導電性領域を基板に生成する方法であって、第1のドーパント種を含むペーストを前記基板の表面の一部に塗布するステップと、前記ペーストが前記表面の一部にある間に、前記第1のドーパント種とは反対の導電型を有する第2のドーパント種のイオンを前記表面に注入するステップであって、前記第2のドーパント種の前記イオンの大半は、前記ペーストに浸透しない、ステップと、熱処理を行うステップと、前記第2のドーパント種のイオンの注入後に、前記ペーストを除去するステップと、を含む、導電性領域を基板に生成する方法。前記第1のドーパント種及び前記第2のドーパント種のそれぞれは、アルミニウム、ホウ素、ガリウム、インジウム、リン、ヒ素及びアンチモンから成る群から選択される、請求項1に記載の方法。前記熱処理は、前記ペーストを塗布した後で、前記第2のドーパント種の前記イオンを注入する前に行って、前記第1のドーパント種を前記基板内に拡散させる、請求項1に記載の方法。前記第2のドーパント種は、前記第1のドーパント種とは反対の導電型を有するイオンを含む、請求項1に記載の方法。前記第2のドーパント種は、前記第1のドーパント種と同じの導電型を有するイオンを含む、請求項1に記載の方法。前記ペーストを除去した後、第2の熱処理を行うステップをさらに含む、請求項3に記載の方法。前記第2の熱処理の間に、前記基板の前記表面及び前記表面の反対側の表面のうちの少なくとも1つに、パッシベーション剤を塗布する、請求項6に記載の方法。前記熱処理は、前記第1のドーパント種を拡散させ、且つ前記第2のドーパント種からの注入ダメージをアニールするように、前記第2のドーパント種の前記イオンの前記注入後に行う、請求項1に記載の方法。前記熱処理の間に、前記基板の表面の反対側の表面に、パッシベーション剤を塗布するステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記大半は、前記イオンの90より大きい、請求項1に記載の方法。反対の導電型の領域を基板に生成する方法であって、アルミニウムを含むペーストを前記基板の表面の一部に塗布するステップと、共融混合物を前記基板の表面の一部に生成するように、前記基板及び前記ペーストを加熱するステップと、前記基板の加熱後で、前記ペーストが前記表面上にある間に、n型ドーパントのイオンを前記表面に注入するステップであって、前記n型ドーパントの前記イオンの大半は、前記ペーストに浸透しない、ステップと、前記n型ドーパントの前記イオンの注入後に、前記ペースト及び前記共融混合物を除去するステップと、前記n型ドーパントの前記イオンをアニールするために、第2の熱処理を行うステップと、を含む、反対の導電型の導電領域を基板に生成する方法。前記第2の熱処理の間に、前記基板の前記表面及び前記表面の反対側の表面のうちの少なくとも1つに、パッシベーション剤を塗布するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。前記加熱は、前記アルミニウムを前記基板内に溶融させるのに十分な温度で、行う、請求項11に記載の方法。前記温度は、約550°Cと850°Cとの間である、請求項13に記載の方法。前記大半は、前記イオンの90より大きい、請求項11に記載の方法。反対の導電型の領域を基板に生成する方法であって、リンを含むペーストを前記基板の表面の一部に塗布するステップと、前記ペーストが前記表面上にある間に、ホウ素イオンを前記表面に注入するステップであって、前記ホウ素イオンの大半は、前記ペーストに浸透しない、ステップと、前記リンを拡散させ、且つ前記ホウ素からの注入ダメージをアニールするように、前記ホウ素イオンの注入後で、前記ペーストが前記表面にある間に、熱活性化処理を行う、ステップと、前記ペーストを除去するステップと、を含む、反対の導電型の領域を基板に生成する方法。前記熱活性化処理の間に、前記基板の前記表面の反対側の表面に、パッシベーション剤を塗布するステップをさらに含む、請求項16に記載の方法。前記大半は、前記イオンの90より大きい、請求項16に記載の方法。このように、IBC太陽電池を形成するには、2つのパターンドーピングのステップが必要とされる。これらのパターンドーピングのステップは、pエミッタ203及びn裏面電界領域204が重なり合わないように、位置合わせをする必要がある。pエミッタ203とn裏面電界領域204との間に隙間を残すことにより、お粗末な位置合わせ又は重なりを防ぐことができるが、これは、IBC太陽電池の性能を劣化させる。適切に位置合わせをした場合でも、そのようなパターンドーピングは製造コストを高めることになる。例えば、フォトリソグラフィー又は酸化膜のようなハードマスクを用いることができるが、これらは共に高価であり、追加の処理ステップを必要とする。図2は、従来技術によるIBC太陽電池を形成する第1の方法のブロック図である。このプロセスは、図6のパターンを生成するために良好に位置合わせしなければならない、スクリーン印刷によるパターンのレジストとして示される2つのパターン拡散ステップを必要とする。図3は、IBC太陽電池を形成する第2の方法のブロック図である。この実施態様は、第1のブランケット拡散を実施する。次いで、エミッタをエッチングして下層のシリコンを露出する。酸化膜マスクをエッチングして、下層のシリコンにドープするのに、異なる化学物質を用いることができるけれども、エッチングマスク及び拡散マスクは同じものとすることができる。図2~3の実施態様は、IBC太陽電池を形成するために、両方共、多くの高価なプロセスステップを必要とする。図3の実施態様は、図2の実施態様よりも少ないプロセスステップを用いるが、なお、複雑であり、多数の湿潤ステップを用いる。図2~3のこれらの実施態様にとっては、酸化物層の追加が、さらに別の追加のプロセスステップとなっている。従って、従来の太陽電池のドーピング技術は改善する必要があり、より具体的には、イオン注入を用いてのIBC太陽電池のドーピング法は改善する必要がある。基板にドーピングを行う改善方法を開示する。本方法は、相互嵌合バックコンタクト型IBC太陽電池の生成に、特に、有益である。第1の導電型のドーパントを有するペーストを基板の表面に塗布する。このペーストは、後のイオン注入ステップ用のマスクとしての機能を果し、反対導電型を有するドーパントのイオンを、基板の露出部分に導入することを可能にする。イオンを注入した後に、マスクを除去することができ、ドーパントを活性化させることができる。アルミニウム含有ペースト及びリン含有ペーストを用いる方法を開示する。本発明をより良く理解するために、以下に、本明細書に参照用として含まれる添付図面を参照する。太陽電池の実施形態をイオン注入装置に関連して本明細書で説明する。ビームラインイオン注入装置、プラズマドーピングイオン注入装置、集束プラズマシステム、プラズマシースを変調するシステム又はフラッドイオン注入装置を用いることができる。しかしながら、ガス拡散、炉拡散、レーザドーピング、他のプラズマ処理ツール又は当業者に知られた他の方法も用いることができる。特定のn型及びp型ドーパントを記載しているが、代わりに他のn型又はp型ドーパントを用いることができ、本明細書の実施形態は、記載したドーパントだけに限定されない。さらに、太陽電池の1つの特定の実施形態を具体的に記載しているが、このプロセスの実施形態は、他の太陽電池の設計又は半導体ウエーハ又はフラットパネルのような他のワークピースに適用することもできる。従って、本発明は、以下に説明する特定の実施形態に限定されない。図4のA~Dは、IBC太陽電池を形成する第1の方法の断面図である。図4のAでは、太陽電池300の上にアルミニウムのペースト301をエミッタのパターンで印刷する。一例では、スクリーン印刷を用いるが、当業者に知られた他の印刷方法を同様に用いることができる。図4のBでは、太陽電池300を炉で焼成する。温度は、アルミニウムが太陽電池300に溶け込むことができるように、十分に高くする。炉は、一実施形態では、約550°Cと850°Cとの間で動作するインライン炉とすることができる。アルミニウムペースト301は、溶融して、太陽電池300のシリコンとともに、共融混合物を形成する。アルミニウムペースト301は、太陽電池300のシリコンの中に、約2~10μmのドープ層303も形成する。このドープ層は、太陽電池300のpエミッタ303を形成する。図4のCでは、次いで、種310を太陽電池300に注入する。種310はリンとすることができ、n裏面電界領域304を形成することができる。他の実施形態では、他のV族元素をn型ドーパントとして用いることができる。アルミニウムペースト301は、種310がアルミニウムペースト301の下の太陽電池300内に注入されるのを実質上阻止するマスクとしての機能を果すことができる。言い換えれば、種310の大多数は、アルミニウムペースト301を経て浸入することはない。いくつかの実施形態では、種310の少なくとも90は、アルミニウムペースト301を経て浸入することはない。いくつかの実施形態では、イオンの100をブロックすることができる。1つの特定の実施形態では、太陽電池300のn裏面電界領域304とは反対側に、少なくとも部分的に同時に、又は、後のステップの間に、リン又は別のn型ドーパントを注入することができる。これは前面電界領域を生成する。図4のDでは、アルミニウムペースト301及びアルミニウム-シリコンの共融混合物を、例えば、湿潤ステップを用いて除去する。いくつかの実施形態では、これは酸エッチングである。図4のCの注入の間にアモルファス化されドープされたシリコンは、この湿潤ステップに耐性がある。共融混合物を除去して、pエミッタ303の適切なパッシベーションを可能にする。注入したドーパントを、次いで、アニールステップのような熱活性化ステップで活性化させる。一例では、このアニールステップの間に、酸化物層を、少なくとも部分的に成長させて、太陽電池300の前面及び裏面の両方共をパッシベートすることができる。図5のA~Dは、IBC太陽電池を形成する第2の方法の断面図である。図5のAでは、リンのドーピングペースト401を太陽電池400に塗布する。他の実施形態では、ヒ素又はアンチモンのようなn型ドーパントを用いることができる。ホウ素、アルミニウム、ガリウム又はインジウムのようなp型ドーパントも用いることができる。次いで、図5のBでは、種405を太陽電池400に注入する。種405はホウ素又は別のp型ドーパントとすることができ、pエミッタ403を形成することができる。リンのドーピングペースト401は、種405がリンのドーピングペースト401の下の太陽電池400に注入されるのを実質上阻止するマスクとしての機能を果すことができる。言い換えれば、種405の大多数は、ドーピングペースト401を経て浸入することはない。いくつかの実施形態では、種405の少なくとも90は、ドーピングペースト401を貫通しない。いくつかの実施形態では、イオンの100をブロックすることができる。他の実施形態では、種405は、アルミニウム、ヒ素、アンチモン、リン、ガリウム及びインジウムを含む上述した種のいずれかとすることができる。言い換えれば、p型ドーパントを含むペーストを塗布し、その後に、n型ドーパントのイオンを注入することができる。他の実施形態では、上記のように、n型ドーパントを含むペーストを塗布し、その後に、p型ドーパントからのイオンを注入することができる。リンのドーピングペースト401は、基板に浸入するのに、アルミニウムペースト301よりも、より多くの時間がかかる。従って、処理時間を低減させるために、拡散ステップを、図5のBに例示した注入pエミッタ403のアニール又は活性化と組み合わせることができる。従って、これと同時に、注入ホウ素が活性化され、リンはペーストからシリコン内へと拡散する。別の実施形態では、リンの拡散を、p型ドーパントの活性化とは異なる時間に、行うことができる。従って、図5のCでは、太陽電池400をアニールする。これは、pエミッタ403を活性化させ、リンを太陽電池400内に拡散させ、n裏面電界領域404を形成する。もちろん、リンの拡散及びホウ素の活性化用の熱ステップは別々に行うことができる。一例では、熱ステップ又はアニールステップ中に、太陽電池のn裏面電界領域404とは反対側に、酸化物層が成長する。図5のDでは、リンのドーピングペースト401を除去する。リンのドーピングペースト401は、アニールプロセスの間に、リン-ケイ酸塩ガラスを形成することができる。一例では、リンのドーピングペースト401を除去するために、エッチングステップ又は緩衝HFのプロセスを用いることができる。図4~5の実施形態によれば、ドープされるn型及びp型領域を、互いに、直接隣併せにするか、又は隣接させることができる。従って、n型及びp型領域が整合し、p-n接合の両側のドーパント濃度が高くなることにより、このp-n接合は狭くすることができる。キャリアは、量子力学トンネリングにより、p-n接合を横切ることができる。図4~5の実施形態の熱ステップは、ドーパントをp-n接合を横切って拡散させることを可能にするように、長くすることができる。ドーパントはこのp-n接合を横切って拡散するので、境界における正味のキャリア濃度は低減し、空乏層の深さは増大する。より深い空乏層領域はトンネリングを抑制する。他の実施形態では、用いる2つのドーパントの導電型を同じとすることができる。例えば、あるドーパントを太陽電池の一部に拡散し、その一方で、同じ導電型のイオンを太陽電池の隣接部分に注入するのが有益なことがある。本発明は、本明細書に記載した特定の実施形態による範囲に限定すべきではない。実際に、本明細書に記載した実施形態に加えて、本発明の他の様々な実施形態及び変更は、前述の記載及び添付図面から当業者には明らかであろう。従って、そのような他の実施形態及び変更は、本発明の範囲内に入ることを意図している。さらに、本発明は、特定の目的のため、特定の環境で、特定の実施のコンテキストで、本明細書に記載したけれども、当業者は、その有用性がそれらに限定されず、本発明が、任意の数の目的のため、任意の数の環境で、有用に実施することができることを理解するであろう。従って、以下に記載の特許請求の範囲は、本明細書に記載されているように、本発明の全容及び精神に鑑みて解釈すべきである。