"セラミック原料粉末とガラス粉末からなる低温焼成基板材料にバインダーと溶剤を混合させたスラリーから形成され、金属ナノ粒子が分散されている導電性インクで配線形状を描画した後に焼成することによってセラミック基板となるグリーンシートであって、構造式に親水性基と疎水性基を有するシリコーンを前記低温焼成基板材料に対して重量比で5~10含有することを特徴とするグリーンシート。請求項1の記載において、前記シリコーンがアルコキシ基を有することを特徴とするグリーンシート。金属ナノ粒子が分散されている導電性インクでグリーンシートの表面に配線形状を描画した後、このグリーンシートを複数枚積層して圧着してから焼成することによって製造され、前記配線形状の導体パターンを有するセラミック多層基板であって、構造式に親水性基と疎水性基を有するシリコーンを予め前記グリーンシートに含有させておくことにより、前記導体パターンにSiO2が体積比で15以上含まれるようにしたことを特徴とするセラミック多層基板。請求項3の記載において、前記シリコーンがアルコキシ基を有することを特徴とするセラミック多層基板。セラミック原料粉末とガラス粉末からなる低温焼成基板材料にバインダーと溶剤を混合すると共に、構造式に親水性基と疎水性基を有するシリコーンを混合することによって、前記シリコーンが前記低温焼成基板材料に対して重量比で5~10含有されたスラリーを作製する工程と、前記スラリーをキャリアフィルム上に塗布して乾燥することによりグリーンシートを作製する工程と、前記グリーンシートを所望形状に打ち抜いた後、金属ナノ粒子が分散されている導電性インクで前記グリーンシートの表面に配線形状を描画する工程と、前記配線形状が描画された前記グリーンシートを複数枚積層して圧着することにより積層成形体を作製する工程と、前記積層成形体を焼成して前記配線形状の導体パターンを有するセラミック多層基板となす工程と、を含むことを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。請求項5の記載において、前記シリコーンがアルコキシ基を有することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。セラミック多層基板の生産現場において、金属ナノ粒子を分散せしめた導電性インクによってグリーンシートの表面に配線形状を描画する場合、この導電性インクはインクジェットノズルから長時間連続して吐出させる必要がある。したがって、金属ナノ粒子の凝集や析出等によってノズルが目詰まりを起こさないようにするため、導電性インク中には分散剤や保湿剤などの有機成分を多量に含有させねばならない。それゆえ、導電性インクにシリコーンを添加しておくという前述した従来技術において、導体パターンの断線を効果的に防止できる量のシリコーンを添加することは現実に困難であり、仮に必要十分な量のシリコーンを導電性インクに添加した場合は、ノズルが目詰まりを起こしやすくなって描画精度も低下してしまう。本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、導電性インクによって配線形状が描画される導体パターンの断線を効果的に防止でき、セラミック基板の信頼性と生産性を向上させやすいグリーンシートを提供することにある。また、本発明の第2の目的は、かかるグリーンシートを複数枚積層して製造される信頼性と生産性に優れたセラミック多層基板を提供することにある。また、本発明の第3の目的は、かかるセラミック多層基板の製造に好適な製造方法を提供することにある。上記した第1の目的を達成するために、本発明は、セラミック原料粉末とガラス粉末からなる低温焼成基板材料にバインダーと溶剤を混合させたスラリーから形成され、金属ナノ粒子が分散されている導電性インクで配線形状を描画した後に焼成することによってセラミック基板となるグリーンシートにおいて、構造式に親水性基と疎水性基を有するシリコーンを前記低温焼成基板材料に対して重量比で5~10含有するという構成にした。このように疎水性基を有するシリコーンは低温焼成基板材料との親和性に富むため、グリーンシート中スラリー中に均一に分散させることができる。また、このシリコーンの親水性基は導電性インクとの親和性に富むため、導電性インクによってグリーンシートの表面に配線形状が描画されると、グリーンシート中から導電性インク中へシリコーンが浸透していき、グリーンシートに対する積層加圧工程や焼成工程でもシリコーンが導電性インク中へ浸透していく。それゆえ、配線形状の導体パターン中にシリコーンに由来するSiO2を多く取り込ませることができ、金属ナノ粒子が焼結してもSiO2に阻害されて過度な凝集が起こらなくなるため、導体パターンの焼成収縮を抑制することができる。また、導体パターン中にSiO2が十分に含有されていると基板セラミック基板との密着性が高まるため、導体パターンの剥離が起こりにくくなる。しかも、導電性インクに予めシリコーンを含有させるわけではないので、インクジェットノズルの目詰まりを防止できて連続的な吐出が行えるようにインク成分を適宜選択して、セラミック基板の生産性を高めることができる。かかるグリーンシートにおいて、前記シリコーンはアルコキシ基を有するもの例えばシリコーンアルコキシオリゴマーやシリコーンオイルであることが好ましい。また、上記した第2の目的を達成するために、本発明は、金属ナノ粒子が分散されている導電性インクでグリーンシートの表面に配線形状を描画した後、このグリーンシートを複数枚積層して圧着してから焼成することによって製造され、前記配線形状の導体パターンを有するセラミック多層基板において、構造式に親水性基と疎水性基を有するシリコーンを予め前記グリーンシートに含有させておくことにより、前記導体パターンにSiO2が体積比で15以上含まれているという構成にした。このように疎水性基を有するシリコーンは低温焼成基板材料との親和性に富むため、製造時にグリーンシート中に均一に分散させることができる。また、このシリコーンの親水性基は導電性インクとの親和性に富むため、製造時に導電性インクによってグリーンシートの表面に配線形状が描画されると、グリーンシート中から導電性インク中へシリコーンが浸透していき、グリーンシートに対する積層加圧工程や焼成工程でもシリコーンが導電性インク中へ浸透していく。それゆえ、配線形状の導体パターン中にシリコーンに由来するSiO2を多く取り込ませることができ、金属ナノ粒子が焼結してもSiO2に阻害されて過度な凝集が起こらなくなるため、導体パターンの焼成収縮を抑制することができる。また、導体パターン中にSiO2が体積比で15以上含有されていると基板との密着性が高まるため、導体パターンの剥離が起こりにくくなる。しかも、導電性インクに予めシリコーンを含有させるわけではないので、インクジェットノズルの目詰まりを防止できて連続的な吐出が行えるようにインク成分を適宜選択して、セラミック多層基板の生産性を高めることができる。かかるセラミック多層基板において、前記シリコーンはアルコキシ基を有するもの例えばシリコーンアルコキシオリゴマーやシリコーンオイルであることが好ましい。また、上記した第3の目的を達成するために、本発明によるセラミック多層基板の製造方法は、セラミック原料粉末とガラス粉末からなる低温焼成基板材料にバインダーと溶剤を混合すると共に、構造式に親水性基と疎水性基を有するシリコーンを混合することによって、前記シリコーンが前記低温焼成基板材料に対して重量比で5~10含有されたスラリーを作製する工程と、前記スラリーをキャリアフィルム上に塗布して乾燥することによりグリーンシートを作製する工程と、前記グリーンシートを所望形状に打ち抜いた後、金属ナノ粒子が分散されている導電性インクで前記グリーンシートの表面に配線形状を描画する工程と、前記配線形状が描画された前記グリーンシートを複数枚積層して圧着することにより積層成形体を作製する工程と、前記積層成形体を焼成して前記配線形状の導体パターンを有するセラミック多層基板となす工程と、を含むこととした。このように疎水性基を有するシリコーンは低温焼成基板材料との親和性に富むため、スラリーに混入させて均一に分散させることができる。また、このシリコーンの親水性基は導電性インクとの親和性に富むため、導電性インクによってグリーンシートの表面に配線形状が描画されると、グリーンシート中から導電性インク中へシリコーンが浸透していき、グリーンシートに対する積層加圧工程や焼成工程でもシリコーンが導電性インク中へ浸透していく。それゆえ、配線形状の導体パターン中にシリコーンに由来するSiO2を多く取り込ませることができ、金属ナノ粒子が焼結してもSiO2に阻害されて過度な凝集が起こらなくなるため、導体パターンの焼成収縮を抑制することができる。また、導体パターン中にSiO2が十分に含有されていると基板との密着性が高まるため、導体パターンの剥離が起こりにくくなる。しかも、導電性インクに予めシリコーンを含有させるわけではないので、インクジェットノズルの目詰まりを防止できて連続的な吐出が行えるようにインク成分を適宜選択して、セラミック多層基板の生産性を高めることができる。かかるセラミック多層基板の製造方法において、前記シリコーンはアルコキシ基を有するもの例えばシリコーンアルコキシオリゴマーやシリコーンオイルであることが好ましい。本発明のグリーンシートには、親水性基と疎水性基を有するシリコーンが分散させてあるため、導電性インクによって配線形状が描画されると、グリーンシート中から導電性インク中へシリコーンが浸透していき、グリーンシートに対する積層加圧工程や焼成工程でもシリコーンが導電性インク中へ浸透していく。それゆえ、配線形状の導体パターン中にシリコーンに由来するSiO2を多く取り込ませることが可能になり、導体パターンの焼成収縮を抑制できると共に、導体パターンとセラミック基板との密着性を高めて導体パターンの剥離を防止することができる。つまり、このグリーンシートは、金属ナノ粒子を焼結させて形成される導体パターンの断線を効果的に防止できるため、焼成後のセラミック基板の信頼性が向上させやすい。しかも、導電性インクに予めシリコーンを含有させるわけではないので、インクジェットノズルの目詰まりを防止できて連続的な吐出が行えるようにインク成分を適宜選択して、セラミック基板の生産性を高めることもできる。本発明のセラミック多層基板は、親水性基と疎水性基を有するシリコーンを予めグリーンシートに含有させておくことにより、導電性インクで配線形状が描画される導体パターン中にSiO2を体積比で15以上取り込ませている。そのため、導体パターンの焼成収縮を抑制できると共に、導体パターンとセラミック基板との密着性を高めて導体パターンの剥離を防止することができる。つまり、このセラミック多層基板は、金属ナノ粒子を焼結させて形成される導体パターンの断線を効果的に防止できるため、信頼性が向上する。また、導電性インクに予めシリコーンを含有させるわけではないので、インクジェットノズルの目詰まりを防止できて連続的な吐出が行えるようにインク成分を適宜選択して、セラミック多層基板の生産性を高めることもできる。本発明によるセラミック多層基板の製造方法において、親水性基と疎水性基を有するシリコーンは、スラリーに混入して均一に分散させることができると共に、グリーンシート中からその表面に描画された導電性インク中へ浸透していく。また、グリーンシートに対する積層加圧工程や焼成工程でもシリコーンが導電性インク中へ浸透していく。それゆえ、導体パターン中にシリコーンに由来するSiO2を多く取り込ませることができて、導体パターンの焼成収縮を抑制できると共に、導体パターンとセラミック基板との密着性を高めて導体パターンの剥離を防止することができる。つまり、こうして製造されたセラミック多層基板は、金属ナノ粒子を焼結させて形成される導体パターンの断線を効果的に防止できるため、信頼性が向上する。また、導電性インクに予めシリコーンを含有させるわけではないので、インクジェットノズルの目詰まりを防止できて連続的な吐出が行えるようにインク成分を適宜選択して、セラミック多層基板の生産性を高めることもできる。以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1と図2に示すように、本発明の実施形態例に係るセラミック多層基板1は、複数枚のグリーンシート2を積層して圧着させた積層成形体3を焼成して製造されたものである。このセラミック多層基板1の内層には導体パターン4が設けられており、表層には導体パターン5が設けられている。導体パターン4どうし、および導体パターン4,5どうしは、必要箇所でビアホール6によって導通されている。このようなセラミック多層基板1の製造方法について説明すると、まず、低温焼成基板材料として、セラミック原料粉末であるアルミナ粉末平均粒径1.8μmと、ガラス粉末平均粒径3μmとを、それぞれ50重量部ずつミルで粉砕して約1時間混合する。そして、この混合粉末に、25重量部のバインダーと100重量部の溶剤とを加えて約4時間混合することにより、スラリーを作製する。本実施形態例では、バインダーとしてブチラール樹脂を用い、溶剤としてブタノールを用いているが、溶剤にエタノールを用いても良い。この後、アルコキシ基を有するシリコーンをスラリーに混入して約2時間混合する。アルコキシ基を有するシリコーンは、シリコーンアルコキシオリゴマーや、それよりも分子量が大きいシリコーンオイルとして知られており、本実施形態例では信越シリコーン社製のシリコーンKR-510を用いている。図3に示すように、この種のシリコーンは、構造式に親水性基メトキシ基と疎水性基メチル基を有すると共に、高耐熱性を付与するフェニル基を有する。このように疎水性基を有するシリコーンは低温焼成基板材料アルミナ粉末とガラス粉末との親和性に富むため、スラリーに混入して均一に分散させることができる。なお、低温焼成基板材料に対するシリコーンの重量比は5~10が好ましく、本実施形態例ではシリコーンの重量比を5としている。次に、シリコーンを添加したスラリーを公知のドクターブレード法でキャリアフィルム上に塗布して乾燥させることにより、グリーンシート2を作製する。つまり、図1aに示すように、このグリーンシート2中にはシリコーン材7が分散されている。そして、グリーンシート2を所望形状に打ち抜いてビアホール6用の孔開け加工を行った後、ナノAg粒子が分散されている導電性インクをインクジェットノズルから吐出させるというインクジェット法により、グリーンシート2の表面に導電性インクで配線形状を描画する。図1b中の符号9は、こうして導電性インクで描画されたナノAg配線を示している。グリーンシート2中に分散されているシリコーン材7は親水性基を有し、導電性インクとの親和性に富むため、グリーンシート2中のシリコーン材7はナノAg配線9中へ浸透していく。次に、ナノAg配線9が描画されたグリーンシート2を複数枚積層してプレス機で圧着することにより、図1bに一部を示す積層成形体3を作製する。こうしてグリーンシート2が積層加圧されると、グリーンシート2中からナノAg配線9中へ取り込まれるシリコーン材7の量は増大する。しかる後、積層成形体3を焼成すると、導電性インクからなるナノAg配線9はAgを主成分とする導体パターン4となり、各グリーンシート2はセラミック基板となる。なお、この焼成時にもグリーンシート2中からナノAg配線9中へシリコーン材7が浸透していく。そして、焼成後の積層成形体3の表層にフォトリソやめっき等の適宜手法で導体パターン5を形成することにより、図2に示すようなセラミック多層基板1が完成する。かかる焼成工程では、導電性インクナノAg配線9中のナノAg粒子が約500°Cで焼結するが、この導電性インク中にグリーンシート2中からシリコーン材7が浸透しているため、図1cに示すように、ナノAg粒子が焼結してなる導体パターン4はシリコーンに由来するガラス成分8を含有している。具体的には、このガラス成分8は図4に示すようなSiO2である。本実施形態例では、低温焼成基板材料に対するシリコーンの重量比を5~10としているため、導体パターン4中にSiO2を体積比で15以上含有させることができる。なお、かかる焼成工程では、約700°Cでグリーンシート2が焼結してセラミック基板となる。以上説明したように本実施形態例においては、セラミック多層基板1を製造する際に、親水性基と疎水性基を有するシリコーンを予めグリーンシート2に所定量混入しておくことによって、導電性インクで配線形状が描画される導体パターン4中に必要量のSiO2が含有されるようにしてある。つまり、焼成前にグリーンシート2中のシリコーンは導電性インクナノAg配線9中へ浸透していき、複数枚積層したグリーンシート2を圧着させる工程やその後の焼成工程でも、グリーンシート2中のシリコーンは導電性インク中へ浸透していく。その結果、完成したセラミック多層基板1の導体パターン4中にシリコーンに由来するSiO2を体積比で15以上含ませることができて、導体パターン4の焼成収縮を抑制できると共に、導体パターン4と基板との密着性を高めて導体パターン4の剥離を防止することができる。このようにシリコーンを含有するグリーンシート2から製造されたセラミック多層基板1は、ナノAg粒子を焼結させて形成される導体パターン4の断線を効果的に防止できるため、信頼性が向上する。また、導電性インクに予めシリコーンを含有させるわけではないので、インクジェットノズルの目詰まりを防止できて連続的な吐出が行えるようにインク成分を適宜選択して、セラミック多層基板1の生産性を高めることもできる。図5は、低温焼成基板材料に対するシリコーンの添加量と導体パターン4の焼成収縮率との関係を測定した実験結果を示している。同図から明らかなように、導体パターン4の焼成収縮率は、低温焼成基板材料に対するシリコーンの添加量が重量比で0~5の範囲はほとんど変化しないが、シリコーンの添加量が重量比で5になると53.8となり、その後10になるまで徐々に下がり、10になると42.6まで低減されることがわかる。ただし、シリコーンの添加量が重量比で10を越えると、スラリーの粘度が高まってグリーンシート2を製造しにくくなり、しかも、導体パターン4の焼成収縮率はそれ以上低減しなくなる。このような理由により、本発明では低温焼成基板材料に対するシリコーンの重量比を5~10に設定している。また、上記した実施形態例では、導体パターン4の材料としてナノAg粒子が分散されている導電性インクを用いているが、Ag以外の金属のナノ粒子が分散されている導電性インクを用いても良い。例えば、AuやPdあるいはCuのナノ粒子や、Ag等を含む合金のナノ粒子も、導電性インクの導体材料として好適である。図6は、低温焼成基板材料100gに対して、上記実施形態例で用いたシリコーンを5g含有するグリーンシートと、シリコーンを含有しない通常のグリーンシートのそれぞれについて、積層加圧した焼成前と焼成後の状態で導体パターンAg配線内のAgとSiの元素比を測定した結果を示している。同図に示すように、低温焼成基板材料に対して重量比で5分のシリコーンをグリーンシートが含有していると、焼成前でもシリコーンがAg配線内へ浸透してSiの元素比が4.68molとなり、焼成後は16.92molのSiが導体パターン中に取り込まれていることを確認できた。これに対して、グリーンシートにシリコーンが含有されていない場合は、焼成後の導体パターンに含まれるSiは僅かに1.05molであり、Ag粒子が凝集しやすく基板との密着性も悪いことがわかる。なお、シリコーンを含有しない通常のグリーンシート中にもガラス成分は存するため、焼成前のAg配線内にSiが若干量1.83molだけ取り込まれている。"