ウエハ表面の一部に、検査対象とする欠陥の座標を含む検査領域を設定する設定部と、前記ウエハ表面の前記検査領域内の欠陥を検出する検査部と、前記検出した欠陥の座標と、前記検査対象とする欠陥の座標と、を比較することにより、前記検出部が検出した欠陥が検査対象とする欠陥か否かを判定する判定部と、を具備することを特徴とする欠陥検査装置。前記設定部は、前記検査領域をショット領域の一部に設定することを特徴とする請求項1記載の欠陥検査装置。前記検査部は、前記ウエハ表面の明るさを量子化する上限および下限を前記検査領域に合わせて調整することを特徴とする請求項1または2記載の欠陥検査装置。前記検査対象とする欠陥の座標は、CADデータに基づくシミュレーションにより算出されたホットスポットの座標であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の欠陥検査装置。ウエハ表面の一部に、検査対象とする欠陥の座標を含む検査領域を設定し、前記ウエハ表面の前記検査領域内の欠陥を検出し、前記検出した欠陥の座標と、前記検査対象とする欠陥の座標と、を比較することにより、前記検出部が検出した欠陥が検査対象とする欠陥か否かを判定することを特徴とする欠陥検査方法。ホットスポットのように、特定の欠陥を検査対象とする場合、ウエハ全面の欠陥検査を行なったのでは、検査時間が長くなってしまう。また、検査対象以外の欠陥も検出されてしまう。本欠陥検査装置および欠陥検査方法は、短い検査時間で検査対象の欠陥を検出することを目的とする。例えば、ウエハ表面の一部に、検査対象とする欠陥の座標を含む検査領域を設定する設定部と、前記ウエハ表面の前記検査領域内の欠陥を検出する検査部と、前記検出した欠陥の座標と、前記検査対象とする欠陥の座標と、を比較することにより、前記検出部が検出した欠陥が検査対象とする欠陥か否かを判定する判定部と、を具備することを特徴とする欠陥検査装置を用いる。例えば、ウエハ表面の一部に、検査対象とする欠陥の座標を含む検査領域を設定し、前記ウエハ表面の前記検査領域内の欠陥を検出し、前記検出した欠陥の座標と、前記検査対象とする欠陥の座標と、を比較することにより、前記検出部が検出した欠陥が検査対象とする欠陥か否かを判定することを特徴とする欠陥検査方法を用いる。本欠陥検査装置および欠陥検査方法によれば、短い検査時間で検査対象の欠陥を検出することができる。以下、図面を参照に実施例について説明する。図1は、実施例1に係る欠陥検査装置のブロック図である。図1のように、欠陥検査装置100は、検査室42および処理部30を主に備えている。検査室42内には、ウエハ10を保持するステージ12、発光部14および検出部16が設けられている。ステージ12は、ウエハ10を保持する。発光部14は、例えば紫外線18等をウエハ10に照射する。検出部16は、欠陥により散乱された光を検出する。ステージ12は、駆動部40によりウエハ10の表面の面方向に移動可能である。処理部30は、設定部32、検査部34、判定部36、入力部38および出力部39を備える。設定部32は、ウエハ表面の一部に、検査対象とする欠陥の座標を含む検査領域を設定する。検査部34は、検出部16が検出した光により、アライメントされたウエハ10表面の欠陥を検出する。判定部36は、検出した欠陥の座標と、検査対象とする欠陥の座標と、を比較することにより、検査部34が検出した欠陥が検査対象とする欠陥か否かを判定する。入力部38には、例えば、検査対象となる欠陥の座標の情報が入力する。出力部39は、例えば検査部34が検出した欠陥のうち検査対象となる欠陥の座標を出力する。処理部30は、例えばコンピュータまたはCPUCentralProcessingUnit等を含む。コンピュータまたはCPU等は、プログラム等により、設定部32、検査部34、判定部36、入力部38および出力部39として機能する。図2は、処理部30の処理を示すフローチャートである。図2のように、入力部38に、検査対象の座標が入力されるステップS10。検査対象は、例えばシミュレータにより算出されたホットスポットである。設定部32は、ウエハ10表面の一部に検査対象とする欠陥の座標を含む検査領域を設定するステップS12。検査部34は、検査領域内の欠陥を検出するステップS14。判定部36は、検査部34が検出した欠陥の座標を、入力部38が入力した検査対象の座標と比較するステップS16。検査部34が検出した欠陥が複数ある場合、まず、最初の欠陥についてステップS16からステップS22を行なう。判定部36は、2つの座標がほぼ同じ場合、検査部34が検出した欠陥を検査対象の欠陥と判定するステップS18。出力部39は、検査部34が検出した欠陥の座標を出力するステップS20。判定部36は、検査部34が検出した欠陥の座標が、いずれの検査対象の欠陥の座標でもない場合、検査部34が検出した欠陥を検査対象外の欠陥と判定するステップS22。判定部36は、判定した欠陥が検査部34が検出した複数の欠陥のうち最後の欠陥かを判定するステップS24。Noの場合、次の欠陥にインクリメントするステップS26。ステップS16に戻る。ステップS24において、Yesの場合、終了する。図3aおよび図3bはホットスポットの例を示す図である。図3aおよび図3bは、マスクパターンを用い露光現像後のレジストパターンをシュミレーションしたパターン90を示している。図3aにおいては、領域94において、パターン90が矢印92のように細くなっており、ウエハプロセス条件の変動により断線する可能性がある。図3bにおいては、領域94において、パターン90間の矢印92が細くなっており、ウエハプロセス条件の変動によりパターン90同士が接触する可能性がある。このように、パターン90が段線する可能性のある箇所またはパターン90同士が接触する可能性のある箇所がホットスポットである。図4aおよび図4bは、ホットスポットの座標を示す図である。図4aのように、マスクパターンを形成するためのCADデータからシュミュレーションにより、ホットスポットの箇所を算出する。ショット領域60は、露光装置が一度に露光する領域である。ショット領域60の一辺の長さは、例えば10mm~20mmである。ショット領域60中のホットスポット62は、シミュレータを用いCADデータから抽出された箇所である。CADデータの座標として表されているホットスポット62の座標をショット領域60内の座標に変換する。図4bは、ウエハ10を示している。ウエハ10の直径は、例えば8インチまたは300mmである。ノッチ50はウエハ10の結晶方位を示している。ウエハ10に複数のショット領域60が形成される。ショット領域60内にそれぞれホットスポット62が存在する。CADデータの座標として表されているホットスポット62の座標をウエハ10内の座標に変換する。図2のステップS10においては、図4aのCADデータの座標としてホットスポット62の座標が入力部38に入力されてもよい。この場合、設定部32が、ホットスポット62の座標を、ショット領域60内およびウエハ10内の座標に変換する。または、CADデータの座標をショット領域60内およびウエハ10内の座標に変換されたホットスポット62の座標が入力部38に入力されてもよい。図5は、設定部の検査領域の設定方法を示す図である。図5のように、ショット領域60のうち、ホットスポット62の座標を含む一部の領域を検査領域64として設定する。検査領域64は、例えば100μm×100μm程度の大きさとする。検査領域64の設定は、図4aで説明したショット領域60内の座標に基づいて行なう。図2のステップS14の欠陥検査方法は、暗視野法でもよいし、明視野法でもよい。暗視野法では、発光部14がウエハ10に光を照射する。ウエハ10上に欠陥が存在すると、光が反射される。検出部16が散乱された光を検出する。これにより、欠陥の位置座標を検出することができる。明視野法では、発光部14は照明光をウエハに照射する。検出部16は、例えばカメラであり、ウエハ10表面の画像を撮像する。隣のショット領域60またはダイ領域との画像を比較し、異なる箇所を欠陥として検出する。発光部14が出射する光は、g線、h線またはi線のように波長の短い光を用いることができる。図6aから図6cは、検査領域の画像の明るさを量子化する上限および下限を調整する例を説明する図である。横軸は明るさ縦軸はカウントを示している。図6aから図6cは、明るさを256階調とした場合の例である。明るさは、グレースケールの明るさでも良いし、特定色の明るさでもよい。図6aは、図5のショット領域60全体の欠陥検査を行なう場合を示している。横軸は、例えば検出部16が検出する明るさである。例えば、検出部16がカメラの場合は、横軸は、カメラが撮像した画像の明るさである。縦軸はショット領域60内のカウントを示している。例えば、カウントは、ショット領域60をn×m個の領域とした場合、n×m個の領域のうち、ある明るさの範囲に入る領域の数を示している。ショット領域60全体では、明るさの暗い箇所、明るい箇所がある。このため、0から255に量子化された明るさの上限と下限を広くすることになる。図6bは、図5の検査領域64内の欠陥検査を行なう場合を示している。図6aと同じ明るさの上限と下限を用い明るさを0から255に量子化すると、検査領域64内の明るさは一部の明るさに集中している。そこで、図6cのように、明るさの上限と下限とを図6bの明るさの分布が収まる程度に狭くしたB2とB1とする。これにより、明るさの分解能を向上させることができる。図7aおよび図7bは、判定部36の欠陥の判定の例を示す図である。図7aの各点は、図2のステップS16における欠陥検査において、検出された欠陥の位置を示している。ウエハ10内に欠陥66が存在している。ここで、ウエハ10として、例えばFEMFocusExposureMatrixウエハを用いている。FEMウエハは、プロセス変動による影響を調べるため、ショット領域60毎に露光装置におけるドーズ量を変えたウエハである。図7aの例において、領域80においては、適正なドーズ量を用い露光を行なっている。領域82は、プロセスの揺らぎで起こりえる最大加速条件となるオーバドーズ量で露光を行なっている領域である。領域84は、プロセスの揺らぎで起こりえる最大加速条件となるアンダードーズ量で露光を行なっている領域である。領域86は、プロセスの揺らぎで起こりえる条件を越えた過度のオーバドーズ量で露光を行なっている領域である。領域88は、プロセスの揺らぎで起こりえる条件を越えた過度のアンダードーズ量で露光を行なっている領域である。図7bの各点は、図4bのホットポイントのウエハ10内の座標と、図7aの欠陥検査において検出された欠陥66のウエハ10内の座標と、が一致する検査対象欠陥を抽出した図である。図7bのように、領域80においては、検査対象欠陥は抽出されない。領域82および84においては、一部のショット領域60において検査対象欠陥70が検出されている。領域86および88においては、ほとんどすべてのホットスポットにおいて検査対象欠陥70が検出されている。例えば、領域86および88の欠陥66は、は過度のオーバドーズ量またはアンダードーズ量により発生した欠陥のため、これ以上の検査はしない。一方、領域82および84の検査対象欠陥70は、プロセスの揺らぎで発生しうるため、SEM等で観察する。SEM観察の結果により、マスクのパターンを修正するか判断する。このように、検査対象欠陥を適切に検出することができる。実施例1によれば、図2のステップS12のように、設定部32がウエハ表面の一部に、検査対象とする欠陥の座標を含む検査領域を設定する。ステップS14のように、検査部34がウエハ10表面の検査領域64の欠陥を検出する。ステップS16からS22のように、判定部36が、検査部34が検出した欠陥の座標と、検査対象とする欠陥の座標と、を比較することにより、検査部34が検出した欠陥が検査対象とする欠陥か否かを判定する。このように、検査領域64をウエハ全面とせず、ウエハ10の一部の検査対象とする欠陥を含む領域に設定する。これにより、検査時間を短縮できる。また、判定部36が、検査部34が検出した欠陥の座標と、検査対象とする欠陥の座標と、を比較することにより、検査対象の欠陥を抽出することができる。よって、例えば、検査対象外の欠陥に検査対象の欠陥が埋もれてしまうことを抑制できる。例えば、SEMにより観察する欠陥を少なくでき、欠陥解析が容易となる。検査対象とする欠陥としては、例えば、図3aおよび図3bにおいて説明したホットスポットとすることができる。これにより、製品の開発初期において、欠陥となりうる箇所を抽出することができる。ホットスポットに生じる欠陥をショット領域の同じ場所に発生する欠陥として検出リピート検出する場合、低い確率でホットスポットに欠陥が生じる場合、検出されない場合もある。実施例1によれば、検査部34が検出した欠陥の座標と、検査対象とする欠陥の座標と、を比較することにより、低い確率でホットスポットに欠陥が生じる場合でも、ホットスポット起因の欠陥を検出できる。また、設定部32は、検査領域64をショット領域60の一部に設定する。これにより、検査時間を短縮できる。さらに、検査部34は、ウエハ10表面の明るさを量子化する上限および下限を検査領域64に合わせて調整する。これにより、図6cにおいて説明したように、明るさの分解能を向上させることができる。実施例1においては、欠陥検出装置が、光を用いウエハ10表面の欠陥を検出する例を説明した。欠陥検出装置は電子線等を用いてウエハ10表面の欠陥を検出してもよい。例えば、欠陥検出装置はSEMScanningElectronMicroscopy装置等でもよい。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。実施例1を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。付記1:ウエハ表面の一部に、検査対象とする欠陥の座標を含む検査領域を設定する設定部と、前記ウエハ表面の前記検査領域内の欠陥を検出する検査部と、前記検出した欠陥の座標と、前記検査対象とする欠陥の座標と、を比較することにより、前記検出部が検出した欠陥が検査対象とする欠陥か否かを判定する判定部と、を具備することを特徴とする欠陥検査装置。付記2:前記設定部は、前記検査領域をショット領域の一部に設定することを特徴とする請求項1記載の欠陥検査装置。付記3:前記検査部は、前記ウエハ表面の明るさを量子化する上限および下限を前記検査領域に合わせて調整することを特徴とする付記1または2記載の欠陥検査装置。付記4:前記検査対象とする欠陥の座標は、CADデータに基づくシミュレーションにより算出されたホットスポットの座標であることを特徴とする付記1から3のいずれか一項に記載の欠陥検査装置。付記5:前記欠陥検出装置は、光を用い前記ウエハ表面の欠陥を検出することを特徴とする付記1から4のいずれか一項記載の欠陥検出装置。付記6:ウエハ表面の一部に、検査対象とする欠陥の座標を含む検査領域を設定し、前記ウエハ表面の前記検査領域内の欠陥を検出し、前記検出した欠陥の座標と、前記検査対象とする欠陥の座標と、を比較することにより、前記検出部が検出した欠陥が検査対象とする欠陥か否かを判定することを特徴とする欠陥検査方法。