"所定の基材と、前記基材の上に形成された緩衝層と、前記緩衝層の上に形成され、GaおよびInのうち少なくとも1つを含む第1のIII族窒化物からなるチャネル層と、前記チャネル層の上に形成され、少なくともAlを含む第2のIII族窒化物からなるスペーサー層と、前記スペーサー層の上に形成され、Al、Ga、およびInを含む第3のIII族窒化物からなる電子供給層と、を備える半導体積層構造と、前記電子供給層の直上に形成されてなるソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極と、を備え、前記電子供給層の一部に、所定のn型ドーパントがドープされてなるドープ層が形成されてなることを特徴とするトランジスタ素子。請求項1に記載のトランジスタ素子であって、前記スペーサー層が、AlxGa1xN0.33≦x≦1からなることを特徴とするトランジスタ素子。請求項1または請求項2に記載のトランジスタ素子であって、前記n型ドーパントがSiであることを特徴とするトランジスタ素子。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のトランジスタ素子であって、前記半導体積層構造のシートキャリア濃度が1×1013cm2以上であることを特徴とするトランジスタ素子。請求項4に記載のトランジスタ素子であって、前記半導体積層構造のシートキャリア濃度が1.5×1013cm2以上であることを特徴とするトランジスタ素子。請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のトランジスタ素子であって、前記スペーサー層が前記電子供給層の形成時における前記チャネル層の表面の結晶品質劣化を抑制するために設けられたものであることを特徴とするトランジスタ素子。請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のトランジスタ素子であって、前記スペーサー層によって、前記チャネル層に形成される二次元電子ガス領域が前記電子供給層にドープされた前記n型ドーパントから隔てられてなることを特徴とするトランジスタ素子。ところが、ワイドバンドギャップ層のAlGaNをAlInGaNに置き換えると、シートキャリア濃度と共に、電子移動度も低下してしまうという問題がある。このため、シート抵抗が上昇し、十分なオーミックコンタクトを有する電極形成が難しかった。シートキャリア濃度の低下は、チャネル層とワイドバンドギャップ層とのバンドオフセット量が少なくなるため、2次元電子ガスの閉じこめ効果が低下しているものと考えられるが、移動度の低下は低い結晶品質、もしくは電子の界面散乱が大きくなったことに起因すると考えられる。従って、電子供給層にInを加えてAlInGaNとすることで実現されるHEMT素子について、その高性能化を図るには、電子移動度やシートキャリア濃度などの特性が向上するよう作製条件を最適化する必要がある。特に、Inを含む層を形成する温度の最適化は、その組成および結晶品質を大きく左右するために重要である。しかしながら、特許文献1においては、AlInGaNからなる電子供給層を作製する際の作製条件に関し、何らの示唆もなされていない。また、特許文献2に開示されている技術は、特に、電子供給層におけるAlの混晶比に着目して電子移動度の向上を図ることを目的とする技術であり、温度制御を行うことにより、AlGaNのAl混晶比を変化させる技術についての記載はあるものの、Inとの関係においては、具体的な作製条件に関し何らの示唆もなされていない。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、電子供給層がAlInGaNを含み、かつ特性の良いHEMT素子を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、請求項1の発明は、所定の基材と、前記基材の上に形成された緩衝層と、前記緩衝層の上に形成され、GaおよびInのうち少なくとも1つを含む第1のIII族窒化物からなるチャネル層と、前記チャネル層の上に形成され、少なくともAlを含む第2のIII族窒化物からなるスペーサー層と、前記スペーサー層の上に形成され、Al、Ga、およびInを含む第3のIII族窒化物からなる電子供給層と、を備える半導体積層構造と、前記電子供給層の直上に形成されてなるソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極と、を備え、前記電子供給層の一部に、所定のn型ドーパントがドープされてなるドープ層が形成されてなることを特徴とする。請求項2の発明は、請求項1に記載のトランジスタ素子であって、前記スペーサー層が、AlxGa1xN0.33≦x≦1からなることを特徴とする。請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載のトランジスタ素子であって、前記n型ドーパントがSiであることを特徴とする。請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のトランジスタ素子であって、前記半導体積層構造のシートキャリア濃度が1×1013cm2以上であることを特徴とする。請求項5の発明は、請求項4に記載のトランジスタ素子であって、前記半導体積層構造のシートキャリア濃度が1.5×1013cm2以上であることを特徴とする。請求項6の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のトランジスタ素子であって、前記スペーサー層が前記電子供給層の形成時における前記チャネル層の表面の結晶品質劣化を抑制するために設けられたものであることを特徴とする。請求項7の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のトランジスタ素子であって、前記スペーサー層によって、前記チャネル層に形成される二次元電子ガス領域が前記電子供給層にドープされた前記n型ドーパントから隔てられてなることを特徴とする。請求項1ないし請求項7の発明によれば、電子供給層の形成に先立ってスペーサー層を形成することで、電子供給層の形成にあたってなされる降温に伴うチャネル層表面の結晶品質の劣化が防止される。これにより、ワイドバンドギャップ層にInを含むHEMT素子について、電子移動度やシートキャリア濃度の向上が実現できる。また、請求項1および請求項3の発明によれば、電子供給層に対するn型ドーパントのドープ量を大きくすることによって、ワイドバンドギャップ層にInを含み、かつ高いシートキャリア濃度が実現された、HEMT素子を提供できる。<第1の実施の形態>図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体積層構造10の構成を示す概要図であり、図2は、半導体積層構造10を用いて形成されたHEMT素子20の構成を示す概要図である。なお、図示の都合上、図1および図2における各層の厚みの比率は、実際の比率を反映したものではない。半導体積層構造10は、基板基材1の上に、緩衝層2と、チャネル層3と、第1ワイドバンドギャップ層4と、第2ワイドバンドギャップ層5とを備える。基板1は、その上に形成するチャネル層3や第2ワイドバンドギャップ層5の組成や構造、あるいは各層の形成手法に応じて適宜に選択される。例えば、SiC炭化ケイ素やサファイアなどの基板を用いる。あるいは、ZnO,LiAlO2,LiGaO2,MgAl2O4,LaSrAlTaO3,NdGaO3,MgOといった各種酸化物材料,Si,Geといった各種IV族単結晶、SiGeといった各種IV-IV族化合物,GaAs,AlN,GaN,AlGaNといった各種III―V族化合物およびZrB2といった各種ホウ化物の単結晶から適宜選択して用いてもよい。基板1の厚みには特段の材質上の制限はないが、取り扱いの便宜上、数百μm~数mmの厚みのものが好適である。緩衝層バッファ層2は、基板1の種類によりその上に形成されるチャネル層3の結晶品質を高める目的で設けられることがある。例えば、サファイア基板上に膜厚が数十nmのGaNにより、他の層形成温度よりも低温の500°Cで形成されてなる。あるいは、高温にてAlNにより形成してもよい。緩衝層2は、例えばMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition:有機金属化学気相成長法法などの公知の成膜手法にて、形成される。緩衝層2の有無、形成温度、膜厚は基板1の種類により好適なものが選択される。チャネル層3は、i型InwGa1wNInGaN0≦w<1にて形成される。図1においては、チャネル層3をGaNにて形成した場合、すなわち、w=0の場合を例示している。チャネル層3は、MOCVD法などの公知の成膜手法にて1000°C以上の温度で形成される。チャネル層3は、数μm程度の厚みに形成されてなる。第1ワイドバンドギャップ層4は、チャネル層3の形成後、第2ワイドバンドギャップ層5を形成するにあたって、チャネル層3の表面の結晶品質が劣化することを防ぐ目的で設けられる層である。また、第2ワイドバンドギャップ層5に不純物をドープされた層が含まれる場合に、二次元電子ガス領域と不純物存在領域をと隔てるために設けるスペーサー層としての役割をも備える。後述するように、本実施の形態においては、第2ワイドバンドギャップ層5の形成をチャネル層3の形成温度よりも低い温度で行うことから、第2ワイドバンドギャップ層5の形成後、降温処理を行うことになるが、チャネル層3の形成後、その降温に先立って速やかに、チャネル層3の形成と同温度で第1ワイドバンドギャップ層4を形成することにより、チャネル層3の表面を降温時の劣化から保護することができる。なお、第1ワイドバンドギャップ層4の形成を、チャネル層3の形成後、降温しながら行っても、上記と同様の効果を得ることができる。つまりは、チャネル層3の形成後、膜形成がなされること無く、チャネル層3の表面が水素や窒素もしくはその両方などのキャリアガス、およびアンモニアなどの原料ガスにさらされる時間を短くすることが、2次元電子ガスが発生する領域である、チャネル層3の表面近傍の領域における結晶品質を維持するうえで重要である。第1ワイドバンドギャップ層4は、AlxGa1xN0<x≦1なる組成のIII族窒化物、好ましくは、0.05<x<0.6のIII族窒化物にて形成される。第1ワイドバンドギャップ層4は、MOCVD法など、チャネル層3の形成と同じ成膜手法にて、チャネル層3の形成後速やかに形成される。第1ワイドバンドギャップ層4は、0.5~10nm程度の厚みに形成されるのが好ましい。さらには、0.5~5nm程度の厚みに形成されるのがよりが好ましい。なお、第1ワイドバンドギャップ層4の形成時に、上記組成に含まれないIn原料を同時に供給しても良いが、形成温度が高いためにInが結晶中に取り込まれないため、この場合も、第1ワイドバンドギャップ層の組成は実質的にはAlxGa1xN0<x≦1といえる。なお、このような層構成を有することにより、本実施の形態に係る半導体積層構造10においては、チャネル層3を形成するGaNと、第1ワイドバンドギャップ層4を形成するAlxGa1xNとによってヘテロ界面が形成されていることになる。すなわち、第1ワイドバンドギャップ層4は、電子供給機能をも有していることになる。第2ワイドバンドギャップ層5は、AlyInzGa1yzN0≦y、z<1なる組成のIII族窒化物にて形成されてなる。第2ワイドバンドギャップ層5は、電子供給層として機能するものである。また、Inを含むIII族窒化物については、650°C~900°Cの温度範囲を形成温度として形成するのが、良好な結晶品質を得るという観点からは好ましい。特に、In組成が高くなる程、最適温度は低くなる。そこで、本実施の形態においても、第2ワイドバンドギャップ層5を、MOCVD法などの公知の成膜手法により、チャネル層3の形成温度よりも低いこれらの温度範囲にて形成するが、その際には、上記したように第1ワイドバンドギャップ層4を形成することにより、チャネル層3の結晶品質が劣化するのを防いでいる。これにより、チャネル層3と第2ワイドバンドギャップ層5の双方について良好な結晶品質が得られるので、その結果として、第1ワイドバンドギャップ層を設けない場合よりも高い値の電子移動度やシートキャリア濃度が実現される図7の実施例1欄参照。なお、第2ワイドバンドギャップ層5は、2次元電子ガスの濃度を確保する観点から、全体として20nmから30nm程度の厚みに形成されるのが好ましい。HEMT素子20は、係る半導体積層構造10にソース電極14sおよびドレイン電極14dをオーミック接合により形成し、ゲート電極14gをショットキー接合により形成されてなる。ソース電極14sおよびドレイン電極14dは、例えばTi/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Ni/Auといった多層構造にて形成されるのが望ましい。ゲート電極14gとしては、例えばNi/Au、Pd/Au、Pt/Auといった多層構造にて形成されるのが望ましい。また、半導体積層構造10の最表層には、例えばSiO2あるいは窒化珪素などなる保護膜13が設けられてもよい。以上、説明したように、本実施の形態によれば、チャネル層の形成後速やかに第1ワイドバンドギャップ層を形成したうえで降温し、第2ワイドバンドギャップ層を形成することで、第2ワイドバンドギャップ層にInを含むHEMT素子であって、かつ高い電子移動度やシートキャリア濃度が実現されたHEMT素子が提供できる。<第2の実施の形態>図3は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体積層構造110の構成を示す概要図である。半導体積層構造110は、第1の実施の形態に係る半導体積層構造10とほぼ同様の層構成を有してなり、対応する層については、参照符号の下1桁を当該対応する層と同じにした100番台の符号を付すとともに、以下においてその説明を省略する。半導体積層構造110の第2ワイドバンドギャップ層105は、第1の実施の形態に係る第2ワイドバンドギャップ層5と同様にAlyInzGa1yzN0≦y、z<1からなる層であるが、下部第2ワイドバンドギャップ層106と中間第2ワイドバンドギャップ層107と上部第2ワイドバンドギャップ層108との3層により構成され、中間第2ワイドバンドギャップ層107にのみ、n型のドーパント、例えばSiがドープされてなるドープ層として形成されている点で、一律にノンドープである半導体積層構造10の第2ワイドバンドギャップ層5と相違する。このような半導体積層構造110を例えばMOCVD法で形成する場合、n型のドーパントとしてSiを用いるのであれば、通常はシランガスを供給することによりドープがなされる。そして、シランガスSiH4の流量が大きいほど、シートキャリア濃度が大きいこと、すなわち、中間第2ワイドバンドギャップ層107に対するn型ドーパントのドープ量と、シートキャリア濃度との間に正の相関があることが確認された。例えば、シランガスの流量が約4sccmで1.0×1013cm2以上のシートキャリア濃度が、約7.5sccmで1.5×1013cm2以上のシートキャリア濃度が実現されることが確認された。また、第2ワイドバンドギャップ層105以外の構成は第1の実施の形態と同じであるので、少なくとも第1の実施の形態と同程度の電子移動度を得ることができる。第2ワイドバンドギャップ層105にInが含まれる場合、Inを含まない場合よりも2次元電子ガスが減少するが、本実施の形態に係る半導体積層構造110においては、このように中間第2ワイドバンドギャップ層107にSiをドープしてなることにより、第2ワイドバンドギャップ層105にInを含んで要るにもかかわらず、Inを含まない場合例えば、特許文献2の表1および表2参照と同程度、あるいはそれ以上の高いシートキャリア濃度が実現される。そして、この半導体積層構造を用いて第1の実施の形態と同様にHEMT素子図示せずを作成することにより、高いシートキャリア濃度と電子移動度を有するHEMT素子が実現できる図7の実施例2欄参照。以上、説明したように、本実施の形態によれば、第2ワイドバンドギャップ層にSiをドープすることで、第2ワイドバンドギャップ層にInを含むHEMT素子であって、かつ第1の実施の形態よりもさらに高いシートキャリア濃度が実現されたHEMT素子が提供できる。<第3の実施の形態>図4は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体積層構造210の構成を示す概要図である。半導体積層構造210は、第1の実施の形態に係る半導体積層構造10とほぼ同様の層構成を有してなり、対応する層については、参照符号の下1桁を当該対応する層と同じにした100番台の符号を付すとともに、以下においてその説明を省略する。半導体積層構造210の第2ワイドバンドギャップ層205は、第1の実施の形態に係る第2ワイドバンドギャップ層5と同様にAlyInzGa1yzN0≦y、z<1からなる層であるが、下部第2ワイドバンドギャップ層207と上部第2ワイドバンドギャップ層208との2層により構成され、下部第2ワイドバンドギャップ層207が、第2の実施の形態に係る中間第2ワイドバンドギャップ層107と同様に、n型のドーパント、例えばSiがドープされてなるドープ層として形成されている点で、一律にノンドープである半導体積層構造10の第2ワイドバンドギャップ層5と相違する。本実施の形態に係る半導体積層構造210においても、第2の実施の形態に係る半導体積層構造110と同様に、下部第2ワイドバンドギャップ層207にSiをドープしてなることによって、高いシートキャリア濃度が実現される図7の実施例3欄参照。以上、説明したように、本実施の形態においても、第2ワイドバンドギャップ層にInを含むHEMT素子であって、かつ第1の実施の形態よりもさらに高い電子移動度やシートキャリア濃度が実現されたHEMT素子が提供できる。実施例1実施例1においては、第1の実施の形態に係る半導体積層構造10と、これを用いたHEMT素子20とを作製した。まず、半導体積層構造10の作製においては、基板1として2インチ径の厚さ330μmのC面サファイア単結晶を用い、これを所定のMOCVD装置の反応菅内に設置した。MOCVD装置は、反応ガスあるいはキャリアガスとして、少なくともH2、N2、TMGトリメチルガリウム、TMAトリメチルアルミニウム、TMIトリメチルインジウム、n型ドーパントとして用いるSiの供給源であるシランガス、およびNH3が、反応管内に供給可能とされている。反応管内の圧力を常圧に設定した後、H2を平均流速1m/secで流しながら、基板1を1200°Cまで昇温し、基板のサーマルクリーニングをした。その後、いったん500°Cに降温した後、TMGとNH3とを供給して、GaNの緩衝層2を30nmの厚さに形成したうえで、1180°Cに昇温し、TMGとNH3とを供給して、チャネル層3として厚さ3μmのGaN層を形成した。チャネル層3の形成後、1180°Cに保ったまま、引き続きTMGとNH3とを供給しつつ、さらにTMAを供給することにより、第1ワイドバンドギャップ層4として、Al033Ga067N層を厚さ2nmに形成した。第1ワイドバンドギャップ層4の形成後、各ガスの供給を停止して900°Cまで降温し、その後TMGとTMAとTMIとNH3とを供給して、第2ワイドバンドギャップ層5として厚さ23nmのAl013In0004Ga0866N層を形成した。これにより半導体積層構造10を得た。引き続いて、Ti/Al/Ni/Auからなるソース電極14sおよびドレイン電極14dをオーミック接合にて形成し、Ni/Auからなるゲート電極14gを、ショットキー接合にて形成した後、SiO2保護膜13を形成し、HEMT素子20を得た。上記ソース、ドレイン、ゲート電極、SiO2保護膜は、EB蒸着にて行った。このように作製したHEMT素子20において、室温における移動度とシートキャリア濃度を測定した。室温においては、シートキャリア濃度0.47×1013cm2において、1029cm2/Vsであった。実施例2実施例2においては、第2の実施の形態に係る半導体積層構造110と、これを用いた図示しないHEMT素子とを作製した。まず、半導体積層構造110の作製においては、GaN層によるチャネル層103の形成までは、実施例1と同様に行った。チャネル層103の形成後、1180°Cに保ったまま、引き続きTMGとNH3とを供給しつつ、さらにTMAを供給することにより、第1ワイドバンドギャップ層104として、Al033Ga067N層を厚さ2nmに形成した。第1ワイドバンドギャップ層104の形成後、各ガスの供給を停止して900°Cまで降温し、その後TMGとTMAとTMIとNH3とを供給して、第2ワイドバンドギャップ層205を形成した。まず下部第2ワイドバンドギャップ層106として、厚さ5nmのAl013In0004Ga0866N層を形成し、引き続きシランガスを5.6sccmなる流量にてさらに供給して、中間第2ワイドバンドギャップ層107として厚さ15nmのSiドープAl013In0004Ga0866N層を形成した。その際のSiのドープ量は、4×1018cm3であった。そして、シランガスのみ供給を停止して、上部第2ワイドバンドギャップ層108として厚さ3nmのAl013In0004Ga0866N層を形成した。これにより半導体積層構造110を得た。その後、実施例1と同様に電極形成および保護膜形成を行い、HEMT素子を得た。このように作製したHEMT素子において、室温における移動度とシートキャリア濃度を測定した。室温においては、シートキャリア濃度1.14×1013cm2において、1080cm2/Vsであった。実施例3実施例3においては、第3の実施の形態に係る半導体積層構造210と、これを用いた図示しないHEMT素子とを作製した。まず、半導体積層構造210の作製においては、GaN層によるチャネル層203の形成までは、実施例1と同様に行った。チャネル層203の形成後、1180°Cに保ったまま、引き続きTMGとNH3とを供給しつつ、さらにTMAを供給することにより、第1ワイドバンドギャップ層204として、Al033Ga067N層を厚さ7nmに形成した。第1ワイドバンドギャップ層204の形成後、各ガスの供給を停止して900°Cまで降温し、第2ワイドバンドギャップ層205を形成した。まず、TMGとTMAとTMIとNH3とシランガスとを供給して、下部第2ワイドバンドギャップ層207として厚さ15nmのSiドープAl013In0004Ga0866N層を形成した。その際のシランガスの流量は5.6sccmであり、下部第2ワイドバンドギャップ層207におけるSiのドープ量は、4×1018cm2であった。そして、シランガスのみ供給を停止して、上部第2ワイドバンドギャップ層208として厚さ3nmのAl013In004Ga0866N層を形成した。これにより半導体積層構造210を得た。その後、実施例1と同様に電極形成を行い、HEMT素子を得た。このように作製したHEMT素子において、室温における移動度とシートキャリア濃度を測定した。室温においては、シートキャリア濃度1.68×1013cm2において、774cm2/Vsであった。比較例1比較例1としては、図5に示す半導体積層構造310と、これを用いた図示しないHEMT素子を作製した。比較例1においては、実施例1と同様に、基板301として2インチ径の厚さ330μmのC面サファイア単結晶を用い、500°CにおいてGaNからなる緩衝層302を30nmの厚さに形成したうえで、1180°Cチャネル層303として厚さ3μmのGaN層を形成した。その後、第1ワイドバンドギャップ層を形成することなく、900°Cまで降温し、その後TMGとTMAとTMIとNH3とを供給して、第2ワイドバンドギャップ層305として厚さ25nmのAl013In0004Ga0866N層を形成した。これにより半導体積層構造310を得た。得られた半導体積層構造310は、第1ワイドバンドギャップ層を設ける代わりに、実施例1にて作製した半導体積層構造10における第1ワイドバンドギャップ層4の分だけ第2ワイドバンドギャップ層5の厚みを増した点で、半導体積層構造10と異なっている。その後、実施例1と同様に電極形成して、図示しないHEMT素子を得た。このように作製したHEMTにおいて、室温における移動度とシートキャリア濃度を測定した。室温においては、シートキャリア濃度0.30×1013cm2において、777cm2/Vsであった。比較例2比較例2としては、図6に示す半導体積層構造410と、これを用いた図示しないHEMT素子を作製した。比較例2においては、実施例1と同様に、基板401として2インチ径の厚さ330μmのC面サファイア単結晶を用い、500°CにおいてGaNからなる緩衝層402を30nmの厚さに形成したうえで、1180°Cチャネル層403として厚さ3μmのGaN層を形成した。その後、第1ワイドバンドギャップ層を形成することなく、900°Cまで降温し、実施例2と同様に、第2ワイドバンドギャップ層205を形成した。まず下部第2ワイドバンドギャップ層406として、厚さ7nmのAl013In0004Ga0866N層を形成し、引き続きシランガスを5.6sccmなる流量にてさらに供給して、中間第2ワイドバンドギャップ層407として厚さ15nmのSiドープAl013In0004Ga0866N層を形成した。その際のSiのドープ量は、4×1018cm3であった。そして、シランガスのみ供給を停止して、上部第2ワイドバンドギャップ層408として厚さ3nmのAl013In0004Ga0866N層を形成した。これにより半導体積層構造210を得た。得られた半導体積層構造410は、第1ワイドバンドギャップ層を設ける代わりに、実施例2にて作製した半導体積層構造210における第1ワイドバンドギャップ層204の分だけ第1第2ワイドバンドギャップ層206の厚みを増した点で、半導体積層構造210と異なっている。その後、実施例1と同様に電極形成して、図示しないHEMT素子を得た。このように作製したHEMTにおいて、室温における移動度とシートキャリア濃度を測定した。室温においては、シートキャリア濃度1.10×1013cm2において、668cm2/Vsであった。図7は、以上の3つの実施例と2つの比較例とに係る半導体積層構造について、作製条件や特性を一覧にして示す図である。図7をみると、チャネル層と第2ワイドバンドギャップ層との間に第1ワイドバンドギャップ層を設けて半導体積層構造およびHEMT素子を作製した実施例1と、第1ワイドバンドギャップ層を設ける代わりに第2ワイドバンドギャップ層の厚みを増して半導体積層構造およびHEMT素子を作製した比較例1とを比較すると、実施例1の方が、比較例1よりも、電子移動度、シートキャリア濃度ともに高い値が得られていることが分かる。また、実施例1と同様に第1ワイドバンドギャップ層を設けた実施例2と、これを設ける代わりに第2ワイドバンドギャップ層の厚みを増した比較例2とを比較すると、シートキャリア濃度は同程度であるにも関わらず、実施例2において、比較例2よりも高い電子移動度が得られていることが分かる。あるいは、実施例3と比較例2と比較すると、実施例3においては、シートキャリア濃度、電子移動度ともに、比較例2よりも高い値が得られており、特にシートキャリア濃度においてその差が大きい。また、これらの結果は、各実施例において、電子移動度とシートキャリア濃度の積に反比例するシート抵抗が、比較例に比べて低減されていることを意味している。<変形例>HEMT素子の構造は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、種々の構造をとることが可能である。図8は、第1の実施の形態に係る半導体積層構造10を用いて作製される、上記とは異なる構造のHEMT素子の例について示す図である。もちろん、第2および第3の実施の形態に係る半導体積層構造を用いても、同様のHEMT素子を形成することは可能である。図8に示すHEMT素子520においては、半導体積層構造10の一部を例えば反応性イオンエッチングRIEさらにて第1ワイドバンドギャップ層4を露出させ、当該部分にゲート電極514gをショットキー接合により形成してなる。すなわち、HEMT素子520は、いわゆるリセス構造を有してなるものである。また、第2及び第3の実施の形態においては、第2ワイドバンドギャップ層にのみ、n型ドーパント、例えばSiがドープされた態様を示しているが、さらに、第1ワイドバンドギャップ層にも、例えばSiなどのn型ドーパントがドープされたドープ層が形成される態様であってもよい。この場合、第1ワイドバンドギャップ層に対するドープも、シートキャリア濃度の増加に寄与することになる。すなわち、第1ワイドバンドギャップ層に対するドープと、第2ワイドバンドギャップ層に対するドープとが、全体として、シートキャリア濃度の向上に寄与することになる。係る態様は、第2ワイドバンドギャップ層へのドーパントのドープに、層の厚みや組成などに起因する制約により、第2ワイドバンドギャップ層へのn型ドーパントのドープ量が制限される場合に、それを越えてドープしたい場合などに有効である。なお、これらに代えて、第1ワイドバンドギャップ層にのみn型ドーパントをドープする態様をとることも可能である。"