基板上に、前記基板上の下側誘電体層、前記下側誘電体層上の金属層、前記金属層上の上側誘電体層、前記上側誘電体層上の平坦化層、前記平坦化層上のフォトレジスト材料の層を有する構造を形成することと、マスクパターンに従って前記フォトレジスト材料を現像することと、前記マスクパターンに従って前記平坦化層および前記上側誘電体層をエッチングすることと、前記平坦化層および前記上側誘電体層のエッチングの後に前記フォトレジスト材料および前記平坦化層を除去することと、前記上側誘電体層のエッチングに続いて前記金属層の各露出した部分に選択的金属成長を適用して前記選択的金属成長からなる反転されたマスクパターンを得ることと、前記反転されたマスクパターンに従って少なくとも前記金属層および前記下側誘電体層をエッチングすることと、を具備する装置を製造する方法。前記金属層および前記下側誘電体層をエッチングする前に前記上側誘電体層を除去することをさらに具備する、請求項1の方法。前記適用することが、無電解めっき、エピタキシャル成長、CVD、PVD、またはALDの少なくとも1つによって前記選択的金属成長を適用することを具備する、請求項1の方法。前記上側誘電体層が、約10nmおよび約100nmの間の厚さを有し、前記金属層が、約5nmおよび約20nmの間の厚さを有する、請求項1の方法。前記適用することが、Co、Ni、Cu、Fe、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Sn、Pb、Pt、およびAuからなる群から選択された少なくとも1つの元素からなる選択的金属成長を適用することを具備する、請求項1の方法。前記適用することが、少なくとも1つの主要金属および少なくとも1つの共に堆積される金属を具備する選択的金属成長を適用すること具備する、請求項1の方法。少なくとも1つの主要金属が、Co、Ni、Cu、Fe、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、lr、Sn、Pb、Pt、およびAuからなる群から選択された少なくとも1つの元素からなり、前記少なくとも1つの共に堆積される金属が、V、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Rc、In、Ti、Zn、Si、Ge、およびBからなる群から選択された少なくとも1つの元素からなる、請求項6の方法。前記金属層および前記下側誘電体層のエッチングに続いて前記選択的金属成長および前記金属層を除去することと、前記下側誘電体層の前記下側誘電体層のエッチングの結果除去された部分を金属化することと、前記金属化の完了後に前記下側誘電体層上にキャップ層を形成することと、をさらに具備する、請求項1の方法。基板上に、前記基板上の下側誘電体層、前記下側誘電体層上の金属層、前記金属層上の上側誘電体層、前記上側誘電体層上の平坦化層、前記平坦化層上のフォトレジスト材料の層を有する構造を形成することと、マスクパターンに従って前記フォトレジスト材料を現像することと、前記マスクパターンに従って前記平坦化層および前記上側誘電体層をエッチングすることと、前記平坦化層および前記上側誘電体層のエッチングの後に前記フォトレジスト材料および前記平坦化層を除去することと、前記上側誘電体層のエッチングに続いて前記上側誘電体層上および前記金属層の各露出した部分上に金属または有機膜を堆積することと、前記金属または有機膜の前記上側誘電体層上の部分を除去して前記金属または有機膜からなる反転されたマスクパターンを得ることと、前記反転されたマスクパターンに従って少なくとも前記金属層および前記下側誘電体層をエッチングすることと、を具備する装置を製造する方法。前記金属層および前記下側誘電体層をエッチングする前に前記上側誘電体層を除去することをさらに具備する、請求項9の方法。前記堆積することが、無電解めっき、エピタキシャル成長、CVD、PVD、またはALDの少なくとも1つによって前記金属または有機膜を堆積することを具備する、請求項9の方法。前記上側誘電体層が、約10nmおよび約100nmの間の厚さを有し、前記金属層が、約5nmおよび約20nmの間の厚さを有する、請求項9の方法。前記金属または有機膜が、W、Cu、Ti、TiN、Ru、Ta、TaN、Co、Ni、およびSiからなる群から選択された材料、W、Cu、Ti、TiN、Ru、Ta、TaN、Co、Ni、およびSiからなる群から選択された材料と結合した炭素、またはW、Cu、Ti、TiN、Ru、Ta、TaN、Co、Ni、およびSiからなる群から選択された材料と結合した合金、の少なくとも1つからなる金属膜である、請求項9の方法。前記金属または有機膜がアモルファス炭素からなる有機膜である、請求項9の方法。前記金属または有機膜が約10nmおよび約300nmの間の厚さを有する、請求項9の方法。前記堆積することが、上側誘電体層のエッチングに続いて、前記上側誘電体層上および前記金属層の露出した部分上に金属または有機膜の初期層を堆積することと、前記金属または有機膜の初期層上に金属または有機膜の主要層を堆積することと、を具備する、請求項9の方法。前記金属または有機膜の初期層が、Ti、TiN、Ta、またはTaNの少なくとも1つからなる、請求項16の方法。前記金属または有機膜の初期層が約1nmおよび約10nmの間の厚さを有する、請求項16の方法。前記金属層および前記下側誘電体層のエッチングに続いて前記金属または有機膜および前記金属層を除去することと、前記下側誘電体層の前記下側誘電体層のエッチングの結果除去された部分を金属化することと、前記金属化の完了後に前記下側誘電体層上にキャップ層を形成することと、をさらに具備する、請求項9の方法。基板と、前記基板上に形成された、半導体領域中に形成された下側誘電体層と、前記下側誘電体層上に堆積された金属層と、前記金属層上に形成された上側誘電体層と、前記上側誘電体層上に形成された平坦化層と、前記平坦化層上に堆積されたフォトレジスト材料と、を具備する積層構造と、を具備し、前記フォトレジスト材料はマスクパターンに従って選択的に除去されるように構成され、前記平坦化層および前記上側誘電体層は前記マスクパターンに従ったエッチングに従って構成され、前記金属層の1または複数の領域は選択的金属成長、金属膜、および有機膜からなる群から選択された少なくとも1つの材料を受け取るように構成されてこれによって前記金属層の1または複数の領域で受け取られた材料は少なくとも前記金属層および前記下側誘電体層のエッチングのための反転されたマスクパターンを形成する。を具備する半導体装置。製造欠陥の少ない、様々な大きさの要素を有する半導体装置およびその製造方法を提供しようとするものである。一実施形態による装置の製造方法によれば、基板上に、基板上の下側誘電体層、下側誘電体層上の金属層、金属層上の上側誘電体層、上側誘電体層上の平坦化層、平坦化層上のフォトレジスト材料の層を有する構造が形成される。マスクパターンに従ってフォトレジスト材料が現像される。マスクパターンに従って平坦化層および上側誘電体層がエッチングされる。平坦化層および上側誘電体層のエッチングの後にフォトレジスト材料および平坦化層が除去される。上側誘電体層のエッチングに続いて金属層の各露出した部分に選択的金属成長を適用して選択的金属成長からなる反転されたマスクパターンが得られる。反転されたマスクパターンに従って少なくとも金属層および下側誘電体層がエッチングされる。実施形態は、改善されたトーン反転フォトリソグラフィー技術を通じた半導体装置製造方法を提供する。様々な実施形態において、半導体装置の製造は、従来の非トーン反転リソグラフィーと類似の方法でフォトレジスト材料をマスクとして使用して半導体装置構造の1または複数の層をエッチングすることによって実行されることが可能である。エッチングは、第1誘電体層の下方に形成された金属層の上面でエッチングが停止するまで実行され、その後、無電解メッキ、エピタキシャル成長、CVDchemicalvapordeposition、PVDphysicalvapordeposition、ALDatomiclayerdeposition、および/またはその他の方法によって、選択的な金属成長または金属/有機膜が堆積される。堆積された材料の余剰分がある場合、これがCMPchemicalmechanicalplanarizationまたはエッチバックによって除去されることが可能である。次に、堆積された材料は、元々のフォトレジストパターンの反転したパターンと実質的に同一のハードマスクとして利用されることが可能であり、これによって、所望のトーン反転パターンによって金属層の下方に形成された第2誘電体層のエッチングを可能にする。また、本明細書中の様々な実施形態による装置製造のために使用されることが可能な構造を示す半導体装置製品が提供される。一実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板を生成する行為と、基板上に、基板上の下側誘電体層、下側誘電体層上の金属層、金属層上の上側誘電体層、上側誘電体層上の平坦化層、平坦化層上のフォトレジスト材料の層を有する半導体構造を形成する行為と、マスクパターンに従ってフォトレジスト材料を現像する行為と、マスクパターンに従って平坦化層および上側誘電体層をエッチングする行為と、平坦化層および上側誘電体層のエッチングの後にフォトレジスト材料および平坦化層を除去する行為と、上側誘電体層のエッチングに続いて金属層の各露出した部分に選択的金属成長を適用して選択的金属成長からなる反転されたマスクパターンを得る行為と、反転されたマスクパターンに従って少なくとも金属層および下側誘電体層をエッチングする行為と、を含む。一例では、上側誘電体層は、金属層および下側誘電体層をエッチングする前に除去されることが可能である。別の例では、選択的金属成長は、例えば無電解めっき、エピタキシャル成長、CVD、PVD、またはALDによって適用されることが可能である。上側誘電体層は、例えば約10nmおよび約100nmの間の厚さを有することが可能である。これに加えてまたは代替的に、金属層は、例えば約5nmおよび約20nmの間の厚さを有することが可能である。選択的金属成長は、Co、Ni、Cu、Fe、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Sn、Pb、Pt、および/またはAuを含むことが可能であるただし、これらに限定されない少なくとも1つの元素からなることが可能である。さらに、選択的金属成長は、V、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Rc、In、Ti、Zn、Si、Ge、および/またはBを含むことが可能であるただし、これらに限定されない少なくとも1つの元素からなることが可能な共に堆積される金属を含むことが可能である。さらなる例では、金属層および下側誘電体層のエッチングに続いて選択的金属成長および金属層を除去すること、エッチング後に下側誘電体層の除去された部分を金属化すること、金属化後に下側誘電体層上にキャップ層を形成することのようなさらなる処理が実行されることが可能である。一実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、半導体基板を生成する行為と、基板上に、基板上の下側誘電体層、下側誘電体層上の金属層、金属層上の上側誘電体層、上側誘電体層上の平坦化層、平坦化層上のフォトレジスト材料の層を有する構造を形成する行為と、マスクパターンに従ってフォトレジスト材料を現像する行為と、マスクパターンに従って平坦化層および上側誘電体層をエッチングする行為と、平坦化層および上側誘電体層のエッチングの後にフォトレジスト材料および平坦化層を除去する行為と、上側誘電体層のエッチングに続いて上側誘電体層上および金属層の各露出した部分上に金属または有機膜を堆積する行為と、金属または有機膜からなる反転されたマスクパターンを得るために金属または有機膜の上側誘電体層上の部分を除去する行為と、反転されたマスクパターンに従って少なくとも金属層および下側誘電体層をエッチングする行為と、を含む。一例では、上側誘電体層は、金属層および下側誘電体層をエッチングする前に除去されることが可能である。別の例では、金属または有機膜は、例えば無電解めっき、エピタキシャル成長、CVD、PVD、またはALDによって適用されることが可能である。上側誘電体層は、例えば約10nmおよび約100nmの間の厚さを有することが可能である。これに加えてまたは代替的に、金属層は例えば約5nmおよび約20nmの間の厚さを有することが可能である。一例では、金属または有機膜は、W、Cu、Ti、TiN、Ru、Ta、TaN、Co、Ni、および/またはSiを含む材料、これらの材料の1つまたは複数と結合した炭素、またはこれらの材料の1つまたは複数の合金からなる金属膜であることが可能である。別の例では、金属または有機膜はアモルファス炭素からなる有機膜であることが可能である。いくつかの例では、金属または有機膜は、例えば約10nmおよび約300nmの間の厚さを有することが可能である。別の例では、金属または有機膜を堆積することは、上側誘電体層のエッチングに続いて上側誘電体層上および金属層の露出した部分上に金属または有機膜の初期層を堆積することと、金属または有機膜の初期層上に金属または有機膜の主要層を堆積することとによって達成されることが可能である。そのような例では、初期膜は、例えばTi、TiN、Ta、またはTaNの少なくとも1つからなることが可能であり、例えば約1nmおよび約10nmの間の厚さを有することが可能である。さらなる例では、金属層および下側誘電体層のエッチングに続いて金属または有機膜および金属層を除去すること、エッチング後に下側誘電体層の除去された部分を金属化すること、金属化後に下側誘電体層上にキャップ層を形成することのようなさらなる処理が実行されることが可能である。一実施形態によれば、半導体装置は、基板と、基板上に形成された半導体領域とを含む。半導体領域は、半導体領域中に形成された下側誘電体層と、下側誘電体層上に堆積された金属層と、金属層上に形成された上側誘電体層と、上側誘電体層上に形成された平坦化層と、平坦化層上に堆積されたフォトレジスト材料とからなることが可能である。フォトレジスト材料はマスクパターンに従って選択的に除去されるように構成されることが可能である。また、平坦化層および上側誘電体層はマスクパターンに従ったエッチングに従って構成されることが可能である。さらに、金属層の1または複数の領域は、選択的金属成長、金属膜、および/または有機膜を、これらの材料が少なくとも金属層および下側誘電体層のエッチングのための反転されたマスクパターンを形成するように、受け取るように構成されることが可能である。以下の記述および添付図面は、明細書の例示的な側面を示す。しかしながら、これらの側面は、明細書の原理が使用され得る様々な方法のほんのいくつかを示すに過ぎない。明細書の他の利点および新規な特徴は、図面と共に熟考されれば、開示された情報の以下の詳細な説明から明らかになるだろう。次に、請求項の主題が図面を参照して記述される。全図面にわたって同様の参照符号は同様の要素を参照するために使用される。以下の説明では、説明の目的で、多くの詳細事項が、請求項の主題についての十分な理解をもたらすために示される。しかしながら、請求項の主題がこれらの詳細事項無しで実行され得ることは明らかである。その他の場合においては、周知の構造および装置は請求項の主題を記述することを円滑にするためにブロック図の形態で示される場合がある。また、説明の簡略化のため、本明細書において提供される図によって図示される特徴が各図中でおよび/または図相互間でスケール通りに図示されておらず、また明言しない限り本明細書において提供される図が図示の各要素の拡大縮小関係を示唆することを意図されていないことが認識されるべきである。まず図1を参照すると、半導体装置の製造のために使用されることが可能なトーン反転パターニング工程が図示されている。一例では、トーン反転パターニングまたはトーン反転リソグラフィーは、トランジスタ、配線構造等の半導体装置を半導体基板等の上に形成するために使用されることが可能なフォトリソグラフィー工程である。例えば、図1によって図示されるパターニング工程が使用されて、半導体ウェハを1または複数のトランジスタ、1または複数のトランジスタおよび/またはその他の要素を含んだ集積回路等へと処理することが可能である。図1によって図示される行為に先立って、半導体ウェハは、ウェット洗浄および/またはウェハ表面から汚染物質を取り除くための他の適切な技術を利用してウェハを洗浄することによって、フォトリソグラフィーに向けて準備されることが可能である。これに加えてまたは代替的に、さらなる処理に先立ってウェハが加熱および/または薬液処理を経てウェハ表面に存在する水分を除去することが可能である。この段階では、半導体ウェハは、有機平坦化層140の下方の誘電体150を含んでいる。あるいは、そのような層の一方または両方がさらなる処理に先立って半導体ウェハに付されてもよい。半導体ウェハをフォトリソグラフィーに向けて準備するのに際して、フォトレジストまたはレジストの130の層が、スピン塗布および/またはその他の適切な技術によってウェハの表面に形成される。レジスト130を形成しかつあらゆる余分なレジスト130をウェハから除去するのに際して、レジスト130が紫外線および/または十分に高い強度の他の光のパターンに晒され、これによって、化学的現像工程によってレジスト130の光のパターンに基づいた部分を除去されることを可能にする。実施形態によれば、現像によって除去されるレジスト130はレジスト130の特性によって多様であり得る。例えば、レジスト130がポジティブ型フォトレジストである場合、レジスト130は現像の際に付される薬液に対して可溶性になり、これによって、光のパターンに晒されることで現像中に除去される。あるいは、レジスト130がネガティブ型フォトレジストである場合、レジスト130は元々は現像の際に付される薬液中に対して可溶性であるが、光のパターンに晒されることでそのような薬液に対して不溶性になる。フォトレジストの露光および現像に続いて、図1中の図102によって示されるように、レジストパターンは半導体ウェハ上に残ることが可能である。次に、図102にさらに示されるように、シリコンテトラハイドライドSiTHシランまたはIRMindustryreferencematerial120のさらなる塗膜が、パターニングされたレジスト130上に形成されることが可能である。次に、SiTH/IRM材料120は、SiTH/IRM材料120がレジスト130と同じ高さになるように、図104によって示されるようにエッチバック、CMP、および/またはその他の手段によって後退させられることが可能である。次に、図106によって示されるように、レジスト130が除去されて、SiTH/IRM材料120を有機平坦化層140の上方に実質的にレジスト130用に使用されたパターンの反転したパターンで残すことが可能である。SiTH/IRM材料120のパターンに基づいて、エッチングが有機平坦化層140および誘電体150に対して行われてこれらの層のSiTH/IRM材料120によって保護されていない領域を除去することが可能である。最後に、図110によって示されるように、SiTH/IRM材料120および有機平坦化層130が除去されて、SiTH/IRM材料120およびレジスト130によって形成された反転パターンにエッチングされた誘電体150を残すことが可能である。実施形態によれば、図1によって図示されるトーン反転パターニング方式が使用されて、半導体ウェハおよび/またはその他の半導体装置上にトレンチおよび/またはその他の十分に小さな要素を形成することが可能である。しかしながら、現実世界での半導体製造工程については、トーン反転リソグラフィーが多くの欠点を有することが観測されてきた。1つ目の例として、半導体装置が十分に広いピッチを有する要素だけでなく十分に狭いピッチを有する要素も有することが望まれる場合、従来のトーン反転リソグラフィーは十分に広いピッチを有する要素中で欠陥を引き起こす場合がある。このことは、図2中の図202-204によって図示される。図2中の図202が図示するように、トーン反転のようなイメージ転写技術は、下層の誘電体150を後にエッチングするために利用されることが可能なSiTH/IRM材料120および/またはその他のハードマスク材料を形成することを含んでいる。ハードマスク材料の形成に続いて、さらに、余分なハードマスク材料が図1中の図104によって図示されたのと同様の方法で除去される。図202において示されるように、余分なハードマスク材料を除去するために利用されることが可能な一技術はエッチバックである。図2がさらに図示するように、エッチバックに続いてSiTH/IRM材料120および/またはその他のハードマスク材料が存在することが、図204によって示される。しかしながら、図204が図示するように、余分なハードマスク材料を除去するためにエッチバックを使用することは、広ピッチ要素に対応する領域で完全にハードマスクを除去する結果となり得、それによって、レジスト除去後のエッチングが不正確なものになる結果となる。具体的には、図204は、狭ピッチ要素例えば比較的小さなレジスト/スペースCDcriticaldimensionを有する要素については、領域210によって示されるようにエッチバックを使用して十分な精度を有するマスキング領域を得ることが可能であることを示す。しかしながら、領域220および230に対応するマスキング領域のようなより大きなCDを有する要素については、エッチバック工程は、適切なエッチングを保証するのに十分なハードマスク材料を残すことができない場合がある。例えば領域220は、ハードマスク材料の比較的大きな部分が除去されており、不十分なエッチング結果しかもたらさず、他方、領域230は、ほぼ全てのハードマスク材料が少なくとも所望のマスキング領域の一部から除去されており、望ましくないエッチングおよび/またはその他の欠陥という結果になり得る。従来のトーン反転リソグラフィー技術の2つ目の例示的な欠点として、トーン反転のために使用される有機平坦化層が、CMPが使用されて余分なハードマスク材料を除去する場合に非常に高い脆弱性を示して破損する場合がある。したがって、例えば、図3によって図示されるように、図302に示されるような余分なSiTH/IRM材料120がCMPによって除去される場合、CMP工程で使用されたダウンフォースに対する有機平坦化層140の脆弱性が、図304によって図示されるように各層同士の間での膜剥がれ310、クラック320、および/またはその他の同様の損傷を引き起こす場合がある。従来のトーン反転技術の3つ目の欠点として、レジスト形状の不規則性、例えば2重露光工程での不規則性に起因するレベル間のオーバーレイ、および/またはその他の要因が、レジスト130の除去後のSiTH/IRM材料120および/またはその他のハードマスク材料の形状に悪影響を与え得る。例として、図4は、パターニング中に起こり得る様々なフォトレジストの不規則性およびその結果としてのマスク欠陥を図示する。具体的には、図4中の図402は2重露光後の起こり得るレジスト構成の組を示し、図404はエッチバックまたはCMP等およびレジスト除去後の、結果得られるSiTH/IRMマスキングを図示する。図4中の構成412-414によって図示されるように、不規則性のない直線状のレジスト構成は本質的に無欠陥の直線状のマスクという結果になるだろう。しかしながら、図4中の残りの構成によって示されるように、フォトレジスト中の不規則性が、ハードマスク材料で不規則性または欠陥が生じる結果となる場合がある。例えば、構成422によって図示されるテーパー状のフォトレジストは、構成424によって示されるように、反転の前および/または後でSiTH/IRM材料がCDバイアスを有するという結果になり得る。2つ目の例では、構成432によって示されるような上面は直線だが下端では台座を有するフォトレジストは、SiTH/IRMマスクが転倒、揺れ、ラインエッジラフネスLER、および/またはその他の欠陥を示すという結果になり得る。同様に、3つ目の例では、構成442によって示されるような台座およびオーバーレイを有するフォトレジストは、構成444によって示されるように、かなりの程度の転倒、揺れ、およびLER等という結果になり得る。実施形態によれば、上記の従来のトーン反転リソグラフィー技術の欠点を少なくとも緩和するために、強化されたトーン反転パターニングのための技術が本明細書において記述される。一例では、本明細書において提供されるような改善されたトーン反転パターニング方式は、金属層によって離された2層の誘電体層の積層構造に付されるフォトレジスト層および有機平坦化層を使用することが可能である。この構造を使用すると、エッチングが、従来の例えば非トーン反転フォトリソグラフィーと同様にレジストをマスクとして使用して実行されることが可能である。エッチングは第1誘電体層の下方の金属層の上面に到達すると停止するように構成されることが可能である。この時点で、金属、金属膜、および/または有機膜が、エッチングされた堆積構造上に堆積されることが可能である。CMP、エッチバック、またはその他の工程が使用されて、堆積された材料の全ての余剰分を除去することができる。その時点で、残っている材料がハードマスクとして使用されてトーン反転パターンを第2誘電体層へとエッチングすることが可能である。様々な実施形態によれば、上記のものに従ったトーン反転リソグラフィー工程において実行されることが可能な各行為は、図5~図11によって図示される。まず図5中の図500を参照すると、トーン反転リソグラフィーを通じた半導体装置の製造のために使用される積層構造は、レジスト膜130および有機平坦化層140を含むことが可能である。これらは、金属層520によって離されている第1誘電体510および第2誘電体530上に形成されることが可能である。図500にさらに示されるように、露光および現像工程が使用されて、レジスト膜130中にレジストマスクパターンを形成することが可能である。一例では、有機平坦化層140は、露光中の反射が原因でフォトレジストが余計に現像中に除去されるのを防ぐために反射防止材料を使用して形成されることが可能である。露光および現像後、図6中の図600によって示されるように、エッチングが実行されて、レジスト130によって保護されていない有機平坦化層140および第1誘電体510に対応する材料を除去することが可能である。図600によってさらに図示されるように、この段階でのエッチングは、金属層520に到達すると停止するように構成されることが可能である。図600によって図示されるようなエッチングは、ウェットエッチング、プラズマエッチング例えばドライエッチング等の本技術分野において広く知られているような任意の適切なエッチング技術を使用して実行されることが可能である。図600によって示されるような有機平坦化層140および第1誘電体510のエッチングが完了すると、図7中の図700によって示されるようにレジスト130および有機平坦化層140が除去されることが可能である。レジスト130および有機平坦化層140の除去は、アッシング、化学的剥離物質の塗布、および/またはその他の同様の物質のような任意の適切な方法および/またはその他の技術によって実行されることが可能である。レジスト130および有機平坦化層140の除去後、マスクが、トーン反転エッチングのための残りの半導体積層構造に様々な方法で付されることが可能である。図8中の図800によって図示される1つ目の例において、選択的金属成長の層810が、金属層520の例えば図6中の図600によって図示されるような最初のエッチングの結果露出した領域に適用形成されることが可能である。あるいは、図9中の図902によって図示される2つ目の例において、金属/有機膜層910が、第1誘電体510の表面および金属層520の露出部分上に堆積されることが可能である。図902に示されるような金属/有機膜の堆積に続いて、CMP、エッチバック、および/またはその他の適切な技術が使用されて、第1誘電体510上の金属/有機膜910の余剰分を除去することができる。これによって、図904によって示されるように、金属/有機膜910が窪みに形成される結果になる。実施形態によれば、図8に示される選択的金属成長810の適用および/または図9に示される金属/有機膜910の堆積は、任意の適切な方法で実行されることが可能である。例えば、金属成長および/または金属膜成長は無電解堆積またはめっきによって実行されることが可能である。無電解堆積またはめっきは、基板上に材料の1または複数の薄い層が堆積される工程である。一般に、この工程は、堆積される材料のイオンを含んだめっきまたは堆積槽に基板を浸すことを含んでいる。このことは、これらのイオンの一部を基板の表面上に沈殿させる。電気めっき技術と異なり、無電解堆積またはめっきがイオン堆積を促進するために外部から電界を印加することを必要としないことが認識されるだろう。一例では、無電解堆積またはめっきを選択性にすることができる。例えば、堆積が、適切な電気化学的特性を示す領域上でのみ生じるように構成されることが可能である。例えば、イオンは、主として堆積される材料と実質的に同一のまたは親和力を示す材料から構成されている基板の各部分上に堆積されることが可能である。別の例では、基板の一部が触媒によって処理または活性化されて、基板の当該部分上でイオンの堆積を高速で生じさせることが可能である。堆積前に付される材料または触媒は、本技術分野において、一般にシード材料またはシード層と称され、活性化されていない領域上での堆積速度に対する活性化された領域上での堆積速度の比率は一般にメッキ処理選択性と称される。一例では、堆積速度は、さらに、活性化された領域の物理的特性例えば寸法、アスペクト比、露光面のプロファイル分布形状、活性化された領域相互間の距離に基づき得る。無電解めっきまたは堆積の適用形態によっては、均一厚さの堆積を提供し、高い選択性を示し、堆積された膜が基板に強く付着することを保証することが都合がよいかもしれない。本技術分野に広く知られているように、無電解めっきまたは堆積に先行する様々な表面活性化技術が使用されることが可能である。例えば、無電解めっきを集積回路製造に適用することは、基板表面の2つのタイプのうちの1つの上にニッケル、コバルト、パラジウム、または銅を堆積することを含み得る。その第1のタイプの基板表面は、一般に、シリコン、アルミニウム、またはアルミニウム合金から形成された、基板の導電性領域を具備する。第2のタイプの基板は、二酸化シリコンまたは重合体絶縁体のような不導体を具備する。これらの基板に適用された、報告された表面活性化技術は、通常、以下の4つのカテゴリーのうちの1つに入る。1蒸着またはスパッタリングによる触媒膜堆積、2電気化学的または化学的表面改質による触媒膜堆積、3コロイド懸濁液からの触媒膜堆積、および4レーザーまたは広スペクトル照射による光子増強された活性化、である。パラジウムおよび白金のようなVIII族金属は、無電解堆積またはめっき法における触媒面活性体として使用されることが可能である。後続する無電解メッキ用のパラジウムまたは白金の触媒膜は、蒸着またはスパッタリング技術によって容易に堆積されることが可能である。これらの技術によって堆積された膜は、周知のリソグラフィー技術例えば除去のためのエッチング、剥離によってパターニングされることが可能である。大きな要素および/または小さな要素の密集パターンはこの方法でめっきするのが比較的簡単である。別の例では、金属成長および/または金属/有機膜堆積はALDによって実行されることが可能である。ALDは、気相化学工程の連続使用に基づいた薄膜堆積技術である。実施形態によれば、ALD反応は、多くの場合前駆物質と称される2つの薬液を使用することが可能である。これらの前駆物質は、1度に1つ、連続的に表面と反応することが可能である。そして、前駆物質を成長面に繰り返し晒すことによって、薄膜が堆積されることが可能である。一例では、ALDによる材料の成長は、以下の一連の4ステップの繰り返しによって行われることが可能である。1第1前駆物質の暴露、2反応していない前駆物質および気体性の反応副産物を除去するための反応室のパージングまたは排気、3第2前駆物質の暴露、または第1前駆物質の反応のために表面を再活性化する付加的処理、4反応室の2回目のパージングまたは排気、である。これらの反応サイクルの各々は表面に、サイクル当たり成長と称され得る所与の量の材料を付加することが可能である。ALDによって材料層を成長させるために、反応サイクルが所望の膜厚を得るために必要な回繰り返されることが可能である。ALD工程の開始前に、表面が、例えば熱処理によって既知の制御された状態へと安定化されることが可能である。ALDが自己停止的な反応から構成されているので、ALDは、前駆物質、基板、および温度以外のプロセスパラメータがほとんどまたはまったく影響しない表面制御された工程である。これらの特性は、ALDによって成長した膜に高度の整合性および均一性を持たせることが可能である。より一般には、ALDおよび/またはその他の適切なCVD工程を含む任意の適切なCVD工程が使用されて本明細書において記述されているような金属および/または有機膜を堆積することが可能であることが認識されるであろう。概して、CVDは、基板を1または複数の揮発性前駆物質に晒し、前駆物質が基板表面上で反応および/または分解して所望の堆積物を生成することを含んだ任意の工程を指し得る。あるいは、金属および/または有機膜の堆積はPVD工程によって行われることが可能である。PVD工程によると、半導体表面上に堆積される材料の蒸発した形態が凝縮することによって薄膜が堆積される。定義からして、PVDとの関連で使用される成膜法は、高温真空蒸着、プラズマスパッタ照射等の純粋に物理的な工程を使用することが可能である。しかしながら、図8によって示される金属成長および/または図9によって示される金属/有機膜堆積が任意の適切な技術によって実現され得ることと、および上記の例が単に非制限的な例として提供されることが、認識されるべきである。また、明細書に添付の請求項が半導体表面上に材料を堆積するためのまたは半導体表面に材料を形成するためのどのような具体的な技術にも制限されることを、他の方法が明示されない限り、意図されないことが認識されるべきである。図3を参照して上記したように、CMPを使用して従来のトーン反転リソグラフィー工程において材料の余剰分を除去することが、膜剥がれ、クラッキング、および/またはその他の欠陥という結果となり得ることが認識されるだろう。そのような欠陥は、例えば一般にトーン反転工程においてパターニングのために使用されるレジスト130および有機平坦化層140の強度が比較的低いことによって引き起こされる。対照的に、金属/有機膜910の余剰分の除去がCMPおよび/またはクラッキング、膜剥がれ、ならびに/あるいはその他の欠陥が十分に減じられた他の適切な工程を使用して実行されることが可能となるように、レジスト130および有機平坦化層140より実質的に十分に高い強度を有する図9に使用されるような第1誘電体510および金属層520が選択されることが可能である。図8によって示される選択的金属成長および/または図9によって示される膜の堆積が完了すると、処理は、図10中の図1002によって示されるように継続することが可能である。図10中の図1002において、第1誘電体層510図10中で図示せず、金属層520、および第2誘電体層530に対して、以前に堆積された材料をハードマスクとして使用してエッチングが実行される。図1002は金属/有機膜910をハードマスクとして使用することを図示しているが、選択的金属成長810および/またはその他の適切な材料が使用されることが可能であることが認識されるべきである。実施形態によれば、図10に示されるエッチングは本技術分野において広く知られているような、エッチングするのに適する任意の技術に従って実行されることが可能である。これらは、ウェットエッチング、ドライ例えばプラズマエッチング含み得るが、これらに制限はされない。代替的な例においては、第1誘電体層510の残存部分は、図1002によって示されるエッチングに先立って、図1004によって示されるように、薬液および/またはその他の手段によって除去されることが可能である。これが行われて、例えば改善されたエッチングのための形状例えば改善されたRIEreactiveionetchingプロセスウインドウのための形状を得ることが可能である。図10に示されるエッチングが完了すると、図11中の図1100によって示されるように半導体装置の製造が終了することが可能である。図11がより具体的に図示するように、第2誘電体530のエッチングに続いて、CMP、エッチバック、および/またはその他の適切な除去工程が使用されて、選択的金属成長810、金属/有機膜910および/または図10によって示されるエッチング中にマスキングのために使用された他の材料、およびマスク材料の下方に位置する金属層520を除去することが可能である。次に、金属化工程が使用されることが可能である。金属化工程では、金属化材料1120が、図10に示されるエッチングによって形成された、第2誘電体530中の1または複数の空間の中に堆積される。次に、図11に示される処理は、半導体装置の表面上にキャップ層1110などを堆積することによって終了することが可能である。次に、図12~図13に移ると、少なくとも上記の実施形態に従って半導体装置を製造するための技術が示される。しかしながら、図12~図13に図示されるとともに下記の技術が、半導体装置の製造のために使用されることが可能な技術の単なる非制限的な例であることが意図されることが認識されるべきである。以下の記述で提示される技術は、上記の構造またはその他の特定の構造に制限されることを、そうでないことを明言しない限り、意図されない。上記のように、本明細書において記述される様々な実施形態は、従来の非トーン反転リソグラフィーで実行されるのと同様の方法でレジスト層をマスクとして使用するエッチングをまず使用することを活用する半導体装置製造技術を提供する。このエッチングは、誘電体層の下方の金属層の上面で停止するように構成されることが可能である。次に、金属または有機膜が、無電解堆積、エピタキシャル成長、CVD/PVD/ALDおよび/またはその他の適切な技術によって堆積されることが可能である。誘電体の上面上のこの材料の余剰分はすべてCMPまたはエッチバック工程によって除去されることが可能であり、その後、残存する材料がハードマスクとして使用されることが可能である。そして、このハードマスクが使用されてトーン反転パターンを得るために誘電体をエッチングすることが可能である。次に図12を具体的に参照すると、トーン反転リソグラフィーによって半導体装置の少なくとも一部を製造するための例示的な方法が、フローチャート1200によって図示される。フローチャート1200が図示するように、例示的半導体装置製造方法は、1202における最初のリソグラフィーを含むことが可能である。1204における第1誘電体層のエッチング、1206におけるウェット洗浄が続く。次に、選択的金属成長例えば選択的な金属成長810が1204における第1誘電体層の下の金属層のエッチングに起因して露出した部分に適用されることが可能である。1210における随意的な誘電体層のウェット除去が続くことが可能であり、または代替的に方法は1212に継続して1208で適用された選択的金属成長をマスクとして使用してエッチングが実行されることが可能である。1212におけるエッチングが完了すると、方法は1214におけるウェット洗浄および1216における金属化によって終了することが可能である。次に図13に移ると、トーン反転リソグラフィーによって半導体装置の少なくとも一部を製造するための第2の例示的方法が、図13中のフローチャート1300によって図示される。フローチャート1300が図示するように、例示的半導体装置製造方法は、1302における最初のリソグラフィーを含むことが可能である。1304における第1誘電体層のエッチング、1306における薬液洗浄が続く。次に、1308において金属または有機膜例えば金属/有機膜910が堆積されることが可能である。また、1310において余分な膜がCMPまたはエッチバックによって除去されることが可能である。1312における随意的な誘電体層のウェット除去が続くことが可能であり、または代替的に方法は1314に継続して1308で形成された金属または有機膜をマスクとして使用してエッチングが実行されることが可能である。1314におけるエッチングが完了すると、方法は1316におけるウェット洗浄および1318における金属化によって終了することが可能である。概して図5~図11を再び参照すると、第1誘電体層510、金属層520、および堆積された材料例えば選択的金属成長810および/または金属/有機膜910は、様々な候補となる材料から選択されることが可能な1または複数の材料を使用することが可能である。実施形態によれば、第1誘電体層510は、金属への高い選択性を有する材料、例えばSiO2、SiN、SiON、SiCOH等とすることができる。あるいは、第1誘電体層は、希フッ酸DHFおよびSiNを含んだ高濃度水素の組合せのような薬液に対して可溶な材料とされることが可能である。別の実施形態によれば、本明細書において記述される金属層520用に選択される材料は、使用される堆積方法に依存し得る。例えば、選択的成長の場合、TiNまたはTaNのような材料が、CVD、PVD、ALD、および/またはその他の適切な方法による堆積によって使用されることが可能である。CVD、PVD、ALD等による金属蒸着が使用される場合、次にバリア特性を有する金属例えばTi、TiN、Ta、TaN等が使用されることが可能である。さらなる実施形態によれば、堆積される材料例えば選択的成長または堆積される膜は、使用される堆積方法に基づいて選択されることが可能である。例えば、選択的成長の場合、主要金属例えば組成約80以上は、Co、Ni、Cu、Fe、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Sn、Pb、Pt、および/またはAuを含む候補リストから選択されることが可能であるただし、これらに限定されない。さらに、共に堆積される金属例えば組成の約5以下は、V、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Rc、In、Ti、Zn、Si、Ge、および/またはBを含む候補リストから選択されることが可能であるただし、これらに限定されない。あるいは、金属蒸着の場合、堆積のための候補の金属は、W、Cu、Ti、TiN、Ru、Ta、TaN、Co、Ni、および/またはSiを含む候補の組、およびこれらの材料と結合した炭素または合金から選択されることが可能である。実施形態によれば、Ti、TiN、Ta、またはTaNは、第1層として前もって堆積されることが可能である。別の例では、有機膜堆積の場合、アモルファス炭素および/またはその他の適切な材料が、膜堆積のための有機材料として使用されることが可能である。さらなる実施形態によれば、図5~図11によって図示される工程で使用される様々な層は、それぞれ使用されている製造工程に適すると考えられる厚さを有することが可能である。したがって、以下は、本明細書において記述される様々な層について使用されることが可能な厚さの具体的、非制限的な様々な例を提供する。しかしながら、本明細書において提示される任意の層についての任意の適切な厚さが使用されることが可能であることが認識されるべきである。また、本明細書に記述される実施形態も請求項の主題もそのような例に制限されないことが、そうでないことを明言しない限り、意図されることが認識されるべきである。一例では、第1誘電体層510は約10nm乃至約100nmの厚さであり、金属層520は約5nm乃至約20nmであることが可能である。別の例では、図8によって示される選択的金属成長および/または図9によって示される膜堆積は、1層または2層であることが可能である。実施形態によれば、必要な場合に堆積される材料の初期層は約1nm乃至10nmの厚さであり、他方、第2層例えば主要材料は約10nm乃至約300nmの厚さであることが可能である。上の記述は、開示された新規な事項の例を含んでいる。開示された新規な事項を記述する目的で要素または方法の全ての考えられる組合せを記述することはもちろん不可能である。しかしながら、当業者は、開示された新規な事項の多くのさらなる組合せおよび並べ替えが可能なことを認識できるだろう。したがって、開示された新規な事項は、添付の請求項の思想および範囲以内にある変更、修正、および変形を全て包含することが意図される。さらに、文言含む、有する、またはその変形体は、発明を実施するための形態または請求項において、そのような文言が文言具備するが請求項で移行語として使用される際に解釈されるような具備すると同様に非制限的となり得る。所与の特徴についての任意の値または数の範囲に関して、ある範囲中の値またはパラメータが、別の範囲中の別の値またはパラメータと、同じ特徴について組み合わされて数値範囲を生成し得る。上記の実行例以外について、別途示されない限り、明細書および請求項中で使用されている成分量、反応条件等を指す全ての数、値および/または表現は、全ての事例で文言に関してによって修正されていると理解されねばならない。さらに、具体的な実施形態が上記されているが、これらの実施形態が例のみとして示されており、請求項の主題の範囲を制限することを意図されないことが認識されねばならない。実際には、本明細書において記述される新規な方法および装置は上の記述の思想から逸脱することなくなされ得る。添付の請求項およびそれらと等価なものはそのような形態または変更を網羅することが意図されている。それらが、主題の新規な事項の範囲および思想内にあるからである。また、上に提示される各方法が簡略化を目的として一連の行為として示されかつ記述される一方、そのような方法がその行為順で制限されないことが認識されるべきである。1または複数の側面に従って、いくつかの行為が、本明細書において示されかつ記述される順序と相違する順序でおよび/または同時に起こることが可能だからである。例えば、当業者は、方法が状態図のように一連の相互に関係する状態またはイベントとして代替的に表わされ得ることを理解および認識するだろう。また、全ての図示される行為が1または複数の側面に従って方法を実施するのに要求されるとは限らない。