基板上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させて、前記基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、前記型または前記基板の少なくともいずれか一方を移動させ、前記型に形成されたパターン部と、前記未硬化樹脂とを押し付ける駆動機構と、前記型を加熱し、該型に温度分布を付与することで前記パターン部を変形させる型加熱機構と、前記型と前記基板との温度を計測する温度計測部と、前記型加熱機構に対して、前記温度分布の付与を停止してから前記パターン部と前記未硬化樹脂とを押し付けるまでの間に、前記パターンを形成すべき前記基板上のパターン形成領域に予め存在する基板側パターンの形状に近づくように、前記パターン部の形状を変形させ、かつ、前記温度計測部が計測した前記型と前記基板との温度を参照し、前記型と前記基板との温度差が許容値以下であるときに、前記駆動機構に対して、変形した後の前記パターン部と前記未硬化樹脂とを押し付けさせる制御部と、を備えることを特徴とするインプリント装置。前記パターン形成領域は、前記基板上に複数あることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記型加熱機構は、前記基板上に存在する複数の前記基板側パターンに共通するディストーション量に基づいて、前記温度分布を付与することを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。前記温度差の許容値は、摂氏0.0度から0.01度の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記温度差が前記許容値以下になるように、前記型または前記基板の少なくともいずれか一方の温度を制御する温度制御部を備えることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記型を保持する型保持部を備え、前記型保持部は、前記型加熱機構が前記型に温度分布を付与している間は、第1の保持力で前記型を保持し、一方、前記型加熱機構が前記温度分布の付与を停止した後は、前記第1の保持力よりも大きい第2の保持力で前記型を保持することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載のインプリント装置。前記型を保持する型保持部と、前記型を装置外部と前記型保持部との間で搬入出させる型搬送機構と、を備え、前記型加熱機構は、前記型搬送機構、または該型搬送機構による前記型の搬送軌道に設置されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載のインプリント装置。前記型に外力または変位を与えることで、前記パターン部を変形させる型変形機構を備え、前記制御部は、前記駆動機構により前記パターン部と前記未硬化樹脂とを押し付けさせた後に、前記型変形機構により前記パターン部を変形させることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載のインプリント装置。基板上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させて、前記基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント方法であって、前記型への温度分布の付与により、該温度分布の付与を停止してから前記型に形成されているパターン部と前記未硬化樹脂とを押し付けるまでの間に、前記パターンを形成すべき前記基板上のパターン形成領域に予め存在する基板側パターンの形状に近づくように、前記パターン部の形状を変形させる工程と、前記型と前記基板との温度を参照し、前記型と前記基板との温度差が許容値以下であるときに、変形した後の前記パターン部と前記未硬化樹脂とを押し付ける工程と、を含むことを特徴とするインプリント方法。請求項1ないし8のいずれか1項に記載のインプリント装置、または請求項9に記載のインプリント方法を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。しかしながら、従来の倍率補正機構により型を機械的に変形させるだけでは、数nm以下の重ね合わせ精度を達成する上で必要となる、弓形、樽形、または糸巻き形などに代表される高次の変形成分を補正するのは難しい。例えば、型の材質として一般的に用いられる石英などの物質は、ポアソン比が0.1から0.2程度である。このようなポアソン比が正の物質は、ある軸方向に圧縮変形をさせると、その軸と直交する向きに膨張するような変形をするため、部分的に等方的な変形を必要とする高次の変形成分の補正には不向きである。一方、特許文献1に示すような、型を熱的に変形させる方法は、型を等方的に変形させることができるので、高次の変形成分にも対応可能である。しかしながら、この型を熱的に変形させる方法では、加熱された型と基板とが樹脂を介して直接接触するため、型の熱が基板に伝わり、基板に対して不要な熱変形が発生する可能性がある。このとき、型の材質よりも基板の材質の方の熱膨張係数が大きいと、型の補正量に比べて基板の不要な熱変形量が大きくなるため、インプリント処理時の重ね合わせ精度に影響を及ぼす。したがって、重ね合わせ精度の向上のためには、型や基板に不要な変形を発生させることなく、型の高次の変形成分を補正する必要があるが、特許文献2では、例えば、直接の加熱時以外での不要な変形への対応に関する記載がない。本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、インプリント処理時の重ね合わせ精度の向上に有利なインプリント装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、基板上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させて、基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、型または基板の少なくともいずれか一方を移動させ、型に形成されたパターン部と、未硬化樹脂とを押し付ける駆動機構と、型を加熱し、型に温度分布を付与することでパターン部を変形させる型加熱機構と、型と基板との温度を計測する温度計測部と、型加熱機構に対して、温度分布の付与を停止してからパターン部と未硬化樹脂とを押し付けるまでの間に、パターンを形成すべき基板上のパターン形成領域に予め存在する基板側パターンの形状に近づくように、パターン部の形状を変形させ、かつ、温度計測部が計測した型と基板との温度を参照し、型と基板との温度差が許容値以下であるときに、駆動機構に対して、変形した後のパターン部と未硬化樹脂とを押し付けさせる制御部と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、例えば、インプリント処理時の重ね合わせ精度の向上に有利なインプリント装置を提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。第1実施形態まず、本発明の第1実施形態に係るインプリント装置について説明する。図1は、本実施形態に係るインプリント装置1の構成を示す概略図である。インプリント装置1は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用され、被処理基板であるウエハ上基板上の未硬化樹脂をモールド型で成形し、ウエハ上に樹脂のパターンを形成する装置である。なお、ここでは光硬化法を採用したインプリント装置とする。また、以下の図においては、ウエハ上の樹脂に対して紫外線を照射する照明系の光軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取っている。インプリント装置1は、まず、光照射部2と、モールド保持機構3と、ウエハステージ4と、塗布部5と、モールド加熱機構6と、制御部7とを備える。光照射部2は、インプリント処理の際に、モールド8に対して紫外線9を照射する。この光照射部2は、光源樹脂硬化用光源10と、この光源10から照射された紫外線9をインプリントに適切な光に調整する光学素子光学系とを含む。なお、本実施形態では、光硬化法を採用するために光照射部2を設置しているが、例えば熱硬化法を採用する場合には、この光照射部2に換えて、熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源部を設置することとなる。モールド8は、外周形状が多角形好適には、矩形または正方形であり、ウエハ11に対する面には、例えば回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが3次元状に形成されたパターン部8aを含む。また、モールド8の材質は、紫外線9を透過させることが可能な材質であり、本実施形態では一例として石英とする。さらに、モールド8は、紫外線9が照射される面に、平面形状が円形で、かつ、ある程度の深さのキャビティ凹部を有する場合もある。モールド保持機構3は、モールド8を保持するモールドチャック12と、このモールドチャック12を移動自在に保持するモールド駆動機構13と、モールド8パターン部8aの形状を補正する倍率補正機構14とを有する。モールドチャック型保持部12は、モールド8における紫外線9の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることでモールド8を保持し得る。例えば、モールドチャック12は、真空吸着力によりモールド8を保持する場合、外部に設置された不図示の真空ポンプに接続され、この真空ポンプの排気による吸着圧を適宜調整することで、モールド8に対する吸着力保持力を調整し得る。モールド駆動機構13は、モールド8とウエハ11上の樹脂15との押し付けまたは引き離しを選択的に行うようにモールド8を各軸方向に移動させる。このモールド駆動機構13に採用可能な動力源としては、例えばリニアモータまたはエアシリンダがある。また、モールド駆動機構13は、モールド8の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、モールド駆動機構13は、Z軸方向だけでなく、X軸方向やY軸方向、またはθZ軸周りの回転方向の位置調整機能や、モールド8の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。なお、インプリント装置1における押し付けおよび引き離しの各動作は、モールド8をZ軸方向に移動させることで実現してもよいが、ウエハステージ4をZ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。倍率補正機構型変形機構14は、モールドチャック12におけるモールド8の保持側に設置され、モールド8の側面に対して外力または変位を機械的に与えることによりモールド8パターン部8aの形状を補正する。さらに、モールドチャック12およびモールド駆動機構13は、平面方向の中心部内側に、光照射部2から照射された紫外線9がウエハ11に向かって通過可能とする開口領域16を有する。ここで、モールドチャック12またはモールド駆動機構13は、開口領域16の一部とモールド8とで囲まれる空間17を密閉空間とする光透過部材例えばガラス板18を備える場合もある。この場合、空間17内の圧力は、真空ポンプなどを含む不図示の圧力調整装置により調整される。この圧力調整装置は、例えば、モールド8とウエハ11上の樹脂15との押し付けに際して、空間17内の圧力をその外部よりも高く設定することで、パターン部8aをウエハ11に向かい凸形に撓ませ、樹脂15に対してパターン部8aの中心部から接触させ得る。これにより、パターン部8aと樹脂15との間に気体空気が残留することを抑え、パターン部8aの凹凸パターンに樹脂15を隅々まで充填させることができる。ウエハ11は、例えば、単結晶シリコン基板やSOISilicononInsulator基板である。このウエハ11上の複数のパターン形成領域インプリント装置1に搬入される前に、前工程にて既にパターン以下基板側パターンというが形成されているには、パターン部8aにより樹脂15のパターンパターンを含む層が成形される。ウエハステージ4は、ウエハ11を移動可能に保持し、例えば、モールド8とウエハ11上の樹脂15との押し付けの際のパターン部8aと基板側パターンとの位置合わせなどを実施する。このウエハステージ4は、ウエハ11を吸着力により保持するウエハチャック19と、このウエハチャック19を機械的に保持し、各軸方向に移動可能とするステージ駆動機構20とを有する。このステージ駆動機構20に採用可能な動力源としては、例えばリニアモータまたは平面モータなどがある。ステージ駆動機構20も、X軸およびY軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成し得る。さらに、Z軸方向の位置調整のための駆動系や、ウエハ11のθ方向の位置調整機能、またはウエハ11の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。また、ウエハステージ4は、不図示であるが、その側面にX、Y、Z、ωx、ωy、ωzの各方向に対応した複数の参照ミラー反射部を備える。これに対して、インプリント装置1は、これらの参照ミラーにそれぞれビームを照射することでウエハステージ4の位置を測定する不図示の複数のレーザー干渉計測長器を備える。レーザー干渉計は、ウエハステージ4の位置を実時間で計測し、後述する制御部7は、このときの計測値に基づいてウエハ11ウエハステージ4の位置決め制御を実行する。さらに、ウエハチャック19は、その表面上に、モールド8のアライメント位置計測または形状計測を実施する際に利用する基準マーク21を有する。塗布部5は、モールド保持機構3の近傍に設置され、ウエハ11上に存在するパターン形成領域としての基板側パターン上に、樹脂未硬化樹脂15を塗布する。ここで、この樹脂15は、紫外線9を受光することにより硬化する性質を有する紫外線硬化樹脂光硬化性樹脂、インプリント材であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。また、塗布部5の吐出ノズルから吐出される樹脂15の量も、ウエハ11上に形成される樹脂15の所望の厚さや、形成されるパターンの密度などにより適宜決定される。モールド加熱機構型加熱機構6は、モールド8に対して熱を与えることで熱的に変形させ、モールド8に形成されているパターン部8aの形状を補正する。このモールド加熱機構6は、不図示であるが、加熱用光源と、この加熱用光源から照射された加熱光22をモールド8の加熱に適切な光に調整する光学素子光学系とを含む。また、モールド加熱機構6は、加熱光22をパターン部8aに効率良く照射させるために、例えば、加熱光22が紫外線9の照射方向に沿って開口領域16内を通過するように、モールド8の表面に対して垂直方向に設置されることが望ましい。ここで、加熱光22は、モールド8に吸収される波長を有する光であればよく、例えば赤外線の波長帯域に波長が存在する光としてもよい。なお、このモールド加熱機構6の構成は、上記のような構成に限らず、例えば、モールド8を直接加熱するヒーターを備えた機構としてもよい。制御部7は、インプリント装置1の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部7は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置1の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部7は、少なくとも、モールド加熱機構6の動作と、このモールド加熱機構6の動作に付随したウエハステージ4の動作とを制御する。なお、制御部7は、インプリント装置1の他の部分と一体で共通の筐体内に構成してもよいし、インプリント装置1の他の部分とは別体で別の筐体内に構成してもよい。また、インプリント装置1は、モールドチャック12に保持されたモールド8の温度を計測する第1温度計測部23と、ウエハチャック19に保持されたウエハ11の温度を計測する第2温度計測部24とを備える。また、インプリント装置1は、インプリント処理に際し、ウエハ11上に形成されているアライメントマークと、モールド8に形成されているアライメントマークとのX軸およびY軸の各方向への位置ずれなどを計測するアライメント計測系30を備える。また、インプリント装置1は、ウエハステージ4を載置するベース定盤31と、モールド保持機構3を固定するブリッジ定盤32と、ベース定盤31から延設され、例えば除振器を介してブリッジ定盤32を支持する支柱33とを備える。さらに、インプリント装置1は、共に不図示であるが、モールド8を装置外部とモールド保持機構3との間で搬入出させるモールド搬送機構型搬送機構や、ウエハ11を装置外部とウエハステージ4との間で搬入出させる基板搬送機構などを含み得る。次に、インプリント装置1によるインプリント処理について説明する。図4は、インプリント装置1にて、複数枚のウエハ11に対して同一のモールド8を用い、ウエハ11上に存在する複数の基板側パターンをパターン形成領域ショットとしてインプリント処理する際の動作シーケンスを示すフローチャートである。まず、制御部7は、動作シーケンスを開始すると、モールドチャック12にモールド8を搭載する、またはすでに搭載されているものから交換する必要があるかどうかを判定するステップS100。ここで、制御部7は、モールドが搭載されていない、またはモールドの交換を要すると判定した場合YES、モールド搬送機構により、モールド8の搭載または交換を実施させるステップS101。このとき、制御部7は、モールドチャック12に対し、後の工程である押型工程での本保持の際の保持力第1の保持力よりも低い保持力第2の保持力でモールド8を保持させる。この第2保持力による仮保持は、後にモールド加熱機構6によりモールド8を変形自在としつつ、この変形時に脱落しない程度に保持するものである。一方、制御部7は、ステップS100にて、モールド8の搭載や交換が必要ではないと判定した場合NO、ステップS103に移行する。次に、制御部7は、アライメント計測系30により、ウエハステージ4上の基準マーク21を参照し、モールド8に形成されているパターン部8aの形状を計測させるステップS102。次に、制御部7は、今回の被処理基板となるウエハ11を選択し、基板搬送機構により、ウエハチャック19に載置させるステップS103。次に、制御部7は、アライメント計測系30により、基板側パターンの形状を計測させるステップS104。図3は、ウエハ11上に存在する複数の基板側パターン40の形状の例を示す概略平面図である。この図3では、ウエハ11上に計18箇所のショット上にそれぞれ基板側パターン40が存在する。特に、図3aでは、各基板側パターン40に共通するディストーション基板側パターン40とパターン部8aとの形状差の変形成分が台形である場合を示す。一方、図3bでは、各基板側パターン40に共通するディストーションの変形成分が糸巻き形である場合を示している。このように、インプリント装置1に搬入されたウエハ11上の基板側パターン40には、物品の製造工程における前工程の処理により、ある変形成分を有するディストーションが生じている場合がある。そこで、制御部7は、このステップS103にてウエハ11上の複数の基板側パターン40の形状を計測させ、次に、各基板側パターン40に共通のディストーション量を算出するステップS105。なお、この基板側パターン40の形状の計測は、インプリント装置1内にある不図示の計測場所で行われてもよいし、インプリント装置1にウエハ11を搬入する前に、別途準備された計測装置にて予め行われていてもよい。次に、制御部7は、ステップS104にて算出されたディストーション量に基づいて、モールド加熱機構6により、モールド8パターン部8aを加熱し、温度分布を与えることで、パターン部8aの形状を熱的に補正させるステップS106。ここで、制御部7は、モールド加熱機構6に対して、温度分布の付与を停止してからパターン部8aと樹脂15とを押し付けるまでの間に、パターン部8aの形状が基板側パターン40の形状に近づくように、温度分布を付与させる。すなわち、本動作シーケンスでは、制御部7は、ステップS106にて温度分布を付与させた後、ステップS111での押型工程までの間に、例えば自然放熱などによりパターン部8aが変形することも予め考慮した上で温度分布を付与させる。さらに、例えば、基板側パターン40に共通する変形成分が、図3aに示すような台形であったと仮定する。このとき、制御部7は、後の工程である押型工程での押し付け動作時にパターン部8aの形状と基板側パターン40に共通する形状とが合うように、台形の熱変形に対応した温度分布をモールド8に与えるようモールド加熱機構6を制御する。図4は、モールド加熱機構6による形状補正時のパターン部8aの形状変化の様子を示す概略平面図である。モールド加熱機構6は、例えば、図4の上段に示す台形成分の形状補正では、パターン部8aの1辺図中上底から対向する辺図中下底に向かって昇温もしくは降温の温度勾配を与えることで、パターン部8aに台形の熱変形を起こすことができる。このような温度分布の与え方は、基板側パターン40に共通する変形成分が図3bに示すように糸巻き形であった場合でも同様である。すなわち、この場合には、モールド加熱機構6は、パターン部8aの中央部から1対の辺方向図中上底および下底に昇温の温度勾配を与えることで、パターン部8aに糸巻き形の熱変形を起こせばよい。さらに、基板側パターン40に共通する変形成分が、台形や糸巻き形以外の、例えば樽形や弓形などの高次の変形成分であった場合でも、その変形成分に対応した温度分布をパターン部8aに与えることで、パターン部8aの高次の形状補正を実施することができる。次に、制御部7は、パターン部8aの形状を熱的に補正した後、モールドチャック12にモールド8を第1保持力で保持本保持させ、モールド加熱機構6による加熱を停止させるステップS107。このタイミングにてモールドチャック12がモールド8を本保持することで、モールド8は、モールド加熱機構6による加熱が止まっても、変形形状を維持したまま保持されることになる。ここで、高温状態にあったモールド8の温度は、熱伝達により装置内の温度と同等にまで低下していく。このとき、モールド8がモールドチャック12に本保持されていても、このようにモールド8の温度が低下することで、パターン部8aの形状がさらに変形することもあり得る。そこで、本実施形態では、制御部7は、モールド加熱機構6に対し、その後にモールド8の温度が低下することによるパターン部8aの再変形をも考慮した上で、モールド8を加熱させることが望ましい。次に、制御部7は、ウエハステージ4により、塗布部5による塗布位置に基板側パターン40の表面が位置するようにウエハ11を移動させた後、塗布工程として、塗布部5により樹脂15を塗布させるステップS108。その後、制御部7は、ウエハステージ4により、パターン部8aとの押し付け位置に樹脂15が塗布された基板側パターン40の表面が位置するようにウエハ11を移動させる。なお、この塗布工程は、後工程である押型工程の前であれば、ステップS107の前や以下のステップS109の後に実施されてもよく、またはステップS107やステップS109の実行中に実施されてもよい。次に、制御部7は、第1温度計測部23および第2温度計測部24により、モールドチャック12に保持されたモールド8と、ウエハチャック19に保持されたウエハ11との各温度を計測させるステップS109。次に、制御部7は、ステップS109にて得られた計測結果を参照し、モールド8とウエハ11との温度差が許容値以下であるかどうかを判定するステップS110。ここで、制御部7は、温度差が許容値以下であると判定した場合YES、次に、押型工程として、モールド駆動機構13を動作させ、パターン部8aと基板側パターン40上の樹脂15とを押し付けるステップS111。一方、制御部7は、ステップS110にて、温度差が許容値以上であると判定した場合NO、各温度が低下するまで一旦待機し、その後、ステップS109に移行して、各温度の計測を再度実施させる。モールド8とウエハ11との温度差が小さいと、以下の押型工程においてモールド8パターン部8aとウエハ11との間での伝熱が発生しづらいので、パターン部8aまたは基板側パターン40の不要な熱変形を抑制することができる。したがって、制御部7は、ステップS110での温度差を判定する工程において、温度差の許容値を摂氏0.0度から0.01度までの範囲に設定することが望ましい。なお、モールドチャック12またはウエハチャック19に、不図示であるが、押型工程時にモールド8とウエハ11との温度差を許容値以下とするためのヒーターなどの温度制御機構温度制御部を設置してもよい。次に、制御部7は、パターン部8aと基板側パターン40上の樹脂15とが押し付けられた状態で、倍率補正機構14により、モールド8パターン部8aを機械的に変形させ、基板側パターン40に対するズレを補正させるステップS112。なお、各基板側パターン40に共通するディストーション量は、ステップS107にてモールド加熱機構6により熱的に補正されているので、ここでは、ステップS107で補正しきれなかったズレ分を補正する。次に、制御部7は、パターン部8aと基板側パターン40との形状が合っているかをアライメント計測系30からの情報に基づいて確認した後、硬化工程として、光照射部2により紫外線9を照射させることで樹脂15を硬化させるステップS113。次に、制御部7は、離型工程として、モールド駆動機構13を動作させ、パターン部8aと基板側パターン40上の硬化した樹脂15とを引き離すステップS114。次に、制御部7は、引き続き、ウエハ11上にて樹脂15のパターンを形成すべきショットがあるかどうかを判定するステップS115。ここで、制御部7は、次にパターンを形成すべきショットがあると判定した場合YES、ステップS106に移行し、すでにステップS105にて算出されているディストーション量に基づいて、モールド8の形状の熱的な補正を実施させる。このとき、次のショットに対するパターン形成において、必ずしも再度モールド8の形状の熱的な補正が必要となるわけではなく、前のショットにおけるパターン形成時のモールド8の形状をそのまま維持することもあり得る。この場合には、制御部7は、次のショットに対するパターン形成の動作シーケンスにおいて、ステップS106、S107、S109およびS110のモールド8の形状の熱的な補正に係る各工程を実行しなくてもよい。また、再度モールド8の形状の熱的な補正を実施する場合には、制御部7は、ステップS101と同様にモールドチャック12に対してモールド8を仮保持させることが望ましい。一方、制御部7は、パターンを形成すべきショットがないと判定した場合NO、次のステップS116に移行し、基板搬送機構により、ウエハチャック19上に載置されているインプリント処理済みのウエハ11を回収させるステップS116。次に、制御部7は、引き続き、同様のインプリント処理を実施すべきウエハがあるかどうかを判定するステップS117。ここで、制御部7は、インプリント処理を実施すべきウエハがあると判定した場合YES、ステップS103に移行し、インプリント処理済みのウエハ11と、次に処理を実施すべきウエハとを交換する。一方、制御部7は、処理を実施すべきウエハがないと判定した場合NO、動作シーケンスを終了する。このように、インプリント装置1は、パターン部8aと基板側パターン40との形状を合わせるに際し、熱的な補正と機械的な補正との組み合わせにより、パターン部8aの形状を高次の変形成分に対しても好適に補正させることができる。このとき、モールド加熱機構6によるパターン部8aの熱的な補正の際には、モールド8を仮保持させておくことで、さらに効率良く形状を変形させることができる。また、モールド加熱機構6は、温度分布の付与を停止してからパターン部8aと樹脂15とを押し付けるまでの間に、パターン部8aの形状が基板側パターン40の形状に近づくように、パターン部8aに温度分布を付与する。したがって、直接の加熱時以外のときの不要な変形にも予め対応させることができる。さらに、モールド加熱機構6による熱的な補正から押型工程までの間では、モールド8とウエハ11との温度差の判定を行うため、インプリント処理時の重ね合わせ精度への影響を極力抑えることができる。以上のように、本実施形態によれば、インプリント処理時の重ね合わせ精度の向上に有利なインプリント装置を提供することができる。なお、図2に示す動作シーケンスでは、モールド8がモールドチャック12に仮保持された後のステップS105にて、図1に示すようなモールド加熱機構6によりモールド8の熱的な形状補正を実施する。これに対して、不図示のモールド搬送機構、またはモールド搬送機構によるモールド8の搬送軌道にモールド加熱機構を設置し、モールド8の熱的な形状補正を、モールド8がモールドチャック12に搬送される前搬送されている間も含むに実施してもよい。この場合、上記動作シーケンスにて、ステップS100およびS101のモールド8に関する工程は、ステップS102からS104までのウエハ11基板側パターン40に関する工程の後に実施される。そして、モールド8のパターン部8aへの温度分布の付与は、ステップS104で得られたディストーション量に基づいて予め実施され、その後、制御部7は、モールド搬送機構により、熱的な形状補正が完了したモールド8をモールドチャック12に搬送させる。ここで、熱的な形状補正の完了からモールドチャック12に搭載されるまでの間でも、モールド8の温度が低下し、形状が変化する可能性もある。そこで、モールド加熱機構は、この温度低下も予め考慮した上でモールド8を加熱する温度分布を与えることが望ましい。さらに、このような構成の他にも、例えば、装置外部からモールドチャック12にモールド8を搬送するモールド搬送機構自体に、ヒーターなどを備えたモールド加熱機構を設置する構成もあり得る。これらのような構成よれば、インプリント装置1内の光照射部2またはモールド保持機構3の近傍にモールド加熱機構6を配置する必要がないため、装置構成の簡略化に有利となる。また、モールド8は、搬送される前に予め加熱されるので、インプリント装置1によるインプリント工程の短縮化が実現し、結果的にスループットを向上させることができる。物品の製造方法物品としてのデバイス半導体集積回路素子、液晶表示素子等の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディア記録媒体や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。