"入射した放射線を電気信号に変換して放射線画像を取得する放射線検出手段と、前記放射線検出手段で放射線動画像を取得する際のフレームレートの設定要求を取得する取得手段と、前記放射線検出手段による単位フレームごとの非破壊読み出し回数を設定する設定手段と、前記設定要求されたフレームレートにおいて、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能か否かを判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果を出力する出力手段と、を有することを特徴とする放射線撮像装置。前記判定手段は、前記非破壊読み出しの読み出し間隔の設定と、アナログビニング設定と、デジタルビニング設定と、ゲイン設定と、読み出しエリアサイズ設定と、前記蓄積時間設定と、放射線検出手段の温度との少なくともいずれか一つに基づき、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能か否かを判定することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。前記設定手段は、非破壊読み出し回数の上限値を取得し、当該上限値以下で、前記非破壊読み出し回数を設定することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。更に、前記判定手段による判定結果を表示手段に表示させる表示制御手段を有することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。前記取得手段は、前記放射線動画像を外部に転送する際の最高フレームレートと、前記放射線検出手段の読み出しの最高フレームレートとに基づき、前記フレームレートの設定要求を取得することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。更に、前記放射線動画像を外部装置に転送する転送手段を有することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。入射した放射線を電気信号に変換して放射線画像を取得する放射線検出手段と、前記放射線検出手段で放射線動画像を取得する際のフレームレートの設定要求を取得する取得手段と、前記放射線検出手段による単位フレームごとの非破壊読み出し回数を設定する設定手段と、前記設定要求されたフレームレートにおいて、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能か否かを判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果を出力する出力手段と、を有することを特徴とする放射線撮像装置と、前記放射線撮像装置に対して、前記フレームレートの設定要求の送信する送信手段と、前記放射線撮像装置から前記放射線動画像を取得する取得手段と、を有することを特徴とする制御装置とから構成される放射線撮像システム。放射線検出手段に、入射した放射線を電気信号に変換して放射線画像を取得させる放射線検出工程と、取得手段が、前記放射線検出手段で放射線動画像を取得する際のフレームレートの設定要求を取得する取得工程と、設定手段が、前記放射線検出手段による単位フレームごとの非破壊読み出し回数を設定する設定工程と、出力手段が、前記設定要求されたフレームレートにおいて、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能か否かを判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果を出力する出力工程と、を有することを特徴とする放射線撮像方法。コンピュータを、放射線検出手段で、入射した放射線を電気信号に変換して放射線画像を取得する放射線検出制御手段と、前記放射線検出手段で放射線動画像を取得する際のフレームレートの設定要求を取得する取得手段と、前記放射線検出手段による単位フレームごとの非破壊読み出し回数を設定する設定手段と、前記設定要求されたフレームレートにおいて、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能か否かを判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果を出力する出力手段と、を有することを特徴とする放射線撮像装置として機能させるためのコンピュータプログラム。コンピュータを、放射線検出手段で、入射した放射線を電気信号に変換して放射線画像を取得する放射線検出制御手段と、前記放射線検出手段で放射線動画像を取得する際のフレームレートの設定要求を取得する取得手段と、前記放射線検出手段による単位フレームごとの非破壊読み出し回数を設定する設定手段と、前記設定要求されたフレームレートにおいて、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能か否かを判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果を出力する出力手段と、を有することを特徴とする放射線撮像装置として機能させるためのコンピュータプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。入射した放射線を電気信号に変換して放射線画像を取得する放射線検出手段と、前記放射線検出手段で放射線動画像を取得する際のフレームレートの設定要求を取得する取得手段と、前記放射線動画像に対するS/N比の要求により定められた、前記放射線検出手段による単位フレームごとの非破壊読み出し回数を取得する取得手段と、前記設定要求されたフレームレートの単位フレーム内の読み出し可能時間よりも、前記非破壊読み出し回数の読み出し時間が小さい場合、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能であると判定し、前記設定要求されたフレームレートの単位フレーム内の読み出し可能時間よりも、前記非破壊読み出し回数の読み出し時間が大きい場合、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能でないと判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果を出力する出力手段と、を有することを特徴とする放射線撮像装置。放射線撮影装置で撮影された放射線撮影画像には、一般的にランダムノイズが含まれている。しかし、CMOS型撮像素子を用いた放射線撮像装置では、放射線撮影後、CMOS型撮像素子の電荷をホールドすることによって、複数回の非破壊読み出しが可能である。よって、複数回の非破壊読み出しを行い、読み出された複数の放射線撮像画像の平均値を求めることによって、画像内のランダムノイズを抑制することが出来る。尚、一般的に、非破壊読み出しの回数が多いほどランダムノイズの抑制効果は高まるため、非破壊読み出しの回数は、求める放射線撮像画像の画質に応じて決定される。ただし、動画像の撮影を行う場合、単位フレームあたりの非破壊読み出しを行う時間は限られているため、所望の回数の非破壊読み出しを行うことが出来ないことがある。よって、放射線撮影装置システムは、フレームレート、非破壊読み出しの回数などのそれぞれのバランスを考慮して、各種撮影パラメータを設定しなくてはならない。しかしながら、放射線撮影装置と制御装置とが独立して稼働しているシステムである場合、所望の回数の非破壊読み出しを行うことが出来ないフレームレート要求が、制御装置から放射線撮影装置になされてしまう可能性がある。この場合、所望の画質を満たさない放射線動画像が得られてしまったり、フレーム落ちが発生してしまう。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、所望の回数の非破壊読み出しを行うことが出来ないフレームレート要求による動画像撮影を防止する放射線撮像装置を提供することを目的とする。入射した放射線を電気信号に変換して放射線画像を取得する放射線検出手段と、前記放射線検出手段で放射線動画像を取得する際のフレームレートの設定要求を取得する取得手段と、前記放射線検出手段による単位フレームごとの非破壊読み出し回数を設定する設定手段と、前記設定要求されたフレームレートにおいて、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能か否かを判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果を出力する出力手段と、を有することを特徴とする。本発明によれば、所望の回数の非破壊読み出しを行うことが出来ないフレームレート要求による動画像撮影を防止する放射線撮像装置を提供することが出来る。以下、図面を参照して、本実施形態における放射線撮像装置の構成について説明する。図1は、タイリングに用いられるCMOS型矩形半導体基板に、二次元構成される画素回路において、1画素分の画素回路の一例を示したものである。図1において、PDは光電変換を行うフォトダイオードである。M2はフローティングディフュージョンに蓄積された電荷を放電させるためのリセットMOSトランジスタリセットスイッチ、Cfdは電荷を蓄積するフローティングディフュージョン浮遊拡散領域の容量である。M1は高ダイナミックレンジモードと高感度モードを切り換えるための感度切り換え用MOSトランジスタ感度切り換えスイッチである。C1はダイナミックレンジ拡大用の容量であり、感度切り換えスイッチM1をオンすると電荷の蓄積が可能となる。感度切り換えスイッチM1をオンするとフローティングノード部の容量が実質増え、感度は低くなるがダイナミックレンジを拡大することができる。よって例えば高感度が必要な透視撮影時には感度切り換えスイッチM1をオフし、高ダイナミックレンジが必要なDSA撮影時などには感度切り換えスイッチM1をオンする。M4はソースフォロアとして動作する増幅MOSトランジスタ画素アンプ1である。M3は画素アンプ1M4を動作状態とさせるための選択MOSトランジスタ選択スイッチ1である。画素アンプM4の後段は光電変換部で発生するkTCノイズを除去するクランプ回路が設けられている。Cclはクランプ容量で、M5はクランプ用MOSトランジスタクランプスイッチである。M7はソースフォロアとして動作する増幅MOSトランジスタ画素アンプ2である。M6は画素アンプM7を動作状態とするための選択MOSトランジスタ選択スイッチ2である。画素アンプ2M7の後段には2つのサンプルホールド回路が設けられている。M8は光信号蓄積用のサンプルホールド回路を構成する、サンプルホールド用MOSトランジスタサンプルホールドスイッチSである。CSは光信号用ホールド容量である。M11はノイズ信号蓄積用のサンプルホールド回路を構成する、サンプルホールドMOSトランジスタサンプルホールドスイッチNである。CNはノイズ信号用ホールド容量である。M10はソースフォロアとして動作する光信号の増幅MOSトランジスタ画素アンプSである。M9は画素アンプSM10で増幅された光信号をS信号出力線へ出力するためのアナログスイッチ転送スイッチSである。M13はソースフォロアとしての動作するノイズ信号の増幅MOSトランジスタ画素アンプNである。M12は画素アンプNM13で増幅されたノイズ信号をN信号出力線へ出力するためのアナログスイッチ転送スイッチNである。EN信号は、選択スイッチ1M3、選択スイッチ2M6のゲートに接続され、画素アンプ1M4、画素アンプ2M7を動作状態とさせるための制御信号である。EN信号がハイレベルの時、画素アンプ1M4、画素アンプ2M7は同時に動作状態となる。WIDE信号は、感度切り換えスイッチM1のゲートに接続され感度の切換を制御する。WIDE信号がローレベルの時は、感度切り換えスイッチがオフし高感度モードとなる。PRES信号は、リセットスイッチM2をオンしてフォトダイオードPDに蓄積された電荷を放電させるリセット信号である。PCL信号はクランプスイッチM5を制御する信号で、PCL信号がハイレベルのときクランプスイッチM5がオンし、クランプ容量Cclを基準電圧VCLにセットする。TS信号は光信号サンプルホールド制御信号で、TS信号をハイレベルとし、サンプルホールドスイッチSM8をオンすることで光信号が画素アンプ2M7を通して容量CSに一括転送される。次いで、全画一括で信号TSをローレベルとし、サンプルスイッチSM8をオフすることで、サンプルホールド回路への光信号電荷の保持が完了する。TN信号はノイズ信号サンプルホールド制御信号で、TN信号をハイレベルとし、サンプルホールドスイッチNM11をオンすることでノイズ信号が画素アンプ2M7を通して容量CNに一括転送される。次いで、全画一括で信号TNをローレベルとし、サンプルスイッチNM11をオフすることで、サンプルホールド回路へのノイズ信号電荷の保持が完了する。容量CS、容量CNのサンプルホールド後は、サンプルホールドスイッチSM8、サンプルホールドスイッチNM11がオフとなり、容量CS、容量CNは前段の蓄積回路と切り離されるため、再度サンプルホールドされるまで蓄積した光信号を非破壊で読み出すことが可能である。図2は、図1の画素回路における、動画撮影時の駆動制御の一例を示すタイミングチャートである。以下、動画像撮影において、光信号用ホールド容量CSおよびノイズ信号用ホールド容量CNに電荷がサンプルホールドされるまでの制御信号のタイミングについて図2を用いて説明する。図2のタイムチャートにおいて、t50で撮影モードが設定され、撮影パルスが入力されると、それをトリガに、t51から撮影のための駆動が開始される。t51からt56までは、リセットとクランプを行うリセット駆動R1である。まず、t51で信号ENをハイレベルにし、画素アンプ1M4、画素アンプ2M7を動作状態にする。次にt52で信号PRESをハイレベルにし、フォトダイオードPDを基準電圧に接続しリセットを行う。その後、t54にて信号PRESをローレベルにしてリセットを終了し、クランプ容量Cclの画素アンプ1M4側にリセット電圧がセットされる。次にt53で信号PCLをハイレベルにすることによりクランプスイッチをオンM5し、クランプ容量Cclの画素アンプ2M7側に基準電圧VCLがセットされる。その後、t55でクランプスイッチM5をオフし、基準電圧VCLと基準電圧VRESの差分の電圧に応じた電荷がクランプ容量Cclに蓄積されクランプが終了する。t56で信号ENをローレベルしてリセット駆動R1を終了し、t56からフォトダイオードPD、フローティングディフュージョン容量Cfdの光電変換部の蓄積が開始される。図2のタイムチャートにおいては、このリセット駆動を適時行うことにより、蓄積時間を制御している。タイリングされたCMOS型撮像素子は、動画撮影時に撮像素子間、走査線間の時間的スイッチングのずれにより発生する画像ズレを防止するために、タイリングされた各撮像素子の全ての画素を一括して同一のタイミング、同一の期間で蓄積開始駆動が行われる。その後一括してフォトダイオードPDで発生した光電荷が容量Cfdに蓄積される。t51からt56までのリセット駆動において光電変換部でリセットノイズkTCノイズが発生するが、クランプ回路のクランプ容量Cclの画素アンプ2M7側に基準電圧VCLをセットすることによりリセットノイズが除去される。引き続き、撮影パルスが入力されると、それをトリガにt60からt70で示すサンプル駆動S1を開始する。t60で信号ENをハイレベルにし選択スイッチ1M3、選択スイッチ2M6をオンすることで、容量Cfdに蓄積されている電荷は電荷/電圧変換されソースフォロアとして動作する画素アンプ1M4により電圧としてクランプ容量Cclに出力される。画素アンプ1M4の出力はリセットノイズを含むが、クランプ回路によりリセット時に画素アンプ2M7側を基準電圧VCLにセットしているので、リセットノイズが除去された光信号となって画素アンプ2M7に出力される。次にサンプルホールド制御信号TSをt61でハイレベルとし、サンプルホールドスイッチSM8をオンすることで、光信号は画素アンプ2M7を通して光信号用ホールド容量CSに一括転送される。t63で信号TSをローレベルとし、サンプルホールドスイッチSM8をオフすることで、光信号用ホールド容量CSに光電荷信号がサンプルホールドされる。次にt64でリセット信号PRESをハイレベルとし、リセットスイッチM2をオンし、容量Cfdを基準電圧VRESにリセットする。t66でリセット信号PRESをローレベルとしリセットを完了する。また、t65で信号PCLをハイレベルとする。クランプ容量Cclには電圧VCLと電圧VRESの差分の電圧にリセットノイズが重畳した電荷が蓄積される。その後、t67で信号TNをハイレベルとし、サンプルホールドスイッチNM11をオンすることで、基準電圧VCLにセットされた時のノイズ信号をノイズ信号用ホールド容量CNに転送する。続いてt68で、信号TNをローレベルとし、サンプルホールドスイッチNM11をオフすることで、ノイズ信号のノイズ信号用ホールド用容量CNにノイズ信号がサンプルホールドされる。信号EN、信号PCLをt70およびt69でローレベルとし、サンプリング駆動S1を終了する。サンプリング駆動は全画素を一括して行う。以降、撮影パルス入力タイミングに応じて、上記動作を繰り返す。図3はCMOS矩形半導体基板の内部構造の一例を模式的に示す図である。301は矩形半導体基板で、チップセレクト端子CS,光信号出力端子S,ノイズ信号出力端子N、垂直走査回路スタート信号VST、垂直走査回路クロック端子CLKV、水平走査回路スタート信号端子HST、水平走査回路クロック端子CLKHを有する。303は横方向の画素群を選択し、垂直走査クロックCLKVに同期して画素群を順次副走査方向である垂直方向に走査する垂直走査回路である。304は垂直走査回路により選択された主査方向である横方向の画素群の列信号線を水平走査クロックCLKHに同期して順次1画素ずつ選択する水平走査回路である。302は図1に示した画素回路で、垂直水平走査回路303の出力線である行信号線305がイネーブルになることにより、列信号線306、307にサンプルホールドされた光信号電圧信号S、ノイズ電圧信号Nを出力する。列信号線306,307に出力された電圧信号を水平走査回路304が順次選択することにより、アナログ出力線308,309に各画素の電圧信号が順次出力される。以上のように、矩形半導体基板は、垂直水平走査回路303、水平走査回路304を使用したXYアドレス方式によるスイッチング動作によって画素選択が行われ、トランジスタで増幅された各画素の光信号S、ノイズ信号Nの電圧信号は、列信号線306,307、アナログ電圧出力線308,309を通してアナログ出力端子S,Nに出力される。端子CSはチップセレクト信号入力端子で、端子CSをオンすることにより内部走査に従った撮像素子の光電圧信号S、ノイズ電圧信号Nがアナログ出力端子S、Nから出力される。サンプルホールド回路後段のS信号出力切り換えアナログスイッチ転送スイッチS、N信号出力切り換えアナログスイッチ転送スイッチN、光電圧信号S、ノイズ電圧信号Nの伝送路である列信号線306、307、列信号線を水平走査回路304の出力により切り換えるスイッチングトランジスタは、読み出し走査の伝送回路を構成している。端子CLKVは垂直走査回路のクロック、端子VSTは垂直走査回路のスタート信号である。垂直走査スタート信号VSTをハイにした後、垂直走査クロックCLKVを入力することにより、V1,V2,Vmと行選択信号が順次イネーブルに入れ替わる。垂直走査が開始されたら垂直走査スタート信号VSTをローにする。端子CLKHは水平走査回路のクロック、端子HSTは水平走査回路のスタート信号である。水平走査スタート信号HSTをハイにし、水平走査クロックCLKHを入力することにより、H1,H2,Hnと列選択信号が順次イネーブルに入れ替わる。水平走査が開始されたら水平走査スタート信号HSTをローにする。垂直走査回路303の行選択信号V1出力がイネーブルになると行選択信号V1に接続する横1行の画素群1,1からn、1が選択され、横1行の各画素からそれぞれの列信号線306、307にS,N電圧信号が出力される。水平走査回路304の列選択信号のイネーブルをH1,H2,Hnと順次切り換えることにより、横1行の画素のS,N電圧信号が順次アナログ信号出力線308、309を経由してアナログログ出力端子S、Nに出力される。行選択信号Vmまで同様な水平走査を行うことにより、全画素の画素出力が得られる。次に、図面を参照して本実施形態のシステムについて詳細に説明する。図4は、本実施形態における、大面積フラットパネル式の放射線動画撮像装置X線動画撮像装置システム全体放射線撮像システムを示す模式的ブロック図である。100は、被写体を透過した放射線を検出する放射線検出部を有し、入射した放射線を電気信号に変換して放射線撮影画像を取得する放射線撮像装置100である。連続爆射による放射線を検出することにより、放射線動画像を検出することも可能である。101は、放射線撮像装置100で取得された画像に対して所定の画像処理を行う画像処理装置及び、放射線撮影を制御するシステム制御装置101である。102は、放射線撮像装置100で取得された画像を表示する画像表示装置102である。103は、X線の発生を制御するX線発生装置103である。104は、被写体に対してX線を照射するX線管104である。放射線撮影時には画像処理装置及びシステム制御装置101により、放射線撮像装置100とX線発生装置103とが同期制御される。被写体を透過した放射線は、不図示のシンチレータにより可視光に変換され、光量に応じた光電変換後A/D変換が行われる。そして、X線照射に対応したフレーム画像データが放射線撮像装置100から画像処理装置101に転送され、画像処理が行われた後、画像表示装置102に放射線画像がリアルタイムに表示される。109は撮影制御部109である。撮影制御部109は、画像処理装置101と制御コマンドの通信、同期信号の通信、画像処理装置101への画像データの送信をおこなう。また、撮影制御部109は、フラットパネルセンサの制御機能も兼ね備えており、フラットパネルセンサの駆動制御、撮影モード制御、放射線撮像装置100内の複数のA/D変換装置からA/D変換されたブロックごとのデジタル画像データをフレームデータに合成し、画像処理装置101に転送する。110はコマンド制御用通信ライン110である。画像処理装置101からは撮影制御部109への撮影モードの設定、各種パラメータの設定、撮影開始設定、撮影終了設定などが、撮影制御部109からは画像処理装置101へ放射線撮像装置の状態等が通信される。111は画像データインターフェース111である。撮影された画像データは、データインターフェース111を介して、撮影制御部109から画像処理装置101へ送られる。112はREADY信号で放射線撮像装置100が撮影可能状態になったことを撮影制御部109から画像処理装置101へ伝える信号を示している。113は外部同期信号で、画像処理装置101が撮影制御部109のREADY信号112を受け、撮影制御部109にX線曝射のタイミングを知らせる信号である。114は曝射許可信号で、曝射許可信号114がイネーブルの間に画像処理装置101からX線発生装置103に曝射信号が送信され、X線発生装置104から曝謝されたX線が有効なX線として蓄積され、X線画像が形成される。105はフラットパネルセンサ105である。フラットパネルセンサ105は、シリコン半導体ウエハから二次元の光電変換素子を短冊状に切り出したCMOS型撮像素子である矩形半導体基板106が12列×2行にマトリクス状にタイリングされて構成されている。横約20mm、縦約140mmの短冊状に切り出した矩形半導体基板106には、160μmピッチで、横方向に画素が128画素、縦方向に画素が896画素形成されている。フラットパネルセンサ105は、タイリングされた3枚の矩形半導体基板を1つのA/D変換器108の変換領域としてデジタル変換する。ここで、矩形半導体基板読み出しのA/D変換器108の変換クロックを20MHzとする。A/D変換108は、矩形半導体基板が3枚で構成される1つのA/D変換領域を、チップセレクトを切り換えながら領域内の矩形半導体基板を横方向に1ラインのA/D変換を行い、この変換を順次外側から中心部に向かって縦方向に繰り返す。図5は、タイリングされた3枚の矩形半導体基板の画素データを1つのA/Dで読み出すためのタイムチャートを示す図である。信号CS0~CS3は矩形半導体基板のアナログ信号の出力を制御するチップセレクト信号である。図4の矩形半導体基板のアナログ出力信号に振られている番号は、タイムチャートのチップセレクト信号CSの数字と1対1で対応している。たとえば、CS0がHの間は矩形半導体基板のアナログ出力信号番号0のアナログ出力が有効になり、次段の増幅器107に出力される。CS1がHの時はアナログ出力信号番号1のアナログ出力が有効になり、次段の増幅器107に出力される。CS0はアナログ出力信号番号0の矩形半導体基板に接続され、CS1はアナログ出力信号番号1の矩形半導体基板に接続され、CS2はアナログ出力信号番号2の矩形半導体基板に接続され、CS3はアナログ出力信号番号3の矩形半導体基板に接続されている。画像の読み出しは、まずチップセレクトC0が選択される。垂直走査スタート信号VSTがハイの状態で、垂直走査クロックCLKVが立ち上がると、図3の垂直走査回路の行信号線V1がイネーブルとなり、行信号V1で選択される画素群1,1からn,1の出力が有効になり、列信号線に画素群1,1からn,1の各画素の画素電圧信号が出力される。水平走査スタート信号HSTがハイの状態で、水平走査クロックCLKHが立ち上がると、水平走査回路の列選択行信号H1がイネーブルとなる。CLKHの立ち上がりに同期して、水平走査回路の列選択行信号がH2,Hnと切り換わり、画素を1,1から順番にn,1まで選択し、水平方向のチップセレクトC0で選択された矩形半導体基板の横方向画素群の走査を終了する。A/D変換はCLKHに同期して行われる。次にチップセレクトをC1に切り換え同様に水平走査を行い、C2も同様に水平走査を行うことにより、3枚の矩形半導体基板の、横1ラインに配列した画像群の読み出しを終了する。以降、CLKVにより垂直走査回路の行信号線を順次切り換えながら、同様に水平走査をVmまで行うことにより、矩形半導体基板3枚の全画素の読み出しが完了する。図6は、CMOS型矩形半導体基板内の画素加算回路の回路図および模式的構成図である。図6aは図1の画素回路を2回路分簡略した回路に画素加算回路を挿入した回路例である。実際の回路はS信号、N信号それぞれ画素加算回路が構成されているが、図6ではS信号、N信号のサンプルホールド回路は説明簡略化のため片方のみ記載している。160、161は、それぞれの回路のフォトダイオードである。フォトダイオード160、161は、図1のフォトダイオードPDに該当する。162、163、166、167、172、173はそれぞれの回路のソースフォロアとして動作する増幅MOSトランジスタ画素アンプである。162、163は図1の画素アンプ1M4に該当し、166、167は図1の画素アンプ2M7に該当する。そして、172、173は図1の画素アンプSM10もしくは画素アンプNM13に該当する。164、165はそれぞれの回路のクランプ容量であり、図1のクランプ容量Cclにあたる。168、169は、それぞれの回路の光信号もしくはノイズ信号蓄積用のサンプルホールド回路を構成する、サンプルMOSトランジスタサンプルスイッチである。168、169は図1のサンプルホールドスイッチSM8もしくはサンプルホールドスイッチNM11に該当する。170、171は光信号用もしくはノイズ信号用ホールド容量である。光信号用もしくはノイズ信号用ホールド容量170、171は、図1の光信号用ホールド容量CSもしくはノイズ信号用ホールド容量CNに該当する。150および151は画素加算回路を構成する加算用MOSトランジスタ加算スイッチである。図6bは、矩形半導体基板の1画素分の画素回路を□で表した画素加算回路を示す。図6aの点線で囲まれた部分と図6bの点線で囲まれた部分は同じ回路部を示している。図6bに示すように、隣り合う画素ごとの光信号もしくはノイズ信号用ホールド容量を接続し、画素加算を行う。これにより画素情報を捨てることなく走査する画素を減らし、より高速なフレームレートでの信号の読み出しを可能としている。図6bでは、信号ADD0をハイレベル、信号ADD1をローレベルにすると、2×2の画素加算を行う。信号ADD0をハイレベル、信号ADD1をハイレベルにすると4×4の画素加算を行う。この機能は、アナログ的にビニングを実施しているので、アナログビニング機能と呼ばれる。また、撮影部内のFPGA内にて、読み出し画像をデジタル的に加算平均する機能も有する。加算平均の領域としては、例えば、2×2画素の加算平均や、4×4画素の加算平均を有する。この機能は、デジタルビニング機能と呼ばれる。デジタルビニング機能は、n×n画素の加算平均処理により、ランダムノイズ量が1/nに低減されることが知られている。また、本CMOS型センサは、画素の非破壊読み出しが可能なので、ランダムノイズ低減の目的で、非破壊読み出し回数がシステム制御装置からの指示によって設定される機能を備える。読み出し画素値の加算平均処理は撮影部内FPGAによって実施され、1回目の非破壊読み出しの画素値をPX1、n回目の非破壊読み出しの画素値をPXnとすると、非破壊読み出しn回時の画素値PXは、となる。理論的には、非破壊読み出しn回により、ランダムノイズ量が1/√nに低減され、S/N比が向上することが知られている。しかしながら、現実には、ランダムノイズの発生は完全にランダムにならず、所定回数以上に非破壊読み出し回数を増やしても、ランダムノイズが低減されない場合がある。特に、動画撮影の場合には、各単位フレーム内で4、5回程度の非破壊読み出しを行えば、十分である場合が多い。よって、動画撮影の場合には、非破壊の読み出し回数の設定に上限値を設け、上限値以下の範囲で非破壊の読み出し回数の設定を設定出来るようにすれば良い。また、ある特定のセンサ領域エリアサイズ設定を読出し、画像出力する機能も有する。例えば、撮影対象によっては、通常より狭い撮影領域でも問題ない場合がある。よって、画像サイズを小さく、画像転送時間を短くする目的で、本機能が利用される。図7は、本実施形態における放射線撮像装置100の処理を示す処理フローである。S1S1では、電源オンにより放射線撮像装置100が起動する。S2S2では、放射線撮像装置100とシステム制御装置101との間でコマンド通信ラインの確立が実施される。通信ラインの確立は、通信仕様に応じて実施され、例えば通信IC間のリンク確立作業である。また、イーサネット登録商標通信においては、IPアドレスを指定してのポートリンク確立作業になる。S3S3では、コマンド通信ラインが確立後、システム制御装置101から放射線撮像装置100が撮影部状態遷移コマンドを受信する。放射線撮像装置100は、省電力の目的で、アナログ系電源がオフになっているスリープ状態、アナログ系電源がオンになっているレディー状態、センサリセット駆動の繰り返しにより撮影可能状態となっているエクスポレディー状態等、幾つかの撮影部状態を有する。これを、システム制御装置101からのコマンドに応じて、順に状態遷移させていく。S4S4では、S3と同様に、システム制御装置101から放射線撮像装置100が撮影モード設定コマンドを受信する。撮影モード設定コマンドの撮影モード設定パラメータには、非破壊読み出し回数、アナログビニング設定、デジタルビニング設定、ゲイン設定、蓄積時間設定、フレームレート設定、などの設定要求が含まれる。また、放射線撮像装置100内の温度によって上記各種設定を変更してもよい。なお、撮影モード設定コマンドのタイミングは、前記撮影部状態を遷移させる過程の任意、若しくは、規定のタイミングとする。S5S5では、放射線撮像装置100は、撮影モード設定コマンド受信を受けて、画像転送系の動作可能な最高フレームレートFPStmaxを算出する。具体的には、撮影部の横方向画素数をn、縦方向画素数をm、画素転送クロック周波数をtkMHz、アナログビニング設定をab2×2ビニングならab=2、4×4ビニングならab=4とし、デジタルビニング設定をdb2×2ビニングならdb=2、4×4ビニングならab=4とし、より算出する。なお、画像転送動作において、インターバルが存在する場合は、それも加味してFPStmaxを算出する。また、メモリアクセス含む画像処理系動作が影響する場合は、それも加味する。S6S6では、センサ読み出し系の最高フレームレートFPSrmaxの算出を行う。最初に、画素読み出し時間rtを算出する。センサ1チップの横方向画素数をn1、センサ1チップの縦方向画素数をm1、非破壊読み出し回数をndr、アナログビニング設定をab2×2ビニングならab=2、4×4ビニングならab=4、センサ読み出しクロックをskMHzとするととなる。なお、画素読み出し時間において、インターバルが存在する場合は、それも加味してrtを算出する。蓄積時間設定をtt、サンプリング駆動に有する時間をstとすると、センサ読み出し系の最高フレームレートFPSrmaxは、となる。なお、センサ読み出し系において、インターバルが存在する場合は、それも加味してFPSrmaxを算出する。また、メモリアクセス含む画像処理系動作が影響する場合は、それも加味する。S7S7では、S5にて算出したFPStmaxと、S6で算出したFPSrmaxとを比較する。FPStmaxの方が大きかった場合、すなわち、FPSrmaxでフレームレートが律速している場合は、撮影部の動作可能な最大フレームレートFPSmaxをFPSrmaxとするS8。一方、FPSrmaxの方が大きかった場合は、FPStmaxでフレームレートが律速していることになるので、撮影部の動作可能な最大フレームレートFPSmaxをFPStmaxとするS9。S10S10では、算出されたFPSmaxと、撮影モード設定コマンドより受け取ったフレームレート設定FPSsetとを比較する。ここで、の関係が成り立っていない、すなわち、制御装置から指定されたフレームレート設定ではでは撮影動作不可能な場合単位フレーム内の読み出し可能時間内に所望の回数非破壊読み出しを行うことが出来ないは、判定NG通知行いS12、再び撮影モードの設定コマンド受信へと戻る。フレームレート判定がOKだった場合はS11、指定されたフレームレートでの撮影可能が確認されたので、撮影パルス入力に応じた撮影動作へと移行する。撮影パルス信号の入力周期は、判定OKとなったフレームレート以下であれば撮影動作可能である。尚、上記フローの処理は、各種制御プログラムコンピュータが格納された、コンピュータ読み取り可能な記録媒体を有する一般的なパーソナルコンピュータ代用することも可能である。以上の処理により、指定フレームレートでの撮影動作が可能であるかが予め確認可能となり、所望のフレームレートが達成できない不具合が発生しない、信頼性の高い放射線撮像装置の提供が可能となる。また、動作可能判定において、実施例に記載のパラメータは一例であり、他にもフレームレートに影響するパラメータが存在する時は、そのパラメータも考慮して判定通知を行うことが可能である。また、撮影動作時の撮影パルス信号は、制御装置から入力される形でなく、撮影部内部で生成する形でもよい。その場合は、判定OKとなった後、撮影開始コマンドを受信することにより、設定されたフレームレートにて撮影動作が実施される。上記判定結果は、不図示の表示制御手段により表示手段モニタなどに表示しても良い。"