"互いに干渉性のある複数の光束に対して前記複数の光束の光路方向および光路長を変更する変更要素が略軸対称に配置された光路変更部と、基板上に形成するパターン形状に応じた光束の一部を強度変更するか又は位相変更することにより、前記基板上に入射する光束の一部を調整する調整部と、を備え、前記光路変更部および前記調整部から出射した光束を前記基板上で干渉させることにより前記基板上への干渉露光を行ない、前記光路変更部は、前記光束に略垂直な平面内でリング状に配置された回折格子を含んで構成されるとともに、前記回折格子が配置されたリングを複数有し、前記各リングは、同心円状に複数配置され、前記調整部は、2枚の偏光板、開閉自在のシャッタ、可動式のマイクロミラーアレイおよびマスクの何れかまたはそれらの組み合わせであることを特徴とする干渉露光装置。互いに干渉性のある複数の光束に対して前記複数の光束の光路方向および光路長を変更する変更要素が略軸対称に配置された光路変更部と、基板上に形成するパターン形状に応じた光束の一部を強度変更するか又は位相変更することにより、前記基板上に入射する光束の一部を調整する調整部と、を備え、前記光路変更部および前記調整部から出射した光束を前記基板上で干渉させることにより前記基板上への干渉露光を行うことを特徴とする干渉露光装置。前記光路変更部は、前記光束に略垂直な平面内でリング状に配置された回折格子を含んで構成されていることを特徴とする請求項2に記載の干渉露光装置。前記光路変更部は、複数のマイクロミラーを含んで構成され、前記マイクロミラーは、各ミラー面によって筒状の内壁面を構成するようリング状に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の干渉露光装置。前記光路変更部は、円錐状の第1のプリズムまたは多角形錐状の第2のプリズムを含んで構成されていることを特徴とする請求項2に記載の干渉露光装置。前記光束が前記基板上に入射する角度をフィルタリングするフィルタリング部をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の干渉露光装置。前記フィルタリング部は、アパーチャ、FabryPerot干渉システム、円錐状の第3のプリズムおよび多角形錐状の第4のプリズムの何れかを含んで構成されていることを特徴とする請求項6に記載の干渉露光装置。前記光路変更部は、前記回折格子が配置されたリングを複数有し、前記各リングは、同心円状に複数配置されていることを特徴とする請求項3に記載の干渉露光装置。前記光路変更部は、前記マイクロミラーが配置されたリングを複数有し、前記各リングは、同心円状に複数配置されていることを特徴とする請求項4に記載の干渉露光装置。前記調整部は、2枚の偏光板、開閉自在のシャッタ、可動式のマイクロミラーアレイおよびマスクの何れかまたはそれらの組み合わせであることを特徴とする請求項2~9のいずれか1つに記載の干渉露光装置。本発明が解決しようとする課題は、低コストで容易に種々のパターンを形成することができる干渉露光装置を提供することである。実施形態によれば、干渉露光装置が提供される。干渉露光装置は、互いに干渉性のある複数の光束に対して前記複数の光束の光路方向および光路長を変更する変更要素が略軸対称に配置された光路変更部と、基板上に形成するパターン形状に応じた光束の一部を強度変更するか又は位相変更することにより、前記基板上に入射する光束の一部を調整する調整部と、を備えている。そして、前記光路変更部および前記調整部から出射した光束を前記基板上で干渉させることにより前記基板上への干渉露光を行なう。また、前記光路変更部は、前記光束に略垂直な平面内でリング状に配置された回折格子を含んで構成されるとともに、前記回折格子が配置されたリングを複数有し、前記各リングは、同心円状に複数配置されている。さらに、前記調整部は、2枚の偏光板、開閉自在のシャッタ、可動式のマイクロミラーアレイおよびマスクの何れかまたはそれらの組み合わせである。以下に添付図面を参照して、実施形態に係る干渉露光装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る干渉露光装置の概略構成を示す図である。ここでは、干渉露光装置100Xの断面構成の概略図を示している。本実施形態の干渉露光装置100Xは、干渉性を有する単一波長の多光束ビーム可干渉光束1bの進行方向を変更する光学装置光路変更部2Xをリング状に配置している。そして、リング状に配置した光路変更部2Xから出射される多光束ビーム1bをウエハ被処理基板WA上に入射させることで形成される干渉パターンを用いてレジストへのパターニングを行う。この構成により、干渉露光装置100Xは、自由度の高いパターンバリエーションを十分な焦点深度で形成する。干渉露光装置100Xは、光路変更部2Xと、パターン調整部3Xと、を含んで構成されている。光路変更部2Xは、多光束ビーム1bの光路方向および光路長を変更する装置であり、多光束ビーム1bの光軸に対して略軸対称な構成を有している。光路変更部2Xは、例えば、回折格子、ミラーマイクロミラー、プリズムを含んで構成されている。回折格子、ミラーは、例えば光軸から略等距離に略軸対称となるよう配置されている。光路変更部2Xの構成要素マイクロミラーリングなどは、多光束ビーム1bの光軸から等距離に配置されており、これにより各構成要素がリング状に配置されている。パターン調整部3Xは、多光束ビーム1bの光束の強度または位相を変更する装置であり、光束の一部の強度または位相を変更する機能を有している。パターン調整部3Xは、例えば複数からなる開閉自在のシャッタ遮光体、2枚の偏光板または光路長変更装置位相調整機などを用いて構成されている。シャッタや2枚1組の偏光板は、光束の強度を調整し、光路長変更装置は、光路長を変更することによって光束の位相を変更する。各シャッタは、開閉することにより、例えば光路変更部2Xで光路変更された多光束ビーム1bを、ウエハステージ図示せず上のウエハWA上まで進行させるか否かを調整できるよう構成されている。パターン調整部3X例えばシャッタの開閉を調整することにより、ウエハWA上に形成するパターンバリエーションを決定することが可能となる。なお、ウエハWAとパターン調整部3Xとの間に円柱プリズムを配置してもよい。これにより、ウエハWAとパターン調整部3Xとの間の距離を長く構成することが可能となり、ウエハWAから発生する物質がパターン調整部3Xに影響を与えることを防止できる。また、干渉露光装置100Xにおいて、光路変更部2Xとパターン調整部3Xは、何れを光路の上流側光源側に配置してもよい。光源図示せずから出射された単一波長の電磁波可干渉の光束は、所定の光学素子後述するピンホールアパーチャ11などによって平面波や球面波などに変換される。変換後の多光束ビーム1bは、光路変更部2Xで光路を変更され、パターン調整部3Xにて光束の強度または位相が変更される。そして、シャッタが開いている位置の多光束ビーム1bのみがウエハWA上に到達する。これにより、光路変更部2Xで光路を変更された多光束ビーム1bは、光路を変更された光束同士多光束が干渉してウエハWA上で干渉縞を形成する。図2は、第1の実施形態に係る干渉露光装置の構成例を示す図である。ここでは、干渉露光装置100Aの断面構成の概略図を示している。干渉露光装置100Aは、ピンホールアパーチャ11と、リング状アパーチャ12Aと、マスク部6Aと、入射領域制限部13と、を備えている。なお、ここでのピンホールアパーチャ11およびリング状アパーチャ12Aを組み合わせた機構が後述の入射角度フィルタリング部に対応している。ピンホールアパーチャ11は、光源からの電磁波1aを干渉性のある多光束ビーム1b球面波などに変換する。光源からの電磁波1aの波長は、ArF光、KrF光、EUV光の何れの波長であってもよい。例えば、微細なパターンを形成する場合には、短波長の電磁波1aを用いる。リング状アパーチャ12Aは、ピンホールアパーチャ11からの多光束ビーム1bのうち、所定の入射角度を有したもののみを通過させる。図3は、ピンホールアパーチャ、リング状アパーチャ、入射領域制限部の一例を示す図である。図3では、ピンホールアパーチャ11、リング状アパーチャ12A、入射領域制限部13の上面図を示している。図3のaに示すピンホールアパーチャ11は、概略板状の部材で構成されており、略中心部に所定の半径を有したピンホール11aが設けられている。ピンホールアパーチャ11において、ピンホール11aは電磁波1aを透過させる透過材で形成され、ピンホール11a以外の周辺部11bは電磁波1aを透過させない非透過材で形成されている。また、図3のbに示すリング状アパーチャ12Aは、概略板状の部材で構成されており、ピンホール11aと同軸の中心を有したリング状の透過部12aが設けられている。リング状アパーチャ12Aにおいて、透過部12aは多光束ビーム1bを透過させる透過材で形成され、透過部12a以外の周辺部12bおよび中心部12cは多光束ビーム1bを透過させない非透過材で形成されている。透過部12aの内径は、ピンホール11aの半径よりも大きくなるよう、ピンホールアパーチャ11とリング状アパーチャ12Aは構成されている。ピンホールアパーチャ11からの多光束ビーム1bのうち、所定の入射角度を有した多光束ビーム1bが、リング状アパーチャ12Aから出射される。また、図3のcに示す入射領域制限部13は、概略板状の部材で構成されており、ピンホール11aと同じ中心で所定の半径を有した円形領域13aが設けられている。入射領域制限部13において、円形領域13aは多光束ビーム1bを透過させる透過材で形成され、円形領域13a以外の周辺部13bは多光束ビーム1bを透過させない非透過材で形成されている。円形領域13aの半径は、ピンホール11aの半径よりも大きくなるよう、入射領域制限部13は構成されている。マスク部6Aは、光路変更部2Xおよびパターン調整部3Xに対応している。マスク部6Aは、例えば、リング状に配置されたマイクロミラーアレイと、シャッタと、を備えて構成されている。マイクロミラーアレイは、所定の高さを有したリング状部材の内壁面にマイクロミラーが複数配置されており、各マイクロミラーのミラー面で多光束ビーム1bが反射される。シャッタは、マイクロミラーの下部ウエハWA側にリング状に並ぶよう複数配置されている。多光束ビーム1bで反射された多光束ビーム1bのうち、シャッタが開いている位置の多光束ビーム1bのみがウエハWA上に到達する。なお、シャッタは、マイクロミラーの上部光源側にリング状に並ぶよう複数配置してもよい。この場合、シャッタが開いている位置の多光束ビーム1bのみがマイクロミラーアレイで反射されてウエハWA上に到達する。なお、リング状アパーチャ12Aは、マスク部6Aと入射領域制限部13との間に配置してもよい。また、リング状アパーチャ12Aは、ピンホールアパーチャ11とマスク部6Aとの間と、マスク部6Aと入射領域制限部13との間の両方に配置してもよい。また、リング状アパーチャ12Aの配置を省略してもよい。ここでビーム座標系の定義について説明する。図4は、ビーム座標系を説明するための図である。図4のaに示すxy平面をウエハ平面であるとする。この場合にウエハWAに入射する多光束ビーム1bを入射ビーム71で示している。入射ビーム71の入射角度は、図4のaに示すようにθ、φで定義される。ここでのφは、入射ビーム71とx軸が成す角度であり、θは、入射ビーム71とz軸が成す角度である。この入射ビーム71の入射方向ベクトルは、式1によって示される。また、入射ビーム71の光軸からの距離はcosθである。ここで、入射ビーム71のz=0における振幅強度情報と位相情報含むをビーム振幅Alと定義する。入射ビーム71の入射方向は、図4のbに示すビーム空間座標系で点座標cosθcosφ,cosθsinφと表現する。次に、多光束ビーム1bがウエハWA上に入射した場合にウエハWA上に形成されるパターン形状について説明する。nnは自然数本のマルチビームがウエハWAに入射する場合を考える。各ビームの入射方向ベクトル、振幅を、それぞれのように定義した場合、ウエハWA上に形成される干渉縞の強度Iは、ウエハ座標に対して以下の式2で示される。ここで、をz方向の単位ベクトルとすると、以下の式7となる。従って、各ビームの光軸からの距離cosθが全て等距離である場合、干渉縞の強度Iにz方向に依存する成分がなくなるので、パターン形成に対するフォーカス余裕度を十分確保できることが分かる。一方、各ビームの光軸からの距離が全て等距離ではないケースでは、パターンにz方向依存性があり焦点深度が有限となってしまう。図5は、各ビームの光軸からの距離とDoFの関係を説明するための図である。図5では各ビームをビーム座標系で示している。図5のaでは、光軸からの距離が全て等距離である場合のビーム71~73を示し、図5のbでは、光軸からの距離の何れかが等距離でない場合のビーム74~76を示している。図5のaに示すように、各ビーム71~73の光軸70からの距離が全て等距離である場合、DoFは無限大となる。また、図5のbに示すように、各ビーム74~76のうち、ビーム76の光軸70からの距離と、ビーム74,75の光軸70からの距離と、が異なる場合、DoFは有限サイズDoF~1/δkとなる。つぎに、多光束ビームの干渉によってどのようなパターン光学像が形成されるかについて説明する。図5のcでは、ビーム座標系上で光軸70から等距離にあるビーム光束ビームa1,a2,b1,b2の位置を示している。図5のcには、2つのビームa1,a2の場合にウエハWA上に形成される干渉縞パターンの光学像を光学像a4で示している。また、2つのビームb1,b2の場合にウエハWA上に形成される干渉縞パターンの光学像を光学像b4で示している。光学像a4に対応するパターンのピッチは、ビームa1とビームa2との間の距離に反比例し、光学像b4に対応するパターンのピッチは、ビームb1とビームb2との間の距離に反比例する。光軸70から等距離にある位置を通過する光束ビームは、デフォーカスに対して波面位相変化が同一となる。このため、ビームa1,a2,b1,b2によって形成される光学像は、無限大のDoFを有することとなる。また、複数の光束ビーム間距離を調整することにより、露光波長の半分よりも大きい任意のピッチパターンを形成することが可能となる。したがって、多光束ビームを用いることによって複雑なパターンをウエハWA上に形成することが可能となる。このように、2光束ビームを用いることによって、様々なピッチのパターンバリエーションを実現できる。また、光軸70から等距離にある3光束ビーム、4光束ビームを用いることで、さらに複雑なパターンを形成することが可能となる。例えば、ビームa1,a2,b1,b2の4つのビームを用いてパターン形成する場合、ビームa1,a2,b1,b2の組み合わせ毎に生成される光学像が足し合わされた光学像が生成されることとなる。具体的には、ビームa1,a2の干渉による光学像、ビームa1,b1の干渉による光学像、ビームa1,b2の干渉による光学像、ビームa2,b1の干渉による光学像、ビームa2,b2の干渉による光学像、ビームb1,b2の干渉による光学像がそれぞれ足し合わされることとなる。このように、リング状アパーチャ12Aは、多光束ビーム1bに対して、所定の入射角度を有したもののみを通過させるので、ウエハWAへのパターン転写時の焦点深度DoFを拡大させることが可能となる。また、本実施の形態では、光路変更部2Xを光軸に対して略軸対称に配置しているので、ウエハWAへの入射角度を一定に保持することが可能となり、DoFを十分に確保できる。また、パターン調整部3Xを制御することで、複雑な投影光学系を用いることなく自由度の高いパターンを形成することが可能となる。なお、ウエハWA上にパターンを形成する際には、パターン調整部3Xに1つの設定を行なうことによってワンショットでパターンを形成してもよいし、パターン調整部3Xに複数の設定を行って設定毎にパターンを形成し、その組み合わせでさらに複雑なパターンを形成してもよい。パターン調整部3Xに複数の設定を行なう場合、例えばシャッタの開閉を種々変更することにより、パターン形成位置を設定する。このように、干渉露光装置100Xを用いることで、ミクロン単位の十分な焦点深度ほぼ無限の焦点深度フォーカス余裕度をもち、且つ自由度の高いパターンほぼ任意のパターンレイアウトを形成することが可能となる。また、コントローラブルなパターン調整部3Xを制御することによってパターニングを行うので、干渉露光技術を用いてマスクレスでパターン形成が可能となる。したがって、装置構成が小さくなるとともに、安価なリソグラフィ技術デスクトップリソグラフィにより、低コスト、短TATでパターニングが可能となる。また、マスクを用いることなく一度の露光で干渉露光を行えるので、露光フローが簡易なものとなる。また、周期性を持たないパターンを光リソグラフィ露光装置で転写する必要がないので、装置構成が簡易なものとなる。このように第1の実施形態によれば、干渉露光装置100Xが、光路変更部2Xおよびパターン調整部3Xを備えているので、低コストで容易に種々の複雑なパターンを形成することが可能となる。第2の実施形態つぎに、図6および図7を用いてこの発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、光路変更部2Xに回折格子を用いる。図6は、第2の実施形態に係る干渉露光装置の構成を示す図である。ここでは、干渉露光装置100Bの断面構成の概略図を示している。図6の各構成要素のうち図1に示す第1の実施形態の干渉露光装置100Xと同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。干渉露光装置100Bは、光路変更部2Xとして回折格子2Bを備えている。この構成により、平面波や球面波などに変換された多光束ビーム1bは、回折格子2Bで回折され、パターン調整部3Xにて光束の強度または位相が変更される。そして、パターン調整部3X、入射領域制限部13を通過した多光束ビーム1bのみがウエハWA上に到達する。これにより、ウエハWA上に多光束ビーム1bによる干渉パターンP1が形成される。図7は、回折格子の構成を示す上面図である。回折格子2Bは、概略板状の部材で構成されており、中心部から等距離の位置に略リング状に並ぶよう複数の回折格子パターンが形成されている。ここでは、回折格子パターンとして回折格子パターン21~28が形成されている場合を示している。回折格子パターン21は、リング状円周の12時の位置に配置され、時計回りに回折格子パターン22,23,24,25,26,27,28の順番で並べられる。これにより、回折格子パターン23,25,27は、それぞれ3時、6時、9時の位置に配置され、回折格子パターン21は、回折格子パターン22と回折格子パターン28の間に配置される。各回折格子パターン21~28は、複数のスリットパターンで構成されている。回折格子2Bでは、各スリットパターンの長手方向が、リング状の接線方向となるよう各回折格子パターン21~28が配置されている。例えば、リング状の中心部と回折格子パターン21の中心部とを結ぶ線と、回折格子パターン21の長手方向と、が平行となるよう回折格子2B内に回折格子パターン21が配置される。また、回折格子パターン21,25の長手方向がx方向であり、回折格子パターン23,27の長手方向がy方向である。ウエハWA上にパターン形成する際には、形成するパターン形状寸法に関する情報も含むに応じた位置の光束ビームのみがパターン調整部3Xから出射される。例えば、パターン調整部3Xがシャッタである場合、形成するパターン形状に応じた位置回折格子パターンのシャッタを閉ざすことによって、所望のパターンを形成する。シャッタを閉ざす位置は、形成するパターン形状をフーリエ変換し、フーリエ変換で得られた情報に基づいて決定される。図8は、遮光部と結像パターンとの関係を示す図である。図8では、遮光部の開閉状態とウエハWA上での結像パターンとの関係例を示している。図8のaでは、回折格子パターン21~28のうち、回折格子パターン21,22,24,25,26,28の下部にある遮光部例えばシャッタが閉ざされ、回折格子パターン23,27の下部にある遮光部が開けられた状態20aを示している。この状態でウエハWA上に露光を行うと、回折格子パターン23,27のスリットの長手方向y方向に平行に並ぶ複数のラインスペースパターン結像パターン40aがウエハWA上に生成される。図8のbでは、回折格子パターン21~28のうち、回折格子パターン22~24,26~28の下部にある遮光部例えばシャッタが閉ざされ、回折格子パターン21,25の下部にある遮光部が開けられた状態20bを示している。この状態でウエハWA上に露光を行うと、回折格子パターン21,25のスリットの長手方向x方向に平行に並ぶ複数のラインスペースパターン結像パターン40bがウエハWA上に生成される。図8のcでは、回折格子パターン21~28のうち、回折格子パターン21,23,25,27の下部にある遮光部例えばシャッタが閉ざされ、回折格子パターン22,24,26,28の下部にある遮光部が開けられた状態20cを示している。この状態でウエハWA上に露光を行うと、概略円形状のパターン円形パターンが所定の間隔で複数並べられた結像パターン40cがウエハWA上に生成される。結像パターン40cを構成する円形パターンは、円形パターンが格子状に並ぶよう配置されている。図8のdでは、回折格子パターン21~28のうち、回折格子パターン22,24,26,28の下部にある遮光部が閉ざされ、回折格子パターン21,23,25,27の下部にある遮光部が開けられた状態20dを示している。この状態でウエハWA上に露光を行うと、概略円形状のパターン円形パターンが所定の間隔で複数並べられた結像パターン40dがウエハWA上に生成される。結像パターン40dを構成する円形パターンは、円形パターンが斜め格子状に並ぶよう配置されている。このように、回折格子2Bの下部に配置されている遮光部を種々変化させることにより、様々なパターンバリエーションのウエハ上パターンを形成することが可能となる。なお、回折格子2Bを構成する回折格子パターンは8個に限らず9個以上であってもよい。また、回折格子2Bを構成する回折格子パターンは3個~7個の間であってもよい。このように第2の実施形態によれば、干渉露光装置100Bが、光路変更部2Xとして回折格子2Bを備えているので、低コストで容易に種々の複雑なパターンを形成することが可能となる。第3の実施形態つぎに、図9~図11を用いてこの発明の第3の実施形態について説明する。第3の実施形態では、光路変更部2Xにマイクロミラーリングを用いる。図9は、マイクロミラーリングの構成を示す図である。図9では、マイクロミラーリング2Cを備える干渉露光装置100Cの斜視図を示している。なお、図9では、ピンホールアパーチャ11やリング状アパーチャ12Aなどの図示を省略している。マイクロミラーリング2Cでは、円筒状の内壁面内で複数のミラー面が内側を向くよう各ミラー配置されている。換言すると、マイクロミラーリング2Cでは、リング状の内側がミラー面となるよう複数のミラーが円筒内壁面に敷き詰められている。また、干渉露光装置100Cは、パターン調整部3Xが複数のシャッタ部30で構成されている。リング状アパーチャ12Aからは、マイクロミラーリング2Cに多光束ビーム1bが送られてくる。マイクロミラーリング2Cのミラー面に送られる多光束ビーム1bは、ミラー面で反射される。これにより、多光束ビーム1bの光路方向および光路長がミラー面で変化し、シャッタ部30側へ送られる。そして、シャッタ部30を通過した多光束ビーム1bのみがウエハWA上に到達する。図10は、シャッタ部の構成例を示す上面図である。各シャッタ部30は、少なくとも一方の主面が遮光部となっている平板状であり、それぞれパターン調整部3Xの下部に配置されている。シャッタ部30を閉じることにより、このシャッタ部30の上部にあるミラー面で反射された多光束ビーム1bが閉じているシャッタ部30で遮られることとなる。一方、シャッタ部30を開けることにより、このシャッタ部30の上部にあるミラー面で反射された多光束ビーム1bがシャッタ部30で遮られることなく通過することとなる。シャッタ部30は、概略板状の部材で構成された複数のシャッタを有しており、中心部から等距離の位置に略リング状に並ぶよう各シャッタが配置されている。ここでは、シャッタとしてシャッタ31~38が形成されている場合を示している。シャッタ31は、リング状円周の12時の位置に配置され、時計回りにシャッタ32,33,33,34,35,36,37,38の順番で並べられる。これにより、シャッタ33,35,37は、それぞれ3時、6時、9時の位置に配置され、シャッタ31は、シャッタ32とシャッタ38の間に配置される。シャッタ部30は、マイクロミラーリング2Cの下部側に、マイクロミラーリング2Cと同様のリング状を成すよう配置されている。そして、ウエハWA上に形成するパターン形状に基づいて、所定位置のシャッタを閉ざし、その他のシャッタを開ける。換言すると、ウエハWA上にパターン形成する際には、形成するパターン形状に応じた位置の光束ビームのみがシャッタ部30から出射される。また、後述する第5の実施形態、第6の実施形態にあるように、各シャッタ位置にそれぞれ偏光部、もしくは位相変調機を配置して、各光束の強度や位相を変更できるようにしてもよい。この構成により、各光束の強度、位相をシャッタ31~38毎に変更できる。これにより、開放されたシャッタ部30の位置を通過する多光束ビーム1bがウエハWA上に送られてウエハWA上で干渉し、ウエハWA上にシャッタ部30の開閉状態に応じたパターンが形成される。なお、開閉自在のシャッタ部30の代わりに可動式のマイクロミラーアレイやマスクを配置してもよい。この場合、各シャッタ31~38の位置にマイクロミラーまたはマスクを配置しておく。図11は、パターン調整部の他の構成例を示す図である。図11のaは、パターン調整部3Xとしてのマイクロミラーアレイの上面図である。マイクロミラーアレイを構成するマイクロミラー41m~48mは、上面側がミラー面となっている平板状であり、それぞれシャッタ31~38と同じ位置に配置される。ミラー面を所定の角度だけ閉ざすことにより、多光束ビーム1bがミラー面で反射されてマイクロミラーの外部にいく。一方、ミラー面を完全に開けることにより、多光束ビーム1bがミラー面で反射されることなく通過することとなる。図11のaでは、マイクロミラー41m,43m,45m,47mが完全に開けられた状態で、かつマイクロミラー42m,44m,46m,48mが所定角度だけ閉ざされた状態を示している。この状態の場合、マイクロミラー41m,43m,45m,47mに入射する多光束ビーム1bはマイクロミラーアレイの下流側に送られる。一方、マイクロミラー42m,44m,46m,48mに入射する多光束ビーム1bは、マイクロミラー42m,44m,46m,48mで反射されてマイクロミラーアレイの外周部側に送られる。図11のbは、パターン調整部3XとしてのマスクMaの上面図である。マスクMaは、概略平板状の部材で構成され、少なくとも一方の主面に遮光体が配置されている。マスクMaは、多光束ビーム1bを通過させたい箇所のみ開口している。マスクMaの開口部は、形成するパターン形状に基づいて決定される。例えば、マスクMaは、開口部81,83,85,87を備えている。ここでの開口部81,83,85,87は、シャッタ31,33,35,37マイクロミラー41m,43m,45m,47mの位置に対応している。この構成により、開口部81,83,85,87に入射する多光束ビーム1bはマスクMaの下流側に送られる。一方、開口部81,83,85,87以外に入射する多光束ビーム1bは、マスクMaで遮光される。また、リング半径が異なる複数の光路変更部2Xを干渉露光装置100Cに配置してもよい。図12は、複数からなる光路変更部の構成を示す上面図である。図12のaでは、光路変更部300a~300dによって光路変更部2Xが構成されている場合を示している。光路変更部300a~300dは、それぞれ多光束ビーム1bの光路方向および光路長を変更する装置であり、それぞれ多光束ビーム1bの光軸に対して略軸対称な構成を有している。光路変更部300a~300dは、それぞれ中心が同軸となるよう配置されており、それぞれ半径の異なるリング状をなしている。光路変更部300bの外径は、光路変更部300aの内径よりも小さく、光路変更部300cの外系は、光路変更部300bの内径よりも小さい。また、光路変更部300dの外系は、光路変更部300cの内径よりも小さい。また、光路変更部300a~300dの各下部には、シャッタなどが設けられている。なお、光路変更部2Xは、4つのリングで構成される場合に限らず、2つ、3つまたは5つ以上のリングで構成してもよい。図12のbは、光路変更部2Xをマイクロミラーリング200a~200dで構成した場合の構成図を示している。リング半径が異なる複数のマイクロミラーリング200a~200dは、それぞれリング状の中心が同軸となるよう配置されている。また、マイクロミラーリング200a~200dは、多光束ビーム1bの上流側から下流側に向けて光路変更部300a、光路変更部300b、光路変更部300c、光路変更部300dの順番半径の大きい順番で配置される。図12のcは、光路変更部2Xを回折格子201a,201bで構成した場合の構成図を示している。回折格子201a,201bは、それぞれ複数の回折格子パターン29がリング状に並べられて構成されている。回折格子201a上に配置された回折格子パターン29のリング径は、回折格子201b上に配置された回折格子パターン29のリング径よりも大きい。そして、回折格子201a,201bは、それぞれリング状の中心が同軸となるよう配置されている。また、回折格子201a,201bは、同一平面上に配置されており、この平面は多光束ビーム1bに対して略垂直方向を向いている。また、回折格子201a,201bは、回折格子パターン29が並べられるリングの半径に応じた回折格子ピッチを有している。ここでは、回折格子201aが回折格子201bよりも回折格子パターン29のリング径が大きいので、回折格子201aの回折格子ピッチが回折格子201bの回折格子ピッチよりも小さく構成されている。また、回折格子201a,201bの各下部には、シャッタなどが設けられている。このように、半径の異なる複数のマイクロミラーリング200a~200dや回折格子201a,201bを配置することにより、フレキシブルなパターンの露光処理が可能となる。なお、マイクロミラーリング200a~200dからの各光束は、同時にウエハWA上に入射させないようにしてもよい。例えば、マイクロミラーリング200a~200dの上部側または下部側に、マイクロミラーリング200a~200dの形状に対応する開閉自在の遮光部シャッタなどを設けておく。そして、マイクロミラーリング200a~200dに対して順番に多光束ビーム1bを入射していく。1つのマイクロミラーリングからウエハWA上に多光束ビーム1bを入射させる場合には、他のマイクロミラーリングからウエハWA上に多光束ビーム1bを入射させない。例えば、マイクロミラーリング200aからウエハWA上に多光束ビーム1bを入射させる場合には、マイクロミラーリング200b~200dからウエハWA上に多光束ビーム1bを入射させない。なお、この場合においても、マイクロミラーリング200aの下部に配置されたシャッタは、形成するパターン形状に応じた位置のシャッタのみが開けられる。同様に、1つの回折格子からウエハWA上に多光束ビーム1bを入射させる場合には、他の回折格子からウエハWA上に多光束ビーム1bを入射させない。回折格子を用いる場合も回折格子201a,201bに対して順番に多光束ビーム1bを入射していく。このように、マイクロミラーリング200a~200d回折格子201a,201bからの各光束を同時にウエハWA上に入射させないことにより、DoFマージンを十分に確保することが可能となる。なお、回折格子201a,201bの回折格子ピッチを同じ回折格子ピッチとし、回折格子201aと回折格子201bとを異なる平面に配置してもよい。この場合、回折格子201a,201bは、回折格子パターン29のリング径に応じた高さの平面上に配置される。また、光路変更部2Xは、回折格子201a,201bのように2つのリングで構成される場合に限らず、3つ以上のリングで構成してもよい。このように第3の実施形態によれば、干渉露光装置100Cが、光路変更部2Xとしてマイクロミラーリング2Cを備えているので、低コストで容易に種々の複雑なパターンを形成することが可能となる。第4の実施形態つぎに、図13を用いてこの発明の第4の実施形態について説明する。第4の実施形態では、光路変更部2Xにプリズムを用いる。図13は、第4の実施形態に係る光路変更部の構成を示す図である。光路変更部2Xの一例であるプリズム2Dは、例えば円錐状をなしている。円錐状のプリズム2Dのうち、頂点部分を含む先端部は、多光束ビーム1bを反射する反射部材49で構成されている。この反射部材49は、多光束ビーム1bがプリズム2D内で2回以上反射されるような多光束ビーム1bの入射を防止するためのものである。反射部材49の高さを所定値以上とすることにより、多光束ビーム1bは、プリズム2Dのうち下部側から入射し、これにより、プリズム2Dで1回だけ反射されてプリズム2Dの外部に出射する。また、光路変更部2Xでは、プリズム2Dの上部側光源側に、シャッタ部30が配置されている。この構成により、シャッタ部30を通過してきた多光束ビーム1bがプリズム2D内に進入するとともに、光束の進行方向が変更される。これにより、多光束ビーム1bは、プリズム2D内で集光されてウエハWA上に照射される。なお、プリズム2Dは、多角錐であってもよい。この場合、プリズム2Dを、シャッタの枚数に応じた形状としてもよい。例えば、シャッタの枚数がmmは自然数枚の場合、プリズムの形状をm角錐とする。このように第4の実施形態によれば、干渉露光装置100Xが、光路変更部2Xとしてプリズム2Dを備えているので、低コストで容易に種々の複雑なパターンを形成することが可能となる。第5の実施形態つぎに、図14を用いてこの発明の第5の実施形態について説明する。第5の実施形態では、パターン調整部3Xに2枚の偏光板からなる偏光部を用いる。図14は、第5の実施形態に係る偏光部の構成を示す斜視図である。偏光部3Bは、第1の偏光板である偏光板3b1と、第2の偏光板である可動式の偏光板3b2と、を備えている。偏光板3b1,3b2は、概略板状の部材で構成されており、主面が多光束ビーム1bの光軸に対して垂直となるよう多光束ビーム1bの光路上に配置される。偏光板3b1,3b2からなる1組の偏光部3Bは、1枚分のシャッタの代わりに配置されるものである。このため、図13に示したように、8枚のシャッタの代わりに偏光部3Bを配置する場合には、8組の偏光部3Bが配置される。偏光板3b1は、偏光板3b2よりも上流側光源側に配置されている。偏光板3b2の偏向角は、偏光板3b1の偏向角に対して所定の角度θとなるよう、回転させられる。光路変更部2Xから送られてくる多光束ビーム1bは、偏光板3b1で所定角度の光に偏光され、偏光板3b2によってさらに所定角度θの光に偏光される。これにより、多光束ビーム1bの強度が調整される。なお、偏光板3b1を可動式としてもよい。このように第5の実施形態によれば、干渉露光装置100Xが、パターン調整部3Xとして2枚の偏光板3b1,3b2を備えているので、低コストで容易に種々の複雑なパターンを形成することが可能となる。第6の実施形態つぎに、図15を用いてこの発明の第6の実施形態について説明する。第6の実施形態では、パターン調整部3Xに位相調整機を用いる。図15は、第6の実施形態に係る位相調整機の構成を示す図である。図15のaに示す位相変調機5は、コリメータユニット51~54を備えており、コリメータユニット51,53で一対の入力を形成し、コリメータユニット52,54で一対の出力を形成している。コリメータユニット51は、光ファイバ端末51aおよびコリメータレンズ51bで構成され、コリメータユニット53は、光ファイバ端末53aおよびコリメータレンズ53bで構成されている。また、コリメータユニット52は、光ファイバ端末52aおよびコリメータレンズ52bで構成され、コリメータユニット54は、光ファイバ端末54aおよびコリメータレンズ54bで構成されている。そして、これら入出力の間コリメータユニット51,53とコリメータユニット52,54との間に、断面がL字形状の2つの固定ミラー56,57と、断面がクランク形状の可動ミラー55が介在している。固定ミラー56,57は、それぞれ概略矩形平板を断面が頂角のL字型形状となるように1回折り曲げることによって形成されている。また、可動ミラー55は概略矩形平板を断面がクランク形状となるように2回折り曲げることによって形成されている。固定ミラー56,57、可動ミラー55内面はコーティング等によって反射率の高いミラー面が形成されている。固定ミラー56は、コリメータユニット51からの光をコリメータユニット52に送り、固定ミラー57は、コリメータユニット53からの光をコリメータユニット54に送る。可動ミラー55は、固定ミラー56と固定ミラー57の間を光軸方向に沿って移動可能なよう構成されている。位相変調機5において、コリメータユニット51、可動ミラー55、固定ミラー56、コリメータユニット52の順番で光が伝播する光路が光路A1である。また、コリメータユニット53、固定ミラー57、可動ミラー55、コリメータユニット54の順番で光が伝播する光路が光路B1である。したがって、コリメータユニット51から入射された光は、固定ミラー56と可動ミラー55で反射されてコリメータユニット52から出射され、コリメータユニット53から入射された光は、固定ミラー57と可動ミラー55で反射されてコリメータユニット54から出射される。具体的には、光路A1において、コリメータユニット51から入射された光は、可動ミラー55の光路A1用の反射面で2回反射され光軸の向きが180度折り返される。可動ミラー55で折り返された光は、固定ミラー56で2回反射され、再度光軸の向きが180度折り返され、コリメータユニット52に入力される。固定ミラー56における反射光路で形成される面は、可動ミラー55における反射光路で形成される面水平面に対し45度傾くように配置されている。固定ミラー56で折り返された光は、同時に高さ方向にも光軸が異なるので、可動ミラー55に干渉することなく、コリメータユニット52に入力することができる。また、光路B1において、コリメータユニット53から入射された光は、固定ミラー57で2回反射され、光軸の向きが水平方向に180度折り返される。固定ミラー57で折り返された光は可動ミラー55で反射され、再度光軸の向きが180度折り返され、コリメータユニット54に入力される。固定ミラー57における反射光路で形成される面は、水平面に対し-45度傾くように配置されている。固定ミラー57で折り返された光は同時に高さ方向にも光軸が異なるので、可動ミラー55に干渉することなく、コリメータユニット54に入力することができる。位相変調機5では、可動ミラー55が固定ミラー56と固定ミラー57の間を光軸方向に沿って移動することにより、光路A1と光路B1の距離が変化し、これにより、多光束ビーム1bの位相が変調される。図15のbに示す位相変調機6は、可動部61と固定部63とを備えている。可動部61上には、所定の角度に折り曲げられたミラー62が配置され、固定部63の上には、ミラー62に対向するようミラー64が配置されている。そして、ミラー62によってリトロリフレクタが構成されている。このような構成により、ミラー62とミラー64とによって形成される複数対の光路65がすべて平行となる。位相変調機6では、固定部63側の60Aから入射した光が光路65を経由して、固定部63側の60Bから出て行く。このとき、可動部61が光路65の方向とほぼ平行に移動する。可動部61の移動には、高速で応答駆動できるモーターによって移動させられるモーター駆動ステージを用いてもよいし、高速で応答駆動できるピエゾ素子によって移動させられるピエゾ駆動ステージを用いてもよい。位相変調機6では、可動部61が光路65の方向と同じ方向に移動することにより、光路65の距離が変化し、これにより、多光束ビーム1bの位相が変調される。このように第6の実施形態によれば、干渉露光装置100Xが、パターン調整部3Xとして位相変調機5または位相変調機6を備えているので、低コストで容易に種々の複雑なパターンを形成することが可能となる。第7の実施形態つぎに、図16を用いてこの発明の第7の実施形態について説明する。前述した第1の実施形態では、入射角度フィルタリング部が、ピンホールアパーチャ11とリング状アパーチャ12Aである場合について説明した。第7の実施形態では、入射角度フィルタリング部として円錐プリズムまたはFabry-Perotelatonを用いる。図16は、第7の実施形態に係る入射角度フィルタリング部の構成を示す図である。図16のaは、複数の円錐プリズム80を用いて構成された入射角度フィルタリング部8Aの断面構成を示している。入射角度フィルタリング部8Aは、略同一形状の複数の円錐プリズム80が配置されて構成されている。円錐プリズム80は、プリズム2Dと同様の構成を有している。入射角度フィルタリング部8Aでは、各円錐プリズム80の底面が同一平面状に並ぶよう配置されている。各円錐プリズム80の底面が並べられる平面は、多光束ビーム1bに対して垂直方向を向いている。円錐プリズム80のうち、頂点部分を含む先端部は、多光束ビーム1bを反射する反射部材91で構成されている。この反射部材91は、反射部材49と同様の構成を有している。この構成により、入射角度フィルタリング部8Aに入射した多光束ビーム1bは、所定角度の出射光としてウエハWA側へ出射される。これにより、ウエハWAへは、所定の入射角度で多光束ビーム1bが入射する。このように、入射角度フィルタリング部8Aにおいて、多光束ビーム1bのウエハWAへの入射角度をフィルタリングすることで、DoFが拡大する。なお、入射角度フィルタリング部8Aは、ウエハWAへ多光束ビーム1bが入射する前の位置であれば何れの位置に配置してもよい。また、円錐プリズム80の代わりに多角錐プリズムを用いてもよい。多角錐プリズムを用いる場合、円錐プリズム80と同様に複数の円錐プリズム80が同一平面内に配置される。また、円錐プリズム80と円錐プリズム80との間の隙間に対しては、隙間の上部側または下部側に光の通過を遮断する遮光板などを配置しておく。なお、入射角度フィルタリング部8Aは、1つの円錐プリズム80で構成してもよい。図16のbは、Fabry-Perotelatonを用いて構成された入射角度フィルタリング部8Bを示している。入射角度フィルタリング部8Bは、Fabry-Perotelatonであり、入射角度フィルタリング部8Bに入射した多光束ビーム1bは、ビーム形状がコーン状円錐状の多光束ビーム1bとしてウエハWA側へ出射される。これにより、多光束ビーム1bは、円錐の頂点から母線に沿って広がることとなる。そして、ウエハWAへは、所定の入射角度で多光束ビーム1bが入射する。このように、入射角度フィルタリング部8Bにおいて、多光束ビーム1bのウエハWAへの入射角度をフィルタリングすることで、DoFが拡大する。なお、入射角度フィルタリング部8Bは、ウエハWAへ多光束ビーム1bが入射する前の位置であれば何れの位置に配置してもよい。このように第7の実施形態によれば、干渉露光装置100Xが、入射角度フィルタリング部8A,8Bとして円錐プリズムまたはFabry-Perotelatoを備えているので、低コストで容易にDoFを拡大させることが可能となる。干渉露光装置100XによるウエハWAへの露光は、例えばウエハプロセスの所定レイヤに対して行われる。このとき、ウエハWA上に形成したいパターン毎に光路変更部2Xとパターン調整部3Xの調整が行われる。ウエハWA上へは、所定の成膜装置によって成膜処理が行われる。そして、ウエハWAへのリソグラフィ処理を行う際には、ウエハWA上にレジストが塗布される。干渉露光装置100Xは、レジストの塗布されたウエハWAに干渉露光を行ない、その後ウエハWAが現像されてウエハWA上にレジストパターンが形成される。そして、レジストパターンをマスクとしてウエハWAの下層側がエッチングされる。これにより、レジストパターンに対応する実パターンがウエハWA上に形成される。半導体装置半導体集積回路を製造する際には、成膜処理、露光処理、現像処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。このように第1~第7の実施形態によれば、低コストで容易に種々のパターンをウエハ上に形成することが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"