"半導体チップを回転させる回転装置と、前記回転装置の周辺に前記半導体チップの角に接離可能に配置された工具と、前記回転装置の回転軸に関する径方向に沿って前記工具を移動させることによって、該工具を前記半導体チップの角に接触させて、該半導体チップの前記角を面取りする移動装置と、を備えることを特徴とする面取り装置。前記工具が前記回転装置の周辺に複数個配置されていることを特徴とする請求項1に記載の面取り装置。前記回転装置が、前記半導体チップの重心を通る直線を回転軸として、該半導体チップを回転させることを特徴とする請求項1又は2に記載の面取り装置。前記回転装置、前記工具及び前記移動装置の周囲を覆う囲い壁をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の面取り装置。前記移動装置は、前記回転装置の回転軸に関する接線方向に沿って前記工具を移動させることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の面取り装置。前記回転装置及び前記移動装置を駆動する制御装置をさらに備え、前記制御装置は、前記回転装置に回転動作をさせると同時に、前記移動装置に移動動作をさせることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の面取り装置。半導体チップを回転装置によって回転させながら、前記回転装置の周辺に配置され且つ前記半導体チップの角に接離可能に配置された工具を前記回転装置の回転軸に関する径方向に沿って移動させることで該工具を前記半導体チップの前記角に接触させることによって、該半導体チップの前記角を面取りすることを特徴とする面取り方法。前記工具が研磨工具であり、前記半導体チップの前記角の面取り後に、前記工具を目の細かさが異なる研磨工具に交換して、前記交換後の研磨工具を用いて前記半導体チップの前記角の面取りを再度行うことを特徴とする請求項7に記載の面取り方法。前記半導体チップの前記角の研削、研磨又は切削をすることによって前記半導体チップの前記角を面取りすることを特徴とする請求項7又は8に記載の面取り方法。前記半導体チップの中心を通る回転軸の回りに前記半導体チップを回転させることを特徴とする請求7乃至9の何れか1項に記載の面取り方法。前記半導体チップの回転軸に関する径方向内側へ前記工具を移動させることを特徴とする請求項7乃至10の何れか1項に記載の面取り方法。前記半導体チップの回転軸に関する接線方向に前記工具を移動させることを特徴とする請求項7乃至11の何れか1項に記載の面取り方法。特許文献1,2に記載の技術では、半導体ウエハを半導体チップに個片化する際に、半導体チップの角を面取りしている。しかし、これらの方法では、すでに個片化された半導体チップの角を面取りすることはできなかった。そこで、本発明が解決しようとする課題は、予め個片化された半導体チップの角の面取りをできるようにすることである。以上の課題を解決するための本発明に係る面取り装置は、半導体チップを回転させる回転装置と、前記回転装置の周辺に前記半導体チップの角に接離可能に配置された工具と、前記回転装置の回転軸に関する径方向に沿って前記工具を移動させることによって、該工具を前記半導体チップの角に接触させて、該半導体チップの前記角を面取りする移動装置と、を備える。以上の課題を解決するための本発明に係る面取り方法は、半導体チップを回転装置によって回転させながら、前記回転装置の周辺に配置され且つ前記半導体チップの角に接離可能に配置された工具を前記回転装置の回転軸に関する径方向に沿って移動させることで該工具を前記半導体チップの前記角に接触させることによって、該半導体チップの前記角を面取りする方法である。本発明によれば、予め個片化された半導体チップの角を面取りすることができる。以下に、本発明を実施するための形態について、図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。第1の実施の形態図1は、半導体チップの面取り方法を示した工程図である。図1aに示すように、半導体チップ1は、互いに同形状である上面と下面との間に厚さを有し、上面と下面とをつなぐ複数の側面を有する多面体である。その上面及び下面がいずれも凸多角形である。即ち、平面視して、半導体チップ1が凸多角形に形作られている。平面視した半導体チップ1の形状が凸四多角形である場合、一組又は二組の対角が直角であることが好ましい。凸四角形の一組又は二組の対角が直角であると、全ての頂点を通る外接円が存在するためである。具体的には、平面視して、半導体チップ1が正方形に形作られており、半導体チップ1が四つの直角な角2を有する。また、半導体チップ1は、長方形にそれぞれが形作られた4つの側面を有し、半導体チップ1全体としては扁平な形状に形作られている。なお、平面視した半導体チップ1の形状が正三角形、正五角形等の正多角形であってもよい。半導体チップ1はパッケージされたものでもよいし、ベアチップであってもよい。半導体チップ1の表側の面と裏側の面のうち一方又は両方に保護フィルムを貼着してもよい。図1bに示すように、半導体チップ1を回転させる。その回転軸5は、半導体チップ1に対して交差するとともに、半導体チップ1の中心3を通っている。具体的には、その回転軸5は、半導体チップ1の中心3において半導体チップ1の上面及び下面に直交している。ここでの、中心3とは、半導体チップ1を平面視した場合の半導体チップ1の外形の重心をいう。一方、工具4を半導体チップ1の周辺に半導体チップ1の角2に接離可能に配置し、回転している半導体チップ1の角2に工具4を当て、工具4を用いて半導体チップ1の角2の研削、研磨又は切削を行う。これにより、半導体チップ1の角2が丸まる図1c参照。工具4は、例えば研削工具、研磨工具又は切削工具であり、より具体的にはヤスリ、砥石、バイトtoolbit又はブレードである。半導体チップ1の周辺に配置する工具4の数は4であるが、1、2若しくは3又は5以上であってもよい。工具4の数が2以上である場合には、これら工具4を回転軸5に関する周方向に沿って等角度の間隔で配置するとよい。半導体チップ1の回転中に、工具4を径方向に沿って回転軸5に近づけるように遅く移動させる。そうすることで、半導体チップ1の角2の削り取る量を増やす。半導体チップ1が正多角形具体的には、正方形であるから、半導体チップ1の全ての角頂点2を通る外接円が存在する。そのような半導体チップ1を回転させる際の回転軸5が半導体チップ1の中心3を通るので、全ての角2の研削、研磨又は切削をほぼ同時に行うことができる。なお、図2に示すように、平面視して、半導体チップ1が長方形に形作られていてもよい。この場合でも、半導体チップ1の全ての角2を通る外接円が存在するので、全ての角2を工具4によってほぼ同時に削ることができる。以上のように半導体チップ1の角2を丸めることによって、角2が他の物体例えば、落下時の床面、実装時の他の電子部品等に衝突しても、半導体チップ1の角2が欠けにくい。また、以上に説明した方法では、予め個片化した半導体チップ1の角2が面取りされていなくても、その角2を丸面取りすることができる。また、半導体チップ1の角2の丸面取り処理が枚葉処理であるため、再現性が良い。つまり、同じ形状の多数の半導体チップ1の角2を同様にして丸めた場合でも、丸面取り部分の形状の個体差が殆どない。仮に多数の半導体チップ1の角2を同時にエッチングして丸めた場合、つまりバッチ処理の場合、エッチングの進行具合が半導体チップ1の位置やエッチング液の濃度分布に影響するので、丸面取り部分の形状の個体差が大きくなってしまう。特許文献1特開2009-99681号公報に記載の技術でも、面取り部分の形状の個体差が大きくなってしまう。この実施の形態では、そのような個体差を解消することができる。第2の実施の形態図3は、面取り装置10を示した側面図であり、図4は、面取り装置10を示した平面図である。図3、図4に示すように、トレー71がトレー置き場載置台70の上に載置されている。トレー71の上面には、長方形又は正方形の収納凹部72が凹設されている。収納凹部72の数が複数であり、これら収納凹部72が格子状に配列されている。収納凹部72の中には半導体チップ11がそれぞれ収納されている。なお、半導体チップ11は、第1の実施の形態において説明した半導体チップ1と同じものである。移載機20がトレー置き場70の周辺に配置され、囲い壁60及び回転装置30が移載機20の周辺に配置されている。移載機20が回転装置turningmachine30とトレー置き場70との間に配置されている。囲い壁60が、回転装置30を囲うように回転装置30の周囲に配置されている。囲い壁60によって囲われた空間61は、その上側が開放されている。移載機20は、トレー収納凹部72内に収納された半導体チップ11を回転装置30に移載したり、回転装置30に支持された半導体チップ11をトレー収納凹部72内に移載したりする。移載機20は、基台21、昇降機22、アーム23及び保持部24を有する。昇降機22が基台21の上に取り付けられ、アーム23の基端部が昇降機22の上端に連結されている。昇降機22は、上下に伸縮することによってアーム23を昇降させる。アーム23の基端部と昇降機22の連結部は、上下に延びた回転軸となっており、アーム23がその回転軸を中心にして旋回する。アーム23は、その回転軸から径方向外側に延びているとともに、その径方向に収縮する。アーム23の先端部には、保持部24が取り付けられている。保持部24は、半導体チップ11を保持する。具体的には、保持部24が半導体チップ11を吸引して、半導体チップ11が保持部24に吸着することによって、半導体チップ11が保持部24に保持される。より具体的には、保持部24が半導体チップ11を真空吸引し、又は磁気吸引する。なお、保持部24が半導体チップ11を爪、指等によって機械的に把持するものでもよい。回転装置30は、半導体チップ11を保持するとともに保持した半導体チップ11を回転させる。回転装置30は、スピンドル回転軸31、チャック32及び昇降回転機33を有する。スピンドル31、チャック32及び昇降回転機33は、囲い壁60の内側に配置されている。スピンドル31が昇降回転機33に連結され、そのスピンドル31が上下に延び出ている。昇降回転機33は、スピンドル31を上下に移動させたり、上下に延びたスピンドル31の軸線を中心にスピンドル31を回転させたりする。スピンドル31の上端部には、チャック32が取り付けられている。チャック32は、半導体チップ11をスピンドル31に固定するものである。チャック32は、半導体チップ11を爪等によって機械的に固定するものでもよいし、半導体チップ11を例えば磁気又は真空によって吸引することでその半導体チップ11を固定するものでもよい。囲い壁60の内側には、工具40が配置されている。工具40は、回転装置30の周辺に配置されている。工具40は、例えば研削工具、研磨工具又は切削工具であり、より具体的にはヤスリ、砥石、バイト又はブレードである。工具40の数は2以上であり、具体的には4である。なお、工具40の数が1であってもよい。工具40が移動装置50にそれぞれ連結されている。移動装置50は、囲い壁60の内側において回転装置30の周辺に配置されている。移動装置50は、スピンドル31の軸線に関する径方向に沿って工具40を移動させる。工具40が移動装置50から取り外し可能であり、工具40を交換することができる。囲い壁60の内側には、支柱51が立設されている。移動装置50が支柱51の上端に取り付けられ、移動装置50及び工具40が所定の高さの位置に配置されている。以上に説明した移載機20、囲い壁60、工具40、移動装置50、支柱51及び囲み壁60を一組のユニットとした場合、複数組のユニットがトレー置き場70の周囲に配置されていてもよい。これらユニットで並行して丸面取り処理を行うことができる。この面取り装置10は、トレー置き場70、移載機20、回転装置30、工具40、移動装置50、支柱51及び囲み壁60のほかに、制御装置80を備える。制御装置80は移載機20、回転装置30及び移動装置50を制御する。例えば、制御装置80は、移載機20、回転装置30及び移動装置50の順序制御シーケンス制御を行ったり、これらの動作速度の制御をしたりする。続いて、面取り装置10の動作について説明するとともに、面取り装置10を用いた半導体チップの面取り方法について説明する。まず、制御装置80が回転装置30の昇降回転機33を制御して、スピンドル31が昇降回転機33によって上昇される。また、制御装置80が移動装置50を制御して、工具40が移動装置50によって径方向外側に移動される。次に、制御装置80が移載機20を制御して、移載機20がトレー収納凹部72内に収納された半導体チップ11を回転装置30のチャック32に移載して、半導体チップ11の中心がスピンドル31の軸線に一致させる。具体的には、昇降機22によってアーム23が上昇された後、アーム23が伸縮するとともに回転することで、保持部24が何れかの半導体チップ11の上に位置し、その後、アーム23が昇降機22によって下降されると、半導体チップ11が保持部24に保持される。その後、昇降機22によってアーム23が上昇された後、アーム23が伸縮するとともに回転することで、保持部24がチャック32の上に位置する。その後、アーム23が昇降機22によって下降されると、半導体チップ11が保持部24からチャック32に移される。チャック32によって半導体チップ11がスピンドル31に固定された後、制御装置80が昇降回転機33を制御して、スピンドル31が昇降回転機33によって下降される。この際、チャック32に保持された半導体チップ11の上下の位置と、工具40の上下の位置が揃ったら、スピンドル31の下降が停止する。次に、制御装置80が昇降回転機33を制御して、スピンドル31が昇降回転機33によって回転される。半導体チップ11の中心とスピンドル31の軸線が揃っているから、半導体チップ11がその中心の回りを回転する。次に、制御装置80が移動装置50を制御して、工具40が移動装置50によって径方向内側に移動される。そして、工具40が回転中の半導体チップ11の角に当たると、半導体チップ11の角が工具40によって削られる。工具40が半導体チップ11の角に当たった後、工具40が移動装置50によって径方向内側へゆっくり移動され、半導体チップ11の角が徐々に削り取られる。工具40が半導体チップ11の角に当たってから所定の距離だけ移動されたら、制御装置80が移動装置50を制御して、工具40が移動装置50によって径方向外側に移動される。次に、制御装置80が昇降回転機33を制御して、昇降回転機33の回転動作が停止した後、スピンドル31が昇降回転機33によって上昇される。半導体チップ11が保持部24に当接し、その半導体チップ11がチャック32から保持部24に移される。次に、制御装置80が移載機20を制御して、移載機20が保持部24に保持された半導体チップ11を元のトレー収納凹部72に移載する。この実施の形態によれば、以下のような効果が得られる。半導体チップ11の角を丸めたので、半導体チップ11の角が欠けにくい。半導体チップ11の複数の角をほぼ同時に丸めることができる。半導体チップ11の角の削りかすの飛散を囲い壁60によって防止することができる。枚葉処理であるため、再現性の良い丸面取りができる。半導体チップの具体例上述の半導体チップの一例について説明する。図5は、上述の各実施形態で丸面取り処理される半導体チップ101の一部を破断した状態で示した斜視図である。半導体チップ101は、チップサイズにパッケージしたものであって、いわゆるCSPChipSizePackageである。特に、この半導体チップ101は、個片化する前の半導体ウエハの表面を樹脂によって封止した後に、それをチップサイズに個片化したものである。つまり、半導体チップ101は、CSPの中でも特にWLPWaferLevelPackageである。半導体チップ101は、半導体基板102、パッシベーション膜104、絶縁膜105、封止層106、配線107、アウター端子109及びバンプ110等を備える。半導体基板102は、シリコンといった半導体材料等からなる。半導体基板102の表側の表層には、集積回路が形成されている。半導体基板102の上面が、パッシベーション膜104によって被覆されている。パッシベーション膜104は、酸化シリコン又は窒化シリコンを含有する。パッシベーション膜104が、絶縁膜105によって被覆されている。絶縁膜105は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の樹脂を含有する。例えば、絶縁膜105には、ポリイミドPI、ポリベンゾオキサゾールPBO、エポキシ系、フェノール系、シリコン系等のプラスチック材料又はこれらの複合材料等を用いることができる。なお、絶縁膜105が形成されていなくてもよい。半導体基板102の上面の上には、複数のインナー端子103が形成されている。インナー端子103は、半導体基板102の表層に形成された集積回路の配線の一部であったり、各種電気素子例えば、ダイオード、トランジスタ、抵抗、コンデンサ等の電極であったりする。パッシベーション膜104及び絶縁膜105のうちインナー端子103に重なる位置には、コンタクト用開口が形成されている。配線107が、絶縁膜105上絶縁膜105が無い場合には、パッシベーション膜104上に形成されている。配線107は、導体下地シード層と導体層の積層体である。なお、配線107は導体の単層であってもよいし、更に多くの導体層を積層したものでもよい。配線107の一部がインナー端子103上に積層され、配線107がパッシベーション膜104及び絶縁膜105に開けられたコンタクト用開口を介してインナー端子103に接続されている。配線107の一部がランド108となっている。ランド108上には、アウター端子109が形成され、配線107がアウター端子109に接続されている。そのため、アウター端子109は、配線107によってインナー端子103に導通している。アウター端子109は、突起状に設けられた柱状電極である。アウター端子109は、銅その他の金属からなる。遮光性の封止層106が絶縁膜105上絶縁膜105が無い場合には、パッシベーション膜104上に形成され、配線107が封止層106によって覆われている。アウター端子109が封止層106を貫通するように封止層106に埋設されている。アウター端子109の頭頂面が封止層106によって覆われていないが、アウター端子109の周面が封止層106によって覆われて保護されている。封止層106の表面が、アウター端子109の頭頂面と面一に設けられているか、又は、アウター端子109の頭頂面よりも僅かに高い位置にある。封止層106は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の絶縁性樹脂を含有し、好ましくは、絶縁性樹脂エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等にフィラー例えば、ガラスフィラーを配合した繊維強化樹脂からなる。バンプ110がアウター端子109の頭頂面上に形成されている。バンプ110は半田バンプである。平面視して、半導体チップ101が正方形又は長方形に形作られている。平面視して、半導体基板102が正方形又は長方形に形作られている。平面視して、封止層106が正方形又は長方形に形作られている。封止層106の外周面側面106aと半導体基板102の外周面側面102aが面一となって揃っており、封止層106及び半導体基板102が半導体チップ101の外周面側面として露出している。半導体基板102及び封止層106は長方形にそれぞれが形作られた4つの側面を有し、半導体チップ101の各側面も長方形に形作られている。平面視して、絶縁膜105が正方形又は長方形に形作られている。平面視して、絶縁膜105の外縁105aが半導体基板102の外周面102aよりも内側に位置しており、絶縁膜105が半導体チップ101の外周面側面として露出していない。なお、平面視して、絶縁膜105のサイズと半導体基板102のサイズが同じで、絶縁膜105が半導体チップ101の外周面側面として露出していてもよい。平面視して、パッシベーション膜104のサイズと半導体基板102のサイズが同じで、パッシベーション膜104の外縁104aが半導体チップ101の外周面側面として露出している。なお、パッシベーション膜104の外縁104aが露出していなくてもよい。上記各実施の形態で説明したように、半導体チップ101をその中心の回りに回転させつつ、工具4又は工具40を半導体チップ101の角120に当てることで、半導体チップ101の角120を削る。半導体基板102はその脆性が高く、その延展性が低いのに対して、封止層106は半導体基板102よりも脆性が低く、延展性が高い。そのため、半導体基板102に積層された封止層106によって半導体基板102が保護され、工具4,40によって半導体基板102が欠けてしまうことを防止することができる。変形例本発明を適用可能な実施形態は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。以下、幾つかの変形例を挙げる。以下に挙げる変形例は、可能な限り組み合わせてもよい。変形例1半導体チップ1,11,101を回転させる際の回転軸が、半導体チップ1,11,101の中心からずれていてもよい。変形例21つの半導体チップ1,11,101の角を削るに際して、工具4,40を交換してもよい。例えば、工具4,40がヤスリ又は砥石といった研磨工具である場合、工具4,40を目の異なるものに交換する。具体的には、半導体チップ1,11,101の角の面取り後に、工具4,40をより目の細かい研磨工具に交換し、交換後の研磨工具を用いて半導体チップ1,11,101の角の面取りを再度行う。交換回数及び交換後の面取り回数は1回でもよいし、複数回でもよい。交換回数が複数回である場合も、目の粗い研磨工具から順に用いる。半導体チップ1,11,101の角を再度面取りする際には、半導体チップ1,11,101を回転させながら、交換後の研磨工具を回転軸に関する径方向内側に移動させることで交換後の研磨工具を半導体チップ1,11,101の角に接触させることによって、半導体チップ1,11,101の角を面取りする。なお、工具4,40をより目の粗い研磨工具に交換してもよい。変形例3上記第2の実施の形態では、移動装置50がモータ等の動力源を有し、その動力源によって動作するものとした。それに対して、移動装置50が手動で動かされるものとしてもよい。変形例4上記第1の実施の形態では、工具40が移動装置50によって径方向に沿って移動されるようにしたが、工具40が移動装置50によって、スピンドル31の軸線を中心とする円の径方向及び接線方向に沿って移動されるようにしてもよい。これによって、角2の丸みの曲率を小さくしたり、大きくしたりするような加工を半導体チップ1に施すことができる。付記本発明のいくつかの実施形態を説明したが、本発明の範囲は、上述の実施の形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲とその均等の範囲を含む。以下に、この出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲に記載した発明を付記する。付記に記載した請求項の項番は、この出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の通りである。<請求項1>半導体チップを回転させる回転装置と、前記回転装置の周辺に前記半導体チップの角に接離可能に配置された工具と、前記回転装置の回転軸に関する径方向に沿って前記工具を移動させることによって、該工具を前記半導体チップの角に接触させて、該半導体チップの前記角を面取りする移動装置と、を備えることを特徴とする面取り装置。<請求項2>前記工具が前記回転装置の周辺に複数個配置されていることを特徴とする請求項1に記載の面取り装置。<請求項3>前記回転装置が、前記半導体チップの重心を通る直線を回転軸として、該半導体チップを回転させることを特徴とする請求項1又は2に記載の面取り装置。<請求項4>前記回転装置、前記工具及び前記移動装置の周囲を覆う囲い壁をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の面取り装置。<請求項5>前記移動装置は、前記回転装置の回転軸に関する接線方向に沿って前記工具を移動させることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の面取り装置。<請求項6>前記回転装置及び前記移動装置を駆動する制御装置をさらに備え、前記制御装置は、前記回転装置に回転動作をさせると同時に、前記移動装置に移動動作をさせることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の面取り装置。<請求項7>半導体チップを回転装置によって回転させながら、前記回転装置の周辺に配置され且つ前記半導体チップの角に接離可能に配置された工具を前記回転装置の回転軸に関する径方向に沿って移動させることで該工具を前記半導体チップの前記角に接触させることによって、該半導体チップの前記角を面取りすることを特徴とする面取り方法。<請求項8>前記工具が研磨工具であり、前記半導体チップの前記角の面取り後に、前記工具を目の細かさが異なる研磨工具に交換して、前記交換後の研磨工具を用いて前記半導体チップの前記角の面取りを再度行うことを特徴とする請求項7に記載の面取り方法。<請求項9>前記半導体チップの前記角の研削、研磨又は切削をすることによって前記半導体チップの前記角を面取りすることを特徴とする請求項7又は8に記載の面取り方法。<請求項10>前記半導体チップの中心を通る回転軸の回りに前記半導体チップを回転させることを特徴とする請求7乃至9の何れか1項に記載の面取り方法。<請求項11>前記半導体チップの回転軸に関する径方向内側へ前記工具を移動させることを特徴とする請求項7乃至10の何れか1項に記載の面取り方法。<請求項12>前記半導体チップの回転軸に関する接線方向に前記工具を移動させることを特徴とする請求項7乃至11の何れか1項に記載の面取り方法。"