"化学式CF3C≡CX但し、XはF、Cl、Br、I、CH3、CFH2、又はCF2Hを表す。で表される化合物を含むドライエッチング剤。Xが、F、Cl、又はBrである1-ハロゲノ-3,3,3-トリフルオロプロピンである、請求項1に記載のドライエッチング剤。CF3C≡CXの含有率が、5~100体積である請求項1又は請求項2に記載のドライエッチング剤。さらに、O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、及びYFn式中、YはCl、Br又はIを表す。nは整数を表し、1≦n≦5である。からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを含む、請求項1乃至請求項3の何れかに記載のエッチング剤。さらに、CF4、CHF3、CH2F2、CH3F、C2F6、C2F5H、C2F4H2、C3F8、C3F4H2、C3F5H、C3ClF3H、及びC4F8からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを含む、請求項1乃至請求項4の何れかに記載のドライエッチング剤。さらに、不活性ガスキャリアーとしてN2、He、Ar、Ne、及びKrからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを含む、請求項1乃至請求項5の何れかに記載のドライエッチング剤。請求項1乃至請求項6の何れかに記載のドライエッチング剤をプラズマ化して得られるプラズマガスを用いて、二酸化珪素、窒化珪素、及び炭化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングするドライエッチング方法。ACF3C≡CF、CF3C≡CCl、及びCF3C≡CBrからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、BO2、CO、H2、及びCOF2からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、Arを用い、A、B、及びArの体積流量比をそれぞれ5~95:3~50:2~92但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。とし、二酸化珪素、窒化珪素、及び炭化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングするドライエッチング方法。特許文献2の方法で使用しているハイドロフルオロエーテルは、PFC類やHFC類の代替物質として挙げることができる。しかしながら、分解物質に少なからず高GWPのPFCが含まれることから、今後、排出規制物質であるこれらの化合物を積極的に使用することは地球環境的にも好ましくなかった。また、特許文献3の方法は、例示された化合物がいずれも工業的に製造するのが非常に困難であった。エッチング性能については、プラズマエッチングの場合、例えばCF4のガスからFラジカルを作り、SiO2をエッチングすると等方性にエッチングされる。微細加工が要求されるドライエッチングにおいては、等方性よりも異方性エッチングに指向性をもつエッチング剤が好ましく、さらに地球環境負荷が小さく、かつ経済性の高いエッチング剤が望まれている。また、これまでのエッチングガスを用いる技術では特許文献5に記載のような複雑な工程や装置、限られた温度条件や基板、ガスへの振動付加等の操作が必要であり、プロセスウインドウが狭いという問題があった。本発明は、ガスの分子構造及びガス組成を最適化することにより、プロセスウインドウが広く、特殊な装置を使用することなく良好な加工形状が得られるドライエッチング剤、及びそれを用いたドライエッチング剤を用いたドライエッチング方法を提供することを目的とする。本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、ドライエッチングにおいて異方性エッチングに好適で、かつ地球環境への影響がより小さい代替物質を見出した。具体的には、第一のガスとして、フッ素化プロピン類であるCF3C≡CX但し、X=はF、Cl、Br、I、CH3、CFH2、又はCF2Hを表す。を用い、さらに、第一のガスに添加する第二のガスとして、O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、H2等のガス、もしくはハロゲンガスもしくはハロゲン化合物のガスを添加することを特徴とした混合ガス、また、第一ガスもしくは第一ガスと第二ガスの混合ガスに添加する第三のガスとして、N2、He、Ar、Ne、Xe、Kr等の不活性ガスを添加した混合ガスを用いることで、良好な加工形状が得られることを特徴とするドライエッチング剤を提供するものである。すなわち、本発明は、以下の[発明1]~[発明8]に記載の発明を提供する。[発明1]化学式CF3C≡CX但し、XはF、Cl、Br、I、CH3、CFH2、又はCF2Hを表す。で表される化合物を含むドライエッチング剤。[発明2]Xが、F、Cl、又はBrである1-ハロゲノ-3,3,3-トリフルオロプロピンである、発明1に記載のドライエッチング剤。[発明3]CF3C≡CXの含有率が、5~100体積である発明1又は発明2に記載のドライエッチング剤。[発明4]さらに、O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、及びYFn式中、YはCl、Br又はIを表す。nは整数を表し、1≦n≦5である。からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを含む、発明1乃至発明3の何れかに記載のエッチング剤。[発明5]さらに、CF4、CHF3、CH2F2、CH3F、C2F6、C2F5H、C2F4H2、C3F8、C3F4H2、C3F5H、C3ClF3H、及びC4F8からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを含む、発明1乃至発明4の何れかに記載のドライエッチング剤。[発明6]さらに、不活性ガスキャリアーとしてN2、He、Ar、Ne、及びKrからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを含む、発明1乃至発明5の何れかに記載のドライエッチング剤。[発明7]発明1乃至発明6の何れかに記載のドライエッチング剤をプラズマ化して得られるプラズマガスを用いて、二酸化珪素、窒化珪素、及び炭化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングするドライエッチング方法。[発明8]ACF3C≡CF、CF3C≡CCl、及びCF3C≡CBrからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、BO2、CO、H2、及びCOF2からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、Arを用い、A、B、及びArの体積流量比をそれぞれ5~95:3~50:2~92但し、各々のガスの体積流量比の合計は100である。とし、二酸化珪素、窒化珪素、及び炭化珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種のシリコン系材料を選択的にエッチングするドライエッチング方法。本発明におけるドライエッチング剤は、分子内に1個の不飽和の三重結合を有するため、大気中での分解性があり、地球温暖化への寄与もCF4やCF3H等のPFC類やHFC類より格段に低いことから、ドライエッチング剤とした場合、環境への負荷が軽いという効果を奏す。さらに、第二のガスとして、含酸素ガス、含ハロゲンガス、あるいは第三のガスとして不活性ガスと混合することにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしに高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。以下、本発明におけるドライエッチング剤について詳細に説明する。本発明において使用するドライエッチング剤は、化学式CF3C≡CXで表されるフッ素化プロピン類を含む。フッ素原子と炭素原子数の比FC比が1.34以下のものであれば特に限定されないが、具体的には、Xが、F、Cl、Br、I、CH3、CFH2、CF2H、CClH2、CBrH2、CCl2H、CBr2H、CClFH、CBrFH等の化合物が挙げられる。その中でも、Xが、F、Cl、又はBrの場合である3,3,3-トリフルオロプロピン類が特に好ましい。本発明においてドライエッチング剤として使用するフッ素化プロピン類は、分子内に不飽和の三重結合を有するため、大気中での分解性があり、地球温暖化への寄与も現在ドライエッチング剤として使用されているCF4やCF3H等のPFC類やHFC類より格段に低い。また、ClやBrを含む含フッ素プロピンのオゾン破壊係数は、それらの大気寿命が極めて短いため、無視できるほど低いと予想される。なお、本発明において用いる3,3,3-トリフルオロプロピン類は、例えば、特開2008-285471等の従来公知の方法で製造することができる。本発明に使用するフッ素化プロピン類は、三重結合を分子中に有し、この三重結合が単結合によりCF3基とつながっておりエッチング効率の高いCF3イオンが高頻度で発生し、一方、三重結合部分はポリマー化して堆積するという特徴をもつ。エッチング剤中の炭素原子が高分子化して被エッチング材の側壁の非選択的なエッチングを防御するためF/C比はできるだけ1に近づくよう、調整することが好ましい。本発明のフッ素化プロピン類は、分子中のF/C比が1.34よりも小さく、被エッチング材の側壁がポリマーの堆積により保護されるため、Fラジカルによる等方的エッチングを防止し、異方性エッチングを可能にする。さらに、Cl、BrやIを含む3,3,3-トリフルオロプロピン類では、灰化処理効果が期待できるため、側壁に堆積したフルオロカーボン膜を効率的に除去しながら異方性エッチングを行うことができる。また、エッチング終了後に、O2等の酸化性ガスを用いて灰化処理をすることもできる。また、本発明においてドライエッチング剤として使用するフッ素化プロピン類CF3C≡CXは、単独でも使用することができるが、他の1種又は2種以上の有機化合物又は無機化合物と混合して用いることができる。本発明のエッチング方法は、各種ドライエッチング条件下で実施可能であり、対象膜の物性、生産性、微細精度等によって、種々の添加剤を加えることが好ましい。本発明においてドライエッチング剤として使用する3,3,3-トリフルオロプロピン類は、5~100体積含むことが好ましい。また、3,3,3-トリフルオロプロピン類と添加ガスなお、ここで言う添加ガスとは、O2、F2等の酸化性ガス、又はH2、CO等の還元性ガスを示す。なお、本明細書で当該ガスを酸化性ガス、含酸素ガス、含ハロゲンガス、還元性ガスと言うことがある。との混合物を使用する場合、3,3,3-トリフルオロプロピン類を5体積程度以上、添加ガス成分の少なくとも1種を95体積程度以下で使用することが好ましい。さらに、3,3,3-トリフルオロプロピン類を20~90体積程度、添加ガスの少なくとも1種を10~80体積程度にすることが特に好ましい。生産性を上げるために、エッチング速度を上げたい時は、酸化性のガスの添加が好ましい。具体的には、O2、O3、CO2、COCl2、COF2、等の含酸素ガス、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、YFnY=Cl、Br、I、1≦n≦5等のハロゲンガスが例示される。これらのうち、O2、COF2、F2、NF3、Cl2が特に好ましい。なお、当該ガスについては、1種類、もしくは2種類以上を混合して添加することもできる。酸化性ガスの添加量は出力等の装置の形状、性能や対象膜特性に依存するが、通常、流量の1/20から30倍である。好ましくは、3,3,3-トリフルオロプロピン類の流量の1/10から10倍が好ましい。もし、これ以上添加した場合は、フッ素化プロピン類の優れた異方性エッチング性能が損なわれることがある。特に、酸素を添加すると選択的に金属のエッチングレートを加速することが可能となる。すなわち、酸化物に対する金属のエッチング速度の選択比を著しく向上でき、金属の選択エッチングが可能となる。なお、本願発明のエッチング剤は、所望により、酸化性ガスと同時に、N2、He、Ar、Ne、Kr等の不活性ガスを添加することが可能である。これらの不活性ガスは希釈剤としても使用可能であるが、特にArは3,3,3-トリフルオロプロピン類との相乗効果によって、より高いエッチングレートが得られる。不活性ガスの添加量は出力、排気量等の装置の形状、性能や対象膜特性に依存するが、3,3,3-トリフルオロプロピン類の流量の1/10から30倍が好ましい。等方的なエッチングを促進するFラジカル量の低減を所望するときは、CH4、C2H2,C2H4,C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、CO、NO、NH3、H2に例示される還元性ガスの添加が有効である。還元性ガスの添加量は、フッ素化プロピン類:還元性ガスモル比=10:1~1:5、好ましくは5:1~1:1である。添加量が多すぎる場合には、エッチングに働くFラジカルが著しく減量し、生産性が低下することがある。前述の還元性ガスのうち、特に、H2、C2H2を添加するとSiO2のエッチング速度は変化しないのに対してSiのエッチング速度は低下し、選択性が高くなることから、その結果、下地の珪素に対してSiO2を選択的にエッチングすることが可能となる。なお、トリフルオロプロピン等のフッ素化プロピンだけでも十分な効果はあるが、異方性エッチングを更に高めることができるよう、CF4、CHF3、CH2F2、CH3F、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F4H2、C3F5H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8、C5F10等のガスを加えることができる。これらのガスの添加量はフッ素化プロピン類に対し10倍以下が好ましい。10倍以上ではフッ素化プロピン類の優れたエッチング性能が損なわれる。本発明において使用するフッ素化プロピン類CF3C≡CXと添加ガスとを混合する場合の、好ましいエッチングガス及びその体積を以下に示す。なお、各ガスの体積の合計は100である。例えばCF3C≡CXCF3C≡CF、CF3C≡CCl、CF3C≡CBr:酸化性ガス又は還元性ガスO2、CO、COF2、F2、Cl2、H2等の場合には、体積は5~95:5~95とすることが好ましく、さらに、20~80:20~80とすることが特に好ましい。また、CF3C≡CXCF3C≡CF、CF3C≡CCl、CF3C≡CBr:酸化性ガス又は還元性ガスO2、CO、COF2、F2、Cl2、H2等:不活性ガスAr等の場合には、体積流量比率は5~95:3~50:2~92:とすることが好ましく、さらに、10~80:10~40:10~80とすることが特に好ましい。次に、本願発明におけるドライエッチング剤を用いたエッチング方法について説明する。本発明のドライエッチング剤は、各種の被加工物に適用可能であり、珪素ウエハ、金属板、硝子、単結晶、多結晶等の基板上に重層した、B、P、W、Si、Ti、V、Nb、Ta、Se、Te、Mo、Re、Os、Ru、Ir、Sb、Ge、Au、Ag、As、Cr及びその化合物、具体的には、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、オキシフッ化物、シリサイド及びこれらの合金のエッチング等各種の被加工物に適用可能である。特に、半導体材料に対して有効に適用でき、半導体材料として、特に珪素、二酸化珪素、窒化珪素、炭化珪素、酸化フッ化珪素又は炭化酸化珪素の珪素系材料、タングステン、レニウム、それらのシリサイド、チタンあるいは窒化チタン、ルテニウムあるいはルテニウムシリサイド、ルテニウムナイトライド、タンタル、タンタルオキサイド、オキシタンタルフルオリド、ハフニウム、ハフニウムオキサイド、オキシハフニウムシリサイド、ハフニウムジルコニムオキサイドを挙げることができる。また、本発明のドライエッチング剤を用いたエッチング方法は、反応性イオンエッチングRIE、電子サイクロトロン共鳴ECRプラズマエッチング、マイクロ波エッチング等のエッチング手法や反応条件は特に限定せず用いることができる。本発明で用いるエッチング方法は、エッチング処理装置内で対象とするプロペン類のプラズマを発生させ、装置内にある対象の被加工物の所定部位に対してエッチングすることにより行う。例えば半導体の製造において、珪素ウェハ上に珪素系酸化物膜または窒化珪素膜等を成膜し、特定の開口部を設けたレジストを上部に塗布し、珪素系酸化物または窒化珪素膜を除去するようにレジスト開口部をエッチングする。エッチングを行う際、圧力は異方性エッチングを行うために、ガス圧力は0.133~133Paの圧力で行うことが好ましい。0.133Paより低い圧力ではエッチング速度が遅くなり、一方、133Paを超える圧力ではレジスト選択比が損なわれることがある。エッチングを行う際のCF3C≡CX、及び、含酸素ガス又は含ハロゲンガスO2、CO、COF2、F2、Cl2等:不活性ガスAr等、それぞれの体積流量比率は、前述した体積と同じ比率でもってエッチングを行うことができる。使用するガス流量は、エッチング装置の反応器容量、ウエハーサイズにもよるが、10SCCM~10000SCCMの間の流量が好ましい。また、エッチングする温度は300°C以下が好ましく、特に異方性エッチングを行うためには240°C以下とすることが望ましい。300°Cを超える高温では等方的にエッチングが進行する傾向が強まり、必要とする加工精度が得られないこと、また、レジストが著しくエッチングされるために好ましくない。エッチング処理を行う反応時間は、特に限定はされないが、概ね5分~30分程度である。しかしながらエッチング処理後の経過に依存する為、当業者がエッチングの状況を観察しながら適宜調整するのが良い。水素又は水素含有化合物ガスと混合して使用することや圧力、流量、温度等を適性化することにより、例えばコンタクトホールの加工時の珪素と珪素酸化膜とのエッチング速度の選択性を向上させたりすることができる。以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。本発明のドライエッチング剤をコンタクトホール加工に適用し、層間絶縁膜SiO2をエッチングした例を[実施例1]~[実施例18]に、層間絶縁膜窒化珪素をエッチングした例を[実施例19]~[実施例20]に示す。また、比較例としてパーフルオロカーボンCF4、及びトリフルオロプロピンCF3C≡CHを使用した場合を[比較例1]~[比較例5]として示す。また、本実施例に用いる実験装置の概略図を図1に示す。チャンバー1上部に取り付けたサファイア管7内で、高周波電源313.56MHz、2.2W/cm2を用いて第1ガス導入口4、第2ガス導入口5、又は第3ガス導入口6より導入されたガスを励起させ生成した活性種を、試料ホルダ10に設置した試料11に供給し、チャンバーのガス圧を1.33Paに設定し、基板温度を200°Cとしエッチングを行った。試料11としては、単結晶珪素ウエハ上にSiO2層間絶縁膜が形成し、さらに該SiO2のエッチングマスクとして開口部を設けたレジストマスクを形成したものを用いた。エッチングを行い、レジスト開口部周辺の加工形状、SiO2エッチング速度の対レジスト比の測定を実施した。その結果を表1に示す。[実施例1]~[実施例3]及び、[実施例17]~[実施例19]より、本発明におけるドライエッチング剤は単独で使用する場合においても、[比較例1]~[比較例5]と比較して、エッチング速度、対レジスト選択比、アスペクト比がともに大きく、良好なコンタクトホール加工形状が得られている。[実施例7]~[実施例11]、[実施例13]、[実施例16]及び[実施例20]より、酸化性の添加ガスを加えることによって、[実施例1]~[実施例3]及び[実施例17]~[実施例19]の単独の場合に比べて、対レジスト選択比は若干劣る場合があるものの、エッチング速度を大幅に増大させることができ、良好なコンタクトホール加工形状が得られている。実施例12より、第2ガスとしてCOを、第3ガスとしてArを添加することにより、エッチング速度、対レジスト選択比、アスペクト比がともに大きく、良好なコンタクトホール加工形状が得られている。また、実施例16より、H2を加えることによって良好な対レジスト選択比が得られている。[実施例14]、[実施例15]より、CF4、CH3Fの添加ガスを加えることによっても実用上十分に使用可能なエッチング速度、対レジスト選択比、アスペクト比であり、良好なコンタクトホール加工形状が得られている。"