"上面に半導体素子が載置される載置領域を有する基体と、該基体の上面であって前記載置領域を囲むように配設された、内周面および外周面に開口する開口部を有する枠体と、前記開口部に挿入された入出力端子とを備えた素子収納用パッケージであって、前記入出力端子は、第1の絶縁基板と、該第1の絶縁基板の上面に配設された第2の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板と前記第2の絶縁基板との間に配設された配線導体と、前記第2の絶縁基板の上面であって平面視した場合に前記枠体で囲まれた領域の内側に配設されるとともに前記配線導体と電気的に接続された内部端子と、前記第2の絶縁基板の上面であって平面視した場合に前記枠体で囲まれた領域の外側に配設されるとともに前記配線導体と電気的に接続された外部端子とを具備していることを特徴とする素子収納用パッケージ。前記第2の絶縁基板は、上面および下面に開口する複数の貫通孔を有し、該貫通孔に充填された貫通導体をさらに備え、該貫通導体を介して前記配線導体および前記内部端子と、前記配線導体および前記外部端子とがそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の素子収納用パッケージ。前記配線導体は、前記入出力端子の前記枠体で囲まれた領域の内側に位置する第1の側面および前記枠体で囲まれた領域の外側に位置する第2の側面にまでそれぞれ引き出されており、前記第1の側面に配設されるとともに前記配線導体および前記内部端子と電気的に接続された第1の側面導体と、前記第2の側面に配設されるとともに前記配線導体および前記外部端子と電気的に接続された第2の側面導体とをさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の素子収納用パッケージ。前記入出力端子は、前記第1の絶縁基板の下面に配設された第3の絶縁基板を更に具備し、前記配線導体を第1の配線導体とした場合に、前記第1の絶縁基板と第3の絶縁基板との間に配設されるとともに前記内部端子および前記外部端子とそれぞれ電気的に接続された第2の配線導体をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の素子収納用パッケージ。前記第1の配線導体および前記第2の配線導体を平面透視した場合に、前記第1の配線導体および前記第2の配線導体の少なくとも一部が重なり合っていることを特徴とする請求項4に記載の素子収納用パッケージ。前記第1の絶縁基板および前記第2の絶縁基板は、平面視した場合の形状が略同一であることを特徴とする請求項1に記載の素子収納用パッケージ。請求項1~6のいずれか一つに記載の素子収納用パッケージと、前記素子収納用パッケージの前記載置領域内に載置された前記半導体素子と、前記枠体と接合された、前記半導体素子を封止する蓋体とを備えた半導体装置。近年、素子収納用パッケージには小型化することが求められている。そのため、入出力端子も小型化することが求められている。しかしながら、素子収納用パッケージを従来よりも小型化した場合、立壁部の厚みも小さくなるため入出力端子に製造工程上で不可避の位置ずれが生じることによって、パッケージの内外を遮断することが難しくなる。また、引用文献1に記載されたパッケージは、入出力端子に位置決め用の溝部を有しているが、立壁部の厚みを小さくした場合、立壁部における溝部の側方に位置する部分の厚みが極端に小さくなる可能性がある。そのため、立壁部にクラックが生じてパッケージの内外を遮断することが難しくなる。一方、立壁部の厚みを大きくした場合、メタライズ配線層における露出する部分が小さくなることから、半導体素子および外部電気回路に電気的に接続することが難しくなる。本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、小型化が可能な素子収納用パッケージおよびこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。本発明の一つの態様に基づく素子収納用パッケージは、上面に半導体素子が載置される載置領域を有する基体と、該基体の上面であって前記載置領域を囲むように配設された、内周面および外周面に開口する開口部を有する枠体と、前記開口部に挿入された入出力端子とを備えている。そして、前記入出力端子は、第1の絶縁基板と、該第1の絶縁基板の上面に配設された第2の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板と前記第2の絶縁基板との間に配設された配線導体と、前記第2の絶縁基板の上面であって平面視した場合に前記枠体で囲まれた領域の内側に配設されるとともに前記配線導体と電気的に接続された内部端子と、前記第2の絶縁基板の上面であって平面視した場合に前記枠体で囲まれた領域の外側に配設されるとともに前記配線導体と電気的に接続された外部端子とを具備している。本発明の一つの態様に基づく素子収納用パッケージにおいては、入出力端子が上記の構成を具備していることから、第2の絶縁基板において素子収納用パッケージの内外を安定して遮断することができる。また、内部端子および外部端子が第二の絶縁基板の上面に位置していることから、半導体素子および外部電気回路に容易に電気的に接続することが可能となる。以下、本発明の実施形態にかかる素子収納用パッケージ以下、単にパッケージとも言うおよびこれを備えた半導体装置について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上、実施形態の構成部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。したがって、本発明に係る素子収納用パッケージは、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。図1~5に示すように、本実施形態にかかるパッケージ1は、上面に半導体素子3が載置される載置領域を有する基体5と、基体5の上面であって載置領域を囲むように配設された、内周面および外周面に開口する開口部7aを有する枠体7と、枠体7の開口部7aに挿入された入出力端子9と、を備えている。さらに、入出力端子9は、第1の絶縁基板11と、第1の絶縁基板11の上面に配設された第2の絶縁基板13と、第1の絶縁基板11と第2の絶縁基板13との間に配設された配線導体15以下、第1の配線導体15というと、第2の絶縁基板13の上面であって平面視した場合に枠体7で囲まれた領域の内側に配設されるとともに第1の配線導体15と電気的に接続された内部端子17と、第2の絶縁基板13の上面であって平面視した場合に枠体7で囲まれた領域の外側に配設されるとともに第1の配線導体15と電気的に接続された外部端子19とを具備している。このように本実施形態のパッケージ1においては、第2の絶縁基板13が第1の絶縁基板11の上面における平面視した場合に枠体7と重なり合う部分のみに形成されるのではなく、第1の絶縁基板11の上面全体に形成されている。そのため、パッケージ1を小型化するために枠体7および入出力端子9を小型化した際に、入出力端子9が枠体7に対して製造工程上で不可避の位置ずれをした場合であってもパッケージ1の内外を安定して遮断することが可能となる。結果、パッケージ1の気密性を良好なものとすることができる。加えて、内部端子17および外部端子19が第2の絶縁基板13の上面に位置しており、内部端子17および外部端子19を極端に小さくする必要がないことから、半導体素子3および外部電気回路不図示に容易に電気的に接続することが可能となる。本実施形態における基体5は、四角板形状であって、主面上に半導体素子3が載置される載置領域を有している。なお、本実施形態において載置領域とは、基体5を平面視した場合に半導体素子3と重なり合う領域を意味している。本実施形態においては載置領域が主面の中央部に形成されているが、半導体素子3が載置される領域を載置領域としていることから、例えば、基体5の主面の端部に載置領域が形成されていても何ら問題ない。また、本実施形態の基体5は一つの載置領域を有しているが、基体5が複数の載置領域を有し、それぞれの載置領域に半導体素子3が載置されていてもよい。基体5の主面における載置領域には半導体素子3が配設されている。入出力端子9などを介して半導体素子3と外部電気回路不図示との間で信号の入出力を行うことができる。このように、基体5の主面には半導体素子3が配設されることから、基体5としては、少なくとも半導体素子3が配設される部分には高い絶縁性を有していることが求められる。本実施形態にかかる基体5は、複数の絶縁性部材を積層することにより作製される。そして、この基体5の載置領域に半導体素子3が配設される。絶縁性部材としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。これらのガラス粉末およびセラミック粉末を含有する原料粉末、有機溶剤並びにバインダを混ぜることにより混合部材を作製する。この混合部材をシート状に成形することにより複数のセラミックグリーンシートを作製する。作製された複数のセラミックグリーンシートを積層することにより複数の積層体を作製する。複数の積層体をそれぞれ約1600度の温度で一体焼成することにより基体5が作製される。なお、基体5としては、複数の絶縁性部材が積層された構成に限られるものではない。一つの絶縁性部材により基体5が構成されていてもよい。また、基体5として、少なくとも半導体素子3が配設される部分に高い絶縁性を有していることが求められることから、例えば、金属部材上に絶縁性部材を積層した構成としてもよい。特に、基体5に対して高い放熱性が求められる場合、基体5が上記の構成であることが好ましい。金属部材は高い放熱性を有しているからである。金属部材上に絶縁性部材を積層した構成とすることで、基体5の放熱性を高めることができる。金属部材としては、具体的には、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属部材のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって基体5を構成する金属部材を作製することができる。また、上述のように基体5としては、少なくとも半導体素子3が配設される部分には高い絶縁性を有していることが求められることから、本実施形態のパッケージ1のように、基体5が、載置領域上に配設された、半導体素子3を載置するための載置基板21を備えていることが好ましい。半導体素子3と内部端子17との高さのずれを小さくすることができるので、これらの電気的な接続を容易に行うことができるからである。載置基板21としては、絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。本実施形態のパッケージ1は、基体5の上面であって載置領域を囲むように配設された、内周面および外周面に開口する開口部7aを有する枠体7を備えている。本実施形態における開口部7aは入出力端子9を挿入するために枠体7に形成されたものである。そのため、本実施形態における開口部7aのように、枠体7の内周面および外周面に開口する凹部を枠体7の下面側に形成するとともに、この凹部および基体5の上面によって貫通孔を形成して、開口部7aとしてもよい。また、開口部7aは、枠体7の内周面および外周面に開口するように枠体7の上面側に形成されてもよい。そして、入出力端子9は、枠体7と第2の絶縁基板13の上面とが同一面となるように開口部7aにはめ込まれるとともに、平面形状が枠体7と同じシールリングが、枠体7と重なるように第2の絶縁基板13の上面に配設される。そして、入出力端子9は、ロウ材を介して枠体7とシールリングで形成された開口部7aに配設される。その結果、入出力端子9によって枠体7の上端部の剛性が向上し、蓋体45がシーム溶接でシールリングに接合固定される際に生じる枠体7の変形が抑制され、半導体装置43の歩留まりが改善される。また、枠体7に、この枠体7の内周面および外周面に開口する貫通孔を形成して、開口部7aとしてもよい。貫通孔は、例えばドリル孔あけ加工によって枠体7に形成することができる。枠体7としては、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属部材のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって枠体7を構成する金属部材を作製することができる。また、枠体7としてセラミック部材を用いてもよい。また、枠体7は、一つの部材からなっていてもよいが、複数の部材の積層構造であってもよい。本実施形態の素子収納用パッケージ1は、基体5および枠体7の間に位置して、基体5および枠体7を接合する接合部材不図示を備えている。接合部材としては、例えばロウ材を用いることができる。例示的なロウ材としては、銀ロウが挙げられる。本実施形態における枠体7の開口部7aには、入出力端子9が挿入固定されている。入出力端子9は、第1の絶縁基板11と、第1の絶縁基板11の上面に配設された第2の絶縁基板13と、第1の絶縁基板11と第2の絶縁基板13との間に配設された複数の配線導体15第1の配線導体15と、第2の絶縁基板13の上面であって平面視した場合に枠体7で囲まれた領域の内側に配設された複数の内部端子17と、第2の絶縁基板13の上面であって平面視した場合に枠体7で囲まれた領域の外側に配設された複数の外部端子19とを具備している。本実施形態における第1の絶縁基板11は、四角板形状であって上面に複数の第1の配線導体15が配設されている。第1の絶縁基板11の例示的な大きさとしては、平面視した場合の一辺が1~20mm程度であって、厚みが0.5~2mm程度である四角板形状の部材を用いることができる。第1の絶縁基板11としては、絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。本実施形態における第2の絶縁基板13は、第1の絶縁基板11と同様に四角板形状である。このように、第1の絶縁基板11および第2の絶縁基板13は平面視した場合の形状が略同一であることが好ましい。これにより、第2の絶縁基板13の上面の面積を大きくすることができるので、入出力端子9を小型化しつつもリード端子27と外部端子19とを安定して接合することが可能となる。加えて、第1の絶縁基板11および第2の絶縁基板13は平面視した場合の形状が略同一である場合には、後述の理由から入出力端子9の耐久性を向上させることができる。入出力端子9を枠体7の開口部7aに挿入固定した場合、パッケージ1を気密封止するために枠体7から入出力端子9に押圧力が加えられることが好ましい。一方、第1の絶縁基板11および第2の絶縁基板13は平面視した際に、第2の絶縁基板13が第1の絶縁基板11よりも小さい構成である場合、第1の絶縁基板11の上面における第2の絶縁基板13と重なり合っている部分に枠体7からの応力が集中しやすくなる。しかしながら、第1の絶縁基板11および第2の絶縁基板13は平面視した場合の形状が略同一である場合には、第1の絶縁基板11の上面全体が第2の絶縁基板13と重なり合うことになるので、第1の絶縁基板11の上面における特定の領域に枠体7からの応力が集中する可能性を小さくできる。そのため、入出力端子9の耐久性を向上させることができる。また、本実施形態における第2の絶縁基板13の上面には複数の内部端子17および外部端子19が配設されている。第2の絶縁基板13の例示的な大きさとしては、平面視した場合の一辺が1~20mm程度であって、厚みが0.5~2mm程度である四角板形状の部材を用いることができる。また、第2の絶縁基板13は上面および下面に開口する複数の貫通孔を有している。これらの貫通孔にはそれぞれ貫通導体23が充填されている。これらの貫通導体23を介して第1の配線導体15および内部端子17と、第1の配線導体15および外部端子19とをそれぞれ電気的に接続することができる。第2の絶縁基板13としては、絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。複数の第1の配線導体15は、第1の絶縁基板11の上面と第2の絶縁基板13の下面との間にそれぞれ配設されている。また、複数の第1の配線導体15は、それぞれ枠体7で囲まれた領域の内側から外側にかけて位置している。これにより、枠体7で囲まれた領域の内側と外側との間で電気的な接続を図ることができる。これら複数の第1の配線導体15は、互いに電気的に短絡することの無い様に所定の間隔をあけて平行に配設されている。複数の第1の配線導体15の間隔としては、入出力端子9を小型化しつつも第1の配線導体15の間での電気的な短絡を抑制するため、0.3~1.5mm程度であることが好ましい。第1の配線導体15としては、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀および金のような金属材料を第1の配線導体15として用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。入出力端子9は、第2の絶縁基板13の上面であって平面視した場合に枠体7で囲まれた領域の内側に配設された複数の内部端子17を具備している。複数の内部端子17はそれぞれ第1の配線導体15と第2の絶縁基板13の貫通孔に充填された貫通導体23を介して電気的に接続されている。内部端子17は、第1の配線導体15と半導体素子3とを電気的に接続するための部材である。内部端子17と半導体素子3とは、例えば、導線25を介して、いわゆるワイヤーボンディングにより電気的に接続することができる。導線25などを介して内部端子17と半導体素子3とを電気的に接続する場合、導線25を内部端子17に安定して接合する必要がある。本実施形態のパッケージ1においては、内部端子17が平板形状である第2の絶縁基板13の上面に配設されていることから、内部端子17の上面の面積を容易に大きく確保することができる。そのため、導線25を内部端子17に容易に接合することができるので、導線25と内部端子17とを安定して接合することが可能となる。また、入出力端子9は、第2の絶縁基板13の上面であって平面視した場合に枠体7で囲まれた領域の外側に配設された複数の外部端子19を具備している。複数の外部端子19は、内部端子17と同様に、それぞれ第1の配線導体15と第2の絶縁基板13の貫通孔に充填された貫通導体23を介して電気的に接続されている。外部端子19は、第1の配線導体15と外部電気回路とを電気的に接続するための部材である。外部端子19と外部電気回路とは、例えば、リード端子27を介して電気的に接続することができる。リード端子27などを介して外部端子19と外部電気回路とを電気的に接続する場合、リード端子27を外部端子19に安定して接合する必要がある。本実施形態のパッケージ1においては、外部端子19が平板形状である第2の絶縁基板13の上面に配設されていることから、外部端子19の上面の面積を容易に大きく確保することができる。そのため、リード端子27を外部端子19に容易に接合することができるので、リード端子27と外部端子19とを安定して接合することが可能となる。また、外部端子19は、枠体7の外側に配置される第2の絶縁基板13を切り欠いて露出させた、第1の絶縁基板11の上面に形成された配線導体15によって形成されてもよい。その結果、リード端子27と外部端子19との接合部は、第2の絶縁基板13に形成された切欠き部によって保護されることにより、外的要因による接合部へのダメージが抑制されるとともに、リード端子27と外部端子19との接合材が、隣接する外部端子19に濡れ広がり、電気的な短絡が生じることが抑制される。従って、半導体装置43の歩留まりが改善されるとともに、半導体装置43は長期間にわたって正常に作動することができる。貫通導体23、内部端子17、外部端子19、導線25、リード端子27としては、それぞれ第1の配線導体15と同様に、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀および金のような金属材料を用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。なお、本実施形態のパッケージ1においては、第2の絶縁基板13の貫通孔に充填された貫通導体23を介して、第1の配線導体15と内部端子17とが電気的に接続されるとともに、第1の配線導体15と外部端子19とが電気的に接続されているが、特にこれに限られるものではない。例えば、図6~8に示すようにして、第1の配線導体15と、内部端子17および外部端子19とが電気的に接続されていても良い。図6~8に示す入出力端子9においては、第1の配線導体15が、入出力端子9における枠体7で囲まれた領域の内側に位置する第1の側面および枠体7で囲まれた領域の外側に位置する第2の側面にまでそれぞれ引き出されている。そして、入出力端子9が、第1の側面に配設されるとともに第1の配線導体15および内部端子17と電気的に接続された第1の側面導体29aと、第2の側面に配設されるとともに第1の配線導体15および外部端子19と電気的に接続された第2の側面導体29bとをさらに備えている。このように、第1の側面導体29aおよび第2の側面導体29bを介して第1の配線導体15と、内部端子17および外部端子19とを電気的に接続する場合、第2の絶縁基板13に貫通孔を形成する必要が無いので、容易に第1の配線導体15と、内部端子17および外部端子19とを電気的に接続することができる。また、本実施形態における入出力端子9は、平面透視した場合に枠体7と重なり合う部分を含む側面の一部に、上面および下面に開口する溝部を有している。このような溝部を有している場合には、入出力端子9を枠体7の開口部7aに容易に挿入することができる。また、溝部の幅を枠体7の厚みと同じものとすることによって、入出力端子9の枠体7に対する位置ずれを小さくすることができる。半導体素子3と内部端子17とは、導線25を介して直接に接続しても良いが、本実施形態のパッケージ1のように、基体5の上面であって載置領域と入出力端子9との間に位置して半導体素子3および入出力端子9を電気的に接続するコプレナー配線基板31を備えていてもよい。コプレナー配線基板31は、絶縁性基板33、絶縁性基板33の上面に配設された信号線路35、および信号線路35を間に挟むように絶縁性基板33の上面に配設された一対のコプレナー導体37を有している。絶縁性基板33としては、基体5を構成する絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。特に、絶縁性基板33としては、伝送損失を抑制するため、基板よりも低誘電率の部材を用いることが好ましい。具体的には、ガラスセラミック材料、石英、或いは多孔質セラミック部材を用いることが好ましい。線路導体は、半導体素子3と入出力端子9における内部端子17とを電気的に接続するための部材である。そして、コプレナー配線基板31が、線路導体を間に挟むように絶縁性基板33の上面に配設された一対のコプレナー導体37を有している。なお、コプレナー導体37は、それぞれ基体5に配設された接地導体不図示と電気的に接続されることによって基準電位となっている。次に、第2の実施形態の素子収納用パッケージ1について、図面を用いて詳細に説明する。なお、本実施形態にかかる各構成において、第1の実施形態と同様の機能を有する構成については、同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。本実施形態のパッケージ1は、図9~13に示すように、第1の実施形態のパッケージ1と比較して、入出力端子9が、第1の絶縁基板11の下面に配設された第3の絶縁基板39を更に具備している。このように、入出力端子9を構成する絶縁基板は、第1の絶縁基板11および2の絶縁基板のみからなるものでなく、第3の絶縁基板39を含む3つ以上の絶縁基板からなる構成であっても何ら問題ない。そして、本実施形態のパッケージ1における入出力端子9は、第1の絶縁基板11と第3の絶縁基板39との間に配設されるとともに内部端子17および外部端子19とそれぞれ電気的に接続された第2の配線導体41をさらに備えている。パッケージ1の小型化に伴って入出力端子9を小型化した場合、複数の第1の配線導体15の間隔が狭くなる。複数の第1の配線導体15の間隔が狭くなった場合、これらの第1の配線導体15の間で電気的な短絡が生じる可能性がある。一方、複数の第1の配線導体15の間隔を確保するためにこれらの第1の配線導体15の幅を小さくした場合、半導体素子3に大きな入出力信号を伝送することが難しくなる。しかしながら、本実施形態のパッケージ1においては、配線導体として、第1の絶縁基板11と第2の絶縁基板13との間に配設された第1の配線導体15だけでなく、第1の絶縁基板11と第3の絶縁基板39との間に配設された第2の配線導体41を備えている。そのため、同一平面で隣り合う配線導体15,41の間隔を広くすることができる。これによって、配線導体15,41の間で電気的な短絡が生じる可能性を抑制しつつも第1の配線導体15および第2の配線導体41の幅を大きくすることができる。特に、本実施形態のパッケージ1においては、第1の配線導体15および第2の配線導体41を平面透視した場合に、第1の配線導体15および第2の配線導体41の少なくとも一部が重なり合っているが、このように第1の配線導体15および第2の配線導体41の幅を大きなものとした場合であっても、隣り合う配線導体15,41のそれぞれの間で電気的な短絡が生じる可能性を抑制することができる。上記の実施形態に代表される素子収納用パッケージ1を具備する半導体装置43は、図1,6,9にそれぞれ示すように、上記の実施形態に代表される素子収納用パッケージ1と、素子収納用パッケージ1の載置領域内に載置された半導体素子3と、枠体7と接合された、半導体素子3を封止する蓋体45とを備えている。半導体装置43においては、基板の載置領域に半導体素子3が載置されている。また、半導体素子3および線路導体、並びに線路導体および内部端子17は、それぞれ導線25により接続されている。この半導体素子3に入出力端子9などを介して外部信号を入力することにより、半導体素子3から所望の出力を得ることができる。半導体素子3としては、例えば、LD素子に代表される、光ファイバに対して光を出射する発光素子、PD素子に代表される、光ファイバに対して光を受光する受光素子が挙げられる。蓋体45は、枠体7と接合され、半導体素子3を封止するように設けられている。蓋体45は、枠体7の上面に接合されている。そして、基体5、枠体7および蓋体45で囲まれた空間において半導体素子3を封止している。このように半導体素子3を封止することによって、長期間のパッケージ1の使用による半導体素子3の劣化を抑制することができる。蓋体45としては、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。また、枠体7と蓋体45は、例えばシーム溶接法によって接合することができる。また、枠体7と蓋体45は、例えば、金-錫ロウを用いて接合してもよい。以上、本発明の各実施形態にかかる素子収納用パッケージおよびこれを備えた光半導体装置について説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更や実施の形態の組み合わせを施すことは何等差し支えない。"