"多モード干渉導波路部と、前記多モード干渉導波路部の一端の中心に接続される第1の導波路と、前記多モード干渉導波路部の前記一端に対向する他端の中心に接続される第2の導波路と、を備える、多モード干渉導波路デバイスにおいて、前記第1の導波路から入射し前記多モード干渉導波路部を伝搬して前記第2の導波路に出射する光波であって、所定の波長を有する前記光波の透過率が、前記多モード干渉導波路部と前記第2の導波路との接続部において当該デバイスの使用目的によって決まる要求仕様を満たすように、前記多モード干渉導波路部の幅及び長さが決定されていることを特徴とする、波長選択性多モード干渉導波路デバイス。請求項1に記載のデバイスにおいて、前記要求仕様が少なくとも10dBである、波長選択性多モード干渉導波路デバイス。請求項1に記載のデバイスにおいて、前記第1の導波路から入射する前記光波の透過率を-10dB以下とすることによって、当該デバイスを前記波長における帯域阻止フィルタとして機能させることを特徴とする、波長選択性多モード干渉導波路デバイス。多モード干渉導波路部と、前記多モード干渉導波路部の一端の中心に接続される第1の導波路と、前記多モード干渉導波路部の前記一端に対向する他端の中心から一定の距離に、互いに対称となるように配置された第2及び第3の導波路と、を備える、多モード干渉導波路導波路デバイスにおいて、前記第1の導波路から入射し前記多モード干渉導波路部を伝搬して前記第2の導波路と第3の導波路に出射する光波であって、所定の波長を有する前記光波の透過率が、前記多モード干渉導波路部と前記第2及び第3の導波路との接続部において当該デバイスの使用目的によって決まる要求仕様を満たすように、前記多モード干渉導波路部の幅及び長さ、さらに前記一定の距離が決定されていることを特徴とする、波長選択性多モード干渉導波路デバイス。前記請求項4に記載のデバイスにおいて、前記要求仕様は少なくとも10dBである、波長選択性多モード干渉導波路デバイス。請求項4に記載のデバイスにおいて、前記第1の導波路から入射する前記光波の透過率を-10dB以下とすることによって、当該デバイスを前記波長における帯域阻止フィルタとして機能させることを特徴とする、波長選択性多モード干渉導波路デバイス。従って、本発明は、特定の波長の伝搬を阻止する帯域阻止フィルタとしての機能を備えかつ製造が容易な、波長選択性多モード干渉導波路デバイスを提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明の第1の態様では、多モード干渉導波路部と、前記多モード干渉導波路部の一端の中心に接続される第1の導波路と、前記多モード干渉導波路部の前記一端に対向する他端の中心に接続される第2の導波路と、を備える、多モード干渉導波路導波路デバイスにおいて、前記第1の導波路から入射し前記多モード干渉導波路部を伝搬して前記第2の導波路に出射する光波であって、所定の波長を有する光波の透過率が、前記多モード干渉導波路部と前記第2の導波路との接続部において当該デバイスの使用目的によって決まる要求仕様を満たすように、前記多モード干渉導波路部の幅及び長さが決定されていることを特徴とする、波長選択性多モード干渉導波路デバイスを提供する。上記第1の態様において、上記要求仕様を少なくとも10dBとしても良い。また、第1の導波路から入射する前記光波の透過率を-10dB以下とすることによって、当該デバイスを、前記波長における帯域阻止フィルタとして機能させるようにしても良い。上記課題を解決するために、本発明の第2の態様では、多モード干渉導波路部と、前記多モード干渉導波路部の一端の中心に接続される第1の導波路と、前記多モード干渉導波路部の前記一端に対向する他端の中心から一定の距離に、互いに対称となるように配置された第2及び第3の導波路と、を備える、多モード干渉導波路導波路デバイスにおいて、前記第1の導波路から入射し前記多モード干渉導波路部を伝搬して前記第2の導波路と第3の導波路に出射する光波であって、所定の波長を有する前記光波の透過率が、前記多モード干渉導波路部と前記第2及び第3の導波路との接続部において当該デバイスの使用目的によって決まる要求仕様を満たすように、前記多モード干渉導波路部の幅及び長さ、さらに前記一定の距離が決定されていることを特徴とする、波長選択性多モード干渉導波路デバイスを提供する。上記態様において、前記要求仕様は、少なくとも10dB以上としても良い。また、前記第1の導波路から入射する前記光波の透過率を-10dB以下とすることによって、当該デバイスを、前記波長における帯域阻止フィルタとして機能させるようにしても良い。多モード干渉導波路を伝搬する光波では、入射光の波長に依存して多モード干渉が現れる周期が変化する。即ち、入射光の波長によって、多モード干渉の周期が異なる。この周期の違いを利用し、多モード干渉導波路を、その出射端で特定の波長を有する光波の透過率出力光パワー/入射光パワーが、例えば-10dB以下となるような構造とすることによって、入射光から特定の波長成分のみを阻止するデバイスを作成することが出来る。複数の波長を用いて、波長ごとに独立した信号を伝送する波長多重通信システムでは、特定の波長を選択的に分離することは、必要な要素技術と位置づけられている。その中で、本発明に係る、特定の波長の伝搬を阻止するデバイスは、不要波長成分を阻止する波長フィルタとして用いることができる。例えば、伝送システムの動作を監視するために、監視用の光として信号光とは異なる波長の光を用いるが、信号光に混じって監視用の光を受信すると困るので、受信端では監視用の波長成分を阻止する必要がある。本発明に係る波長選択性デバイスは、このような用途に対して有用である。なお、本発明の多モード干渉導波路デバイスは、導波路を形成する工程で帯域阻止機能を実現する多モード干渉導波路も同時に形成されるため、背景技術の項で説明した、dの分布反射形DFB導波路フィルタで発生する、製造工程の複雑化という問題は発生しない。以下に、本発明の種々の実施形態を、図面を参照して説明するが、これらの実施形態は単に一例であって本発明を限定するものでは無い。また、全図面を通して、同じ符号は同一又は類似の構成要素を示すので、重複した説明は行わない。更に、各図は本発明の実施形態の説明のみを目的としており、従って各部分の図面上の大きさが実際の縮尺に対応するものではない。<第1の実施形態:1入力1出力導波路デバイス>以下に、本発明の第1の実施形態に係る、1入力1出力導波路形の波長選択性多モード干渉導波路デバイスについて説明する。このデバイスは、特定の波長の入射光を、当該デバイスの使用目的によって決まる要求仕様を満たす程度、例えば、入射光のパワー強度と出射光のパワー強度の比出射光パワー/入射光パワーを-10dB程度まで低下させることが可能な、波長帯域阻止特性を有する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る多モード干渉デバイス10の概略構造を示す斜視図である。このデバイス10は、1入力導波路1出力導波路形のデバイスであり、後述するように、特定の波長の光の通過を阻止する、波長選択性デバイスである。波長選択性多モード干渉導波路デバイス10は、SOISiliconOnInsulatorウェーハのシリコン層に形成される多モード干渉導波路部3とシングルモードの入力導波路1、出力導波路2とで構成されている。4はシリコン基板、5はSiO2クラッド層を示す。図示はしていないが、多モード干渉導波路デバイス10を構成する多モード干渉導波路部3と入力導波路1、出力導波路2はSiO2のクラッド層5によって埋設されている。図2に、デバイス10の構造を定義するためのパラメータを示す。多モード干渉導波路部3の幅方向の端部に沿ってx軸を設定し、長さ方向にz軸を設定している。これによって、入力導波路1、出力導波路2は、x方向に対称な位置x=0に配置される。入出力導波路1、2の断面の幅をWで示し、多モード干渉導波路部3の幅をWMMI、長さをLMMI、厚さをWT図1参照で示す。入出力導波路1、2及び多モード干渉導波路部3の厚さWTは、通常、同じとされている。本発明者等は既に、多モード干渉導波路部3におけるこのような光強度分布の周期、即ち、多モード干渉の周期が、多モード干渉導波路部3の幾何学的構造幅、長さ、厚さ、材料、更に入射する光の偏波に基づいて変化することを報告している特願2011-130093が、その中で、多モード干渉の周期がさらに波長に基づいて変化することにも言及している。本実施形態では、このような多モード干渉周期の波長依存性を利用して、特定の波長の光を阻止することが可能な、1入力1出力導波路デバイスを構成する。図3は、図1及び図2に示す構造の波長選択性多モード干渉導波路デバイス10において、導波路1からある波長を有する光波を入力した場合の、多モード干渉導波路部3における光波分布のシミュレーション結果を示す。このシミュレーション結果は、TEモードの偏波に対するものである。また、シミュレーションはモード整合法を用いて行っている。図3において、3aで示した部分は光強度が高い部分、3bで示した部分は光強度が最も高い部分であり、3cで示す部分は光強度が最も低い部分を示す。図示するように、光波の伝搬にともなって、x方向の光強度分布が周期性を持って変化する様子が理解される。図4a、bは、図3に示すような光強度分布を有する多モード干渉導波路デバイスを、特定の波長λを遮断する波長選択性導波路デバイスとして機能させるための原理を説明する図である。図4aは、多モード干渉導波路部3を、図3の伝搬距離z=z1の位置で切断し、x=0の位置に出力導波路2を接続した場合を示す。この位置では、x=0に光波パワーはほとんど存在しないため、x=0に出力導波路2を設置しても出力導波路2からは光波が出力されない。この状態の多モード干渉導波路部3の長さを、LMMIとする。一方、z=z1の位置で切断した場合であっても、入力導波路1から、波長λ以外の波長の光波を入力した場合、その波長での多モード干渉の周期は波長λの周期とは異なるため、図4bに示すように、出力導波路2に光出力が現れるようになる。これにより、図3の伝搬距離z=z1の位置で多モード干渉導波路部3を切断したデバイスを、波長λの入射光の伝搬を阻止する波長選択素子として機能させることが出来る。なお、このような波長帯域阻止特性は、多モード干渉導波路長が長い方が透過率の変化が急峻となる。即ち、入射光の波長がλから僅かに相違すると、透過率が急激に高くなる。従って、透過率の変化において必要な急峻さが得られるように、多モード干渉導波路部3の長さLMMIを選択する。なお、図3及び図4の光波分布は、TEモードに対するシミュレーションに基づいているが、TMモードの場合も、TEモードとは長さ方向の周期が変化するだけで、殆ど同じ分布傾向を有する。従って、多モード干渉導波路デバイス10を波長λの遮断デバイスとして機能させるための定性的議論には、TEモードとTMモードを区別して考える必要はない。次に、図1に示す多モード干渉導波路デバイス10を、波長λの遮断デバイスとして機能させるための設計手順について、以下に説明する。1先ず、遮断波長λを決定し、多モード干渉導波路部3の材料と高さWTを設定する。高さWTは通常、入出力導波路1、2の高さと同じであり、また、デバイスの常識的な値として選択可能である。2多モード干渉導波路部3の幅WMMIを設定し、多モード干渉導波路部3の長さに対する透過率をシミュレーションによって計算する。図5aは、多モード干渉導波路部3の幅WMMI=1.0μmに設定し、図5bはWMMI=1.6μmに設定してシミュレーションを行った結果を示している。これらの図から明らかなように、多モード干渉導波路部3の長さLMMIに対して透過率は周期的に変化する。即ち、図5aの、WMMI=1.0μmに設定した場合は、周期1.25μmの奇数倍で、図5bのWMMI=1.6μmに設定した場合は、周期3.16μmの奇数倍で、透過率が周期的に変化することが分かる。また、図5aと図5bを比較することによって、得られる遮断レベル最小の透過率が、多モード干渉導波路部3の幅によって変化することが理解される。具体的には、図5aに示すように、多モード干渉導波路部3の幅WMMIが1.0μmの場合は、遮断レベルが-5.5dBであり、図5bに示すように幅WMMIが1.6μmの場合は、遮断レベルは少なくとも最低-15dBとなる。従って、デバイスを設計する場合、必要な遮断レベルに応じて多モード干渉導波路部3の幅を決定すれば良い。3次に、多モード干渉導波路部3の長さLMMIを変化させて、透過率の波長特性をシミュレーションによって求める。図6aは、多モード干渉導波路部3の幅WMMIが1.0μmである場合に、多モード干渉導波路部3の長さLMMIを、29,6μm、51.0μm及び98.4μmとして、透過率の波長依存性を計算したグラフである。同様に、図6bは、多モード干渉導波路部3の幅WMMIが1.6μmの場合に、多モード干渉導波路部3の長さLMMIを40.7μm、91.6μm及び275.2μmとして、透過率の波長依存性を計算したグラフである。これらの図からわかるように、多モード干渉導波路部3の長さLMMIが長くなると、遮断する波長幅が狭くなる。従って、デバイス設計の目的とする遮断波長幅に応じて、適切に、多モード干渉導波路部の長さを決定すれば良い。なお、図5a、bおよび図6a、bは、1の段階で決定される遮断波長λを、TEモードに対して1.27μmとし、多モード干渉導波路部3の高さWTを0.3μmとし、多モード干渉導波路部3をSiで構成した場合の、シミュレーション結果を示している。以上の手順により、設定された波長λの光波成分を、所望の遮断レベルでかつ所望の遮断波長幅で遮断することが可能な、1入力1出力デバイスを設計することができる。例えば、多モード干渉導波路部3の高さWT=入力導波路の高さを0.3μmとし、幅WMMIを1.6μm、長さLMMIを91.6μmとした1入力1出力デバイスによって、図6bから明らかなように、TEモードの遮断中心波長λが1.272μmで、かつ、波長1.272μmの±4nmの波長幅で透過率が-10dB以下となるフィルタ特性を備えた、通過帯域阻止形フィルタを構成することができる。以下の表1に、1入力1出力デバイスで構成した、通過帯域阻止形フィルタの構造の一例を要約する。<第2の実施形態:1入力2出力デバイス>図7及び8に、本発明の第2の実施形態に係る波長選択型の1入力2出力デバイスを示す。本実施形態に係るデバイス20は、シングルモードの導波路21、22、23と多モード干渉導波路部24とを備えており、これらは、シリコン基板25上に形成したSiO2クラッド層26中に埋め込まれている。なお、図7及び8では、導波路21、22、23及び多モード干渉導波路部24を被覆するクラッド層を省略して示している。このデバイス20は、導波路21から入力し、導波路22及び23に出力する分岐動作、逆に、導波路22及び23から入力し、導波路21に出力する結合動作を行う、MMI結合器を構成する。光波伝搬の相反性から、分岐動作と結合動作は同じように動作するので、以下においては分岐動作のみについてその構成を説明する。図9は、図7及び8の構成を有するデバイス20において、導波路21から波長λの光波を入力した場合の、多モード干渉導波路部24における光波分布のシミュレーション結果を示す。シミュレーションはモード整合法を用いて行った。光波の伝搬にともなって、x方向の光強度分布が周期的に変化する様子が図から読み取れる。ここで、適当な位置で多モード干渉導波路を切断し、2本の出力導波路導波路22及び23を接続する。例えば、図9の伝搬距離z=z2で多モード干渉導波路部24を切断して、Px=±x1の位置に出力導波路22及び23を接続すると、z=z2では、ほとんどの光波パワーがx=0の位置に集中しているので、図10に示すように、出力導波路22及び23には多モード干渉導波路部24から殆ど光波が出力されない。一方、デバイス20に、λ以外の波長を有する光波を入射すると、図9の光波パターンが入射光波長の変化に対応してずれるため、出力導波路22、23には多モード干渉導波路部24から光波の出力が現れるようになる。従って、波長λの入射光を遮断し、それ以外の波長の入射光を透過する多モード干渉導波路デバイスの構造を特定できれば、帯域阻止型のフィルタとして機能する1入力2出力デバイスを得ることが出来る。以下に、図7に示す多モード干渉導波路デバイス20を、波長λの帯域阻止型のフィルタとして機能させるための設計手順を説明する。1先ず、遮断波長λを決定し、多モード干渉導波路部24の厚さを常識的なデバイスの値として設定する。2多モード干渉導波路部24の幅WMMIを設定し、多モード干渉導波路部24の長さLMMIに対する透過率を計算する。図11a及び図11bは、この計算結果をグラフに表したものであって、横軸は多モード干渉導波路部24の長さLをμm単位で示し、縦軸は透過率をdBで示している。図11aの計算結果は、多モード干渉導波路部24の幅WMMIを1.0μmとして得たものであり、図11bは1.6μmとして得たものである。これらの図から明らかなように、多モード干渉導波路部24の長さLMMIに対して透過率は周期的に変化する。即ち、図11aに示すように、多モード干渉導波路部24の幅がWMMI=1.0μmの場合は、周期2.3μmの偶数倍で、図11bに示すように、多モード干渉導波路部24の幅がWMMI=1.6μmの場合は、周期6.2μmの偶数倍で、透過率が最小となる。ここで、1入力2出力デバイスの場合には、透過状態における透過率出力が大きくなる長さLMMIにおける透過率が最大になるように出力導波路の位置Pxを決める。多モード干渉導波路部24の幅がWMMI=1.0μmの場合図11aは、Px=0.3μm、幅WMMI=1.6μmの場合図11bは、Px=0.44μmとなる。図11aと図11bを比較することによって、1入力1出力デバイスの場合と同様に、得られる遮断レベル最小の透過率が多モード干渉導波路部24の幅WMMIによって変化することが理解される。即ち、多モード干渉導波路の幅WMMI=1.0μmの場合図11aは-9.8dB、WMMI=1.6μmの場合図11bは最低-15dBの遮断レベルが決まる。したがって、デバイスを設計にあたって、必要な遮断レベルに応じて多モード干渉導波路部24の幅WMMIを決定すれば良い。3次に、多モード干渉導波路部24の長さを変化させて透過率の波長特性をシミュレーションによって求める。図12aは、多モード干渉導波路部24の幅WMMIが1.0μmの場合に、多モード干渉導波路部24の長さLMMIを、30.8μm、54.4μm、94.7μmとして、透過率の波長依存性を計算したグラフである。同様に、図12bは、多モード干渉導波路部24の幅WMMIが1.6μmの場合に、多モード干渉導波路部24の長さLMMIを31.6μm、126.4μm、252.9μmとして、透過率の波長依存性を計算したグラフである。これらの図からわかるように、1入力1出力デバイスと同様に、多モード干渉導波路部24の長さLMMIが長くなると遮断する波長幅が狭くなる。例えば、図12bのWMMI=1.6μmの場合、透過率が-10dB以下となる波長幅は、LMMI=31.6μmの場合に31nm、LMMI=126.4μmの場合に9nm、LMMI=252.9μmの場合に5nmとなる。これによって、デバイス設計の目的とする遮断波長幅に応じて、適切に、多モード干渉導波路部の長さを決定すれば良い。以下の表2に、1入力2出力デバイスで構成した通過帯域阻止形フィルタの構造の一例を示す。このフィルタは、波長幅5nmに渡って透過率が-10dB以下を確保することができるように設計された帯域阻止フィルタである。上記実施形態1及び2は、シリコンを導波層として用い、その周りをSiO2クラッドで囲んだ導波路構造において、導波層厚300nmの導波路部構造で、TEモードの特定の波長を遮断する多モード干渉導波路デバイスを設計する事例に関しているが、TMモードの特定の波長を遮断する多モード干渉導波路デバイスに対しても、この設計手法を同様に適用することができる。また、他の導波路厚、多モード干渉導波路幅に対しても、この設計手法を同様に適用することができる。さらに、シリコンを導波層として用い、その周りをSiO2クラッドで囲んだ導波路構造以外の、任意の導波路部構造に対しても、この設計手法を同様に適用することができる。"