B、Al、Ga、In、及びTlからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の13族窒化物結晶であって、c軸を横切る断面の内側に設けられた第1領域と、前記断面の最外側に設けられ、前記第1領域と結晶特性の異なる第3領域と、前記断面における前記第1領域と前記第3領域との間の少なくとも一部の領域に設けられた結晶成長の遷移領域であり、該第1領域及び該第3領域と結晶特性の異なる第2領域と、を備えた13族窒化物結晶。前記断面において、前記第2領域は前記第1領域の外周の全てを覆うように設けられ、前記第1領域と前記第3領域は非接触である請求項1に記載の13族窒化物結晶。前記金属原子は少なくともGaを含む、請求項1または請求項2に記載の13族窒化物結晶。前記断面の電子線または紫外光励起による発光スペクトルにおける、窒化ガリウムのバンド端発光を含む第1ピークのピーク強度E1と、該第1ピークより長波長側の第2ピークのピーク強度E2と、のピーク強度比E1/E2が、下記式1の関係を満たす、請求項3に記載の13族窒化物結晶。A1<A2<A3式1式1中、A1は、前記第1領域のピーク強度比E1/E2を示し、A2は、前記第2領域のピーク強度比E1/E2を示し、A3は、前記第3領域のピーク強度比E1/E2を示す。前記第2ピークのピーク強度E2が下記式2A及び式2Bの関係を満たす、請求項4に記載の13族窒化物結晶。B1>B3式2AB2>B3式2B式2A中、B1は、前記第1領域の前記第2ピークのピーク強度E2を示す。式2B中、B2は、前記第2領域の前記第2ピークのピーク強度E2を示す。式2A及び式2B中、B3は、前記第3領域の前記第2ピークのピーク強度E2を示す。前記第1ピークのピーク強度E1が下記式3A及び式3Bの関係を満たす、請求項4または請求項5に記載の13族窒化物結晶。C1<C3式3AC2<C3式3B式3A中、C1は、前記第1領域における前記第1ピークのピーク強度E1を示す。式3B中、C2は、前記第2領域における前記第1ピークのピーク強度E1を示す。式3A及び式3B中、C3は、前記第3領域における前記第1ピークのピーク強度E1を示す。前記第2領域における、c軸を横切る方向の転位の転位密度が、前記第1領域及び前記第3領域におけるc軸を横切る方向の転位の転位密度より多い、請求項1~請求項6の何れか1項に記載の13族窒化物結晶。前記断面における、前記第1領域より外側で且つ前記第2領域及び前記第3領域より内側に設けられた第4領域を更に備え、前記第1領域における、前記第1ピークのピーク強度が前記第2ピークのピーク強度より小さく、前記第4領域における、前記第1ピークのピーク強度が前記第2ピークのピーク強度より大きい、請求項1~請求項7の何れか1項に記載の13族窒化物結晶。前記第3領域のc面の転位密度Cは、該第3領域のm面の転位密度Mより低い、請求項1~請求項8の何れか1項に記載の13族窒化物結晶。請求項1~請求項9の何れか1つに記載の13族窒化物結晶の少なくとも一部を含む13族窒化物結晶基板。主面がc面であり、c軸方向に対するオフ角が0.1°以下である、請求項10に記載の13族窒化物結晶基板。しかしながら、窒化アルミニウムを種結晶として窒化ガリウム結晶を成長させた場合、窒化アルミニウムと窒化ガリウムの格子定数が異なるため格子不整合による転位が発生する。また、窒化アルミニウムと窒化ガリウムの熱膨張係数が異なるため、結晶成長温度から室温まで冷却する過程で、熱応力による新たな転位の発生や、さらにはクラックが発生する場合がある。従って、低転位密度の高品質な窒化ガリウム結晶を育成するための種結晶としては、格子定数や熱膨張係数が一致する窒化ガリウム結晶を用いることが望ましい。ところが、特許文献2に記載された方法によって窒化ガリウムの針状結晶を成長させることは困難である。このため、従来では、高品質なバルク結晶を得ることは困難であった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、転位密度が少なく、高品質な13族窒化物半導体基板に供することが可能な高品質な13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、B、Al、Ga、In、及びTlからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の13族窒化物結晶であって、c軸を横切る断面の内側に設けられた第1領域と、前記断面の最外側に設けられ、前記第1領域と結晶特性の異なる第3領域と、前記断面における前記第1領域と前記第3領域との間の少なくとも一部の領域に設けられた結晶成長の遷移領域であり、該第1領域及び該第3領域と結晶特性の異なる第2領域と、を備えた13族窒化物結晶である。また、本発明は、上記13族窒化物結晶の少なくとも一部を含む13族窒化物結晶基板である。本発明によれば、高品質な13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板を得ることができる。以下に添付図面を参照して、本実施形態にかかる13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板について説明する。なお、以下の説明において、図には発明が理解できる程度に構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎず、これにより本発明が特に限定されるものではない。また、複数の図に示される同様の構成要素については同一の符号を付して示し、その重複する説明を省略する場合がある。本実施の形態の13族窒化物結晶は、B、Al、Ga、In、及びTlからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の13族窒化物結晶である。そして、本実施の形態の13族窒化物結晶は、c軸を横切る断面の内側に設けられた第1領域と、該断面の最外側に設けられ、第1領域と結晶特性の異なる第3領域と、該断面における第1領域と第3領域との間の少なくとも一部の領域に設けられた結晶成長の遷移領域であり、該第1領域及び該第3領域と結晶特性の異なる第2領域と、を備える。本実施の形態の13族窒化物結晶では、13族窒化物結晶におけるc軸を横切る断面の内側の第1領域25aと最外側の第3領域25dとの間の少なくとも一部に、結晶成長の遷移領域である第2領域25cが設けられている。このため、本実施の形態の13族窒化物結晶では、高品質な13族窒化物結晶25を提供することができると考えられる。詳細には、第2領域は、13族窒化物結晶の製造時に第1領域の種結晶からの結晶成長の初期に形成される領域である。なお、13族窒化物結晶の詳細な製造方法については後述する。この結晶成長の初期には、成長条件、例えば結晶成長雰囲気安定化までの時間や種結晶表面状態などにより、種結晶第1領域と全く同じ特性の結晶を成長開始直後に形成することは難しいと考えられる。また、結晶成長方向によって不純物の取り込まれ方も異なると考えられる。また、意図して種結晶第1領域と異なる特性を成長させる場合でも、成長初期に転位が集中したり不純物が多く含まれる領域が形成される場合がある。第2領域2は、これらの原因により成長初期に形成される転位の集中した領域あるいは不純物の多い領域であると考えられる。すなわち、第2領域は、第1領域及び第3領域に比べて、転位や不純物の多い領域であると考えられる。一方、第3領域は、13族窒化物結晶の後述する製造時に第1領域上に直接、または第2領域を介して形成される領域である。このため、第3領域は、第2領域に比べて転位密度が少ない、あるいは不純物が少ない結晶品質の良い領域であると考えられる。これは、第2領域が、結晶成長の遷移領域または緩衝領域として機能するためと考えられる。このように、第2領域を介することによって、結晶品質の良好な第3領域を形成することができる。従って、高品質な13族窒化物結晶を提供することができると考えられる。なお、高品質な13族窒化物結晶とは、c軸を横切る断面の最外側の領域の転位などの欠陥が、内側の領域に比べて少ないことを意味する。なお、最外側の領域とは、13族窒化物結晶のc軸を横切る断面における外縁から内側に向かって連続する一部の領域を示し、第3領域に相当する。また、内側の領域とは、該断面における種結晶として用いた領域を示し、具体的には、第1領域及び後述する第4領域に相当する。以下、詳細を説明する。-13族窒化物結晶-本実施形態にかかる13族窒化物結晶は、B、Al、Ga、In、及びTlからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の結晶構造の13族窒化物結晶である。なお、本実施形態にかかる13族窒化物結晶は、金属原子として、Ga、及びAlの少なくとも一方を少なくとも含むことが好ましく、Gaを少なくとも含むことが更に好ましい。本実施の形態では結晶特性の異なる領域を複数有する。前記結晶特性の異なる領域は、詳細は後述するが、図1に示すように、大きくは種結晶となる13族窒化物結晶25aと、前記種結晶から成長した13族窒化物結晶25dと、前記種結晶と前記種結晶から成長した13族窒化物結晶25dとの境界にある遷移領域25cに分類することができる。本実施形態は前記領域25a、25c、25dを複数有してもよいし、それ以外の領域があってもよい。図1~図3には、本実施の形態の13族窒化物結晶の一例を示した。詳細には、図1は、本実施の形態の13族窒化物結晶の構造の一例を示す概略断面図である。なお、図1は、六方晶の結晶構造を有する13族窒化物結晶25における、c軸とa軸に平行な断面図を示している。また、図2は、13族窒化物結晶25のc軸とa軸に平行な断面図であり、図1のB-B’断面図である。また、図3は、13族窒化物結晶25のc面断面c面に平行な断面の断面図であり、図1のA-A’断面図である。図3に示すように、13族窒化物結晶25において、c軸に垂直な断面c面は、六角形である。なお、本実施の形態において、六角形とは、正六角形、及び正六角形以外の六角形を含む。この六角形の辺に相当する13族窒化物結晶25の側面は、主に、六方晶の結晶構造のm面図1中、符号22A参照面で構成される。本実施の形態における13族窒化物結晶25は、単結晶であるが、互いに結晶特性の異なる第1領域25aと、第2領域25cと、第3領域25dと、を有する。第1領域25aは、13族窒化物結晶25におけるc面断面の内側に設けられた領域である。c面断面の内側とは、c面断面における外縁及び外縁に連続する領域を含まず、該外縁及び該外縁に連続するより内側の領域を示す。第3領域25dは、c面断面の最外側に設けられ、第1領域25aと結晶特性の異なる領域である。第2領域25cは、c面断面の、第1領域25aと第3領域25dとの間の少なくとも一部の領域に設けられた結晶成長の遷移領域である。なお、ここでは、13族窒化物結晶25のc面断面に、第1領域25a、第2領域25c、及び第3領域25dが含まれる場合を説明するが、厳密なc面断面に限定されるものではなく、13族窒化物結晶25のc軸を横切る断面の少なくとも一面において、これらの第1領域25a、第2領域25c、及び第3領域25dが含まれていればよい。結晶特性とは、室温で測定した電子線または紫外光励起による発光スペクトル、転位密度、及び転位方向を示す。本実施の形態において、結晶特性が異なるとは、これらの発光スペクトル、転位密度、及び転位方向の少なくとも1つの特性が異なることを示す。なお、本実施の形態において、室温とは概ね20°C程度であり、具体的には10°C以上30°C以下を示す。電子線または紫外光励起による発光スペクトルは、例えばHe-Cdレーザーヘリウム-カドミウムレーザーを励起光源としてフォトルミネッセンスPLを測定することにより得られるが、これに限定されない。例えば、蛍光顕微鏡などによってスペクトルの色や強度を観察し、観察された色によって識別してもよい。転位密度及び転位方向は、以下のようにして測定する。例えば、測定対象面の最表面を、硫酸とリン酸の混酸やKOHとNaOHの溶融アルカリ等を用いてエッチングし、エッチピットを出現させる。そして、エッチング後の測定対象面の組織写真を、電子顕微鏡を用いて撮影し、得られた写真から、エッチピットの密度EPDを算出すればよい。なお、このEPDは転位密度に対応する。なお、図2及び図3には、第2領域25cは、13族窒化物結晶25のc面断面の、第1領域25aと第3領域25dとの間の一部の領域に設けられている場合を示した。しかし、この第2領域25cは、第1領域25aと第3領域25dとの間の少なくとも一部の領域に設けられていればよく、第1領域25aの外周の全てを覆うように設けられていることが好ましい。図4及び図5には、第2領域25cが、第1領域25aの外周の全てを覆うように設けられている場合の、13族窒化物結晶250のc面断面の断面図を示した。図4及び図5に示すように、第2領域25cが、第1領域25aの外周の全てを覆うように設けられている場合には、第1領域25aと第3領域25dの間には第2領域25cが介在し、第1領域25aと第3領域25dは非接触な状態となる。このように、第2領域25cが、第1領域25aの外周の全てを覆うように設けられていると、第2領域25cが第1領域25aの外周の一部に設けられている場合に比べて、第1領域25aの種結晶から第2領域25cを介して結晶成長させて第3領域25dを形成する場合に、より結晶品質の良好な第3領域25dを得ることができる。なお、上記第1領域25aの種結晶とは、第1領域25aの特性を示す13族窒化物結晶である。換言すれば、第1領域25aの種結晶とは、第1領域25aからなる13族窒化物結晶である。なお、13族窒化物結晶25、250及び後述する13族窒化物結晶251図6参照の製造方法の詳細は後述する。なお、本実施の形態の13族窒化物結晶25、250は、第1領域25a、第2領域25c、及び第3領域25dを有すればよく、他の結晶領域や欠陥等を含んでいてもよい。また、本実施の形態の13族窒化物結晶25、250は、さらに第4領域を含んだ構成であることが好ましい。図6~図8には、本実施の形態の13族窒化物結晶13族窒化物結晶251の一例を示した。詳細には、図6は、13族窒化物結晶251の構造の一例を示す概略断面図である。なお、図6では、六方晶の結晶構造を有する13族窒化物結晶251における、c軸とa軸に平行な断面図を示している。また、図7は、13族窒化物結晶251のc軸を横切る断面の断面図であり、図6のB-B’断面図である。また、図8は、13族窒化物結晶251のc面断面の断面図であり、図6のA-A’断面図である。13族窒化物結晶251は、上述した第1領域25a、第2領域25c、及び第3領域25dに加えて更に、第4領域25bを有する。第4領域25bは、13族窒化物結晶251のc面断面における、第1領域25aより外側で、且つ第2領域25cより内側に設けられている。第4領域25bは、第1領域25a、第2領域25c、及び第3領域25dと結晶特性が異なる。第4領域25bは、第1領域25aの外周の少なくとも一部を覆うように設けられている。このため、第4領域25bは、第1領域25aの外周の全てすなわち、m面の全てを覆うように設けられていてもよく、また、第1領域25aの外周の一部に第4領域25bの設けられていない領域があってもよい。なお、上記と同様に、13族窒化物結晶251は、c軸を横切る断面の少なくとも一面において、第1領域25a、第2領域25c、及び第3領域25dに加えて更に、第4領域25bを含んでいればよく、厳密なc面断面に限定されない。このように、第4領域25bが少なくとも一部の第1領域25aの外周を覆っている場合、この第1領域25aの外側に第4領域25bの設けられた結晶27以下、種結晶27と称する場合があるを種結晶として用いて当該種結晶27の外周面から13族窒化物結晶すなわち、第2領域25c、第3領域25dを成長させることで13族窒化物結晶251を得ることができる。なお、図5において、13族窒化物結晶25、250、251のc面断面や各領域の断面を各々正六角形で示したが、これらは一模式図に過ぎず、それぞれ正六角形に限定されるものではない。また、13族窒化物結晶25、250、251のc面断面、及び各領域第1領域25a、第4領域25b、第2領域25c、第3領域25dのc面断面は、それぞれ六方晶の結晶構造を有する13族窒化物結晶の断面により概ね六角形形状に構成されるものであり、結晶成長の過程でその他の構造がこれらの内部または境界に発生する場合には、各六角形の輪郭はそれら他の構造との境界によって変形することがある。また、13族窒化物結晶25、250、251は、上述した各領域第1領域25a、第4領域25b、第2領域25c、第3領域25dのみによって構成されるとは限らない。13族窒化物結晶25、250、251においては、その他の構成や光学的特性を有するその他の領域例えば、第N領域本実施の形態では、Nは5以上の整数がさらに含まれるとしてもよい。<各領域の特性>-発光特性-本実施の形態に係る13族窒化物結晶25、250、251のc面断面の、電子線または紫外光励起による発光スペクトルにおける窒化ガリウム結晶のバンド端及びその近傍からの発光以下バンド端発光と呼ぶである第1ピークのピーク強度E1と、該第1ピークより長波長側の第2ピークのピーク強度E2と、のピーク強度比E1/E2は、下記式1の関係を満たす。A1<A2<A3式1式1中、A1は、上記c面断面における第1領域25aのピーク強度比E1/E2を示す。式1中、A2は、上記c面断面における第2領域25cのピーク強度比E1/E2を示す。式1中、A3は、上記c面断面における第3領域25dのピーク強度比E1/E2を示す。なお、第1ピークとは、13族窒化物結晶25、250、251の測定対象領域における窒化ガリウムのバンド端発光を含む発光以下、単に、バンド端発光と称する場合があるであり、室温での測定において概ね364nm程度の波長領域に出現する発光スペクトルのピークのことである。なお、窒化ガリウムのバンド端発光とは、13族窒化物結晶25、250、251において価電子帯の上端の正孔と伝導帯の底の電子が再結合することによる発光であり、バンドギャップに等しいエネルギー波長を持つ光が放出されることである。即ち、第1ピークは、13族窒化物結晶25、250、251において窒素とガリウムの結合結合状態及び結晶の周期構造に起因するピークである。尚、第1ピークはバンド端発光とバンド端近傍からの発光を含む場合がある。第2ピークとは、第1ピークよりも長波長側に出現する少なくとも1つのピークのことであり、例えば不純物や欠陥等に起因した発光を含むピークである。より好適な実施形態としては、室温で測定された電子線または紫外光励起による発光スペクトルにおいて、第2ピークは450nmから650nmの波長領域に含まれる。さらに好適な実施形態としては、室温で測定された電子線または紫外光励起による発光スペクトルにおいて、第2ピークは590nmから650nmの波長領域に含まれる。ここで、第2ピークのピーク強度E2に対する第1ピークのピーク強度E1の比が小さいほど、測定対象の領域には不純物や欠陥や転位が多く含まれていることを表す。このため、上記式1では、不純物や欠陥や転位の内の少なくとも1つの割合が、第1領域25a、第2領域25c、及び第3領域25dのこの順に小さいことを示す。このため、例えば、第1領域25aの種結晶を用いて13族窒化物結晶25、250を形成するときに、不純物等の多い第1領域25aの種結晶を用いて、不純物等の少ない第3領域25dを結晶成長させたい場合には、第1領域25aと第3領域25dとの間の不純物量の第2領域25cを形成した後に、第3領域25dを形成する。このようにすることで、第3領域25dの結晶品質をより均一にすることができると考えられる。また、第1領域25a、第2領域25c、及び第3領域25dの内、第2領域25cに転位や不純物や欠陥を集中させることで、第3領域25dの転位や不純物や欠陥を減らすことができると考えらえる。このため、さらに高品質な13族窒化物結晶25、250、251を提供することができると考えられる。本実施の形態に係る13族窒化物結晶25、250、251のc面断面の、電子線または紫外光励起による発光スペクトルにおける、上記第2ピークのピーク強度E2は、下記式2A及び式2Bの関係を示すことが好ましい。B1>B3式2AB2>B3式2B上記式2A中、B1は、前記第1領域の前記第2ピークのピーク強度E2を示す。式2B中、B2は、前記第2領域の前記第2ピークのピーク強度E2を示す。式2A及び式2B中、B3は、前記第3領域の前記第2ピークのピーク強度E2を示す。第2ピークのピーク強度E2が強い領域ほど、測定対象の領域は、不純物や点欠陥がより多いことを示す。このため、上記式2A及び式2Bを満たすことは、不純物や点欠陥のどちらかの割合が、第1領域25a及び第2領域25cよりも、第3領域25dの方が少ないことを示す。このため、不純物等の多い第1領域25aから不純物等の少ない第3領域25dを結晶成長させたい場合には、第1領域25aと第3領域25dとの間の少なくとも一部の領域に第2領域25cを設けることで、第2領域25cに不純物や点欠陥を集中させることができ、第3領域25dの不純物や欠陥を減らすことができると考えらえる。このため、さらに高品質な13族窒化物結晶25、250、251を提供することができると考えられる。また、更に、本実施の形態に係る13族窒化物結晶25、250、251のc軸を横切る断面の、電子線または紫外光励起による発光スペクトルにおける、上記第1ピークのピーク強度E1は、下記式3A及び式3Bの関係を示すことが好ましい。C1<C3式3AC2<C3式3B式3A中、C1は、前記第1領域における前記第1ピークのピーク強度E1を示す。式3B中、C2は、前記第2領域における前記第1ピークのピーク強度E1を示す。式3A及び式3B中、C3は、前記第3領域における前記第1ピークのピーク強度E1を示す。第1ピークのピーク強度E1が強い領域ほど、測定対象の領域は、不純物や欠陥や転位がより少ないことを示す。このため、上記式3A及び式3Bを満たすことは、不純物や欠陥や転位の少なくとも1つの割合が、第1領域25a及び第2領域25cよりも、第3領域25dの方が少ないことを示す。このため、不純物等の多い第1領域25aから不純物等の少ない第3領域25dを結晶成長させたい場合には、第1領域25aと第3領域25dとの間の少なくとも一部の領域に第2領域25cを設けることで、第2領域25cに転位や不純物や欠陥を集中させることができ、第3領域25dの転位や不純物や欠陥を減らすことができると考えらえる。このため、さらに高品質な13族窒化物結晶25、250、251を提供することができると考えられる。また、第1領域25aにおける第1ピークのピーク強度は第2ピークのピーク強度より小さく、第4領域25bにおける第1ピークのピーク強度は第2ピークのピーク強度より大きい。なお、第1領域25a及び第4領域25bにおける、第1ピークのピーク強度及び第2ピークのピーク強度は、上記関係を満たせば限定されないが、更に好ましくは、第4領域25bにおける第1ピークのピーク強度は、第1領域25aにおける第1ピークのピーク強度より大きいことが好ましい。また、第4領域25bにおける第2ピークのピーク強度は、第1領域25aにおける第2ピークのピーク強度より小さいことが好ましい。図9は、第1領域25aおよび第4領域25bにおける電子線または紫外光励起による発光スペクトルの一例を示す図である。第1領域25aにおける発光スペクトルのように、第2ピークのピーク強度が第1ピークのピーク強度よりも大きいということは、第1領域25aに不純物や欠陥が比較的多く含まれていることを表す。一方、第4領域25bにおける発光スペクトルのように、第1ピークのピーク強度が第2ピークのピーク強度よりも大きいということは、第4領域25bにおいて不純物や欠陥が比較的少ないことを表し、第4領域25bの結晶が高品質であることを表している。このため、後述する13族窒化物結晶251の製造方法において、第1領域25aの外側に第4領域25bの設けられた種結晶27を用いると、より高品質の13族窒化物結晶251を製造しやすくなる。これは、不純物や欠陥の少ない第4領域25bが外側に配置された種結晶27を用いることで、より不純物や欠陥の少ない第4領域25b上への結晶成長によるものと考えられる。また、種結晶27を用いてより大きな13族窒化物結晶251を成長させる場合、第1領域25aより不純物や欠陥等の少ない第4領域25bと接する領域から結晶成長させることができる。このため、製造された13族窒化物結晶251における第2領域25cの占める割合を減らし、結晶品質が良好で且つ均一な特性の第3領域25dを多く得ることができる。従って、更に高品質の13族窒化物結晶251を得ることができると考えられる。なお、不純物とは、本実施の形態では、B、Al、O、Ti、Cu、Zn、Si、Na、K、Mg、Ca、W、C、Fe、Cr、Ni、H等を示す。第4領域25bの厚さt図6参照は限定されないが、例えば、最小の厚みが100nm以上であることが好ましい。ここで、特許文献3に記載されるように、窒化ガリウム結晶を種結晶として用いて、フラックス法により13族窒化物結晶を成長させる場合に、種結晶のメルトバックが生じる場合がある。また、メルトバックは、種結晶が低品質である場合、特に加工変質層が残っている場合においてその溶解量メルトバック量が増加することが知られている。これに対して、第1領域25aより高品質の結晶層である第4領域25bが結晶外側に100nm以上の厚さで存在することで、後述する種結晶27を成長させる工程においてメルトバックが発生した場合であっても、第4領域25bが残り易くなり、より高品質の第3領域25dを成長させやすい。-転位密度-次に、結晶中の転位について説明する。第2領域25cにおける、c軸を横切る方向の転位の転位密度は、第1領域25a及び第3領域25dより多い。これは、第2領域25cが、上述のように、結晶成長の遷移領域であるためである。また、第2領域25cでは、上述のように他の領域に比べて転位が集中するため、転位同士が重なり合って転位の消滅が生じる。このため、第3領域25dの転位の数は第2領域25cより少なくなる。また、第3領域25dのc面の転位密度Cは、該第3領域25dのm面の転位密度Mより低い。第3領域25dのm面、すなわち、13族窒化物結晶25、250、251のm面の転位密度、換言すれば、c軸に交差する方向の転位が多いほど、c軸方向の転位は長く伸びずにc軸に交差する方向の転位とぶつかる。このため、第3領域25dのm面では、c軸に交差する方向の転位がぶつかり方向が変わったり消滅したりするため、c軸方向に貫通した転位が他の領域に比べて少なくなる。なお、第3領域25dのc面の転位密度Cと、該第3領域25dのm面の転位密度Mと、の比M/Cは、1000より大きいことが好ましく、100000より大きいことが更に好ましい。第3領域25dのc面の転位密度Cと該第3領域25dのm面の転位密度Mとの比M/Cが上記値を満たすと、第3領域25dのc面の転位密度が1×102/cm-2以下となりやすくなると考えられる。-ホウ素濃度-第1領域25aのホウ素濃度は、第4領域25bのホウ素濃度より高い。具体的には、例えば、13族窒化物結晶251における第1領域25aのホウ素濃度は、4×1018atms/cm3以上であり、第1領域25aの外側に位置する第4領域25bのホウ素濃度は、4×1018atms/cm3未満であることが好ましい。更に好ましくは、第1領域25aのホウ素濃度は、6×1018atms/cm3以上であり、第4領域25bのホウ素濃度は、1×1018atms/cm3未満である。ホウ素濃度が上記関係を満たすと、第1領域25aの外側に第4領域25bの設けられた結晶27を種結晶として用いて結晶成長させる場合に、主に、ホウ素濃度が低く高品質である第4領域25bの外周表面から結晶成長を開始させることができる。従って、ホウ素添加工程によってc軸方向に長尺化させた種結晶27を用いてc軸方向に長い13族窒化物結晶251を製造する場合においても、高品質の13族窒化物結晶を製造することが可能となる。<製造方法>次に、上記13族窒化物結晶25、250、251の製造方法を説明する。上記13族窒化物結晶25、250は、第1領域25aの種結晶を用いて、この種結晶から結晶成長させることによって製造する。一方、上記13族窒化物結晶251は、第1領域25aの外側に第4領域25bを有する種結晶27を用いて、この種結晶27から結晶成長させることによって製造する。なお、第1領域25aの種結晶、及び種結晶27は、六方晶の結晶構造を有し、c軸方向に長尺化されている。そして、第1領域25aの種結晶は、第1領域25aを有する種結晶である。また、種結晶27は、内側に第1領域25aを有し、外側に第4領域25bを有する。また、第1領域25aの種結晶、及び種結晶27における、c軸と垂直な断面c面は六角形である。また、この六角形の辺に相当する種結晶の側面は、主に六方晶の結晶構造のm面で構成される。以下、製造方法の詳細を説明する。[1]種結晶の結晶製造方法<結晶製造装置>図10は、本実施の形態において、第1領域25aの種結晶または種結晶27を製造する結晶製造装置1の概略断面図である。図10に示すように、結晶製造装置1は、ステンレス製の外部耐圧容器28内には内部容器11が設置され、内部容器11内にはさらに反応容器12が収容されており、二重構造を成している。内部容器11は外部耐圧容器28に対して着脱可能となっている。反応容器12は、原料や添加物を融解させた混合融液24を保持して、第1領域25aの種結晶または種結晶27の結晶成長を行うための容器である。反応容器12の構成については後述する。また、外部耐圧容器28と内部容器11には、外部耐圧容器28の内部空間33と内部容器11の内部空間23に、13族窒化物結晶の原料である窒素ガスおよび全圧調整用の希釈ガスを供給するガス供給管15、32が接続されている。ガス供給管14は窒素供給管17とガス供給管20に分岐しており、それぞれバルブ15、18で分離することが可能となっている。希釈ガスとしては、不活性ガスのアルゴンArガスを用いることが望ましいが、これに限定されず、その他のヘリウムHe等の不活性ガスを希釈ガスとして用いてもよい。窒素ガスは、窒素ガスのガスボンベ等と接続された窒素供給管17から供給されて、圧力制御装置16で圧力を調整された後、バルブ15を介してガス供給管14に供給される。一方、希釈ガス例えば、アルゴンガスは、希釈ガスのガスボンベ等と接続された希釈ガス供給管20から供給されて、圧力制御装置19で圧力を調整された後、バルブ18を介してガス供給管14に供給される。このようにして圧力を調整された窒素ガスと希釈ガスは、ガス供給管14にそれぞれ供給されて混合される。そして、窒素および希釈ガスの混合ガスは、ガス供給管14からバルブ15、32を経て外部耐圧容器28および内部容器11に供給される。尚、内部容器11はバルブ29部分で結晶製造装置1から取り外すことが可能となっている。また、ガス供給管14には、圧力計22が設けられており、圧力計22によって外部耐圧容器28および内部容器11内の全圧をモニターしながら外部耐圧容器28および内部容器11内の圧力を調整できるようになっている。本実施の形態では、このように窒素ガスおよび希釈ガスの圧力をバルブ15、18と圧力制御装置16、19とによって調整することにより、窒素分圧を調整することができる。また、外部耐圧容器28および内部容器11の全圧を調整できるので、内部容器11内の全圧を高くして、反応容器12内のアルカリ金属例えばナトリウムの蒸発を抑制することができる。即ち、窒化ガリウムの結晶成長条件に影響を与える窒素原料となる窒素分圧と、ナトリウムの蒸発抑制に影響を与える全圧を、別々に制御する事が可能となっている。また、図10に示すように、外部耐圧容器28内の内部容器11の外周にはヒーター13が配置されており、内部容器11および反応容器12を加熱して、混合融液24の温度を調整することができる。本実施の形態では、フラックス法により、第1領域25aの種結晶または種結晶27を製造する。種結晶27を製造する場合には、種結晶27内のホウ素濃度を結晶内側と結晶外側とで異ならせて結晶成長させるために、混合融液24中にホウ素が溶け込むホウ素溶解工程と、窒化ガリウム結晶25の成長時に結晶中にホウ素が取り込まれるホウ素取込工程と、混合融液24中のホウ素濃度を結晶成長過程とともに減少させるホウ素減少工程とを含む。なお、第1領域25aの種結晶を製造する場合には、上記ホウ素溶解工程とホウ素取込工程とを行い、上記ホウ素減少工程を行わない方法を用いればよい。このため、以下では、種結晶27の製造方法を説明する。ホウ素溶解工程では、反応容器12内壁に含まれる窒化ホウ素BNまたは反応容器12内に設置された窒化ホウ素の部材から、混合融液24中にホウ素が溶解する。次に溶解したホウ素が、結晶成長する結晶内に取り込まれるホウ素取込工程。そして、結晶成長に伴って結晶中に取り込まれるホウ素の量は次第に減少することとなるホウ素減少工程。ホウ素減少工程によれば、種結晶27がm面{10-10}面を成長させながら結晶成長する場合に、c軸を横切る断面において外側の領域におけるホウ素の濃度を、内側の領域のホウ素濃度よりも低くすることができる。これにより、種結晶27のm面で構成される外周面六角柱の6つの側面において、不純物であるホウ素濃度と、不純物に起因する可能性のある結晶内の転位密度が低減され、種結晶27の外周面を、その内側の領域に比べて良質の結晶で構成することができる。[3]で後述する種結晶27から結晶成長させることによる13族窒化物結晶251の製造方法において、13族窒化物結晶251は、主に種結晶27の側表面m面で構成される外周表面を結晶成長の起点として成長するので、上述のように、種結晶27のm面で構成される外周表面が良質であると、そこから成長する結晶も良質となる。従って、本実施形態によれば、大型で品質の良い種結晶27を結晶成長させて、その結果得られる13族窒化物結晶251を良質とすることができる。次に、ホウ素溶解工程、ホウ素取込工程、ホウ素減少工程についてより具体的に説明する。1反応容器12が窒化ホウ素を含む方法ホウ素溶解工程の例としては、反応容器12として窒化ホウ素の焼結体BN焼結体を材料とした反応容器12を用いることができる。反応容器12が結晶成長温度まで昇温される過程において、反応容器12からホウ素が溶解し、混合融液24中に溶け出すホウ素溶解工程。そして、種結晶27の成長過程において混合融液24中のホウ素が種結晶27中に取り込まれるホウ素取込工程。種結晶27の成長にしたがって、混合融液24中のホウ素は次第に減少するホウ素減少工程。尚、上述では、BN焼結体の反応容器12を用いるとしたが、反応容器12の構成はこれに限定されるものではない。好適な実施形態としては、反応容器12において、混合融液24と接する内壁の少なくとも一部において、窒化ホウ素を含む物質例えば、BN焼結体が用いられていればよく、反応容器12のその他の部分は、パイロリティックBNP-BN等の窒化物、アルミナ、YAG等の酸化物、SiC等の炭化物等を使用することができる。2反応容器12内に窒化ホウ素を含む部材を載置する方法さらに、ホウ素溶解工程のその他の例として、反応容器12内に窒化ホウ素を含む部材を設置するとしてもよい。一例として、反応容器12内にBN焼結体の部材を載置するとしてもよい。尚、反応容器12の材質は1と同様に特に限定されるものではない。この方法においては、反応容器12が上述の結晶成長温度まで昇温される過程において、反応容器12内に設置された部材から、混合融液24中にホウ素が少しずつ溶け込むホウ素溶解工程。ここで、1、2の方法において、窒化ホウ素の表面には窒化ガリウム結晶の結晶核が生成しやすい。従って、窒化ホウ素の表面上即ち、上述した内壁面または部材表面に窒化ガリウムの結晶核が生成してその表面が次第に被覆されてくると、被覆された窒化ホウ素から混合融液24中に溶け込むホウ素の量は次第に減少することとなるホウ素減少工程。さらに、窒化ガリウム結晶の成長にしたがって当該結晶の表面積が大きくなり、窒化ガリウム結晶中にホウ素が取り込まれる密度が小さくなるホウ素減少工程。尚、上記1、2では、ホウ素を含む物質を用いて混合融液24中にホウ素を溶解させるとしたが、混合融液24中にホウ素を溶解させる方法は上記に限定されず、混合融液24中にホウ素を添加するなど、その他の方法を用いるとしてもよい。また、混合融液24中のホウ素濃度を減少させる方法についてもその他の方法を用いるとしてもよく、本実施形態の結晶製造方法としては、少なくとも上述のホウ素溶解工程と、ホウ素取込工程と、ホウ素減少工程とが含まれていればよい。<原料等の調整および結晶成長条件>反応容器12に原料等を投入する作業は、耐圧容器11を例えばアルゴンガスのような不活性ガス雰囲気とされたグローブボックスに入れて行う。1の方法で種結晶27の結晶製造を行う場合には、1で上述した構成の反応容器12に、1で上述したホウ素を含む物質と、フラックスとして用いられる物質と、原料とを投入する。2の方法で種結晶27の結晶製造を行う場合には、2で上述した構成の反応容器12に、フラックスとして用いられる物質と、原料とを投入する。フラックスとして用いる物質としては、ナトリウム、あるいはナトリウム化合物例えば、アジ化ナトリウムが用いられるが、その他の例として、リチウムや、カリウム等のその他のアルカリ金属や、当該アルカリ金属の化合物を用いるとしてもよい。また、バリウム、ストロンチウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属や、当該アルカリ土類金属の化合物を用いるとしてもよい。なお、複数種類のアルカリ金属またはアルカリ土類金属を用いるとしてもよい。原料としてはガリウムが用いられるが、その他の原料の例として、ホウ素、アルミニウム、インジウム等のその他の13族元素や、これらの混合物を原料として反応容器12内に投入するとしてもよい。また、本実施の形態では、反応容器12は、ホウ素を含む構成である場合を説明したが、ホウ素を含む構成に限られず、B、Al、O、Ti、Cu、Zn、Siの内の少なくとも1種を含む構成であってもよい。このように原料等をセッティングした後に、ヒーター13に通電して、内部容器11およびその内部の反応容器12を結晶成長温度まで加熱する。すると、反応容器12内においてフラックスとして用いられる物質と、原料等が溶融し、混合融液24が形成される。また、この混合融液24に上記分圧の窒素を接触させて混合融液24中に溶解させることにより、種結晶27の原料である窒素を混合融液24中に供給することができる。さらに、混合融液24中には上述したようにホウ素が溶解するホウ素溶解工程混合融液形成工程。そして、反応容器12の内壁において、混合融液24に融解している原料とホウ素とから種結晶27の結晶核が生成される。そして、この結晶核に混合融液24中の原料およびホウ素が供給されて結晶核が成長し、針状の種結晶27が成長する。そして、上述したように、種結晶27の結晶成長過程において結晶中には混合融液24中のホウ素が取り込まれてホウ素添加工程、種結晶27の内側にはホウ素濃度の高い第1領域25aが生成されやすい状態となり、種結晶27はc軸方向に長尺化されやすい状態となる。また、混合融液24中のホウ素濃度の減少とともに結晶中に取り込まれるホウ素が減少するホウ素減少工程と、第1領域25aの外側にはホウ素濃度の低い第4領域25bが生成されやすい状態となり、種結晶27はc軸方向への伸長が鈍ってm軸方向へ成長しやすい状態となる。なお、耐圧容器11内の窒素分圧は、5MPa~10MPaの範囲内とすることが好ましい。また、混合融液24の温度結晶成長温度は、800°C~900°Cの範囲内とすることが好ましい。好適な実施形態としては、ガリウムとアルカリ金属例えば、ナトリウムとの総モル数に対するアルカリ金属のモル数の比率を75~90の範囲内とし、混合融液24の結晶成長温度を860°C~900°Cの範囲内とし、窒素分圧を5MPa~8MPaの範囲内とすることが好ましい。さらに好適な実施形態としては、ガリウムとアルカリ金属とのモル比を0.25:0.75とし、結晶成長温度を860°C~870°Cの範囲とし、窒素分圧を7MPa~8MPaの範囲とすることがより好ましい。[2]種結晶上記工程を経ることによって、13族窒化物結晶251の製造に用いる種結晶27である、第1領域25aの外側に第4領域25bを有する上述した種結晶27が得られる。また、上述したように、上記第2工程を行わず、ホウ素を含む窒化ガリウム結晶の第1領域25aを成長させる第1工程を行うことによって、第1領域25aの種結晶が得られる。[3]13族窒化物結晶の製造方法上記に説明した13族窒化物結晶25、250、251は、[2]で上述した第1領域25aの種結晶、または第1領域25aの外側に第4領域25bの形成された種結晶27を用いて、フラックス法によりこれらの種結晶のc面断面積を肥大化させることで製造する。<結晶製造装置>図11は、第1領域25aの種結晶、または種結晶27を結晶成長させて、13族窒化物結晶25、250、251を製造するために用いられる結晶製造装置2の構成例を示す概略断面図である。結晶製造装置2において、ステンレス製の外部耐圧容器50内には内部容器51が設置され、内部容器51内にはさらに反応容器52が収容されており、二重構造を成している。内部容器51は外部耐圧容器50に対して着脱可能となっている。なお、以下、種結晶として、種結晶27を用いた場合を説明する。なお、第1領域25aの種結晶を用いることで、13族窒化物結晶25、250を作製することができる。また、種結晶27を用いることで、13族窒化物結晶251を作製することができる。反応容器52は、種結晶27と、アルカリ金属と少なくとも13族元素を含む物質との混合融液24とを保持して、種結晶27の結晶成長なお、種結晶を元にバルク結晶を育成することをSG:SeedGrowthと称するを行うための容器である。反応容器52の材質は特に限定するものではなく、BN焼結体、P-BN等の窒化物、アルミナ、YAG等の酸化物、SiC等の炭化物等を使用することができる。また、反応容器52の内壁面、すなわち、反応容器52が混合融液24と接する部位は、混合融液24と反応し難い材質で構成されていることが望ましい。窒化ガリウムが結晶成長できる材質の例としては、窒化ホウ素BNや、パイロリティックBNP-BNや、窒化アルミニウム等の窒化物や、アルミナ、イットリウムアルミニウムガーネットYAG等の酸化物、ステンレス鋼SUS等が挙げられる。また、外部耐圧容器50と内部容器51には、外部耐圧容器50の内部空間67と内部容器51の内部空間68に、13族窒化物結晶の原料である窒素N2ガスおよび全圧調整用の希釈ガスを供給するガス供給管65、66が接続されている。ガス供給管54は窒素供給管57とガス供給管60に分岐しており、それぞれバルブ55、58で分離することが可能となっている。希釈ガスとしては、不活性ガスのアルゴンArガスを用いることが望ましいが、これに限定されず、その他のヘリウムHe等の不活性ガスを希釈ガスとして用いてもよい。窒素ガスは、窒素ガスのガスボンベ等と接続された窒素供給管57から供給されて、圧力制御装置56で圧力を調整された後、バルブ55を介してガス供給管54に供給される。一方、全圧調整用のガス例えば、アルゴンガスは、全圧調整用のガスのガスボンベ等と接続された全圧調整用のガス供給管60から供給されて、圧力制御装置59で圧力を調整された後、バルブ58を介してガス供給管54に供給される。このようにして圧力を調整された窒素ガスと全圧調整用のガスは、ガス供給管54にそれぞれ供給されて混合される。そして、窒素および希釈ガスの混合ガスは、ガス供給管54からガス供給管65、66を経て、外部耐圧容器50および内部容器51内に供給される。なお、内部容器51はバルブ61部分で結晶製造装置2から取り外すことが可能となっている。また、ガス供給管54には、圧力計64が設けられており、圧力計64によって外部耐圧容器50と内部容器51内の全圧をモニターしながら外部耐圧容器50および内部容器51内の圧力を調整できるようになっている。本実施の形態では、このように窒素ガスおよび希釈ガスの圧力をバルブ55、58と圧力制御装置56、59とによって調整することにより、窒素分圧を調整することができる。また、外部耐圧容器50と内部容器51の全圧を調整できるので、内部容器51内の全圧を高くして、反応容器52内のアルカリ金属たとえばナトリウムの蒸発を抑制することができる。即ち、窒化ガリウムの結晶成長条件に影響を与える窒素原料となる窒素分圧と、ナトリウムの蒸発抑制に影響を与える全圧を、別々に制御する事が可能となっている。また、図11に示すように、外部耐圧容器50内の内部容器51の外周にはヒーター53が配置されており、内部容器51および反応容器52を加熱して、混合融液24の温度を調整することができる。<原料等の調整および結晶成長条件>反応容器52に種結晶27やGaやNaとCなどのドーパント等の原料などを投入する作業は、内部容器51を例えばアルゴンガスのような不活性ガス雰囲気のグローブボックスに入れて行う。この作業は内部容器51に反応容器52を入れた状態で行っても良い。反応容器52には、[2]で上述した種結晶27を設置する。また、反応容器52には、少なくとも13族元素を含む物質例えば、ガリウムと、フラックスとして用いられる物質を投入する。フラックスとして用いる物質としては、ナトリウム、あるいはナトリウム化合物例えば、アジ化ナトリウムが用いられるが、その他の例として、リチウムや、カリウム等のその他のアルカリ金属や、当該アルカリ金属の化合物を用いるとしてもよい。また、バリウム、ストロンチウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属や、当該アルカリ土類金属の化合物を用いるとしてもよい。なお、複数種類のアルカリ金属またはアルカリ土類金属を用いるとしてもよい。原料である13族元素を含む物質としては、例えば13族元素のガリウムが用いられるが、その他の例として、ホウ素、アルミニウム、インジウム等のその他の13族元素や、これらの混合物を用いてもよい。13族元素を含む物質とアルカリ金属とのモル比は、特に限定されるものではないが、13族元素とアルカリ金属との総モル数に対するアルカリ金属のモル比を、40~95とすることが好ましい。このように原料等をセッティングした後に、ヒーター53に通電して、内部容器51およびその内部の反応容器52を結晶成長温度まで加熱する。すると、反応容器52内において原料の13族元素を含む物質、アルカリ金属、その他の添加物等が溶融し、混合融液24が形成される。また、この混合融液24に上記分圧の窒素を接触させて混合融液24中に溶解させることにより、13族窒化物結晶25、250、251の原料である窒素を混合融液24中に供給することができる混合融液形成工程。そして、混合融液24中に融解している原料が種結晶27の外周表面に供給されて、当該原料によって種結晶27の外周表面から、結晶成長の遷移領域である第2領域25cが形成された後に、さらに第3領域25dが結晶成長する結晶成長工程。このように、種結晶27の外周面から、第2領域25cの結晶成長の後に第3領域25dが結晶成長することにより、種結晶27を含む13族窒化物結晶251を製造することができる。また、種結晶27に代えて、第1領域25aの種結晶を用いることにより、13族窒化物結晶25、250を製造することができる。好適な実施形態としては、内部容器51の内部空間68および外部耐圧容器50の内部空間67における窒素ガス分圧は、少なくとも0.1MPa以上とすることが好ましい。より好適な実施形態としては、内部容器51の内部空間68および外部耐圧容器50の内部空間67における窒素ガス分圧を、2MPa~5MPaの範囲内とすることが好ましい。好適な実施形態としては、混合融液24の温度結晶成長温度は、少なくとも700°C以上とすることが好ましい。より好適な実施形態としては、結晶成長温度は850°C~900°Cの範囲内であることが好ましい。なお、単結晶育成工程の条件は、形成対象の13族窒化物結晶25、250、251に応じて、適宜選択することができる。上記に説明したように、種結晶27または第1領域25aの種結晶から13族窒化物結晶を成長させる場合において、種結晶27または第1領域25aの種結晶のm面で構成される外周表面から主に成長した13族窒化物結晶の転位密度は、種結晶27または第1領域25aの種結晶で構成される外周表面の品質に影響を受けると考えられる。上記[2]で上述したように、種結晶として種結晶27を用いた場合には、種結晶27のm面で構成される外周表面は転位密度が低く高品質であるため、この種結晶27を用いて13族窒化物結晶を成長させることにより、種結晶27から13族窒化物結晶に伝播する転位を減少させることができる。これにより、製造された13族窒化物結晶251の転位密度、具体的には、第3領域25dの転位密度を低く抑えることができる。このため、より大型でかつ高品質の13族窒化物結晶251を製造しやすくなると考えられる。また、本実施形態にかかる結晶製造方法では、第1領域25aの種結晶や種結晶27と、これらの種結晶から成長する13族窒化物結晶第2領域25c、第3領域25dとを同じ材料例えば、窒化ガリウムとすることも可能である。従って、窒化アルミニウムAlNのような異種材料の種結晶を用いる場合と異なり、格子定数や熱膨張係数を一致させることができ、格子不整合や熱膨張係数の違いによる転位の発生を抑制することが可能となる。さらに、種結晶27または第1領域25aの種結晶と、第4領域25b、第2領域25c及び第3領域25dと、は同様の結晶成長方法フラックス法で製造されているため、種結晶27または第1領域25aの種結晶と、第4領域25b、第2領域25c及び第3領域25dとを互いに異なる方法で製造した場合に比べて、格子定数と熱膨張係数の整合性を向上させることが可能となり、転位発生を抑制しやすくすることができる。上記工程を経ることによって、実用的なサイズであり、且つ低転位密度で高品質な13族窒化物結晶25、250、251を製造することができる。なお、上述ではフラックス法による結晶製造方法について説明したが、結晶製造方法は特に限定されるものではなく、HVPE法のような気相成長法や、フラックス法以外の液相法によって結晶成長を行うとしてもよい。ただし、高品質な13族窒化物結晶25、250、251を製造する観点から、フラックス法を用いることが好ましい。[3]で上述した製造方法で製造される13族窒化物結晶25、250、251の形状は、例えば、図12~図15に示す、13族窒化物結晶80~83となる。図12~図15は、本実施形態の13族窒化物結晶25、250、251の形状の一例を示す模式図である。なお、図12~図15では、各々の形状毎に、13族窒化物結晶80~83と称している。図12~図15に図示するように、13族窒化物結晶8025、250、251図12参照、8125、250、251図13参照、8225、250、251図14参照、8325、250、251図15参照には、13族窒化内部に第1領域25aの種結晶または種結晶27が含まれている。なお、13族窒化物結晶80~83における、第1領域25aの種結晶または種結晶27の位置は、13族窒化物結晶80~83の内部であればよく、図12~図14のように13族窒化物結晶80~82の中央付近断面の六角形の中心付近に含まれていてもよいし、図15のように13族窒化物結晶83の周辺部前記中心より六角形の辺に近い領域に含まれていてもよい。なお、例えば図12の例では、六角柱状の結晶上にその六角柱の上底を底面とする六角錐がのった形状の13族窒化物結晶8025、250、251が記載されているが、13族窒化物結晶80~83の形状は特に限定されるものではなく、m面が形成されていない六角錐形状であってもよい。<転位密度>次に、結晶中の転位について例を挙げて説明する。図16は、13族窒化物結晶25、250、251において、c軸とa軸に平行な断面における転位を模式的に示す図である。なお、図16では、13族窒化物結晶25、250、251のc軸とa軸に平行な断面のうち、第1領域25aまたは種結晶27より右側の部分を拡大して示している。一般的に、フラックス法、HVPE法等のいずれの方法で結晶成長させた場合であっても、13族窒化物結晶25、250、251内には転位が少なからず発生する。また、第1領域25aの種結晶や種結晶27の外周表面上に転位が存在する場合には、これらの種結晶の外周表面から13族窒化物結晶を結晶成長させる場合にそれら転位が13族窒化物結晶中第2領域25c、第3領域25dにも伝播する場合がある。なお、転位の発生原因としては、該種結晶と該種結晶から成長する13族窒化物結晶との熱膨張係数差および格子定数差や、該種結晶の表面における結晶のひずみやクラック等の欠陥が起因すると考えられている。これに対して本実施形態では、第1領域25aの種結晶または種結晶27から、結晶成長の遷移領域である第2領域25cを介して、第3領域25dを結晶成長させる。従って、13族窒化物結晶25、250、251の第3領域25dの転位密度も低減しやすくすることができる。また、一般的に、結晶成長方向と平行に伸びる転位線欠陥は、結晶成長中に消滅することなく伸び続ける。一方、結晶成長方向と平行でない方向に伸びる線欠陥は、結晶成長中に消滅する場合が多い。即ち、図16に示すように、第3領域25dは、第1領域25aの種結晶または種結晶27の外周表面であるm面からm軸方向即ち、六角形のc面断面が大型化する方向に成長する。従って、これらの種結晶の成長界面から発生する転位は結晶成長方向と平行な<11-20>方向が多く、結晶成長方向と平行でない<11-23>方向には少ない。六方晶の13族窒化物結晶のc面と交わる転位方向を考えると、<0001>方向と<11-23>方向があるが、本実施形態では<0001>方向の転位は発生せず、<11-23>も少ない。従って、好適な実施形態において、13族窒化物結晶25、250、251における第3領域25dのc面の転位密度は、第3領域25dより内側の領域の転位密度よりも小さい。[5]結晶基板の製造方法本実施形態にかかる結晶基板の製造方法は、上述した13族窒化物結晶80~8325、250、251から、結晶基板100を製造する方法である。図17、図18はそれぞれ、13族窒化物結晶82図14参照、83図15参照をスライスする方向を示す模式図である。また、図19-1~図193、及び図20-1~図20-3は、スライス後に得られる結晶基板100100a~100fの一例を示す模式図である。本実施形態の製造方法は、13族窒化物結晶80~8325、250、251をスライスする場合に、第1領域25aの種結晶または種結晶27の少なくとも一部を含むように結晶基板100を切り出す工程を含む。一例としては、図17の1点鎖線P1に示すように第1領域25aの種結晶または種結晶27のc軸に対して垂直にスライスして、図19-1に示す結晶基板100aを得てもよい。また、図17の1点鎖線P2に示すように第領域25aの種結晶または種結晶27のc軸に対して斜めに傾けてスライスして、図19-2に示す結晶基板100bを得てもよい。さらに、図17の1点鎖線P3に示すように第1領域25aの種結晶または種結晶27のc軸に対して垂直にスライスして、図19-3に示す結晶基板100cを得てもよい。なお、結晶基板100100a~100fはスライス後に成形加工、表面加工等の各種加工が施されて、図19-1~図19-3、図20-1~図20-3に示すような13族窒化物の結晶基板100100a~100fに加工される。本実施形態の製造方法によれば、上述のようにc軸方向に長尺化された13族窒化物結晶80~8325、250、251から結晶基板100を切り出すので、c面およびc面以外の面を切り出す場合のどちらにおいても基板主面を大面積とすることができる。即ち、本実施形態によれば、c面、m面、a面、{10-11}面、{20-21}面、{11-22}面など、任意の結晶面を主面とする大面積の結晶基板100を製造することができる。従って、各種半導体デバイスに用いることができる実用的なサイズの結晶基板100を製造することができる。[6]結晶基板本実施形態にかかる結晶基板は、[5]で上述した製造方法で製造される結晶基板100である。即ち、本実施形態の結晶基板100は、[2]で上述した第1領域25aまたは種結晶27の少なくとも一部を含む。図19-1~図19-3、図20-1~図20-3に図示するように、本実施形態の結晶基板100100a~100fには、[3]で上述した結晶製造工程において用いられた第1領域25aまたは種結晶27が含まれている。また、第1領域25aの種結晶または種結晶27のm面で構成される外周表面の少なくとも一部は、第1領域25aの種結晶または種結晶27から成長した13族窒化物結晶第2領域25c、第3領域25dによって被覆されている。より好適な実施形態としては、第1領域25aの種結晶または種結晶27のm面で構成される外周表面の全てが、第2領域25c及び第3領域25dに被覆されていてもよいことが好ましい。また、第1領域25aの種結晶または種結晶27は、13族窒化物結晶80~8325、250、251の内側に含まれていれば、その位置は限定されるものではない。例えば図19-1、図19-2に示すように、結晶基板100の基板主面の中央付近に種結晶27または第1領域25aの種結晶が配置されてもよい。またこの場合に、種結晶27または第1領域25aの種結晶のc軸は、図19-1に示すように基板主面に対して垂直となるように配置されてもよいし、図19-2に示すように基板主面に対して傾斜していてもよい。また、図19-3、図20-3に示すように、第1領域25aの種結晶または種結晶27のc軸が基板主面に対して平行になるように、これらの種結晶が配置されていてもよい。さらに、第1領域25aの種結晶または種結晶27は、結晶基板100の基板主面の中央付近以外に配置されていてもよく、例えば図20-1、図20-2に示すように、結晶基板100の基板主面の周辺部に配置されていてもよい。好適な実施形態として、結晶基板100は六方晶のc面を主面とすることが好ましい。また、更に好ましくは、結晶基板100は、主面がc面であり、且つc軸方向に対するオフ角が0.1°以下であることが好ましい。本実施の形態において、オフ角とは、結晶基板100におけるc軸方向と、c面に直交する方向との為す角の小さい方の角度θを示す。オフ角は、X線解析法により測定することができる。ここで、従来の13族窒化物結晶基板では、本実施の形態の結晶基板100に比べて、c面貫通転位が多い具体的には、106cm-2以上。このため、従来の13族窒化物結晶基板では、オフ角を0.1°よりも大きくする必要があった。これは、c面貫通転位の多い基板上に電子デバイスを製造するときには、オフ角を0.1°よりも大きくしなければ、c面貫通転位がデバイスに悪影響を及ぼすためであった。一方、本実施の形態の結晶基板100では、上述したように、c面貫通転位が少ないため、オフ角が0.1°以下であってもc面基板上に品質の良い電子デバイスが製造可能である。上述のように、好適な実施形態にかかる13族窒化物結晶27においては、c面を貫通する転位線欠陥が低減されやすい。従って、13族窒化物結晶80からc面を主面とする結晶基板100を製造した場合、c軸方向に伸びる線欠陥を低減させることができ、高品質な結晶基板100を得ることが可能となる。[7]13族窒化物結晶バルク結晶の好適な形状次に、13族窒化物結晶8025、250、251の好適な形状について説明する。図21~図23は、第1領域25aの種結晶または種結晶27から、第2領域25c、第3領域25dが結晶成長する過程を説明するための模式図である。なお、ここでの説明に関して、結晶成長方法は特に限定されるものではない。なお、図21~図23は、13族窒化物結晶80のa面における断面を示す。図21に示すように、第1領域25aの種結晶または種結晶27から結晶成長することで形成される13族窒化物結晶8025、250、251は、主に、第1領域25aの種結晶または種結晶27の外周表面であるm面からm軸方向即ち、六角形のc面断面が肥大化する方向に成長した領域29aと、主に、第1領域25aの種結晶または種結晶27の{10-11}面または領域29a上面の{10-11}面から成長した領域29bとを含んでいると考えられる。領域29bでは、{10-11}面が形成される速度が律速となることが考えられ、これにより第1領域25aの種結晶または種結晶27の上部周囲に成長する13族窒化物結晶は六角錐形状となる場合が多いと考えられる。図22は、第1領域25aの種結晶または種結晶27のc軸方向の長さLが短い場合の結晶成長の様子を示す模式図である。第1領域25aの種結晶または種結晶27の長さLが十分に長くない場合には、六角柱部分に対する六角錐部分の割合が大きいため、<10-11>方向に形成される領域29bは、m軸方向に形成される領域29aに比べその体積比が大きくなる。従って、13族窒化物結晶8025、250、251は、図22に示すような形状となりやすく、この場合、全てのc面断面には領域29bが含まれることとなる。また、図23は、図22の13族窒化物結晶の結晶成長をさらに進行させた様子を示す模式図である。図22に示すように第1領域25aの種結晶または種結晶27の外周が領域29bで包囲されてしまうと、さらに結晶成長を行ってもm面で構成される外周面は形成されず、{10-11}面が外周表面として保たれたまま13族窒化物結晶が成長する場合が多く観察されている。領域29aは、第1領域25aの種結晶または種結晶27のm面の外周表面から結晶成長を開始した領域である。図16で上述したように、主に第1領域25aの種結晶または種結晶27のm面から成長した13族窒化物結晶領域29aは、c軸方向の貫通転位が比較的少ないと考えられる。従って、c面を主面とする結晶基板100例えば、100a、100b、100d、100eを製造する場合には、領域29aが多く含まれていることが好ましい。図21において、13族窒化物結晶8025、250、251の下部、即ち領域29bが含まれない六角柱部分を用いて結晶基板100を製造すれば、結晶基板100にはm面以外から成長したと考えられる領域29bを含めないようにすることができる。一方、図22、図23に示すような形状の13族窒化物結晶8025、250、251を用いて結晶基板100を製造する場合、結晶基板100には、領域29a、29bの双方が含まれることとなる。一般的に、異なる結晶成長方向で成長した領域はその特性が異なる場合が多く、また、種結晶と該種結晶から成長した結晶の特性も異なる場合が多いことが知られている。従って、図22、図23に示すような形状の13族窒化物結晶8025、250、251から製造される結晶基板100は、領域29a、29bおよび、第1領域25aの種結晶または種結晶27の3つの領域を含むこととなり、結晶基板100の品質が低下するおそれがある。従って、好適な実施形態の13族窒化物結晶8025、250、251としては、結晶下部に六角柱部分を含む形状であることが好ましい。なお、好適な形状は図21の例に限定されるものではない。その他の例として、13族窒化物結晶80は、第1領域25aの種結晶または種結晶27から主にm軸方向に結晶成長し、主に六角柱形状を有するとしてもよい。[8]種結晶の好適なサイズ次に、[7]で上述した好適な形状の13族窒化物結晶8025、250、251を成長させるために好適である第1領域25aの種結晶または種結晶27の形状について説明する。第1領域25aの種結晶または種結晶27は六方晶の結晶構造を有し、<11-23>方向ac軸とc面とが為す角度は58.4°である。第1領域25aの種結晶または種結晶27のc軸方向の長さL図6参照とc面断面における結晶径dとの比L/dが0.813である場合に、13族窒化物結晶25は六角錐形状となる。[7]で上述したように、良質の13族窒化物結晶80を得るためには、主に第1領域25aの種結晶または種結晶27のm面の外周表面から13族窒化物結晶が成長することが好ましい。そこで、好適な実施形態としては、第1領域25aの種結晶または種結晶27はその外周面としてm面を含んでいることが好ましい。図24は、第1領域25aの種結晶または種結晶27の形状とL/dとの関係を示す模式図である。図24に示すように、aL/d=0.813である場合には、第1領域25aの種結晶または種結晶27は六角錐状である。bL/d>0.813である場合には、上部が六角錐状、下部が六角柱状となり、第1領域25aの種結晶または種結晶27の外周面側面にはm面が含まれる。cL/d<0.813である場合には、第1領域25aの種結晶または種結晶27はm面を含まない六角錐状か、或いは、六角錐部分の頂点を含む部分が含まれておらず結晶上面にc面が形成されており、m面を含む六角柱部分の高さが低い形状となる。従って、好適な実施形態としては、第1領域25aの種結晶または種結晶27において、c軸方向の長さLとc面における結晶径dとの比であるL/dが0.813より大きいことが好ましい。また、結晶基板100の実用的なサイズとしては、ハーフインチ12.7mm或いは2インチ5.08cmあることが望まれている。そこで、以下では、c面を主面とする結晶基板100をハーフインチ12.7mm以上、または2インチ以上とする場合に必要とされる第1領域25aの種結晶または種結晶27のサイズについて説明する。以下では、実用的な基板として必要とされる最低の厚みの一例として、結晶基板100の厚みが1mmである場合について試算するが、必要とされる最低の厚みはこれに限定されるものではなく、適宜試算されるものである。まず、結晶基板100の直径が12.7mm、即ち、13族窒化物結晶25、250、251の結晶径dが12.7mmとなるためには、第1領域25aの種結晶または種結晶27の結晶径をゼロとして無視すると、半径方向m軸方向に6.35mmだけ、13族窒化物結晶25、250、251が成長する必要がある。ここで、一例として、m軸方向の結晶成長速度Vmがc軸方向の結晶成長速度Vcの2倍であると仮定すると、m軸方向に6.35mm成長する間に、c軸方向には約3.2mm成長する。上述のようにL/d>0.813であるから、結晶径d六角錐部分の底面の直径が12.7mmとなるためには、c軸方向の長さL六角錐部分の高さは、11.9mmとなる。従って、種結晶27の長さとしては、11.9-3.2=8.7mm必要であると試算される。即ち、六角錐形状の13族窒化物結晶80を得るために必要とされる種結晶27の最低の長さは、8.7mmとなる。そして、この六角錐形状の下部に六角柱状の領域が形成されていることが望まれる。結晶基板100の厚さとして1mm以上必要であると仮定すると、種結晶27のc軸方向の長さLは、9.7mm必要であると試算される。このように、好適な実施形態としては、第1領域25aの種結晶または種結晶27のc軸方向の長さLは、9.7mm以上であることが好ましい。より好適な実施形態としては、第1領域25aの種結晶または種結晶27は、c軸方向の長さLとc面における結晶径dとの比であるL/dが0.813より大きく、c軸方向の長さLが9.7mm以上であることが好ましい。さらに好ましくは、L/dが7より大きいことが好ましく、L/dが30より大きいことがより好ましい。上述のように、好適な実施形態によれば、c面の直径がハーフインチである結晶基板100を製造できる。また、上述のように第1領域25aの種結晶または種結晶27のm面から成長させた13族窒化物結晶8025、250、251は高品質であるので、大型かつ高品質の結晶基板100を製造することができる。また、直径が2インチ5.08cmの結晶基板100を得るためには、第1領域25aの種結晶または種結晶27のc軸方向の長さLは37.4mm以上必要であると試算される。従って、好適な実施形態として、第1領域25aの種結晶または種結晶27のc軸方向の長さLは37.4mm以上であることが好ましい。これにより、c面の直径が2インチの結晶基板100を製造することができる。また、上述のように第1領域25aの種結晶または種結晶27のm面から成長させた13族窒化物結晶8025、250、251は高品質であるので、大口径かつ高品質の窒化ガリウムの結晶基板100を製造することができる。以下に本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、符号は図10および図11を参照して説明した結晶製造装置1、2の構成と対応している。-種結晶の製造-まず、下記の製造方法により、13族窒化物結晶の製造に用いる種結晶を製造した。<種結晶の製造例1>図10に示した結晶製造装置1を使用して、種結晶27を製造した。BN焼結体からなる内径92mmの反応容器12に、公称純度99.99999のガリウムと公称純度99.95のナトリウムとをモル比0.25:0.75として投入した。グローブボックス内で、高純度のArガス雰囲気下、反応容器12を耐圧容器11内に設置し、バルブ21を閉じて反応容器12内部を外部雰囲気と遮断して、Arガスが充填された状態で耐圧容器11を密封した。その後、耐圧容器11をグローブボックスから出して、結晶製造装置1に組み込んだ。すなわち、耐圧容器11をヒーター13に対して所定の位置に設置して、バルブ21部分で窒素ガスとアルゴンガスとのガス供給管14に接続した。次に、内部容器11からアルゴンガスをパージした後、窒素供給管17から窒素ガスを入れ、圧力制御装置16で圧力を調整してバルブ15を開け、内部容器11内の窒素圧力を3.2MPaとした。その後、バルブ15を閉じ、圧力制御装置16を8MPaに設定した。次いで、ヒーター13に通電し、反応容器12を結晶成長温度まで昇温した。実施例1では、結晶成長温度は870°Cとした。結晶成長温度では反応容器12内のガリウムとナトリウムは融解し、混合融液24を形成する。なお、混合融液24の温度は反応容器12の温度と同温になる。また、この温度まで昇温すると本実施例の結晶製造装置1では、内部容器11内の気体が熱せられ全圧は8MPaとなる。次に、バルブ15を開け、窒素ガス圧力を8MPaとして、内部容器11内部と窒素供給管17内部とを圧力平衡状態とした。この状態で反応容器12を500時間保持して窒化ガリウムの結晶成長を行った後、ヒーター13を制御して、内部容器11を室温20°C程度まで降温した。内部容器11内のガスの圧力を下げた後、内部容器11を開けたところ、反応容器12内には、窒化ガリウム結晶25が多数、結晶成長していた。結晶成長した窒化ガリウム結晶25は無色透明であり、結晶径dは100~1500μm程度であり、長さLは10~40mm程度であり、長さLと結晶径dとの比L/dは20~300程度であった。窒化ガリウム結晶25は、c軸に概ね平行に成長しており、側面にはm面が形成されていた。種結晶の製造例2>反応容器12の材質をアルミナにし、さらに反応容器12の底面にちょうど収まるBN焼結体の板を設置し、また、結晶成長温度870°Cにおける耐圧容器11内の窒素分圧を6MPa室温での耐圧容器11内の窒素分圧は2.8MPaに維持し、結晶成長時間を300時間とする以外は実施例1と同様にして結晶成長を行った。その結果、実施例1と同様に、無色透明の窒化ガリウム結晶25が多数、結晶成長していた。結晶径dは100~500μm程度であり、長さLは10~15mm程度であり、長さLと結晶径dとの比率L/dは30~500程度であった。上記の種結晶の製造例1および種結晶の製造例2の各々で製造した種結晶27の各々について、各種測定を行った。測定結果を下記に示す。<フォトルミネッセンスPLの測定結果>種結晶の製造例1で製造した種結晶のフォトルミネッセンスPLを室温25°Cで測定した。フォトルミネッセンスは、堀場製作所社製のLabRAMHR-80を用いて測定した。励起光源には、波長325nmのヘリウム‐カドミウムHe-Cdレーザーを使用した。フォトルミネッセンスは、種結晶27の内側の領域である第1領域25aと、種結晶27の外側の領域である第4領域25bとのそれぞれにおいて測定した。図9は、第1領域25aおよび第4領域25bにおけるPLの発光スペクトルの測定結果を示す図である。横軸は波長nmを示し、縦軸は発光強度を示す。図9の実線で示されるように、種結晶の製造例1の第1領域25aにおいては、500nm~800nmにかけて、600nm付近にピークを有するブロードな発光第2ピークが測定されたが、窒化ガリウムのバンド端近傍364nmからの発光第1ピークはごく弱い発光強度が得られたのみであった。一方、図9の点線で示されるように、種結晶の製造例1の第4領域25bにおいては、窒化ガリウムのバンド端近傍364nmからの発光第1ピークのピーク強度が強く測定され、500nm~800nmにおけるブロードな発光第2ピークについては、ごく弱い発光強度が得られたのみであった。このように、種結晶の製造例1で製造された種結晶27については、種結晶27の内側に含まれる第1領域25aにおいては、第1ピークのピーク強度が、第2ピークのピーク強度より小さいことが確認された。また、種結晶27の外側の第4領域25bにおいては、第1ピークのピーク強度が第2ピークのピーク強度より大きいことが確認された。次に、図25、図26を参照して、種結晶の製造例1で製造された種結晶27について測定した、フォトルミネッセンスの発光強度分布について説明する。図25、図26は、種結晶の製造例1及び製造例2で製造された種結晶27のc面断面において測定したフォトルミネッセンス結果の一例であり、図25と図26はc面断面の同一の測定箇所について異なる波長帯のスペクトル強度を示している。図25は、フォトルミネッセンスの360nm~370nmにおけるスペクトル強度のマッピング像である。濃色ほど360nm~370nmにおけるスペクトル強度が強いことを示す。図26は、フォトルミネッセンスの500nm~800nmにおけるスペクトル強度のマッピング像である。濃色ほど500nm~800nmにおけるスペクトル強度が強いことを示す。従って、図25、図26のマッピング結果によれば、種結晶の製造例1で製造された種結晶27の内側には第1領域25aがあり、外側には第4領域25bがあることが確認できた。また、種結晶の製造例1で製造された種結晶27のc面断面についてPL測定を行った結果、幾つかの種結晶27においては、図5のように第4領域25bが第1領域25aの外周の全てを覆っていることが確認された。また、その他の種結晶27においては、図3のように第4領域25bが第1領域25aの外周の一部を覆っていることが確認された。このように、種結晶の製造例1で製造された種結晶27のc面断面においては、第4領域25bが第1領域25aの外周の少なくとも一部を覆うことが確認できた。種結晶の製造例2で製造された種結晶27のc面断面についても上記と同様にPL測定を行った。その結果、第1領域25aが確認されたが第4領域は確認されないc面断面を含む結晶があった。すなわち、第1ピークのピーク強度は第2ピークのピーク強度より小さい領域のみで、第1ピークのピーク強度が第2ピークのピーク強度より大きい領域は確認できないc面断面を含む種結晶27もあることを確認した。<ホウ素濃度の測定>種結晶の製造例1及び製造例2で製造された種結晶27について、2次イオン質量分析計SIMSを用いて結晶中のホウ素濃度を測定した。SIMSとしては、CAMECA社製の型式IMS7fを用いた。一次イオンビームとしてはCsイオンを用いた。本測定では、種結晶27のc面断面において内側の領域即ち、第1領域25aと、外側の領域即ち、第4領域25bとについて、それぞれ複数箇所のホウ素濃度を測定した。測定結果は場所により多少のばらつきはあるものの、第1領域25aのホウ素濃度は5×1018cm-3~3×1019cm-3程度であり、第4領域25bのホウ素濃度は1×1016cm-3~8×1017m-3程度であった。このように、種結晶の製造例1~種結晶の製造例2で製造された種結晶27は、c面断面において外側の第4領域25bのホウ素濃度が、内側の第1領域25aのホウ素濃度よりも低くなっていることが確認された。次に、[3]で上述した結晶製造方法により、種結晶の製造例1~種結晶の製造例2で製造された種結晶27を用いて、13族窒化物結晶80を製造した。実施例A1本実施例では、図11に示す結晶製造装置2により、種結晶27の結晶成長を行い、13族窒化物結晶251の一例としての13族窒化物結晶を製造した。種結晶27としては、上記種結晶の製造例1で製造した種結晶27を用いた。この種結晶27の大きさは、幅1mm、長さ約40mmであった。なお、本実施例で用いた種結晶27は、図5に示すように、c面断面の少なくとも一部において第4領域25bが第1領域25aの外周を全て覆っているものを用いた。また、この種結晶27のc面断面において、第4領域25bの厚みtm軸方向の厚みは少なくとも10μm以上あることを確認した。まず、内部容器51をバルブ61部分で結晶製造装置2から分離し、Ar雰囲気のグローブボックスに入れた。次いで、アルミナからなる内径140mm、深さ100mmの反応容器52に、種結晶27を設置した。なお、種結晶27は、反応容器52の底に深さ4mmの穴をあけて差し込んで保持した。次に、ナトリウムNaを加熱して液体にして反応容器52内に入れた。ナトリウムが固化した後、ガリウムを入れた。本実施例では、ガリウムとナトリウムとのモル比を0.25:0.75とした。その後、グローブボックス内で、高純度のArガス雰囲気下、反応容器52を内部容器51内に設置した。そして、バルブ61を閉じてArガスが充填された内部容器51を密閉し、反応容器52内部を外部雰囲気と遮断した。次に、内部容器51をグローブボックスから出して、結晶製造装置2に組み込んだ。すなわち、内部容器51をヒーター53に対して所定の位置に設置し、バルブ61部分でガス供給管54に接続した。次に、内部容器51からアルゴンガスをパージした後、窒素供給管57から窒素ガスを入れ、圧力制御装置56で圧力を調整してバルブ55を開け、内部容器51内の全圧を1.2MPaにした。その後、バルブ55を閉じ、圧力制御装置56を3.2MPaに設定した。次に、ヒーター53に通電し、反応容器52を結晶成長温度まで昇温した。結晶成長温度は870°Cとした。そして、上記種結晶の製造例1における製造時と同様に、バルブ55を開け、窒素ガス圧力を3.2MPaとし、この状態で反応容器52を1300時間保持して窒化ガリウム結晶を成長させた。その結果、反応容器52内には、種結晶27を種結晶とし、c軸と垂直方向に結晶径が増大し、結晶径のより大きな13族窒化物結晶251単結晶が成長していた。結晶成長によって得られた13族窒化物結晶251は概ね無色透明であり、結晶径dは51mmであり、c軸方向の長さLは反応容器に差し込んだ種結晶の部分を含めて約54mmであった。また、13族窒化物結晶251の形状は、上部が六角推形状であり下部が六角柱形状であった。実施例A2本実施例では、種結晶として、上記種結晶の製造例2で製造した種結晶27を用いた以外は、実施例A1と同じ条件で図11に示す結晶製造装置2により種結晶27の結晶成長を行い、13族窒化物結晶251の一例としての13族窒化物結晶を製造した。本実施例A2で得られた13族窒化物結晶の各々は、実施例A1で得られた13族窒化物結晶と同様に、上部が六角推形状であり下部が六角柱形状であった。-評価-<フォトルミネッセンスPLの測定結果>上記実施例A1~実施例A2で製造した13族窒化物結晶の各々について、上記種結晶の測定時と同じ条件で、フォトルミネッセンスPLを室温で測定した。なお、フォトルミネッセンスは、第1領域25a、第2領域25c、及び第3領域25dの各々について測定した。この結果、実施例A1~実施例A2の各々で製造した13族窒化物結晶においては、窒化ガリウムのバンド端近傍364nmからの発光第1ピークのピーク強度E1と、第1ピークより長波長側500nm~800nmの発光のピーク第2ピークのピーク強度E2と、の比E1/E2が、上述した式1の関係を全て満たしていた。また、実施例A1~実施例A2の各々で製造した13族窒化物結晶においては、窒化ガリウムのバンド端近傍364nmからの発光第1ピークのピーク強度E1と、第1ピークより長波長側500nm~800nmの発光のピーク第2ピークのピーク強度E2の各々は、上述した式2及び式3の関係を全て満たしていた。<各領域の形成状態の評価>上記実施例A1および実施例A2の各々で製造した13族窒化物結晶の各々について、c軸とa軸に平行な断面をカソードルミネッセンスにより撮影し、結晶状態を確認した。図27に示すように、上記実施例A1および実施例A2で製造した13族窒化物結晶においては、第1領域25a上の一部に第2領域25cが形成され、第1領域25a上に直接または第2領域25cを介して第3領域25dが形成されていることが確認できた。なお、第2領域25cには、第1領域25a及び第3領域25dに比べて、暗線部分が多く、何等かの欠陥や転位が多いことが確認できた。<転位密度の評価>上記実施例A1および実施例A2の各々で製造した13族窒化物結晶の各々のc軸とa軸に平行な断面を、KOH融液とNaOH融液を混合した420°Cの混合融液KOH融液の質量:NaOH融液の質量=50:50中に浸漬することによって、各GaN結晶基板の最表面をエッチングし、エッチピットを出現させた。次に、エッチング後のc軸とa軸に平行な断面の組織写真を、電子顕微鏡を用いて撮影し、得られた写真から、エッチピットの密度EPDを算出した。その結果、上記実施例A1および実施例A2で製造した13族窒化物結晶においては、第2領域25cにおけるc軸を横切る方向の転位の転位密度EPDが、第1領域25a及び第3領域25dより多いことが確認できた。同様に、上記実施例A1および実施例A2の各々で製造した13族窒化物結晶の各々の第3領域25dの転位密度Cと、該第3領域25dのm面の転位密度Mについても、上記と同様にして測定した。その結果、上記実施例A1および実施例A2で製造した13族窒化物結晶においては、第3領域25dの転位密度Cは、該第3領域25dのm面の転位密度Mより低かった。また、転位密度Cと転位密度Mとの比M/Cは、1000より大きかった。次に、上記実施例Aで製造した13族窒化物結晶を用いて、13族窒化物結晶基板を製造した。実施例B1<c面を主面とする結晶基板の製造例>実施例A1で製造した13族窒化物結晶を外形研削し、c面と平行にスライスし、表面を研磨し、表面処理を施し、外形φ2インチ、厚さ400μmのc面を主面とする結晶基板100図19-1参照を製造した。基板主面c面を、KOH融液とNaOH融液を混合した420°Cの混合融液KOH融液の質量:NaOH融液の質量=50:50中に浸漬することによって、各GaN結晶基板の最表面をエッチングし、エッチピットを出現させた。次に、エッチング後のc軸とa軸に平行な断面の組織写真を、電子顕微鏡を用いて撮影し、得られた写真から、エッチピットの密度EPDを算出した。その結果、種結晶27における転位密度は106cm-2台であり、第3領域25dにおける転位密度は、102cm-2台であった。従来の結晶製造方法によって窒化アルミニウム針状結晶を種結晶として用いて結晶成長させた13族窒化物結晶と比べると、はるかに転位密度が少なく高品質な13族窒化物結晶が得られることが確認できた。また、顕微鏡観察により、第3領域25dにはクラックが無いことが確認できた。また、基板主面c面のc軸方向に対するオフ角をX線解析により測定したところ、0.1°以下であった。実施例B2<c面を主面とする結晶基板の製造例>実施例A1で製造した13族窒化物結晶に代えて、実施例A2で製造した13族窒化物結晶を用いた以外は、実施例B1と同じ条件でc面基板を作製したところ、実施例B1と同じ結果が得られた。