複数の画素を有する有機ELデバイスであって、基板上に形成された陽極と、前記複数の画素を形成するためのウェル画定層の各ウェル内の前記陽極上に形成された有機EL層と、前記EL層の上の陰極層と、前記ウェル画定層の上面上の金属層とを備え、前記陰極層および前記金属層を覆って導電層が堆積されて、前記EL層の上の前記陰極層が前記ウェル画定層の上面上の前記金属層と電気的に接続される、有機ELデバイス。前記ウェル画定層の上面上の前記金属層が、前記陰極層と同じ金属層である、請求項1に記載の有機ELデバイス。前記陰極層が、前記ウェル画定層の上面上の前記金属層の上と、前記EL層の上との両方に形成されるように堆積される、請求項1に記載の有機ELデバイス。前記導電層が金属酸化物を含む、請求項1~請求項3のいずれかに記載の有機ELデバイス。前記金属酸化物が、酸化亜鉛、酸化モリブデンおよび酸化タングステンから選択される、請求項4に記載の有機ELデバイス。前記導電層が導電ポリマーを含む、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載の有機ELデバイス。前記導電層の抵抗と前記有機EL層の抵抗の比が、動作状態において1:10~1:100の範囲内にある、請求項1~請求項6のいずれかに記載の有機ELデバイス。前記有機EL層が、インクジェット印刷、スロットコーティング、毛細管印刷、グラビア印刷、またはスクリーン印刷によって堆積される層である、請求項1~請求項7のいずれかに記載の有機ELデバイス。前記ウェル画定層が、適切なフォトマスクを使用してパターニングされたフォトレジストにより形成される、請求項1~請求項8のいずれかに記載の有機ELデバイス。前記ウェル画定層が、ウェットエッチングまたはドライエッチング処理によって前記ウェル画定層を固めるようにパターニングされたエッチング可能材料から形成される、請求項1~請求項9のいずれかに記載の有機ELデバイス。前記ウェル画定層の壁が張り出し断面を含む、請求項1~請求項10のいずれかに記載の有機ELデバイス。請求項1~請求項11のいずれか一項に記載の有機ELデバイスのアレイを備える照明パネル。有機ELデバイスが、陽極から陰極層までを測って100nm~200nmの厚さを備える、請求項12に記載の照明パネル。したがって、本発明は、ELデバイスに及ぼす短絡の影響を軽減できる一方で、製造および材料の諸経費に関して経済的なデバイスを提供しようとするものである。本発明の第1の態様では、複数の画素を有する有機ELデバイスが提示され、このデバイスは、基板上に形成された陽極と、複数の画素を形成するためのウェル画定層の各ウェル内の陽極上に形成された有機EL層と、EL層の上の陰極層と、ウェル画定層の上面上の金属層とを備え、陰極層および金属層を覆って導電層が堆積されて、EL層の上の陰極層がウェル画定層の上面上の金属層と接続される。好ましい諸実施形態が、独立請求項に記載されている。本発明の諸実施形態を次に、単に例示的に、添付の図面を参照して説明する。以下の説明全体を通して、同じ部分を示すのに同じ参照番号が使用される。図2を参照すると、本発明の第1の実施形態は、インジウムスズ酸化物の透明のパターニングされた陽極電極層204が上に堆積されている透明ガラス基板202を含む有機ELデバイス200を提示する。ポリイミドを含むパターニングされたウェル形成レジスト層が、基板202上の1対の陰極セパレータ206を形成する。この対の陰極セパレータ206は、基板202の上の辺が基板202から遠い辺よりも短い台形になっている、張り出し断面を有する。EL材料208は、対の陰極セパレータ206によって形成されたウェルの中に堆積され、また、この場合にはバリウムなどの低仕事関数金属である、金属の陰極電極層210が、EL材料208の上および各陰極セパレータ206の表面に堆積される。陰極セパレータ206が配置されることにより陰極電極層210は破断され、その結果、EL材料208上の陰極金属と陰極セパレータ206の表面上の陰極金属との間に物理的接続部がないことになる。例えば酸化亜鉛などの金属酸化物の導電層212が、陰極層210を覆って堆積される。導電層212の必要な抵抗率は、有機ELデバイス200の特性、特にEL材料208の特性に依存する。例えば、ELデバイス200の面積、およびEL材料208の厚さが考慮に入れられる。必要な抵抗率を、ELデバイス200の面積に依存する抵抗と短絡保護導電層212の抵抗の比に換算して表すと役立つ。これらの抵抗の比は、いくつのELデバイス200が並列に駆動されるかに応じて、また、1つが短絡したときに、どれだけの電流が非短絡ELデバイス200を通って流れることが望まれるかに応じて変わる。動作状態での有機EL材料208の抵抗と導電層212の抵抗のこのような比は、約10:1から100:1の範囲内にある。動作の際、電気接続214で大まかに、かつ概略的に示されるように、ある電圧が、陽極電極層204から陰極電極層206までのデバイス200の両端間に印加される。電流は、陰極セパレータ206の表面の陰極金属から導電層212を通ってEL材料208の上の陰極金属まで流れる。図3で最もよく分かるように、4つの白色発光EL画素302、304、306および308から成る照明要素300が、電流源310によって駆動される並列配置の形で示されている。各EL画素302、304、306および308は、それぞれ有機発光ダイオード312、314、316および318と、導電層212を表す接続抵抗320とを含む。接続抵抗320は、有機発光ダイオード312~318の動作点における微分抵抗よりも発光ダイオードの寿命全体を通して低いが、短絡が起きた場合に、抵抗が短絡部への電流の流れを制限するように作用し、それによって照明要素300が確実に動作可能のままになるのに十分なだけ高く選ばれる。図3で、有機発光ダイオード312は、短絡322を起こしているとして示されている。動作の際、抵抗320は、短絡部への電流の流れを制限するように作用し、それによって照明要素300が確実に動作可能のままになる。図4は、本発明の第2の実施形態による有機発光デバイスの概略図である。図4によれば、陽極格子金属402が、陽極電圧降下を最小限にするために、インジウムスズ酸化物の陽極電極層204に接続される。図5は、本発明による有機発光デバイス照明パネル500の一部の平面図である。照明パネル500は、断面がy-yに沿って図2および図4で見える有機EL画素302~308のアレイを含む。本発明の範囲内でいくつかの変形形態が可能である。本発明の一変形形態では、ウェル画定層の上面上の金属層は、陰極層とは別の金属層であり、デバイスの導電性を向上できるバスバーを形成する。上面上の金属は、適切な導電性を有する任意の金属でよく、適切な例は当業者には容易に明らかになろう。好ましい例には、アルミニウム、銀およびクロムが含まれる。この金属は、当業者には明らかな手段によって、ウェル画定層の上面上に堆積することができる。例えば、金属は熱蒸着によって堆積することができる。通常、この層の厚さは0.1~1μmである。本発明の別の好ましい実施形態では、ウェル画定層の上面上の金属層は、陰極層がEL層の上とウェル画定層の上面上の両方に配置されるように堆積されるということで、陰極層と同じ金属層である。この場合、ウェル画定層は陰極セパレータになり、その結果、EL層の上の陰極層とウェル画定層の上面上の陰極層との間には破断があることになる。この陰極セパレータは、当業者には知られているように、ウェル画定層の形状によって得ることができる。例えば、ウェル画定層の壁は、基板に対する垂直面と壁の間の角度が0度未満になるように、凹断面を有することができる。あるいは、金属層はウェル画定層の上面上に保持され、陰極層は、それがEL層の上と、ウェル画定層の上面上の金属層の上との両方に形成されるように堆積される。ウェル画定層は、適切なフォトマスクを使用してパターニングされたフォトレジストにより形成することができる。あるいは、ウェル画定層は、エッチング可能材料、特にエッチング可能ポリイミドでもよく、この材料をウェットエッチングまたはドライエッチング処理によってパターニングしてウェル画定層を形成することができる。ウェル画定層がフォトレジスト層である場合、層はフォトレジスト材料から形成することができ、この材料の例としては感光性のポリイミドなどが含まれる例えば、欧州特許出願公開第0880303号参照。好ましくは、使用されるフォトレジストはポジティブフォトレジストである。導電層の材料には、酸化亜鉛、酸化モリブデン、酸化タングステンなどの金属酸化物、導電性ポリマーのポリエチレンジオキシチオフェンPEDOTなどのドープ有機輸送材料または合成材料、ドープ電子輸送層、あるいは共役ポリマー、ペンダントポリマーおよび小分子などの非ドープ有機導電材料が含まれる。おそらく多くの他の効果的な代替形態が当業者には想起されるであろう。本発明は、説明した実施形態に限定されず、当業者には明らかな、本明細書に添付された特許請求の範囲内にある修正を包含することを理解されたい。