"式Iで表される塩。[式I中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。L1は、炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。L2は、炭素数1~6の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。環Wは、炭素数3~36の2価の脂肪族環を表し、該脂肪族環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、該脂肪族環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。sは、互いに独立に、0~3の整数を表す。tは、互いに独立に、0~2の整数を表す。R1は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。R1が複数存在する場合は、互いに同一でも異なっていてもよい。R2は、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、炭素数2~7のアシル基、炭素数2~7のアルコキシカルボニル基、炭素数2~7のアルコキシアルキル基又はグリシジル基を表す。R2が複数存在する場合、互いに同一でも異なっていてもよい。Zは、有機対イオンを表す。]前記環Wが、式Ia1-1で表される環、式Ia1-2で表される環又は式Ia1-3で表される環である請求項1記載の塩。[式Ia1-1、式Ia1-2及び式Ia1-3中、環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]前記L1が、-CO-O-CH2u-uは0~6の整数を表す。は、-CQ1Q2-との結合手を表す。である請求項1又は2記載の塩。前記L2が、-CO-O-CH2v-vは0~4の整数を表す。は、環Wとの結合手を表す。である請求項1~3のいずれか記載の塩。前記Zが、アリールスルホニウムカチオンである請求項1~4のいずれか記載の塩。請求項1~5のいずれか記載の塩を有効成分として含有する酸発生剤。請求項6記載の酸発生剤と樹脂とを含有し、該樹脂は酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であるレジスト組成物。さらに塩基性化合物を含有する請求項7記載のレジスト組成物。1請求項7又は8記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程及び5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来から知られる上記酸発生剤を含むレジスト組成物を、ArF用、KrF用及びEUV用レジスト組成物として用いても、得られるレジストパターンのフォーカスマージンDOFが必ずしも十分に満足できない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式Iで表される塩。[式I中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。L1は、炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。L2は、炭素数1~6の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。環Wは、炭素数3~36の2価の脂肪族環を表し、該脂肪族環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、該脂肪族環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。sは、互いに独立に、0~3の整数を表す。tは、互いに独立に、0~2の整数を表す。R1は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。R1が複数存在する場合は、互いに同一でも異なっていてもよい。R2は、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、炭素数2~7のアシル基、炭素数2~7のアルコキシカルボニル基、炭素数2~7のアルコキシアルキル基又はグリシジル基を表す。R2が複数存在する場合、互いに同一でも異なっていてもよい。Zは、有機対イオンを表す。]2前記環Wが、式Ia1-1で表される環、式Ia1-2で表される環又は式Ia1-3で表される環である前記1記載の塩。[式Ia1-1、式Ia1-2及び式Ia1-3中、環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]3前記L1が、-CO-O-CH2u-uは0~6の整数を表す。は、-CQ1Q2-との結合手を表す。である前記1又は前記2記載の塩。4前記L2が、-CO-O-CH2v-vは0~4の整数を表す。は、環Wとの結合手を表す。である前記1~前記3のいずれか記載の塩。5前記Zが、アリールスルホニウムカチオンである前記1~前記4のいずれか記載の塩。6前記1~前記5のいずれか記載の塩を有効成分として含有する酸発生剤。7前記6記載の酸発生剤と樹脂とを含有し、該樹脂は酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であるレジスト組成物。8さらに塩基性化合物を含有する前記7記載のレジスト組成物。91前記7又は前記8記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明の塩は、レジスト組成物の酸発生剤として用いることにより、ArF用、KrF用及びEUV用レジスト組成物として、優れたフォーカスマージンDOFを有するレジストパターンを製造することができる。本発明の塩は、レジスト組成物の酸発生剤として用いることにより、電子線用及びEUV用レジスト組成物として、優れたラインエッジラフネスLERを有するレジストパターンを製造することができる。本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。直鎖状、分岐状又は環状をとることができるものは、そのいずれをも含み、かつそれらが混在していてもよい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。また、は結合手を表す。炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の双方を含み、特に定義しない限り、鎖式及び脂環式の脂肪族炭化水素基が組み合わせられたものをも包含する。また、これら脂肪族炭化水素基は、その一部に炭素-炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基が好ましい。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち1価のものとしては、典型的にはアルキル基が挙げられる。アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられる。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち2価のものとしては、アルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基及びプロパン-2,2-ジイル基、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等が挙げられる。環式の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基というは、典型的には、シクロアルキル基を意味し、以下に示す単環式及び多環式のいずれをも包含する。脂環式炭化水素基のうち1価のものとして、単環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-1~KA-7で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。多環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-8~KA-22で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。脂環式炭化水素基のうち2価のものとしては、式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基などが挙げられる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などが挙げられる。アルキルチオ基としては、アルコキシ基の酸素原子が硫黄原子に置き換わったものが挙げられ、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基及びドデシルチオ基などが挙げられる。アシル基としては、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキサノイル基C6、ヘプタノイル基C7、オクタノイル基C8、デカノイル基C10及びドデカノイル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの、ベンゾイル基C7などのアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などが挙げられる。アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基C6、ナフチルオキシ基C10、アントニルオキシ基C14、ビフェニルオキシ基C12、フェナントリルオキシ基C14及びフルオレニルオキシ基C13などのアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、典型的には、アリール基が挙げられる。アリール基としては、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントリル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などが挙げられる。芳香族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基は、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。飽和炭化水素基とは、上述した脂肪族炭化水素基のうち飽和のもの、つまり、上述した鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基のうち飽和のものを意味する。また、飽和炭化水素基も、脂肪族炭化水素基と同様の置換基を有していてもよい。また、メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種及びアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。式Iで表される塩本発明の塩は、式Iで表される以下塩Iという場合がある。[式I中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。L1は、炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。L2は、炭素数1~6の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。環Wは、炭素数3~36の2価の脂肪族環を表し、該脂肪族環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、該脂肪族環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。sは、互いに独立に、0~3の整数を表す。tは、互いに独立に、0~2の整数を表す。R1は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。R1が複数存在する場合は、互いに同一でも異なっていてもよい。R2は、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、炭素数2~7のアシル基、炭素数2~7のアルコキシカルボニル基、炭素数2~7のアルコキシアルキル基又はグリシジル基を表す。R2が複数存在する場合、互いに同一でも異なっていてもよい。Zは、有機対イオンを表す。]以下の説明において、塩Iのうち、正電荷を有するZで示される有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。ペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。2価の飽和炭化水素基としては、直鎖及び分岐のアルカンジイル基、単環式又は多環式の2価の脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。式Iにおいて、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子であることが好ましく、ともにフッ素原子であることがより好ましい。L1で表される飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、以下の式b1-1~式b1-7のいずれかで示される基が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-7は、その左右を式Iに合わせて記載しており、それぞれで示される2つの結合手のうち、左側の結合手はCQ1Q2の炭素原子と結合している。以下の式b1-1~式b1-7の具体例も同様である。式b1-1~式b1-7中、Lb2は、単結合又は2価の炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は2価の炭素数1~12の飽和炭化水素基を表す。Lb4は、2価の炭素数1~13の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、2価の炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。Lb6は、単結合又は2価の炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。Lb7は、2価の炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、2価の炭素数1~14の飽和炭化水素基を表す。Lb9は、単結合又は2価の炭素数1~11の飽和炭化水素基を表す。Lb10は、2価の炭素数1~12の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。Lb11は、単結合又は2価の炭素数1~13の飽和炭化水素基を表す。Lb12は、2価の炭素数1~14の飽和炭化水素基を表す。但しLb11及びLb12の合計炭素数の上限は14である。L1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで示される基であり、より好ましくは式b1-1又は式b1-3で示される基であり、さらに好ましくは式b1-1で表される基である。なかでも、Lb2が単結合又は炭素数1~6の飽和炭化水素基である式b1-1で表される2価の基、即ち-CO-O-CH2u-uは0~6の整数を表し、は、-CQ1Q2-との結合手を表すであることが好ましく、単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基、即ち-CO-O-がより好ましい。式b1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-7で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。L2の飽和炭化水素基におけるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、-CO-O-、-CO-O-CH2v-vは0~4の整数を表す、-CO-O-CH2-、-O-CO-、-O-CH2-CO-O-、-O-CO-CH2-O-、-O-CH2-CO-O-CH2-、-O-CO-CH2-O-CH2-、-O-CH2-CH2-O-等が挙げられ、なかでも、L2としては、単結合又は-CO-O-CH2v-vは0~4の整数が好ましい。環Wで表される脂肪族環としては、式Ia1-1で表される環、式Ia1-2で表される環又は式Ia1-3で表される環が好ましい。[式Ia1-1、式Ia1-2及び式Ia1-3中、各環を構成しているメチレン基は酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]それぞれ式Ia1-1、式Ia1-2及び式Ia1-3で表される環において、環に含まれる水素原子が置換されていてもよい炭素数3~12の脂環式炭化水素基としては、下記に示す基等が好ましい。それぞれ式Ia1-1、式Ia1-2及び式Ia1-3で表される環において、各環に含まれる水素原子が置換されていてもよい炭素数6~10の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基等が好ましい。R1の脂肪族炭化水素基としては、好ましくはアルキル基及び脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせた脂肪族炭化水素基でもよい。例えば、これらの基のうち2種以上を組み合わせた脂肪族炭化水素基としては、以下に示す基などが好ましい。R1の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換えられる場合、その個数は最大2個程度である。例えば、下記に示す基などが挙げられる。R2におけるアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基などが挙げられる。アルコキシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシエチル基などが挙げられる。塩Iを構成するスルホン酸アニオンとしては、以下のものが挙げられる。Zで表される有機対イオンとしては、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、有機ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオン等の有機オニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。Zで表される有機対イオンとしては、以下の式b2-1~式b2-4のいずれかで表される有機対イオン以下、それぞれカチオンb2-1、カチオンb2-2、カチオンb2-3及びカチオンb2-4という場合があるである。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。Rb4、Rb5及びRb6から選ばれる2つが一緒になって、イオウ原子を含む環を形成してもよい。Rb4、Rb5及びRb6から選ばれる2つが一緒になって形成してもよい環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、イオウ原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上のイオウ原子及び/又は1以上の酸素原子を含んでいてもよい。該環としては、炭素数3~18の環が好ましく、炭素数4~13の環がより好ましい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。m2が2以上である場合、複数のRb7は互いに同一であっても異なってもよく、n2が2以上である場合、複数のRb8は互いに同一であっても異なってもよい。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。該アルキル基の炭素数は1~12が好ましい。該脂環式炭化水素基の炭素数は4~12が好ましい。Rb12は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10及び/又はRb11とRb12は、それぞれ独立に、互いに結合して、それらが結合している原子とともに3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一であっても異なってもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一であっても異なってもよく、s2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一であっても異なってもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一であっても異なってもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては、例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。好ましいアルキル基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基である。好ましい脂環式炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基である。好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基である。水素原子が芳香族炭化水素基で置換されたアルキル基としては、例えばベンジル基等のアラルキル基等が挙げられる。Rb9とRb10とが互いに結合して、それらが結合する硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環等が挙げられる。Rb11とRb12とが互いに結合して、それらが結合するメチン基及びカルボニル基それぞれの炭素原子とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環等が挙げられる。式b2-1~式b2-4でそれぞれ表される有機対イオンとしては、具体的には、特開2010-204646号公報に記載されたカチオンが挙げられる。上述の有機対イオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機対イオン以下、カチオンb2-1-1という場合があるがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基であるがさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表し、Rb19、Rb20及びRb21から選ばれる2つが一緒になって単結合、-O-又は炭素数1~4の2価の脂肪族炭化水素基を表し、イオウ原子を含む環を形成してもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一でも異なってもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なってもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なってもよい。式b2-1-1では、アルキル基は、炭素数1~12が好ましく、アルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。また、脂環式炭化水素基は、炭素数4~18が好ましく、脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基である。カチオンb2-1-1としては、以下のカチオンが挙げられる。カチオンb2-1-1のうち、イオウ原子を含む環が形成されたカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-1のうち、イオウ原子を含む環が形成されたカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-2としては、以下のカチオンが挙げられる。カチオンb2-3としては、以下のカチオンが挙げられる。塩Iは、スルホン酸アニオン及び有機対イオンの組合せである。これらスルホン酸アニオンと有機対イオンとは任意に組み合わせることができる。塩Iとしては、例えば、下記表1~4記載の塩が挙げられる。なかでも以下に示す塩が好ましい。塩Iが、例えば、式b1で表される塩式IにおけるL1が-CO-O-は、-CQ1Q2-との結合手を表す及びL2が-CO-O-CH2-は、環Wとの結合手を表すである塩である場合、式b1-aで表される塩と式b1-bで表される化合物とを、溶媒中で反応させることにより、製造することができる。溶媒としては、アセトニトリルなどが挙げられる。式中、Q1、Q2、W、R1、R2、s、t及びZは、それぞれ上記と同じ意味を表す。式b1-aで表される塩は、式b1-cで表される塩と式b1-dで表される化合物とを、溶媒中で反応させることにより得ることができる。溶媒としては、アセトニトリルなどが挙げられる。式b1-cで表される塩は、例えば、特開2008-13551号公報に記載された方法で合成することができる。式b1-bで表される塩は、式b1-eで表される化合物と式b1-fで表される化合物とを、溶媒中で反応させることにより得ることができる。溶媒としては、クロロホルムなどが挙げられる。式b2-fで表される化合物としては、例えば、1-ナフタレンメタノールなどが挙げられる。式b1-eで表される化合物は、式b1-gで表される化合物と式b1-dで表される化合物とを、溶媒中で反応させることにより得ることができる。溶媒としては、クロロホルムなどが挙げられる。式b1-gで表される化合物としては、例えば、3-ヒドロキシ-1-アダマンタンカルボン酸などが挙げられる。酸発生剤本発明の酸発生剤は、塩Iを含有する。塩Iは、酸発生剤として使用する時、単独でも複数種を同時に用いてもよい。また、本発明の酸発生剤は、さらに、塩I以外の、酸発生剤として公知の塩例えば、塩Iに含まれる有機対イオン及び公知のアニオン塩Iに含まれるスルホン酸アニオン以外のアニオンからなる塩並びに塩Iに含まれるスルホン酸アニオン及び公知のカチオン塩Iに含まれる有機対イオン以外のカチオンからなる塩等を含んでいてもよい。以下、本発明の酸発生剤に含まれる塩I以外の塩を酸発生剤Bという場合がある。塩Iと併用する酸発生剤Bとしては、例えば、それぞれ式B1-1~式B1-17で表される塩が挙げられる。中でもトリフェニルスルホニウムカチオン、トリトリルスルホニウムカチオンを含む塩が好ましく、式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-7、式B1-11、式B1-12、式B1-13及び式B1-14でそれぞれ表される塩がさらに好ましい。本発明の酸発生剤が塩Iと酸発生剤Bとを含む場合、塩Iの含有量は、酸発生剤全量100質量部に対して、好ましくは10質量部以上より好ましくは30質量部以上、好ましくは90質量部以下より好ましくは70質量部以下である。レジスト組成物本発明のレジスト組成物は、本発明の酸発生剤と樹脂とを含む。さらに、本発明のレジスト組成物は、溶剤及び/又は塩基性化合物を含有することが好ましい。<樹脂以下、樹脂Aという場合がある>樹脂Aは、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸との作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である。酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。このような樹脂Aは、分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されているものであり、樹脂Aが酸と接触すると該保護基が脱離して、親水性基が生成することにより、樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶な樹脂となる。該保護基により保護されている親水性基を、以下酸不安定基という場合がある。親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。<モノマーa1>樹脂Aは、酸不安定基を有するモノマー以下、モノマーa1という場合があるを重合することによって製造できる。かかる重合の際には、モノマーa1を1種のみ使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、該カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、オキシ基と結合する該有機残基の炭素原子が第三級炭素原子である基すなわち第三アルコールのエステルが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は、例えば、以下の式1で表されるもの以下、場合により酸不安定基1というである。式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ra1及びRa2は互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Ra1及びRa2が互いに結合して形成される環、該アルキル基又は該脂環式炭化水素基がメチレン基を有する場合、そのメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。式1においては、Ra1~Ra3の脂環式炭化水素基は、炭素数1~16が好ましい。-CRa1Ra2Ra3におけるRa1及びRa2が互いに結合して形成する環としては、下記に示すものが挙げられる。このような環は、好ましくは炭素数3~12である。酸不安定基1の具体例は、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブトキシカルボニル基であると好ましい。、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造又はケタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は、例えば、以下の式2で表されるもの以下、場合により酸不安定基2というである。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、或いは、Rb2及びRb3は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Rb2及びRb3は互いに結合して形成される環又は該炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。式2においては、Rb1及びRb2のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。酸不安定基2の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸不安定基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーである。モノマーa1は好ましくは、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2と、炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーであり、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2とメタアクリル基とをともに分子内に有するモノマーであり、さらに好ましくは、より好ましくは酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーである。酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の脂肪族環を有するものが好ましい。このような立体的に嵩高い脂肪族環を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂Aを含むレジスト組成物を用いてレジストパターンを製造すれば、より良好なフォーカスマージンDOFでレジストパターンを製造することができる。脂肪族環を部分構造とする酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー以下、モノマーa1-1という場合がある。及び式a1-2で表されるモノマー以下、モノマーa1-2という場合がある。が好ましい。樹脂Aを製造する際、これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n1’は0~3の整数を表す。なお、式a1-1においてアダマンタン環にある-CH3m1の表記は、アダマンタン環に含まれるメチレン基及び/又はメチン基の水素原子が、メチル基に置き換わっており、アダマンタン環に結合しているメチル基の個数がm1個であることを意味する。式a1-1及び式a1-2においては、La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は-O-CH2f1-CO-O-但し、f1は1~4の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。で表される基であり、より好ましくは酸素原子である。f1は、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基等が好ましい。これらのアルキル基は、好ましくは炭素数6以下の基である。Ra6又はRa7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下であり、より好ましくは6以下である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1’は好ましくは0又は1である。は、アダマンタン環又はシクロヘキサン環との結合手を表す。式a1-1で表されるモノマーとしては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a1-1-1~a1-1-6で表されるモノマーが好ましく、下式a1-1-1~a1-1-3で表されるモノマーがより好ましい。式a1-2で表されるモノマーとしては、例えば、1-エチルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレート、1-エチルシクロヘプタン-1-イルメタアクリレート、1-メチルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート、1-イソプロピルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート等が挙げられる。下式a1-2-1~a1-2-6で表されるモノマーが好ましく、下式a1-2-3~a1-2-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a1-2-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂Aをモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2を用いて製造する場合、得られる樹脂Aの全構造単位を100モルとしたとき、これらモノマーに由来する構造単位の含有量の合計は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲が一層好ましい。モノマーa1-1に由来する構造単位及び/又はモノマーa1-2に由来する構造単位の含有量の合計を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対するモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2の使用量を調整すればよい。さらに、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーとして例えば、以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、モノマーa1-3という場合がある。が挙げられる。Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、カルボキシ基、シアノ基又は-COORa13を表す。Ra13は、炭素数1~8のアルキル基、炭素数3~20の脂環式炭化水素基又は炭素数1~8のアルキル基と炭素数3~20の脂環式炭化水素基とからなる基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Ra10~Ra12は、それぞれ独立に、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ra10及びRa11が互いに結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成しており、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基等で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。ヒドロキシ基を有していてもよいアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。式a1-3においては、Ra9として、好ましくは、水素原子である。Ra10及びRa11が互いに結合して形成される環として、好ましくは、脂肪族環であり、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環等がより好ましい。モノマーa1-3としては、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチル等が挙げられる。モノマーa1-3を用いて樹脂Aを製造した場合、この樹脂Aにはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになる。この構造単位を有する樹脂Aを含むレジスト組成物を用いてレジストパターンを製造することにより、より良好なフォーカスマージンDOFでレジストパターンを得ることができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂Aの主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、樹脂Aを含むレジスト組成物から得られるレジストパターンは、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。良好なフォーカスマージンDOFでレジストパターンを製造でき、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという観点から、樹脂Aの全構造単位100モルに対する、モノマーa1-3に由来する構造単位の含有量は10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2と炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーとしては、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という場合がある。を用いてもよい。[式a1-4中、Ra32は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33は互いに同一であっても異なってもよい。Ra34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基-SO2-又は-NRc-で表される基で置き換わっていてもよい。ここで、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基の各々に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。]ハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基及びトリヨードメチル基などが挙げられる。式a1-4においては、アルキル基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましい。脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカンー1-イル基及びイソボルニル基等が好ましい。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニル等が好ましい。特に、Ra32及びRa33としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra33としては、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。Ra34及びRa35としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基及びイソボルニル基等が好ましい。Xa2及びYa3の置換基としては、好ましくはヒドロキシ基である。モノマーa1-4としては、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。さらに、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とを分子内に有する他の構造単位を誘導するモノマーを用いてもよい。このようなその他の酸不安定モノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aが、その他の酸不安定モノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、好ましくは10~95モルの範囲であり、より好ましくは15~90モルであり、さらに好ましくは20~85モルである。<酸安定モノマー>樹脂Aとしては、モノマーa1に加えて、酸不安定基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるを用いて得られる共重合体であることが好ましい。また、レジスト組成物に用いる添加物として、酸安定モノマーから得られる樹脂を用いてもよい。酸安定モノマーを併用して樹脂Aを製造する場合、モノマーa1の使用量を基準にして、酸安定性モノマーの使用量を定めるとよい。モノマーa1の使用量と酸安定モノマーの使用量の割合は、モノマーa1/酸安定モノマーで表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に、モノマーa1-1を、モノマーa1に用いる場合、該モノマーa1の使用量の総量100モルに対して、アダマンチル基を有するモノマーの使用量を15モル以上とすることが好ましい。これにより、樹脂Aを含むレジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を分子内に有するものが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa2という場合がある。及び/又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa3という場合がある。に由来する構造単位を有する樹脂Aは、樹脂Aを含むレジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜又は塗布膜から得られる組成物層と基板との間の密着性に優れる。また、良好なフォーカスマージンDOFで、レジストパターンを製造することができる。<酸安定モノマーa2>酸安定モノマーa2を樹脂Aの製造に用いる場合、樹脂Aを含むレジスト組成物からレジストパターンを得る際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定モノマーa2を1種又は2種以上用いることができる。例えば、レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光波長:248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合には、酸安定モノマーa2として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0例えば、ヒドロキシスチレン類等を樹脂Aの製造に用いることが好ましい。一方、短波長のArFエキシマレーザ露光波長:193nmを用いる場合は、酸安定モノマーa2として、後述の式a2-1で表される酸安定モノマーを樹脂Aの製造に用いることが好ましい。酸安定モノマーa2としては、の式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマー以下、酸安定モノマーa2-0という場合がある。が挙げられる。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は互いに同一であっても異なってもよい。]式a2-0においては、ハロゲン原子を有していてもよいアルキル基は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。アルコキシ基としては、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0がさらに好ましい。このような酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する共重合樹脂は、該当するメタアクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン及び又は他の重合性モノマーとをラジカル重合した後、塩基によって脱アセチルすることによって得ることができる。酸安定モノマーa2-0としては、例えば、特開2010-204634号公報に記載されたモノマーが挙げられる。なかでも、式a2-0-1及びa2-0-2で表されるモノマーが好ましい。樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護したものを用いてもよい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。酸安定モノマーa2としては、以下の式a2-1で表されるモノマーを用いることもできる。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、酸素原子又は-O-CH2f2-CO-O-ここでf2は、1~4の整数であるであり、より好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa2-1としては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。なかでも、それぞれ式a2-1-1~a2-1-6で表されるモノマーが好ましく、それぞれ式a2-1-1~a2-1-4で表されるモノマーがより好ましく、それぞれ式a2-1-1又はa2-1-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~45モルの範囲が好ましく、5~40モルの範囲がより好ましく、5~35モルの範囲がさらに好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa3>酸安定モノマーa3は、ラクトン環を含有する酸安定モノマーである。ラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定モノマーa3は好ましくは、以下の式a3-1で表されるものである。樹脂Aの製造においては、これらのうち1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。以下の説明においては、式a3-1で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-1という場合がある。式a3-1中、La4は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表す。p1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21は、互いに同一であっても異なってもよい。式a3-1において、La4は、酸素原子又は-O-CH2d1-CO-O-であることが好ましくここでd1は、1~4の整数である、より好ましくは酸素原子である。Ra18及びRa21は、好ましくはメチル基である。p1は、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa3-1としては、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。なかでも、それぞれ式a3-1-1~a3-1-4で表されるモノマーが好ましく、それぞれ式a3-1-1~a3-1-2で表されるモノマーがより好ましく、式a3-1-1で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂Aが、モノマーa3-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~70モルの範囲が好ましく、10~65モルの範囲がより好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa4>上述した酸安定モノマー以外の酸安定モノマーとして、式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸及び式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-3という場合がある。などが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、シアノ基、カルボキシ基又は-COORa27を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。Ra27は、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~20の脂環式炭化水素基又は炭素数1~8のアルキル基と炭素数3~20の脂環式炭化水素基とからなる基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く例えば、Ra27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まないを表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。式a4-3においては、アルキル基は、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは炭素数1~6の基である。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18、より好ましくは炭素数4~12の基である。酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが、式a4-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a4-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及びモノマーa4-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位酸安定モノマーa4に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~30モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定モノマーa4として、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有するモノマー以下、モノマーa4-4という場合がある。も挙げられる。モノマーa4-4の中でも、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂Aが、モノマーa4-4に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~20モルの範囲が好ましく、2~15モルの範囲がより好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。好ましい樹脂Aは、モノマーa1と、酸安定モノマーa2及び/又は酸安定モノマーa3とを重合させて得られる共重合体である。この好ましい共重合体において、モノマーa1として、上述のモノマーa1-1及びモノマーa1-2の少なくとも1種を用いることが好ましく、モノマーa1-1を用いることがさらに好ましい。酸安定モノマーa2としては、酸安定モノマーa2-1が好ましく、酸安定モノマーa3としては、酸安定モノマーa3-1が好ましい。樹脂Aは、モノマーa1と、必要に応じて、酸安定モノマーa2、酸安定モノマーa3及び酸安定モノマーa4からなる群より選ばれる酸安定モノマーとを用い、これらが上述のとおりの樹脂Aの全構造単位に対する好適な含有量になるようにして使用量を調節した後、公知の重合法例えばラジカル重合法により製造することができる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは2,500以上であり、より好ましくは3,000以上である。該重量平均分子量の上限は50,000以下が好ましく、30,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。<塩基性化合物以下、塩基性化合物Cという場合がある。>本発明のレジスト組成物は、さらに、塩基性化合物Cを含有していてもよい。塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物以下、クエンチャーという場合がある、特に、酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えば、アミン及びアンモニウム塩を挙げることができる。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれでもよい。芳香族アミンは、アニリンのような芳香環にアミノ基が結合したもの、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、以下の式C2で表される芳香族アミン、より好ましい塩基性化合物Cとして、以下の式C2-1で表されるアニリン類が挙げられる。式C2及び式C2-1中、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。Rc7は、アルキル基、アルコキシ基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基又はニトロ基を表す。これらアルキル基、アルコキシ基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基にある水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なってもよい。式C2及び式C2-1において、アルキル基及びアルコキシ基は、好ましくは、炭素数1~6である。脂環式炭化水素基は、好ましくは、炭素数5~10であり、さらに好ましくは、炭素数5~10のシクロアルキル基である。芳香族炭化水素基は、好ましくは、炭素数6~10である。式C2で表される芳香族アミンは、例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミン等が挙げられる。式C2-1で表されるアニリン類は、例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン及びジフェニルアミン等が挙げられる。また、以下の式C3~式C11のいずれかで表される化合物以下、式番号に応じて、化合物C3~化合物C11という場合があるも用いることができる。式C3~式C11中、Rc8、Rc20、Rc21、Rc23~Rc28は、互いに独立に、Rc7で説明したいずれかの基を表す。Rc9~Rc14、Rc16~Rc19及びRc22は、互いに同一でも異なってもよく、Rc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一でも異なってもよく、p3が2以上であるとき、複数のRc21は互いに同一でも異なってもよく、q3が2以上であるとき、複数のRc24は互いに同一でも異なってもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc25は互いに同一でも異なってもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc26は互いに同一でも異なってもよく、t3が2以上であるとき、複数のRc27は互いに同一でも異なってもよく、u3が2以上であるとき、複数のRc28は互いに同一でも異なってもよい。Rc15は、アルキル基好ましくは、炭素数1~6のアルキル基である、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数3~6の脂環式炭化水素基である又はアルカノイル基好ましくは、炭素数2~6のアルカノイル基であるを表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、アルカンジイル基好ましくは、炭素数1~6のアルキレン基である、カルボニル基、-C=NH-、-C=NRc3-但し、Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す、チオキシ基、ジスルフィド結合-S-S-又はこれらの組合せを表す。式C3~式C11においては、アルキル基は、好ましくは、炭素数1~6である。脂環式炭化水素基は、好ましくは、炭素数3~6である。アルカノイル基は、好ましくは、炭素数2~6である。アルカンジイル基は、好ましくは、炭素数1~6のアルキレン基である。アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられ、好ましくは炭素数2~6程度である。塩基性化合物C3としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン等も用いることができる。化合物C4としては、例えば、ピペラジン等が挙げられる。化合物C5としては、例えば、モルホリン等が挙げられる。化合物C6としては、例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。化合物C7としては、例えば、2,2’-メチレンビスアニリン等が挙げられる。化合物C8としては、例えば、イミダゾール及び4-メチルイミダゾール等が挙げられる。化合物C9としては、例えば、ピリジン、4-メチルピリジン等が挙げられる。化合物C10としては、例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン及び2,2’-ジピコリルアミン等が挙げられる。化合物C11としては、例えば、ビピリジン等が挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。本発明のレジスト組成物に用いる塩基性化合物Cとしては、これらの中でもジイソプロピルアニリン、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラートが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリン、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラートがより好ましい。<溶剤以下、溶剤Dという場合がある>本発明のレジスト組成物は、溶剤Dを含むことが好ましい。溶剤Dは、用いる塩Iの種類及びその量、樹脂Aの種類及びその量、酸発生剤Bの種類及びその量、さらに後述するレジストパターンの製造方法に応じて、基板上にレジスト組成物を塗布する際の塗布性を考慮して、適宜選択することができる。溶剤Dとしては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類;γ-ブチロラクトン等の環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分以下、成分Fという場合がある>本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、塩I及び樹脂A並びに必要に応じて用いられる溶剤D、酸発生剤B及び塩基性化合物C以外のその他の成分Fを含んでいてもよい。成分Fとしては、本技術分野で公知の添加剤、例えば、樹脂A以外の高分子化合物、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料等が挙げられる。<レジスト組成物の調製>本発明のレジスト組成物は、通常、溶剤Dの存在下で、塩I及び樹脂Aを混合することにより調製することができる。さらに、上述のとおり必要に応じて酸発生剤B、塩基性化合物C及び/又は成分Fを混合してもよい。塩基性化合物Cを混合することが好ましい。その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、用いる塩I等の種類や塩I等の溶剤Dに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。本発明のレジスト組成物を調製する際に用いる各成分の使用量を選択することにより、本発明のレジスト組成物中の各成分の含有量を調節することができる。溶剤Dの含有量は、レジスト組成物総質量に対して90質量以上が好ましく、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上であり、99.9質量以下が好ましく、より好ましくは99質量以下である。このような含有量で溶剤Dを含むレジスト組成物は、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成しやすい。レジスト組成物に対する樹脂Aの含有量は、レジスト組成物の固形分の総質量に対して、80質量以上99質量以下であることが好ましい。なお本明細書において組成物の固形分とは、後述する溶剤Dを除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。例えば、溶剤Dの含有量が90質量である本発明のレジスト組成物において、レジスト組成物の固形分は10質量に相当する。組成物の固形分及びこれに対する各成分の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。レジスト組成物に対する塩Iの含有量は、レジスト組成物に含まれる樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上である。また、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。レジスト組成物に酸発生剤Bを用いる場合、その含有量は、レジスト組成物に含まれる樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上であり、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。レジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、その含有量は、レジスト組成物の固形分の総質量に対して、好ましくは0.01~1質量程度である。なお、塩基性化合物Cの含有量は、塩I及び酸発生剤Bの合計含有量よりも低いことが好ましい。なお、成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節可能である。このように各成分を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過するが好ましい。<レジストパターンの製造方法>本発明のレジストパターンの製造方法は、1本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程及び5加熱後の組成物層を現像する工程を含む。工程1におけるレジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。これにより基板上にレジスト組成物からなる塗布膜を形成することができる。塗布装置の条件塗布条件を種々調節することにより、塗布膜の膜厚を調整することができる。適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄し、反射防止膜を形成するなどしてもよい。反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布されたレジスト組成物、すなわち塗布膜を乾燥させて、溶剤Dを除去する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。乾燥条件は、レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類等に応じて選択でき、例えば、ホットプレートを用いる加熱手段では、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にして行うことが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。これにより、基板上に組成物層を形成することができる。工程3は、組成物層を露光する工程である。好ましくは、露光機を用いて組成物層を露光する工程である。露光には、微細加工を実施しようとする所望のパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線、超紫外光EUVを照射するものであってもよい。本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して露光という場合がある。マスクを介して露光することにより、組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では組成物層に含まれる塩I及び酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じるため、露光部の組成物層にある樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けないため、樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。工程4において、露光後の組成物層に加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークを行う。加熱処理は、前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段等が好ましい。工程4において、ホットプレートを用いる加熱手段を行う場合、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がより好ましい。当該加熱処理により、上記脱保護反応が促進される。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程である。好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像する。現像する工程で、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させると、露光部の組成物層は該アルカリ水溶液に溶解して除去され、未露光部の組成物層は基板上に残るため、基板上にレジストパターンを製造することができる。前記アルカリ水溶液としては、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。アルカリ水溶液としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液、2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。現像後、レジストパターンは、好ましくは超純水等でリンス処理を行うことが好ましい。さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。<用途>本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記しないかぎり質量基準である。樹脂Aの組成比樹脂A製造に用いた各モノマーに由来する構造単位の、樹脂Aに対する共重合比は、重合終了後の反応液における未反応モノマー量を、液体クロマトグラフィーを用いて測定し、得られた結果から重合に用いられたモノマー量を求めることにより算出した。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製化合物の構造は、質量分析LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値をMASSで示す。実施例1:式I1で表される塩の合成式I1-aで表される化合物13.65部及びクロロホルム81.87部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、式I1-bで表される化合物12.40部を添加した。その後、これを60°Cで1時間攪拌することにより、式I1-cで表される化合物を含む溶液を得た。得られた式I1-cで表される化合物を含む溶液に、式I1-dで表される化合物10.00部を仕込み、23°Cで17時間攪拌した。得られた反応物に、イオン交換水40.94部を加え、23°Cで30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。この水洗の操作を8回行った。得られた有機層を濃縮した。得られた濃縮物をカラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=1/1分取することにより、式I1-eで表される化合物20.49部を得た。式I1-fで表される塩4.98部及びアセトニトリル30.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した。その後、式I1-bで表される化合物2.66部を添加し、82°Cで1時間攪拌し、式I1-gで表される化合物を含む溶液を得た。得られた式I1-gで表される化合物を含む溶液に、式I1-eで表される化合物3.44部及びアセトニトリル3.44部を仕込み、82°Cで16時間攪拌した。得られた反応物を濃縮した。得られた濃縮物に、クロロホルム30部及びイオン交換水15部を加え、23°Cで30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。得られた有機層に、イオン交換水15部を加え、23°Cで30分間攪拌した。この水洗の操作をさらに5回行った。得られた有機層に活性炭8.84部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル700.35部を加えて攪拌した。得られた上澄液を除去し、濃縮した。得られた濃縮物をクロロホルムに溶解し、濃縮し、得られた濃縮物をカラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1分取することにより、式I1で表される塩5.24部を得た。MASSESISpectrum:M263.1MASSESI-Spectrum:M-493.1実施例2:式I12で表される塩の合成式I12-aで表される化合物5.00部及びアセトニトリル30.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した。その後、式I12-bで表される化合物5.63部を添加し、82°Cで1時間攪拌することにより、式I12-cで表される化合物を含む溶液を得た。得られた式I12-cで表される化合物を含む溶液に、式I12-dで表される化合物3.98部を仕込み、82°Cで44時間攪拌した。得られた反応物を冷却し、クロロホルム133.86部及びイオン交換水44.62部を加え、23°Cで30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。この水洗の操作を8回行った。得られた有機層に活性炭1.24部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル61.40部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。これに、アセトニトリル5.00部を添加して溶解し、濃縮した。さらにこれに、酢酸エチル17.20部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式I12で表される塩1.60部を得た。MASSESISpectrum:M263.1MASSESI-Spectrum:M-493.1実施例3:式I129で表される塩の合成式I129-aで表される化合物5.00部及びアセトニトリル30.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した。その後、式I129-bで表される化合物5.24部を添加し、82°Cで1時間攪拌することにより、式I129-cで表される化合物を含む溶液を得た。得られた式I129-cで表される化合物を含む溶液に、式I129-dで表される化合物12.95部を仕込み、82°Cで44時間攪拌した。得られた反応物を冷却し、クロロホルム159.70部及びイオン交換水53.23部を加え、23°Cで30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。この水洗の操作を8回行った。得られた有機層に活性炭1.76部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル124.00部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。これに、アセトニトリル20.70部を添加して溶解し、濃縮した。さらにこれに、tert-ブチルメチルエーテル79.65部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。さらにこれに、アセトニトリル31.86部を添加して溶解し、濃縮した。得られた濃縮物をクロロホルムに溶解し、濃縮し、得られた濃縮物をカラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1分取することにより、式I129で表される塩12.46部を得た。MASSESISpectrum:M263.1MASSESI-Spectrum:M-507.1実施例4:式I130で表される塩の合成式I130-aで表される化合物28.00部、ジメチルホルムアミド140部及びトリエチルアミン17.33部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、50°Cに昇温した後、式I130-bで表される化合物25.20部及びジメチルホルムアミド25.20部の混合溶液を1時間かけて滴下した。50°Cで24時間攪拌した後、23°Cまで冷却し、イオン交換水117.87部及び酢酸エチル942.93部を加え、23°Cで30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。回収された有機層に、イオン交換水314.31部を加え、23°Cで30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。この水洗の操作を5回行った。得られた有機層を濃縮した。得られた濃縮物に、酢酸エチル181.30部及び活性炭2.18部を添加、攪拌した後、ろ過した。得られたろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、n-ヘプタン188.95部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。これに、酢酸エチル150部を添加して溶解し、濃縮した。得られた濃縮物に、n-ヘプタン97.41部を添加し、23°Cで24時間攪拌した後、ろ過することにより、式I130-cで表される塩24.99部を得た。式I130-dで表される塩19.92部及びアセトニトリル100部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、40°Cに昇温した。得られた混合溶液に、式I130-eで表される化合物8.68部を添加し、70°Cで2時間攪拌し、式I130-fで表される化合物を含む溶液を得た。得られた式I130-fで表される化合物を含む溶液に、式I130-cで表される化合物13.74部及びクロロホルム54.98部を仕込み、50°Cで16時間攪拌した後、濃縮した。得られた濃縮物に、クロロホルム150部及び2シュウ酸水溶液75部を加え、23°Cで30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。このシュウ酸水溶液洗浄の操作をさらに1回行った。得られた有機層に、イオン交換水75部を加え、23°Cで30分間攪拌した。この水洗の操作をさらに4回行った。得られた有機層に活性炭1.99部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、酢酸エチル173.70部を加えて攪拌した。得られた上澄液を除去し、濃縮した。得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル96.50部を加えて攪拌した。得られた上澄液を除去し、濃縮した。得られた濃縮物をアセトニトリルに溶解し、濃縮した後、得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル89.90部を添加し、23°Cで3時間攪拌した後、ろ過することにより、式I130で表される塩15.57部を得た。MASSESISpectrum:M263.1MASSESI-Spectrum:M-493.1合成例樹脂Aの合成樹脂の合成において使用した化合物モノマーを下記に示す。以下、これらのモノマーをそれぞれモノマーa1-1-2モノマーa2-1-1モノマーa3-1-1という。[樹脂A1の合成]モノマーa1-1-239.7g0.16モルとp-アセトキシスチレン103.8g0.64モルとをイソプロパノール265gに溶解して、溶液を窒素雰囲気下で75°Cまで昇温した。溶液に、ラジカル開始剤としてジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート11.05g0.048モルをイソプロパノール22.11gに溶解した液を滴下した。得られた反応液を12時間加熱還流した。冷却後、反応液を大量のメタノールに注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたモノマーa1-1-2とp-アセトキシスチレンの共重合体は250gメタノール含有であった。得られた共重合体250gと4-ジメチルアミノピリジン10.3g0.084モルとをメタノール202gに加えて20時間加熱還流した。冷却後、反応液を氷酢酸7.6g0.126モルで中和して、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させ、大量の水に注いで沈殿させる操作を3回繰り返して精製、ろ過した。得られたメタクリル酸2-エチル-2-アダマンチルとp-ヒドロキシスチレンの共重合体は95.9gであった。重量平均分子量は約8.6×103GPCポリスチレン換算であり、共重合比は約20:80であった。この樹脂は、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。[樹脂A2の合成]モノマーa1-1-2及びp-アセトキシスチレンの使用量を59.6g0.24モル及び90.8g0.56モルに変更したこと以外は、樹脂A1の合成と同様の操作を行って、モノマーa1-1-2とp-ヒドロキシスチレンとの共重合体102.8gを得た。重量平均分子量は約8.2×103GPCポリスチレン換算であり、共重合比は約30:70であった。この樹脂は、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とする。[樹脂A3の合成]モノマーとして、モノマーa1-1-2、モノマーa2-1-1及びモノマーa3-1-1を用い、そのモル比モノマーa1-1-2:モノマーa2-1-1:モノマーa3-1-1が50:25:25となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを80°Cで約8時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.2×103の樹脂A4共重合体を収率60で得た。この樹脂A3は、以下の構造単位を有する。[樹脂A4の合成]モノマーa1-1-211.18部、p-アセトキシスチレン14.60部、モノマーa2-1-13.55部に1,4-ジオキサン29.32部を加えて溶液とし、87°Cまで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル2.96部を添加し、87°Cで6時間保温した。冷却後反応液をメタノール304.97部とイオン交換水76.24部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び4-ジメチルアミノピリジン2.93部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸2.09部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を3回繰り返して精製し、重量平均分子量が約3.5×103の共重合体27.82部を得た。この共重合体は、モノマーa1-1-2、p-ヒドロキシスチレン及びモノマーa2-1-1に各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A4とする。[樹脂A5の合成]モノマーa1-1-211.18部、p-アセトキシスチレン14.60部、モノマーa2-1-11.77部、モノマーa3-1-11.28部に1,4-ジオキサン28.83部を加えて溶液とし、87°Cまで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル2.96部を添加し、87°Cで6時間保温した。冷却後反応液をメタノール299.81部とイオン交換水74.95部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び4-ジメチルアミノピリジン2.88部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸2.05部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を3回繰り返して精製し、重量平均分子量が約3.8×103の共重合体26.91部を得た。この共重合体は、モノマーa1-1-2、p-ヒドロキシスチレン、モノマーa2-1-1及びモノマーa3-1-1に各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A5とする。レジスト組成物の調製以下の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト液を調製した。<酸発生剤>I1:式I1で表される塩I12:式I12で表される塩I129:式I129で表される塩I130:式I130で表される塩B1-11:特開2008-74843号公報の実施例に従って合成<樹脂>A1:樹脂A1A2:樹脂A2A3:樹脂A3A4:樹脂A4A5:樹脂A5<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン東京化成工業株製C2:テトラブチルアンモニウムヒドロキシド東京化成工業株製C3:テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート東京化成工業株製<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート400.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル100.0部γ-ブチロラクトン5.0部<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部2-ヘプタノン20.0部γ-ブチロラクトン3.5部電子線用レジスト組成物としての評価シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理し、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が0.06μmとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上にて、表5のPB欄に示す温度で60秒間プリベークした。レジスト膜を形成したウェハに、電子線描画機株日立製作所製のHL-800D50keVを用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後、ホットプレート上にて表5のPEB欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、60nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量を実効感度とした。<解像度及び形状評価>実効感度において、レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察したところ、実施例5~8から得られたレジストパターンは形状よく50nmを解像しているが、比較例1から得られたレジストパターンは50nmを解像しているがトップが丸かった。KrF用レジスト組成物としての評価4インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[DUV-42;Brewer社製]を塗布して、215°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ600Åの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が400nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表5のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハに、KrFエキシマレーザー露光機[NSR-2250EX12B;株ニコン製、NA=0.55、2/3Annular]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後、ホットプレート上にて、表5のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。各レジスト膜において、200nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量となる露光量を実効感度とした。以上のようなレジストパターンの製造において、以下の項目を評価した。フォーカスマージン評価DOF:マスクサイズ180nmのラインアンドスペースパターンの線幅が、180nmになる露光量で、フォーカスを振った場合、線幅が180nm±5の幅にある範囲約171~189nmを線幅指標とし、DOFが0.15μm以上を超えるものを○、0.15μm以下であるものを×とした。その結果を表7に示す。EUV用レジスト組成物としての評価シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理した上で、表4のレジスト液を乾燥後の膜厚が0.05μmとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上にて、表5のPB欄に示す温度で60秒間プリベークした。レジスト膜を形成したウェハに、EUV露光機を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後、ホットプレート上にて表5のPEB欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。シリコン基板上のもので現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表8に示した。フォーカスマージン評価DOF:マスクサイズ50nmのラインアンドスペースパターンの線幅が、50nmになる露光量で、フォーカスを振った場合、線幅が50nm±5の幅にある範囲47.5~52.5nmを線幅指標とし、DOFが0.15μm以上であるものを○、0.15μm未満であるものを×とした。その結果を表8に示す。ArF用レジスト組成物としての評価12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。その後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表6のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。レジスト組成物膜を形成したウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、3/4AnnularX-Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。露光後、ホットプレート上にて、表6のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。フォーカスマージン評価DOF:実効感度において、フォーカスを振った場合、線幅が50nm±5の幅にある範囲47.5~52.5nmを線幅指標とした。DOFが、0.12μmを超えるものを○、0.12μm以下であるものを×とした。その結果を表9に示す。"