"入射光を受光して光電変換する光電変換部を有する複数の第1の画素と、平面視において分割線により分割される一方側の領域及び他方側の領域にそれぞれ存し互いに独立して信号が読み出される第1の光電変換部及び第2の光電変換部を有し、前記第1の光電変換部は入射光を受光して光電変換する一方で、前記第2の光電変換部は遮光された複数の第2の画素と、を備えたことを特徴とする固体撮像素子。前記複数の第2の画素のうち隣接する一対の画素の前記第2の光電変換部同士が互いに電気的に接続されたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。前記互いに電気的に接続された前記第2の光電変換部の平面視における面積の合計が、前記第1の画素の前記光電変換部の平面視における面積と同一であることを特徴とする請求項2記載の固体撮像素子。請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像素子と、被写体像を前記固体撮像素子に結像させる光学系と、前記第1の光電変換部からの信号に基づいて、前記光学系の焦点調節状態を示す検出信号を出力する検出処理部と、前記検出処理部からの前記検出信号に基づいて前記光学系の焦点調節を行う調節部と、前記第2の光電変換部からの信号に基づいて、前記第1の画素の前記光電変換部からの信号を、その暗電流成分が低減するように補正する補正処理部と、を備えたことを特徴とする撮像装置。前記複数の第1の画素及び前記複数の第2の画素が2次元状に配置された領域を構成する複数の区画にそれぞれ、前記複数の第1の画素のうちの1つ以上の画素及び前記第2の画素のうちの1つ以上の画素が配置され、前記補正処理部は、前記区画毎に、当該区画内の前記第2の画素の前記第2の光電変換部からの信号に基づいて、当該区画内の前記第1の画素の前記光電変換部からの信号を、その暗電流成分が低減するように補正する、ことを特徴とする請求項4記載の撮像装置。前記補正処理部は、遮光状態にされたときに得られた前記第1の前記光電変換部からの信号と前記第2の画素の前記第2の光電変換部からの信号との比に基づいて、前記補正を行うことを特徴とする請求項4又は5記載の撮像装置。下記特許文献1に開示された固体撮像素子おいても、有効画素領域に対する上下や左右に前記遮光画素OB画素を設け、有効画素からの信号から遮光画素からの信号を差し引くことで、その暗電流成分が低減するように補正することが、考えられる。しかしながら、この場合、有効画素領域の各箇所の画素において暗電流にばらつき以下、暗電流ムラと呼ぶ。が存する場合、有効画素領域に対する上下や左右に配置された遮光画素からの信号を、有効画素からの信号に含まれた暗電流成分であると見なしているので、遮光画素からの信号が、有効画素からの信号に含まれた暗電流成分を示す精度が低下してしてしまう。このため、前記遮光画素からの信号に基づいて暗電流成分を低減させる補正を行っても、暗電流成分を必ずしも十分に低減させることができない。本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、焦点検出用信号を得るための画素を活用しつつ、暗電流成分をより低減させることができる補正を行うことができる固体撮像素子、及び、これを用いた撮像装置を提供することを目的とする。前記課題を解決するための手段として、以下の各態様を提示する。第1の態様による固体撮像素子は、入射光を受光して光電変換する光電変換部を有する複数の第1の画素と、平面視において分割線により分割される一方側の領域及び他方側の領域にそれぞれ存し互いに独立して信号が読み出される第1の光電変換部及び第2の光電変換部を有し、前記第1の光電変換部は入射光を受光して光電変換する一方で、前記第2の光電変換部は遮光された複数の第2の画素と、を備えたものである。第2の態様による固体撮像素子は、前記第1の態様において、前記複数の第2の画素のうち隣接する一対の画素の前記第2の光電変換部同士が互いに電気的に接続されたものである。第3の態様による固体撮像素子は、前記第2の態様において、前記互いに電気的に接続された前記第2の光電変換部の平面視における面積の合計が、前記第1の画素の前記光電変換部の平面視における面積と同一であるものである。第4の態様による撮像装置は、前記第1乃至第3のいずれかの態様による固体撮像素子と、被写体像を前記固体撮像素子に結像させる光学系と、前記第1の光電変換部からの信号に基づいて、前記光学系の焦点調節状態を示す検出信号を出力する検出処理部と、前記検出処理部からの前記検出信号に基づいて前記光学系の焦点調節を行う調節部と、前記第2の光電変換部からの信号に基づいて、前記第1の画素の前記光電変換部からの信号を、その暗電流成分が低減するように補正する補正処理部と、を備えたものである。第5の態様による撮像装置は、前記第4の態様において、前記複数の第1の画素及び前記複数の第2の画素が2次元状に配置された領域を構成する複数の区画にそれぞれ、前記複数の第1の画素のうちの1つ以上の画素及び前記第2の画素のうちの1つ以上の画素が配置され、前記補正処理部は、前記区画毎に、当該区画内の前記第2の画素の前記第2の光電変換部からの信号に基づいて、当該区画内の前記第1の画素の前記光電変換部からの信号を、その暗電流成分が低減するように補正するものである。第6の態様による撮像装置は、前記第4又は第5の態様において、前記補正処理部は、遮光状態にされたときに得られた前記第1の画素の前記光電変換部からの信号と前記第2の画素の前記第2の光電変換部からの信号との比に基づいて、前記補正を行うものである。本発明によれば、焦点検出用信号を得るための画素を活用しつつ、暗電流成分をより低減させることができる補正を行うことができる固体撮像素子、及び、これを用いた撮像装置を提供することができる。以下、本発明による固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置について、図面を参照して説明する。[第1の実施の形態]図1は、本発明の第1の実施の形態による撮像装置としての電子カメラ1を示す概略ブロック図である。電子カメラ1には、被写体像を結像する光学系としての撮影レンズ2が装着される。この撮影レンズ2は、レンズ制御部2aによってフォーカスや絞りが駆動される。この撮影レンズ2の像空間には、固体撮像素子3の撮像面が配置される。固体撮像素子3は、撮像制御部4の指令によって駆動され、信号を出力する。固体撮像素子3から出力される信号は、被写体像を示す画像信号を形成するための撮像用信号、撮影レンズ2の焦点調節状態を検出するための焦点検出用信号、及び、暗電流成分を検出する暗電流成分検出信号のいずれかである。本実施の形態では、いずれにおいても信号は、信号処理部5、及びA/D変換部6を介して処理された後、メモリ7に一旦蓄積される。メモリ7は、バス8に接続される。バス8には、レンズ制御部2a、撮像制御部4、マイクロプロセッサ9、焦点演算部検出処理部10、記録部11、画像圧縮部12及び画像処理部13なども接続される。本実施の形態では、画像処理部13は、後述する補正処理部13aとしての機能も担う。上記マイクロプロセッサ9には、レリーズ釦などの操作部9aが接続される。また、上記の記録部11には記録媒体11aが着脱自在に装着される。なお、例えば、撮像制御部4、信号処理部5及びA/D変換部6は、固体撮像素子3と同一のチップに搭載してもよい。図2は、図1中の固体撮像素子3の概略構成を示す回路図である。固体撮像素子3は、2次元マトリクス状に配置された複数の画素20と、画素20から信号を出力するための周辺回路とを有している。画素20がマトリクス状に配置されている有効画素領域撮像領域を符号31で示している。図2において、画素数は、横に4行縦に4行の16個の画素を示している。しかし、本実施の形態では、画素数はそれよりもはるかに多くなっている。もっとも、本発明では、画素数は特に限定されるものではない。本実施の形態では、固体撮像素子3は、画素として後述する3種類の画素20A,20L,20Rを有しているが、図2ではそれらのいずれであるかを区別することなく、符号20で示している。これらの画素20は、周辺回路の駆動信号に従って撮像用信号、焦点検出用信号、及び、暗電流成分検出信号のいずれかを出力する。また、すべての画素20は、同時に光電変換部がリセットされて露光の時間とタイミングが同一にされることも、1行ずつ読み出す所謂ローリングシャッタも可能となっている。周辺回路は、垂直走査回路21、水平走査回路22、これらと接続されている駆動信号線23,24、画素20からの信号を受け取る垂直信号線25、垂直信号線25と接続される定電流源26及び相関二重サンプリング回路CDS回路27、CDS回路27から出力される信号を受け取る水平信号線28、出力アンプ29等からなる。垂直走査回路21及び水平走査回路22は、電子カメラ1の撮像制御部4からの指令に基づいて駆動信号を出力する。各画素20は、垂直走査回路21から出力される駆動信号を所定の駆動信号線23から受け取って駆動され、撮像用信号、焦点検出用信号又は暗電流成分検出信号を垂直信号線25に出力する。垂直走査回路21から出力される駆動信号は複数あり、それに伴い駆動配線23も複数ある。これらについては後述する。画素20から出力された信号は、CDS回路27にて所定のノイズ除去が施される。そして、水平走査回路22の駆動信号により水平信号線28及び出力アンプ29を介して外部に信号が出力される。図3は、図1中の固体撮像素子3特にその有効画素領域31を模式的に示す概略平面図である。本実施の形態では、図3に示すように、固体撮像素子3の有効画素領域31には、X軸方向に直線状に延びた4つの焦点検出領域32~35が上下に並列するように設けられている。なお、図3に示すように、互いに直交するX軸、Y軸及びZ軸を定義する。また、X軸方向のうち矢印の向きをX方向又はX側、その反対の向きを-X方向又は-X側と呼び、Y軸方向についても同様とする。XY平面と平行な平面が固体撮像素子3の撮像面受光面と一致している。X軸方向の並びを行、Y軸方向の並びを列とする。なお、入射光は図3の紙面手前側から奥側に入射する。これらの点は、後述する図についても同様である。図4は、図3における焦点検出領域32の付近を拡大した概略拡大図である。前述したように、固体撮像素子3は、画素20として、3種類の画素20A,20L,20Rを有している。図4において、遮光されていないフォトダイオード41,45,46を白抜きの四角形で示し、遮光されている光電変換部45,46をハッチングを付した四角形で示している。この点は、後述する図5a、図6a及び図7aについても同様である。画素20Aは、撮影レンズ2によって結像される被写体像を示す画像信号を形成するための撮像用信号を出力する撮像用画素第1の画素である。図5aは撮像用画素20Aの主要部を模式的に示す概略平面図、図5bは図5a中のX1-X2線に沿った概略断面図である。撮像用画素20Aは、光電変換部としてのフォトダイオード41と、フォトダイオード41上にオンチップで形成されたマイクロレンズ42と、フォトダイオード41の光入射側に設けられたR赤色,G緑色,B青色のいずれかのカラーフィルタ60とを備えている。図面には示していないが、カラーフィルタ60の色は、ベイヤー配列等に従って設定されている。図5に示すように、マイクロレンズ42の略焦点面には、遮光部としての金属層等の遮光層43が形成されている。遮光層43は、必要に応じて配線層を兼ねる。遮光層43には、撮像用画素20Aにおいて、当該撮像用画素20Aのマイクロレンズ42の光軸Oに対して同心の正方形の開口43aが形成されている。画素20Aのフォトダイオード41は、開口43aを通過した光を全て有効に受光し得る大きさを有している。なお、遮光層43とマイクロレンズ42との間や、基板44と遮光層43との間には、層間絶縁膜等が形成されている。本実施の形態では、撮像用画素20Aにおいて、マイクロレンズ42の略焦点面に配置された遮光層43に前記開口43aが形成されていることによって、画素20Aのフォトダイオード41は、撮影レンズ2の射出瞳の中心から実質的に偏心していない前記射出瞳の領域開口43aのマイクロレンズ42による投影像に相当からの光束を受光して光電変換することになる。画素20L,20Rは、撮影レンズ2の焦点調節状態を検出するための焦点検出用信号、及び、暗電流成分を検出する暗電流成分検出信号を出力する焦点検出用画素第2の画素。以下、AF用画素という。である。図6aはAF用画素20Lの主要部を模式的に示す概略平面図、図6bは図6a中のX3-X4線に沿った概略断面図である。図7aはAF用画素20Rの主要部を模式的に示す概略平面図、図7bは図7a中のX5-X6線に沿った概略断面図である。図6及び図7において、図5中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。AF用画素20Lは、1つの光電変換部としての1つのフォトダイオード41に代えて、それを2つに分割したような2つの光電変換部としての2つのフォトダイオード45,46を有している。2つのフォトダイオード45,46は、基板44の法線方向Z軸方向から見た平面視においてY軸方向の分割線Y3-Y4により分割される-X側の領域及びX側の領域に、それぞれ配置されている。マイクロレンズ42は、その光軸Oが分割線Y3-Y4とフォトダイオード45,46のY軸方向の中心線との交点を通るように、配置されている。そして、AF用画素20Lにおいて、遮光層43には、当該AF用画素20Lのマイクロレンズ42の光軸Oに対して同心の正方形開口43aと同じ大きさの正方形のちょうど左側-X側半分の大きさの長方形の開口43bが形成されている。このため、マイクロレンズ42から導かれる入射光は瞳分割され、その一方の光束のみがフォトダイオード45に入射され、他方の光束は遮光層43により遮光されてフォトダイオード46に入射されない。すなわち、画素20Lでは、フォトダイオード45は、撮影レンズ2の射出瞳の中心からX側へ偏心した前記射出瞳の領域からの光束を選択的に有効に受光し、フォトダイオード46は、遮光層43により遮光されて受光しない。なお、例えば、有効画素領域の中心部の画素では、マイクロレンズ42をその光軸Oが前記交点を通るように配置する一方、有効画素領域の周辺部の画素では、マイクロレンズ42をその光軸Oが前記交点からずれた位置を通るように配置してもよい。また、AF用画素20Lには、カラーフィルタ60は設けられていない。AF用画素20Lに対する入射光量を増大させ焦点検出精度を高めるためには、画素20Lにはカラーフィルタ60を設けないことが好ましいが、本発明では必ずしもこれに限定されるものではない。AF用画素20RがAF用画素20Lと異なる所は、AF用画素20Rでは、AF用画素20Lのマイクロレンズ42の光軸Oに対して同心の正方形開口43aと同じ大きさの正方形のちょうど左側-X側半分の大きさの長方形の開口43bが形成されているのに対し、AF用画素20Rでは、AF用画素20Lのマイクロレンズ42の光軸Oに対して同心の正方形開口43aと同じ大きさの正方形のちょうど右側X側半分の大きさの長方形の開口43cが形成されている点のみである。したがって、AF用画素20Rでは、フォトダイオード46は、撮影レンズ2の射出瞳の中心から-X側へ偏心した前記射出瞳の領域からの光束を選択的に有効に受光し、フォトダイオード45は、遮光層43により遮光されて受光しない。本実施の形態では、図4に示すように、焦点検出領域32において、AF用画素20L,20RがX軸方向に交互に配置されている。焦点検出領域33~35についても、焦点検出領域32と同様である。有効画素領域31における焦点検出領域32~35以外の領域には、撮像用画素20Aが配置されている。そして、図3に示すように、有効画素領域31は、4×4個の区画1~16から構成され、各区画1~16内には、焦点検出領域32~35のいずれかが配置されている。したがって、区画1~16にそれぞれ、1つ以上2つ以上でもよい。の撮像用画素20A及び1つ以上2つ以上でもよい。のAF用画素20L,20Rが配置されている。なお、本発明では、有効画素領域31を2つ以上の任意の数の区画に分けてもよいし、各区画の形状も必ずしも長方形状に限定されるものではない。また、焦点検出領域32~35の本数や配置は、前述した例に限定されるものではないし、AF用画素20L,20Rの配置も、必ずしも一直線状の交互配置に限定されるものではない。図8は、図1中の固体撮像素子3の撮像用画素20Aを示す回路図である。各撮像用画素20Aは、入射光に応じた電荷を生成し蓄積する光電変換部としてのフォトダイオード41と、前記電荷を受け取って前記電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部としてのフローティング容量部47と、フォトダイオード41からフローティング容量部47へ電荷を転送する転送トランジスタ48と、フローティング容量部47の電圧に応じた信号を出力する増幅部としての画素アンプ49と、フローティング容量部47の電圧をリセットするリセット部としてのリセットトランジスタ50と、当該画素20Aを選択するための選択部としての選択トランジスタ51とを有している。なお、図8において、VDDは電源であり、235は電源VDDに接続するための電源配線である。図9は、図1中の固体撮像素子3のAF用画素20L,20Rを示す回路図である。これらの画素20L,20Rは同一の回路構成を有している。図9において、図8中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。AF用画素20L,20Rが撮像用画素20Aと回路構成上異なる所は、1つの光電変換部としての1つのフォトダイオード41に代えて、それを2つに分割したような2つの光電変換部としての2つのフォトダイオード45,46を有する点と、これに伴い、1つの転送トランジスタ48に代えて、互いに独立して作動し得る2つの転送トランジスタ52,53を有する点のみである。転送トランジスタ52はフォトダイオード45からフローティング容量部47へ電荷を転送し、転送トランジスタ53はフォトダイオード46からフローティング容量部47へ電荷を転送する。これにより、フォトダイオード45,46の信号は、互いに独立して読み出される。撮像用画素20Aの転送トランジスタ48及びAF用画素20L,20Rの一方の転送トランジスタ52のゲート電極は、画素行ごとに共通に接続されて、垂直走査回路21から駆動配線23のうちの配線231を介して駆動信号φTGAが供給される。AF用画素20L,20Rの他方の転送トランジスタ53のゲート電極は、画素行毎に共通に接続されて、垂直走査回路21から駆動配線23のうちの配線232を介して駆動信号φTGBが供給される。画素20A,20L,20Rの選択トランジスタ51のゲート電極は、画素行毎に共通に接続されて、垂直走査回路21から駆動配線23のうちの配線233を介して駆動信号φSが供給される。画素20A,20L,20Rのリセットトランジスタ50のゲート電極は、画素行毎に共通に接続されて、垂直走査回路21から駆動配線23のうちの配線234を介して駆動信号φRが供給される。図10は、固体撮像素子3の動作例を示すタイミングチャートである。この動作例では、撮像用画素20Aのフォトダイオード41からの信号撮像用信号、AF用画素20Lの遮光されていないフォトダイオード45からの信号焦点検出用信号、AF用画素20Rの遮光されていないフォトダイオード46からの信号焦点検出用信号、AF用画素20Lの遮光されたフォトダイオード46からの信号暗電流成分検出信号、及び、AF用画素20Rの遮光されたフォトダイオード45からの信号暗電流成分検出信号を全て読み出す。なお、各画素に含まれるトランジスタはNMOSトランジスタであり、ハイレベルハイの駆動信号を受けてオン状態とされる。まず、期間T1において、全行のφTGA,φTGBがハイにされ、全画素20A,20L,20Rの転送トランジスタ48,52,53がオンにされる。このとき、全行のφRがハイにされて全画素20A,20L,20Rのリセットトランジスタ50がオンにされているので、期間T1において、全画素20A,20L,20Rのフォトダイオード41,45,46及びフローティング容量部47がリセットされる。全行のφTGA,φTGBは、期間T1後にローにされ、全画素20A,20L,20Rの転送トランジスタ48,52,53がオフにされる。期間T1の後の期間T2において、メカニカルシャッタ図示せずが開かれる。この期間T2が露光期間となる。次いで、期間T3において、1行目のφSがハイにされる。これにより、1行目の選択トランジスタ51がオンにされ、1行目の行選択が開始され、1行目の画素アンプ49によるソースフォロワ読み出しが開始される。期間T3の開始時点から所定期間経過した後に期間T11が開始される。期間T11では、1行目のφRがローにされて1行目のリセットトランジスタ50がオフにされ、1行目のフローティング容量部47のリセットが終了される。期間T11の開始時点から期間T14の開始時点までの間に、1行目のダークレベルフローティング容量部47のリセット状態に対応して1行目の画素アンプ49から出力される信号が、画素アンプ49から垂直信号線25を介してCDS回路27にクランプ保存される。このダークレベルは、次回に読み出しされる信号が1行目のφTGAに応答してフォトダイオード41,45図10では、PDAと表記から転送されて来る信号電荷によるものであるため、フォトダイオード41,45PDAに関するダークレベルとして用いられる。期間T14において、1行目のφTGAがハイにされて1行目の転送トランジスタ48,52がオンにされる。これにより、1行目の撮像用画素20Aのフォトダイオード41に蓄積されていた信号電荷及び1行目のAF用画素20L,20Rの一方のフォトダイオード45に蓄積されていた信号電荷が、当該画素のフローティング容量部47に転送される。そして、期間T14の終了時に、1行目のφTGAがローにされて1行目の転送トランジスタ48,52がオフにされる。期間T14の終了時点から期間T11の終了時点期間T12の開始時点までの間に、1行目のフローティング容量部47に転送された電荷による電位変動が画素アンプ49から垂直信号線25を介してCDS回路27にクランプされる。すなわち、フォトダイオード41,45PDAの信号読出しが行われる。そして、CDS回路27によって、フォトダイオード41,45PDAに関するこの信号と、フォトダイオード41,45PDAに関する先のダークレベルとの差分信号が取得される。この差分信号のうち撮像用画素20Aのフォトダイオード41に関する信号が、撮像用信号である。前記差分信号のうちAF用画素20Lのフォトダイオード45すなわち、遮光されていないフォトダイオード45に関する信号が、焦点検出用信号である。前記差分信号のうちAF用画素20Rのフォトダイオード45すなわち、遮光されたフォトダイオード45に関する信号が、暗電流成分検出信号である。期間T12において、1行目のφRがハイにされて1行目のリセットトランジスタ50がオンにされ、1行目のフローティング容量部47がリセットされる。期間T12の終了時点から期間T13が開始される。期間T13では、1行目のφRがローにされて1行目のリセットトランジスタ50がオフにされ、フローティング容量部47のリセットが終了される。期間T13の開始時点期間T12の終了時点から期間T15の開始時点までの間に、1行目のダークレベルフローティング容量部47のリセット状態に対応して1行目の画素アンプ49から出力される信号が、画素アンプ49から垂直信号線25を介してCDS回路27にクランプ保存される。このダークレベルは、次回に読み出しされる信号が1行目のφTGBに応答してフォトダイオード46図10では、PDBと表記から転送されて来る信号電荷によるものであるため、フォトダイオード46PDBに関するダークレベルとして用いられる。期間T15において、1行目のφTGBがハイにされて1行目の転送トランジスタ53がオンにされる。これにより、1行目のAF用画素20L,20Rの他方のフォトダイオード46に蓄積されていた信号電荷が、当該画素のフローティング容量部47に転送される。そして、期間T15の終了時に、1行目のφTGBがローにされて1行目の転送トランジスタ53がオフにされる。期間T15の終了時点から期間T13の終了時点期間T3の終了時点までの間に、1行目のフローティング容量部47に転送された電荷による電位変動が画素アンプ49から垂直信号線25を介してCDS回路27にクランプされる。すなわち、フォトダイオード46PDBの信号読出しが行われる。そして、CDS回路27によって、フォトダイオード46PDBに関するこの信号と、フォトダイオード46PDBに関する先のダークレベルとの差分信号が取得される。この差分信号のうちAF用画素20Rのフォトダイオード46すなわち、遮光されていないフォトダイオード46に関する信号が、焦点検出用信号である。前記差分信号のうちAF用画素20Lのフォトダイオード46すなわち、遮光されたフォトダイオード46に関する信号が、暗電流成分検出信号である。その後、期間T3の終了時点期間T13の終了時点において、1行目のφRがハイにされて1行目のリセットトランジスタ50がオンにされ、1行目のフローティング容量部47のリセットが開始されるとともに、1行目のφSがローにされて1行目の選択トランジスタ51がオフにされ、1行目の行選択が終了される。次に、水平帰線期間を経て次の2行目の選択動作の期間T4へと移行する。2行目以降も1行目と同様な動作が繰り返されるので、ここではその説明は省略する。このようにして、すべての行から信号が読み出されると、読み出し動作を終了する。以上説明した図10に示す動作例では、前述したように、撮像用信号、焦点検出用信号及び暗電流成分検出信号のすべてが読み出される。しかしながら、焦点検出モード時には焦点検出用信号のみが読み出せれば良く、撮像モード時には撮像用信号及び暗電流成分検出信号のみが読み出せれば良い。したがって、それぞれモードにおいて、無用な信号読み出しを極力避けて高速化を図るべく、前述した図10に示す動作例を適宜変形してもよい。ここで、本実施の形態による電子カメラ1の動作の一例について、説明する。操作部9aのレリーズ釦の半押し操作が行われると、電子カメラ1内のマイクロプロセッサ9は、その半押し操作に同期して撮像制御部4を駆動する。撮像制御部4は、被写体の確認を行うために予め定めた公知の手法により、撮像用画素20Aのうちの全画素又は所定画素から被写体確認用の撮像信号を読み出し、メモリ7に蓄積する。このとき、全画素を読み出す場合は、例えば、前記図10に示す動作と同様の動作を行う。そして、画像処理部13は、その信号から、画像認識技術を利用して被写体を認識する。例えば、顔認識モードの場合、被写体として顔を認識する。このとき、画像処理部13は、被写体の位置及び形状を得る。その後、マイクロプロセッサ9は、先に得られた被写体の位置及び形状に従って、焦点検出領域32~35のうちから、被写体に対する焦点調節状態を精度良く検出するのに最適な、焦点検出に用いるべき、オートフォーカス用ラインセンサに相当する焦点検出領域を設定する。また、マイクロプロセッサ9は、前記認識結果等に基づいて、焦点検出用の撮影条件絞り、焦点調節状態、シャッタ時間等を設定する。引き続いて、マイクロプロセッサ9は、先に設定した絞り等の条件となるようにレンズ制御部2aを作動させ、先に設定したシャッタ時間等の条件でかつ先に設定した焦点検出領域のAF用画素20L,20Rの画素列の座標に従って、撮像制御部4を駆動することで、焦点検出用信号を読み出し、メモリ7に蓄積する。このとき、焦点検出モード時の動作例えば、前述した図10に示す動作と同様の動作又はこれを変形した動作によって、焦点検出用信号を読み出す。次に、マイクロプロセッサ9は、先に取得されメモリ7に格納された全画素の信号のうちから、先に設定した焦点検出領域のAF用画素20L,20Rからの焦点検出用信号をピックアップし、それらの信号に基づいて瞳分割位相差方式に従った演算焦点調節状態の検出処理を焦点検出演算部10に行わせることで、焦点検出演算部10にデフォーカス量を算出させる。次いで、マイクロプロセッサ9は、先に算出されたデフォーカス量に応じて合焦状態となるように、レンズ制御部2aに撮影レンズ2を調節させる。このように、レンズ制御部2aは、撮影レンズ2の焦点調節を行う調節部としての機能を担う。引き続いて、マイクロプロセッサ9は、本撮影のための撮影条件絞り、シャッタ時間等を設定する。次に、マイクロプロセッサ9は、本撮影のために設定した絞り等の条件となるようにレンズ制御部2aを作動させ、操作部9aのレリーズ釦の全押し操作に同期して、本撮影のために設定したシャッタ時間等の条件で撮像制御部4を駆動することで、画像信号を読み出して本撮影を行う。このとき、撮像モード時の動作例えば、前述した図10に示す動作と同様の動作又はこれを変形した動作によって、撮像用信号及び暗電流成分検出信号を読み出す。撮像制御部4によって、この撮像用信号及び暗電流成分検出信号は、メモリ7に蓄積される。次いで、マイクロプロセッサ9は、前記暗電流成分検出信号に基づいて前記撮像用信号を、その暗電流成分が低減するように補正する補正処理部13aとしての機能を、画像処理部13に行わせ、この補正後の信号を画像信号としてメモリ7に蓄積させる。本実施の形態では、このとき、補正処理部13aは、前記区画1~16毎に、当該区画内のAF用画素20L,20Rからの暗電流成分検出信号に基づいて、当該区画内の撮像用画素20Aからの撮像用信号を、その暗電流成分が低減するように補正する。より具体的には、例えば、補正処理部13aは、区画1内のAF用画素20L,20Rからの暗電流成分検出信号の平均値を算出し、前記平均値に所定係数を乗算してなる補正値を算出し、区画1内の撮像用画素20Aからの各撮像用信号から前記補正値を減算し、この減算後の撮像用信号を補正後の撮像用信号とし、区画2~16についても区画1と同様の処理を行う。本実施の形態では、先の説明からわかるように、AF用画素20L,20Rの遮光されたフォトダイオード45,46の面積Z軸方向から見た平面視における面積aは、撮像用画素20Aのフォトダイオード41の面積Z軸方向から見た平面視における面積bよりも小さい。したがって、暗電流成分検出信号が示す暗電流成分は、撮像用画素20Aの撮像用信号に含まれる暗電流成分を、両者の面積比に比例して小さくしたものに、相当することになる。これを是正するため、前記所定係数を用いている。前記所定係数として、両者の面積比a/bを用いてもよいが、実際に遮光状態にされたときに得られた撮像用信号cと暗電流成分検出信号dとの比c/dを用いることが好ましい。後者の場合、実際に遮光状態にされたときに得られた撮像用信号の平均値と暗電流成分検出信号の平均値との比を用いることが好ましい。この場合、前記所定係数を、区画1~16毎に求めてもよい。なお、補正処理部13aによる補正処理は、前述したような区画1~16毎の処理に限らない。例えば、全てのAF用画素20L,20Rからの暗電流成分検出信号の平均値を算出し、前記平均値に所定係数を乗算してなる補正値を算出し、全ての撮像用画素20Aからの撮像用信号について、各撮像用信号から前記補正値を減算し、この減算後の撮像用信号を補正後の撮像用信号としてもよい。補正処理部13aによる補正処理後、マイクロプロセッサ9は、操作部9aの指令に基づき、必要に応じて画像処理部13や画像圧縮部12にて所望の処理を行い、記録部11に処理後の信号を出力させ記録媒体11aに記録する。先の説明からわかるように、本実施の形態では、有効画素領域31内に分布しているAF用画素20L,20Rが、遮光されていないフォトダイオードフォトダイオード45,46の一方の他に、遮光されているフォトダイオードフォトダイオード45,46の他方を有し、遮光画素OB画素としての機能も併有している。すなわち、本実施の形態によれば、有効画素領域31内に分布しているAF用画素20L,20Rは、焦点検出用信号の他に、暗電流成分検出信号を出力する。したがって、暗電流ムラが存するとき、有効画素領域31に対する上下や左右に遮光画素OB画素を設ける場合における前記OB画素からの信号が、有効画素からの信号に含まれた暗電流成分を示す精度に比べて、本実施の形態において有効画素領域31内に分布しているAF用画素20L,20Rから得られる暗電流成分検出信号が、有効画素撮像用画素20Aからの信号に含まれた暗電流成分を示す精度の方が、高くなる。このため、本実施の形態によれば、有効画素領域31に対する上下や左右に遮光画素OB画素を設ける場合に比べて、暗電流成分をより低減させることができる補正を行うことができる。そして、本実施の形態では、補正処理部13aによる補正処理として前述したような区画1~16毎の処理が行われるので、単に暗電流成分をより低減することができるというだけではなく、全てのAF用画素20L,20Rからの暗電流成分検出信号の平均値を用いた前述の補正処理を行う場合に比べて、暗電流ムラを低減することができる。もっとも、本発明では、前述したように、全てのAF用画素20L,20Rからの暗電流成分検出信号の平均値を用いた前述の補正処理を行ってもよく、この場合であっても、暗電流成分をより低減することができるという利点は得られる。また、本実施の形態によれば、AF用画素20L,20RがOB画素としての機能を併有しているので、AF用画素20L,20Rとは別にOB画素を設ける必要がなくなり、AF用画素20L,20Rを有効に活用することができる。[第2の実施の形態]図11は、本発明の第2の実施の形態による電子カメラで用いられている固体撮像素子の一部拡大概略平面図であり、図4に対応している。図12は、図11中の隣接する一対のAF用画素20L,20Rを示す回路図であり、図9に対応している。図11及び図12において、図4及び図9中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。なお、図11では、理解を容易にするため、配線層70による電気的な接続関係を模式的に記載している。本実施の形態が前記第1の実施の形態と異なる所は、隣接する各一対のAF用画素20L,20Rにおいて、AF用画素20Lの遮光されているフォトダイオード46とAF用画素20Rの遮光されているフォトダイオード45とが、配線層70により互いに電気的に接続され、これらのフォトダイオード46,45の面積Z軸方向から見た平面視における面積の合計が、撮像用画素20Aのフォトダイオード41の面積Z軸方向から見た平面視における面積と同一にされている。本実施の形態では、隣接する一対のAF用画素20L,20Rのフォトダイオード46,45の信号の合計が、暗電流成分検出信号として読み出される。したがって、補正処理部13aで用いる前記所定係数を1にすることができる。もっとも、本実施の形態においても、前記所定係数として、実際に遮光状態にされたときに得られた撮像用信号cと暗電流成分検出信号dとの比c/dを用いてもよい。本実施の形態によっても、前記第1の実施の形態と同様の利点が得られる。なお、隣接する各一対のAF用画素20L,20Rにおいて、フォトダイオード46,45間を配線層70により電気的に接続する代わりに、フォトダイオード46,45を一体に連続して形成することで、両者を電気的に接続してもよい。以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。例えば、前記各実施の形態において、有効画素領域31内において、X軸方向に延びた焦点検出領域の他に、Y軸方向に延びた焦点検出領域を追加してもよいし、X軸方向に延びた焦点検出領域を設けずに、Y軸方向に延びた焦点検出領域を設けてもよい。これらの場合には、例えば、Y軸方向に延びた焦点検出領域において、AF用画素20LをZ軸回りに90 ゚右回転させたAF用画素と、AF用画素20RをZ軸回りに90 ゚右回転させたAF用画素とを、Y軸方向に交互に配置すればよい。また、本発明では、白黒用として構成してもよく、その場合には撮像用画素20Aにカラーフィルタを設けなくてよい。また、カラー用として構成する場合であっても、前述したようなベイヤー配列に限定されるものではない。"