"一方の主面と他方の主面とを有し且つ導電性を有している基板と、光取り出し可能な第1の主面と前記第1の主面に対向し且つ前記基板の前記一方の主面に電気的及び機械的に結合されている第2の主面とを有し且つ光を発生するための複数の半導体層を有している主半導体領域と、前記主半導体領域の前記第1の主面の一部を覆っているボンディングパッド電極と、前記基板に形成された基板電極と、前記主半導体領域の前記一方の主面上に形成された光透過性導電膜と、を備え、前記基板は、一方の主面の外周部に掘下げられた段差を有し、前記段差の高さが1.5μm以上であることを特徴とする半導体発光装置。一方の主面と他方の主面とを有し且つ導電性を有している基板と、光取り出し可能な第1の主面と前記第1の主面に対向し且つ前記基板の前記一方の主面に電気的及び機械的に結合されている第2の主面とを有し且つ光を発生するための複数の半導体層を含んでおり且つ前記第1の主面から前記第2の主面に貫通する第1の孔を有している主半導体領域と、前記第1の孔を覆い且つ前記主半導体領域の前記第1の主面の一部を覆っているボンディングパッド電極と、前記基板に形成された基板電極と、前記ボンディングパッド電極と前記基板の他方の主面との間に配置され且つ前記ボンディングパッド電極と前記基板電極との両方に電気的に接続された過電圧保護素子と、前記主半導体領域の前記一方の主面上に形成された光透過性導電膜と、前記ボンディングパッド電極と前記主半導体領域の前記一方の主面との間に配置された第1の部分と前記ボンディング電極と前記主半導体領域の前記一方の主面との間から外れており且つ前記第1の部分に連続しており且つ前記光透過性導電膜の少なくとも一部を覆っている第2の部分とを有し、且つ前記第2の部分に前記光透過性導電膜を露出させるための第2の孔が設けられている光透過性絶縁膜と、前記絶縁膜の表面の一部を帯状に覆っており且つ前記ボンディングパッド電極に接続されている被覆部分と前記絶縁膜の前記第2の孔の中に充填されており且つ前記被覆部分に連続しており且つ前記光透過性導電膜に接続されている充填部分とを有し、且つ光透過性導電膜よりも抵抗率の小さい導電性材料で形成されている接続導体層とを備え、前記基板は、一方の主面の外周部に掘下げられた段差を有し、前記段差の高さが1.5μm以上であることを特徴とする過電圧保護素子を伴った半導体発光装置。前記段差は、底面に対するテーパー角が70°~90°の範囲で形成されていることを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の半導体発光装置。しかしながら、特許文献2に開示された半導体発光装置においては、以下の点について配慮がなされていなかった。n型バッファ層10、n型半導体層11と活性層12とp型半導体層を順次積層した主半導体領域2の外側端面から出射する光の一部が、シリコン半導体基板1の外周部で吸収されてしまうため、発光効率の低下を招いていた。上記課題を解決するため、本発明は、一方の主面と他方の主面とを有し且つ導電性を有している基板と、光取り出し可能な第1の主面と前記第1の主面に対向し且つ前記基板の前記一方の主面に電気的及び機械的に結合されている第2の主面とを有し且つ光を発生するための複数の半導体層を有している主半導体領域と、前記主半導体領域の前記第1の主面の一部を覆っているボンディングパッド電極と、前記基板に形成された基板電極と、前記主半導体領域の前記一方の主面上に形成された光透過性導電膜と、を備え、前記基板は、一方の主面の外周部に掘下げられた段差を有し、前記段差の高さが1.5μm以上であることを特徴とする半導体発光装置。発光効率を高め、さらに信頼性も向上させた半導体発光装置を提供できる。次に、本発明の実施形態を、図面を参照して具体的に説明する。なお、ここで示す実施形態は一例であって、本発明はここに示す実施形態に限定される趣旨ではない。図3に示す本発明の実施例1に従う過電圧保護素子を伴った半導体発光装置、即ち発光ダイオードと過電圧保護素子としてのショットキーバリアダイオードとの複合半導体装置を示す。なお、実施例1に係る発光装置は、上面視においては図1に示す従来の過電圧保護素子を伴った半導体発光装置と同様の構成となっている。実施例1に係る半導体発光装置は、図3に示す通り、図2に示す従来の半導体発光装置と比較し、シリコン半導体基板1の一方の主面5の外周部分に所定の角度θで設けられた段差部において、当該段差の高さ深さDが規定されている点が異なる。以下、各部を詳しく説明する。半導体基板1は導電型決定用不純物としてボロン等の3族元素を含むp型単結晶シリコン基板から成り、一方の主面5と他方の主面6とを有し且つほぼ中央に保護素子形成領域7を有している。半導体基板1のp型不純物濃度は、例えば5×1018~5×1019cm3程度あり、抵抗率は00001Ωcm~0.01Ωcm程度である。従って、半導体基板1は導電性基板であり、発光素子及び保護素子の電流通路として機能する。即ち、半導体基板1の中央の保護素子形成領域7はショットキーバリアダイオードの本体部としても機能すると共にこの電流通路として機能し、また半導体基板1の保護素子形成領域7を囲む外側領域8は発光素子の電流通路として機能する。更に、半導体基板1は、主半導体領域2のエピタキシャル成長のための基板としての機能、及び発光素子を構成するための主半導体領域2と第1の電極3との支持体としての機能を有する。半導体基板1の好ましい厚みは比較的厚い100~500μmである。なお、図3から明らかなように半導体基板1の一方の主面5の外周部分に段差が形成され且つ中央に凹部9が形成されている。また、半導体基板1の導電型をn型にすることができる。また、半導体基板1の外側領域8の不純物濃度を保護素子形成領域7よりも高くし、これにより、外側領域8の抵抗率を保護素子形成領域7よりも低くし、発光素子の動作時の外側領域8における電圧降下を低減することができる。発光素子の主要部を構成するための主半導体領域2は、シリコン半導体基板1と異種の3-5族化合物半導体から成る複数の層を有し、シリコン半導体基板1の上に周知の気相成長法によって形成されている。更に詳細には、主半導体領域2は、ダブルヘテロ接合発光ダイオードを構成するためにn型バッファ層10とn型半導体層11と活性層12とp型半導体層13とを順次に有している。なお、n型半導体層11をn型クラッド層と呼び、p型半導体層13をp型クラッド層と呼ぶことがある。発光ダイオードは原理的にn型半導体層11とp型半導体層13のみで構成できる。従って、主半導体領域2からn型バッファ層10と活性層12とのいずれか一方又は両方を省くことができる。また、必要に応じて周知の電流分散層又はオーミックコンタクト層等を主半導体領域2に付加することができる。主半導体領域2の第1の主面14及び第2の主面15は半導体基板1に平行に延びている。主半導体領域2の第1の主面14は活性層12で発生した光を外部に取り出す面としての機能を有する。主半導体領域2の第2の主面15は半導体基板1に電気的及び機械的に結合されている。主半導体領域2は、第1の主面14から第2の主面15に貫通する孔16をそのほぼ中央に有している。この孔16はシリコン半導体基板1の凹部9に連続している。孔16及び凹部9は、凹部9を形成する前のシリコン半導体基板1の上に主半導体領域2をエピタキシャル成長させた後にエッチングによって形成される。このため、シリコン半導体基板1と主半導体領域2との間に生じた合金化層は除去され、シリコン半導体基板1の凹部9の表面にシリコンが露出する。また、孔16及び凹部9の壁面は主半導体領域2の第1の主面14から第2の主面15に向って先細になるように傾斜している。なお、シリコン半導体基板1の凹部9は保護素子形成領域7に設けられている。同様に、シリコン半導体基板1及びその上に形成される主半導体領域2の外周部もエッチングを行うが、この時、図3に示すシリコン半導体基板1及び主半導体領域2の外側端面とでなすテーパー角θを70°~90°の範囲、さらに好ましくは80°~90°の範囲となるよう形成する。また、主半導体領域2の外側端面と連続するように形成されるシリコン半導体基板1の外周部の段差、すなわち、主半導体領域2の第2の主面15からエッチングによりシリコン基板1が掘下げられる深さ段差Dの高さは、1.5μm以上が好ましく、さらに好ましくは2μm、そして、さらに好ましくは2.5μm以上である。なお、上記のようなシリコン半導体基板1及び主半導体領域2の外側外周部のテーパー角を比較的急峻に形成するには、主半導体領域2形成後のドライエッチングにおいて、エッチングマスクとして使用するレジストの端面をほぼ直角に形成し、その後エッチングを行うことで比較的急峻なテーパー角を形成することができる。また、ドライエッチング時の選択比前記レジストと主半導体領域2のエッチレート比を上げることで比較的急峻なテーパー角を形成することができる。図4は、シリコン半導体基板1の外周部の断面拡大図であり、活性層12で発生した光が主半導体領域2の外側端面から出射した後のイメージを示す概略図である。図4aとbでは、シリコン半導体基板1の外周部の段差Dの高さのみが異なり、aと比べてbでは、シリコン半導体基板1の外周部の段差Dが深く掘り下げられている。図4aに示した従来の半導体発光装置では、主半導体領域2の外側端面から矢印の方向に出射した光は、その矢印の先でシリコン半導体基板1の一方の主面5の外周部と衝突し、ここで吸収される。一方、図4bに示した本発明の半導体発光装置では、図4aに示したものよりもシリコン半導体基板1の一方の主面5の外周部の段差Dが深く掘り下げられているため、主半導体領域2の外側端面より図4aに示した場合と同一の角度で出射した光であっても、シリコン半導体基板1の一方の主面5の外周部と衝突しない。すなわち、シリコン半導体基板1の一方の主面5の外周部の段差Dが深く掘り下げられるほど、主半導体領域2から出射する光は、シリコン半導体基板1の一方の主面5の外周部に照射され難くなるため、シリコン半導体基板1への光の吸収を抑制することができ、発光効率の低下を抑制することができる。図5は、シリコン半導体基板1の外周部の段差Dに対する半導体発光装置の輝度を示したグラフである。主半導体領域2の厚さは2.6μmで形成し、上述した通り、比較的急峻なテーパー角θとなるようシリコン半導体基板1の一方の主面5の外周部をエッチングで掘下げ、所定の高さ深さとなるよう段差Dを形成したものである。横軸は段差Dの高さであり、縦軸は半導体発光装置の輝度任意単位:a.u.を表したものである。段差Dの高さを高く形成するほど輝度の値が上昇することがわかる。さらに、シリコン半導体基板1の外周部の段差Dを高く形成するほど、シリコン半導体基板1上に積層された主半導体領域2にかかる歪が緩和され、クラック等の発生を抑制でき、信頼性も向上させることができる。第1の電極上側電極3は、光透過性導電膜19と、ボンディングパッド電極20と帯状接続導体層22とから成る。ボンディングパッド電極20は帯状接続導体層22を介して光透過性導電膜19に接続されていると共にショットキー接触金属層18にも接続されている。従って、ボンディングパッド電極20は発光ダイオードのアノード機能の他にショットキーバリアダイオードのカソード機能を有する。光透過性導電膜19は主半導体領域2の第1の主面14即ちp型半導体層13の表面のほぼ全部に配置され、ここにオーミック接触している。従って、既に説明したように光透過性導電膜19は主半導体領域2に電流を均一に流すために寄与し、且つ主半導体領域2から放射された光の取り出しを可能にする。この実施例の光透過性導電膜19は厚さ1800オングストローム程度のITOインジウム錫オキサイドから成る。なお、光透過性導電膜19をITO以外のNi、Pt、Pd,Rh,Ru,Os,Ir,Au、Ag等から選択された材料で形成することもできる。しかし、いずれの材料で形成する場合であっても光透過性導電膜19の光透過性を高めることが必要であり、光透過性導電膜19をあまり厚く形成することができず、例えば500~5000オングストローム、好ましくは1800オングストローム程度に形成される。光透過性導電膜19が薄く形成されると、光透過性導電膜19のシート抵抗が必然的に高くなり、主半導体領域2のボンディングパッド電極20から離れた部分に電流を十分に流すことができない。この問題を解決するために帯状接続導体層22が設けられている。帯状接続導体層22は、光透過性導電膜19とボンディングパッド電極20とを電気的に接続し、主半導体領域2における電流の均一性の向上に寄与する。絶縁膜17は、光透過性導電膜19の大部分、主半導体領域2の光透過性導電膜19で覆われていない第1の主面14及び側面、及び凹部9の壁面及び底面の一部を覆っている。絶縁膜17は上記機能を得るために光透過性導電膜19よりも光透過性が良い材料、例えばシリコン酸化物SiO2、によって光透過性導電膜19、主半導体領域2、及び半導体基板1の表面を覆うように形成されている。絶縁膜17は光透過性導電膜19よりも光透過性が良い材料SiO2から成るので、この厚みを光透過性導電膜19よりも厚い例えば1500~10000オングストロームとすることができる。絶縁膜17はショットキー接触金属層18が充填された第1の孔17aをその中央に有する他に、ボンディングパッド電極20から光透過性導電膜19の外周方向に帯状に伸びる複数4個の第2の孔17bを有する。帯状の第2の孔17bの一端はボンディングパッド電極20にできるだけ近いことが望ましく、帯状の第2の孔17bの他端は光透過性導電膜19の外周縁にできるだけ近いことが望ましい。帯状の第2の孔17bの幅は、帯状接続導体層22よりも狭く且つ帯状接続導体層22によるボンディングパッド電極20と光透過性導電膜19との電気的接続を確保できる範囲においてできるだけ狭いことが望ましく、例えば2μm~10μm程度に決定される。なお、ボンディングパッド電極20と光透過性導電膜19との電気的接続のための第2の孔17bはボンディングパッド電極20の下を除いたこれよりも外側に設けられ絶縁膜17の第2の孔17bを有さない部分がボンディングパッド電極20と主半導体領域2との間に配置されているので、ボンディングパッド電極20に基づいて主半導体領域2に発生する応力が絶縁膜17によって良好に抑制されている。帯状接続導体層22は、図1から明らかなように絶縁膜17の4個の第2の孔17bに対応して4個設けられている。また、各帯状接続導体層22は絶縁膜17の上に配置された帯状の被覆部分24と第2の孔17bの中に配置された充填部分25とを有する。充填部分25は光透過性導電膜19に電気的に接続されている。帯状接続導体層22は、光透過性導電膜19よりも抵抗率の低い材料で形成され、且つ光透過性導電膜19よりも低いシート抵抗率を有する。この実施例では絶縁膜17の上全体及び第2の孔17bの中にAu金を2500~100000オングストローム程度に蒸着し、その後エッチングによって不用部分を除去することによって帯状接続導体層22が形成されている。帯状接続導体層22の充填部分25はボンディングパッド電極20から光透過性導電膜19の外周端近くまで延びているので、光透過性導電膜19を介して活性層12を含む主半導体領域2に電流を良好に分散して流すために寄与する。ショットキー電極として機能するショットキー接触金属層18は例えばTi、Pt、Cr、Al、Sm、PtSi、Pd2Si等から選択された1つ又は複数から成り、絶縁膜17の第1の孔17aを介してシリコン半導体基板1の凹部9の表面にショットキー接触している。保護素子としてのショットキーダイオードは半導体基板1の保護素子形成領域7とショットキー接触金属層18とによって形成されている。ショットキー接触金属層18は平面的に見てボンディングパッド電極20の内側に配置されている。従って、保護素子としてのショットキーダイオードを設けることによって半導体基板1及び主半導体領域2の面積の増大が抑制されている。ボンディングパッド電極20は光透過性導電膜19よりも抵抗率の低い材料例えば、Au,Niからなり、ショットキー接触金属層18及び帯状接続導体層22に接続されている。第2の電極基板電極4は金属層からなり、半導体基板1の他方の主面6の全面に形成されている。即ち、第2の電極4は半導体基板1の保護素子形成領域7及び外周側領域8の両方の下面にオーミック接触している。なお、第2の電極4を図3で点線で示すように半導体基板1の一方の主面5の外周側に配置することもできる。なお、上記の実施例では、過電圧保護素子を伴った半導体発光装置について説明してきたが、過電圧保護素子を伴わない半導体発光装置や帯状の第2の孔17b及び帯状接続導体層22等を設けない構造の半導体発光装置についても適用できることは明らかである。"