バーナによる酸水素火炎中でシリカガラス原料を加水分解してシリカ微粒子を生成するとともに、前記シリカ微粒子を堆積することで多孔質シリカ母材を生成し、該多孔質シリカ母材を焼結して中心部のOH基濃度が25ppm以上50ppm以下の合成石英ガラス母材を製造する合成石英ガラス母材の製造方法であって、前記多孔質シリカ母材の径方向の平均かさ密度が0.6g/cm3以上となるように、堆積中の堆積面温度を調整することを特徴とする合成石英ガラス母材の製造方法。堆積中の前記堆積面温度が922°C以上となるように、酸水素流量及び/又はバーナ径を調整することを特徴とする請求項1記載の合成石英ガラス母材の製造方法。前記バーナ径が、前記多孔質シリカ母材の最終外径に対して1/3.2倍以上であることを特徴とする請求項2記載の合成石英ガラス母材の製造方法。請求項1乃至3いずれか1項記載の製造方法で製造された合成石英ガラス母材であって、該合成石英ガラス母材中心部のOH基濃度が25ppm以上50ppm以下であり、該合成ガラス母材の中心から最終外径の径方向80の範囲のOH基濃度の差が15ppm以下であることを特徴とする合成石英ガラス母材。このような合成石英ガラス母材のΔnの均質性が低下するのを防止するため、多孔質シリカ母材の平均かさ密度を高くすることにより焼結時にOH基を抜けにくくし、合成石英ガラス母材の中心部と径方向の外周部とのOH基濃度差を小さくすることが提案できる。多孔質シリカ母材のかさ密度を高くするには、例えば、シリカ微粒子の堆積中の成長軸方向の成長速度を遅くすることすなわち長時間同じ位置で堆積させるで達成できる。しかしながら、成長軸方向の成長速度を遅くする、ということは、長時間同じ位置で堆積させることになり、多孔質シリカ母材の堆積径が大きくなることになる。したがって、この方法において、径方向のΔnの均質性を満足するかさ密度にするには、設備的に大きな母材を収容できる反応容器が必要となるため、設備的な点において難しいものであった。本発明は、このような問題を解決することを課題とするものである。すなわち、設備にかかわりなく合成石英ガラス母材の径方向のΔnの均質性を高めることが本発明の目的である。前記目的を達成するため、本発明に係る合成石英ガラス母材の製造方法及び合成石英ガラス母材は、次の構成を具備する。バーナによる酸水素火炎中でシリカガラス原料を加水分解してシリカ微粒子を生成するとともに、前記シリカ微粒子を堆積することで多孔質シリカ母材を生成し、該多孔質シリカ母材を焼結して中心部のOH基濃度が25ppm以上50ppm以下の合成石英ガラス母材を製造する合成石英ガラス母材の製造方法であって、前記多孔質シリカ母材の径方向の平均かさ密度が0.6g/cm3以上となるように、堆積中の堆積面温度を調整することを特徴とする。堆積中の前記堆積面温度が922°C以上となるように、酸水素流量及び/又はバーナ径を調整することが好ましい。また、前記バーナ径が、前記多孔質シリカ母材の最終外径に対して1/3.2倍以上であることが好ましい。前述の製造方法で製造された合成石英ガラス母材であって、この合成石英ガラス母材中心部のOH基濃度が25ppm以上50ppm以下であり、この合成ガラス母材の中心から最終外径の径方向80の範囲のOH基濃度の差が15ppm以下であることが好ましい。このような特徴を有することで本発明は以下の効果を奏する。すなわち、多孔質シリカ母材の径方向の平均かさ密度が0.6g/cm3以上となるように、堆積面温度を調整することで、設備にかかわりなく合成石英ガラス母材の径方向のΔnの均質性を高めることができる。以下、本発明に係る合成石英ガラス母材の製造方法の一実施形態を図1に基づいて説明する。合成石英ガラス母材4は、排気装置1Aを有する反応容器A内において、シリカガラス原料とH2ガスとO2ガスとをバーナ1に供給し、バーナ1が噴出する酸水素火炎中でシリカ微粒子以下ススというを生成させ、生成したススを、成長軸方向に引き上げながら軸方向を中心として回転する出発棒2に対して堆積以下スス付けというさせて多孔質シリカ母材3を製造し図1a、製造された多孔質シリカ母材3を、焼結炉Bに挿入して焼結することにより図1b、透明な円柱状に製造されたものである。多孔質シリカ母材3を製造する具体的なスス付け法としては、気相軸付け法VAD法、外付け化学気相堆積法OVD法等が用いられる。このように製造された合成石英ガラス母材4は、特に短波長を用いたステッパ等の露光機に好適であり、YAGレーザ等、固体レーザを用いた加工機、あるいはドライ洗浄等に用いられる紫外線エキシマランプ等にも適用される、光学系部材の材料となる透過特性に優れた高純度の合成石英ガラスの母材となる。本実施形態の合成石英ガラス母材4は、径方向の平均かさ密度が0.6g/cm3以上の多孔質シリカ母材を加熱焼結することによって、OH基濃度が径方向で均一になるように製造したものである。図2に示すように、径方向の平均かさ密度を0.6g/cm3以上とした多孔質シリカ母材3を加熱焼結してなる合成石英ガラス母材4は、中心から径方向80の範囲のOH基濃度の差が15ppm以下となることが測定された。このように、径方向の平均かさ密度を0.6g/cm3以上とすることで、径方向のOH基濃度の差を15ppm以下の、均質な状態とすることができる。なお、この時の合成石英ガラス母材4中心部のOH基濃度は、25~50ppm程度であり、この程度のOH基濃度があれば、紫外線照射時に合成石英ガラス母材に生じるE’センター等のガラス欠陥の発生を抑えることができる。しかしながら、図2に示すように、径方向の平均かさ密度を0.6g/cm3未満とした多孔質シリカ母材3を加熱焼結することによって製造された合成石英ガラス母材4は、中心から径方向80の範囲のOH基濃度差が15ppmを超える結果となった。この結果から、中心から径方向80の範囲のOH基濃度差が15ppm以下となる合成石英ガラス母材4は、径方向の平均かさ密度が0.6g/cm3以上の多孔質シリカ母材3を焼結することにより製造することができることが分かった。これは、径方向の平均かさ密度を0.6g/cm3以上と高めに設定することにより、多孔質シリカ母材3の焼結時における母材表面からのOH基の抜けが抑制されたためと考えられる。このように、径方向の平均かさ密度を0.6g/cm3以上とすることで、中心から径方向80の範囲のOH基濃度差を15ppm以下とすることができ、その結果、径方向のΔnの均質性に優れ、且つE’センター等のガラス欠陥が少ない合成石英ガラス母材4を製造することができる。次に、径方向の平均かさ密度を0.6g/cm3以上とするための製造方法の一実施形態について説明する。径方向の平均かさ密度が0.6g/cm3以上の多孔質シリカ母材3は、図3に示すように、例えば堆積中の堆積面温度が922°C以上となるように保持することで製造することができる。堆積中の堆積面温度が922°C未満であると、多孔質シリカ母材3の径方向の平均かさ密度が0.6g/cm3未満となってしまい、上記した結果より、中心から径方向80の範囲のOH基濃度差が15ppm以下の合成石英ガラス母材4を製造することができない。また、この堆積面温度を922°C以上となるように保持するには、例えば酸水素流量及び/又はバーナ径を調整することで達成できる。酸水素は、シリカガラス原料を加水分解するための火炎を発生させるものであるが、この酸水素流量を増やすことにより、火炎を強くすることができ、堆積面温度を上げることができる。また、図4に示すように、バーナ径を多孔質シリカ母材3の最終外径に対して1/3.2倍以上とすることで、堆積面温度を高くすることができ、その結果として、径方向の平均かさ密度が0.6g/cm3以上の多孔質シリカ母材3を製造することができる。尚、堆積面温度を922°C以上となるように保持する方法は、例示した酸水素流量及び/又はバーナ径を調整する方法に限らず、例えば、バーナ1の位置を調整するなど、他の方法を採用することも可能である。また、これらの方法を組み合わせることも可能である。本実施形態における多孔質シリカ母材3は、中心部のOH基濃度が25ppm~50ppmであることが好ましい。一般的に、合成石英ガラス母材をスス付け法により製造することによってOH基濃度を高くすることはできるが、この程度のOH基濃度であれば、初期の透過率の低下が生じることも無く、また、紫外線照射時に合成石英ガラス母材に生じるE’センター等のガラス欠陥をOH基で埋めることができるため、紫外線照射時のガラス欠陥の発生も抑えることができる。以上のように、径方向の平均かさ密度が0.6g/cm3以上の多孔質シリカ母材を焼結することで、径方向のΔnの均質性に優れ、E’センター等のガラス欠陥が少ない合成石英ガラス母材4を製造することができる。上記合成石英ガラス母材4は、設備的な改造を強いることなく、既存の設備において可能な、酸水素流量、バーナ径を制御して堆積面温度を調整する方法で実現可能である。すなわち、設備にかかわりなく合成石英ガラス母材4の径方向のΔnの均質性を高めることができる。尚、本発明は、例示した実施の形態に限定するものではなく、特許請求の範囲の各項に記載された内容から逸脱しない範囲の構成による実施が可能である。