"光電変換層2と、前記光電変換層2上に形成された電極パッド10と、前記電極パッド10に接続されたインターコネクタ5と、前記光電変換層2の下に形成された金属薄膜3と、前記光電変換層2および前記金属薄膜3とは離間しており、前記金属薄膜3と接続導体11,15,20で接続された中継端子13,17と、前記中継端子13,17に形成された接続パッド14,18とを有する太陽電池セル1,41。前記中継端子13,17は、受光面側に形成されたガラス8に樹脂7で固定されている請求項1に記載の太陽電池セル1,41。前記光電変換層2、前記インターコネクタ5、前記電極パッド14,18および前記金属薄膜3は、前記ガラス8に樹脂7で固定されている請求項2に記載の太陽電池セル1,41。前記中継端子13,17は、複数形成され、少なくとも1つが金属材料で形成されている請求項1~3のいずれかに記載の太陽電池セル1,41。前記中継端子13,17は、複数形成され、少なくとも1つがバイパスダイオードである請求項1~3のいずれかに記載の太陽電池セル1,41。前記接続パッド14,18は、前記中継端子13,17の前記ガラス8形成面側と反対側の面に形成されている請求項2~5のいずれかに記載の太陽電池セル1,41。前記光電変換層2がエピタキシャル成長にて形成されている請求項1~6のいずれかに記載の太陽電池セル1,41。化合物半導体を用いた太陽電池本願の太陽電池セルに対応。以下同様。では、軽量化およびコストの低減等から、光電変換層を半導体基板上にエピタキシャル成長させた後、半導体基板とエピタキシャル成長させた光電変換層とを分離することにより形成して薄膜化する開発がなされている。国際公開第99/62125号特許文献1に示す太陽電池ストリング作製では、フロントコンタクトを形成した側を下に向けて太陽電池を定盤に配置し、バックコンタクトにインタコネクト本願のインターコネクタに対応。以下同様。を溶接して接続する。しかしながら、光電変換層を薄膜化しているので、フロントコンタクトによる表面の凹凸で太陽電池にクラック、または割れ等が発生することがあった。本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、太陽電池セルにおいて、インターコネクタを接続する接続箇所の強度を上げることにある。本発明の太陽電池セルは、光電変換層と、光電変換層上に形成された電極パッドと、電極パッドに接続されたインターコネクタと、光電変換層の下に形成された金属薄膜と、光電変換層および金属薄膜とは離間しており、金属薄膜と接続導体で接続された中継端子と、中継端子に形成された接続パッドとを有することを特徴とする。ここで、本発明の太陽電池セルにおいて、中継端子は、受光面側に形成されたガラスに樹脂で固定されていることがより好ましい。また、本発明の太陽電池セルにおいて、光電変換層、インターコネクタ、電極パッド、金属薄膜は、ガラスに樹脂で固定されていることがより好ましい。また、本発明の太陽電池セルにおいて、中継端子は、複数形成され、少なくとも1つが金属材料で形成されていることがより好ましい。また、本発明の太陽電池セルにおいて、中継端子は、複数形成され、少なくとも1つがバイパスダイオードであることがより好ましい。また、本発明の太陽電池セルにおいて、接続パッドは、中継端子のガラス形成面側と反対側の面に形成されていることがより好ましい。また、本発明の太陽電池セルにおいて、光電変換層がエピタキシャル成長にて形成されていることがより好ましい。本発明によれば、太陽電池セルにおいて、インターコネクタの接続箇所となる箇所に中継端子を設け、その中継端子と光電変換層とを離間することで、インターコネクタの接続箇所の強度を上げ太陽電池セルに発生する可能性のあるクラック、または割れ等を抑制することができる。以下、図面に基づいてこの発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。図1は、太陽光の入射光側からガラス越しに見た本発明の太陽電池セルの一例を表す図である。太陽電池セル1には、n型電極パッド10とp型電極パッド12とが形成されている。n型電極パッド10には、櫛形のn型電極4とインターコネクタ5とが接続されている。一方、p型電極パッド12は、金属リボン11を介して中継端子13に接続されている。参照符号25は太陽電池セル本体である。インターコネクタは、太陽電池ストリング形成時、太陽電池セル間を電気的に接続する、金属材料で形成されたものである。また、接続導体である金属リボンは、中継端子と太陽電池セル本体とを電気的に接続する、金属材料で形成されたものである。太陽電池セル1の断面構造を、図2、図3を用いて説明する。図2は、図1で示した、n型電極パッド10と中継端子13を通る、A-A′の断面を表す図である。光電変換層2は、半導体基板上にエピタキシャル成長により形成され、その後、半導体基板から分離された化合物半導体層である。光電変換層2は、少なくとも1つのpn接合を有し、入射光側がn型半導体層であり、入射光側と反対側の面である裏面側がp型半導体層である。光電変換層2の入射光側にn型電極4図2の断面には表れず、n型電極パッド10が形成され、裏面側である下に金属薄膜3が形成されている。金属薄膜3は光電変換層2のp電極取出しとして蒸着により形成されている。また、金属薄膜3の下には、基材の役割を果たす樹脂フィルム9が形成されている。ここで、樹脂フィルム9上の領域を太陽電池セル本体25とする。n型電極パッド10には、予め、インターコネクタ5をパラレルギャップ溶接等で電気的に接続している。このインターコネクタ5を、隣の太陽電池セルの接続パッドに接続することで、太陽電池ストリングが形成される。この場合、インターコネクタの長さを短くすることにより、太陽電池セル間の距離を短くすることができ、太陽電池ストリングをコンパクトにすることができる。また、太陽電池ストリング形成時の接続点数を少なくすることができるので、製造ラインの処理能力を高くすることができる。太陽電池セル1には、太陽電池セル本体25とは離間した中継端子13があり、その中継端子13は金属材料で形成されている。中継端子13はp型側の接続端子としての役割があり、電極パッド21を介してp型電極パッド12と金属リボン11で電気的に接続されている。ここで、金属リボン11を直接中継端子13に接続してもよい。p型側の接続端子として太陽電池セル本体とは別に中継端子13を形成することで、インターコネクタ接続時の接続箇所としての強度を高くすることができる。また、中継端子13として強度を高めるため、実施例1では金属材料を用いている。さらに、離間することで、インターコネクタ接続時に加わる力が、太陽電池セル本体に伝わりにくくなり、太陽電池セル本体25にクラック、割れ等が発生することを抑制して太陽電池ストリングを作製することができる。太陽電池セル本体25、中継端子13は、それぞれ別の素子として、樹脂7で封止され、一体のガラス8で覆われ固定されている。中継端子13はガラス8に固定されることで、接続箇所として、より強度を有する。同時に、インターコネクタ5もn型電極パッド10に溶接された箇所は、樹脂で封止され、ガラス8に固定されているので、強度を有する。参照符号51は、隣の太陽電池セルのインターコネクタである。インターコネクタを接続するための接続パッド14を、中継端子13のガラス8形成側と反対側に形成している。インターコネクタ接続は、太陽電池セル1のガラス8面を定盤に置いて行なう。ガラス8の表面には、接続の際に影響する凹凸はないので、接続時に太陽電池セル本体25に発生するクラック、または割れ等を抑制することができる。図3は、図1で示した、両側に中継端子13が現れる、B-B′の断面を表す図である。p型電極パッド12は金属薄膜3上に形成されており、金属リボン11で中継端子13と接続されている。中継端子13は、信頼性の観点から太陽電池セル1に複数形成されていることがより好ましい。金属リボン11による、太陽電池セル本体25と中継端子13との接続は、樹脂封止によるガラス8固定前に行なう。そのうち、太陽電池セル本体25側の金属リボン11の接続は、太陽電池セル本体25を定盤に置いて行なう。その際、樹脂フィルム9の裏面側には、接続に影響する凹凸はないので、接続時に太陽電池セル本体25に発生するクラック、または割れ等を抑制することができる。また、太陽電池セル本体25にインターコネクタ5を接続する場合も、同様に、ガラスに固定する前に太陽電池セル本体25を定盤に置いて行なうので、樹脂フィルム9の裏面側には、接続に影響する凹凸はないことから、接続時に太陽電池セル本体25に発生するクラック、または割れ等を抑制することができる。図4は、太陽光の入射光側からガラス越しに見た本発明の太陽電池セルの他の一例を表す図である。太陽電池セル41は実施例1の太陽電池セル1とは、中継端子の1つがバイパスダイオード17であるところが違っており、他の構造は太陽電池セル1と同様である。バイパスダイオード17のp領域は、金属リボン15を介してn型電極パッド16に接続され、バイパスダイオード17のn領域は、金属リボン20を介してp型電極パッド12に接続されている。参照符号26は太陽電池セル本体である。図5は、図4のバイパスダイオード17を拡大した図であり、aは上面図、bはaで示すE-E′断面を表す図である。バイパスダイオード17のn型半導体基板45に、p領域46とn領域47とが形成されている。n領域47のn型不純物濃度は、n型半導体基板45のn型不純物濃度よりも高濃度である。p領域46上に形成された電極パッド48はn型電極パッド16と金属リボン15で電気的に接続され、また、n領域47上に形成された電極パッド49はp型電極パッド12と金属リボン20で電気的に接続されている。バイパスダイオード17の裏面側には接続パッド18が形成されている。バイパスダイオード17はp型側の接続端子としての中継端子の役割もある。中継端子のすべてが、接続パッドを有するバイパスダイオードであってもよい。図6は、図4で示した、n型電極パッド10とバイパスダイオード17を通る、C-C′の断面を表す図である。n型電極パッド16は光電変換層2の入射光側に形成されている。バイパスダイオード17、太陽電池セル本体26は、それぞれ別の素子として、樹脂7で封止され、一体のガラス8で覆われ固定されている。バイパスダイオード17はガラス8に固定されることで、接続箇所として、より強度を有する。参照符号51は、隣の太陽電池セルのインターコネクタである。図7は、図4で示した、バイパスダイオード17と中継端子とが現れる、D-D′の断面を表す図である。バイパスダイオード17に半導体材料を用いるので、接続箇所の強度をより高くすることができ、バイパスダイオード17にインターコネクタを接続する際、太陽電池セル本体26にクラック、割れ等が発生することを抑制できる。バイパスダイオード17には、太陽電池セル41のp型側接続パッドの1つである接続パッド18が形成されており、バイパスダイオード17は樹脂で封止されガラス8に固定されている。インターコネクタ接続は、太陽電池セル41のガラス8面を定盤に置いて行なう。ガラス8の表面には、接続の際に影響する凹凸はないので、接続時に太陽電池セル本体26に発生するクラック、または割れ等を抑制することができる。さらに、バイパスダイオード17を太陽電池セル41と一体にすることで接続点数を少なくすることができ製造ラインの処理能力を高くすることができる。図8は、バイパスダイオードの他の一例を表す図である。aは上面図、bはaで示すF-F′断面を表す図である。図8に示すバイパスダイオード54を用いた太陽電池セルは、図4に示す太陽電池セル41のバイパスダイオード17がバイパスダイオード54の構造になっていること以外の構造は、太陽電池セル41と同様である。バイパスダイオード54はn型半導体基板55に、p領域56とn領域57が形成されている。p領域56上に形成された電極パッド58はn型電極パッド16と金属リボン15で電気的に接続され、また、n領域57上に形成された電極パッド59はp型電極パッド12と金属リボン23で電気的に接続されている。バイパスダイオード54の裏面側には接続パッド18が形成されている。バイパスダイオード54はp型側の接続端子としての中継端子の役割もある。中継端子のすべてが、接続パッドを有するバイパスダイオードであってもよい。図9は、太陽光の入射光側からガラス越しに見た本発明の太陽電池セルのさらに他の一例を表す図である。太陽電池セル31は実施例1の太陽電池セル1とは、バイパスダイオード35が形成されているところが違っており、他の構造は太陽電池セル1と同様である。バイパスダイオード35、太陽電池セル本体25、中継端子13は、別の素子として一体のガラス8で覆われ、樹脂で封止されている。バイパスダイオード35、太陽電池セル本体25、中継端子13はそれぞれガラスに固定されている。なお、図9ではバイパスダイオード35の配線は省略しているが太陽電池セル本体25に形成された光電変換層と導電性材料にて電気的に接続されている。また、図9に示したバイパスダイオード35の配置、大きさ、形状は一例である。実施例3ではバイパスダイオード35を太陽電池セル31と一体にすることで接続点数を少なくすることができ製造ラインの処理能力を高くすることができる。上記実施例1~3に示すように、太陽電池セル本体と中継端子とを別に形成することで、太陽電池ストリングを作製した場合、太陽電池ストリングとしてのp型側の接続部のインターコネクタによる引っ張り等の影響が太陽電池セル本体に及ぼされるのを抑えることができる。"