"反応炉と、ボートを搬送する少なくとも2つのボート搬送装置と、前記反応炉真下へ移動可能であって、前記ボートを載置する少なくとも1つのボート置台と、前記反応炉により処理された処理済基板を保持する1つのボートを1つのボート搬送装置により支持した状態で前記反応炉から離れた位置に退避させている間に、未処理基板を保持した他のボートを支持する他のボート搬送装置により前記他のボートを搬送して、該他のボートを前記反応炉にロードするように制御する制御手段と、を有する基板処理装置。前記制御手段は、さらに、前記ボート置台を前記反応炉真下へ移動させ、前記1つのボートを前記1つのボート搬送装置により、前記ボード置台に搬送して、該1つのボートに保持されていた処理済基板をディスチャージし、次に処理する未処理基板を該1つのボートにチャージし、該1つのボートを前記他のボート搬送装置により前記反応炉から離れた位置に待機するように制御する制御手段と、を有する請求項1記載の基板処理装置。反応炉により処理された処理済基板を保持する1つのボートを1つのボート搬送装置により支持した状態で前記反応炉から離れた位置に退避させている間に、未処理基板を保持した他のボートを支持する他のボート搬送装置により前記他のボートを搬送して、該他のボートを前記反応炉にロードするステップ、を有する基板処理方法。さらに、前記ボートを載置する少なくとも1つのボート置台を前記反応炉真下へ移動させ、前記1つのボートを前記1つのボート搬送装置により、前記ボード置台に搬送して、該1つのボートに保持されていた処理済基板をディスチャージし、次に処理する未処理基板を該1つのボートにチャージし、該1つのボートを前記他のボート搬送装置により前記反応炉から離れた位置に待機するステップ、を有する請求項3記載の基板処理方法。少なくとも2つの反応炉と、ボートを搬送する少なくとも2つのボート搬送装置と、前記1つの反応炉真下から前記他の反応炉真下へ移動可能であって、前記ボートを載置する少なくとも1つのボート置台と、を有し、前記反応炉により処理された処理済基板を保持する1つのボートを1つのボート搬送装置により支持した状態で前記反応炉から離れた位置に退避させている間に、未処理基板を保持した他のボートを支持する他のボート搬送装置により前記他のボートを搬送して、該他のボートを前記反応炉にロードして、前記ボート置台を前記1つの反応炉真下から前記他の反応炉真下へ移動させ、前記1つのボートを前記1つのボート搬送装置により、前記ボード置台に搬送して、該1つのボートに保持されていた処理済基板をディスチャージし、次に処理する未処理基板を該1つのボートにチャージし、該1つのボートを前記他のボート搬送装置により前記反応炉から離れた位置に待機するように制御する制御手段と、を有する基板処理装置。従来の基板処理装置では、300mm口径のウエハが処理されてきた。しかしながら、更なるスループット向上を目指した場合、例えば450mm口径等の口径の大きなウエハを用いることの要請がある。しかしながら、相対的に装置内の搬送装置が大型化し、フットプリントの拡大、搬送室内のN2置換の長時間化と使用量の増加等、生産性に影響を及ぼすことになる。本発明の目的は、高スループット化と省フットプリント化の相反する条件の両立を実現することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。本発明の一態様によれば、反応炉と、ボートを搬送する少なくとも2つのボート搬送装置と、前記反応炉真下へ移動可能であって、前記ボートを載置する少なくとも1つのボート置台と、前記反応炉により処理された処理済基板を保持する1つのボートを1つのボート搬送装置により支持した状態で前記反応炉から離れた位置に退避させている間に、未処理基板を保持した他のボートを支持する他のボート搬送装置により前記他のボートを搬送して、該他のボートを前記反応炉にロードするように制御する制御手段と、を有する基板処理装置が提供される。好ましくは、前記制御手段は、さらに、前記ボート置台を前記反応炉真下へ移動させ、前記1つのボートを前記1つのボート搬送装置により、前記ボード置台に搬送して、該1つのボートに保持されていた処理済基板をディスチャージし、次に処理する未処理基板を該1つのボートにチャージし、該1つのボートを前記他のボート搬送装置により前記反応炉から離れた位置に待機するように制御する制御手段と、を有する。本発明の他の態様によれば、反応炉により処理された処理済基板を保持する1つのボートを1つのボート搬送装置により支持した状態で前記反応炉から離れた位置に退避させている間に、未処理基板を保持した他のボートを支持する他のボート搬送装置により前記他のボートを搬送して、該他のボートを前記反応炉にロードするステップ、を有する基板処理方法が提供される。好ましくは、さらに、前記ボートを載置する少なくとも1つのボート置台を前記反応炉真下へ移動させ、前記1つのボートを前記1つのボート搬送装置により、前記ボード置台に搬送して、該1つのボートに保持されていた処理済基板をディスチャージし、次に処理する未処理基板を該1つのボートにチャージし、該1つのボートを前記他のボート搬送装置により前記反応炉から離れた位置に待機するステップ、を有する。本発明の更に他の態様によれば、少なくとも2つの反応炉と、ボートを搬送する少なくとも2つのボート搬送装置と、前記1つの反応炉真下から前記他の反応炉真下へ移動可能であって、前記ボートを載置する少なくとも1つのボート置台と、を有し、前記反応炉により処理された処理済基板を保持する1つのボートを1つのボート搬送装置により支持した状態で前記反応炉から離れた位置に退避させている間に、未処理基板を保持した他のボートを支持する他のボート搬送装置により前記他のボートを搬送して、該他のボートを前記反応炉にロードして、前記ボート置台を前記1つの反応炉真下から前記他の反応炉真下へ移動させ、前記1つのボートを前記1つのボート搬送装置により、前記ボード置台に搬送して、該1つのボートに保持されていた処理済基板をディスチャージし、次に処理する未処理基板を該1つのボートにチャージし、該1つのボートを前記他のボート搬送装置により前記反応炉から離れた位置に待機するように制御する制御手段と、を有する基板処理装置が提供される。本発明によれば、高スループット化と省フットプリント化の相反する条件の両立を実現することができる。以下、本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。図1には、2ボート交換式の基板処理装置が斜視図を用いて示されている。図2には、2ボート交換式の基板処理装置が平面図を用いて示されている。基板処理装置10は筐体12を有し、該筐体12の前面に開口部14が設けられ、該開口部14の外側下部にカセット授受ステージ16が設けられ、該カセット授受ステージ16には基板収納カセット18が2個載置可能である。該基板収納カセット18はプラスチック製の密閉可能な容器であり、該基板収納カセット18の内部には例えば25枚の基板が多段に装填されている。前記開口部14に対向してカセットローダ20が設置されている。該カセットローダ20は進退且つ横行可能であると共に昇降可能であり、前記基板収納カセット18を後述するカセットオープナ22、カセット収納棚24に搬送することができる。前記カセットローダ20の前記開口部14とは反対側に前記カセットオープナ22が設けられている。該カセットオープナ22は前記筐体12の幅方向一側面26側に偏心して位置している。前記カセットオープナ22は昇降テーブル28を有し、該昇降テーブル28に前記基板収納カセット18を上段及び下段に載置可能であり、又前記カセットオープナ22は扉開閉機構30を有し、該扉開閉機構30により載置された基板収納カセット18の不図示の扉が開かれる様になっている。前記カセットオープナ22の上方に回転式の前記カセット収納棚24が設けられ、該カセット収納棚24に前記基板収納カセット18が前記カセットローダ20により搬送される様になっている。前記カセットオープナ22の前記カセットローダ20とは反対側に基板移載機32が設置されている。前記基板移載機32はツイーザ34を有し、該ツイーザ34は進退すると共に回転可能であり、前記基板移載機32は不図示の基板移載機用エレベータにより昇降可能になっている。前記カセットオープナ22と前記基板移載機32との間にノッチ合せ装置36が設置され、該ノッチ合せ装置36は、前記基板収納カセット18内の基板38を整列する様になっている。前記基板移載機32の背面側にボートエレベータ40が設けられている。前記ボートエレベータ40は昇降アーム42を有し、該昇降アーム42は不図示の昇降駆動用モータにより昇降可能である。前記昇降アーム42の先端部に炉口キャップ44が設けられ、該炉口キャップ44の上面に不図示の所要高さのボート台が載置されてボート授受位置となる。ボート台に処理の対象となる基板ウエハ38を水平に多段に保持する基板保持具ボート48、49が載置される。ボート48、49は、例えば、石英、炭化ケイ素、シリコンなどからなるガラスでできている。ボート48、49は石英製の柱50を3本有し、該柱50のスロットに100枚~150枚の前記基板38が装填できる様になっている。反応室、ヒータにより構成される反応炉52が前記炉口キャップ44の上方に設けられ、前記反応炉52は下部に炉口図示せずを有し、該炉口の真下がロード/アンロード位置Aとなり、ロード/アンロード位置Aは、基板38をボート48,49へ搬入搬出させる基板搬入出位置でもある。前記炉口に前記第1のボート48又は第2のボート49が交互にロード/アンロードされ、且つ前記炉口に前記炉口キャップ44が嵌合し、該炉口キャップ44により前記反応炉52が気密に閉塞される様になっている。該反応炉52は図示しないヒータを有し、前記反応炉52により反応ガスの存在下に前記基板38がプロセス処理される様になっている。ボートエレベータ40に対向して、筐体12の内部後方他側には、第1のボート搬送装置である第1のスカラーアーム58と第2のボート搬送装置である第2のスカラーアーム60が設けられる。該第1のスカラーアーム58及び第2のスカラーアーム60を図3及び図4に基づいて説明する。図3は、本実施形態において用いられる第1のスカラーアーム58及び第2のスカラーアーム60の斜視図である。図4は、図3で示されているスカラーアームの上面図であり、aは待機時が示され、bはリミット時が示されている。第1のスカラーアーム58と第2のスカラーアーム60はボート48、49を載置するボート載置部62と、このボート載置部62を回転自在に支持する第1のアーム64と、この第1のアーム64を回転自在に支持する第2のアーム66と、この第2のアーム66を回転、昇降及び進退自在に支持する支持部68から構成される。ボート載置部62は、図面においては四角形状であるが、例えばコの字形状でも良く、ボート48、49を載置する際にボート48,49と対向する面を凹部としても良い。また、ボート載置部62の上面には、少なくとも3つの突部70が設けられている。この3つの突部70がボート48、49の底面に形成された不図示の孔に装入されることにより、ボート48、49はスカラーアーム58,60に支持される。すなわち、ボート載置部62は第1のアーム64に対して、第1のアーム64は第2のアーム66に対して、第2のアーム66は支持部68に対して端部で回転支持されることで、スカラーアーム58,60はそれぞれ端部で回転されて折り重なった状態で待機され、リミット時には直線状に延びる。ボートエレベータ40のロード、アンロード時に干渉しない位置置台退避位置Dには、この置台退避位置Dから反応炉52の真下であるボートロード/アンロード位置Aに移動可能なボート48,49を載置するボート置台46が配置されている。ボート置台46は、処理基板のディスチャージ及び未処理基板のチャージを行う際に、ボートロード/アンロード位置Aに移動される。以下、作用について説明する。上述のボート48、49を反応炉52内に搬入、搬出させる反応炉52の真下をボートロード/アンロード位置A、ボートエレベータ40の設置面と対向する側であって基板移載機32近傍をボート待機位置B、このボート待機位置Bから置台退避位置Dを挟んだ位置をボート退避位置Cとする。第1のスカラーアーム58はボート待機位置Bに、第2のスカラーアーム60はボート退避位置Cに配置されている図2参照。図示しない外部搬送装置により基板収納カセット18がカセット授受ステージ16に載置される。前記基板収納カセット18の内部には25枚の基板38が上下に所要ピッチで装填されている。前記基板収納カセット18は密閉容器である為、該基板収納カセット18の外部からのパーティクル浸入を防止し、前記基板収納カセット18が筐体12の外部にあった場合でも、パーティクルの汚染が防止される。前記基板収納カセット18はカセットローダ20によりカセットオープナ22に載置され、或はカセット収納棚24に搬送される。昇降テーブル28上の基板収納カセット18は扉開閉機構30により扉が開かれる。基板移載機32は、昇降、進退及び回転可能であり、基板移載機用エレベータにより基板移載機32が所定の高さに昇降され、ツイーザ34が前進され、該ツイーザ34により前記基板収納カセット18内部の基板38が把持され、前記ツイーザ34が後退され、該ツイーザ34により前記基板38が搬出される。前記ツイーザ34は回転し、更に高さ調整された後、前記ボート48又はボート49に進入し、前記基板38が前記ボート48又はボート49に水平姿勢で装填される。第1のスカラーアーム58と第2のスカラーアーム60は、それぞれ別個に横行、昇降及び進退することができる。ボート置台46は独立して置台退避位置Dからボートロード/アンロード位置Aへ横行及び進退することができる。以下、第1のスカラーアーム58と第2のスカラーアーム60の動作について詳述する。図5は、基板処理装置10の搬送室を上方からみた平面図である。また、図6には、基板処理装置10の制御手段であるコントローラ84構成が示されている。コントローラ84は、入出力装置85を介して第1のスカラーアーム58、第2のスカラーアーム60、ボート置台46、基板移載機32、ボートエレベータ40等を制御する。また、図7には、該コントローラ84による制御フローが示されている。以下の説明において、本発明の実施形態に係る基板処理装置10を構成する各部の動作はコントローラ84により制御される。<図5a>処理済基板38を保持する第1のボート48を反応炉52からボートエレベータ40を用いてアンロードするステップS14。このとき、未処理基板38を保持した第2のボート49が第1のスカラーアーム58に支持されて、ボート待機位置Bで待機されているステップS12。<図5bc>アンロードされた第1のボート48は、ボートロード/アンロード位置Aにおいて、第2のスカラーアーム60の作用により支持されてボート退避位置Cに退避され、第1のボート48に保持された処理済基板38が所定の温度になるまで冷却されるステップS15。<図5de>第1のボート48に保持された処理済基板38がボート退避位置Cにおいて冷却されている間、未処理基板を保持するボート待機位置Bで待機されていた第2のボート49が、第1のスカラーアーム58の作用により支持されてボートロード/アンロード位置Aに搬送される。<図5f>第2のボート49を反応炉52内へボートエレベータ40を用いてロードするステップS13。また、置台退避位置Dに配置されていたボート置台46がボートロード/アンロード位置Aに移動されるステップS16。<図5g>ボート退避位置Cへ退避されていた第1のボート48に保持された処理済基板38が冷却されたら、第1のボート48が、第2のスカラーアーム60の作用により支持されてボートロード/アンロード位置Aに配置されたボート置台46上に搬送される。<図5h>基板移載機32の作用により第1のボート48に保持された処理済基板38をカセットオープナ22上のカセット18に払い出すディスチャージするステップS17。処理済基板38がカセット18に装填されると、カセット18はカセットローダ20によりカセットステージ16に搬送され、外部搬送装置によって搬出される。カセットローダ20によりカセットオープナ22に未処理基板38が装填されたカセット18が移載される。基板移載機32は、カセット18から未処理基板38をウエハロード/アンロード位置Aにある空の第1のボート48に移載するチャージするステップS11。<図5i>未処理基板38を保持した第1のボート48は、第1のスカラーアーム58の作用により支持されてボート待機位置Bで待機されるステップS12。以上図5a~iを繰り返すことにより、基板のバッチ処理が行われる。次に、本発明の第2の実施形態に係る2反応炉3ボート交換式の基板処理装置について説明する。図8には、第2の実施形態に係る基板処理装置100の概略斜視図が示されている。以下、本発明の実施形態に係る基板処理装置10と異なる点のみ説明する。第2の実施形態に係る基板処理装置100においては、基板移載機32の背面側にボートエレベータ40図8において不図示が2つ設けられている。各ボートエレベータ40は昇降アーム42図8において不図示を有し、該昇降アーム42は不図示の昇降駆動用モータによりそれぞれ昇降可能である。前記昇降アーム42の先端部にそれぞれ炉口キャップ44a,44b図8において不図示が設けられ、該炉口キャップ44a,44bの上面に処理の対象となる基板ウエハ38を水平に多段に保持する基板保持具ボート48,49,51が載置される。また、第2の実施形態に係る基板処理装置100においては、反応室、ヒータにより構成される2つの第1の反応炉52a,第2の反応炉52bが前記炉口キャップ44a、44bの上方にそれぞれ設けられている。前記第1の反応炉52a、第2の反応炉52bはそれぞれ下部に炉口図示せずを有し、第1の反応炉52aの炉口の下方がロード/アンロード位置Aとなり、該ロード/アンロード位置Aは、基板38をボート48,49及び51へ搬入搬出させる基板搬入出位置となっている。すなわち、前記それぞれの炉口に第1のボート48、第2のボート49及び第3のボート51が交互にロード/アンロードされ、且つ前記第1の反応炉52aの炉口に炉口キャップ44aが、前記第2の反応炉52bの炉口に炉口キャップ44bがそれぞれ嵌合し、該炉口キャップ44a、44bにより第1の反応炉52a、第2の反応炉52bがそれぞれ気密に閉塞される様になっている。第1の反応炉52a、第2の反応炉52bにより反応ガスの存在下に基板38がプロセス処理されるようになっている。第1の反応炉52aと第2の反応炉52bの下方には、第1のボート搬送装置である第1のスカラーアーム58と第2のボート搬送装置である第2のスカラーアーム60が対向して設けられている。また、第1の反応炉52aと第2の反応炉52bの下方には、第1の反応炉52aの真下から第2の反応炉52bの真下へ移動可能なボート48,49,51を載置するボート置台46が設けられている。ボート置台46は、処理済基板のディスチャージ及び未処理基板のチャージを行う際や、反応炉から処理済基板を移載したボートがアンロードされるときや反応炉へ未処理基板を移載したボートがロードされるときに、後述する第1の反応炉52aの真下である第1のボートロード/アンロード位置A又は第2の反応炉52bの真下である第2のボートロード/アンロード位置Bに移動される。以下、第2の実施形態に係る基板処理装置100における第1のスカラーアーム58と第2のスカラーアーム60の動作について詳述する。図9乃至図13は、本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置100の動作を説明する説明図であって、下図は反応炉52a、52bとスカラーアーム58,60を横面からみた図であり、上図は下図のD-D線断面図である。ここで、基板処理装置100は、コントローラ84によって制御され、コントローラ84は、入力装置85を介して第1のスカラーアーム58、第2のスカラーアーム60、ボート置台46、基板移載機32、反応炉52a、52bの不図示のヒータ等を制御する。以下の説明において、本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置100を構成する各部の動作はコントローラ84によって制御される。また、上述のボート48,49,51を搬入、搬出させる第1の反応炉52aの真下を第1のボートロード/アンロード位置A、第2の反応炉52bの真下を第2のボートロード/アンロード位置Bボート待機位置、基板移載機32側にある第1のスカラーアーム58と対向して設けられた第2のスカラーアーム60の退避位置をボート退避位置Cとする。<図9ab>基板移載機32の作用により、未処理基板38を第1のロード/アンロード位置Aにある空の第1のボート48に移載するチャージする第1のボート、ステップS11。このとき、空の第1のボート48は、ロード/アンロード位置Aにあるボート置台46上に載置され、第1の反応炉52a内にて第2のボート49に保持された未処理基板38が、第2の反応炉52b内にて第3のボート51に保持された未処理基板がそれぞれ熱処理される。<図9c>ボート置台46の作用により、第1のボート48が未処理基板38を保持して第2のボートロード/アンロード位置Bボート待機位置へ移動される第1のボート、ステップS12。<図9d>処理済基板38を保持する第2のボート49が第1の反応炉52a内からボートエレベータ40を用いて第1のボートロード/アンロード位置Aへアンロードされる第2のボート、ステップS14。このとき、未処理基板を保持した第1のボート48は、ボート待機位置でもある第2のボートロード/アンロード位置Bで待機されている。<図10ef>処理済基板38を保持する第2のボート49が、第2のスカラー60の作用により支持されてボート退避位置Cに退避され、第2のボート49に保持された処理済基板38が所定の温度になるまで冷却される第2のボート、ステップS15。<図10g>第2のボート49に保持された処理済基板38がボート退避位置Cにおいて冷却されている間、未処理基板を保持する第2のボートロード/アンロード位置Bボート待機位置で待機されていた第1のボート48が、第1のスカラー58の作用により支持されて第1のボートロード/アンロード位置Aに搬送される。<図10h>未処理基板を保持する第1のボート48がボートエレベータ40を用いて、第1のボートロード/アンロード位置Aから第1の反応炉52a内へロードされる第1のボート、ステップS13。<図11ij>ボート置台46が、第2のボートロード/アンロード位置Bボート待機位置から第1のボートロード/アンロード位置Aに移動される。このとき、第1の反応炉52a内にて第1のボート48に保持された未処理基板38が熱処理される。ボート退避位置Cへ退避されていた第2のボート49が、第2のスカラー60の作用により支持されて第1のボートロード/アンロード位置Aに移動されたボート置台46上に搬送される第2のボート、ステップS16。<図11k>処理済基板38を保持する第3のボート51が第2の反応炉52b内からボートエレベータ40を用いて第2のボートロード/アンロード位置Bへアンロードされる第3のボート、ステップS14。<図11l、図12m>処理済基板38を保持する第3のボート51が、第2のスカラー60の作用により支持されてボート退避位置Cに退避され、冷却される第3のボート、ステップS15。<図12n>処理済基板38を保持する第2のボート49が、第1のスカラー58の作用により支持されて第1のボートロード/アンロード位置Aから第2のボートロード/アンロード位置Bボート待機位置に搬送される第2のボート、ステップS12。<図12o>処理済基板38を保持する第2のボート49が、ボートエレベータ40を用いて第2のボートロード/アンロード位置Bから第2の反応炉52b内に搬送され、熱処理される第2のボート、ステップS13。<図12p>ボート退避位置Cへ退避されていた第3のボート51が、第2のスカラー60の作用により支持されて第1のボートロード/アンロード位置Aに配置されたボート置台46上に搬送される。<図13q>基板移載機32の作用により第3のボート51に保持された処理済基板38をカセットオープナ22図8において不図示上のカセット18図8において不図示に払い出すディスチャージする第3のボート、ステップS17。以上図9a~図13qを繰り返すことにより、基板のバッチ処理が行われる。次に、本発明の実施形態に係る基板処理装置10の比較例に係る基板処理装置80について説明する。図14は、比較例に係る基板処理装置80の概略斜視図を示す。図15は、図14に係る基板処理装置80を上方からみた平面図を示す。本発明の実施形態に係る基板処理装置10と異なる点のみ説明する。比較例に係る基板処理装置80は、ウエハを搬送する1つのボート搬送装置82とボートを載置する2つのボート置台84,86から構成される。ボート搬送装置82は例えば半円形状の2つのアーム88,90を有する。そして、先述したボート待機位置Bに第1のボート置台84が、ボート退避位置Cに第2のボート置台86が設けられている。すなわち、ボート搬送装置82の2つのアーム88,90が回転され、上昇されて2つのボート48と49がボートロード/アンロード位置Aとボート待機位置Bとボート退避位置Cの間を搬送される。図16は、比較例に係る基板処理装置の搬送室を上方からみた平面図である。なお、以下の説明において、比較例に係る基板処理装置80を構成する各部の動作はコントローラ84により制御される。<図16a>処理済基板を保持する第1のボート48を反応炉52からボートエレベータ40を用いてアンロードする。このとき、未処理基板38を保持した第2のボート49がボート置台84上に載置されている。<図16b~c>アンロードされた第1のボート48は、ボート搬送装置82の第2のアーム90を用いて第2のボート置台86上へ搬送され、冷却される。<図16d~e>処理済基板38が冷却されている間、第1のボート置台84上に待機されていた第2のボート49がボート搬送装置82の第1のアーム88を用いてボートロード/アンロード位置Aへ搬送され、ボートエレベータ40により反応炉52内へロードされる。<図16f>処理済基板38が冷却され、第2のボート置台86上に載置されていた第1のボート48はボート搬送装置82の第2のアーム90を用いて第1のボート置台84上に搬送される。<図16g>第1のボート置台84上に載置された第1のボート48から基板移載機32により処理基板がディスチャージされ、未処理基板がチャージされる。以上のように、図14乃至図16に示されている比較例に係る基板処理装置80の2ボートシステムを用いる場合に、2ボートを運用する場合には反応炉52の真下ではないボート置台84の位置で基板38のチャージ、ディスチャージを行い、1ボートを運用する場合には反応炉52真下のボート上で基板38のチャージ、ディスチャージを行う為、2箇所で基板のチャージ、ディスチャージの調整を行う必要がある。これに対して、本発明の基板処理装置10の2ボートシステムによれば、2ボートを運用する場合であっても1ボートを運用する場合であっても、反応炉52の真下のボート置台46の位置のみで基板のチャージ、ディスチャージの調整を行えばよいので、調整が容易になる。また、本発明の基板処理装置100の3ボートシステムによっても同様に反応炉52aの真下のボート置台46の位置のみで基板のチャージ、ディスチャージの調整を行えばよいので、調整が容易になる。また、本発明によれば、比較例に係る基板処理装置80と比較しても省フットプリントでの配置が可能であり、すなわち、ウエハが例えば450mmの大口径化となる縦型熱処理装置においても省スペースでありながらスループットを向上させることができる2ボートシステム又は3ボートシステムを有する基板処理装置を提供することができる。ここで、450mm口径のウエハを用いる例について説明したが、これに限らず、基板の大口径化を図ることができる。また、本発明によれば、搬送室から2台のボート搬送装置が別の動作を同時に実行でき、高スループット対応が可能である。また、本発明によれば、搬送室から2台のボート搬送装置を用いる例について説明したが、これに限らず、3台以上のボート搬送装置を用いてもよい。また、本発明によれば、ボート置台46が反応炉52の真下へ移動する例について説明したが、これに限らず、ボート置台46が反応炉52の真下に飛び出してくる場合にも適用できる。また、既存の基板処理装置の構成を流用するため、変更点を少なくすることが出来る。したがって、本発明によれば、省フットプリントレイアウトを維持したままでスループットを高くすることができる。また、本発明は、半導体製造技術、特に、被処理基板を処理室に収容してヒータによって加熱した状態で処理を施す熱処理技術に関し、例えば、半導体集積回路装置半導体デバイスが作り込まれる半導体ウエハに酸化処理や拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニール及び熱CVD反応による成膜処理などに使用される基板処理装置に利用して有効なものに適用することができる。"