"1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンおよび1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの少なくとも一方からなる原料化合物と、水素とを、触媒担持担体が充填された触媒層に導入して気相で反応させる2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法であって、前記触媒層の温度を前記原料化合物と水素を含む原料混合ガスの露点より高い温度とし、かつ反応中の該触媒層の最高温度を130°C以下に維持することを特徴とする2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記触媒層の温度が50°C以上である、請求項1に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記触媒がパラジウムであり、担体が活性炭である、請求項1または2に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記パラジウムの担持量が、活性炭に対して0.1~10質量である、請求項3に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記触媒層における触媒担持担体の充填密度が0.5~1g/cm3である、請求項1~4のいずれか一項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。反応中の触媒層における原料混合ガスの反応域およびその近傍を除き、触媒層を80°C以下に維持する、請求項1~5のいずれか一項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。原料混合ガスがさらに不活性ガスを含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。原料混合ガスにおける原料化合物中の塩素原子のモル数と水素のモル数との比H2/Clを0.7以下とする、請求項1~7のいずれか一項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記水素を前記触媒層の2箇所以上に分割して導入する、請求項1~7のいずれか一項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。触媒層に導入した原料化合物の全量と水素の全量の割合を、原料化合物中の塩素原子のモル数と水素のモル数との比H2/Clで0.7以下とする、請求項9に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記触媒層における下式Iで表される前記原料混合ガスの線速度uが1~30cm/秒である、請求項1~10のいずれか一項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。u=W/100×V/SIただし、式I中、Wは前記触媒層を流通する全ガス中の原料化合物の濃度モルを示し、Vは前記触媒層を流通する全ガスの流量cm3/秒を示し、Sは前記触媒層のガスの流通方向に対する断面積cm2を示す。本発明は、副生物であるHFO-1243zfの生成が抑制された、高純度な2,3,3,3-テトラフルオロプロペンHFO-1234yfの製造方法の提供を目的とする。本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。[1]1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンおよび1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの少なくとも一方からなる原料化合物と、水素とを、触媒担持担体が充填された触媒層に導入して気相で反応させる2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法であって、前記触媒層の温度を前記原料化合物と水素を含む原料混合ガスの露点より高い温度とし、かつ反応中の該触媒層の最高温度を130°C以下に維持することを特徴とする2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[2]前記触媒層の温度が50°C以上である、前記[1]に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[3]前記触媒がパラジウムであり、担体が活性炭である、前記[1]または[2]に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[4]前記パラジウムの担持量が、活性炭に対して0.1~10質量である、前記[3]に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[5]前記触媒層における触媒担持担体の充填密度が0.5~1g/cm3である、前記[1]~[4]のいずれかに記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[6]反応中の触媒層における原料混合ガスの反応域およびその近傍を除き、触媒層を80°C以下に維持する、前記[1]~[5]のいずれかに記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[7]原料混合ガスがさらに不活性ガスを含む、前記[1]~[6]のいずれかに記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[8]原料混合ガスにおける原料化合物中の塩素原子のモル数と水素のモル数との比H2/Clを0.7以下とする、前記[1]~[7]のいずれかに記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[9]前記水素を前記触媒層の2箇所以上に分割して導入する、前記[1]~[7]のいずれか一項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[10]触媒層に導入した原料化合物の全量と水素の全量の割合を、原料化合物中の塩素原子のモル数と水素のモル数との比H2/Clで0.7以下とする、前記[9]に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[11]前記触媒層における下式Iで表される前記原料混合ガスの線速度uが1~30cm/秒である、前記[1]~[10]のいずれかに記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。u=W/100×V/SIただし、式I中、Wは前記触媒層を流通する全ガス中の原料化合物の濃度モルを示し、Vは前記触媒層を流通する全ガスの流量cm3/秒を示し、Sは前記触媒層のガスの流通方向に対する断面積cm2を示す。本発明の製造方法によれば、副生物であるHFO-1243zfの生成を抑制でき、高純度なHFO-1234yfが得られる。本発明の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンCF3CF=CH2、HFO-1234yfの製造方法は、1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンCF3CF=CCl2、CFO-1214yaおよび1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンCF3CF=CHCl、HCFO-1224ydの少なくとも一方からなる原料化合物ガスと、水素ガスとを、触媒が充填された触媒層に導入して反応させる。つまり、本発明の製造方法は、触媒の存在下、原料化合物と水素を気相反応させてHFO-1234yfを得る方法である。本発明の製造方法では、前記触媒層の温度を原料化合物ガスと水素ガスを含む原料混合ガスの露点より高い温度とし、かつ反応中の該触媒層の最高温度を130°C以下に維持することを特徴とする。CFO-1214yaおよびHCFO-1224ydは、それぞれ下式1および2に示す反応によりHFO-1234yfを生成する。CF3CF=CCl22H2→CF3CF=CH22HCl1CF3CF=CHClH2→CF3CF=CH2HCl2触媒としてはパラジウム触媒が好ましく、パラジウム触媒は担体に担持して用いることが好ましい。パラジウム触媒としてはパラジウム単体のみならず、パラジウム合金であってもよい。また、パラジウムと他の金属との混合物やパラジウムと他の金属とを担体に別々に担持させた複合触媒であってもよい。パラジウム合金触媒としては、パラジウム/白金合金触媒やパラジウム/ロジウム合金触媒などが挙げられる。担体としては、活性炭、アルミナ、ジルコニア、シリカ等の金属酸化物等が挙げられる。なかでも、活性、耐久性、反応選択性の点から活性炭が好ましい。つまり、本発明における触媒は、活性炭に担持されたパラジウム触媒が好ましい。活性炭としては、木材、木炭、果実殻、ヤシ殻、泥炭、亜炭、石炭等を原料として調製したものが挙げられ、鉱物質原料よりも植物原料から得られたものが好ましく、ヤシ殻活性炭が特に好ましい。担体の形状としては、長さ2~5mm程度の成形炭、4~50メッシュ程度の破砕炭、粒状炭等が挙げられる。なかでも、4~20メッシュの破砕炭、または成形炭が好ましい。活性炭に対するパラジウムの担持量は、0.1~10質量が好ましく、0.5~1質量がより好ましい。前記パラジウムの担持量が下限値以上であれば、原料と水素の反応率が向上する。前記パラジウムの担持量が上限値以下であれば、反応熱による触媒層の過剰な温度上昇を抑制しやすく、副生物の生成を低減しやすい。また、パラジウム担持担体には、さらにパラジウム以外の金属を担持してもよい。パラジウム以外の金属としては、例えば、鉄、ルテニウム、オスミウム等の第8族元素;コバルト、ロジウム、イリジウム等の第9族元素;ニッケル、白金等の第10族元素;金が挙げられる。これらパラジウム以外の金属は、1種であっても、2種以上であってもよい。前記パラジウム以外の金属の割合は、パラジウムの100質量部に対して、0.01~50質量部が好ましい。前記パラジウム以外の金属が担持された複合触媒は、パラジウムが単独の触媒よりも触媒耐久性が高くなる傾向がある。本発明において触媒層は、前記触媒担持担体を反応器に充填することによって形成される。触媒層における触媒担持担体の充填密度は、0.5~1g/cm3が好ましく、0.6~0.8g/cm3がより好ましい。触媒担持担体の充填密度が下限値以上であれば、単位容積あたりの触媒担持担体の充填量が多く、反応させるガス量を多くすることができるため生産性が向上する。触媒担持担体の充填密度が上限値以下であれば、触媒層の温度上昇を抑制しやすく、反応温度を130°C以下に維持することが容易になる。触媒担持担体の充填部分は、反応器内に1つあってもよく、2つ以上あってもよい。触媒層の中で、原料混合ガスが反応している領域反応域は反応熱の発生により、それ以外の領域よりも高温になりやすい。本発明における反応中の触媒層の最高温度とは、触媒層において反応域およびその周辺部における温度のうち最も高い温度を示す領域の温度をいう。この反応域とその周辺部以外は、原料混合ガスや生成ガスが実質的に反応することなく流れている領域と考えられ、この領域の温度を単に触媒層の温度という。本発明においては、原料混合ガスを触媒層に導入し始める直前に触媒層をある一定温度とすることが好ましく、この場合この温度が反応開始時の触媒層の温度である。また、原料混合ガスを触媒層に導入して反応を開始させた後、触媒層の温度を変化させることができる。例えば、触媒の活性が低下し始めた場合、触媒層の温度を上げることができる。触媒層の温度を調製するために、通常は、触媒担持担体を充填した反応器を外部から加熱する。反応器を加熱するための熱媒の温度を調節することにより、触媒層の温度を調節することができる。触媒層の温度は、反応が気相反応であることより原料混合ガスの露点よりも高い温度とする。また、原料化合物が液化した状態で水素ガスと反応すると、HFO-1234yfが過剰に還元された副生物HFO-1243zfなどの生成が増加しやすい。CFO-1214yaの沸点が46°Cであり、HCFO-1224ydの沸点が推定で4~10°Cである点、および反応性の点から、具体的には、触媒層を50°C以上に加熱した状態で、該触媒層に原料混合ガスを導入して反応させることが好ましい。触媒層の温度は、反応率が向上する点から、60°C以上がより好ましい。また、触媒層の温度は、触媒の劣化の進行に伴い次第に低下することで、反応率が低下する場合がある。そのため、高い反応率を維持できるよう、熱媒温度を徐々に上げ、触媒層の温度を十分な温度に保つ操作を行うことが好ましい。また、本発明の製造方法では、副生物であるHFO-1243zfCF3CH=CH2の生成を抑制する点から、反応中の触媒層の最高温度を130°C以下に維持する。つまり、本発明の製造方法では、原料混合ガスの反応により発生する反応熱による触媒層の過剰な温度上昇を抑制し、触媒層の最高温度が130°Cを超えないようにする。反応中の触媒層の最高温度は、HFO-1243zfの生成を抑制しやすい点から、100°C以下が好ましい。また、反応中の触媒層の最高温度は、反応率が向上する点から、60°C以上が好ましく、80°C以上がより好ましい。反応中の触媒層の最高温度の測定法としては、例えば、挿し込み型の温度計を用いた下記測定法が挙げられる。触媒層における原料化合物ガスと水素ガスの反応は、まず原料混合ガス導入部の触媒が反応に寄与し、該ガス導入部の触媒が劣化するとその下流側の触媒が反応に寄与するというように、触媒層における反応域がガス排出側に向かって徐々に移動していく。つまり、反応中の触媒層の最高温度を示す部分は、反応域の移動と共に移動していくため、予め挿し込み型の温度計の計測部を触媒層のガス導入部に位置させておき、反応の進行と共に該計測部を移動させることで反応中の触媒層の最高温度を測定できる。反応中の触媒層の最高温度を130°C以下に維持する方法としては、触媒層の最高温度を低く制御しつつ、生産性を高く維持しやすい点から、触媒層に水素を分割して導入する方法方法αが好ましい。水素を触媒層の複数個所に分割して導入すれば、原料化合物の導入量を変化させずに触媒層における原料化合物と水素の反応域を分散させられるため、反応熱の発生が一箇所に集中しない。そのため、生産性を低下させずに、触媒層の局所的な過剰発熱を抑制し、反応中の触媒層の最高温度を容易に130°C以下に維持できる。水素の分割導入とは、原料化合物と水素を触媒層のガス導入部に導入するとともに、触媒層のガス導入部とガス排出部との間の少なくとも1か所から水素を導入することをいう。すなわち、原料混合ガスを導入する導入部以外に触媒層の少なくとも1箇所、すなわち、合計2箇所以上、から水素を導入することをいう。具体的には、触媒層のガス導入部ガスの流れ方向の最上流側のガス導入部に導入する原料混合ガスは、触媒層に導入する水素の一部と原料化合物の全量との混合ガスとする。残余の水素はガスの流れ方向下流の触媒層に導入し、その導入位置の触媒層を流れるガス通常は、原料化合物の一部が水素と反応した後の、生成ガスに水素を混入し、該水素の導入位置から下流側の触媒層で未反応の原料化合物を水素と反応させ、触媒層出口ガスの流れ方向の最下流側のガス排出部から生成ガスを排出する。原料混合ガスの導入部と次の水素導入部との間で、原料混合ガス中の水素の少なくとも一部は原料化合物と反応していることが好ましい。また、ガスの流れ方向の最下流側の水素導入部は、その水素導入部とガス排出部との間の触媒層で導入された水素と原料化合物とが充分反応しうる位置に設けることが好ましい。方法αにおける水素の導入は、2箇所に分割導入しても、3箇所以上に分割導入してもよく、プロセスを簡略化できる点から、2箇所に分割導入することが好ましい。触媒層の2箇所以上に分割導入する水素の分割割合は、触媒層の最高温度を低く維持しやすい点から、分割される各々のガス量を等量とすることが好ましい。反応器内に触媒担持担体が充填された部分が2つ以上ある場合、水素の分割導入は、例えば、水素の一部を原料化合物と共に1段目の充填部に導入し、残部を2段目以降の充填部に導入する方法が挙げられる。また、方法α以外の触媒層の最高温度の制御方法としては、原料化合物および水素と共に触媒層に不活性ガスを流通させる方法方法βが挙げられる。不活性ガスを流通させ、触媒層中を流通する原料化合物および水素の濃度を調節することで、反応熱による触媒層の過剰な温度上昇を抑制できる。また、不活性ガス以外の希釈ガスを不活性ガスの代わりにまたは不活性ガスとともに使用することもできる。不活性ガスとしては、窒素ガス、希ガス、水素化反応に不活性なフロン類等が挙げられる。不活性ガス以外の希釈ガスとしては塩化水素などが挙げられる。触媒層への不活性ガスの導入量は、触媒層の最高温度を低く維持しやすく、副生物の生成を低減しやすい点、および触媒の劣化を抑制しやすい点から、原料化合物1モルに対して、0.1モル以上が好ましく、0.5モル以上がより好ましい。また、不活性ガスの導入量は、該不活性ガスの回収率の点から、原料化合物1モルに対して、10モル以下が好ましく、4モル以下がより好ましい。また、方法α、方法β以外の触媒層の最高温度の制御方法としては、触媒層の温度を、原料混合ガスの露点を下限として、より低い温度とする方法方法γが挙げられる。触媒層の温度を低く保つことで、反応熱のより迅速な除熱が可能となり、触媒層の過剰な温度上昇を抑制できる。また、反応における触媒層の温度は、低い温度であるほどHFO-1234yfと分離困難な副生物HFO-1243zfの生成を抑制するのに有利である。方法γでは、触媒層の温度を50°C未満かつ露点よりも高い温度とすることも好ましい。分離困難な副生物の生成をより少なくするためには、触媒層の温度は40°C以下が好ましく、30°C以下がより好ましい。前記と同様に、触媒層の温度は、触媒の劣化の進行に伴い次第に低下することで、反応率が低下する場合がある。そのため、方法γにおいても、高い反応率を維持できるよう、熱媒温度を徐々に上げ、触媒層の温度を十分な温度に保つ操作を行うことが好ましい。触媒層の最高温度の制御は、方法α、方法βもしくは方法γの単独、またはそれらの2つないし3つを併用することが好ましい。方法αと方法βの併用がより好ましい。反応圧力は、取り扱い性の点から、常圧が好ましい。原料化合物ガスの触媒に対する接触時間は、4~60秒が好ましく、8~40秒がより好ましい。この接触時間は、反応器に導入されるガス量と触媒層体積から計算される原料化合物ガスの接触時間である。触媒層に導入する原料化合物ガスと水素ガスの割合は、副生物の生成を抑制しやすい点から、原料化合物ガス中の塩素原子のモル数と水素ガスのモル数との比H2/Clを0.7以下とすることが好ましく、0.6以下とすることがより好ましく、0.5以下とすることがさらに好ましい。また、比H2/Clは、HFO-1234yfの収率の点から、0.1以上が好ましく、0.2以上がより好ましい。水素ガスを分割導入する場合、同様に、触媒層に導入する原料化合物ガスと触媒層に導入する水素ガスの全量との割合は、上記モル数の比H2/Clを0.7以下とすることが好ましく、0.6以下とすることがより好ましく、0.5以下とすることがさらに好ましい。また、比H2/Clは、0.1以上が好ましく、0.2以上がより好ましい。本発明の製造方法では、触媒層における下式Iで表される原料化合物ガスの線速度uは反応管径によって異なるが、気相還元反応で通常使用される反応管径では0.1~100cm/秒が好ましく、1~30cm/秒がより好ましい。この線速度uは、反応器に導入されるガス量と触媒層体積から計算される原料化合物ガスの線速度である。前記原料化合物ガスの線速度uが下限値以上であれば、生産性が向上する。特にガス線速が1cm/秒以上であれば、ガスが触媒層を均一に流れやすい。前記原料化合物ガスの線速度uが上限値以下であれば、原料化合物ガスと水素ガスの反応率が向上する。特にガス線速が30cm/秒以下であれば、発熱による反応点付近の温度制御が容易になる。u=W/100×V/SIただし、式I中、Wは前記触媒層を流通する全ガス中の原料化合物ガスの濃度モルを示し、Vは前記触媒層を流通する全ガスの流量cm3/秒を示し、Sは前記触媒層のガスの流通方向に対する断面積cm2を示す。本発明の製造方法に用いる反応器としては、触媒を充填して触媒層を形成できる公知の反応器が挙げられる。反応器の材質としては、例えば、ガラス、鉄、ニッケル、またはこれらを主成分とする合金等が挙げられる。反応後の生成ガスには、目的物であるHFO-1234yfの他に、未反応の原料、反応中間体として生成したHCFO-1224yd、およびHClが含まれる。また、生成ガスに含まれる不純物は、プロセス上、許容される範囲内に抑制される。生成ガスに含まれる不純物としては、HFO-1243zf、1,1,1-トリフルオロプロパンCF3CH2CH3、HFC-263fb、1,1,1,2-テトラフルオロプロパンCF3CHFCH3、HFC-254eb、1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロパンCF3CHFCH2Cl、HCFC-244eb、1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロパンCF3CHFCHCl2、HCFC-234eaが挙げられる。本発明においては、不活性ガスなどの希釈ガスを除く生成ガス中のHFO-1243zfは10体積ppm以下であることが好ましく、生成ガス中のHCFC-234eaは10体積ppm以下であることが好ましい。本発明ではこれらの不純物の生成量を抑制することが容易であり、特に生成ガスに含まれるHFO-1243zfの量を少なくすることができる。生成ガスに含まれるHClは、該生成ガスをアルカリ水溶液に吹き込んで中和することにより除去できる。前記アルカリ水溶液に用いるアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。生成ガスからのHFO-1234yfの回収方法としては、例えば、分留等の公知の方法を採用できる。原料化合物ガスは、CFO-1214yaおよびHCFO-1224ydの少なくとも一方からなるガスである。CFO-1214yaは、公知の方法により製造できる。例えば、1,1-ジクロロ-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロパンCHCl2CF2CF3、HCFC-225caを、相間移動触媒の存在下にアルカリ水溶液と接触させて脱フッ化水素反応させる方法が挙げられる。該反応にはHCFC-225caとその異性体との混合物を使用でき、前記相間移動触媒により異性体混合物中のHCFC-225caのみが選択的に脱フッ化水素される。反応後、CFO-1214yaは蒸留等の公知の方法により分離回収できる。なお、以下、C3HCl2F5で表わされる化合物の1種であるか、またはその2種以上からなる混合物互いに異性体である化合物の混合物をジクロロペンタフルオロプロパンHCFC-225という。前記HCFC-225は、テトラフルオロエチレンとジクロロフルオロメタンを、塩化アルミニウム等の触媒の存在下で反応させることにより製造できる。該反応により得られるHCFC-225には、HCFC-225caと、1,3-ジクロロ-1,2,2,3,3-ペンタフルオロプロパンCHClFCF2CClF2、HCFC-225cbが主成分として含まれ、他に2,2-ジクロロ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンCHF2CCl2CF3、HCFC-225aa、2,3-ジクロロ-1,1,2,3,3-ペンタフルオロプロパンCHF2CClFCClF2、HCFC-225bb等が少量含まれる。前記HCFC-225は、市販品を用いてもよい。市販品としては、アサヒクリンAK225旭硝子社製、商品名、HCFC-225caの48モルと、HCFC-225cbの52モルの混合物等が挙げられる。前記相間移動触媒としては、テトラブチルアンモニウムブロマイドTBABが好ましい。また、前記CFO-1214yaの製造においては、通常、蒸留等の分離回収後の回収成分に、原料化合物であるCFO-1214yaの他にCF3CF2CH2Cl2.3モル程度、CF3CHFCH2Cl1.2モル程度等のハイドロクロロフルオロカーボン類である不純物が僅かに含まれる。本発明の製造方法では、本発明の目的を損なわない範囲であれば、原料化合物ガスと水素ガスを反応させる際に、それらのハイドロクロロフルオロカーボン類からなる不純物ガスが混在してもよい。つまり、本発明の製造方法には、生産性等の点から、前記回収成分をそのまま使用してよい。前記回収成分における不純物ガスの割合は、高純度のHFO-1234yfが得られやすい点から、10モル以下が好ましく、1モル以下がより好ましい。HCFO-1224ydは、CFO-1214yaに水素を反応させてHFO-1234yfを得る際に中間体として生成する。反応後の生成ガスから回収したHCFO-1224ydは、CFO-1214yaと共に原料化合物ガスとして水素ガスと反応させてもよく、CFO-1214yaとは別にHCFO-1224ydのみで水素ガスと反応させてもよい。原料化合物ガスとしてCFO-1214yaとHCFO-1224ydの混合物を使用する場合、HCFO-1224ydは上記CFO-1214yaからHFO-1234yfを得る際の中間体であることから、通常、HCFO-1224ydの割合の少ない混合物が使用される。よって、CFO-1214yaとHCFO-1224ydの合計量に対するHCFO-1224ydの割合は50モル以下が好ましく、25モル以下がより好ましい。以上説明した本発明の製造方法によれば、触媒存在下の原料化合物ガスと水素ガスの反応における触媒層の最高温度を130°C以下に維持することで、目的物のHFO-1234yfと沸点が近く蒸留により分離できないHFO-1243zfの生成を抑制できる。そのため、高純度なHFO-1234yfが得られる。以下、実施例を示して本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は以下の記載によっては限定されない。[例1]CFO-1214yaの製造ジクロロペンタフルオロプロパンHCFC-225であるアサヒクリンAK225旭硝子社製、商品名、HCFC-225caCHCl2CF2CF3:48モルとHCFC-225cbCHClFCF2CClF2:52モルからなるHCFC-225の異性体混合物を反応原料として用いて、以下の方法によりCFO-1214yaCF3CF=CCl2を製造した。0°Cに冷却したジムロートを設置した内容積1Lのガラス反応器に、相間移動触媒としてテトラブチルアンモニウムブロマイドTBABの3gと、水酸化カリウムの83g1.485モルと、水の180gと、アサヒクリンAK225の609g3.0モルとを仕込んだ後、撹拌しながら徐々に昇温し、45°Cで1時間反応を行った。その後、有機相と水相の2相に分離している反応粗液を分液し、有機相を、釜容積1L、理論段数10段の能力を持つ蒸留塔に仕込み、蒸留を実施した。蒸留の結果、純度99.5のCFO-1214ya沸点46°Cの262g1.43モルを得た。[例2]HFO-1234yfCF3CF=CH2の製造には、図1に例示した反応装置101を用いた。反応装置101は、図1に示すように、2本の反応管110A、110Bと、それら反応管110A、110Bを浸漬する油浴130とを備えている。反応管110Aは、その入口111a側と出口112a側に2箇所の触媒充填部113a、114aを有する。同様に、反応管110Bは、その入口111b側と出口112b側に2箇所の触媒充填部113b、114bを有する。反応管110Aの出口112aと反応管110Bの入口111bは配管で連結されている。反応管110A、110Bとしては、内径2.54cm、長さ100cmのインコネル登録商標600製の反応管を用いた。また、触媒として、ヤシ殻活性炭に対して0.5質量のパラジウムを担持させた触媒を用い、反応管110Aの出口112a側の触媒充填部114aに前記触媒を充填して高さ40cmの触媒層120Aを形成した。同様に、反応管110Bの入口111b側と出口112b側のそれぞれの触媒充填部113b、114bに前記触媒を充填し、それぞれ高さ40cmの触媒層120Bおよび触媒層120Cを形成した。触媒層120A~120Cの触媒の充填密度は0.73g/cm3とした。なお、本実施例においては、触媒充填部113aには前記触媒は充填せず空洞のままとした。次いで、触媒層120A~120Cが全て浸漬されるように、反応管110Aおよび反応管110Bを油浴130中に浸漬し、触媒層120A~120Cを80°Cに加熱した。合成例1で得たCFO-1214yaCF3CF=CCl2からなる原料化合物ガスA、水素ガスB、および窒素ガスCを、総導入量のモル比で水素/CFO-1214ya/窒素=1/1/2比H2/Cl=0.5として反応管110Aおよび110Bに流通させた。触媒層120A~120Cに対する原料化合物ガスAの接触時間は17秒とし、原料化合物ガスAの線速度uは7cm/秒とした。また、水素ガスBは、総導入量の一部を原料化合物ガスAと共に反応管110Aの入口111aから導入し、残部を反応管110Aと反応管110Bを連結する配管部分に導入した。すなわち、水素ガスBは、触媒層120A~120Cからなる触媒層触媒層長さ120cmにおいて、触媒層120A0cm地点と、触媒層120B40cm地点の2箇所に分割して導入した。触媒層に導入する水素ガスBの分割割合を調節することにより、触媒層120A~120Cにおける最高温度を調節し、得られる生成ガスDにおける触媒層120A~120Cの最高温度と、副生物であるHFO-1243zfの生成量との関係を調べた。反応中の触媒層120A~120Cの最高温度は、それら触媒層にそれぞれ挿入した挿し込み型の温度計140A~140Cにより測定した。反応における触媒層120A~120Cの最高温度とHFO-1243zfの生成量との関係を図2に示す。図2に示すように、触媒層120A~120Cにおける最高温度が130°Cを超える範囲ではHFO-1243zfが生成しているのに対し、最高温度が130°C以下に制御されている範囲では生成ガスD中のHFO-1243zfの含有量は10体積ppm以下GC分析の検出限界以下であった。また、触媒層120A~120Cにおける最高温度が98°Cの場合、生成ガスD中のHFO-1243zf以外の不純物の含有量は、GC面積比で、HFC-263fbが0.1、HFC-254ebが3.0、HCFC-244ebが0.1であり、HCFC-234eaは0.04であった。また、触媒層120A~120Cにおける最高温度が98°Cのときの生成ガスDをガスクロマトグラフィーGCにて分析し、下式IIによりCFO-1214yaからHFO-1234yfへの変換率X単位:を算出したところ75であった。X=[Y/Z/2]×100IIただし、式中、Yは生成したHFO-1234yfのモル数、Zは導入したCFO-1214yaのモル数を示す。[例3]合成例2と同様の装置を用いた。ただし、触媒層120A~120Cが全て浸漬されるように、反応管110Aおよび反応管110Bを油浴130中に浸漬し、触媒層120A~120Cを30°Cに維持した。合成例1で得たCFO-1214yaCF3CF=CCl2からなる原料化合物ガスA、水素ガスB、および窒素ガスCを、総導入量のモル比で水素/CFO-1214ya/窒素=1/1/7比H2/Cl=0.5として反応管110Aおよび110Bに流通させた。触媒層120A~120Cに対する原料化合物ガスAの接触時間は60秒とし、原料化合物ガスAの線速度uは2cm/秒とした。反応開始6時間後、触媒層の最高温度は121°Cであり、生成ガスD中のHFO-1243zfの含有量は10体積ppm以下GC分析の検出限界以下であった。また、生成ガスD中のHFO-1243zf以外の不純物の含有量は、GC面積比で、HFC-263fbが1.4、HFC-254ebが5.0であった。また、このときの生成ガスDをガスクロマトグラフィーGCにて分析し、式IIによりCFO-1214yaからHFO-1234yfへの変換率X単位:を算出したところ69であった。"