単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンを注入して当該単結晶シリコンウェーハ中に水素イオン注入層を設ける水素イオン注入工程と、前記単結晶シリコンウェーハの前記表面と、ハンドルウェーハの表面とを接合して接合ウェーハを得る接合工程と、前記接合ウェーハから前記水素イオン注入層を剥離して、単結晶シリコン薄膜を転写されたウェーハを得る剥離工程と、剥離により露出された単結晶シリコン薄膜の表面を鏡面化する鏡面化工程と、を少なくとも含むシリコン薄膜転写ウェーハの製造方法であって、前記鏡面化工程が、前記露出された単結晶シリコン薄膜の表面をエッチング液に接触させてエッチングし、当該表面の表面粗さRMSを5nm以下とするエッチング段階と、前記エッチングされた単結晶シリコン薄膜の表面を研磨し、当該表面から15nm~40nmの厚さを除去する研磨段階と、を少なくとも含むシリコン薄膜転写ウェーハの製造方法。前記エッチング液が、NH4OHとH2O2と水を含んでおり、29質量NH4OH水溶液と30質量H2O2水溶液に換算すると、体積比でNH4OH水溶液29質量:H2O2水溶液30質量:水=0.5~2:0.01~0.5:10となる請求項1記載のシリコン薄膜転写ウェーハの製造方法。前記エッチングが、前記単結晶シリコン薄膜の膜厚バラツキを5.0nm以下とする請求項1または請求項2に記載のシリコン薄膜転写ウェーハの製造方法。前記エッチングが、前記露出された単結晶シリコンウェーハ側の表面の表面粗さPVを25nm以下とする請求項1~請求項3のいずれかに記載のシリコン薄膜転写ウェーハの製造方法。前記ハンドルウェーハが、シリコンウェーハ、サファイアウェーハ、石英ウェーハ、炭化珪素ウェーハ、窒化アルミニウムウェーハ、およびガラスウェーハからなる群から選択される請求項1~請求項4のいずれかに記載のシリコン薄膜転写ウェーハの製造方法。しかし、このような研磨によって、単結晶シリコン薄膜初期の10nm弱程度の表面粗さを鏡面化RMS<0.3nmするためには、相当量のシリコンを研磨する必要がある。この際に単結晶シリコン薄膜の膜厚バラツキが問題となる。膜厚バラツキは研磨量に比例して増大するために、研磨量は少ないほど望ましい。一例として、研磨バラツキが±10の場合、100nm研磨すると±10nmのバラツキが発生する。残存するシリコン膜の厚さを50nmとするとシリコン膜厚のバラツキは50nm±10nmとなり、ウェーハ面内でデバイスの特性が一定しないという問題がある。しかし、少ない研磨量では表面の凹凸を完全に取り除くことが困難であり、均一性の高い薄膜SOIを、CMPを用いて達成するのが難しいというのが現状である。本発明は、このような単結晶シリコン薄膜の鏡面化処理に伴い生じる問題点を解決しようとするものであり、研磨量を低減化することで、単結晶シリコン薄膜の膜厚バラツキを抑え、デバイスの特性を一定化させることを目的とする。上記の問題を解決するために、本発明者は、まず、ドナーウェーハに水素イオンを注入する工程に始まり、転写された単結晶シリコン薄膜の鏡面化に至るまでの、薄膜SOIウェーハの製造方法の各工程について見直しを行った。そうしたところ、転写した後の単結晶シリコン薄膜の表面粗さ約10nm弱程度が、単結晶シリコン薄膜を鏡面化する際のシリコンの研磨量に影響することがわかった。そして、この影響により、単結晶シリコン薄膜の膜厚にバラツキが生じてしまい、結果としてデバイス特性の不安定化につながることがわかった。そこで、本発明者は、転写した後の単結晶シリコン薄膜の表面粗さに着目し、これを制御する方法について、鋭意検討を行った。その結果、転写した後の単結晶シリコン薄膜を研磨する前に、その予備段階として、予めエッチング処理段階を設ければ、単結晶シリコン薄膜の膜厚のバラツキに影響を及ぼすことなく、かかる単結晶シリコン薄膜の表面粗さを制御することが可能であることを見出した。そして、このエッチング処理段階により、該表面粗さを5nm以下としておけば、続く研磨段階における研磨量が低減し、結果として膜厚のバラツキを抑制可能であることがわかった。本発明者は、上記種々の着想や結果を得て、本発明を想到するに至った。すなわち、本発明は、単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンを注入して当該単結晶シリコンウェーハ中に水素イオン注入層を設ける水素イオン注入工程と、前記単結晶シリコンウェーハの前記表面と、ハンドルウェーハの表面とを接合して接合ウェーハを得る接合工程と、前記接合ウェーハから前記水素イオン注入層を剥離して、単結晶シリコン薄膜を転写されたウェーハを得る剥離工程と、剥離により露出された単結晶シリコン薄膜の表面を鏡面化する鏡面化工程と、を少なくとも含むシリコン薄膜転写ウェーハの製造方法であって、前記鏡面化工程が、前記露出された単結晶シリコン薄膜の表面をエッチング液に接触させてエッチングし、当該表面の表面粗さRMSを5nm以下とするエッチング段階と、前記エッチングされた単結晶シリコン薄膜の表面を研磨し、当該表面から15nm~40nmの厚さを除去する研磨段階と、を少なくとも含むシリコン薄膜転写ウェーハの製造方法である。本発明のシリコン薄膜転写ウェーハの製造方法によれば、単結晶シリコン薄膜の膜厚バラツキを抑えつつ、該薄膜を鏡面化することができるため、結果としてデバイスの特性を一定化させることが可能となる。以下、本発明について説明する。本発明において、SOIウェーハは、シリコン薄膜を提供するドナーウェーハである単結晶シリコンウェーハと、ハンドルウェーハとを接合させて製造できる。ハンドルウェーハは、特に限定されないが、シリコンウェーハ、酸化膜付きシリコンウェーハ、サファイアウェーハ、石英ウェーハ、炭化珪素ウェーハ、窒化アルミニウムウェーハ、およびガラスウェーハ例えば、ホウケイ酸ガラスウェーハ、結晶化ガスウェーハ等からなる群から選択できる。これらのハンドルウェーハは汎用的に用いられるものであり、本発明は、これらウェーハの種類を問わず、シリコン薄膜転写ウェーハを製造可能な方法だからである。本発明にかかるシリコン薄膜転写ウェーハの製造方法は、SOITEC法やSiGen法これらの改良方法を含むを用いて、好ましくは、単結晶シリコンウェーハの表面に水素イオンを注入して当該単結晶シリコンウェーハ中に水素イオン注入層を設ける水素イオン注入工程と、前記単結晶シリコンウェーハの前記表面と、ハンドルウェーハの表面とを接合して接合ウェーハを得る接合工程と、前記接合ウェーハから前記水素イオン注入層を剥離して、単結晶シリコン薄膜を転写されたウェーハを得る剥離工程と、剥離により露出された単結晶シリコン薄膜の表面を鏡面化する鏡面化工程と、を少なくとも含む。これらの各工程を経て、当該シリコン薄膜表面が鏡面化したシリコン薄膜転写ウェーハを得ることができる。ウェーハの好ましい厚さは、特に限定されないが、SEMI等で規定されているシリコンウェーハの厚さに近いものが望ましい。これは、半導体装置はこの厚さのウェーハを扱うように設定されていることが多いためである。この観点から好ましくは300~900μmである。単結晶シリコンウェーハとしては、特に限定されないが、例えばチョクラルスキー法により育成された単結晶をスライスして得られたもので、例えば直径が100~300mm、導電型がP型またはN型、抵抗率が10Ωcm程度のものが挙げられる。単結晶シリコンウェーハの表面は、あらかじめ薄い絶縁膜を形成しておくことが好ましい。絶縁膜を通して水素イオン注入を行えば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られるからである。絶縁膜としては、好ましくは50~500nmの厚さを有するシリコン酸化膜が好ましい。これはあまり薄いと、酸化膜厚の制御が難しく、またあまり厚いと時間が掛かりすぎるためである。シリコン酸化膜は、一般的な熱酸化法により形成することができる。以下、SOIウェーハの製造方法を図6に示す例に基づき説明する。単結晶シリコンウェーハ12は、表面12sから水素イオンを注入し、シリコンウェーハ中にイオン注入層13を形成しておく。この際、例えば、単結晶シリコンウェーハの表面から所望の深さにイオン注入層を形成できるような注入エネルギーで、所定の線量の水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する。このときの条件として、例えば注入エネルギーは50~100keV、注入線量は2×1016~1×1017/cm2とできる。注入される水素イオンとしては、2×1016~1×1017atoms/cm2のドーズ量の水素イオンH、又は1×1016~5×1016atoms/cm2のドーズ量の水素分子イオンH2が好ましい。単結晶シリコンウェーハのイオン注入面12sからイオン注入層13までの深さは、絶縁性ウェーハ11上に設けるシリコン薄膜の所望の厚さに依存するが、好ましくは200~400nm、更に好ましくは300nm程度である。また、イオン注入層13の厚さは、機械衝撃によって容易に剥離できる厚さが良く、好ましくは200~400nm、更に好ましくは300nm程度である。単結晶シリコンウェーハの厚さは、このようなイオン注入層を含有できるものであれば特に限定されないが、あまり厚くなると不経済となるため、通常500~800μmである。予め水素イオンを注入して水素イオン注入層13を設けた単結晶シリコンウェーハの水素イオン注入面12sと、絶縁性ウェーハ11の表面11sとの双方もしくは片方に表面活性化処理を施してもよい。表面活性化処理は、表面のOH基を増加させて活性化させる処理であり、例えばプラズマ処理、オゾン処理、又はこれらの組合せが挙げられる。次に、水素イオン注入面12sとハンドルウェーハの表面11sとを接合して接合ウェーハ14を得る。例えば、貼り合わせることにより、この時点である程度の結合強度を確保できる。単結晶シリコンウェーハ12のイオン注入面12s又は絶縁性ウェーハ11の表面11sの少なくとも一方が活性化処理されている場合、これらを、例えば、減圧または常圧下、好ましくは冷却や加熱をすることなく一般的な室温約20°C程度の温度下で密着させるだけで後工程での機械的剥離に耐え得る強度で強く接合できる。加熱して、接合強度を高めてもよい。接合ウェーハ14の水素イオン注入層13に、例えば機械的衝撃を加えてシリコン薄膜12Bを剥離させ、絶縁性ウェーハ11上にシリコン薄膜を転写されたシリコン薄膜転写ウェーハ15を得る。イオン注入層に衝撃を与えるためには、例えば、ガスや液体等の流体のジェットを接合したウェーハの側面から連続的または断続的に吹き付ければよい。そして、本発明は、上記製造方法により製造したシリコン薄膜転写ウェーハについて、剥離により露出された単結晶シリコン薄膜の表面を鏡面化する鏡面化工程に特徴のあるものであり、かかる鏡面化工程は、少なくとも2段階よりなる。具体的には、剥離により露出された単結晶シリコン薄膜の表面をエッチング液に接触させてエッチングし、当該表面の表面粗さRMSを5nm以下とするエッチング段階と、前記エッチングされた単結晶シリコン薄膜の表面を研磨し、当該表面から15nm~40nmの厚さを除去する研磨段階と、である。次に、これらエッチング段階と、研磨段階について、説明する。まず、エッチング段階を設けたのは、研磨段階の前に予めエッチングすることで、単結晶シリコン薄膜の表面粗さRMSを約10nm弱の状態から5nm以下とするためである。ここで、表面粗さRMSは、二乗平均粗さのことであり、平均線から測定曲線までの偏差の二乗を平均した値の平方根である。このように表面粗さRMSを5nmにしておくことで、続いて行う研磨段階にて鏡面化が容易となる。具体的には、原子間力顕微鏡AFMを用いれば、10μm×10μmの範囲における単結晶シリコン薄膜の表面粗さRMSJISB0601を測定することができる。尚、単結晶シリコン薄膜の表面粗さを低下させる方法のみに着目してみると、砥石や金属酸化物スラリーを用いる研磨方法等、エッチング以外の方法によっても該表面粗さを低下させることは可能と考えられる。但し、重要な点は可能な限り、膜厚をウェーハ面内で均一にすることである。エッチングは、単結晶シリコン薄膜の表面をエッチング液に接触させることにより行い、単結晶シリコン薄膜の表面粗さが5nm以下になったら、エッチング段階を終了し、研磨段階へと移る。本発明においては、エッチング段階に用いるエッチング液が、NH4OHとH2O2と水を含んでおり、29質量NH4OH水溶液と30質量H2O2水溶液に換算すると、体積比でNH4OH水溶液29質量:H2O2水溶液30質量:水=0.5~2:0.01~0.5:10であることが好ましい。エッチング液としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化セシウム、アンモニア及び水酸化アンモニウムからなる群から選択される塩基を含むものや、EDP、TMAH水酸化テトラメチルアンモニウム及びヒドラジンからなる群から選択される有機溶剤を含むエッチング溶液等がある。このようなエッチング液があるなかで、単にエッチング特性のみならず、エッチングの面内均一性を考えると、NH4OHとH2O2と水を含むエッチング液において、その体積比が29質量NH4OH水溶液と30質量H2O2水溶液に換算して上記範囲内であることが好ましい。更には、エッチング時間等、処理効率等を考慮すれば、29質量NH4OH水溶液と30質量H2O2水溶液に換算した体積比でNH4OH水溶液29質量:H2O2水溶液30質量:水=1~2:0.1~0.2:10のエッチング液であることが、更に好ましい。また、エッチング段階におけるエッチングが、前記単結晶シリコン薄膜の膜厚バラツキを5.0nm以下とすることが好ましい。この値は、転写した後の初期における単結晶シリコン薄膜の膜厚バラツキ5.0nm以下を基準としている。エッチングにより膜厚バラツキが大きくなってしまうと、続く研磨工程において膜厚バラツキを補正しなければならず、研磨工程の負担が大きくなってしまう。そこで、かかる負担増を避けるため、エッチングによって膜厚バラツキが生じないように、前記単結晶シリコン薄膜の膜厚バラツキを5.0nm以下とすることが好ましいこととなる。更に、エッチング段階におけるエッチングが、露出された単結晶シリコンウェーハ側の表面の表面粗さPVを25nm以下とすることが好ましい。ここで、表面粗さPVPeaktoValleyとは、面内の凹凸の変位の最大値である。このようにRMSのみならず、PVの観点からも表面粗さを制御しておけば、続いて行う研磨段階にて、鏡面化が容易となる。このように、単結晶シリコン薄膜の表面粗さRMSや表面粗さPV、そして膜厚バラツキを制御するためには、単結晶シリコン薄膜の表面を、単にエッチング液に接触させるだけでなく、接触させる際のエッチング条件に配慮することが好ましい。こういった観点からすれば、本発明においては、エッチング対象となるシリコン薄膜転写ウェーハを、溶液温度70°C~90°Cとした上記体積比29質量NH4OH水溶液と30質量H2O2水溶液に換算すると、NH4OH水溶液29質量:H2O2水溶液30質量:水=0.5~2:0.01~0.5:10のエッチング液に5分以上浸漬することが好ましい。尚、かかるウェーハを浸漬中に、エッチング液を撹拌してもよい。次に、研磨段階について説明する。ここで、研磨処理そのものは、既存の処理であるところ、上記のように研磨対象面はエッチング段階を経て脆弱となっているため、容易に鏡面化することができる。研磨は、例えば、上記の化学的機械研磨CMP等の研磨装置を用いて行うことができる。鏡面化したか否かは、目視によるほか、表面粗さRMSを目安とし、0.3nmより小さい値となった場合を鏡面化したと判断する。なお、ここで化学的研磨であるCMPは、コロイダルシリカを分散させたアルカリ溶液スラリーを用い研磨することである。以下、本発明を実施例及び比較例に基づき説明するが、本発明は実施例及び比較例に限定されるものではない。単結晶シリコン薄膜転写ウェーハの製造酸化膜付き単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンを注入して、水素イオン注入層を設けた後、プラズマ活性化処理を施した。そして、このシリコンウェーハの前記表面と、SOQウェーハからなるハンドルウェーハの表面とを接合して接合ウェーハを得た。続いて、250°Cで熱処理を24時間施した後にイオン注入界面で機械剥離を行い、水素イオン注入層を剥離することにより、単結晶シリコン薄膜を転写されたウェーハを作製した。原子間力顕微鏡AFMを用いて、10μm×10μmの範囲における単結晶シリコン薄膜の表面粗さRMSJISB0601を測定したところ、8.36nmであった。この値は、単結晶シリコン薄膜の表面粗さRMSの初期値となる。尚、以下実施例における、RMS測定は、同方法により行った。このようにして得たウェーハ直径150mm、シリコン薄膜の厚さ280nm、石英ウェーハの厚さ625μmを使用し、下記の通り、エッチング段階及び研磨段階からなる鏡面化処理を行った。単結晶シリコン薄膜転写ウェーハのエッチング段階ウェーハをテフロン登録商標製の専用カセットに入れ、エッチング液に浸漬することにより、単結晶シリコン薄膜の表面をエッチング液に接触させ、該薄膜を30nmエッチングした。エッチング中は、エッチング液を循環装置により循環させた。表1に、エッチング溶液の組成、溶液温度、および浸漬時間を示す。ここで、NH4OH、H2O2は、それぞれ29質量水溶液、および30質量水溶液を用いた。例えば、実施例2の場合において、NH4OH水溶液29質量:H2O2水溶液30質量:水=1:0.1:10の組成のエッチング溶液を作成する際には、NH4OH水溶液29質量2LとH2O2水溶液30質量0.2L、および水20Lを混合すれば、NH4OH:H2O2:水=2L:0.2L:20Lとなり、即ち、NH4OH:H2O2:水=1:0.1:10の体積比となる。図1は、上記エッチング後の単結晶シリコン薄膜表面の表面粗さRMSを比較した結果である。ここで、比較例3として示すものは、エッチング処理を行う前の表面粗さRMSであり、水素イオン注入層剥離後の単結晶シリコン薄膜表面における、表面粗さの初期値を示すものである。図1より、実施例1、2における表面粗さRMSは、初期値比較例3よりも低い値となっており、エッチングによる表面粗さ低減効果が顕著に表れる結果となった。一方、実施例と同様にエッチングを行った場合でも、エッチング溶液組成によっては、表面粗さが初期値よりも高い結果となった比較例1、2。図2は、上記エッチング後の単結晶シリコン薄膜表面の表面粗さPVを比較した結果である。比較例3は、図1と同様に、単結晶シリコン薄膜表面の初期値を示すものである。表面粗さPVは、表面粗さRMSと同様に原子間力顕微鏡AFMを用い、10μm×10μmの範囲を測定面として、測定面内における単結晶シリコン薄膜の最高点と最低点との差の値として算出した。図1と同様に、実施例1、2における表面粗さPVは、初期値比較例3よりも低い値となっており、エッチングによる表面粗さ低減効果が顕著に表れる結果となった図2。一方、実施例と同様にエッチングを行った場合でも、エッチング溶液組成によっては、表面粗さが初期値よりも高い結果となった図2比較例1、2。図3は、上記エッチング後の単結晶シリコン薄膜表面の膜厚バラツキを比較した結果である。比較例3は、図1、2と同様に、単結晶シリコン薄膜表面の初期値を示すものである。膜厚バラツキは、光学干渉式の測定機器フィルメトリクス社製F20を用い、直径150mmの単結晶シリコン薄膜表面の表面内から49点を測定した際の、膜厚の最大値と最小値との差として定義した。結果として、比較例2を除き、エッチングしても膜厚バラツキは3.5nmと、初期値と比べて変化がみられなかった。これにより、実施例1、2によるエッチング溶液によりエッチングしても、膜厚バラツキに影響しないことがわかった。一方で、10質量KOH溶液をエッチング溶液とした比較例2の場合のみが、膜厚バラツキを悪化させる結果となった。この結果および、単結晶シリコン薄膜を30nmエッチングするまでの浸漬時間が、10質量KOH溶液の場合のみ極めて短いという点から表1、10質量KOH溶液は、単結晶シリコン薄膜に対するエッチング特性が強いため、本発明にかかる方法に用いた場合には、膜厚バラツキの制御が困難であることがわかった。一方、実施例1、2におけるエッチング溶液を用いた場合は、NH4OHとH2O2の競争反応により、単結晶シリコン薄膜がエッチングされる。そのため、単結晶シリコン薄膜表面がムラなく均一にエッチングすることが可能である。また、エッチング速度も、10質量KOH溶液のような純アルカリ溶液と比べて適度に遅い表1。そのため、実施例1、2のエッチング溶液であれば、エッチングを容易に制御することが可能である。エッチング処理後の研磨段階上記結果を踏まえ、次に研磨段階について実施した。尚、エッチング段階において表面粗さRMSが初期値よりも高い結果となった比較例1、2については、研磨したとしても有効な結果が得られないことは明らかであるため、研磨段階は実施しなかった。上記エッチング段階後の実施例1、2および比較例3における単結晶シリコン薄膜転写ウェーハついて、化学的機械研磨CMPにより、単結晶シリコン薄膜を研磨した。図4は、上記研磨段階により、単結晶シリコン薄膜を10nm~50nm研磨したときの表面粗さRMSを比較した結果であり、図5は図4の縦軸を拡大した図である。実施例1、2は略同結果となったため、一つの折れ線グラフにより結果を示している。鏡面か否かの判定基準としては、一般的には、表面状態を目視で確認すると共に、表面粗さRMSが0.3nmより小さい場合に、該表面が鏡面であると判定している。そこで、本実施例においても、目視による確認と共に、表面粗さRMSが0.3nmより小さい値となったものについて、鏡面化したものと判定した。結果として、いずれの場合においても、表面粗さRMSが0.3nmより小さい値となり、目視確認と併せて、鏡面化可能であることは明らかであった。但し、エッチング段階を行わなかった場合研磨のみを行った場合には、単結晶シリコン薄膜をその表面から厚さ40nm除去しても、鏡面化することは出来ない結果となった比較例3。その一方で、研磨段階の前に、予めエッチング段階を行えば、単結晶シリコン薄膜をその表面から厚さ15nm除去するのみで鏡面化することが可能であった。表2は、上記研磨段階により、単結晶シリコン薄膜を10nm~50nm研磨したときの膜厚バラツキを比較した結果である。測定方法は、上記エッチング後の膜厚バラツキを比較した場合と同様の方法とした。表2より、エッチング段階を行った実施例1、2では、20nm研磨すれば、膜厚バラツキが非常に小さな値で安定することがわかった。一方、エッチング段階を行わなかった研磨のみを行った比較例3では、50nm研磨しても、膜厚のバラツキが実施例1、2と比べて大きな値となった。この結果から、エッチング処理を適切に行えば、エッチング処理後の研磨段階において、少ない研磨量で膜厚バラツキが安定することは明らかであった。以上の結果から、エッチングにより表面粗さRMSを5nm以下とすれば、その後、研磨段階により表面から15nm~40nmの厚さを除去することで、単結晶シリコン薄膜の表面を鏡面化することが可能であることがわかった。そして、本発明にかかるエッチング段階を設けることによって、研磨による除去厚さを低減することが可能であり、これにより研磨による膜厚バラツキが低減し、単結晶シリコン薄膜の膜厚が安定化することとなる。