真空容器と該真空容器の内部に磁場を発生させる磁場形成手段とを備える成膜装置を用いて、基板上に成膜処理を行うCVD方法であって、前記磁場形成手段と前記基板との間の、前記真空容器の内部の空間にプラズマを生成するステップと、前記磁場形成手段を、前記基板の処理中に前記磁場形成手段と前記基板との間の体積が増減する方向に移動させるステップと、を備えることを特徴とする、CVD方法。前記磁場形成手段が前記真空容器の内部に設けられていることを特徴とする、請求項1に記載のCVD方法。前記移動させるステップにおいて、前記磁場形成手段は前記基板の法線方向に移動されることを特徴とする、請求項1に記載のCVD方法。前記プラズマは炭化水素を含むガスから生成されており、前記炭化水素を含むガスのプラズマによって前記基板上にカーボン膜が成膜される、ことを特徴とする、請求項1に記載のCVD方法。真空容器と該真空容器の内部に磁場を発生させる磁場形成手段とを備える成膜装置を用いて、基板上に成膜処理を行うCVD方法であって、前記磁場形成手段を、前記磁場形成手段と前記基板との間の距離が第1の距離になるように移動させるステップと、前記磁場形成手段と前記基板との間の、前記真空容器の内部の空間に不活性ガスのプラズマを生成するステップと、前記不活性ガスのプラズマによって前記基板の加熱を行うステップと、前記磁場形成手段を、前記磁場形成手段と前記基板との間の前記距離が前記第1の距離より長い第2の距離になるように移動させるステップと、前記磁場形成手段と前記基板との間の、前記真空容器の内部の前記空間に原料ガスのプラズマを生成するステップと、前記原料ガスのプラズマによって前記基板上に成膜を行うステップと、を備えることを特徴とする、CVD方法。前記磁場形成手段が前記真空容器の内部に設けられていることを特徴とする、請求項5に記載のCVD方法。前記移動させるステップにおいて、前記磁場形成手段は前記基板の法線方向に移動されることを特徴とする、請求項5に記載のCVD方法。前記原料ガスは炭化水素を含むガスであり、前記炭化水素を含むガスのプラズマによって前記基板上にカーボン膜が成膜される、ことを特徴とする、請求項5に記載のCVD方法。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。実施形態図1は、真空処理装置100の内部構造を上面から見た概略図である。図2は、真空処理装置100の内部構造を正面から見た概略図である。図3は、真空処理装置100の内部構造を側面から見た概略図である。本実施形態に係る真空処理装置100は、真空排気されるロードロック室11とプロセス室21を有している。ロードロック室11及びプロセス室21はゲートバルブ31によって空間的に分離できる構成となっている。真空処理装置100は、大気開放したロードロック室11内に基板2を投入し、真空に排気する。その後、真空排気されたロードロック室11と真空保管されたプロセス室21の間のゲートバルブ31を開放し、スライダー3によってプロセス室21に基板を搬送する。プロセス室21において、搬送された基板2に対して所定の処理が行われる。このような装置構成であることで、基板の交換のたびにプロセス室21を大気開放する必要がなくなる利点がある。なお、本実施形態に係る真空処理装置100は、上述のようにロードロック室11とプロセス室21とを各1つずつ備えて構成されているが、処理工程によっては複数のプロセス室を備える構成であってもよい。またプロセス室21がロードロック室11の反対側にさらにロードロック室を備え、ロードロック室11から搬入された基板が、プロセス室21で処理された後に、反対側のロードロック室から搬出するようにしても良い。ロードロック室11は、排気部13や大気開放用のベント部14を有するものである。一例として、排気部13としてはドライポンプが用いられ、ベント部14としてはN2窒素ガスやドライエアーを導入するガス導入部が用いられる。プロセス室21は、加熱、冷却、成膜若しくはエッチングなどの処理を基板2に施す真空容器である。プロセス室21は放電ガスを導入するためのガス導入部24や排気部Yを有する。排気部Yは、一例として、ターボ分子ポンプ26と背圧排気用ポンプ27を有する。さらに、排気コンダクタンスを変化できるメインバルブ25やバリアブルオリフィスを有していることが望ましい。その他に、真空処理装置100の外部からプロセス室21の内部に通じるポート34を備え、該ポート34を通して基板2の温度を測定するための温度測定手段30を備えている。温度測定手段30としては、このような態様に限らず種々の手段を用いることができる。特に基板2に対して非接触で測定できるものが、基板処理の再現性等の観点から望ましく、例えば放射温度計が好適に用いられる。さらに、プロセス室21は、電圧印加部Xを有する。電圧印加部Xは、ホルダ1を介して基板2に負の高電圧を印加するものであり、電源22や、電圧印加用シリンダー23を備えている。電圧印加用シリンダー23は、ホルダ1の搬送時にはホルダ1と電圧印加部Xとが接続されず、プラズマ処理時にはホルダ1と電圧印加部Xとが接続されるように、電圧印加部Xを動作させる。プロセス室21には、ホルダ1の周囲にシールド28が設けられており、基板処理中にプロセス室21の内壁に膜が堆積することを防止又は低減している。磁場形成手段29は、ホルダ1又はホルダ1に保持されている基板2からシールド28を挟んで反対側に設けられる。本実施形態では、基板2の両面をプラズマ処理するために、基板2の一面からシールド28を挟んで反対側と、基板2の他面からシールド28を挟んで反対側との両方に磁場形成手段29が設けられている。基板2を均一にプラズマ処理するために、基板2の面と、磁場形成手段29の磁石保持面とは平行に配置されることが望ましい。この磁場形成手段29によって形成される磁場により、基板処理中におけるプロセス室21の空間内のプラズマ密度分布をコントロールすることが可能となる。磁場形成手段29は、プロセス室21の内部に設けられていることが好ましい。プロセス室21は内部を真空にするため十分な強度を備えて形成される。磁場形成手段29をプロセス室21の外部に設けると、磁場形成手段29と基板2との間の距離が遠くなるため、基板2近傍のプラズマ密度を向上させるためには、より大きい磁力を発生することが必要になる。したがって、磁場形成手段29をプロセス室21内に設けることによって、磁場形成手段29として磁力の小さい永久磁石を用いることが可能となり、磁場形成手段29の製造コストを低減することができる。磁場形成手段29としては、永久磁石や電磁石が用いることができるが、永久磁石を用いる方がコスト面で有利であるため好ましい。またシールド28は電気的に接地されており、プロセス室21においてプラズマを形成する際にはアノードとして機能する。したがって、シールド28は、磁場形成手段29からの磁力線に影響を与えないよう非磁性又は低磁性であり、かつアノードとして機能させるために導電性があることが望ましい。例えば、アルミニウム、ステンレス、チタン等が用いられる。なお、本発明に係るプラズマCVD装置において、シールド28の電位が基板2の電位より高く構成されていればよいため、シールド28の接地以外に、シールド28を正の電位にするための電源を設ける等、他の装置構成も採用可能である。図5はプロセス室21を拡大したものである。図5において、磁場形成手段29には移動手段33が設けられており、移動手段33により磁場形成手段29と基板2の距離を調整できるようになっている。移動手段33は、磁場形成手段29を、磁場形成手段29とホルダ1又は基板2とに挟まれている領域の体積が増減する方向B例えば、磁場形成手段29と基板2との距離を変える方向、又は基板2の法線方向に移動させる。磁場形成手段29とホルダ1又は基板2との間の体積が増減する方向であればよいので、磁場形成手段29を基板2の法線方向に対して角度を付けて移動させても構わない。これにより、基板2近傍の磁場強度が変化するため、基板2の近傍のプラズマ密度を変化させることができる。このように基板近傍のプラズマ密度を変化させることによって、プラズマから基板2へ流れる電流が変化するため、電圧等の他の条件を変えなくとも成膜速度や基板温度を変化させることができるのである。シールド28と基板2の距離は50mm~100mm程度に保たれる。またシールド28と磁場形成手段29の距離は移動手段33により10mm~50mmに変更させることが可能となっている。本実施形態の移動手段33は、例えば、一般的なコンピュータと各種のドライバを備える制御部に接続され得る。すなわち、該制御部は、種々の演算、制御、判別などの処理動作を実行するCPUと、このCPUによって実行される様々な制御プログラムなどを格納するROMとを有し得る。また、該制御部は、上記CPUの処理動作中のデータや入力データなどを一時的に格納するRAM、およびフラッシュメモリやSRAM等の不揮発性メモリなどを有し得る。このような構成において、該制御部は、上記ROMに格納された所定のプログラム又は上位装置の指令に従って、温度測定手段30により得た値を基に、移動手段33を制御することで、磁場形成手段29を移動させ得る。具体的には、基板2を処理する際に、温度測定手段30によりポート34を介して基板2の温度を測定する。該温度が所定の温度よりも低い場合は移動手段33によって磁場形成手段29と基板2の距離を小さくすることで、基板2の近傍のプラズマ密度を高くし、基板2を昇温させることで該所定の温度に近づけることができる。反対に、基板2の温度が所定の温度よりも高い場合は移動手段33によって磁場形成手段29と基板2の距離を大きくすることで、基板2の近傍のプラズマ密度を低くし、基板2の温度を低下させることで該所定の温度に近づけることができる。磁場形成手段29とシールド28の間には、放熱シート32が設けられている。放熱シート32は、プロセス室21に形成されたプラズマによってシールド28が加熱され、その熱が磁場形成手段29に伝わるのを抑制している。放熱シート32にはアルミ等の熱伝導率の高い材質が用いられる。なお、放熱シート32は磁場形成手段29からの磁力線に影響を与えないよう非磁性材であることが望ましい。図4Aに、基板2が保持された状態の、ホルダ1の正面図を示す。また図4Bに、図4AにおけるA-A′断面図を示す。なお、図4A及び図4Bにおいては、スライダー3部分を省略して図示している。まず、本実施形態で用いられる基板2は、厚さ0.1mm程度のシート状の金属部材を、50×50mm~500×500mm程度の矩形状に形成したものである。ホルダ1は、導電性を有する矩形の枠状のホルダ本体に、基板2を挟んで保持できるバネ式支持部101を備えており、さらに搬送時の基板2の揺れや熱膨張などによる基板2の反りなどの変形を防ぐためのガイド部111も有している。バネ式支持部101としては高電圧を基板2に印加するために金属板が用いられる。また、ガイド部111としては熱逃げを抑えるように熱伝導の低い絶縁材が用いられる。また、バネ式支持部101は、基板2を挿入しやすいように、先端部分が外側に広がった形状になっている。本実施形態では、図4A及び図4Bに示されるように基板2の上部中央1箇所にバネ式支持部101を設け、基板を保持している。なお、ガイド部111は基板2の湾曲を防ぐための部材であるため、基板2と触れている必要はない。シート状の基板2は、スライダー3に支持された基板保持部としてのホルダ1に保持されるため、垂直に保持された状態で両面に処理がなされる。また、高電圧はホルダ1のバネ式支持部101を介して基板2に印加されるため、ホルダ1と基板2の電位は実質的に等しくなる。ロードロック室11から搬送されたホルダ1は、プロセス室21の所定位置処理位置に停止され、ゲートバルブ31を閉じることでプロセス室21が他の処理室から隔離される。図4A及び図4Bに示すホルダ1を用いる場合には、ホルダ1は基板2を保持したままロードロック室11とプロセス室21との間でスライダー3により搬送され、プロセス室21では基板2がホルダ1に保持されたまま基板処理が実行される。ホルダ1の変形例として、図6Aに、基板2が保持された状態におけるホルダ1の正面図を、図6Bに、図6AにおけるA-A′断面図を示す。図6A及び図6Bに示すホルダ1は、図4A及び図4Bに示す構成と類似しているが、基板2をスライドさせて取り外せるように、ホルダ1の一端が切り欠かれている点で異なる。また、プロセス室21内に導電性の基板支持部4が設けられており、バネ式支持部101は、ホルダ1上ではなく基板支持部4上に設けられている。電圧印加部Xは基板支持部4に接続され、電圧は基板支持部4及びバネ式支持部101を介して、基板2に印加される。このような構成によれば、基板2を保持しているホルダ1がスライダー3によってプロセス室21内に搬送され、基板2がホルダ1から取り外されてバネ式支持部101により保持された後、ホルダ1のみをプロセス室21からロードロック室11に戻すことができる。したがって、成膜中にホルダ1に対して膜が堆積することを防ぐことができる。ホルダ1の別の変形例として、図7Aに、基板2が保持された状態におけるホルダ1の正面図を、図7Bに、図7AにおけるA-A′断面図を示す。図7A及び図7Bに示すホルダ1は、図4A及び図4Bに示す構成と類似しているが、基板2をスライドさせて取り外せるように、ホルダ1の一端が切り欠かれている点で異なる。また、プロセス室21内に導電性の基板支持部4が設けられており、基板2を吊り下げるための導電性のフック102が基板支持部4上に設けられている。基板2には、フック102を挿通するためのフック孔103が設けられているものが用いられる。電圧印加部Xは基板支持部4に接続され、電圧は基板支持部4及びフック102を介して、基板2に印加される。このような構成によれば、基板2を保持しているホルダ1がスライダー3によってプロセス室21内に搬送され、基板2がホルダ1から取り外されてフック102により保持された後、ホルダ1のみをプロセス室21からロードロック室11に戻すことができる。したがって、成膜中にホルダ1に対して膜が堆積することを防ぐことができる。本実施形態においては、磁場形成手段29として永久磁石が用いられる。基板近傍にプラズマを閉じ込めるための磁場が形成できれば特に永久磁石の形態は問わない。図8、図9及び図10は基板2側から見た磁場形成手段29の例を模式的に示したものである。図8に示す磁場形成手段29は、基板2に対向する磁石保持面201上に設けられる小さな永久磁石の集合からなっている。該小さな永久磁石の集合は基板側の磁極がN極であるマグネット202と、基板側の磁極がS極であるマグネット203からなる。該永久磁石の集合は、磁石保持面201上の第1の方向C1に沿って、隣接する永久磁石の基板側の磁極は互いに反対となっている。また、磁石保持面201上において第1の方向C1に垂直な第2の方向C2に沿って、隣接する永久磁石の基板側の磁極は互いに反対となっている。そして、ある永久磁石と、その永久磁石に対して第1の方向C1において隣接する永久磁石と第2の方向C2において隣接する永久磁石との双方に隣接する永久磁石すなわち4つの永久磁石からなる四角形の対角に位置する永久磁石とは、基板側の磁極が同じである。このように、磁場形成手段29が複数の小さな永久磁石からなる場合、基板側に多数の水平磁場が形成されるため、基板面内方向に均一にプラズマを基板近傍に閉じ込めることができる。このため基板の形状やサイズを問わず面内分布が良好な成膜が可能となる。磁石保持面201にはヨークが設けられ、該ヨークの上にマグネット202及び203が設けられても良い。そのような構成に依れば、磁石の耐熱性を向上させることができ、磁石がプラズマによって昇温しても、プロセス室21内に生じる磁場強度が低減することを防ぐことができる。磁場形成手段29は、図9に示すように、基板2に対向する磁石保持面211上に同軸上に設けられる環状の永久磁石の集合からなってもよい。該環状の永久磁石の集合は基板側の磁極がN極である環状マグネット212と、基板側の磁極がS極である環状マグネット213からなる。複数の基板側の磁極が異なるマグネット212、213が、磁石保持面211上に交互に配置される。このように磁場形成手段29が環状マグネットからなる場合、基板側に形成される水平磁場は他の形態に比べて大きくなる。このためプラズマ生成空間に大きな磁場を形成したい場合に有利である。磁場形成手段29は、図10に示すように、基板2に対向する磁石保持面221上に並列して設けられる棒状の永久磁石の集合からなってもよい。該棒状の永久磁石の集合は基板側の磁極がN極である棒状マグネット222と、基板側の磁極がS極である棒状マグネット223からなる。複数の基板側の磁極が異なるマグネット222、223が、磁石保持面221上に交互に配置される。このように磁場形成手段29が棒状マグネットからなる場合、棒状マグネットを追加することで容易に水平磁場の領域を変更することができる。このため棒状マグネット下において移動成膜を行う場合等にも適用が容易である。本実施形態においては、磁場形成手段29は、プロセス室21の内部に設けられている。これにより、弱い磁場を発生させる永久磁石を用いてもプラズマ密度の分布を変化させることができるという点で有利である。別の方法として、磁場形成手段29をプロセス室21の外部に設けてもよい。その場合には、磁場形成手段29に膜が堆積することを防止でき、磁場形成手段29の加熱を低減させることができる点で有利であるが、より強い磁場を発生できる永久磁石を使う必要がある。次に、プロセス室21における基板2への成膜処理について説明する。本実施形態では、基板2に対してDLCの成膜を行う。基板2へのDLCの成膜においては、基板2が加熱された状態で成膜される事が望ましい。このため、基板2の加熱処理を成膜に先立って行う。まず、プロセス室21に不活性ガスを導入する。次に、電圧印加用シリンダー23を駆動することによって、ホルダ1と電圧印加部Xを電気的に接触させる。電圧印加部Xにより印加される負の高電圧は、直流電圧DCもしくは高周波の交流電圧であり、基板2に該高電圧が印加されることによってプロセス室21内の少なくとも磁場形成手段29と基板2との間の空間を含む領域にプラズマが形成される。プラズマ形成のために直流電圧を印加する方が、従来の装置に比べて安価に装置を作製可能であるという点で有利であるため、好ましい。プロセス室21にプラズマが形成されている状態で、移動手段33によって磁場形成手段29と基板2の間の距離を第1の距離に近づけることで、基板2近傍のプラズマ密度を高くし、基板に流れる電流を増加させることで基板2を速やかに所望の温度に加熱することができる。つまり、本実施形態によれば、磁場形成手段29と基板2又は基板2を保持するホルダ1との間の距離を調整することによって、印加電圧を変えることなく基板に流れる電流を変化させ、その結果基板2の温度を調整することが可能になる。基板2の加熱後、成膜処理を行うために、プロセス室21に炭化水素ガスを導入する。炭化水素ガスはプロセス室21内に形成されたプラズマにより分解され、基板2に印加された負の電圧によりイオンが基板2に引き込まれ、基板上にカーボン膜が成膜される。このとき移動手段33によって磁場形成手段29と基板2の間の距離を第1の距離とは異なる第2の距離に調整することで、基板2を所望の温度に制御しながら成膜処理を行うことができる。例えば、成膜処理では、加熱処理のように急激に温度を上げる必要がないため、磁場形成手段29と基板2の間の距離を長く、つまり第1の距離より第2の距離を長くする。本実施形態では、ホルダ1及び基板2に電圧を印加することによってプラズマが基板2の近傍に形成され、さらに磁場形成手段29からの磁場によりプラズマが基板2近傍に閉じ込められているため、基板2を速やかに加熱し、基板2以外への膜の付着を低減し、また速やかに成膜を行うことが可能である。別の方法として、電極をホルダ1の外部、例えばホルダ1とシールド28との間に設け、該電極に電圧を印加することによって、プラズマを形成しても構わない。その場合でも、該電極を基板に近い部分に設置することが望ましい。それにより、基板2近傍にプラズマを形成し、磁場によって閉じ込めることができる。以上の実施形態では基板処理工程のうち加熱工程と成膜工程において、磁石と基板との距離を変更する例を説明した。本発明はこれ以外にも、例えば成膜工程において成膜初期と終期において磁石と基板との距離を変更することで、成膜初期と成膜終期との間で、基板温度を変化させる制御や、膜の特性例えば、膜の応力を変化させる制御等が可能となる。実施例図1に示すプラズマCVD装置を用いて、基板2に対してDLC膜を成膜する場合の実施例を以下に示す。なお磁場形成手段29としては図8に示すものを用いた。まず、基板2をプロセス室21に搬入して、ゲートバルブ31を閉鎖後、ガス導入部24により、不活性ガスとしてのArガスを500sccmstandardcc/minで導入した。該Arガスの導入により、プロセス室21内の圧力を20Paとした。磁場形成手段29として永久磁石を用い、プロセス室21内に磁場が形成された状態で、電圧印加部Xにより、基板2にパルス電圧マイナス400Vを印加して、プラズマを形成した。このとき基板2とシールド28の距離は60mmであり、シールド28と磁場形成手段29の距離は移動手段33により10mmに設定した。この状態で基板2をプラズマにより5秒程度加熱することで、基板2の温度は500°C程度に達した。このように、DLC膜の成膜前にArガスのプラズマによって基板の加熱処理を行うことで、基板表面のクリーニングや、吸着しているガスの除去が行われ、所望の膜質のDLC膜が得られ、またDLC膜と基板との密着性が向上する。次にプロセス室21に原料ガスとしてのエチレンガスを250sccmで導入して、プロセス室21の圧力を20Paとした。またシールド28と磁場形成手段29との距離を移動手段33により30mmに変更した。そして、基板2にパルス電圧マイナス1000Vを印加して、プラズマを形成した。100秒程電圧を印加することで約100nmの厚さのDLC膜が成膜された。なお、上述した本発明の一実施形態では、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。