50μm以下の厚さであるシリコンチップ上にある複数のコンタクトと、基板上にある複数のコンタクトとの間において、シリコンチップまたは基板の何れの複数のコンタクト上にセットされた100箇所以上の複数のはんだバンプの加熱による溶融と、主としてシリコンチップを取り囲んでいる部分からの空気の強制対流に基づいた徐熱によって、それら溶融されたはんだバンプを固体化させることとによって、シリコンチップと基板との間に100箇所以上の電気的機械的接合を形成するボンディングを実行する、ツールヘッドであって、シリコンチップに直接的に接触させて使用され、その厚さが75μm~125μmの範囲である、PGSを有する、ツールヘッド。PGSの厚さが100μmである、請求項1に記載のツールヘッド。ツールヘッドとPGSとの間に、耐熱接着層として、厚さが100μmのシリコン層を有する、請求項2に記載のツールヘッド。接合する対象となるシリコンチップの厚さが、30μm~50μmの範囲である、請求項1に記載のツールヘッド。接合する対象となる複数のはんだバンプが、1mm21平方ミリメートルあたり625個以上、2次元な平面にわたって配列されている、請求項1に記載のツールヘッド。請求項1~5の何れかに記載のツールヘッドと、ボンディングすべき対象物をセットして支えておくステージとを有しており、ステージにセットされた対象物に対して、ツールヘッドが相対的に熱と圧力とを加え、主としてシリコンチップを取り囲んでいる部分からの空気の強制対流に基づいた徐熱を行う、ボンディングツールボンダ。請求項6に記載のボンディングツールボンダによるボンディングによって電気的機械的接合が形成された、シリコンチップおよび基板。請求項6に記載のボンディングツールボンダによってボンディングされた後に、シリコンチップと基板との間の電気的接続の状態をテストする方法であって、予め配線パターンを設定するステップと、予め設定しておいた配線パターンにおいて導通があるかどうかをテストするステップとを有する、方法。本発明の目的は、薄いシリコンチップを基板にボンディングするに際して、微細バンプはんだの加熱による溶融と、徐熱による固体化とを通じて、コンタクト部分での接続に生じてしまう応力を軽減できるボンディングを実現する半導体接合装置を提供することにある。50μm以下の厚さであるシリコンチップ上にある複数のコンタクトと、基板上にある複数のコンタクトとの間において、シリコンチップまたは基板の何れの複数のコンタクト上にセットされた100箇所以上の複数のはんだバンプの加熱による溶融と、主としてシリコンチップを取り囲んでいる部分からの空気の強制対流に基づいた徐熱によって、それら溶融されたはんだバンプを固体化させることとによって、シリコンチップと基板との間に100箇所以上の電気的機械的接合を形成する。このためのツールヘッドとして、シリコンチップに直接的に接触させて、その厚さが75μm~125μmの範囲である、PGSを使用する。本発明に従えば、薄いシリコンチップを基板にボンディングするに際して、微細バンプはんだの加熱による溶融と、徐熱による固体化とを通じて、コンタクト部分での接続に生じてしまう応力を軽減できる。図1は、ボンディングすべき対象物と、本発明が適用されるボンディングツールボンダの基本構成図である。図1Aのように、ボンディングツールボンダは、ボンディングすべき対象物をセットして支えておくステージと、ステージにセットされた対象物に対して、相対的に熱と圧力とを加えるツールヘッドとを有している。ボンディングすべき対象物としては様々なものが可能であるが、本明細書においては以下、ステージにセットされる側の対象物は基板であるものとして扱うことにする。ボンディングするプロセスの技術的意義は、複数の微細なバンプはんだを溶融させて、それらが基板上の複数の金属コンタクト部分との間で固体化させて固着させて、電気的接続かつ機械的接続を確立させることにある。図1Bのように、基板の側の表面上、場合によっては、シリコンチップの側の表面上であることもあるの金属コンタクト部分の上には、複数のはんだバンプの配列が用意されている。配列を構成するはんだバンプの数は、2次元的な平面にわたって100個10個×10個以上にも及んでいる。本発明における実施例では、約28000個≒169個×169個にも及ぶものまでが実現されている。本発明の実施例において説明するものでは、配列されているはんだバンプ同士の間隔ピッチは40μmであって、1つのはんだバンプの径は25μmであるような、集積度の非常に高いものを実現している。このような状況では、接合する対象となる複数のはんだバンプが、1mm21平方ミリメートルあたり625個以上、2次元な平面にわたって配列されている。もっとも、はんだバンプ同士の間隔>はんだバンプの径でなければならず、さらには、シリコンチップと基板との位置決め精度まで考慮して、はんだバンプが溶融したときに配列中で隣接するはんだバンプと融合してしまうことにならないようにする必要がある。この点、ピッチが必ずしも規則的である必要はない。このように、はんだバンプの径が50μm以下のように小さくなり、それらの配列を構成するはんだバンプの数が、2次元的な平面にわたって100個10個×10個以上という程度にまで密集してくると、はんだバンプの径が70μm以上程度の場合には想いもよらなかった取り扱い上の独特の難しさが生じてくる。ツールヘッドには、はんだバンプを溶融させるに十分な程度に、内蔵されるパルスヒータなどを通じて、熱が加えられる。すず-銀系のはんだバンプの融点は、その組成にも依るが、大体232°C~233°C程度である。このため、20°C~30°C程度のマージンを含めるようにして、ツールヘッドは、260°C~280°C程度にまで加熱される。マージンを必要以上に多くとりすぎると、金属間化合物の状態の形成を促進させてしまうため、注意する必要がある。また、徐熱にも余計なエネルギーを費やすことになる。はんだバンプを固体化させるためには、その熱を除去することが必要となる。自然に冷却されることを待つなど、時間をかけてゆっくりと冷却させた方が、熱的応力や機械的応力を生じにくいという点では好ましいであろう。しかし、ボンディング製造のターンアラウンド時間を考慮に入れて、すなわち歩留まりを考えると効率的ではないため、通常、何らかの強制的な冷却手法が準備される。ツールヘッド内に冷媒水などの液体を循環させる手法も利用されてはいるようである。しかし、小さいシリコンチップの小さい表面積に放熱器のような機構を設けることは難しいであろうし、冷媒の微細な流路を複雑に配管させる必要があろう。さらには、ボンディングツールが全体として大がかりなものになってしまうという点で、好ましいものではない。そこで、本発明が適用されるところのボンダの冷却は、ツールヘッド内部の空気循環と外部からの冷却空気の吹き付けで行われる。風量的には外部吹きつけの寄与が大きく、主としてシリコンチップ周囲からの強制対流による徐熱になる。他にも、熱を除去するための代替技術として、サーマルグリースを注入して熱的カップリングを向上させる手法が考えられるであろう。しかし、ボンディングツールが汚れてしまうため、環境保護の観点からも避けた方が望ましい。このように、加熱と徐熱という熱のサイクルの存在が、時間的に熱的応力や機械的応力を生んでしまう主要な原因となってくる。従来技術としてのAIN窒化アルミツールヘッドにおいても、温度差を平面的に均一にして低減するために補助的に熱を伝える層が用意されるものはある。例えば、図1のCのように、高熱伝導性材料が用意される。この材料から成る層は、ボンダのツールヘッドに固定されて、シリコンチップに直接的に接触させながらも、繰返して使用されることが望ましいので、弾性のある耐熱接着剤の層として固定されたりする。AIN窒化アルミは、優れた放熱性、シリコンにマッチした膨張率を備え、微細な結晶組織を持ち、強度靭性にも優れた材料として知られている。そのため、半導体製造装置やその他周辺部品などで、急速加熱、急冷、放熱が要求される用途に用いられることが多いものであって、優れたラップ面、高い面精度を実現できるものも出現している。市販品のAIN窒化アルミの一例を示すと、以下のような物性のものがある。1.熱伝導率:170~180Wmk2.曲げ強度:400MPa3.硬さ:HV1000、HRA894.熱膨張係数:50×106マイナス6乗°Cシリコン42×106°C図2は、従来のAINツールヘッドによって薄いチップをボンディングした結果として、シリコンチップの変形によって出来た複数の歪みとその影響を説明する図である。バンプが固体化する経過において、歪みが生じてしまっている。図2のAは、歪みの模式図を示す。この模式図は、積層するシリコンチップ厚みが30μmのものであるが、この表面の凹凸の構造は、積層するシリコンチップ厚みが70μm程度から発生してしまうことが確認できており、50μm以下では明確に現れてくることが確認できている。この模式図は、この表面の凹凸の構造を強調して図解したものであり、実施例における図6でも説明する。また、この凹凸構造はツールヘッドの表面形状によるものではないことが確認できている。このことはチップの空気吸着穴がこの形状に反映されてないことから明らかに分かる。凹凸の配列を観察すると、中心から放射状になっており、接合時の熱温度の放射状不均一性から発生したものと考えられる。やはり、図1Aに示しているように、外部からの冷却空気の外部吹きつけの寄与が大きく、主としてシリコンチップ周囲からの強制対流による徐熱を積極的に行うと、シリコンチップの外周部から先に温度が下がりバンプはんだの固体化が始まり進行していくためであろうことが推測できる。接合時の熱温度の放射状不均一性を生じさせてしまい、時間的にも、空間的平面での方位にも、シリコンチップ上の平面的な温度分布は不均一な状態にさせてしまっているためであろうことが推測される。はんだバンプが、2次元的な平面にわたって100個10個×10個以上という程度にまで密集していることとも関係が深いようであり、シリコンチップの中心部の方向へと進んでいき逃げ場を失った歪みが、円周上に現れてくるのではないかと推測できる。実際の冷却空気は、シリコンチップの4つの頂点の部分から4箇所から吹き付けられている。このような歪が見られる図6でも後述ようであると、微細バンプが接続される複数のコンタクト部に大きな応力を発させてしまっていることが推測され、クラック等の発生による断線機械的接続または電気的接続の失敗が懸念される。図2のBは、シリコンチップと基板との間が正常に電気的接続した場合を模式的に示す図である。溶融して固体化した後のはんだバンプは、シリコンチップと基板とを電気的に接続するが、同時に、シリコンチップと基板とを機械的に接続して固定していることになる。図2のCは、シリコンチップと基板との間に電気的接続の不良がある場合を模式的に示す図である。図2のCのように歪み凹凸の構造が外部表面から見えてしまうような部分では、その部分またはその周辺において、このような電気的接続の不良が生じている可能性が高い。電気的接続が正常に成功しているかどうかは、デイジーチェインと呼ばれるところの、予め設定しておいた配線パターンにおいて、導通があるかどうかということでボンディング後にテストされる。図2Cでの導通が確認されるルートは、デイジーチェインの一部としての、予め設定しておいた配線パターンを模式的に示したものである。図2のBでは導通ありOKまたは低抵抗という結果になり、図2のCでは導通なしNGまたは高抵抗という結果になる。図3は、本発明の主要な構成を示す図である。本発明においては、シリコンチップの外周部と中心部との温度差不均一性を低減するために、補助的に熱を伝える層を用意する。また、チップとの熱的カップリング熱結合に優れた材料が望ましいことになる。このため、本発明においては、柔軟で高い熱伝導率を持つPGSを採用する。このPGSを、シリコンチップに直接的に接触させて、ボンディングに使用する。詳細については、本発明の実施例において説明する。図4は、本発明の主要な構成をボンディングツールのツールヘッドに適用してボンディングをする場合の、熱フローを模式的に示す図である。PGSとツールヘッドとは、コンフォーマルな性質であるエラストマである耐熱接着層を介して固定されている。ツールヘッドと基板との間には機械的圧力が加えられるため、このエラストマが緩衝材としての役割を果たすことを期待できる。機械的圧力をどの程度に設定するかということは、熱伝導性にも影響してくる。一般的には、圧力を加えすぎると、熱伝導性は向上する方向に働くが、薄いシリコンチップにとっては機械的応力を多く受けることになる。逆に、圧力をあまり加えないと、熱伝導性はあまり期待できなくなるものの、機械的応力をあまり受けないで済むことになる。この点、PGSが、コンフォーマルな性質を果たすのであれば、そのなじみ性に従って、熱伝導性を期待すると同時に、機械的応力を最小化することができるというバランスにおいて、ボンディングに最適な条件を期待できることになる。そもそも、PGS表面およびシリコンチップ表面の何れも、ミクロレベルでは表面が凸凹しており、これら表面は点接触に近い形点接触の集まりでしか接触しておらず、熱的カップリングが好ましいものではない。この点、PGSのコンフォーマルな性質を利用すれば、接触の状態をより向上させることができ、たとえサーマルグリースのようなものが介在しなくても、熱的カップリングが向上することが期待できる。また、PGS自身にもエラストマとしての緩衝材としての性質が期待できるが、耐熱接着層がPGSに加わる圧力を逃がして、PGS自身の塑性変形を抑え、PGSを再利用できるようにすることにも寄与している。今回用いたものは、100μm厚のPGSシートの表面に100μm厚のシリコン層耐熱接着層を持つものである。これをAINツールヘッドとの接着に用いている。実際にはPGSよりも相対的に熱伝導性が劣るシリコン層は不要ともいえるが、接着のための親和性という点ではシリコン層が存在している方が好ましい。具体的には、PGSとして、次のような市販品を用いている。よって、当業者であれば入手可能であって、本発明の実施例に従って再現追試することができる。:Panasonic社製PGSグラファイトシートTypeEYGM品番:EYGM131810SSタイプ:シリコン積層品片面タイプこのPGSグラファイトシートの特性としては、以下のように記載されている。厚さ:010±005mm密度:1gcm3立方センチメートル熱伝導率:面方向600~800W引っ張り強度:196MPa線膨張率:面方向93×107マイナス7乗1K線膨張率:厚さ方向32×105マイナス5乗1K耐熱性:400°C75μm~125μm厚のPGSシートであれば効果的な熱的カップリングが期待できるが、あまりにも薄いものであると、コンフォーマルな性質を利用して、効果的な熱的カップリングが期待できなくなることが予想される。50μm厚、25μm厚のPGSシートについては実験していない。接合実験においては、50μm厚、30μm厚のシリコンチップに対して良好な低抵抗接続性を得ることができた。すなわち、少なくとも30μm~50μm厚の範囲では良好な結果を得ているが、30μm未満の厚さにおいても良好な結果が得られるであろうことが推認される。シリコンチップは7mm×7mmの正方形である。基板の厚さは720μmである。はんだバンプとしては、基板側における40μmの間隔ピッチの2次元平面に、25μm径の球体として配されたものである。はんだバンプへの加熱は、ツールヘッドへのパルスヒートを用いており、圧力は5Nニュートンから10Nを加えている。図5は、本発明のPGSツールヘッドによって薄いチップをボンディングした結果のテストを説明する図である。電気的接続が正常に成功しているかどうかを、デイジーチェインの長さと、その長さに対する抵抗値とを観測してプロットした図にしている。全ての観測されたプロットが、線形なラインに沿って分布しており、図2Bの模式図で示したような形で、電気的機械的接続が成功していることが分かる。予め設定しておいた配線パターンとしては、最大13000箇所にも及ぶはんだバンプを介しているデイジーチェインについてもテストされている。図6は、30μm厚のシリコンチップの接合の結果として、従来型AINツールヘッドによる接合の結果を、シリコンチップ表面において示す斜視図である。図7は、30μm厚のシリコンチップの接合の結果として、本発明によるPGSツールヘッドによる接合の結果を、シリコンチップ表面において示す斜視図である。図6と図7とを比較すると、図6の従来型AINツールヘッドによる接合の結果では、図2で模式的に示した歪みが見られる。一方で、図7の本発明によるPGSツールヘッドによる接合の結果では、そのような歪みが見られない。図8はPGSツールヘッドの斜視図である。図3の構成に対応している。