"発光ダイオードLEDチップの製造方法であって、変換材料を含むキャッピングウエハを予め形成する工程と、複数のLEDを備える、ワイヤボンドフリーのLEDウエハを製造する工程と、接着剤を用いて、前記キャッピングウエハを前記LEDウエハに接合する工程と、全ての最終製造工程の終了後に、前記LEDチップを個片化する工程と、を備えることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法であって、前記個片化の前に、前記LEDウエハをサブマウントウエハの表面にフリップチップ実装する工程をさらに備えることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法であって、前記キャッピングウエハは、透明層と、前記変換材料を含む被膜と、を備えることを特徴とする方法。請求項3に記載の方法であって、前記透明層は、前記LEDウエハの熱膨張率CTEに実質的に適合するCTEを有することを特徴とする方法。請求項3に記載の方法であって、前記LEDチップをサブマウントに実装する工程をさらに備え、前記キャッピングウエハは、透明層と、前記変換材料を含む被膜と、を備え、前記透明層は、前記サブマウントの熱膨張率CTEに実質的に適合するCTEを有することを特徴とする方法。請求項3に記載の方法であって、前記変換材料は、蛍光体粒子を分散したシリコン層、単結晶蛍光体シート、焼結蛍光体、または、蛍光体粒子を充填したガラスシートのうちの1つまたは複数を備えることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法であって、前記接着剤は、実質的に透明であり、薄層状に塗布されることを特徴とする方法。請求項7に記載の方法であって、前記接着剤は、シリコンを含むことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法であって、前記キャッピングウエハは、硬化中に前記接着剤を平らに保ち、さらに前記LEDへの熱応力を最小限に抑えることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法であって、前記キャッピングウエハは、前記LEDチップの堅固な機械的支持体としての役割を果たすことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法であって、前記キャッピングウエハは、前記個片化の前に、摩滅または研磨され得ることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法であって、前記最終製造工程は、メサエッチング、平坦化、またはメタライゼーションのうちの1つまたは複数を含むことを特徴とする方法。請求項2に記載の方法であって、前記個片化されたLEDチップの少なくとも一部は、LED、前記キャッピングウエハの一部、および前記サブマウントウエハの一部を備えることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法であって、前記LEDチップは、白色光を発することを特徴とする方法。請求項1に記載の方法であって、前記LEDは、横型形状を有し、n型層およびp型層を備え、当該n型層およびp型層のそれぞれに接する、第1コンタクトおよび第2コンタクトをさらに備えることを特徴とする方法。請求項14に記載の方法であって、前記n型層およびp型層のうちの1つまたは複数は、成形またはテクスチャ加工されることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法であって、前記LEDは成長基板上に備えられることを特徴とする方法。請求項17に記載の方法であって、前記キャッピングウエハを接合する前に、前記成長基板の少なくとも一部を除去する工程をさらに備えることを特徴とする方法。請求項17に記載の方法であって、前記基板は、成形またはテクスチャ加工されることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法であって、前記キャッピングウエハは、異なる組成物を含む複数の層を備えることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法であって、前記LEDチップの1つを、第2サブマウントまたはプリント回路基板PCBに実装する工程をさらに備えることを特徴とする方法。発光ダイオードLEDチップウエハであって、サブマウントウエハと、前記サブマウントウエハ上にフリップチップ実装された、複数のLEDと、接着剤を用いて前記LEDチップウエハに接合されたキャッピングウエハであって、変換材料を含み、さらに前記LEDの堅固な機械的支持体としての役割を果たす材料を含むキャッピングウエハと、を備え、前記LEDから発せられた光の少なくとも一部は、前記キャッピングウエハを通過し、前記キャッピングウエハでは、前記光の少なくとも一部が、前記変換材料によって変換され、前記LEDは、個片化可能であることを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記堅固な機械的支持材料の熱膨張率は、前記LEDチップウエハの前記LEDを構成する材料のCTEと実質的に同じであることを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記堅固な機械的支持材料の熱膨張率は、前記サブマウントウエハを構成する材料のCTEと実質的に同じであることを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記LEDチップウエハの前記LEDを構成する材料のCTEと比較して、前記堅固な機械的支持材料の熱膨張率には40未満の差異があることを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記サブマウントウエハを構成する材料のCTEと比較して、前記堅固な機械的支持材料の熱膨張率には40未満の差異があることを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記LEDチップウエハの前記LEDを構成する材料のCTEと比較して、前記堅固な機械的支持材料の熱膨張率には30未満の差異があることを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記サブマウントウエハを構成する材料のCTEと比較して、前記堅固な機械的支持材料の熱膨張率には30未満の差異があることを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記キャッピングウエハと前記LEDウエハとが接合される前または後のいずれかに、ウエハレベルで、各LEDにおいて、前記変換材料の厚さが個別に調整されることが可能であることを特徴とするLEDチップウエハ。請求項29に記載のLEDチップウエハであって、前記変換材料は、蛍光体を含むことを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記LEDの少なくとも一部は、横型形状を有することを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記サブマウントウエハは、LEDチップに分割されることが可能であることを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記キャッピングウエハは、前記LEDの上方で均一な厚さを有することを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記LEDは、III族窒化物材料系からの材料で作られることを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記LEDは、LEDアレイにおいて相互接続されることを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記LEDおよび前記キャッピングウエハから白色光を発光可能であることを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記堅固な支持材料は、透明材料を含むことを特徴とするLEDチップウエハ。請求項37に記載のLEDチップウエハであって、前記透明材料は、ガラス、SiC、サファイア、GaN、またはZnOのうちの1つまたは複数を含み、前記変換材料は、蛍光体粒子を分散したシリコン層、単結晶蛍光体シート、焼結蛍光体、または、蛍光体粒子を充填したガラスシートのうちの1つまたは複数を備えることを特徴とするLEDチップウエハ。請求項22に記載のLEDチップウエハであって、前記接着剤は、実質的に透明であり、薄層状に塗布され、シリコンを含むことを特徴とするLEDチップウエハ。発光ダイオードLEDチップであって、ワイヤボンドフリーのLEDと、接着剤を用いて前記LEDに接合されたキャッピングウエハであって、前記LEDチップの機械的支持体としての役割を果たすキャッピングウエハと、前記キャッピングウエハに一体化された変換材料であって、前記LEDから発せられた光の少なくとも一部を変換する変換材料と、を備えることを特徴とするLEDチップ。請求項40に記載のLEDチップであって、前記キャッピングウエハは、前記LEDの上面を連続的に覆い、実質的に均一な厚さを有することを特徴とするLEDチップ。請求項40に記載のLEDチップであって、LED光と、前記変換材料からの光と、の組合せである白色光を発することを特徴とするLEDチップ。請求項40に記載のLEDチップであって、サブマウントをさらに備え、前記LEDは、前記サブマウント上にフリップチップ実装されていることを特徴とするLEDチップ。請求項40に記載のLEDチップであって、前記キャッピングウエハは、透明部と、前記変換材料を含む層と、を備え、前記透明部は、ガラス、SiC、サファイア、GaN、またはZnOのうちの1つまたは複数を含み、前記変換材料は、蛍光体粒子を分散したシリコン層、単結晶蛍光体シート、焼結蛍光体、または、蛍光体粒子を充填したガラスシートのうちの1つまたは複数を備えることを特徴とするLEDチップ。請求項40に記載のLEDチップであって、前記接着剤はシリコンを含むことを特徴とするLEDチップ。[発明の詳細な説明]本発明は、LEDなどの半導体デバイスの、ウエハレベルのキャッピングに特に適用可能である製造方法を提供する。本発明は、当該方法を用いて製造されたLED、ならびに、関連するLEDパッケージおよびLEDアレイなどの、半導体デバイスも提供する。本発明は、デバイスの製造方法、および、表面実装され得る、または、ワイヤボンドフリーであり得るデバイスを提供する。キャッピング層は、LEDウエハに実装され、そのウエハのLEDまたはその構造の他のウエハ層が、熱サイクル中に損傷してしまう可能性を減じ得る、ある一定の特性を有する。いくつかの実施形態では、キャッピング層は、パッケージまたはサブマウントに実装されるLEDの熱サイクル中に、LEDまたは他のウエハ層が損傷する可能性を減じる特性を有する。この温度サイクルは、LEDを約300°Cまで加熱する可能性があり、それにより、異なる特性を有する層に応力をもたらすことが明らかになっている。一実施形態では、キャッピングウエハまたは層は、接着剤層を用いてLEDウエハに接合される。また、いくつかの実施形態では、キャッピングウエハはダウンコンバータを含んでいてよい。いくつかの実施形態では、キャッピングウエハは、LEDウエハのLED層のそれに近い熱膨張率CTEを有することを特徴とする。この特徴により、キャッピングウエハおよびLEDウエハは、熱サイクル中に同様の割合で膨張することが可能であり、その結果、二者間の応力は減少する。二者間の応力が減少することがひいては、そうでなければその応力によって生じていたかもしれないLEDウエハの損傷を、減じることになる。他の実施形態では、キャッピング層が、LEDが実装されているパッケージまたはサブマウントのCTEに近いCTEを有することが可能である。この特徴によっても、取付けの熱サイクル中にLEDが受ける応力が減少する。キャッピングウエハが堅固な機械的支持体の役割を果たすように、キャッピングウエハが接合された後で、キャッピングウエハの反対側の、LEDウエハの非接合面に、最終製造工程が適用されてよい。デバイスの個片化の前に、全ての製造工程がウエハレベルで完了することは、注目に値する。本発明は、ある一定の実施形態を参照して本明細書に説明されるが、本発明は、様々な形態での実施が可能であり、本明細書に記載の実施形態に限定されると解釈されるべきでないことを理解されたい。具体的には、本発明は、概して蛍光体含有シリコン被膜を備えるダウンコンバータキャッピングウエハ/層でLEDウエハをキャッピングすることに関して、以下に説明されるが、キャッピングウエハは、ダウンコンバート、保護、光の抽出、または散乱のための他の材料で、被覆されてよいことを理解されたい。変換材料被膜の代わりに、キャッピング材料が、その内に混合された変換材料を含むことも可能である。本発明に係る方法は、他の半導体デバイスを異なる材料でキャッピングするために用いることも可能である。さらに、単一または複数の被膜および/または層を、キャッピングウエハ上に形成することが可能である。被膜は、1つまたは複数の蛍光体、散乱粒子、および/または他の材料を含むことが可能であり、蛍光体を含まないことも可能である。被膜は、ダウンコンバートをもたらす有機染料などの材料も含んでいてよい。複数の被膜および/または層において、その一つ一つが、他の層および/または被膜と比べて、異なる蛍光体、異なる散乱粒子、透明性、屈折率などの、異なる光学的性質、および/または、異なる物理的性質を有することが可能である。LEDは、様々な方法で配置された様々な半導体層を有することが可能であり、また、本発明に係る様々な実施形態において、様々な色を発することが可能である。LEDの構造、特徴、ならびにその製造および動作は、当技術分野で一般に周知であり、本明細書では簡単に論じるだけに留めておく。LEDの層は、周知の工程を用いて製造することが可能であり、適当な工程は、有機金属化学気相成長MOCVDを用いた製造である。LEDチップの層は、一般に、反対にドープされた第1および第2のエピタキシャル層の間に挟まれた、活性層/領域を備え、それら全ては、成長基板上に順次形成される。LEDチップは、ウエハ上に形成された後に、パッケージに実装するために個片化され得る。成長基板は、最終的な個片化LEDの一部として残り得ること、あるいは、完全にもしくは部分的に除去され得ることを理解されたい。さらに、LEDは、当技術分野で周知であるように、縦型形状または横型形状を有していてよい。縦型形状を有するLEDは、基板上に第1コンタクトを、p型層上に第2コンタクトを備えていてよい。第1コンタクトに印加された電気信号は、n型層内に拡散し、第2コンタクトに印加された信号は、p型層内に拡散する。III族窒化物デバイスの場合には、一般に、薄く半透明な電流拡散層が、p型層の一部または全部を覆うことが、良く知られている。第2コンタクトは、そのような層を備えることが可能であり、そのような層は、一般にプラチナPtなどの金属、またはインジウムスズ酸化物ITOなどの透明導電性酸化物であることを理解されたい。LEDは、横型形状を有してもよく、その場合、両コンタクトはLEDの最上部にある。p型層および活性領域の一部は、エッチングなどによって除去され、n型層上にコンタクトメサが露出する。第2の横型のn型コンタクトが、n型層のメサ上に備えられる。両コンタクトは、周知の蒸着技術を用いて蒸着される、周知の材料を含むことが可能である。ある要素が別の要素と接している、接続される、結合される、または接触していると称される場合、その要素は、直接その別の要素と接している、接続される、結合される、もしくは接触している場合もあれば、介在要素が存在する場合もあることが理解されるであろう。対照的に、ある要素が別の要素と直接接している、直接接続される、直接結合される、または直接接触していると称される場合、介在要素は存在しない。同様に、第1の要素が第2の要素と電気的に接触しているまたは電気的に結合されると称される場合、第1の要素と第2の要素との間の電流の流れを可能にする電気的経路が存在する。その電気的経路は、キャパシタ、結合インダクタ、および/または、導電性の要素間に直接接触がなくても電流の流れを可能にする、他の要素を備えていてよい。第1、第2等の用語は、様々な要素、部品、領域、および/または部分を説明するために本明細書において用いられ得るが、そのような要素、部品、領域、および/または部分は、これらの用語によって限定されるべきでない。これらの用語は、1つの要素、部品、領域、または部分を、別の要素、部品、領域、または部分と区別するためにのみ用いられる。したがって、以下に論じられる第1の要素、部品、領域、または部分は、本発明の教示から逸脱することなく、第2の要素、部品、領域、または部分と称され得る。本発明の実施形態は、本発明の実施形態の略図である断面図を参照して、本明細書に説明される。そのため、部品の実際の厚さは異なる可能性があり、また、例えば製造技術および/または公差に起因する、断面図の形状との相違が想定される。本発明の実施形態は、本明細書に説明される領域の特定の形状に限定されると解釈されるべきでなく、例えば製造によって生じる、形状の逸脱を含むべきである。正方形もしくは長方形であると説明または記述される領域は、通常の製造公差によって、丸みを帯びた、または湾曲した外観を一般に呈するものである。したがって、図で説明される領域は、本質的に模式的なものであり、その形状は、デバイスの領域の正確な形状を示すことを意図しておらず、また、本発明の範囲を制限することを意図していない。図1~6は、本発明に係る方法を用いて製造される、ウエハレベルのLEDチップ10の一実施形態を示し、これら一連の図は、製造工程におけるLEDチップ10を示している。つまり、いくつかの図では、個々のLEDチップに分割/個片化される前の、全製造工程が完了する前の段階にあるLEDチップ10が示されている。LEDチップはLEDを備え、説明および理解を容易にするために、LEDは分割したデバイスとして示されている。しかし、LED層の1つまたは複数は連続的であることが可能であり、よって、LEDはウエハ形状で提供可能であることを理解されたい。垂直の仮想線図3~5に示すとおりは、後の製造工程におけるLEDチップ10間の分割またはダイシングの線を示すために記載されている。さらに後述されるように、この分割またはダイシングは、製造工程における様々な段階で行われ得る。図1~6はまた、ウエハレベルのデバイスを2つだけ示しているが、さらに多数のLEDチップが単一のウエハから形成可能であることを理解されたい。例えば、1ミリメートルmm四方の大きさを有するLEDチップを製造する場合、3インチのウエハ上に、最大4500のLEDチップを製造することが可能である。LEDのそれぞれは、異なる方法で配置された様々な半導体層を有し得る。LEDの製造および動作は、当技術分野で一般に周知であり、本明細書では簡単に論じるだけに留めておく。LEDの層は、周知の工程を用いて製造することが可能であり、適当な工程は、有機金属化学気相成長MOCVDを用いた製造である。LEDの層は、一般に、反対にドープされた第1エピタキシャル層14と第2エピタキシャル層16との間に挟まれた、活性層/領域を備え、それら全ては、基板12上に順次形成される。LEDには、追加の層および要素を含ませることも可能であり、追加の層および要素には、バッファ層、核形成層、コンタクト層、および電流拡散層、ならびに光抽出層および要素が含まれるが、これに限定されるものではないことを理解されたい。活性領域は、単一量子井戸SQW、多重量子井戸MQW、二重へテロ構造、または超格子構造を備え得る。一実施形態では、第1エピタキシャル層14はn型ドープ層であり、第2エピタキシャル層16はp型ドープ層である。しかし、他の実施形態では、第1の層14はp型ドープされることが可能であり、第2の層16はn型ドープされることが可能である。第1エピタキシャル層14および第2エピタキシャル層16は、以下、それぞれn型層およびp型層と称される。LEDの活性領域ならびに層14,16は、様々な材料系から製造されてよく、好ましい材料系は、III族窒化物ベースの材料系である。III族窒化物とは、窒素と、周期表のIII族の元素、通常はアルミニウムAl、ガリウムGa、およびインジウムInと、の間で形成される半導体化合物を指す。この用語はまた、窒化アルミニウムガリウムAlGaNおよび窒化アルミニウムインジウムガリウムAlInGaNなどの三元化合物および四元化合物も指す。好ましい実施形態では、n型層14およびp型層16は窒化ガリウムGaNであり、活性領域はInGaNである。代替実施形態では、n型層14およびp型層16は、AlGaN、アルミニウムガリウム砒素AlGaAs、またはアルミニウムガリウムインジウム砒素リンAlGaInAsPであってよい。成長基板12は、サファイア、炭化ケイ素、SiC、窒化アルミニウムAlN、GaN、Siなど多くの材料からなり得る。適当な基板は、4Hポリタイプの炭化ケイ素であるが、3C、6H、および15Rポリタイプを含む、他の炭化ケイ素ポリタイプも使用可能である。炭化ケイ素は、III族窒化物に対してサファイアよりも近い結晶格子整合が得られるなど、いくつかの利点を有し、結果としてより高品質のIII族窒化物膜が得られることとなる。炭化ケイ素は非常に高い熱伝導率も有しており、したがって、炭化ケイ素上のIII族窒化物デバイスの総出力パワーは、サファイア上に形成された、いくつかのデバイスの場合にそうなり得るように基板の放熱によって制限されることがない。SiC基板は、ノースカロライナ州ダラムのクリーリサーチ社から入手可能であり、この基板の製造方法は、科学文献ならびに米国特許第Re.34,861号、第4,946,547号、および第5,200,022号に記載されている。示された実施形態では、基板12はウエハレベルであり、複数のLED10がウエハ基板12上に形成されている。基板12は、様々な厚さを有し得る。LEDチップの、より簡単で信頼性の高い個片化を可能とするために、任意の加工工程で、機械的研削、エッチング、またはレーザーアブレーションなどの周知の方法を用いて、基板12を薄化または除去することも可能である。このような薄化または基板除去は、LEDチップが望まれる厚さを有する結果にもなり得る。図1に図示された基板12は、1つの可能な実施形態にしたがって除去されたため、もはや図3~7には図示されていないことに注目されたい。あるいは、基板12は薄化されてもよいし、そのままであってもよいことを理解されたい。基板12が、炭化ケイ素などの、成形に適合した材料からなる、さらに他の実施形態では、基板12は、光抽出を高めるために様々な形状を有することが可能である。本発明は、示された横型形状のLEDのように、両コンタクトが1つの表面から接触可能であるように配置されたLEDでの使用に、特に適している。しかし、縦型形状のLEDも使用されてよいことを理解されたい。横型形状のデバイスは、通常、両電極が当該デバイスの様々なレベルの層の上面にある、段違いの電極構成をもって配置される。したがって、電極は、共通の面を共有するのではなく、むしろ、電極が配置されている層に対して共通の上面の向きを共有する。電荷キャリアは、バイアスに反応して、電流経路の少なくとも一部に対して、半導体層を介して横方向に移動する。このような一般的な形状のいくつかのバリエーションは、当技術分野で周知であり、使用されている。LEDのそれぞれは、第1の電極すなわちコンタクト22aと、第2の電極すなわちコンタクト22bと、を備えることができる。示された実施形態では、第1コンタクト22aは、p型層コンタクト20のメサに接しており、第2コンタクト22bは、n型層コンタクト18に接触している。第1コンタクト22aに印加された電気信号は、p型層16内に拡散し、第2コンタクト22bに印加された信号は、n型層14内に拡散する。第1コンタクトおよび第2コンタクトは、Au、銅Cu、ニッケルNi、インジウムIn、アルミニウムAl、銀Ag、またはそれらの組合せなど、様々な材料を含み得る。さらに他の実施形態では、それらのコンタクトは、インジウムスズ酸化物、酸化ニッケル、酸化亜鉛、カドミウムスズ酸化物、チタンタングステンニッケル、酸化インジウム、酸化スズ、酸化マグネシウム、ZnGa2O4、ZnO2/Sb、Ga2O3/Sn、AgInO2/Sn、In2O3/Zn、CuAlO2、LaCuOS、CuGaO2、およびSrCu2O2などの、導電性酸化物および透明導電性酸化物を含み得る。使用される材料の選択は、コンタクトの配置、ならびに、透明性、接合抵抗率、およびシート抵抗などの望まれる電気的特性に左右され得る。1つの表面から接触可能な複数のコンタクトを備える構造を有する本発明での使用のために、他のLED構造および形状が提供され得ることを理解されたい。このような代替実施形態では、導電性ビア、トレース、または他の導電経路など、他の導電性構造体を利用することによって、このような接触をもたらすことが可能である。示された実施形態では、第1コンタクト22aは、実質的にp型層16全体を覆っており、第2コンタクトは、n型層14の一部を覆っている。光は主として基板12を通してLEDから発せられるため、第1コンタクト22aおよび第2コンタクト22bは、光の放射を妨げることも減少させることもない。他の実施形態では、第1コンタクト22aおよび第2コンタクト22bは、それぞれの表面に満たない部分、またはそれぞれの表面の多くを覆うことが可能であり、また、それら表面への電流拡散の一助となるために他の層または構造が備えられ得る。1つの可能な実施形態では、透明または半透明であり得る薄い電流拡散層が、p型層16およびn型層14の一部または全部を覆うことが可能である。そのような材料の例としては、プラチナPt、またはインジウムスズ酸化物ITOなどの透明導電性酸化物が含まれるが、他の材料もまた使用可能である。第1コンタクト22aおよび第2コンタクト22bは、様々な厚さを有し得る。好ましい実施形態では、電極/コンタクト22aおよび22bは、実質的に厚く、金属からなり、基板12が薄化または除去される時/場合、および、GaN表面が、例えばエッチングによってさらに加工される時/場合、LEDチップ10に主たる機械的支持を提供する。電流拡散およびコンタクトからの注入を向上させるために、電流拡散構造図示せずは、p型またはn型メサの表面に備えられ得る。電流拡散構造は、様々な形態を有し得るが、コンタクト22aおよび22bのうちの1つに接触するLEDの表面に、導電性材料のフィンガーを備えることが好ましい。電流拡散構造は、周知の方法を用いて蒸着されることが可能であり、また、Au、Cu、Ni、In、Al、Ag、またはそれらの組合せ、ならびに導電性酸化物および透明導電性酸化物などの、上述した材料を含むことが可能である。他の可能な一実施形態によれば、第1コンタクト22aと第2コンタクト22bとを電気的に分離するために、充填材24が備えられてもよい。図2は、所望の屈折率を有するキャッピングウエハ、または層26キャッピングウエハを図示し、キャッピングウエハまたは層26は、LEDチップ10のLEDウエハに接合される。いくつかの実施形態では、キャッピングウエハ26は、透明で堅固な層28と、蛍光体被膜または層30と、を備える。いくつかの実施形態では、透明層28は、LEDチップ10によって発せられた光、蛍光体被膜30からの光、またはその両方に対して実質的に透明である。しかし、透明層は、LEDチップ10および蛍光体被膜30からの光に対して、100透明である必要はないことを理解されたい。キャッピングウエハ26は、LEDウエハと実質的に同様またはより大きい直径を有することが可能であるが、キャッピングウエハは、LEDウエハの直径より小さくてもよく、また、様々な形状および大きさを有することが可能であることを理解されたい。キャッピングウエハ26は、予め形成されて、ウエハレベルでLEDチップ10に接合されることが理想であり、その結果、デバイス製造の後段において、および、個片化後の完成したデバイスを取り扱う際に必要となる、機械的支持を提供する。そのため、キャッピングウエハ26は、LEDチップ10に対する機械的損傷のリスクを、製造を通して減らすことが可能であり、ワイヤボンドフリーのチップの潜在的歩留まりを増加させる。これにより、LEDチップ製造の総コストを削減することが可能である。さらに、透明層28は、より厳密にLEDウエハのCTEに適合するCTEを有することが可能である。透明層28のCTEは、様々な範囲に該当することが可能である。例えば、いくつかの実施形態では、キャッピングウエハ26は、2~25ppm/°Cの範囲のCTEを有してよく、また、別の実施形態では、2~14ppm/°Cの範囲のCTEを有することが可能である。さらに他の実施形態では、13~20、5~11、7~9、または2~5ppm/°Cの範囲のCTEを有することが可能であり、また、いくつかの実施形態では、約7.4ppm/°CのCTEを有することが可能である。いくつかの実施形態では、透明層28は、LEDが実装されるパッケージまたは、図4において例えば要素36として示されるサブマウントのCTEと適合するCTEを有する材料を含むことが可能であることにより、取付けの熱サイクル中にLEDチップの層が受ける応力が減少し、このサイクル中にチップが損傷を受ける可能性が減少する。これらの透明層は、上述したものと同じ範囲のCTEを有することが可能であり、一実施形態では2~14ppm/°Cの範囲のCTEを、別の実施形態では5~11ppm/°Cの範囲のCTEを有する。さらに他の実施形態では、7~9ppm/°Cの範囲のCTEを有することが可能である。いくつかの実施形態では、サブマウントは、約8ppm/°CのCTEを有するアルミナを含むことが可能であり、一方、他の実施形態では、サブマウントは、約5ppm/°CのCTEを有する窒化アルミニウムAlNを含むことが可能である。これらは両者とも、横方向に5.6ppm/°CのCTEを有するGaNなどの、ある一定の半導体材料に対して、許容できるCTE適合を有する。これらのサブマウントのそれぞれについて、キャッピングウエハは、サブマウントのCTEに実質的に適合するCTEを有する透明層28を備えていなくてはならない。一実施形態では、CTEの差異は20未満でなければならず、他の実施形態では、CTEの差異は30未満でなければならない。さらに他の実施形態では、CTEの差異は40未満でなければならない。一実施形態では、キャッピングウエハ26は、ガラスの透明層28とシリコン被膜30とを備えることが可能である。7.4ppm/°CのCTEを有し得る、コーニング社製の0211ホウケイ酸ガラスなどの市販のガラスを含む、透明層28の一実施形態で、様々なタイプを使用することが可能である。他の実施形態では、層28は、部分的にその結晶方位次第で7~7.7ppm/°CとなるCTEを有するサファイアなど、他の材料を含むことが可能である。様々なCTEを有する、多くの他の材料もまた使用可能であることを理解されたい。他の実施形態では、サブマウントは、様々なCTEを有する他の材料を含むことが可能である。いくつかの実施形態では、サブマウントは、約2.5ppm/°CのCTEを有するシリコンなど、CTEが低めの材料を含むことが可能である。これらの実施形態では、キャッピングウエハ26の透明層28は、2~14または2~5ppm/°Cの範囲のCTEを有することが可能であり、一方、他の実施形態では、2.5~3.5ppm/°Cの範囲のCTEを有することが可能である。一実施形態では、透明層28は、約3.25ppm/°CのCTEを有し得る、低熱膨張のホウケイ酸ガラスを含むことが可能であるが、様々なCTEを有する多数の他の材料もまた使用可能であることを理解されたい。さらに他の実施形態では、サブマウントは、16.4ppm/°Cという高めのCTEを有するCuのような金属を含むことが可能である。金属を含むこれらの実施形態の中には、キャッピング透明層28が10~25ppm/°Cの範囲のCTEを有し得るものもある一方、他の実施形態では、透明層は、13~20ppm/°Cの範囲のCTEを有することが可能である。さらに他の実施形態では、透明層は、15~17ppm/°Cの範囲のCTEを有することが可能である。ある実施形態では、工学的に作り出されたCTEを有する特殊ガラスを、透明層28に用いることが可能である。そのような特殊ガラスの一つとして、約16.5ppm/°CのCTEを有し得る、市販のアドバンストセラミックス社製のMeximCACL2091が挙げられる。様々なCTEを有する、多くの他の材料もまた使用可能であることを理解されたい。いくつかの実施形態では、被膜30は蛍光体含有シリコンを含むことが好ましく、その蛍光体は、白色発光光源のためのダウンコンバータとしての役割を果たす。白色以外の色が望まれてもよいこと、または、LEDチップは、LEDチップから発せられた光を変換する、それ自体の変換材料を有し得ることを理解されたい。これらの実施形態では、ダウンコンバータは必ずしもキャッピングウエハになくてもよく、キャッピングウエハは、堅固な機械的支持体としての役割を主に果たす。しかし、予め形成されたキャッピングウエハ26の白色発光光源のための要素として、ダウンコンバータを組み入れることによって、製造工程全体を簡略化することが可能である。被膜30におけるシリコンは、キャッピングウエハ26とLEDチップ10との間の接着剤としての役割を果たすことが可能である。しかし、被膜30のない、他の実施形態も提供可能であることを理解されたい。これらの実施形態では、透明層28は、接合を成し遂げるために、熱または圧力などの様々な工程を用いて、LEDチップ10に直接接合することが可能である。これらの実施形態では、変換材料または蛍光体の有無に関わらず、透明層を備えることが可能であり、上記の直接接合された実施形態では、変換材料は、透明層28の他の表面に含まれることが可能である。キャッピングウエハ26の一実施形態は、シリコン/蛍光体被膜を有するガラスで好適に形成されてもよい一方、本発明によれば他の材料が適しており、両者に用いることが可能であることを理解されたい。上述された材料以外に、キャッピングウエハ26は、単結晶蛍光体シート、焼結蛍光体、または、蛍光体粒子を充填したガラスシートを備えてもよい。さらに、キャッピングウエハの透明部は、機械的に堅固であり得て、高温での通常のダイ取付け工程に耐えることのできる、いかなる他の適当な材料も代替として備えていてよく、他の可能な材料には、SiC、GaN、またはZnOが含まれる。被膜30は、シリコン以外に様々な材料を含むことも可能であり、そのような材料は、硬化後に堅固となり、可視波長スペクトルで実質的に透明であることが好ましい。適当な代替材料は、シリコン、エポキシ、スピンオンガラス、BCB、ポリイミド、およびポリマーであり、好適な材料は、ハイパワーLEDにおけるその高い透明性と信頼性ゆえに、シリコンである。適当なシリコンは、ダウ登録商標ケミカル社から、シリコン製品番号OE6665として市販されている。他の実施形態では、被覆材料は、チップ半導体材料および成長基板などの部品と屈折率が適合するように工学的に作り出すことが可能であり、それにより、内部全反射TIRを減少させること、および光抽出を向上させることが可能となる。様々な蛍光体が、本発明に係る被膜30において使用可能である。本発明に係る一実施形態では、LEDは、青色波長スペクトルの光を発することが可能であり、蛍光体は、青色光の一部を吸収して黄色を再発光する。そしてLEDは、青色光と黄色光の組合せである白色光を発することが可能である。一実施形態では、蛍光体は市販のYAG:Ceを含むが、Gd,Y3Al,Ga5O12:Ce系をベースとした蛍光体からなる変換粒子を用いて、広範囲にわたる黄色スペクトルの全範囲発光が可能である。以下に挙げるのは、LEDチップにおける変換粒子として用いられる、さらなる適当な蛍光体の一部であるが、他のものを使用することも可能である。それぞれが、青色および/または紫外発光スペクトルで励起を示し、望ましいピーク発光をもたらし、効率のよい光変換を有し、そして許容可能なストークスシフトを有する。黄色/緑色Sr,Ca,BaAl,Ga2S4:Eu2Ba2Mg,ZnSi2O7:Eu2Gd046Sr031Al123OxF138:Eu2006Ba1xySrxCaySiO4:EuBa2SiO4:Eu2赤色Lu2O3:Eu3Sr2xLaxCe1xEuxO4Sr2Ce1xEuxO4Sr2xEuxCeO4SrTiO3:Pr3,Ga3CaAlSiN3:Eu2Sr2Si5N8:Eu2以下に限られるものではないが、ナノメートルサイズの粒子から20~30ミクロンの大きさの粒子、またはそれ以上のものを含む、異なる大きさの蛍光体粒子を用いることが可能である。粒径の小さいものは、一般に、大きい粒子より良好に散乱して色を混合し、より均一な光を提供する。大きい粒子は、一般に、小さい粒子と比較して、光の変換はより効率的であるが、均一性に劣る光を発する。一実施形態では、粒径は2~5ミクロンの範囲にある。他の実施形態では、被膜30は、様々な種類の蛍光体を含むことが可能であり、または、単色もしくは多色光源のための複数の蛍光体被膜を備えることが可能である。被膜30は、様々な濃度の蛍光体材料を有することも可能であり、一般的な濃度は30~70重量の範囲である。一実施形態では、蛍光体濃度は約65重量であり、結合剤全体に好適に均一に分散する。さらに他の実施形態では、被膜は、様々な濃度の様々な蛍光体からなる複数の層を備えることが可能であり、または、透明なシリコンからなる下塗りを被覆した後に、蛍光体含有層を被覆することが可能である。被膜は、これに限られるものではないが、散乱粒子を含む、光を散乱または混合する要素を含むことも可能である。さらに、被膜30および/または透明層の表面は、光抽出を高めるために、粗面化または成形することが可能である。キャッピングウエハ26を予め形成することの少なくとも1つの利点は、LEDウエハおよび望まれる色ポイントに厳密に適合するように、ダウンコンバータを事前選別および/または調整できる点である。蛍光体被膜については、被膜はウエハレベルで望まれる厚さに研削されてよい。さらに、変換材料の厚さは、ウエハレベルで各LEDにおいて個々に調整することが可能であり、それは、キャッピングウエハとLEDウエハとが接合される前または後のいずれでもよい。さらに、キャッピングウエハは、いかなる追加のパッケージングも不要にし得るという点で好都合である。そのため、キャッピングウエハの付いた完成したダイは、最終的なチップスケールパッケージとしての役割を果たしてもよい。これにより、照明に適用する際の総費用およびフットプリントを削減することが可能である。キャッピングウエハ26の厚さは、例えば、50~5000μmの範囲にわたることが可能であり、好ましい範囲は、100~1000μmである。キャッピングウエハは、LEDウエハに接合する前の当初の段階では、実質的により厚くてよく、次いで、デバイスを個片化する前に、望まれる最終的な厚さまで後に摩滅または研磨されてもよい。例えば、図5におけるウエハ26の透明層28aは、デバイスが個片化される前に、摩滅または研磨のいずれかがなされている図4のウエハとの比較で分かるとおり。製造中は、ウエハは厚い方が好適であり得る。なぜなら、ウエハが厚いほどデバイスの機械的堅固さを助長することとなり、また、より直径の大きいウエハにおいて特に問題となり得る、製造中の湾曲効果が避けられるからである。また、光はキャッピングウエハ26の側壁から漏れ出ることが可能であり、そのことは、少なくともウエハをより厚くし得るという点で、好都合である。これは、ワイヤボンドフリーのチップが、追加のパッケージングを受けない適用において、より効果的な働きをし得る。図3は、接着剤層38を用いてLEDチップ10に接合された、キャッピングウエハ26を示す。望まれる屈折率を有する、薄く透明な接着剤層38が用いられることが好ましく、一つの可能な適当な材料はシリコンである。しかし、硬化後に好適に堅固となり、可視波長スペクトルで実質的に透明である、他の適当な材料が使用されてもよいことを理解されたい。適当な材料には、以下に限られるものではないが、シリコン、エポキシ、ガラス、無機ガラス、スピンオンガラス、誘電体、BCB、ポリイミド、ポリマー、およびそれらの混成物を含む、被膜30に使用されるものの多くが含まれる。好適な材料は、ハイパワーLEDにおけるその高い透明性と信頼性ゆえに、シリコンである。適当なフェニル系およびメチル系のシリコンは、ダウ登録商標ケミカル社から市販されている。他の実施形態では、結合剤材料は、チップ半導体材料および成長基板などの部品と屈折率が適合するように工学的に作り出すことが可能であり、それにより、内部全反射TIRを減少させること、および光抽出を向上させることが可能となる。キャッピングウエハ26は、2つのウエハが接合される間、LEDウエハに加えられる熱応力を最小限に抑える一助となる。キャッピングウエハ26とLEDチップ10とが接合された後、キャッピングウエハ26の反対側の、LEDチップ10の非接合面に、メサエッチング、平坦化、および/またはメタライゼーションなどの最終製造工程を適用することが可能である。このようにして、キャッピングウエハ26は、LEDチップ10の堅固な機械的支持体としての役割を果たし得るがゆえに、堅固な機械的支持体としての役割を果たさなければ損傷を受けやすいチップへの、製造中に起こり得る、いかなる潜在的損傷も抑制する。いくつかの実施形態では、図3に示されるように接合されたキャッピングウエハ26およびLEDチップ10は、完了したウエハレベルの加工を含み、仮想線は、第一次完成品の間の分割または個片化の線を示す。図3の完成したLEDチップを、使用可能なLEDコンポーネントにするために、LEDチップを、従来のパッケージまたはサブマウントもしくは、プリント回路基板上に、フリップチップ実装すなわち、ワイヤボンディングすることが可能である。個片化の前にキャッピングウエハをLEDチップに実装することによって、また、パッケージ/サブマウントに適合する上述のようなCTEを有する透明層材料を選択することによって、LEDチップに殆んどまたは全く損傷を与えることなく、LEDチップを確実にフリップチップ実装することが可能である。したがって、キャッピングウエハは、本発明に従って個片化およびフリップチップ実装される、LEDチップの歩留まりを増加させることができる。他の実施形態では、LEDチップウエハをパッケージ/サブマウントにフリップチップ実装することが可能であるが、これは、LEDと同じ大きさであるサブマウントを有するエンドデバイスが得られる結果となり得て、さらなる取付け工程が追加される。LEDチップ10の製造が完了した際、各LEDチップは、LEDがフリップチップ実装されたサブマウントウエハ36の一部を備えていてよい。図4~5におけるサブマウントウエハ36は、上述のLEDと同様に、製造工程のウエハレベルで示されている。上述したように、個々のLEDチップ10について、サブマウントウエハ36における分割またはダイシングの線を示すために、仮想線が記載されている。製造が完了してLEDチップ10が個片化される際に、LEDチップのそれぞれは、図6に示すように、サブマウントウエハ36の一部を有することになる。例えば、サブマウントウエハ36は、1ミリメートルmm四方の大きさを有するLEDチップの製造のために所定の大きさにすることが可能であり、最大4500のLEDチップにサブマウント部を提供することが可能である。サブマウントウエハ36は、上述されたものなど様々な材料からなることが可能であり、導電性材料もしくは半導電性材料、または絶縁材料を含み得る。適当な材料の中には、アルミナ、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、またはポリイミドなどのセラミックスが含まれる。他の実施形態では、サブマウントウエハは、プリント回路基板PCB、サファイアもしくはシリコン、炭化ケイ素、または、市販のT-Clad熱クラッド絶縁性基板材料など、その他あらゆる適当な材料を含み得る。サブマウントウエハ36の表面に、誘電体層図示せずを備えてもよい。誘電体層は、サブマウントウエハ36の表面上の電気信号が、サブマウントウエハ36内に拡散しないように、ウエハ36を電気的に絶縁する。これにより、n型コンタクト22aおよびp型コンタクト22bに印加される信号が、サブマウントウエハ36を介して短絡することが防止される。誘電体層には、様々な材料を用いることが可能であり、適当な材料は、窒化ケイ素または酸化ケイ素である。セラミックなどの絶縁材料からなるサブマウントウエハでは、電気的分離のための誘電体層を備えることは不必要となり得る。次に図4を参照すると、ウエハ形状のLEDが、サブマウントウエハ36にフリップチップ実装されている。フリップチップ実装は、一般に当技術分野で周知されており、本明細書では簡単に論じるだけに留めておく。LEDは、一般に、はんだなどの1つまたは複数の接合/金属層である、導電性接合材料32および34の層によって、サブマウントウエハ36に実装される。接合材料32および34は、光を反射する材料で作られていてもよい。この反射特性によって、LEDチップの発光効率を向上させることが可能である。他の実施形態では、望まれる反射特性を得るために、様々な位置にリフレクタを備えることが可能である。サブマウントウエハ36は、望まれる材料のCTEについての考察において上述されたものなど、様々な材料からなり得ることを理解されたい。次に図6を参照すると、個々のLEDチップ10は、ダイシング、スクライビング、ブレーキング、劈開、またはエッチングなどの周知の方法を用いて、個片化することが可能である。これには一般に、LED間でキャッピングウエハ26およびサブマウントウエハ36を切断することが含まれ、下から最初にサブマウントウエハを切断するか、あるいは上から最初にキャッピングウエハ26を切断するか、のいずれかである。個片化工程は、LEDチップ10のそれぞれを分割するが、各LEDは、実質的に同じ厚さのキャッピングウエハ26を有し、その結果、実質的に同じ蛍光体特性および発光特性を有するとともに、実質的に同じ量の機械的支持を有する。これにより、同様の特性を有するLEDチップ10の、確実で一貫した製造が可能になる。個片化に続いて、LEDチップ10は、蛍光体を追加するためのさらなる加工の必要なく、パッケージに、またはサブマウントもしくはプリント回路基板PCBに、実装することが可能である。次いで、従来のカプセル化によってLEDチップを取り囲むことが可能である。別の実施形態では、LEDチップは、大気圧またはそれより低い圧力でLEDチップを取り囲む不活性雰囲気と共に、密封カバーによって、封止することが可能である。LEDチップ10は、電気信号を印加するためにワイヤボンドを使用することなく、パッケージに表面実装することが可能である。具体的には、電気信号を印加するための、LEDチップ10上面へのワイヤボンドはなく、それにより、上面は妨げになるもののない状態である。したがって、LEDチップ10を利用するパッケージは、ワイヤボンドまたは他の構造を補う必要なく、二次光学系を上面に直接実装させることが可能である。こうして、二次光学系を実装する前にワイヤボンドをカバーするための中間層を間に有しないことによって、または、ワイヤボンド用の空間を有するLEDチップの上で二次光学系を実装することを可能にする反射カップなど、他の部品を有しないことによって、LEDパッケージの製造を簡略化することが可能である。他の実施形態では、LEDチップ10の成長基板は、フリップチップ接合の後または前に、除去することが可能であり、基板は、周知の研削および/またはエッチング加工を用いて除去されることを理解されたい。他の実施形態では、成長基板、または少なくとも成長基板の一部は、残存する。成長基板、または残存部分は、LEDからの光抽出を高めるために、成形またはテクスチャ加工することが可能である。図7~12は、ウエハレベルのLEDチップ40の別の可能な実施形態を示し、この一連の図は、製造工程でのLEDチップ40を示している。LEDチップはLEDを備え、上述したように、説明および理解を容易にするために、LEDは、分割したデバイスとして示されている。垂直の仮想線図10~11に示すとおりは、後の製造工程におけるLEDチップ40間の分割またはダイシングの線を示すために記載されている。さらに、図7~12はウエハレベルのデバイスを2つだけ示しているが、さらに多くのLEDチップを単一のウエハから形成可能であることを理解されたい。LEDの層は、一般に、反対にドープされた第1エピタキシャル層44と第2エピタキシャル層46との間に挟まれた、活性層/領域を備え、それら全ては、基板42上に順次形成される。上述したように、さらなる層および要素をLEDに備えることも可能であることを理解されたい。一実施形態では、第1エピタキシャル層44はn型ドープ層であり、第2エピタキシャル層46はp型ドープ層であるが、他の実施形態では、第1の層44は、p型ドープされることが可能であり、第2の層46は、n型ドープされることが可能である。第1エピタキシャル層44および第2エピタキシャル層46は、以下それぞれ、n型層およびp型層と称される。LEDの基板42、活性領域、ならびに層44および46は、上述したような様々な材料系から製造されてよい。さらに、基板12に関して上述したように、基板42は、様々な厚さを有し得る。LEDチップの、より簡単で信頼性の高い個片化を可能とするために、任意の加工工程で、機械的研削、エッチング、またはレーザーアブレーションなどの周知の方法を用いて、基板42を薄化または除去することも可能である。このような薄化または基板除去は、LEDチップが望まれる厚さを有する結果にもなり得る。図7に図示された基板42は、1つの可能な実施形態にしたがって除去されたため、もはや図8~12には図示されていないことに注目されたい。あるいは、基板42は薄化されてもよいし、元のままであってもよいことを理解されたい。基板42が、サファイアのような、成形に適合した材料からなる、さらに他の実施形態では、基板42は、光抽出を高めるために様々な形状を有し得る。この特定の実施形態は、示された横型形状のLEDのように、両コンタクトが1つの表面から接触可能であるように配置されたLEDでの使用に適している。しかし、縦型形状のLEDも使用されてよいことを理解されたい。LEDのそれぞれは、第1電極すなわちコンタクト52aと、第2電極すなわちコンタクト52bと、を有することが可能である。示された実施形態では、第1コンタクト52aはp型層46と、第2コンタクト52bはn型層コンタクト44と、ビア48経由で接触している。第1コンタクト52aに印加された電気信号は、p型層46内に拡散し、第2コンタクト52bに印加された信号は、n型層44内に拡散する。1つの表面から接触可能な複数のコンタクトを備える構造を有する本発明での使用のために、他のLED構造および形状が提供され得ることを、理解されたい。このような代替実施形態では、導電性ビア、トレース、または他の導電経路など、他の導電性構造体を利用することによって、このような接触をもたらすことが可能である。上述したように、第1コンタクト52aおよび第2コンタクト52bは、それぞれの表面に満たない部分、またはそれぞれの表面の多くを覆うことが可能であり、また、それら表面への電流拡散の一助となるために他の層または構造を備え得る。さらに、第1コンタクト52aおよび第2コンタクト52bは、様々な厚さを有し得る。好ましい実施形態では、電極/コンタクト52aおよび52bは、実質的に厚く、金属からなり、基板42が薄化または除去される時/場合、および、GaN表面が、例えばエッチングによってさらに加工される時/場合、LEDチップ40に主たる機械的支持を提供する。図9には、透明層58と、ダウンコンバータを含む層60と、を有するキャッピングウエハ56が図示されており、キャッピングウエハ26と同様のウエハ56は、詳細に上述されている。図10に示されるように、キャッピングウエハ56は、LEDチップ40のLEDウエハ図7および8に示されるとおりに、上述の接着剤38と同様の接着剤層62を用いて接合される。キャッピングウエハ56とLEDチップ40とが接合された後、キャッピングウエハ56の反対側の、LEDチップ40の非接合面に、メサエッチング、平坦化、および/またはメタライゼーションなどの最終製造工程を適用することが可能である。LEDチップ40の製造が完了した際、各LEDチップは、LEDがフリップチップ実装されたサブマウントウエハ68上記ウエハ36と同様の一部を備えていてよい。図11~12におけるサブマウントウエハ68は、図4~6に示され上述されたサブマウントウエハ36と同様に、製造工程のウエハレベルで示されている。上述したように、個々のLEDチップ40について、サブマウントウエハ68における分割またはダイシングの線を示すために、仮想線が記載されている。製造が完了してLEDチップ40が個片化される際に、LEDチップのそれぞれは、図12に示すように、サブマウントウエハ68の一部を有することになる。次に図11を参照すると、ウエハ形状のLEDが、サブマウントウエハ68にフリップチップ実装されている。LEDは、一般に、はんだなどの1つまたは複数の接合/金属層である、導電性接合材料64および66の層によって、サブマウントウエハ68に実装される。次に図12を参照すると、個々のLEDチップ40は、上述したような周知の方法を用いて、個片化されることができる。個片化に続いて、LEDチップ40は、蛍光体を追加するためのさらなる加工の必要なく、パッケージに、またはサブマウントもしくはプリント回路基板PCBに、実装され得る。次いで、従来のカプセル化によってLEDチップを取り囲むことが可能である。LEDチップ40は、電気信号を印加するためのワイヤボンドの使用なしに、パッケージに表面実装され得る。次に図7~8を参照すると、LEDチップ40の成長基板42は、部分的または全体的に除去することが可能であり、基板の一部または基板全体は、周知の研削および/またはエッチング加工を用いて除去される。さらに、n型層44または、熟考された他の実施形態に係る様々な層の一部は、LEDからの光抽出を高めるために、示されているように上面54において成形またはテクスチャ加工することが可能である。LEDチップは、単一のLEDチップを利用してパッケージに実装するのに適しているものとして、上記のように説明されてきた。しかし、本発明に係るLEDチップは、LEDチップのアレイに配置され得ること、そして、当該アレイは、構造的に同一または類似しており、同一または類似した光の波長で発光する、LEDチップを有することを理解されたい。あるいは、LEDチップは、構造的に異なっていたり、または、波長が異なる光を発したりし得る。いくつかの実施形態では、LEDチップは、アレイにおける全てのLEDチップに伝導される1つの電気信号に応えて発光するように、電気的に相互接続されることが可能である。他の実施形態では、各LEDチップの発光強度を制御するそれぞれの信号によって、LEDチップの発光を個別に制御することが可能である。これにより、LEDアレイの発光強度を制御することがひいては可能になり、また、これにより、様々な色の光を発するLEDチップを有するアレイにおいて、アレイ全体の発光強度および発光色を制御することが可能になる。複数の本発明の具体例を示して説明してきたが、多数の変形例および代替実施形態が、当業者によって想到されることであろう。そのような変形例および代替実施形態は、付随する特許請求の範囲に定義される、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなしに熟考され、実施されることができる。"