一方の面に第1電極を有すると共に、前記一方の面から他方の面に貫通孔を開けて熱硬化性樹脂を充填することにより形成される層間導電部を有する第1配線基板を形成する工程と、インターポーザ基板の前記第1配線基板側の第2電極と前記層間導電部とが電気的に接続されるように、前記インターポーザ基板を前記第1配線基板に位置決め配置する工程と、前記第1配線基板および前記インターポーザ基板を熱プレスにより積層することにより、前記層間導電部の硬化処理と、前記インターポーザ基板の前記第1配線基板側とは反対側の第3電極が設けられた面の平坦化処理とを一緒に行う工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。一方の面に第1電極を有すると共に、前記一方の面から他方の面に貫通孔を開けて熱硬化性樹脂を充填することにより形成される層間導電部を有する第1配線基板を形成する工程と、インターポーザ基板の前記第1配線基板側の第2電極と前記層間導電部とが電気的に接続されるように、前記インターポーザ基板を前記第1配線基板に位置決め配置する工程と、開口部が設けられた第1絶縁層を、前記インターポーザ基板が前記開口部より露呈するように、前記第1配線基板に位置決め配置する工程と、前記第1配線基板、前記インターポーザ基板および前記第1絶縁層を熱プレスにより一括積層することにより、前記層間導電部の硬化処理と、前記インターポーザ基板の前記第1配線基板側とは反対側の第3電極が設けられた面の平坦化処理とを一緒に行う工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記硬化処理および前記平坦化処理の工程の後、前記インターポーザ基板の前記第3電極と電気的に接続されるように、電子部品を前記インターポーザ基板上に接続することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。一方の面に第1電極を有すると共に、前記一方の面から他方の面に貫通孔を開けて熱硬化性樹脂を充填することにより形成される層間導電部を有する第1配線基板上に、一方の面の第2電極と、他方の面の、前記第2電極よりも微細な第3電極とを電気的に接続する貫通配線を有するインターポーザ基板が、前記層間導電部と前記第2電極とが電気的に接続するように、熱プレスにより積層されて構成されたことを特徴とする半導体装置。開口部が設けられた第1絶縁層を、前記インターポーザ基板が前記開口部より露呈するように、前記第1配線基板および前記インターポーザ基板と、一括積層するように構成された請求項4に記載の半導体装置。前記第3電極上に電子部品を載置し、その電子部品を覆うように第2絶縁層を積層するように構成された請求項5に記載の半導体装置。本発明は上述のような事情から為されたものであり、本発明の目的は、はんだの再リフローが不要となることにより製品設計またはプロセス設計などの自由度がより向上し、かつ、余計な平坦化処理も不要となる半導体装置の製造方法およびその方法により製造された半導体装置を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、一方の面に第1電極を有すると共に、前記一方の面から他方の面に貫通孔を開けて熱硬化性樹脂を充填することにより形成される層間導電部を有する第1配線基板を形成する工程と、インターポーザ基板の前記第1配線基板側の第2電極と前記層間導電部とが電気的に接続されるように、前記インターポーザ基板を前記第1配線基板に位置決め配置する工程と、前記第1配線基板および前記インターポーザ基板を熱プレスにより積層することにより、前記層間導電部の硬化処理と、前記インターポーザ基板の前記第1配線基板側とは反対側の第3電極が設けられた面の平坦化処理とを一緒に行う工程と、を備えることを要旨とする。また、上記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、一方の面に第1電極を有すると共に、前記一方の面から他方の面に貫通孔を開けて熱硬化性樹脂を充填することにより形成される層間導電部を有する第1配線基板を形成する工程と、インターポーザ基板の前記第1配線基板側の第2電極と前記層間導電部とが電気的に接続されるように、前記インターポーザ基板を前記第1配線基板に位置決め配置する工程と、開口部が設けられた第1絶縁層を、前記インターポーザ基板が前記開口部より露呈するように、前記第1配線基板に位置決め配置する工程と、前記第1配線基板、前記インターポーザ基板および前記第1絶縁層を熱プレスにより一括積層することにより、前記層間導電部の硬化処理と、前記インターポーザ基板の前記第1配線基板側とは反対側の第3電極が設けられた面の平坦化処理とを一緒に行う工程と、を備えることを要旨とする。また、前記硬化処理および前記平坦化処理の工程の後、前記インターポーザ基板の前記第3電極と電気的に接続されるように、電子部品を前記インターポーザ基板上に接続することが好適である。また、上記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置は、一方の面に第1電極を有すると共に、前記一方の面から他方の面に貫通孔を開けて熱硬化性樹脂を充填することにより形成される層間導電部を有する第1配線基板上に、一方の面の第2電極と、他方の面の、前記第2電極よりも微細な第3電極とを電気的に接続する貫通配線を有するインターポーザ基板が、前記層間導電部と前記第2電極とが電気的に接続するように、熱プレスにより積層されて構成されたことを要旨とする。また、開口部が設けられた第1絶縁層を、前記インターポーザ基板が前記開口部より露呈するように、前記第1配線基板および前記インターポーザ基板と、一括積層するように構成することが好適である。さらに、前記第3電極上に電子部品を載置し、その電子部品を覆うように第2絶縁層を積層するように構成することが好適である。本発明に係る半導体装置の製造方法およびその方法により製造された半導体装置によれば、はんだの再リフローが不要となることにより製品設計またはプロセス設計などの自由度がより向上し、かつ、余計な平坦化処理も不要となる。また、開口部が設けられた第1絶縁層を、前記インターポーザ基板が前記開口部より露呈するように、前記第1配線基板および前記インターポーザ基板と、一括積層するように構成すれば、上記効果に加えて、同一材料でインターポーザ基板周囲が充填されて、線膨張係数や弾性率などの材料特性が異なる材料界面を少なくできることから、材料界面での熱応力により剥離や集中場を減少でき、結果的に壊れにくい構造を達成し易くなる。さらに、前記第3電極上に電子部品を載置し、その電子部品を覆うように第2絶縁層を積層するように構成すれば、上記効果に加えて、電子部品の界面においての密着力が向上するという利点がある。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。<第1実施形態>図1は、本発明の半導体装置製造方法の第1実施形態における配線基板の製造方法を説明するための図である。まず、ポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層11の片面に銅箔12aが設けてある片面銅張板CCL:CopperCladLaminate10に、フォトリソグラフィーによりエッチングレジスト図示せずを形成したステップS11、図1a後に、塩化第二鉄を主成分とするエッチャントを用いて、化学エッチングにより銅回路パターン12を形成するステップS12、図1b。ここで、片面CCL10としては、好適には、12μm厚の銅箔に、25μm厚のポリイミドが貼り合わされているものが使用できる。しかしながら、それに限られることはなく、銅箔にポリイミドワニスを塗布してワニスを硬化させた、いわゆるキャスティング法により作製された片面CCLを使用することもできるし、他にも、ポリイミドフィルム上にシード層をスパッタし、めっきにより銅を成長させることによる片面CCLや、厚延や電解銅箔とポリイミドフィルムを接着剤によって貼り合わせたものを使用することができる。また、絶縁層11は、必ずしもポリイミドである必要はなく、液晶ポリマーなどのプラスチックフィルムも使用できる。また、銅のエッチャントは、塩化第二鉄を主成分とするものに限らず、塩化第二銅を主成分とするエッチャントを用いてもよい。次に、図1bのように形成された基材の銅回路パターン12とは反対側の面に、加熱圧着により、層間接着剤13を貼り合わせるステップS13、図1c。層間接着剤13としては、好適には、25μm厚のエポキシ系熱硬化性フィルム接着剤を使用できる。また、加熱圧着の工程においては、好適には、真空ラミネータを用い、減圧下の雰囲気中にて、接着剤の硬化温度以下の温度で、0.3MPaの圧力でプレスして貼り合わせることができる。なお、使用する層間接着剤としては、エポキシ系の熱硬化性フィルム接着剤に限定されることはなく、アクリル系などの接着剤も使用できるし、熱可塑性ポリイミドなどに代表される熱可塑性接着剤であっても構わない。また、接着剤は、必ずしもフィルム状である必要はなく、ワニス状の樹脂を塗布してもよい。次に、図1cのように形成された基材の絶縁層11および接着剤13に、UVレーザにより直径100μmのビアホールVH1を開口し、CF4およびO2の混合ガスによるプラズマデスミア処理を施すステップS14、図1d。なお、使用するレーザとしては、UVレーザのほかに、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザなどを使用することもでき、さらに、ドリル加工や化学的なエッチングによってビアホールVH1を開口しても構わない。また、プラズマデスミア処理においては、使用ガスは、CF4およびO2の混合ガスに限定されることはなく、Arなどのその他の不活性ガスを使用することもできるし、さらに、ドライ処理ではなく、薬液を用いたウェットデスミア処理でも構わない。次に、図1dのように形成されたビアホールVH1の内部に、スクリーン印刷法により、導電性ペースト14を充填して導電性ペーストビアとして形成するステップS15、図1e。導電性ペースト34としては、好適には、ニッケル、銀、銅から選択される少なくとも1種類の低電気抵抗の金属粒子と、錫、ビスマス、インジウム、鉛から選択される少なくとも1種類の低融点金属粒子とを含み、エポキシ樹脂を主成分とするバインダ成分を混合したペーストを使用することができる。以上の工程により配線基板1が形成される。次に、インターポーザ基板の製造方法を説明する。すなわち、シリコンウエハの状態で、先ず所要の箇所にビアホールを形成するステップS21。次に、ビアホールの内壁面およびウエハ表面に絶縁層21を形成するステップS22。次に、ビアホール内を含めて絶縁層21上へシード層を形成した後、このシード層を給電層として利用した電解めっきによりビアホール内へ導体を充填して貫通配線23を形成し、両面にめっき層めっきビアを形成して表裏ウエハ両面を導通させ、両面に電極配線パターン22を形成するステップS23。最後に、ウエハを各インターポーザ基板単位にダイシング個片化することによりインターポーザ基板2を得るステップS24。なお、インターポーザ基板2の材料としては、シリコンが好適であるが、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、セラミックス、ガラスセラミックス等の低温焼成セラミックスなどでもよい。図2は、図1に示した配線基板1と、インターポーザ基板2とを含んで組み立てる半導体装置の製造方法を説明するための図である。まず、図2aに示すように、配線基板1の導電性ペーストビアと、インターポーザ基板2の下面の電極22とが対応するように、インターポーザ基板2を配線基板1に対して位置決めしステップS31、その後、そのように位置決めされた配線基板1およびインターポーザ基板2を熱プレスにより積層するステップS32。このとき、導電性ペースト14の硬化処理と、インターポーザ基板2の上面の電極22の平坦化処理が一緒に行われる。その後、図2bに示すように、インターポーザ基板2の上面の電極22と、ベアチップ3の微小バンプ31とが対応するように、ベアチップ3をインターポーザ基板2に対して位置決めし、フリップチップボンダ等で実装するステップS33。以上のように第1実施形態の製造方法およびそれにより製造された半導体装置100によれば、熱硬化性樹脂たる導電性ペースト14を用いているので、以降の工程において、再リフローはなくなり、プロセス設計の自由度が向上する。また、導電性ペーストビアが高さのばらつきを吸収するので、余計な研磨を行わなくても、インターポーザ基板2の上面、すなわち実装面、の平坦化段差軽減が可能となる。<第2実施形態>次に、本発明の半導体装置製造方法およびその方法により製造された半導体装置の第2実施形態について説明する。第2実施形態においては、配線基板1およびインターポーザ基板2については、第1実施形態と同じであり、その説明を省略する。一方、第2実施形態においては、第1実施形態の構成に加えて、インターポーザ基板2を包囲できるような貫通孔または開口を有した絶縁基板4を用意する。ここで、絶縁基板4は、ポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層41の両面に銅箔42が設けられて構成されている。そこで、図3aに示すように、第1実施形態と同様にインターポーザ基板2を配線基板1に位置決めすると共に、絶縁基板4を、その開口からインターポーザ基板2が露呈するように配線基板1上に配置するステップS41。その後、そのように位置決めされた配線基板1、インターポーザ基板2、および絶縁基板4を、熱プレスにより積層するステップS42、図3b。このとき、第1実施形態と同様、導電性ペースト14の硬化処理と、インターポーザ基板2の上面の電極22の平坦化処理が一緒に行われる。また、かかる構成においては、配線基板1とインターポーザ基板2との間にアンダーフィル剤として接着剤13が流動し充填される。その後、図3cに示すように、第1実施形態と同様、インターポーザ基板2の上面の電極22と、ベアチップ3の微小バンプ31とが対応するように、ベアチップ3をインターポーザ基板2に対して位置決めし、フリップチップボンダ等で実装するステップS43。以上のように第2実施形態の製造方法およびそれにより製造された半導体装置200によれば、第1実施形態の効果に加えて、同一材料でインターポーザ基板2の周囲が充填されて、線膨張係数や弾性率などの材料特性が異なる材料界面を少なくできることから、材料界面での熱応力により剥離や集中場を減少でき、結果的に壊れにくい構造を達成し易くなる。<第3実施形態>次に、本発明の半導体装置製造方法およびその方法により製造された半導体装置の第3実施形態について説明する。第3実施形態における半導体装置300は、第2実施形態の製造方法により作製された半導体装置200に対して、ベアチップ3を封止するようにさらなる基材絶縁層を積層することにより作製される。図4は、第3の実施形態を説明するための図である。ここで、基材5は、絶縁層51、銅箔52、および層間接着剤53で構成され、配線基板1と同様に作製されたものに対して、ベアチップ3が嵌るような貫通孔または開口が設けられたものである。また、基材6は、絶縁層61および層間接着剤63で構成されている。そこで、図4aに示すように、半導体装置200に対して、ベアチップ3を覆うように、基材5および基材6を位置決めするステップS51。その後、図4bに示すように、そのように位置決めされた半導体装置200、基材5、および基材6を、熱プレスにより積層するステップS52。このとき、インターポーザ基板2とベアチップ3との間にアンダーフィル剤として接着剤53が流動し充填される。以上のように第3実施形態の製造方法およびそれにより製造された半導体装置300によれば、第2実施形態の効果に加えて、ベアチップ3の界面においての密着力が向上するという利点がある。