基板と、前記基板の上に形成された積層体であって、前記基板の上に形成された第1導電形の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成された発光層と、前記発光層の上に形成された第2導電形の第2の半導体層と、を含む積層体と、前記積層体の前記第1の半導体層とは反対側の第1の主面側に形成され前記第1の半導体層に電気的に接続された第1の電極と、前記第1の主面側に形成され前記第2の半導体層と電気的に接続された第2の電極と、を有する構造体を準備する工程と、前記積層体の前記第1の主面側において、前記第1の電極と、前記第2の電極と、前記積層体と、を覆う樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面を平坦化する工程と、前記基板を除去する工程と、前記基板が除去された前記積層体の前記第1の主面とは反対側の第2の主面の上に、蛍光体を含む層を形成する工程と、前記第1の樹脂層の平坦化された前記表面を基準として、前記積層体を含む前記樹脂層と、前記蛍光体を含む層と、を合わせた厚さが所定の厚さになるように、前記蛍光体を含む層を加工する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。前記基板の除去後、前記積層体を含む前記樹脂層の厚さを測定する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置の製造方法。前記蛍光体を含む層を研削もしくは研磨により、前記所定の厚さに加工することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置の製造方法。前記蛍光体を含む層のショア硬さは、D50以上であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。前記蛍光体を含む層を加工して、前記蛍光体を含む層に含まれる前記蛍光体の量を制御することを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。本発明の実施形態は、発光色を厳密に制御することが可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、基板と、前記基板の上に形成された積層体であって、前記基板の上に形成された第1導電形の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成された発光層と、前記発光層の上に形成された第2導電形の第2の半導体層と、を含む積層体と、前記積層体の前記第1の半導体層とは反対側の第1の主面側に形成され前記第1の半導体層に電気的に接続された第1の電極と、前記第1の主面側に形成され前記第2の半導体層と電気的に接続された第2の電極と、を有する構造体を準備する工程と、前記積層体の前記第1の主面側において、前記第1の電極と、前記第2の電極と、前記積層体と、を覆う樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面を平坦化する工程と、前記基板を除去する工程と、前記基板が除去された前記積層体の前記第1の主面とは反対側の第2の主面の上に、蛍光体を含む層を形成する工程と、前記第1の樹脂層の平坦化された前記表面を基準として、前記積層体を含む前記樹脂層と、前記蛍光体を含む層と、を合わせた厚さが所定の厚さになるように、前記蛍光体を含む層を加工する工程と、を備える。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。ここでは、第1導電形をn形とし、第2導電形をp形として説明するが、これに限られる訳ではない。図1は、本実施形態に係る半導体発光装置100の構造を模式的に示す断面図である。半導体発光装置100は、窒化物半導体を材料とする所謂白色LEDであり、青色の発光光を放出する積層体10と、蛍光体を含む蛍光層30とを備える。蛍光層30は、積層体10から放射される発光光を吸収し、波長を変換した蛍光を発する。さらに、積層体10の第1の主面10aの側に設けられる樹脂層20が、積層体10および第1の電極であるn側ピラー電極25、第2電極であるp側ピラー電極27を覆うように設けられる。すなわち、半導体発光装置100は、所謂WLPWaferLevelPackaging構造を有しており、小型で汎用性の高い白色光源として使用することができる。次に、半導体発光装置100の詳細な構造について説明する。図1に示す積層体10は、例えば、第1の半導体層であるn形GaN層3と、第2の半導体層であるp形GaN層7と、n形GaN層3およびp形GaN層7の間に設けられた発光層5とを含む。発光層5は、例えば、GaN障壁層とInGaN井戸層で構成される量子井戸を含み、青色の発光光を放射する。p形GaN層7の表面第1の主面10aには、p側コンタクト電極15が設けられる。そして、p形GaN層7および発光層5をエッチングして露出させたn形GaN層3の表面にn側コンタクト電極13が設けられる。さらに、積層体10およびn側コンタクト電極13およびp側コンタクト電極15を覆う絶縁層9が設けられる。そして、絶縁層9の表面、および、絶縁層9に形成されたコンタクトホール内に設けられたシード電極17を介してp形GaN層7に電気的に接続されるp側ピラー電極27、および、n形GaN層3に電気的に接続されるn側ピラー電極25が設けられる。半導体発光装置100は、n形半導体層3に電気的に接続されたn側ピラー電極25と、p形半導体層に接続されたp側ピラー電極27と、の間に供給される駆動電流により、発光層5から青色の発光光を放射する。蛍光層30は、例えば、黄色の蛍光を発する蛍光体が分散された透明樹脂層である。発光層5から放出された光は、蛍光層30に含まれる蛍光体を励起し、黄色の蛍光を発生させる。すなわち、蛍光層30に含まれる蛍光体は、発光層5から放射される発光光の一部を波長変換する。これにより、半導体発光装置100は、黄色および青色の混合光を放射し白色光源として機能する。そして、青色から黄色の光に波長変換される発光光の割合は、蛍光層30に含まれる蛍光体の量に依存する。すなわち、半導体発光装置100から放射される混合光に含まれる黄色と青色の光の割合は、蛍光層30に含まれる蛍光体の量により変化し、結果として色度が変化する。したがって、蛍光層30に含まれる蛍光体の量を制御することにより、半導体発光装置100から放射される光の色度を変化させることができる。図2および図3は、蛍光層30の厚さと色度の関係を示すグラフである。横軸に蛍光層30の膜厚、縦軸に色度を示している。ここに示す色度は、CIE国際照明委員会の色度図の座標CxおよびCyである。また、蛍光層30の膜厚とは、第2の主面10bに垂直な方向の厚さである。図2aは、発光層5が放射する発光光の波長が443nmの場合のCxを示し、図2bは、Cyを示している。図2aに示すグラフでは、蛍光層30の膜厚が厚くなるにしたがって、Cxが大きくなることが分かる。同図中に示すように、その変化率ΔCxは、蛍光層30の膜厚5μmの変化に対して0.004である。そして、図2bに示すCyも同様の変化を示し、その変化率ΔCyは、0.003である。一方、図3aは、発光層5の発光光の波長が445nmの場合のCxを示し、図3bは、Cyを示している。この場合も、CxおよびCyは、蛍光層30の膜厚が増えるにしたがって大きくなり、図3aに示すΔCxは、0.013であり、図3bに示すΔCyは、0.02である。図2および図3に示すデータによれば、図3bに示すΔCyの変化率がもっとも大きい。そして、例えば、蛍光層30の膜厚の変化を、±2.5μm以下にすれば、色度の変化を0.02以内に制御することが可能である。すなわち、蛍光層30を所定の膜厚に対して±2.5μm以下となる厚さに設けることが好ましい。さらに、蛍光層30の主面10bにおける厚さのバラツキが±2.5μm以下となるように設けることが望ましい。このように、蛍光層30の厚さを制御することにより、そこに含まれる蛍光体の量を変化させ色度を調整することが可能である。次に、図4~図6を参照して、半導体発光装置100の製造過程を説明する。図4~図6に含まれる模式図は、各製造工程におけるウェーハの部分断面を示している。図4aは、n形GaN層3と、p形GaN層7と、n形GaN層3およびp形GaN層7の間に設けられた発光層5と、を含む積層体10が、その第2主面10bをサファイア基板2に接して形成された構造体を示す。n形GaN層3および発光層5、p形GaN層7は、この順に、例えば、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法を用いて、サファイア基板2の上に形成される。そして、p形GaN層7の表面にはp側コンタクト電極15が形成され、p形GaN層7および発光層5が選択的に除去されたn形GaN層3の表面にn側コンタクト電極13が形成される。さらに、積層体10を個別の発光素子に分離する分離溝41が形成される。図4bは、積層体10およびn側コンタクト電極13、p側コンタクト電極15を覆って絶縁層9が設けられた状態を示している。絶縁層9には、例えば、絶縁性樹脂であるポリイミド膜を用いる。ポリイミド膜は、スピンコート法を用いて塗布することができる。続いて、図4cに示すように、絶縁層9の表面からn側コンタクト電極13およびp側コンタクト電極15にそれぞれ連通するコンタクトホール16aおよび16bを形成する。そして、コンタクトホール16aおよび16bの内部、および、絶縁層9の表面にシード電極17を設ける。シード電極17は、n側ピラー電極25およびp側ピラー電極27をメッキ法を用いて形成するための通電層として用いられる。シード電極17は、例えば、スパッタ法を用いてチタンTiと銅Cuを順に積層した金属層として形成することができる。次に、図5aに示すように、シード電極17の上にメッキマスク43を設ける。メッキマスク43は、例えば、レジスト膜であり、n側ピラー電極25およびp側ピラー電極27が選択的に形成される開口45および47を有している。続いて、電界メッキ法を用いて銅メッキを行い、n側ピラー電極25およびp側ピラー電極27を形成する。その後、メッキマスク43を除去し、シード電極17を選択的にエッチングして、n側ピラー電極25とp側ピラー電極27とを電気的に分離する。図5bは、n側ピラー電極25とp側ピラー電極27とが形成され、さらに、絶縁層9が選択的に除去され、分離溝49が形成された状態を示している。絶縁層9に用いられるポリイミド膜は、例えば、ドライエッチング法を用いて除去することができる。また、感光性のポリイミド膜を使用する場合には、フォトリソグラフィにより、塗布後にパターニングすることもできる。なお、絶縁層9に分離溝19を形成しないで、個々の半導体発光装置100をウェーハから切り出す際に、絶縁層9をダイサーで切断しても良い。次に、図5cに示すように、積層体10の第1の主面10aの側に、n側ピラー電極25、p側ピラー電極27および積層体10を覆う樹脂層20を設ける。樹脂層20には、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂を用いることができる。そして、印刷法を用いて、第1の主面10aの側に塗布することができる。続いて、樹脂層20を硬化させた後、例えば、研削法を用いて、その表面を平坦化する。この際、サファイア基板2と樹脂層20とを合わせた厚さT1が所定の厚さとなるように、樹脂層20の表面を研削する。例えば、図7aに示す研削装置50では、研削ステージ53の上に固定されたウェーハ60の表面を、ホィール砥石を付設した定盤55を回転させて研削する。研削後のウェーハ60の厚さは、研削ステージ53と定盤55との間の間隔dで制御され、例えば、0.1μm以下の精度で加工することが可能である。また、研磨法による加工でも、同様の精度で加工することができる。すなわち、ウェーハ60の厚さを、サファイア基板2と、樹脂層20と、を合わせた厚さT1とすれば、その値の誤差が0.1μm以下となるように加工することができる。さらに、サファイア基板2の厚さは、0.5μm以下の誤差で加工される。したがって、樹脂層20の研削において、T1を0.1μm以下の精度で制御することにより、樹脂層20を0.5μm以下の厚さ精度で形成することができる。次に、図6aに示すように、積層体10の第2の主面10bに接したサファイア基板2を除去する。サファイア基板2の除去には、例えば、レーザリフトオフ法を用いることができる。すなわち、サファイア基板2の側からレーザ光を照射し、n形GaN層3とサファイア基板2との間の界面におけるGaNを分解させて、積層体10からサファイア基板2を分離する。そして、樹脂層20には、積層体10およびn側ピラー電極25、p側ピラー電極27が含まれる。さらに、蛍光層30の厚さを制御するために、サファイア基板2を分離した後に、樹脂層20の厚さT2を直接測定しても良い。続いて、図6bに示すように、積層体10の第2の主面10bの上に蛍光層30を形成する。蛍光層30には、例えば、Si、Al、OおよびNを含む酸窒化物蛍光体であるサイアロンを分散することができる。サイアロンは、青色の発光光を吸収し黄色の蛍光を発する。蛍光層30に分散される蛍光体として、サイアロンの他に、例えば、ユーロピウムをドープしたストロンチウムバリウムシリコン酸化物SrBaEu2SiO4を用いることもできる。この蛍光体は黄緑色の蛍光を発し、青色の発光光と組み合わせることにより、白色光とすることができる。さらに、蛍光層30に分散される蛍光体は、1種類に限られる訳ではなく、例えば、赤および緑色の蛍光を発する2種類の蛍光体を分散しても良い。蛍光層30は、例えば、印刷法を用いて積層体10の第2の主面10bの上に形成することができる。さらに、蛍光層30の表面を平坦に加工する。例えば、前述した研削法を用いて、蛍光層30の表面を平坦化し、樹脂層20と蛍光層30とを合わせた厚さT3が所定の値になるように加工することができる。すなわち、平坦に加工された樹脂層20の表面側を研削ステージ53に接触させてウェーハを固定し、蛍光層30の表面を研削する。そして、例えば、研削ステージ53と定盤55との間の間隔dを、樹脂層20の厚さT2と、蛍光層30の所望の厚さと、を合わせた所定の値に設定し研削する。これにより、厚さ精度±2.5μm以下で蛍光層30を形成することができる。また、蛍光層30のほぼ全面が、±2.5μm以下の平坦性を持つように加工することができる。さらに、蛍光層30に用いる樹脂のショア硬さをD50以上とする。例えば、図7bおよび図7cは、ウェーハの周辺部に発生した樹脂のダレを例示する写真である。図7aは、ウェーハ全体を示し、図7cは、ウェーハの周辺部を拡大して示している。樹脂のショア硬さがD50より小さいと、図7cに示すように、定盤55の回転方向に樹脂のダレ33が生じる。このようなダレは、後続の製造工程において、蛍光層30から分離して異物となり、不具合を発生させる場合がある。例えば、半導体発光装置100をダイシングする際に、蛍光層30の表面側と、ダイシングシートと、の間にその異物が噛み込み、ダイシング不良を生じさせる場合がある。したがって、図7bおよびcに示すようなダレを生じさせないように、蛍光層30に用いる樹脂のショア硬さをD50とすることが望ましい。次に、図6cに示すように、樹脂層20を研削して、n側ピラー電極25およびp側ピラー電極27の端を露出させる。これにより、n側ピラー電極25およびp側ピラー電極27を介して、積層体10に駆動電流を供給することができる。さらに、蛍光体を含まない樹脂層35を蛍光層30の上に形成することができる。例えば、樹脂層35の屈折率を蛍光層の屈折率よりも小さくすれば、発光層5の発光光および蛍光層30の蛍光を外部に取り出す効率を向上させることができる。また、蛍光層30の厚さが色度の仕様により制限される場合に、樹脂層35を設けることによりパッケージの厚さを好適に調整することが可能となる。本実施形態のように、成長基板の上に設けられた積層体10を別の基板に移載する際に、例えば、シリコン基板などの剛性を有する支持基板を、ハンダ等の接合金属を介して積層体10に接合し保持する技術が汎用されている。この場合、積層体10と、支持基板と、の間に、接合過程における応力が残留することがある。また、サファイア基板2と窒化物半導体GaN等との間には、熱膨張係数の差に起因する応力も存在する。この応力は、積層体10からサファイア基板2を除去した時に解放されるが、同時に積層体と支持基板との間の残留応力として残る場合がある。そして、これらの残留応力は、薄膜である積層体10にクラックを生じさせたり、支持基板を湾曲させる。このため、サファイア基板2を除去した後の第2主面10bの平坦性が損なわれ、その上に形成される蛍光層30の厚さの制御が困難になる場合がある。これに対し、本実施形態に係る半導体発光装置100では、サファイア基板2が除去された後の積層体10は、樹脂層20によって保持される。積層体10およびn側ピラー電極25およびp側ピラー電極27を含む樹脂層20は柔軟であり応力を吸収する。したがって、積層体10の第2の主面10bの平坦性を保持することが容易となり、その上に形成される蛍光層の膜厚の制御性を向上させることができる。以上、上記の実施形態によれば、WLP構造の半導体発光装置100の製造過程において、樹脂層20の表面を平坦化し、その表面を基準として蛍光層30を所定の厚さに制御することができる。さらに、蛍光層30の表面を±2.5μm以内の精度で平坦化することにより、放射光の色度を厳密に制御する事が可能となる。これにより、発光光の色度の厳密な制御が求められる応用分野に適合する半導体発光装置を実現することができる。さらに、上記の実施形態では、GaN系窒化物半導体を材料とするLEDを例として説明したが、これらの材料に限定されるわけではなく、他の窒化物半導体を材料とする発光素子、もしくは、それ以外の材料を用いる発光素子と、蛍光体とを組み合わせた半導体発光装置に適用できることは明らかである。なお、本願明細書において、窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦xyz≦1のIII-V族化合物半導体を含み、さらに、V族元素としては、N窒素に加えてリンPや砒素Asなどを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。