"一対の基板の対向面側に設けられた第1配向膜及び第2配向膜、並びに、第1配向膜と第2配向膜との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層、を有する液晶表示素子を備え、第1配向膜は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、第2配向膜は、第1配向膜を構成する化合物と同じ化合物を含み、第2配向膜の形成及び処理は第1配向膜の形成及び処理と異なっており、以て、第1配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ1、第2配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ2としたとき、θ1>θ2である液晶表示装置。一対の基板の対向面側に設けられた第1配向膜及び第2配向膜、並びに、第1配向膜と第2配向膜との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層、を有する液晶表示素子を備え、第1配向膜は、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物が変形した化合物を含み、第2配向膜は、第1配向膜を構成する化合物と同じ化合物を含み、第2配向膜の形成及び処理は第1配向膜の形成及び処理と異なっており、以て、第1配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ1、第2配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ2としたとき、θ1>θ2である液晶表示装置。第1配向膜の形成及び処理にはラビング処理が含まれ、第2配向膜の形成及び処理にはラビング処理が含まれ、第2配向膜に対するラビング処理条件は、第1配向膜に対するラビング処理条件と異なる請求項1又は請求項2に記載の液晶表示装置。一対の基板の一方に、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物から成る第1配向膜の形成及び処理を行い、一対の基板の他方に、第1配向膜を構成する高分子化合物と同じ高分子化合物から成る第2配向膜の形成及び処理を行い、次いで、一対の基板を、第1配向膜と第2配向膜とが対向するように配置し、第1配向膜と第2配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、その後、高分子化合物を架橋又は重合させて、液晶分子にプレチルトを付与する、工程を含み、第2配向膜の形成及び処理は第1配向膜の形成及び処理と異なっており、以て、第1配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ1、第2配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ2としたとき、θ1>θ2である液晶表示装置の製造方法。一対の基板の一方に、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物から成る第1配向膜の形成及び処理を行い、一対の基板の他方に、第1配向膜を構成する高分子化合物と同じ高分子化合物から成る第2配向膜の形成及び処理を行い、次いで、一対の基板を、第1配向膜と第2配向膜とが対向するように配置し、第1配向膜と第2配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、その後、高分子化合物を変形させることで、液晶分子にプレチルトを付与する、工程を含み、第2配向膜の形成及び処理は第1配向膜の形成及び処理と異なっており、以て、第1配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ1、第2配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ2としたとき、θ1>θ2である液晶表示装置の製造方法。一対の基板の一方に、側鎖として架橋性官能基又は感光性官能基を有する高分子化合物から成る第1配向膜の形成及び処理を行い、一対の基板の他方に、第1配向膜を構成する高分子化合物と同じ高分子化合物から成る第2配向膜の形成及び処理を行い、次いで、一対の基板を、第1配向膜と第2配向膜とが対向するように配置し、第1配向膜と第2配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、その後、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、液晶分子にプレチルトを付与する、工程を含み、第2配向膜の形成及び処理は第1配向膜の形成及び処理と異なっており、以て、第1配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ1、第2配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ2としたとき、θ1>θ2である液晶表示装置の製造方法。第1配向膜の形成及び処理にはラビング処理が含まれ、第2配向膜の形成及び処理にはラビング処理が含まれ、第2配向膜に対するラビング処理条件は、第1配向膜に対するラビング処理条件と異なる請求項4乃至請求項6のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。このようなプレチルトを付与する技術により、液晶表示装置における画像表示の立ち上がり速度の向上を図ることはできるが、電圧の印加を中断したときの応答速度の向上を図ることは容易ではない。一方、液晶表示装置における表示フレーム数の増加に対処するためには、画像表示の立ち上がり速度の向上だけでなく、立ち下がり速度の向上を図ることが必要とされる。また、2枚の基板から構成された液晶表示装置の各基板に形成される配向膜を構成する材料が異なると、これらの配向膜の経時変化に差異が生じる結果、液晶表示装置の長期信頼性の低下を招く虞がある。従って、本開示の目的は、立ち下がり速度の向上を図ることができ、しかも、長期信頼性の低下を招き難い液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。上記の目的を達成するための本開示の第1の態様に係る液晶表示装置は、一対の基板の対向面側に設けられた第1配向膜及び第2配向膜、並びに、第1配向膜と第2配向膜との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層、を有する液晶表示素子を備えており、第1配向膜は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物便宜上、配向処理後化合物と呼ぶを含み、第2配向膜は、第1配向膜を構成する化合物配向処理後化合物と同じ化合物配向処理後化合物を含み、第2配向膜の形成及び処理は第1配向膜の形成及び処理と異なっており、以て、第1配向膜即ち、配向処理後化合物によってによって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ1、第2配向膜即ち、配向処理後化合物によってによって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ2としたとき、θ1>θ2である。ここで、架橋性官能基とは、架橋構造橋かけ構造を形成することが可能な基を意味し、より具体的には、二量化を意味する。また、重合性官能基とは、2つ以上の官能基が逐次重合を行うような官能基を意味する。上記の目的を達成するための本開示の第2の態様に係る液晶表示装置は、一対の基板の対向面側に設けられた第1配向膜及び第2配向膜、並びに、第1配向膜と第2配向膜との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層、を有する液晶表示素子を備えており、第1配向膜は、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物が変形した化合物便宜上、配向処理後化合物と呼ぶを含み、第2配向膜は、第1配向膜を構成する化合物配向処理後化合物と同じ化合物配向処理後化合物を含み、第2配向膜の形成及び処理は第1配向膜の形成及び処理と異なっており、以て、第1配向膜即ち、配向処理後化合物によってによって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ1、第2配向膜即ち、配向処理後化合物によってによって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ2としたとき、θ1>θ2である。ここで、感光性官能基とは、エネルギー線を吸収することが可能な基を意味する。また、エネルギー線として、紫外線、X線、電子線を挙げることができる。以下においても同様である。上記の目的を達成するための本開示の第1の態様に係る液晶表示装置の製造方法あるいは液晶表示素子の製造方法は、一対の基板の一方に、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物便宜上、配向処理前化合物と呼ぶから成る第1配向膜の形成及び処理を行い、一対の基板の他方に、第1配向膜を構成する高分子化合物と同じ高分子化合物配向処理前化合物から成る第2配向膜の形成及び処理を行い、次いで、一対の基板を、第1配向膜と第2配向膜とが対向するように配置し、第1配向膜と第2配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、その後、高分子化合物配向処理前化合物を架橋又は重合させて、液晶分子にプレチルトを付与する即ち、配向処理後化合物によって液晶分子にプレチルトを付与する、工程を含み、第2配向膜の形成及び処理は第1配向膜の形成及び処理と異なっており、以て、第1配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ1、第2配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ2としたとき、θ1>θ2である。本開示の第1の態様に係る液晶表示装置の製造方法あるいは液晶表示素子の製造方法にあっては、限定するものではないが、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して、あるいは又、加熱することで、高分子化合物配向処理前化合物の側鎖を架橋又は重合させる形態とすることができる。そして、この場合、液晶分子を一対の基板の少なくとも一方の基板の表面に対して斜め方向に配列させるように、液晶層に対して電場を印加しながらエネルギー線を照射することが好ましく、更には、一対の基板は、画素電極を有する基板、及び、対向電極を有する基板から構成されており、画素電極を有する基板側からエネルギー線を照射することがより好ましい。一般に、対向電極を有する基板側にはカラーフィルタが形成されており、このカラーフィルタによってエネルギー線が吸収され、配向膜材料の架橋性官能基又は重合性官能基の反応が生じ難くなる可能性があるが故に、上述したとおり、カラーフィルタが形成されていない画素電極を有する基板側からエネルギー線を照射することが一層好ましい。画素電極を有する基板側にカラーフィルタが形成されている場合、対向電極を有する基板側からエネルギー線を照射することが好ましい。尚、基本的に、プレチルトが付与されるときの液晶分子の方位角偏角は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、極角天頂角は、電場の強さ、及び、配向膜材料の分子構造によって規定される。後述する本開示の第2の態様~第3の態様に係る液晶表示装置の製造方法においても、同様である。上記の目的を達成するための本開示の第2の態様に係る液晶表示装置の製造方法あるいは液晶表示素子の製造方法は、一対の基板の一方に、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物便宜上、配向処理前化合物と呼ぶから成る第1配向膜の形成及び処理を行い、一対の基板の他方に、第1配向膜を構成する高分子化合物と同じ高分子化合物配向処理前化合物から成る第2配向膜の形成及び処理を行い、次いで、一対の基板を、第1配向膜と第2配向膜とが対向するように配置し、第1配向膜と第2配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、その後、高分子化合物配向処理前化合物を変形させることで、液晶分子にプレチルトを付与する即ち、配向処理後化合物によって液晶分子にプレチルトを付与する、工程を含み、第2配向膜の形成及び処理は第1配向膜の形成及び処理と異なっており、以て、第1配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ1、第2配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ2としたとき、θ1>θ2である。本開示の第2の態様に係る液晶表示装置の製造方法あるいは液晶表示素子の製造方法にあっては、限定するものではないが、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して高分子化合物配向処理前化合物の側鎖を変形させる形態とすることができる。上記の目的を達成するための本開示の第3の態様に係る液晶表示装置の製造方法あるいは液晶表示素子の製造方法は、一対の基板の一方に、側鎖として架橋性官能基又は感光性官能基を有する高分子化合物便宜上、配向処理前化合物と呼ぶから成る第1配向膜の形成及び処理を行い、一対の基板の他方に、第1配向膜を構成する高分子化合物配向処理前化合物と同じ高分子化合物から成る第2配向膜の形成及び処理を行い、次いで、一対の基板を、第1配向膜と第2配向膜とが対向するように配置し、第1配向膜と第2配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、その後、高分子化合物配向処理前化合物にエネルギー線を照射することで、液晶分子にプレチルトを付与する即ち、配向処理後化合物によって液晶分子にプレチルトを付与する、工程を含み、第2配向膜の形成及び処理は第1配向膜の形成及び処理と異なっており、以て、第1配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ1、第2配向膜によって付与された液晶分子のプレチルト角度をθ2としたとき、θ1>θ2である。本開示の第3の態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、限定するものではないが、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、高分子化合物にエネルギー線として紫外線を照射する形態とすることができる。以上に説明した好ましい形態を含む本開示の第1の態様に係る液晶表示装置、本開示の第1の態様に係る液晶表示装置の製造方法、本開示の第2の態様に係る液晶表示装置、本開示の第2の態様に係る液晶表示装置の製造方法、あるいは、本開示の第3の態様に係る液晶表示装置の製造方法において、第1配向膜の形成及び処理にはラビング処理が含まれ、第2配向膜の形成及び処理にはラビング処理が含まれ、第2配向膜に対するラビング処理条件は、第1配向膜に対するラビング処理条件と異なる形態とすることができる。即ち、第1配向膜の形成及び処理は、第1配向膜の成膜、予備乾燥及び焼成、並びに、ラビング処理から成り、第2配向膜の形成及び処理は、第2配向膜の成膜、予備乾燥及び焼成、並びに、ラビング処理から成り、第2配向膜に対するラビング処理条件は、第1配向膜に対するラビング処理条件と異なる形態一方の配向膜にはラビング処理を施し、他方の配向膜にはラビング処理を施さない形態を含むとすることができる。あるいは又、第1配向膜の形成及び処理は、第1配向膜の成膜、予備乾燥及び焼成から成り、第2配向膜の形成及び処理は、第2配向膜の成膜、予備乾燥及び焼成から成り、第2配向膜の成膜条件、又は、予備乾燥条件、又は、焼成条件、又は、予備乾燥及び焼成条件が、第1配向膜の成膜条件、又は、予備乾燥条件、又は、焼成条件、又は、予備乾燥及び焼成条件と異なる形態とすることもできる。以上に説明した好ましい形態を含む本開示の第1の態様に係る液晶表示装置、本開示の第1の態様に係る液晶表示装置の製造方法、本開示の第2の態様に係る液晶表示装置、本開示の第2の態様に係る液晶表示装置の製造方法、あるいは、本開示の第3の態様に係る液晶表示装置の製造方法において、第1配向膜が形成された基板第1基板の法線と液晶分子の成すプレチルト角度第1プレチルト角:単位は度θ1、及び、第2配向膜が形成された基板第2基板の法線と液晶分子の成すプレチルト角度第2プレチルト角:単位は度θ2とは、好ましくは、θ1-θ2≧0.5より好ましくは、θ1-θ2≧1.5を満足することが望ましいし、0≦θ2≦2.0より好ましくは、0.5≦θ2≦1.0であることが望ましい。あるいは又、第1配向膜の形成及び処理並びに第2配向膜の形成及び処理を、θ1-θ2≧0.5より好ましくは、θ1-θ2≧1.5を満足し、且つ、0≦θ2≦2.0より好ましくは、0.5≦θ2≦1.0を満足するような値となるように、各種の試験を行い決定、設定することが望ましい。以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第1の態様に係る液晶表示装置あるいは本開示の第1の態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、本開示の第1の態様と呼ぶ場合があるし、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第2の態様に係る液晶表示装置あるいは本開示の第2の態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、本開示の第2の態様と呼ぶ場合があるし、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第3の態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、本開示の第3の態様と呼ぶ場合がある。また、本開示の第1の態様~第2の態様に係る液晶表示装置を、以下、総称して、単に、本開示の液晶表示装置と呼ぶ場合があるし、上記の好ましい形態を含む本開示の第1の態様~第3の態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、本開示の液晶表示装置の製造方法と呼ぶ場合があるし、本開示の液晶表示装置及び本開示の液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、本開示と呼ぶ場合がある。本開示の第1の態様、第2の態様あるいは第3の態様において、高分子化合物配向処理前化合物あるいは第1配向膜及び第2配向膜を構成する化合物配向処理後化合物は、更に、式1で表される基を側鎖として有する化合物から成る構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、本開示の第1Aの構成、本開示の第2Aの構成、本開示の第3Aの構成と呼ぶ。-R1-R2-R31ここで、R1は、炭素数1以上の直鎖状又は分岐状の2価の、エーテル基あるいはエステル基を含むことある有機基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物配向処理前化合物あるいは配向処理後化合物の主鎖に結合しており、あるいは又、R1は、エーテル、エステル、エーテルエステル、アセタール、ケタール、ヘミアセタール及びヘミケータールから成る群から選択された少なくとも1種の結合基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物配向処理前化合物あるいは配向処理後化合物の主鎖に結合しており、R2は、複数の環構造を含む2価の有機基であり、環構造を構成する原子のうちの1つはR1に結合しており、R3は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する1価の基、又は、それらの誘導体である。あるいは又、本開示の第1の態様、第2の態様あるいは第3の態様において、高分子化合物配向処理前化合物あるいは第1配向膜及び第2配向膜を構成する化合物配向処理後化合物は、式2で表される基を側鎖として有する化合物から成る構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、本開示の第1Bの構成、本開示の第2Bの構成、本開示の第3Bの構成と呼ぶ。尚、高分子化合物配向処理前化合物あるいは第1配向膜及び第2配向膜を構成する化合物配向処理後化合物は、式2で表される基だけでなく、上述した式1で表される基及び式2で表される基を側鎖として有する化合物から成る構成とすることもできる。-R11-R12-R13-R142ここで、R11は、炭素数1以上、20以下、好ましくは、炭素数3以上、12以下の直鎖状又は分岐状の2価の、エーテル基あるいはエステル基を含むことある有機基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物配向処理前化合物あるいは配向処理後化合物の主鎖に結合しており、あるいは又、R11は、エーテル、エステル、エーテルエステル、アセタール、ケタール、ヘミアセタール及びヘミケータールから成る群から選択された少なくとも1種の結合基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物配向処理前化合物あるいは配向処理後化合物の主鎖に結合しており、R12は、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、キトサン、アクリロイル、メタクリロイル、ビニル、エポキシ及びオキセタンのうちのいずれか1種の構造を含む2価の基、又は、エチニレン基であり、R13は、複数の環構造を含む2価の有機基であり、R14は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する1価の基、又は、それらの誘導体である。場合によっては、式2を、以下の式2’のとおり、変形することができる。即ち、式2は式2’を包含する。-R11-R12-R142’あるいは又、本開示の第1の態様において、高分子化合物配向処理前化合物を架橋させることにより得られた化合物配向処理後化合物は、側鎖、及び、第1基板あるいは第2基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋した架橋部、及び、架橋部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。あるいは又、本開示の第2の態様において、高分子化合物配向処理前化合物を変形させることにより得られた化合物配向処理後化合物は、側鎖、及び、第1基板あるいは第2基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が変形した変形部、及び、変形部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。あるいは又、本開示の第3の態様において、高分子化合物にエネルギー線を照射することにより得られた化合物は、側鎖、及び、第1基板あるいは第2基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋あるいは変形した架橋変形部、及び、架橋変形部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、本開示の第1Cの構成、本開示の第2Cの構成、本開示の第3Cの構成と呼ぶ。本開示の第1Cの構成、本開示の第2Cの構成、本開示の第3Cの構成にあっては、末端構造部はメソゲン基を有する形態とすることができる。尚、上述した式1にあっては、R2R3が末端構造部に該当し、上述した式2にあっては、R13R14が末端構造部に該当する。あるいは又、本開示の第1の態様において、高分子化合物配向処理前化合物を架橋させることにより得られた化合物配向処理後化合物は、側鎖、及び、第1基板あるいは第2基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋した架橋部、及び、架橋部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、本開示の第1Dの構成と呼ぶ。更には、本開示の第1Dの構成にあっては、主鎖と架橋部とは共有結合によって結合しており、架橋部と末端構造部とは共有結合によって結合している形態とすることができる。あるいは又、本開示の第2の態様において、高分子化合物配向処理前化合物を変形させることにより得られた化合物配向処理後化合物は、側鎖、及び、第1基板あるいは第2基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が変形した変形部、及び、変形部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、本開示の第2Dの構成と呼ぶ。あるいは又、本開示の第3の態様において、高分子化合物配向処理前化合物にエネルギー線を照射することにより得られた化合物配向処理後化合物は、側鎖、及び、第1基板あるいは第2基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋あるいは変形した架橋変形部、及び、架橋変形部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、本開示の第3Dの構成と呼ぶ。本開示の第1Aの構成~本開示の第1Dの構成を含む本開示の第1の態様にあっては、側鎖より具体的には、架橋部は光二量化感光基を有する形態とすることができる。更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、第1配向膜の表面粗さRaは1nm以下である構成とすることができる。ここで、表面粗さRaは、JISB0601:2001に規定されている。更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、液晶表示装置は、更に、第2基板と対向する第1基板の対向面に形成された第1電極、及び、第1電極に設けられた第1配向規制部、を備えており、第1配向膜は、第1電極、第1配向規制部及び第1基板の対向面を覆い、第1配向規制部は、第1電極に形成された第1スリット部から成り、第1スリット部の幅は、2μm以上10μm未満であり、第1スリット部のピッチは、10μm乃至180μm、好ましくは30μm乃至180μm、より好ましくは60μm乃至180μmである構成とすることができる。更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、液晶表示装置は、更に、第1基板と対向する第2基板の対向面に形成された第2電極、及び、第2電極に設けられた第2配向規制部、を備えており、第2配向膜は、第2電極、第2配向規制部及び第2基板の対向面を覆い、第2配向規制部は、第2電極に形成された第2スリット部から成り、第2スリット部の幅は、2μm以上10μm未満であり、第2スリット部のピッチは、10μm乃至180μm、好ましくは30μm乃至180μm、より好ましくは60μm乃至180μmである構成とすることができる。あるいは又、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、液晶表示装置は、更に、第2基板と対向する第1基板の対向面に形成された第1電極、及び、第1電極に設けられた第1配向規制部、を備えており、第1配向膜は、第1電極、第1配向規制部及び第1基板の対向面を覆い、第1配向規制部は、基板に設けられた突起から成る構成とすることができる。あるいは又、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、液晶表示装置は、更に、第1基板と対向する第2基板の対向面に形成された第2電極、及び、第2電極に設けられた第2配向規制部、を備えており、第2配向膜は、第2電極、第2配向規制部及び第2基板の対向面を覆い、第2配向規制部は、基板に設けられた突起から成る構成とすることができる。以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、主鎖は繰り返し単位中にイミド結合を含む構成とすることができる。また、高分子化合物配向処理後化合物は、液晶分子を一対の基板に対して、即ち、第1基板のみならず、第2基板に対しても、所定の方向に配列させる構造を含む形態とすることができる。更には、一対の基板は、画素電極を有する基板、及び、対向電極を有する基板から構成されている形態、即ち、第1基板を画素電極を有する基板とし、第2基板を対向電極を有する基板とする形態、あるいは又、第2基板を画素電極を有する基板とし、第1基板を対向電極を有する基板とする形態とすることができる。本開示の第1の態様に係る液晶表示装置にあっては、第1配向膜及び第2配向膜が、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、架橋又は重合した化合物により液晶分子にプレチルトが付与される。このため、画素電極と対向電極との間に電界が印加されると、液晶分子は、その長軸方向が基板面に対して所定の方向に応答し、良好な表示特性が確保される。その上、架橋又は重合した化合物によって液晶分子にプレチルトが付与されているため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して電極間の電界に応じた応答速度画像表示の立ち上がり速度が早くなり、架橋又は重合した化合物を用いずにプレチルトを付与した場合と比較して、良好な表示特性が維持され易くなる。本開示の第1の態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物を含む第1配向膜及び第2配向膜を形成した後、第1配向膜及び第2配向膜の間に、液晶層を封止する。ここで、液晶層中の液晶分子は、第1配向膜及び第2配向膜により、全体として第1配向膜及び第2配向膜表面に対して所定の方向例えば、水平方向、垂直方向あるいは斜め方向に配列した状態となる。次いで、必要に応じて電場を印加しながら、架橋性官能基又は重合性官能基を反応させることにより高分子化合物を架橋又は重合させる。これにより、架橋又は重合した化合物近傍の液晶分子に対してプレチルトを付与することが可能となる。このため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して、応答速度画像表示の立ち上がり速度が向上する。本開示の第2の態様に係る液晶表示装置にあっては、第1配向膜及び第2配向膜が、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物が変形した化合物を含み、変形した化合物により液晶分子にプレチルトが付与される。このため、画素電極と対向電極との間に電界が印加されると、液晶分子は、その長軸方向が基板面に対して所定の方向に応答し、良好な表示特性が確保され、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して電極間の電界に応じた応答速度画像表示の立ち上がり速度が早くなり、変形した化合物を用いずにプレチルトを付与した場合と比較して、良好な表示特性が維持され易くなる。本開示の第2の態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物を含む第1配向膜及び第2配向膜を形成した後、第1配向膜及び第2配向膜の間に、液晶層を封止する。ここで、液晶層中の液晶分子は、第1配向膜及び第2配向膜により、全体として第1配向膜及び第2配向膜表面に対して所定の方向例えば、水平方向、垂直方向あるいは斜め方向に配列した状態となる。次いで、必要に応じて電場を印加しながら、高分子化合物を変形させる。これにより、変形した化合物近傍の液晶分子に対してプレチルトを付与することが可能となる。このため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して、応答速度画像表示の立ち上がり速度が向上する。本開示の第3の態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、高分子化合物配向処理前化合物にエネルギー線を照射することで、液晶分子にプレチルトを付与する。即ち、液晶分子が配列した状態で高分子化合物の側鎖を架橋、重合あるいは変形させることにより、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して、応答速度画像表示の立ち上がり速度が向上する。しかも、本開示にあっては、第2配向膜の形成及び処理は第1配向膜の形成及び処理と異なっている。従って、第2配向膜が、その近傍に位置する液晶分子に与えるプレチルトの状態は、第1配向膜が、その近傍に位置する液晶分子に与えるプレチルトの状態と異なっており、θ1>θ2である。それ故、第2配向膜の近傍に位置する液晶分子は、電圧の印加を中断したとき、基板に対して、より一層、早く垂直方向に配向することが可能となる。その結果、画像表示の立ち下がり速度の向上を図ることができる。また、液晶分子は、第2配向膜によって、垂直配向され、あるいは又、小さなプレチルト角にて配向されるので、黒表示の際の光の透過量を低減することができ、コントラストを向上させることができる。更には、本開示において、第1配向膜を構成する材料と第2配向膜を構成する材料とは同じであるが故に、第1配向膜の経時変化と第2配向膜の経時変化例えば、配向膜の物性変化に依存したリーク電流の変化を等しくすることができ、液晶表示装置の長期信頼性の向上を図ることができるし、液晶表示装置の製造プロセスの簡素化を図ることができる。以下、図面を参照して、発明の実施の形態、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は発明の実施の形態、実施例に限定されるものではなく、発明の実施の形態、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。1.本開示の液晶表示装置における共通の構成、構造に関する説明2.発明の実施の形態に基づく、本開示の液晶表示装置及びその製造方法の説明3.実施例に基づく、本開示の液晶表示装置及びその製造方法の説明、その他[本開示の液晶表示装置液晶表示素子における共通の構成、構造に関する説明]本開示の液晶表示装置あるいは液晶表示素子の模式的な一部断面図を、図1に示す。この液晶表示装置は、複数の画素1010A,10B,10Cを有している。そして、この液晶表示装置液晶表示素子においては、TFTThinFilmTransistor;薄膜トランジスタ基板20とCFColorFilter;カラーフィルタ基板30との間に、配向膜22,32を介して液晶分子41を含む液晶層40が設けられている。この液晶表示装置液晶表示素子は、所謂透過型であり、表示モードは垂直配向VAモードである。図1では、駆動電圧が印加されていない非駆動状態を表している。尚、画素10は、実際には、例えば、赤色の画像を表示する副画素、緑色の画像を表示する副画素、青色の画像を表示する副画素等の副画素から構成されている。ここで、TFT基板20が第1基板に相当し、CF基板30が第2基板に相当する。また、第1基板TFT基板20に設けられた画素電極20B及び配向膜22が、第1電極及び第1配向膜に相当し、第2基板CF基板30に設けられた対向電極30B及び配向膜32が、第2電極及び第2配向膜に相当する。即ち、この液晶表示装置は、一対の基板20,30の対向面側に設けられた第1配向膜22及び第2配向膜32、並びに、第1配向膜22と第2配向膜32との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子41を含む液晶層40、を有する液晶表示素子を備えている。そして、第1配向膜22は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物配向処理後化合物を含み、第2配向膜32は、第1配向膜22を構成する化合物配向処理後化合物と同じ化合物配向処理後化合物を含み、第2配向膜32の形成及び処理は第1配向膜22の形成及び処理と異なっており、以て、第1配向膜22即ち、配向処理後化合物によってによって付与された液晶分子41のプレチルト角度第1プレチルト角をθ1、第2配向膜32即ち、配向処理後化合物によってによって付与された液晶分子41のプレチルト角度第2プレチルト角をθ2としたとき、θ1>θ2である。尚、以下の説明において、第2プレチルト角θ2との表現には0度が含まれる。より具体的には、この液晶表示装置は、第1基板TFT基板20及び第2基板CF基板30、第2基板30と対向する第1基板20の対向面に形成された第1電極画素電極20B、第1電極画素電極20B及び第1基板TFT基板20の対向面を覆う第1配向膜22、第1基板TFT基板20と対向する第2基板CF基板30の対向面に形成された第2電極対向電極30B、第2電極対向電極30B及び第2基板CF基板30の対向面を覆う第2配向膜32、並びに、第1配向膜22及び第2配向膜32の間に設けられ、液晶分子41を含む液晶層40、を有する画素10が、複数、配列されて成る。ガラス基板から成るTFT基板20には、ガラス基板から成るCF基板30と対向する側の表面に、例えば、マトリクス状に複数の画素電極20Bが配置されている。更に、複数の画素電極20Bをそれぞれ駆動するゲートソースドレイン等を備えたTFTスイッチング素子や、これらTFTスイッチング素子に接続されるゲート線及びソース線等図示せずが設けられている。画素電極20Bは、画素分離部によって電気的に分離された画素毎に設けられ、例えばITOインジウム錫酸化物等の透明性を有する材料により構成されている。CF基板30には、TFT基板20との対向面に、有効表示領域のほぼ全面に亙って、例えば、赤R、緑G、青Bのストライプ状フィルタにより構成されたカラーフィルタ図示せずと、対向電極30Bとが配置されている。対向電極30Bは、画素電極20Bと同様に、例えばITO等の透明性を有する材料により構成されている。対向電極30Bは、パターニングされていない、所謂ベタ電極である。第1配向膜22は、TFT基板20の液晶層40側の表面に画素電極20Bを覆うように設けられている。第2配向膜32は、CF基板30の液晶層40側の表面に対向電極30Bを覆うように設けられている。第1配向膜22及び第2配向膜32は、液晶分子41の配向を規制するものであり、ここでは、基板から離れて位置する液晶分子41を基板面に対して垂直方向に配向させると共に、基板近傍の液晶分子4141A,41Bに対してプレチルトを付与する機能を有している。図6は、図1に示した液晶表示装置の回路構成を表している。図6に示すように、液晶表示装置は、表示領域60内に設けられた複数の画素10を有する液晶表示素子を含んで構成されている。この液晶表示装置では、表示領域60の周囲には、ソースドライバ61及びゲートドライバ62と、ソースドライバ61及びゲートドライバ62を制御するタイミングコントローラ63と、ソースドライバ61及びゲートドライバ62に電力を供給する電源回路64とが設けられている。表示領域60は、画像が表示される領域であり、複数の画素10がマトリックス状に配列されることにより画像を表示可能に構成された領域である。尚、図6では、複数の画素10を含む表示領域60を示しているほか、4つの画素10に対応する領域を別途拡大して示している。表示領域60では、行方向に複数のソース線71が配列されていると共に、列方向に複数のゲート線72が配列されており、ソース線71及びゲート線72が互いに交差する位置に画素10がそれぞれ配置されている。各画素10は、画素電極20B及び液晶層40と共に、トランジスタ121及びキャパシタ122を含んで構成されている。各トランジスタ121では、ソース電極がソース線71に接続され、ゲート電極がゲート線72に接続され、ドレイン電極がキャパシタ122及び画素電極20Bに接続されている。各ソース線71は、ソースドライバ61に接続されており、ソースドライバ61から画像信号が供給される。各ゲート線72は、ゲートドライバ62に接続されており、ゲートドライバ62から走査信号が順次供給される。ソースドライバ61及びゲートドライバ62は、複数の画素10の中から特定の画素10を選択する。タイミングコントローラ63は、例えば、画像信号例えば、赤、緑、青に対応するRGBの各映像信号と、ソースドライバ61の動作を制御するためのソースドライバ制御信号とを、ソースドライバ61に出力する。また、タイミングコントローラ63は、例えば、ゲートドライバ62の動作を制御するためのゲートドライバ制御信号をゲートドライバ62に出力する。ソースドライバ制御信号として、例えば、水平同期信号、スタートパルス信号あるいはソースドライバ用のクロック信号等が挙げられる。ゲートドライバ制御信号として、例えば、垂直同期信号や、ゲートドライバ用のクロック信号等が挙げられる。この液晶表示装置では、以下の要領で第1電極画素電極20Bと第2電極対向電極30Bとの間に駆動電圧を印加することにより、画像が表示される。具体的には、ソースドライバ61が、タイミングコントローラ63からのソースドライバ制御信号の入力により、同じくタイミングコントローラ63から入力された画像信号に基づいて所定のソース線71に個別の画像信号を供給する。これと共に、ゲートドライバ62が、タイミングコントローラ63からのゲートドライバ制御信号の入力により所定のタイミングでゲート線72に走査信号を順次供給する。これにより、画像信号が供給されたソース線71と走査信号が供給されたゲート線72との交差部に位置する画素10が選択され、画素10に駆動電圧が印加される。以下、発明の実施の形態実施の形態と略称する及び実施例に基づき、本開示を説明する。[実施の形態1]実施の形態1は、本開示の第1の態様に係るVAモードの液晶表示装置あるいは液晶表示素子、並びに、本開示の第1の態様、第3の態様に係る液晶表示装置あるいは液晶表示素子の製造方法に関する。実施の形態1において、第1配向膜22は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物配向処理前化合物が架橋又は重合した化合物配向処理後化合物を含み、第2配向膜32は、第1配向膜を構成する化合物と同じ化合物を含む。即ち、第1配向膜22及び第2配向膜32は同じ高分子化合物から成る。そして、液晶分子は、架橋又は重合した化合物によってプレチルトが付与される。ここで、配向処理後化合物は、主鎖及び側鎖を有する高分子化合物配向処理前化合物の1種あるいは2種以上を含む状態で配向膜22,32を形成した後、液晶層40を設け、次いで、高分子化合物を架橋又は重合させることで、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで生成される。そして、配向処理後化合物は、液晶分子を一対の基板具体的には、TFT基板20及びCF基板30に対して所定の方向具体的には、斜め方向及び例えば垂直方向に配列させる構造を含んでいる。このように、高分子化合物を架橋又は重合させて、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、配向処理後化合物が配向膜22,32中に含まれることにより、配向膜22,32近傍の液晶分子41に対してプレチルト及び例えば垂直配向を付与できるため、応答速度画像表示の立ち上がり速度及び画像表示の立ち下がり速度が早くなり、表示特性が向上する。ここで、第2配向膜32の形成及び処理は第1配向膜22の形成及び処理と異なっており、その結果、第1配向膜によって付与された液晶分子の第1プレチルト角θ1と、第2配向膜32によって付与された液晶分子の第2プレチルト角θ2との間には、θ1>θ2といった関係が付与される。それ故、第2配向膜32の近傍に位置する液晶分子は、電圧の印加を中断したとき、基板に対して、より一層、早く垂直方向に配向することが可能となる。従って、画像表示の立ち下がり速度の向上を図ることができる。また、液晶分子は、第2配向膜32によって、垂直配向され、あるいは又、小さなプレチルト角にて配向されるので、黒表示の際の光の透過量を低減することができ、コントラストを一層向上させることができる。しかも、第1配向膜22を構成する材料と第2配向膜32を構成する材料とは同じであるが故に、第1配向膜22の経時変化と第2配向膜32の経時変化を等しくすることができ、液晶表示装置の長期信頼性の向上を図ることができるし、液晶表示装置の製造プロセスの簡素化を図ることができる。配向処理前化合物は、主鎖として耐熱性が高い構造を含むことが好ましい。これにより、液晶表示装置液晶表示素子では、高温環境下に曝されても、配向膜22,32中の配向処理後化合物が液晶分子41に対する配向規制能を維持するため、応答特性と共にコントラスト等の表示特性が良好に維持され、信頼性が確保される。ここで、主鎖は、繰り返し単位中にイミド結合を含むことが好ましい。主鎖中にイミド結合を含む配向処理前化合物として、例えば、式3で表されるポリイミド構造を含む高分子化合物が挙げられる。式3に示すポリイミド構造を含む高分子化合物は、式3に示すポリイミド構造のうちの1種から構成されていてもよいし、複数種がランダムに連結して含まれていてもよいし、式3に示す構造の他に、他の構造を含んでいてもよい。ここで、R1は4価の有機基であり、R2は2価の有機基であり、n1は1以上の整数である。式3におけるR1及びR2は、炭素を含んで構成された4価あるいは2価の基であれば任意であるが、R1及びR2のうちのいずれか一方に、側鎖としての架橋性官能基又は重合性官能基を含んでいることが好ましい。配向処理後化合物において、十分な配向規制能が得られ易いからである。また、配向処理前化合物では、側鎖は主鎖に複数結合しており、複数の側鎖のうちの少なくとも1つが架橋性官能基又は重合性官能基を含んでいればよい。即ち、配向処理前化合物は、架橋性を有する側鎖の他に、架橋性を示さない側鎖を含んでいてもよい。架橋性官能基又は重合性官能基を含む側鎖は、1種であってもよいし、複数種であってもよい。架橋性官能基又は重合性官能基は、液晶層40を形成した後に架橋反応可能な官能基であれば任意であり、光反応によって架橋構造を形成する基であってもよいし、熱反応によって架橋構造を形成する基であってもよいが、中でも、光反応によって架橋構造を形成する、光反応性の架橋性官能基又は重合性官能基感光性を有する感光基が好ましい。液晶分子41の配向を所定の方向に規制し易く、応答特性が向上すると共に良好な表示特性を有する液晶表示装置液晶表示素子の製造を容易にするからである。光反応性の架橋性官能基感光性を有する感光基であり、例えば、光二量化感光基として、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、及び、キトサンのうちのいずれか1種の構造を含む基が挙げられる。これらのうち、カルコン、シンナメートあるいはシンナモイルの構造を含む基として、例えば、式41で表される基が挙げられる。式41に示す基を含む側鎖を有する配向処理前化合物が架橋すると、例えば、式42に示す構造が形成される。即ち、式41に示す基を含む高分子化合物から生成された配向処理後化合物は、シクロブタン骨格を有する式42に示す構造を含む。尚、例えば、マレイミドといった光反応性の架橋性官能基は、場合によっては、光二量化反応だけでなく、重合反応も示す。従って、架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物といった表現としている。ここで、R3は芳香族環を含む2価の基であり、R4は1又は2以上の環構造を含む1価の基であり、R5は水素原子、又は、アルキル基あるいはその誘導体である。式41におけるR3は、ベンゼン環等の芳香族環を含む2価の基であれば任意であり、芳香族環の他に、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合あるいは炭化水素基を含んでいてもよい。また、式41におけるR4は、1又は2以上の環構造を含む1価の基であれば任意であり、環構造の他に、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、炭化水素基あるいはハロゲン原子等を含んでいてもよい。R4が有する環構造として、骨格を構成する元素として炭素を含む環であれば任意であり、その環構造として、例えば、芳香族環、複素環あるいは脂肪族環、又は、それらの連結あるいは縮合した環構造等が挙げられる。式41におけるR5は、水素原子、又は、アルキル基あるいはその誘導体であれば任意である。ここで、誘導体とは、アルキル基が有する水素原子の一部あるいは全部がハロゲン原子等の置換基により置換された基のことを云う。また、R5として導入されるアルキル基の炭素数は任意である。R5として、水素原子あるいはメチル基が好ましい。良好な架橋反応性が得られるからである。式42におけるR3同士は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。このことは、式41におけるR4同士及びR5同士についても同様である。式42におけるR3、R4及びR5として、例えば、上記した式41におけるR3、R4及びR5と同様のものが挙げられる。式41に示した基として、例えば、式41-1~式41-33で表される基が挙げられる。但し、式41に示した構造を有する基であれば、式41-1~式41-33に示す基に限定されない。配向処理前化合物は、液晶分子41を基板面に対して垂直方向に配向させるための構造以下、垂直配向誘起構造部と呼ぶを含んでいることが好ましい。配向膜22,32が配向処理後化合物とは別に垂直配向誘起構造部を有する化合物所謂、通常の垂直配向剤を含まなくても、液晶分子41全体の配向規制が可能になるからである。その上、垂直配向誘起構造部を有する化合物を別に含む場合よりも、液晶層40に対する配向規制機能をより均一に発揮可能な配向膜22,32が形成され易いからである。垂直配向誘起構造部は、配向処理前化合物においては、主鎖に含まれていてもよいし、側鎖に含まれていてもよいし、双方に含まれていてもよい。また、配向処理前化合物が上記した式3に示したポリイミド構造を含む場合、R2として垂直配向誘起構造部を含む構造繰り返し単位と、R2として架橋性官能基又は重合性官能基を含む構造繰り返し単位との2種の構造を含んでいることが好ましい。容易に入手可能であるからである。尚、垂直配向誘起構造部は、配向処理前化合物に含まれていれば、配向処理後化合物においても含まれる。垂直配向誘起構造部として、例えば、炭素数10以上のアルキル基、炭素数10以上のハロゲン化アルキル基、炭素数10以上のアルコキシ基、炭素数10以上のハロゲン化アルコキシ基あるいは環構造を含む有機基等が挙げられる。具体的には、垂直配向誘起構造部を含む構造として、例えば、式5-1~式5-6で表される構造等が挙げられる。ここで、Y1は炭素数10以上のアルキル基、炭素数10以上のアルコキシ基あるいは環構造を含む1価の有機基である。また、Y2~Y15は水素原子、炭素数10以上のアルキル基、炭素数10以上のアルコキシ基あるいは環構造を含む1価の有機基であり、Y2及びY3のうちの少なくとも一方、Y4~Y6のうちの少なくとも1つ、Y7及びY8のうちの少なくとも一方、Y9~Y12のうちの少なくとも1つ、及び、Y13~Y15のうちの少なくとも1つは、炭素数10以上のアルキル基、炭素数10以上のアルコキシ基あるいは環構造を含む1価の有機基である。但し、Y11及びY12は結合して環構造を形成してもよい。また、垂直配向誘起構造部としての環構造を含む1価の有機基として、例えば、式6-1~式6-23で表される基等が挙げられる。垂直配向誘起構造部としての環構造を含む2価の有機基として、例えば、式7-1~式7-7で表される基等が挙げられる。ここで、a1~a3は0以上、21以下の整数である。ここで、a1は0以上、21以下の整数である。尚、垂直配向誘起構造部は、液晶分子41を基板面に対して垂直方向に配列させるように機能する構造を含んでいれば、上記した基に限定されない。また、本開示の第1Aの構成、第2Aの構成後述する実施の形態3を参照あるいは第3Aの構成に則って表現すれば、架橋前の高分子化合物配向処理前化合物は、架橋性官能基又は重合性官能基の他に、式1で表される基を側鎖として有する化合物から成る。式1に示した基は液晶分子41に対して沿うように動くことができるため、配向処理前化合物が架橋する際に、式1に示した基が液晶分子41の配向方向に沿った状態で架橋性官能基又は重合性官能基と一緒に固定される。そして、この固定された式1に示した基により、液晶分子41の配向を所定の方向により規制し易くなるため、良好な表示特性を有する液晶表示素子の製造をより容易にすることができる。-R1-R2-R31ここで、R1は、炭素数1以上の直鎖状又は分岐状の2価の、エーテル基あるいはエステル基を含むことある有機基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物配向処理前化合物あるいは配向処理後化合物の主鎖に結合しており、あるいは又、R1は、エーテル、エステル、エーテルエステル、アセタール、ケタール、ヘミアセタール及びヘミケータールから成る群から選択された少なくとも1種の結合基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物配向処理前化合物あるいは配向処理後化合物の主鎖に結合している。R2は、複数の環構造を含む2価の有機基であり、環構造を構成する原子のうちの1つはR1に結合している。R3は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する1価の基、又は、それらの誘導体である。式1中のR1は、R2及びR3を主鎖に固定すると共に、長いR1を選択すれば液晶分子に対して大きなプレチルトを付与するための、また、短いR1を選択すればプレチルト角を容易に一定にするための、スペーサ部分として機能するための部位であり、R1として、例えば、アルキレン基等が挙げられる。このアルキレン基は、途中の炭素原子間にエーテル結合を有していてもよく、そのエーテル結合を有する箇所は、1箇所でもよいし、2箇所以上でもよい。また、R1は、カルボニル基又はカーボネート基を有していてもよい。R1の炭素数は、6以上であることがより好ましい。式1に示した基が液晶分子41と相互作用するため、液晶分子41に対して沿い易くなるからである。この炭素数は、R1の長さが液晶分子41の末端鎖の長さとほぼ同等となるように決定されることが好ましい。式1中のR2は、一般的なネマティック液晶分子に含まれる環構造コア部位に沿う部分である。R2として、例えば、1,4-フェニレン基、1,4-シクロヘキシレン基、ピリミジン-2,5-ジイル基、1,6-ナフタレン基、ステロイド骨格を有する2価の基又はそれらの誘導体等のように、液晶分子に含まれる環構造と同様の基あるいは骨格が挙げられる。ここで、誘導体とは、上記した一連の基に1又は2以上の置換基が導入された基である。式1中のR3は、液晶分子の末端鎖に沿う部分であり、R3として、例えば、アルキル基又はハロゲン化アルキル基等が挙げられる。但し、ハロゲン化アルキル基では、アルキル基のうちの少なくとも1つの水素原子がハロゲン原子に置換されていればよく、そのハロゲン原子の種類は任意である。アルキル基又はハロゲン化アルキル基は、途中の炭素原子間にエーテル結合を有していてもよく、そのエーテル結合を有する箇所は、1箇所でもよいし、2箇所以上でもよい。また、R3は、カルボニル基又はカーボネート基を有していてもよい。R3の炭素数は、R1と同様の理由により、6以上であることがより好ましい。具体的には、式1に示した基として、例えば、式1-1~式1-12で表される1価の基等が挙げられる。尚、式1に示した基は、液晶分子41に対して沿うように動くことができれば、上記した基に限定されない。あるいは又、本開示の第1Bの構成、第2Bの構成後述する実施の形態3を参照あるいは第3Bの構成に則って表現すれば、架橋前の高分子化合物配向処理前化合物は、式2で表される基を側鎖として有する化合物から成る。架橋する部位の他に、液晶分子41に沿う部位とチルト角を規定する部位とを有するため、液晶分子41に対して沿う側鎖の部位が液晶分子41により沿った状態で固定可能である。そして、これにより、液晶分子41の配向を所定の方向により規制し易くなるため、良好な表示特性を有する液晶表示素子の製造をより容易にすることができる。-R11-R12-R13-R142ここで、R11は、炭素数1以上、20以下、好ましくは、炭素数3以上、12以下の直鎖状又は分岐状の2価の、エーテル基あるいはエステル基を含むことある有機基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物配向処理前化合物あるいは配向処理後化合物の主鎖に結合しており、あるいは又、R11は、エーテル、エステル、エーテルエステル、アセタール、ケタール、ヘミアセタール及びヘミケータールから成る群から選択された少なくとも1種の結合基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物配向処理前化合物あるいは配向処理後化合物の主鎖に結合している。R12は、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、キトサン、アクリロイル、メタクリロイル、ビニル、エポキシ及びオキセタンのうちのいずれか1種の構造を含む2価の基、又は、エチニレン基である。R13は、複数の環構造を含む2価の有機基である。R14は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する1価の基、又は、それらの誘導体である。式2中のR11は、配向処理前化合物においてはチルト角を規定する部位であり、配向処理前化合物においては可撓性を有することが好ましい。R11として、例えば、式1中のR1について説明した基が挙げられる。式2に示した基では、R11を軸としてR12~R14が動き易いため、R13及びR14が液晶分子41に対して沿い易くなっている。R11の炭素数は、6以上、10以下であることがより好ましい。式2中のR12は、架橋性官能基又は重合性官能基を有する部位である。この架橋性官能基又は重合性官能基は、上記したように、光反応によって架橋構造を形成する基であってもよいし、熱反応によって架橋構造を形成する基であってもよい。具体的には、R12として、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、キトサン、アクリロイル、メタクリロイル、ビニル、エポキシ及びオキセタンのうちのいずれか1種の構造を含む2価の基、又は、エチニレン基を挙げることができる。式2中のR13は、液晶分子41のコア部位に対して沿うことができる部位であり、R13として、例えば、式1中のR2について説明した基等が挙げられる。式2中のR14は、液晶分子41の末端鎖に沿う部位であり、R14として、例えば、式1中のR3について説明した基等が挙げられる。具体的には、式2に示した基として、例えば、式2-1~式2-11で表される1価の基等が挙げられる。ここで、nは3以上、20以下の整数である。尚、式2に示した基は、上記した4つの部位R11~R14を有していれば、上記した基に限定されない。あるいは又、本開示の第1Cの構成に則って表現すれば、高分子化合物配向処理前化合物を架橋させることにより得られた化合物配向処理後化合物は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋した架橋部、及び、架橋部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される。また、本開示の第2Cの構成後述する実施の形態3を参照に則って表現すれば、高分子化合物配向処理前化合物を変形させることにより得られた化合物配向処理後化合物は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が変形した変形部、及び、変形部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される。また、本開示の第3Cの構成に則って表現すれば、高分子化合物にエネルギー線を照射することにより得られた化合物は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋あるいは変形した架橋変形部、及び、架橋変形部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される。ここで、本開示の第1Cの構成において、側鎖の一部が架橋した架橋部は、式2におけるR12但し、架橋後が相当する。また、末端構造部は、式2におけるR13及びR14が相当する。ここで、配向処理後化合物にあっては、例えば、主鎖から延びた2つの側鎖における架橋部が相互に架橋し、一方の架橋部から延びた末端構造部と、他方の架橋部から延びた末端構造部との間に、恰も、液晶分子の一部が挟まれた状態となり、しかも、末端構造部は、基板に対して所定の角度を成した状態で固定されるが故に、液晶分子はプレチルトが付与される。尚、このような状態を図15の概念図に示すが、図15に示す例にあっては、後述する実施の形態2の液晶表示装置の製造方法を採用したときの状態を示している。あるいは又、本開示の第1Dの構成に則って表現すれば、高分子化合物配向処理前化合物を架橋させることにより得られた化合物配向処理後化合物は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋した架橋部、及び、架橋部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている。ここで、側鎖は光二量化感光基を有する形態とすることができる。また、主鎖と架橋部とは共有結合によって結合しており、架橋部と末端構造部とは共有結合によって結合している形態とすることができる。また、本開示の第2Dの構成後述する実施の形態3を参照に則って表現すれば、高分子化合物配向処理前化合物を変形させることにより得られた化合物配向処理後化合物は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が変形した変形部、及び、変形部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている。また、本開示の第3Dの構成に則って表現すれば、高分子化合物配向処理前化合物にエネルギー線を照射することにより得られた化合物配向処理後化合物は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋あるいは変形した架橋変形部、及び、架橋変形部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている。ここで、本開示の第1Dの構成にあっては、架橋性官能基又は重合性官能基感光性官能基である光二量化感光基として、前述したとおり、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、及び、キトサンのうちのいずれか1種の構造を含む基を挙げることができる。重合性官能基として、例えば、アクリロイル、メタクリロイル、ビニル、エポキシ、オキセタンのうちのいずれか1種の構造を含む基を挙げることができる。また、末端構造部を構成する剛直なメソゲン基は、側鎖として液晶性を発現するものでも、液晶性を発現しないものでもよく、具体的な構造として、ステロイド誘導体、コレステロール誘導体、ビフェニル、トリフェニル、ナフタレン等を挙げることができる。更には、末端構造部として、式2におけるR13及びR14を挙げることができる。また、配向膜22,32は、上記した配向処理後化合物の他に、他の垂直配向剤を含んでいてもよい。他の垂直配向剤として、垂直配向誘起構造部を有するポリイミドや、垂直配向誘起構造部を有するポリシロキサン等が挙げられる。液晶層40は、負の誘電率異方性を有する液晶分子41を含んでいる。液晶分子41は、例えば、互いに直交する長軸及び短軸をそれぞれ中心軸として回転対称な形状をなし、負の誘電率異方性を有している。液晶分子41は、第1配向膜22との界面近傍において、第1配向膜22に保持された液晶分子41Aと、第2配向膜32との界面近傍において第2配向膜32に保持された液晶分子41Bと、それら以外の液晶分子41Cとに分類することができる。液晶分子41Cは、液晶層40の厚み方向における中間領域に位置し、駆動電圧がオフの状態において液晶分子41Cの長軸方向ダイレクタが第1基板20及び第2基板30に対してほぼ垂直になるように配列されている。また、液晶分子41Bは、第2配向膜32の近傍に位置し、駆動電圧がオフの状態において液晶分子41Bの長軸方向ダイレクタが第2基板30に対して第2プレチルト角θ2にて配向されている。更には、液晶分子41Aは、第1配向膜22の近傍に位置し、駆動電圧がオフの状態において液晶分子41Aの長軸方向ダイレクタが第1基板20に対して第1プレチルト角θ1>θ2を成して傾いて配列されている。ここで、駆動電圧がオンになると、液晶分子41Aのダイレクタが第1基板20及び第2基板30に対して平行になるように傾いて配向する。このような挙動は、液晶分子41Aにおいて、長軸方向の誘電率が短軸方向よりも小さいという性質を有することに起因している。液晶分子41B,41Cも同様の性質を有することから、駆動電圧のオンオフの状態変化に応じて、基本的には、液晶分子41Aと同様の挙動を示す。但し、駆動電圧がオフの状態において、液晶分子41Aは第1配向膜22によって第1プレチルト角θ1が付与され、そのダイレクタは第1基板20及び第2基板30の法線方向から傾斜した姿勢となる。一方、液晶分子41Bは第2配向膜32によって第2プレチルト角θ2が付与されるが、そのダイレクタは、例えば、第2基板30の法線方向と平行であり、あるいは又、第1基板20及び第2基板30の法線方向から傾斜した姿勢となる。尚、ここで、保持されるとは、配向膜22,32と液晶分子41A,41Bとが固着せずに、液晶分子41の配向を規制していることを表している。また、プレチルト角θθ1,θ2とは、図3に示すように、第1基板20及び第2基板30の表面に垂直な方向法線方向をZとした場合に、駆動電圧がオフの状態で、Z方向に対する液晶分子4141A,41BのダイレクタDの傾斜角度を指す。次に、上記の液晶表示装置液晶表示素子の製造方法について説明するが、この製造方法は、一対の基板20,30の一方具体的には、基板20に、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物配向処理前化合物から成る第1配向膜22の形成及び処理を行い、一対の基板20,30の他方具体的には、基板30に、第1配向膜22を構成する高分子化合物と同じ高分子化合物配向処理前化合物から成る第2配向膜32の形成及び処理を行い、次いで、一対の基板20,30を、第1配向膜22と第2配向膜32とが対向するように配置し、第1配向膜22と第2配向膜32との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子41を含む液晶層40を封止し、その後、高分子化合物配向処理前化合物を架橋又は重合させて、液晶分子41にプレチルトを付与する、工程を含む。あるいは又、一対の基板20,30の一方具体的には、基板20に、側鎖として架橋性官能基又は感光性官能基を有する高分子化合物配向処理前化合物から成る第1配向膜22の形成及び処理を行い、一対の基板20,30の他方具体的には、基板30に、第1配向膜22を構成する高分子化合物配向処理前化合物と同じ高分子化合物から成る第2配向膜32の形成及び処理を行い、次いで、一対の基板20,30を、第1配向膜22と第2配向膜32とが対向するように配置し、第1配向膜22と第2配向膜32との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子41を含む液晶層40を封止し、その後、高分子化合物配向処理前化合物にエネルギー線を照射することで、液晶分子41にプレチルトを付与する、工程を含む。最初に、第1基板TFT基板20の表面において第1配向膜22の形成及び処理を行うと共に、第2基板CF基板30の表面において第2配向膜32の形成及び処理を行う。具体的には、先ず、第1基板20に画素電極20Bを例えばマトリクス状に設けることによりTFT基板20を作製する。また、カラーフィルタが形成された第2基板30のカラーフィルタ上に対向電極30Bを設けることによりCF基板30を作製する。一方、例えば、配向処理前化合物あるいは配向処理前化合物としての高分子化合物前駆体と、溶剤と、必要に応じて垂直配向剤とを混合することにより液状の第1配向膜用及び第2配向膜用の配向膜材料を調製する。配向処理前化合物としての高分子化合物前駆体として、例えば、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が式3に示したポリイミド構造を含む場合、架橋性官能基又は重合性官能基を有するポリアミック酸が挙げられる。高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸は、例えば、ジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物とを反応させて合成される。ここで用いるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の少なくとも一方が、架橋性官能基又は重合性官能基を有している。ジアミン化合物として、例えば、式A-1~式A-21で表される架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物が挙げられ、テトラカルボン酸二無水物として、式a-1~式a-10で表される架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物が挙げられる。尚、式A-9~式A-21で表される化合物は、本開示の第1Cの構成における架橋した高分子化合物の架橋部及び末端構造部を構成する化合物である。あるいは又、本開示の第1Cの構成における架橋した高分子化合物の架橋部及び末端構造部を構成する化合物として、式F-1~式F-22で表される化合物を挙げることもできる。尚、式F-1~式F-18で表される化合物にあっては、式F-1~式F-3、式F-7~式F-9及び式F-13~式F-15で表される化合物の末端構造部に沿って液晶分子にはプレチルトが付与されると考えられ、一方、式F-4~式F-6、式F-10~式F-12及び式F-16~式F-18で表される化合物の末端構造部に挟まれて液晶分子にはプレチルトが付与されると考えられる。また、式F-19~式F-22で表される化合物の末端構造部に沿って液晶分子にはプレチルトが付与され、あるいは又、式F-19~式F-22で表される化合物の末端構造部に挟まれて液晶分子にはプレチルトが付与されると推定される。ここで、X1~X4は単結合あるいは2価の有機基である。ここで、X5~X7は単結合あるいは2価の有機基である。また、配向処理前化合物が垂直配向誘起構造部を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、上記の架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物の他に、ジアミン化合物として式B-1~式B-36で表される垂直配向誘起構造部を有する化合物や、テトラカルボン酸二無水物として式b-1~式b-3で表される垂直配向誘起構造部を有する化合物を用いてもよい。ここで、a4~a6は0以上、21以下の整数である。ここで、a4は0以上、21以下の整数である。ここで、a4は0以上、21以下の整数である。また、配向処理前化合物が架橋性官能基又は重合性官能基と一緒に式1に示した基を有するように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、上記の架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物の他に、ジアミン化合物として、式C-1~式C-24で表される液晶分子41に対して沿うことができる基を有する化合物を用いてもよい。また、配向処理前化合物が式2に示した基を有するように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、上記の架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物の他に、ジアミン化合物として、式D-1~式D-11で表される液晶分子41に対して沿うことができる基を有する化合物を用いてもよい。ここで、nは3以上、20以下の整数である。更に、配向処理前化合物が式3におけるR2として垂直配向誘起構造部を含む構造と、架橋性官能基又は重合性官能基を含む構造との2種の構造を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、例えば、次のように、ジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物を選択する。即ち、式A-1~式A-21に示した架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物のうちの少なくとも1種と、式B-1~式B-36、式b-1~式b-3に示した垂直配向誘起構造部を有する化合物のうちの少なくとも1種と、式E-1~式E-28で表されるテトラカルボン酸二無水物のうちの少なくとも1種とを用いる。尚、式E-23におけるR1及びR2は、同一又は異なるアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、ハロゲン原子の種類は任意である。ここで、R1,R2はアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子である。また、配向処理前化合物が式3におけるR2として式1に示した基を含む構造と架橋性官能基又は重合性官能基を含む構造との2種の構造を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、例えば、次のように、ジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物を選択する。即ち、式A-1~式A-21に示した架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物のうちの少なくとも1種と、式C-1~式C-24に示した化合物のうちの少なくとも1種と、式E-1~式E-28に示したテトラカルボン酸二無水物のうちの少なくとも1種とを用いる。また、配向処理前化合物が式3におけるR2として式2に示した基を含む構造と架橋性官能基又は重合性官能基を含む構造との2種の構造を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、例えば、次のように、ジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物を選択する。即ち、式A-1~式A-21に示した架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物のうちの少なくとも1種と、式D-1~式D-11に示した化合物のうちの少なくとも1種と、式E-1~式E-28で表されるテトラカルボン酸二無水物のうちの少なくとも1種とを用いる。配向膜材料中における配向処理前化合物あるいは配向処理前化合物としての高分子化合物前駆体の含有量を、1重量以上、30重量以下とすることが好ましく、3重量以上、10重量以下とすることがより好ましい。また、配向膜材料には、必要に応じて、光重合開始剤等を混合してもよい。そして、TFT基板20において第1配向膜22の形成及び処理を行い、CF基板30において第2配向膜32の形成及び処理を行う。具体的には、調製した配向膜材料を、TFT基板20及びCF基板30のそれぞれに、画素電極20B及び対向電極30Bを覆うように塗布あるいは印刷した後、加熱処理予備乾燥及び焼成をする。加熱処理の温度は80 ゚C以上が好ましく、150 ゚C以上、200 ゚C以下とすることがより好ましい。また、加熱処理は、加熱温度を段階的に変化させてもよい。これにより、塗布あるいは印刷された配向膜材料に含まれる溶剤が蒸発し、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物配向処理前化合物を含む配向膜22,32が形成される。その後、第1配向膜22及び第2配向膜32に処理具体的には、ラビング処理を施す。より具体的には、第1配向膜22及び第2配向膜32上に開口部を有するマスク層を形成し、開口部の底部に露出した第1配向膜22及び第2配向膜32に対してラビング処理を施す。このような処理をM回例えば、2回あるいは4回、繰り返すことで、ラビング方向としてM種類の方向例えば、2方向あるいは4方向を有する第1配向膜22及び第2配向膜32を得ることができる。ここで、第2配向膜32の形成及び処理は第1配向膜22の形成及び処理と異なっている。具体的には、ラビング処理におけるラビングローラの配向膜への当たりの強さを、第2配向膜32に対しては弱く、第1配向膜22に対しては強くしている。あるいは又、第1配向膜22に対してラビング処理を行うが、第2配向膜32に対してはラビング処理を行わない。ここで、配向膜22,32中における配向処理前化合物は、図4に示す状態となっていると考えられる。即ち、配向処理前化合物は、主鎖McMc1~Mc3と、主鎖Mcに側鎖として導入された架橋性官能基A又は重合性官能基Aとを含んで構成され、主鎖Mc1~Mc3が連結していない状態で存在している。この状態における架橋性官能基A又は重合性官能基Aは、熱運動によりランダムな方向を向いている。次に、TFT基板20とCF基板30とを第1配向膜22と第2配向膜32とが対向するように配置し、第1配向膜22と第2配向膜32との間に、液晶分子41を含む液晶層40を封止する。具体的には、TFT基板20あるいはCF基板30のどちらか一方の、配向膜22,32の形成されている面に対して、セルギャップを確保するためのスペーサ突起物、例えば、プラスチックビーズ等を散布すると共に、例えば、スクリーン印刷法によりエポキシ接着剤等を用いてシール部を印刷する。その後、図1に示したように、TFT基板20とCF基板30とを、配向膜22,32が対向するように、スペーサ突起物及びシール部を介して貼り合わせ、液晶分子41を含む液晶材料を注入する。次いで、加熱するなどしてシール部の硬化を行うことにより、液晶材料をTFT基板20とCF基板30との間に封止する。更に、エネルギー線具体的には紫外線UVを、例えば、TFT基板20の外側から配向膜22,32に対して照射する。即ち、液晶分子41Aを基板20の表面に対して斜め方向に配列させるように紫外線を照射する。これによって、配向膜22,32中の配向処理前化合物が有する架橋性官能基又は重合性官能基を反応させ、配向処理前化合物を架橋させる。こうして、配向処理後化合物により液晶分子41の応答すべき方向が記憶され、配向膜22近傍の液晶分子41Aにプレチルトが付与され、第2配向膜32近傍の液晶分子41Bは、垂直配向され、あるいは又、小さなプレチルト角にて配向される。そして、その結果、配向膜22,32中において配向処理後化合物が形成され、非駆動状態において、第2配向膜32の形成及び処理を第1配向膜22の形成及び処理と異ならせているが故に、液晶層40における第1配向膜22との界面近傍に位置する液晶分子41Aに第1プレチルト角θ1が付与され、第2配向膜32との界面近傍に位置する液晶分子41Bに第2プレチルト角θ2<θ1が付与される。紫外線UVとして、波長295nmから波長365nm程度程度の光成分を多く含む紫外線が好ましい。これよりも短波長域の光成分を多く含む紫外線を用いると、液晶分子41が光分解し、劣化する虞があるからである。尚、ここでは、紫外線UVをTFT基板20の外側から照射したが、CF基板30の外側から照射してもよく、TFT基板20及びCF基板30の双方の基板の外側から照射してもよい。この場合、透過率が高い方の基板側から紫外線UVを照射することが好ましい。また、CF基板30の外側から紫外線UVを照射した場合、紫外線UVの波長域に依っては、カラーフィルタに吸収されて架橋反応し難くなる虞がある。このため、TFT基板20の外側画素電極を有する基板側から照射することが好ましい。ここで、配向膜22,32中の配向処理後化合物は、図5に示す状態となっている。即ち、配向処理前化合物の主鎖Mcに導入された架橋性官能基A又は重合性官能基Aの向きが、液晶分子41の配向方向に従って変化し、物理的な距離が近い架橋性官能基A又は重合性官能基A同士が反応して、連結部Crが形成される。このように生成された配向処理後化合物によって配向膜22,32が液晶分子41A,41Bに対して第1プレチルト角θ1、第2プレチルト角θ2を付与するものと考えられる。尚、連結部Crは、配向処理前化合物間で形成されてもよいし、配向処理前化合物内で形成されてもよい。即ち、図5に示すように、連結部Crは、例えば、主鎖Mc1を有する配向処理前化合物の架橋性官能基A又は重合性官能基Aと、主鎖Mc2を有する配向処理前化合物の架橋性官能基A又は重合性官能基Aとの間で反応して形成されてもよい。また、連結部Crは、例えば、主鎖Mc3を有する高分子化合物のように、同じ主鎖Mc3に導入された架橋性官能基A又は重合性官能基A同士が反応して形成されてもよい。尚、重合性官能基の場合、重合性官能基Aが複数個結合する。以上の工程により、図1に示した液晶表示装置液晶表示素子を完成させることができた。液晶表示装置液晶表示素子の動作にあっては、選択された画素10では、駆動電圧が印加されると、液晶層40に含まれる液晶分子41の配向状態が、画素電極20Bと対向電極30Bとの間の電位差に応じて変化する。具体的には、液晶層40では、図1に示した駆動電圧の印加前の状態から、駆動電圧が印加されることにより、配向膜22,32の近傍に位置する液晶分子41A,41Bが自らの傾き方向に倒れ、且つ、その動作がその他の液晶分子41Cに伝播する。その結果、液晶分子41は、TFT基板20及びCF基板30に対してほぼ水平平行となる姿勢をとるように応答する。これにより、液晶層40の光学的特性が変化し、液晶表示素子への入射光が変調された出射光となり、この出射光に基づいて階調表現されることで、画像が表示される。ここで、プレチルト処理が全く施されていない液晶表示素子及びそれを備えた液晶表示装置では、駆動電圧が印加されると、基板に対して垂直方向に配向していた液晶分子は、そのダイレクタが基板の面内方向において任意の方位を向くように倒れる。このように駆動電圧に応答した液晶分子では、各液晶分子のダイレクタの方位がぶれた状態となり、全体としての配向に乱れが生じる。これにより、応答速度画像表示の立ち上がり速度が遅くなり、応答特性が劣化し、その結果、表示特性を悪化させるという問題がある。また、初期の駆動電圧を表示状態の駆動電圧よりも高く設定して駆動オーバードライブ駆動させると、初期駆動電圧印加時において、応答した液晶分子と、殆ど応答していない液晶分子とが存在し、それらの間でダイレクタの傾きに大きな差が生じる。その後に表示状態の駆動電圧が印加されると、初期駆動電圧印加時に応答した液晶分子は、その動作が他の液晶分子に対して殆ど伝播しないうちに、表示状態の駆動電圧に応じたダイレクタの傾きとなり、この傾きが他の液晶分子に伝播する。その結果、画素全体として、初期駆動電圧印加時に表示状態の輝度に達するが、その後、輝度が低下し、再度、表示状態の輝度に達する。即ち、オーバードライブ駆動すれば、オーバードライブ駆動しない場合よりも見かけの応答速度は早くなるが、十分な表示品位が得られ難いという問題がある。尚、これらの問題は、IPSモードやFFSモードの液晶表示素子では生じ難く、VAモードの液晶表示素子において特有の問題と考えられる。これに対して、実施の形態1の液晶表示装置液晶表示素子及びその製造方法では、上記した第1配向膜22、第2配向膜32が液晶分子41A,41Bに対して所定の第1プレチルト角θ1、第2プレチルト角θ2を付与する。これにより、プレチルト処理が全く施されていない場合の問題が生じ難くなり、駆動電圧に対する応答速度画像表示の立ち上がり速度が大幅に向上し、オーバードライブ駆動時における表示品位も向上する。しかも、第2配向膜32の形成及び処理は第1配向膜22の形成及び処理と異なっており、その結果、θ1>θ2となる。従って、画像表示の立ち上がり速度だけでなく、立ち下がり速度の向上も図ることができる。また、液晶分子は第2配向膜32によって第2プレチルト角θ2とされているので、黒表示の際の光の透過量を低減することができ、コントラストを一層向上させることができる。また、配向膜22,32の間に液晶層40を封止した後、配向膜22,32中の配向処理前化合物を架橋又は重合させているため、液晶表示素子の駆動時の透過率を連続的に増加するように変化させることができる。しかも、液晶層40を封止した後に配向処理前化合物の架橋反応によりプレチルト処理が施される実施の形態1では、配向膜の形成及び処理が行われる。よって、図7に示すように、液晶分子41のプレチルトの方向が揃い易いため、オーダーパラメータが大きくなる1に近づく。これにより、液晶表示素子の駆動時において、液晶分子41が均一な挙動を示すため、透過率が連続的に増加する。この場合、特に、配向処理前化合物が架橋性官能基又は重合性官能基と一緒に式1に示した基を有しており、又は、配向処理前化合物が架橋性官能基又は重合性官能基として式2に示した基を有していれば、第1配向膜22、第2配向膜32にプレチルト角θ1,θ2をより付与し易くなる。このため、応答速度画像表示の立ち上がり速度をより向上させることができる。実施の形態1では、主にポリイミド構造を含む主鎖を有する配向処理前化合物を含有する配向膜22,32を用いた場合について説明したが、配向処理前化合物が有する主鎖は、ポリイミド構造を含むものに限定されない。例えば、主鎖が、ポリシロキサン構造、ポリアクリレート構造、ポリメタクリレート構造、マレインイミド重合体構造、スチレン重合体構造、スチレン/マレインイミド重合体構造、ポリサッカライド構造又はポリビニルアルコール構造等を含んでいてもよく、中でも、ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前化合物が好ましい。上記したポリイミド構造を含む高分子化合物と同様の効果が得られるからである。ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前化合物として、例えば、式9で表されるポリシラン構造を含む高分子化合物が挙げられる。式9におけるR10及びR11は、炭素を含んで構成された1価の基であれば任意であるが、R10及びR11のうちのいずれか一方に、側鎖としての架橋性官能基又は重合性官能基、及び、式1から成る側鎖を含んでいることが好ましい。配向処理後化合物において、十分な配向規制能が得られ易いからである。この場合における架橋性官能基又は重合性官能基として、上記した式41に示した基等が挙げられる。ここで、R10及びR11は1価の有機基であり、m1は1以上の整数である。尚、図1に示す例にあっては、第1基板20であるTFT基板を覆う第1配向膜22が第1基板TFT基板20の側に位置する液晶分子41Aに第1プレチルト角θ1を付与する構成としたが、これに限定されない。即ち、図2に示すように、第1基板20をCF基板とし、第2基板30をTFT基板とすることもでき、この場合においても、図1に示した液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。但し、TFT基板では、駆動時には種々の横電場が生じていることから、第2基板30をTFT基板とする図2の液晶表示装置の変形例を採用することが望ましい。これにより、横電場による液晶分子41の配向乱れを、効果的に低減することができる。次に、他の実施の形態について説明するが、実施の形態1と共通の構成要素については、同一の符号を付して説明は省略する。また、実施の形態1と同様の作用及び効果についても、適宜省略する。更には、実施の形態1において説明した以上の各種の技術的事項は、適宜、以下の実施の形態にも適用される。[実施の形態2]実施の形態2は、実施の形態1の変形である。実施の形態2の液晶表示装置にあっては、第1電極画素電極20Bに第1配向規制部21が設けられており、第1配向膜22は、第1電極画素電極20B、第1配向規制部21及び第1基板TFT基板20の対向面を覆っている。発明の実施の形態2の液晶表示装置の模式的な一部断面図を図8に示す。より具体的には、画素電極20Bには、各画素内において、例えば、ストライプ状やV字状のパターンを有する第1スリット部21電極の形成されない部分が設けられている。尚、1つの画素副画素を上方から眺めたときの第1電極画素電極20B及び第1スリット部21の配置図を、図10のAあるいは図10のBに示す。これにより、駆動電圧が印加されると、液晶分子41の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため配向分割、視野角特性が向上する。即ち、第1スリット部21は、良好な表示特性を確保するために、液晶層40中の液晶分子41全体の配向を規制するための第1配向規制部であり、ここでは、この第1スリット部21によって駆動電圧印加時の液晶分子41の配向方向を規制している。基本的に、プレチルトが付与されたときの液晶分子の方位角は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、電場の方向は配向規制部によって決定される。第1スリット部21の幅は5μmであり、第1スリット部21のピッチは113μmである。そして、液晶層40に対して所定の電場又は磁場を印加することにより液晶分子41を配向させつつ、高分子化合物配向処理前化合物にエネルギー線具体的には紫外線UVを照射して、あるいは又、加熱することで、高分子化合物配向処理前化合物の側鎖を架橋又は重合させる。以下、実施の形態2の液晶表示装置の製造方法の製造方法について、図11に示すフローチャートと共に、図12、図13及び図14に示す液晶表示装置等の模式的な一部断面図を参照して説明する。尚、図12、図13及び図14では、簡略化のため、一画素分についてのみ示す。具体的には、先ず、第1基板20の表面に、所定の第1スリット部21を有する画素電極20Bを例えばマトリクス状に設けることによりTFT基板20を作製する。また、カラーフィルタが形成された第2基板30のカラーフィルタ上に対向電極30Bを設けることによりCF基板30を作製する。一方、実施の形態1と同様にして、液状の第1配向膜用及び第2配向膜用の配向膜材料を調製する。そして、実施の形態1と同様にして、第1基板TFT基板20の表面における第1配向膜22の形成及び処理を行う共に、第2基板CF基板30の表面における第2配向膜32の形成及び処理を行うステップS101。次いで、実施の形態1と同様にして、TFT基板20とCF基板30とを第1配向膜22と第2配向膜32とが対向するように配置し、第1配向膜22と第2配向膜32との間に、液晶分子41を含む液晶層40を封止するステップS102。その後、図12に示すように、TFT基板20とCF基板30とを、配向膜22,32が対向するように、スペーサ突起物及びシール部を介して貼り合わせ、液晶分子41を含む液晶材料を注入する。次いで、加熱するなどしてシール部の硬化を行うことにより、液晶材料をTFT基板20とCF基板30との間に封止する。次に、図13に示すように、画素電極20Bと対向電極30Bとの間に、電圧印加手段を用いて、電圧V1を印加するステップS103。電圧V1は、例えば、3ボルト~30ボルトである。これにより、第1基板20及び第2基板30の表面に対して所定の角度をなす方向の電場電界が生じ、液晶分子41Aが、第1基板20の垂直方向から所定方向に傾いて配向される。また、液晶分子41Bが、第2基板30の垂直方向と例えば平行な方向に配向され、あるいは又、第2基板30の垂直方向から所定方向に傾いて配向される。即ち、このときの液晶分子41の方位角偏角は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、極角天頂角は、電場の強さ、及び、配向膜材料の分子構造によって規定される。そして、液晶分子41の傾斜角と、後述する工程で、第1配向膜22との界面近傍において第1配向膜22に保持された液晶分子41A及び第2配向膜32との界面近傍において第2配向膜32に保持された液晶分子41Bに付与される第1プレチルト角θ1、第2プレチルト角θ2は、第1配向膜22と第2配向膜32の形成及び処理の違いに起因して、θ1>θ2となる。そして、電圧V1の値を適宜調節することにより、液晶分子41A,41Bの第1プレチルト角θ1、第2プレチルト角θ2の値を制御することが可能である。更に、図14に示すように、電圧V1を印加した状態のまま、エネルギー線具体的には紫外線UVを、例えば、TFT基板20の外側から配向膜22,32に対して照射する。即ち、液晶分子41Aを基板20の表面に対して斜め方向に配列させるように、液晶層に対して電場又は磁場を印加しながら紫外線を照射する。これによって、配向膜22,32中の配向処理前化合物が有する架橋性官能基又は重合性官能基を反応させ、配向処理前化合物を架橋させるステップS104。こうして、配向処理後化合物により液晶分子41の応答すべき方向が記憶され、配向膜22近傍の液晶分子41Aにプレチルトが付与され、第2配向膜32近傍の液晶分子41Bは、垂直配向され、あるいは又、小さなプレチルト角にて配向される。そして、その結果、配向膜22,32中において配向処理後化合物が形成され、非駆動状態において、液晶層40における第1配向膜22との界面近傍に位置する液晶分子41Aに第1プレチルト角θ1が付与され、第2配向膜32との界面近傍に位置する液晶分子41Bに第2プレチルト角θ2<θ1が付与される。以上の工程により、図8に示す液晶表示装置液晶表示素子を完成させることができる。ここで、実施の形態2にあっては、TFT基板20には、液晶分子41の配向を規制するための配向規制部として第1スリット部21が設けられているので、視野角特性等の表示特性が確保されるため、良好な表示特性を維持した状態で応答特性が向上する。また、従来の液晶表示装置の製造方法光配向技術では、配向膜は、基板面上に設けられた所定の高分子材料を含む前駆体膜に対して直線偏光の光や基板面に対する斜め方向の光以下、斜め光と呼ぶを照射して形成され、これによりプレチルト処理が施される。このため、配向膜を形成する際に、直線偏光の平行光を斜めから照射する装置といった大がかりな光照射装置が必要とされるという問題がある。特に、斜め光を用いて配向膜を形成する場合、基板上にスペーサ等の構造物あるいは凹凸があると、構造物等の陰になり、斜め光が届かない領域が生じ、この領域において液晶分子に対する所望の配向規制が難しくなる。この場合、例えば、画素内にマルチドメインを設けるためにフォトマスクを用いて斜め光を照射するには、光の回り込みを考慮した画素設計が必要となる。即ち、斜め光を用いて配向膜を形成する場合、高精細な画素形成が難しいという問題もある。更に、従来の光配向技術の中でも、高分子材料として架橋性高分子化合物を用いる場合、前駆体膜中において架橋性高分子化合物に含まれる架橋性官能基又は重合性官能基は、熱運動によりランダムな方位方向を向いているため、架橋性官能基又は重合性官能基同士の物理的距離が近づく確率が低くなる。その上、ランダム光非偏光を照射した場合、架橋性官能基又は重合性官能基同士の物理的距離が近づくことにより反応するが、直線偏光の光を照射して反応する架橋性官能基又は重合性官能基は、偏光方向と反応部位の方向とが所定の方向に揃う必要がある。また、斜め光は、垂直光と比較して、照射面積が広がる分だけ、単位面積当たりの照射量が低下する。即ち、直線偏光の光あるいは斜め光に反応する架橋性官能基又は重合性官能基の割合は、ランダム光非偏光を基板面に対して垂直方向から照射した場合と比較して低くなる。よって、形成された配向膜中における架橋密度架橋度合いが低くなり易い。これに対して、実施の形態2では、配向処理前化合物を含む配向膜22,32を形成した後、第1配向膜22と第2配向膜32の間に液晶層40を封止する。次いで、液晶層40に電圧を印加することにより、液晶分子41が所定の配向をとると共に、液晶分子41によって基板あるいは電極に対する側鎖の末端構造部の方向が規定されながら、配向膜22,32中の配向処理前化合物を架橋又は重合させる。即ち、第1配向膜22近傍における液晶分子41の配向を規制するための第1スリット部21によって、駆動時の液晶分子41の配向方向に応じて、プレチルトが付与される。これにより、液晶分子41A,41Bに第1プレチルト角θ1、第2プレチルト角θ2を付与する第1配向膜22、第2配向膜32を形成することができる。即ち、実施の形態2の液晶表示装置液晶表示素子及びその製造方法によれば、大がかりな装置を用いなくても、容易に応答特性を向上させることができる。その上、配向処理前化合物を架橋又は重合させる際に、紫外線の照射方向に依存することなく液晶分子41に対して第1プレチルト角θ1を付与することができるため、高精細な画素を形成することができる。更に、配向処理前化合物において側鎖の末端構造部の向きが整った状態で配向処理後化合物が生成されるため、配向処理後化合物の架橋度合いは、上記の従来の製造方法による配向膜よりも高くなっていると考えられる。よって、長時間駆動しても、駆動中に架橋構造が新たに形成され難いため、液晶分子41A,41Bのプレチルト角θ1,θ2が製造時の状態に維持され、信頼性を向上させることもできる。実施の形態2では、第1スリット部21を設けることにより、配向分割させて視野角特性を向上させるようにしたが、それに限定されるものではない。例えば、第1スリット部21の代わりに、画素電極20B上に配向規制部としての突起を設けてもよい。このように突起を設けることによっても、第1スリット部21を設けた場合と同様の効果を得ることができる。尚、図8に示す例にあっては、第1基板20であるTFT基板を覆う第1配向膜22が、第1基板TFT基板20の側に位置する液晶分子41Aに第1プレチルト角θ1を付与する構成としたが、これに限定されない。即ち、図9に示すように、第1基板20をCF基板とし、第2基板30をTFT基板とすることもでき、この場合においても、図8に示した液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。[実施の形態3]実施の形態3は、本開示の第2の態様に係る液晶表示装置、並びに、本開示の第2の態様及び第3の態様に係る液晶表示装置の製造方法に関する。実施の形態1にあっては、配向処理後化合物は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する配向処理前化合物における架橋性官能基又は重合性官能基が架橋又は重合することで得られる。一方、実施の形態3にあっては、第1配向膜22は、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物が変形した化合物配向処理後化合物を含み、第2配向膜32は、第1配向膜22を構成する化合物配向処理後化合物と同じ化合物配向処理後化合物を含み、第2配向膜32の形成及び処理は第1配向膜22の形成及び処理と異なっており、以て、第1配向膜22即ち、配向処理後化合物によってによって付与された液晶分子41のプレチルト角度をθ1、第2配向膜32即ち、配向処理後化合物によってによって付与された液晶分子41のプレチルト角度をθ2としたとき、θ1>θ2といった関係が付与される。配向処理後化合物は、エネルギー線の照射による変形を伴う感光性官能基を側鎖として有する配向処理前化合物に基づき得られる。また、実施の形態3の液晶表示装置の製造方法にあっては、一対の基板20,30の一方に、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物配向処理前化合物から成る第1配向膜22の形成及び処理を行い、一対の基板20,30の他方に、第1配向膜22を構成する高分子化合物と同じ高分子化合物配向処理前化合物から成る第2配向膜32の形成及び処理を行い、次いで、一対の基板20,30を、第1配向膜22と第2配向膜32とが対向するように配置し、第1配向膜22と第2配向膜32との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子41を含む液晶層40を封止し、その後、高分子化合物配向処理前化合物を変形させることで、液晶分子41にプレチルトを付与する即ち、配向処理後化合物によって液晶分子41にプレチルトを付与する、工程を含み、あるいは又、一対の基板20,30の一方に、側鎖として架橋性官能基又は感光性官能基を有する高分子化合物配向処理前化合物から成る第1配向膜22の形成及び処理を行い、一対の基板20,30の他方に、第1配向膜22を構成する高分子化合物配向処理前化合物と同じ高分子化合物から成る第2配向膜32の形成及び処理を行い、次いで、一対の基板20,30を、第1配向膜22と第2配向膜32とが対向するように配置し、第1配向膜22と第2配向膜32との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子41を含む液晶層40を封止し、その後、高分子化合物配向処理前化合物にエネルギー線具体的には紫外線UVを照射することで、液晶分子41にプレチルトを付与する即ち、配向処理後化合物によって液晶分子41にプレチルトを付与する、工程を含む。ここで、実施の形態3においても、配向膜22,32は、側鎖に架橋構造を有する高分子化合物配向処理後化合物の1種あるいは2種以上、若しくは、架橋性官能基あるいは重合性官能基と共に、式1に示す液晶に沿う末端基を有する側鎖をそれぞれ1種あるいは2種以上を含んで構成されている。そして、液晶分子は、変形した化合物によってプレチルトが付与される。ここで、配向処理後化合物は、主鎖及び側鎖を有する高分子化合物配向処理前化合物の1種あるいは2種以上を含む状態で配向膜22,32を形成した後、液晶層40を設け、次いで、高分子化合物を変形させることで、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、側鎖に含まれる感光性官能基を変形させることにより生成される。そして、配向膜22,32には、実施の形態1と同様にラビング処理が施されているので、配向処理後化合物は、液晶分子を一対の基板の一方TFT基板20あるいはCF基板30に対して所定の方向具体的には、斜め方向に配列させることができる。このように、高分子化合物を変形させて、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、配向処理後化合物が配向膜22,32中に含まれることにより、配向膜22,32近傍の液晶分子41に対してプレチルトを付与できるため、応答速度画像表示の立ち上がり速度及び立ち下がり速度が早くなり、表示特性が向上する。感光性官能基として、アゾ基を有するアゾベンゼン系化合物、イミンとアルジミンとを骨格に有する化合物便宜上、アルジミンベンゼンと呼ぶ、スチレン骨格を有する化合物便宜上、スチルベンと呼ぶを例示することができる。これらの化合物は、エネルギー線例えば、紫外線に応答して変形する結果、即ち、トランス状態からシス状態へ遷移する結果、液晶分子にプレチルトを付与することができる。式AZ-0で表されるアゾベンゼン系化合物におけるXとして、具体的には、例えば、以下の式AZ-1~式AZ-9を例示することができる。ここで、R,Rのいずれか一方は、ジアミンを含むベンゼン環と、直接、若しくは、エーテル、エステル等を介して結合し、他方は末端基となり、R,R’,Rは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する1価の基、又は、それらの誘導体であり、末端基は、その間に、式1のR2、式2のR13を含んでもよい。このようにすることで、チルトの付与をより容易にすることができる。Rはジアミンを含むベンゼン環と、直接、若しくは、エーテル、エステル等を介して直接結合する。実施の形態3の液晶表示装置及びその製造方法は、エネルギー線具体的には、紫外線の照射による変形を伴う感光性官能基を有する配向処理前化合物を用いることを除き、基本的、実質的には、実施の形態1において説明した液晶表示装置及びその製造方法と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。尚、実施の形態3にあっても、実施の形態2において説明したと同様に、第1スリット部21を設けてもよい。また、配向処理後化合物を、高分子化合物を変形させることで、あるいは又、液晶層40に対して所定の電場又は磁場を印加することにより液晶分子41を配向させつつ、エネルギー線を照射して高分子化合物配向処理前化合物の側鎖を変形させることで、生成させることができる。尚、このような状態を、図16の概念図に示す。尚、図16において、UVが付された矢印の方向、電圧が付された矢印の方向は、紫外線が照射される方向、加えられる電界の方向を示すものではない。実施例1は、本開示の第1の態様に係る液晶表示装置液晶表示素子及びその製造方法、並びに、本開示の第3の態様に係る液晶表示装置液晶表示素子の製造方法に関する。実施例1にあっては、以下の手順により、図2に示した実施の形態1の液晶表示装置液晶表示素子の変形例を作製した。先ず、TFT基板20及びCF基板30を準備した。TFT基板20として、厚さ0.7mmのガラス基板20Aの一面側に、スリットパターンを有するITOから成る画素電極20Bが形成された基板を用いた。また、CF基板30として、カラーフィルタが形成された厚さ0.7mmのガラス基板30Aのカラーフィルタ上に、ITOから成る対向電極30Bが形成された基板を用いた。一方、第1配向膜及び第2配向膜のための配向膜材料を調製した。この場合、例えば、先ず、ジアミン化合物である、式A-6に示した架橋性官能基を有する化合物と、式B-4に示した垂直配向誘起構造部を有する化合物と、式E-2に示したテトラカルボン酸二無水物と、式G-1で表される化合物と、必要に応じて式C-1に示したジアミン化合物とを、N-メチル-2-ピロリドンNMPに溶解させた。次いで、この溶液を60 ゚Cで6時間反応させた後、反応後の溶液に対して、大過剰の純水を注いで反応生成物を沈殿させた。その後、沈殿した固形物を分離した後、純水で洗浄し、減圧下、40 ゚Cで15時間乾燥させ、これにより、配向処理前化合物としての高分子化合物前駆体であるポリアミック酸表1における高分子化合物1を参照及びポリイミド表1における高分子化合物2及び高分子化合物3を参照を合成することができた。最後に、得られたポリアミック酸及びポリイミド3.0グラムをNMPに溶解させることにより、固形分濃度3重量の溶液とした後、0.2μmのフィルタで濾過した。こうして、配向膜22,32を形成するための配向膜材料を得た。次いで、TFT基板20及びCF基板30のそれぞれに、調製した配向膜材料表1参照をスピンコーターを用いて塗布し、成膜した後、塗布膜を80 ゚Cのホットプレートで80秒間乾燥予備乾燥させた。その後、TFT基板20及びCF基板30を、窒素ガス雰囲気下、200 ゚Cのオーブンで1時間加熱焼成した。これにより、画素電極20B上における厚さが90nmの第1配向膜22、及び、対向電極30B上における第2配向膜32の厚さが90nmのCF基板30を作製した。その後、第1配向膜22及び第2配向膜32に処理具体的には、ラビング処理を施した。具体的には、第1配向膜22及び第2配向膜32上に開口部を有するマスク層を形成し、開口部の底部に露出した第1配向膜22及び第2配向膜32に対してラビング処理を施した。実施例1にあっては、このような処理をM回具体的には2回、繰り返すことで、ラビング方向としてM種類の方向具体的には2方向を有する第1配向膜22及び第2配向膜32を得ることができた。ここで、第2配向膜32の形成及び処理は第1配向膜22の形成及び処理と異なっている。具体的には、ラビング処理におけるラビングローラの配向膜への当たりの強さを、第2配向膜32に対しては弱く、第1配向膜22に対しては強くした。あるいは又、第1配向膜22に対してラビング処理を行うが、第2配向膜32に対してはラビング処理を行わなかった。ラビング処理の条件を、以下の表2に示すが、ラビングローラの回転数は全ての条件で同じとし500rpm、基板送り速度も全ての条件で同じとした20mm/秒。[表1][表2]ラビングローラの押し込み量条件10.3mm条件20.6mm条件30.9mm次に、CF基板30上の画素部周縁に、粒径3.5μmのシリカ粒子を含む紫外線硬化型樹脂を塗布することによりシール部を形成し、これに囲まれた部分に、ネガ型液晶であるMLC-7029メルク社製から成る液晶材料を滴下注入した。その後、TFT基板20とCF基板30とを貼り合わせ、シール部を硬化させた。次いで、120 ゚Cのオーブンで1時間加熱し、シール部を完全に硬化させた。これにより、液晶層40が封止された液晶セルを備えた各種の液晶表示装置を完成させることができた。次いで、このように作製された液晶セルに対して、500mJ波長365nmでの測定の均一な紫外線を照射し、配向膜22,32中の配向処理前化合物を反応させた。これにより、TFT基板20及びCF基板30に、配向処理後化合物を含む配向膜22,32を形成した。以上により、TFT基板20及びCF基板30側の液晶分子41A,41Bが種々のプレチルト角をなす液晶表示装置液晶表示素子を完成させることができた図2参照。最後に、液晶表示装置の外側に、吸収軸が直交するように一対の偏光板を貼り付けた。これらの配向膜材料を用いた液晶表示装置液晶表示素子について、応答時間画像表示の立ち上がり時間Ton、及び、立ち下がり時間Toff、並びに、プレチルト角θ1,θ2を測定した。その結果を表3に示す。尚、実施例1A及び比較例1Aにあっては、表1中の高分子化合物1を使用し、実施例1B及び比較例1Bにあっては、表1中の高分子化合物2を使用し、実施例1C、実施例1D及び比較例1Dにあっては、表1中の高分子化合物3を使用した。応答時間を測定する際には、測定装置としてLCD5200大塚電子株式会社製を用いて、画素電極20Bと対向電極30Bとの間に、駆動電圧7.5ボルトを印加し、輝度10からその駆動電圧に応じた階調の90の輝度となるまでの時間画像表示の立ち上がり時間Ton、及び、輝度90からその駆動電圧に応じた階調の10の輝度となるまでの時間画像表示の立ち下がり時間Toffを測定した。また、液晶分子41のプレチルト角θを調べる際には、公知の方法TJScheffer等,JApplPhys,vol19,2013頁,1980年に記載されている方法に準拠し、He-Neレーザ光を用いた結晶回転法により測定した。尚、プレチルト角θは、上述し、図3に示したように、ガラス基板20A,30Aの表面に垂直な方向法線方向をZとした場合に、駆動電圧がオフの状態で、Z方向に対する液晶分子4141A,41BのダイレクタDの傾斜角度である。[表3]実施例1Aと比較例1A、実施例1Bと比較例1B、実施例1Cと比較例1Cとを比較すると、実施例1A~実施例1Cの方が、比較例1A~比較例1Cよりも立ち下がり時間Toffが短くなっている。また、実施例1Cと比較例1Cにおいて、立ち上がり時間Tonと立ち下がり時間Toffの合計時間を比べると、大きな差は認められない。一方、実施例1Dと、実施例1C及び比較例1Cとを比べると、実施例1Dの方が、立ち上がり時間Tonと立ち下がり時間Toffの合計時間に改善が認められた。尚、表3における実施例1Dの第1段目のデータは参考データである。以上のとおり、第2配向膜32の形成及び処理を第1配向膜22の形成及び処理と異ならせ、θ1>θ2=0とすることで、立ち下がり時間Toffの改善を図ることができ、更には、θ1>θ2>0とすることで、立ち上がり時間Tonと立ち下がり時間Toffの合計時間の改善を図ることができる。尚、実施例1Cあるいは実施例1Dにおいて、オーバードライブ駆動を採用すれば、立ち上がり時間Tonの一層の改善を図ることができる。以上に説明したように、実施例1あるいは後述する実施例2にあっては、第1配向膜22がその近傍の液晶分子41Aに対して第1プレチルト角θ1を付与するように、また、第2配向膜32がその近傍の液晶分子41Bに対して第2プレチルト角θ2を付与するように、第1配向膜22及び第2配向膜32の形成及び処理を行い、配向膜22,32中の配向処理前化合物を架橋又は重合させる。これにより、応答速度画像表示の立ち上がり速度及び立ち下がり速度を大幅に向上させることができた。実施例2は、本開示の第2の態様に係る液晶表示装置液晶表示素子及びその製造方法、並びに、本開示の第3の態様に係る液晶表示装置液晶表示素子の製造方法に関する。実施例2にあっては、液晶層を封止した後、高分子化合物配向処理前化合物を変形させることで、液晶分子にプレチルトを付与する。具体的には、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、紫外線を照射して高分子化合物配向処理前化合物の側鎖を変形させる。実施例2にあっては、感光性官能基を有する配向処理前化合物/配向処理後化合物を用いた。具体的には、以下の式H-1及びH-2に示すアゾベンゼン系化合物及びスチレン骨格を有する化合物を、感光性官能基を有する配向処理前化合物として用いて、実施例1において説明した、図2に示したと同様の構成、構造を有する液晶表示装置を作製し、応答特性を調べた。実施例2にあっては、実質的に実施例1と同様にして、表4に示す配向膜材料2A~配向膜材料2Dを得た。そして、実施例1と同様にして、画素電極20B及び対向電極30B上における厚さが90nmの配向膜22,32の形成及び処理を行った。その後、実施例1と同様に、CF基板30上の画素部周縁に、粒径3.5μmのシリカ粒子を含む紫外線硬化樹脂を塗布することによりシール部を形成し、これに囲まれた部分に、ネガ型液晶であるMLC-7029メルク社製から成る液晶材料を滴下注入した。次いで、TFT基板20とCF基板30とを貼り合わせ、シール部を硬化させた。次いで、120 ゚Cのオーブンで1時間加熱し、シール部を完全に硬化させた。これにより、液晶層40が封止され、液晶セルを完成させることができた。[表4]その後、このように作製された液晶セルに対して、500mJ波長365nmでの測定の均一な紫外線を照射し、配向膜22,32中の配向処理前化合物を変形させた。これにより、TFT基板20及びCF基板30に、配向処理後化合物変形した高分子化合物を含む配向膜22,32を形成した。以上により図2に示す液晶表示装置液晶表示素子を完成させることができた。最後に、液晶表示装置の外側に、吸収軸が直交するように一対の偏光板を貼り付けた。これらの配向膜材料2A~配向膜材料2Dを用いた液晶表示装置液晶表示素子について、応答時間を測定したところ、実施例1と同様の結果を得ることができた。以上、好ましい実施の形態及び実施例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、実施の形態及び実施例ではVAモードの液晶表示装置液晶表示素子について説明したが、本開示は必ずしもこれに限定されず、ECBモード水平配向でポジ液晶のモード;ツイスト無し、IPSInPlaneSwitchingモード、FFSFringeFieldSwitchingモードあるいはOCBOpticallyCompensatedBendモード等の、他の表示モードにも適用可能である。この場合においても同様の効果が得られる。但し、本開示では、プレチルト処理が施されていないものと比較すると、VAモードにおいて、IPSモードやFFSモードよりも、特に高い応答特性の改善効果を発揮することができる。また、実施の形態及び実施例では、専ら透過型の液晶表示装置液晶表示素子について説明したが、本開示では必ずしも透過型に限られず、例えば、反射型としてもよい。反射型とした場合には、画素電極がアルミニウム等の光反射性を有する電極材料により構成される。実施の形態2において説明した液晶表示装置にあっては、第1基板側にのみ配向規制部を設けたが、第1基板に第1配向規制部第1スリット部を設け、第2基板に第2配向規制部第2スリット部を設けてもよい。このような液晶表示装置の一例として、以下に説明する液晶表示装置を挙げることができる。即ち、第1基板及び第2基板、第2基板と対向する第1基板の対向面に形成された第1電極、第1電極に設けられた第1配向規制部、第1電極、第1配向規制部及び第1基板の対向面を覆う第1配向膜、第1基板と対向する第2基板の対向面に形成された第2電極、第2電極に設けられた第2配向規制部、第2電極、第2配向規制部及び第2基板の対向面を覆う第2配向膜、並びに、第1配向膜及び第2配向膜の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層、を有する画素が、複数、配列されて成る液晶表示装置であって、各画素において、第1電極の縁部と第1配向規制部とによって囲まれた領域の射影像と、第2電極の縁部と第2配向規制部とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置しており、液晶分子は、第1配向膜によってプレチルトが付与される構成とすることができる。ここで、第2基板の法線方向から重複領域の中心領域を眺めたとき、第2基板の法線方向に沿って重複領域の中心領域を占める液晶分子群より具体的には、第1基板から第2基板までの微小な柱状領域を占める液晶分子群の長軸は、略、同一仮想垂直面内に位置している。尚、第2配向規制部は、第2電極に形成された第2スリット部から成り、第2スリット部の幅は、2μm以上10μm未満であり、第2スリット部のピッチは、10μm乃至180μm、好ましくは30μm乃至180μm、より好ましくは60μm乃至180μmである構成とすることができる。ここで、重複領域の中心領域とは、重複領域の中心と一致する中心を有し、重複領域と相似の形状であって、重複領域の面積の25の面積を有する領域を意味する。また、液晶層における液晶分子群の長軸は、略、一仮想平面内に位置するとは、仮想平面と液晶分子群の長軸との成す角度が±5度以内であることを意味する。云い換えれば、液晶分子群の方位角偏角のバラツキが±5度以内であることを意味する。更には、画素が複数の副画素から構成される場合、画素を副画素と読み替えればよい。また、仮想平面と液晶分子群の長軸との成す角度、あるいは又、液晶分子群の方位角偏角のバラツキの測定方法として、全反射減衰振動法全反射減衰法とも呼ばれるあるいは位相差測定法を挙げることができる。ここで、全反射減衰振動法とは、試料表面の吸収スペクトルを測定する方法であり、高屈折率媒質プリズムに試料を密着させ、プリズムから僅かに浸み出し、反射する全反射光を測定する。そして、このサンプルの方位を回転させることで、100nm付近液晶/配向膜の分子の吸収の情報配向方向を求める方法である。また、位相差測定法は、RETS100大塚電子株式会社製を用いて、液晶セルを所望の角度だけ傾けた状態での位相差を測定し、プレチルトが付与された状態での理想の配向状態での位相差を予め算出しておき、フィッティングをかけることでプレチルトを算出する方法である。また、このサンプルをサンプル面内で回転させることで、プレチルトの付与された方位角を求めることができる。このような構造を有する液晶表示装置の模式的な一部断面図を、図17及び図18に示す。尚、図17及び図18に示す液晶表示装置は、図8及び図9に示した液晶表示装置の変形例である。ガラス基板から成るTFT基板20には、ガラス基板から成るCF基板30と対向する側の表面に、例えば、マトリクス状に複数の画素電極20Bが配置されている。更に、複数の画素電極20Bをそれぞれ駆動するゲートソースドレイン等を備えたTFTスイッチング素子や、これらTFTスイッチング素子に接続されるゲート線及びソース線等図示せずが設けられている。画素電極20Bは、画素分離部52によって電気的に分離された画素毎に設けられ、例えばITOインジウム錫酸化物等の透明性を有する材料により構成されている。画素電極20Bには、各画素内において、例えば、ストライプ状やV字状のパターンを有する第1スリット部21電極の形成されない部分が設けられている。これにより、駆動電圧が印加されると、液晶分子41の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため配向分割、視野角特性が向上する。即ち、第1スリット部21は、良好な表示特性を確保するために、液晶層40中の液晶分子41全体の配向を規制するための第1配向規制部であり、ここでは、この第1スリット部21によって駆動電圧印加時の液晶分子41の配向方向を規制している。上述したとおり、基本的に、プレチルトが付与されたときの液晶分子の方位角は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、電場の方向は配向規制部によって決定される。CF基板30には、TFT基板20との対向面に、有効表示領域のほぼ全面に亙って、例えば、赤R、緑G、青Bのストライプ状フィルタにより構成されたカラーフィルタ図示せずと、対向電極30Bとが配置されている。対向電極30Bは、画素電極20Bと同様に、例えばITO等の透明性を有する材料により構成されている。対向電極30Bには、各画素内において、例えば、ストライプ状やV字状のパターンを有する第2スリット部31電極の形成されない部分が設けられている。これによっても、駆動電圧が印加されると、液晶分子41の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため配向分割、視野角特性が向上する。即ち、第2スリット部31は、良好な表示特性を確保するために、液晶層40中の液晶分子41全体の配向を規制するための第2配向規制部であり、ここでは、この第2スリット部31によっても駆動電圧印加時の液晶分子41の配向方向を規制している。上述したとおり、基本的に、プレチルトが付与されたときの液晶分子の方位角は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、電場の方向は配向規制部によって決定される。第2スリット部31は、第1スリット部21と基板間で対向しないように配置されている。より具体的には、複数の第1スリット部21は互いに平行に設けられており、複数の第2スリット部31も互いに平行に設けられている。また、1つの画素において、互いに直交する2つの方向に複数の第1スリット部21は延びており、同様に、互いに直交する2つの方向に複数の第2スリット部31は延びている。そして、第1スリット部21は、これらの第1スリット部21に対向する第2スリット部31と平行に設けられており、第1スリット部21の射影像は、2つの第2スリット部31の対称線の射影像上に位置し、第2スリット部31の射影像は、2つの第1スリット部21の対称線の射影像上に位置する。1つの画素副画素を上方から眺めたときの第1電極画素電極20B及び第1スリット部21、並びに、第2電極対向電極30B及び第2スリット部31の配置図を、図19のAに示し、第2電極対向電極30B及び第2スリット部31の配置図を、図19のBに示す。また、第1スリット部21及び第2スリット部31の外形形状の変形例を図20のA及びB、並びに、図21のA及びBに示す。尚、図19のA、図20のA、図21のAにおいては、第1電極画素電極20Bの縁部と第1配向規制部第1スリット部21を実線で示し、これらの上方に位置する第2配向規制部第2スリット部31を点線で示した。また、第1電極画素電極20Bの縁部と第1配向規制部第1スリット部21とによって囲まれた領域の射影像と、第2電極対向電極30Bの縁部と第2配向規制部第2スリット部31とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域50に斜線を付し、更には、中心領域51を一点鎖線で囲み、且つ、斜線を付した。重複領域50及び中心領域51は、便宜上、1箇所のみを図示した。また、図19のB、図20のB、図21のBにおいては、画素における第2電極対向電極30Bの縁部を点線で示し、第2配向規制部第2スリット部31を実線で示した。尚、第1配向規制部第1スリット部21の形状を第2配向規制部第2スリット部31の形状と置き換え、第2配向規制部第2スリット部31の形状を第1配向規制部第1スリット部21の形状と置き換えてもよい。そして、各画素副画素において、第1電極画素電極20Bの縁部と第1配向規制部第1スリット部21とによって囲まれた領域の射影像と、第2電極対向電極30Bの縁部と第2配向規制部第2スリット部31とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域50の中心領域51において、液晶層40における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置している。即ち、液晶層40における液晶分子群の方位角偏角のバラツキが±5度以内である。このような液晶表示装置にあっては、TFT基板20及びCF基板30には、液晶分子41の配向を規制するための配向規制部として第1スリット部21及び第2スリット部31が設けられているので、視野角特性等の表示特性が確保されるため、良好な表示特性を維持した状態で応答特性が向上する。しかも、重複領域50の中心領域51において、液晶層40における液晶分子群はツイストした状態にはない。それ故、一対の電極20B,30Bに電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れツイストが解けるのに時間が不要であり、応答特性の一層の改善が図ることができる。尚、液晶分子群の長軸の捩れツイストの状態を図22のA及びBに模式的に示す。ここで、図22のA及びBの最上段に示す液晶分子41Bは、第2基板の近傍に位置する液晶分子を示し、図22のA及びBの最下段に示す液晶分子41Aは、第1基板の近傍に位置する液晶分子を示し、図22のA及びBの中段に示す液晶分子41Cは、第1基板と第2基板の中間に位置する液晶分子を示す。また、液晶分子を横切る点線は液晶分子の長軸を示す。図22のAに示す状態にあっては、液晶層40における液晶分子群はツイストした状態にはない。一方、図22のBに示す状態にあっては、液晶層40における液晶分子群はツイストした状態にある。このように、各画素において、第1電極の縁部と第1配向規制部とによって囲まれた領域の射影像と、第2電極の縁部と第2配向規制部とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置している。云い換えれば、液晶層における液晶分子群の方位角偏角のバラツキが±5度以内である。このように、重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群は、それらの液晶分子群の長軸が一方の電極側から他方の電極側に向かって捩れた状態ツイストした状態にはない。それ故、一対の電極に電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れツイストが解けるのに時間が不要であり、同一面内での応答ができるため、応答特性の一層の改善が図ることができる。"