"多価カルボン酸の無水物とジカルボン酸及び/又はそのアルキルエステル以下、これらをまとめてカルボン酸類と総称する、アルコール類、並びにジアミン化合物を反応させてなるポリエステルイミドを主成分とするポリエステルイミド樹脂系ワニスであって、前記ポリエステルイミドの重量平均分子量Mwが9000以上であることを特徴とする低誘電率被膜用ポリエステルイミド樹脂系ワニス。前記ポリエステルイミド樹脂の重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnとの比Mw/Mnが2.6以上である請求項1に記載の低誘電率被膜用ポリエステルイミド樹脂系ワニス。前記カルボン酸類のカルボキシル基に対する前記アルコール類の水酸基のモル比率OH/COOHが1.2~2.7である請求項1又は2に記載の低誘電率被膜用ポリエステルイミド樹脂系ワニス。前記エステル部分に対するイミド酸部分の含有率比イミド/エステルは、0.2~1.0である請求項1~3のいずれか1項に記載の低誘電率被膜用ポリエステルイミド樹脂系ワニス。請求項1~4のいずれか1項に記載のポリエステルイミド樹脂系ワニスを、導体に塗布、焼きつけてなる絶縁被膜を有する絶縁電線。絶縁層に低誘電率材料を用いる方法は、コロナ放電開始電圧の向上に有効であるが、絶縁層については、絶縁性、導体に対する密着性、耐熱性、機械的強度に対する要求も充足する必要がある。また材料コストも材料選定において重要な要素である。ポリイミド樹脂は、低誘電率であり、耐熱性、機械的強度等に優れているが、高コスト材料であるため、絶縁電線の高価格化の原因となる。また、フッ素樹脂は低誘電率ではあるが、耐熱性や機械的強度に劣り絶縁層として使用する場合には用途が限られてしまう。特許文献1に記載の絶縁材料は、誘電率、機械的特性のバランスがとれているが、ポリエーテルスルホン等の熱可塑性エンジニアリングプラスチックは熱硬化しないため、耐熱性に劣る欠点があり、用途によっては特性が不十分な場合もある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ポリエステルイミドを主体とする低誘電率絶縁層を形成できるワニス及び当該ワニスを用いた絶縁電線を提供することにある。本発明者らは、ポリエステルイミド合成原料、特にカルボン酸類、ジアミンの組合せについて種々検討した結果、反応生成物として得られるポリエステルイミドの重量平均分子量と誘電率との間に相関関係があることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明の低誘電率被膜用ポリエステルイミド樹脂系ワニスは、多価カルボン酸の無水物とジカルボン酸及び/又はそのアルキルエステル以下、これらをまとめてカルボン酸類と総称する、アルコール類、並びにジアミン化合物を反応させてなるポリエステルイミドを主成分とするポリエステルイミド樹脂系ワニスであって、前記ポリエステルイミドの重量平均分子量Mwが9000以上であることを特徴とする。前記ポリエステルイミドの重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnとの比Mw/Mnは2.6以上であることが好ましい。前記カルボン酸類のカルボキシル基に対する前記アルコール類の水酸基のモル比率OH/COOHは1.2~2.7であることが好ましく、前記エステル部分に対するイミド酸部分の含有率比イミド/エステルは、0.2~1.0であることが好ましい。本発明は、以上のようなポリエステルイミド樹脂系ワニスを、導体に塗布、焼きつけてなる絶縁被膜を有する絶縁電線も包含する。なお、本発明において、重量平均分子量、数平均分子量は、いずれもゲル浸透クロマトグラフィにより測定した値をいう。本発明のポリエステルイミド樹脂系ワニスは、主成分であるポリエステルイミドの特性に基づき、低誘電率の加熱硬化膜絶縁被膜を提供できる。以下に本発明の実施の形態を説明するが、今回、開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。ポリエステルイミド初めに、本発明の低誘電率被膜用ポリエステルイミド樹脂系ワニスの主成分であるポリエステルイミドについて説明する。ポリエステルイミドとは、分子内にエステル結合とイミド結合を有する樹脂で、カルボン酸無水物とアミンから形成されるイミド、アルコールとカルボン酸又はそのアルキルエステルから形成されるポリエステル、そして、イミドの遊離酸基または無水基がエステル形成反応に加わることで形成される。このようなポリエステルイミドは、イミド化、エステル化、エステル交換反応が生じるような条件で合成される。本発明で用いるポリエステルイミドは、カルボン酸類、ジアミン化合物、アルコール類を主たる原料モノマーとして反応生成されるもので、ゲル浸透クロマトグラフィ展開溶媒として、N-メチル-2-ピロリドンNMP、標準試料としてポリスチレンを使用により測定される重量平均分子量Mwが9000以上、好ましくは12000以上、さらに好ましくは15000以上のポリエステルイミドである。ポリエステルイミドの重量平均分子量と当該ポリエステルイミドを加熱硬化して得られるポリエステルイミド樹脂膜の誘電率との関係は、図1に示すように、相関関係がある。特に、重量平均分子量が9000未満のポリエステルイミドでは、誘電率が大きくなる傾向にあり、3.6以上となる。一方、重量平均分子量9000以上好ましくは12000以上、さらに好ましくは15000以上では、誘電率が3.6以下となり、さらに重量平均分子量の増大に伴って、緩やかに誘電率も低下していく傾向にある。従って、本発明のポリエステルイミド樹脂系ワニスは、主成分となるポリエステルイミドの重量平均分子量を9000以上とすることにより、現在上市されているポリエステルイミド樹脂系ワニスから形成される絶縁被膜の誘電率一般に3.6~3.9よりも低い誘電率の絶縁被膜を提供できる。重量平均分子量が大きいということは、ポリエステルイミド1分子あたり、誘電率増大の起因となる分子末端の水酸基の割合が少なくなる、あるいは重合反応時に通常過剰に使用する水酸基含有原料EG、THEICの未反応成分が少なくなるためではないかと思われる。さらに、ポリエステルイミドの分子量の比Mw/Mnが2.6以上であることが好ましい。ポリエステルイミドの分子量比Mw/Mnとポリエステルイミド樹脂被膜の誘電率との関係は、図2に示すように、相関関係がある。ここで、分子量比Mw/Mnが2.6以上ということは、分子量分布が広いこと、すなわち種々の分子量、分子鎖長のポリエステルイミド分子が含まれていることを意味する。従って、本発明で使用するポリエステルイミドは、重量平均分子量が9000以上となるように、好ましくは分子量比Mw/Mnが2.6以上となるように、ポリエステルイミドの原料モノマーであるカルボン酸類、ジアミン化合物、アルコール類を適宜組み合わせたものである。ポリエステルイミドの原料のうち、特にジアミン、ジカルボン酸として、高分子量の化合物を使用したり、イミド比イミド/エステルを上げたり、水酸基過剰率OH/COOHを小さくすること等により、合成されるポリエステルイミド樹脂の重量平均分子量を増大させることが可能となる。原料モノマー、特にイミド形成成分であるジアミン、エステル形成成分であるジカルボン酸又はそのアルキルエステルのうち少なくともいずれか一方に、高分子量の化合物を用いることにより、イミド構成単位、エステル構成単位の分子量総量を増大できるので、得られるポリエステルイミド単位重量あたりのエステル結合、イミド結合等の極性基の含有量を低減させる傾向にあると考えられる。エステル結合、イミド結合は極性を有するので、これらの含有量が小さくなることで、ポリエステルイミドの誘電率が低くなると考えられる。以下、原料モノマーについて各順に説明する。1カルボン酸類カルボン酸類としては、主としてイミド化反応に関与する多価カルボン酸の無水物と、エステル化、エステル交換反応に関与するジカルボン酸及び/又はそのアルキルエステルとが用いられる。1-1多価カルボン酸の無水物多価カルボン酸の無水物としては、カルボキシル基2個から1分子の水が失われて、2つのアシル基が1個の酸素原子を共有する化合物の他、フリーのカルボキシル基を1つ以上残している化合物が好ましく用いられる。従って、テトラカルボン酸の無水物の他、カルボキシル基を3つ以上有する多価カルボン酸の2つのカルボキシル基が脱水反応により酸無水物となった化合物が含まれる。3価以上の多価カルボン酸の無水物としては、トリメリット酸無水物、3,4,4’-ベンゾフェノントリカルボン酸無水物、3,4,4’-ビフェニルトリカルボン酸無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物OPDA、ピロメリット酸二無水物PMDA、4,4’-2,2-ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物6FDA等の芳香族テトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。これらのうち、トリメリット酸無水物TMAが好ましく用いられる。これらは1種又は2種以上混合して用いることができる。1-2ジカルボン酸及び/又はそのアルキルエステルジカルボン酸としては、従来よりポリエステルイミド原料モノマーとして用いられている、テレフタル酸、イソフタル酸等の単環芳香族ジカルボン酸だけでなく、2-メチル-1,4-ベンゼンジカルボン酸等のアルキル基含有フタル酸、ナフタレンジカルボン酸等の多核芳香族ジカルボン酸、シクロヘキシルジカルボン酸等の脂環族ジカルボン酸を用いることができる。上記多核芳香族ジカルボン酸としては、1,2-ナフタレンジカルボン酸、1,3-ナフタレンジカルボン酸、1,4-ナフタレンジカルボン酸、1,5-ナフタレンジカルボン酸、1,6-ナフタレンジカルボン酸、1,7-ナフタレンジカルボン酸、1,8-ナフタレンジカルボン酸、2,3-ナフタレンジカルボン酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸、2,7-ナフタレンジカルボン酸等のナフタレンジカルボン酸;アントラセンジカルボン酸;フェナントレンジカルボン酸等が挙げられる。また、上記脂環族炭化水素のジカルボン酸としては、1,2-シクロヘキサンジカルボン酸、1,3-シクロヘキサンジカルボン酸、1,4-シクロヘキサンジカルボン酸、2,3-ジカルボキシルノルボルナン等の炭素数6以上の脂環族炭化水素のジカルボン酸などが挙げられる。原料モノマーであるジカルボン酸の分子量が大きいほど、反応生成物であるポリエステルイミドの重量平均分子量が大きくなる傾向にあることから、分子量167以上好ましくは200以上のジカルボン酸、具体的には、上記多核芳香族炭化水素ジカルボン酸、脂環族炭化水素のジカルボン酸などを用いることが好ましい。上記ジカルボン酸は、アルキルエステルとして用いてもよい。ジカルボン酸のアルキルエステルは、ジカルボン酸と同様に、ポリエステルイミド樹脂の合成反応、特にエステル化反応、エステル交換反応に関与することにより、ジカルボン酸と同様に、ポリエステルイミド分子鎖に組み入れられる。以上のようなジカルボン酸、そのアルキルエステルは1種又は2種以上混合して用いることができる。2ジアミンジアミンとしては、従来よりポリエステルイミド樹脂系ワニスの分野で用いられているジアミン、具体的には、4,4’-メチレンジフェニルジアミンMDA、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、p-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、1,4-ジアミノナフタレン、へキサメチレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホンの他、高分子量具体的には分子量250以上の芳香族ジアミンを用いることができる。分子量250以上の芳香族ジアミン化合物としては、例えば、1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼンMw=292.33、4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニルMw=368.43、1,1-ビス{4-4-アミノフェノキシフェニル}シクロヘキサンMw=450.59、1,4-ビス4-アミノフェノキシナフタレンMw=342.40、1,3-ビス4-アミノフェノキシアダマンタンMw=350.45、2,2-ビス{4-4-アミノフェノキシフェニル}プロパンMw=410.51、2,2-ビス{4-4-アミノフェノキシフェニル}ヘキサフルオロプロパンMw=518.45、ビス{4-4-アミノフェノキシフェニル}スルホンMw=432.49、4,4’-ジアミノ-2,2’-ビストリフルオロメチルジフェニルエーテルMw=336.23、ビス{4-4-アミノフェノキシフェニル}ケトンMw=396.44、1,4-ビス4-アミノフェノキシ2,3,5-トリメチルベンゼンMw=334.41、1,4-ビス4-アミノフェノキシ2,5-ジ-t-ブチルベンゼンMw=404.54、1,4-ビス{4-アミノ-2-トリフルオロメチルフェノキシ}ベンゼンMw=428.33、2,2-ビス[4-{4-アミノ-2-トリフルオロメチルフェノキシ}フェニル]ヘキサフルオロプロパンMw=654.45、4,4’-ジアミノ-2-トリフルオロメチルジフェニルエーテルMw=268.23、1,3-ビス4-アミノフェノキシネオペンタンMw=286.37、2,5-ビス4-アミノフェノキシビフェニルMw=368.43、9,9’-ビス4-アミノフェニルフルオレンMw=348.44などが挙げられる。原料モノマーであるジアミンの分子量が大きいほど反応生成物としてのポリエステルイミドの重量平均分子量が増大する傾向にあることから、分子量250以上のジアミンを用いることが好ましい。3アルコール類アルコール類としては、例えば、エチレングリコール、ネオペンチルルグリコール、1,4-ブタンジオール、1,6-ヘキサンジオール、1,6-シクロヘキサンジメタノール等の2価アルコール;グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール等の3価以上のアルコール;イソシアヌレート環を有するアルコールなどが挙げられる。イソシアヌレート環を有するアルコールとしては、トリスヒドロキシメチルイソシアヌレート、トリス2-ヒドロキシエチルイソシアヌレートTHEIC、トリス3-ヒドロキシプロピルイソシアヌレート等が挙げられる。これらの多価アルコールは単独又は2種以上組み合わせて用いてもよいが、耐熱性付与の観点から、イソシアヌレート環を有するアルコールと低級アルコールとの組み合わせを用いることが好ましい。より好ましくはTHEICとエチレングリコールの組み合わせである。さらに好ましくは、エチレングリコールEGに対するTHEICのOH基モル比率THEIC/EGが0.5~4.0となる割合での組み合わせである。以上のようなポリエステルイミド原料モノマーは、得られるポリエステルイミドの重量平均分子量が9000以上となるように、適宜選択して用いる。重量平均分子量を9000以上とする組合せについては特に限定しないが、イミド形成成分であるジアミン、エステル形成成分であるカルボン酸の夫々について、高分子量の化合物を選択することが好ましい。具体的には、カルボン酸として、分子量167以上のカルボン酸、ジアミンとして分子量250以上のジアミン化合物を用いることで、反応生成物であるポリエステルイミドの重量平均分子量の増大を図ることが容易となる。ジアミン、ジカルボン酸のいずれか一方であってもよいが、ジカルボン酸、ジアミンの双方について、高分子量の組合せを用いることで、ポリエステルイミドの重量平均分子量をより高めることができる。さらに、ポリエステルイミドの重量平均分子量は、以上のような原料モノマーの配合組成によっても変わる。上記ポリエステルイミド形成成分の配合組成において、カルボキシル基に対する水酸基のモル比率OH/COOH以下、この比率を水酸基過剰率と称することがあるは、1.2~2.7の範囲で配合することが好ましく、より好ましくは1.2~2.0であり、さらに好ましくは1.5~1.9である。OH/COOHの値を小さくするほど、反応生成物としてのポリエステルイミドの重量平均分子量が増大する傾向にあり、ひいては当該ポリエステルイミドを用いて得られる硬化物被膜の誘電率の低減化を図ることが可能となる。しかしながら、水酸基過剰率が低すぎる場合、特に1以下では、反応液の固化増粘が激しく、攪拌することが実質的に不可能であることから、焦げ付きが発生しやすいという問題がある。溶剤を用いることでこれらの問題を解決することは可能であるが、分子量が増大しにくくなる方向にある。さらに酸が過剰になると未反応の酸が残り、外観が悪化するという問題を惹起することになる。このような理由から、水酸基過剰率を1超、好ましくは上記範囲内とすることが好ましい。ここでいう水酸基量は、アルコール類に含まれる水酸基量で、配合量モルに官能基数を乗じた量として求められる。例えば、エチレングリコールは、1分子に2個のOH基を有することから2モル、THEICは1分子中に3個のOH基を有することから3モルで計算される。カルボキシル基量は、エステルを形成するカルボキシル基の量をいい、具体的には、カルボン酸類であるジカルボン酸又はそのアルキルエステルの配合量モル、及び多価カルボン酸無水物に含まれるフリーのカルボキシル基量をいう。配合量モルに官能基数を乗じた量として求められ、ジカルボン酸は2モルで計算され、カルボキシル基がエステルとなっていても、ジカルボン酸と同等に扱って計算される。また、酸無水物の場合には、フリーのカルボキシル基の量のみが酸として、上記カルボキシル基のモル比率に計算される。例えば、トリメリット酸無水物の場合、1モルとして計算される。また、上記ポリエステルイミド原料モノマーの配合組成において、得ようとするポリエステルイミドのエステル結合に対するイミド結合のモル比イミド/エステルは、従来のポリエステルイミドにおけるイミド/エステル比の範囲である0.2~1.0程度の範囲で配合すればよいが、好ましくは0.32~1.0である。イミド/エステル比を大きくすると、得られるポリエステルイミド樹脂の重量平均分子量も大きくなる傾向にあり、ひいては誘電率を低下する傾向にあるので、イミド/エステル比を0.32以上~1.0とすることが好ましい。ここで、イミド量は、酸無水物とジアミンから合成されるイミド酸のモル比で、ジアミンの配合量モル数に官能基数2を乗じた量として求められる。また、エステル量は、カルボン酸量として計算される。従って、前述の水酸基過剰率で算出したカルボキシル基量と等しい。4その他の成分ポリエステルイミドの合成については、上記で列挙した原料モノマーカルボン酸類、ジアミン、アルコール類の他、本発明の効果を害しない範囲内であれば、ジイソシアネートを用いてもよい。ジイソシアネートとしては、例えば、ジフェニルメタン-4,4-ジイソシアネートMDI、ジフェニルメタン-3,3-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-3,4-ジイソシアネート、ジフェニルエーテル-4,4-ジイソシアネート、ベンゾフェノン-4,4-ジイソシアネート、ジフェニルスルホン-4,4-ジイソシアネート、トリレン-2,4-ジイソシアネート、トリレン-2,6-ジイソシアネート、ナフチレン-1,5-ジイソシアネート、m-キシリレンジイソシアネート、p-キシリレンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネートを用いることができる。このようなジイソシアネートは、カルボン酸と反応して、アミド、イミドの形成反応に関与することができる。5ポリエステルイミドの合成ポリエステルイミドの製造方法は特に限定しない。例えば、1ポリエステルイミド原料モノマー例えば、カルボン酸類、ジアミン、アルコール類を一括投入してイミド化及びエステル化を同時に行う方法;2イミド酸成分カルボン酸無水物、ジアミン、及びこれらの反応物以外のポリエステル形成成分多価カルボン酸、モノカルボン酸又はこれらのアルキルエステル、及びアルコール類を予め反応させたのち、イミド酸成分を添加してイミド化する方法などが挙げられる。上記製造方法において、触媒として、テトラブチルチタネートTBT、テトラプロピルチタネートTPT等のチタン系が用いられる。テトラプロピルチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラメチルチタネート、テトラブチルチタネート、テトラヘキシルチタネート等のチタンアルコキシドを用いることが好ましい。触媒は、ポリエステルイミド原料モノマー100質量部あたり0.01~0.5質量部合成される樹脂分の0.01~0.5質量配合することが好ましい。上記製造方法のうち、合成の簡便さという点から、1の方法が好ましく用いられる。具体的には、ポリエステルイミド原料モノマーを系内に投入し、加熱して、80~250°Cで反応させる。反応の完了は、モノマー配合量から算出される留出水、樹脂量の計算値との一致を確認することにより知ることができる。反応完了後、なおも高温を保持し続けることで、ポリエステルイミドの高分子量化を図ることができる。原料モノマーの反応は、溶剤存在下、不在下のいずれで行ってもよい。イミドジカルボン酸が生成されると合成系の粘度が高くなることから、系内の制御が容易という点では溶剤存在下で合成することが好ましい。一方、無溶剤でのポリエステルイミド樹脂の合成によれば、系内におけるポリエステルイミド原料モノマーが高濃度に存在することになるため、反応の高速度化、高分子量化を期待できる。本発明のワニスの主成分として使用するポリエステルイミドは、以上のようにして合成されるポリエステルイミドであって、重量平均分子量Mw9000以上のものである。ポリエステルイミドの重量平均分子量は、以上述べたように、使用する原料モノマーの種類、配合組成の他、反応温度、反応時間によっても調節できる。低誘電率被膜用ポリエステルイミド樹脂系ワニス本発明のポリエステルイミド樹脂系ワニスは、上記ポリエステルイミドを主成分とするものである。具体的には、上記ポリエステルイミドを溶剤に溶解し、さらに必要に応じて硬化剤、その他の樹脂、添加剤を含んだものである。希釈用溶剤としては、ポリエステルイミド樹脂系ワニスに従来より用いられている公知の有機溶剤を用いることができる。具体的には、N-メチルピロリドン、クレゾール酸、m-クレゾール、p-クレゾール、フェノール、キシレノール、キシレン、セロソルブ類などのポリエステルイミド樹脂を溶解できる有機溶剤が用いられる。有機溶剤による希釈は、不揮発分固形分が、40~50質量となるようにする。硬化剤としては、チタン系硬化剤、ブロックイソシアネートなどを用いることができる。チタン系硬化剤としては、テトラプロピルチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラメチルチタネート、テトラブチルチタネート、テトラヘキシルチタネート等が挙げられる。これらのチタン系硬化剤は、単独で用いてもよいし、塗料に用いられる有機溶剤と予め混合した混合液として配合してもよい。ブロックイソシアネートとしては、ジフェニルメタン-4,4-ジイソシアネートMDI、ジフェニルメタン-3,3-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-3,4-ジイソシアネート、ジフェニルエーテル-4,4-ジイソシアネート、ベンゾフェノン-4,4-ジイソシアネート、ジフェニルスルホン-4,4-ジイソシアネート、トリレン-2,4-ジイソシアネート、トリレン-2,6-ジイソシアネート、ナフチレン-1,5-ジイソシアネート、m-キシリレンジイソシアネート、p-キシリレンジイソシアネート等が例示される。これらのうち、耐熱性を付与できるイソシアヌル環を有する化合物が好ましく用いられる。具体的には、住友バイウレタン社のCTstable、BL-3175、TPLS-2759、BL-4165などを用いることができる。なお、ポリエステルイミド樹脂被膜の誘電率を下げるという点からは、ブロックイソシアネートの添加量は、少ない方がよい。ポリエステルイミド樹脂以外の樹脂は、ワニスに求められる特性、例えば、耐熱性、可撓性などの向上のために、他の特性を損なわない範囲内で、添加されてもよい。ポリエステルイミド樹脂以外の樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、キシレン樹脂、フェノール変性キシレン樹脂等のフェノール樹脂類、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂などが挙げられる。さらに必要に応じて添加され得る添加剤としては、顔料、染料、無機又は有機のフィラー、潤滑剤等が挙げられる。絶縁電線本発明の絶縁電線は、上記本発明のポリエステルイミド樹脂系ワニスを絶縁被覆として用いたものである。導体としては、銅や銅合金線、アルミニウム線などの金属導体が用いられる。導体の径やその断面形状は特に限定しないが、導体径が0.4mm~3.0mmのものが一般に使用できる。本発明のポリエステルイミド樹脂系ワニスを、導体の表面に塗布し、焼付けにより絶縁皮膜を形成する。塗布、焼付けは、従来の絶縁電線の絶縁皮膜の形成と同様な方法、条件により行うことができる。塗布、焼付け処理を2回以上繰り返してもよい。また、本発明のポリエステルイミド樹脂系ワニスは、本発明の趣旨を損なわない範囲で、他の樹脂塗料とブレンドして用いることも可能である。ポリエステルイミド樹脂系ワニスの焼付は、300~500°C程度の炉内を2~4分間、通過させることにより行うことが好ましい。絶縁皮膜の厚みは、導体を保護する観点から、1~100μmが好ましく、より好ましくは10~50μmである。絶縁被膜が分厚くなりすぎると、絶縁電線の外径が大きくなり、ひいては絶縁電線を捲線したコイルの占積率が低下する傾向にあるからである。ポリエステルイミド樹脂系ワニスの絶縁被膜は、導体上に直接形成してもよいし、導体表面にまず下地層を形成し、その上に、ポリエステルイミド樹脂の絶縁被膜を形成してもよい。下地層としては、たとえばポリウレタン系、ポリエステル系、ポリエステルイミド系、ポリエステルアミドイミド系、ポリアミドイミド系、ポリイミド系等、従来公知の種々の絶縁塗料の塗布、焼付けにより形成される絶縁膜が挙げられる。さらに、本発明のワニスを用いて形成されるポリエステルイミド皮膜の上層に上塗層を設けてもよい。特に、絶縁電線の外表面に、潤滑性を付与するための表面潤滑層を設けることにより、コイル巻や占積率を上げるための圧縮加工時に電線間の摩擦により生じる応力、ひいてはこの応力により生じる絶縁皮膜の損傷を低減できるので好ましい。上塗層を構成する樹脂としては、潤滑性を有するものであればよく、例えば、流動パラフィン、固形プラフィン等のパラフィン類、各種ワックス、ポリエチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の潤滑剤をバインダー樹脂で結着したものなどを挙げることができる。好ましくは、パラフィン又はワックスを添加することで潤滑性を付与したアミドイミド樹脂が用いられる。本発明の絶縁電線は、上記本発明のポリエステルイミド樹脂系ワニスの硬化体を絶縁被膜として用いたものであって、絶縁被膜の主成分を構成するポリエステル樹脂の重量平均分子量が9000以上、好ましくは更に分子量比Mw/Mn2.6以上であることに起因して、従来のポリエステルイミド樹脂系ワニスを用いて得られる絶縁被膜よりも低誘電率の絶縁被膜が形成されている。本発明を実施するための最良の形態を実施例により説明する。実施例は、本発明の範囲を限定するものではない。測定、計算方法はじめに、本実施例で行なった測定、計算出方法について説明する。1ポリエステルイミドの重量平均分子量Mw、数平均分子量Mn、及び分子量比Mw/Mn東ソー株式会社製のHPC-GEL8220GPCカラムは、TSK-GELGMHHRx2本直列つなぎを用いて、ゲル浸透クロマトグラフィGPCにより、カラム温度40°C、流速0.5mL/minで測定した。なお、展開溶媒としてはN-メチルピロリドンリン酸30mM、LiBr30mM溶液、標準試料としてポリスチレンを使用した。2誘電率の測定得られた各絶縁電線について、絶縁層の誘電率を測定した。測定は図1に示すようにして行った。すなわち、絶縁電線の表面3か所に銀ペーストを塗布して作製した測定用のサンプルを作製した塗布幅は両端2か所が10mm、中央部分が100mmであるについて、導体と銀ペースト間の静電容量をLCRメータで測定し、測定した静電容量の値と被膜の厚みから誘電率を算出した。3水酸基過剰率OH/COOHモノマーの配合量に基づき、下記式によりOH量及びCOOH量を算出し、OH量/COOH量を算出した。OH量=エチレングリコールのモル数×2THEICのモル数×3COOH量=ジカルボン酸TPA又はNDCAのモル数×2TMAのモル数×14イミド/エステル比モノマーの配合量に基づき、下記式によりイミド量及びエステル量を算出し、イミド/エステル比を算出した。イミド量=ジアミン化合物のモル数×2エステル量=ジカルボン酸TPA又はNDCAのモル数×2TMAのモル数×1ポリエステルイミドの合成ポリエステルイミドの原料モノマーとして、下記化合物を表1及び表2に示すように組み合わせて、さらに、触媒としてテトラプロピルチタネートTPTを1.2g配合して、80°Cまで昇温した後、80°Cから1時間かけて180°Cまで昇温し、さらに180°Cから4時間かけて235°Cまで昇温し、さらに235°Cで3時間保持した。この保持時間3時間の間に、反応は完了した。反応の完了は、カルボン酸と水酸基とのエステル化反応、ジアミンとカルボン酸無水物とのイミド化反応の過程で水が生成することに基づき、配合モノマー量から計算される理論水量と上記ポリエステルイミドの合成で生成した水量とが一致したことにより確認できた。3時間未満で反応が完了した場合も、理論量の留出水を取り出した後、さらに反応を続けることにより分子量を増大させた。得られたポリエステルイミドの重量平均分子量Mw、数平均分子量Mn、及び分子量比Mw/Mnを、上記測定方法に基づいて測定した。尚、表1中の原料モノマーの括弧内数値は、分子量を示す。aカルボン酸類無水トリメリット酸TMAテレフタル酸TPAナフタレンジカルボン酸NDCAbアルコール類エチレングリコールEGトリス2-ヒドロキシエチルシアヌレートTHEICcジアミン類4,4’-メチレンジフェニルジアミンMDA2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニルmTBHG9,9’-ビス4-アミノフェニルフルオレンBAPFノルボルナンジアミンNBDA2,2-ビス4-4-アミノフェノキシフェニルプロパンBAPP1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼンAPB4,4’-オキシジアニリンODA3,5-ジエチルトルエン-2,4-ジアミンDETDA配合モノマーにおけるTHEIC/EGOH基モル比率、水酸基過剰率OH/COOH、合成されるポリエステルイミドのイミド結合とエステル結合の含有モル比率イミド/エステル、合成されたポリエステルイミドの重量平均分子量Mw、数平均分子量Mn、及び分子量比Mw/Mnを、表1、表2に併せて示す。ポリエステルイミド樹脂ワニスの調製上記で合成したポリエステルイミドを、SCX-1ネオケミカル株式会社の商品名で、フェノールとクレゾールの混合溶剤である及びスワゾール1000丸善石油株式会社の商品名で、ソルベントナフサであるを、SCX-1/スワゾール=80/20の割合で混合した溶液を添加して、ポリエステルイミド樹脂濃度50重量となるように希釈した。このポリエステルイミド樹脂溶液に、硬化剤として、TPTテトラプロピルチタネートをクレゾールで溶解したTPT/クレゾール溶液TPT濃度6360g添加した後、120°Cで2時間混合した。ポリエステルイミド樹脂ワニスNo.1-20を調製した。絶縁電線の作製及び誘電率の測定評価上記で調製したポリエステルイミド樹脂ワニスNo.1-20を、銅線直径1.0mmに塗布し、炉温450°Cで焼きつけて、皮膜厚み35μmのエステルイミド樹脂層で絶縁被覆された絶縁電線を作成した。作製した絶縁電線No.1-20について、上記測定方法に基づいて、誘電率を測定した。測定結果と併せて表1、表2に示す。また、ポリエステルイミドの重量平均分子量Mwと誘電率との関係を図1、ポリエステルイミドの分子量比Mw/Mnと誘電率との関係を図2にそれぞれ示す。図1からわかるように、ポリエステルイミドの重量平均分子量が大きくなるほど、誘電率が低下する傾向にあり、重量平均分子量9000以上図中の点線より右側領域では、誘電率が3.6以下となった。また、図2からわかるように、ポリエステルイミド樹脂の分子量比Mw/Mnが大きくなるほど、誘電率が低下する傾向にあり、分子量比2.6以上図中の点線より右側領域では、誘電率が3.6以下となった。表2においてNo.10-13から水酸基過剰率が大きくなるほど合成されるポリエステルイミドの重量平均分子量が低下する傾向にあり、誘電率が増大する傾向にあることがわかる。また、No.14-16から、イミド/エステル比が大きくなるほど、合成されるポリエステルイミドの重量平均分子量が大きくなる傾向にあり、誘電率が低下する傾向にあることがわかる。さらに、No.15と19との比較、No.16と18と20との比較から、水酸基過剰率、イミド/エステル比を変更するよりも、原料モノマーとして高分子量のジアミンBAPP又はジカルボン酸NDCA、あるいは高分子量のジアミンとカルボン酸の併用の方が、誘電率低減効果が高いことがわかる。高分子量の原料モノマーを用いることで、得られるポリエステルイミド樹脂の重量平均分子量が高くなるためと思われる。なお、表1において、使用した原料モノマージアミン、ジカルボン酸の分子量と、得られたポリエステルイミドの重量平均分子量Mwとの間で、顕著な相関関係は認められないが、これは反応完了後、なおも保持された加熱時間による高分子量化の相違によると思われる。"