基板と;この基板の表面上に形成された配線パターン層と;塗布工程、露光工程及び現像工程を含む一連の工程を複数回行うことにより前記配線パターン層上に形成された膜厚寸法が40μm以上の反射層と;前記配線パターン層に接続されて基板に実装された発光素子と;を具備することを特徴とする発光装置。前記配線パターン層は、銅又は銅合金から形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。装置本体と;この装置本体に配設された請求項1又は請求項2に記載の発光装置と;を具備することを特徴とする照明装置。しかしながら、上記のように基板の表面に白色のレジスト膜を形成して光を反射するようにした場合であってもLEDから出射された光の反射率が不足するという課題がある。本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、発光素子から出射される光の反射率を向上するとともに、基板上に反射層を安定して形成することが可能な発光装置及びこの発光装置を配設した照明装置を提供することを目的とする。本発明の実施形態による発光装置は、基板と、この基板の表面上に形成された配線パターン層とを備えている。また、塗布工程、露光工程及び現像工程を含む一連の工程を複数回行うことにより前記配線パターン層上に膜厚寸法が40μm以上の反射層が形成されている。さらに、前記配線パターン層に接続されて基板に実装された発光素子を備えている。本発明の実施形態によれば、発光素子から出射される光の反射率を向上できるとともに、基板上に反射層を安定して形成することが可能な発光装置及びこの発光装置を配設した照明装置を提供することができる。以下、本発明の実施形態について図1乃至図12を参照して説明する。図1は、照明装置として天井に埋め込んで使用されるダウンライトを示している。図2乃至図6は、ダウンライトに配設される発光装置を示し、図7乃至図11は、発光装置における基板に反射層を形成するプロセスを示し、図12は、反射層の膜厚と反射率との関係を示している。ダウンライト1は、図1に示すように、装置本体2と、この装置本体2に連結される図示しない電源ユニットとを有する。装置本体2は、熱伝導性を有してほぼ筒状に形成されている。この装置本体2は、装置本体2の内側に取付けられた配光部材3と、同じく本体2の内側に配設された発光装置4と、この発光装置4の前面側に設けられた反射体5と、この反射体5の前面側に配設された透光性のカバー6とを備えている。また、本体2の外周側には、一対の取付け用板ばね7が装着されている。なお、透光性のカバー6は、透光性を有していれば、白色、半透明又は拡散性を有するものであってもよい。装置本体2は、内周面が前面側、すなわち、下方に向かって広がる傾斜状に形成されている。本体2は、熱伝導性の良好な材料、例えば、アルミニウム合金製のダイカストで形成されている。本体2の外面は、白色のメラミン樹脂系塗料によって焼付塗装されている。なお、熱伝導性を確保できれば、本体2は、他の材料で形成してもよい。また、本体2の外面には、鉛直方向に延びる複数の放熱フィン2aが形成されている。配光部材3は、本体2の内周面に沿うように形成されている。つまり、本体2の内周面と同様に、前面側に向かって広がる傾斜状に形成されている。配光部材3は、熱伝導性を有する例えば、鉄板等の金属材料で形成されている。配光部材3の内周面は、白色のメラミン樹脂系塗料によって焼付塗装されている。配光部材3には、前面側に向かうに従い広がったほぼ円形の開口端部に、化粧枠として外周方向に延びる環状のフランジ3aが一体に形成されている。次に、図2に示すように、発光装置4は、基板41と、この基板41に実装された複数の発光素子42とを備えている。基板41は、ほぼ円形の板状をなし、表面側には、光源となる発光素子42が複数個実装されている。具体的には、中央部に4個、その周囲に8個、さらに最外周に14個の合計26個が実装されている。また、基板4は、本体2と熱的に結合されるようになっている。基板41には、各発光素子42の放熱性を高めるうえで、アルミニウム等の熱伝導性が良好で放熱性に優れた金属材料をベース板として適用するのが好ましい。このような基板41として、図6に示すように、アルミニウム製のべース板41aの一面に絶縁層41bが積層された金属製のべース基板が用いられている。なお、ベース板の材料は、絶縁材とする場合には、ガラスエポキシ樹脂FR-4やガラスコンポジット基板CEM-3等の合成樹脂材料を適用できる。発光素子42は、LEDであり、表面実装型のLEDパッケージである。概略的にはセラミックスや耐熱性の合成樹脂で形成された本体に配設されたLEDチップと、このLEDチップを封止するエポキシ系樹脂やシリコーン樹脂等のモールド用の透光性樹脂とから構成されている。LEDチップは、青色光を発光する青色のLEDチップである。透光性樹脂には、蛍光体が混入されており、白色光を出射できるようにするために、青色の光とは補色の関係にある黄色系の光を放射する黄色蛍光体が使用されている。なお、LEDは、基板に直接LEDチップを実装する方式のものであってもよく、実装方式や形式は、格別限定されるものではない。図3乃至図6を参照して基板41の構成を詳細に説明する。基板41は、図6に示すように、ベース板41aの一面に絶縁層41bが積層され、その上に配線パターン層41cが積層され、さらに、その上に反射層41dが積層されて形成されている。図3は、基板41における配線パターン層41cを示している。配線パターン層41cは、ほぼ中央部に円形状をなすように銅箔のパターンがエッチングによって形成されている。なお、配線パターン層41cの領域の外周には熱伝導パターン層41eが配線パターン層41cと同時に銅箔によって形成されており、絶縁層41b上は、配線パターン層41c及び熱伝導パターン層41eによってほぼ全面が覆われている。配線パターン層41cの領域は、発光素子42の実装個数に対応して複数のブロックに区画されていて、発光素子42のアノード側端子及びカソード側端子がブロックを跨って接続されるようになっている。配線パターン層41cは、発光素子42から発生する熱を拡散するヒートスプレッダとしての機能を有している。したがって、配線パターン層41cは、各発光素子42が発生した熱を放熱させた場合に、基板41上の温度分布がだいたい均一になるように各ブロックの面積が設定されている。熱伝導パターン層41eは、配線パターン層41cの円形状の領域の外周に沿うように形成されている。また、絶縁距離を確保するため、配線パターン層41cの領域とは、所定の距離を空けて形成されている。前記配線パターン層41cは、発光素子42が接続され電気的に導通されるパターン層であるのに対し、この熱伝導パターン層41eは、電気的には接続されない非導通のパターン層である。図4は、基板41において、配線パターン層41c及び熱伝導パターン層41e上に反射層41dが形成された状態を示している。反射層41dは、各発光素子42が実装され端子が接続される部分やコネクタが接続される部分を除いてほぼ全面に亘って形成されている。つまり、各発光素子42が実装され端子が接続される部分やコネクタが接続される部分は、配線パターン層41cが表面上に露出する状態となっている。反射層41dは、具体的には、白色のフォトソルダータイプのレジストインキ材料を用いて形成したものであり、光の反射率が良好な白色のレジスト層である。このレジスト層は、膜厚寸法が約40μmに形成されている。図5は、配線パターン層41cと発光素子42との位置関係を示すため、説明上、発光素子42を1個のみ実装した状態を示している。発光素子42は、図6を併せて参照して示すように、配線パターン層41cのブロック間に跨ってアノード側端子及びカソード側端子が配線パターン層41cに符号Sで示す半田付けされて接続される。再び図1に示すように、基板41の表面側には、白色のポリカーボネートやASA樹脂等によって形成された反射体5が配設されている。反射体5は、発光素子42から放射される光を発光素子42ごとに個別に配光制御し、効率的に照射する機能をなしている。一方、配光部材3は、前面側に向かって広がる傾斜状の形態によって、複数の発光素子42から出射される光を全体的に配光制御する機能を有する。例えば、グレアを抑制する機能を有する。次に、図7乃至図11を参照して前記反射層41dの形成方法について説明する。図7乃至図11は、形成工程を模式的に示した説明図である。本実施形態では、白色のフォトソルダータイプのレジストインキ材料を用いて塗布工程、プレキュア工程、露光工程、現像工程、ポストキュア工程の一連の工程を2回行い膜厚寸法が40μm以上の反射層41dを形成する。[塗布工程]図7に示すように、レジストインキRを配線パターン層41c上、すなわち、基板41の全面に印刷によって塗布する。[プレキュア工程]約80°Cの熱で20~30分程度加熱して仮乾燥する。[露光工程]図8に示すように、ネガフィルムFを通して基板41の表面に紫外線UVを照射する。紫外線UVが照射された部分のレジストインキRは、硬化するようになる。したがって、紫外線UVが照射されない部分図示のハッチング部分は、未硬化部分となる。[現像工程]図9に示すように、現像液で未硬化部分を洗い流す。[ポストキュア工程]約150°Cの熱で50~60分程度加熱して本乾燥する。以上のように第1段の工程が終了する。この状態では、各発光素子42が実装され端子が接続される部分やコネクタが接続される部分を除いてほぼ全面に亘って膜厚寸法が約20μmのレジスト層41d1が形成される。続いて、第1段の工程が終了した図9に示す状態から、再度第2段の工程として上記塗布工程、プレキュア工程、露光工程、現像工程、ポストキュア工程の一連の工程を繰り返して行う。この場合、第2段の工程によって第1段の工程と同等の膜厚寸法が約20μmのレジスト層41d2を形成する。したがって、図10に示すように、第1段の工程と第2段の工程とによって膜厚寸法が約40μmの反射層41dが形成される。なお、第1段の工程と第2段の工程との膜厚寸法を同等にすることにより、反射層41dにおける品質のバランスを確保することができる。この状態では、各発光素子42が実装され端子が接続される部分やコネクタが接続される部分を除いてほぼ全面に亘って膜厚寸法が40μmの反射層41dが形成される。図11に示すように、上述の反射層41dの形成工程においては、第1段の工程による露光領域と第2段の工程による露光領域とは、若干異なっている。つまり、第1段の工程においては、図11aに示すように、レジスト層の未硬化の部分配線パターン層41cが露出する部分A1が形成される。これに対して第2段の工程では、第1段の工程において形成されたレジスト層41d1の上にレジスト層41d2が積層されるようになるが、この場合、図11bに示すように、レジスト層の未硬化の部分A2は、第1段の工程におけるレジスト層の未硬化の部分A1より一回り大きく形成されるようになっている。このため、第2段の工程における露光工程において、ネガフィルムFと基板41との間に位置ずれが生じたとしても、このずれを吸収することが可能で、第1段の工程で形成されたレジスト層の未硬化の部分の領域を狭めることなく確保することが可能となる。つまり、各発光素子42の端子が接続される配線パターン層41cの領域を確実に確保することが可能となる。次に、本発明者は、図12に示すように、反射層41dの膜厚寸法と光の反射率との関係を調べた。図において、横軸は、膜厚寸法μmを示し、縦軸は、反射率を示している。対象とする光の波長は、450nm、550nm、650nm、D65標準光源である。図から分かるように、各波長において、膜厚20μm~40μmまでは反射率は比較的急峻に上昇し、膜厚が40μmを超えるとなだらかな上昇となっている。また、膜厚が40μm以上では、全ての波長において反射率が90以上となっており、反射率が良好で向上できることが確認できる。したがって、反射率との関係において、反射層41dの膜厚寸法を40μm以上に形成するのが好適となる。このように反射率を向上できるのは、反射層41dを40μm以上とすることにより、配線パターン層41cの影響を受けにくくなるためであると考えられる。つまり、配線パターン層41cは、銅箔で形成されており、この赤みを帯びた色彩が反射層41dである白色のレジスト層によって覆われ、この色彩の影響が抑制されるためであると考えられる。仮に、例えば、反射層41dを20μmの膜厚寸法に形成した場合には、配線パターン層41cの色彩が反射層41dを透過して影響し、反射率を低下させるものとなる。ところで、反射層41dを1回の工程によって40μm以上の膜厚寸法に形成することが考えられる。これを図13を参照して説明する。図は、40μmの反射層41dを1回の工程によって形成した場合を示している。この場合、反射層41dレジスト層の膜厚が厚いため露光工程において紫外線UVが下層部に届きにくく、硬化が不十分となる。したがって、レジスト層の断面においてアンダーカットUが生じ現像工程の際、レジスト層が基板41上から剥がれやすくなるという問題が発生する。しかしながら、本実施形態においては、反射層41dを2回に分けて、膜厚寸法を20μmずつ形成するようにしたので、基板41上から剥がれにくく、基板41上に反射層41dを安定して塗布形成することが可能となる。なお、反射層41dの形成工程における温度や時間等の条件は、適宜設計に応じて選定することができる。また、一連の工程の回数は、2回が好適であるが3回以上の複数回とすることを妨げるものではない。さらに、上記では、ネガフィルムFを用いたネガ型によってレジスト層を形成する場合について説明したが、ポジフィルムを用いてポジ型によってレジスト層を形成するようにしてもよい。図示しない電源ユニットは、電源回路基板を有し、この基板には制御用IC、トランス、コンデンサ等の電気部品が実装されている。電源回路基板は、発光装置4に電気的に接続されていて、電源から電源回路基板を介して発光素子42に電力が供給され、発光素子42が点灯制御されるようになっている。以上のような構成において、電源ユニットに通電されると、基板41に電力が供給されることによって、発光素子42が発光する。各発光素子42から出射された光の多くは、透光性のカバー6を透過して前面側に照射される。また、各発光素子42から出射された光のうち、基板41面の方向に向かう光は、基板41の反射層41dに効率的に反射されて前面側に照射される。さらに、一部の光は、各発光素子42に対応する反射体5の各反射面で一旦反射されることによって配光制御され、透光性のカバー6を透過して前面側に照射される。さらに、この前面側に照射された光は、配光部材3によって全体的に配光制御されて照射される。発光素子42から発生する熱は、主として基板41の裏面側から本体2へ伝わる。この熱は、本体2の端の方まで全体へ伝導されるとともに、伝導する過程で放熱フィン2aから放熱される。以上のように本実施形態によれば、反射層41dを形成したので、発光素子42から出射される光の反射率を向上することができる。また、基板41上に反射層41dを安定して塗布形成することが可能な発光装置及びこの発光装置を配設した照明装置を提供することができる。なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されることなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、照明装置としては、ダウンライトに限らず、屋内又は屋外で使用される各種照明器具やディスプレイ装置等に適用可能である。