第一導電型半導体基板の上層を成す低濃度の第一導電型エピタキシャル層の表面に絶縁皮膜を形成し、前記絶縁皮膜の外周縁に沿った内周面と中央部の面とをチャンネルストッパー拡散窓と第一導電型半導体層拡散窓として選択的に窓明けして前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層の表面を露出させ、窓明けされた前記絶縁皮膜をマスクとして第一導電型のドーパントを前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層の表面から前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層の層内へ延在したチャンネルストッパーと第一導電型半導体層とを形成する第一導電型のドーパント拡散工程と、前記第一導電型のドーパント拡散工程にて形成された絶縁皮膜に、前記第一導電型半導体層と同心で且つ前記第一導電型半導体層よりも大きな面積を有する高濃度の第二導電型半導体層拡散窓と前記高濃度の第二導電型半導体層拡散窓から離間した外周に環状の高濃度の第二導電型環状層拡散窓とを窓明けして前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層と前記第一導電型半導体層との表面を露出させて、窓明けされた前記絶縁皮膜をマスクとして第二導電型のドーパントを前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層と前記第一導電型半導体層との表面から前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層と前記第一導電型半導体層との層内へ延在し、且つ前記第一導電型半導体層よりも浅くて大きな面積で高濃度の第二導電型半導体層と前記高濃度の第二導電型半導体層から離間した外周に前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層の表面から層内へ延在した環状の高濃度の第二導電型環状層とを形成する第二導電型のドーパント拡散工程と、前記第二導電型のドーパント拡散工程にて形成された絶縁皮膜に、前記高濃度の第二導電型半導体層と同心で且つ前記高濃度の第二導電型半導体層よりも小さな面積の面と半導体基板の外周縁に沿った内周面とに測定用コンタクト窓とダイシングストリートとして窓明けして半導体基板の高濃度の第二導電型半導体層の表面と半導体基板の第一の主面の外周縁に沿った内周表面とを露出させるコンタクト窓形成工程Iと、前記コンタクト窓形成工程Iにて残された絶縁皮膜と半導体基板の前記高濃度の第二導電型半導体層と外周縁に沿った内周面との露出した表面を連続な絶縁皮膜で覆って形成する絶縁皮膜形成工程IIと、前記絶縁皮膜形成工程IIにて形成された絶縁皮膜と前記絶縁皮膜とを共に、半導体基板の第一の主面の外周縁に沿った内周面と前記測定用コンタクト窓よりも外側にイオンストッパーとなる窓を環状に窓明けして各々の窓に半導体基板の第一の主面を露出させ、露出させた半導体基板の第一の主面と一体と成った皮膜である前記絶縁皮膜と前記絶縁皮膜との表面及び断面とに連続な保護皮膜で覆って形成して前記イオンストッパーとなる窓をイオンストッパーとし、前記保護皮膜の半導体基板の第一の主面外周縁に沿ったダイシングストリートである内周部と環状の前記イオンストッパーから離間した内周面とを窓明けし、更に前記絶縁皮膜の前記測定用コンタクト窓から離間した内側の面をコンタクト窓として窓明けして、前記高濃度の第二導電型半導体層の表面を露出させるコンタクト窓形成工程IIと、前記コンタクト窓形成工程IIで露出させた半導体基板の第一の主面に位置する前記高濃度の第二導電型半導体層の表面から前記絶縁皮膜の表面と前記保護皮膜の表面とを覆って前記イオンストッパーを埋めて環状である前記イオンストッパーの外側周辺まで延在した電極を形成し、半導体基板の第二の主面である前記第一導電型半導体基板の表面に裏面電極を形成する電極形成工程を含むことを特徴とする定電圧ダイオードの製造方法。前記第一導電型のドーパント拡散工程は、半導体表面を加熱して酸化させて絶縁皮膜を形成する熱酸化法と、フォトリソグラフィと化学的エッチングとを用いた選択的エッチング法と、第一導電型のドーパントを半導体表面に濃度調整して注入する注入法と、半導体表面のドーパントを前記半導体の層内へドライブ拡散させる熱拡散法とを含む請求項1に記載の定電圧ダイオードの製造方法。前記第二導電型のドーパント拡散工程は、フォトリソグラフィと化学的エッチングとを用いた選択的エッチング法と、第二導電型のドーパントを半導体表面に濃度調整して注入する注入法と、半導体表面のドーパントを前記半導体の層内へドライブ拡散させる熱拡散法とを含む請求項1に記載の定電圧ダイオードの製造方法。前記コンタクト窓形成工程Iは、フォトリソグラフィと化学的エッチングとを用いた選択的エッチング法である請求項1に記載の定電圧ダイオードの製造方法。前記絶縁皮膜形成工程IIは、絶縁皮膜である酸化シリコンを化学気相成長法で形成する請求項1に記載の定電圧ダイオードの製造方法。前記コンタクト窓形成工程IIは、フォトリソグラフィと化学的エッチングとを用いた選択的エッチング法と、保護皮膜である窒化シリコン膜を成膜する化学気相成長法と、ドライエッチングを用いた選択的エッチング法を含む請求項1に記載の定電圧ダイオードの製造方法。前記電極形成工程は、選択的めっき法又はメタル蒸着法を用いて電極を形成し、メタル蒸着法を用いて裏面電極を形成する請求項1に記載の定電圧ダイオードの製造方法。しかし、前記従来の定電圧ダイオード図5の構成では、高耐圧の定電圧ダイオードを得ようとする場合に於いて、環状の第二導電型半導体層138と低濃度の第二導電型エピタキシャル層132との界面のブレークダウン電圧は、高濃度の第二導電型半導体層133と低濃度の第一導電型エピタキシャル層132との界面のブレークダウン電圧に比して高くなければ成らず、その為には高耐圧になるほど環状の第二導電型半導体層138を低濃度の第一導電型エピタキシャル層132の層内に深く延在し且つ不純物濃度を低くしていく必要があり、それには、おのずと限界があり、ちなみに200V以上の高耐圧の定電圧ダイオードを得ることは困難である。また、前記元来の定電圧ダイオード図4の構成では高耐圧の定電圧ダイオードを得ることはできるが、空乏層137は絶縁皮膜134やこの上に被覆された保護膜図示せずに含まれるイオンの影響を受けて拡がりが変動し易い。この結果、ブレークダウン電圧が不安定になるという問題が生じた。さらに、元来の定電圧ダイオードである図4の構成と従来の定電圧ダイオードである図5の構成ともに、通常は部材メーカーから購入される半導体ウェハーである低濃度の第一導電型エピタキシャル層132が有する比抵抗値の変動に伴って定電圧ダイオードのブレークダウン電圧が変動してしまう為に、定電圧ダイオードの重要な特性であるブレークダウン電圧が部材メーカー側の管理にかかっているという問題があった。本発明は、前記の課題を解決するもので、高耐圧が可能で且つ空乏層が絶縁皮膜やこの上に被覆された保護膜図示せずに含まれるイオンの影響を受けて拡がりが変動し、ブレークダウン電圧が不安定になることが無く、更に半導体基板内の第一導電型エピタキシャル層が有する比抵抗値のバラツキが有ってもブレークダウン電圧のバラツキが起きにくい定電圧ダイオード及びその製造方法を提供する。本発明の定電圧ダイオードの製造方法は、第一導電型半導体基板の上層を成す低濃度の第一導電型エピタキシャル層の表面に絶縁皮膜を形成し、前記絶縁皮膜の外周縁に沿った内周面と中央部の面とをチャンネルストッパー拡散窓と第一導電型半導体層拡散窓として選択的に窓明けして前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層の表面を露出させ、窓明けされた前記絶縁皮膜をマスクとして第一導電型のドーパントを前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層の表面から前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層の層内へ延在したチャンネルストッパーと第一導電型半導体層とを形成する第一導電型のドーパント拡散工程と、前記第一導電型のドーパント拡散工程にて形成された絶縁皮膜に、前記第一導電型半導体層と同心で且つ前記第一導電型半導体層よりも大きな面積を有する高濃度の第二導電型半導体層拡散窓と前記高濃度の第二導電型半導体層拡散窓から離間した外周に環状の高濃度の第二導電型環状層拡散窓とを窓明けして前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層と前記第一導電型半導体層との表面を露出させて、窓明けされた前記絶縁皮膜をマスクとして第二導電型のドーパントを前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層と前記第一導電型半導体層との表面から前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層と前記第一導電型半導体層との層内へ延在し、且つ前記第一導電型半導体層よりも浅くて大きな面積の高濃度の第二導電型半導体層と前記高濃度の第二導電型半導体層から離間した外周に前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層の表面から層内へ延在した環状の高濃度の第二導電型環状層とを形成する第二導電型のドーパント拡散工程と、前記第二導電型のドーパント拡散工程にて形成された絶縁皮膜に、前記高濃度の第二導電型半導体層と同心で且つ前記高濃度の第二導電型半導体層よりも小さな面積の面と半導体基板の外周縁に沿った内周面とに測定用コンタクト窓とダイシングストリートとして窓明けして半導体基板の高濃度の第二導電型半導体層の表面と半導体基板の第一の主面の外周縁に沿った内周表面とを露出させるコンタクト窓形成工程Iと、前記コンタクト窓形成工程Iにて残された絶縁皮膜と半導体基板の前記高濃度の第二導電型半導体層と外周縁に沿った内周面との露出した表面を連続な絶縁皮膜で覆って形成する絶縁皮膜形成工程IIと、前記絶縁皮膜形成工程IIにて形成された絶縁皮膜と前記絶縁皮膜とを共に、半導体基板の第一の主面の外周縁に沿った内周面と前記測定コンタクト窓よりも外側にイオンストッパーとなる窓を環状に窓明けして各々の窓に半導体基板の第一の主面を露出させ、露出させた半導体基板の第一の主面と一体と成った皮膜である前記絶縁皮膜と前記絶縁皮膜との表面及び断面とに連続な保護皮膜で覆って形成して前記イオンストッパーとなる窓をイオンストッパーとして、前記保護皮膜の半導体基板の第一の主面外周縁に沿ったダイシングストリートである内周部と環状の前記イオンストッパーから離間した内周面とを窓明けし、更に前記絶縁皮膜の前記測定用コンタクト窓から離間した内側の面をコンタクト窓として窓明けして、前記高濃度の第二導電型半導体層の表面を露出させるコンタクト窓形成工程IIと、前記コンタクト窓形成工程IIで露出させた半導体基板の第一の主面に位置する前記高濃度の第二導電型半導体層の表面から前記絶縁皮膜の表面と前記保護皮膜の表面とを覆って前記イオンストッパーを埋めて環状である前記イオンストッパーの外側周辺まで延在した電極を形成し、半導体基板の第二の主面である前記第一導電型半導体基板の表面に裏面電極を形成する電極形成工程を含むことを特徴とする。本発明の定電圧ダイオードによれば、半導体基板表面の絶縁皮膜や保護皮膜が有するイオンと半導体基板が有する低濃度の第一導電型エピタキシャル層の比抵抗値のばらつきとに耐圧が影響を受ける事なく安定した動作と高耐圧を可能とする定電圧ダイオードとすることができる。また、電極と裏面電極間に逆バイアスを印加してブレークダウンに達した際のブレークダウンの発生ポイントが、半導体基板表面近傍から離れた第一導電型半導体層と高濃度の第二導電型半導体層との界面である為、空乏層が絶縁皮膜やその上に形成される保護膜等のイオンの影響を受けて変動してブレークダウン電圧が変動する事なく、また低濃度の第一導電型エピタキシャル層の有する比抵抗値にも影響を受けてブレークダウン電圧が変動する事が無く、高耐圧が可能な定電圧ダイオードとすることができる。本発明の定電圧ダイオードは、第一導電型半導体基板の上層に低濃度の第一導電型エピタキシャル層を含み、前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層の表面から層内へ延在した高濃度の第二導電型半導体層が選択的に形成された定電圧ダイオードであって、低濃度の第一導電型エピタキシャル層の上部に高濃度の第二導電型半導体層と高濃度の第二導電型環状層とを含み、高濃度の第二導電型半導体層の下部に第一導電型半導体層を備える。ここで、低濃度とは不純物濃度で1×1014~1×1015cm3の範囲である。また、高濃度とは表面の不純物濃度が1×1018~1×1020cm3の範囲である。本発明においては、前記第一導電型のドーパント拡散工程は、半導体表面を加熱して酸化させて絶縁皮膜を形成する熱酸化法と、フォトリソグラフィと化学的エッチングとを用いた選択的エッチング法と、第一導電型のドーパントを半導体表面に濃度調整して注入する注入法と、半導体表面のドーパントを前記半導体の層内へドライブ拡散させる熱拡散法とを含むことが好ましい。一般的方法であるが、不純物濃度が濃くないので注入イオン注入でないと濃度調整が困難である。イオン注入は、表面濃度で1×1016~5×1017cm3の範囲が好ましい。前記第二導電型のドーパント拡散工程は、フォトリソグラフィと化学的エッチングとを用いた選択的エッチング法と、第二導電型のドーパントを半導体表面に濃度調整して注入する注入法と、半導体表面のドーパントを前記半導体の層内へドライブ拡散させる熱拡散法とを含むことが好ましい。一般的方法であるが、蒸着よりもイオン注入が不純物濃度を正確にコントロールできるので好ましい。前記コンタクト窓形成工程Iは、フォトリソグラフィと化学的エッチングとを用いた選択的エッチング法であることが好ましい。前記絶縁皮膜形成工程IIは、絶縁皮膜である酸化シリコンを化学気相成長法で形成することが好ましい。これにより、絶縁皮膜SiO2を成長させるのに熱を加えなくてよく、形成時に各層の熱拡散を進行させない利点がある。前記コンタクト窓形成工程IIは、フォトリソグラフィと化学的エッチングとを用いた選択的エッチング法と、保護皮膜である窒化シリコン膜を成膜する蒸着法と、ドライエッチングを用いた選択的エッチング法を含むことが好ましい。窒化シリコンSiNはウェットエッチングで選択的エッチングは不可であり、プラズマ化するドライエッチングが必要である。前記電極形成工程は、選択的めっき法又は蒸着法を用いて電極を形成し、メタル蒸着法を用いて裏面電極を形成することが好ましい。以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図1、図2は、本発明の実施の形態における定電圧ダイオードであり、図1は本発明の断面、図2は製造過程に沿った断面を各々示している。また、図3は半導体デバイス用のシミュレータによるシミュレーション結果で、本発明の定電圧ダイオードの断面に対応した電界強度の分布を示したものである。図1、図2、図3において、1は第一導電型の半導体基板、2は低濃度の第一導電型エピタキシャル層、3は第一導電型半導体層、4は高濃度の第二導電型半導体層、5は高濃度の第二導電型の環状層、6は絶縁皮膜、6aはチャンネルストッパー拡散窓、6bは第一導電型半導体層3拡散窓、6cは高濃度の第二導電型環状層5拡散窓、6dは高濃度の第二導電型半導体層4拡散窓、7は電極、8は裏面電極、9はチャンネルストッパー、10は測定用コンタクト窓、11はダイシングストリート、12は絶縁皮膜II、13は保護皮膜、14はコンタクト窓、15はイオンストッパー、16はダイシングストリートII、21は空乏層、22は等電位面の外周縁、23は低濃度の第一導電型エピタキシャル層と高濃度の第二導電型層との界面、24はブレークダウンを決定する電界集中部近傍の、低濃度の第一導電型エピタキシャル層と高濃度の第二導電型層との界面を各々示している。図1に於いて、第一導電型半導体基板1の上層に低濃度の第一導電型エピタキシャル層2を有し、前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の表面から層内へ延在した高濃度の第二導電型半導体層4が選択的に形成される。前記高濃度の第二導電型半導体層4の底面から低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の層内へ延在し、且つ高濃度の第二導電型半導体層4と同心に位置する第一導電型半導体層3が形成される。高濃度の第二導電型半導体層4の側面から離間して前記高濃度の第二導電型半導体層4の側面を包囲した高濃度の第二導電型の環状層5が低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の表面から層内へ延在して環状に形成される。低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の表面領域と高濃度の第二導電型の環状層5の表面領域と高濃度の第二導電型半導体層4の表面領域とから成る半導体基板の第一の主面を高濃度の第二導電型層4の表面領域中央に窓明けされた絶縁皮膜6が覆って形成される。絶縁皮膜6で覆われない高濃度の第二導電型半導体層4の表面から絶縁皮膜6の表面周辺へ延在した電極7が形成される。第一導電型半導体基板1の表面から成る半導体基板の第二の主面に裏面電極8が形成された構成の定電圧ダイオードである。かかる構成によれば、例えば電極7と裏面電極8間に逆バイアスを印加して印加電圧を上げて行くと、高濃度の第二導電型の環状層5は公知のフィールドリミッティングリングとして働き、高濃度の第二導電型半導体層4と低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の界面から現れる空乏層内側の電界強度と高濃度の第二導電型の環状層5と低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の界面から現れる空乏層内側の電界強度とを第一導電型半導体層3と高濃度の第二導電型半導体層4の界面から現れる空乏層内側の電界強度よりも小さくする効果によってブレークダウンは半導体表面近傍から離れた第一導電型半導体層3と高濃度の第二導電型半導体層4の界面からのみ発生するので、半導体表面上の絶縁皮膜6や前記絶縁皮膜6の表面に設けられる保護皮膜図示せずや電極7等の影響を受けて電圧変動が起こる事がない参考に図3参照。すなわち、低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の上部に高濃度の第二導電型半導体層4と高濃度の第二導電型環状層5とを有し、高濃度の第二導電型半導体層4の下部に第一導電型半導体層3を備えた半導体基板の構成とする事により、逆バイアスを印加していく際に高濃度の第二導電型半導体層4と低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の界面より拡がる空乏層を高濃度の第二導電型環状層5が有するフィールドリミッティング効果によって横方向への拡がりを拡大させて、空乏層の形状の曲率を小さくする事になり曲率の大きな部分に電界集中が起きてブレークダウンが発生する事をふせぐ。更に、高濃度の第二導電型半導体層4と第一導電型半導体層3との界面近傍に電界集中が起こって該高濃度の第二導電型半導体層4と第一導電型半導体層3との界面近傍のみでアバランシェ降伏が生じて、半導体基板表面に設けられた絶縁皮膜6等の有するイオンの影響で空乏層の拡がりが変化しても該空乏層の曲率部分よりブレークダウンする事による耐電圧の変動を無くして高耐圧が可能となる。また、上述のブレークダウンは第一導電型半導体層3と高濃度の第二導電型半導体層4の界面で起こる為、低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の比抵抗値のばらつきに依存して電圧が影響を受ける事もなく、例えば、300Vの高耐圧の定電圧ダイオードとすることができる。尚、本発明の実施の形態では半導体基板の第一の主面上を絶縁皮膜6と電極7とで占める構成としたが、絶縁皮膜6をSiN等から成る高硬度且つ密な保護皮膜で覆って前記絶縁皮膜6を機械的に保護し、且つイオンの浸入を阻止する形態としても良い。また、その他半導体基板の低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の外周縁に低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の表面から前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の層内へ延在した第一導電型のチャンネルストッパーを設けて、逆バイアス時に現れる空乏層が半導体基板内を側面方向に拡がって前記半導体基板の側面に達する事を防止する技術的常識やその他、本発明を逸脱しない範囲で変更実施が可能である。図2AのA-Cに於いては、製造過程の順に各過程の終了時点の断面を示しており、図2AのAは、半導体ウェハー断面の一部を示しており、第一導電型の半導体基板1の上層にエピタキシャル成長させた低濃度の第一導電型エピタキシャル層2を有している。図2AのBは、第一導電型のドーパント拡散工程終了時点の断面を示しており、低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の表面に熱酸化法によって絶縁皮膜6である酸化皮膜を形成し、絶縁皮膜6をフォトリソグラフィにて、前記絶縁皮膜6の外周縁と中央部を選択的にエッチング除去して各々チャンネルストッパー9の拡散窓6aと第一導電型半導体層3の拡散窓6bとして窓明けして低濃度の第一導電型エピタキシャル層2を露出させ、前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層2の露出面に第一導電型のドーパントを濃度調整して注入し、前記第一導電型のドーパントを熱拡散法にてドライブ拡散して第一導電型半導体層3とチャンネルストッパー9とを形成する。ここで、ドライブ拡散の際、加熱される事によって絶縁皮膜6が再形成されて図2AのBに示す様に絶縁皮膜6が半導体基板の主面全面を再度覆う事となる。図2AのCは第二導電型のドーパント拡散工程終了時点の断面を示しており、絶縁皮膜6をフォトリソグラフィにて、第一導電型半導体層3と同心に前記第一導電型半導体層3の1~5倍の面積を有する高濃度の第二導電型半導体層4の拡散窓6dと前記高濃度の第二導電型半導体層4の拡散窓6dから離間した外周に環状に高濃度の第二導電型環状層5の拡散窓6cとして選択的にエッチング除去して窓明けして低濃度の第一導電型エピタキシャル層2と第一導電型半導体層3とを露出させ、前記低濃度の第一導電型エピタキシャル層2と第一導電型半導体層3の露出面に第二導電型のドーパントを濃度調整して注入し、前記第二導電型のドーパントを熱拡散法にて第一導電型半導体層3の60~90の深さにドライブ拡散して第一導電型半導体層3に対して、同心で1~5倍の面積と60~90の深さを有する高濃度の第二導電型半導体層4と前記高濃度の第二導電型半導体層4から2~10μm離間させた高濃度の第二導電型環状層5とを形成する。ここで、ドライブ拡散の際、加熱される事によって絶縁皮膜6が再形成されて図2AのCに示す様に絶縁皮膜6が半導体基板の第一の主面全面を再度覆う事となる。図2BのDは、コンタクト窓形成工程Iの終了時点の断面を示している。絶縁皮膜6をフォトリソグラフィにて、高濃度の第二導電型半導体層4の表面領域内に前記高濃度の第二導電型半導体層4と同心な窓である測定用コンタクト窓10と半導体基板の外周縁に沿った内側にダイシングストリート11とを選択的にエッチング除去して窓明けし、高濃度の第二導電型半導体層4の表面領域と半導体基板第一の主面の外周縁に沿った内側の面とを露出させる。この工程の後に、測定用コンタクト窓10を利用してVz等の特性チェックを行う事ができる。図2BのEは、絶縁皮膜II形成工程の終了時点の断面を示している。化学気相成長法以下CVDと称すにて、半導体基板の露出された面である高濃度の第二導電型半導体層4の表面領域と半導体基板第一の主面の外周縁に沿った内側のダイシングストリート11の面と、絶縁皮膜6の表面とにリンガラスから成る絶縁皮膜II12で覆って形成する。図2BのFは、コンタクト窓形成工程IIの終了時点の断面を示しており、フォトリソグラフィにて、第一導電型半導体層3と同心で測定用コンタクト窓10よりも外側に環状の溝であるイオンストッパー15となる窓と半導体基板第一の主面の外周縁に沿った内側とを絶縁皮膜II12と絶縁皮膜6とをエッチング除去して窓明けして半導体基板第一の主面を露出させ、露出させた半導体基板第一の主面と絶縁皮膜II12と絶縁皮膜6との連続な面にSiNから成る保護皮膜13を蒸着法にて形成し、ドライエッチングにて、イオンストッパー15から離間した内側と半導体基板第一の主面の外周縁に沿った内側の保護皮膜13を除去して窓明けし、絶縁皮膜II12の中央部と半導体基板第一の主面の外周縁に沿った内側とを露出させ、前記半導体基板の主面の外周縁に沿った内側はダイシングストリート16と成り、フォトリソグラフィにて、絶縁皮膜II12の露出した中央部で測定用コンタクト窓10よりも内側で且つ前記測定用コンタクト窓10と同心に絶縁皮膜II12を選択的にエッチング除去して高濃度の第二導電型半導体層4を露出させたコンタクト窓14を窓明け形成する。この工程にて保護皮膜13をドライエッチングする際、エッチングレートが高い高濃度の第二導電型半導体層4の上層をエッチングレートが低い絶縁皮膜II12が覆って高濃度の第二導電型半導体層4を保護する効果を有する。図2BのGは、電極形成工程の終了時点の断面を示しており、蒸着法にて、高濃度の第二導電型半導体層4の露出面から絶縁皮膜II12と保護皮膜13の断面を経てイオンストッパー15を埋めて環状である前記イオンストッパー15外側周辺の保護皮膜13の面まで延在したメタルから成る電極7を形成し、第一導電型の半導体基板1の表面から成る半導体基板第二の主面にメタルを蒸着して裏面電極8を形成する。