"複数の画素が配置され、前記複数の画素の各々には入射光量に応じた電荷を蓄積する電荷蓄積部と前記電荷蓄積部から転送される電荷を保持する電荷保持部とが含まれ、前記電荷蓄積部から前記電荷保持部へ転送される転送電荷量に応じた画素信号を出力する信号出力部を有する撮像素子と、前記複数の画素の各々について、前記電荷蓄積部から前記電荷保持部への電荷転送時に前記電荷蓄積部に残存する不完全転送電荷量に応じた不完全転送電荷量情報を、前記電荷蓄積部に対応する画素毎に予め記憶する記憶手段と、前記信号出力部により出力された前記画素信号に対して、前記記憶手段により記憶された前記不完全転送電荷量情報に基づく補正を行う補正手段とを備えることを特徴とする撮像装置。請求項1に記載の撮像装置において、前記複数の画素のうちの一部の画素の各々について、前記補正手段により前記画素信号に対する前記補正が行われて得られた補正画素信号に基づき、前記撮像素子上に形成される像についての光学系の焦点調節状態を検出する焦点検出手段をさらに備え、前記複数の画素のうちの残部の画素の各々に含まれる前記電荷蓄積部から転送される前記転送電荷量に応じた前記画素信号が、前記信号出力部により画像データ生成用の画像信号として出力されることを特徴とする撮像装置。請求項1または2に記載の撮像装置において、前記信号出力部は、前記撮像素子の外部へ前記画素信号を出力する出力回路と、前記出力回路へ前記画素信号を出力する増幅MOSトランジスタとを含み、前記増幅MOSトランジスタは前記複数の画素に含まれることを特徴とする撮像装置。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の撮像装置において、前記記憶手段により予め記憶される前記不完全転送電荷量情報は、前記電荷蓄積部による蓄積電荷量の1次式で表される前記画素信号の信号値が0であるときの前記蓄積電荷量に応じた情報であることを特徴とする撮像装置。請求項4に記載の撮像装置において、前記信号出力部は、前記転送電荷量を、前記1次式の係数である変換増幅率に基づき変換して得られる信号値を示す前記画素信号を出力するとともに、前記補正手段は、前記不完全転送電荷量情報を前記変換増幅率に基づき補正値に変換し、該補正値を前記信号出力部により出力された前記画素信号の信号値に加算することにより、該画素信号を補正することを特徴とする撮像装置。請求項5に記載の撮像装置において、前記記憶手段は、前記不完全転送電荷量情報とともに画素の感度不均一性情報を画素毎に予め記憶し、前記補正手段は、前記記憶手段により記憶された前記不完全転送電荷量情報に基づき、前記信号出力部により出力された前記画素信号を補正して得た補正画素信号に対して、前記記憶手段により記憶された前記感度不均一性情報に基づく補正をさらに行うことを特徴とする撮像装置。しかしながら、光電変換電荷蓄積部から外部に電荷を転送する際に光電変換電荷蓄積部に残存する電荷量は各画素の光電変換部毎に異なる。上述した従来技術における蓄積電荷の不完全転送の補正処理を行っても、そうした各画素の残存電荷量の不均一性は像パターンとして認識されてしまう。そのために、撮像素子が出力する画素信号の精度が必ずしも高くないという問題がある。請求項1に記載の発明による撮像装置は、複数の画素が配置され、複数の画素の各々には入射光量に応じた電荷を蓄積する電荷蓄積部と電荷蓄積部から転送される電荷を保持する電荷保持部とが含まれ、電荷蓄積部から電荷保持部へ転送される転送電荷量に応じた画素信号を出力する信号出力部を有する撮像素子と、複数の画素の各々について、電荷蓄積部から電荷保持部への電荷転送時に電荷蓄積部に残存する不完全転送電荷量に応じた不完全転送電荷量情報を、電荷蓄積部に対応する画素毎に予め記憶する記憶手段と、信号出力部により出力された画素信号に対して、記憶手段により記憶された不完全転送電荷量情報に基づく補正を行う補正手段とを備えることを特徴とする。本発明によれば、撮像装置の有する撮像素子が出力する画素信号の精度を上げることができる。---第1の実施の形態---第1の実施の形態の撮像装置として、レンズ交換式のデジタルスチルカメラを例に挙げて説明する。図1は、第1の実施の形態のデジタルスチルカメラ201の構成を示す横断面図である。本実施の形態のデジタルスチルカメラ201は、交換レンズ202とカメラボディ203とから構成され、交換レンズ202がマウント部204を介してカメラボディ203に装着される。カメラボディ203にはマウント部204を介して種々の撮影光学系を有する交換レンズ202が装着可能である。交換レンズ202は、レンズ209、ズーミング用レンズ208、フォーカシング用レンズ210、絞り211、レンズ駆動制御装置206などを有する。レンズ駆動制御装置206は、不図示のマイクロコンピューター、メモリ、駆動制御回路などから構成される。レンズ駆動制御装置206は、フォーカシング用レンズ210の焦点調節および絞り211の開口径調節のための駆動制御、ならびにズーミング用レンズ208、フォーカシング用レンズ210および絞り211の状態検出などを行う。また、後述するボディ駆動制御装置214との通信によりレンズ情報の送信およびカメラ情報の受信を行う。絞り211は、光量およびボケ量調整のために光軸中心に開口径が可変な開口を形成する。カメラボディ203は、撮像素子212、ボディ駆動制御装置214、液晶表示素子駆動回路215、液晶表示素子216、接眼レンズ217、不揮発性メモリ218、メモリカード219などを有している。撮像素子212には、撮像画素が二次元状に配置されるとともに、焦点検出位置に対応した部分に焦点検出画素が配置されている。不揮発性メモリ218には、後述するように、焦点検出画素の出力信号、すなわち焦点検出信号を補正するための補正情報が各焦点検出画素毎に格納されている。ボディ駆動制御装置214は、不揮発性メモリ218に格納されている該補正情報に基づき、焦点検出信号に対し後述する補正処理を行う。ボディ駆動制御装置214は、マイクロコンピューター、メモリ、駆動制御回路などから構成される。ボディ駆動制御装置214は、撮像素子212の駆動制御と、画像信号および焦点検出信号の読み出しと、焦点検出信号に基づく焦点検出演算および交換レンズ202の焦点調節とを繰り返し行うとともに、画像信号の処理および記録、カメラの動作制御などを行う。また、ボディ駆動制御装置214は電気接点213を介してレンズ駆動制御装置206との通信を行い、レンズ情報の受信およびカメラ情報の送信を行う。液晶表示素子216は電気的なビューファインダーとして機能する。液晶表示素子駆動回路215は撮像素子212から読み出された画像信号に基づきスルー画像を液晶表示素子216に表示し、撮影者は接眼レンズ217を介してスルー画像を観察することができる。メモリカード219は、撮像素子212により撮像された画像信号に基づいて生成される画像データを記憶する画像ストレージである。交換レンズ202を通過した光束により、撮像素子212の受光面上に被写体像が形成される。この被写体像は撮像素子212により光電変換され、画像信号および焦点検出信号がボディ駆動制御装置214へ送られる。ボディ駆動制御装置214は、図10を用いて後述するように、撮像制御機能および焦点検出制御機能を有する。ボディ駆動制御装置214は、撮像素子212の焦点検出画素からの焦点検出信号に基づいてデフォーカス量を算出し、このデフォーカス量を、レンズ駆動制御装置206へ送る。また、ボディ駆動制御装置214は、撮像素子212からの画像信号を処理して画像データを生成し、メモリカード219に格納するとともに、撮像素子212からのスルー画像信号を液晶表示素子駆動回路215へ送り、スルー画像を液晶表示素子216に表示させる。さらに、ボディ駆動制御装置214は、レンズ駆動制御装置206へ絞り制御情報を送って絞り211の開口制御を行う。レンズ駆動制御装置206は、フォーカシング状態、ズーミング状態、絞り設定状態、絞り開放F値などに応じてレンズ情報を更新する。具体的には、ズーミング用レンズ208およびフォーカシング用レンズ210の位置と絞り211の絞り値とを検出し、これらのレンズ位置と絞り値とに応じてレンズ情報を演算したり、あるいは予め用意されたルックアップテーブルからレンズ位置と絞り値とに応じたレンズ情報を選択する。レンズ駆動制御装置206は、受信したデフォーカス量に基づいてレンズ駆動量を算出し、レンズ駆動量に応じてフォーカシング用レンズ210を合焦位置へ駆動する。また、レンズ駆動制御装置206は受信した絞り値に応じて絞り211を駆動する。図2は、交換レンズ202の予定結像面、すなわち撮像面に設定した撮影画面上における焦点検出位置焦点検出エリアを示す図であり、後述する撮像素子212上の焦点検出画素列が焦点検出の際に撮影画面上で像をサンプリングする領域の一例を示す。この例では、矩形の撮影画面100上の中央および上下の3箇所に焦点検出エリア101~103が配置される。長方形で示す焦点検出エリアの長手方向に、焦点検出画素が直線的に配列される。図3は撮像素子212の詳細な構成を示す正面図であり、撮像素子212上の焦点検出エリア101の近傍を拡大して示す。撮像素子212には、撮像画素310が二次元正方格子状に稠密に配列されるとともに、焦点検出エリア101に対応する位置には焦点検出用の焦点検出画素313、314が垂直方向の直線状に隣接して交互に配列される。なお、焦点検出エリア102、103の近傍の構成も図3に示す構成と同様である。撮像画素310は、図3に示すようにマイクロレンズ10、光電変換部11、および色フィルター不図示から構成される。色フィルターは赤R、緑G、青Bの3種類からなり、それぞれの色に対応する分光感度特性を有している。撮像素子212には、各色フィルターを備えた撮像画素310がベイヤー配列されている。焦点検出画素313は、図3に示すようにマイクロレンズ10と光電変換部13とを有し、光電変換部13の形状は半円形である。また、焦点検出画素314は、図3に示すようにマイクロレンズ10と光電変換部14とを有し、光電変換部14の形状は半円形である。焦点検出画素313および焦点検出画素314は、図2および図3に示すように焦点検出エリア101~103において垂直方向に交互に配置される。この焦点検出画素配列において、焦点検出画素313の光電変換部13はマイクロレンズ10の上半分の位置に配置され、焦点検出用画素314の光電変換部14はマイクロレンズ10の下半分の位置に配置される。焦点検出画素313、314には光量をかせぐために色フィルターが設けられていないため、焦点検出画素313および314は、光電変換を行うフォトダイオード後述の分光感度と、赤外カットフィルター不図示の分光感度特性とを総合した分光感度特性示す。すなわち焦点検出画素313および314は、緑画素、赤画素および青画素の分光感度特性を加算したような分光感度を示す。高い感度を示す光波長領域は、緑画素、赤画素および青画素の各々において各色フィルターが高い感度を示す光波長領域を包括している。焦点検出用の焦点検出画素313、314は、撮像画素310の青画素および緑画素が配置されるべき列に配置されている。焦点検出用の焦点検出画素313、314が、撮像画素310の青画素および緑画素が配置されるべき列に配置されているのは、焦点検出画素の位置における撮像用の画像信号を求めるための補間処理において補間誤差が生じた場合に、人間の視覚特性上、赤画素の補間誤差に比較して青画素の補間誤差の方が目立たないためである。撮像画素310の光電変換部11は、マイクロレンズ10を介して、最も明るい交換レンズ202の射出瞳径例えばF1.0を通過する光束をすべて受光するような形状に設計される。また、焦点検出画素313、314の光電変換部13、14は、マイクロレンズ10を介して、交換レンズ202の射出瞳の所定の領域例えばF2.8を通過する光束をすべて受光するような形状に設計される。図4は、マイクロレンズを用いた瞳分割型位相差検出方式の焦点検出光学系の構成を示す。なお、焦点検出画素の部分は拡大して示す。図2の画面中央の焦点検出エリア101に配置された焦点検出画素313および314において、光電変換部13および14の前方にマイクロレンズ10が配置され、マイクロレンズ10により光電変換部13および14の形状が前方に投影される。光電変換部13および14は半導体回路基板上に形成されるとともに、その上にマイクロレンズ10が半導体イメージセンサの製造工程により一体的かつ固定的に形成される。図4には、交換レンズの光軸91、マイクロレンズ10a、10b、10cおよび10d、光電変換部13a、14a、13bおよび14b、焦点検出画素313a、314a、313bおよび314b、ならびに焦点検出光束73,74、83および84が表されている。図4において、射出瞳90は、図1の交換レンズ202の予定結像面に配置されたマイクロレンズ10a、10b、10cおよび10dから前方へ距離dの位置に設定されている。この距離dは、マイクロレンズ10a、10b、10cおよび10dの曲率および屈折率、ならびにマイクロレンズ10a、10b、10cおよび10dとそれぞれに対応する光電変換部13a、14a、13bおよび14bとの間の距離などに応じて決まる。この距離dを本明細書では測距瞳距離と呼ぶ。また、領域93は、マイクロレンズ10a、10cにより光電変換部13a、13bが投影されて定まる領域である。図4では、説明を解りやすくするために領域93を楕円形の領域で示しているが、実際には光電変換部の形状が拡大投影された形状になる。同様に、領域94は、マイクロレンズ10b、10dにより光電変換部14a、14bが投影されて定まる領域であり、この明細書では領域93および94をそれぞれ測距瞳と呼ぶ。図4では、説明を解りやすくするために領域93および94を楕円形の領域で示しているが、実際には光電変換部13a、14a、13bおよび14bの形状が拡大投影された形状になる。図4では、撮影光軸91に隣接する4つの焦点検出画素313a、313b、314a、314bを模式的に例示している。焦点検出エリア101のその他の焦点検出画素においても、また画面周辺部の焦点検出エリア102、103の焦点検出画素においても、光電変換部はそれぞれ対応した測距瞳93、94から各マイクロレンズに到来する光束を受光するように構成されている。焦点検出画素の配列方向は一対の測距瞳の並び方向、すなわち一対の光電変換部の並び方向と一致させる。マイクロレンズ10a~10dは図1の交換レンズ202の予定結像面近傍に配置されている。マイクロレンズ10a~10dにより、その背後に配置された光電変換部13a、13b、14a、14bの形状が、マイクロレンズ10a~10cから測距瞳距離dだけ離間した射出瞳90上に投影され、その投影形状は測距瞳93,94を形成する。すなわち、投影距離dにある射出瞳90上において、各焦点検出画素313aおよび313bの光電変換部13aおよび13bの投影形状により形成される測距瞳93が一致し、各焦点検出画素314aおよび314bの光電変換部14aおよび14bの投影形状により形成される測距瞳94が一致するように、各焦点検出画素におけるマイクロレンズと光電変換部との相対的位置関係が定められ、それにより各焦点検出画素における光電変換部の投影方向が決定されている。光電変換部13aは、測距瞳93を通過してマイクロレンズ10aに向かう光束73によりマイクロレンズ10a上に形成される像の強度に対応した信号を出力する。同様に、光電変換部13bは、測距瞳93を通過してマイクロレンズ10cに向かう光束83によりマイクロレンズ10c上に形成される像の強度に対応した信号を出力する。また、光電変換部14aは、測距瞳94を通過してマイクロレンズ10bに向かう光束74によりマイクロレンズ10b上に形成される像の強度に対応した信号を出力する。同様に、光電変換部14bは、測距瞳94を通過してマイクロレンズ10dに向かう光束84によりマイクロレンズ10d上に形成される像の強度に対応した信号を出力する。上述した2種類の焦点検出画素を直線状に多数配置し、各画素の光電変換部の出力を測距瞳93および測距瞳94に対応した一対の出力グループにまとめることによって、測距瞳93および測距瞳94をそれぞれ通過する一対の焦点検出用光束が画素列上に形成する一対の像の強度分布に関する情報が得られる。この情報に対して像ズレ検出演算処理を施すことによって、いわゆる瞳分割型位相差検出方式による一対の像の像ズレ量が検出される。さらに、像ズレ量に対して一対の測距瞳の重心間隔に応じた変換演算を行うことによって、予定結像面マイクロレンズアレイの位置に対する現在の結像面撮影画面100上での焦点検出位置における実際の結像面の偏差デフォーカス量が算出される。図5に、撮像素子212の回路構成概念図、およびボディ駆動制御装置214内における焦点検出画素信号の補正処理の流れを表すブロック図を示す。撮像素子212は例えばCMOSイメージセンサとして構成される。撮像素子212の回路構成を、水平方向8画素×垂直方向4画素のレイアウトに簡略化して説明する。図5は図2の垂直方向の焦点検出エリア101に対応して描かれており、垂直方向に焦点検出画素313,314が同一の列に配置されている。4列目は焦点検出画素313、314が垂直方向に配置された列であり、中央の2つの焦点検出画素313、314○で示すが複数の焦点検出画素を代表しており、それらの上下の撮像画素310□で示すが複数の焦点検出画素の上下に配置された複数の撮像画素を代表している。4列目を除いた他の列は撮像画素310□で示すのみが配置された列であり、複数の焦点検出画素313および314が配置された列の左右に配置された撮像画素のみからなる列を代表している。撮像画素310ならびに焦点検出画素313および314は、基本構成として、受光した光量に応じた電荷を発生して蓄積する光電変換電荷蓄積部であるフォトダイオードPDと、フォトダイオードPDから転送された電荷を画素信号に変換するために一時的に保持する電荷保持部であるフローティングディフュージョン浮遊拡散層FDと、フォトダイオードPDからフローティングディフュージョンFDに転送された電荷量に応じた画素信号を出力する信号出力部である増幅MOSトランジスタAMPアンプとを有する。ラインメモリ320は、1行分の画素の画素信号をサンプルホールドして一時的に保持するバッファである。撮像画素310ならびに焦点検出画素313および314からの画素信号の出力は、垂直走査回路502が発生する制御信号φS1~φS4、φT1~φT4、φR1~φR4により、行ごとに独立に制御される。撮像画素310ならびに焦点検出画素313および314のフォトダイオードPDに蓄積された電荷は、制御信号φS1~φS4の立ち上がりに同期して立ち上がる制御信号φT1~φT4により、フローティングディフュージョンFDに転送される。各画素の増幅MOSトランジスタAMPは、フォトダイオードPDからフローティングディフュージョンFDに転送された電荷量に応じた画素信号を出力する。これにともない、制御信号φS1~φS4により選択された行の画素の画素信号は垂直信号線501に出力される。垂直信号線501に出力された同一行の画素信号は、垂直走査回路502から制御信号φS1~φS4に同期して発せられる制御信号φH1に基づいてサンプルホールドされる。ラインメモリ320に保持された画素信号は、水平走査回路503が発生する制御信号φV1~φV8により、順次出力回路330に転送され、出力回路330で設定された増幅度で増幅されて撮像素子212の外部に出力される。撮像画素310ならびに焦点検出画素313および314のフォトダイオードPDおよびフローティングディフュージョンFDは、画素信号がサンプルホールドされた後、制御信号φS1~φS4の立ち下がりに同期して垂直走査回路502が発生する制御信号φR1~φR4によりリセットされ、その後制御信号φT1~φT4の立ち下がりで次回の画素信号出力のための電荷蓄積を開始する。なおラインメモリ320に保持される画素信号は制御信号φS1~φS4の立ち上がりに同期してリセットされる。出力回路330は異なる増幅度で画素信号を増幅することが可能であり、その増幅度はボディ駆動制御装置214に含まれる感度設定装置2141により設定される。なお感度設定装置2141はマニュアル設定または明るさに応じた自動設定により増幅度を設定する。出力回路330から出力された画素信号は、ボディ駆動制御装置214に含まれるAD変換装置2142によりデジタル信号値の画素データ画素信号にAD変換される。図5においては、焦点検出画素313および314の画素データ画素信号の処理が示されている。撮像画素310の画素データ画素信号は、AD変換処理以降においては、図5に示す処理経路とは別の処理経路で従来技術に従って処理される。不揮発性メモリ218には、各焦点検出画素313および314のフォトダイオードPDからフローティングディフュージョンFDへの電荷転送の際にフォトダイオードPDに残存する残存電荷量を表す不完全転送電荷量に応じた補正情報と、撮像素子212上における各焦点検出画素313および314の位置情報行アドレスおよび列アドレス、すなわち焦点検出画素位置情報とがペアで記憶されている。ボディ駆動制御装置214に含まれる補正装置2143は、AD変換装置2142から各焦点検出画素313および314の画素信号が送られてくると、その画素信号の出力タイミングに応じて焦点検出画素313および314の焦点検出画素位置情報を決定する。補正装置2143は、該焦点検出画素位置情報に基づき該焦点検出画素位置情報とペアで不揮発性メモリ218に記憶されている不完全転送電荷量に応じた補正情報を不揮発性メモリ218から読み出す。補正装置2143は、該補正情報に感度設定に応じた係数増幅度を含む変換増幅率を乗じた後、各焦点検出画素313および314の画素データ画素信号に加算することにより、各焦点検出画素313および314の画素データ画素信号を補正する。補正された各焦点検出画素313および314の画素データ画素信号は、ボディ駆動制御装置214に含まれる焦点検出装置2144により焦点検出処理が施される。図6は図5に示す撮像素子212の撮像画素310ならびに焦点検出画素313および314の詳細回路図であって、光電変換電荷蓄積部はフォトダイオードPDで構成される。フォトダイオードPDとフローティングディフュージョンFD浮遊拡散層とは、制御信号φTnφT1~φT4により制御されるMOSトランジスタ511を介して連結される。フォトダイオードPDで生成された電荷は、制御信号φTnφT1~φT4によりMOSトランジスタ511がONとされた期間に、フローティングディフュージョンFDに転送される。フローティングディフュージョンFDは増幅MOSトランジスタAMPアンプのゲートに接続されている。増幅MOSトランジスタAMPは、フローティングディフュージョンFDに転送された電荷の量に応じた画素信号を出力する。フローティングディフュージョンFDは、リセットMOSトランジスタ510を介し、電源電圧Vddに接続されている。制御信号φRnφR1~φR4によりリセットMOSトランジスタ510がONすると、フローティングディフュージョンFDに溜まった電荷がクリアされ、リセット状態となる。また制御信号φRnφR1~φR4によりリセットMOSトランジスタ510がONする期間中に、制御信号φTnφT1~φT4によりMOSトランジスタ511がONとすると、フォトダイオードPDに残存する電荷がクリアされる。増幅MOSトランジスタAMPの出力は、行選択MOSトランジスタ512を介して垂直出力線501に接続されている。制御信号φSnφS1~φS4により行選択MOSトランジスタ512がONすると、増幅MOSトランジスタAMPの出力が垂直出力線501に出力される。図7は、図6に示す撮像素子212の撮像画素310の詳細回路図に対応した、撮像素子212の断面構造を示す図である。P型半導体基板上にP層、N層からなる埋め込みフォトダイオードPDが形成され、その隣にN層からなるフローティングディフュージョンFDが形成される。フローティングディフュージョンFDに隣接してさらに別のN層が形成され、このN層は電源電圧Vddに接続される。フローティングディフュージョンFDは増幅MOSトランジスタAMPのゲートに接続される。フローティングディフュージョンFDとフォトダイオードPDとの間に、MOSトランジスタ511のゲート521が配置され、ゲート521には制御信号φTnが接続される。フローティングディフュージョンFDと隣接するN層との間にMOSトランジスタ510のゲート520が配置され、ゲート520には制御信号φRnが接続される。図8は図5に示す撮像素子212の動作タイミングチャートである。図9は撮像素子212の撮像画素310ならびに焦点検出画素313および314の動作を示す電位分布図である。撮像素子212の一例としてのCMOSイメージセンサにおいては、いわゆるローリングシャッタ動作ライン露光により画素のリセット、露光、画素信号の読み出しが、以下のように各行毎に順次行われる。時刻t0以前には、垂直走査回路502は、制御信号φS1をOFF、制御信号φT1をOFF、制御信号φR1をONとしており、フォトダイオードPDにて電荷が蓄積されている。このとき1行目の画素は図9aに示す電位分布状態にある。このとき、フローティングディフュージョンFDとフォトダイオードPDとは切り離されており、フォトダイオードPDには電荷920が蓄積されるとともに、フローティングディフュージョンFDは電源電圧の電位にリセットされている。時刻t0に、垂直走査回路502は、制御信号φS1をON、制御信号φT1をON、制御信号φR1をOFFにする。1行目の画素は、制御信号φS1がONとなることにより選択され、制御信号φT1がONとなることによりフォトダイオードPDに蓄積された電荷はフローティングディフュージョンFDに転送される。フローティングディフュージョンFDに転送された電荷量に応じた画素信号が、選択された1行目の画素から垂直信号線501に出力される。このとき1行目の画素は図9bに示す電位分布状態にあり、フローティングディフュージョンFDに転送された電荷921に対応した画素信号が垂直信号線501に出力される。フォトダイオードPDには不完全転送により電荷922が残存する。電荷922の量は各画素毎に不均一である各画素毎に異なるため、後述する処理により各画素の画素信号は補正される。垂直走査回路502から時刻t1に発せられる制御信号φH1により垂直信号線501に出力された1行目の画素信号は、ラインメモリ320に一時的に保持される。ラインメモリ320に保持された1行目の画素の画素信号は、水平走査回路503から順次発せられる制御信号φV1~φV8にしたがって出力回路330に転送され、出力回路330で設定された増幅度で増幅されて、撮像素子212の外部に出力される。1行目の画素の画素信号がラインメモリ320で保持された後の時刻t2の時点で、垂直走査回路502は、制御信号φR1をON、制御信号φS1をOFFにし、その後時刻t3に制御信号φT1をOFFすることにより1行目の画素がリセットされる。すなわち時刻t2から時刻t3までの間、1行目の画素は図9cに示す電位分布状態にあり、フォトダイオードPDに残存していた電荷922およびフローティングディフュージョンFDに転送された電荷921が電源電圧Vddに吸い込まれ、フローティングディフュージョンFDは電源電圧にリセットされる。時刻t3に垂直走査回路502が制御信号φT1をOFFにすることにより、1行目の画素のフォトダイオードPDでの電荷蓄積が開始される。このとき、1行目の画素は図9dに示す電位分布状態にあり、時刻t3以降にフォトダイオードPDで生成された電荷がフォトダイオードPDに蓄積されていく。1行目の画素の画素信号の出力回路330からの出力が終了した時点で、2行目の画素は垂直走査回路502が発する制御信号φS2により選択される。選択された2行目の画素の画素信号は、垂直信号線501に出力された後、ラインメモリ320に保持され、さらに出力回路330から撮像素子212の外部に出力される。それとともに、2行目の画素のリセットおよび電荷蓄積開始が1行目の画素と同様に行われる。続いて3行目、4行目の画素の選択、画素信号の保持および出力、画素のリセット、ならびに画素における電荷蓄積の開始が行われる。全ての画素の画素信号の出力が終了すると、再び1行目に戻って上記動作が周期的に繰り返される。図8において、制御信号φS1の立ち上がりから次の制御信号φS1の立ち上がりまでが撮像動作の1フレーム、すなわち1画面分の画像信号を出力する動作に対応する。また、制御信号φTnの立ち下がりから次の制御信号φTnの立ち上がりまでが、n行目の画素の電荷蓄積期間であり、制御信号φTnの立ち下がりの時刻t3を変更することにより電荷蓄積期間の長さを変更することができる。図10は、本実施の形態のデジタルスチルカメラ201の撮像動作を示すフローチャートである。図10に示す各処理ステップは、ボディ駆動制御装置214によって実行される。ボディ駆動制御装置214により、ステップS100でデジタルスチルカメラ201の電源がオンされると、ステップS110以降のカメラ動作が開始される。ステップS110において、撮像素子214は一定周期で撮像動作を繰り返す動作モード例えば1秒間に60フレームを出力する動作モードに設定されている。ボディ駆動制御装置214は、1フレーム分の撮像画素310ならびに焦点検出画素313および314のデータ画素信号を、所定の増幅率が設定された増幅MOSトランジスタAMPおよび被写界の明るさに応じた感度設定に対応する増幅度が設定された出力回路330を介して、撮像素子212から読み出す。ステップS120では、撮像画素310のデータ画素信号に基づく画像データを生成し、その画像データに基づく表示画像を液晶表示素子216に表示させる。ステップS121では、不揮発性メモリ218から各焦点検出画素313および314の不完全転送電荷量情報を読み出す。ステップS122では、各焦点検出画素313および314の不完全転送電荷量情報に後述する変換増幅率を乗じ、各焦点検出画素313および314の不完全転送補正データ補正値を算出する。後述するように、変換増幅率には、増幅MOSトランジスタAMPに設定された所定の増幅率と、出力回路330から画素信号が出力される際の感度に基づく増幅度とが含まれる。ステップS123では、各焦点検出画素313および314のデータ画素信号に、各焦点検出画素313および314の不完全転送補正データ補正値を加算して補正する。ステップS121からステップS123までの処理の詳細については後述する。ステップS130では、図2に示す3つの焦点検出エリア101、102および103のうちユーザーに選択された焦点検出エリアにおいて、補正された焦点検出画素のデータ画素信号に基づき焦点検出演算を行い、デフォーカス量を算出する。デフォーカス量の信頼性が低い場合またはデフォーカス量の算出が不能であった場合は焦点検出不能となる。ステップS140では、合焦近傍の焦点調節状態であるか否か、すなわち算出されたデフォーカス量の絶対値が所定値以内であるか否かを調べる。合焦近傍の焦点調節状態でないと判定された場合はステップS150へ進み、デフォーカス量をレンズ駆動制御装置206へ送信し、交換レンズ202のフォーカシング用レンズ210を合焦位置に駆動させる。その後、ステップS110へ戻って上述した動作を繰り返す。なお、焦点検出不能な場合もこのステップに分岐し、レンズ駆動制御装置206へスキャン駆動命令を送信し、交換レンズ202のフォーカシング用レンズ210を無限から至近までの間でスキャン駆動させる。その後、ステップS110へ戻って上述した動作を繰り返す。ステップS140で合焦近傍であると判定された場合はステップS160へ進み、シャッターボタン不図示の操作によりシャッターレリーズがなされたか否かを判別する。シャッターレリーズがなされていないと判定された場合はステップS110へ戻り、上述した動作を繰り返す。一方、シャッターレリーズがなされたと判定された場合はステップS170へ進み、レンズ駆動制御装置206へ絞り調整命令を送信し、交換レンズ202の絞り値を制御F値撮影者により設定されたF値または自動設定されたF値にする。絞り制御が終了した時点で、撮像素子212に被写体輝度に応じた露光時間電荷蓄積時間による撮像動作を行わせ、撮像素子212の撮像画素310ならびに焦点検出画素313および314から、設定された感度に応じてデータ画素信号を読み出す。ステップS180において、焦点検出画素列の各焦点検出画素位置における仮想的な撮像画素のデータを、焦点検出画素313および314の周囲の撮像画素310のデータ画素信号と焦点検出画素のデータ画素信号に基づいて画素補間することによって求め、その仮想的な撮像画素のデータを、焦点検出画素列の各焦点検出画素位置における画像信号として用いる。ここでの画素補間処理として、例えば特開2009-94881号公報に開示された画素補間処理を行う。続くステップS190では、撮像画素のデータ画素信号および補間された撮像画素のデータからなる画像データ画像信号を生成し、生成した画像データをメモリカード219に出力して記憶させる。その後、ステップS110へ戻って上述した動作を繰り返す。図10のステップS130におけるデフォーカス量の算出、およびその算出に用いられる一般的な像ズレ検出演算処理相関演算処理の詳細は、特開2010-129783号公報に開示されており、その像ズレ量に変換係数を乗じてデフォーカス量が算出される。なお、その変換係数は、測距瞳の重心間隔が絞り開口径に応じて変化するために、絞り開口径F値に応じて変化する。次に、図10のステップS121からステップS123までの不完全転送電荷の補正処理の詳細について説明する。図11は、焦点検出画素のフォトダイオードPD光電変換電荷蓄積部で蓄積された電荷量を入力Xとし、該電荷量に応じたデータ値すなわち画素信号の信号値を出力Yとしたときの、入力Xと出力Yとの関係を示すグラフである。不完全転送が生じている場合の信号値Yrは、電荷量を信号値に変換する場合の変換増幅率aおよび不完全転送電荷量bを用いると、電荷量Xの1次式1で表される関係にある。ただし、変換増幅率aは、図6の増幅MOSトランジスタAMPの増幅率と、図5の出力回路330の感度設定に応じた増幅度とを互いに乗じて得られる。光電変換電荷蓄積部から外部への転送電荷量はX-bで表される。Yr=aX-b1不完全転送電荷量bは個々の焦点検出画素毎にバラつくので、各焦点検出画素毎に不完全転送電荷量を測定して不揮発性メモリ218に予め格納しておく。各焦点検出画素毎の不完全転送電荷量は例えば以下のようにして測定する。焦点検出画素における入射光量と生成される電荷量との関係を表す量子化効率が測定系にとって既知で一定であるとすると、ある光量の光を焦点検出画素に入射させた場合に生成される電荷量X1がわかる。その時に得られた信号値Y1と変換増幅率aとに基づき、不完全転送電荷量bは次式2で算出することができる。b=X1-Y1/a2式2で求めた不完全転送電荷量bが、各焦点検出画素毎に不揮発性メモリ218に記憶されており、図10のステップS121で読み出される。図11において、不完全転送が生じていない場合、すなわち不完全転送電荷量が0の場合の信号値Ysは、電荷量Xの1次式で表される関係にある。具体的には、式3に示すように、信号値Ysは、不完全転送電荷量bに基づく不完全転送が生じている場合の信号値Yrに対して、不完全転送電荷量bに変換増幅率aを乗じた値を加算した値に等しい。Ys=aX=Yrab3そこで、図10のステップS122では、各焦点検出画素毎に不完全転送電荷量b不完全転送電荷量情報に変換増幅率a感度に応じた変換係数を乗じて、不完全転送補正データ補正値を算出し、ステップS123において、該不完全転送補正データ補正値を各焦点検出画素の画素信号の信号値データに加算することにより、不完全転送による信号値の誤差を補正している。例えば、ある焦点検出画素の補正前の信号値Y2、不完全転送電荷量b、変換増幅率aに対して、補正後の信号値Y3は次式4で算出される。なお、ここでの変換増幅率aは、不完全転送電荷量測定時と同一値であるものとする。Y3=Y2ab4また、不完全転送電荷量bは変換増幅率aには依存しないので、変換増幅率aが不完全転送電荷量測定時と異なった値a1になった場合においても、補正前の画素信号の信号値Y4に対して補正後の画素信号の信号値Y5は次式5で算出されることになる。なお、不完全転送電荷量bの測定および不揮発性メモリ218への書き込みは、例えば撮像素子212の交換時や工場からの出荷前に行われる機械的および電気的な調整にて行われる。Y5=Y4a1b5一般に、焦点検出画素の光電変換電荷蓄積部に蓄積された電荷の一部が、光電変換電荷蓄積部から外部への電荷転送の際に光電変換蓄積部に残存した不完全転送の場合には、焦点検出画素のデータ画素信号に、画素によって不均一な固定パターンノイズが重畳される。これにより、焦点検出結果に誤差が生ずる。特に低輝度においては高感度で撮像を行うため、蓄積電荷量と不完全転送電荷量との比が小さくなりS/N値が落ちるので、焦点検出不能に陥る場合もある。撮像素子212から読み出される画像信号に対して各種補正を行うことで高品質な画像データを生成することが可能であったとしても、焦点検出不能の場合は、ピントの合った高品質な画像データが結局得られない。これに対し、上述した第1の実施の形態においては、不完全転送電荷量を各焦点検出画素毎に補正することにより、高感度撮像状態においても良好に焦点検出を行うことが可能になる。---変形例---1上述した第1の実施の形態では、各焦点検出画素毎に不完全転送電荷量を直接不揮発性メモリ218に記憶していたが、不揮発性メモリ218に記憶するデータとしては、不完全転送電荷量との比例関係があれば、電荷量以外の次元のデータであっても構わない。図12は、焦点検出画素のフォトダイオードPD光電変換蓄積部で蓄積された電荷量に比例した電荷量情報を入力Zとし、該電荷量情報に応じた画素信号の信号値を出力Yとしたときの、入力Zと出力Yとの関係を示すグラフである。一般的に画素信号の信号値Yrは、電荷量情報を信号値に変換する場合の変換増幅率α、および不完全転送電荷量に応じた電荷量情報βを用いて、電荷量情報Zの1次式6で表される関係にある。光電変換電荷蓄積部から外部への転送電荷量に応じた転送電荷量情報はZ-βで表される。Yr=αZ-β6電荷量情報Zは電荷量を直接表すパラメータではないが、電荷量に比例した量を表す情報である。例えば図12において、被写体の輝度、電荷蓄積時間、光学系の絞り値に依存する任意の光量で撮像した場合の電荷量情報を基準値Z1として定め、その時の画素信号の信号値Y1を予め測定する。またその半分の光量で撮像した時の電荷量情報Z2に対し、その時の信号値Y2を測定する。該半分の光量は、電荷蓄積時間を1/2にすることで得られるため、電荷量情報Z2は、基準値Z1の半分、すなわちZ1/2に等しい。式6は、2点Z1、Y1、Z1/2、Y2を通る直線であるから、変換増幅率αおよび電荷情報量βは、次式7および8で求めることができる。α=2Y1―Y2/Z17β=Z1Y1-2Y2/2Y1―Y28変換増幅率αが焦点検出画素に依存せず一定であるとした場合、該変換増幅率αを固定値として不揮発性メモリ218に予め記憶させる。ただし、変換増幅率αは被写体輝度には依存するため、変換増幅率αとして、被写体輝度に応じたいくつかの値が記憶される。不完全転送電荷量情報βは個々の焦点検出画素毎にバラつくので、各焦点検出画素毎に不完全転送電荷量情報βを測定して不揮発性メモリ218に予め格納しておく。補正処理を行う際に、不揮発性メモリ218から読み出した変換増幅率α、不完全転送電荷量情報βを使用する。図12において不完全転送が生じていない場合、すなわち不完全転送電荷量情報が0の場合の信号値Ysは、次の電荷量情報Zの1次式9で表される関係にある。具体的には、式9に示すように、信号値Ysは、不完全転送電荷量情報βに基づく不完全転送が生じている場合の信号値Yrに対して、不完全転送電荷量情報βに変換増幅率αを乗じた値を加算した値に等しい。Ys=αZ=Yrαβ9そこで、各焦点検出画素毎の不完全転送電荷量情報βに変換増幅率αを乗じて、不完全転送補正データ補正値を算出し、該データを各焦点検出画素の信号値データに加算することにより、不完全転送による信号値の誤差を補正する。例えば、ある焦点検出画素の補正前の信号値Y3、不完全転送電荷量情報β、変換増幅率αに対して、補正後の信号値Y4は次式10で算出されることになる。Y4=Y3αβ10また、不完全転送電荷量情報βは変換増幅率αには依存しないので、変換増幅率αが不完全転送電荷量情報測定時と異なった値α1になった場合においても、補正前の画素信号の信号値Y5に対して補正後の画素信号の信号値Y6は次式11で算出されることになる。Y6=Y5α1β11以上に示した本変形例においては、量子化効率の値が不要であり、厳密な電荷量測定の必要性がないので、不完全転送電荷量情報の測定を簡便に行うことができる。2上述した変形例1においては、変換増幅率αは各焦点検出画素に依存せず一定であるとしたが、実際には変換増幅率αも各焦点検出画素毎に感度が異なることによる感度不均一性に応じてバラつく場合がある。このような場合、感度不均一性に対応する変換率増幅αの不均一性も補正することが好ましい。図13は、上述した不完全転送の補正に加えて、感度不均一性の補正を行う場合の電荷量情報Zと信号値Yとの関係を示したグラフである。変形例1の説明にも述べたように、各焦点検出画素の変換増幅率αは、式7で算出されるので、算出した変換増幅率αを各焦点検出画素毎に不揮発性メモリ218に予め格納しておく。補正処理を行う際に、不揮発性メモリ218から変換増幅率αを読み出す。全焦点検出画素に共通な変換増幅率γを用いると、一般に不完全転送電荷量情報βと変換増幅率αの感度不均一性が補正された信号値Ys′は、補正前の信号値Yrに対して次式12で表される。Ys′=γZ=γ/αYrγβ12そこで、各焦点検出画素毎の不完全転送電荷量情報βに変換増幅率γを乗じて、不完全転送補正データ補正値を算出し、該データを感度不均一性が補正された各焦点検出画素の信号値データに加算することにより、不完全転送による誤差および感度不均一性による誤差を補正する。例えば、ある焦点検出画素の補正前の信号値Y3、該焦点検出画素の不完全転送電荷量情報β、該焦点検出画素の変換増幅率α、全焦点検出画素に共通な変換増幅率γに対して、補正後の信号値Y5は次式13で算出されることになる。Y5=γ/αY3αβ=γ/αY3γβ13式13によると、9に示す加算処理により不完全転送の補正が行われた後の信号値Y3αβに、各画素の感度不均一性に関する不均一性補正係数γ/αを乗ずることによって感度不均一性の補正が行われる。なお、不均一性補正係数γ/αは、各焦点検出画素毎に不揮発性メモリ218に予め格納しておくものとする。式13のような演算処理を行うことにより、不完全転送による誤差および感度不均一性の誤差を矛盾なく良好に補正することができる。3上述した実施の形態および変形例において、補正前の画素信号の信号値が0の場合には、光電変換電荷蓄積部で蓄積された電荷量は0から不完全転送電荷量の最大値までの範囲内の任意の値を取る可能性がある。この場合において、一律の不完全転送電荷量に応じた不完全転送補正データ補正値を補正前の信号値0に加算して補正すると、真に光電変換電荷蓄積部に蓄積された電荷量が0暗黒の場合であっても、補正後の画素信号の信号値が0にならなくなってしまう。そのような誤差を軽減させるために、補正前の画素信号の信号値が0である場合には、i不完全転送電荷量情報についての補正を行わない、ii不完全転送電荷量情報についての補正量を、補正前の信号値が0でない場合の補正量の1/2にする、iii隣接する同一種の焦点検出画素の補正後の画素信号の信号値の平均値に置換する等の処理のいずれかを行うことが好ましい。4上述した実施の形態および変形例では、すべての焦点検出画素313および314の画素信号の信号値を、各焦点検出画素毎に記憶した不完全転送電荷量情報に基づいて補正することとした。しかし、これは不完全転送電荷量情報を記憶する不揮発性メモリ218の容量がすべての焦点検出画素分だけ確保できる場合に可能な補正であって、不揮発性メモリ218の容量が十分確保できない状況であれば、一部の焦点検出画素に限定して不完全転送電荷量の補正を行うようにすることもできる。限定されるそれら一部の焦点検出画素は不完全転送電荷量が大きな焦点検出画素である。不揮発性メモリ218は、該焦点検出画素の撮像素子212上での位置情報行アドレスおよび列アドレスと、その焦点検出画素の各々に対応する不完全転送電荷量情報とを予めペアで記憶している。補正装置2143は、画素信号の信号値が撮像素子212から読み出された際、該信号値が読み出された画素位置と不揮発性メモリ218に記憶されている焦点検出画素の位置情報とが一致した場合には、該位置情報とのペアになった不完全転送電荷量情報に基づいて該信号値を補正する。5上述した実施の形態および変形例では、焦点検出画素313および314の画素信号の信号値を、各焦点検出画素毎に記憶された不完全転送電荷量情報に基づいて補正することとした。撮像画素310の画素信号の信号値については、不完全転送電荷量情報に基づく補正が必ずしも必要ではない。しかし、これは不完全転送電荷量情報を記憶する不揮発性メモリ218の容量と補正効果の重要性とを考慮したものであって、不揮発性メモリ218の容量が十分確保できる状況であれば、撮像画素310の画素信号の信号値を、各撮像画素毎に記憶された不完全転送電荷量情報に基づいて補正するようにしてもよい。例えばこのような撮像画素310の画素信号の信号値の補正を、図10のステップS120およびステップS180の前に行うことにより、複数の撮像画素310のそれぞれにおける低輝度時の不完全転送電荷量の不均一性に基づく画像のザラツキ感も減少する。6上述した実施の形態および変形例では、不完全転送電荷量情報に基づく画素信号の信号値の補正を常時行う。しかし、不完全転送電荷量の不均一性の影響は、光電変換電荷蓄積部から外部への転送電荷量が不完全転送電荷量に比較して大きな場合、例えば被写体輝度が高輝度で、かつ出力回路330に設定される増幅度が小さい、すなわち低感度の場合には、ほとんど無視できる。従って、不完全転送電荷量情報に基づく画素信号の信号値の補正処理を、被写体輝度が低輝度で、かつ出力回路に設定される増幅度が大きい、すなわち高感度の場合に限定して行うようにしてもよい。このようにすれば、高輝度においては補正処理に必要な負荷が軽減するので、高速な画像処理や焦点検出処理が可能になる。7上述した実施の形態および変形例では、撮像素子212をCMOSイメージセンサとして説明した。しかし、撮像素子212がCCDのような電荷転送読出しを行うイメージセンサの場合でも、フォトダイオードPDのような光電変換電荷蓄積部からCCDによる信号出力部への電荷転送の際に、CMOSイメージセンサと同様な不完全転送による残存電荷が発生する。したがって、本発明はCCDイメージセンサに対しても適用することができる。8本発明による撮像装置としては、上述したようなカメラボディ203に交換レンズ202が装着される構成のデジタルスチルカメラ201に限定されることはない。例えば、レンズ一体型のデジタルスチルカメラ、またはビデオカメラにも本発明を適用することができる。さらには、携帯電話などに内蔵される小型カメラモジュール、監視カメラやロボット用の視覚認識装置、車載カメラなどにも適用することができる。"