"GaAs単結晶ウエハの半径方向歪をSr及び円周面の接線方向歪をStとするとき、前記ウエハ平面内の残留応力の絶対値|Sr-St|が、前記平面の中心部で1.0×10-5未満であり、前記平面の外周部で1.0×10-5以上である領域及び前記外周部の011方向で1.0×10-5未満である領域を有することを特徴とするGaAs単結晶ウエハ。請求項1において、前記ウエハ面内の転位密度が、30000個/cm2以下であることを特徴とするGaAs単結晶ウエハ。請求項1又は2において、前記ウエハは、その外径が100mm以上であることを特徴とするGaAs単結晶ウエハ。サセプターに載置されたルツボを容器内に収納し、前記ルツボ内に加熱によって溶融したGaAs融液と液体封止剤とを有し、種結晶を前記GaAs融液からなる液相に接触させながら前記種結晶とルツボとの相対的な移動によってGaAs固相からなるGaAs単結晶を製造させるGaAs単結晶ウエハの製造方法において、前記単結晶製造中の前記固相と液相との固液界面における前記固相の形状を前記液相側に凸状とし、該凸状となっている凸度{前記融液と液体封止剤の界面から前記凸の先端部までの長さT1と前記単結晶外径T2との比T1/T2}を0.25以上、前記固液界面の前記相対的な移動方向における結晶成長速度V1を4mm/hr~7mm/hr、及び、前記固相の冷却速度V2を5°C/hr以下とすることを特徴とするGaAs単結晶ウエハの製造方法。以上の半絶縁性GaAs単結晶を成長させた後に、これをスライス加工して得られる半絶縁性GaAsウエハを基板にしてAlGaAsやInGaAs等の化合物半導体薄膜を有機金属気相成長MOVPE法や分子線エピタキシャル成長MBE法等によりエピタキシャル成長させ、その後、リソグラフィー及びエッチング等の技術を駆使して電子デバイスや受発光デバイス等が作製される。ここで、エピタキシャル成長させるAlGaAsやInGaAs等の化合物半導体薄膜は、その下地ウエハであるGaAs等と組成が異なるため、格子定数や熱膨張係数が異なる。そのため、エピタキシャルウエハは高い歪みを有し、エピタキシャルウエハ全体を凸形状に反らせたりする。また、上記のような製造プロセス中において、半絶縁性GaAsウエハは、何度か高温に晒される。例えば、MOVPE法によるエピタキシャル成長では、ウエハを約800°Cまで昇温させ、エピタキシャル成長し、降温する工程があり、ウエハ自体が高温に晒されることになる。図4は、単結晶ウエハのアニール処理後のスリップが発生した単結晶ウエハの平面模式図である。図4に示すように、格子定数が異なるエピタキシャル層を形成した化合物半導体ウエハは、少なからず反りを有しており、エピタキシャル成長後に降温させる際、もしくはエピタキシャル成長後のウエハアニール処理中の昇降温時、反り、つまり格子歪みを開放するべく、ウエハ15上に、ウエハ15の外周縁部から結晶方向に向かう直線状のすじ、つまりスリップ16が発生する。ウエハ15に急激な温度変化を与えると、上記内部の歪みを開放するために結晶が一部移動し、それが結晶面の高さにずれを生じさせて、ウエハ表面に段差が生じる。これがスリップであり、結晶の開放端であるウエハ外周縁部から発生し、その段差は中心方向に伝搬され、外周縁部から中心に向かう直線状のすじとなって現れる。ウエハの中央付近にはデバイス形成領域が位置しているため、スリップがデバイス領域に伝搬されると、デバイスに、断線等の不良が生じるといった問題があった。スリップの発生を抑制するには、エピタキシャル成長後の降温速度やウエハアニール処理時の昇温速度及び降温速度を小さくすること等が効果的であるが、デバイスの特性を制御したり、安定させたりする上では昇温速度及び降温速度が大きい方が有利である場合が多いため、昇温速度及び降温速度を小さくすることは難しい。特許文献2においては、そのため、あらかじめエピタキシャル成長用化合物半導体ウエハを、エピタキシャル層を成長させる表面を上側に向けた時に中央部が低く、かつ周辺部が高く同心円状に反った凹状とすることで、エピタキシャル成長後の反りを修正し、スリップの発生を抑止していた。しかし、直径150mmを超えるGaAsウエハの大口径化に伴ない、ウエハを凹形状としても、ウエハの熱処理やエピタキシャル成長により、ウエハ外周縁部から中心に向かうスリップが発生しやすくなっている。これはウエハの大口径化により、面内温度均一性を保つことが難しくなってきており、ウエハの反り形状による歪みを修正してもなお、中心部と外周縁部との温度不均一により発生する熱応力により歪みが開放され、結果としてウエハ外周縁部から中心に向かうスリップが発生する。これはLEC法やVB法といったGaAs単結晶の製造方法に依らず発生が確認されており、直径150mmを超えるGaAsウエハ全体に当てはまる問題と言える。特許文献1、4においては、スリップ発生を抑制する手段として、ウエハ面内の残留応力を小さくすることは大前提であったが、直径150mmを超えるGaAs単結晶の製造では、結晶成長中の結晶外周部と結晶中心部での温度差により、どうしても結晶に残留応力が生じてしまう。この残留応力を解放する方法には、急峻な温度勾配を持つ熱処理を加えることにより、転位を発生させるというものがあるが、高転位密度のGaAsウエハは、いわゆる縦型デバイスと呼ばれるものへの適用が困難とされる。特許文献3においては、LEC法による化合物単結晶の製造において多結晶化を防止するもので、スリップ発生とその抑制について何ら示されていない。本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、GaAs単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップの発生が無い大口径のGaAs単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。本発明は、GaAs単結晶ウエハの半径方向歪をSr及びその円周面の接線方向歪をStとするとき、前記ウエハ平面内の残留応力の絶対値|Sr-St|が、前記平面の中心部で1.0×10-5未満であり、前記平面の外周部で1.0×10-5以上である領域及び前記外周部の011方向で1.0×10-5未満である領域を有することを特徴とするGaAs単結晶ウエハにある。本発明は、GaAs単結晶ウエハがそのウエハ平面内の転位密度以下、EPDと称するが30000個/cm2以下であること、又、その外径が100mmφ以上であることが好ましい。本発明において、円形状ウエハにおいて、その円形状の平面の中心点から外縁まで半径にて3等分したとき、中心点から2/3より外側を外周部、その内側を中心部とするものである。尚、中心部に残留応力の高い領域が存在する単結晶ウェハ外周部で|Sr-St|が10×10-5以上の領域が内側に延びたもの、その領域と連続していなくても、中心部に残留応力の高い領域が存在するものは、後工程においてスリップの発生率が高くなるので、本発明には該当しないものである。本発明は、サセプターに載置されたルツボを容器内に収納し、該ルツボ内に加熱によって溶融したGaAs融液と液体封止剤とを有し、種結晶を前記GaAs融液からなる液相に接触させながら前記種結晶とルツボとを相対的に移動させてGaAs固相からなるGaAs単結晶を製造させるGaAs単結晶ウエハの製造方法において、前記単結晶製造中の前記固相と液相との固液界面における前記固相の形状を前記液相側に凸状とし、該凸状となっている凸度{前記融液と液体封止剤の界面から前記凸の先端部までの長さT1と前記単結晶外径T2との比T1/T2}を0.25以上、前記固液界面の前記相対的な移動方向における結晶成長速度V1を4mm/hr~7mm/hr、及び、前記固相の冷却速度V2を5°C/hr以下とすることを特徴とする。この製造法によって、半径方向歪をSr、円周面の接線方向歪をStとするとき、半絶縁性GaAsウエハの平面内の残留応力|Sr-St|が、ウエハ平面の中心部で|Sr-St|<10×10-5であり、その外周部で|Sr-St|≧10×10-5である領域を有し、また、ウエハ外周部の0ll方向で|Sr-St|<10×10-5である領域が存在するGaAs単結晶ウエハが得られ、残留歪の高い001面及び010方向と残留歪の小さい011方向の組合せにより、GaAsウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、ウエハ自身の反り形状や、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減でき、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いGaAs単結晶ウエハが実現できる。本発明は、半絶縁性GaAs単結晶を成長させた後に、その半絶縁性GaAs単結晶をスライス加工して得られた半絶縁性GaAs単結晶ウエハにおいて、半径方向歪をSr、円周面の接線方向歪をStとするとき、前記半絶縁性GaAsウエハ平面内の残留応力|Sr-St|が、ウエハ平面内の中心部で|Sr-St|<10×10-5であり、その外周部で|Sr-St|≧10×10-5である領域を有し、かつ、ウエハ外周部の011方向で|Sr-St|<10×10-5である領域が存在し、好ましくは、ウエハ面内の転位密度EPDが30000個/cm2以下である半絶縁性GaAsウエハである。ここで、ウエハ面内の残留応力を光弾性現象を利用して光学的に測定する方法を説明する。光弾性現象とは、等方等質な弾性体に外力を加えることによって応力を生じ、結果として一時的に異方性となり、光学的に複屈折光の偏光の向きによって屈折率が異なる状態を生じる現象を言う。光弾性現象を利用した測定方法では、応力が内在している結晶に赤外光を照射し、透過光の偏光面の回転角度を検知することで、応力の測定を行なう。ここで、入射された赤外光は、結晶中の残留応力により複屈折を生じ、偏光面によって屈折率が異なるため、その速度も変わり、位相差を生じる。結果として、主振動方位角と位相差から求められる透過光の偏光面が回転することになるが、その偏光面の回転角度の大きさは、以上の原理より、ウエハ内の残留応力に依存する。従って、偏光面の回転角度を検知することで残留応力が測定される。本発明におけるGaAsウエハ面内の残留応力|Sr-St|の定義は、円柱座標での半径方向歪であるSrと、円周面の接線方向歪であるStとの差の絶対値|Sr-St|として算出するものである。残留応力|Sr-St|は、式1で定義される。式1λ:光源光の波長、d:ウエハの厚さ、no:屈折率、δ:サンプルの複屈折により生じる位相差、φ:主振動方位角、P11、P12、P44:光弾性定数式1から明らかなように、位相差δと主振動方位角φを測定すれば、ウエハの残留歪みである|Sr-St|を算出することができる。尚、特許文献4では、スリップ発生率の臨界点として、|Sr-St|=18×10-5とすることを見出している。しかし、本発明者はさらに研究を重ね、ウエハ平面内の中心部及び外周部の011方向で|Sr-St|<10×10-5である領域を有する半絶縁性GaAsウエハにおいては、00l面及び010方向で|Sr-St|が18×10-5を越えてもスリップの発生が抑制されることを見出した。これにより、転位を導入することなくスリップ発生の無いGaAsウエハが実現される。本発明は、前述のように、固液界面の凸度T1/T2を025以上に制御することにより、製造される半絶縁性GaAsウエハで、前記半絶縁性GaAsウエハ面内の残留応力|Sr-St|が、ウエハ平面内の中心部で10×10-5未満であり、その外周部で10×10-5以上である領域を形成することができる。また、その固液界面の結晶円柱方向における結晶成長速度V1を4mm/hr~7mm/hrに制御することにより、製造される半絶縁性GaAsウエハ面内の残留応力|Sr-St|が、ウエハ外周部の011方向で10×10-5未満である領域を形成することができる。すなわち、結晶の成長速度は、結晶の配列性に強く影響しており、結晶の成長速度が遅いほど、結晶は応力を均等にしようと配列する。つまり、結晶の成長速度を早くすることで、特定の方位に残留応力を偏らせることが可能となる。ただし、残留応力が大きすぎると、応力解放のために転位の導入が起こる。そこで、結晶成長時における、固液界面の結晶円柱方向における結晶成長速度Vlを4mm/hr~7mm/hrに制御することにより、転位の発生をコントロールしつつ、残留応力の偏りをコントロールして、ウエハ平面内の残留応力|Sr-St|を、ウエハ外周部の011方向で10×10-5未満であり、001面及び010方向で10×10-5以上であるようにすることができる。ただし、そのように成長した結晶の冷却速度V2は5°C/hr以下であるようにすることが必要である。すなわち、結晶の冷却は、結晶表面から冷却されることで、結晶内部との温度差が生じるため、熱応力が生じる。つまり、結晶の冷却速度を小さくすることで、冷却過程における熱応力の発生を抑え、応力解放のための転位の導入を防ぐことができる。本発明によれば、GaAs単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無い大口径のGaAs単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することができる。図1は、LEC法により半絶縁性GaAs単結晶を製造するGaAs単結晶製造装置の断面図である。図1に示すように、不活性雰囲気ガス7で満たされた炉体部分である高圧容器8からなる成長炉には、単結晶を引上げる為の引上げ軸上軸9が設けられ、引上げ軸9の先端に、種結晶シード結晶2が取り付けられる。引上げ軸9は、成長炉の上方から炉内に挿入され、炉内に設置されているルツボ4に対峙される。ルツボ4は、サセプタ10を介して回転及び昇降自在なペデスタル下軸11に支持される。ルツボ4には、単結晶3となる原料5、例えば、III族原料、V族原料と、液体封止材6として、例えば、B2O3とが収容される。ペデスタルllは成長炉の下方より引上げ軸9と同心に成長炉内に挿入され、サセプタ10はペデスタル11の上端に固定される。ペデスタルll、引上げ軸9はそれぞれ回転装置図示せずにより回転され、昇降装置図示せずにより昇降される。また、成長炉には、原料5及び液体封止材6を溶融する加熱手段として、上部ヒータ12と下部ヒータ13、上部ヒータ12及び下部ヒータ13の温度を制御する温度コントローラ図示せずとが設けられ、ペデスタルllにはルツボ4内の原料5及び液体封止材6の温度を検出するための温度検出手段として熱電対14が設けられる。上部ヒータ12及び下部ヒータ13は、サセプタ10を円周方向に沿って包囲するように成長炉内にサセプタ10と同心に設置され、熱電対14はペデスタル11の軸内上部に設置され、ルツボ4を加熱し主に結晶の外径を制御する役割を有する上部ヒータ12及び主に固液界面形状を制御する役割を有する下部ヒータ13を有する構造となっている。GaAs単結晶を製造する際は、まず、炉内が所定圧の不活性ガス雰囲気に保持される。ルツボ4に原料としてIII族、V族原料を収容した場合、不活性ガスの圧力は、原料5からのV族原料の解離を防止する圧力に設定される。次に、温度コントローラにより上部ヒータ12及び下部ヒータ13が加熱される。ルツボ4の温度が上部ヒータ12及び下部ヒータ13の加熱により液体封止材6の溶融温度に到達すると、液体封止材6が溶融する。上部ヒータ12及び下部ヒータ13の温度が原料5の溶融温度に到達すると原料5が溶融する。このとき、液体封止材6の比重よりも、一般に、原料5の融液の比重が大きいので液体封止材6により、原料融液の表面が覆われる。これにより、原料5の融液からのV族元素の解離が防止される。結晶成長の際は、引上げ軸9の先端に固定された種結晶2を原料5の融液に接触させ、この状態で温度コントローラのフィードバック制御によって上部ヒータ12及び下部ヒータ13の温度を徐々に低下させながらゆっくりと引上げていく。こうすることで、結晶が成長し、成長単結晶3が液体封止材6を貫いて引上げられていく。この結晶の成長中は、結晶頭部から非酸化性ガスを吹き付けて、軸方向での温度勾配を制御するもので、非酸化性ガスを吹き付け領域、その温度及びその流量を適宜調整しながら行った。また、結晶の成長の進行に伴ってルツボ4内の融液が減少すると、必然的に液面位置が下がり、上部ヒータ12及び下部ヒータ13と結晶成長界面の位置関係が変化し、融液を効率良く加熱することが難しくなってしまう。このため、結晶の成長量から液面の低下量を算出してこれを補正するように昇降装置を制御し、ペデスタルllを徐々に上昇させて、ルツボ4の位置を調整し、融液の液面を、上部ヒータ12及び下部ヒータ13の発熱帯に対して常に一定の位置に調節する制御が実行される。図1に示すLEC法によるGaAs単結晶製造装置を用いてGaAs単結晶を製造した。pBN製のルツボ4にGaAs多結晶40,000g、液体封止剤6として三酸化棚素2,500gを入れ、高圧容器8に収納し、高圧容器8内の圧力が90kg/cm2になるように不活性雰囲気ガス7を充填する。充填後、上部ヒータ12及び下部ヒータ13により加熱することで、三酸化硼素、GaAs多結晶を融解させ、温度を調整し、種付けを行い、結晶径φ150mmの結晶3を固液界面での固相の凸度を上部ヒータ12及び下部ヒータ13により制御して成長させ、結晶全長300mmのGaAs単結晶を成長させた。本実施例におけるGaAs単結晶製造装置は、炉体部分である高圧容器8と、単結晶引き上げるために種結晶2を有する引き上げ軸上軸9、原料融液5及び液体封止剤6の容器であるルツボ4、このルツボ4を受けるためのペデスタル11、ルツボ4を加熱し主に結晶の外径を制御する役割を有する上部ヒータ12及び主に固液界面形状を制御する役割を有する下部ヒータ13を有する構造となっている。図2は、本実施の形態においてGaAs単結晶を製造するに際し、結晶製造中の固相と液相の界面固液界面での固相の形状を融液の側に凸となっており、その凸度{融液と液体封止剤の界面から融液側結晶先端部までの長さTlと結晶外径T2との比Tl/T2}を015~035と変化させた。即ち、多結晶化の原因となる転位は、固液界面に垂直に伝播することによるもので、固液界面での固相の形状が融液側に凹面形状になると転位が集合して多結晶化してしまうので、本実施例のLEC法ではその結晶製造中の固相と液相との固液界面での固相の形状を液相の融液側に凸となる形状で行うものである。本実施の形態においては、その固液界面の結晶円柱方向における結晶成長速度Vlを3mm/hr~8mm/hr及び成長後の結晶冷却速度V2を2~6°C/hrと種々変化させて製造した。又、本実施形態においては、GaAs単結晶の結晶成長時における、凸度{融液と液体封止剤の界面から融液側結晶先端部までの長さTlと結晶外径T2との比Tl/T2}を025~035とし、固液界面の結晶円柱方向における結晶成長速度Vlを4mm/hr~7mm/hr及び成長した結晶の冷却速度V2を2~5°C/hrに制御する固液界面凸度、結晶成長速度、結晶冷却速度の3つのパラメータの組み合わせ、転位の発生をコントロールすることによって、残留応力の偏りをコントロールして、ウエハ平面内の残留応力|Sr-St|を、ウエハ平面内の中心部で|Sr-St|<10×10-5であり、その外周部で|Sr-St|≧10×10-5であり、かつ、ウエハ外周部の011方向で|Sr-St|<10×10-5とすることができると共に、001面及び010方向で|Sr-St|≧10×10-5であるようにすることができた。図3は、本発明が目的とする残留応力パターンを持つ単結晶ウエハの平面模式図である。図3に示すように、本発明が目的とする残留応力パターンは、ウエハ平面内の中心部での|Sr-St|が10×10-5未満である領域17と、|Sr-St|が10×10-5以上である領域18とからなり、領域18が単結晶ウエハを90度の間隔で形成され、外周部の3分の1以内の領域で、中心から約45°以内の角度で外周部に扇状に広がった形状に形成される。本実施形態においては、多種類の半絶縁性GaAs単結晶ウエハを製造し、それらの半絶縁性GaAs単結晶ウエハの残留応力及びEPDの範囲が本発明で要求される平面形状を満たすか否か、及びそれらの半絶縁性GaAs単結晶ウエハにアニール処理を施し、スリップ発生率について、調査した。なお、使用する半絶縁性GaAs単結晶ウエハの厚みは625μmとした。表1は、結晶冷却速度が2°C/hr、表2は結晶冷却速度が4°C/hr、表3は結晶冷却速度が6°C/hrのサンプルから得られたものであり、各表において、固液界面凸度015~035、結晶成長速度3mmhr~8mmhrの両パラメータが交差する欄に本発明を満たすウエハの取得率を上段に、スリップ発生率を下段に示す。表1~表3から分かるように、前述の残留応力を有する本発明に相当するサンプルが90以上取得できたものは、網掛けされた表示のもので、結晶冷却速度が2°C/hr及び結晶冷却速度が4°C/hrのいずれにおいても固液界面凸度025~035、結晶成長速度4mmhr~7mmhrによって得られ、そのもののスリップ発生率が10以下と低いを示している。つまり、本実施形態における本発明においては、半絶縁性GaAs単結晶ウエハ平面内の残留応力|Sr-St|が、ウエハ平面内で、中心部で|Sr-St|<10×10-5であり、その外周部で|Sr-St|≧10×10-5である領域を有し、かつ、ウエハ外周部の0ll方向で|Sr-St|<10×10-5である領域が存在し、スリップ発生率が10以下であり、更に、ウエハ面内の転位密度EPDが1000個/cm2を有し、30000個/cm2以下である。しかし、前述の本発明の結晶冷却速度2°C/hr及び4°C/hrにおける結晶成長速度、固液界面凸度以外の範囲、又、結晶冷却速度が6°C/hrでは、固液界面凸度015~035、及び、結晶成長速度3mmhr~8mmhrのいずれにおいては、一部に、スリップ発生率が5と低いものもあるが、本発明の前述の残留応力を満たすウエハの取得率が90に達せず、又、転位密度EPDが100000個/cm2を超えており、縦型デバイスへの適用が困難であった。本実施形態のうちの本発明に係るGaAs単結晶ウェハの外周部のユニバーサル硬度は、4300N/mm2MPa以上であり、その中心部及びウェハ外周部の011方向におけるユニバーサル硬度は、4000N/mm2MPaであり、4回対称領域の硬度よりも高い。このユニバーサル硬度の測定には、超微小硬度測定器フィッシャースコープH-100フィッシャーインストルメント社製を用いた。この超微小硬度測定器は、四角錘又は三角錘形状の圧子を被測定物に押し込むことで生じる被測定物にできる凹みの表面積をその押し込み深さから算出される。本実施形態に示すように、LEC法によりGaAs単結晶を製造するに際し、結晶製造中の固相と液相の界面固液界面の形状が融液の側に凸となっており、その凸度{融液と液体封止剤の界面から融液側結晶先端部までの長さTlと結晶外径T2との比Tl/T2}が025以上であり、その固液界面の結晶円柱方向における結晶成長速度Vlが4mm/hr~7mm/hrであり、成長後の結晶冷却速度V2が-5°C/hr以下とすることにより、半径方向歪をSr、円周面の接線方向歪をStとするとき、半絶縁性GaAsウエハ平面内の残留応力|Sr-St|が、ウエハ平面内で、中心部でlSr-Stl<10×10-5であり、その外周部で|Sr-St|≧10×10-5である領域を有し、また、ウエハ外周部の0ll方向で|Sr-St|<10×10-5である領域が存在するGaAs単結晶ウエハが得られ、残留歪の高い001面及び010方向と残留歪の小さい011方向の組合せにより、GaAsウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、ウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無い大口径のGaAs単結晶ウエハが実現できる。又、本実施形態によって半絶縁性GaAs単結晶を製造した後には、これをスライス加工して得られる半絶縁性GaAs単結晶ウエハを基板にしてAlGaAsやInGaAs等の化合物半導体薄膜を有機金属気相成長MOVPE法や分子線エピタキシャル成長MBE法等によりエピタキシャル成長させ、その後、リソグラフィー及びエッチング等の技術を駆使して電子デバイスや受発光デバイス等が作製される。そして、エピタキシャル成長させるAlGaAsやInGaAs等の化合物半導体薄膜は、その下地のGaAs単結晶と組成が異なるため、格子定数や熱膨張係数が異なり、そのため、MOVPE法によるエピタキシャル成長では、ウエハを約800°Cまで昇温させて、エピタキシャル成長させた後、降温する工程があり、ウエハ自体が高温に晒されることになるためにエピタキシャルさせたGaAs単結晶ウエハは高い歪みを有し、そのウエハ全体を凸形状に反らせたりするが、本発明の半絶縁性GaAs単結晶ウエハを基板に用いることによりその反りを少なくできる。本実施形態によれば、GaAs単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無い直径150mm以上の大口径のGaAs単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することができる。"