発振用トランジスタと、前記発振用トランジスタのベースと-エミッタ間に接続した第1のコンデンサと、前記発振用トランジスタのエミッタと接地間に接続した第2のコンデンサと、前記発振用トランジスタのベース-接地間に接続した圧電振動子と、前記発振用トランジスタのエミッタと接地間に接続した抵抗値が負の温度係数を有する第1の抵抗回路と、を備えていることを特徴とするコルピッツ型発振回路。前記第1の抵抗回路は、エミッタ抵抗と第1のサーミスタの並列回路からなることを特徴とする請求項1に記載のコルピッツ型発振回路。前記第1の抵抗回路は、エミッタ抵抗に、第1のサーミスタと第1の抵抗との直列回路を並列に接続したことを特徴とする請求項1に記載のコルピッツ型発振回路。発振用トランジスタと、前記発振用トランジスタのベース-エミッタ間に接続した第1のコンデンサと、前記発振用トランジスタのエミッタ-接地間に接続した第2のコンデンサと、前記発振用トランジスタのベースと接地間に接続した圧電振動子と、前記圧電振動子に直列接続され抵抗値が負の温度係数を有する第2の抵抗回路と、を備えたことを特徴とするコルピッツ型発振回路。前記第2の抵抗回路は、第2の抵抗と第2のサーミスタを並列接続したことを特徴とする請求項4に記載のコルピッツ型発振回路。前記第2の抵抗回路は、第2の抵抗に、第2のサーミスタと第3の抵抗の直列回路を並列接続したことを特徴とする請求項4に記載のコルピッツ型発振回路。しかしながら、特許文献1に示したコルピッツ型発振回路は、ドライブレベルを低減する特性を有しているが、周囲温度変化の影響について考慮されていない。従って、従来のコルピッツ型発振回路は、周囲温度が変化すると発振出力レベルが変動する。その結果、発振出力レベルの変動に伴い、ドライブレベルが変動し、ドライブレベルが増加する現象が発生する。ドライブレベルが設定値より増加すると、圧電振動子に固有の特性の経年変化が大きくなり、発振周波数が変動するという問題点があった。また、特許文献2に示したコルピッツ型発振回路は、発振用トランジスタのエミッタ電流の調整を、ベース電位の制御により行っているので、周囲温度変化に対する感度が低く、圧電振動子を励振するドライブレベルの変動の抑制効果は不十分であった。本発明は、上述したような問題を解決するためになされたものであって、圧電振動子を励振するドライブレベルの周囲温度変化に対する変動を抑圧したコルピッツ型発振回路を提供することを目的とする。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。[適用例1]発振用トランジスタと、前記発振用トランジスタのベースと-エミッタ間に接続した第1のコンデンサと、前記発振用トランジスタのエミッタと接地間に接続した第2のコンデンサと、前記発振用トランジスタのベース-接地間に接続した圧電振動子と、前記発振用トランジスタのエミッタと接地間に接続した抵抗値が負の温度係数を有する第1の抵抗回路と、を備えているコルピッツ型発振回路を特徴とする。このような本発明によれば、発振用トランジスタのエミッタと接地間に、温度補償回路を含む第1の抵抗回路を接続し、周囲温度が変化した際に、第1の抵抗回路の抵抗値を変動させることにより発振用トランジスタのエミッタ電流を制御するようしている。従って、周囲温度が変化した際に、発振回路の負性抵抗値の変動を抑制し、圧電振動子を励振するドライブレベルの変動を低減させることができる。その結果、従来のコルピッツ型発振回路と比べて、発振回路を低ドライブレベルで動作させることができ、コルピッツ型発振回路の位相雑音特性やエージング特性を向上させることが可能となる。[適用例2]前記第1の抵抗回路は、エミッタ抵抗と第1のサーミスタの並列回路からなる適用例1に記載のコルピッツ型発振回路を特徴とする。このような本発明によれば、抵抗値が負の温度係数を有する第1の抵抗回路を、サーミスタを含む回路により構成したので、所定の特性のサーミスタを選択することにより、容易に所望の特性を有する第1の抵抗回路を構成することができるので、発振用トランジスタのエミッタ電流を制御することが可能となる。[適用例3]前記第1の抵抗回路は、エミッタ抵抗に、第1のサーミスタと第1の抵抗との直列回路を並列に接続した適用例1に記載のコルピッツ型発振回路を特徴とする。このような本発明によれば、第1の抵抗回路に備えたサーミスタに直列に抵抗を接続し、サーミスタの特性を調整可能としたことで、容易に所望の特性を有する第1の抵抗回路を構成することができるので、発振用トランジスタのエミッタ電流を制御することが可能となる。[適用例4]発振用トランジスタと、前記発振用トランジスタのベース-エミッタ間に接続した第1のコンデンサと、前記発振用トランジスタのエミッタ-接地間に接続した第2のコンデンサと、前記発振用トランジスタのベースと接地間に接続した圧電振動子と、前記圧電振動子に直列接続され抵抗値が負の温度係数を有する第2の抵抗回路と、を備えたコルピッツ型発振回路を特徴とする。このような本発明によれば、圧電振動子に直列に温度補償回路となる第2の抵抗回路を接続したので、周囲温度が変化した際に、圧電振動子を励振するドライブレベルの変動を直接抑制することができる。その結果、従来のコルピッツ型発振回路と比べて、発振回路を低ドライブレベルで動作させることができ、コルピッツ型発振回路の位相雑音特性やエージング特性を向上させることが可能となる。[適用例5]前記第2の抵抗回路は、第2の抵抗と第2のサーミスタを並列接続した適用例4に記載のコルピッツ型発振回路を特徴とする。このような本発明によれば、抵抗値が負の温度係数を有する第2の抵抗回路を、サーミスタを含む回路により構成したので、所定の特性のサーミスタを選択することにより、容易に所望の特性を有する第2の抵抗回路を構成することができるので、発振用トランジスタのエミッタ電流を制御することが可能となる。[適用例6]前記第2の抵抗回路は、第2の抵抗に、第2のサーミスタと第3の抵抗の直列回路を並列接続した適用例4に記載のコルピッツ型発振回路を特徴とする。このような本発明によれば、第2の抵抗回路に備えたサーミスタに直列に抵抗を接続し、サーミスタの特性を調整可能としたことで、容易に所望の温度特性を有する第2の抵抗回路を構成することができるので、発振用トランジスタのエミッタ電流を制御することが可能となる。図1は、本発明に係るコルピッツ型発振回路の第1の実施形態を示す回路構成図である。この図1に示すコルピッツ型発振回路1は、発振用トランジスタTR1のベースと接地GND間に負荷容量の一部となる第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2との直列回路を接続し、この直列回路の接続中点と発振用トランジスタTR1のエミッタとを接続している。そして、発振用トランジスタTR1のエミッタと接地間に、エミッタ抵抗R1と、エミッタ抵抗R1に並列に接続した抵抗第1の抵抗R2とサーミスタ第1のサーミスタTH1の直列回路と、からなる温度補償回路第1の抵抗回路11を接続する。更に、発振用トランジスタTR1のベースに抵抗R3及び抵抗R4とからなるベースバイアス回路を接続すると共に、発振用トランジスタTR1のベースと接地間に圧電振動子X1を接続している。また、発振用トランジスタTR1のコレクタを電源電圧Vccラインに接続すると共に、発振用トランジスタTR1のエミッタより、直流カット用のコンデンサC3を介して出力信号を得ている。このように構成される第1の実施形態に係るコルピッツ型発振回路1は、エミッタ抵抗R1に並列に抵抗R2とサーミスタTH1の直列回路からなる温度補償回路11を接続した点に特徴である。ここで、圧電振動子を励振するドライブレベルが発振回路の発振特性に与える影響について説明する。図2は、コルピッツ型水晶発振回路において、水晶振動子を励振するドライブレベルを変化させた際の発振周波数の変動特性を示した図である。図2は横軸に水晶振動子を励振するドライブレベルmAを示し、縦軸に発振回路の発振周波数の変動ppmを示す。図2は圧電振動子の例として、ATカットされた基本波水晶振動子を用いたコルピッツ型発振回路の特性を示し、発振周波数は、52MHzの場合と、230MHzの場合を示す。図2によると52MHzのように発振周波数が比較的に低い場合には、ドライブレベルを変化させても発振周波数の変動はほとんど生じていないが、230MHzのように発振周波数が高くなると、ドライブレベルを増加させると、発振周波数は、上昇する方向に大きく変化している。従って、コルピッツ型発振回路を高周波帯域で使用する場合は、発振回路の位相雑音特性やエージング特性などを向上させるため、低いドライブレベルで水晶振動子を励振させることが重要となる。一般的なコルピッツ型発振回路は、周囲温度が上昇すると負性抵抗値が減少し、周囲温度が下降すると負性抵抗値が増加するという特性を有している。このため、周囲温度が上昇して負性抵抗値が減少しても発振回路が安定して動作するように、負性抵抗値をなるべく大きくとるよう回路設計をする場合が多い。その結果、周囲温度が低温になると、発振回路の負性抵抗値が増加するため、負性抵抗値が必要以上に大きくなるという現象が生じ、それに伴い圧電振動子を励振するドライブレベルも増加するという弊害が発生する。従って、コルピッツ型発振回路を安定動作させるためには、圧電振動子を励振するドライブレベルを、低ドライブレベル化すると共に、周囲温度の変化に対して変動を少なくすることが必要となる。次に、上述した内容について数式を用いて説明する。なお、数式で示すコルピッツ型発振回路は、温度補償を行う前の基本回路の場合を示し、発振用トランジスタのエミッタ抵抗に温度補償回路となる抵抗R2とサーミスタTH1の直列回路を並列接続していない場合について示している。先ず、発振回路の負性抵抗Rnは、gmを発振用トランジスタTR1の相互コンダクタンスとすると、式1で求められる。また、相互コンダクタンスgmは、式2で求められる。式2に示すように、相互コンダクタンスgmは、周囲温度が上昇すると減少するという特性を有している。次に、ドライブレベルIsは、式3により求めることができる。式3において、発振回路中の損失であるReは周囲温度の上昇により増加するので、式3に示すように、ドライブレベルIsは、周囲温度が上昇すると減少する。以上の結果より、周囲温度が変化しても変動の少ないドライブレベルを確保するためには、周囲温度が変化した際に、その変化に対応してエミッタ電流Ieを調整できればよいことがわかる。即ち、例えば、周囲温度が上昇したときに、それに伴って、エミッタ電流Ieも増加させるように変化させるとドライブレベルIsの変動が抑制される。そこで、第1の実施形態のコルピッツ型発振回路1においては、発振用トランジスタTR1のエミッタ抵抗R1に並列に抵抗R2とサーミスタTH1の直列回路からなる温度補償回路を接続した。第1の実施形態のコルピッツ型発振回路1において使用されるサーミスタTH1は、抵抗値が負の温度係数を備えた特性を有するものである。その結果、周囲温度が上昇するとサーミスタTH1の抵抗値は減少するので、発振用トランジスタTR1のエミッタ電流を増加させ、一方、周囲温度が下降するとサーミスタTH1の抵抗値は増加するので、発振用トランジスタTR1のエミッタ電流を減少させることが可能となった。従って、周囲温度の変化に対する負性抵抗値の変動を抑制し、圧電振動子を励振するドライブレベルの変動を低減させることができる。なお、サーミスタTH1と直列に接続されている抵抗R2は、サーミスタTH1の特性を調整するためのものであるが、抵抗R2を接続しないでエミッタ抵抗R1に並列にサーミスタTH1のみを接続してもよい。次に、コルピッツ型発振回路の温度補償前と第1の実施形態による温度補償後の特性について評価試験を行った。図3はその評価試験結果を示した図である。なお、図3には温度補償を行う前のコルピッツ型発振回路の基本回路の特性、第1の実施形態のコルピッツ型発振回路の特性、及び特許文献2従来の第2の事例において説明したコルピッツ型発振回路の特性が示されている。ここでのコルピッツ型発振回路は、ATカット水晶振動子を用いた発振回路であり、発振周波数は、311MHzである。図3に示す評価試験結果より分かるように、第1の実施形態によるコルピッツ型発振回路では、エミッタ電流Ieが周囲温度の上昇と共に増加しており、それに伴って、負性抵抗Rnの変化量が減少している。そして、ドライブレベルIsは、周囲温度の変化に対して、温度補償を行うと変動値は0.14mA以内に収まり、温度補償前の変動値が0.47mAであることと比較して大きく改善されている。一方、従来の第2の事例のコルピッツ型発振回路は、発振用トランジスタのエミッタ電流Ieの調整をベース電位の制御により行っているので周囲温度変化に対する感度が低く、周囲温度の変化に対してドライブレベルIsの変動値は、0.30mAとなり、第1の実施形態による温度補償を行った場合と比べて改善度は低いことが分かる。次に本発明に係るコルピッツ型発振回路の第2の実施形態について説明する。図4は第2の実施形態に係るコルピッツ型発振回路の回路構成図である。この図4に示すコルピッツ型発振回路2は、発振用トランジスタTR1のベースと接地GND間に負荷容量の一部となる第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2との直列回路を接続し、この直列回路の接続中点と発振用トランジスタTR1のエミッタとを接続し、更に、エミッタと接地間にエミッタ抵抗R1を接続している。そして、発振用トランジスタTR1のベースに抵抗R3及び抵抗R4とからなるベースバイアス回路を接続する。また、発振用トランジスタTR1のベースと接地間に、圧電振動子X1と、圧電振動子X1を励振するドライブレベルを直接調整するために、抵抗第2の抵抗R5と、抵抗R5に並列に接続した抵抗第3の抵抗R6とサーミスタ第2のサーミスタTH2の直列回路と、からなる温度補償回路第2の抵抗回路12を直列に接続している。そして、発振用トランジスタTR1のコレクタを電源電圧Vccラインに接続すると共に、発振用トランジスタTR1のエミッタより、直流カット用のコンデンサC3を介して出力信号を得ている。このように構成される第2の実施形態に係るコルピッツ型発振回路2は、圧電振動子X1を励振するドライブレベルを調整するために、抵抗R5と抵抗R6とサーミスタTH2からなる温度補償回路12を圧電振動子X1と接地間に直列に挿入接続した点に特徴がある。次に、第2の実施形態における温度補償回路の動作について説明する。第1の実施形態において説明したように、コルピッツ型発振回路は、周囲温度が上昇すると発振回路の負性抵抗値は減少し、圧電振動子X1を励振するドライブレベルも減少する。そして、周囲温度が下降すると発振回路の負性抵抗値は増加し、圧電振動子X1を励振するドライブレベルも増加する。そこで、抵抗R5と抵抗R6とサーミスタTH2からなる抵抗回路を温度補償回路として圧電振動子X1に直列に挿入接続し、周囲温度が変化した際に、圧電振動子X1を励振するドライブレベルを調整するようにした。第2の実施形態のコルピッツ型発振回路2において使用されるサーミスタTH2は、抵抗値が負の温度係数を備えた特性を有するものである。従って、温度補償回路は、周囲温度が上昇するとサーミスタTH2の抵抗値が減少することにより、抵抗値が減少するので、圧電振動子X1を励振するドライブレベルが増加する方向に機能する。そして、温度補償回路は、周囲温度が下降するとサーミスタTH2の抵抗値が増加することにより、抵抗値が増加するので、圧電振動子X1を励振するドライブレベルを減少させる方向に機能する。その結果、温度補償回路をこのように動作させることにより、圧電振動子X1を励振するドライブレベルを直接制御し、周囲温度が変化しても、ドライブレベルの変動を低下させることができる。なお、圧電振動子X1に直列に温度補償回路を挿入すると、発振回路の損失が増加するので、発振回路の負性抵抗値は、十分確保しておく必要がある。また、温度補償回路において、サーミスタTH2と直列に接続されている抵抗R6は、サーミスタTH2の特性を調整するためのものであるが、削除してサーミスタTH2のみを抵抗R5に並列に接続してもよい。図5は、コルピッツ型発振回路のドライブレベルの周囲温度変化に対する変動を示す特性図であり、aは数値データを、bはグラフにより示した図である。図5には、コルピッツ型発振回路の基本回路、従来例の第2の事例のコルピッツ型発振回路、本発明の第1及び第2の実施形態に係るコルピッツ型発振回路の比較結果が示されている。この場合のコルピッツ型発振回路は、ATカット水晶振動子を用いた発振回路であり、その発振周波数は311MHzとする。また、bでは、横軸に周囲温度°Cを、縦軸にドライブレベルmAがそれぞれ示されている。数値データに示すように、基本回路においては、周囲温度が変化したときにドライブレベルは0.47mA変動しているが、第1の実施形態によるコルピッツ型発振回路1では、ドライブレベルの変動は0.14mA、第2の実施形態によるコルピッツ型発振回路2では、ドライブレベルの変動は0.22mAとなり、大きく改善されていることが分かる。また、従来の第2の事例による発振回路では、ドライブレベルの変動は、0.30mAとなり本実施形態のコルピッツ型発振回路と比べて改善度が低いことが分かる。次に、図5bに示すように第1及び第2の実施形態に係るコルピッツ型発振回路は、全周囲温度範囲においてドライブレベルの変動は僅かである。一方、従来の第2の事例によるコルピッツ型発振回路は、第1及び第2の実施形態による温度補償を行った発振回路による温度特性と比べて改善度は小さいことが分かる。なお、本実施形態においては、温度補償回路にサーミスタを使用する場合を例に挙げて説明したが、これはあくまでも一例であって、周囲温度変動により負の温度係数を有して抵抗値が変化する抵抗体などを用いることも可能である。また、本実施形態のコルピッツ型発振回路の構成は、あくまでも一例であり、発振回路は、少なくとも、発振用のトランジスタと、トランジスタのベース-エミッタ間に接続したコンデンサと、トランジスタのエミッタ-接地間に接続したコンデンサと、トランジスタのベースと接地間に接続した圧電振動子とを備えたコルピッツ型発振回路であれば適用可能である。