"通風路に間隔を設けて配置され、前記通風路を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数のハニカム構造体と、前記複数のハニカム構造体のうち隣り合う複数のハニカム構造体を1群のハニカム構造体群とし、このハニカム構造体群の両端に位置するハニカム構造体の両端に位置するハニカム構造体の外側に配置された第1および第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に高電圧を印加し前記ハニカム構造体の貫通孔および前記ハニカム構造体間の空間にプラズマを発生させる高電圧源とを備えたガス処理ユニットを前記通風路の入口から出口への処理対象ガスの通過方向に沿って1以上備えたガス処理装置において、最上流に位置する前記ガス処理ユニットの上流側から水分を供給する水分供給手段と、前記水分供給手段が供給する水分の供給量を制御する制御手段と、前記ガス処理ユニット毎に異常放電が発生したことを検知する異常放電検知手段とを備え、前記制御手段は、前記異常放電検知手段によって異常放電の発生が検知された場合、前記水分供給手段が供給する水分の供給量を低下させることを特徴とするガス処理装置。請求項1に記載されたガス処理装置において、前記制御手段は、前記異常放電検知手段によって異常放電の発生が検知された場合、前記水分供給手段が供給する水分の供給量を低下させるとともに、前記異常放電が発生したガス処理ユニットの高電圧源が印加する電圧の値を低下させることを特徴とするガス処理装置。請求項1又は2に記載されたガス処理装置において、前記異常放電検知手段は、前記ガス処理ユニット毎に、そのガス処理ユニットの高電圧源が印加する電圧を監視し、この電圧から低周波信号を検出した場合に異常放電を検知したことを前記制御手段へ知らせることを特徴とするガス処理装置。しかしながら、図8に示したガス処理装置では、次のような問題を有する。このガス処理装置において、処理対象ガスGS中の水分湿度に着目すると、処理対象ガスGSは上流側のハニカム構造体8から下流側のハニカム構造体8に向かって流れて行く過程で、各ハニカム構造体8で発生したプラズマ放電によって処理を受けるが、処理を受ける度に処理対象ガスGS中に含まれる水分が消費されるので、処理対象ガスGSは上流側から下流側にかけて湿度が低下した状態となる。また、ハニカム構造体8の内部のでプラズマの発生状態は処理対象ガスGS中の水分が多いほど活発に行われ、水分が少なくなると抑制される特性がある。このため、第1のハニカム構造体群8A側を第1のガス処理ユニットGU1とし、第2のハニカム構造体群8B側を第2のガス処理ユニットGU2とした場合、仮に全てのハニカム構造体8の特性が同じであっても、第1のガス処理ユニットGU1よりも第2のガス処理ユニットGU2の方がプラズマの発生量が小さく、ガス処理能力が落ちる。図8には、ガス処理ユニットGUを2つとした例が示されているが、ガス処理ユニットがさらに設けられているものとすれば、下流側へ配置されるガス処理ユニットほどプラズマの発生量が小さく、ガス処理能力が落ちて行く。複数のガス処理ユニットのガス処理能力に大きな格差があると、ガス処理能力が過剰なガス処理ユニットとガス処理能力が不足するガス処理ユニットとが存在するということになり、全体としてのガス処理効率が落ちるとともにオゾンの発生の度合いも高まり、望ましくない。なお、特許文献4には、金属電極とハニカム電極との間の空間へ加湿装置によって水分を送り込むことにより、処理対象ガス中の水分濃度を高め、プラズマ放電を活性化させてガス浄化能力を高めるようにしたガス浄化装置が示されている。しかしかながら、この特許文献4に示された技術を図8に示したガス処理装置に適用した場合、加湿装置によって送り込む水分量を制御していないので、供給する水分量が過少であればプラズマ放電の発生状況が不充分でガス処理能力が不足する一方、供給する水分量が過多であれば放電が激しくなり火花放電のような異常放電が発生したり、放電によって発生するオゾン量も大となる。特に、火花放電のような異常放電が発生するとガス処理装置が損傷する可能性が高くなるので、異常放電を検出してガス処理装置を休止即ち、電源断とすることも考えられるが、一度ガス処理装置を休止させてしまうと、再びガス処理可能となるまで時間がかかってしまう。本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、ガス処理を継続して行わせながら、水分量の過多による異常放電を抑制することが可能なガス処理装置を提供することにある。このような目的を達成するために本発明は、通風路に間隔を設けて配置され、通風路を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数のハニカム構造体と、複数のハニカム構造体のうち隣り合う複数のハニカム構造体を1群のハニカム構造体群とし、このハニカム構造体群の両端に位置するハニカム構造体の両端に位置するハニカム構造体の外側に配置された第1および第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に高電圧を印加しハニカム構造体の貫通孔およびハニカム構造体間の空間にプラズマを発生させる高電圧源とを備えたガス処理ユニットを通風路の入口から出口への処理対象ガスの通過方向に沿って1以上備えたガス処理装置において、最上流に位置するガス処理ユニットの上流側から水分を供給する水分供給手段と、水分供給手段が供給する水分の供給量を制御する制御手段と、ガス処理ユニット毎に異常放電が発生したことを検知する異常放電検知手段とを備え、制御手段は、異常放電検知手段によって異常放電の発生が検知された場合、水分供給手段が供給する水分の供給量を低下させることを特徴とする。この発明では、ガス処理ユニット毎に異常放電が発生したことが検知され、異常放電の発生が検知されると、水分供給手段が供給する水分の供給量が低下される。これにより、ガス処理ユニットでは、ハニカム構造体が高インピーダンス化して、ガス処理能力が低下し、異常放電が抑制される。この場合、ガス処理装置は休止せず、ガス処理能力を低下させた状態で、継続してガス処理が行われることになる。なお、本発明において、異常放電の発生が検知された場合、水分供給手段が供給する水分の供給量を低下させるとともに、異常放電が発生したガス処理ユニットの高電圧源が印加する電圧の値を低下させるようにしてもよい。このようにすると、異常放電の度合いが激しい場合、水分の供給量の低下と異常放電が発生したガス処理ユニットの印加電圧の低下を併せて行うことにより、異常放電が発生したガス処理ユニットのガス処理能力を速やかに低下させて、異常放電を抑制することが可能となる。本発明によれば、ガス処理ユニット毎に異常放電が発生したことを検知するようにし、異常放電の発生が検知された場合、水分の供給量を低下させるようにしたので、ガス処理を継続して行わせながら、水分量の過多による異常放電を抑制することが可能となる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。実施の形態1図1はこの発明に係るガス処理装置の一実施の形態実施の形態1の要部を示す図である。同図において、図8と同一符号は図8を参照して説明した構成要素と同一或いは同等構成要素を示し、その説明は省略する。この実施の形態においても、図8に示したガス処理装置と同様に、処理対象ガスGSの通過方向ダクト1の入口から出口への方向に方向に沿って、第1のガス処理ユニットGU1と第2のガス処理ユニットGU2をダクト1内に配置している。また、ガス処理ユニットGU1の第1の電極9と第2の電極10との間に導線12,13を介して高電圧源15-1からの高電圧V1を印加するようにし、ガス処理ユニットGU2の第1の電極10第2の電極11との間に導線13,14を介して高電圧源15-2からの高電圧V2V2>V1を印加するようにしている。また、高電圧源15-1に対して、その電圧供給端子T1とT2との間、すなわち第1のガス処理ユニットGU1の電極9と10との間にガス処理ユニットGU1での異常放電の発生を検知する異常放電検知部19-1を設け、この異常放電検知部19-1における異常放電の検知結果を検知信号S11として制御部18へ送るようにしている。また、高電圧源15-2に対して、その電圧供給端子T1とT2との間、すなわち第2のガス処理ユニットGU2の電極10と11との間にガス処理ユニットGU2での異常放電の発生を検知する異常放電検知部19-2を設け、この異常放電検知部19-2における異常放電の検知結果を検知信号S12として制御部18へ送るようにしている。また、ダクト1に対して、最上流に位置するガス処理ユニットGU1の上流側からダクト1内の空間に水分を供給する水分供給手段として、加湿装置17を設けている。この加湿装置17の加湿量は、すなわちダクト1内の空間への水分の供給量は、制御部18によって調整制御されるようになっている。制御部18は、プロセッサや記憶装置からなるハードウェアと、これらのハードウェアと協働して各種機能を実現させるプログラムとによって実現され、上述した加湿装置17における加湿量の調整機能と異常放電検知時の加湿量の低下機能とを有している。図2に異常放電検知部1919-1,19-2の要部の構成を示す。異常放電検知部19は、直流カット回路19Aと、放電周波数検出回路19Bと、整流平滑回路19Cと、レベル判定回路19Dとを備えている。直流カット回路19Aは、高電圧印加部1515-1,15-2の電圧供給端子T1とT2との間に生じる高電圧、すなわちガス処理ユニットGUGU1,GU2の電極間に印加される高電圧を取り込み、この高電圧に含まれる直流分をカットして出力する。放電周波数検出回路19Bは、直流カット回路19Aが出力する直流分がカットされた電圧より、所定周波数以上の電圧低周波信号をガス処理ユニットGUの電極間の放電により発生した雑音電圧として取り出す。整流平滑回路19Cは、放電周波数検出回路19Bより取り出された雑音電圧を整流して平滑化する。レベル判定回路19Dは、整流平滑回路19Cによって整流平滑化された雑音電圧の大きさを判定し、その雑音電圧の大きさが所定値を超えた場合に異常放電の発生を示す検知信号S1S11,S12を出力する。以下、制御部18が有する加湿量の調整機能について、図3に示すフローチャートを用いて説明する。また、制御部18が有する異常放電検知時の加湿量の低下機能について、図4に示すフローチャートを用いて説明する。加湿量の調整機能図3制御部18は、ガス処理ユニットGU1の高電圧源15-1が電極9,10間に印加している現在の電圧V1の値および電極9,10間に供給している現在の電流I1を検出しステップS101、この電圧V1,電流I1の値からガス処理ユニットGU1の現在の消費電力PW1を求めるステップS102。次に、制御部18は、ガス処理ユニットGU2の高電圧源15-2が電極10,11間に印加している現在の電圧V2の値および電極10,11間に供給している現在の電流I2を検出しステップS103、この電圧V2,電流I2の値からガス処理ユニットGU2の現在の消費電力PW2を求めるステップS104。そして、制御部18は、この求めたガス処理ユニットGU1の消費電力PW1とガス処理ユニットGU2の消費電力PW2とが等しくなるように、加湿装置17の加湿量を調整するステップS105。制御部18は、このステップS101~S105の処理動作を繰り返す。このガス処理装置では、下流側に位置するガス処理ユニットGU2の高電圧源15-2が印加する電圧V2の値が、上流側に位置するガス処理ユニットGU1の高電圧源15-1が印加する電圧V1の値よりも高くされている。また、加湿装置17の加湿量は一定ではなく、ガス処理ユニットGU1の消費電力PW1とガス処理ユニットGU2の消費電力PW2とが等しくなるように制御される。これにより、ガス処理ユニットGU1,GU2のプラズマの発生状況の格差が大幅に解消され、ガス処理ユニットGU1,GU2のガス処理能力が平準化され、ガス処理能力の過剰、不足によって生じる問題が緩和されるものとなる。異常放電検知時の加湿量の低下機能図4このガス処理装置において、ガス処理ユニットGU1で異常放電が発生すると、異常放電検知部19-1が異常放電の発生を示す検知信号S11を制御部18へ送る。また、ガス処理ユニットGU2で異常放電が発生すると、異常放電検知部19-2が異常放電の発生を示す検知信号S12を制御部18へ送る。制御部18は、異常放電検知部1919-1,19-2からガス処理ユニットGUGU1,GU2での異常放電の発生を示す検知信号S1S11,S12が送られてくるとステップS201のYES、加湿装置17へ加湿量を低下させる指令を送るステップS202。この場合、例えば、所定量だけ加湿装置17の加湿量を低下させ、一定時間経過してもまだ異常放電の発生を示す検知信号S1が送られてくるようであれば、さらに所定量だけ加湿装置17の加湿量を低下させるようにする。また、加湿装置17の加湿量を低下させた後、所定期間、異常放電の発生を示す検知信号S1が送られてこなければ、加湿装置17の加湿量を元に戻すようにする。これにより、ガス処理ユニットGUGU1,GU2では、ハニカム構造体8が高インピーダンス化して、ガス処理能力が低下し、異常放電が抑制される。この場合、ガス処理装置は休止せず、ガス処理能力を低下させた状態で、継続してガス処理が行われることになる。実施の形態2実施の形態1では、異常放電検知部19からガス処理ユニットGUでの異常放電の発生を示す検知信号S1が送られてくると、加湿装置17の加湿量を低下させるのみとした。これに対して、実施の形態2では、異常放電検知部19からガス処理ユニットGUでの異常放電の発生を示す検知信号S1が送られてくると、加湿装置17の加湿量を低下させるとともに、異常放電が発生したガス処理ユニットGUの高電圧源15が印加する電圧の値を低下させるようにする。図5に実施の形態2のガス処理装置の要部を示す。この実施の形態2において、制御部18は、異常放電検知部19-1からガス処理ユニットGU1での異常放電の発生を示す検知信号S11が送られてくると図6:ステップS301、加湿装置17へ加湿量を低下させる指令を送るとともにステップS302、異常放電の発生が検知されたガス処理ユニットGU1の高電圧源15-1に高電圧V1の値を低下10程度させる指令を送るステップS303。同様に、制御部18は、異常放電検知部19-2からガス処理ユニットGU2での異常放電の発生を示す検知信号S12が送られてくるとステップS301、加湿装置17へ加湿量を低下させる指令を送るとともにステップS302、異常放電の発生が検知されたガス処理ユニットGU2の高電圧源15-2に高電圧V2の値を低下10程度させる指令を送るステップS303。このようにすると、水分の供給量の低下と異常放電が発生したガス処理ユニットの印加電圧の低下が併せて行われるものとなり、異常放電の度合いが激しい場合、異常放電が発生したガス処理ユニットのガス処理能力を速やかに低下させて、異常放電を抑制することが可能となる。なお、上述した実施の形態1,2において、電極10はガス処理ユニットGU1の第2の電極とガス処理ユニットGU2の第1の電極とを兼ねた共通電極とされているが、ガス処理ユニットGU1の第2の電極とガス処理ユニットGU2の第1の電極とを独立した電極とするようにしてもよい。また、上述した実施の形態1,2において、ハニカム構造体8はオゾンを分解する触媒機能を備えたものとしてもよく、処理対象ガスGSの通過方向の下流位置にオゾンを分解する触媒を設けるようにしてもよい。また、上述した実施の形態1,2では、ガス処理ユニットの数を2つとしたが、さらにその数を増やすようにしてもよい。また、ガス処理ユニット内のハニカム構造体の数は2つに限られるものではなく、さらにその数を増やしてもよい。また、ガス処理ユニットの数は必ずしも複数でなくてもよく、1つであっても構わない。ガス処理ユニットの数を増やす場合には、各ガス処理ユニットは、上流側から下流側に位置するガス処理ユニットほど、そのガス処理ユニットの高電圧源が印加する電圧の値を高くするようにする。また、各ガス処理ユニットの消費電力が等しくなるように、加湿装置の加湿量を調整するようにする。あるいは加湿装置の加湿量の調整に加えて、最上流に位置するガス処理ユニットの高電圧源が印加する電圧の値を調整するようにする。また、ガス処理ユニット毎に、異常放電検知部を設ける。また、上述した実施の形態1,2において、副生成物としてオゾンを大量に発生させ、オゾン発生器として転用するようにしてもよい。"