"半導体基板の外部に、2つの透明電極によって挟まれた光電変換膜を有し、前記光電変換膜は、膜面が前記半導体基板の表面に対して傾斜して設けられている固体撮像装置。前記光電変換膜は、所定の波長域の光について光電変換を行い、他の波長域の光を透過させる請求項1に記載の固体撮像装置。前記光電変換膜は、前記半導体基板上の層間膜内に形成された凹部の内壁に沿って配され、入射光を集光する導波路を形成している請求項2に記載の固体撮像装置。前記光電変換膜は、前記凹部の内壁の全面に亘って配されている請求項3に記載の固体撮像装置。前記光電変換膜は、前記他の波長域の光に対して70以上の透過率を示す材料からなる請求項2に記載の固体撮像装置。前記半導体基板に内部に、前記光電変換膜を透過した前記他の波長域の光について光電変換を行う光電変換層を有する請求項2に記載の固体撮像装置。前記光電変換層は、前記光電変換膜の中心線の延長線上に位置する請求項6に記載の固体撮像装置。前記半導体基板の内部に、前記光電変換膜で光電変換された電荷を蓄積する電荷蓄積部を有する請求項1に記載の固体撮像装置。前記光電変換膜は、前記2つの透明電極と共に前記凹部内に埋め込まれている請求項4に記載の固体撮像装置。前記光電変換膜及び前記2つの透明電極は、2層以上に積層されている請求項1に記載の固体撮像装置。2層以上の前記光電変換膜は共に、同じ波長域の光について光電変換を行う請求項10に記載の固体撮像装置。2層以上の前記光電変換膜はそれぞれ、異なる波長域の光について光電変換を行う請求項10に記載の固体撮像装置。前記2つの透明電極の内の前記層間膜側の透明電極の屈折率は、当該層間膜の屈折率よりも高い請求項3に記載の固体撮像装置。半導体基板の外部に画素単位で光電変換膜を有し、前記光電変換膜は、膜面が前記半導体基板の表面に対して傾斜して設けられている固体撮像装置を有する電子機器。上述した特許文献1に記載の従来技術では、受光位置の違いによる偽色の問題を解消できる反面、より低いバイアス電圧で高い光電変換効率を得るためには、光電変換膜の膜厚を薄くする必要がある。しかし、光電変換膜の膜厚を薄くすると、光電変換膜内における光路長が短くなるため、光電変換膜の感度が低下してしまう。そこで、本開示は、光電変換膜の感度を低下させることなく、高い光電変換効率を得ることが可能な固体撮像装置及び当該固体撮像装置を有する電子機器を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本開示に係る固体撮像装置は、半導体基板の外部に画素単位で光電変換膜を有し、前記光電変換膜は、膜面が前記半導体基板の表面に対して傾斜して設けられた構成となっている。この固体撮像装置は、各種の電子機器においてその画像取込部画像読取部として用いられる。上記構成の固体撮像装置、あるいは、当該固体撮像装置を画像取込部として有する電気機器において、光電変換膜がその膜面が半導体基板の表面、即ち、基板面に対して傾斜するように設けられていることで、入射光は光電変換膜の膜面の垂線に対して斜めに傾斜して入射することになる。ここで、入射光が光電変換膜の膜面に対して垂直に、即ち、膜面の垂線に対して平行に入射するときは、光電変換膜内における入射光の光路長は光電変換膜の膜厚に等しくなる。これに対して、入射光が光電変換膜の膜面の垂線に対して斜めに入射するときの光路長は、垂線に対して平行に入射するときの光路長=光電変換膜の膜厚よりも長くなる。本開示によれば、同じ膜厚でも光電変換膜内における入射光の光路長を、入射光が光電変換膜の膜面に垂直に入射するときよりも伸長できるために、光電変換膜の感度を低下させることなく、高い光電変換効率を得ることができる。以下、本開示の技術を実施するための形態以下、実施形態と記述するについて図面を用いて詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.実施形態の説明1-1.実施例11-2.実施例21-3.実施例32.変形例3.電子機器撮像装置<1.実施形態の説明>本開示の実施形態に係る固体撮像装置は、入射光を画素単位で光電変換するのに光電変換膜を用いる。光電変換膜は、半導体基板の外部において、2つの透明電極によって挟まれた状態で設けられる。そして、光電変換膜による光電変換によって得られる電荷は、2つの透明電極の他方によって取り出され、半導体基板の内部に設けられる電荷蓄積部に蓄積される。電荷蓄積部に蓄積された電荷は、読み出し部によって読み出される。読み出し部は、例えばCCDプロセスを用いた電荷転送部であったり、例えばCMOSプロセスを用いた読み出し回路であったりする。本実施形態にあっては、読み出し部がCMOSプロセスを用いた読み出し回路である場合を例に挙げて説明する。但し、これに限られるものではない。図1は、本開示の実施形態に係る固体撮像装置における光電変換膜についての説明図である。ここでは、本開示の実施形態に係る固体撮像装置が、電荷の読み出し部として例えばCMOSプロセスを用いた読み出し回路を用いたCMOSイメージセンサの場合を例に挙げている。図1中、Aは光電変換膜及び当該光電変換膜を挟む2つの透明電極の等価回路と読み出し回路の構成の一例を示し、Bは光電変換膜のレイアウト構造の概略を示している。図1において、光電変換膜11は、2つの透明電極、即ち、下部電極12と上部電極13によって挟まれた状態で半導体基板20の外部、具体的には、基板面基板の表面の上方に設けられる。上部電極13にはバイアス電圧Vbiasが印加されている。このバイアス電圧Vbiasが上部電極13に印加された状態において、当該上部電極13を通して光電変換膜11に入射光が照射されると、光電変換膜11は入射光に含まれる所定の波長域の光について光電変換を行う。光電変換膜11による光電変換によって得られる電荷は、下部電極12を通して取り出され、半導体基板20の内部に設けられる電荷蓄積部14に蓄積されるその詳細なメカニズムについては後述する。電荷蓄積部14に蓄積された電荷は、読み出し回路30によって所定の波長域の色光の信号として読み出される。読み出し回路30は、例えば、リセットトランジスタ21、増幅トランジスタ32、及び、選択トランジスタ33を有し、電荷蓄積部14に蓄積された電荷を、増幅トランジスタ32によって選択トランジスタ33を介して列信号線40に電圧として読み出す構成となっている。ここで、本実施形態においては、光電変換膜11のレイアウト構造について特徴としている。具体的には、図1Bに示すように、光電変換膜11は、その主面である膜面が半導体基板20の表面基板面に対して所定の角度θだけ傾斜した状態で設けられている。このように、光電変換膜11の膜面が基板面に対して傾斜していることで、入射光は光電変換膜11の膜面の垂線に対して斜めに傾斜して入射することになる。その結果、次のような作用、効果を得ることができる。先ず、図2Aに示すように、入射光が光電変換膜11の膜面に対して垂直に、即ち、膜面の垂線に対して平行に入射するときは、光電変換膜11内における入射光の光路が膜面に対して垂直になるため、入射光の光路長L1は光電変換膜11の膜厚tに等しくなる。一方、入射光が光電変換膜11の膜面の法線に対して斜めに入射すると、光電変換膜11内における入射光の光路が膜面に対して傾斜した状態になるため、入射光の光路長L2は、垂線に対して平行に入射するときの光路長L1即ち、光電変換膜の膜厚tよりも長くなる。前にも述べたように、光電変換膜11において、より低いバイアス電圧Vbiasで高い光電変換効率を得るために光電変換膜11の膜厚を薄くすると、光電変換膜11内における光路長が短くなるため、光電変換膜11の感度が低下してしまう。光電変換膜11内における光路長を長くするために単純に光電変換膜11の膜厚を厚くすると、光電変換して得た電荷を取り出すのが難しくなる。これに対して、上述したように、光電変換膜11をその膜面が基板面に対して傾斜するようにレイアウトすることで、光電変換膜11内における入射光の光路長L2を、膜面に対して垂直に入射するときの光路長L1よりも長くできる。ここで、同じ光路長で良いとした場合、光路長を伸長できる分だけ光電変換膜11の膜厚を薄くできる。従って、光電変換膜11の膜厚を薄くすることによる光電変換膜11の感度の低下を招くことなく、高い光電変換効率を得ることができる。以下に、本開示の実施形態に係る固体撮像装置の具体的な実施例について、実施例1乃至実施例3として説明する。以下では、主に、実施形態の特徴となる、光電変換膜を含む単位画素1つの画素部の画素構造について説明するものとする。[1-1.実施例1]図3は、実施例1に係る単位画素50Aの画素構造の概略を示す断面図である。実施例1に係る単位画素50Aは、半導体基板、例えばシリコン基板51の外部、具体的には、シリコン基板51の基板面の上方に特定の色光用の光電変換膜を有し、基板51の内部に他の色光用の光電変換層を有する積層構造を採っている。より具体的には、シリコン基板51の上には反射防止膜52が形成され、当該反射防止膜52の上にはシリコン酸化膜等からなる層間膜53が形成されている。層間膜53には、画素単位で凹部54が形成されている。この凹部54は、シリコン基板51の基板面と反対側に位置する開口部側がその開口端に向かうにつれて開口面積が拡がる順テーパー形状をなしている。順テーパー形状は、ドライエッチングRIE処理等によって形成可能である。凹部54の内壁には第1透明電極以下、下部電極と記述する55が形成され、当該下部電極55の上には光電変換膜56が成膜され、当該光電変換膜56の上には第2透明電極以下、上部電極と記述する57が形成されている。ここで、下部電極55、光電変換膜56、及び、上部電極57は、凹部54の内壁の一部でもよいが、全面に亘って配されるのが好ましい。上部電極57の上にはパシベーション膜58が形成され、当該パシベーション膜58の上には平坦化膜59が形成されている。ここで、光電変換膜56が下部電極55と上部電極57によって挟まれ、順テーパー形状の凹部54の内壁に沿って形成されていることで、光電変換膜56の膜面はシリコン基板51の表面基板面に対して傾斜した状態にある。この光電変換膜56は、所定の波長域の色光について光電変換を行う一方、当該色光以外の波長域の色光については透過させる。光電変換膜56は、例えば、有機光電変換膜であってもよいし、アモルファスシリコンによる光電変換膜などの無機材料であってもよい。いずれにしても、光電変換膜56で光電変換する色光以外の波長域の光に対しては、70以上の高い透過率を示す材料であることが望ましい。光電変換膜56として有機材料有機光電変換膜を用いると、分子設計の自由度が高いため、所望の分光特性を得やすいという利点がある。本実施例1にあっては、光電変換膜56は、緑色Gの光について光電変換を行うG光用の光電変換膜であるものとする。従って、本実施例1にあっては、光電変換膜56の材料としては、G光以外の波長域の光に対して、70以上の高い透過率を示す材料であることが望ましい。光電変換膜56で光電変換を行うには、先述したように、上部電極57に対してバイアス電圧を与える必要がある。このバイアス電圧をシリコン基板51側から与えられるために、反射防止膜52及び層間膜53を通して第1の配線60形成されている。また、光電変換膜56による光電変換によって得られる電荷を下部電極55で取り出し、シリコン基板51側に導くために、反射防止膜52及び層間膜53を通して第2の配線61が形成されている。一方、シリコン基板51の内部で、光電変換膜56の中心線の延長線上、即ち、凹部54の底部中心を通る中心線の延長線上の部位には、例えば2つの光電変換層62,63が形成されている。具体的には、凹部54の中心線の延長線上におけるシリコン基板51の表層部側に、例えば青色光について光電変換を行うB光用の光電変換部62が形成されている。また、B光用の光電変換部62よりも深い部位に、例えば赤色光について光電変換を行うR光用の光電変換部63が形成されている。シリコン基板51の内部には更に、シリコン基板51の表面に達する状態で電荷蓄積部64が形成されている。この電荷蓄積部64には、光電変換膜56での光電変換によって得られ、下部電極55によって取り出された電荷が第2の配線61を通して供給される。すなわち、電荷蓄積部64は、G光用の光電変換膜56による光電変換によって得られた電荷を蓄積するG光用の電荷蓄積部である。上述した画素構造の実施例1に係る単位画素50Aは、シリコン基板51の基板面の上方にG光用の光電変換膜56を設け、シリコン基板51の内部にB光用の光電変換層62及びR光用の光電変換層63を順に設けた積層構造となっている。そして、G光用の光電変換膜56、B光用の光電変換層62、及び、R光用の光電変換層63は共に、凹部54の底部の中心を通る中心線の延長線上、即ち、入射光の光軸上に位置している。これにより、RGBの三原色の光を同一の平面位置で検出できるとともに、基板深さ方向で色分離を行うことができるため、受光位置の違いによる偽色の問題を解消できる。この積層構造を採る単位画素50Aにおいて、本実施例1では、光電変換膜11をその膜面が基板面に対して傾斜するようにレイアウトするに当たって、順テーパー形状の凹部54を利用する点を特徴としている。ここで、順テーパー形状の凹部54は、周知の導波路構造の単位画素を持つ固体撮像装置において、導波路を形成するための凹部と同じ機能を持っている。これにより、光電変換膜56は、順テーパー形状の凹部54を利用して形成される、より具体的には、凹部54の内壁に沿って設けられることで、単位画素50Aへの入射光の集光効率の向上を図る導波路を形成することになる。すなわち、光電変換膜56は、本来の光電変換機能に加えて、高集光化のための導波路の機能を持つことになる。このように、光電変換膜56が導波路構造となっていることで、集光特性の向上、特に、斜め入射光に対する感度の向上を図ることができる。そして、導波路構造の光電変換膜56は、上部電極67に対して第1の配線60を通してバイアス電圧図1のバイアス電圧Vbiasが印加されることで、入射光中のG光については吸収して光電変換を行う一方、G光以外の波長域の光については透過する。光電変換膜56による光電変換によって得られた電荷は、下部電極55によって取り出され、第2の配線61を通してシリコン基板51内の電荷蓄積部64に導かれ、当該電荷蓄積部64に蓄積される。この電荷蓄積部64は、図1の電荷蓄積部14に相当する。そして、電荷蓄積部64の蓄積電荷は、図1の読み出し回路30によって読み出され、電圧として列信号線40に出力される。一方、光電変換膜56を透過した波長域の光のうち、B光についてはB光用の光電変換層62によって光電変換され、当該光電変換層62に蓄積される。また、R光についてはR光用の光電変換層63によって光電変換され、当該光電変換層63に蓄積される。これら光電変換層62,63に蓄積された電荷を読み出す読み出し回路の一例を図4A,Bに示す。図4A,Bに示すB光用、R光用の読み出し回路30A,30Bは共に、基本的に、図1に示すG光用の読み出し回路30と同じ回路構成となっている。ここでは、B光用、R光用の光電変換層62,63が例えばフォトダイオードからなるものとして図示している。そして、光電変換層62,63の各蓄積電荷は、読み出し回路30A,30Bによって読み出され、電圧として列信号線40に出力される。ここで、G光用の光電変換膜56で光電変換される入射光、あるいは、当該光電変換膜56内を透過する入射光の振る舞いについて図5を用いて説明する。尚、図5では、入射光を太線の一点鎖線で示している。また、光電変換膜56内における光路を明確にするために、光電変換膜56については白抜きで図示している。図5に示すように、単位画素50Aに入射した光は、平坦化膜59、パシベーション膜58、及び、上部電極57を通して光電変換膜56に入射する。ここで、光電変換膜56は、その膜面がシリコン基板51の基板面に対して傾斜して、より具体的には、順テーパー形状の凹部54の内壁面に沿って設けられている。従って、光電変換膜56に入射した光は、一点鎖線で示すように、光電変換膜56の内壁面界面で反射を繰り返して凹部54の底面に向けて進む。ここで、光電変換膜56に入射した光のうちG光は、当該光電変換膜56内において反射を繰り返す過程で吸収され、光電変換される。このとき、光電変換膜56内における入射光の光路長は、光電変換膜56の膜面に対して垂直に光が入射する場合に比べて遥かに長くなる。そして、同じ光路長で良いとした場合、光路長を長くできる分だけ光電変換膜56の膜厚を薄くできる。従って、光電変換膜56の膜厚を薄くすることによる光電変換膜56の感度の低下を招くことなく、高い光電変換効率を得ることができる。一方、G光以外の波長域の光については、一点鎖線で示すように、光電変換膜56内において反射を繰り返した後、下部電極55、層間膜53、及び、反射防止膜52を通してシリコン基板71に入射する。そして、B光については、B光用の光電変換層62で光電変換され、R光については、R光用の光電変換層63で光電変換される。尚、以上では、光電変換膜56に入射した光が、光電変換膜56の内壁面で反射を繰り返すとしたが、実際には、透明な下部電極55と層間膜53との界面でも反射することになる。ここで、入射光を下部電極55と層間膜53との界面で全反射させるためには、下部電極55の屈折率は、例えばシリコン酸化膜からなる層間膜53の屈折率1.46よりも十分に高いことが望ましい。具体的には、下部電極55の電極材料としては、酸化スズSnO2、屈折率1.9程度、酸化インジウムスズITO、屈折率2.1~2.2、酸化亜鉛ZnO、屈折率1.9~2.0などが好適である。但し、下部電極55の電極材料として、屈折率が層間膜53に近い材料を用いる場合には、例えば、シリコン窒化膜屈折率2.0などを下部電極55と層間膜53との間に設けるようにすればよい。換言すれば、下部電極55と層間膜53との間にシリコン窒化膜などを設けることで、下部電極55の電極材料として必ずしも上記の材料を用いる必要がなくなる、即ち、下部電極55の電極材料として、上記の材料以外にも種々の材料を用いることができることになる。一方、透明な上部電極57については、光電変換膜56に比べて屈折率の低い電極材料を選択することが好ましい。それが困難な場合には、上部電極57の上に例えばシリコン酸化膜など屈折率の低い膜を配置することで、入射光の光電変換膜56内における光路長を伸長することが可能となる。尚、順テーパー形状の凹部54に下部電極55、光電変換膜56、及び、上部電極57を積層してなる導波路の埋め込みには、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜などを用いてもよい。以上説明したように、積層構造を採る実施例1に係る単位画素50Aによれば、順テーパー形状の凹部54の内壁に沿って光電変換膜56を設けることで、当該光電変換膜56内における光路長を伸長できるため、光電変換効率を向上させることができる。加えて、光電変換膜56が順テーパー形状の凹部54の内壁に沿って設けられることによって導波路を形成しているため、導波路による集光特性の向上、特に、斜め入射光に対する感度の向上を図ることができる。ここで、光電変換膜56として特に有機光電変換膜を用いる場合、シリコン基板51内に形成した光電変換層62,63に比べて光電変換効率そのもの低いことが問題となる。ところが、本実施例1によれば、光電変換膜56内における光路長の伸長によって光電変換効率を向上できるため、光電変換膜56として有機光電変換膜を用いるようにしても、光電変換膜56内における光路長を伸長できることによって所望の光電変換効率を得ることができる。前にも述べたように、光電変換膜56として有機光電変換膜を用いることにより、分子設計の自由度が高いため、所望の分光特性を得ることができる。また、光電変換膜56については凹部54の内壁の一部に設ける構成でもよいが、凹部54の内壁の全面に亘って光電変換膜56を設ける構成を採ることで、光電変換膜56の面積を大きく確保でき、光の利用効率を上げることができるため、光電変換効率をより向上できる。[1-2.実施例2]図6は、実施例2に係る単位画素50Bの画素構造の概略を示す断面図であり、図中、図3と同等部位には同一符号を付して示している。本実施例2に係る単位画素50Bも、実施例1に係る単位画素50Aと同様に、シリコン基板51の上方にG光用の光電変換膜56を設け、シリコン基板51の内部にB光用の光電変換層62及びR光用の光電変換層63を順に設けた積層構造となっている。更に、光電変換膜56が凹部54の内壁に沿って設けられることで、高集光効率化のための導波路を形成している点でも、本実施例2に係る単位画素50Bは、実施例1に係る単位画素50Aと同じである。そして、実施例1に係る単位画素50Aとは次の点で異なっている。すなわち、本実施例2に係る単位画素50Bは、実施例1に係る単位画素50Aに比べて、光電変換膜56の膜厚を厚く設定した構成を採っている。このように、光電変換膜56の膜厚を厚くすることで、実施例1に係る単位画素50Aの場合に比べて、光電変換膜56内における光路長を長くとることができるため、光電変換膜56の感度を上げることができる。尚、光電変換膜56の膜厚を厚くすると、導波路の径、即ち、凹部54の径との関係によっては、図6に示すように、下部電極55、光電変換膜56、及び、上部電極57を積層することによって導波路内が埋まってしまう場合がある。しかし、導波路内が埋まっていたとしても、光電変換膜56による光電変換作用や、導波路による集光作用等に悪影響が及ぶことはない。すなわち、導波路内が埋まった画素構造の実施例2に係る単位画素50Bの場合にも、実施例1に係る単位画素50Aの場合と同様の作用、効果を得ることができる。[1-3.実施例3]図7は、実施例3に係る単位画素50cの画素構造の概略を示す断面図であり、図中、図3と同等部位には同一符号を付して示している。本実施例3に係る単位画素50cも、実施例1に係る単位画素50Aと同様に、シリコン基板51の上方にG光用の光電変換膜56を設け、シリコン基板51の内部にB光用の光電変換層62及びR光用の光電変換層63を順に設けた積層構造となっている。更に、光電変換膜56が凹部54の内壁に沿って設けられることで、高集光効率化のための導波路を形成している点でも、本実施例3に係る単位画素50cは、実施例1に係る単位画素50Aと同じである。そして、実施例1に係る単位画素50Aとは次の点で異なっている。すなわち、実施例1に係る単位画素50Aは、G光用の光電変換膜56及びそれを挟む2つの電極55,57が1層の画素構造となっていた。これに対して、本実施例2に係る単位画素50Bは、2層以上本例では、2層に積層された画素構造となっている。具体的には、凹部54の内壁に第1の下部電極55Aが形成され、当該下部電極55Aの上に第1の光電変換膜56Aが成膜され、当該光電変換膜56Aの上に第2の下部電極55Bが形成されている。更に、第2の下部電極55Bの上に第2の光電変換膜56Bが成膜され、当該光電変換膜56Bの上に上部電極57が形成されている。上記の画素構造の単位画素50cにおいて、第1の光電変換膜56Aによる光電変換によって得られる電荷は、第1の下部電極55Aによって読み出され、第2の一方の配線61Aを通して、半導体基板51内に形成された電荷蓄積部64Aに蓄積される。また、第2の光電変換膜56Bによる光電変換によって得られる電荷は、第2の下部電極55Bによって読み出され、第2の他方の配線61Bを通して、半導体基板51内に形成された電荷蓄積部64Bに蓄積される。このように、G光用の光電変換膜5656A,56Bを多層構造とする構成を採ることで、1層構造の場合に比べて、G光に対する光電変換効率を向上できるとともに、感度を上げることができる。<2.変形例>以上説明した実施例1乃至実施例3では、シリコン基板51の上方にG光用の光電変換膜56を設け、シリコン基板51の内部にB光用の光電変換層62及びR光用の光電変換層63を順に設けた積層構造を前提としている。しかしながら、本開示の技術は、当該積層構造への適用に限られるものではない。一例として、G光に限らず、B光及びR光についても、光電変換膜を用いて光電変換を行う構成の画素構造にも本開示の技術を用いることができる。具体的には、図8に示すように、シリコン基板51の上部の順テーパー形状の凹部54内に、例えば、R光用の光電変換膜56R、B光用の光電変換膜56B、及び、G光用の光電変換膜56Gを順に積層した導波路構造の画素構造を持つ単位画素50Dに対しても本開示の技術を用いることができる。この画素構造の場合には、上部電極57が光電変換膜56R,56B,56Gに対して最上層に共通に設けられるのに対して、光電変換膜56R,56B,56Gの下側に下部電極55R,55B,55Gがそれぞれ独立に設けられることになる。そして、光電変換膜56R,56B,56Gで光電変換された電荷は、下部電極55R,55B,55Gによって取り出され、第2の配線61R,61B,61Gによってシリコン基板51内に形成された電荷蓄積部64R,64B,64Gに導かれ、ここに蓄積される。このように、G光に限らず、B光及びR光についても光電変換膜を用いるに当たり、順テーパー形状の凹部54内に光電変換膜56R,56B,56Gを積層した導波路構造とすることにより、光電変換膜56R,56B,56G内における光路長を伸長することができる。その結果、光電変換膜56R,56B,56Gの膜面に対して垂直に光が入射する場合に比べて、光電変換効率を向上できる。加えて、導波路による集光特性の向上、特に、斜め入射光に対する感度の向上を図ることができる。尚、ここでは、B光及びR光の光電変換膜56R,56BについてG光の光電変換膜56Gと同様に順テーパー形状の凹部54内に設けるとしたが、光路長を伸長する必要がない場合は、シリコン基板51の基板面に対して膜面を平行に配置する画素構造を採ることも可能である。尚、本変形例に係る単位画素50Dにおいても、実施例2の場合のように、特定の光電変換膜の膜厚を他の光電変換膜よりも厚くする構成を採ることが可能である。更に、実施例3の場合のように、特定の光電変換膜、例えば、G光用の光電変換膜56Gについて多層構造とする構成を採ることも可能である。また、上記実施形態では、光電変換層62,63及び電荷蓄積部64に蓄積された電荷を読み出す読み出し部が、CMOSプロセスを用いた読み出し回路である場合を例に挙げて説明したが、これに限られるものではない。すなわち、本開示では、読み出し部としてはその構成は問わなく、例えばCCDプロセスを用いた電荷転送部を読み出し部として用いることも可能である。また、本開示は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、赤外線やX線、あるいは粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置全般に対して適用可能である。尚、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。<5.電子機器>本開示は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、携帯電話機などの撮像機能を有する携帯端末装置など、画像取込部光電変換部に固体撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。画像取込部に固体撮像装置を用いる電子機器には、画像読取部に固体撮像装置を用いる複写機も含まれる。尚、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。撮像装置図9は、本開示に係る電子機器、例えば、撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。図9に示すように、本開示に係る撮像装置100は、レンズ群101等を含む光学系、撮像素子撮像デバイス102、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107及び電源系108等を有する。そして、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107及び電源系108がバスライン109を介して相互に接続されている。レンズ群101は、被写体からの入射光像光を取り込んで撮像素子102の撮像面上に結像する。撮像素子102は、レンズ群101によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。表示装置105は、液晶表示装置や有機EL表示装置等のパネル型表示装置からなり、撮像素子102で撮像された動画または静止画を表示する。記録装置106は、撮像素子102で撮像された動画または静止画を、ビデオテープやDVD等の記録媒体に記録する。操作系107は、ユーザによる操作の下に、本撮像装置が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源系108は、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106及び操作系107の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。上記の構成の撮像装置は、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには、携帯電話機等のモバイル機器向けのカメラモジュールなどの種々の撮像装置として用いることができる。そして、当該撮像装置において、その画像取込部、即ち、撮像素子102として、先述した実施形態に係る固体撮像装置を用いることで、次のような作用、効果を得ることができる。すなわち、先述した実施形態に係る固体撮像装置は、光電変換膜内における入射光の光路長を伸長できるために、光電変換膜の感度を低下させることなく、高い光電変換効率を得ることができる。従って、当該固体撮像装置を種々の撮像装置においてその画像取込部として用いることで、高画質の撮像画像を得ることができる。"