トレンチゲートを備える半導体装置であって、前記トレンチゲートは、絶縁部と、その絶縁部内に設けられている導電部を有しており、前記導電部は、前記トレンチゲートの上面側に位置する第1端部から前記トレンチゲートの底面側に位置する第2端部まで前記トレンチゲートの側面に沿って伸びている第1導電部と、前記トレンチゲートの側面側に位置する第3端部から前記トレンチゲートの中央側に位置する第4端部まで前記トレンチゲートの底面に沿って伸びている第2導電部を有しており、前記第1導電部の前記第2端部と前記第2導電部の前記第3端部が接触しており、前記第2導電部は、平面視したときに、前記第1導電部から前記トレンチゲートの中央に向けて突出しているとともに、前記トレンチゲートの側面と中央の間の中間位置を越えて中央に向けて突出していない半導体装置。前記第2導電部の前記第4端部は、前記トレンチゲートの中央に向けて、前記トレンチゲートの底面との距離が大きくなるように形成されている請求項1に記載の半導体装置。トレンチゲートを備える半導体装置の製造方法であって、トレンチゲートを形成するトレンチゲート形成工程を備えており、そのトレンチゲート形成工程は、トレンチの中央部に空間を残すように、トレンチの内壁に第1絶縁層と導電層と犠牲層をこの順で形成する第1工程と、第1工程を実施した後に、前記トレンチの前記空間の底面に位置する前記導電層と前記犠牲層を選択的に除去する第2工程と、第2工程を実施した後に、前記トレンチ内に残存する犠牲層を選択的に除去する第3工程と、第3工程を実施した後に、前記トレンチ内に第2絶縁層を充填する第4工程と、を有する半導体装置の製造方法。しかしながら、導電部144がトレンチゲート140の側面近傍に偏在して設けられていると、トレンチゲート140の底面において電界が局所的に集中してしまう図14の破線部参照。このため、縦型IGBT100では、耐圧が低いという問題がある。本願明細書では、スイッチング損失を低く維持しながら、トレンチゲートの底面の電界集中による耐圧低下も抑制可能な半導体装置を提供することを目的としている。本願明細書で開示される半導体装置では、側面近傍に偏在して設けられている導電部が、トレンチゲートの底面に沿ってトレンチゲートの中央に向けて伸びていることを特徴としている。導電部がトレンチゲートの底面に沿って伸びていると、トレンチゲートの底面における電界集中が緩和され、耐圧低下が抑制される。また、本発明者らの検討によると、トレンチゲートの底面に沿って伸びている導電部が、トレンチゲートの側面と中央の間の中間位置を越えていなければ、スイッチング損失が低く維持されることが確認されている。このため、上記形態の導電部を有する半導体装置では、スイッチング損失を低く維持しながら、電界集中による耐圧低下も抑制され得る。すなわち、本願明細書で開示される半導体装置は、トレンチゲートを備えている。そのトレンチゲートは、絶縁部と、その絶縁部内に設けられている導電部を有している。導電部は、第1導電部と第2導電部を有している。第1導電部は、トレンチゲートの上面側の第1端部からトレンチゲートの底面側の第2端部までトレンチゲートの側面に沿って伸びている。第2導電部は、トレンチゲートの側面側の第3端部からトレンチゲートの中央側の第4端部までトレンチゲートの底面に沿って伸びている。第1導電部の第2端部と第2導電部の第3端部が接触している。第2導電部は、平面視したときに、第1導電部からトレンチゲートの中央に向けて突出していることを特徴としている。さらに、第2導電部は、平面視したときに、トレンチゲートの側面と中央の間の中間位置を越えて中央に向けて突出していないことを特徴としている。本願明細書で開示される半導体装置では、第2導電部の第4端部が、トレンチゲートの中央に向けて、トレンチゲートの底面との距離が大きくなるように形成されているのが望ましい。第2導電部の第4端部において集中する電界がさらに緩和され、半導体装置の耐圧がさらに向上する。本明細書で開示される半導体装置の製造方法は、トレンチゲートを形成するトレンチゲート形成工程を備えている。そのトレンチゲート形成工程は、第1工程と第2工程と第3工程と第4工程を有する。第1工程では、トレンチの中央部に空間を残すように、トレンチの内壁に第1絶縁層と導電層と犠牲層をこの順で形成する。第2工程では、第1工程を実施した後に、トレンチの空間の底面に位置する導電層と犠牲層を選択的に除去する。第3工程では、第2工程を実施した後に、トレンチ内に残存する犠牲層を選択的に除去する。第4工程では、第3工程を実施した後に、トレンチ内に第2絶縁層を充填する。上記製造方法を実施すると、トレンチ内にはトレンチの底面に沿って伸びる導電層が形成される。上記製造方法によると、本明細書で開示される半導体装置を簡便な方法で形成することができる。本願明細書で開示される半導体装置は、スイッチング損失が低く維持されながら、トレンチゲートの底面の電界集中による耐圧低下も抑制され得る。図1~図3に示す縦型IGBT10は、直流電圧を交流電圧に変換する車両用の3相インバータを構成する回路素子として用いられている。図1に示されるように、縦型IGBT10は、シリコン単結晶の半導体層30と、半導体層30の裏面に形成されているアルミニウムのコレクタ電極20と、半導体層30の表面に形成されているアルミニウムのエミッタ電極50と、半導体層30の表層部に形成されているトレンチゲート40を備えている。半導体層30は、p型のコレクタ領域31とn型のバッファ領域32とn-型のドリフト領域33とp型のボディ領域34とn型のエミッタ領域35を有している。コレクタ領域31は、イオン注入技術を利用して、半導体層30の裏層部に形成される。コレクタ領域31は、コレクタ電極20と電気的に接続している。バッファ領域32は、イオン注入技術を利用して、半導体層30の裏層部に形成される。バッファ領域32は、コレクタ領域31とドリフト領域33の間に設けられている。ドリフト領域33は、半導体層30に他の半導体領域を形成した残部である。ドリフト領域33は、バッファ領域32とボディ領域34の間に設けられている。ボディ領域34は、イオン注入技術を利用して、半導体層30の表層部に形成される。ボディ領域34は、ドリフト領域33とエミッタ領域35の間に設けられている。エミッタ領域35は、イオン注入技術を利用して、半導体層30の表層部に形成される。エミッタ領域35は、ボディ領域34上に分散して設けられている。トレンチゲート40は、酸化シリコンの絶縁部42と、その絶縁部42内に埋設して設けられているポリシリコンの導電部44を有する。導電部44は、図示しない断面において、ゲート配線に電気的に接続されている。図2及び図3に示されるように、トレンチゲート40はz軸方向に長く伸びており、その長手方向を共通とする複数のトレンチゲート40がストライプ状に配置されている。図1に示されるように、縦型IGBT10では、トレンチゲート40の幅Wtr長手方向に直交する断面における横方向の幅が幅広に形成されていることを1つの特徴としている。トレンチゲート40の幅Wtrが幅広に形成されていると、コレクタ領域31から供給された正孔は、幅広なトレンチゲート40によってエミッタ電極50への排出が抑制される。このため、縦型IGBT10では、ドリフト領域33内の正孔濃度が上昇し、低いオン電圧が実現される。さらに、縦型IGBT10では、導電部44がトレンチゲート40の側面近傍に偏在して設けられていることを1つの特徴としている。縦型IGBT10のトレンチゲート40は、一対の導電部44を有しており、一方の導電部44がトレンチゲートの一方の側面に偏在しており、他方の導電部44がトレンチゲート40の他方の側面に偏在している。一方の導電部44と他方の導電部44は、絶縁部42によって分離されている。図4に、トレンチゲート40の一方の側面近傍の拡大断面図を示す。図4に示されるように、絶縁部42は、ゲート絶縁部42Aと中央絶縁部42Bを有している。ゲート絶縁部42Aは、導電部44と半導体層30の間に設けられている。ゲート絶縁部42Aの厚み特に、導電部44とボディ領域34の間の厚み等に基づいて、トレンチゲート40のゲート閾値が調整される。中央絶縁部42Bは、トレンチゲート40の中央部に設けられている。中央絶縁部42Bは、隣接する導電部44を分離しており、トレンチゲート40の底面においてドリフト領域33に直接的に接触している。図4に示されるように、導電部44は、第1導電部44aと第2導電部44bを有している。第1導電部44aは、トレンチゲート40の側面42aに沿ってその側面42aに対して平行に伸びており、平板状の形態を有している。第1導電部44aは、トレンチゲート40の上面42c側に位置する第1端部44Aと、トレンチゲート40の底面42b側に位置する第2端部44Bを有する。第1導電部44aは、トレンチゲート40の長手方向z軸方向に直交する断面において、第1端部44Aから第2端部44Bまで伸びている。第2導電部44bは、トレンチゲート40の底面42bに沿ってその底面42bに対して平行に伸びており、平板状の形態を有している。第2導電部44bは、トレンチゲート40の側面42a側に位置する第3端部44Cと、トレンチゲート40の中央側に位置する第4端部44Dを有している。第2導電部44bは、トレンチゲート40の長手方向z軸方向に直交する断面において、第3端部44Cから第4端部44Dまで伸びている。第1導電部44aの第2端部44Bと第2導電部44bの第3端部44Cが接触している。第2導電部44bは、平面視したときにx方向から観測したときに、第1導電部44aからトレンチゲート40の中央に向けて突出している。図1に示されるように、第2導電部44bの第4端部44Dは、平面視したときにx方向から観測したときに、トレンチゲート40の側面42aと中央41の間の中間位置43を越えてトレンチゲート40の中央に向けて突出していない。換言すると、第2導電部44bは、トレンチゲート40の幅方向y軸方向において、トレンチゲート40の側面42aからトレンチゲートの幅Wtrに対して25の範囲内に選択的に設けられている。図6に、IGBT10において、トレンチゲート40の底面に加わる最大電界強度を示す。縦軸は、トレンチゲート40の底面に加わる最大電界強度を示しており、第2導電部44bの突き出し長さが0のときの最大電界強度を1として整理している。横軸は、平面視したときに、第2導電部44bが第1導電部44aから突き出す長さを示す。突き出す長さとは、具体的には、図5に示されるように、第1導電部44aの横方向y軸方向の幅をWaとし、第2導電部44bの横方向y軸方向の幅をWbとしたときに、Wb-Waに相当する。図6に示されるように、第2導電部44bの突き出す長さが大きくなるほど、トレンチゲート40の底面に加わる最大電界強度が低下する。すなわち、縦型IGBT10では、第2導電部44bがトレンチゲート40の中央に向けて突出していれば、トレンチゲート40の底面に加わる最大電界強度が小さくなり、この結果、縦型IGBT10の耐圧が向上する。図7に、縦型IGBT10のターンオン損失を示す。縦軸は、縦型IGBT10のターンオン損失を示しており、第2導電部44bの突き出し長さが0のときのターンオン損失を1として整理している。横軸は、トレンチゲート40の側面と中央の間において、第2導電部44bが占める割合を示す。第2導電部44bが占める割合とは、図1を参照すると、トレンチゲート40の側面から中央41までの長さを基準としたときの、第2導電部44bの長さの割合を示す。例えば、横軸の50は、第2導電部44bがトレンチゲート40の側面から中間位置43まで伸びていることを示すなお、ゲート絶縁膜の厚みは十分に薄いので、この結果に与える影響を無視してよい。また、図7では、トレンチゲート40の幅Wtr及び第1導電部44aの横方向y軸方向の幅Waをパラメーターとして変化させている。図7に示されるように、ターンオン損失は、トレンチゲート40の側面42aと中央41の間において、第2導電部44bが50以上の範囲を占めていると急激に悪化する。このことは、トレンチゲート40の幅Wtr及び第1導電部44aの幅Waに関わらず、一般的な事象である。すなわち、ターンオン損失は、第2導電部44bがトレンチゲート40の側面41aと中央41の間の中間位置43を越えない限り、低く維持される。これらの結果から、縦型IGBT10では、第2導電部44がトレンチゲート40の側面42aと中央41の間の中間位置を43越えない限りにおいて、トレンチゲート40の底面42bに沿って伸びていると、ターンオン損失を低く維持しながら、トレンチゲート40の底面における電界集中を緩和して耐圧を向上させることができる。図8に、縦型IGBT10の変形例を示す。変形例の縦型IGBT10では、第2導電部44bの第4端部44Dが、トレンチゲート40の中央に向けて、トレンチゲート40の底面42bとの距離が大きくなるように曲面で形成されている。このような形態を有していると、第2導電部44bの第4端部44Dにおける最大電界強度がさらに緩和され、縦型IGBT10の耐圧がさらに向上する。縦型IGBT10の製造方法図9~図13を参照し、縦型IGBT10の製造方法を説明する。以下では、トレンチゲート40の製造工程のみを説明する。縦型IGBT10に係る他の製造工程は、通常のIGBTの製造工程を利用することができる。図9に示されるように、トレンチゲート40を形成する領域を露出するように、半導体層30の表面にレジスト層62をパターニングする。次に、図10に示されるように、ドライエッチング技術を利用して、レジスト層62から露出する半導体層30をエッチングし、トレンチ45を形成する。トレンチ45は、ボディ領域34を貫通してドリフト領域33に達している。次に、熱酸化技術を利用して、トレンチ45の内壁に熱酸化膜46請求項に記載の第1絶縁層に対応するを形成する。この熱酸化膜46のうちのトレンチ45の側壁に形成されている部分は、図4及び8に示されるゲート絶縁部42Aとなる。熱酸化の後に、レジスト層62が除去される。次に、図11に示されるように、半導体層30の表面及びトレンチ45の内壁に、ポリシリコンの導電部44請求項に記載の導電層に対応すると窒化シリコン層64請求項に記載の犠牲層に対応するを堆積する。この段階では、図11に示されるように、熱酸化膜46と導電部44と窒化シリコン層64の積層がトレンチ45の内壁に沿って被膜されており、トレンチ45はその積層によって完全に充填されておらず、トレンチ45の中央部には空間が残されている。次に、図12に示されるように、ドライエッチング技術を利用して、導電部44と窒化シリコン層64をエッチバックし、破線で囲まれた部分の導電部44と窒化シリコン層64を選択的に除去する。特に、トレンチ45内では、トレンチ45の空間の底面に位置する導電部44と窒化シリコン層64が除去され、トレンチ45の空間の側面に位置する導電部44と窒化シリコン層64が残存する。この後に、ウェットエッチング技術を利用して、トレンチ45内に残存している窒化シリコン層64を除去する。この結果、トレンチ45内にL字形の導電部44が形成される。次に、図13に示されるように、トレンチ45内に酸化シリコン層48請求項に記載の第2絶縁層に対応するを充填する。この後に、酸化シリコン48の表面を平坦化することにより、図1に示されるトレンチゲート40が形成される。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、上記の例では、半導体材料にシリコンを用いているが、シリコン以外の半導体材料でも本願明細書で開示される技術は有用である。シリコン以外の半導体材料としては、炭化珪素、ガリウム砒素、窒化ガリウム等の化合物半導体が挙げられる。本明細書で開示される技術は、IGBT又はMOSFET等の半導体装置に適用可能である。特に、本明細書で開示される技術は、IGBTに適用されるのが望ましい。IGBTでは、低いオン電圧を実現するために、幅広なトレンチゲートを用いることがある。このようなトレンチゲートでは、本明細書で開示される技術を用いると、スイッチング損失を低く維持しながら、トレンチゲートの底面の電界集中による耐圧低下も抑制することができる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。