"ゲッタリング層を有する半導体基板を用意するステップと、前記半導体基板のゲッタリング層に、エッチングガスを供給して、半導体基板の表面に凹凸形状を形成するステップと、を含む、光発電体用半導体基板の製造方法。前記半導体基板のゲッタリング層に、エッチングガスを供給して、半導体基板の表面に凹凸形状を形成するステップには、前記ゲッタリング層を等方的にガスエッチングして薄層化する工程と、前記薄層化されたゲッタリング層を異方的にガスエッチングして半導体基板表面に凹凸形状を形成する工程と、を含む、請求項1に記載の製造方法。前記エッチングガスは、ClF3,XeF2,BrF3,BrF5およびNF3からなる群から選ばれる一以上のガスを含む、請求項1に記載の製造方法。前記エッチングガスは、分子中に酸素原子を含有するガスをさらに含む、請求項3に記載の製造方法。前記半導体基板は、片面にゲッタリング層を有し、かつ前記片面に凹凸形状を形成する、請求項1に記載の製造方法。前記片面にゲッタリング層を有する半導体基板は、2つの半導体基板の積層体をゲッタリング処理して、前記積層体を構成する2つの半導体基板それぞれの露出面にゲッタリング層を形成することで得る、請求項5に記載の製造方法。前記半導体基板は、その両面にゲッタリング層を有し、かつ前記半導体基板の両面に凹凸形状を形成する、請求項1に記載の製造方法。前記半導体基板は、基板面方位100のシリコン基板である、請求項1に記載の製造方法。前記半導体基板は、基板面方位111のシリコン基板である、請求項1に記載の製造方法。凹凸形状を形成された半導体基板表面に、エミッタ層を形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の製造方法。前記の通り、従来は、ゲッタリング処理と称される手法によって不純物を捕獲した拡散層を形成し、その拡散層を除去し、その後、半導体基板の表面をアルカリ水溶液でウェットエッチングしてテクスチャ構造を形成していた。不純物を捕獲した拡散層の除去は、一般的にエッチング液硝酸とフッ化水素酸との混酸またはアルカリ水溶液を用いるウェットプロセスで行われる。そのため、エッチング液がシリコン基板表面を汚染する恐れがあり、またその工程を省略できれば低コスト化につながる。また、ウェットエッチングしてテクスチャ構造を形成すると、後処理としてフッ化水素による洗浄工程や、熱処理工程などが必要とされる。そのため、シリコン基板表面を汚染する恐れがあるばかりか、コスト面からも不利な点があった。そこで本発明は、ゲッタリング処理によって不純物を捕獲した拡散層を、ウェットプロセスによって除去することなく、半導体基板の表面にテクスチャ構造などの凹凸構造を形成しながら、同時に拡散層を除去する手法を提供する。特に、ゲッタリング層の除去と凹凸構造の形成とを、ドライプロセスで行う手法を提供する。それにより、半導体基板の汚染を防ぎ、かつ低コストで光発電体用の半導体基板を提供する。すなわち本発明は、以下に示す主光発電体用半導体基板の製造方法に関する。[1]ゲッタリング層を有する半導体基板を用意するステップと、前記半導体基板のゲッタリング層に、エッチングガスを供給して、半導体基板の表面に凹凸形状を形成するステップとを含む、光発電体用半導体基板の製造方法。[2]前記半導体基板のゲッタリング層に、エッチングガスを供給して、半導体基板の表面に凹凸形状を形成するステップには、前記ゲッタリング層を等方的にガスエッチングして薄層化する工程と、前記薄層化されたゲッタリング層を異方的にガスエッチングして半導体基板表面に凹凸形状を形成する工程とを含む、[1]に記載の光発電体用半導体基板の製造方法。[3]前記エッチングガスは、ClF3,XeF2,BrF3,BrF5およびNF3からなる群から選ばれる一以上のガスを含む、[1]または[2]に記載の光発電体用半導体基板の製造方法。[4]前記エッチングガスは、分子中に酸素原子を含有するガスをさらに含む、[3]に記載の製造方法。[5]前記半導体基板は、片面にゲッタリング層を有し、かつ前記片面に凹凸形状を形成する、[1]~[4]のいずれかに記載の製造方法。[6]前記片面にゲッタリング層を有する半導体基板は、2つの半導体基板の積層体をゲッタリング処理して、前記積層体を構成する2つの半導体基板それぞれの露出面にゲッタリング層を形成することで得る、[5]に記載の製造方法。[7]前記半導体基板は、その両面にゲッタリング層を有し、かつ前記半導体基板の両面に凹凸形状を形成する、[1]~[4]のいずれかに記載の製造方法。[8]前記半導体基板は、基板面方位100のシリコン基板である、[1]~[7]のいずれかに記載の製造方法。[9]前記半導体基板は、基板面方位111のシリコン基板である、[1]~[7]のいずれかに記載の製造方法。[10]表面に凹凸形状を形成された半導体基板に、エミッタ層を形成するステップをさらに含む、[1]~[9]のいずれかに記載の製造方法。本発明によって、表面にテクスチャ構造などの凹凸構造が形成された半導体基板を、好適には光発電体用の半導体基板を得ることができる。しかも、本発明の方法は、従来はウェット法によって行われていたゲッタリング層の除去と凹凸構造の形成とを、いずれもドライプロセスで行うので、半導体基板の汚染が抑制され、かつ低コストで光発電体用の半導体基板が得られる。本発明の光発電体用半導体基板の製造方法は、1ゲッタリング層を有する半導体基板を用意するステップと、2前記半導体基板のゲッタリング層に、エッチングガスを供給して、半導体基板の表面に凹凸形状を形成するステップと、を含む。半導体基板は、一般的にはシリコン基板であるが、ゲルマニウム基板、シリコンカーバイド基板などであってもよい。シリコン基板は、単結晶基板であってもよく;その基板面方位は、100であっても、111であっても、他の面方位であってもよい。一般的に、基板面方位111の単結晶シリコン基板の表面を、アルカリ水溶液を用いてウェットエッチングすると、テクスチャ構造を形成することができず、基板表面が等方的にエッチングされる。ところが本発明の方法によれば、エッチングガスの組成を好適化するなどして、基板面方位111の単結晶シリコン基板の表面にも所望の凹凸形状を形成することができる。ゲッタリング層とは、半導体基板をゲッタリング処理することによって、不純物を捕獲した拡散層である。ゲッタリング層は、半導体基板の表層に形成されている。不純物の例には、半導体基板に含まれる重金属が含まれ、重金属の例にはFeやCuが含まれる。通常、ゲッタリング層高濃度の不純物がある領域の厚みは1~30μmであることが多い。ゲッタリング処理の具体的手順は、特に限定されないものの、リンゲッタリング処理と称される手法を採用することができる。リンゲッタリング処理とは、シリコン基板の表層にリンを拡散させてリン拡散層を形成し、その後、リン拡散層に半導体基板にある不純物を捕獲させてゲッタリング層を形成する手法である。リン拡散層の形成は、半導体基板の表面にリンを含む液体を塗布して加熱してもよいし、リンを含むガス中に半導体基板を配置して加熱してもよい気相拡散。特に、均一な処理を実現するという視点から、気相拡散によってリン拡散層を形成することが好ましい。リンを含むガスの例には、オキシ塩化リンPOCl3などが含まれる。リン拡散における温度は、シリコン基板である場合には、800~950°Cの範囲で行えばよい。また、リンの拡散自体は、通常数分間の加熱で十分である。半導体基板の表層にリン拡散層を形成したら、半導体基板にある不純物をリン拡散層に捕獲させる。リン拡散層に不純物を捕獲させるためには、シリコン基板である場合には、20分間から2時間程度、800~950°Cの範囲で基板を加熱することが好ましい。このようなリンゲッタリング処理を施すと、半導体基板の表面に、リン拡散層と、リン拡散層を覆うリンガラス層シリコン基板の場合にはリンケイ酸ガラスが形成される。ゲッタリング処理は、図2Aおよび図2Bに示されるように、1つの半導体基板10の表面にリン供給源を提供し、数分間加熱例えば900°Cすることでリン拡散層を形成し、さらに加熱を続けることで、半導体基板にある不純物20をリン拡散層に捕獲させて、ゲッタリング層11を形成してもよい。また、図3A~図3Cに示されるように、2つの半導体基板10の積層体をリンゲッタリング処理してもよい。それにより、前記積層体の露出面にゲッタリング層11が形成され図3B参照、片面にのみゲッタリング層11を有する半導体基板10図3C参照が2つ得られる。このように、半導体基板をゲッタリング処理することで、基板の表層付近の不純物がゲッタリング層に捕獲されるので、ゲッタリング層以外の部分の不純物量が低下する。そのため、本発明の方法によれば、一定量の不純物を含有する半導体基板から光発電体用の半導体基板を製造することができる。例えば、グレードの低いシリコンウェハから、光発電体用のシリコン基板を製造することができる。前記の通り、半導体基板は、両面にゲッタリング層を有しておいてもよいし図2B参照、片面にのみゲッタリング層を有していてもよい図3C参照。いずれにしても、少なくともゲッタリング層を形成された半導体表面に、凹凸形状例えばテクスチャ構造が形成される。図1A~図1Dを参照して、片面にのみゲッタリング層を有する半導体基板の表面に、凹凸形状を形成するプロセスを説明する。不純物20を捕獲しているゲッタリング層11を有する半導体基板10図1A参照のゲッタリング層に、エッチングガスを供給する。このとき、ゲッタリング層に捕獲された重金属などの不純物が、エッチングマスクとして作用することで、半導体基板の表面に所望の凹凸形状が容易に形成される図1Bおよび図1C参照。しかも、凹凸形状の形成と同時に、ゲッタリング層11の除去も行えるので、凹凸形状が形成された半導体基板の表面の半導体純度は極めて高くなる。エッチングガスは、半導体基板を構成する半導体物質をエッチングできるガスであれば特に制限されない。例えば、半導体基板がシリコン基板である場合には、エッチングガスにはClF3,XeF2,BrF3,BrF5およびNF3からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる。これらのガス分子は、半導体基板の表面に物理吸着して、エッチングサイトに移動する。エッチングサイトに到達したガス分子は分解し、半導体材料典型的にはシリコンと反応して揮発性のフッ素化合物を生成する。それにより、半導体基板表面がエッチングされ、凹凸形状が形成される。エッチングガスによるエッチングは、ゲッタリング層に捕獲された不純物があるサイトでは進行しにくいため、異方的なエッチングが実現しやすい。それにより、所望の凹凸形状が得られる。しかも、ゲッタリング層の除去も同時に行えるので、凹凸形状が形成された表面の純度は高くなる。さらに、ゲッタリング層を完全に除去してしまっても、エッチングガス組成を調整することで、半導体表面を異方的にエッチングして、凹凸形状を形成することもできる。エッチングガスによるエッチングは、2工程に分けて行ってもよい。例えば、エッチングガスによるエッチングは、ゲッタリング層11を等方的にガスエッチングして除去する工程Aと、その後、半導体基板の表面を異方的にガスエッチングして所望の凹凸形状12を形成する工程Bとを有していてもよい。エッチングガスの組成を適切に調整することで、半導体基板表面に所望の凹凸形状を形成できる。あるいは、図1A~Cに示されるように、エッチングガスによるエッチングは、ゲッタリング層11図1A参照を等方的にガスエッチングして、薄層化されたゲッタリング層11を形成する工程A図1B参照と、薄層化されたゲッタリング層11を異方的にガスエッチングして所望の凹凸形状12を形成する工程B図1C参照と、を含んでいてもよい。工程Aにおいて、ゲッタリング層11を等方的にエッチングして薄層化するには、例えば基板温度上げてエッチングガスを吹きつければよい。また、工程AにおけるエッチングガスにおけるClF3,XeF2,BrF3,BrF5およびNF3の濃度を高めても、等方的にエッチングしやすくなる。工程Aにおいて、ゲッタリング層を完全に除去してしまってもよいが、一部残存させることが好ましい。工程Aにおいて除去するゲッタリング層の厚みは、除去前のゲッタリング層の厚みのうち、50以上であり、好ましくは70~90程度であるが、特に限定されない。工程Bにおいて、薄層化されたゲッタリング層11を異方的にエッチングして所望の凹凸形状を得るには、まず、基板温度を低く維持することが好ましい。基板温度が高いと、不純物があるサイトと不純物のないサイトとでエッチング速度に差が生じず、異方的にエッチングすることができない場合がある。特に、工程Aにおいてゲッタリング層が完全に除去されていると、マスクとして作用する不純物がないので、基板温度を低下させないと異方的にエッチングすることが困難となる。具体的に、工程Bにおける基板温度は130°C以下、好ましくは100°C以下、より好ましくは80°C以下に保持されることが好ましい。エッチングガスに含まれるClF3,XeF2,BrF3,BrF5およびNF3は、半導体基板と発熱反応をするため、基板温度を低温に維持するには、何からの手段で基板を冷却する必要がある。例えば、予め基板を低温にしておいたり、エッチングガスと冷却ガスとを交互に基板表面に吹きつけたりすればよい。冷却ガスは、半導体基板と発熱反応しないガスであればよいが、通常は窒素ガスまたは不活性ガスである。工程Bにおけるエッチングガスには、前述のClF3,XeF2,BrF3,BrF5およびNF3からなる群から選ばれる一以上のガスとともに、酸素原子を含有するガスが含まれていることが好ましい。酸素原子を含有するガスとは、典型的には酸素ガスO2であるが、二酸化炭素CO2などであってもよい。エッチングガスにおける酸素原子含有ガスの濃度体積濃度は、ClF3,XeF2,BrF3,BrF5およびNF3のガスの合計濃度の2倍以上であることが好ましい。エッチングガスに酸素原子含有ガスを含ませることで、太陽電池のテクスチャ構造として適切な凹凸形状を、半導体基板表面に形成しやすくなる。その理由は、必ずしも明らかではないが、例えばClF3ガスがシリコン表面に物理吸着すると、シリコンと反応してSiF4となってガス化する。このとき、シリコンネットワーク構造のダングリングボンドに酸素原子がターミネートすることで、Si-O結合が部分的に構成される。それにより、エッチングされやすい領域と、エッチングされにくい領域とができる。そのエッチングレートの差でケミカルな反応が促進され、形状制御が可能となると考えられる。特に、工程Aにおいてゲッタリング層が完全に除去されていると、マスクとして作用する不純物がないので、エッチングガスに酸素原子含有ガスを含ませないと異方的にエッチングすることが困難となる。さらには、エッチングガスに酸素原子含有ガスを含ませると、基板面方位111の単結晶シリコン基板の表面にも、凹凸形状を形成することができる。さらに、工程Bにおけるエッチングガスには、窒素ガスまたは不活性ガスが含まれていてもよい。エッチングガスにおけるClF3,XeF2,BrF3,BrF5およびNF3の濃度が高すぎると、等方的にエッチングが進行しやすい場合があり、半導体基板表面に所望の凹凸形状が得られないことがある。そのため、窒素ガスまたは不活性ガスを希釈ガスとして混合させる場合がある。さらに、所望の凹凸形状12を形成された半導体基板10に、ゲッタリング層11由来の不純物20が残留している場合図1C参照には、残留した不純物20を除去する図1D参照。所望の凹凸形状を形成された半導体基板10図1D参照の表面には、さらにエミッタ層を形成することが好ましい。例えば、オキシ塩化リンガス雰囲気中で半導体基板表面を加熱して、n型エミッタ層を形成することができる。以上の手順によって、高純度の半導体基板表面に、所望の凹凸形状例えば、テクスチャ構造が形成された半導体基板が製造される。この半導体基板は、光発電体用半導体基板として特に好適に用いられる。"