主電源に接続されるキャパシタ部と、定電圧制御信号を入力し前記キャパシタ部を充電する充電回路と、前記キャパシタ部の満充電電圧を制御する制御回路と、前記キャパシタ部の周囲の温度を検出する温度検出手段と、キャパシタ部の分圧電圧を出力する分圧回路と、基準電圧を出力する基準電圧回路と、前記分圧電圧と前記基準電圧とを比較し、前記分圧電圧が前記基準電圧を越えると前記定電圧制御信号を出力する比較回路と、を備え、前記分圧回路は、直列接続された第1の抵抗素子と第2の抵抗素子と、第3の抵抗素子と半導体スイッチング素子とが直列接続された可変抵抗部と、を有し、前記可変抵抗部は第1の抵抗素子と並列接続され、第1の抵抗素子と第2の抵抗素子との接続点で前記分圧電圧を出力するものであり、前記基準電圧回路は、定電圧電源からなり、前記制御回路は、前記温度が基準温度を越えると、前記半導体スイッチング素子をオフすることにより、前記基準電圧に対し相対的に前記分圧電圧が上がるように制御し、キャパシタ部の満充電電圧を下げるキャパシタ装置。前記分圧回路は、第1の抵抗素子と前記可変抵抗部との代わりに、直列接続された第4の抵抗素子と第5の抵抗素子とからなり、第4の抵抗素子と第5の抵抗素子との接続点で前記分圧電圧を出力し、前記基準電圧回路は、定電圧電源と前記定電圧電源を分圧して前記基準電圧を出力する電源分圧回路とを有し、前記電源分圧回路は、直列接続された第1の抵抗素子と第2の抵抗素子と、第3の抵抗素子と半導体スイッチング素子とが直列接続された基準電圧可変抵抗部とを有するものであり、前記基準電圧可変抵抗部は第1の抵抗素子と並列接続され、第1の抵抗素子と第2の抵抗素子との接続点で前記基準電圧を出力する請求項1に記載のキャパシタ装置。前記キャパシタ部を放電する放電回路を備え、前記制御回路は、前記温度が低温から前記基準温度を越えるとき、高温の満充電電圧VLowまで強制放電するように前記放電回路を制御する請求項1又は請求項2に記載のキャパシタ装置。前記キャパシタ部のキャパシタ素子の端子電圧信号を出力する電圧モニタ回路を有し、前記制御回路は、前記端子電圧信号を入力し前記キャパシタ素子が基準過電圧になると過電圧異常信号を外部に出力するものであり、基準過電圧は、前記温度が低温から前記基準温度を越えるとき、高温の満充電電圧VLowに低下するまで前記基準過電圧を低温の基準過電圧V1Highとし、高温の満充電電圧VLowになれば高温の基準過電圧V1Lowとする請求項1~請求項3のいずれかに記載のキャパシタ装置。複数の前記可変抵抗部が第1の抵抗素子と並列接続され、前記制御回路は、前記温度の上昇に応じて複数の前記可変抵抗部の前記半導体スイッチング素子を順次オフすることにより、前記満充電電圧を段階的に下げる請求項1に記載のキャパシタ装置。複数の前記基準電圧可変抵抗部が第1の抵抗素子と並列接続され、前記制御回路は、前記温度の上昇に応じて複数の前記基準電圧可変抵抗部の前記半導体スイッチング素子を順次オフすることにより、前記満充電電圧を段階的に下げる請求項2に記載のキャパシタ装置。前記制御回路は、前記基準温度より低い低温になれば、前記主電源の出力電圧を上げる出力電圧指示信号を外部に出力する請求項1又は請求項2に記載のキャパシタ装置。このような従来のキャパシタ装置は、低温になるとキャパシタ素子の静電容量が低下し内部抵抗が大きくなるため、蓄電する電力が低下し蓄電性能が劣化するという課題があった。一方、高温になると、蓄電性能は向上するが、キャパシタ素子の過充電によりキャパシタ素子が劣化し易くなるという課題があった。本発明は、このような従来の課題を解決し、低温における蓄電性能を高めると共に高温におけるキャパシタ素子の劣化を抑制し、高性能で高信頼のキャパシタ装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明は、主電源に接続されるキャパシタ部と、定電圧制御信号を入力し前記キャパシタ部を充電する充電回路と、前記キャパシタ部の満充電電圧を制御する制御回路と、前記キャパシタ部の周囲の温度を検出する温度検出手段と、キャパシタ部の分圧電圧を出力する分圧回路と、基準電圧を出力する基準電圧回路と、前記分圧電圧と前記基準電圧とを比較し、前記分圧電圧が前記基準電圧を越えると前記定電圧制御信号を出力する比較回路と、を備え、前記分圧回路は、直列接続された第1の抵抗素子と第2の抵抗素子と、第3の抵抗素子と半導体スイッチング素子とが直列接続された可変抵抗部と、を有し、前記可変抵抗部は第1の抵抗素子と並列接続され、第1の抵抗素子と第2の抵抗素子との接続点で前記分圧電圧を出力するものであり、前記基準電圧回路は、定電圧電源からなり、前記制御回路は、前記温度が基準温度を越えると、前記半導体スイッチング素子をオフすることにより、前記基準電圧に対し相対的に前記分圧電圧が上がるように制御し、キャパシタ部の満充電電圧を下げるキャパシタ装置である。以上のように本発明によれば、基準温度より高温において半導体スイッチング素子をオフとするため、分圧電圧の出力バラツキを低温に比べ小さくでき、満充電電圧の制御精度が向上し、高温において過充電によるキャパシタ素子の劣化を抑制することができる。同時に半導体スイッチング素子のオンオフにより基準温度で満充電電圧の設定を切り替えて低温の満充電電圧を大きくできるため、低温における蓄電性能を高めることができ、高信頼で高性能のキャパシタ装置を得ることができる。実施の形態1本発明の実施の形態1のキャパシタ装置について図1を用いて説明する。図1は本発明の実施の形態1におけるキャパシタ装置のブロック回路図である。キャパシタ装置10は、主電源12の補助電源であり、主電源12と負荷13との間に接続され、主電源12の電力を蓄えるキャパシタ部11を備えている。制御回路14により給電スイッチ33がオンされるとキャパシタ部11の電力を負荷13へ出力する。キャパシタ部11はキャパシタ素子が複数個直列接続され、キャパシタ部11のプラス側が充電回路15と接続され、マイナス側は接地されている。キャパシタ素子として電気二重層キャパシタ、電解キャパシタ、電気化学キャパシタ等を用いることができ、キャパシタ部11は負荷13に要求される電力に応じてキャパシタ素子の個数や直列並列接続を適宜選択する。充電回路15は、主電源12とキャパシタ部11との間に接続され、キャパシタ部11を充電するものであり、半導体制御素子17と駆動回路16とを有している。駆動回路16は、半導体制御素子17の出力を制御するものであり、半導体制御素子17は電界効果トランジスタ、トランジスタ等を用いることができる。電圧制御回路22は、キャパシタ部11と充電回路15に接続し、キャパシタ部11の充電電圧を制御するものであり、分圧回路24と基準電圧回路26と比較回路29とを有している。分圧回路24は、キャパシタ部11の電圧を分圧し分圧電圧を出力するものであり、第1の抵抗素子41と第2の抵抗素子42とが直列接続され、第1の抵抗素子41は接地され、第2の抵抗素子42はキャパシタ部11のプラス側に接続されている。さらに分圧回路24は、第3の抵抗素子43と半導体スイッチング素子44とが直列接続された可変抵抗部を有し、この可変抵抗部は第1の抵抗素子41と並列接続されている。分圧電圧は、第1の抵抗素子41と第2の抵抗素子42との接続点において出力される。分圧回路24における第1~第3の抵抗素子41~43は、固定抵抗素子が好ましく、例えば炭素皮膜抵抗素子、金属皮膜抵抗素子等を用いることが好ましい。また第1~第3の抵抗素子41~43の夫々は、複数の固定抵抗素子から構成されてもよい。半導体スイッチング素子44は、電界効果トランジスタ、トランジスタ等を用いることができ、制御回路14と接続され、制御回路14のスイッチ信号Scontにより半導体スイッチング素子44がオン/オフ制御される。基準電圧回路26は、所定の定電圧の基準電圧を出力する定電圧電源28であり、定電圧電源28はツェナダイオードやシャントレギュレータ等を用いたレギュレータで構成できる。比較回路29は、オペアンプであり、入力した分圧電圧と基準電圧とを比較し定電圧制御信号を充電回路15の駆動回路16に出力する。比較回路29は、分圧電圧が基準電圧に達すると定電圧制御信号を出力し、このとき充電回路15の駆動回路16は定電圧制御信号より制御される。駆動回路16は、定電圧制御信号により制御されると、キャパシタ部11の充電電圧を所定の定電圧に保持するために、半導体制御素子17の出力を制限するように制御する。電流制御回路30は、キャパシタ部11と充電回路15に接続し、キャパシタ部11の充電電流を制御するものであり、充電電流が所定の電流値に達すると定電流制御信号を出力し、このとき充電回路15の駆動回路16は定電流制御信号により制御される。駆動回路16は、定電流制御信号により制御されると、キャパシタ部11を定電流で充電するために、半導体制御素子17の出力を制限するように制御する。また、分圧電圧が基準電圧に達せず、かつ充電電流が所定の電流に達しない状態では、定電圧制御信号及び定電流制御信号は出力されず、駆動回路16は定電圧制御及び定電流制御ともしない状態で充電を行う。温度検出手段34は、制御回路14と接続され、キャパシタ部11の周囲の温度を検出し温度信号を制御回路14に出力する。温度検出手段34にはサーミスタ等の温度センサーが用いられる。キャパシタ部11の周囲の温度を検出するために温度センサーをキャパシタ部11に当接して設けてもよく、または配線基板に実装してキャパシタ部11の近傍に設けてもよい。制御回路14は、温度検出手段34と電圧制御回路22とに接続され、温度信号に応じて半導体スイッチング素子44をオン/オフするスイッチ信号Scontを出力し、キャパシタ部11の満充電電圧を制御するものである。制御回路14は、温度が基準温度を下回る低温状態では半導体スイッチング素子44をオンし、基準温度を超える高温状態では半導体スイッチング素子44をオフするように、スイッチ信号Scontを出力する。基準温度は、キャパシタ素子の特性に応じて適宜設定することができる。電気二重層キャパシタの場合には、高温におけるキャパシタ素子の劣化抑制と低温における蓄電性能を高めるために0°C以下が好ましい。低温状態では、半導体スイッチング素子44はオンの短絡状態となり、可変抵抗部は第3の抵抗素子43と半導体スイッチング素子44の内部抵抗とからなり、この可変抵抗部と第1の抵抗素子41とからなる並列回路が構成される。そして、この並列回路と第2の抵抗素子42とで分圧される分圧電圧が出力される。一方、高温状態では、半導体スイッチング素子44はオフの絶縁状態となり、第1の抵抗素子41と第2の抵抗素子42とで分圧される分圧電圧が出力され、半導体スイッチング素子44がオフの場合の分圧電圧は、半導体スイッチング素子44がオンの場合に比べ高くなる。そして、制御回路14は、温度が基準温度を超えると半導体スイッチング素子44をオフすることにより、基準電圧に対し相対的に分圧電圧が上がるように分圧回路24を制御し、その結果、高温ではキャパシタ部11の満充電電圧を下げるように制御する。このように満充電電圧を高温において小さくし、低温では大きくすることにより、キャパシタ部11の高温時の信頼性を向上でき、低温におけるキャパシタ部11の蓄電エネルギーを確保することができる。次に、分圧電圧の出力について比較例と対比して説明する。図4は比較例におけるキャパシタ装置の電圧制御回路を示すブロック回路図である。比較例は、実施の形態1の分圧回路24の構成が違う以外は、実施の形態1と同じ構成であり、同じ構成には同一の符号を付与し説明を省略する。比較例の分圧回路は、抵抗素子57は接地されて、抵抗素子58はキャパシタ部11のプラス側に接続され、抵抗素子57と抵抗素子58とが直列接続されている。さらに抵抗素子59と半導体スイッチング素子60とが直列接続された可変抵抗部を設けている。この可変抵抗部は抵抗素子58と並列接続されている。比較例の分圧回路を用いる場合、基準温度を超えるとキャパシタ部11の満充電電圧を下げるように制御するために、制御回路14は、温度が基準温度を超えると半導体スイッチング素子60をオンし、基準電圧に対し相対的に分圧電圧が上がるように分圧回路を制御する。ここで、実施の形態1及び比較例において分圧回路における抵抗素子の抵抗値のばらつきは抵抗値に対し1~5であるのに対し、半導体スイッチング素子がオンの場合の半導体スイッチング素子の内部抵抗値のばらつきは20~30となる。そのため高温において、実施の形態1の分圧回路24は半導体スイッチング素子44がオフとなって半導体スイッチング素子44の内部抵抗値の影響がなくなり分圧電圧が安定するが、比較例では、半導体スイッチング素子60がオンであり分圧電圧のばらつきが大きくなる。その結果、実施の形態1の分圧回路24を用いると高温における満充電電圧を安定して制御し満充電電圧のばらつきを小さくすることができ、充電電圧の変動によって過電圧となることによるキャパシタ部11の劣化を低減でき信頼性を向上することができる。満充電電圧のばらつきによるキャパシタ部11への劣化の影響は低温の方が高温に比較し小さくなるため、実施の形態1のキャパシタ装置10は、低温においては比較例に比べ分圧電圧のばらつきは大きくなるが、このばらつきによるキャパシタ部11への劣化の影響は、比較例の高温での影響より小さくできる。以上のように、実施の形態1のキャパシタ装置10は、分圧回路24の半導体スイッチング素子44をオン/オフとすることにより、高温において満充電電圧の電圧ばらつきを小さくし過充電によるキャパシタ素子の劣化を抑制すると共に、低温においてキャパシタ部11の満充電電圧を上げ蓄電性能を高めることができる。次に、キャパシタ部の充電放電制御について、車両での使用を例にして説明する。図2は、本発明の実施の形態1における充電電圧の時系列の制御を示す図である。まず、時間T0は、寒冷地での車両の使用開始時のように、充電開始時に環境温度が低くキャパシタ部11の周囲の温度が基準温度より低い場合を示している。この時間T0では、制御回路14は半導体スイッチング素子44をオンにしている。キャパシタ部11に充電がされていないため、充電回路15は電流制御回路30の定電流制御信号により定電流でキャパシタ部11を充電していく。このとき分圧電圧は基準電圧より低く電圧制御回路22は定電圧制御信号を出力していない。さらに、キャパシタ装置10が低温で必要な電力が蓄電できるように、制御回路14は、主電源12のバッテリの出力電圧を上げる出力電圧指示信号Vupを外部の電子制御装置に出力する。この出力電圧指示信号Vupは、基準温度より低い低温になれば出力される。次に、充電電圧が上昇して来ると定電流制御が終了時間T1するが、引き続き充電が行われ、さらに充電電圧が上昇し分圧電圧が基準電圧と同じになると定電圧制御信号が出力され、キャパシタ部11は定電圧制御される時間T2~時間T3。時間T2~時間T3では、まだ基準温度より低い低温状態であるので、半導体スイッチング素子44をオンのまま、キャパシタ部11は低温で制御されるべき既定の低温の満充電電圧VHighで保持されている。続いて、この満充電状態のとき、車両内部の温度が上昇することによりキャパシタ部11の周囲の温度が基準温度に達すると時間T3、制御回路14は半導体スイッチング素子44をオフにする。同時に制御回路14は放電回路32の放電スイッチをオンにして強制放電を行い、電圧検出回路31の充電電圧信号に基づいてキャパシタ部11が高温で制御されるべき既定の高温の満充電電圧VLowまで下げる時間T4。ここで、放電回路32はキャパシタ部11と接地に接続され、キャパシタ部11を放電する。電圧検出回路31はキャパシタ部11と制御回路14に接続され、キャパシタ部11の充電電圧を検出し制御回路14に充電電圧信号を出力する。このように低温から基準温度を超えるとき高温の満充電電圧VLowまで強制放電することにより、キャパシタ部11が高温の満充電電圧VLowを越えて長時間、過充電となって劣化してしまうことを防止でき、キャパシタ装置10の信頼性を向上できる。そして、半導体スイッチング素子44をオフにした状態で、キャパシタ部11が満充電電圧VLowで保持される時間T4~時間T5。再び、アイドリングストップ等により低温になると時間T5、制御回路14は、半導体スイッチング素子44をオンとすると同時に出力電圧指示信号Vupを外部に出力すると共に、定電流制御、定電圧制御によりキャパシタ部11を充電し、キャパシタ部11を低温の満充電電圧VHighに保持する。続いて、キャパシタ部11のキャパシタ素子の過電圧異常の検出について説明する。電圧モニタ回路35は、各キャパシタ素子と制御回路14に接続され、キャパシタ素子の端子電圧を分圧し、分圧電圧をキャパシタ素子の端子電圧信号として制御回路14に出力している。制御回路14はキャパシタ素子の両端の端子電圧からキャパシタ素子電圧を算出して、いずれかのキャパシタ素子が過電圧異常になれば過電圧異常信号Voverを外部に出力する。このとき制御回路14にリセット信号が入力されるまで過電圧異常信号Voverはリセットされない状態となる。この過電圧異常信号Voverは、キャパシタ素子電圧が既定の基準過電圧になると出力されるように設けられる。基準過電圧は、既定の満充電電圧に対応して設けられ、基準温度より低い温度においては低温の基準過電圧V1Highに設けられ、基準温度より高い温度においては低温の基準過電圧V1Highより小さい高温の基準過電圧V1Lowに設けられる。但し、基準過電圧は、温度が低温から基準温度を超えるときは、キャパシタ部が高温の満充電電圧VLowに低下するまで低温の基準過電圧V1Highとし、キャパシタ部が高温の満充電電圧VLowになれば高温の基準過電圧V1Highとするように設ける。このように基準過電圧を設けることにより、高温の満充電電圧VLowに切替えるときに過電圧異常信号Voverを出力しないようにする。基準過電圧の設定について図2を用いて説明すると、基準過電圧は、時間T0~時間T3では基準温度より低いので低温の基準過電圧V1Highに設けられ、時間T3~時間T4では基準温度を超えているが低温の基準過電圧V1Highに維持される。さらに時間T4~時間T5で高温の基準過電圧V1Lowに変更し、時間T5で基準温度まで低下すると低温の基準過電圧V1Highに戻すように基準過電圧を設定する。実施の形態2図3は本発明の実施の形態2におけるキャパシタ装置の電圧制御回路を示すブロック回路図であり、実施の形態2は実施の形態1の電圧制御回路の構成の一部が違う以外は、実施の形態1と同じ構成であり、同じ構成には同一の符号を付与し説明を省略する。実施の形態2における電圧制御回路は、キャパシタ部11と充電回路15に接続し、キャパシタ部11の電圧を分圧し分圧電圧を出力する分圧回路25と基準電圧回路27と比較回路29とを有している。分圧回路25は、第4の抵抗素子55と第5の抵抗素子56とが直列接続されたものであり、第4の抵抗素子55は接地され、第5の抵抗素子56はキャパシタ部11のプラス側に接続されている。分圧電圧は、第4の抵抗素子55と第5の抵抗素子56との接続点において出力される。第4の抵抗素子55、第5の抵抗素子56は固定抵抗素子で構成される。分圧回路25は、キャパシタ部11の電圧検出回路として用いてもよく、このとき分圧電圧はキャパシタ部11の充電電圧信号として制御回路14に出力される。基準電圧回路27は、所定の定電圧を出力する定電圧電源62と定電圧電源62の電圧を分圧する電源分圧回路61とを有し、基準電圧を出力する。電源分圧回路61は、直列接続された第1の抵抗素子51と第2の抵抗素子52、及び第3の抵抗素子53と半導体スイッチング素子54とが直列接続された基準電圧可変抵抗部とを有し、第1の抵抗素子51は定電圧電源62のプラス側に接続され、第2の抵抗素子52は接地され、さらに基準電圧可変抵抗部は第1の抵抗素子51と並列接続されている。また基準電圧は、第1の抵抗素子51と第2の抵抗素子52との接続点において出力される。制御回路14は、温度が基準温度を下回る低温において半導体スイッチング素子54をオンし、基準温度を超える高温において半導体スイッチング素子54をオフするように、スイッチ信号Scontを出力する。低温において半導体スイッチング素子54はオンの短絡状態となり、基準電圧可変抵抗部は第3の抵抗素子53と半導体スイッチング素子54の内部抵抗とからなり、この基準電圧可変抵抗部と第1の抵抗素子51とからなる並列回路が構成される。そして、この並列回路と第2の抵抗素子52とで分圧される基準電圧が出力される。高温においては、半導体スイッチング素子54はオフの絶縁状態となり、第1の抵抗素子51と第2の抵抗素子52とで分圧される基準電圧が出力され、半導体スイッチング素子54がオフの場合の基準電圧は、半導体スイッチング素子54がオンの場合に比べ低くなる。そして、制御回路14は、温度が基準温度を超えると半導体スイッチング素子54をオフすることにより、基準電圧に対し相対的に分圧電圧が上がるように基準電圧回路27を制御し、その結果、高温においてキャパシタ部11の満充電電圧を下げるように制御する。そのため、基準電圧回路27の電源分圧回路61の半導体スイッチング素子54をオン/オフとすることにより、高温において満充電電圧の電圧ばらつきを小さくし過充電によるキャパシタ素子の劣化を抑制すると共に、低温においてキャパシタ部11の満充電電圧を上げ蓄電性能を高めることができる。実施の形態3図5は本発明の実施の形態3におけるキャパシタ装置の電圧制御回路を示すブロック回路図であり、実施の形態3は実施の形態1の電圧制御回路の構成の一部が違う以外は、実施の形態1と同じ構成であり、同じ構成には同一の符号を付与し説明を省略する。実施の形態3におけるキャパシタ装置は、分圧回路の可変抵抗部を複数設けたものであり、図5に示すように複数の可変抵抗部100、200は第1の抵抗素子41と並列に接続されている。各可変抵抗部100、200は、夫々第3の抵抗素子143、243と半導体スイッチング素子144、244とが直列接続され、半導体スイッチング素子144、244は制御回路14に接続されている。基準温度は各半導体スイッチング素子144、244に一対一に対応し異なる値に設けられ、制御回路14は、基準温度になれば、温度の上昇に応じて基準温度の低い可変抵抗部の半導体スイッチング素子144、244から順次オフすることにより、満充電電圧を段階的に下げる制御を行う。そして、制御回路14は、温度が全ての基準温度を下回る低温状態では全ての半導体スイッチング素子144、244をオンし、全ての基準温度を超える高温状態では全ての半導体スイッチング素子144、244をオフする。実施の形態4実施の形態4は、実施の形態2の基準電圧回路の1つの基準電圧可変抵抗部の代わりに複数の基準電圧可変抵抗部を設けたものである。実施の形態3と同様に、各基準電圧可変抵抗部は、夫々第3の抵抗素子と半導体スイッチング素子とが直列接続され、半導体スイッチング素子は制御回路14に接続される。基準温度は各半導体スイッチング素子に一対一に対応し異なる値に設けられ、制御回路14は、基準温度になれば、温度の上昇に応じて基準温度の低い基準電圧可変抵抗部の半導体スイッチング素子から順次オフすることにより、満充電電圧を段階的に下げる制御を行う。