リソグラフィプロセスの性能のパラメータを測定する方法であって、a少なくとも1つのリソグラフィステップを用いて、基板上に、該基板上で互いに隣接して位置決めされかつ各々の第1および第2の周期性を有する第1および第2のサブパターンを含むパターンを形成することと、b前記隣接する第1および第2のサブパターンを観察して、前記第1および第2の周期性の周波数より低い周波数における第3の周期性を有するビート成分を含む組合せ信号を得ることと、c前記組合せ信号から、前記リソグラフィプロセスの性能の測定値を計算することと、を含み、前記計算された測定値は、前記ビート成分の位相によって、少なくとも部分的に決定される、方法。前記第1および第2のサブパターンは、共に同じリソグラフィステップにおいて形成され、前記サブパターンのうちの少なくとも1つは、もう1つのサブパターンに対して見掛けの位置を有するように形成され、該見掛けの位置は、前記性能パラメータに依存する、請求項1に記載される方法。前記性能パラメータは、前記リソグラフィステップにおいて前記基板上に形成された特定のフィーチャタイプの寸法である、請求項2に記載の方法。前記サブパターンのうち少なくとも1つは、マークの周期的な配列を含み、前記マークの各々は、ソリッド部分と細分化された部分とを有し、各マークの前記見掛けの位置は、ステップbにおいて観察された場合、前記リソグラフィプロセスの前記性能パラメータに依存する、請求項1、2または3に記載の方法。前記第1および第2のサブパターンは、別個のリソグラフィステップにおいて形成される、請求項1に記載の方法。前記性能パラメータは、オーバーレイである、請求項5に記載の方法。前記ステップbにおいて、前記第1および第2のサブパターンの観察は、光学的に組み合わせられ、前記ビート成分を既に含む電子信号に変換される、請求項1から6のいずれかに記載の方法。前記パターンは、前記電子信号を生成するように、センサを用いて前記パターンをスキャンすることにより観察され、それにより前記ビート成分は、前記スキャン中に、前記電子信号において時変成分として現れる、請求項7に記載の方法。ステップbにおいて、前記第1および第2のパターンの観察は、同時に行われ、前記組合せ信号が得られるように後に電子的に組み合わせられる第1および第2の電子信号に変換される、請求項1から6のいずれかに記載の方法。リソグラフィプロセスの性能のパラメータを測定する装置であって、前記リソグラフィプロセスを用いて、基板上に形成されたパターンを観察するように動作可能なセンサであって、該パターンは、該基板上で互いに隣接して位置決めされかつ各々の第1および第2の周期性を有する第1および第2のサブパターンを含む、センサと、前記隣接する第1および第2のサブパターンの観察を組み合わせて、前記第1および第2の周期性の周波数より低い周波数における第3の周期性を有するビート成分を含む組合せ信号を得るための配置と、前記組合せ信号から、前記リソグラフィプロセスの性能の測定値を計算するためのプロセッサであって、該計算された測定値は、前記ビート成分の位相によって少なくとも部分的に決定される、プロセッサと、を備える装置。動作時、前記第1および第2のサブパターンの前記観察は、前記ビート成分を既に含む電子信号に変換される前に、光学的に組み合わせられる、請求項10に記載の装置。前記センサは、前記電子信号を生成するように、前記パターンをスキャンすることにより前記観察を行うように構成され、それにより前記ビート成分は、前記スキャン中に、前記電子信号において時変成分として現れる、請求項11に記載の装置。前記組合せ配置は、前記第1および第2のパターンの観察を、第1および第2の電子信号の形態で得て、前記第1および第2の電子信号を組み合わせて前記組合せ信号を得るように構成される、請求項10に記載の装置。リソグラフィプロセスによってマークがその上に形成されている基板であって、該マークは、前記リソグラフィプロセスの性能のパラメータの測定に用いられるように適応され、また、前記基板上で互いに隣接して位置決めされかつ各々の第1および第2の周期性を有する第1および第2のサブパターンを含み、該サブパターンは、1つのサブパターンの、もう1つのサブパターンに対する見掛けの位置が、前記性能パラメータに依存するように形成され、前記第1および第2の周期性は、前記第1および第2の周期性の周波数より低い周波数における第3の周期性を有するビートパターンを生成するような周期性であり、それにより、前記性能パラメータの変化は、前記ビートパターンの前記位置の変化から推測可能である、基板。前記サブパターンのうち少なくとも1つは、バーの周期的な配列を含み、該バーの各々は、ソリッド部分と細分化された部分とを有し、各バーの前記見掛けの位置は、観察された場合、前記リソグラフィプロセスの前記性能パラメータに依存する、請求項14に記載の基板。0029図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置LAを概略的に示す。リソグラフィ装置は、‐放射ビームB例えばUV放射またはEUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、‐パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続されたサポート構造例えばマスクテーブルMTと、‐基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTa/WTbと、‐パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSと、を含む。0030照明システムは、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、若しくはその他のタイプの光コンポーネント、またはそれらの任意の組み合せといった様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。0031サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用されるレチクルまたはマスクという用語はすべて、より一般的なパターニングデバイスという用語と同義であると考えてよい。0032本明細書において使用されるパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付与されたパターンは、例えばそのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しなくてもよいことに留意されたい。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。0033パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型alternating位相シフト、およびハーフトーン型attenuated位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。0034本明細書において使用される投影システムという用語は、使われている露光放射に、或いは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらの任意の組合せを含むあらゆる種類の投影システムを包含すると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される投影レンズという用語はすべて、より一般的な用語投影システムと同義であると考えてよい。0035本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの例えば透過型マスクを採用しているものである。或いは、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば透過型マスクを採用しているものであってもよい。0036リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有するタイプのものであってもよい。そのようなマルチステージ機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。図10を参照して、以下に一例を説明する。本明細書に開示される本発明は、スタンドアロン様式で使用することができるが、本発明は、特にシングルまたはマルチステージ装置のいずれかの露光前測定ステージにおいて追加の機能を提供することができる。0037また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、例えば水といった比較的高い屈折率を有する液体によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、例えばマスクと投影システムの間といったリソグラフィ装置内の別の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書にて使用される液浸という用語は、基板のような構造体を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。0038図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受ける。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは放射源SOからイルミネータILへ、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が水銀ランプである場合、放射源はリソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。0039イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタADを含んでもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。0040放射ビームBは、サポート構造例えばマスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えばマスクMA上に入射し、パターニングデバイスによってパターンが付けられる。マスクMAを横断した後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点を合わせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使い、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTa/WTbを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサを使い、マスクMAを放射ビームBの経路に対して、例えばマスクライブラリからの機械的な取り出しの後またはスキャン中に、正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルMTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使って実現することができる。同様に、基板テーブルWTa/WTbの移動も、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って実現することができる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、マスクテーブルMTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2と、基板アライメントマークP1、P2を使って位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできるこれらはスクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、複数のダイがマスクMA上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。0041例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。1.ステップモードでは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTa/WTbを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTa/WTbは、Xおよび/またはY方向に移動され、それにより別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。2.スキャンモードでは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTa/WTbを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTa/WTbの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅非スキャン方向が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さスキャン方向が決まる。3.別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTa/WTbを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTa/WTbの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0042上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0043リソグラフィ装置LAは、2つの基板テーブルWTaおよびWTbと、2つのステーション、すなわち、露光ステーションおよび測定ステーションとを有するいわゆるデュアルステージタイプのものであり、これらのステーション間で基板テーブルを交換することができる。1つの基板テーブル上の1つの基板が露光ステーションにおいて露光されている間、別の基板が、測定ステーションにおいてもう1つの基板テーブル上にロードされて様々な予備工程が行われうる。予備工程には、レベルセンサLSを用いて基板の表面をマッピングすることや、アライメントセンサASを用いて基板上のアライメントマーカーの位置を測定することが含まれうる。これにより、リソグラフィ装置のスループットを大幅に増加することができる。基板テーブルが測定ステーションおよび露光ステーションにある間に、位置センサIFが基板テーブルの位置を測定できない場合、第2の位置センサを設けて、両方のステーションにおける基板テーブルの位置を追跡できるようにしうる。0044リソグラフィ装置はさらに、様々なアクチュエータおよび記載されているセンサのあらゆる移動および測定を制御するリソグラフィ装置制御ユニットLACUを含む。LACUはさらに、装置の動作に関連する所望の計算を実施する信号処理およびデータ処理能力を含む。実際には、制御ユニットLACUは、多くのサブユニットからなるシステムとして実現され、各サブユニットは、リソグラフィ装置内のサブシステムまたはコンポーネントのリアルタイムデータ収集、処理、および制御を取り扱う。例えば1つの処理サブシステムが基板ポジショナPWのサーボ制御専用であってよい。別個のユニットが粗動および微動アクチュエータ、または様々な軸でさえも取り扱ってもよい。別のユニットが位置センサIFの読み出し専用であってよい。リソグラフィ装置全体の制御は、これらのサブシステム処理ユニット、オペレータ、およびリソグラフィ製造プロセスに関与する他の装置と通信する中央処理演算ユニットによって制御されうる。0045図2は、X位置およびY位置の測定のために、それぞれ、基板W上に設けられたアライメントマーク202、204の例を示す。本例における各マークは、基板に付与またはエッチングされたプロダクト層または他の層に形成された一連のバーを含む。X方向マーク202上のバーはY軸に平行である一方で、Y方向マーク204のバーはX軸に平行である。アライメントセンサAS図1に示すは、放射スポット206、208を用いて各マークを光学的にスキャンし、リソグラフィ装置に対する基板Wの位置を測定する。アライメントパターンにおけるバーのピッチは、通常、基板上に形成されるべきプロダクトフィーチャのピッチよりもはるかに大きく、また、アライメントセンサASは、基板にパターンを付与するために用いられる露光放射よりはるかに長い放射の波長または通常は複数の波長を用いる。しかし、多数のバーがあることによって、反復パターンの位相を正確に測定できるため、細かい位置情報を得ることができる。0046アライメントセンサが、パターンのどのサイクルが所与の位置にあるのか、またそのサイクル内の正確な位置位相を計算できるように、粗および微細マークが設けられうる。様々なピッチのマークもこの目的に用いることができる。これらの技術は、ここでも、当業者には周知であるので、本明細書では詳細には説明しない。このようなセンサの設計および動作は当技術では周知であり、また、各リソグラフィ装置はその独自の設計のセンサを有する。本記載のために、アライメントセンサASは、米国特許第6961116号デンボフdenBoefに記載される形態のアライメントシステムを含むと仮定する。図2bは、同様のアライメントシステムに用いる変形マークを示し、そのXおよびY位置は1回のスキャンで得られる。マーク210は、XおよびY軸の両軸に対して45度に配置されたバーを有する。この組み合わせられたXおよびY測定は、公開された米国特許出願第2009195768A号ビジネンBijnen他に記載される技術を用いて行われることが可能である。この公報の内容は、参照することにより本明細書に組み込まれるものとする。なお、米国特許出願第‘768号には、X-Yアライメントマークが様々なピッチの部分を有する幾つかの実施形態が開示され、これらは、本願において新規に提示するマークに幾分似ていることに留意されたい。しかし、図2bに示すより単純なマークが、商業実施形態において通常用いられる形態であり、また、米国特許出願第‘768号の実施形態において様々なピッチ間に観察されうる任意のモアレ効果は固定されており、プロセス性能の評価基準を与えない。0047図3は、アライメントセンサASの略ブロック図である。照明源220が1以上の波長の放射ビーム222を提供し、この放射ビームは、対物レンズ224を介して、基板W上に位置するマーク202といったマーク上へと方向転換される。図2に概略的に示すように、上述の米国特許第6961116号に基づいた本アライメントセンサの例では、マーク202を照明する照明スポット206の直径は、マーク自体の幅よりも僅かに小さい。0048マーク202によって散乱された放射は、対物レンズ224によって捕捉されて、情報担持ビーム226にコリメートされる。光アナライザ228がビーム226を処理して、別個のビームをセンサアレイ230上へと出力する。センサグリッド230における個々のセンサからの強度信号232が、処理ユニットPUに提供される。ブロック228における光処理およびユニットPUにおける計算処理の組み合わせにより、センサに対する基板上のXおよびY位置に対する値が出力される。以下にさらに説明する本発明の実施形態では、本明細書において開示される新規の装置内の処理ユニットPUは、同じ基板WからクリティカルディメンションCDおよび/またはオーバーレイOV測定値を出力することができる。これは、変更されたマークおよび変更された信号/データ処理を用いることによって達成される。設計上の選択としておよび便宜上、処理ユニットPUは、図1に示す制御ユニットLACUと別個であっても、処理ユニットPUと制御ユニットLACUとは同じ処理ハードウェアを共有してもよい。ユニットPUが別個である場合、信号処理の一部分がユニットPUにおいて行われ、別の部分がユニットLACUにおいて行われてよい。0049図4は、X、Y位置を測定するための、幾つかの信号と公知の装置においてアライメントセンサASによって行われる信号処理とを概略的に示す。左側にあるグラフは、スポット206がマーク202に沿ってスキャンされる最中にセンサ230によって放射が捕捉されるときの、スキャン位置POSに対する強度Iのサンプリング値のトレース240である。スキャン位置POSは、X位置、Y位置、または、スキャン方向に応じた任意の方向でありうる。スキャンが、特定の線速度で行われる場合、スキャン位置に伴う変化は、時間における電気信号の変化に対応する。これらの信号は、アナログ形式でのアナログ強度値を表しうるが、処理を簡単にするためにデジタル形式に変換される。このトレースにおいて、中心部分に多数のピーク242があり、これらピークの間隔はターゲットパターン202における個々のバーの間隔に対応する。244におけるトレースの滑らかな部分は、マーク以外の領域のスキャンを示す一方で、中間部分246は、スポット206が徐々にマークの上となり、周期信号がそのピーク振幅にまで増大する時間に対応する。マークの長さとスポットの相対的により小さいサイズによって、トレースの大きい中心部分が、比較的安定した振幅のピーク242と谷を示す。図4の右側における拡大詳細図は、中心部分におけるトレース240の一部分を示し、ピーク242を強調している。この一部分におけるトレースは、ほぼ正弦波の形態を有する。正弦波の1周期Pを示すが、これは、アライメントマーク202におけるラインパターンの1ピッチに対応する。マークのピッチは周知である。したがって、適切な周波数の正弦曲線を、与えられている多数のサイクルに亘ってトレース240に数学的にあてはめることによって、非常に正確な位相測定を行うことができ、これはひるがえって、正確な位置測定を可能にする。同じプロセスを様々な波長において繰り返し、マークが作られている物質に関係なく、精度を増加しかつマークのロバストな検出が可能となる。波長は、同時に処理されるように光学的に多重化および多重分離化されるか、および/または、波長は、時分割で多重化されてもよい。0050既に述べたように、説明した特定の測定は、マークの位置をマークの1ピッチに対応する特定の範囲内に固定することしかしない。これと併せて粗い測定技術が用いられ、正弦波のどの周期がマーク付けされた位置を含む周期であるかが特定される。0051図5aは、例えば図2および図3に示すマーク202または204でありうる、比較のための公知のタイプのマーク300を示す。マーク300は、マークの長手軸304に垂直に配置された多数のバー302を含む一方で、これらのバー302は、横断軸306に関して対称的にかつ平行に配列される。これらの軸304、306に関するマークの対称性は、米国特許第6961116号に記載される特定のタイプのセンサの機能には重要であり、この特定のタイプのセンサでは、光アナライザ228は、互いに180度回転された1対のマーク像を形成する。対称性は、他のタイプのセンサを用いる実施形態では重要ではない場合もあり、その場合、マークの設計により多くの自由が与えられる。ここでも、スキャンスポット206は、スキャン動作時にマークを横切って進む点線の円によって示される。0052図5bは、公知のマーク300に基づくが、本発明の一実施形態にしたがってCDの測定に役立つように変更点が組み込まれている新規のマークを示す。従来のマーク300はその全幅に延在するバー302を含むところ、新規のマークにおけるバーは、3つのセクションに細分されている。マーク310の外側セクションでは、長手軸304に平行して延在する多数のバー312および314が設けられ、これらは、従来のマークにおけるバー302の外側部分と同じである。中心部分では、長手軸304に沿って対称的に延在する多数のバー316が形成される。多数のバー316は、多数のバー312および314のピッチとは異なるピッチを有する。以下の記載から分かるように、この結果、スキャンスポット206はビート信号を受け取ることになり、2つの異なるピッチからの信号がセンサASの光学システムにおいて建設的にかつ相殺的に干渉するので、モアレパターンが効果的に形成される。組み合わされた場合に、モアレパターンを形成するように、マークパターンの、様々な反復ピッチを有する様々なパターンを設けることは、マーク310を公知のマーク300から区別する第1の特徴である。0053図5cは、マーク300を公知のマークから区別する更なる特徴を示す。マーク310の中心部分のバー316のうちの1つを拡大詳細図で示し、ソリッド部分320と、多数のより細かいバー322を含む細分化された部分とを含むことが見てとれる。マーク間の空間は、比較のために324と付しておく。パターンにおける次のバーは、320’と付しておく。変形バー316の細分化された部分における個々のバー322は、プロダクト状フィーチャと呼ぶ。というのは、これらのバーは、アライメントバー302、312等のより大きい寸法ではなくてプロダクトフィーチャの寸法と同様の寸法で形成されるからである。例えば最新のリソグラフィプロセスでは、最小のプロダクトフィーチャは直径50nmでありうる。したがって、これらのより小さいフィーチャは、測定されるよう設計されている、基板全体のプロダクトフィーチャと共通するクリティカルディメンションを有するように形成される。なお、マーク300および310におけるバーの数と、各バー316における細分化されたフィーチャ322の数は、図面に示すものよりもはるかに多く、これらは、説明のために単純化されていることに留意すべきである。本例は、細分化されたバーを有するマーク310の中心部分を示すところ、この細分化されたバーを、マーク310の外側の部分すなわち、バー312および314において、または、マーク310の外側部分312および314と内側部分316の両方にも、これらの位置が所望の効果以下に説明するを相殺するのではなく高めるために逆にされている限り、配置することも可能である。細分化されたバーにおけるマーク‐空間比は、図示される50:50から離れるように変えられうる。一選択肢は、CDがその公称値にある場合、内側マークの有効位置をゼロ値に近づけるように、チョップされた部分を、空間部分324内に少しだけ奥に延在させることである。このことは重要ではないが、いずれにせよ、同じマークパターンの有効位置は、層の厚さと層が形成される物質とに応じて変化することになる。0054図5dは、部分的に細分化されたバー316を断面で示す。例として3つの異なる物質を示す。すなわち、下位層340と、CDが測定されるべきであるプロダクト層342と、上位層344である。当業者であれば、これらの層の構成には多くの様々な可能性があることは理解できよう。物質340および342は、実際には、特殊層かまたは単に基板物質であってよい同じ物質の異なるエッチングが施された部分であってよい。層344は例えばレジスト層であってよい。図5dに図示される変形バー316の形態では、320のソリッド部分は、物質342における間隙により形成され、細分化されたバー322は、物質342におけるより細い間隙によって同様に形成される。346は、細分化されたバー間の空間を示す。これは例示に過ぎず、また、これらは、記載されるべき本発明の原理に影響を及ぼすことなく逆に定義されてもよい。クリティカルディメンションCDは、選択として、これらのフィーチャ346の幅、または、これらの間の間隙322の幅として定義されてよい。当然ながら、選択された定義に応じて、同じ物理的変化が、正または負のCD変化として報告されることになる。0055図5eは、図5eの上の図5dに示す変形バー316の様々な部分に対応する、X位置に対する図5dに示す物質の有効屈折率neffを示すグラフである。360と示すグラフの一部分では、有効屈折率は比較的高く、物質344の屈折率に広く対応する。362と示すグラフの一部分は、ソリッド部分324における、物質342、または物質342と上位物質344との組み合わせの屈折率を逆に示す。測定スポット206における光の波長は、より小さいマークのクリティカルディメンションよりも数倍長いので、これらの波長は個々の部分に分解されない。細分化されたバー322および空間346がある中間部分において、レベル364における有効屈折率は、マークを形成する物質の組み合わせに依存し、また、本例では360と362におけるレベルの中間である。0056部分364における実線は、CDが公称値にある場合のこの平均レベルを示す。しかし、実際のサンプルのCDが変化する場合、細分化されたマーク322および空間346の相対幅は、それらの公称比から変化しうる。したがって、変形バー316のこの部分における有効屈折率は、両矢印によって示されるように、上下に変化する。説明のために、レベル364をCD=と付して公称CD値を表し、CD-と付された一点鎖線は、公称値からのCDの減少によってもたらされた有効屈折率における上方向のシフトを示す。同様に、CDと付された二点鎖線は、公称値より高いCD値によってもたらされた有効屈折率における減少を示す。0057当業者であれば、バーパターン312、314、316における複数のマークおよび空間におけるマークと空間を定義する多くの代替方法があり、また、マークおよび空間の呼び方は実際には多少恣意的であることは認識されよう。同様に、マークの屈折率は空間の屈折率より高くてもよく、またその反対でもよい。変形バーパターンの細分化された部分は、より大きいパターンのマーク部分または空間部分に設けられてもよい。これらのあらゆる設計選択、および物質の配置に応じて、305eに描画されるグラフは変化しうる。しかし、あらゆる変形に共通の特徴は、有効屈折率がCDに適度に依存することになるように、プロダクト状フィーチャから形成された部分に隣接して、CDから実質的に独立している有効屈折率を有する領域の反復パターンである。0058モアレパターンを生成するように、異なるピッチを有するマーク312、314に隣接してこれらの変形バー316を設けることによって、測定されるべきCD変化によってもたらされる屈折率における比較的小さい変化が大幅に増幅され、それにより、以下に説明するように、アライメントセンサを用いて非常に感度の高いCDの測定を行うことが可能となる。この技術は、細分化された、すなわち、チョップされたマークを用いる焦点測定に用いられてきている現象に依存しており、この現象により小さいフィーチャの幅の減少によって、マーク自体の位置の見掛けのシフトがもたらされる。このようにすると、チョップされた特殊ターゲットを、アライメントX-Y位置センサと共に用いて、焦点変化Zを測定することができる。この技術の一例が、公開された米国特許出願第2009135389A1号に記載される。0059図6は、変形マーク310を用いてどのようにCD変化が視覚的に特定されて測定されるのかを説明する。各ラインにおける陰影付きのバーは、リソグラフィ装置によるマークのスキャン中に測定された強度波形におけるピークを表す。従来のターゲット300に対応する図6の一番上のラインでは、マーク300におけるバー302のピッチに対応するピッチを有する単純な反復パターンが観察される。これは、図4のトレースの中間部分に見られた単純な正弦波に対応する。その下には、様々なCD値を有する変形マーク310をスキャンした場合に観察されるパターンが示される。バーの内側セットと外側セットの空間周波数間のビート効果によって定義されるはるかに遅い変化を含むモアレパターンの最も明るい点は、スポットによって示される。バー316の細分化された部分の有効屈折率がCDによって上下すると、アライメントセンサによって知覚されるこれらのバーの有効位置も、非変形バー312、314に対して、左に向かってまたは右に向かって公称位置からシフトする。このシフトは、それ自体は非常に小さいが、マーク310の様々な部分におけるバーパターン間のピッチ差は、図6の各ラインにおいてスポットによって示されるモアレパターンのピークがはるかに大きい距離を移動するような差である。これが、変形マークと共にアライメントセンサを用いてCDの非常に感度の高い測定を行うことの原理である。0060図7aは、図4に示した従来のトレースと対比される変形マーク310から得られたトレースである。実際には、図7aでは様々な波長で取られた4つのトレースは互いに重ね合わされている。これらの波長は、例えば、緑の、赤の、近赤外NIRの、および遠赤外FIRの波長であってよい。これらのトレースはすべて、細かい周期挙動図4に示す挙動に対応を示すが、低周波数包絡線で変更され、モアレパターンを示す。aにおけるトレースに示されるように、マークにおけるバーの長さおよび数は、それらのピッチ空間周波数差と共に、マークを横断する間に数サイクルのモアレパターンが観察されるような長さおよび数である。図7bに示すように、これにより、正弦波包絡線ENVが、観察されたトレースに高い精度であてはめられることが可能となる。マーク310における個々のピッチは正確に知られているので、そのビート周波数も周知であり、あてはめ動作は、モアレパターン包絡線の位相の正確な指示を与えることができる。モアレパターンの見掛けの位置変化は、試験下の基板におけるCD変化によりもたらされた位置変化の増幅されたバージョンである。増幅係数は、m=p1p2/2p1-p2として計算することができ、このとき、p1およびp2は、それぞれ、図5bに示すバー構造312/314および316のピッチである。0061ピッチおよび増幅係数の選択は、設計者の測定装置の知識に依存し、また、観察可能なモアレパターンにおけるサイクルの回数と所望の増幅係数との間の妥協点も関連する。使用する優れたピッチを計算する1つの方法は、例えば22μmである共通のピッチから開始して、次に例えば10である所望の増幅係数を決定することである。ここから、ピッチ1:22/10=2.2μmおよびピッチ2:22/101=2μmとして2つの組み合わせるべきピッチが生じる。なお、物理マークにおける22μmピッチからは、図3に示す自己干渉型センサに11μmの検出可能な正弦パターンがもたらされることに留意されたい。0062図8を参照するに、バー316の細分化された部分は、バー312、316等の全体的な方向に平行にあるバー322である必要はない。バー316の細分化された部分は、そのクリティカルディメンションが測定されることが望ましい任意の種類のプロダクトフィーチャを模倣するように設計されることが可能である。316’として示す例では、バー316’のソリッド部分は380が付される。図5におけるように多数の小さい平行バー322に細分化されるのではなく、このバー316’には、XおよびY寸法に細分化された小さい矩形のフィーチャに対応するパターンが設けられている。これらのプロダクト状フィーチャ382は、例えばプロダクト層における貫通孔に対応してよく、これらの貫通孔によって、基板上に形成される様々なデバイス層における導体または半導体物質間に電気的接触が形成される。このようなフィーチャのCDおよびCD均一性は、リソグラフィプロセス全体の性能および信頼度に非常に重要でありうる。同様に、別のマーク例では、バー316’’は、レジストまたはプロダクト層におけるピラーに対応する、384と付された別個の小さい矩形を含む細分化された部分を有する。0063図9は、位置アライメントシステムを用いて基板上でCDを測定するための完全なプロセスを示すフローチャートおよび例示資料である。ステップ400において、マークが基板上に形成され、また、マーク310または同様の形態にある。ステップ402において、マークは、アライメントセンサを用いてスキャンされる。位置情報Xおよび/またはYが同じマークから得られるか、または、このような情報は別個のステップにおいて得られてもよい。位置が測定される場合、これは、位置測定の粗いまたは細かい段階でありうる。粗測定を用いてCDを測定することによって。マーク310は、位置感知およびウェーハグリッドマッピングのために設けられる通常のマークのうちの1つと差し替えられたものであっても、CD測定専用の追加のマークであってもよい。マークが、粗位置測定および微細位置測定の両方のために基板上に設けられている場合、変形マークは、粗マークのうちの1つの代用とされてよく、それにより、微細測定ステップの性能を劣化させないようにする。使用される測定装置は、本記載では、上述したおよび以下に述べるようなリソグラフィ装置の既存のアライメントセンサであると仮定しているが、別個のセンサであってもよい。測定装置が別個のセンサである場合、当該別個のセンサは、他の機能を有してもまたはこの目的専用であってもよい。測定装置は、リソグラフィ装置または他の試験装置に組み込まれても、完全に分離していてもよい。0064トレース403によって示されるようにステップ402の出力は、マーク310または同様のマークの内側および外側バーによって与えられる個々の周期信号間のビート効果を示す。したがって、低周波数包絡線において比較的高い周波数変化が観察される。ステップ404において、包絡線あてはめ関数がトレース403に適用され、405に示す包絡線トレースが得られかつ測定される。上述したように、マークに関する位置情報は、選択に応じて、従来の方法で同時に得ることもできる。適切な包絡線あてはめ変換はヒルベルトHilbert変換であるが、当然ながら任意の適切な方法を、例えば適切なウィンドウ処理動作およびフーリエFourier変換に基づいて用いることができる。ステップ406において、あてはめられた包絡線曲線から、曲線の位相が測定されてCD変化の較正テーブルに対してマッピングされてCD測定値が出力される。プロセスステップ間のCD一致を向上させるための適用0065図10は、基板W上のダイを露光するために図1のデュアルステージ装置において行われるステップの順序を示す。同じ順序をシングルステージ装置に適応することもできる。左側には、点線で囲まれたボックス内に、測定ステーションMEAにおいて行われるステップがあり、その一方で、右側には、露光ステーションEXPにおいて行われるステップを示す。図1に関連して上述したように、測定ステーションは、センサAS、LSの通常の場所を表し、基板テーブルWTbが現在配置されており、その一方で露光ステーションEXPは、基板テーブルWTaが現在配置されている、投影システムPSの下の場所である。0066リソグラフィ装置の動作順序は、一連の実質的に同じ基板を処理するように反復される。図1にも示すように、基板Wが既に露光ステーション内にロードされている場合のプロセスの説明を開始する。ステップ500において、新しい基板W’が、図示しない機構によってリソグラフィ装置にロードされる。これらの2つの基板WおよびW’は、リソグラフィプロセスのスループットを全体として増加するために並列に処理される。まず新たにロードされた基板W’に関して、この基板は、装置内の初めての露光のために新しいフォトレジストが準備された未加工の基板であってよい。しかし、一般的に、記載されるリソグラフィプロセスは、一連の露光および処理ステップにおける1つのステップに過ぎないので、基板W’は、リソグラフィ装置および/または他のリソグラフィを既に数回経ており、また、これから受ける後続のプロセスも有しうる。本発明の特定の文脈では、基板W’はその上にフィーチャを有してよく、そのCDが測定されるべきである。ステップ502において、基板マークP1等およびアライメントセンサASを用いたアライメント測定が行われて、基板テーブルWTに対する基板のアライメントを測定し記録する。実際には、基板W’全面にある幾つかのマークが測定されてウェーハグリッドが確立され、このウェーハグリッドは公称の標準グリッドに対する任意の歪みを含む、基板全面にあるマークの分布を非常に正確にマッピングする。既に上述した方法を用いて、同じアライメントセンサASを用いて図5に示される形態の1以上の変形マークを用いてCD測定も行われる。ステップ504において、露光パターンの正確な焦点合わせに使用するために、X-Y位置に対するウェーハ高さのマップも測定される。0067基板W’がロードされたときに、行われるべき露光や、ウェーハの特性とウェーハ上に以前に作られたおよび作られるべきパターンも定義するレシピデータ506が受け取られた。レシピと測定データの完全なるセット508が露光ステーションに渡されるように、このレシピデータに、ステップ502、504において行われた測定値が加えられる。ステップ510において、ウェーハW’とウェーハWはスワップされ、それにより、測定済み基板W’は、露光ステーションに入る基板Wとなる。このスワッピングは、基板W、W’がサポート上で正確にクランプされかつ位置決めされたままとなるように、装置内でサポートWTaおよびWTbを交換することによって行われ、それにより、サポートと基板自体との相対アライメントが維持される。したがって、一旦テーブルがスワップされると、露光ステップを制御する基板W先のW’用の測定情報502、504を使用するには、投影システムPSと基板テーブルWTa先のWTb間の相対位置を決定すればよい。ステップ512において、マスクアライメントマークM1、M2図1を用いてレチクルアライメントが行われる。ステップ514、516、518において、多数のパターンの露光を完了するために、基板W全面における連続するダイの位置にスキャン動作および放射が与えられる。アライメントおよびレベルマップデータのおかげで、これらのパターンは、所望の位置に対して、特に同じ基板上に前に付けられたフィーチャに対して正確に位置合わせされる。CDデータのおかげで、任意のまたは理想値のCDを目指すのではなく、付与されたパターンのCDを既存のフィーチャにおけるCDと良好に一致させることを目的に、露光および/または処理のパラメータを設定することができる。今度はW’’と付された露光済み基板は、ステップ520において、装置からアンロードされて、露光パターンに応じてエッチングされるかまたは他のプロセスを経る。0068今しがた説明したCD技術は、CD測定が所望される場合にはいつでも適用することができ、また、適切なマークが、CDが測定されるべき層デバイス層またはレジスト層内に付与されうる。この方法の際立った利点は、リソグラフィ装置内に通常あり、幾つかのフィーチャが既に設けられていて、追加のフィーチャを形成すべく露光されようとしている基板の位置を測定するために用いられるアライメントセンサといった位置センサを用いて高速に測定を行うことができるという点である。CDの知識が特に有用となりうるこの種の状況は、様々なサブタイプが存在するいわゆるダブルパターニング技術においてある。ダブルパターニングでは、第1のパターンがクリティカル製造可能な最小限のディメンションを有するプロダクトフィーチャを画定するラインの第1のポピュレーションを与える。プロダクトフィーチャの密度を増加するために、ラインの第2ポピュレーションが、同じまたは同様のリソグラフィ装置を用いて可能な限り正確に交互配置される。0069第1のライン間に均等な間隔を有するこれらの第2のラインの正確な配置は、リソグラフィ装置プロセスの非常に優れたオーバーレイ性能を前提とする。しかし、このことは、一般に、第1および第2のポピュレーションにおけるフィーチャの寸法が所与の基板または基板部分上で良好に一致する場合に、リソグラフィプロセス、究極的にはデバイスの満足のいく性能にも非常に重要である。すなわち、所与の適用については、第1および第2のポピュレーションにおけるCDは、それらが理想値と良好に一致するよりも、互いに良好に一致することが、より重要でありうる。ダブルパターニングおよびリソグラフィ全般のために予測可能なCD性能を達成するために多くの努力と技術が向けられてきた。本明細書に記載する新規の測定技術は、第2のポピュレーションのためのパターニングに備えて、第1のポピュレーションを含む既存のプロダクト層における実際のCDを測定する機会を提供する。この測定の結果を用いることによって、第1のポピュレーションのCDにおいて生じた任意の偏差を、第2のポピュレーションの所望のCDにおける調節オフセットによって一致させることが可能となる。オーバーレイを測定するための代替実施形態0070図11および図12は、同じ基板上で異なる時間に行われた2つの層パターニングステップ間の位置決めエラーであるオーバーレイの測定のために、上述したものと同様の技術の適用を説明する。図11aは、CDの測定に関して上述したマーク310と一見同一であるマーク610を示す。このマークのフィーチャには、マーク310におけるフィーチャと同様の参照番号が付されるが、3の代わりに6が前に付けられている。上述したように、軸604、606に関して対称であるこの特定の配置は、1つのタイプのアライメントセンサに特に適している。2配列のバー612、616しか含まない他のレイアウトも考えられる。0071図11bは、マーク610の中心部分におけるバー616の詳細を示す。CD測定に用いられるマーク316とは対照的に、本例におけるバー616の中心配列は、細分化された部分なしで単純なマーク620と空間624を含む。中心部分におけるバー616と、外側部分におけるバー612、614との間の主な相違点は、これらが、例えば別個のプロダクト層内に別個のプロセスステップで形成される点である。バー612/614および616の様々なセット間のピッチ差によって、両方のバーのセットによって散乱された放射がアライメントセンサにおいて組み合わされる場合にモアレパターンがここでも出現する。0のオーバーレイエラーでは、バー612、614に対するバー616の位置は、全く図11aに示すとおりでありうる。その一方で、長手軸604の方向にオーバーレイエラーがある場合、中心バー616は、左または右に僅かにシフトする。モアレパターンは、誇張されて左右に移動することになり、オーバーレイエラーは、リソグラフィ装置のアライメントセンサによって容易に測定可能であるように強調される。0072マーク310におけるCD変化によってもたらされるバーの中心パターンにおける見掛けのシフトが、モアレパターンを通じて、観察されるべきCDの非常に感度の高い測定を可能にするのと同様に、オーバーレイによってもたらされるマーク610における中心バー616の実際の移動が、モアレパターンの移動を通じて、オーバーレイ性能の感度の高い観察を可能にする。0073図12は、オーバーレイ測定のためのプロセスのフローチャートである。プロセスステップ700等は、図9のステップ400等に密接に対応し、同様の番号が付与される。しかし、マークを作成する初期プロセスにおいて相違点がある。ステップ700において、第1のリソグラフィステップ中に、第1のピッチを有するバー612および614は、リソグラフィ装置においてパターニングデバイスMから基板W上に付与されるパターンの一部としてプリントされる。第2のリソグラフィプロセスステップ701において、異なる部分のパターニングデバイスMがリソグラフィ装置または別の同様の装置内で用いられて、第1のパターンをオーバーレイしながら、同じ基板W上に第2のパターンが付与される。この第2のパターンは、バー612および614とは異なるピッチを有するマーク610のバー616を含み、マーク610を完成する。0074ステップ702において、マークは、アライメントセンサを用いてスキャンされる。位置情報Xおよび/またはYが同じマークから得られるか、または、このような情報は別個のステップにおいて得られてもよい。位置が測定される場合、これは、位置測定の粗いまたは細かい段階でありうる。粗測定を用いてオーバーレイを測定することにより、微細測定は確実に変更点によって損なわれない。0075トレース703によって示されるようにステップ702の出力は、内側および外側バーによって与えられる個々の周期信号間のビート効果を示す。図7にあるように、低周波数包絡線において比較的高い周波数変化が観察される。ステップ704において、包絡線あてはめ関数がトレース703に適用され、705に示す包絡線トレースが得られかつ測定される。上述したように、マークに関する位置情報は、従来の方法で同時に得ることもできる。適切な包絡線あてはめ変換は上述したヒルベルトHilbert変換であるが、当然ながら任意の適切な方法を用いてよい。ステップ706において、あてはめられた包絡線曲線から、観察された曲線の位相が測定されて、モアレ増幅係数を考慮して、オーバーレイ測定値に逆算される。0076明らかに、本実施形態には、上述したCD測定方法に関連して説明した多くの同じ変形を含む多くの変形が可能である。マーク610の様々な部分を異なる順序で作ってもよく、例えば中心バー616は外側バー612、614の前にプリントされる。オーバーレイおよびCDを測定するために、および、異なるプロダクト層におけるオーバーレイおよび/またはCDを測定するために、同じ基板上に多数のマークを形成することができる。0077数値例では、バー616の内側配列は2.2μmのピッチを有する一方で、外側バー612、614のピッチは2.6μmである。モアレパターンの結果生じる理論上の増幅係数は2.62.2/22.6-2.2=6である。したがって、2つのバーのセット間のシフトが1nmであるならば、ステップ704において検出される包絡線のシフトは6nmとなる。同様に、3nmのシフトは、18nmの包絡線のシフトをもたらすことになる。したがって、モアレマークによって与えられる増幅係数は、様々なマークを測定するようアライメントセンサAS自体を用いて得られるよりもはるかに感度の高いオーバーレイエラーの測定を可能にし、また、単一の測定ステップを用いることも可能にしうる。さらに、様々な層において形成された2つのマークの位置を単純に測定することによってオーバーレイを測定することは、結果は、個々の位置測定の測定不確実性の2倍である不確実性の影響を受けることになる。上で提案したモアレ方法はこのようにエラーを蓄積しない。ピッチおよび増幅係数の選択は、設計者の測定装置の知識に依存し、また、観察可能なモアレパターンにおけるサイクルの回数と所望の増幅係数との間の妥協点も関連する。同じ原理を、上述したCD測定方法におけるように適用することができる。0078説明した方法は、2つのプロセスステップ700、701において作られたパターンが、互いに物理的にオーバーレイされることなく、それらの位置で比較されるという点で、代替のオーバーレイ測定技術に優る追加の利点を有する。そのオーバーレイ精度が重要である実際のプロダクトフィーチャは、当然ながら、互いの上に形成されるが、本測定技術ではバー612/614および616が隣り合わせで形成されるということは、オーバーレイ測定は、層間のウェーハレベルでの相互作用によってもたらされる他の影響がないということを意味する。0079オーバーレイは、2つの位置の差の決定であるので、測定のための基準位置を定義することも必要でありうる。このための解決策が幾つかある。第1の選択肢は、組み合わされたマークの一部のピッチのうちの1つ、すなわち、バー612もしくは614、または616の配列の位置を使うことである。このピッチは計器を用いて特定可能であるとすると、1回のスキャンステップ702を用いてオーバーレイおよび絶対位置を決定することができるということを意味する。例えばヒルベルトHilbert変換を用いて、ビートパターンおよびビートパターン自体の包絡線内の個々のピッチの位置を測定することができる。或いは、マーク610に似ているが、層のうちの1つにすべてのバーを有する追加のマークを、オーバーレイ測定マーク610の横にプリントすることができる。その場合、既知のゼロのオーバーレイエラーしたがって測定可能な位置を有するマークと、ステップ700および701において付与されたパターン間の変位の結果生じるシフトを有するもう1つマークである、2つのマークのモアレパターンを比較することができる。更なる代案として、ステップ700または701の一方において、組み合わされたマークの結果として生じる包絡線に対応するピッチを有するマークをプリントすることができる。0080説明した例では、2つのバーのセットは、モアレパターンが可能な限り強力であるようにほぼ等しい重み付けを有するように設計される。しかし、位置測定のために同じマークが使用されるべき場合、CDまたはオーバーレイ信号強度モアレ信号と位置信号強度との間にはトレードオフがありうる。したがって、様々なバーのセットのサイズの割合は、ベースの周期信号を圧倒することなく、十分なモアレ信号を提供するように調整されうる。代替の実施0081本発明は、上述した米国特許第6961116号および米国特許出願第2009195768Aに記載されるもの以外に、他のタイプのセンサとの使用に適応させることが可能である。別のタイプのセンサは、例えば米国特許第6297876号に記載され、また、多くの代替設計が存在する。上述した例では、モアレパターンは、マークの様々な部分からの放射を組み合わせる光学システム内で形成されるが、他のセンサは、画素化された像のデジタル処理が後に続く像捕捉に基づいている。これらの場合、検出される像は、その個別のバーを有するマーク310または610によく似ている。モアレパターンは、検出された形態では当該像内には存在しないが、単にパターン全体に画素値を取り込むことによって、像処理ステップにより形成されうる。像捕捉は、図3に示すセンサのように照明スポットでスキャンすることによるのではなく、スナップショットで行われうる。周期信号が像内に即座に記録されようと、または、スキャンからの時変信号として記録されようと、記載された原理に従った後続の処理は、所望の結果を達成すべく当業者によって容易に適応されうる。0082なお、記載されたCDおよびオーバーレイ測定値を計算するための信号処理は、図13に示すようなコンピュータアセンブリを使用しうることを理解すべきである。このコンピュータアセンブリは、リソグラフィ装置の外付けの専用コンピュータであっても、アライメントセンサ内のユニットPUであっても、或いは、リソグラフィ装置全体を制御する中央制御ユニットLACUであってもよい。このコンピュータアセンブリは、コンピュータ実行可能コードを含むコンピュータプログラムプロダクトをロードするために構成されうる。これにより、コンピュータプログラムプロダクトがダウンロードされた場合に、コンピュータアセンブリは、アライメントセンサASを有するリソグラフィ装置の上述した使用を制御することを可能にしうる。上述した技術は、ハードウェアの変更なしで既存の装置において実施できるので、本発明は、特殊マーク310、610等からの信号の読み出しおよび分析を制御するための命令を担持するコンピュータプログラムプロダクトにおいて有効に具現化されうる。0083プロセッサ1227に接続されたメモリ1229は、ハードディスク1261、読み出し専用メモリROM1262、電気的に消去可能なプログラマブル読み出し専用メモリEEPROM1263およびランダムアクセスメモリRAM1264といった多数のメモリコンポーネントを含みうる。上述したこれらのメモリコンポーネントのすべてがなくてはならないわけではない。さらに、上述したこれらのメモリコンポーネントが、プロセッサ1227または互いに対して物理的に近いことが必須ではない。これらは、距離が離れて配置されていてもよい。0084プロセッサ1227はさらに、例えばキーボード1265またはマウス1266といった何らかの種類のユーザインターフェースに接続されうる。タッチスクリーン、トラックボール、スピーチ変換器、または当業者に周知である他のインターフェースも用いてよい。0085プロセッサ1227は、リムーバブルディスク1268またはCDROM1269といったデータ担体から、例えばコンピュータ実行可能コードの形態にあるデータを読み出しし、ある状況下ではデータ担体上にデータを記憶するように構成された読み出しユニット1267に接続されうる。DVDまたは当業者に知られている他のデータ担体を用いてもよい。0086プロセッサ1227はさらに、紙に出力データを印刷するプリンタ1270と、ディスプレイ1271にも接続されうる。プロセッサ1227は、公衆交換電話網PSTN、ローカルエリアネットワークLAN、ワイドエリアネットワークWAN等といった通信ネットワーク1272に、入出力I/Oに関与する送信器/受信器1273によって接続されうる。プロセッサ1227は、通信ネットワーク1272を介して他の通信システムと通信するように構成されうる。本発明の一実施形態では、例えばオペレータのパーソナルコンピュータである外部コンピュータ図示せずが、通信ネットワーク1272を介して、プロセッサ1227にログインすることができる。0087プロセッサ1227は、独立型システムとして、または、並列に動作する多数の処理ユニットとして実施されてよく、各処理ユニットは、より大きいプログラムのサブタスクを実行するように構成されている。これらの処理ユニットはさらに、幾つかのサブ処理ユニットを有する1以上の主処理ユニットに分割されてもよい。プロセッサ1227の幾つかの処理ユニットは、他の処理ユニットから遠く離れて配置されて、通信システム1272を介して通信してもよい。0088図1におけるあらゆる接続は物理的な接続として示されるが、これらの接続のうちの1以上がワイヤレスであってもよいことが観察される。これらの接続は、接続されたユニットが、何らかの方法で、互いに通信するように構成されていることを示すことを意図しているに過ぎない。コンピュータシステムは、本明細書に記載された機能を行うように構成されたアナログおよび/またはデジタルおよび/またはソフトウェア技術を有する任意の信号処理システムであってよい。0089本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0090光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。0091本明細書において使用される放射およびビームという用語は、紫外線UV例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する、および極端紫外線EUV5~20nmの範囲内の波長を有する、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。0092レンズという用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指しうる。0093以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す1つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスクの形態であってもよい。上記の説明は、限定ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、以下に記載する節の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。1.リソグラフィプロセスの性能のパラメータを測定する方法であって、a少なくとも1つのリソグラフィステップを用いて、基板上に、該基板上で互いに隣接して位置決めされかつ各々の第1および第2の周期性を有する第1および第2のサブパターンを含むパターンを形成することと、b前記隣接する第1および第2のサブパターンを観察して、前記第1および第2の周期性の周波数より低い周波数における第3の周期性を有するビート成分を含む組合せ信号を得ることと、c前記組合せ信号から、前記リソグラフィプロセスの性能の測定値を計算することとを含み、前記計算された測定値は、前記ビート成分の位相によって、少なくとも部分的に決定される、方法。2.前記第1および第2のサブパターンは、共に同じリソグラフィステップにおいて形成され、前記サブパターンのうちの少なくとも1つは、もう1つのサブパターンに対して見掛けの位置を有するように形成され、該見掛けの位置は、前記性能パラメータに依存する、実施形態1に記載される方法。3.前記性能パラメータは、前記リソグラフィステップにおいて前記基板上に形成された特定のフィーチャタイプの寸法である、実施形態2に記載の方法。4.前記サブパターンのうち少なくとも1つは、マークの周期的な配列を含み、前記マークの各々は、ソリッド部分と細分化された部分とを有し、各マークの前記見掛けの位置は、ステップbにおいて観察された場合、前記リソグラフィプロセスの前記性能パラメータに依存する、実施形態1、2または3に記載の方法。5.前記第1および第2のサブパターンは、別個のリソグラフィステップにおいて形成される、実施形態1に記載の方法。6.前記性能パラメータは、オーバーレイである、実施形態5に記載の方法。7.前記ステップbにおいて、前記第1および第2のサブパターンの観察は、光学的に組み合わせられ、前記ビート成分を既に含む電子信号に変換される、いずれかの先行する実施形態に記載の方法。8.前記パターンは、前記電子信号を生成するように、センサを用いて前記パターンをスキャンすることにより観察され、それにより前記ビート成分は、前記スキャン中に、前記電子信号において時変成分として現れる、実施形態7に記載の方法。9.ステップbにおいて、前記第1および第2のパターンの観察は、同時に行われ、前記組合せ信号が得られるように後に電子的に組み合わせられる第1および第2の電子信号に変換される、実施形態1から6に記載の方法。10.前記第1および第2の電子信号は、前記パターンの像の様々な部分を含む、実施形態9に記載の方法。11.前記基板に更なるパターンを付与する更なるリソグラフィステップを行うことをさらに含み、該更なるリソグラフィステッププロセスは、前記測定されたパラメータを参照することにより部分的に制御される、いずれかの先行する実施形態に記載される方法。12.前記リソグラフィステップおよび前記さらなるリソグラフィステップは、ダブルパターニングプロセスにおけるステップを含む、実施形態11に記載される方法。13.リソグラフィプロセスの性能のパラメータを測定する装置であって、前記リソグラフィプロセスを用いて、基板上に形成されたパターンを観察するように動作可能なセンサであって、該パターンは、該基板上で互いに隣接して位置決めされかつ各々の第1および第2の周期性を有する第1および第2のサブパターンを含む、センサと、前記隣接する第1および第2のサブパターンの観察を組み合わせて、前記第1および第2の周期性の周波数より低い周波数における第3の周期性を有するビート成分を含む組合せ信号を得るための配置と、前記組合せ信号から、前記リソグラフィプロセスの性能の測定値を計算するためのプロセッサであって、該計算された測定値は、前記ビート成分の位相によって、少なくとも部分的に決定される、プロセッサと、を備える装置。14.動作時、前記第1および第2のサブパターンの前記観察は、前記ビート成分を既に含む電子信号に変換される前に、光学的に組み合わせられる、実施形態13に記載の装置。15.前記センサは、前記電子信号を生成するように、前記パターンをスキャンすることにより前記観察を行うように構成され、それにより前記ビート成分は、前記スキャン中に、前記電子信号において時変成分として現れる、実施形態14に記載の装置。16.前記組合せ配置は、前記第1および第2のパターンの観察を、第1および第2の電子信号の形態で得て、前記第1および第2の電子信号を組み合わせて前記組合せ信号を得るように構成される、実施形態に記載の装置。17.前記第1および第2の電子信号は、前記パターンの像の様々な部分を含む、実施形態16に記載の装置。18.パターニングデバイスからのパターンを基板上に転写するように構成されたリソグラフィ装置であって、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記基板が前記リソグラフィ装置の前記基板テーブル上に支持されている間に前記基板が受けたリソグラフィプロセスの性能のパラメータを測定するために構成されている、実施形態のいずれかに記載された装置と、を備える、リソグラフィ装置。19.前記測定装置の前記センサは、前記基板の位置も測定するように構成され、前記リソグラフィ装置は、前記測定された位置を参照することにより、前記基板上への後続のパターンの転写を少なくとも部分的に制御するためのコントローラを備える、実施形態18に記載のリソグラフィ装置。20.前記測定装置の前記プロセッサは、前記ビートパターンを観察するのと同時に観察された信号から前記基板の前記位置を決定するように構成される、実施形態19に記載のリソグラフィ装置。21.前記コントローラは、前記測定された性能パラメータを参照することにより、前記基板上へのさらなるパターンの転写を少なくとも部分的に制御するように構成される、実施形態18、19または20に記載のリソグラフィ装置。22.リソグラフィプロセスによってマークがその上に形成されている基板であって、該マークは、前記リソグラフィプロセスの性能のパラメータの測定に用いられるように適応され、また、前記基板上で互いに隣接して位置決めされかつ各々の第1および第2の周期性を有する第1および第2のサブパターンを含み、該サブパターンは、1つのサブパターンの、もう1つのサブパターンに対する見掛けの位置が、前記性能パラメータに依存するように形成され、前記第1および第2の周期性は、前記第1および第2の周期性の周波数より低い周波数における第3の周期性を有するビートパターンを生成するような周期性であり、それにより、前記性能パラメータの変化は、前記ビートパターンの前記位置の変化から推測可能である、基板。23.前記第1および第2のサブパターンは、共に同じリソグラフィステップにおいて形成され、前記サブパターンのうちの少なくとも1つは、もう1つのサブパターンに対して見掛けの位置を有するように形成され、前記見掛けの位置は、前記性能パラメータに依存する、実施形態22に記載の基板。24.前記性能パラメータは、前記リソグラフィステップにおいて前記基板上に形成された特定のフィーチャタイプの寸法である、実施形態23に記載の基板。25.前記サブパターンのうち少なくとも1つは、バーの周期的な配列を含み、該バーの各々は、ソリッド部分と細分化された部分とを有し、各バーの前記見掛けの位置は、観察された場合、前記リソグラフィプロセスの前記性能パラメータに依存する、実施形態22、23または24に記載の基板。26.前記第1および第2のサブパターンは、別個のリソグラフィステップにおいて形成され、前記性能パラメータはオーバーレイである、実施形態22または24に記載の基板。27.前記第1および第2のサブパターンは、前記パターンの長手方向に隣り合わせで延在する、実施形態22から26のいずれかに記載の基板。28.前記第1および第2のサブパターンのうちの第1のサブパターンが、前記パターンの中心線に沿って延在する一方で、前記第1および第2のサブパターンのうちのもう1つのサブパターンが、前記パターンが全体として前記中心線に関して対称であるように両側に沿って延在する、実施形態27に記載の基板。29.前記マークは、ダブルパターニングプロセスの一部として、第1のフィーチャポピュレーションとの交互配置で形成される第2のフィーチャポピュレーションに備えて、前記第1のフィーチャポピュレーションに形成される、実施形態22から28のいずれかに記載の基板。30.実施形態1から12のいずれかに記載される方法のステップbおよびcを測定装置に行わせる機械実行可能な命令を含むコンピュータプログラム又はコンピュータ可読媒体。