"一般式1式中、Arは炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基を表す。A及びBは各々独立して炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい少なくとも1つのC=N結合を有する炭素数3~20のヘテロアリール基を表す。X1及びX2は各々独立して炭素原子又は窒素原子を表す。R1、R2及びR4~R7は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、又は炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数4~20のヘテロアリール基を表す。R3は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基を表す。R8及びR9は各々独立してハロゲン原子、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、又は炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基を表す。m及びnは各々独立して0又は1の整数を表し[但し、mnは1又は2である]、p及びqは各々独立して0~4の整数を表す。で表されるアミン化合物。前記一般式1において、A及びBは各々独立して炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよいイミダゾリル基、チアゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、1,3,5-トリアジル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、及びキノキサリル基から選ばれる置換基であることを特徴とする請求項1に記載のアミン化合物請求項1又は2に記載のアミン化合物を発光層、正孔輸送層又は正孔注入層のいずれかに用いることを特徴とする有機EL素子。本発明は、有機EL素子の正孔輸送材料に適したアミン化合物、さらには発光効率が高く、耐久性に優れた有機EL素子を提供することを目的とする。本発明者らは鋭意検討した結果、下記一般式1で表されるアミン化合物が正孔輸送特性に優れると共に、電子受容安定性のある該化合物を正孔輸送層に用いた有機EL素子は駆動電圧が低く、さらに発光効率及び耐久性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、一般式1式中、Arは炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基を表す。A及びBは各々独立して炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい少なくとも1つのC=N結合を有する炭素数3~20のヘテロアリール基を表す。X1及びX2は各々独立して炭素原子又は窒素原子を表す。R1、R2及びR4~R7は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、又は炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数4~20のヘテロアリール基を表す。R3は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基を表す。R8及びR9は各々独立してハロゲン原子、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、又は炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基を表す。m及びnは各々独立して0又は1の整数を表し[但し、mnは1又は2である]、p及びqは各々独立して0~4の整数を表す。で表されるアミン化合物及びその用途に関するものである。以下、本発明に関し詳細に説明する。本発明の一般式1で表されるアミン化合物において、Arは炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基を表す。Arで示される炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基において、炭素数6~30のアリール基としては、特に限定するものではないが、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントリル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ピセニル基等を挙げることができ、炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子としては、直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、アリールオキシ基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、9-カルバゾリル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を挙げることができるが、置換位置、置換個数については特に限定はない。直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキシ基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。アリールオキシ基としては、フェノキシ基、4-メチルフェニルオキシ基、3-メチルフェニルオキシ基、4-ビフェニルオキシ基、3-ビフェニルオキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリブチルシリル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。トリアリールシリル基としては、トリフェニルシリル基、トリ4-メチルフェニルシリル基、トリ3-メチルフェニルシリル基、トリ4-メチルフェニルシリル基、トリ4-ビフェニルシリル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。Arの具体例としては、フェニル基、4-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、2-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、3-エチルフェニル基、2-エチルフェニル基、4-n-プロピルフェニル基、4-イソプロピルフェニル基、2-イソプロピルフェニル基、4-n-ブチルフェニル基、4-イソブチルフェニル基、4-sec-ブチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-n-ペンチルフェニル基、4-イソペンチルフェニル基、4-ネオペンチルフェニル基、4-n-ヘキシルフェニル基、4-n-オクチルフェニル基、4-n-デシルフェニル基、4-n-ドデシルフェニル基、4-シクロペンチルフェニル基、4-シクロヘキシルフェニル基、4-トリチルフェニル基、3-トリチルフェニル基、4-トリフェニルシリルフェニル基、3-トリフェニルシリルフェニル基、2,4-ジメチルフェニル基、2,5-ジメチルフェニル基、3,4-ジメチルフェニル基、3,5-ジメチルフェニル基、2,6-ジメチルフェニル基、2,3,5-トリメチルフェニル基、2,3,6-トリメチルフェニル基、3,4,5-トリメチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、3-メトキシフェニル基、2-メトキシフェニル基、4-エトキシフェニル基、3-エトキシフェニル基、2-エトキシフェニル基、4-n-プロポキシフェニル基、3-n-プロポキシフェニル基、4-イソプロポキシフェニル基、2-イソプロポキシフェニル基、4-n-ブトキシフェニル基、4-イソブトキシフェニル基、2-sec-ブトキシフェニル基、4-n-ペンチルオキシフェニル基、4-イソペンチルオキシフェニル基、2-イソペンチルオキシフェニル基、4-ネオペンチルオキシフェニル基、2-ネオペンチルオキシフェニル基、4-n-ヘキシルオキシフェニル基、2-2-エチルブチルオキシフェニル基、4-n-オクチルオキシフェニル基、4-n-デシルオキシフェニル基、4-n-ドデシルオキシフェニル基、4-n-テトラデシルオキシフェニル基、4-シクロヘキシルオキシフェニル基、2-シクロヘキシルオキシフェニル基、4-フェノキシフェニル基、2-メチル-4-メトキシフェニル基、2-メチル-5-メトキシフェニル基、3-メチル-4-メトキシフェニル基、3-メチル-5-メトキシフェニル基、3-エチル-5-メトキシフェニル基、2-メトキシ-4-メチルフェニル基、3-メトキシ-4-メチルフェニル基、2,4-ジメトキシフェニル基、2,5-ジメトキシフェニル基、2,6-ジメトキシフェニル基、3,4-ジメトキシフェニル基、3,5-ジメトキシフェニル基、3,5-ジエトキシフェニル基、3,5-ジ-n-ブトキシフェニル基、2-メトキシ-4-エトキシフェニル基、2-メトキシ-6-エトキシフェニル基、3,4,5-トリメトキシフェニル基、4-9-カルバゾリルフェニル基、3-9-カルバゾリルフェニル基、4-フルオロフェニル基、3-フルオロフェニル基、2-フルオロフェニル基、2,3-ジフルオロフェニル基、2,4-ジフルオロフェニル基、2,5-ジフルオロフェニル基、2,6-ジフルオロフェニル基、3,4-ジフルオロフェニル基、3,5-ジフルオロフェニル基、4-1-ナフチルフェニル基、4-2-ナフチルフェニル基、3-1-ナフチルフェニル基、3-2-ナフチルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基、6-メチル-2-ナフチル基、4-フェニル-1-ナフチル基、6-フェニル-2-ナフチル基、2-アントリル基、9-アントリル基、10-フェニル-9-アントリル基、2-フルオレニル基、9,9-ジメチル-2-フルオレニル基、9,9-ジエチル-2-フルオレニル基、9,9-ジ-n-プロピル-2-フルオレニル基、9,9-ジ-n-オクチル-2-フルオレニル基、9,9-ジフェニル-2-フルオレニル基、9,9’-スピロビフルオレニル基、9-フェナントリル基、2-フェナントリル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ピセニル基、4-ビフェニリル基、3-ビフェニリル基、2-ビフェニリル基、p-ターフェニル基、m-ターフェニル基、o-ターフェニル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。一般式1で表されるアミン化合物において、ガラス転移温度が高く、緑色発光を有する燐光発光材料と比較して高い三重項準位を有することが好ましい点から、Arは炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい4-ビフェニリル基、3-ビフェニリル基、m-ターフェニル基、4-9-カルバゾリルフェニル基、又は2-フルオレニル基であることが好ましい。一般式1で表されるアミン化合物において、A及びBは各々独立して炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい少なくとも1つのC=N結合を有する炭素数3~20のヘテロアリール基を表す。A及びBで示される炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい少なくとも1つのC=N結合を有する炭素数3~20のヘテロアリール基において、少なくとも1つのC=N結合を有する炭素数3~20のヘテロアリール基としては、電子受容性を有し、還元に対して安定であれば特に制限は無く、例えば、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、1,3,5-トリアジル基、ベンゾイミダゾリル基、インダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、2,1,3-ベンゾチアジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、2,1,3-ベンゾオキサジアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、キナゾリル基、アクリジニル基、1,10-フェナントロリル基等を挙げることができ、炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子としては、特に限定するものではないが、前記Arで例示した炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を挙げることができる。A及びBの具体例としては、1-イミダゾリル基、2-フェニル-1-イミダゾリル基、2-フェニル-3,4-ジメチル-1-イミダゾリル基、2,3,4-トリフェニル-1-イミダゾリル基、2-2-ナフチル-3,4-ジメチル-1-イミダゾリル基、2-2-ナフチル-3,4-ジフェニル-1-イミダゾリル基、1-メチル-2-イミダゾリル基、1-エチル-2-イミダゾリル基、1-フェニル-2-イミダゾリル基、1-メチル-4-フェニル-2-イミダゾリル基、1-メチル-4,5-ジメチル-2-イミダゾリル基、1-メチル-4,5-ジフェニル-2-イミダゾリル基、1-フェニル-4,5-ジメチル-2-イミダゾリル基、1-フェニル-4,5-ジフェニル-2-イミダゾリル基、1-フェニル-4,5-ジビフェニリル-2-イミダゾリル基、1-メチル-3-ピラゾリル基、1-フェニル-3-ピラゾリル基、1-メチル-4-ピラゾリル基、1-フェニル-4-ピラゾリル基、1-メチル-5-ピラゾリル基、1-フェニル-5-ピラゾリル基、2-チアゾリル基、4-チアゾリル基、5-チアゾリル基、3-イソチアゾリル基、4-イソチアゾリル基、5-イソチアゾリル基、2-オキサゾリル基、4-オキサゾリル基、5-オキサゾリル基、3-イソオキサゾリル基、4-イソオキサゾリル基、5-イソオキサゾリル基、2-ピリジル基、3-メチル-2-ピリジル基、4-メチル-2-ピリジル基、5-メチル-2-ピリジル基、6-メチル-2-ピリジル基、3-ピリジル基、4-メチル-3-ピリジル基、4-ピリジル基、2-ピリミジル基、5-ピリミジル基、ピラジル基、1,3,5-トリアジル基、4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル基、1-ベンゾイミダゾリル基、2-メチル-1-ベンゾイミダゾリル基、2-フェニル-1-ベンゾイミダゾリル基、1-メチル-2-ベンゾイミダゾリル基、1-フェニル-2-ベンゾイミダゾリル基、1-メチル-5-ベンゾイミダゾリル基、1,2-ジメチル-5-ベンゾイミダゾリル基、1-メチル-2-フェニル-5-ベンゾイミダゾリル基、1-フェニル-5-ベンゾイミダゾリル基、1,2-ジフェニル-5-ベンゾイミダゾリル基、1-メチル-6-ベンゾイミダゾリル基、1,2-ジメチル-6-ベンゾイミダゾリル基、1-メチル-2-フェニル-6-ベンゾイミダゾリル基、1-フェニル-6-ベンゾイミダゾリル基、1,2-ジフェニル-6-ベンゾイミダゾリル基、1-メチル-3-インダゾリル基、1-フェニル-3-インダゾリル基、2-ベンゾチアゾリル基、4-ベンゾチアゾリル基、5-ベンゾチアゾリル基、6-ベンゾチアゾリル基、7-ベンゾチアゾリル基、3-ベンゾイソチアゾリル基、4-ベンゾイソチアゾリル基、5-ベンゾイソチアゾリル基、6-ベンゾイソチアゾリル基、7-ベンゾイソチアゾリル基、2,1,3-ベンゾチアジアゾリル-4-イル基、2,1,3-ベンゾチアジアゾリル-5-イル基、2-ベンゾオキサゾリル基、4-ベンゾオキサゾリル基、5-ベンゾオキサゾリル基、6-ベンゾオキサゾリル基、7-ベンゾオキサゾリル基、3-ベンゾイソオキサゾリル基、4-ベンゾイソオキサゾリル基、5-ベンゾイソオキサゾリル基、6-ベンゾイソオキサゾリル基、7-ベンゾイソオキサゾリル基、2,1,3-ベンゾオキサジアゾリル-4-イル基、2,1,3-ベンゾオキサジアゾリル-5-イル基、2-キノリル基、3-キノリル基、5-キノリル基、6-キノリル基、1-イソキノリル基、4-イソキノリル基、5-イソキノリル基、2-キノキサリル基、3-フェニル-2-キノキサリル基、6-キノキサリル基、2,3-ジメチル-6-キノキサリル基、2,3-ジフェニル-6-キノキサリル基、2-キナゾリル基、4-キナゾリル基、2-アクリジニル基、9-アクリジニル基、1,10-フェナントロリン-3-イル基、1,10-フェナントロリン-5-イル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。一般式1で表されるアミン化合物において、還元に対する安定性及び耐熱性が高いことが好ましい点から、A及びBは各々独立して炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよいイミダゾリル基、チアゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、1,3,5-トリアジル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、又はキノキサリル基から選ばれる置換基であることが好ましい。一般式1で表されるアミン化合物において、X1及びX2は各々独立して炭素原子又は窒素原子を表す。一般式1で表されるアミン化合物において、R1、R2及びR4~R7は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、又は炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数4~20のヘテロアリール基を表す。R1、R2及びR4~R7で示されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素原子が挙げられる。R1、R2及びR4~R7で示される炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。R1、R2及びR4~R7で示される炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキシ基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。R1、R2及びR4~R7で示される炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基としては、特に限定するものではないが、前記Arで例示した炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基が挙げられる。R1、R2及びR4~R7で示される炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数4~20のヘテロアリール基において、炭素数4~20のヘテロアリール基としては、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のうち少なくとも一つのヘテロ原子を含有する芳香族基であり、特に限定するものではないが、例えば、2-ピリジル基、3-ピリジル基、4-ピリジル基、3-キノリル基、4-キノリル基、2-フリル基、3-フリル基、2-チエニル基、3-チエニル基、2-オキサゾリル基、2-チアゾリル基、2-ベンゾオキサゾリル基、2-ベンゾチアゾリル基、2-ベンゾチオフェニル基、3-ベンゾチオフェニル基、2-ベンゾイミダゾリル基、2-ジベンゾチオフェニル基、3-ジベンゾチオフェニル基、2-ジベンゾフラニル基、3-ジベンゾフラニル基等を例示することができ、炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子としては、特に限定するものではないが、前記Arで例示した炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を挙げることができる。一般式1で表されるアミン化合物において、R3は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基を表す。R3で示されるハロゲン原子、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基としては、それぞれ前記R1、R2及びR4~R7で例示したハロゲン原子、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基が挙げられる。一般式1で表されるアミン化合物において、R8及びR9は各々独立してハロゲン原子、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、又は炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基を表す。R8及びR9で示されるハロゲン原子、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基としては、それぞれ前記R1、R2及びR4~R7で例示したハロゲン原子、炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数1~18の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基が挙げられる。R8及びR9で示される炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基としては、特に限定するものではないが、前記Arで例示した炭素数1~36の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数6~30のアリール基が挙げられる。一般式1で表されるアミン化合物において、m及びnは各々独立して0又は1の整数を表す。但し、mnは1又は2である。一般式1で表されるアミン化合物において、p及びqは各々独立して0~4の整数を表す。以下に好ましい化合物を例示するが、これらの化合物に限定されるものではない。前記一般式1で表されるアミン化合物は、例えば、公知の方法TetrahedronLetters,1998年,第39巻,2367頁によって合成することができる。具体的には、下記のルートにより合成することができる。ルートa2位がハロゲン化された9H-カルバゾール化合物とハロゲン化芳香族化合物を、塩基の存在下、銅触媒又はパラジウム触媒を用いて反応させた生成物2-ハロゲン化-9-置換カルバゾールに、2級アミン化合物を、塩基の存在下、銅触媒又はパラジウム触媒を用いて反応させる。ルートb2位がハロゲン化された9H-カルバゾール化合物とハロゲン化芳香族化合物を、塩基の存在下、銅触媒又はパラジウム触媒を用いて反応させた生成物2-ハロゲン化-9-置換カルバゾールに、1級アミン化合物を、塩基の存在下、銅触媒又はパラジウム触媒を用いて反応させて2級アミンを得る。さらに得られた2級アミンにハロゲン化芳香族化合物を、塩基の存在下、銅触媒又はパラジウム触媒を用いて反応させる。本発明の前記一般式1で表されるアミン化合物は、有機EL素子の発光層、正孔輸送層又は正孔注入層として使用することができる。特に、前記一般式1で表されるアミン化合物は、正孔輸送能に優れることから、正孔輸送層及び/又は正孔注入層として使用した際に、有機EL素子の低駆動電圧化、高発光効率化及び耐久性の向上を実現することができる。また、前記一般式1で表されるアミン化合物は、従来材料と比較して三重項準位が高いため、蛍光発光材料だけでなく、燐光発光材料を発光層に用いた素子においても高い発光効率を得ることができる。前記一般式1で表されるアミン化合物を有機EL素子の正孔注入層及び/又は正孔輸送層として使用する際の発光層には、従来から使用されている公知の蛍光若しくは燐光発光材料を使用することができる。発光層は1種類の発光材料のみで形成されていても、ホスト材料中に1種類以上の発光材料がドープされていてもよい。前記一般式1で表されるアミン化合物からなる正孔注入層及び/又は正孔輸送層を形成する際には、必要に応じて2種類以上の材料を含有若しくは積層させてもよく、例えば、酸化モリブデン等の酸化物、7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン、2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン等の公知の電子受容性材料を含有若しくは積層させてもよい。前記一般式1で表されるアミン化合物を有機EL素子の発光層として使用する場合には、アミン化合物を単独で使用、公知の発光ホスト材料にドープして使用、又は公知の発光ドーパントをドープして使用することができる。前記一般式1で表されるアミン化合物を含有する正孔注入層、正孔輸送層又は発光層を形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法等の公知の方法を適用することができる。本発明による一般式1で表されるアミン化合物は、従来材料以上の高い正孔輸送能力を有すると共に、電子受容安定性があるため、有機EL素子の低駆動電圧化、高発光効率化、耐久性の向上を実現することができる。以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。1H-NMR及び13C-NMR測定は、バリアン社製Gemini200を用いて行った。FDMS測定は、日立製作所製M-80Bを用いて行った。還元特性は、北斗電工製のHA-501及びHB-104を使用したサイクリックボルタンメトリーで評価した。有機EL素子の発光特性は、作製した素子に直流電流を印加し、TOPCON社製のLUMINANCEMETERBM-9の輝度計を用いて評価した。合成例12-4-クロロフェニルニトロベンゼンの合成[下記式2参照]窒素気流下、500mLの三口フラスコに、o-ブロモニトロベンゼン25.0g123.0mmol、p-クロロフェニルボロン酸21.1g135.3mmol、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.71g0.61mmol、テトラヒドロフラン100mL、20wtの炭酸ナトリウム水溶液162g炭酸ナトリウムとして307.5mmolを加え、8時間加熱還流した。室温まで冷却した後、水層と有機層を分液し、有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液で洗浄し、さらに飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過により不溶物を除去した溶液を減圧下に濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィートルエンで精製し、2-4-クロロフェニルニトロベンゼンを27.2g単離した収率94。化合物の同定は、1H-NMR測定、13C-NMR測定により行った。1H-NMRCDCl3δppm;7.87d,1H,7.36-7.66m,5H,7.21-7.27m,2H13C-NMRCDCl3δppm;148.98,135.85,135.12,134.37,132.45,131.79,129.23,128.84,128.53,124.21合成例22-クロロカルバゾールの合成[下記式2参照]窒素気流下、200mLのナス型フラスコに、合成例1で得た2-4-クロロフェニルニトロベンゼン10.0g42.7mmolを仕込み、亜リン酸トリエチルを50mL加えた後、150°Cで24時間攪拌した。減圧下に亜リン酸トリエチルを留去し、残渣にo-キシレンを加えて再結晶することにより、2-クロロカルバゾールの白色粉末を5.1g25.6mmol単離した収率60。化合物の同定は、1H-NMR測定、13C-NMR測定により行った。1H-NMRAcetone-d6δppm;10.46br-s,1H,8.10d,2H,7.37-7.55m,3H,7.15-7.24m,2H13C-NMRAcetone-d6δppm;141.35,141.15,131.33,126.70,123.17,122.64,121.92,120.84,120.09,119.78,111.81,111.43合成例32-クロロ-N-4-ビフェニリルカルバゾールの合成窒素気流下、50mLの三口フラスコに、合成例2で得た2-クロロカルバゾール4.0g19.8mmol、4-ブロモビフェニル5.5g23.7mmol、炭酸カリウム3.83g27.7mmol、o-キシレン20mLを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム44mg0.19mmol、トリtert-ブチルホスフィン0.14g0.69mmolを添加して130°Cで24時間攪拌した。室温まで冷却後、析出した沈殿を濾取し、得られた固体を水で洗浄し、さらにメタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、n-ブタノールで再結晶し、2-クロロ-N-4-ビフェニリルカルバゾールの白色粉末を4.9g13.8mmol単離した収率69。化合物の同定は、1H-NMR測定、13C-NMR測定により行った。1H-NMRCDCl3δppm;8.07d,1H,8.00d,1H,7.77d,2H,7.65d,2H,7.54d,2H,7.21-7.41m,8H13C-NMRCDCl3δppm;141.38,141.18,140.72,140.08,136.17,131.75,128.99,128.66,127.74,127.27,127.16,126.23,122.82,121.99,121.19,120.47,120.29,110.05,109.98合成例4N-フェニル-N-2-N-4-ビフェニリルカルバゾリルアミンの合成窒素気流下、100mLの三口フラスコに合成例3で得られた2-クロロ-N-4-ビフェニリルカルバゾール9.5g26.8mmol、アニリン3.7g40.2mmol、ナトリウム-tert-ブトキシド3.6g37.5mmol、o-キシレン60mLを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム60mg0.26mmol、トリtert-ブチルホスフィン189mg0.93mmolを添加して130°Cで10時間攪拌した。室温まで冷却後、純水を35mL添加し攪拌した。水層と有機層を分液し、有機層を純水で洗浄し、その後飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過によって不溶物を除去した溶液を減圧下に濃縮し茶色の固体を得た。o-キシレンで再結晶し、N-フェニル-N-2-N-4-ビフェニリルカルバゾリルアミンの白色粉末を8.0g19.4mmol単離した収率72。化合物の同定は、1H-NMR測定、13C-NMR測定により行った。1H-NMRCDCl3δppm;7.95-8.04m,2H,7.74d,2H,7.18-7.66m,12H,6.99-7.12m,4H,6.87t,1H,5.77br,1H13C-NMRCDCl3δppm;143.62,142.19,141.73,141.02,140.21,136.79,129.37,128.95,128.49,127.63,127.23,127.14,124.79,123.77,121.11,120.71,120.12,119.45,118.00,117.27,112.38,109.63,99.03合成例52-4-ブロモフェニル-4,5-ジフェニル-1H-イミダゾールの合成200mLの三口フラスコに、4-ブロモベンズアルデヒド10g54.0mmol、ジフェニルエタンジオン11.3g54.0mmol、酢酸アンモニウム20.8g270.2mmol、酢酸100mLを加え、110°Cで12時間攪拌した。室温まで冷却後、反応液を水200mLに添加した。析出した白色粉末を濾取し、水で洗浄し、さらにメタノールで洗浄することにより、2-4-ブロモフェニル-4,5-ジフェニル-1H-イミダゾールの白色粉末を20.0g53.4mmol得た収率98。化合物の同定は、FDMSにより行った。FDMSm/z;374M合成例61-メチル-2-4-ブロモフェニル-4,5-ジフェニル-イミダゾールの合成100mLの三口フラスコに、合成例5で得た2-4-ブロモフェニル-4,5-ジフェニル-1H-イミダゾール10g26.7mmol、ヨードメタン4.1g29.3mmol、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド8.1g29.3mmol、48濃度の水酸化ナトリウム水溶液2.4g水酸化ナトリウム固体として1.15g、ジメチルスルホキシド40mLを加え、70°Cで3時間攪拌した。室温まで冷却後、反応液に水40mLを添加した。析出した白色粉末を濾取し、水で洗浄し、さらにメタノールで洗浄することにより、1-メチル-2-4-ブロモフェニル-4,5-ジフェニル-イミダゾールの白色粉末を8.2g21.9mmol得た収率81。化合物の同定は、1H-NMR測定、13C-NMR測定により行った。1H-NMRCDCl3δppm;7.61s,4H,7.13-7.54m,10H,3.47s,3H13C-NMRCDCl3δppm;146.66,137.94,134.39,131.73,130.89,130.78,130.43,129.79,129.04,128.66,128.09,126.88,126.41,123.02,33.29合成例71-メチル-2-4-ブロモフェニルベンゾイミダゾールの合成50mLの三口フラスコに、2-4-ブロモフェニル-1H-ベンゾイミダゾール2g7.3mmol、ヨードメタン1.1g8.0mmol、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド2.2g8.0mmol、48濃度の水酸化ナトリウム水溶液0.6g水酸化ナトリウム固体として0.29g、ジメチルスルホキシド10mLを加え、70°Cで5時間攪拌した。室温まで冷却後、反応液に水10mLを添加した。析出した白色粉末を濾取し、水で洗浄し、さらにメタノールで洗浄することにより、1-メチル-2-4-ブロモフェニルベンゾイミダゾールの白色粉末を1.4g5.1mmol得た収率70。化合物の同定は、FDMSにより行った。FDMSm/z;286M合成例81-4-ブロモフェニル-2-フェニルベンゾイミダゾールの合成窒素気流下、100mLの三口フラスコに、2-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール3.0g15.4mmol、p-ブロモヨードベンゼン8.6g30.8mmol、ヨウ化銅0.58g3.0mmol、炭酸セシウム10.0g30.8mmol、ジメチルホルムアミド30mLを加え、室温で30分間攪拌した。その後、120°Cで36時間攪拌した。室温まで冷却後、酢酸エチルを50mL加え、不溶物を濾過した。濾液を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、減圧下に濃縮し残渣を得た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、1-4-ブロモフェニル-2-フェニルベンゾイミダゾールの白色粉末を1.7g4.9mmol単離した収率32。化合物の同定は、FDMSにより行った。FDMSm/z;348M実施例1化合物A2の合成窒素気流下、200mLの三口フラスコに、合成例2で得た2-クロロカルバゾール7.8g39.0mmol、4-2-ピリジルブロモベンゼン9.0g39.0mmol、炭酸カリウム7.5g54.6mmol、o-キシレン75mLを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム87mg0.39mmol、トリtert-ブチルホスフィン275mg1.3mmolを添加して130°Cで15時間攪拌した。室温まで冷却後、水30mLを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過して不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を200mLの三口フラスコに仕込んだ。溶液に、N,N-ビス4-ビフェニリルアミン12.5g39.0mmol、ナトリウム-tert-ブトキシド5.2g54.6mmol、酢酸パラジウム87mg0.39mmol、トリtert-ブチルホスフィン275mg1.36mmolを添加して130°Cで8時間攪拌した。室温まで冷却後、水30mLを加えた。析出した沈殿を濾取し、得られた沈殿物を水で洗浄し、さらにエタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、o-キシレンで再結晶し、化合物A2の白色粉末を17.9g28.0mmol単離した収率72。化合物の同定は、FDMS、1H-NMR測定、13C-NMR測定により行った。FDMSm/z;639M1H-NMRCDCl3δppm;8.63d,1H,8.13d,2H,8.05d,2H,7.73d,2H,7.54-7.62m,6H,7.10-7.49m,20H13C-NMRCDCl3δppm;156.38,149.70,147.26,146.02,141.66,141.18,140.60,138.23,138.09,136.88,134.96,128.69,128.42,127.72,126.92,126.73,126.62,125.47,123.64,123.44,122.34,121.13,120.56,120.36,119.94,119.85,119.03,109.80,106.92実施例2化合物A45の合成窒素気流下、100mLの三口フラスコに、合成例2で得た2-クロロカルバゾール3.2g16.0mmol、合成例6で得た1-メチル-2-4-ブロモフェニル-4,5-ジフェニル-イミダゾール6.0g16.0mmol、炭酸カリウム3.1g22.4mmol、o-キシレン40mLを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム35mg0.16mmol、トリtert-ブチルホスフィン113mg0.56mmolを添加して130°Cで20時間攪拌した。室温まで冷却後、水20mLを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過して不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を100mLの三口フラスコに仕込んだ。溶液に、N-4-ビフェニリル-N-p-トリルアミン4.1g16.0mmol、ナトリウム-tert-ブトキシド2.1g22.4mmol、酢酸パラジウム35mg0.16mmol、トリtert-ブチルホスフィン113mg0.56mmolを添加して130°Cで4時間攪拌した。室温まで冷却後、水20mLを加えた。析出した沈殿を濾取し、得られた沈殿物を水で洗浄した、さらにエタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、o-キシレンで再結晶し、化合物A45の淡黄色粉末を7.90g10.8mmol単離した収率68。化合物の同定は、FDMSにより行った。FDMSm/z;732M実施例3化合物A52の合成窒素気流下、200mLの三口フラスコに、合成例2で得た2-クロロカルバゾール5.0g24.7mmol、合成例7で得た1-メチル-2-4-ブロモフェニルベンゾイミダゾール7.0g24.7mmol、炭酸カリウム4.8g34.7mmol、o-キシレン75mLを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム55mg0.24mmol、トリtert-ブチルホスフィン174mg0.86mmolを添加して130°Cで18時間攪拌した。室温まで冷却後、水30mLを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を200mLの三口フラスコに仕込んだ。溶液に、N,N-ビス4-ビフェニリルアミン7.9g24.7mmol、ナトリウム-tert-ブトキシド3.3g34.5mmol、酢酸パラジウム55mg0.24mmol、トリtert-ブチルホスフィン174mg0.86mmolを添加して130°Cで5時間攪拌した。室温まで冷却後、水30mLを加えた。析出した沈殿を濾取し、得られた沈殿物を水で洗浄し、さらにエタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、o-キシレンで再結晶し、化合物A52の淡黄色粉末を10.2g14.8mmol単離した収率60。化合物の同定は、FDMSにより行った。FDMSm/z;692M実施例4化合物A57の合成窒素気流下、50mLの三口フラスコに、合成例2で得た2-クロロカルバゾール2.0g7.2mmol、合成例8で得た1-4-ブロモフェニル-2-フェニルベンゾイミダゾール2.5g7.2mmol、炭酸カリウム1.4g10.1mmol、o-キシレン20mLを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム16mg0.07mmol、トリtert-ブチルホスフィン49mg0.24mmolを添加して130°Cで18時間攪拌した。室温まで冷却後、水10mLを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を50mLの三口フラスコに仕込んだ。溶液に、N-4-ビフェニリル-N-p-トリルアミン1.8g7.2mmol、ナトリウム-tert-ブトキシド968mg10.1mmol、酢酸パラジウム16mg0.07mmol、トリtert-ブチルホスフィン49mg0.24mmolを添加して130°Cで6時間攪拌した。室温まで冷却後、水10mLを加えた。析出した沈殿を濾取し、得られた沈殿物を水で洗浄し、さらにエタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、o-キシレンで再結晶し、化合物A57の白色粉末を3.2g4.7mmol単離した収率66。化合物の同定は、FDMSにより行った。FDMSm/z;692M実施例5化合物A59の合成窒素気流下、100mLの三口フラスコに、合成例2で得た2-クロロカルバゾール6.9g34.4mmol、4-2-ベンゾチアゾリルブロモベンゼン10.0g34.4mmol、炭酸カリウム6.6g48.1mmol、o-キシレン60mLを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム77mg0.34mmol、トリtert-ブチルホスフィン243mg1.2mmolを添加して130°Cで20時間攪拌した。室温まで冷却後、水30mLを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を50mLの三口フラスコに仕込んだ。溶液に、N,N-ビス4-ビフェニリルアミン11.0g34.4mmol、ナトリウム-tert-ブトキシド4.6g48.1mmol、酢酸パラジウム77mg0.34mmol、トリtert-ブチルホスフィン243mg1.2mmolを添加して130°Cで5時間攪拌した。室温まで冷却後、水20mLを加えた。析出した沈殿を濾取し、得られた沈殿物を水で洗浄し、さらにエタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、o-キシレンで再結晶し、化合物A59の淡黄色粉末を18.8g27.1mmol単離した収率79。化合物の同定は、FDMSにより行った。FDMSm/z;695M実施例6化合物B3の合成窒素気流下、50mLの三口フラスコに、合成例4で得たN-フェニル-N-2-N-4-ビフェニリルカルバゾリルアミン3.0g7.3mmol、4-2-ピリジルブロモベンゼン1.7g7.3mmol、ナトリウム-tert-ブトキシド0.98g10.2mmol、o-キシレン15mLを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム16mg0.07mmol、トリtert-ブチルホスフィン49mg0.24mmolを添加して130°Cで5時間攪拌した。室温まで冷却後、水10mLを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過によって不溶物を除去した溶液を減圧下に濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィートルエンとヘキサンの混合溶媒で精製し、化合物B3のガラス状固体を3.4g6.2mmol単離した収率85。化合物の同定は、FDMSにより行った。FDMSm/z;563M実施例7化合物B10の合成窒素気流下、50mLの三口フラスコに、合成例4で得たN-フェニル-N-2-N-4-ビフェニリルカルバゾリルアミン0.90g2.2mmol、合成例7で得た1-メチル-2-4-ブロモフェニルベンゾイミダゾール0.62g2.2mmol、ナトリウム-tert-ブトキシド0.28g3.0mmol、o-キシレン10mLを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム5mg0.02mmol、トリtert-ブチルホスフィン14mg0.07mmolを添加して130°Cで5時間攪拌した。室温まで冷却後、水5mLを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過によって不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を減圧下に濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィートルエンとヘキサンの混合溶媒で精製し、化合物B10のガラス状固体を0.92g1.5mmol単離した収率72。化合物の同定は、FDMSにより行った。FDMSm/z;616M実施例8化合物B13の合成窒素気流下、50mLの三口フラスコに、合成例4で得たN-フェニル-N-2-N-4-ビフェニリルカルバゾリルアミン0.82g2.0mmol、合成例8で得た1-4-ブロモフェニル-2-フェニルベンゾイミダゾール0.69g2.0mmol、ナトリウム-tert-ブトキシド0.27g2.8mmol、o-キシレン10mLを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム5mg0.02mmol、トリtert-ブチルホスフィン14mg0.07mmolを添加して130°Cで5時間攪拌した。室温まで冷却後、水5mLを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過によって不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を減圧下に濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィートルエンとヘキサンの混合溶媒で精製し、化合物B13のガラス状固体を0.82g1.2mmol単離した収率60。化合物の同定は、FDMSにより行った。FDMSm/z;678M実施例9化合物B14の合成窒素気流下、50mLの三口フラスコに、合成例4で得たN-フェニル-N-2-N-4-ビフェニリルカルバゾリルアミン1.5g3.6mmol、合成例6で得た1-メチル-2-4-ブロモフェニル-4,5-ジフェニル-イミダゾール1.3g3.6mmol、ナトリウム-tert-ブトキシド0.48g5.0mmol、o-キシレン15mLを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム7mg0.03mmol、トリtert-ブチルホスフィン21mg0.10mmolを添加して130°Cで7時間攪拌した。室温まで冷却後、水10mLを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過によって不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を減圧下に濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィートルエンとヘキサンの混合溶媒で精製し、化合物B14のガラス状固体を2.0g2.8mmol単離した収率79。化合物の同定は、FDMSにより行った。FDMSm/z;718M実施例10化合物B19の合成窒素気流下、50mLの三口フラスコに、合成例4で得たN-フェニル-N-2-N-4-ビフェニリルカルバゾリルアミン3.7g9.0mmol、4-2-ベンゾチアゾリルブロモベンゼン2.6g9.0mmol、ナトリウム-tert-ブトキシド1.2g12.6mmol、o-キシレン25mLを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム20mg0.09mmol、トリtert-ブチルホスフィン63mg0.31mmolを添加して130°Cで5時間攪拌した。室温まで冷却後、水10mLを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過によって不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を減圧下に濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィートルエンとヘキサンの混合溶媒で精製し、化合物B19のガラス状固体を4.5g7.3mmol単離した収率82。化合物の同定は、FDMSにより行った。FDMSm/z;619M実施例11化合物A2の還元特性評価過塩素酸テトラブチルアンモニウムの濃度が0.1mol/Lである無水テトラヒドロフラン溶液に、化合物A2を0.001mol/Lの濃度で溶解させ、サイクリックボルタンメトリーで還元電位を測定した。作用電極にはグラッシーカーボン、対極に白金線、参照電極にAgNO3のアセトニトリル溶液に浸した銀線を用いた。化合物A2は、フェロセンの酸化還元電位を基準として-2.88Vvs.Fc/Fcに還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。実施例12化合物A45の還元特性評価実施例11において、化合物A2の代わりに化合物A45を用いた他は、実施例11と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物A45は、フェロセンの酸化還元電位を基準として-2.98Vvs.Fc/Fcに還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。実施例13化合物A52の還元特性評価実施例11において、化合物A2の代わりに化合物A52を用いた他は、実施例11と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物A52は、フェロセンの酸化還元電位を基準として-2.93Vvs.Fc/Fcに還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。実施例14化合物A57の還元特性評価実施例11において、化合物A2の代わりに化合物A57を用いた他は、実施例11と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物A57は、フェロセンの酸化還元電位を基準として-2.95Vvs.Fc/Fcに還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。実施例15化合物A59の還元特性評価実施例11において、化合物A2の代わりに化合物A59を用いた他は、実施例11と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物A59は、フェロセンの酸化還元電位を基準として-2.48Vvs.Fc/Fcに還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。サイクリックボルタンメトリー測定の結果を図1に示す。実施例16化合物B3の還元特性評価実施例11において、化合物A2の代わりに化合物B3を用いた他は、実施例11と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物B3は、フェロセンの酸化還元電位を基準として-3.08Vvs.Fc/Fcに還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。実施例17化合物B13の還元特性評価実施例11において、化合物A2の代わりに化合物B13を用いた他は、実施例11と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物B13は、フェロセンの酸化還元電位を基準として-3.15Vvs.Fc/Fcに還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。実施例18化合物B14の還元特性評価実施例11において、化合物A2の代わりに化合物B14を用いた他は、実施例11と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物B14は、フェロセンの酸化還元電位を基準として-3.18Vvs.Fc/Fcに還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。実施例19化合物B19の還元特性評価実施例11において、化合物A2の代わりに化合物B19を用いた他は、実施例11と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物B19は、フェロセンの酸化還元電位を基準として-2.75Vvs.Fc/Fcに還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。比較例1比較化合物aの還元特性評価実施例11において、化合物A2の代わりに化合物aを用いた他は、実施例11と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物aは、フェロセンの酸化還元電位を基準として-3.30Vvs.Fc/Fcまで走引したが、還元波は観測されなかった。実施例20化合物A2の素子評価厚さ200nmのITO透明電極陽極を積層したガラス基板を、アセトン及び純水による超音波洗浄、イソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行なった。さらに、紫外線/オゾン洗浄を行ない、真空蒸着装置へ設置後、1×10-4Paになるまで真空ポンプにて排気した。まず、ITO透明電極上にNPDを蒸着速度0.3nm/秒で蒸着し、20nmの正孔注入層とした。引続き、化合物A2を蒸着速度0.3nm/秒で30nm蒸着した後、燐光ドーパント材料であるトリス2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3とホスト材料である4,4’-ビスN-カルバゾリルビフェニルCBPを重量比が1:11.5になるように蒸着速度0.25nm/秒で共蒸着し、20nmの発光層とした。次に、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCPを蒸着速度0.3nm/秒で蒸着し、10nmのエキシトンブロック層とした後、さらに、Alq3トリス8-キノリノラトアルミニウムを0.3nm/秒で蒸着し、30nmの電子輸送層とした。引続き、電子注入層として沸化リチウムを蒸着速度0.01nm/秒で0.5nm蒸着し、さらに、アルミニウムを蒸着速度0.25nm/秒で100nm蒸着して陰極を形成した。窒素雰囲気下、封止用のガラス板をUV硬化樹脂で接着し、評価用の有機EL素子とした。このように作製した素子に20mA/cm2の電流を印加し、駆動電圧及び外部量子効率を測定した。結果を表1に示す。実施例21化合物A45の素子評価化合物A2を化合物A45に変更した以外は実施例20と同じ方法で有機EL素子を作製した。20mA/cm2の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表1に示す。実施例22化合物A52の素子評価化合物A2を化合物A52に変更した以外は実施例20と同じ方法で有機EL素子を作製した。20mA/cm2の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表1に示す。実施例23化合物A57の素子評価化合物A2を化合物A57に変更した以外は実施例20と同じ方法で有機EL素子を作製した。20mA/cm2の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表1に示す。実施例24化合物A59の素子評価化合物A2を化合物A59に変更した以外は実施例20と同じ方法で有機EL素子を作製した。20mA/cm2の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表1に示す。実施例25化合物B3の素子評価化合物A2を化合物B3に変更した以外は実施例20と同じ方法で有機EL素子を作製した。20mA/cm2の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表1に示す。実施例26化合物B13の素子評価化合物A2を化合物B13に変更した以外は実施例20と同じ方法で有機EL素子を作製した。20mA/cm2の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表1に示す。比較例2NPDの素子評価化合物A2をNPDに変更した以外は実施例20と同じ方法で有機EL素子を作製した。20mA/cm2の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表1に示す。実施例27化合物A2の素子寿命評価厚さ200nmのITO透明電極陽極を積層したガラス基板を、アセトン及び純水による超音波洗浄、イソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行なった。さらに、紫外線/オゾン洗浄を行ない、真空蒸着装置へ設置後、1×10-4Paになるまで真空ポンプにて排気した。まず、ITO透明電極上に銅フタロシアニンを蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、10nmの正孔注入層とした。引続き、NPDを蒸着速度0.3nm/秒で25nm蒸着し、その後、化合物A2を蒸着速度0.1nm/秒で5nm蒸着した。続いて、燐光ドーパント材料であるトリス2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3とホスト材料である4,4’-ビスN-カルバゾリルビフェニルCBPを重量比が1:11.5になるように蒸着速度0.25nm/秒で共蒸着し、30nmの発光層とした。次に、BAlqビス2-メチル-8-キノリノラートp-フェニルフェノラートアルミニウムを蒸着速度0.3nm/秒で蒸着し、5nmのエキシトンブロック層とした後、さらにAlq3トリス8-キノリノラトアルミニウムを0.3nm/秒で蒸着し、45nmの電子輸送層とした。引続き、電子注入層として沸化リチウムを蒸着速度0.01nm/秒で0.5nm蒸着し、さらにアルミニウムを蒸着速度0.25nm/秒で100nm蒸着して陰極を形成した。窒素雰囲気下、封止用のガラス板をUV硬化樹脂で接着し、評価用の有機EL素子とした。このように作製した素子に6.25mA/cm2の電流を印加し、輝度半減時間を評価した。結果を表2に示す。実施例28化合物A57の素子寿命評価化合物A2を化合物A57に変更した以外は実施例27と同じ方法で有機EL素子を作製した。6.25mA/cm2の電流を印加した際の輝度半減時間を表2に示す。実施例29化合物A59の素子寿命評価化合物A2を化合物A59に変更した以外は実施例27と同じ方法で有機EL素子を作製した。6.25mA/cm2の電流を印加した際の輝度半減時間を表2に示す。参考例1参考化合物aの素子寿命評価化合物A2を参考化合物aに変更した以外は実施例27と同じ方法で有機EL素子を作製した。6.25mA/cm2の電流を印加した際の輝度半減時間を表2に示す。"