種基板と、結晶材料とアルカリ金属またはアルカリ土類金属を、坩堝に収納する第1の工程と、前記坩堝を加熱して前記結晶材料と前記アルカリ金属または前記アルカリ土類金属のフラックスを形成するとともに、前記坩堝に窒素ガスを供給して、前記種基板上に結晶を育成する第2の工程と、を備え、前記第2の工程において、前記坩堝内のHfフラックスの液面深さ/Do坩堝の内径が0.3以上で前記混合液を撹拌する窒化物結晶製造方法。耐熱耐圧容器と、この耐熱耐圧容器内に加熱手段を有する加熱容器と、この前記加熱容器内に設けた坩堝と、前記加熱容器内に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給部と、前記加熱容器内に設けた坩堝と、この坩堝内に設けた種基板と、前記坩堝または前記加熱容器または前記耐熱耐圧容器を揺動する揺動機構を備え、前記坩堝内に種基板のほかにアルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群から選択される少なくとも一つの金属元素材料と、ガリウムGa、アルミニウムAlおよびインジウムInからなる群から選択された少なくとも一つのIII族元素材料と、をHfフラックスの液面深さ/Do坩堝の内径が0.3以上になるように配置し、前記坩堝または前記加熱容器または前記耐熱耐圧容器の揺動方向が一軸方向のみの反復運動を行う構造であることを特徴とする窒化物結晶製造装置。上記従来例における課題は、闇雲に前記反応容器を揺動させ、前記フラックスを攪拌するだけでは、フラックスの流れや流速が無秩序になり、それに伴って、結晶のステップも無秩序に発生し、表面モホロジーの荒れやステップの間に前記フラックスが入り込む現象であるインクルージョンが発生し、結晶の品質が劣化することであった。本発明者は、このような結晶の品質の劣化原因を鋭意検討する中で、フラックスの液面深さやフラックスの流速バラツキが重要な要因であることを見出した。そこで本発明は、結晶の品質向上を図ることを目的とする。そして、この目的を達成するために本発明は、種基板と、結晶材料とアルカリ金属またはアルカリ土類金属を、坩堝に収納する第1の工程と、前記坩堝を加熱して前記結晶材料と前記アルカリ金属または前記アルカリ土類金属のフラックスを形成するとともに、前記坩堝に窒素ガスを供給して、前記種基板上に結晶を育成する第2の工程を備え、前記第2の工程において、前記坩堝内のHfフラックスの液面深さ/Do坩堝の内径が0.3以上で前記混合液を撹拌することで、前記種基板上の前記フラックス揺動時の流量バラツキVmax最大流量-Vmin最小流量/Vave最大平均流量を0.6以下で流動させることができるため、所期の目的を達成するものである。以上のように本発明は、種基板と、結晶材料とアルカリ金属またはアルカリ土類金属を、坩堝に収納する第1の工程と、前記坩堝を加熱して前記結晶材料と前記アルカリ金属または前記アルカリ土類金属のフラックスを形成するとともに、前記坩堝に窒素ガスを供給して、前記種基板上に結晶を育成する第2の工程を備え、前記第2の工程において、前記坩堝内のHfフラックスの液面深さ/Do坩堝の内径が0.3以上で前記混合液を撹拌することで、前記種基板上の前記フラックス揺動時の流量バラツキVmax最大流量-Vmin最小流量/Vave最大平均流量を0.6以下で流動させることができるため、結晶の品質を向上させることができる。すなわち、フラックスの液面深さを深くすることで、フラックスの深さ方向の流れも円を描くような流れが形成され、且つ種基板上の流れにおいても揺動方向に対して全体で平行な流れが形成され、フラックスに取り込まれた窒素と金属元素とが反応して、整ったフラックスの流れによって平滑な結晶を成長させて、大きなステップが発生しにくいため、インクージョンの低減を可能となることを見いだしたものである。本発明においては、これによって結晶の品質を向上させることができるものである。以下、本発明の実施形態をIII族窒化物結晶製造装置の一例としてIII族窒化物結晶成長装置に適用したものを添付図面を用いて説明する。図1は、本発明の一実施形態におけるIII族窒化物結晶成長装置の構成図である。まず、坩堝3の中には、結晶を成長させる種基板1と、結晶の原材料及び触媒の働きをするフラックス2を坩堝3に入れる。なお、フラックス2は、成長開始前は図2aに示すように少なくともアルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群から選択される少なくとも一つの金属元素材料9と、ガリウムGa、アルミニウムAlおよびインジウムInからなる群から選択された少なくとも一つのIII族元素材料10とを所定の量に測って坩堝3に配置し、加熱によって液化し、混ざり合って図2bに示すようにフラックス2となる。つぎに、この坩堝3を加熱するためのヒーター加熱手段の一例を備えた加熱容器4に入れ、内部の温度を、熱電対で測定しながら温度管理が可能となっている。そして、加熱容器4を耐熱耐圧容器5で覆い、高温高圧にすることが可能な構造となっている。更に、耐熱耐圧容器5は、その全体を揺動可能にする構造を備えた構成となっている。この耐熱耐圧容器5の外部より、原料ガスである窒素含有ガスを、原料ガス供給部6を介して耐熱耐圧容器5に収納された加熱容器4内に供給するようになっている。なお、加熱容器4内にある断熱材やヒーターなどから高温時に発生する不純物ガスの影響を低減させるために、坩堝3をガス配管の付いた密閉容器に配置しても良い。上述のように構成された装置で、結晶を育成するのであるが、その工程としては、まず、上述のごとく、坩堝3内にアルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群から選択される少なくとも一つの金属元素材料9とガリウムGa、アルミニウムAlおよびインジウムInからなる群から選択された少なくとも一つのIII族元素材料10を入れ、この坩堝3に、原料ガスとしての窒素含有ガスを20~50気圧になるように供給する。このとき、窒素含有ガスはフロー状態でも良い。その状態で耐熱耐圧容器5によって、成長温度800~900°Cに坩堝3を加熱する。更に、揺動は、図3に示すように、一方向に揺動角11を±5~40°で攪拌速度を0.5~10rpmの範囲で揺動させて種基板1上にIII族窒化物結晶の成長を行う。結晶の成長に必要な原料ガスは、気相から液相に溶解した後に、混合液の攪拌によって液面から種基板上1に送られるので、この種基板上1の平均流速が大きいほど原料となる窒素が多く供給される。種基板上1の最大流速がバラツクと平滑に結晶成長が行われず表面に凹凸を発生させる原因となる。即ち種基板1上の最大流速が均一化することで均一的な結晶成長が行われ、結晶品質の向上につながる。上記のIII族窒化物結晶製造装置を用いて、成長実験及びシミュレーションを行った結果を以下に示す。シミュレーションには株式会社ウェーブフロント社の汎用熱流体解析ソフトであるCFD―ACEを用いて、自由表面を考慮して計算を行なった。はじめに、図4に示すように坩堝3の内側の直径Doとし、加熱して液化したフラックスの液面深さHfと定義した。表1に示す内容で図5aに示すように坩堝内面12内のフラックス2を±10°、1rpmで揺動させたときのHf/Doの影響を確認するために2次元断面の流れシミュレーションを行った。その結果を図6に示す。Hf/Doの値が0.3以下ではフラックス2の断面の流れが不規則に流れ、フラックス2が円を描くように流れが発生していない。しかしながら、Hf/Doの値が0.3以上になると、フラックス2が大きく上下で円を描くように流れが発生し、且つ底付近基板配置位置13の流れが一様な流れとなっている。また、表1に示す内容で図5bに示すように坩堝内面12内のフラックス2を±10°、1rpmで揺動させたときの種基板表面の流れのシミュレーションを行った。その結果を図7に示す。Hf/Doの値が0.3以下では種基板表面のフラックス2の流れの中央の上下部分に不均一な流れが発生する。しかしながら、Hf/Doの値が0.3以上になると、種基板表面のフラックス2の流れは坩堝3底面全体で均一な流れとなっている。さらに、図8に基板配置位置13上の流速バラツキ{基板表面の最大流量-基板表面の最小流量/基板表面の流量平均}のシミュレーション結果をグラフ化したものを示す。この結果より、Hf/Doの値が0.3以上になると、基板配置位置13上の流速バラツキが0.6以下になることがわかる。次に、表1の一部の条件で実際に成長を行って確認を行った。概略の実験条件を表2に示す。まず、坩堝3は内壁の直径が60mmのものを使用した。坩堝3の中に、結晶を成長させる種基板1を配置し、結晶の原材料となるガリウムGa及び触媒の働きをするナトリウムNaを加熱したときに表2のHf/Doの値になるように膨張率を加味して計量を行い坩堝3に配置した。つぎに、この坩堝3を耐熱耐圧容器5で覆われた、加熱容器4に配置する。そして、この耐熱耐圧容器5の外部より、耐熱耐圧容器5内を原料ガスである窒素を30気圧に加圧し、坩堝を850で加熱を行い、100時間成長を行った。また、成長中は一軸方向に揺動角11を±10°で攪拌速度を1rpmで成長を行った。その成長結果を図9に示す。Hf/Doが0.25では、丸で囲んでいる部分に、不均一な流れが発生したために大きいステップが発生し、不純物が噛み込んでしまうインクルージョンが発生していると考えられる。Hf/Doが0.33では、ステップが小さくなり、ほぼ平滑な結晶が形成できている。また、更にHf/Doが0.42と大きくなると、ステップがなくなり、全面で平滑な結晶が形成されている。これまでのシミュレーションと実験結果より、Hf/Doを0.3以上にすることでフラックス2の流れを円を描くような流れにして窒素の取り込みを円滑に行い、且つ、Hf/Doを0.3以上にすることで、基板配置位置13上の流速バラツキを0.6以下にして種基板に一様に窒素等を送り結晶化させる。したがって、インクルージョンの少ない平滑な結晶を成長することを可能としており、この結果、結晶の品質を向上させることができる。また、揺動角/揺動速度や坩堝サイズを変更しても上記と同様の結果が得られた。