被検査体である基板の表面欠陥を検査する方法であって、前記基板をP偏光の直線偏光の照明光で照明し、前記基板からの回折光による前記基板の像を撮像し、撮像した画像を処理して前記基板の欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法。被検査体である基板の表面欠陥を検査する方法であって、前記基板を照明光で照明し、前記基板からの回折光に含まれるP偏光の直線偏光による前記基板の像を撮像し、撮像した画像を処理して前記基板の欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法。請求項1又は請求項2に記載の欠陥検査方法を使用して、基板の表面に形成されたホールパターンの欠陥を検出することを特徴とするホールパターンの検査方法。被検査体である基板の表面に形成されたパターンの欠陥を検査する方法であって、前記基板を、振動面と前記基板との交線が前記ホールパターンとは異なる層に形成された配線パターンに平行又は垂直なS偏光の直線偏光で照明し、前記基板からの回折光に含まれるS偏光の直線偏光を除去した残りの光を用いて前記基板の像を撮像し、撮像した画像を処理して前記基板の欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法。被検査体である基板の表面に形成されたホールパターンの欠陥を検査する方法であって、前記基板を、振動面と前記基板との交線が前記ホールパターンとは異なる層に形成された配線パターンに平行又は垂直なP偏光の直線偏光で照明し、前記基板からの回折光に含まれるP偏光の直線偏光を除去した残りの光を用いて前記基板の像を撮像し、撮像した画像を処理して前記基板の欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法。ここで、検査すべき対象となるのは、半導体ウエハ2の最上層最表層に形成されたレジストパターンであるが、基板を照明した光の一部は最上層のレジスト層を通過して、下地に形成されたパターンを照明する。従って、基板全体から発生する回折光は最上層のレジストパターンだけでなく、下地のパターンの影響も受けている。そのため、下地のパターンの影響が大きい場合にはそれがノイズとなり、本来検査すべき最上層のパターン情報が相対的に少なくなり、S/N比が悪くなるという問題点がある。特に、異なる層の回路パターン同士を結合するコンタクトホール等のホールパターンは、微細で、パターン密度が小さいので、その信号強度が微弱であるため下地の影響を受けやすく、従来は、十分に欠陥を検出できなかった。又、最上層のパターンとその下のパターンの間に、検査に使用する光を吸収するような反射防止膜が設けられている場合には、このような問題は無くなるが、最上層に形成されたパターンの立体的な情報がとりにくいという問題点があった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、最上層のパターンの検査を、高いS/N比で行うことができる欠陥検査方法、さらにはホールパターンの検査方法を提供することを課題とする。前記課題を解決するための第1の手段は、被検査体である基板の表面欠陥を検査する方法であって、前記基板をP偏光の直線偏光の照明光で照明し、前記基板からの回折光による前記基板の像を撮像し、撮像した画像を処理して前記基板の欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法請求項1である。本手段においては、基板をP偏光の直線偏光の照明光で照明しているので、基板表面のパターンの表面において反射されず、基板パターンの内部に入ってそこで基板層間の界面で反射される光が多くなる。従って、基板表面のパターンの3次元的な構造全体の変化を捉え、効率良く検査を行うことができる。前記課題を解決するための第2の手段は、被検査体である基板の表面欠陥を検査する方法であって、前記基板を照明光で照明し、前記基板からの回折光に含まれるP偏光の直線偏光による前記基板の像を撮像し、撮像した画像を処理して前記基板の欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法請求項2である。本手段においては、基板からの回折光に含まれるP偏光の直線偏光による基板の像を撮像しているので、前記第1の手段と同様、基板表面のパターンの3次元的な構造全体の変化を捉え、効率良く検査を行うことができる。前記課題を解決するための第3の手段は、前記第1の手段又は第2の手段のいずれかを使用して基板の表面に形成されたホールパターンの欠陥を検出することを特徴とするホールパターンの検査方法請求項3である。一般にコンタクトホール等のホールパターンは、大きさが微細であり、従来の検査方法では確実な検査が不可能であった。本手段によれば、バックグラウンドノイズを低減させることができるので、ホールパターンの検査をS/N良く行うことができる。前記課題を解決するための第4の手段は、被検査体である基板の表面に形成されたホールパターンの欠陥を検査する方法であって、前記基板を、振動面と前記基板との交線が前記ホールパターンとは異なる層に形成された配線パターンに平行又は垂直なS偏光の直線偏光で照明し、前記基板からの回折光に含まれるS偏光の直線偏光を除去した残りの光を用いて前記基板の像を撮像し、撮像した画像を処理して前記基板の欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法請求項4である。本明細書及び特許請求の範囲において、直線偏光の振動面というのは、直線偏光の電界ベクトルと光の進行方向ベクトルを含む平面のことをいう。本手段においては、基板をS偏光の直線偏光の照明光で照明し、しかも、その振動面と基板との交線が基板に形成された配線パターンに平行又は垂直なようにしている。そして、基板からの回折光に含まれるS偏光の直線偏光を除去した残りの光を用いて基板の像を撮像している。このようにすると、配線パターンに対してはエッジ部分に入射する偏光の振動方向が垂直或いは平行であり、振動成分がパターンと垂直の方向あるいは平行の方向にしかないので、パターンからの影響によって振動方向には変化を生じず、偏光の無機自体は変化しない。よって、検出される光には、配線パターンの正常部からの反射光が少なくなり、異常部からの反射光が多くなって、欠陥検出のS/N比を向上させることができる。回折光からS偏光の直線偏光を除去する方法としては、照明光と回折光の間にクロスニコルの条件が成立するように偏光板を配置する方法がある。前記課題を解決するための第5の手段は、被検査体である基板の表面に形成されたホールパターンの欠陥を検査する方法であって、前記基板を、振動面と前記基板との交線が前記ホールパターンとは異なる層に形成された配線パターンに平行又は垂直なP偏光の直線偏光で照明し、前記基板からの回折光に含まれるP偏光の直線偏光を除去した残りの光を用いて前記基板の像を撮像し、撮像した画像を処理して前記基板の欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法請求項5である。本手段においては、基板をP偏光の直線偏光の照明光で照明しているところが前記第4の手段と異なるだけであり、その原理は前記第4の手段と同じである。よって、前記第4の手段と同じように、検出される光には、配線パターンの形状からの影響を抑え、ホールパターンの形状のみに関する信号が抽出されて、欠陥検出のS/N比を向上させることができる。以上、説明したように、本発明によれば、最上層のパターンの検査を、高いS/N比で行うことができる欠陥検査装置、欠陥検査方法、さらにはホールパターンの検査方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態の第1の例である欠陥検査装置概要を示す図である。ランプハウスLSから射出された照明光L1は、照明光学系1を構成するレンズ11によりほぼ平行な光に変換され、ステージ3上に載置されたウエハ2を照明する。ランプハウスLSの内部には不図示のハロゲンランプやメタルハライドランプなどの光源と、波長選択フィルタが内蔵されており、一部の波長の光のみが照明光L1として利用される。ランプハウスLSの射出部付近には偏光板7が配置されていて、ランプハウスLSから射出された照明光L1を直線偏光にする。偏光板7は照明光学系1の光軸を回転中心にして回転可能で、ウエハ2を照明する直線偏光の偏光方向を任意に変えられる。又、不図示の機構により、挿脱可能である。ステージ3には、不図示のチルト機構が設けられていて、紙面と垂直な軸AXを中心に、ステージ3をチルトする。照明光L1によって照明された、基板であるウエハ2からは、回折光L2が生じる。繰り返しパターンのピッチと、照明光L1の波長により、回折光L2の回折角は変化する。回折角に応じてステージ3が適宜チルトされ、生じた回折光L2は、レンズ41、レンズ42で構成された受光光学系4に導かれて集光され、回折光L2によるウエハ2の像を本発明の撮像手段としての撮像素子5上に結像する。ステージ3をチルトさせるかわりに、ランプハウスLSから照明光学系1までの全体、あるいは受光光学系4から撮像素子5までの全体を、軸AXを中心に回転させてもよいし、これらを組み合わせてそれぞれを適宜チルトさせてもよい。画像処理装置6は、撮像素子5で取り込んだ画像の画像処理を行う。露光装置のデフォーカスや形成されたパターンの膜厚ムラ等の異常があると、正常部分と欠陥部分の回折効率の違いから、得られた画像に明るさの差が生じる。これを画像処理で欠陥として検出する。又、正常なパターンの像を画像処理装置6に記憶しておき、これと測定されたパターンとの差分をとることにより、異常を検出するようにしてもよい。回折光L2は、ウエハ2表面のレジストパターン上層パターンによって回折したものと、表面のレジストパターンを通って下地のパターン下層パターンに到達し、そこで回折したものの合成となる。ここで偏光板7は、照明光L1がS偏光でウエハ2を照明し、かつS偏向の振動面とウエハ2面との光線が、ウエハ2に形成された配線パターンと平行又は直角になるように光軸まわりに回転調整されている。一般に、空気から薄膜に光が到達したときの薄膜表面での光の反射率は、薄膜の屈折率と入射角度に依存してP偏光とS偏光で異なる。0°<入射角<90°の範囲では、S偏光の方が表面反射率が高い。複数のパターン層が存在するウエハで考えた場合、S偏光の方が表面反射率が高い分、下地に到達する光量が少なくなる。従って、回折光の光量もその影響を受け、上層のレジストパターンで回折した光量と、下地のパターンで回折した光量を比較した場合、S偏光の方が上層のレジストパターンで回折する光量が多くなる。この様子を図2を用いて説明する。図2は、非偏光、S偏光、P偏光が、それぞれ表層と下地からなる面に入射して反射される様子を示している。非偏光の場合に表層で反射される光量をa、表層と下地の界面で反射される光量をb、S偏光の場合に表層で反射される光量をaS、表層と下地の界面で反射される光量をbS、P偏光の場合に表層で反射される光量をaP、表層と下地の界面で反射される光量をbPとすると、aP<a<aSbP>b>bSとなる。よって、S偏光を用いることにより、表層表面で反射される光量を相対的に大きくすることができ、下地の影響を受けないで表面の検査を行うことができる。なお、偏光板7は照明光学系でなく受光光学系に挿入し、受光する回折光からS偏光の成分を取り出しても、照明光学系に偏光板を挿入した時と同様の効果を得られる。一方、表層の直下に反射防止膜があり、下地からの反射光回折光が殆どない場合や、表層の直下が全面パターンのない金属膜で覆われている場合などはS偏光よりもP偏光を入射させるのが望ましく、偏光板7は、照明光L1がP偏光でウエハ2を照明するように光軸まわりに回転調整される。ここでのP偏光とは、振動面が紙面に平行な直線偏光である。P偏光はS偏光より表面での反射率が低いが、下地のパターンの影響を殆ど受けないのでP偏光を入射しても問題ない。むしろ、P偏光は表層の内部に入射する光量がS偏光よりも多い分、表層のパターンの3次元的な構造全体の変化を捉えやすい利点がある。特に、ホールパターンの断面形状の検査は、従来から、基板を割断して走査型電子顕微鏡によって断面の形状を観察する破壊検査法が唯一の手段であった。ホールパターンは、ラインアンドスペースパターンと違ってパターン密度が小さいため、複数のホールパターンのうち、基板の割断面と一致するわずかなホールパターンの断面に基づいて検査を行うことになる。また、ウエハの結晶軸とホールパターンの形成方向によっては、複数のホールパターンの断面のいずれもが割断面と一致しない場合もある。このように、ホールパターンの断面形状の観察は基板の割断に検査者の技量を要し、困難な作業であった。本発明によれば、ホールパターンの検査をP偏光光で行ってホールパターンの3次元的な構造全体の変化を捉えるので、非破壊でかつ、容易にホールパターンの3次元的な検査を行うことができる。なお、偏光板7は照明光学系でなく受光光学系に挿入し、受光する回折光からP偏光の成分を取り出しても、照明光学系に偏光板を挿入した時と同様の効果を得られる。図3は、本発明の第2の実施の形態である欠陥検査装置の概要を示す図である。以下の図において、前出の図に示された構成要素と同じ構成要素には、同じ符号を付してその説明を省略する。第2の実施の形態は、図1に示す第1の実施の形態の受光光学系4中に、偏光板8を追加したものである。偏光板8は受光光学系4の光軸を回転中心にして回転可能で、ウエハ2からの回折光L2のうち、任意の偏光方向の直線偏光を取り出すことが可能である。又、不図示の機構により、挿脱可能である。発明者等が確認した事実によると、この第2の実施の形態である欠陥検査装置において、照明光L1を直線偏光前述のように基板表面での反射率が高い偏光状態にすることが好ましいにしてウエハ2を照明し、ウエハ2からの回折光L2のうち、照明光L1と直交する方向に振動する直線偏光を取り出すように、それぞれの偏光板7、8を調整した状態、いわゆるクロスニコルの状態で検査を行うことが、ホールパターンの検査に特に有効である。通常、クロスニコルの状態では画像は暗視野になるが、ホールパターンが形成された領域を画像として撮像することができた。これは次のように説明できる。直線偏光を入射すると試料表面で反射回折する際に偏光状態が変化し楕円偏光になる入射直線偏光の振動方向と直交する方向に振動する成分が現れる。したがってクロスニコルの状態にすることで、偏光状態が試料入射前後で変化した成分のみを取り出すことができる。詳しく述べれば、通常、配線パターンに入射した偏光は、配線パターンの直線方向エッジ部分と平行な方向と、配線パターンの直線方向と直交する方向繰り返し方向の二つの成分に分解して考えると、平行な成分と直交する成分とで、ピッチやデューティ比などの配線パターンの形状に起因する反射率や位相のずれ量の影響がそれぞれ異なるので、配線パターンを反射した後の偏光、即ち反射後の、配線パターンに平行な成分と直交する成分を合成した偏光は、入射した偏光に対して形状が変化する。これに対し、ホールパターンとは異なる層の配線パターンに対してエッジ部分に入射する偏光の振動面とウエハ面との交線が垂直あるいは平行になるように基板と照明光学系との相対位置を調整すると、パターンで回折した光の偏光の振動方向は殆ど変化しない。この場合、配線パターンに対して、エッジ部分に入射する偏光の振動方向が垂直あるいは平行であるので、振動成分がパターンと垂直の方向あるいは平行の方向にしかなく、パターンからの影響によって振動方向には変化を生じず、偏光の向き自体は変化しない。これに対し、ホールパターンは円形のパターンであるため、入射する直線偏光の振動方向とエッジ部分の方向との関係がホールパターンのエッジの場所によりまちまちであるエッジの方向に対して振動面が垂直でも平行でもない角度で傾斜して入射する。そのため、ホールパターンで回折した光のうち、ホールパターンの部分からの信号成分は低減しないような状態で取り出すことができ、ホールパターンの下に存在する配線パターンとの分離が可能となる。これは、以下のように説明することが出来る。直線偏光を、直交する2つの直線偏光の和として表したときにx方向とy方向の成分は、配線パターンに対して同じ450の角度で入射する。ゆえにx方向の成分とy方向の成分とが配線パターン形状から受ける影響が等価であり、パターンを経ることによる反射率や位相のずれ量が、x方向成分とy方向成分とで等しいので、x成分とy成分とがパターン形状によって反射率や位相に影響を受けたとしても、偏光の向き自体は変化しない。一方、ホールパターンは円形のパターンゆえにエッジ部分に入射する偏光の振動方向とエッジの方向との相対関係はエッジの場所によりまちまちであり垂直でも平行でもない角度を有して入射する、垂直あるいは平行以外の角度でエッジ部分に入射した偏光はx方向成分とy方向成分とが、異なる角度でパターンに入射する。ゆえにパターン形状から受ける影響がそれぞれ異なり、x成分とy成分とで位相のずれや反射率のずれを生じるため、ホールパターンを経た直線偏光は楕円偏光となる。そのため、ホールパターンで回折した光のうち、入射光の偏光の振動方向に対して垂直な振動方向の偏光成分を取り出すように、すなわちクロスニコルの状態でウエハを観察すると、配線パターンからの信号成分が除去され、ホールパターンの部分でのx成分とy成分とがパターン形状からうける寄与の違いによる偏光方向のずれ分のみを取り出すことができホールパターンの下に存在する配線パターンや下地以外の配線パターンをホールパターンとの分離が可能となる。クロスニコルの組み合わせとしては、照明光としてS偏光を入射し、ウエハからの回折光のうちP偏光の直線偏光成分を取り出す場合と、照明光としてP偏光を入射し、ウエハからの回折光のうちS偏光成分を取り出す場合がある。下地からの影響を出来るだけ少なくしたい場合は前者が、ホールパターンの3次元的な構造全体の変化を効率良く捉えたい場合は後者が適しており、それぞれの場合に応じて偏光板7、8が適宜調整される。この場合にも、下地の影響を小さくできるので、ホールパターンの検査をP偏光で行ってホールパターンの3次元的な構造全体の変化を捉えることによって、非破壊でかつ、容易にホールパターンの3次元的な検査を行うことができる。ホールパターンの例を図4に示す。aは配線パターン21を下層としてその上に形成されたコンタクトホール22の様子を示す図であり、bは絶縁層25を下層としてその上に形成されたコンタクトホール22の様子を示す図である。両方とも上側が平面図、下側がA-A断面図である。ただし、分かりやすくするためにaにおける平面図においてはレジスト23を透明なものとして表している。aにおいて、基板24の上に配線パターン21が形成され、その上にコンタクトホール22が所定のホールパターンで形成されている。配線パターン21が形成されていない部分はレジスト23で覆われ、配線パターンの上も、コンタクトホール22が形成されていない部分はレジスト23で覆われている。bにおいて、基板24の上に配線パターン21が形成され、配線パターン21が形成されていない部分、及び配線パターン21の上部は絶縁層25で覆われている。そして、絶縁層25を貫通して、所定のパターンでコンタクトホール22が形成されている。aの構成においては、ホールパターン22の直下に配線パターン21が形成されている。配線パターン21のパターン密度は、ホールパターン22のパターン密度と比較して大きい。また、配線パターン21は一般に光反射率の高い銅やアルミ等の金属により形成されているのに対して、レジスト層23は光を透過するポリヒドロキシスチレン等の有機化合物で形成されている。従って、レジスト層23に形成されたホールパターン22からの回折光の強度は、レジスト層23を透過して配線パターン21で回折された回折光の強度に比較して小さくなり、ホールパターン22で回折された回折光の信号は配線パターン21で回折された回折光に埋もれてしまう。このような理由からホールパターン22からの回折光の信号を検出することは不可能であった。また、bにおいては、基板24の上に配線パターン21が形成され、その上に絶縁層25が形成されている。そして、絶縁層25の上にレジスト層23が形成され、レジスト層23に所定のパターン配置でコンタクトホールパターン22が形成されている。絶縁層25には、一般に透明なSiO2が使用されるため、レジスト層23を透過した光は絶縁層25では吸収されずにその下に形成された配線パターンに到達する。従って、レジスト層23と絶縁層25とを透過した光が配線層21に到達して配線層21からの回折光が発生する。この場合にも、aと同様に、レジスト層23に形成されたホールパターン22で回折された回折光の強度は、レジスト層23を透過して配線パターン21で回折された回折光の強度に比較して小さく、ホールパターン22で回折された回折光の信号は配線パターン21で回折された回折光の信号に埋もれてしまう。従って、絶縁層25を介在して配線パターン21が形成されている場合であっても、ホールパターン22からの回折光の信号を検出することは不可能であった。発明者は、aのような構成を有する基板、すなわち、アルミAlからなる欠陥のない繰り返しパターンを有する配線パターンのすぐ上にレジスト層を成膜したウエハを準備し、ベストフォーカス、ベスト露光量の露光条件を中心として、フォーカス量、露光量を変化させながらホールパターンの露光を行った。現像後のレジストパターンは、ベストフォーカス、ベスト露光量の露光条件で露光したパターンは、設計値通どおりの径で、断面が矩形なポールパターンが形成されているが、このフォーカスおよび露光条件から遠ざかるに従って、ホールパターンの径は設計値からずれを生じるとともに、パターン断面の矩形性も低下する。このようにして製作したウエハ上の種々のホールパターンを図7に示す従来の検査装置を用いて撮像した。図5bに、撮像した画像の模式図を示す。ここでは、1枚のウエハ上に、露光条件の異なる9個のホールパターンが形成されており、その各々の撮像の明るさを示している。図では、中心のホールパターンがベストフォーカス、ベスト露光量で露光したものであり、右側のパターンはフォーカスが光軸方向プラスにずれたもの、左側のパターンはフォーカスが光軸方向マイナスにずれたものを示している。又、下側のパターンは露光量がプラス側にずれたもの、上側のパターンは露光量がマイナスにずれたものを示している。図に示すように、この状態では下地の繰り返しパターンからの回折光の影響で、ホールパターンの変化がショット領域毎の明るさの違いとして捉えられなかった。従って、どのホールパターンの明るさも同じに撮像されている。同じウエハを、図3に示すような検査装置を用いて、ホールパターンの下地からの回折光に対してクロスニコル条件が成り立つような状態で測定した。図5aは撮像した画像の模式図である。下地の繰り返しパターンからの回折光が除去されていて、露光装置のフォーカス量や露光量の変化が、図のように各ホールパターン領域毎の明るさの違いとして捉えられた。フォーカス量や露光量の変化に応じてホール直径は変化するが、これが回折効率の違いとなり、画像の明るさの差になったものである。明るさの違いは画像処理で十分認識出来るものであり、露光装置のデフォーカスや露光量の不具合によるホールパターンの不良を判別することが可能となる。図6は、本発明の第3の実施の形態である欠陥検査装置の概要を示す図である。この実施の形態は、第2の実施形態の受光光学系4における偏光板8とウエハ2との間に、1/4波長板9を配置したことのみが第2の実施の形態と異なっている。1/4波長板9は受光光学系4の光軸を回転中心にして回転可能である。又、不図示の機構により挿脱可能である。1/4波長板は、周知のように、回転方向に応じて、入射した光の偏光状態を直線偏光や楕円偏光、円偏光に変換する機能を有する。前述のとおり、回折光L2は上層のパターンで回折した回折光と下地のパターンで回折した回折光の合成で、偏光状態はそれぞれ異なっている。そこで、1/4波長板9を、下地からの回折光が直線偏光になるように回転調整し、更に偏光板8を、変換された直線偏光の振動方向と直交する方向に振動する光を取り出すよう、つまりクロスニコルの状態になるように回転調整する。これにより下地からの回折光が除去される。ここで、上層からの回折光は1/4波長板9を通過後は偏光状態が変化するが直線偏光ではないので、偏光板8を通過することができる。こうして、回折光L2が偏光板8を通過したあとは、下地からの回折光が除去され、上層からの回折光のみとなっているので、下地の影響を受けずに、S/Nの良い状態で検査を行うことができる。なお、1/4波長板は受光光学系4ではなく、照明光学系1の偏光板7とウエハ2との間に挿入して適宜回転する事で、ウエハ2で回折した回折光のうち、下地からの回折光を直線偏光にすることもできる。従って、受光光学系に1/4板を挿入した時と同様の効果を得られる。