"誘電体層と、前記誘電体層の上下面に形成されている一対の電極層と、を有する容量部と、前記容量部を覆うように形成されている保護層と、前記保護層を貫通して前記電極層のそれぞれの表面が露出するように形成されている開口部の内面に沿って形成され、前記電極層のそれぞれと接しており、前記保護層の上面まで引き出されている一対の配線層と、前記配線層の表面上に形成されている表面金属層と、前記配線層の前記保護層の上面まで引き出されている部分の、前記保護層と接する面とは異なる面側に、前記配線層と電気的に接続されるように形成されている外部電極と、を備え、前記表面金属層は、少なくとも、前記配線層の前記開口部の内面に沿った部分を覆う第1の表面金属層と、前記保護層の上面に形成され、前記第1の表面金属層の端部と接する第2の表面金属層と、を有し、前記第1の表面金属層はめっき膜であり、前記第2の表面金属層は真空薄膜法による膜であることを特徴とする、誘電体薄膜素子。前記第1の表面金属層は、前記配線層の前記保護層の上面まで引き出されている部分の表面上にも形成されている、請求項1に記載の誘電体薄膜素子。前記第1の表面金属層の材質はNiを主成分とする、請求項1又は2に記載の誘電体薄膜素子。前記第2の表面金属層の材質はTi又はCr、あるいはNiとCrの合金を主成分とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の誘電体薄膜素子。前記配線層は複数層の構造であり、前記配線層の最下層の材質が前記第2の表面金属層と同じである、請求項1~4のいずれか1項に記載の誘電体薄膜素子。請求項1~5のいずれか1項に記載の誘電体薄膜素子を備える、アンチヒューズ素子。誘電体層と、前記誘電体層の上下面に形成されている一対の電極層と、を有する容量部を形成する工程と、前記容量部を覆うように保護層を形成する工程と、前記保護層を貫通して前記電極層のそれぞれの表面が露出するように開口部を形成する工程と、前記電極層のそれぞれと接し、前記保護層の上面まで引き出されるように、前記開口部の内面に沿って一対の配線層を形成する工程と、前記配線層の表面上に真空薄膜法により第2の表面金属層を形成する工程と、前記第2の表面金属層における前記開口部の内面に沿った部分を少なくとも除去する工程と、前記第2の表面金属層を除去した部分にめっき法により第1の表面金属層を形成する工程と、を備える、誘電体薄膜素子の製造方法。前記配線層は真空薄膜法により形成する、請求項7に記載の誘電体薄膜素子の製造方法。特許文献1の誘電体薄膜素子では、配線層107-1、107-2が下部電極層102、上部電極層104とそれぞれ接している部分の面積が小さい。そのため、外部から応力が配線層107-1、107-2に加わると、配線層107-1、107-2が下部電極層102、上部電極層104から剥離しやすいという問題があった。また、配線層107-1、107-2は表面が露出した状態であり、酸化、腐食しやすいという問題があった。これらの問題は、いずれも誘電体薄膜素子の耐湿性低下の原因となる。本発明の目的は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、配線層に加わる応力を緩和し、かつ、配線層の酸化や腐食を抑えることにより、耐湿性の高い誘電体薄膜素子を提供することである。本発明に係る誘電体薄膜素子は、誘電体層と、前記誘電体層の上下面に形成されている一対の電極層と、を有する容量部と、前記容量部を覆うように形成されている保護層と、前記保護層を貫通して前記電極層のそれぞれの表面が露出するように形成されている開口部の内面に沿って形成され、前記電極層のそれぞれと接しており、前記保護層の上面まで引き出されている一対の配線層と、前記配線層の表面上に形成されている表面金属層と、前記配線層の前記保護層の上面まで引き出されている部分の、前記保護層と接する面とは異なる面側に、前記配線層と電気的に接続されるように形成されている外部電極と、を備え、前記表面金属層は、少なくとも、前記配線層の前記開口部の内面に沿った部分を覆う第1の表面金属層と、前記保護層の上面に形成され、前記第1の表面金属層の端部と接する第2の表面金属層と、を有し、前記第1の表面金属層はめっき膜であり、前記第2の表面金属層は真空薄膜法による膜であることを特徴としている。また、本発明に係る誘電体薄膜素子では、前記第1の表面金属層は、前記配線層の前記保護層の上面まで引き出されている部分の表面上にも形成されていることが好ましい。また、本発明に係る誘電体薄膜素子では、前記第1の表面金属層の材質はNiを主成分とすることが好ましい。また、本発明に係る誘電体薄膜素子では、前記第2の表面金属層の材質はTi又はCr、あるいはNiとCrの合金を主成分とすることが好ましい。また、本発明に係る誘電体薄膜素子では、前記配線層は複数層の構造であり、前記配線層の最下層の材質が前記第2の表面金属層と同じであることが好ましい。また、本発明は、上記に記載の誘電体薄膜素子を備えるアンチヒューズ素子にも向けられる。また、本発明は、以下のように構成した誘電体薄膜素子の製造方法を提供する。本発明に係る誘電体薄膜素子の製造方法は、誘電体層と、前記誘電体層の上下面に形成されている一対の電極層と、を有する容量部を形成する工程と、前記容量部を覆うように保護層を形成する工程と、前記保護層を貫通して前記電極層のそれぞれの表面が露出するように開口部を形成する工程と、前記電極層のそれぞれと接し、前記保護層の上面まで引き出されるように、前記開口部の内面に沿って一対の配線層を形成する工程と、前記配線層の表面上に真空薄膜法により第2の表面金属層を形成する工程と、前記第2の表面金属層における前記開口部の内面に沿った部分を少なくとも除去する工程と、前記第2の表面金属層を除去した部分にめっき法により第1の表面金属層を形成する工程と、を備えることを特徴としている。また、本発明に係る誘電体薄膜素子の製造方法では、前記配線層は真空薄膜法により形成することが好ましい。本発明の誘電体薄膜素子では、第1の表面金属層と第2の表面金属層とが、配線層の表面上に形成されることにより、配線層の腐食や酸化を抑える役割を有する。特に、前記開口部の内面に沿った部分を覆う第1の表面金属層がめっき膜であるので、前記配線層の前記電極層からの剥離を効果的に防ぐことができる。また、本発明の誘電体薄膜素子では、表面金属層が、めっき膜である上述の第1の表面金属層と、真空薄膜法による膜である第2の表面金属層と、を少なくとも有し、互いの端部が接していることにより、外部電極から配線層を通じて電極層に伝搬する応力を緩和することができる。以上により、耐湿性の高い誘電体薄膜素子を得ることができる。以下において、本発明を実施するための形態について説明する。図1は本発明に係る誘電体薄膜素子10の平面図である。また、図2は、図1のA-A断面図である。なお、図1~図9は分かりやすいように模式的に記載している。誘電体薄膜素子10は、基板11上に、例えば薄膜形成プロセスを用いて形成される。基板11の例としては、Si単結晶基板以下Si基板という。が挙げられる。また、基板11の表面には酸化物層12が形成されていることが好ましい。酸化物層12は、例えば基板11を熱処理することによって形成される。酸化物層12の上には、密着層13、下部電極層21、誘電体層22、上部電極層23、無機絶縁層24が順次積層されている。容量部20は、下部電極層21と、誘電体層22と、上部電極層23と、を有する。密着層13は、酸化物層12と下部電極層21との密着性を確保するために形成されている。密着層13と誘電体層22の材質とが同一の場合には、製造が簡単になる。誘電体層22に用いられる誘電体材料の例としては、Ba,SrTiO3以下BSTという。が挙げられる。下部電極層21は誘電体層22の下面に形成されている。また、上部電極層23は誘電体層22の上面に形成されている。下部電極層21及び上部電極層23には、導電性を有する金属材料が用いられる。具体的には、導電性が良好で耐酸化性に優れた高融点の貴金属が好ましい。貴金属の例としては、AuやPtが挙げられる。無機保護層24は上部電極層23の上面に設けられている。無機絶縁層24は、例えば上部電極層23と保護層30との密着性を向上させるために設けられている。無機絶縁層24と誘電体層22の材質とが同一の場合には、製造が簡単になる。保護層30は、密着層13と容量部20と無機絶縁層24とを覆うように形成されている。保護層30は、例えば容量部20への水分の浸入を防ぐために形成される。本実施形態において、保護層30は無機保護層31と、有機保護層32と、を有する。無機保護層31の材質の例としては、SiNx、SiO2、Al2O3、TiO2が挙げられる。また、有機保護層32の材質の例としては、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂が挙げられる。開口部33、34は、保護層30を貫通して、それぞれ下部電極層21、上部電極層23の表面が露出するように形成されている。そして、配線層41、42は、開口部33、34の内面に沿って形成され、それぞれ下部電極層21、上部電極層23と接している。そして、配線層41、42は保護層30の上面まで引き出されている。配線層41、42は、例えば配線密着層と配線金属層の二層構造で構成されている図示しない。配線密着層は二層構造の下層であり、配線金属層は二層構造の上層である。配線密着層は、下地との密着性を確保するために形成される。配線密着層の材質の例としては、Tiが挙げられる。また、配線金属層は、配線層の電気伝導性を確保するために形成される。配線金属層の材質の例としては、Cuが挙げられる。配線密着層と後述する第2の表面金属層45、46とが同じ材質であれば、低コストで製造可能であり、好ましい。配線層41、42の表面上には表面金属層が形成されており、表面金属層は、それぞれ、第1の表面金属層43、44と、第2の表面金属層45、46と、を有している。第1の表面金属層43、44と第2の表面金属層45、46とは、配線層41、42の表面上に形成されることにより、配線層41、42の腐食や酸化を抑える役割を有する。外部電極47は、配線層41の保護層30の上面まで引き出されている部分の、保護層30と接する面とは異なる面側に、配線層41と電気的に接続されるように形成されている。また、外部電極48は、配線層42の保護層30の上面まで引き出されている部分の、保護層30と接する面とは異なる面側に、配線層42と電気的に接続されるように形成されている。有機絶縁層51は、保護層30と、配線層41、42と、第1の表面金属層43、44と、第2の表面金属層45、46と、を覆うように、かつ、外部電極47、48が露出するように、形成されている。有機絶縁層51の材質の例としては、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂が挙げられる。本実施形態においては、第1の表面金属層43、44は、配線層41、42の開口部33、34の内面に沿った部分を覆うようにめっき膜で形成されている。そのため、配線層41、42の電極層からの剥離を効果的に防ぐことができる。特に、本実施形態においては、開口部33、34は側面と底面を有しており、この側面と底面の境界に応力が集中する。そのため、少なくとも側面と底面の境界に対応する部分に第1の表面金属層43、44が形成されていればよい。第1の表面金属層43、44の材質はNiを主成分としていることが好ましい。この場合、上述の効果が顕著であるためである。また、第1の表面金属層43、44は、電解めっき法で形成されることが好ましい。この場合、低コストで製造可能であるためである。第2の表面金属層45、46は真空薄膜法による膜である。本明細書において、真空薄膜法とは、蒸着法、スパッタリング法、MOCVDMetalOrganicVaporDeposition;有機金属気相成長法等、真空中で成膜する方法を指す。第2の表面金属層45、46は、保護層30の上面に位置する配線層41、42の表面上に形成されており、かつ、外部電極47、48と接している。すなわち、外部電極47、48から伝搬した応力が、第2の表面金属層45、46、第1の表面金属層43、44、を介して開口部33、34に達しようとするとき、この応力が、第2の表面金属層45、46と第1の表面金属層43、44との連接部分において大きく緩和されるわけである。第2の表面金属層45、46の材質は、Ti又はCr、あるいはNiとCrの合金を主成分としていることが好ましい。これらの材料は、第2の表面金属層45、46の表面上に酸化物層を形成する。そのため、配線層41、42の酸化や腐食をより効果的に抑えることが可能である。第1の表面金属層43、44は、配線層41、42の保護層30の上面まで引き出されている部分の表面上にも形成されていることが好ましい。この場合、第1の表面金属層43、44の端部と第2の表面金属層45、46の端部とが、配線層41、42の保護層30の上面で接することになる。この場合、応力を緩和する効果がより大きくなる。また、第1の表面金属層43、44の端部と第2の表面金属層45、46の端部とが、開口部43、44の近傍で接していると、応力を緩和する効果がさらに大きくなる。また、本発明は、上記の誘電体薄膜素子を備えるアンチヒューズ素子にも向けられる。アンチヒューズ素子は、一定値以上の電圧が印加されると短絡し、電流が流れる機能を有する電子部品である。本実施形態の場合には、外部電極47、48間に一定値以上の電圧を印加して、下部電極層21と上部電極層23の間の誘電体層22を絶縁破壊させて、短絡させる。仮に開口部33、34の直下で絶縁破壊が生じると、配線層41、42が絶縁破壊時に巻き込まれて断線し、アンチヒューズ素子自体に開放不良が発生するおそれがあるが、本発明の場合は、電圧印加後の誘電体層22の絶縁破壊が開口部33、34の直下で起こりにくくなる。よって、開放不良のおそれの少ないアンチヒューズ素子が得られる。なお、本実施形態において、容量部20中の誘電体層22は単層であるが、例えば静電容量を確保するために、容量部20は複数の誘電体層と電極層とが交互に設けられる構造であっても良い。また、本実施形態において、無機絶縁層24は例えば上部電極層23と保護層30との密着性を向上されるために設けられているが、無機絶縁層24は必ずしも必要ではない。次に、上記誘電体薄膜素子の製造方法の一例を図3~図6に基づき詳述する。まず、図3Aのように、基板11を用意する。例えば、酸化物層12として500~1000nmのSiO2層が形成されたSi基板を用意する。SiO2層は、例えばSi基板を熱処理することにより形成される。次に、図3B、図3Cのように、容量部20を形成する。まず、図3Bのように、基板11の酸化物層12の上に、密着層13、下部電極層21、誘電体層22、上部電極層23、無機絶縁層24を順次形成する。まず、酸化物層12上に密着層13を形成する。密着層13としては、例えば厚さ10~100nmのBST層を形成する。密着層13は、例えば化学溶液堆積ChemicalSolutionDeposition法で形成される。具体的には、SiO2層が形成されたSi基板の上面に、Ba:Sr:Ti=70:30:100モル比となるように、有機金属化合物を含む誘電体原料溶液をスピンコートにより塗布する。その後、ホットプレートにより300~400°Cで乾燥する。その後、600~700°Cの条件で10~60分間の熱処理を行う。次に、密着層13上に、下部電極層21と、誘電体層22と、上部電極層23と、を有する容量部20を形成する。まず、密着層13上に、下部電極層21を形成する。下部電極層としては、例えばスパッタリング法により厚さ100~500nmのPt層を形成する。その後、下部電極層21上に誘電体層22を形成する。誘電体層22としては、例えば厚さ50~200nmのBST層を、前述した密着層13と同様の方法で形成する。その後、誘電体層22上に上部電極層23を形成する。上部電極層23としては、例えば厚さ100~500nmのPt層を、前述したPt層と同様の方法で形成する。次に、容量部20上に無機絶縁層24を形成する。無機絶縁層24としては、例えば密着層13、誘電体層22と同様の方法により、厚さ10~100nmのBST層を形成する。次に、図3Cのように、無機絶縁層24、上部電極層23、誘電体層22、下部電極層21、密着層13のパターニングを行う。まず、無機絶縁層24と上部電極層23のパターニングを行う。例えば、無機絶縁層24の上にフォトリソグラフィ法により、レジストを塗布し、露光、現像、キュアを順に行いレジストマスクを形成する。そして、Arイオンミリング法により所定形状にパターニングした後、アッシングによりレジストマスクを除去する。同様の方法で、誘電体層22、下部電極層21及び密着層13をパターニングした後、レジストマスクを除去する。この時、無機絶縁層24と上部電極層23を一回でパターニングすることが可能である。また、誘電体層22、下部電極層21及び密着層13を一回でパターニングすることも可能である。この場合、別々にパターニングする場合に比べて、低コストでパターニングが可能である。次に、必要に応じて700~900°Cで30分間の熱処理を行う。次に、密着層13と容量部20と無機絶縁層24の露出している部分を覆うように保護層30を以下のように形成する。まず、図3Dのように、密着層13と容量部20と無機絶縁層24を覆うように無機保護層31を形成する。無機保護層31の厚さは、例えば200~1000nmである。無機保護層31としては、例えばSiO2膜が形成される。無機保護層31は、例えばPECVDPlasma-EnhancedCVD法やスパッタリング法等の真空薄膜法により形成される。そして、図4Eのように、無機保護層31上に、有機保護層32を形成する。有機保護層32の厚さは、例えば2~10μmである。有機保護層32は、例えば感光性樹脂材料をスピンコートし、露光、現像、キュアすることにより後述のようにパターン形成される。このようにして保護層30が形成される。次に、図4Fのように、無機保護層31と誘電体層22を貫通して下部電極層21の表面が露出するように開口部33を形成する。また、無機保護層31と無機絶縁層24を貫通して上部電極層23の表面が露出するように開口部34を形成する。具体的には、有機保護層32をレジストマスクとして使用し、例えばCHF3ガスを用いて無機保護層31、誘電体層22、無機絶縁層24をパターニングする。この時、誘電体層22と無機絶縁層24が同じ材質であれば、低コストでパターニングすることが可能になる。次に、図4Gのように、配線層41、42を形成する。配線層41は開口部33に沿って、下部電極層21と接している。また、配線層42は開口部34に沿って、上部電極層23と接している。そして、配線層41、42は、保護層30の上面まで引き出されるように形成されている。配線層41、42は、例えばスパッタリング法等の真空薄膜法を用いて形成される。次に、図5Hのように、配線層41、42の表面上に真空薄膜法により第2の表面金属層45、46を形成する。配線層41、42が真空薄膜法で形成されている場合には、第2の表面金属層45、46は、配線層41、42と連続して形成しても良い。次に、図5Iのように、第2の表面金属層45、46における開口部33、34の内面に沿った部分を少なくとも除去する。具体的には、例えばフォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、ウェットエッチングにより除去する。次に、図5Jのように、第2の表面金属層45、46を除去した部分にめっき法により第1の表面金属層43、44を形成する。このとき、第2の表面金属層45、46が酸化している場合、第2の表面金属層45、46がめっきのマスクとして作用する。次に、図6Kのように、外部電極47,48を形成する。外部電極47、48は、配線層41、42の保護層30の上面まで引き出されている部分の、保護層30と接する面とは異なる面側に、配線層41、42と電気的に接続されるように形成される。具体的には、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、第2の表面金属層45、46の一部を除去する。その後、第2の表面金属層45、46を除去した部分に、配線層41、42と接するように外部電極47、48を形成する。外部電極47、48は、例えばめっき法で形成される。また、外部電極47、48は配線層41、42とそれぞれ直接接していることが望ましいが、別の層を介して電気的に接していても良い。次に、図6Lのように、配線層41、42と第2の表面金属層45、46のパターニングを行う。具体的には、例えば、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、ウェットエッチングによりパターニングを行う。最後に、図6Mのように、保護層30と、配線層41、42と、第1の表面金属層43、44と、第2の表面金属層45、46と、を覆うように有機絶縁層51を形成する。有機絶縁層51は、外部電極47、48が露出するように形成される。具体的には、例えばエポキシ樹脂をスピンコートし、露光、現像、キュアを順に行うことで形成する。有機絶縁層51の厚さは、例えば2~10μmである。以上のようにして、誘電体薄膜素子を作製する。なお、複数の誘電体薄膜素子を一枚の基板に同時に形成した場合には、個々の誘電体薄膜素子を基板からカットして取り出しても良い。また、本実施形態においては、第1の表面金属層43、44と外部電極47、48とを別々に形成しているが、同時に形成しても良い。この場合には、低コストで製造することが可能である。なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。各層の厚さ、形成方法、形成条件は単なる例示である。したがって、誘電体薄膜素子の機能を損なわない範囲で任意に変更可能である。実験例以下のように誘電体薄膜素子を作製した。実験例1実験例1として、図2のような誘電体薄膜素子を作製した。まず、酸化物層として厚さ700nmのSiO2層が形成されたSi基板を用意した。次に、基板上に、密着層として、50nmのBST層を形成した。具体的には、酸化物層が形成されたSi基板の上面に、Ba:Sr:Ti=70:30:100モル比となるように、有機金属化合物を含む誘電体原料溶液をスピンコートにより塗布した。その後、ホットプレート上で350°Cの条件で乾燥した。その後、650°C、30分の熱処理を行った。次に、密着層上に、下部電極層として厚さ200nmのPt層を形成した。Pt層はスパッタリング法で形成した。次に、誘電体層、上部電極層を順に形成した。具体的には、前述したBST層と同様の方法で、Pt層上に厚さ90nmのBST層を形成した。その後、BST層上に、前述したPt層と同様の方法で、厚さ200nmのPt層を形成した。次に、上部電極層上に無機絶縁層を形成した。具体的には、前述したBST層と同様の方法で、Pt層上に厚さ90nmのBST層を形成した。次に、無機絶縁層、上部電極層のパターニングを行った。その後、誘電体層、下部電極層、密着層のパターニングを行った。具体的には、まず、無機絶縁層であるBST層の上にフォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成した。その後、Arイオンミリング法により、無機絶縁層と上部電極層とを所定形状にパターニングした。その後、同様の方法で、誘電体層、下部電極層、密着層のパターニングを行った。次に、上記の積層構造体に850°C、30分の熱処理を行った。次に、無機保護層を形成した。具体的には、PECVD法により厚さ700nmのSiO2層を形成した。次に、無機保護層上に、有機保護層を形成した。具体的には、感光性ポリイミドをスピンコートし、露光、現像、キュアを順に行うことで厚さ6μmのポリイミド樹脂層を形成した。次に、有機保護層をレジストマスクとして使用し、CHF3ガスを用いて無機保護層のパターニングを行った。この時、上部電極層の表面の一部と下部電極層の表面の一部を露出させるように開口部を形成した。次に、配線層と第2の表面金属層をマグネトロンスパッタ法で形成した。具体的には、配線層として、Ti層層厚100nmとCu層層厚1000nmの二層構造で形成した。その後、第2の表面金属層として、Ti層100nmを連続して形成した。次に、第2の表面金属層の一部を除去した後に、第1の表面金属層を形成した。具体的には、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、開口部に形成されている第2の表面金属層であるTi層の一部を除去した。その後、Ti層の一部を除去した部分に、第1の表面金属層としてNi層を0.5μm形成した。Ni層は電解めっき法で形成した。次に、外部電極を形成した。具体的には、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、保護層の上面まで引き出されている第2の表面金属層のTi層の一部を除去した。その後、外部電極として厚さ2μmのNi層と厚さ0.1μmのAu層との二層構造で形成した。Ni層とAu層は電解めっき法で形成した。次に、配線層と第2の表面金属層のパターニングを行った。具体的には、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、配線層の一部と第2の表面金属層の一部を除去した。次に、有機絶縁層を、外部電極が露出するように形成した。具体的には、エポキシ樹脂をスピンコートし、露光、現像、キュアを順に行うことにより、厚さ8μmのエポキシ樹脂層を形成した。最後に、基板をカットして、誘電体薄膜素子を取り出した。比較例1比較例1として、図7のような誘電体薄膜素子を作製した。図7の誘電体薄膜素子は、第1の表面金属層43、44が形成されており、第2の表面金属層が形成されていない構造である。それ以外は実験例1と同様の構成であり、実験例1の同様のプロセスで作製した。比較例2比較例2として、図8のような誘電体薄膜素子を作製した。図8の誘電体薄膜素子は、第1の表面金属層が形成されておらず、第2の表面金属層45、46が開口部の内面にも形成されている構造である。それ以外は実験例1と同様の構成であり、実験例1の同様のプロセスで作製した。比較例3比較例3として、図9のような誘電体薄膜素子を作製した。図9の誘電体薄膜素子は、第1の表面金属層と第2の表面金属層がどちらも形成されていない構造である。それ以外は実験例1と同様の構成であり、実験例1の同様のプロセスで作製した。得られた実験例1と比較例1~3の誘電体薄膜素子について、以下の評価を行った。最初に、実験例1の誘電体薄膜素子について、開口部の底面と側面の境界付近を観察した。図10は実験例1の誘電体薄膜素子の断面を示すSEM写真である。図11は図10の模式図である。また、図12は図11の円部分を矢印方向から観察したFIB写真である。図12は、第1の表面金属層の表面を観察している。図11の円部分の第1の表面金属層のうち、開口部の底面に対応する部分をA、直下に無機保護層が位置している部分をB、直下に有機保護層が位置している部分をCとする。また、比較のため、比較例3の誘電体薄膜素子も観察した。図13は比較例3の誘電体薄膜素子の断面を示すSEM写真である。図14は図13の模式図である。また、図15は図14の円部分を矢印方向から観察したFIB写真である。図15は、配線層の表面を観察している。図14の円部分の配線層のうち、開口部の底面に対応する部分をA、直下に無機保護層が位置している部分をB、直下に有機保護層が位置している部分をCとする。図12と図15を比較すると、第1の表面金属層の表面は、配線層の表面に比べて平滑であることが分かる。したがって、第1の表面金属層は、配線層表面の凹凸をならしつつ、開口部の内面を被覆し、保護していることが分かる。次に、耐湿負荷試験121°C、85RH、4V印加を実施した。そして、24時間実施後、48時間実施後、96時間実施後における、誘電体薄膜素子の故障数を調査した。試料数は30とした。誘電体薄膜素子には、定格4Vであり、絶縁抵抗が50MΩ以上のものを使用した。そして、耐湿負荷試験後の絶縁抵抗が1MΩ以下になったものを故障とした。表1に、耐湿負荷試験後に故障した試料数を示す。耐湿負荷試験の結果より、第1の表面金属層と第2の表面金属層が形成されている実験例1では、故障が発生せず、耐湿性の高い誘電体薄膜素子が得られることが分かった。一方、第1の表面金属層のみ形成されている比較例1では、24時間経過後に1個故障した。その後故障は発生せず、96時間経過後でも変化がなかった。また、第2の表面金属層のみ形成されている比較例2では、24時間経過後には故障は発生しなかったが、96時間経過後に5個故障した。また、第1の表面金属層と第2の表面金属層がどちらも形成されていない比較例3では、24時間経過後に1個故障した。そして、96時間経過後に、11個故障した。"