"互いに絶縁された3つだけの電極を支持するコレクタCOL,Pであって、前記電極が前記コレクタに対してバイアスされたコレクタを備える高エネルギー二次電子検出器であって、前記電極は、跳ね返されるべき第1の所定の符号の電荷を跳ね返すための第1の反発電極G1,A1,T1であって、この負バイアス電極が、電子を通すための少なくとも1つの開口を備える第1の反発電極G1,A1,T1と、跳ね返されるべき反対符号の電荷を跳ね返すための第2の反発電極G2,A2,T2であって、この正バイアス電極が、電子を通すための少なくとも1つの開口を備える第2の反発電極G2,A2,T2と、選択電極G3,A3,T3であって、電子を通すための少なくとも1つの開口をやはり備える選択電極G3,A3,T3と、を含み、前記電極の前記開口が、導電円筒体Dに沿って位置が合い、前記選択電極G3,A3,T3が負バイアスされたことを特徴とする高エネルギー二次電子検出器。前記コレクタCOLが、カップの形であることを特徴とする請求項1に記載の検出器。前記電極G1-A1-T1、G2-A2-T2、G3-A3-T3が、アルミニウムで作成されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の検出器。2つの連続した電極G1-G2,G2-G3の間隔が、6mm~10mmの範囲であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の検出器。前記電極G1-A1-T1,G2-A2-T2,G3-A3-T3の前記開口が、15mm2~30mm2の範囲の面積であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の検出器。前記電極が、格子G1,G2,G3によって構成されたことを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の検出器。前記格子G1,G2,G3の透過率が、50より高いことを特徴とする請求項6に記載の検出器。2つの連続した格子間の距離がhで定義され、前記格子内のオリフィスの直径がDで定義されるとき、h/Dで定義される比率が1より大きいことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の検出器。前記電極が、リングA1-T1,A2-T2,A3-T3によって構成されたことを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の検出器。2つの連続したリング間の距離がhと定義され、前記導電円筒体の直径がDと定義されるとき、h/Dと定義される比率が1より大きいことを特徴とする請求項9に記載の検出器。検出器によって二次電子を検出する方法であって、前記検出器が、必要な電荷を収集し、互いに絶縁された3つだけの電極を支持するコレクタCOLと、跳ね返されるべき所定の符号の電荷を跳ね返すための第1の電極G1,A1,T1と、跳ね返されるべき反対符号の電荷を跳ね返すための第2の電極G2,A2,T2と、選択電極G3,A3,T3と、を有し、前記方法において、前記コレクタCDLが基準とされ、前記第1の電極G1,A1,T1に絶対値120ボルト未満の負の第1の直流電圧を印加し、前記第2の電極G2,A2,T2に正の第2の直流電圧を印加し、印加される負の第3の直流電圧を前記選択電極G3,A3,T3に印加する、ことを特徴とする方法。前記第2の電圧が、120ボルト未満の絶対値を有することを特徴とする請求項11に記載の方法。前記第3の電圧が、60ボルト未満の絶対値を有することを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の方法。したがって、本発明の目的は、有効でかつ実現が機械的に単純な高エネルギー二次電子検出器を提供することである。本発明の高エネルギー二次電子検出器は、高エネルギー二次電子が、互いに絶縁された3つだけの電極を支持するコレクタCOL,Pであって、前記電極が前記コレクタに対してバイアスされたコレクタを備える高エネルギー二次電子検出器であって、前記電極は、跳ね返されるべき第1の所定の符号の電荷を跳ね返すための第1の反発電極G1,A1,T1であって、この負バイアス電極が、電子を通すための少なくとも1つの開口を備える第1の反発電極G1,A1,T1と、跳ね返されるべき反対符号の電荷を跳ね返すための第2の反発電極G2,A2,T2であって、この正バイアス電極が、電子を通すための少なくとも1つの開口を備える第2の反発電極G2,A2,T2と、選択電極G3,A3,T3であって、電子を通すための少なくとも1つの開口をやはり備える選択電極G3,A3,T3と、を含み、前記電極の前記開口が、導電円筒体Dに沿って位置が合い、前記選択電極G3,A3,T3が負バイアスされたものである。また、前記コレクタは、カップの形である。本発明の付加的な特徴によれば、前記電極は、アルミニウムで作成される。2つの連続した電極の間隔は、6ミリメートルmm~10mmの範囲にあることが好ましい。理想的には、前記電極の開口は、15平方ミリメートルmm2~30mm2の範囲の面積である。第1の実施形態では、前記電極は、格子によって構成される。前記格子の透過率は、50より大きいと有利である。また、2つの連続した格子間の距離がhと定義され、前記格子内のオリフィスの直径がDと定義されるときに、h/Dと定義された比率は、1より大きいことが望ましい。しかしながら、電極が格子であるという事実は、幾つかの制限をもたらす。第1に、格子の透過率は必然的に限定され、それにより検出器の感度が制限される。第2に、格子が摩耗しそのオリフィスが大きくなる。その結果、摩耗が進むほど電子収集面積が増えるので、電流測定値がずれる。また、摩耗は、汚染物質を筐体内に放出する。したがって、格子を定期的に交換することが適切であり、残念ながら、格子は比較的高価な構成要素である。したがって、第2の実施形態では、電極は、リングによって構成される。前述のように、また好ましくは、2つの連続したリング間の距離がhと定義され、前記導電円筒体の直径がDと定義されるとき、h/Dと定義された比率は1より大きい。本発明は、また、必要な電荷を収集し、互いに絶縁された3つだけの電極を支持するコレクタと、跳ね返されるべき所定の符号の電荷を跳ね返す第1の電極と、跳ね返されるべき反対符号の電荷を跳ね返す第2の電極と、選択電極とを有する検出器によって二次電子を検出する方法であって、コレクタを基準として、第1の電極に絶対値120ボルト未満の負の第1の直流電圧を印加し、第2の電極に正の第2の直流電圧を印加し、印加される負の第3の直流電圧を前記選択電極に印加する段階を含む方法である。例えば、第2の電圧は、120ボルト未満の絶対値を有する。同様に、第3の電圧は、60ボルト未満の絶対値を有する。本発明は、例示として示された実施形態の以下の説明の文脈で、また添付図面を参照して、以下に詳細に示される。複数の図にある要素には、それぞれに同じ参照符号が与えられる。図1を参照すると、第1の実施形態では、検出器は、カップ又はベルの形のコレクタCOLを含む。コレクタCOLは、二次電子電流を測定する電流計AMPを介してグランドに接続される。コレクタCOLには、第1の絶縁体D1が載せられ、第1の絶縁体D1自体には、第1の導電性格子G1が載せられる。第1の格子G1には、第2の絶縁体D2が載せられ、第2の絶縁体D2自体には、第2の導電性格子G2が載せられる。第2の格子G2には、第3の絶縁体D3が載せられ、第3の絶縁体D3自体には、第3の導電性格子G3が載せられる。格子G1-G2とG2-G3の間隔は、6mm~10mmの範囲であることが好ましい。典型的には8mmである。透過率は、格子の全面積に対する格子の開口の面積の比率として定義されることを想起されたい。この例では、格子の透過率は、きわめて高くなければならず、50より大きいことが好ましい。これらの開口は、また、コレクタに到達してしまう荷電化学種を捕捉しないように、比較的大きい面積でなければならない。有利には、この面積は、15mm2~30mm2の範囲である。例えば、円形開口は、約5mmの直径である。検出器は、コレクタCOL上の高エネルギー二次電子を回収する機能と、高エネルギー電子の衝突の結果として低エネルギー二次電子が生じたときのコレクタ上の低エネルギー二次電子を回収する機能と、低エネルギー電子とプラズマのイオンを跳ね返す機能とを果たさなければならない。また、バイアス電圧が格子G1、G2及びG3に印加される結果として検出器内にプラズマやアークが発生するのを防ぐことが適切である。このため、パッシェンの法則が参照されることがある。検出器は、プラズマを汚染することになる化学種を加えてはならない。マイクロエレクトロニクスの分野の用途には、導体にアルミニウムを選択し、絶縁体にアルミナを選択することが有利である。また、イオン注入装置内で生成されたプラズマを妨げないようにすることが重要である。第1の格子G1は、第1のケーブルL1によって、コレクタCOLに対して120ボルト未満、典型的には100ボルトの負電圧にバイアスされる。第2の格子G2は、第2のケーブルL2によって、コレクタCOLに対して120ボルト未満、典型的には100ボルトの正電圧にバイアスされる。第3の格子G3は、第3のケーブルL3によって、コレクタCOLに対して60ボルト未満、典型的には50ボルトの負電圧にバイアスされる。この第1の実施形態では、検出器は、複数の開口を有し、これらの開口はそれぞれ、格子を介して位置が合った3個のオリフィスに対応する。したがって、これらの開口はそれぞれ、直径Dの電導円筒体と位置が合う。これらの開口の直径をD、2つの格子間の距離をhと定義すると、h/Dと定義された比率は、約1.5の大きさを有し、いかなる場合も1より大きいことが好ましい。第2の実施形態では、検出器には、複数の開口がなくなっているが、単一開口を有する管状構造がある。図2のaを参照すると、第1の変形では、コレクタPは、トレイの形である。コレクタには、第1の絶縁リングI1が載せられ、第1の絶縁リングI1自体には、第1の導電性リングA1が載せられる。これらの2つのリングの内径は、Dである。第1の絶縁リングI1の厚さは、実質的に、第1の導電性リングA1の厚さより大きく、これらの2つの厚さの和はhである。第1の導電性リングA1には、第2の絶縁リングI2が載せられ、第2の絶縁リングI2自体には、第2の導電性リングA2が載せられる。これらの第2のリングI2及びA2は、第1のリングI1及びA1と同じ形状を有する。第2の導電性リングA2は、第3の絶縁リングI3が載せられ、第3の絶縁リングI3自体は、第3の導電性リングA3が載せられる。同様に、これらの第3のリングI3及びA3は、第1のリングI1及びA1と同じ形のものである。同様に、コレクタPは、電流計AMPを介してグランドに接続される。形状は、第1の実施形態の開口の形状と同じである。したがって、比率h/Dは、1より大きいことが好ましい。第1、第2、及び第3の導電性リングA1、A2及びA3はそれぞれ、第1の実施形態の第1、第2及び第3の格子G1、G2及びG3と同じようにバイアスされる。図2のbを参照すると、第2の変形では、コレクタPは、同様にトレイの形である。コレクタには、第1の絶縁リングS1が載せられ、第1の絶縁リングS1自体には、第1の導電性リングT1が載せられる。これらの2つのリングの内径もDである。これと対照的に、第1の絶縁リングS1の厚さは、第1の導電性リングT1の厚さよりかなり小さく、これらの2つの厚さの和もhである。第1の導電性リングT1には、第2の絶縁リングS2が載せられ、第2の絶縁リングS2自体には第2の導電性リングT2が載せられる。これらの第2のリングS2,T2は、第1のリングS1,T1と同じ形状を有する。同様に、第2の導電性リングT2には、第3の絶縁リングS3が載せられ、第3の絶縁リングS3自体には、第3の導電性リングT3が載せられる。同様に、これらの第3のリングS3,T3は、第1のリングS1,T1と同じ形状のものである。また、形状は、第1の実施形態の開口を複製する。したがって、h/Dの比率は、1より大きいことが好ましい。この第2の変形では、リングは、第1の変形のリングと類似しているが、絶縁要素と導体要素の厚さが置き換えられている。本発明の前述の実施形態は、その具体的な性質のために選択されたものである。しかしながら、本発明が対象とする全ての実施形態を網羅的に列挙することはできない。詳細には、述べた手段はいずれも、本発明の範囲を越えない範囲で等価手段によって置き換えることができる。"