成長基板上に形成される発光構造体を含む窒化物系発光素子であって、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体と、を含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする窒化物系発光素子。前記格子緩衝層は、ZnOパウダーで形成されることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記ZnOパウダーは、平均粒径が10nm~1μmであることを特徴とする、請求項2に記載の窒化物系発光素子。前記成長基板は、シリコン基板又はサファイア基板であることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記成長基板の表面には凹凸が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記発光構造体は、前記格子緩衝層上に形成されるn型の窒化物層と、前記n型の窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるp型の窒化物層と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記成長基板は、n型のシリコン基板であることを特徴とする、請求項6に記載の窒化物系発光素子。前記発光素子は、前記格子緩衝層と前記n型の窒化物層との間に、窒化物で形成されるバッファ層をさらに含むことを特徴とする、請求項6に記載の窒化物系発光素子。前記バッファ層は、AlN、ZrN及びGaNから選択される1種以上の窒化物で形成されることを特徴とする、請求項8に記載の窒化物系発光素子。前記バッファ層は、n型の窒化物で形成されることを特徴とする、請求項8に記載の窒化物系発光素子。前記発光構造体は、前記バッファ層と前記n型の窒化物層との間に形成される非ドーピング窒化物層をさらに含むことを特徴とする、請求項8に記載の窒化物系発光素子。成長基板上に形成される発光構造体を含む窒化物系発光素子を製造する方法であって、成長基板上に、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーを用いて格子緩衝層を形成し、前記格子緩衝層上に、複数の窒化物を順次成長させることによって発光構造体を形成することを含むことを特徴とする窒化物系発光素子の製造方法。前記格子緩衝層は、ZnOパウダーで形成されることを特徴とする、請求項12に記載の窒化物系発光素子の製造方法。前記ZnOパウダーとしては、シリコン又はサファイア基板上にZnOを蒸着し、前記ZnOが蒸着された基板を粉砕してパウダー化することを通して製造されたものを用いることを特徴とする、請求項13に記載の窒化物系発光素子の製造方法。前記格子緩衝層上に、複数の窒化物を順次成長させることによって発光構造体を形成することは、不活性ガス雰囲気で、前記ZnOパウダーで形成された格子緩衝層上に1番目の窒化物層を形成し、水素ガス雰囲気で、前記1番目の窒化物層上に残りの窒化物層を形成することを含み、前記水素ガス雰囲気で、前記1番目の窒化物層上に残りの窒化物層を形成するとき、前記ZnOパウダーの一部又は全部がエッチングされ、前記成長基板と1番目の窒化物層との間にエアホールを形成することを特徴とする、請求項13に記載の窒化物系発光素子の製造方法。本発明の目的は、成長基板上に窒化物を成長させるときに発生する線欠陥を抑制することによって、結晶性及び輝度を向上できる窒化物系発光素子及びその製造方法を提供することにある。前記目的を達成するための本発明の実施例に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする。このとき、前記格子緩衝層は、ZnOパウダーで形成されることが望ましい。また、前記目的を達成するための本発明の実施例に係る窒化物系発光素子の製造方法は、成長基板上に、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーを用いて格子緩衝層を形成し、前記格子緩衝層上に、複数の窒化物を順次成長させることによって発光構造体を形成することを含むことを特徴とする。本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、成長基板上にZnOパウダーなどのウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーをコーティングした後、GaNなどの窒化物を成長させる。したがって、窒化物の成長時に窒化物と成長基板における格子定数の差によって発生する線欠陥を抑制することができる。また、本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、n型のシリコン基板を用いることができる。この場合、垂直型発光素子の製造時にも、n型のシリコン基板を除去するリフトオフ工程を省略することができる。以下、添付の図面を参照して本発明の好適な実施例に係るウルツ鉱パウダーを用いた窒化物系発光素子及びその製造方法について説明する。図1は、本発明の実施例に係る窒化物系発光素子を概略的に示した図である。図1を参照すると、図示した窒化物系発光素子は、成長基板110、格子緩衝層120及び発光構造体130を含む。本発明に適用される成長基板110としては、窒化物系発光素子の製造時に成長基板として広く用いられるサファイア基板を用いることができる。また、本発明に適用される成長基板110としては、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板などのシリコン基板を用いることができる。従来は、成長基板と窒化物の格子ミスマッチングLatticeMismatchingにより、成長する窒化物における線欠陥密度が高かった。これは、窒化物系発光素子の光効率を低下させる要因になった。そのため、本発明では、このような格子ミスマッチングを減少させるために、成長基板110上に格子緩衝層120を先に形成した後、窒化物を成長させる。格子緩衝層120は、成長基板110の上部に形成される。格子緩衝層120は、成長対象になる窒化物との格子ミスマッチングを緩和し、窒化物の成長時に発生する線欠陥を減少させる。その結果、成長する窒化物の結晶性を向上させることができる。例えば、シリコン基板を成長基板として用いる場合、シリコンと窒化物における大きな格子定数の差により、シリコン基板上に窒化物を成長させるときに線欠陥が多く発生する。これは、発光素子の光効率を低下させる要因になる。しかし、シリコン基板上に格子緩衝層を先に形成した後、窒化物を成長させると、結晶ミスマッチングが緩和され、窒化物の成長時に発生する線欠陥を減少させることができる。このような格子緩衝層120は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成することができる。より望ましくは、ZnOパウダーを用いて格子緩衝層を形成することができる。例えば、窒化物系発光素子で広く用いられるGaNは、ウルツ鉱型構造を有し、a=3189Å、c=5185Åの格子定数を有する。ZnOは、GaNと同様にウルツ鉱型構造を有する。また、ZnOは、格子定数がa=3249Å、c=5207Åであって、GaNと非常に類似する格子構造を有する。したがって、ZnOパウダー上にGaNを成長させる場合、格子マッチングによってGaNの成長時に発生する線欠陥を最少化することができる。また、パウダー状のZnO上で成長するGaNは、初期は垂直方向に成長し、その後は水平方向に成長する。その結果、平坦な窒化物の成長が可能である。このようなZnOパウダーは、スピンコーティング方式などによってシリコン基板110上に付着又は固定される。前記パウダーを成長基板110上に容易に付着又は固定するために、成長基板110の表面には突部と凹部を有する凹凸が形成されてもよい。凹凸は、特定のパターンで形成されてもよく、非定型の形態で形成されてもよい。成長基板110の表面の凹凸は、エッチングなどの多様な方法で形成することができる。成長基板110の表面に凹凸が形成されている場合、ZnOパウダーなどは、成長基板110の表面に形成された凹凸の凹部に容易に付着又は固定される。一方、格子緩衝層120に適用されるZnOパウダーなどは、平均粒径が10nm~1μmであることが望ましい。パウダーの平均粒径が小さいほど、窒化物の成長時に発生する線欠陥の抑制効果により優れていた。パウダーの平均粒径が1μmを超える場合、前記線欠陥の抑制効果が不十分であり、製造される窒化物系発光素子の光効率が低かった。ただし、パウダーの平均粒径が10nm未満である場合、パウダー自体の製造費用が非常に嵩み、窒化物系発光素子の製造費用上昇の原因になり得る。次に、発光構造体130は、格子緩衝層120上に形成される。発光構造体130は、複数の窒化物層が積層されて形成される。より具体的に、発光構造体130は、第1の導電型窒化物層131、発光活性層132及び第2の導電型窒化物層133を含む。第1の導電型窒化物層131は、格子緩衝層120の上部に形成される。第1の導電型窒化物層131は、ドーピングされる不純物によってn型又はp型の特性を示すことができる。例えば、窒化物にシリコンSiなどの不純物がドーピングされた場合、第1の導電型窒化物層131はn型の特性を示す。その一方、窒化物にマグネシウムMgなどの不純物がドーピングされた場合、第1の導電型窒化物層131はp型の特性を示す。発光活性層132は、第1の導電型窒化物層131の上部に形成される。発光活性層132は、MQWMultipleQuantumWell構造を有することができる。その例として、InxGa1-xN01≦x≦03とGaNが交互に積層されている構造を提示することができる。発光活性層132では、n型の窒化物層を通して流れる電子とp型の窒化物層を通して流れる正孔とが再結合しながら、光が発生する。第2の導電型窒化物層133は、発光活性層132の上部に形成され、第1の導電型窒化物層131とは反対の電気的特性を示す。例えば、第1の導電型窒化物層131がn型のGaNで形成される場合、第2の導電型窒化物層133はp型のGaNで形成される。n型のGaNの場合、GaNにSiがドーピングされて形成されてもよく、p型のGaNの場合、GaNにMgがドーピングされて形成されてもよい。前記のように、第1の導電型窒化物層131がn型のGaNで形成され、第2の導電型窒化物層133がp型のGaNで形成される場合、成長基板110としてはn型のシリコン基板を用いることができる。n型のシリコン基板を用いる場合、発光活性層132の下部の各層がn型に形成される。また、n型のシリコン基板を用いる場合、シリコン基板自体をn―電極として活用することができる。したがって、垂直型発光素子の製造時にも、成長基板を除去するリフトオフ工程を省略することができ、さらに、n―電極形成工程を省略することができる。したがって、n型のシリコン基板を用いる場合、水平型発光素子のみならず、発光面積が相対的に広いことから高輝度を容易に具現できる垂直型発光素子も容易に製造することができる。また、成長基板としてn型のシリコン基板を用いる場合、高温での窒化物の成長時における基板の反り現象が微々たるものになり、高温での窒化物の均質な成長が可能であった。一方、発光構造体130は、格子緩衝層120の上部に形成されるバッファ層134をさらに含むことができる。この場合、第1の導電型窒化物層131はバッファ層134の上部に形成される。バッファ層134は、シリコン基板上に異種の物質である窒化物を成長させるときに発生する応力を緩和させる役割をする。このようなバッファ層134は、AlN、ZrN、GaNなどの窒化物で形成することができる。第1の導電型窒化物層131がn型である場合、バッファ層134もn型に形成することができる。バッファ層134を形成する窒化物のほとんどは、大きな電気抵抗を有する。しかし、バッファ層134をn型に形成する場合、バッファ層の電気抵抗が低くなる。したがって、製造される窒化物系発光素子の駆動効率を向上させることができる。一方、ZnOは、n型の電気的特性を有する。したがって、成長基板110としてn型のシリコン基板を用い、バッファ層134及び第1の導電型窒化物131をn型に形成する場合、シリコン基板に注入される電子が発光活性層132まで障壁なく容易に移動することができる。したがって、この場合、発光素子の駆動効率をさらに高めることができる。また、バッファ層134の上部には、格子マッチングをより容易にするために非ドーピング窒化物層135がさらに形成される。この場合、第1の導電型窒化物層131は、非ドーピング窒化物層135の上部に形成される。非ドーピング窒化物層135は、非ドーピングシリコン基板を用いる場合に適用することが望ましい。図2は、本発明の実施例に係る窒化物系発光素子の製造方法を概略的に示した図である。図2を参照すると、図示した窒化物系発光素子の製造方法は、格子緩衝層形成段階S210及び発光構造体形成段階S220を含む。格子緩衝層形成段階S210では、シリコン基板、サファイア基板などの成長基板上に、ウルツ鉱型格子構造を有する物質のパウダーで格子緩衝層を形成する。このとき、前記格子緩衝層は、ZnOパウダーで形成することができる。このとき、ZnOパウダーとしては、シリコン又はサファイア基板、より望ましくは、成長基板と同一の材質の基板上にZnOを蒸着する段階と、前記ZnOが蒸着された基板を粉砕してパウダー化する段階を通して製造されたものを用いることができる。蒸着時には、MOCVD方法又はスパッタ方法などを用いることができる。この場合、ZnOパウダーには純粋なZnO成分のみならず、基板成分も含まれるので、成長基板に対するZnOパウダーの付着力を向上させることができる。ZnOパウダーを用いた格子緩衝層は、次のような方法で形成することができる。まず、スピンコーターなどを用いて成長基板にZnOパウダーなどを載せる。その後、CVDチャンバなどの装置の内部で成長基板を窒素ガス雰囲気で約500~800°Cの温度で加熱し、ZnOパウダーを付着させる。加熱温度が非常に高い場合、ZnOパウダーがエッチングされるので、800°C以下の温度で工程を行うことが望ましい。成長基板には、若干のエッチングが行われながら表面に凹凸が形成される。成長基板の表面に形成された凹凸は、上述したようにパウダーの付着又は固定を容易にする。また、ZnOパウダーを用いた格子緩衝層は、前記ZnOパウダー含有溶液を用いて成長基板上にスピンコーティングした後、乾燥する方法で形成することができる。このとき、ZnOパウダー含有溶液としては、アセトン、メタノール、エチレングリコールなどの多様な種類の溶媒を用いることができる。前記の提示されたZnOパウダーを用いた格子緩衝層形成方法のうちいずれか一つの方法が選択的に適用されてもよく、二つの方法が共に適用されてもよい。例えば、ZnOパウダーを含有する溶液を用いて成長基板上にスピンコーティングした後で乾燥し、その後、チャンバ内で成長基板を加熱することができる。次に、発光構造体形成段階では、格子緩衝層上に複数の窒化物を順次成長させることによって発光構造体を形成する。発光構造体は、第1の導電型窒化物層、発光活性層及び第2の導電型窒化物層が順次積層される形態で形成される。場合に応じては、第1の導電型窒化物層を形成する前に、バッファ層や非ドーピング窒化物層をさらに形成することができる。このとき、発光構造体を形成するための複数の窒化物層のうち格子緩衝層上に形成される1番目の窒化物層例えば、バッファ層は、ヘリウムHeガス、アルゴンArガスなどの不活性ガス雰囲気で形成することが望ましい。前記層を水素ガス雰囲気で形成すると、水素ガスによってZnOパウダーがエッチングされ、バッファ層が完全に形成されないためである。そして、残りの窒化物層は、結晶品質の向上のために水素ガス雰囲気で形成ことが望ましい。この場合、水素ガス雰囲気によっても既に1番目の窒化物層が形成されているので、1番目の窒化物層上に他の窒化物層を形成するとき、ZnOパウダーのエッチングの影響を受けない。また、1番目の窒化物層を除いては、水素雰囲気で各窒化物を形成する場合、図3に示した例のように、ZnOパウダーが一部又は全部エッチングされ、成長基板と1番目の窒化物層との間にはエアホールが形成される。このようなエアホールは、乱反射層の役割をし、窒化物系発光素子の輝度上昇に寄与する。上述したように、本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、ZnOパウダーのようにウルツ鉱型格子構造を有する物質のパウダーを用いて、成長基板上に格子緩衝層を形成した状態で窒化物を成長させる。したがって、GaNのような窒化物の成長時に格子ミスマッチングによって発生する線欠陥を減少させることができる。したがって、製造される窒化物系発光素子の結晶性及び輝度を向上させることができる。以上、本発明は、実施例を中心に説明したが、当業者の水準で多様な変更や変形が可能である。このような変更と変形は、本発明の範囲を逸脱しない限り、本発明に属するものといえる。したがって、本発明の権利範囲は、以下で記載する特許請求の範囲によって判断しなければならない。