液体室となるリザーバの一部を構成するリザーバ部を有するリザーバ形成基板と、前記リザーバ部と連通して前記リザーバを構成する連通部を含む液体流路及び前記リザーバ部と前記連通部との間を閉塞する閉塞膜を有する流路形成基板と、が接合状態となった後に、前記液体流路に臨む壁面部に保護膜を形成する保護膜形成工程を有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記壁面部は、シリコンまたはシリコン化合物からなり、前記保護膜形成工程は、前記壁面部をシリサイド化させる金属膜を前記壁面部に成膜し、前記保護膜としてシリサイド膜を形成するシリサイド膜形成工程を有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。前記シリサイド膜形成工程の後、前記金属膜を除去し、前記シリサイド膜と前記閉塞膜とを露出させる金属膜除去工程と、前記金属膜除去工程の後、前記閉塞膜を貫通させる貫通工程と、を有することを特徴とする請求項1に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。前記金属膜は、ニッケルNi、または、タングステンW、または、チタンTi、または、コバルトCoからなることを特徴とする請求項1または2に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。前記閉塞膜は、金Auからなることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。しかしながら、上記手法においては、閉塞膜上の保護膜を剥離させる応力を発現させるために、剥離層を厚く成膜する必要があり、当該工程におけるコストが高いという問題がある。また、その後、剥離層を剥離除去するべく過水H2O2処理する際も、膜厚が厚いため、高温且つ長時間の処理を必要とし、基板同士を接合する接着剤等へのダメージが大きくなり、ヘッドの品質低下の一因となる虞がある。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、低コスト且つ品質の向上を図ることのできる液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。上記の課題を解決するために、本発明は、液体室となるリザーバの一部を構成するリザーバ部を有するリザーバ形成基板と、上記リザーバ部と連通して上記リザーバを構成する連通部を含む液体流路及び上記リザーバ部と上記連通部との間を閉塞する閉塞膜を有する流路形成基板と、が接合状態となった後に、上記液体流路に臨む壁面部に保護膜を形成する保護膜形成工程を有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、上記壁面部は、シリコンまたはシリコン化合物からなり、上記保護膜形成工程は、上記壁面部をシリサイド化させる金属膜を上記壁面部に成膜し、上記保護膜としてシリサイド膜を形成するシリサイド膜形成工程を有するという手法を採用する。このような手法を採用することによって、本発明では、保護膜としてシリサイド膜を用いることで、シリコンまたはシリコン化合物からなる壁面部に保護膜を選択的に形成することができる。このため、従来手法で必要であった保護膜の一部を除去する工程を排除することができ、これにより低コスト化及び品質の向上を図ることができる。また、本発明においては、上記シリサイド膜形成工程の後、上記金属膜を除去し、上記シリサイド膜と上記閉塞膜とを露出させる金属膜除去工程と、上記金属膜除去工程の後、上記閉塞膜を貫通させる貫通工程と、を有するという手法を採用する。このような手法を採用することによって、本発明では、壁面部に保護膜を選択的に形成することができるため、シリサイド膜形成後に金属膜を除去することで、シリサイド膜と閉塞膜とを露出させることができ、その後、閉塞膜を貫通させる際には、その膜上に保護膜が形成されていないため、当該貫通を容易に行うことができる。また、本発明においては、上記金属膜は、ニッケルNi、または、タングステンW、または、チタンTi、または、コバルトCoからなるという手法を採用する。このような手法を採用することによって、本発明では、ニッケルNiを成膜することでニッケルシリサイド膜を形成でき、また、タングステンWを成膜することでタングステンシリサイド膜を形成でき、また、てチタンTiを成膜することでチタンシリサイド膜を形成でき、また、コバルトCoを成膜することでコバルトシリサイド膜を形成でき、これらのシリサイド膜は耐液性を有し、保護膜として好適に用いることができる。また、本発明においては、上記閉塞膜は、金Auからなるという手法を採用する。このような手法を採用することによって、本発明では、安定した金Auで閉塞膜を形成することで、壁面部と対照的に金属膜の金属成分の浸入拡散を阻止することができる。以下、本発明に係る液体噴射ヘッドの製造方法の実施形態について、図を参照して説明する。なお、本実施形態では、本発明に係る液体噴射ヘッドとして、インクジェット式記録ヘッドを例示する。図1は、本発明の実施形態における製造方法によって製造されたインクジェット式記録ヘッドの構成を示す分解斜視図である。図2は、本発明の実施形態におけるインクジェット式記録ヘッドの構成を示す平面図及び断面図である。図示するように、インクジェット式記録ヘッドは、流路形成基板10を有する。流路形成基板10は、本実施形態では面方位110のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、弾性膜50が形成される一方の面側と逆側の他方の面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁11によって区画された圧力発生室12がその幅方向に並設されている。流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向一端部側には、圧力発生室12と共に液体流路を構成するインク供給路14と連通路15とが、隔壁11によって区画されている。また、連通路15の一端には、各圧力発生室12の共通のインク室液体室となるリザーバ100の一部を構成する連通部13が形成されている。インク供給路14は、圧力発生室12の長手方向一端部側に連通し、且つ、圧力発生室12より小さい断面積を有する。本実施形態のインク供給路14は、リザーバ100と各圧力発生室12との間の圧力発生室12側の流路を幅方向に絞ることで、圧力発生室12の幅より小さい幅で形成されている。なお、本実施形態のように、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成してもよいが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路14を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路14を形成してもよい。連通路15は、圧力発生室12の幅方向両側の隔壁11を連通部13側に延設してインク供給路14と連通部13との間の空間を区画することで形成されている。すなわち、流路形成基板10には、圧力発生室12の幅方向の断面積より小さい断面積を有するインク供給路14と、このインク供給路14に連通すると共にインク供給路14の幅方向の断面積よりも大きい断面積を有する連通路15とが、複数の隔壁11により区画されて設けられている。流路形成基板10の圧力発生室12、インク供給路14、連通路15及び連通部13を有する液体流路に臨む内壁表面壁面部には、耐液性を有するシリサイド膜、例えば、ニッケルシリサイドからなる保護膜16が設けられている。なお、ここで言う耐液性とは、使用するインクに対する耐エッチング性耐腐食性のことである。また、本実施形態では、流路形成基板10の圧力発生室12等が開口する側の表面、すなわち、ノズルプレート20が接合される接合面にも保護膜16が設けられている。勿論、このような領域には、インクが実質的に接触しないため、保護膜16は設けられていなくてもよい。なお、保護膜16を形成するシリサイド膜としては、ニッケルシリサイドに限定されず、使用するインクのpH値等によっては、例えば、タングステンシリサイド、チタンシリサイド、コバルトシリサイド等を用いることができる。流路形成基板10の他方の面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。流路形成基板10の一方の面側には、上述したように二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、例えば、酸化ジルコニウムZrO2等からなる絶縁体膜51が積層形成されている。また、絶縁体膜51上には、下電極膜60と圧電体層70と上電極膜80とからなる圧電素子300が形成されている。ここで、圧電素子300とは、下電極膜60、圧電体層70及び上電極膜80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を、各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、下電極膜60を圧電素子300の共通電極とし、上電極膜80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、各圧電素子300の上電極膜80には、密着層91及び金属層92からなる配線層190で構成されるリード電極90がそれぞれ接続され、このリード電極90を介して各圧電素子300に選択的に電圧が印加されるようになっている。また、詳しくは後述するが、連通部13の開口周縁部に対応する領域の振動板、すなわち、弾性膜50及び絶縁体膜51上にも、リード電極90とは不連続の配線層190が存在している。流路形成基板10の一方の面側には、リザーバ100の一部を構成するリザーバ部31を有するリザーバ形成基板30が接合されている。本実施形態では、このリザーバ形成基板30と流路形成基板10とは、接着剤35によって接合されている。リザーバ形成基板30のリザーバ部31は、弾性膜50及び絶縁体膜51に設けられた貫通部52を介して連通部13と連通され、これらリザーバ部31及び連通部13によってリザーバ100が形成されている。リザーバ形成基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子300は、圧電素子保持部32内に形成されており、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。なお、圧電素子保持部32は、密封されていてもよいし密封されていなくてもよい。このようなリザーバ形成基板30の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料であるシリコン単結晶基板を用いている。リザーバ形成基板30上には、所定パターンで形成された接続配線200が設けられ、この接続配線200上には圧電素子300を駆動するための駆動回路210が実装されている。駆動回路210としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、各圧電素子300から圧電素子保持部32の外側まで引き出された各リード電極90の先端部と、駆動回路210とが駆動配線220を介して電気的に接続されている。リザーバ形成基板30上には、リザーバ部31に対向する領域に、例えば、PPSフィルム等の可撓性を有する材料からなる封止膜41及び、金属材料等の硬質材料からなる固定板42とで構成されるコンプライアンス基板40が接合されている。固定板42のリザーバ部31に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、リザーバ部31の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。上記構成のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路210からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの下電極膜60と上電極膜80との間に電圧を印加し、圧電素子300及び振動板をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力を高め、ノズル開口21からインクを吐出させることが可能となっている。以下、上記構成のインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図3~図7を参照して説明する。まず、図3aに示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ110を約1100°Cの拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコン膜53を形成する。次に、図3bに示すように、弾性膜50二酸化シリコン膜53上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜51を形成する。具体的には、弾性膜50二酸化シリコン膜53上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウムZr層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、500~1200°Cの拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウムZrO2からなる絶縁体膜51を形成する。次いで、図3cに示すように、例えば、白金PtとイリジウムIrとを絶縁体膜51上に積層することにより下電極膜60を形成した後、この下電極膜60を所定形状にパターニングする。次に、図3dに示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛PZT等からなる圧電体層70と、例えば、イリジウムからなる上電極膜80とを流路形成基板用ウェハ110の全面に形成し、これら圧電体層70及び上電極膜80を、各圧力発生室12に対向する領域にパターニングして圧電素子300を形成する。また、圧電素子300を形成後に、絶縁体膜51及び弾性膜50をパターニングして、流路形成基板用ウェハ110の連通部図示なしが形成される領域に、これら絶縁体膜51及び弾性膜50を貫通して流路形成基板用ウェハ110の表面を露出させた貫通部52を形成する。なお、圧電素子300を構成する圧電体層70の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛PZT等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。その組成は、圧電素子300の特性、用途等を考慮して適宜選択すればよいが、例えば、PbTiO3PT、PbZrO3PZ、PbZrxTi1-xO3PZT、PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3PMN-PT、PbZn1/3Nb2/3O3-PbTiO3PZN-PT、PbNi1/3Nb2/3O3-PbTiO3PNN-PT、PbIn1/2Nb1/2O3-PbTiO3PIN-PT、PbSc1/2Ta1/2O3-PbTiO3PST-PT、PbSc1/2Nb1/2O3-PbTiO3PSN-PT、BiScO3-PbTiO3BS-PT、BiYbO3-PbTiO3BY-PT等が挙げられる。また、圧電体層70の形成方法は、特に限定されないが、例えば、本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層70を得る、いわゆるゾル-ゲル法を用いて圧電体層70を形成する。次に、図4aに示すように、リード電極90を形成する。具体的には、まず流路形成基板用ウェハ110の全面に亘って密着層91を介して金属層92を形成し、密着層91と金属層92とからなる配線層190を形成する。そして、この配線層190上に、例えば、レジスト等からなるマスクパターン図示なしを形成し、このマスクパターンを介して金属層92及び密着層91を圧電素子300毎にパターニングすることによりリード電極90を形成する。またこのとき、貫通部52に対向する領域に、リード電極90とは不連続の配線層閉塞膜190を残して、この配線層190によって貫通部52が封止されるようにする。金属層92の主材料としては、比較的導電性の高い材料であれば特に限定されず、例えば、金Au、アルミニウムAl、銅Cuが挙げられ、本実施形態では金Auを用いている。また、密着層91の材料としては、金属層92の密着性を確保できる材料であればよく、具体的には、チタンTi、チタンタングステン化合物TiW、ニッケルNi、クロムCrまたはニッケルクロム化合物NiCr等が挙げられ、本実施形態ではニッケルクロム化合物NiCrを用いている。次に、図4bに示すように、リザーバ形成基板用ウェハ130を、流路形成基板用ウェハ110上に接着剤35によって接着する。ここで、このリザーバ形成基板用ウェハ130には、リザーバ部31、圧電素子保持部32等が予め形成されており、リザーバ形成基板用ウェハ130上には、上述した接続配線200が予め形成されている。次いで、図4cに示すように、流路形成基板用ウェハ110をある程度の厚さとなるまで研削研磨した後、フッ硝酸によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ110を所定の厚みにし、シリコンSiを露出させる。次に、図5aに示すように、流路形成基板用ウェハ110上に、例えば、窒化シリコンSiNからなるマスク膜54を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図5bに示すように、このマスク膜54を介して流路形成基板用ウェハ110を異方性エッチングウェットエッチングして、流路形成基板用ウェハ110に圧力発生室12、インク供給路14、連通路15及び連通部13からなる液体流路を形成する。具体的には、流路形成基板用ウェハ110を、例えば、水酸化カリウムKOH水溶液等のエッチング液によって弾性膜50及び密着層91が露出するまでエッチングすることより、圧力発生室12、インク供給路14、連通路15及び連通部13を同時に形成する。次に、図5cに示すように、貫通部52内の配線層190の一部である密着層91を、連通部13側からウェットエッチングライトエッチングすることにより除去する。すなわち、連通部13側に露出されている密着層91と、この密着層91が拡散している金属層92の一部の領域とを、エッチングにより除去する。その後、リン酸H3PO4等でマスク膜54を除去する。次に、図6a及び図6bに示すように、流路形成基板用ウェハ110の液体流路、すなわち、圧力発生室12、インク供給路14、連通路15及び連通部13の内壁面に保護膜16を形成する保護膜形成工程。保護膜16は、上述したように、例えば、耐液性を有するシリサイド膜からなり、本実施形態では、ニッケルシリサイドからなる。先ず、図6aに示すように、液体流路の内壁面に、その内壁面をシリサイド化させる金属膜17を成膜する。具体的には、金属膜17としてニッケルNiを、例えばスパッタ法によって、10~100ナノメートルnm程度の厚みで成膜する。なお、金属膜17の厚みは均一にする必要はなく、液体流路の内壁面全面に付着さえすればよい。また、本実施形態のスパッタ法としては、ECRElectronCyclotronResonance:電子サイクロトロン共鳴スパッタ法を採用する。ECRスパッタ法では、マイクロ波を用い、気体分子にエネルギーを与えプラズマ化させ、そのプラズマを磁界内で回転させ、外部に漏れないようにさせることができるため、高密度のプラズマが得られる。この高密度プラズマの作用により、液体流路の内壁面に成膜された金属膜17は、そのシリコンまたはシリコン化合物二酸化シリコン等からなる内壁面に拡散し易くなる。このように、ニッケルが拡散しシリサイド化することで、図6bに示すように、所定厚例えば1~2nm程度のニッケルシリサイド膜保護膜16が形成されるシリサイド膜形成工程。なお、当該スパッタ時に形成される1~2nm程度の厚みのシリサイド膜でも、保護膜16として使用可能であるが、さらに100~400°C程度のアニール処理を行うことで、ニッケルをシリコンへとさらに拡散させ、より厚いシリサイド膜を形成することが可能である。また、ECRスパッタ法以外の成膜法、例えば、マグネトロンスパッタ法等を用いても、金属膜17の成膜後、アニール処理を行うことで、所定厚のシリサイド膜を形成することが可能である。ここで、貫通部52は配線層190によって封止されているため、貫通部52を介してリザーバ形成基板用ウェハ130の外面等に金属膜17が形成されることはない。このため、接続配線200等が形成されたリザーバ形成基板用ウェハ130の表面に金属膜17が形成されて駆動回路210などの接続不良等が発生するのを防止することができる。次に、図7aに示すように、金属膜17をウェットエッチングによって除去する金属膜除去工程。本実施形態の金属膜17はニッケルからなるため、エッチング液としては、例えば塩酸やフッ酸を用いることができる。ここで、保護膜16としてのシリサイド膜は、シリコンまたはシリコン化合物の表面にのみ選択的に形成され、それとは対照的に、安定した金Auからなる配線層190の表面には形成されない。この状態でウェットエッチングすると、保護膜16上の金属膜17が除去され、保護膜16が露出すると共に、配線層190上の金属膜17が除去され、配線層190が露出する。このように金属膜17を除去した後は、図7bに示すように、配線層190金属層92を連通部13側からウェットエッチングすることによって除去して貫通部52を開口させる。このとき配線層190上には保護膜16が形成されていないため、保護膜16が配線層190のウェットエッチングを邪魔することはない。したがって、配線層190を容易且つ確実にウェットエッチングにより除去して貫通部52を開口させることができる。以上により、配線層190を貫通させる貫通工程が終了する。その後は、リザーバ形成基板用ウェハ130に形成されている接続配線200上に駆動回路210を実装すると共に、駆動回路210とリード電極90とを駆動配線220によって接続する。次いで、流路形成基板用ウェハ110及びリザーバ形成基板用ウェハ130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ110のリザーバ形成基板用ウェハ130とは反対側の面にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、リザーバ形成基板用ウェハ130にコンプライアンス基板40を接合し、これら流路形成基板用ウェハ110等を、図1に示すような一つのチップサイズに分割することによって上述した構造のインクジェット式記録ヘッドが製造される。したがって、上述した本実施形態によれば、液体室となるリザーバ100の一部を構成するリザーバ部31を有するリザーバ形成基板用ウェハ130と、リザーバ部31と連通してリザーバ100を構成する連通部13を含む液体流路及びリザーバ部31と連通部13との間を閉塞する配線層190を有する流路形成基板用ウェハ110と、が接合状態となった後に、上記液体流路に臨む壁面部に保護膜16を形成する保護膜形成工程を有するインクジェット式記録ヘッドの製造方法であって、上記壁面部は、シリコンまたはシリコン化合物からなり、保護膜形成工程は、上記壁面部をシリサイド化させる金属膜17を上記壁面部に成膜し、保護膜16としてシリサイド膜を形成するシリサイド膜形成工程を有するという手法を採用することによって、保護膜16としてシリサイド膜を用いて、シリコンまたはシリコン化合物からなる壁面部に保護膜16を選択的に形成することができる。このため、従来手法で必要であった保護膜16の一部を除去する工程を排除することができ、これにより低コスト化及び品質の向上を図ることができる。すなわち、本手法によれば、配線層190上に保護膜16が形成されることはないことから、配線層190上の保護膜16のみを剥離させる、従来のチタンタングステンTiWの成膜剥離工程を、削減することができる。より具体的には、比較的高価なチタンタングステンを厚く成膜する必要がなくなり、低コスト化に寄与できる。また、高温且つ長時間の過水H2O2処理をする必要がなくなり、接着剤35等へのダメージを低減でき、それによってヘッド品質の向上を図ることができる。以上、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、上述した実施形態においては、シリコンまたはシリコン化合物をシリサイド化する金属膜17としてニッケルNiを成膜する手法について説明したが、本発明はこの手法に限定されることなく、タングステンW、または、チタンTi、または、コバルトCoを成膜する手法を採用しても、上述した実施形態と同様の作用効果が得られる。また、シリコンまたはシリコン化合物をシリサイド化する金属膜17としては、他に、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、タンタルTa、クロムCr、鉄Fe、ルテニウムRu、モリブデンMoを採用し得る。さらに、上述した実施形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレー、FED面発光ディスプレー等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。