"光の入射側に配置される第1基板と出射側に配置される第2基板との間に液晶層を挟持してなる液晶装置であって、前記第1基板または前記第2基板のいずれかに備えられ、画素と平面視で重なる位置に透光領域と、前記画素間と平面視で重なる位置に遮光領域とを備えた遮光部と、前記第1基板に備えられ、入射した光を前記遮光部の透光領域の内側に集光させる集光レンズと、前記第2基板に備えられ、前記遮光領域と平面視で重なる位置に、前記透光領域を通過して拡がった光を集光させるプリズム素子と、を備え、前記プリズム素子は、前記第2基板に形成された溝を含むことを特徴とする液晶装置。前記溝の深さは、前記溝の幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。前記遮光部は、互いに交差して配置されたデータ線と走査線とからなり、前記溝は断面視V字状であり、前記溝の前記データ線と重なる部分の幅と前記走査線と重なる部分の幅とは互いに等しく、前記溝の前記データ線と重なる部分の深さと前記走査線と重なる部分の深さとは互いに等しいことを特徴とする請求項1または2に記載の液晶装置。前記遮光部と前記プリズム素子との間には、前記溝の前記液晶層側の部分を塞ぐ蓋部が形成されており、前記溝の内部は中空であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の液晶装置。前記蓋部の前記遮光部側の面は平坦面であることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。前記溝の前記液晶層側の部分には前記蓋部の一部が入り込んでおり、前記溝の前記蓋部の一部が入り込んだ部分と少なくとも重なる部分には反射膜が形成されていることを特徴とする請求項4または5に記載の液晶装置。前記溝の内部には反射膜が形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の液晶装置。光源装置と、前記光源装置から射出された光を画像情報に応じて変調する請求項1~7のいずれか一項に記載の液晶装置と、前記液晶装置からの変調光を投写画像として投写する投写光学系と、を備えることを特徴とするプロジェクター。特許文献1の液晶装置では、液晶パネルとマイクロレンズとが別個に形成されるため、液晶パネルを挟んで一対のマイクロレンズを位置決めすることが容易ではなく、液晶装置の製造に手間がかかる。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、高い光利用効率を実現するとともに容易に製造可能な液晶装置及びプロジェクターを提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、光の入射側に配置される第1基板と出射側に配置される第2基板との間に液晶層を挟持してなる液晶装置であって、前記第1基板または前記第2基板のいずれかに備えられ、画素と平面視で重なる位置に透光領域と、前記画素間と平面視で重なる位置に遮光領域とを備えた遮光部と、前記第1基板に備えられ、入射した光を前記遮光部の透光領域の内側に集光させる集光レンズと、前記第2基板に備えられ、前記遮光領域と平面視で重なる位置に、前記透光領域を通過して拡がった光を集光させるプリズム素子と、を備え、前記プリズム素子は、前記第2基板に形成された溝を含むことを特徴とする。この液晶装置においては、集光レンズにより遮光部に入射する光が遮光部の透光領域に収束され、プリズム素子により当該透光領域を通過して拡がった光が集光される。また、第2基板に溝が形成されて当該溝を含むプリズム素子が作りこまれるので、プリズム素子の位置決めが容易となる。よって、高い光利用効率を実現するとともに容易に製造可能な液晶装置を提供することができる。前記液晶装置において、前記溝の深さは、前記溝の幅よりも大きいことが望ましい。この構成によれば、遮光部の透光領域を通過して拡がった光を確実に集光させることができる。これに対して、溝の深さが溝の幅よりも小さいと遮光部の透光領域を通過して拡がった光を十分に集光できない場合がある。前記液晶装置において、前記遮光部は、互いに交差して配置されたデータ線と走査線とからなり、前記溝は断面視V字状であり、前記溝の前記データ線と重なる部分の幅と前記走査線と重なる部分の幅とは互いに等しく、前記溝の前記データ線と重なる部分の深さと前記走査線と重なる部分の深さとは互いに等しいことが望ましい。この構成によれば、溝のデータ線と重なる部分の先端部の角度と走査線と重なる部分の先端部の角度とが互いに等しくなる。このため、プリズム素子のデータ線と重なる部分の断面形状と走査線と重なる部分との断面形状とが同一形状となる。よって、遮光部の透光領域を通過して拡がった光を均一に集光させることができる。前記液晶装置において、前記遮光部と前記プリズム素子との間には、前記溝の前記液晶層側の部分を塞ぐ蓋部が形成されており、前記溝の内部は中空であってもよい。この構成によれば、溝の内部例えば空気層、真空の屈折率が第2基板の屈折率よりも小さくなるので、遮光部の透光領域を通過して拡がった光がプリズム素子に入射する際に全反射条件を満たし易くなる。よって、遮光部の透光領域を通過して拡がった光を確実に集光させることができる。前記液晶装置において、前記蓋部の前記遮光部側の面は平坦面であることが望ましい。この構成によれば、蓋部の上部に配線などを形成した場合に断線などのおそれが少なくなる。前記液晶装置において、前記溝の前記液晶層側の部分には前記蓋部の一部が入り込んでおり、前記溝の前記蓋部の一部が入り込んだ部分と少なくとも重なる部分には反射膜が形成されていてもよい。この構成によれば、遮光部の透光領域を通過して拡がった光がプリズム素子を構成する溝の蓋部の一部が入り込んだ部分に入射した場合でも、当該部分に形成された反射膜により当該部分に入射した光を反射させることができる。よって、遮光部の透光領域を通過して拡がった光を確実に集光させることができる。前記液晶装置において、前記溝の内部には反射膜が形成されていてもよい。この構成によれば、プリズム素子の光入射面が反射面として機能する。よって、遮光部の透光領域を通過して拡がった光を確実に集光させることができる。本発明のプロジェクターは、光源装置と、前記光源装置から射出された光を画像情報に応じて変調する上述した液晶装置と、前記液晶装置からの変調光を投写画像として投写する投写光学系と、を備えることを特徴とする。このプロジェクターによれば、上述した液晶装置を備えているので、高品質な画像表示が可能なプロジェクターを提供することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。[第1実施形態]プロジェクター図1は、本発明の第1実施形態に係るプロジェクター100の光学系を示す模式図である。図1に示すように、プロジェクター100は、光源装置101と、インテグレーター104と、偏光変換素子105と、色分離導光光学系102と、光変調装置としての液晶光変調装置110R,液晶光変調装置110G,液晶光変調装置110Bと、クロスダイクロイックプリズム112及び投写光学系114と、を具備して構成されている。光源装置101は、第1色光である赤色光以下、R光という。、第2色光である緑色光以下、G光という。、及び第3色光である青色光以下、B光という。を含む光を供給する。光源装置101としては、例えば超高圧水銀ランプを用いることができる。インテグレーター104は、光源装置101からの光の照度分布を均一化する。照度分布を均一化された光は、偏光変換素子105にて特定の振動方向を有する偏光光、例えば色分離導光光学系102の反射面に対してs偏光したs偏光光に変換される。s偏光光に変換された光は、色分離導光光学系102を構成するR光透過ダイクロイックミラー106Rに入射する。色分離導光光学系102は、R光透過ダイクロイックミラー106Rと、B光透過ダイクロイックミラー106Gと、3枚の反射ミラー107と、2枚のリレーレンズ108と、を具備して構成されている。R光透過ダイクロイックミラー106Rは、R光を透過し、G光、B光を反射する。R光透過ダイクロイックミラー106Rを透過したR光は、反射ミラー107に入射する。反射ミラー107は、R光の光路を90度折り曲げる。光路を折り曲げられたR光は、R光用液晶光変調装置110Rに入射する。R光用液晶光変調装置110Rは、R光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。R光用液晶光変調装置110Rは、λ/2位相差板123R、ガラス板124R、第1偏光板121R、液晶装置120R、及び第2偏光板122Rを有する。λ/2位相差板123R及び第1偏光板121Rは、偏光方向を変換させない透光性のガラス板124Rに接する状態で配置される。なお、図1において、第2偏光板122Rは独立して設けられているが、液晶装置120Rの射出面や、クロスダイクロイックプリズム112の入射面に接する状態で配置しても良い。R光透過ダイクロイックミラー106Rで反射された、G光とB光とは光路を90度折り曲げられる。光路を折り曲げられたG光とB光とは、B光透過ダイクロイックミラー106Gに入射する。B光透過ダイクロイックミラー106Gは、G光を反射し、B光を透過する。B光透過ダイクロイックミラー106Gで反射されたG光は、G光用液晶光変調装置110Gに入射する。G光用液晶光変調装置110GはG光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。G光用液晶光変調装置110Gは、液晶装置120G、第1偏光板121G及び第2偏光板122Gを有する。G光用液晶光変調装置110Gに入射するG光は、s偏光光に変換されている。G光用液晶光変調装置110Gに入射したs偏光光は、第1偏光板121Gをそのまま透過し、液晶装置120Gに入射する。液晶装置120Gに入射したs偏光光は、画像信号に応じた変調により、G光がp偏光光に変換される。液晶装置120Gの変調により、p偏光光に変換されたG光が、第2偏光板122Gから射出される。このようにして、G光用液晶光変調装置110Gで変調されたG光は、クロスダイクロイックプリズム112に入射する。B光透過ダイクロイックミラー106Gを透過したB光は、2枚のリレーレンズ108と、2枚の反射ミラー107とを経由して、B光用液晶光変調装置110Bに入射する。B光用液晶光変調装置110Bは、B光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。B光用液晶光変調装置110Bは、λ/2位相差板123B、ガラス板124B、第1偏光板121B、液晶装置120B、及び第2偏光板122Bを有する。B光用液晶光変調装置110Bに入射するB光は、s偏光光に変換されている。B光用液晶光変調装置110Bに入射したs偏光光は、λ/2位相差板123Bによりp偏光光に変換される。p偏光光に変換されたB光は、ガラス板124B及び第1偏光板121Bをそのまま透過し、液晶装置120Bに入射する。液晶装置120Bに入射したp偏光光は、画像信号に応じた変調により、B光がs偏光光に変換される。液晶装置120Bの変調により、s偏光光に変換されたB光が、第2偏光板122Bから射出される。B光用液晶光変調装置110Bで変調されたB光は、クロスダイクロイックプリズム112に入射する。このように、色分離導光光学系102を構成するR光透過ダイクロイックミラー106RとB光透過ダイクロイックミラー106Gとは、光源装置101から供給される光を、第1色光であるR光と、第2色光であるG光と、第3色光であるB光とに分離する。色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム112は、2つのダイクロイック膜112a、112bをX字型に直交して配置して構成されている。ダイクロイック膜112aは、B光を反射し、G光を透過する。ダイクロイック膜112bは、R光を反射し、G光を透過する。このように、クロスダイクロイックプリズム112は、R光用液晶光変調装置110R、G光用液晶光変調装置110G、及びB光用液晶光変調装置110Bでそれぞれ変調されたR光、G光及びB光を合成する。投写光学系114は、クロスダイクロイックプリズム112で合成された光をスクリーン116に投射する。これにより、スクリーン116上でフルカラー画像を得ることができる。液晶装置図1で説明したプロジェクター100は、3枚の液晶装置120R、120G、120Bを備えている。これら3枚の液晶装置120R、120G、120Bは変調する光の波長領域が異なるだけであり、基本構成は同一であるため、以下、液晶装置120Rを例に挙げて説明する。図2は、液晶装置120Rの全体構成を示す平面図であり、図3は、液晶装置120Rの断面構成図である。なお、図3は図2のA-A線に沿った断面図である。図2に示すように、液晶装置120Rは、TFTアレイ基板第2基板208と対向基板第1基板200とを重ね合わせるとともに、両者の間に設けられたシール材52により貼り合わせた構成を有する。シール材52によって区画された領域内には液晶層205が封入されている。シール材52の形成領域の内側には、遮光性材料からなる周辺見切り53が形成されている。シール材52の外側の領域には、データ線駆動回路41および外部回路実装端子42がTFTアレイ基板208の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する2辺に沿って走査線駆動回路54が形成されている。TFTアレイ基板208の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路54の間を接続するための複数の配線55が設けられている。また、対向基板200の角部においては、TFTアレイ基板208と対向基板200との間で電気的導通をとるための基板間導通材56が配設されている。なお、データ線駆動回路41および走査線駆動回路54をTFTアレイ基板208の上に形成する代わりに、例えば、駆動用LSIが実装されたTABTapeAutomatedBonding基板とTFTアレイ基板208の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。図3に示すように、液晶装置120Rの光入射側には、複数の集光レンズ201マイクロレンズを含むレンズアレイ202マイクロレンズアレイが設けられている。レンズアレイ202は、例えば光透過性を有する光学接着剤等図示略を介して対向基板本体200Aに固定されている。レンズアレイ202において複数の集光レンズ201の各々は、複数の画素の各々と重なり合うように配置されている。レンズアレイ202は、複数の集光レンズ201がマトリクス状に配列された構成を有している。集光レンズ201は、対向基板200の側から入射した光を遮光部203の開口部203b透光領域の内側に集光させる機能を有する。なお、対向基板200は、対向基板本体200Aとレンズアレイ202とを貼り合わせて構成されているが、これに限らない。例えば、対向基板200に複数の集光レンズ201が作りこまれていてもよい。対向基板200対向基板本体200Aの内側表面には、遮光層203a遮光領域と共通電極204とが形成されている。共通電極204の表面上には配向膜204cが形成されている。TFTアレイ基板208には、遮光部207と、画素電極206aと、当該画素電極206aを駆動するTFTThinFilmTransistor:薄膜トランジスター225と、配向膜206cと、プリズム素子211と、が設けられている。遮光層207a遮光領域は、プリズム素子211上に格子状に形成されている。遮光層207aは、データ線221と走査線222とにより構成されている。なお、遮光層がデータ線及び走査線とは別体に構成されていてもよい。当該遮光層207aに囲まれている矩形状の領域が開口部207b図6参照、透光領域になっている。開口部207bは、光源装置101からのR光が通過する画素部である。プリズム素子211は、対向基板200の側から入射して集光レンズ201、液晶層205、及び開口部207bを通過して拡がった光を集光させる機能を有する。画素電極206aは、開口部207bに平面視で重なる領域に設けられている。プリズム素子211に対応する溝及び遮光層207aは、互いに隣接する2つの画素電極206aの間の領域に重なって配置されている。TFT225図4参照や当該TFT225に電気信号を供給する配線図示しない等は、遮光層207aに平面視で重なる領域に設けられている。また、配向膜206cは、画素電極206a、TFT225の表面上に形成されている。TFTアレイ基板208側の配向膜206cと対向基板200側の配向膜204cとの間には、液晶層205が封入されている。光源装置101からのR光は、図3の上側から液晶装置120Rに入射し、開口部203b、共通電極204、配向膜204c、液晶層205、配向膜206c、画素電極206aと順に透過して、TFTアレイ基板208側からスクリーン116の方向へ射出されるようになっている。このとき、R光は液晶層205において偏光成分が変調されるようになっている。図4は、液晶装置120Rの電気的な構成を示す回路図である。図4に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極206a、及びTFT225が形成されている。TFT225は、画素電極206aに電気的に接続されており、液晶装置120Rの動作時において、画素電極206aに対する画像信号の供給及び非供給を相互に切り替えるように、画素電極206aをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線221は、TFT225のソース領域に電気的に接続されている。TFT225のゲートには走査線222が電気的に接続されている。液晶装置120Rは、所定のタイミングで、走査線222にパルス的に走査信号G1、G2、...、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極206aは、TFT225のドレインに電気的に接続されている。画素電極206aには、スイッチング素子であるTFT225を一定期間だけ閉じることにより、データ線221から供給される画像信号S1、S2、...、Snが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれる。液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、...、Snは、画素電極206aと対向基板200に形成された共通電極204との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号がリークするのを防止するため、画素電極206aと容量線223との間に蓄積容量70が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。液晶層205を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少する。ノーマリーブラックモードの場合、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加し、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。図5は、液晶装置120Rの画像表示領域における配線等の位置関係を示す模式図である。図5に示すように、TFTアレイ基板208上には、本発明の遮光層207aを構成する走査線222と、データ線221とが、X方向及びY方向に沿って延びている。データ線221及び走査線222の交差付近において、走査線222に重なるようにTFT225半導体層225a及びゲート電極225bが形成されている。走査線222は、遮光性の導電材料、例えば、Wタングステン、Tiチタン、TiN窒化チタン等から形成されており、TFT225の半導体層225aを含むように半導体層225aより幅広に形成されている。走査線222は半導体層225aより下層側に配置されている。走査線222は、遮光性を有しているため、データ線221と共に、画像表示領域における非開口領域を規定している。データ線221の幅と走査線222の幅とは等しい幅でもよいし、互いに異なる幅でもよい。本実施形態においては、データ線221の幅と走査線222の幅とは互いに異なっており、走査線222の幅のほうがデータ線221の幅よりも大きくなっている。なお、データ線221及び走査線222からなる遮光層207aの下層に形成されるプリズム素子211の溝211aの幅Wvは、データ線221と重なる部分Wv1と走査線222と重なる部分Wv2とで等しくなっている図7参照。TFT225は、半導体層225aと、ゲート電極225bとを有して構成されている。半導体層225aは、ソース領域225a1、チャネル領域225a2、ドレイン領域225a3含んで形成されている。なお、チャネル領域225a2とソース領域225a1、又は、チャネル領域225a2とドレイン領域225a3との界面にはLDDLightlyDopedDrain領域が形成されていてもよい。ゲート電極225bは、TFTアレイ基板208上において平面的に見て、半導体層225aのチャネル領域と重なる領域にゲート絶縁膜を介して形成されている。図示を省略しているが、ゲート電極225bは、下層側に配置された走査線222にコンタクトホール234を介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってTFT225をオン/オフ制御している。データ線221は、TFT225上においてTFT225に重なっているため、TFT225をその上側から遮光可能である。データ線221は、本発明の入力端子の一例であるコンタクトホール231に電気的に接続されている。データ線221は、例えば、TFT225のソース領域225a1図6参照に電気的に接続され、且つ画像信号をTFT225に供給するデータ線の一部を構成している。一方、ドレイン領域225a3は、本発明の出力端子の一例を構成するコンタクトホール232及び中継層227、及び、本発明の接続部の一例であるコンタクトホール233を介して画素電極206aに電気的に接続されている図6参照。図6は、液晶装置120Rの部分断面構成図である。なお、図6は図5のB-B線に沿った断面図である。図6に示すように、TFTアレイ基板208上には、絶縁膜241、242、243、及び245、並びに、誘電体膜72が形成されている。走査線222、TFT225、データ線221、容量電極71、及び画素電極206aの各々は、TFTアレイ基板208、絶縁膜241、絶縁膜243、絶縁膜244、及び誘電体膜72の各々の上に形成されている。容量電極71は、例えば、ITO等の透明導電材料から構成されており、画素電極206aと共に、蓄積容量70における一対の容量電極を構成している。容量電極71は、画像表示領域の略全体に重なっており、光が透過可能な開口領域においてデータ線221の上層側に延びている。誘電体膜72は、光が透過可能な開口領域において、容量電極71上に形成された透明な膜である。誘電体膜72は、他の誘電体膜より相対的に誘電率が高いアルミナで構成されており、開口領域において、容量電極71及び画素電極206aと共に蓄積容量70を構成している。アルミナは他の誘電材料に比べて相対的に誘電率が高いため、蓄積容量70のサイズが一定である場合に設定可能な容量値を高めることが可能である。なお、誘電体膜72の膜厚は、蓄積容量70の容量値を高める上で薄いほうがよい。プリズム素子プリズム素子211は、TFTアレイ基板208において遮光層と平面視で重なる位置に配置されている。プリズム素子211は、TFTアレイ基板208に形成されたV字状の溝211aを含む。プリズム素子211の溝211aの幅Wvは、遮光層の幅Wxよりも小さくなっている。なお、溝の幅Wvは遮光層の幅Wxと同程度の大きさでもよい。すなわち、溝の幅Wvは遮光層の幅Wx以下となっていればよい。プリズム素子211の溝211aの深さDvは、溝211aの幅Wvよりも大きい。例えば、溝211aの幅Wvを1.5~2μmの範囲の幅とした場合、溝211aの深さDvは15~20μmの範囲の深さとすることができる。遮光層207aとプリズム素子211との間には、溝211aの液晶層205側の部分上側の開口部分を塞ぐ蓋部212が形成されている。蓋部212の遮光層側の面は平坦面となっている。溝211aの内部溝211aと蓋部212とで囲まれた領域は、中空例えば空気層、真空となっている。プリズム素子211は、溝211aの内部が中空とされることにより、TFTアレイ基板208や蓋部212の屈折率例えばn=1.4よりも小さい屈折率例えばn=1.0を有して構成されている。図7は、プリズム素子の斜視図である。図7に示すように、プリズム素子211は格子状の溝211aを含んで構成されている。図7において、溝211aのデータ線と重なる部分の幅をWv1、走査線と重なる部分の幅をWv2とし、溝211aのデータ線と重なる部分の深さをDv1、走査線と重なる部分の深さをDv2とし、溝211aのデータ線と重なる部分の先端部の角度をθv1、走査線と重なる部分の先端部の角度をθv2とする。溝211aのデータ線と重なる部分の幅Wv1と走査線と重なる部分の幅Wv2とは互いに等しくなっているWv1=Wv2。溝211aのデータ線と重なる部分の深さDv1と走査線と重なる部分の深さDv2とは互いに等しくなっているDv1=Dv2。これにより、溝211aのデータ線と重なる部分の先端部の角度θv1と走査線と重なる部分の先端部の角度θv2とは互いに等しくなっているθv1=θv2。図8は、プリズム素子211の作用を説明するための図である。図8において、符号L1,L2及びL3は、液晶装置120Rへ入射する光線である。光線L1,L2,及びL3は、屈折率差のある界面で反射又は屈折する。図8の説明においては、説明の簡単のため、屈折率差が微小な界面では光線を直進させて光路を示している。まず、プリズム素子211を経由しないで、開口部207bへ直接入射する光線L1について説明する。空気中を進行してきた光線L1は、対向基板200へ入射面200aから入射する。そして、光線L1は、対向基板200を透過し、開口部203bから共通電極204、液晶層205を透過する。画像信号に応じて変調された光線L1は、画素電極206aを透過してTFTアレイ基板208から射出される。光線L1はTFTアレイ基板の光射出面から所定の距離だけ離れた焦点に収束する。その後、収束した光線L1は投写光学系114を経由して不図示のスクリーン116へ投射される。次に、光線L1とは異なる位置に入射する遮光層203aと重なる位置に入射する光線L2,L3について説明する。光線L2,L3は、対向基板200へ入射面200aにおいて入射する。対向基板200内を進行する光線L2,L3は、集光レンズ201に入射し画素電極206aに向けて集光される。集光レンズ201により集光された光L2,L3は、液晶層205を通過する過程で拡がる。この過程で拡がった光L2,L3は、プリズム素子211の斜面に入射する。プリズム素子211は内部が中空であるため、TFTアレイ基板208よりも屈折率が小さくなっている。本実施形態において、プリズム素子211は、入射する光線L2,L3が当該プリズム素子211の斜面で全反射するような屈折率を有する。光線L2,L3は、プリズム素子211の斜面で全反射することにより光路が変更される。上述したように、開口部207bに対しては、例えば光源部である光源装置101から様々な入射角度の光線L1、L2、L3が進行してくる。開口部207bへ略真っ直ぐ入射する光線L1は、そのまま画像信号に応じて変調されてTFTアレイ基板208から射出される。これに対して、開口部207bの周辺の非変調領域である遮光層207aの方向へ斜めに入射する光線L2,L3は、開口部207bの周辺に設けられている光路変更部として機能するプリズム素子211に入射する。プリズム素子211に入射した光線L2,L3は、開口部207bの方向へ反射される。これにより、本来は開口部207bへ入射しない光線L2,L3の光路を反射により変更させることで、効率良く開口部207bへ導くことができる。そして、液晶装置120Rから射出された光は、投写光学系114で蹴られること無くスクリーン116に投射される。このように、開口部207bへ効率良く光線L1、L2を導くことができる。液晶装置の製造方法図9及び図10は、液晶装置の製造方法を説明するための断面工程図である。次に、上記のように構成された液晶装置120Rのうち、TFTアレイ基板208にプリズム素子211を形成し、遮光層207aを形成する工程について説明する。図9a~図9cはプリズム素子211の溝211aを形成する工程を示している。図10a~図10cはプリズム素子211の溝211aの上部に蓋部212を形成し、当該蓋部212の上に遮光層207aを形成する工程を示している。プリズム素子211の溝211aは、レーザアプリケーションによる方法や、ドライエッチングプロセスを用いた方法によって形成することができる。レーザアプリケーションによる方法では、予め設定したデータに基づいて透明基板にCO2レーザを照射することによりプリズム素子を形成することができる。図9a~図9cに示す工程は、厚膜レジストを用いるドライエッチングプロセスにより、上記の溝211aを形成するものである。まず、図9aに示すように、基板61に樹脂レジスト層62を形成する。基板61は、ガラス基板や透明樹脂基板を用いることができる。樹脂レジスト層62はマスク層であって、例えば50μm~200μmの厚さで塗布する。次に、図9bに示すように、プリズム素子211を形成する箇所の樹脂レジスト層62を取り除くように、パターニングを行う。次に、パターニングされた樹脂レジスト層62をハードマスクとして、ドライエッチングを行う。ドライエッチングには、例えば高密度プラズマを形成可能なICPドライエッチング装置を用いる。ドライエッチングにより、図9cに示すように、基板61に断面二等辺三角形の溝211aが形成される。エッチングエリアに高密度プラズマを均一に形成できるエッチングガスとして、例えばC4F8やCHF3などのフッ化物系ガスを用いることが好ましい。基板61の材料と樹脂レジスト層62の材料とのエッチング選択比を例えば4対1とすることにより、樹脂レジスト層62の厚みに対して略4倍の深さを有する溝211aを基板61に形成することができる。エッチング環境によるレジストの炭化を防止するために、チラーによって基板61を冷却するほか、エッチングサイクル間に冷却時間を設けることとしても良い。次に、図10を参照して、プリズム素子211の溝211aの上部に蓋部212を形成し、さらにその上に遮光層207aを形成する工程を説明する。まず、図10aに示すように、溝211aの上側の開口部分を塞ぐ蓋部212を形成する。蓋部212は、絶縁性があり、溝211aを物理的、化学的に保護することができる材料で構成するのが好ましい。本例では、TFTの製造プロセスと同一のプロセスで形成可能な絶縁膜である酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSiN等を用いる。なお、蓋部212の形成方法としては、CVD法等を用いる。次に、図10bに示すように、蓋部212の上面を化学機械研磨CMPによって平坦化する。なお、蓋部212の厚みは、溝211aの上に当該蓋部212を介して遮光層207aを形成できる程度、前述の保護機能が果たせる程度であればよい。例えば、蓋部212の厚みは、1μm以上10μm以下の範囲の厚みとすることが望ましい。仮に、蓋部212の厚みが1μmよりも薄いと溝211aの上に遮光層207aを形成することが困難となる。また、蓋部212の厚みが10μmよりも大きいと、遮光層207aとプリズム素子とが離れすぎてしまい、遮光層207aを透過して拡がった光をプリズム素子で反射することができない場合がある。次に、図10cに示すように、蓋部212の上面に遮光層207aを形成する。当該蓋部212上に例えばCr、Al等の金属材料や黒色樹脂等からなる遮光層207aを形成する。遮光層207aの形成方法としては、スパッタ法やCVD法等、公知の成膜方法を用いることができる。その後、画素電極や配向膜などを形成することで、TFTアレイ基板208を作製することができる。そして、別途作製した対向基板200と貼り合わせ、基板間に液晶層205を封止することによって、液晶装置120Rを製造することができる。本実施形態の液晶装置120Rによれば、集光レンズ201により遮光部203に入射する光が遮光部207の開口部207bに収束され、プリズム素子211により当該開口部207bを通過して拡がった光が集光される。また、TFTアレイ基板208に溝211aが形成されて当該溝211aを含むプリズム素子211が作りこまれるので、プリズム素子211の位置決めが容易となる。よって、高い光利用効率を実現するとともに容易に製造可能な液晶装置120Rを提供することができる。また、この構成によれば、遮光部207の開口部207bを通過して拡がった光を確実に集光させることができる。これに対して、溝211aの深さDvが溝211aの幅Wvよりも小さいと遮光部207の開口部207bを通過して拡がった光を十分に集光できない場合がある。また、この構成によれば、溝211aのデータ線221と重なる部分の先端部の角度θv1と走査線222と重なる部分の先端部の角度θv2とが互いに等しくなる。このため、プリズム素子211のデータ線221と重なる部分の断面形状と走査線222と重なる部分との断面形状とが同一形状となる。よって、遮光部207の開口部207bを通過して拡がった光を均一に集光させることができる。これに対して、溝211aのデータ線221と重なる部分の幅Wv1と走査線222と重なる部分の幅Wv2とが異なったり、溝211aのデータ線221と重なる部分の深さDv1と走査線222と重なる部分の深さDv2とが異なったりすると、プリズム素子211のデータ線221と重なる部分の断面形状と走査線222と重なる部分との断面形状とに差異が生じ、遮光部207の開口部207bを通過して拡がった光を均一に集光することが困難となる。また、この構成によれば、溝211aの内部例えば空気層、真空の屈折率がTFTアレイ基板208の屈折率よりも小さくなるので、遮光部207の開口部207bを通過して拡がった光がプリズム素子211に入射する際に全反射条件を満たし易くなる。よって、遮光部207の開口部207bを通過して拡がった光を確実に集光させることができる。また、この構成によれば、蓋部212の遮光層207a側の面が平坦面であるので、蓋部212の上部に配線などを形成した場合に断線などのおそれが少なくなる。本実施形態のプロジェクター100によれば、上述した液晶装置120Rを備えているので、高品質な画像表示が可能なプロジェクターを提供することができる。[第2実施形態]図11は、図6に対応した、本発明の第2実施形態に係る液晶装置120RAの部分断面構成図である。図11に示すように、本実施形態の液晶装置120RAは、上述のプリズム素子211に替えてプリズム素子211Aを備えている点で上述の第1実施形態に係る液晶装置120Rと異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図6と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。プリズム素子211Aの溝211aの内部には反射膜213が形成されている。反射膜213の形成材料は、例えばロジウムRh等の高融点1966°Cで反射性に優れた金属材料を用いることができる。これにより、高温ポリシリコンTFTの製造プロセスにおいて適用することができる。なお、アモルファスシリコンTFTの製造プロセスの場合には、反射膜の形成材料としてRhに限らずアルミニウムAlや白金Pt等を用いることもできる。図12は、液晶装置の製造方法を説明するための断面工程図である。上記のように構成された液晶装置120RAのうち、TFTアレイ基板208Aにプリズム素子211Aを形成し、遮光層207aを形成する工程について説明する。なお、プリズム素子211Aの溝211aを形成する工程については、図9a~図9cと同様であるため、詳細な説明は省略する。まず、図12aに示すように、溝211aの内部に反射膜213を形成する。反射膜213は高融点かつ反射性優れた金属材料で構成するのが好ましい。本例では、Rhを用いる。なお、反射膜213の形成方法としてはスパッタ法を用いる。次に、図12bに示すように、溝211aの上側の開口部分を塞ぐ蓋部212を形成する。本例では、TFTの製造プロセスと同一のプロセスで形成可能な絶縁膜である酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSiN等を用いる。なお、蓋部212の形成方法としては、CVD法等を用いる。次に、図12cに示すように、蓋部212の上面を化学機械研磨CMPによって平坦化する。なお、蓋部212の厚みは、溝211aの上に当該蓋部212を介して遮光層207aを形成できる程度、前述の保護機能が果たせる程度であればよい。次に、図12dに示すように、蓋部212の上面に遮光層207aを形成する。当該蓋部212上に例えばCr、Al等の金属材料や黒色樹脂等からなる遮光層207aを形成する。遮光層207aの形成方法としては、スパッタ法やCVD法等、公知の成膜方法を用いることができる。その後、画素電極や配向膜などを形成することで、TFTアレイ基板208Aを作製することができる。そして、別途作製した対向基板200と貼り合わせ、基板間に液晶層205を封止することによって、液晶装置120RAを製造することができる。本実施形態の液晶装置120RAによれば、プリズム素子211Aの光入射面が反射面として機能する。よって、遮光部207の開口部207bを通過して拡がった光を確実に集光させることができる。[第3実施形態]図13は、図6に対応した、本発明の第3実施形態に係る液晶装置120RBの部分断面構成図である。図13に示すように、本実施形態の液晶装置120RBは、上述のプリズム素子211に替えてプリズム素子211Bを備えている点で上述の第1実施形態に係る液晶装置120Rと異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図6と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。プリズム素子211Bの溝211aの液晶層205側の部分上側の開口部分には蓋部212の一部が入り込んでいる。溝211aの蓋部212の一部が入り込んだ部分と少なくとも重なる部分には反射膜213Bが形成されている。反射膜213Bの形成材料は、例えばRhを用いる。図14は、液晶装置の製造方法を説明するための断面工程図である。上記のように構成された液晶装置120RBのうち、TFTアレイ基板208Aにプリズム素子211Bを形成し、遮光層207aを形成する工程について説明する。なお、プリズム素子211Bの溝211aを形成する工程については、図9a~図9cと同様であるため、詳細な説明は省略する。まず、図14aに示すように、溝211aの上側の開口部分に反射膜213Bを形成する。反射膜213Bの形成材料は、Rhを用いる。なお、反射膜213Bの形成方法としてはスパッタ法を用いる。なお、溝211aの幅Wvが小さいため例えば2μm、反射膜213Bは溝211aの上側の開口部分に選択的に形成される。次に、図14bに示すように、溝211aの上側の開口部分を塞ぐ蓋部212を形成する。本例では、TFTの製造プロセスと同一のプロセスで形成可能な絶縁膜である酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSiN等を用いる。なお、蓋部212の形成方法としては、CVD法等を用いる。溝211aの幅Wvが小さいため、蓋部212は、溝211aの上側の開口部分に選択的に形成された反射膜213Bと重なる位置に形成される。なお、形成された反射膜213Bは、溝211aの開口部分を残して、研磨若しくはフォトエッチ処理により除去される。次に、図14cに示すように、蓋部212の上面を化学機械研磨CMPによって平坦化する。なお、蓋部212の厚みは、溝211aの上に当該蓋部212を介して遮光層207aを形成できる程度、前述の保護機能が果たせる程度であればよい。次に、図14dに示すように、蓋部212の上面に遮光層207aを形成する。当該蓋部212上に例えばCr、Al等の金属材料や黒色樹脂等からなる遮光層207aを形成する。遮光層207aの形成方法としては、スパッタ法やCVD法等、公知の成膜方法を用いることができる。その後、画素電極や配向膜などを形成することで、TFTアレイ基板208Aを作製することができる。そして、別途作製した対向基板200と貼り合わせ、基板間に液晶層205を封止することによって、液晶装置120RBを製造することができる。本実施形態の液晶装置120RBによれば、遮光部207の開口部207bを通過して拡がった光がプリズム素子211Bを構成する溝211aの蓋部212Bの一部が入り込んだ部分に入射した場合でも、当該部分に形成された反射膜213Bにより当該部分に入射した光を反射させることができる。よって、遮光部207の開口部207bを通過して拡がった光を確実に集光させることができる。本発明は、投写画像を観察する側から投写するフロント投写型プロジェクターに適用する場合にも、投写画像を観察する側とは反対の側から投写するリア投写型プロジェクターに適用する場合にも、適用することができる。上記各実施形態においては、本発明の光源装置をプロジェクターに適用した例について説明したが、これに限らない。例えば、本発明の光源装置を他の光学機器例えば、光ディスク装置、自動車のヘッドランプ、照明機器等に適用することも可能である。"