真空処理設備中で加工物を処理する方法であって、前記加工物に負バイアスがかけられ、前記真空処理設備では、処理プロセス時に、処理されるべき前記加工物を流れる電流が、予め測定された平均電流よりも値ΔIを上回って差異がある場合に、前記処理プロセスを中断することにより、破壊に基づく前記加工物の損傷を回避し、前記方法は、前記値ΔIが、バイアス電圧の大きさとともに単調に、少なくともある領域内では厳密に単調に増加するように、前記負バイアスに関連付けられていることを特徴する、方法。ΔIは、前記バイアス電圧とともに線形に増加することを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記バイアス電圧を発生させるために、容量出力を備えた発生器が用いられることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。真空下で加工物を処理する真空処理設備であって、真空化可能な真空チャンバと、処理されるべき加工物が載置されうる基板担体と、前記処理されるべき加工物に負バイアスをかけるバイアス発生器と、前記処理されるべき加工物を流れる電流を検出する手段と、前記加工物を通る前記検出された電流を平均化する手段と、前記加工物を通る実際の電流と前記平均化した電流との偏差を決定するとともに、自動で調整可能な最大許容可能偏差ΔIと比較する手段とを備え、前記最大許容可能偏差ΔIが前記加工物にかけられるバイアス電圧に応じて自動的に調整されるように、前記真空処理設備が設計されていることを特徴とする、真空処理設備。前記設備中では、前記最大許容可能偏差ΔIが、単調に、好ましくは厳密に単調に、前記バイアス電圧の大きさに依存することを特徴とする、請求項4に記載の真空処理設備。ΔIは、前記バイアス電圧に線形依存していることを特徴とする、請求項5に記載の真空処理設備。しかし、ΔIをあまりにも大きく選択すると、効率的なスイッチ切断が行われず、放電により加工物に損傷が生じうる。しばしば、処理すべき加工物には負電圧負バイアスがかけられる。とりわけバイアス電圧を小さく選択している場合には、選択されるΔIが大きくなりすぎ、放電が認識されない。反対に、ΔIをあまりにも小さく選択すると、例えば接触が悪い加工物によるコンダクタンスの変化により電流が上昇し、被覆プロセスの望まないスイッチ切断が生じうる。この点は、加工物の処理のために、大きなバイアス電圧が加工物にかけられる場合にとりわけ該当する。したがって、従来、当業者は、ΔIについて妥協しなければならなかった。バイアス電圧が小さい場合は加工物に放電を起こさず、バイアス電圧が大きい場合は放電には関係しない電流の変動がゆえに望ましくないスイッチ切断を引き起こさないようにする必要がある。したがって、本発明の課題は、当業者が上述の妥協をしなくてもよい方法を提供することである。本発明によれば、この課題は、実際にかけられるバイアス電圧に応じてΔIが選択されるという方法により解決される。本発明によれば、ΔIがバイアス電圧に自動的に関連付けられていて、バイアス電圧が低い場合には小さいΔIが選択され、バイアス電圧が高い場合には大きいΔIが選択される。図1は、バイアス発生器101と被覆チャンバ103とを備えた本発明による被覆装置1を示す図である。バイアス発生器101は、電力部105を有する。バイアス発生器中には、その出力容量CG107も図示されている。バイアス発生器101から被覆チャンバ103までの配線は、オーム抵抗RLとインダクタンスILとを有する。被覆装置中ではプラズマが発生させられ、これが、オームプラズマ抵抗RPL、プラズマインダクタンスIPLおよびプラズマ容量CPLになる。図1中、放電マークで図示されているのは、とりわけ破壊により生じる短絡である。バイアス発生器の容量出力では、放電時の進行が急速であるために、電力部101を無視しうるという点が図1から認識可能である。したがって、短絡時に流れる電流は、出力容量による所定の電圧に正比例する。いずれの電圧の際にいずれのΔIが選択されるべきかを導き出すためには、与えられたバイアス電圧で、ΔIの様々な閾値を設定し、有意な操作ウインドウを導き出す。このバイアス電圧についての最適な閾値を、例えば操作ウインドウの中央に置く。続いてバイアス電圧を変え、新たに設定されたバイアス電圧用の操作ウインドウを導き出し、この新しい操作ウインドウの中央で、新しいバイアス電圧についての最適な閾値を確定する。この手順をさらに数回繰り返し、その結果、バイアス電圧に応じた閾値が導き出される。続いて、例えば電子的方法で、バイアス電圧に依存させて閾値を関連付ける。このようにして、低電圧の場合でも高電圧の場合でも、閾値は自動的に導き出され、信頼性のある放電検出が確実に行われる。