体上に有機エレクトロルミネッセントデバイスを形成する熱転写素子であって、基板と、光エネルギを熱エネルギに変換する輻射線吸収体を含む光-熱変換層と、該有機エレクトロルミネッセントデバイスの少なくとも2つの動作層を備えた転写層と、を具備する熱転写素子。前記少なくとも2つの動作層が、第1電極層とエミッタ層とを備える請求項23記載の熱転写素子。前記転写層が、第2電極層を更に備え、前記エミッタ層が、前記第1電極層と該第2電極層との間に配置される請求項24記載の熱転写素子。受容体に多成分転写ユニットを転写することによりデバイスを形成する方法であって、基板と多成分転写ユニットを含む転写層とを有する熱転写素子に受容体を接触させることと、該熱転写素子を選択的に加熱することにより、多層デバイスの少なくとも第1動作層と第2動作層とを形成するようにパターンに従って該多成分転写ユニットを該受容体に転写することと、を含む方法。前記受容体を接触させることが、基板、輻射線吸収体を備えた光-熱変換層、および多成分転写ユニットを含む前記転写層を、その順序で有する熱転写素子に、該受容体を接触させることを含む請求項26記載の方法。前記熱転写素子を選択的に加熱することが、パターンに従って発光源により該熱転写素子を照明することと、前記輻射線吸収体を使用して該発光源からの光エネルギを熱エネルギに変換し、該熱転写素子を選択的に加熱することにより、デバイスの少なくとも第1動作層と第2動作層とを形成するようにパターンに従って該多成分転写ユニットを該受容体に転写することと、を含む請求項27記載の方法。前記多成分転写ユニットの前記受容体への転写前に、該受容体上に前記デバイスの一部を形成することを更に含む請求項26記載の方法。前記受容体上に前記デバイスの一部を形成することが、該デバイスの少なくとも1つの動作層を有する第2熱転写素子を使用して、該デバイスの該一部を転写することを含む請求項30記載の方法。前記多成分転写ユニットを前記受容体上に転写させることによって形成される前記デバイスの一部の上に、少なくとも1つの追加動作層を転写することを更に含む請求項26記載の方法。他のデバイスに前記多層デバイスを結合することにより動作システムを形成することを更に含む請求項26記載の方法。受容体基板上に配置されるデバイスであって、多成分転写ユニットと基板とを備えた熱転写素子から該多成分転写ユニットを転写することによって形成される第1動作層と第2動作層とを具備するデバイス。いくつかの適用例では、従来からのフォトリソグラフィックパターニングを使用してデバイスを製造することが困難であるかまたは実際的でない場合がある。例えば、デバイスの実際の製造には、パターニングステップの数が多すぎる場合がある。更に、従来からのフォトリソグラフィックパターニングにおける湿式処理ステップは、先に堆積された層の完全性、界面特性および/または電気的または光学的特性に悪影響を及ぼす場合がある。従来からのフォトリソグラフィックパターニングの限界により、多くの可能性のある有利なデバイス構造、設計、レイアウトおよび材料が実際的でないと考えられる。処理ステップ、特に湿式処理ステップの数を低減してこれらデバイスを形成する新たな方法が必要とされている。少なくともいくつかの例では、これによって、より信頼性および複雑性のあるデバイスの構成が可能となる。概して、本発明は、熱転写素子と、光および電子デバイスを含むデバイスを形成するために熱転写素子を使用する方法と、に関する。一実施形態は、基板と、受容体に転写される場合に、多層デバイスの第1動作層と第2動作層とを形成するように構成され配置される多成分転写ユニットと、を含む熱転写素子である。第1動作層は、荷電担体を伝導しまたは生成するか、あるいは光を生成しまたは導波させるように構成され配置される。他の実施形態は、熱転写素子を使用して形成されるデバイスである。少なくともいくつかの例では、熱転写素子は、光エネルギを熱エネルギに変換することにより多成分転写ユニットを転写する光-熱変換LTHC層も含む。第1動作層および第2動作層という語は、デバイスにおけるかまたは熱転写素子における層のいかなる順序も、2つの層の互いに対する近接も意味するものではないすなわち、第1動作層と第2動作層との間に1つまたは複数の層があってもよい。他の実施形態は、基板と、基板上に堆積される多成分転写ユニットと、を含む熱転写素子である。多成分転写ユニットは、受容体への転写時に、電子コンポーネントまたは光デバイスの第1動作層と第2動作層とを形成するよう構成され配置される。少なくともいくつかの例では、この熱転写素子はLTHC層を有してもよい。更なる実施形態は、有機エレクトロルミネッセントOELデバイスを形成する熱転写素子である。この熱転写素子は、基板と、受容体への転写時に、例えばエミッタ層等、OELデバイスの少なくとも2つの動作層と、OELデバイスの少なくとも1つの電極と、を形成するよう構成され配置される多成分転写ユニットと、を含む。更に他の実施形態は、電界効果トランジスタを形成する熱転写素子である。この熱転写素子は、基板と、受容体への転写時に、ゲート絶縁層および半導体層等、電界効果トランジスタの少なくとも2つの動作層を形成するよう構成され配置される多成分転写ユニットと、を含む。他の実施形態は、熱転写素子を使用して形成される電界効果トランジスタである。他の実施形態は、導波管を形成するための熱転写素子である。この熱転写素子は、基板と、受容体への転写時に、少なくとも1つのクラッド層およびコア層等、導波管の少なくとも2つの動作層を形成するよう構成され配置される多成分転写ユニットと、を含む。他の実施形態は、熱転写素子を使用して形成される導波管である。更なる実施形態は、基板と転写層とを有する熱転写素子に受容体を接触させることを含む、受容体に多成分転写ユニットを転写することによりデバイスを形成する方法である。熱転写素子が選択的に加熱されることにより、デバイスの少なくとも第1動作層と第2動作層とを形成するパターンに従って多成分転写ユニットが受容体に転写される。少なくともいくつかの例では、熱転写素子は、基板と転写層との間にLTHC層を含む。熱転写素子は、パターンに従って光によって照明され、光エネルギがLTHC層によって熱エネルギに変換されることにより、熱転写素子が選択的に加熱される。熱転写素子は、単層を転写するよう構成され配置された転写ユニットで形成することも可能である、ということが理解されよう。また、多成分転写ユニットかまたは単層を転写することにより、デバイス以外の物品が形成されてよい、ということも理解されよう。本発明の上記要約は、本発明の各開示された実施形態またはあらゆる実現を説明することが意図されていない。図面および以下の詳細な説明が、さらに詳細にこれら実施形態を例証する。本発明は、デバイスまたは他の物体を形成するために熱転写および熱転写素子を使用する、デバイスおよび他の物体の形成または部分的形成に適用可能である。特定の例として、熱転写素子は、例えば多層電子および光デバイスといった多層能動および受動素子等の多層デバイスを、少なくとも部分的に作成するために、熱転写素子を形成することができる。これは、例えば、熱転写素子の多成分転写ユニットの熱転写により達成することができる。また、デバイスおよび他の物体を形成するために単層および他の多層転写も使用することができる、ということは認められよう。本発明はそのように限定されないが、本発明の種々の態様は、後述する実施例の論考を通して認識されよう。デバイスという語は、それだけでおよび/または他のコンポーネントと共に使用して電子回路等のより大きいシステムを形成することができる、電子または光コンポーネントを含む。能動デバイスという語は、増幅、発振または信号制御等の動的機能が可能な電子または光コンポーネントを含み、動作のために電源が必要な場合がある。受動デバイスという語は、基本的に動作時に静的なすなわち、通常増幅および発振が不可能である電子または光コンポーネントを含み、特徴的動作のために電源が不要な場合がある。活性層という語は、電荷担体例えば、電子または正孔を生成または伝導しおよび/または多層受動または能動デバイス等のデバイスにおいて光を生成または導波する層を含む。活性層の例には、デバイスにおいて、導電、半導電、超伝導、導波、周波数逓倍、光生成例えば、ルミネッセンス、発光、蛍光または燐光、電子生成、または正孔生成層として作用する層、および/またはデバイスに光または電子利得をもたらす層が含まれる。動作層という語は、多層能動または受動デバイス等のデバイスの動作に利用される層を含む。動作層の例には、デバイスにおいて、絶縁、導電、半導電、超伝導、導波、周波数数逓倍、光生成例えば、ルミネッセンス、発光、蛍光または燐光、電子生成、正孔生成、磁気、光吸収、反射、回折、位相遅延、散乱、分散、屈折、偏向、または拡散層として作用する層、および/またはデバイスに光または電子利得をもたらす層が含まれる。非動作層という語は、デバイスの動作の機能を実行しないが、単に、例えば転写層の受容体基板への転写を容易にするため、デバイスの層を損傷から保護しおよび/または外部素子と接触するため、および/または受容体基板に転写層を接着させるために提供される。能動または受動素子は、少なくとも部分的に、熱転写素子からの転写層の転写によって形成することができる。熱転写素子は、熱転写素子の選択された部分に指向性の熱を加えることによって加熱することができる。熱は、加熱素子例えば、抵抗加熱素子を使用し、輻射線例えば、光のビームを熱に変換し、および/または熱を生成するように電流を熱転写素子の層に印加することにより、生成することができる。多くの例では、例えばランプまたはレーザからの光を使用する熱転写は、しばしば達成することができる正確さおよび精度により、有利である。転写パターンのサイズおよび形状例えば、線、円、正方形、または他の形状は、例えば光ビームのサイズ、光ビームの露光パターン、熱転写素子と接触する指向性ビームの持続時間、および熱転写素子の材料を選択することにより、制御することができる。熱転写素子には、例えば電子回路、抵抗器、キャパシタ、ダイオード、整流器、エレクトロルミネッセントランプ、メモリ素子、電界効果トランジスタ、バイポーラトランジスタ、単接合トランジスタ、MOSトランジスタ、金属-絶縁体-半導体トランジスタ、電荷結合素子、絶縁体-金属-絶縁体積層体、有機導体-金属―有機導体積層体、集積回路、光検出器、レーザ、レンズ、導波管、回折格子、ホログラフィック素子、フィルタ例えば、アド-ドロップフィルタ、利得平坦化フィルタ、カットオフフィルタ等、ミラー、スプリッタ、カプラ、コンバイナ、変調器、センサ例えば、エバネセントセンサ、位相変調センサ、干渉センサ等、光共振器、圧電デバイス、強誘電体デバイス、薄膜電池、またはそれらの組合せ、例えば、光ディスプレイ用の能動マトリクスアレイとしての電界効果トランジスタと有機エレクトロルミネッセントランプとの組合せが含まれてよい。多成分転写ユニットおよび/または単層を転写することにより、他の物品が形成されてもよい。デバイスを形成する層の熱転写は、例えば、多くの電子および光デバイスを形成するために使用されるフォトリソグラフィックパターニング等の処理の湿式処理ステップを低減または除去するために有用である。更に、光を使用する熱転写によって、しばしば、例えば集積回路のトランジスタおよび他のコンポーネントと、エレクトロルミネッセントランプおよび制御回路等のディスプレイに使用されるコンポーネントと、を含む、小型の光および電子デバイス等、非常に小型のデバイスに対し、より優れた正確さおよび品質の制御が提供され得る。更に、光を使用する熱転写は、少なくともいくつかの例では、デバイスサイズに比較して大きい領域に渡って複数のデバイスを形成する場合に、より優れた位置決めを提供する。例として、多くの画素を有するディスプレイのコンポーネントを、この方法を使用して形成することができる。いくつかの例では、デバイスまたは他の物体を形成するために、複数の熱転写素子が使用されてよい。複数の熱転写素子には、多成分転写ユニットを備えた熱転写素子と、単層を転写する熱転写素子と、が含まれてよい。例えば、デバイスまたは他の物体は、多成分転写ユニットを備えた1つまたは複数の熱転写素子と、単層を転写する1つまたは複数の熱転写素子と、を使用して形成されてよい。適当な熱転写素子100の一例を、図1Aに示す。熱転写素子100は、ドナー基板102、任意のプライマ層104、光-熱変換LTHC層106、任意の中間層108、任意の剥離層112および転写層110を含む。あるパターンに従って熱転写素子100に照明するために、レーザまたはランプ等の発光源からの指向性の光を使用することができる。LTHC層106は、光エネルギを熱エネルギに変換する輻射線吸収体を含む。光エネルギを熱エネルギに変換する結果、転写層110の一部が受容体図示せずに転写される。熱転写素子120の他の例は、図1Bに示すように、ドナー基板122、LTHC層124、中間層126および転写層128を含む。他の適当な熱転写素子140は、図1Cに示すように、ドナー基板142、LTHC層144および転写層146を含む。更に他の熱転写素子160の例は、図1Dに示すように、ドナー基板162および転写層164を含み、任意の輻射線吸収体がドナー基板162および/または転写層164に配置されることにより、光エネルギを熱エネルギに変換する。代替的に、熱転写素子に接触することにより選択的に熱転写素子を加熱しあるパターンに従って転写層を転写する、抵抗加熱素子等の加熱素子を使用することにより、転写層164の熱転写に輻射線吸収体を備えていない熱転写素子160が使用されてよい。輻射線吸収体を備えていない熱転写素子160は、任意に、剥離層、中間層および/または本技術分野で使用される他の層例えば、抵抗加熱素子の焼付を予防するコーティングを含んでよい。輻射線例えば、光を使用する熱転写に対し、本発明では種々の輻射線放出源を使用することができる。アナログ技術例えば、マスクによる露光に対し、高出力光源例えば、キセノンフラッシュランプおよびレーザが有用である。デジタル画像形成技術では、赤外、可視および紫外レーザが特に有用である。適当なレーザには、例えば、高出力100mW以上シングルモードレーザダイオード、ファイバ結合レーザダイオードおよびダイオードポンプ固体レーザ例えば、Nd:YAGおよびNd:YLFが含まれる。レーザ露光ドウェル時間は、例えば約0.1~100マイクロ秒の範囲とすることができ、レーザフルエンスは、例えば約0.01~約1J/cm2の範囲とすることができる。大きい基板領域に亙って高スポット配置精度が要求される場合例えば、高情報量のフルカラーディスプレイアプリケーション、輻射線源としてレーザが特に有用である。レーザ源は、1m×1m×1.1mmがラス等の大型の剛性基板と100μmポリイミドシート等の連続的またはシート状のフィルム基板との両方に対して、互換性がある。LTHC層および輻射線吸収体が無く、例えば簡略化されたドナーフィルム構造を備えた抵抗熱印字ヘッドまたはアレイが使用されてよい。これは、サイズがより小型の基板例えば、いずれかの寸法もおよそ30cm未満と共に使用する場合、または英数字セグメントディスプレイに必要なもの等、より大型のパターンに対して使用する場合に、特に有用であり得る。ドナー基板および任意のプライマ層ドナー基板は、ポリマフィルムであってよい。1つの適当なタイプのポリマフィルムは、ポリエステルフィルム、例えばポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートフィルムである。しかしながら、特定の波長での光の高透過と特定の用途に対する十分な機械的および熱的安定性とを含む、十分な光学特性光が加熱および転写に使用される場合を備えた他のフィルムを使用することも可能である。少なくともいくつかの例では、ドナー基板は、一様なコーティングを形成することができるように平坦である。また、ドナー基板は、一般に、LTHC層の加熱にも関わらず安定を維持する材料から選択される。ドナー基板の一般的な厚さは、0.025~0.15mm、好ましくは0.05~0.1mmの範囲であるが、より厚いかまたは薄いドナー基板が使用されてもよい。一般に、ドナー基板およびLTHC層を形成するために使用される材料は、LTHC層とドナー基板との間の接着を向上させるように選択される。後続する層のコーティング中の一様性を向上させ、またLTHC層とドナー基板との間の層間接合強度を向上させるために、任意のプライマ層を使用することができる。プライマ層を有する適当な基板の一例は、TeijinLtd.から入手可能である製品番号HPE100、日本国、大阪。光-熱変換LTHC層輻射線誘導熱転写では、一般に、発光源から輻射される光のエネルギを熱転写素子内に結合するために、熱転写素子内に光-熱変換LTHC層が組込まれる。LTHC層は、好ましくは、入射輻射線例えば、レーザ光を吸収し入射輻射線の少なくとも一部を熱に変換することにより、熱転写素子からの転写層の受容体への転写を可能にする、輻射線吸収体を含む。いくつかの実施形態では、別個のLTHC層は無く、代りに、ドナー基板または転写層等、熱転写素子の他の層に輻射線吸収体が配置される。他の実施形態では、熱転写素子は、LTHC層を含み、また例えばドナー基板または転写層等、熱転写素子の1つまたは複数の他の層に配置される追加の輻射線吸収体も含む。更に他の実施形態では、熱転写素子は、LTHC層も輻射線吸収体も含まず、転写層は、熱転写素子に接触する加熱素子を使用して転写される。一般に、LTHC層または他の層の輻射線吸収体は、電磁スペクトルの赤外、可視および/または紫外領域の光を吸収する。輻射線吸収体は、一般に、0.2~3好ましくは0.5~2の範囲の画像形成輻射線の波長における光密度を提供し、選択された画像形成輻射線に対し吸収性が高い。適当な輻射線吸収材料には、例えば、染料可視染料、紫外染料、赤外染料、蛍光染料および輻射線偏向染料、顔料、金属、金属化合物、金属フィルムおよび他の適当な吸収材料が含まれてよい。適当な輻射線吸収体の例には、カーボンブラック、金属酸化物および金属硫化物が含まれてよい。適当なLTHC層の一例には、カーボンブラック等の顔料、および有機ポリマ等のバインダが含まれてよい。他の適当なLTHC層には、薄膜、例えばブラックアルミニウムすなわち、黒の視覚的外観を有する部分的に酸化されたアルミニウムとして形成される金属または金属/金属酸化物が含まれてよい。金属および金属化合物フィルムは、例えばスパッタリングおよび蒸着等の技術によって形成されてよい。粒子コーティングは、バインダおよびあらゆる適当な乾式または湿式コーティング技術を使用して形成されてよい。LTHC層の輻射線吸収体として使用するために適当な染料は、バインダ材料に溶解されたか、またはバインダ材料に少なくとも部分的に分散された、粒子形態で提供されてよい。分散粒子輻射線吸収体が使用される場合、粒子サイズは、少なくともいくつかの例では約10μm以下とすることができ、約1μm以下であってよい。適当な染料には、スペクトルのIR領域で吸収する染料が含まれる。かかる染料の例は、Matsuoka,MによるInfaredAbsorbingMaterials、PlenumPress、NewYork、1990、Matsuoka,MによるAbsorptionSpectraofDyesforDiodeLasers、BunshinPublishingCo.、東京、1990、米国特許第4,722,583号、同4,833,124号、同4,912,083号、同4,942,141号、同4,948,776号、同4,948,778号、同4,950,639号、同4,940,640号、同4,952,552号、同5,023,229号、同5,024,990号、同5,156,938号、同5,286,604号、同5,340,699号、同5,351,617号、同5,360,694号および同5,401,607号、欧州特許第321,923号および同568,993号およびBeilo,K.A.等によるJ.Chem.Soc.,Chem.Commun、1993、452~4541993で見ることができ、これらはすべてこの引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする。フロリダ州、LakelandのGlendaleProtectiveTechnologies,Inc.によって、CYASORBIR-99、IR-126およびIR-165という名称で販売されているIR吸収体もまた使用されてよい。特定のバインダおよび/またはコーティング溶剤における可溶性およびそれとの相溶性と吸収の波長領域と等の要因に基づいて、特定の染料が選択されてよい。また、LTCH層において輻射線吸収体として顔料材料が使用されてもよい。適当な顔料の例には、カーボンブラックおよびグラファイトと、フタロシアニン、ニッケルジチオレン、および引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする米国特許出願第5,166,024号および第5,351,617号に述べられている他の顔料と、を含む。更に、例えばピラゾロン系イエロー、ジアニシジン系レッドおよびニッケルアゾ系イエローの銅またはクロム合成物に基づくブラックアゾ顔料が有用であり得る。また、例えば、アルミニウム、ビスマス、錫、インジウム、亜鉛、チタン、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、イリジウム、ニッケル、パラジウム、プラチナ、銅、銀、金、ジルコニウム、鉄、鉛およびテルル等の金属の酸化物および硫化物を含む、無機顔料もまた使用することができる。金属ホウ化物、炭化物、窒化物、炭窒化物、ブロンズ構造酸化物、およびブロンズ族例えば、WO29に構造的に関連する酸化物もまた使用されてよい。引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする例えば米国特許出願第4,252,671号に述べられているような粒子の形態で、または引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする例えば米国特許出願第5,256,506号に開示されているようなフィルムとして、金属輻射線吸収体が使用されてよい。適当な金属には、例えば、アルミニウム、ビスマス、錫、インジウム、テルルおよび亜鉛が含まれる。示したように、粒子輻射吸収体は、バインダ内に設けられてよい。質量パーセントの計算において溶剤を除外して、コーティングにおける輻射線吸収体の質量パーセントは、LTHCに使用される特定の輻射線吸収体およびバインダにより、概して1質量~30質量、好ましくは3質量~20質量、最も好ましくは5質量~15質量である。LTHC層での使用に適したバインダには、例えばフェノール樹脂例えば、ノボラックおよびリソール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセテート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリレート、セルロースエーテルおよびエステル、ニトロセルロースおよびポリカーボネート等のフィルム形成ポリマが含まれる。適当なバインダには、重合または架橋されたあるいは重合または架橋されることが可能な、モノマ、オリゴマ、またはポリマが含まれてよい。いくつかの実施形態では、バインダは、最初に架橋可能なモノマおよび/または任意のポリマを含むオリゴマのコーティングを使用して形成される。バインダにポリマが使用される場合、バインダは、1~50質量、好ましくは10~45質量のポリマ質量の計算時に溶剤は除外を含む。ドナー基板上へのコーティング時に、モノマ、オリゴマおよびポリマが架橋されてLTHCが形成される。いくつかの例では、LTHC層の架橋が低すぎる場合、LTHC層は熱によって損傷を受ける可能性があり、および/またはLTHC層の一部が転写層の受容体に転写される場合がある。熱可塑性樹脂例えば、ポリマを含むことにより、少なくともいくつかの例では、LTHC層の性能例えば、転写特性および/またはコーティング性を向上させることができる。熱可塑性樹脂は、LTHC層のドナー基板に対する接着を向上させ得ると考えられる。1つの実施形態では、バインダは、25~50質量質量パーセントの計算時に溶剤は除外の熱可塑性樹脂、好ましくは30~45質量の熱可塑性樹脂を含むが、より少ない量の熱可塑性樹脂が使用されてもよい例えば1~15質量。熱可塑性樹脂は、一般に、バインダの他の材料と相溶性があるように選択される。引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとするJ.Brandrup編PolymerHandbook、VII519~557頁1989において、相溶性を示すために、溶解度パラメータを使用することができる。少なくともいくつかの実施形態では、バインダとして、9~13cal/cm312、好ましくは9.5~12cal/cm312の範囲の溶解度パラメータを有する熱可塑性樹脂が選択される。適当な熱可塑性樹脂の例には、ポリアクリル酸、スチレン-アクリルポリマおよび樹脂、およびポリビニルブチラールが含まれる。コーティングプロセスを容易にするために、界面活性剤および分散体等の従来からのコーティング補助剤が付加されてよい。LTHC層は、本技術分野で周知の種々のコーティング方法を使用してドナー基板上にコートされてよい。ポリマまたは有機LTHC層は、少なくともいくつかの例では、0.05μm~20μm、好ましくは0.5μm~10μm、最も好ましくは1μm~7μmの厚さまでコートされる。無機LTHC層は、少なくともいくつかの例では、0.001~10μm、好ましくは0.002~1μmの範囲の厚さまでコートされる。このLTHC層は、多成分転写ユニットを有する熱転写素子と、デバイスまたは他の物品の単層を転写するために使用される熱転写素子と、を含む種々の熱転写素子に使用することができる。本LTHC層は、上述したような多層デバイスを形成するために有用な熱転写素子、および他の物品を形成するために有用な熱転写素子と共に使用することができる。例には、カラーフィルタ、スペーサ層、ブラックマトリクス層、印刷回路基板、ディスプレイ例えば、液晶および放射ディスプレイ、偏光子、z軸導体、および例えば米国特許出願第5,156,938号、同5,171,650号、同5,244,770号、同5,256,506号、同5,387,496号、同5,501,938号、同5,521,035号、同5,593,808号、同5,605,780号、同5,612,165号、同5,622,795号、同5,685,939号、同5,691,114号、同5、693,446号および同5,710,097号、およびPCT特許出願第98/03346号および同97/15173号に述べられているものを含む熱転写によって形成することができる他の物品等の物品が含まれる。中間層転写層の転写部分の損傷および汚染を最小限にするために任意の中間層が使用されてよく、その中間層はまた、転写層の転写部分の歪みも低減することができる。また、中間層は、熱転写素子の残りの部分に対する転写層の接着に影響を及ぼす可能性がある。一般に、中間層は、高熱抵抗を有する。好ましくは、中間層は、画像形成状態では、特に転写された画像を非機能的にする程度まで歪みまたは化学的に腐敗しない。一般に、中間層は、転写プロセス中にLTHC層と接触した状態を維持し、実質的に転写層とともに転写されない。適当な中間層には、例えば、ポリマフィルム、金属層例えば、蒸着金属層、無機層例えば、無機酸化物例えば、シリカ、チタニアおよび他の金属酸化物のソルゲル堆積層および蒸着層および有機/無機複合層が含まれる。中間層材料として適した有機材料には、熱硬化性材料と熱可塑性材料とが共に含まれる。適当な熱硬化性材料には、限定されないが架橋されたまたは架橋可能なポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、エポキシおよびポリウレタンを含む、熱、輻射、または化学処理により架橋され得る樹脂が含まれる。熱硬化性材料は、例えば熱可塑性前駆物質としてLTHC層上にコートされ、その後架橋されることにより、架橋された中間層を形成してよい。適当な熱可塑性材料には、例えば、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリエステルおよびポリイミドが含まれる。これら熱可塑性有機材料は、従来からのコーティング技術例えば、溶剤コーティング、スプレイコーティングまたは押出しコーティングによって被着されてよい。一般に、中間層での使用に適した熱可塑性材料のガラス転移温度Tgは、25°C以上、好ましくは50°C以上、より好ましくは100°C以上、最も好ましくは150°C以上である。中間層は、画像形成輻射線の波長において、透過性、吸収性、反射性またはそれらの組合せがあってよい。中間層材料として適した無機材料には、例えば、画像形成光波長において高透過性かまたは反射性がある材料を含む、金属、金属酸化物、金属硫化物および無機カーボンコーティングが含まれる。これら材料は、従来からの技術例えば、真空スパッタリング、真空蒸着またはプラズマジェット堆積により光-熱変換層に被着されてよい。中間層は、多数の利益を提供する可能性がある。中間層は、光-熱変換層からの材料の転写に対するバリアとなり得る。また、熱的に不安定な材料を転写することができるように、転写層において到達する温度を調整することができる。また、中間層があることにより、転写材料におけるプラスチックメモリが改良される。中間層は、例えば光開始剤、界面活性剤、顔料、可塑剤およびコーティング補助剤を含む混和剤を含んでもよい。中間層の厚さは、例えば中間層の材料、LTHC層の材料、転写層の材料、画像形成輻射線の波長、および熱転写素子の画像形成輻射線への露出の持続時間等の要因によって決まってよい。ポリマ中間層の場合、中間層の厚さは一般に、0.05μm~10μm、好ましくは約0.1μm~4μm、より好ましくは0.5~3μm、最も好ましくは0.8~2μmの範囲である。無機中間層例えば、金属または金属化合物中間層の場合、中間層の厚さは、一般に0.005μm~10μm、好ましくは約0.01μm~3μm、より好ましくは約0.02~1μmの範囲である。剥離層任意の剥離層は、一般に、例えば発光源または加熱素子によって熱転写素子を加熱する際に、熱転写素子のその他の部分例えば、中間層および/またはLTHC層からの転写層の剥離を容易にする。少なくともいくつかの場合、剥離層は、熱に晒す前に、転写層を熱転写素子のその他の部分に幾分か接着させる。適当な剥離層には、例えば導電性および非導電性熱可塑性ポリマ、導電性および非導電性充填ポリマ、および/または導電性および非導電性分散体が含まれる。適当なポリマの例には、アクリルポリマ、ポリアリニン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセチレン、および引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとするHandbookofConductiveMoleculesandPolymers,Vols.1-4、H.S.Nalwa編、JohnWileyandSons、Chichester1997に列挙されているもの等、他の導電性有機材料が含まれる。適当な導電性分散体の例には、カーボンブラック、グラファイト、超微粒子酸化インジウム錫、超微酸化アンチモニ錫、およびNanophaseTechnologiesCorporationイリノイ州、BurrRidgeおよびMetechペンシルベニア州、Elverson等の会社から商業的に入手可能な材料が含まれる。剥離層の他の適当な材料には、例えば、引用をもってその開示内容すべてが本明細書内に包含されたものとする米国特許第5,747,217号に述べられている材料を含む、昇華可能絶縁材料および昇華可能半導体材料が含まれる。剥離層は、転写層の一部であっても別個の層であってもよい。剥離層のすべてまたは一部は、転写層と共に転写されてよい。代替的に、剥離層のほとんどまたは実質的にすべては、転写層が転写される時にドナー基板に残る。いくつかの例では、例えば、剥離層が昇華可能材料を含む場合、剥離層の一部が転写プロセス中に放散されてよい。転写層転写層は、一般に、受容体への転写のための1つまたは複数の層を含む。これら1つまたは複数の層は、有機、無機、有機金属および他の材料を使用して形成されてよい。転写層を別々の層を有するように説明し示すが、少なくともいくつかの例では、各層の少なくとも一部を含む界面領域があってよい、ということは認められよう。これは、例えば、転写層の転写前、転写中または転写後に層間に層の混合または材料の拡散がある場合に発生する可能性がある。他の例では、2つの層は、転写層の転写前、転写中または転写後に完全にまたは部分的に混合されてよい。いずれの場合も、これら構造は、特にデバイスの異なる機能が異なる領域によって実行される場合に、2つ以上の独立した層を含むもととして述べる。転写層の一例は、受容体上に、能動または受動デバイス等の多層デバイスを形成するために使用される多成分転写ユニットを含む。場合によっては、転写層は、能動または受動デバイスに必要な層をすべて含んでよい。他の例では、受容体上に能動または受動デバイスの1つまたは複数の層が設けられてよく、層の他の部分は転写層に含まれる。代替的に、能動または受動デバイスの1つまたは複数の層は、転写層が堆積された後に受容体上に転写されてよい。いくつかの例では、転写層は、能動または受動デバイスの単層のみか、またはデバイス以外の物品の単層または多層を形成するために使用される。特に層が混合しない場合、多成分転写ユニットを使用する1つの利点は、多成分転写ユニットの層の重要な界面特性を熱転写ユニットが作成された時にもたらすことができ、好ましくは転写中に保持することができる、ということである。層を個々に転写する場合、層間の界面がより最適でなくなる可能性がある。転写層の多成分転写ユニットを使用して形成される多層デバイスは、例えば電子または光デバイスであってよい。かかるデバイスの例には、電子回路、抵抗器、キャパシタ、ダイオード、整流器、エレクトロルミネッセントランプ、メモリ素子、電界効果トランジスタ、バイポーラトランジスタ、単接合トランジスタ、MOSトランジスタ、金属-絶縁体-半導体トランジスタ、電荷結合素子、絶縁体-金属-絶縁体積層体、有機導体-金属-有機導体積層体、集積回路、光検出器、レーザ、レンズ、導波管、回折格子、ホログラフィック素子、フィルタ例えば、アド-ドロップフィルタ、利得平坦化フィルタ、カットオフフィルタ等、ミラー、スプリッタ、カプラ、コンバイナ、変調器、センサ例えば、エバネセントセンサ、位相変調センサ、干渉センサ等、光共振器、圧電デバイス、強誘電体デバイス、薄膜電池、またはそれらの組合せが含まれる。形成することができる他の電気的導電デバイスには、例えば、電極および導電素子が含まれる。転写層の実施形態は、受動または能動デバイスの少なくとも一部を形成するために使用される多成分転写ユニットを含む。例として、1つの実施形態では、転写層は多層デバイスの少なくとも2層を形成することができる多成分転写ユニットを含む。多層デバイスのこれら2層は、しばしば転写層の2層に対応する。この例では、多成分転写ユニットの転写によって形成される層のうちの1つは、活性層すなわち、導電、半導電、超伝導、導波、周波数逓倍、光生成例えば、ルミネッセンス、発光、蛍光または燐光、電子生成または正孔生成層として作用する層、および/またはデバイスに光または電子利得をもたらす層である。多成分転写ユニットの転写によって形成される第2層は、別の能動層または動作層すなわち、デバイスにおける、絶縁、導電、半導電、超伝導、導波、周波数数逓倍、光生成例えば、蛍光または燐光、電子生成、正孔生成、光吸収、反射、回折、位相遅延、散乱、分散または拡散層として作用する層、および/またはデバイスに光または電子利得をもたらす層である。また、多成分転写ユニットは、追加の活性層および/または動作層と、非動作層すなわち、デバイスの動作の機能を実行しないが、例えば受容体基板への転写層の転写を容易にし、および/または受容体基板に転写層を付着させる層を形成するために使用されてもよい。転写層の外面には、受容体への接着を容易にするために接着層が配置されてよい。接着層は、例えば受容体と転写層の他の層との間で電気を導通させる場合は動作層であり、例えば転写層を受容体に接着するのみである場合は非動作層であってよい。接着層は、例えば、導電性および非導電性熱可塑性ポリマ、導電性および非導電性充填ポリマ、および/または導電性および非導電性分散体が含まれる。適当なポリマの例には、アクリルポリマ、ポリアリニン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセチレン、および引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとするHandbookofConductiveMoleculesandPolymers,Vols.1-4、H.S.Nalwa編、JohnWileyandSons、Chichester1997に列挙されているもの等、他の導電性有機材料が含まれる。適当な導電性分散体の例には、カーボンブラック、グラファイト、超微粒子酸化インジウム錫、超微酸化アンチモニ錫、およびNanophaseTechnologiesCorporationイリノイ州、BurrRidgeおよびMetechペンシルベニア州、Elverson等の会社から商業的に入手可能な材料が含まれる。また、転写層の表面には、熱転写素子のその他の部分と接触する剥離層が配置されてもよい。上述したように、この剥離層は、転写層の転写時に、部分的にまたは完全に転写層の残りの部分と共に転写されてよく、あるいは剥離層の実質的にすべてが熱転写素子に残ってもよい。適当な剥離層は上述した。転写層は別々の層で形成されてよいが、少なくともいくつかの実施形態では、転写層は複数の成分および/またはデバイスにおける複数の用途を有する層を含んでよい、ということが理解されよう。また、少なくともいくつかの実施形態では、転写中に複数の別々の層が互いに溶解するか、または他の方法で混合または結合されてよい、ということも理解されよう。いずれの場合も、これら層は、混合または結合されるが、個々の層と呼ぶことにする。図2Aに示す転写層170の一例は、導電金属または金属化合物層172と、受容体図示せずと接触するための導電ポリマ層174と、を含む。また、導電ポリマ層174は、少なくとも部分的に、受容体への転写を容易にする接着層として作用してもよい。図2Bに示す転写層180の第2例は、剥離層182と、それに続く導電金属または金属化合物層184と、受容体図示せずと接触するための導電または非導電ポリマ層186と、を含む。図2Cに示す転写層190の第3例は、導電無機層191例えば、蒸着された酸化インジウム錫と、受容体と接触するための導電または非導電ポリマ層192と、任意の剥離層図示せずと、を含む。図2Dに示す転写層195の第4例は、金-アルミニウム-金等の交互の金属197、198と、受容体と接触するための導電または非導電ポリマ層199と、の多層金属積層体196からなる。OELデバイスのための転写層OEL有機エレクトロルミネッセントデバイスの少なくとも一部を形成する多成分転写ユニットの転写は、熱転写素子を使用する能動デバイスの形成の例示的な限定しない例を提供する。少なくともいくつかの例では、OELデバイスは、カソードとアノードとの間に挟まれた適当な有機材料の1つまたは複数の薄層を含む。電子は、カソードから有機層に注入され、正孔はアノードから有機層に注入される。注入された電荷は、反対荷電電極に向かって移動するに従い、再結合されて一般に励起子と呼ばれる電子-正孔ペアを形成する。これら励起子、すなわち励起状態の種は、接地状態に戻るよう減衰する際に光の形態でエネルギを放出する例えば、引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとするT.TsutsuiによるMRSBulletin、22、39~451997を参照。OELデバイス構成の例示的な実施例には、電荷運搬および/または放出種がポリママトリクスに分散されている分子分散ポリマデバイス引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする、J.KidoによるOrganicElectroluminescentdevicesBasedonPolymericMaterialsTrendsinPolymerScence、2、350~3551994を参照のと、ポリフェニレンビニレン等のポリマの層が電荷運搬および放出種として作用する共役ポリマデバイス引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする、J.J.M.Halls等によるThinSolidFilms、276、13~201996を参照と、蒸着小分子ヘテロ構造デバイス引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする、米国特許第5,061,569号およびC.H.Chen等によるRecentDevelopmentsinMolecularOrganicElectroluminescentMaterialsMacromolecularSymposia、125、1~481997を参照と、発光エレクトロケミカルセル引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする、Q.Pei等によるJ.Amer.Chem.Soc.、118、3922~39291996を参照と、複数波長の光を放出することができる垂直に積層された有機発光ダイオード引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする、米国特許第5,707,745号およびZ.Shen等によるScience、276、2009~21001997を参照と、が含まれる。図3Aに、OELデバイスを形成する転写層200の1つの適当な例を示す。転写層200は、アノード202、正孔輸送層204、電子輸送/エミッタ層206およびカソード208を含む。代替的に、カソードまたはアノードのいずれかを、受容体の上に別々に例えば、受容体上の導電コーティングとしておよび転写層外に提供してもよい。これは、図3Bにおいて、転写層200と共通する層を示すために先に示した参照番号を使用して、アノードの無い転写層200’として示されている。また、転写層200は、転写層の受容体への転写を容易にするために、剥離層210および/または接着層212等の1つまたは複数の層を含んでもよい。これら2つの層のいずれかは、受容体上の導電層または構造あるいは転写層上に後に形成される導電層との電気的接触を容易にするための導電ポリマとすることができる。剥離層および接着層の位置は、転写層の他の層に関して換えることができる、ということは理解されよう。アノード202およびカソード208は、一般に、例えば金、プラチナ、パラジウム、アルミニウム、チタン、窒化チタン、酸化インジウム錫ITO、酸化フッ素錫FTOおよびポリアニリンを含む、金属、合金、金属化合物、金属酸化物、導電セラミック、導電分散体および導電ポリマ等の導電材料を使用して形成される。アノード202およびカソード208は、導電材料の単層であってよく、あるいは、多層を含んでもよい。例えば、アノードまたはカソードは、アルミニウムの層および金の層またはアルミニウムの層およびフッ化リチウムの層を含んでよい。ディスプレイとしての適用等、多くの適用では、カソードおよびアノードの少なくとも一方がエレクトロルミネッセントデバイスによって放出される光に対して透過的であることが好ましい。正孔輸送層204は、正孔のデバイスへの注入とそれらのカソード208への移動を容易にする。正孔輸送層204は、更に、電子のアノード202への移動のためのバリアとして作用する。正孔輸送層204は、例えば、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニルベンジジンTPDとしても知られる等のジアミン誘導体を含むことができる。電子輸送/エミッタ層206は、電子の注入とそれらのアノード202への移動を容易にする。電子輸送/エミッタ層206は、更に、正孔のカソード208への移動のためのバリアとして作用する。電子輸送/エミッタ層206は、しばしば、例えばトリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムALQ等の金属キレート化合物から形成される。正孔輸送層204と電子輸送/エミッタ層206の間の界面は、正孔および電子の移動のためのバリアを形成し、それにより正孔/電子再結合ゾーンを生成し、有効な有機エレクトロルミネッセントデバイスを提供する。エミッタ材料がALQである場合、OELデバイスは青緑光を放出する。電子輸送/エミッタ層206において異なるエミッタおよびドーパントを使用することにより、異なる色の光が放出されるようにしてもよい引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする、C.H.Chen等によるRecentDevelopmentsinMolecularOrganicElectroluminescentMaterialsMacromolecularSymposia、125、1~481997を参照。異なる転写層を使用することにより、他のOEL多層デバイス構造が転写されてよい。例えば、図3Aの正孔輸送層204は、エミッタ層および/または正孔輸送層204とすることができ、電子輸送/エミッタ層206は1つの層に結合することができる。更に、図3Aの層204および206の間に別個のエミッタ層を挿入することができる。多層ユニットを受容体上に転写することにより、OELデバイスを形成することができる。例として、図4A乃至図4Cに示すように光ディスプレイを形成することができる。例えば、図4Aに示すように、緑色OELデバイス302を受容体基板300上に転写することができる。続いて、図4Bおよび図4Cに示すように、青色OELデバイス304および赤色OELデバイス306が転写されてよい。緑、青および赤色OELデバイス302、304、306は、それぞれ緑、青および赤の熱転写素子を使用することにより別々に転写される。代替的に、赤、緑および青の熱転写素子を互いの上に転写することにより、引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする米国特許第5,707,745号に開示されているタイプの多色積層OLEDデバイスを生成することができる。フルカラーデバイスを形成する他の方法は、正孔輸送層材料の列を堆積することと、その後、正孔輸送材料に赤、緑および青の電子輸送層/エミッタ多成分転写ユニットを平行にまたは垂直に堆積することと、を含む。フルカラーデバイスを形成する更に別の方法は、赤、緑および青のカラーフィルタ従来からの透過フィルタ、蛍光フィルタまたは燐光体を堆積することと、その後白色光または青色光のエミッタに対応する多成分転写ユニットを堆積することと、を含む。形成後、OELデバイスは、一般に励振器図示せずに連結され、損傷を防止するために密封される。熱転写素子は、小さいシートとも、適当な転写層でコートされた比較的大きいシートともすることができる。これらデバイスを転写するためのレーザ光または他の同様の発光源を使用することにより、熱転写素子から細い線および他の形状を形成することができる。長さおよび幅が何メートルかの受容体を含む受容体上に転写層のパターンを生成するために、レーザまたは他の光源を使用することができる。この実施例は、熱転写素子を使用することの利点を示す。例えば、複数のエッチングおよびマスキングステップを使用せずに各OELデバイスの層の多くが同時に転写されるため、従来からのフォトリソグラフィ方法に比べて処理ステップの数を低減することができる。更に、同じ画像形成ハードウェアを使用して複数のデバイスおよびパターンを作成することができる。異なるデバイス302、304、306の各々に対し、熱転写素子のみを変更すればよい。電界効果トランジスタのための転写層電界効果トランジスタFETは、1つまたは複数の熱転写素子を使用することによって形成することができる。熱転写素子を使用して形成することができる有機電界効果トランジスタの1つの例は、引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする、Garnier等によるAdv.Mater、2、592~5941990に述べられている。電界効果トランジスタは、概して、残っている端子ゲートに電界を印加して2つの端子ソースおよびドレインの間の電流を調整することができる3端子電子デバイスである例えば、引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする、S.M.SzeによるPhysicsofSemiconductorDevices、第2版、Wiley、NewYork、431~4351981を参照。1つの代表的な構成では、電界効果トランジスタは、両端に2つの電極、すなわちソース電極およびドレイン電極が結合された半導体材料の矩形スラブからなる。他の面の1つには、絶縁層ゲート誘電体および第3の電極ゲート電極が形成される。ゲート電極と半導体スラブとの間に電界が印加される。導電率、従ってソース電極とドレイン電極との間の電流は、ゲート-絶縁体-半導体場の極性および強度によって制御される。また、ゲート絶縁体無しに電界効果トランジスタを構成することも可能である。電界効果トランジスタは、ゲート電極/半導体整流領域を用いて組立てることができる。ソース電極とドレイン電極との間の導電率は、ゲート/半導体界面における空乏領域を制御するゲート/半導体場の極性および強度を変更することによって調整される。このタイプの構成は、一般に、MESFETまたはJFET、それぞれ金属半導体FETまたは接合形FETと呼ばれる例えば、引用をもってその開示内容がすべて本明細書内に包含されたものとする、S.M.SzeによるPhysicsofSemiconductorDevices、第2版、Wiley、NewYork、312~3241981を参照。金属電極、ゲート誘電体および半導体の材料選択は、導電率、信頼性、電子親和力、フェルミレベル、処理適合性、デバイスの適用およびコストを含むいくつかのパラメータに影響を与える可能性がある。例えば、概して、n型電子伝導半導体との電気コンタクトを形成するために、低仕事関数の金属を選択することが有利である。電界効果トランジスタの形成の例を、図4A乃至図4Dおよび図5A乃至図5Dに示す。図4Aおよび図5Aに示すように、電界効果トランジスタは、上に電気コンタクト502、504,506、508が形成されている受容体基板500上に形成される。一般に、受容体基板500は、ガラスまたは非導電プラスチック等の非導電材料から形成されるか、または受容体基板500が非導電コーティングで覆われる。電気コンタクト502、504、506、508は、金、銀、銅または酸化インジウム錫等の金属または金属化合物を用いて形成することができる。また、電気コンタクト502、504,506、508は、ポリアニリン等の導電性有機材料を使用して形成することも可能である。電気コンタクト502、504、506、508は、フォトリソグラフィ、または特定の金属、金属化合物または導電性有機材料の転写層を備えた熱転写素子を利用する熱転写を含む、種々の技術によって形成することができる。図4Bおよび図5Bに示すように、2つの対向する電極502、506の間にゲート電極510が形成される。ゲート電極510は、ゲート電極用に選択される材料を含む転写層を備えた第1の熱転写素子を使用して形成することができる。ゲート電極に適した材料には、金属、金属化合物、導電性ポリマ、充填ポリマおよび導電性インクが含まれる。ゲート電極用の材料の例には、金、銀、プラチナ、カーボン、酸化インジウム錫、ポリアニリンおよびカーボンブラック充填ポリマが含まれる。図4Cおよび図5Cに示すように、ゲート電極510の上にゲート絶縁層512および半導体層514が形成される。これら2つの層512、514は、例えば、絶縁層および半導体層を備えた多成分転写ユニットを含む第2の熱転写素子を使用して形成することができる。ゲート絶縁層512は、二酸化珪素、窒化珪素、酸化タンタル、他の無機酸化物、ポリイミド、ポリアミド酸、アクリル酸、シアノエチルプルランおよびフッ化マグネシウム等の有機または無機絶縁体を使用して形成することができる。ゲート絶縁層として使用される有機ポリマには、超微シリカ粒子等の絶縁材料が充填されてよい。半導体層514は、ポリチオフェン、チオフェンオリゴマ、ポリフェニルビニレン、ポリアセチレン、メタロフタロシアニン、および非結晶および多結晶シリコンおよびゲルマニウムを用いて形成することができる。最後に、図4Dおよび図5Dに示すように、金属、金属化合物、導電性ポリマ、導電性インク、または上述した導電性有機材料等の導電金属を使用して、半導体層514とそれぞれ対向する電気コンタクト504、508との間に2つの間隔が空けられた接続を作成することにより、ソースおよびドレインコンタクト516、518を形成することができる。ソースおよびドレインコンタクト516、518間の領域520は、電界効果トランジスタのチャネルを形成する。適当な導電材料の層を備えた転写層を含む第3の熱転写層を使用して、ソースおよびドレインコンタクト516、518を形成することができる。多くの電界効果トランジスタでは、ソースおよびドレインの独自性は、図4Dおよび図5Dに示すデバイスから入れ替えることができる。例えば、図7に示すように、トランジスタの電気コンタクトの1つがOELデバイスのアノードまたはカソード620でもある場合、OELデバイス600と電界効果トランジスタ610とを結合することができる。この結合により、電界効果トランジスタがOELデバイスの動作を制御することができる。この結合を備えたディスプレイユニットは、上述したように、例えば電界効果トランジスタを形成する3つ以上の熱転写素子と、OELデバイスを形成する少なくとも1つの追加の熱転写素子と、を使用して作成することができる。光導波路のための転写層光導波管は、一般に、関係のある波長の光に対し実質的に透過である材料のコアを含む。コアは、同様に関係のある波長の光に対して実質的に透過であるクラッド材料によって覆われる。光は、コアとクラッドとの間の屈折率の差によってもたらされる全内部反射率により、導波管のコアを通って伝送され、およびそのコアに実質的に閉込められる。一般に、コアの屈折率は、クラッドの屈折率よりわずかに大きい。導波管の性能は、例えば導波管の形状、長さおよび透過性、およびコアとクラッドとの屈折率の差等の多くの要因によって影響を受ける。一般に、0.002~0.5のコアとクラッドとの屈折率の差が望ましい。これら変数は、当業者により、それらの意図された用途に最適化される性能を有する導波管を製造するために操作することができる。導波管を形成するために有用なコアおよびクラッド材料には、ガラスおよび有機ポリマが含まれる。従来、光導波管は、フォトリソグラフィ、拡散およびイオン注入プロセス等の種々の方法によって製造される。例えば、従来の導波管は、適当な光学材料を一般にはサンドイッチ状に基板上に被着することによって製造することができ、その結果コア領域がクラッド領域によって包囲される。そして、フォトレジスタ材料がそのサンドイッチ上に被着され、フォトリソグラフィックプロセスによってパターニングされる。そして、フォトリソグラフィックプロセスによって定義されるパターンは、エッチングプロセスによって導波管サンドイッチに転写される。そして、パターンがエッチングされた基板は洗浄され、残りのフォトレジストが除去され基板上に結果としての導波管が残る。1つまたは複数の熱転写素子を使用して光導波管を形成することができる。例えば、転写層110が適当な屈折率の3層のポリマを備えた図1Aの熱転写素子100を用いる熱転写を使用して、受容体基板上に導波管を形成することができる。それが導波管のコアを形成するため、転写層の中心のポリマ層は、外側の2層よりわずかに大きい屈折率を有する。コア/クラッドの組合せの例には、限定されないが、ポリエーテルイミド/ベンゾシクロブテン、ポリカーボネート/フッ素化アクリル酸、ポリカーボネート/ポリメチルメタクリレートおよびフッ素化ポリイミド/ポリメチルメタクリレートが含まれる。また、熱転写素子を使用する光導波管の部分の熱転写を利用して、光導波管を形成してもよい。例えば、受容体基板に、従来からの方法によるかまたは別個の熱転写素子および熱転写ステップにより、ポリメチルメタクリレート等のクラッドポリマをコートすることができる。受容体基板に対するポリメチルメタクリレート/ポリカーボネートニ重層の後続する熱転写により、ポリカーボネートコアおよびポリメチルメタクリレートクラッドを有する導波管が形成される。受容体受容体基板は、限定されないが、透明フィルム、ディスプレイブラックマトリクス、電子ディスプレイの受動および能動部、金属、半導体、ガラス、種々の紙およびプラスチックを含む、特定の適用に適したいかなる物品であってもよい。本発明で使用することができる受容体基板の限定されない例には、陽極酸化アルミニウムおよび他の金属、プラスチックフィルム例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、酸化インジウム錫コートされたプラスチックフィルム、ガラス、酸化インジウム錫コートされたガラス、フレキシブル回路、回路基板、シリコンまたは他の半導体、および種々の異なるタイプの紙例えば、充填または非充填され、カレンダ処理され、またはコートされたが含まれる。転写層の受容体基板への転写を容易にするために、種々の層例えば、接着層が受容体基板上にコートされてもよい。多層デバイスの一部を形成するために、受容体基板上に他の層がコートされてよい。例えば、熱転写素子からの転写層の転写前に、受容体基板上に形成された金属アノードまたはカソードを有する受容体基板を使用して、OELまたは他の電子デバイスが形成されてよい。この金属アノードまたはカソードは、例えば、受容体基板上への導電層の堆積と、例えばフォトリソグラフィック技術を使用して層を1つまたは複数のアノードまたはカソードにパターニングすることと、によって形成されてよい。動作画像形成中、熱転写素子は、一般に受容体と緊密に接触する。少なくともいくつかの例では、熱転写素子を受容体と緊密に接触した状態に維持するために、圧力または真空が使用される。そして、輻射線源が使用されることにより、LTHC層および/または輻射線吸収体を含む他の層を画像に対応したimagewise方法で例えば、デジタルに、またはマスクを介するアナログ露出により加熱して、パターンに従って熱転写素子から受容体に転写層の画像の転写が実行される。代替的に、多成分転写ユニットを転写するために、抵抗加熱素子等の加熱素子が使用されてもよい。熱転写素子が選択的に加熱素子と接触することにより、パターンに従って転写層の一部に熱転写がもたらされる。他の実施形態では、熱転写素子は、層に印加される電流を熱に変換することができる層を含んでよい。一般に、転写層は、任意の中間層およびLTHC層等、熱転写素子の他の層のいずれかを転写すること無しに、受容体に転写される。任意の中間層があることにより、LTHC層の受容体への転写が排除されるかまたは低減され、および/または転写層の転写部分の歪みが低減される。好ましくは、画像形成状態において、LTHC層への中間層の接着は、転写層への中間層の接着より大きい。いくつかの例では、中間層を透過する画像形成輻射線のレベルを減衰し、透過する輻射線の転写層および/または受容体との相互作用からもたらされる可能性のある、転写層の転写部分に対するあらゆる損傷を低減するために、反射中間層を使用することができる。これは、受容体が画像形成輻射線に対し高吸収性である場合に発生する可能性のある熱損傷を低減するという点で特に有益である。レーザ露光中、画像形成された材料からの複数の反射による干渉パターンの形成を最小化することが望ましい場合がある。これは、種々の方法で達成することができる。最も一般的な方法は、米国特許第5,089,372号で述べられているように、入射輻射線の規模で熱転写素子の表面を効率的に粗くするというものである。これは、入射輻射線の空間的可干渉性を破壊し、それによって自己干渉を最小化するという効果を有する。代替的な方法は、熱転写素子内に反射防止コーティングを採用するというものである。反射防止コーティングの使用は、周知であり、引用をもってその開示内容をすべて本明細書内に包含するものとする、米国特許第5,171,650号に述べられているように、フッ化マグネシウム等のコーティングの4分の1波厚さのコーティングから構成されてよい。1メートル以上の長さおよび幅寸法を有する熱転写素子を含む、大型の熱転写素子を使用することができる。動作時、大型熱転写素子に亙ってレーザをラスタ走査させるかまたは他の方法で移動させることができ、レーザは、所望のパターンに従って熱転写素子の一部を照明するように選択的に動作する。代替的に、レーザは固定であってよく、熱転写素子がそのレーザの下を移動してもよい。いくつかの例では、デバイスを形成するために、2つ以上の異なる熱転写素子を連続して使用することが必要であり、望ましく、および/または都合のよい場合がある。例えば、1つの熱転写素子を使用して電界効果トランジスタのゲート電極が形成され、別の熱転写素子を使用してゲート絶縁層および半導体層が形成され、更に別の熱転写層を使用してソースおよびドレインコンタクトが形成されてよい。デバイスを形成するために、2つ以上の熱転写素子の他の種々の組合せを使用することができ、各熱転写素子は、デバイスの1つまたは複数の層を形成する。これら熱転写素子の各々は、多成分転写ユニットを含んでよく、あるいは受容体への転写のための単層を含むだけでもよい。そして、デバイスの1つまたは複数の層を堆積するために、2つ以上の熱転写ユニットが連続的に使用される。いくつかの例では、2つ以上の熱転写素子の少なくとも1つは、多成分転写ユニットを含む。特に示さない限り、化学製品は、AldrichChemicalCompanyウィスコンシン州、Milwaukeeから取得した。真空蒸着材料のすべてを、室温で熱的に蒸着した。各真空蒸着層の蒸着速度および厚さは、水晶マイクロバランスニューヨーク州、EastSyracuseのLeyboldInficonInc.を用いて監視した。背景圧力蒸着前のチャンバ圧力は、およそ1×105トル1.3×103パスカルとした。レーザ転写システムは、CWNd:YAGレーザ、音響光学変調器、コリメートおよびビーム拡張光学系、光アイソレータ、線形検流計およびfシータスキャンレンズを備えていた。Nd:YAGレーザは、TEM00モードで動作しており、総出力7.5ワットをもたらした。走査は、高精度線形検流計マサチューセッツ州、CambridgeのCambridgeTechnologyInc.を用いて行った。レーザは、1/e2強度レベルで140μmの測定寸法のガウススポットに焦点合せした。スポットは、fシータスキャンレンズを利用することによって、走査幅に亙って一様に保持した。レーザスポットを、5.6メートル/秒の速度で画像面に亙って走査した。fシータスキャンレンズは、走査速度を0.1以内で一様に維持し、スポットサイズを±3ミクロン以内で一定に維持した。実施例1基板/LTHC/中間層素子の作成381ヘリカルセル/直線cm150ヘリカルセル/直線インチのマイクログラビアロールを使用して、YasuiSeikiLabCoater、ModelCAG-150インディアナ州、BloomingtonのYasuiSeikiCo.により、表1による以下のLTHCコーティング溶液を0.1mmPET基板上にコーティングすることによって、カーボンブラック光-熱変換層を作成した。コーティングを、Hバルブを装着したFusionSystemsModelI600400W/inUV硬化システムメリーランド州、GaithersburgのFusionUVSystems,Inc.を用いて、40°Cでインライン乾燥し、6.1m/分でUV硬化した。乾式コーティングは、およそ3ミクロンの厚さを有していた。光-熱変換層のカーボンブラックコーティング上には、YasuiSeikiLabCoater、ModelCAG-150インディアナ州、BloomingtonのYasuiSeikiCo.を用いて、表2による中間層コーティング溶液を輪転グラビアコートした。このコーティングを、Hバルブを装着したFusionSystemsModelI600600W/inを用いて、インライン乾燥40°Cし、6.1m/分でUV硬化した。結果としての中間層コーティングの厚さは、およそ1.7ミクロンであった。実施例2他の基板/LTHC/中間層素子の作成228.6ヘリカルセル/直線cm90ヘリカルセル/直線インチのマイクログラビアロールを使用して、YasuiSeikiLabCoater、ModelCAG-150インディアナ州、BloomingtonのYasuiSeikiCo.により、表3による以下のLTHCコーティング溶液を0.1mmPET基板上にコーティングすることによって、カーボンブラック光-熱変換層を作成した。コーティングを、Hバルブを装着したFusionSystemsModelI600400W/inUV硬化システムを用いて、40°Cでインライン乾燥し、6.1m/分でUV硬化した。乾式コーティングは、およそ3ミクロンの厚さを有していた。光-熱変換層のカーボンブラックコーティング上に、YasuiSeikiLabCoater、ModelCAG-150インディアナ州、BloomingtonのYasuiSeikiCo.を用いて、表4による中間層コーティング溶液を輪転グラビアコートした。このコーティングを、Hバルブを装着したFusionSystemsModelI600600W/inを用いて、インライン乾燥40°Cし6.1m/分でUV硬化した。結果としての中間層コーティングの厚さは、およそ1.7ミクロンであった。実施例3ポリマ/金/ポリマフィルムの転写実施例2の基板/LTHC/中間層素子にコーティングを被着することにより、多成分転写層を備えた熱ドナー素子を作成した。6Mayerバーによりポリマの5重量水溶液を用いて、アクリルポリマデラウェア州、WilmingtonのICIAcrylicsによるElvaciteTM2776のコーティングを、熱転写素子の中間層に被着した。コーティングを、約5分間約60°Cで乾燥した。そして、アクリルポリマに亙って、500Åの金のコーティングを真空蒸着した。6Mayerバーによりポリマの5重量水溶液を被着することにより、金層に亙って別のアクリルポリマICIAcrylicsによるElvaciteTM2776をコートした。コーティングを、約5分間約60°Cで乾燥した。サンプルを、5.6m/秒の線形走査速度を用いてガラス受容体上に画像形成した。結果は、優れたエッジ均一性を有する70ミクロン幅ラインとしての、ポリマ/金/ポリマ転写層の一様な転写となった。実施例4ポリマ/錫/金/錫/ポリマフィルムの転写実施例2の基板/LTHC/中間層素子にコーティングを被着することにより、多成分転写層を備えた熱ドナー素子を作成した。6Mayerバーによりポリマの5重量水溶液を用いて、アクリルポリマICIAcrylicsによるElvaciteTM2776のコーティングを、熱転写素子の中間層に被着された。コーティングを、約5分間約60°Cで乾燥した。500Åの錫のコーティングを、アクリルポリマの上に真空蒸着した。そして、錫の上に、500Åの金のコーティングを真空蒸着した。次に、金の上に、500Åの錫の第2コーティングを真空蒸着した。6Mayerバーによりポリマの5重量水溶液を被着することにより、アクリルポリマICIAcrylicsによるElvaciteTM2776の第2のコーティングを作成した。コーティングを、約5分間約60°Cで乾燥した。熱転写素子を、5.6m/秒の線形走査速度を用いてガラス受容体上に画像形成した。結果は、優れたエッジ均一性を有する70ミクロン幅ラインとしての、ポリマ/錫/金/錫/ポリマ転写層の一様な転写となった。実施例5正孔輸送熱転写素子実施例1の基板/LTHC/中間層素子を使用して、正孔輸送熱転写素子を形成した。表5の成分を混合することによって形成される正孔輸送コーティング溶液を、6Mayerバーを使用して中間層上にコートした。コーティングを60°Cで10分間乾燥した。実施例6OEL熱転写素子実施例1に従って形成された基板/LTHC/中間層素子にコーティングを被着ことにより、多成分転写層を備えたOEL熱転写素子を作成した。中間層に半導体剥離層として、200Åの銅フタロシアニン層を堆積した。次に、カソード層として、アルミニウムの250オングストローム層を堆積した。アルミニウムの上に、10Åのフッ化リチウム層を堆積した。次に、電子輸送層として、300Åのトリス8-ヒドロキシキノリネートアルミニウムALQ層を堆積した。最後に、正孔輸送層として、200ÅのN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニルベンジジンTPD層を堆積した。実施例7OELデバイスの作成酸化インジウム錫ITO10Ω/平方、カリフォルニア州、AnaheimのThinFilmDevicesInc.で覆われたガラスの受容体基板を使用して、OELデバイスのアノードを形成した。まず、実施例5の正孔輸送熱転写素子を受容体上に画像形成した。これに続いて、実施例6のOEL熱転写素子の画像形成を行うことにより、OELデバイスを完成した。各転写において、熱転写素子の転写層側を、真空チャック内で受容体と緊密に接触して保持した。レーザを、熱転写素子の基板側に入射するように向けた。2つの転写層が正確な位置合せで転写されるように、露光と行った。これにより、120μm幅のラインが生成された。最終的なOELデバイスは、以下の順序で上部から下部へ層を有していた。アルミニウムカソードフッ化リチウムALQ電子輸送層/エミッタTPD正孔輸送層OEL熱転写層からTPD正孔輸送層正孔輸送熱転写素子からガラス受容体ITOアノードおよびアルミニウムカソードにおいて、電気コンタクトを作成した。電位を印加すると、OELデバイスは視覚的に検出可能な光を生成した。注入電流を、連続的に0ボルトから10~30ボルトまで上がった印加電位電圧の関数として監視した。ある時点で、42mm×80μmデバイスを流れる10ボルトの70μAが測定された。これは、約2mA/cm2の電流密度に対応する。電流密度は、従来からの技術を使用して受容体基板上に直接製造される小分子デバイスの正常動作範囲内に十分にある。実施例8他のOEL熱転写素子実施例1に従って作成された基板/LTHC/中間層素子にコーティングを被着することにより、多成分転写層を備えたOEL熱転写素子を作成した。まず、3Mayerバーを使用して、表6によるプライマ溶液をコートした。コーティングを、約5分間約60°Cで乾燥した。プライマ層の上に、半導体剥離層として、200Åの銅フタロシアニン層を堆積した。次に、カソード層として、250Åのアルミニウム層を堆積した。アルミニウムの上に、10Åのフッ化リチウム層を堆積した。次に、電子輸送層として、300Åのトリス8-ヒドロキシキノリネートアルミニウムALQ層を堆積した。最後に、正孔輸送層として、200ÅのN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニルベンジジンTPD層を堆積した。実施例9部分的OEL転写層の可撓性基板への転写受容体基板を、4ミル約100μmポリエチレンテレフタレートPETフィルム日本国、大阪のTeijinLtd.による前処理されていないHPE100から構成した。まず、実施例5の正孔輸送熱転写素子を、受容体上に画像形成した。次に、実施例8のOEL熱転写素子を、正孔輸送層の上に画像形成した。各転写において、熱転写素子の転写層側を、真空チャック内で受容体と緊密に接触して保持した。レーザを、熱転写素子の基板側に入射するように向けた。2つの転写層が正確な位置合せで転写されるように、露光を行った。これにより、120μm幅のラインが生成された。最終的なOELデバイスは、以下の順序で上部から下部へ層を有していた。アルミニウムカソードフッ化リチウムALQ電子輸送層/エミッタTPD正孔輸送層OEL熱転写層からTPD正孔輸送層正孔輸送熱転写素子からガラス受容体本発明は、上述した特定の実施例に限定されるとみなされるべきではなく、添付の特許請求の範囲で公正に述べられるような本発明のすべての態様をカバーするものと理解されなければならない。種々の変更、等価なプロセスは、本発明が適用可能である多くの構造と共に、速成の明細書を再考することにより、本発明が向けられている技術分野における当業者には容易に明らかとなろう。"