二重パターニング基板の生成方法であって:処理システムによって受け取られる第1組のパターニング基板から第1パターニング基板を選択する工程であって、前記第1パターニング基板は、第1マスク材料を内部に有する複数の第1特徴部位及び該複数の第1特徴部位間の複数の空間領域を有し、かつ前記第1特徴部位及び前記空間領域は標的層上に作製される、工程;前記第1パターニング基板上に保護層を堆積することによって、第1被保護基板を生成する工程であって、複数の第1被保護第1特徴部位及び複数の被保護空間領域が、前記第1被保護基板上の標的層上に作製される、工程;前記第1被保護基板を用いて第1露光処理を実行することによって、被保護活性化基板を生成する工程であって、第1活性化種を内部に有する複数の被保護活性化特徴部位及び複数の被保護不活性化空間領域が、前記被保護活性化基板上の標的層上に作製され、前記被保護活性化特徴部位の各々は、第1保護層を上に有し、かつ被保護不活性化空間領域の各々は、第2保護層を内部に有する、工程;前記被保護活性化基板を用いて第1充填手順を実行することによって、第1充填基板を生成する工程であって、1つ以上の第1充填層が前記第1充填基板上の標的層上に作製され、かつ各第1充填層は、前記の第1充填基板上の標的層上の2つの被保護活性化特徴部位間に作製される、工程;前記第1充填基板を用いて第1脱保護手順を実行することによって、第1脱保護二重パターニングによるシャドー基板を生成する工程であって、前記第1活性化種を内部に有する複数の被保護拡散特徴部位、複数の脱保護領域、及び複数の自己整合した第2特徴部位が、前記の第1脱保護基板上の標的層上に作製され、各被保護拡散特徴部位は、該部位に隣接する2つの脱保護領域を有し、各自己整合した第2特徴部位は、2つの前記脱保護領域間に作製され、前記の被保護拡散特徴部位内の第1活性化種は、前記第1脱保護手順中、前記の被保護拡散特徴部位を覆う保護層を介して、前記第1充填層へ拡散することによって、前記脱保護領域及び前記自己整合した第2特徴部位を内部に生成する工程;並びに、前記第1脱保護基板を用いて最終現像手順を実行することによって前記DP基板を生成する工程;を有する方法。前記保護層が第2マスク材料を有し、前記第2マスク材料は、1つ以上の前記第1活性化種を選択的に透過させるように構成される、請求項1に記載の方法。前記第1露光処理が、第1放射線処理、第1熱処理、又は上記処理の結合を有する、請求項1に記載の方法。前記第1露光処理が、第1組の波長を有する第1放射線パターンを有し、かつ前記保護層が、前記第1組の波長のうちの1つ以上に対して選択的に透明となるように構成される第2マスク層を有する、請求項1に記載の方法。前記標的層が、半導体材料、lowk誘電材料、超lowk誘電材料、セラミック材料、ガラス材料、金属材料、レジスト材料、充填材料、ドーピングされた材料、ドーピングされない材料、応力を受けた材料、酸素含有材料、窒素含有材料、炭素含有材料、反射防止コーティング材料、若しくは底部反射防止コーティング材料、又は上記材料の混合材料を有する、請求項1に記載の方法。前記第1脱保護手順が:第2露光処理及び又は第2熱処理を用いることによって、少なくとも1つの第1活性化種を、前記被保護拡散特徴部位から、前記保護層を介して、前記第1充填層の第1部分内の第3マスク材料へ拡散させることで、前記第3マスク材料内に複数の第3脱保護種を生成する工程;第2露光処理及び又は第2熱処理を用いることによって、前記第3脱保護種に、前記の第1充填層内の第3マスク材料の第1部分を移動させる工程であって、前記の第3マスク材料の第1部分は、前記脱保護領域を生成するように脱保護される、工程;前記第3脱保護種が、前記の第1充填層内の第3マスク材料の第2部分を移動するのを防止することで、前記自己整合した第2特徴部位を生成する工程であって、前記の自己整合した第2特徴部位内の第3マスク材料は脱保護されず、かつ現像不可能である、工程;を有する、請求項1に記載の方法。前記第3マスク材料が、化学増幅レジスト材料、非化学増幅レジスト材料、デュアルトーンレジスト材料、反射防止コーティング材料、上部反射防止コーティング材料、若しくは底部反射防止コーティング材料、又は上記材料の混合材料を有する、請求項6に記載の方法。前記第2露光処理が第2組の波長を有し、かつ前記保護層が、前記第2組の波長に対して実質的に透明である、請求項6に記載の方法。前記最終現像処理が:第1現像処理を用いて、前記被保護拡散特徴部位から前記保護層を除去することによって、複数の最終第1二重パターニング特徴部位を作製する工程;第2現像処理を用いて、前記脱保護層を除去することによって、複数の最終二重パターニング空間領域を作製する工程;前記自己整合した第2特徴部位を用いて、複数の最終第2二重パターニング空間領域を作製する工程;を有し、各最終DP空間領域は、各最終第1DP特徴部位に隣接して生成され、各最終第2DP特徴部位は、2つの最終DP空間領域間に生成される、請求項1に記載の方法。前記第1マスク材料が、化学増幅レジスト材料、非化学増幅レジスト材料、デュアルトーンレジスト材料、反射防止コーティング材料、上部反射防止コーティング材料、若しくは底部反射防止コーティング材料、又は上記材料の混合材料を有する、請求項1に記載の方法。二重パターニング基板の生成方法であって:処理システムによって受け取られる第1組のパターニング基板から第1パターニング基板を選択する工程であって、前記第1パターニング基板は、第1マスク材料を内部に有する複数の第1特徴部位及び該複数の第1特徴部位間の複数の空間領域を有する、工程;前記第1パターニング基板上に保護層を堆積することによって、被保護基板を生成する工程であって、複数の第1被保護第1特徴部位及び複数の被保護空間領域が、前記被保護基板上の標的層上に作製され、各被保護空間領域が前記被保護第1特徴部位間に生成される、工程;前記被保護基板を用いて第1露光処理を実行することによって、被保護活性化基板を生成する工程であって、第1活性化種を内部に有する複数の被保護活性化特徴部位及び複数の被保護不活性化空間領域が、前記被保護活性化基板上の標的層上に作製される、工程;前記被保護活性化基板を用いて第1充填手順及び第2充填手順を実行することによって、二重充填基板を生成する工程であって、前記第1充填手順は、2つの前記被保護活性化特徴部位間に第1充填層を生成し、前記第2充填手順は、前記の2つの被保護活性化特徴部位間の第1充填層上に第2充填層を生成し、前記第2充填層は第4活性化種を有する、工程;前記二重充填基板を用いて第1脱保護手順を実行することによって、第1脱保護二重パターニングによるシャドー基板を生成する工程であって、前記第1活性化種を内部に有する複数の被保護拡散特徴部位、複数の脱保護領域、複数の側壁角領域、複数の自己整合した特徴部位、及び少なくとも1つの第2充填層が、前記第1脱保護基板上の標的層上に作製され、前記の被保護拡散特徴部位内の第1活性化種が、前記第1脱保護手順中、前記の被保護拡散特徴部位を覆う保護層を介して、前記第1充填層へ拡散することで、前記脱保護領域、前記SWA領域、及び前記自己整合した特徴部位を生成する工程;並びに、前記第1脱保護基板を用いて第2脱保護手順を実行することによって、第2脱保護二重パターニングによるシャドー基板を生成する工程であって、前記第1活性化種を内部に有する複数の被保護拡散特徴部位、複数の脱保護領域、複数の側壁角領域、複数の自己整合した特徴部位、及び少なくとも1つの第2充填層が、前記第2脱保護基板上の標的層上に作製され、第3露光処理が、前記第4活性化種を、前記第2充填層から、前記第1充填層の新しい部分へ移動させることで、前記脱保護SWA領域を生成する工程;並びに、前記第2脱保護基板を用いて1つ以上の現像処理を実行することによって前記DP基板を生成する工程;を有する方法。前記保護層が第2マスク材料を有し、前記第2マスク材料は、1つ以上の前記第1活性化種を選択的に透過させるように構成される、請求項11に記載の方法。前記第1露光処理が、第1放射線処理、第1熱処理、又は上記処理の結合を有する、請求項11に記載の方法。前記第1露光処理が、第1組の波長を有する第1放射線パターンを有し、かつ前記保護層が、前記第1組の波長のうちの1つ以上に対して選択的に透明となるように構成される、請求項11に記載の方法。前記標的層が、半導体材料、lowk誘電材料、超lowk誘電材料、セラミック材料、ガラス材料、金属材料、レジスト材料、充填材料、ドーピングされた材料、ドーピングされない材料、応力を受けた材料、酸素含有材料、窒素含有材料、炭素含有材料、反射防止コーティング材料、若しくは底部反射防止コーティング材料、又は上記材料の混合材料を有する、請求項11に記載の方法。前記第1脱保護手順が:第2露光処理及び又は第2熱処理を用いることによって、少なくとも1つの第1活性化種を、前記被保護拡散特徴部位から、前記保護層を介して、前記第1充填層の第1部分内の第3マスク材料へ拡散させることで、前記第3マスク材料内に複数の第3脱保護種を生成する工程;第2露光処理及び又は第2熱処理を用いることによって、前記第3脱保護種に、前記の第1充填層内の第3マスク材料の第1部分を移動させる工程であって、前記の第3マスク材料の第1部分は、前記脱保護領域を生成するように脱保護される、工程;前記第3脱保護種が、前記の第1充填層内の第3マスク材料の第2部分を移動するのを防止することで、前記自己整合した第2特徴部位を生成する工程であって、前記の自己整合した第2特徴部位内の第3マスク材料は脱保護されず、かつ現像不可能である、工程;を有する、請求項11に記載の方法。前記第3マスク材料が、化学増幅レジスト材料、非化学増幅レジスト材料、デュアルトーンレジスト材料、反射防止コーティング材料、上部反射防止コーティング材料、若しくは底部反射防止コーティング材料、又は上記材料の混合材料を有する、請求項16に記載の方法。前記第2露光処理が第2組の波長を有し、かつ前記保護層が、前記第2組の波長に対して実質的に透明である、請求項16に記載の方法。前記第2脱保護手順が:前記第3露光処理、第3熱処理、及び又は供給処理を用いて前記第4活性化種を活性化させる工程;前記第3露光処理、第3熱処理、及び又は供給処理を用いることによって、前記第4活性化種を、前記の第1充填層内の第3マスク材料の新たな部分へ拡散させることで、前記の第1充填層内の第3マスク材料の新たな部分内に複数の新たな脱保護種を生成する工程;前記第3露光処理、第3熱処理、及び又は供給処理を用いることによって、前記新たな脱保護種に、前記の第1充填層内の第3マスク材料の新たな部分を移動させる工程であって、前記の第3マスク材料の新たな部分は脱保護され、脱保護材料を内部に有する前記脱保護SWA領域が生成される、工程;前記新たな脱保護種が、前記自己整合した第2特徴部位内の第3マスク材料を移動するのを防止する工程であって、前記の自己整合した第2特徴部位内の第3マスク材料は脱保護されず、かつ現像不可能である、工程;を有する、請求項11に記載の方法。前記1つ以上の現像処理を実行する工程が:第1現像処理を用いて、前記被保護拡散特徴部位から前記保護層を除去することによって、複数の最終第1二重パターニング特徴部位を作製する工程;第2現像処理を用いて、前記脱保護層を除去することによって、複数の最終二重パターニング空間領域を作製する工程;前記自己整合した第2特徴部位を用いて、複数の最終第2二重パターニング空間領域を作製する工程;を有し、各最終DP空間領域は、各最終第1DP特徴部位に隣接して生成され、各最終第2DP特徴部位は、2つの最終DP空間領域間に生成される、請求項19に記載の方法。本発明は、二重パターニングされたシャドー処理及びサブシステムを用いた基板処理方法の改善を目的とする。開示された発明は、既存パターン間に追加パターンを形成するように設計される。さらに開示された発明は、第1パターンと第2パターンとの間での自己整合を行うように設計される。さらに開示された発明は、従来のDP法と比較して低い費用を有するように設計される。さらに開示された発明は、リソグラフィセルの露光部分でのスループットの間接費を減少するように設計される。たとえ露光装置を貫通する経路が1つしか必要でないとしても、第2パターンは形成される。本発明は、SD処理及び又はSD評価を用いたリアルタイムでの基板処理方法を供する。一部の実施例では、1つ以上のサブシステム内の1つ以上の制御装置が、リアルタイムSDパラメータを用いてSD処理及び又はSD評価を実行するのに用いられて良い。それに加えてSD処理及び又はSD測定は、履歴データを用いて動作して良い。本発明の他の態様は、以降の詳細な説明及び添付図面から明らかとなる。ここで本発明の実施例について、添付の概略図を参照することによって説明する。図中、対応する参照記号は対応する部材を表すものとする。一部の実施例では、二重パターニングされたシャドー処理方法は多数の工程を有して良い。第1工程では、第1リソグラフィ処理が、パターンピッチがの比で作製可能な第1パターニング層を有する第1パターニング基板を生成するように実行されて良い。たとえば193nmの照射は、100nmラインで300nmスペースの密なアレイパターンを生成するのに用いられる。第2工程では、凍結層-一般的には無機薄膜-が第1パターニング層に堆積されて良い。それに加えて、凍結膜の特性は、選択的に酸が膜を通り抜けるようにマイグレーションすることを許容するが、現像液がマイグレーションすることを許容しないように調節されて良い。第3工程では、第1パターニング層内のレジスト部位は、プラスの記号で表された図5及び図7高濃度の酸を含むように調整されて良い。酸は、少なくとも1つの放射線パターンを用いることによって、第1パターニング層中のレジスト部位内に生成されて良い。酸を生成する一の方法は、レジスト中に存在する光活性の酸を生成する化合物を活性化させる波長の放射線へのレジストの全体的な露光を実行することによってである。この方法は実現可能である。なぜなら第1パターンがポジ型のレジストを用いて生成された場合、現像後の残されたパターンは高濃度のPAGを維持するからである。第4工程では、第2レジスト層が第1層全体にわたって堆積されて良い。第5工程では、第1パターニング層内のレジスト部位から第2レジスト層内の第2レジストへの酸の拡散を駆動するように、基板はベーキングされて良い。ベーキング工程のタイミング及び温度は、第2レジスト層中の第2レジストへ十分な酸を駆動させることで、所望の幅を有するが酸を含まない自己整合した第2部位を生成することができるように調節される。続いて基板は、現像チャンバ内に通常通りに処理されて良い。ポジ型のレジストの場合では、第2レジスト層中の第2レジストの酸が多い領域が現像により除去され、かつ酸の少ない領域は現像後も残る。二重パターニングされたシャドー処理が完了したとき、パターン部位間の空間は、二重パターン処理での追加のパターンによって充填されて良い。図1図3を参照すると、処理システム1が、搬入搬出部10、処理部11、及びインターフェース部12を有する。搬入搬出部10はカセットテーブル20を有する。カセットテーブル20上には、各々が複数たとえば25の半導体基板14を保存するカセットが、処理システム1に対して搬入出される。処理部11は、基板14を1枚ずつ順次処理する様々な単一の基板処理ユニットを有する。これらの処理ユニットは、たとえば第1の複数のステージを有する処理ユニット31群、第2の複数のステージを有する処理ユニット32群、第3の複数のステージを有する処理ユニット33群、第4の複数のステージを有する処理ユニット34群、及び第5の複数のステージを有する処理ユニット35群内部のような、複数のステージの所定位置に備えられている。インターフェース部12は、処理部11と1以上の露光システム図示されていないとの間に設けられ、処理部間でのレジストがコーティングされたウエハの搬送を行うように備えられている。1以上の露光システムは、たとえば回路又は構成部品の像を基板表面上のレジストへ転写するフォトリソグラフィ装置のようなレジストパターニングシステムを有して良い。処理システム1はまた、パターニングされたウエハ上の検査領域からCD計測データを得るCD計測システムをも有する。CD計測システムは処理システム1内部に設けられて良い。たとえばCD計測システムは複数ステージ処理ユニット群3132333435のうちの1に設けられて良い。CD計測システムは、たとえばオプティカルデジタルプロフィロメトリシステムのような光散乱システムであって良い。ODPシステムは、散乱計、内蔵ビームプロファイル偏光解析法偏光解析装置及びビームプロファイル反射率測定法反射率測定装置を有して良い。これらは、サーマウエーブ社又はナノメトリクス社から市販されている。ODPソフトウエアはティンバーテクノロジー社から市販されている。たとえば散乱計測のような光計測を実行するとき、たとえば半導体基板又はフラットパネルのような基板上の構造は電磁放射線によって照射され、その構造から得られる回折信号はその構造のプロファイルを再構築するのに利用される。その構造は周期構造を有して良いし又は非周期構造を有しても良い。それに加えて、構造は基板上に動作構造つまりマスク層内に形成されたビア若しくはコンタクトホール、又は相互接続配線若しくは溝、又は特徴部位を有して良いし、又は、基板上に形成された動作構造の近傍に形成された周期回折格子又は非周期回折格子を有しても良い。たとえば周期回折格子は基板上に形成されたトランジスタに隣接して形成されて良い。あるいはその代わりに周期回折格子は、トランジスタの動作に干渉しないトランジスタ領域内に形成されても良い。周期回折格子のプロファイルが得られることで、周期回折格子ひいてはそれに隣接する動作構造が仕様通りに作製されているか否かが判断される。さらに図1図3を参照すると、複数の突起20aがカセットテーブル20上に形成される。これらの突起20aによって、複数のカセット13はそれぞれ処理部11に対して正しい位置に置かれている。カセットテーブル20上に設けられている各カセット13は処理部11に対向する搬入出用開口部9を有する。搬入搬出部10は第1副アーム機構21を有する。第1副アーム機構21は、各カセット13からのウエハWを搬入及び各カセット13へのウエハWの搬出に関与する。第1副アーム機構21は、ウエハ14を保持するホルダ部、そのホルダ部を前後に移動させる前後移動機構図示されていない、X軸方向にホルダ部を移動させるX軸移動機構図示されていない、Z軸方向にホルダ部を移動させるZ軸移動機構図示されていない、及びZ軸の周りにホルダ部を回転させるθシータ回転機構図示されていないを有する。以降で詳述するように、第1副アーム機構21によって、第3処理ユニット群33に属する位置合わせユニット41及び拡張ユニット42とアクセスすることが可能となる。詳細に図3を参照すると、主アーム機構22は、処理部11の中心で持ち上げ可能なように備えられている。処理ユニットG1G5は、主アーム機構22の周りに備えられている。主アーム機構22は円筒支持体49内部に備えられている。また主アーム機構22は持ち上げ可能なウエハ搬送システム46を有する。円筒支持体49はモーターの駆動シャフト図示されていないに接続する。駆動シャフトはZ軸の周りを、ウエハ搬送システム46と同時にθだけ回転して良い。ウエハ搬送システム46は、搬送用下部テーブル47の前後方向に可動な複数のホルダ部48を有する。第1処理ユニット31群及び第2処理ユニット群32に属するユニットは、コーティング現像処理システム1の前方部分2に備えられている。第3処理ユニット群33に属するユニットは、搬入搬出部10の隣に備えられている。第4処理ユニット群34に属するユニットは、インターフェース部12の隣に備えられている。第5処理ユニット群35に属するユニットは、処理システム1の後方部分3に備えられている。図2を参照すると、第1処理ユニット群31は、スピンチャック図示されていない上にマウントされているウエハ14に所定の処理を行う2のスピナー型処理ユニットをカップ38内部に有する。第1処理ユニット群31では、たとえば、底部からレジストコーティングユニット36及び現像ユニット37の順序で、これらのユニットが2のステージで積層する。第2処理ユニット群32では、2のスピナー型処理ユニット-たとえばレジストコーティングユニット36及び現像ユニット37-が底部から連続して2のステージで積層する。典型的実施例では、レジストコーティングユニット36は、現像ユニット37よりも低いステージに設けられている。その理由は、レジスト廃液は現像廃液よりも放出が困難であるため、レジスト廃液用の放出ラインは、現像廃液用の放出ラインよりも短いことが望ましいからである。しかし必要な場合には、レジストコーティングユニット36は、現像ユニット37よりも上のステージに備えられて良い。図3を参照すると、第3処理ユニット群33は、冷却ユニット39、位置合わせユニット41、接合ユニット40、拡張ユニット42、2のプリベーキングユニット43、及び2のポストベーキングユニット44を有する。これらのユニットは底部から上記順序で積層している。同様に、第4処理ユニット群34は、冷却ユニット39、拡張冷却ユニット45、拡張ユニット42、別の冷却ユニット39、2のプリベーキングユニット43、及び2のポストベーキングユニット44を有する。これらのユニットは底部から上記順序で積層している。たとえプリベーキングユニット43及びポストベーキングユニット44がそれぞれ2つしか図示されていないとしても、G3及びG4は如何なる数のプリベーキングユニット43及びポストベーキングユニット44を有しても良い。さらに如何なる個数又はすべてのプリベーキングユニット43及びポストベーキングユニット44が、PEB、塗布後ベーキング及び現像後ベーキング処理を実行するように構成されて良い。典型的実施例では、低処理温度で動作する冷却ユニット39及び拡張冷却ユニット45は下のステージに備えられる。高処理温度で動作するプリベーキングユニット43、ポストベーキングユニット44及び接合ユニット40は上のステージに備えられる。この配置により、ユニット間の熱干渉を減少させることが可能である。あるいはその代わりに、これらのユニットは異なる配置を有しても良い。インターフェース部12の前面では、可動ピックアップカセット15及び非可動バッファカセット16が2のステージに備えられている。インターフェース部12の背面では、付随の露光システム23が備えられている。付随の露光システム23はリソグラフィ装置を有して良い。あるいはその代わりに、リソグラフィ装置及びODPシステムは、コーティング現像処理システム1から離れていて、かつそのシステム1と協働するように結合して良い。インターフェース部12の中心には、第2副アーム機構24が供される。第2副アーム機構24は、X方向及びZ方向に独立して可動である。また第2副アーム機構24によって、カセット15とカセット16の両方及び付随の露光システム23へのアクセスが可能となる。それに加えて、第2副アーム機構24はZ軸の周りに角度θだけ回転することが可能で、かつ第4処理ユニット内の拡張ユニット42へのアクセスのみならず、離れた場所にある露光システム図示されていない付近のウエハ搬送テーブル図示されていないへのアクセスをも可能にするように設計されている。処理システム1では、第5処理ユニット群35は、主アーム機構22の背面の後方部分3に備えられている。第5処理ユニット群35は、案内レール25に沿ってY軸方向へスライドするように移動して良い。第5処理ユニット群35が上述のように移動することが可能なので、背面からの主アーム機構22への保守操作を容易に行うことが可能である。プリベーキングユニット43、ポストベーキングユニット44及び接合ユニット40はそれぞれ、ウエハ14が室温よりも高温に加熱される熱処理システムを有する。本発明は、二重パターニングされたシャドー処理、方法、及び又は処理ユニットを用いることによって、上に多数の半導体デバイスを有する基板を処理する装置及び方法を供する。様々な実施例では、二重パターニングされたシャドー評価ライブラリを生成、検証、使用、及び又は更新するときに、内部及び又は外部の搬送シーケンス、内部及び又は処理シーケンス、並びに、内部及び又は外部の測定シーケンスを行う装置並びに方法が供される。1つ以上の生成及び又は評価サイトが、基板上の様々な位置に供されて良い。サイトは処理に関連して良い。1つ以上のサイトは、評価及び又は検証処理において用いられて良い。評価及び又は検証処理は、搬送シーケンス、基板、処理、評価ライブラリ、処理シーケンス、若しくは処理工程において用いられる特定サイト、又はこれらの結合を評価並びに又は検証するのに用いられて良い。基板及び処理は、これらに係るデータを有して良い。データはリアルタイム及び履歴データを有して良い。データは、基板及び又は処理に関する信頼性データ及び又は危険性データを有して良い。基板及び処理は、それらに係る位置データ及び又はサイトデータを有して良い。このデータは、必要な位置及び又はサイト数、アクセスした位置及び又はサイト数、1つ以上の位置及び又はサイトについての新来世データ及び又は危険性データ、位置及び又はサイトのランク付けデータ、搬送シーケンスデータ、若しくは処理関連データ、若しくは評価検証関連データ、又はこれらの結合を有して良い。基板基板データは、処理シーケンスの手順を設定するのに用いることのできる1つ以上の処理シーケンス変数を有して良い。処理シーケンスは、スループットの最適化、処理用素子の利用の最大化、評価用素子の利用の最大化、不具合のある基板の再加工を可能な限りリアルタイムで行うように変化して良い。処理システム1は製造実行システム図示されていないと結合して良い。処理システム1は、MES図示されていないと情報をやり取りして良い。それに加えて、1つ以上の処理システム1は、イントラネット、インターネット、有線接続、及び又は無線接続を用いることによって、相互に結合し、かつ他のサブシステムとも結合して良い。処理システム1は、メモリ内に含まれ、かつ又はメッセージで受信される1つ以上の命令からなるシーケンスを実行する処理システム1のコンピュータプロセッサに応答して、本発明の処理工程の一部又は全部を実行して良い。係る命令は、他のコンピュータ、コンピュータにより読み取り可能な媒体、又はネットワーク接続から受信されて良い。コンピュータにより読み取り可能な媒体のうちの任意の一つ又は任意の結合に記憶されて、本発明は、処理システム1を制御するため、本発明を実施する複数の装置を駆動するため、及び、処理システム1とユーザーである人間との相互作用を可能にするためのソフトウエアを有する。係るソフトウエアは、装置のドライバ、オペレーティングシステム、現像装置、及びアプリケーションソフトウエアを有して良いが、これらに限定されない。係るコンピュータにより読み取り可能な媒体は、本発明を実施する際に実行される処理の一部処理が分配される場合又は全部を実行する本発明のコンピュータプログラム製品をさらに有する。本明細書において用いられているコンピュータにより読み取り可能な媒体という語は、実行用プロセッサに命令を供するのに関与する任意の媒体を指称する。コンピュータにより読み取り可能な媒体は様々な形態-不揮発性媒体、揮発性媒体、及び伝達媒体を含むがこれらに限定されない-をとって良い。一部の実施例では、統合されたシステムが、東京エレクトロン株式会社製のシステム構成機器を用いて構成されて良い。他の実施例では、外部サブシステム及び又は装置が含まれても良い。統合されたシステムは、1つ以上のエッチング装置、堆積装置、ALD装置、測定装置、イオン化装置、研磨装置、コーティング装置、現像装置、洗浄装置、露光装置、及び熱処理装置を有して良い。それに加えて、CD走査電子顕微鏡装置、透過型電子顕微鏡装置、集束イオンビーム装置、ODP装置、原子間力顕微鏡装置、又は他の計測装置を有する測定装置が供されて良い。サブシステム及び又は処理用構成機器は各異なるインターフェース要件を有して良い。制御装置は、これらの異なるインターフェース要件を満足するように構成されて良い。処理システム1は、最新処理制御アプリケーション、誤り検出及び分類アプリケーション、及び又はラントゥーランアプリケーションを実行して良い。一部の実施例では、処理システム1は、処理最適化手順、モデル最適化手順、若しくはライブラリ最適化手順、又はこれらの結合手順を実行して良い。最適化手順は、基板データ、モデル、レシピ、及びプロファイルデータを利用して、手順を更新及び又は最適化して良い。たとえば最適化手順は、リアルタイムで動作して良い。リアルタイム最適化を利用することによって、より正確な処理結果を実現することができる。65nmノード未満の小さな幾何学形状に係る技術では、より正確な結果が要求される。上述のように、処理システム1は、一体化された光デジタルプロファイロメトリシステム図示されていないを有して良い。あるいはその代わりに他の計測システムが用いられても良い。iODP装置はティンバーテクノロジー社から市販されている。たとえばODP技術は、限界寸法の情報、構造プロファイルの情報、又はビアプロファイルの情報を得るのに用いられて良い。iODPシステムの波長範囲は訳200nm未満~約700nm以上の範囲であって良い。典型的なiODPシステムは、ODPプロファイラライブラリ、プロファイラアプリケーションサーバ、及びODPプロファイラソフトウエアを有して良い。ODPプロファイラライブラリは、光学スペクトル及びそれに対応する半導体プロファイル、CD、及び膜厚の用途特定データベースを有して良い。PASは、光学ハードウエア及びコンピュータネットワークと接続する少なくとも1つのコンピュータを有して良い。PASは、データ通信、ODPライブラリ動作、測定処理、結果の生成、結果の解析、及び結果の出力を処理する。ODPプロファイラソフトウエアはPASにインストールされたソフトウエアを有する。前記ソフトウエアは、測定レシピ、ODPプロファイラライブラリ、ODPプロファイラデータ、ODPプロファイラ結果の探索一致、ODPプロファイラ結果の計算解析、データ通信、並びに、様々な計測装置及びコンピュータネットワークとのインターフェースを管理する。ライブラリデータを生成する他の手順は、機械学習システムの利用を有して良い。シミュレーションによる回折信号のライブラリを生成する前に、MLSは、既知の入力及び出力データを用いて訓練される。一の典型的実施例では、シミュレーションによる回折信号が、機械学習アルゴリズム-逆伝播法、半径基底関数、支持ベクトル、カーネル回帰法等-を利用する機械学習システムを用いて生成されて良い。処理システム1は露光サブシステム図示されていないと結合して良い。露光サブシステムは、露光処理、熱処理、乾燥処理、測定処理、検査処理、位置合わせ処理、及び又は保存処理を1つ以上の基板に実行して良い。それに加えて、露光サブシステムは、1つ以上の基板での湿式及び又は乾式露光処理を実行するのに用いられて良い。他の処理シーケンスでは、露光サブシステムは、1つ以上の基板での極紫外露光処理を実行するのに用いられて良い。処理システム1はエッチングサブシステム図示されていないと結合して良い。エッチングサブシステムは、エッチング処理、化学的な酸化物除去処理、アッシング処理、検査処理、再加工処理、測定処理、位置合わせ処理、及び又は保存処理を1つ以上の基板に実行して良い。たとえばエッチングサブシステムは、正しく処理された基板をエッチングするのに用いられて良い。エッチングサブシステムは、必要に応じて再加工処理を実行するのに用いられて良い。処理システム1は堆積サブシステム図示されていないと結合して良い。堆積サブシステムは、物理気相成長処理、化学気相成長処理、電離物理気相成長処理、原子層堆積処理、プラズマ原子層堆積処理、及び又はプラズマ化学気相成長処理を実行して良い。処理システム1は評価サブシステム図示されていないと結合して良い。評価サブシステムは、評価処理、検査処理、温度制御処理、測定処理、位置合わせ処理、検証処理、及び又は保存処理を1つ以上の基板に実行して良い。たとえば評価サブシステムは、基板上の特徴部位及び又は構造を測定するのに利用することができる光学計測処理を実行するのに用いられて良い。評価サブシステムは、基板表面の光学検査を実行するのに用いられて良い。それに加えて評価サブシステムは、基板の曲率の決定及び又は1つ以上の基板表面の検査に用いられて良い。処理システム1は、1つ以上の定式化されたメッセージを送信及び又は受信して良い。処理システム1内の1つ以上の制御装置は、メッセージを処理し、かつ新たなデータを抽出して良い。新たなデータが利用可能であるとき、制御装置は、その新たなデータを利用して、現在基板に用いられているレシピ、プロファイル、及び又はモデルを更新するか、あるいは、次の基板ロットのレシピ、プロファイル、及び又はモデルを更新して良い。制御装置が、新たなデータを利用して、現在処理されている基板のレシピデータ、プロファイルデータ、及び又はモデル化データを更新するとき、その制御装置は、現在の基板が処理される前に、レシピ、プロファイル、及び又はモデルを更新できるか否かを判断することができる。現在の基板が処理される前に、レシピ、プロファイル、及び又はモデルを更新できるとき、その現在の基板は、更新されたレシピ、プロファイル、及び又はモデルを用いて処理されて良い。現在の基板が処理される前にデータが更新できないときには、現在の基板は、更新されていないレシピ、プロファイル、及び又はモデルを用いて処理されて良い。たとえば新たな処理、レシピ、プロファイル、及び又はモデルが利用可能であるとき、各制御装置は、その新たな処理、レシピ、プロファイル、及び又はモデルを何時利用するのかを決定して良い。処理システム1内の1つ以上の制御装置は、各異なるサイト、基板、及び若しくはロットについての損傷した層、特徴部位、並びに又は構造のデータを有して良い。処理システム1内の1つ以上の制御装置は、損傷評価データを用いて、プロセスレシピデータ、処理プロファイルデータ、及び若しくはモデルデータの更新並びに又は最適化を行って良い。たとえば制御装置は、損傷評価データを用いて、現像用化学物質及び若しくは現像時間の更新並びに又は最適化を行って良い。処理中、基板の監視及び又は検証は周期的に実行されて良い。データは、によりパターニングされた構造に係る測定信号及び又はシミュレーションによる信号を有して良い。データは、動作状態データ、及び、基板、ロット、レシピ、サイト、又は基板位置データを用いることによって保存されて良い。測定データは、パターニングされた構造プロファイルに関する変数、計測装置の種類及びその種類に係る変数、モデル化において変化する変数、及びモデル化において固定される変数の値を有して良い。ライブラリプロファイルデータ及びデータは、固定及び若しくは可変のプロファイルパラメータたとえばCD、側壁角、n及びkパラメータ並びに又は計測装置パラメータたとえば波長、入射角、及び又は方位角を有して良い。一部の実施例では、状況に関する情報識別情報が-たとえばサイトID、基板ID、スロットID、ロットID、レシピ、状態、及びパターニングされた基板ID-が、データの構成及び索引付けの手段として用いられて良い。一部の例では、データは、製品、装置、基板、手順、ロット、サイト、位置、及びパターニングされた構造に係る検証されたデータを有して良い。データは下地の膜のデータを有して良い。下地の膜のデータは、リアルタイムでの更新及び又は訂正を行うため、手順によって用いられて良い。処理中、下地の層及び又は構造からの干渉のため、一部の測定位置は測定できない。の干渉に基づくマップは、測定用に用いることのできるサイト位置を決定するために、生成及び使用されて良い。それに加えて、これらの問題を解決するのに用いることのできる干渉プロファイル及び又はモデルが生成されて良い。介入及び又は判定規則が、モデル及び又は手順内で定められて良い。介入及び又は判定規則は、適合する状況になるといつも実行されるようにされて良い。介入及び又は判定規則は、様々な手順のためのものであり、かつデータベース内に保存されて良い。介入及び又は判定規則は、処理が変更、中断、及び又は中止されるときに、どのようにデータを管理するのかを決定するのに用いられて良い。一般的には、規則によって、処理システム1の動的状態及び又は製品の処理状態に基づいて、手順を変更することが可能となる。処理システム1内の処理ユニットが最初に構成されるとき、設定及び又は構成情報は、その処理ユニットによって決定されて良い。それに加えて、規則は、手順のための制御階層構造を設定するのに用いられて良い。規則は、いつ処理が中断及び又は中止されるのか、並びに、処理が中断及び又は中止されるときに何ができるのかを決定するのに用いられて良い。それに加えて、処理規則は、どのような訂正行為が実行されるべきなのかを決定するのに用いられて良い。処理シーケンス規則及び搬送シーケンス規則もまた、どのような基板が処理及び又は搬送されるべきなのかを決定するのに用いられて良い。処理システム1内の1つ以上の制御装置は、第1の未検証手順を用いて処理される第1数の基板を設定し、基板データ及び第1の未検証手順を用いて各基板についての必要な検証サイト数を設定し、処理システム1内の1つ以上の制御装置の動作状態データを決定し、処理システム1内の1つ以上の制御装置の搬入データを決定し、基板データ、動作状態データ、搬入データ、若しくは必要な検証サイト数、又はこれらの結合を用いて、第1数の基板のうちの第1基板についての処理シーケンスを設定し、かつ、第1処理ユニットが利用できないときに第1期間だけ第1基板を遅らせるように構成されて良い。評価手順が実行されるとき、第1サイトが利用可能で、第1評価データが、第1基板上の第1サイトから取得可能で、かつ、第1サイト及び又は他のサイトからの評価データを用いて評価の判断を行って良い。処理システム1内の1つ以上の制御装置は、第1の処理された基板上の必要なサイト数から第1サイトを選ぶように構成されて良い。たとえば第1サイトは、第1の未検証手順を用いて生成された第1未検証特徴部位を有して良い。第1評価データが未検証データを有するとき、検証手順が実行されて良い。第1サイトからの未検証データは参照データ及び又は他の検証されたデータと比較されて良い。差異データは、未検証データ及び参照データを用いて計算されて良い。評価データが検証済みデータであるか未検証データであるかを判断するときに、差異データは、精度データ、信頼限界、及び又はリスク限界と比較されることで、評価データに関連するように信頼性データ及び又はリスクデータを設定して良い。評価データが多数のサイトからの未検証データを有するとき、1つ以上の検証手順が実行されて良い。第1数のサイトからの未検証データは、参照データ及び又は他の検証されたデータと比較されて良い。第1数のサイトについての差異データは、未検証データ及び参照データを用いて計算されて良い。評価データが検証済みデータであるか未検証データであるかを判断するときに、差異データは、精度データ、信頼限界、及び又はリスク限界と比較されることで、評価データに関連するように信頼性データ及び又はリスクデータを設定して良い。一部の実施例では、評価データは、強度データ、透過データ、吸収データ、反射データ、回折データ、光学特性、若しくは画像データ、又はこれらの結合を有して良い。それに加えて、ライブラリデータは、履歴データ、検証されたデータ、光学計測データ、画像化データ、粒子データ、CD走査電子顕微鏡データ、透過型電子顕微鏡データ、及び又は集束イオンビームデータを有して良い。閾値限界が、データ、適合度データ、CDデータ、精度データ、波長データ、側壁角データ、粒子データ、処理データ、履歴データ、又はこれらの結合を用いて決定されて良い。それに加えて、動作状態データは、必要サイト数、アクセス評価完了したサイト数、若しくは残りサイト数、又はこれらの結合に依存して良い。動作状態データは、必要な手順数、完了した手順数、若しくは残りの手順数、又はこれらの結合に依存して良い。場合によっては、既に測定されたサイトで優れた結果が得られたときには、実際に行われる評価数は本来の数よりも少なくて良い。処理システム1内の1つ以上の制御装置は、第1組の評価基板の動作状態データ及び処理データの受信を行うように構成されて良い。一部の例では、第1の遅らせる行為が実行されるとき、処理システム1内の1つ以上の制御装置は、第1数の処理基板数と第1数の処理システム1内の利用可能な処理ユニット数との間の差異を用いて、第1数の遅らせた基板を決定するように構成されて良く、かつ、処理システム1内の1つ以上の制御装置は、第1期間の間、第1数の遅らせた基板を保存及び又は遅らせるように構成されて良い。訂正行為が実行されるとき、その訂正行為は、処理の中止、処理の中断、1つ以上の評価用基板の再評価、1つ以上の評価用基板の再測定、1つ以上の評価用基板の再検査、1つ以上の評価用基板の再加工、1つ以上の評価用基板の保存、1つ以上の評価用基板の洗浄、1つ以上の評価用基板の遅延、若しくは1つ以上の評価用基板の剥離、又はこれらの結合を有して良い。場合によっては、動作状態データは、必要なサイト数、アクセスした評価関連サイト数、若しくは残りの評価関連サイト数、又はこれらの結合を有して良い。評価されるべきサイト、基板、手順、及び又はライブラリについての評価手順が決定されて良い。評価手順は、1つ以上の検証、評価、測定、検査、及び又は試験手順を有して良い。それに加えて、検証されるべきサイト、基板、手順、及び又はライブラリについての評価手順が決定されて良い。他の場合では、動作状態データは、必要な検証関連サイト数、アクセスされた検証関連サイト数、若しくは残りの検証関連サイト数、又はこれらの結合を有して良い。検証されるべきサイト、基板、処理、及びライブラリについて検証手順が決定されて良い。検証手順は、1つ以上の検証、評価、測定、検査、及び又は試験手順を有して良い。処理システム1内の1つ以上の制御装置についての動作状態データが決定されて良い。動作状態データは、1つ以上の利用可能な処理ユニットを決定するのに用いられて良い。処理ユニットの動作状態データは、処理ユニットの利用可能性データと適合データ、処理工程及び又はサイトの予想される処理時間、処理ユニットの信頼性データ及び又はリスクデータ、1つ以上の処理関連サイトの信頼性データ及び又はリスクデータを有して良い。一部の例では、処理システム1内の1つ以上の制御装置についてのリアルタイムの動作状態が設定されて良い。第1数の処理ユニットが利用可能なとき、第1数の処理基板が、第1数の処理ユニットへ搬送されて良い。処理ユニットが利用できないときには、第1期間、他の基板を遅らせて良い。基板が処理ユニットに対して搬入出される際に、動作状態が変化して良い。リアルタイムの搬送シーケンスが設定されて良く、かつ処理システム1内の処理ユニットに対する搬入出に用いられて良い。更新された動作状態は、リアルタイムで、処理システム1内の1つ以上の処理ユニット及び又は1つ以上の制御装置への問い合わせを行うことによって得られて良い。更新された搬入データは、リアルタイムで、処理システム1内の1つ以上のロードロックへの問い合わせを行うことによって得られて良い。遅らせた基板は、遅らせた手順を有し、かつ遅らせたデータを供することのできる遅らせた処理シーケンス及び又は遅らせた搬送シーケンスを用いることによって、処理及び又は搬送されて良い。たとえば処理システム1内の新たに利用可能となった処理ユニットが特定されるとき、遅らせた評価用基板は、遅らせた搬送シーケンスを用いることによって、処理システム1内の新たに利用可能となった処理ユニットへ搬送されて良い。一部の実施例では、未検証データは、トランジスタ中のゲート構造、トランジスタ中のドレイン構造、トランジスタ中のソース構造、キャパシタ構造、ビア構造、トレンチ構造、2次元メモリ構造、3次元メモリ構造、側壁角、限界寸法、アレイ、周期構造、位置合わせ部位、ドーピング部位、歪み部位、損傷構造、若しくは参照用構造、又はこれらの結合を有して良い。他の実施例では、未検証データは、評価データ、測定データ、検査データ、位置合わせデータ、検証データ、処理データ、基板データ、ライブラリデータ、履歴データ、リアルタイムデータ、光学データ、層データ、若しくは時間データ、又はこれらの結合を有して良い。あるいはその代わりに他のデータが用いられても良い。一部の実施例では、検証されたデータは、トランジスタ中のゲート構造、トランジスタ中のドレイン構造、トランジスタ中のソース構造、キャパシタ構造、ビア構造、トレンチ構造、2次元メモリ構造、3次元メモリ構造、側壁角、限界寸法、アレイ、周期構造、位置合わせ部位、ドーピング部位、歪み部位、損傷構造、若しくは参照用構造、又はこれらの結合を有して良い。他の実施例では、検証されたデータは、評価データ、測定データ、検査データ、位置合わせデータ、検証データ、処理データ、基板データ、ライブラリデータ、履歴データ、リアルタイムデータ、光学データ、層データ、熱データ、若しくは時間データ、又はこれらの結合を有して良い。あるいはその代わりに他のデータが用いられても良い。図4は、本発明の実施例による二重パターニングシャドー手順の典型的な流れ図を表している。410では、第1組の基板が、処理システム図13の1の搬入出部図13の10内の1つ以上のカセット図13の13を用いることによって受け取られて良い。搬入出部図13の10はカセット台図13の20を有する。カセット台図13の20上には、カセット図13の13が処理システム図13の1から搬入され、各カセット図13の13は複数の半導体基板を保存している。基板は1つ以上の基板図13の14から受け取られて良い。あるいはその代わりに基板は、1つ以上の外部搬送サブシステムによって受け取られても良い。手順中、第1組の基板はパターニングされた基板を有して良く、かつ、処理用に第1のパターニングされた基板が選ばれて良い。基板データは履歴データ及び又はリアルタイムデータを有して良い。1つ以上の基板についての動作状態データが設定されて良い。動作状態データは、サイトデータ、位置依存データ、チップ依存データ、及び又はダイ依存データを有して良い。一部の実施例では、第1のパターニングされた基板図5Aの510が、処理システム図13の1によって受け取られた第1組の基板から選ばれて良く、かつ、第1のパターニングされた基板図5Aの510は、1つ以上の基板層図5Aの501、該1つ以上の基板層図5Aの501上の1つ以上の標的層図5Aの502、及び、該1つ以上の標的層図5Aの502上の第1のパターニング層図5Aの511を有して良い。第1のパターニングされた基板図5Aの510は、1つ以上の標的層図5Aの502上に複数の第1特徴部位図5Aの512を有し、かつ、1つ以上の標的層図5Aの502の上方に備えられた複数の第1空間領域図5Aの513を有して良い。第1空間領域図5Aの513の各々は、2つの第1特徴部位図5Aの512間に備えられて良い。基板層図5Aの501は半導体材料を有して良い。標的層図5Aの502は、半導体材料、lowk誘電材料、超lowk誘電材料、セラミック材料、ガラス材料、金属材料、レジスト材料、充填材料、ドーピングされた材料、ドーピングされない材料、応力を受けた材料、酸素含有材料、窒素含有材料、炭素含有材料、反射防止コーティング材料、若しくは底部反射防止コーティング材料、又はこれらの混合材料を有して良い。たとえば半導体材料は、応力をかけた及び又はドーピングされたシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素材料を有して良い。第1特徴部位図5Aの512は第1マスク材料を有して良い。一部の実施例では、第1のパターニングされた基板について処理シーケンスが決定されて良く、かつ処理シーケンス中、測定データが得られて良い。たとえばパターニングされた基板の一部について様々な処理シーケンスが決定されて良い。あるいはその代わりに、外部測定手順が必要になることもあり得る。たとえば並列ライン構造及び一部のメモリアレイ構造について、手順をより容易に実行することが可能である。一部の代替実施例では、1つ以上の保護層図示されていないが、第1のパターニングされた基板図5Aの510上の複数の第1特徴部位図5Aの512上に生成されて良い。第1評価構造が第1組の基板から選ばれ、かつ第1評価構造がその上に複数の第1特徴部位図5Aの512を有するとき、第1基板上の複数の第1特徴部位図5Aの512のうちの少なくとも1つからの測定信号データを有する第1評価及び測定データを得ることができる。一部の手順では、最善の推定信号及び関連する最善の推定構造が、シミュレーション及び又は測定信号及び関連構造のライブラリから選ばれて良い。たとえば信号は、回折信号及び若しくはスペクトル、屈折信号及び若しくはスペクトル、反射信号及び若しくはスペクトル、透過信号及び若しくはスペクトル、又はこれらの結合を有して良い。一部の実施例では、第1特徴部位図5Aの512は、マスク構造、エッチングされた構造、ドーピングされた構造、充填された構造、半分が充填された構造、損傷した構造、誘電構造、ゲート構造、ゲート電極構造、ゲート積層構造、トランジスタ構造、FinFET構造、CMOS構造、フォトレジスト構造、周期構造、位置合わせ構造、トレンチ構造、若しくはビア構造、アレイ構造、回折格子構造、又はこれらの結合を有して良い。それに加えて、評価データは、強度データ、透過データ、吸収データ、反射データ、回折データ、光学特性、若しくは画像データ、又はこれらの結合を有して良い。415では、第1被保護基板図5Bの520が、第1のパターニングされた基板図5Aの510を用いて生成されて良い。一部の実施例では、第1の被保護パターニング層図5Bの521が、既に保護が外された第1パターニング基板図5Aの510の上部に1層以上の保護層図5Bの503503’を堆積することによって、第1被保護基板図5Bの520上に作製されて良い。それにより、第1被保護基板図5Bの520内の標的層図5Bの502上に複数の第1被保護特徴部位図5Bの522及び複数の被保護空間領域図5Bの523が生成される。第1被保護基板図5Bの520は、保護層の第1部分図5Bの503を上に有する複数の第1被保護特徴部位図5Bの522及び保護層の第2部分図5Bの503’を内部に有する複数の被保護空間領域図5Bの523を有して良い。たとえば各被保護空間領域図5Bの523は、保護層の第2部分図5Bの503’を有して良い。保護層の第2部分図5Bの503’は、第1被保護基板図5Bの520内の標的層図5Bの502上の2つの第1被保護特徴部位図5Bの522間に備えられて良い。一部の実施例では、第1被保護基板図5Bの520は、処理システム図13の1内の1つ以上の処理用構成機器を用いた第1堆積手順を実行することによって生成されて良い。たとえば複数の被保護特徴部位図5Bの522及び複数の被保護空間領域図5Bの523が、第1被保護基板図5Bの520上の第1数のサイトにて生成されて良い。第1被保護特徴部位図5Bの522は、第2マスク材料を有する保護層図5Bの503によって保護される第1マスク材料を有して良い。第1被保護空間領域図5Bの523は、第2マスク材料を有する保護層の第2部分図5Bの503’によって保護された被保護標的層図5Bの502を有して良い。様々な例では、第1被保護特徴部位図5Bの522は第1マスク材料を有して良い。前記第1マスク材料は、第1CAR材料、第1NCAR材料、第1デュアルトーンレジスト材料、第1ARC材料、第1TARC材料、若しくは第1BARC材料、又はこれらの結合を有して良い。それに加えて、保護層の第1部分図5Bの503及び保護層の第2部分図5Bの503’は第2マスク材料を有して良い。前記第2マスク材料は、第2CAR材料、第2NCAR材料、第2デュアルトーンレジスト材料、第2ARC材料、第2TARC材料、若しくは第2BARC材料、又はこれらの結合を有して良い。あるいはその代わりに、保護層の第2部分図5Bの503’は、後続の手順において除去及び又は変更されて良い。被保護基板図5Bの520が、保護レシピを設定及び又は教示するように生成された後、1つ以上の評価手順が実行されて良い。それに加えて、被保護基板図5Bの520が、保護レシピを訂正及び又は更新するように生成される前に、1つ以上の評価手順が実行されて良い。420では、第1被保護活性化基板図5Cの530は、標的層図5Cの502上に設けられた活性化パターニング層図5Cの531を有して良い。第1被保護活性化基板図5Cの530は、保護層の第1部分図5Cの503によって保護された複数の被保護活性化特徴部位図5Cの532、及び、保護層の第2部分図5Cの503’によって保護された複数の被保護空間領域図5Cの533を有して良い。たとえば被保護空間領域図5Cの533の各々は、標的層図5Cの502上に設けられ、かつ第1被保護活性化基板図5Cの530上の2つの被保護活性化特徴部位図5Cの532間に設けられて良い。一部の実施例では、被保護活性化特徴部位図5Cの532は、第1被保護活性化基板図5Cの530上の各被保護活性化特徴部位図5Cの532内の複数の第1活性化種図5Cの535を生成及び又は活性化することによって生成活性化されて良い。たとえば、第1活性化種図5Cの535は、処理システム図13の1内の1つ以上の処理用構成機器を用いる第1放射線露光処理を実行することによって、各被保護活性化特徴部位図5Cの532内で生成及び又は活性化されて良く、かつ、1つ以上の被保護活性化特徴部位図5Cの532は、第1被保護活性化基板図5Cの530上の第1数のサイトにて生成されて良い。一部の例では、これまでに示された被保護特徴部位図5Bの522の各々は少なくとも1つの活性化されていない活性化種を有して良い。前記活性化されていない活性化種は、第1放射線パターン509aを用いて活性化することが可能で、それにより第1被保護活性化基板図5Cの530上の被保護活性化特徴部位図5Cの532内に複数の第1活性化種図5Cの535が生成される。他の例では、各これまでに示された被保護特徴部位図5Bの522内の第1マスク材料は少なくとも1つの被保護活性化種を有して良い。前記被保護活性化種は、第1放射線パターン509aを用いて脱保護されることが可能で、複数の第1活性化種図5Cの535が生成される。さらに他の例では、各これまでに示された被保護特徴部位図5Bの522内の第1マスク材料は少なくとも1つのCARを有して良い。前記CARは、第1放射線パターン509aを用いて脱保護されることが可能で、複数の第1活性化種図5Cの535が生成される。露光処理が実行された後、被保護活性化特徴部位図5Cの532は、露光処理中に活性化可能な活性化された第1マスク材料を有して良い。活性化された第1マスク材料は第1活性化種図5Cの535を有して良い。第1活性化種図5Cの535は、保護層の第1部分図5Cの503によって保護されることが可能である。被保護非活性化空間領域図5Cの533は、保護層の第2部分図5Cの503’によってこれまでに保護された標的層図5Cの502を有して良い。それに加えて、保護層の第1部分図5Cの503及び保護層の第2部分図5Cの503’は第2マスク材料を有して良い。前記第2マスク材料は、前記の第1特徴部位内の第1マスク材料が活性化されるときに露光処理において使用可能な1つ以上の波長及び又は1つ以上の強度に対して選択的に透明となるように構成されて良い。一部の実施例では、第1被保護活性化基板図5Cの530が、活性化レシピを設定及び又は教示するように生成される前に、1つ以上の評価手順が実行されて良い。他の実施例では、第1被保護活性化基板図5Cの530が、活性化レシピを設定及び又は教示するように生成される間及び又は後に、1つ以上の評価手順が実行されて良い。425では、第1充填されたパターニング層図5Dの541を有する第1充填基板図5Dの540が、第1充填において、これまでに示された第1被保護活性化基板図5Cの530上の複数の非活性化被保護空間領域図5Cの533へ第3マスク材料を堆積することによって、生成されて良く、それにより、第1充填された基板図5Dの540上に複数のこれまでに活性化された特徴部位間に複数の第1充填層が生成される。第1充填された基板図5Dの540は、保護層の第1部分図5Dの503に入れられた複数の第1のこれまでに活性化された特徴部位図5Dの542、及び、保護層の第2部分図5Dの503’上に堆積された複数の第1充填層図5Dの543を有して良い。たとえば、第1のこれまでに活性化された特徴部位図5Dの542、複数の保護層の第1部分図5Dの503、複数の第1充填層図5Dの543、及び保護層の第2部分図5Dの503’は、第1充填された基板図5Dの540上の標的層図5Dの502上方に備えられて良く、かつ、各第1充填層図5Dの543は、第1充填された基板図5Dの540上の2つの第1のこれまでに活性化された特徴部位図5Dの542間に設けられて良い。それに加えて、第1のこれまでに活性化された特徴部位図5Dの542はこれまでに生成された活性化種図5Dの545を有して良く、保護層の第1部分図5Dの503及び保護層の第2部分図5Dの503’は第2マスク材料を有して良く、かつ、第1充填層図5Dの543は第3マスク材料を有して良い。一部の実施例では、第1充填された基板図5Dの540は、処理システム1図13の1内の1つ以上の処理ユニットを用いた1つ以上の充填堆積手順を実行することによって生成されて良く、かつ、複数の第1充填層図5Dの543は、各第1充填された基板図5Dの540上の第1数のサイトにて生成されて良い。たとえば複数の第1充填層図5Dの543内に堆積された第3マスク材料は、後で放射線処理及び又は熱処理を用いて活性化可能な第3活性化種図示されていないを有して良い。それに加えて、1つ以上の供給手順は、後で第3マスク材料の活性化の促進が行われるように実行されて良く、かつ、供給手順は放射線処理及び又は熱処理を有して良い。430では、上に第1脱保護二重パターニングされたシャドー層図5Eの551を有する第1脱保護二重パターニングされた基板図5Eの550が、第1脱保護手順を用いて生成されて良い。一部の実施例では、第1脱保護基板図5Eの550は複数の被保護拡散特徴部位図5Eの552を有して良い。被保護拡散特徴部位図5Eの552は、該被保護拡散特徴部位図5Eの552を覆う保護層の第1部分図5Eの503によって保護されて良い。第1脱保護領域図5Eの554、自己整合した第2特徴部位図5Eの557、及び保護層の第2部分図5Dの503’は、標的層図5Eの502の上方に設けられ、かつ2つの被保護拡散特徴部位図5Eの552間に設けられて良い。第1脱保護基板図5Eの550は、保護層の第1部分図5Eの503の一部を介して、被保護拡散特徴部位図5Eの552中の複数の第1活性化種図5Eの555を活性化及び又は拡散させて、複数の脱保護領域図5Eの554内の第3マスク材料内で第3脱保護種図5Eの556を活性化及び又は拡散させて、保護層の第2部分図5Eの503’内の第2マスク材料内で1つ以上の追加の活性化種を活性化させて、かつ保護層の第1部分図5Eの503内の第2マスク材料内の如何なる活性化種も活性化させないことによって生成されて良い。被保護拡散特徴部位図5Eの552、自己整合した第2特徴部位図5Eの557、及び脱保護領域図5Eの554が、第1基板図5Eの550上の第1数のサイトにて生成されて良い。一部の実施例では、被保護拡散特徴部位図5Eの552は、所望の第1二重パターン特徴部位を表し、複数の自己整合した第2特徴部位図5Eの557は、所望の第2二重パターン特徴部位を表し、かつ、複数の脱保護領域図5Eの554は、第1二重パターン特徴部位と第2二重パターン特徴部位との間の所望の二重パターン空間領域を表して良い。それに加えて、第1脱保護層図5Eの551は異なった構成であって良い。あるいはその代わりに側壁角領域図示されていないが存在しても良い。それに加えて、様々な波長を有する様々な放射線処理が、様々な活性化種及び又は脱保護種の活性化及び又は不活性化に用いられて良く、かつ、様々な液体及び又は気体を有する様々な供給手順が、様々な活性化種及び又は脱保護種の活性化及び又は不活性化に用いられて良い。脱保護手順中、被保護拡散特徴部位図5Eの552は、第2放射線パターン図5Eの509bを用いて不活性化可能な不活性第1マスク材料を有して良い。たとえば、第2放射線パターン図5Eの509bは第2組の波長を有して良く、かつ、保護層503は1組以上の波長の組に対して実質的に透明であって良い。それに加えて、これまでに生成された第1活性化種図5Eの555は、第2マスク材料を有するこれまでに生成された保護層図5Eの503を移動し、かつ第2マスク材料は、第1活性化種図5Eの555に対して選択的に透過可能であって良い。脱保護領域図5Eの554は脱保護可能な第3マスク材料を有して良い。前記脱保護可能な第3マスク材料は、新たに生成された第3脱保護種図5Eの556に、第2放射線パターン図5Eの509bを用いてこれまでに堆積された充填層図5Eの543を移動させることによって脱保護が可能である。たとえば脱保護可能な第3マスク材料は、第3脱保護種図5Eの556に対して選択的に保護可能であって良い。一部の例では、脱保護領域図5Eの554は脱保護可能な保護層材料を有して良い。前記脱保護可能な保護層材料は、第2放射線パターン図5Eの509bを用いてこれまでに堆積された保護層図5Eの503を移動することによって脱保護されて良い。これまでに堆積された保護層図5Eの503内の第2マスク材料の一部は脱保護可能な第2マスク材料を有して良い。この脱保護可能な第2マスク材料は、第3保護種図5Eの556に対して選択的に保護可能であって良い。自己整合した第2特徴部位図5Eの557は、新たに生成された第3脱保護種図5Eの556に、この被保護第3マスク材料を移動させることによって、保護された状態を維持しうる被保護第3マスク材料を有して良い。他の脱保護手順中、第2放射線パターン図5Eの509b及び少なくとも1つの熱処理が用いられて良い。それに加えて、様々な強度及び又は波長が、様々な第1活性化種図5Eの555及び若しくは第3保護種図5Eの556の活性化並びに又は不活性化に用いられて良い。さらに他の脱保護手順中、少なくとも1つの熱処理が用いられて良い。それに加えて、様々な温度及び又は圧力が、様々な第1活性化種図5Eの555及び若しくは第3保護種図5Eの556の活性化並びに又は不活性化に用いられて良い。それに加えて、1つ以上の供給手順が脱保護処理中に用いられることで、さらなる活性化種及び又は脱保護種が供されて良い。様々な実施例では、露光処理は、全面露光処理、赤外露光処理、紫外露光処理、極紫外露光処理、若しくは可視光を用いた露光処理、又はこれらの結合を有して良い。435では、最終二重パターニング層図5Fの561を上に有する最終二重パターニング基板図5Fの560は、処理システム図13の1内の1つ以上の処理用構成機器を用いた少なくとも1つの現像手順を実行することによって生成されて良い。最終DP基板図5Fの560は、標的層図5Fの502上に設けられた、複数の最終第1二重パターニング特徴部位図5Fの562、複数の最終第2二重パターニング特徴部位図5Fの567、及び、複数の最終空間図5Fの564を有して良い。一部の実施例では、最終現像手順は、第1現像手順を用いて、被保護拡散特徴部位から保護層を除去することによって複数の最終第1DP特徴部位を作製する工程、第2現像手順を用いて、脱保護領域を除去することによって複数の最終DP空間領域を作製する工程、及び、自己整合した第2特徴部位を用いて、複数の最終第2DP特徴部位図5Fの567を作製する工程を有して良い。各最終DP空間領域は、各最終第1DP特徴部位に隣接して生成される。各最終第2DP特徴部位は、2つの最終DP空間領域間に生成される。他の実施例では、これまでに示された脱保護領域図5Eの554内において脱保護された第3マスク材料は、現像可能であり、かつ1つ以上の湿式現像手順を用いて除去されて良い。それに加えて保護層の第1部分図5Eの503及び又は保護層の第2部分図5Eの503’は、現像手順中に除去されて良い。あるいはその代わりに、保護層の第1部分図5Eの503の一部及び又は保護層の第2部分図5Eの503’の一部は、現像手順中に除去されなくて良い。一部の実施例では、評価手順及び又はデータ解析手順が、手順400における工程が正しく実行されているか否かを判断するために実行されて良い。手順400における工程が正しく実行されるときには、後処理手順図示されていないが実行されて良い。手順400における工程が正しく実行されなかったときには、訂正行為図示されていないが実行されて良い。たとえば、装置データ、チャンバデータ、粒子データ、画像データ、処理データ、及び又は失敗データが解析されて良い。それに加えて、後処理手順及び又は訂正行為は、再測定手順、再評価手順、再加工手順、及び又は処理シーケンスにおける1つ以上の工程を繰り返す手順を有して良い。他の実施例では、手順400は三重パターニング手順中に繰り返されて良く、かつ図13Aに図示された三重パターンが得られて良い。図5A図5Fは、本発明の実施例による二重パターニングされたシャドー手順における典型的な工程を単純化して表している。図5A図5Fでは、1層以上の基板層501及び1層以上の標的層502を有する基板が図示されている。あるいはその代わりに、異なる構成をとる異なる組の基板が用いられても良い。様々な例では、基板層501は約10nm~約500nmまで変化可能な厚さ501aを有して良く、かつ、標的層502は約10nm~約50nmまで変化可能な厚さ502aを有して良い。基板層501は、半導体材料、炭素材料、誘電材料、ガラス材料、セラミック材料、金属材料、注入材料、酸素含有材料、若しくは窒素含有材料、又はこれらの混合材料を有して良い。標的材料502は、半導体材料、lowk誘電材料、超lowk誘電材料、セラミック材料、ガラス材料、金属材料、レジスト材料、充填材料、ドーピング材料、非ドーピング材料、歪み材料、炭素含有材料、酸素含有材料、窒素含有材料、反射防止コーティング材料、底部反射防止コーティング材料、注入材料、若しくは平坦化材料、又はこれらの混合材料を有して良い。図5Aは、1層以上の基板層501、1層以上の標的層502、及び第1パターニング層511を有する第1パターニング基板510を図示している。第1パターニング層511は、複数の第1空間領域513によって分離される複数の第1特徴部位512を有して良い。第1特徴部位512は第1マスク材料を有して良い。前記第1マスク材料は、化学増幅レジスト材料、非化学増幅レジスト材料、デュアルトーンレジスト材料、反射防止コーティング材料、上部反射防止コーティング材料、若しくは底部反射防止コーティング材料、又はこれらの混合材料を有して良い。他の実施例では、第1特徴部位512内の第1マスク材料は、ポリマー樹脂、非光学活性化源に感度を供する非光酸素発生剤、活性化前後での溶解度の切り換えを供する溶解抑制剤、及び、1つ以上の波長を有する光源への曝露後の材料の現像特性を改質する1つ以上の成分を有して良い。たとえば、溶解抑制剤は酸に対して不安定な被保護モノマーのオリゴマーであって良く、かつ、非光学活性化源は、化学活性化剤、電気活性化剤、熱活性化剤、及び又は圧力活性化剤を有して良い。様々な例では、第1特徴部位512は約5nm~約500nmまで変化しうる所望の厚さ512aを有して良く、第1特徴部位512は約5nm~約500nmまで変化しうる所望の幅512bを有して良く、第1特徴部位512は約15nm~約1500nmまで変化しうる所望の第1周期512cを有して良く、かつ、第1空間領域513は約15nm~約1500nmまで変化しうる所望の空間幅513bを有して良い。図5Bは、1層以上の基板層501、1層以上の標的層502、及び被保護パターニング層521を有する被保護基板520を図示している。被保護基板520は、複数の被保護空間領域523によって分離される複数の被保護特徴部位522を有して良い。被保護特徴部位522は標的層502上に設けられて良い。被保護特徴部位522は、保護層の第1部分503を用いて保護されて良い。被保護空間領域523は、保護層の第2部分503’を用いて保護されて良い。一部の実施例では、第1被保護基板520は、処理システム図13の1内の1つ以上の処理用構成機器を用いて第1堆積手順を実行することによって生成されて良い。たとえば複数の被保護部位522及び複数の被保護空間領域523は、第1被保護基板520上の第1数のサイトにて生成されて良い。被保護特徴部位522は被保護第1マスク材料を有して良い。前記被保護第1マスク材料は、化学増幅レジスト材料、非化学増幅レジスト材料、デュアルトーンレジスト材料、反射防止コーティング材料、上部反射防止コーティング材料、若しくは底部反射防止コーティング材料、又はこれらの混合材料を有して良い。保護層の第1部分503及び保護層の第2部分503’は第2マスク材料を有して良い。前記第2マスク材料は、第2CAR材料、第2NCAR材料、第2デュアルトーンレジスト材料、第2ARC材料、第2TARC材料、若しくは第2BARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。様々な例では、被保護特徴部位522は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ522aを有して良く、被保護特徴部位522は約5nm~約500nmまで変化しうる幅522bを有して良く、被保護特徴部位522は約15nm~約1500nmまで変化しうる第1周期522cを有して良く、かつ、被保護空間領域523は約15nm~約1500nmまで変化しうる空間幅523bを有して良い。それに加えて、第1保護層503及び第2保護層503’は約2nm~約20nmまで変化しうる厚さ503a及び503a’を有して良く、かつ、第1保護層503は約5nm~約50nmまで変化しうる幅503bを有して良い。図5Cは、1層以上の基板層501、1層以上の標的層502、及び活性化したパターニング層531を有する第1被保護活性化基板530を図示している。第1被保護活性化基板530は、標的層502の上方に設けられた、複数の被保護活性化特徴部位532及び複数の被保護不活性化空間領域533を有して良い。被保護活性化特徴部位532は、保護層の第1部分503を用いて保護されて良い。被保護不活性化空間領域523は、保護層の第2部分503’を用いて保護されて良い。一部の実施例では、第1被保護活性化基板530は、処理システム図13の1内の1つ以上の処理用構成機器を用いる第1放射線処理を実行することによって生成されて良い。たとえば複数の被保護活性化特徴部位532及び複数の被保護不活性化空間領域533は、第1被保護活性化基板530上の第1数のサイトにて生成されて良い。被保護活性化特徴部位532は、第1放射線パターン509aによって活性化改質された被改質第1マスク材料を有して良い。たとえば、第1放射線パターン509aは第1組の波長を有して良く、かつ、保護層503は第1組の波長のうちの1つ以上に対して実質的に透明であって良い。それに加えて、被保護活性化特徴部位532は、活性化改質されたCAR材料、活性化改質されたNCAR材料、活性化改質されたデュアルトーンレジスト材料、活性化改質されたARC材料、活性化改質されたTARC材料、若しくは活性化改質されたBARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。一部の実施例では、第1放射線パターン509aは、被保護活性化特徴部位532中に複数の第1活性化種535を生成するのに用いられて良い。他の実施例では、第1放射線パターン509aは、1つ以上の熱処理と併用されることで、被保護活性化特徴部位532中に複数の第1活性化種535を生成して良い。さらに他の実施例では、1つ以上の熱処理は、被保護活性化特徴部位532中に複数の第1活性化種535を生成するのに用いられて良い。様々な手順では、第1活性化種535は、1つ以上の化学増幅のネガ型成分、1つ以上の化学増幅のポジ型成分、又はこれらの混合成分を有して良い。他の例では、第1活性化種535は、1つ以上の化学増幅の酸成分、1つ以上の化学増幅の塩基成分、又はこれらの混合成分を有して良い。様々な例では、被保護活性化特徴部位532は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ532aを有して良く、被保護活性化特徴部位532は約5nm~約500nmまで変化しうる幅532bを有して良く、被保護活性化特徴部位532は約15nm~約1500nmまで変化しうる第1周期532cを有して良く、かつ、被保護不活性化空間領域533は約15nm~約1500nmまで変化しうる空間幅533bを有して良い。それに加えて、第1保護層503及び第2保護層503’は、露光処理による影響を受けない寸法を有して良い。図5Dは、1層以上の基板層501、1層以上の標的層502、及び充填されたパターニング層541を有する第1充填基板540を図示している。第1充填基板540は、複数の第1充填層543によって分離される複数のこれまでに活性化した特徴部位542を有して良い。これまでに活性化した特徴部位542は、第1放射線パターン509aを用いてこれまでに活性化改質された第1マスク材料を有して良い。たとえばこれまでに活性化された第1マスク材料は、これまでに活性化されたCAR材料、これまでに活性化されたNCAR材料、これまでに活性化されたデュアルトーンレジスト材料、これまでに活性化されたARC材料、これまでに活性化されたTARC材料、若しくはこれまでに活性化されたBARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。上部充填層543は、1つ以上の堆積手順中に第2保護層503’上部に堆積可能な第3マスク材料を有して良い。第3マスク材料は、さらなるCAR材料、さらなるNCAR材料、さらなるデュアルトーンレジスト材料、さらなるARC材料、さらなるTARC材料、若しくはさらなるBARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。様々な例では、これまでに活性化された特徴部位542は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ542aを有して良く、これまでに活性化された特徴部位542は約5nm~約500nmまで変化しうる幅542bを有して良く、これまでに活性化された特徴部位542は約15nm~約1500nmまで変化しうる周期542cを有して良く、第1充填層543は約5nm~約500nmまで変化しうる充填物の厚さ543aを有して良く、かつ、第1充填層543は約15nm~約1500nmまで変化しうる充填物の幅543bを有して良い。図5Eは第1被保護二重パターニングされたシャドー基板550を図示している。第1被保護DPS基板550は、1層以上の基板層501、1層以上の標的層502、及び第1脱保護層551を有する。第1被保護DPS基板550は、複数の被保護拡散特徴部位552、複数の不活性化されているので現像不可能な自己整合した第2特徴部位557、及び、現像可能でかつ各自己整合した第2特徴部位557を取り囲む2組の脱保護領域554を有して良い。たとえば脱保護領域554は、被保護拡散特徴部位552から、保護層503の第2部分503を介して、2組の脱保護領域554へ、第1活性化種555を拡散移動させることによって、脱保護されて良い。第1活性化種555が、複数の第1充填層内の第3マスク材料へ拡散移動するとき、第3脱保護種556は第3マスク材料内で活性化し、かつ、第3脱保護種556は第3マスク材料を通り抜けるように拡散移動することで、第3マスク材料が脱保護され、かつ現像可能な材料を内部に有する2組の脱保護領域554が生成される。被保護拡散特徴部位552は、完全又は部分的に不活性化空乏化した第1マスク材料を有して良く、かつ、不活性化可能なCAR材料、不活性化可能なNCAR材料、不活性化可能なデュアルトーンレジスト材料、不活性化可能なARC材料、不活性化可能なTARC材料、若しくは不活性化可能なBARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。一部の脱保護手順中では、2組の脱保護領域554は脱保護材料を有し、かつ、脱保護材料は、脱保護CAR材料、脱保護NCAR材料、脱保護デュアルトーンレジスト材料、脱保護ARC材料、脱保護TARC材料、若しくは脱保護BARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。他の脱保護手順中では、2組の脱保護領域554は脱ブロック材料を有し、かつ、脱ブロック材料は、脱ブロックCAR材料、脱ブロックNCAR材料、脱ブロックデュアルトーンレジスト材料、脱ブロックARC材料、脱ブロックTARC材料、若しくは脱ブロックBARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。様々な例では、被保護拡散特徴部位552は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ552aを有して良く、被保護拡散特徴部位552は約5nm~約500nmまで変化しうる幅552bを有して良く、被保護拡散特徴部位552は約15nm~約1500nmまで変化しうる周期552cを有して良く、脱保護領域554は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ554aを有して良く、脱保護領域554は約5nm~約500nmまで変化しうる幅554bを有して良く、自己整合した第2特徴部位557は約5nm~約500nmまで変化しうる特徴部位の厚さ557aを有して良く、自己整合した第2特徴部位557は約5nm~約500nmまで変化しうる特徴部位の幅557bを有して良く、かつ、自己整合した第2特徴部位557は約15nm~約1500nmまで変化しうる周期557cを有して良い。図5Fは、1層以上の基板層501、1層以上の標的層502、及び最終二重パターニング層561を有する最終二重パターニング基板560を図示している。最終DP基板560は、複数の最終第1DP特徴部位562、複数の最終第2DP特徴部位567、第2DP特徴部位567上に設けられた2組の等しい最終DP空間領域564を有して良い。たとえば2組の最終DP空間領域564は、1つ以上の現像手順を用いて、2組の脱保護領域図5Eの554、保護層の第1部分図5Eの503、及び保護層の第2部分図5Eの503’を除去することによって生成されて良い。様々な例では、最終第1DP特徴部位562は約5nm~約500nmまで変化しうる第1DP特徴部位の厚さ562aを有して良く、最終第1DP特徴部位562は約5nm~約500nmまで変化しうる第1DP特徴部位の幅562bを有して良く、最終第1DP特徴部位562は約15nm~約1500nmまで変化しうる第1DP周期562cを有して良く、最終DP空間領域564は約5nm~約500nmまで変化しうる幅564bを有して良く、最終第2DP特徴部位567は約5nm~約500nmまで変化しうる第2DP特徴部位の厚さ567aを有して良く、最終第2DP特徴部位567は約5nm~約500nmまで変化しうる第2DP特徴部位の幅567bを有して良く、かつ、最終第2DP特徴部位567は約15nm~約1500nmまで変化しうる第2DP周期567cを有して良い。図6は、本発明の実施例による二重パターニングシャドー手順の別な典型的な流れ図を表している。610では、第1組の基板が、処理システム図13の1の搬入出部図13の10内の1つ以上のカセット図13の13を用いることによって受け取られて良い。搬入出部図13の10はカセット台図13の20を有する。カセット台図13の20上には、カセット図13の13が処理システム図13の1から搬入され、各カセット図13の13は複数の半導体基板を保存している。基板は1つ以上の基板図13の14から受け取られて良い。あるいはその代わりに基板は、1つ以上の外部搬送サブシステムによって受け取られても良い。手順中、第1組の基板はパターニングされた基板を有して良く、かつ、処理用に第1のパターニングされた基板が選ばれて良い。基板データは履歴データ及び又はリアルタイムデータを有して良い。それに加えて、1つ以上の基板についての動作状態データが設定されて良く、かつ、動作状態データは、サイトデータ、位置依存データ、チップ依存データ、及び又はダイ依存データを有して良い。一部の実施例では、第1のパターニングされた基板図7Aの710が、処理システム図13の1によって受け取られた第1組の基板から選ばれて良く、かつ、第1のパターニングされた基板図7Aの710は、1つ以上の基板層図5Aの501、該1つ以上の基板層図7Aの701上の1つ以上の標的層図7Aの702、及び、該1つ以上の標的層図7Aの702上の第1のパターニング層図7Aの711を有して良い。第1のパターニング層図7Aの711は、複数の第1特徴部位図7Aの712及び複数の第1空間領域図7Aの713を有して良い。第1空間領域図7Aの713の各々は、2つの第1特徴部位図7Aの712間に備えられて良い。基板層図7Aの701は半導体材料を有して良い。標的層図7Aの702は、半導体材料、lowk誘電材料、超lowk誘電材料、セラミック材料、ガラス材料、金属材料、レジスト材料、充填材料、ドーピングされた材料、ドーピングされない材料、応力を受けた材料、酸素含有材料、窒素含有材料、炭素含有材料、反射防止コーティング材料、若しくは底部反射防止コーティング材料、又はこれらの混合材料を有して良い。たとえば半導体材料は、応力をかけた及び又はドーピングされたシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素材料を有して良い。第1特徴部位図7Aの712は第1マスク材料を有して良い。一部の実施例では、第1のパターニングされた基板について処理シーケンスが決定されて良く、かつ処理シーケンス中、測定データが得られて良い。たとえばパターニングされた基板の一部について様々な処理シーケンスが決定されて良い。あるいはその代わりに、外部測定手順が必要になることもあり得る。たとえば並列ライン構造及び一部のメモリアレイ構造について、手順をより容易に実行することが可能である。第1評価構造が第1組の基板から選ばれ、かつ第1評価構造がその上に複数の第1特徴部位図7Aの712を有するとき、第1基板上の複数の第1特徴部位図7Aの712のうちの少なくとも1つからの測定信号データを有する第1評価及び測定データを得ることができる。一部の手順では、最善の推定信号及び関連する最善の推定構造が、シミュレーション及び又は測定信号及び関連構造のライブラリから選ばれて良い。たとえば信号は、回折信号及び若しくはスペクトル、屈折信号及び若しくはスペクトル、反射信号及び若しくはスペクトル、透過信号及び若しくはスペクトル、又はこれらの結合を有して良い。一部の実施例では、第1特徴部位図7Aの712は、マスク構造、エッチングされた構造、ドーピングされた構造、充填された構造、半分が充填された構造、損傷した構造、誘電構造、ゲート構造、ゲート電極構造、ゲート積層構造、トランジスタ構造、FinFET構造、CMOS構造、フォトレジスト構造、周期構造、位置合わせ構造、トレンチ構造、若しくはビア構造、アレイ構造、回折格子構造、又はこれらの結合を有して良い。それに加えて、評価データは、強度データ、透過データ、吸収データ、反射データ、回折データ、光学特性、若しくは画像データ、又はこれらの結合を有して良い。615では、第1被保護基板図7Bの720が、第1のパターニングされた基板図7Aの710を用いて生成されて良い。一部の実施例では、第1の被保護パターニング層図7Bの721が、既に保護が外された第1パターニング基板図7Aの710の上部に1層以上の保護層図7Bの703703’を堆積することによって、第1被保護基板図7Bの720上に作製されて良い。それにより、第1被保護基板図7Bの720内の標的層図7Bの702上に複数の被保護特徴部位図7Bの722及び複数の被保護空間領域図7Bの723が生成される。第1被保護基板図7Bの720は、保護層の第1部分図7Bの703を上に有する複数の被保護特徴部位図7Bの722及び保護層の第2部分図5Bの503’を内部に有する複数の被保護空間領域図5Bの523を有して良い。たとえば各被保護空間領域図7Bの723は、保護層の第2部分図7Bの703’を有して良い。保護層の第2部分図7Bの703’は、第1被保護基板図7Bの720内の標的層図7Bの702上の2つの第1被保護特徴部位図7Bの722間に備えられて良い。一部の実施例では、第1被保護基板図7Bの720は、処理システム図13の1内の1つ以上の処理用構成機器を用いた第1堆積手順を実行することによって生成されて良い。たとえば複数の被保護特徴部位図7Bの722及び複数の被保護空間領域図7Bの723が、第1被保護基板図7Bの720上の第1数のサイトにて生成されて良い。被保護特徴部位図7Bの722は、第2マスク材料を有する保護層図7Bの703によって保護される第1マスク材料を有して良い。第1被保護空間領域図7Bの723は、第2マスク材料を有する保護層の第2部分図7Bの703’によって保護された被保護標的層図7Bの702を有して良い。様々な例では、被保護特徴部位図7Bの722は第1マスク材料を有して良い。前記第1マスク材料は、第1CAR材料、第1NCAR材料、第1デュアルトーンレジスト材料、第1ARC材料、第1TARC材料、若しくは第1BARC材料、又はこれらの結合を有して良い。それに加えて、保護層の第1部分図7Bの703及び保護層の第2部分図7Bの703’は第2マスク材料を有して良い。前記第2マスク材料は、第2CAR材料、第2NCAR材料、第2デュアルトーンレジスト材料、第2ARC材料、第2TARC材料、若しくは第2BARC材料、又はこれらの結合を有して良い。あるいはその代わりに、保護層の第2部分図7Bの703’は、後続の手順において除去及び又は変更されて良い。被保護基板図7Bの720が、保護レシピを設定及び又は教示するように生成された後、1つ以上の評価手順が実行されて良い。それに加えて、被保護基板図7Bの720が、保護レシピを訂正及び又は更新するように生成される前に、1つ以上の評価手順が実行されて良い。620では、第1被保護活性化基板図7Cの730は、標的層図7Cの702上に設けられた活性化パターニング層図7Cの731を有して良い。第1被保護活性化基板図7Cの730は、保護層の第1部分図7Cの703によって保護された複数の被保護活性化特徴部位図7Cの732、及び、保護層の第2部分図7Cの703’によって保護された複数の被保護空間領域図7Cの733を有して良い。たとえば被保護空間領域図7Cの733の各々は、標的層図7Cの702上に設けられ、かつ第1被保護活性化基板図7Cの730上の2つの被保護活性化特徴部位図7Cの732間に設けられて良い。一部の実施例では、被保護活性化特徴部位図7Cの732は、第1被保護活性化基板図7Cの730上の各被保護活性化特徴部位図7Cの732内の複数の第1活性化種図7Cの735を活性化することによって生成活性化されて良い。たとえば、第1活性化種図7Cの735は、処理システム図13の1内の1つ以上の処理用構成機器を用いる第1放射線露光処理を実行することによって、各被保護活性化特徴部位図7Cの732内で生成活性化されて良く、かつ、1つ以上の被保護活性化特徴部位図7Cの732は、第1被保護活性化基板図7Cの730上の第1数のサイトにて生成されて良い。一部の例では、これまでに示された被保護特徴部位図7Bの722の各々は少なくとも1つの活性化されていない活性化種を有して良い。前記活性化されていない活性化種は、第1放射線パターン709aを用いて活性化することが可能で、それにより第1被保護活性化基板図7Cの730上の被保護活性化特徴部位図7Cの732内に複数の第1活性化種図7Cの735が生成される。他の例では、各これまでに示された被保護特徴部位図7Bの722内の第1マスク材料は少なくとも1つの被保護活性化種を有して良い。前記被保護活性化種は、第1放射線パターン709aを用いて脱保護されることが可能で、複数の第1活性化種図7Cの735が生成される。さらに他の例では、各これまでに示された被保護特徴部位図7Bの722内の第1マスク材料は少なくとも1つのCARを有して良い。前記CARは、第1放射線パターン709aを用いて脱保護されることが可能で、複数の第1活性化種図7Cの735が生成される。露光処理が実行された後、被保護活性化特徴部位図7Cの732は、露光処理中に活性化可能な活性化された第1マスク材料を有して良い。活性化された第1マスク材料は第1活性化種図7Cの735を有して良い。第1活性化種図7Cの735は、保護層の第1部分図7Cの703によって保護されることが可能である。被保護非活性化空間領域図7Cの733は、保護層の第2部分図7Cの703’によってこれまでに保護された標的層図7Cの702を有して良い。それに加えて、保護層の第1部分図7Cの703及び保護層の第2部分図7Cの703’は第2マスク材料を有して良い。前記第2マスク材料は、前記の第1特徴部位内の第1マスク材料が活性化されるときに露光処理において使用可能な1つ以上の波長及び又は1つ以上の強度に対して選択的に透明となるように構成されて良い。それに加えて、保護層の1つ以上の部分図7Cの703は、露光処理の実行前、中、及び又は後に除去されて良い。一部の実施例では、第1被保護活性化基板図7Cの730が、活性化レシピを設定及び又は教示するように生成される前に、1つ以上の評価手順が実行されて良い。他の実施例では、第1被保護活性化基板図7Cの730が、活性化レシピを設定及び又は教示するように生成される間及び又は後に、1つ以上の評価手順が実行されて良い。625では、二重充填されたパターニング層図7Dの741を上に有する第1二重充填基板図7Dの740が、処理システム1内の1つ以上の処理ユニットを用いた1つ以上の充填堆積手順を実行することによって生成されて良く、かつ、第1充填層図7Dの743及び第1充填層図7Dの744は、各第1二重充填基板図7Dの740上の台1数のサイトにて生成されて良い。たとえば第1充填層図7Dの743及び第2充填層図7Dの744は、複数のこれまで保護された空間領域図7Cの733内の開口領域に堆積されることで、第1二重充填基板図7Dの740上の複数のこれまで活性化された特徴部位図7Dの742間に第1充填層図7Dの743及び第2充填層図7Dの744は生成されて良い。二重充填基板図7Dの740は、標的層図7Dの702上に設けられた保護層図7Dの703に入れられた複数の第1のこれまで活性化された特徴部位図7Dの742を有して良い。一部の実施例では、第1充填層図7Dの743及び第2充填層図7Dの744は、2つの第1のこれまで活性化された特徴部位図7Dの742間に設けられて良い。あるいはその代わりに、第1充填層図7Dの743、第2充填層図7Dの744、及び保護層の一部図示されていないは、2つの第1のこれまで活性化された特徴部位図7Dの742間に設けられて良い。第1のこれまで活性化された特徴部位図7Dの742はこれまで生成された活性化種図7Dの745を有して良い。保護層図7Dの703は第2マスク材料を有して良い。第1充填層図7Dの743は第3マスク材料を有して良い。第2充填層図7Dの744は第4マスク材料を有して良い。これまで活性化された特徴部位図7Dの742は活性化された第1マスク材料を有して良い。前記活性化された第1マスク材料は、第1活性化種図7Dの745を用いてこれまで活性化され、かつ、第2マスク材料を有する保護層図7Dの703を用いてこれまで保護された。第1充填層図7Dの743は第3マスク材料を有して良い。第2充填層図7Dの744は第4マスク材料を有して良い。あるいはその代わりに、少なくとも1つの標的層図7Dの702は少なくとも1つのさらなる活性化種図示されていないを有して良い。一部の実施例では、第1充填層図7Dの743内に堆積された第3マスク材料は第3活性化種図示されていないを有して良い。前記第3活性化種は、以降で、供給処理、露光放射線処理、及び又は熱処理を用いて活性化されて良い。第2充填層図7Dの744内に堆積された第4マスク材料は第4活性化種図示されていないを有して良い。前記第4活性化種は、以降で、供給処理、露光放射線処理、及び又は熱処理を用いて活性化されて良い。それに加えて第3マスク材料及び又は第4マスク材料の堆積後、1つ以上の供給及び又は活性化処理が実行されて良い。第1二重充填基板図7Dの740が生成される前に、1つ以上の評価手順が実行されることで、充填レシピが確立及び又は教示されて良い。それに加えて、第1二重充填基板図7Dの740が生成された後に、1つ以上の評価手順が実行されることで、欠陥及び画像データが得られても良い。630では、上に第1脱保護二重パターニングされたシャドー層図7Eの751を有する第1脱保護二重パターニングされた基板図7Eの750が、1つ以上の第1脱保護手順を用いて生成されて良い。一部の実施例では、第1脱保護基板図7Eの750は、標的層図7Eの702の上方に設けられた、複数の被保護拡散特徴部位図7Eの752、複数の自己整合した第2特徴部位図7Eの757、及び複数の脱保護領域図7Eの754を有して良い。たとえば、被保護拡散特徴部位図7Eの752は所望の第1二重パターン特徴部位を表し、自己整合した特徴部位図7Eの757は所望の第1二重パターン特徴部位を表し、SWA領域図7Eの758は、約80°~100°まで変化しうるSWAを設定するのに用いられて良く、かつ、脱保護領域図7Eの753は、第1二重パターン特徴部位と第2二重パターン特徴部位との間の所望の二重パターン空間を表して良い。被保護拡散特徴部位図7Eの752は、各被保護拡散特徴部位図7Eの752を覆う保護層図7Eの703によって保護されて良い。あるいはその代わりに、第1脱保護二重パターニングされた基板図7Eの750は異なる構成をとって良く、かつあるいは、SWA領域図7Eの758は存在しなくて良い。第1脱保護基板図7Eの750は、保護層の第1部分図7Eの703の一部を介して、被保護拡散特徴部位図7Eの752中の複数の第1活性化種図7Eの755を活性化及び又は拡散させて、複数の第2充填層図7Eの754内の第3マスク材料内で第3脱保護種図7Eの756を活性化及び又は拡散させて、第2充填層図7Eの754内の第4マスク材料を活性化させず、かつ保護層図7Eの703内の第2マスク材料内の如何なる活性化種も活性化させないことによって生成されて良い。被保護拡散特徴部位図7Eの752、複数の自己整合した特徴部位図7Eの757、及び複数の第2充填層図7Eの754が、第1基板図7Eの750上の第1数のサイトにて生成されて良い。第1脱保護手順中、第1脱保護基板図7Eの750が生成されるときに第2放射線パターン図7Eの709bが用いられ、かつ被保護拡散特徴部位図7Eの752が不活性化されて良い。第2放射線パターン709bは、被保護拡散特徴部位図7Eの752に拡散プロセスを開始させる。前記拡散プロセスでは、これまで生成された第1活性化種図7Eの755が、被保護拡散特徴部位図7Eの752から、これまで生成された保護層図7Eの703を介して、脱保護領域図7Eの753内の脱保護可能な第3マスク材料へ拡散する。第1活性化種図7Eの755が、脱保護領域図7Eの753内の脱保護可能な第3マスク材料へ拡散移動するとき、複数の第3脱保護種図7Eの756が生成され、かつ脱保護領域図7Eの753内の脱保護可能な第3マスク材料を通り抜けるように拡散移動することで、脱保護領域図7Eの753内の脱保護可能な第3マスク材料の脱保護が可能となる。たとえば、保護層図7Eの703は第2マスク材料を有して良く、かつ第2マスク材料は、第1活性化種図7Eの755に対して選択的に透過可能であって良い。それに加えて、第2放射線パターン709bは第2組の波長を有して良く、かつ保護層703は第2組の波長のうちの1つ以上に対して実質的に透明であって良い。さらに脱保護可能な第3マスク材料は、第1活性化種図7Eの755及び又は第3脱保護種図7Eの756に対して選択的に保護可能であって良い。犠牲SWA領域図7Eの758は第1保護された第3マスク材料を有して良い。前記脱保護可能な第3マスク材料は、新たに生成された第3脱保護種図7Eの756に、この第1保護された第3マスク材料を移動させないことによって保護された状態を維持することが可能である。それに加えて、自己整合した特徴部位図7Eの757は第2保護された第3マスク材料を有して良い。第2保護された第3マスク材料は、新たに生成された第3脱保護種図7Eの756に、この第2保護された第3マスク材料を移動させないことによって保護された状態を維持することが可能である。複数の自己整合した特徴部位図7Eの757は、保護された現像不可能な状態が維持された第3マスク材料を有して良い。それに加えて、第2充填層図7Eの754は、脱保護領域図7Eの753、犠牲SWA領域図7Eの758、及び現像不可能な自己整合した第2特徴部位図7Eの757を覆って良い。たとえば、脱保護領域図7Eの753内の第3マスク材料は脱保護現像可能状態に変化して良く、かつ、第2充填層図7Eの754内の第4マスク材料は、保護現像不可能な状態に維持されて良い。それに加えて、保護層図7Eの703内の第2マスク材料のある部分は保護された現像不可能な状態に維持され、かつ、保護層図7Eの703内の第2マスク材料の他の部分は、脱保護現像可能な状態に変化して良い。他の第1脱保護手順中、第2放射線パターン図7Eの709b及び少なくとも1つの熱処理が用いられて良い。それに加えて、様々な強度及び又は波長が、様々な第1活性化種図7Eの755及び若しくは第3脱保護種図7Eの756の活性化並びに又は不活性化に用いられて良い。さらに他の脱保護手順中、少なくとも1つの熱処理が用いられて良い。それに加えて、様々な温度及び又は圧力が、様々な第1活性化種図7Eの755及び若しくは第3保護種図7Eの756の活性化並びに又は不活性化に用いられて良い。それに加えて、1つ以上の供給手順が脱保護処理中に用いられることで、さらなる活性化種及び又は脱保護種が供されて良い。様々な実施例では、露光処理は、全面露光処理、赤外露光処理、紫外露光処理、極紫外露光処理、若しくは可視光を用いた露光処理、又はこれらの結合を有して良い。635では、第2脱保護二重パターンによるシャドー層図7Fの761を上に有する第2脱保護二重パターンによるシャドー基板図7Fの760が、第2脱保護手順を用いて生成されて良い。一部の実施例では、保護層図7Fの703によって覆われた複数の第1特徴部位図7Fの762、脱保護されている2つの脱保護側壁角領域図7Fの768によって取り囲まれた複数の現像不可能な自己整合した第2特徴部位図7Fの767、及び、各第1特徴部位図7Fの762と各現像不可能な自己整合した第2特徴部位図7Fの767との間に設けられた複数の脱保護空間領域図7Fの763を有して良い。たとえば、第1特徴部位図7Fの762は所望の第1二重パターン特徴部位を表し、複数の現像不可能な自己整合した第2特徴部位図7Fの767は所望の第2二重パターン特徴部位を表し、2つの脱保護SWA領域図7Fの768は、約80°~約100°に変化可能なSWAを設定するのに用いられて良く、かつ、2組の脱保護空間領域図7Fの763は、第1特徴部位と第2特徴部位の間の所望の二重パターン空間領域を表して良い。それに加えて、第2脱保護層図7Fの761は異なる構成をとっても良い。あるいはその代わりに脱保護SWA領域図7Fの768は存在しなくても良い。第1特徴部位図7Fの762は不活性化された第1マスク材料を有して良い。前記不活性化された第1マスク材料は、これまで生成された第1活性化種図7Eの755の一部又は全部を除去することによって不活性化された。あるいはその代わりに、第1特徴部位図7Fの762は、これまで生成された第1活性化種図7Eの755を有して良い。これまで生成された保護層図7Fの703は第2マスク材料を有して良い。第2マスク材料は、保護された状態を維持し、かつ第3放射線パターン図7Eの709cによって脱保護されない。あるいはその代わりに、第2マスク材料の一部は第3放射線パターン図7Eの709cによって脱保護されて良い。脱保護空間領域図7Fの763は、脱保護された脱保護第3マスク材料を有して良く、かつ現像可能な第3マスク材料を有して良い。一部の例では、脱保護空間領域図7Fの763はまた、第2脱保護手順中に脱保護された脱保護第2マスク材料をも有して良い。第2脱保護層図7Fの761は、第2充填層図7Fの764内の第4マスク材料中に複数の第4活性化種図7Fの705を活性化させて、脱保護SWA領域図7Fの768内のこれまで処理された第3マスク材料内の新たな脱保護種図7Fの706を活性化させて、かつ、保護層図7Fの703内の第2マスク材料中の如何なる活性種をも活性化させないことによって生成されて良い。たとえば、脱保護SWA領域図7Fの768内のこれまで処理された第3マスク材料は、新たな脱保護種図7Fの706に対して選択的に脱保護可能であり、かつ、第3放射線パターン図7Eの709cは、新たな脱保護種図7Fの706に、これまで処理された第3マスク材料を移動させることで、脱保護SWA領域図7Fの768を生成するのに用いられて良い。第2脱保護手順中、第2充填層図7Fの764は、第3放射線パターン図7Eの709cを用いて活性化可能な複数の第4活性化種図7Fの705を有して良い。たとえば、第3放射線パターン図7Eの709cは第3組の波長を有して良く、かつ、第2充填層図7Fの764は、第3組の波長のうちの1つ以上によって選択的に活性化されて良い。それに加えて、脱保護SWA領域図7Fの768は脱保護可能な第3マスク材料を有して良い。前記脱保護可能な第3マスク材料は、第3放射線パターン図7Eの709cを用いることによって、新たに生成された新たな脱保護種図7Fの706に、この脱保護可能な第3マスク材料を移動させることによって脱保護されて良い。それに加えて、これまで生成された自己整合した第2特徴部位図7Fの767は保護された第3マスク材料を有して良い。前記保護された第3マスク材料は、この新たに生成された新たな脱保護種図7Fの706に、この保護された第3マスク材料を移動させないことによって保護された状態が維持されて良い。他の第2脱保護手順中、第3放射線パターン図7Eの709c及び少なくとも1つの熱処理が用いられて良い。それに加えて、様々な強度及び又は波長が、様々な第4活性化種図7Fの705及び若しくは新たな脱保護種図7Fの706の活性化並びに又は不活性化に用いられて良い。さらに他の脱保護手順中、少なくとも1つの熱処理が用いられて良い。それに加えて、様々な温度及び又は圧力が、様々な第4活性化種図7Fの705及び若しくは新たな脱保護種図7Fの706の活性化並びに又は不活性化に用いられて良い。それに加えて、1つ以上の供給手順が脱保護処理中に用いられることで、さらなる活性化種及び又は脱保護種が供されて良い。たとえば第2脱保護活性化手順は、脱保護SWA領域図7Fの768が正しく生成されるまで続けられて良い。それに加えて、第2脱保護活性化手順は、正しい側壁角が、脱保護SWA領域図7Fの768内で実現されるまで続けられて良い。640では、第1現像された二重パターン層図7Gの771を上に有する第1現像された二重パターン基板図7Gの770は、処理システム図13の1内の1つ以上の処理用構成機器を用いて少なくとも1つの第1現像手順を実行することによって生成されて良い。たとえば第2充填層図7Fの764内のこれまで拡散した活性化不活性化した第4マスク材料は第1現像手順中に除去されて良い。一部の実施例では、第1現像されたDP基板図7Gの770は、標的層図7Gの702に上に設けられた、複数の現像されていない第1DP特徴部位図7Gの772、複数の現像可能な空間領域図7Gの773、複数の現像可能なSWA領域図7Gの778、及び複数の自己整合第2DP部位図7Gの777を有して良い。たとえば現像されていない第1DP特徴部位図7Gの772は保護層図7Gの703によって覆われて良い。それに加えて、現像可能な空間領域図7Gの773及び現像可能なSWA領域図7Gの778は、自己整合第2DP部位図7Gの777の各々の両面に設けられて良い。あるいはその代わりに、保護層図7Gの703の一部、又は現像可能な空間領域図7Gの773の一部、又は現像可能なSWA領域図7Gの778の一部もまた、現像手順中に除去されて良い。645では、最終二重パターン層図7Hの781を有する最終二重パターン基板図7Hの780が、処理システム図13の1内の1つ以上の処理用構成機器を用いて少なくとも1つのさらなる第1現像手順を実行することによって生成されて良い。最終DP基板図7Hの780は、標的層図7Hの702に上に設けられた、複数の最終第1二重パターン特徴部位図7Hの782、複数の最終第2二重パターン特徴部位図7Hの787、及び、複数の最終二重パターン空間図7Hの783を有して良い。一部の実施例では、現像可能な空間領域図7Hの773内のこれまで脱保護された第3マスク材料がさらなる現像手順中に除去されて良く、現像可能なSWA領域図7Hの778内の現像可能な脱保護された第3マスク材料が追加の現像手順中に除去されて良く、かつ、保護層図7Gの703の残りの部分内の第2マスク材料がさらなる現像手順中に除去されて良い。それに加えて、評価手順及び又はデータ解析手順が、手順600における工程が正しく実行されたか否かを判断するために実行されて良い。手順600における工程が正しく実行されるときには、後処理手順図示されていないが実行されて良い。手順600における工程が正しく実行されなかったときには、訂正行為図示されていないが実行されて良い。たとえば、装置データ、チャンバデータ、粒子データ、画像データ、処理データ、及び又は失敗データが解析されて良い。それに加えて、後処理手順及び又は訂正行為は、再測定手順、再評価手順、再加工手順、及び又は処理シーケンスにおける1つ以上の工程を繰り返す手順を有して良い。他の実施例では、手順600は三重パターニング手順中に繰り返されて良く、かつ図13Aに図示された三重パターンを得ることができる。図7A図7Hは、本発明の実施例による二重パターニングされたシャドー手順における他の典型的な工程を単純化して表している。図7A図7Hでは、1層以上の基板層701及び1層以上の標的層702を有する基板が図示されている。あるいはその代わりに、異なる構成をとる異なる組の基板が用いられても良い。様々な例では、基板層701は約10nm~約100nmまで変化可能な厚さ701aを有して良く、かつ、標的層702は約10nm~約50nmまで変化可能な厚さ702aを有して良い。基板層701は、半導体材料、炭素材料、誘電材料、ガラス材料、セラミック材料、金属材料、注入材料、酸素含有材料、若しくは窒素含有材料、又はこれらの混合材料を有して良い。標的材料502は、半導体材料、lowk誘電材料、超lowk誘電材料、セラミック材料、ガラス材料、金属材料、レジスト材料、充填材料、ドーピング材料、非ドーピング材料、歪み材料、炭素含有材料、酸素含有材料、窒素含有材料、反射防止コーティング材料、底部反射防止コーティング材料、注入材料、若しくは平坦化材料、又はこれらの混合材料を有して良い。図7Aは、1層以上の基板層701、1層以上の標的層702、及び第1パターニング層711を有する第1パターニング基板710を図示している。第1パターニング層711は、複数の第1空間領域713によって分離される複数の所望の第1特徴部位712を有して良い。第1特徴部位712は第1マスク材料を有して良い。前記第1マスク材料は、化学増幅レジスト材料、非化学増幅レジスト材料、デュアルトーンレジスト材料、反射防止コーティング材料、上部反射防止コーティング材料、若しくは底部反射防止コーティング材料、又はこれらの混合材料を有して良い。他の実施例では、第1特徴部位712内の第1マスク材料は、ポリマー樹脂、非光学活性化源に感度を供する非光酸素発生剤、活性化前後での溶解度の切り換えを供する溶解抑制剤、及び、1つ以上の波長を有する光源への曝露後の材料の現像特性を改質する1つ以上の成分を有して良い。たとえば、溶解抑制剤は酸に対して不安定な被保護モノマーのオリゴマーであって良く、かつ、非光学活性化源は、化学活性化剤、電気活性化剤、熱活性化剤、及び又は圧力活性化剤を有して良い。様々な例では、第1特徴部位712は約5nm~約500nmまで変化しうる所望の厚さ712aを有して良く、第1特徴部位712は約5nm~約500nmまで変化しうる所望の幅712bを有して良く、第1特徴部位712は約15nm~約1500nmまで変化しうる所望の周期712cを有して良く、かつ、第1空間領域713は約15nm~約1500nmまで変化しうる幅713bを有して良い。図7Bは、1層以上の基板層701、1層以上の標的層702、及び該1層以上の標的層702の上部に設けられた被保護パターニング層721を有する第1被保護基板720を図示している。被保護パターニング層721は、複数の被保護空間領域723によって分離される複数の被保護特徴部位722を有して良い。被保護特徴部位722は保護層703を有して良い。保護層703は、複数の被保護特徴部位722及び複数の空間領域723を作製するのに用いられて良い。あるいはその代わりに、複数の被保護空間領域723は必要とされないか、又は異なる構成がとられても良い。一部の実施例では、第1被保護基板720は、処理システム図13の1内の1つ以上の処理用構成機器を用いて第1堆積手順を実行することによって生成されて良い。たとえば複数の被保護部位722及び複数の被保護空間領域723は、第1被保護基板720上の第1数のサイトにて生成されて良い。被保護特徴部位722は被保護第1マスク材料を有して良い。前記被保護第1マスク材料は、化学増幅レジスト材料、非化学増幅レジスト材料、デュアルトーンレジスト材料、反射防止コーティング材料、上部反射防止コーティング材料、若しくは底部反射防止コーティング材料、又はこれらの混合材料を有して良い。保護層703は第2マスク材料を有して良い。前記第2マスク材料は、第2CAR材料、第2NCAR材料、第2デュアルトーンレジスト材料、第2ARC材料、第2TARC材料、若しくは第2BARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。被保護特徴部位は所望の最終二重パターン構造を表して良い。前記所望の最終DP構造は、最終DPが生成されるときに本来の寸法を保存するように保護される。様々な例では、被保護特徴部位722は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ722aを有して良く、被保護特徴部位722は約5nm~約500nmまで変化しうる幅722bを有して良く、被保護特徴部位722は約15nm~約1500nmまで変化しうる周期722cを有して良く、かつ、被保護空間領域723は約15nm~約1500nmまで変化しうる空間幅723bを有して良い。それに加えて、保護層703は約2nm~約20nmまで変化しうる厚さ703aを有して良く、かつ、保護層703は約5nm~約50nmまで変化しうる幅703bを有して良い。図7Cは、1層以上の基板層701、1層以上の標的層702、及び1層以上の標的層702上に設けられた活性化したパターニング層731を有する第1被保護活性化基板を図示している。活性化したパターニング層731は、複数の不活性化した被保護空間領域733によって分離される複数の被保護活性化特徴部位732を有して良い。活性化したパターニング層731は保護層703を有して良い。保護層703は、複数の被保護活性化特徴部位732及び複数の不活性化した被保護空間領域733を作製するのに用いられて良い。あるいはその代わりに、複数の被保護空間領域733は必要とされないか、又は異なる構成がとられても良い。一部の実施例では、第1被保護活性化基板730は、処理システム図13の1内の1つ以上の処理用構成機器を用いる第1放射線処理を実行することによって生成されて良い。たとえば複数の被保護活性化特徴部位732及び複数の不活性化した被保護空間領域733は、第1被保護活性化基板730上の第1数のサイトにて生成されて良い。活性化したパターニング層731は、複数の不活性化した被保護空間領域733によって分離される複数の被保護活性化特徴部位732を有して良い。被保護活性化特徴部位732は、第1放射線パターン709aによって活性化改質された被改質第1マスク材料を有して良い。たとえば、第1放射線パターン709aは第1組の波長を有して良く、かつ、保護層503は第1組の波長のうちの1つ以上に対して実質的に透明であって良い。それに加えて、被保護活性化特徴部位732は、活性化改質されたCAR材料、活性化改質されたNCAR材料、活性化改質されたデュアルトーンレジスト材料、活性化改質されたARC材料、活性化改質されたTARC材料、若しくは活性化改質されたBARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。一部の実施例では、第1放射線パターン709aは、被保護活性化特徴部位732中に複数の第1活性化種735を生成するのに用いられて良い。他の実施例では、第1放射線パターン709aは、1つ以上の熱処理と併用されることで、被保護活性化特徴部位732中に複数の第1活性化種735を生成して良い。さらに他の実施例では、1つ以上の熱処理は、被保護活性化特徴部位732中に複数の第1活性化種735を生成するのに用いられて良い。様々な手順では、第1活性化種735は、1つ以上の化学増幅のネガ型成分、1つ以上の化学増幅のポジ型成分、又はこれらの混合成分を有して良い。他の例では、第1活性化種735は、1つ以上の化学増幅の酸成分、1つ以上の化学増幅の塩基成分、又はこれらの混合成分を有して良い。様々な例では、被保護活性化特徴部位732は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ732aを有して良く、被保護活性化特徴部位732は約5nm~約500nmまで変化しうる幅732bを有して良く、被保護活性化特徴部位732は約15nm~約1500nmまで変化しうる第1周期732cを有して良く、かつ、不活性化した被保護空間領域733は約15nm~約1500nmまで変化しうる空間幅733bを有して良い。それに加えて、保護層703は、露光処理による影響を受けない寸法を有して良い。図7Dは、1層以上の基板層701、1層以上の標的層702、及び1層以上の標的層702上に設けられた充填されたパターニング層741を有する二重充填基板740を図示している。充填されたパターニング層741は、保護層703内に入れられた複数の第1これまでに活性化した特徴部位742を有して良い。保護層703、第1充填層743、及び第2充填層744は、複数の第1これまでに活性化した特徴部位742間に設けられて良い。それに加えて、保護層703は第2マスク材料を有して良く、第1充填層743第3マスク材料を有して良く、かつ第2充填層744は第4マスク材料を有して良い。これまでに活性化した特徴部位742は、第1放射線パターン709aによってこれまでに活性化した改質された第1マスク材料を有して良い。たとえばこれまでに活性化された第1マスク材料は、これまでに活性化されたCAR材料、これまでに活性化されたNCAR材料、これまでに活性化されたデュアルトーンレジスト材料、これまでに活性化されたARC材料、これまでに活性化されたTARC材料、若しくはこれまでに活性化されたBARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。第3マスク材料及び第4マスク材料は、さらなるCAR材料、さらなるNCAR材料、さらなるデュアルトーンレジスト材料、さらなるARC材料、さらなるTARC材料、若しくはさらなるBARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。様々な例では、これまでに活性化された特徴部位742は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ742aを有して良く、これまでに活性化された特徴部位742は約5nm~約500nmまで変化しうる幅742bを有して良く、これまでに活性化された特徴部位742は約15nm~約1500nmまで変化しうる第3周期742cを有して良く、第1充填層743は約1nm~約20nmまで変化しうる第1充填物の厚さ743aを有して良く、第1充填層743は約1nm~約20nmまで変化しうる第1充填物の幅743bを有して良く、第2充填層744は約1nm~約20nmまで変化しうる第2充填物の厚さ744aを有して良く、かつ第2充填層744は約1nm~約20nmまで変化しうる第2充填物の幅744bを有して良い。一部の例では、第1マスク材料及び又は第2マスク材料は、1つ以上の化学増幅のネガ型成分、1つ以上の化学増幅のポジ型成分、又はこれらの混合成分を有して良い。それに加えて、第3マスク材料及び又は第4マスク材料は、1つ以上の化学増幅の酸成分、1つ以上の化学増幅の塩基成分、又はこれらの混合成分を有して良い。他の例では、第3マスク材料及び又は第4マスク材料は、1つ以上の化学増幅のネガ型成分、1つ以上の化学増幅のポジ型成分、又はこれらの混合成分を有して良い。それに加えて、第3マスク材料及び又は第4マスク材料は、1つ以上の化学増幅の酸成分、1つ以上の化学増幅の塩基成分、又はこれらの混合成分を有して良い。図7Eは第1脱保護二重パターニングされたシャドー基板750を図示している。第1脱保護DPS基板550は、1層以上の基板層701、1層以上の標的層702、及び1層以上の標的層702の上に設けられた第1脱保護層751を有する。第1脱保護層751は、保護層703によって覆われた複数の不活性化した被保護拡散特徴部位752、複数の自己整合した特徴部位757、複数の側壁角領域758、複数の脱保護領域753、及び、第2充填層754を有して良い。あるいはその代わりに、第1脱保護層751は異なる構成をとっても良い。たとえば、複数の不活性化した被保護拡散特徴部位752は所望の第1二重パターン特徴部位を表し、自己整合した特徴部位757は所望の第2二重パターン特徴部位を表し、SWA領域758は、約80°~約100°まで変化しうるSWAを作製するのに用いられて良く、かつ、複数の脱保護領域753は第1DP特徴部位と第2DP特徴部位の間の二重パターン空間を表して良い。あるいはその代わりに、SWA領域758及び又は第2充填層754は存在しなくても良い。それに加えて、SWA領域758は不均一な第1脱保護手順によって生成され、かつ、第2脱保護手順は、正しい側壁角を作製するのに用いられて良い。自己整合した特徴部位757は、保護された現像不可能な状態を維持した第3マスク材料を有して良い。自己整合した特徴部位757を取り囲む2組の脱保護領域753は、脱保護された現像可能な第3マスク材料を有して良い。たとえば脱保護領域753は、第1活性化種755を、不活性化した被保護拡散特徴部位752から2組の脱保護領域753へ移動させることによって、生成及び脱保護されて良い。第1活性化種755が脱保護領域753内の第3マスク材料へ移動するとき、第3脱保護種756は第3マスク材料内で活性化され、かつ、第3脱保護種756は第3マスク材料を移動することで、第3マスク材料が脱保護され、かつ2組の現像可能な脱保護領域753が生成される。一部の実施例では、不活性化した被保護拡散特徴部位752は、第1露光処理第1放射線パターン709aによってこれまでに活性化された第1マスク材料を有して良く、かつ、これまでに活性化された第1マスク材料は、第2露光処理第2放射線パターン709b不活性化されて良い。他の実施例では、不活性化した被保護拡散特徴部位752は、少なくとも1つの第1露光処理及び少なくとも1つの第1熱処理によってこれまでに活性化された第1マスク材料を有して良く、かつ、これまでに活性化された第1マスク材料は、少なくとも1つの第2露光処理及び少なくとも1つの第2熱処理を用いることによって不活性化されて良い。さらに他の実施例では、不活性化した被保護拡散特徴部位752は少なくとも1つの第1熱処理によってこれまでに活性化された第1マスク材料を有して良く、かつ、これまでに活性化された第1マスク材料は少なくとも1つの第2熱処理を用いることによって不活性化されて良い。あるいはその代わりに、他の手順の組み合わせが用いられても良い。被保護拡散特徴部位752は、完全又は部分的に不活性化した第1マスク材料を有して良く、かつ、不活性化可能なCAR材料、不活性化可能なNCAR材料、不活性化可能なデュアルトーンレジスト材料、不活性化可能なARC材料、不活性化可能なTARC材料、若しくは不活性化可能なBARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。一部の脱保護手順中では、2組の脱保護領域753は脱保護材料を有し、かつ、脱保護材料は、脱保護CAR材料、脱保護NCAR材料、脱保護デュアルトーンレジスト材料、脱保護ARC材料、脱保護TARC材料、若しくは脱保護BARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。他の脱保護手順中では、2組の脱保護領域554は脱ブロック材料を有し、かつ、脱ブロック材料は、脱ブロックCAR材料、脱ブロックNCAR材料、脱ブロックデュアルトーンレジスト材料、脱ブロックARC材料、脱ブロックTARC材料、若しくは脱ブロックBARC材料、又はこれらの混合材料を有して良い。様々な例では、被保護拡散特徴部位752は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ752aを有して良く、被保護拡散特徴部位752は約5nm~約500nmまで変化しうる幅752bを有して良く、被保護拡散特徴部位752は約15nm~約1500nmまで変化しうる周期752cを有して良く、脱保護領域753は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ753aを有して良く、脱保護領域753は約5nm~約500nmまで変化しうる幅753bを有して良く、第2充填層754は約1nm~約20nmまで変化しうる第2充填層厚さ754aを有して良く、第2充填層754は約5nm~約500nmまで変化しうる第2充填層幅754bを有して良く、自己整合した特徴部位757は約5nm~約500nmまで変化しうる特徴部位の厚さ557aを有して良く、自己整合した特徴部位757は約5nm~約500nmまで変化しうる特徴部位の幅757bを有して良く、かつ、自己整合した特徴部位757は約15nm~約1500nmまで変化しうる周期757cを有して良い。SWA領域758は約5nm~約500nmまで変化しうるSWA厚さ758aを有して良い。SWA領域758は約15nm~約15nmまで変化しうるSWA幅758bを有して良い。たとえば自己整合した特徴部位757が正しく生成されたとき、SWA幅758bは約2nm~約2nmまで変化しうる。図7Fは、1層以上の基板層701、1層以上の標的層702、及び1層以上の標的層702の上に設けられた第2脱保護層761を有する第2脱保護二重パターニングされたシャドー基板760を図示している。第2脱保護層761は、保護層703によって覆われた複数の第1特徴部位762、複数の現像不可能な自己整合した第1特徴部位767、複数の脱保護SWA領域768、複数の脱保護空間領域763、及び複数の第4活性化種705を内部に有する第2充填層764を有して良い。たとえば、第1特徴部位762は第1二重パターン特徴部位を表して良く、現像不可能な自己整合した第1特徴部位767は第2二重パターン特徴部位を表して良く、脱保護SWA領域768は、脱保護されているSWA領域を表すのに用いられて良く、かつ、脱保護空間領域763は、第1二重パターン特徴部位と第2二重パターン特徴部位の間の二重パターンを表して良い。それに加えて、第1特徴部位762は異なった構成をとって良く、脱保護SWA領域768は異なった構成をとって良く、脱保護空間領域763は異なった構成をとって良く、かつあるいは、第2充填層764は異なった構成をとって良い。あるいはその代わりに、脱保護SWA領域768及び又は第2充填層764は存在しなくても良い。現像不可能な自己整合した第2特徴部位767は、保護された現像不可能な状態が維持された第3マスク材料を有して良い。それに加えて、自己整合した第2特徴部位767を取り囲む2組の脱保護空間領域763は、脱保護されていることで現像可能な第3マスク材料を有して良い。たとえば、複数の脱保護SWA領域768内でこれまでに処理された第3マスク材料は、複数の第4活性種705を、第2充填層764から2組のこれまでに処理された第3マスク材料へ移動させることによって脱保護されて良い。第4活性種705が、脱保護SWA領域768内のこれまでに処理された第3マスク材料へ移動するとき、新たな脱保護種706がこれまでに処理された第3マスク材料内で活性化し、かつ、新たな脱保護種706はこれまでに処理された第3マスク材料を移動することで、脱保護SWA領域768内のこれまでに処理された第3マスク材料は脱保護されて良い。一部の実施例では、第2充填層764は第4マスク材料を有して良い。第4マスク材料は、第3露光処理第3放射線パターン709cによって活性化可能な複数の第4活性種705を有する。他の実施例では、第2充填層764は第4マスク材料を有して良い。第4マスク材料は、第3露光処理第3放射線パターン709cと少なくとも1つの熱処理によって活性化可能な複数の第4活性種705を有する。さらに他の実施例では、第2充填層764は第4マスク材料を有して良い。第4マスク材料は少なくとも1つの熱処理によって活性化可能な複数の第4活性種705を有する。それに加えて、第2充填層764は第4マスク材料を有して良い。第4マスク材料は少なくとも1つの供給処理によって活性化及び又は改善可能な複数の第4活性種705を有する。あるいはその代わりに、他の手順の組み合わせが用いられても良い。様々な例では、第1特徴部位762は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ762aを有して良く、第1特徴部位762は約5nm~約500nmまで変化しうる幅762bを有して良く、第1特徴部位762は約15nm~約1500nmまで変化しうる周期762cを有して良く、脱保護空間領域763は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ763aを有して良く、脱保護空間領域763は約5nm~約500nmまで変化しうる幅763bを有して良く、第2充填層764は約1nm~約20nmまで変化しうる第2充填層厚さ754aを有して良く、第2充填層764は約5nm~約500nmまで変化しうる第2充填層幅764bを有して良く、自己整合した第2特徴部位767は約5nm~約500nmまで変化しうる特徴部位の厚さ767aを有して良く、現像不可能な自己整合した第2特徴部位767は約5nm~約500nmまで変化しうる特徴部位の幅767bを有して良く、かつ、現像不可能な自己整合した特徴部位767は約15nm~約1500nmまで変化しうる周期767cを有して良い。脱保護SWA領域768は約5nm~約500nmまで変化しうるSWA厚さ768aを有して良い。脱保護SWA領域768は約2nm~約2nmまで変化しうるSWA幅768bを有して良い。たとえば自己整合した第2特徴部位767が正しく生成されたとき、SWA幅768bは約1nm~約1nmまで変化しうる。図7Gは、1層以上の基板層701、1層以上の標的層702、及び1層以上の標的層702の上に設けられた第1現像可能な二重パターン層771を有する第1現像可能な二重パターン基板770を図示している。現像手順中、第2充填層図7Fの764は除去されて良い。第1現像可能なDP層771は、保護層703によって覆われた複数の現像不可能な第1DP特徴部位772、複数の現像可能な空間領域773、複数の現像可能なSWA領域778、及び複数の自己整合した第2DP特徴部位777を有して良い。たとえば、現像可能な空間領域773及び現像可能なSWA領域778は、各自己整合した第2DP特徴部位777の両面に設けられて良い。あるいはその代わりに、保護層703の一部、又は現像可能な空間領域773、又は現像可能なSWA領域778は、現像手順中に除去されて良い。様々な例では、現像不可能な第1DP特徴部位772は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ772aを有して良く、現像不可能な第1DP特徴部位772は約5nm~約500nmまで変化しうる幅772bを有して良く、現像不可能な第1DP特徴部位772は約15nm~約1500nmまで変化しうる周期772cを有して良い。それに加えて、自己整合した第2DP特徴部位777は約5nm~約500nmまで変化しうるDP特徴部位厚さ777aを有して良く、自己整合した第2DP特徴部位777は約5nm~約500nmまで変化しうるDP特徴部位幅777bを有して良く、自己整合した第2DP特徴部位777は約15nm~約1500nmまで変化しうるDP周期777cを有して良い。それに加えて、現像可能な空間領域773は約5nm~約500nmまで変化しうる厚さ773a及び約10nm~約500nmまで変化しうる第1空間幅773bを有して良い。それに加えて、2つの現像可能なSWA領域778は約5nm~約500nmまで変化しうるSWA厚さ778aを有して良く、かつ、2つの現像可能なSWA領域778は約2nm~約2nmまで変化しうるSWA幅778bを有して良い。たとえば自己整合した第2DP特徴部位777が正しく生成されたとき、SWA幅778bは約1nm~約1nmまで変化しうる。図7Hは、1層以上の基板層701、1層以上の標的層702、及び1層以上の標的層702上に設けられた最終二重パターニング層781を有する最終二重パターニング基板780を図示している。最終DP層781は、複数の最終第1DP特徴部位782、複数の最終第2DP特徴部位787、及び複数の最終二重パターニング空間783を有して良い。たとえば、1つ以上のさらなる現像手順が、保護層図7Gの703の残りの部分内、及び又は現像可能な空間領域図7Gの773の残りの部分内、及び又は現像可能なSWA領域図7Gの778の残りの部分内の脱保護第2マスク材料を除去するように実行されて良い。最終第1DP特徴部位782は、1つ以上の現像手順によって処理された第1マスク材料を有して良い。最終第2DP特徴部位787は、1つ以上の現像手順によって処理された第2マスク材料を有して良い。複数の最終第1DP特徴部位782は未現像第1マスク材料を有して良い。前記未現像第1マスク材料は、脱保護されず、かつさらなる現像手順中に除去されない。複数の最終第2DP特徴部位787は未現像第3マスク材料を有して良い。前記未現像第3マスク材料は、脱保護されず、かつさらなる現像手順中に除去されない。様々な例では、最終第1DP特徴部位782は約5nm~約500nmまで変化しうる第1DP厚さ782aを有して良く、最終第1DP特徴部位782は約5nm~約500nmまで変化しうる第1DP幅782bを有して良く、最終第1DP特徴部位782は約15nm~約1500nmまで変化しうる第1DP周期782cを有して良い。それに加えて、最終第2DP特徴部位787は約5nm~約500nmまで変化しうる第1DP厚さ787aを有して良く、最終第2DP特徴部位787は約5nm~約500nmまで変化しうる第2DP幅787bを有して良く、最終第2DP特徴部位787は約15nm~約1500nmまで変化しうる第2DP周期787cを有して良い。それに加えて、複数の最終DP空間783は10nm~約500nmまで変化しうる第1DP幅787bを有して良い。さらに他の実施例では、特徴部位は、様々なマスク材料を有する複数の層を有して良い。図8は、本発明の実施例による二重パターニングによるシャドーサブシステムの典型的なブロック図を示している。典型的なサブシステム800が図8に図示されている。図示されたサブシステム800は、処理チャンバ810、被処理基板が上に設けられる基板ホルダ820、及び真空排気システム857を有して良い。たとえば、基板ホルダ820は、ベース829を用いることによって、処理チャンバ810と結合して、かつ処理チャンバ810から絶縁されて良い。基板805はたとえば、半導体基板、試料片、又は液晶ディスプレイであって良い。様々な実施例では、1つ以上のサブシステム800が、処理システム図1図3の1内部に設けられ、及び又は処理システム1図1図3の1と結合して良い。一部の実施例では、流体供給システム860は処理チャンバ810及び供給システム865と結合して良い。処理チャンバ810及び供給システム865は、1種類以上の処理流体を基板805の表面へ供するように構成されて良い。あるいはその代わりに、処理流体は、必要とされなくて良いし、あるいは異なった態様で供されても良い。それに加えて、気体供給システム870は、処理チャンバ810と結合し、かつ1種類以上の処理気体を気体注入システム875へ供するように構成された流れ制御システム872と結合して良い。混合気体は、気体注入システム875を介して、処理空間815へ導入されて良い。処理圧力は調節されて良い。一部の例では、処理気体は、処理シーケンス内での所定の手順に固有の処理空間815内での処理材料の生成に利用されて良い。他の例では、材料が-たとえば充填手順又は保護層堆積手順中に-基板805上に堆積されるときに、処理気体は用いられて良い。さらに他の例では、材料が-たとえば現像手順又は基板洗浄手順中に-基板805から除去されるときに、異なる処理気体が用いられて良い。たとえば制御装置855は、真空排気システム857、流体供給システム860、及び気体注入システム870を制御するのに用いられて良い。基板805はたとえば、ロボット搬送システム図示されていないによって、スロットバルブ及びチャンバ貫通接続経路集合体836を介して、処理チャンバ810に対して搬入出されて良い。ロボット搬送システム内では、基板805は、基板ホルダ820内に格納された基板リフトピン図示されていないによって受け取られ、かつ内部に格納された装置によって機械的に並進する。基板805が搬送システムから受け取られた後、基板805は、基板ホルダ820の上面にまで下げられて良い。一部の例では、基板805は、固定システム図示されていないによって基板ホルダ820に固定されて良い。基板ホルダ820はさらに、温度制御システム828と結合可能な多領域ヒーター集合体827を有して良い。一部の例では、1つ以上の温度制御素子825は、基板805と基板ホルダ820との間の気体ギャップ熱伝導を改善するのに用いることのできる背面気体供給システム826から背面気体を受けて良い。多領域ヒーター集合体827は、抵抗加熱素子及び又は熱電ヒータークーラーを有して良い。一部の実施例では、サブシステム800は、多分割レンズフィルタ集合体845内の1つ以上の区分848と結合する1つ以上の光源840を有して良い。基板ホルダ820及び多分割レンズフィルタ集合体845は、基板805全体にわたる1つ以上の電場を発生させるのに用いられて良い。多分割レンズフィルタ集合体845中の各区分848は、1つ以上の手順中、均一又は不均一な放射線パターン846を供するように独立に制御されて良い。一の実施例では、放射線パターン846に係る強度は、基板805上の1層以上のマスク層での溶解度変化が生じるように制御されて良い。他の実施例では、多分割レンズフィルタ集合体845は、1つ以上の放射線パターン847を基板805へ導くのに用いることが可能な複数の放射線源として、構成及び動作可能である。放射線パターン中の各ビームによって供される放射線強度は、1つ以上の手順中、独立に制御されて良い。一の実施例では、強度は、1つ以上の活性化種を基板805上の1層以上の層内で活性化させるように制御されて良く、かつ、各異なる活性化種は各異なる強度を必要としても良い。サブシステム800の構成においては、基板ホルダ820は、電源830と結合した下部電極821を有して良い。手順中、DC電圧が下部電極821に発生して良い。あるいはその代わりに、電源830は、低周波数源、RF源、又はマイクロ波源であって良い。他の構成では、下部電極821、電源830、及び又はフィルタネットワークは必要とされない。さらに他の構成では、信号が、複数の周波数にて、下部電極821に印加されて良い。一部の構成では、真空排気システム857は、チャンバ圧力を制御する真空ポンプ858及びゲートバルブ859を有して良い。さらにチャンバ圧力を監視する装置図示されていないが処理チャンバ810と結合して良い。それに加えて、手順中、チャンバ内での圧力は、約5mTorr~約40mTorrの間で制御されて良い。手順中、多領域ヒーター集合体827を用いることによって、基板の端部温度及び中心温度が設定されて良い。手順中、基板の端部温度及び中心温度は、約10°C~約70°Cの間で変化して良い。あるいはその代わりに、各異なる基板温度は必要とされない。それに加えて、手順の処理時間は、約30秒~約6分の間で変化して良い。図8に図示されているように、サブシステム800は、性能データを得るため、処理チャンバ810と結合する1つ以上のセンサ850を有して良く、かつ、制御装置855は、性能データを受け取るため、センサ850と結合して良い。センサ850は、処理チャンバ810の内部に設けられたセンサと、処理チャンバ810の外部に設けられたセンサの両方を有して良い。センサ850は、端点検出器として利用可能で、かつEPDデータを供することのできる光放出分光センサを有して良い。制御装置855は、マイクロプロセッサ、メモリ、及び、デジタルIOポートを有して良い。デジタルIOポートは、サブシステム800からの出力を監視するのみならず、サブシステム800への入力を発生させて、やり取りを行うのに十分な制御電圧を発生させることが可能である。図8に図示されているように、制御装置855は、基板ホルダ820、電源830、多分割上部電極845、真空排気システム857、背面気体供給システム826、温度制御システム828、及びセンサ850と結合して、情報をやり取りして良い。メモリ内に記憶されたプログラムは、記憶されたプロセスレシピに従って、サブシステム800の上述の構成機器と相互作用するのに利用されて良い。マスク層が手順中に生成されるとき、マスク材料は、阻止成分を有する光学的感受性を有しないポリマーを有して良い。他の実施例では、マスク材料は、阻止成分を有する光学的感受性を有するポリマーを有して良い。一部の例では、マスク材料は、酸性成分による脱保護が可能な酸に対する感受性を有するポリマーを有して良く、かつ、酸性成分の移動は、様々な強度及び又は様々な周波数を有する1つ以上の放射線パターンを用いて制御及び又は改善されて良い。他の例では、マスク材料は、塩基成分によって脱保護可能な塩基に対する感受性を有するポリマーを有して良く、かつ、塩基性成分の移動は、様々な強度及び又は様々な周波数を有する1つ以上の放射線パターンを用いて制御及び又は改善されて良い。さらに他の例では、マスク材料は、放射線パターンへの曝露によって脱保護可能な放射線に対する感受性を有するポリマーを有して良く、かつ、脱保護種の移動は、様々な強度及び又は様々な周波数を有する1つ以上の放射線パターンを用いて制御及び又は改善されて良い。さらに他の例では、マスク材料は、少なくとも1つの熱処理を用いて脱保護可能な熱に対する感受性を有するポリマーを有して良く、かつ、脱保護種の移動は、様々な強度及び又は様々な周波数を有する1つ以上の放射線パターンを用いて制御及び又は改善されて良い。図9は、本発明の実施例によるさらなる二重パターニングによるシャドーサブシステムの典型的なブロック図を示している。サブシステム900は処理チャンバ910を有して良い。処理チャンバ910は、基板901の温度を昇降させるように構成された温度制御素子922を有する基板ホルダ920を有する。あるいはその代わりに、温度制御素子922は背面気体素子を有して良い。それに加えて、サブシステム900は、処理チャンバ910内の駆動機構924と結合可能な制御素子930を有して良く、かつ、制御素子930、駆動機構924、及び又は基板ホルダ920は、電圧印加素子図示されていないを有して良い。処理チャンバ910は1つ以上の排出ポート956を有して良い。1つ以上の排出ポート956は、処理チャンバ910の底部及び圧力制御システム958と接続して良い。圧力制御システム958は真空ポンプ952及びゲートバルブ954を有して良い。あるいはその代わりに、排出ポート図示されていないは、処理チャンバ910の上部又は側部に結合して良い。基板ホルダ920は、駆動機構924によって、上昇、下降、及び又は回転されて良い。基板は、約1rpm~約300rpmの速度で基板表面の面内を回転して良い。基板の位置は約20mm変化して良い。処理チャンバ910は、基板901の上方に処理空間905を有する。処理チャンバ910は、基板901の金属汚染を抑制するのに用いることのできるセラミック材料を用いて作製されたチャンバライナ912を有して良い。それに加えて、1つ以上の内側表面は、汚染を抑制して洗浄を促進するセラミック材料によってコーティングされて良い。あるいはその代わりに、チャンバライナ912は必要とされない。サブシステム900は、処理チャンバ910と結合した気体供給システム940を有して良い。気体供給システム940は、1つ以上の気体供給ライン942と結合して良い。1つ以上の気体供給ライン942は、1つ以上の気体供給ノズル集合体945と結合して良い。たとえば供給処理909が実行されるとき、気体供給ノズル集合体945は、1種類以上の気体を処理空間905へ供して良い。あるいはその代わりに、処理気体は、基板901の表面全体にわたって供されても良い。サブシステム900は、処理チャンバ910と結合する液体流体供給システム960を有して良い。液体流体供給システム960は、1つ以上の液体供給ライン962と結合して良い。1つ以上の液体供給ライン962は、1つ以上の液体供給ノズル集合体965と結合して良い。たとえば、供給処理909が実行されるときに、液体供給ノズル集合体965は、1つ以上の各異なる液体及び又は流体を処理空間905に供して良い。あるいはその代わりに、1種類以上の液体及び又は流体が、基板901の表面全体にわたって供されても良い。一部の実施例では、処理チャンバ910は、1つ以上のノズル集合体965と結合する1つ以上の供給ライン962を有して良い。1つ以上のノズル集合体965は、基板901の上方に設けられ、かつ、処理流体及び又は処理気体を、基板901の1つ以上の表面に供するように構成されて良い。他の実施例では、処理流体及び又は処理気体は、基板901の中心位置に供され、基板901の1つ以上の表面にわたって流れ、かつ、排出ポート956と圧力制御システム950によって、処理チャンバ910から除去されて良い。あるいはその代わりに、処理流体及び又は処理気体は、基板901の上方の1つ以上の位置から供されても良い。一部の実施例では、サブシステム900は、処理チャンバ910と結合する測定サブシステム970を有して良い。処理チャンバ910は1つ以上のセンサポート972を有して良い。1つ以上のセンサポート972は、基板901の上方の1つ以上の位置に設けられて良く、かつ、基板901の上方の処理空間905からの処理データを供するように構成されて良い。あるいはその代わりに、測定サブシステム970は必要とされない。サブシステム900は、処理チャンバ910と結合する露光源システム950を有して良い。処理チャンバ910は、露光源システム950と結合する1つ以上の放射線源955を有して良い。ビームシステム955は、基板901の上方及び又は周辺に設けられ、かつ、均一な放射線パターン図示されていないを、基板901の1つ以上の表面に供するように構成されて良い。あるいはその代わりに、階段状ビーム又は走査ビームが、基板端部での均一性の改善又は端部での気泡の生成を排除するのに用いられて良い。たとえばビームシステム955は、適切な波長となるように構成された増幅器、コンバイナ、レンズ、光ファイバ、導波路等を有して良い。様々な例では、露光源システム950は、たとえば水銀ランプのような254nm源、たとえばKrFエキシマレーザーのような248nm源、たとえばKrClエキシマレーザーのような222nm源、ArFエキシマレーザーのような193nm源、Xe2エキシマランプのような172nm源、Kr2エキシマランプのような146nm源、Ar2エキシマランプのような126nm源、重水素ランプ、UV源、UUV源、X線源、EUV源、若しくは電子ビーム、又はこれらの結合を有して良い。サブシステム900は、マイクロプロセッサ、メモリ、及び、デジタルIOポートを有する制御装置990をさらに有して良い。デジタルIOポートは、サブシステム900からの出力を監視するのみならず、サブシステム900への入力を発生させて、やり取りを行うのに十分な制御電圧を発生させることが可能である。しかも処理チャンバ910、ポンプ952、基板ホルダ920、気体供給システム940、露光源システム950、ビームシステム955、流体供給システム960、及び測定システム970がサブシステム900の一部であるとき、制御装置990は、上記機器と結合して、情報をやり取りして良い。制御装置990は、インターネットに基づくワークステーションとして実装されて良い。それに加えて、処理チャンバ910、ポンプ952、基板ホルダ920、気体供給システム940、露光源システム950、ビームシステム955、流体供給システム960、及びリモートプラズマシステム970は、マイクロプロセッサ及び又はデジタル信号処理装置図示されていないを有して良い。図10は、本発明の実施例による典型的な感度データを示している。図10は、自己整合した特徴部位のライン2に係る限界寸法データについての典型的な感度データのグラフ1000を図示している。図示された実施例では、第1のy軸変数ベーキング時間、第2のy軸変数酸濃度、及びx軸変数ライン2のCDを有するグラフ1000が図示されている。それに加えて、第1式についての第1組の値1010が図示され、かつ、第2式についての第2組の値1020が図示されている。処理シーケンスが実行されるとき、酸の濃度及びベーキング時間を考慮しなければならない。たとえば、ベーキング時間に対してラインの感受性がプロットされている第1ライン感受性が図示され、かつ、酸の濃度公称活性化種の濃度からの変化に対してラインの感受性がプロットされている第2ライン感受性が図示されている。一部の実施例では、最終DPSパターンCD幅は、たとえば図4Aに示した工程420のように、活性化種の濃度を変化及び又は制御することによって決定されて良い。他の実施例では、最終DPSパターンCD幅は、ベーキング時間及び又はベーキング温度を変化及び又は制御することによって決定されて良い。たとえば、活性化種が被保護パターンから様々な距離のマイグレーションを起こすことを可能にすることによって、最終DPSパターン間のより大きな又はより小さな領域を脱保護することによって、最終CDは変化して良い。これは図13Bに図示された考え方と同一だが、この場合、本願発明者等は、塩基抑制剤のベースライン濃度を減少させることで、活性化種のさらなるマイグレーションを可能にすることを発見した。一部の例では、第2DPS特徴部位は、露光後ベーキング時間を変化させることによって、約26nm~約15nmの最終CDを有することができる。他の例では、第2DPS特徴部位は、処理中の活性化種の濃度を変化させることによって、約26nm~約15nmの最終CDを有することができる。図11は、本発明の実施例による、現像後の典型的な側壁角データを図示している。図示された実施例では、複数の第1参照用特徴部位1110、複数の第1空間領域1115、複数の自己整合した第2特徴部位1120、及び複数の第2空間領域1125が図示されている。この例では、シミュレーション及び又は実行された二重パターニングによるシャドー手順は正しくなく、かつ各第1参照用特徴部位1110は正しくない形状を有し、各第1空間領域1115は正しくない形状を有し、各自己整合した第2特徴部位1120は正しくない形状を有し、かつ、各第2空間領域1125は正しくない形状を有する。図12A図12Eは、本発明の実施例による典型的な二重パターニングによるシャドーデータを示している。図12Aは、第1の正しい熱ベーキング処理及び少なくとも1つの現像処理がシミュレーション及び又は実行された後の、第1組の典型的な限界寸法データを図示している。たとえば第1の正しい熱ベーキング処理は、110°Cで45秒間行われて良い。図示された実施例では、複数の第1参照用特徴部位1210a、複数の第1空間領域1215a、複数の自己整合した第2特徴部位1220a、及び複数の第2空間領域1225aが図示されている。この例では、二重パターニングによるシャドー手順が正しくシミュレーション及び又は実行され、各第1参照用特徴部位1210aは、正しい第1特徴部位CD1211a、正しい第1特徴部位形状、及び正しい第1特徴部位SWAを有し、各第1空間領域1215aは、正しい第1空間CD1216a、正しい第1空間形状、及び正しい第1空間SWAを有し、各自己整合した第2特徴部位1220aは、正しい第2特徴部位CD1221a、正しい第2特徴部位形状、及び正しい第2特徴部位SWAを有し、かつ、各第2空間領域1225aは、正しい第2空間CD1226a、正しい第2空間形状、及び正しい第2空間SWAを有する。20nm手順が正しく実行されるとき、第1特徴部位CD1211aは約195nm~約205nmの間で変化して良く、第1空間CD1216aは約195nm~約205nmの間で変化して良く、第2特徴部位CD1221aは約195nm~約205nmの間で変化して良く、かつ、第2空間CD1226aは約195nm~約205nmの間で変化して良い。図12Bは、第1の不正な熱ベーキング処理及び少なくとも1つの現像処理がシミュレーション及び又は実行された後の、第2組の典型的な限界寸法データを図示している。たとえば第1の不正な熱ベーキング処理は、110°Cで35秒間行われて良い。図示された実施例では、複数の第1参照用特徴部位1210b、複数の第1空間領域1215b、複数の自己整合した第2特徴部位1220b、及び複数の第2空間領域1225bが図示されている。この例では、二重パターニングによるシャドー手順が不正にシミュレーション及び又は実行され不正なベーキング時間、各第1参照用特徴部位1210bは、正しい第1特徴部位CD1211b、正しい第1特徴部位形状、及び正しい第1特徴部位SWAを有し、各第1空間領域1215bは、不正な第1空間CD1216b、不正な第1空間形状、及び不正な第1空間SWAを有し、各自己整合した第2特徴部位1220bは、不正な第2特徴部位CD1221b、不正な第2特徴部位形状、及び不正な第2特徴部位SWAを有し、かつ各第2空間領域1225aは、不正な第2空間CD1226b、不正な第2空間形状、及び不正な第2空間SWAを有する。20nm手順が必要なベーキング時間よりも短い時間35秒を用いて不正に実行されるとき、第1特徴部位CD1211bは約195nm~約205nmの間で変化して良く、第1空間CD1216bは、所望の値である約200nmよりも小さくなる恐れがあり、第2特徴部位CD1221bは所望の値である約200nmよりも大きくなる恐れがあり、かつ、第2空間CD1226aは所望の値である約200nmよりも大きくなる恐れがある。図12Cは、第2の不正な熱ベーキング処理及び少なくとも1つの現像処理がシミュレーション及び又は実行された後の、第3組の典型的な限界寸法データを図示している。たとえば第2の不正な熱ベーキング処理は、110°Cで55秒間行われて良い。図示された実施例では、複数の第1参照用特徴部位1210c、複数の第1空間領域1215c、複数の自己整合した第2特徴部位1220c、及び複数の第2空間領域1225cが図示されている。この例では、二重パターニングによるシャドー手順が不正にシミュレーション及び又は実行され、各第1参照用特徴部位1210cは、正しい第1特徴部位CD1211a、正しい第1特徴部位形状、及び正しい第1特徴部位SWAを有し、各第1空間領域1215cは、不正な第1空間CD1216c、不正な第1空間形状、及び不正な第1空間SWAを有し、各自己整合した第2特徴部位1220cは、不正な第2特徴部位CD1221a、不正な第2特徴部位形状、及び不正な第2特徴部位SWAを有し、かつ、各第2空間領域1225cは、不正な第2空間CD1226a、不正な第2空間形状、及び不正な第2空間SWAを有する。20nm手順が、必要なベーキング時間よりも長い時間55秒を用いて不正に実行されるとき、第1特徴部位CD1211cは約195nm~約205nmの間で変化して良く、第2特徴部位CD1221cは、所望の値である約200nmよりも小さくなる恐れがあり、第1空間CD1216cは、所望の値である約200nmよりも大きくなる恐れがあり、かつ、第2空間CD1226cは、所望の値である約200nmよりも大きくなる恐れがある。図12Dは、第3の不正な熱ベーキング処理及び少なくとも1つの現像処理がシミュレーション及び又は実行された後の、第4組の典型的な限界寸法データを図示している。たとえば第3の不正な熱ベーキング処理は、10少ない酸の濃度により、110°Cで45秒間行われて良い。図示された実施例では、複数の第1参照用特徴部位1210d、複数の第1空間領域1215d、複数の自己整合した第2特徴部位1220d、及び複数の第2空間領域1225dが図示されている。この例では、二重パターニングによるシャドー手順が不正にシミュレーション及び又は実行され不正な酸の濃度、各第1参照用特徴部位1210dは、正しい第1特徴部位CD1211d、正しい第1特徴部位形状、及び正しい第1特徴部位SWAを有し、各第1空間領域1215dは、不正な第1空間CD1216d、不正な第1空間形状、及び不正な第1空間SWAを有し、各自己整合した第2特徴部位1220dは、不正な第2特徴部位CD1221d、不正な第2特徴部位形状、及び不正な第2特徴部位SWAを有し、かつ、各第2空間領域1225dは、不正な第2空間CD1226a、不正な第2空間形状、及び不正な第2空間SWAを有する。20nm手順が、少ない酸の濃度10及びこれまでに決められたベーキング時間45秒を用いて不正に実行されるとき、第1特徴部位CD1211dは約195nm~約205nmの間で変化して良く、第2特徴部位CD1221dは、所望の値である約200nmよりも小さくなる恐れがあり、第1空間CD1216dは、所望の値である約200nmよりも小さくなる恐れがあり、かつ、第2空間CD1226cは、所望の値である約200nmよりも小さくなる恐れがある。図12Eは、第4の不正な熱ベーキング処理及び少なくとも1つの現像処理がシミュレーション及び又は実行された後の、第5組の典型的な限界寸法データを図示している。たとえば第4の不正な熱ベーキング処理は、10多い酸の濃度により、110°Cで45秒間行われて良い。図示された実施例では、複数の第1参照用特徴部位1210e、複数の第1空間領域1215e、複数の自己整合した第2特徴部位1220e、及び複数の第2空間領域1225eが図示されている。この例では、二重パターニングによるシャドー手順が不正にシミュレーション及び又は実行され不正な酸の濃度、各第1参照用特徴部位1210eは、正しい第1特徴部位CD1211e、正しい第1特徴部位形状、及び正しい第1特徴部位SWAを有し、各第1空間領域1215eは、不正な第1空間CD1216e、不正な第1空間形状、及び不正な第1空間SWAを有し、各自己整合した第2特徴部位1220eは、不正な第2特徴部位CD1221e、不正な第2特徴部位形状、及び不正な第2特徴部位SWAを有し、かつ、各第2空間領域1225eは、不正な第2空間CD1226e、不正な第2空間形状、及び不正な第2空間SWAを有する。20nm手順が、多い酸の濃度10及びこれまでに決められたベーキング時間45秒を用いて不正に実行されるとき、第1特徴部位CD1211eは約195nm~約205nmの間で変化して良く、第2特徴部位CD1221eは、所望の値である約200nmよりも小さくなる恐れがあり、第1空間CD1216eは、所望の値である約200nmよりも大きくなる恐れがあり、かつ、第2空間CD1226eは、所望の値である約200nmよりも大きくなる恐れがある。図13A図13Bは、本発明の実施例による典型的な三重パターニングによるシャドーデータを図示している。図13Aは、2組の典型的な三重パターニングによるシャドー手順がシミュレーション及び又は実行された後における、第1組の典型的な限界寸法データを図示している。図示された実施例では、複数の第1参照用特徴部位1310、複数の第1自己整合した特徴部位1320、複数の第2自己整合した特徴部位1330、及び複数の空間領域1335が図示されている。一部の実施例では、第1組の手順は、第1参照用特徴部位1310を用いて実行されることで、複数の第1自己整合した特徴部位1320が生成されて良い。第1自己整合した特徴部位1320が生成された後、第2組の手順が、第1参照用特徴部位1310及び新たに生成された第1自己整合した特徴部位1320を用いて実行されることで、複数の第2自己整合した特徴部位1330が生成されて良い。一例では、1つ以上の第1二重パターニングによるシャドー手順が、第1参照用特徴部位1310を用いて実行されて良い。第1DPS手順はこれまで、160nmピッチ周期で設定された。第1DPS手順中、第1自己整合特徴部位1320は80nmピッチ周期で作製されて良い。次に、1つ以上の第2二重パターニングによるシャドー手順が、第1参照用特徴部位1310及び第1自己整合した特徴部位1320を用いて実行されて良い。第2DPS手順中、第2自己整合した特徴部位1330が40nmピッチ周期で作製されて良い。三重パターニングシーケンスが正しく実行されるとき、第1参照用特徴部位は、約195nm~約205nmの間で変化しうるCD1311を有して良く、第1自己整合した特徴部位1320は、約195nm~約205nmの間で変化しうるCD1321を有して良く、第2自己整合した特徴部位1330は、約195nm~約205nmの間で変化しうるCD1331を有して良く、かつ、空間領域1335は、約195nm~約205nmの間で変化しうるCD1336を有して良い。図13Bは、2組の三重パターニングによるシャドー手順がシミュレーション及び又は実行された第2組の典型的な限界寸法データを図示している。図示された実施例では、y軸の変数PAG多重度及びx軸の変数ライン2のCDを有するグラフ1340が図示されている。それに加えて、100塩基の例についての第1組の値1350が図示され、かつ、10塩基の例についての第2組の値1360が図示されている。三重パターニングシーケンスが実行されるとき、長い拡散長にわたって増大した酸の消費を補償するため、第1自己整合した特徴部位1320での塩基の投入量が考慮されなければならない。一部の実施例では、データは層の作製情報を有して良く、かつ、前記層の作製情報は各異なる層で異なって良い。新たな層データは、手順中に得られて良く、かつ、プロセスレシピの更新及び又は最適化に用いられて良く、プロセスモデルの更新及び又は最適化に用いられて良く、かつ、プロファイルデータの新及び又は最適化に用いられて良い。それに加えて、手順は、他のサブシステム及び又は向上システム内の制御装置へ新たな層データを送信して良い。たとえば新たなデータは、新たな基板厚さデータ及び又は均一性データを有して良い。手順は、基板データを構成及び索引付けする手段として条件に関するデータを利用して良い。条件に関するデータとはたとえば、サイトID、チップID、ダイID、製品ID、サブシステムID、時間、基板ID、スロットID、レシピ、及び又はパターニング構造IDである。それに加えて、モデル化手順は、基板モデル、精度モデル、レシピモデル、光学特性モデル、構造モデル、FDCモデル、予測モデル、信頼性モデル、測定モデル、エッチングモデル、堆積モデル、第1基板効果モデル、チャンバモデル、装置モデル、ドリフトモデル、遅延時間モデル、電気特性モデル、若しくは装置モデル、又はこれらの結合を、生成、精緻化、及び又は利用して良い。それに加えて、判定及び又は介入規則が手順に関連づけられるとき、その判定及び又は介入規則は実行されて良い。判定及び又は介入規則の評価手順及び又は制限は、手順の履歴、ユーザーの経験、若しくはプロセスの知識に基づいて実行され、又はホストコンピュータから得られて良い。規則は、注意条件、エラー条件、故障条件、及び又は警告条件にどのように応じるのかを決定するFDC手順に用いられて良い。FDC手順は、故障を優先化及び又は分類し、システム性能を予測し、予防的保守スケジュールを予測し、保守不稼働時間を減少させ、かつ、システム内の消耗部材の寿命を延ばすことができる。サブシステムは、注意故障の性質に依存して、その注意故障に応じて様々な行為を採って良い。注意故障で採られる行為は条件に依存しうる。その条件は、規則、システムプロセスレシピ、チャンバの型、識別番号、搬入ポート番号、カセット番号、ロット番号、制御ジョブID、プロセスジョブID、スロット番号、及び又はデータ型によって特定されて良い。1つ以上のシミュレーションアプリケーションが、入力状態、プロセス特性、及びプロセスモデルに基づいた基板の予測データの計算に用いられて良い。計測モデルは、65nm未満の設計ノードに係る小さな構造及び若しくは特徴部位の予測並びに又は計算に用いられて良い。たとえば予測モデルは、プロセス化学モデル、チャンバモデル、EMモデル、SPCチャート、PLSモデル、PCAモデル、FDCモデル、及び多変量解析モデルを有して良い。処理及び又は結果についての精度値が決定されて良い。その精度値は精度限界と比較されて良い。その精度値がその精度限界を満たさない場合には、精緻化手順が実行されて良い。あるいはその代わりに、他の手順が実行されて良く、他のサイトが用いられて良く、あるいは他の基板が用いられても良い。精緻化手順が用いられるとき、その精緻化手順は、双一次精緻化、ラグランジュ精緻化、3次スプライン精緻化、エイトキン精緻化、重み付け平均精緻化、多項式精緻化、バイキュービック精緻化、チュラン精緻化、ウエーブレット精緻化、ベッセル精緻化、エベレット精緻化、有限差分精緻化、ガウス精緻化、エルミート精緻化、ニュートン差分精緻化、接触精緻化、若しくはシールの精緻化アルゴリズム、又はこれらの結合を利用して良い。