"矩形平板状のCu-Ga合金体を載置する載置面を有し、該載置面に載置されたCu-Ga合金体を所定の搬送方向に搬送する搬送手段と、前記搬送手段によって搬送される前記Cu-Ga合金体の少なくとも表面または側面を研磨する複数の研磨ブラシであって、前記載置面と所定の間隔をあけて対向する基台と、該基台の前記載置面と対向する面から垂直に延びて帯状に形成される複数の研磨布とを含む複数の研磨ブラシと、前記載置面と平行に配置され、前記複数の研磨ブラシの前記基台を支持する支持部材と、前記複数の研磨ブラシのそれぞれを、前記載置面に垂直なそれぞれの中心軸線まわりに回転させるとともに、前記支持部材を前記載置面に垂直な中心軸線まわりに回転させる駆動手段と、を備えることを特徴とする研磨装置。前記搬送手段は、前記Cu-Ga合金体を、0.05m/min以上0.4m/min以下の搬送速度で搬送し、前記駆動手段は、前記研磨ブラシを1000rpm以上2000rpm以下の回転数で回転させるとともに、前記支持部材を10rpm以上30rpm以下の回転数で回転させることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。矩形平板状のCu-Ga合金体を載置する載置面を有し、該載置面に載置されたCu-Ga合金体を所定の搬送方向に搬送する搬送手段と、前記搬送手段によって搬送される前記Cu-Ga合金体の少なくとも表面または側面を研磨する研磨ブラシローラであって、前記載置面と所定の間隔をあけて対向し、かつ前記搬送方向と非平行に配置されるローラ軸部と、該ローラ軸部の表面から半径方向外方に延びて帯状に形成される複数の研磨布とを含む研磨ブラシローラと、前記研磨ブラシローラを、前記ローラ軸部の中心軸線まわりに回転させるとともに、前記載置面に平行で、かつ前記搬送方向に垂直な方向に揺動させる駆動手段と、を備えることを特徴とする研磨装置。前記搬送手段は、前記Cu-Ga合金体を、0.2m/min以上1.0m/min以下の搬送速度で搬送し、前記駆動手段は、前記研磨ブラシローラを1000rpm以上2000rpm以下の回転数で回転させることを特徴とする請求項3に記載の研磨装置。Cu-Ga合金からなるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、溶解鋳造により作製されたCu-Ga合金塊をスライス加工することによって得られたスライス板を、ワイヤー放電加工により切断することで、予め定められたスパッタリングターゲットの形状に加工して、矩形平板状のCu-Ga合金体を得る切出し工程と、前記Cu-Ga合金体の縁端部を面取り加工するとともに、前記Cu-Ga合金体の側面を研磨する側面研磨工程と、請求項1または2に記載の研磨装置を用いて、前記側面研磨工程において側面研磨した後のCu-Ga合金体の表面を研磨する表面研磨工程と、を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。前記側面研磨工程では、請求項3または4に記載の研磨装置を用いて、前記Cu-Ga合金体の縁端部を面取り加工するとともに、側面を研磨することを特徴とする請求項5に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。特許文献2に開示されるCu-Ga合金体の加工方法によれば、Cu-Ga合金体をベルトサンダー、ディスクグラインダーおよびストレートグラインダーなどの研磨機を用いて手作業で面取り加工および研磨加工するので、加工時にCu-Ga合金体にひびが入ったり、割れたり欠けたりすることを防止することができる。しかしながら、特許文献2に開示されるCu-Ga合金体の加工方法は、研磨機を用いた手作業による方法であるので、生産効率が低く、加工後の表面粗さやR面の大きさのばらつきが大きいなどの加工精度が低いという問題を有する。さらに、特許文献2に開示されるCu-Ga合金体の加工方法では、Cu-Ga合金体の表面粗さが所定の値となるまでに要する加工時間が長くなり過ぎてしまい、そのため、加工時に発生する熱が付加されることでCu-Ga合金体にひびが入ったり、割れたり欠けたりするおそれがある。したがって、本発明の目的は、Cu-Ga合金体の少なくとも表面または側面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、効率よく高精度に研磨することができる研磨装置を提供することであり、該研磨装置を用いた研磨工程を含むスパッタリングターゲットの製造方法を提供することである。本発明は、矩形平板状のCu-Ga合金体を載置する載置面を有し、該載置面に載置されたCu-Ga合金体を所定の搬送方向に搬送する搬送手段と、前記搬送手段によって搬送される前記Cu-Ga合金体の少なくとも表面または側面を研磨する複数の研磨ブラシであって、前記載置面と所定の間隔をあけて対向する基台と、該基台の前記載置面と対向する面から垂直に延びて帯状に形成される複数の研磨布とを含む複数の研磨ブラシと、前記載置面と平行に配置され、前記複数の研磨ブラシの前記基台を支持する支持部材と、前記複数の研磨ブラシのそれぞれを、前記載置面に垂直なそれぞれの中心軸線まわりに回転させるとともに、前記支持部材を前記載置面に垂直な中心軸線まわりに回転させる駆動手段と、を備えることを特徴とする研磨装置である。また本発明の研磨装置において、前記搬送手段は、前記Cu-Ga合金体を、0.05m/min以上0.4m/min以下の搬送速度で搬送し、前記駆動手段は、前記研磨ブラシを1000rpm以上2000rpm以下の回転数で回転させるとともに、前記支持部材を10rpm以上30rpm以下の回転数で回転させることを特徴とする。また本発明は、矩形平板状のCu-Ga合金体を載置する載置面を有し、該載置面に載置されたCu-Ga合金体を所定の搬送方向に搬送する搬送手段と、前記搬送手段によって搬送される前記Cu-Ga合金体の少なくとも表面または側面を研磨する研磨ブラシローラであって、前記載置面と所定の間隔をあけて対向し、かつ前記搬送方向と非平行に配置されるローラ軸部と、該ローラ軸部の表面から半径方向外方に延びて帯状に形成される複数の研磨布とを含む研磨ブラシローラと、前記研磨ブラシローラを、前記ローラ軸部の中心軸線まわりに回転させるとともに、前記載置面に平行で、かつ前記搬送方向に垂直な方向に揺動させる駆動手段と、を備えることを特徴とする研磨装置である。また本発明の研磨装置において、前記搬送手段は、前記Cu-Ga合金体を、0.2m/min以上1.0m/min以下の搬送速度で搬送し、前記駆動手段は、前記研磨ブラシローラを1000rpm以上2000rpm以下の回転数で回転させることを特徴とする。また本発明は、Cu-Ga合金からなるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、溶解鋳造により作製されたCu-Ga合金塊をスライス加工することによって得られたスライス板を、ワイヤー放電加工により切断することで、予め定められたスパッタリングターゲットの形状に加工して、矩形平板状のCu-Ga合金体を得る切出し工程と、前記Cu-Ga合金体の縁端部を面取り加工するとともに、前記Cu-Ga合金体の側面を研磨する側面研磨工程と、前記研磨装置を用いて、前記側面研磨工程において側面研磨した後のCu-Ga合金体の表面を研磨する表面研磨工程と、を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法である。また本発明のスパッタリングターゲットの製造方法において、前記側面研磨工程では、前記研磨装置を用いて、前記Cu-Ga合金体の縁端部を面取り加工するとともに、側面を研磨することを特徴とする。本発明によれば、研磨装置は、搬送手段と複数の研磨ブラシと支持部材と駆動手段とを備える。搬送手段は、載置面に載置された矩形平板状のCu-Ga合金体を所定の搬送方向に搬送する。各研磨ブラシは、搬送手段によって搬送されるCu-Ga合金体の少なくとも表面または側面を研磨する。この研磨ブラシは、搬送手段の載置面と所定の間隔をあけて対向する基台と、該基台の前記載置面と対向する面から垂直に延びる複数の研磨布とを含んで構成される。支持部材は、前記載置面と平行に配置され、複数の研磨ブラシの各基台を支持する。そして、駆動手段は、複数の研磨ブラシのそれぞれを、前記載置面に垂直なそれぞれの中心軸線まわりに回転させるとともに、支持部材を中心軸線まわりに回転させる。このように構成された研磨装置では、複数の研磨布が搬送手段によって順次搬送されるCu-Ga合金体の表面と接した状態で、各研磨ブラシが自転しながら支持部材の中心軸線まわりに公転することで、Cu-Ga合金体の表面または側面を研磨することができる。これによって、研磨装置は、Cu-Ga合金体の少なくとも表面または側面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、効率よく高精度に研磨することができる。また本発明によれば、搬送手段は、Cu-Ga合金体を、0.05m/min以上0.4m/min以下の搬送速度で搬送する。そして、駆動手段は、各研磨ブラシを1000rpm以上2000rpm以下の回転数で回転させるとともに、支持部材を10rpm以上30rpm以下の回転数で回転させる。これによって、研磨装置は、Cu-Ga合金体の少なくとも表面または側面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることをより確実に防止した上で、効率よく高精度に研磨することができる。また本発明によれば、研磨装置は、搬送手段と研磨ブラシローラと駆動手段とを備える。搬送手段は、載置面に載置された矩形平板状のCu-Ga合金体を所定の搬送方向に搬送する。研磨ブラシローラは、搬送手段によって搬送されるCu-Ga合金体の少なくとも表面または側面を研磨する。この研磨ブラシローラは、搬送手段の載置面と所定の間隔をあけて対向し、かつ前記搬送方向と非平行に配置されるローラ軸部と、該ローラ軸部の表面から半径方向外方に延びて帯状に形成される複数の研磨布とを含んで構成される。そして、駆動手段は、研磨ブラシローラを、ローラ軸部の中心軸線まわりに回転させるとともに、前記載置面に平行で、かつ前記搬送方向に垂直な方向に揺動させる。このように構成された研磨装置では、複数の研磨布が搬送手段によって順次搬送されるCu-Ga合金体の表面と接した状態で、研磨ブラシローラが回転しながら揺動することで、Cu-Ga合金体の表面または側面を研磨することができ、かつ研磨布と平行な縁端部だけでなく研磨布とは垂直な縁端部まで面取りできる。これによって、研磨装置は、Cu-Ga合金体の少なくとも表面または側面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、効率よく高精度に研磨、面取りすることができる。また本発明によれば、搬送手段は、Cu-Ga合金体を、0.2m/min以上1.0m/min以下の搬送速度で搬送する。そして、駆動手段は、研磨ブラシローラを1000rpm以上2000rpm以下の回転数で回転させる。これによって、研磨装置は、Cu-Ga合金体の少なくとも表面または側面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることをより確実に防止した上で、効率よく高精度に研磨、面取りすることができる。また本発明によれば、スパッタリングターゲットの製造方法は、切出し工程と、側面研磨工程と、表面研磨工程とを含む。切出し工程では、溶解鋳造により作製されたCu-Ga合金塊を各種スライス加工方法にてスライス加工することによって得られたスライス板を、ワイヤー放電加工により切断することで、スパッタリングターゲットの形状に加工して、矩形平板状のCu-Ga合金体を得る。側面研磨工程では、Cu-Ga合金体の縁端部を面取り加工するとともに、Cu-Ga合金体の側面を研磨する。表面研磨工程では、側面研磨した後のCu-Ga合金体の表面を研磨する。この表面研磨工程では、複数の研磨ブラシを備えた本発明の前記研磨装置を用いて、Cu-Ga合金体の表面を研磨する。これによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、表面粗さが均一なスパッタリングターゲットを製造することができる。したがって、製造されたスパッタリングターゲットは、例えば、薄膜型太陽電池を構成する光吸収層の薄膜形成用のスパッタリングターゲットとして好適に用いることができる。また本発明によれば、側面研磨工程では、研磨ブラシローラを備えた本発明の前記研磨装置を用いて、Cu-Ga合金体の縁端部を面取り加工するとともに、側面を研磨する。これによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、高精度に面取り加工および側面研磨加工されたスパッタリングターゲットを製造することができる。図1は、本発明の第1実施形態に係る研磨装置100の構成を概略的に示す斜視図である。図1aは研磨装置100の全体的な構成を示す図であり、図1bは研磨ブラシ1の構成を示す図である。研磨装置100は、Cu銅およびGaガリウムの合金であるCu-Ga合金からなるスパッタリングターゲットを製造するに際し、矩形平板状のCu-Ga合金体スパッタリングターゲット用合金体83の少なくとも表面または側面を研磨する装置である。本実施形態の研磨装置100は、スパッタリングターゲット用合金体83の表面を研磨する装置として、好適に用いることができる。研磨装置100は、複数の研磨ブラシ1と、支持部材2と、搬送手段である搬送ベルト3とを含む。搬送ベルト3は、複数の支持ローラによって張架され、該支持ローラの回転に応じて回転する無端状のベルト部材であって、スパッタリングターゲット用合金体83を載置する載置面31を有し、該載置面31に載置されたスパッタリングターゲット用合金体83を所定の搬送方向A3に搬送する。本実施形態において搬送ベルト3は、長方形板状のスパッタリングターゲット用合金体83の長辺方向が搬送方向A3と一致するように、載置面31に載置されたスパッタリングターゲット用合金体83を搬送する。また、搬送ベルト3の幅方向の長さW1は、スパッタリングターゲット用合金体83の短辺方向の長さW2よりも長く設定される。具体的には、縦1200mm×横400mm程度の大きさ、すなわち、短辺方向の長さW2が320mm程度のスパッタリングターゲット用合金体83に対して、搬送ベルト3の幅方向の長さW1は、400mm程度に設定される。複数の研磨ブラシ1は、それぞれ、搬送ベルト3によって搬送されるスパッタリングターゲット用合金体83の少なくとも表面または側面好ましくは表面を研磨する。この研磨ブラシ1は、搬送ベルト3の載置面31と所定の間隔をあけて対向する基台11と、該基台11の載置面31と対向する面から載置面31に向けて垂直に延びて帯状に形成される複数の研磨布12とを含む。研磨ブラシ1においては、搬送ベルト3の載置面31に垂直な中心軸線L1まわりに回転方向A1に回転自転可能となるように、基台11が支持部材2に支持されている。研磨ブラシ1を中心軸線L1方向から見た長さD1、すなわち、研磨ブラシ1の自転直径は、搬送ベルト3の幅方向の長さW1に対して25~45程度に設定される。研磨ブラシ1が有する研磨布12は、研磨紙、および砥粒研磨材が塗された不織布の少なくともいずれか一方からなる。より具体的には、研磨布12は、例えば帯状の布体や紙体の表面に砥粒研磨材が固着されたものや、不織布に砥粒研磨材が塗されたものであり、サンドペーパや不織布研磨材などを挙げることができる。この研磨布12は、基台11に固定される一端部とは反対側の他端部が、搬送ベルト3により搬送方向A3に搬送されるスパッタリングターゲット用合金体83の表面に接触するように設けられる。研磨布12の表面に固着される砥粒としては、特に限定はされないが、例えば粒度36~800のアルミナ砥粒、シリコンカーバイド砥粒、ダイヤモンド砥粒を挙げることができる。支持部材2は、搬送ベルト3の載置面31と平行に配置される円板状の部材であり、複数の研磨ブラシ1の各基台11を支持する。この支持部材2は、搬送ベルト3の載置面31に垂直な中心軸線L2まわりに回転方向A2に回転可能である。支持部材2は、半径方向外方側の端部において、回転方向A2に等間隔で各研磨ブラシ1本実施形態では4つの研磨ブラシ1を回転可能に支持する。支持部材2は、中心軸線L2が搬送ベルト3の幅方向中央に位置するように配置される。このような支持部材2の半径方向外方側の端部に支持された各研磨ブラシ1は、支持部材2の回転に伴って、支持部材2の中心軸線L2まわりに回転公転することになる。本実施形態の研磨装置100は、不図示の駆動手段を備えており、この駆動手段は、各研磨ブラシ1を中心軸線L1まわりに回転方向A1に回転させるとともに、支持部材2を中心軸線L2まわりに回転方向A2に回転させる。以上のように構成された研磨装置100では、研磨ブラシ1の研磨布12が搬送ベルト3によって順次搬送されるスパッタリングターゲット用合金体83の表面と接した状態で、各研磨ブラシ1が中心軸線L1まわりに自転しながら、支持部材2の中心軸線L2まわりに公転することで、スパッタリングターゲット用合金体83の表面を研磨することができる。これによって、研磨装置100は、スパッタリングターゲット用合金体83の表面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、効率よく高精度に研磨することができる。また、研磨装置100をスパッタリングターゲット用合金体83の表面を研磨する装置として使用する場合、研磨装置100の設定条件としては、搬送ベルト3によるスパッタリングターゲット用合金体83の搬送速度が0.05~0.4m/minに設定され、研磨ブラシ1の回転数が1000~2000rpmに設定され、支持部材2の回転数が10~30rpmに設定され、切込み深さが1.0~7.0mmに設定される。ここで、切込み深さとは、研磨布12とスパッタリングターゲット用合金体83との重なり部分の長さのことである。このような設定条件で研磨装置100を用いてスパッタリングターゲット用合金体83を表面研磨することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることをより確実に防止した上で、効率よく高精度に表面研磨加工することができる。図2は、本発明の第2実施形態に係る研磨装置200の構成を概略的に示す斜視図である。図2aは研磨装置200の全体的な構成を示す図であり、図2bは研磨ブラシローラ5の構成を示す図である。研磨装置200は、Cu-Ga合金からなるスパッタリングターゲットを製造するに際し、矩形平板状のCu-Ga合金体スパッタリングターゲット用合金体の少なくとも表面または側面を研磨する装置である。本実施形態の研磨装置200は、スパッタリングターゲット用合金体の側面を研磨する装置として、好適に用いることができる。研磨装置200は、複数の研磨ブラシローラ5と、搬送手段である搬送ベルト6とを含む。搬送ベルト6は、複数の支持ローラによって張架され、該支持ローラの回転に応じて回転する無端状のベルト部材であって、スパッタリングターゲット用合金体83を載置する載置面61を有し、該載置面61に載置されたスパッタリングターゲット用合金体83を所定の搬送方向A6に搬送する。本実施形態において搬送ベルト6は、長方形板状のスパッタリングターゲット用合金体83の長辺方向が搬送方向A6と一致するように、載置面61に載置されたスパッタリングターゲット用合金体83を搬送する。また、搬送ベルト6の幅方向の長さW3は、スパッタリングターゲット用合金体83の短辺方向の長さW4よりも長く設定される。具体的には、縦1500mm×横500mm程度の大きさ、すなわち、短辺方向の長さW4が320mm程度のスパッタリングターゲット用合金体83に対して、搬送ベルト6の幅方向の長さW3は、500mm程度に設定される。複数の研磨ブラシローラ5は、それぞれ、搬送ベルト6によって搬送されるスパッタリングターゲット用合金体83の少なくとも表面または側面好ましくは側面を研磨する。本実施形態では、複数2本の研磨ブラシローラ5が、搬送ベルト6によるスパッタリングターゲット用合金体83の搬送方向A6に間隔をあけて配置される。研磨ブラシローラ5は、搬送ベルト6の載置面61と所定の間隔をあけて対向し、かつ搬送方向A6と非平行に配置される直円柱状のローラ軸部51と、該ローラ軸部51の表面から半径方向外方に延びて帯状に形成される複数の研磨布52とを含む。ここで、非平行とは、ローラ軸部51の中心軸線L3が搬送方向A6に対して平行ではないことを意味し、中心軸線L3が搬送方向A6と垂直であってもよいし、中心軸線L3が搬送方向A6に対して所定の傾斜角度を有して傾斜していてもよい。研磨ブラシローラ5の中心軸線L3方向の長さ、すなわち、ローラ軸部51の中心軸線L3方向の長さD3は、搬送ベルト6の載置面61に垂直な方向から見て、研磨ブラシローラ5の両端部が搬送ベルト6の幅方向両端部から少しはみ出る程度に設定される。具体的には、ローラ軸部51の中心軸線L3方向の長さD3は、搬送ベルト6の幅方向の長さW3が500mmであるのに対して、550mm程度に設定される。研磨ブラシローラ5が有する研磨布52は、例えば帯状の布体や紙体の表面に砥粒が固着されたものであり、サンドペーパなどを挙げることができる。この研磨布52は、ローラ軸部51に固定される一端部とは反対側の他端部が、搬送ベルト6により搬送方向A6に搬送されるスパッタリングターゲット用合金体83の表面に接触するように設けられる。研磨布52の表面に固着される砥粒としては、例えば粒度120~1200のアルミナ砥粒、シリコンカーバイド砥粒、ダイヤモンド砥粒を挙げることができる。本実施形態の研磨装置200は、不図示の駆動手段を備えており、この駆動手段は、各研磨ブラシローラ5を、中心軸線L3まわりに、一方の研磨ブラシローラ5を回転方向A41に、他方の研磨ブラシローラ5を回転方向A41とは逆の回転方向A42に回転させるとともに、搬送ベルト6の載置面61に平行で、かつ搬送方向A6に垂直な方向A5に揺動させる。以上のように構成される研磨装置200では、研磨ブラシローラ5の研磨布52が搬送ベルト6によって順次搬送されるスパッタリングターゲット用合金体83の表面と接した状態で、研磨ブラシローラ5が回転しながら揺動することで、スパッタリングターゲット用合金体83の表面または側面を研磨することができる。これによって、研磨装置200は、スパッタリングターゲット用合金体83の少なくとも表面または側面を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、効率よく高精度に研磨することができる。研磨装置200は、特に、スパッタリングターゲット用合金体83の側面を研磨する装置として好適に用いることができ、この側面を研磨加工するときに面取り加工することができる。すなわち、研磨装置200は、スパッタリングターゲット用合金体83の縁端部エッジ部を面取り加工するとともに、該スパッタリングターゲット用合金体83の側面を研磨する。本発明において、面取り加工とは、スパッタリングターゲット用合金体83の厚み方向一表面側スパッタリング面側の縁端部、すなわち、厚み方向一表面と側面とが交わる出隅部の角部を取除く加工を意味するものであり、R0.3~1.0となるように加工することが好ましい。例えばR0.3とは、角部が半径0.3mmの円周面となるように加工することを意味するものである。本発明においては、C0.3~1.0となるように加工してもよい。例えばC0.3とは、角部を構成する厚み方向一表面と側面との2つの面それぞれの、交辺から0.3mmを平面状にカットし、角部を構成する2つの面とカットにより生じた面との成す角がそれぞれ45°となる加工を意味するものである。また、研磨装置200をスパッタリングターゲット用合金体83の側面を研磨する装置として使用する場合、研磨装置200の設定条件としては、搬送ベルト6によるスパッタリングターゲット用合金体83の搬送速度が0.2~1.0m/minに設定され、研磨ブラシローラ5の回転数が1000~2000rpmに設定され、研磨布最下部の高さが0~5.0mmに設定される。ここで、研磨布最下部の高さとは、搬送ベルト6に回転した研磨布52が接触するときの研磨布高さを0mmとした場合の研磨布52と搬送ベルト6との距離のことである。このような設定条件で研磨装置200を用いてスパッタリングターゲット用合金体83を面取り加工および側面研磨することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることをより確実に防止した上で、効率よく高精度に面取り加工および側面研磨加工することができる。次に、スパッタリングターゲットの製造方法について説明する。図3は、本発明の実施の一形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法を説明するための図である。スパッタリングターゲットの製造方法は、Cu-Ga合金塊81を準備する準備工程と、熱処理工程と、端部切断加工工程と、スライス加工工程と、表面粗研磨工程と、切出し工程と、側面研磨工程と、表面研磨工程とを含む。準備工程準備工程では、図3aに示すように、Cu-Ga合金からなる直方体形状のCu-Ga合金塊81を準備する。Cu-Ga合金塊81は、溶解鋳造によって製造されていることが好ましい。溶解鋳造によって製造することにより、Cu中にGaが偏析しないので、Cu-Ga合金をスパッタリングターゲットとしてスパッタリングに用いたときに得られる薄膜の性能を維持することができる。なお、溶解鋳造の具体的な方法は、一般的な方法を採用することができ、特に限定されるものではない。Cu-Ga合金におけるGaの組成比は、任意の値とすればよいが、原子百分率で10at以上50at以下であることが好ましく、15at以上40at以下であることがより好ましい。なお、本発明においては、atをモルと類義の語句として扱うこととする。また、Cu中にGaができるだけ偏析しないようにするには、溶解鋳造時にCu-Ga合金全体がより均一に冷却されることが望ましい。したがって、溶解鋳造されるCu-Ga合金塊81は、偏平な直方体形状にすることが好ましい。熱処理工程熱処理工程では、準備工程において準備された直方体形状のCu-Ga合金塊81を、大気圧下または真空下好ましくは大気圧下で熱処理する。熱処理時の温度としては、450°C以上700°C未満、より好ましくは500°C以上600°C以下である。準備工程において、例えば、溶解鋳造によってCu-Ga合金塊81を製造した場合、このCu-Ga合金塊81は、内部に応力が発生したものとなっている。Cu-Ga合金塊81を熱処理することによって、Cu-Ga合金塊81の内部に発生した応力を解放することができる。熱処理時の温度が低すぎる場合、Cu-Ga合金塊81の内部に発生した応力を解放できず、高すぎる場合は偏析が起こる。熱処理の時間は、1時間以上12時間以下が好ましく、より好ましくは2時間以上8時間以下である。熱処理の時間が短すぎる場合、Cu-Ga合金塊81の内部応力の解放ができず、長すぎる場合生産性の低下につながる。端部切断加工工程端部切断加工工程では、図3bに示すように、熱処理工程において熱処理されたCu-Ga合金塊81の端部近傍を切断し、端部部分片811を不要部分として切除する。具体的には、Cu-Ga合金塊81の、直方体の最も長い辺に平行な方向以下、長手方向というにおける両端部を切断する。端部切断加工工程では、ダイヤモンドバンドソー装置や、ワイヤー放電加工、放電加工、レーザー加工、研削機によるダイヤモンド切断加工、切削加工、ウォータージェット加工、ワイヤーソー、ブレードソーを用いて、Cu-Ga合金塊81の切断加工を行う。スライス加工工程スライス加工工程では、図3cに示すように、長手方向両端部の不要部分が切除されたCu-Ga合金塊81を、切断面が直方体の最も短い辺に対して垂直となるように、ワイヤーソー装置、ダイヤモンドバンドソー装置、ブレードソー装置、ワイヤー放電加工装置などを用いて各種スライス加工方法にて切断し、複数の長方形板状のスライス板82を作製する。スライス加工工程において作製されるスライス板82は、例えば、縦500mm×横320mm×厚み20mm程度の大きさである。図4は、Cu-Ga合金塊81を切断スライス加工するときに用いる種々の加工装置の1つであるワイヤー放電加工装置300の構成を概略的に示す。ワイヤー放電加工装置300は、ワイヤー302とCu-Ga合金塊81との間で短周期に繰り返されるアーク放電放電エネルギーによって、当該Cu-Ga合金塊81を非機械的に切断加工する。ワイヤー放電加工装置300では、ワイヤー302の材質や直径などを制御することにより、微細な加工を行うことができ、加工精度も高い。ワイヤー放電加工装置300は、高周波パルス電源305、電極301、ワイヤー302、サーボメカニズム303、および加工槽304で構成されている。高周波パルス電源305は、アーク放電を行うための電力を高周波パルスとして電極301に供給するようになっている。電極301は、60~300Vのパルス状の直流電流をワイヤー302に供給し、ワイヤー302とCu-Ga合金塊81との間でアーク放電させるようになっている。ワイヤー302は、図示しないワイヤー供給装置から供給され、一定の張力を保った状態で、図示しない巻取装置にて巻き取られるようになっている。サーボメカニズム303は、ワイヤー302の供給速度および走行速度を制御するようになっている。加工槽304は、その底面部が高周波パルス電源305と電気的に接続されている。加工槽304には、水や油などの一般的な加工液306が満たされている。また、加工槽304には、ワイヤー302に対するCu-Ga合金塊81の位置合わせを行う図示しない調整装置が設けられている。そして、加工槽304では、底面部に載置されたCu-Ga合金塊81に対して、加工液306中にてワイヤー302による切断加工が行われるようになっている。このように構成されるワイヤー放電加工装置300を用いてCu-Ga合金塊81をスライス加工する手順について説明する。まず、加工槽304に、Cu-Ga合金塊81を、加工槽304の底面部に載置した後、加工液306を満たす。これにより、Cu-Ga合金塊81は、加工槽304を介して高周波パルス電源305と電気的に接続される。次に、直方体形状のCu-Ga合金塊81の一頂点を原点として、原点から延びる三辺を座標軸X,Y,Zに合わせる。例えば、Cu-Ga合金塊81の長手方向直方体の最も長い辺の方向をX軸方向とし、厚み方向直方体の最も短い辺の方向をY軸方向とする。したがって、この場合には、ワイヤー302は、その供給方向がZ軸方向となるように張り渡されていることになる。次いで、切断加工後に得られるスライス板82の厚みが所望の厚さとなるように、ワイヤー302をセットする。その後、ワイヤー302を供給すると共に当該ワイヤー302に直流電流を供給しながら、Cu-Ga合金塊81とワイヤー302とを互いに交わる方向に相対移動させ、Cu-Ga合金塊81に対してその全長にわたってワイヤー放電加工切断加工を行う。すなわち、ワイヤー302の位置を固定してCu-Ga合金塊81をX軸方向のマイナス方向に移動させるか、または、Cu-Ga合金塊81の位置を固定してワイヤー302をX軸方向のプラス方向に移動させながら、加工液306を介して、Cu-Ga合金塊81に対してその全長にわたってアーク放電を行うことにより、Cu-Ga合金塊81の切断加工を行う。直方体形状のCu-Ga合金塊81を3つ以上に切り分ける場合には、上記操作と同様の操作を繰り返し行えばよい。これにより、直方体形状のCu-Ga合金塊81から、所望の厚さのスライス板82に切り分けることができる。ワイヤー302の材質は、黄銅Cu65重量-Zn35重量の合金、銅などが好ましい。また、ワイヤー302の直径は、0.1~0.4mmであることが好ましく、0.2mm程度であることがより好ましい。ワイヤー302の供給速度は、5~15m/minであることが好ましい。ワイヤー302の張力は、0.1~0.5kgfであることが好ましい。また、ワイヤー302の走行速度、すなわち、Cu-Ga合金塊81の切断速度加工速度は、0.1~8mm/minであることが好ましく、0.1~3mm/minであることがより好ましい。放電加工条件は、例えば、パルス幅を0.15~1.85μs、パルス休止期間を2~16μs、電流波高値を4.5~70A、無負荷電圧を30~100Vとすればよいが、加工対象物であるCu-Ga合金塊81の大きさやワイヤー302の種類に応じて、適宜設定すればよい。表面粗研磨工程表面粗研磨工程では、スライス加工工程において得られたスライス板82の表面を粗研磨する。本発明において、粗研磨とは、算術平均粗さRaが1.0~1.6μmとなるように表面研磨することである。なお、算術平均粗さRaは、JISB0601:2001に準じて測定したものである。本実施形態において表面粗研磨工程では、図1に示した研磨装置100を用いて、スライス板82の表面を粗研磨する。表面粗研磨工程における研磨装置100の設定条件としては、搬送ベルト3によるスライス板82の搬送速度が0.05~0.3m/min、さらに好ましくは、0.07~0.15m/minに設定され、研磨ブラシ1の回転数が1000~2000rpm、さらに好ましくは1300~1700rpmに設定され、支持部材2の回転数が10~30rpm、さらに好ましくは15~25rpmに設定され、切込み深さが3.0~7.0mm、さらに好ましくは4.0~6.0mmに設定され、研磨布12に固着される砥粒の粒度が36~600、さらに好ましくは60~400に設定される。このような設定条件で研磨装置100を用いてスライス板82の表面を粗研磨することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、表面粗研磨加工することができる。切出し工程切出し工程では、図3dに示すように、表面粗研磨工程において表面粗研磨した後のスライス板82を、厚み方向に切断して、長方形板状のスパッタリングターゲット用合金体83を作製する。切出し工程では、例えば、前述したワイヤー放電加工装置300を用いて、スライス板82の切断加工を行う。切出し工程において作製されるスパッタリングターゲット用合金体83は、例えば、縦480mm×横300mm×厚み20mm程度の大きさである。側面研磨工程側面研磨工程では、切出し工程において作製されたスパッタリングターゲット用合金体83の縁端部エッジ部を面取り加工するとともに、該スパッタリングターゲット用合金体83の側面を研磨する。本実施形態において側面研磨工程では、図2に示した研磨装置200を用いて、スパッタリングターゲット用合金体83の縁辺部を面取り加工するとともに、側面を研磨する。研磨装置200を用いてスパッタリングターゲット用合金体83を面取り加工および側面研磨加工することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、高精度に面取り加工および側面研磨加工することができる。また、研磨装置200により面取り加工および研磨加工することで、スパッタリングターゲット用合金体83の表面も同時に粗研磨することができる。側面研磨工程における研磨装置200の設定条件としては、搬送ベルト6によるスパッタリングターゲット用合金体83の搬送速度が0.2~1.0m/min、さらに好ましくは0.3~0.5m/minに設定され、研磨ブラシローラ5の回転数が1000~2000rpm、さらに好ましくは1200~1600rpmに設定され、研磨布最下部高さが0~5.0mmさらに好ましくは1.0~3.0mmに設定され、研磨布52に固着される砥粒の粒度が120~1200に設定される。このような設定条件で研磨装置200を用いてスパッタリングターゲット用合金体83を面取り加工および側面研磨加工することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることをより確実に防止した上で、効率よく高精度に面取り加工および側面研磨加工することができる。表面研磨工程表面研磨工程では、側面研磨工程において面取り加工および側面研磨加工した後のスパッタリングターゲット用合金体83の表面を研磨する。この表面研磨工程では、算術平均粗さRaが0.5~0.8μmとなるようにスパッタリングターゲット用合金体83の表面を研磨する。本実施形態において表面研磨工程では、図1に示した研磨装置100を用いて、スパッタリングターゲット用合金体83の表面を研磨する。研磨装置100を用いてスパッタリングターゲット用合金体83を表面研磨加工することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、高精度に表面研磨加工することができる。表面研磨工程における研磨装置100の設定条件としては、搬送ベルト3によるスパッタリングターゲット用合金体83の搬送速度が0.2~0.4m/minに設定され、研磨ブラシ1の回転数が1200~1800rpmに設定され、支持部材2の回転数が10~30rpmに設定され、切込み深さが1.0~4.0mmに設定され、研磨布12に固着される砥粒の粒度が320~800に設定される。このような設定条件で研磨装置100を用いてスパッタリングターゲット用合金体83を表面研磨加工することによって、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることをより確実に防止した上で、効率よく高精度に表面研磨加工することができる。以上のような準備工程、熱処理工程、端部切断加工工程、スライス加工工程、表面粗研磨工程、切出し工程、側面研磨工程、および表面研磨工程を経て、スパッタリングターゲットを製造することができる。このような方法で製造されたスパッタリングターゲットは、ひび割れなどの欠陥が発生していないものであるので、例えば、薄膜型太陽電池を構成する光吸収層の薄膜形成用のスパッタリングターゲットとして好適に用いることができる。以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、実施例は本発明の一実施態様であり、本発明を限定するものではない。<スパッタリングターゲット用合金体の準備>Ga組成比が30atのCu-Ga合金からなるスパッタリングターゲット用スライス板を準備した。このスパッタリングターゲット用スライス板は、縦150mm、横110mm、厚み12mmの長方形板状のCu-Ga合金体である。<面取り加工性および側面研磨加工性の評価>実施例1図2に示した研磨装置200を用いて、準備したスパッタリングターゲット用合金体の厚み方向一表面側の角部を面取り加工するとともに、側面を研磨した。なお、スパッタリングターゲット用合金体は、その長辺方向が搬送ベルト6による搬送方向と一致するように、載置面61に載置した。また、研磨装置200の動作条件は、以下のように設定した。スパッタリングターゲット用合金体の搬送速度:0.5m/min研磨ブラシローラ5の回転数:1400rpm研磨布最下部高さ:2.0mm研磨布52に固着される砥粒の粒度:180スパッタリングターゲット用合金体を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、面取り加工および側面研磨加工するのに要した加工時間は、3分間であった。また、加工後のスパッタリングターゲット用合金体は、R0.6~0.8であった。比較例1ベルトサンダーを用いて手作業で、スパッタリングターゲット用合金体の厚み方向一表面側の角部を面取り加工し、グラインダーを用いて手作業で、側面を研磨加工した。比較例1では、スパッタリングターゲット用合金体を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、面取り加工および側面研磨加工するのに要した加工時間は、30分間であった。また、加工後のスパッタリングターゲット用合金体は、R0.4~1.0であった。以上の結果から明らかなように、研磨装置200を用いてスパッタリングターゲット用合金体を面取り加工および側面研磨加工する実施例1は、比較例1と比べて加工時間が短く、面取り部のRのばらつき幅を狭く高精度することができる。<表面研磨加工性の評価>実施例2図1に示した研磨装置100を用いて、準備したスパッタリングターゲット用合金体の厚み方向一表面を研磨した。なお、スパッタリングターゲット用合金体は、その長辺方向が搬送ベルト3による搬送方向と一致するように、載置面31に載置した。また、研磨装置100の動作条件は、以下のように設定した。スパッタリングターゲット用合金体の搬送速度:0.12m/min研磨ブラシ1の回転数:1500rpm支持部材2の回転数:20rpm切込み深さ:5.0mm研磨布12に固着される砥粒の粒度:60スパッタリングターゲット用合金体を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、表面研磨加工するのに要した加工時間は、7分間であった。また、加工後のスパッタリングターゲット用合金体は、算術平均粗さRaが0.55~0.85μmであった。比較例2グラインダーを用いて手作業で、スパッタリングターゲット用合金体の厚み方向一表面を研磨加工した。比較例2では、スパッタリングターゲット用合金体を、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなく、表面研磨加工するのに要した加工時間は、30分間であった。また、加工後のスパッタリングターゲット用合金体は、算術平均粗さRaが0.4~1.2μmであった。以上の結果から明らかなように、研磨装置100を用いてスパッタリングターゲット用合金体を表面研磨加工する実施例2は、比較例2と比べて加工時間が短く、算術平均粗さRaのばらつき幅を狭く高精度することができる。"