"複数のピラー結晶からなり、放射線を可視光に変換する蛍光体層と、前記蛍光体層を支持する基板と、前記蛍光体層と前記基板の少なくとも一部を被覆する有機防湿膜と、を備えるシンチレータパネルにおいて、前記有機防湿膜が、互いに隣接する前記ピラー結晶同士の隙間を充填し、前記基板まで到達していることを特徴とするシンチレータパネル。前記蛍光体層の膜厚をT、前記蛍光体層中のピラー結晶の割合を充填率Dとしたとき、T≦0.5556×D2-109.44×D5528.9の関係を満たすように前記蛍光体層が形成されていることを特徴とする請求項1記載のシンチレータパネル。前記蛍光体層の膜厚が500μm未満であることを特徴とする請求項1記載のシンチレータパネル。基板上に複数の受光素子が配列されたイメージセンサに、請求項1乃至3のいずれか1項記載のシンチレータパネルを貼り合わせたことを特徴とする放射線検出器。従来のシンチレータパネルは、上述したように真空蒸着法とCVD法の比較的簡便な方法で、解像度特性と防湿特性を両立した特性とすることができる。しかし、製造条件の異なるシンチレータパネルを製作して、加湿試験を行うと防湿特性に差異が見られることがある。例えば、充填率が79、膜厚が350μmの蛍光体層を有するシンチレータパネルと、充填率が88、膜厚が500μmの蛍光体層を有するシンチレータパネルを比較した場合、60°C-80-1000時間放置したときの3Lp/mmでの画像分解能CTF:ContrastTransferFunctionの値が、それぞれ加湿前の103、31と大きな相違が生じることがある。元々、有機防湿膜の水分透過率は、一般的に1日あたり数g/m2程度と、完全に水蒸気を遮断しているわけではない。加湿状態でシンチレータパネルを放置すると、防湿膜を透過した水蒸気が蛍光体層に浸入し、蛍光体層が水分で膨潤した状態になる。このとき蛍光体層の隣接するピラーが合体粗大化が起こり解像度特性の低下が発生してしまう場合がある。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、解像度が低下しにくいシンチレータパネル及びこのシンチレータパネルを用いた放射線検出器を提供することを目的とする。上述の目的を達成するため、本シンチレータパネルは、複数のピラー結晶からなり、放射線を可視光に変換する蛍光体層と、前記蛍光体層を支持する基板と、前記蛍光体層と前記基板の少なくとも一部を被覆する有機防湿膜と、を備えるシンチレータパネルにおいて、前記有機防湿膜が、互いに隣接する前記ピラー結晶同士の隙間を充填し、前記基板まで到達していることを特徴とする。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。シンチレータパネルの構造図1に、本発明の一実施形態に係るシンチレータパネルの全体構造を示す。シンチレータパネル10は、表裏両面にそれぞれPETシートが貼付けられて反射膜2a,2bが形成されたCFRPカーボン繊維強化プラスチック製基板1の表側表面に蛍光体層3が設けられ、さらにこの蛍光体層3の表面及び基板1の側面を覆うように有機防湿膜4が形成されている。また、蛍光体層3は、複数のピラー結晶5からなっており、隣接するピラー結晶5の隙間に有機防湿膜4が侵入している。この侵入度合いは、有機防湿膜侵入深さ11及びコート残存深さ12で評価することができる。シンチレータパネルの製造方法次に、このシンチレータパネル10の製造方法について説明する。まず、表裏両面にPETシートを貼って反射膜2a,2bを形成したCFRP製基板1を洗浄する。次に、基板1と蛍光体材料を収納したるつぼとを互いに対向した状態で真空蒸着装置内に収納し、装置内の圧力、基板1の温度、るつぼ温度などを適正な値に調節して、基板1に付着する蛍光体層3が所望の状態になるまで真空蒸着を行う。さらに、蛍光体層3を形成した基板1を真空蒸着装置から取り出してCVD装置に移し、ジパラシクロファン原料を650°Cに加温することにより発生するラジカル乖離気体をCVD装置に送り込み、基板1と蛍光体層3の必要な面に有機防湿膜4を形成してシンチレータパネル10とする。放射線検出器上述したシンチレータパネル10を用いて、複数のホトダイオード受光素子が1次元あるいは2次元状にガラス基板上に配列されたイメージセンサに貼り合わせることにより放射線検出器とすることができる。解像度特性シンチレータパネル10の解像度特性について検討するため、図1に示す蛍光体層3をCsI:Tlとし、その蛍光体層3の充填率と膜厚を変化させたサンプルを複数作成した。すなわち、充填率に対しては、充填率:86~90の蛍光体層3を作製する工程プロセスA、充填率:77~81の蛍光体層3を作製する工程プロセスB、充填率71~75の蛍光体層3を作製する工程プロセスCの3種類の工程により充填率の異なるサンプルを準備した。蛍光体層3の充填率は、基板上にCsI蛍光体層を真空蒸着法で成膜する際の基板温度、圧力10-5~1Pa、成膜速度1~50μm/分、基板回転速度1~20rpm、その他装置内の構造物の形状寸法などから適正なパラメータを選択することにより所望の値にすることができる。具体的には、プロセスAでは基板温度200°C、圧力0.4Pa、成膜速度1μm/分、プロセスBでは基板温度160°C、圧力10-3Pa、成膜速度1μm/分、プロセスCでは基板温度140°C、圧力10-3Pa、成膜速度2μm/分とした。基板回転速度は全て10rpmとした。また、プロセスB、Cでは、るつぼの位置をプロセスAよりも遠ざけた。また、蛍光体層3の膜厚に対しては、200、350、500μmの3種類を用意した。図2は、蛍光体層3の膜厚、充填率が異なる7種類のサンプルに対して、60°C-80-1000時間まで加湿を続けたときの解像度CTF特性の変化を示したものである。ここで、解像度特性としては、3Lp/mmでのCTF値を示している。図2の結果より、プロセスA-膜厚500μmのサンプルは解像度の低下が著しく、次いでプロセスB-膜厚500μmのものにも解像度の低下が見られる。図3に、1000時間後の解像度CTFの残存率について示す。図3の結果より、同じ膜厚500μmに注目すると、充填率が低いほど残存率が大きいことが分かる。また、同じプロセス内BとCで注目すると、膜厚が500μmのサンプルに解像度低下が見られ、他方350μmのサンプルは解像度低下が殆ど無いことが分かった。これらの現象を包括的に説明するための法則を見出すために、完成した蛍光体層の破断面を観察した。その結果、図1に示すように、蛍光体層3のピラー結晶5の隙間に有機防湿膜4が侵入している侵入深さ11がサンプルにより差異があることが見出された。すなわち、プロセスA充填率88のサンプルの侵入深さ11は約200μm、プロセスB充填率79は約350μm、プロセスC充填率73は約500μmであることが判った。これらのデータを図4に示すようにグラフにプロットして作成した曲線を2次式で近似すると、侵入深さμm=0.5556×充填率2-109.44×充填率5528.9式1となる。なお、侵入深さ11は、蛍光体層3の破断面をSEM2次電子式電子顕微鏡で観察するとき、蛍光体層3の膜を膜厚方向に壁開した際に、双方に架橋していた有機防湿膜4が同双方に引っ張られることにより発生する、弦状の残存物の有無により判定した。そして、蛍光体層3の表面側から基板1側に深さ方向に順々に観察して行き、弦状の残存物がなくなるところの深さを侵入深さ11と決定した。侵入深さ11よりも蛍光体層3の膜厚が大きいと、コート残存深さ12が生じる。コート残存深さ12は、蛍光体層3の膜厚μm-侵入深さ11μmとなる。図5に、コート残存深さ12に対して、解像度CTF残存率をプロットしたグラフを示す。図5に示す結果より、コート残存深さ12が0を超えるとCTFの低下が起こり、0以下だとCTFの低下が起こらないことが判った。これをピラー構造の変化で説明すると、ピラーが有機防湿膜4でコートされた部分は、加湿によりピラーが膨潤しても、ピラー形状に沿ってコートされている有機防湿膜4により加湿前の形状を保っていられるのに対して、ピラーが有機防湿膜4でコートされていない部分は、隣接するピラー間に障壁部分が無いので、順次、合体粗大化を繰り返し、蛍光体層の解像度低下を招くと考えられる。以上の検討結果より、蛍光体層3の膜厚μm≦侵入深さ11μm式2が所望の特性が得られる蛍光体層であるから、式1を式2に代入すると、蛍光体層3の膜厚≦0.5556×充填率2-109.44×充填率5528.9が防湿特性が優れた蛍光体層3であるということになる。具体的には、蛍光体層3の膜厚が200μmのシンチレータパネル10に対しては、蛍光体層3の充填率を88以下にすることが望ましく、膜厚が350μmのシンチレータパネル10に対しては、蛍光体層3の充填率を79以下にすることが望ましい。また、膜厚が500μmのシンチレータパネル10に対しては、充填率を73以下にすることが望ましい。なお、蛍光体層3の膜厚を500μm未満とすることにより、解像度特性が低下しないようにするための充填率の幅を広く取ることができる。本実施形態の効果以上のように、コート残存深さ12に注目することにより、加湿試験に対して解像度特性が低下しやすいシンチレータパネル10と、低下しにくいものとを1つのパラメータで区別することが見出され、一つの式式3で所望の蛍光体層が得られる条件を見出すことができた。即ち、コート残存深さ12を0として、有機防湿膜4がピラー結晶5同士の隙間を充填して基板1まで到達させることによって、加湿によりピラー結晶5が膨潤しても、有機防湿膜4により加湿前の形状を保つことができる。従って、60°C-80-1000時間の加湿においても、解像度特性を低下させることがないシンチレータパネル及びこのシンチレータパネルを用いた放射線検出器を提供することが可能になる。他の実施形態基板1としては、上記実施形態で示したCFRP基板のみならず、アモルファスカーボン、グラファイト、ガラス、ベリリウム、チタン、アルミニウム、およびそれらの合金、セラミクスアルミナ、ベリリア、ジルコニア、窒化珪素、エンジニアリングプラスティックなども選択可能である。また、蛍光体層3としては、CsIのみならず、CsBrを用いたときも同様の効果が得られる。また、前記実施の形態の放射線検出器としては、イメージセンサとして、複数のホトダイオード受光素子が1次元あるいは2次元状にガラス基板上に配列されたものを用いたが、他に、CCD、CMOSなどを用いることもできる。"