"基板処理システムであって、複数の開口を有し、基板を前記複数の開口を介して運搬することができる、チャンバと、複数の開口中の、第1の開口に結合された基板キャリアオープナーと、複数の開口中の、第2の開口に結合された熱処理チャンバと、前記チャンバ内に含まれ、基板クランプブレードと高温基板を運搬するように適合されたブレードとを有するウエハハンドラーと、を備えた基板処理システム。基板クランプブレードと、高温基板を運搬するように適合されたブレードとが、垂直に積み重ねられた、請求項1に記載のシステム。ウエハハンドラーが、上昇するように適合され、それによって、クランプブレードおよび高温基板を運搬するように適合されたブレードの中の所望される一方を所望される高さに配置する、請求項2に記載のシステム。高温基板を運搬するように適合されたブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備えた、請求項1に記載のシステム。基板クランプブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備えた、請求項1に記載のシステム。高温基板を運搬するように適合されたブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備えた、請求項5に記載のシステム。前記チャンバ内に含まれるトラックを更に備え、ウエハハンドラーが、前記トラックに沿って移動するように前記トラック上に取り付けられた、請求項1に記載のシステム。前記複数の開口中の、第2の開口を選択的に密封するバルブアセンブリを更に備え、前記バルブアセンブリが、第1の側部に存在する第1の開口と、敷居部分とを備えたハウジングであり、前記ハウジングが、開口を有するチャンバ表面に結合するように適合され、それによって、ハウジングの第1の開口およびチャンバ開口を介して、基板を移送することができ、敷居部分が、ハウジングの第1の開口とチャンバ開口との間に配置された、前記ハウジングと、チャンバ開口を横切るガスのカーテンを供給するように適合された1つかまたはそれ以上の入口を有する前記敷居部分と、選択的に、1チャンバ開口を密封し、かつ、2基板がチャンバ開口を通るのを妨げないように、チャンバ開口から後退する、ハウジング内に配置された密封面と、を備えた、請求項1に記載のシステム。高温基板を運搬するように構成されたブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備え、クランプブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備えた、請求項8に記載のシステム。高温基板を運搬するように適合されたブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備えた、請求項8に記載のシステム。クランプブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出する検出器を備えた、請求項8に記載のシステム。前記チャンバ内に含まれる冷却ステーションを更に備えた、請求項1に記載のシステム。冷却ステーションが、複数の冷却プラットホームを備えた、請求項12に記載のシステム。複数の冷却プラットホームが、垂直に積み重ねられた、請求項13に記載のシステム。複数の冷却プラットホームが、加圧された流体を複数の冷却プラットホームへ供給する共通流体供給源によって冷却される、請求項13に記載のシステム。高温基板を運搬するように構成されたブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備え、クランプブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備えた、請求項14に記載のシステム。高温基板を運搬するように構成されたブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備えた、請求項14に記載のシステム。クランプブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出する検出器を備えた、請求項14に記載のシステム。前記複数の開口中の、第2の開口を選択的に密封するバルブアセンブリを更に備え、前記バルブアセンブリが、第1の側部に存在する第1の開口と、敷居部分とを備えたハウジングであり、前記ハウジングが、開口を有するチャンバ表面に結合するように構成され、それによって、ハウジングの第1の開口およびチャンバ開口を介して、基板を移送することができ、かつ、敷居部分が、ハウジングの第1の開口とチャンバ開口との間に配置され、敷居部分が、チャンバ開口を横切るガスのカーテンを供給するように構成された1つかまたはそれ以上の入口を有する、前記ハウジングと、選択的に、1チャンバ開口を密封し、かつ、2基板がチャンバ開口を通るのを妨げないように、チャンバ開口から元の位置へ後退するように構成された、ハウジング内に配置された密封面と、を備えた、請求項14に記載のシステム。基板処理システムであって、複数の開口を有し、基板を前記複数の開口を介して運搬することができる、チャンバと、前記チャンバ内に含まれ、基板クランプブレードと高温基板を運搬するように構成されたブレードとを有するウエハハンドラーと、を備えた基板処理システム。基板クランプブレードと高温基板を運搬するように構成されたブレードとが、垂直に積み重ねられた、請求項20に記載のシステム。ウエハハンドラーが、上昇するように構成され、それによって、クランプブレードおよび高温基板を運搬するように構成されたブレードの中の所望される一方を所望される高さに配置する、請求項21に記載のシステム。高温基板を運搬するように構成されたブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備え、クランプブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備えた、請求項20に記載のシステム。高温基板を運搬するように構成されたブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備えた、請求項20に記載のシステム。クランプブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出する検出器を備えた、請求項20に記載のシステム。前記チャンバ内に含まれるトラックを更に備え、ウエハハンドラーが、前記トラックに沿って移動するように前記トラック上に取り付けられた請求項20に記載のシステム。チャンバ内の複数の開口中の、1つを密封するバルブアセンブリを更に備え、前記バルブアセンブリが、第1の側部に存在する第1の開口と、敷居部分とを備えたハウジングであり、前記ハウジングが、開口を有するチャンバ表面に結合するように構成され、それによって、ハウジングの第1の開口およびチャンバ開口を介して、基板を移送することができ、かつ、敷居部分が、ハウジングの第1の開口とチャンバ開口との間に配置され、敷居部分が、チャンバ開口を横切るガスのカーテンを供給するように構成された1つかまたはそれ以上の入口を有する、前記ハウジングと、選択的に、1チャンバ開口を密封し、かつ、2基板がチャンバ開口を通るのを妨げないように、チャンバ開口から元の位置へ後退するように、ハウジング内に配置された密封面と、を備えた請求項20に記載のシステム。高温基板を運搬するように構成されたブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備え、クランプブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備えた、請求項27に記載のシステム。高温基板を運搬するように構成されたブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備えた請求項27に記載のシステム。クランプブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出する検出器を備えた、請求項27に記載のシステム。前記チャンバ内に含まれる冷却ステーションを更に備えた、請求項20に記載のシステム。冷却ステーションが、複数の冷却プラットホームを備えた、請求項31に記載のシステム。複数の冷却プラットホームが、垂直に積み重ねられた、請求項32に記載のシステム。複数の冷却プラットホームが、加圧された流体を複数の冷却プラットホームへ供給する共通流体供給源によって冷却される、請求項32に記載のシステム。基板ハンドラーであって、基板クランプブレードと、高温基板を運搬するように構成されたブレードと、を備えた基板ハンドラー。基板クランプブレードと高温基板を運搬するように構成されたブレードとが、垂直に積み重ねられた、請求項35に記載の基板ハンドラー。ウエハハンドラーが、上昇するように構成され、それによって、クランプブレードおよび高温基板を運搬するように構成されたブレードの中の所望される一方を所望される高さに配置する、請求項36に記載の基板ハンドラー。高温基板を運搬するように構成されたブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備え、クランプブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備えた、請求項35に記載の基板ハンドラー。高温基板を運搬するように構成されたブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出するセンサーを備えた、請求項35に記載の基板ハンドラー。クランプブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出する検出器を備えた、請求項35に記載の基板ハンドラー。センサーが、エミッターおよび検出器を備え、非屈折性材料が、エミッターおよび検出器の近くに配置され、それによって、放射された信号が、ブレードを通って検出器に結合するのを防止する、請求項39に記載の基板ハンドラー。基板を運搬する方法であって、基板ハンドラーのクランプブレードによって、第1の基板を取り出し、クランプブレードによって、第1の基板をクランプし、クランプブレードによって、第1の基板を熱処理チャンバに運搬し、第1の基板を加熱するための熱処理チャンバ内において第1の基板を処理し、高温基板を運搬するように構成された基板ハンドラーのブレードによって、加熱された第1の基板を熱処理チャンバから取り出し、高温ブレードによって、加熱された第1の基板を運搬する、ことを含む方法。クランプブレードによって基板を熱処理チャンバへ運搬することが、加熱された基板が高温ブレードによって運搬される速度よりも速い速度でなされる、請求項42に記載の方法。加熱された第1の基板が、熱処理チャンバから取り出された後、加熱された第1の基板が、高温ブレードによって保持されたまま、クランプブレードによって第2の基板を熱処理チャンバ内に配置することを更に含み、それによって、中断することなく、基板交換がなされる、請求項42に記載の方法。基板を別の処理場所へ運搬する前に、クランプブレードセンサーによって、クランプブレードが基板を適切にクランプしたかどうかを検出することを更に含む、請求項44に記載の方法。高温ブレードによって基板を運搬する前に、高温ブレードセンサーによって、基板が高温ブレード上に適切に配置されたかどうかを検出することを更に含む、請求項44に記載の方法。クランプブレードが、その上に基板が適切に配置されていることを検出する検出器を備えた、請求項45に記載の方法。クランプブレード上に基板が適切に配置されていないことが検出されると、エラーを通知し、適切に配置されていない基板を運搬するのを防止することを更に含む、請求項45に記載の方法。高温ブレード上に基板が適切に配置されていないことが検出されると、エラーを通知し、適切に配置されていない基板を運搬するのを防止することを更に含む、請求項46に記載の方法。加熱された第1の基板を冷却プラットホームへ運搬することを更に含む請求項44に記載の方法。チャンバ内の開口を密封するように構成されたバルブアセンブリであって、第1の側部に存在する第1の開口と、敷居部分とを備えたハウジングであり、前記ハウジングが、開口を有するチャンバ表面に結合するように構成され、それによって、第1の開口およびチャンバ開口を介して、基板を移送することができ、かつ、敷居部分が、第1の開口とチャンバ開口との間に配置され、敷居部分が、チャンバ開口を横切るガスのカーテンを供給するように構成された1つかまたはそれ以上の入口を有する、前記ハウジングと、選択的に、1チャンバ開口を密封し、かつ、2基板がチャンバ開口を通るのを妨げないように、チャンバ開口から元の位置へ後退するように構成された、ハウジング内に配置された密封面と、を備えたバルブアセンブリ。ハウジングが、ハウジングの内部領域からガスを排出するように構成された1つかまたはそれ以上の開口を含む、請求項51に記載のバルブアセンブリ。システムであって、チャンバ表面に開口を有するチャンバと、チャンバ表面の開口を密封するように構成されたバルブアセンブリと、コントローラと、を備え、前記バルブアセンブリが、第1の側部に存在する第1の開口と、敷居部分と、ハウジングの内部領域からガスを排出するように構成された1つかまたはそれ以上の開口と、を備えた前記ハウジングであり、前記ハウジングが、開口を有するチャンバ表面に結合するように構成され、それによって、第1の開口およびチャンバ開口を介して、基板を移送することができ、かつ、敷居部分が、第1の開口とチャンバ開口との間に配置され、敷居部分が、チャンバ開口を横切るガスのカーテンを供給するように構成された1つかまたはそれ以上の入口を有する、前記ハウジングと、選択的に、1チャンバ開口を密封し、かつ、2基板がチャンバ開口を通るのを妨げないように、チャンバ開口から元の位置へ後退するように構成された、ハウジング内に配置された密封面と、を備え、前記コントローラが、1つかまたはそれ以上の入口を通ってハウジングの内部領域へ流れ込むガスの量を制御し、かつ、1つかまたはそれ以上の開口を通ってハウジングの内部領域から流れ出るガスの量を制御するようにプログラムされた、システム。移送チャンバと、移送チャンバと処理チャンバとの間で基板を移送することのできる開口を有する、移送チャンバに結合された処理チャンバと、処理チャンバに結合され、かつ、処理チャンバの開口を選択的に密封するように構成され、処理チャンバの開口の近くに内部領域を有するバルブアセンブリと、を有する処理システムを提供し、バルブアセンブリの内部領域を減圧し、減圧することによってバルブアセンブリの内部領域から除去されるあらゆるガスを排出する、ことを含む方法。バルブアセンブリの内部領域を減圧することが、バルブアセンブリの内部領域を、処理チャンバおよび移送チャンバよりも小さい真空度に減圧することを含む、請求項54に記載の方法。減圧することによってバルブアセンブリの内部領域から除去されるあらゆるガスを排出することが、処理チャンバの開口から放出されるガスが移送チャンバへ入り込む前に、そのガスを除去することを含む、請求項55に記載の方法。バルブアセンブリの内部領域を、処理チャンバおよび移送チャンバよりも小さい真空度に減圧することが、不活性ガスを第1の流量でバルブアセンブリの内部領域に流し込み、第1の流量よりも大きい第2の流量でバルブアセンブリの内部領域から不活性ガスを除去する、ことを含む、請求項55に記載の方法。バルブアセンブリの内部領域を、処理チャンバおよび移送チャンバよりも小さい真空度に減圧することが、バルブアセンブリの内部領域内における圧力レベルを検出し、バルブアセンブリの内部領域の真空度が、処理チャンバおよび移送チャンバよりも小さくなるように、バルブアセンブリに流れ込むガスの流量およびバルブアセンブリから流れ出すガスの流量の少なくとも一方を調節する、ことを含む、請求項55に記載の方法。基板を処理チャンバの中へ挿入するのを可能にする開口を有する処理チャンバと、処理チャンバに結合され、処理チャンバの開口を選択的に密封するように構成され、かつ、処理チャンバの開口の近くに内部領域を有するバルブアセンブリとを有する処理システムを提供し、バルブアセンブリの内部領域へガスを流し込み、それによって、処理チャンバの開口を横切るガスのカーテンを生成する、ことを含む方法。バルブアセンブリの内部領域を減圧し、減圧することによってバルブアセンブリの内部領域から除去されるあらゆるガスを排出する、ことを更に含む、請求項59に記載の方法。バルブアセンブリの内部領域を減圧することが、バルブアセンブリの内部領域を、処理チャンバよりも小さい真空度に減圧することを含む、請求項59に記載の方法。基板を処理チャンバの中へ挿入するのを可能にする開口を有する処理チャンバと、処理チャンバに結合され、処理チャンバの開口を選択的に密封するように構成され、かつ、処理チャンバの開口の近くに内部領域を有するバルブアセンブリとを有する処理システムを提供し、バルブアセンブリの内部領域を減圧し、それによって、処理チャンバの開口から放出されるガスを除去する、ことを含む方法。熱い基板および冷たい基板の両方を移送する本発明による基板処理システムが提供され、同様に、システム内において基板を移送しかつ処理するための本発明による方法が提供される。また、基板ハンドラーブレード上の基板を検知するための、有毒な処理ガスが周囲環境に流れ出るのを防止するために換気バルブアセンブリを使用するための、さらに/または、移送チャンバ内の基板を冷却するための、本発明による装置および方法が、使用される。図面および以下の説明から明らかなように、そのような装置および方法のそれぞれは、本発明によるシステムとともに使用されてもよく、あるいは、その他の処理システムおよび方法とともに使用されてもよい。より詳細には、本発明の第1の態様においては、第1の基板処理システムが提供され、その第1の基板処理システムは、1複数の開口を有するチャンバであって、その開口を介して基板を運搬することができる、上記チャンバ、2複数の開口中の、第1の開口に結合された基板キャリアオープナー、3複数の開口中の第2の開口に結合された熱処理チャンバ、および、4基板クランプブレードと、高温基板を運搬するように適合されたブレードとを有するチャンバ内に含まれるウエハハンドラー、を含む。本発明の第2の態様においては、第2の基板処理システムが提供され、その第2の基板処理システムは、1複数の開口を有するチャンバであって、その開口を介して基板を運搬することができる、上記チャンバ、および、2基板クランプブレードと高温基板を運搬するように適合されたブレードとを有するチャンバ内に含まれるウエハハンドラー、を含む。本発明の第3の態様においては、基板ハンドラーが、提供され、その基板ハンドラーは、1基板クランプブレード、および、2高温基板を運搬するように適合されたブレード、を含む。本発明の第4の態様においては、チャンバ内の開口を密封するように適合されたバルブアセンブリが、提供される。バルブアセンブリは、第1の側部に存在する第1の開口と敷居部分とを有するハウジングを含む。そのハウジングは、内部に開口を有するチャンバ表面に結合するように適合され、それによって、第1の開口およびチャンバ開口を介して、基板を移送することができ、かつ、敷居部分は、第1の開口とチャンバ開口との間に配置される。敷居部分は、チャンバ開口を横切るガスのカーテンを供給するように適合された1以上の入口を有する。バルブアセンブリは、更に、ハウジング内に配置された密封面を含み、選択的に、1チャンバ開口を密封し、かつ、2基板がチャンバ開口を通るのを妨げないように、チャンバ開口から後退する。その他の様々な態様が提供され、これらの、その他の態様に基づいた本発明の方法およびコンピュータプログラムプロダクトが提供される。本発明のその他の特徴および態様が、以下の詳細な説明、添付の特許請求の範囲、および、添付の図面からより完全に明らかとなる。図1は、本発明による処理システム11の平面図である。処理システム11は、複数の開口15a~15dを有するチャンバ13を備え、それらの開口15a~15dを介して、基板を移送することができる。それぞれの開口15a~15dは、好ましくは、同じ高さここでは、ウェーハ交換高さと呼ばれるに配置される。図示される実施形態においては、開口15a~15bは、チャンバ13の第1の側部に配置され、開口15c~15dは、チャンバ13の、第1の側部の反対側にあるチャンバ13の第2の側部に配置される。密封されたウェーハキャリヤを開くように適合されたステーション17aすなわち、ポッドオープンステーション17aが、開口15aに結合され、ポッドオープンステーション17bが、開口15bに結合される。ポッドオープンステーションは、この分野において良く知られているものであり、例として役に立つポッドオープンステーションが、2000年7月4日に発行された米国特許第6,082,951号に詳細に記載されており、それに開示されたものの全てが、ここに、援用される。開口15c~15dに結合されているのは、SantaClaraCaliforniaのAppliedMaterialsによって製造された市販のRADIANCE商標Chamberのような熱処理チャンバ19a~19bであり、あるいは、基板の温度を、例えば、70°C以上に、好ましくは、約600°Cにまで上昇させるその他のどのようなチャンバであってもよい。冷却ステーション21が、チャンバ13内に含まれてもよく例えば、基板ハンドラーと同じ基準プレートに結合され、チャンバ開口よりも高い位置に存在する、そして、この分野においては良く知られているように、基板を支持および冷却するようになされた1つかまたはそれ以上のプラットホームを備えてもよい。本発明による冷却ステーションが、図4A~図4Eに示され、それらを参照して、以下で説明される。また、チャンバ13内に含まれているものは、十分な距離だけ延びるトラック23であってもよく、それによって、そのトラックに沿って移動するように結合された基板ハンドラーは、ポッドオープンステーション17a~17b、処理チャンバ19a~19b、または、冷却ステーション21のいずれかから基板を取り出し、あるいは、それらのいずれかに基板を配置することができる。トラック23に沿って移動するように取り付けられているのは、基板ハンドラー25図2であり、その基板ハンドラー25は、図3Aに示されるように、基板をその上の適切な位置にクランプするように適合されたブレードすなわち、クランプブレード27と、図3Bに示されるように、熱い基板、例えば、70°C以上の温度、また、一実施形態においては、約600°Cかまたはそれ以上の温度を有するような基板を運搬するように構成されたブレードすなわち、ホットブレード29とを有する。また、基板ハンドラー25は、一対の垂直に積み重ねられた個々に伸張可能なアーム30a~30bを備えてもよく、アーム30a~30bのそれぞれは、図2の側面図に示されるように、それに結合されたクランプブレード27およびホットブレード29の一方を有する。本発明によるホットブレード29を除けば、基板ハンドラー25は、YaskawaJapanによって製造された市販のロボットであってもよい。例えば、基板ハンドラー25は、中央キャニスター32図2を使用してもよく、その中央キャニスター32は、少なくとも180°だけ回転し、かつ、それに結合された個々に伸張可能な2つのロボットアーム例えば、図3Cに示されるアーム30a~30bを有する。したがって、キャニスター32が、上昇し、降下し、または、回転すれば、それと一緒に、2つのアームは、上昇し、降下し、回転する。2つのアームは、垂直方向にずれており図2、そのために、一方のアームに結合されたブレード例えば、ホットブレード29は、他方のアームに結合されたブレード例えば、クランプブレード27の上方にフットプリントと略同じ場所に位置する。基板を開口に挿入しまた開口から取り出すために、中央キャニスター32は、適切なブレードを開口のある高さの位置まで上昇させる。トラックを使用せずに、満足できるリーチを有するその他のロボット構成が、使用されてもよい。また、2つのロボットが、チャンバ13内に含まれてもよく、したがって、トラック23は、省かれてもよい。個々に伸縮可能な2つのアーム30a~30bと、それらに結合されたクランプブレード27およびホットブレード29とによって、処理システム11は、従来の熱処理システムよりもはるかに効率的に基板を移送することができる。クランプブレード27は、基板をクランプするための機構を含むので、クランプブレード27は、クランプ機構を含まないブレードよりも素早く基板を運搬することができる。その他のクランプ機構が、使用されてもよいが、例としてのクランプ機構が、図3Aの平面図に示される。そのクランプ機構は、プランジャー31および一対のエッジストップ33を備える例えば、少なくとも1つの実施形態においては、VESPELまたはPEEKのような高温材料から製造される。動作時、クランプブレード27が、クランプブレード27に基板図示しないを、ポッド例えば、ポッドオープンステーション17a~17bの1つに配置された、処理チャンバ19a~19b、または、冷却ステーション21から持ち上げさせるプログラムされたシーケンスからなる運動を完了すると、コントローラCは、エッジストップ33とプランジャー31との間に基板がしっかりと保持される位置までプランジャー31を徐々に前方へ動かす。プランジャー31は、光検出器以下で説明されるとお互いに作用するように設計され、それによって、基板が適切にクランプされたかどうかを検出することができる。図3Aに示される実施例においては、プランジャー31は開口35を有し、これは、適切に配置された基板のエッジにプランジャー31が接触する位置にあるときにのみエミッター37から放射された光ビームL1が開口35を通過するようにそして、光センサー39に入射するように配置されている。その他の、あらゆる位置においては、プランジャー31の中実部分が、光ビームL1を遮断する。このように、プランジャー31が、それの引っ込んだ位置にあるときクランプブレード27上に基板を配置する前、および、適切に配置された基板のエッジにプランジャー31が接触すべき位置を越えてプランジャー31が突き出ているときのいずれの場合においても、光ビームは、検出されない。光センサー39に結合されたコントローラ例えば、図3Aに示されるコントローラCは、プランジャー31が、基板をクランプする適切な位置を越えて突き出たとき、クランプするのに失敗したことを通知する信号を送出し、クランプブレード27が、移動するのを止めさせてもよい。このように、より少ない数のセンサーを決められた位置に取り付ければよいので、クランプブレード27によって、基板をより速く移送することができるとともに、処理システム11を、よりコストのかからないものにすることができる。エミッター37および光センサー39は、一般的などのような光源および検出器から構成されてもよい。図3Bの上面斜視図に示されるように、センサーをホットブレード29に結合することによって、処理システム11のコストを従来のシステムに比較して更に減少させることができる。ホットブレード29は、図示されるような支持ブラケット部分29aおよびブレード部分29bを有する。ホットブレード29は、光エミッター41および光検出器43を有し、それらの光エミッター41および光検出器43は、適切に配置された基板Sが、それらの光エミッター41と光検出器43との間を光ビームL2が通過するのを遮断するように配置される高温光ファイバケーブル44a、44b、および、光ファイバー支持ブラケット44c、44dを使用することによって。熱い基板との接触に耐えるように、ホットブレード29は、石英またはそれに類似する高温材料から構成されてもよい。エミッター41からの光が、矢印45によって示されるように石英ブレード29と結合し、石英を通過し、光検出器43に到達するのを防止するために、ホットブレード29のエミッターに隣接する部分および検出器に隣接する部分は、炭化ケイ素のような非屈折性コーティング材料によって被覆されてもよい。例えば、反射した光を誤って検出するのを防止するために、エミッターおよび/または検出器は、金属によって取り囲まれてもよく、また、ビーム利得しきい値は、例えば、適切な増幅器によって反射および屈折を補償するように調節されてもよい。このように、ホットブレード29は、エミッター41によって放射された光ビームL2を検出器43が受信しない場合には、基板がホットブレード29上に適切に配置されたことを検出し、光ビームL2からの光信号が検出された場合には、基板が存在しないかまたは不適切に配置されたことがわかる。基板がホットブレード29上に適切に配置されているはずなのに、光ビームが遮断されていない場合には、コントローラC図3Aは、ホットブレード29の移動を中止してもよい。少なくとも1つの実施形態においては、ホットブレード29の支持ブラケット部分29aは、ステンレス鋼の石英/金属支持ブラケットによって構成されてもよく、ブレード部分29bは、石英/金属プレート29cを介して結合された石英によって構成されてもよい。その他の材料が、使用されてもよい。クランプブレード27およびホットブレード29のいずれもが、基板がクランプブレード27またはホットブレード29上に適切に配置されたことを検知するように適合されたセンサーを有するので例えば、どちらのブレードも組み込み型のウェーハオンブレードセンサーを使用する、固定型の基板オンブレードセンサーを必要としない。基板ハンドラー25は、クランプブレードおよびホットブレードの両方を備えるので、以下の動作説明からわかるように、相当な高速化を達成することができる。動作時、基板キャリアポッドが、ポッドオープンステーション17a上に配置され、ポッドのポッドドアが、開かれる。基板ハンドラー25は、トラック23に沿って、ポッドオープンステーション17aに関連する開口15aの前方の位置まで移動する。クランプブレード27が、ウェーハ交換高さの位置にあれば、基板ハンドラーの伸張可能なアーム30bが伸びて、クランプブレード27を、開口15aを通ってポッドオープンステーション17aの中に挿入し、それによって、クランプブレード27は、第1の基板の下に配置される。基板ハンドラー25は、わずかに上昇し、それによって、クランプブレード27は、ポッドの内部支持体から第1の基板を持ち上げる。コントローラCには、基板が、クランプブレード27上の所定の位置にあるかどうかがわかり、プランジャー31図3Aが、駆動され、それによって、エッジストップ33に向かってゆっくりと移動し、基板を前方へ丁寧に押し動かし、それによって、基板は、プランジャー31とエッジストップ33との間の所定の位置に保持される。上述したように、クランプブレードセンサー例えば、光エミッター37および光センサー39は、基板が適切にクランプされたことを検出することができる。基板が適切にクランプされたと判定されると、伸張可能なアーム30bは、引っ込み、基板ハンドラー25が、クランプブレード27を回転させ、開口15c図1の方へ向かせ、必要であればトラック23に沿って移動し、クランプブレード27を開口15aの前に配置する。開口15cが開き、伸張可能なアーム30bが伸びて、処理チャンバ19a内に含まれるウェーハ支持体図示しないの上方の位置へ第1の基板を挿入する。基板は、クランプブレード27上にクランプされているので、全ての上述した基板運搬ステップは、より速い速度でなされてもよい。処理チャンバ19a内に運搬されると、プランジャー31図3Aが、引っ込み、処理チャンバ19a内に含まれるリフト機構図示しないによって、および/または、クランプブレード27を降下させることによって、第1の基板が、クランプブレード27から持ち上げられ、それによって、第1の基板を複数の支持ピンまたはその他の支持構造体図示しない上に移送する。その後、上述したシーケンスが、繰り返され、クランプブレード27が、第2の基板を処理チャンバ19b内に配置する。第1の基板の熱処理が、完了するとすぐに、ホットブレード29が、ウェーハ交換高さに配置され、開口15cが開き、伸張可能なアーム30aが伸び、ホットブレード29が、熱い第1の基板を回収する例えば、熱い第1の基板を支持ピンから持ち上げる。その後、ホットブレード29は引っ込み、基板ハンドラー25が、クランプブレード27をウェーハ交換高さの位置まで上昇させる。そして、クランプブレード27が伸びて、第3の基板を処理チャンバ19aの中へ挿入する。このように、熱い処理された基板/冷たい未処理の基板を交換することができるばかりでなく、中断することなくすなわち、処理された基板を配置するために、また、未処理の基板を取り出すために、基板ハンドラー25が、他の場所へ移動することを必要とせずに交換することもできる。その後、熱い第1の基板は、冷却ステーション21の支持シェルフ図示しないへ運ばれ、そして、支持シェルフに移されてもよい例えば、支持シェルフのリフト機構を介しておよび/またはホットブレード29を降下させることによって。支持シェルフ上に配置されると、第1の基板は冷却される例えば、空気冷却、または、図4A~図4Eに示されるような冷却されたプレートを介した冷却。その後、基板ハンドラー25は、処理された熱い第2の基板を処理チャンバ19bから取り出し、冷却のためにその第2の基板を冷却ステーション21に運搬するのに、ホットブレード29を使用してもよい。第1の基板が、十分な時間、冷却されたならば、クランプブレード27は、冷却された第1の基板を冷却ステーション21から取り出し、その第1の基板を迅速にポッドオープンステーション17aに戻してもよい。上述したことから明らかなように、本発明による処理システム11は、基板を運搬するのにそれらが熱くないときには常にクランプブレードを使用することによって、スループットを増加させることができる。また、クランプブレード27およびホットブレード29のいずれもが、基板の適切なクランプおよび配置を確認する基板センサーを有することができるので、処理システム11は、処理システム11内の様々な位置例えば、基板の交換がなされるそれぞれの場所の前にさもなければ配置される固定型の基板オンブレードセンサー例えば、ブレード上に配置されていないセンサーにかかる余計なコストを回避することができる。また、本発明による処理システム11は、動作を更に向上させるために、その他の特徴を有してもよい。例えば、クランプブレード27および/またはホットブレード29は、それぞれのブレードの先端に取り付けられかつ前方へ向けられたブレードが移動する方向へ向けられた1つかまたはそれ以上のセンサーを有してもよい。1つかまたはそれ以上のセンサーは、ブレードが所定のスロットまたは場所の下にある位置へ移動する前に、その所定のスロットまたは場所に基板が存在することを検出してもよい。そのようなセンサーは、例えば、YaskawaJapanによって製造されるような基板ハンドラーのブレード上に提供される。図4Aは、図1に示される冷却ステーション21の例示的な第1の実施形態の斜視図である。冷却ステーション21は、複数の冷却プラットホーム102a~102cを含み、それらの冷却プラットホーム102a~102cのそれぞれは、以下で説明するように、半導体ウェーハを冷却するように構成される。3つの冷却プラットホーム102a~102cが、図4Aに示されるが、冷却ステーション21は、より少ないかまたはより多い冷却プラットホームを備えてもよいことがわかる。図4Bは、図4Aに示される冷却ステーション21の斜視図であり、最上段の冷却プラットホーム102aの内部冷却構造を示す以下で説明する。それぞれの冷却プラットホーム102a~102cは、例えば、ろう付け、ボルト、ねじ、および/または、その他の何らかの締結技術によってマニホルド104に結合され、そして、そのマニホルド104は、支持ブラケット106例えば、アルミニウムまたはその他の何からの適切な材料に結合される。図4Cは、図4Aに示される冷却ステーション21の斜視図であり、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cの内部冷却構造をマニホルド104に結合する1つの方法例えば、ろう付けを示す。図4Dは、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cの、内部冷却構造の斜視図である。図4Aおよび図4Bを参照すると、複数のリフト機構108a~108cが、支持ブラケット106に結合され、それらのリフト機構108a~108cによって、以下で説明するように半導体ウェーハまたは、その他の基板を、冷却プラットホーム102a~102c上に降ろし、あるいは、冷却プラットホーム102a~102cから持ち上げることができる。それぞれのリフト機構108a~108cは、リフト部分110a~110cおよびリフト部分110a~110cに結合されたリフトピン支持アーム112a~112cを含む。それぞれのリフトピン支持アーム112a~112cは、複数のリフトピン114a~114cを含み、それらのリフトピン114a~114cは、リフトピン支持アーム112a~112cがリフト部分110a~110cを介して上昇および降下すれば、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cに存在する孔以下で説明するから上昇および降下することができる。それによって、半導体ウェーハを、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cから持ち上げ、また、それぞれの冷却プラットホーム102a~102c上に降ろすことができる例えば、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cから取りだし、また、それぞれの冷却プラットホーム102a~102c上に配置するために。リフト機構108a~108cは、例えば、1.6mmの内径を有する空気圧シリンダを備えてもよいが、一般的などのようなリフト機構でも、同じように、使用することができる。1つの例としてのリフト機構は、DeviceNetEVpneumaticblockである。それぞれのリフト機構108a~108cは、リフトシリンダの位置を検出するためのセンサーを含んでもよい例えば、2つかまたはそれ以上の一般的な電磁スイッチ。リフトピン114a~114cは、その上に配置されたセラミックのボールまたは先端部図示せずを有するステンレス鋼リフトピンから構成されてもよく、そのボールまたは先端部は、冷却中、半導体ウェーハに接触する。その他のリフトピン材料が、使用されてもよい。本発明の一実施形態においては、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cは、冷却液パイプ120a~120c図4Cおよび図4Dをすっぽりと包む上部116a~116cおよび底部118a~118cを備える。上部116a~116cおよび底部118a~118cは、例えば、ニッケルめっきしたアルミニウムまたはその他の適切な材料から構成されてもよく、また、何らかの適切な結合機構例えば、ねじ、ボルト、接着剤等によって、それらの間に冷却液パイプ120a~120cを挟んでお互いに結合されてもよい。熱グリース例えば、MASTERBOND’sSUPREME10AOHTが、上部116a~116c、底部118a~118c、および、冷却液パイプ120a~120cの間に使用され、それらの構成要素間の熱伝達を向上させてもよい。冷却液パイプ120a~120cは、銅、ステンレス鋼、または、その他の適切な材料から構成されてもよい。一実施形態においては、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cの上部116a~116cは、黒い陽極処理アルミニウムである。冷却プラットホーム102a~102cの別の実施形態においては、それぞれの冷却液パイプ120a~120cは、上部116a~116cおよび底部118a~118cを鋳造するときに、上部116a~116cと底部118a~118cとの間に配置される例えば、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cは、一体成形ユニットを備える。そのような実施形態においては、冷却プラットホーム102a~102cは、組み立てることを必要とせず、また、上部および/または底部例えば、アルミニウムが冷却液パイプ例えば、ステンレス鋼または銅を完全に取り囲むので、熱グリースを必要としない。上部/底部よりも高い融解温度を有する冷却液パイプが、好ましく、それによって、冷却プラットホームを成形中に、冷却液パイプが、変形することはない。冷却プラットホーム102a~102cの精密な構造に関係なく、底部118a~118cよりも厚いそれぞれの冷却プラットホーム102a~102cの上部116a~116cを有することが望ましい場合もある。すなわち、冷却プラットホーム102a~102cの冷却液パイプが、冷却プラットホーム102a~102cの上面に近すぎると、上面の冷却液パイプのすぐ上にある領域を冷却しすぎる場合がある。より大きな例えば、より厚い上部116a~116cは、より大きな熱質量を提供し、それによって、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cをより均一に冷却することができる。本発明の一実施形態においては、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cの全体の厚さは、約1.062インチであるが、別の厚さが、用いられてもよい。本発明の少なくとも1つの実施形態図4Bにおいては、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cの上部116a~116cは、1つかまたはそれ以上の、1絶縁パッド122、2アライメントピン124、および、3リフトピン114a~114cがそこを貫通することのできるスルーホール126、を含む。それぞれの冷却プラットホーム102a~102cの底部118a~118cは、リフトピンスルーホール図示せずを備えて、同じように構成されてもよい。絶縁パッド122は、例えば、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cの上面から上に約0.040インチだけ突き出た、窒化ケイ素、炭素、または、セラミックからなる1/4インチのボールのような、上部116a~116c内に部分的に埋め込まれた絶縁ボールを備えてもよい。絶縁パッド122は、例えば、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cの上部116a~116cに接合された高温エポキシ樹脂であってもよい。一実施形態においては、絶縁パッド122上に配置された半導体ウェーハが、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cの上面に接触しないことを保証するために、適切な間隔を置いて配置された十分な数の絶縁パッド122が、それぞれの冷却プラットホーム102a~102c上で使用される。半導体ウェーハと冷却プラットホーム102a~102cとがじかに接触するのを防止することは、1微粒子の生成を減少させ、2半導体ウェーハを不均一に冷却するのを抑制することができる不均一に冷却すると、ウェーハは、不均一に冷却された部分が傷つき、あるいは、ウェーハを粉々にすることがある。一実施形態においては、絶縁パッド122上に配置された半導体ウェーハと、絶縁パッド122を使用する冷却プラットホーム102a~102cの上面との間に、0.040インチの空隙が、存在してもよい。異なる間隔の空隙を使用してもよい。埋め込まれたボールが、パッド122として使用される場合、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cの上部116a~116cに存在するボール穴の深さは、冷却プラットホーム102a~102cの上面とその中に配置された冷却液パイプ120a~120cとの距離、および/または、冷却プラットホーム102a~102cの全体の厚さに影響を及ぼすことがある。アライメントピン124は、例えば、石英またはその他の何らかの適切な材料から構成されてもよい。一実施形態においては、アライメントピン124は、ウェーハがそのピン124の表面を滑ることができるような角度を有する磨き石英から構成されてもよい例えば、ウェーハが、ピン124に接触するとき、微粒子の生成を最小限に抑制するため。1つの実施例としての角度は、それぞれのピンの中心軸から約25°であるが、別の角度が、使用されてもよい。アライメントピン124によって、半導体ウェーハをそれぞれの冷却プラットホーム102a~102c上に正確に配置することができる。ウェーハを配置するときにアライメントピンを使用することは、この分野においては良く知られており、ここでは、更には説明しない。図4Bおよび図4Cを参照すると、冷却プラットホーム102aの冷却液パイプ120aおよび、図4Dに示される冷却プラットホーム102a~102cの冷却液パイプ120a~120cは、冷却液例えば、水および/または冷媒を冷却プラットホーム102aに供給するように構成された中空管を備える。このように、上部116aおよびその上に配置された半導体ウェーハを冷却することができる。図4Bを参照すると、本発明の一実施形態においては、冷却液パイプ120aは、とりわけ、単一平面例えば、図4Bに示されるx-y平面内に存在するように構成される。このようにして、冷却プラットホーム102aの厚さが、減少する冷却液パイプが完全には単一平面内に存在しない設計に比べれば。そのような複数平面設計は、必要であれば、使用されてもよく、例えば、図4Eに示される。図4Bおよび図4Cに示される冷却液パイプ120aは、いずれもマニホルド104に結合された入口128および出口130を有する。一実施形態においては、入口128は、図示されるように冷却プラットホーム102aの外縁の近くに配置され、出口128は、図示されるように冷却プラットホーム102aの中心の近くに配置される。入口128は、冷却プラットホーム102aの外縁の近くに配置されるが、これは、1冷却プラットホームの質量を最も大きく占める部分は、冷却プラットホーム102aの外縁の近くに存在するからであり、また、2冷却液パイプ120aを流れる冷却液は、入口128において最も冷たいからである。このようにして、最も冷たい冷却液が、冷却プラットホーム102aの質量を最も大きく占める部分を冷却する。冷却液パイプ120aの残りの部分は、図4Eに示される冷却プラットホーム102a’の渦巻状の冷却液パイプ120a’と異なり入口128から冷却プラットホーム102aに沿って出口130まで非渦巻状に曲がりくねって進む。すなわち、冷却液パイプ120aが、入口128から出口130まで曲がりくねって進むとき、冷却液パイプ120aは、直径が徐々により小さくなる一連の円形冷却液パイプ経路132a~132fを形成する。それぞれの冷却液パイプ経路132a~132fは、内部へ渦巻状に進む冷却液パイプと異なりそれの経路に沿って半径方向にほぼ等しい間隔で冷却プラットホーム102aを冷却する。それによって、冷却の均一性を増大させることができる。直径が徐々により小さくなる円形冷却液パイプ経路132a~132fを実現するために、冷却液パイプ120aは、一連の屈曲部134a~134eを備える図4C。本発明の少なくとも1つの実施形態においては、屈曲部134a~134eは、図4Cに示されるように出口130のすぐ近くに配置される。屈曲部134a~134eを出口130のすぐ近くに配置することは、以下で更に説明するように出口130のすぐ近くにより大きな冷却液パイプの表面積を提供することによって、冷却液が入口128から出口130まで流れるときに、冷却液が加熱されるのを補償することができる。屈曲部134a~134eは、例えば、楕円形であってもよい。曲げる量は、冷却液パイプ120aを流れる冷却液の流動抵抗を増加または減少させるように調整されてもよい。少なくとも1つの実施形態においては、冷却液パイプ120aは、冷却液パイプ120aの入口128および出口130を、それぞれ、マニホルド104の入力パイプ132および出力パイプ134にろう付けすることによって、マニホルド104に結合される図4A。冷却プラットホーム102b~102cの冷却液パイプ120b~120cは、同じように構成されてもよい。一実施形態においては、それぞれの冷却液パイプは、3/8インチの外径および0.475インチの内径の管から構成される。その他の寸法の管を用いてもよいより大きな流量を可能にするより大きな寸法の管のような。冷却プラットホーム102a~102cを冷却するために、水またはその他の何らかの冷却液が、圧力を加えて、マニホルド104の入力パイプ132に流し込まれる。例としての入力液圧には、60~80p.s.iが含まれるが、その他の液圧が、使用されてもよい。それぞれの冷却プラットホーム102a~102cの冷却液パイプ120a~120cの流動抵抗が、ほぼ等しいと仮定すると、マニホルド104の入力パイプ132へ供給される冷却液は、ほぼ同時に、かつ、ほぼ同じ流量で、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cに流れ込むはずである。それによって、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cおよび、リフトピン114a~114cによってその上に配置された何らかの半導体ウェーハを冷却することができる。冷却液パイプ120aおよび、冷却プラットホーム102b~102cの冷却液パイプ120b~120cに関しては、冷却液は、マニホルド104の入力パイプ132から冷却液パイプ120aの入口128へ流れ込み、冷却液パイプ120aを通り、出口130からマニホルド104の出力パイプ134へ流れ出る。図4Bおよび図4Cに示される実施形態においては、冷却液パイプ120aの入口128と出口130とは、お互いの近くに配置される。それによって、マニホルド104の横方向の大きさを減少させることができる。図4A~図4Cに示されるように、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cは、基本的には、円形であり、それによって、半導体基板の形状に合致し、かつ、冷却の均一性を増大させる。それぞれの冷却プラットホーム102a~102cのネック領域136a~136cは、マニホルド104と同じ幅を有してもよい図4Aおよび図4Cに示されるように。より小さいネック領域136a~136cは、より均一な冷却をもたらすことができるが、より小さいネック領域136a~136cは、また、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cを支持するのをより難しくすることに注意されたい。別の冷却プラットホームの形状を使用してもよい。図4Bに示されるように、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cは、マニホルド104に対してプラットホーム102a~102cを保持/位置合わせするためのロッド138a~138bを収容する孔図示しないを備えてもよい。ねじ、ボルト、または、その他の留め具図示しないが、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cをマニホルド104に取り付けるのに使用されてもよい例えば、それによって、冷却プラットホーム102a~102cとマニホルド104とは直角をなす。その他の締結技術が、同じように使用されてもよい。冷却プラットホーム102a~102cは、液体冷却ではなく空気冷却されてもよい。例えば、空気の流れを増加させるために、それぞれの冷却プラットホーム102a~102cの底部118a~118cを通気してもよい例えば、ヒートシンクパターンを用いて。図5に示される分解側面図を参照すると、本発明によるバルブアセンブリ213が、処理システム11内において使用されてもよく、または、チャンバCHの開口214を選択的に密封し、かつ、チャンバ開口214が密封されていないときに微粒子および/またはガスがチャンバCH内へ流れ込みおよび/またはチャンバCHから流れ出るのを防止する機構から恩恵を受ける何らかのツール内において使用されてもよい。バルブアセンブリ213は、密封されるべきチャンバ開口214の近くにアセンブリ213を結合するためのハウジング215を備えてもよい。ハウジング215は、少なくとも第1の開口217と、チャンバ開口214の近くに配置することのできる敷居部分219とを含み、その開口217を介して、基板をチャンバ開口214へ移送することができる。複数の入口220が、敷居部分219に形成され、チャンバ開口214を横切るガスのカーテンを供給するように構成されてもよい。ガスは、例えば、ガス供給源S例えば、窒素、アルゴン、または、それらに類似するもののような不活性ガスの供給源から供給されてもよい。わかりやすいように、1つの入口220だけがガス供給源Sに結合されているように示される。入口220は、例えば、ハウジング215の片側または両側に沿って配置されるなど、別の場所に配置されてもよい。図5に示されるように、密封面221が、ハウジング215に結合され、そのハウジング215に対して上昇および降下するように構成されてもよく、それによって、選択的に、1チャンバ開口214を密封し、2チャンバ開口214から元の位置へ後退する。更に、1つかまたはそれ以上の開口223真空ポンプPに結合されてもよいが、ハウジング215に提供され、それによって、その開口223を介して、ガス供給入口220から流れ込むガスを排気することができる。わかりやすいように、1つの入口223だけがポンプPに結合されているように示される。開口223は、例えば、ハウジング215の片側または両側に沿って配置されるなど、別の場所に配置されてもよい。一実施形態においては、ガス供給源Sは、省かれてもよく、そして、処理チャンバCHを開く前に、ハウジング215の内部領域が処理チャンバCHよりも低い圧力であることを保証するために、ハウジング215の内部領域が、ポンプPによって減圧されてもよい。それによって、微粒子が、開いた処理チャンバCHの中へ流れ込むのを防止することができる。更に、バルブアセンブリの排気開口223を介して、処理チャンバCH内に残っているかもしれないどんなガスをも吸い出すことができる。別の実施形態においては、真空ポンプPは、省かれ、ガス供給源Sだけが、使用されてもよい。バルブアセンブリ213の密封面221は、膨張式部材225に結合されてもよく、その膨張式部材225は、選択的に膨張および収縮することができ、それによって、密封面221をチャンバ開口214に選択的に押しつけ、そして、密封面221をチャンバ開口214に押しつけられた状態から元に戻すことができる。一実施形態においては、一対の密封面例えば、第1および第2の密封プレート221および227が、膨張式部材225の両側に配置されてもよく、それによって、膨張式部材225の膨張が、第1の密封プレート221をチャンバ開口214に押しつけ、かつ、第2の密封プレート227をハウジング215の開口217に押しつける。例として役に立つ密封面221および227、および、膨張式部材225が、2002年2月19日に発行された発明の名称がInflatableSlit/GateValve膨張式スリット/ゲートバルブである米国特許第6,347,918号および2000年7月8日に出願された発明の名称がVacuumAssistedDoorAssemblyバキュームアシステッドドアアセンブリである米国特許仮出願第60/216,918号に説明されており、それらの両方が、本発明による敷居部分219を含むように変更されてもよいバルブアセンブリを説明しており、これらの2つの特許は、その全てが、ここに、援用される。動作時、密封面221が、チャンバ開口214に接触した状態から元の位置へ後退するときにはいつも、不活性ガス例えば、ガス供給源Sからの窒素が、敷居部分219に形成された複数の入口220を介して、供給される。ガスの供給は、例えば、チャンバ開口214の密封を解除する直前に開始されてもよい。一実施形態においては、チャンバCH内における処理を制御するのに使用される場合もありあるいは使用されない場合もあるコントローラ229が、圧力検出器Dその中の1つだけが図5に示されるに結合され、その圧力検出器Dは、処理チャンバCHからおよび/またはバルブアセンブリ213の内部領域から圧力測定値を得る。また、コントローラ229は、バルブアセンブリ213の内部領域を減圧し、および/または、バルブアセンブリ213の内部領域へガスを供給するのを制御するために、ポンプPおよびガス供給源Sに結合されてもよい。コントローラ229は、バルブアセンブリ213の内部領域における圧力を調節してもよい例えば、内部領域に不活性ガスもしあればが流れ込む量よりも大きな吸い出し量でその領域を減圧することによって、それによって、汚染物質が、処理チャンバCHに入り込むのを防止し、および/または、それによって、もしかすると有害であるかもしれないチャンバガスが、それらが処理チャンバCHから流れ出るとすぐに、除去される。層流カーテンのガスが、絶え間なく、チャンバ開口214を横切って流れるように、入口220の直径および間隔が、ガスの流量とともに選択される。このように、入口220からのガス流は、すぐに、チャンバ開口214から流れ出るかもしれないあらゆる化学物質を排気装置例えば、開口223を介してへ運び出す。例えば、本発明によるバルブアセンブリ213が、処理システム11図1内において使用されると、処理チャンバ19a~19b内において使用される有害なあらゆる化学物質が移送チャンバ13に入り込むのを防止することができる。本発明によるスリットバルブアセンブリ213は、大気圧に維持されたまた、したがって、真空チャンバのように減圧およびパージがなされないチャンバと、処理チャンバが真空または大気圧において動作するにせよ、しないにせよ、有毒ガスを使用する処理チャンバ例えば、アンモニウムイオンを使用する窒化処理を行うチャンバとの間を密封するのに使用される場合にとりわけ有益である。例えば、バルブアセンブリ213の使用は、処理チャンバCHがドライ酸化処理を行う場合、好ましいかもしれない。入口220の数および出口223の数は、同じでなくてもよく、また、入口および/または出口は、適切などのような形状を有してもよい例えば、円形、正方形等。コントローラ229は、1バルブアセンブリ213の内部領域における圧力レベルを検出し例えば、検出器Dによって、2バルブアセンブリ213へのガスの流れを制御/調節し例えば、ガス供給源Sの圧力調整器、流量制御装置等図示しない、によって、および/または、3バルブアセンブリ213からガスを吸い出すのを制御/調節するために例えば、ポンプPの絞り弁図示しないによって、ポンプPの速度を変化させることによって等、1つかまたはそれ以上のコンピュータプログラムプロダクトを含んでもよい。ここで説明されるそれぞれのコンピュータプログラムプロダクトは、コンピュータが読み取ることのできる媒体に記録されてもよい例えば、搬送波信号、フロッピー登録商標ディスク、CD、DVD、ハードディスク、ランダムアクセスメモリー等。ハウジング215は、チャンバ開口214の近くに位置合わせするための開口を有する後壁部分両方とも図示しないを含んでもよく、あるいは、図5に示されるように、チャンバ壁が、ハウジング215の後壁の役割をなしてもよいことがわかる。上記の説明は、本発明の例としての実施形態を開示したにすぎず、この分野に通常の知識を有する者には、上述した装置および方法を本発明の範囲内において容易に変更することができる。したがって、本発明が、それの例としての実施形態に関連して開示されたが、その他の実施形態は、特許請求の範囲に規定される本発明の精神および範囲に含まれることを理解すべきである。"