"透水性及び熱伝導性を有する第1の基板と、前記第1の基板上に配設された熱電変換素子と、前記第1の基板上で、前記熱電変換素子周囲の少なくとも一部の領域に配設された、透水性を有する断熱体と、前記熱電変換素子及び前記断熱体上に配設され、透水性及び熱伝導性を有する第2の基板とを含むことを特徴とする熱電変換モジュール。前記第1及び第2の基板、及び断熱体には、表裏に通じる貫通穴または、連続気孔が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱電変換モジュール。前記第1及び第2の基板、及び断熱体の前記貫通穴の内壁、または、前記連続気孔の内壁は親水性を有することを特徴とする請求項2に記載の熱電変換モジュール。前記熱電変換素子は、2枚の伝熱板の間に2種の半導体ブロックを交互に直列接続したπ型熱電変換素子であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の熱電変換モジュール。上述の熱電変換モジュールでは、汗の蒸発潜熱だけを利用していて、体温と外気の温度差を利用していないため、大きな温度差が得られず発電量が少ない。また、電極内に電解質を含む導電性の汗が流れるため、汗に熱起電力による電流が流れ、発電効率が落ちてしまう。開示の熱電変換モジュールの一観点によれば、透水性及び熱伝導性を有する第1の基板と、前記第1の基板上に配設された熱電変換素子と、前記第1の基板上で、前記熱電変換素子周囲の少なくとも一部の領域に配設された、透水性を有する断熱体と、前記熱変換素子及び前記断熱体上に配設され、透水性及び熱伝導性を有する第2の基板とを含む熱電変換モジュールが提供される。開示の熱電変換モジュールによれば、体温と外気との温度差で発電する熱電変換モジュールにおいて、皮膚表面からの発汗を放熱板から気化させて、その気化熱により放熱板表面の温度を低下させることによって、熱電変換素子に与えられる温度差を体温と外気との温度差よりも増大させて、発電量を増加するという効果を奏する。以下に添付図面を参照して、本開示の技術に係る好適な実施の形態を詳細に説明する。図1は、開示の技術を適用した、第1の実施形態に係る熱電変換モジュールの断面図を示す。第1の実施形態に係る熱電変換モジュール1は、熱電変換素子10を、上下から吸熱板2と放熱板3とで挟み込んだ構造となっている。吸熱板2と放熱板3との間において、前記熱電変換素子10の周囲には、断熱体4が配設されている。前記熱電変換素子10が発電する電流を取り出すためのリード線19、20が、前記断熱体4の中を通り、断熱体4の端部から外部に導出されている。吸熱板2は、例えばサイズは30×30mmで、厚さ数百μmの銅板等の熱伝導性に優れた材料が挙げられる。吸熱板2の厚さを極めて薄くしているので、柔軟性を有している。図2は、前記吸熱板2及び前記放熱板3の表面の斜視図を示す。図2に示す通り、前記吸熱板2と前記放熱板3の双方には、複数個の直径が約50μmの微細な貫通穴6が、上下方向に形成されており、貫通穴6の内壁も含め表面全体が親水性加工されている。親水性加工は、吸熱板2と放熱板3の表面、及び貫通穴6の内壁に、例えばアクリル酸3‐ヒドロキシプロピル等の親水性塗料を塗布することによって施される。または、プラズマ処理することにより、吸熱板2と放熱板3の表面、及び貫通穴6の内壁にOH基を形成しても親水性の効果が得られる。図3aは、熱電変換素子10の斜視図、図3bは図3aにおいて、A-A’面での熱電変換素子10の断面図を示す。熱電変換素子10は、複数のp型半導体ブロック12とn型半導体ブロック13を、下側基板11と上側基板18とで上下から挟み込んだ構造になっている。下側基板11には、例えばアルミナ等の絶縁基板が用いられ、前記下側基板11上に、複数のp型半導体ブロック12及びn型半導体ブロック13が、交互に並べて配置されている。p型半導体ブロック12は、p型熱電変換材料からなる半導体ブロックであり、n型半導体ブロック13は、n型熱電変換材料からなる半導体ブロックである。隣接する一対のp型半導体ブロック12とn型半導体ブロック13において、下側基板11と対向する各々の半導体ブロックの下端部は、下側電極14により電気的に接続されている。前記隣接する一対のp型半導体ブロック12とn型半導体ブロック13のうち、一方のp型半導体ブロック12においては、上側基板18と対向する上端部は、別の一対のp型半導体ブロック12とn型半導体ブロック13のうち一方のn型半導体ブロック13の上側基板18側と対向する上端部と、上側電極15により電気的に接続されている。同様に、前記隣接する一対のp型半導体ブロック12とn型半導体ブロック13のうち他方のn型半導体ブロック13においては、上側基板18と対向する上端部は、さらに別の一対のp型半導体ブロック12とn型半導体ブロック13のうち一方のp型半導体ブロック12の上側基板18側と対向する上端部と、上側電極15により電気的に接続されている。下側電極14と下側基板11とは、例えば、焼成ペースト等の接合部材16を用いて接合される。同様に、上側電極15と上側基板18とは、例えば、焼成ペースト等の接合部材16を用いて接合される。下側電極14は、p型半導体ブロック12及びn型半導体ブロック13に、例えば半田等の接合部材17を用いて接合される。同様に、上側電極15は、p型半導体ブロック12及びn型半導体ブロック13に、例えば半田等の接合部材17を用いて接合される。このように、上側基板11の上方には、複数のp型半導体ブロック12及びn型半導体ブロック13が、p型,n型を交互に並べて配置され、それらが下側電極14及び上側電極15を介して直列に接続されている。p型半導体ブロック12、n型半導体ブロック13、下側電極14及び上側電極15によって構成される直列回路の末端には、前記直列回路からの電流取り出しのためのリード線19、20が設けられている。熱電変換素子10を熱電変換モジュール1の中に組み込んだ状態では、下側基板11と上側基板18との間の、p型半導体ブロック12とn型半導体ブロック13の間は、空気となり、断熱の効果をもつ。あるいは、p型半導体ブロック12、n型半導体ブロック13、下側電極14及び上側電極15が、断熱体4からの水分に晒されて劣化してしまうのを防ぐため、断熱性、絶縁性を有する樹脂等で封止してもよい。尚、上記熱電変換素子10の上側基板11及び下側基板18には、アルミナ酸化アルミニウム,AlOの他に、窒化アルミニウムAlN等のセラミック基板を用いることができるし、表面にアルミナや酸化ケイ素やガラスなどの絶縁体膜を薄く被覆した金属銅合金やアルミニウム合金なども用いることができる。また、p型半導体ブロック12及びn型半導体ブロック13には、例えば、それぞれBiTe系のp型半導体及びn型半導体を用いることができる。p型半導体には、例えば、ビスマスアンチモンテルルBi0.5Sb1.5Te3を用いることができ、n型半導体には、例えば、ビスマステルルセレンBi2Te2.85Se0.15を用いることができる。下側電極14及び上側電極15には、例えば、銅Cu又はCuを主体とするものを用いることができる。接合部材17には、例えば、ビスマスBi-スズSn合金半田Bi:58、Sn:42又は当該合金半田を主体とするものを用いることができる。この場合、p型半導体ブロック12及びn型半導体ブロック13の端面には、半田との濡れ性及び半田との密着性を高めるために、ニッケルNiめっきを形成しておいてもよい。例えばサイズが5×5×2mmの前記熱電変換素子10が、前記吸熱板2の中央付近に配置され、前記吸熱板2に、はんだ接続されている。前記熱電変換素子10の側面の周囲には、例えば親水性多孔質ポリエチレン等の透水性を有する断熱体4が配設されている。前記熱電変換素子10及び断熱体4の上には、例えばサイズは30×30mmで、厚さ数百μmの放熱板3が配設され、前記熱電変換素子10とはんだ接続されている。放熱板3の材料としては、例えば銅板等の熱伝導性に優れた材料が挙げられる。吸熱板2と同様に、放熱板3も厚さを極めて薄くしているので、柔軟性を有している。本第1の実施形態に係る熱電変換モジュール1を、人の腕に装着させることで、熱電変換素子10の下側基板11は、吸熱板2を介して、体温が伝わり、体温とほぼ同等の温度になる。熱電変換素子10の上側基板18は、放熱板3を介して外気とほぼ同等の温度になる。よって、前記下側基板11と前記上側基板18とによって、挟み込まれたp型半導体ブロック12とn型半導体ブロック13の下端部は、前記下側基板11から熱が伝わり体温とほぼ同等の温度になる。前記p型半導体ブロック12と前記n型半導体ブロック13の上端部には上側基板18から熱が伝わり外気とほぼ同等の温度になる。p型半導体ブロック12とn型半導体ブロック13の下端部と上端部の間に温度差が発生すると、p型半導体ブロック12とn型半導体ブロック13内で自由電子が移動する。p型半導体ブロック12とn型半導体ブロック13とでは、材質が異なるため、p型半導体ブロック12内での自由電子の移動度とn型半導体ブロック13内での自由電子の移動度も異なる。そこで、p型半導体ブロック12、n型半導体ブロック13、下側電極14及び上側電極15によって構成される直列回路の末端のリード線19と20とを接続して、ループ回路を構成する。その結果、p型半導体ブロック12内での自由電子の移動度とn型半導体ブロック13内での自由電子の移動度の差によって、一定方向に電流が流れる。この現象は、ゼーベック効果と呼ばれている。自由電子の移動とともに、熱伝導も発生するので、吸熱板2の熱は、熱電変換素子10の下側基板11、p型半導体ブロック12、n型半導体ブロック13、上側基板18を介して放熱板3に伝わり、放熱板3から放出される。吸熱板2も放熱板3も、その厚さは、極めて薄くしてあるので柔軟性を有する。その間に挟まれる断熱体4も柔軟性を有するため、熱電変換モジュール1全体として、柔軟性を有するため、人体表面に密着して張り付けることが可能となる。よって、体温を効率よく熱電変換素子10に供給し、発電させることが可能となる。また、本第1の実施形態では、吸熱板2及び放熱板3のサイズを30×30mmとし、熱電変換素子10のサイズの5×5mmの36倍の面積にしているため、吸熱板3で吸熱した体温を熱電変換素子10に効率良く伝え、放熱板3で、効率良く放熱することが可能である。さらに、汗をかいている場合は、汗の中の水分が、毛細管現象によって吸熱板2の貫通穴に吸い上げられ、さらに親水性を有する断熱体4の中に浸透する。親水性のある断熱体4に浸透した水分は、毛細管現象によりさらに放熱板3の貫通穴6に吸い上げられ放熱板3の表面に導かれ、放熱板3の表面から蒸発させることができる。すると、放熱板3から気化熱が奪われて、放熱板3の温度が下がる。その結果、p型半導体ブロック12とn型半導体ブロック13の両端の温度差が大きくなり、各々の半導体ブロック内での自由電子の移動量も増える。当然、p型半導体ブロック12内での自由電子の移動度とn型半導体ブロック13内での自由電子の移動度の差も大きくなり、ループ回路に流れる電流も増える。貫通穴6を有する吸熱板2、貫通穴6を有する放熱板3、及び断熱体4は、透水性を有することになる。吸熱板2、断熱体4及び放熱板3は、熱電変換素子10が発生する電力を増加させる。汗の中の水分は、親水性のある断熱体4を介して放熱板3の表面に導かれるため、熱電変換素子10は、汗の中の水分に晒されることはない。よって、熱電変換素子10の電極が、汗の中の塩分によって電極が腐食し、発電性能が劣化してしまうことは無い。比較例として、熱電変換素子については第1の実施形態の熱電変換素子10と同等の熱電変換素子を用い、断熱体に透水性の無い発泡ポリエチレンを用いた熱電変換モジュールを作製し、人の腕に装着させて発電出力を測定した。その結果、気温20°Cで静止している状態では第1の実施形態と比較例とでほとんど差は見られなかった。しかし気温30°Cで静止している状態では、第1の実施形態は比較例と比べて約2倍、さらに、歩行などの軽い運動時には約3倍、激しい運動時は約10倍の発電出力の差があった。なお、吸熱板2、放熱板3の材料としては、熱伝導率が高い材料が適しており、Cuのほかに、アルミ、アルミ合金、グラファイトシート等を用いても良い。また、面内方向の熱伝導が重要であるため、上記の高熱伝導性材料と樹脂などの低熱伝導材料とを積層させたものでも構わない。貫通穴6を設けた吸熱板2、放熱板3については、水分を透過する働きを有する他の手段に置き換えが可能である。例えば吸熱板2、放熱板3の全体を、金属粒子を焼結させた多孔質焼結体、または金属あるいはカーボンの繊維を固めもの、または金属あるいはカーボンの繊維を織り込んだもので構成しても良い。ただし、空隙率が高すぎると熱伝導率が大きく低下するため、透水性と熱伝導率のバランスを取ることが重要である。断熱体4については、熱伝導率が小さい材料が適しており、ポリエチレン以外にも各種樹脂が利用できる。熱伝導率を下げるために、水分を透過させる上下に貫通した空隙以外にも上下に貫通しない微小な空洞があっても構わない。続いて、開示の技術を適用した第2の実施形態に係る熱電変換モジュールについて説明する。図4は、第2の実施形態に係る熱電変換モジュール7の断面図である。第2の実施形態に係る熱電変換モジュール7は、第1の実施形態に係る熱電変換モジュール1に比べて放熱板3を図4に示す形状の放熱板8に変更している点を除いて、その他の構成要素は、第1の実施形態に係る熱電変換モジュール1と同じである。第2の実施形態に係る放熱板8は多孔質焼結体からなり、図4のごとく垂直方向に複数の板状の放熱部を設けたフィン形状に加工して表面積を増加させているため、放熱効果に優れている。焼結体とは、粉体に熱をかけて固めたもので、連続気孔を有する。親水性のある断熱体4に浸透した水分は、毛細管現象により連続気孔内に吸い上げられ放熱板8の表面に導かれ、蒸発させることができる。さらに、連続気孔の内面も含め、放熱板8の表面全体を親水性加工することにより、水分を吸い上げる効果を高めている。なお、熱抵抗の低減および気化面積の拡大のために放熱板の表面積を大きくすることは発電出力を向上させるのに有効であり、フィン形状の他に、放熱板の表面に円柱を設けて柱形状にしたり、複数の溝を設けて表面をノコギリ形状にしても、発電出力を向上させることが可能である。以上本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。以上の実施形態1、2を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。付記1透水性及び熱伝導性を有する第1の基板と、前記第1の基板上に配設された熱電変換素子と、前記第1の基板上で、前記熱電変換素子周囲に配設された、透水性を有する断熱体と、前記熱電変換素子及び前記断熱体上に配設され、透水性及び熱伝導性を有する第2の基板とを含むことを特徴とする熱電変換モジュール。付記2前記第1及び第2の基板、及び断熱体には、表裏に通じる貫通穴または、連続気孔が形成されていることを特徴とする付記1に記載の熱電変換モジュール。付記3前記第1及び第2の基板は、銅、アルミニウム、アルミ合金またはグラファイトからなることを特徴とする付記2に記載の熱電変換モジュール。付記4前記第1または第2の基板は、粒子を焼結した多孔質焼結体、金属またはカーボンからなる繊維の固形体、または金属またはカーボンからなる繊維の織込み体で形成されていることを特徴とする付記1に記載の熱電変換モジュール。付記5前記第1及び第2の基板、及び断熱体の前記貫通穴の内壁、または、前記連続気孔の内壁は親水性を有することを特徴とする付記2に記載の熱電変換モジュール。付記6前記断熱体は、多孔質ポリエチレンからなることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1つに記載の熱電変換モジュール。付記7前記第2の基板表面には、複数の突起、または溝が形成されていることを特徴とする付記1に記載の熱電変換モジュール。付記8前記第1の基板、前記第2の基板、および前記断熱体は、柔軟性を有することを特徴とする付記1に記載の熱電変換モジュール。付記9前記熱電変換素子は、2枚の伝熱板の間に2種の半導体ブロックを交互に直列接続したπ型熱電変換素子であることを特徴とする付記1乃至6のいずれか1つに記載の熱電変換モジュール。付記10前記熱電変換素子は樹脂封止されていることを特徴とする付記9に記載の熱電変換モジュール。"