ショットキーダイオードであって、半導体基板と、前記半導体基板の表面及びその表面より内側の所定範囲に形成される金属イオン注入層と、前記金属イオン注入層の表面に形成される金属層と、を有しており、前記半導体基板の前記金属イオン注入層以外の部分と前記金属イオン注入層とがショットキー接合している、ショットキーダイオード。ショットキーダイオードを製造する方法であって、半導体基板の表面及びその表面より内側の所定範囲に金属イオンを注入して金属イオン注入層を形成するとともに、前記半導体基板の前記金属イオン注入層以外の部分と前記金属イオン注入層とをショットキー接合させる金属イオン注入層形成工程と、前記金属イオン注入層の表面に金属層を形成する金属層形成工程と、を備えている、ショットキーダイオードの製造方法。特許文献1の技術でショットキーダイオードを製作する場合、スパッタリングによって電極を形成する際に、半導体基板の表面に意図しない原子例えばO、C等が付着していると、その付着原子が電極と半導体基板の間に巻き込まれてしまうことがある。その結果、特許文献1の技術でショットキーダイオードを量産する場合、半導体基板と電極とのショットキー接合界面に付着原子が介在することによって、製造されるショットキーダイオードの電気特性にばらつきが生じるおそれがある。本明細書では、製造されるショットキーダイオード間の電気特性のばらつきを抑制できる構造を有するショットキーダイオードとその製造方法を開示する。本明細書が開示するショットキーダイオードは、半導体基板と、半導体基板の表面及びその表面より内側の所定範囲に形成される金属イオン注入層と、金属イオン注入層の表面に形成される金属層と、を有している。半導体基板の金属イオン注入層以外の部分と金属イオン注入層とはショットキー接合している。上記のショットキーダイオードでは、半導体基板の表面及びその表面より内側の所定範囲に金属イオン注入層が形成されるとともに、半導体基板の金属イオン注入層以外の部分と金属イオン注入層とがショットキー接合している。即ち、上記のショットキーダイオードでは、ショットキー接合界面は、半導体基板の表面より内側に存在する。そのため、半導体基板の金属イオン注入層以外の部分と金属イオン注入層のショットキー接合界面に、半導体基板表面に付着する付着原子が巻き込まれることを抑制することができる。その結果、ショットキーダイオードを量産する場合であっても、製造されるショットキーダイオードの電気特性のばらつきを抑制することができる。本明細書は、新規なショットキーダイオードの製造方法をも開示する。本明細書が開示するショットキーダイオードの製造方法は、半導体基板の表面及びその表面より内側の所定範囲に金属イオンを注入して金属イオン注入層を形成するとともに、半導体基板の金属イオン注入層以外の部分と金属イオン注入層とをショットキー接合させる金属イオン注入層形成工程と、金属イオン注入層の表面に金属層を形成する金属層形成工程と、を備えている。上記の方法では、半導体基板の表面及びその表面より内側の所定範囲に金属イオンを注入して金属イオン注入層を形成する。金属イオンは、半導体基板の表面に付着している付着原子によって妨げられることなく、半導体基板の表面より内側に注入される。そのため、半導体基板の金属イオン注入層以外の部分と金属イオン注入層とのショットキー接合界面に付着原子が巻き込まれることを抑制することができる。上記の方法によると、ショットキーダイオードを量産する場合であっても、製造されるショットキーダイオードの電気特性のばらつきを抑制することができる。実施例図1に示す本実施例のショットキーダイオード10は、半導体基板12と、絶縁層20と、金属層22と、を備える。半導体基板12は、N型層14と、N型拡散層16と、金属イオン注入層18と、を備えるSi基板である。なお、半導体基板12の裏面すなわち、N型層14の裏面には、図示しない金属層裏面電極が形成されている。N型層14は、半導体基板12を形成する際の基材となるN型のSi基板のうち、N型拡散層16及び金属イオン注入層18以外の部分である。N型拡散層16は、半導体基板12にリンイオンを注入することによって、半導体基板12の表面及び表面より内側の所定範囲に形成されている。N型拡散層16は、N型層14の表面に形成されている。金属イオン注入層18は、N型拡散層16内に形成されている。金属イオン注入層18は、半導体基板12にAlイオンを注入することによって、半導体基板12の表面及び表面より内側の所定範囲に形成されている。金属イオン注入層18は、半導体基板12のうち、絶縁層20で被覆されていない範囲に形成されている。金属イオン注入層18とN型拡散層16とは、ショットキー接合している。絶縁層20は、SiO2で形成されている。絶縁層20は、半導体基板12の表面の一部の範囲に形成されている。絶縁層20は、半導体基板12の一部を被覆する。金属層22は、Alで形成されている。金属層22は、絶縁層20の表面の一部と、絶縁層20で被覆されていない範囲の半導体基板12の表面に形成されている。金属層22と金属イオン注入層18とは、オーミック接続している。次に、本実施例に係るショットキーダイオード10の製造方法について説明する。まず、図2に示すように、N型のSi基板である半導体基板12を用意し、その半導体基板12の表面にリンイオンを注入する。半導体基板12にリンイオンを注入した後、半導体基板12をアニールする。これにより、注入されたリンが拡散され、図3に示すように、半導体基板12の表面及び表面から内側の所定範囲に、N型拡散層16が形成される。これによって、半導体基板12のうち、N型拡散層16以外の部分がN型層14となる。次いで、図4に示すように、熱酸化法によって、半導体基板12の表面全面にSiO2の絶縁層20を形成する。なお、他の実施例では、熱酸化法に代えて、熱CVD法によって、SiO2の絶縁層20を形成してもよい。次いで、図5に示すように、絶縁層20の表面にフォトレジスト30を塗布し、パターニングする。これにより、フォトレジスト30に開口部32が形成される。絶縁層20のうち、開口部32によって露出した部分をエッチングによって除去すると、フォトレジスト30で覆われていない部分の絶縁層20が除去され、開口部34が形成される図6参照。開口部34が形成されることにより、半導体基板12N型拡散層16の表面の一部が露出する。次いで、図6に示すように、Alイオンをイオン注入する。Alイオンは、開口部34が形成されることによって露出した部分から、半導体基板12N型拡散層16内に注入される。本例では、Alイオンは、加速エネルギー10~100keV、ドーズ量2E16/cm3で注入する。加速エネルギーは、段階的に変化させることができる。これにより、Alのピーク深さを0.02μm~0.20μmの間で調整することができる。また、Alをイオン注入する際に半導体基板12を加熱すると、イオン注入による半導体基板12のダメージが軽減される。半導体基板12にAlをイオン注入した後、半導体基板12をアニールすることにより、図7に示すように、半導体基板12の表面及び表面より内側の所定範囲に、金属イオン注入層18が形成される。金属イオン注入層18は、半導体基板12N型拡散層16のうちAlイオンが注入された範囲、即ち、半導体基板12N型拡散層16のうち開口部34によって露出された範囲に形成されている。金属イオン注入層18とN型拡散層16との界面は、ショットキー接合する。次いで、Alをスパッタすることにより、図8に示すように、半導体基板12金属イオン注入層18の表面と、絶縁層20の表面に、Alの金属層22を形成する。他の実施例では、Alの金属層22は、Alを蒸着することによって形成してもよい。最後に、形成された金属層22を、所望の幅にパターニングすることにより、図1に示すショットキーダイオード10が完成する。パターニングは、ウェットエッチング又はドライエッチングによって行う。上記のAlイオンを注入する工程図6参照について、図9、図10を参照してさらに詳しく説明する。図9に示すように、Alイオン60を注入する対象であるN型拡散層16は、半導体原子40が多数配列された構造を有している。なお、N型拡散層16の表面には、意図しない付着原子例えばO、C等50が付着している。本実施例では、図9に示すように、このN型拡散層16にAlイオン60を注入する。すると、注入されるAlイオン60は、N型拡散層16の表面の付着原子50によって妨げられることなく、N型拡散層16内へと入り込む。その結果、図10に示すように、N型拡散層16の表面の付着原子50を巻き込むことなく、N型拡散層16内の所定領域にAlイオン60が注入される。その後アニールを行うことにより、金属イオン注入層18が形成される。この際、金属イオン注入層18とN型拡散層16とがショットキー接合する。本実施例では、Alイオン60を注入して金属イオン注入層18を形成することで、図10に示すように、半導体原子と金属原子とが混在する層である界面層の幅を小さくすることができる。即ち、N型拡散層16と金属イオン注入層18の間の界面層を安定化させることができる。本実施例の効果以上、実施例について詳しく説明した。上記の通り、本実施例の製造方法では、半導体基板12N型拡散層16の表面及びその表面より内側の所定範囲にAlイオンを注入して金属イオン注入層18を形成する。図9、図10に示すように、Alイオン60は、N型拡散層16の表面に付着している付着原子50を巻き込むことなく、N型拡散層16の表面より内側に注入される。そのため、N型拡散層16と金属イオン注入層18とのショットキー接合界面に付着原子50が介在することを抑制することができる。従って、本実施例の方法によると、ショットキーダイオード10を量産する場合であっても、製造されるショットキーダイオード10の電気特性のばらつきを抑制することができる。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、以下の変形例を採用してもよい。変形例1上記実施例では、N型拡散層16にAlイオンを注入することによって、金属イオン注入層18を形成している。これに代えて、例えば、Ti、Ni、Mo、W等の他の金属イオンを注入して金属イオン注入層18を形成してもよい。その場合、金属層22も、Alに代えて、Ti、Ni、Mo、W等の他の金属を用いて形成してもよい。変形例2上記実施例では、Si製の半導体基板12を用いる例について説明したが、半導体基板12は、SiC製やGaN製のものを用いてもよい。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。