半導体チップの位置を測定可能な光学系と撮像系と画像処理系とを備え、さらに光路上の気体を乱流状態にする手段を備えており、光路上の気体を乱流状態にした上で、前記光学系と撮像系により検出した前記半導体チップの複数回の位置測定値から平均位置を求め、その結果を前記半導体チップの位置とすることを特徴とする半導体チップのマウント装置。前記光学系の光路上の気体を乱流状態にする手段は、壁に向けて気体を噴出する手段であることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップのマウント装置。前記光学系の光路上の気体を乱流状態にする手段は、機能上必要な装置の構造体に向けて気体を噴出する手段であることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップのマウント装置。前記の機能上必要な装置の構造体は、チップを吸着保持してマウントするフィンガーであることを特徴とする請求項3に記載の半導体チップのマウント装置。しかし、特許文献1に記載されている手法を用いて、加熱フィンガー206の熱によるゆらぎを低減するために、光路に向けてエアーを噴出するエアーブロー210を配置し、定速の層流を吹き付けた場合、低周波の乱流が残ってしまう。これは、定速の層流を吹き付けても、ゆらぎの影響を完全に除去することができていないからである。本発明は、このような従来の構成が有していた問題を解決しようとするものであり、半導体チップを、熱によるゆらぎの影響を低減させて、高精度に接着固定することを可能にする半導体チップのマウント装置を実現することを目的とするものである。そして、本発明は上記目的を達成するために、半導体チップの位置を測定可能な光学系と撮像系と画像処理系とを備え、さらに光路上の気体を乱流状態にする手段を備えており、光路上の気体を乱流状態にした上で、前記光学系と撮像系により検出した前記半導体チップの複数回の位置測定値から平均位置を求め、その結果を前記半導体チップの位置とすることを特徴とする半導体チップのマウント装置を提供するものである。上記の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、周波数成分が一定の乱流を作り出し、光路上の気体を乱流状態にすることで、光路上の気体が層流状態にある場合と比較して、ゆらぎの周波数成分のうち低周波成分が減少する。ゆらぎの低周波成分が減少すると、光路上の気体密度のゆっくりとした低周波な変化が低減され、それによって屈折率のゆっくりとした低周波な変化が低減されている。上記条件下で、画像処理系において、一般的な画像処理装置で行われている平均化処理測定位置の平均化を行って半導体チップの位置を測定すると、平均化処理の結果の値が安定するのに要する時間を短縮させることができると共に、平均化処理した位置の値の収束が安定する。上述したように本発明の半導体チップのマウント装置は、短い時間で高精度に半導体チップを位置決めできる。第1の実施形態本発明の第1の実施形態に係るマウント装置を、図1を参照しつつ具体的に説明する。図1は、約160度に加熱された加熱フィンガー106に半導体チップ109を供給し吸着保持している状態の図である。本装置は、半導体チップ109の位置を測定可能な光学系と撮像系と画像処理系とを備えている。加熱フィンガー106に吸着保持された半導体チップ109を、光学系101を通して撮像系102で撮像する。画像処理装置103で半導体チップ109の位置を算出し、制御装置104で目標位置とのずれ量を算出する。そして、そのずれ量だけXYθZステージ105で半導体チップ109の位置補正を行う。再度、撮像系102で半導体チップ109の位置を画像認識して、ずれ量が許容範囲内になったら、XYθZステージ105のZ軸を動かし、熱硬化性接着剤108が塗布された基材107の上に貼り付ける。本装置中には、ゆらぎ対策として、光学系101と加熱フィンガー106との間の光路図中一点鎖線で示されるに向けてエアーを噴出する図中鎖線矢印で示されるエアーブロー110が配置してある。エアーブロー110から噴出されるエアーの温度はヒーター等で調整することができる。ここでは、エアーの温度は常温とした。また、エアーブロー110から噴出されるエアーの量はスピコンで調節することができる。ここで、XYθZステージ105の左端図1b参照の光路に近い位置図1a参照には、エアーブロー110が噴出するエアーの向きと垂直な平面を有する正方形板状の壁111が配置してある。壁111の該平面の面積は、エアーブロー110の噴出し口の面積よりも大きいものとしてある。かかる構造により、エアーブロー110から噴出されるエアーを壁111に衝突、反射させ、光路上の気体を乱すことにより、光路上の気体を乱流状態にする。ここで、乱流状態とは、光路上の気体分子が入り乱れて不規則に運動し、流線が細かい不規則な変動を示す流れの状態を意味している。光路上の気体を乱流状態にすることで、光路上の気体密度のゆっくりとした変化を低減することができ、それによって屈折率のゆっくりとした変化を低減することができる。光路上の気体を乱流状態にした上で、光学系101を通して撮像系102により検出した半導体チップ109の位置の平均化処理を行い、半導体チップ109の位置のアライメントを行う。その動作として、まず、半導体チップ109上にあらかじめ配置してあるアライメントマークが、乱流状態にした光路上の気体を介して、光学系101を通して撮像系102で撮像される。撮像されたアライメントマークの位置は、画像処理装置103により平均化され、その結果を半導体チップ109の位置とする。制御装置104で、この位置とあらかじめ登録しておいた目標位置とのずれ量を算出する。そのずれ量だけXYθZステージ105で半導体チップ109の位置補正を行う。一般的には、直行する2軸ステージXY軸ステージおよびZ軸回りに回転するθ軸ステージの計3軸のステージを組み合わせて水平面内の位置補正を実現する。XYθZステージ105の補正動作が終了したら、再度撮像系102で半導体チップ109の位置を画像認識する。かかる補正動作と位置の画像認識を繰り返し、ずれ量が許容値以内になったら、XYθZステージ105内のZ軸で半導体チップ109を下降させ、熱硬化性接着剤108が塗布されたセラミック製の基材107の上に貼り付ける。熱硬化性接着剤108が加熱され硬化したら、加熱フィンガー106による半導体チップ109吸着保持を解除しZ軸ステージで加熱フィンガー106を上昇させる。その後、半導体チップ109が熱硬化性接着剤108により接着された基材107を排出することで、マウント装置の動作が終了する。第1の実施形態では、光路上の気体を乱流状態にするために、光路に近い位置に設けた、エアーブロー110が噴出するエアーの向きと垂直な平面を有する壁111を用いたが、壁111の該面の向きは必ずしも噴出するエアーの向きと垂直である必要はなく、また、平面である必要もない。さらに、壁111の形状は正方形板状に限定されない。以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例により限定されるものではない。図1に示すマウント装置で、半導体チップの複数回の位置測定値から平均位置を求めるという平均化処理をした結果の値が±0.1μm以内に収束するまでにかかる時間を測定した。半導体チップ109上にあらかじめ配置したアライメントマークの大きさは、120μmであった。光学系101としては倍率2倍のレンズを用い、撮像系102としては35万画素のCCDを用いた。これにより、画像処理装置103の解像度は、3.75μm/画素となった。半導体チップの位置の測定周期は0.033秒とし、壁111と光学系101の光軸との間の距離は5mmとした。エアーブロー110のエアーの元圧は0.5MPaとし、エアーブロー110は、エアー配管用継ぎ手を用いて、エアーを6個図1b参照の外径4mm内径2.5mmのエアー配管チューブに分岐させ、このエアー配管チューブから定温かつ定速なエアーを噴出させた。エアーの風量は、スピコンで定速の層流となるように調節した。上記条件下で本発明を実施した実験結果を図2に示す。図2aの位置データを示すグラフの横軸は時間秒を表し、縦軸は光学系101を通して撮像系102で撮像した半導体チップ109の位置μmを表している。図2bの位置の周波数成分を示すグラフの横軸は周波数Hzを表し、縦軸は振幅パワースペクトルを表している。図2cの位置の平均化処理した値を示すグラフの横軸は時間秒を表し、縦軸は半導体チップの位置測定値から平均位置を求める平均化処理をした結果の値μmを表している。図2bより、光路上の気体を乱流状態にすることで、ゆらぎの周波数成分のうち、低周波成分が主成分となっていないことが分かる。これは、光路上の気体を乱流状態にすることで、光路上の気体密度のゆっくりとした低周波な変化が低減され、それによって屈折率のゆっくりとした低周波な変化が低減されるからである。そのため、画像処理装置103において、位置測定値から平均位置を求める平均化処理を用いて半導体チップ109の位置を測定すると、ゆらぎの影響を低減することができる。ゆらぎの影響を低減することができるので、図2cに示すように平均化処理の結果の値が安定するのにかかる時間を短縮させることができると共に、平均化処理した位置の値の収束が安定する。そのため、短い時間で高精度に半導体チップを位置決めできる。図5に示す従来のマウント装置に、実施例1と同様の平均化処理を行う画像処理装置を配置し、半導体チップの複数回の位置測定値から平均位置を求めるという平均化処理をした結果の値が±0.1μm以内に収束するまでにかかる時間を測定した。半導体チップの位置の測定周期は0.033秒とした。その実験結果を図3に示す。図3aの位置データを示すグラフの横軸は時間秒を表し、縦軸は光学系201を通し撮像系202で撮像した半導体チップ209の位置μmを表している。図3bの位置の周波数成分を示すグラフの横軸は周波数Hzを表し、縦軸は振幅パワースペクトルを表している。図3cの位置の平均化処理した値を示すグラフの横軸は時間秒を表し、縦軸は半導体チップの位置測定値から平均位置を求める平均化処理をした結果の値μmを表している。図3aより、特許文献1に記載されている手法を用いると、ゆらぎの影響による位置の変化が約±3μmに収まるが、今回求められる要求精度である±0.1μmに対して、位置の変化が大きいことが分かる。図3bより、ゆらぎの周波数成分のうち、低周波成分が主成分となっていることが分かる。このことから、定速の層流を吹き付けても低周波の乱流が残ってしまうことが分かる。そのため、画像処理装置203において、位置測定値から平均位置を求める平均化処理を用いて半導体チップ209の位置を測定しても、ゆらぎの低周波成分は除去できないため、ゆらぎの影響が残ってしまう。そのため、図3cに示すように平均化処理した結果の値が安定するのに時間がかかる。また、平均化処理した位置の値の収束が不安定である。そのため、短い時間で高精度に半導体チップを位置決めできない。図2cと図3cとを比較すると、平均化処理した位置の値が±0.1μm以内に収束するまでの時間が、従来のゆらぎ対策では20.1秒であるのに対して、本発明では8.5秒となり、従来のゆらぎ対策と比べ本発明では約57.7短くなることが分かる。また、平均化処理した値の収束が安定していることが分かる。そのため、本発明を用いることで、短い時間で高精度に半導体チップを位置決めできる。第2の実施形態本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、エアーブローの配置を変更し、機能上必要な装置の構造体としての加熱フィンガーを壁として使用して光路上の気体を乱流状態にする点である。ここで、機能上必要な装置の構造体とは、本発明のマウント装置を用いて半導体チップを基材に貼り付けたりする場合に、そのような機能を発揮するのに必要な構造体をいう。以下に実施例を挙げて本実施形態をより具体的に説明する。図4は、本実施例に係るマウント装置の概略図であり、約160度に加熱された加熱フィンガー306に半導体チップ309を供給し吸着保持している状態を示す図である。加熱フィンガー306に吸着保持された半導体チップ309を、光学系301を通して撮像系302で撮像する。画像処理装置303で半導体チップ309の位置を算出し、制御装置304で目標位置とのずれ量を算出し、そのずれ量だけXYθZステージ305で半導体チップ309の位置補正を行う。補正後に再度、撮像系302で半導体チップ309の位置を画像認識する。かかる補正動作と位置の画像認識を繰り返し、位置のずれ量が許容範囲内になったら、XYθZステージ305のZ軸を動かし、半導体チップ309を熱硬化型接着剤308が塗布された基材307の上に貼り付ける。本実施例では、ゆらぎ対策として、光学系301と半導体チップ309との間の光路図中一点鎖線で示されるに向けてエアーを噴出する図中鎖線矢印で示されるエアーブロー310が、XYθZステージ305の正面に取り付けられた加熱フィンガー306の正面に対向するように配置してある。加熱フィンガー306の該正面の面積は、エアーブロー310の噴出し口の面積よりも大きいものとしてある。かかる構造により、エアーブロー310から噴出されるエアーを加熱フィンガー306の該正面に衝突、反射させ、光路上の気体を乱すことにより、光路上の気体を乱流状態にする。本実施例では、加熱フィンガー306の正面に向けてエアーを噴出することで、別部材としての壁を用いることなく、光路上の気体を乱流状態にすることができる。光路上の気体を乱流状態にすることで、光路上の気体密度のゆっくりとした変化を低減することができ、それによって屈折率のゆっくりとした変化を低減することができる。