ガラス基板に対して所定の粒径を有する研磨砥粒を用いて研磨を行う研磨工程と、前記研磨工程後に前記ガラス基板に超音波洗浄を行う超音波洗浄工程を有し、前記超音波洗浄工程は、前記所定の粒径を有するパーティクルを凝集させる周波数で第1の超音波洗浄を行って二次粒子を形成した後、前記二次粒子を洗浄対象とする周波数で第2の超音波洗浄を行うことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記研磨工程で粒径が10nm~30nmの研磨砥粒を用い、前記超音波洗浄工程において、300KHz~1000KHzの周波数で第1の超音波洗浄を行って二次粒子を形成した後、30KHz~100KHzの周波数で第2の超音波洗浄を行うことを特徴とする請求項1に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記第1の超音波洗浄を行うことにより、粒径が1000nm~3000nmの前記二次粒子を形成することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記研磨工程は、前記ガラス基板に対して複数行われる研磨工程のうち最終の研磨工程であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。ガラス基板の表面を研磨砥粒を含むスラリーを利用して研磨する研磨処理の後、前記研磨砥粒を除去する洗浄処理を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記研磨処理の後、前記ガラス基板の表面に付着した研磨砥粒を凝集させて二次粒子を形成する凝集処理を行なった後、前記二次粒子を前記洗浄処理で除去することを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記研磨砥粒は、珪素酸化物からなることを特徴とする請求項5に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記凝集処理は、前記研磨砥粒に超音波を印加して二次粒子を生成させることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記凝集処理は、アルカリ性に調整された液体中で、前記研磨砥粒に超音波を印加する処理であることを特徴とする請求項5から請求項7のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記スラリーは、珪素酸化物の研磨砥粒を含む酸性に調整されたスラリーであることを特徴とする請求項5から請求項8のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記洗浄処理は、超音波洗浄であることを特徴とする請求項5から請求項9のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。近年、ガラス基板表面の平滑化を向上させるために、ガラス基板の研磨に用いられる研磨砥粒の粒子径は縮小の一途をたどっている。一方、浮上量のさらなる低下を実現するため、磁気ディスク表面上には極めて微小な凸形状も許されない状況となってきている。したがって、ガラス基板の研磨に用いられた微小な研磨砥粒の除去が重要な課題となっている。ところで、ガラス基板表面のパーティクルの除去を目的として研磨工程後に行われる超音波洗浄工程では、対象粒子径に対して適用する周波数帯が決まるため、洗浄対象の粒子径が縮小するにつれて周波数を高くする必要がある。例えば、特許文献1では、0.8μmの研磨砥粒を用いて研磨した後に、50kHzの超音波洗浄が実施されている。よって、研磨砥粒がこれより小さくなる場合は、超音波の周波数をさらに高く設定する必要があると考えられる。しかし、超音波周波数が高くなると、研磨砥粒を十分に除去できないことがわかってきた。これは、超音波周波数が高くなることにより洗浄対象粒子径以外の微粒子の運動も活発になり、大きい粒子に衝突して凝集するためと推察される。例えば、比較的高い周波数120~950KHzの超音波を照射することにより、粒径が20nm程度のパーティクルが除去されずに凝集することが分かってきた。一方で、粒径が20nmのパーティクルに対しては、比較的低い周波数例えば、80KHzの超音波を照射してもうまく除去できないという問題がある。また、近年、記録密度をより一層向上させるために、ヘッドにDFH技術を搭載するHDDが開発されている。この技術によってヘッド素子部を従来以上に媒体表面に近づけて磁気的スペーシングを低減することが可能となるが、他方、DFHヘッドを用いる場合には、磁気ディスクの主表面を従来以上に平滑かつ異物等の欠陥が少なく清浄とすることが必要であることがわかってきた。DFHヘッドでは、ヘッド本体の浮上量を下げて磁気ディスク表面に近づけるのではなく、ヘッド素子部周辺のみを突き出して媒体表面に近づけるため、僅かな表面凹凸の乱れや異物との接触でもヘッド素子部が影響を受けてしまうためと考えられる。例えば、2.5インチの磁気ディスク一枚あたり500GB以上の記録密度を達成するためには、突き出したヘッド素子部と磁気ディスクとの間隔を好ましくは1nm以下とすることが求められる。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、ガラス基板の研磨工程で粒径が小さい研磨砥粒を用い、且つ研磨工程後の超音波洗浄工程において高い周波数で超音波処理を行う場合であっても、ガラス基板表面のパーティクルを効果的に除去することを目的の一とする。本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板に対して所定の粒径を有する研磨砥粒を用いて研磨を行う研磨工程と、研磨工程後にガラス基板に超音波洗浄を行う超音波洗浄工程を有し、超音波洗浄工程は、所定の粒径を有するパーティクルを凝集させる周波数で第1の超音波洗浄を行って二次粒子を形成した後、二次粒子を洗浄対象とする周波数で第2の超音波洗浄を行うことを特徴としている。本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板に対して研磨を行う研磨工程と、研磨工程後にガラス基板に超音波洗浄を行う超音波洗浄工程を有し、研磨工程で粒径が10nm~30nmの研磨砥粒を用い、超音波洗浄工程において、300KHz~1000KHzの周波数で第1の超音波洗浄を行って二次粒子を形成した後、30KHz~100KHzの周波数で第2の超音波洗浄を行うことを特徴としている。本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、第1の超音波洗浄を行うことにより、粒径が1000nm~3000nmの二次粒子を形成することが好ましい。本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、上記研磨工程は、ガラス基板に対して複数行われる研磨工程のうち最終の研磨工程であることが好ましい。ガラス基板に対して研磨を行った後に行う超音波洗浄工程において、比較的高い周波数で第1の超音波洗浄を行った後に、比較的低い周波数で第2の超音波洗浄を行うことにより、研磨工程において粒径が小さい研磨砥粒を用いる場合であっても、研磨砥粒等に起因する凝集パーティクルが残存することを抑制し、ガラス基板表面のパーティクルを効果的に除去することができる。本発明者は、ガラス基板表面の平滑化をより一層向上させることを目的として研磨工程で用いる研磨砥粒の粒径を縮小させると共に、微細なパーティクルを除去することを目的として研磨後の超音波洗浄工程において比較的高い周波数を用いて超音波洗浄を行ったところ、従来は問題にならなかった研磨砥粒に起因するパーティクル粒径10nm~30nmが凝集してガラス基板表面に残存するという問題に直面した。すなわち、研磨砥粒の微小化に伴って超音波周波数を高くしても、ガラス基板表面に異物が残存してしまうことがわかってきた。この異物を分析したところ、微小な研磨砥粒の凝集体であった。このことから、高い周波数の超音波によって、異物を核とするなどして研磨砥粒が凝集して大きくなったために、当初の高い周波数が洗浄除去には不適切となったためと考えられる。そこで、この問題を解決すべく鋭意検討した結果、研磨工程後に行う超音波洗浄工程において、比較的高い周波数300KHz以上1000KHz以下で超音波を照射して研磨砥粒に起因するパーティクルを凝集させた後、比較的低い周波数30KHz以上100KHz以下に切り替えて超音波を照射することにより、ガラス基板表面のパーティクルを効果的に除去できるとともに、超音波による凹欠陥をガラス基板に生じさせないことを見出した。以下に、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について具体的に説明する。本実施の形態で示す磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、少なくともガラス基板に対して所定の粒径を有する研磨砥粒を用いて研磨を行う研磨工程と、研磨工程後にガラス基板に超音波洗浄を行う超音波洗浄工程を有し、超音波洗浄工程は、所定の粒径を有するパーティクルを凝集させる周波数で第1の超音波洗浄を行って二次粒子を形成した後、二次粒子を洗浄対象とし、かつ、ガラス基板表面に凹欠陥を生じさせない周波数で第2の超音波洗浄を行う。例えば、研磨工程で粒径が10nm~30nmの研磨砥粒を用いる場合には、第1の超音波洗浄を300KHz~1000KHzの周波数で行い、第2の超音波洗浄を30KHz~100KHzの周波数で行うことができる。上記超音波洗浄工程において、相対的に高い周波数300KHz~1000KHzを用いる第1の超音波洗浄は、洗浄対象となる粒径のパーティクルを除去すると共に、洗浄対象外の粒径10nm~30nmを有するパーティクル研磨砥粒等を凝集させて二次粒子凝集物を形成することを目的とするものであり、相対的に低い周波数30KHz~100KHzを用いる第2の超音波処理は、第1の超音波処理で凝集させた二次粒子を除去しながらも、ガラス基板に凹欠陥を生じさせないことを目的とするものである。つまり、研磨工程後のガラス基板に対して、まず、比較的高い周波数で超音波処理を行うことにより、ガラス基板表面に付着した洗浄対象となる粒径のパーティクルを除去すると共に、洗浄対象外のパーティクルを大きい粒子に衝突させて凝集させる。その後、比較的低い周波数で超音波処理を行うことにより、凝集した粒径の大きいパーティクルを除去する。また、この場合、比較的低い周波数で超音波処理を行っても、一度凝集したパーティクルの大部分を分散状態にせずに除去することができる。これは、凝集物の界面に有機物が介在し、結合力が強くなっているためと考えられる。この有機物は、研磨砥粒の微小化に伴ってスラリーに添加される分散剤や再凝集防止剤に由来すると考えられる。なお、これら分散剤や再凝集防止剤は、スラリーのpHに応じて最適となるような物質を選択して添加されるため、例えば酸性のスラリーで効果を発揮する分散剤はアルカリ性条件化では十分な分散効果を発揮できない。第1の超音波洗浄の周波数は、ガラス基板表面に付着した洗浄対象となる粒径のパーティクルを除去でき、且つ洗浄対象外のパーティクルここでは、10nm~30nmの研磨砥粒等のパーティクルを凝集させる周波数に設定すればよい。例えば、このような条件を満たす周波数として300KHz~1000KHzとすればよい。周波数が300KHz未満であると、10nm~30nmの粒径のパーティクルがうまく二次粒径を形成せず、周波数が1000KHzを超えると、三次粒子、四次粒子等を形成してしまい、除去することが困難となる。第2の超音波洗浄の周波数は、第1の超音波洗浄の周波数によって凝集して生成するパーティクルの粒径を洗浄対象とする周波数に設定すればよい。例えば、第1の超音波洗浄の周波数を950kHzとした場合の凝集するパーティクルの粒径は、超音波の印加時間によっても異なるが1000nm~3000nmとなるため、第2の超音波洗浄の周波数は対象粒径が1000nm~3000nmとなる30kHz~100KHzに設定すればよい。なお、超音波洗浄の周波数と洗浄対象となるパーティクルの粒径は、振幅と音速を用いて超音波周波数帯の洗浄対象径の関係を示した下記の式1により求めることができる。δac=2ν/ω0.5inwater1なお、上記式1において、δacは音圧境界層の厚さ、νは音速、ωはHz周波数を示す。第2の超音波洗浄の周波数が30KHz未満であると、パーティクルは除去されるがガラス表面に対して強い衝撃を与えることとなり、表面粗さが悪くなることがあり、周波数が100KHzを超えると、パーティクルを除去させることが困難となる。また、第1の超音波洗浄と第2の超音波洗浄は、異なる2つの洗浄槽に分けて行うことができるが、1つの洗浄槽において途中で周波数を切り替えることにより続けて行うこともできる。第1の超音波洗浄の周波数から第2の超音波洗浄の周波数への切り替えるタイミングは、第1の超音波洗浄で用いる周波数を照射することにより二次粒子が形成される時間等を事前に測定しておき、その条件をフィードバックさせることが好ましい。これにより、第1の超音波洗浄により、第2の超音波洗浄の対象となる粒径の二次粒子を十分に形成した後に、第2の超音波洗浄を行うことができる。このように、研磨後のガラス基板に対して異なる周波数で超音波洗浄を連続して行い、研磨砥粒に起因するパーティクルを凝集させて二次粒子を形成した後に、当該二次粒子を除去することによって、研磨工程で微小な研磨砥粒粒径10nm~30nmを用い、且つ研磨工程後の超音波洗浄工程において比較的高い周波数300KHz~1000KHzで超音波処理を行う場合であっても、ガラス基板表面のパーティクルを効果的に除去することができる。また、第1の超音波洗浄と第2の超音波洗浄は、いずれもアルカリ性に調整された液中で行われることが好ましい。本発明者の検討によれば、酸性条件化では、微小な研磨砥粒を凝集させて二次粒子を得ることが難しい。なお、第1の超音波洗浄をアルカリ性、第2の超音波洗浄を酸性で実施する場合、第一の超音波洗浄によって生成した二次粒子は第二の超音波洗浄時に分解するため、第1の超音波洗浄及び第2の超音波洗浄の洗浄液をアルカリ性とする場合と比較してうまく除去できない。好ましくは、第1の超音波洗浄及び第2の超音波洗浄の洗浄液のpHを12~14の範囲とすることが好ましく、pHを13~14の範囲とすることがより好ましい。もちろん、基板の表面粗さを悪化させない範囲に調整することが望ましい。なお、本実施の形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板の表面に付着した研磨砥粒を凝集させて二次粒子を形成する凝集処理と、当該二次粒子を除去する洗浄処理の組み合わせ工程を含むと考えることができる。具体的には、ガラス基板の表面を研磨砥粒を含むスラリーを利用して研磨する研磨処理を行った後、ガラス基板の表面に付着した研磨砥粒を凝集させて二次粒子を形成し凝集処理、その後、洗浄により二次粒子を除去する洗浄処理。凝集処理は、アルカリ性に調整された液体中で、前記研磨砥粒に超音波を印加する処理とすることができる。洗浄処理は、スクラブ洗浄等を用いることができるが、超音波洗浄を用いることが好ましい。また、研磨工程は珪素酸化物の砥粒を含むスラリーであるのが好ましい。珪素酸化物であれば中心粒径が10~30nmの極めて微小な粒径の砥粒を比較的粒径を揃えて得ることができ、かつ、研磨対象のガラス基板と主成分が同じであるため硬度の差が小さいことから、ガラス基板表面を極めて平滑に研磨するのに最適である。また、研磨工程は珪素酸化物の砥粒を含むスラリーを酸性条件化で使用することが好ましい。酸によるエッチング効果等によって、研磨レートを向上することが可能となる。以下に、上述した超音波洗浄工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造工程について詳しく説明する。なお、各工程の順序は以下の記載に限定されず、適宜入れ替えることが可能である。1素材加工工程素材加工工程では、板状のガラスを用いることができる。ガラスとしては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、主表面の平坦性及び基板強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を提供することができるという点では、アルミノシリケートガラスを用いることが好ましい。板状ガラスは、これらのガラスを材料として、プレス法やフロート法、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法など、公知の製造方法を用いて製造することができる。これらの方法うち、プレス法を用いれば、板状ガラスを廉価に製造することができる。2第1研削ラッピング工程第1ラッピング工程では、ディスク状のガラス基板の主表面をラッピング加工し、ガラス基板の形状を整える。第1のラッピング工程は、遊星歯車機構を利用した両面研削装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行うことができる。具体的には、ディスク状のガラス基板の両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液をガラス基板の主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行う。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス基板を得ることができる。3形状加工工程穴部を形成するコアリング工程、端部外周端部及び内周端部に面取り面を形成するチャンファリング工程面取り面形成工程コアリング工程では、例えば、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、ディスク状のガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とすることができる。チャンファリング工程においては、内周端面及び外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、ガラス基板に所定の面取り加工を施す。4第2ラッピング工程第2ラッピング工程では、得られたガラス基板の両主表面について、第2ラッピング加工を行う。第2ラッピング工程を行うことにより、前工程である形状加工工程においてガラス基板の主表面に形成された微細な凹凸形状を除去することができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることが可能となる。第2ラッピング工程は、遊星歯車機構を利用した両面研削装置により、ダイヤモンドシートからなる固定砥粒研磨パッドを用いて研削することができる。ダイヤモンドシートは、ダイヤモンド粒子を研削砥粒として備えていればよく、例えば、PETからなる基材にダイヤモンド粒子を設けたダイヤモンドシートを用いることができる。5端面研磨工程端面研磨工程では、ガラス基板の外周端面及び内周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行う。このとき、研磨砥粒としては、例えば、酸化セリウム砥粒を含むスラリーを用いることができる。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、鏡面状態になる。6主表面研磨工程第1研磨工程主表面研磨工程として、まず第1研磨工程を施す。第1研磨工程は、前述のラッピング工程で両主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とする工程である。この第1研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、両主表面の研磨を行う。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いることができる。また、第1研磨工程を終えたガラス基板は、中性洗剤、純水、IPA等で洗浄することが好ましい。なお、両面研磨装置としては、上下側定盤の主表面部に、一対の研磨布硬質樹脂ポリッシャの研磨パッドを貼付して使用することができる。この両面研磨装置においては、上下側定盤に貼付された研磨布間にガラス基板を設置し、上下側定盤の一方又は双方を移動させて、ガラス基板の両主表面を研磨することができる。7化学強化工程化学強化工程においては、ガラス基板を化学強化液に浸漬して化学強化処理を施す。化学強化処理に用いる化学強化液としては、例えば、硝酸カリウム60と硝酸ナトリウム40の混合溶液などを用いることができる。化学強化処理においては、化学強化液を300°C~400°Cに加熱し、ガラス基板を200°C~300°Cに予熱し、化学強化溶液中に3時間~4時間浸漬することによって行う。この浸漬の際には、ガラス基板の両表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行うことが好ましい。このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化溶液中の相対的にイオン半径の大きなナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。なお、化学強化処理されたガラス基板は、硫酸で洗浄した後に、純水、IPA等で洗浄すればよい。8主表面研磨工程最終研磨工程最終研磨工程として、第2研磨工程を施す。第2研磨工程は、両主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする工程である。第2研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、両主表面の鏡面研磨を行う。研磨砥粒としては、第1研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細な粒径10nm~30nmのコロイダルシリカなどを有するスラリーを用いることがきる。この最終研磨工程において、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置を用いて上記第1研磨工程と同様に行うことができる。9超音波洗浄工程最終研磨工程後にガラス基板に超音波を用いた洗浄工程を施す。超音波洗浄工程は、最終研磨工程後にガラス基板の表面に付着したパーティクルを2種類以上の超音波周波数帯を用いて除去することを目的とする工程である。超音波洗浄工程においては、最終研磨工程を施したガラス基板を純水、KOH水溶液等に浸した後、超音波を照射する。具体的には、まず、相対的に高い周波数300KHz~1000KHzで第1の超音波洗浄を行って二次粒子を形成した後、続けて、相対的に低い周波数30KHz~100KHzで第2の超音波洗浄を行うことにより、ガラス基板表面から第1の超音波洗浄により凝集された二次粒子を含むパーティクルを除去する。第1の超音波洗浄と第2の超音波洗浄は、1回の超音波洗浄工程において周波数を切り替えることにより行うことができる。第1の超音波洗浄の周波数から第2の超音波洗浄の周波数への切り替えるタイミングは、事前に比較的高い周波数で超音波を照射した場合に形成される二次粒子の大きさ例えば、1000nm~3000nmと超音波洗浄時間の関係等を規定し、その条件をフィードバックさせることが好ましい。これにより、第1の超音波洗浄により、二次粒子を十分に形成した後に、第2の超音波洗浄を行うことができる。<磁気ディスク製造工程記録層等形成工程>上述した工程を経て得られたガラス基板の主表面に、例えば、付着層、軟磁性層、非磁性下地層、垂直磁気記録層、保護層、及び潤滑層を順次成膜することにより、垂直磁気記録ディスクを製造することができる。付着層を構成する材料としては、Cr合金などを挙げることができる。軟磁性層を構成する材料としては、CoTaZr基合金などを挙げることができる。非磁性下地層としては、グラニュラー非磁性層などを挙げることができる。垂直磁気記録層としては、グラニュラー磁性層などを挙げることができる。保護層を構成する材料としては、水素化カーボンなどを挙げることができる。潤滑層を構成する材料としては、フッ素樹脂などを挙げることができる。例えば、これらの記録層等は、より具体的には、インライン型スパッタリング装置を用いて、ガラス基板の上に、CrTiの付着層、CoTaZr/Ru/CoTaZrの軟磁性層、CoCrSiO2の非磁性グラニュラー下地層、CoCrPt-SiO2TiO2のグラニュラー磁性層、水素化カーボン保護膜を順次成膜し、さらに、ディップ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層を成膜することができる。なお、CoCrSiO2の非磁性グラニュラー下地層の替わりにRuの下地層を用いてもよい。また、軟磁性層と下地層の間にNiWのシード層を追加してもよい。また、グラニュラー磁性層と保護層の間にCoCrPtBの磁性層を追加してもよい。次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例及び比較例について説明する。第1の研磨工程と第2の研磨工程最終研磨工程を施したガラス基板に対して、超音波洗浄工程を行った後、ガラス基板表面に残存しているパーティクルのサイズ及び個数について評価した。ガラス基板としては、SiO2:58重量~75重量、Al2O3:5重量~23重量、Li2O:3重量~10重量、Na2O:4重量~13重量を主成分として含有するアルミノシリケートガラスを使用した。なお、Li2Oは0重量より大きく7重量以下であってもよい。<主表面研磨工程第1研磨工程>主表面研磨工程として、まず第1研磨工程を施した。第1研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、主表面の研磨を行った。研磨剤としては、粒径0.2nm~4.5nmの酸化セリウムを含むスラリーを用いた。この第1研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、IPAイソプロピルアルコール、の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。<主表面研磨工程最終研磨工程>次に、主表面研磨工程として、第2研磨工程を施した。この第2研磨工程は、主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。第2研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研磨剤としては、第1研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細なコロイダルシリカ砥粒平均粒子径10nm~30nmを含むスラリーを使用した。なお、本実施例、比較例では、上記スラリーのpHを2に設定して研磨を行った。このとき、上記スラリーに酢酸及び酢酸塩を含む添加剤を加えて研磨を行っている。これは、研磨工程中にスラリーのpHを一定にコントロールするためである。上記スラリー研磨液としては、超純水に上記コロイド状シリカ粒子を加えた混合液を用い、添加剤としてクエン酸を0.5重量添加したものを用いた。<超音波洗浄工程>最終研磨工程を終えたガラス基板を、濃度2重量のKOH水溶液に浸漬して表1に示す各条件にて超音波洗浄工程を行った。その後、中性洗剤、純水、純水、IPA、IPA蒸気乾燥の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した後に、光学測定機を用いてガラス基板表面に残存しているパーティクルの個数及び基板表面のクラックの有無について評価した。評価結果評価結果を表1に示す。表1より、第1の超音波処理の周波数が300kHz~1000kHzの範囲、且つ第2の超音波処理の周波数が30kHz~100kHzの範囲で処理を行った場合に、ガラス基板のクラックの発生を抑制すると共に、残存パーティクル数を低減できた実施例1~実施例10、実施例17~実施例21。これは、第1の超音波処理を周波数300kHz~1000kHzの範囲で行うことにより、研磨砥粒に起因するパーティクルを効果的に凝集させ、その後、第2の超音波処理を周波数30kHz~100kHzの範囲で行うことにより、ガラス基板表面の凝集したパーティクルを効果的に除去できたためと考えられる。また、第2の超音波処理の周波数を30kHz~100kHzの範囲とすることにより、ガラス基板に加わる衝撃が低減されクラックが発生しなかったと考えられる。特に、第1の超音波処理の周波数をより高くする950kHzことにより効果的に残存パーティクル数を低減することができた実施例4、5、9、10、18~21参照。これは、第1の超音波処理の周波数を高くすることによって、研磨砥粒に起因するパーティクルの凝集が効果的に進んだためと考えられる。また、最終研磨工程における研磨砥粒の粒径が10nm~30nmの範囲外例えば、5nm、40nmであっても、第1の超音波処理の周波数が300kHz~1000kHzの範囲、且つ第2の超音波処理の周波数が30kHz~100kHzの範囲で処理を行った場合に、ガラス基板のクラックの発生を抑制すると共に、残存パーティクル数を低減できた実施例20、21。一方で、第1の超音波処理の周波数のみを行った場合比較例1~3又は第2の超音波処理の周波数のみを行った場合比較例4には、実施例と比較して残存パーティクル数が大幅に増加した。また、第1の超音波処理の周波数を300kHz~1000kHzの範囲で行った場合であっても、第2の超音波処理の周波数が30kHz~100kHzの範囲外である場合には、実施例と比較して残存パーティクル数の増加や、クラックの発生がみられた。同様に、第2の超音波処理の周波数を30kHz~100kHzの範囲内で行った場合であっても、第1の超音波処理の周波数が300kHz~1000kHzの範囲外である場合には、実施例と比較して残存パーティクル数が増加する傾向がみられた。これは、第1の超音波処理で研磨砥粒に起因するパーティクルを凝集させることができなかったためと考えられる。次に、第1の超音波処理と第2の超音波処理を異なる洗浄液を用いて行った場合の評価結果を表2に示す。表2より、第1の超音波処理の周波数が300kHz~1000kHzの範囲、且つ第2の超音波処理の周波数が30kHz~100kHzの範囲で処理を行った場合には、異なる処理液を用いた場合であっても残存パーティクル数を1000個以下と少なくすることができた。特に、第1の超音波処理及び第2の超音波処理の洗浄液をアルカリ性とした場合に、最も残存パーティクル数が小さくなった実施例22。また、洗浄液のpHを12~14の範囲とすることが好ましく、pHを13~14の範囲とすることがより好ましい。DFHタッチダウン試験次に、上記表1に示した条件で洗浄工程を行ったガラス基板を用いて磁気ディスクを作製し、クボタコンプス社製HDFテスターHeadDiskFlyabilityTesterを用いて、DFHヘッド素子部のタッチダウン試験を行った。この試験は、DFH機構によって素子部を徐々に突き出していき、AEセンサーによって磁気ディスク表面との接触を検知することによって、ヘッド素子部が磁気ディスク表面と接触するときの距離を評価するものである。ヘッドは320GB/P磁気ディスク2.5インチサイズ向けのDFHヘッドを用いた。素子部の突き出しがない時の浮上量は10nmである。また、その他の条件は以下の通り設定した。磁気ディスク:2.5インチ内径20mm、外径65mm、板厚0.8mmのガラス基板を製造し、当該ガラス基板に記録層等を成膜評価半径:22mm磁気ディスクの回転数:5400RPM温度:25°C湿度:60また、ガラス基板に対する記録層の成膜は以下の通り行った。まず、真空引きを行った成膜装置を用い、DCマグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、基板上に付着層/軟磁性層/前下地層/下地層/主記録層/補助記録層/保護層/潤滑層を順次成膜した。なお、断らない限り成膜時のArガス圧は0.6Paで行った。付着層としては、Cr-50Tiを10nm成膜した。軟磁性層としては、0.7nmのRu層を挟んで、92Co-3Ta-5Zrをそれぞれ20nm成膜した。前下地層としては、Ni-5Wを8nm成膜した。下地層としては、0.6PaでRuを10nm成膜した上に5PaでRuを10nm成膜した。主記録層としては、3Paで9072Co-10Cr-18Pt-5SiO2-5TiO2を15nm成膜した。補助記録層としては、62Co-18Cr-15Pt-5Bを6nm成膜した。保護層としては、CVD法によりC2H4を用いて4nm成膜し、表層を窒化処理した。潤滑層としては、ディップコート法によりPFPEを用いて1nm形成した。DFHタッチダウン試験の結果を表1に示す。なお、表1において、ヘッド素子部と磁気ディスクが接触した距離xとするに応じて以下の通り評価した。○:x≦1.0nm△:1.0nm<x表1のDFHタッチダウン試験の結果より、ガラス基板のクラックの発生を抑制すると共に、残存パーティクル数を効果的に低減できた基板実施例1~実施例10、実施例17~実施例21を用いた場合に、ヘッド素子部と磁気ディスクが接触した距離を1.0nm以下と小さくすることができた。以上のように、第1の超音波処理の周波数が300kHz~1000kHzの範囲、且つ第2の超音波処理の周波数が30kHz~100kHzの範囲で処理を行うことによって、超音波による凹欠陥をガラス基板に生じさせることなく、ガラス基板表面のパーティクルを効果的に除去できると考えられる。なお、上記実施の形態における材料、サイズ、処理手順、検査方法などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。また、本出願は特願2010-085020に基づく。この内容はすべてここに含めておく。