各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って配置された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に配置され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向するとともに前記第1配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理された第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記液晶層は、温度60°Cでの期間500msecの電圧保持率が90より大きく、しかも、25°Cでの回転粘性が90mPasより小さい液晶材料によって構成されたことを特徴とする液晶表示装置。前記液晶材料の回転粘性は、70mPasより大きいことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記液晶材料の表面張力は、30dyn/cmより小さいことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。さらに、前記第1基板の外面に配置され、第1吸収軸を有する第1偏光板と、前記第2基板の外面に配置され、前記第1吸収軸とクロスニコルの位置関係にある第2吸収軸を有する第2偏光板と、を備えたことを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。前記第1吸収軸または前記第2吸収軸は、前記液晶分子の初期配向方向と略平行であることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。本実施形態の目的は、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することにある。本実施形態によれば、各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って配置された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に配置され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向するとともに前記第1配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理された第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記液晶層は、温度60°Cでの期間500msecの電圧保持率が90より大きく、しかも、25°Cでの回転粘性が90mPasより小さい液晶材料によって構成されたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本実施形態の液晶表示装置の断面構造を概略的に示す図である。すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの透過型の液晶表示パネルLPNを備えている。液晶表示パネルLPNは、第1基板であるアレイ基板ARと、アレイ基板ARに対向して配置された第2基板である対向基板CTと、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えている。このような液晶表示パネルLPNは、画像を表示するアクティブエリアACTを備えている。このアクティブエリアACTは、複数の画素PXによって構成されているが、図1では、一画素のみを図示している。図示した例の液晶表示パネルLPNは、FFSモードあるいはIPSモードに適用可能な構成であり、アレイ基板ARが画素電極PE及び共通電極CEを備えている。このような構成の液晶表示パネルLPNでは、画素電極PE及び共通電極CEの間に形成される横電界例えば、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界を主に利用して液晶層LQに含まれる液晶分子をスイッチングする。アレイ基板ARは、ガラス基板などの光透過性を有する第1絶縁基板10を用いて形成されている。このアレイ基板ARは、第1絶縁基板10の内面すなわち対向基板CTに対向する側10Aに、図示しないゲート配線やソース配線のほかに、各画素PXに配置されたスイッチング素子SW及び画素電極PE、複数の画素に亘って配置された共通電極CE、第1配向膜AL1などを備えている。ここに示したスイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタTFTであり、ゲート配線及びソース配線と電気的に接続されている。このスイッチング素子SWは、ポリシリコンやアモルファスシリコンによって形成された半導体層を備えている。なお、スイッチング素子SWは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。このようなスイッチング素子SWは、第1絶縁膜11によって覆われている。共通電極CEは、第1絶縁膜11の上に配置されている。このような共通電極CEは、透明な導電材料、例えば、インジウムティンオキサイドITOやインジウムジンクオキサイドIZOなどによって形成されている。この共通電極CEは、第2絶縁膜12によって覆われている。また、この第2絶縁膜12は、第1絶縁膜11の上にも配置されている。画素電極PEは、第2絶縁膜12の上に配置され、共通電極CEと向かい合っている。この画素電極PEは、第1絶縁膜11及び第2絶縁膜12を貫通するコンタクトホールを介してスイッチング素子SWと電気的に接続されている。また、この画素電極PEには、第2絶縁膜12を介して共通電極CEと向かい合うスリットPSLが形成されている。このような画素電極PEは、透明な導電材料、例えば、ITOやIZOなどによって形成されている。この画素電極PEは、第1配向膜AL1によって覆われている。また、この第1配向膜AL1は、第2絶縁膜12の上にも配置されている。このような第1配向膜AL1は、水平配向性を示す材料例えば、ポリイミドによって形成され、アレイ基板ARの液晶層LQに接する面に配置されている。一方、対向基板CTは、ガラス基板などの光透過性を有する第2絶縁基板30を用いて形成されている。この対向基板CTは、第2絶縁基板30の内面すなわちアレイ基板ARに対向する側30Aに、ブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33、第2配向膜AL2などを備えている。ブラックマトリクス31は、第2絶縁基板30の内面30Aにおいて、アレイ基板ARに設けられたゲート配線やソース配線、さらにはスイッチング素子SWなどの配線部に対向するように形成され、各画素PXを区画している。カラーフィルタ32は、第2絶縁基板30の内面30Aに形成され、ブラックマトリクス31の上にも延在している。このカラーフィルタ32は、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。異なる色のカラーフィルタ32間の境界は、ブラックマトリクス31上に位置している。オーバーコート層33は、カラーフィルタ32を覆っている。このオーバーコート層33は、ブラックマトリクス31やカラーフィルタ32の表面の凹凸を平坦化する。オーバーコート層33は、透明な樹脂材料によって形成されている。このようなオーバーコート層33は、第2配向膜AL2によって覆われている。この第2配向膜AL2は、水平配向性を示す材料例えば、ポリイミドによって形成され、対向基板CTの液晶層LQに接する面に配置されている。上述したようなアレイ基板ARと対向基板CTとは、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ARと対向基板CTの間には、一方の基板に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップが形成される。アレイ基板ARと対向基板CTとは、セルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層LQは、これらのアレイ基板ARの第1配向膜AL1と対向基板CTの第2配向膜AL2との間に形成されたセルギャップに封入された液晶分子を含む液晶材料によって構成されている。このような液晶層LQは、例えば、誘電率異方性が正ポジ型の液晶材料によって構成されている。このような構成の液晶表示パネルLPNに対して、その背面側には、バックライトBLが配置されている。バックライトBLとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオードLEDを利用したものや冷陰極管CCFLを利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。アレイ基板ARの外面、すなわち第1絶縁基板10の外面10Bには、第1吸収軸を有する第1偏光板PL1が配置されている。また、対向基板CTの外面、すなわち第2絶縁基板30の外面30Bには、第1吸収軸とクロスニコルの位置関係にある第2吸収軸を有する第2偏光板PL2が配置されている。なお、第1絶縁基板10と第1偏光板PL1との間や、第2絶縁基板30と第2偏光板PL2との間には、位相差板など他の光学素子が配置されても良い。図2は、図1に示したアレイ基板ARにおける画素PXの構造を対向基板CTの側から見た概略平面図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。ゲート配線Gは、第1方向Xに沿ってそれぞれ延出している。このようなゲート配線Gは、第2方向Yに沿って第1ピッチで配置されている。ソース配線Sは、第2方向Yに沿ってそれぞれ延出している。このようなソース配線Sは、第1方向Xに沿って第1ピッチよりも小さい第2ピッチで配置されている。ゲート配線Gとソース配線Sとで規定された画素PXは、第1方向Xに沿った長さが第2方向Yに沿った長さよりも短い縦長の長方形状である。つまり、画素PXの第2方向Yに沿った長さはゲート配線間の第1ピッチに相当し、画素PXの第1方向Xに沿った長さはソース配線間の第2ピッチに相当する。なお、ゲート配線Gとソース配線Sとの交差部にはスイッチング素子が配置されているが図示を省略している。共通電極CEは、第1方向Xに沿って延在している。すなわち、共通電極CEは、各画素PXに配置されるとともにソース配線Sの上方を跨いで、第1方向Xに隣接する複数の画素PXに亘って共通に形成されている。また、図示しないが、共通電極CEは、第2方向Yに隣接する複数の画素PXに亘って共通に形成されていても良い。各画素PXに配置された画素電極PEは、それぞれ共通電極CEの上方に位置している。各画素電極PEは、各画素PXにおいて長方形状の画素形状に対応した島状に形成されている。図示した例では、画素電極PEは、第1方向Xに沿った長さが第2方向Yに沿った長さよりも短い概略長方形状に形成されている。このような各画素電極PEには、共通電極CEと向かい合う複数のスリットPSLが形成されている。図示した例では、スリットPSLのそれぞれは、第2方向Yに沿って延出しており、第2方向Yと平行な長軸を有している。第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、基板主面あるいは、X-Y平面と平行な面内において、互いに平行な方位に配向処理例えば、ラビング処理や光配向処理されている。第1配向膜AL1は、スリットPSLの長軸図2に示した例では第2方向Yに対して45°以下の鋭角に交差する方向に沿って配向処理されている。第1配向膜AL1の配向処理方向R1は、例えば、第2方向Yに対して5°~15°の角度をもって交差する方向である。また、第2配向膜AL2は、第1配向膜AL1の配向処理方向R1と平行な方向に沿って配向処理されている。第1配向膜AL1の配向処理方向R1と第2配向膜AL2の配向処理方向R2とは互いに逆向きである。以下に、上記構成の液晶表示装置における動作について説明する。液晶層LQに電圧が印加されていない状態、つまり、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない状態OFF時では、液晶層LQに含まれる液晶分子LMは、図2に実線で示したように、X-Y平面内において初期配向する液晶分子LMが初期配向する方向を初期配向方向と称する。なお、第1偏光板PL1の第1吸収軸A1または第2偏光板PL2の第2吸収軸A2は、液晶分子LMの初期配向方向と略平行である。図2に示した例では、第1吸収軸A1は初期配向方向と略平行であり、第2吸収軸A2は初期配向方向と略直交している。OFF時には、バックライトBLからのバックライト光の一部は、第1偏光板PL1を透過し、液晶表示パネルLPNに入射する。液晶表示パネルLPNに入射した光は、第1偏光板PL1の第1吸収軸と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、OFF時の液晶表示パネルLPNを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルLPNを透過した直線偏光のほとんどは、第1偏光板PL1に対してクロスニコルの位置関係にある第2偏光板PL2によって吸収される黒表示。一方、液晶層LQに電圧が印加された状態、つまり、画素電極PEと共通電極CEとの間にフリンジ電界が形成された状態ON時では、液晶分子LMは、図2に破線で示したように、X-Y平面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。ポジ型の液晶材料においては、液晶分子LMは、その長軸がX-Y平面内において電界と略平行な方向を向くように配向する。このようなON時には、第1偏光板PL1の第1吸収軸と直交する直線偏光は、液晶表示パネルLPNに入射し、その偏光状態は、液晶層LQを通過する際に液晶分子LMの配向状態に応じて変化する。このため、ON時においては、液晶層LQを通過した少なくとも一部の光は、第2偏光板PL2を透過する白表示。次に、本実施形態における液晶層LQの物性と駆動方法との関係について検討する。上記のFFSモードやIPSモードは、アレイ基板ARが画素電極PE及び共通電極CEを備えた構成である。このため、液晶層LQに含まれる不純物イオンあるいは電荷がアレイ基板ARの表面に引き付けられ、第1配向膜AL1に吸着し、局在化し、その状態が緩和されにくい。このような不純物が局在化した状態では、画素電極-共通電極間に電圧が印加されていない状態であっても、局所的に液晶層LQにDCが印加された状態となり、いわゆる焼き付きといった表示品位の低下を招くおそれがある。本実施形態は、このような課題に対して、液晶層LQの不純物イオンを完全に除去することは困難であるため、できる限り不純物イオンの含有量を低減し且つ不純物イオンが局在化した状態をより早く緩和するように構成されている。図3は、液晶層LQに含まれる不純物イオンが局在化した状態及び局在化した状態の緩和を説明するための図である。すなわち、図中のaに示したように、第1配向膜AL1と第2配向膜AL2との間に位置する液晶層LQには、不純物イオン図中にまたは-で表記が少なからず存在している。画素電極PEと共通電極CEとの間に電圧が印加されていない状態では、不純物イオンは液晶層LQ中に分散している。図中のbで示したように、画素電極PEと共通電極CEとの間に電位差が形成された状態では、画素電極PEから共通電極CEに向かうフリンジ電界が形成される。このようなフリンジ電界及び液晶材料の双極子モーメントの影響により、液晶層LQ中に分散していた不純物イオンがアレイ基板ARの表面に引き寄せされ、第1配向膜AL1に吸着し、第1配向膜AL1上で不純物イオンが局在化する。図中のcで示したように、画素電極PEと共通電極CEとの間に電圧が印加されていない状態に復帰した場合、フリンジ電界及び液晶材料の双極子モーメントが除去されるため、不純物イオンはクーロン力によって引き合い、不純物イオンの局在化した状態が緩和される方向に作用する。このとき、不純物イオンは、液晶材料の粘性抵抗の影響を受ける。このため、液晶材料の粘性が高い場合には、不純物イオン同士のクーロン力よりも高い粘性抵抗を受け、不純物イオンの局在化した状態が緩和されにくくなり、上記のような焼き付き現象が発生する。そこで、本実施形態では、まず、液晶材料の物性の一つとして電圧保持率VHRに着目した。液晶表示装置において高コントラスト比の画像を表示させるためには画素電極PEと共通電極CEとの間の漏れ電流を小さくし、一定期間に亘って電荷を保持する必要がある。電圧保持率とは、画素電極PEと共通電極CEとの間に印加したパルス電圧VAに対する、一定期間例えばフレーム期間が経過した後に液晶層LQに保持されている電圧VBの割合VB/VAに相当するものであり、例えば、JEITA規格のED-2521B液晶表示パネル及びその構成材料の測定方法で規定された測定方法によって測定される値である。電圧保持率の低下は、液晶材料に含まれる不純物イオンの量に依存している。すなわち、液晶材料に多くの不純物イオンが含まれている場合には、第1配向膜AL1の表面に多くの不純物イオンが吸着する。このように吸着する不純物イオンが多いほど、液晶層LQに本来印加すべき電界と逆方向の反電界の影響が大きくなり、電圧保持率が低下する現象が確認されている。換言すると、電圧保持率が高い液晶材料は、不純物イオンの含有量が少ないことを意味する。本実施形態では、高温環境である温度60°Cで期間16.67msecの電圧保持率は99より大きく、しかも、温度60°Cで期間500msecの電圧保持率は90より大きい液晶材料を適用している。また、本実施形態では、液晶材料の物性の一つとして回転粘性γ1に着目した。図3を参照して説明したように、画素電極PEと共通電極CEとの間に電圧が印加されていない状態に復帰した場合に、第1配向膜AL1の表面に局在化した不純物イオンをすばやく液晶層LQに分散させるためには、不純物イオン同士のクーロン力よりも液晶材料の粘性抵抗を十分に低減することが要求される。回転粘性とは、例えば、JEITA規格のED-2521B液晶表示パネル及びその構成材料の測定方法で規定された測定方法によって測定される値である。回転粘性が小さい液晶材料は、粘性抵抗が小さく、不純物イオンの緩和を妨げ難いあるいは、不純物イオンの拡散を促進することを意味する。本実施形態では、温度25°Cでの回転粘性が90mPasより小さい液晶材料、より望ましくは、温度25°Cでの回転粘性が80mPasより小さい液晶材料を適用している。但し、液晶材料の回転粘性は限りなく小さくできるものではなく、液晶材料の組成や分子構造の制約上、ある値の回転粘性で飽和するはずである。また、液晶材料に含まれる揮発性物質を多くすることで回転粘性を下げることは可能であるが、液晶表示パネルLPNを製造する過程で揮発性物質が揮発して製造装置に不具合をもたらしたり、製造された液晶表示パネルLPNの液晶層LQに気泡が生じたりすることもあり得るため、液晶材料にむやみに多くの揮発性物質を含ませることは望ましくない。これらの観点から、本実施形態では、温度25°Cでの回転粘性が70mPasより大きい液晶材料を適用することが望ましい。また、本実施形態では、液晶材料の物性の一つとして表面張力に着目した。ここでの液晶材料の表面張力とは、配向膜に対する濡れ性に相当するものである。画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成された際に、第1配向膜AL1の表面に不純物イオンを吸着しにくくする、あるいは、画素電極PEと共通電極CEとの間に電圧が印加されていない状態に復帰した際に、第1配向膜AL1に吸着した不純物イオンをすばやく液晶層LQに分散させるためには、液晶層LQと第1配向膜AL1との界面のエネルギーが高くする、つまり、液晶材料の配向膜に対する濡れ性を高くすることが要求される。配向膜に対する表面張力が小さい液晶材料は、配向膜に対する濡れ性が高いことを意味する。本実施形態では、表面張力が30dyn/cmより小さい液晶材料を適用している。次に、4つの液晶材料液晶材料A乃至Dを用意し、簡易構成の液晶セルを作成して、焼き付き現象の有無について確認した。まずは、用意した液晶材料A乃至Dについてそれぞれの物性について説明する。図4は、液晶材料A乃至Dのそれぞれについての電圧保持率を示す図である。ここでは、それぞれの液晶材料について、温度60°Cで期間16.67msecの電圧保持率と、温度60°Cで期間500msecの電圧保持率とを示している。温度60°Cで期間16.67msecの電圧保持率について、液晶材料Aは99.3であり、液晶材料Bは98.8であり、液晶材料Cは98.4であり、液晶材料Dは97.5であり、ほとんどの液晶材料が98以上であったが、液晶材料Aのみが99を超えていた。温度60°Cで期間500msecの電圧保持率について、液晶材料Aは90.4であり、液晶材料Bは82.1であり、液晶材料Cは74.6であり、液晶材料Dは78.8であり、液晶材料によって大きな差があったが、液晶材料Aのみが90を超えていた。図5は、液晶材料A乃至Dのそれぞれについての回転粘性を示す図である。ここでは、温度25°Cでの回転粘性を示している。液晶材料Aは74mPasであり、液晶材料Bは106mPasであり、液晶材料Cは91mPasであり、液晶材料Dは115mPasであり、液晶材料によって大きな差があったが、液晶材料Aのみが80mPasを下回っていた。図6は、液晶材料A乃至Dのそれぞれについての表面張力を示す図である。液晶材料Aは29.7dyn/cmであり、液晶材料Bは31dyn/cmであり、液晶材料Cは31.2dyn/cmであり、液晶材料Dは30.6dyn/cmであり、液晶材料Aのみが30dyn/cmを下回っていた。このような物性の液晶材料A乃至Dを用いて焼き付き現象を再現するための実験を行った。まず、簡易構成の液晶セルに対して中間調階調値L127を表示するような電圧を印加し、30分間保持する。このような状態で、10分毎に輝度計により定点での中間調の輝度を測定する。その後の60分間は、液晶セルに対して黒階調値L0を表示するような電圧を印加する。この間も、10分毎に中間調の電圧を印加した状態に戻して定点での中間調の輝度を測定する。その後の30分間は、液晶セルに中間調を表示するような電圧を印加し、この状態を保持する。そして、この間も、10分毎に定点での中間調の輝度を測定する。以上の工程を経て測定された輝度は黒焼き込み輝度と称する。一方では、まず、簡易構成の液晶セルに対して中間調階調値L127を表示するような電圧を印加し、30分間保持する。このような状態で、10分毎に輝度計により定点での中間調の輝度を測定する。その後の60分間は、液晶セルに対して白階調値L255を表示するような電圧を印加する。この間も、10分毎に中間調の電圧を印加した状態に戻して定点での中間調の輝度を測定する。その後の30分間は、液晶セルに中間調を表示するような電圧を印加し、この状態を保持する。そして、この間も、10分毎に定点での中間調の輝度を測定する。以上の工程を経て測定された輝度は白焼き込み輝度と称する。そして、上記の白焼き込み輝度と黒焼き込み輝度との差分、つまり輝度差を算出する。そして、中間調の電圧を印加し始めた初期の輝度ゼロ分の輝度に対して、算出した輝度差の割合を輝度変動率と定義する。図7は、焼き付き現象を再現するための実験の測定結果を示す図である。図中の横軸は経過時間minを示し、図中の縦軸は輝度変動率を示している。液晶材料Aの輝度変動率の最大値は0.1であり、液晶材料Bの輝度変動率の最大値は0.3であり、液晶材料Cの輝度変動率の最大値は0.32であり、液晶材料Dの輝度変動率の最大値は0.4であった。焼き付き現象が視認されないレベルとして、輝度変動率が0.2以下、より望ましくは0.1以下であることが要求されるが、液晶材料Aのみがこのような条件をクリアできることが確認された。以上説明したように、本実施形態では、高温環境である温度60°Cで期間500msecの電圧保持率が90より大きく、温度25°Cでの回転粘性が80mPasより小さく、表面張力が30dyn/cmより小さい条件を満たす液晶材料Aを適用したことにより、焼き付き現象の発生を抑制することが可能となる。以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することができる。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、上記の実施形態においては、画素電極PEのスリットPSLは第2方向Yに平行な長軸を有するように形成したが、第1方向Xに平行な長軸を有するように形成しても良いし、第1方向X及び第2方向Yに交差する方向に平行な長軸を有するように形成しても良いし、くの字形に屈曲した形状に形成しても良い。