"記録層にパルスレーザ光を集光することにより記録マークを形成して記録が行なわれる光情報記録媒体の当該記録層を形成するための熱硬化性の光情報記録材料であって、エポキシ化合物とエポキシ用硬化剤とに加えて、ベンゾフェノン構造含有化合物を含有する光情報記録材料。光情報記録材料中のベンゾフェノン構造含有化合物の含有量が、エポキシ化合物100質量部に対し、0.5~50質量部である請求項1記載の光情報記録材料。ベンゾフェノン化合物類が、以下の式1、式2又は式3式1中、Arは、ヒドロキシル基又は1-カルボキシエチル基で置換されてもよいフェニル基又はナフチル基である。また、式2及び3のn及びmは、重合度を表す。で表される化合物である請求項1又2記載の光情報記録材料。ベンゾフェノン構造含有化合物が、式1aで表される請求項1又2記載の光情報記録材料。ベンゾフェノン構造含有化合物が、式1bで表される請求項1又2記載の光情報記録材料。ベンゾフェノン構造含有化合物が、式1cで表される請求項1又2記載の光情報記録材料。ベンゾフェノン構造含有化合物が、式1dで表される請求項1又2記載の光情報記録材料。ベンゾフェノン構造含有化合物が、式1eで表される請求項1又2記載の光情報記録材料。エポキシ化合物が、ナフタレン残基、フルオレン残基、アントラセン残基、ビスフェノールA残基又はビフェニル残基を有し、且つ2官能以上である請求項1~8のいずれかに記載の光情報記録材料。請求項1~9のいずれかに記載の熱硬化性の光情報記録材料の硬化物から形成された記録層を有し、その記録層にパルスレーザ光を集光することにより記録マークを形成して記録が行なわれる光情報記録媒体。記録層が、一対の透明基板に挟持された構造を有する請求項10記載の光情報記録媒体。しかしながら、特許文献1に提案されている光情報記録媒体の場合、酸発生剤が高い光熱感受性を有するため、夏期に一般家屋や倉庫で起りうる高温環境約40~60°C下での保管時に、記録層に含有されている光酸発生剤から意図しない酸が発生し、そのために光情報記録媒体が徐々に変色し、数十年というスパンでは記録マークの消失という事態の発生も懸念されている。本発明の目的は、以上の従来の問題点を解決しようとするものであり、高強度パルスレーザで情報が記録される記録層を有する光情報記録媒体の書き込み速度を、記録層に酸発生剤を配合することなく、高速化できるようにすることを目的とする。本発明者らは、熱硬化性エポキシ樹脂組成物を主体とする熱硬化性の光情報記録材料に、フェニルカルボニル基が結合したベンゼン環又はナフタレン環以下、ベンゾフェノン構造含有化合物と称することがあるを含有させることにより、光情報記録材料を硬化させて形成した記録層に対する高強度パルスレーザ光による書き込み速度を大きく短縮できることを見出し、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明は、記録層にパルスレーザ光を集光することにより記録マークを形成して記録が行なわれる光情報記録媒体の当該記録層を形成するための熱硬化性の光情報記録材料であって、エポキシ化合物とエポキシ用硬化剤とに加えて、ベンゾフェノン構造含有化合物を含有する光情報記録材料を提供する。また、本発明は、上述した本発明の熱硬化性の光情報記録材料の硬化物から形成された記録層を有し、その記録層にパルスレーザ光を集光することにより記録マークを形成して記録が行なわれる光情報記録媒体を提供する。本発明の熱硬化性の光情報記録材料は、ベンゾフェノン構造含有化合物を含有する。この化合物類は、フェニルカルボニル基が結合したベンゼン環又はナフタレン環を有するものであり、非線形光吸収効果を示す。このため、この光情報記録材料の硬化物から形成された記録層を有する光情報記録媒体の当該記録層に高強度パルスレーザ光で記録マークを書き込む際の書き込み時間を大幅に短縮化することができる。まず、本発明の熱硬化性の光情報記録材料について説明する。本発明の熱硬化性の光情報記録材料は、記録層にパルスレーザ光を集光することにより記録マークを形成して記録が行なわれる光情報記録媒体の当該記録層を形成するためのものであって、エポキシ化合物とエポキシ用硬化剤とに加えて、ベンゾフェノン構造含有化合物を含有する。このベンゾフェノン構造含有化合物は、フェニルカルボニル基が結合したベンゼン環又はナフタレン環を有し、非線形光吸収効果を示し、増感剤として機能する化合物である。このようなベンゾフェノン構造含有化合物としては、以下の式1のアリールフェニルケトンや式2のポリエーテルエーテルケトンや3のポリエーテルケトンを挙げることができる。式1中、Arは、ヒドロキシル基又は1-カルボキシエチル基で置換されてもよいフェニル基又はナフチル基である。また、式2及び3中、n及びmは重合度を表しており、それぞれ好ましくは50~500、より好ましくは100~200の数である。このようなベンゾフェノン構造含有化合物の好ましい具体例としては、以下式1aのケトプロフェン、式1bのベンゾフェノン、式1cの4-ヒドロキシベンゾフェノン、式1dのフェニルナフチルケトン、式1eの6-ヒドロキシナフチルフェニルケトンが挙げられる。これらの中でも、式1a、1c及び1eの化合物は、エポキシ基と反応する水酸基やカルボキシル基を有するため、光情報記録材料にブリーディングを生じさせることなく比較的多量に配合することができ、そのため、書き込み時間の短縮化を、配合量を増減させることにより調整することを可能とする。式1のアリールフェニルケトン、式2のポリエーテルエーテルケトン、及び式3のポリエーテルケトンは、いずれも公知物質であり、公知の手法により製造することができる。また、これらは市販品を使用することもできる。ベンゾフェノン構造含有化合物の光情報記録材料中の含有量は、少なすぎると発明の効果が得られにくく、多すぎると記録密度などの光ディスクの特性が低下する傾向があるので、後述するエポキシ化合物100質量部に対し、好ましくは0.5~50質量部、より好ましくは10~20質量部である。光情報記録材料を構成するエポキシ化合物としては、光情報記録媒体の記録層の形成に広く使用されているエポキシ化合物を適用することができるが、中でも高い架橋密度を実現可能な平面性骨格を有するエポキシ化合物、例えば、ナフタレン残基、フルオレン残基、アントラセン残基、ビスフェノールA残基、ビスフェノールF残基、ビフェニル残基等を有するエポキシ化合物を好ましく挙げることができる。これらは2種以上を併用することができる。また、これらのエポキシ化合物は、高い架橋密度を実現するために、2官能以上であることが好ましい。本発明で好ましく使用できるエポキシ化合物の具体例としては、ナフタレン型2官能エポキシ化合物HP4032、HP4032D、いずれもDIC株、ナフタレン型4官能エポキシ化合物HP4700、いずれもDIC株、ナフトール型エポキシ樹脂ESN-475V、東都化成株、フルオレン型エポキシ樹脂オンコート1020、オンコート1040、いずれもナガセケムテックス株;オグソールEG、大阪ガスケミカル株、液状ビスフェノールF型エポキシ樹脂830CRP,DIC株;jER828EL、三菱化学株、ビフェニル型エポキシ樹脂NC3000H、NC3000L、いずれも日本化薬株;jERYX4000、三菱化学株、アントラセン類似型エポキシ樹脂jERYX8800、三菱化学株等が挙げられる。これらのエポキシ化合物は2種以上を併用することができる。光情報記録材料を構成するエポキシ用硬化剤としては、エポキシ化合物の硬化剤として公知のものを使用することができる。例えば、アミン化合物、スルホン酸塩、ヨードニウム塩、イミダゾール類、酸無水物類等を一種以上使用することができる。これらのエポキシ用硬化剤の中でも、硬化温度を下げることができる点から、アミン化合物を好ましく使用することができる。このようなアミン化合物としては、トリスジメチルアミノメチルフェノールDMP-30、関東化学株や特殊アミン化合物U-Cat18X、サンアプロ株等を好ましく挙げることができる。光情報記録材料におけるエポキシ用硬化剤の含有量は、少なすぎるとエポキシ化合物を十分に硬化させることができず、多すぎると硬化物が着色してしまう傾向があるので、エポキシ化合物100質量部に対し、好ましくは0.1~10質量部、より好ましくは0.5~1.5質量部である。光情報記録材料には、必要に応じ、フェノキシ樹脂等の熱可塑性樹脂、酸化防止剤、着色剤等を含有させることができる。本発明の光情報記録材料は、エポキシ化合物と、エポキシ用硬化剤と、ベンゾフェノン構造含有化合物と、必要により添加される溶剤や他の添加剤とを均一に混合し、更に脱泡処理することにより調製することができる。次に、本発明の光情報記録材料を使用して形成した記録層を有する本発明の光情報記録媒体について説明する。図1に示すように、本発明の光情報記録媒体10は、記録層1の内部に高強度パスルレーザ光等の記録光hνを集光させることにより、焦点F近傍の光学的性質を変質させ記録を行うものである。そのような光学的性質としては、屈折率、光反射率等が挙げられる。通常は、空洞が記録マークとして形成される。このような記録層1の片面もしくは両面には、好ましくは、支持体あるいは保護部材としてガラス板等の一対の透明基板2が配置されている。必要に応じて反射防止膜、偏光膜等の公知の光学膜を積層してもよい。本発明の光情報記録媒体10は、一対の透明基板2の片側の透明基板2上に、前述した本発明の熱硬化性の光情報記録材料を常法により塗布し、その塗布膜上に他方の透明基板2を積層し、得られた積層物を80~120°Cの温度に加熱することにより光情報記録材料を重合硬化させ、塗布膜を記録層とすることにより製造することができる。このような本発明の光情報記録媒体10の記録層1は、前述したとおり、本発明の光情報記録材料の硬化物から形成される。光情報記録材料を構成するエポキシ化合物として、高い架橋密度を実現可能な平面性骨格を有し、2官能以上のエポキシ化合物を使用した場合、立体障害が減少し、高度に三次元架橋される。その結果、硬化物の架橋密度は増大し、架橋の度合いが増大するにつれて減少する架橋点間分子量が小さくなり、記録可能な記録マーク間の距離を小さくすることが可能となる。本発明においては、好ましい架橋点間分子量は2000以下、より好ましくは500以下である。なお、架橋点間分子量は、以下のフローリ式に従って算出することができる。ここで、Mcは架橋点間分子量であり、ρは硬化物の密度g/cm3であり、Tは温度°Kであり、E′は貯蔵弾性率MPaの高温領域ガラス転移温度以上の極小値である。また、光情報記録材料の硬化物の密度は、小さすぎると低架橋密度となるので、好ましくは1.210g/cm3以上、より好ましくは1.240g/cm3以上である。なお、硬化物の密度の上限は、有機物としての限界があるので、通常1.5g/cm3以下である。また、光情報記録材料の硬化物のガラス転移温度は、低すぎると高温環境下における光情報記録媒体の耐久性が下がる傾向があり、高過ぎると書き込み速度が下がる傾向があるので、好ましくは110~140°C、より詳しくは120~130°Cである。このような記録層1を有する本発明の光情報記録媒体10は、前述したように、その記録層1中にGaInN等の半導体レーザ光やチタンサファイヤレーザ等の高強度パルスレーザ光例えば、尖頭パワーが1W以上でパルス幅1nsec以下の記録光を集光させ、焦点F近傍を高温に加熱する。この結果、焦点F付近の記録層1を他の部分の記録層に対して光学的に異なる性質空隙の有無、屈折率の高低、反射率の高低等を持つように変質させることができ、それにより記録を行うことができる。しかも、焦点位置や記録領域の大きさを公知の手法で調整することにより、光記録樹脂層の厚み方向に複数の記録換言すれば、記録の多層化が可能となる。また、記録光と同じ光源から、出力等を変えた再生光を光記録樹脂層内に集光させると、光学的異方性部分の光吸収、光反射などの光学的情報を記録情報として取得することができる。以下、本発明を実施例により具体的に説明する。実施例1~11及び比較例1、2エポキシ化合物として1,6-ナフトジオールジグリシジルエーテルHP4032D、DIC株又はビスフェノールF型エポキシ樹脂830CRP、DIC株と、式1a~1eの化合物から選ばれた増感剤とを、表1の配合量質量部で混合し、更に、エポキシ用硬化剤としてトリスジメチルアミノメチルフェノールDMP-30、関東化学株1質量部を均一に混合して脱泡処理することにより液状の熱硬化性の光情報記録材料を調製した。なお、式1a~1eの化合物の入手先は以下のとおりである。式1aのケトプロフェン東京化成株式1bのベンゾフェノン東京化成株式1cの4-ヒドロキシベンゾフェノン東京化成株式1dのフェニルナフチルケトン東京化成株式1eの6-ヒドロキシナフチルフェニルケトンシグマアルドリッチ株得られた光情報記録材料を、0.15mm厚のカバーグラス基板に0.30mmの厚さとなるように塗工し、その上に0.75mm厚のガラス基板を配置し、80°Cに温められたオーブン中で12時間加熱し、光情報記録材料を硬化させて記録層とし、これにより両面がガラス基板で挟持された記録層を有する光情報記録媒体を得た。<書き込み試験評価>ピコ秒パルス発振するレーザダイオード波長:405nm、パルス幅:3ピコ秒、対物アウトピークパワー:19W、繰り返し周波数:1GHzからのレーザ光を、対物レンズNA:0.85を用いて各実施例及び各比較例の光情報記録媒体の記録層の深さ50μm位置に集光して、記録マークを形成した。このとき、パルスレーザ光照射時間書き込み時間が異なる複数の記録マークを形成して書き込みを行った。なお、書き込み時間の調整は、ファンクションジェネレータMP1800A、アンリツ株により制御した。次に、同じレーザダイオードを用いて、記録マークの読み出しを行った。具体的には、記録マークからの信号を、偏向ビームスプリッタ及びλ/4板より分岐し、CCDChargeCoupledDeviceを用いて、記録マークが確認できるか否かという基準で確認した。確認できた記録マークの書き込み時のパルスレーザ光照射時間のうち、最短の照射時間を光情報記録媒体の書き込み時間とした。<表1の結果の考察>比較例1の光情報記録媒体は、増感剤を含有しない記録層を有する媒体であり、エポキシ樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂を使用した例である。それに対し、実施例1の光情報記録媒体は、式1aのケトプロフェンを配合した例である。これらを対比すると、実施例1の光情報記録媒体の書き込み時間が、約33短縮されたことがわかる。比較例2の光情報記録媒体は、増感剤を含有しない記録層を有する媒体であり、エポキシ樹脂としてナフタレン型エポキシ樹脂を使用した例である。それに対し、実施例2~11の光情報記録媒体は、式1a~1eの増感剤を配合した例である。これらを対比すると、実施例2~11の光情報記録媒体の書き込み時間が、いずれも短縮されていることがわかる。なお、増感剤を5質量部配合した実施例2、8-11を対比すると、式1b及び1dの化合物を使用した実施例8及び10の光情報記録媒体が、最も書き込み時間の短縮効果が高いことがわかる。カルボキシル基を有する式1aの化合物を増感剤として配合した実施例2~7を対比すると、増感剤の配合量が40質量部まで増加するにつれ、書き込み時間が短縮されることがわかる。また、40質量部以上では書き込み時間短縮効果がそれ以上増加しないことがわかる。なお、光情報記録後の実施例1~11の光情報記録媒体について、85°Cのオーブン中に500時間放置して記録マークの読み出しを行ったところ、放置前と全く変化はなく、良好な保存安定性を示した。"