"A下記一般式1で表される環状化合物、及びB活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物。但し、前記環状化合物Aと前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物Bとが同一の化合物であってもよい。一般式1中、Lは、単結合又は2価の連結基を表す。R1は、置換基又は水素原子を表す。R’は、多環脂肪族基を表す。mは、1~4の整数を表す。nは、3~8の整数を表す。一般式1における複数のL、複数のR1、複数のR’、及び複数のmはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。前記一般式1で表される環状化合物Aが、下記一般式2で表される環状化合物である、請求項1に記載の化学増幅型レジスト組成物。一般式2中、L、R1、R’及びmは、前記一般式1中のL、R1、R’及びmと同義である。一般式2における複数のL、複数のR1、複数のR’、及び複数のmはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。前記一般式2で表される環状化合物Aが、下記一般式3で表される環状化合物である、請求項2に記載の化学増幅型レジスト組成物。一般式3中、L、R1及びmは、前記一般式2中のL、R1及びmと同義である。一般式3における複数のL、複数のR1、及び複数のmはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。前記一般式3で表される環状化合物Aが、下記一般式4で表される環状化合物である、請求項3に記載の化学増幅型レジスト組成物。一般式4中、R1は、前記一般式3中のR1と同義である。一般式4における複数のR1はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。R1は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、複素環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキルシリル基、及びこれらの誘導体からなる群から選択される官能基、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換-n-プロピル基、1-分岐アルキル基、シリル基、アシル基、1-置換アルコキシメチル基、環状エーテル基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシカルボニルアルキル基からなる群から選択される酸解離性官能基、又は水素原子を表す、請求項1~4のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物。更に架橋剤を含有し、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物である、請求項4又は5に記載の化学増幅型レジスト組成物。前記環状化合物Aが、R1として活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基を有し、前記環状化合物Aと前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物Bとが同一の化合物である、請求項1~6のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物。電子線又は極紫外線露光用である、請求項1~7のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物。請求項1~8のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物により形成されたレジスト膜。請求項9に記載のレジスト膜を塗布した、レジスト塗布マスクブランクス。請求項9に記載のレジスト膜を露光すること、及び、前記露光された膜を現像することを含む、レジストパターン形成方法。請求項10に記載のレジスト塗布マスクブランクスを露光すること、及び、前記露光されたマスクブランクスを現像することを含む、レジストパターン形成方法。前記露光が、電子線又は極紫外線を用いて行われる、請求項11又は12に記載のレジストパターン形成方法。請求項10に記載のレジスト塗布マスクブランクスを、露光及び現像して得られるフォトマスク。本発明の目的は、高感度、高解像性例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネスLER、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクを提供することにある。本発明の目的は、特に、電子線や極紫外線を使用した露光による微細なパターンの形成において、高感度、高解像性例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネスLER、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクを提供することにある。本発明者らは、鋭意検討した結果、多環脂肪族基を有する特定構造の新規環状化合物、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を用いた化学増幅型レジスト組成物により、上記目的が達成されることを見出した。即ち、本発明は以下の通りである。1A下記一般式1で表される環状化合物、及びB活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物。但し、前記環状化合物Aと前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物Bとが同一の化合物であってもよい。一般式1中、Lは、単結合又は2価の連結基を表す。R1は、置換基又は水素原子を表す。R’は、多環脂肪族基を表す。mは、1~4の整数を表す。nは、3~8の整数を表す。一般式1における複数のL、複数のR1、複数のR’、及び複数のmはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。2前記一般式1で表される環状化合物Aが、下記一般式2で表される環状化合物である、上記1に記載の化学増幅型レジスト組成物。一般式2中、L、R1、R’及びmは、前記一般式1中のL、R1、R’及びmと同義である。一般式2における複数のL、複数のR1、複数のR’、及び複数のmはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。3前記一般式2で表される環状化合物Aが、下記一般式3で表される環状化合物である、上記2に記載の化学増幅型レジスト組成物。一般式3中、L、R1及びmは、前記一般式2中のL、R1及びmと同義である。一般式3における複数のL、複数のR1、及び複数のmはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。4前記一般式3で表される環状化合物Aが、下記一般式4で表される環状化合物である、上記3に記載の化学増幅型レジスト組成物。一般式4中、R1は、前記一般式3中のR1と同義である。一般式4における複数のR1はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。5R1は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、複素環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキルシリル基、及びこれらの誘導体からなる群から選択される官能基、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換-n-プロピル基、1-分岐アルキル基、シリル基、アシル基、1-置換アルコキシメチル基、環状エーテル基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシカルボニルアルキル基からなる群から選択される酸解離性官能基、又は水素原子を表す、上記1~4のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物。6更に架橋剤を含有し、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物である、上記4又は5に記載の化学増幅型レジスト組成物。7前記環状化合物Aが、R1として活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基を有し、前記環状化合物Aと前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物Bとが同一の化合物である、上記1~6のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物。8電子線又は極紫外線露光用である、上記1~7のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物。9上記1~8のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物により形成されたレジスト膜。10上記9に記載のレジスト膜を塗布した、レジスト塗布マスクブランクス。11上記9に記載のレジスト膜を露光すること、及び、前記露光された膜を現像することを含む、レジストパターン形成方法。12上記10に記載のレジスト塗布マスクブランクスを露光すること、及び、前記露光されたマスクブランクスを現像することを含む、レジストパターン形成方法。13前記露光が、電子線又は極紫外線を用いて行われる、上記11又は12に記載のレジストパターン形成方法。14上記10に記載のレジスト塗布マスクブランクスを、露光及び現像して得られるフォトマスク。本発明により、高感度、高解像性例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネスLER、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクを提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、本明細書に於ける基原子団の表記において、置換又は無置換を記していない表記は、置換基を有していないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。本発明において活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、EUV光等による露光のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。本発明に係る化学増幅型レジスト組成物は、A後述の一般式1で表される環状化合物、及びB活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する。但し、前記環状化合物Aと前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物Bとが同一の化合物であってもよい。本発明に係る化学増幅型レジスト組成物以下単にレジスト組成物とも言うは、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物であっても、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物であってもよいが、ドライエッチング耐性の観点からネガ型の化学増幅型レジスト組成物であることが好ましい。本発明に係る化学増幅型レジスト組成物は、電子線又は極紫外線露光用であることが好ましい。以下、本発明の化学増幅型レジスト組成物について詳細に説明する。1A環状化合物本発明に係る化学増幅型レジスト組成物は、A下記一般式1で表される環状化合物を含有している。下記一般式1で表される環状化合物、及びその好ましい態様である後述の一般式2~5で表される環状化合物は新規化合物である。すなわち、本発明は、下記一般式1で表される環状化合物、及び後述の一般式2~5で表される環状化合物にも関する。一般式1中、Lは、単結合又は2価の連結基を表す。R1は、置換基又は水素原子を表す。R’は、多環脂肪族基を表す。mは、1~4の整数を表す。nは、3~8の整数を表す。一般式1における複数のL、複数のR1、複数のR’、及び複数のmはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。前述の、A多環脂肪族基を有する特定構造の新規環状化合物、及びB活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物により、高感度、高解像性例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネスLER、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる理由は定かではないが、次のように推定される。一般式1で表される環状化合物はR’で表される多環脂肪族基を有するため、薄膜のレジスト膜であっても高いドライエッチング耐性を付与することを可能にすると考えられる。これによりレジスト膜の薄膜化が可能となり、解像性を高くすることができる。また、詳細は定かではないが、一般式1で表される環状化合物におけるR’で表される多環脂肪族基は、水素ラジカル供与性が高く、活性光線又は放射線の照射により発生する酸の発生効率を高めることに寄与すると考えられ、高い感度及び高い解像性が得られるものと推定される。特に、電子線や極紫外線を使用した露光においては、一般式1で表される環状化合物におけるR’で表される多環脂肪族基が系中で発生する2次電子を効率的に獲得することに寄与すると考えられ、高い感度及び高い解像性を達成するものと推定される。Lの2価の連結基としては、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、炭素数3~20のシクロアルキレン基、炭素数6~24のアリーレン基、-O-、-OC=O-、-OC=OO-、-NR5-C=O-、-NR5-C=OO-、-S-、-SO-、-SO2-及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される二価の有機基が好ましい。ここで、前記R5は水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~6、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~15又はアラルキル基好ましくは炭素数7~15を表す。Lは、単結合又は-O-であることが好ましく、-O-が最も好ましい。R1は、置換基又は水素原子を表す。R1は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、複素環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキルシリル基、及びこれらの誘導体からなる群から選択される官能基、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換-n-プロピル基、1-分岐アルキル基、シリル基、アシル基、1-置換アルコキシメチル基、環状エーテル基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシカルボニルアルキル基からなる群から選択される酸解離性官能基、又は水素原子を表すことが好ましい。R1で表されるアルキル基は、炭素数1~20のアルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1~10のアルキル基であり、更に好ましくは炭素数1~6のアルキル基である。R1で表されるシクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数5~15のシクロアルキル基であり、更に好ましくは炭素数5~10のシクロアルキル基である。R1で表されるアリール基は、炭素数6~20のアリール基が好ましく、より好ましくは炭素数6~15のアリール基であり、更に好ましくは炭素数6~10のアリール基である。R1で表されるアラルキル基は、炭素数7~20のアラルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数7~15のアラルキル基であり、更に好ましくは炭素数7~10のアラルキル基である。なおR1で表されるアラルキル基は、後述の酸解離性官能基としても機能しえる。R1で表されるアシル基は、炭素数2~20のアシル基が好ましく、アルキルカルボニル基であっても、アリールカルボニル基であってもよい。アルキルカルボニル基としては、例えば、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ヘキサノイル基、シクロヘキサノイル基、アダマンタンカルボニル基、トリフルオロメチルカルボニル基、ペンタノイル基等が挙げられ、アリールカルボニル基としては、例えば、ベンゾイル基、トルイル基、1-ナフトイル基、2-ナフトイル基、4-メチルスルファニルベンゾイル基、4-フェニルスルファニルベンゾイル基、4-ジメチルアミノベンゾイル基、4-ジエチルアミノベンゾイル基、2-クロロベンゾイル基、2-メチルベンゾイル基、2-メトキシベンゾイル基、2-ブトキシベンゾイル基、3-クロロベンゾイル基、3-トリフルオロメチルベンゾイル基、3-シアノベンゾイル基、3-ニトロベンゾイル基、4-フルオロベンゾイル基、4-シアノベンゾイル基、4-メトキシベンゾイル基等が挙げられる。R1で表されるアルコキシル基は、炭素数1~20のアルコキシル基が好ましく、より好ましくは炭素数1~10のアルコキシル基であり、更に好ましくは炭素数1~6のアルコキシル基である。R1で表される複素環基は、炭素数2~20の複素環基が好ましく、より好ましくは炭素数2~10の複素環基であり、更に好ましくは炭素数2~6の複素環基である。R1で表される複素環基としては、ピラニル基、チオフェニル基、イミダゾリル基、フラニル基、クロマニル基等が挙げられ、ピラニル基、チオフェニル基、フラニル基が好ましい。R1で表されるアルキルシリル基としては、炭素数1~20のアルキルシリル基が好ましく、より好ましくは炭素数1~10のアルキルシリル基であり、更に好ましくは炭素数1~6のアルキルシリル基である。上記基又は原子の誘導体とは、上記基又は原子に置換基が修飾されたものであり、該置換基としては特に限定されないが、例えば、R1で表される置換基として上述したものと同様のものが挙げられる。また、R1における上記基又は原子の誘導体としては、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基以下、光酸発生基とも言うであることも好ましい。複数のR1のうち、少なくとも一つのR1が活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基を表すことは、感度が優れるという理由で好ましい。この場合は、後述の活性光線又は放射線により酸を発生する化合物Bが独立した化合物でなく、本発明にかかわる環状化合物A中の一構成成分と言うことになる。すなわち、本発明の一態様として、環状化合物Aが、R1として活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基を有し、前記環状化合物Aと後述の化合物Bとが同一の化合物であることも好ましい。R1としての光酸発生基としては、以下の一般式6で表される基が挙げられる。上記一般式6中、L31は、2価の有機基を表す。Ar32は、無置換の芳香族環又はアルキル基若しくはアルコキシ基で置換された芳香族環を表す。Xaは、オニウムカチオンを表す。は一般式1中のLとの結合位置を表す。前記一般式6で表される光酸発生基で、本発明に用いられる好ましい光酸発生基を以下に記述する。一般式6におけるL31の2価の有機基としては、例えば、アルキレン基、アルケニレン基、-O-、-CO-、-NR14-、-S-、-CS-及びこれらの組み合わせが挙げられる。ここで、R14は水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~6、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~15、アラルキル基好ましくは炭素数7~15を表す。L31の2価の有機基の総炭素数は1~15が好ましく、より好ましくは1~10である。上記アルキレン基として、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは炭素数1~4のアルキレン基であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基又はオクチレン基が挙げられる。上記アルケニレン基は、好ましくは炭素数2~8、より好ましくは炭素数2~4のアルケニレン基である。L31として好ましい基は、カルボニル基、メチレン基、-CO-CH2n’-O-、-CO-CH2n’-O-CO-、-CH2n’-COO-、-CH2n’-CONR1-、又は-CO-CH2n’-NR1-であり、特に好ましくは、カルボニル基、-CH2-COO-、-CO-CH2-O-、-CO-CH2-O-CO-、-CH2-CONR1-、又は-CO-CH2-NR1-であり、最も好ましくはカルボニル基である。ここで、前記R1は水素原子、アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表し、前記n’は、1~10の整数を表す。R1で表されるアルキル基、アリール基、アラルキル基の好ましい範囲は、前記一般式6におけるR14で表されるアルキル基、アリール基、アラルキル基の具体例及び好ましい範囲と同様である。n’は、1~6の整数が好ましく、1~3の整数がより好ましく、1が最も好ましい。Ar32は、無置換の芳香族環又はアルキル基若しくはアルコキシ基で置換された芳香族環を表す。Ar32が無置換の芳香族環であるとは、Ar32と連結している-L31-及び-SO3-Xa以外に、置換基を有さないことを意味する。また、Ar32がアルキル基若しくはアルコキシ基で置換された芳香族環であるとは、Ar32と連結している-L31-及び-SO3-Xa以外に、置換基としてアルキル基若しくはアルコキシ基を有することを意味する。このように、Ar32は、フッ素原子等の電子求引性基を置換基として有さない芳香族環であり、これにより発生する酸の強度が上がり過ぎることが抑制され、発生する酸を適度な強度とすることができる。Ar32が、アルキル基を有する場合のアルキル基は、好ましくは炭素数1~8であり、より好ましくは炭素数1~4である。Ar32が、アルコキシ基を有する場合のアルコキシ基は、好ましくは炭素数1~8であり、より好ましくは炭素数1~4である。Ar32の芳香族環は、芳香族炭化水素環例えば、ベンゼン環、ナフタレン環であっても、芳香族複素環例えば、キノリン環であってもよく、好ましくは炭素数6~18、より好ましくは炭素数6~12である。Ar32は、無置換又はアルキル基若しくはアルコキシ基が置換した芳香族環であり、該芳香族環が芳香族炭化水素環であることがより好ましく、芳香族炭化水素環がベンゼン環又はナフタレン環であることが更に好ましい。またAr32は、無置換の芳香族環であることがより好ましい。Xaは、オニウムカチオンを表し、好ましくはスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンであり、より好ましくはスルホニウムカチオンである。一般式6において、側鎖中に部位L31が存在することによって、酸発生部分SO3-Xaと環状化合物Aの主鎖との連結長が長くなり、本発明の化学増幅型レジスト組成物がポジ型の組成物である場合に、露光により発生した酸が一般式1に含まれる酸解離性官能基と反応し易くなる。但し、上記連結長が長過ぎると、発生した酸が拡散し易くなる為、ラフネス特性及び解像性が低下する。上記連結長を表す指標として、L31-Ar32の最小連結原子数は、3~20であることが好ましく、3~15であることが更に好ましく、3~10であることが特に好ましい。なお、最小連結原子数は、以下のようにして定められる数である。即ち、まず、L31-Ar32を構成している原子のうち、Lに結合している原子と、-SO3-Xaと結合している原子とを結ぶ原子の列を考える。次に、これら列の各々に含まれる原子数を求める。そして、これら原子数のうち最小のものを、最小連結原子数とする。例えば、下記一般式NL-1の場合は3であり、NL-2の場合は7である。なお以下の例において、Lは-O-であり、は-LR1のベンゼン環との結合手を意味する。一般式6で表される基中のXaで表されるオニウムカチオンは、好ましくは以下の一般式7又は8で表されるオニウムカチオンである。一般式7及び8において、Rb1、Rb2、Rb3、Rb4及びRb5は、各々独立に、有機基を表す。以下、一般式7で表されるスルホニウムカチオンを更に詳述する。上記一般式7のRb1~Rb3は、各々独立に、有機基を表すが、好ましくはRb1~Rb3の少なくとも1つがアリール基であり、アリールスルホニウムカチオンであることが好ましい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリールスルホニウムカチオンは、Rb1~Rb3の全てがアリール基でもよいし、Rb1~Rb3の一部がアリール基で残りがアルキル基、シクロアルキル基でもよく、例えば、トリアリールスルホニウムカチオン、ジアリールアルキルスルホニウムカチオン、アリールジアルキルスルホニウムカチオン、ジアリールシクロアルキルスルホニウムカチオン、アリールジシクロアルキルスルホニウムカチオンを挙げることができる。アリールスルホニウムカチオンのアリール基としてはフェニル基、ナフチル基などのアリール基、インドール残基、ピロール残基などのヘテロアリール基が好ましく、更に好ましくはフェニル基、インドール残基である。2つ以上のアリール基を有する場合、アリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウムカチオンのアリール基以外の基は、アルキル基の場合、炭素数1~15の直鎖、分岐状アルキル基、シクロアルキル基の場合、炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。Rb1~Rb3のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は置換基を有してもよく、好ましい置換基は炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。Rb1~Rb3がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。一般式7に於けるRb1~Rb3は、そのうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。次に、一般式8で表されるヨードニウムカチオンを詳述する。上記一般式8のRb4及びRb5は、各々独立に、有機基を表すが、好ましくは各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、更に好ましくは、一般式8で表されるヨードニウムカチオンは、Rb4及びRb5の少なくとも1つがアリール基であるアリールヨードニウムカチオンである。前記Rb4及びRb5のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。Rb4及びRb5としてのアルキル基は、直鎖、分岐状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基を挙げることができる。Rb4及びRb5としてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3~10のシクロアルキル基例えば、シクロヘキシル基を挙げることができる。Rb4及びRb5が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。以下にR1としての光酸発生基の具体例を例示するが、これらに限定されるものではない。なお以下の具体例中、は一般式1中のLとの結合位置を表す。一般式1で表される環状化合物は、R1として光酸発生基を有していてもいなくてもよいが、光酸発生基を有する場合、一般式1中の全てのR1に対する光酸発生基としてのR1の割合がモル比で1~50であることが好ましく、1~30であることがより好ましく、2~20であることが更に好ましい。R1で表される置換メチル基は、炭素数2~20の置換メチル基が好ましい。R1で表される1-置換エチル基は、炭素数3~20の1-置換エチル基が好ましい。R1で表される1-置換-n-プロピル基は、炭素数4~20の1-置換-n-プロピル基が好ましい。R1で表される1-分岐アルキル基は、炭素数3~20の1-分岐アルキル基が好ましい。R1で表されるシリル基は、炭素数1~20のシリル基が好ましい。R1で表されるアシル基は、炭素数2~20のアシル基が好ましい。R1で表される1-置換アルコキシメチル基は、炭素数2~20の1-置換アルコキシメチル基が好ましい。R1で表される環状エーテル基は、炭素数2~20の環状エーテル基が好ましい。R1で表されるアルコキシカルボニル基は、炭素数2~20のアルコキシカルボニル基が好ましい。R1で表されるアルコキシカルボニルアルキル基は、炭素数3~20のアルコキシカルボニルアルキル基が好ましい。本発明の化学増幅型レジスト組成物がネガ型の組成物である場合、R1はアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、ハロゲン原子、アシル基又は水素原子が好ましく、より好ましくはアラルキル基、アシル基又は水素原子である。また本発明の化学増幅型レジスト組成物がネガ型の組成物である場合、前記一般式1で表される環状化合物は、前記一般式1中の-LR1として、-OHを少なくとも1個有することが好ましく、より好ましくは少なくとも2個有することであり、更に好ましくは少なくとも3個有することであり、特に好ましくは少なくとも4個有することである。このように、一般式1中の-LR1としての-OHの個数が多いと感度に優れる。この時、前記一般式1で表される環状化合物において、前記一般式1中の-LR1として含まれる-OHの個数は、一般的に16個以下であり、好ましくは12個以下であり、より好ましくは10個以下である。また本発明の化学増幅型レジスト組成物がネガ型の組成物である場合、一般式1中の全ての-LR1に対する-OHとしての-LR1の割合が、モル比で50~100であることがより好ましく、70~100であることが更に好ましく、80~100であることが特に好ましい。このようにすることで、一般式1中のベンゼン環の炭素上が架橋点となり、露光部において後述の架橋剤Cと架橋反応が進行し、環状化合物Aの分子量が増大して現像液に不溶化することでネガ型のパターンが形成される。本発明の化学増幅型レジスト組成物がポジ型の組成物である場合、R1はアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、ハロゲン原子、光酸発生基、酸解離性官能基又は水素原子が好ましく、より好ましくはアラルキル基、光酸発生基、酸解離性官能基又は水素原子である。また本発明の化学増幅型レジスト組成物がポジ型の組成物である場合、一般式1中の少なくとも一つのR1は酸解離性官能基であることが好ましく、一般式1中の全てのR1に対する酸解離性官能基としてのR1の割合が、モル比で1~50であることがより好ましく、5~40であることが更に好ましく、10~40であることが特に好ましい。このとき、一般式1中の酸解離性官能基としてのR1及びR1として光酸発生基を有する場合には、光酸発生基としてのR1以外のR1は全て水素原子であることが好ましい。R’で表される多環脂肪族基は、炭素数7~30の多環脂肪族基が好ましく、より好ましくは炭素数7~20の多環脂肪族基であり、更に好ましくは炭素数7~15の多環脂肪族基である。R’で表される多環脂肪族基は、一般式1における環構造を形成する炭素原子と連結する原子が含まれる環が脂肪族環であり、複数の環からなる基である限り特に限定されず、複数の単環が縮合して形成される多環脂肪族基であってもよく、有橋式であってもよい。R’の多環脂肪族基としては、たとえば下記構造で表される基が挙げられる。下記構造中、は一般式1における環構造を形成する炭素原子との結合位置を表す。R’の多環脂肪族基としては、ドライエッチング耐性の観点から、上記R-1、R-3~R-7、R-10、R-13、R-15~R-17が好ましく、より好ましくはR-1、R-10であり、最も好ましくはR-1である。mは1~4の整数であり、1~3の整数であることが好ましく、2又は3がより好ましく、2が特に好ましい。nは3~8の整数であり、4、6又は8が好ましく、4が特に好ましい。上記一般式1で表される環状化合物としては、好ましくは下記一般式2で表される化合物があげられる。一般式2中、L、R1、R’及びmは、前記一般式1中のL、R1、R’及びmと同義である。一般式2における複数のL、複数のR1、複数のR’、及び複数のmはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。環状化合物Aが、該化合物中に、上記酸解離性官能基を1つ以上有する場合、環状化合物Aはポジ型レジスト組成物の主成分等として有用である、環状化合物bとなり、該化合物中に、上記酸解離性官能基が無い場合、環状化合物はネガ型レジスト組成物の主成分として有用であり、また環状化合物bの原料として有用である環状化合物aとなる。上記一般式2で表される環状化合物としては、好ましくは以下の一般式3で表される環状化合物があげられる。一般式3で表される環状化合物は、上記一般式2中のR’としてアダマンチル基を有する環状化合物であり、感度、ドライエッチング耐性に優れる。一般式3中、L、R1及びmは、前記一般式2中のL、R1及びmと同義である。一般式3における複数のL、複数のR1、及び複数のmはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。上記環状化合物は耐熱性が高く、アモルファス性を有するため製膜性にも優れ、昇華性を持たず、アルカリ現像性、ドライエッチング耐性等に優れ、レジスト材料、特にレジスト材料の主成分として好適に用いられる。また、製造面においても工業的に製造されている芳香族アルデヒドをはじめとする各種アルデヒド類とレゾルシノール、ピロガロール等のフェノール類を原料として、塩酸等の非金属触媒により脱水縮合反応させることにより、高収率で製造できることから、実用性にも極めて優れる。本発明における環状化合物Aは、シス体及びトランス体を取りうるが、いずれかの構造若しくは混合物でもよい。化学増幅型レジスト組成物のレジスト成分として用いる場合は、シス体及びトランス体のいずれかの構造のみを有する方が、純物質化合物となり、レジスト膜中成分の均一性が高いので好ましい。シス体及びトランス体のいずれかの構造のみを有する環状化合物を得る方法は、カラムクロマトや分取液体クロマトグラフィによる分離や製造時における反応溶媒及び反応温度等の最適化等、公知の方法で行うことができる。本発明においては、上記環状化合物のうち、以下のものが更に好ましい。前記一般式3で表される環状化合物は、下記一般式4で表される環状化合物であることがアルカリ現像性の観点から好ましい。一般式4中、R1は、前記一般式3中のR1と同義である。一般式4における複数のR1はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。更に、前記一般式4で表される環状化合物は、下記一般式5で表される環状化合物であることがアルカリ現像性の観点から好ましい。環状化合物Aの分子量は800~5000であることが好ましく、より好ましくは800~2000、更に好ましくは1000~2000である。上記範囲であるとレジストに必要な成膜性を保持しつつ、解像性が向上する。以下に本発明に係る環状化合物Aの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。なお以下の具体例中のR1は上記一般式1~4中のR1と同義である。前記R1の酸解離性官能基は、KrFやArF用の化学増幅型レジスト組成物に用いられるヒドロキシスチレン系樹脂、メタアクリル酸系樹脂等において提案されているもののなかから適宜選択して用いることができる。例えば、上述の、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換-n-プロピル基、1-分岐アルキル基、シリル基、アシル基、1-置換アルコキシメチル基、環状エーテル基、アルコキシカルボニル基、及びアルコキシカルボニルアルキル基などが好ましく挙げられる。前記酸解離性官能基は、架橋性官能基を有さないことが好ましい。置換メチル基としては、好ましくは炭素数2~20の置換メチル基であり、炭素数4~18の置換メチル基がより好ましく、炭素数6~16の置換メチル基が更に好ましい。例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、n-プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、n-ブトキシメチル基、t-ブトキシメチル基、2-メチルプロポキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、フェニルメチル基、フェニルオキシメチル基、1-シクロペンチルオキシメチル基、1-シクロヘキシルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、4-ブロモフェナシル基、4-メトキシフェナシル基、ピペロニル基、及び下記式9で示される置換基等を挙げることができる。1-置換エチル基としては、好ましくは炭素数3~20の1-置換エチル基であり、炭素数5~18の1-置換エチル基がより好ましく、炭素数7~16の置換エチル基が更に好ましい。例えば、1-メトキシエチル基、1-メチルチオエチル基、1,1-ジメトキシエチル基、1-エトキシエチル基、1-エチルチオエチル基、1,1-ジエトキシエチル基、n-プロポキシエチル基、イソプロポキシエチル基、n-ブトキシエチル基、t-ブトキシエチル基、2-メチルプロポキシエチル基、1-フェノキシエチル基、1-フェニルチオエチル基、1,1-ジフェノキシエチル基、1-シクロペンチルオキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、1-フェニルエチル基、1,1-ジフェニルエチル基、及び下記式10で示される置換基等を挙げることができる。1-置換-n-プロピル基としては、好ましくは炭素数4~20の1-置換-n-プロピル基であり、炭素数6~18の1-置換-n-プロピル基がより好ましく、炭素数8~16の1-置換-n-プロピル基が更に好ましい。例えば、1-メトキシ-n-プロピル基及び1-エトキシ-n-プロピル基等を挙げることができる。1-分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3~20の1-分岐アルキル基であり、炭素数5~18の1-分岐アルキル基がより好ましく、炭素数7~16の分岐アルキル基が更に好ましい。例えば、イソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、1,1-ジメチルプロピル基、1-メチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、2-メチルアダマンチル基、及び2-エチルアダマンチル基等を挙げることができる。シリル基としては、好ましくは炭素数1~20のシリル基であり、炭素数3~18のシリル基がより好ましく、炭素数5~16のシリル基が更に好ましい。例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジエチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、トリ-tert-ブチルシリル基及びトリフェニルシリル基等を挙げることができる。アシル基としては、好ましくは炭素数2~20のアシル基であり、炭素数4~18のアシル基がより好ましく、炭素数6~16のアシル基が更に好ましい。例えば、アセチル基、フェノキシアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、アダマンチルカルボニル基、ベンゾイル基及びナフトイル基等を挙げることができる。1-置換アルコキシメチル基としては、好ましくは炭素数2~20の1-置換アルコキシメチル基であり、炭素数4~18の1-置換アルコキシメチル基がより好ましく、炭素数6~16の1-置換アルコキシメチル基が更に好ましい。例えば、1-シクロペンチルメトキシメチル基、1-シクロペンチルエトキシメチル基、1-シクロヘキシルメトキシメチル基、1-シクロヘキシルエトキシメチル基、1-シクロオクチルメトキシメチル基及び1-アダマンチルメトキシメチル基等を挙げることができる。環状エーテル基としては、好ましくは炭素数2~20の環状エーテル基であり、炭素数4~18の環状エーテル基がより好ましく、炭素数6~16の環状エーテル基が更に好ましい。例えば、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、4-メトキシテトラヒドロピラニル基及び4-メトキシテトラヒドロチオピラニル基等を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数2~20のアルコキシカルボニル基であり、炭素数4~18のアルコキシカルボニル基がより好ましく、炭素数6~16のアルコキシカルボニル基が更に好ましい。例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基又は下記式11のn=0で示される酸解離性官能基等を挙げることができる。アルコキシカルボニルアルキル基としては、好ましくは炭素数3~20のアルコキシカルボニルアルキル基であり、炭素数4~18のアルコキシカルボニルアルキル基がより好ましく、炭素数6~16のアルコキシカルボニルアルキル基が更に好ましい。例えば、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、n-プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、n-ブトキシカルボニルメチル基又は下記式11のn=1~4で示される酸解離性官能基等を挙げることができる。一般式11中、R2は水素原子又は炭素数1~4の直鎖或いは分岐のアルキル基であり、nは0~4の整数である。これらの酸解離性官能基のうち、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換アルコキシメチル基、環状エーテル基、アルコキシカルボニル基、及びアルコキシカルボニルアルキル基が好ましく、置換メチル基、1-置換エチル基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシカルボニルアルキル基が高感度であるためより好ましく、更に炭素数3~12のシクロアルカン、ラクトン及び炭素数6~14の芳香族環から選ばれる構造を有する酸解離性官能基がより好ましい。炭素数3~12のシクロアルカンとしては、単環でも多環でも良いが、多環であることがより好ましい。具体例には、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等が挙げられ、より具体的には、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロデカン等のポリシクロアルカンが挙げられる。これらの中でも、アダマンタン、トリシクロデカン、テトラシクロデカンが好ましく、特にアダマンタン、トリシクロデカンが好ましい。炭素数3~12のシクロアルカンは置換基を有しても良い。ラクトンとしては、ブチロラクトン又はラクトン基を有する炭素数3~12のシクロアルカン基が挙げられる。炭素数6~14の芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環等が挙げられ、ベンゼン環、ナフタレン環が好ましく、特にナフタレン環が好ましい。環状化合物aの少なくとも1つのフェノール性水酸基に酸解離性官能基を導入する方法は公知である。例えば以下のようにして、環状化合物aの少なくとも1つのフェノール性水酸基に酸解離性官能基を導入することができる。酸解離性官能基を導入するための化合物は、公知の方法で合成若しくは容易に入手でき、例えば、酸クロライド、酸無水物、ジカーボネートなどの活性カルボン酸誘導体化合物、アルキルハライド、ビニルアルキルエーテル、ジヒドロピラン、ハロカルボン酸アルキルエステルなどが挙げられるが特に限定はされない。例えば、アセトン、テトラヒドロフランTHF、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の非プロトン性溶媒に環状化合物aを溶解又は懸濁させる。続いて、エチルビニルエーテル等のビニルアルキルエーテル又はジヒドロピランを加え、ピリジニウムp-トルエンスルホナート等の酸触媒の存在下、常圧で、20~60°C、6~72時間反応させる。反応液をアルカリ化合物で中和し、蒸留水に加え白色固体を析出させた後、分離した白色固体を蒸留水で洗浄し、乾燥することにより環状化合物bを得ることができる。また、アセトン、THF、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の非プロトン性溶媒に環状化合物aを溶解又は懸濁させる。続いて、エチルクロロメチルエーテル等のアルキルハライド又はブロモ酢酸メチルアダマンチル等のハロカルボン酸アルキルエステルを加え、炭酸カリウム等のアルカリ触媒の存在下、常圧で、20~110°C、6~72時間反応させる。反応液を塩酸等の酸で中和し、蒸留水に加え白色固体を析出させた後、分離した白色固体を蒸留水で洗浄し、乾燥することにより環状化合物bを得ることができる。本発明において、酸解離性官能基とは、酸の存在下で開裂して、アルカリ可溶性基を生じる特性基をいう。アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、ヘキサフルオロイソプロパノール基などが挙げられ、フェノール性水酸基及びカルボキシル基が好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。前記酸解離性官能基は、更に高感度高解像度なパターン形成を可能にするために、酸の存在下連鎖的に開裂反応を起こす性質を有することが好ましい。環状化合物aは、多環脂肪族カルボニル化合物a1からなる群より選ばれる1種以上、及びフェノール性化合物a2からなる群より選ばれる1種以上との縮合反応により得られる。多環脂肪族カルボニル化合物a1は、1-アダマンタンアルデヒド、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-カルバルデヒドbicyclo[2.2.1]heptane-2-carbaldehyde、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-1-カルバルデヒドbicyclo[2.2.1]heptane-1-carbaldehyde、7,7-ジメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-カルバルデヒド7,7-dimethylbicyclo[2.2.1]heptane-2-carbaldehyde、デカヒドロナフタレン-1-カルバルデヒドdecahydronaphthalene-1-carbaldehyde、デカヒドロナフタレン-2-カルバルデヒドdecahydronaphthalene-2-carbaldehyde、9H-フルオレン-9-カルバルデヒド9H-fluorene-9-carbaldehyde、オクタヒドロ-1H-インデン-1-カルバルデヒドoctahydro-1H-indene-1-carbaldehyde、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-1-カルバルデヒド1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1-carbaldehyde、9,10-ジヒドロアントラセン-10-カルバルデヒド9,10-dihydroanthracene-10-carbaldehyde、2,3-ジヒドロ-1H-インデン-1-カルバルデヒド2,3-dihydro-1H-indene-1-carbaldehyde、2,3-ジヒドロ-1H-インデン-1-カルバルデヒド2,3-dihydro-1H-indene-1-carbaldehyde等が挙げられ、1-アダマンタンアルデヒドがより好ましい。多環脂肪族カルボニル化合物a1は本発明の効果を損ねない範囲で炭素数1~4の直鎖又は分岐アルキル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン等を有していても良い。多環脂肪族カルボニル化合物a1は、単独で又は二種以上組み合わせて使用してもよい。フェノール性化合物a2の例としては、フェノール、カテコール、レゾルシノール、ハイドロキノン、ピロガロール等が挙げられ、レゾルシノール、ピロガロールが好ましく、レゾルシノールがより好ましい。フェノール性化合物a2は本発明の効果を損ねない範囲で炭素数1~4の直鎖又は分岐アルキル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン等を有していても良い。フェノール性化合物a2は、単独で又は二種以上組み合わせて使用してもよい。環状化合物aは、公知の方法によって製造できる。例えば、メタノール、エタノール等の有機溶媒中、芳香族カルボニル化合物a11モルに対し、フェノール性化合物a2を0.1~10モル量、酸触媒塩酸、硫酸又はパラトルエンスルホン酸等を使用し、60~150°Cで0.5~20時間程度反応させ、濾過後、メタノール等のアルコール類で洗浄後、水洗し、濾過を行い分離し、乾燥させることにより得られる。酸触媒の代わりに、塩基性触媒水酸化ナトリウム、水酸化バリウム又は1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7等を使用し、同様に反応することによっても得られる。更に環状化合物aは、上記芳香族カルボニル化合物a1をハロゲン化水素若しくはハロゲンガスでジハロゲン化物とし、単離したジハロゲン化物とフェノール性化合物a2とを反応させて製造することも出来る。環状化合物aの残存金属量を低減するために、必要に応じて精製してもよい。また酸触媒及び助触媒が残存すると、一般に、レジスト組成物の保存安定性が低下する、又は塩基性触媒が残存すると、一般に、レジスト組成物の感度が低下するので、その低減を目的とした精製を行ってもよい。精製は、環状化合物aが変性しない限り公知の方法により行うことができ、特に限定されないが、例えば、水で洗浄する方法、酸性水溶液で洗浄する方法、塩基性水溶液で洗浄する方法、イオン交換樹脂で処理する方法、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで処理する方法などが挙げられる。これら精製方法は2種以上を組み合わせて行うことがより好ましい。酸性水溶液、塩基性水溶液、イオン交換樹脂及びシリカゲルカラムクロマトグラフィーは、除去すべき金属、酸性化合物及び/又は塩基性化合物の量や種類、精製する環状化合物aの種類などに応じて、最適なものを適宜選択することが可能である。例えば、酸性水溶液として、濃度が0.01~10mol/Lの塩酸、硝酸、酢酸水溶液、塩基性水溶液として、濃度が0.01~10mol/Lのアンモニア水溶液、イオン交換樹脂として、カチオン交換樹脂、例えばオルガノ製Amberlyst15J-HGDryなどが挙げられる。精製後に乾燥を行っても良い。乾燥は公知の方法により行うことができ、特に限定されないが、環状化合物aが変性しない条件で真空乾燥、熱風乾燥する方法などが挙げられる。環状化合物aは、常圧下、100°C以下、好ましくは120°C以下、より好ましくは130°C以下、更に好ましくは140°C以下、特に好ましくは150°C以下において、昇華性が低いことが好ましい。昇華性が低いとは、熱重量分析において、所定温度で10分保持した際の重量減少が10、好ましくは5、より好ましくは3、更に好ましくは1、特に好ましくは0.1以下であることが好ましい。昇華性が低いことにより、露光時のアウトガスによる露光装置の汚染を防止することができる。また低LERで良好なパターン形状を与えることができる。環状化合物aは、好ましくはF<3.0Fは、全原子数/全炭素原子数-全酸素原子数を表す、より好ましくはF<2.5を満たす。上記条件を満たしていることにより、耐ドライエッチング性が優れる。環状化合物aは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、2-ヘプタノン、アニソール、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル、及び乳酸エチルから選ばれ、かつ、環状化合物bに対して最も高い溶解能を示す溶媒に、23°Cで、好ましくは1重量以上、より好ましくは3重量以上、更に好ましくは5重量以上、特に好ましくは10重量以上溶解する。上記条件を満たしていることにより、半導体製造工程で安全溶媒の使用が可能となる。環状化合物bは、スピンコートによりアモルファス膜を形成することができる。また一般的な半導体製造プロセスに適用することができる。環状化合物bのアモルファス膜の23°Cにおける2.38質量TMAH水溶液に対する溶解速度は、5Å/sec以下が好ましく、0.0005~5Å/secがより好ましく、0.05~5Å/secが更に好ましい。5Å/sec以下であるとアルカリ現像液に不溶で、レジストとすることができる。また0.0005Å/sec以上の溶解速度を有すると、解像性が向上する場合もある。これは、前記環状化合物bのミクロの表面部位が溶解し、LERを低減するからと推測される。またディフェクトの低減効果がある。環状化合物bの酸解離性官能基が解離して生じる環状化合物aも、スピンコートによりアモルファス膜を形成する性質を有することが好ましい。環状化合物aのアモルファス膜の23°Cにおける2.38質量TMAH水溶液に対する溶解速度は、10Å/sec以上が好ましく、10~10000Å/secがより好ましく、100~1000Å/secが更に好ましい。10Å/sec以上であると、アルカリ現像液に溶解し、レジストとすることができる。また10000Å/sec以下の溶解速度を有すると、解像性が向上する場合もある。これは、環状化合物bの酸解離性官能基が解離したことによる溶解性の変化により、アルカリ現像液に溶解する露光部と、アルカリ現像液に溶解しない未露光部との界面のコントラストが大きくなるからと推測される。またLERの低減、ディフェクトの低減効果がある。レジスト組成物の固形成分は、スピンコートによりアモルファス膜を形成することができる。レジスト組成物の固形成分をスピンコートして形成したアモルファス膜の23°Cにおける2.38質量TMAH水溶液に対する溶解速度は、5Å/sec以下が好ましい。前記アモルファス膜にKrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線又はX線等の放射線により所望のパターンに露光し、必要に応じて20~250°Cで加熱した後のアモルファス膜の23°Cにおける2.38質量TMAH水溶液に対する溶解速度は、10Å/sec以上であることが好ましい。上記条件を満たすことにより、歩留まり良く、優れた形状のパターン形状を与えることができる。環状化合物bのガラス転移温度は、好ましくは100°C以上、より好ましくは120°C以上、更に好ましくは140°C以上、特に好ましくは150°C以上である。ガラス転移温度が上記範囲内であることにより、半導体リソグラフィープロセスにおいて、パターン形状を維持しうる耐熱性を有し、高解像度などの性能が付与しうる。環状化合物bのガラス転移温度の示差走査熱量分析により求めた結晶化発熱量は20J/g未満であるのが好ましい。また、結晶化温度-ガラス転移温度は好ましくは70°C以上、より好ましくは80°C以上、更に好ましくは100°C以上、特に好ましくは130°C以上である。結晶化発熱量が20J/g未満、又は結晶化温度-ガラス転移温度が上記範囲内であると、レジスト組成物をスピンコートすることにより、アモルファス膜を形成しやすく、かつレジストに必要な成膜性が長期に渡り保持でき、解像性を向上することができる。本発明において、前記結晶化発熱量、結晶化温度及びガラス転移温度は、島津製作所製DSC/TA-50WSを用いて次のように測定及び示差走査熱量分析により求めることができる。試料約10mgをアルミニウム製非密封容器に入れ、窒素ガス気流中50ml/min昇温速度20°C/minで融点以上まで昇温する。急冷後、再び窒素ガス気流中30ml/min昇温速度20°C/minで融点以上まで昇温する。更に急冷後、再び窒素ガス気流中30ml/min昇温速度20°C/minで400°Cまで昇温する。ベースラインに不連続部分が現れる領域の中点比熱が半分に変化したところの温度をガラス転移温度Tg、その後に現れる発熱ピークの温度を結晶化温度とする。発熱ピークとベースラインに囲まれた領域の面積から発熱量を求め、結晶化発熱量とする。これらの環状化合物は2種以上を混合して使用してもよい。本発明に用いられる上記環状化合物Aの添加量は組成物の全固形分を基準として、30~100質量とすることが好ましく、50~99.7質量とすることがより好ましく、60~99.5質量とすることが特に好ましい。2B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物本発明の化学増幅型レジスト組成物は、更に必須成分として、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物以下、適宜、これらの化合物を酸発生剤と略称するを含有する。本発明において、活性光線又は放射線により酸を発生する化合物Bは、活性光線又は放射線特に電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する低分子の酸発生剤でもでもいいし、酸発生高分子化合物でもよい。また前述したように、環状化合物A中のR1として、一体化した環状化合物としているのも好ましい。酸発生剤の好ましい形態として、オニウム化合物を挙げることができる。そのようなオニウム化合物としては、例えば、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩などを挙げることができる。また、酸発生剤の別の好ましい形態として、活性光線又は放射線の照射により、スルホン酸、イミド酸又はメチド酸を発生する化合物を挙げることができる。その形態における酸発生剤は、例えば、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、オキシムスルホネート、イミドスルホネートなどを挙げることができる。本発明に用いる酸発生剤としては、低分子化合物に限らず、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基を高分子化合物の主鎖又は側鎖に導入した化合物も用いることができる。更に前述したように、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基が、本発明に用いる環状化合物AのR1として存在する場合は、本発明の環状化合物Aとは別分子の酸発生剤Bはなくてもかまわない。酸発生剤は、電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物であることが好ましい。本発明において、好ましいオニウム化合物として、下記一般式Iで表されるスルホニウム化合物、若しくは一般式IIで表されるヨードニウム化合物を挙げることができる。一般式I及びIIにおいて、Ra1、Ra2、Ra3、Ra4及びRa5は、各々独立に、有機基を表す。X-は、有機アニオンを表す。以下、一般式Iで表されるスルホニウム化合物及び一般式IIで表されるヨードニウム化合物を更に詳述する。上記一般式IのRa1~Ra3、並びに、上記一般式IIのRa4及びRa5は、各々独立に有機基を表すが、好ましくはRa1~Ra3の少なくとも1つ、並びに、Ra4及びRa5の少なくとも1つがそれぞれアリール基である。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。上記一般式I及びIIにおけるX-の有機アニオンは、例えばスルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、ビスアルキルスルホニルアミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンなどが挙げられ、好ましくは、下記一般式III、IV又はVで表される有機アニオンであり、より好ましくは下記一般式IIIで表される有機アニオンである。上記一般式III、IV及びVに於いて、Rc1、Rc2、Rc3及びRc4は、それぞれ、有機基を表す。上記X-の有機アニオンが、電子線や極紫外線などの活性光線又は放射線の照射により発生する酸であるスルホン酸、イミド酸、メチド酸などに対応する。上記Rc1~Rc4の有機基としては、例えばアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はこれらの複数が連結された基を挙げることができる。これら有機基のうちより好ましくは1位がフッ素原子又はフロロアルキル基で置換されたアルキル基、フッ素原子又はフロロアルキル基で置換されたシクロアルキル基、フッ素原子又はフロロアルキル基で置換されたフェニル基である。上記Rc2~Rc4の有機基の複数が互いに連結して環を形成していてもよく、これら複数の有機基が連結された基としては、フッ素原子又はフロロアルキル基で置換されたアルキレン基が好ましい。フッ素原子又はフロロアルキル基を有することにより、光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上する。ただし、末端基は置換基としてフッ素原子を含有しないことが好ましい。そして、本発明においては、前記酸を発生する化合物Bは、露光で発生した酸の非露光部への拡散を抑制し解像性例えば、解像力及びLERを良好にする観点から、体積130Å3以上の大きさの酸より好ましくはスルホン酸を発生する化合物であることが好ましく、体積190Å3以上の大きさの酸より好ましくはスルホン酸を発生する化合物であることがより好ましく、体積230Å3以上の大きさの酸より好ましくはスルホン酸を発生する化合物であることが更に好ましく、体積270Å3以上の大きさの酸より好ましくはスルホン酸を発生する化合物であることが更により好ましく、体積400Å3以上の大きさの酸より好ましくはスルホン酸を発生する化合物であることが特に好ましい。ただし、感度や塗布溶剤溶解性の観点から、上記体積は、2000Å3以下であることが好ましく、1500Å3以下であることが更に好ましい。上記体積の値は、富士通株式会社製のWinMOPACを用いて求めた。すなわち、まず、各例に係る酸の化学構造を入力し、次に、この構造を初期構造としてMM3法を用いた分子力場計算により、各酸の最安定立体配座を決定し、その後、これら最安定立体配座についてPM3法を用いた分子軌道計算を行うことにより、各酸のaccessiblevolumeを計算することができる。以下に本発明において、特に好ましい酸発生剤を以下に例示する。なお、例の一部には、体積の計算値を付記している単位Å3。なお、ここで求めた計算値は、アニオン部にプロトンが結合した酸の体積値である。また、本発明に用いる酸発生剤好ましくはオニウム化合物としては、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基光酸発生基を環状化合物AのR1に導入した環状化合物型酸発生剤も用いることができ、前述の環状化合物Aの記載中に、R1としての光酸発生基として記載した。酸発生剤の組成物中の含有量は、レジスト組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.1~25質量であり、より好ましくは0.5~20質量であり、更に好ましくは1~18質量である。酸発生剤は、1種単独で又は2種以上を組合せて使用することができる。3架橋剤本発明の化学増幅型レジスト組成物をネガ型の化学増幅型レジスト組成物として用いる場合には、ネガ型化学増幅型レジスト組成物は、架橋剤を含有する。該架橋剤としては、ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を分子内に2個以上有する化合物以下、適宜、酸架橋剤又は単に架橋剤と称するを含有することが好ましい。好ましい架橋剤としては、ヒドロキシメチル化又はアルコキシメチル化系フェノール化合物、アルコキシメチル化メラミン系化合物、アルコキシメチルグリコールウリル系化合物類及びアルコキシメチル化ウレア系化合物が挙げられる。特に好ましい架橋剤としての化合物Cとしては、分子内にベンゼン環を3~5個含み、更にヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を合わせて2個以上有し、分子量が1200以下のフェノール誘導体や、少なくとも2個の遊離N-アルコキシメチル基を有するメラミン-ホルムアルデヒド誘導体やアルコキシメチルグリコールウリル誘導体が挙げられる。アルコキシメチル基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基が好ましい。上記架橋剤のうち、ヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有さないフェノール化合物とホルムアルデヒドを塩基触媒下で反応させることによって得ることができる。また、アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体とアルコールを酸触媒下で反応させることによって得ることができる。このようにして合成されたフェノール誘導体のうち、アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体が感度、保存安定性の点から特に好ましい。別の好ましい架橋剤の例として、更にアルコキシメチル化メラミン系化合物、アルコキシメチルグリコールウリル系化合物類及びアルコキシメチル化ウレア系化合物のようなN-ヒドロキシメチル基又はN-アルコキシメチル基を有する化合物を挙げることができる。このような化合物としては、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサエトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルグリコールウリル、1,3-ビスメトキシメチル-4,5-ビスメトキシエチレンウレア、ビスメトキシメチルウレア等が挙げられ、EP0,133,216A、西独特許第3,634,671号、同第3,711,264号、EP0,212,482A号に開示されている。これら架橋剤の中で特に好ましいものを以下に挙げる。式中、L1~L8は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシメチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基又は炭素数1~6のアルキル基を示す。本発明において架橋剤は、ネガ型のレジスト組成物の固形分中、好ましくは3~30質量、より好ましくは5~25質量の添加量で用いられる。架橋剤の添加量を3~30質量とすることにより、残膜率及び解像力が低下することを防止するとともに、レジスト液の保存時の安定性を良好に保つことができる。本発明において、架橋剤は単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよく、高い感度が得られることから2種以上組み合わせて用いることが好ましい。例えば、上記のフェノール誘導体に加え、他の架橋剤、例えば上述のN-アルコキシメチル基を有する化合物等を併用する場合、上記のフェノール誘導体と他の架橋剤の比率は、モル比で100/0~20/80、好ましくは90/10~40/60、更に好ましくは80/20~50/50である。4D塩基性化合物本発明の化学増幅型レジスト組成物には、前記成分の他に、塩基性化合物を酸補足剤として含有することが好ましい。塩基性化合物を用いることにより、露光から後加熱までの経時による性能変化を小さくすることできる。このような塩基性化合物としては、有機塩基性化合物であることが好ましく、より具体的には、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。アミンオキサイド化合物特開2008-102383に記載、アンモニウム塩好ましくはヒドロキシド又はカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドがLERの観点で好ましい。も適宜用いられる。更に、酸の作用により塩基性が増大する化合物も、塩基性化合物の1種として用いることができる。アミン類の具体例としては、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、N,N-ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン、2,4,6-トリt-ブチルアニリン、トリエタノールアミン、N,N-ジヒドロキシエチルアニリン、トリスメトキシエトキシエチルアミンや、米国特許第6040112号明細書のカラム3、60行目以降に例示の化合物、2-[2-{2―2,2―ジメトキシ-フェノキシエトキシエチル}-ビス-2-メトキシエチル]-アミンや、米国特許出願公開第2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3などが挙げられる。含窒素複素環構造を有する化合物としては、2-フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾール、N-ヒドロキシエチルピペリジン、ビス1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジルセバケート、4-ジメチルアミノピリジン、アンチピリン、ヒドロキシアンチピリン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン、1,8-ジアザビシクロ5.4.0-ウンデカ-7-エンなどが挙げられる。アンモニウム塩としてはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。また、光分解性塩基性化合物当初は塩基性窒素原子が塩基として作用して塩基性を示すが、活性光線あるいは放射線の照射により分解されて、塩基性窒素原子と有機酸部位とを有する両性イオン化合物を発生し、これらが分子内で中和することによって、塩基性が減少又は消失する化合物。例えば、特許3577743、特開2001-215689号、特開2001-166476、特開2008-102383に記載のオニウム塩、光塩基発生剤例えば、特開2010-243773に記載の化合物も適宜用いられる。これら塩基性化合物の中でもパターン形状の観点でアンモニウム塩又は光分解性塩基性化合物が好ましい。本発明において、塩基性化合物は単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。本発明で使用される塩基性化合物の含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、0.01~10質量が好ましく、0.03~5質量がより好ましく、0.05~3質量が特に好ましい。5界面活性剤本発明の化学増幅型レジスト組成物中には、更に、塗布性を向上させるため界面活性剤を加えることができる。界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルなどのノニオン系界面活性剤、フロラードFC430住友スリーエム製やサーフィノールE1004旭硝子製、OMNOVA社製のPF656及びPF6320、等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーが挙げられる。レジスト組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の使用量は、レジスト組成物の全量溶剤を除くに対して、好ましくは0.0001~2質量、より好ましくは0.0005~1質量である。6有機カルボン酸本発明の化学増幅型レジスト組成物には、前記成分の他に、有機カルボン酸を含有することが好ましい。このような有機カルボン酸化合物として、脂肪族カルボン酸、脂環式カルボン酸、不飽和脂肪族カルボン酸、オキシカルボン酸、アルコキシカルボン酸、ケトカルボン酸、安息香酸誘導体、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、2-ナフトエ酸、1-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、2-ヒドロキシ-3-ナフトエ酸などを挙げることができるが、電子線露光を真空化で行なう際にはレジスト膜表面より揮発して描画チャンバー内を汚染してしまう恐れがあるので、好ましい化合物としては、芳香族有機カルボン酸、その中でも例えば安息香酸、1-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、2-ヒドロキシ-3-ナフトエ酸が好適である。有機カルボン酸の配合量としては、環状化合物A100質量部に対し、0.01~10質量部の範囲内が好ましく、より好ましくは0.01~5質量部、更により好ましくは0.01~3質量部である。本発明の化学増幅型レジスト組成物には、必要に応じて、更に、染料、可塑剤、光分解性塩基化合物、光塩基発生剤等を含有させることができる。これらの化合物については、いずれも特開2002-6500号に記載のそれぞれの化合物を挙げることができる。また、本発明のレジスト組成物に使用される有機溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、2-ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、別名1-メトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、β-メトキシイソ酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、トルエン、キシレン、酢酸シクロヘキシル、ジアセトンアルコール、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、γ-ブチロラクトン、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネートなどが好ましい。これらの溶剤は単独若しくは組み合わせて用いられる。レジスト組成物の固形分は、上記溶剤に溶解し、固形分濃度として、0.5~20質量で溶解することが好ましい。より好ましくは0.7~15質量、更に好ましくは1.0~10質量である。このような固形分濃度の範囲とすることで、後述の膜厚を達成できる。本発明は、本発明の化学増幅型レジスト組成物により形成されたレジスト膜にも関する。このようなレジスト膜は、例えば、該上記のような固形分濃度のレジスト組成物が基板等の支持体上に塗布されることにより形成される。本発明の化学増幅型レジスト組成物は、スピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により基板上に塗布され、60~150°Cで1~20分間、好ましくは80~120°Cで1~10分間プリベークして薄膜を形成する。この塗布膜の膜厚は好ましくは10~200nmであり、20~150nmがより好ましい。本発明に適した基板は、シリコン基板、金属蒸着膜又は金属を含む膜が設けられた基板、より適しているのは、表面にCr、MoSi、TaSi若しくはそれらの酸化物、窒化物による蒸着膜が設けられた基板である。また、本発明は、上記のようにして得られるレジスト膜を塗布した、レジスト塗布マスクブランクスにも関する。このようなレジスト塗布マスクブランクスを得るために、フォトマスク作製用のフォトマスクブランクス上にレジストパターンを形成する場合、使用される透明基板としては、石英、フッ化カルシウム等の透明基板を挙げることができる。一般には、該基板上に、遮光膜、反射防止膜、更に位相シフト膜、追加的にはエッチングストッパー膜、エッチングマスク膜といった機能性膜の必要なものを積層する。機能性膜の材料としては、ケイ素、又はクロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブ等の遷移金属を含有する膜が積層される。また、最表層に用いられる材料としては、ケイ素又はケイ素に酸素及び/又は窒素を含有する材料を主構成材料とするもの、更にそれらに遷移金属を含有する材料を主構成材料とするケイ素化合物材料や、遷移金属、特にクロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブ等より選ばれる1種以上、又は更にそれらに酸素、窒素、炭素より選ばれる元素を1以上含む材料を主構成材料とする遷移金属化合物材料が例示される。遮光膜は単層でも良いが、複数の材料を塗り重ねた複層構造であることがより好ましい。複層構造の場合、1層当たりの膜の厚みは、特に限定されないが、5nm~100nmであることが好ましく、10nm~80nmであることがより好ましい。遮光膜全体の厚みとしては、特に限定されないが、5nm~200nmであることが好ましく、10nm~150nmであることがより好ましい。これらの材料のうち、一般にクロムに酸素や窒素を含有する材料を最表層に持つフォトマスクブランク上で化学増幅型レジスト組成物を用いてパターン形成を行った場合、基板付近でくびれ形状が形成される、いわゆるアンダーカット形状となりやすいが、本発明を用いた場合、従来のものに比べてアンダーカット問題を改善することができる。次いで、このレジスト膜には活性光線又は放射線電子線等を照射し、好ましくはベーク通常80~150°C、より好ましくは90~130°Cで、通常1~20分間、好ましくは1~10分間を行った後、現像する。これにより良好なパターンを得ることができる。そして、このパターンをマスクとして用いて、適宜エッチング処理及びイオン注入などを行い、半導体微細回路及びインプリント用モールド構造体等を作成する。なお、本発明の組成物を用いてインプリント用モールドを作成する場合のプロセスについては、例えば、特許第4109085号公報、特開2008-162101号公報、及びナノインプリントの基礎と技術開発応用展開―ナノインプリントの基板技術と最新の技術展開―編集:平井義彦フロンティア出版に記載されている。本発明の化学増幅型レジストの使用形態及びレジストパターン形成方法を次に説明する。本発明は、上記レジスト膜又はレジスト塗布マスクブランクスを露光すること、及び、該露光されたレジスト膜又はレジスト塗布マスクブランクスを現像することを含む、レジストパターン形成方法にも関する。本発明において、前記露光が電子線又は極紫外線を用いて行われることが好ましい。精密集積回路素子の製造などにおいてレジスト膜上への露光パターン形成工程は、まず本発明のレジスト膜にパターン状に電子線又は極紫外線EUV照射を行うことが好ましい。露光量は電子線の場合0.1~20μC/cm2程度、好ましくは3~15μC/cm2程度、極紫外線の場合0.1~20mJ/cm2程度、好ましくは3~15mJ/cm2程度となるように露光する。次いで、ホットプレート上で60~150°Cで1~20分間、好ましくは80~120°Cで1~10分間、露光後加熱ポストエクスポージャベークを行い、ついで現像、リンス、乾燥することによりレジストパターンを形成する。現像液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドTBAH等の好ましくは0.1~5質量、より好ましくは2~3質量アルカリ水溶液で、好ましくは0.1~3分間、より好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像する。アルカリ現像液には、アルコール類及び/又は界面活性剤を、適当量添加してもよい。こうして、本発明の化学増幅型レジスト組成物がネガ型の場合、未露光部分のレジスト膜は溶解し、露光された部分は環状化合物が架橋しているので現像液に溶解され難く、本発明の化学増幅型レジスト組成物がポジ型の場合、露光された部分が現像液に溶解し、未露光部分は現像液に溶解され難く、基板上に目的のパターンが形成される。また本発明は、レジスト塗布マスクブランクスを、露光及び現像して得られるフォトマスクにも関する。露光及び現像としては、上記に記載の工程が適用される。該フォトマスクは半導体製造用として好適に使用される。本発明の化学増幅型レジスト組成物がネガ型のレジスト組成物である場合、本発明のネガ型の化学増幅型レジスト組成物は、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含むレジストパターン形成方法にも適用できる。以下に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含むレジストパターン形成方法及びレジストパターンについて説明する。[有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含むレジストパターン形成方法及びレジストパターン]本発明の有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含むレジストパターン形成方法は、架橋反応によりネガ化する、前述のネガ型の化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程1、該膜を露光する工程2、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程4をこの順番で有する。ここでネガ化とは、架橋反応により環状化合物Aの分子量が増大して、溶剤現像液に不溶化することである。また本発明のレジストパターンは、上記本発明のレジストパターン形成方法により形成される。また本発明は、前述したように、上記本発明のレジストパターン形成方法に用いられる、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物にも関する。1製膜本発明は、本発明の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物により形成されたレジスト膜にも関する。ネガ型化学増幅型レジスト組成物の膜を得るには、前述の各成分を溶剤に溶解し、必要に応じてフィルター濾過した後、支持体基板に塗布して用いる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。塗布膜は60~150°Cで1~20分間、好ましくは80~140°Cで1~10分間プリベークして薄膜を形成する。組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板例:シリコン、二酸化シリコン被覆上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布される。その後乾燥し、感光性の膜を形成する。必要により、市販の無機あるいは有機反射防止膜を使用することができる。更にレジスト下層に反射防止膜を塗布して用いることもできる。2露光形成した該膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射する。なお、電子ビームの照射では、マスクを介さない描画直描が一般的である。活性光線又は放射線としては特に限定されないが、例えばKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV光、電子線等であり、EUV光、電子線が好ましい。すなわち、膜を露光する工程2における露光が、電子線又はEUV光を用いて行われることが好ましい。3ベーク露光後、現像を行う前にベーク加熱を行うことが好ましい。加熱温度は80~150°Cで行うことが好ましく、90~150°Cで行うことがより好ましく、100~140°Cで行うことが更に好ましい。加熱時間は、1~20分間が好ましく、1~10分間がより好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。4現像本発明においては、有機溶剤を含む現像液を用いて現像を行う。現像液現像液に用いられる有機溶剤は、20°Cに於ける蒸気圧が5kPa以下のものが好ましく、3kPa以下のものが更に好ましく、2kPa以下のものが特に好ましい。有機溶剤の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。現像液として用いる有機溶剤としては、種々の有機溶剤が広く使用されるが、例えば、エステル系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤及び炭化水素系溶剤からなる群より選択される1種類以上の溶剤を用いることができる。特に、本発明のレジストパターン形成方法に用いられる現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される1種類以上の溶剤を含有する現像液であることが好ましい。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、エチル-3-エトキシプロピオネート、プロピレングリコールジアセテート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のカルボン酸アルキル系溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;別名、1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート系溶剤等を挙げることができ、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートがより好ましい。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができ、アルキルケトン系溶剤、例えばメチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノンがより好ましい。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール等のヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール等のヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール等のオクチルアルコール、n-デカノール等のデカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-プロピレングリコール、1,2-ブチレングリコール、1,3-ブチレングリコール、1,4-ブチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME;別名、1-メトキシ-2-プロパノール、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のアルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶剤、メトキシメチルブタノール、プロピレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル系溶剤、フェノール、クレゾールなどのフェノール系溶剤等を挙げることができ、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、1-オクタノール、2エチル-ヘキサノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、クレゾールがより好ましい。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等が使用できる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記アルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶剤及びグリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等が挙げられる。炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。現像液が、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート系溶剤、アルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶剤、カルボン酸アルキル系溶剤、及びアルキルケトン系溶剤から選ばれる1種類以上の溶剤を含有することが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、及び酢酸ブチルから選ばれる1種類以上の溶剤を含有することがより好ましい。上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。現像液における有機溶剤複数混合の場合はその合計の濃度は、好ましくは50質量以上、より好ましくは70質量以上、更に好ましくは90質量以上である。特に好ましくは、実質的に有機溶剤のみからなる場合である。なお、実質的に有機溶剤のみからなる場合とは、微量の界面活性剤、酸化防止剤、安定剤、消泡剤などを含有する場合を含むものとし、具体的には、現像液中、有機溶剤の濃度が好ましくは99.0質量以上100質量以下、より好ましくは99.5質量以上100質量以下とする。現像液中の含水率は、10質量以下が好ましく、より好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下、最も好ましくは実質的に水分を含有しないこと具体的には、現像液中の含水率が好ましくは1質量以下、より好ましくは0.5質量以下、理想的には0質量、すなわち、水分を有さないことである。含水率を10質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。現像液中で、2種類以上の有機溶剤を混合して使用する場合、現像液が、有機溶剤として露光前のレジスト膜に対して良溶媒となる溶剤S-1及び露光前のレジスト膜に対して貧溶媒となる溶剤S-2の2種類を含有し、溶剤S-1の沸点をbp-1、溶剤S-2の沸点をbp-2としたとき、下記式Iの関係を満足するような有機溶剤を選択することが好ましい。bp-2>bp-1式Iここで、良溶媒とは、その溶媒単独での、露光前のレジスト膜を溶解する溶解速度が10nm/秒以上の溶解性を有する溶剤であり、好ましくは20nm/秒以上の溶解性を有する溶剤である。貧溶媒とは、その溶媒単独での、露光前のレジスト膜を溶解する溶解速度が0.5nm/秒以下の溶解性を有する溶剤であり、好ましくは0.2nm/秒以下の溶解性を有する溶剤であり、特に好ましくは0.1nm/秒以下の溶解性を有する溶剤である。溶解速度の測定温度は、23°Cであり、測定方法としては、例えば、後述の実施例における方法を挙げることができる。式Iで表されるように、良溶媒の沸点bp-1より貧溶媒の沸点bp-2が高くなるような組み合わせの有機溶剤を、混合して現像液として用いることが好ましい。このとき、良溶媒/貧溶媒の割合が質量比で1/99~99/1が好ましく、より好ましくは50/50~95/5であり、更に好ましくは60/40~90/10である。このような現像液を用いることで、現像後にウェハを乾燥させる際に、貧溶媒より揮発性が高い良溶媒が先に揮発する。レジストパターン内に良溶媒が残留しにくくなることで、レジストパターンの膨潤、パターン倒れなどが改良される。解像力の観点から、貧溶媒の沸点bp-2は、良溶媒の沸点bp-1より10°C以上高いことが好ましく、25°C以上高いことがより好ましく、40°C以上高いことが更に好ましい。また貧溶媒の沸点bp-2は、良溶媒の沸点bp-1100°C以下であることが好ましく、良溶媒の沸点bp-180°C以下であることがより好ましい。上記溶剤S-1としては、エステル系溶剤、ケトン系溶剤又はエーテル系溶剤が好ましく、エステル系溶剤又はケトン系溶剤がより好ましい。上記溶剤S-2としては、炭化水素系溶剤が好ましい。これら溶剤の具体例及び好ましい例は前述のものと同様である。界面活性剤有機溶剤を含む現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては、前述のレジスト組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができる。界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。現像方法現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。また、現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。現像時間は未露光部の環状化合物、架橋剤などが充分に溶解する時間が好ましく、通常は10秒~300秒が好ましい。更に好ましくは、20秒~120秒である。現像液の温度は0°C~50°Cが好ましく、15°C~35°Cが更に好ましい。現像液量は現像方法により適宜調整可能である。5リンス本発明のレジストパターン形成方法では、現像工程4の後に、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄する工程5を含むことできる。リンス液リンス液に用いられる有機溶剤は、20°Cに於ける蒸気圧が0.05kPa以上、5kPa以下のものが好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下のものが更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下のものが最も好ましい。リンス液に用いられる有機溶剤の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。前記リンス液としては、種々の有機溶剤が用いられるが、例えば、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される1種類以上の有機溶剤又は水を含有するリンス液を用いることが好ましい。より好ましくは、現像の後に、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及び炭化水素系溶剤からなる群より選択される1種類以上の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。更により好ましくは、現像の後に、アルコール系溶剤及び炭化水素系溶剤からなる群より選ばれる1種類以上の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。リンス液として用いられる、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤及び炭化水素系溶剤の具体例は、前述の現像液で説明されたものと同様である。特に好ましくは、一価のアルコール系溶剤及び炭化水素系溶剤からなる群より選ばれる1種類以上の有機溶剤を含有するリンス液を用いる。ここで、現像後のリンス工程で用いられる1価のアルコール系溶剤としては、直鎖状、分岐状、環状の1価アルコールが挙げられ、具体的には、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert―ブチルアルコール、イソプロピルアルコール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、シクロヘキサノールなどを用いることができ、好ましくは、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、イソプロピルアルコール、1-ヘキサノールである。炭化水素系溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。前記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。上記有機溶剤は水と混合しても良いが、リンス液中の含水率は通常30質量以下であり、好ましくは10質量以下、より好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下である。リンス液は、水を含有しないことが最も好ましい。含水率を30質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。リンス液には、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。界面活性剤としては、前述のレジスト組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができ、その使用量はリンス液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。リンス方法リンス工程においては、現像を行ったウェハを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を塗出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。基板の回転時間は、回転数に応じて、リンス液の基板上からの除去を達成する範囲で設定可能だが、通常10秒間から3分間である。なお、室温条件で、リンスすることが好ましい。リンス時間は現像溶剤がウェハ上に残存しないようにすることが好ましく、通常は10秒~300秒が好ましい。更に好ましくは、20秒~120秒である。リンス液の温度は0°C~50°Cが好ましく、15°C~35°Cが更に好ましい。リンス液量はリンス方法により適宜調整できる。また、現像処理又は、リンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。更に、現像処理、リンス処理又は超臨界流体による処理の後、パターン中に残存する溶剤を除去するために加熱処理を行うことができる。加熱温度及び時間は、良好なレジストパターンが得られる限り特に限定されるものではなく、通常40°C~160°C、10秒間から3分間である。加熱処理は複数回行っても良い。以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に限定はされない。以下の合成例、実施例において、化合物の構造は1H-NMR測定で確認した。1.合成例<合成例1:環状化合物Aの合成>化合物P1の合成十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジムロート式冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ1000mlに、窒素気流下で、関東化学社製レゾルシノール22g、0.2molと、東京化成社製1-アダマンタンアルデヒド32.9g、0.2molと、脱水エタノール200mlを投入し、エタノール溶液を調整した。この溶液を攪拌しながらオイルバスで85°Cまで加熱した。次いで濃塩酸35質量75mlを、滴下漏斗により30分かけて滴下した後、引き続き85°Cで3時間攪拌した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。1時間静置後、淡黄色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶をメタノール500mlで2回洗浄し、濾別、真空乾燥させることにより、目的生成物以下、P1と示す48.7g、収率95を得た。この化合物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量1025を示した。更に、本発明の環状化合物Aとして、以下の表1に記載する化合物P2~P14を準備した。また比較用の化合物として、以下の表1に記載する比較化合物A1~A5を準備した。比較化合物A1はポリp-ヒドロキシスチレン日本曹達株製のVP2500、重量平均分子量3600、分散度1.14である。比較化合物A5の組成比モル比、重量平均分子量及び分散度は以下の表1に記載のとおりである。なお高分子化合物につき、1H-NMR測定により、高分子化合物の組成比モル比を算出した。また、GPC溶媒:THF測定により、高分子化合物の重量平均分子量Mw:ポリスチレン換算、数平均分子量Mn:ポリスチレン換算及び分散度Mw/Mn、以下PDIともいうを算出した。またPの構造式におけるは酸素原子との結合位置を意味する。更に、以下の表1に記載されるPの構造の比率は、1H-NMR測定により算出されたモル比である。2.実施例Iネガ型の化学増幅型レジストとしての例電子線露光、アルカリ現像実施例1E1支持体の準備酸化Cr蒸着した6インチウェハー通常のフォトマスクブランクスに使用する遮蔽膜処理を施した物を準備した。2レジスト塗布液の準備ネガ型レジスト組成物N1の塗布液組成化合物P10.60g光酸発生剤z42構造式は下記0.12g架橋剤CL-1構造式は下記0.08g架橋剤CL-5構造式は下記0.04gテトラブチルアンモニウムヒドロキシド塩基性化合物0.002g2-ヒドロキシ-3-ナフトエ酸有機カルボン酸0.012g界面活性剤PF6320OMNOVA株製0.001gプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶剤4.0gプロピレングリコールモノメチルエーテル溶剤5.0g上記組成物溶液を0.04μmの孔径を有するメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト塗布溶液を得た。3レジスト膜の作成上記6インチウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いてレジスト塗布溶液を塗布し、110°C、90秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚100nmのレジスト膜を得た。すなわち、レジスト塗布マスクブランクスを得た。4ネガ型レジストパターンの作製このレジスト膜に、電子線描画装置株エリオニクス社製;ELS-7500、加速電圧50KeVを用いて、パターン照射を行った。照射後に、120°C、90秒ホットプレート上で加熱し、2.38質量テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドTMAH水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。5レジストパタ-ンの評価得られたパターンを下記の方法で、感度、解像力、パタ-ン形状、ラインエッジラフネスLER及びドライエッチング耐性について評価した。感度得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4300を用いて観察した。線幅100nmライン:スペース=1:1のレジストパターンを解像するときの露光量電子線照射量を感度とした。この値が小さいほど、感度が高い。解像力LS上記の感度を示す露光量電子線照射量における限界解像力ラインとスペースライン:スペース=1:1が分離解像する最小の線幅をLS解像力nmとした。パタ-ン形状上記の感度を示す露光量電子線照射量における線幅100nmのラインパターンL/S=1/1の断面形状を走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4300を用いて観察した。ラインパターンの断面形状において、[ラインパターンのトップ部表面部における線幅/ラインパターンの中部ラインパターンの高さの半分の高さ位置における線幅]で表される比率が1.5以上のものを逆テーパーとし、該比率が1.2以上1.5未満のものをやや逆テーパーとし、該比率が1.2未満のものを矩形として、評価を行った。ラインエッジラフネスLER上記の感度を示す照射量電子線照射量で、線幅100nmのラインパターンL/S=1/1を形成した。そして、その長さ方向50μmに含まれる任意の30点について、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9220を用いて、エッジがあるべき基準線からの距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。ドライエッチング耐性上記の感度を示す照射量電子線照射量で線幅100nmライン:スペース=1:1のレジストパターンを形成したレジスト膜を、HITACHIU-621でAr/C4F6/O2ガス体積比率100/4/2の混合ガスを用いて30秒間ドライエッチングを行った。その後レジスト残膜率を測定し、ドライエッチング耐性の指標とした。非常に良好:残膜率95以上良好:95未満90以上不良:90未満実施例2E~実施例13E、比較例1E~比較例3Eレジスト液処方で、下表2に記載の成分以外は実施例1Eと同様にしてレジスト溶液ネガ型レジスト組成物N2~N13、ネガ型レジスト比較組成物N1~N3の調製、ネガ型パターン形成及びその評価を行った。評価結果を表3に示す。上記及び下記実施例/比較例で用いた前掲以外の素材の略称を以下に記載する。架橋剤架橋剤CL-2~CL-4の化学式を下に示す。光酸発生剤化合物B塩基性化合物B1:テトラブチルアンモニウムヒドロキシドB2:トリn-オクチルアミンB3:2,4,5-トリフェニルイミダゾール溶剤S1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート1-メトキシ-2-アセトキシプロパンS2:プロピレングリコールモノメチルエーテル1-メトキシ-2-プロパノールS3:2-ヘプタノンS4:乳酸エチルS5:シクロヘキサノンS6:γ-ブチロラクトンS7:プロピレンカーボネート評価結果を表3に示す。表3に示す結果から、本発明に係る組成物は、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネスLER及びドライエッチング耐性に優れることが分かる。IIネガ型の化学増幅型レジストとしての例EUV露光、アルカリ現像実施例1F~6F並びに比較例1F及び2Fレジスト溶液の調製下記表4に示したネガ型レジスト組成物をポアサイズ0.04μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して、ネガ型レジスト溶液を調製した。レジスト評価調製したネガ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、100°Cで60秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行って、0.05μmの膜厚を有したレジスト膜を形成させた。得られたレジスト膜に関し、下記の方法で、感度、解像力、パタ-ン形状、ラインエッジラフネスLER及びドライエッチング耐性について評価した。感度得られたレジスト膜に、EUV光波長13nmを用いて、露光量を0~20.0mJ/cm2の範囲で0.1mJ/cm2ずつ変えながら、線幅100nmの1:1ラインアンドスペースパターンの反射型マスクを介して、露光を行った後、110°Cで90秒間ベークした。その後、2.38質量テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドTMAH水溶液を用いて現像した。線幅100nmのラインアンドスペースL/S=1/1のマスクパターンを再現する露光量を感度とした。この値が小さいほど、感度が高い。解像力LS上記の感度を示す露光量における限界解像力ラインとスペースライン:スペース=1:1とが分離解像する最小の線幅をLS解像力nmとした。パターン形状上記の感度を示す露光量における線幅100nmのラインパターンL/S=1/1の断面形状を走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4300を用いて観察した。ラインパターンの断面形状において、[ラインパターンのトップ部表面部における線幅/ラインパターンの中部ラインパターンの高さの半分の高さ位置における線幅]で表される比率が1.5以上のものを逆テーパーとし、該比率が1.2以上1.5未満のものをやや逆テーパーとし、該比率が1.2未満のものを矩形として、評価を行った。ラインエッジラフネスLER上記の感度を示す露光量で、線幅100nmのラインパターンL/S=1/1を形成した。そして、その長さ方向50μmにおける任意の30点について、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9220を用いて、エッジがあるべき基準線からの距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。ドライエッチング耐性上記の感度を示す露光量で全面照射を行うことにより形成したレジスト膜を、HITACHIU-621でAr/C4F6/O2ガス体積比率100/4/2の混合ガスを用いて15秒間ドライエッチングを行った。その後レジスト残膜率を測定し、ドライエッチング耐性の指標とした。非常に良好:残膜率95以上良好:95未満90以上不良:90未満以上の評価結果を表4に示す。表4に示す結果から、本発明に係る組成物は、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネスLER及びドライエッチング耐性に優れることが分かる。IIIネガ型の化学増幅型レジストとしての例電子線露光、溶剤現像実施例1G~6G並びに比較例1G及び2Gレジスト溶液の調製下記表5に示したネガ型レジスト組成物を0.04μmの孔径を有するメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト塗布溶液を得た。レジスト膜の作成酸化Cr蒸着した6インチウェハー通常のフォトマスクブランクスに使用する遮蔽膜処理を施した物上に東京エレクトロン製Mark8を用いてレジスト塗布溶液を塗布し、130°C、90秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚100nmのレジスト膜を得た。すなわち、レジスト塗布マスクブランクスを得た。ネガ型レジストパターンの作製EB露光このレジスト膜に、電子線描画装置株エリオニクス社製;ELS-7500、加速電圧50KeVを用いて、パターン照射を行った。照射後に、120°C、90秒間ホットプレート上で加熱し、良溶媒としての酢酸ブチル沸点=126°Cと、貧溶媒としてのデカン沸点=174°Cを85/15質量比で混合した溶剤を用いて、30秒間スプレー現像した後、スピンコーターにて30秒間3000回転で回転して十分に乾燥させた。レジストパタ-ンの評価得られたパターンを上記Iネガ型の化学増幅型レジストとしての例電子線露光、アルカリ現像における評価と同様の方法で、感度、解像力、パタ-ン形状、ラインエッジラフネスLER及びドライエッチング耐性について評価した。評価結果を表5に示す。表5に示す結果から、本発明に係る組成物は、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネスLER及びドライエッチング耐性に優れることが分かる。IVポジ型の化学増幅型レジストとしての例電子線露光、アルカリ現像実施例1P1支持体の準備酸化Cr蒸着した6インチウェハー通常のフォトマスクブランクスに使用する遮蔽膜処理を施した物を準備した。2レジスト塗布液の準備ポジ型レジスト組成物P1の塗布液組成化合物P40.60g光酸発生剤z5構造式は上記0.12gテトラブチルアンモニウムヒドロキシド塩基性化合物0.002g界面活性剤PF6320OMNOVA株製0.001gプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶剤4.0gプロピレングリコールモノメチルエーテル溶剤5.0g上記組成物溶液を0.04μmの孔径を有するメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト塗布溶液を得た。3レジスト膜の作成上記6インチウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いてレジスト塗布溶液を塗布し、110°C、90秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚100nmのレジスト膜を得た。すなわち、レジスト塗布マスクブランクスを得た。4ポジ型レジストパターンの作製このレジスト膜に、電子線描画装置電子線描画装置株エリオニクス社製;ELS-7500、加速電圧50KeVを用いて、パターン照射を行った。照射後に、120°C、90秒ホットプレート上で加熱し、2.38質量テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドTMAH水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。5レジストパタ-ンの評価得られたパターンを下記の方法で、感度、解像力、パタ-ン形状、ラインエッジラフネスLER及びドライエッチング耐性について評価した。感度得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4300を用いて観察した。線幅100nmライン:スペース=1:1のレジストパターンを解像するときの露光量電子線照射量を感度とした。この値が小さいほど、感度が高い。解像力LS上記の感度を示す露光量電子線照射量における限界解像力ラインとスペースライン:スペース=1:1が分離解像する最小の線幅をLS解像力nmとした。パタ-ン形状上記の感度を示す露光量電子線照射量における線幅100nmラインパターンL/S=1/1の断面形状を走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4300を用いて観察した。ラインパターンの断面形状において、[ラインパターンのボトム部底部における線幅/ラインパターンの中部ラインパターンの高さの半分の高さ位置における線幅]で表される比率が1.5以上のものを順テーパーとし、該比率が1.2以上1.5未満のものをやや順テーパーとし、該比率が1.2未満のものを矩形として、評価を行った。ラインエッジラフネスLER上記の感度を示す照射量電子線照射量で、線幅100nmのラインパターンL/S=1/1を形成した。そして、その長さ方向50μmに含まれる任意の30点について、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9220を用いて、エッジがあるべき基準線からの距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。ドライエッチング耐性評価未露光レジスト膜を、HITACHIU-621でAr/C4F6/O2ガス体積比率100/4/2の混合ガスを用いて30秒間ドライエッチングを行った。その後レジスト残膜率を測定し、ドライエッチング耐性の指標とした。非常に良好:残膜率95以上良好:95未満90以上不良:90未満実施例2P~実施例20P、比較例1P、比較例2Pレジスト液処方で、下表6に記載の成分以外は実施例1Pと同様にしてレジスト溶液ポジ型レジスト組成物P2~P20、ポジ型レジスト比較組成物P1及びP2の調製、ポジ型パターン形成及びその評価を行った。評価結果を表7に示す。表7に示す結果から、本発明に係る組成物は、感度、解像力、パターン形状、LER及びドライエッチング耐性に優れることが分かる。Vポジ型の化学増幅型レジストとしての例EUV露光、アルカリ現像実施例1Q~7Q、並びに、比較例1Q及び2Qレジスト溶液の調製下記表8に示したポジ型レジスト組成物をポアサイズ0.04μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して、ポジ型レジスト溶液を調製した。レジスト評価調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、100°Cで60秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行って、0.05μmの膜厚を有したレジスト膜を形成させた。得られたレジスト膜に関し、下記の方法で、感度、解像力、パタ-ン形状、ラインエッジラフネスLER及びドライエッチング耐性について評価した。感度得られたレジスト膜に、EUV光波長13nmを用いて、露光量を0~20.0mJ/cm2の範囲で0.1mJ/cm2ずつ変えながら、線幅100nmの1:1ラインアンドスペースパターンの反射型マスクを介して、露光を行った後、110°Cで90秒間ベークした。その後、2.38質量テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドTMAH水溶液を用いて現像した。線幅100nmのラインアンドスペースL/S=1/1のマスクパターンを再現する露光量を感度とした。この値が小さいほど、感度が高い。解像力LS上記の感度を示す露光量における限界解像力ラインとスペースライン:スペース=1:1とが分離解像する最小の線幅をLS解像力nmとした。パターン形状上記の感度を示す露光量における線幅100nmのラインパターンL/S=1/1の断面形状を走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4300を用いて観察した。ラインパターンの断面形状において、[ラインパターンのボトム部底部における線幅/ラインパターンの中部ラインパターンの高さの半分の高さ位置における線幅]で表される比率が1.5以上のものを順テーパーとし、該比率が1.2以上1.5未満のものをやや順テーパーとし、該比率が1.2未満のものを矩形として、評価を行った。ラインエッジラフネスLER上記の感度を示す露光量における線幅100nmのラインパターンL/S=1/1の長さ方向50μmにおける任意の30点について、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9220を用いてエッジがあるべき基準線からの距離を測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。ドライエッチング耐性未露光レジスト膜を、HITACHIU-621でAr/C4F6/O2ガス体積比率100/4/2の混合ガスを用いて15秒間ドライエッチングを行った。その後レジスト残膜率を測定し、ドライエッチング耐性の指標とした。非常に良好:残膜率95以上良好:95未満90以上不良:90未満以上の評価結果を表8に示す。表8に示す結果から、本発明に係る組成物は、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネスLER及びドライエッチング耐性に優れることが分かる。"