内部に空所を有すると共に、前記空所を外部と連通し、さらに封止部材を溶融した後で固化することにより封止する封止孔を有している容器を有している電子デバイス用パッケージであって、前記封止孔の外部の周辺の面には、第1の金属膜が形成されると共に、前記封止孔の外部の周辺の面の少なくとも一部には第2の金属膜が形成され、前記第2の金属膜の融点は前記第1の金属膜の融点よりも低いことを特徴とする電子デバイス用パッケージ。前記第1の金属膜上に、前記第2の金属膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス用パッケージ。前記第2の金属膜は、前記第1の金属膜が存在しない前記封止孔の外部の周辺の面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス用パッケージ。前記第1の金属膜として金を用い、前記第2の金属膜として金-錫合金を用いていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電子デバイス用パッケージ。請求項1乃至4の何れか一項に記載の前記電子デバイス用パッケージと、前記封止部材と、前記容器の空所内に配置された電子部品と、を備えていることを特徴とする電子デバイス。前記封止部材として、金-ゲルマニウム合金を用いていることを特徴とする請求項5に記載の電子デバイス。請求項6に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。内部に空所を有すると共に前記空所を外部と連通させる封止孔を有した容器と、溶融した後で固化することにより前記封止孔を封止する封止部材と、前記封止部材によって前記封止孔を封止された前記容器内に収容されている電子部品と、を有し、前記封止孔の外周縁の面上、及び内壁には全周に渡って第1の金属膜が形成されると共に、前記封止孔の外周縁の面上の少なくとも一部には第2の金属膜が形成され、前記第2の金属膜の融点が前記第1の金属膜の融点よりも低い電子デバイスの製造方法であって、前記電子部品を前記容器の空所内に収容する工程と、前記封止孔が上向きとなるように前記容器をセットする容器セット工程と、前記封止部材を前記封止孔上に配置する封止部材配置工程と、前記第2の金属膜を溶融させる第1の溶融工程と、前記第1の溶融工程を経た後に前記容器の空所を減圧する減圧工程と、前記封止部材を溶融させる第2の溶融工程と、を含み、前記第1の溶融工程では、前記容器の空所と容器外部との連通を確保した状態で、前記第2の金属膜によって前記封止孔内、又は前記封止孔の周縁部に前記封止部材を固定することを特徴とする電子デバイスの製造方法。本発明は上記に鑑みてなされたものであり、生産性低下の原因となるカバー板を用いることなく、簡易な手法によって封止部材が封止孔から排出されるガスによって飛散することを確実に防止することができる電子デバイス用パッケージ、電子デバイス、及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的としている。本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。[適用例1]本発明に係る電子デバイス用パッケージは、内部に空所を有すると共に、前記空所を外部と連通し、さらに封止部材を溶融した後で固化することにより封止する封止孔を有している容器を有している電子デバイス用パッケージであって、前記封止孔の外部の周辺の面には、第1の金属膜が形成されると共に、前記封止孔の外部の周辺の面の少なくとも一部には第2の金属膜が形成され、前記第2の金属膜の融点は前記第1の金属膜の融点よりも低いことを特徴とする。この適用例によれば、減圧工程、及び本封止工程前に、封止部材を封止孔に仮固定するための溶融工程を実施するため、生産性低下の原因となるカバー板を用いることなく、簡易な手法によって封止部材が封止孔から排出されるガスによって飛散することを確実に防止することができる。封止部材を仮固定する手法としては、封止孔周辺に第2の金属膜を形成しておき、この第2の金属膜を溶融させる方法を採るため、生産性を高めることができる。[適用例2]本発明に係る電子デバイス用パッケージは、適用例1において、前記第1の金属膜上に、前記第2の金属膜が形成されていることを特徴とする。第2の金属膜は、第1の金属膜上に形成してもよい。第2の金属膜を溶融させることにより、封止部材を仮固定できるので、封止部材の飛散を防止して減圧工程を効率化することができる。[適用例3]本発明に係る電子デバイス用パッケージは、適用例1において、前記第2の金属膜は、前記第1の金属膜が存在しない前記封止孔の外部の周辺の面に形成されていることを特徴とする。第2の金属膜は、第1の金属膜が存在しない部分に形成してもよい。第2の金属膜を溶融させることにより、封止部材を仮固定できるので、封止部材の飛散を防止して減圧工程を効率化することができる。[適用例4]本発明に係る電子デバイス用パッケージは、適用例1乃至3において、前記第1の金属膜として金を用い、前記第2の金属膜として金-錫合金を用いていることを特徴とする。金-錫合金は融点が低いため、仮固定用の金属材料として適している。[適用例5]本発明に係る電子デバイスは、適用例1乃至4の何れか一項に記載の前記電子デバイス用パッケージと、前記封止部材と、前記容器の空所内に配置された電子部品と、を備えていることを特徴とする。この適用例によれば、電子デバイス用パッケージの生産性が高まるので、電子デバイスの生産性をも高めて、コストダウンを図ることができる。[適用例6]本発明に係る電子デバイス用パッケージは、適用例5において、前記封止部材として、金-ゲルマニウム合金を用いていることを特徴とする。この適用例によれば、融点が高い金-ゲルマニウム合金を用いたことにより、封止後の圧電デバイスを実装する工程において熱が加えられた場合に容易に溶融しないことから、容器内部の真空状態が封止部材の一部溶融によりリークされることが有効に防止される。しかも、封止部材に鉛を含有していないことから、鉛を原因とする環境汚染を回避することができる。[適用例7]本発明に係る電子機器は、適用例6に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。[適用例8]本発明に係る電子デバイスの製造方法は、内部に空所を有すると共に前記空所を外部と連通させる封止孔を有した容器と、溶融した後で固化することにより前記封止孔を封止する封止部材と、前記封止部材によって前記封止孔を封止された前記容器内に収容されている電子部品と、を有し、前記封止孔の外周縁の面上、及び内壁には全周に渡って第1の金属膜が形成されると共に、前記封止孔の外周縁の面上の少なくとも一部には第2の金属膜が形成され、前記第2の金属膜の融点が前記第1の金属膜の融点よりも低い電子デバイスの製造方法であって、前記電子部品を前記容器の空所内に収容する工程と、前記封止孔が上向きとなるように前記容器をセットする容器セット工程と、前記封止部材を前記封止孔上に配置する封止部材配置工程と、前記第2の金属膜を溶融させる第1の溶融工程と、前記第1の溶融工程を経た後に前記容器の空所を減圧する減圧工程と、前記封止部材を溶融させる第2の溶融工程と、を含み、前記第1の溶融工程では、前記容器の空所と容器外部との連通を確保した状態で、前記第2の金属膜によって前記封止孔内、又は前記封止孔の周縁部に前記封止部材を固定することを特徴とする。この適用例によれば、減圧工程、及び本封止工程前に、封止部材を封止孔に仮固定するための溶融工程を実施するため、生産性低下の原因となるカバー板を用いることなく、簡易な手法によって封止部材が封止孔から排出されるガスによって飛散することを確実に防止することができる。封止部材を仮固定する手法としては、封止孔周辺に第2の金属膜を形成しておき、この第2の金属膜を溶融させる方法を採るため、生産性を高めることができる。以下、本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。図1乃至図3は、本発明の電子デバイス用パッケージを用いた電子デバイスの一実施形態を示しており、図1はその概略平面図、図2は図1のX-X線概略断面図、図3は図1の底面図である。また、図4ab及びcは容器本体内に圧電振動素子を搭載する手順を示す縦断面図、封止孔周辺を示す底面図、及び蓋体を接合する手順を示す説明図である。これらの図においては、圧電デバイス1として圧電振動子を例示しており、圧電デバイス1は、容器2内に圧電振動素子電子部品30を気密封止した構成を有している。容器2は、容器本体3と、容器本体3上に搭載された圧電振動素子30を気密封止するために組み付けられる蓋体20と、から構成されている。容器本体3は、例えば、セラミックグリーンシートを積層して焼結した酸化アルミニウム質焼結体等の基板で形成されている。複数の各基板は、その内側に所定の孔を形成することで、積層した場合に内側に所定の内部空間Sを形成するようにされている。すなわち、図2に示すように、本実施形態の容器本体3は、例えば、平板状の第1の積層基板11と、その上に重ねられる環状の第2の積層基板12と、その上に重ねられる環状の第3の積層基板13と、から構成されている。容器本体3の内部空間S内の左端部付近において、内部空間Sに露出して底部を構成するベースとなる第2の積層基板12には、Au及びNiメッキが施された電極部15、15が設けられている。この電極部15、15は外部と接続されて駆動電圧を供給するものである。この各電極部15、15の上に導電性接着剤16、16が塗布され、この導電性接着剤16、16上に圧電振動素子30の基部31が載置されて導電性接着剤16、16が硬化される。圧電振動素子30の基部31の導電性接着剤16、16と触れる部分には、駆動電圧を伝えるための引出電極図示せずが形成されており、これにより、圧電振動素子30は、駆動用電極が容器本体3側の電極部15、15と導電性接着剤16、16を介して電気的に接続されている。圧電振動素子30を構成する圧電基板は、例えば水晶で形成されており、水晶以外にもタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料を利用することができる。本実施形態の場合、圧電振動素子30は、容器本体3側と固定される基部31と、この基部31から、図面右方に向けて二股に別れて平行に延びる一対の振動腕34、35を備えており、全体が音叉のような形状とされた、所謂、音叉型圧電振動素子が利用されている。容器本体3の開放された上面には、低融点ガラス等のロウ材33を介して、金属製の蓋体20が接合されることにより封止されている。また、容器本体3の底面のほぼ中央付近には、容器本体3の底板を構成する2枚の積層基板11、12に夫々第1及び第2の貫通孔37a、37bを連続形成することにより、貫通孔としての封止孔37が設けられている。この封止孔37を構成する2つの貫通孔のうち、容器本体内部に開口する第1の貫通孔37aに対して、外側の第2の貫通孔37bは、より大きな内径を備えた同心円状に構成されている。これにより、封止孔37は段部40を有する開口とされており、好ましくは、第2の貫通孔37bの段部と、貫通孔37aの孔内周面には後述する封止部材38である金属ボール例えば、金ゲルマニウム合金Au/Geに対して、濡れ性のよい金属、例えば、金メッキ等が、所定の下地層の上に形成されることにより被覆されている。具体的には、図4b中に示すように第1の貫通孔37aの外周縁面37a’と、内壁37a’’には、金メッキ膜としての第1の金属膜45が周方向に連続して全周に渡って成膜されている。更に、外周縁面37a’上の少なくとも一部には第2の金属膜47が形成されている。第2の金属膜47は、第1の金属膜45の融点よりも低い融点を有する材料から構成されている。第2の金属膜としては、例えば金-錫合金Au-Sn合金を用いる。金の融点は、1064°Cであり、金-錫合金の融点は、356°Cである。容器本体3内に圧電振動素子30を固定した後で、封止孔37に封止部材金属製封止部材38が溶融充填されることにより、容器本体3内を気密状態に封止する。本例では、封止孔37に充填される封止部材38として、後述する封止工程で詳しく説明するように、特に金ゲルマニウム合金Au/Geが用いられている。なお、封止部材としてはこれ以外の任意の金属材料を使用することができる。なお、容器2と、封止孔37を封止した封止部材38は、電子デバイスのパッケージPを構成している。さらに、この実施形態では、容器本体3を構成する第2の積層基板12には、図面右端部付近に孔を形成することにより、この積層基板12の厚みに対応した凹部42が形成されている。この凹部42は、圧電振動素子30の下方に位置している。これにより、本実施形態では、容器本体3に外部から衝撃が加わった場合に、圧電振動素子30の自由端が矢印D方向に変位して振れた場合においても、容器本体3の内側底面と接触することを防止している。本実施形態に係る圧電デバイス1は以上のように構成されており、容器本体3に設けた封止孔37が金ゲルマニウム合金Au/Geでなる封止部材38により封止されている。このため、封止後の圧電デバイス1を実装する工程において熱が加えられた場合に、金ゲルマニウム合金は融点が高く、容易に溶融しないことから、容器2内部の真空状態が封止部材の一部溶融によりリークされることが有効に防止される。しかも、封止部材38に鉛を含有していないことから、鉛を原因とする環境汚染を回避することができる。次に、本発明の電子デバイスのパッケージPは、次の如き特徴的な構成を有する。即ち、電子デバイスのパッケージPは、内部に空所Sを有すると共に該空所を外部と連通させる封止孔37を有した容器2と、溶融した後で固化することにより封止孔を封止する封止部材38と、を有し、第1の貫通孔37aの外周縁の面37a’上、及び内壁37a’’には全周に渡って第1の金属膜45が連続形成されると共に、封止孔の外周縁の面上の少なくとも一部には第2の金属膜47が形成され、第2の金属膜47の融点は第1の金属膜46の融点よりも低いことを特徴としている。また、第2の金属膜47は、第1の金属膜45上に積層形成されていてもよいし、第1の金属膜45が存在しない外周縁面37a’下地金属層上に直接形成されていてもよい。図4bに示すように、第1の貫通孔37aの内周面には全周に渡って連続して第1の金属膜4545aが成膜されると共に、第1の貫通孔37aの内壁と第2の貫通孔37bの内壁との間に位置する第1の貫通孔の外周縁面37a’上にも第1の金属膜4545bが周方向に連続して全周に渡って成膜されている。更に、外周縁面37a’上の第1の金属膜4545b上の少なくとも一部には第2の金属膜47が積層して成膜されている。第2の金属膜47は外周縁面37a’上に連続した環状に形成してもよいし、図示のように180度の範囲内に納まるように形成してもよい。第2の金属膜47の径方向位置、及びその形状は、第2の貫通孔37bの内壁と、第1の貫通孔37aの周縁に着座した封止部材38の外周縁との間であって、上方から第2の金属膜47の少なくとも一部に対してレーザー光を照射できる領域に設定する。なお、第2の金属膜47を第1の貫通孔37aの上部開口全周を包囲するように環状に構成してもよい。この場合には、レーザー光を照射する部位を第2の金属膜の一部に限定することにより、第2の金属膜47の一部のみを溶融させて封止部材の一部だけを第1の貫通孔の周縁に固定することが可能である。後述するように本封止工程前に、レーザー光によって第2の金属膜47を溶融、固化させることにより、封止部材38と第1の貫通孔37aの周縁との間を一部固着させて封止部材を仮固定するために、第2の金属膜47は設けられている。なお、図示した実施形態では、封止孔37として小径の第1の貫通孔37aと、大径の第2の貫通孔37bとを軸方向に連設した構成を示したが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、軸方向全長に渡って同一内径を有した封止孔に対しても本発明を適用することができる。次に、本発明の電子デバイスの製造方法について説明する。即ち、本発明は、内部に空所Sを有すると共に該空所を外部と連通させる封止孔37を有した容器2と、溶融した後で固化することにより封止孔を封止する封止部材38と、封止部材によって封止孔を封止された容器内に収容された電子部品30と、を有し、封止孔の外周縁面37a’上、及び内壁37a’’には全周に渡って第1の金属膜45が連続形成されると共に、前封止孔の外周縁面37a’上の少なくとも一部には第2の金属膜47が形成され、第2の金属膜の融点が第1の金属膜の融点よりも低い電子デバイスの製造方法に関するものである。本発明に係る製造方法の特徴的な構成は、電子部品30を容器2の空所S内に収容する工程と、封止孔37が上向きとなるように容器2をセットする容器セット工程と、封止部材38を封止孔37上に配置する封止部材配置工程と、第2の金属膜47を溶融させる第1の溶融工程と、第1の溶融工程を経た容器2をチャンバー51a内に配置し、該チャンバー内を減圧することにより容器の空所Sを減圧する減圧工程と、空所が減圧された状態で、封止部材38を溶融させる第2の溶融工程と、を有し、第1の溶融工程では、容器の空所と容器外部との連通を確保した状態で、第2の金属膜47によって封止孔内、又は/及び、該封止孔の周縁部に封止部材を固定する、という点にある。次に、図5は本発明に係る電子デバイスの製造方法を説明するフローチャートである。図5において、容器、及び圧電振動素子の製造工程は図示を省略し、容器本体準備工程ステップS1、圧電振動素子の準備工程ステップS2としてそれぞれ簡略化して示した。ステップS1に示す容器本体3準備工程では、容器本体3を製造して準備する。容器本体3は、例えば、セラミック、ガラスなどの絶縁材料を用いて形成し、さらに具体的には、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートなどを成形して用いることができる。そのセラミックグリーンシートなどの材料を成形して、直径の異なる同心の貫通孔37a、37bをそれぞれ設けた2枚の積層基板11、12を積層し、さらに第2の積層基板12上に矩形環状の第3の積層基板13を積層させ、その後焼成することによって段差を有する凹部が形成された容器本体3の外形を得る。なお、各貫通孔37a、37bは円形の穴であってもよいし、非円形の穴であってもよい。絶縁材料からなる容器本体3の外面適所に、例えば、タングステンメタライズを施した上に、ニッケルめっきおよび金めっきを行ない、さらにフォトリソグラフィーを併用するなどの方法により、第1の積層基板11の外底面に設けられた外部実装端子図示せず、第2の積層基板12の上面に設けられた電極部15等を形成する。これと同時に、封止孔37内周面及び外部周縁に封止部材とのなじみのよい金属膜を形成する。なお、容器本体3に設けられた上記の各種端子は、対応する端子同士を、引き回し配線や、各積層基板に予め形成されたスルーホールなどの層内配線により接続する。封止孔37内周面及び外部周縁に形成する封止部材とのなじみのよい金属膜、即ち第1の金属膜45としては、例えば金を用いる。第1の金属膜45は、第1の貫通孔37aの内周面に全周に渡って連続形成した第1の金属膜45aと、第1の貫通孔の外周縁面37a’上に周方向全長に渡って連続形成された第1の金属膜45bと、から成り、両第1の金属膜45a、45bは電気的に接続している。更に、外周縁面37a’上の第1の金属膜45b上の少なくとも一部には第1の金属膜45よりも融点が低い材料から成る第2の金属膜47が積層して形成されている。なお、第1の金属膜45bの一部に第1の金属膜45bが存在しない領域を形成し、この領域内に第2の金属膜47を配置してもよい。第1の金属膜45bを形成する際にフォトリソグラフィー技術を用いて第1の金属膜45bが存在しない領域を形成し、その後この領域内にマスクを用いて第2の金属膜47を成膜することは容易である。ステップS2に示す圧電振動素子の準備工程では、圧電振動素子30を製造して準備する。圧電振動素子30の製造においては、まず、結晶軸に対して所定のカット角で切り出された大判の圧電基板、例えば水晶基板水晶ウェハーを準備し、フォトリソグラフィーを用いたウエットエッチング、またはドライエッチングすることにより、水晶基板の外形を形成する。次に、スパッタリングや蒸着などにより、励振電極や外部接続端子などの電極形成を行う。電極形成は、圧電振動素子の外形が形成された水晶基板の表面に、スパッタリングや蒸着により、クロム層を下地として形成し、その上に金層を積層させて形成することができる。そして、複数の圧電振動素子30が形成されたウェハーをダイシングすることにより、個片の圧電振動素子を複数得る。次に、圧電振動素子接合工程について説明する。ステップS3に示した圧電振動素子接合工程では、容器本体3の凹部内に設けた電極部15上に導電性接着剤16を用いて圧電振動素子30を配置して電気的、機械的な接続を伴う接合を行う。具体的には、図4aにおいて、容器本体3の外周壁上面に予め封止ガラス等のロウ材33を塗布すると共に、凹部内の電極部15上に導電性接着剤16を塗布し、圧電振動素子30の基部31に設けられている引出し電極図示せずの箇所を載せ、軽く荷重をかけて位置決めし、導電性接着剤16を硬化させることにより、圧電振動素子30を容器本体3内にマウントする。次に、ステップS4の圧電振動素子30の周波数調整工程を行う。周波数調整工程では、まず、圧電振動素子30の初期周波数を測定し、その初期周波数と目標周波数との差を許容範囲まで小さく調整することにより行う。圧電振動素子30の周波数調整は、例えば、レーザーやイオンビームを圧電振動素子30に照射してその一部を所定量エッチングすることにより行う。圧電振動素子30は、その振動部の質量を軽くすることにより振動周波数が高くなることが知られており、例えば、圧電振動素子30に形成された励起電極以外の電極パターンの一部をエッチングすることによって、励起電極の形状を変化させることなく圧電振動素子30の周波数を高く調整することができる。この質量削減方式による周波数調整方法を用いる場合には、圧電振動素子30の初期の周波数を目標周波数に対して低めの周波数となるようにつくり込みを行っておく。また、上記の質量削減方式とは逆に、圧電振動素子30の振動部に質量を付加して周波数を低下させることにより周波数調整を行うこともできる質量付加方式。質量付加の方法としては、スパッタリング法や蒸着法などにより圧電振動素子30の振動部に金属膜を堆積させる方法などを利用することができる。この質量付加方式により周波数調整を行う場合には、圧電振動素子30の初期の周波数は目標周波数に対して高めの周波数となるようにつくり込みを行う。次に、ステップS5に示すように、容器本体3の外周壁の開放された上端に蓋体20を接合する。容器本体3と蓋体20との接合は、容器本体3の上端面上に、例えば、コバールFe-Ni-Co合金などからなるロウ材としてのシールリングを設け、そのシールリングを介して、蓋体20をシーム溶接することにより行うことができる。具体的には、図4cに示すように、例えば、窒素雰囲気を形成するためのチャンバー51内において、支持台53上のトレイ54に蓋体20を載置し、その上に上述したロウ材33が蓋体20と接触するように容器本体3を逆さにして載置し、上から錘52により荷重をかけながらチャンバー51内を加熱する。これにより、ロウ材33を溶融して硬化させることにより蓋体20を接合する。尚、この工程は、チャンバー51に代えて、窒素雰囲気が管理されたベルト炉に圧電デバイス1を通して行うようにしてもよい。ステップS3~S5によって容器内に圧電振動素子30電子部品を収容する工程を終了する。容器本体3上に蓋体20が接合されることにより形成された内部空間S内に接合された圧電振動素子30を、封止工程S6~S11に移して封止を行う。封止工程は、例えば、図6aに示すように真空チャンバー51aなどの内部に圧電振動素子を収容した容器2容器本体3、蓋体20を収容して行う。この際、封止孔37が上向きとなるように、容器2の上下を逆にしてセットする。まず、ステップS6に示すように、容器本体3の底面に設けた封止孔37内に、金とゲルマニウムとの合金、あるいは、金と錫との合金などからなる球状の封止部材38を配置する。この球状の封止部材38の配置は、封止孔37が有する内周の形状を利用して行うことができる。すなわち、内部空所S側の貫通孔37aと、その貫通孔37aよりも大きな同心の外部側の貫通孔37bとが連通してなる封止孔37の段差形状を利用して、容器2を内部空所S側が下側となるように載置することにより、封止孔37の外部側から入れ込んだ球状の封止部材38が封止孔37内の段部40に保持されて配置される。図6aの工程をさらに詳しく説明する。図6aの一部を拡大して示す図6bに表されているように、球形の金ゲルマニウム合金Au/Ge合金の封止部材38が配置される封止孔37は、所定の内径n1を備える内側の第1の貫通孔37aと、この第1の貫通孔37aと連通して設けられると共に、第1の貫通孔37aよりも大きな内径n2を備えて外側に開口した第2の貫通孔37bとを備えている。球形の金ゲルマニウム合金Au/Ge合金の封止部材38の直径n3は、第1の貫通孔37aの内径n1よりも大きく、第2の貫通孔37bの内径n2よりも僅かに小さく形成されている。このため、球形の金ゲルマニウム合金の封止部材Au/Ge38は、図示されているように、第1の貫通孔37aの内周縁のエッジe段部40の稜線上に接触して保持されている。この際、第2の貫通孔37bの内壁と封止部材38の外周輪郭との間には、第2の金属膜47が露出した状態となっている。即ち、封止孔37を上方から視認した際に、封止部材と第2の貫通孔37bの内壁との間に位置する外周縁面37a’上に第2の金属膜47の存在が確認できる。従って、後述する第1の溶融工程においては、図7aに示したようにレーザー照射手段55からのレーザー光を第2の金属膜47に照射して溶融することが可能である。次に、ステップS7において本発明の特徴をなす第1の溶融工程封止部材の仮固定工程を実施する。第1の溶融工程では、図7aに示すように封止部材38と第2の貫通孔37bの内壁との間に位置する外周縁面37a’上に露出して配置された第2の金属膜47に対して、レーザー照射手段55からのレーザー光を照射して溶融する。第2の金属膜47を溶融してから硬化させることにより、第2の金属膜47と封止部材38の一部が固着した状態となる一方で、固着した部分を除いた封止部材38の外面と第1の貫通孔37aの内周縁との間には通気用の隙間Gが形成される。この仮固定状態では、封止部材は内部空所Sと容器外部とを連通状態に保持しながら封止孔第1の貫通孔37aに一部を固定させた状態を維持している。第1の溶融工程において封止部材38が第1の貫通孔37aを不完全に閉止した結果として、次段の減圧工程における加熱によって容器内のガスが封止部材と封止孔との隙間Gから効率的に排出される一方で、軽量の封止部材が排出されるガス圧力によって封止孔周辺から離脱して飛散することがなくなる。なお、真空チャンバー51aの上面の一部はガラス板となっており、外部に配置したレーザー照射手段55からのレーザー光Lはガラス板を経由して第2の金属膜47に照射される。次に、ステップS8の減圧工程において、真空チャンバー内を減圧することにより容器2の内部空所Sを減圧し、封止孔37の内周と封止部材38との隙間Gを介して、加熱により生成された容器2内部のガスを容器2の外部に排出させる。すなわち、ステップS3で説明した圧電振動素子30と電極部15とを接合に供する銀ペーストなどの導電性接着剤16などの硬化の過程で発生する有害なガスアウトガスや、容器2内部内部空所Sの水分が蒸発した気体を、この減圧ステップで外部に排出させる。即ち、ステップS8の減圧工程では、図7に示すように第1の溶融工程において第2の金属膜47を溶融、固化させることにより封止部材38を封止孔37に仮固定した状態にある容器2を真空チャンバー51a内に配置し、真空チャンバー51a内を図示しない真空排気手段により真空引きし、好ましくは、高真空状態とする。この際、第1の溶融工程を経た封止部材38は通気用の隙間を維持しつつ、その一部を確実に封止孔周辺に固定されているため、真空引き時に封止部材が飛び出して脱落する虞が皆無となる。このため、真空引きの速度、強度を高めることができ、生産性を高めることができる。また、同時に容器内の真空度を高めて真空度のバラツキをなくすることができるので、デバイス特性の向上、特性バラツキの減少を図ることができる。図8は、減圧工程における温度プロファイルの一例を示している。すなわち、真空チャンバー51a内を例えば、10-3Paパスカル程度の高真空とする。そして、T1時間例えば、20分の間、250度ないし300度、好ましくは、260度以上にまで加熱する。この温度をT2時間例えば、30分維持して、容器2内の例えば導電性接着剤16等から生成される気体成分を容器2外に排出する。続いて、真空チャンバー51a内の温度と気圧を保持したまま、真空孔封止工程第2の溶融工程をT3時間例えば、20分行う。この時、周囲の温度が高くても、金ゲルマニウム合金Au/Geの封止部材38の融点は高いので、溶融されることなく、従来260度程度であった加熱温度を280度程度まで上げて、効果的に上記気体成分の追い出しを行うことができる。そして、レーザー照射手段55から、封止部材38に向けてレーザー光Lを照射して、仮固定された封止部材38を溶融、固化することにより、貫通孔37を完全に塞ぐS9、S10。ステップS9の第2の溶融工程では、封止孔に仮固定された金ゲルマニウム合金Au/Ge合金の封止部材38に対してレーザー光Lを照射する図9。このレーザー光Lは、金ゲルマニウム合金Au/Ge合金の封止部材38の融点が360度程度であるにもかかわらず、本実施形態の封止部材38は光を吸収しやすい性質をもつため、金すずの場合とほぼ同じ条件で照射することで、球形の金ゲルマニウム合金Au/Ge合金38を適切に溶融することができる。封止部材38が溶融して封止孔37を封止する際には、溶融した封止部材は第1の金属膜45及び第2の金属膜47と一体化して封止孔に固着される。その後大気開放して終了するステップS11。このように、本実施形態に係る圧電デバイス電子デバイスの製造方法では、容器本体3の底部に形成された貫通孔37に対して、球形に形成した金ゲルマニウム合金Au/Geの封止部材38を配置し、第1の溶融工程によって第2の金属膜45を溶融させることにより封止部材を第1の貫通孔37aの周縁に仮固定未封止し、その後第2の溶融工程において封止部材を溶融本封止するようにしている。このため、生産性低下の原因となるカバー板を用いることなく、簡易な手法によって封止部材が封止孔から排出されるガスによって飛散することを確実に防止することができる。また、封止部材を溶融させて本封止する前の仮固定により、封止部材を封止孔に対して確実に固定することができるので、減圧工程において封止部材の浮き上がり、離脱の虞をなくして、容器内空所の減圧、ガス抜きを十分に行うことが可能となる。このため、完成した電子デバイスの特性バラツキが低減できる。また、真空引き減圧の時間を短縮できるので、生産性を向上し、コストダウンを図ることができる。金ゲルマニウム合金Au/Geの封止部材38は、融点が高いが、酸化されやすく、表面に酸化膜が形成されやすく、酸化膜が存在すると、加熱により流れにくくなり、封止作業がその分困難になる。ところが、金ゲルマニウム合金Au/Geを球形にして、レーザー光を照射すると、酸化膜のために、光を吸収しやすく、容易に溶融され、酸化膜が貫通孔37の外側に向かって表面に押し出される。これにより、封止部材38の合金成分を貫通孔37内に適切に流すことで、貫通孔37を完全に塞ぐことができる。このため、封止後の圧電デバイス1を実装する工程において、熱が加えられた場合に、金ゲルマニウム合金の封止部材38は融点が高く、容易に溶融しないことから、容器2内部の真空状態が封止部材の一部溶融によりリークすることが有効に防止される。しかも、封止部材38に鉛を含有していないことから、鉛を原因とする環境汚染を回避することができる。また、上記実施形態では第2の金属膜47を第1の金属膜45の上面に積層した構成例を示したが、図10a及びbの封止孔周辺の平面図、及び縦断面図に示すように、外周縁面37a’上に第1の金属膜45を形成しない部分49を設け、この部分49に第2の金属膜47を充填して第1の積層基板11の外面に直接、又は図示しない下地金属層を介して第2の金属膜47を配置してもよい。このように構成した場合においても、第1の溶融工程において第2の金属膜を溶融させることにより、封止部材を第1の貫通孔37a内、或いは/及び、外周縁面上に仮固定することができる。なお、第1の金属膜45を形成しない部分49に配置される第2の金属膜47と、第1の金属膜とは接触している必要はなく、離間していてもよい。この実施形態においても第1の金属膜45は周方向に連続している。即ち、第1の金属膜45が存在しない部分49が外周縁面37a‘内に島状に形成しているに過ぎず、図10aに示すように部分49の周縁部において第1の金属膜45は周方向へ連続している。図11aは、本発明の圧電デバイスの異なる実施の形態の構成を示す概略平面図である。図11において、圧電デバイス60は、圧電振動素子30を用いて、圧電発振器を形成した例を示しており、第1の実施の形態と同一の符号を付した箇所は共通する構成であるから、重複した説明は省略し、相違点を中心に説明する。図11bは、図11aのX-X線概略断面図であり、容器本体61は、その製造の際に、第1の実施形態の容器本体3よりも多くのセラミックシートの積層基板を用いて製造されている。これにより、容器本体61には、増えた分の積層基板を利用して中央付近に凹部62が形成されており、その内側底部には、図示しない電極が設けられている。この電極上には、集積回路63が実装されている。集積回路63は、所定の分周回路等を構成していて、圧電振動素子30の駆動電極と電気的に接続され、集積回路63から出力された駆動電圧が圧電振動素子30に与えられるようになっている。容器本体61の貫通孔37に充填されている封止部材38は、第1の実施形態で説明したものと同じであり、同一の封止工程で封止されたものである。したがって、本実施形態も第1の実施形態と同様の作用効果を発揮することができる。このように、本発明は、圧電振動子に限らず、図11のような圧電発振器やフィルタ等、その名称にかかわらず、容器本体内に圧電振動素子を収容して、蓋体により封止する構成のあらゆる圧電デバイスに適用できる。図12は、本発明の上述した実施形態に係る圧電デバイスを利用した電子機器の一例としてのデジタル式携帯電話装置の概略構成を示す図である。図において、送信者の音声を受信するマイクロフォン108及び受信内容を音声出力とするためのスピーカ109を備えており、さらに、送受信信号の変調及び復調部に接続された制御部としての集積回路等でなるコントローラ101を備えている。コントローラ101は、送受信信号の変調及び復調の他に画像表示部としてのLCDや情報入力のための操作キー等でなる情報の入出力部102や、RAM、ROM等でなる情報記憶手段103の制御を行うようになっている。このため、コントローラ101には、圧電デバイス1が取り付けられて、その出力周波数をコントローラ101に内蔵された所定の分周回路図示せず等により、制御内容に適合したクロック信号として利用するようにされている。このコントローラ101に取付けられる圧電デバイス1は、圧電デバイス1単体でなくても、圧電デバイス1と、所定の分周回路等とを組み合わせた発振器である図11のような圧電デバイス60であってもよい。コントローラ101は、さらに、温度補償水晶発振器TCXO105と接続され、温度補償水晶発振器105は、送信部107と受信部106に接続されている。これにより、コントローラ101からの基本クロックが、環境温度が変化した場合に変動しても、温度補償水晶発振器105により修正されて、送信部107及び受信部106に与えられるようになっている。このように、制御部を備えた携帯電話装置110のような電子機器に、上述した実施形態に係る圧電デバイスを利用することにより、製造工程において、容器本体内に正しく位置決めされた圧電振動素子を備える圧電デバイスを使用していることによって、正確なクロック信号を生成することができる。本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。上記実施形態では封止孔を容器本体側に形成したが、蓋体側に封止孔を備えた電子デバイスに対しても本発明による封止方法を適用することができる。要するに、本発明は容器の外面の何れかの部位に封止孔を有した電子デバイス一般に対して適用することができる。また、上記実施形態に係る容器本体3は上面に凹部を有した絶縁基板としたが、凹部を有しない平板状の絶縁基板上に電子部品を搭載し、電子部品を含む絶縁基板上の空間をバスタブ形逆椀形の蓋体により封止するようにした電子デバイスに対しても本発明の封止方法を適用することができる。この場合、封止孔は絶縁基板側に設けても良いし、蓋体側に設けても良い。