"式1:式中、R1及びR2はそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよく炭素数1~6のアルキル基を示し、R1とR2がそれぞれ末端で互いに結合して炭素原子及び窒素原子とともに環を形成していてもよい。nは0~3の整数を示す。A-はビスパーフルオロアルカンスルホニルイミド又はパーフルオロアルカンスルホネートを示す。で表されるアミジニウム塩。R1とR2がメチル基又はエチル基である請求項1に記載のアミジニウム塩。A-がビストリフルオロメタンスルホニルイミド、ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド又はトリフルオロメタンスルホネートである請求項1又は2に記載のアミジニウム塩。式2:式中、R1、R2及びnは前記と同じ。で表されるアミジン化合物と、式3:HA-3式中、A-は前記と同じ。で表される有機酸を反応させることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のアミジニウム塩の製造方法。請求項1~3のいずれかに記載のアミジニウム塩の少なくとも1種を含有することを特徴とする帯電防止剤。活性プロトンを有するアミジニウム塩は、上記記載のような触媒、層間絶縁膜材料等に使用されることが知られている。本発明者が、1,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン=アセテート、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=アセテート及び1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=アセテートの耐熱性について分析を実施したところ、その熱分解温度実施例で定義はいずれも200°C以下であり、十分な耐熱性を有していないことが判明した。本発明は、このような従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、耐熱性が高く、より高温域で使用可能な活性プロトンを有するアミジニウム塩を提供することである。本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、アミジニウム塩1が上記課題を解決でき、しかもアミジニウム塩1が導電性を有するため、帯電防止剤として使用できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は式1:式中、R1及びR2はそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよく炭素数1~6のアルキル基を示し、R1とR2がそれぞれ末端で互いに結合して炭素原子及び窒素原子とともに環を形成していてもよい。nは0~3の整数を示す。A-はビスパーフルオロアルカンスルホニルイミド又はパーフルオロアルカンスルホネートを示す。で表されるアミジニウム塩及びそれらアミジニウム塩の少なくとも1種を含有してなる帯電防止剤に関する。本発明によれば、耐熱性が高く、より高い温度域での使用に対応しうるアミジニウム塩及びそれらの少なくとも1種を含有する帯電防止剤を提供できるため、工業的利用価値が高い。以下、本発明を詳細に説明する。式1中、R1及びR2で表される炭素数1~6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。好ましくは、炭素数1~3のアルキル基であり、より好ましくは、炭素数1~2のアルキル基である。R1とR2がそれぞれ末端で互いに結合して炭素原子及び窒素原子とともに環を形成していてもよい。R1とR2が末端で互いに結合して炭素原子及び窒素原子とともに環を形成する場合の環としては4~7員環であり、好ましくは5~7員環である。式1中、A-はビスパーフルオロアルカンスルホニルイミド又はパーフルオロアルカンスルホネートを示す。ビスパーフルオロアルカンスルホニルイミドイオンとしては、式4:Rf1SO2Rf2SO2N-4式中、Rf1及びRf2は同じであっても異なっていてもよく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基を示す。で表されるアニオンであり、Rf1及びRf2で示される炭素数1~4のパーフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。具体的には、ビストリフルオロメタンスルホニルイミドイオン[CF3SO22N-]、ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミドイオン[CF3CF2SO22N-]、ビスノナフルオロブタンスルホニルイミドイオン[CF3CF2CF2CF2SO22N-]、トリフルオロメタンスルホニルペンタフルオロエタンスルホニルイミドイオン[CF3SO2CF3CF2SO2N-]、トリフルオロメタンスルホニルヘプタフルオロプロパンスルホニルイミドイオン[CF3SO2CF3CF2CF2SO2N-]、トリフルオロメタンスルホニルノナフルオロブタンスルホニルイミドイオン[CF3SO2CF3CF2CF2CF2SO2N-]等が挙げられ、好ましくはビストリフルオロメタンスルホニルイミドイオン[CF3SO22N-]及びビスペンタフルオロエタンスルホニルイミドイオン[CF3CF2SO22N-]である。パーフルオロアルカンスルホネートイオンRfSO3-としては、炭素数1~8のパーフルオロアルカンスルホネートイオンが挙げられ、具体的には、トリフルオロメタンスルホネートイオンCF3SO3-、ペンタフルオロエタンスルホネートイオンCF3CF2SO3-、ヘプタフルオロプロパンスルホネートイオン[CF3CF22SO3-]、ノナフルオロブタンスルホネートイオン[CF3CF23SO3-]、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネートイオン[CF3CF27SO3-]等が挙げられ、好ましくはトリフルオロメタンスルホネートイオンCF3SO3-である。アミジニウム塩1としては、具体的には、4,5-ジヒドロ-1,2-ジメチル-1H-イミダゾリウム=ビストリフルオロメタンスルホニルイミド、4,5-ジヒドロ-1,2-ジメチル-1H-イミダゾリウム=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド、4,5-ジヒドロ-1,2-ジメチル-1H-イミダゾリウム=トリフルオロメタンスルホネート、1,4,5,6-テトラヒドロ-1,2-ジメチル-ピリミジニウム=ビストリフルオロメタンスルホニルイミド、1,4,5,6-テトラヒドロ-1,2-ジメチル-ピリミジニウム=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド、1,4,5,6-テトラヒドロ-1,2-ジメチル-ピリミジニウム=トリフルオロメタンスルホネート、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミド、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=トリフルオロメタンスルホネート、1,5-ジアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミド、1,5-ジアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド、1,5-ジアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン=トリフルオロメタンスルホネート、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミド、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=トリフルオロメタンスルホネート等が挙げられ、1,4,5,6-テトラヒドロ-1,2-ジメチル-ピリミジニウム=ビストリフルオロメタンスルホニルイミド、1,4,5,6-テトラヒドロ-1,2-ジメチル-ピリミジニウム=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド、1,4,5,6-テトラヒドロ-1,2-ジメチル-ピリミジニウム=トリフルオロメタンスルホネート、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミド、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=トリフルオロメタンスルホネート、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミド、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド及び1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=トリフルオロメタンスルホネートが好ましい。次にアミジニウム塩1の製造方法について説明する。アミジニウム塩1は、式2:式中、R1、R2及びnは前記と同じ。で表されるアミジン化合物以下、アミジン2というと、式3:HA-3式中、A-は前記と同じ。で表される有機酸以下、有機酸3というを反応させることにより製造できる。アミジン2としては、具体的には、4,5-ジヒドロ-1,2-ジメチル-1H-イミダゾール、1,4,5,6-テトラヒドロ-1,2-ジメチル-ピリミジン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン、1,5-ジアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン等が挙げられ、1,4,5,6-テトラヒドロ-1,2-ジメチル-ピリミジン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン及び1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エンが好ましい。有機酸3としては、式5:HRf1SO2Rf2SO2N-5式中、Rf1及びRf2は同じであっても異なっていてもよく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基を示す。で表される有機酸が用いられる。Rf1及びRf2で示される炭素数1~4のパーフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。具体的には、ビストリフルオロメタンスルホニルイミド酸[HCF3SO22N-]、ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド酸[HCF3CF2SO22N-]、ビスノナフルオロブタンスルホニルイミド酸[HCF3CF2CF2CF2SO22N-]、トリフルオロメタンスルホニルペンタフルオロエタンスルホニルイミド酸[HCF3SO2CF3CF2SO2N-]、トリフルオロメタンスルホニルヘプタフルオロプロパンスルホニルイミド酸[HCF3SO2CF3CF2CF2SO2N-]、トリフルオロメタンスルホニルノナフルオロブタンスルホニルイミド酸[HCF3SO2CF3CF2CF2CF2SO2N-]等が挙げられ、好ましくはビストリフルオロメタンスルホニルイミド酸[HCF3SO22N-]及びビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド酸[HCF3CF2SO22N-]である。また、有機酸3としてはパーフルオロアルカンスルホン酸HRfSO3-も用いることができる。パーフルオロアルカンスルホン酸HRfSO3-としては、炭素数1~8のパーフルオロアルカンスルホン酸が挙げられ、具体的には、トリフルオロメタンスルホン酸HCF3SO3-、ペンタフルオロエタンスルホン酸HCF3CF2SO3-、ヘプタフルオロプロパンスルホン酸[HCF3CF22SO3-]、ノナフルオロブタンスルホン酸[HCF3CF23SO3-]、ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸[HCF3CF27SO3-]等が挙げられ、好ましくはトリフルオロメタンスルホン酸HCF3SO3-である。アミジン2と有機酸3との反応においては、溶媒を使用しても使用しなくともよく、溶媒を使用するときの溶媒としては、アミジン2及び有機酸3に対して安定な溶媒であれば特に制限されないが、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン等の脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒等が挙げられる。溶媒の使用量は、特に制限はないが、アミジン21重量部に対して通常100重量部以下、好ましくは50重量部以下、より好ましくは5~25重量部である。アミジン2と有機酸3との反応を実施するには、例えば、アミジン2と有機酸3の混合物、又はアミジン2、有機酸3と溶媒の混合物を通常50°C以下、好ましくは25°C以下、より好ましくは-10~20°Cで撹拌すればよい。アミジン2と有機酸3、又はアミジン2、有機酸3と溶媒の混合順序は特に限定されず、アミジン2に有機酸3を添加してもよいし、有機酸3にアミジン2を添加してもよい。溶媒を使用する場合は、アミジン2と溶媒を混合した後に有機酸3又は有機酸3と溶媒の混合物を添加してもよいし、有機酸3と溶媒を混合した後にアミジン2又はアミジン2と溶媒の混合物を添加してもよい。アミジン2の使用量は、有機酸31モルに対して1モル使用すればよいが、通常0.9モル以上、好ましくは0.95~1.2モル、より好ましくは0.95~1.05モルである。反応により生成したアミジニウム塩1は、過剰に用いたアミジン2又は有機酸3を加熱減圧等により留去することにより得られる。また、アミジニウム塩1が溶媒に不溶であれば、濾過することにより得ることができる。得られたアミジニウム塩1は、溶媒から再結晶することにより、精製することができる。本発明の帯電防止剤は、アミジニウム塩1を導電性成分として含有してなるものであり、単独であっても帯電防止剤として用いることができるが、必要に応じて安定化剤等の添加剤又は溶媒等を混合して用いることもできる。本発明の帯電防止剤を使用できる絶縁物としては樹脂組成物、ゴム等が挙げられる。帯電防止性を付与するには、本発明の帯電防止剤を樹脂組成物、ゴム等の製造時にそれらの材料に添加、混合する等の方法または樹脂組成物、ゴム等に塗布する方法等が挙げられる。以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。下記の実施例中、1H-NMRは日本ブルカー株式会社製AVANCE400を使用し、溶媒にacetone-d6又はDMSO-d6を用いて400MHzで測定した。融点はセイコーインスツルメント株式会社製の示差走査熱量測定器DSC220を使用して測定した。また、熱分解温度は、セイコーインスツルメント株式会社製の熱重量示差熱同時測定器TG/DTA220を使用して測定し、重量減少零の直線と重量減少を直線近似した線との交点から算出した値を熱分解温度とした。実施例11,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミドの合成温度センサーと撹拌子を備えた50ml二つ口丸底フラスコに、1,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン以下、DMTHPMと示す1.12g0.01モル及びDMTHPMに対して10倍重量部のトルエンを入れ、撹拌しながら0°Cまで冷却した。この溶液に、ビストリフルオロメタンスルホニルイミド酸2.81g0.01モルをトルエン14.15gに溶解させた液を、温度が6°Cを超えないように滴下した。滴下終了後、0°Cで10分間撹拌し、さらに室温で1時間撹拌した。この時、反応液は二層に分液していた。この反応液を分液して得た下層を、トルエン8gで二度洗浄し、75°C及び3~4kPaで1時間濃縮した。得られた濃縮残渣を0.1kPa以下及び75°Cで6時間乾燥し、1,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミド3.44g収率87を得た。得られた1,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミドの1H-NMRの分析結果、融点及び熱分解温度を次に示す。1H-NMRacetone-d6δppm8.58broad,1H、3.61t,2H、3.49t,2H、3.29s,3H、2.40s,3H、2.18-2.07m,2H融点:36°C、熱分解温度:421°C実施例21,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミドの合成実施例1のDMTHPMの代わりに1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン以下、DBNと示す1.24g0.01モルを用いた以外は、実施例1と同様に実施し、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミド塩3.56g収率88を得た。得られた1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミドの1H-NMRの分析結果、融点及び熱分解温度を次に示す。1H-NMRacetone-d6δppm8.78broad,1H、3.87-3.75m,2H、3.64-3.46m,4H、3.01t,2H、2.28-2.17m,2H、2.17-2.07m,2H融点:58°C、熱分解温度:428°C実施例31,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミドの合成実施例1のDMTHPMの代わりに1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン以下、DBUと示す1.52g0.01モルを用いた以外は、実施例1と同様に実施し、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミド3.89g収率90を得た。得られた1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=ビストリフルオロメタンスルホニルイミドの1H-NMRの分析結果、融点及び熱分解温度を次に示す。1H-NMRDMSO-d6δppm9.48broad,1H、3.59-3.51m,2H、3.48t,2H、3.25t,2H、2.69-2.58m,2H、1.97-1.86m,2H、1.73-1.56m,6H融点:29°C、熱分解温度:427°C実施例41,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミドの合成温度センサーと撹拌子を備えた50ml二つ口丸底フラスコに、DMTHPM0.34g0.003モル及びDMTHPMに対して10倍重量部のトルエンを入れ、撹拌しながら0°Cまで冷却した。この溶液に、ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド酸1.15g0.003モルをトルエン5.73gに溶解させた液を、温度が4°Cを超えないように滴下した。滴下終了後、0°Cで10分間撹拌し、さらに室温で1時間撹拌した。この時、反応液は二層に分液していた。この反応液を分液して得た下層を、トルエン8gで二度洗浄し、75°C及び3~4kPaで1時間濃縮した。得られた濃縮残渣を0.1kPa以下及び75°Cで6時間乾燥し、1,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド1.16g収率78を得た。得られた1,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミドの1H-NMRの分析結果、融点及び熱分解温度を次に示す。1H-NMRacetone-d6δppm8.04broad,1H、3.62t,2H、3.49t,2H、3.29s,3H、2.41s,3H、2.18-2.08m,2H融点:46°C、熱分解温度:407°C実施例51,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミドの合成実施例4のDMTHPMの代わりにDBN0.37g0.003モルを用いた以外は、実施例4と同様に実施し、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド1.21g収率80を得た。得られた1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミドの1H-NMRの分析結果、融点及び熱分解温度を次に示す。1H-NMRacetone-d6δppm8.77broad,1H、3.83t,2H、3.64-3.50m,4H、3.01t,2H、2.28-2.18m,2H、2.18-2.08m,2H融点:43°C、熱分解温度:412°C実施例61,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミドの合成実施例4のDMTHPMの代わりにDBU0.46g0.003モルを用いた以外は、実施例4と同様に実施し、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド1.30g収率81を得た。得られた1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=ビスペンタフルオロエタンスルホニルイミドの1H-NMRの分析結果、融点及び熱分解温度を次に示す。1H-NMRacetone-d6δppm8.31broad,1H、3.78-3.66m,4H、3.49t,2H、2.88-2.77m,2H、2.19-2.09m,2H、1.86-1.71m,6H融点:52°C、熱分解温度:409°C実施例71,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン=トリフルオロメタンスルホネートの合成温度センサーと撹拌子を備えた50ml二つ口丸底フラスコに、DMTHPM1.69g0.015モル及びDMTHPMに対して10倍重量部のトルエンを入れ、撹拌しながら0°Cまで冷却した。この溶液に、トリフルオロメタンスルホン酸2.08g0.014モルを、温度が8°Cを超えないように滴下した。滴下終了後、0°Cで10分間撹拌し、さらに室温で1時間撹拌した。この時、白色の結晶が析出していた。この結晶を濾過し、トルエン8gで三回洗浄し、75°C及び3~4kPaで1時間乾燥した。さらに0.1kPa以下及び75°Cで6時間乾燥し、1,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン=トリフルオロメタンスルホネート3.56g収率97:トリフルオロメタンスルホン酸基準を得た。得られた1,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン=トリフルオロメタンスルホネートの1H-NMRの分析結果、融点及び熱分解温度を次に示す。1H-NMRacetone-d6δppm8.77broad,1H、3.59t,2H、3.44t,2H、3.28s,3H、2.37s,3H、2.16-2.06m,2H融点:37°C、熱分解温度:390°C実施例81,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=トリフルオロメタンスルホネートの合成温度センサーと撹拌子を備えた50ml二つ口丸底フラスコに、DBN1.87g0.015モル及びDBNに対して10倍重量部のトルエンを入れ、撹拌しながら0°Cまで冷却した。この溶液に、トリフルオロメタンスルホン酸2.08g0.014モルを、温度が8°Cを超えないように滴下した。滴下終了後、0°Cで10分間撹拌し、さらに室温で1時間撹拌した。この時、反応液は二層に分液していた。この反応液を分液して得た下層を、トルエン8gで二回洗浄し、75°C及び3~4kPaで1時間濃縮した。得られた濃縮残渣を0.1kPa以下及び75°Cで6時間乾燥し、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=トリフルオロメタンスルホネート3.33g収率87:トリフルオロメタンスルホン酸基準を得た。得られた1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=トリフルオロメタンスルホネートの1H-NMRの分析結果、融点及び熱分解温度を次に示す。1H-NMRacetone-d6δppm7.97broad,1H、3.79t,2H、3.59-3.51m,2H、3.51-3.43m,2H、2.99-2.90m,2H、2.26-2.14m,2H、2.14-2.06m,2H融点:58°C、熱分解温度:392°C比較例11,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン=アセテートの合成実施例7のトリフルオロメタンスルホン酸の代わりに酢酸0.84g0.014モルを用いた以外は、実施例7と同様に実施し、1,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン=アセテート2.06g収率85:酢酸基準を得た。得られた1,2-ジメチル-1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン=アセテートの1H-NMRの分析結果、融点及び熱分解温度を次に示す。1H-NMRacetone-d6δppm3.46-3.38m,2H、3.34-3.26m,2H、3.14s,3H、2.29s,3H、1.99-1.90m,2H、1.72s,3H融点:85°C、熱分解温度:168°C比較例21,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=アセテートの合成実施例8のトリフルオロメタンスルホン酸の代わりに酢酸0.86g0.014モルを用いた以外は、実施例8と同様に実施し、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=アセテート0.44g収率17:酢酸基準を得た。得られた1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン=アセテートの1H-NMRの分析結果、融点及び熱分解温度を次に示す。1H-NMRDMSO-d6δppm12.76broad,1H、3.56-3.44m,2H、3.37-3.16m,4H、2.80-2.66m,2H、2.06-1.91m,2H、1.91-1.76m,2H、1.66s,3H融点:51°C、熱分解温度:162°C比較例31,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=アセテートの合成比較例2のDBNの代わりにDBU2.29g0.015モルを用い、酢酸量を0.85g0.014モルにした以外は、比較例2と同様に実施し、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=アセテート0.03g収率1:酢酸基準を得た。得られた1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン=アセテートの1H-NMRの分析結果、融点及び熱分解温度を次に示す。1H-NMRacetone-d6δppm3.61-3.42m,4H、3.34-3.21m,2H、2.87-2.73m,2H、1.97-1.84m,2H、1.79-1.53m,9H融点:57°C、熱分解温度:158°C応用例実施例1から8で製造したアミジニウム塩の帯電防止能を、株式会社ナノシーズ社製の静電気電荷拡散率測定装置NS-D100を用いて測定した。この装置は、試料に正電荷または負電荷をコロナ放電により強制的に印加し、その後の表面電位の減衰を測定するものである。電荷印加終了時の初期表面電位から、表面電位の減衰があるということは、その試料は導電性、つまり帯電防止能があるということを意味する。今回の測定は、温度23°C、湿度50RHの恒温恒湿器内で、アミジニウム塩に正電荷または負電荷を120秒間印加し、その後600秒間、表面電位を測定した。その結果を表1に示す。表1の結果から、本発明のアミジニウム塩は、電荷が印加されても帯電しても表面電位が顕著に減衰することから、帯電防止能があることがわかる。"