平面形状が実質的にまっすぐなアンテナに高周波電流を流すことによって真空容器内に誘導電界を発生させてプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置であって、前記アンテナを、前記基板の表面に立てた垂線に沿う方向に互いに接近して配置されていて、前記高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、前記往復導体間の前記垂線に沿う方向の間隔を、前記アンテナの長手方向において変化させており、かつ前記往復導体の前記プラズマとは反対側の導体の近傍に、それぞれが前記アンテナの長手方向に移動可能な1以上の磁性体を設けている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。前記往復導体間の前記垂線に沿う方向の間隔を、前記アンテナの長手方向における中央部の間隔よりも両端部の間隔を大きくしている請求項1記載のプラズマ処理装置。前記各磁性体は、前記垂線に沿う方向にも移動可能である請求項1または2記載のプラズマ処理装置。前記各磁性体は、前記プラズマとは反対側の導体の更にプラズマとは反対側に位置している上部磁性体と、当該上部磁性体の左右の側部から前記プラズマ側にそれぞれ延出している側部磁性体とを有している請求項1、2または3記載のプラズマ処理装置。誘導結合型のプラズマ処理装置においても、大型の基板に対応する等のためにアンテナを長くすると、当該アンテナのインピーダンス特にインダクタンスが大きくなり、それによってアンテナの両端間に大きな電位差が発生する。このアンテナの電位は、プラズマとの間の静電容量を介してプラズマ電位に反映されるので、アンテナの電位が高いとプラズマ電位も高くなる。その結果、プラズマ中の荷電粒子例えばイオンが高いエネルギーで基板に入射衝突するので、基板上に形成する膜に与えるダメージが大きくなり、膜質が低下する等の課題が生じる。そこでこの発明は、誘導結合型の装置であって、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてプラズマ電位を低く抑えることができ、しかも当該アンテナによってその長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができるプラズマ処理装置を提供することを主たる目的としている。かつ、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の制御をより柔軟に行うことができるようにすることを更なる目的としている。この発明に係るプラズマ処理装置は、平面形状が実質的にまっすぐなアンテナに高周波電流を流すことによって真空容器内に誘導電界を発生させてプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置であって、前記アンテナを、前記基板の表面に立てた垂線に沿う方向に互いに接近して配置されていて、前記高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、前記往復導体間の前記垂線に沿う方向の間隔を、前記アンテナの長手方向において変化させており、かつ前記往復導体の前記プラズマとは反対側の導体の近傍に、それぞれが前記アンテナの長手方向に移動可能な1以上の磁性体を設けている、ことを特徴としている。以下においては、表現を簡略化するために、基板の表面に立てた垂線に沿う方向を上下方向と呼び、当該垂線に交差する方向を左右方向と呼び、プラズマとは反対側を上側と呼び、プラズマ側を下側と呼ぶ。従って、上下方向は必ずしも垂直方向とは限らない。このプラズマ処理装置においては、アンテナを、上下方向に互いに接近して配置されていて高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成しているので、往復導体間の相互インダクタンスのぶん、アンテナの実効インダクタンスが小さくなる。従って、アンテナの電位を低く抑えて、プラズマ電位を低く抑えることができる。しかも、往復導体間の上下方向の間隔をアンテナの長手方向において変化させることによって、往復導体間の相互インダクタンスをアンテナの長手方向において変化させることができるので、アンテナからプラズマに供給する電磁エネルギーを、アンテナの長手方向において変化させることができる。従って、このアンテナによって、その長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができる。更に、アンテナの長手方向に移動可能な磁性体によって、アンテナに高周波電流を流したときに発生する磁束の分布状況を容易に変えることができるので、アンテナの長手方向における磁束密度分布の調整を容易に行うことができる。これと、アンテナの構造による制御とを併用することができるので、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の制御をより容易かつ柔軟に行うことができる。往復導体間の上下方向の間隔を、アンテナの長手方向における中央部の間隔よりも両端部の間隔を大きくしておいても良い。各磁性体は、上下方向にも移動可能であっても良い。各磁性体は、上側の導体の更に上側に位置している上部磁性体と、当該上部磁性体の左右の側部から下側にそれぞれ延出している側部磁性体とを有していても良い。請求項1に記載の発明によれば、アンテナを、上下方向に互いに接近して配置されていて高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成しているので、往復導体間の相互インダクタンスのぶん、アンテナの実効インダクタンスが小さくなる。従って、アンテナの電位を低く抑えて、プラズマ電位を低く抑えることができる。その結果、プラズマから基板に入射する荷電粒子のエネルギーを小さく抑えることができる。それによって例えば、基板上に形成する膜に与えるダメージを小さく抑えて、膜質向上を図ることができる。また、アンテナを長くする場合でも、上記理由によって、アンテナの電位を低く抑えてプラズマ電位を低く抑えることができるので、アンテナを長くして基板の大型化に対応することが容易になる。しかも、往復導体間の上下方向の間隔をアンテナの長手方向において変化させることによって、往復導体間の相互インダクタンスをアンテナの長手方向において変化させることができるので、アンテナからプラズマに供給する電磁エネルギーを、アンテナの長手方向において変化させることができる。従って、このアンテナによって、その長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができる。その結果、アンテナの長手方向における基板の処理状態を制御することができる。例えば、アンテナの長手方向における膜厚分布を制御することができる。更に、アンテナを、上下方向に互いに接近して配置されていて高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、かつ当該往復導体間の上下方向の間隔をアンテナの長手方向において変化させているので、左右方向に互いに接近して配置された往復導体間の左右方向の間隔を変化させる場合に比べて、往復導体間の間隔変化によるアンテナ下方近傍の磁束密度の制御性が良い。従って、往復導体間の間隔を変化させることによる、アンテナからプラズマに供給する電磁エネルギーの制御性、ひいてはプラズマ密度分布の制御性が良い。また、アンテナは一旦装置に組み込まれるとその構造の変更が容易でないため、この観点からは、当該アンテナの構造によるプラズマ密度分布の制御には柔軟性が低いという課題があるのに対して、この発明では、アンテナの長手方向に移動可能な磁性体によって、アンテナに高周波電流を流したときに発生する磁束の分布状況を容易に変えることができるので、アンテナの長手方向における磁束密度分布の調整を容易に行うことができる。従ってこれを併用することによって、アンテナの構造による制御性の前記課題を解決して、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の制御をより容易かつ柔軟に行うことができる。請求項2に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布は、通常は、中央部よりも両端部のプラズマ密度が小さい山型の分布になる。これに対して、この発明のように、往復導体間の上下方向の間隔を、アンテナの長手方向における中央部の間隔よりも両端部の間隔を大きくすることによって、アンテナの長手方向において、中央部よりも両端部の相互インダクタンスを小さくすることができるので、アンテナの中央部よりも両端部の実効インダクタンスが相対的に大きくなる。その結果、アンテナからプラズマに供給する電磁エネルギーを、山型とは反対に、アンテナの長手方向における中央部付近よりも両端部付近において相対的に大きくすることができるので、上記山型のプラズマ密度分布を補正して、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。その結果、アンテナの長手方向における基板処理の均一性を高めることができる。例えば、アンテナの長手方向における膜厚分布の均一性を高めることができる。請求項3に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、各磁性体が上下方向にも移動可能であるので、磁性体による磁束密度分布の調整をより一層柔軟に行うことができる。請求項4に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、各磁性体が上部磁性体および側部磁性体を有しているので、磁性体による磁束密度の調整をより効果的に行うことができる。この発明に係るプラズマ処理装置の一実施形態を図1に示し、そのアンテナ30を抜き出して図2に示し、図1中の線C-Cに沿う拡大断面を図3に示す。アンテナ30等の向きを表すために、一点で互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を図中に記載している。Z方向は基板2の表面に立てた垂線3に沿う例えば平行な方向であり、Y方向は当該垂線3に交差する例えば直交する方向であり、これらは、前述したように表現を簡略化するために、それぞれ、上下方向Z、左右方向Yと呼ぶことにする。また、プラズマ50とは反対側を上側と呼び、プラズマ50側を下側と呼ぶことにする。X方向は、垂線3に交差する例えば直交する方向であり、かつアンテナ30の長手方向である。例えば、X方向およびY方向は水平方向であるが、これに限られるものではない。以上のことは、他の図においても同様である。この装置は、平面形状がX方向に沿って実質的にまっすぐなアンテナ30に高周波電源42から高周波電流IRを流すことによって真空容器4内に誘導電界を発生させて、当該誘導電界によってプラズマ50を生成し、このプラズマ50を用いて基板2に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置である。実質的にまっすぐというのは、文字どおりまっすぐな状態だけでなく、まっすぐに近い状態ほぼまっすぐな状態をも含む意味である。基板2は、例えば、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイFPD用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板、太陽電池等の半導体デバイス用の基板等であるが、これに限られるものではない。基板2の平面形状は、例えば円形、四角形等であり、特定の形状に限定されない。基板2に施す処理は、例えば、プラズマCVD法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等である。このプラズマ処理装置は、プラズマCVD法によって膜形成を行う場合はプラズマCVD装置、エッチングを行う場合はプラズマエッチング装置、アッシングを行う場合はプラズマアッシング装置、スパッタリングを行う場合はプラズマスパッタリング装置とも呼ばれる。このプラズマ処理装置は、例えば金属製の真空容器4を備えており、その内部は真空排気装置8によって真空排気される。真空容器4内には、ガス導入管22を通してガス24が導入される。ガス24は、基板2に施す処理内容に応じたものにすれば良い。例えば、プラズマCVD法によって基板2に膜形成を行う場合は、ガス24は、原料ガスまたはそれを希釈ガス例えばH2で希釈したガスである。より具体例を挙げると、原料ガスがSiH4の場合はSi膜を、SiH4NH3の場合はSiN膜を、SiH4O2の場合はSiO2膜を、それぞれ基板2の表面に形成することができる。真空容器4内には、基板2を保持するホルダ10が設けられている。この例では、ホルダ10は軸16に支持されている。軸16が真空容器4を貫通する部分には、電気絶縁機能および真空シール機能を有する軸受部18が設けられている。この例のように、ホルダ10にバイアス電源20から軸16を経由して負のバイアス電圧を印加するようにしても良い。バイアス電圧は負のパルス状電圧でも良い。このようなバイアス電圧によって、例えば、プラズマ50中の正イオンが基板2に入射するときのエネルギーを制御して、基板2の表面に形成される膜の結晶化度を制御することができる。真空容器4の天井面6の開口部7に、アンテナ30が設けられている。アンテナ30は、この実施形態では、誘電体換言すれば絶縁物36内に埋め込まれている。この誘電体36と天井面6との間には、真空シール用のパッキン40が設けられている。誘電体36は、開口部7を塞ぐ蓋の働きもする。アンテナ30は、上下方向Zに互いに接近して配置されている往復導体31、32によって構成されている。アンテナ30より具体的にはそれを構成している往復導体31、32は、この例では、その平面形状が面状をしている。より具体的には、当該平面形状はこの実施形態では長方形であるが、これに限られるものではない。このアンテナ30および磁性体70については、後で詳述する。アンテナ30の材質は、例えば、銅より具体的には無酸素銅、アルミニウム等であるが、これに限られるものではない。アンテナ30には、より具体的にはその往復導体31、32には、高周波電源42から整合回路44を経由して、高周波電力が供給され、それによってアンテナ30に高周波電流IRが流される。即ち、アンテナ30を構成する往復導体31、32には、互いに逆向きの高周波電流往復電流IRが流される高周波だから、この高周波電流IRの向きは時間によって反転する。以下同様。この高周波電流IRによって、アンテナ30の周囲に高周波磁界が発生し、それによって高周波電流IRと逆方向に誘導電界が発生する。この誘導電界によって、真空容器4内において、電子が加速されてアンテナ30の近傍のガス24を電離させてアンテナ30の近傍にプラズマ50が発生する。このプラズマ50は基板2の近傍まで拡散し、このプラズマ50によって基板2に前述した処理を施すことができる。高周波電源42から出力する高周波電力の周波数は、例えば、一般的な13.56MHzであるが、これに限られるものではない。まず、上記アンテナ30について詳述する。図4に示すような、互いに接近している平行な往復導体61、62の総合インピーダンスZTは、差動接続として電気理論の書籍等にも記載されているように、次式で表される。ここで、R1、L1は、それぞれ、一方の導体61の抵抗、自己インダクタンス、R2、L2は、それぞれ、他方の導体62の抵抗、自己インダクタンス、Mは両導体61、62間の相互インダクタンスである。[数1]ZT=R1R2jL1L2-2Mここで、説明を簡略化するために、R1=R2=R、L1=L2=Lとすると、総合インピーダンスZTは数2で表され、その内のインダクタンスLTは数3で表される。このインダクタンスLTのように、自己インダクタンスと相互インダクタンスとを合成したものを、この明細書では実効インダクタンスと呼ぶことにする。[数2]ZT=2Rj2L-M[数3]LT=2L-M上記式からも分るように、往復導体61、62間の相互インダクタンスMが大きくなると、総合インピーダンスZTおよび実効インダクタンスLTは小さくなる。この往復導体61、62に高周波電源42から高周波電流IRを流すことによって発生する電磁エネルギーGは次式で表されるので、相互インダクタンスMが大きくなると、この電磁エネルギーGは小さくなり、外部に作用する磁気的な効果が減少する。プラズマ生成の場合は、プラズマへ供給できる電磁エネルギーが減少し、プラズマ密度が下がる。逆の場合は逆になる。[数4]G=1/2LTIR2=L-MIR2往復導体61、62の長手方向において相互インダクタンスMが一様でない場合、即ち相互インダクタンスMを変化させている換言すれば、変化を付けている場合は、各領域について見れば、当該領域の相互インダクタンスMに応じて、上記実効インダクタンスおよび電磁エネルギーが決まる。この発明を構成しているアンテナ30は、上記原理を応用したものである。例えば、図5に示す例のように、アンテナ30を、上下方向Zに互いに接近して配置されている往復導体31、32によって構成し、かつ往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dを、アンテナ30の長手方向Xにおいて2段階に変化させている場合、小さい間隔D2の領域A2の相互インダクタンスM2よりも、大きい間隔D1の領域A1の相互インダクタンスM1の方が小さくなる即ちM1<M2。従って、上記数3を参照すれば分るように、領域A2よりも領域A1の実効インダクタンスが大きくなり、上記数4を参照した説明からも分るように、アンテナ30より具体的にはその導体31から距離H1だけ離れた空間プラズマ生成領域の磁束密度は、領域A2における磁束密度B2よりも、領域A1における磁束密度B1の方が大きくなる即ちB1>B2。従って、領域A2のプラズマ密度よりも、領域A1のプラズマ密度を大きくすることができる。なお、この図5や後述する他の例では、説明を簡略化するために整合回路44を省略しているが、通常は、図1に示す例と同様に、高周波電源42とアンテナ30との間には整合回路44が設けられる。上下方向Zに配置された板状の往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dを変化させて、アンテナ30の中央下方近傍での磁束密度の変化をシミュレーションした結果を説明する。このシミュレーションに用いたモデルを図6に示す。両導体31、32の厚さTを3mm、左右方向Yの幅Wを70mmとし、X方向の長さを十分に長いものとして、一定のピーク値が100Aの高周波電流IRを流したときの、導体31の左右方向Yにおける中央下方に距離H15mmで固定離れた点Pにおける磁束密度Bを、間隔Dを変化させて測定した。その結果を表1に示す。表1中の磁束密度B0は、導体32がなくて導体31だけの公知の平面アンテナの場合の点Pにおける磁束密度である。その場合の磁束密度B0と、往復導体31、32の場合の磁束密度との比B/B0およびその2乗比B/B02を表1中に示す。2乗比B/B02に着目しているのは、プラズマに対する電磁エネルギー供給は、渦電流損のように、近似的には磁束密度Bの2乗に比例するからである。この表から分るように、間隔Dを変化させることによって、磁束密度Bおよび2乗比B/B02を大きく変化させることができる。例えば、間隔Dが1mmのときと50mmのときとでは、2乗比B/B02に約60倍の差を付けることができる。図7は、上下方向Zに互いに接近して配置されている往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dを、アンテナ30の長手方向Xにおける中央部の領域A2の間隔D2よりも両端部の領域A1、A3の間隔D1、D3この例ではD1=D3を段階的階段状に大きくした例である。この場合は、各領域A1~A3の相互インダクタンスM1~M3はM1=M3<M2となり、領域A2よりも領域A1、A3の実効インダクタンスが大きくなる。磁束密度B1~B3はB1=B3>B2となる。その結果、アンテナ30からプラズマに供給する電磁エネルギーを、中央部の領域A2よりも両端部の領域A1、A3において相対的に大きくすることができる。図1~図3に示すアンテナ30は、図7に示すアンテナ30に相当し、それをより具体化すると共に、中央給電にした例である。この図1~図3に示すアンテナ30について詳述すると、アンテナ30は、上下方向Zに間隔Dをあけて互いに接近して配置されている往復導体31、32を有している。両導体31、32は板状であり、その平面形状は前述したように長方形である。両導体31、32は、前述したように、この実施形態では誘電体36内に埋め込まれている。これによって、両導体31、32間における放電を防止することが容易になる。また、誘電体36は、後述する磁性体70のガイドおよび固定にも供することができる。但し、アンテナ30を誘電体36内に埋め込むことは必須ではない。両導体31、32の左右端部は接続部33で互いに電気的に接続されている換言すれば、折り返されている。上側の導体31の中央部には、二つの給電部34が設けられており、この二つの給電部34間に、高周波電源42から整合回路44を経由して高周波電力が供給される。なお、アンテナ30への高周波電力は、この例のようにアンテナ30の中央部から供給中央給電するようにしても良いし、図5、図7に示す例のようにアンテナ30の端部から供給端部給電するようにしても良い。後述する他の例においても同様である。両導体31、32は、この例では板状具体的には、導体31は平板状、導体32は折り曲げられた板状である。この場合、例えば、図1~図3に示す例のように両導体31、32の厚さを互いに同程度にしても良いし、必要に応じて厚さを互いに異ならせても良い。上側の導体32は、階段状に折り曲げられており、これによって、アンテナ30の長手方向Xにおける中央部の領域の間隔D2よりも両端部の領域の間隔D1、D3この例ではD1=D3を段階的に大きくしている。このようにして、上述した説明からも分るように、アンテナ30の長手方向Xにおいて、中央部よりも両端部の相互インダクタンスMを段階的に小さくしている。即ち、この例ではM1=M3<M2にしている。これによって、図7の場合と同様に、アンテナ30からプラズマ50に供給する電磁エネルギーを、アンテナ30の長手方向Xにおける中央部よりも両端部において相対的に大きくすることができる。アンテナ30の上記間隔Dおよび相互インダクタンスMは、アンテナ30の長手方向Xにおいて、図1、図7等に示す例のように段階的に変化させても良いし、連続的に変化させても良い。後述する他の例においても同様である。上記間隔D等を段階的に変化させても、プラズマには拡散作用があるので、プラズマ密度を滑らかに変化させることができる。例えば、図1、図2に示す上側の導体32を、中央部が窪んだなだらかな谷状にして、アンテナ30の上記間隔Dおよび相互インダクタンスMを、アンテナ30の長手方向Xにおいて連続的に変化させても良い。図1、図2、図7に示すアンテナ30の代わりに、図5に示した構造のアンテナ30を設けても良い。更には、後述する他の構造のアンテナ30を設けても良い。アンテナ30を構成する往復導体31、32は、例えば、前述した例のように板状でも良いし、図8に示す例のように棒状でも良いし、図9に示す例のように板状と棒状図9の例では、下側の導体31が板状、上側の導体32が棒状とを組み合わせたもの等でも良い。各導体31、32の断面形状は、図示例のものに限られるものではなく、円形、楕円形、四角形等が採り得る。また、各導体31、32を中空にして、そこに冷却水等の冷媒を流して、各導体31、32を強制的に冷却する構造を採用しても良い。次に、磁性体70について説明する。このプラズマ処理装置においては、図1、図3に示すように、アンテナ30を構成する上側の導体32の近傍に、それぞれが矢印Jで示すようにアンテナ30の長手方向Xに移動可能な1以上の磁性体70を設けている。より具体的には、図1に示す例では、複数の磁性体70を設けている。即ち、アンテナ30の長手方向Xの左右付近とその間に磁性体70をそれぞれ設けている。各磁性体70は、より正確に言えば強磁性体である。その具体的な材質は後述する。各磁性体70は、この例では図3に示すように、上側の導体32の更に上側近傍に位置している上部磁性体72と、この上部磁性体72の左右の端部から下側にそれぞれ延出している側部磁性体74とを有している。従って各磁性体70は断面コ字状をしている。誘電体36内には、その上面側即ち大気側から、アンテナ30の長手方向Xに沿って二つの溝38が設けられている。磁性体70の上部磁性体72は誘電体36の上部近傍に位置しており、各側部磁性体74は各溝38内に位置している。このような構造によって、各磁性体70は、溝38をガイドにして、上側の導体32の近傍に位置しつつ、アンテナ30の長手方向Xに移動可能である。更にこの例では、各磁性体70は、矢印Kで示すように、上下方向Zにも移動可能である。これによって、各磁性体70とアンテナ30との間の距離具体的には上側の導体32との間の距離H2を調整することができる。各磁性体70は、例えば固定ねじ76のような固定機構によって、移動後の位置に固定することができる。この発明に係るプラズマ処理装置においては、アンテナ30を、上下方向Zに互いに接近して配置されていて高周波電流IRが互いに逆向きに流される往復導体31、32によって構成しているので、上記数3を参照すれば分るように、往復導体31、32間の相互インダクタンスのぶん、アンテナ30の実効インダクタンスが小さくなる。高周波領域においては、アンテナ30のインピーダンスは殆どがインダクタンスであるので、実効インダクタンスが小さくなることによって、アンテナ30に発生する電位差を小さく抑えて、アンテナ30の電位を低く抑え、プラズマ50の電位を低く抑えることができる。その結果、プラズマ50から基板2に入射する荷電粒子例えばイオンのエネルギーを小さく抑えることができる。それによって例えば、プラズマ50によって基板2上に膜を形成する場合、当該膜に与えるダメージを小さく抑えて、膜質向上を図ることができる。また、アンテナ30を長くする場合でも、上記理由によって、アンテナ30の電位を低く抑えてプラズマ電位を低く抑えることができるので、アンテナ30を長くして基板2の大型化に対応することが容易になる。しかも、往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dをアンテナの長手方向Xにおいて変化させることによって、往復導体31、32間の相互インダクタンスMを、アンテナ30の長手方向Xにおいて変化させることができるので、アンテナ30からプラズマ50に供給する電磁エネルギーを、アンテナ30の長手方向Xにおいて変化させることができる。従って、このアンテナ30によって、その長手方向Xにおけるプラズマ密度分布を制御することができる。その結果、アンテナ30の長手方向Xにおける基板の処理状態を制御することができる。例えば、プラズマ50によって基板2上に膜を形成する場合、アンテナ30の長手方向Xにおける膜厚分布を制御することができる。また、通常は、即ち公知の単純な平面アンテナを用いた場合は、その長手方向Xにおけるプラズマ密度分布は、例えば図10に示すように、中央部のプラズマ密度よりも両端部のプラズマ密度が小さい山型の分布になる。その理由を簡単に説明すると、中央部には左右両側からプラズマが拡散して来るのに対して、両端部は片側からしかプラズマが拡散して来ないからである。これに対しては、例えば図1、図2等に示した例のように、往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dを、アンテナ30の長手方向Xにおける中央部の間隔よりも両端部の間隔を大きくしておいても良く、それによって、アンテナ30の長手方向Xにおいて、中央部よりも両端部の相互インダクタンスを小さくすることができるので、前述したように、アンテナ30の中央部よりも両端部の実効インダクタンスが相対的に大きくなる。その結果、アンテナ30からプラズマ50に供給する電磁エネルギーを、山型とは反対に、アンテナ30の長手方向Xにおける中央部付近よりも両端部付近において相対的に大きくして、中央部付近よりも両端部付近においてより強力にプラズマ50を生成することができるので、上記山型のプラズマ密度分布を補正して、アンテナ30の長手方向Xにおけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。その結果、アンテナ30の長手方向における基板処理の均一性を高めることができる。例えば、プラズマ50によって基板2上に膜を形成する場合、アンテナ30の長手方向Xにおける膜厚分布の均一性を高めることができる。更に、この発明に係るプラズマ処理装置においては、アンテナ30を、上下方向Zに互いに接近して配置されていて高周波電流IRが互いに逆向きに流される往復導体31、32によって構成し、かつ当該往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dをアンテナ30の長手方向Xにおいて変化させているので、左右方向に互いに接近して配置された往復導体間の左右方向Yの間隔を変化させる場合に比べて、往復導体31、32間の間隔Dの変化によるアンテナ30の下方近傍の磁束密度の制御性が良い。従って、往復導体31、32間の間隔Dを変化させることによる、アンテナ30からプラズマ50に供給する電磁エネルギーの制御性、ひいてはプラズマ密度分布の制御性が良い。これについては、シミュレーション結果に基づいて後で更に説明する。次に、磁性体70の作用について説明する。アンテナ30の上記構造によって、上述したように、アンテナ30の長手方向Xにおけるプラズマ密度分布を制御することができるけれども、アンテナ30は一旦装置に組み込まれるとその構造の変更が容易ではないため、この観点からは、当該アンテナ30の構造によるプラズマ密度分布の制御には柔軟性が低いという課題がある。例えば、図10に示したような公知のアンテナによるプラズマ密度分布の均一性を改善することができるように、アンテナ30を設計、製作して装置に組み込んだ後に試験を行った結果、例えば図11に示す例のように、プラズマ密度分布の均一性は大筋としてはかなり改善できているけれども、局所的には更に改善の余地のある場合が起こり得る。図11はほんの一例であるが、この例の場合は、左右両端付近のプラズマ密度分布が他よりも幾分高い。これはプラズマ密度分布に着目した場合であるが、基板2上に形成する膜厚分布の均一性に着目しても、同様のことが起こり得る。このような場合、アンテナ30を製作してそれを装置に組み込んだ後では、アンテナ30の構造の変更は困難であるため、図11に示したようなプラズマ密度分布を更に局所的に改善することはアンテナ30だけでは困難である。つまり、一旦アンテナ30を製作して装置に組み込んだら、当該アンテナ30の構造によって決まるプラズマ密度分布以上に良いプラズマ密度分布を得ることは困難である。仮にアンテナ30を交換することになると、大きなコストと手間がかかる。また、真空容器4内に導入するガス24の圧力、種類等のプラズマ生成条件を変更すると、プラズマ密度分布が変化する場合があり、この場合も、アンテナ30の構造は既に決まっているので、対応することは困難である。これに対して、この発明に係るプラズマ処理装置では、前述したような、アンテナ30の長手方向Xに移動可能な1以上の磁性体70を有していて、この磁性体70によって、アンテナ30に高周波電流を流したときに発生する磁束の分布状況を容易に変えることができるので、アンテナ30の長手方向Xにおける磁束密度分布の調整を、アンテナ30の上記構造による場合に比べて、容易に行うことができる。これは、アンテナ30の近傍に磁性体70を設けると、アンテナ30に高周波電流を流すことによって発生する磁束による、プラズマ生成領域における磁束密度が、磁性体70の付近において変化するからである。具体的には、磁性体70の付近において磁束密度は小さくなる。磁性体70の有無による磁束密度の変化をシミュレーションした結果を説明する。このシミュレーションに用いたモデルを図12に示す。アンテナ30を構成する平板状の往復導体31、32の厚さTを2mm、幅Wを60mm、間隔Dを30mmとし、X方向の長さを十分に長いものとした。平板状の磁性体70の厚さT2を3mm、幅W5を70mmとし、X方向の長さを十分に長いものとした。そして導体31、32に一定のピーク値が100Aの高周波電流IRを流したときの、導体31の左右方向Yにおける中央下方に距離H15mmで固定離れた点Pにおける磁束密度Bを計算した。その結果、点Pにおける磁束密度Bは、磁性体70を設けない場合は4.8×104Tテスラ、磁性体70を設けた場合は3.7×104Tであり、磁性体70を設けると磁束密度Bが約23低下した。これは、簡単に言えば、アンテナ30に高周波電流IRを流すことによって発生する磁束の一部が、点Pとは反対側に位置している磁性体70内に引き込まれることによって、点Pの磁束密度Bが下がるからである。なお、上記シミュレーションでは、磁性体70の材質はフェライトで計算した。また、磁性体70のX方向の長さを十分に長いものとしたが、当該長さを極端に短くすると、磁性体70を設けた効果即ち点Pの磁束密度Bの低下は、上記結果よりも減少する。もっとも、後述するように、磁性体70による磁束密度の調整機能に大きなものは必ずしも必要ではない。以上のように、磁性体70を設けることによって、アンテナ30に高周波電流を流したときのプラズマ生成領域における磁束密度を変化させる具体的には小さくすることができる。プラズマ生成領域における磁束密度が小さくなると、前述したように、プラズマ50に供給する電磁エネルギーが減るので、その領域のプラズマ密度は小さくなる。例えば、磁性体70をアンテナ30の長手方向Xの両端付近に位置させることによって、図11に示したプラズマ密度分布の両端付近の盛り上がりを減らして、プラズマ密度分布をより均一化することができる。磁性体70はアンテナ30の長手方向Xに移動可能であるので、磁束密度分布に応じて、磁束密度を下げたい箇所付近に磁性体70を移動させれば良い。従って作業は簡単である。即ち、磁性体70をアンテナ30の長手方向Xに移動させることによって、アンテナ30の長手方向Xにおける磁束密度分布の調整を容易に行うことができる。アンテナ30の構造を変えることなく、装置の外部から容易に、上記磁束密度分布の調整を行うことができる。つまり、アンテナ30の上記構造によって、アンテナ30の長手方向Xにおける磁束密度分布ひいてはプラズマ密度分布を全体的に概ね良好なものに調整言わば粗調整しておき、これと、移動可能な上記磁性体70による上記磁束密度分布ひいてはプラズマ密度分布を局所的に制御して改善する言わば微調整することとを併用することができる。即ちこのプラズマ処理装置は、上記粗調整と微調整とを併用することができる。その結果、アンテナ30の構造のみによる場合は制御の柔軟性が低いという前述した課題を解決して、アンテナ30の長手方向Xにおけるプラズマ密度分布の制御を、より容易かつ柔軟に行うことができる。例えば、前述したように、アンテナ30を装置に組み込んだ後にプラズマ密度分布の均一性に更に改善の余地があることが分った場合のみならず、ガス24の圧力、種類等のプラズマ生成条件を変更することによってプラズマ密度分布が変化した場合等にも柔軟に対応することができる。上記のようにアンテナ30の構造による粗調整と、磁性体70による微調整とを併用することができるので、磁性体70による磁束密度分布ひいてはプラズマ密度分布の調整作用はあまり大きくしなくても良い。従って、各磁性体70はあまり大きくしなくても良い。例えば、各磁性体70のX方向の幅W4図1参照や厚さ等はあまり大きくしなくても良い。これらは、必要とする微調整の範囲に応じて決めれば良い。各磁性体70をあまり大きなものにする必要はないので、各磁性体70内における高周波損失渦電流損失を小さくすることができる。従って、磁性体70を設けても、高周波電力のプラズマ生成に対する利用効率の低下を小さく抑えることができる。各磁性体70の材質は、例えばフェライト、磁性体セラミックス等の高周波用磁性体が好ましい。それによって、各磁性体70内における高周波損失をより小さくすることができるからである。なお、各磁性体70は、図1、図3に示す例のように、矢印Kで示すように上下方向Zにも移動可能なものにしても良い。磁性体70を上下させると、アンテナ30との間の距離具体的には上側の導体32との間の距離H2が変るので、磁性体70による前記磁束密度の調整作用の強弱を容易に変えることができる。具体的には、磁性体70付近のプラズマ生成領域における磁束密度は、磁性体70を上側に移動させると大きくなりこれは、磁性体70内に引き込まれる磁束が減るからである、磁性体70を下側に移動させると小さくなるこれは、磁性体70内に引き込まれる磁束が増えるからである。従って、各磁性体70を上下方向にも移動可能にすることによって、磁性体70による磁束密度分布の調整をより一層柔軟に行うことができる。更に、図1、図3に示した例のように、各磁性体70が上部磁性体72に加えてその両側に側部磁性体74を有していると、磁性体70による前記磁束密度調整作用はより大きくなる。即ち、側部磁性体74を設けて、その高さH3を大きくするほど、磁性体70内に引き込まれた磁束が点Pに及ぼす影響が大きくなるので、当該磁性体70付近のプラズマ生成領域における磁束密度は小さくなる。従って、各磁性体70が上部磁性体72および側部磁性体74を有していると、磁性体70による磁束密度の調整をより効果的に行うことができる。また、側部磁性体74の高さH3によって、磁性体70による磁束密度調整の効果を調整することができる。もっとも、各磁性体70が上部磁性体72に加えて側部磁性体74を有していることは必須ではない。例えば、各磁性体70は上部磁性体72だけでも良い。各磁性体70は単なる板状のもの等でも良い。図8、図9は、磁性体70が板状の場合の例である。また、磁性体70の構造のみならず、それらの数、それらを設ける位置等も、図1、図3等に示した例に限られるものではない。次に、前述したように、アンテナ30を構成する往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dをアンテナ30の長手方向Xにおいて変化させる方が、左右方向に互いに接近して配置された往復導体間の左右方向Yの間隔を変化させる場合に比べて、往復導体31、32間の間隔Dの変化によるアンテナ30の下方近傍の磁束密度の制御性が良いことを、シミュレーション結果に基づいて以下に説明する。シミュレーションでは、アンテナ30を構成する往復導体31、32の間隔Dを変化させたときの、アンテナ30の左右方向Yにおける中央下方の点P図6、図13~図15参照での磁束密度Bの変化を計算した。まず、この発明の一実施形態を成すものとして、先に図6に示したように、アンテナ30を構成する板状の往復導体31、32が上下方向Zに互いに接近して配置されている場合で、その往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dを変化させたときの上記点Pにおける磁束密度Bの変化を図16中に実施例として示す。このときの計算条件は、先に図6の説明箇所で説明したものと同じであり、この実施例は表1中の磁束密度Bと同じである。また、上記に対する比較例として、図13に示すように、アンテナ30を構成する板状の往復導体31、32が左右方向Yに互いに接近して配置されている場合で、その往復導体31、32間の左右方向Yの間隔Dを変化させたときの上記点Pにおける磁束密度Bの変化を図16中に比較例として示す。このときの計算条件は、両導体31、32の厚さTを70mm、左右方向Yの幅Wを3mmとし、その他の距離H1、高周波電流IRの大きさ等は図6の場合と同じにした。図16から分るように、間隔Dを変化させたとき、比較例の場合は、磁束密度Bの変化がすぐに飽和してしまうのに対して、実施例の場合は、磁束密度Bがなだらかに比例に近い状態で変化しており、その変化幅も大きい。従って、比較例に比べて、実施例の方が磁束密度Bの制御性が良い。即ち、間隔Dを変化させることによって、磁束密度Bを制御し、それによってアンテナ30からプラズマに供給する電磁エネルギーを制御し、ひいてはプラズマ密度分布を制御する、という制御を行いやすい。次に、この発明の一実施形態を成すものとして、図14に示すように、アンテナ30を構成する棒状の往復導体31、32が上下方向Zに互いに接近して配置されている場合で、その往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dを変化させたときの上記点Pにおける磁束密度Bの変化を図17中に実施例として示す。このときの計算条件は、両導体31、32の直径dを6mmとし、その他の距離H1、高周波電流IRの大きさ等は図6の場合と同じにした。また、上記に対する比較例として、図15に示すように、アンテナ30を構成する棒状の往復導体31、32が左右方向Yに互いに接近して配置されている場合で、その往復導体31、32間の左右方向Yの間隔Dを変化させたときの上記点Pにおける磁束密度Bの変化を図17中に比較例として示す。このときの計算条件は、両導体31、32の配置を上記のように変更した以外は、図14の場合と同じにした。図17から分るように、間隔Dを変化させたとき、比較例の場合は、磁束密度Bが一旦上がった後に下がるという複雑な変化をしているのに対して、実施例の場合は、磁束密度Bがなだらかに比例に近い状態で変化している。従って、この場合も、比較例に比べて、実施例の方が磁束密度Bの制御性が良い。即ち、間隔Dを変化させることによって、磁束密度Bを制御し、それによってアンテナ30からプラズマに供給する電磁エネルギーを制御し、ひいてはプラズマ密度分布を制御する、という制御を行いやすい。次に、アンテナ30等の他の例を説明する。往復導体31、32の少なくとも一方の導体の幅を、アンテナ30の長手方向Xにおいて変化させることによって、往復導体31、32間の相互インダクタンスを、アンテナ30の長手方向Xにおいて変化させても良い。その一例を図18に示す。図18は、上下方向Zに配置された往復導体31、32の上側の導体32の幅Wを、アンテナ30の長手方向Xにおける中央部の領域A2の幅W2よりも両端部の領域A1、A3の幅W1、W3この例ではW1=W3を小さくした例である。上側の導体32の幅Wを変化させているのは、プラズマ側の導体31の幅を変化させずに広くしておく方が、広い面積のプラズマ生成に有利だからである。この場合は、図7に示した例の場合と同様に、各領域A1~A3の相互インダクタンスM1~M3はM1=M3<M2となり、領域A2よりも領域A1、A3の実効インダクタンスが大きくなる。磁束密度B1~B3はB1=B3>B2となる。その結果、アンテナ30からプラズマに供給する電磁エネルギーを、中央部の領域A2よりも両端部の領域A1、A3において相対的に大きくすることができる。この図18に示すアンテナ30と、前述した磁性体70とを組み合わせても良い。その一例を図19に示す。この場合の磁性体70の構造、作用等は前述したものと同様であるので、ここでは重複説明を省略する。図20に示す例のように、前記構成のアンテナ30を、複数、互いにY方向に並列に配置し、各アンテナ30にそれぞれ直列に接続された可変インピーダンス52を介して、当該複数のアンテナ30に、共通の高周波電源42から高周波電力を並列に供給するようにしても良い。各アンテナ30は、図1、図2、図5、図7、図18等を参照して上述したいずれの構成でも良い。各アンテナ30には、前述した磁性体70が組み合わされているが、ここではその図示を省略している。可変インピーダンス52は、図20に示すような可変インダクタンスでも良いし、可変コンデンサ可変キャパシタンスでも良いし、両者を混在させても良い。可変インダクタンスを挿入することによって、給電回路のインピーダンスを増大させることができるので、高周波電流が流れ過ぎるアンテナ30の電流を抑えることができる。可変コンデンサを挿入することによって、誘導性リアクタンスが大きい場合に容量性リアクタンスを増大させて、給電回路のインピーダンスを低下させることができるので、高周波電流が流れにくいアンテナ30の電流を増加させることができる。図20に示す例の場合は、互いに並列に配置され、かつ並列に高周波電力が供給される複数のアンテナ30を備えているので、より大面積のプラズマを生成することができる。しかも、前記作用によって、各アンテナ30の電位を低く抑えることができると共に、各アンテナ30の長手方向Xにおけるプラズマ密度分布を制御することができる。更に、各アンテナ30に可変インピーダンス52を介在させていて、当該可変インピーダンス52によって複数のアンテナ30に流れる高周波電流のバランスを調整することができるので、複数のアンテナ30の並列方向Yにおけるプラズマ密度分布をも制御することができる。その結果、プラズマの電位を低く抑えることができ、しかもより大面積でかつプラズマ密度分布の均一性の良いプラズマを生成することが可能になる。上記例は、いずれも、真空容器4内において基板2を移動させずに固定しておいて処理を施す場合の例であるが、図21に示す例のように、真空容器図示省略内において基板2を、基板搬送装置54によって、矢印Fまたはその逆方向に示すように、アンテナ30の長手方向Xと交差例えば直交する方向に、即ちY方向に沿う方向に搬送しながら、基板2に処理を施すようにしても良い。そのようにすると、プラズマ50のX方向における均一性はアンテナ30の上記構成によって高めることができ、かつ基板搬送によってプラズマ50のY方向における均一性はあまり問題にならなくなるので、大面積の基板2に均一性良く処理を施すことが可能になる。また、複数枚の基板2を連続的に処理することも可能になる。この場合のアンテナ30は、図1、図2、図5、図7、図18等を参照して上述したいずれの構成でも良い。また、この基板2を搬送する思想と、図20に示した複数のアンテナ30を並列配置する思想とを併用しても良い。アンテナ30には、前述した磁性体70が組み合わされているが、ここではその図示を省略している。