EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される反射層付き基板であって、前記反射層が形成されている表面とは反対の面である裏面に、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層を有し、前記基板の側面および表面のうちの少なくとも一面に不導通部が形成されていることを特徴とする反射層付き基板。遮蔽部材を用いて前記反射層を成膜することにより、前記基板の側面および表面のうちの少なくとも一面に不導通部が形成されている請求項1に記載の反射層付き基板。前記不導通部の形成領域は、前記形成領域における幅の最小値で表した場合、1mm以上である請求項2に記載の反射層付き基板。前記反射層の形状が四角形である請求項2または3に記載の反射層付き基板。前記基板の側面および表面のうちの少なくとも一面において、基板全周にわたって導通を生じさせる膜が存在しないような削除部を設けることで、前記基板の側面および表面のうちの少なくとも一面に不導通部が形成されている請求項1に記載の反射層付き基板。前記チャック層および前記反射層を形成後、前記基板の側面および表面のうちの少なくとも一面から膜を除去して前記削除部が形成されているか、または前記チャック層を形成後、前記基板の側面および表面のうちの少なくとも一面から膜を除去し前記削除部が形成されている請求項5に記載の反射層付き基板。前記削除部の幅が0.0001~1mmである請求項5または6に記載の反射層付き基板。前記削除部の深さが0.0001~5mmである請求項5~7のいずれかに記載の反射層付き基板。遮蔽部材を用いて前記チャック層を成膜することにより、前記基板の裏面にも不導通部が形成されている請求項1~8のいずれかに記載の反射層付き基板。前記基板の裏面の不導通部の形成領域は、前記形成領域における幅の最小値で表した場合、2mm以上である請求項9に記載の反射層付き基板。前記チャック層の形状が円形状である請求項9または10に記載の反射層付き基板。前記反射層と前記チャック層との間の抵抗値が1MΩ以上である請求項1~11のいずれかに記載の反射層付き基板。前記基板はSiO2-TiO2ガラスであり、前記SiO2-TiO2ガラス中の水素分子含有量が5×1017分子/cm3未満である請求項1~12のいずれかに記載の反射層付き基板。前記チャック層の体積抵抗率が106Ωcm以下である請求項1~13のいずれかに記載の反射層付き基板。前記チャック層のビッカーズ硬度が200以上である請求項1~14のいずれかに記載の反射層付き基板。前記チャック層の表面の平滑性は、Rmsで2nm以下である請求項1~15のいずれかに記載の反射層付き基板。前記チャック層は、Cr、Ni、Ti、Ta、Mo、SiおよびWからなる群から選ばれる1種以上の金属材料である請求項1~16のいずれかに記載の反射層付き基板。前記チャック層の膜厚は、10~500nmである請求項1~17のいずれかに記載の反射層付き基板。前記チャック層がCrであってBを含有する膜であるか、またはCrであってBおよびNを含有する膜である請求項1~18のいずれかに記載の反射層付き基板。前記チャック層の熱伝導率が、2.8J/cmsec°C以上である請求項1~19のいずれかに記載の反射層付き基板。前記反射層の最上層としてキャップ層が設けられた請求項1~20のいずれかに記載の反射層付き基板。請求項1~21のいずれかに記載の反射層付き基板における反射層上に吸収層を形成されてなるEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記反射層と、前記吸収層と、の間に中間層が設けられた請求項22に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。請求項22または23に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクをパターニングすることにより形成されてなるEUVリソグラフィ用反射型マスク。上記のような反射層が基板の表面に形成され、かつ基板を静電チャックによりチャックして保持するための膜が基板裏面に形成されている場合、基板の両方の面に膜が形成されているため、各々の膜に導通が生じる可能性がある。導通が生じていると、基板表面の帯電により、パーティクルが吸い寄せられ、基板上の欠点が増加する問題がある。また、EUVマスクを作製する場合、反射層、中間層、吸収層など各種層を形成する工程、およびEUVマスクブランク上のレジスト膜にレーザ光線や電子線などを用いてパターンを描画する工程、さらには投影露光機により微細回路パターンが形成されたEUVマスクを用いてSiウェハなどの基板上レジストにマスク上に形成されたパターンを縮小転写する工程など各種工程が存在する。前記各種工程においては、許容範囲以上のパーティクル数が存在すると所望の微細回路パターンが寸法精度よく得られないため、層表面や層中へのパーティクル付着を極力抑制する必要がある。本発明は、基板の表面に形成されている膜と、裏面に形成されている膜との導通を消失させることにより、反射層や吸収層を作製する際における層表面や層中へのパーティクルの付着を防止でき、結果的に欠点を減少させることが可能な反射層付き基板およびEUVマスクブランク、およびそれにより形成されるEUVマスクを提供することを目的とする。本発明は、下記の内容を提供する。EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される反射層付き基板であって、前記反射層が形成されている表面とは反対の面である裏面に、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層を有し、かつ前記反射層と前記チャック層とは導通がないことを特徴とする反射層付き基板。基板上に反射層および吸収層を有し、かつ前記反射層および前記吸収層が形成されている表面とは反対の面である裏面に、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層を有し、かつ前記反射層および前記吸収層と前記チャック層とは導通がないことを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。また、本発明によれば、欠陥の少ないEUVマスクブランクをパターニングすることで、欠陥の少ないEUVマスクを形成することが可能となる。欠陥の少ないEUVマスクを用いることで、効率的な露光が実現される。本発明の反射層付き基板は、チャック層と反射層との導通が消失されており、一部のパーティクルがマイナスまたはプラスに荷電した基板上にひきつけられなくなるため、パーティクルの発生を防止でき、結果的に欠陥の少ない反射層付き基板を得ることができる。また、本発明のEUVマスクブランクは、チャック層と積層膜との導通が消失されており、一部のパーティクルがマイナスまたはプラスに荷電した基板上にひきつけられなくなるため、パーティクルの発生を防止でき、結果的に欠陥の少ないEUVマスクブランクを得ることができる。本発明の反射層付き基板は、欠陥が少ないEUVマスクブランクを製造できるため、特にEUVの露光用マスクとして有用である。本発明の反射層付き基板、EUVマスクブランクおよびEUVマスクは、上記の様に膜間反射層およびチャック層との膜間、反射層および吸収層とチャック層との膜間の導通が消失しているので、層表面や層中へのパーティクルの付着が抑制され、結果的に欠点の少ないEUVマスクを形成でき、効率的な露光が可能となる。本発明のEUVマスクブランク1は、図1のとおり、基板10の表面10aに反射層20を形成した構造となっている。また、基板10の裏面10bには、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層以下、チャック層ともいう50が形成されている。なお、EUVマスクブランクとしては、EUV光を吸収する吸収層30、および必要に応じて反射層20と吸収層30との間に中間層図示せずを形成する必要がある場合が多い。前記中間層は、吸収層に半導体微細回路パターン原版を形成する際にエッチングを停止させる層として下層の反射層を保護する役割を有している。なお、本発明において、反射層付き基板とは、反射層およびチャック層が形成された基板を意味し、チャック層付き基板とは、チャック層のみが形成された基板を意味する。EUVマスクブランクや反射層付き基板に用いられる基板は、EUVマスクブランク用の基板としての特性を満たすことが要求される。そのため、基板は、低熱膨張係数0±1.0×107/°Cであることが好ましく、より好ましくは0±0.3×107/°C、さらに好ましくは0±0.2×107/°C、さらに好ましくは0±0.1×107/°C、特に好ましくは0±0.05×107/°Cを有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばSiO2-TiO2ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板を用いることもできる。また、基板は、高剛性の基板であることが好ましい。具体的には、比剛性が3.0×107m2/s2以上であって、ポアソン比が1.16~0.25であることが好ましい。SiO2-TiO2ガラスとは、TiO2がドープされたSiO2ガラスである。SiO2-TiO2ガラスは、TiO2を3~10質量含有するシリカガラスであることが好ましい。TiO2の含有量が3質量未満であるとゼロ膨張にならないおそれがあるからである。また、10質量を超えると熱膨張係数が負となる可能性があるからである。TiO2濃度は、より好ましくは5~9質量である。また、SiO2-TiO2ガラス中の水素分子含有量が5×1017分子/cm3未満であることが好ましい。ガラス中の水素分子含有量が5×1017分子/cm3以上では、反射層を成膜してEUVリソグラフィ用光学部材を形成する場合、超高真空下での成膜中にガラス中の水素分子がチャンバー内に拡散し、水素分子が膜中に取り込まれる現象が発生する可能性があるからである。または超高真空下での使用中に徐々に水素分子が膜内に拡散し、水素分子を含んだ膜が形成される現象が発生する可能性があるからである。上記現象が生じると、膜の密度が変化し、多層膜の光学設計からズレを生じたり、水素分子濃度の経時変化により多層膜の光学特性が変化する可能性がある。さらに、SiO2-TiO2ガラスは、OH基濃度は600wtppm以下であることが好ましい。OH基濃度が上記値よりも高い場合は、水素のトラップ効果が抑制され、水素は拡散しやすくなり、放出されやすくなるので好ましくない。前記基板は、反射層の成膜面が、Rms二乗平方根粗さ、以下同じが0.15nm以下の表面粗さを有する平滑な表面と、100nm以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。一方、基板の裏面は、静電チャックによる発塵を最小限に抑えるために、Rms0.5nm以下の平滑な面であることが好ましい。基板の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものであるが、通常は、外形6インチ152.4mm角で、厚さ0.25インチ6.3mmのSiO2-TiO2ガラスを用いることが多い。反射層付き基板やEUVマスクブランクに用いられる反射層は、EUVマスクブランクの反射層として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、反射層に特に要求される特性は、高EUV光線反射率の膜であることである。具体的には、EUV光の波長領域の光線を反射層表面に照射した際に、波長13.5nm±5nmの光線反射率の最大値が60以上であることが好ましく、65以上であることがより好ましい。上記の特性を満たす反射層としては、Si膜とMo膜とを交互に積層させたSi/Mo多層膜、BeとMo膜とを交互に積層させたBe/Mo多層膜、Si化合物とMo化合物層とを交互に積層させたSi化合物/Mo化合物多層膜、Si膜、Mo膜およびRu膜をこの順番に積層させたSi/Mo/Ru多層膜、Si膜、Ru膜、Mo膜およびRu膜をこの順番に積層させたSi/Ru/Mo/Ru多層膜が挙げられる。前記反射層を成膜する手順は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法を用いて反射層を成膜する際に通常実施される手順であってよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いて、Si/Mo多層膜を成膜する場合を例にとると、ターゲットとしてSiターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスガス圧1.3×102Pa~2.7×102Paを使用して、イオン加速電圧300~1500V、成膜速度0.03~0.30nm/secで厚さ4.5nmとなるようにSi膜を成膜し、次に、ターゲットとしてMoターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスガス圧1.3×102Pa~2.7×102Paを使用して、イオン加速電圧300~1500V、成膜速度0.03~0.30nm/secで厚さ2.3nmとなるようにMo膜を成膜することが好ましい。これを1周期として、Si膜およびMo膜を30~50周期積層させることによりSi/Mo多層膜が成膜される。反射層全体の厚さは、200~400nmであることが好ましい。前記反射層の成膜方法は、スパッタリング法である限り特に限定されず、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法のいずれであってもよい。但し、欠点が少なく、膜厚均一性に優れた膜が得られることからイオンビームスパッタリング法で成膜することが好ましい。スパッタリング法を用いて反射層を成膜する際、面内の膜厚の均一性の要求のために、回転体により基板を支持することで、基板を回転させながら成膜を行うことが一般的に行われている。本発明の反射層付き基板やEUVマスクブランクに用いられる反射層においても、面内の膜厚の均一性の要求のために、静電チャック等で基板を保持し、回転体を用いて基板を回転させながら成膜を行うことが好ましい。なお、反射層のみならず、吸収層、中間層、チャック層等の他の層であっても同様に基板を回転させながら成膜することが好ましい。本発明の反射層付き基板やEUVマスクブランクにおいて、成膜後の反射層の表面が酸化されるのを防止するため、反射層の最上層は酸化されにくい組成の層とすることが好ましい。酸化されにくい組成の層は反射層のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい組成の層の具体例としては、Si層、Ru層、TiO2層を例示することができる。反射層がSi/Mo膜の多層膜である場合、最上層をSi層とすることによって、該最上層をキャップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、11.0±2nm、特に11.0±1nmであることが好ましい。本発明の反射層付き基板およびEUVマスクブランクは、前記反射層が形成されている表面とは反対の面裏面にチャック層を有している。チャック層は、成膜時またはマスクの露光時の保持手段として用いられる静電チャックのチャック部材として作用する。チャック層は、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層であり、静電チャックにより基板をチャックする方式にもよるが、導電性の高い導電膜や電界印加によって誘電分極を生じる誘電体膜であることが好ましい。具体的には、チャック層とは、体積抵抗率が106Ωcm以下の膜、特に105Ωcm以下の膜であることが好ましい。なお、体積抵抗率は、導電膜体積抵抗率が103Ωcm以下の膜の場合4端子法で測定し、誘電体膜の場合ASTM-D257を用いて測定する。チャック層が導電膜の場合、導電膜のシート抵抗は、反射層の絶縁破壊が生じないようにする点で、100Ω/□以下であることが好ましい。また、チャック層の表面硬度は高いことが好ましい。チャック層付き基板を静電チャックにチャックして保持して反射層付き基板やEUVマスクブランクの形成に使用した際に、静電チャックとチャック層との擦れによってパーティクルが発生することが防止することが可能となるからである。チャック層のビッカーズ硬度が200以上であることが好ましい。チャック層のビッカーズ硬度が200以上であれば、チャック層付き基板を静電チャックに固定してEUVマスクブランクの製造に使用した際に、静電チャックとチャック層との擦れによってパーティクルが発生することを防止する効果に優れている。また、チャック層の表面は、静電チャックとチャック層との擦れによるパーティクルの発生防止の点で、平滑性に優れることが好ましい。具体的には、チャック層の表面の平滑性は、Rmsで2nm以下であることが好ましい。チャック層の表面の平滑性がRmsで2nm以下であれば、チャック層付き基板を静電チャックに固定した場合に安定して十分なチャック保持力が得られるだけでなく、静電チャックとチャック層との擦れによってパーティクルが発生することを防止する効果に優れている。また、チャック層は、積層構造例えば、2層構造であり、組成がCrであって、下層はBを含有せず、上層はBを含有する層や、傾斜組成構造例えば、Bの含有量を膜厚に従って変化させた層とすることも可能である。チャック層は、上記シート抵抗値を満たすものであれば特に限定されないが、Cr、Ni、Ti、Ta、Mo、SiおよびWからなる群から選ばれる1種以上の金属材料であることが好ましく、特にCrであることが以下の理由から好ましい。上記金属材料のチャック層中の含有率は、10~70atであることがチャック層能力の点で好ましい。また、チャック層は、ITOや酸化スズなどの金属酸化物材料であってもよい。導電膜は、基板を静電チャックで強固に固定することが好ましいため、シート抵抗が100Ω/□以下であることが好ましい。導電膜のシート抵抗は、導電膜の電気伝導率、導電膜の面積および膜厚によって決定される。Crは、電気伝導率が高いため、導電膜のシート抵抗を100Ω/□以下にするのに好都合である。また、Crで構成された導電膜は、基板との密着性に優れている。チャック層は、上記金属材料のみならず、平均濃度1~70atでBホウ素を含有してもよい。つまり、チャック層は、金属とBからなる膜であることが好ましい。さらに、チャック層中にNを含有させてもよい。Nを含有させることによって、チャック層で発生する応力具体的には、圧縮応力を高めることができるため好ましい。さらに、チャック層は、金属単体であるのみならず、金属窒化物であってもよい。また、チャック層が金属窒化物である場合、前記材料に酸素Oを含まないことが好ましい。また、チャック層はチャック層の膜厚方向で組成が異なっていてもよく、チャック層の基板側には、窒素Nを含み、前記チャック層のうち表面側には、酸素O及び炭素Cを含んでもよい。また、露光時に基板を静電チャックで固定する場合は、チャック層が導電膜の場合、上述のとおり、導電膜のシート抵抗が100Ω/□以下であることが好ましい。しかし、これは、あくまで基板を固定するために必要な抵抗値であって、反射層を成膜する場合は、基板そのものを回転して成膜する場合があるため、回転しても基板が外れないような静電力がさらに必要になる場合がある。具体的には、導電膜のシート抵抗が20Ω/□以下であることが好ましい。チャック層の膜厚は、10~500nmであることが好ましい。チャック層の膜厚が10nm未満であると、チャック層付き基板を静電チャックに固定した際にチャック層力が不足するおそれがある。また、基板の成膜面にスパッタリング法を用いて成膜する際に、異常放電が起こり、パーティクルが発生するおそれがある。また、チャック層付き基板を静電チャックに固定し、高電圧を引加した際に基板が絶縁破壊するおそれがある。チャック層の膜厚が500nm超である場合、これ以上の膜厚であってもチャック層力の向上にはもはや寄与せず、チャック層の形成に要する時間が増加し、チャック層の形成に要するコストが増加するため好ましくない。また、チャック層の膜厚が必要以上に大きくなるため、膜剥れが発生するおそれが増加する可能性がある。チャック層の膜厚は、30~400nm、特に50~200nmであることが好ましい。チャック層は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリングといったスパッタリング法、CVD法、真空蒸着法、電解メッキ法等を用いて形成することができる。EUVマスクブランクにパターン形成する場合、微細なパターンを形成するために、通常は電子ビーム描画技術を用いてパターン形成を行う。電子ビーム描画技術を用いたパターン形成を行うためには、まず、EUVマスクブランクの吸収層表面に電子ビーム描画用のレジストを塗布し、ベーキング処理、たとえば100~200°Cでベーキング処理を行う。次に、レジスト表面上に電子ビーム描画装置を用いて電子ビームを照射し、その後現像することでレジストパターンを形成する。これらの手順は、主として、EUVマスクブランクを静電チャックに固定した状態で実施される。またEUVマスクを用いて、Siウェハー上のレジスト膜上にマスク上に形成された微細回路パターンを縮小投影する場合、EUVマスクの反射層の反射率は60~70程度であり、EUVマスクに入射する光の30~40はEUVマスクに吸収されることとなるため、結果的にEUVマスクの基板温度が上昇する。上記EUVマスクパターン形成の際やEUVマスクを使用して微細回路を縮小投影露光する場合、電子線や極紫外線EUV光の吸収によりEUVマスクの温度が上昇する。EUVマスクの温度上昇はパターン精度に悪影響を及ぼすおそれがあることから好ましくない。このため、パターン形成の際にEUVマスクを冷却することが検討されている。EUVマスクの冷却方法としては、様々な方法が考えられるが、例えば、静電チャック内部に液体や気体を流通させて基板を冷却する方法、またはピンチャックと基板との空隙部分に気体を流通させて基板を冷却する方法がある。これらの方法において、基板の冷却効率にはチャック層の熱伝導性が大きく影響する。チャック層の熱伝導率が、2.8J/cmsec°C以上であれば、チャック層が熱伝導性に優れるため、基板の冷却効率に悪影響が及ぶことがない。チャック層の熱伝導率は、3.0J/cmsec°C以上であることがより好ましく、3.2J/cmsec°C以上であることがさらに好ましい。本発明の反射層付き基板においては、反射層とチャック層とは導通がないことを特徴としている。また、本発明のEUVマスクブランクにおいては、反射層および吸収層とチャック層とは導通がないことを特徴としている。通常、反射層、吸収層やチャック層は、その平滑性や低欠陥等の要請から、スパッタリング法により形成することが一般的である。本願の図2には、特許文献1の図1に記載されているEUVマスクブランクの断面図が記載されており、EUVマスクブランク100は、基板111の上に、反射層112、中間層113および吸収層114をこの順に積層した構造になっている。スパッタリング法で、特に何も施策をすることなくそのまま成膜すると、スパッタ粒子はターゲットから基板に向かって飛来するが、その飛来方向はある程度分布を有して広がった方向となる。また飛来中に他のスパッタ粒子や雰囲気中の元素と衝突し、スパッタ粒子の方向性が失われさらに前記スパッタ粒子の飛来方向が無秩序になる可能性がある。このようなスパッタ粒子の入射角度の分布および無秩序性により、スパッタ粒子は基板表面に衝突し堆積するだけでなく、基板の側面や裏面にも自然と回り込むこととなる。またスパッタリング法などにより特定の膜を形成する場合、膜の膜厚均一性を確保し、改善するため、ターゲットから飛来するスパッタ粒子の入射方向最も多くのスパッタ粒子が飛来する入射角度に対して、基板を傾けて成膜することも可能である。この場合、特に何も施策を施すことなく成膜すると、膜は基板の表面だけでなく、基板の側面や裏面にも自然と形成されることとなる。例えば、特許文献1の実施例においては、反射層および吸収層はDCマグネトロンスパッタ法により形成されたと記載されている。このスパッタリング法においては、特に何らの施策も施されていないため、上記説明により、膜は基板の側面や裏面に回り込んでいると考えられる。特許文献1の図1には、実施例により形成されたEUVマスクブランクとして、本願の図2のようなEUVマスクブランクが記載されているが、実際に製造されるEUVマスクブランクは、図3のように、反射層および吸収層が基板の側面、場合によっては裏面まで形成されている構造をしていることになっていると考えられる。図3においては図2と同様に、基板111の上に、反射層112、中間層113および吸収層114をこの順に積層した構造となっているが、基板の側面に到達したスパッタ粒子が側面で積層し回り込み部120を形成している。なお、反射層112、中間層113および吸収層114は、それぞれがスパッタリング法により形成される場合が多く、その場合は、各層の形成において回り込みが発生し、回り込み部120を形成することとなる。なお、図3においては各膜の回り込み部120は、図中左側側面にのみ記載されているが、実際には、形成される膜の膜厚均一性を確保するために、基板を回転させながら成膜することが一般的であるため、この回り込み部120は基板の全周に形成されることとなる。また、回り込み部120は、場合によっては裏面にも形成され、この場合も、裏面の全周に形成されることとなる。チャック層についても、上記と同様の理由により、回り込み部を形成することとなる。例えば、本願の図4には、特許文献2の図4と同様に、基板111の裏面にチャック層125を形成したEUVマスクブランク用のチャック層付き基板200の断面図が記載されている。しかし、前述したとおり、通常のスパッタリング法で形成されたチャック層は、特に何も施策をすることなくそのまま成膜すると、基板111の表面に積層されるのみならず、基板111の側面や裏面にも自然と膜が回り込むこととなる。よって、実際に製造されるチャック層付き基板は図5のような構成をしていることになる。図5においては図3における反射層と同様に、基板111の裏面にチャック層125を形成した構造となっており、基板の側面に到達したスパッタ粒子が側面で積層し回り込み部130を形成している。なお、反射層の場合と同様、回り込み部130は基板の側面の全周のみならず、場合によっては表面の全周にも形成されうる。EUVマスクブランクを製造する場合、通常、まず基板の裏面にチャック層を形成し、その後、チャック層を静電チャックして保持することで基板をチャックして保持しながら、反射層、中間層および吸収層を形成する方法が一般的である。よって、図6aに記載されているとおり、EUVマスクブランクにおいては、特に何も施策をすることなくそのまま成膜すると、図3における回り込み部120と図5における回り込み部130がお互いにオーバーラップし、オーバーラップ部140が形成される形となる。その結果、反射層115とチャック層125とで導通を生じる結果となる。この回り込み部120および130は、前述したとおり、特許文献1および2では特に記載されていないが、特に何も施策をすることなく通常のスパッタリング法で成膜すれば、必然的に現れる部分である。なお、この場合も、オーバーラップ部140は、回り込み部120および130と同様に、基板の表面の全周に形成されうる。なお、図6においては、基板の側面にてオーバーラップ部140が形成されているが、膜の形成時の条件設定によっては、図6bに記載されているとおり、基板の反射層を形成する面や、吸収層を形成する面においてもオーバーラップ部140が形成される可能性もある。なお、この場合も、オーバーラップ部140は、回り込み部120および130と同様に、基板の裏面の全周に形成されうる。上記導通が生じることにより発生する問題点について以下説明する。反射層付き基板やEUVマスクブランクを製造する場合、チャック層と静電チャックとが成膜中に接触しているため、吸収層の膜剥れや、成膜時の異常放電等によるパーティクルが発生する可能性がある。このようなパーティクルの発生により、製品反射層付き基板、EUVマスクブランク、またはEUVマスクにおける欠陥が多くなり、高品質の製品が得られない問題が生じる。従来の透過型マスクを用いたパターン転写の場合には、露光光の波長が紫外域150~247nm程度と比較的長いため、マスク面に凹凸欠陥が生じても、これが重大な欠陥とまではなりにくく、そのため従来では成膜時のパーティクルの発生は課題としては格別認識されていなかった。しかし、EUV光のような短波長の光を露光光として用いる場合には、マスク面上の微細な凹凸欠陥があっても、転写像への影響が大きくなるため、パーティクルの発生は無視できない。また、導通が生じることによるさらなる問題点を、図8を用いて説明する。図8は、静電チャック60を用いて基板10をチャックして保持する場合の断面図を示している。静電チャック60をプラスまたはマイナスに帯電させることで、チャック層50と静電チャック60とを静電的に強固に固着させることができる。そうすると、静電チャック60が接している基板側の面チャック層50は、静電チャックの電荷とは反対の電荷、つまりマイナスまたはプラスに帯電していることになる。もし、前述したようなオーバーラップ部140が形成されることで反射層20とチャック層50とが導通していると、チャック層50に帯電した電荷が反射層側にも流れ、反射層、中間層や吸収層といった膜を成膜する基板表面が帯電することとなる。スパッタリング法で成膜するチャンバー内のパーティクルは、通常プラスまたはマイナスに帯電しているため、上記のとおり基板表面が帯電していると、一部のパーティクルがマイナスまたはプラスに荷電した基板上にひきつけられることとなり、結果的に膜中の欠点数が多くなる可能性がある。また、反射層が多層膜である場合、反射層における第1層目を形成した後でも導通は生じる可能性があるため、第1層目を形成した直後に電荷を帯びる結果、他の多層膜を構成するすべての膜の成膜中において、パーティクルがひきつけられ、結果的に反射層中に広い範囲で欠点を生じさせる可能性がある。また、このパーティクルが基板上にひきつけられる状況は、反射層を形成している場合のみならず、吸収層や中間層を形成している場合でも起こりうる。この場合は、パーティクスの付着がさらに助長されることとなる。また、EUVマスクブランクおよびEUVマスクにおいて、パターンが形成される基板の表面に形成された膜と静電チャックによりチャックして保持するため裏面に形成されたチャック層との間に導通があると以下のような別な問題が生じる。EUVマスクブランク上のレジスト膜に電子線やレーザ光を用いて微細回路パターンを描画する工程、およびEUVマスクブランク上の吸収層をプラズマエッチングを用いてパターニングする工程、パターンが形成されたEUVマスクを用いてSiウェハー上レジスト膜にパターンを縮小転写する露光の工程などの各工程においては、EUVマスクブランクおよびEUVマスクは静電チャックによりチャックして保持されるが、上述の理由により、基板表面に形成された膜も帯電が生じ、形成されたパターンに絶縁破壊などのダメージが生じる可能性がある。本発明においては、上記問題点に鑑み、反射層および吸収層とチャック層とが導通していない構成を有する反射層付き基板やEUVマスクブランクとすることにより、基板表面に形成された膜の帯電を防止することができ、静電気力などによってパーティクルが基板上にひきつけられることがなくなり、結果的に欠陥が少ない反射層付き基板やEUVマスクブランクを形成できることを見出したものである。さらに、基板の側面に膜が回りこまなければ、基板の搬送時に発生する接触による側面からの膜の剥がれを防止でき、さらにパーティクルの発生を防止できる、という別な効果も有する。なお、導通していない、とは、反射層付き基板の場合は、反射層とチャック層との間の抵抗値が1MΩ以上であることを意味し、特に5MΩ以上、10MΩ以上、さらには測定不可能な程度まで抵抗値が高いことが好ましい。また、反射層とチャック層との間の抵抗値は、露光エリア通常は基板中央の104×132mmの四角形のエリアに相当する領域内の1点と、基板裏面に形成された静電チャックのために必要な膜の、静電チャックに使用される領域内の1点との2点間で、2端子法あるいは4端子法により測定した場合の抵抗値を用いることが可能である。なお、EUVマスクブランクの場合は、反射層および吸収層とチャック層低反射層を有する場合は、低反射層との間の抵抗値が上述したような値となることを意味する。また、図6におけるオーバーラップ部140は、上述したような理由により、できるだけ少ないほうが好ましく、存在しないことが特に好ましい。なお、後述する絶縁膜を形成した場合は、オーバーラップ部140が存在していても、絶縁膜により導通が生じなくなるため、特に問題はない。上記のような反射層とチャック層との導通がない反射層付き基板としては、下記のような態様が考えられる。なお、下記の態様は、反射層とチャック層との導通がない場合について記載しているが、反射層および吸収層とチャック層との導通がないEUVマスクブランクについても同様の態様が可能である。第1の態様第1の態様としては、チャック層の形成領域を基板よりも小さくすること、具体的には、基板の端に近い周辺部分にはチャック層を設けず、中央部分にのみチャック層を有する態様や、基板の裏面に導通を消失させるような不導通部を有する態様が挙げられる。チャック層の形成領域を小さくすれば、反射層が回り込んできたとしても、チャック層の形成領域がその回り込んだ領域から離れているため、お互いの膜のオーバーラップが存在せず、導通が生じないからである。上記理由により、不導通部は、図7のとおり、基板全周にわたって形成されていることが好ましい。チャック層50の形成領域は、図7aまたはbにあるとおり、チャック層の形状が円形状であるのか四角形状であるのかにかかわらず、基板10の端からチャック層50の形成領域までの距離Dが2mm以上、特に35mm以上、さらには50mm以上、100mm以下であることが好ましい。また、前記不導通部の形成領域を、前記形成領域における幅の最小値d不導通部の幅が一定でない場合もあるため、基板全周において最も狭い幅を意味するで表した場合、2mm以上、特に35mm以上、さらには50mm以上、100mm以下であることが好ましい。なお、不導通部の形成位置は、基板の端に限定されない。上記範囲であれば、反射層とチャック層との導通を消失させることができ、欠陥の発生が少ない反射層付き基板を得ることが可能となる。なお、特許文献3の[0019]には、基板の端から30mmの範囲にチャック層を記載しないことで、静電チャック時の基板周縁部からのパーティクル発生を防止できるとしている。確かに、基板の周縁部に膜を形成しなければ、そこからの膜剥がれによりパーティクルの発生は防止できる。しかし、反射層や、その上に中間層や吸収層を形成した場合、膜は、基板側面のみならず、基板の裏面まで膜は回り込むことが多い。よって、端から30mmの部分にチャック層を形成しなかったとしても、その部分には反射層が積層され、チャック層と反射層との間で導通が生じる可能性がある。つまり、引用文献3の方法では、本願発明の目的は達成できない。チャック層の膜形状は、円図7aに記載、楕円、三角形または四角形図7bに記載等の多角形等特に限定されない。しかし、静電チャックが円形である場合が多いため、密着性の観点から、チャック層の形状も、静電チャックと同じ形状であること、つまり静電チャックと同じか小さい円形状であること、具体的にはチャック層の円形状の円の直径が静電チャックの断面形状の円の直径と同じか小さいことが好ましい。さらに、下記の理由で小さいことがより好ましい。さらに、チャック層の形成領域の面積は、静電チャックで基板を保持した場合の基板への接触面積よりも小さいことが好ましい。よって、静電チャックが円形状の場合、チャック層の円形状の円の面積は、静電チャックで基板を保持した場合の基板への接触面積よりも小さいことが好ましい。その理由を下記に説明する。イオンビームスパッタリング法を用いて、基板上に反射層として、Si膜低屈折率層、膜厚4.5nmと、Mo膜高屈折率層、膜厚2.3nmと、を交互に30~50層成膜して、Si/Mo多層膜を成膜した場合、基板には反射層の成膜により400~500MPaの圧縮応力が加わる。反射層を成膜する際、基板は静電チャックによってチャックして保持されている。例えば、EUVマスクブランク用のSiO2-TiO2基板として、一般的に使用されるガラス基板外形6インチ152.4mm角、厚さ6.3mm、熱膨張率0.2×107/°C、ヤング率67GPa、比剛性3.1×107m2/s2に、反射層の成膜による400~500MPaの圧縮応力が加わった場合、基板は反射層側に1.9~2.1μm程度凸状に反った状態に変形する。EUVマスクブランクにおいて、平坦度の許容限界値はマスクブランクの端から端までで100nm以下である。なお、反射層を成膜後の基板の平坦度とは、反射層上の平坦度を意味する。上記のような圧縮応力が発生した場合、その圧縮応力により、反射層側から見て、基板は中央が膨らんだ形状となる。よって、成膜中の基板の裏面を静電チャックで支持した場合、反射層を成膜していくことで基板中央が膨らむ結果、静電チャックと基板とは、静電チャックの端の部分により大きい力がかかるようになる。成膜中は、成膜時の膜厚のばらつきを最小限に抑えるため、基板を回転させることが多いが、最も大きな力がかかるのは、静電チャックと基板との接触部分のうち、静電チャックの端の部分になる。よって、その部分に膜を形成しないようにすることで、成膜時に静電チャックと基板との接触により発生するチャック層起因のパーティクルの発生を防止できる。なお、静電チャックは、1個のチャックにより基板をチャックして保持することを予定して記載しているが、静電チャックの数は1個のみならず複数であってもよい。チャック層起因のパーティクルの発生を防止するために、チャック層の形成領域は、静電チャックで基板を保持した場合の、静電チャックが基板へ接触している領域の端から1mm以上内側に入った部分、特に5mm以上内側に入った領域、さらには10mm以上内側に入った領域であることが好ましい。つまり、不導通部の形成領域が、静電チャックで基板を保持した場合の、静電チャックが基板へ接触している領域の端からの幅の最小値で表した場合、1mm以上、特に5mm以上、さらには10mm以上であることが好ましい。例えば、直径100mmの円形状を有する静電チャックの場合、チャック層の形成領域は、直径98mm以内の円形状、特に直径90mm以内の円形状、さらには直径80mm以内の円形状であることが好ましい。上記のようなチャック層の形成領域を基板の裏面領域よりも小さくしたり、不導通部を形成したりする方法としては、1遮蔽マスク等の遮蔽部材を用いてチャック層を成膜する方法、2チャック層を基板全面に成膜後、該チャック層の一部を除去する方法が例示される。遮蔽マスク等の遮蔽部材を用いてチャック層を成膜する方法では、成膜チャンバ内のターゲットから基板までの間に、基板の側面や反対側の面にスパッタ粒子が届かないような遮蔽部材を設置し、物理的に基板の側面や反対側の面に膜が成膜されないようにして、不導通部を形成する方法である。遮蔽部材としては、チャック層の形成領域に合わせた形状に加工した遮蔽マスクや、成膜する経路を遮断する邪魔板のようなものであってもよい。また、遮蔽部材の設置場所は、ターゲット側よりも、基板に近い位置に設置することが、より多くのスパッタ粒子がチャック層の形成領域へ到達することができる点で好ましい。なお、スパッタ粒子は遮蔽マスクを回り込むため、実際の形成領域の面積よりも、遮蔽マスクの開口部の面積は小さいことが好ましい。チャック層を基板全面に成膜後、該チャック層の一部を除去する方法では、まず、基板に遮蔽部材等の特別の施策をすることなく、通常どおり基板表面に膜を形成し当然膜は側面や裏面に回り込んでいることになる、その後、膜の一部を、基板全周にわたって研磨等により除去し、不導通部を形成する方法である。膜の除去の方法としては、化学的エッチング、Al2O3などを用いたサンドブラスト、CO2、ArやH2Oエアロゾルによるブラスト、機械的研磨等が挙げられる。また、削除する膜の一部は、基板の側面であってもよいし、基板の角部面取りであってもよいし、さらに裏面であってもよい。さらに、上記のように、基板よりも小さくチャック層を成膜した後に、反射層が成膜されないように特定の部分を被覆部材で被覆するなどして、被覆した部分に反射層が形成されないような細工をし不導通部を形成してから、反射層を形成する方法も考えられる。また、基板よりも小さくチャック層を成膜した後に、反射層を通常のとおり基板前面に成膜し、その後反射層を一部除去し不導通部を形成する方法も考えられる。特に、上記のように特定の部分をマスクで被覆し反射層を形成する方法が、導通を確実に生じなくさせることができる点で好ましい。なお、上記被覆部材としては、感光性フォトレジストやポリイミドテープなど例示される。また、もし、上記のように特定の部分を被覆部材で被覆し反射層を形成する場合、その部分には確実に反射層が形成されないことになるため、チャック層の形成領域は上述したような狭い範囲に限定される必要はない。具体的には、チャック層の形成領域は、基板の端から1mm以上内側に入った領域、特には5mm以上内側に入った領域であることが好ましい。上記範囲であれば、反射層とチャック層との導通をさけることができ、欠陥の発生が少ない反射層付き基板を得ることが可能となる。第2の態様反射層とチャック層との導通がない反射層付き基板の第2の態様としては、反射層の形成領域を基板よりも小さくすること、具体的には、基板の端に近い周辺部分には反射層を形成せず、基板中央にのみ反射層を形成する態様や、基板の表面に導通を生じさせないような不導通部を形成する態様が挙げられる。反射層の形成領域を小さくすれば、チャック層が基板の側面、場合によっては表面にまで回り込んでいたとしても、その回り込んだ部分から反射層の形成領域が離れているため、各々の膜のオーバーラップがなく、導通を生じないからである。前記不導通部は、図9のとおり、基板全周にわたって形成されていることが好ましい。反射層20の形成領域は、図9にあるとおり、基板10の端から形成領域までの距離Mが1mm以上内側に入った領域、特には5mm以上内側に入った領域であることが好ましい。また、前記不導通部の形成領域を、前記形成領域における幅の最小値m不導通部の幅が一定でない場合もあるため、基板全周において最も狭い幅を意味するで表した場合、1mm以上、特に5mm以上、100mm以下であることが好ましい。上記範囲であれば、反射層とチャック層との導通をさけることができ、欠陥の発生が少ない反射層付き基板を得ることが可能となる。なお、上記不導通部の形成位置は、基板の端に限定されない。また、反射層の形状は、円図9aに記載、楕円、三角形または四角形図9bに記載等の多角形等特に限定されないが、マスクとして製造した後の露光可能なエリアを考慮すると、四角形であることが好ましい。上記のような反射層の形成領域を基板よりも小さくして不導通部を形成する方法としては、1遮蔽マスク等の遮蔽部材を用いて反射層を成膜する方法、2反射層を基板全面に成膜後、反射層の一部を除去する方法が挙げられる。遮蔽部材を用いて反射層を成膜する方法とは、成膜チャンバ内のターゲットから基板までの間に、基板の側面や裏面にスパッタ粒子が届かないような遮蔽部材を設置し、物理的に基板の側面や裏面に膜が成膜されないようにする方法である。遮蔽部材としては、反射層の成膜時の形状に合わせた形状に加工した遮蔽マスクや、成膜する経路を遮断するように加工した邪魔板のようなものであってもよい。また、遮蔽部材の設置場所は、ターゲット側よりも、基板側に設置することが、より多くのスパッタ粒子が反射層の形成領域に到達することができる点で好ましい。反射層を基板全面に成膜後、反射層の一部を除去する方法は、まず、遮蔽部材を設置する等の施策をすることなく通常どおり基板全面に膜を形成し、その後、膜を何らかの方法で除去して不導通部を形成する方法である。膜の除去の方法としては、具体的には、化学的エッチング、エアロゾルによるブラスト、サンドブラストや機械的研磨等が挙げられる。また、膜を除去する箇所は、基板の周辺部分であってもよいし、基板の側面であってもよいし、または基板の角部面取りであってもよい。膜の反射層の除去は、導通を生じなくさせることが必要な点で、基板の全周にわたって行うことが好ましい。第3の態様反射層とチャック層との導通がない反射層付き基板の第3の態様としては、基板の側面、裏面および表面のうちの少なくとも一面において、不導通部が形成されるように膜の少なくともある一部分で、基板全周にわたって導通を生じさせるような膜チャック層、反射層または吸収層が存在しないような削除部55を設けることである。図10aのEUVマスクブランクの断面図においては基板の側面に削除部を形成した例、図10bには基板の裏面に削除部を形成した例、図10cには基板の表面に削除部を形成した例を挙げている。削除部55を形成することで、チャック層50と反射層20との導通を生じさせていた膜の縁を切ることができ、導通を消失させることができるからである。また、反射層20上に吸収層30を形成した場合であっても、同様に削除部55を形成することで、導通を消失させることができる。なお、図10では、膜の2箇所に削除部を設けているが、これは基板の全周にわたって削除部を設けていることを意味する。基板の側面に不導通部を形成するための削除部を形成する場合、その形成場所は、特に限定されないが、図10aにあるとおり、基板の幅方向における中央部分であることが研磨のしやすさから好ましい。また、基板の裏面に削除部を形成する場合、図10bでは、基板の端に近い周辺部分に削除部を設けている。しかし、静電チャックすることが可能であれば、削除部が適切な幅を有する限り、特に削除部の位置は限定されない。基板の表面に削除部を形成する場合、露光の面積を考慮すると、図10cにあるとおり、基板の端に近い周辺部分に削除部を設けることが好ましい。削除部55の幅は、導通を消失させることができる点で、0.0001~1mm、特に0.001~0.5mmであることが好ましい。さらに、膜が存在しない削除部55の深さ膜を掘り進めて基板に到達してからの基板への掘り込み深さは、導通を所望の程度まで消失させることができる点で、0.0001~5mm、特に0.001~1mmであることが好ましい。上記のような不導通部を形成するための削除部は、1チャック層および反射層を形成後、基板の側面、裏面または表面から膜を除去する、2チャック層を形成後、基板の側面または裏面から膜を除去し、その後反射層を形成する、という方法により形成されることが好ましい。2の方法において反射層を形成する場合、反射層が基板の側面に回り込み、再度導通が生じる可能性があるので、基板の端に近い周辺部分には反射層を形成せず、基板中央にのみ反射層を形成することが好ましい。反射層の成膜する場所は、図9にあるとおり、基板の端から形成領域までの距離Mが1mm以上、特には5mm以上であることが好ましい。膜を除去する方法としては、化学的エッチング、エアロゾルによるブラスト、サンドブラストや機械的研磨等が挙げられる。また、除去する箇所は、基板の表面、側面、裏面のいずれかの1面でもよいし、2面、3面全部でもよいし、複数の面にまたがってもよい。また、除去する箇所は、1箇所のみならず、数箇所であってもよい。第4の態様反射層とチャック層との導通がない反射層付き基板の第4の態様としては、不導通部を形成するための特定の絶縁層を基板と反射層との間に形成することである。図11には、基板10の裏面にチャック層50が形成され、基板10の表面に絶縁層80を介して反射層20および吸収層30を形成された態様が記載されている。絶縁層80を形成することで、導電膜50と反射層20との導通を生じさせていた膜の縁を切ることができ、導通が生じなくさせることが可能となるからである。また、図11に記載のとおり、反射層20上に吸収層30を形成した場合であっても、同様に絶縁層80を形成することで、導通を消失させることができる。絶縁層は、一般的な絶縁体であれば特に限定されず、SiO2、Al2O3、Ta2O5、HfO2などの各種酸化物が例示できる。また、絶縁層の厚さは、導通を生じなくさせることができる程度の厚さが必要な点で、5~1000nm、特に50~300nmであることが好ましい。なお、絶縁膜とは、体積抵抗率が1012Ωcm以上の膜を意味し、ASTM-D257により測定される。また、絶縁膜の表面抵抗率は、1010Ω/□以上であることが導通を消失させることができ好ましい。上記のような絶縁層を介した反射層付き基板を形成する方法としては、まず、チャック層を基板の裏面に形成した後、少なくとも反射層を形成する領域に絶縁層を形成し、続いて反射層を該絶縁膜と同領域またはそれよりも小さい領域に形成する方法が例示される。絶縁層を形成する方法としては、スパッタ法等、チャック層を形成する方法と同様の方法を使用することが可能である。なお、EUVマスクブランクに用いられるチャック層および絶縁層のみを形成した絶縁層付き基板においても、導通を生じなくさせる点で、絶縁層とチャック層との間は導通がないことが好ましい。導通していない、とは、絶縁層とチャック層との間の抵抗値が1MΩ以上であることを意味し、特に5MΩ以上、10MΩ以上、さらには測定不可能な程度まで抵抗値が高いことが好ましい。また、絶縁層とチャック層との間の抵抗値は、露光エリア通常は基板中央の104×132mmの四角形のエリアに相当する領域内の1点と、基板裏面に形成された静電チャックのために必要な膜の、静電チャックに使用される領域内の1点との2点間で、2端子法あるいは4端子法により測定した場合の抵抗値を用いることが可能である。上記のような第1~第4の態様は、それぞれを重複して行ってもよい。例えば、第4の態様のように絶縁層を有し、かつ第3の態様のような削除部を有するような反射層付き基板であってもよい。上記重複の態様とすることで、さらに確実に層の間の導通を消失させることができ好ましい。なお、上記のような第1~第4の態様は、主として、チャック層と反射層とが形成された反射層付き基板についての態様であるが、チャック層と反射層および吸収層場合によっては、後述する中間層や低反射層も形成可能とが形成された吸収層付き基板EUVマスクブランクにも同様の態様が使用できる。なお、反射層、中間層および吸収層は同一の形状で成膜されることが、マスクの露光エリアを効率的に広げることができる点で好ましい。次に、本発明のEUVマスクブランクについて説明する。図1は、本発明のEUVマスクブランク1の模式図である。図1において、基板10上に反射層20および吸収層30が設けられている。基板10の裏面には、チャック層50が形成されており、チャック層50と、反射層20および吸収層30を有する積層膜40とは導通がないことを特徴としている。なお、反射層20と吸収層30との間に、中間層図示せずを設けてもよい。また、検査光の低反射性の要求から、吸収層の基板とは反対側上側に低反射層図示せずを設けてもよい。上記低反射層としては、吸収層を酸化させたものが好ましく例示される。本発明のEUVマスクブランクにおいて用いられる基板、チャック層および反射層の組成および方法は、反射層付き基板と同様の組成方法が使用できる。例えば、反射層付き基板において使用された1基板の材質や平坦度、2反射層の組成、形成方法、特性や層厚、3キャップ層の組成、形成方法、特性や層厚、4吸収層の組成、形成方法、特性や層厚などは、反射層付き基板において記載した内容をそのまま使用することが可能である。本発明のEUVマスクブランクは、反射層が形成された基板を静電チャックに固定した後または、反射層が形成された成膜チャンバ内に設置されたまま続けて、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法を用いて、吸収層を成膜することによって得られる。本発明のEUVマスクブランクにおいて、反射層上に成膜される吸収層としては、EUV光に対する吸収係数の高い材料、具体的には、Cr、Taまたはこれらの窒化物、ホウ素化物、ホウ窒化物が挙げられる。中でも、TaNがアモルファスであり、表面が平滑であるという理由で好ましい。吸収層の厚さは、50~100nmであることが好ましい。吸収層の成膜方法は、スパッタリング法である限り特に限定されず、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法のいずれであってもよい。イオンビームスパッタリング法を用いて、吸収層としてTaN層を成膜する場合、ターゲットとしてTaターゲットを用い、N2ガスガス圧1.3×102Pa~2.7×102Paを使用して、電圧300~1500V、成膜速度0.01~0.1nm/secで厚さ50~100nmとなるように成膜することが好ましい。スパッタリング法を用いて、吸収層30を成膜する際、表面分布が均一な膜厚を得るために、回転体により基板をチャックして保持させながら基板を回転させて、成膜を行うことが好ましい。本発明のEUVマスクブランクにおいて、反射層多層膜上にキャップ層が存在する場合はキャップ層と、吸収層と、の間に中間層が存在してもよい。中間層は、EUVマスクブランクをエッチングする場合のエッチングストッパ層としての役割を担う。中間層としては、たとえば、Cr、Al、Ru、Taおよびこれらの窒化物、ならびにSiO2、Si3N4、Al2O3が挙げられる。中間層は厚さ10~60nmであることが好ましい。中間層の成膜方法は、スパッタリング法である限り特に限定されず、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法のいずれであってもよい。本発明のEUVマスクブランクは、チャック層50と、反射層20および吸収層30を有する積層膜40とは導通がないことを特徴としている。EUVマスクブランクを形成する場合、反射層付き基板と同様に、スパッタリング法で特に何も施策をすることなくそのまま成膜すると、反射層のみならず、吸収層も基板の側面や場合によっては裏面まで膜が回り込むことになる。よって、特許文献1の図1には、本願の図2のようなEUVマスクブランクが形成されているが、実際に製造されるEUVマスクブランクは、図3に記載されたような回り込み部120が形成されていることとなる。チャック層についても、上述したとおり図5に記載されたような回り込み部130が形成され、結果的に図6に記載されたようなオーバーラップ部140が、EUVマスクブランクについても形成されていることになる。この回り込み部120および130は、特許文献1および2には特に記載されていないが、特に何も施策をすることなく通常のスパッタリング法で形成されれば、必然的に現れる部分である。このようなオーバーラップが生じることにより、反射層付き基板で説明したのと全く同じ問題点がEUVマスクブランクでも生じることとなる。上記問題点に鑑み、反射層および吸収層からなる積層膜とチャック層とが導通していない構成を有するEUVマスクブランクとすれば、基板表面に形成された膜の帯電を防止することができ、クーロン力などによってパーティクルが基板上にひきつけられることがなくなり、結果的に欠陥が少ないEUVマスクブランクやEUVマスクを形成できる。なお、導通していない、とは、積層膜とチャック層との間の抵抗値が1MΩ以上であることを意味し、特に5MΩ以上、10MΩ以上、さらには測定不可能な程度まで抵抗値が高いことが好ましい。また、反射層とチャック層との間の抵抗値は、露光エリア通常は基板中央の104×132mmの四角形のエリアに相当する領域内の1点と、基板裏面に形成された静電チャックのために必要な膜の、静電チャックに使用される領域内の1点との2点間で、2端子法あるいは4端子法により測定した場合の抵抗値を用いることが可能である。また、オーバーラップ部140は、上述したような理由により、できるだけ少ないほうが好ましく、存在しないことが特に好ましい。なお、絶縁膜を形成した場合は、オーバーラップ部140が存在していても、絶縁膜により導通が消失されているため特に問題はない。上記のような積層膜とチャック層との導通がないEUVマスクブランクとしては、下記のような態様が考えられる。これらの態様は、反射層付き基板における第1~4の態様とほぼ同じである。第1の態様としては、チャック層の形成領域を基板よりも小さくすること、具体的には、基板の端に近い周辺部分にはチャック層を設けず、中央部分にのみチャック層を形成する態様や、前記基板の端から前記チャック層の形成領域までの間に導通を生じさせなくなるような不導通部を形成する態様が挙げられる。チャック層の形成領域を小さくすれば、チャック層が回り込んできたとしても、反射層の形成領域がその回り込んだ領域から離れているため、お互いの膜のオーバーラップが存在せず、導通が生じないからである。上記理由により、前記不導通部は基板全周にわたって形成されていることが好ましい。なお、チャック層の形成部の大きさなどは、上述した反射層付き基板と同様である。また、上記のような導通がないEUVマスクブランクを形成する方法としては、1チャック層を成膜時にマスク等の遮蔽部材を用いる方法、2チャック層を基板全面に成膜後、基板の一部を研磨する方法が例示される。マスクの材質や大きさ、研磨方法などは、上述した反射層付き基板の場合と同様である。第2の態様としては、反射層および吸収層の積層構造からなる積層膜の形成領域を基板よりも小さくすること、具体的には、基板の端に近い周辺部分には積層膜を形成せず、基板中央にのみ積層膜を形成する態様や、基板の表面に導通を生じさせないような不導通部を形成する態様が挙げられる。形成領域を小さくすれば、チャック層が回り込んでいて、ある程度基板の側面や場合によっては裏面まで回り込んでいたとしても、その回り込み部から積層膜が離れているため、導通が生じないからである。上記理由により、前記不導通部は基板全周にわたって形成されていることが好ましい。なお、積層膜の形成する場所や方法は、上述した反射層付き基板の場合と同様である。また、上記のような導通がないEUVマスクブランクを形成する方法としては、1積層膜を成膜時に遮蔽マスク等の遮蔽部材を用いる方法、2積層膜を基板全面に成膜後、基板の一部を研磨する方法が挙げられる。なお、遮蔽部材の材質や大きさ、研磨方法などは、上述した反射層付き基板と同様である。第3の態様としては、基板の側面、裏面および表面のうちの少なくとも一面において、膜の深さ方向の少なくともある一部分で、基板全周にわたって導通を生じさせるような膜チャック層および積層膜が存在しない不導通部を形成するための削除部を設けることである。削除部を形成することで、チャック層と積層膜との導通を生じさせていた膜の縁を切ることができ、導通が生じなくなるからである。なお、削除部の深さや幅などは上述した反射層付き基板と同様である。なお、基板にあらかじめ全周にわたって切り込み部を設け、前記切り込み部に形成されたオーバーラップ部を除去する方法も考えられる。オーバーラップ部を除去する方法としては、化学的エッチング、エアロゾルによるブラスト、サンドブラストや機械的研磨等が例示される。また、上記のような導通がないEUVマスクブランクを形成する方法としては、1チャック層および積層膜を形成後、基板の側面、裏面および表面のうちの少なくとも一面から膜の一部を除去する、2チャック層を形成後、基板の側面、裏面および表面のうちの少なくとも一面から膜を除去し、その後積層膜を形成する、という方法が挙げられる。なお、膜の除去方法などは、上述した反射層付き基板と同様である。第4の態様としては、特定の絶縁層を基板と積層膜との間に形成した態様である。絶縁層を形成することで、絶縁層と積層膜との導通を生じさせていた膜の縁を切ることができ、導通が生じなくさせることが可能となるからである。なお、絶縁層の組成、形成方法や膜厚については、上述した反射層付き基板と同様である。さらに、本発明は、前記反射層と前記チャック層との間に導通がない反射層付き基板、および、前記反射層および前記吸収層と前記チャック層との間に導通がないEUVマスクブランクを形成するためのチャック層付き基板をも提供することができる。具体的には、前記チャック層付き基板は、上述した第1の態様や第3の態様、第4の態様と同様の層構成等を有しており、かつ第1の態様や第3の態様、第4の態様と同様の方法を用いることで、前記チャック層付き基板を形成することができる。