"複数のスイッチング素子と、回路基板に設けられて且つ自身の入力側端子及び出力側端子の間を絶縁しつつ該入力側端子への入力信号を該出力側端子に伝達する対となる磁気絶縁素子と、前記回路基板に設けられて且つ前記磁気絶縁素子を介して前記複数のスイッチング素子を開閉操作する駆動回路とを備える電子装置に適用され、前記磁気絶縁素子は、前記回路基板の板面の正面視において、略矩形状をなしており、前記入力側端子及び出力側端子のそれぞれは、前記回路基板の板面の正面視において、前記磁気絶縁素子の互いに異なる辺のそれぞれに設けられ、前記回路基板の板面の正面視において、該回路基板の一部の略矩形状の領域を規定領域と定義し、前記規定領域を形成する境界線のうち対向する一対の境界線と平行な方向に延びる領域であって且つ該規定領域を2分する領域を中央領域と定義し、前記規定領域のうち前記中央領域を挟むように設けられる一対の領域のそれぞれを第1の領域及び第2の領域と定義し、前記対となる磁気絶縁素子のうち一方を第1の磁気絶縁素子とし、他方を第2の磁気絶縁素子とし、前記中央領域には、前記第1の磁気絶縁素子及び前記第2の磁気絶縁素子が設けられ、前記第1の領域には、前記第1の磁気絶縁素子の出力側端子に対応する前記スイッチング素子の開閉制御端子の接続部が設けられ、前記第2の領域には、前記第2の磁気絶縁素子の出力側端子に対応する前記スイッチング素子の開閉制御端子の接続部が設けられ、前記第1の磁気絶縁素子は、自身の有する出力側端子を前記第1の領域の方向に向けるように設けられて且つ、前記第2の磁気絶縁素子は、自身の有する出力側端子を前記第2の領域の方向に向けるように設けられ、前記磁気絶縁素子の出力側端子と前記接続部とは高圧配線パターンによって接続されて且つ、前記磁気絶縁素子の入力側端子と前記駆動回路とは低圧配線パターンによって接続され、前記高圧配線パターン及び前記低圧配線パターンは、前記回路基板と平行な仮想面に対して該高圧配線パターン及び該低圧配線パターンを投影した場合、前記仮想面において該高圧配線パターンと該低圧配線パターンとが交差しないように設けられていることを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。前記中央領域に前記一対の境界線と平行な方向に軸線を描く場合、前記第1の磁気絶縁素子及び前記第2の磁気絶縁素子のそれぞれは、前記回路基板の板面の正面視において前記第1の磁気絶縁素子及び前記第2の磁気絶縁素子と前記軸線とが交差するように設けられていることを特徴とする請求項1記載のスイッチング素子の駆動回路。前記回路基板の板面の正面視において、前記第1の磁気絶縁素子と交差して且つ該第1の磁気絶縁素子の出力側端子が設けられる辺と直交する軸線を第1の基準軸線と定義し、前記回路基板の板面の正面視において、前記第2の磁気絶縁素子と交差して且つ該第2の磁気絶縁素子の出力側端子が設けられる辺と直交する軸線を第2の基準軸線と定義し、前記第1の磁気絶縁素子及び前記第2の磁気絶縁素子のそれぞれは、前記第1の基準軸線及び第2の基準軸線同士が平行となるように設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載のスイッチング素子の駆動回路。前記スイッチング素子は、電圧制御形のものであり、前記磁気絶縁素子には、前記スイッチング素子の開閉制御端子及び出力端子に対応する前記出力側端子が設けられ、前記第1の領域には、前記第1の磁気絶縁素子の出力側端子に対応する前記スイッチング素子の前記開閉制御端子の接続部に加えて、該スイッチング素子の前記出力端子の接続部が更に設けられ、前記第1の磁気絶縁素子には、前記第1の領域において前記一対の境界線と平行な方向に前記接続部が並ぶ順に、該接続部に対応する前記出力側端子が設けられ、前記第2の領域には、前記第2の磁気絶縁素子の出力側端子に対応する前記スイッチング素子の前記開閉制御端子の接続部に加えて、該スイッチング素子の前記出力端子の接続部が更に設けられ、前記第2の磁気絶縁素子には、前記第2の領域において前記一対の境界線と平行な方向に前記接続部が並ぶ順に、該接続部に対応する前記出力側端子が設けられていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。前記電子装置は、対となる前記スイッチング素子の直列接続体を有するスイッチングモジュールを備える電力変換装置であり、前記回路基板は、前記スイッチングモジュールの上方に該モジュールの配置面と略平行となるように設けられており、前記規定領域は、前記回路基板の板面の正面視において、該回路基板に対する前記スイッチングモジュールの投影領域と略同一の領域であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。ところで、上記回路基板には、電力を伝達すること等を目的とする高圧配線パターンと、スイッチング素子を開閉操作すべく駆動回路から出力される制御信号を伝達することを目的とする低圧配線パターンとが形成されている。ここで、回路基板と平行な仮想面に対して高圧配線パターン及び低圧配線パターンを投影する場合に、この仮想面において高圧配線パターンと低圧配線パターンとが交差するようにこれら配線パターンが形成されることがある。この場合、スイッチング状態の切替に伴うサージスイッチングサージの発生に起因して、低圧配線パターンを伝達される信号に高周波ノイズ例えばコモンモードノイズが重畳し、スイッチング素子が誤動作するおそれがある。こうした問題を解消すべく、高圧配線パターンと低圧配線パターンとの交差を回避して回路基板に配線パターンを形成させる場合には、配線パターンが長くなることが懸念される。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、配線パターンが長くなることを極力回避しつつ、高圧配線パターンと低圧配線パターンとの交差を回避することのできるスイッチング素子の駆動回路を提供することにある。以下、上記課題を解決するための手段、及びその作用効果について記載する。請求項1記載の発明は、複数のスイッチング素子と、回路基板に設けられて且つ自身の入力側端子及び出力側端子の間を絶縁しつつ該入力側端子への入力信号を該出力側端子に伝達する対となる磁気絶縁素子と、前記回路基板に設けられて且つ前記磁気絶縁素子を介して前記複数のスイッチング素子を開閉操作する駆動回路とを備える電子装置に適用され、前記磁気絶縁素子は、前記回路基板の板面の正面視において、略矩形状をなしており、前記入力側端子及び出力側端子のそれぞれは、前記回路基板の板面の正面視において、前記磁気絶縁素子の互いに異なる辺のそれぞれに設けられ、前記回路基板の板面の正面視において、該回路基板の一部の略矩形状の領域を規定領域と定義し、前記規定領域を形成する境界線のうち対向する一対の境界線と平行な方向に延びる領域であって且つ該規定領域を2分する領域を中央領域と定義し、前記規定領域のうち前記中央領域を挟むように設けられる一対の領域のそれぞれを第1の領域及び第2の領域と定義し、前記対となる磁気絶縁素子のうち一方を第1の磁気絶縁素子とし、他方を第2の磁気絶縁素子とし、前記中央領域には、前記第1の磁気絶縁素子及び前記第2の磁気絶縁素子が設けられ、前記第1の領域には、前記第1の磁気絶縁素子の出力側端子に対応する前記スイッチング素子の開閉制御端子の接続部が設けられ、前記第2の領域には、前記第2の磁気絶縁素子の出力側端子に対応する前記スイッチング素子の開閉制御端子の接続部が設けられ、前記第1の磁気絶縁素子は、自身の有する出力側端子を前記第1の領域の方向に向けるように設けられて且つ、前記第2の磁気絶縁素子は、自身の有する出力側端子を前記第2の領域の方向に向けるように設けられ、前記磁気絶縁素子の出力側端子と前記接続部とは高圧配線パターンによって接続されて且つ、前記磁気絶縁素子の入力側端子と前記駆動回路とは低圧配線パターンによって接続され、前記高圧配線パターン及び前記低圧配線パターンは、前記回路基板と平行な仮想面に対して該高圧配線パターン及び該低圧配線パターンを投影した場合、前記仮想面において該高圧配線パターンと該低圧配線パターンとが交差しないように設けられていることを特徴とする。上記発明では、中央領域に対となる第1,第2の磁気絶縁素子を設けている。詳しくは、第1の磁気絶縁素子の有する出力側端子を第1の領域の方向に向けるように第1の磁気絶縁素子を設けて且つ、第2の磁気絶縁素子の有する出力側端子を第2の領域の方向に向けるように第2の磁気絶縁素子を設けている。そして、第1の領域に、第1の磁気絶縁素子の出力側端子に対応するスイッチング素子の開閉制御端子の接続部を設けて且つ、第2の領域に、第2の磁気絶縁素子の出力側端子に対応するスイッチング素子の開閉制御端子の接続部を設けている。そして、上記投影面において高圧配線パターンと低圧配線パターンとが交差しないようにこれら配線パターンを回路基板に設けている。こうした上記発明によれば、高圧配線パターンが長くなることを極力抑制することができ、中央領域において上記境界線と平行な方向基準方向に直交する方向に高圧配線パターンが設けられる等、中央領域において高圧配線パターンによって低圧配線パターンの配置が制限されることを極力抑制することができる。このため、例えば、回路基板において第1の磁気絶縁素子の出力側端子に対応する上記接続部と第2の磁気絶縁素子の出力側端子に対応する上記接続部との間の領域を低圧配線パターンの配置領域として用いることができ、高圧配線パターンと低圧配線パターンとの交差を回避することができる。なお、上記高圧配線パターンは、上記仮想面に対して高圧配線パターンを投影した場合、仮想面において高圧配線パターン同士が交差しないように設けられることが望ましい。請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、記中央領域に前記一対の境界線と平行な方向に軸線を描く場合、前記第1の磁気絶縁素子及び前記第2の磁気絶縁素子のそれぞれは、前記回路基板の板面の正面視において前記第1の磁気絶縁素子及び前記第2の磁気絶縁素子と前記軸線とが交差するように設けられていることを特徴とする。上記発明では、回路基板の実装領域の有効利用等を目的として、中央領域に上記態様にて対となる磁気絶縁素子を設けている。磁気絶縁素子がこのように配置されると通常、回路基板の板面の正面視において上記基準方向に直交する方向について、第1の領域に設けられる開閉制御端子の接続部と第2の領域に設けられる開閉制御端子の接続部との距離が短くなる傾向にある。この場合、中央領域において高圧配線パターンによって低圧配線パターンの配置が制限されやすい。このため、上記発明では、請求項1に係る発明の発明特定事項を備えるメリットが大きい。請求項3記載の発明は、請求項1又は2記載の発明において、前記回路基板の板面の正面視において、前記第1の磁気絶縁素子と交差して且つ該第1の磁気絶縁素子の出力側端子が設けられる辺と直交する軸線を第1の基準軸線と定義し、前記回路基板の板面の正面視において、前記第2の磁気絶縁素子と交差して且つ該第2の磁気絶縁素子の出力側端子が設けられる辺と直交する軸線を第2の基準軸線と定義し、前記第1の磁気絶縁素子及び前記第2の磁気絶縁素子のそれぞれは、前記第1の基準軸線及び第2の基準軸線同士が平行となるように設けられていることを特徴とする。上記発明では、第1の磁気絶縁素子及び第2の磁気絶縁素子を上記態様にて設けている。すなわち、回路基板の板面の正面視において、第1の磁気絶縁素子の中心から同磁気絶縁素子の出力側端子が設けられる辺に向かってこの辺と直交する方向と、第2の磁気絶縁素子の中心から同磁気絶縁素子の出力側端子が設けられる辺に向かってこの辺と直交する方向とのなす角度が180度となるように、これら第1,第2の磁気絶縁素子を設ける。こうした上記発明によれば、高圧配線パターンが長くなることを好適に抑制することができる。請求項4記載の発明は、請求項1~3にいずれか1項に記載の発明において、前記スイッチング素子は、電圧制御形のものであり、前記磁気絶縁素子には、前記スイッチング素子の開閉制御端子及び出力端子に対応する前記出力側端子が設けられ、前記第1の領域には、前記第1の磁気絶縁素子の出力側端子に対応する前記スイッチング素子の前記開閉制御端子の接続部に加えて、該スイッチング素子の前記出力端子の接続部が更に設けられ、前記第1の磁気絶縁素子には、前記第1の領域において前記一対の境界線と平行な方向に前記接続部が並ぶ順に、該接続部に対応する前記出力側端子が設けられ、前記第2の領域には、前記第2の磁気絶縁素子の出力側端子に対応する前記スイッチング素子の前記開閉制御端子の接続部に加えて、該スイッチング素子の前記出力端子の接続部が更に設けられ、前記第2の磁気絶縁素子には、前記第2の領域において前記一対の境界線と平行な方向に前記接続部が並ぶ順に、該接続部に対応する前記出力側端子が設けられていることを特徴とする。電圧制御形のスイッチング素子は、開閉制御端子及び出力端子の間の電圧を調節することでスイッチング素子の開閉操作がなされる。このため、上記発明では、第1の領域及び第2の領域のそれぞれに、開閉制御端子の接続部に加えて、出力端子の接続部が設けられている。そして、上記発明では、第1の磁気絶縁素子に、第1の領域において一対の境界線と平行な方向に上記接続部が並ぶ順に、これら接続部に対応する出力側端子が設けられている。また、第2の磁気絶縁素子に、第2の領域において一対の境界線と平行な方向に上記接続部が並ぶ順に、これら接続部に対応する出力側端子が設けられている。こうした上記発明によれば、各スイッチング素子の端子の数が多くなる場合であっても、高圧配線パターンが長くなることを極力抑制しつつ、高圧配線パターンと低圧配線パターンとの交差を回避することができる。請求項5記載の発明は、請求項1~4のいずれか1項に記載の発明において、前記電子装置は、対となる前記スイッチング素子の直列接続体を有するスイッチングモジュールを備える電力変換装置であり、前記回路基板は、前記スイッチングモジュールの上方に該モジュールの配置面と略平行となるように設けられており、前記規定領域は、前記回路基板の板面の正面視において、該回路基板に対する前記スイッチングモジュールの投影領域と略同一の領域であることを特徴とする。第1の実施形態以下、本発明にかかる駆動回路をハイブリッド車両に搭載されるDCDCコンバータに適用した第1の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図1に、本実施形態にかかるシステムの全体構成を示す。図示される高圧バッテリ10は、車載動力発生装置としての図示しない回転機の電力供給源であり、所定の高電圧数百Vの電圧を出力する蓄電池である。高圧バッテリ10は、DCDCコンバータCVに接続可能とされている。ちなみに、高圧バッテリ10としては、例えば、リチウムイオン蓄電池や、ニッケル水素蓄電池を採用することができる。DCDCコンバータCVは、一対のスイッチング素子Q1,Q3の直列接続体及び一対のスイッチング素子の直列接続体Q2,Q4の並列接続体フルブリッジ回路を有するスイッチングモジュール以下、モジュール12と、トランス14とを備えて構成され、高圧バッテリ10の電圧を降圧して出力する絶縁型コンバータである。ここで、本実施形態では、上記スイッチング素子Q1~Q4として、NチャネルMOSトランジスタを想定している。高電位側のスイッチング素子Q1,Q2の入力端子ドレインは、正極端子Pを介して高圧バッテリ10の正極側に接続され、低電位側のスイッチング素子Q3,Q4の出力端子ソースは、負極端子Nを介して高圧バッテリ10の負極側に接続されている。なお、スイッチング素子Q1~Q4の入出力端子間のそれぞれには、図示しないフリーホイールダイオードが接続されている。一対のスイッチング素子Q1,Q3の接続点、及び一対のスイッチング素子Q2,Q4の接続点のそれぞれには、端子OUT1,OUT2を介して、トランス14の1次側コイル14aの両端のそれぞれが接続されている。トランス14の2次側コイル14bの両端のそれぞれは、ダイオードRD1,RD2のアノード側に接続され、これらダイオードRD1,RD2のカソード側は短絡されている。そして、ダイオードRD1,RD2は、リアクトル16a及びコンデンサ16bからなる平滑回路16LCフィルタに接続されている。上記高圧バッテリ10やDCDCコンバータCVの1次側は、車載高圧システムを構成し、DCDCコンバータCVの図示しないケースに接続されたグランドラインGLから絶縁されている。これに対し、DCDCコンバータCVの2次側は、グランドラインGLを基準として動作する車載低圧システムを構成する。このため、本実施形態では、トランス14の2次側コイル14bの中点タップmtがグランドラインGLに接続されている。こうした構成によれば、ダイオードRD1,RD2は、高電位側のスイッチング素子Q1及び低電位側のスイッチング素子Q4がオン状態とされるか、高電位側のスイッチング素子Q2及び低電位側のスイッチング素子Q3がオン状態とされるかに応じて、2次側コイル14bの両端の電圧の1/2の電圧を交互に出力することとなる。なお、中点タップmtとは、トランス14の2次側コイル14bの中央に接続された端子のことである。DCDCコンバータCVの出力電圧は、低圧バッテリ18に印加される。低圧バッテリ18は、車載低圧システムの一部を構成し、所定の低電圧例えば12Vを出力する蓄電池例えば、鉛蓄電池である。制御回路20は、低圧バッテリ18を電力供給源としつつ、同バッテリを制御対象とする制御手段である。制御回路20は、低圧バッテリ18の充電状態SOCを所望に制御すべく、第1,第2のドライブ回路DC1,DC2を介してDCDCコンバータCVのスイッチング素子Q1~Q4を操作する。具体的には、制御回路20は、第1のドライブ回路DC1を介してスイッチング素子Q1,Q3をオンオフ操作し、第2のドライブ回路DC2を介してスイッチング素子Q2,Q4をオンオフ操作する。以下、上記ドライブ回路を介してスイッチング素子を操作するための回路構成について説明する。ちなみに、第1のドライブ回路DC1を介してスイッチング素子Q1,Q3を操作する回路構成と、第2のドライブ回路DC2を介してスイッチング素子Q2,Q4を操作する回路構成とが同様であるため、主に第1のドライブ回路DC1を介した回路構成について説明する。第1,第2のドライブ回路DC1,DC2のそれぞれは、第1,第2パルストランスPT1,PT2のそれぞれに接続されている。第1,第2のパルストランスPT1,PT2は、1つの1次側コイル22aと、2つの2次側コイル22b,22cとを備え、ドライブ回路から1次側コイル22aに入力されるパルスを変圧して2次側コイル22b,22cに出力する磁気絶縁素子である。ちなみに、第1のパルストランスPT1と第2のパルストランスPT2とは同一の構成である。第1のパルストランスPT1の2次側コイル22bの一端は、出力側端子St1と、出力側接続端子ソース接続端子S1とを介してスイッチング素子Q1のソースに接続され、2次側コイル22bの他端は、出力側端子Gt1、開閉側接続端子ゲート接続端子G1、及び抵抗体24,26の直列接続体を介してスイッチング素子Q1の開閉制御端子ゲートに接続されている。また、スイッチング素子Q1のゲート及びソース間は、抵抗体28によって接続されている。さらに、抵抗体24には、ゲートから2次側コイル22bへの電流の流通を許容するようにダイオード30が並列接続されている。ちなみに、上記ソース接続端子及びゲート接続端子とは、具体的には例えば、回路基板に形成された取付部スルーホール及びスルーホールの外縁とつながる配線パターン等からなるものである。また、抵抗体24,26及びダイオード30を備える構成は、スイッチング素子Q1のゲートの充電時においてゲートへの電荷の供給速度が過度に増大することを抑制して且つ、ゲートの放電時においてゲートに蓄積された電荷を速やかに放出させるためのものである。一方、第1のパルストランスPT1の2次側コイル22cの一端は、出力側端子St3と、ソース接続端子S3とを介してスイッチング素子Q3のソースに接続され、2次側コイル22cの他端は、出力側端子Gt3、ゲート接続端子G3、及び抵抗体32,34の直列接続体を介してスイッチング素子Q3のゲートに接続されている。なお、上記スイッチング素子Q1と同様に、スイッチング素子Q3のゲート及びソース間は抵抗体36によって接続されており、上記抵抗体32には、ゲートから2次側コイル22cへの電流の流通を許容する機能とを有するダイオード38が並列接続されている。第1のパルストランスPT1の有する2次側コイル22b,22cは、これら2次側コイルのそれぞれに生じる電圧の極性が互いに逆になるように接続されている。こうした構成において、第1のドライブ回路DC1から第1のパルストランスPT1の1次側コイル22aに所定のデューティ比例えば50を有するパルス信号が入力されると、2次側コイル22b及び2次側コイル22cのそれぞれにおいて互いに論理反転した電圧が印加され、これにより、スイッチング素子Q1,Q3のそれぞれのゲートへの印加電圧が相補的に変化することとなる。ここで、本実施形態では、第2のドライブ回路DC2から第2のパルストランスPT2に対しても、第1のドライブ回路DC1から第1のパルストランスPT1と同様なパルス信号を入力しつつ、第1のドライブ回路からの出力パルスと、第2のドライブ回路からの出力パルスとの位相の調節によってDCDCコンバータCVの出力電圧を調節する処理がなされる。この処理は、2対のスイッチング素子の直列接続体のうち、一方の直列接続体の高電位側のスイッチチング素子と、他方の直列接続体の低電位側のスイッチング素子とが同時にオン状態とされる期間によってDCDCコンバータCVの出力電圧が定まることに基づくものである。次に、図2~図4を用いて、本実施形態にかかる電力変換装置の内部構成について説明する。まず、図2に、本実施形態にかかるDCDCコンバータCVの一部の拡大斜視図を示す。図示されるように、DCDCコンバータCVの有するモジュール12は、実際には、DCDCコンバータCVのケース40上に配置され、略直方体形状をなしている。そして、モジュール12の上方には、この配置面ケース40内部の上面と略平行となるように、回路基板42プリント基板が設けられている。回路基板42は、樹脂等からなる絶縁基材に、銅などの導電材料からなる配線パターンを配置してなる平面矩形状長方形状の部材である。回路基板42上には、図示は省略するが、第1,第2のドライブ回路DC1,DC2、第1,第2のパルストランスPT1,PT2、及び制御回路20等が実装されている。なお、本実施形態では、回路基板42として複数の層例えば3つの層を有する多層基板を想定している。また、上記ケース40は、実際には箱形状をなしているが、図2では、その一部の底面部のみ示している。ここで、上記回路基板42には、モジュール12内のスイッチング素子Q1~Q4と、第1,第2のドライブ回路DC1,DC2及び第1,第2のパルストランスPT1,PT2とを接続するための各種接続端子が設けられている。以下、図3を用いて、これについて説明する。図3aは、回路基板42の板面表面の正面視において、回路基板42の一部の略長方形状の領域である規定領域図中、一点鎖線で囲まれる領域近傍を示す図であり、図3bは、モジュール12の側面図である。本実施形態では、規定領域を、回路基板42の板面の正面視において、回路基板42に対するモジュール12の投影領域と略同一の領域として定義する。本実施形態では、上述したようにモジュール12が略直方体形状であることから、回路基板42の板面の正面視において、規定領域が平面矩形状長方形状をなすこととなる。こうして定められる規定領域には、スイッチング素子Qnn=1~4のゲートにつながるゲート接続端子Gnと、ソースにつながるソース接続端子Snとが設けられている。ちなみに、回路基板42のゲート接続端子Gn及びソース接続端子Snには、同図bに示すように、モジュール12側から回路基板42側に向かう方向であって且つモジュール12と平行な平面と直交する方向に延びるモジュール端子のそれぞれが接続される。これらモジュール端子は、各スイッチング素子Qnのゲート及びソースにつながる端子である。なお、図中、正極端子P及び負極端子Nにつながる端子と、モジュール12及びトランス14をつなげるための端子OUT1,OUT2とを併せて示している。また、ケース40と回路基板42とを固定するための螺子を取り付ける貫通穴44も示している。続いて、図4を用いて、回路基板42における素子及び配線パターンの配置態様について説明する。なお、図4は、先の図3aと同様に、回路基板42の板面の正面視における上記規定領域近傍を示す図である。まず、素子等の配置態様について説明する。なお、本実施形態では、規定領域を形成する境界線図中一点鎖線のうち対向する一対の境界線L1,L2と平行な方向以下、基準方向に延びる長方形状の領域であって且つ規定領域を2分する領域を中央領域Acと定義する。そして、規定領域のうち、中央領域Acに隣接する一対の長方形状の領域のそれぞれを、第1の領域A1及び第2の領域A2と定義する。第1のパルストランスPT1第2のパルストランスPT2は、略直方体形状をなしており、中央領域Acに実装されている。詳しくは、第1のパルストランスPT1第2のパルストランスPT2は、回路基板42の板面の正面視において、略矩形状をなしており、同パルストランスの一辺には、同トランス内の1次側コイルの両端のそれぞれにつながる一対の入力側端子It1It2が設けられている。また、第1のパルストランスPT1第2のパルストランスPT2のうち、入力側端子It1It2が設けられる辺と対向する辺には、4つの出力側端子St1,Gt1,St3,Gt3St4,Gt4,St2,Gt2が設けられている。そして、これら入力側端子及び出力側端子が回路基板42にはんだ付けされることで、パルストランスが実装される。第1のパルストランスPT1及び第2のパルストランスPT2のそれぞれは、中央領域Acの中央を通って且つ上記基準方向に延びる軸線中心軸線Lc:図中一点鎖線にて表記を描く場合、回路基板42の板面の正面視においてこれらパルストランスPT1,PT2と中心軸線Lcとが交差するように実装されている。ここで、回路基板42の板面の正面視において、第1のパルストランスPT1と交差して且つこのトランスPT1の出力側端子が設けられる辺と直交する方向上記基準方向に直交する方向に延びる軸線を第1の基準軸線Lα1と定義し、第2のパルストランスPT2と交差して且つこのトランスPT2の出力側端子が設けられる辺と直交する軸線を第2の基準軸線Lα2と定義する。第1のパルストランスPT1は、自身の有する出力側端子St1,Gt1,St3,Gt3を第1の領域A1の方向に向けるように設けられている。そして、第1の領域A1には、上記基準方向に沿って図中上側から順に、ソース接続端子S1、ゲート接続端子G1、ソース接続端子S3及びゲート接続端子G3が設けられている。そして、第1のパルストランスPT1において、上記基準方向に沿って図中上側から順に、ソース接続端子S1に対応する出力側端子St1、ゲート接続端子G1に対応する出力側端子Gt1、ソース接続端子S3に対応する出力側端子St3及びゲート接続端子G3に対応する出力側端子Gt3が設けられている。一方、第2のパルストランスPT2は、自身の有する出力側端子St4,Gt4,St2,Gt2を第2の領域A2の方向に向けるように設けられている。そして、第2の領域A2には、上記基準方向に沿って図中上側から順に、ゲート接続端子G2、ソース接続端子S2、ゲート接続端子G4及びソース接続端子S4が設けられている。そして、第2のパルストランスPT2において、上記基準方向に沿って図中上側から順に、ゲート接続端子G2に対応する出力側端子Gt2、ソース接続端子S2に対応する出力側端子St2、ゲート接続端子G4に対応する出力側端子Gt4及びソース接続端子S4に対応する出力側端子St4が設けられている。第1,第2のパルストランスPT1,PT2は、第1の基準軸線Lα1及び第2の基準軸線Lα2同士が平行となるように設けられている。換言すれば、回路基板42の板面の正面視において、第1のパルストランスPT1の中心図中、●にて表記からこのトランスの出力側端子が設けられる辺に向かってこの辺と直交する方向と、第2のパルストランスPT2の中心からこのトランスの出力側端子が設けられる辺に向かってこの辺と直交する方向とのなす角度が180度となるように、これらパルストランスPT1,PT2が設けられている。第1のドライブ回路DC1及び第2のドライブ回路DC2のそれぞれは、回路基板42の板面の正面視において、中心軸線Lcの両側であって且つ基準方向と直交する方向に並ぶように実装されている。具体的には、これらドライブ回路DC1,DC2は、第2のパルストランスPT2よりも図中上側に設けられている。次に、回路基板42上における配線パターンの配置態様について説明する。図示されるように、第1のパルストランスPT1の各出力側端子St1,Gt1,St3,Gt3のそれぞれと、第1の領域A1における各接続端子S1,G1,S3,G3のそれぞれとが各別の高圧配線パターンによって接続されている。詳しくは、これら高圧配線パターンは、回路基板42に平行な仮想面に対してこれら高圧配線パターンを回路基板42に垂直な方向に投影以下、垂直投影した場合、上記仮想面においてこれら高圧配線パターン同士が交差しないように回路基板42に形成されている。一方、第2のパルストランスPT2の各出力側端子Gt2,St2,Gt4,St4のそれぞれと、第2の領域A2における各接続端子G2,S2,G4,S4のそれぞれとが各別の高圧配線パターンによって接続されている。詳しくは、これら高圧配線パターンは、上記仮想面に対してこれら高圧配線パターンを垂直投影した場合、上記仮想面においてこれら高圧配線パターン同士が交差しないように回路基板42に形成されている。上記第2のドライブ回路DC2と第2のパルストランスPT2の入力側端子It2とを接続する低圧配線パターンは、上記仮想面に対して低圧配線パターン及び高圧配線パターンを垂直投影した場合、上記仮想面において低圧配線パターン及び高圧配線パターンが交差しないように回路基板42の表面に形成されている。一方、上記第1のドライブ回路DC1と第1のパルストランスPT1の入力側端子It1とを接続する低圧配線パターンは、上記仮想面に対して低圧配線パターン及び高圧配線パターンを垂直投影した場合、上記仮想面において低圧配線パターン及び高圧配線パターンが交差しないように回路基板42の裏面であって且つ、第2のパルストランスPT2の1次側コイルの実装位置に対応する位置に形成されている。なお、本実施形態において、低圧配線パターンを回路基板42の裏面であって且つ上記1次側コイルの実装位置に対応する位置に形成するのは、スイッチングサージに起因する高周波ノイズが低圧配線パターンを伝達される信号に重畳することを回避するためである。ここで、高圧配線パターンは、この配線パターンの取りうる電位の変動量が低圧配線パターンの取りうる電位の変動量よりも非常に大きい配線パターンのことをいう。こうした回路構成によれば、中央領域Acにおいて上記基準方向とは直交する方向に高圧配線パターンが形成されることを極力回避できる。このため、回路基板42の板面の正面視において、第1のパルストランスPT1及び第1の領域A1の接続端子を接続する高圧配線パターンが設けられる領域と、第2のパルストランスPT2及び第2の領域A2の接続端子を接続する高圧配線パターンが設けられる領域との間を利用して、低圧配線パターンを適切に形成させることができる。これにより、高圧配線パターンと低圧配線パターンとの交差を回避することができる。ちなみに、図5を用いて、上述した回路構成を採用しない場合の不都合について説明する。図5aは、先の図4において、第1のパルストランスPT1及び第2のパルストランスPT2の双方の出力側端子の向きを第2の領域A2側とした場合を示す。図示される第1のパルストランスPT1及び第1の領域A1における接続端子の配置では、第1のパルストランスPT1の出力側端子St1,Gt1と、接続端子S1,G1とを接続する高圧配線パターンの長さを極力短くしようとすると、中央領域Acにおいて基準方向と直交する方向図中、左右方向に高圧配線パターンが横切るように高圧配線パターンが形成されることとなる。このため、第1のパルストランスPT1の入力側端子It1及び第1のドライブ回路DC1を接続する低圧配線パターンと上記高圧配線パターンとが上記仮想面において交差することとなる。一方、図5bは、各パルストランスに対応する接続端子を、第1の領域A1及び第2の領域A2に分割して配置し、この配置に対応した出力側端子を有するパルストランスを採用した場合を示す。図示されるパルストランス及び接続端子の配置では、第2のパルストランスPT2の出力側端子St1,Gt1及びSt3,Gt3と、第1の領域A1及び第2の領域A2のそれぞれに設けられる接続端子S1,G1及びS3,G3とを接続する高圧配線パターンが、中央領域Acにおいて上記基準方向と直交する方向に横切るように形成されることとなる。このため、第1のパルストランスPT1の入力側端子It1及び第1のドライブ回路DC1を接続する低圧配線パターン、並びに第2のパルストランスPT2の入力側端子It2及び第2のドライブ回路DC2を接続する低圧配線パターンと、高圧配線パターンとが上記仮想面において交差することとなる。こうした配置では、例えば、スイッチング素子のゲートにつながる高圧配線パターンを伝達される信号にノイズが混入し、スイッチング素子の誤動作が生じるおそれがある。この場合、高電圧側及び低電圧側のスイッチング素子の双方が同時にオン状態とされ、高圧バッテリの正極及び負極が短絡されるおそれがある。こうした問題を解決するには、例えば、高電圧側及び低電圧側のスイッチング素子が同時にオン状態とされることを回避するためのデッドタイムを伸長させたり、高圧配線パターンから低圧配線パターンへと漏洩する高周波ノイズコモンモードノイズを低減するための部品を追加したりすることが考えられる。しかしながら、これら対策では、スイッチング損失が増大したり、スイッチング周波数を高くすることが困難となったり、更にはコストが増大したりする懸念がある。以上詳述した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。1回路基板42の板面の正面視において、第1のパルストランスPT1を、自身の有する出力側端子を第1の領域A1の方向に向けるように設けて且つ、第2のパルストランスPT2を、自身の有する出力側端子を第2の領域A2の方向に向けるように設けた。また、第1の領域A1に第1のパルストランスPT1に対応する接続端子を設けて且つ、第2の領域A2に第2のパルストランスPT2に対応する接続端子を設けた。そして、第1,第2のパルストランスPT1,PT2の出力側端子と、これらに対応する接続端子とを接続する高圧配線パターンと、第1,第2のパルストランスPT1,PT2の入力側端子と第1,第2のドライブ回路DC1,DC2とを接続する低圧配線パターンとが上記仮想面において交差しないように、これら配線パターンを回路基板42に形成した。こうした接続端子及びパルストランスの配置によれば、配線パターンが長くなることを極力抑制しつつ、高圧配線パターンと低圧配線パターンとの間の誘導結合度合いを小さくすることができ、スイッチングサージに起因するスイッチング素子の誤動作の発生を回避できる等、DCDCコンバータCVの信頼性を向上させることができる。また、スイッチング素子の誤動作を回避するためのデッドタイムの伸長を回避することができ、スイッチング損失の増大を回避したり、スイッチング周波数を向上させたりすることなどもできる。2第1のパルストランスPT1及び第2のパルストランスPT2のそれぞれを、上記第1の基準軸線Lα1及び第2の基準軸線Lα2同士が平行となるように設けた。これにより、パルストランスの2次側コイルを介したスイッチング素子のゲート及びソース間を接続する高圧配線パターンの伸長を好適に抑制することができる。第2の実施形態以下、第2の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、DCDCコンバータCVに適用されるスイッチング素子Q1~Q4として、モジュール化されたものではなく、ディスクリート部品としてのスイッチング素子を用いる。図6に、本実施形態にかかる回路基板42の正面図を示す。なお、図6において、先の図4に示した部材と同一の部材については、便宜上同一の符号を示している。図示される回路基板42には、その裏面にスイッチング素子Q1~Q4が実装されている。ここで、各スイッチング素子Q1~Q4のゲート及びソースは、回路基板42に設けられたゲート接続端子Gn及びソース接続端子Snにはんだ付けにて接続されている。スイッチング素子Q1,Q2のドレイン及び正極端子Pと、スイッチング素子Q1のソース、スイッチング素子Q3のドレイン及び端子OUT1と、スイッチング素子Q2のソース、スイッチング素子Q4のドレイン及び端子OUT2と、スイッチング素子Q3,Q4のソース同士及び負極端子Nとの間は、バスバー50インサートバスバーによって接続されている。バスバー50は、導電性材料長尺状の金属板を非導電性材料にて被覆した部材である。バスバー50は、回路基板42の裏面側に設けられており、より具体的には、回路基板42の裏面から所定距離離間されて設けられている。ちなみに、本実施形態において、上記仮想面にバスバー50及び低圧配線パターンを垂直投影した場合に、仮想面においてバスバー50と低圧配線パターンとの交差を許容している。これは、回路基板42の板面とバスバーとの距離が十分に長いため、ノイズの影響が非常に小さいことに基づくものである。このように、本実施形態では、バスバー50を用いた上記回路構成において、低圧配線パターンと、高圧配線パターン及びバスバー50との交差を回避する手法を採用することで、スイッチングサージに起因する不都合を好適に回避することができる。その他の実施形態なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。上記第1の実施形態では、スイッチング素子Q1,Q3及びスイッチング素子Q2,Q4のそれぞれを開閉操作するための2つのパルストランスPT1,PT2を備える回路構成としたがこれに限らない。例えば、スイッチング素子Q1~Q4のそれぞれを各別で開閉操作するための4つのパルストランスを備える回路構成としてもよい。この場合、各パルストランスは、このトランスに対応する1つのスイッチング素子のゲート及びソースに信号を出力するための一対2つの出力側端子を有することとなる。また、この場合、スイッチング素子Q1,Q3を操作する一対2つのパルストランスが第1の磁気絶縁素子に相当し、スイッチング素子Q2,Q4を操作する2つのパルストランスが第2の磁気絶縁素子に相当することとなる。第1の実施形態において、規定領域を挟んで且つ、第2のドライブ回路DC2が設けられる位置とは反対側規定領域の下側に第1のドライブ回路DC1を実装する回路構成を採用してもよい。この場合であっても、高圧配線パターンと交差することなく、中央領域Acを利用して第1のドライブ回路DC1及び第1のパルストランスPT1の入力側端子It1を低圧配線パターンによって接続することができる。スイッチング素子としては、NチャネルMOSトランジスタに限らず、例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTであってもよい。また、スイッチング素子としては、電圧制御形のものに限らず、例えば電流制御形のものバイポーラパワートランジスタであってもよい。この場合、各スイッチング素子の開閉制御端子ベースに対応する接続端子が回路基板42に設けられることとなる。磁気絶縁素子としては、パルストランスに限らず、例えば、一方の電気回路系からの信号線を流れる電流の変化を磁気抵抗効果素子によって非接触で検出し、他方の電気回路系へ電気信号を伝達する磁気カプラであってもよい。中央領域Acにおける一対のパルストランスPT1,PT2の配置態様としては、上記第1の実施形態に例示したものに限らない。例えば、中央領域Acに上記基準方向と直交する方向に軸線を描く場合、第1のパルストランスPT1及び第2のパルストランスPT2のそれぞれを、回路基板42の板面の正面視においてこれらパルストランスPT1,PT2と上記軸線とが交差するように設けてもよい。また、例えば、第1のパルストランスPT1の出力側端子を第1の領域A1に向けて且つ、第2のパルストランスPT2の出力側端子を第2の領域A2に向けることを条件として、回路基板42の板面の正面視において、第1のパルストランスPT1の中心からこのトランスの出力側端子が設けられる辺に向かってこの辺と直交する方向と、第2のパルストランスPT2の中心からこのトランスの出力側端子が設けられる辺に向かってこの辺と直交する方向とのなす角度が90度よりも大きくて且つ180度未満となるように、これら第1,第2のパルストランスPT1,PT2を設けてもよい。上記各実施形態において、配線パターンを回路基板の中間層多層基板の複数の層のうち、表面及び裏面以外の層に形成する構成を採用してもよい。本願発明が適用される電力変換装置としては、フルブリッジ回路を備えるものに限らず、例えば、一対2つのスイッチング素子の直列接続体のみを備えるハーフブリッジ回路を備える電力変換装置であってもよい。第1の領域A1及び第2の領域A2における接続端子Gn,Snの配置態様としては、上記第1の実施形態に例示したものに限らない。例えば、図7aに示すように、第1の領域A1の接続端子の配置位置a1~a4及び第2の領域A2の接続端子の配置位置b1~b4を定義すると、同図bに示す各配置パターンB~Hのように接続端子を配置してもよい。この場合、各配置パターンに対応するパルストランスの出力側端子の配置パターンは同図bに示すものとなる。"