"基板と、前記基板の上方に形成された機能素子と、前記基板の上方に形成され、前記機能素子が配置された空洞部を画成する包囲壁と、前記基板の上方であって、平面視において前記包囲壁の周囲に形成された層間絶縁層と、を含み、前記包囲壁は、平面視において前記機能素子の周囲に形成された第1包囲層を有し、前記第1包囲層の側面は、前記基板の上面に対して傾斜し、前記層間絶縁層は、前記第1包囲層の側面を覆っている、電子装置。請求項1において、前記包囲壁は、前記第1包囲層の上方であって、平面視において前記機能素子の周囲に形成された第2包囲層を有し、前記第2包囲層の側面は、前記基板の上面に対して傾斜している、電子装置。請求項1または2において、前記第1包囲層は、第1部分と、前記第1部分の上方に形成され、前記第1部分の幅よりも大きい幅を有する第2部分と、を有し、前記基板の上面に対して傾斜している前記第1包囲層の側面は、前記第2部分の側面である、電子装置。基板の上方に機能素子を形成する工程と、前記基板の上方であって、前記機能素子の周囲に第1包囲層を形成する工程と、前記機能素子および前記第1包囲層を覆うように、層間絶縁層を形成する工程と、前記機能素子の上方の前記層間絶縁層を除去して、前記機能素子を露出する工程と、を含み、前記第1包囲層を形成する工程では、前記第1包囲層の側面を、前記基板の上面に対して傾斜するように形成する、電子装置の製造方法。請求項4において、前記第1包囲層を形成する工程では、ウェットエッチングによって前記第1包囲層を形成する、電子装置の製造方法。請求項4または5において、前記機能素子を露出する工程の前に、前記第1包囲層が露出するように、前記層間絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホール内および前記層間絶縁層の上方に、第2包囲層を形成する工程と、を、さらに含み、前記第2包囲層を形成する工程では、前記第2包囲層の側面を、前記基板の上面に対して傾斜するように形成する、電子装置の製造方法。請求項4ないし6のいずれか1項において、前記機能素子を露出する工程の前に、前記層間絶縁層上にSOG層を形成する工程と、前記層間絶縁層が露出するように、前記SOG層をエッチングする工程と、を、さらに含む、電子装置の製造方法。請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電子装置と、前記電子装置の前記機能素子と電気的に接続された回路部と、を含む、発振器。機能素子の周囲に形成された包囲壁には、機能素子に接続された配線を通すための開口部が形成され、開口部内には例えば酸化シリコン層層間絶縁層が形成されている。しかしながら、機能素子を露出させるリリース工程において、開口部内の層間絶縁層がエッチングされ、包囲壁の外側にまで空洞部が形成されることがある。これにより、空洞部内に、表面を平坦化するために用いたSOGspinonglass層が露出することがある。SOG層は有機物を含んでいるため、SOG層からガスが発生し、空洞部内の真空度が低下してしまうことがある。本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、空洞部の真空度が低下することを抑制できる電子装置を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、空洞部の真空度が低下することを抑制できる電子装置の製造方法を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、上記の電子装置を有する発振器を提供することにある。本発明に係る電子装置は、基板と、前記基板の上方に形成された機能素子と、前記基板の上方に形成され、前記機能素子が配置された空洞部を画成する包囲壁と、前記基板の上方であって、平面視において前記包囲壁の周囲に形成された層間絶縁層と、を含み、前記包囲壁は、平面視において前記機能素子の周囲に形成された第1包囲層を有し、前記第1包囲層の側面は、前記基板の上面に対して傾斜し、前記層間絶縁層は、前記第1包囲層の側面を覆っている。このような電子装置によれば、包囲壁の周囲に形成される層間絶縁層は、第1包囲層の側面の形状が転写されることにより、傾斜面を有することができる。傾斜面は、基板の上面に対して傾斜しているため、傾斜面に設けられるSOG層の量を少なくすることができる詳細は後述。そのため、空洞部内にSOG層が露出していても、SOG層から発生するガスの量を少なくすることができる。これにより、このような電子装置では、空洞部内の真空度が低下することを抑制できる。なお、本発明に係る記載では、上方という文言を、例えば、特定のもの以下、Aというの上方に他の特定のもの以下、Bというを形成するなどと用いる場合に、A上に直接Bを形成するような場合と、A上に他のものを介してBを形成するような場合とが含まれるものとして、上方という文言を用いている。本発明に係る電子装置において、前記包囲壁は、前記第1包囲層の上方であって、平面視において前記機能素子の周囲に形成された第2包囲層を有し、前記第2包囲層の側面は、前記基板の上面に対して傾斜していてもよい。このような電子装置によれば、よりいっそう空洞部内の真空度が低下することを抑制できる。本発明に係る電子装置において、前記第1包囲層は、第1部分と、前記第1部分の上方に形成され、前記第1部分の幅よりも広い幅を有する第2部分と、を有し、前記基板の上面に対して傾斜している前記第1包囲層の側面は、前記第2部分の側面であってもよい。このような電子装置によれば、空洞部内の真空度が低下することを抑制できる。本発明に係る電子装置の製造方法は、基板の上方に機能素子を形成する工程と、前記基板の上方であって、前記機能素子の周囲に第1包囲層を形成する工程と、前記機能素子および前記第1包囲層を覆うように、層間絶縁層を形成する工程と、前記機能素子の上方の前記層間絶縁層を除去して、前記機能素子を露出する工程と、を含み、前記第1包囲層を形成する工程では、前記第1包囲層の側面を、前記基板の上面に対して傾斜するように形成する。このような電子装置の製造方法によれば、層間絶縁層は、第1包囲層の側面の形状が転写されることにより、傾斜面を有することができる。傾斜面は、基板の上面に対して傾斜しているため、傾斜面に設けられるSOG層の量を少なくすることができる。そのため、空洞部内にSOG層が露出していても、SOG層から発生するガスの量を少なくすることができる。これにより、このような電子装置の製造方法によれば、空洞部内の真空度が低下することを抑制できる電子装置を形成することができる。本発明に係る電子装置の製造方法において、前記第1包囲層を形成する工程では、ウェットエッチングによって前記第1包囲層を形成してもよい。このような電子装置の製造方法によれば、第1包囲層の側面を、基板の上面に対して傾斜させることができる。本発明に係る電子装置の製造方法において、前記機能素子を露出する工程の前に、前記第1包囲層が露出するように、前記層間絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホール内および前記層間絶縁層の上方に、第2包囲層を形成する工程と、を、さらに含み、前記第2包囲層を形成する工程では、前記第2包囲層の側面を、前記基板の上面に対して傾斜するように形成してもよい。このような電子装置の製造方法によれば、よりいっそう空洞部1内の真空度が低下することを抑制できる電子装置を形成することができる。本発明に係る電子装置の製造方法において、前記機能素子を露出する工程の前に、前記層間絶縁層上にSOG層を形成する工程と、前記層間絶縁層が露出するように、前記SOG層をエッチングする工程と、を、さらに含んでもよい。このような電子装置の製造方法によれば、例えば、金属層をSOG層上に形成することができ、層間絶縁層の段差によって金属層が断線することを抑制できる。本発明に係る発振器は、本発明に係る電子装置と、前記電子装置の前記機能素子と電気的に接続された回路部と、を含む。このような発振器によれば、本発明に係る電子装置を含んでいるので、高い動作精度を有することができる。以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。1.電子装置まず、本実施形態に係る電子装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る電子装置100を模式的に示す平面図である。図2は、本実施形態に係る電子装置100を模式的に示す図1のII-II線断面図である。図3は、本実施形態に係る電子装置100を模式的に示す図1のIII-III線断面図である。図4は、本実施形態に係る電子装置100を模式的に示す図1のIV-IV線断面図である。なお、便宜上、図1~図4では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、Z軸を図示している。電子装置100は、図1~図4に示すように、基板10と、機能素子20と、包囲壁30と、を含む。さらに、電子装置100は、第1配線層26と、第2配線層28と、第1被覆層50と、第2被覆層54と、層間絶縁層60,62,64と、パッシベーション層70と、を含むことができる。なお、便宜上、図1では、被覆層50,54およびパッシベーション層70の図示を省略している。基板10は、支持基板12と、第1絶縁層14と、第2絶縁層16と、を有することができる。支持基板12としては、例えば、シリコン基板等の半導体基板を用いる。支持基板12として、セラミックス基板、ガラス基板、サファイア基板、ダイヤモンド基板、合成樹脂基板などの各種の基板を用いてもよい。第1絶縁層14は、支持基板12上に形成されている。第1絶縁層14としては、例えば、LOCOSlocaloxidationofsilicon絶縁層、セミリセスLOCOS絶縁層、トレンチ絶縁層を用いる。第1絶縁層14は、機能素子20と、他の素子例えばトランジスター、図示せずと、を電気的に分離することができる。第2絶縁層16は、第1絶縁層14上に形成されている。第2絶縁層16としては、例えば、窒化シリコン層を用いる。第2絶縁層16は、空洞部1を形成するリリース工程において、エッチングストッパー層として機能することができる。機能素子20は、基板10上に形成され、空洞部1に収容されている。機能素子20は、例えば、片持ち梁型のMEMS振動子である。図示の例では、機能素子20は、基板10上に形成された第1電極22と、第1電極22と間隔を空けて形成された第2電極24と、を有している。第1電極22および第2電極24の平面形状は、特に限定されないが、図1に示す例では、長方形である。第2電極24は、基板10上に形成された支持部24aと、支持部24aから延出し第1電極22に対向して配置された梁部24bと、を有することできる。第1電極22および第2電極24の材質としては、例えば、所定の不純物例えばボロンをドーピングすることにより導電性が付与された多結晶シリコンが挙げられる。機能素子20では、第1電極22および第2電極24の間に電圧交番電圧が印加されると、梁部24bは、電極22,24間に発生する静電力により、基板10の厚み方向Z軸方向に振動することができる。これにより、例えば、第1電極22から所定の周波数梁部24bの固有振動数に応じた周波数の信号出力信号を出力することができる。なお、機能素子20は、図示の例に限定されず、例えば、梁部の両端部が固定された両持ち梁型の振動子でもよい。また、機能素子20は、第2電極が、支持部と、支持部から互い反対方向に延出する第1梁部および第2梁部と、を有し、第1梁部および第2梁部の各々に対向して、第1電極が形成された振動子であってもよい。また、機能素子20は、例えば、振動子以外の、水晶振動子、SAW弾性表面波素子、加速度センサー、ジャイロスコープ、マイクロアクチュエーターなどの各種の機能素子であってもよい。このように、電子装置100は、空洞部1に収容されうる任意の機能素子を備えることができる。第1配線層26は、基板10上に形成され、第1電極22に接続されている。第1配線層26は、例えば、第1電極22と一体的に形成されている。第2配線層28は、基板10上に形成され、第2電極24の支持部24aに接続されている。第2配線層28は、例えば、第2電極24と一体的に形成されている。第1配線層26および第2配線層28の材質としては、例えば、所定の不純物例えばボロンをドーピングすることにより導電性が付与された多結晶シリコンが挙げられる。配線層26,28は、電源部図示せずと電気的に接続され、配線層26,28を介して、電極22,24間に電圧を印加することができる。包囲壁30は、機能素子20が配置された空洞部1を画成している。包囲壁30は、基板10上であって、空洞部1の周囲に形成されている。包囲壁30は、図1に示すように、基板10の厚み方向からの平面視において以下、単に平面視においてともいう、機能素子20を囲む平面形状を有している。包囲壁30は、導電層40と、第1包囲層42と、第2包囲層44と、第3包囲層46と、を有することができる。導電層40は、平面視において機能素子20の周囲に形成されている。導電層40の材質としては、例えば、所定の不純物例えばボロンをドーピングすることにより導電性が付与された多結晶シリコンが挙げられる。第1包囲層42は、導電層40上であって、平面視において機能素子20の周囲に形成されている。第1包囲層42および導電層40には、第1開口部35および第2開口部36が形成されている。開口部35,36によって、例えば、導電層40は2つに分離され、第1包囲層42には凹部が設けられる。図示の例では、開口部35,36は、包囲壁30をX軸方向に貫通している。第1開口部35は、平面視において、第1配線層26と重なる位置に形成されている。第1配線層26は、第1開口部35を通って、包囲壁30の内側から外側まで延在している。第2開口部35は、平面視において、第2配線層28と重なる位置に形成されている。第2配線層28は、第2開口部36を通って、包囲壁30の内側から外側まで延在している。第1包囲層42の側面43は、基板10の上面11に対して傾斜している。すなわち、側面43は、上面11の垂線P図2参照に対して傾斜している。側面43と垂線Pとがなす角度θは、例えば、40°以上80°以下である。図示の例では、側面43は、第1包囲層42の上面第2包囲層44と接する面に対しても傾斜している。図2および図4に示すように、第1包囲層42の内側の側面43空洞部1側の側面は、空洞部1を画成している。第1包囲層42の外側の側面43空洞部1側の側面と反対側の側面は、層間絶縁層62に覆われている。側面43は、上方Z軸方向に向かうに従って、第1包囲層42の幅例えばX軸方向の大きさ、内側の側面43と外側の側面43との間隔が小さくなるテーパー形状である。側面43は、平坦な面であっても曲面であってもよいが、図示の例では、平坦な面である。ここで、第1包囲層42の側面43とは、第1包囲層42を形成するためのパターニング工程において図8参照、形成される露出される面のことである。第1包囲層42は、図4に示すように、第1部分42aと、第1部分42a上に形成された第2部分42bと、を有することができる。第1部分42aは、第1包囲層42の、コンタクトホール61図7参照内に設けられた部分である。第2部分42bは、第1部分42aの幅よりも大きい幅を有している。第1部分42aの幅、および第2部分42bの幅とは、例えば、X軸方向の大きさのことであり、X軸方向の最大値であってもよい。第1包囲層42の側面43は、第2部分42bの側面であることができる。第2包囲層44は、第1包囲層42上であって、平面視において機能素子20の周囲に形成されている。第2包囲層44の側面45は、基板10の上面11に対して傾斜している。すなわち、側面45は、上面11の垂線Pに対して傾斜している。側面45と垂線Pとがなす角度は、例えば、40°以上80°以下である。図示の例では、側面45は、第2包囲層44の上面第3包囲層46と接する面に対しても傾斜している。図2および図4に示すように、第2包囲層44の内側の側面45空洞部1側の側面は、空洞部1を画成している。第2包囲層44の外側の側面45空洞部1側の側面と反対側の側面は、層間絶縁層64に覆われている。側面45は、上方Z軸方向に向かうに従って、第2包囲層44の幅例えばX軸方向の大きさ、内側の側面45と外側の側面45との間隔が小さくなるテーパー形状である。側面45は、平坦な面であっても曲面であってもよいが、図示の例では、平坦な面である。ここで、第2包囲層44の側面45とは、第2包囲層44を形成するためのパターニング工程において図12参照、形成される露出される面のことである。第2包囲層44は、図4に示すように、第3部分44aと、第3部分44a上に形成された第4部分44bと、を有することができる。第3部分44aは、第2包囲層44の、コンタクトホール63図11参照内に設けられた部分である。第4部分44bは、第3部分44aの幅よりも大きい幅を有している。第3部分44aの幅、および第4部分44bの幅とは、例えば、X軸方向の大きさのことであり、X軸方向の最大値であってもよい。第2包囲層44の側面45は、第4部分44bの側面であることができる。第3包囲層46は、第2包囲層44上であって、平面視において機能素子20の周囲に形成されている。図示の例では、第3包囲層46の側面47は、基板10の上面11に対して傾斜しておらず、上面11の垂線Pに対して平行である。なお、図示はしないが、側面47は、上面11に対して傾斜していてもよい。ここで、第3包囲層46の側面47とは、第3包囲層46を形成するためのパターニング工程において図16参照、形成される露出される面のことである。包囲層42,44,46としては、例えば、アルミニウム層、チタン層、または、アルミニウム層およびチタン層の積層体を用いることができる。包囲層42,44,46の各々の厚み平坦な面に形成された包囲層42,44,46の各々のZ軸方向の大きさは、例えば、0.4μm以上1.0μm以下である。なお、図示の例では、包囲壁30は、3つの包囲層42,44,46を有しているが、包囲層の数は、特に限定されない。また、包囲壁30は、導電層40を有していなくてもよい。層間絶縁層60は、基板10上および配線層26,28上であって、包囲壁30の周囲に形成されている。層間絶縁層62は、層間絶縁層60上であって、包囲壁30の周囲に形成されている。層間絶縁層62は、第1包囲層42の側面43外側の側面43の形状が転写されることにより、傾斜面66を有することができる。傾斜面66は、基板10の上面11に対して傾斜している。図2および図4に示すように、傾斜面66の少なくとも一部には、SOG層90が形成されていてもよい。層間絶縁層64は、層間絶縁層62上であって、包囲壁30の周囲に形成されている。層間絶縁層64は、第2包囲層44の側面45外側の側面45の形状が転写されることにより、傾斜面67を有することができる。傾斜面67は、基板10の上面11に対して傾斜している。図2および図4に示すように、傾斜面67の少なくとも一部には、SOG層92が形成されていてもよい。層間絶縁層60,62,64としては、例えば、酸化シリコン層を用いる。層間絶縁層60,62,64の各々の厚み平坦な面に形成された層間絶縁層60,62,64の各々のZ軸方向の大きさは、例えば、0.6μm以上2.0μm以下である。図示の例では、電子装置100は、3層の層間絶縁層60,62,64を有しているが、層間絶縁層の数は、特に限定されず、例えば包囲壁30の包囲層の数に応じて、適宜変更することができる。第1被覆層50は、空洞部1を上方から覆って形成されている。第1被覆層50は、例えば、第3包囲層46と一体的に形成され、第3包囲層46と同じ材質から構成されている。第1被覆層50には、空洞部1に連通する貫通孔52が形成されている。貫通孔52は、第1被覆層50をZ軸方向に貫通している。貫通孔52の数は、特に限定されない。第2被覆層54は、第1被覆層50上に形成されている。第2被覆層54は、貫通孔52を塞いでいる。第2被覆層54としては、例えば、アルミニウム層、チタン層、または、アルミニウム層およびチタン層の積層体を用いることができる。第1被覆層50および第2被覆層54は、空洞部1を上方から覆って、空洞部1を封止する封止部材として機能することができる。空洞部1は、例えば、基板10、包囲壁30、層間絶縁層60,62、および被覆層50,54によって画成されている。空洞部1内は、減圧状態に保たれ、これにより機能素子20の動作精度の向上を図ることができる。空洞部1は、包囲壁30の外側まで延出した延出部3を有している。延出部3では、例えば、SOG層90が露出している。なお、包囲壁30および被覆層50,54には、一定の電位例えば接地電位が与えられることが望ましい。これにより、包囲壁30および被覆層50,54を、電磁シールドとして機能させることができる。そのため、機能素子20を、外部と電気的に遮蔽することができる。これにより、機能素子20は、より安定した特性を有することができる。パッシベーション層70は、第2被覆層54が形成されている領域を避けて、層間絶縁層64上および第3包囲層46上に形成されている。パッシベーション層70としては、例えば、窒化シリコン層を用いる。なお、図2に示すように、第1配線層26と層間絶縁層60との間に、犠牲層80が形成されていてもよい。本実施形態に係る電子装置100は、例えば、以下の特徴を有する。電子装置100によれば、第1包囲層42の側面43外側の側面43は、基板10の上面11に対して傾斜し、層間絶縁層62は、側面43を覆っている。そのため、層間絶縁層62は、側面43の形状が転写されることにより、傾斜面66を有することができる。傾斜面66は、基板10の上面11に対して傾斜しているため、傾斜面66に設けられるSOG層90の量を少なくすることができる詳細は後述。そのため、空洞部1内にSOG層90が露出していても、SOG層90から発生するガスの量を少なくすることができる。これにより、電子装置100では、空洞部1内の真空度が低下することを抑制できる。電子装置100によれば、第2包囲層44の側面45外側の側面45は、基板10の上面11に対して傾斜している。そのため、層間絶縁層64は、側面45の形状が転写されることにより、傾斜面67を有することができる。傾斜面67は、基板10の上面11に対して傾斜しているため、傾斜面67に設けられるSOG層92の量を少なくすることができる。そのため、仮に空洞部1内にSOG層92が露出していても図示せず、SOG層92から発生するガスの量を少なくすることができる。これにより、電子装置100では、よりいっそう空洞部1内の真空度が低下することを抑制できる。2.電子装置の製造方法次に、本実施形態に係る電子装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図5~図16は、本実施形態に係る電子装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図5,6および図8~図16では、図2に対応する断面図を示している。また、図7では、図中のaに図2に対応する断面図を示し、図中のbに図3に対応する断面図を示し、図中のcに図4に対応する断面図を示している。図5に示すように、支持基板12上に、第1絶縁層14および第2絶縁層16をこの順で形成して、基板10を得る。第1絶縁層14は、例えば、LOCOS法、STIshallowtrenchisolation法により形成される。第2絶縁層16は、例えば、CVDchemicalvapordeposition法、スパッタ法により形成される。図6に示すように、基板10上に、第1電極22、および第1電極22に接続された第1配線層26を形成する。第1電極22および第1配線層26は、一体的に形成されることができる。より具体的には、第1電極22および第1配線層26は、CVD法やスパッタ法などによって成膜された後、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によってパターニングされることにより形成される。第1電極22および第1配線層30が多結晶シリコンからなる場合は、導電性を付与するために所定の不純物をドーピングする。次に、例えば熱酸化処理を行うことにより、第1電極22および第1配線層26を覆うように犠牲層80を形成する。次に、犠牲層80上および基板10上に第2電極24を形成し、さらに、基板10上に第2電極24に接続された第2配線層28を形成する。第2電極24および第2配線層28は、一体的に形成されることができる。第2電極24および第2配線層28は、例えば、第1電極22および第1配線層26と同様の成膜処理およびパターニング処理により形成される。第2電極24および第2配線層28が多結晶シリコンからなる場合、導電性を付与するために所定の不純物をドーピングする。以上の工程により、機能素子20を形成することができる。第2電極24および第2配線層28を形成する工程において、導電層40図3および図4参照を形成することができる。なお、導電層40は、第1電極22および第1配線層26を形成する工程において、形成されてもよい。図7に示すように、第2電極24、第2配線28、導電層40、および犠牲層80を覆うように、基板10の上方に層間絶縁層60を成膜する。層間絶縁層60は、例えば、CVD法や塗布スピンコート法によって形成される。次に、導電層40が露出するように層間絶縁層60をパターニングして、コンタクトホール61を形成する。パターニングは、配線層26,28を露出しないように行われる。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって行われる。次に、コンタクトホール61内および層間絶縁層60上に、金属層42cを成膜する。上述のように、配線層26,28上にはコンタクトホールが形成されていないため、配線層26,28直上には金属層42cが形成されない。これにより、金属層42cは、凹部が形成された形状となり、開口部35,36が形成される。金属層42cは、例えば、スパッタ法、めっき法によって成膜される。図8に示すように、金属層42cをパターニングして、側面43を形成露出し第1包囲層42を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって行われる。第1包囲層42を形成するためのエッチングは、例えばエッチング液として、リン酸と硝酸と酢酸との三種類の酸の混酸を用いたウェットエッチングによって行われる。これにより、第1包囲層42の側面43を、基板10の上面11に対して傾斜させることができる。次に、第1包囲層42を覆うように、層間絶縁層60の上方に層間絶縁層62を成膜する。層間絶縁層62は、例えば、CVD法や塗布スピンコート法によって形成される。層間絶縁層62には、第1包囲層42の側面43の形状が転写され、傾斜面66が設けられる。図9に示すように、層間絶縁層62上にSOG層90を成膜する。SOG層90は、例えば、塗布スピンコート法によって形成される。図10に示すように、SOG層90をエッチングして、層間絶縁層62を露出させる。本エッチング工程は、例えば、層間絶縁層62の傾斜面66に、SOG層90が残留するように行われる。SOG層90によって、表面の平坦性を高めることができる。なお、SOG層90をエッチングする前に、350°C以上450°C以下のベーク処理熱処理を行ってもよい。図11に示すように、第1包囲層42が露出するように、層間絶縁層62をパターニングして、コンタクトホール63を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって行われる。次に、コンタクトホール63内、層間絶縁層62上、およびSOG層90上に、金属層44cを成膜する。金属層44cは、例えば、スパッタ法、めっき法によって成膜される。図12に示すように、金属層44cをパターニングして、側面45を形成露出し第2包囲層44を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって行われる。第2包囲層44を形成するためのエッチングは、例えばエッチング液として、リン酸と硝酸と酢酸との三種類の酸の混酸を用いたウェットエッチングによって行われる。これにより、第2包囲層44の側面45を、基板10の上面11に対して傾斜させることができる。次に、第2包囲層44を覆うように、層間絶縁層62上に層間絶縁層64を成膜する。層間絶縁層64は、例えば、CVD法や塗布スピンコート法によって形成される。層間絶縁層64には、第2包囲層44の側面45の形状が転写され、傾斜面67が設けられる。図13に示すように、層間絶縁層64上にSOG層92を成膜する。SOG層92は、例えば、塗布スピンコート法によって形成される。図14に示すように、SOG層92をエッチングして、層間絶縁層64を露出させる。本エッチング工程は、例えば、層間絶縁層64の傾斜面67に、SOG層92が残留するように行われる。SOG層92によって、表面の平坦性を高めることができる。なお、SOG層92をエッチングする前に、350°C以上450°C以下のベーク処理熱処理を行ってもよい。図15に示すように、第2包囲層44が露出するように、層間絶縁層64をパターニングして、コンタクトホール65を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって行われる。次に、コンタクトホール65内、層間絶縁層64上、およびSOG層92上に、金属層46aを成膜する。金属層46aは、例えば、スパッタ法、めっき法によって成膜される。図16に示すように、金属層44cをパターニングして、側面47を形成露出し第3包囲層46を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって行われる。本パターニング工程により、層間絶縁層64上およびSOG層92上に、貫通孔52が形成された第1被覆層50が形成される。第1被覆層50は、第3包囲壁46と一体的に形成される。SOG層92上に第1被覆層50を形成することにより、層間絶縁層64の段差によって例えば第1被覆層50が断線することを抑制できる。貫通孔52は、第3包囲層46および第1被覆層50を形成するためのパターニングにおいて、同時に形成されることができる。次に、層間絶縁層64、SOG層92上、および第3包囲層46上に、パッシベーション層70を形成する。パッシベーション層70は、例えば、CVD法やスパッタ法などによって成膜された後、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によってパターニングされることにより形成される。次に、貫通孔52に例えばエッチング液を通して、包囲壁30に囲まれた層間絶縁層60,62,64および犠牲層80をエッチングして、空洞部1を形成するリリース工程。リリース工程において、開口部35,36内の層間絶縁層60すなわち、第1包囲層42と配線層26,28との間の層間絶縁層60は、エッチングされ、例えば、包囲壁30の外側まで延出した延出部3を備えた空洞部1が形成される。エッチングは、例えば、フッ化水素酸や緩衝フッ酸フッ化水素酸とフッ化アンモニウムとの混合液などを用いたウェットエッチングによって行われる。図2に示すように、第1被覆層50上に第2被覆層54を形成する。これにより、貫通孔52を閉鎖することができ、空洞部1を封止することができる。第2被覆層54は、例えば、CVD法やスパッタ法などによって成膜された後、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によってパターニングされることにより形成される。以上の工程により、本実施形態に係る電子装置100を製造することができる。電子装置100の製造方法によれば、第1包囲層42の側面43を、基板10の上面11に対して傾斜するように形成することができる。そのため、層間絶縁層62は、側面43の形状が転写されることにより、傾斜面66を有することができる。傾斜面66は、基板10の上面11に対して傾斜しているため、傾斜面66に設けられるSOG層90の量を少なくすることができる。例えば、図17に示すように、第1包囲層1042の側面1043が、基板10の上面11に対して傾斜しておらず上面11の垂線図示せずに対して平行な場合は、第1包囲層1042を覆って形成される層間絶縁層1062は、上面11に対して傾斜した傾斜面を有さない。そのため、SOG層1090は、SOG層90図10参照に比べて、多く残留する。その結果、空洞部1内にSOG層1090が露出すると、SOG層1090から大量のガスが発生することになる。なお、図17は、比較例に係る電子装置の製造工程を模式的に示す断面図であって、図10に対応するものである。上記のような形態に比べて、電子装置100の製造方法では、SOG層90の量を少なくすることができるので、空洞部1内にSOG層90が露出していても、SOG層90から発生するガスの量を少なくすることができる。これにより、電子装置100の製造方法では、空洞部1内の真空度が低下することを抑制できる電子装置100を形成することができる。電子装置100の製造方法によれば、ウェットエッチングによって第1包囲層42を形成することができる。これにより、第1包囲層42の側面43を、基板10の上面11に対して傾斜させることができる。電子装置100の製造方法によれば、第2包囲層44の側面45を、基板10の上面11に対して傾斜するように形成することができる。そのため、層間絶縁層64は、側面45の形状が転写されることにより、傾斜面67を有することができる。傾斜面67は、基板10の上面11に対して傾斜しているため、傾斜面67に設けられるSOG層92の量を少なくすることができる。そのため、仮に空洞部1内にSOG層92が露出していても図示せず、SOG層92から発生するガスの量を少なくすることができる。これにより、電子装置100の製造方法では、よりいっそう空洞部1内の真空度が低下することを抑制できる電子装置100を形成することができる。電子装置100の製造方法によれば、SOG層90,92を形成する工程を含むことができる。これにより、例えば、第1被覆層50をSOG層92上に形成することができ、層間絶縁層64の段差によって第1被覆層50が断線することを抑制できる。なお、電子装置100の製造方法によれば、SOG層90,92を形成しなくてもよい。すなわち、電子装置100では、SOG層90,92を形成しなくても、層間絶縁層60,62は、傾斜面66,67を有しているので、傾斜面66,67上に形成された第1被覆層50などの金属層が断線することを抑制できる。3.発振器次に、本実施形態に係る発振器について、図面を参照しながら説明する。図18は、本実施形態に係る発振器600を示す回路図である。発振器600は、図18に示すように、例えば、本発明に係る電子装置例えば電子装置100と、反転増幅回路回路部610と、を含む。電子装置100は、第1電極22より具体的には第1配線層26と電気的に接続された第1端子100aと、第2電極24より具体的には第2配線層28と電気的に接続された第2端子100bと、を有している。電子装置100の第1端子100aは、反転増幅回路610の入力端子610aと少なくとも交流的に接続する。電子装置100の第2端子100bは、反転増幅回路610の出力端子610bと少なくとも交流的に接続する。図示の例では、反転増幅回路610は、1つのインバーターから構成されているが、所望の発振条件が満たされるように、複数のインバーター反転回路や増幅回路を組み合わせて構成されていてもよい。発振器600は、反転増幅回路610に対する帰還抵抗を含んで構成されていてもよい。図18に示す例では、反転増幅回路610の入力端子と出力端子とが抵抗620を介して接続されている。発振器600は、反転増幅回路610の入力端子610aと基準電位接地電位との間に接続された第1キャパシター630と、反転増幅回路610の出力端子610bと基準電位接地電位との間に接続された第2キャパシター632と、を含んで構成されている。これにより、MEMS振動子100とキャパシター630,632とで共振回路を構成する発振回路とすることができる。発振器600は、この発振回路で得られた発振信号fを出力する。発振器600を構成するトランジスターやキャパシター等の素子図示せずは、例えば、基板10上に図2参照形成されていてもよい。これにより、電子装置100と反増幅回路610をモノリシックに形成することができる。発振器600を構成するトランジスター等の素子を基板10上に形成する場合、発振器600を構成するトランジスター等の素子を、上述した電子装置100を形成する工程と同一の工程で形成してもよい。具体的には、犠牲層80を形成する工程において図6参照、トランジスターのゲート絶縁層を形成してもよい。さらに、第2電極24を形成する工程において図6参照、トランジスターのゲート電極を形成してもよい。このように、電子装置100の製造工程と発振器600を構成するトランジスター等の素子の製造工程を共通化することで、製造工程の簡略化を図ることができる。発振器600によれば、空洞部1の真空度が低下することを抑制できる電子装置100を含む。そのため、発振器600は、高い動作精度を有することができる。なお、発振器600は、図19に示すように、さらに、分周回路640を有していてもよい。分周回路640は、発振回路の出力信号Voutを分周し、発振信号fを出力する。これにより、発振器600は、例えば、出力信号Voutの周波数よりも低い周波数の出力信号を得ることができる。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。"