ワークピースに磁界を局所的に導入するマグネットユニットと、単にRFコイルとも呼ばれ、磁界と相互作用する高周波コイル構成とをそれぞれ備えるEMUSトランスデューサを使用した、EMUS試験技術による、導電性材料からなるワークピースに対する非破壊材料試験のための方法であって、前記ワークピースの表面に対して、前記ワークピース表面に沿って離間するように少なくとも2個のEMUSトランスデューサが配置され、少なくとも第1のEMUSトランスデューサは、前記ワークピース内で超音波を生成及び検出し、第2のEMUSトランスデューサは、受信トランスデューサとして、超音波を少なくとも検出し、以下の測定信号を判定し、a前記第1のEMUSトランスデューサによって、前記第1のEMUSトランスデューサから発せられた超音波エコー信号を捕捉し、b前記第2のEMUSトランスデューサによって、前記第1のEMUSトランスデューサが生成した超音波信号、いわゆる超音波処理信号を、時間分解方式で捕捉し、c前記第1のEMUSトランスデューサのRFコイルが動作する送信電流を捕捉し、d前記ワークピース内で成長する欠陥に起因する超音波放出信号を前記受信トランスデューサによって捕捉し、前記測定信号a乃至dの全てに基づいて、マイクロ構造の変化の早期検出の目的で非破壊材料試験を実行する方法。更に、前記マイクロ構造の変化の早期検出における更なる測定信号eの基礎を構成する前記第1のEMUSトランスデューサのRFコイルの電圧を捕捉する請求項1記載の方法。前記RFコイルの送信電流を制御しながら、前記RFコイルの渦電流インピーダンスを測定する請求項2記載の方法。前記第1のEMUSトランスデューサは、前記ワークピース表面に対して空間的に自由に、前記ワークピース内に伝播する超音波と、前記ワークピース表面に沿って伝播する超音波とを生成し、前記ワークピース内で反射した超音波エコー振幅の成分は、時間依存の形式で、前記第1のEMUSトランスデューサによって検出され、前記ワークピース表面に沿って伝播する超音波の成分は、前記第2のEMUSトランスデューサによって捕捉される請求項1乃至3いずれか1項記載の方法。前記超音波エコー信号の振幅と、前記超音波処理信号の積分振幅及び伝搬時間とが判定され、前記評価の基礎となる請求項1乃至4いずれか1項記載の方法。熱疲労試験環境内でワークピースについて前記測定信号a乃至dに関する基準データを取得し、前記基準データに基づいてマイクロ構造の変化の早期検出の目的で前記測定信号a乃至dの査定の基礎となる前記ワークピースのための較正曲線を生成する請求項1乃至5いずれか1項記載の方法。熱疲労試験環境内でワークピースについて前記測定信号a乃至eに関する基準データを取得し、前記基準データに基づいてマイクロ構造の変化の早期検出の目的で前記測定信号a乃至eの査定の基礎となる前記ワークピースのための較正曲線を生成する請求項2乃至5いずれか1項記載の方法。前記ワークピース内で成長する少なくとも1つの欠陥に起因する前記超音波放出信号の捕捉は、特別な試験サイクルの環境内で前記第2のEMUSトランスデューサによって実行され、前記第2のEMUSトランスデューサは、設定可能なトリガ閾値によって受動的に動作し、過渡超音波信号が記録される請求項2乃至7いずれか1項記載の方法。前記第1及び第2のEMUSトランスデューサは、個別に割当可能な受信開口が、それぞれ同じ受信方向に平行に揃えられるように、前記ワークピースの表面上で互いに隣接するように配置される請求項1乃至8いずれか1項記載の方法。前記ワークピースの表面に複数の第2のEMUSトランスデューサが受信トランスデューサとして設けられ、前記複数の第2のEMUSトランスデューサの信号は、前記ワークピース内の欠陥の位置特定に寄与する請求項1乃至9いずれか1項記載の方法。前記第1及び/又は第2のEMUSトランスデューサの受信電圧は、それぞれ捕捉され、更なる評価の基礎となる請求項1乃至10いずれか1項記載の方法。前記第1及び第2のEMUSトランスデューサは、前記ワークピースの2つの反対の表面又は端面に配置され、個々のEMUSトランスデューサに割当可能な受信開口は、それぞれ互いに対向する受信方向に対して互いに対向するように揃えられている請求項1乃至8及び請求項10乃至11いずれか1項記載の方法。くびれた中央領域を備える円柱の形状に設計された疲労試験ピースがワークピースとして使用される請求項1乃至12いずれか1項記載の方法ワークピースに磁界を局所的に導入するマグネットユニットと、単にRFコイルとも呼ばれ、磁界と相互作用する高周波コイル構成とをそれぞれ有する少なくとも2個のEMUSトランスデューサを備え、導電性材料からなるワークピースに対して非破壊材料試験を行うためのデバイスであって、前記少なくとも2個のEMUSトランスデューサは、離間して配置され、少なくとも第1のEMUSトランスデューサは、前記ワークピース内で超音波を生成及び検出し、第2のEMUSトランスデューサは、受信トランスデューサとして、超音波を少なくとも検出し、前記第1のEMUSトランスデューサのRFコイルに送信電流を供給し、前記送信電流の振幅及び前記第1のEMUSトランスデューサのRFコイルの渦電流インピーダンスを記録する制御及び評価ユニットを更に備え、前記制御及び評価ユニットは、前記第1のEMUSトランスデューサによって受信された超音波エコー信号を評価し、前記制御及び評価ユニットは、前記第2のEMUSトランスデューサによって受信された超音波信号の振幅を積分し、伝搬時間の測定を実行するデバイス。前記制御及び評価ユニットは、前記第2のEMUSトランスデューサが設定可能なトリガ閾値によって受動的に動作し、超音波放出からの過渡信号が捕捉及び記録される測定モードで動作させることができる請求項14記載のデバイス。本発明の目的は、ワークピースに磁界を局所的に導入するマグネットユニットと、単にRFコイルとも呼ばれる磁界と相互作用する高周波コイル構成とをそれぞれ備えるEMUSトランスデューサを使用した、EMUS試験技術による、導電性材料からなるワークピースに対する非破壊材料試験のための方法及びデバイスを提供することである。方法及びデバイスは、マイクロ構造の変化、特に疲労及びクリープ損傷を初期段階で検出するための信頼性及び感度を向上させるように開発する必要がある。方法及びデバイスの技術開発に関して、この目的に必要となるコストは、可能な限り低く、費用対効果に優れたものであることが要求される。本発明の課題の解決は、請求項1に定義されている。請求項14の主題は、課題を解決するためのデバイスである。請求項1のプリアンブルの特徴に基づくEMUS試験テクノロジによる導電性材料からなるワークピースの非破壊試験のための方法は、ワークピースの表面に対して、ワークピース表面に沿って離間するように少なくとも2個のEMUSトランスデューサが配置され、少なくとも第1のEMUSトランスデューサがワークピース内で超音波を生成及び検出し、第2のEMUSトランスデューサが受信トランスデューサとして、超音波を少なくとも検出し、2個のEMUSトランスデューサの補助によって、以下の測定信号が判定される事実によって特徴付けられる。第1のEMUSトランスデューサの補助によって、第1のEMUSトランスデューサから発せられた超音波エコー信号が捕捉される。この目的で、パルスエコー技術が使用され、これによって、伝搬時間及びワークピース内で反射された超音波成分の振幅が第1のEMUSトランスデューサによって捕捉される。更に、第1のEMUSトランスデューサによってワークピース内で生成され、表面近傍のレイリー波の形式で伝播する超音波が第2のEMUSトランスデューサによって捕捉される。この場合も、第2のEMUSトランスデューサに衝突するレイリー波の振幅及び伝搬時間が、超音波処理技術sonicationtechnologyを用いて捕捉及び評価される。更に、第1のEMUSトランスデューサのRFコイルが動作される、すなわち駆動される送信電流も捕捉される。最後に、特別な試験サイクルにおいて、ワークピース内で成長する欠陥、例えば、マイクロクラックの形式で成長する欠陥に起因する超音波放出信号が第2のEMUSトランスデューサによって捕捉される。この試験サイクルにおいて、超音波信号は、パッシブモードで動作するEMUS受信トランスデューサによって受信され、これらは、クラックの形成及び成長の間に放出される弾性波から発せられる。ここで、過渡信号は、第2のEMUSトランスデューサによって受信され、これに応じて記録される。最後に、上述した全ての測定信号、すなわち、それぞれ受信電圧の形式で、第1のEMUSトランスデューサによって捕捉される超音波エコー信号及び第2のEMUSトランスデューサによって時間分解方式で捕捉される超音波処理信号sonicationsignal、第1のEMUSトランスデューサのRFコイルの送信電流、並びに超音波放出信号soundemissionsignalは、マイクロ構造変化の早期検出の目的で、非破壊材料試験の基礎となる。第1のEMUSトランスデューサのRFコイルの電流及び電圧は、適切な更なる測定パラメータとして捕捉することが特に有利である。このソリューションに基づいて、超音波及び渦電流の測定値を利用することによって、ワークピース表面及びワークピースの表面近傍の領域のマイクロ構造における僅かな変化を敏感に高い信頼度で捕捉することができる。このソリューションに基づく方法で取得される測定信号は、対応する基準ワークピースについての熱機械疲労試験の環境内で蓄積された基準データと比較され、基準ワークピースのマイクロ構造の品質は、例えば、僅かな例を挙げれば、歪みゲージ、X線分析、バルクハウゼンノイズを使用した磁気法等の従来の試験法によって判定されている。このようにして、具体的なマイクロ構造状態が超音波及び渦電流の測定値に割り当てられた基準データセットが取得され、これによって、試験されるワークピースについて捕捉される測定信号を少なくとも定性的に評価することができる。更に、このソリューションに基づく方法の好ましい変形例では、受信トランスデューサの形式で、複数の第2のEMUSトランスデューサを使用し、これらをワークピース表面の領域に分散させて配置し、これによって、材料の欠陥の位置、例えば、成長しているマイクロクラックの位置を特定することができる。非破壊材料試験のためにこのソリューションに基づく方法を実施する目的では、少なくとも2個のEMUSトランスデューサが必要であり、これらは、試験すべきワークピースの表面上で離間させて配置する必要がある。少なくとも2個のEMUSトランスデューサのうち、第1のEMUSトランスデューサは、超音波を生成及び検出するように設計される。少なくとも1つの第2のEMUSトランスデューサは、主に、超音波を検出するための受信トランスデューサとして機能する。何れのEMUSトランスデューサも制御及び評価ユニットに接続され、制御及び評価ユニットは、少なくとも第1のEMUSトランスデューサのRFコイルに送信電流を供給し、この送信電流の振幅と、第1のEMUSトランスデューサのRFコイルの電圧を捕捉する。制御及び評価ユニットの環境内では、第1のEMUSトランスデューサの超音波エコー信号が、伝搬時間及び受信振幅を考慮に入れて評価される。第2のEMUSトランスデューサによって受信された超音波処理信号は、制御及び評価ユニットの環境内で、それらの振幅に関して積分され、伝搬時間の測定が実行される。伝搬時間の測定は、パルス-エコー重ね合わせpulseechosuperposition、振幅ゼロ点amplitudenullpointの追跡又は相互相関等の手法によって行うことができる。それぞれの正確度は、判定される個々の測定値の数に依存する。このソリューションに基づくデバイスは、非破壊材料試験のための少なくとも2個のEMUSトランスデューサを備え、如何なる形状及びサイズのワークピースをも評価できる、携帯可能な手動で操作できるユニットとして設計することが望ましい。典型的な応用分野は、機械的及び/又は熱機械的な圧力に曝される発電所、化学プラント及び製油所内のオーステナイトパイプラインの非破壊材料解析である。このソリューションに基づくデバイスだけではなく、上述した方法も、実時間での部品の監視に特に有益に適している。この方法は、適切な試験ピース、例えば、鉄道車両の車輪に対して定期的に実施できることは言うまでもない。このソリューションに基づく方法は、基本的に全ての導電性材料に対して実施できるものであり、すなわち、この方法は、鋼、特にオーステナイト鋼に限定されるわけではない。本発明の簡潔な説明以下、本発明の包括的な概念を限定することなく、実施の形態の具体例を用いて、図面を参照して本発明を例示的に説明する。本発明の実施の形態、産業上の利用可能性図1a及び図1bは、長さが160mmの実質的に円柱状の設計の疲労試験ピースの縦断面を示しており、疲労試験ピースは、長さが15mm、縮小した直径が7.6mmのくびれた中央部分を有する。くびれた中央部分は、両端から、長さ方向に沿って、曲率半径R10で拡大しており、各端部は、それぞれが直径18mmの疲労試験ピースの境界となる端部に繋がっている。図1aに示す具体例では、第1のEMUSトランスデューサS/Eは、左側の疲労試験ピース端部に配設され、このトランスデューサは、疲労試験ピースに超音波を送信すると共に、疲労試験ピース内で反射した超音波成分を検出できる。疲労試験ピースの右側には、第2のEMUSトランスデューサEが配設されており、これは、単に受信トランスデューサとして機能し、第1のEMUSトランスデューサS/Eが疲労試験ピースに送信したレイリー波を検出できる。これらの波は、疲労試験ピースの表面の近傍を長手方向に伝播し、くびれた中央部分を通過する矢印参照。疲労試験ピースセクションの左側に第1のEMUSトランスデューサS/Eを配置することに代えて、図1bに示すように、疲労試験ピースのくびれた中央部分自体に第1のEMUSトランスデューサS/Eを配置するような構成としてもよい。何れの場合も、説明したように、受信トランスデューサEを用いて、クラックの形成と成長との間に放出される弾性波から発せられる超音波放出信号を検出することができる。EMUSトランスデューサの配置の第3の方法を図1cに示す。ここでは、第1のEMUSトランスデューサS/E及び第2のEMUSトランスデューサEは、それぞれ疲労試験ピースの反対の端面に配設されている。この構成では、第1のEMUSトランスデューサS/Eは、放射状に分極した超音波radiallypolarisedultrasoundwavesを疲労試験ピースに送信することができ、この超音波は、細長い疲労試験ピースに沿って、すなわち、z方向に伝播し、半径方向には、指向性がある粒子偏向orientedparticledeflection、すなわち、圧力波を生成することができる詳しくは、図1c参照。図1a、図1b、図1cに示す超音波トランスデューサ構成の補助によって、超音波を受信し、パルスエコー技術及び超音波処理技術に基づいてこれを評価できる。更に、図には示していないが第1のEMUSトランスデューサS/Eを動作させるためのRFコイルのコイル電流及びその渦電流インピーダンス捕捉し、測定信号の評価においてこれらを考慮に入れる必要がある。同様に、パイプ壁を検査する目的のために、パイプの外壁にこのようなセンサ構成を設けることもできる。このような構成として、図2は、パイプ壁の部分的な縦断面を示しており、パイプの外壁には、第1のEMUSトランスデューサS/Eが配設されており、パイプ輪郭に沿って軸方向に離間して、第2のEMUSトランスデューサEが配設されている。ここでも、測定された超音波の量、すなわち、エコー振幅及び第1のEMUSトランスデューサの位置における伝搬時間と共に、渦電流データ、すなわち、第1のEMUSトランスデューサのRFコイルの送信電流及び渦電流インピーダンスを捕捉する必要がある。上述の場合と同様に、EMUSトランスデューサEによって、超音波放出信号を受信し、評価することができる。上述した全ての測定されたデータは、パイプ壁のマイクロ構造における可能な変化を捕捉するために対応する基準データと比較される。具体的には、第1のEMUSトランスデューサのRFコイルの送信電流及び渦電流インピーダンスを測定し及び考慮に入れた結果、マイクロ構造の変化を、その始めから、すなわち変化の初期段階から、敏感に捕捉することができる。