"基板の上部に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う平坦化膜の上部に画素ごとに形成される第1電極と、前記第1電極の間に設けられ、前記第1電極の外郭部を覆う第1画素定義膜と、前記第1画素定義膜のエッジが露出するように、前記第1画素定義膜を覆う第2画素定義膜と、前記第1電極の上部に形成され、発光層を含む中間層と、前記中間層の上部に形成され、前記第1電極に対向する第2電極と、を備えることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。前記第2画素定義膜は、前記平坦化膜の上部に形成された凹凸部分を埋め込んで前記第1画素定義膜の上部に形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第1画素定義膜は、無機膜で形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第1画素定義膜は、SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5、Pr2O3からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第1画素定義膜は、0.1μm~1μmの厚さに形成されることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第2画素定義膜は、有機膜で形成されることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第2画素定義膜は、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミドPA、ベンゾシクロブテンBCB及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第2画素定義膜は、相異なる画素が配列される方向では、0.1μm~2μmの範囲の厚さに形成され、同じ画素が配列される方向では、0.1μm~1μmの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。基板上に画素ごとに第1電極を形成する工程と、前記第1電極の間に、前記第1電極の外郭部を覆う第1画素定義膜を形成する工程と、前記第1画素定義膜のエッジが露出するように、前記第1画素定義膜を覆う第2画素定義膜を形成する工程と、前記第1電極の上部に発光層を含む中間層を形成する工程と、前記中間層の上部に、前記第1電極に対向する第2電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第2画素定義膜は、前記平坦化膜の上部に形成された凹凸部分を埋め込んで前記第1画素定義膜の上部に形成されることを特徴とする請求項9に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1画素定義膜は無機膜で形成されることを特徴とする請求項9または10に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1画素定義膜は、SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5、Pr2O3からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする請求項9~11のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1画素定義膜は、0.1μm~1μmの厚さに形成されることを特徴とする請求項9~12のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第2画素定義膜は有機膜で形成されることを特徴とする請求項9~13のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第2画素定義膜は、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミドPA、ベンゾシクロブテンBCB及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする請求項9~14のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第2画素定義膜は、相異なる画素が配列される方向では、0.1μm~2μmの範囲の厚さに形成され、同じ画素が配列される方向では、0.1μm~1μmの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項9~15のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。しかし、前記画素定義膜が画素間混色を防止するために高く形成される場合、画素定義膜の間に形成される発光部の膜厚が変わるという問題があった。一方、これを解消するために薄い画素定義膜を形成する場合、下部のTFT部の平坦化がなされていないという問題があった。そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、発光部の膜厚を均一にし、下部TFT部の平坦化をなすことが可能な、新規かつ改良された有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板の上部に形成されたTFTと、前記TFTを覆う平坦化膜の上部に画素ごとに形成される第1電極と、前記第1電極の間に設けられ、前記第1電極の外郭部を覆う第1画素定義膜と、前記第1画素定義膜のエッジが露出するように、前記第1画素定義膜を覆う第2画素定義膜と、前記第1電極の上部に形成され、発光層を含む中間層と、前記中間層の上部に形成され、前記第1電極に対向する第2電極と、を備える。また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板上に画素ごとに第1電極を形成する工程と、前記第1電極の間に、前記第1電極の外郭部を覆う第1画素定義膜を形成する工程と、前記第1画素定義膜のエッジが露出するように、前記第1画素定義膜を覆う第2画素定義膜を形成する工程と、前記第1電極の上部に発光層を含む中間層を形成する工程と、前記中間層の上部に、前記第1電極に対向する第2電極を形成する工程と、を含む。ここで、前記第2画素定義膜は、前記平坦化膜の上部に形成された凹凸部分を埋め込んで前記第1画素定義膜の上部に形成されてもよい。また、前記第1画素定義膜は無機膜で形成されてもよく、SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5、Pr2O3からなる群から選択される一つで形成されてもよい。また、前記第1画素定義膜は、0.1μm~1μmの厚さに形成されてもよい。また、前記第2画素定義膜は有機膜で形成されてもよく、前記第2画素定義膜は、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミドPA、ベンゾシクロブテンBCB及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つで形成されてもよい。また、前記第2画素定義膜は、相異なる画素が配列される方向では、0.1μm~2μmの範囲の厚さに形成され、同じ画素が配列される方向では、0.1μm~1μmの範囲の厚さに形成されてもよい。本発明は、無機絶縁膜及び有機絶縁膜で形成された画素定義膜を形成することによって発光部すなわち中間層の膜厚を均一にし、下部TFT部を平坦化することによって素子の寿命を向上させることができる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。本発明の実施形態を説明する図面において、ある層や領域は、明細書の明確性のために厚さを拡大して示した。また層、膜、領域、板などの部分が他の部分上にあるという時、これは、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。図1は、本発明の一実施形態によるOLEDディスプレイ装置の画素電極部分を概略的に示した平面図である。図2は、図1のOLEDディスプレイ装置の一画素の構造を示した拡大平面図である。図1及び図2を参照すれば、本発明のOLEDディスプレイ装置は、赤色R、緑色G、青色Bの画素が反復して配されたディスプレイ部を備える。本実施形態では、赤色R、緑色G、青色Bの画素が列及び行方向に反復して配されたストライプパターンを図示する。しかし、これらの画素の構成は必ずしもこれに限定されるものではなく、各列の画素が交互に配されるジグザグ型、マトリックス型など多様なパターンに配列されうる。本実施形態では、説明の便宜のためにディスプレイ部の一部のみを図示し、A-A’方向にR、G、Bの相異なる画素が反復して配列され、B-B’方向に同じ画素が反復して配列される場合を説明する。各画素はTFT30、40、キャパシタ50などを持つ選択駆動回路と、発光素子であるOLED60とを備える。各画素には、データライン72、スキャンライン71、及びOLEDの一駆動電源になる電源ライン73が備えられる。TFTは、スイッチング用のスイッチングTFT30と、駆動用の駆動TFT40の2個のTFTを備える。前記スイッチングTFT30は、スキャンライン71に印加されるスキャン信号により駆動されて、データライン72に印加されるデータ信号を伝達する役割を行っている。前記駆動TFT40は、前記スイッチングTFT30を通じて伝えられるデータ信号によって、すなわち、ゲートとソースとの電圧差によって、OLED60に流れ込む電流量を決定する。前記キャパシタ50は、前記スイッチングTFT30を通じて伝えられるデータ信号を1フレームの間に保存する役割を行っている。前記スイッチングTFT30のソース電極31は、データライン72によって駆動回路に連結され、スイッチングTFT30のゲート電極32は、スキャンライン71によって他の駆動回路に連結されている。前記スイッチングTFT30のドレイン電極33は、キャパシタ50の第1キャパシタ電極51及び駆動TFT40のゲート電極43と連結されている。スイッチングTFT30のソース電極31及びドレイン電極33は活性層34のソース領域及びドレイン領域に対応して位置する。前記キャパシタ50の第2キャパシタ電極52と駆動TFT40のソース電極47とは電源ライン73と連結され、駆動TFT40のドレイン電極45はOLED60の第1電極61と連結されている。前記駆動TFT40のソース電極47及びドレイン電極45は活性層44のソース領域及びドレイン領域に対応して位置する。前記選択駆動回路のTFT及びキャパシタの数は、必ずしもこれに限定されるものではなく、所望する素子の設計によってこれよりさらに多くのTFT及びキャパシタを備えうることはいうまでもない。OLED60は、画素電極になる第1電極61と、この第1電極61と所定の間隙をおいて対向して位置した共通電極である第2電極図示せずとを持ち、第1電極61と第2電極との間には有機発光層を含む中間層図示せずが形成されて、第1電極61及び第2電極により発光する。前記第1電極61の周辺には、第1電極61のエッジに沿って画素定義膜81が備えられる。画素定義膜81は、無機膜である第1画素定義膜81aと有機膜である第2画素定義膜81bとを備える。第1画素定義膜81aは、第1電極61の外郭部を覆うように形成され、第2画素定義膜81bは、第1画素定義膜81aの上部に第1画素定義膜81aのエッジが露出するように、形成される。図3は、本発明の望ましい一実施形態による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。図3を参照すれば、本発明の有機発光ディスプレイ装置は、基板10の上部に形成された複数のTFT40及びOLED60を備える。TFT40は、活性層41、ゲート電極43及びソース/ドレイン電極45/47で構成される。前記ゲート電極43と活性層41との間には、これら間の絶縁のためのゲート絶縁膜13が介在されている。また、前記活性層41は、両側エッジに、高濃度の不純物が注入されたソース/ドレイン領域と、これら間のチャンネル領域とが形成されており、ソース/ドレイン領域は、前記ソース/ドレイン電極45/47にそれぞれ連結されている。OLED60は、第1電極61、第2電極65及びその間に介在された中間層63で構成される。第1電極61は、前記TFT40を覆うパッシベーション膜平坦化膜17上部に画素ごとに形成され、ビアホ―ルH1を通じて前記TFT40のソース/ドレイン電極45/47のうち一つと接続される。前記第1電極61の両側エッジには、画素を定義する画素定義膜81が形成される。画素定義膜81は、第1画素定義膜81a及び第2画素定義膜81bで構成される。第1画素定義膜81aは、第1電極61の間すなわち、第1電極61どうしの間に設けられ、第1電極61の外郭部を覆い、無機膜で形成される。第2画素定義膜81bは、第1電極61の外郭部及びビアホ―ルH1などが形成される急傾斜領域Pを覆って、第1画素定義膜81aの上部に有機膜で形成される。第2画素定義膜81bは、第1画素定義膜81aのエッジから一定距離ほど離れて位置する。第1画素定義膜81aと第2画素定義膜81bとのエッジ間の間隔は、約1μm以下であることが望ましく、第1電極61の開口率及び発光有効領域を考慮して決定できる、前記第1画素定義膜81aの厚さは、約0.1μm~1μmに設定される。前記第2画素定義膜81bの厚さは、図1のA-A’方向左右方向の場合、隣接するR、G、B画素間の混色を防止するために、約0.1μm~2μmに設定し、B-B’方向上下方向の場合、有機発光層の膜厚段差を低減するために、約0.1μm~1μmに設定することが望ましい。前記第1画素定義膜81aは、第1電極61の上部に積層される中間層63の表面エネルギーと類似した表面エネルギーを持つ無機材料で形成し、前記第2画素定義膜81bは、中間層63の表面エネルギーと異なる表面エネルギーを持つ有機材料で形成する。有機発光層をインクジェット、ノズルなどのプリンティング方法を通じて形成するためには、画素間の混色を防止するために画素間に画素定義膜を形成し、画素定義膜の撥液性表面処理が必要である。この時、画素定義膜が高い場合、画素定義膜と接触する画素の外郭部と中心部との膜厚が変わるという問題点がある。また画素定義膜が低い場合、ビアホ―ルなどが形成された急傾斜領域Pや、エッチング過程で形成された陥没領域Aなど凹凸部による下部TFT部の屈曲を十分に平坦化させられなくなって、水分、酸素などが浸透でき、第1電極61と第2電極65との間にショートが発生しうる。したがって、本発明は、薄い第1画素定義膜81aを第1電極61の外郭部に形成し、第2画素定義膜81bを第1画素定義膜81aのエッジから一定間隔離して形成することによって、有機発光層すなわち、中間層の膜厚を均一にする。また、クラックなどの凹凸が形成された第1画素定義膜81aの上部に第2画素定義膜81bを形成して、段差被覆性stepcoverageを向上させることによって下部TFT部を平坦化し、第1電極61と第2電極65との間がショートする可能性を低減できる。前記実施形態では、第1画素定義膜81aのエッジを除外した上部に第2画素定義膜81bを形成しているが、他の実施形態として、前記第2画素定義膜81bは、急傾斜領域Pや陥没領域Aなど凹凸部のみにさらに形成してもよい。これにより、下部TFT領域、すなわち平坦化膜17及び第1電極61をさらに確実に平坦化することができる。前記実施形態を説明するための図面には、3つのTFT及び3つのキャパシタが図示されているが、これは説明の便宜のためのものであり、本発明はこれに限定されず、1つのTFT及び1つのキャパシタが含まれてもよいということはいうまでもない。図4~図6は、本発明の望ましい一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示した断面図である。本実施形態では、上下方向に同じ画素が配列され、左右方向にR、G、Bの相異なる画素が配列されるストライプ構造のディスプレイ装置を例として説明する。図4を参照すれば、基板10の上部にTFT及び第1電極61を形成する。基板10は、SiO2を主成分とする透明なガラス材質からなりうる。基板10は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材または金属材など、多様な材質の基板を利用できる。基板10は、画像が基板10方向に具現される背面発光型である場合には、透明な材質で形成せねばならない。しかし、画像が基板10の逆方向に具現される前面発光型である場合には、必ずしも透明な材質で形成する必要はない。この場合、金属で基板10を形成できる。金属で基板10を形成する場合、基板10は炭素、鉄、クローム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチールSUS、インバールInvar合金、インコネルInconel合金及びコバールKovar合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これに限定されるものではない。基板10は金属フォイルで形成できる。絶縁層11は、基板10の上面で不純物イオンが広がることを防止し、水分や外気の浸透を防止し、表面を平坦化するためのバリア層及び/またはバッファ層の役割を行う。前記絶縁層11は、SiO2及び/またはSiNxなどを使用して、PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDeosition法、APCVDAtmosphericPressureCVD法、LPCVDLowPressureCVD法など多様な蒸着方法により蒸着されうる。前記絶縁層11上にTFTの活性層41が形成される。TFTの活性層41は、前記絶縁層11の上部に非晶質シリコンをまず蒸着した後、これを結晶化することによって多結晶シリコン層図示せずを形成し、前記多結晶シリコン層をパターニングすることによって形成されうる。前記TFTの活性層41は、n型またはp型の不純物ドーピングにより、ゲート電極43の両側に対応する活性層41のエッジに形成されたソース/ドレイン領域と、これら間のチャンネル領域とを備える。前記TFTの活性層41上にゲート絶縁膜13が形成される。ゲート絶縁膜13は、SiNxまたはSiOxなどの無機絶縁膜を、PECVD法、APCVD法、LPCVD法などの方法で蒸着できる。前記ゲート絶縁膜13上にはゲート電極43が備えられ、これを覆うように層間絶縁膜15が形成される。ゲート電極43は、Al、Mo、W、Cr、Niまたはこれらの化合物のような多様な導電性材料で形成されうる。もちろん、TFTの活性層以外に他の構成要素までも光が通過する必要性がある場合には、ゲート電極43がITOまたはIZOなどの多様な透明な導電性材料で形成されうる。前記層間絶縁膜15上には、ソース/ドレイン電極45/47がコンタクトホールを通じて活性層41と連結され、これを覆うように平坦化膜17が形成される。前記平坦化膜17は、無機絶縁膜及び/または有機絶縁膜を使用できるが、無機絶縁膜としては、SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST、PZTなどを含ませることができ、有機絶縁膜としては、一般汎用高分子PMMApolymethylmethacrylate、PSpolystyrene、フェノール基を持つ高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、p-キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらのブレンドなどが含まれるようにすることができる。また平坦化膜17は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との複合積層体でも形成できる。前述したようなTFTの積層構造は必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な構造のTFTがいずれも適用できる。また本実施形態では、TFTの一例としてトップゲート方式のTFTを図示しているが、これと異なって、他の構造のTFTが備えられうるということはいうまでもない。前記平坦化膜17の上部には、OLEDの画素電極である第1電極61が形成され、ビアホ―ルH1を通じてソース/ドレイン電極45/47と電気的に連結される。ビアホ―ルH1は、平坦化膜17をエッチングしてソース/ドレイン電極45/47が露出するように、形成される。前記第1電極61は、画素別に多様な導電性物質で形成されうる。ディスプレイ装置が基板10の方向に画像が具現される背面発光型である場合、前記第1電極61は透明電極になり、仕事関数の高いITO、IZO、ZnO、またはIn2O3などで形成されうる。ディスプレイ装置が基板10の逆方向に画像を具現する前面発光型である場合、前記第1電極61は、反射電極で備えられ、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca及びこれらの化合物で反射膜を形成した後、その上に仕事関数の高いITO、IZO、ZnO、またはIn2O3などを形成してなりうる。図5を参照すれば、前記第1電極61の外郭部を覆う第1画素定義膜81aを形成する。前記第1画素定義膜81aを形成するために、前記第1電極61が形成された基板10の全面に無機絶縁層を蒸着し、フォトリソグラフィ工程によりパターニングして、第1電極61の中央部が露出されるように開口H2を形成する。無機絶縁層は、SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5、Pr2O3などから選択された一つ以上の無機絶縁物質であって、スパッタ法、化学真空蒸着CVD:ChemicalVaporDeposition法、蒸着法などにより形成されうる。前記第1画素定義膜81aは、画素の外郭部と中心部との間の有機発光層の膜厚差を低減するために、約0.1μm~1μm範囲の厚さに形成されうる。図6を参照すれば、前記第1画素定義膜81aの上部に第2画素定義膜81bを形成する。前記第1画素定義膜81aが形成された基板10の全面に有機絶縁層を蒸着し、フォトリソグラフィ工程によりパターニングして、第1電極61の中央部及び第1画素定義膜81aのエッジが露出されるように開口H3を形成する。有機絶縁層は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂ポリアクリル、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つ以上の有機絶縁物質であって、スピンコーティング、スロットコーティングなどの方法で形成されうる。前記第2画素定義膜81bの厚さは、左右方向の場合、隣接するR、G、B画素間の混色を防止するために、約0.1μm~2μmに設定し、上下方向の場合、有機発光層の膜厚段差を低減するために、約0.1μm~1μmに設定することが望ましい。前記第1画素定義膜81aと第2画素定義膜81bとのエッジ間の間隔は約1μmであることが望ましい。前記第1電極61及び前記第1画素定義膜81aは、第1電極61の外郭部及びビアホ―ルHの周辺で、低い段差被覆性によってクラックが形成しうる。したがって、前記第1画素定義膜81aの上部に第2画素定義膜81bをさらに形成することによって、クラックを埋め込んで段差被覆性を向上させて、外気浸透及び電極間のショートを防止できる。次いで、図3に示したように、前記第1電極61が露出された開口に有機発光層を含む中間層63及び第2電極65を形成する。前記中間層63は、有機発光層emissivelayer:EMLと、その他に正孔輸送層holetransportlayer:HTL、正孔注入層holeinjectionlayer:HIL、電子輸送層electrontransportlayer:ETL、及び電子注入層electroninjectionlayer:EILなどの機能層のうちいずれか一つ以上の層が単一あるいは複合の構造で積層されて形成されうる。前記中間層63は、低分子または高分子有機物で備えられうる。低分子有機物で形成される場合、中間層63は、有機発光層を中心に第1電極61の方向に正孔輸送層及び正孔注入層などが積層され、第2電極65方向に電子輸送層及び電子注入層などが積層される。それ以外にも、必要に応じて多様な層が積層されうる。この時、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニンCuPc:copperphthalocyanine、N,N-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジンNPB、トリス-8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3などをはじめとして多様に適用できる。一方、高分子有機物で形成される場合には、中間層63は、有機発光層を中心として第1電極61方向に正孔輸送層のみ含まれうる。正孔輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェンPEDOTや、ポリアニリンPANIなどを使用して、インクジェットプリンティングやスピンコーティングの方法により第1電極61の上部に形成できる。この時に使用可能な有機材料として、PPVPoly-Phenylenevinylene系及びポリフルオレン系などの高分子有機物を使用でき、インクジェットプリンティングやスピンコーティングまたはレーザーを利用した熱転写方式などの通常の方法でカラーパターンを形成できる。前記第2電極65は、基板10の全面に蒸着されて共通電極として形成されうる。本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、第1電極61は、アノード電極として使われ、第2電極65はカソード電極として使われる。もちろん、電極の極性は逆に適用できるということはいうまでもない。有機発光ディスプレイ装置が、基板10の方向に画像が具現される背面発光型である場合、第1電極61は透明電極になり、第2電極65は反射電極になる。この時、反射電極は仕事関数の小さな金属、例えば、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、またはこれらの化合物を薄く蒸着して形成できる。一方、前記図面には図示されていないが、第2電極65上には、外部の水分や酸素から有機発光層を保護するための密封部材図示せず及び吸湿剤図示せずなどがさらに備えられうる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。"