同一の半導体チップ内に、撮像動作を行ことで撮像データを出力する撮像部と、ダイオード電流に応じてダイオード電圧を出力する温度センサがあり、前記撮像部と回路の一部を共有し、前記温度センサから出力されたダイオード電圧に基づいて温度データを出力する出力回路を備えることを特徴とする固体撮像装置。前記撮像チップ内において、温度データ専用の出力回路を備えていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記撮像部は、センサクロックに基づいて前記撮像データの出力タイミングを制御するセンサ用タイミングジェネレータを備え、前記温度測定用出力回路は、システムクロックに基づいて前記温度データの出力タイミングを制御する温度測定回路用タイミングジェネレータとを備えることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記撮像部は、キャリブレーション用コードをアナログ化するD/A変換回路を備え、前記温度測定用出力回路は、逐次比較型A/D変換処理にて前記温度データをデジタル化する際に、D/A変換回路を前記撮像部と共有することを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。前記温度測定用逐次比較型A/D変換回路は、前記温度センサから出力されたダイオード電圧と前記D/A変換回路からの出力を比較するコンパレータと、前記コンパレータからの出力を保持する逐次比較レジスタと、前記キャリブレーション用コードと前記逐次比較レジスタに保持された値とを切り替えて前記D/A変換回路に出力する第1のセレクタと、前記D/A変換回路からの出力を前記コンパレータまたは前記撮像部に切り替えて出力する第2のセレクタとを備え、前記第1のセレクタにて前記キャリブレーション用コードが選択される時は前記第2のセレクタにて前記撮像部が選択され、前記第1のセレクタにて前記逐次比較レジスタに保持された値が選択される時は前記第2のセレクタにて前記コンパレータが選択されることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。前記撮像部は、キャリブレーション用コードをアナログ化するD/A変換回路と、基準電圧と前記キャリブレーション電圧との比較結果に基づいて前記キャリブレーション電圧をデジタル化する補正用カラムADCを備え、前記出力回路は、逐次比較型A/D変換処理にて前記温度データをデジタル化する際に、前記D/A変換回路および前記基準電圧と前記キャリブレーション電圧とを比較するコンパレータとを前記撮像部と共有することを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。前記撮像部は、キャリブレーション用コードをアナログ化するD/A変換回路を備え、前記温度測定用回路は、逐次比較型A/D変換処理にて前記温度データをデジタル化する際に、D/A変換回路とコンパレータを前記撮像部と共有することを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。前記温度測定用逐次比較型A/D変換回路は、前記コンパレータからの出力を保持する逐次比較レジスタと、前記キャリブレーション用コードと前記逐次比較レジスタに保持された値とを切り替えて前記D/A変換回路に出力する第1のセレクタと、前記基準電圧と前記ダイオード電圧を切り替えて前記コンパレータに出力する第2のセレクタとを備え、前記第1のセレクタにて前記キャリブレーション用コードが選択される時は前記第2のセレクタにて前記基準電圧が選択され、前記第1のセレクタにて前記逐次比較レジスタに保持された値が選択される時は前記第2のセレクタにて前記ダイオード電圧が選択されることを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置。前記撮像部は、基準電圧とキャリブレーション電圧との比較結果に基づいて前記キャリブレーション電圧をデジタル化する補正用カラムADCを備え、積分型A/D変換処理にて前記温度データをデジタル化する際に、前記補正用カラムADCを前記撮像部と共有することを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。前記撮像部は、前記キャリブレーション電圧と前記ダイオード電圧を切り替えて前記補正用カラムADCに出力するセレクタを備えることを特徴とする請求項9に記載の固体撮像装置。前記撮像部は、キャリブレーション用コードをアナログ化するD/A変換回路と、前記キャリブレーション用コードと基準電圧用コードとを切り替えて前記D/A変換回路に出力する第1のセレクタと、前記基準電圧と前記D/A変換回路の出力とを切り替えて前記補正用カラムADCに出力する第2のセレクタを備え、前記第1のセレクタにて前記キャリブレーション用コードが選択される時は前記第2のセレクタにて前記基準電圧が選択され、前記第1のセレクタにて前記基準電圧用コードが選択される時は前記第2のセレクタにて前記D/A変換回路の出力が選択されることを特徴とする請求項8に記載の固体撮像装置。前記温度データは1フレーム期間内に最低1回は出力されることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の固体撮像装置。本発明の一つの実施形態の目的は、温度センサの出力回路の回路規模を低減しつつ、温度センサを搭載可能な固体撮像装置を提供することである。実施形態の固体撮像装置によれば、撮像部と、温度センサと、出力回路とが設けられている。撮像部は、撮像動作を行ことで撮像データを出力する。温度センサは、ダイオード電流に応じてダイオード電圧を出力する。出力回路は、前記撮像部と回路の一部を共有し、前記温度センサから出力されたダイオード電圧に基づいて温度データを出力する。以下、実施形態に係る固体撮像装置について図面を参照しながら説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る固体撮像装置が適用される画像処理部の概略構成を示すブロック図である。図1において、イメージセンサ62の前段にはレンズ光学系61が設けられ、イメージセンサ62の後段には画像処理部64が設けられている。イメージセンサ62には、ダイオード電流に応じたダイオード電圧を出力する温度センサ63が搭載されている。画像処理部64には、温度データStに基づいて画素データSgの補正処理を行う補正処理部65が設けられている。なお、イメージセンサ62としては、図2、図13、図15または図20の固体撮像装置を用いることができる。ここで、レンズ光学系61及びイメージセンサ62及び補正処理部65はすべて同一チップ内に回路がある場合もあれば、レンズ光学系61及びイメージセンサ62で撮像チップ、補正処理部65で別半導体チップの場合もある。本特許は、撮像チップ中に温度測定用機能を搭載している事を特徴としている。そして、レンズ光学系61を介してイメージセンサ62に光が入射すると、その光量に応じた画素データSgが生成されるともに、温度センサ63から出力されたダイオード電圧に基づいて温度データStが算出され、画像処理部64に送られる。補正処理部65において、温度計データStに基づいて画素データSgの補正処理が行われるとともに、補正処理が行われた画素データSgの画像処理が行われる。なお、画素データSgの補正処理では、例えば、温度変動に起因して発生するレンズ光学系51の屈折率変動や寸法変動に伴う画素データSgの歪を解消したり、フォトダイオードPDの暗電流に起因する固定パターンノイズや白点を解消したりすることができる。また、画素データSgの画像処理としては、例えば、シェーディング補正、色分離補間処理、マスキング処理、γ補正処理、色空間変換処理、ブライトネス調整、コントラスト調整、色彩調整および彩度調整などを挙げることができる。図2は、第1実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロックである。図2において、この固体撮像装置には、撮像動作を行ことで撮像データSgを出力する撮像部IM1と、ダイオード電流に応じてダイオード電圧Vtを出力する温度センサ8と、ダイオード電圧Vtに基づいて温度データStを出力する出力回路TC1とが設けられている。ここで、出力回路TC1は、撮像部IM1と回路の一部を共有している。具体的には、撮像部IM1には、光電変換した電荷を蓄積する画素PCがロウ方向およびカラム方向にマトリックス状に配置された画素アレイ部1、読み出し対象となる画素PCを垂直方向に走査する垂直レジスタ2、ダイオード電流に応じてダイオード電圧Vtを出力する温度センサ8、温度センサ8およびD/A変換回路14の基準となる参照電圧を発生させる参照電圧発生部7、画素PCからリセット期間に読み出された画素電圧Vsと信号読み出し期間に読み出された画素電圧Vsとの差分に基づいてデジタル化された画素データSgを出力する画像用カラムADC3-1、キャリブレーション電圧Vkに基づいてデジタル化されたキャリブレーションデータSkを出力する補正用カラムADC3-2、読み出し対象となる画素PCを水平方向に走査する水平レジスタ4、センサクロックPKに基づいて画素データSgおよびキャリブレーションデータSkの出力タイミングを制御するセンサ用タイミングジェネレータ5-1、画像用カラムADC3-1および補正用カラムADC3-2に基準電圧VFを出力する基準電圧発生部6、画像用カラムADC3-1および補正用カラムADC3-2を駆動するドライバ9、画像用カラムADC3-1および補正用カラムADC3-2から出力された信号を検知するセンスアンプ10、画素PCから読み出された信号に垂直信号線Vlinの電位を追従させる負荷回路11、キャリブレーション用コードを保持するキャリブレーションレジスタ12およびキャリブレーション用コードをアナログ化するD/A変換回路14が設けられている。ここで、画素アレイ部1において、ロウ方向には画素PCの読み出し制御を行う水平制御線Hlinが設けられ、カラム方向には画素PCから読み出された信号を伝送する垂直信号線Vlinが設けられている。基準電圧発生部6から出力される基準電圧VFとしてはランプ波を用いることができる。参照電圧発生部7としてはバンドギャップリファレンス回路を用いることができる。出力回路TC1には、温度センサ8から出力されたダイオード電圧VtとD/A変換回路14からの出力を比較するコンパレータCP1、コンパレータCP1からの出力を保持する逐次比較レジスタ17、逐次比較レジスタ17の出力を反転し、温度データStとして出力するインバータ18、システムクロックEKに基づいて温度データStの出力タイミングを制御する温度測定回路用タイミングジェネレータ5-2、キャリブレーション用コードと逐次比較レジスタ17に保持された値とを切り替えてD/A変換回路14に出力するセレクタ13およびD/A変換回路14からの出力をコンパレータCP1または補正用カラムADC3-2に切り替えて出力するセレクタ15が設けられている。なお、セレクタ13、15には、切替信号TENが入力される。そして、セレクタ13にてキャリブレーション用コードが選択される時はセレクタ15にて補正用カラムADC3-2が選択される。一方、セレクタ13にて逐次比較レジスタ17に保持された値が選択される時はセレクタ15にてコンパレータCP1が選択される。ここで、参照電圧発生部7、D/A変換回路14およびセレクタ13、15は、撮像部IM1と出力回路TC1との間で共有されている。また、撮像部IM1と、温度センサ8と、出力回路TC1とは同一の半導体チップに搭載することができる。また、撮像部IM1のパワーダウン時にはセンサクロックPKは停止し、システムクロックEKは動作する。そして、垂直レジスタ2にて画素PCが垂直方向に走査されることで、ロウ方向の画素PCが選択され、その画素PCから読み出された画素電圧Vsは垂直信号線Vlinを介して画像用カラムADC3-1に伝送される。ここで、負荷回路11では、画素PCから信号が読み出される時にその画素PCとの間でソースフォロアが構成されることで、垂直信号線Vlinの電位が画素PCから読み出された画素電圧Vsに追従される。そして、画像用カラムADC3-1において、各画素PCからリセット期間に読み出された画素電圧Vsと信号読み出し期間に読み出された画素電圧Vsがサンプリングされ、これらの画素電圧Vsの差分がとられることで各画素PCの信号成分がCDSにてデジタル化され、センスアンプ10を介して画素データSgとして出力される。また、キャリブレーションレジスタ12には、センサ用タイミングジェネレータ5-1を介してキャリブレーション用コードが格納される。そして、セレクタ13にてキャリブレーション用コードが選択されるとともに、セレクタ15にて補正用カラムADC3-2が選択された場合、キャリブレーション用コードがD/A変換回路14にてアナログ化されることで、キャリブレーション電圧Vtに変換され補正用カラムADC3-2に出力される。そして、補正用カラムADC3-2において、キャリブレーション電圧Vtと基準電圧VFとの比較結果に基づいてキャリブレーション電圧Vtがデジタル化され、センスアンプ10を介してキャリブレーションデータSkとして出力される。また、セレクタ13にて逐次比較レジスタ17に保持された値が選択されるとともに、セレクタ15にてコンパレータCP1が選択された場合、逐次比較レジスタ17に保持された値がD/A変換回路14にてアナログ化され、コンパレータCP1に入力される。そして、コンパレータCP1において、システムクロックEKに従ってD/A変換回路14の出力とダイオード電圧Vtとが順次比較され、その比較結果が逐次比較レジスタ17に順次保持されることで、ダイオード電圧Vtがデジタル化され、インバータ18を介して温度データStとして出力される。なお、温度データStは1フレーム期間内に最低1回は出力させることができる。また、温度データStの出力端子は、キャリブレーションデータSkおよび画素データSgの出力端子と別個に設けることができる。ここで、参照電圧発生部7、D/A変換回路14およびセレクタ13、15を撮像部IM1と出力回路TC1との間で共有させることにより、出力回路TC1の回路規模を低減しつつ、温度センサ8を固体撮像装置に搭載することが可能となる。また、システムクロックEKに従って出力回路TC1を動作させることにより、撮像部IM1のパワーダウン時にセンサクロックPKが停止した場合においても、温度データStを出力させることができる。図3は、図2の画素PCの構成例を示す回路図である。図3において、画素PCには、フォトダイオードPD、行選択トランジスタTa、増幅トランジスタTb、リセットトランジスタTcおよび読み出しトランジスタTdがそれぞれ設けられている。また、増幅トランジスタTbとリセットトランジスタTcと読み出しトランジスタTdとの接続点には検出ノードとしてフローティングディフュージョンFDが形成されている。そして、画素PCにおいて、読み出しトランジスタTdのソースは、フォトダイオードPDに接続され、読み出しトランジスタTdのゲートには、読み出し信号READが入力される。また、リセットトランジスタTcのソースは、読み出しトランジスタTdのドレインに接続され、リセットトランジスタTcのゲートには、リセット信号RESETが入力され、リセットトランジスタTcのドレインは、電源電位VDDに接続されている。また、行選択トランジスタTaのゲートには、行選択信号ADRESが入力され、行選択トランジスタTaのドレインは、電源電位VDDに接続されている。また、増幅トランジスタTbのソースは、垂直信号線Vlinに接続され、増幅トランジスタTbのゲートは、読み出しトランジスタTdのドレインに接続され、増幅トランジスタTbのドレインは、行選択トランジスタTaのソースに接続されている。なお、図1の水平制御線Hlinは、読み出し信号READ、リセット信号RESETおよび行選択信号ADRESをロウごとに画素PCに伝送することができる。図4は、図2の温度センサ8の構成例を示す回路図である。図4において、温度センサ8にはダイオードDおよび電流源Gが設けられ、電流源GはダイオードDに直列に接続されている。ダイオードDとしては、例えば、コレクタとベースが共通に接続されたバイポーラトランジスタを用いることができる。そして、電流源Gはダイオード電流IをダイオードDに出力し、ダイオードDはダイオード電流Iに応じたダイオード電圧Vtを出力することができる。ここで、ダイオードDを温度センサ8として使用する場合、ダイオードDの電流電圧特性からダイオード電流I1に対してのダイオード電圧Vtを測定する。そして、ダイオード電圧Vtが温度に比例すると仮定し、ダイオード電圧Vtから温度を読み取ることができる。この時、ダイオード電流I1は以下の1式で与えることができる。I1=IsexpqVt/kBT1ただし、Isは逆方向電流、Tは温度単位=ケルビン、kBはボルツマン定数=8.6210-5eV/K、qは電荷量=1.60210-19クーロンである。1式を展開すると、以下の2式が得られる。Vt=kBT/qlnI1/Is2仮にT=300K27°Cとした場合は、kBT/q=0.0259Vの定数となる。つまり、kB、qおよびIsが定数であれば、2式のVtとI1の関係である電流電圧特性から温度Tを求めることができる。図5は、図2の画像用カラムADC3-1の構成例を示す回路図である。図5において、画像用カラムADC3-1には、コンデンサC1、コンパレータPA、スイッチトランジスタTcp、インバータV、アップダウンカウンタUDがカラムごとに設けられている。アップダウンカウンタUDには論理積回路N1が設けられている。そして、コンパレータPAの反転入力端子にはコンデンサC1を介して垂直信号線Vlinが接続され、コンパレータPAの非反転入力端子には基準電圧VFが入力される。コンパレータPAの反転入力端子と出力端子との間にはスイッチトランジスタTcpが接続されている。コンパレータPAの出力端子はインバータVを介して論理積回路N1の一方の入力端子に接続され、論理積回路N1の他方の入力端子にはセンサクロックPKが入力される。そして、行選択信号ADRESがロウレベルの場合、行選択トランジスタTaがオフ状態となりソースフォロワ動作しないため、垂直信号線Vlinに信号は出力されない。この時、読み出し信号READとリセット信号RESETがハイレベルになると、読み出しトランジスタTdがオンし、フォトダイオードPDに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョンFDに排出される。そして、リセットトランジスタTcを介して電源VDDに排出される。フォトダイオードPDに蓄積されていた電荷が電源VDDに排出された後、読み出し信号READがロウレベルになると、フォトダイオードPDでは、有効な信号電荷の蓄積が開始される。次に、行選択信号ADRESがハイレベルになると、画素PCの行選択トランジスタTaがオンし、増幅トランジスタTbのドレインに電源電位VDDが印加されることで、増幅トランジスタTbと負荷トランジスタTLとでソースフォロアが構成される。次に、リセット信号RESETが立ち上がると、リセットトランジスタTcがオンし、フローティングディフュージョンFDにリーク電流などで発生した余分な電荷がリセットされる。そして、フローティングディフュージョンFDのリセットレベルに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかる。そして、リセットレベルに応じた画素電圧Vsが垂直信号線Vlinに出力されている時に、リセットパルスPcpがスイッチトランジスタTcpのゲートに印加されると、コンパレータPAの反転入力端子の入力電圧が出力電圧でクランプされ、動作点が設定される。この時、垂直信号線Vlinからの画素電圧Vsとの差分は、コンデンサC1に保持され、コンパレータPAの入力電圧がゼロ設定される。スイッチトランジスタTcpがオフした後、リセットレベルの画素電圧VsがコンデンサC1を介してコンパレータPAに入力された状態で、基準電圧VFとしてランプ波Vf1が与えられ、リセットレベルの画素電圧Vsとランプ波Vf1とが比較される。そして、コンパレータPAの出力電圧はインバータVにて反転された後、出力電圧Vcompとして論理積回路N1の一方の入力端子に入力される。また、論理積回路N1の他方の入力端子にはセンサクロックPKが入力される。そして、リセットレベルの画素電圧Vsがランプ波Vf1のレベルより小さい場合は、出力電圧Vcompがハイレベルとなる。このため、センサクロックPKが論理積回路N1を通過し、通過後のセンサクロックPKiがアップダウンカウンタUDにてダウンカウントされる。そして、リセットレベルの画素電圧Vsがランプ波Vf1のレベルと一致すると、コンパレータPAの出力電圧が立ち下がり、出力電圧Vcompがロウレベルとなる。このため、センサクロックPKが論理積回路N1にて遮断され、アップダウンカウンタUD1にてダウンカウントが停止されることで、リセットレベルの画素電圧Vsがデジタル化される。次に、読み出し信号READが立ち上がると、読み出しトランジスタTdがオンし、フォトダイオードPDに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョンFDに転送され、フローティングディフュージョンFDの信号レベルに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかる。そして、信号レベルの画素電圧VsがコンデンサC1を介してコンパレータPAに入力された状態で、基準電圧VFとしてランプ波Vf2が与えられ、信号レベルの画素電圧Vsとランプ波Vf2とが比較される。そして、コンパレータPAの出力電圧はインバータVにて反転された後、出力電圧Vcompとして論理積回路N1の一方の入力端子に入力される。そして、信号レベルの画素電圧Vsがランプ波Vf2のレベルより小さい場合は、出力電圧Vcompがハイレベルとなる。このため、センサクロックPKが論理積回路N1を通過し、通過後のセンサクロックPKiがアップダウンカウンタUDにて今度はアップカウントされる。そして、信号レベルの画素電圧Vsがランプ波Vf2のレベルと一致すると、コンパレータPAの出力電圧が立ち下がり、出力電圧Vcompがロウレベルとなる。このため、センサクロックPKが論理積回路N1にて遮断され、アップダウンカウンタUDにてアップカウントが停止されることで、信号レベルの画素電圧Vsとリセットレベルの画素電圧Vsとの差分がデジタル化される。なお、補正用カラムADC3-2についても図4の画像用カラムADC3-1と同様に構成することができる。図6は、図2の固体撮像装置の温度測定動作を示すタイミングチャートである。図6において、パワーダウン信号SLPがハイレベルの時は、センサクロックPKが動作され、撮像動作が行われる。この場合、垂直ブランキング期間中に切替信号TENがハイレベルになり、セレクタ13にて逐次比較レジスタ17に保持された値が選択されるとともに、セレクタ15にてコンパレータCP1が選択され、最小変換クロックサイクルごとに温度データStが出力される。一方、パワーダウン信号SLPがハイレベルの場合に垂直ブランキング期間BH以外では、切替信号TENがロウレベルになり、セレクタ13にてキャリブレーション用コードが選択されるとともに、セレクタ15にて補正用カラムADC3-2が選択され、キャリブレーションデータSkが出力されるとともに、画像用カラムADC3-1を介して各フレームごとに画素データSgが出力される。一方、パワーダウン信号SLPがロウレベルの時は、センサクロックPKが停止され、撮像動作が停止される。この場合、切替信号TENがハイレベルになり、セレクタ13にて逐次比較レジスタ17に保持された値が選択されるとともに、セレクタ15にてコンパレータCP1が選択され、システムクロックEKに従って出力回路TC1が動作されることにより、温度データStが出力される。図7は、図2の出力回路TC1の詳細な構成例を示すブロック図である。図7において、コンパレータCP1の入力端子と出力端子の間にはスイッチW4~W6が挿入され、コンパレータCP1の後段にはラッチ回路LH1が接続されている。補正用カラムADC3-2にはコンパレータCP2およびラッチ回路LH2が設けられている。そして、コンパレータCP2の入力端子と出力端子の間にはスイッチW1~W3が挿入され、コンパレータCP2の後段にはラッチ回路LH2が接続されている。そして、スイッチW1~W3が1水平期間ごとにオンされることでコンパレータCP2の動作点が設定され、スイッチW1~W3がオフされることにより、キャリブレーション電圧Vkと基準電圧VFとがコンパレータCP2にて比較され、その比較結果がラッチ回路LH2にラッチされる。また、スイッチW4~W6が温度計測ごとにオンされることでコンパレータCP1の動作点が設定され、スイッチW4~W6がオフされることにより、D/A変換回路14の出力とダイオード電圧VtとがコンパレータCP1にて比較され、その比較結果がラッチ回路LH1にラッチされる。図8は、図2の固体撮像装置における温度イネーブル信号TENの発生回路を示す図である。図8において、論理和回路N2には、垂直ブランク期間中の1水平期間を指定する信号SBHと、パワーダウン信号SLPの反転信号SLPBが入力される。そして、論理和回路N2の出力を切替信号TENとして用いることにより、図6に示すように、撮像部IM1がパワーダウンされた場合においても、温度データStを出力させることができる。図9Aは、キャリブレーションされるランプ波Vf1、VF2とセンサクロックPKとの関係を示図である。図9Aにおいて、画像用カラムADC3-1では、ランプ波Vf1、Vf2を基準電圧VFとして、リセット期間TRではリセット時の画素電圧Vsと一致するまでセンサクロックPKがダウンカウントされ、信号読み出し期間TSでは信号読み出し時の画素電圧Vsと一致するまでセンサクロックPKがダウンカウントされることにより、画素電圧Vsがデジタル化される。ここで、製造工程での製造ばらつきなどに起因して各チップごとに容量や抵抗がばらつくと、基準電圧発生部6の容量や電流がばらつく。このため、チップごとにランプ波Vf1、Vf2の傾きが異なり、アナログゲインが変わる。この時、図2のD/A変換回路14にキャリブレーション用コードを入力し、D/A変換回路14にてキャリブレーション電圧Vtに変換してから、補正用カラムADC3-2に入力する。そして、補正用カラムADC3-2においてキャリブレーション電圧Vtをデジタル化させることでキャリブレーションデータSkを出力させ、キャリブレーション用コードの値とキャリブレーションデータSkの値の比を補正係数に設定することができる。そして、その補正係数に基づいて基準電圧発生部6の動作パラメータを変化させることにより、チップばらつきを吸収し、チップ間のランプ波Vf1、Vf2の傾きのばらつきを吸収させ、アナログゲインのばらつきを補償することができる。図9Bは、キャリブレーションされるランプ波Vf1、VF2の傾きとセンサクロックPKの周波数との関係を示図である。図9Bにおいて、ランプ波Vf1、Vf2の傾きが一定の場合、センサクロックPKの周波数が変化すると、アナログゲインが変化する。この時、図2のD/A変換回路14にキャリブレーション用コードを入力し、D/A変換回路14にてキャリブレーション電圧Vtに変換してから、補正用カラムADC3-2に入力する。そして、補正用カラムADC3-2においてキャリブレーション電圧Vtをデジタル化させることでキャリブレーションデータSkを出力させ、キャリブレーション用コードの値とキャリブレーションデータSkの値の比を補正係数に設定することができる。そして、その補正係数に基づいて基準電圧発生部6の動作パラメータを変化させることにより、ランプ波Vf1、Vf2の傾きを変化させ、アナログゲインの変化を補償することができる。この基準電圧VFのキャリブレーション動作は、センサクロックPKの周波数が変化した後の最初の1フレームの先頭垂直ブランク期間で行うことができる。図10は、図2の固体撮像装置の撮像動作および温度測定動作を示すタイミングチャートである。図10において、1垂直期間1フレーム期間には有効画素期間が設けられ、有効画素期間の前後には垂直ブランク期間が設けられている。そして、1垂直期間1フレーム期間の前の垂直ブランク期間にキャリブレーション期間中にキャリブレーションデータSkが出力され、1垂直期間1フレーム期間の後の垂直ブランク期間中に温度データStが出力されている。これにより、基準電圧VFのキャリブレーション動作を1フレームの先頭で行うことが可能となるとともに、撮像動作に影響を与えることなく、1フレームごとに温度測定を実行することができる。なお、1回の温度測定は、1垂直ブランク期間の1水平期間に行うようにしてもよいし、1垂直ブランク期間の数水平期間に複数回の温度測定を行うようにしてもよい。図11は、図2の温度センサ8のダイオード電圧Vtと温度との関係を示す図である。図11において、1°Cあたりの電圧変化率はダイオード1段使用時では-2.0mV/°C、ダイオード2段使用時では-4.0mV/°Cとなる。このため、仮にD/A変換回路14の分解能を5mv/LSBとした場合は、ダイオード1段使用時では-2.5°C/LSB、ダイオード2段使用時では-1.25°C/LSBとなる。そして、温度テーブルのデジタルコード値を予め計算しておけば、出力デジタルデータから温度を読み取ることができる。また、温度係数はマイナスの傾きを持つので、出力デジタルデータを最終的に反転させれば、温度に対して出力電圧は正の傾きを持たせることができ、測定を容易化することができる。図12は、図2の温度センサ8のその他の構成例を示す回路図である。図12において、この温度センサ8には、複数のダイオードD1~D6が設けられるとともに、これらのダイオードD1~D6のダイオード電流をそれぞれ設定する複数の電流源G1~G6が設けられている。なお、図11の例では、ダイオードD1~D6および電流源G1~G6が6個ずつ設けられている場合を示した。ここで、各電流源G1~G6から出力される電流はI1に設定し、各ダイオードD1~D6のダイオード電流は互いに等しくすることができる。また、これらのダイオードD1~D6は、自段のダイオード電圧が次段のダイオードに受け継がれるように接続されている。例えば、バイポーラトランジスタにてダイオードD1~D6を構成した場合、各バイポーラトランジスタのエミッタに各電流源G1~G6を接続し、各バイポーラトランジスタのコレクタにグランド電位を接続することができる。各バイポーラトランジスタのベースは次段のバイポーラトランジスタのエミッタに接続することができる。だだし、最終段のバイポーラトランジスタのエミッタにはグランド電位を接続することができる。ここで、ダイオードD1~D6を多段接続することにより、図11に示すように、出力電圧を増大させることができる。第2実施形態図13は、第2実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図13において、この固体撮像装置では、図2の固体撮像装置に複数個の温度センサおよびセレクタ22が追加されている。ここで、各々の温度センサ8は同様に構成することができる。セレクタ22は、切替信号DENに基づいて、各々の温度センサ8のダイオード電圧を切り替えてコンパレータCP1に出力することができる。また、引き回し配線数は増えるが、1行ピッチ内に温度ダイオードを1つずつ配置し、使用温度ダイオードを切り替えても良い。ここで、固体撮像装置に複数の温度センサ8を設けることにより、固体撮像装置で温度のバラツキがある場合においても、温度測定精度を向上させることが可能となる。図14は、図13の固体撮像装置の撮像動作および温度測定動作を示すタイミングチャートである。図14において、DA変換回路を通常撮像動作VREFキャリブレーションで使用するH期間以外のすべての各H期間において温度測定として使用し、かつ、各H期間において使用温度ダイオードを切り替えて、1H毎に温度データStを出力する事ができる。これにより、撮像動作に影響を与えることなく、基準電圧VFのキャリブレーション動作および温度センサ8、21による温度測定動作を1フレームごとに実行することができる。第3実施形態図15は、第3実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図15において、この固体撮像装置では、図1の固体撮像装置の撮像部IM1および出力回路TC1の代わりに撮像部IM2および出力回路TC2が設けられている。撮像部IM2には、図1の補正用カラムADC3-2の代わりに補正用カラムADC3-2 ́が設けられている。補正用カラムADC3-2 ́には、補正用カラムADC3-2にセレクタ25が追加されている。セレクタ25は、基準電圧VFとダイオード電圧Vtとを切り替えてコンパレータCP2に出力する。出力回路TC2からは出力回路TC1のコンパレータCP1およびセレクタ15が除去されている。そして、D/A変換回路14の出力はコンパレータCP2に入力され、コンパレータCP2の出力は逐次比較レジスタ17に接続されている。そして、セレクタ13にてキャリブレーション用コードが選択されるとともに、セレクタ25にて基準電圧VFが選択された場合、キャリブレーション用コードがD/A変換回路14にてアナログ化されることで、キャリブレーション電圧Vtに変換され、コンパレータCP2に出力される。そして、コンパレータCP2において、センサクロックPKに従ってキャリブレーション電圧Vtと基準電圧VFとが比較される。そして、補正用カラムADC3-2 ́において、コンパレータCP2の比較結果に基づいてキャリブレーション電圧Vtがデジタル化され、センスアンプ10を介してキャリブレーションデータSkとして出力される。一方、セレクタ13にて逐次比較レジスタ17に保持された値が選択されるとともに、セレクタ25にてダイオード電圧Vtが選択された場合、逐次比較レジスタ17に保持された値がD/A変換回路14にてアナログ化され、コンパレータCP2に入力される。そして、コンパレータCP2において、システムクロックEKに従ってD/A変換回路14の出力とダイオード電圧Vtとが順次比較され、その比較結果が逐次比較レジスタ17に順次保持されることで、ダイオード電圧Vtがデジタル化され、インバータ18を介して温度データStとして出力される。ここで、参照電圧発生部7、D/A変換回路14、コンパレータCP2およびセレクタ13、25を撮像部IM2と出力回路TC2との間で共有させることにより、出力回路TC2の回路規模を低減しつつ、温度センサ8を固体撮像装置に搭載することが可能となる。図16は、図15の出力回路TC2の詳細な構成例を示すブロック図である。図16において、セレクタ13、25、31、32には切替信号TENが入力される。そして、セレクタ13にてキャリブレーション用コードが選択されるとともに、セレクタ25にて基準電圧VFが選択された場合、セレクタ31にてセンサ用タイミングジェネレータ5-1が選択され、セレクタ32にて補正用カラムADC3-2 ́のカウンタが選択される。そして、キャリブレーション用コードがD/A変換回路14にてアナログ化されることで、キャリブレーション電圧Vtに変換され、コンパレータCP2に出力される。そして、スイッチW1~W3が1水平期間ごとにオンされることでコンパレータCP2の動作点が設定され、スイッチW1~W3がオフされることにより、キャリブレーション電圧Vtと基準電圧VFとがコンパレータCP2にて比較され、ラッチ回路LH2を介して補正用カラムADC3-2 ́のカウンタに出力される。一方、セレクタ13にて逐次比較レジスタ17に保持された値が選択されるとともに、セレクタ25にてダイオード電圧Vtが選択された場合、セレクタ31にて温度測定回路用タイミングジェネレータ5-2が選択され、セレクタ32にて逐次比較レジスタ17が選択される。そして、逐次比較レジスタ17に保持された値がD/A変換回路14にてアナログ化され、コンパレータCP2に入力される。そして、スイッチW1~W3が温度計測ごとにオンされることでコンパレータCP2の動作点が設定され、スイッチW1~W3がオフされることにより、D/A変換回路14の出力とダイオード電圧VtとがコンパレータCP2にて比較され、ラッチ回路LH2を介して逐次比較レジスタ17に出力される。第4実施形態一般的に、図6で示すように、スタンバイ状態となる時刻は決まっていず、ユーザーがカメラをsleep状態にした時刻からスタンバイ状態となる。その為、スタンバイ状態は1フレームの動作途中でスタンバイ状態となりうる事もありうる。その為、例えば、Vblank中の1H期間をイネーブル信号と確保しても、図17に示すように、Vblank中の温度測定の1H期間の途中でスタンバイ状態となる事もあり、その場合はイネーブル期間が最小変換clkサイクル数より短くなり、正確な温度測定が出来ない。そこで、イネーブル信号を温度センサ回路部に入れる前に、図17に示す様にラッチ回路を挿入し、必ず最小変換clkサイクル期間分はイネーブル信号を保持する様に、つまり、どんなに短いイネーブル信号が入ってきても、必ず1回は温度計測ができる様にENパルスを生成した場合を示す。図18は、第4実施形態に係る固体撮像装置に適用される内部イネーブル信号TESの発生回路を示す図である。図18において、NAND回路N4、N5の一方の出力はNAND回路N4、N5の他方の入力に接続されている。NAND回路N4の他方の入力には切替反転信号TENBが入力され、NAND回路N5の他方の入力にはリセット信号RSBが入力される。なお、切替反転信号TENBは切替信号TENを反転させた信号である。NAND回路N4の出力はフリップフロップN6の入力に接続されている。フリップフロップN6のクロック端子にはシステムクロックEKが入力される。温度測定回路部34には内部イネーブル信号TESが入力される。そして、温度測定回路部34は内部イネーブル信号TESがハイレベルの時に温度測定動作を行うことができる。図19は、図18の内部イネーブル信号TESを用いた時の温度測定動作を示すタイミングチャートである。図19において、切替信号TENが立ち上がると、内部イネーブル信号TESが立ち上がる。そして、温度測定回路部34において、内部イネーブル信号TESが立ち上がることで温度測定動作が行われ、温度データStが出力されるとともに、リセット信号RSTが発行され、内部イネーブル信号TESが立ち下がる。これにより、1フレームの動作途中でスタンバイ状態となった場合などにおいて、切替信号TENのハイレベル期間が1回の温度測定動作に必要な最小変換クロック数の入力期間よりも短い場合においても、1回の温度測定動作に必要な期間を確保することができ、温度測定精度を確保することができる。第5実施形態図20は、第5実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図20において、この固体撮像装置には、撮像部IM3および温度センサ8が設けられている。撮像部IM3には、画素アレイ部1、垂直レジスタ2、画像用カラムADC3-1、補正用カラムADC3-2、水平レジスタ4、センサ用タイミングジェネレータ5-1、基準電圧発生部6、ドライバ9、センスアンプ10、負荷回路11、キャリブレーションレジスタ12、D/A変換回路14およびセレクタ41が設けられている。セレクタ41には、切替信号TENが入力される。そして、セレクタ41は、キャリブレーション電圧Vkとダイオード電圧Vtとを切り替えて補正用カラムADC3-2出力する。そして、セレクタ41にてキャリブレーション電圧Vkが選択された場合、キャリブレーション電圧Vkが補正用カラムADC3-2に出力される。そして、補正用カラムADC3-2において、キャリブレーション電圧Vtと基準電圧VFとの比較結果に基づいてキャリブレーション電圧Vtがデジタル化され、センスアンプ10を介してキャリブレーションデータSkとして出力される。一方、セレクタ41にてダイオード電圧Vtが選択された場合、ダイオード電圧Vtが補正用カラムADC3-2に出力される。そして、補正用カラムADC3-2において、ダイオード電圧Vtと基準電圧VFとの比較結果に基づいてダイオード電圧Vtがデジタル化され、センスアンプ10を介して温度データStとして出力される。なお、温度データStは1フレーム期間内に最低1回は出力させることができる。また、温度データStの出力端子は、キャリブレーションデータSkおよび画素データSgの出力端子と共有化することができる。ここで、ダイオード電圧Vtを補正用カラムADC3-2にて温度データStに変換させることにより、温度計測に固有の出力回路を設ける必要がなくなり、回路規模を低減しつつ、温度センサ8を固体撮像装置に搭載することが可能となる。図21は、図20の固体撮像装置の温度測定動作を示すタイミングチャートである。図21において、パワーダウン信号SLPがハイレベルの時は、センサクロックPKが動作され、撮像動作が行われる。この場合、垂直ブランキング期間BHでは、切替信号TENがハイレベルになり、セレクタ41にてダイオード電圧Vtが選択される。このため、ダイオード電圧Vtが補正用カラムADC3-2に出力され、1水平期間ごとに温度データStが出力される。一方、パワーダウン信号SLPがロウレベルの時は、センサクロックPKが停止される。このため、撮像動作および温度計測動作が停止され、画素データSgおよび温度データStの出力が停止される。図22は、図20の固体撮像装置の温度測定部の詳細な構成例を示すブロック図である。図22において、セレクタ41にてキャリブレーション電圧Vkが選択された場合、キャリブレーション電圧VtがコンパレータCP2に出力される。そして、スイッチW1~W3が1水平期間ごとにオンされることでコンパレータCP2の動作点が設定され、スイッチW1~W3がオフされることにより、キャリブレーション電圧Vtと基準電圧VFとがコンパレータCP2にて比較され、ラッチ回路LH2を介して補正用カラムADC3-2のカウンタに出力される。一方、セレクタ41にてダイオード電圧Vtが選択された場合、ダイオード電圧VtがコンパレータCP2に出力される。そして、スイッチW1~W3が温度計測ごとにオンされることでコンパレータCP2の動作点が設定され、スイッチW1~W3がオフされることにより、ダイオード電圧Vtと基準電圧VFとがコンパレータCP2にて比較され、ラッチ回路LH2を介して補正用カラムADC3-2のカウンタに出力される。図23は、図20の画素信号Sgおよび温度信号Stの転送方法の一例を示すブロック図である。図23において、この固体撮像装置では、図20の固体撮像装置に対し画素データSgおよび温度データStを転送する水平転送バスBSが複数本設けられている。なお、図23の例では、水平転送バスBSが4本設けられている場合を示した。そして、水平転送バスBSを介して画素データSgおよび温度データStを4個ずつ並列に転送することができる。なお、水平転送バスBSが4個の場合、画像用カラムADC3-1および補正用カラムADC3-2の個数は4の倍数になるように設定することが好ましい。ここで、水平転送バスBSを複数本設けることにより、画素データSgおよび温度データStの転送時間を短くすることができ、温度データStを用いた画素データSgの補正処理を高速化することができる。図24は、図20の温度測定動作およびキャリブレーション動作を示すタイミングチャートである。図24において、1垂直期間1フレーム期間には、キャリブレーション期間、撮像期間および温度測定期間が設定されている。そして、温度測定期間におけるリセット期間ではマスク信号MENがハイレベルとなり、温度測定期間におけるリセット期間では、ランプ波Vf1が生成されないようにして補正用カラムADC3-2でのAD変換動作が停止される。これにより、キャリブレーション動作と温度測定動作とで補正用カラムADC3-2を共用した場合においても、キャリブレーション動作でのCDS処理を可能としつつ、温度測定動作でのCDS処理を伴うことなくA/D変換を実現することができる。図25は、図20の固体撮像装置の画素PCの画素電圧Vsの読み出し時および温度センサ8のダイオード電圧Vtの読み出し時におけるアナログゲインの変更方法を示すタイミングチャートである。図25において、1垂直期間1フレーム期間の垂直ブランク期間には温度測定期間THが設定されている。図4のダイオードDを1段使用した場合、図11に示すように、は最大0.8V程度の出力がある。このため、温度測定期間THでは、ランプ波Vf2の振幅を0.8V程度に設定することができる。また、温度測定期間THにおけるリセット期間ではランプ波Vf1をマスクすることにより、温度測定動作でのCDS処理を伴うことなくA/D変換を実現することができる。一方、撮像動作時には、ランプ波Vf1、Vf2の傾きを可変とすることにより、フォトダイオードPDへの入射光量に応じてアナログゲインを設定することができる。第6実施形態図26は、第6実施形態に係る固体撮像装置の温度測定部の詳細な構成例を示すブロック図である。図26において、シフトレジスタ51には、基準電圧VFに対応した基準電圧用コードを格納することができる。セレクタ52は、シフトレジスタ51に格納された基準電圧用コードと、キャリブレーションレジスタ12に格納されたキャリブレーション用コードとを切り替えてD/A変換回路14に出力することができる。セレクタ53は、基準電圧VFとダイオード電圧Vtとを切り替えてコンパレータCP2に出力することができる。セレクタ52、53には切替信号TENが入力される。そして、セレクタ52にてキャリブレーション用コードが選択された場合、セレクタ53にて基準電圧VFが選択される。そして、キャリブレーション用コードがD/A変換回路14にてアナログ化されることで、キャリブレーション電圧Vtに変換され、コンパレータCP2に出力される。そして、スイッチW1~W3が1水平期間ごとにオンされることでコンパレータCP2の動作点が設定され、スイッチW1~W3がオフされることにより、キャリブレーション電圧Vtと基準電圧VFとがコンパレータCP2にて比較され、ラッチ回路LH2を介して補正用カラムADC3-2のカウンタに出力される。一方、セレクタ52にて基準電圧用コードが選択された場合、セレクタ53にてダイオード電圧Vtが選択される。そして、基準電圧用コードがD/A変換回路14にてアナログ化されることで、基準電圧VFが生成され、コンパレータCP2に入力される。そして、スイッチW1~W3が温度計測ごとにオンされることでコンパレータCP2の動作点が設定され、スイッチW1~W3がオフされることにより、基準電圧VFとダイオード電圧VtとがコンパレータCP2にて比較され、ラッチ回路LH2を介して逐次比較レジスタ17に出力される。ここで、D/A変換回路14にて基準電圧用コードをアナログ化して温度計測動作時の基準電圧VFを生成することにより、撮像動作時から温度計測動作時への切替時に基準電圧発生部6から出力される基準電圧VFを変化させる必要がなくなり、1フレーム期間中のアナログゲインを一定に維持することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。