絶縁基板の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層がろう付された電子素子搭載用基板であって、前記アルミニウム回路層は、側面の周方向の少なくとも一部に、絶縁基板との接合面が外方に延長されたせり出し部を有することを特徴とする電子素子搭載用基板。絶縁基板の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層がろう付され、他方の面にアルミニウム層がろう付された電子素子搭載用基板であって、前記アルミニウム回路層およびアルミニウム層の少なくとも一方は、その側面の周方向の少なくとも一部に、絶縁基板との接合面が外方に延長されたせり出し部を有することを特徴とする電子素子搭載用基板。前記せり出し部のアルミニウム回路層の側面からの突出長さLが20μm以上である請求項1または2に記載の電子素子搭載用基板。前記せり出し部の絶縁基板側の面と電子素子側の面とが鋭角をなす請求項1~3のいずれかに記載の電子素子搭載用基板。前記せり出し部の電子素子側の面が曲面である請求項1~3のいずれかに記載の電子素子搭載用基板。前記せり出し部がアルミニウム回路層の角部に形成されている請求項1~5のいずれかに記載の電子素子搭載用基板。前記せり出し部がアルミニウム回路層の辺部に形成されている請求項1~6のいずれかに記載の電子素子搭載用基板。請求項1または請求項2に記載の電子素子搭載基板に用いるアルミニウム回路層の製造方法であって、アルミニウム板をアルミニウム回路層の平面形状に打ち抜く際にバリを発生させ、発生させたバリを曲げてせり出し部を形成することを特徴とするアルミニウム回路層の製造方法。請求項2に記載の電子素子搭載基板に用いるアルミニウム層の製造方法であって、アルミニウム板をアルミニウム層の平面形状に打ち抜く際にバリを発生させ、発生させたバリを曲げてせり出し部を形成することを特徴とするアルミニウム層の製造方法。請求項2に記載の電子素子搭載用基板のアルミニウム層が応力緩和材であり、この応力緩和材にヒートシンクが接合されていることを特徴とする放熱装置。上述したように、電子素子搭載用基板において絶縁基板の両面には軟質の高純度アルミニウムがろう付される。アルミニウム回路層および応力緩和材は電子素子から発生する熱の排熱経路となることから、これらと絶縁基板との接合面はろう材不足による接合不良は避けなければならない。しかしその一方で、接合面の周縁部に至るまで確実にろう付するために十分な量のろう材を供給すると余剰のろう材が生じることも避け難く、図8に示すように、アルミニウム回路層100と絶縁基板11の接合面からはみ出した余剰ろう材101がアルミニウム回路層100または応力緩和材の側面からしみ上がり、絶縁基板11との接合面と反対の面にまで達することがある。金属回路層の反対面は電子素子をはんだ付する面であり、このはんだ付面に硬いろう材が付着していると冷熱サイクルにおいて硬質部分に応力が集中してはんだ層の母材破断や剥離が発生しやすくなるおそれがある。本発明は上述した背景技術に鑑み、絶縁基板とアルミニウム回路層との間のろう材、絶縁基板とアルミニウム層との間のろう材が反対面にしみ上がらない構造の電子素子搭載用基板の提供を目的とする。即ち、本発明は下記[1]~[10]に記載の構成を有する。[1]絶縁基板の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層がろう付された電子素子搭載用基板であって、前記アルミニウム回路層は、側面の周方向の少なくとも一部に、絶縁基板との接合面が外方に延長されたせり出し部を有することを特徴とする電子素子搭載用基板。[2]絶縁基板の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層がろう付され、他方の面にアルミニウム層がろう付された電子素子搭載用基板であって、前記アルミニウム回路層およびアルミニウム層の少なくとも一方は、その側面の周方向の少なくとも一部に、絶縁基板との接合面が外方に延長されたせり出し部を有することを特徴とする電子素子搭載用基板。[3]前記せり出し部のアルミニウム回路層の側面からの突出長さLが20μm以上である前項1または2に記載の電子素子搭載用基板。[4]前記せり出し部の絶縁基板側の面と電子素子側の面とが鋭角をなす前項1~3のいずれかに記載の電子素子搭載用基板。[5]前記せり出し部の電子素子側の面が曲面である前項1~3のいずれかに記載の電子素子搭載用基板。[6]前記せり出し部がアルミニウム回路層の角部に形成されている前項1~5のいずれかに記載の電子素子搭載用基板。[7]前記せり出し部がアルミニウム回路層の辺部に形成されている前項1~6のいずれかに記載の電子素子搭載用基板。[8]前項1または前項2に記載の電子素子搭載基板に用いるアルミニウム回路層の製造方法であって、アルミニウム板をアルミニウム回路層の平面形状に打ち抜く際にバリを発生させ、発生させたバリを曲げてせり出し部を形成することを特徴とするアルミニウム回路層の製造方法。[9]前項2に記載の電子素子搭載基板に用いるアルミニウム層の製造方法であって、アルミニウム板をアルミニウム層の平面形状に打ち抜く際にバリを発生させ、発生させたバリを曲げてせり出し部を形成することを特徴とするアルミニウム層の製造方法。[10]前項2に記載の電子素子搭載用基板のアルミニウム層が応力緩和材であり、この応力緩和材にヒートシンクが接合されていることを特徴とする放熱装置。上記[1]に記載の電子素子搭載用基板によれば、絶縁基板とアルミニウム回路層の接合界面からはみ出したろう材がせり出し部の電子素子側の面からしみ上がってせり出し部上の空間に溜まるので、アルミニウム回路層の電子素子搭載面へのろう材のしみ上がりを防ぐことができる。このため、冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面に発生する応力を緩和することができる。また、絶縁基板とアルミニウム回路層の接合面の周縁部においては絶縁基板と厚みの薄いせり出し部との接合であるから、周縁部への応力集中が回避されるとともに高い接合強度が得られる。上記[2]に記載の電子素子搭載用基板によれば、せり出し部を有するアルミニウム回路層と絶縁基板との接合部およびせり出し部を有するアルミニウム層と絶縁基板との接合部において、接合界面からはみ出したろう材がせり出し部上の空間に溜まるので、アルミニウム回路層の電子素子搭載面へのろう材のしみ上がりを防ぐことができる。このため、冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面に発生する応力を緩和することができる。また、絶縁基板とアルミニウム回路層、および絶縁基板とアルミニウム層の接合面の周縁部においては、絶縁基板と厚みの薄いせり出し部との接合であるから、周縁部への応力集中が回避されるとともに高い接合強度が得られる。上記[3]に記載の電子素子搭載用基板によれば、せり出し部上に十分な量のろう材を溜めてしみ上がりを確実に防止できる。上記[4]に記載の電子素子搭載用基板によれば、ろう材がせり出し部上にしみ上がり易い。上記[5]に記載の電子素子搭載用基板によれば、より多くのろう材をせり出し部上に溜めることができる。上記[6]に記載の電子素子搭載用基板によれば、冷熱サイクルにおいて応力が大きくなる角部において応力を緩和することができる。上記[7]に記載の電子素子搭載用基板によれば、ろう材が辺部を流れてより多くのろう材をせり出し部上に溜めることができる。上記[8]に記載のアルミニウム回路層の製造方法によれば、せり出し部を有するアルミニウム回路層を簡単な工程で製造できる。上記[9]に記載のアルミニウム層の製造方法によれば、せり出し部を有するアルミニウム層を簡単な工程で製造できる。上記[10]に記載の放熱装置によれば、せり出し部を有するアルミニウム回路層と絶縁基板との接合部およびせり出し部を有するアルミニウム層と絶縁基板との接合部において、接合界面からはみ出したろう材がせり出し部上の空間に溜まるので、アルミニウム回路層の電子素子搭載面へのろう材のしみ上がり、およびアルミニウム層の反対面絶縁基板との接合面とは反対の面へのろう材のしみ上がりを防ぐことができる。このため、冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面に発生する応力、およびアルミニウム層の反対面に発生する応力を緩和することができる。また、絶縁基板とアルミニウム回路層、および絶縁基板とアルミニウム層の接合面の周縁部においては、絶縁基板と厚みの薄いせり出し部との接合であるから、周縁部への応力集中が回避されるとともに高い接合強度が得られる。図1は本発明の電子素子搭載用基板の一実施形態と、この電子素子搭載用基板を用いて作製する放熱装置の仮組物を、構成部材が積層する方向で切断した断面で示している。以下の説明において、構成部材が積層する方向を縦または縦方向、縦方向の断面を縦断面と称する。電子素子搭載用基板1は、絶縁基板11と、この絶縁基板11の一方の面に重ねられた電子素子搭載用のアルミニウム回路層12と、他方の面に重ねられた応力緩和材13とにより構成されている。図1の仮組物においては、前記絶縁基板11とアルミニウム回路層12との間、およびアルミニウム回路層12と応力緩和材13との間にこれらを接合するためのろう材箔1415が配置されている。放熱装置2の仮組物は、前記電子素子搭載用基板1の絶縁基板11の応力緩和材13側に複数の中空部を有するチューブ型のヒートシンク16を重ねたものであり、応力緩和材13とヒートシンク16との間には接合用のろう材箔17が配置されている。前記放熱装置2は前記仮組物を一括してろう付加熱され、その後アルミニウム回路層12上に電子素子が搭載されてはんだ付される。ろう付後の放熱装置2において、アルミニウム回路層12がろう付された絶縁基板11とヒートシンク16とは応力緩和材13を介して熱的に結合され、電子素子18が発する熱はヒートシンク16に排熱される。前記電子素子搭載用基板1および放熱装置2を構成する各層の好ましい材料は以下のとおりである。絶縁基板11を構成する材料としては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、炭化ケイ素等のセラミックを例示できる。これらのセラミックは電気絶縁性が優れていることはもとより、熱伝導性が良く放熱性が優れている点で推奨できる。回路層12はアルミニウムであり、導電性が高くかつ絶縁基板11とろう付またははんだ付が可能なアルミニウムを用いることが好ましく、特に高純度アルミニウムを推奨できる。応力緩和材13は本発明の電子素子搭載用基板におけるアルミニウム層に対応するものである。応力緩和材13は剛性の高いセラミック製の絶縁基板11とヒートシンク16との接合界面に発生する熱応力を緩和するための層であるから、軟質の金属を用いることが好ましく、特に高純度アルミニウムが好ましい。また、図1に示した応力緩和材13は応力吸収空間として複数の円形貫通穴を有するパンチングメタルである。ヒートシンク16を構成する金属は、軽量性、強度維持、成形性、耐食性に優れた材料を用いることが好ましく、これらの特性を有するものとしてAl-Mn系合金等のアルミニウム合金を推奨できる。ヒートシンク16は応力緩和材13側の外面がフラットであれば応力緩和材13と広い面積でろう付して高い放熱性能が得られるので、応力緩和材13側の面以外の外部形状や内部形状は問わない。ヒートシンクの他の形状として、平板、平板の他方の面にフィンをろう付したヒートシンク、平板の他方の面にフィンを立設したヒートシンク、中空部内にフィンを設けたチューブ型ヒートシンク等を例示できる。前記ろう材箔141517の材料は限定されないが、上述した回路層12、絶縁基板11、応力緩和材13、ヒートシンク16の材料の接合に好適なろう材としてAl-Si系合金、Al-Si-Mg系合金を推奨できる。[せり出し部]前記アルミニウム回路層12は、側面12aの絶縁基板側の全周に外方に突出するせり出し部20を有している。前記せり出し部20は縦断面三角形であって、絶縁基板側の面21aは絶縁基板11に平行で絶縁基板11にろう付される面であり、電子素子側の面21bは前記絶縁基板側の面21aと鋭角をなす面である。前記せり出し部20によってアルミニウム回路層12の側面12aの周りに空間22が形成される。前記電子素子搭載用基板1および放熱装置2は、アルミニウム回路層12、ろう材箔14、絶縁基板11、ろう材箔15、応力緩和材13、ろう材箔17、ヒートシンク13の順に重ねて仮組し、この仮組物を加熱し、これらの部材を一括してろう付することによって作製する。図2に示すように、絶縁基板11とアルミニウム回路層12のろう付部において、これらの間に配置したろう材箔14が溶融して接合界面からはみ出すと、溶融したろう14aはアルミニウム回路層12のせり出し部20の電子素子側の面21bからしみ上がって側面12aの周りのせり出し部20上の空間22に溜まる。接合界面からはみ出したろう材量に見合う空間22を設けることによって、ろう材のアルミニウム回路層12の電子素子搭載面12bへのしみ上がりを防ぎ、ひいては冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層12の電子素子搭載面12bに発生する応力を緩和することができる。また、絶縁基板11とアルミニウム回路層12の接合面の周縁部においては絶縁基板11と厚みの薄いせり出し部20との接合であるから、周縁部への応力集中が回避されるとともに高い接合強度が得られる。また、前記せり出し部20は絶縁基板側の面21aと電子素子側の面21bとが鋭角に形成され、かつ先端部が尖っているため、接合界面からはみ出したろう材14aが電子素子側の面21b上にしみ上がり易く、ろう材14aを空間22に溜めやすい。なお、本発明はせり出し部を上述した形状に限定するものではなく、接合界面からはみ出したろう材を空間に導きやすい形状として、絶縁基板側の面と電子素子側の面とが鋭角に形成された形状を推奨できる。せり出し部の他の形状として図3および図4に示したものを例示できる。図3のアルミニウム回路層35のせり出し部30は、絶縁基板側の面31aが絶縁基板11に平行であり、電子素子側の面31bが曲面で形成されたものである。このように曲面は多くのろう材を溜めることができるので、電子素子搭載面へのしみ上がり防止効果が大きい。図4のアルミニウム回路層36のせり出し部32は、図1のせり出し部20と同様に、絶縁基板側の面33aと電子素子側の面33bとが鋭角をなしているが、先端部33cが尖らずに絶縁基板側の面33aから直角に立ち上がっている。また、図1に参照されるように、前記せり出し部20において、アルミニウム回路層12の側面12aからの突出長さLは20μm以上に設定することが好ましい。突出長さLが20μm未満では溜めることができるろう材量が少なく、電子素子搭載面12bへのろう材のしみ上がりを防止する効果が少ないからである。特に好ましい突出長さLは30μm~1mmである。また、前記せり出し部20の積層方向における厚みTは最も厚い部分で10μm~400μmが好ましく、特に20μm~200μmが好ましい。本発明において、せり出し部はアルミニウム回路層の全周に形成されていることには限定されず、周方向の一部にせり出し部が形成されているものは本発明に含まれる。周方向の一部にせり出し部を形成する場合は、アルミニウム回路層の角部または辺部にのみ形成することが好ましい。図5はアルミニウム回路層40の角部にせり出し部41を設けた例である。冷熱サイクルにおいてろう材とアルミニウム回路層との線膨張係数の差によって生じる応力が角部で大きくなることから、角部にせり出し部41を設けることによって角部に生じる応力を緩和することができる。また、図6はアルミニウム回路層42の辺部にせり出し部43を設けた例である。溶融したろう材が辺部を流れることから、辺部にせり出し部43を設けることによってより多くのろう材を辺部に溜めて電子素子搭載面へのしみ上がりを防止することができる。図1の電子素子搭載用基板1は絶縁基板11の一方の面にアルミニウム回路層12を積層し他方の面にアルミニウム層としての応力緩和材13を積層したものであり、アルミニウム回路層12にのみせり出し部20を形成したものであるが、応力緩和材13の側面にもせり出し部を形成することが好ましい。応力緩和材13のせり出し部を形成することによって応力を緩和することができる。また、アルミニウム回路層12にせり出し部を形成せず、応力緩和材13にのみせり出し部を形成した電子素子搭載用基板も本発明に含まれる。前記絶縁基板11の他方の面にろう付するアルミニウム層は応力緩和材に限定されず、ヒートシンク等のアルミニウム層をろう付する電子素子搭載用基板も本発明に含まれる。さらに、絶縁基板にせり出し部を有するアルミニウム回路層のみをろう付するものとし、他方の面にはアルミニウム層が存在しない電子素子搭載用基板も本発明に含まれる。前記アルミニウム回路層およびせり出し部の形成方法は限定されない。せり出し部を有するアルミニウム回路層を簡単な工程で形成する方法として、アルミニウム板を金型で打ち抜いて所要の平面形状のアルミニウム回路層またはアルミニウム層を得る際に周囲にバリを発生させ、そのバリをせり出し部として利用する方法がある。図7は、バリ25を発生させて打ち抜いたアルミニウム回路層12である。このようなバリ25を発生させた状態に打ち抜いた後、絶縁基板側の面からバリ25をたたき加工等によってアルミニウム回路層12の側面12aから突出するように曲げることによってせり出し部20に形成する。また、アルミニウム回路層の周方向の一部にのみせり出し部を形成する場合は、所要部分にのみバリを発生させるか、不要部分のバリを切除すれば良い。また、せり出し部20の突出長さLは、バリ25を曲げる前または曲げた後に切り整えることによって所望の寸法に調節できる。せり出し部のその他の形成方法として、切削加工、面取り加工、面打ち加工を例示できる。また、絶縁基板11の他方の面にろう付するアルミニウム層、例えば前記応力緩和材13にせり出し部を形成する場合も同じ方法でせり出し部を形成することができる。図1に参照される積層構造の電子素子搭載用基板1を含む放熱装置2を、アルミニウム回路層のせり出し部の形状と位置を変えて作製した。積層した部材は、積層順に、アルミニウム回路層、ろう材箔14、絶縁基板11、ろう材箔15、応力緩和材13、ろう材箔17、ヒートシンク16である。各例のアルミニウム回路層は99.99以上の高純度アルミニウムからなる28mm×28mm×厚さ0.6mmの平板であることが共通であり、せり出し部の有無、形状および位置が異なる。アルミニウム回路層を除く部材は各例で共通のものを用いた。絶縁基板11は窒化アルミニウムからなる30mm×30mm×厚さ0.6mmの平板である。応力緩和材13は、99.99以上の高純度アルミニウムからなり、28mm×28mm×厚さ1.6mmの平板に切削加工を施して直径2mmの円形の12個の貫通穴を形成したものである。ヒートシンク16はAl-1質量Mn合金からなる扁平多穴チューブである。ろう材箔141517は厚さ30μmのAl-10質量Si-1質量Mg合金箔である。[実施例1~3]側面の全周にせり出し部を有するアルミニウム回路層を用いた。実施例1で用いたアルミニウム回路層12は、絶縁基板側の面21aと電子素子側の面21bとが鋭角に形成され、かつ先端部が尖ったせり出し部20を有している図1参照。実施例2で用いたアルミニウム回路層35は電子素子側の面31bが曲面で形成されたせり出し部30を有している図3参照を用いた。実施例3で用いたアルミニウム回路層36は、絶縁基板側の面33aと電子素子側の面33bとが鋭角をなし、先端部33cが絶縁基板側の面33aから直角に立ち上がったせり出し部32を有している図4参照を用いた。[実施例4]図5に示すように、4つの角部にせり出し部41を有するアルミニウム回路層40を用いた。せり出し部41の縦断面形状は実施例1と同じである。[実施例5]図6に示すように、4つの辺部にせり出し部43を有するアルミニウム回路層42を用いた。せり出し部43の縦断面形状は実施例1と同じである。実施例1~5のせり出し部の突出長さLおよび厚みTは表1に示すとおりである。[比較例]図8に示すように、せり出し部のないアルミニウム回路層100を用いた。[ろう付]実施例1~5および比較例の仮組物を7×10-4Paの真空中で600°C×20分で真空ろう付した。ろう付した放熱装置について、アルミニウム回路層の電子搭載面へのろう材のしみ上がりの有無を観察するとともに、冷熱サイクルにおける耐久性を下記の方法で試験にて評価した。評価結果を表1に示す。[冷熱耐久性試験]冷熱サイクル試験125°C⇔-40°Cを2000サイクル行い、絶縁基板11AlNとアルミニウム回路層Alの接合界面の接合面積を超音波探傷機により測定し、剥離のあった部分の面積割合を測定して評価した。AlNに割れが発生もしくはAlN/Al接合界面での剥離が接合面積に対して5以上剥離したものを△、3以上5未満のものを○、3未満のものを◎とした。表1に示したように、アルミニウム回路層にせり出し部を設けることで電子搭載面のろう材のしみ上がりを防止できるとともに、冷熱サイクルにおける耐久性を向上させることができることを確認した。