被エッチング層上に線幅と間隔の比が1:A1≦A<3であるフォトレジストパターンを形成する段階、プラズマ強化原子層蒸着方法によって前記フォトレジストパターン上にスペーサ酸化膜を蒸着すると同時に、前記フォトレジストパターンをトリミングする段階であって、前記プラズマ強化原子層蒸着方法は、原料気体供給パルスと酸素プラズマ供給パルスを順に交互に繰り返し、トリミングされたフォトレジストパターンの線幅と間隔の比が1:3となり、蒸着されるスペーサ酸化膜の厚さは前記トリミングされたフォトレジストの幅とほぼ同じ条件でなされる段階、蒸着された前記スペーサ酸化膜をエッチバックして前記フォトレジストの側壁にスペーサを形成する段階;および前記スペーサをマスクとして前記被エッチング層をパターニングする段階、を含む、半導体素子のパターン形成方法。前記スペーサ酸化膜を蒸着する段階以前に、前記フォトレジストパターンをプレトリミングする段階をさらに含み、前記プレトリミング段階は、前記スペーサ酸化膜を蒸着する段階がなされる反応器チャンバと同じ前記反応器チャンバ内で実行される、請求項1に記載の半導体素子のパターン形成方法。前記プレトリミング段階は、プレトリミングされた前記フォトレジストの幅と間隔の比が1:BA<B<3となるように前記フォトレジストパターンを酸素プラズマに露出させる、請求項2に記載の半導体素子のパターン形成方法。前記酸素プラズマは直接プラズマである、請求項3に記載の半導体素子のパターン形成方法。前記酸素プラズマは遠隔プラズマである、請求項3に記載の半導体素子のパターン形成方法。前記プレトリミング段階は直接プラズマ露出段階を含む、請求項2に記載の半導体素子のパターン形成方法。前記プレトリミング段階以後に、前記フォトレジストパターンのトリミング段階をさらに含む、請求項6に記載の半導体素子のパターン形成方法。前記プレトリミング段階以前に、前記フォトレジストパターンのトリミング段階をさらに含む、請求項6に記載の半導体素子のパターン形成方法。前記プラズマは直接プラズマである、請求項1に記載の半導体素子のパターン形成方法。前記プラズマは遠隔プラズマである、請求項1に記載の半導体素子のパターン形成方法。前記原料気体はシリコン前駆体であり、前記シリコン前駆体はSiH2[NC2H52]2である、請求項1に記載の半導体素子のパターン形成方法。本発明は、フォトレジストパターンの精密性を高め、30nm以下の線幅を有するパターンを形成することができる半導体素子のパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明の実施形態に係る半導体素子のパターン形成方法によれば、基板の交換なく同じ反応器内でフォトレジストのトリミングとスペーサ酸化膜蒸着を同時に実施してもよい。ここで、スペーサ酸化膜の蒸着はプラズマ強化原子層蒸着方法によって実行され、この過程においてトリミングが共に進められる。本発明の他の実施形態に係る半導体素子のパターン形成方法によれば、フォトレジストのトリミングのうちの第1トリミングは、スペーサ酸化膜蒸着前にスペーサ酸化膜を蒸着する原子層蒸着装置内でインサイチュin-situで実施した後、フォトレジストのトリミングのうちの第2トリミングは、プラズマ強化原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜を蒸着するときに共に実施してもよい。ここで、第1トリミングは連続的な酸素プラズマまたはパルス形式の酸化プラズマによって実行され、第2トリミングはプラズマ強化原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜を蒸着するときに共に進められる。本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法によれば、フォトレジストフーチングfootingを除去することにより、より完全なパターン形成が可能となる。フォトレジストのトリミングのうちの第1トリミングは、スペーサ酸化膜の蒸着前にスペーサ酸化膜を蒸着する原子層蒸着装置内でインサイチュin-situで、前駆体precursorの供給なく、直接プラズマ環境directplasmaenvironment下で実施した後、フォトレジストのトリミングのうちの第2トリミングは、プラズマ強化原子層蒸着方法によって蒸着されるスペーサ酸化膜の蒸着と共に実施してもよい。ここで、第1トリミングは、前駆体precursorの供給なく、直接プラズマ環境directplasmaenvironment下で実施するが、その上に基板が装着されて接地されている基板支持電極と蒸着装置のシャワーヘッドなどのような対向電極の間で形成される直接プラズマ環境下では、活性化したイオンが基板に向かって垂直方向に加速化され、その上に基板が装着されている基板支持電極に移動するため、フォトレジストのトリミングの速度は、フォトレジストの水平方向からなる速度よりもフォトレジストの垂直方向からなる速度が速くなり、フォトレジストの底部付近に発生するフォトレジストのフーチングを減らすことができるようになり、後続する酸化膜蒸着やエッチング時により完全なハードマスクおよびパターン形成が可能となる。本発明の実施形態に係る半導体パターン形成方法によれば、フォトレジストのトリミングの少なくとも一部を原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜蒸着と共に実施することにより、酸化膜はフォトレジストパターンを支持する役割をするようになる。したがって、フォトレジストの幅は10nm水準に縮小されたとしても、フォトレジストの崩壊あるいは傾きを防ぐことができ、その形態を維持することができるようになる。また、既存に個別に進められていたトリミングと酸化膜蒸着段階を統合/単純化することにより、より効率的かつより生産性のある工程が可能となる。本発明の実施形態に係るパターン形成方法によれば、原子層蒸着方法によってパターン上に酸化膜を蒸着するときに同時にトリミングを進めることにより、フォトレジストのエッチング速度を制御できるようになる。既存の技術ではエッチング速度を制御することが困難であり、パターン間の距離であるCDCriticalDimension制御が簡単ではなかった。エッチング速度が速ければCD制御が難しく、エッチング速度が遅ければ生産性が低下するという問題があった。しかし、本発明に係るプラズマ原子層蒸着方法によって酸化膜を蒸着すれば、パターン上の酸化膜の層カバーレージstepcoverageが0から100まで次第に変わるようになりながら、下部パターンはプラズマから遮られるようになり、エッチング速度は次第に減少するようになるdecelerationeffect。すなわち、温度、プラズマパワー、酸素流量のような酸化膜蒸着条件の調整のみによっても下部パターンのエッチング速度を共に調節することができ、CD幅の精密微細制御が可能となり、微細工程における生産率も高まるようになる。本発明の実施形態によれば、基板が位置した反応器内で酸化膜が蒸着する前にプラズマを利用したトリミング工程を進めることにより、トリミング工程中に発生し得るフォトレジスト下端部の残留フーチングfootingを減らすことができるようになり、後続する酸化膜工程においてより向上した層カバーレージstepcoverage特性が実現され、より向上したパターン形成が可能となる。以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様に相違した形態に実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。図面において、多様な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体に渡り、類似する部分については同じ図面符号を付与した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の上にあるとするとき、これは他の部分の直上にある場合だけではなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。これとは反対に、ある部分が他の部分の直上にあるとするときには、中間に他の部分がないことを意味する。<第1実施形態>次に、図3A~図3Dを参照しながら、本発明の第1実施形態に係る半導体素子のパターン形成方法について説明する。まず、図3Aを参照すれば、被エッチング層110上に第1フォトレジスト膜を塗布し、露光および現像して第1フォトレジストパターン120を形成する。第1フォトレジストパターン120の線幅XXと間隔の比は1:A1≦A<3であってもよい。次に、図3Bに示すように、プラズマ強化原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜130を蒸着し、同時に第1フォトレジストパターン120の線幅XXと高さYと比較し、減少した線幅XX2および高さY2を有する第2フォトレジストパターン120aを形成する。このとき、プラズマ強化原子層蒸着方法の気体供給周期は、スペーサ酸化膜130の原料気体供給パルスと酸素プラズマ供給パルスを順にそして交互に供給する。ここで、酸素プラズマは、第1フォトレジストパターン120を一定のエッチング率でエッチングし、基板上に蒸着されている原料気体と反応してスペーサ酸化膜130を形成する役割をする。ここで、第2フォトレジストパターン120aの線幅XX2と間隔の比は1:3であってもよく、スペーサ酸化膜130の厚さは第2フォトレジストパターン120aの幅XX2と同じであってもよい。酸素プラズマは、処理される基板に直接隣接して発生する直接プラズマdirectplasmaであってもよく、または遠隔プラズマremoteplasmaであってもよい。次に、スペーサ酸化膜130をRIE方法によってエッチバックEtchBackし、図3Cに示すように、第2フォトレジスト120aの側壁にスペーサ130aを形成する。その後、図3Dに示すように、スペーサ130aの間の第2フォトレジスト120aを除去してスペーサ130aパターンのみを残した後、スペーサ130aをハードマスクとして被エッチング層110をパターニングする。<第2実施形態>以下、図4A~図4Eを参照しながら、本発明の第2実施形態に係る半導体素子のパターン形成方法について説明する。図4Aに示すように、被エッチング層110上に第1フォトレジスト膜を塗布し、露光および現像して第1フォトレジストパターン120を形成する。第1フォトレジストパターン120の線幅XXと間隔の比は1:A1≦A<3であってもよい。第1フォトレジストパターン120を第1トリミングし、減少した線幅XX1を有する第3フォトレジストパターン120aaを形成する。ここで、第3フォトレジストパターン120aaの線幅XX1と間隔の比は1:BA<B<3であってもよい。ここで、第1トリミングは、スペーサ酸化膜を蒸着する原子層蒸着装置内でインサイチュin-situで酸素プラズマ直接プラズマまたは遠隔プラズマまたは熱的アニーリングによって実行される。このような第1トリミングは、スペーサ酸化膜を蒸着する原子層蒸着装置内でインサイチュin-situでなされるため、スペーサ酸化膜が蒸着されるチャンバと同じチャンバ内で基板の移動なく行われる。その後、図4Cに示すように、プラズマ強化原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜130を蒸着し、同時に第3フォトレジストパターン120aaを第2トリミングし、第3フォトレジストパターン120aaの線幅XX1と高さY1と比較し、減少した線幅XX2および高さY2を有する第4フォトレジストパターン120bを形成する。このとき、プラズマ強化原子層蒸着方法の気体供給周期は、スペーサ酸化膜130の原料気体供給パルスと酸素プラズマ供給パルスを順にそして交互に供給する。ここで、酸素プラズマは、第3フォトレジストパターン120aaを一定のエッチング率でエッチングし、基板上に蒸着されている原料気体と反応してスペーサ酸化膜130を形成する役割をする。ここで、第4フォトレジストパターン120bの線幅XX2と間隔の比は1:3であってもよく、スペーサ酸化膜130の厚さは第4フォトレジストパターン120bの幅XX2と同じであってもよい。酸素プラズマは、処理される基板に直接隣接して発生する直接プラズマdirectplasmaであってもよく、または遠隔プラズマremoteplasmaであってもよい。次に、スペーサ酸化膜130をエッチバックし、図4Dに示すように、第4フォトレジスト120bの側壁にスペーサ130aを形成する。その後、図4Eに示すように、スペーサ130aの間の第4フォトレジスト120bを除去してスペーサ130aパターンのみを残した後、スペーサ130aをハードマスクとして被エッチング層110をパターニングする。本実施形態に係る半導体パターン形成方法において、フォトレジストの第2トリミング過程は、全体蒸着工程中の初期気体供給サイクルの間にのみ行われてもよい。スペーサ酸化膜を蒸着するための複数の気体供給サイクルの間、フォトレジストは蒸着された酸化膜によって酸素プラズマから保護され、追加のトリミング過程は発生せず、単にスペーサ酸化膜の蒸着のみが行われてもよい。スペーサ酸化膜蒸着条件と第1トリミング段階は、スペーサの線幅とラインの線幅そして膜の厚さが同じになるように選択可能である。<実施例>本発明の一実施例について説明する。本実験例では、スペーサ酸化膜としてシリコン酸化膜SiO2filmを蒸着した。具体的に、ソース気体には、シリコンを含む金属有機物前駆体またはハロシランhalosilane前駆体を用いてもよい。本実施例では、SiH2[NC2H52]2をシリコンソースとして用いた。基板を加熱するために、蒸着装置の基板支持台の温度は約200°Cまで上昇可能であり、好ましくは約50°Cであった。蒸着工程の間、処理圧力は1Torrから10Torrの範囲を維持し、好ましくは約3Torrであった。プラズマ生成のためのRFプラズマパワーは約10W~1000Wであってもよく、好ましくは約200Wであった。気体供給状態は次のとおりであった。反応器内に前駆体を供給するためのソースアルゴンAr流量は200sccm、前駆体保管機の温度は60°C、酸素反応物流量は50sccm、酸素を反応器に供給するための反応物アルゴン流量は200sccm、そしてチャンバや気体供給管をパージするためのメインアルゴン流量は200sccmであった。スペーサ酸化膜を蒸着し、フォトレジストをトリミングするための気体供給サイクルあたりの工程時間は次のとおりであった。ソース供給は1.0秒、パージ段階は1.0秒、プラズマ発生段階は0.3秒、そしてパージ段階は1.0秒であった。このような気体供給サイクルにおいて、酸素は全体サイクルの間に連続的に供給され、プラズマが発生するときにのみ活性化されてもよい。プラズマが発生しないとき、酸素気体は反応器をパージpurgeする反応性パージ期待の役割をする。または、酸素はプラズマ発生段階と同期化して断続的に供給されてもよい。上述した気体供給サイクルは、好ましい厚さのスペーサ酸化膜が積層されるまで繰り返されるが、一サイクルあたりに蒸着される膜の厚さは約0.12nmであった。上述したプラズマ強化原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜を蒸着し、フォトレジストをトリミングする段階以前に実行される第1トリミング段階は、シリコン前駆体を供給する段階を除いて同じ蒸着器内でインサイチュで類似したプラズマ強化原子層蒸着方法および条件によって実行可能である。原子層蒸着方法の1つの気体供給サイクルあたりのフォトレジスト層の厚さ減少量は約0.25nmであった。このように、シリコン前駆体を供給せず、酸素プラズマパルスを含む数回の気体供給サイクルを実行した後に、シリコン前駆体が供給され、プラズマ強化原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜を蒸着する間に、追加してフォトレジストの線幅が減少することができる。例えば、初期のフォトレジストを形成するためのリソグラフィ工程後に、フォトレジストの線幅が約40nmであってその間隔も40nmであるとすれば、スペーサ酸化膜蒸着工程以前にインサイチュで実行される第1トリミング段階においてフォトレジストの線幅が減少して25nmとなり、続くスペーサ酸化膜蒸着段階の間に追加してフォトレジストの線幅が減少してフォトレジストの線幅が20nmとなることもある。また、例えば、初期のフォトレジストを形成するためのリソグラフィ工程によって形成されるフォトレジストの臨界線幅が30nmであって間隔が30nmであれば、スペーサ酸化膜蒸着工程以前にインサイチュで実行される第1トリミング段階においてフォトレジストの線幅が減少して20nmとなり、続くスペーサ酸化膜蒸着段階の間に追加してフォトレジストの線幅が減少してフォトレジストの線幅が15nmとなることもある。<第3実施形態>本実施形態に係る半導体素子パターン形成方法は、上述した第2実施形態とほぼ類似している。具体的に、図4Aに示すように、被エッチング層110上に第1フォトレジストパターン120を形成する。図4Bに示すように、第1フォトレジストパターン120を第1トリミングし、減少した線幅XX1を有する第3フォトレジストパターン120aaを形成し、図4Cに示すように、プラズマ強化原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜130を蒸着し、同時に第3フォトレジストパターン120aaを第2トリミングし、第3フォトレジストパターン120aaの線幅XX1と高さY1と比較し、減少した線幅XX2および高さY2を有する第4フォトレジストパターン120bを形成する。次に、スペーサ酸化膜130をエッチバックし、図4Dに示すように、第4フォトレジスト120bの側壁にスペーサ130aを形成する。その後、図4Eに示すように、スペーサ130aの間の第4フォトレジスト120bを除去してスペーサ130aパターンのみを残した後、スペーサ130aをハードマスクとして被エッチング層110をパターニングする。ここで、実施形態に係る半導体素子パターン形成方法は、第1トリミング段階で発生し得るフォトレジストフーチングfooting減少段階をさらに含む。フォトレジストフーチングfooting減少段階は、フォトレジストパターンを直接プラズマdirectplasma下に露出させる。これについて、図5を参照しながら詳しく説明する。図5を参照すれば、図5Aに示すように、フォトレジストの下部側面にフーチングが発生する。フォトレジストパターンを直接プラズマdirectplasma下に露出すれば、図5Bに示すように、酸素ラジカルまたはアルゴンラジカルのような活性化したイオンは水平方向基板表面またはプラズマ電極と水平をなす方向よりも垂直方向基板表面またはプラズマ電極と垂直をなす方向に急速に加速化する。したがって、図5Cに示すように、フォトレジストの下部側面に発生するフォトレジストのフーチングを減らすことができる。このようなフォトレジストフーチングfooting減少段階は、第1トリミング工程と一つの工程によって行われてもよい。また、フォトレジストフーチングfooting減少段階は、スペーサ酸化膜の蒸着工程が行われる反応器チャンバと同じ反応器チャンバ内でインサイチュで実行される。もし、フォトレジストフーチングfooting減少段階において、フォトレジストのフーチングは減少したが追加のトリミングが必要となる場合、フォトレジストフーチングfooting減少段階以前または以後に、またはスペーサ酸化膜蒸着以前に、直接プラズマ露出なく追加のトリミング段階を実行してもよい。<実施例>本発明の一実施例について説明する。本実施例では、スペーサ酸化膜としてシリコン酸化膜SiO2filmを蒸着した。具体的に、ソース気体には、シリコンを含む金属有機物前駆体またはハロシランhalosilane前駆体を用いてもよい。本実験例では、SiH2[NC2H52]2をシリコンソースとして用いた。基板を加熱するために、蒸着装置の基板支持台の温度は約200°Cまで上昇可能であり、好ましくは約50°Cであった。蒸着工程の間、処理圧力は1Torrから10Torrの範囲を維持し、好ましくは約3Torrであった。プラズマ生成のためのRFプラズマパワーは約10W~1000Wであってもよく、好ましくは約100W~150Wであった。気体供給状態は次のとおりである。反応器内に前駆体を供給するためのソースアルゴンAr流量は500sccm、前駆体保管機の温度は60°C、酸素反応物流量は1000sccm、酸素を反応器に供給するための反応物アルゴン流量は500sccm、そしてチャンバや気体供給管をパージするためのメインアルゴン流量は200sccm、基板とシャワーヘッドの間の反応空間の間隔は14.5mmであった。工程時間は次のとおりであった。フォトレジストフーチングを減少するプレトリミング段階pre-trimingは2.0秒未満、蒸着段階は2.0秒未満、プラズマパルス時間は0.2秒、パージ時間は1.0秒であった。このような工程順による気体供給周期は、図6に示されている。フォトレジストフーチングを減少するプレトリミング段階pre-trimmingのための気体供給サイクルXcycleが繰り返された後に、スペーサ酸化膜蒸着段階linerdepositionのための気体供給サイクルYcycleが繰り返されてスペーサ酸化膜が蒸着される。酸素のような反応気体は、プレトリミング段階pre-trimmingとスペーサ酸化膜蒸着段階の間に継続して供給されてもよい。アルゴンのようなパージ気体は、スペーサ酸化膜蒸着段階の間に供給されてもよい。プレトリミング段階pre-trimmingとスペーサ酸化膜蒸着段階の間のプラズマは、断続的に供給されてもよい。このように、本発明の実施形態に係る半導体素子のパターン形成方法によれば、フォトレジストのトリミングの少なくとも一部を原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜蒸着と共に実施する。もし、ダブルパターニングに用いられるフォトレジストまたは、カーボン-基盤膜carbon-basedfilmのようなテンプレートtempleteを個別的なエッチングチャンバ内で10nm~19nmの線幅を有するようにトリミングすれば、高さに対する幅の減少によってテンプレート線はその形態を維持することが困難になる。したがって、トリミング工程後に、洗浄過程や基板処理工程中にテンプレートは崩れたり傾き易くなる。しかし、本発明の実施形態に係る半導体素子のパターン形成方法によれば、フォトレジストのトリミングの少なくとも一部を原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜蒸着と共にインサイチュで実施するため、テンプレート上に蒸着される薄膜はテンプレートを支持する役割をすることができ、したがってテンプレートの線幅が10nmまで薄くなったとしても、その模様や形態を維持することができる。また、トリミング工程と蒸着工程を一つの工程で進めるため、工程が簡単でより効率的に行われる。また、原子層蒸着方法を利用してトリミング工程と蒸着工程を進めるため、原子層の厚さの薄膜を蒸着する段階を数回繰り返して膜を蒸着することにより、蒸着される膜の層カバーレージstepcoverageが0から100に次第に変化するようになる。したがって、スペーサ酸化膜が蒸着されると同時にテンプレートがエッチングされるため、気体供給周期が繰り返されるほどスペーサ酸化膜の層カバーレージが次第に増えることに伴い、エッチング速度は次第に低くなる。これにより、気体供給サイクルの数の増加に伴い、エッチングによるテンプレートのエッチング速度は次第に減るようになる。したがって、テンプレートパターンの間の距離である臨界次元CriticalDimensionを極めて精密に制御できるようになる。既存のドライエッチング方法によってトリミングを進める場合、エッチング時間と対比してエッチング速度を正確に調節することが困難であった。例えば、全体的なエッチング速度が低い場合には生産性が低くなり、エッチング速度が高い場合には臨界次元の制御が困難であった。しかし、本発明の実施形態に係る半導体素子のパターン形成方法によれば、トリミングのためのエッチング工程と共に蒸着工程が共になされるため、スペーサ酸化膜の層カバーレージが次第に増えることに伴い、エッチング速度は次第に低くなるため、初期段階で十分なエッチング速度を得ることができると同時に、エッチングされるテンプレートの臨界次元を容易に制御することができる。また、トリミング段階を蒸着工程に先立ち、前駆体precursorの供給なく、直接プラズマ環境directplasmaenvironment下で実施することにより、フォトレジストのトリミングの速度はフォトレジストの水平方向からなる速度よりもフォトレジストの垂直方向からなる速度が速くなり、フォトレジストの底部付近に発生するフォトレジストのフーチングを減らすことができる。このため、トリミングの効果が優れ、後続する蒸着段階の膜均一性の向上およびより精密なパターン形成が可能となる。以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、添付する特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属すると言える。