"第1電極及び第2電極2,5、第1電極2と第2電極5との間に配置され、p型半導体有機材料とn型半導体炭素質材料とを含む電気的活性層4、第1電極と電気的活性層4との間に配置され、電気的活性層4と直接接触している追加層7を含み、追加層7が、n型半導体材料と、電気的活性層4中に含有されるn型半導体炭素質材料と非共有結合相互作用を形成する化合物とを含むことを特徴とする、バルクヘテロ接合有機太陽電池。電気的活性層4中において、n型半導体炭素質材料の濃度が、追加層7と接触している電気的活性層4の第1面4aから電気的活性層4の第1面4aと反対側の第2面4bへと減少しながら変化することを特徴とする、請求項1に記載の電池。電気的活性層4において、p型半導体有機材料の濃度が、追加層7と接触している電気的活性層4の第1面4aから電気的活性層4の第1面4aと反対側の第2面4bまで増加しながら変化することを特徴とする、請求項2に記載の電池。電気的活性層4に含有されるn型半導体炭素質材料が、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラフェン及びナノグラフェン、並びにそれらの可溶性誘導体の中から選択されることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の電池。電気的活性層4に含有されるn型半導体炭素質材料がPCBMであることを特徴とする、請求項4に記載の電池。電気的活性層4中に存在するn型半導体炭素質材料と非共有結合相互作用を形成する化合物が、フッ素化ポリマー及び少なくとも1種の窒素化芳香族基を含む側鎖を有するポリマーの中から選択されるポリマーであることを特徴とする、請求項4及び5のいずれか1項に記載の電池。窒素化芳香族基が、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン及びトリアジンの中から選択されることを特徴とする、請求項6に記載の電池。前記化合物が、ポリビニルピリミジン、ポリビニルピラジン、ポリビニルピリダジン、ポリ2-ビニル-ピリジン及びポリ4-ビニル-ピリジンの中から選択されるポリマーであることを特徴とする、請求項7に記載の電池。前記化合物が、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレンのコポリマー及びペルフルオロビニルエーテルの中から選択されるフッ素化ポリマーであることを特徴とする、請求項6に記載の電池。電気的活性層4に含有されるp型半導体有機材料が、チオフェン、カルバゾール、ベンゾチアジアゾール、シクロペンタジチオフェン及びジケトピロロピロールを含有するポリマー又はコポリマーの中から選択されることを特徴とする、請求項1~9のいずれか1項に記載の電池。電気的活性層4に含有されるp型半導体有機材料がP3HTであることを特徴とする、請求項10に記載の電池。追加層7が第1電極2と直接接触していることを特徴とする、請求項1~11のいずれか1項に記載の電池。追加層7に含有される化合物がポリ4-ビニル-ピリジンであり、追加層7に含有されるn型半導体材料が酸化亜鉛及び酸化チタンの中から選択されることを特徴とする、請求項12に記載の電池。n型半導体材料で作製された中間薄層が、追加層7と第1電極2との間に配置されていることを特徴とする、請求項1~11のいずれか1項に記載の電池。追加層7に含有される化合物がポリ4-ビニル-ピリジンであり、追加層7に含有されるn型半導体材料がPCBMであることを特徴とする、請求項14に記載の電池。本発明の目的は、先行技術によるバルクヘテロ接合有機太陽電池に対して性能が改良されたバルクヘテロ接合有機太陽電池を提案することである。本発明によれば、この目的は添付の請求項により達せられる。バルクヘテロ接合有機太陽電池の電気的活性層は、電気的活性層中に存在するp型有機半導体材料とn型炭素質半導体材料との間の垂直分離を有利にするために追加の層と結合される。活性層に含有されるn型炭素質半導体材料は、フラーレン、例えばフラーレンC60、フラーレンC70、フラーレンC80又はフラーレンC84、カーボン半導体ナノチューブ、グラフェン及びナノグラフェン、並びにそれらの可溶性誘導体、例えばPCBM又はPC61BMという名称でも知られる[6,6]-フェニル-C61-メチルブチレート、[6,6]-フェニル-C71-メチルブチレート即ちPC71BM、チオフェンC61-メチルブチレート、フラーレンC60又はC70の多付加物又は官能化カーボンナノチューブなどの中から選択するのが有利である。活性層中に含有されるp型半導体有機材料は、チオフェン、カルバゾール、ベンゾチアジアゾール、シクロペンタジチオフェン、ジケトピロロピロールを含有するポリマー又はコポリマーの中から選択される。例えば、それはP3HTという名称でも知られるポリ3-ヘキシルチオフェンを含む。より特定すれば、追加層は、電気的活性層中に存在するn型半導体炭素質材料と非共有結合相互作用を形成する能力のために特に選択される化合物を含む。追加層は、電気的活性層中に存在するn型炭素質半導体材料の炭素とある一定の親和性を示すので、親炭素層ということもできる。さらに,追加層は電気的活性層と直接接触している。したがって,電気的活性層と追加層との間に配置される中間層はない。上記のn型半導体炭素質材料について,n型半導体炭素質材料と非共有結合相互作用を形成しかつ追加層中に存在する化合物は、さらに特定して、例えば、ポリフッ化ビニリデン,ポリテトラフルオロエチレン,テトラフルオロエチレンのコポリマー及びペルフルオロビニルエーテルの中から選択されるフッ素化ポリマー、及び有利なのは、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン及びトリアジンから選択される少なくとも1種の窒素化芳香族基を含む側鎖を有するポリマーの中から選択される。該化合物は、例えば、ポリビニルピリミジン、ポリビニルピラジン、ポリビニルピリダジン、ポリ2-ビニルピリジン及びP4VPと称されるポリ4-ビニルピリジンの中から選択されポリマーであり得る。それに加えて、バルクヘテロ接合有機太陽電池中に配置された追加層は、電気的活性層に含有されるn型半導体炭素質材料と非共有結合相互作用を形成する化合物に加えてn型半導体材料を含む。特に、追加層に含有されるn型半導体材料は、PCBMなどのドーピング剤として作用するn型半導体要素であってよい。それはZnO又はTiOxなどのn型無機半導体材料でもあり得る。後者の場合、追加層は、カソードと電気的活性層との間に直接配置される電子注入層として作用し得る。したがって、そのような追加層をバルクヘテロ接合有機太陽電池の電気的活性層と結合すると、p型有機半導体材料と電気的活性層中に存在するn型炭素質半導体材料との間の垂直分離を有利にすることが可能になるバルクヘテロ接合有機太陽電池を製造するときに、そのような結合は、電気的活性層の前記追加層との直接接触に有利に対応する。したがって、垂直分離は、n型とp型の半導体材料を含有する均一な混合物から湿式工程により活性層を形成する間に、さらに特に有利になり、前に形成された追加層上に直接得られる。特に、電気的活性層は、p型及びn型の半導体材料をそれぞれ含む液体混合物を堆積する種々の方法、例えばスピンコーティング、コーティングなど又はプリントする方法例えばインクジェットプリント、スクリーンプリント、写真製版プリントの技法などにより追加層上に形成することができる。垂直分離をさらに改良するために、次にそれを、熱処理ステップにかけることができる。熱処理は、例えば50°Cと180°Cの間、1分と30分の間の長さの時間で実施される。その上、活性層より前に形成された追加層は、n型半導体炭素質材料との非共有結合相互作用を形成することを意図される化合物を含有する溶液を堆積する種々の方法により形成することもできる。特に、そのような化合物は、追加層の組成中で使用されるn型半導体材料とともに溶解される。n型半導体材料が追加層のためのドーピング要素である場合、この追加層は厚さが5nm未満であることが有利である。そうでなければ追加層は厚さが5nmと50nmの間であることが有利である。その上その性質により、該化合物は、液体又は粉末形態であることもできる。それに加えて、追加層を形成することを意図される溶液を支持体上に堆積する技法は、電気的活性層を形成するために使用される技法スピンコーティング、コーティング、インクジェットプリント、スクリーンプリント又は写真製版プリントと同じものであってもよい。最後に、追加層が形成されて電気的活性層が堆積する前に、幾つかの場合に追加層は25°Cと450°Cの間でアニーリングにかけることができる。追加層が堆積される支持体は、精巧に作ることを希望するバルクヘテロ接合有機太陽電池のタイプに依存して堆積される。特に、追加層は、有機太陽電池の2つの電極の1つ特にカソード上に直接又は、いうまでもなく、前記電極と接触している中間の薄層上に堆積することができる。中間層はより特定すればn型半導体材料により形成される。例として、追加層がその上に形成される支持体は、例えば、ガラス又はプラスチックで作製される基材、電極を形成するより特定すればカソードを形成する導電性材料で作製される薄層及び可能性として薄い中間層により形成される多層の積み重ねであってよい。したがって、活性層を追加層上に形成する間に、活性層を形成することを意図する溶液中に存在するn型炭素質半導体材料は、前記溶液と追加層との間に自発的に引き寄せられ、一方、p型半導体材料は反対方向に移動する傾向がある。したがって、電気的活性層中のn型半導体炭素質材料及びp型半導体有機材料のそれぞれの分布は、前に形成された追加層上に電気的活性層を形成する間に自発的に及び自然に乱されるであろう。特に、追加層の存在により、電気的活性層中で、活性層の追加層と接触している面から前記活性層の反対側の面へと減少しながら変化するn型半導体炭素質材料についての濃度、及び、電気的活性層中で、活性層の追加層と接触している面から前記活性層の反対側の面へと増加しながら変化するp型半導体有機材料についての濃度を得ることが可能になるであろう。より特定すれば、追加層と接触している電気的活性層の面に関して、n型半導体炭素質材料の比率は、電気的活性層の合計重量に対して50重量を超える。逆に、活性層の反対側の面に関して、電気的活性層の合計重量に対して50重量を超えるのは、p型半導体有機材料の比率である。そのような配列はバルクヘテロ接合有機太陽電池にとって特に有利である。実際、バルクヘテロ接合有機太陽電池の活性層中におけるそのような垂直分離を達成することは、特に電池の性能の改良、より特定すれば優れた変換有効度を得ることを確実にする。変換有効度はより特定すればηと称され、以下の式:η=VocJscFF/P式中、Vocは開放回路電圧に相当し、Jscは短絡回路電流密度に相当し、FFは電池の形態係数であり、及びPは放射電力であるにより決定される。一般に、それは100mWcm-2の放射電力を有する照明AM1.5の下で測定され、パーセンテージで表示される。特に、追加層の挿入により、n型及びp型の半導体材料が、それぞれ、カソード及びアノード側の上に堆積した層と接触する大きい表面を有する形態の支持が可能になる。例として、逆変換構造を有するバルクヘテロ接合有機太陽電池の第1の特定の実施形態を図2に表示する。特に電池は、例えばガラスで作製された基材1、酸化インジウムスズITOなどの導電性材料で作製され、第1電極を形成する薄層2、例えば酸化亜鉛ZnOx又は酸化チタンTiOxで作製されたn型半導体材料で作製され、電子注入層を形成する中間の薄層6、PCBMによりドープされた例えばP4VP即ちポリ4-ビニルピリジン以下P4VPPCBMと称するで作製された追加層7、例えばP3HTとPCBMとの混合物以下P3HT:PCBMと称するで作製された電気的活性層4、PEDOT:PSという名称で知られるポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン:ポリスチレン-スルホネート又はNiOx又はCuOxなどのp型半導体材料で作製され、ホール注入層を形成する薄層3、及び銀などの導電性材料で作製され、導電性材料で作製された第2電極を形成する薄層5により形成された多層積み重ねを含む。この特定の実施形態において、第1電極2及び第2電極5はそれぞれ電池のカソード及びアノードを形成する。図2による特定の逆変換構造を有するバルクヘテロ接合有機太陽電池は、例えば以下の継続的ステップを含む製造方法にしたがって得ることができる。ステップ1:例えばZnOで作製される中間薄層6は、前駆物質溶液から、ガラス基材1を覆う薄いITO層2上にスピンコーティング堆積により形成される。堆積は、1000rpmの速度で60秒間、次に2000rpmの速度で30秒間実施する。さらに、堆積は空気の下で実施され、得られた中間薄層6の厚さは、約15nmである。堆積の次に、ホットプレートにより150°Cの温度で1時間実施するアニーリング工程における乾燥期が続く。ステップ2:P4VPPCBMイソプロパノール中でP4VPの重量に対して10wのPCBMの比の1g/LのP4VPの混合物を含有する溶液をスピンコーティングにより、中間薄層6の上に堆積し、後者を1回5000rpmの速度で25秒間、次に4000rpmの速度で25秒間乾燥する。堆積の次に、ホットプレートにより、150°Cの温度で15分間実施するアニーリング工程における乾燥期が続く。追加層7の厚さは5nm未満である。ステップ3:電気的活性層4の堆積は、追加層7の上に、P3HT:PCBMの組成物を、約1500rpmの速度で40秒間、次に2000rpmで35秒間のスピンコーティングにより実施される。得られた活性層4の厚さは200と250nmとの間に含まれ、P3HTとPCBMとの重量比は1:1である。ステップ4:ホール注入層3は、2000rpmの速度で25秒間、次に3000rpmの速度で25秒間のスピンコーティングにより活性層4の上に堆積される。ホール注入層3の厚さは約50nmである。このようにして得られた積み重ねは、次にグローブボックス中に置かれて、150°Cで15分間アニーリング工程にかけられる。ステップ5:次に例えば銀で作製された厚さが100nmの薄層5が真空蒸発により堆積される。この実施形態において、追加層7は、逆変換構造を有するバルクヘテロ接合電池の第1電極カソードを形成する導電性材料で作製された薄層2上に堆積されたn型半導体材料で作製された中間薄層6上に堆積される。しかしながら、幾つかの実施形態において、追加層7は形成することができ、したがって、導電性材料で作製された薄層2上に直接堆積されて電池の第1電極を形成し、より特定すればカソードを形成する。特に、それは図3に表した代替的実施形態における場合である。この場合追加層7は、活性層4例えばP4VP又はP4VPPCBM中に存在するn型半導体炭素質材料と非共有結合相互作用を形成する化合物に加えて、酸化亜鉛又は酸化チタンなどのn型無機半導体材料を含むことが有利で有り、その結果それは次に電子注入層として作用することもできる。例として、図2によるバルクヘテロ接合有機太陽電池は、特に、n型半導体材料例えばZnOと活性層4中に存在するn型半導体材料との共有結合相互作用を有利にする化合物例えばP4VPとを含有する前駆体溶液を、例えばガラスで作製された基材1を覆うITO電極2の上に直接スピンコーティング堆積することにより得ることができる。特に、ZnO及び5wP4VPを含有する追加層7を得るために、前駆体溶液は、イソプロパノール中で調製したP4VPが1g/Lの第1溶液1mLと2-メトキシエタノール/エタノールアミンなどのアルコール溶液中に20g/Lで調製した亜鉛前駆体を含有する1mlの第2溶液とを混合して2日間攪拌することにより得ることができる。さらに、前駆体溶液のスピンコーティング堆積は、厚さを約15nmにするために、空気の下で60秒間1000rpmの速度で、次に30秒間2000rpmの速度で実施することが有利である。追加層7は次にホットプレートにより150°Cの温度で1時間乾燥される。以下のステップにより活性層4の形成が可能になるので、ホール注入層3及び第2電極5は、図2による電池のために完成したものと同一であることができる。上記の実施形態及び図2及び3に示した実施形態により得られた数通りのシリーズの光起電性の電池を、光起電性の変換有効度及び時間安定性の両方からそれらの性能を測定するために作製した。2個の電池の1セット以下セット1と称するを完成し、P4VPで作製して10PCBMでドープした追加層を用いて、電気的活性層4中に含有される混合物P3HT:PCBMについて種々の重量比について試験した電池A1及びB1。追加層がなくかつP3HT:PCBM間の重量比がそれぞれ1:1及び1:0.6の2個の電池電池C1及び01も完成し、セット1の電池と同条件下で試験した。より詳細に、下表1に上記電池の技術的特性を示す。作製されたら、これら全ての電池は、連続照明下で試験するために、制御した雰囲気下でグローブボックス中で配列した。特に、これらの電池の電流電圧特性IVをKeithleyInstrumentsSarlによりモデルSMU2400として市販されている電流電圧測定装置で記録した。そのとき電池は1000Wm-2の電力で照明AM1.5に当てた。照明AM1.5の下における露光時間の関数としての変換有効度ηの進展を、表1の各電池について図4で報告する電池A1からD1。実施した試験は、P4VPPCBMで作製された追加層で露光時間中に得られた有効度の値曲線A1及びB1が、追加層なしで得られた有効度の値曲線C1及びD1より高いことを示すことができる。電気的活性層4中のP3HT:PCBMの重量比1:1に対して、有効度は、対照電池よりさらに高い。しかしながら、この比は電池の経時安定性について特に興味がある有効度の優れた経時安定性。その上これらの有効度の値は経時的に安定なままである。したがって、t=0における変換有効度の変動を、混合物P3HT:PCBMを重量比1:1で含有する活性層について、追加層中に導入されたPCBMのパーセンテージの関数として検討した。結果を下表2で報告する。したがって、活性層に使用される混合物P3HT:PCBMに対する重量比1:1を考慮して、追加層中におけるPCBMの濃度が約10で、良好な経時安定性を維持しながら最適の変換有効度を得ることが可能になる。それに加えて、重量比1:1のP3HT:PCBMの混合物を含む活性層に対して、ZnO及びP4VPで作製された追加層で、溶液中のZnO前駆体の重量に対するP4VPのパーセンテージを2.5wから10wまで変化させて、図3に示した実施形態によるバルクヘテロ接合有機太陽電池のセット以下セット2と称するをステップ1にしたがって完成した電池A2からE2。その上比較目的で、カソードと活性層との間に配置されたのはZnOの1層のみである電池電池F2をセット3の電池として同条件下で完成した。したがって、この電池F2は追加層7がP4VPを含まない図3による電池に相当する。電池A2からF2を、連続照明で同条件下にセット1として試験し、変換有効度ηの進展を露光時間の関数として、各電池A2からF2について図5で報告する。初期光起電性の変換有効度t=0並びに各電池の技術的特性を電池A2からE2についてさらに下表3で報告する。したがって、上の表3で報告した結果は、先行電池についてと同じ方法で、電池A2からE2が対照電池に対して向上した性能を有することに注目することを可能にする。実際、化合物P4VPをZnO層中に添加すると、先行技術による電池よりも変換有効度を増大させることが可能になることが注目される。さらに図6中の得られた曲線は、ZnOと0パーセントでないP4VPとを含む追加層を備える電池の経時安定性を示す。最後に、活性層4におけるP3HT:PCBMの重量比1:1,1:0.8及び1:0.6の役割を、有機太陽電池の4つのカテゴリーについて評価するためにも試験を実施した:a中間ZnO層を含み追加層のない対照電池のカテゴリー以下ZnO単独と称する、b中間ZnO層と追加のP4VP層とを含む電池のカテゴリー以下ZnO/P4VPと称する、cセット1のために作製されたものなどの、即ち、中間ZnO層と電池A1及びB1と同様に10のPCBMを含む追加のP4VPPCBM層とを備える電池のカテゴリー以下ZnO/P4VPPCBMと称する、dセット2のために作製されたものなどの、即ち中間ZnO層はないがZnOと5wのP4VPとを含む追加層を備える電池のカテゴリー以下ZnOP4VPと称する。表4は、これらの種々のカテゴリーの有機太陽電池について得られた初期光起電性の変換効率t=0を示す。追加層が存在すれば、活性層中のP3HTとPCBMとの比がどうであろうと得られた全ての効率は3を超える。このことは、先行技術において、PCBMの量を増すことにより、装置は経時的にはより安定になるが初期性能が落ちる表4中のZnOの場合ことが周知なので、なおいっそう興味がある。それに加えて、実施された試験は、電池、特にP4VP10PCBMで作製された追加層を含むものが経時的に安定なことを示す図5。"