半導体素子の表面に形成されている電極パッドと、端子の一端側に備えられている爪部の先端と、を対向させる端子対向工程と、前記電極パッドと前記爪部の先端とが対向する状態を維持したまま前記端子を加熱することにより、前記爪部の先端が前記電極パッドに向かって付勢されていない第1状態から前記爪部の先端が前記電極パッドに向かって付勢されている第2状態へと変化させる加熱工程と、を備えており、前記加熱工程では、前記端子が第1状態から第2状態に変化することで、前記爪部の先端が前記電極パッドの表面に押付けられて、前記端子が前記電極パッドに電気的に接続する、半導体装置の製造方法。前記半導体素子と、前記電極パッドと、前記端子の前記一端側の周囲に封止材を供給する封止材供給工程をさらに備えており、前記加熱工程では、封止材供給工程で供給された封止材を加熱し、その封止材に加えられる熱によって前記端子を加熱する、請求項1記載の半導体装置の製造方法。半導体素子と、前記半導体素子の表面に形成されている電極パッドと、一端側が前記電極パッドに接触している端子と、を備えており、前記端子は、前記一端側に爪部を備えており、前記爪部の先端が前記電極パッドに向かって付勢されていない第1状態から前記爪部の先端が前記電極パッドに向かって付勢されている第2状態へと変化可能となっており、前記端子が第1状態から第2状態となることで、前記爪部の先端が前記電極パッドの表面に押付けられて、前記端子が前記電極パッドに電気的に接続している、半導体装置。前記端子は、半導体素子の表面と平行に伸びる直線部を備えており、前記直線部は、半導体素子の表面に対して直交する方向に積層された少なくとも2つの層を備えており、前記2つの層は、それぞれ物性が異なる材料で形成されており、前記第2状態では、前記2つの層のうち少なくとも一方の層が収縮又は伸長することで直線部が湾曲して、前記爪部の先端を前記電極パッドに向かって付勢する、請求項3に記載の半導体装置。ワイヤを電極パッドの表面にボンディングするには、ボンディングマシンでワイヤの一端を電極パッドの表面に圧着させる。そのため、電極パッドには、ボンディングマシンによってワイヤの一端を圧着させるための十分な表面積が確保されている必要がある。その結果、特許文献1の半導体装置では、電極パッドが、ワイヤをボンディング可能な大きさに形成されている必要がある。本明細書では、半導体素子の表面に形成されている電極パッドを従来の半導体装置よりも小型化し得る技術を開示する。本明細書で開示する半導体装置の製造方法は、半導体素子の表面に形成されている電極パッドと、端子の一端側に備えられる爪部の先端と、を対向させる端子対向工程と、電極パッドと爪部の先端とが対向する状態を維持したまま端子を加熱することにより、爪部の先端が電極パッドに向かって付勢されていない第1状態から爪部の先端が電極パッドに向かって付勢されている第2状態へと変化させる加熱工程と、を備えている。加熱工程では、端子が第1状態から第2状態に変化することで、爪部の先端が電極パッドの表面に押付けられて、端子が電極パッドに電気的に接続する。上記の方法では、端子を加熱して第1状態から第2状態に変化させることにより、端子の爪部の先端が電極パッドの表面に押し付けられて、端子と電極パッドとが電気的に接続される。即ち、ボンディングによることなく、端子と電極パッドとを電気的に接続することができる。そのため、電極パッドは、端子の爪部の先端が接触できるだけの表面積を備えれば済む。従って、電極パッドがワイヤをボンディング可能な大きさに形成されている従来の半導体装置に比べて、電極パッドを小型化し得る。上記の製造方法は、半導体素子と、電極パッドと、端子の一端側の周囲に封止材を供給する封止材供給工程をさらに備えてもよい。加熱工程では、封止材供給工程で供給された封止材を加熱し、その封止材に加えられる熱によって端子を加熱してもよい。上記の方法によると、封止材に加えられる熱によって端子が加熱され、端子が電極パッドに電気的に接続される。従って、半導体素子、電極パッド、及び端子の一端側の封止と、端子の加熱を同時に行うことができる。本明細書は、新規な半導体装置をも開示する。本明細書が開示する半導体装置は、半導体素子と、半導体素子の表面に形成されている電極パッドと、一端側が電極パッドに接触している端子と、を備えている。端子は、一端側に爪部を備えており、爪部の先端が電極パッドに向かって付勢されていない第1状態から爪部の先端が電極パッドに向かって付勢されている第2状態へと変化可能となっている。端子が第1状態から第2状態となることで、爪部の先端が電極パッドの表面に押付けられて、端子が電極パッドに電気的に接続している。上記の半導体装置によると、電極パッドがワイヤをボンディング可能な大きさに形成されている従来の半導体装置に比べて、電極パッドを小型化し得る。また、上記の半導体装置の一例では、端子は、半導体素子の表面と平行に伸びる直線部を備えていてもよい。直線部は、半導体素子の表面に対して直交する方向に積層された少なくとも2つの層を備えており、2つの層は、それぞれ物性が異なる材料で形成されている。そして、第2状態では、2つの層のうち少なくとも一方の層が収縮又は伸長することで直線部が湾曲して、爪部の先端を電極パッドに向かって付勢するようにしてもよい。このような端子を用いることで、上記の半導体装置を簡易に実現することができる。ここで、直線部が半導体素子の表面と平行に伸びるとは、直線部が半導体素子の表面と厳密に平行であることまでをも意味するのではなく、直線部が半導体素子の表面と接触しない状態で半導体素子の表面に対して伸びていればよい。したがって、直線部が半導体素子の表面に対して湾曲していても、両者が接触した状態でなければ、ここでいう半導体素子の表面と平行に伸びるに含まれる。第1実施例図1、図2に示すように、本実施例の半導体装置2は、放熱板10と、半導体素子20と、メインパッド30と、信号パッド40と、リードフレーム60と、ボンディングワイヤ70と、モールド樹脂80とを備えている。半導体素子20と、メインパッド30と、信号パッド40と、リードフレーム60の一端側と、ボンディングワイヤ70の一端側は、モールド樹脂80によって封止されている。リードフレーム60の他端側と、ボンディングワイヤ70の他端側は、モールド樹脂80から突出している。リードフレーム60の一端と信号パッド40とは電気的に接続されており、ボンディングワイヤ70の一端とメインパッド30とは電気的に接続されている。放熱板10は、熱伝導率の高い材料によって形成されている。放熱板10は、半導体素子20が発生する熱を放熱する。図2に示すように、放熱板10は、半導体素子20の裏面詳細には、裏面電極図示省略に、ハンダ12を介して接合されている。半導体素子20は、電力用のスイッチング素子であり、本実施例では、縦型のIGBTInsulatedGateBipolarTransistorが用いられている。半導体素子20は、Si、SiC、GaN等により形成することができる。図1に示すように、半導体素子20は、平面視すると略矩形状となるように形成されている。半導体素子20の表面には、メインパッド30と信号パッド40が形成されている。メインパッド30及び信号パッド40は、Al等の導電材料によって形成されている。信号パッド40は、半導体素子20の非セル領域IGBTが形成されていない領域の上方に配置されている。信号パッド40は、外部の駆動回路から出力されるゲート信号小電流の信号の入力や、半導体素子20に形成された温度検出素子図示省略からの検出信号を出力するため等に用いられる。図1に示すように、本実施例では、信号パッド40は、半導体素子20の上面の4箇所に並んで形成されている。各信号パッド40は、リードフレーム60の爪部62後述が接触する分の表面積を備えている。一方、メインパッド30は、半導体素子20のセル領域IGBTが形成されている領域の上方に配置されている。メインパッド30は、半導体素子20の表面電極である。メインパッド30は、複数本のボンディングワイヤ70図1の例では4本の一端をボンディングできる表面積域を備えている。半導体素子20の上面のうち、メインパッド30と信号パッド40の周囲には絶縁層50が形成されている。絶縁層50によって、メインパッド30と信号パッド40とが絶縁されている。上記の半導体素子20に電流を流す場合は、メインパッド30を接地線に接続し、半導体素子20の裏面電極図示省略を電源線に接続する。この状態で半導体素子20をオンすると半導体素子20を電流が流れ、半導体素子20をオフすると半導体素子20を流れていた電流が遮断される。リードフレーム60は、板状の導電性部材である。図2に示すように、リードフレーム60は、半導体素子20の表面と略平行に伸びる直線部64を備える。直線部64は、半導体素子20の表面に対して直交する方向に積層された第1層66と第2層68を備える。第1層66は、半導体素子20の表面と対向しない側に配置されている。第1層66は、リードフレーム66のベース材母材である。第1層66は、Cuによって形成されている。一方、第2層68は、リードフレーム60のうち、半導体素子20の表面と対向する側の面に形成されている。本実施例では、第2層68は、第1層ベース材66のうち半導体素子20と対向する側の面に形成されたメッキ層であり、Niによって形成されている。リードフレーム60がモールド樹脂80で封止された状態では、第2層Ni層68は結晶構造を有している。リードフレーム60がモールド樹脂80で封止される前の状態では、第2層Ni層68は非結晶構造アモルファス構造を有している。すなわち、第2層Ni層68は、半導体装置2の製造過程で加熱されることで、非結晶構造から結晶構造に変化する。第2層68が非結晶構造から結晶構造に変化すると、それに伴って第2層68は収縮する。一方、第1層66は、半導体装置2の製造過程で加熱されても収縮は生じない。このため、第2層68の収縮に伴い、図1に示すように、リードフレーム60は、その一端側が半導体素子20に向かって湾曲する。直線部64の一端側には爪部62が備えられている。爪部62は、第1層66と同じ素材Cuで形成されている。すなわち、爪部62は、第1層66の先端を下方半導体素子20に向かう方向に折り曲げることによって形成されている。爪部62は、その断面積が先端に向かって徐々に減少する先細り形状に形成されている。上記の通り、リードフレーム60は、加熱されることで直線部64の一端側が半導体素子20に向かって湾曲する。本実施例では、加熱によるリードフレーム60詳しくは、直線部64の変位量爪部62の下方への移動量より、加熱前の爪部62と信号パッド40との距離が短くされているため、爪部62は信号パッド40に向かって付勢押圧される。このため、爪部62の先端は信号パッド40の表面に食い込み、リードフレーム60と信号パッド40とが電気的に接続される。即ち、リードフレーム60と信号パッド40とは、その間にハンダ等の接合層を介在することなく、電気的に接続される。以下、本明細書ではリードフレーム60の直線部64が図2に示すように湾曲した状態を湾曲状態と呼ぶ。なお、図1に示すように、本実施例の半導体装置2は、4本のリードフレーム60を備えている。4本のリードフレーム60は、それぞれ、対応する4個の信号パッド40と電気的に接続されている。各リードフレーム60の他端は、図示しない外部配線に接続されている。リードフレーム60は、外部の駆動回路から出力されるゲート信号を信号パッド40に入力したり、信号パッド40を介して、半導体素子20に形成された温度検出素子図示省略からの検出信号を外部配線に出力したりするために用いられる。ボンディングワイヤ70は、線状の導電性部材である。ボンディングワイヤは、例えばCuによって形成することができる。図1に示すように、本実施例の半導体装置2は、4本のボンディングワイヤを備えている。4本のボンディングワイヤ70は、それぞれ、一端がメインパッド30の表面にボンディングされることにより、メインパッド30と電気的に接続されている。各ボンディングワイヤ70の他端は、図示しない外部配線に接続されている。ボンディングワイヤ70は、半導体素子20を流れる電流を外部配線に供給するために用いられる。モールド樹脂80は、半導体素子20と、メインパッド30と、信号パッド40と、リードフレーム60の一端側と、ボンディングワイヤ70の一端側とを封止する絶縁樹脂により形成されている。モールド樹脂80には、例えば、エポキシ、ポリイミド等の絶縁樹脂を用いることができる。リードフレーム60の他端側及びボンディングワイヤ70の他端側は、モールド樹脂80の外側に突出している。次いで、図3~図5を参照して、本実施例に係る半導体装置2の製造方法について説明する。なお、図3~図5では、信号パッド40、リードフレーム60及びボンディングワイヤ70はそれぞれ1個1本のみ図示しているが、実際には信号パッド40、リードフレーム60及びボンディングワイヤ70は4個4本ずつ備えられている。以下では、図3~図5に示されている1個の信号パッド40、1本のリードフレーム60及び1本のボンディングワイヤ70を例に各工程を説明するが、図示されていない各部材についても同様の工程が行われている。まず、図3に示すように、裏面に放熱板10が接合された半導体素子20を用意する。半導体素子20のメインパッド30には、予めボンディングワイヤ70の一端がボンディングされている。次いで、リードフレーム60を用意する。この時点では、リードフレーム60の第2層68は非結晶構造アモルファス構造であり、リードフレーム60の直線部64は湾曲していない。また、リードフレーム60の長手方向図3の左右方向において、第1層66の長さと第2層68の長さは同一となっている。以下、本明細書ではリードフレーム60の直線部64が湾曲していない状態を直線状態と呼ぶ。次いで、半導体素子20の信号パッド40にリードフレーム60の爪部62の先端が対向し、信号パッド40と爪部62の距離が所定の距離となるように、放熱板10とリードフレーム60を位置決めする。放熱板10とリードフレーム60とは、図示しない保持装置によって保持される。次いで、信号パッド40と、爪部62の先端とが対向する状態を維持したまま、リードフレーム60を加熱する。リードフレーム60を加熱する手段は任意であって、リードフレーム60に直接熱を加える方法、リードフレーム60の周囲を高温にする方法のどちらを用いてもよい。リードフレーム60が加熱されると、第2層Ni層68が非結晶構造から結晶構造に変化する。図4に示すように、第2層Ni層68が結晶構造に変化することに伴って、第2層68が収縮する図中矢印200参照。一方、第1層66は収縮しない。その結果、リードフレーム60は、直線部64が半導体素子20に向かって湾曲し、爪部62が信号パッド40に向かって付勢される。即ち、リードフレーム60が直線状態から湾曲状態に変化することにより、爪部62の先端が信号パッド40の表面に押し付けられ、信号パッド40の表面に食い込む。これにより、リードフレーム60と信号パッド40とが電気的に接続される。次いで、モールド樹脂による封止を行う。本実施例では、トランスファーモールド法による封止を行う。まず、図5に示すような型90、100を用意する。次に、型100内に放熱板10を配置し、型100の開口を型90により閉じる。これにより、型90と型100の間に形成される成形空間に、半導体素子20と、メインパッド30と、信号パッド40と、リードフレーム60の一端側と、ボンディングワイヤ70の一端側とが収容される。この際、リードフレーム60の他端側と、ボンディングワイヤ70の他端側とは、型100の外側に突出する。なお、本実施例では、型100の外周壁には、リードフレーム60とボンディングワイヤ70が型100の外周壁に干渉しないように逃げ部図示省略が設けられている。その状態で、型90の外周壁に形成された供給口92から、成形空間内にモールド樹脂の液体110を供給する。成形空間内に液体110が充填されたら、成形空間内の液体110を加熱して硬化させる。なお、リードフレーム60の第2層Ni層68は既に結晶構造に変化しているため、液体110に加えられる熱によって、リードフレーム60がこれ以上変形することはない。液体110が硬化することにより、成形空間内の半導体素子20と、メインパッド30と、信号パッド40と、リードフレーム60の一端側と、ボンディングワイヤ70の一端側とが、硬化したモールド樹脂80によって封止される。その後、成形品を型100から抜くと、本実施例の半導体装置2が完成する。以上、第1実施例の半導体装置2とその製造方法について説明した。上記の通り、本実施例の製造方法では、リードフレーム60を加熱して、リードフレーム60を直線状態から湾曲状態に変化させることにより、リードフレーム60の爪部62の先端を信号パッド40の表面に押し付けて食い込ませ、リードフレーム60と信号パッド40とを電気的に接続する。即ち、ボンディングによることなく、リードフレーム60と信号パッド40とを電気的に接続することができる。そのため、信号パッド40は、リードフレーム60の爪部62の先端が接触できるだけの表面積を備えれば済む。従って、信号パッドがワイヤをボンディング可能な大きさに形成されている従来の半導体装置に比べて、信号パッドを小型化することができる。本実施例では、信号パッド40、リードフレーム60が、それぞれ、電極パッド、端子の一例である。また、直線状態、湾曲状態が、それぞれ、第1状態、第2状態の一例である。また、第1層66と第2層68とが2つの層の一例である。第2実施例第1実施例と異なる点を中心に説明する。本実施例では、半導体装置2の製造方法の一部の工程が第1実施例と異なる。本実施例では、信号パッド40と、爪部62の先端とを対向させた後、リードフレーム60の加熱図4参照を行わず、信号パッド40と、爪部62の先端とを対向させた状態を維持したまま、モールド樹脂による封止図5参照を行う。以下詳しく説明する。まず、本実施例でも、リードフレーム60の爪部62の先端を信号パッド40に対向させる。この際、本実施例では、爪部62の先端を信号パッド40の表面に予め接触させた状態とする。次いで、爪部62と信号パッド40が接触した状態のまま型100内に半導体素子20、メインパッド30、信号パッド40、リードフレーム60の一端側及びボンディングワイヤ70の一端側を配置し、型100の開口を型90により閉じる。この時点では、リードフレーム60は直線状態である。その状態で、供給口92から、成形空間内に硬化前のモールド樹脂の液体110を供給する。成形空間内に液体110が充填されたら、成形空間内の液体110を硬化させるために加熱する。第2実施例では、この時点で液体110に加えられる熱によって、リードフレーム60が加熱される。リードフレーム60が加熱されると、第2層68のNiのメッキ層の構造が、非結晶構造から結晶構造に変化する。その結果、リードフレーム60は、直線状態から湾曲状態に移行する。リードフレーム60が湾曲状態になることにより、爪部62の先端が信号パッド40の表面に押し付けられて食い込み、リードフレーム60と信号パッド40とが電気的に接続される。なお、上記の通り、本実施例では、爪部62の先端を信号パッド40に対向させる際、爪部62の先端を信号パッド40の表面に予め接触させている。そのため、爪部62の先端が信号パッド40の表面に食い込む際に、爪部62と信号パッド40の間に液体110が入り込み難く、爪部62と信号パッド40との電気的接続が確保される。加熱によって液体110が硬化することにより、半導体素子20と、メインパッド30と、信号パッド40と、リードフレーム60の一端側と、ボンディングワイヤ70の一端側とが、硬化したモールド樹脂80によって封止される。その後、成形品を型100から抜くと、本実施例の半導体装置2が完成する。本実施例の製造方法によると、液体110に加えられる熱によってリードフレーム60が加熱され、リードフレーム60が信号パッド40に電気的に接続される。従って、モールド樹脂80による封止と、リードフレーム60の加熱を同時に行うことができる。このため、リードフレーム60を加熱する工程のみを行う必要は無い。なお、本実施例の液体110が封止材の一例である。上記の各実施例の変形例を以下に列挙する。1上記の各実施例では、直線状態のリードフレーム60の第2層68は、非結晶状態のNiのメッキ層で構成されている。これに代えて、第2層68は、第1層66の表面に、非結晶構造を有するNiをスパッタして形成したスパッタ層としてもよい。この場合も、リードフレーム60を加熱すると、第2層68の構造が非結晶構造から結晶構造に変化することにともない、リードフレーム60が直線状態から湾曲状態に移行する。2また、上記の各実施例では、リードフレーム60は、直線状態では、第1層66、第2層68が、それぞれ、Cu、Ni非結晶構造で形成されており、加熱によって第2層68のNiが結晶構造に変化するものを用いたが、リードフレーム60は、これに限られない。加熱又は冷却によってリードフレームの直線部が湾曲して、その先端の爪部を信号パッドに付勢できるものであれば、どのような構造を採ってもよい。従って、例えば、リードフレーム60は、第1層66を加熱によって膨張する材料で形成するとともに、第2層68を加熱によって変化しない材料で形成してもよい。この場合も、リードフレーム60が湾曲状態となり、爪部62の先端を信号パッド40に向かって付勢することができる。3上記の各実施例では、モールド樹脂による封止はトランスファーモールド法によって行っているが、これに限られず、モールド樹脂による封止をコンプレッションモールド法によって行ってもよい。4上記の各実施例では、リードフレーム60の爪部62は、リードフレーム60の一端側に1個設けられているが、これに限られず、爪部62は、リードフレーム60の一端側に2個以上設けられていてもよい。この場合、各爪部62の先端がそれぞれ先細りに形成されていればよい。この場合、2個以上の爪部62の先端がそれぞれ信号パッド40に食い込むことにより、リードフレーム60と信号パッド40とが電気的に接続される。そのため、リードフレーム60と信号パッド40との電気的接続の信頼性が向上する。5半導体素子20には、IGBTに限らず、MOSFETやダイオード等の他のパワー半導体素子が用いられていてもよい。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。