一方の基板上に表示電極を形成する工程と、誘電体層を形成する工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記誘電体層を形成する工程は、誘電体ペーストを塗布するステップと、前記塗布するステップ後の誘電体ペーストを焼成するステップとを有し、前記誘電体ペーストに含まれる誘電体ガラス成分の軟化点と屈伏点の温度差が50°C以上あり、前記焼成するステップの焼成温度が前記軟化点よりも5°C以上高いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。近年、PDPは従来のNTSC方式に比べて走査線数が2倍以上のハイディフィニションテレビへの適用が進んでいる。このようなハイビジョン化によって、走査線数が増加して表示電極の数が増加し消費電力が大きくなる。低消費電力化の1つの手法として、誘電体層を構成する誘電体ガラスの誘電率を小さくすることで無効電力を低減することがある。本発明は、誘電率を低下させた誘電体層によって、無効電力を低減し、消費電力の低いPDPを実現するものである。上記目的に対して、本発明は、一方の基板上に表示電極を形成する工程と、誘電体層を形成する工程とを有するPDPの製造方法であって、前記誘電体層を形成する工程は、誘電体ペーストを塗布するステップと、前記塗布するステップ後の誘電体ペーストを焼成するステップとを有し、前記誘電体ペーストに含まれる誘電体ガラス成分の軟化点と屈伏点の温度差が50°C以上あり、前記焼成するステップの焼成温度が前記軟化点よりも5°C以上高いことを特徴とする。上記の構成によれば、誘電率を低下させた誘電体層によって、無効電力を低減し、消費電力の低いPDPを実現できる。実施の形態[1.PDP1の構成]本実施の形態のPDP1は、交流面放電型PDPである。図1に示すように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背面板10とが対向して配置される。前面板2と背面板10の外周部がガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、NeおよびXeなどの放電ガスが55kPa~80kPaの圧力で封入される。前面ガラス基板3上には、走査電極4および維持電極5よりなる一対の帯状の表示電極6とブラックストライプ遮光層7が互いに平行にそれぞれ複数列配置される。前面ガラス基板3上には、表示電極6と遮光層7とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層8が形成される。さらに、誘電体層8の表面に酸化マグネシウムMgOなどからなる保護層9が形成される。また、背面ガラス基板11上には、前面板2の表示電極6と直交する方向に、複数の帯状のアドレス電極12が互いに平行に配置される。さらに、アドレス電極12を覆うように下地誘電体層13が形成される。さらに、アドレス電極12の間に形成された下地誘電体層13上には放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14が形成される。隔壁14の間には、紫外線によって赤色に発光する蛍光体層15と、青色に発光する蛍光体層15および緑色に発光する蛍光体層15が順番に形成される。表示電極6とアドレス電極12とが交差する位置に放電セルが形成される。赤色に発光する蛍光体層15を有する放電セルと、青色に発光する蛍光体層15を有する放電セルと、緑色に発光する蛍光体層15を有する放電セルとによりカラー表示をする画素が形成される。[2.PDP1の製造方法][2-1.前面板2の製造方法]図2に示すように、前面ガラス基板3上に、走査電極4および維持電極5と遮光層7とが形成される。表示電極6は、走査電極4および維持電極5を有する。走査電極4および維持電極5は、導電性を確保するための銀Agを含む白色電極4b、5bを有する。また、走査電極4および維持電極5は、画像表示面のコントラストを向上するため黒色顔料を含む黒色電極4a、5aを有する。白色電極4bは、黒色電極4aに積層される。白色電極5bは、黒色電極5aに積層される。具体的には、黒色顔料を含む黒色ペーストが、スクリーン印刷法などによって前面ガラス基板3に塗布されることにより、黒色ペースト層図示せずが形成される。次に、黒色ペースト層図示せずが、フォトリソグラフィ法によりパターニングされる。次に、銀Agを含む白色ペーストが、スクリーン印刷法などによって、黒色ペースト層図示せず上に塗布されることにより、白色ペースト層図示せずが形成される。次に、白色ペースト層図示せずと黒色ペースト層図示せずが、フォトリソグラフィ法によりパターニングされる。その後、現像ステップを経て、表示電極6である白色電極4b、5b、黒色電極4a、5a、および遮光層7の前駆体となる形状が形成される。本実施の形態においては、これら表示電極6等の焼成をここでは行わない。次に、走査電極4、維持電極5および遮光層7を覆うように前面ガラス基板3上に誘電体ペーストがダイコート法などにより塗布されることにより、誘電体ペースト層図示せずが形成される。その後、所定の時間が経過すると、誘電体ペースト層図示せずの表面がレベリングし、平坦になる。その後、表示電極6である白色電極4b、5b、黒色電極4a、5a、および遮光層7の前駆体と、誘電体ペースト層が同一の工程で焼成されることにより、走査電極4、維持電極5および遮光層7および、それらを覆う誘電体層8が形成される。なお、誘電体ペーストは、ガラス粉末などの誘電体ガラス、バインダおよび溶剤を含む塗料である。次に、誘電体層8上に酸化マグネシウムMgOなどからなる保護層9が真空蒸着法により形成される。以上の工程により前面ガラス基板3上に走査電極4、維持電極5、遮光層7、誘電体層8、保護層9が形成され、前面板2が完成する。[2-2.背面板10の製造方法]図1に示すように、背面板10は、以下のように形成される。背面ガラス基板11上に、アドレス電極12が形成される。具体的には、銀Agを含むペーストがスクリーン印刷法により、背面ガラス基板11上に塗布されることにより、アドレス電極ペースト層図示せずが形成される。次に、アドレス電極ペースト層図示せずが、フォトリソグラフィ法により、パターニングされることにより、アドレス電極12用の構成物となる材料層図示せずが形成される。その後、材料層図示せずが所定の温度で焼成されることにより、アドレス電極12が形成される。ここで、ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などにより、金属膜を背面ガラス基板11上に形成する方法が採用される。次に、アドレス電極12が形成された背面ガラス基板11上にダイコート法などによりアドレス電極12を覆うように下地誘電体ペーストが塗布されることにより、下地誘電体ペースト層図示せずが形成される。その後、下地誘電体ペースト層図示せずが焼成されることにより、下地誘電体層13が形成される。なお、下地誘電体ペーストはガラス粉末などの下地誘電体材料とバインダおよび溶剤を含んだ塗料である。次に、下地誘電体層13上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストが塗布されることにより、隔壁ペースト層図示せずが形成される。隔壁ペースト層図示せずがフォトリソグラフィ法により、パターニングされることにより、隔壁14の材料層となる構成物図示せずが形成される。次に、構成物図示せずが、焼成されることにより隔壁14が形成される。ここで、下地誘電体層13上に塗布された隔壁ペースト層をパターニングする方法としては、フォトリソグラフィ法の他に、サンドブラスト法などが採用される。次に、隣接する隔壁14間の下地誘電体層13上および隔壁14の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストが塗布される。次に、蛍光体ペーストが焼成されることにより蛍光体層15が形成される。以上の工程により、背面ガラス基板11上に所定の構成部材を有する背面板10が完成する。[2-3.前面板2と背面板10との組立方法]まず、表示電極6とアドレス電極12とが直交するように、前面板2と背面板10とが対向配置される。次に、前面板2と背面板10の周囲がガラスフリットで封着される。次に、放電空間16にNe、Xeなどを含む放電ガスが封入されることによりPDP1が完成する。[3.誘電体層8の詳細]次に、前面板2の誘電体層8について詳細に説明する。従来誘電体層を形成する方法として、誘電体ガラス成分以下、誘電体ガラス材料とするとバインダ樹脂、可塑剤、溶剤などの成分で構成されたペーストをスクリーン印刷法やダイコート法などを用いて、電極を形成した基板上に塗布し乾燥後、450°Cから600°C程度で焼成する方法や、誘電体ペーストをフィルム上に塗布、乾燥して、電極を形成した基板上に転写し、450°Cから600°C程度で焼成するドライフィルム法が知られている。このとき、表示電極間において、コンデンサ効果により放電に寄与しない無効電力が発生する。無効電力を低減し低消費電力化するためには、誘電率がより小さい誘電体ガラスを使用することが必要となる。そして、誘電率がより小さい誘電体ガラスを含有するガラスペーストを塗布乾燥焼成する場合、次のような課題が発生する。一般的に、誘電体ガラスの誘電率を小さくするためには、ビスマスやアルカリ土類金属元素などの重元素の酸化物の含有量を少なくするが、ガラスの転移点や屈伏点、軟化点といった各種物性温度が上昇する。しかし同時に、転移点、屈伏点といった軟化点以下の物性温度との温度差も大きくなる。このような物性温度差が大きいガラスをロングなガラスと呼ぶ。逆に物性温度差が小さいガラスをショートなガラスと呼ぶ。ガラスがロングになるのは、低誘電率化のため上記のような中間酸化物を減らした結果、これは誘電体ガラスに含有する元素のうち、SiO2の占める比率が高くなるためである。誘電体ガラスの物性温度の中でも、特に軟化点は誘電体層の焼成工程の焼成温度を決定する重要な物性温度の1つである。従来は、焼成工程の中でガラスの焼結を進行促進させる部分の温度は表示電極中の残留有機物などからのガス発生を抑制するため、軟化点付近の温度で可能な限り低い温度で焼成を行っていたが、低誘電率組成のガラスは物性温度間の温度差が大きいロングなガラスであるため、この温度では十分な焼結が得られない場合がある。焼結状態が不十分な膜質の場合、充分な絶縁耐性が得られず誘電体層の絶縁不良を引き起こす。また、表示電極を構成する材料がAgなどの金属である場合、表示電極上の誘電体層は金属の熱伝導により焼結が進みにくいため、不均一な焼結で緻密性が小さい膜質となる場合がある。誘電体層の緻密性が小さく誘電体層の内部に局所的に空気などのガスが残留する場合、その部分の電荷容量が小さくなり所定の電圧で放電しない不灯不良を引き起こす。低誘電率でロングなガラスにおいても、焼結状態が充分で緻密性が高い膜質を得るためには、焼成工程の時間を長くすることが考えられるが、量産性の観点から好ましくない。また、重元素ではなくアルカリ金属酸化物を含有させることで組成的に軟化点を下げることも考えられるが、アルカリ金属酸化物のイオンは1価であるので同じ1価のイオンと位置交換しやすく、表示電極を構成する金属の主成分がAgである場合はAgイオンがガラス中に拡散しやすくなる。Agイオンが誘電体層やガラス基板に拡散すると、誘電体層中のアルカリ金属イオンやガラス基板中に含まれる2価のスズイオンによって還元作用を受け、銀のコロイドを形成する。その結果、誘電体層やガラス基板が、黄色や褐色により強く着色するとともに、酸化銀が還元作用を受けて酸素を発生して誘電体層中に気泡を発生させ、絶縁不良や表示品質の劣化を引き起こす。これに対し本発明の実施形態では、誘電体層8を形成する工程において誘電率がより小さい誘電体ガラスを含有する誘電体ペーストを用いて、焼成工程において膜の焼結を進行促進させる領域の温度を軟化点よりも5°C以上高く設定している。これは発明者等の検討の結果、次のような現象が明らかになったからである。つまり、誘電体ペーストに含まれる誘電体ガラスの屈伏点と転移点の温度差が50°C以上の場合、焼成膜の緻密性が不十分であることが明らかとなった。ガラスの転移点と屈伏点はガラスの軟化挙動から測定されるが、物性温度差が大きいということはガラス粘度の温度依存性が小さいということを示唆し、焼結しにくいためであると考えられる。上記の通り、量産性の観点から焼成時間の延長は困難であるため、焼成後に緻密な膜質を得るためには焼成温度を高くすることが必要である。本発明の実施の形態では屈伏点と転移点の温度差が50°C以上ある場合は、膜の焼結を進行促進する部分において焼成温度を5°C高くしている。以上のように、本発明の実施の形態におけるPDP1の誘電体層8は、上記の構成とすることで、誘電率が小さい誘電体ガラスを使用して誘電体層8を形成しつつ、高信頼性を保持し表示品質の優れたPDPを実現している。次に本発明の実施の形態における誘電体層8の製造方法について説明する。誘電体層8に含まれる誘電体ガラス材料は、鉛Pb系成分以外を主成分とし、さらに酸化銅CuOやR2ORはLi、Na、K、RbおよびCsから選ばれる少なくとも1種を含有する材料組成により構成されている。これらの組成成分からなる誘電体材料を、湿式ジェットミルやボールミルで平均粒径が0.5μm~3.0μmとなるように粉砕して誘電体材料粉末を作製する。次にこの誘電体ガラス材料の粉末を誘電体ペーストに対して体積分率の表記で20~50と、バインダ樹脂成分を誘電体ガラス材料に対して体積分率の表記で4~10とを三本ロールでよく混練してダイコート用あるいは印刷用の誘電体層用ペーストを作製する。なお、混練する装置は三本ロールのほかにもジェットミルやビーズミルなど種々の装置を適宜選択できる。バインダ樹脂成分はエチルセルロースあるいはアクリル樹脂であるが、ブチラール樹脂やカルボキシミチルセルロース、ニトロセルロースなどを用いても構わない。上記成分以外の成分としてはターピネオールあるいはブチルカルビトールアセテートといった溶剤であるが、α-、β-、γ-テルピネオールなどのテルペン類、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、エチレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジプロピレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、トリプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、トリプロピレングリコールジアルキルエーテル類、トリプロピレングリコールトリアルキルエーテル類、トリプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、トリプロピレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、トリプロピレングリコールトリアルキルエーテルアセテート類、メタノール、エタノール、イソプロパノール、1-ブタノールなどのアルコール類等も適宜選択できる。また、ペースト中には、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルを添加し、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、ホモゲノールKaoコーポレーション社製品名、アルキルアリル基のリン酸エステルなどを添加して印刷性を向上させてもよい。次に、この誘電体層用ペーストを用い、表示電極6を覆うように前面ガラス基板3に、スクリーン印刷法または、スプレー法または、ブレードコータ法または、ダイコート法にて塗布し、乾燥させ、その後、誘電体材料の軟化点より5°C以上高い温度の450°C~600°Cで焼成する。なお、誘電体層8の膜厚が小さいほどパネル輝度の向上と放電電圧を低減するという効果は顕著になるので、絶縁耐圧が低下しない範囲内であればできるだけ膜厚を小さく設定するのが望ましい。このような条件と可視光透過率の観点から、本発明の実施の形態では、誘電体層8の膜厚を41μm以下に設定している。なお、鉛成分について実質的に含有しないというのは、不純物等で鉛成分を含んだ誘電体層についても本願発明に相当すると考える。焼成温度については±2°C程度の測定誤差を含むが、この誤差を含めた温度についても本願発明に相当すると考える。[4.実施例]次に本実施の形態の実施例について述べる。本実施の形態におけるPDPとして、放電セルとして42インチクラスのハイビジョンテレビに適合するように、隔壁の高さを0.15mm、隔壁の間隔セルピッチを0.15mm、表示電極の電極間距離を0.06mmとし、Xeの含有量が15体積のNe-Xe系の混合ガスを封入圧60kPaに封入したPDPを作製してその性能を評価した。なおガラス基板の厚みは1.8mmのものを使用し、誘電体層の膜厚は20μmとした。そして表1に示す屈伏点と転移点との温度差を有する誘電体ガラス成分を用いて上記試料を作成した。この際、誘電体ガラス成分の軟化点と、誘電体層焼成温度との温度差が同表に記載の値となるように試料を作成している。表1に示される溶剤から構成される誘電体ペーストを用いて作製したPDPの特性を比較するために、誘電体層の絶縁不良個所と不灯不良個所の個数を評価した。同表に示すように、実施例4では絶縁不良不灯不良が確認されている。これは屈伏点と転移点の差が50°C以上となる試料において、転移点と焼成温度の差を5°C以上確保しなかったためと考えられる。以上のように、本実施の形態では、PDPの高品質、高信頼性を保持しつつ、生産コストを大幅に削減することを可能にする誘電体ペースト、PDPおよびPDPの製造方法を実現する。