"2芯光ファイバ磁界センサは少なくとも、光入出射部と、レンズと、磁性ガーネットと、反射体とを備え、前記光入出射部の光入出射端部と前記反射体の間に、前記レンズと前記磁性ガーネットが配置されると共に、前記光入出射部は2つのシングルモードの光ファイバで構成され、一方の前記光ファイバから光が出射され、前記レンズと前記磁性ガーネットを透過後に前記反射体で反射されると共に、反射後、前記光は前記磁性ガーネットと前記レンズを再透過して他方の前記光ファイバに入射され、更に、再度、他方の前記光ファイバから前記光が出射されて、前記レンズと前記磁性ガーネットを透過後に前記反射体で反射され、反射後、前記光が前記磁性ガーネットと前記レンズを再透過して一方の前記光ファイバに再入射されることを特徴とする2芯光ファイバ磁界センサ。前記磁性ガーネットが複数設けられることを特徴とする請求項1に記載の2芯光ファイバ磁界センサ。他方の前記光ファイバにおける前記光入出射端部の他端側光入出射端部に、1つの反射体が配置されていると共に、前記2つの光ファイバが共に酸化鉛を含有する低複屈折光ファイバであることを特徴とする請求項1又は2に記載の2芯光ファイバ磁界センサ。他方の前記光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、他方の前記光ファイバと、複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記複屈折素子は互いに平行な2つの面を有し、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記複屈折素子で、直線偏光の常光線と異常光線に分離され、前記複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が、再度、前記複屈折素子に入射され、前記複屈折素子を再透過する時に、前記光が最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は異常光線として前記複屈折素子を透過し、最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記異常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は常光線として前記複屈折素子を透過することで、2つの前記直線偏光は1つの光に再合成され、前記再合成された光が他方の前記光ファイバに入射されることを特徴とする請求項1又は2に記載の2芯光ファイバ磁界センサ。他方の前記光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、他方の前記光ファイバと、第1の複屈折素子と、第2の複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記第1の複屈折素子と前記第2の複屈折素子は、それぞれ互いに平行な2つの面を有し、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記第1の複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記第1の複屈折素子の他方の面と、前記第2の複屈折素子の一方の面とが面対向して前記第2の複屈折素子が配置され、前記第2の複屈折素子の光学面での結晶軸方向は、前記第1の複屈折素子の光学面での結晶軸方向に対して、90度異なるように設定されると共に、前記第2の複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記第1の複屈折素子で、直線偏光の常光線と異常光線に分離され、次に、前記第1の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線が、前記第2の複屈折素子を透過するときに、前記第1の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第1の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、前記第1の複屈折素子を透過時の前記異常光線と、前記第2の複屈折素子を透過時の前記異常光線の、各シフト量が同一に設定され、次に、前記第2の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの前記直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が再度前記第2の複屈折素子を透過するときに、一方の前記直線偏光のみがシフトされ、更に、前記第2の複屈折素子から出射された2つの前記直線偏光が、前記第1の複屈折素子を透過するときに、前記第2の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第2の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、2つの前記直線偏光が、再度、前記第1の複屈折素子に入射されることで1つの光に再合成され、前記再合成された光が他方の前記光ファイバに入射されることを特徴とする請求項1又は2に記載の2芯光ファイバ磁界センサ。他方の前記光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、ファラデーミラーが配置されていると共に、前記ファラデーミラーは、他方の前記光ファイバと、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記磁性ガーネットの一方の面に対向して配置され、前記磁性ガーネットと前記反射体の間に前記レンズが配置され、更に、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が45度回転されると共に、前記光は前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された前記光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が更に45度回転され、更に、前記光が他方の前記光ファイバに入射されることを特徴とする請求項1又は2に記載の2芯光ファイバ磁界センサ。請求項1又は2に記載の2芯光ファイバ磁界センサが、測定対象の磁界に対してn個n≧2設けられることを特徴とする2芯光ファイバ磁界センサ。前段の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記光ファイバと、後段の前記2芯光ファイバ磁界センサの一方の光ファイバとで構成される一対の光ファイバにおける前記光入出射端部の他端側光入出射端部に、1つの反射体が配置されていることを特徴とする請求項7記載の2芯光ファイバ磁界センサ。前段の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記光ファイバと、後段の前記2芯光ファイバ磁界センサの一方の光ファイバが共通の光ファイバであることを特徴とする請求項7記載の2芯光ファイバ磁界センサ。n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記光ファイバにおける前記光入出射端部の他端側光入出射端部に、1つの反射体が配置されていると共に、前記全ての光ファイバが共に酸化鉛を含有する低複屈折光ファイバであることを特徴とする請求項7乃至9の何れかに記載の2芯光ファイバ磁界センサ。n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、他方の前記光ファイバと、複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記複屈折素子は互いに平行な2つの面を有し、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記複屈折素子で、直線偏光の常光線と異常光線に分離され、前記複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が、再度、前記複屈折素子に入射され、前記複屈折素子を再透過する時に、前記光が最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は異常光線として前記複屈折素子を透過し、最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記異常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は常光線として前記複屈折素子を透過することで、2つの前記直線偏光は1つの光に再合成され、前記再合成された光が他方の前記光ファイバに入射されることを特徴とする請求項7乃至9の何れかに記載の2芯光ファイバ磁界センサ。n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、他方の前記光ファイバと、第1の複屈折素子と、第2の複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記第1の複屈折素子と前記第2の複屈折素子は、それぞれ互いに平行な2つの面を有し、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記第1の複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記第1の複屈折素子の他方の面と、前記第2の複屈折素子の一方の面とが面対向して前記第2の複屈折素子が配置され、前記第2の複屈折素子の光学面での結晶軸方向は、前記第1の複屈折素子の光学面での結晶軸方向に対して、90度異なるように設定されると共に、前記第2の複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記第1の複屈折素子で、直線偏光の常光線と異常光線に分離され、次に、前記第1の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線が、前記第2の複屈折素子を透過するときに、前記第1の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第1の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、前記第1の複屈折素子を透過時の前記異常光線と、前記第2の複屈折素子を透過時の前記異常光線の、各シフト量が同一に設定され、次に、前記第2の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの前記直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が再度前記第2の複屈折素子を透過するときに、一方の前記直線偏光のみがシフトされ、更に、前記第2の複屈折素子から出射された2つの前記直線偏光が、前記第1の複屈折素子を透過するときに、前記第2の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第2の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、2つの前記直線偏光が、再度、前記第1の複屈折素子に入射されることで1つの光に再合成され、前記再合成された光が他方の前記光ファイバに入射されることを特徴とする請求項7乃至9の何れかに記載の2芯光ファイバ磁界センサ。n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、ファラデーミラーが配置されていると共に、前記ファラデーミラーは、他方の前記光ファイバと、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記磁性ガーネットの一方の面に対向して配置され、前記磁性ガーネットと前記反射体の間に前記レンズが配置され、更に、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が45度回転されると共に、前記光は前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された前記光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が更に45度回転され、更に、前記光が他方の前記光ファイバに入射されることを特徴とする請求項7乃至9の何れかに記載の2芯光ファイバ磁界センサ。2芯光ファイバ磁界センサは少なくとも、光入出射部と、レンズと、磁性ガーネットと、反射体と、λ/4波長板λ:前記2芯光ファイバ磁界センサに入射される光の波長とを備え、前記光入出射部の光入出射端部と前記反射体の間に、前記レンズと前記磁性ガーネットと前記λ/4波長板が配置されると共に、前記光入出射部は2つの偏光面保存光ファイバで構成されると共に、前記2つの偏光面保存光ファイバの互いのスロー軸方向が90度異なるように前記2つの偏光面保存光ファイバが配置され、前記λ/4波長板の結晶軸方向が、どちらか一方の前記偏光面保存光ファイバのスロー軸方向に対して45度異なるように、前記λ/4波長板が配置され、一方の前記偏光面保存光ファイバから光が出射され、前記λ/4波長板と前記レンズと前記磁性ガーネットを透過後に前記反射体で反射されると共に、反射後、前記光は前記磁性ガーネットと前記レンズと前記λ/4波長板を再透過して他方の前記偏光面保存光ファイバに入射され、更に、再度、他方の前記偏光面保存光ファイバから前記光が出射されて、前記λ/4波長板と前記レンズと前記磁性ガーネットを透過後に前記反射体で反射され、反射後、前記光が前記磁性ガーネットと前記レンズと前記λ/4波長板を再透過して一方の前記偏光面保存光ファイバに再入射されることを特徴とする2芯光ファイバ磁界センサ。前記磁性ガーネットが複数設けられることを特徴とする請求項14に記載の2芯光ファイバ磁界センサ。他方の前記偏光面保存光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、他方の前記偏光面保存光ファイバと、複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記複屈折素子は互いに平行な2つの面を有し、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記複屈折素子内を常光線と異常光線の2つの直線偏光として透過し、前記複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの前記直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が、再度、前記複屈折素子に入射され、前記複屈折素子を再透過する時に、前記光が最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は異常光線として前記複屈折素子を透過し、最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記異常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は常光線として前記複屈折素子を透過し、前記複屈折素子を透過した2つの前記直線偏光が他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする請求項14又は15に記載の2芯光ファイバ磁界センサ。他方の前記偏光面保存光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、他方の前記偏光面保存光ファイバと、第1の複屈折素子と、第2の複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記第1の複屈折素子と前記第2の複屈折素子は、それぞれ互いに平行な2つの面を有し、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記第1の複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記第1の複屈折素子の他方の面と、前記第2の複屈折素子の一方の面とが面対向して前記第2の複屈折素子が配置され、前記第2の複屈折素子の光学面での結晶軸方向は、前記第1の複屈折素子の光学面での結晶軸方向に対して、90度異なるように設定されると共に、前記第2の複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記第1の複屈折素子内を常光線と異常光線の2つの直線偏光として透過し、次に、前記第1の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線が、前記第2の複屈折素子を透過するときに、前記第1の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第1の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、前記第1の複屈折素子を透過時の前記異常光線と、前記第2の複屈折素子を透過時の前記異常光線の、各シフト量が同一に設定され、次に、前記第2の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの前記直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が、再度前記第2の複屈折素子を透過するときに、一方の前記直線偏光のみがシフトされ、更に、前記第2の複屈折素子から出射された2つの前記直線偏光が、前記第1の複屈折素子を透過するときに、前記第2の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第2の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、前記第1の複屈折素子を透過した2つの前記直線偏光が他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする請求項14又は15に記載の2芯光ファイバ磁界センサ。他方の前記偏光面保存光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、ファラデーミラーが配置されていると共に、前記ファラデーミラーは、他方の前記偏光面保存光ファイバと、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記磁性ガーネットの一方の面に対向して配置され、前記磁性ガーネットと前記反射体の間に前記レンズが配置され、更に、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が45度回転されると共に、前記光は前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された前記光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が更に45度回転され、更に、前記光が他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする請求項14又は15に記載の2芯光ファイバ磁界センサ。他方の前記偏光面保存光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、λ/4波長板ミラーが配置されていると共に、前記λ/4波長板ミラーは、他方の前記偏光面保存光ファイバと、λ/4波長板λ:前記λ/4波長板ミラーに入射される光の波長と、レンズと、反射体を備え、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記λ/4波長板の一方の面に対向して配置され、前記λ/4波長板と前記反射体の間に前記レンズが配置され、更に、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記λ/4波長板を透過することにより、電気ベクトルの先端の回転方向が互いに異なる円偏光に変換され、2つの前記円偏光は前記レンズを透過し、前記反射体の表面上で反射され、反射された2つの前記円偏光は、再度、前記λ/4波長板を透過することにより、電気ベクトルの振動方向が90度異なる2つの直線偏光に変換され、更に、2つの前記直線偏光が他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする請求項14又は15に記載の2芯光ファイバ磁界センサ。請求項14又は15に記載の2芯光ファイバ磁界センサが、測定対象の磁界に対してn個n≧2設けられ、前段の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、後段の前記2芯光ファイバ磁界センサの一方の偏光面保存光ファイバが共通の偏光面保存光ファイバであり、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバにおける他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記複屈折素子は互いに平行な2つの面を有し、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記複屈折素子内を常光線と異常光線の2つの直線偏光として透過し、前記複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの前記直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が、再度、前記複屈折素子に入射され、前記複屈折素子を再透過する時に、前記光が最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は異常光線として前記複屈折素子を透過し、最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記異常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は常光線として前記複屈折素子を透過し、前記複屈折素子を透過した2つの前記直線偏光が、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする2芯光ファイバ磁界センサ。請求項14又は15に記載の2芯光ファイバ磁界センサが、測定対象の磁界に対してn個n≧2設けられ、前段の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、後段の前記2芯光ファイバ磁界センサの一方の偏光面保存光ファイバが共通の偏光面保存光ファイバであり、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバにおける他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、第1の複屈折素子と、第2の複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記第1の複屈折素子と前記第2の複屈折素子は、それぞれ互いに平行な2つの面を有し、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記第1の複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記第1の複屈折素子の他方の面と、前記第2の複屈折素子の一方の面とが面対向して前記第2の複屈折素子が配置され、前記第2の複屈折素子の光学面での結晶軸方向は、前記第1の複屈折素子の光学面での結晶軸方向に対して、90度異なるように設定されると共に、前記第2の複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記第1の複屈折素子内を常光線と異常光線の2つの直線偏光として透過し、次に、前記第1の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線が、前記第2の複屈折素子を透過するときに、前記第1の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第1の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、前記第1の複屈折素子を透過時の前記異常光線と、前記第2の複屈折素子を透過時の前記異常光線の、各シフト量が同一に設定され、次に、前記第2の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの前記直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が、再度前記第2の複屈折素子を透過するときに、一方の前記直線偏光のみがシフトされ、更に、前記第2の複屈折素子から出射された2つの前記直線偏光が、前記第1の複屈折素子を透過するときに、前記第2の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第2の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、前記第1の複屈折素子を透過した2つの前記直線偏光が、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする2芯光ファイバ磁界センサ。請求項14又は15に記載の2芯光ファイバ磁界センサが、測定対象の磁界に対してn個n≧2設けられ、前段の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、後段の前記2芯光ファイバ磁界センサの一方の偏光面保存光ファイバが共通の偏光面保存光ファイバであり、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバにおける他端側光入出射端部に、ファラデーミラーが配置されていると共に、前記ファラデーミラーは、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記磁性ガーネットの一方の面に対向して配置され、前記磁性ガーネットと前記反射体の間に前記レンズが配置され、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が45度回転されると共に、前記光は前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された前記光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が更に45度回転され、更に、前記光がn個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする2芯光ファイバ磁界センサ。請求項14又は15に記載の2芯光ファイバ磁界センサが、測定対象の磁界に対してn個n≧2設けられ、前段の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、後段の前記2芯光ファイバ磁界センサの一方の偏光面保存光ファイバが共通の偏光面保存光ファイバであり、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバにおける他端側光入出射端部に、λ/4波長板ミラーが配置されていると共に、前記λ/4波長板ミラーは、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、λ/4波長板λ:前記λ/4波長板ミラーに入射される光の波長と、レンズと、反射体を備え、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記λ/4波長板の一方の面に対向して配置され、前記λ/4波長板と前記反射体の間に前記レンズが配置され、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記λ/4波長板を透過することにより、電気ベクトルの先端の回転方向が互いに異なる円偏光に変換され、2つの前記円偏光は前記レンズを透過し、前記反射体の表面上で反射され、反射された2つの前記円偏光は、再度、前記λ/4波長板を透過することにより、電気ベクトルの振動方向が90度異なる2つの直線偏光に変換され、更に、2つの前記直線偏光が、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする2芯光ファイバ磁界センサ。しかしながら非特許文献1の磁界センサ100では、光が磁界検出部である磁性ガーネット101を一回透過することで磁界を検出しているため、磁界に対するセンサ感度磁界検出感度を大幅に向上させるためには、磁性ガーネット101の材料特性を向上させるしか手段が無く、結果的にセンサ感度を大幅に向上させることは困難であった。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、磁界検出感度を大幅に向上可能な2芯光ファイバを備えた2芯光ファイバ磁界センサを提供することである。更に、耐振動性の向上、高周波磁界の測定を可能とする2芯光ファイバ磁界センサを提供することである。上記課題は以下の本発明により達成される。即ち、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは少なくとも、光入出射部と、レンズと、磁性ガーネットと、反射体とを備え、前記光入出射部の光入出射端部と前記反射体の間に、前記レンズと前記磁性ガーネットが配置されると共に、前記光入出射部は2つのシングルモードの光ファイバで構成され、一方の前記光ファイバから光が出射され、前記レンズと前記磁性ガーネットを透過後に前記反射体で反射されると共に、反射後、前記光は前記磁性ガーネットと前記レンズを再透過して他方の前記光ファイバに入射され、更に、再度、他方の前記光ファイバから前記光が出射されて、前記レンズと前記磁性ガーネットを透過後に前記反射体で反射され、反射後、前記光が前記磁性ガーネットと前記レンズを再透過して一方の前記光ファイバに再入射されることを特徴とする。本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、前記磁性ガーネットが複数設けられることが好ましい。本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、他方の前記光ファイバにおける前記光入出射端部の他端側光入出射端部に、1つの反射体が配置されていると共に、前記2つの光ファイバが共に酸化鉛を含有する低複屈折光ファイバであることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、他方の前記光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、他方の前記光ファイバと、複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記複屈折素子は互いに平行な2つの面を有し、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記複屈折素子で、直線偏光の常光線と異常光線に分離され、前記複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が、再度、前記複屈折素子に入射され、前記複屈折素子を再透過する時に、前記光が最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は異常光線として前記複屈折素子を透過し、最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記異常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は常光線として前記複屈折素子を透過することで、2つの前記直線偏光は1つの光に再合成され、前記再合成された光が他方の前記光ファイバに入射されることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、他方の前記光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、他方の前記光ファイバと、第1の複屈折素子と、第2の複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記第1の複屈折素子と前記第2の複屈折素子は、それぞれ互いに平行な2つの面を有し、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記第1の複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記第1の複屈折素子の他方の面と、前記第2の複屈折素子の一方の面とが面対向して前記第2の複屈折素子が配置され、前記第2の複屈折素子の光学面での結晶軸方向は、前記第1の複屈折素子の光学面での結晶軸方向に対して、90度異なるように設定されると共に、前記第2の複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記第1の複屈折素子で、直線偏光の常光線と異常光線に分離され、次に、前記第1の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線が、前記第2の複屈折素子を透過するときに、前記第1の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第1の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、前記第1の複屈折素子を透過時の前記異常光線と、前記第2の複屈折素子を透過時の前記異常光線の、各シフト量が同一に設定され、次に、前記第2の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの前記直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が再度前記第2の複屈折素子を透過するときに、一方の前記直線偏光のみがシフトされ、更に、前記第2の複屈折素子から出射された2つの前記直線偏光が、前記第1の複屈折素子を透過するときに、前記第2の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第2の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、2つの前記直線偏光が、再度、前記第1の複屈折素子に入射されることで1つの光に再合成され、前記再合成された光が他方の前記光ファイバに入射されることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、他方の前記光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、ファラデーミラーが配置されていると共に、前記ファラデーミラーは、他方の前記光ファイバと、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記磁性ガーネットの一方の面に対向して配置され、前記磁性ガーネットと前記反射体の間に前記レンズが配置され、更に、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が45度回転されると共に、前記光は前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された前記光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が更に45度回転され、更に、前記光が他方の前記光ファイバに入射されることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、上記各2芯光ファイバ磁界センサが測定対象の磁界に対してn個n≧2設けられることを特徴とする。更に、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、前段の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記光ファイバと、後段の前記2芯光ファイバ磁界センサの一方の光ファイバとで構成される一対の光ファイバにおける前記光入出射端部の他端側光入出射端部に、1つの反射体が配置されていることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、前段の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記光ファイバと、後段の前記2芯光ファイバ磁界センサの一方の光ファイバが共通の光ファイバであることを特徴とする。更に、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記光ファイバにおける前記光入出射端部の他端側光入出射端部に、1つの反射体が配置されていると共に、前記全ての光ファイバが共に酸化鉛を含有する低複屈折光ファイバであることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、他方の前記光ファイバと、複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記複屈折素子は互いに平行な2つの面を有し、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記複屈折素子で、直線偏光の常光線と異常光線に分離され、前記複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が、再度、前記複屈折素子に入射され、前記複屈折素子を再透過する時に、前記光が最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は異常光線として前記複屈折素子を透過し、最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記異常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は常光線として前記複屈折素子を透過することで、2つの前記直線偏光は1つの光に再合成され、前記再合成された光が他方の前記光ファイバに入射されることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、他方の前記光ファイバと、第1の複屈折素子と、第2の複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記第1の複屈折素子と前記第2の複屈折素子は、それぞれ互いに平行な2つの面を有し、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記第1の複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記第1の複屈折素子の他方の面と、前記第2の複屈折素子の一方の面とが面対向して前記第2の複屈折素子が配置され、前記第2の複屈折素子の光学面での結晶軸方向は、前記第1の複屈折素子の光学面での結晶軸方向に対して、90度異なるように設定されると共に、前記第2の複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記第1の複屈折素子で、直線偏光の常光線と異常光線に分離され、次に、前記第1の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線が、前記第2の複屈折素子を透過するときに、前記第1の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第1の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、前記第1の複屈折素子を透過時の前記異常光線と、前記第2の複屈折素子を透過時の前記異常光線の、各シフト量が同一に設定され、次に、前記第2の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの前記直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が再度前記第2の複屈折素子を透過するときに、一方の前記直線偏光のみがシフトされ、更に、前記第2の複屈折素子から出射された2つの前記直線偏光が、前記第1の複屈折素子を透過するときに、前記第2の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第2の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、2つの前記直線偏光が、再度、前記第1の複屈折素子に入射されることで1つの光に再合成され、前記再合成された光が他方の前記光ファイバに入射されることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、ファラデーミラーが配置されていると共に、前記ファラデーミラーは、他方の前記光ファイバと、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記磁性ガーネットの一方の面に対向して配置され、前記磁性ガーネットと前記反射体の間に前記レンズが配置され、更に、他方の前記光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が45度回転されると共に、前記光は前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された前記光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が更に45度回転され、更に、前記光が他方の前記光ファイバに入射されることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、光入出射部と、レンズと、磁性ガーネットと、反射体と、λ/4波長板λ:前記2芯光ファイバ磁界センサに入射される光の波長とを備え、前記光入出射部の光入出射端部と前記反射体の間に、前記レンズと前記磁性ガーネットと前記λ/4波長板が配置されると共に、前記光入出射部は2つの偏光面保存光ファイバで構成されると共に、前記2つの偏光面保存光ファイバの互いのスロー軸方向が90度異なるように前記2つの偏光面保存光ファイバが配置され、前記λ/4波長板の結晶軸方向が、どちらか一方の前記偏光面保存光ファイバのスロー軸方向に対して45度異なるように、前記λ/4波長板が配置され、一方の前記偏光面保存光ファイバから光が出射され、前記λ/4波長板と前記レンズと前記磁性ガーネットを透過後に前記反射体で反射されると共に、反射後、前記光は前記磁性ガーネットと前記レンズと前記λ/4波長板を再透過して他方の前記偏光面保存光ファイバに入射され、更に、再度、他方の前記偏光面保存光ファイバから前記光が出射されて、前記λ/4波長板と前記レンズと前記磁性ガーネットを透過後に前記反射体で反射され、反射後、前記光が前記磁性ガーネットと前記レンズと前記λ/4波長板を再透過して一方の前記偏光面保存光ファイバに再入射されることを特徴とする。更に、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、前記磁性ガーネットが複数設けられることを特徴とする。更に、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、他方の前記偏光面保存光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、他方の前記偏光面保存光ファイバと、複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記複屈折素子は互いに平行な2つの面を有し、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記複屈折素子内を常光線と異常光線の2つの直線偏光として透過し、前記複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの前記直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が、再度、前記複屈折素子に入射され、前記複屈折素子を再透過する時に、前記光が最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は異常光線として前記複屈折素子を透過し、最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記異常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は常光線として前記複屈折素子を透過し、前記複屈折素子を透過した2つの前記直線偏光が他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、他方の前記偏光面保存光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、他方の前記偏光面保存光ファイバと、第1の複屈折素子と、第2の複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記第1の複屈折素子と前記第2の複屈折素子は、それぞれ互いに平行な2つの面を有し、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記第1の複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記第1の複屈折素子の他方の面と、前記第2の複屈折素子の一方の面とが面対向して前記第2の複屈折素子が配置され、前記第2の複屈折素子の光学面での結晶軸方向は、前記第1の複屈折素子の光学面での結晶軸方向に対して、90度異なるように設定されると共に、前記第2の複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記第1の複屈折素子内を常光線と異常光線の2つの直線偏光として透過し、次に、前記第1の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線が、前記第2の複屈折素子を透過するときに、前記第1の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第1の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、前記第1の複屈折素子を透過時の前記異常光線と、前記第2の複屈折素子を透過時の前記異常光線の、各シフト量が同一に設定され、次に、前記第2の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの前記直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が、再度前記第2の複屈折素子を透過するときに、一方の前記直線偏光のみがシフトされ、更に、前記第2の複屈折素子から出射された2つの前記直線偏光が、前記第1の複屈折素子を透過するときに、前記第2の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第2の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、前記第1の複屈折素子を透過した2つの前記直線偏光が他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、他方の前記偏光面保存光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、ファラデーミラーが配置されていると共に、前記ファラデーミラーは、他方の前記偏光面保存光ファイバと、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記磁性ガーネットの一方の面に対向して配置され、前記磁性ガーネットと前記反射体の間に前記レンズが配置され、更に、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が45度回転されると共に、前記光は前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された前記光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が更に45度回転され、更に、前記光が他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、他方の前記偏光面保存光ファイバにおける前記他端側光入出射端部に、λ/4波長板ミラーが配置されていると共に、前記λ/4波長板ミラーは、他方の前記偏光面保存光ファイバと、λ/4波長板λ:前記λ/4波長板ミラーに入射される光の波長と、レンズと、反射体を備え、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記λ/4波長板の一方の面に対向して配置され、前記λ/4波長板と前記反射体の間に前記レンズが配置され、更に、他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記λ/4波長板を透過することにより、電気ベクトルの先端の回転方向が互いに異なる円偏光に変換され、2つの前記円偏光は前記レンズを透過し、前記反射体の表面上で反射され、反射された2つの前記円偏光は、再度、前記λ/4波長板を透過することにより、電気ベクトルの振動方向が90度異なる2つの直線偏光に変換され、更に、2つの前記直線偏光が他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、2芯光ファイバ磁界センサが、測定対象の磁界に対してn個n≧2設けられ、前段の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、後段の前記2芯光ファイバ磁界センサの一方の偏光面保存光ファイバが共通の偏光面保存光ファイバであり、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバにおける他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記複屈折素子は互いに平行な2つの面を有し、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記複屈折素子内を常光線と異常光線の2つの直線偏光として透過し、前記複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの前記直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が、再度、前記複屈折素子に入射され、前記複屈折素子を再透過する時に、前記光が最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は異常光線として前記複屈折素子を透過し、最初に前記複屈折素子を透過する際に、前記異常光線として透過した前記直線偏光は、再透過の時は常光線として前記複屈折素子を透過し、前記複屈折素子を透過した2つの前記直線偏光が、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、2芯光ファイバ磁界センサが、測定対象の磁界に対してn個n≧2設けられ、前段の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、後段の前記2芯光ファイバ磁界センサの一方の偏光面保存光ファイバが共通の偏光面保存光ファイバであり、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバにおける他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラーが配置されていると共に、前記光ファイバ複屈折補償ミラーは、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、第1の複屈折素子と、第2の複屈折素子と、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、前記第1の複屈折素子と前記第2の複屈折素子は、それぞれ互いに平行な2つの面を有し、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記第1の複屈折素子の一方の面に対向して配置され、前記第1の複屈折素子の他方の面と、前記第2の複屈折素子の一方の面とが面対向して前記第2の複屈折素子が配置され、前記第2の複屈折素子の光学面での結晶軸方向は、前記第1の複屈折素子の光学面での結晶軸方向に対して、90度異なるように設定されると共に、前記第2の複屈折素子と前記反射体の間に、前記磁性ガーネットと前記レンズが配置され、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記第1の複屈折素子内を常光線と異常光線の2つの直線偏光として透過し、次に、前記第1の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線が、前記第2の複屈折素子を透過するときに、前記第1の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第1の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、前記第1の複屈折素子を透過時の前記異常光線と、前記第2の複屈折素子を透過時の前記異常光線の、各シフト量が同一に設定され、次に、前記第2の複屈折素子から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの前記直線偏光は、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転されると共に、2つの前記直線偏光は、前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された2つの前記直線偏光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転され、2つの前記直線偏光が、再度前記第2の複屈折素子を透過するときに、一方の前記直線偏光のみがシフトされ、更に、前記第2の複屈折素子から出射された2つの前記直線偏光が、前記第1の複屈折素子を透過するときに、前記第2の複屈折素子を常光線で透過した前記直線偏光は異常光線で透過されると共に、前記第2の複屈折素子を異常光線で透過した前記直線偏光は常光線で透過され、前記第1の複屈折素子を透過した2つの前記直線偏光が、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、2芯光ファイバ磁界センサが、測定対象の磁界に対してn個n≧2設けられ、前段の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、後段の前記2芯光ファイバ磁界センサの一方の偏光面保存光ファイバが共通の偏光面保存光ファイバであり、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバにおける他端側光入出射端部に、ファラデーミラーが配置されていると共に、前記ファラデーミラーは、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、磁気飽和時に45度の回転角を有する磁性ガーネットと、前記磁性ガーネットを磁気飽和させるマグネットと、レンズと、反射体を備え、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記磁性ガーネットの一方の面に対向して配置され、前記磁性ガーネットと前記反射体の間に前記レンズが配置され、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が45度回転されると共に、前記光は前記レンズを透過し、前記反射体の表面上の一点で点対称に反射され、反射された前記光は、再度、前記磁性ガーネットを透過することにより、偏光方向が更に45度回転され、更に、前記光がn個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする。又、本発明の2芯光ファイバ磁界センサは、2芯光ファイバ磁界センサが、測定対象の磁界に対してn個n≧2設けられ、前段の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、後段の前記2芯光ファイバ磁界センサの一方の偏光面保存光ファイバが共通の偏光面保存光ファイバであり、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバにおける他端側光入出射端部に、λ/4波長板ミラーが配置されていると共に、前記λ/4波長板ミラーは、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバと、λ/4波長板λ:前記λ/4波長板ミラーに入射される光の波長と、レンズと、反射体を備え、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部は、前記λ/4波長板の一方の面に対向して配置され、前記λ/4波長板と前記反射体の間に前記レンズが配置され、更に、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバの前記他端側光入出射端部から前記光が出射され、前記光は前記λ/4波長板を透過することにより、電気ベクトルの先端の回転方向が互いに異なる円偏光に変換され、2つの前記円偏光は前記レンズを透過し、前記反射体の表面上で反射され、反射された2つの前記円偏光は、再度、前記λ/4波長板を透過することにより、電気ベクトルの振動方向が90度異なる2つの直線偏光に変換され、更に、2つの前記直線偏光が、n個目の前記2芯光ファイバ磁界センサの他方の前記偏光面保存光ファイバに入射されることを特徴とする。本発明の2芯光ファイバ磁界センサに依れば、光が磁界検出部である2芯光ファイバ磁界センサをnn≧2往復する構成としたことにより、測定対象である磁界に対するセンサ感度磁界検出感度を約n倍とすることが可能となり、その結果、2芯光ファイバ磁界センサの磁界検出感度を大幅に向上させることが出来る。従って、同電流値により生じる磁界の測定可能距離を、従来の磁界センサと比較して約2倍に拡大することが出来ると共に、同一測定位置における電流値検出感度を約5倍に高めることが可能となった。又、2芯光ファイバ磁界センサを光ファイバ複屈折補償ミラーと光学的に接続することにより、センシング光の変動を抑え、光ファイバの複屈折による受光素子の受光量の変動を抑制することが可能となり、磁界に対する磁界検出値の変動が抑制され、耐振動性も向上する。更に、伝搬路として使用する各光ファイバにスパンファイバ又は酸化鉛を含有する低複屈折光ファイバを使用することにより、伝搬路の複屈折を低減することが可能となる。又、2芯光ファイバ磁界センサを高周波磁界の測定に対応した回路構成とすることにより、高周波磁界の測定が可能となる。又、同一組成及び同一方向に同一回転角を有する磁性ガーネットを複数、光伝搬方向に配置して設けることにより、2芯光ファイバ磁界センサの組み立てが容易になると共に、磁界に対する磁界検出値の変動が抑制され、2芯光ファイバ磁界センサの耐振動性を向上させることが可能となる。更に、2芯光ファイバ磁界センサの光入出射部である2つの光ファイバを、偏光面保存光ファイバで構成することにより、外部から振動を受けてもセンシング光の変動が抑えられ、磁界値に対する磁界検出値の変動が抑制されるため、2芯光ファイバ磁界センサの耐振動性を更に向上させることが可能となる。<第1の実施形態>以下、本発明に係る2芯光ファイバ磁界センサの第1の実施形態を、図1乃至図4に基づいて詳細に説明する。なお、各図に示してあるx軸乃至z軸は、それぞれの図で一対一に対応している。図1に、本発明に係る2芯光ファイバ磁界センサにおける第1の実施形態の構成図を示すと共に、図2に、光の伝搬方向をz軸、z軸に直交する面内のそれぞれ水平方向をx軸、垂直方向をy軸としたときの、2芯光ファイバ磁界センサ1の光入出射部2から反射体5までの各光学部品の構成と配置を示す。なお、伝搬光が各光学部品内部を透過する際の光路は破線で表し、それ以外の光路は実線で表すものとする。本発明の2芯光ファイバ磁界センサ1は、図2に示すように、レンズ3、測定対象の磁界を測定するファラデー回転子として機能する磁性ガーネット4の各光学部品を備える。更に、これら光学部品の一端側に光入出射部2が配置されると共に、前記各光学部品を挟んで光入出射部2の反対側には、反射体であるミラー5が備えられている。即ち、前記光入出射部2の光入出射端部2a1,2b1と前記反射体5の間に、前記レンズ3と前記磁性ガーネット4が配置される。各光学部品は、光入出射部2の光入出射端部2a1,2b1からz軸方向に順に、レンズ3,磁性ガーネット4と配置されている。各光学部品のそれぞれの光学面には、誘電体による反射防止膜を施すことが望ましい。光入出射部2は、導波路として用いられる2つの光ファイバ2a,2bで構成されている。光ファイバ2a,2bは製造段階で捻じられたシングルモードのスパンファイバである。光ファイバ2a,2bは、光が伝搬するコア部と、その外周に順次設けられたクラッド層及びコーティング層から構成されている。光ファイバ2aは光を発振する図示しない光源に光学的に接続されており、光源から出射された光を伝搬して前記光学部品に出射すると共に、ミラー5によって反射された反射光を受光して、後述する光ファイバ複屈折補償ミラー6図1参照へ反射光を伝搬させる。レンズ3は、入射した光の収束を行うもので、非球面レンズ,ボールレンズ,平凸レンズ或いは屈折率分布レンズ等を使用することが出来る。磁性ガーネット4はレンズ3を透過した光を入射して、その光の偏光面を回転させる非相反性の偏光面回転素子であり、測定対象例えば電力線の近傍に設置され、その測定対象からの磁界が印加されることで、その磁界の強度に比例して前記偏光面を回転させる。磁性ガーネット4には、使用波長帯域で磁気飽和時の回転角が45度の磁性ガーネットを使用するものとし、強磁性のビスマス置換型ガーネット単結晶を用いることが出来る。又、偏光面の回転方向は、測定対象である磁界の向きによって変化する。又、磁性ガーネット4の外形は平板状に形成される。変更例として、同一組成及び同一方向に同一回転角を有する磁性ガーネットを複数3つ、光伝搬方向に配置して設けた構成に変更しても良い。その理由としては、磁性ガーネットが1つ又は3つの場合は、合計の回転角が45度又は135度となり、組み立てが容易になると共に、磁界に対する磁界検出値の変動が抑制され、2芯光ファイバ磁界センサ1の耐振動性が向上するためである。なお、磁性ガーネットを2つで構成しても良い。更に、磁性ガーネット4のもう一方側にはミラー5が設けられる。ミラー5は、磁性ガーネット4を透過した光を反射する反射鏡であり、本実施の形態では一例として、誘電体多層膜か金属膜を基板表面にコーティングした全反射膜が用いられる。更に、他方の前記光ファイバ2bにおける前記他端側光入出射端部2b2図3参照に、光ファイバ複屈折補償ミラー6が配置されることで、他方の光ファイバ2bの一端側2b2に光ファイバ複屈折補償ミラー6が光学的に接続されている。光ファイバ複屈折補償ミラー6を図3に基づいて詳細に説明する。図3のx軸、y軸、z軸も図1及び図2とそれぞれ一対一に対応している。図3において、光ファイバ複屈折補償ミラー6は、他方の光ファイバ2bと、互いに平行な2つの面7a及び7bを有する複屈折素子7、磁性ガーネット8及びその磁性ガーネット8を磁気飽和させるマグネット18、1個のレンズ9、及び反射体であるミラー10を備えて構成されている。光ファイバ2bの他端側光入出射端部2b2は、複屈折素子7の一方の面7aに対向されて配置されている。複屈折素子7は一軸性複屈折素子体であり、結晶軸X71が面7aに対して角度φで傾斜するように調整されると共に、光学面面7aでの結晶軸がx軸と平行に設定される。更に、複屈折素子7は互いに平行な2つの面7a,7bを有する。複屈折素子7としては、例えば、ルチルTiO2、方解石CaCO3、イットリウムバナデートYVO4、ニオブ酸リチウムLiNbO3等を用いることができる。これら結晶の中でも、特に硬くて傷が付きにくく潮解性のないルチルを用いることが好ましい。複屈折素子7にルチルを使用する場合、面法線と結晶軸X71との角度αは47.8度に設定する。又、複屈折後の常光線及び異常光線を平行に出射するために、2つの面7a及び7bは平行に設定する。なお、複屈折素子7の表面には、誘電体による反射防止膜を施すことが望ましい。そして光ファイバ2bと複屈折素子7の間を、光が伝搬する。磁性ガーネット8は、複屈折素子7を透過して入射してくる光の各直線偏光常光線と異常光線の偏光面における偏光方向を、同一方向に45度回転させる非相反性の偏光面回転素子であり、マグネット18からの磁界が印加されることで磁気飽和されている。磁性ガーネット8には、使用波長帯域で磁気飽和時の回転角が45度の磁性ガーネットを使用するものとし、強磁性のビスマス置換型ガーネット単結晶を用いることが出来る。更に偏光面の回転方向は、マグネット18の着磁方向に準じて時計/反時計方向に設定される。又、磁性ガーネット8の外形は平板状に形成される。配置の際は、複屈折素子7の他方の面7bと、磁性ガーネット8の一方の面8aとを面対向させて、複屈折素子7と磁性ガーネット8を配置する。一方、磁性ガーネット8の他方の面8bには、レンズ9とミラー10とが順に配置される。レンズ9は、磁性ガーネット8とミラー10の間に配置され、入射する光のコリメーション又は集光を行う。レンズ9としては、非球面レンズ、ボールレンズ、平凸レンズ、或いは、屈折率分布レンズ等を用いることが好ましい。ミラー10は、磁性ガーネット8を透過した光を反射する反射鏡であり、本実施の形態では一例として、誘電体多層膜か金属膜を基板表面にコーティングした全反射膜が用いられる。以上により、複屈折素子7とミラー10の間に、磁性ガーネット8とレンズ9が配置される。図4に2芯光ファイバ磁界センサ1と光ファイバ複屈折補償ミラー6とが光学的に接続された本実施形態の概略構成を示す。次に、2芯光ファイバ磁界センサ1の動作について図1及び図2を参照して説明する。前記光源から電流センサ本体11図1参照を伝搬した光が光ファイバ2aに入射されると、その光は光ファイバ2aを伝搬して、その光入出射端部2a1からレンズ3へと出射される。出射の際に光は一定の広がり角でビーム径が広がりながら、レンズ3に入射される。光はレンズ3に入射されて集光され、次に磁性ガーネット4に入射する。磁性ガーネット4は測定対象からの磁界を受けているので、光が磁性ガーネット4に入射、透過する際に、光の偏光面は測定対象からの磁界の強度に比例した角度θだけ回転する。磁性ガーネット4から出射した光はミラー5の反射面上で反射され、再び磁性ガーネット4に入射され、更に偏光面が回転される。従って、偏光面は磁性ガーネット4によって合計2θの角度で回転される。次に磁性ガーネット4を透過した光はレンズ3に入射され、レンズ3を透過した光は光入出射端部2b1から他方の光ファイバ2bに入射される。光ファイバ2bは、複屈折量が小さくなっている。次に、光ファイバ複屈折補償ミラー6の動作について図3を参照して説明を行う。前記のように光ファイバ2bから光が伝搬され、前記他端側光入出射端部2b2から、その光が一定の広がり角で出射されて、複屈折素子7に入射される。複屈折素子7に入射した光は、x軸方向に沿って配置されている結晶軸方向に沿って分離され、互いに偏光方向が直交する直線偏光の常光線と異常光線に分離される。ここで、常光線の伝搬方向における複屈折素子7の厚み結晶長Dは、で表される。但し、no:複屈折素子7中における常光線の屈折率、ne:複屈折素子7中における異常光線の屈折率、φ:複屈折素子7の結晶軸X71と、常光線の伝搬方向に垂直な面とのなす角度、dc:常光線と異常光線の分離幅、をそれぞれ示している。上述のように厚みDを規定した場合、結晶毎にno、neが変動しても、それに応じて最適な厚みを設定し、面7bから分離光を出射させることが可能となる。また、結晶軸X71の方向を調整すれば、厚みDを小さくすることが可能となる。なお、no、neやdcが一定で複屈折素子7がルチルの場合、理論上はαが47.8度のとき、厚みDを最小に抑えつつ、常光線と異常光線の分離幅を最大にすることが可能となるので、αは47.8度が最も好ましい。分離された常光線と異常光線は、複屈折素子7の他方の面7bから出射され、磁性ガーネット8に入射して透過される。前記の通り、磁性ガーネット8は磁気飽和され45度の回転角を有する。従って、複屈折素子7から出射された前記常光線と前記異常光線の2つの直線偏光は、磁性ガーネット8を透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転される。磁性ガーネット8から出射した2つの直線偏光はレンズ9を透過し、入射角と反対側にミラー10の表面上の一点R2で、ミラー10によって点対称に反射され、図3の上下位置で直線偏光が入れ替わる。反射された光は、再度レンズ9を透過する。2つの直線偏光は、再度、磁性ガーネット8を透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転される。その内の一方の直線偏光は、複屈折素子7内部では異常光線となり、もう一方の直線偏光は、複屈折素子7内部では常光線となる。磁性ガーネット8から出射された2つの直線偏光は、再度、面7bから複屈折素子7に入射される。前記の通り、2つの直線偏光は、複屈折素子7内部ではそれぞれ常光線と異常光線になり、異常光線のみシフトされて、1つの光に再合成される。直線偏光が、再度複屈折素子7に入射され複屈折素子7を再透過する時に、光が最初に複屈折素子7を透過する際に常光線として透過した直線偏光は、再透過の時は異常光線として複屈折素子7を透過する。一方、最初に複屈折素子7を透過する際に異常光線として透過した直線偏光は、再透過の時は常光線として複屈折素子7を透過して、2つの直線偏光は1つの光に再合成される。再合成された光は、複屈折素子7の一方の面7aから出射され、他方の光ファイバ2bに入射される。次に図2に示すように、他方の光ファイバ2bから出射され、再度2芯光ファイバ磁界センサ1に再入射された光は、レンズ3と磁性ガーネット4を透過後にミラー5で反射され、反射後、光は磁性ガーネット4とレンズ3を再透過して一方の光ファイバ2aに再入射される。光が磁性ガーネット4を再透過する際に、光の偏光面は前記のように測定対象からの磁界の強度に比例した角度θの2倍回転される。従って偏光面は磁性ガーネット4によって合計4θの角度で回転される。光ファイバ2aから電流センサ本体11を経て、図示しない受光器へと伝搬され受光された光は電気信号に変換され、それから前記磁界の大きさが求められる。電気信号は、磁性ガーネット4での偏光面の合計の回転角4θに比例し、更に回転角4θは測定対象からの磁界の強度に比例している。従って、電気信号を検出することにより、測定対象からの磁界の強度の測定が可能となる。以上のように、本実施形態の2芯光ファイバ磁界センサ1に依れば、光が磁界検出部である2芯光ファイバ磁界センサ1を二往復するので、測定対象である磁界に対するセンサ感度磁界検出感度を2倍とすることが可能となり、その結果、2芯光ファイバ磁界センサ1の磁界検出感度を大幅に向上させることが出来る。又、2芯光ファイバ磁界センサ1は光ファイバ複屈折補償ミラー6と光学的に接続することにより、センシング光の変動を抑え、光ファイバの複屈折による受光素子の受光量の変動を抑制することが可能となり、前記磁界値に対する磁界検出値の変動が抑制され、耐振動性も向上する。更に、伝搬路として使用する各光ファイバ2a、2bにスパンファイバ又は酸化鉛を含有する低複屈折光ファイバを使用することにより、伝搬路の複屈折を低減することが可能となる。又、2芯光ファイバ磁界センサを高周波磁界の測定に対応した回路構成とすることにより、高周波磁界の測定が可能となる。なお光ファイバ複屈折補償ミラー6を、図14に示すような構成に変更しても良い。図14の光ファイバ複屈折補償ミラー6が、図3の光ファイバ複屈折補償ミラー6と異なる点は、複屈折素子7と磁性ガーネット8の光路の間に、第2の複屈折素子19を設けた点である。第2の複屈折素子19も互いに平行な2つの面19a及び19bを有する。以下、説明の便宜上、複屈折素子7を第1の複屈折素子7と記載する。第2の複屈折素子19も第1の複屈折素子7と同様に、一軸性複屈折素子体であり、図15に示すように、結晶軸X191がz軸方向に対して角度α’で傾斜するように調整されると共に、光学面面19aでの結晶軸X192がy軸と平行に配置される。一方、第1の複屈折素子7の光学面面7aでの結晶軸X72はx軸と平行に配置される。従って、光ファイバ2bから見たときの第2の複屈折素子19の結晶軸X192方向は、第1の複屈折素子7の結晶軸X72方向に対して90度異なるように設定される。第2の複屈折素子19を第1の複屈折素子7に対して配置する際は、第1の複屈折素子7の他方の面7bと、第2の複屈折素子19の一方の面19aとを面対向させる。よって、第2の複屈折素子19とミラー10の間に、磁性ガーネット8とレンズ9が配置されることになる。第2の複屈折素子19にも、ルチルTiO2、方解石CaCO3、イットリウムバナデートYVO4、ニオブ酸リチウムLiNbO3等を用いることができる。上記の結晶の中でも、特に硬くて傷が付きにくく、また潮解性のないルチルを用いることが好ましい。第2の複屈折素子19にルチルを使用する場合、面法線と結晶軸との角度α’図15の結晶軸X191方向に該当は47.8度に設定する。又、複屈折後の常光線及び異常光線を平行に出射するために、2つの面19a及び19bは平行に設定する。なお、第2の複屈折素子19の表面にも、誘電体による反射防止膜を施すことが望ましい。次に、図14の光ファイバ複屈折補償ミラー6の動作について説明する。光ファイバ2bから光が伝搬され、前記他端側光入出射端部2b2から、その光が一定の広がり角で出射されて、第1の複屈折素子7に入射される。第1の複屈折素子7に入射した光は、互いに偏光方向が直交する直線偏光の常光線と異常光線に分離される。分離された常光線と異常光線は、第1の複屈折素子7の他方の面7bから出射され、その後、第2の複屈折素子19に入射される。前述の通り結晶軸X192方向は、結晶軸X72方向に対して90度異なるように設定されている。従って、第1の複屈折素子7で常光線だった直線偏光の偏光面は、結晶軸X192方向と平行になる。よって、第1の複屈折素子7を常光線で透過した直線偏光が、第2の複屈折素子19では異常光線となるので、直線偏光は-y軸方向にシフトされて透過される。一方、第1の複屈折素子7を異常光線で透過した直線偏光の偏光面は、結晶軸X192に対し垂直となるのでシフトされず、第2の複屈折素子19を常光線として、直進して透過する。第1の複屈折素子7における異常光線のシフト量と、第2の複屈折素子19における異常光線のシフト量の合計は、光ファイバ2bのモードフィールド直径の2倍以上に設定することが望ましい。その理由は、磁性ガーネット8が温度特性,波長特性を有することで、磁性ガーネット8を往復することによる2つの直線偏光の回転角が90度からずれたとしても、第2の複屈折素子19及び第1の複屈折素子7で分離された90度からずれた成分の直線偏光の光ファイバ2bへの入射を防止することが可能となるためである。以上のように、分離される2つの直線偏光が、第1の複屈折素子7と第2の複屈折素子19とを透過するときに、必ず常光線と異常光線の両方の偏光状態をとるように、結晶軸X72方向と結晶軸X192方向、及び第1の複屈折素子7の厚みDと、第2の複屈折素子19の厚みDとを設定する。ここで、常光線の伝搬方向における第2の複屈折素子19の厚み結晶長Dは、第1の複屈折素子7の厚みDと同様に、に設定される。第1の複屈折素子7を透過する時の異常光線と、第2の複屈折素子19を透過する時の異常光線の、それぞれのシフト量が同一となるように、図14の光ファイバ複屈折補償ミラー6の光学系を組む。従って、前記のように2つの複屈折素子7、19の厚みを同一値:Dに設定すると共に、2つの複屈折素子7、19を同一の材料で構成することが望ましい。更に、第2の複屈折素子19を透過する時に常光線と異常光線の分離で生じる2つの直線偏光間の光路長差が、第1の複屈折素子7を透過する時に常光線と異常光線の分離で生じる2つの直線偏光間の光路長差に等しく設定されることがより望ましい。各光路長差を等しくする手段としては、第2の複屈折素子19の厚みと結晶軸X191方向とを、第1の複屈折素子7の厚みと結晶軸X71方向に応じて設定することである。最も簡単な構成は、前記のように2つの複屈折素子7、19の厚みを同一値Dに設定すると共に、互いの結晶軸X71,X191方向も揃えた同一の材料を用い、その上で結晶軸X192方向を結晶軸X72方向に対して90度異なるように設定することである。このような構成とすることにより、第1の複屈折素子7の分離の際に発生する2つの直線偏光の光路長差を、より確実に第2の複屈折素子19で補償することが出来る。次に、第2の複屈折素子19から出射された常光線と異常光線の2つの直線偏光は、磁性ガーネット8を透過することにより、偏光方向が同一方向に45度回転され、2つの直線偏光は更にレンズ9を透過し、反射体であるミラー10の表面上の一点R2で点対称に反射される。点対称に反射されることにより、反射前後で2つの直線偏光のそれぞれの伝搬位置は入れ替わる。図14の光ファイバ複屈折補償ミラー6では、レンズ9に2つの直線偏光が入射する前に、2つの直線偏光は2つの複屈折素子7、19によって同一距離だけシフトされている。従って、第1の複屈折素子7の分離の際に発生する2つの直線偏光の光路長差は、2つの直線偏光がレンズ9に入射する前に解消される。反射された2つの直線偏光は、再度、磁性ガーネット8を透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転される。従って、ミラー10で反射後に磁性ガーネット8を透過した2つの直線偏光の偏光面は、磁性ガーネット8に入射前の偏光面に対し、90度回転される。磁性ガーネット8から出射された2つの直線偏光は、面19bから第2の複屈折素子19に入射する。第2の複屈折素子19内部では、一方の直線偏光が異常光線となり、y軸方向にシフトされる。もう一方の直線偏光はシフトされず、常光線として直進する。次に2つの直線偏光は、再度、面7bから第1の複屈折素子7に入射される。第2の複屈折素子19で常光線だった直線偏光の偏光面は、結晶軸X72方向と平行になる。よって、第2の複屈折素子19を常光線で透過した直線偏光が、第1の複屈折素子7では異常光線となるので、その直線偏光はx軸方向にシフトされる。一方、第2の複屈折素子19を異常光線で透過した直線偏光の偏光面は、結晶軸X72に対し垂直となるのでシフトされず、第1の複屈折素子7を常光線として直進して透過する。このようにして、2つの直線偏光は、1つの光に再合成される。再合成された光は、第1の複屈折素子7の一方の面7aから出射され、他方の光ファイバ2bに入射される。以上、図14の光ファイバ複屈折補償ミラー6に依れば、2つの直線偏光が2つの複屈折素子7,19によって同一距離だけシフトされる。従って、第1の複屈折素子7の分離の際に発生する2つの直線偏光の光路長差が第2の複屈折素子19で補償され、2つの直線偏光がレンズ9に入射する前に光路長差が解消される。更に、光路長差を補償した後にミラー10による反射と磁性ガーネット8による90度の偏光面回転により、常光線と異常光線が入れ替わるように光路が構成されていることで、光ファイバ2bから出射された光に対し、偏光主軸が90度回転され、かつポアンカレ球上で真裏に位置する偏光の光を光ファイバ2bに入射させている。従って、2芯光ファイバ磁界センサ1を図14の光ファイバ複屈折補償ミラー6と光学的に接続することにより、センシング光の変動が抑えられると共に、光ファイバで発生する複屈折を補償することにより、光ファイバの複屈折による受光素子の受光量の変動を抑制することが可能となり、2芯光ファイバ磁界センサ1において、磁界に対する磁界検出値の変動が抑制され、耐振動性も向上させることが出来る。又、図14の光ファイバ複屈折補償ミラー6も磁性ガーネット8を使用しているが、その磁性ガーネット8が温度特性,波長特性を有しても、2つの直線偏光の偏光面の直交性が保たれるため、光ファイバで発生する複屈折が補償される。<第2の実施の形態>次に、本発明に係る2芯光ファイバ磁界センサの第2の実施形態を、図5に基づいて説明する。なお、前記第1の実施形態と同一箇所には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の2芯光ファイバ磁界センサが前記第1の実施形態と異なる点は、図3又は図4の光ファイバ複屈折補償ミラー6に換えて、レンズ9とミラー10のみから構成されるミラーモジュール12を他方の光ファイバ2bを介して2芯光ファイバ磁界センサ1に光学的に接続した点である。ミラーモジュール12は、他方の光ファイバ2bにおける前記光入出射端部の他端側光入出射端部2b2に、1つの反射体であるミラー10が配置されて構成される。ミラー10と他端側光入出射端部2b2の間には、レンズ9が配置され、入射する光のコリメーション又は集光を行う。又、図5中の2つの光ファイバ2a、2bは、共に酸化鉛を含有する低複屈折光ファイバLBFである。前記の通り、合計2θの角度だけ回転された光が、他方の光ファイバ2bを伝搬して他端側光入出射端部2b2からレンズ9を透過後にミラー10で反射される。ミラー10で反射された光は再度レンズ9を透過して、他方の光ファイバ2bに入射されて2芯光ファイバ磁界センサ1に再入射され、最終的に光の偏光面は磁性ガーネット4によって合計4θの角度だけ回転され、光ファイバ2aから電流センサ本体11図1参照を経て、図示しない受光器へと伝搬される。なお、他端側光入出射端部2b2を平らに研磨してレンズ9を省いたミラーモジュール12の構成も考えられる。<第3の実施の形態>次に、本発明に係る2芯光ファイバ磁界センサの第3の実施形態を、図6に基づいて説明する。なお、前記各実施形態と同一箇所には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の2芯光ファイバ磁界センサが前記各実施形態と異なる点は、第1の実施形態の光ファイバ複屈折補償ミラー6又は第2の実施形態のミラーモジュール12に換えて、図6に示すように光ファイバ複屈折補償ミラー6の複屈折素子7を省略して構成したファラデーミラー13を、他方の光ファイバ2bを介して2芯光ファイバ磁界センサ1に光学的に接続した点である。ファラデーミラー13は図6に示すように、他方の光ファイバ2bと、磁性ガーネット8及びその磁性ガーネット8を磁気飽和させるマグネット18、1個のレンズ9、及び反射体であるミラー10を備えて構成されている。磁性ガーネット8の他方の面8bには、レンズ9とミラー10とが順に配置され、光ファイバ2bの他端側光入出射端部2b2は、磁性ガーネット8の一方の面8aに対向されて配置されている。前記の通り、合計2θの角度だけ回転された光が、他方の光ファイバ2bを伝搬して他端側光入出射端部2b2から磁性ガーネット8に入射すると、偏光方向が45度回転され、レンズ9を透過後にミラー10で反射される。ミラー10で反射された光は再度レンズ9を透過して、磁性ガーネット8を透過することにより、偏光方向が更に45度回転される。磁性ガーネット8から出射された光は他方の光ファイバ2bに入射されて2芯光ファイバ磁界センサ1に再入射され、最終的に光の偏光面は磁性ガーネット4によって合計4θの角度だけ回転され、光ファイバ2aから電流センサ本体11図1参照を経て、図示しない受光器へと伝搬される。<第4の実施の形態>次に、本発明に係る2芯光ファイバ磁界センサの第4の実施形態を、図7に基づいて説明する。なお、前記各実施形態と同一箇所には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の2芯光ファイバ磁界センサが前記各実施形態と異なる点は、図7に示すように、2芯光ファイバ磁界センサが測定対象の磁界に対して2個設けられていると共に、前段となる1段目の2芯光ファイバ磁界センサ1の他方の前記光ファイバ2bと、後段となる2段目の2芯光ファイバ磁界センサ14の一方の光ファイバ14aとで構成される一対の光ファイバにおける光入出射端部の他端側光入出射端部に、1つの反射体を配置してなるミラーモジュール12が光学的に接続され、更に前記2芯光ファイバ磁界センサ14の他方の光ファイバ14bにおける他端側光入出射端部に、光ファイバ複屈折補償ミラー6が配置されている点である。2芯光ファイバ磁界センサ1と14の構成は同一である。前記の通り、合計2θの角度だけ回転された光が、他方の光ファイバ2bを伝搬して他端側光入出射端部2b2からミラーモジュール12に入射されるとミラー10で反射され、光ファイバ14aを伝搬して後段の2芯光ファイバ磁界センサ14に入射される。更に、後段の2芯光ファイバ磁界センサ14によって合計2θの角度だけ回転された光が、他方の光ファイバ14bを伝搬して他端側光入出射端14b2から光ファイバ複屈折補償ミラー6内を伝搬後、再度後段の2芯光ファイバ磁界センサ14によって合計2θの角度だけ回転され、ミラーモジュール12を伝搬後、前段の2芯光ファイバ磁界センサ1によって合計2θの角度だけ回転される。従って、最初に光ファイバ2aから前段の2芯光ファイバ磁界センサ1に伝搬された光に対し、合計で8θの角度だけ偏光面が回転されて、光は光ファイバ2aから電流センサ本体11図1参照を経て、図示しない受光器へと伝搬されることになる。更に、本実施の形態は図8に示すように、2芯光ファイバ磁界センサの個数を2個以上のn個n≧2に拡張しても良い図8では、n=3の場合を示す。この場合の光の偏光面に於ける合計回転角は4nθ度となる。本実施形態の2芯光ファイバ磁界センサに依れば、第1の実施形態の2芯光ファイバ磁界センサが有する効果に加えて、光が磁界検出部である2芯光ファイバ磁界センサをn往復する構成としたことにより、測定対象である磁界に対するセンサ感度磁界検出感度を約n倍とすることが可能となり、2芯光ファイバ磁界センサの磁界検出感度を更に向上させることが出来る。更に、最も後段の2芯光ファイバ磁界センサ図7では2段目の2芯光ファイバ磁界センサ14、図8ではn段目の2芯光ファイバ磁界センサ15の他方の光ファイバ14b、15bにおける光入出射端部の他端側光入出射端部14b2、15b2に、光ファイバ複屈折補償ミラー6に換えて1つの反射体が配置されてなるミラーモジュール12を光学的に接続すると共に、全ての光ファイバ2a、2b、14a、14b、15a、15bを、酸化鉛を含有する低複屈折光ファイバに置き換えるように変更しても良い。又、最も後段の2芯光ファイバ磁界センサ図7では2段目の2芯光ファイバ磁界センサ14、図8ではn段目の2芯光ファイバ磁界センサ15の他方の前記光ファイバ14b、15bにおける前記光入出射端部の他端側光入出射端部14b2、15b2に光学的に接続されている光ファイバ複屈折補償ミラー6を、図6に示すファラデーミラー13に置き換えても良いし、図14に示す光ファイバ複屈折補償ミラー6に置き換えても良い。<第5の実施の形態>次に、本発明に係る2芯光ファイバ磁界センサの第5の実施形態を、図9に基づいて説明する。なお、前記各実施形態と同一箇所には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の2芯光ファイバ磁界センサが前記各実施形態と異なる点は、2芯光ファイバ磁界センサが測定対象の磁界に対して2個設けられていると共に、前段の2芯光ファイバ磁界センサ1の他方の光ファイバ2bと、後段の2芯光ファイバ磁界センサ14の一方の光ファイバ14aが共通の光ファイバ16で構成されていることである。更に、2段目の2芯光ファイバ磁界センサ14の他方の光ファイバ14bにおける他端側光入出射端部14b2には、光ファイバ複屈折補償ミラー6が配置されている。前記の通り、前段の2芯光ファイバ磁界センサ1によって合計2θの角度だけ回転された光が、光ファイバ16を伝搬して後段の2芯光ファイバ磁界センサ14に入射されると、ここでも光の偏光面は合計2θ回転され、他方の光ファイバ14bを伝搬して光ファイバ複屈折補償ミラー6内を伝搬後、再度後段の2芯光ファイバ磁界センサ14によって合計2θの角度だけ回転され、光ファイバ16を伝搬後、前段の2芯光ファイバ磁界センサ1によって合計2θの角度だけ回転される。従って、最初に光ファイバ2aから前段の2芯光ファイバ磁界センサ1に伝搬される光に対し、合計で8θの角度だけ偏光面が回転されて、光は光ファイバ2aから電流センサ本体11図1参照を経て、図示しない受光器へと伝搬されることになる。更に、本実施の形態は図10に示すように、2芯光ファイバ磁界センサの個数を2個以上のn個n≧2に拡張しても良い図10では、3個の場合を示す。図10の構成では更に、2芯光ファイバ磁界センサ14の他方の光ファイバ14bと、n段の2芯光ファイバ磁界センサ15の一方の光ファイバ15aが共通の光ファイバ17で構成されている。この場合の光の偏光面に於ける合計回転角は4nθ度となる。本実施形態の2芯光ファイバ磁界センサに依れば、第1の実施形態の2芯光ファイバ磁界センサが有する効果に加えて、光が磁界検出部である2芯光ファイバ磁界センサをn往復する構成としたことにより、測定対象である磁界に対するセンサ感度磁界検出感度を約n倍とすることが可能となり、2芯光ファイバ磁界センサの磁界検出感度を更に向上させることが出来る。更に、最も後段の2芯光ファイバ磁界センサ図9では2段目の2芯光ファイバ磁界センサ14、図10ではn段目の2芯光ファイバ磁界センサ15の他方の光ファイバ14b、15bにおける光入出射端部の他端側光入出射端部14b2、15b2に、光ファイバ複屈折補償ミラー6に換えて1つの反射体が配置されてなるミラーモジュール12を光学的に接続すると共に、全ての光ファイバ2a、162b、14a、14b又は1714b、15a、15bを、酸化鉛を含有する低複屈折光ファイバに置き換えるように変更しても良い。又、最も後段の2芯光ファイバ磁界センサ図9では2段目の2芯光ファイバ磁界センサ14、図10ではn段目の2芯光ファイバ磁界センサ15の他方の前記光ファイバ14b、15bにおける前記光入出射端部の他端側光入出射端部14b2、15b2に光学的に接続されている光ファイバ複屈折補償ミラー6を、ファラデーミラー13に置き換えても良い。<第6の実施の形態>次に、本発明に係る2芯光ファイバ磁界センサの第6の実施形態を、図16~図23、及び図31に基づいて説明する。なお、前記各実施形態と同一箇所には同一の符号を付し、重複する説明は省略すると共に、図16~図23及び図31に示してあるx軸乃至z軸は、それぞれの図で一対一に対応している。図16より、本実施形態の2芯光ファイバ磁界センサ20が前記第1の実施形態と異なる点は、λ/4波長板21を光入出射部2とレンズ3の間に備えると共に、光入出射部2の2つの光ファイバ2a、2bが偏光面保存光ファイバで構成される点である。光入出射部2の光入出射端部2a1、2b1と反射体であるミラー5の間に、レンズ3と磁性ガーネット4とλ/4波長板21が配置される。2つの偏光面保存光ファイバ2a、2bは一例として、図20の断面図で示すように、高屈折率であるコア22aと、このコア22aの周囲に同心円状に形成された比較的低屈折率のクラッド22cと、クラッド22c内に設けられた2つの応力付与部22bとから構成されている、いわゆるパンダ型の光ファイバである。光ファイバ2aは、光入出射端部2a1におけるスロー軸方向が図20に示すようにx軸方向となるように配置されると共に、他方の光ファイバ2bは、光入出射端部2b1におけるスロー軸方向がy軸方向となるように配置される。従って、前記2つの偏光面保存光ファイバ2a、2bは互いのスロー軸方向が、90度異なるように配置される。λ/4波長板21は、偏光面保存光ファイバ2aから入射してくる2つの直線偏光の偏光面を円偏光に変換するものである。前記λは、2芯光ファイバ磁界センサ20に入射される光2つの直線偏光の波長を表す。λ/4波長板21としては、石英やλ/4波長フィルム、0次単プレート、0次2枚構成の水晶板、又は、λ/4の位相差を生じるゼロオーダーの光学ガラス位相板などが適当である。高次の波長板を使用すると、波長特性と温度特性が悪くなるため、高次の波長板はλ/4波長板21には適さない。図21に示すように、λ/4波長板21の結晶軸X211方向がx軸又はy軸に対して45度異なるようにλ/4波長板21が配置される。従って、λ/4波長板21の結晶軸X211方向が、偏光面保存光ファイバ2a、2bのどちらか一方のスロー軸方向に対して45度異なるように、λ/4波長板21が配置されることになる。反時計回りを方向とすると、図21の例では、x軸方向に対しては45度異なるように、y軸方向に対しては-45度異なるようにλ/4波長板21が配置される。更に、他方の前記光ファイバ2bにおける前記他端側光入出射端部2b2に、図3に示すような光ファイバ複屈折補償ミラー6が配置されることで、他方の光ファイバ2bを介して光ファイバ複屈折補償ミラー6が2芯光ファイバ磁界センサ20に光学的に接続される図18参照。更に、光ファイバ2aを介して図31に示す光学バイアスモジュール33を光学的に接続する。更に、光学バイアスモジュール33に偏光面保存光ファイバ25を介して偏光依存型光サーキュレータ26を光学的に接続する。光学バイアスモジュール33は、λ/4波長板34と、複屈折素子24aと、レンズ24bと、マグネット24cと、磁性ガーネット24dとから構成される。λ/4波長板34はλ/4波長板21と同様、石英やλ/4波長フィルム、0次単プレート、0次2枚構成の水晶板、又は、λ/4の位相差を生じるゼロオーダーの光学ガラス位相板などで構成され、その結晶軸方向が結晶軸X211方向図21と同様にx軸又はy軸に対して45度異なるようにλ/4波長板34が配置される。λ/4波長板34は、複屈折素子24aと磁性ガーネット24dの間に配置されていても良い。複屈折素子24aは複屈折素子7図3と同様、α=47.8度を有する一軸性複屈折素子であり、ルチルが用いられている。磁性ガーネット24dは非相反性の偏光面回転素子であり、マグネット24cからの磁界が印加されることで磁気飽和された時に22.5度のファラデー回転角を有する、強磁性のビスマス置換型ガーネットで構成される。マグネット24cはSm-Co系又はNd-Fe-B系等の永久磁石で、外形はリング状に形成され、磁性ガーネット24dの周囲を囲むように配置されている。更に前記偏光依存型光サーキュレータ26には、波長1550nm帯のASE光源27が光ファイバ28を介して光学的に接続される。前記光学バイアスモジュール33及び偏光依存型光サーキュレータ26でそれぞれ光を2つの直線偏光に分離させ、一方の直線偏光を光ファイバ29、30を介してそれぞれオプティカルパワーメータ以下、OPMと表記31、32で検出する。次に、2芯光ファイバ磁界センサ20の動作について説明する。図31に示すように、前記光源27から光学バイアスモジュール33を伝搬した光が光ファイバ2aのスロー軸に対して45度に入射されると、その光は光ファイバ2aを伝搬して、その光入出射端部2a1からλ/4波長板21へと出射される図16。本実施形態では光ファイバ2aは偏光面保存光ファイバなので、応力付与部22b図20の方向に応力が発生し大きな複屈折となるため偏光状態が保持され、ファースト軸に平行な直線偏光が、スロー軸に平行な直線偏光に対し、速く伝搬される。従って、ファースト軸に平行な直線偏光が、スロー軸に平行な直線偏光に対し位相差を発生させながら、2つの直線偏光が光入出射端部2a1からλ/4波長板21へと出射される図16。出射の際に光は一定の広がり角でビーム径が広がりながら、λ/4波長板21に入射される。2つの直線偏光はλ/4波長板21を透過することで、それぞれ円偏光に変換される。前記の通り、λ/4波長板21の結晶軸X211図21は、x軸に対しては45度、y軸方向に対しては-45度傾くように設定されている。従って、前記ファースト軸に平行な直線偏光以下、直線偏光Ffと表記の電気ベクトルの振動方向に対して、結晶軸X211方向はz軸方向に見て時計回りに45度傾く。よって、λ/4波長板21を透過した直線偏光Ffは、z軸方向に見て時計回りの円偏光となる。一方、光ファイバ2aから出射された前記スロー軸に平行な直線偏光以下、直線偏光Fsと表記の電気ベクトルの振動方向に対して、結晶軸X211方向はz軸方向に見て反時計回りに45度傾く。よって、λ/4波長板21を透過した直線偏光Fsは、z軸方向に見て反時計回りの円偏光となる。以上により、λ/4波長板21を透過した前記直線偏光FfとFsは、電気ベクトルの先端の回転方向が互いに異なる、2つの円偏光に変換される。説明の便宜上、直線偏光Ffが円偏光に変換された偏光成分を円偏光Ff、直線偏光Fsが円偏光に変換された偏光成分を円偏光Fsと適宜表記する。なお、各直線偏光Ff、Fs間の位相差は、λ/4波長板21透過後にも変化せず、透過前の位相差がそのまま保持される。2つの円偏光Ff、Fsはレンズ3に入射されて集光され、次に磁性ガーネット4に入射する。磁性ガーネット4は測定対象からの磁界を受けているが、本実施形態での磁界方向は、入射する2つの偏光成分が円偏光であるため、磁性ガーネット4透過時に2つの円偏光Ff、Fsの位相差が縮小される方向とする。磁性ガーネット4から出射した光2つの円偏光Ff、Fsはミラー5の反射面上で反射され、再び磁性ガーネット4に入射され、更に2つの円偏光Ff、Fsの位相差が縮小される。次に磁性ガーネット4を透過した光2つの円偏光Ff、Fsはレンズ3に入射され、レンズ3を透過した光はλ/4波長板21に入射され、再透過することでそれぞれ直線偏光Ff、Fsに変換される。結晶軸X211方向は、-z軸方向に見ると反時計回りに45度傾く。よって、λ/4波長板21を透過した前記円偏光Ffは、x軸方向の直線偏光Ffとなる。一方、λ/4波長板21を透過した円偏光Fsは、y軸方向の直線偏光Fsとなる。即ち、λ/4波長板21を透過した円偏光FfとFsは、電気ベクトルの振動方向が互いに90度異なる、2つの直線偏光に変換される。2つの直線偏光Ff、Fsは光入出射端部2b1のファースト軸へはFf、スロー軸へはFsが入射され、他方の光ファイバ2bに伝搬される。他方の光ファイバ2bは図18に示すように、光ファイバ複屈折補償ミラー6を構成する他方の光ファイバ2bと共通であるため、2芯光ファイバ磁界センサ20は光ファイバ複屈折補償ミラー6に光学的に接続される。図22に示されるように、2芯光ファイバ磁界センサ20中での偏光面保存光ファイバ2bにおける入出射端部2b1と、光ファイバ複屈折補償ミラー6中での他端側光入出射端部2b2での互いのスロー軸が90度異なるように、偏光面保存光ファイバ2bは捻られる。これは後のxyz座標による説明の都合上だけであり、実際には捻らなくても良い。光ファイバ複屈折補償ミラー6において、他端側光入出射端部2b2から光2つの直線偏光Ff、Fsが出射する際、2つの直線偏光Ff、Fsには再度、位相差が発生している。次に、光ファイバ複屈折補償ミラー6の動作について説明を行う。前記のように光ファイバ2bから光2つの直線偏光Ff、Fsが伝搬され、前記他端側光入出射端部2b2から、その光が一定の広がり角で出射されて、複屈折素子7に入射される。前記のように光ファイバ2bは90度捻られているため、2芯光ファイバ磁界センサ20においてFsで表記されていた直線偏光の偏光方向は、光ファイバ複屈折補償ミラー6中ではx軸方向に沿う。従って、複屈折素子7では異常光線として透過し複屈折素子7内部でシフトされる。一方の直線偏光Ffの偏光成分は光ファイバ複屈折補償ミラー6中ではy軸方向に沿うため、複屈折素子7では常光線として透過し複屈折素子7内部をシフトすることなく透過する。前記常光線と異常光線の2つの直線偏光Ff、Fsは、複屈折素子7の他方の面7bから出射され、磁性ガーネット8を透過する際に偏光方向が同一方向に45度回転される。磁性ガーネット8から出射した2つの直線偏光Ff、Fsはレンズ9を透過し、入射角と反対側にミラー10の表面上の一点R2で、ミラー10によって点対称に反射され、図18の上下位置で光路が入れ替わる。反射された2つの直線偏光Ff、Fsは、再度レンズ9を透過する。更に2つの直線偏光Ff、Fsは、再度、磁性ガーネット8を透過することにより、偏光方向が同一方向に更に45度回転される。その内の一方の直線偏光は、複屈折素子7内部では異常光線となり、もう一方の直線偏光は、複屈折素子7内部では常光線となる。磁性ガーネット8から出射された2つの直線偏光Ff、Fsは、再度、面7bから複屈折素子7に入射され、透過される。前記の通り、2つの直線偏光Ff、Fsは、複屈折素子7内部ではそれぞれ常光線と異常光線になり、異常光線のみシフトされて、複屈折素子7の一方の面7aから出射され、他方の光ファイバ2bの他端側光入出射端部2b2に入射される。他端側光入出射端部2b2ではFfがスロー軸へ、Fsがファースト軸へ入射されることになる。即ち光ファイバ複屈折補償ミラー6により、順方向Forwardでスロー軸Slow成分であったものが逆方向Backwardではファースト軸に入る。従って、逆方向では偏光面保存光ファイバ2bのファースト軸成分とスロー軸成分の位相差を補償する方向に働いていく。他端側光入出射端部2b2から他方の光ファイバ2bへ2つの直線偏光Ff、Fsが伝搬される。他方の光ファイバ2bから出射され、再度2芯光ファイバ磁界センサ20に再入射された光2つの直線偏光Ff、Fsは、λ/4波長板21とレンズ3と磁性ガーネット4を透過後にミラー5で反射され、反射後、光は磁性ガーネット4とレンズ3とλ/4波長板を再透過して一方の光ファイバ2aに再入射される。前記の通り、円偏光Ff、Fsがガーネット4を再透過する際に、2つの円偏光Ff、Fsの位相差は縮小される。光ファイバ2aに再入射された2つの直線偏光Ff、Fsは、光ファイバ2aを伝搬することでその位相差が補償されるため、磁性ガーネット4の磁界強度と磁界方向による位相差のみが残る。λ/4波長板34に面する電流センサ本体図の偏光面保存光ファイバ2a端面では、この位相差のみがあり、λ/4波長板34により、位相差に対応した直線偏光に変換される。即ち磁性ガーネット4の磁界強度と磁界方向に依存したファラデー回転角分の直線偏光となり、順方向光学バイアスモジュール33から2芯光ファイバ磁界センサ1に光が伝搬する方向時の偏光面から前記回転角分ずれた状態となる。その後磁性ガーネット24dにより22.5度、直線偏光が回転し複屈折素子24aにより2芯光ファイバ磁界センサ1に加わる磁界強度と磁界方向に応じた回転角分の光強度比率に分配され、受光器で受光することにより、測定対象である磁界を検出することが可能となる。以上のように、本実施形態の2芯光ファイバ磁界センサ20に依れば、光が磁界検出部である2芯光ファイバ磁界センサ20を二往復するので、測定対象である磁界に対するセンサ感度磁界検出感度を2倍とすることが可能となり、その結果、2芯光ファイバ磁界センサ20の磁界検出感度を大幅に向上させることが出来る。又、2芯光ファイバ磁界センサ20は光ファイバ複屈折補償ミラー6と光学的に接続することにより、センシング光の変動を抑え、光ファイバの複屈折による受光素子の受光量の変動を抑制することが可能となり、前記磁界値に対する磁界検出値の変動が抑制され、耐振動性も向上する。又、2芯光ファイバ磁界センサ20を高周波磁界の測定に対応した回路構成とすることにより、高周波磁界の測定が可能となる。更に、2芯光ファイバ磁界センサ20の光入出射部2である2つの光ファイバ2a、2bを、偏光面保存光ファイバで構成することにより、外部から振動を受けてもセンシング光の変動が抑えられ、磁界値に対する磁界検出値の変動が抑制されるため、2芯光ファイバ磁界センサの耐振動性を更に向上させることが可能となる。なお、光ファイバ複屈折補償ミラー6に換えて、図14の光ファイバ複屈折補償ミラー6や、図6のファラデーミラー13を、他方の光ファイバ2bを介して2芯光ファイバ磁界センサ20に光学的に接続しても良いそれぞれ、図19、図23を参照。なお、本実施形態は種々変更可能であり、例えば図16に示す態様は、1枚の磁性ガーネット4を設けてなる構成であるが、これを、図17に示すように、同一組成及び同一方向に同一回転角を有する複数の磁性ガーネット4を光伝搬方向に配置して設けた構成に変更しても良い。<第7の実施の形態>次に、本発明に係る2芯光ファイバ磁界センサの第7の実施形態を、図24に基づいて説明する。なお、前記第6の実施形態と同一箇所には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の2芯光ファイバ磁界センサが前記第6の実施形態と異なる点は、図18に示す光ファイバ複屈折補償ミラー6に換えて、図24に示すように、λ/4波長板ミラー22を他方の光ファイバ2bを介して2芯光ファイバ磁界センサ20に光学的に接続した点である。λ/4波長板ミラー22は図24に示すように、他方の前記偏光面保存光ファイバ2bと、λ/4波長板21と、1個のレンズ9、及び反射体であるミラー10を備えて構成されている。光ファイバ2bの他端側光入出射端部2b2はλ/4波長板21の一方の面に対向して配置され、λ/4波長板21とミラー10の間にレンズ9が配置される。第6の実施形態で説明した通り、2つの直線偏光Ff、Fsが、2芯光ファイバ磁界センサ20から他方の光ファイバ2bを伝搬して他端側光入出射端部2b2より出射され、λ/4波長板21を透過すると、それぞれ電気ベクトルの先端の回転方向が互いに異なる円偏光Ff、Fsに変換される。光2つの円偏光Ff、Fsはレンズ9に入射されて集光され、レンズ9を透過後にミラー10表面上で反射される。ミラー10で反射された2つの円偏光Ff、Fsは再度レンズ9を透過して、λ/4波長板21を透過することにより、電気ベクトルの振動方向が互いに90度異なる、2つの直線偏光Ff、Fsに変換される。2つの直線偏光Ff、Fsは他方の光ファイバ2bに入射されて2芯光ファイバ磁界センサ20に再入射される。以上のような構成により、本実施形態も第6の実施形態と同様の効果を有する。<第8の実施の形態>次に、本発明に係る2芯光ファイバ磁界センサの第8の実施形態を、図25~図29に基づいて説明する。なお、前記第6又は第7の実施形態と同一箇所には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の2芯光ファイバ磁界センサが前記各実施形態と異なる点は、2芯光ファイバ磁界センサ20、23が測定対象の磁界に対して複数図25~図29では2個設けられていると共に、前段の2芯光ファイバ磁界センサ20の他方の光ファイバ2bと、後段の2芯光ファイバ磁界センサ23の一方の光ファイバ23aが共通の光ファイバで構成されていることである。更に、一方の光ファイバ23aは、光入出射端部23a1におけるスロー軸方向が図20に示すようにx軸方向となるように配置されると共に、他方の光ファイバ23bは、光入出射端部23b1におけるスロー軸方向が図20に示すようにy軸方向となるように配置される。従って、前記2つの光ファイバ偏光面保存光ファイバ23a、23bは互いのスロー軸方向が、90度異なるように配置される。更に、他方の光ファイバ23bにおける他端側光入出射端部23b2には、光ファイバ複屈折補償ミラー6が配置されている。図22に示されるように、2芯光ファイバ磁界センサ23中での偏光面保存光ファイバ23bにおける入出射端部23b1と、光ファイバ複屈折補償ミラー6中での他端側光入出射端部23b2での互いのスロー軸が90度異なるように、偏光面保存光ファイバ23bは捻られる。これも後のxyz座標による説明の都合上だけであり、実際には捻らなくても良い。更に本実施の形態は、2芯光ファイバ磁界センサの個数を2個以上のn個n≧2に拡張しても良い。本実施形態の2芯光ファイバ磁界センサに依れば、第6の実施形態の2芯光ファイバ磁界センサが有する効果に加えて、光が磁界検出部である2芯光ファイバ磁界センサをn往復する構成としたことにより、測定対象である磁界に対するセンサ感度磁界検出感度を約n倍とすることが可能となり、2芯光ファイバ磁界センサの磁界検出感度を更に向上させることが出来る。更に、光ファイバ図26~図29では、2a、2b、23a、23bを偏光面保存光ファイバで構成しているので、2芯光ファイバ磁界センサを測定対象の磁界に対して多数設けたとしても、低損失、耐振動特性に優れた磁界検出が可能となる。更に、最も後段の2芯光ファイバ磁界センサ図26では2段目の2芯光ファイバ磁界センサ23の他方の光ファイバ23bにおける光入出射端部の他端側光入出射端部23b2に、光ファイバ複屈折補償ミラー6に換えて、図14の光ファイバ複屈折補償ミラー6や図6のファラデーミラー13、或いは図24のλ/4波長板ミラー22を光学的に接続しても良いそれぞれ、図27、図29、図28参照。なお、図25及び図26に示す態様は、1枚の磁性ガーネット4を設けてなる構成であるが、これを、図17に示すように、同一組成及び同一方向に同一回転角を有する複数の磁性ガーネット4を光伝搬方向に配置して設けた構成に変更しても良い。<実施例1-3>次に、本発明に係る2芯光ファイバ磁界センサの実施例を、図4、図7、及び図12に基づいて説明する。実施例1は前記図4に示した光ファイバ複屈折補償ミラーを用いた2芯光ファイバ磁界センサの実施例であり、実施例2は図7に示した2芯光ファイバ磁界センサが測定対象の磁界に対して2個設けられた構成である。又、実施例3は図12に示すように、2芯光ファイバ磁界センサ1を構成する磁性ガーネットを3つに設定し、更に3つの磁性ガーネットの合計の回転角を135度とした2芯光ファイバ磁界センサである。各実施例の光ファイバ2a,2b、更に実施例2の場合は14a,14bは、酸化鉛を含有する低複屈折光ファイバLBFで構成した。この各実施例の2芯光ファイバ磁界センサにおける測定対象を電力線とすると共に、前記電力線に投入する電流を投入電流A、検出した電流を表示電流A、及び表示電流Aを投入電流Aで除した値を感度倍として、計測された結果を表1に示す。なお各実施例を通して、投入電流は50Hz、0.5Aの交流電流で統一した。更に、前記光ファイバ2aを介して図30に示す光学バイアスモジュール24を光学的に接続する。更に、光学バイアスモジュール24に偏光面保存光ファイバ25を介して偏光依存型光サーキュレータ26を光学的に接続する。光学バイアスモジュール24は、複屈折素子24aと、レンズ24bと、マグネット24cと、磁性ガーネット24dとから構成される。複屈折素子24aは複屈折素子7と同様、α=47.8度を有する一軸性複屈折素子であり、ルチルが用いられている。磁性ガーネット24dは非相反性の偏光面回転素子であり、マグネット24cからの磁界が印加されることで磁気飽和された時に22.5度のファラデー回転角を有する、強磁性のビスマス置換型ガーネットで構成される。マグネット24cはSm-Co系又はNd-Fe-B系等の永久磁石で、外形はリング状に形成され、磁性ガーネット24dの周囲を囲むように配置されている。更に前記偏光依存型光サーキュレータ26には、波長1550nm帯のASE光源27が光ファイバ28を介して光学的に接続される。前記光学バイアスモジュール24及び偏光依存型光サーキュレータ26でそれぞれ光を2つの直線偏光に分離させ、一方の直線偏光を光ファイバ29、30を介してそれぞれオプティカルパワーメータ以下、OPMと表記31、32で検出した。表1の結果から、実施例3の構成の2芯光ファイバ磁界センサが最もセンサ感度の向上が大きいことが分かった。続いて実施例2のセンサ感度の向上が続き、最もセンサ感度の向上が小さかった構成は、実施例1であることが判明した。従って、測定対象に対して2芯光ファイバ磁界センサを多段に複数設けるよりも、2芯光ファイバ磁界センサ1内の磁性ガーネットを増加させる方がセンサ感度の向上という点では効果があることが判明した。<比較例>更に、比較例として図13に示すように、実施例1の2芯光ファイバ磁界センサから光ファイバ複屈折補償ミラー6及び他方の光ファイバ2bを削除して、光が磁界検出部である磁界センサ1を1往復のみ伝搬する構成の磁界センサにおける、投入電流A、表示電流A、感度倍を、実施例1―3と同様に計測した。その結果を前記表1に示す。表1の結果から分かるように、実施例1と比較例1とを比較すると、実施例1のセンサ感度は比較例1のセンサ感度の約2倍になることが確認された。更に、実施例2及び実施例3を比較例1と比較すると、実施例2及び実施例3はセンサ感度が大幅に向上することも確認された。"