磁性体膜を基板の上方に形成する工程と、前記磁性体膜の上方に、無機物により第1膜を形成する工程と、前記第1膜の上方に、他の無機物により第2膜を形成する工程と、前記第2膜の上方に、レジストパターンを形成する工程と前記レジストパターンを形成した後、前記第2膜をエッチングして、前記第2膜の一部からなる第1パターンを形成する工程と、前記第2膜をエッチングした後、前記磁性体膜が前記第1膜に覆われた状態で、前記レジストパターンを除去する工程と、前記レジストパターンを除去した後、前記第1膜をエッチングして、前記第2膜の一部からなる第2パターンを形成する工程と、前記第2パターンを形成した後、前記磁性体膜をエッチングして、前記磁性体膜の一部からなる磁性体層を形成する工程と、を備える磁性メモリの製造方法。請求項1に記載の磁性メモリの製造方法において、前記磁性体膜をエッチングするときに前記磁性体膜を構成する材料を付着することで前記第1パターンと前記第2パターンと前記磁性体層との側面に側壁を形成する工程を備える磁性メモリの製造方法。第1磁性体膜を基板の上方に形成する工程と、前記第1磁性体膜の上方に、中間膜を形成する工程と、前記中間膜の上方に、第2磁性体膜を形成する工程と、前記第2磁性体膜の上方に、無機物により第1膜を形成する工程と、前記第1膜の上方に、他の無機物により第2膜を形成する工程と、前記第2膜の上方に、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを形成した後、前記第2膜をエッチングして、前記第2膜の一部からなる第1パターンを形成する工程と、前記第2膜をエッチングした後、前記第2磁性体膜が前記第1膜で覆われた状態で、前記レジストパターンを除去する工程と、前記レジストパターンを除去した後、前記第1膜をエッチングして、前記第1膜の一部からなる第2パターンを形成する工程と、前記第2パターンを形成した後、前記第2磁性体膜をエッチングして、前記第2磁性体膜の一部からなる第1磁性体層を形成する工程と、前記第1磁性体層の上方を被覆する第3パターンを形成する工程と、前記第3パターンを形成した後、前記第1磁性体膜をエッチングし、前記第1磁性体膜の一部からなる第2磁性体層を形成する工程とを備え、前記第2磁性体層の端は、前記第1磁性体層の端から前記基板の表面と平行な方向に離れて形成される磁性メモリの製造方法。請求項3に記載の磁性メモリの製造方法において、更に、前記第1パターンと前記第2パターンと前記第1磁性体層との側面に側壁を形成する工程を備え、前記側壁を形成することは、前記第2磁性体膜をエッチングするときに前記第2磁性体膜を構成する材料を前記側面に付着して、前記側壁を形成することを含む磁性メモリの製造方法。請求項3に記載の磁性メモリの製造方法において、前記中間膜は、絶縁体である磁性メモリの製造方法。請求項1から請求項5のいずれか一に記載の磁性メモリの製造方法において、前記第1膜は、導電体である磁性メモリの製造方法。請求項6に記載の磁性メモリの製造方法において、更に、前記第1パターンを貫通して前記第2パターンに到達するコンタクトホールを形成する工程と、前記第2パターンに電気的に接続する配線層を形成することとを備え、前記第2膜は、絶縁体である磁性メモリの製造方法。請求項1から請求項5のいずれか一に記載の磁性メモリの製造方法において、前記第2膜のエッチングは、前記第2膜のエッチングが、前記第1膜の表面で停止するような条件で行われる磁性メモリの製造方法。請求項3に記載の磁性メモリの製造方法において、前記第3パターンは絶縁膜である磁性メモリの製造方法。請求項1から請求項9のいずれか一に記載の磁性メモリの製造方法において、前記レジストパターンの除去工程は、酸素を用いて行われる磁性メモリの製造方法。請求項1から請求項9のいずれか一に記載の磁性メモリの製造方法において、前記レジストパターンの除去工程は、酸素プラズマを用いて行われる磁性メモリの製造方法。本発明の目的は、メモリセルに含まれる強磁性体膜の酸化を抑制しながら、MRAMのメモリセルを形成する技術を提供することにある。本発明の他の目的は、強磁性体膜をイオンミリングにより加工する際にマスクの側面に形成される側壁によって、MRAMの形状不良が発生することを防ぐ技術を提供することにある。本発明の更に他の目的は、強磁性体膜をエッチングする際に強磁性体膜に導入されるダメージが、MRAMのメモリセルの特性に悪影響を及ぼすことを防止する技術を提供することにある。その課題を解決するための手段は、下記のように表現される。その表現中に現れる技術的事項には、括弧つきで、番号、記号等が添記されている。その番号、記号等は、本発明の複数の実施の形態のうちの、少なくとも1つの実施の形態を構成する技術的事項、特に、その実施の形態に対応する図面に表現されている技術的事項に付せられている参照番号、参照記号等に一致している。このような参照番号、参照記号は、請求項記載の技術的事項と実施の形態の技術的事項との対応橋渡しを明確にしている。このような対応橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の形態の技術的事項に限定されて解釈されることを意味しない。本発明による磁性メモリの製造方法は、磁性体膜6、26を含む磁性メモリの製造方法である。本発明による磁性メモリの製造方法は、ハードマスク7’、8’、27’をマスクとして使用することにより磁性体膜6、26をパターニングすることを特徴とする。ここで、ハードマスク7’、8’、27’とは、レジストフォトレジストのように、現像、露光といった現象を示す膜ではなく、酸化膜、窒化膜、及び金属等からなる膜をいう。本発明による磁性メモリの製造方法は、金属強磁性体により磁性体膜6、26を基板1、21の上面側に形成することと、無機物により磁性体膜6、26の上面を被覆する無機物膜7、8、27を形成することと、無機物膜7、8、27の上面に、レジストによりレジストパターン9、29を形成することと、レジストパターン9、29をマスクとして無機物膜7、8、27をエッチングし、マスクパターン7’、8’、27’を形成することと、レジストパターン9、29を除去することと、レジストパターン9、29が除去された後、マスクパターン7’、8’、27’をマスクとして磁性体膜6、26をエッチングして磁性体層6’、26’を形成することとを備えている。磁性体層6’、26’とマスクパターン7’、8’、27’とが接触する接触部分は、レジストパターン9、29の除去の際に露出されず、その接触部分は酸化されにくい。更に、磁性体膜6、26のエッチングの際に、レジストパターン9、29は除去されており、レジストパターン9、29の側面に、磁性体膜6、26を構成する材料が堆積することがない。レジストパターン9、29の側面に堆積物が堆積して、基板1、21から突出する側壁が形成されることがない。これにより、MRAMの形状不良が発生することが防がれる。このとき、マスクパターン7’、8’は、磁性体膜6に接続され、且つ、導電体で形成されている導電体パターン7’を含むことが好ましい。導電体パターン7’は、磁性体膜6に接続する電極として使用可能であり、MRAMのメモリセルの一部として使用可能である。このとき、当該磁性メモリの製造方法は、更に、マスクパターン7’、8’、27’と磁性体層6’、26’との側面に側壁10を形成することを備え、その側壁10を形成することは、磁性体膜6、26をエッチングするときに磁性体膜6、26を構成する材料をその側面に付着して、側壁10を形成することを含むことが好ましい。これにより、磁性体層6’、26’の側面は側壁10に被覆され、酸化されにくくなる。本発明による磁性メモリの製造方法は、金属磁性体により磁性体膜6を基板1の上面側に形成することと、磁性体膜6の上面に無機物により第1膜7を形成することと、第1膜7の上面に、他の無機物により第2膜8を形成することと、第2膜8の上面に、レジストパターン9を形成することと、レジストパターン9をマスクとして第2膜8をエッチングし、第1パターン8’を形成することと、第2膜8をエッチングした後、レジストパターン9を除去することと、レジストパターン9’を除去した後、第1パターン8’をマスクとして第1膜7をエッチングして第2パターン7’を形成することと、第1及び第2パターン7’、8’をマスクとして、磁性体膜6をエッチングして、磁性体層6’を形成することとを備えている。磁性体膜6は、レジストパターン9の除去の際に第1膜7に被覆され、磁性体膜6の表面はレジストパターン9の除去の際に酸化されにくい。更に、第1及び第2パターン7’、8’と磁性体層6’との側面に側壁10を形成することを備え、側壁10を形成することは、磁性体膜6をエッチングするときに磁性体膜6を構成する材料をその側面に付着して、側壁10を形成することを含むことが好ましい。本発明による磁性メモリの製造方法は、金属磁性体により、第1磁性体膜4を基板1の上面側に形成することと、第1磁性体膜4の上面に、中間膜5を形成することと、中間膜5の上面に、金属磁性体により、第2磁性体膜6を形成することと、第2磁性体膜6の上面に、無機物により第1膜7を形成することと、第1膜7の上面に、他の無機物により第2膜8を形成することと、第2膜8の上面に、レジストパターン9を形成することと、レジストパターン9をマスクとして、第2膜8をエッチングし、第1パターン8’を形成することと、第2膜8をエッチングした後、レジストパターン9を除去することと、レジストパターン9を除去した後、第1パターン8’をマスクとして第1膜7をエッチングし、第2パターン7’を形成することと、第1及び第2パターン7’、8’をマスクとして、第2磁性体膜6をエッチングし、第1磁性体層6’を形成することと、第1磁性体層6’の上面の全体を被覆する第3パターン11’を形成することと、第3パターン11’をマスクとして、第1磁性体膜4をエッチングし、第2磁性体層4’を形成することとを備えている。このとき、第2磁性体層4’の端は、第1磁性体層6’の端から基板1の表面と平行な方向に離れて形成される。第2磁性体膜6は、レジストパターン9の除去の際に第1膜7に被覆され、第2磁性体膜6の表面はレジストパターン9の除去の際に酸化されにくい。更に、第1磁性体膜4をエッチングすることにより第2磁性体層4’の端の近傍に導入されるダメージが磁性メモリの動作に影響しにくい。第1磁性体膜4をエッチングする際、第1磁性体層6’の端の近傍は、エッチングによりダメージを受けやすい。このとき、第1磁性体層6’の端が第1磁性体層6’の端から基板1の表面と平行な方向に離れて形成されることにより、第1磁性体層6’の端の近傍は、磁性メモリの動作に関与しない。これにより、エッチングダメージが磁性メモリの動作に影響しにくい。このとき、本発明による磁性メモリの製造方法は、更に、第1及び第2パターン7’、8’と第1磁性体層6’との側面に側壁10を形成することを備え、側壁10を形成することは、第2磁性体膜6をエッチングするときに第2磁性体膜6を構成する材料を側面に付着して、側壁10を形成することを含むことが好ましい。このとき、中間膜5は、絶縁体であることが可能である。当該磁性メモリの製造方法により、TMRセルが形成されることになる。また、第1膜7は、導電体であることが好ましい。これにより、第2パターン7’は、磁性メモリのメモリセルの電極として利用可能である。このとき、当該磁性メモリの製造方法は、第1パターン8’を貫通して第2パターン7’に到達するコンタクトホール15を形成する工程と、前記第2パターン7’に電気的に接続する配線層16を形成することとを更に備え、第1膜8は、絶縁体であることが好ましい。このとき、第2膜8のエッチングは、第2膜8のエッチングが、第1膜7の表面で停止するような条件で行われることが好ましい。本発明による磁性メモリの製造方法は、第1磁性体膜6と第2磁性体膜8とを含むメモリセルを備えた磁性メモリの製造方法である。本発明による磁性メモリの製造方法は、第1マスク7’、8’、27’を使用することにより前記第1磁性体膜6をパターニングし、その後、第1マスク7’、8’、27’よりも幅が広い第2マスク11’、31’を使用することにより第2磁性体膜8をパターンニングすることを特徴とする。本発明による磁性メモリは、基板1、21と、磁性体層6’、26’と、無機物層7’、8’と、側壁10、30とを備えている。磁性体層6’、26’は、基板1、21の上面側に金属磁性体により形成される。無機物層7’、8’は、磁性体層6’、26’の上に、無機物により形成される。側壁10、30は、磁性体層6’、26’と無機物層7’、8’、27’との側面に形成される。側壁10、30は、磁性体層6’、26’がエッチングされて形成されたときに、磁性体層6’、26’を構成する材料が、磁性体層6’、26’と無機物層7’、8’、27’との側面に付着することによって形成される。このとき、無機物層7’、8’、27’は、磁性体層6’、26’の上に形成された導電層7’、27’を含むことが好ましい。このとき、当該磁性メモリは、更に、配線層16を備え、無機物層7’、8’は、導電層7’の上に形成された絶縁層8’を更に含み、絶縁層8’には、絶縁層8’の表面から導電層7’に到達するコンタクトホール15が形成され、配線層16は、コンタクトホール15を貫通して導電層7’に接することが好ましい。本発明により、メモリセルに含まれる強磁性体膜の酸化を抑制しながら、MRAMのメモリセルを形成する技術が提供される。また、本発明により、強磁性体膜をイオンミリングにより加工する際にマスクの側面に形成される側壁によって、MRAMの形状不良が発生することを防ぐ技術が提供される。また、本発明により、強磁性体膜をエッチングする際に強磁性体膜に導入されるダメージが、MRAMのメモリセルの特性に悪影響を及ぼすことを防止する技術が提供される。以下、添付図面を参照しながら、本発明による実施の形態の磁性メモリの製造方法を説明する。実施の第1形態:図1~図5は、本発明による実施の第1形態の磁性メモリの製造方法を示す。本実施の形態の磁性メモリの製造方法は、TMRセルの製造方法である。まず、図1aに示されているように、基板1の上面に、シリコン酸化膜2、アルミ膜3、第1磁性体膜4、絶縁膜5、第2磁性体膜6、窒化チタン膜7、及びシリコン酸化膜8が、順次に形成される。アルミ膜3の厚さは、約300Åである。第1磁性体膜4と第2磁性体膜6とは、鉄、ニッケル、コバルト、パーマロイNiFeのような、金属の強磁性体で形成される。絶縁膜5は、アルミナAl2O3、酸化ハフニウムのような絶縁体によって形成される。絶縁膜5の厚さは、約1.5nmであり、トンネル電流が流れる程度に極めて薄い。更に、第1磁性体膜4、絶縁膜5及び第2磁性体膜6の厚さの和は、極めて薄く、約30nm若しくはそれ以下である。窒化チタン膜7の厚さは、約500Åである。シリコン酸化膜8の厚さは、約1000Åである。第1磁性体膜4及び第2磁性体膜6の酸化を防ぐ観点から、アルミ膜3、第1磁性体膜4、絶縁膜5、第2磁性体膜6及び窒化チタン膜7の形成は、大気に曝されずに連続的に行われることが好ましい。続いて、図1bに示されているように、シリコン酸化膜8の上面に、フォトリソグラフィー技術を使用してレジストパターン9が形成される。レジストパターン9は、有機物であるレジストにより形成される。続いて、図1cに示されているように、レジストパターン9をマスクとしてシリコン酸化膜8がエッチングされ、シリコン酸化膜パターン8’が形成される。後述されるように、シリコン酸化膜パターン8’は、ハードマスクとして使用される。シリコン酸化膜8のエッチングは、シリコン酸化膜8のエッチングが窒化チタン膜7の上面で停止するような条件で行われる。より具体的には、シリコン酸化膜8のエッチングは、フッ素系ガスによるドライエッチングによって行われる。これにより、シリコン酸化膜8のエッチングは、窒化チタン膜7の表面で停止する。シリコン酸化膜8のエッチングが窒化チタン膜7の表面で停止することは、窒化チタン膜7が誤って除去されて、第2磁性体膜6の上面が露出されることを防ぐ。続いて、図2aに示されているように、O2プラズマ中でレジストパターン9がアッシングされ、除去される。このとき、第2磁性体膜6の上面は窒化チタン膜7により被覆されており、O2プラズマに曝されない。これにより、第2磁性体膜6の酸化が防がれる。続いて、図2bに示されているように、窒化チタン膜7が、シリコン酸化膜パターン8’をマスクとしてエッチングされ、上部電極7’が形成される。窒化チタン膜7のエッチングは、反応性イオンエッチングRIEにより行われる。後述されるように、上部電極7’は、メモリセルの上部電極として使用され、更に、第2磁性体膜6をエッチングするためのハードマスクとして使用される。引き続いて、図2cに示されているように、第2磁性体膜6と絶縁膜5とが、シリコン酸化膜パターン8’と上部電極7’とをハードマスクにしてイオンミリングにより順次にエッチングされ、自由磁化層6’と絶縁層5’とが形成される。このエッチングの間、絶縁層5’、自由磁化層6’、上部電極7’及びシリコン酸化膜パターン8’の側面には、絶縁膜5と第2磁性体膜6とを構成する材料がスパッタリングされて堆積し、側壁10が形成される。側壁10は、自由磁化層6’の側面を被覆し、自由磁化層6’の側面の酸化を防ぐ。このとき、絶縁膜5がエッチングされずに残されることも可能である。但し、絶縁膜5は約1.5nmと極めて薄く、実際の工程ではシリコン酸化膜パターン8’と上部電極7’の下方にある部分以外は、イオンミリングによるエッチングによって除去されることになる。また、窒化チタン膜7と第2磁性体膜6のエッチングは、イオンミリングにより連続的に行われることが可能である。但し、この場合には、窒化チタン膜7を構成される材料が、イオンミリングの間にスパッタリングされて堆積し、側壁10がより厚く形成される。このため、本実施の形態のように、窒化チタン膜7がRIEによりエッチングされ、第2磁性体膜6が、イオンミリングによりエッチングされることが好ましい。続いて、図3aに示されているように、基板1の上面側の全体に、シリコン酸化膜11が形成される。続いて、図3bに示されているように、シリコン酸化膜11の上面に、フォトリソグラフィー技術によりレジストパターン12が形成される。レジストパターン12は、有機物であるレジストにより形成される。レジストパターン12は、自由磁化層6’及び上部電極7’の全体を被覆するように形成される。続いて、図3cに示されているように、レジストパターン12をマスクにしてシリコン酸化膜11がエッチングされ、シリコン酸化膜パターン11’が形成される。第1磁性体膜4のうちレジストパターン12によって被覆されていない部分が露出される。シリコン酸化膜パターン11’は、その端11a’が、絶縁層5’の端から離れているように形成される。続いて、図4aに示されているように、レジストパターン12がO2プラズマ中でアッシングされ、除去される。このとき、第1磁性体膜4のうちシリコン酸化膜パターン11’に覆われていない部分の表面は、O2プラズマに曝されて酸化し、酸化層4aが形成される。しかし、後述されるように、第1磁性体膜4のうちO2プラズマに曝された部分はエッチングにより除去され、第1磁性体膜4の表面の酸化は、TMRセルの特性の劣化につながらない。このとき更に、シリコン酸化膜パターン11’の端11a’が絶縁層5’の端から離れていることにより、TMRセルの特性の劣化が防がれている。レジストパターン12がアッシングされている間、シリコン酸化膜パターン11’の端11a’から、第1磁性体膜4と絶縁層5’とが接している部分に向かって酸素が侵入する。第1磁性体膜4と絶縁層5’とが接している部分に酸素が侵入すると、TMRセルの特性が劣化する。しかし、シリコン酸化膜パターン11’の端11a’が、絶縁層5’の端から離れているため、第1磁性体膜4と絶縁層5’とが接している部分への酸素の侵入が防がれ、TMRセルの特性の劣化が防がれる。続いて、図4bに示されているように、シリコン酸化膜パターン11’をマスクとして第1磁性体膜4とアルミ膜3とが順次にエッチングされ、固定磁化層4’と下部電極3’とが形成される。第1磁性体膜4及びアルミ膜3のエッチングは、イオンミリングにより行われる。このとき、固定磁化層4’の端4a’は、自由磁化層6’の端から基板1の表面の平行な方向にずれて形成される。これにより、エッチングにより固定磁化層4’の端4a’の近傍に導入されるダメージがTMRセルの特性の劣化を引き起こすことが防がれる。なぜなら、固定磁化層4’の端4a’が自由磁化層6’の端から離れており、固定磁化層4’のうちのエッチングによりダメージを受けた部分は、TMRセルの動作に使用されないからである。従って、固定磁化層4’の端4a’の近傍が、エッチングの際にダメージを受けることによるTMRセルの特性の劣化が防がれる。続いて、図4cに示されているように、基板1の上面側の全体に酸化シリコンが堆積され、シリコン酸化膜13が形成される。シリコン酸化膜13の厚さは、約4000Åである。前述のシリコン酸化膜パターン8’とシリコン酸化膜パターン11’とは、シリコン酸化膜13に一体化する。シリコン酸化膜パターン8’とシリコン酸化膜パターン11’とは、図4cには図示されない。続いて、図5aに示されているように、シリコン酸化膜13の上面に、レジストパターン14がフォトリソグラフィー技術により形成される。続いて、図5bに示されているように、レジストパターン14をマスクとしてシリコン酸化膜13がエッチングされ、上部電極7’に到達するコンタクトホール15が形成される。更に、レジストパターン14がアッシングにより除去される。続いて、図5cに示されているように、アルミのような導電体により配線層16が形成される。配線層16は、コンタクトホール15を貫通して上部電極7’に接続される。以上の工程により、TMRセルの形成が完了する。実施の第1形態の磁性メモリの製造方法では、図2aに示されているように、レジストパターン9のO2プラズマによるアッシングの際に、第2磁性体膜6が窒化チタン膜7により被覆され、第2磁性体膜6の表面がO2プラズマにより酸化することが防がれている。これにより、第2磁性体膜6の酸化によりTMRセルの特性が劣化することが防がれる。更に、本実施の形態の磁性メモリの製造方法では、第1磁性体膜4及び第2磁性体膜6がイオンミリングによりエッチングされる前に、レジストパターン9及びレジストパターン12が除去される。レジストパターン9及びレジストパターン12の側面に第1磁性体膜4及び第2磁性体膜6を構成する材料がスパッタリングされて、堆積することがない。第1磁性体膜4及び第2磁性体膜6を構成する材料は、上部電極7’、シリコン酸化膜パターン8’及びシリコン酸化膜パターン11’の側面に堆積される。しかし、上部電極7’、シリコン酸化膜パターン8’及びシリコン酸化膜パターン11’はそのままTMRセルの一部として使用され、第1磁性体膜4及び第2磁性体膜6を構成する材料が堆積された側壁が、単独で、突出した形状に形成されることがない。イオンミリングにより形成される側壁は、上部電極7’、シリコン酸化膜パターン8’及びシリコン酸化膜パターン11’により支持され、その形状は安定である。これにより、MRAMの形状不良が防がれている。更に、本実施の形態の磁性メモリの製造方法では、ハードマスクとして使用されるシリコン酸化膜パターン8’と上部電極7’との厚さの和は、約1500Åであり、レジストマスクを使用してイオンミリングを行うために必要なレジストマスクの厚さ約1μmよりも薄い。更に、ハードマスクであるシリコン酸化膜パターン8’と上部電極7’とは除去されずにそのまま残され、磁性メモリの一部を構成する。これにより、MRAMの形状不良の発生が防がれている。更に、本実施の形態の磁性メモリの製造方法では、固定磁化層4’の端4a’が自由磁化層6’の端から基板1の表面に水平な方向にずれて形成され、エッチングの際のダメージによるTMRセルの特性の劣化が防がれている。なお、TMRセルを形成する本実施の形態の磁性メモリの製造方法において、絶縁膜5の代わりに、銅のような反磁性体である導電体からなる非磁性膜が形成されることによって、本実施の形態の磁性メモリの製造方法は、GMRセルの形成に適用可能である。更に、本実施の形態は、発明の趣旨が維持される限り、変更されることが可能である。例えば、シリコン酸化膜2の代わりに、酸化窒化シリコン膜SiONのような他の絶縁体が使用されることが可能である。更に、アルミ膜3の代わりに、銅、窒化チタンのような他の導電体で形成された膜が使用されることが可能である。更に、ハードマスクとなる窒化チタン膜7とシリコン酸化膜8とは、他の材料で形成された膜に置換されることが可能である。窒化チタン膜7の代わりにアルミ、タンタルのような導電体で形成された膜が使用されることが可能である。更に、シリコン酸化膜8の代わりに、エッチングの際に窒化チタン膜7に対する選択比が得られる他の材料で形成された膜が使用されることが可能である。より具体的には、シリコン酸化膜8の代わりに、窒化シリコン、ポリシリコン、他の金属で形成された膜が使用されることが可能である。但し、コンタクトホール15の形成を容易にする点で、本実施の形態のように、シリコン酸化膜8は、シリコン酸化膜11、シリコン酸化膜13と同一の材料で形成されていることが好ましい。実施の第2形態:図6~図9は、本発明の実施の第2形態の磁性メモリの製造方法を示す。実施の第2形態の磁性メモリの製造方法は、上部電極になる窒化チタン膜の上面に、シリコン酸化膜が形成されない点で、実施の第1形態の磁性メモリの製造方法と異なる。まず、図6aに示されているように、基板21の上面に、シリコン酸化膜22、アルミ膜23、第1磁性体膜24、絶縁膜25、第2磁性体膜26、及び窒化チタン膜27が、順次に形成される。第1磁性体膜24と第2磁性体膜26とは、鉄、ニッケル、コバルト、パーマロイNiFeのような、金属の強磁性体で形成される。絶縁膜25は、アルミナAl2O3、酸化ハフニウムのような絶縁体によって形成される。第1磁性体膜24、絶縁膜25及び第2磁性体膜26の厚さの和は、極めて薄く、30nm若しくはそれ以下である。第1磁性体膜24及び第2磁性体膜26の酸化を防ぐ観点から、アルミ膜23、第1磁性体膜24、絶縁膜25、第2磁性体膜26及び窒化チタン膜27の形成は、大気に曝されずに連続的に行われることが好ましい。続いて、図6bに示されているように、窒化チタン膜27の上面に、フォトリソグラフィー技術を使用してレジストパターン29が形成される。続いて、図6cに示されているように、窒化チタン膜27がエッチングされ、上部電極27’が形成される。続いて、図6dに示されているように、O2プラズマ中でレジストパターン29がアッシングされ、除去される。このとき、第2磁性体膜26の表面のうち、上部電極27’に接する部分は直接にO2プラズマに曝されない。即ち、第2磁性体膜26のうち、TMRセルの動作に関係する部分は、酸化されない。続いて、図7aに示されているように、第2磁性体膜26と絶縁膜25とが、上部電極27’をマスクにしてイオンミリングにより順次にエッチングされ、自由磁化層26’と絶縁層25’とが形成される。このエッチングの間、絶縁層25’、自由磁化層26’、上部電極27’の側面には、絶縁膜25と第2磁性体膜26とを構成する材料がスパッタリングされて堆積し、側壁30が形成される。側壁30は、自由磁化層26’の側面を被覆し、自由磁化層26’の側面の酸化を防ぐ。続いて、図7bに示されているように、基板21の上面側の全体に、シリコン酸化膜31が形成される。続いて、図7cに示されているように、シリコン酸化膜31の上面に、フォトリソグラフィー技術によりレジストパターン32が形成される。レジストパターン32は、自由磁化層26’及び上部電極27’の全体を被覆するように形成される。続いて、図7dに示されているように、レジストパターン32をマスクにしてシリコン酸化膜31がエッチングされ、シリコン酸化膜パターン31’が形成される。第1磁性体膜24のうちレジストパターン32によって被覆されていない部分が露出される。シリコン酸化膜パターン31’は、その端31a’が、絶縁層25’の端から離れるように形成される。続いて、図8aに示されているように、レジストパターン32がO2プラズマ中でアッシングされ、除去される。このとき、第1磁性体膜24の表面は、O2プラズマに曝されて酸化する。しかし、後述されるように、第1磁性体膜24のうちO2プラズマに曝された部分はエッチングにより除去され、第1磁性体膜24の表面の酸化は、TMRセルの特性の劣化につながらない。このとき、実施の第1形態と同様に、シリコン酸化膜パターン31’の端31a’は自由磁化層26’の端から離れており、第1磁性体膜24と絶縁層25’とが接している部分が酸化されることによるTMRセルの特性の劣化が防止されている。続いて、図8bに示されているように、シリコン酸化膜パターン31’をマスクとして第1磁性体膜24とアルミ膜23とが順次にエッチングされ、固定磁化層24’と下部電極23’とが形成される。第1磁性体膜24及びアルミ膜3のエッチングは、イオンミリングにより行われる。このとき、固定磁化層24’の端24a’は、自由磁化層26’の端から基板21の表面の平行な方向にずれて形成される。これにより、実施の第1形態と同様に、固定磁化層24’の端24a’の近傍が、エッチングの際にダメージを受けることによるTMRセルの特性の劣化が防がれる。続いて、図8cに示されているように、基板21の上面側の全体に酸化シリコンが堆積され、シリコン酸化膜33が形成される。前述のシリコン酸化膜パターン31’は、シリコン酸化膜33に一体化する。シリコン酸化膜パターン31’は、図8cには図示されない。続いて、図9aに示されているように、シリコン酸化膜33の上面に、レジストパターン34がフォトリソグラフィー技術により形成される。続いて、図5bに示されているように、レジストパターン34をマスクとしてシリコン酸化膜33がエッチングされ、上部電極27’に到達するコンタクトホール35が形成される。更に、第1磁性体膜24がアッシングにより除去される。続いて、図5cに示されているように、アルミのような導電体により配線層36が形成される。配線層36は、コンタクトホール35を貫通して上部電極27’に接続される。以上の工程により、TMRセルの形成が完了する。本実施の形態の磁性メモリの製造方法は、自由磁化層26’のうち、上部電極27’に接する部分は直接にO2プラズマに曝されない。従って、自由磁化層26’と上部電極27’とが接する部分が酸化されることによるTMRセルの特性の劣化が防がれる。但し、実施の第2形態の半導体装置の製造方法は、図6dに示されているように、上部電極27’の端27a’から、自由磁化層26’と上部電極27’とが接する部分の内部に向かって、ある程度の酸素が拡散する。従って、酸素の拡散を少なくする必要がある場合には、実施の第1形態の磁性メモリの製造方法が使用されることが好ましい。上部電極27’の大きさが大きく、端27a’からの酸素の拡散が問題にならない場合には、工程が少ないという観点から、実施の第2形態の磁性メモリの製造方法が使用されることが好ましい。更に、本実施の形態の磁性メモリの製造方法は、実施の第1形態の磁性メモリの製造方法と同様に、第1磁性体膜24及び第2磁性体膜26がイオンミリングによりエッチングされる前に、レジストパターン29及びレジストパターン32が除去される。レジストパターン29及びレジストパターン32の側面に、第1磁性体膜24及び第2磁性体膜26を構成する材料がスパッタリングされて、堆積することがない。これにより、MRAMの形状不良の発生が防がれる。更に、本実施の形態の磁性メモリの製造方法は、実施の第1形態の磁性メモリの製造方法と同様に、固定磁化層24’の端24a’が、自由磁化層26’の端から離れて形成され、エッチングの際のダメージによるTMRセルの特性の劣化が防がれる。なお、TMRセルを形成する実施の第2形態の磁性メモリの製造方法において、絶縁膜25の代わりに、銅のような反磁性体である導電体からなる非磁性膜を形成することによって、本実施の形態の磁性メモリの製造方法は、GMRセルの形成に適用可能である。更に、本実施の形態は、発明の趣旨が維持される限り、変更されることが可能である。例えば、シリコン酸化膜22の代わりに、酸化窒化シリコン膜SiONのような他の絶縁体が使用されることが可能である。更に、アルミ膜23の代わりに、銅、窒化チタンのような他の導電体で形成された膜が使用されることが可能である。更に、ハードマスクとなる窒化チタン膜27は、アルミ、タンタルのような導電体である他の材料で形成された膜に置換されることが可能である。