"次式1で表わされ、種々のイミン類に触媒catalystと銀塩AgX存在下でアクリルニトリルを反応させてなる光学活性αメチリデンβアミノニトリルの製造方法。式中、R1は、トシル基が最もよく、2ピリジルスルホニル基、ノシル基、ベンゼンスルホニル基、246トリメチルベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、アレーンスルホニル基、アルキルスルホニル基、ジアルキルホスホニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリール基、アルキル基、または、シリル基を示す。R2は、環状アルキル基、鎖状アルキル基またはアリール基を示す。触媒としては、フェニレンビスイミダゾリン-パラジウム錯体、または、他の置換フェニレンビスオキサゾリン-パラジウム錯体を用いる。銀塩AgXとしては酢酸銀、トリフルオロ酢酸銀,安息香酸銀、トリフルオロメタンスルホン酸銀、ヘキサフルオロアンチモン酸銀,ヘキサフルオロリン酸銀,過塩素酸銀,ビストリフルオロメタンスルホン酸銀,または、ジフェニルホスホン酸銀を用いることができるが、これらを用いなくてもよい。塩基としては14ジアザビシクロ222オクタン、キヌクリジン、3ヒドロキシキヌクリジン、トリフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリtertブチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリエチルアミン、ジメチルアミノピリジン、または、ヘキサメチレンテトラミンを用いる。解決しようとする問題点は,現状の技術では、光学活性なαメチリデンβアミノニトリル誘導体の簡便かつ高エナンチオ選択的合成法がない点である。アクリロニトリルとイミン類のazaMoritaBaylisHillman反応において、不斉金属錯体触媒を用いると、反応開始剤として加えるアミン、ホスフィン類が配位子交換等を起こるなどの問題のため、アクリロニトリルとイミン類の不斉azaMoritaBaylisHillman反応において不斉金属錯体触媒を用いる例は報告されていない。本発明は、上記点に鑑みてなされたものであり、光学活性なαメチリデンβアミノニトリル誘導体の簡便かつ高エナンチオ選択的合成方法を提供することを目的とする。発明者らは,発明者らが以前に開発したフェニレンビスイミダゾリン-パラジウム錯体が、強固かつ嵩高い配位構造を取ることに着目し、その配位子交換を防ぎながら、高度の不斉空間の設計ができると考え、アクリロニトリルとイミン類の不斉azaMoritaBaylisHillman反応の開発を行いこの出願の発明に至った。この出願の発明は、上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、次式1で表わされ、種々のイミン類に触媒Catalystと銀塩AgX存在下でアクリルニトリルを反応させてなる光学活性αメチリデンβアミノニトリルの製造方法を提供する。式中、R1は、トシル基が最もよく、2ピリジルスルホニル基、ノシル基、ベンゼンスルホニル基、246トリメチルベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、アレーンスルホニル基、アルキルスルホニル基、ジアルキルホスホニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリール基、アルキル基、または、シリル基を示す。R2は、環状アルキル基、鎖状アルキル基またはアリール基を示す。触媒としては、フェニレンビスイミダゾリン-パラジウム錯体、または、他の置換フェニレンビスオキサゾリン-パラジウム錯体を用いる。銀塩AgXとしては酢酸銀、トリフルオロ酢酸銀,安息香酸銀、トリフルオロメタンスルホン酸銀、ヘキサフルオロアンチモン酸銀,ヘキサフルオロリン酸銀,過塩素酸銀,ビストリフルオロメタンスルホン酸銀,または、ジフェニルホスホン酸銀を用いることができるが、これらを用いなくてもよい。塩基としては14ジアザビシクロ222オクタン、キヌクリジン、3ヒドロキシキヌクリジン、トリフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリtertブチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリエチルアミン、ジメチルアミノピリジン、または、ヘキサメチレンテトラミンを用いる。参考例1下記化学式2で与えられるN4トルエンスルホンアミドの合成ベンズアルデヒド、トルエンスルホンアミド、トリエチルアミンをTHF100mlに溶かし、氷浴下10M四塩化チタン塩化メチレン溶液584ml584mmolを加えた。18時間攪拌後,水を加え,塩化メチレンで抽出,飽和食塩水で洗浄をし,無水硫酸ナトリウムで乾燥した。精製は再結晶で行い,N4トルエンスルホンアミドを130gで得た。N4トルエンスルホンアミドのスペクトル等1HNMRδ903794788764760751746735244第1実施形態この出願の発明により下記化学式で与えられるN4メチルベンゼンスルホンアミドを製造する方法を以下に示す。アルゴン雰囲気下,酢酸銀,触媒3,モレキュラーシーブズ4Åを試験管に加え,イソブチロニトリル025mlに溶解させ,2時間撹拌した。その後,アクリロニトリル,14ジアザビシクロ222オクタン,参考例1に示したN4トルエンスルホンアミド205mg00789mmolを加えて室温にて反応させた。反応はTLCにて原料の消失を確認後、塩化メチレンを加え、シリカゲルセライトで濾過し,減圧下で溶媒を留去した。精製はシリカゲルカラムクロマトグラフィーBenzeneCH3CN955で行い,生成物を99の単離収率,92eeの不斉収率で得た。N4メチルベンゼンスルホンアミドのスペクトル等1HNMRδ770731710711607600523505243ESIMSmz33515MNa100HPLCIChexaneiPrOH802010mlmintmajor362mintminor314minaD20491第2~14実施形態N4トルエンスルホンアミドの代わりに、窒素上の置換基R1を種々変更したイミンと、下表1の触媒のリストに示したさまざまな触媒を用い、下式4による第2~14実施形態の結果を表2に示す。下表1の左側のCatalyst2a-dについては、2aのときは、R3がACアセチル基であることを示し、2bのときは、R3がBZベンゾイル基であることを示し、2cのときは、R3がMsメシル基であることを示し、2dのときは、R3がTsトシル基であることを示す。この式で、AgOAcは、酢酸銀を、DABCOは、14ジアザビシクロ222オクタンを、MS4Aは、モレキュラーシーブズ4Åを示す。また、Phは、フェニル基を、Tsは、トシル基を、2-Pysは、2ピリジルスルホニル基を、Mesは、246トリメチルベンゼンスルホニル基を、Bocは、tertブトキシカルボニル基を示す。この表及び下表3でYieldは収率を示し、Eeは、エナンチオ過剰率を示す。R1としては、4トルエンスルホニル基が最もよく、触媒はCatalyst3が最も良い。第15~30実施形態N4トルエンスルホンアミドの代わりに、他のアルジミン類に対するアクリロニトリルによる下式5による付加反応の第15~30実施形態の結果を表3に示す。ここで用いるアルジミン類は、参考例1の合成法に従い、他の置換アルデヒドと4トルエンスルホンアミドを反応させ合成した。この式で、AgOAc、DABCO、MS4A、Catalyst3及びCatalyst4は、上記第2~14実施形態のものと同じものを示す。また、jPrCNは、イソブチロニトリルを示す。この表中、C6H5はフェニル基を示し、pFC6H4はパラフルオロフェニル基を、mFC6H4はメタフルオロフェニル基を、oFC6H4は、オルトフルオロフェニル基を、35F2C6H3は、35ビスフルオロフェニル基を、pClC6H4はパラクロロフェニル基を、mClC6H4は、メタクロロフェニル基を、oClC6H4オルクロロフェニル基を、pMeOC6H4はパラメトキシフェニル基を、mMeOC6H4は、メタメトキシフェニル基を、1C10H7は1ナフチル基を、2C10H7は2ナフチル基を、2C4H3Oは2フリル基を、3C4H3Oは3フリル基を、2C4H3Sは2チエニル基を、3C4H3Sは3チエニル基を示す。"