板状物を高分子フィルムを基材とする粘着テープに貼着する貼着方法であって、酸素及び窒素よりも分子量の小さい気体雰囲気中で少なくとも板状物の外周部分を粘着テープに貼着する粘着テープ貼着工程と、粘着テープ側を吸引して活性化拡散機構によって粘着テープと板状物とに挟まれた分子量の小さい気体を排出して板状物を粘着テープに密着させる密着工程と、を具備したことを特徴とする貼着方法。分子量の小さい気体はヘリウムから構成される請求項1記載の貼着方法。粘着テープの外周は板状物を収容する開口部を有する環状フレームで支持されている請求項1又は2記載の貼着方法。しかし、CMOS撮像素子、MEMSデバイス等の繊細なデバイスが形成されたウエーハを粘着テープに貼着する際にウエーハをローラで粘着テープに押圧すると、デバイスが損傷する恐れがあるという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、デバイスに損傷を与えることなく粘着テープにウエーハを貼着可能な貼着方法を提供することである。本発明によると、板状物を高分子フィルムを基材とする粘着テープに貼着する貼着方法であって、酸素及び窒素よりも分子量の小さい気体雰囲気中で少なくとも板状物の外周部分を粘着テープに貼着する粘着テープ貼着工程と、粘着テープ側を吸引して活性化拡散機構によって粘着テープと板状物とに挟まれた分子量の小さい気体を排出して板状物を粘着テープに密着させる密着工程と、を具備したことを特徴とする貼着方法が提供される。好ましくは、分子量の小さい気体はヘリウムから構成される。好ましくは、粘着テープの外周は板状物を収容する開口部を有する環状フレームで支持されている。本発明によると、高分子フィルムの特性である活性化拡散機構を利用して板状物を粘着テープに密着させるようにしたので、板状物に押圧力を加えることなく粘着テープに板状物を貼着することができ板状物に形成されたデバイスに損傷を与えることがない。特に、分子量の小さい気体雰囲気中で少なくとも板状物の外周部を粘着テープに貼着する粘着テープ貼着工程を実施した後、粘着テープ側を吸引すると活性化拡散機構によって短時間で板状物の全体を粘着テープに密着させることができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の密着方法を実施するのに適した密着装置2の縦断面図が示されている。密着装置2はハウジング4内にチャンバー6を画成している。ハウジング4の上壁4aにはヘリウム導入口8が形成されており、ヘリウム導入口8は切替弁10を介してヘリウム供給源12に接続されている。ハウジング4の底壁4bには排気口14が形成されており。排気口14は切替弁16を介して大気に連通している。ハウジング4の底壁4bには後で詳細に説明するチャックテーブル機構18が搭載されている。チャックテーブル機構18は、底壁4bに形成された吸引口19、切替弁20を介して負圧吸引源22に接続されている。ハウジング4の上壁4aにはエアシリンダ24のピストンロッド26が固定されている。エアシリンダ24は、図2に示すように、ピストンロッド26に連結されたピストン26aを収容しており、ピストン26aによりヘッド側チャンバー25aとロッド側チャンバー25bが画成されている。ヘッド側チャンバー25aはエア通路27a及び切替弁30を介して高圧エア源32に接続され、ロッド側チャンバー25bはエア通路27b及び切替弁30を介して高圧エア源32に接続されている。エアシリンダ24と一体的に環状突出部28が形成されている。エアシリンダ24及び環状突出部28に渡り吸引路29が形成されており、吸引路29は切替弁34を介して吸引源22に連通している。切替弁34を切り替えて吸引路29を吸引源22に連通することにより、環状突出部28の吸引面下面28aに負圧が作用する。図3を参照すると、半導体ウエーハ11の表面側斜視図が示されている。半導体ウエーハ11は裏面11bが研削されてその厚みが50μm程度に薄化されたシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ラインストリート13が格子状に形成されているとともに、複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にMEMSデバイス等のデバイス15が形成されている。図4を参照すると、粘着テープTの外周部が環状フレームFの開口を塞ぐように環状フレームFに貼着された状態の斜視図が示されている。粘着テープTはポリ塩化ビニル等の高分子フィルムから形成された基材上にアクリル系の粘着剤層が塗布されて形成されている。図5を参照すると、チャックテーブル機構18の斜視図が示されている。チャックテーブル機構18の支持基台38上にはチャックテーブル40が搭載されている。チャックテーブル40は、環状の枠体42と、枠体42に囲繞されたポーラスセラミックス等から形成された吸引保持部44を有している。支持基台38の中心部には図1に示した負圧吸引源22に接続された吸引路が形成されており、負圧吸引源22を作動することにより、チャックテーブル40は吸引保持部44で粘着テープTを介してウエーハ11を吸引保持する。支持基台38には、円周方向に90度離間して4個のフレームクランプ46が取り付けられている。各フレームクランプ46は、支持基台38に固定された図示しない一対のエアシリンダを有している。エアシリンダのピストンロッド48は支持部材50に連結されている。支持部材50にはエアアクチュエータ52が固定されており、エアアクチュエータ52は90度回転される回転軸54を有している。そして回転軸54にはL形状のクランプ爪押さえ部材56が固定されている。エアアクチュエータ52により回転軸54を回転することにより、押さえ部材56は環状フレームFをクランプするクランプ位置とクランプ位置に対して立設した図5に示した開放位置との間で回動される。以下、図6乃至図9を参照して、本発明の貼着方法を詳細に説明する。まず、図6に示すように、エアシリンダ24に形成された吸引路29を吸引源22に接続して環状突出部28の吸引面28aに負圧を作用させ、ウエーハ11のデバイス15が形成されていない外周余剰領域を吸引保持する。一方、チャックテーブル40上に図4に示された環状フレームFに支持された粘着テープTを載置し、環状フレームFをフレームクランプ46でクランプして固定する。この状態において、排気口14を大気に開放しながらヘリウム導入口8から加圧されたヘリウムHeガスをチャンバー6内に導入する。チャンバー6内がヘリウムガスで充満されると、図7に示すように、エアシリンダ27を作動してピストンロッド26を伸長し、環状突出部28に吸引保持されたウエーハ11の外周部を粘着テープTに押し付けて、ウエーハ11の外周部を粘着テープTに貼着する粘着テープ貼着工程を実施する。粘着テープ貼着工程実施後、図8に示すように、切替弁16を切り替えて排気口14を密閉し、エアシリンダ24を作動してピストンロッド26を縮めて環状突出部28をウエーハ11上から上方に退避させる。ヘリウム導入口8を介してチャンバー6内にヘリウムガスを導入しながら、吸引口19を介してチャックテーブル40の吸引保持部44を負圧吸引源22に接続する。負圧吸引源22で0.1~0.3気圧の負圧でチャックテーブル40の吸引保持部44を吸引すると、高分子フィルムの活性化拡散機構によって粘着テープTとウエーハ11とに挟まれた分子量の小さいヘリウムガスが排出されてウエーハ11の全体を粘着テープTに密着させることができる。このヘリウムガスの活性化拡散機構は以下の過程で起こると考えられる。まず、ヘリウム分子は圧力が高い側の粘着テープTの表面に凝縮し、その後ヘリウム分子は粘着テープTの内部に溶解する。粘着テープTに溶解するヘリウムの濃度は導入されるヘリウムガスの圧力に比例する。溶解したヘリウム分子は濃度勾配が駆動力となって濃度の低いほうへ拡散していき、粘着テープTの反対側に達したヘリウム分子がテープ表面から脱着していく。活性化拡散機構によるガスの透過は溶解→拡散→脱着の三つの過程より構成される。図9を参照すると、この密着工程を説明する模式的斜視図が示されている。環状フレームFに支持された粘着テープTはチャックテーブル40上に搭載され、環状フレームFはフレームクランプ46の押さえ部材56を90度回動することにより押さえ部材56によりクランプされる。この状態で、図7に示した粘着テープ貼着工程を実施した後、図8に示したようにヘリウム導入口8から加圧されたヘリウムガスをチャンバー6内に導入しながら負圧吸引源22によりチャックテーブル40の吸引保持部44を吸引すると、上述した活性化拡散機構により粘着テープTとウエーハ11とに挟まれた分子量の小さいヘリウムガスが排出されて、極短時間でウエーハ11の裏面全体を粘着テープTに密着させることができる。粘着テープTをポリ塩化ビニルの基材上にアクリル系の粘着材料を配設して形成した。チャンバー6内にヘリウムガスを導入しながら粘着テープTをチャックテーブル40で保持し、半導体ウエーハ11の外周部をエアシリンダ24の環状突出部28で粘着テープTに押し付けて、半導体ウエーハ11の外周部を粘着テープTに貼着する粘着テープ貼着工程を実施した。粘着テープ貼着工程実施後、チャンバー6内にヘリウムガスを導入しながら、負圧吸引源22の負圧を-70kPa~-90kPaに設定して、10分~20分間吸引し続けると、活性化拡散機構によりウエーハ11と粘着テープTとの間のヘリウム分子の気泡が完全に除去されて、ウエーハ11の裏面全体が粘着テープTに密着した。粘着テープTをポリオレフィン系の基材上にアクリル系の粘着材料を配設して形成した。チャンバー6内にヘリウムガスを導入しながら、半導体ウエーハ11の外周部を粘着テープTに押し付けて貼着する粘着テープ貼着工程を実施した。引き続いて、チャンバー6内にヘリウムガスを導入しながら、負圧吸引源22を-70kPa~-90kPaに設定して、20分~40分間吸引し続けたところ、活性化拡散機構によりウエーハ11と粘着テープTとの間のヘリウム分子の気泡が完全に除去されて、ウエーハ11の裏面全体が粘着テープTに密着した。