"少なくとも100K以下で反強磁性となる反強磁性半導体を材料とする測温抵抗体。前記反強磁性半導体は、キャリア密度が1×1024個m3以上であり、かつキャリア移動度が1m2/s/V以下である請求項1に記載の測温抵抗体。前記反強磁性半導体が窒化クロムである請求項1または2に記載の測温抵抗体。請求項1~3のいずれか一項に記載の測温抵抗体の膜を基板上に設けて形成した温度計。上記の通り前記従来の温度計は、極低温高磁場の条件下において、磁場の影響を受けることなく、温度を測定することができる。しかし、近年では、さらに磁場の影響を受け難く、より広い温度領域を測定できる温度計が求められるようになってきた。本発明は上記問題に鑑み案出されたものであり、磁場の影響を受け難く、室温から極低温に亘る広い温度領域での温度測定を可能とする測温抵抗体を提供することを目的とする。上記目的を達成するための本発明に係る測温抵抗体の特徴構成は、少なくとも100K以下で反強磁性となる反強磁性半導体を材料とした点にある。本発明者らは、反強磁性半導体が磁気抵抗効果が小さいことに着目し、鋭意検討した結果、反強磁性半導体を材料とする測温抵抗体では磁気抵抗効果の温度依存性が小さいことを見出し、本発明に至った。したがって、本構成のように、測温抵抗体の材料として、磁気抵抗効果の影響が大きくなる低温域で反強磁性となる反強磁性半導体を用いることにより、磁場の影響を受け難く、広い温度領域での温度測定が可能となる。本発明に係る測温抵抗体において、前記反強磁性半導体は、キャリア密度が1×1024個m3以上であり、かつキャリア移動度が1m2/s/V以下であることが好ましい。本構成によれば、反強磁性半導体は、電流は流れるが、磁場に影響され難いため、温度を測定する際に、磁場の影響を受け難くなる。本発明に係る測温抵抗体において、前記反強磁性半導体が窒化クロムであることが好ましい。窒化クロムには、後述の実施例6図8で示すように、220K付近で反強磁性に相転移し始め、100K以下の低温域において反強磁性となるものがある。したがって、本構成のように、測温抵抗体の材料として、磁気抵抗効果の影響が大きくなる低温域で反強磁性となる窒化クロムを用いることにより、磁場の影響を受け難く、室温から極低温に亘る広い温度領域での温度測定が可能となる。また、窒化クロムは安価に作製することができるため、測温抵抗体の製造コストを低くすることができる。窒化クロムは水や湿気の影響を受け難いため、測温抵抗体を使用できる条件が広がる。また、反強磁性半導体としての窒化クロムCrNは、二元系であり、安定な構造であるため、個々の特性が揃った測温抵抗体を作製することができる。このため、個体間の温度特性が揃った温度計を大量に供給することができる。尚、反強磁性となる窒化クロムとして、後述の実施例5図7では、CrNであることを確認している。本発明に係る温度計の特徴構成は、上記測温抵抗体の膜を基板上に設けて形成した点にある。本構成によれば、磁場の影響を受け難く、室温から極低温に亘る広い温度領域を測定できる温度計を提供することができる。本発明に係る測温抵抗体は、少なくとも100K以下で反強磁性となり、かつ半導体の性質を有するものを材料とする。本発明で用いる反強磁性半導体は、100Kより高い温度においても反強磁性となっていることは何ら問題なく、むしろ好ましいが、温度が高い場合には磁気抵抗効果の影響が小さくなるため、少なくとも100K以下で反強磁性となれば、10Tのような高磁場下においても室温から極低温に亘る広い温度領域での温度測定が可能となる。本発明に係る測温抵抗体は、例えば、図1に示すように、1mm角の基板1上に測温抵抗体2を膜として設け、その上に電極3,4を形成することにより、小型で低熱容量であり、安価に量産可能な温度計10として用いることが可能である。本発明に係る測温抵抗体を適用した温度計では、磁場の影響を受けることなく、室温例えば300K程度から極低温例えば1K程度までの幅広い温度範囲の測定が可能となる。本発明に係る測温抵抗体の材料となる反強磁性半導体としては、特に限定されないが、例えば、キャリア密度が1×1024個m3以上であり、かつキャリア移動度が1m2/s/V以下であるものが好ましい。キャリア密度は、低くなり過ぎると電流が流れ難くなり、高くなり過ぎると金属の性質になる。このため、キャリヤ密度は、1×1024個/m3~6×1029個/m3がより好ましく、1×1025個/m3~1×1029個/m3が特に好ましい。また、キャリア移動度は、高くなり過ぎると磁場に影響され易くなるため、0~1m2/s/V0は除くが好ましい。反強磁性半導体としては、例えば、窒化クロムCrN、イットリウムバリウム銅酸化物YBa2Cu3O7x、ランタンストロンチウム銅酸化物La2xSrxCuO4等が挙げられる。図11におけるLa2xSrxCuO4で例示するように、反強磁性半導体x≦005となると極低温0~50Kの領域で、温度の低下と共に電気抵抗が上昇することが分かる。このため、このような反強磁性半導体を材料とする測温抵抗体を用いることにより、極低温の領域において、高感度で温度を測定することができる。また、反強磁性半導体のうち、窒素クロムは安価に作製でき、水や湿気に強いため、反強磁性半導体として窒素クロムCrNを用いることは特に好ましい。例えば、後述の実施例で用いている窒化クロムは、図8に示すように220K付近で反強磁性に相転移し始め、100K以下の低温域においては確実に反強磁性となっている。また、後述の実施例5図7では、反強磁性となる窒化クロムがCrNであることを確認している。窒化クロムは、安定な構造としてCrNCrN11及びCr2NCrN21の組成が知られているが、CrNは、薄膜の組成として薄膜中の窒素組成が47から50であり、室温近傍で反強磁性体に相転移し始めるものがある。尚、Cr2Nの反強磁性相転移は知られていない。一般に、窒化物は過剰なあるいは過不足な窒素含有物薄膜を作製することで結晶構造を壊し、内在する電子を局在化させることで温度計の機能を発現させることができる。しかし、金属は温度の低下とともに電気抵抗が減少するため、高感度で極低温から室温までの温度計を提供することはできない。従来の温度計では、金属窒化物に過剰な窒素あるいは窒素を著しく過不足状態にして、金属電子を局在状態にすることで、温度の低下とともに電気抵抗を増加させることを達成し、極低温状態まで高感度で測定できるようにしたものが知られている。すなわち、金属薄膜を窒素により結晶構造を乱し温度計の機能を発現させたものである。このような温度計は優れた特性を示すが、構造の乱れ方は様々であるため、温度計としての個々の製品間のばらつきをなくすことは困難であった。これに対し、例えば、反強磁性半導体として窒化クロムを用いれば、極低温の領域において、高感度で温度を測定することができるだけでなく、安定に存在する結晶構造CrNを有するため、温度計としたときの個体間のばらつきを極力なくすことが可能となる。本発明に係る温度計は、反強磁性半導体を材料として従来公知の方法により作製でき、その方法は特に限定されないが、例えば、以下の方法により作製することができる。ここでは、基板上に反強磁性半導体としての窒化クロムCrN薄膜を形成させる場合について説明する。尚、基板は、特に限定されないが、絶縁体で極低温で熱伝導率が大きなものが好ましく、例えば、石英SiO2、酸化膜付きシリコンウエハ、ノンドープシリコンウェハ、サファイア等の公知の材料が挙げられる。まず、基板を常法に従って洗浄する。基板としてシリコンウェハを使用する場合には、常法に従って、その表面に電気絶縁を保ち得る程度の厚さのSiO2層あるいは他の材料を用いた電気絶縁層を予め形成させておいてもよい。ノンドープシリコンウエハの場合は電気抵抗が高いので酸化膜をウエハーの上に形成する必要はない。次いで、その基板上にスパッタリング法により、CrN薄膜を形成させる。具体的には、例えば、公知のマグネトロンスパッタリング装置を用い、基板とCrターゲットをセットした製膜室の内部を、13×103Pa以下、より好ましくは7×105Pa程度まで排気して真空度を上昇させる。その後、内圧が1Pa程度となるようにArを製膜室に導入し、Crターゲットの表面を浄化するためのプレスパッタリングを行う。プレスパッタリングを行った後は、製膜室の内部を再度上記の真空度と同程度の真空度となるまで排気し、N2を導入する。N2の流量は、例えば、20sccm程度である。また、必要に応じてN2をArで希釈してもよく、その場合には、全流量を30sccm程度とすることが好ましい。この時のN2の分圧は、1Pa80~100が好ましいが、生成するCrNの組成比がCrN11に近い膜となる条件であれば、特に制限はされない。製膜室において、上記の雰囲気状態が得られた時点で、基板の温度を100~200°C程度に加熱保持し、4~8W/cm2程度の製膜電力で、厚さ25~1000nm程度の窒化クロム薄膜が形成されるまで、スパッタリング操作を行う。尚、基板の温度は、100~200°Cの範囲に限定されないが、100°Cより低くなり過ぎると基板に吸着した水分の影響が出始め再現性、密着性等に悪影響を与える恐れがある。また、基板温度はその膜にとって最高経験温度となる。温度計として使用する場合、水分を蒸発させるために100°Cに使用装置全体を加熱する場合があるが、このとき最高経験温度を超えると温度計の特性が変化する可能性が有る。一方基板温度が200°Cを超えてさらに高くなり過ぎるとCrNが分解し易くなる。基板上にCrN薄膜が形成された後は、例えば、真空蒸着法により、CrN薄膜に電極を形成することで、本発明に係る温度計が得られる。電極材料としては、公知のものが使用でき、Ag、Cr、Au、Cu、Al、V、In、Pt、Rh、Ti等が例示される。以下に、本発明を用いた実施例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1反応性RFマグネトロンスパッタリング法により、基板上に窒化クロム薄膜を形成し、窒化クロム薄膜のX線回折法による結晶構造解析を行った。その結果を図2に示した。スパッタリングは、以下の条件で行った。基板:SiO210mm角、厚み03mm、基板温度:100°C、真空度:5×104Pa、ターゲット:金属Cr、スパッタガス:Ar、反応性ガス:窒素、ガス流量:30sccm、スパッタ圧:1Pa、N280、製膜電力投入高周波電力:600W1356MHz、窒化クロム薄膜厚さ:300nmX線回折は、CuKα線を用いた2θθ法で行った。比較例:特開2001-110606号公報の実施例1の追試以下の条件で基板上に窒化クロム薄膜を形成し、反応性DCマグネトロンスパッタリング法で、窒化クロム薄膜のX線回折法による結晶構造解析を行い、その結果を図3に示した。反応性DCマグネトロンスパッタリング法、基板:SiO203mm、基板温度:300°C、真空度:5×104Pa、ターゲット:金属Cr、スパッタガス:Ar、反応性ガス:窒素、ガス流量:6sccm、N250、製膜電力:200W、基板温度:300°C、窒化クロム薄膜厚さ:250nm図2及び3から、実施例1で作製した窒化クロム薄膜と比較例で作製した窒化クロム薄膜とでは、X線回折におけるピークの位置が異なっており、結晶構造が異なっていることが分かった。また、実施例1で作製した窒化クロム薄膜をEDXエネルギー分散形X線分光器でを測定したところ、薄膜中の窒素含有量は47~50原子測定誤差3程度であることが分かった。以上により、実施例1で作製した窒化クロムは、X線及びEDXの測定結果から、CrNsinglecrystalgrowthusingCrGaNaternarymeltMasatoAokiHisanoriYamaneMasahikoShimadaTakashiKajiwaraJournalofCrystalGrowth246133138に記載されたCrNと同一のものであり、反強磁性半導体のCrNであると同定される。実施例2実施例1で作製したCrN薄膜と同様のものに、電極Inを形成して温度計を作製し、温度を変えたときのCrN薄膜の抵抗値の変化を調べ、図4に示した。その結果、CrN薄膜は06Kから400Kの間で合理的な感度を有しており、本発明の温度計は、この温度領域において使用可能であることが分かった。実施例3実施例2で使用した温度計と同じものを用い、温度を変えたときの絶対感度の変化を調べ、図5に示した。尚、絶対感度Sとは、抵抗値をR、温度をTとしたときに、それぞれの変化分の比、S=で表されるものである。一般に絶対感度Sの絶対値が1付近となるものが温度計として使い易いと言われている。その結果、絶対温度Sの絶対値が1付近となる温度領域が広く、本実施例においても、本実施例の温度計は幅広い温度範囲で良好な感度を示すことが確認できた。実施例4実施例2で使用した温度計と同じものを用い、磁場を変化させたときの温度誤差の変化を調べ、図6に示した。その結果、磁場が大きくなっても温度誤差の変化は非常に小さく、磁気抵抗効果が小さいことが分かった。また、温度が変わっても測温誤差はほとんど変化せず、磁気抵抗効果による測温誤差の温度依存性も極めて小さいことが分かった。実施例5反応性RFマグネトロンスパッタリング法により、基板上に窒化クロム薄膜を形成し、窒化クロム薄膜のX線回折法による結晶構造解析を行った。その結果を図7に示した。スパッタリングは、以下の条件で行った。基板:高抵抗Siウエハー公称10kΩcm以上、実測20kΩcm、直径100mm、厚み500μm基板温度:スパッタ中に基板がプラズマで加熱されるため特にヒータ加熱していないが、~100°Cになっている。真空度:5×10-4Paターゲット:金属Cr純度99.99スパッタガス及び反応性ガス:N2ガスガス流量:40sccmスパッタ圧:1Pa製膜電力投入高周波電力:7W/cm2窒化クロム薄膜厚み:300nmX線回折は、CuKα線を用いた2θθ法で行った。図7から、実施例5で作製した窒化クロム薄膜はCrNであることが分かった。また、図7及び3から、実施例5で作製した窒化クロム薄膜と比較例で作製した窒化クロム薄膜とでは、結晶構造X線回折におけるピークの位置が異なっており、比較例で作製した窒化クロム薄膜はCr2Nであることが分かった。実施例6実施例5で作製した窒化クロム薄膜の磁性の測定を、超伝導量子干渉計SQUIDで行った。その結果、図8に示すように、窒化クロムは220K付近で反強磁性に相転移し始め、100K以下の低温域において反強磁性となっていることが確認できた。実施例7実施例5で作製した窒化クロム薄膜の上に一対の電極Nbを形成し、温度計を作製した。この温度計の温度抵抗特性、及び絶対感度の温度依存性について調べ、図9に示した。その結果、電極間距離を50μmとした窒化クロム薄膜の室温での電気抵抗は9Ω、絶対感度は絶対値で0.9であり、室温での温度分解能は3mK以下であることが分かった。また、4Kでは、電気抵抗は1100Ω、絶対感度は1.6であり、温度分解能は0.2mK以下であることが分かった。さらに、1Kでも絶対感度は2.5であり、外挿すると0.3K近傍まで使用可能であることが分かった。温度計は、電気抵抗値が1000Ω付近が測定し易いため、上記の温度計の場合は、図3より4K付近に高い測定感度を有する。また、温度計を測定機器に設置する場合、測定機器の性能に応じて、求められる微分感度が変わるため、例えば、読み出しできる抵抗値の桁数が少ない場合などでは、大きな微分感度dR/dTΩ/Kが必要となる。このため、温度計は、用途に応じて測定感度が高くなる温度域を設定することが好ましい。本実施例における温度計においては、窒化クロム薄膜の絶対温度が広い温度範囲に亘りほぼ1であるため、測温抵抗体の材料を変えることなく、電極間距離を設定するだけで、電気抵抗値を一番測定しやすい値に調整することができ、かつ特性の温度域に適した微分感度に設定することができる。電気抵抗値R=ρ0×電極間距離L/電極の幅W×窒化クロムの膜厚dであるため、本実施例の場合、50μm/800μm×300nm=2×105m-1であり、4K付近における測定感度が高くなっている。このため、この値を10倍にすれば、10K付近における測定感度が高くすることができ、100倍にすると300K付近における測定感度が高くすることができる。また、1/10とすれば、1K付近における測定感度を高くすることができる。実施例8実施例7で作製した温度計を用い、4K及び2Kで、9Tまで磁場を変化させたときの温度誤差の変化を調べ、図10に示した。その結果、いずれの温度においても、温度誤差の変化は6mK以下であった。尚、測定は、QuantumDesign社のPPMSPhysicalPropertiesMeasurementSystemで測定したが、温度制御精度が8mKであり、磁場により測温誤差と同程度であった。以上より、本発明における窒化クロムは磁気抵抗効果が非常に小さく、磁気抵抗効果による測温誤差の温度依存性も極めて小さいことが分かった。以上により、本実施例の温度計は、磁場に感応し難く、0.3~400Kの幅広い温度領域を測定できることが分かった。"