"第1導電型の半導体ウエハの第1主面に、半導体素子のゲート電極からなるMOSゲート構造および第1電極と、前記半導体素子の耐圧を保持するための耐圧構造部と、前記半導体素子および前記耐圧構造部を囲む第2導電型の第1半導体領域と、を形成する工程と、前記半導体ウエハの第2主面から前記第1半導体領域に達する溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの第2主面に第2導電型の第2半導体領域を形成するとともに、前記溝の側壁に前記第1半導体領域および前記第2半導体領域に電気的に接する第2導電型の第3半導体領域を形成する工程と、前記第2半導体領域に電気的に接する第2電極を形成する工程と、を含み、前記溝を形成する工程では、前記半導体ウエハの外周端部から内側に所定の幅で当該半導体ウエハを残し、当該半導体ウエハの外周端部よりも当該半導体ウエハの内側に前記溝を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記溝を形成する工程では、前記溝の側壁から前記半導体ウエハの外周端部までの距離を7mm以上残すように前記溝を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記溝の断面形状は、台形状または円形状であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記溝を形成する工程では、前記溝の底部に対応する部分の前記半導体ウエハの厚さが部分的に厚くなるように前記溝を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記溝を形成する工程では、前記半導体素子および前記耐圧構造部を囲むように前記溝を形成することを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、次のような問題が生じることが新たに判明した。上述した図12の切断線BB-BB’で切断した断面に示すようにウエハ200の外周端部202に達する溝130を形成した場合、ウエハプロセス処理中やウエハ搬送時、ウエハハンドリング時に、高い頻度でウエハ200に割れが生じた。ウエハ200の割れは、ウエハ200の外周端部202近傍の溝130を基点として生じることが確認された。割れの生じたウエハ200は、その後のウエハプロセスの製造ラインに載せることができない。したがって、ウエハ200の良品率が低下するという問題が生じる。この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、半導体ウエハの割れを低減させることのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、次の特徴を有する。まず、第1導電型の半導体ウエハの第1主面に、半導体素子のゲート電極からなるMOSゲート構造および第1電極と、前記半導体素子の耐圧を保持するための耐圧構造部と、前記半導体素子および前記耐圧構造部を囲む第2導電型の第1半導体領域と、を形成する工程を行う。つぎに、前記半導体ウエハの第2主面から前記第1半導体領域に達する溝を形成する工程を行う。つぎに、前記半導体ウエハの第2主面に第2導電型の第2半導体領域を形成するとともに、前記溝の側壁に前記第1半導体領域および前記第2半導体領域に電気的に接する第2導電型の第3半導体領域を形成する工程を行う。つぎに、前記第2半導体領域に電気的に接する第2電極を形成する工程を行う。このとき、前記溝を形成する工程では、前記半導体ウエハの外周端部から内側に所定の幅で当該半導体ウエハを残し、当該前記半導体ウエハの外周端部よりも当該半導体ウエハの内側に前記溝を形成する。また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記溝を形成する工程では、前記溝の側壁から前記半導体ウエハの外周端部までの距離を7mm以上残すように前記溝を形成することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記溝の断面形状は、台形状または円形状であることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記溝を形成する工程では、前記溝の底部に対応する部分の前記半導体ウエハの厚さが部分的に厚くなるように前記溝を形成することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記溝を形成する工程では、前記半導体素子および前記耐圧構造部を囲むように前記溝を形成することを特徴とする。上述した発明によれば、ウエハに形成された半導体素子および耐圧構造部を囲む溝を当該ウエハに形成する際に、溝の長手方向の端部がウエハの外周端部に達しないように当該溝を形成する。このため、ウエハプロセス処理中やウエハ搬送時、ウエハハンドリング時に、ウエハに割れが生じることを低減することができる。本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、半導体ウエハの割れを低減させることができるという効果を奏する。以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、nまたはpを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、nやpに付すおよび-は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。実施の形態1図1は、実施の形態1による半導体装置の製造途中のウエハの状態を示す説明図である。図1の上側に、半導体装置が形成された状態のウエハ10の平面図を示す。図1において、切断線A-A’で切断したウエハ10の断面は、溝3をその短手方向に複数の素子形成領域1を横切るように切断した断面構造である図1中央の断面図。切断線B-B’で切断したウエハ10の断面は、溝3をその長手方向に切断した断面構造である図1下側の断面図。また、図2は、実施の形態1にかかる溝の断面形状について示す断面図である。図1に示すように、ウエハ10の各素子形成領域1には、それぞれ半導体装置の素子構造不図示が形成される。ウエハ10に形成される半導体装置は、例えば、逆耐圧を有するIGBT逆阻止型IGBTである図11参照。逆阻止型IGBTは、オン状態のときに電流が流れる活性領域と、耐圧を保持するための耐圧構造部と、逆耐圧を保持するための分離構造部と、を備える。すなわち、活性領域、耐圧構造部および分離構造部は、各素子形成領域1内に形成される。各素子形成領域1の活性領域において、n型ドリフト領域となるn型のウエハ10の第1主面おもて面には、ベース領域、エミッタ領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極からなるMOSゲート構造およびエミッタ電極第1電極など、例えばIGBTのおもて面素子構造が形成される。耐圧構造部は、活性領域を囲むように形成される。各素子形成領域1の耐圧構造部において、ウエハ10の第1主面の表面層には、p型フィールドリミッティングリングおよびp型チャネルストッパーなどの耐圧構造部のおもて面素子構造が形成される。p型チャネルストッパーは、p型フィールドリミッティングリングと離れて、耐圧構造部の素子端部側に形成される。p型フィールドリミッティングリングおよびp型チャネルストッパーには、それぞれ導電膜が接続される。各導電膜は、層間絶縁膜によって互いに絶縁される。分離構造部は、各素子形成領域1の素子端部側に耐圧構造部を囲むように形成される。各素子形成領域1の分離構造部において、ウエハ10の第1主面の表面層には、ウエハ10の第2主面に達しない所定の深さで逆阻止型IGBTの逆耐圧を保持するためp型分離領域第1半導体領域が形成される。p型分離領域は、例えばイオン注入および熱処理による拡散によって形成される。また、p型分離領域は、p型チャネルストッパーに接するように形成される。そして、ウエハ10は、上述したように第1主面側に逆阻止型IGBTのおもて面素子構造、耐圧構造部のおもて面素子構造および分離構造部が形成された後、第2主面裏面側から薄板化される。薄板化されたウエハ10の第2主面には、p型分離領域に達する溝3が形成される。溝3は、ウエハ10の第2主面の外周端部側面2に達しないように形成される。すなわち、溝3は、ウエハの横方向素子の深さ方向に垂直な方向に貫通しないように形成される。また、溝3は、活性領域および耐圧構造部を囲むように、例えばウエハ10の素子形成領域1を囲むダイシングライン上に形成される。具体的には、溝3は、ウエハ10の第2主面に形成したレジストマスクをマスクとして、例えばウェットエッチングやドライエッチングによって形成される。また、溝3は、ウエハ10の外周端部2から内側に所定の幅で当該ウエハ10を残すように、ウエハ10の外周端部よりも内側に形成される。すなわち、溝3は、溝3の長手方向の端部がウエハ10の外周端部2-1a,2-2a,2-1b,2-2bに達しないように形成される。このように溝3を形成することにより、ウエハ10のダイシング時におけるウエハ10の割れを低減することができる。ウエハ10の外周端部2から内側に残される部分の幅、すなわち、ウエハ10の外周端部2からウエハ10の外周端部2に最も近い溝3の側壁上端までの距離以下、溝ウエハ外周端部間の最短距離とするw11は、1200V耐圧クラスの逆阻止型IGBTにおいて5mm以上であり、1700V耐圧クラスの逆阻止型IGBTにおいて7mm以上であるのが好ましい。溝ウエハ外周端部間の最短距離w11を大きくしすぎた場合、1枚のウエハ10から切り出されるチップ枚数が減少してコストが増大するため、逆阻止型IGBTの構成や耐圧クラスに合わせて溝ウエハ外周端部間の最短距離w11を適宜変更するのが好ましい。薄板化後のウエハ10の厚さは、1200V耐圧クラスの逆阻止型IGBTにおいて例えば190μm程度であり、1700V耐圧クラスの逆阻止型IGBTにおいて例えば270μm程度であってもよい。溝3の深さtは、1200V耐圧クラスの逆阻止型IGBTにおいて85μm以下であり、1700V耐圧クラスの逆阻止型IGBTにおいて175μm以下であってもよい。溝3の形成方法については後述する。溝3が形成されたウエハ10の断面形状については後述する。また、ウエハ10の第2主面の表面層には、溝3を形成するためのレジストマスクが除去された後に、活性領域から耐圧構造部にわたって逆阻止型IGBTのp型コレクタ層第2半導体領域:不図示が形成される。そして、溝3の側壁部の表面層には、p型コレクタ層およびp型分離領域に接するp型層第3半導体領域が形成される。すなわち、ウエハ10の第1主面側から所定の深さで形成されたp型分離領域と、溝3の側壁部に形成されたp型層とによって、p型コレクタ層とp型チャネルストッパーとが接続される。p型層は、例えばp型コレクタ層と同時に形成される。さらに、ウエハ10の第2主面側には、p型コレクタ層およびp型層に接するコレクタ電極第2電極が形成される。コレクタ電極は、例えば、化学気相成長法やスパッタリング法などの物理気相成長法によって形成される。このようにして、図1上側の平面図に点線で示すように、ウエハ10の第2主面に、ウエハ10の外周端部2に達しないように格子状に溝3が形成される。その後、ウエハ10は、溝3の底面の短手方向の幅よりも狭い幅を有するダイシングブレードを用いてダイシングラインに沿ってダイシングされチップ状に切断される。これにより、ウエハ10の各素子形成領域1に形成された逆阻止型IGBTが個々のチップに切断され、逆阻止型IGBTが完成する。つぎに、例えばウェットエッチングによって溝3の形成方法について説明する。まず、逆阻止型IGBTのおもて面素子構造耐圧構造部のおもて面素子構造および分離構造部のp型分離領域も含むが形成されたウエハ10の第1主面を保護レジストによって保護する。そして、保護レジストの表面にテープを貼り付ける。逆阻止型IGBTのおもて面素子構造、耐圧構造部のおもて面素子構造および分離構造部のp型分離領域は、例えば従来と同様の方法で形成されてもよい。つぎに、ウエハ10のテープが貼り付けられた第1主面側を下にして、ウエハ10を例えばステージに固定する。つぎに、例えば研削またはエッチングによって、ウエハ10の第2主面側からウエハ10を均一に除去してウエハ10を薄板化する。ウエハ10の第1主面に保護レジストが形成される際にウエハ10の第1主面から側面および第2主面にまたがって保護レジストが形成されるが、ウエハ10の裏面に形成された保護レジストは、ウエハ10の第2主面側からウエハ10が薄板化されることによって除去される。ウエハ10を薄板化した後、ウエハ10の第1主面からテープを剥離する。つぎに、フォトリソグラフィーによって、ウエハ10の第2主面に、溝3の形成領域が開口するレジストマスクを形成する。レジストマスクの開口部は、ウエハ10の第2主面に塗布されたレジストの、ウエハ10の外周端部2から少なくとも溝ウエハ外周端部間の最短距離w11分だけウエハ10の内側までの領域に対応する部分には形成されない。つぎに、ウエハ10全体をアルカリ溶液に浸漬してウェットエッチングを行い、レジストマスクの開口部に露出するウエハ10を除去する。これにより、ウエハ10の第2主面に溝3が形成される。溝3は、ウエハ10の第1主面に形成されたp分離領域に達する深さtとなるように形成される。溝3を形成するためのレジストマスクは、溝3のパターンをレジストに露光および現像することによって形成されてもよい。具体的には、ステッパーを用いてウエハ10の第2主面に塗布された例えばレジストを露光する。このとき、ウエハ10の第2主面に塗布されたレジストの、ウエハ10の外周端部2から少なくとも溝ウエハ外周端部間の最短距離w11分だけウエハ10の内側までの領域に対応する部分に溝3のパターンを露光しないように露光条件を設定する。つぎに、溝3が形成されたウエハ10の断面形状について説明する。図1上側のウエハ10の平面図に示すように、溝3は、ウエハ10の外周端部2に達しないように格子状の平面レイアウトで配置される。このため、図1の中央および下側の切断線A-A’,B-B’で切断したウエハ10の断面に示すように、ウエハ10の外周端部2-1a,2-2a,2-1b,2-2bにおける厚さは、ウエハ10の中央部2-3a,2-3bの溝3が形成されている部分に比べて厚くなる。図1の切断線A-A’,B-B’で切断したウエハ10の断面では、溝3の側壁は、ウエハ10の第1主面に対して垂直に図示されているが、後述する図2に示すようにウエハ10の第1主面に対して斜度を有する。具体的には、切断線A-A’で切断したウエハ10の断面においては、溝3は、ウエハ10の第2主面に一定の間隔で形成され、ウエハ10の第2主面の外周端部2-1a,2-2aには形成されていない。このため、切断線A-A’におけるウエハ10の断面形状は、第2主面側に溝3による凹凸が形成される。ウエハ10の、隣り合う溝3に挟まれた部分には、逆阻止型IGBTおよび耐圧構造部の素子構造不図示が形成される。一方、切断線B-B’で切断したウエハ10の断面においては、ウエハ10の外周端部2-1b,2-2bにおけるウエハ10の厚さを残して溝3が形成される。具体的には、溝3は、ウエハ10の第2主面の外周端部2-1bから他方の外周端部2-2bにわたって形成されず、ウエハ10を横方向に貫通しない。このため、切断線B-B’におけるウエハ10の断面形状は、中央部2-3bの厚さが一様に薄く除去され、外周端部2-1b,2-2bが厚く残る凹部状となる。つぎに、ウエハ10に形成される溝3の断面形状について説明する。図2に示すように、溝3は、溝3の開口部の短手方向の第1幅w21が溝3の底面の短手方向の第2幅w22よりも広い台形状の断面形状を有する。また、溝3の側壁に110面が露出するように溝3を形成するのが好ましい。その理由は、溝3の側壁を平坦な面にすることができるので、溝3の側壁に形成されるp型層の拡散深さを均一にすることができるからである。このような台形状の断面形状を有する溝3は、例えばウェットエッチングによって形成される。具体的には、溝3は、レジストマスク11をマスクとして、異方性エッチングによってp型分離領域4に達する深さtで形成される。異方性エッチングによって溝3の底面の延長線と溝3の側壁とのなす角θが鋭角になり、台形状の断面形状を有する溝3が形成される。第1幅w21は、例えば250μm程度であってもよい。第2幅w22は、例えば100μm程度であってもよい。また、溝3の断面形状は、略矩形状としてもよい不図示。略矩形状の断面形状を有する溝3は、例えばドライエッチングによって形成される。具体的には、溝3は、レジストマスクをマスクとして、異方性エッチングによってp型分離領域に達する深さで形成される。異方性エッチングによって溝3を形成することによって、溝3の底面の延長線と溝3の側壁とのなす角θが略90°程度となり、略矩形状の断面形状を有する溝3が形成される。以上、説明したように、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法によれば、ウエハ10の素子形成領域1の分離構造部に溝3を形成する際に、溝3の長手方向の端部がウエハ10の外周端部に達しないように当該溝3を形成する。このため、ウエハプロセス処理中やウエハ搬送時、ウエハハンドリング時に、ウエハ10に割れが生じることを低減することができる。したがって、ウエハ10の第1主面側から第2主面にまで達する深い拡散層を備えた逆阻止型IGBTと比べて、ウエハ10の良品率を向上することができる。また、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法によれば、ウエハ10の第1主面に形成したp型分離領域とp型コレクタ層とをp型層によって電気的に接続した逆阻止型IGBTの製造方法に適用することができる。このため、p型分離領域を形成するための1300°Cの温度で100時間以上の熱処理を行うことなく、ウエハ10の第1主面側から第2主面にまで達する深い拡散層を備えた逆阻止型IGBTと同程度の逆耐圧を有する逆阻止型IGBTを良品率よく製造することができる。実施の形態2図3は、実施の形態2にかかる溝の断面形状について示す断面図である。実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態1と異なるのは、図3に示すように、ウエハ10の素子形成領域1の分離構造部に形成される溝として、底面コーナー部31aの形状を円弧状とした溝31を形成することである。このような溝31は、例えば、ウエハ10の素子形成領域1の分離構造部に形成した溝の底面コーナー部を円形状に変形させることにより形成される。具体的には、まず、実施の形態1と同様に、レジストマスク11をマスクとして例えばウェットエッチングを行い、ウエハ10の第2主面に、素子形成領域1の分離構造部に形成されたp型分離領域4に達する溝を形成する。そして、この溝の底面コーナー部に例えばレーザーを照射して円形状に変形させる。これにより、底面コーナー部31aが円弧状の溝31が形成される。溝31の底面コーナー部31aだけでなく、溝31の底面を円弧状にし、例えばU字状の断面形状を有する溝31を形成してもよい。また、溝31を形成する別の一例として、エッチングを2回行い、2回目のエッチングによって溝の底面コーナー部を円形状に変形させてもよい。具体的には、まず、実施の形態1と同様にウェットエッチングを行い1回目のエッチング、ウエハ10の第2主面にp型分離領域4に達する溝を形成する。そして、レジストマスク11を除去する。その後、ドライエッチングなどの等方性エッチングを行い2回目のエッチング、溝の底面コーナー部を円形状に変形させる。このように2回目にドライエッチングを行うことにより、1回目のエッチング時に溝内に突出するように溝の側壁上端にオーバーハングが形成されたとしても、このオーバーハングを2回目のエッチングによって除去することができる。溝31の寸法は、例えば、実施の形態1にかかる溝の寸法と同様である。ウエハ10に形成される溝31以外の逆阻止型IGBTの構成は、実施の形態1のウエハに形成される逆阻止型IGBTの構成と同様である。実施の形態2にかかる溝31の形成方法を除く逆阻止型IGBTの製造方法は、実施の形態1にかかる逆阻止型IGBTの製造方法と同様である。以上、説明したように、実施の形態2によれば、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法と同様の効果を得ることができる。また、ウエハ10の溝31の底面コーナー部31aの形状を円弧状にすることにより、ウエハ10のウエハプロセス処理中、ウエハ搬送時、ウエハハンドリング時にウエハ10の溝31の底面コーナー部31aにかかる応力をより低減することができる。したがって、ウエハ10の割れをより低減させることができる。実施の形態3図4は、実施の形態3にかかる溝の断面形状について示す断面図である。実施の形態3にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態1と異なるのは、図4に示すように、ウエハ10の素子形成領域1の分離構造部に形成される溝の底面に対応する部分のウエハ10の厚みが部分的に厚くなるように当該溝32を形成することである。このような溝32は、例えば、隣り合う素子形成領域1の間に溝32の形成領域の短手方向に並ぶように2本の溝を形成し、この2本の溝の間に形成された突起部を所定の高さまで小さくすることにより形成される。具体的には、溝32は、例えば、次のように形成される。図5は、実施の形態3による半導体装置の製造途中の溝の状態を示す断面図である。また、図6は、実施の形態3による半導体装置の製造途中のウエハの状態を示す平面図である。まず、図5に示すように、例えば、ウエハ10の第1主面に、溝32の形成領域が開口する第1レジストマスク11を形成するとともに、溝32の形成領域内に例えば中央部に設けられたダイシングライン不図示の上方のみを覆う第2レジストマスク12を形成する。つぎに、第1,2レジストマスク11,12をマスクとして例えばウェットエッチングを行い、第1,2レジストマスク11,12の開口部に露出するウエハ10を除去して、ウエハ10の第2主面にp型分離領域4に達する溝32を形成する。このとき、溝32の形成領域の中央部を覆う第2レジストマスク12によって、ウエハ10の第2レジストマスク12の下方の部分を除去するエッチング速度は、第1,2レジストマスク11,12の開口部に露出するウエハ10を除去するエッチング速度よりも遅くなる。これにより、図5に示すように、第2レジストマスク12に対応する溝32の底面から突出する突起部32aによって2本の溝に分離された溝32が形成される。その後、ウェットエッチングを続けることにより、溝32の底面から突出する突起部32aの高さが低くなり、突起部32aの上端部と第2レジストマスク12との間に隙間が生じる。これにより、図4に示すように、突起部32aの上方の空間で2本の溝が連結されるので、突起部32aによって底面が部分的に突出した断面形状を有する溝32が形成される。溝32の開口部の短手方向の第1幅w31は、例えば155μmであってもよい。溝32の底面の短手方向の第2幅w32は、例えば100μmであってもよい。エッチング終了後に溝32の底面に残る突起部32aの短手方向の第3幅w33は、ウエハ10のダイシング時にダイシングブレードによって除去される程度の幅であるのが好ましい。その理由は、ダイシングによってチップ状に切断された完成後の逆阻止型IGBTの素子端部に形成される溝32の底面を平坦な状態にすることができるからである。エッチング終了後に溝32の底面に残る突起部32aの短手方向の第3幅w33は、例えば20μm~30μmであってもよい。溝32を形成するための第1,2レジストマスク11,12は、図6に示すように、溝32の長手方向の端部など任意の箇所で互いに連結されていてもよい。第1,2レジストマスク11,12が連結されていることにより、ウエハ10のエッチング時に第2レジストマスク12がエッチング浴内を漂うことを防止することができる。このため、エッチング浴内を漂う第2レジストマスク12が付着物としてウエハ10に再付着することを防止することができる。また、エッチング浴内を漂う第2レジストマスク12によるエッチング浴の劣化を防止することができる。ウエハ10に形成される溝32以外の逆阻止型IGBTの構成は、実施の形態1のウエハに形成される逆阻止型IGBTの構成と同様である。実施の形態3にかかる溝32の形成方法を除く逆阻止型IGBTの製造方法は、実施の形態1にかかる逆阻止型IGBTの製造方法と同様である。以上、説明したように、実施の形態3によれば、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法と同様の効果を得ることができる。また、割れの生じやすい溝32の底面に対応する部分のウエハ10の厚さを従来よりも厚く形成することができる。これにより、ウエハプロセス処理中、ウエハ搬送時、ウエハハンドリング時におけるウエハ10の割れをより低減させることができる。実施の形態4図7は、実施の形態4にかかる溝の平面形状について示す平面図である。実施の形態4にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態1と異なるのは、図7に示すように、ウエハ10の外周端部2に最も近い素子形成領域1のコーナー部1aから当該コーナー部1aに対向する溝33の側壁コーナー部33aまでの溝33の開口部の第4幅w12を、溝33の他の部分の開口部の第1幅w21よりも狭くすることである。具体的には、例えば、ウエハ10の外周端部2に最も近い溝33の側壁コーナー部33aを円弧状の平面形状にする。また、図7に示す溝33の変形例を示す。図8は、実施の形態4にかかる溝の平面形状の別の一例について示す平面図である。図8に示すように、ウエハ10の外周端部2に最も近い溝34の側壁コーナー部34aを面取りした平面形状にすることで、溝33の第4幅w12を第1幅w21よりも狭くしてもよい。このような溝33,34は、例えば、溝33,34を形成するためのレジストマスクの溝33の第4幅w12に対応する部分のパターンを適宜設定し、このレジストマスクをマスクとしてウェットエッチングを行うことで形成される。溝33,34を形成する際には、ウエハ10のダイシング後の逆阻止型IGBTの素子端部に、溝33,34の側壁コーナー部33a,34aが残らないように溝33,34の側壁コーナー部33a,34aの平面形状を適宜設定するのが好ましい。その理由は、溝33,34の側壁コーナー部33a,34aが残ってしまった場合、チップ状の逆阻止型IGBTの溝33,34が半田で充填されたときに、逆阻止型IGBTの電気的特性に悪影響を及ぼすからである。溝33,34の側壁コーナー部33a,34a部分以外の寸法は、例えば、実施の形態1にかかる溝の寸法と同様である。ウエハ10に形成される溝33,34以外の逆阻止型IGBTの構成は、実施の形態1のウエハに形成される逆阻止型IGBTの構成と同様である。実施の形態4にかかる溝33,34の形成方法を除く逆阻止型IGBTの製造方法は、実施の形態1にかかる逆阻止型IGBTの製造方法と同様である。以上、説明したように、実施の形態4によれば、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法と同様の効果を得ることができる。また、上述したように第4幅w12を設定することで、溝ウエハ外周端部間の最短距離w41,w51を広げることができる。したがって、1枚のウエハ10に配置される素子形成領域1の個数を増やすことができる。したがって、1枚のウエハ10から切り出されるチップ枚数を増やすことができる。実施例1つぎに、ウエハ10の割れ発生率について検証する。図9は、ウエハの割れ発生率について示す特性図である。実施の形態1にしたがい、溝ウエハ外周端部間の最短距離w11を種々変更してウエハ10に逆阻止型IGBTを作製した。溝ウエハ外周端部間の最短距離w11の異なる各ウエハ10について、それぞれ割れ発生率を測定した。逆阻止型IGBTの耐圧クラスを1700Vとした。逆阻止型IGBTの活性領域側の厚さエミッタ電極を含むを190μmとした。逆阻止型IGBTの活性領域側の厚さエミッタ電極を含まないを180μmとした。逆阻止型IGBTの分離構造部側の厚さを100μmとした。溝ウエハ外周端部間の最短距離w11を9mm以下の範囲で種々変更した。図9に示す結果より、溝ウエハ外周端部間の最短距離w11を7mm以上とすることで、ウエハ10の割れ発生率が低減することが確認された。また、図示を省略するが耐圧クラス1700V未満の逆阻止型IGBTが形成されたウエハは、耐圧クラス1700Vの逆阻止型IGBTが形成されたウエハ10よりも割れ発生率が低いことが発明者らによって確認されている。このため、耐圧クラス1700Vの逆阻止型IGBTが形成されたウエハ10の割れ発生率を低減する溝ウエハ外周端部間の最短距離w11の設定条件は、耐圧クラス1700V未満の逆阻止型IGBTが形成されたウエハに適用した場合においてもウエハの割れ発生率を低減する設定条件となる。したがって、溝ウエハ外周端部間の最短距離w11を7mm以上とすることで、耐圧クラス1700V未満の逆阻止型IGBTが形成されたウエハの割れ発生率を低減することができることが検証された。実施例2つぎに、耐圧クラスが低いほどウエハ10の割れ発生率が低くなることについて検証した。図10は、実施例にかかるウエハ外周端部の端部形状について模式的に示す断面図である。実施の形態1にしたがい、ウエハ10の第1主面側に逆阻止型IGBTのおもて面素子構造などを形成する処理から、ウエハ10の第2主面側にp型コレクタ領域およびp型層を形成するまでの処理を行った。そして、ウエハ10の第1主面のおもて面素子構造を保護する保護レジスト、およびウエハ10の第2主面に溝を形成するためのレジストマスクを除去した後の、ウエハ10の外周端部2の端部形状を観察した。具体的には、ウエハ10に上記p型コレクタ領域およびp型層を形成するまでの処理を行い、耐圧クラス1200Vの逆阻止型IGBTが形成されたウエハ10以下、第1ウエハとすると、耐圧クラス1700Vの逆阻止型IGBTが形成されたウエハ10以下、第2ウエハとするとを準備した。第1ウエハの薄板化後の厚さを190μmとした。第2ウエハの薄板化後の厚さを270μmとした。このような第1,2ウエハの外周端部2の端部形状を観察した。図10a,10bに、それぞれ第1,2ウエハの外周端部2の端部形状を示す。図10a,10bにおいては図示を省略するが、第1,2ウエハには素子構造や溝が形成されている。図10a,10bに示すように、第1ウエハの外周端部2の端部形状は、第2ウエハの外周端部2の端部形状に比べて鋭角になることが確認された。このように、第1ウエハの厚さは第2ウエハよりも薄い。かつ、第1ウエハの外周端部2の端部形状は、第2ウエハの端部形状に比べて鋭角になっている。このため、例えば、ウエハをウエハキャリアに収納する際にウエハキャリア内の仕切り部にウエハ端部が接触したとしても、第1ウエハは、第2ウエハよりも容易に変形し、ウエハキャリア内の仕切り部との接触による摩擦が第2ウエハの場合よりも少ない。これにより、第1ウエハは、第2ウエハよりも割れ発生率が低くなると推測される。また、第1ウエハのような耐圧クラス1700V未満の逆阻止型IGBTが形成されたウエハの厚さは、その耐圧クラスに応じて、耐圧クラス1700Vの逆阻止型IGBTが形成された第2ウエハよりも薄くなる。このため、第1ウエハのような耐圧クラス1700V未満の逆阻止型IGBTが形成されたウエハの外周端部2は、そのウエハの厚さに応じて、耐圧クラス1700Vの逆阻止型IGBTが形成された第2ウエハの外周端部2よりも端部形状が鋭角になる。したがって、耐圧クラス1700V未満の逆阻止型IGBTが形成されたウエハは、耐圧クラス1700Vの逆阻止型IGBTが形成された第2ウエハよりも割れ発生率が低くなることが検証された。以上において本発明では、逆阻止型IGBTを例に説明しているが、上述した実施の形態に限らず、素子端部に溝を備える半導体装置に適用することが可能である。"