"複数の電極を有する1または複数の発光素子と、前記発光素子を、少なくとも当該発光素子の側面側から囲むチップ状の絶縁体と、各電極に1つずつ電気的に接続され、かつ前記絶縁体の周縁に突出する突出部を有する複数の端子電極とを備えた発光装置。各端子電極は、前記突出部において互いに接触する第1端子電極および第2端子電極からなり、前記第1端子電極は、前記絶縁体の上面および側面に沿って延在するか、または前記絶縁体の内部を延在し、かつ前記絶縁体の周縁に突出して形成されており、前記第2端子電極は、前記絶縁体の下面に沿って延在し、かつ前記絶縁体の周縁に突出して形成されている請求項1に記載の発光装置。前記第2端子電極は、平坦な板形状となっている請求項2に記載の発光装置。前記発光素子は、第1導電型層、活性層および第2導電型層をこの順に含む積層構造を有し、さらに、前記複数の電極として、前記発光素子の下面側に形成されるとともに前記第2導電型層と電気的に接続された第1電極と、前記発光素子の下面側に形成されるとともに前記第1導電型層と電気的に接続された第2電極とを有し、各端子電極のうち一部の端子電極は、前記第1電極と電気的に接続され、各端子電極のうち残りの端子電極は、前記第2電極と電気的に接続されている請求項2または請求項3に記載の発光装置。各端子電極のうち前記第1電極と電気的に接続された端子電極の突出部が、前記絶縁体の特定の辺に配置され、各端子電極のうち前記第2電極と電気的に接続された端子電極の突出部が、前記絶縁体の辺のうち前記特定の辺以外の辺に配置されている請求項4に記載の発光装置。前記発光素子は、第1導電型層、活性層および第2導電型層をこの順に含む積層構造を有し、さらに、前記複数の電極として、前記発光素子の上面に形成されるとともに前記第2導電型層と電気的に接続された第1電極と、前記発光素子の下面に形成されるとともに前記第1導電型層と電気的に接続された第2電極とを有し、各端子電極のうち一部の端子電極は、前記第1電極と電気的に接続され、各端子電極のうち残りの端子電極は、前記第2電極と電気的に接続されている請求項2または請求項3に記載の発光装置。各端子電極のうち前記第1電極と電気的に接続された端子電極の突出部が、前記絶縁体の特定の辺に配置され、各端子電極のうち前記第2電極と電気的に接続された端子電極の突出部が、前記絶縁体の辺のうち前記特定の辺以外の辺に配置されている請求項6に記載の発光装置。当該発光装置は、複数の発光素子を備え、各発光素子は、一列に配置されており、前記絶縁体は、前記発光素子の配列方向に延在する帯状の形状となっており、各突出部が、前記絶縁体の長辺に配置されている請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。各突出部は、1つの発光素子を間にして互いに対向する位置に配置されている請求項8に記載の発光装置。前記絶縁体は、各突出部に対応して切り欠きを有する請求項8に記載の発光装置。当該発光装置のアスペクト比当該発光装置の厚さの最大値/当該発光装置の幅の最小値は、1以下となっている請求項10に記載の発光装置。前記絶縁体は、各発光素子の上面のうち少なくとも外縁と、各発光素子の側面とを覆っており、各発光素子の上面と対向する部分から各発光素子の周縁に向かって負方向に傾斜する傾斜面を有する請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。前記発光素子は、当該発光素子の側面に、当該発光素子の断面が逆台形状となるような傾斜面を有する請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。前記第1電極および前記第2電極は、金属により構成されている請求項4に記載の発光装置。前記第2電極と前記第2端子電極との間に、前記第2電極および前記第2端子電極を互いに電気的に接続すると共に前記活性層から発せられた光を前記第2導電型層側に反射する金属部を備えた請求項14に記載の発光装置。前記第1端子電極は、前記絶縁体の上面および側面に沿って延在しており、かつ、前記絶縁体の上面と対向する部分にバンプを有する請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。基板上に実装された複数の発光装置を備え、各発光装置は、複数の電極を有する1または複数の発光素子と、前記発光素子を、少なくとも当該発光素子の側面側から囲むチップ状の絶縁体と、各電極に1つずつ電気的に接続され、かつ前記絶縁体の周縁に突出する突出部を有する複数の端子電極とを有し、各突出部が、配線層を介して前記基板と電気的に接続されている照明装置。複数の画素を有する表示パネルと、映像信号に基づいて前記複数の画素を駆動する駆動回路とを備え、前記表示パネルに含まれる複数の画素は、基板上に実装された複数の発光装置からなり、各発光装置は、複数の電極を有する1または複数の発光素子と、前記発光素子を、少なくとも当該発光素子の側面側から囲むチップ状の絶縁体と、各電極に1つずつ電気的に接続され、かつ前記絶縁体の周縁に突出する突出部を有する複数の端子電極とを有し、各突出部が、配線層を介して前記基板と電気的に接続されている表示装置。ところで、上記特許文献1において、LEDチップの電極が上面と下面に分かれて形成されている場合には、LEDチップの上面側の電極と配線基板との電気的な接続にはワイヤが使用される。また、上記特許文献2においても、ベース部材の表面の2つの電極と配線基板との電気的な接続にはワイヤが使用される。そのため、実装後に個々のLEDチップの特性を測定しようとしたときに、ワイヤを避けながら、カンチレバーを発光素子の電極に接触させることが必要となる。従って、実装後に個々のLEDチップの特性を測定することが容易ではないという問題がある。また、上記特許文献1において、LEDチップの電極が上面と下面に分かれて形成されている場合には、実装前に個々のLEDチップの特性を測定する際には、LEDチップの上面および下面の両面側からカンチレバーを接触させることが必要となる。従って、この場合には、実装前に個々のLEDチップの特性を測定することが容易ではないという問題がある。また、上記特許文献2においては、発光装置を転写基板などに仮止めしている場合に、発光装置の下面しか露出していないときには、実装前に個々のLEDチップの特性を測定することができないという問題がある。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、実装前、実装後にかかわらず、個々の発光素子の特性を簡単に測定することの可能な発光装置を提供することにある。また、第2の目的は、そのような発光装置を備えた照明表面および表示装置を提供することにある。本発明の発光装置は、複数の電極を有する1または複数の発光素子と、発光素子を、少なくとも当該発光素子の側面側から囲むチップ状の絶縁体と、各電極に1つずつ電気的に接続された複数の端子電極とを備えたものである。各端子電極は、絶縁体の周縁に突出する突出部を有している。本発明の照明装置は、基板上に実装された複数の発光装置を備えたものである。各発光装置は、上記の発光装置と同一の構成要素を有している。本発明の表示装置は、複数の画素を有する表示パネルと、映像信号に基づいて前記複数の画素を駆動する駆動回路とを備えたものである。本発明の表示装置において、複数の画素は、基板上に実装された複数の発光装置からなり、各発光装置は、上記の発光装置と同一の構成要素を有している。本発明の発光装置、照明装置および表示装置では、発光素子の電極と電気的に接続された端子電極に、絶縁体の周縁に突出する突出部が設けられている。そのため、発光装置の上面側、下面側のいずれの側にも端子電極が露出している。ところで、本発明において、各端子電極が、絶縁体の周縁において互いに接触する第1端子電極および第2端子電極からなっていてもよい。この場合に、第1端子電極が、例えば、絶縁体の上面および側面に沿って延在するか、または絶縁体の内部を延在し、かつ絶縁体の周縁に突出して形成されている。一方、第2端子電極が、例えば、絶縁体の下面に沿って延在し、かつ絶縁体の周縁に突出して形成されている。第2端子電極は、平坦な板形状となっていることが好ましい。また、本発明において、各発光素子が、第1導電型層、活性層および第2導電型層をこの順に含む積層構造を有していてもよい。この場合に、各発光素子が、複数の電極として、発光素子の上面に形成されるとともに第2導電型層と電気的に接続された上部電極と、発光素子の下面に形成されるとともに第1導電型層と電気的に接続された下部電極とを有していてもよい。このとき、各端子電極のうち一部の端子電極が、上部電極と電気的に接続され、各端子電極のうち残りの端子電極が、前記下部電極と電気的に接続されている。本発明の発光装置、照明装置および表示装置によれば、発光装置の上面側、下面側のいずれの側にも露出する突出部を端子電極に設けるようにしたので、発光装置を基板に実装する際に、発光装置と基板との電気的な接続に、端子電極の突出部を用いることができる。これにより、ワイヤを使用せずに発光装置を基板に実装することができるので、ワイヤを避けながら、カンチレバーを発光装置の端子電極に接触させる必要がない。従って、実装後に個々の発光素子の特性を容易に測定することができる。また、端子電極の突出部が発光装置の上面側、下面側のいずれの側にも露出しているので、発光装置の上面側、下面側のいずれの側からも、カンチレバーを発光装置の端子電極に接触させることができる。これにより、例えば、発光素子の電極が発光素子の上面と下面にそれぞれ1つずつ形成されているような場合であっても、発光素子の電極に電気的に接続された端子電極の突出部に対して、発光装置の上面側からか、または発光装置の下面側からカンチレバーを接触させることができる。従って、実装前に個々の発光素子の特性を容易に測定することができる。このように本発明では、実装前、実装後にかかわらず、個々の発光素子の特性を簡単に測定することができる。以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施の形態発光装置3つの発光素子が薄い肉厚の樹脂で被われている例2.変形例発光装置樹脂の上面に曲面が設けられている例樹脂の側面に凹凸が設けられている例端子電極にバンプが設けられている例樹脂の側面が金属で覆われている例樹脂の上面が保護膜で覆われている例発光素子の数が異なる例発光素子の形状が異なる例発光素子の電極位置が異なる例発光素子の発光装置内でのレイアウトが異なる例3.第2の実施の形態表示装置表示画素に第1の実施の形態およびその変形例の発光装置が用いられている例4.第3の実施の形態照明装置光源に第1の実施の形態およびその変形例の発光装置が用いられている例<1.第1の実施の形態>構成まず、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置1について説明する。図1Aは、発光装置1の概略構成の一例を斜視的に表したものである。図1Bは、図1Aの表示装置1のA-A矢視方向の断面構成の一例を表したものである。発光装置1は、いわゆるLEDディスプレイと呼ばれる表示装置の表示画素として好適に適用可能なものであり、複数の発光素子を薄い肉厚の樹脂で被った微小パッケージである。発光素子10発光装置1は、図1Aに示したように、3つの発光素子10を備えている。各発光素子10は、所定の波長帯の光を上面から発する固体発光素子であり、具体的には、LEDチップである。LEDチップとは、結晶成長に用いたウェハから切り出した状態のものを指しており、成形した樹脂などで被われたパッケージタイプのものではないことを指している。LEDチップは、例えば、5μm以上、100mm以下のサイズとなっており、いわゆるマイクロLEDと呼ばれるものである。LEDチップの平面形状は、例えば、ほぼ正方形となっている。LEDチップは、薄片状となっており、LEDチップのアスペクト比高さH2/幅W2図2参照は、例えば、0.1以上、1未満となっている。各発光素子10は、発光装置1内に配置されており、例えば、図1Aに示したように、他の発光素子10と所定の間隙を介して一列に配置されている。互いに隣り合う2つの発光素子10の隙間は、例えば、各発光素子10のサイズと同等か、それよりも大きくなっている。なお、上記の隙間は、場合によっては、各発光素子10のサイズよりも狭くなっていてもよい。発光素子10と発光装置1の側面との間隔は、例えば、各発光素子10のサイズの1/2以上となっている。各発光素子10は、互いに異なる波長帯の光を発するようになっている。例えば、図1Aに示したように、3つの発光素子10は、緑色帯の光を発する発光素子10Gと、赤色帯の光を発する発光素子10Rと、青色帯の光を発する発光素子10Bとにより構成されている。発光素子10Gは、例えば、発光装置1の辺部近傍に配置されている。発光素子10Bは、例えば、発光装置1の辺部のうち発光素子10Gの近接する辺部とは異なる辺部の近傍に配置されている。発光素子10Rは、例えば、発光素子10Gと発光素子10Bとの間に配置されている。なお、発光素子10R,10G,10Bのそれぞれの位置は、上記に限定されるものではないが、以下では、発光素子10R,10G,10Bが上で例示した箇所に配置されているものとして、他の構成要素の位置関係を説明する場合がある。各発光素子10は、例えば、図2に示したように、第1導電型層11、活性層12および第2導電型層13を順に積層してなる積層構造を有している。発光素子10G,10Bにおいては、第1導電型層11、活性層12および第2導電型層13は、例えば、InGaN系の半導体材料によって構成されている。一方、発光素子10Rにおいては、第1導電型層11、活性層12および第2導電型層13は、例えば、AlGaInP系の半導体材料によって構成されている。第1電極14および第2電極15は、例えば、Ag銀などの高反射性の金属材料を含んで構成されている。なお、各発光素子10は、図示しないが、側面と、上面のうち第1電極の未形成領域とを被う絶縁膜を有していてもよい。各発光素子10の側面は、例えば、図2に示したように、積層方向と直交する面となっている。なお、光取り出し効率を考慮して、各発光素子10の側面が、積層方向と交差する傾斜面となっていてもよい。例えば、図3に示したように、各発光素子10は、側面に、当該発光素子10の断面が逆台形状となるような傾斜面を有していてもよい。第2導電型層13の上面には第1電極14が設けられている。第1電極14は、第2導電型層13に接するとともに第2導電型層13に電気的に接続されている。一方、第1導電型層11の下面には第2電極15が設けられている。第2電極15は、第1導電型層11に接するとともに第1導電型層11に電気的に接続されている。第1電極14および第2電極15はともに、単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。なお、以下では、図2または図3に示したように、第1電極14が単一の電極からなり、第2電極15が2つの電極からなるものとする。発光装置1は、さらに、図1Aに示したように、各発光素子10を被うチップ状の絶縁体20と、各発光素子10に電気的に接続された複数の端子電極30,40とを備えている。絶縁体20絶縁体20は、各発光素子10を、少なくとも当該発光素子10の側面側から囲むとともに保持するものである。絶縁体20は、例えば、ポリイミドなどの樹脂材料によって構成されている。絶縁体20は、各発光素子10の側面と、各発光素子10の上面のうち第1電極14の未形成領域に接して形成されている。絶縁体20は、各発光素子10の配列方向に延在する帯状の形状例えば直方体形状となっている。絶縁体20の高さは、各発光素子10の高さよりも高くなっており、絶縁体20の横幅は、各発光素子10の幅よりも広くなっている。絶縁体20自体のサイズは、例えば1mm以下となっている。絶縁体20は、薄片状となっている。絶縁体20のアスペクト比最大高さ/最大横幅は、発光装置1を転写する際に発光装置1が横にならない程度に小さくなっており、例えば、1/5以下となっている。絶縁体20は、例えば、図1Aに示したように、各発光素子10の直上に対応する箇所に開口20Aを有している。各開口20Aの底面には、少なくとも第1電極14が露出している。また、絶縁体20は、例えば、図1Bに示したように、各発光素子10の直下に対応する箇所にも開口20Bを有している。各開口20Bの底面には、少なくとも2つの第2電極15が露出している。各開口20Bの内部には、2つの第2電極15と後述の下側電極32とを電気的に接続する接続部50と、第1導電型層11の下面のうち少なくとも2つの第2電極15の間の領域に接する仮固定部60とが設けられている。接続部50は、本発明の金属部の一具体例に相当する。接続部50は、例えば、めっき処理によって形成されたものである。なお、接続部50は、めっき処理以外の方法で形成されたものであってもよい。接続部50は、第2電極15および下側電極32を互いに電気的に接続するだけでなく、活性層12から発せられた光を第2導電型層13側に反射する役割も有している。仮固定部60は、製造過程において、各発光素子10を仮固定するためのものであり、例えば、感光性樹脂を固化させたものである。絶縁体20は、さらに、例えば、図1Aに示したように、辺部に6つの切り欠き20Cを有している。各切り欠き20Cは、絶縁体の2つの長辺に形成されており、1つの発光素子10を間にして、絶縁体20の短軸方向に互いに対向する位置に形成されている。例えば、発光素子10Gの両脇に2つの切り欠き20Cが、発光素子10Rの両脇に2つの切り欠き20Cが、発光素子10Bの両脇に2つの切り欠き20Cがそれぞれ形成されている。発光素子10Gの両脇の2つの切り欠き20Cは、絶縁体20の長辺の一方の端部に形成されており、発光素子10Bの両脇の2つの切り欠き20Cは、絶縁体20の長辺の他方の端部に形成されている。発光素子10Rの両脇の2つの切り欠き20Cは、絶縁体20の長辺の中央付近に形成されている。各切り欠き20Cは、例えば、図1Aに示したように、直方体形状となっている。なお、各切り欠き20Cの形状は、直方体形状とは異なる形状となっていてもよい。端子電極30,40複数の端子電極30,40は、各発光素子10に1つずつ電気的に接続されている。各端子電極30は、第2電極15に1つずつ電気的に接続されており、各端子電極40は、第1電極14に1つずつ電気的に接続されている。各端子電極30は、絶縁体20の一方の長辺に形成されており、各端子電極40は、絶縁体20の他方の長辺に形成されている。各端子電極30は、例えば、図1A,Bに示したように、上側電極31および下側電極32によって構成されている。なお、上側電極31が本発明の第1端子電極の一具体例に相当し、下側電極32が本発明の第2端子電極の一具体例に相当する。上側電極31は、切り欠き20Cに沿った形状となっている。上側電極31は、絶縁体20の上面および側面に沿って延在しており、かつ絶縁体20の周縁具体的には切り欠き20Cに突出して形成されている。上側電極31のうち絶縁体20の周縁具体的には切り欠き20Cに突出している部分突出部31A図1B参照は、切り欠き20Cからはみ出していてもよいが、切り欠き20Cの中に収まっていることが好ましい。一方、下側電極32は、平坦な板形状となっている。下側電極32は、絶縁体20の下面に沿って延在しており、かつ絶縁体20の周縁具体的には切り欠き20Cに突出して形成されている。下側電極32のうち絶縁体20の周縁具体的には切り欠き20Cに突出している部分突出部32Aが、上側電極31の突出部31Aに接触している。突出部31A,32Aは、絶縁体20の2つの長辺のうち一方の長辺に設けられている。突出部31Aは、発光装置1の上面側に露出しており、突出部32Aは、発光装置1の下面側に露出している。下側電極32は、接続部50に接続されており、接続部50を介して第2電極15と電気的に接続されている。下側電極32は、第1導電型層11の下面のうち少なくとも2つの第2電極15の間の領域と対向する部分に開口32Bを有している。開口32Bは、例えば、上述の仮固定部60によって充填されている。各端子電極40は、例えば、図1A,Bに示したように、上側電極41および下側電極42によって構成されている。なお、上側電極41が本発明の第1端子電極の一具体例に相当し、下側電極42が本発明の第2端子電極の一具体例に相当する。上側電極41は、切り欠き20Cに沿った形状となっている。上側電極41は、絶縁体20の上面および側面に沿って延在しており、かつ絶縁体20の周縁具体的には切り欠き20Cに突出して形成されている。上側電極41のうち絶縁体20の周縁具体的には切り欠き20Cに突出している部分突出部41A図1B参照は、切り欠き20Cからはみ出していてもよいが、切り欠き20Cの中に収まっていることが好ましい。突出部41Aは、突出部31Aとともに、1つの発光素子10を間にして互いに対向する位置に配置されている。上側電極41は、さらに、絶縁体20の上面から開口20Aの内部にまで延在する接続部41B図1A参照を有しており、接続部41Bを介して第1電極14と電気的に接続されている。一方、下側電極42は、平坦な板形状となっている。下側電極42は、絶縁体20の下面に沿って延在しており、かつ絶縁体20の周縁具体的には切り欠き20Cに突出して形成されている。下側電極42のうち絶縁体20の周縁具体的には切り欠き20Cに突出している部分突出部42Aが、上側電極31の突出部41Aに接触している。突出部41A,42Aは、絶縁体20の2つの長辺のうち突出部31A,32Aの形成されていない方の長辺に設けられている。突出部41Aは、発光装置1の上面側に露出しており、突出部42Aは、発光装置1の下面側に露出している。下側電極42は、下側電極32とともに、発光装置1の平坦な底面を構成している。各端子電極30,40は、例えば、主にCu銅を含んで構成されている。各端子電極30,40の表面の一部が、例えば、Au金などの酸化しにくい材料で被覆されていてもよい。例えば、各端子電極30,40のうち突出部31A,41Aの表面と、各端子電極30,40のうち絶縁体20の側面に接する部分の表面が、AuやTiなどの酸化しにくい材料で被覆されていてもよい。また、例えば、各端子電極30,40の表面全体が、AuやTiなどの酸化しにくい材料で被覆されていてもよい。また、例えば、各端子電極30,40の表面全体が、同一の材料で構成されていてもよい。発光装置1のアスペクト比高さH1/幅W1は、1よりも小さくなっている。[製造方法]次に、本実施の形態の発光装置1の製造方法の一例について説明する。まず、結晶成長用の基板上に、発光素子10Rのうち第2電極15以外の部分発光素子110Rを多数形成したウェハ100Rを用意する図4A。また、結晶成長用の基板上に、発光素子10Gのうち第2電極15以外の部分発光素子110Gを多数形成したウェハ100Gを用意する図4B。さらに、結晶成長用の基板上に、発光素子10Bのうち第2電極15以外の部分発光素子110Bを多数形成したウェハ100Bを用意する図4C。なお、発光素子110R,110G,110Bはそれぞれ、第1導電型層11、活性層12、第2導電型層13および第1電極14が結晶成長用の基板側からこの順に積層された構造となっている。また、ウェハ100R上の全ての発光素子110Rを一時的に仮固定するための仮固定用基板200Rを用意する図5A。同様に、ウェハ100G上の全ての発光素子110Gを一時的に仮固定するための仮固定用基板200Gと、ウェハ100B上の全ての発光素子110Bを一時的に仮固定するための仮固定用基板200Bを用意する図5B,C。仮固定用基板200R,200G,200Bは、例えば、透明基板例えば石英基板またはサファイア基板上に、未硬化の接着層が配置されたものである。次に、ウェハ100Rおよび仮固定用基板200Rを、ウェハ100R上の各発光素子110Rが仮固定用基板200R上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ100Rの基板を例えばラッピングなどによって除去して、第1導電型層11を露出させる。その後、露出した第1導電型層11上に第2電極15を形成する。このようにして、仮固定用基板200R上に、複数の発光素子10Rが形成される。また、ウェハ100Gおよび仮固定用基板200Gを、ウェハ100G上の各発光素子110Gが仮固定用基板200G上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ100Gの基板を例えばレーザ照射などによって除去して、第1導電型層11を露出させる。その後、露出した第1導電型層11上に第2電極15を形成する。このようにして、仮固定用基板200G上に、複数の発光素子10Gが形成される。同様に、ウェハ100Bおよび仮固定用基板200Bを、ウェハ100B上の各発光素子110Bが仮固定用基板200B上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ100Bの基板を例えばレーザ照射などによって除去して、第1導電型層11を露出させる。その後、露出した第1導電型層11上に第2電極15を形成する。このようにして、仮固定用基板200B上に、複数の発光素子10Bが形成される。次に、発光素子10R,10G,10Bを実装する配線基板300を用意する図6。配線基板300は、例えば、透明基板310例えば石英基板上に、一対の下側電極32および下側電極42が複数配置された基板である。続いて、配線基板300の下側電極32上に、発光素子10R,10G,10Bを実装する。図7Aは、図6のA-A矢視方向の断面構成を表したものである。図7B~Gは、配線基板300の下側電極32上に、発光素子10Gを実装する手順を模式的に表したものである。なお、発光素子10R,10Bを配線基板300の下側電極32上に実装する方法は、発光素子10Gを配線基板300の下側電極32上に実装する方法と同様である。まず、配線基板300の表面に、感光性樹脂層320を、例えば、1.5μm程度の厚さで形成する図7B。感光性樹脂層320は、加熱や光照射等の外的要因によって硬化する可塑性の樹脂からなり、例えば、熱硬化感光性樹脂からなる。感光性樹脂層320が熱硬化感光性樹脂からなる場合、感光性樹脂層320はシート状の樹脂を貼り付けることや、樹脂をスピンコート等により塗布しプリベークで溶剤を揮発させることなどにより形成される。次に、感光性樹脂層320のうち開口32Bの周囲に対応する部分だけ露光して、光硬化領域320Aを形成する。光硬化領域320Aは、後述のフィレット320Bを維持するために設けられたものであり、開口32Bを完全に囲むように形成されていてもよいし、開口32Bの周囲に断続的に形成されていてもよい。なお、このときの部分露光は、マスクによる通常の手法の他に、イオンビームなどによっても可能である。次に、仮固定用基板200G上の発光素子10Gを配線基板300の表面に転写する図7C。具体的には、仮固定用基板200Gおよび配線基板300を、仮固定用基板200G上の発光素子10Gが感光性樹脂層320に接するように貼り合わせたのち、レーザ照射により発光素子10Gを仮固定用基板200Gから剥離する。このとき、仮固定用基板200G上の全ての発光素子10Gに対して同時にレーザ照射するのではなく、仮固定用基板200G上の一部の発光素子10Gに対してレーザ照射する。簡単に言えば、間引き転写を行う。例えば、図8に示したように、仮固定用基板200G上の全ての発光素子10Gを複数のブロックGiiは正の整数に分け、ブロックGiごとに1つずつ、発光素子10Gをレーザ照射により剥離する。このようにして、発光素子10Gが、広いピッチで、感光性樹脂層320に転写される。このとき、発光素子10Gは、感光性樹脂層320のうち所定の位置の下側電極32の直上に配置される。発光素子10Gの、下側電極32に対する位置合わせは大まかでよい。次に、発光素子10Gを感光性樹脂層320上に載置した状態で、配線基板300全体を、例えば、50°C、30分ほど加熱する。加熱温度や時間は感光性樹脂層320の樹脂特性に応じて適した範囲に決められる。配線基板300全体の加熱により、感光性樹脂層320の粘性が低下するので、感光性樹脂層320が発光素子10Gの側壁に這い上がってフィレット320Bが形成される図7D。このとき、加熱された樹脂の分子はエネルギー的に一番小さなところに落ち着こうとするので、フィレット320Bが発光素子10Gを透明基板310側に押し下げるように作用する。また、このとき、光硬化領域320Aが、加熱された樹脂の分子が外側に逃げるのを抑制している。その結果、発光素子10Gの第2電極15が下側電極32に近づく。このような力の働きによって、発光素子10Gの第2電極15と下側電極32とのギャップが小さくなり、さらにギャップの、発光素子10Gごとのばらつきも小さくなる。なお、上記のギャップは完全にはゼロにはならない。以上のようにして、下側電極32に対する発光素子10Gのセルフアラインを実現することができる。次に、透明基板310の裏面から、感光性樹脂層320に対して光L1を照射して、感光性樹脂層320を露光する図7E。このとき、下側電極32が自己整合マスク層として機能し、感光性樹脂層320のうち下側電極32の開口32Bと対向する部分が硬化される。この硬化した部分が、発光素子10Gを配線基板300に仮固定する仮固定部60となる。次に、感光性樹脂層320のうち未露光部分を現像により除去する図7F。このとき、第2電極15と下側電極32とのギャップでは、感光性樹脂層320は下側電極32に隠れて露光されていないので、現像液に溶解する。従って、現像により、第2電極15と下側電極32とのギャップは、空隙となる。次に、電解めっきを行う。電解めっきでは、陰極となる下側電極32と電解液とに例えば0.5~1.0V程度の電圧を印加し、陽極板と電解めっき液を介して10mA/cm2程度の電流を流す。これにより、めっき成長が始まり、図7Gに示したように、最終的には、例えば0.5μm程度の電解めっきからなる接続部50が形成される。その結果、第2電極15と下側電極32とが接続部50を介して電気的および機械的に強固に接続される。このようにして、仮固定用基板200G上の発光素子10Gが配線基板300の表面に転写される図9。さらに、同様の方法によって、仮固定用基板200R上の発光素子10Rと、仮固定用基板200B上の発光素子10Bが配線基板300の表面に転写される図10。その後、絶縁層20および端子電極30,40を形成する。これにより、配線基板300上に複数の発光装置1が形成される図11。[実装方法]次に、配線基板300上に形成された各発光装置1を、ディスプレイパネルや照明パネルなどに含まれる配線基板上に実装する方法の一例について説明する。まず、配線基板300上の全ての発光装置1を一時的に仮固定するための仮固定用基板図示せずを用意する。ここで使用する仮固定基板は、例えば、透明基板例えば石英基板上に、未硬化の接着層が配置されたものである。また、発光装置1の実装に使用する配線基板400を用意する。配線基板400は、支持基板410上に複数の電極パッド420などを備えたものである図12A参照。次に、配線基板300および仮固定用基板を、配線基板300上の各発光装置1が仮固定用基板上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、透明基板310を除去して、発光装置1同士の素子分離を行う。次に、素子分離された個々の発光装置1を配線基板400に実装する。具体的には、仮固定用基板および配線基板400を、素子分離された個々の発光装置1が配線基板400と接するように貼り合わせたのち、個々の発光装置1を仮固定用基板から剥離する。その結果、電極パッド420上に発光装置1が載置される図12A,B。次に、配線層430を、各端子電極30,40の突出部31A,41Aの表面と、電極パッド420の表面とに接するように形成する図13A,B。このようにして、発光装置1が配線基板400上に実装される。[効果]次に、本実施の形態の発光装置1の効果について説明する。本実施の形態では、発光素子10の電極例えば、第1電極14,第2電極15と電気的に接続された端子電極30,40に、絶縁体20の周縁に突出する突出部31A,32A,41A,42Aが設けられている。そのため、発光装置1の上面側、下面側のいずれの側にも端子電極30,40が露出しているので、発光装置1を基板に実装する際に、発光装置1と基板との電気的な接続に、突出部31A,32A,41A,42Aを用いることができる図13A,B参照。これにより、ワイヤを使用せずに発光装置1を基板に実装することができるので、ワイヤを避けながら、カンチレバーを発光装置1の端子電極30,40に接触させる必要がない。例えば、図14Aに示したように、カンチレバー500を、上側電極31,41のうち配線層430で覆われていない部分に接触させるだけで、実装後の個々の発光素子10の特性を測定することができる。従って、実装後に個々の発光素子10の特性を容易に測定することができる。また、上述したように、カンチレバー500を、上側電極31,41のうち配線層430で覆われていない部分に接触させて、実装後の個々の発光素子10の特性を測定するようにした場合には、配線層430がカンチレバー500によって傷ついたり、剥離したりする虞がない。従って、発光素子10の特性の測定によって、歩留まりが低下する虞がなくなる。また、本実施の形態では、端子電極30,40が発光装置1の上面側、下面側のいずれの側にも露出しているので、発光装置1の上面側、下面側のいずれの側からも、カンチレバーを発光装置1の端子電極30,40に接触させることができる。これにより、例えば、発光素子10の電極例えば、第1電極14,第2電極15が発光素子10の上面と下面にそれぞれ1つずつ形成されているような場合であっても、発光素子10の電極に電気的に接続された端子電極30,40の突出部31A,32A,41A,42Aに対して、発光装置1の上面側からか、または発光装置1の下面側からカンチレバーを接触させることができる。例えば、図11に示したように、各発光装置1が配線基板300上に形成された状態となっている場合には、図14Bに示したように、カンチレバー500を、上側電極31,41に接触させるだけで、実装前の個々の発光素子10の特性を測定することができる。また、例えば、図14Cに示したように、素子分離された各発光装置1が仮固定用基板600に固定されている場合には、カンチレバー500を、下側電極32,42に接触させるだけで、実装前の個々の発光素子10の特性を測定することができる。従って、実装前に個々の発光素子の特性を容易に測定することができる。このように本実施の形態では、実装前、実装後にかかわらず、個々の発光素子10の特性を簡単に測定することができる。また、本実施の形態では、第1電極14と電気的に接続された端子電極40の突出部41A,42Aが、絶縁体20の一方の長辺に配置され、第2電極15と電気的に接続された端子電極30の突出部31A,32Aが、絶縁体20の2つの長辺のうち突出部41A,42Aが形成されていない方の長辺に配置されている。これにより、端子電極30と端子電極40との間のショートや、素子耐圧の低下を防止することができる。また、本実施の形態では、各突出部31A,32A,41A,42Aが発光素子10との関係で対称となるような位置に配置されているので、発光素子10のFFPFarFieldPatternの乱れも防止することができる。変形例第1変形例上記実施の形態では、絶縁体20の上面がほぼ平坦となっていたが、例えば、図15A,Bに示したように、各発光素子10の上面と対向する部分から各発光素子10の周縁に向かって負方向に傾斜する傾斜面20Dを有していてもよい。このようにした場合には、発光素子10から斜め方向の射出された光が傾斜面20Dで屈折透過しやすくなるので、光取り出し効率が向上する。ところで、傾斜面20Dを絶縁体20の上面に設けるためには、互いに隣り合う2つの発光素子10の隙間が、各発光素子10のサイズと同等か、それよりも大きくなっていることが好ましい。また、発光素子10と発光装置1の側面との間隔が、各発光素子10のサイズの1/2以上となっていることが好ましい。第2変形例また、上記実施の形態およびその変形例では、絶縁体20の側面がほぼ平坦となっていたが、例えば、図16に示したように、凹凸面20Eとなっていてもよい。凹凸面20Eは、例えば、図16に示したように、縦方向に延在する帯状の複数の凸部が並列配置されたような形状となっていてもよいし、これとは異なる形状となっていてもよい。このようにした場合には、発光素子10から斜め方向の射出された光が凹凸面20Eで屈折透過しやすくなるので、光取り出し効率が向上する。第3変形例また、上記実施の形態およびその変形例において、例えば、図17に示したように、各端子電極30,40の上面に、発光素子10の特性の計測時にカンチレバーを接触させるポイントとして、1つのバンプ70を設けてもよい。バンプ70は、例えば、Au金などの金属からなり、端子電極30,40と電気的に接続されている。このようにした場合には、配線層430や端子電極30,40がカンチレバーによって傷つく虞がなく、発光素子10の特性の測定によって、歩留まりが低下する虞がなくなる。なお、バンプ70は、例えば、図18に示したように、端子電極40の接続部41B上に設けられていてもよい。第4変形例また、上記実施の形態およびその変形例では、発光素子10Gの両脇の2つの切り欠き20Cと、発光素子10Bの両脇の2つの切り欠き20Cがそれぞれ、絶縁体20の四隅に設けられていたが、例えば、図19に示したように、絶縁体20の四隅から少し離れた場所に設けられていてもよい。また、この場合に、例えば、図20に示したように、各端子電極30,40の上面に、2つのバンプ70を設けてもよい。第5変形例また、上記実施の形態およびその変形例では、上側電極31,41は、絶縁体20の側面の一部だけを覆っていたが、例えば、図21に示したように、絶縁体20の側面のほとんどを覆うようにしてもよい。このとき、絶縁体20の側面は、上側電極31と上側電極41とを絶縁分離するための間隙43と、上側電極31同士を絶縁分離するための間隙44と、上側電極41同士を絶縁分離するための間隙45だけしか露出していない。このようにした場合には、発光素子10から斜め方向の射出された光が上側電極31,41で反射され、最終的には、絶縁体20の上面から射出されるようになる。その結果、正面輝度が向上する。第6変形例また、上記実施の形態およびその変形例では、発光素子10の上面には、絶縁体20や、上側電極31,41がそのまま露出していたが、例えば、図22に示したように、発光素子10の上面全体を覆う保護膜46が設けられていてもよい。保護膜46は、絶縁性の材料によって構成されている。保護膜46は、例えば、図22に示したように、上側電極31,41と対向する部分の一部に、カンチレバー接触用の開口46Aを有しており、さらに、上側電極31,41のうち配線層430との接続に用いる部分具体的には突出部31A,41Aと対向する部分にも開口または切り欠きを有している。第7変形例また、上記実施の形態およびその変形例では、発光装置1は、3つの発光素子10を備えていたが、4つ以上の発光素子10を備えていてもよいし、例えば、図23A,Bに示したように、1つまたは2つの発光素子10を備えていてもよい。第8変形例また、上記実施の形態およびその変形例では、発光装置1または絶縁体20が直方体形状となっている場合が例示されていたが、他の形状となっていてもよい。例えば、発光装置1または絶縁体20が、図24に示したように、三角形状となっていたり、図25に示したように、六角形状となっていたりしてもよい。また、上記実施の形態およびその変形例では、複数の発光素子10が一列に配置されている場合が例示されていたが、他の並びになっていてもよい。例えば、図24,図25に示したように、3つの発光素子10が三角形の3つの角に対応する位置にそれぞれ1つずつ配置されていてもよい。さらに、例えば、図24に示したように、3つの発光素子10が三角形の3つの角に対応する位置にそれぞれ1つずつ配置されている場合に、発光装置1または絶縁体20が、その三角形と相似する形状つまり三角形状となっていてもよい。また、例えば、図25に示したように、3つの発光素子10が三角形の3つの角に対応する位置にそれぞれ1つずつ配置されている場合に、発光装置1または絶縁体20が、その三角形とは異なる形状例えば六角形状となっていてもよい。ところで、3つの発光素子10が三角形の3つの角に対応する位置にそれぞれ1つずつ配置され、発光装置1または絶縁体20が、その三角形と相似する形状つまり三角形状となっている場合に、発光素子10ごとに設けられた2つの端子電極30,40は、例えば、図24に示したように、絶縁体20の3つの辺部のうち発光素子10に近接する2つの辺部に、辺部ごとに1つずつ配置されている。また、3つの発光素子10が三角形の3つの角に対応する位置にそれぞれ1つずつ配置され、発光装置1または絶縁体20が、その三角形とは異なる形状具体的には六角形状となっている場合に、例えば、図25に示したように、発光素子10ごとに設けられた2つの端子電極30,40が、絶縁体20の6つの辺部のうち共通する1つの辺部に配置されている。このとき、2つの端子電極30,40は、当該2つの端子電極30,40と発光素子10とが最短距離で接続され得る辺部に配置されている。また、このとき、各端子電極30,40は、絶縁体20の6つの辺部において、周回方向に交互に配置されていることが好ましい。なお、3つの発光素子10が三角形の3つの角に対応する位置にそれぞれ1つずつ配置され、発光装置1または絶縁体20が、その三角形とは異なる形状具体的には六角形状となっている場合に、例えば、図26に示したように、各端子電極30,40が、絶縁体20の6つの辺部に1つずつ配置されていてもよい。このとき、各端子電極30,40は、絶縁体20の6つの辺部において、周回方向に交互に配置されていることが好ましい。また、3つの発光素子10が三角形の3つの角に対応する位置にそれぞれ1つずつ配置され、発光装置1または絶縁体20が、その三角形とは異なる形状具体的には六角形状となっている場合に、例えば、図27に示したように、各端子電極30,40が、絶縁体20の6つの角部辺部同士が接する箇所に1つずつ配置されていてもよい。このとき、各端子電極30,40は、絶縁体20の6つの角部において、周回方向に交互に配置されていることが好ましい。第9変形例また、上記実施の形態およびその変形例では、上面と下面に1つずつ電極を有する発光素子10が用いられていたが、下面だけに電極を有する発光素子が用いられていてもよい。そのような発光素子としては、例えば、図28A,Bに記載されているような発光素子80が挙げられる。発光素子80は、例えば、図28A,Bに示したように、第1導電型層81、活性層82および第2導電型層83を順に積層してなる半導体層を有している。発光素子80の半導体層において、第2導電型層83の一部と、活性層82と、第1導電型層81とを含む部分が、柱状のメサ部80Aとなっている。半導体層のうちメサ部80Aの裾野には、第2導電型層83が露出する平坦面が広がっており、その平坦面の一部に第1電極84が形成されている。第1電極84は、第2導電型層83に接するとともに第2導電型層83に電気的に接続されている。つまり、第1電極84は、第2導電型層83とオーミック接触している。なお、第2導電型層83の上面つまり半導体のうちメサ部80Aとは反対側の面は、光取り出し面となっており、電極などの遮光構造物は何も設けられていない。メサ部80Aの上面つまり第1導電型層81の表面には第2電極85が設けられている。第2電極85は、第1導電型層81に接するとともに第1導電型層81に電気的に接続されている。つまり、第2電極85は、第1導電型層81とオーミック接触している。第1電極84および第2電極85はともに、金属材料によって構成されている。第1電極84および第2電極85はともに、単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。なお、以下では、図28A,Bに示したように、第1電極84および第2電極85がともに、単一の電極からなるものとする。発光素子80具体的にはメサ部80Aの側面は、例えば、図28Aに示したように、積層方向と直交する垂直面となっている。なお、メサ部80Aの側面は、積層方向と交差する傾斜面となっていてもよい。このとき、メサ部80Aの側面は、図28Bに示したように、メサ部80Aの断面が逆台形状となるような傾斜面となっていることが好ましい。このように、メサ部80Aの側面がテーパー状となっていることにより、正面方向の光取り出し効率を高くすることができる。発光素子80は、例えば、図28A,Bに示したように、メサ部80Aの側面および裾野に渡って形成された絶縁膜86を有している。発光素子80は、さらに、メサ部80Aを覆う埋め込み層87と、埋め込み層87内に形成されたバンプ88,89と、埋め込み層87上に形成されたパッド電極91,92とを有している。バンプ88,89およびパッド電極91,92はともに、金属材料によって構成されている。バンプ88は、第2電極85と電気的に接続されており、バンプ88の上面が、例えば、埋め込み層87の上面と同一面内に形成されている。バンプ89は、第1電極84と電気的に接続されており、バンプ89の上面が、例えば、埋め込み層87の上面と同一面内に形成されている。パッド電極91は、バンプ88に接しており、バンプ88を介して第2電極85と電気的に接続されている。パッド電極92は、バンプ89に接しており、バンプ89を介して第1電極84と電気的に接続されている。図29A,Bおよび図30A,Bは、上記の発光素子80を上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置1に適用したときの一例を表したものである。図29A,図30Aは、発光素子80が搭載された発光装置1の構成の一例を斜視的に表したものである。図29Bは、図29AのA-A矢視方向の断面構成の一例を表したものである。図30Bは、図30AのA-A矢視方向の断面構成の一例を表したものである。図29A,Bおよび図30A,Bに示したように、下面だけに電極を有する発光素子80が用いられている場合には、絶縁体20上面に開口20Aを設ける必要がなく、接続部41Bを設ける必要もない。ただし、その代わりに、下側電極42の一端を発光素子の直下にまで延在させ、下側電極42を第2導電型層83と電気的に接続されたパッド電極92に接続部94を介して接続するとともに、下側電極32を第1導電型層81と電気的に接続されたパッド電極91に接続部93を介して接続することが必要となる。なお、上側電極31、下側電極32、上側電極41および下側電極42についてのその他の構成については、上記実施の形態と同様である。第10変形例また、上記実施の形態およびその変形例では、複数の発光素子10または複数の発光素子80が一列に配列されていたが、行列状に配列されていてもよい。図31A,Bは、発光装置1において、複数の発光素子80が行列状に配列された様子の一例を表したものである。図31Aは、発光装置1の上面構成の一例を表したものであり、図31Bは、発光装置1の下面構成の一例を表したものである。図31A,Bには、発光装置1内に、発光素子80の一態様である赤色光を発する1つの発光素子80Rと、発光素子80の一態様である緑色光を発する2つの発光素子80Gと、発光素子80の一態様である青色光を発する1つの発光素子80Bとが設けられている様子が示されている。図31A,Bにおいて、発光素子80ごとに設けられた2つの端子電極30,40は、絶縁体20の4つの辺部のうち絶縁体20の角部辺部同士が接する箇所を間にして、辺部ごとに1つずつ配置されている。各端子電極30,40は、例えば、絶縁体20の4つの辺部において、同一種類の端子電極が2つずつ周回方向に交互に配置されるように配置されている。なお、図示しないが、各端子電極30,40は、絶縁体20の4つの辺部において、周回方向に交互に配置されていてもよい。<3.第2の実施の形態>構成次に、本発明の第2の実施の形態に係る表示装置2について説明する。表示装置2は、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置1を表示画素として備えたものである。図32は、表示装置2の概略構成の一例を斜視的に表したものである。表示装置2は、いわゆるLEDディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてLEDが用いられたものである。表示装置2は、例えば、図32に示したように、表示パネル210と、表示パネル210を駆動する駆動回路図示せずとを備えている。表示パネル210表示パネル210は、実装基板210-1と、透明基板210-2とを互いに重ね合わせたものである。透明基板210-2の表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域210Aを有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域210Bを有している。図33は、実装基板210-1の透明基板210-2側の表面のうち表示領域210Aに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。実装基板210-1実装基板210-1の表面のうち表示領域210Aに対応する領域には、例えば、図33に示したように、複数のデータ配線211が所定の方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。実装基板210-1の表面のうち表示領域210Aに対応する領域には、さらに、例えば、複数のスキャン配線212がデータ配線211と交差例えば直交する方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。データ配線211およびスキャン配線212は、例えば、Cu銅などの導電性材料からなる。スキャン配線212は、例えば、最表層に形成されており、例えば、基材表面に形成された絶縁層図示せず上に形成されている。なお、実装基板210-1の基材は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなり、基材上の絶縁層は、例えば、SiN、SiO2、またはAl2O3からなる。一方、データ配線211は、スキャン配線212を含む最表層とは異なる層例えば、最表層よりも下の層内に形成されており、例えば、基材上の絶縁層内に形成されている。絶縁層の表面上には、スキャン配線212の他に、例えば、必要に応じて、ブラックが設けられている。ブラックは、コントラストを高めるためのものであり、光吸収性の材料によって構成されている。ブラックは、例えば、絶縁層の表面のうち少なくとも後述のパッド電極215の非形成領域に形成されている。なお、ブラックは、必要に応じて省略することも可能である。データ配線211とスキャン配線212との交差部分の近傍が表示画素213となっており、複数の表示画素213が表示領域210A内においてマトリクス状に配置されている。各表示画素213には、例えば、図33に示したように、複数の発光素子10を含む発光装置1が実装されている。なお、図33には、3つの発光素子1010R,10G,10Bで一つの表示画素213が構成されており、発光素子10Rから赤色の光を、発光素子10Gから緑色の光を、発光素子10Bから青色の光をそれぞれ出力することができるようになっている場合が例示されている。発光素子10は、例えばLEDチップである。発光装置1には、例えば、図34A,Bに示したように、発光素子10ごとに一対の端子電極30,40が設けられている。そして、一方の端子電極30がデータ配線211に電気的に接続されており、他方の端子電極40がスキャン配線212に電気的に接続されている。例えば、端子電極30は、データ配線211に設けられた分枝211Aの先端のパッド電極420に配線層430を介して接続されている。また、例えば、端子電極40は、スキャン配線212に設けられた分枝212Aの先端のパッド電極420に配線層430を介して接続されている。各パッド電極420は、例えば、最表層に形成されており、例えば、図33、図34A,Bに示したように、各発光装置1が実装される部位に設けられている。ここで、パッド電極420は、例えば、Au金などの導電性材料からなる。配線層430は、例えば、鉛とスズを主成分とする合金からなる。実装基板210-1には、さらに、例えば、実装基板210-1と透明基板210-2との間の間隔を規制する複数の支柱図示せずが設けられている。支柱は、表示領域210Aとの対向領域内に設けられていてもよいし、フレーム領域210Bとの対向領域内に設けられていてもよい。透明基板210-2透明基板210-2は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなる。透明基板210-2において、発光装置1側の表面は平坦となっていてもよいが、粗面となっていることが好ましい。粗面は、表示領域210Aとの対向領域全体に渡って設けられていてもよいし、表示画素213との対向領域にだけ設けられていてもよい。粗面は、発光素子10から発せられた光が当該粗面に入射したときに入射光を散乱させる程度に細かな凹凸を有している。粗面の凹凸は、例えば、サンドブラストや、ドライエッチングなどによって作製可能である。駆動回路駆動回路は、映像信号に基づいて複数の表示画素213を駆動するものである。駆動回路は、例えば、表示画素213に接続されたデータ配線211を駆動するデータドライバと、表示画素213に接続されたスキャン配線212を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板210-1上に実装されていてもよいし、表示パネル210とは別体で設けられ、かつ配線図示せずを介して実装基板210-1と接続されていてもよい。[表示パネル210の製造方法]次に、表示パネル210の製造方法の一例について説明する。まず、例えば、図示しないが、基材上に、複数のデータ配線211を内部に含む絶縁層と、配線パターンスキャン配線212およびパッド電極215およびブラック218とを有する回路基板を用意する。次に、回路基板上に複数の発光装置1を実装する。このとき、上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で、発光装置1が実装される。その後、回路基板をリフローし、発光装置1の端子電極30,40を、配線層430を介してパッド電極420に接合させる。これにより、実装基板210-1が形成される。次に、実装基板210-1と透明基板210-2とを互いに向かい合わせ、貼り合わせる。このようにして、表示パネル210が製造される。[表示装置2の動作効果]本実施の形態では、発光装置1が駆動回路によって、単純マトリクス配置されたデータ配線211およびスキャン配線212を介して駆動単純マトリクス駆動される。これにより、データ配線211とスキャン配線212との交差部分近傍に設けられた発光装置1に順次、電流が供給され、表示領域210Aに画像が表示される。ところで、本実施の形態では、表示画素213に使用されるLEDが発光装置1に内蔵されており、この発光装置1が上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で回路基板上に実装される。これにより、例えば、カンチレバーを、上側電極31,41のうち配線層430で覆われていない部分に接触させるだけで、実装後の個々の発光素子10の特性を測定することができる。従って、実装後に個々の発光素子10の特性を容易に測定することができる。また、本実施の形態において、透明基板210-2の表面が粗面となっている場合には、発光装置1から斜め方向に発せられた光の一部が粗面で散乱される。これにより、散乱光の一部が透明基板210-2を透過し、外部に射出されるので、発光装置1から斜め方向に発せられた光が透明基板210-2の裏面で反射されたり、透明基板210-2内に閉じ込められ、迷光が発生したりするのを低減することができる。従って、透明基板210-2に起因する光取り出し効率の低下を抑制することができる。また、本実施の形態において、実装基板210-1の表面にブラック218が設けられている場合には、透明基板110-2側にブラックを設ける必要がない。これにより、製造過程において、実装基板210-1と、透明基板210-2とを互いに貼り合わせる際にアライメントが不要となるので、生産性が向上する。[第2の実施の形態の変形例]第2の実施の形態では、発光装置1は3つの発光素子10を含んでいたが、3つ未満の発光素子10を含んでいてもよいし、4つ以上の発光素子10を含んでいてもよい。例えば、図35に示したように、発光装置1が1つの発光素子10だけを含んでいてもよい。また、第2の実施の形態では、発光装置1内の各発光素子10が、互いに異なるデータ配線211に接続されていたが、例えば、図36に示したように、互いに同一のデータ配線211に接続されていてもよい。この場合に、1つの表示画素213からは同一色の光が発せられるように、発光装置1内の全ての発光素子10が同一種類のLEDで構成されていてもよい。また、第2の実施の形態では、3つの発光素子10が互いに異なる波長帯の光を発するようになっていたが、互いに等しい波長帯の光を発するようになっていてもよい。ただし、この場合には、例えば、図37に示したように、透明基板210-2の表面に、蛍光体215が設けられていることが好ましい。蛍光体215では、例えば、図37に示したように、1つの発光装置1に対して3つの蛍光体215G,215R,215Bが設けられている。蛍光体215Gは緑光用の蛍光体であり、蛍光体215Rは赤光用の蛍光体であり、蛍光体215Bは青光用の蛍光体である。このとき、各発光素子10が、例えば、青色光を発するLEDチップからなっている場合には、各発光素子10から発せられた光が蛍光体215G,215R,215Bに入射し、これにより蛍光体215G,215R,215Bが励起し、入射光量に応じた輝度の色光が蛍光体215G,215R,215Bから発せられる。<4.第3の実施の形態>構成次に、本発明の第3の実施の形態に係る照明装置3について説明する。照明装置3は、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置1を光源として備えたものである。図38は、照明装置3の概略構成の一例を斜視的に表したものである。照明装置3は、いわゆるLED照明と呼ばれるものであり、光源としてLEDが用いられたものである。この照明装置3は、例えば、図38に示したように、照明パネル310と、照明パネル310を駆動する駆動回路図示せずとを備えている。照明パネル310照明パネル310は、実装基板330-1と、透明基板330-2とを互いに重ね合わせたものである。透明基板330-2の表面が、照明光が出力される面となっており、中央部分に照明領域310Aを有している。図39は、実装基板330-1の透明基板330-2側の表面のうち照明領域310Aに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。本実施の形態では、図33に記載の表示画素213に対応するものが、照明画素214となる。駆動回路駆動回路は、複数の照明画素214を駆動するものである。駆動回路は、例えば、照明画素214に接続されたデータ配線211を駆動するデータドライバと、照明画素214に接続されたスキャン配線212を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板330-1上に実装されていてもよいし、照明パネル310とは別体で設けられていてもよい。[照明パネル310の製造方法]次に、照明パネル310の製造方法の一例について説明する。まず、例えば、基材上に、複数のデータ配線211を内部に含む絶縁層と、配線パターンスキャン配線212およびパッド電極215とを有する回路基板を用意する。次に、回路基板上に複数の発光装置1を実装する。このとき、上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で、発光装置1が実装される。その後、回路基板をリフローし、発光装置1の端子電極30,40を、配線層430を介してパッド電極420に接合させる。これにより、実装基板330-1が形成される。次に、実装基板330-1と透明基板330-2とを互いに向かい合わせ、貼り合わせる。このようにして、照明パネル310が製造される。[照明装置3の動作効果]本実施の形態では、発光装置1が駆動回路によって、単純マトリクス配置されたデータ配線211およびスキャン配線212によって駆動される。これにより、データ配線211とスキャン配線212との交差部分近傍に設けられた発光装置1に電流が供給され、照明領域310Aから照明光が出力される。ところで、本実施の形態では、光源に使用されるLEDが発光装置1に内蔵されており、この発光装置1が上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で回路基板上に実装される。これにより、例えば、カンチレバーを、上側電極31,41のうち配線層430で覆われていない部分に接触させるだけで、実装後の個々の発光素子10の特性を測定することができる。従って、実装後に個々の発光素子10の特性を容易に測定することができる。以上、複数の実施の形態およびそれらの変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、発光装置1が複数の発光素子10を含んでいたが、1つの発光素子10だけを含んでいてもよい。また、上記実施の形態等では、実装基板210-1,310-1には、複数の発光装置1がマトリクス状に実装されていたが、ライン状に実装されていてもよい。また、上記実施の形態等では、実装基板210-1,310-1には、発光装置1を駆動する配線として、単純マトリクス配置されたデータ配線211およびスキャン配線212が用いられていたが、他の配線パターンが用いられてもよい。また、上記実施の形態等では、絶縁体20が設けられていたが、省略されてもよい。この場合には、端子電極30,40は、中空配線となる。"