比抵抗が1×108Ωcm~8×108Ωcmかつ炭素濃度が5×1015cm3~1×1016cm3のGaAs結晶をスライスして得られた、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきが10未満であるGaAs結晶基板。結晶主面に平行な面内におけるキャリア移動度のばらつきが10未満であるとなる請求項1に記載のGaAs結晶基板。前記GaAs結晶は、縦型ブリッジマン法および縦型温度傾斜法のいずれかにより成長させた後、800°C~1000°Cで10時間~50時間の熱処理をしたものである請求項1または請求項2に記載のGaAs結晶基板。前記熱処理の時間が20時間~50時間である請求項3に記載のGaAs結晶基板。前記縦型ブリッジマン法および前記縦型温度傾斜法のいずれかにおける前記GaAs結晶の成長条件は、融液側の温度勾配が1~2°C/cmであり、結晶側の温度勾配が5~6°C/cmである請求項3または請求項4に記載のGaAs結晶基板。前記熱処理は、不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行なう請求項3から請求項5のいずれかに記載のGaAs結晶基板。上記状況に鑑みて、本発明は、比抵抗が1×108Ωcm~8×108Ωcmのような高い比抵抗を有し、結晶主面に平行な面内における比抵抗値および/またはキャリア移動度のばらつきが低減されたGaAs結晶基板を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明は、比抵抗が1×108Ωcm~8×108Ωcmかつ炭素濃度が5×1015cm3~1×1016cm3のGaAs結晶をスライスして得られた、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきが10未満であるGaAs結晶基板である。ここで、比抵抗のばらつきとは、比抵抗の平均値に対する標準偏差の百分率100×標準偏差/平均値をいう。本発明にかかるGaAs結晶基板において、結晶主面に平行な面内におけるキャリア移動度のばらつきを10未満とすることができる。ここで、キャリア移動度のばらつきとは、キャリア移動度の平均値に対する標準偏差の百分率100×標準偏差/平均値をいう。さらに、本発明にかかるGaAs結晶基板において、GaAs結晶は、縦型ブリッジマン法および縦型温度傾斜法のいずれかにより成長させた後、800°C~1000°Cで10時間~50時間の熱処理をしたものとすることができる。また、熱処理の時間を20時間~50時間とすることができる。また、縦型ブリッジマン法および縦型温度傾斜法のいずれかにおけるGaAs結晶の成長条件は、融液側の温度勾配を1~2°C/cmとし、結晶側の温度勾配が5~6°C/cmとすることができる。また、熱処理は不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行なうことができる。上記のように、本発明によれば、比抵抗が1×108Ωcm~8×108Ωcmのような高い比抵抗を有し、結晶主面に平行な面内における比抵抗値および/またはキャリア移動度のばらつきが低減されたGaAs結晶基板を提供できる。本発明にかかるGaAs結晶の熱処理方法は、比抵抗が1×108Ωcm~8×108ΩcmのGaAs結晶を800°C~1000°Cで、10時間~50時間熱処理する方法である。かかる条件の熱処理を施すことにより、比抵抗の高いGaAs結晶の結晶主面に平行な面内における比抵抗および/またはキャリア移動度のばらつきを低減することができる。ここで、比抵抗が1×108Ωcm~8×108ΩcmのGaAs結晶は、その製造方法には特に制限はないが、以下の方法により得ることができる。たとえば、特開平10-36197号公報にも開示されているように、縦型ブリッジマン法VerticalBridgmanmethod;以下、VB法という、縦型温度傾斜法VerticalGradientFreezemethod;以下、VGF法というなどの結晶成長方法において、結晶成長容器内に種結晶、GaAs原料および封止剤としての酸化ホウ素とともにドーパント原料として所定量のカーボンを収納し、炭素原子を含むGaAs融液を種結晶に接触させて形成し、このGaAs融液から種結晶上に炭素原子をドーパントとして含むGaAs結晶を成長させる。ここで、炭素原子はアクセプターキャリアとして働き、GaAs結晶内のドナーキャリア濃度たとえば、EL2濃度を低減するため、炭素原子をドーピングすることによりGaAs結晶の比抵抗を高めることができる。上記方法においては、ドーパント原料としてカーボンをGaAs原料に添加することによって、多量の炭素原子をGaAs結晶にドーピングすることができ、1×108Ωcm~8×108Ωcmの高い比抵抗を有するGaAs結晶の製造が可能となる。上記のようにして得られた比抵抗が1×108Ωcm~8×108ΩcmのGaAs結晶を、800°C~1000°Cで、10時間~50時間熱処理する。熱処理温度が800°C未満であると比抵抗のばらつきの低減は小さく、処理温度が1000°Cを超えるとEL2濃度などのドナーキャリア濃度が変動する。また、処理時間が10時間未満であると比抵抗のばらつきの低減は小さく、処理時間が50時間を超えても比抵抗のばらつきの低減は進まない。本発明にかかるGaAs結晶の熱処理方法において、熱処理を行なう雰囲気には特に制限はないが、不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行なうことが好ましい。不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行なうことにより、GaAs結晶の酸化劣化を低減することができる。ここで、不活性ガス雰囲気下における不活性ガスは、GaAs結晶と反応しないガスであれば特に制限はないが、N2ガス、Arガスなどが好ましく用いられる。また、減圧雰囲気下における減圧度は、特に制限はないが、102Pa~104Paが好ましく用いられる。本発明にかかるGaAs結晶の熱処理に用いられるGaAs結晶は、その炭素濃度が5×1015cm3~1×1016cm3であることが好ましい。GaAs結晶に炭素原子をドーピングして、GaAs結晶の炭素濃度を5×1015cm3~1×1016cm3とすることにより、容易にGaAs結晶の比抵抗を1×108Ωcm~8×108Ωcmとすることができる。また、このときGaAs結晶のEL2濃度は、1.0×1016cm3~1.5×1016cm3となる。本発明にかかる熱処理を行なうことにより、熱処理後のGaAs結晶の結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきは10未満となる。ここで、GaAs結晶の結晶主面とは、結晶における最大面をいい、基板または電子デバイスに用いられる際の基板の主面または電子デバイスの主面となる。また、本発明にかかる熱処理を行なうことにより、熱処理後のGaAs結晶の結晶主面に平行な面内におけるキャリア移動度のばらつきは10未満となる。ここで、キャリア移動度μは、GaAs結晶の主面に垂直の方向に電界Eをかけたときのキャリア速度Vとすると、μ=V/E単位:cm2V1sec1で与えられる。ここで、キャリアとは電気伝導に関わる電子および正孔をいう。本発明に用いられるGaAs結晶においては、比抵抗とキャリア移動度とには大きな相関関係があって、比抵抗が1×108Ωcm~8×108Ωcmのとき、キャリア移動度は1×103cm2V1sec1~7×103cm2V1sec1となる。また、本発明にかかる熱処理によって、比抵抗のばらつきが低減するとともに、キャリア移動度のばらつきも低減する。上記のように、本発明にかかるGaAs結晶の熱処理により、比抵抗のばらつきおよびキャリア移動度のばらつきが低減したGaAs結晶基板が得られる。さらに、このGaAs結晶基板を用いた電子デバイスのデバイス特性のばらつきが低減し、電子デバイスの歩留まりが向上する。また、上記GaAs結晶基板を電子デバイスの基板などの用いる場合には、結晶のひずみの除去などのためにRTARapidThermalAnnealingなどの熱処理を行なう場合があり、GaAs結晶基板上に半導体層を形成させるためにMBEMolecularBeamEpitaxy法、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法、VPEVaporPhaseEpitaxy法などを適用する場合がある。このような場合には、熱処理されたGaAs結晶が、その後のRTA、MBEなどにおいて、さらに熱処理されることになるが、本発明者は、RTA、MBEなどにおける熱処理温度および熱処理時間が、本発明にかかる熱処理の熱処理温度および熱処理時間に比べて低温度および短時間である限り、GaAs結晶の比抵抗およびキャリア移動度のばらつきは低く維持されることも確認した。したがって、本発明にかかる熱処理を行なったGaAs結晶に対して、RTAを行なう場合は窒素雰囲気下で700°C~900°C程度で1分間~5分間程度の条件とすることが好ましく、MBEを行なう場合は減圧雰囲気下で500°C~700°C程度で0.5時間~2時間程度の条件とすることが好ましい。以下の実施例および比較例に基づいて、本発明をさらに具体的に説明する。比較例1VB法により、以下のようにして比抵抗の高いGaAs結晶を作製した。すなわち、結晶成長容器として内径10.16cm4インチ×高さ20cmのpBNpyrolyticboronnitride製の坩堝を用いて、この坩堝に、GaAs種結晶と、GaAs多結晶体GaAs結晶原料と、カーボンドーパント原料とを収納した。次に、1240°C以上に加熱して、GaAs、C炭素原子およびAsを含む融液を、GaAs種結晶に接触するように形成した。次に、この融液と結晶GaAs種結晶または成長させるGaAs結晶との界面における結晶成長温度を1238°C、融液側の温度勾配を1~2°C/cm、結晶側の温度勾配を5~6°C/cmとして、GaAs単結晶を成長させた。結晶成長時間100時間で、直径10.16cm4インチ×高さ20cmのGaAs結晶が得られた。得られたGaAs結晶を厚さ600μmのGaAs結晶基板にスライスして、GaAs結晶の中央部のGaAs結晶基板の炭素原子濃度を荷電粒子放射化分析法により測定したところ8.0×1015cm3であり、EL2濃度を赤外光吸収法により測定したところ8.9×1015cm3であった。また、得られたGaAs結晶基板の面内において10mmピッチでそれぞれの位置における比抵抗をホール測定法により測定することにより、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきを算出した。上記比抵抗は平均値が5.5×108Ωcm、標準偏差が1.2×108Ωcmであり、比抵抗のばらつきは22であった。また、得られたGaAs結晶基板の面内において10mmピッチでそれぞれの位置におけるキャリア移動度をホール測定法により測定することにより、結晶主面に平行な面内におけるキャリア移動度のばらつきを算出した。上記キャリア移動度は平均値が3.4×103cm2V1sec1、標準偏差が7.6×102cm2V1sec1であり、キャリア移動度のばらつきは23であった。結果を表1にまとめた。実施例1比較例1で得られたGaAs結晶を、950°Cで20時間の熱処理本発明にかかる熱処理を行なった。熱処理後のGaAs結晶を厚さ600μmのGaAs結晶基板にスライスして、GaAs結晶の中央部のGaAs結晶基板を取り出した。得られたGaAs結晶基板の炭素原子濃度は8.0×1015cm3であり、EL2濃度は1.2×1016cm3であった。また、このGaAs結晶基板の面内において10mmピッチ毎の位置における比抵抗は、平均値が3.9×108Ωcm、標準偏差が2.9×107Ωcmであり、結晶基板主面内における比抵抗のばらつきは7であった。また、このGaAs結晶基板の面内において10mmピッチ毎の位置におけるキャリア移動度は、平均値が4.6×103cm2V1sec1、標準偏差が1.7×102cm2V1sec1であり、結晶基板主面内におけるキャリア移動度のばらつきは4であった。結果を表1にまとめた。比較例2比較例1で得られたGaAs結晶基板に、さらに、窒素雰囲気下、800°C、2分間の条件で、RTAを行なった。RTA後のGaAs結晶基板の炭素原子濃度は8.0×1015cm3であり、EL2濃度は1.2×1016cm3であった。また、このGaAs結晶基板の面内において10mmピッチ毎の位置における比抵抗は、平均値が4.4×108Ωcm、標準偏差が7.1×107Ωcmであり、結晶基板主面内における比抵抗のばらつきは16であった。また、このGaAs結晶基板の面内において10mmピッチ毎の位置におけるキャリア移動度は、平均値が2.2×103cm2V1sec1、標準偏差が9.4×102cm2V1sec1であり、結晶基板主面内におけるキャリア移動度のばらつきは43であった。結果を表1にまとめた。実施例2実施例1で得られたGaAs結晶基板に、さらに、窒素雰囲気下、800°C、2分間の条件で、RTAを行なった。RTA後のGaAs結晶基板の炭素原子濃度は8.0×1015cm3であり、EL2濃度は1.2×1016cm3であった。また、このGaAs結晶基板の面内において10mmピッチ毎の位置における比抵抗は、平均値が3.5×108Ωcm、標準偏差が3.0×107Ωcmであり、結晶基板主面内における比抵抗のばらつきは9であった。また、このGaAs結晶基板の面内において10mmピッチ毎の位置におけるキャリア移動度は、平均値が3.6×103cm2V1sec1、標準偏差が1.7×102cm2V1sec1であり、結晶基板主面内におけるキャリア移動度のばらつきは5であった。結果を表1にまとめた。表1において比較例1と実施例1とを対比すると、比抵抗の平均値が5.5×108ΩcmのGaAs結晶に本発明にかかる熱処理を行なうことにより、GaAs結晶の結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきは22から7に低減し、キャリア移動度のばらつきは23から4に低減した。このような比抵抗およびキャリア移動度のばらつき低減により、かかるGaAs結晶を基板として用いた電子デバイスのデバイス特性が著しく安定する。また、比較例2と実施例2とを対比すると、本発明にかかる熱処理を行なわずにRTAを行なったGaAs結晶基板においては、比抵抗のばらつきが16、キャリア移動度のばらつきが43であったのに対し、本発明にかかる熱処理を行なった後にRTAを行なったGaAs結晶基板においては、比抵抗のばらつきが9、キャリア移動度のばらつきが5と、いずれもばらつきが低減した。すなわち、実施例2に示すように、本発明をかかる熱処理を行なったGaAs結晶基板に、その熱処理温度よりも低い温度およびその熱処理時間よりも短い時間でRTAを行なっても、GaAs結晶基板の比抵抗およびキャリア移動度のばらつきは、本発明にかかる熱処理を行なわなかったGaAs結晶基板に比べて、低く維持された。同様に、本発明にかかる熱処理を行なったGaAs結晶基板に、その熱処理温度よりも低い温度およびその熱処理時間よりも短い時間でMBE成長と同一の熱履歴の熱処理を行なっても、GaAs結晶基板の比抵抗およびキャリア移動度のばらつきは、本発明にかかる熱処理を行なわなかったGaAs結晶基板に比べて、低く維持された。なお、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。