光起電、ダイオード、又は発光ダイオード部品等の少なくとも2つの直列相互接続された光電子部品104、106を含むモノリシック集積光電子モジュール100の製造方法において、前記モジュールは、最初の電気絶縁層110が基板構成で配置される場合にはa、b、cの順番で行われる以下のステップによって生産される層のスタックの下の基板として配置され、又、前記最初の絶縁層がスーパーストレート構成で配置される場合にはc、b、aの順番で行われる以下のステップによって生産される層のスタックの上のスーパーストレートとして配置される前記最初の電気絶縁層110から開始され、前記方法は、aバックコンタクト層と呼ばれる導電性層120を前記絶縁層110上又はステップbからの半導体層130、140上に堆積し、前記絶縁層110又は前記半導体層130、140の少なくとも1つの連続した線が露出され、その結果、電気的に接続されていない少なくとも1つの第1及び少なくとも1つの第2のバックコンタクト部品122、124、126、128が設けられるように、ここではバックコンタクト溝と呼ばれる少なくとも1つの溝121を前記バックコンタクト層120内に彫るステップと、b少なくとも1つの半導体光電子活性層130を含む少なくとも1つの半導体層130、140を前記以前のステップa又はcにおいて堆積された層120、150上に堆積し、それによって、前記溝121、151を充填するステップにおいて、前記半導体光電子活性層130は、例えばCdTe又はABC2材料から作られ、Aは、Cu及びAgを含むInternationalUnionofPureandAppliedChemistryによって定義される化学元素の周期表の第11族の元素を表し、Bは、In、Ga、及びAlを含む前記周期表の第13族の元素を表し、Cは、S、Se、及びTeを含む前記周期表の第16族の元素を表すステップと、c前記以前のステップbにおいて堆積された前記層130、140上、又は前記絶縁層110上に少なくとも1つの導電性フロントコンタクト層150を堆積し、前記以前のステップにおいて堆積された前記層130、140又は前記絶縁層110の少なくとも1つの連続した線を露出させ、その結果、電気的に接続されていない少なくとも1つの第1及び少なくとも1つの第2のフロントコンタクト部品154、156、158が設けられるように、フロントコンタクト溝と呼ばれる少なくとも1つの溝151を前記フロントコンタクト層150内に彫り、前記第1及び第2のフロントコンタクト部品154、156、158が対応する第1及び第2のバックコンタクト部品122、124、126、128の上に位置する部分を含む、ステップと、によって前記層のスタックを生産することを含み、前記方法は、前記第2のバックコンタクト部品124、126の少なくとも1つに対して、ドリル加工処理の熱により、電池間ビアホール155の表面が導電性となることにより、前記第1のフロントコンタクト部品154、156の少なくとも1つと、対応する少なくとも1つの第2のバックコンタクト部品124、126との間に電気路が確立され、その結果、少なくとも2つの直列相互接続された光電子部品104、106が実現されるように表面金属化134、136を生じさせることによって、前記1つ又は複数の半導体層130、140内で、前記電池間ビアホール155の前記表面の化学組成に永久的な変化が生じるように熱を生じさせる前記ドリル加工処理を用いて、前記電池間ビアホール155が前記バックコンタクト層120及び/又は前記絶縁層110の一部を露出させるように、ステップb及びcにおいて堆積された層を貫いて、少なくとも1つの前記電池間ビアホール155をドリル加工するステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記電池間ビアホール155は、前記バックコンタクト部品124、126を通って延在するようにドリル加工されることを特徴とする方法。請求項1又は2に記載の方法において、少なくとも1つの導電性接着部品172、178を用いて、母線182、188と、少なくとも1つの前記バックコンタクト部品122、128、前記表面金属化136、及び/又は前記フロントコンタクト部品156との間に電気路を確立できるように前記母線182、188を形成する少なくとも1つの導電体を配置するステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項1乃至3の何れか1項に記載の方法において、前記バックコンタクト部品122の少なくとも1つの一部を露出させるように、ここでは母線-バックコンタクト間ビアホール153と呼ばれる少なくとも1つの第1のビアホール153のドリル加工を行うステップと、第1の母線182と、前記バックコンタクト部品122との間に電気路が確立されるように、少なくとも1つの導電性接着部品172を用いて、前記第1の母線182を形成する少なくとも1つの第1の導電体を配置するステップと、ここでは母線-フロントコンタクト間ビアホール157と呼ばれる少なくとも1つの第2のビアホール157を、前記フロントコンタクト部品158の少なくとも1つを通過し、かつ前記母線-フロントコンタクト間ビアホール157の何れも前記母線-バックコンタクト間ビアホール153によって露出されたバックコンタクト部品122を通過しないようにドリル加工を行うステップと、少なくとも1つの導電性接着部品178を用いて、第2の母線188と前記フロントコンタクト部品158との間に電気路が確立されるように、前記第2の母線188を形成する少なくとも1つの第2の導電体を配置するステップと、をさらに含むことを特徴とする方法。請求項1乃至4の何れか1項に記載の方法において、前記基板構成の前記フロントコンタクト部品154、156、158上に、少なくとも1つの金属化配線から作られた少なくとも1つの金属化グリッド部品164、166、168を堆積するステップをさらに含み、前記金属化グリッド部品164、166、168は、少なくとも1つの前記ビアホール155、157から延在することを特徴とする方法。請求項1乃至5の何れか1項に記載の方法において、導電性材料を用いて前記ビアホール153、155、157の少なくとも1つを充填するステップをさらに含むことを特徴とする方法。光起電、ダイオード、又は発光ダイオード部品等の少なくとも2つの直列相互接続された光電子部品104、106、108を含むモノリシック集積光電子モジュール装置100において、前記光電子モジュールは、以下の層a、b、cのスタックの下に基板として、又はその上にスーパーストレートとして配置される電気絶縁層110を含み、前記層a、b、cは、a少なくとも1つの第1及び少なくとも1つの第2の導電性フロントコンタクト部品152、154、156、158を含んだ層において、前記第1及び第2のフロントコンタクト部品は、電気的に分離した少なくとも1つの第1及び少なくとも1つの第2のフロントコンタクト部品152、154、156、158を作り出す溝151によって分離される、層と、b少なくとも1つの半導体光電子活性層130、140を含む層において、前記半導体層130の少なくとも1つは、例えばCdTe又はABC2材料から作られ、Aは、Cu及びAgを含むInternationalUnionofPureandAppliedChemistryによって定義される化学元素の周期表の第11族の元素を表し、Bは、In、Ga、及びAlを含む前記周期表の第13族の元素を表し、Cは、S、Se、及びTeを含む前記周期表の第16族の元素を表す、層と、c前記電気絶縁層110上に堆積された少なくとも1つの第1及び少なくとも1つの第2の導電性バックコンタクト部品122、124、126、128を含む層において、前記第1及び第2のバックコンタクト部品は、電気的に分離した前記第1及び第2のバックコンタクト部品122、124、126、128を作り出すバックコンタクト溝121によって分離されることにより、各々が、前記フロントコンタクト部品、少なくとも1つの前記半導体層、及び前記バックコンタクト部品のスタックを含む、第1及び第2の分離した光電子部品104、106を実現する、層とであり、前記光電子モジュールは、前記第1のフロントコンタクト部品154、156の少なくとも1つ及び前記半導体層130、140を通過することにより、少なくとも1つの前記第2のバックコンタクト部品124、126の一部を露出させる少なくとも1つのビアホール155をさらに含み、前記半導体光電子活性層130のレベルにおける前記ビアホールの表面134、136は、前記半導体光電子活性層130の例えばCdTe又は前記ABC2材料に含まれる金属元素の永久金属化によって組成変化を起こし、このような永久金属化は、前記ビアホール155のドリル加工によって生じた局所加熱によって得られ、前記永久金属化は、前記第1のフロントコンタクト部品154、156と、前記第2のバックコンタクト部品124、126との間に電気路を確立し、第1の光電子部品104と第2の光電子部品106との間に直列相互接続を実現することを特徴とする装置。請求項7に記載の装置において、前記ビアホール155は、前記バックコンタクト部品124、126を通って延在することを特徴とする装置。請求項7又は8に記載の装置において、前記ビアホール155は、前記バックコンタクト溝121と平行する少なくとも1つの列で、最も近い列が前記バックコンタクト溝121から少なくとも5マイクロメートル、より好ましくは50マイクロメートルの距離にあるように配置されることを特徴とする装置。請求項7乃至9の何れか1項に記載の装置において、前記第1のフロントコンタクト部品154、156の少なくとも1つを通過する少なくとも1つのビアホール155は、前記フロントコンタクト溝151から少なくとも50マイクロメートルの距離に位置する線分として成形され、少なくとも1つの第2のバックコンタクト部品が、前記第1のフロントコンタクト部品の下を通過し、少なくとも1つのデポートされたdeported直列相互接続が実現するように前記ビアホール155に到達する指形のエクステンションを含むことを特徴とする装置。請求項7乃至10の何れか1項に記載の装置において、少なくとも1つの前記フロントコンタクト部品155、156、158上に堆積された、少なくとも1つの金属化配線から作られた少なくとも1つの金属化グリッド部品164、166、168をさらに含み、前記金属化配線は、少なくとも1つのビアホール155、157から延在することを特徴とする装置。請求項11に記載の装置において、前記金属化グリッド部品164、166、168の少なくとも1つが、前記ビアホール155、157の1つがパターン内で中心に配置される前記パターンを示すことを特徴とする装置。請求項7乃至12の何れか1項に記載の装置において、前記ビアホール153、155、157の少なくとも1つが、前記フロントコンタクト部品152、154、156、158の少なくとも1つと、前記バックコンタクト部品122、124、126、128との電気的コンタクトに寄与する導電性材料で充填されることを特徴とする装置。請求項7乃至13の何れか1項に記載の装置において、前記バックコンタクト部品122の少なくとも1つの一部を露出する少なくとも1つの母線-バックコンタクト間ビアホール153と、第1の母線182と前記バックコンタクト部品122との間に電気路が確立されるように、少なくとも1つの導電性接着部品172によって接続された前記第1の母線182を形成する少なくとも1つの第1の導電体と、母線-フロントコンタクト間ビアホール157の何れも前記母線-バックコンタクト間ビアホール153によって露出されたバックコンタクト部品122を通過しないような、前記フロントコンタクト部品158の少なくとも1つを通過する少なくとも1つの前記母線-フロントコンタクト間ビアホール157と、第2の母線188と前記フロントコンタクト部品158との間に電気路が確立されるように、少なくとも1つの導電性接着部品178によって接続された前記第2の母線188を形成する少なくとも1つの第2の導電体と、をさらに含むことを特徴とする装置。請求項7乃至14の何れか1項に記載の装置において、少なくとも1つの前面シート190及び少なくとも1つの裏面シート192の内部にカプセル化され、前記前面シート190は、好ましくはガラス、又は、より好ましくは熱可塑性ポリマー材料から作られることを特徴とする装置。図1A~5Bは、本発明の4つの実施形態例を描き、各実施形態は、本方法がどのように使用されるかの技術的バリエーションを表す。当業者であれば、図面に示される様々な部品の縮尺比が、明確さを向上させるために変更されていることを理解するであろう。さらに、図面中の部品の数及び面積は、かなりばらつきがあり、工業生産の枠組みの中で拡大されるであろう。図1Aは、3つの直列相互接続された光電子デバイス104、106、108を含むモノリシック光起電モジュール100の一実施形態の分解図を示す。前記光電子デバイス104、106、108は、光起電デバイス、ダイオード、又は発光ダイオードでもよい。前記光起電モジュール100の一実施形態は、前記光電子デバイスの少なくとも1つ、好ましくは、数個の前記光電子デバイスを含む。ある好ましい実施形態では、前記光電子デバイスは、太陽電池としても知られる光起電デバイスである。光電子デバイスの前記光起電モジュールは、電気絶縁基板110上にモノリシックに製造される。前記基板は、図1A~1Hにおいて後に詳述される方法によって、数個の材料層でコーティングされる。従って、光起電モジュール100は、分離した導電性電極122、124、126、128のバックコンタクト層を含む。前記バックコンタクト層は、半導体光起電材料層130によって覆われ、半導体光起電材料層130自体は、部品に分離される2つの層である、部品142、144、146、148によって表されるバッファ層と、部品152、154、156、158によって表されるフロントコンタクト層とによって覆われる。前記バッファ層部品及び前記フロントコンタクト層部品は、隣接する電気的に分離された部品のパターンを設計するように前記バッファ層及び前記フロントコンタクト層を貫く溝151によって分離され、その結果、光電子デバイス104、106、108が設けられる。電気的に相互接続するビアホール155は、第1の前記光電子デバイスの前記フロントコンタクト層と、第2の前記光電子デバイスの前記バックコンタクト層との間に導電路が確立されるように、前記フロントコンタクト及び前記バッファを貫通し、導電性金属化ビアホール138として半導体光起電層130の厚さ全体を貫いてより深く続く。光電子部品の直列相互接続は、前記光起電モジュールの厚さ全体にわたってドリル加工され、その結果バックコンタクト部品122、128を貫通し、基板110を貫いて続く延長ビアホール153、157によって、モジュール100の直列相互接続経路の各電気的端部において完了する。フロントコンタクトの導電率を有利に増加させるために、複数の金属化フロントコンタクトグリッド部品164、166、168を追加してもよい。次に、電気母線182、188が、例えば導体ペーストを用いて、それぞれの導電性アタッチメント172、178を介してそれぞれのバックコンタクト部品122、128に電気的に接続される。図1B~1Hは、図1Aに描かれたモノリシック光起電モジュール100の製造方法又はプロセスを描く断面図である。このプロセスは、一連の材料層堆積、スクライビング、フロントコンタクトグリッド堆積、母線の取り付け、及びカプセル化を含む。モジュールの基板上に堆積された薄膜材料の全厚さは、通常、約3~5マイクロメートルである。図1Bは、一連の材料層が上に堆積される電気絶縁基板110を示す。前記電気絶縁基板は、様々な電気絶縁材料のものでよく、好ましくはロールツーロール生産を可能にする薄い可撓性材料、最も好ましくは約400~600°Cの温度を維持できるポリイミド等の熱的に安定した材料のものでよい。前記電気絶縁基板は、初めに、導電性層120でコーティングされる。バックコンタクトとしても知られる前記導電性層は、好ましくは上にそれが配置される前記基板110の熱膨張率CTEと、その上に続いて配置される他の材料のCTEとの両方に近いCTEを有する様々な導電性材料のものでよい。より好ましくは、前記導電性層は、高い光反射率を有する。最も好ましくは、前記導電性層は、その上に続いて配置される他の材料と化学的に破壊的に反応しない。通常の慣例では、層120は、スパッタリングと呼ばれるプロセスで堆積され、スズをドープした酸化インジウムITO、ZrN、TiN、Ti、W、Ta、及びNb等の他の幾つかの材料も有利に用いることができるが、一般的にMoから作られる。図1Cは、基板の少なくとも1つの連続した線を露出させるようにバックコンタクト層120内に溝121が彫られ、それによって、電気的に接続されていない第1のバックコンタクト部品122、124、126の組と、それぞれに対応する第2のバックコンタクト部品124、126、128の組とが設けられるプロセスステップを示す。前記プロセスステップは、スクライビング又はパターニングステップP1と呼ばれる。パターニングステップP1は、機械的スクライビングブレードを用いて、好ましくはナノメータ又はピコメータレーザー等のレーザーを用いて、より好ましくはパルスレーザーを用いて行われてもよい。モジュール端部に位置するバックコンタクト部品122、128を除き、他のバックコンタクト部品124、126は、好ましくは、等しい面積及び形状を有する。図1Dは、少なくとも1つの吸収体層としても知られる前記半導体光起電層130が前記バックコンタクト部品上に堆積され、それによって、図1Cの溝121も充填される次のプロセスステップを示す。層130は、好ましくはCdTe又はABC2材料から作られ、Aは、Cu又はAgを含むInternationalUnionofPureandAppliedChemistryによって定義される化学元素の周期表の第11族の元素を表し、Bは、In、Ga、及び/又はAlを含む周期表の第13族の元素を表し、Cは、S、Se、又はTeを含む周期表の第16族の元素を表す。ある好ましい半導体光起電層は、例えばいわゆるCIGSタイプのものであり、その結果、Cu、In、Ga、及びSe2を含有する。層130は、電着、印刷、又は蒸着等の様々な技術を用いて堆積され得る。後続の実質的に透明な層は、例えばCdS又はZnS材料から作られる、いわゆる半導体バッファ層140と、例えばZnO:Al材料又はスズをドープした酸化インジウムITO材料から作られるフロントコンタクト導電性酸化物TCO層150とを含む。図1Eは、2種類のビアホール列である、電池間ビア155及び母線ビア153、157をスクライビングするプロセスステップを表す。好ましくはナノメータ又はピコメータレーザー等のレーザーを用い、より好ましくはパルスレーザーを用いて、ビアホール列155、153、157をドリル加工又はスクライビングする前記プロセスステップは、スクライビング又はパターニングステップP2と呼ばれる。電池間ビア155は、製造プロセスの最後に例えば電池104である第1の電池となるものと、例えば電池106である第2の電池となるものとの間に直列相互接続を確立する目的でドリル加工される。前記第2のバックコンタクト部品124、126の各々に対して、前記電池間ビアホール155が前記第2のバックコンタクト部品124、126の内の少なくとも1つの一部を露出させるほど深く、かつ、ドリル加工される際に前記電池間ビアホール155の表面に沿って生じる熱によって、前記半導体層130、140内の前記表面の化学組成に永久的な変化が生じ、その内部で表面金属化134、136が引き起こされるように、少なくとも1つの電池間ビアホール155が、前記導電性フロントコンタクト層150及び前記半導体活性層130を貫いてドリル加工される。従って、前記電池間ビアホール155の表面は導電性となり、その結果、前記導電性フロントコンタクト層150と前記第2のバックコンタクト部品124、126との間に電気路が確立される。例えばCIGSタイプの半導体光起電層の場合、前記電池間ビアホールの導電性表面は、銅が豊富で、CdTeタイプの半導体光起電層の場合、前記電池間ビアホールの導電性表面は、カドミウムが豊富である。図1Eでは、前記バックコンタクト部品124、126は、ドリル加工によって露出されているが、必ずしもドリル加工処理によってアブレートされるわけではない。図1Eは、対称的な円錐形の断面形状を有するビアを示すが、当業者であれば、多種多様なビア形状が可能であることを容易に推論するであろう。ビア形状のバリエーションを図5A及び5Bに示す。さらに、前記母線ビア153、157を形成する方法は、前記電池間ビア155の形成に用いられた方法のバリエーションであり、ビアは、バックコンタクト部品122、128並びに前記基板110を貫いてさらに延在する。前記母線ビア153、157は、レーザースクライビング等の前記電池間ビア155の方法に類似の方法を用いてドリル加工されるので、金属化ビアホール表面132、138が形成され、その結果、前記フロントコンタクト層150と前記バックコンタクト部品122、128との間にそれぞれ導電路が設けられる。効果的であるためには、前記ビアの内の少なくも1つがバックコンタクト部品122、124、126、128の各々に形成される必要がある。しかしながら実際には、例えば電流スループットの増加を可能にするために、より多くの電流を有利に伝導できるように、前記バックコンタクト部品毎に数個の各ビアが形成され得る。図1Fは、フロントコンタクト溝151とも呼ばれる溝が、前記フロントコンタクト層150を貫いて彫られ、前記半導体層130、140の少なくとも1つの連続した線を露出させる程度の深さにまで延在し、それによって、前記フロントコンタクト層を電気的に接続されていない第1の母線フロントコンタクト部品152、第1のフロントコンタクト部品154、156、及び第2のフロントコンタクト部品156、158に分離し、第1のフロントコンタクト部品154、156それぞれにつき少なくとも1つの前記電池間ビアホール155が、前記第1のバックコンタクト部品122、124を大部分覆う前記第1のフロントコンタクト部品154、156から前記第2のバックコンタクト部品124、126まで直列相互接続された電気路を確立し、その結果、3つの直列相互接続された光電子部品104、106、108が実現するようにするプロセスステップを示す。前記プロセスステップは、スクライビング又はパターニングステップP3と呼ばれる。パターニングステップP3は、機械的スクライビングブレードを用いて、好ましくはナノメータ又はピコメータレーザー等のレーザーを用いて、より好ましくはパルスレーザーを用いて行われてもよい。図1E及び1Fから、当業者であれば、前記スクライビングステップP2ビア用及びP3溝用を有利に組み合わせて、前記電池間ビア155、前記母線ビア153、157、及び前記溝151を例えば少なくとも1つのレーザースクライビング工具を用いてスクライビングする単一のスクライビングステップPビア溝にすることが可能であることを推論することができるであろう。電池間コンタクトを製造するために、真空蒸着を用いたモノリシック光起電モジュールの従来の生産方法は、前記バッファ層140の堆積と、前記バックコンタクト層に至るまでのスクライビングステップP2と、前記フロントコンタクト層150の堆積と、次に前記フロントコンタクト部品を分離するための高精度のスクライビングステップP3の実行とを有する。段階的な手順は、1回又は複数回の真空破壊を含み得る。従って本発明は、前記バッファ層140及び前記フロントコンタクト層150の堆積間で真空が破壊される必要がなく、その結果、時間及びエネルギーを節約し、コストを低下させる有利な方法を提供する。さらなる利点は、本発明は、従来の方法ほどの精度を必要としない、より大きなスクライビングプロセスウィンドウを提供し、その結果、精度がより低く、より費用のかからないレーザースクライビング工具の使用が可能となり、より迅速なスクライビングステップが可能となり、エラー率の低下による歩留りの向上が提供される点である。本発明のまたさらなる利点は、前記母線ビア153、157により、シャドーイング損失を引き起こすことなく、半導体光起電層の後方に母線を配置することが可能となる点図1Hと、全ての層を堆積した後に、前記母線ビアの位置を決定することができ、その結果、より広い母線ネットワークの選択肢が提供される点とである。図1Gは、前記フロントコンタクト部品154、156、158それぞれの導電率を増加させるために、金属化フロントコンタクト配線164、166、168のグリッドが追加された断面図を示す。前記フロントコンタクト配線は、スクリーン印刷、電気めっき、投薬、インクジェット印刷、又は金属めっき又は他の処理との組み合わせで場合により複数のステップで物理蒸着PVDに供され得る銀又は他の化合物から作られ得る。前記フロントコンタクト部品154、156、158と、それぞれの金属化ビアホール表面134、136、138との間の導電率をさらに増加させるように、前記フロントコンタクト配線は、ビアホール内部に延在してもよい。光電子モジュールは、結果的に、3つの光電池104、106、108を含む。図1Hは、導電性接着部品172、178をそれぞれ用いた母線182、188の追加を示す。通常の慣例では、母線182とバックコンタクト部品122との間に電気路が確実に確立され、かつ母線188とフロントコンタクト158との間の導電率が増加するように、前記導電性接着部品は、母線ビアホール153、157に侵入し得る導体ペーストの部分である。図1Hでは、この電気路は、バックコンタクト128のレベルにおいて、前記グリッド配線168と前記半導体基板130の前記金属化ビアホール表面138とによっても確保される。最後に、前記光電子モジュール100は、少なくとも1つの前面190及び少なくとも1つの底面192シートの内部にカプセル化され、前面シート190は、好ましくはガラス製であり、より好ましくは透明又は半透明の熱可塑性ポリマー材料製である。図2A~2Dは、透明スーパーストレートが用いられることを除き、以前のモジュール100に類似したモノリシック光電子モジュール100の製造方法を描く断面図である。つまり、モジュール100は、今度は、その光起電部品に到達した光が、吸収体130による電気変換の前にまず透明スーパーストレートを通過するように設計されている。図2Aは、例えばポリイミド製の、導電性材料の少なくとも1つのフロントコンタクト層150が上に堆積される透明及び電気絶縁スーパーストレート110を示す。図2Bは、前記フロントコンタクト層150をフロントコンタクト部品152、154、156に分離するために、フロントコンタクト溝151をスクライビングするステップを示す。前記フロントコンタクト溝151は、スーパーストレート110を連続的に露出させ、それによって、確実にフロントコンタクト部品152、154、156間に導電路が存在しないようにする。図2Cは、少なくとも1つの半導体バッファ層140の堆積及びそれに続く少なくとも1つの光起電半導体層130の堆積を示す。前記光起電半導体層130は、好ましくはCdTe材料から作られるが、前記ABC2材料等の他の材料も可能である。これの後に導電性バックコンタクト層の堆積が続く。次に、前記バックコンタクト層をバックコンタクト部品122、124、126、128に分離させるために、バックコンタクト溝121をスクライビングする。前記バックコンタクト溝121は、前記バックコンタクト部品122、124、126、128間に直接的な導電路が存在しないように少なくとも前記半導体光起電層130の表面まで延在するが、前記フロントコンタクト部品152、154、156をさらに分割する程深く延在してはならない。好ましくはレーザースクライビングプロセスを用いて、スクライビングによって生じた局所熱により、図1Eの記述で説明したように、前記ビア155、157の内面134、136、138が永久的に導電性となるように、電池間ビア155及び母線ビア153、157のスクライビングも行う。それぞれの第1のバックコンタクト部品122、124、126の大部分を覆う第1のフロントコンタクト部品152、154、156と、それぞれの第2のバックコンタクト部品124、126、128との間に直列相互接続を確立できるように、前記電池間ビア155及び母線ビア157のドリル加工を行う。当業者であれば、溝121及びビア155、157を単一のスクライビングステップでスクライビングすることが可能であることを推論するであろう。図2Dは、それぞれの導電性接着部品172、178を用いた母線182、188の追加を示す。通常の慣例では、前記導電性接着部品は、母線188とフロントコンタクト156との間の導電率が増加するように、母線ビアホール157に侵入し得る導体ペーストの部分である。図3A及び3Bは、前記フロントコンタクトグリッド配線164、166、168が存在しない、図1A~1Hの実施形態100のバリエーションを表すモノリシック光起電モジュール100の一実施形態の分解図及び断面図を示す。従って、この光起電モジュール100は、上記の光起電モジュール100と非常に類似している。前記光起電モジュール100は、分離したバックコンタクト部品122、124、126、128へとスクライビングされる導電性バックコンタクト層でコーティングされた基板110を含む。次に続く層には、半導体光起電層130の後に、それぞれのバッファ部品142、144、146、148及びフロントコンタクト部品152、154、156、158へとスクライビングされるバッファ及びフロントコンタクト層が含まれる。好ましくはレーザーを用いて、前記フロントコンタクト及び前記バッファ部品のドリル加工を行うことにより、前記バックコンタクト部品の表面までビア155を作成し、前記基板110に至るまで前記ビア153、157を作成し、その結果、導電性金属化ビア表面132、134、136、138を生じさせる。母線182、188は、それぞれの導電性アタッチメント172、178を介して、それぞれのバックコンタクト部品122、128に電気的に接続される。断面3Bは、例えば導体ペーストで作られた導電性アタッチメント172、178が、少なくともバックコンタクト122、128までそれぞれ延在する必要があることを示している。前記ビアは、図3Aにおいて溝151に沿った又は母線182、188の軸に沿った単一の列として示されているが、当業者であれば、モジュール100の表面上の多くの位置で多数のビアのドリル加工を行い得ることを推論するであろう。この実施形態100は、フロントコンタクトグリッドが使用されず、それによって、前の実施形態100の製造に用いられる方法と比較して、製造処理工程が1つ取り除かれる点で有利となり得る。光起電モジュールの場合、フロントコンタクトグリッド配線は、光起電電力生産を低下させ得るシャドーイング損失を導入するので、この実施形態100はまた、有利となり得る。図4は、ビア155が、前記フロントコンタクト部品154、156と、それぞれのバッファ部品144、146と、それぞれの熱処理されたビア内面134、136も形成された前記半導体光起電層130と、それぞれのバックコンタクト部品124、126とを通って、基板110の表面にまでドリル加工される、図3A及び3Bの実施形態100のバリエーションを表すモノリシック光起電モジュール100の一実施形態の断面を示す。その結果として生じる実施形態は、前のモジュールと比較して、このモノリシック光電子モジュール100の製造に必要とされる精度が低い点で有利である。前記精度の低下により、有利に、より低い精度でより安価なスクライビング工具を使用することが可能となり、製造時間が減少し、スクライビングプロセスの失敗率が減少し、その結果、生産歩留まりが向上する。図5A及び5Bは、ビアホール153、155、157が延長され、フロントコンタクト部品152、154、156、158上でより中心に配置され得る、図1A~1Hの実施形態100のバリエーションを表すモノリシック光起電モジュール100の一実施形態の分解図及び断面図を示す。この実施形態の生産方法は、前の実施形態の生産に用いられる方法と非常に類似している。基板110は、バックコンタクト部品122、124、126、128を生じさせるスクライビング経路121に供される導電性層でコーティングされる。図5Aは、続いて生産されるビアの上記の位置決めのバリエーションが可能となるように、前記スクライビング経路121が直線ではないことを示す。前記スクライビング経路121は、後に堆積され、スクライビングされる第1のフロントコンタクト部品の下を通過するように設計された指形のエクステンションを用いて第2のバックコンタクト部品を引き付ける。次に、半導体光起電層130が堆積され、その後に、バッファ及びフロントコンタクト層の付与が続く。次に、好ましくはレーザー等の局所熱を発生するスクライビング工具を用いて、前記フロントコンタクト層と、前記バッファ層と、前記半導体光起電層とを通って、前記バックコンタクト部品124、126の表面にまで、ビアホール155のスクライビングを行う。好ましくはレーザー等の局所熱を発生するスクライビング工具を用いて、上記の全ての層及び前記基板を通って、ビアホール153、157のスクライビングも行う。図1Eの場合のように、前記局所熱を発生するスクライビング工具により、前記半導体光起電層130において延長ビア153、155、157の表面が導電性となり、その結果、金属化ビアホール表面132、134、136、138が生じる。次に、前記フロントコンタクト及びバッファ層を、電気的に分離したフロントコンタクト部品152、154、156、158及びバッファ部品142、144、146、148へとスクライビングする。次に、フロントコンタクト導電率を有利に増加させるために、パターン化された金属化フロントコンタクトグリッド部品164、166、168を追加してもよい。当業者であれば、図5A及び5Bに示される前記グリッド部品164、166、168のパターンを、結果的に生じる光起電モジュール100が発電及び費用に関して最適な所望の性能を提供できるように異って設計し得ることを推論するであろう。母線182、188は、それぞれの導電性アタッチメント172、178を介して、それぞれのバックコンタクト部品122、128に接続される。その結果生じる実施形態は、前記ビアが延長され、その結果、走査型レーザー等の走査デバイスを用いてより効率的にスクライビングされ得る点と、フロント及びバックコンタクト間でより多くの電流を駆動させるためにビアホールごとにより多くの導電性表面を提供できるように、前記ビアを有利に延長することも可能である点と、前記フロントコンタクト部品上における前記ビアのより中心の位置により、より効率的な影を最小限に抑えるグリッド部品を設計することも可能である点とにおいて有利である。本発明によって開示される例示的な実施形態及び方法は、相互接続された光電子部品の光起電モジュールのロールツーロール生産に特に有利である。当業者であれば、モノリシック光電子モジュールの低コストの大量生産を目的として、説明した実施形態例を拡大縮小及び適応させる方法を容易に推論するであろう。本発明の主な利点は、例えば図1A~1Hの基板に基づいた実施形態の場合には、光起電部品を相互接続する金属化電池間ビア155、モジュールに対するシャドーイングを起こさない母線の接続を可能にする金属化母線ビア153、157、及び部品を分離させる溝151を同じ生産工程で製造することができ、その結果、生産の複雑さ、時間、コスト、及び工具の数を有利に減少させる、幾つかの有利な光電子モジュールの実施形態例及びそれに対応する方法を提供することである。