"光を検知して光電子に変換する光電変換素子が第1導電型半導体基板上に形成された受光装置であって、前記受光装置は、前記第1導電型半導体基板上に形成された複数の光電子振分部を有し、前記光電子振分部は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第1転送部と、前記光電変換素子に対して前記第1転送部を挟んで反対側に配置され、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記第1転送部に対して前記光電子保持部を挟んで反対側に配置され、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第2転送部と、前記光電子保持部に対して前記第2転送部を挟んで反対側に配置され、転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層と、を備え、前記光電子保持部には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度よりも高い第1濃度の前記第1導電型の第1導電型不純物領域が、前記第1導電型半導体基板の表面側に形成されていることを特徴とする受光装置。請求項1又は2に記載の受光装置であって、前記第1転送部の第1転送ゲート及び又は前記第2転送部の第2転送ゲートと、前記光電子保持部の保持ゲートとの間には、前記第1導電型不純物領域に隣接して第2導電型の第2導電型不純物領域が、前記第1導電型半導体基板の表面側に形成されていることを特徴とする受光装置。請求項2に記載の受光装置であって、前記第1導電型不純物領域が、前記第1転送部の第1転送ゲート及び又は前記第2転送部の第2転送ゲートと、前記光電子保持部の保持ゲートとの間に形成された前記第2導電型不純物領域よりも深さ方向に深く形成されていることを特徴とする受光装置。請求項1~3に記載の受光装置であって、前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度よりも高い第2濃度の第1導電型不純物層が形成されていることを特徴とする受光装置。請求項1~3に記載の受光装置であって、前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度と異なる第3濃度の第1導電型不純物層が形成されており、前記第1導電型不純物層は、前記第1導電型半導体基板の表面側になるにつれ、第1導電型不純物濃度が薄くなるように形成されていることを特徴とする受光装置。光を検知して光電子に変換する光電変換素子が第1導電型半導体基板上に形成された受光装置であって、前記受光装置は、前記第1導電型半導体基板上に形成された複数の光電子振分部を有し、前記光電子振分部は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第1転送部と、前記光電変換素子に対して第1転送部を挟んで反対側に配置され、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記第1転送部に対して前記光電子保持部を挟んで反対側に配置され、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第2転送部と、前記光電子保持部に対して前記第2転送部を挟んで反対側に配置され、転送された前記光電子を保持して該転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層と、を備え、前記第1導電型半導体基板の表面側に、第2導電型不純物領域が形成されることを特徴とする受光装置。請求項6に記載の受光装置であって、前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度よりも高い第4濃度の第1導電型不純物層が形成されていることを特徴とする受光装置。請求項6に記載の受光装置であって、前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度と異なる第5濃度の第1導電型不純物層が形成されており、前記第1導電型不純物層は、基板の表面になるにつれ、第1導電型不純物濃度が薄くなるように形成されていることを特徴とする受光装置。請求項1~8のいずれか1項に記載の受光装置であって、前記光電変換素子は、フォトゲート構造により形成され、前記第1転送部、前記光電子保持部、及び前記第2転送部は、MOSダイオード構造により形成されていることを特徴とする受光装置。しかしながら、光電変換素子等が形成された半導体基板の深部に存在している受光期間と異なる期間で光電変換により発生した光電子が、熱拡散等により半導体基板の表面側例えば、光電変換素子、光電子保持部など等に浸入することで、該光電子がノイズとなってしまい、受光精度が低下してしまう。そこで本発明は、係る従来の問題点に鑑みてなされたものであり、半導体基板の深部に存在する光電子が、熱拡散により半導体基板の表面側に浸入することを防ぐことが可能な受光装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、光を検知して光電子に変換する光電変換素子が第1導電型半導体基板上に形成された受光装置であって、前記受光装置は、前記第1導電型半導体基板上に形成された複数の光電子振分部を有し、前記光電子振分部は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第1転送部と、前記光電変換素子に対して前記第1転送部を挟んで反対側に配置され、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記第1転送部に対して前記光電子保持部を挟んで反対側に配置され、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第2転送部と、前記光電子保持部に対して前記第2転送部を挟んで反対側に配置され、転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層と、を備え、前記光電子保持部には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度よりも高い第1濃度の前記第1導電型の第1導電型不純物領域が、前記第1導電型半導体基板の表面側に形成されていることを特徴とする。前記第1転送部の第1転送ゲート及び又は前記第2転送部の第2転送ゲートと、前記光電子保持部の保持ゲートとの間には、前記第1導電型不純物領域に隣接して第2導電型の第2導電型不純物領域が、前記第1導電型半導体基板の表面側に形成されている。前記第1導電型不純物領域が、前記第1転送部の第1転送ゲート及び又は前記第2転送部の第2転送ゲートと、前記光電子保持部の保持ゲートとの間に形成された前記第2導電型不純物領域よりも深さ方向に深く形成されている。前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度よりも高い第2濃度の第2濃度の第1導電型不純物層が形成されてもよい。前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度と異なる第3濃度の第1導電型不純物層が形成されており、前記第1導電型不純物層は、前記第1導電型半導体基板の表面側になるにつれ、第1導電型不純物濃度が薄くなるように形成されてもよい。上記目的を達成するために、本発明は、光を検知して光電子に変換する光電変換素子が第1導電型半導体基板上に形成された受光装置であって、前記受光装置は、前記第1導電型半導体基板上に形成された複数の光電子振分部を有し、前記光電子振分部は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第1転送部と、前記光電変換素子に対して第1転送部を挟んで反対側に配置され、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記第1転送部に対して前記光電子保持部を挟んで反対側に配置され、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第2転送部と、前記光電子保持部に対して前記第2転送部を挟んで反対側に配置され、転送された前記光電子を保持して該転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層と、を備え、前記第1導電型半導体基板の表面側に、第2導電型不純物領域が形成されることを特徴とする。前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度よりも高い第4濃度の第1導電型不純物層が形成されてもよい。前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度と異なる第5濃度の第1導電型不純物層が形成されており、前記第1導電型不純物層は、基板の表面になるにつれ、第1導電型不純物濃度が薄くなるように形成されてもよい。前記光電変換素子は、フォトゲート構造により形成され、前記第1転送部、前記光電子保持部、及び前記第2転送部は、MOSダイオード構造により形成されている。本願発明によれば、光を検知して光電子に変換する光電変換素子が第1導電型半導体基板上に形成された受光装置であって、前記受光装置は、前記第1導電型半導体基板上に形成された複数の光電子振分部を有し、前記光電子振分部は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第1転送部と、前記光電変換素子に対して前記第1転送部を挟んで反対側に配置され、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記第1転送部に対して前記光電子保持部を挟んで反対側に配置され、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第2転送部と、前記光電子保持部に対して前記第2転送部を挟んで反対側に配置され、転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層と、を備え、前記光電子保持部には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度よりも高い第1濃度の前記第1導電型の第1導電型不純物領域が、前記第1導電型半導体基板の表面側に形成されているので、光電子保持部には、濃度差によるビルトインポテンシャルにより、第1導電型半導体基板にある光電子が光電子保持部方向に熱拡散しないような電界が生じる。これにより、第1導電型半導体基板の深部にある光電子が熱拡散により光電子保持部へ浸入することを防ぐことができ、受光精度が向上する。また、光電子保持部に生じる空乏層が第1導電型半導体基板の深部まで伸びることがない。これにより、光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第1転送部を介さない光電子の光電子保持部への進入を抑制できる。前記第1転送部の第1転送ゲート及び又は前記第2転送部の第2転送ゲートと、前記光電子保持部の保持ゲートとの間には、前記第1導電型不純物領域に隣接して第2導電型の第2導電型不純物領域が、前記第1導電型半導体基板の表面側に形成されているので、第1転送ゲート及び又は第2転送ゲートと、保持ゲートとの間のポテンシャル位置が下がり、光電変換素子から光電子保持部への光電子の転送速度、光電子保持部から浮遊拡散層への光電子の転送速度が向上する。前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度よりも高い第2濃度の第1導電型不純物層が形成されているので、第1導電型半導体基板には、濃度差によるビルトインポテンシャルにより、第1導電型半導体基板にある光電子が第1導電型半導体基板の表面方向に熱拡散しないような電界が生じる。これにより、第1導電型半導体基板の深部にある光電子が熱拡散により、第1導電型半導体基板の表面側へ光電子が浸入することを防ぐことができ、受光精度が向上する。前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度と異なる第3濃度の第1導電型不純物層が形成されており、前記第1導電型不純物層は、前記第1導電型半導体基板の表面側になるにつれ、第1導電型不純物濃度が薄くなるように形成されているので、第1導電型半導体基板には、濃度差によるビルトインポテンシャルにより、第1導電型半導体基板にある光電子が第1導電型半導体基板の表面方向に熱拡散しないような電界が生じる。これにより、第1導電型半導体基板の深部にある光電子が熱拡散により、第1導電型半導体基板の表面側へ光電子が浸入することを防ぐことができ、受光精度が向上する。また、第1導電型半導体基板の表面に近いほど、ポテンシャル位置が低くなるので、第1導電型半導体基板の中間層から表面側に存在する光電子を第1導電型半導体基板の表面側に高速に集めることができる。さらに詳しくは、受光期間に基板深くで発生した光電子を高速に基板表面に集めることができ、受光期間と異なる期間で基板深くで発生した残留光電子の混入を抑制することができる。本願発明によれば、光を検知して光電子に変換する光電変換素子が第1導電型半導体基板上に形成された受光装置であって、前記受光装置は、前記第1導電型半導体基板上に形成された複数の光電子振分部を有し、前記光電子振分部は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第1転送部と、前記光電変換素子に対して第1転送部を挟んで反対側に配置され、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記第1転送部に対して前記光電子保持部を挟んで反対側に配置され、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第2転送部と、前記光電子保持部に対して前記第2転送部を挟んで反対側に配置され、転送された前記光電子を保持して該転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層と、を備え、前記第1導電型半導体基板の表面側に、第2導電型不純物領域が形成されるので、第1導電型半導体基板の内部に光電子を保持することができるとともに、信号でない光電子が発生したり、ノイズの発生確率を抑えることができる。前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度よりも高い第4濃度の第1導電型不純物層が形成されているので、第1導電型半導体基板には、濃度差によるビルトインポテンシャルにより、第1導電型半導体基板にある光電子が第1導電型半導体基板の表面方向に熱拡散しないような電界が生じる。これにより、第1導電型半導体基板の深部にある光電子が熱拡散により、第1導電型半導体基板の表面側へ光電子が浸入することを防ぐことができ、受光精度が向上する。また、第1導電型半導体基板に発生する空乏層が第1導電型半導体基板の深部まで伸びることがない。これにより、光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第1転送部を介さない光電子の光電子保持部への進入を抑制できる。前記第1導電型半導体基板の中間層には、前記第1導電型半導体基板の第1導電型不純物濃度と異なる第5濃度の第1導電型不純物層が形成されており、前記第1導電型不純物層は、基板の表面になるにつれ、第1導電型不純物濃度が薄くなるように形成されているので、第1導電型半導体基板には、濃度差によるビルトインポテンシャルにより、第1導電型半導体基板にある光電子が第1導電型半導体基板の表面方向に熱拡散しないような電界が生じる。これにより、第1導電型半導体基板の深部にある光電子が熱拡散により、第1導電型半導体基板の表面側へ光電子が浸入することを防ぐことができ、受光精度が向上する。また、第1導電型半導体基板の表面に近いほど、ポテンシャル位置が低くなるので、第1導電型半導体基板の中間層から表面側に存在する光電子を第1導電型半導体基板の表面側に高速に集めることができる。さらに詳しくは、受光期間に基板深くで発生した光電子を高速に基板表面に集めることができ、受光期間と異なる期間で基板深くで発生した残留光電子の混入を抑制することができる。本発明に係る受光装置及び該受光装置を有する単位画素並びに該単位画素を有する固体撮像装置について、好適な実施の形態を掲げて添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する。初めに、図1を用いてTOFの原理の一例を簡単に説明する。光例えば、レーザー光を被写体に照射する図示しない照射装置が光を照射しない状態で、且つ、環境光のみを一定時間Tsense受光する第1受光期間のときに、図示しない単位画素を複数有する画素アレイは、入射光に応じて光電変換を行い、光電子負電荷を生成し、単位画素が有する光電子保持部は、第1受光期間に発生した光電子を取り込む。ここでは、第1受光期間は2回あり、それぞれの第1受光期間で単位画素は光電変換し、発生した光電子を光電子保持部に取り込む。1回目の第1受光期間に前記単位画素に入射する光量をQCBとし、2回目の第1受光期間に前記単位画素に入射する光量をQCAとする。なお、受光期間とは、受光した光に応じて光電子を発生して蓄積する期間蓄積期間のことをいう。また、前記照射装置から照射された光の反射光を受光する期間を有する第2受光期間のときに、前記した画素アレイは、入射光に応じて光電変換を行い、光電子を生成し、前記した光電子保持部は、第2受光期間に発生した光電子を取り込む。ここでは、前記単位画素は、照射装置が光を照射している状態で、且つ、前記照射装置から照射された光の反射光及び環境光を一定時間Tsense受光する1回目の第2受光期間と、前記照射装置が光の照射を終了してから一定時間Tsense光を受光する2回目の第2受光期間とで光電変換を行う。1回目の第2受光期間に前記単位画素に入射した光量をQBとし、2回目の第2受光期間に前記単位画素に入射した光量をQAとする。なお、Ilaserは、前記照射された光の反射光の強度を示し、Ibackは、環境光の強度を示す。したがって、QA-QCA=Ilaser×Tdelay,QB-QCB=Ilaser×Tsense,の関係式が成り立つ。Tdelayは、照射した光が被写体に反射して戻ってくるまでの時間である。上述した式から、Tdelay=Tsense×QA-QCA/QB-QCBの関係式が導き出せ、被写体までの距離Zは、Z=c×Tdelay/2=c×Tsense×QA-QCA/2QB-QCB、の関係式によって求めることができる。なお、cは光速を示す。図2は、実施の形態にかかる固体撮像装置を有する測距システム10の概略構成を示す図である。図2に示すように、測距システム10は、照射装置12、撮像部14、演算部16、制御部18、及び電源20を備える。電源20は、測距システム10の各部に所定の電源電圧を供給するものであり、図2においては、簡単のため、電源20から各装置への電源線の表示を省略する。照射装置12は、測距対象Wに対してパルス光Lpを照射するものであり、照射装置12は、制御部18の制御下で、パルス光Lpを出力する発光部24を有する。この測距システム10において、照射装置12の発光部24は、発光点エミッタを直線状に設けた半導体レーザバーを積層直列接続して、面発光が可能とされたものである。発光部24は、赤外光を発光する。例えば、波長が870ナノメートルnmの赤外光を100ワットWの出力で照射可能である。発光部24は、パルス光Lpを100ナノ秒の出力時間パルス幅で出力する。なお、発光部24は、リニアアレイ状の複数の発光点を有していてもよく、あるいは、マトリックス状に並べられた複数の発光点を有するものであってもよい。発光素子としてレーザダイオードや発光ダイオードLED等のその他の発光素子を用いてもよい。この測距システム10では、照射装置12から照射されたパルス光Lpが測距対象Wで反射し、撮像部14に入射する。なお、説明の便宜のため、照射装置12から測距対象Wまでのパルス光Lpを照射光Leと、測距対象Wから撮像部14までのパルス光Lpを反射光Lrと呼ぶ。撮像部14は、レンズ26と、固体撮像装置28とを有する。レンズ26を透過した反射光Lr及び環境光Lsは、固体撮像装置28に集光され、固体撮像装置28によって受光される。固体撮像装置28は、照射装置12が照射するパルス光Lp及び環境光Lsに対して感度を有する。演算部16は、固体撮像装置28が前記各受光期間で取り込んだ光電子数の情報に基づいて測距対象Wまでの距離を、図1で説明した手法によって算出する。図3は、固体撮像装置28の構成を示す図である。固体撮像装置28は、マトリックス状に単位画素30が配置された画素アレイ32と、画素駆動回路、受光装置駆動部、画素駆動部34と、サンプルホールド回路36と、水平選択回路38と、出力バッファ40と、A/D変換器42とを有する。電源20は、画素アレイ32に対して正の電源電圧Vddを印加するとともに、リセット電圧Vrefを印加する。画素駆動回路34は、ゲート駆動回路44と、垂直選択回路46を有し、ゲート駆動回路44は、各種ゲート駆動信号を出力することにより画素アレイ32の各単位画素30の光電子の蓄積、保持、転送、及び排出等を行う。垂直選択回路46は、マルチプレクサ図示略を有し、読み出しを行う単位画素30が属する行に対して選択的に、該単位画素30が保持した光電子に対応する電圧信号画素信号を出力させる。水平選択回路38は、別のマルチプレクサ図示略を有し、読み出しを行う単位画素30が属する列を選択する。読み出された画素信号は、サンプルホールド回路36に一端保持された後、水平選択回路38を介して出力される。そして、出力バッファ40及びA/D変換器42を介して演算部16に出力される。なお、制御部18及び演算部16は、固体撮像装置28上に形成してもよい。図4は、図3に示す固体撮像装置28を構成する単位画素30の一部を示す平面図である。単位画素30は、複数の受光装置100を有する。本実施の形態では、単位画素30は、4つの受光装置100を有し、行列状に配置されている。図5及び図6は、図4に示す受光装置100の断面図であり、詳しくは、図5は、図4のV-V線矢視断面図であり、図6は、図4のVI-VI線矢視断面図である。単位画素30は、行列状に配置された4つの受光装置100を有する。受光装置100は、p型第1導電型半導体基板102上に形成された光電変換素子104と、4つの光電子振分部106と、2つの光電子排出部108とを有する。光電変換素子104は、p型第1導電型半導体基板102上に絶縁体図示略を介して形成された電極以下、フォトゲートと呼ぶ110を有するフォトゲート構造を有している。光電変換素子104は、光を検知して、光電子負電荷を発生する検知した光を光電子に変換するフォトダイオードである。フォトゲート110には、光電変換素子104を駆動するためのゲート信号Saがゲート駆動回路44から印加される。光電子振分部106は、第1転送部112、光電子保持部114、第2転送部116、及び浮遊拡散層118を有する。第1転送部112は、光電変換素子104に発生した光電子を光電子保持部114に振り分けて、転送するためのものであり、p型半導体基板102上に前記絶縁体を介して形成された電極第1転送ゲート120を有するMOSダイオード構造を有している図5参照。第1転送ゲート120には、ゲート駆動回路44から第1転送部112を駆動させるためのゲート信号Sbが入力される。光電子保持部114は、光電変換素子104に対して第1転送部112を挟んで反対側に配置され、光電変換素子104で発生した光電子を一時的に保持するものであり、p型半導体基板102上に前記絶縁体を介して形成された電極保持ゲート122を有するMOSダイオード構造を有している図5参照。保持ゲート122には、ゲート駆動回路44から光電子保持部114を駆動させるためのゲート信号Scが入力される。第2転送部116は、第1転送部112に対して、光電子保持部114を挟んで反対側に配置され、光電子保持部114で集積された光電子を転送するものであり、p型半導体基板102上に前記絶縁体を介して形成された電極第2転送ゲート124を有するMOSダイオード構造を有している図5参照。第2転送ゲート124には、ゲート駆動回路44から第2転送部116を駆動させるためのゲート信号Sdが入力される。浮遊拡散層FD;フローティングディフュージョン118は、光電子保持部114に対して第2転送部116を挟んで反対側に配置され、光電子保持部114から転送されてくる光電子を取り込み、電圧に変換させるためのものであり、p型半導体基板102上にn型第2導電型不純物が形成されたものである。図4に示すように、4つの光電子振分部106は、光電変換素子104を挟んで水平方向左右方向に対称的に2つずつ設けられており、左右にそれぞれ上下1つずつ設けられている。また、互いに水平方向に隣り合う単位画素30の受光装置100は、その間に設けられている2つの浮遊拡散層118を共有している。つまり、受光装置100は、受光装置100の浮遊拡散層118の一部を互いに共有している。図5に示すように、浮遊拡散層118には、浮遊拡散層118の電位を基準電位にリセットするリセット用トランジスタ126が接続されている。リセット用トランジスタ126のソースは浮遊拡散層118に接続され、ドレインには電源20からのリセット電圧Vrefが印加され、ゲートには、ゲート駆動回路44からリセット信号Rが供給される。ハイのリセット信号Rがリセット用トランジスタ126のゲートに供給されると、リセット用トランジスタがオンとなり、浮遊拡散層118の電位が基準電位にリセットされる。また、浮遊拡散層118には、浮遊拡散層118が保持した光電子に応じた電圧信号を読み出すための信号読出用トランジスタ130が接続される。信号読出用トランジスタ130には、該信号読出用トランジスタ130によって読み出された電圧信号を信号読出線132に出力するかを選択するための選択用トランジスタ134が接続されている。信号読出用トランジスタ130のドレインは、電源20からの電源電圧Vddが印加され、ゲートには、浮遊拡散層118に接続され、ソースは、選択用トランジスタ134のドレインに接続される。選択用トランジスタ134に垂直選択回路46からハイの選択信号Ssが供給されると、選択用トランジスタがオンになり、浮遊拡散層118が保持した光電子に対応する電圧が信号読出線132から読み出される。選択用トランジスタ134のソースは、信号読出線132が接続されている。光電子排出部108は、第3転送部140と、拡散層142とを有する。第3転送部140は、光電変換素子104が発生した光電子を拡散層142に転送するためのものであり、p型半導体基板102上に前記絶縁体を介して形成された電極第3転送ゲート144を有するMOSダイオード構造を有している図6参照。拡散層142は、光電変換素子104に対して第3転動部140を挟んで反対側に配置され、拡散層142には、電源20からの電源電圧Vddが印加されている。ゲート駆動回路44から第3転送ゲート144に排出信号Seが入力されると、光電変換素子104が発生した光電子は、第3転送部140を介して拡散層142から排出される。図4に示すように、2つの光電子排出部108は、光電変換素子104を挟んで垂直方向上下方向に対称的に1つずつ設けられている。また、互いに垂直方向に隣り合う単位画素30の受光装置100は、その間に設けられている拡散層142を共有している。つまり、受光装置100は、受光装置100の拡散層142の一部を互いに共有している。図7は、光電変換素子104、第1転送部112、光電子保持部114、及び第2転送部116による光電子の移動状態を示すポテンシャル図である。図7Aは、光電変換素子104によって光電子が発生しているときのポテンシャル図を示すものであり、図7B、Cは、光電変換素子104が発生した光電子を光電子保持部114に転送するときのポテンシャル図を示すものであり、図7Dは、光電子保持部114で光電子を保持しているときのポテンシャル図であり、図7Eは、光電子保持部114が保持した光電子を浮遊拡散層118に転送するときのポテンシャル図を示すものである。図7Aに示すように、フォトゲート110にハイHighのゲート信号Saを入力することで、光電変換素子104にポテンシャル位置は下がり、発生した光電子e-が光電変換素子104に溜まっていく。そして、図7Bに示すように、第1転送ゲート120にハイのゲート信号Sbを入力することで、光電変換素子104が発生した光電子e-は光電子保持部114に転送される。なお、このとき、保持ゲート122にハイのゲート信号Scが入力されている。さらに、フォトゲート110にローLowのゲート信号Saを入力することで、光電変換素子104のポテンシャル位置が上がって図7C参照、光電変換素子104に発生した光電子e-は、光電子保持部114に転送され、その後、第1転送ゲート120にローのゲート信号Sbを入力して、図7Dに示すように光電変換素子104が発生した光電子を光電子保持部114が保持する。この図7A~図7Cの状態を繰り返すことで、複数回の受光期間に光電変換素子104が発生した光電子を光電子保持部114が保持することができる。その後、図7Eに示すように、第2転送ゲート124にハイのゲート信号Sdを入力することで、第2転送部116のポテンシャル位置が下がり、保持ゲート122にローのゲート信号Scを入力することで、光電子保持部114のポテンシャル位置が上がるとともに、光電子保持部114が保持した光電子e-が浮遊拡散層118に転送される。なお、図8に示すように、受光中も第1転送ゲート120にハイのゲート信号Sbを入力することで、受光及び光電変換素子104で発生した光電子の転送を同時に行ってもよい。図9は、受光装置100の回路構成の一例を示す図である。受光装置100の光電変換素子104が保持した光電子は、転送経路146a、146b、146c、146dを介して光電子振分部106a、106b、106c、106dの浮遊拡散層118に転送される。転送経路146a、146b、146c、146dは、図4及び図5で示した光電子振分部106a、106b、106c、106dの第1転送部112、光電子保持部114、第2転送部116により構成される。光電子振分部106a、106b、106c、106dの浮遊拡散層118には、1つのリセット用トランジスタ126のソースが接続されるとともに、1つの信号読出用トランジスタ130のゲートが接続される。各浮遊拡散層118に、光電子振分部106a、106b、106c、106の各光電子保持部114が保持した光電子が転送される前に、リセット用トランジスタ126がオンになることによって各浮遊拡散層118が基準電位にリセットされ、そのときの各浮遊拡散層118の電圧以下、黒レベルが読み出される。その後、光電子振分部106a、106b、106c、106dの光電子保持部114が保持した光電子が順次浮遊拡散層118に転送される。各浮遊拡散層118に転送された光電子が順次信号読出用トランジスタ130によって電圧信号信号レベルに変換されて、選択用トランジスタ134を介して信号読出線132から読み出される。詳しくは、リセット用トランジスタ126をオンにすることで、各浮遊拡散層118の電位がリセットされ、黒レベルが読み出される。その後、光電子振分部106aの光電子保持部114が保持している光電子が浮遊拡散層118に転送され、該転送された光電子に応じた電圧信号信号レベルが信号読出線132から読み出される。次に、リセット用トランジスタ126をオンにすることで、各浮遊拡散層118の電位がリセットされ、黒レベルが読み出される。その後、光電子振分部106bの光電子保持部114が保持している光電子が浮遊拡散層118に転送され、該転送された光電子に応じた電圧信号信号レベルが信号読出線132から読み出される。そして、リセット用トランジスタ126をオンにすることで、各浮遊拡散層118の電位がリセットされ、黒レベルが読み出される。その後、光電子振分部106cの光電子保持部114が保持している光電子が浮遊拡散層118に転送され、該転送された光電子に応じた電圧信号信号レベルが信号読出線132から読み出される。最後に、リセット用トランジスタ126をオンにすることで、各浮遊拡散層118の電位がリセットされ、黒レベルが読み出される。その後、光電子振分部106dの光電子保持部114が保持している光電子が浮遊拡散層118に転送され、該転送された光電子に応じた電圧信号信号レベルが信号読出線132から読み出される。このように、受光装置100の光電子振分部106a、106b、106c、106dの光電子保持部114が保持した光電子に応じた電圧信号は、同一の信号読出線132から読み出されることになる。なお、図9では、光電子排出部108の図示を省略している。図10は、図9に示す受光装置100を用いて図4に示す単位画素30を構成したときの回路図である。単位画素30は、4つの受光装置100を有し、受光装置100は、図4で示したように、1つの光電変換素子104と、4つの光電子振分部106a、106b、106c、106dと、2つの光電子排出部108とを有する。全受光装置100の光電子振分部106a、106b、106c、106dの各浮遊拡散層118は、リセット用トランジスタ126のソース、及び、信号読出用トランジスタ130のゲートに接続されている。リセット用トランジスタ126をオンにすることで、各光電子振分部106a、106b、106c、106dの各浮遊拡散層118の電位がリセットされ、黒レベルが読み出される。その後、単位画素30の各光電子振分部106aの光電子保持部114が保持している光電子が各光電子振分部106aの浮遊拡散層118に転送され、該転送された光電子に応じた電圧信号信号レベルが信号読出線132から読み出される。つまり、単位画素30の各受光装置100の光電子振分部106aの浮遊拡散層118に転送された光電子を合算加算した光電子数に応じた電圧信号が信号読出線132から読み出される。次に、リセット用トランジスタ126をオンにすることで、各光電子振分部106a、106b、106c、106dの各浮遊拡散層118の電位がリセットされ、黒レベルが読み出される。その後、単位画素30の各光電子振分部106bの光電子保持部114が保持している光電子が各光電子振分部106bの浮遊拡散層118に転送され、該転送された光電子に応じた電圧信号信号レベルが信号読出線132から読み出される。つまり、単位画素30の各受光装置100の光電子振分部106bの浮遊拡散層118に転送された光電子を合算した光電子数に応じた電圧信号が信号読出線132から読み出される。そして、リセット用トランジスタ126をオンにすることで、各光電子振分部106a、106b、106c、106dの各浮遊拡散層118の電位がリセットされ、黒レベルが読み出される。その後、単位画素30の各光電子振分部106cの光電子保持部114が保持している光電子が各光電子振分部106cの浮遊拡散層118に転送され、該転送された光電子に応じた電圧信号信号レベルが信号読出線132から読み出される。つまり、単位画素30の各受光装置100の光電子振分部106cの浮遊拡散層118に転送された光電子を合算した光電子数に応じた電圧信号が信号読出線132から読み出される。最後に、リセット用トランジスタ126をオンにすることで、各光電子振分部106a、106b、106c、106dの各浮遊拡散層118の電位がリセットされ、黒レベルが読み出される。その後、単位画素30の各光電子振分部106dの光電子保持部114が保持している光電子が各光電子振分部106dの浮遊拡散層118に転送され、該転送された光電子に応じた電圧信号信号レベルが信号読出線132から読み出される。つまり、単位画素30の各受光装置100の光電子振分部106dの浮遊拡散層118に転送された光電子を合算した光電子数に応じた電圧信号が信号読出線132から読み出される。このように、単位画素30の受光装置100の光電子保持部114が保持した光電子に応じた電圧信号は、全て同一の信号読出線132から読み出される。ここで、図10に示すように、単位画素30の各受光装置100の光電子振分部106a、106b、106c、106dの転送方向は異なる。例えば、右上の受光装置100の光電子振分部106aの転送方向は右上となり、右下の受光装置100の光電子振分部106aの転送方向は右下となり、左上の受光装置100の光電子振分部106aの転送方向は左上となり、左下の受光装置100の光電子振分部106aの転送方向は、左下となる。また、図10に示すように、右上の受光装置100の光電子振分部106c、光電子振分部106dと、左上の受光装置100の光電子振分部106b、光電子振分部106dとは互いに浮遊拡散層118を共有しており、右下の受光装置100の光電子振分部106d、106bと、左下の受光装置100の光電子振分部106d、106cとは互いに浮遊拡散層118を共有している。なお、図11に示すように受光装置100は、2つの信号読出線132a、132bを有してもよい。この場合は、例えば、光電子振分部106a、106bの浮遊拡散層118に転送された光電子に応じた電圧信号が信号読出線132aから、光電子振分部106c、106dの浮遊拡散層118に転送された光電子に応じた電圧信号が信号読出線132bからそれぞれ読み出される。図11に示す受光装置100では、リセット用トランジスタ126a、126b、126c、126dのソースが光電子振分部106a、106b、106c、106dの浮遊拡散層118に接続され、ドレインには電源20からのリセット電圧Vrefが印加される。また、リセット用トランジスタ126a、126b、126c、126dのゲートには、リセット信号R1、R2、R3、R4が供給される。また、光電子振分部106a、106b、106c、106dの浮遊拡散層118には、信号読出用トランジスタ130a、130b、130c、130dのゲートが接続されており、選択用トランジスタ134a、134b、134c、134dのゲートには、選択信号Ss1、Ss2、Ss3、Ss4が供給される。要は、信号読出線132が受光装置100の複数の浮遊拡散層118に接続されていればよい。このように、図11に示す受光装置100を用いて、光電子保持部114が保持している光電子を独立した信号読出用トランジスタ130を介して読み出してもよい。受光装置100は、このように光電子保持部114を有する4つの光電子振分部106a、106b、106c、106dを有するので、測距システム10は、測距対象Wまでの距離を求めることができる。詳しく説明すると、1回目の第1受光期間で光電変換素子104が発生した光電子を光電子振分部106aの光電子保持部114に転送し、2回目の第1受光期間で光電変換素子104が発生した光電子を光電子振分部106bの光電子保持部114に転送し、1回目の第2受光期間で光電変換素子104が発生した光電子を光電子振分部106cの光電子保持部114に転送し、2回目の第2受光期間で光電変換素子104が発生した光電子を光電子振分部106dの光電子保持部114に転送する。これにより、QCB、QCA、QB、QAに対応する光電子を得ることができ、光電子振分部106a、106b、106c、106dの浮遊拡散層118から得られた光電子に対応する電圧信号を読み出すことで、測距対象Wまでの距離を得ることができる。なお、図1に示すような受光を複数回例えば、100回行うとともに、各受光期間1回目の第1受光期間、2回目の第1受光期間、1回目の第2受光期間、2回目の第2受光期間の終了毎に、光電子振分部106a、106b、106c、106dによって、光電変換素子104に発生した光電子が振り分けられて、光電子振分部106a、106b、106c、106dの光電子保持部114に光電子が順次保持された後、光電子振分部106a、106b、106c、106dの光電子保持部114が保持した光電子が読み出される。なお、図4の各受光装置100の光電変換素子104に図示した矢印は、図1に記載の4つの受光期間の内1つの期間における光電子の転送方向を示したものである。詳しくは、左上の光電変換素子104に発生した光電子は左上の光電子振分部106に転送され、左下の光電変換素子104は、左下の光電子振分部106に転送され、右上の光電変換素子104は、右上の光電子振分部106に転送され、右上の光電変換素子104は、右上の光電子振分部106に転送され、右下の光電変換素子104は、右下の光電子振分部106に転送される。本実施の形態では、単位画素30は、複数の受光装置100を有し、単位画素30の各受光装置100の転送方向の異なる光電子振分部106により振り分けられた光電子を加算して出力するので、振分方向に依存せず、振分方向毎に転送される光電子数のバラツキを抑えることができる。詳しくは、光電子振分部106に転送された光電子は、複数回の受光と転送とが繰り返された後、浮遊拡散層118に転送されるが、上下左右に転送保持された光電子が浮遊拡散層118で接続されているため、光電変換素子104及び第1転送部112に転送速度の左右上下のバラツキに関して平均化することができる。これにより、図1に記載の4つの受光期間のうち、何れの期間においても同様に、4つの光電変換素子104の転送方向を上下左右に設定することで、単位画素30の光電子の転送速度が振分方向に依存せず、後段の信号処理において、精度良く演算が可能となる。単位画素30が1つの受光装置100のみを有する場合は、該受光装置100の製造起因や結晶方向起因によって転送速度が遅くなる方向が生じ、振分方向によっては、正確な光電子情報光電子に応じた電圧信号を得ることができない。つまり、光電変換素子104に発生した光電子の振分時間第1転送部112、光電子保持部114、第2転送部116にゲート信号Sb、Sc、Sdを供給するタイミングは決まっているので、転送速度が遅い振り分け方向に光電子を転送すると、光電変換素子104が発生した光電子の全て転送することができない。このように、上記実施の形態においては、単位画素30の受光装置100は、光電変換素子104に発生した光電子を転送するための第1転送部112と、光電子を一時的に保持する光電子保持部114と、光電子保持部114が保持した光電子を転送するための第2転送部116と、転送された光電子を保持して該転送された光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層118とを含む光電子振分部106とを有するので、光電変換素子が発生した光電子を複数方向に振り分けて読み出すことができるとともに、リセットノイズを正確に除去することができる。つまり、光電子振分部106によって振り分けられた光電変換素子104に発生した光電子は、該光電子振分部106の光電子保持部114に保持されるので、光電子保持部114が保持した光電子を読み出したい場合は、該光電子振分部106の浮遊拡散層118の電位をリセットした後、黒レベルが読み出される。その後、該光電子保持部114が保持した光電子を該浮遊拡散層118に転送して光電子に応じた電圧信号を読み出せばよいので、浮遊拡散層118の電位のリセットタイミングと、読み出しタイミングとのズレを最小限に抑えることができる。したがって、正確な黒レベルを得ることができ、リセットノイズを正確に除去することができる。単位画素30は、複数の受光装置100を有するので、受光装置の製造起因や結晶方向起因による振分方向の転送速度のバラツキによって生じる、振分方向毎に転送される光電子数のバラツキを抑えることができ、受光精度を向上させることができる。また、単位画素30の複数の前記受光装置100は、少なくとも、複数の受光装置100の浮遊拡散層118の一部を互いに共有しているので、単位画素30が小さくなり、チップ面積が小さくなるのでコストが下がるとともに、単位画素30を小型化して、解像度を増やすことができる。単位画素30は、行列状に配置された4つの受光装置100を有し、受光装置100は、光電子振分部106を4つ有し、4つの光電子振分部106は、光電変換素子104を挟んで水平方向に対称的に2つずつ設けられ、互いに水平方向に隣り合う受光装置100は、その間に設けられている浮遊拡散層118を共有しているので、単位画素30が小さくなり、チップ面積が小さくなるのでコストが下がるとともに、単位画素30を小型化して、解像度を増やすことができる。単位画素30は、行列状に配置された4つの前記受光装置100を有し、受光装置100は、光電子振分部106を3つ有し、3つの光電子振分部106は、光電変換素子104に対して水平方向に対称的に1つずつ設けられるとともに、光電変換素子104の上側、又は下側に1つ設けられており、互いに水平方向に隣り合う受光装置100は、その間に設けられている浮遊拡散層118を共有しているので、単位画素30が小さくなり、チップ面積が小さくなるのでコストが下がるとともに、単位画素30を小型化して、解像度を増やすことができる。単位画素30が1次元又は2次元に配列された画素アレイ32を有する固体撮像装置28は、複数の浮遊拡散層118の電位を読み出すための信号読出用トランジスタ130と信号読出用トランジスタ130を介して信号を読み出す信号読出線132とを備え、単位画素30の浮遊拡散層118の各々の電位は1つの信号読出用トランジスタ130を介して読み出されるので、信号読み出し回路の共通化が可能となり、読み出し回路の製造バラツキに起因する出力バラツキを抑制することができるとともに、固体撮像装置28を小型化して、解像度を増やすことができる。なお、測距対象Wまでの距離を得るために、環境光のみを受光する期間における1回目の第1受光期間及び2回目の第1受光期間と、環境光と反射光を受光する期間である1回目の第2受光期間及び2回目の第2受光期間との受光時間幅が一定の場合は、1回目の第1受光期間と2回目の第1受光期間における受光量は同一であるから環境光のみを受光する期間における受光である第1受光期間は1回のみでもよい。このとき、前記QCAと前記QCBは、QCA=QCBとして取り扱うことで、被写体までの距離を求めることができる。したがって、単位画素30は、図12に示す構成であってもよい。図12は、図4に示す単位画素と別の例を示す単位画素の平面図である。なお、図4に示す構成と同様の構成については同一の符号を付している。単位画素30は、4つの受光装置100を有し、行列状に配置されている。受光装置100は、光電変換素子104と、3つの光電子振分部106と、1つの光電子排出部108を有する。3つの光電子振分部106は、光電変換素子104を挟んで水平方向に対称的に1つずつ設けられ、光電変換素子104の上側、又は下側に1つ設けられている。また、光電子排出部108は、光電変換素子104の下側、又は上側に設けられ、光電子振分部106が設けられていない側に設けられる。単位画素30の上側2つの受光装置100は、光電変換素子104の上側に光電子振分部106が設けられ、下側に光電子排出部108が設けられる。単位画素30の下側2つの受光装置100は、光電変換素子104の下側に光電子振分部106が設けられ、上側に光電子排出部108が設けられる。このような構成を有することで、互いに垂直方向で隣り合う単位画素30の受光装置100は、その間に設けられている拡散層142を共有する。また、互いに水平方向に隣り合う単位画素30の受光装置100は、その間に設けられている浮遊拡散層118を共有している。上記実施の形態は、以下のように変形してもよい。変形例1図13は、変形例1における図4のV-V線矢視断面の要部拡大図である。光電子保持部114には、p型半導体基板102のp型不純物濃度よりも高い第1濃度のp型不純物領域200が、p型半導体基板102の表面側保持ゲート122がある側に形成されている。このような構成にすることで、光電子保持部114には、濃度差によるビルトインポテンシャルにより、p型半導体基板102にある光電子が光電子保持部114方向に熱拡散しないような電界が生じる。これにより、p型半導体基板102の深部にある光電子が熱拡散により光電子保持部114へ進入することを防ぐことができ、受光精度及び測距精度が向上する。また、p型半導体基板102のp型不純物濃度より高い第1濃度のp型不純物領域をp型半導体基板102の表面側に設けたので、保持ゲート122にハイのゲート信号Scを供給しても、p型半導体基板102の深部まで空乏層が伸びることがない。これにより、光電変換素子104に発生した光電子を転送するための第1転送部112を介さない光電子の光電子保持部114への進入を抑制することができる。また、第1転送部112の第1転送ゲート120と光電子保持部114の保持ゲート122との間、及び、光電子保持部114の保持ゲート122と第2転送部116の第2転送ゲート124との間にはp型不純物領域200に接してn型第2導電型不純物領域202、204が形成されているので、第1転送部112の第1転送ゲート120と光電子保持部114の保持ゲート122との間、及び、光電子保持部114の保持ゲート122と第2転送部116の第2転送ゲート124との間のポテンシャル位置が下がり、光電変換素子104から光電子保持部114への光電子の転送速度、光電子保持部114から浮遊拡散層118への光電子の転送速度が向上する。変形例2図14は、変形例2における図4のV-V線矢視断面の要部拡大図である。変形例2は、変形例1と略同様であるが、p型不純物領域200が、n型不純物領域202、204よりp型半導体基板102の深さ方向に深く形成されている。つまり、p型不純物領域200が、第1転送部112の第1転送ゲート120と光電子保持部114の保持ゲート122との間に形成されたn型不純物領域202、及び光電子保持部114の保持ゲート122と第2転送部116の第2転送ゲート124との間に形成されたn型不純物領域204よりも深さ方向に深く形成されている。このような構成にすることで、上記変形例1と同様の効果を得ることができる。変形例3図15は、変形例3における図4のV-V線矢視断面図である。変形例3は、変形例1及び変形例2のp型半導体基板102の中間層に、p型半導体基板102のp型不純物濃度よりも高い第2濃度のp型不純物層206を形成したものである。このような構成にすることで、p型半導体基板102には、濃度差によるビルトインポテンシャルにより、p型半導体基板102にある光電子がp型半導体基板102の表面方向に熱拡散しないような電界が生じる。これにより、p型半導体基板102の深部にある光電子が熱拡散により、p型半導体基板102の表面側光電子保持部114、第1転送部112、光電子保持部114、第2転送部116、浮遊拡散層116へ光電子が進入することを防ぐことができ、受光精度及び測距精度が向上する。さらに、詳しくは、受光期間と異なる期間でp型半導体基板102深くで発生した光電子の混入を抑制することができる。変形例4図16は、変形例4における図4のV-V線矢視断面図である。変形例4は、変形例3と略同様であるが、p型不純物層206に換えて、p型半導体基板102のp型不純物濃度と異なる第3濃度のp型不純物層208を設けたものである。このp型不純物層208は、p型半導体基板102の表面側になるにつれ、p型不純物濃度が薄くなるように形成されている。詳しくは、p型不純物層208は、複数の層を有し、該複数の層は、p型半導体基板102の表面側になるにつれ、p型不純物濃度が薄くなるように形成されている。p型不純物層208の複数の層のうち、p型半導体基板102の表面側に最も遠い層p型半導体基板102の裏面側に最も近い層のp型不純物濃度は、p型半導体基板102のp型不純物濃度より高い。このような構成にすることで、p型半導体基板102の表面に近いほど、ポテンシャル位置を低くすることができるので、上記変形例3によって得られる効果に加え、p型半導体基板102の表面側光電変換素子104、光電子保持部114、浮遊拡散層118にp型半導体基板102の中間層から表面側に存在する光電子を高速に集めることができる。さらに、受光期間にp型半導体基板102深くで発生した光電子を高速にp型半導体基板102の表面に集めることができ、受光期間と異なる期間でp型半導体基板102深くで発生した残留光電子の混入を抑制することができる。変形例5図17は、変形例5における図4のV-V線矢視断面図である。変形例5では、p型半導体基板102の表面側フォトゲート110等がある側にn型不純物領域210が形成されており、p型半導体基板102の中間層には、p型半導体基板102のp型不純物濃度より高い第4濃度のp型不純物層212が形成されている。このような構成にすることで、p型半導体基板102には、濃度差によるビルトインポテンシャルにより、p型半導体基板102にある光電子がp型半導体基板102の表面方向に熱拡散しないような電界が生じる。これにより、p型半導体基板102の深部にある光電子が熱拡散により、p型半導体基板102の表面側光電子保持部114、第1転送部112、光電子保持部114、第2転送部116、浮遊拡散層116へ進入することを防ぐことができ、受光精度及び測距精度が向上する。また、p型半導体基板102のp型不純物濃度より高い第4濃度のp型不純物層212をp型半導体基板102の中間層に設けたので、保持ゲート122へのハイのゲート信号Scを供給しても、p型半導体基板102の深部まで空乏層が伸びることがない。また、このp型半導体基板102の表面側にn型不純物領域210を形成することで、p型半導体基板102の内部に光電子を保持することができるとともに、信号でない光電子が発生したり、ノイズの発生確率を抑えることができる。なお、n型不純物領域210のn型不純物濃度は、浮遊拡散層118のn型不純物濃度より低い。変形例6図18は、変形例6における図4のV-V線矢視断面図である。変形例6は、変形例5と略同様であるが、p型不純物層212に換えて、p型半導体基板102のp型不純物濃度と異なる第5濃度のp型不純物層214を設けたものである。このp型不純物層214は、p型半導体基板102の表面側になるにつれ、p型不純物濃度が薄くなるように形成されている。詳しくは、p型不純物層214は、複数の層を有し、該複数の層は、p型半導体基板102の表面側になるにつれ、p型不純物濃度が薄くなるように形成されている。なお、p型不純物層214の複数の層のうち、p型半導体基板102の表面側に最も遠い層のp型不純物濃度は、p型半導体基板102の不純物濃度より高い。このような構成にすることで、p型半導体基板102の表面に近いほど、ポテンシャル位置を低くすることができるので、上記変形例5によって得られる効果に加え、p型半導体基板102の表面側光電変換素子104、光電子保持部114、浮遊拡散層118にp型半導体基板102の中間層から表面側に存在する光電子を高速に集めることができる。変形例7上記実施の形態では、単位画素30は、4つの受光装置100を有するようにしたが、受光装置100を2つ又は3つのみ有してもよく、5つ以上の受光装置100を有してもよい。また、単位画素30は、受光装置100を1つのみ有してもよい。また、受光装置100は、3つ又は4つの光電子振分部106を有するようにしたが、5つ以上の光電子振分部106を有してもよい。また、上記実施の形態の固体撮像装置28、単位画素30、及び受光装置100を測距システムに適用したが、測距システム以外の他の装置又はシステムにても適用してもよい。例えば、コンパクトデジタルカメラ、ビデオカメラ、監視カメラ、監視システム等に適用してもよい。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。"