"酸化イットリウムアルミニウム結晶相A又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部をイットリウムでない希土類元素で置換してなる結晶相Bと、イットリウムを除く希土類元素-アルミニウム酸化物結晶相Cとを含む複合酸化物焼結体を含み、X線回折プロファイルに基づき下記式1で算出される前記結晶相Cの含有率が、0.05以上10以下である静電チャック。結晶相Cの含有率=結晶相Cに基づく最高ピークの強度/酸化イットリウムアルミニウムに基づく最高ピークの強度×1001前記イットリウムを除く希土類元素が、サマリウム及びガドリニウムのうちの少なくとも1種である請求項1に記載の静電チャック。前記結晶相Cの結晶構造が、斜方晶系結晶相及び三方晶系結晶相のうちの少なくとも1種からなる請求項1又は2に記載の静電チャック。請求項1~3のいずれか1項に記載の静電チャックの製造方法であって、a原料粉体を溶媒中に分散させたスラリーを調製するスラリー調製工程と、b前記スラリーを造粒し顆粒とした後、該顆粒を所定形状の成型体とする成型工程と、c前記成型体を焼成する焼成工程と、を含み、前記スラリー調製工程における前記原料粉体が、酸化アルミニウム粉体、酸化イットリウム粉体、及びイットリウムを除く希土類元素-アルミニウム酸化物の粉体である静電チャックの製造方法。前記原料粉体に、さらにイットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体を含む請求項4に記載の静電チャックの製造方法。特許文献1に記載の方法では、セラミックス中にサマリウム-アルミニウム酸化物相を分散することで体積抵抗率が安定化するが、静電チャックとして高い吸着力を得ることはできない。また、特許文献2に記載の方法によれば、酸化イットリウムアルミニウム材料が静電チャックとして十分な吸着力と加工性を保持することが可能とされるが、実際に静電チャックとして直径が300mm以上の大型品を製造しようとすると、その工程において製造される焼結体の中心と周辺とで粒径や酸素欠陥量を制御するのは困難な場合があり、静電チャック面内での吸着力の不均一による半導体製品の歩留り低下を招きやすくなる。そのため、面内の特性均一化のためにポストアニール等の後処理工程が必要となりコストアップを余儀なくされてしまう。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、フッ素系腐食性ガス、塩素系腐食性ガス等のハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマ中で用いられ、十分な吸着力を有し、しかも該吸着力が面内で均一であり、機械的強度に優れた静電チャック及びその製造方法を提供することを目的とする。また、電圧印加を解除した際に直ちにチャッキング力を小さくして被吸着物を容易に取外し得る静電チャック及びその製造方法を提供することを、付加的な目的とする。本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、静電チャックの少なくとも腐食性ガス又はそのプラズマに曝される部位を、酸化イットリウムアルミニウム結晶相又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部をイットリウムを除く希土類元素以下、REと称する場合があるで置換してなる結晶相中に、イットリウムを除く希土類元素-アルミニウム酸化物以下、REAlO3と称する場合がある結晶相を所定の割合で導入することにより、比誘電率が低くても十分な吸着力、当該吸着力が面内で均一であり、優れた機械的強度が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は下記の通りである。[1]酸化イットリウムアルミニウム結晶相A又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部をイットリウムでない希土類元素で置換してなる結晶相Bと、イットリウムを除く希土類元素-アルミニウム酸化物結晶相Cとを含む複合酸化物焼結体を含み、X線回折プロファイルに基づき下記式1で算出される前記結晶相Cの含有率が、0.05以上10以下である静電チャック。結晶相Cの含有率=結晶相Cに基づく最高ピークの強度/酸化イットリウムアルミニウムに基づく最高ピークの強度×1001[2]前記イットリウムを除く希土類元素が、サマリウム及びガドリニウムのうちの少なくとも1種である[1]に記載の静電チャック。[3]前記結晶相Cの結晶構造が、斜方晶系結晶相及び三方晶系結晶相のうちの少なくとも1種からなる[1]又は[2]に記載の静電チャック。[4]上記[1]~[3]のいずれかに記載の静電チャックの製造方法であって、a原料粉体を溶媒中に分散させたスラリーを調製するスラリー調製工程と、b前記スラリーを造粒し顆粒とした後、該顆粒を所定形状の成型体とする成型工程と、c前記成型体を焼成する焼成工程と、を含み、前記スラリー調製工程における前記原料粉体が、酸化アルミニウム粉体、酸化イットリウム粉体、及びイットリウムを除く希土類元素-アルミニウム酸化物の粉体である静電チャックの製造方法。[5]前記原料粉体に、さらにイットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体を含む[4]に記載の静電チャックの製造方法。本発明によれば、フッ素系腐食性ガス、塩素系腐食性ガス等のハロゲン系腐食性ガス及びこれらのプラズマ中で用いられ、十分な吸着力を有し、しかも該吸着力が面内で均一であり、機械的強度に優れた静電チャック及びその製造方法を提供することができる。また、上記効果に加えて、電圧印加を解除した際に直ちにチャッキング力を小さくして被吸着物を容易に取外し得る、いわゆる残留吸着力の低い静電チャック及びその製造方法をも提供することができる。以下、本発明を実施形態により説明する。<静電チャック>本実施形態の静電チャックは、酸化イットリウムアルミニウム結晶相A又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部をイットリウムでない希土類元素で置換してなる結晶相Bと、イットリウムを除く希土類元素-アルミニウム酸化物結晶相Cとを含む複合酸化物焼結体を含み、X線回折プロファイルに基づき下記式1で算出される前記結晶相Cの含有率が、0.05以上10以下となっている。結晶相Cの含有率=結晶相Cに基づく最高ピークの強度/酸化イットリウムアルミニウムに基づく最高ピークの強度×1001結晶相Cの含有率が、0.05未満では、静電チャックとして十分な吸着力が得られず、また10を超えると、REAlO3が異常粒成長するため機械的強度の低下を招く。結晶相Cの含有率は1以上8以下であることが好ましく、1以上5以下であることがより好ましい。これまでの金属酸化物焼結体を有する静電チャックは、体積抵抗値が1×1014Ωcm以上であり、クーロン型の静電チャックの特性を示す。そのため、吸着力は誘電率と印加電圧に比例し、厚さに反比例する。本発明者らは、印加電圧と厚さを調整しても、誘電率が1MHz以下の周波数領域で10未満、かつ1kHz以下の周波数領域において30未満では十分な吸着力が得られないことを見出していた。このことに鑑み、種々の試行錯誤によって、誘電率が1MHz以下の周波数領域で10未満、かつ1kHz以下の周波数領域において30未満であっても、例えば原料としてREAlO3を導入し焼結体内にREAlO3が存在させることにより、十分な吸着力が得られることを見出したものである。これは、焼結体内にREAlO3が所定量存在すると、このREAlO3による新たな導電層が形成され、焼結体内に含まれる酸化イットリウムアルミニウムの体積抵抗率を下げる効果を発現するためと考えられる。そしてその結果、本来酸化イットリウムアルミニウムが誘電分極により発生するクーロン力に加え、電子伝導が関与するジョンソンラーベック力が付与されるため、吸着力が上昇するものと推察される。複合酸化物焼結体に含まれる酸化イットリウムアルミニウム結晶相A又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部を、イットリウムを除く希土類元素REで置換してなる結晶相Bは、結晶構造として特に限定されないが、ガーネット型単相であるのが機械的強度に優れるため好ましい。しかし、ペロブスカイト型結晶相又は単斜晶系結晶相でもよく、これら2つの結晶構造を含んでも良い。本実施形態における複合酸化物焼結体では、結晶相A又は結晶相Bが上記の結晶構造を有することにより、実用上問題ない機械的強度が得られる。なおここで、単相とは、この複合酸化物焼結体のX線回折パターンにおいて他の成分の存在が認められない状態のことを指称する。したがって、ガーネット型結晶相は5Al2O33-xY2O3xRE2O3ただし、0.01<x<1.20なる組成式で表される。本実施形態におけるイットリウムYを除く希土類元素REとしては、特に制限されるものではなく、周期表第3族に属するスカンジウムSc及びランタノイドLnのランタンLa;セリウムCe、プラセオジムPr、ネオジムNd、プロメチウムPm、サマリウムSm、ユウロピウムEu、ガドリニウムGd、テルビウムTb、ジスプロジウムDy、ホルミウムHo、エルビウムEr、ツリウムTm、イッテルビウムYb、及びルテチウムLu等が挙げられるが、入手し易さや耐食性の改善効果の点から、ランタンLa、ネオジムNd、サマリウムSm、ガドリニウムGd、ジスプロシウムDyの群から選択される1種又は2種以上が好ましい。なかでも、サマリウムSm及びガドリニウムGdのうちの少なくとも1種であることが好ましい。これらの希土類元素を含むことにより、酸化イットリウムアルミニウム単相に比べ耐食性が向上する。結晶相Cに関しては、その結晶構造が、斜方晶系結晶相及び三方晶系結晶相のうちの少なくとも1種からなることが好ましい。これらの結晶構造により、静電チャックとして十分な吸着力が発現されるからである。上記結晶相Cが、斜方晶系又は三方晶系のいずれの結晶相を採るかは、イットリウムYを除く希土類元素REの種類により定まる。例えば、イットリウムYを除く希土類元素REがランタンLa、プラセオジウムPr、ネオジムNdのいずれかであるときは三方晶系の結晶相を採り、イットリウムYを除く希土類元素REがサマリウムSm、ユウロピウムEu、ガドリニウムGd、テルビウムTb、ジスプロジウムDy、ホルミウムHo、エルビウムEr、ツリウムTmであるときは斜方晶系の結晶相を採る。本実施形態において、結晶相Cのイットリウムを除く希土類元素-アルミニウム酸化物はREAlO3と表記するが、REAlO3におけるREは特に制限されず、結晶相Bに関して挙げた希土類元素REが同様に挙げられる。上記REAlO3としては、SmAlO3REがSm及びGdAlO3REがGdから選択されることが好ましい。また、SmAlO3及びGdAlO3を同時に含んでも良い。これらの化合物を含むことにより十分な吸着力が得られる。結晶相A又は結晶相Bへの結晶相CREAlO3の導入方法としては、特に限定はされないが、原料中にREAlO3粉末を添加する方法が好ましい。焼成中に原料粉末同士を反応させて生成する方法では、直径が300mm程度の大型の焼結体を作製した際に、中心と周辺との温度差あるいは圧力差により、REAlO3の生成量が変わるおそれがあり、それに基づいて結晶相Cを所望の含有量とすることができなかったり、焼結体中の含有量にばらつきが出てしまったりする場合がある。なお、本実施形態の静電チャックにおいては、当該静電チャックの少なくともハロゲン系腐食性ガス又はそのプラズマに曝される部位が、酸化イットリウムアルミニウム結晶相A又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部を、イットリウムを除く希土類元素で置換してなる結晶相Bと、イットリウムを除く希土類元素-アルミニウム酸化物結晶相Cとを含む複合酸化物焼結体であればよく、その構成については特に制限はない。<静電チャックの製造方法>次に、本発明の静電チャックの製造方法について、同様に実施形態により説明する。本実施形態の静電チャックの製造方法は、前述の本実施形態の静電チャックを製造する方法であって、a原料粉体を溶媒中に分散させたスラリーを調製するスラリー調製工程と、b前記スラリーを造粒し顆粒とした後、該顆粒を所定形状の成型体とする成型工程と、c前記成型体を焼成する焼成工程と、を含むものである。そして、上記スラリー調製工程における原料粉体として、酸化アルミニウム粉体、酸化イットリウム粉体、及びイットリウムを除く希土類元素-アルミニウム酸化物の粉体を使用する。当該原料粉体には、さらに、イットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体を含んでもよい。前述のように、結晶相A又は結晶相Bへの結晶相CREAlO3の導入方法としては、REAlO3の生成量や焼結体中のREAlO3含有量の制御のしやすさから、原料中にREAlO3粉末を添加する方法が好ましい。例えば、特許文献1では、酸化イットリウムの一部をサマリウムの酸化物で置換した酸化イットリウムアルミニウムと、斜方晶系の酸化アルミニウムとサマリウムの酸化物とを含有する耐食性材料が報告されており、ここでの製造方法は、原料混合粉末Y2O3粉末、Al2O3粉末およびSm2O3粉末を混合したものの焼成により酸化イットリウムアルミニウムとSmAlO3とを同時に反応生成させている。ここで、Sm2O3粉末はAl2O3粉末と反応してSmAlO3を生成するが、酸化イットリウムアルミニウム結晶構造中にも固溶するため、この方法ではSmAlO3の生成量を制御することは困難である。また、酸化イットリウムアルミニウムについても、Al2O3粉末がSmAlO3の生成と共に減少するので、組成ズレを起こすおそれがある。これに対し、本実施形態では原料中にREAlO3粉末を添加するので、酸化イットリウムアルミニウム結晶相A又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部をイットリウムを除く希土類元素で置換してなる結晶相Bと、イットリウムを除く希土類元素-アルミニウム酸化物結晶相Cとを含む複合酸化物焼結体を効率的に製造することができる。以下、各工程を具体的に説明する。-aスラリー調製工程-本工程では、各結晶相の原料となる粉体を溶媒中に混合、分散させて、スラリーを調製する。まず、原料粉末である、酸化アルミニウム粉体、酸化イットリウム粉体、イットリウムを除く希土類元素-アルミニウム酸化物の粉体、及びイットリウムを除く希土類元素の酸化物粉体の一次粒子の平均粒径は、0.01~1.0μm程度であることが好ましい。0.01~1.0μm程度であることで、ハンドリングの低下を防ぎ、焼結性が悪化、密度の低下を防止するとともに、焼結体中の粒子径が大きくなることによる腐食性ガス又はそのプラズマ中での劣化をも有効に防ぐことができる。原料粉体は、市販のものを使用することができる。なお、SmAlO3粉末及びGdAlO3粉末に関しては、原料粉末を所定の比率で混合し仮焼して作製しても良い。仮焼は800°C~1600°Cの範囲、好ましくは1000°C~1400°Cの範囲にて1時間~10時間実施することにより、REAlO3粉末REがSm及びGdが得られる。温度が800°Cに満たないと、反応が進まず所望の粉末が得られない場合があり、また1600°Cを超えると、粒成長が起こり、次工程で溶媒に分散する場合に分散性が低下する場合がある。原料粉末を混合してスラリーとするためには溶媒が使用される。該溶媒に特に制限はなく、例えば、水、アルコール類等が挙げられる。また、原料粉末の混合には分散剤を用いてもよい。分散剤に特に制限はなく、粒子表面に吸着し分散効率を上げるものが使用されるが、金属不純物を低減するため、対イオンとして金属イオンを含まないものが望ましい。分散剤は異粒子同士のヘテロ凝集を防止する意味でも添加されることが好ましい。原料粉末の混合、スラリーの調製には、分散機を用いるのが効率的である。分散機の使用により粒子表面への分散剤の吸着効率が向上する共に、異粒子同士の均一な混合が可能となる。分散機は特に制限はなく、例えば、超音波、遊星ボールミル、ボールミル、サンドミル等のメディアを用いた分散機や、超高圧粉砕分散機等のメディアレス分散機を好適に用いることができる。上記メディアレス分散機は分散時のコンタミの混入が少なく、半導体製造装置用の静電チャックの製造には特に有利である。-b成型工程-本工程では、前記a工程で得られたスラリーを造粒して顆粒とし、さらにこの顆粒を成型体に成型する。上記スラリーから顆粒形状に造粒する方法は、特に限定されず、転動造粒法、流動層造粒法、攪拌造粒法、噴霧乾燥造粒法等の公知の造粒法が挙げられ、造粒装置としては、例えばスプレードライヤー等が好適に用いられる。造粒後の顆粒の粒径は、50μm~100μmの範囲であることが望ましい。顆粒の平均粒径は、光学顕微鏡を用い、100個の粒子について最大径を測定し、その平均として求めることができる。次いで、この顆粒を周知の成型手段により所定形状に成型する。-c焼成工程-本工程では、上記で得られた成型体を焼成する。まず、成型体を、大気中、50~600°C程度にて脱脂した後、大気中あるいは不活性ガス雰囲気中、1400°C~1800°C程度、好ましくは1550°C~1750°Cにて1~10時間程度焼成することにより、98以上の相対密度を有する緻密な焼結体を作製することができる。温度が1400°C未満では焼結が進まず密度が上がらない場合がある。また、1800°Cを超えると溶解が起こるため好ましくない。焼成方法としては、常圧焼成でもよいが、緻密な焼結体を得るためには、ホットプレス、熱間静水圧プレスHIP等の加圧焼成法が好ましい。加圧焼成時の加圧力は特に制限はないが、通常、10~40MPa程度である。以上のようにして得られた本実施形態の静電チャックは、例えば、試料を静電吸着するための試料載置面を有する板状体と、その背面に設けられた静電吸着用内部電極層と、絶縁性材料層とを有する静電チャック部材を備えてなる静電チャック装置に用いられる。具体的には、この静電チャック装置において、前記静電チャック部材に用いられる試料載置面を有する板状体は、少なくとも試料載置面が、前述した本実施形態の静電チャックを構成する、複合酸化物焼結体であり、板状体そのものが該複合酸化物焼結体の層であってもよい。上記構成の静電チャック装置においては、静電チャック部材における板状体を構成する前記複合酸化物焼結体の厚さは、印加する電圧及び静電吸着力の観点から、0.3~2.0mmの範囲が好ましく、0.3~1.0mmの範囲がより好ましい。また、前記静電チャック装置においては、たとえば厚さ0.5mmの複合酸化物焼結体層からなる板状体を有する静電チャック部材に、試料載置面温度25°Cにて1.5kVの電圧を印加した際の静電吸着力を10~30kPaとすることができる。次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。なお、各例における諸特性は、下記に示す方法に従って測定した。1金属酸化物粉末原料の一次平均粒径透過型電子顕微鏡日立製作所社製、機種名:H-800を用い、50個の粒子について最大径を測定し、その平均として求めた。2焼結体の相対密度アルキメデス法により、焼結体の密度を測定し、下記式2により求めた理論密度に対する割合相対密度を算出した。<理論密度>理論密度=単位胞重量g/単位胞体積cm32単位胞重量:酸化イットリウムアルミニウム結晶相の各単位胞重量×各結晶相のmolREAlO3結晶相の単位胞重量×各結晶相のmol単位胞体積:酸化イットリウムアルミニウム結晶相の各単位胞体積×各結晶相のmolREAlO3結晶相の単位胞体積×各結晶相のmolなお、酸化イットリウムアルミニウム及びREAlO3の各結晶相のmolは、原料粉体の仕込み量から算出した。3焼結体における結晶相の同定及び結晶相Cの含有率粉末X線回折法により、X線回折装置として、PANalytial社製、機種名XPertPROMPDを用いて、結晶相の同定を行った。表1中、結晶相Iは酸化イットリウムアルミニウム結晶相を表しており、Gはガーネット型結晶相、Mは単斜晶系結晶相である。また、結晶相IIはREAlO3結晶相を示しており、Oは斜方晶系結晶相、Tは三方晶系結晶相である。なお、上記同定された結晶相は焼結体の中心及び周辺で共通であった。また、結晶相CREAlO3結晶相の含有率は、結晶相I及び結晶相IIの最高ピーク強度比結晶相II/結晶相Iから、前記式1により求めた。4焼結体の比誘電率40Hzから1MHzの周波数領域における誘電率を、測定機器としてAgilent社製、機種名Agilent4294Aプレシジョンインピーダンスアナライザーを用いて測定した。焼結体は60mm×60mm×2mmに加工したものを用いた。5焼結体の吸着力と残留吸着力i焼結体の吸着力焼結体を厚さ0.5mmに加工し、アルミナセラミックス/電極/焼結体の構成で接着し、試料載置面温度25°Cにて印加電圧1.5kV、印加時間60秒、真空中<0.5Paの条件で、1インチのシリコンウエハに対する吸着力を測定した。測定はロードセルを用いた引き剥がしにより行い、そのとき発生した最大引き剥がし応力を吸着力とした。ii焼結体の残留吸着力焼結体を厚さ0.5mmに加工し、アルミナセラミックス/電極/焼結体の構成で接着し、真空中<0.5Pa、試料載置面温度25°Cにて、5.0kVの印加電圧を60秒間付与した後、電圧の印加を解除してその直後に測定した。測定は、1インチのシリコンウエハを用いた引き剥がしにより行い、そのとき発生した最大引き剥がし応力を残留吸着力とした。6焼結体の四点曲げ強度試料から、JISR1601に準じる試験片を切り出し、INSTRON社製、機種名インストロン4206型万能材料試験機を用い、四点曲げ試験にて曲げ強度10本平均を測定した。なお、3X線回折及び5吸着力の測定は、直径300mmの焼結体の中心及び周辺において実施した。ここで、中心とは中心点から50mm以内の範囲、及び周辺とは外周から50mm以内の範囲とした。また、2相対密度、4比誘電率及び6四点曲げ強度は周辺で測定した。<原料粉体の作製>1SmAlO3粉末の作製いずれも透過型電子顕微鏡により計測される一次粒子の平均粒子径が0.1μmの市販の酸化アルミニウムAl2O3粉末と、市販の酸化サマリウムSm2O3粉末とを、モル比率が50/50となるように秤量し、その後、水を溶媒として周知の分散方法により湿式混合した。得られたスラリーをホットプレート上で蒸発乾固し、乾固物を乳鉢で粉砕した。粉砕した粉末を2分し、1000°C及び1200°Cで各々別々に仮焼した後、それぞれタイプI及びタイプIIのSmAlO3粉末とした。得られたSmAlO3粉末は粉末X線回折の結果、タイプIは斜方晶系結晶相であり、タイプIIは三方晶系結晶相であった。2GdAlO3粉末の作製いずれも透過型電子顕微鏡により計測される一次粒子の平均粒子径が0.1μmの市販の酸化アルミニウムAl2O3粉末と、市販の酸化ガドリニウムGd2O3粉末とを、モル比率が50/50となるように秤量し、その後、水を溶媒として周知の分散方法により湿式混合した。得られたスラリーをホットプレート上で蒸発乾固し、乾固物を乳鉢で粉砕した。粉砕した粉末を、1200°Cで仮焼した後、GdAlO3粉末とした。得られたGdAlO3粉末は粉末X線回折の結果、ペロブスカイト型結晶相であった。<実施例1~11、比較例1~6、参考例1,2>スラリーの調製いずれも透過型電子顕微鏡TEMにより計測される一次粒子の平均粒子径が0.1μmである、市販の酸化アルミニウムAl2O3粉末と、市販の酸化イットリウムY2O3粉末、及び市販の酸化サマリウムSm2O3粉末、市販の酸化ガドリニウムGd2O3粉末を用いて、各々下記表1中の原料Iに示す組成となるように秤量した。次に、秤量した原料Iと表1中の原料IIに示される前記作製したREAlO3REがSm及びGdの少なくともいずれか粉末を、それぞれ表中に示す割合で混合した。これらの混合粉末を、水を溶媒としてアルティマイザーで分散して湿式混合して、混合粉末のスラリーを得た。成型体の作製、焼成その後、このスラリーをスプレードライヤーにて造粒し顆粒とした。次いで、この顆粒を周知の成型手段により所定形状に成型した。次いで、ホットプレスを用いて、アルゴンガス中1600°Cにて2時間加圧焼成し、直径が300mmの焼結体とした。なお、この際の加圧力は20MPaである。得られた焼結体を厚さ0.5mmに加工し、X線回折測定や比誘電率測定に用いるとともに、アルミナセラッミックス/電極/焼結体という構成で接着し吸着力測定評価に用いた。各実施例、比較例の配合、焼結体の特性をまとめて下記表1に示す。表1に示した評価結果により、次の事項が判明した。実施例1のように酸化イットリウムアルミニウム単体にSmAlO3を全体の10質量添加したものでは、相対密度が99.5以上で緻密化しており酸化イットリウムアルミニウムはガーネット構造、SmAlO3は斜方晶系構造である。周波数が40Hzの誘電率は12と低いが、吸着力は25kPaと大きな値となっており、また、残留吸着力は0.6kPaと低く、中心と周辺との差もない。なお、クーロン力型静電チャックの吸着力は以下の式3で表され、これより見積もられる計算値では1kPa程度であるので、本実施例の焼結体では25倍ほどの値となっている。F=1/2ε0εrV/d23上記式において、ε0は真空の誘電率であり、εrは誘電体の誘電率であり、Vは印加電圧Vであり、dは誘電体の厚みmである。また、実施例2~5の酸化イットリウムアルミニウム中にSmをドープしたものに、SmAlO3を全体の5質量~30質量まで添加したものでは、実施例1とほぼ同様の結果であった。また、実施例6~8では実施例3の希土類元素をSmから一部又は全てGdに変更し、実施例9及び10ではSmAlO3結晶相を斜方晶系結晶相と三方晶系結晶相との混晶、又は三方晶系単相に変更しているが、実施例3と同様に吸着力は高い値となった。さらに実施例11では、酸化イットリウムアルミニウム結晶相をガーネット単相から、ガーネット型結晶相と単斜晶系結晶相の混晶に変更したが、やはり同様の結果となった。一方、比較例1~4のように、REAlO3を添加しておらず、NRE/NYNRE比率が低い場合、相対密度、結晶構造、比誘電率は前記実施例とほぼ同じであるが、吸着力は1/10程度まで減少する。これは、REAlO3添加により発現していたジョンソンラーベック力が減少したことにより本来の比誘電率の吸着力に近くなったものと推察される。また、比較例5及び6のようにSmAlO3の多いものでは、吸着力は高いが、残留吸着力が1kPa以上に増加し、四点曲げ強度は150MPa以下に減少する。残留吸着力の増加は、高電圧印加によりSmAlO3粒子が帯電するためであると考えられ、また、四点曲げ強度の減少は、SmAlO3の異常粒成長した粒子が破壊の起点となったからであると考えられる。なお、上記NRE/NYNREは、イットリウムの原子数NYとサマリウム及びガドリニウムのうちいずれか一方又は双方の原子数NREとの和NYNREに対するするサマリウム及びガドリニウムのうちいずれか一方又は双方の原子数NREの比を表している。また、参考例1及び2のように、REAlO3を添加しなくても、NRE/NYNRE比率を高くすることにより固溶限界以上に希土類元素REを添加し、焼結中にREAlO3を生成させることが可能となる。しかし、この製造方法では中心と周辺の温度差あるいは圧力差によりREAlO3の生成量が異なるため面内の均一性が失われる。吸着力が高い原因としては、焼結体内にREAlO3を導入すると、REAlO3が新たな導電層を形成するため、酸化イットリウムアルミニウムの体積抵抗率を下げる効果を発現する。そのため本来酸化イットリウムアルミニウムが誘電分極により発生するクーロン力に加え、電子伝導が関与するジョンソンラーベック力が付与されるため、吸着力が上昇するものと推察される。以上説明したように、本発明の静電チャック及びこれを具備する静電チャック装置によれば、ハロゲン系腐食性ガス又はそのプラズマに曝される部位を、酸化イットリウムアルミニウム結晶相又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部をイットリウムを除く希土類元素REで置換してなる結晶相中に、イットリウムを除く希土類元素-アルミニウム酸化物REAlO3結晶相を導入することによって、上記の腐食性ガスやプラズマに曝されても劣化や、パーティクルの発生は起こらず、1.5kVの印加電圧で10kPa以上と商業上十分な吸着力を有し、さらに面内での吸着力のばらつきもほとんどない半導体製造用静電チャックを得ることができる。また、上記吸着力の増加により、従来の金属酸化物に比べると誘電体層の厚みを上げることができるため、耐電圧も上がり、操業時の破損のリスクが減る。また、加工中に割れるリスクも減る。"