電気的絶縁性フィルムの少なくとも片面に銅層が形成された基板を準備する準備工程と、前記銅層の上をフォトレジストで被覆する被覆工程と、前記フォトレジストを露光し現像してレジストパターンを形成する露光現像工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記銅層をエッチング液により除去して銅配線を形成する銅配線形成工程と、前記レジストパターンを剥離液により剥離する剥離工程と、過マンガン酸液にて前記基板の表面を処理して前記基板の表面に残った前記銅層の残渣物を除去する表面処理工程と、前記過マンガン酸液にて処理した前記基板を還元液により処理する還元処理工程と、を有し、前記銅配線形成工程の開始から前記還元処理工程の終了までは、前記基板の表面を濡れた状態に保つことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。電気的絶縁性フィルムの少なくとも片面にニッケル又はクロムを少なくとも含むシード層を介して銅層が形成された基板を準備する準備工程と、前記銅層の上をフォトレジストで被覆する被覆工程と、前記フォトレジストを露光し現像してレジストパターンを形成する露光現像工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記銅層を第1エッチング液により除去して前記シード層の一部を露出させるとともに銅配線を形成する銅配線形成工程と、露出した前記シード層を第2エッチング液により除去するシード層除去工程と、前記レジストパターンを剥離液により剥離する剥離工程と、過マンガン酸液にて前記基板の表面を処理して前記基板の表面に残った前記シード層の残渣物を除去する表面処理工程と、前記過マンガン酸液にて処理した前記基板を還元液により処理する還元処理工程と、を有し、前記銅配線形成工程の開始から前記還元処理工程の終了までは、前記基板の表面を濡れた状態に保つことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。前記銅配線形成工程の開始から前記還元処理工程の終了までは、リールツーリール方式で連続的に前記基板を処理することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。前記シード層は、ニッケル-クロム合金を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。前記銅配線形成工程では、前記銅配線を、40μm未満の配線ピッチに形成することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。前記表面処理工程では、アルカリ濃度が1.0N以上2.0N以下の前記過マンガン酸液を使用することを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。前記剥離工程では、水酸化カリウム又は水酸化ナトリウムのいずれかの無機アルカリを含む前記剥離液を使用することを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。しかしながら、上記のように、半導体装置用テープキャリアにおいては銅配線等の狭ピッチ化が進んでおり、従来技術を様々に駆使しても、例えば図3g以降に示すように、残渣物220rを完全に除去しきれない場合が生じてきた。この場合、例えば残渣物220rを構成する金属がイオンとして溶出し、還元されて析出することで短絡を起こす、エレクトロケミカルマイグレーションECM:ElectroChemicalMigrationの発生するリスクが高まってしまう。これにより、半導体装置用テープキャリア2の電気的信頼性が低下してしまう場合があった。また、残渣物220rをより確実に除去するため、例えば過マンガン酸液による基板2mの表面処理の時間を長くしたり、特許文献1のようにポリイミド樹脂膜等の電気的絶縁性フィルムの表面を除去したりすると、工程時間が長くなったり工程数が増えたりして製造コストの増大を招いてしまう。また、半導体装置用テープキャリアの製造工程においては、例えばシード層を介さずに、銅層が直接、電気的絶縁性フィルムに形成された基板を用いる場合もある。しかし、銅のエッチングの後に銅層が残渣物となって残ることがあり、シード層を有する場合と同様に、半導体装置用テープキャリアの電気的信頼性を低下させてしまう場合があった。本発明の目的は、残渣物を低減して銅配線間の絶縁性を良好に保つことで耐ECM性を向上させ、容易に電気的信頼性を高めることができる半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供することにある。本発明の第1の態様によれば、電気的絶縁性フィルムの少なくとも片面に銅層が形成された基板を準備する準備工程と、前記銅層の上をフォトレジストで被覆する被覆工程と、前記フォトレジストを露光し現像してレジストパターンを形成する露光現像工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記銅層をエッチング液により除去して銅配線を形成する銅配線形成工程と、前記レジストパターンを剥離液により剥離する剥離工程と、過マンガン酸液にて前記基板の表面を処理して前記基板の表面に残った前記銅層の残渣物を除去する表面処理工程と、前記過マンガン酸液にて処理した前記基板を還元液により処理する還元処理工程と、を有し、前記銅配線形成工程の開始から前記還元処理工程の終了までは、前記基板の表面を濡れた状態に保つ半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。本発明の第2の態様によれば、電気的絶縁性フィルムの少なくとも片面にニッケル又はクロムを少なくとも含むシード層を介して銅層が形成された基板を準備する準備工程と、前記銅層の上をフォトレジストで被覆する被覆工程と、前記フォトレジストを露光し現像してレジストパターンを形成する露光現像工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記銅層を第1エッチング液により除去して前記シード層の一部を露出させるとともに銅配線を形成する銅配線形成工程と、露出した前記シード層を第2エッチング液により除去するシード層除去工程と、前記レジストパターンを剥離液により剥離する剥離工程と、過マンガン酸液にて前記基板の表面を処理して前記基板の表面に残った前記シード層の残渣物を除去する表面処理工程と、前記過マンガン酸液にて処理した前記基板を還元液により処理する還元処理工程と、を有し、前記銅配線形成工程の開始から前記還元処理工程の終了までは、前記基板の表面を濡れた状態に保つ半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。本発明の第3の態様によれば、前記銅配線形成工程の開始から前記還元処理工程の終了までは、リールツーリール方式で連続的に前記基板を処理する第1又は第2の態様に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。本発明の第4の態様によれば、前記シード層は、ニッケル-クロム合金を含む第2の態様に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。本発明の第5の態様によれば、前記銅配線形成工程では、前記銅配線を、40μm未満の配線ピッチに形成する第1~第4の態様のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。本発明の第6の態様によれば、前記表面処理工程では、アルカリ濃度が1.0N以上2.0N以下の前記過マンガン酸液を使用する第1~第5の態様のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。本発明の第7の態様によれば、前記剥離工程では、水酸化カリウム又は水酸化ナトリウムのいずれかの無機アルカリを含む前記剥離液を使用する第1~第6の態様のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。本発明によれば、残渣物を低減して銅配線間の絶縁性を良好に保つことで耐ECM性を向上させ、容易に電気的信頼性を高めることができる。<発明者が得た知見>まず、本発明の実施形態の説明に先立ち、発明者が得た知見について説明する。上述したように、半導体装置用テープキャリアにおいては銅配線等の狭ピッチ化が進み、従来技術では、配線間の残渣物が除去しきれなくなってきた。発明者等によれば、残渣物の増加が一因とみられる耐ECM性の低下や電気的信頼性の悪化は、配線ピッチが40μm未満で顕著となることが分かった。さらに発明者等は、残渣物が除去しきれない原因として、銅配線等の狭ピッチ化により、銅層やシード層の除去時にエッチング液が浸透し難くなって過マンガン酸液による処理前の残渣物が増えたことに加え、過マンガン酸液による残渣物の除去を阻害する要因があることを突き止めた。すなわち、銅層が由来とみられる銅Cuを含有する残渣物は、銅層をエッチングする際、除去されてエッチング液中に溶解した銅Cuが電気的絶縁性フィルムの表面等に再付着したもの等であり、この残渣物は、エッチング後の乾燥により不活性化してしまう、つまり、以後の工程で用いる処理液等に対して除去され難い状態となってしまうことを見いだした。また、シード層が由来とみられるニッケルNiやクロムCrを含有する残渣物は、銅層のエッチング後にシード層の一部が露出された状態で乾燥されたり、シード層のエッチング後に残渣物となった状態で更に乾燥されたりすることで、表面が大気等に曝され不活性化してしまう、つまり、残渣物の表面が大気等に曝されることで、特に、高組成比のクロムを含む部分では、クロムの不動態被膜が形成され、以後の工程で用いる処理液等に対して除去され難い状態となってしまうことを見いだした。このような残渣物が、銅配線間の電気的絶縁性フィルムの表面等に存在していると、例えば半導体装置用テープキャリアが製品となった後の使用により、残渣物を構成する金属等が化学的及び熱的要因を伴う電気的な作用によりイオンとなって溶出し、銅配線間を移動した後に還元されて析出するECMが発生する。これにより、例えば銅配線間で電気的短絡を引き起こすなど、銅配線間の絶縁性が保たれず、半導体装置用テープキャリアの電気的信頼性を低下させてしまう。本発明は、発明者等が見いだした上記知見に基づくものである。<本発明の一実施形態>以下に、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る半導体装置用テープキャリア1の製造方法の各工程を、断面図で示す工程図である。以下に説明する半導体装置用テープキャリア1の製造方法においては、後述する各工程のうち、少なくとも銅配線形成工程の開始から還元処理工程の終了までは、リールツーリール方式のインライン装置を用いて行われる。係るインライン装置は、基板1mの表面を乾燥させず、濡れた状態を保ったままインラインで連続的に、銅配線形成工程から還元処理工程までの各工程を実施することが可能なように構成される。ここに、基板1mの表面を濡れた状態に保つとは、従来のように各工程間において基板の表面が乾燥した状態の場合を排除する趣旨であり、本発明の効果を奏する限りにおいて、基板1mの表面が濡れていればよく、例えば、インライン装置等を用いる以下の手段のように、前工程の液が基板1mの表面に付着した状態としてもよいし、又は、各工程間に水洗工程を導入することにより、基板1mの表面に実質的に水等の液体が付着するような手段を用いてもよい。準備工程まず、図1aに示すように、電気的絶縁性フィルム10の片面に、ニッケル又はクロムを少なくとも含むシード層21を介して銅層22が形成された基板1mを準備する。電気的絶縁性フィルム10は、可撓性を有する電気的絶縁性の樹脂からなり、例えば厚さが25μm以上40μm以下のポリイミド等からなる長尺状のフィルムとして構成されている。電気的絶縁性フィルム10の片面には、例えばスパッタリング法により、シード層21が形成されている。シード層21は、ニッケル又はクロムを少なくとも含み、例えば厚さが50Å以上300Å以下のニッケル-クロム合金の層からなる。シード層21の上には、例えばスパッタリング法により、厚さ1000Å以上2000Å以下の図示しない銅薄層が形成され、この銅薄層の上に、例えば縦型めっき槽あるいは横型めっき槽を用いた電解めっき法により、厚さが8μm以上15μm以下の銅層22が形成されている。このように、基板1mは、例えば銅層22が形成された銅張積層版CCL:CopperCladLaminateとして構成されている。被覆工程次に、図1bに示すように、基板1mが備える銅層22の上をフォトレジスト30で被覆する。フォトレジスト30による被覆は、液状のフォトレジスト材を銅層22の上に塗布したり、ドライフィルムレジストを銅層22の上に貼り付けたりして行うことができる。露光現像工程続いて、図1cに示すように、フォトレジストを露光し現像してレジストパターン30pを形成する。すなわち、後述する銅配線22pのパターンを投影露光して現像し、レジストパターン30pを得る。銅配線形成工程次に、図1dに示すように、レジストパターン30pをマスクとして銅層22を第1エッチング液により除去して、シード層21の一部を露出させるとともに、銅配線22pを形成する。第1エッチング液としては、例えば塩化第二鉄FeCl3や塩化第二銅CuCl2等を用いることができる。このとき、例えば配線幅と配線間隔とを共に20μm未満として、銅配線22pを例えば40μm未満、より好ましくは30μm以下の配線ピッチに形成する。また、例えば銅配線22pの配線間等の電気的絶縁性フィルム10の表面には、除去しきれなかった銅層22や、溶け出した銅層22の成分Cuが再付着したものが、図示しない残渣物として残る場合がある。シード層除去工程銅配線22pが形成されたら、引き続き、図1eに示すように、露出したシード層21を第2エッチング液により除去する。第2エッチング液としては、例えば塩化水素HClや、硝酸HNO3、硫酸H2SO4等の酸性水溶液や、これらの酸のいくつかを含む混合水溶液等を用いることができる。これにより、シード層21はパターニングされてシード層パターン21pとなり、また、例えば銅配線22pの配線間等の電気的絶縁性フィルム10の表面には、除去しきれなかったシード層21が残渣物20rとして残る。残渣物20rには、銅配線形成工程で除去しきれなかった銅層22の成分残渣物が含まれる場合がある。但し、上述のように、本実施形態では、銅配線形成工程の開始から、後述の還元処理工程の終了までは基板1mの表面を濡れた状態に保つので、銅配線形成工程にて露出したシード層21は、第2エッチング液により除去され易い状態を保っている。よって、従来例のように、銅配線形成工程後の乾燥等により不活性化したシード層を除去する場合よりも、残渣物20rを低減させることができる。剥離工程この後、図1fに示すように、レジストパターン30pを剥離液により剥離する。剥離液としては、例えば水酸化カリウムKOHや水酸化ナトリウムNaOH等の無機アルカリを含む水溶液等を用いることができる。表面処理工程次に、図1gに示すように、過マンガン酸液にて基板1mの表面を処理する。ここで、過マンガン酸液は、例えば過マンガン酸カリウムKMnO4や過マンガン酸ナトリウムNaMnO4等の過マンガン酸塩を含むアルカリ性水溶液等である。このとき、アルカリ濃度が1.0N規定以上2.0N以下の過マンガン酸液を使用することが好ましい。過マンガン酸液にて処理される基板1mの表面には、銅配線22p、シード層21や銅層22等の残渣物20r、露出した電気的絶縁性フィルム10の表面等が含まれる。過マンガン酸液による表面処理では、基板1mの表面に残ったシード層21や銅層22等の残渣物20rが除去される。また、電気的絶縁性フィルム10の表面が粗化される。上述のように、本実施形態では、銅配線形成工程の開始から、後述の還元処理工程の終了までは、リールツーリール方式で連続的に基板1mを処理し、基板1mの表面を濡れた状態に保っている。これによって、銅配線形成工程やシード層除去工程等で発生した残渣物20rは、過マンガン酸液により除去され易い状態を保っている。従って、従来例のように、各工程間の乾燥等によって不活性化した残渣物を除去する場合と異なり、残渣物20rをより確実に除去することができる。また、本実施形態では、過マンガン酸液のアルカリ濃度を、従来例の0.5N程度から、1.0N以上2.0N以下に高めている。これにより、いっそう確実に、残渣物20rを除去することができる。過マンガン酸液による処理時間を長くしたりする場合に比べ、工程時間が長時間化して製造コストが増大することもない。よって、残渣物20rを低減して銅配線22pの配線間の絶縁性を良好に保つことができ、耐ECM性を向上させて容易に電気的信頼性を高めることができる。また、本実施形態では、過マンガン酸液のアルカリ濃度を上記範囲内とすることで、電気的絶縁性フィルム10の露出した表面を適度に粗化して、後に基板1mの上に形成されるソルダレジスト50との密着性を向上させることができる。銅配線22pの配線ピッチが40μm未満の場合、1.0N未満のアルカリ濃度では、電気的絶縁性フィルム10の表面の粗化が不十分となり、ソルダレジスト50との充分な密着性が得られない。また、アルカリ濃度が2.0Nを超えると、電気的絶縁性フィルム10の脆化が懸念される。なお、電気的絶縁性フィルム10の粗化には、過マンガン酸液の処理による化学反応で、電気的絶縁性フィルム10の表面状態が変質した状態を含む。還元処理工程次に、図1hに示すように、過マンガン酸液にて処理した基板1mを還元液により処理する。還元液としては、例えばヒドロキシルアミンNH2OH系のアミン塩の水溶液や過酸化水素H2O2を含む水溶液等を用いることができる。過マンガン酸液による処理後には、基板1mの表面等に二酸化マンガンや過マンガン酸塩等の図示しない残留物が残る場合がある。還元処理工程では、上記還元液により、これらの残留物を中和して除去する。上述のように、本実施形態では、銅配線形成工程の開始から還元処理工程の終了までは基板1mの表面を濡れた状態に保つので、過マンガン酸液による処理後の残留物も還元液によって還元除去され易い状態を保っており、二酸化マンガン等の残留物をより確実に除去することができる。以上、上述したように、表面を濡れた状態に保ったままでの基板1mの処理を、少なくとも還元処理工程の終了まで継続する。還元処理工程の終了後は、以降の工程をそのままインライン装置にて継続してもよいし、一旦、乾燥工程等を行った後に、基板1mをリールに巻き取った状態で以降の工程へと送ってもよい。機能めっき工程続いて、図1iに示すように、銅配線22pの表面に錫Sn等の機能めっき40を施す。これにより、後に搭載される半導体装置等と銅配線22pとの電気的な接合性が向上する。ソルダレジスト形成工程その後、図1jに示すように、銅配線22pや銅配線22p間に露出した電気的絶縁性フィルム10の表面等を含む基板1mの表面にソルダレジスト50を形成し、後に半導体装置等に接続される銅配線22pの一部を露出させる図示せず。これにより、それぞれの銅配線22pが絶縁保護され、また、機械的強度を向上させることができる。上述のように、本実施形態では、所定のアルカリ濃度の過マンガン酸液による処理で、電気的絶縁性フィルム10の表面が適度に粗化されているので、ソルダレジスト50と充分な密着性を得ることができる。よって、銅配線22pの配線間の絶縁性をいっそう向上させることができる。以上により、本実施形態に係る半導体装置用テープキャリア1が製造される。<本発明の他の実施形態>以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上述の実施形態においては、基板1mは片面にシード層21及び銅層22を備えるとしたが、両面にシード層及び銅層を備えていてもかまわない。また、上述の実施形態においては、基板1mを、シード層21を介して銅層22が形成された所謂メタライジング材としたが、基板はシード層を備えていなくてもよい。その場合、例えばポリイミド等の電気的絶縁性フィルムの片面又は両面に接着剤等を介して銅箔を貼り付けた基板を用いることもできる。シード層を備えない場合であっても、上述の実施形態に係る銅配線形成工程と同様の工程等にて、銅層の残渣物が発生する場合があり、本発明の適用により残渣物を低減することができる。なお、シード層を備えない基板を用いる場合、シード層除去工程を省略することができる。また、上述の実施形態においては、剥離工程の後に表面処理工程を行うこととしたが、剥離工程の終了後に、水や酸性液等による洗浄工程や中和工程を挿入してもよい。また、上述の実施形態においては、機能めっき工程にて、錫Snの機能めっき40を施すこととしたが、銀Agや金Au等も用いることができる。また、上述の実施形態においては、機能めっき工程の後にソルダレジスト形成工程を行うこととしたが、ソルダレジスト形成工程にて銅配線22pの一部を露出させた後に機能めっき工程を行って、銅配線22pの露出した部分にのみ機能めっきを施してもよい。或いは、要不要に応じて、機能めっき工程を省略することも可能である。また、上述の実施形態においては、銅配線形成工程の開始から還元処理工程の終了までは、リールツーリール方式で連続的に基板1mを処理することとしたが、各工程が終了するごとに、基板をリールに巻き取って、次工程へと送る方式を用いることも可能である。その場合、各工程が終了するごとの乾燥は行わず、また、各工程間に適宜、水洗工程等を挿入するなどして、基板1mの表面を濡れた状態に保つようにする。また、本発明は、除去対象物が乾燥により不活性化して、除去性が低下しているような場合であれば、各種の洗浄技術等において、様々な除去対象物の除去性の向上に応用可能である。また、本発明に係る電気的絶縁性フィルム10の粗化による密着性の向上は、例えばポリイミド等の電気的絶縁性フィルム10とソルダレジスト50との組み合わせのみならず、各種の組み合わせによる樹脂材料同士の密着性の向上に応用可能である。次に、本発明に係る実施例について説明する。まずは、上述の実施形態と同様の手法で、本実施例に係る半導体装置用テープキャリアを複数製作した。但し、半導体装置用テープキャリアには、配線ピッチが30μm配線幅:15μm、配線間隔15μmのもの又は25μm配線幅:12.5μm、配線間隔12.5μmのものがそれぞれ存在する。また、各半導体装置用テープキャリアは、それぞれが異なるアルカリ濃度の過マンガン酸液による表面処理工程を経たものである。具体的には、配線ピッチが30μm及び25μmのものそれぞれについて、過マンガン酸液のアルカリ濃度を0.5Nから2.5Nまで変化させて処理した半導体装置用テープキャリアをそれぞれ製作した。また、比較例として、銅配線形成工程から還元処理工程までの各工程が終了するごとに基板を乾燥させつつ、上記と同様、異なる配線ピッチを有し、異なるアルカリ濃度の過マンガン酸液で処理した半導体装置用テープキャリアをそれぞれ製作した。基板の乾燥は、基板にエアブローを行うことで実施した。なお、実施例及び比較例ともに、用いる基板としては、厚さ約38μmのポリイミドフィルムの片面に、シード層を介して銅層が形成されたものを準備した。シード層としては、スパッタリング法により厚さが約300Åに形成された、20wtのクロムを含有するニッケル-クロム合金を用いた。シード層の上には、スパッタリング法により厚さが約1000Åの銅薄層を形成した。銅層としては、電解めっき法により厚さが約8μmの銅めっき層を用いた。上記のように作成した各半導体装置用テープキャリアに対し、恒温恒湿バイアス試験HHBT:HightemperatureandHighhumidityBiasstressTestを行って、ECMによる故障の発生状況について評価した。HHBTは、JPCAJapanElectronicsPackagingandCircuitsAssociation:日本電子回路工業会規格に則り実施した。すなわち、温度が85°C、相対湿度が85RHの環境下にて、60Vの直流電圧を印加した状態で、各半導体装置用テープキャリアを1000時間放置した。その後、各半導体装置用テープキャリアの絶縁抵抗を測定した。絶縁抵抗は108Ω以上を合格値とし、複数のサンプルから得た複数の数値に基づいて、各条件下での半導体装置用テープキャリアの特性を、○:安定、△:不安定、×:短絡、の3つに分類した。また、走査型電子顕微鏡SEM:ScanningElectronMicroscopeにて、実施例に係る半導体装置用テープキャリアのそれぞれが備える電気的絶縁性フィルムの表面の観察を行った。係る評価結果を、図2に示す。図2は、本実施例及び比較例に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法において、アルカリ濃度の異なる過マンガン酸液によって基板を処理した場合の評価結果を示す図であって、aは半導体装置用テープキャリアのHHBTの測定結果を示す表であり、bは半導体装置用テープキャリアの備える電気的絶縁性フィルムの表面状態をSEMにて撮影した写真である。図2aに示すように、実施例に係る各半導体装置用テープキャリアについては、過マンガン酸液のアルカリ濃度が1.0N以上2.0N以下の範囲内では、30μm又は25μmの配線ピッチを備えるいずれの半導体装置用テープキャリアにおいても絶縁抵抗は安定○しており、良好な結果が得られた。アルカリ濃度が1.0N未満、或いは2.0Nより高い領域では、一部の半導体装置用テープキャリアにおいて絶縁抵抗が不安定△となったことから、アルカリ濃度は1.0N以上2.0N以下がより好ましいことが分かる。また、比較例に係る半導体装置用テープキャリアについては、いずれのアルカリ濃度、配線ピッチにおいても、安定○した絶縁抵抗を示すものは存在しなかった。以上の結果から、少なくとも銅配線形成工程の開始から還元処理工程の終了まで基板の表面を濡れた状態に保つ本発明の方法は、有効であることが分かる。また、図2bに示すように、アルカリ濃度が0.5Nの過マンガン酸液で処理された電気的絶縁性フィルムの表面は、アルカリ濃度が1.0N以上の過マンガン酸液で処理された電気的絶縁性フィルムの表面よりもひび割れの度合いが小さかった。アルカリ濃度が0.5Nの過マンガン酸液では、電気的絶縁性フィルムの表面を充分に粗化変質できていないことが見て取れる。一方、アルカリ濃度が1.0N以上の場合には、電気的絶縁性フィルムの表面のひび割れの度合いが大きくなっている様子が観測された。アルカリ濃度が1.0N~2.5Nまでの領域では、SEM写真による外観上、ひび割れの度合いに大きな変化は見られないものの、2.5Nにおいては、電気的絶縁性フィルムの脆化が懸念される。従って、SEMによる観測結果からも、過マンガン酸液のアルカリ濃度は、1.0N以上2.0N以下が好ましいことが分かる。