半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された保護膜と、前記保護膜の内側に形成されたボンディングパッド電極部と、前記ボンディングパッド電極部に接続するボンディングワイヤとを備えており、前記ボンディングワイヤにおける、前記ボンディングパッド電極部と前記ボンディングワイヤとの接続部の外端部の直下に、前記保護膜は配置されていることを特徴とする半導体装置。前記第1の絶縁膜には配線が形成され、前記配線は、前記ボンディングパッド電極部の直下に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記保護膜は円筒状であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記ボンディングパッド電極部は、前記保護膜の外側にも形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体装置。前記第1の絶縁膜上において、前記ボンディングパッド電極部を露出させるように配置された第2の絶縁膜をさらに有していることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体装置。平面視において、前記保護膜は、前記ボンディングワイヤの先端よりも外側にまで位置していることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記ボンディングパッド電極部は、前記ボンディングワイヤよりも硬度が低いことを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体装置。前記ボンディングワイヤは銅から構成されていることを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の半導体装置。前記ボンディングパッド電極部表面は前記保護膜表面よりも低く、前記ボンディングパッド電極部と前記保護膜との接続部において表面がテーパー状であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体装置。前記ボンディングパッド電極部表面は前記保護膜表面よりも高く、前記ボンディングパッド電極部と前記保護膜との接続部において表面がテーパー状であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体装置。前記ボンディングパッド電極部表面は前記保護膜表面と同じ高さであり、前記ボンディングパッド電極部と前記保護膜との接続部において表面がテーパー状であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体装置。前記ボンディングパッド電極部表面は前記保護膜表面よりも低く、前記ボンディングパッド電極部と前記保護膜との接続部を含めた、前記ボンディングパッド電極部の表面全体が平坦であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体装置。前記ボンディングパッド電極部は前記保護膜を覆っており、前記ボンディングパッド電極部の表面が平坦であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体装置。前記ボンディングパッド電極部は前記保護膜を覆っており、前記保護膜の上で表面が段差状に突出していることを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体装置。前記ボンディングパッド電極部は前記保護膜を覆っており、前記保護膜の上で表面がテーパー状に突出していることを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体装置。平面視において、前記円筒状の保護膜は周方向に沿って複数に分断されていることを特徴とする請求項1~15のいずれか1項に記載の半導体装置。前記保護膜は窒化物、酸化物などの絶縁物質であることを特徴とする請求項1~16のいずれか1項に記載の半導体装置。前記保護膜は導電物質であることを特徴とする請求項1~16のいずれか1項に記載の半導体装置。半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されたボンディングパッド電極部と、前記第1の絶縁膜上で前記ボンディングパッド電極部を露出させるように形成した第2の絶縁膜と、前記ボンディングパッド電極部に接続するボンディングワイヤとを備え、前記ボンディングパッド電極部は、円筒状の凸部を有しており、前記ボンディングワイヤにおける、前記ボンディングパッド電極部と前記ボンディングワイヤとの接続部の外端部の直下に、前記凸部は配置されていることを特徴とする半導体装置。前記円筒状の凸部の側面は段差形状であることを特徴とする請求項19に記載の半導体装置。前記円筒状の凸部の側面はテーパー状であることを特徴とする請求項19に記載の半導体装置。しかし、特許文献1に開示された従来の技術のように、ボンディングパッド表面全体が均一に凹凸形状になっていると、ボンディングパッド下面への荷重のかかり方が不均一になることがある。その結果、接合形状が安定せず、ボンディング接続の信頼性が下がる。本発明は、上記の課題を解決するものであり、ワイヤボンディング時の接続信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一の実施形態に係る半導体装置は、半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に形成された保護膜と、保護膜の内側に形成されたボンディングパッド電極部と、ボンディングパッド電極部に接続するボンディングワイヤとを備えており、ボンディングワイヤにおける、ボンディングパッド電極部とボンディングワイヤとの接続部の外端部の直下に、保護膜は配置されていることを特徴とする。また、本発明の別の実施形態に係る半導体装置は、半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に形成されたボンディングパッド電極部と、第1の絶縁膜上でボンディングパッド電極部を露出させるように形成した第2の絶縁膜と、ボンディングパッド電極部に接続するボンディングワイヤとを備え、ボンディングパッド電極部は、円筒状の凸部を有しており、ボンディングワイヤにおける、ボンディングパッド電極部とボンディングワイヤとの接続部の外端部の直下に、凸部は配置されていることを特徴とする。このような構成により、ワイヤボンディング時にボンディングパッドに対して、不均一な初期荷重がかかっても、その衝撃を吸収できるボンディングパッド構造にすることができる。そのため、局所的にボンディングパッド電極部の膜厚が薄くなることを防ぐことができ、そこを起点としたボンディングワイヤのワイヤ外れを抑制できる。本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1の絶縁膜を形成するステップと、第1の絶縁膜上に保護膜を形成するステップと、保護膜の内側にボンディングパッド電極部を形成するステップと、ボンディングパッド電極部にボンディングワイヤを接続するステップとを備えており、ボンディングワイヤにおける、ボンディングパッド電極部とボンディングワイヤとの接続部の外端部の直下に、保護膜を配置することを特徴とする。本発明によれば、ワイヤボンディング時の接続信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供することができる。第1の実施形態以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について図面を参照にしながら説明する。図1aは、本実施形態に係る半導体装置の上面図である。半導体装置の内側領域には、ソースドレインゲート電極などからなるトランジスタ構造が配置されている図示せず。また、半導体装置の外周領域には、ボンディングパッド電極部4とそれに接続するボンディングワイヤ6が配置されている。なお、ボンディングワイヤ6における他端は、他の部材と接続することとなる。図1bは、図1aのA-A’における断面の概略図である。シリコンなどからなる半導体基板1の表面には、ソースドレイン1a、ゲート絶縁膜1b、ゲート電極1cなどからなるトランジスタ構造が配置されており、それぞれのトランジスタ構造は、絶縁体1dによって分離されている。また、半導体基板1の上には、コンタクト2a、配線2b、ビア2cを有する絶縁膜2d第1の絶縁膜が配置されている。コンタクト2a、配線2b、ビア2c、絶縁膜2dを有する構造を、本明細書では、配線層2と定義する。また、配線層2の上には、配線層2中の配線と電気的に接続するボンディングパッド電極部4が配置され、ボンディングパッド電極部4の上には、絶縁性の保護膜5が配置されている。図1cは、図1bにおける領域Bの拡大図であり、本実施形態に係る半導体装置のボンディング接合部の概略図である。図1cに示すように、本実施形態に係る半導体装置は、半導体基板1と、配線層2と、保護膜部材3と、ボンディングパッド電極部4と、絶縁膜などからなる保護膜5第2の絶縁膜を備えている。ボンディングパッド電極部4は、アルミニウムなどの導電性の材料で構成されており、ボンディングワイヤ6を介して、半導体装置内の回路部とリードフレームなどの他の部材とを接合する。図1dは、図1cに示す構造を形成する一過程を示す断面図である。図1dに示すように、半導体装置にワイヤボンディングを行う場合、ボンディングワイヤ6の先端部に形成されたボンディングボール6aに対してキャピラリ7により所定の過重をかけながら超音波を印加する。これにより、ボンディングパッド電極部4上にボンディングワイヤ6がボンディングされる。保護膜3は、ボンディング時にキャピラリ7からボンディングパッド電極部4に加わる応力を吸収する。そのため、保護膜3は、ボンディングパッド電極部4とボンディングボール6aとの接触部の外端部の直下に配置されていることが好ましく、さらに言うと、外端部に接触するように配置されることが好ましい。ボンディング時の応力を吸収しやすくなるからである。図2は、本実施形態に係る半導体装置のボンディングパッドの製造工程を示す工程断面図である。図3は、本実施形態に係る半導体装置のボンディングパッドの平面図である。図2を用いて、本実施形態に係る半導体装置のボンディングパッドの形成工程を説明する。まず、図2aに示すように、半導体基板1の上に配線層2を従来の技術と同様の方法を用いて形成する。次に、図2bに示すように、絶縁膜2上に保護膜3を成長させていく。保護膜3は酸化物、窒化物のような絶縁物質であってもよく、金属のような導電物質でもよい。保護膜3の形成方法は、エッチングなどによる方法であってもよく、その他の方法であってもよい。また、保護膜3は、平面形状が図3aに示すような円筒状に形成されている。円筒の内径および外径は、キャピラリエッジに合わせて決められている。保護膜3は、平面形状が図3bに示すような周方向に複数に分断された円筒状であってもよい。次に、図2cに示すように、円筒状の保護膜3の内側および外側にボンディングパッド電極部4を形成する。ボンディングパッド電極部4は通電性を確保できるアルミニウムなどが望ましいが、他の導電性物質でもよい。本実施形態では保護膜3は表面から見て露出していることを特徴とする。また、保護膜3表面とボンディングパッド電極4表面とは同じ高さであるか、保護膜3表面の方が高いか、あるいは保護膜3表面の方が低いことを特徴としている。また、保護膜3に隣接するボンディングパッド電極4の表面は平坦であることが望ましいが、テーパー状になっていてもよい。続いて、図2dに示すように、ボンディングパッド電極部4を露出させるように第2の絶縁膜5を絶縁膜2の上に形成し、ボンディングパッドは完成する。第2の絶縁膜5は窒化物や酸化物のような絶縁性物質であればよい。上記のように形成したボンディングパッド電極部4に対して、ボンディングワイヤ6の先端部に形成されたボンディングボール6を接合することで、ワイヤボンディングが完成する。ボンディングワイヤ6の材質は金、銅、アルミニウム、銀などの導電性物質であればよい。また、ボンディングワイヤ6のワイヤ径は10μm~50μmの範囲であり、好ましくは15~25μmである。また、ボンディングの位置は保護膜3より内側のみでもよく、保護膜3を含む内側でもよい。さらには、保護膜3を含む外側まで延びてもよい。ところで、ボンディングパッド電極部4は、キャピラリ7のエッジ部に対応する箇所においてキャピラリ7からの応力が集中しやすい。そのため、キャピラリ7のエッジ部の下面に位置する領域で局所的にボンディングパッド電極部4の膜厚が薄くなりやすい。そして、膜厚が薄くなる箇所を起点にして、ボンディングワイヤ6が外れやすい。したがって、上述のようにキャピラリ7からの応力が集中するキャピラリ7のエッジ部の下面に保護膜3を形成しワイヤボンディングすることによって、ボンディングパッド電極部4へのダメージが回避できる。その結果、ボンディングパッド電極部4の膜厚が局所的に減少し、そこを起点としたボンディングワイヤ6のワイヤ外れを抑制できる。図4a~dは、本実施形態に係る半導体装置のボンディングパッドの他の構成例を示す断面図、図5a~dは、図4a~dのそれぞれに対応したボンディング接合部の断面図である。なお、図5a~図5dにおいては、キャピラリ7を残して記載してあるが、最終的に完成する製品にキャピラリ7は存在しないことは言うまでもない。図4aに示す例では、ボンディングパッド電極部4表面が保護膜3表面よりも低く、ボンディングパッド電極部4と保護膜3との接続部においてボンディングパッド電極部4の表面はテーパー状となっている。このため、図5aに示すように、図1cの場合と比べて、ボンディングボール6aとボンディングパッド電極部4との接触面積が増加し、ボンディングボール6aとボンディングパッド電極部4との密着性がより高くなる。図4bに示す例では、ボンディングパッド電極部4表面が保護膜3表面よりも高く、ボンディングパッド電極部4と保護膜3との接続部においてボンディングパッド電極部4の表面はテーパー状となっている。このため、図5bに示すように、図1の場合と比べて、ボンディングパッド電極部4にボール6aが先に接触することにより、ボンディングパッド電極部の材料が外側に押し広げられることによってキャピラリ7から受ける応力が緩和し、ボンディングパッド電極部4へのダメージが減少する。図4cに示す例では、ボンディングパッド電極部4表面と保護膜3表面とはほぼ同じ高さであるが、図2dの場合と異なり、ボンディングパッド電極部4と保護膜3との接続部においてボンディングパッド電極部4の表面はテーパー状となっている。このため、図5cに示すように、ボンディングパッド電極部4にボール6aが先に接触することにより、ボンディングパッド電極部の材料が外側に押し広げられることによってキャピラリ7から受ける応力が緩和し、ボンディングパッド電極部4へのダメージが減少する。図4dに示す例では、図4aの例と同様に、ボンディングパッド電極部4表面が保護膜3表面よりも低くなっているが、ボンディングパッド電極部4と保護膜との接続部を含めた、ボンディングパッド電極部の表面全体は平坦となっている。このため、図5dに示すように、図1の場合と比べて、キャピラリ7からの応力を保護膜3でのみ受けるので、ボンディングパッド電極部4へのダメージが無く、ボンディングパッド電極部4の膜厚の減少も無くなる。このように、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法によれば、ワイヤボンディング時にボンディングパッドに大きな初期荷重がかかっても、その衝撃を吸収できるボンディングパッド構造にすることができる。そのため、局所的にボンディングパッド電極部4の膜厚が薄くなることを防ぐことができ、そこを起点としたボンディングワイヤ6のワイヤ外れを抑制できる。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について、第1の実施形態と異なる点について図面を参照して説明する。図2a~cと同じ工程を経て、図6に示すようにボンディングパッド電極部4を形成する。本実施形態のボンディングパッド電極部4は保護膜3を覆うようにして形成することを特徴としており、保護膜3上のボンディングパッド電極部4の表面は平坦であってもよいし、凹凸形状であってもよい。続いて、図7aに示すように、ボンディングパッド電極部4が露出されるように第2の絶縁膜5を形成しボンディングパッドは完成する。図7a~cは、本実施形態の半導体装置のボンディングパッドの他の構成例を示す断面図、図8a~cは、図7a~cのそれぞれに対応したボンディング接合部の断面図である。なお、図8a~図8dにおいては、キャピラリ7を残して記載してあるが、最終的に完成する製品にキャピラリ7は存在しないことは言うまでもない。図7aに示す例では、保護膜3を被覆するボンディングパッド電極部4の表面が平坦となっている。このため、図8aに示すように、図1の場合と比べて、ボンディングボール6aとボンディングパッド電極部4との接触面積が増加し、ボンディングボール6aとボンディングパッド電極部4との密着性がより高くなる。図7bに示す例では、保護膜3を被覆するボンディングパッド電極部4の表面が保護層3の上で段差状に突出している。このため、図8bに示すように、図8aの場合と比べてボンディングボール6aとボンディングパッド電極部4との接触面積がさらに増加し、ボンディングボール6aとボンディングパッド電極部4との密着性がより高くなる。なお、保護膜3の内側に位置するボンディングパッド電極部4は、ボンディングボール6aに接触後押し広げられるため、図8bのように、緩やかな傾斜を有する形状となる。図7cに示す例では、保護膜3を被覆するボンディングパッド電極部4の表面が保護層3の上でテーパー状に突出している。このため、図8cに示すように、図8aの場合と比べてボンディングボール6aとボンディングパッド電極部4との接触面積がさらに増加し、ボンディングボール6aとボンディングパッド電極部4との密着性がより高くなる。このように、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法によれば、キャピラリ7からの応力が集中するキャピラリ7のエッジ部の下面に保護膜3を形成し、さらに保護膜3上にもボンディングパッド電極部4を形成することで、ボンディング時にボンディングパッドへのダメージが回避できる。そのため、第1の実施形態よりも、よりダメージを吸収することができる構造となり、ボンディングパッド電極部の膜厚が局所的に減少し、そこを起点としたワイヤ外れを抑制できる。第3の実施形態次に、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について、第1の実施形態と異なる点について図面を参照して説明する。図2aに示すように、半導体基板1の上に配線層2が従来の技術と同様の方法を用いて形成される。次に、図9aに示すように、キャピラリ7のエッジ部に対応する位置に円筒状の凸部8を有するボンディングパッド電極部4を形成する。言い換えれば、ボンディングパッド電極部4とボンディングワイヤ6との接続部の外端部の直下に、凸部8を配置する。図9bは、本実施形態の半導体装置のボンディングパッドの平面図である。凸部8はボンディングパッド電極部4と同一物質であることが望ましく、導電性物質であることが望ましい。ただし、異なっていても構わない。続いて、図10aに示すように、ボンディングパッド電極部4を露出させるように第2の絶縁膜5を形成しボンディングパッドは完成する。図10a、bは、本実施形態の半導体装置のボンディングパッドの構成例を示す断面図、図11a、bは、図10a、bのそれぞれに対応したボンディング接合部の断面図である。なお、図11a、図11bにおいては、キャピラリ7を残して記載してあるが、最終的に完成する製品にキャピラリ7は存在しないことは言うまでもない。図10aに示す例では、円筒状の凸部8の側面は段差形状となっている。このため、図11aに示すように、図1の場合と比べて保護層3を形成しないので製造方法が簡単なため製造コストが低くなる。なお、保護膜3の内側に位置するボンディングパッド電極部4は、ボンディングボール6aに接触後押し広げられるため、図11aのように、緩やかな傾斜を有する形状となる。また、図10bに示す例では、円筒状の凸部8の側面はテーパー状となっている。このため、図10bに示すように、図10aの場合と比べてボンディングボール6aとボンディングパッド電極部4との接触面積がさらに増加し、ボンディングボール6aとボンディングパッド電極部4との密着性がより高くなる。このように、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法によれば、キャピラリ7からの応力が集中するエッジ部の下面に円筒状の凸部8を有するボンディングパッド電極部4を形成することで、ワイヤボンディング時のボンディングパッドへのダメージが回避できる。そのため、ボンディングパッド電極部4の膜厚が局所的に減少し、そこを起点としたワイヤ外れを抑制できる。第4の実施形態次に、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について、第1の実施形態と異なる点について図面を参照して説明する。図2aに示すように、半導体基板1の上に配線層2が従来の技術と同様の方法を用いて形成される。次に図12aに示すように、絶縁膜2の上に、内部に円柱状の空洞部を有する保護膜3を形成する。図12bは、本実施形態のボンディングパッドの平面図である。次に、図13aに示すように、保護膜3の空洞部にボンディングパッド電極部4を形成する。ボンディングパッド電極部4表面は保護膜3表面と同じ高さでもよく、保護膜3表面よりも高くても、低くてもよい。また、ボンディングパッド電極部4は保護膜3との接続部において、その表面がテーパー状になっていてもよい。図13a~dは、本実施形態に係る半導体装置のボンディングパッドの構成例を示す断面図、図14a~dは、図13a~dのそれぞれに対応したボンディング接合部の断面図である。なお、図14a~dにおいては、キャピラリ7を残して記載してあるが、最終的に完成する製品にキャピラリ7は存在しないことは言うまでもない。図13aに示す例では、ボンディングパッド電極部4表面と保護膜3表面とがほぼ同じ高さである。このため、図14aに示すように、図1の場合と比べて、ボンディングパッド面積が減少し、パッドサイズの縮小化が図れる。図13bに示す例では、ボンディングパッド電極部4表面が保護膜3表面よりも低く、ボンディングパッド電極部4と保護膜3との接続部を含めた、ボンディングパッド電極部4の表面全体が平坦となっている。このため、図14bに示すように、図14aの場合と比べて、キャピラリ7からの応力を保護膜3のみで受けるのでボンディングパッド電極4のダメージが無く、ボンディングパッド電極部4の膜厚の減少も無くなる。図13cに示す例では、ボンディングパッド電極部4表面が保護膜3表面よりも低く、ボンディングパッド電極部4と保護層3との接続部においてボンディングパッド電極部4の表面がテーパー状となっている。このため、図14cに示すように、図14aの場合と比べてボンディングボール6aとボンディングパッド電極部4との接触面積が増加し、ボンディングボール6aとボンディングパッド電極部4との密着性が高くなる。図13dに示す例では、ボンディングパッド電極部4表面が保護膜3表面よりも高く、ボンディングパッド電極部4と保護層3との接続部においてボンディングパッド電極部4の表面がテーパー状となっている。このため、図14dに示すように、図14aの場合と比べてボンディングパッド電極部4にボール6aが先に接触することにより、ボンディングパッド電極部の材料が外側に押し広げられることによってキャピラリ7から受ける応力が緩和し、ボンディングパッド電極部4へのダメージが減少する。このように、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法によれば、キャピラリ7からの応力が集中するエッジ部の下面に保護膜3を形成しワイヤボンディングすることによってボンディングパッド電極部へのダメージが回避できる。そのため、ボンディングパッド電極部の膜厚が局所的に減少し、そこを起点としたワイヤ外れは抑制できる。さらに、ボンディングパッド電極部4は保護膜3の内側に配置されているため、ボンディング領域を小さくでき、ボンディングパッドサイズの縮小化が図れる。その結果、ボンディングパッドのピッチの縮小化や半導体パッケージサイズの縮小化を実現できる。以上で説明したとおり、本発明の半導体装置およびその製造方法によれば、キャピラリからの応力集中部であるキャピラリエッジ部直下すなわち、ボンディングワイヤにおける、ボンディングパッド電極部とボンディングワイヤとの接続部の外端部の直下のボンディングパッド電極部に保護膜又は凸部を設け、その保護膜又は凸部により応力を吸収する。これにより、ボンディングパッド電極部へのダメージを軽減し、ボンディングワイヤ下面のボンディングパッド電極部の膜厚を確保し、局所的にボンディングパッド電極部の膜厚が減ることを防止できるので、ボンディングワイヤのワイヤ外れの不良を低減できる。その結果、ボンディングプロセスマージンの拡大による高歩留まり化や、材料選択の拡大による低コスト化が実現できる。さらには、ボンディング時のダメージが軽減できることによってボンディングパッド下に配線を引き回せるため、高密度配線が可能となり、小型かつ安価な半導体製品が実現できる。つまり、ボンディングパッド直下に配線がある構造において、本発明は特に有効となる。なお、ボンディングパッド電極部4は、ボンディングワイヤ6よりも硬度が低い方が好ましい。このような材料のとき、本発明は特に有効となる。このような材料だと、キャピラリエッジ部直下における応力集中への対策が特に必要になってくるからである。また、その観点でさらに言うなら、ボンディングパッド電極部4は、アルミニウムから構成され、ボンディングワイヤ6は銅から構成されていることが好ましい。