回路基板領域及びダミー領域に区画されたパネル基板を提供するステップと、前記回路基板領域のうちメッキで形成される回路パターンの面積の割合を算出するステップと、前記回路基板領域のメッキ面積の割合を考慮し、前記ダミー領域でのメッキされる面積の割合を決定するステップと、前記回路基板領域及び前記ダミー領域にメッキ部を設定するステップと、前記パネル基板に電解メッキを施して回路パターンを形成するステップと、を含む回路基板の製造方法。前記メッキ部を設定するステップは、前記回路基板領域及び前記ダミー領域でのメッキされる部分を選択的に露出させるメッキレジストを前記パネル基板に積層するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の回路基板の製造方法。前記メッキレジストを積層するステップの前に、前記パネル基板にシード層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の回路基板の製造方法。前記ダミー領域のメッキ面積を決定するステップは、前記ダミー領域のメッキ面積の割合を前記回路基板領域のメッキ面積の割合に対して95に設定することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の回路基板の製造方法。基板領域及びダミー領域に区画されたパネル基板を提供するステップと、前記基板領域のうちメッキされる部分の面積の割合を算出するステップと、前記基板領域のメッキ面積の割合を考慮し、前記ダミー領域でのメッキされる面積の割合を決定するステップと、前記基板領域及び前記ダミー領域にメッキ部を設定するステップと、前記パネル基板に電解メッキを施すステップと、を含む基板メッキ方法。前記基板領域には回路パターンが形成され、前記基板領域の面積の割合を算出するステップは、前記基板領域に形成される前記回路パターンの面積を算出することを特徴とする請求項5に記載の基板メッキ方法。前記メッキ部を設定するステップは、前記基板領域及び前記ダミー領域のメッキされる部分を選択的に露出させるメッキレジストを前記パネル基板に積層するステップを含むことを特徴とする請求項5に記載の基板メッキ方法。前記メッキレジストを積層するステップの前に、前記パネル基板にシード層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の基板メッキ方法。前記ダミー領域のメッキ面積を決定するステップは、前記ダミー領域のメッキ面積の割合を前記基板領域のメッキ面積の割合に対して95に設定することを特徴とする請求項5から請求項8までのいずれか1項に記載の基板メッキ方法。本発明は、上記のような問題点に鑑み、ダミーの影響によるメッキ偏差を最小化することができる基板メッキ方法及びこれを用いた回路基板の製造方法を提供することに目的がある。本発明の一実施形態によれば、回路基板領域及びダミー領域に区画されたパネル基板を提供するステップと、上記回路基板領域のうちメッキで形成される回路パターンの面積の割合を算出するステップと、上記回路基板領域でのメッキ面積の割合を考慮し、上記ダミー領域でのメッキされる面積の割合を決定するステップと、上記回路基板領域及び上記ダミー領域にメッキ部を設定するステップと、上記パネル基板に電解メッキを施して回路パターンを形成するステップと、を含む回路基板の製造方法が提供される。上記メッキ部を設定するステップは、上記回路基板領域及び上記ダミー領域でのメッキされる部分を選択的に露出させるメッキレジストを上記パネル基板に積層するステップを含むことができる。上記メッキレジストを積層するステップの前に、上記パネル基板にシード層を形成するステップをさらに含むことができる。上記ダミー領域のメッキ面積を決定するステップでは、上記ダミー領域のメッキ面積の割合を上記回路基板領域のメッキ面積の割合に対して95に設定することができる。また、本発明の他の実施形態によれば、基板領域及びダミー領域に区画されたパネル基板を提供するステップと、上記基板領域のうちメッキされる部分の面積の割合を算出するステップと、上記基板領域のメッキ面積の割合を考慮し、上記ダミー領域でのメッキされる面積の割合を決定するステップと、上記基板領域及び上記ダミー領域にメッキ部を設定するステップと、上記パネル基板に電解メッキを施すステップと、を含む基板メッキ方法が提供される。上記基板領域には回路パターンが形成され、上記基板領域の面積の割合を算出するステップでは、上記基板領域に形成される上記回路パターンの面積を算出することができる。上記メッキ部を設定するステップは、上記基板領域及び上記ダミー領域でのメッキされる部分を選択的に露出させるメッキレジストを上記パネル基板に積層するステップを含むことができる。上記メッキレジストを積層するステップの前に、上記パネル基板にシード層を形成するステップをさらに含むことができる。上記ダミー領域のメッキ面積を決定するステップは、上記ダミー領域のメッキ面積の割合を上記基板領域のメッキ面積の割合に対して95に設定することができる。本発明によれば、パネル基板の外郭に配置された回路基板領域においては、ダミー領域によるメッキ偏差を最小化することにより、回路基板の間のメッキ偏差を改善することができる。以下に、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を示す順序図である。本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法は、パネル基板を提供するステップS110と、回路基板領域の面積の割合を算出するステップS120と、ダミー領域での面積の割合を決定するステップS130と、メッキ部を設定するステップS140と、回路パターンを形成するステップS150と、を含むことにより、メッキの際に基板領域でのメッキされる面積の割合に対するダミー領域20でのメッキ面積の割合を調整する方法を用いてメッキ厚さの偏差を最小化することができる。パネル基板を提供するステップS110では、回路基板領域10及びダミー領域20に区画されたパネル基板5を提供する。図2は、本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法におけるパネル基板を示す図面である。図2に示すように、本実施例では、マトリックス形態に分けられた複数の回路基板領域10と複数の回路基板領域10の外郭を取り囲むダミー領域20とからなっているパネル基板5が提供される。回路基板領域の面積の割合を算出するステップS120は、後述する回路パターンを形成するステップS150で、回路基板領域10のうちメッキで形成される回路パターンの面積の割合を算出するステップである。つまり、回路基板領域10のうちメッキされる部分が占める面積の割合を計算する。その後、ダミー領域の面積の割合を決定するステップS130では、回路基板領域10のメッキ面積の割合を考慮し、ダミー領域20でのメッキされる面積の割合を決定する。パネル基板5の外郭部の回路基板領域10に関するメッキの品質は、ダミー領域20の影響を大きく受ける。多くの実験を繰り返した結果、ダミー領域20でのメッキされる面積が占める割合と回路基板領域10でのメッキ面積の割合との関係は、回路基板領域10におけるメッキ厚さの偏差に重要であることが確認された。これにより、回路基板領域10のメッキ面積の割合に対してダミー領域20のメッキ面積の割合を調整してメッキ厚さの偏差を最小化することができる。本実施例では、ダミー領域20のメッキ面積の割合を、回路基板領域10のメッキ面積の割合に対して95に設定する。メッキ部を設定するステップS140では、回路基板領域10及びダミー領域20にメッキ部を設定する。回路基板領域10において、回路パターンが形成される部分とともに面積の割合が決定されたダミー領域20のメッキ部分が、後述するメッキ過程で選択的にメッキされるようにする。図3は、本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法におけるメッキ部の設定を示す図面である。図3に示すように、本実施例では、回路基板領域10及びダミー領域20でのメッキされる部分を選択的に露出させるメッキレジスト40をパネル基板5に積層して選択的にメッキされるメッキ部を形成する。このとき、パネル基板5にシード層30を形成し、電解メッキ工程での電極として用いることができる。そして、シード層30は、メッキ後にフラッシュエッチングなどにより除去可能である。回路パターンを形成するステップS150では、パネル基板5に電解メッキを施し、回路パターンを形成する。上述したように、本実施例ではダミー領域20に、回路基板領域10のメッキ面積の割合に相応してメッキ部の面積の割合が決定されているので、パネル基板5の外郭に配置された回路基板領域10においてもダミー領域20によるメッキ偏差を最小化することができる。よって、製造された回路基板の間のメッキ偏差を改善することができる。図4及び図5は、本発明の一実施例に係るダミー領域20におけるメッキ面積の割合によるメッキ偏差を説明するための図面である。図4及び図5に示すように、回路基板領域10のメッキ面積の割合に対するダミー領域20のメッキ面積の割合を調整しながら実験した結果、本実施例のように、ダミー領域20のメッキ面積の割合を回路基板領域10のメッキ面積の割合に対して95に設定する場合、メッキ厚さの偏差が最小化することが確認された。一方、本実施例では、回路パターンの形成のためのメッキを施した場合を中心に説明したが、本発明に係る基板のメッキ方法は基板に回路パターンを形成する以外に他のメッキ物を形成する際にも用いることができる。以上では、本発明の実施例を中心にして説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば下記の特許請求の範囲に記載した本発明の思想及び領域から脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できよう。上述した実施例以外の多くの実施例が本発明の特許請求範囲内に存在する。