基板部と、この基板部の一方の主面に設けられる第1の枠部と、前記第1の枠部の一方の主面に設けられる第2の枠部とからなる素子搭載部材と、前記基板部と前記第1の枠部とで形成される第2の凹部空間内に露出した前記基板部の主面に設けられたサーミスタ素子搭載パッドに搭載されているサーミスタ素子と、前記第1の枠部と前記第2の枠部とで形成される第1の凹部空間内に露出した前記第1の枠部の主面に設けられた圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、前記第1の凹部空間と第2の凹部空間を気密封止する蓋体と、を備え、前記素子搭載部材に前記圧電振動素子と前記サーミスタ素子とを搭載した状態で、平面視で前記圧電振動素子に設けられる励振用電極の平面内に前記サーミスタ素子を位置させて構成されていることを特徴とする圧電デバイス。しかしながら、従来の圧電デバイスにおいては、圧電振動素子の先端部に対向する位置にサーミスタ素子が搭載されているため、サーミスタ素子に電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズが重畳し、正確なサーミスタ素子の値を出力することができないといった課題があった。また、サーミスタ素子からの出力値が異なってしまうことで、サーミスタ素子から出力された電圧を換算することで得られた温度情報と、実際の圧電振動素子の周囲の温度情報との差異が大きくなってしまうといった課題があった。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、サーミスタ素子に電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズが重畳することを低減し、温度情報の差異を抑え、発振周波数が変動することを防ぐ圧電デバイスを提供することを課題とする。本発明の圧電デバイスは、基板部と、この基板部の一方の主面に設けられる第1の枠部と、第1の枠部の一方の主面に設けられる第2の枠部とからなる素子搭載部材と、基板部と第1の枠部とで形成される第2の凹部空間内に露出した基板部の主面に設けられたサーミスタ素子搭載パッドに搭載されているサーミスタ素子と、第1の枠部と第2の枠部とで形成される第1の凹部空間内に露出した第1の枠部の主面に設けられた圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、第1の凹部空間と第2の凹部空間を気密封止する蓋体と、を備え、素子搭載部材に圧電振動素子とサーミスタ素子とを搭載した状態で、平面視で圧電振動素子に設けられる励振用電極の平面内にサーミスタ素子を位置させて構成されていることを特徴とするものである。本発明の圧電デバイスによれば、素子搭載部材に圧電振動素子とサーミスタ素子とを搭載した状態で、平面視で圧電振動素子に設けられる励振用電極の平面内に前記サーミスタ素子を位置させていることにより、励振用電極によってサーミスタ素子を保護するため、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ素子に電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズが重畳することを低減し、正確なサーミスタ素子の値を出力することができる。また、サーミスタ素子から正確な出力値を出力することができるので、サーミスタ素子から出力された電圧を換算することで得られた温度情報と、実際の圧電振動素子の周囲の温度情報との差異を低減することが可能となる。以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。尚、圧電振動素子に水晶を用いた場合について説明する。図1及び図2に示すように、本発明の実施形態に係る圧電デバイス100は、素子搭載部材110と圧電振動素子120と蓋体130とサーミスタ素子140で主に構成されている。この圧電デバイス100は、前記素子搭載部材110に形成されている第1の凹部空間K1内に圧電振動素子120が搭載され、第2の凹部空間K2内には、サーミスタ素子140が搭載されている。その第1の凹部空間K1が蓋体130により気密封止された構造となっている。圧電振動素子120は、図1及び図2に示すように、水晶素板121に励振用電極122を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極122を介して水晶素板121に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。水晶素板121は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。励振用電極122は、前記水晶素板121の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着形成したものである。このような圧電振動素子120は、その両主面に被着されている励振用電極122から延出する引き出し電極123と第1の凹部空間K1内底面に形成されている圧電振動素子搭載パッド111とを、導電性接着剤DSを介して電気的且つ機械的に接続することによって第1の凹部空間K1に搭載される。このときの引き出し電極123が設けられた一辺とは反対側の自由端となる端辺を圧電振動素子120の先端部とする。図1~図2に示すサーミスタ素子140は、温度変化によって電気抵抗が顕著な変化を示すものであり、この抵抗値の変化から電圧が変化するため、抵抗値と電圧との関係及び電圧と温度との関係により、出力された抵抗値を電圧に換算することで、換算して得られた電圧から温度情報を得ることができる。サーミスタ素子140は、抵抗値が、外部接続用電極端子Gを介して圧電デバイス100の外へ出力されることにより、例えば、電子機器等のメインIC図示せずで出力された抵抗値を電圧に換算することで温度情報を得ることができる。サーミスタ素子140は、図2に示すように、素子搭載部材110の第2の凹部空間K2内に露出した後述する基板部110aに設けられたサーミスタ素子搭載パッド112に導電性接着剤DSを介して搭載されている。また、サーミスタ素子140は、図3に示すように、前記素子搭載部材110に前記圧電振動素子120と前記サーミスタ素子140とを搭載した状態で、平面視で前記圧電振動素子120に設けられる励振用電極122の平面内に位置するように、第2の凹部空間K2内に搭載されている。つまり、図3に示すように、サーミスタ素子140は、圧電振動素子120の励振用電極122の直下にある第2の凹部空間K2内に搭載され、前記励振用電極122からはみ出ることがなく、平面視で励振用電極122が設けられている面積内に設けられている。また、実際に前記素子搭載部材110に前記圧電振動素子120と前記サーミスタ素子140とを搭載した状態で、平面視で前記圧電振動素子120に設けられる励振用電極122の平面内に位置するようにサーミスタ素子を140搭載した場合には、サーミスタ素子140に電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズが重畳せず、正確なサーミスタ素子140の値を出力できることが確認された。図1~図2に示すように、素子搭載部材110は、基板部110aと、第1の枠部110b、第2の枠部110cとで主に構成されている。この素子搭載部材110は、前記基板部110aの一方の主面に第1の枠部110bが設けられて、第2の凹部空間K2が形成されている。また、前記第1の枠部110bの主面に第2の枠部110cが設けられて、第1の凹部空間K1が形成されている。尚、この素子搭載部材110を構成する基板部110a及び第1の枠部110bは、例えばアルミナセラミックス、ガラス-セラミックス等のセラミック材料を複数積層することよって形成されている。第2の枠部110cは、42アロイやコバール等の金属から成り、中心が打ち抜かれた枠状になっている。また、第2の枠部110bは、第1の枠部110bの一方の主面の外周を囲むように設けられた封止用導体膜HB上にロウ付けなどにより接続される。第1の凹部空間K1内で露出した第1の枠部110bの一方の主面には、2個一対の圧電振動素子搭載パッド111が設けられている。また、図1~図2に示すように、素子搭載部材110は、基板部110aの一方の主面と第1の枠部110bによって第2の凹部空間K2が形成されている。第2の凹部空間K2内で露出した基板部110aの一方の主面には、サーミスタ素子搭載パッド112が設けられている。前記素子搭載部材110の第2の枠部110cの基板部110aの他方の主面の4角に外部接続用電極端子Gが設けられている。つまり、前記素子搭載部材110の基板部110aのサーミスタ素子搭載パッド112が設けられている面とは反対側の主面の4隅には、外部接続用電極端子Gが設けられている。外部接続用電極端子Gは、2個一対の圧電振動素子用電極端子G1と2個一対のサーミスタ素子用電極端子G2により構成されている。2個一対の圧電振動素子用電極端子G1は、前記素子搭載部材110の基板部110aの他方の主面の対角に位置する箇所に設けられている。また、2個一対のサーミスタ素子用電極端子G2は第2の枠部110cの前記圧電振動素子用電極端子G1が設けられている位置と異なる2つの隅部に設けられている。つまり、前記サーミスタ素子用電極端子G2は、前記圧電振動素子用電極端子G1が設けられている対角とは異なる基板部110aの対角に設けられている。圧電振動素子搭載パッド111といずれかの外部接続用電極端子Gは、前記素子搭載部材110の基板部110aに形成された圧電振動素子用配線パターン113と、第1の枠部110bの内部に形成された第1のビア導体114と、基板部110aの内部に形成された第2のビア導体115により接続されている。つまり、図3及び図4に示すように、圧電振動素子搭載パッド111は、第1のビア導体114を介して圧電振動素子用配線パターン113の一端と接続されている。また、圧電振動素子用配線パターン113の他端は、第2のビア導体115を介して圧電振動素子用電極端子G1と接続されている。よって、圧電振動素子搭載パッド111は、圧電振動素子用電極端子G1と電気的に接続されることになる。また、サーミスタ素子搭載パッド112とサーミスタ素子用電極端子G2は、前記素子搭載部材110の基板部110aに内部に形成されたサーミスタ素子用配線パターン117と基板部110aの内部に形成された第3のビア導体116と第4のビア導体118により接続されている。つまり、図4及び図5に示すようにサーミスタ素子搭載パッド112は、第3のビア導体116を介してサーミスタ素子用配線パターン117の一端と接続されている。また、サーミスタ素子用配線パターン117の他端は、第4のビア導体118を介してサーミスタ素子用電極端子G2と接続されている。よって、サーミスタ素子搭載パッド112は、サーミスタ素子用電極端子G2と電気的に接続されることになる。蓋体130は、例えば、Fe-Ni合金42アロイやFe-Ni-Co合金コバールなどからなる。このような蓋体130は、第1の凹部空間K1を、窒素ガスや真空などで気密的に封止される。具体的には、蓋体130は、所定雰囲気で、素子搭載部材110の第2の枠部110c上に載置され、第2の枠部110cの表面の金属と蓋体130の金属の一部とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、第2の枠部110cに接合される。前記導電性接着剤DSは、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウムAl、モリブデンMo、タングステンW、白金Pt、パラジウムPd、銀Ag、チタンTi、ニッケルNi、ニッケル鉄NiFe、のうちのいずれかまたはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。尚、前記素子搭載部材110は、アルミナセラミックスから成る場合、所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加混合して得たセラミックグリーンシートの表面に圧電振動素子搭載パッド111、サーミスタ素子搭載パッド112、封止用導体膜HB、外部接続用電極端子G等となる導体ペーストを、また、セラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に第1のビア導体114、第2のビア導体115、第3のビア導体116、第4のビア導体118等となる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することにより製作される。本発明の圧電デバイス100によれば、サーミスタ素子140は、素子搭載部材110に圧電振動素子120とサーミスタ素子140とを搭載した状態で、平面視で圧電振動素子120に設けられる励振用電極122の平面内に前記サーミスタ素子140を位置させていることにより、励振用電極122によってサーミスタ素子140を保護するため、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ素子140に電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズが重畳することを低減し、正確なサーミスタ素子140の値を出力することができる。つまり、蓋部材130と励振用電極122の2つによって、サーミスタ素子140がノイズから保護されるので、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ素子140に電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズが重畳することを低減し、正確なサーミスタ素子140の値を出力することができる。また、サーミスタ素子140から正確な出力値を出力することができるので、サーミスタ素子140から出力された電圧を換算することで得られた温度情報と、実際の圧電振動素子120の周囲の温度情報との差異を低減することが可能となる。尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、前記した本実施形態では、圧電振動素子120を構成する圧電素材として水晶を用いた場合を説明したが、他の圧電素材として、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたは、圧電セラミックスを圧電素材として用いた圧電振動素子でも構わない。また、前記した本実施形態では、第2の枠部にシールリングを用いた場合を説明したが、基板部と第1の枠部と同様にセラミック材で形成しても構わない。この場合、第2の枠部の開口側頂面の全周には、環状の封止用導体パターンが形成され、蓋体は、この封止用導体パターン上に配置接合される。この際の蓋体は、前記素子搭載部材の凹部空間を囲むように設けられた封止用導体パターンに相対する箇所に封止部材が設けられている。