"レーザビームの照射間隔の最大値Lと、レーザビームを続けて照射する場合の許容回数Nと、休止期間T0と、を予め定めておき、隣接する照射位置の間隔が前記L未満の場合は、レーザビームを前記回数N照射後、前記休止期間T0の間照射を休止した後、レーザビームの照射を再開することを特徴とするレーザ加工方法。前記最大値Lを5μmとすることを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。前記最大値Lを0とすることを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。前記最大値Lをレーザビームの直径の1/5とすることを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。前記休止期間T0を供給するエネルギにより定めることを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。UVレーザの場合、レーザ発振器の発振周波数は高いが、パルス1個当たりのエネルギは小さい。パルス1個当たりのエネルギが小さくても、レーザビームの外径を絞り、単位面積当たりのエネルギ密度を高くすることにより、例えば銅層を能率良く加工することができる。しかし、エネルギ密度を高くし過ぎると、穴底の銅層が溶融して穴が明いてしまう場合がある。例えば、銅層と絶縁層が積層されたプリント基板の表面の銅層と下層の銅層とを接続する直径が40μmの穴を同径すなわち直径が40μmのUVレーザによりバースト加工同じ位置にレーザビームを繰り返して照射する加工方法。ここでは、パンチ加工と同様なのでパンチ加工とも言う。すると、以下のような結果になる。なお、銅層を加工する場合のエネルギ密度は8J/cm2、絶縁層を加工する場合のエネルギ密度は1J/cm2、パルス周波数を30KHzとする。1表面の銅層の板厚が5μm以下、絶縁層の厚さが25μm以上の場合に、表面の銅層を加工する場合レーザビームをある回数以上続けて照射すると、表面の銅層と絶縁層との境界に剥離が発生し、銅層が剥離し易くなる。すなわち、銅層と絶縁層との境界に割れを発生させないようにするためには、照射回数を予め定める数までとする必要がある。2表面の銅層の板厚が5μm以上、絶縁層の厚さが25μm以上の場合に、表面の銅層を加工する場合レーザビームをある回数以上続けて照射すると、銅層の下部の絶縁層がえぐれて、表面の銅層のオーバーハングが大きくなり、めっきのつきまわりが悪くなる。すなわち、銅層のオーバーハングを小さくするためには、照射回数を予め定める数までとする必要がある。3絶縁層が樹脂だけの場合に、絶縁層を加工する場合レーザビームをある回数以上を続けて照射すると、ビヤ樽状の穴になる。すなわち、側壁がストレートの穴を形成するためには、照射回数を予め定める数までとする必要がある。4絶縁層中にガラス繊維が入っている場合に、絶縁層を加工する場合レーザビームをある回数以上を続けて照射すると、ガラス繊維が穴の中に突き出したビヤ樽状の穴になる。すなわち、側壁の凹凸が少なくかつストレートの穴を形成するためには、照射回数を予め定める数までとする必要がある。また、上記と同一の条件でトレパニング加工レーザビームを円周軌道上で複数回照射し、レーザビームよりも大径の穴を加工する加工方法する場合も、照射ピッチレーザビームの照射位置間隔、パルスピッチとも言う。を小さくすると、銅層と絶縁層が剥離し易い。したがって、いずれの場合も、レーザ加工方法として、加工能率を低下させず、かつ熱の集中を予防して銅層と絶縁層の剥離等を防止することが必要になる。そこで、従来は、例えば上記1の場合、サイクル加工、すなわち、複数箇所を1組として各加工箇所に対してレーザビームを予め定めるパルス数照射することを必要回数繰り返すことにより、加工品質を維持していた。サイクル加工の場合の具体的な加工時間は以下のようになる。例えば、厚さが40μmの樹脂だけからなる絶縁層をパルス周波数30kHz、エネルギ密度1J/cm2で加工する場合、レーザビームを40パルス照射する必要がある。ここで、ガルバノミラーの位置決め時間は2kHzであるとする。また、一箇所に10パルスずつ照射するとして複数箇所を並行して加工するとする。この場合、各加工箇所毎に、ガルバノミラーの位置決めが4回、加工が4回であるから、一箇所の加工をするのに3.2msかかる。また、一箇所に5パルスずつ照射する場合、位置決めが8回、加工が8回であるから、一箇所の加工をするのに5.1msかかる。また、レーザビームの直径ビーム径が大きくなるほど、また加工速度が速くなるほど単位時間内の分解飛散物の量が増える。高温の分解飛散物内をレーザビームが通過するとレーザビームの屈折率が変化し、これに伴ってビームモードが変化して加工された穴の形状精度が低下する場合がある。すなわち、ビームモードがガウシアンビームモードエネルギ強度がガウシアン曲線状のレーザビームの場合、穴の壁面を急峻、すなわち、穴底径が穴の入口径に近い穴を加工することができるが、ビームモードが変化すると、穴底径が穴の入口径よりはるかに小さくなってしまう場合もある。したがって、レーザ加工方法として、加工能率を低下させず、かつ分解飛散物の発生を抑えることも必要になる。本発明の目的は、加工能率を低下させることなく加工精度及び加工品質に優れるレーザ加工方法を提供することにある。しかし、サイクル加工を採用する場合、加工品質の向上を目的として1回に照射する回数を小さくすればするほど位置決め回数が増すので、加工時間が長くなる。上記課題を解決するため、本発明者は種々のテストを行い、以下の結果を得た。穴の側面の形状及び品質を向上させるためには、レーザビームの直径を小径にすることが有効である。すなわち、銅層を加工する場合、銅層と絶縁層の剥離がなく、銅層にオーバハングのない形状が得られるビーム径は30μm以下理想的には25μm以下、エネルギ密度14J/cm2以下理想的には10J/cm2以下、である。そして、このような条件とする場合、銅層だけを加工する範囲では、パルスを連続して照射しても、穴の品質を損なうことはほとんどないこと、また、絶縁層を加工する場合、絶縁層が樹脂だけで形成されている場合はエネルギ密度1.5J/cm2以下理想的には1.0J/cm2以下、連続パルス数10パルス以下理想的には5パルス以下とし、絶縁層がガラス入り樹脂の場合はエネルギ密度2~6J/cm2理想的には2~4J/cm2以下、連続パルス数は5パルス以下理想的には3パルス以下とすれば、壁面の品質を優れたものとし、かつ穴底径を穴入口径に近づける、あるいは穴の中に突き出すガラス繊維の長さが短く、側壁がストレートな穴とすることができることを見いだした。さらに、1個のfθレンズに複数本のレーザビームを入射させてワークを加工する加工方法は従来から知られているが、従来のように1個の穴を1本のレーザビームで加工するのでは、加工品質と加工能率の両者を向上させることは困難であることに着目した。以上の結果から、本発明は、レーザ加工方法として、レーザビームの照射間隔の最大値Lと、レーザビームを続けて照射する場合の許容回数Nと、休止期間T0と、を予め定めておき、隣接する照射位置の間隔が前記L未満の場合は、レーザビームを前記回数N照射後、前記休止期間T0の間照射を休止し、その後レーザビームの照射を再開することを特徴とする。レーザビームの照射間隔の最大値Lと、レーザビームを続けて照射する場合の許容回数Nと、休止期間T0と、を予め定めておき、隣接する照射位置の間隔が前記L未満の場合は、レーザビームを前記回数N照射後、前記休止期間T0の間照射を休止し、その後レーザビームの照射を再開することによって加工品質を向上させることができる。以下、本発明について説明する。図1は、本発明に適用するのに好適な第1のレーザ加工機の光学系構成図である。レーザ発振器1は周波数Fここでは30KHzのP偏光のUVレーザビームを出射する。レーザ発振器1から出射されたパルスビーム2は、ビーム径調整器3により外径を調整された後、音響光学方式のパルス整形器AOM、音響光学素子ともいう。7によりパルスエネルギを制御され、ビームスプリッタ4に入射する。なお、AOM7はパルスエネルギの大きさを制御するだけでなく、パルスビーム2を入射した方向にそのまま透過させるか、あるいは入射した方向から外れた光路に導くかを制御することができる。ビームスプリッタ4はパルスビーム2の50を反射し分岐ビーム5、残りの50を透過させる分岐ビーム6。分岐ビーム5はヘッドHのXYガルバノユニット12に入射し、分岐ビーム6は偏向手段21により偏光方向を90度シフト回転され、S偏光のパルスビームとなってXYガルバノユニット12に入射する。なお、偏光手段21とXYガルバノユニット12との間には光路長切り替え装置22が設けられており、分岐ビーム6の光路長を切り替えることができる。光路長切り替え装置22は分岐ビーム6の光路長を分岐ビーム5の光路長と同一の場合同径光路と、分岐ビーム5の光路長よりも長い場合拡大径光路との2種類を選択できるようになっており、光路長切り替え装置22が同径光路側に設定されている場合、分岐ビーム5と分岐ビーム6のビーム径は同径になる。また、光路長切り替え装置22が拡大径光路側に設定されている場合、分岐ビーム6のビーム径は分岐ビーム5のビーム径よりも大きく例えば、2倍になる。光路長切り替え装置22を拡大径光路側に設定することにより、レーザ発振器1の出力を変更することなく分岐ビーム6のエネルギ密度を小さく例えば、1/4倍することができる。分岐ビーム5はP波であるので、XYガルバノユニット12を透過してすなわち、XYガルバノユニット12によっては位置決めされない。、XYガルバノユニット14に入射し、XYガルバノユニット14により位置決めされて集光用のfθレンズ16に入射し、光軸をワークに垂直な方向に導かれる。一方、分岐ビーム6はS波であるので、XYガルバノユニット12により位置決めされてここでは、加工エリアで2mm×2mm、ガルバノ動作角で0.5度以下XYガルバノユニット14に入射し、さらにXYガルバノユニット14により位置決めされて集光用のfθレンズ16に入射し、光軸をワークに垂直な方向に導かれる。なお、分岐ビーム6と分岐ビーム5のエネルギ強度は同じである。この実施例1では、以下、分岐ビーム5を主ビーム、分岐ビーム6を副ビームという。この構成の場合、主ビームと副ビームが同期しているので、加工速度はXYガルバノユニット12,14の位置決めに要する時間で決定されるが、副ビームの位置決めに要する時間は主ビームの位置決めに要する時間に比べて短いので、加工速度は実質的に主ビームの位置決めに要する時間で決定される。次に、本発明に係るレーザビームの照射手順を、直径がレーザビームの直径よりも大径の円形の穴を加工トレパニング加工する場合について説明する。2ビーム2軌道トレパニング加工方法図2は、本発明に係るレーザビーム照射手順を示す照射軌道図である。同図において、実線で示すZは主ビーム5の軌道であり、穴の中心Fを中心とする半径Rの円軌道である。また、点線で示すYは副ビーム6の軌道であり、軌道Z上の点Pを中心とする半径rの円軌道である。角度θは直線PFと、円軌道Zと円軌道Yの交点Sを通る直線FSとのなす角度PFSである。角度αは主ビーム5に対する副ビーム6の径方向シフト角、すなわち円軌道Y上のSから角度αの点sの位置を定める角度である。このとき、点sは中心Fから距離aの位置にある。なお、角度αは直線PSに対して時計回りの方向が正、反時計回りの方向が負である。先ず、主ビーム5を図中Pに照射する図中の照射点M1と、同時に副ビーム6が図中sM2に照射される。次に、主ビーム5と副ビーム6を角速度ωでそれぞれの軌道上を同方向にここでは時計回り移動させ、主ビーム5の光軸が図中M3に位置決めされた時にレーザビームを照射する。すると、同時に副ビーム6が図中M4に照射される。ここで、時間t経過後のそれぞれの移動角度ωtは同じであるから、直線FP上でPから見たSおよびsのなす角度FPsは常に一定であるので、主ビーム5を軌道Z上等間隔で照射すると、副ビーム6を穴の中心Fを中心とする半径aの円軌道K図中一点鎖線上に等間隔に照射することができる。以下、同様にしてレーザを照射する。この実施例の場合、2本のレーザビームを同時に照射することができるので、ガルバノミラーの位置決め時間が従来と同じであっても、加工能率を2倍に向上させることができる。また、2本のレーザビームを円軌道Z、K上の離れた位置に照射させることができるので、加工部の温度上昇が緩やかになり、加工品質を向上させることができる。また、ガルバノミラーを常時揺動させながらレーザビームを照射するので、すなわち、ガルバノミラーを所望の位置に静止させないので、ガルバノミラーの位置決め応答周波数をガルバノミラーを所望の位置に静止させる場合の5~15倍に高速化することができる。さらに、レーザビームの照射位置を1つの軌道上で距離を隔てて照射する場合に比べて位置決め制御が容易である。また、副ビーム6の位置決めは主ビーム5の位置決め時間以下であるので、ガルバノミラーの位置決め時間を個別に位置決めする場合に比べて低減することができる。ここで、円軌道Zの半径R、円軌道Yの半径r、角度θおよび角度αの値を種々選択することにより、図3~図8に示す軌道を設定することができる。すなわち、例えば、aθ=π/8、α=0、r=2Rsinπ/16とすると、図3に示すように、軌道Z上で主ビーム5と副ビーム6をπ/12離れた位置に照射できると共に、主ビーム5と副ビーム6の照射間隔を1/2ずらして、すなわち、主ビーム5の照射位置の中間に副ビーム6の照射位置を配置することができる2ビーム同軌道トレパニング軌道。このようにすると、時間及び距離的なレーザビームの照射間隔ここでは、副ビーム6を主ビーム5に対して円周方向に1.5ピッチシフトを広げることができるので、加工部の温度上昇が緩やかになり、加工品質を向上させることができる。なお、図3では、回転角度π/12毎にレーザビームを照射する場合を示している。bθ=π/6、α=0、r=2Rsinπ/12とすると、図4に示すように、軌道Z上で主ビーム5と副ビーム6の照射位置を同じただし、照射時期は異なるにすることができる2ビーム同軌道トレパニングの軌道。したがって、図2の場合と同様に加工品質を向上させることができる。なお、図4では、回転角度π/12毎にレーザビームを照射する場合を示している。cθ=π/6、α=-π/7.5とすると、図5に示すように、副ビーム6の円軌道Yを主ビーム5の円軌道Zの外側に配置することもできる。dθ=π/3、α=π/30、r=Rにすると、図6に示すように、主ビーム5を軌道Z上で移動させると共に、副ビーム6の光軸を軌道Zの中心Fに固定することができる1パンチ1トレパニング軌道。すなわち、主ビーム5で外周を加工しながら、副ビーム6で中心部の加工をすることができる。なお、図6では、回転角度π/12毎にレーザビームを照射する場合を示している。eθ=π、α=π、r=2Rにすると、図7に示すように、軌道Z上で主ビーム5と副ビーム6を中心Fに関して点対称の位置に配置することができる2ビーム点対称軌道トレパニング軌道。このようにすると、例えば主ビーム5のエネルギ強度と副ビーム6のエネルギ強度を同じにする場合、入熱の集中を回避することができるので、加工した穴の品質を向上させることができる。なお、1つの穴を複数の軌道により加工する場合、内側の軌道の周長は外側の周長に比べて短い。したがって、単位面積当たりの入熱量を一定にすることを目的として照射ピッチを一定にする場合、外側の軌道における照射数qと内側の軌道における照射数pとの関係はq≧pであり、ほとんどの場合がq>pである。すなわち、照射ピッチを一定にする場合、内側を加工するレーザビームの照射数は外側を加工するレーザビームの照射数よりも少ない。したがって、内側の軌道ではレーザビームの照射を停止する場合があり、加工能率が低下する。このような場合、主ビーム5を角速度ωで軌道Z上で移動させると共に、副ビーム6を角速度ω1と角速度ω2で交互に切換えて移動させるようにするとただし、ω1≦ω2かつω1ω2=2ω、図8に示すように、副ビーム6の照射位置をFを中心とする半径a1と半径a2の2つの軌道上半径a1=半径a2W。ただし、Wは半径a1と半径a2との差である。で移動させることができる2ビーム3軌道トレパニングの軌道。すなわち、主ビーム5を外周の軌道上で移動させながら、副ビーム6を内周側の2つの軌道上で移動させることにより、図2に示した場合のように副ビーム6を間引きする必要が無く、加工能率を向上させることができる。また、副ビーム6の照射間隔が半径方向と円周方向に広がるため、エネルギ密度が平均化され、ブラインドホール底付き穴を加工する場合、穴底の品質が向上する。なお、スルーホール貫通穴加工の場合、内周側は除去されるので、副ビーム6を間引きせず、そのまま照射するようにしてもよい。ところで、この実施例の場合、加工速度を向上させることができるが、1本のレーザビームを2本に分岐するため、出力の大きいレーザ発振器を必要とする。図9は、本発明に適用するのに好適な第2のレーザ加工機の光学系構成図であり、図1と同じもの又は同一機能のものは同一の符号を付して重複する説明を省略する。発振周波数Fでレーザ発振器1から出射されたP波のパルスビーム2は、ビーム径調整器3により外径を調整された後ミラー20に反射され、音響光学方式のパルス整形器AOM7により周波数F/2の光軸の異なる2つの分岐ビーム8,9に分岐される。なお、AOM7はパルスビーム2を分岐ビーム8,9に分岐するだけでなく、1個のパルス、すなわち分岐ビーム8,9のパルスエネルギを制御することができる。分岐ビーム8はヘッドHのXYガルバノユニット12に入射する。また、分岐ビーム9は偏向手段21により偏光方向を90度シフト回転され、S波のパルスビームとなり、光路長切り替え装置22を経由してXYガルバノユニット12に入射する。分岐ビーム8はP波であるので、XYガルバノユニット12を透過してすなわち、XYガルバノユニット12によっては位置決めされない。、XYガルバノユニット14に入射し、XYガルバノユニット14により位置決めされて集光用のfθレンズ16に入射し、光軸をワークに垂直な方向に導かれる。一方、分岐ビーム9はS波であるので、XYガルバノユニット12により位置決めされてここでは、加工エリアで2mm×2mm、ガルバノ動作角で0.5度以下XYガルバノユニット14に入射し、さらにXYガルバノユニット14により位置決めされて集光用のfθレンズ16に入射し、光軸をワークに垂直な方向に偏向される。以下、分岐ビーム8を主ビーム、分岐ビーム9を副ビームという。この実施例2では、上記実施例1の場合と同様に主ビームと副ビームの照射位置を離すことができるだけでなく、AOM7により主ビームと副ビームを交互に照射することになるので、実施例1の場合に比べて加工部の温度上昇をさらに緩やかにすることができる。また、レーザ発振器の出力は上記実施例1の場合の1/2でよい。なお、この実施例の場合、主ビームと副ビームは交互に照射することになるため、上記図2~図8に示した位置にレーザビームを照射するためには、主ビームに対する副ビームの径方向シフト角である角度αをαωt/2、またはα-ωt/2にする必要がある。ところで、上記2つの実施例に依れば、従来に比べて加工品質を向上させることができるが、加工速度は従来技術の場合と同じである。そこで、以下、加工速度を向上させることができるレーザ加工機について説明する。図10は、本発明に適用するのに好適な第3のレーザ加工機の光学系構成図であり、図1、9と同じものまたは同一機能のものは同一の符号を付して重複する説明を省略する。なお、同じ機能のものが2個ある場合は符号の後ろに添字A、Bを付して区別する。また、図11は本発明を適用してトレパニング加工をする場合の照射タイミングの一例を示す図であり、aは加工工程を、bはガルバノミラーの動作を、cはレーザ発振器から出力されたレーザビームを、d~iの実線は加工部に照射される各分岐ビームの強度と照射タイミングとを示し、点線は加工部に照射されない場合であり、横軸は時間である。なお、c~iにおける高さはエネルギ強度を示している。図10に示すように、この実施例3では、レーザ発振器から出力されたレーザビームをビームスプリッタ4によりレーザビームを2本の分岐ビーム5,6に分岐した後、分岐ビーム5をAOM7Aにより2つのビーム8A,9Aに、また、分岐ビーム6をAOM7Bにより2つのビーム8B,9Bに分割し、ビーム8Aとビーム8Bを第1のヘッドHAに、ビーム9Aとビーム9Bを第2のヘッドHBに導く。なお、この実施例では、分岐ビーム5と分岐ビーム6のエネルギ強度は同じであり、AOM7AとAOM7Bは同期して動作する。なお、図11aに示されているように、この場合の穴明けサイクルは、ガルバノミラーの位置決めと加工銅層加工と絶縁層加工との繰り返しである。また、レーザ発振器1は周波数fでレーザビームを出力する。以下、ヘッドHAの場合について説明する。ガルバノミラーを角速度ωで揺動させた状態で、ビーム8Aを期間2Tただし、T=1/f毎にM1回図では10回、また、ビーム8Bを期間4T毎にm1回図では5回照射して、銅層を加工する。銅層の加工が終了したら、銅層を加工する場合に比べてエネルギ強度を小さくし、ビーム8Aを期間2T毎にN1回図では10回、またビーム8Bを期間4T毎にn1回図では5回照射して絶縁層を加工する。当該位置における加工が終了すると、ガルバノミラーを移動させ、次の加工箇所を加工する。以下、同様にして加工を継続する。ヘッドHBの動作はヘッドHAの動作を期間Tだけずらしたものである。この実施例の場合、たとえばレーザ発振器の発振周波数が30kHz、ガルバノミラーの位置決め応答周波数が15kHzの場合でも、発振されるレーザビームを無駄なく活用することができる。また、例えば、ビームスプリッタ4の分配比率を変えることにより、AOM7A,7Bを制御することなく、主ビームと副ビームのエネルギを変えることができる。また、HAとHBのそれぞれにおいて、主ビームと副ビームの照射タイミングをずらすことができるので、加工部の温度上昇が緩やかになり、品質に優れる加工を行うことができる。また、ガルバノミラーの移動位置決め中もレーザ発振器はパルス発振を続け、AOM7A、7Bにおいて不使用分のレーザビームを廃棄図10中点線で示すするようにしたので、レーザ発振器および光学系の熱的安定性を高めることができる。ところで、上記実施例1~3によれば、例えばトレパニング加工をする場合、レーザビームを離れた位置に照射するので、加工部の温度上昇を緩やかにすることができた。しかし、レーザ発振器の出力が大きく、かつ発振周波数が高くなった場合、加工部の温度が急激に上昇することにより穴の側面の凹凸が大きくなったり、ビヤ樽状になることが避けられない場合が発生する。次に、加工品質をさらに向上させることができる加工方法について説明する。本発明者はさらにテストを行い、レーザビームの直径と同じ穴を明けるため、レーザビームを同一箇所に照射する場合パンチ加工と同様な加工の適正条件が以下のようになることを見いだした。すなわち、絶縁層を加工する場合、絶縁層が樹脂だけで形成されている場合はエネルギ密度1.5J/cm2以下理想的には1.0J/cm2以下とし、連続照射数を10回以下すなわち、10パルス以下。理想的には5パルス以下とする。また、絶縁層がガラス入り樹脂の場合はエネルギ密度2~6J/cm2理想的には2~4J/cm2以下とし、連続照射数を5パルス以下理想的には3パルス以下とする。このようにすると、穴の壁面の品質を優れたものとし、かつ穴底径を穴入口径に近づけることができる、すなわち、穴の中に突き出すガラス繊維の長さが短く、側壁がストレートな穴とすることができる。また、トレパニング加工においても、照射位置の間隔が5μm以下、あるいはレーザビームの直径の1/5以下の場合には、上記パンチ加工の場合に得られたエネルギ密度と連続照射数の関係が適用される。また、レーザ照射後一定の時間が経過すると、加工部の熱が加工部周辺に伝達することにより加工部の温度が十分低下する。以上の結果に基づき、レーザビームを以下のように照射することにより、加工品質を更に向上させることができる。すなわち、予めレーザビームの照射間隔の最大値L例えば、5μmまたはレーザビームの直径の1/5と、レーザビームを続けて照射する場合の許容回数N例えば、5回と、休止期間T0と、を定めておき、隣接する照射位置の間隔が最大値L以下の場合は、レーザビームを回数N照射後、休止期間T0の間照射を休止し、その後レーザビームの照射を再開する。なお、最大値Lは0でもよいが、この場合、上述のパンチ加工となる。また、休止期間T0は予め実験により求めておく。次に、本願を適用した場合の加工速度を、上記段落0010で述べた従来のサイクル加工と比較する。なお、加工条件および加工装置の能力は同じであるとする。また、ガルバノミラーの位置決め周波数は2kHzである。ここでは、1個の穴を加工するために40パルス照射するとする。また、予めテストを行うことにより、休止期間T0としては、レーザ発振器の発振周波数が30kHzの場合、許容回数N=10では11パルスに対応する期間が、許容回数N=5の場合は6パルスに対応する期間が、それぞれ適切であることを見いだした。すなわち、照射期間と休止期間とを合わせて1サイクルとし、パルスの照射間隔をtとすると、照射期間はN-1t、休止期間T0はT0=N1tの関係になる。また、休止期間T0は、レーザ発振器の発振周波数が30kHz以上の場合であっても、パルスのエネルギ強度および連続して照射するパルス数が同じである場合はすなわち、供給するエネルギが同じ場合、発振周波数に関わらず発振周波数が30kHzの場合と同じ休止期間にする必要がある。なお、発振周波数が30kHzの場合を基準にしたのは、現在最も使用されているレーザ発振器の発振周波数が30kHzであるからである。1許容回数N=10絶縁層が樹脂だけで形成されている場合とすると、加工を完了するためにはレーザを4回に分けて照射する必要があるので、休止期間T0は3回必要である。また、ガルバノミラーの位置決めは1回である。レーザ発振器の発振周波数が30kHzである場合、1個の穴を加工するのに要する時間は2.8msであり、従来のサイクル加工の場合の3.2msに比べて0.4ms14高速化することができる。レーザ発振器の発振周波数が60kHzである場合、休止期間T0は30kHzの場合と同じ時間が必要であるが、1個の穴を加工するのに要する時間を2.2msにすることができるので、従来のサイクル加工の場合の2.6msに比べて0.4ms18高速化することができる。2許容回数N=5絶縁層にガラス繊維が含まれている場合とすると、加工を完了するためにはレーザを8回に分けて照射する必要がある40/5=8ので、休止期間T0は7回必要である。また、ガルバノミラーの位置決めは1回である。レーザ発振器の発振周波数が30kHzである場合、1個の穴を加工するのに要する時間は3.0msであり、従来のサイクル加工の場合の5.1msに比べて2.1ms71高速化することができる。レーザ発振器の発振周波数が60kHzである場合、1個の穴を加工するのに要する時間は2.4msであり、従来のサイクル加工の場合の4.5msに比べて2.1ms86高速化することができる。なお、ここではN=10として照射期間を4回としたが、Nを10より小としてもよいし、Nを徐々に減らすようにしてもよい。上記1、2に示したように、本発明に依れば、レーザ発振器の発振周波数が高くなるほど従来のサイクル加工に比べて能率を向上させることができる。一般に、休止期間T0を長くすればするほど、側壁と穴底との間に形成される曲面の半径を小さく、すなわち、穴底の直径を入り口或いは側壁中央部の直径に近づけることができるので、加工品質が向上する。しかし、加工能率を向上させるためには、休止期間T0を短くすることが望ましい。この実施形態で説明したように、休止期間T0をN1tとすると、品質を低下させず、かつ、加工能率を向上させることが可能である。しかも、レーザを2箇所に交互に供給するので、レーザ発振器から発振されるレーザのほとんどを有効に利用することができる。なお、レーザ加工機の光学系が図10に示すものである場合においてパンチ加工する場合、一方のレーザビームが休止している間、他方のレーザビームを他の加工箇所に照射することができる。図12は本発明を適用して樹脂をパンチ加工1回の連続照射数が10パルス。合計40パルスで加工する場合の照射タイミングの一例を示す図であり、上段Aはレーザ発振器の発振周波数が30kHzの場合、下段Bはレーザ発振器の発振周波数が60kHzの場合のパルスを示しており、それぞれのaはビーム8Aを、bはビーム9Aを、それぞれ示している。同図に示すように、ビーム8AをヘッドHAに供給しない期間はビーム8BをヘッドHBに供給するようにすると、レーザ発振器から出力されるレーザビームを無駄なく使用することができる。なお、ヘッドHAあるいはヘッドHBに供給するレーザビームのパルス数あるいはエネルギ強度は適宜選択することができる。また、レーザ発振器の能力が大きくなると共に発振周波数が高くなった場合は、ヘッドの数を増やすことによりレーザ発振器から出力されるレーザビームを無駄なく使用することができる。また、図9において2つの異なる穴の位置が極めて近い場合には、図12に示すようにレーザ発振器から出力されるレーザビームを無駄なく使用することができる。図13は本発明に適用するのに好適な第4のレーザ加工機の光学系構成図である。図10の変型例を示すレーザ加工機の光学系構成図である。同図に示すレーザ加工機の光学系は、図10におけるビームスプリッタ4に代えてAOM7とし、AOM7Aに代えてビームスプリッタ4Aを、AOM7Bに代えてビームスプリッタ4Bを、それぞれ配置したものである。なお、このレーザ加工機の動作は、実施例1~3から容易に理解できるので、詳細な説明を省略する。なお、AOM7に代えて分配角度をコントロール可能なAODを採用すると、AODから出射されるレーザビームの出射方向を2方向だけでなく、3方向以上に分配することができる。また、上記においては穴を加工する場合について説明したが、本発明は、穴に限らず、溝や面例えば、内面の銅層の一部として配置されている位置決め用のフィデューシャルマークを露出させる場合、あるいはシリコンSiの酸化膜を除去する場合のように、面の加工をする場合にも適用することができる。"