基板上に、下部多層膜反射鏡、上部多層膜反射鏡、これらの間に介在する活性層、とが少なくとも積層されて構成された面発光レーザ素子を、1次元または2次元にアレイ状に配列して構成された面発光レーザアレイによる画像形成用光源であって、前記1次元または2次元にアレイ状に配列された面発光レーザ素子は、第一のグループと第二のグループにそれぞれ属する複数の面発光レーザ素子によって構成され、画像の1ライン分を形成する1本ずつの各線上に、前記第一のグループに属する1つの面発光レーザ素子と、前記第二のグループに属する1つの面発光レーザ素子と、が配置されており、前記第二のグループの面発光レーザ素子は、前記上部多層膜反射鏡の上に、前記第一のグループの面発光レーザ素子よりも厚い吸収層が設けられ、前記第二のグループの発光素子の最高発振光出力が、前記第一のグループの発光素子の最高発振光出力よりも小さく、且つ、前記第二のグループの発光素子の電流注入開始から光を発する立ち上がり時間が、前記第一のグループの発光素子よりも短くなるように構成されていることを特徴とする画像形成用光源。前記第二のグループの発光素子の最高発振光出力は、前記第一のグループの発光素子の最高発振光出力の0.1以上、0.5以下であることを特徴とする請求項1に記載の画像形成用光源。前記吸収層は、前記発光素子の発振波長に対してバンド間吸収がある材料で構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の画像形成用光源。前記バンド間吸収がある材料は、AlxGa1-xAsで構成され、前記xである組成が、0≦x<1の範囲であることを特徴とする請求項3に記載の画像形成用光源。前記吸収層は、AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAsによる積層構造を備え、前記積層構造の最下層は、λ/2の自然数倍の厚さであるAlxGa1-xAsによる1層の層で構成され、前記最下層の上に、λ/4の自然数倍の厚さであるAlyGa1-yAsによる層と、λ/4の自然数倍の厚さであるAlxGa1-xAsによる複数の層が数ペア積層され、前記xである組成が0≦x<1の範囲であり、前記yである組成が0≦y<1の範囲であって、該xである組成と該yである組成とがx>yの関係とされていることを特徴とする請求項1に記載の画像形成用光源。前記吸収層は、電極材料で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の画像形成用光源。前記電極材料が、Auで構成されていることを特徴とする請求項6に記載の画像形成用光源。請求項1から7のいずれか1項に記載の画像形成用光源を備える画像形成装置であって、再現したい元データからの画像情報を処理するデータ処理部と、前記データ処理部からの情報と、立ち上がり基準値情報とから、前記第一のグループに属するレーザ素子と、前記第二のグループに属するレーザ素子のどちらで画像形成を行うかを毎ドットにおいて選択するレーザ選択部と、前記レーザ選択部からの情報を元にレーザを制御するレーザ制御部と、を有することを特徴とする画像形成装置。請求項1から7のいずれか1項に記載の画像形成用光源を用いて画像を形成する画像形成方法であって、再現したい元データからの画像情報を処理するデータ処理のプロセスと、前記データ処理のプロセスからの情報と、立ち上がり基準値情報とから、前記第一のグループに属するレーザ素子と、第二のグループに属するレーザ素子のどちらで画像形成を行うかを毎ドットにおいて選択するレーザ選択のプロセスと、前記レーザ選択のプロセスからの情報を元にレーザを制御するレーザ制御のプロセスと、を有することを特徴とする画像形成方法。ところが、面発光レーザを用いて強度変調しようとすると、発振閾値電流値に近い値での駆動、つまり、光出力が小さい時は、立ち上がり時間が遅くなるため、画像再現性に乏しい、という課題が生じる。ここで、図2を用いて面発光レーザにおける立ち上がり時間について説明する。図2では、時間ゼロにおいて面発光レーザに対し駆動用の電流値が与えられた時の電流一点鎖線の変化と、それに伴うレーザからの光出力実線の変化の時間依存性を示している。面発光レーザの場合、光出力は電流変化と比べてゆっくりと変化する。長い時間を経過して光出力が変動しなくなった光出力の値を1とし、それに対して光出力が0.1、0.9となる時の時間をそれぞれt1、t2とする。本明細書では、立ち上がり時間tを下記式のように定義する。t=t2-t1図3に、環境温度27°Cでの面発光レーザの立ち上がりの駆動電流値依存性一点鎖線と光出力特性実線を示す。ここで立ち上がり測定時は、バイアス電流として1.15mAを常時加えている。図3より、駆動電流値が小さくなるにつれ、つまり、光出力が小さくなるにつれ、立ち上がり時間が増加し、更に発振閾値付近では大幅に増加する特性がある。端面発光レーザと比較し、面発光レーザの場合は共振器の体積が小さいため、最高光出力を大きくすることが難しい。そのため、光出力の強度変調を行う場合は、立ち上がりが遅い発振閾値付近の低出力も使用する必要が生じる。更に赤色面発光レーザでは、温度に対する依存性が高く、最高発振温度が低いという課題がある。つまり、高温時の光出力が低いため、立ち上がりの遅い発振閾値付近の低出力も使用する必要がより生じる。特許文献1に開示されているように、中間の諧調を形成する方法としてレーザ光強度を変調することで画像の濃淡を実現する場合、低い光出力が必要となる淡い部分に対しての立ち上がりが遅くなるため、特に淡い部分に対しての画像再現性に乏しくなる。ところで、上記特許文献1のものでは、レーザ光強度の強弱と画像の濃淡が対応している場合ポジであり、レーザ光強度の強弱と画像の淡濃が対応している場合ネガには、濃い部分の画像再現性が乏しくなる。次に、中間の諧調を形成する方法としてレーザ光はオン/オフのみで一つの画素内に占めるドットの面積比率にて画像の濃淡を実現する場合について説明する。特許文献2に開示されているように、レーザ光強度を一定とすると、レンズやミラーの歪み等により光学系を経て感光体上に形成されるドットには差異が生じてしまうため、この差分を埋めるためにレーザ光強度を調整する必要がある。面発光レーザを用いると、低い光出力に調整しなければならない部分において立ち上がりが遅いため、画像再現性が乏しくなる。図4に、図3でデータを示した面発光レーザ素子の、立ち上がり時間の環境温度依存性を示す。立ち上がり時間には温度依存性があり、27°Cの低温では、立ち上がり時間が長くなり、画像再現性が乏しくなる。本発明は、上記課題に鑑み、発振閾値付近の低出力側及び低温時において、立ち上がりを速くすることが可能となる画像形成用光源、画像形成装置、及び画像形成方法を提供することを目的とする。本発明の画像形成用光源は、基板上に、下部多層膜反射鏡、上部多層膜反射鏡、これらの間に介在する活性層、とが少なくとも積層されて構成された面発光レーザ素子を、1次元または2次元にアレイ状に配列して構成された面発光レーザアレイによる画像形成用光源であって、前記1次元または2次元にアレイ状に配列された面発光レーザ素子は、第一のグループと第二のグループにそれぞれ属する複数の面発光レーザ素子によって構成され、画像の1ライン分を形成する1本ずつの各線上に、前記第一のグループに属する1つの面発光レーザ素子と、前記第二のグループに属する1つの面発光レーザ素子と、が配置されており、前記第二のグループの面発光レーザ素子は、前記上部多層膜反射鏡の上に、前記第一のグループの面発光レーザ素子よりも厚い吸収層が設けられ、前記第二のグループの発光素子の最高発振光出力が、前記第一のグループの発光素子の最高発振光出力よりも小さく、且つ、前記第二のグループの発光素子の電流注入開始から光を発する立ち上がり時間が、前記第一のグループの発光素子よりも短くなるように構成されていることを特徴とする。また、本発明の画像形成装置は、上記した画像形成用光源を備える画像形成装置であって、再現したい元データからの画像情報を処理するデータ処理部と、前記データ処理部からの情報と、立ち上がり基準値情報とから、前記第一のグループに属するレーザ素子と、前記第二のグループに属するレーザ素子のどちらで画像形成を行うかを毎ドットにおいて選択するレーザ選択部と、前記レーザ選択部からの情報を元にレーザを制御するレーザ制御部と、を有することを特徴とする。また、本発明の画像形成方法は、上記した画像形成用光源を用いて画像を形成する画像形成方法であって、再現したい元データからの画像情報を処理するデータ処理のプロセスと、前記データ処理のプロセスからの情報と、立ち上がり基準値情報とから、前記第一のグループに属するレーザ素子と、第二のグループに属するレーザ素子のどちらで画像形成を行うかを毎ドットにおいて選択するレーザ選択のプロセスと、前記レーザ選択のプロセスからの情報を元にレーザを制御するレーザ制御のプロセスと、を有することを特徴とする。本発明によれば、発振閾値付近の低出力側及び低温時において、立ち上がりを速くすることが可能となる画像形成用光源、画像形成装置、及び画像形成方法を実現することができる。つぎに、本発明の実施形態における画像形成用光源について説明する。本実施形態では、上記課題を解決するため、低い光出力において電流注入開始から光を発する立ち上がり時間が短い面発光レーザ素子を含む2種類の異なる面発光レーザ素子によって画像の1ライン分を形成した面発光レーザアレイによる画像形成用光源を構成した。ここでは、まず、面発光レーザによる画像形成用光源を実装した画像形成装置の構成例について、図5を用いて説明する。図5は、本実施形態の面発光レーザアレイを実装した画像形成装置の一部を示す図であり、図5aは平面図、図5bは側面図である。面発光レーザアレイ514は、レーザ制御部501により画像信号に応じて光強度を調整された上で、点灯または消灯するように構成されている。こうして光変調されたレーザ光は、面発光レーザアレイ514からコリメータレンズ520を介し回転多面鏡510に向けて照射される。回転多面鏡510はモータ512により矢印方向に回転され、面発光レーザアレイ514から出力されたレーザ光は回転多面鏡510の回転に伴い、その反射面で連続的に出射角度を変える偏向ビームとして反射される。この反射光は、f-θレンズ522により歪曲収差の補正等を受け、反射鏡516を経て感光体500に照射され、感光体500上で主走査方向に走査される。このとき、回転多面鏡510の1面を介したビーム光の反射により、感光体500の主走査方向に面発光レーザアレイ514に対応した複数のライン分の画像が形成される。面発光レーザアレイとして、例えば4×8の面発光レーザアレイを用いた場合は、本実施の形態では2アレイで一つのラインを形成するため、同時に16ライン分の画像が形成される。感光体500は、予め帯電器502により帯電されており、レーザ光の走査により順次露光され、静電潜像が形成される。また、感光体500は矢印方向に回転していて、形成された静電潜像は、現像器504により現像され、現像された可視像は転写帯電器506により、転写紙図示せずに転写される。可視像が転写された転写紙は、定着器508に搬送され、定着を行った後に機外に排出される。なお、本実施形態では、4×8面発光レーザアレイを説明に用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、m×q面発光レーザアレイmとqは自然数0は含まずであり、mとqの少なくともどちらかは偶数であってもよい。本実施形態の面発光レーザアレイ514は、第一のグループに属する複数個のn個の面発光レーザ素子以下、第一グループ素子と略すと、第二のグループに属する複数個のn個の面発光レーザ素子以下、第二グループ素子と略すと、を同一基板上に有しており、これら2種類の素子を使い分けて画像形成を行うように構成されている。ここで、n=m×q/2である。図8に、本実施形態における面発光レーザアレイ514の2次元配置の一例を示す。なお、ここでは2次元にアレイ状に配列された例について説明するが、本発明はこのような構成に限定されるものではなく、1次元にアレイ状に配列するようにしてもよい。図6に示すような、電流に対する光出力特性を持つ2グループに属する面発光レーザアレイは、例えば図8のように配置される。図8において、第一グループ素子を黒丸、第二グループ素子を内部が網掛けされた丸で示す。同一基板上に、第一グループ素子110がn個複数個、第二グループ素子120がn個複数個配置されている。距離Dの間隔で、略等間隔に引かれたn本の線上の画像の1ライン分を形成する1本ずつに、第一グループ素子の発光強度の中心と、第二グループ素子の発光強度の中心が1つづつ乗るよう配置されている。例えば、図8中太線で示された第一の線1301上には1番目の第一グループ素子1101の発光強度中心と、1番目の第二グループ素子1201の発光強度中心が配置されている。その隣に、距離D離れて点線で示された第二の線1302上には、2番目の第一グループ素子1102の発光強度中心と、2番目の第二グループ素子1202の発光強度中心が配置されている。同様に、1本目の線から距離D×n-1だけ離れたn番目の線130n上には、n番目の第一グループ素子110nの発光強度中心と、n番目の第二グループ素子120nの発光強度中心が配置されている。それぞれの線は、上述した主走査方向と平行であり、この線をそれぞれ走査線と呼ぶ。面発光レーザアレイ514の2次元配置において、図8にその一例を示したが、本発明はそれに限定されるものではない。2つのグループに属する素子の発光強度中心の1つづつが、略等間隔に引かれたn本の線、つまり走査線、の上にそれぞれ配置されていれば良い。16ライン分の、他の2次元配置の例を図9a~dに示す。図8と同様、黒丸が第一グループ素子、内部が編掛けされた丸が第二グループ素子を示す。それぞれの図において、同一走査線上に配置された2つの異なるグループに属する2素子を、点線で囲んでいる。また、図9a~dにひかれているそれぞれ1本の線は、n本の走査線のうち1本を示している。この1本の走査線は、それぞれ点線で囲まれた一つの第一グループ素子と一つの第二グループ素子の発光強度中心を通っている。なお、本発明はこれらの配置やライン数に制限されるものではない。図6に、本発明に係る面発光レーザアレイ514の電流に対する光出力特性を示す。実線601は第一グループ素子の、一点鎖線602は第二グループ素子の特性を示している。本発明の効果は、第一グループ素子の最高発振光出力Pmax1に対する第二グループ素子の最高発振光出力Pmax2の比Pmax2/Pmax1が1未満となる際に得られるが、実用上は、後述する理由から0.1以上、0.5以下であることが望ましい。より望ましくは、0.3程度であることが望ましい。第一グループ素子と第二グループ素子の最高発振光出力比が0.5より大きい場合は、立ち上がりが遅くなる低出力領域にて必要となる電流値の差が小さくなるため、立ち上がり時間により低出力領域を第二グループ素子に切り換える効果が小さい。また、比が0.1より小さい場合は、素子構造の設計や、プロセスばらつきにより、第一グループ素子の発振閾値における光出力よりも第二グループ素子の最高発振光出力が下回る可能性がある。そのため2種類の素子を用いた際の光出力範囲に不連続な点ができる可能性がある。図1に、上述の条件を満たす本実施形態の面発光レーザアレイ514の一部の断面構造を示す。本実施形態の画像形成用光源である面発光レーザアレイ514は、第一グループ素子110と、第二グループ素子120の2種類を同一基板100上に有している。これらの面発光レーザ素子は、基板上に、下部多層膜反射鏡、上部多層膜反射鏡、これらの間に介在する活性層、とが少なくとも積層されて構成されている。具体的には、下部電極108、基板100、下部多層膜反射鏡101、下部スペーサ層102、活性層103、上部スペーサ層104、上部多層膜反射鏡106、上部電極107が順次積層されている。上部多層膜反射鏡106の一部には被酸化層が形成されており、その一部を酸化し被酸化部105を形成することで、電流狭窄を行う。つまり、図1において、被酸化部105の内側のみに上下の電極からの電流が活性層103に注入されるため、発光領域は、被酸化部105の内側となる。面発光レーザは活性層体積が小さいため、レーザ発振のためには活性層上下の反射鏡による反射率を99以上まで高め、活性層に対して何度も光を往復させ増幅させる必要がある。従って、活性層の上下には反射率が99以上となる数のペア数を有する多層膜反射鏡を形成する。第二グループ素子120は、第一グループ素子110と異なり、上部多層膜反射鏡106の上に、第一グループ素子110よりも厚い吸収層121を有している。ここで、図1は第一グループ素子110の上部多層膜反射鏡106上に吸収層がない場合を示している。第二グループ素子120が、第一グループ素子110よりも厚い吸収層121を有している。そのため、第二グループ素子120は第一グループ素子110と比較し、同じ電流値に対する光出力が小さくなるが、発振閾電流値や電圧等のレーザ特性は第一グループ素子と略同等となる。図13に、第二グループ素子の光出力が第一グループ素子の1/3となるよう、吸収層121を形成した際の、第一グループ素子と第二グループ素子の特性を示す。図中実線は第一グループ素子の電流に対する光出力変化、点線は第二グループ素子の電流に対する光出力変化、一点鎖線は電流注入開始から光を発する立ち上がり時間の変化を示す。立ち上がり時間は、本発明の素子構造では閾値電流値との割合に依存する。閾値電流値が同じであれば、投入電流値に依存する。図13より、同じ光出力を得るのに、第二グループ素子は第一グループ素子よりも多くの電流を要する。つまり、同じ光出力において、第二グループ素子の方が、立ち上がりが速い。また低出力になるほど立ち上がり時間の差が大きくなる。例えば、図13の場合では、光出力が0.5mWの場合、第一グループ素子と第二グループ素子との立ち上がり時間tの差Δtは、およそ25nsであるが、光出力が0.2mWの場合は、Δtはおよそ40nsである。図7に、第一グループ素子実線と、第二グループ素子一点鎖線の、光出力に対する立ち上がり時間の関係を示す。本実施形態において、第一グループ素子では立ち上がり時間が基準値よりも大きい低出力領域では、第二グループの素子を用いて、1ドットを形成する。第一グループ素子と第二グループ素子の選択として、両方の素子において立ち上がり時間が基準値よりも小さい光出力の場合は、どちらの素子を選択しても良い。それぞれの素子の駆動時間差がある場合には、それまでの駆動時間が短い方を選択する方が、素子の寿命の点から好ましい。図14を用いて、本実施形態における画像形成方法における各プロセスについて説明する。データ処理部552は、予め感光体や光学系等による潜像形成感度むらの2次元データ551を有している。元データ550として転写したい画像情報を受け取り、濃淡や、カラーの場合は色合いの情報を2次元情報として処理する。データ551、550とから、各ドットにおける必要光量、レーザパルス幅等を算出する。次に、上記算出結果は、レーザ選択部554に送られる。レーザ選択部554には予め、立ち上がり基準値データ基準値情報558を入力しておく。データ処理部552から送られた必要光量、温度モニタ557により送られてきた環境温度情報、立ち上がり基準値データ基準値情報558、一定期間毎に測定される各レーザ素子のデータ553を元に、つぎのように毎ドット選択する。すなわち、第一グループ素子と第二グループ素子のどちらを用いて1ドットを描画するかを、上述の基準を用いて毎ドット選択する。上記データは、レーザ制御部レーザ駆動部501に送られる。レーザ制御部レーザ駆動部501には、予め面発光レーザアレイの2次元配置データ559を入力しておく。レーザ選択部554から送られてきたデータ、アレイの2次元配置データ559、面発光レーザアレイ514素子一つ一つに対するON/OFF制御タイミングと、ONの場合は、駆動パルス幅、電流値を制御する。ここで、各レーザ素子のデータ553は、面発光レーザアレイ514の各レーザ素子の特性を、潜像形成していない時間、つまり画像形成部555にレーザが照射されていない時間を用いて光出力等モニタ556にて検出される。レーザ制御部レーザ駆動部501により面発光レーザアレイ514の各素子を制御し、潜像画像を感光体上に形成する。以上のように、第一グループ素子と第二グループ素子とを、同一走査線上で光出力に応じて切り換えて用いることにより、特に低温低出力にて立ち上がりが遅い部分では立ち上がりの速い第二グループ素子を使用することにより、画像再現性の良い像が得られる。ここで、第一グループ素子、第二グループ素子として、酸化狭窄径が異なる2種類の発光素子を用いると、酸化狭窄径が小さい素子の方が、より高い電流値にて低い光出力となるため、2種類のデバイスとして酸化狭窄径違いも実現が可能である。しかし、この場合は2種類の素子において、ビーム広がり角が異なる。具体的には、酸化狭窄径が小さいとビーム広がり角が大きくなり、酸化狭窄径が大きいとビーム広がり角が小さくなる。ビーム広がり角が大きいと、発振光量の一部が光学系においてけられてしまう等の問題があり、ビーム広がり角の違いによる光量の制御や、光学系に対しての設計、調整等が困難となる。従って、各発光デバイスのビーム広がり角を揃えておくことが好ましく、第二グループに属する素子には、上部多層膜反射鏡の上側に、第一グループに属する素子よりも厚い吸収層を設けることが好ましい。また、本方法によれば、第一グループの素子と、第二グループの素子を同一基板上に一括に形成可能である。第二グループの素子形成として、上部の吸収層に関する作製プロセスのみ変えればよい。同一基板上に形成可能なため、第一と第二グループの素子のアライメント精度は、マスクの作製精度やプロセス精度によるため、高い精度が実現可能となる。また、2種類の異なる基板を用いる方法と比較し、光の出射方向に対するあおり角の精度も高いため、コストや歩留りの向上となる。更に、第二グループの素子に対しては吸収層を素子上に形成するため、例えば光学素子を用いて光量を低下させる方法も考えられる。しかし、光学素子を用いる方法と比較して、本発明は、光学素子と発光素子とのアライメント等の作業が不要となり、スループットの改善となる。以上のように、本発明によれば、発振閾値付近の低出力側でも、更に低温時でも、2種類の発光素子を切り換えて使用することで、複雑な制御を行うことなく、立ち上がりが速く、画像再現性の良い画像形成装置と画像形成用光源を提供することができる。以下に、本発明の実施例について説明する。[実施例1]実施例1として、本発明を適用した画像形成用光源に用いる面発光レーザアレイの構成例について、図10を用いて説明する。図10は、本実施例における画像形成用光源に用いる面発光レーザアレイの一部を示す断面図である。面発光レーザアレイの各素子は、第一のグループに属する素子111または第二のグループに属する素子121のどちらかに属している。それぞれの素子の2次元配置は、上記した図8または図9に示されるように構成されている。第二グループ素子はその上部に、第一グループ素子のGaAs層151よりも厚いGaAs層161を有しており、第一グループ素子よりも最高発振光出力が小さくなるように設計されている。本実施例の面発光レーザアレイを作製するためのプロセスを、図15を用いて説明する。図15では、第一グループに属する素子1つと、第二グループに属する素子1つの計2素子分のプロセスを示す。まず、図15aに示された層構成を、つぎのように形成する。n型にドーピングされたGaAsから成る基板100の上に、それぞれλ/4光学厚さのAl09Ga01Asと、λ/4光学厚さのAl05Ga05Asを交互に70ペア積層してn型の下部多層膜反射鏡101を形成する。ここで、λは共振器の共振波長であり、本実施例では680nmに設計する。下部多層膜反射鏡101上に、AlGaInP系の活性層103、具体的にはGaInP/AlGaInPのλ=680nmに発光ピークを持つ多重量子井戸構造を含む活性層103が結晶成長により形成される。また、活性層103の下側及び上側には、共振器の位相調整のための下部スペーサ層102、上部スペーサ層104がそれぞれ形成される。下部スペーサ層102、活性層103、上部スペーサ層104の光学厚さの合計は、λ/2の整数倍であれば良く、本実施例ではλとする。前記活性層103上に、p型の上部多層膜反射鏡106を成長させる。上部多層膜反射鏡106は、例えばそれぞれλ/4厚さのAl09Ga01AsとAl05Ga01Asの40ペアの繰り返しからなる。この上部多層膜反射鏡106の一部分を、多層膜反射鏡のペアを構成するAlGaAsよりもAl組成比の高いAlGaAs層で置き換え、これを被酸化層とする。この被酸化層の一部を酸化することで、酸化された絶縁性領域と未酸化の導電性領域からなる電流狭窄層が形成される。本実施例では、活性層103から1ペア目に被酸化層図示せずを配置する。被酸化層としては、例えばAlGaAs層を用いることができる。例えばAlxGa1-xAs0.95≦x≦1は、例えば300°C以上に加熱し水蒸気に晒すことによって容易に酸化され、Al酸化物を含む絶縁体となる。本実施例では、Al098Ga002As層を、被酸化層として用いる。上部多層膜反射鏡106の最上部は、後述する上部電極107とのコンタクトのため、半導体コンタクト層とする。本実施例では、半導体コンタクト層をGaAs層とする。第二グループ素子ではこの半導体コンタクト層が吸収層も兼ねるため、ここでは上部多層膜反射鏡106上の全ての領域に第二グループ素子用の厚さのGaAs層162を形成する。ここで、GaAs層162の厚さは520nmとする。後述するように、第一グループの素子では、半導体コンタクト層であるGaAs層を20nmとするため、GaAs層162の下側から20~30nmの位置に、GaAsのエッチングストップ層であるAlGaInP層を10nm形成する不図示。以上の積層体の結晶成長は、例えばMOCVD法によってなされる。ここで、本実施例では吸収層として発光素子の発振波長に対してバンド間吸収がある材料であるGaAsを用いる例を述べるが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばAlGaAsを用いても良い。この場合、Al含有率が低いもの例えばAl01GaAsを用いることが、成膜する厚さが少なくなるために好ましい。また、コンタクト性を確保する場合は、例えばGaAs/Al01GaAs等の積層構造とし、上部電極をGaAs層に接する位置に形成しても良い。次に、図15bに示すように、GaAs層162をパターニングする。この際、第二グループ素子となる部分のGaAs層161は、大きさが例えば直径27μmの円形かつ、520nmの厚さとし、その他の部分のGaAs層は20nmの厚さとなるように調整する。具体的な方法としては、GaAs層162上にフォトレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィーによるパターニングを実施した後、フォトレジスト膜が残っている部分以外はウェットエッチングの時間制御にて実施する方法がある。また、本実施例のように予めGaAs層162の下側から20nm以上の位置に、GaAsのウェットエッチングに対するエッチングストップ層を設けておけば、より精度の高いプロセスが実現可能となる。エッチングストップ層としては、GaInP、AlGaInPを用いることができる。本実施例では、エッチングストップ層としてAlGaInPを10nm用いる。ウェットエッチングのエッチャントとしては、燐酸系を用いることができる。ウェットエッチングを用いる際は、おおよそ深さ方向と同等の距離のサイドエッチングが入る可能性が高いため、予めフォトレジスト膜を、基板100と平行な方向に対してサイドエッチング分大きく作製しておくと良い。第一グループ素子上に残ったエッチングストップ層は、プロセスの最後に上部電極107を形成する前に取り除く。フッ酸系のエッチャントにて、下層のGaAs層151に大きなダメージを与えることなくAlGaInP層を取り除くことができる。次に、図15cに示すように、トレンチ163を形成することで各素子を分離する。具体的には、上部多層膜反射鏡106上のGaAs層上に、ドライエッチング耐性を持つ誘電体層を形成する。ここでは1μm厚のSiO2とする。その上に、フォトリソグラフィーによりパターニングを行い、SiO2にパターンを転写する。SiO2のパターンをマスクに、ドライエッチングにてトレンチ163を形成した後、SiO2マスクを除去する。次に、被酸化層を高温水蒸気下にて酸化することで、被酸化部105を形成する図15d。最後に、上部電極107として例えばTi/Au、下部電極108として例えばAuGe/Auを形成する図15e。以上のように形成された第二グループ素子121は、第一グループ素子111と比較し、光出力が3割程度となる。このように作製された面発光レーザアレイは、上述のように画像形成装置に組み込まれ、素子の特性、潜像形成感度、環境温度情報などにより、第一グループ素子と第二グループ素子が選択され、再現性の良い像が形成される。なお、本実施例はλ=680nmとして記載したが、本発明はこの波長に限定されるものではない。[実施例2]実施例2として、実施例1と異なる形態の画像形成用光源に用いる面発光レーザアレイの構成例について、図11を用いて説明する。なお、実施例と同様な部分は説明は省略する。図11は、本実施例における画像形成用光源に用いる面発光レーザアレイの一部を示す断面図である。面発光レーザアレイの各素子は、第一のグループに属する素子112または第二のグループに属する素子122のどちらかに属している。第二グループ素子122はその上部に、GaAs共振器層181を有しており、第一グループ素子112よりも最高発振光出力が小さくなるように設計されている。本実施例の面発光レーザアレイを作製するためのプロセスを、図16を用いて説明する。まず、図16aに示された層構成を形成する。基板100から上部多層膜反射鏡106を形成するまでの過程は、実施例1と同様である。上部多層膜反射鏡106の最上部は、後述する上部電極107とのコンタクトのため、半導体コンタクト層とする。本実施例では、半導体コンタクト層をGaAs層とする。半導体コンタクト層は例えば20nmのGaAs層である。上部多層膜反射鏡106の上に、本実施例ではGaAs共振器層181を形成する。GaAs共振器層181の構造を、図18bを用いて説明する。ここで、比較のために、第一グループ素子112の構造を図18aに示す。上部多層膜反射鏡106の最上部である半導体コンタクト層800上に、エッチングストップ層801を形成する。このエッチングストップ層は、後に第一グループ素子上のGaAs共振器を除去するために用いる。材質としては、GaInPや、AlGaInPを用いることができる。その上に、吸収層としてAlxGa1-xAs/AlyGa1-yAsによる積層構造による共振器を形成する。この積層構造の最下層は、λ/2の自然数倍の厚さであるAlxGa1-xAsによる1層の層で形成する。具体的にはGaAs層802を、エッチングストップ層801と合わせた光学膜厚がλ/2となるよう形成する。更にその上に、λ/4の自然数倍の厚さであるAlyGa1-yAsによる層と、λ/4の自然数倍の厚さであるAlxGa1-xAsによる複数の層を数ペア積層する。具体的には、それぞれλ/4光学厚さのAl09Ga01Asと、λ/4光学厚さのGaAsを交互に数ペア積層してGaAs共振器181を形成する。ここで、GaAs共振器181中の、Al09Ga01As/GaAsのペア数に関して、この共振器181を通った光の光透過量の変化を図19に示す。図19において縦軸は、上述のGaAs共振器181がないときの透過光量を1としている。図19より、Al09Ga01As/GaAsのペア数が3の時に、規格化透過光量がおよそ3割程度となっている。そこで、本実施例では、Al09Ga01As/GaAsのペア数を3として説明を続ける。図18bの構造を、図16aにおいて、基板全域に形成する。以上の積層体の結晶成長は、例えばMOCVD法によってなされる。次に、図16bに示すよう、GaAs共振器層181をパターニングする。GaAs共振器層181上にフォトレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィーによるパターニングを実施する。この際、第二グループ素子として形成する部分のGaAs共振器層181が残るようパターンを形成する。パターニングされたレジストをマスクとして、GaAs共振器層181をエッチングする。第二グループ素子となる部分以外のGaAs共振器層181は、エッチングストップ層801を用いてウェットエッチングにより除去する。次に、図16cに示すよう、トレンチ163を形成することで各素子を分離し、被酸化層を高温水蒸気下にて酸化することで、被酸化部105を形成する図16d。最後に、第一グループ素子上部のエッチングストップ層を取り除いて半導体コンタクト層を露出させ、上部電極107、下部電極108を形成し、第一グループ素子112、第二グループ素子122を形成する図16e。以上のように形成された第二グループ素子122は、第一グループ素子112と比較し、光出力が3割程度となる。このように作製された面発光レーザアレイは、上述のように画像形成装置に組み込まれ、素子の特性、潜像形成感度、環境温度情報などにより、第一グループ素子と第二グループ素子が選択され、再現性の良い像が形成される。更に、実施例1と比較し、第一グループ素子と第二グループ素子の高さの差が小さくなるため、作製プロセスがより容易、正確になり、歩留りの改善となる。[実施例3]実施例3として、上記各実施例と異なる形態の画像形成用光源に用いる面発光レーザアレイの構成例について、図12を用いて説明する。なお、実施例1と同様な部分の説明は省略する。図12は、本実施例における画像形成用光源に用いる面発光レーザアレイの一部を示す断面図である。面発光レーザアレイの各素子は、第一のグループに属する素子113または第二のグループに属する素子123のどちらかに属している。第二グループ素子123はその上部に、Au膜141を有しており、第一グループ素子113よりも最高発振光出力が小さくなるよう設計している。本実施例の面発光レーザアレイを作製するためのプロセスを、図17を用いて説明する。まず、図17aに示された層構成を形成する。基板100から上部多層膜反射鏡106を形成するまでの過程は、実施例1と同様である。上部多層膜反射鏡106の最上部は、後述する上部電極107とのコンタクトのため、半導体コンタクト層とする。本実施例では、半導体コンタクト層をGaAs層とする。半導体コンタクト層は例えば20nmのGaAs層である。以上の積層体の結晶成長は、例えばMOCVD法によってなされる。次に、図17bに示すように、トレンチ163を形成することで各素子を分離し、被酸化層を高温水蒸気下にて酸化することで、被酸化部105を形成する図17c。次に、図17dに示すように、第二グループ素子の上部多層膜反射鏡106上全面に、電極材料としてAu膜141を20nmの厚さ成膜する。ここで、上部多層膜反射鏡106の最上層である半導体コンタクト層へのAuの拡散や密着が、素子駆動中に問題となる場合には、上部多層膜反射鏡106とAu膜141との間にTiまたはPtまたはTi/Ptを薄く蒸着する。これにより、拡散を防ぐ、密着状態を向上させることができる。また、半導体コンタクト層の酸化等による経時変化防止のため、素子全体にパッシベ-ション膜としてSiN等の誘電体を形成する場合は、この膜の上にAu膜を20nm形成してもよい。ここで、パッシベ-ション膜の厚さにより反射率が変化する。パッシベ-ション膜の厚さを、λ/4の奇数倍の厚さとした時が反射率最大、λ/4の偶数倍とした時が反射率最低となる。パッシベ-ション膜厚さpを下記の厚さ程度とすることで、その上にAu膜を形成した第二グループ素子と、第一グループ素子とをほぼ同じ閾値とすることができる。p=λ/2×N±λ/9但し、Nは自然数である。ここで、第二グループ素子の閾値は、第一グループ素子の閾値以下である必要があるため、パッシベ-ション膜厚さpは、λ/4×M-5/36×λ<p<λ/4×M5/36×λであればよい。ここで、Mは正の奇数である。本実施例では、パッシベ-ション膜の厚さを3λ/4とし、その上に、Au膜を20nm形成する。最後に、全ての素子に対して上部電極107、下部電極108を形成し、第一グループ素子113、第二グループ素子123を形成する図17e。以上のように形成された第二グループ素子123は、第一グループ素子113と比較し、光出力が3割程度となる。このように作製された面発光レーザアレイは、上述のように画像形成装置に組み込まれ、素子の特性、潜像形成感度、環境温度情報などにより、第一グループ素子と第二グループ素子が選択され、再現性の良い像が形成される。更に、実施例1、実施例2と比較し、第一グループ素子と第二グループ素子の高さの差は20nm程度しかなく、更にプロセスの終盤にその差ができるため、作製プロセスがより容易、正確になり、歩留りの改善となる。