"基板と、前記基板上に形成され、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及び前記ゲート電極を前記ソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成され、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソードと、前記カソード上に形成され、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された第1物質を含む第1層と、前記第1層上に形成された有機層と、前記有機層上に形成されたアノードと、を含む、有機発光装置。前記酸化物半導体層が、亜鉛含有酸化物を含む、請求項1に記載の有機発光装置。前記亜鉛含有酸化物は、Hf、Y、Ta、Zr、Ga、Al、In、Fe、Sc、Lu、Yb、Tm、Er、Ho、Mn、Co、Ni、Ti、Ge、Cu、Mo、Sn、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含む、請求項2に記載の有機発光装置。前記カソードが、Mg、Al、Ca、In、Ag、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された物質を含む、請求項1から3のいずれか1項に記載の有機発光装置。前記第1物質が2.6eVないし4.6eVの範囲の仕事関数を有する、請求項1から4のいずれか1項に記載の有機発光装置。前記第1物質が、K、Rb、Cs、Mg、Sr、Ba、Sc、Y、Ti、Mn、Zn、Yb、K硫化物、Rb硫化物、Cs硫化物、Mg硫化物、Sr硫化物、Ba硫化物、Sc硫化物、Y硫化物、Ti硫化物、Mn硫化物、Zn硫化物、Yb硫化物、K酸化物、Rb酸化物、Cs酸化物、Mg酸化物、Sr酸化物、Ba酸化物、Sc酸化物、Y酸化物、Ti酸化物、Mn酸化物、Zn酸化物、Yb酸化物、K窒化物、Rb窒化物、Cs窒化物、Mg窒化物、Sr窒化物、Ba窒化物、Sc窒化物、Y窒化物、Ti窒化物、Mn窒化物、Zn窒化物、Yb窒化物、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された、請求項1から5のいずれか1項に記載の有機発光装置。前記第1層が、電子注入物質をさらに含む、請求項1から6のいずれか1項に記載の有機発光装置。前記第1層の厚みが、3nmないし30nmである、請求項1から7のいずれか1項に記載の有機発光装置。前記第1層と前記カソードとの間に、電子注入層が介在された、請求項1から8のいずれか1項に記載の有機発光装置。基板上に、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及び前記ゲート電極を前記ソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタを形成する段階と、前記薄膜トランジスタ上に第1絶縁層を形成する段階と、前記第1絶縁層上に、薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソードを形成する段階と、蒸着法またはスパッタリング法を用いて、前記カソード上に、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された第1物質を含む第1層を形成する段階と、前記第1層上に有機層を形成する段階と、前記有機層上にアノードを形成する段階と、を含む、有機発光装置の製造方法。前記酸化物半導体層は、Hf、Y、Ta、Zr、Ga、Al、In、Fe、Sc、Lu、Yb、Tm、Er、Ho、Mn、Co、Ni、Ti、Ge、Cu、Mo、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含む、請求項10に記載の有機発光装置の製造方法。前記第1物質が、2.6eVないし4.6eVの範囲の仕事関数を有する、請求項10または11に記載の有機発光装置の製造方法。前記第1物質が、K、Rb、Cs、Mg、Sr、Ba、Sc、Y、Ti、Mn、Zn、Yb、K硫化物、Rb硫化物、Cs硫化物、Mg硫化物、Sr硫化物、Ba硫化物、Sc硫化物、Y硫化物、Ti硫化物、Mn硫化物、Zn硫化物、Yb硫化物、K酸化物、Rb酸化物、Cs酸化物、Mg酸化物、Sr酸化物、Ba酸化物、Sc酸化物、Y酸化物、Ti酸化物、Mn酸化物、Zn酸化物、Yb酸化物、K窒化物、Rb窒化物、Cs窒化物、Mg窒化物、Sr窒化物、Ba窒化物、Sc窒化物、Y窒化物、Ti窒化物、Mn窒化物、Zn窒化物、Yb窒化物、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された、請求項10から12のいずれか1項に記載の有機発光装置の製造方法。第1物質形成用物質と共に、電子注入物質を、蒸着またはスパッタリングすることによって、前記第1層の形成段階を行う、請求項10から13のいずれか1項に記載の有機発光装置の製造方法。前記第1層の形成段階前に、前記カソード上に、電子注入層を形成する段階を行う、請求項10から14のいずれか1項に記載の有機発光装置の製造方法。前記有機層の形成段階を、スピンコーティング、スプレイ法、インクジェットプリンティング、ディッピング、キャスティング、グラビアコーティング、バーコーティング、ロールコーティング、ワイヤバーコーティング、スクリーンコーティング、フレキソコーティングまたはオフセットコーティングを用いて行う、請求項10から15のいずれか1項に記載の有機発光装置の製造方法。前記有機層の形成段階は、発光層が形成される領域に、発光物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含む、請求項10に記載の有機発光装置の製造方法。前記有機層の形成段階は、正孔注入層が形成される領域に、正孔注入物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含む、請求項10に記載の有機発光装置の製造方法。前記有機層の形成段階は、正孔輸送層が形成される領域に、正孔輸送物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含む、請求項10に記載の有機発光装置の製造方法。本発明は、工程安定性を提供しつつも、優秀な電気的特性を有する有機発光装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明において、基板;前記基板上に形成され、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及び前記ゲート電極を前記ソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタ;前記薄膜トランジスタ上に形成された第1絶縁層;前記第1絶縁層上に形成され、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソード;前記カソード上に形成され、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された第1物質を含む第1層;前記第1層上に形成された有機層;前記有機層上に形成されたアノード;を含む有機発光装置が提供される。前記酸化物半導体層は、亜鉛含有酸化物を含むことができる。前記亜鉛含有酸化物は、Hf、Y、Ta、Zr、Ga、Al、In、Fe、Sc、Lu、Yb、Tm、Er、Ho、Mn、Co、Ni、Ti、Ge、Cu、Mo、Sn、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含むことができる。前記カソードは、Mg、Al、Ca、In、Ag、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された物質を含むことができる。前記第1物質は、2.6eVないし4.6eVの範囲の仕事関数を有することができる。前記第1物質は、K、Rb、Cs、Mg、Sr、Ba、Sc、Y、Ti、Mn、Zn、Yb、K硫化物、Rb硫化物、Cs硫化物、Mg硫化物、Sr硫化物、Ba硫化物、Sc硫化物、Y硫化物、Ti硫化物、Mn硫化物、Zn硫化物、Yb硫化物、K酸化物、Rb酸化物、Cs酸化物、Mg酸化物、Sr酸化物、Ba酸化物、Sc酸化物、Y酸化物、Ti酸化物、Mn酸化物、Zn酸化物、Yb酸化物、K窒化物、Rb窒化物、Cs窒化物、Mg窒化物、Sr窒化物、Ba窒化物、Sc窒化物、Y窒化物、Ti窒化物、Mn窒化物、Zn窒化物、Yb窒化物、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択されうる。前記第1層は、電子注入物質をさらに含むことができる。前記第1層の厚みは、3nmないし30nmでありうる。前記第1層と前記カソードとの間には電子注入層が介在されうる。一方、本発明においてまた、基板上に、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及び前記ゲート電極を前記ソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタを形成する段階と、前記薄膜トランジスタ上に第1絶縁層を形成する段階と、前記第1絶縁層上に薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソードを形成する段階と、蒸着法またはスパッタリング法を用いて、前記カソード上に、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された第1物質を含む第1層を形成する段階と、前記第1層上に有機層を形成する段階と、前記有機層上にアノードを形成する段階と、を含む有機発光装置の製造方法が提供される。前記酸化物半導体層は、Hf、Y、Ta、Zr、Ga、Al、In、Fe、Sc、Lu、Yb、Tm、Er、Ho、Mn、Co、Ni、Ti、Ge、Cu、Mo、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含むことができる。前記第1物質は、2.6eVないし4.6eVの範囲の仕事関数を有することができる。前記第1物質は、K、Rb、Cs、Mg、Sr、Ba、Sc、Y、Ti、Mn、Zn、Yb、K硫化物、Rb硫化物、Cs硫化物、Mg硫化物、Sr硫化物、Ba硫化物、Sc硫化物、Y硫化物、Ti硫化物、Mn硫化物、Zn硫化物、Yb硫化物、K酸化物、Rb酸化物、Cs酸化物、Mg酸化物、Sr酸化物、Ba酸化物、Sc酸化物、Y酸化物、Ti酸化物、Mn酸化物、Zn酸化物、Yb酸化物、K窒化物、Rb窒化物、Cs窒化物、Mg窒化物、Sr窒化物、Ba窒化物、Sc窒化物、Y窒化物、Ti窒化物、Mn窒化物、Zn窒化物、Yb窒化物、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択されうる。前記第1層の形成段階を、第1物質形成用物質と共に電子注入物質を、蒸着またはスパッタリングすることによって行うことができる。前記第1層の形成段階前に、前記カソード上に電子注入層を形成する段階を行うことができる。前記有機層の形成段階を、スピンコーティング、スプレイ法、インクジェットプリンティング、ディッピング、キャスティング、グラビアコーティング、バーコーティング、ロールコーティング、ワイヤバーコーティング、スクリーンコーティング、フレキソコーティングまたはオフセットコーティングを用いて行うことができる。前記有機層の形成段階は、発光層が形成される領域に、発光物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含むことができる。前記有機層の形成段階は、正孔注入層が形成される領域に正孔注入物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含むことができる。前記有機層の形成段階は、正孔輸送層が形成される領域に、正孔輸送物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含むことができる。本発明によれば、優秀な電気的特性を有しつつも、大面積に製造でき、かつ工程安定性にすぐれる有機発光装置、及びその製造方法を提供することができる。以下、添付された図面を参照しつつ、本発明を実施形態を挙げて詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態による有機発光装置Pの断面を概略的に図示した断面図である。上記有機発光装置Pは、基板101上に形成され、ソース電極109a及びドレイン電極109b、酸化物半導体層107、ゲート電極103、及び上記ゲート電極103を上記ソース電極109a及びドレイン電極109bと絶縁させるゲート絶縁層105を含む薄膜トランジスタを含む。上記薄膜トランジスタ上には、第1絶縁層110が形成されている。また、上記第1絶縁層110上に形成され、上記薄膜トランジスタのドレイン電極109bと連結されたカソード121が形成されており、画素定義膜123によって、画素領域が定義されている。上記カソード121の上部には、第1層125、有機層127及びアノード129が順に積層されている。上記基板101としては、一般的な有機発光装置で使われる基板を使用できるが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性にすぐれるガラス基板または透明プラスチック基板を使用できる。ゲート電極103は、一般的な電極物質例えば、金属などから形成されうる。例えば、上記ゲート電極103は、アルミニウムAl、ハフニウムHf、ジルコニウムZr、亜鉛Zn、タングステンW、コバルトCo、金Au、白金Pt、ルテニウムRu、イリジウムIr、チタンTi、タンタルTa、ニッケルNi、銀Ag、モリブデンMo、銅Cu、パラジウムPd、インジウムIn、亜鉛Sn、それらのうち2以上の組み合わせ合金、単純混合物などを含む、それらのうち1以上の元素を含む酸化物例えば、酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛IZOなどであるが、これらに限定されるものではない。ゲート絶縁層105は、ゲート電極103を覆い包み、ゲート電極103をソース電極109a及びドレイン電極109bと絶縁させることができる。上記ゲート絶縁層105は、シリコン酸化物層やシリコン窒化物層を用いることができるが、それ以外の他の物質層、例えば、シリコン窒化物層より誘電定数の大きい高誘電物質層であってもよい。ゲート絶縁層105はまた、シリコン酸化物層、シリコン窒化物層及び高誘電物質層のうち少なくとも2層以上が積層された構造を有することもできる。上記酸化物半導体層107において、酸化物半導体は、バンドギャップが可視光領域の光エネルギーより大きく、可視光を実質的に吸収しないものでありうる。従って、上記酸化物半導体層107を具備した薄膜トランジスタは、可視光吸収による漏れ電流増加が実質的に起こらない。上記酸化物半導体層107は、亜鉛含有酸化物を含むことができる。例えば、上記酸化物半導体層107は、ZnOを含むことができる。上記亜鉛含有酸化物は、Hf、Y、Ta、Zr、Ga、Al、In、Fe、Sc、Lu、Yb、Tm、Er、Ho、Mn、Co、Ni、Ti、Ge、Cu、Mo、Sn、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含むことができる。例えば、上記酸化物半導体層107は、Zn-Ga-O系物質、Zn-In-O系物質、Zn-In-Ga-O系物質、Zn-Sn-O系物質、またはHf-In-Zn-O系物質であるが、これらに限定されるものではない。ゲート絶縁層105上に、酸化物半導体層107の両端にそれぞれ接触するソース電極109a及びドレイン電極109bが備わっている。上記ソース電極109a及びドレイン電極109bは、単一金属層または多重金属層でありうる。ソース電極109a及びドレイン電極109bの形成用物質は、上記ゲート電極103形成用物質を使用することができる。前述のような薄膜トランジスタの製造方法は、公知の多様な方法を参照できる。図1において第1絶縁層110は、前述のような薄膜トランジスタを覆うように形成されうる。上記第1絶縁層110は、保護膜及び/または平坦化膜の役割を行うこともできる。上記第1絶縁層110は、シリコン酸化物層やシリコン窒化物層を用いることができるが、それ以外の他の物質層、例えば、シリコン窒化物層より誘電定数の大きい高誘電物質層であってもよい。第1絶縁層110は、シリコン酸化物層、シリコン窒化物層及び高誘電物質層のうち少なくとも2層以上が積層された構造を有することもできる。上記第1絶縁層110は、コーティング法、蒸着法、スパッタリング法のような公知の多様な方法を利用して形成されうる。上記第1絶縁層110上には、カソード121が備わっている。上記カソード121は、ビアホールを介して、ドレイン電極109bと電気的に連結されている。上記カソード121は、第1層125を経由して、有機層127に電子を注入する電極である。上記カソード121は、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムのようなアルカリ金属;ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウムのようなアルカリ土類金属;アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムのような金属;それらのうち2以上の合金;それらのうち1以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、スズのうち1以上との合金;またはそれらのうち2以上の組み合わせを含むことができる。上記組み合わせは、前述のような元素のうち2以上を含む合金、前述のような元素をそれぞれ含む多層構造体などを含む。合金としては、例えば、マグネシウム銀合金、マグネシウムインジウム合金、マグネシウムアルミニウム合金、インジウム銀合金、リチウムアルミニウム合金、リチウムマグネシウム合金、リチウムインジウム合金、カルシウムアルミニウム合金などを挙げることができる。例えば、上記カソード121は、Mg、Al、Ca、In、Ag、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された物質を含むことができるが、これらに限定されるものではない。または、上記カソード121は、ITO、IZO、亜鉛酸化物のような、前述金属及びそれらのうち2以上の合金の酸化物などから形成されもする。上記カソード121は、公知の多様な方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法などを利用して形成されうる。上記カソード121の両端には、画素領域を定義する画素定義膜123が形成されている。上記画素定義膜123は、一般的な有機絶縁物などから形成されうる。上記カソード121上には、第1層125が備わっている。上記第1層125は、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された第1物質を含むことができる。上記第1物質は、2.6eVないし4.6eVの範囲の仕事関数、より好ましくは、2.6eVないし4.2eVの範囲の仕事関数を有することができる。この範囲を満足する場合、カソード121からの電子注入が効果的になされ、高効率及び高輝度の有機発光装置を提供できる。上記第1物質は、例えば、K、Rb、Cs、Mg、Sr、Ba、Sc、Y、Ti、Mn、Zn、Yb、K硫化物、Rb硫化物、Cs硫化物、Mg硫化物、Sr硫化物、Ba硫化物、Sc硫化物、Y硫化物、Ti硫化物、Mn硫化物、Zn硫化物、Yb硫化物、K酸化物、Rb酸化物、Cs酸化物、Mg酸化物、Sr酸化物、Ba酸化物、Sc酸化物、Y酸化物、Ti酸化物、Mn酸化物、Zn酸化物、Yb酸化物、K窒化物、Rb窒化物、Cs窒化物、Mg窒化物、Sr窒化物、Ba窒化物、Sc窒化物、Y窒化物、Ti窒化物、Mn窒化物、Zn窒化物、Yb窒化物、及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択されうる。上記2以上の組み合わせは、例えば、互いに異なる金属を2以上含む物質例えば、Ba-Cs-O系物質でもあり、O、S及びNのうち2以上を含む物質例えば、Zn-O-N系物質でもありうる。上記第1物質は、第1層125の仕事関数の調節のために、後述するように多様に変形されうる。例えば、上記第1物質は、ZnSを含むことができる。または、上記第1物質は、Sc2O3、CsO、BaO及びRbOからなる群から選択されうる。または、上記第1物質は、Y硫化物、Yb硫化物、Rb硫化物、Sr硫化物、Cs硫化物、Ba硫化物、Ti硫化物、Mn硫化物、Y酸化物、Yb酸化物、Rb酸化物、Sr酸化物、Cs酸化物、Ba酸化物、Ti酸化物、Mn酸化物、Y窒化物、Yb窒化物、Rb窒化物、Sr窒化物、Cs窒化物、Ba窒化物、Ti窒化物、及びMn窒化物からなる群から選択されうる。または、上記第1物質は、ZnS及びSc2O3のうち一つ以上;Mg硫化物、Y硫化物、Yb硫化物、Mg酸化物、Y酸化物、Yb酸化物、Mg窒化物、Y窒化物及びYb窒化物からなる群から選択された一つ以上;を同時に含むことができる。または、上記第1物質は、ZnS及びSc2O3のうち一つ以上;Mg、Y及びYbからなる群から選択された一つ以上;を同時に含むことができる。または、上記第1物質は、Ti硫化物、Ti酸化物、Ti窒化物、Mn硫化物、Mn酸化物及びMn窒化物のうち一つ以上;Y硫化物、Yb硫化物、Rb硫化物、Cs硫化物、Ba硫化物、K硫化物、Y酸化物、Yb酸化物、Rb酸化物、Cs酸化物、Ba酸化物、K酸化物、Y窒化物、Yb窒化物、Rb窒化物、Cs窒化物、Ba窒化物及びK窒化物のうち一つ以上;を同時に含むことができるが、これらに限定されるものではない。上記第1層125は、前述のような第1物質以外に、電子注入物質をさらに含むことができる。上記電子注入物質は、有機発光素子の電子注入層の形成用物質として公知の任意の物質のうち選択されうる。例えば、上記電子注入物質は、LiF、NaCl、CsF、Li2O及びBaF2からなる群から選択されうるが、これらに限定されるものではない。上記電子注入物質は、より好ましくは、LiFであるが、これに限定されるものではない。例えば、上記第1層125は、第1物質以外に、電子注入物質をさらに含むが、上記第1物質は、ZnSであり、上記電子注入物質は、LiFでありうる。上記第1層125が電子注入物質をさらに含む場合、上記第1物質と上記電子注入物質との重量比は、使用した第1物質の種類、使用した電子注入物質の種類によって異なるが、例えば、10:1ないし1:10、より好ましくは4:1ないし1:4でありうる。上記第1層125の厚みは、約3nmないし約30nm、より好ましくは、約5nmないし約20nmでありうる。上記第1層125の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な電子注入性能を得ることができる。上記第1層125は、蒸着法例えば、熱蒸着またはスパッタリング法を利用して形成されうる。例えば、第1物質形成用物質を蒸着例えば、熱蒸着またはスパッタリングすることによって、上記第1層125を形成できる。ここで、第1物質形成用物質は、前述のような第1物質自体または前述のような第1物質に含まれた元素を含む物質であり、蒸着またはスパッタリングのソースとして使われうる物質を指すものである。例えば、第1物質として、ZnSを含む第1層をスパッタリング法を利用して形成する場合、上記第1物質形成用物質は、ZnSターゲットであり、またはZnターゲットとSターゲットとであり、これは、当業者に容易に認識可能なことである。また、上記第1層125が、第1物質以外に電子注入物質をさらに含む場合、前述のような第1物質形成用物質と共に、電子注入物質を蒸着またはスパッタリングすることによって、第1層125を形成できる。例えば、ZnSとLiFとを共蒸着させることにより、第1層125を形成できる。上記第1層125上には、有機層127が形成されうる。上記有機層127は、有機発光素子分野で公知の構造、物質、層厚などを有する正孔阻止層、発光層、正孔輸送層及び正孔注入層のうち1層以上の層を含むことができる。上記有機層127に含まれる物質は、有機物だけを意味するものではなく、金属錯体例えば、発光ドーパントとして、イリジウム錯体なども含むことができる。例えば、上記有機層127は、高分子を含むことができる。例えば、上記有機層127は、第1層125上に、順に電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層及び正孔注入層からなる群から選択された1層以上の層をさらに含むことができる。上記電子輸送層は、真空蒸着法などによって形成されたり、電子輸送物質及び溶媒を含む混合物を、電子輸送層形成領域に提供した後、これを熱処理する湿式工程によって形成されうる。上記電子輸送物質及び溶媒を含む混合物を、電子輸送層形成領域に提供する方法としては、スピンコーティング法、キャスト法、インクジェットプリンティング法、LBラングミュア-ブロジェット法のような多様な方法を利用できる。真空蒸着法によって電子輸送層を形成する場合、その蒸着条件は、電子輸送層の材料として使用する化合物、目的とする電子輸送層の構造及び熱的特性などよって異なるが、例えば、蒸着温度100ないし500°C、真空度10-8ないし10-3torr、蒸着速度0.01ないし100Å/sec範囲で適切に選択できる。スピンコーティング法を利用して電子輸送層を形成する場合、そのコーティング条件は、電子輸送層の材料として使用する化合物、目的とする電子輸送層の構造及び熱的特性によって異なるが、約2,000rpmないし5,000rpmのコーティング速度、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、約80°Cないし300°Cの温度範囲で適切に選択できる。上記電子輸送層の材料としては、公知の電子輸送材料を使用できるが、例えば、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、ビス2-メチル-8-キノリノラト-p-フェニルフェノラート-アルミニウムBAlq、トリス8-キノリノラトアルミニウムAlq3、ベリリウムビスベンゾキノリン-10-オレートBebq2、1,3,5-トリスN-フェニルベンズイミダゾール-2-イルベンゼンTPBIのような公知の材料を使用できる。上記電子輸送層の厚みは、約100Åないし1,000Å、例えば、200Åないし500Åでありうる。上記電子輸送層の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子輸送特性を得ることができる。上記正孔阻止層の形成方法は、前述の電子輸送層の形成方法を参照する。上記正孔阻止層の材料としては、公知の正孔阻止材料、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、1,2,4-トリアゾール誘導体TAZなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。上記正孔阻止層の厚みは、約50Åないし1,000Å、より好ましくは、100Åないし300Åでありうる。上記正孔阻止層の厚みがこの範囲を満足する場合、満足すべき正孔阻止特性を得ることができる。上記発光層は、公知の発光物質を含むことができる。前記公知の発光物質は、ホストとドーパントとの組み合わせを含むことができる。前記発光層が形成される領域は、例えば、前記第1層125、電子輸送層または正孔阻止層の上部であり得るが、これに限定されるものではない。公知のホストの例としては、Alq3、4,4’-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニルCBP、ポリn-ビニルカルバゾールPVK、9,10-ジナフタレン-2-イルアントラセンADN、4,4-トリN-カルバゾリルトリフェニルアミンTCTA、TPBI、3-tert-ブチル-9,10-ジナフト-2-イルアントラセンTBADN、E3、ジスチリルアリーレンDSA、これらに限定されるものではない。一方、公知の赤色ドーパントとして、PtOEP、Irpiq3、Btp2Iracacなどを利用できるが、これらに限定されるものではない。また、公知の緑色ドーパントとして、Irppy3ppy=フェニルピリジン、Irppy2acac、Irmpyp3などを利用できるが、これらに限定されるものではない。一方、公知の青色ドーパントとして、F2Irpic、F2ppy2Irtmd、Irdfppz3、ter-フルオレン、4,4’-ビス4-ジフェニルアミノスチリルビフェニルDPAVBi、2,5,8,11-テトラ-t-ブチルペリレンTBPeなどを利用できるが、これらに限定されるものではない。上記発光層が、ホスト及びドーパントを含む場合、ドーパントの含有量は、一般的に、ホスト約100重量部を基準として、約0.01ないし約15重量部の範囲で選択され、これらに限定されるものではない。上記発光層の厚みは、約100Åないし約1,000Å、より好ましくは、約200Åないし約600Åでありうる。上記発光層の厚みがこの範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な発光特性を示すことができる。上記正孔輸送層の材料としては、公知の任意の正孔輸送物質を使用できるが、例えば、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1-ビフェニル]-4,4’-ジアミンTPD、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニルベンジジンNPD、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス1-ナフチル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPBなどを使用できる。上記正孔輸送層の厚みは、約50Åないし1,000Å、より好ましくは100Åないし600Åでありうる。上記正孔輸送層の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、満足すべき正孔輸送特性を得ることができる。上記正孔輸送層は、1層以上の構造を有することができる。上記正孔注入層の材料としては、公知の任意の正孔注入物質を使用できるが、例えば、4,4’,4-トリス3-メチルフェニルフェニルアミノトリフェニルアミンm-MTDATA、4,4’,4-トリス{N,Nジフェニルアミノ}トリフェニルアミンTDATA、4,4’,4-トリスN-2-ナフチル-n-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン2T-NATA、ポリアニリン/ドデシルベンゼンスルホン酸Pani/DBSA、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリ4-スチレンスルホネートPEDOT/PSS、ポリアニリン/カンファースルホン酸Pani/CSAまたはポリアニリン/ポリ4-スチレンスルホネートPANI/PSSなどを使用できるが、これらに限定されるものではない。上記正孔注入層の厚みは、約100Åないし10,000Å、より好ましくは、100Åないし1,000Åでありうる。上記正孔注入層の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、満足すべき正孔注入特性を得ることができる。上記有機層127は、公知の多様な方法を利用して形成されうる。例えば、上記有機層127は、蒸着法、スパッタリング法などを利用して形成されうる。または、上記有機層127は、前述したような有機層形成用物質及び溶媒を含む混合物を用いた湿式工程を利用して形成されもする。例えば、上記有機層127が発光層を含み、上記発光層が上記第1層125の上部に形成される場合、任意の発光物質及び溶媒を含む混合物を、上記第1層125の上部に提供した後、これを熱処理することにより、発光物質を含む発光層を形成できる。ここで、上記発光物質及び溶媒を含む混合物を、上記第1層125の上部に提供する方法としては、スピンコーティング、スプレイ法、インクジェットプリンティング、ディッピング、キャスティング、グラビアコーティング、バーコーティング、ロールコーティング、ワイヤバーコーティング、スクリーンコーティング、フレキソコーティングまたはオフセットコーティングを利用できるが、これらに限定されるものではない。このとき、上記第1層125は、上記第1物質選択的に、電子注入物質をさらに含むことができるを含み、かつ/または前述のように、蒸着例えば、熱蒸着またはスパッタリング法を利用して形成されうるので、発光層形成のために、上記発光物質及び溶媒を含む混合物を、上記第1層125の上部に提供しても、第1層125が上記溶媒によって実質的に損傷されない。従って、上記第1層125と発光層との界面には、上記第1層125に含まれた物質すなわち、前述のような第1物質、及び選択的には電子注入物質と、発光物質とが共存するインターミキシング領域が実質的に存在せず、第1層125にすぐれた表面特性を維持でき、優秀な電気的特性を確保しつつも、大面積製造の容易性と工程安定性とが確保された有機発光装置を効果的に製造できる。一方、上記有機層127は、正孔注入層及びまたは正孔輸送層を含みうるが、上記正孔注入層及びまたは正孔輸送層は、正孔注入物質または正孔輸送物質及び溶媒を含む混合物をそれぞれ準備して、それを正孔注入層が形成される領域及び正孔輸送層が形成される領域にそれぞれ提供した後、熱処理することで形成することができる。上記有機層127の上部には、アノード129が備わっている。上記アノード129は、正孔を有機層127に注入する電極である。上記アノード129は、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ及びそれらの複合体であるITO、IZOのような酸化物、または金、白金、銀、銅などを利用できるが、これらに限定されるものではない。例えば、上記アノード129としてITOを使用する場合、その厚みは、1,000ないし2,000Åでありうる。または、上記アノード129としてAgを使用する場合、その厚みは、150ないし250Åでありうる。上記アノード129は、公知の多様な方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法などを利用して形成されうるが、これらに限定されるものではない。図2は、本発明の他の実施形態による有機発光装置Pを概略的に図示した断面図である。図2の有機発光装置Pは、第1層125とカソード121との間に、電子注入層124が介在されているという点を除いては、上記図1に図示された有機発光装置と同じ構造を有しており、これについては、図1に係わる説明を参照する。上記電子注入層124は、第1層125とカソード121との間に介在され、カソード121から第1層125への電子が効果的に注入されるようにする。上記電子注入層124は、任意の電子注入物質を含むことができる。例えば、上記電子注入層124は、LiF、NaCl、CsF、Li2O及びBaF2からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これらに限定されるものではない。上記電子注入層124は、より好ましくは、LiFを含むことができる。上記電子注入層124は、公知の多様な方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法などを利用して形成されうる。上記電子注入層124の厚みは、0.1nmないし10nm、より好ましくは、0.5nmないし5nmでありうる。上記電子注入層124の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子注入性能を得ることができる。一方、Hf-In-Zn-O系酸化物半導体層を具備した薄膜トランジスタが備わったn型基板上に、Al層カソード、700Å/LiF層電子注入層、10Å/ZnS層第1層、250Å/ADNDPVBi層発光層、300Å、ドーパントであるDPVBiのドーピング濃度は、4重量である/NPB層正孔輸送層、150Å/MTDATA層正孔注入層、700Å/ITO層アノード、1,000ないし2,000Åが順に積層されている有機発光装置以下、装置1とするを製造し、上記装置1の電流密度、効率、電力効率、輝度及び色座標を、PR650輝度計SpectroscanSourceMeasurementUnit.PhotoResearchとKeithely236IVL電流、電圧、輝度測定時に利用とを利用して評価した。ここで、上記第1層は、熱蒸着法を利用して形成した。図3は、装置1の電流密度特性を2回測定した結果として収得したグラフをそれぞれ図示した図面である。また、図4に、電圧輝度特性を示す。一方、上記装置1の駆動電圧別の電流密度、効率、電力効率、輝度及び色座標を表1に示す。図3及び表1から、上記装置1は、優秀な電気的特性を有するということを確認することができる。一方、第1層として250ÅのZnS層を形成する代わりに、ZnSとLiFとを共蒸着ZnSとLiFとの重量比は1:1であるし、ZnS及びLiFを含む第1層250Åを形成した点を除いては、上記装置1と同じ構成を有する有機発光装置以下、装置2とするを製造した。また、図4に、電圧輝度特性を示す。上記装置2の電流密度、効率、電力効率、輝度及び色座標を表2に示す。上記表2から、上記装置2は、優秀な電気的特性を有するということを確認することができる。また、Hf-In-Zn-O系酸化物半導体層を具備した薄膜トランジスタが備わったn型基板上に、Al層カソード、1,500Å/LiF層電子注入層、10Å/ZnS層第1層、250Å/Bebq2層電子輸送層、250Å/ADNDPVBi層発光層、300Å、ドーパントであるDPVBiのドーピング濃度は、4重量である/NPB層正孔輸送層、150Å/MTDATA層正孔注入層、700Å/ITO層アノード、1,000ないし2,000Åが順に積層されている有機発光装置以下、装置3とする;Hf-In-Zn-O系酸化物半導体層を具備した薄膜トランジスタが備わったn型基板上に、Al層カソード、1,500Å/LiF層電子注入層、10Å/ZnS層第1層、250Å/Bebq2層電子輸送層、250Å/ADNDPVBi層発光層、300Å、ドーパントであるDPVBiのドーピング濃度は、4重量である/NPB層第1正孔輸送層、50Å/NPB層第2正孔輸送層、200Å/PEDOT:PSS層正孔注入層、600Å/ITO層アノード、1,000ないし2,000Åが順に積層されている有機発光装置以下、装置4とする;を製造し、上記装置3及び4の電流密度、効率、電力効率、輝度及び色座標を、PR650輝度計SpectroscanSourceMeasurementUnit.PhotoResearchとKeithely236IVL測定時に利用するとを利用して評価した。上記装置4において第2正孔輸送層は、NPB及び有機溶媒を含む混合物を、第1正孔輸送層の上部に提供した後で熱処理して形成したものであり、正孔注入層は、PEDOT:PSS溶液を、第2正孔輸送層の上部に提供した後で熱処理して形成したものである。上記表3から、上記装置3及び4は、優秀な電気的特性を有するということを確認することができる。"