"基板の上に、活性層と、該活性層の面内方向に共振モードを有するフォトニック結晶とを備え、波長λで発振する分布帰還型面発光レーザであって、前記基板の上に設けられ、レーザ発振を起こす複数の第1のフォトニック結晶領域と、前記第1のフォトニック結晶領域間に設けられ、面外方向への光回折を起こす第2のフォトニック結晶領域と、前記第2のフォトニック結晶領域の上に設けられている波長λの光を吸収する光吸収体と、を有し、前記第1のフォトニック結晶領域の放射係数が、前記第2のフォトニック結晶領域の放射係数より小さいことを特徴とする分布帰還型面発光レーザ。前記第1のフォトニック結晶領域のフォトニック結晶の厚さと前記第2のフォトニック結晶領域のフォトニック結晶の厚さが異なることを特徴とする請求項1に記載の分布帰還型面発光レーザ。前記第1のフォトニック結晶領域のフォトニック結晶の孔径と前記第2のフォトニック結晶領域のフォトニック結晶の孔径が異なることを特徴とする請求項1に記載の分布帰還型面発光レーザ。前記フォトニック結晶に対して活性層の反対側に設けられ、該フォトニック結晶中の光強度分布を制御する光強度分布制御層を備え、前記第1のフォトニック結晶領域のフォトニック結晶に隣接する光強度分布制御層と前記第2のフォトニック結晶領域のフォトニック結晶に隣接する光強度分布制御層との厚さが異なることを特徴とする請求項1に記載の分布帰還型面発光レーザ。上記した特許文献3に開示された構造を用いれば、一方のフォトニック結晶面発光レーザから漏れ出た光が他方のフォトニック結晶面発光レーザへ入射することを低減できる。しかしながら、このような構造においては、フォトニック結晶面発光レーザ間の溝で反射戻り光を発生させてしまうという新たな課題が生じうる。図6に示したように、2次元フォトニック結晶600と610の間に溝620を設けた場合、一方のフォトニック結晶600から漏れ出した光630が、溝620によって反射され、戻り光640が発生してしまう。この戻り光640はフォトニック結晶600に再度戻ってしまう。この反射戻り光はレーザ発振特性を不安定にすることになる。つまり、フォトニック結晶面発光レーザを同一基板上にアレイ配置した半導体発光装置を、より安定して動作させるためには、漏れ光の入射を低減するだけではなく、反射戻り光も低減できる構造が望まれる。本発明は、上記課題に鑑み、漏れ光の入射を低減しつつ、反射戻り光を発生しにくい構成のフォトニック結晶面発光レーザアレイの提供を目的とする。本発明に係る分布帰還型面発光レーザは、基板の上に、活性層と、該活性層の面内方向に共振モードを有するフォトニック結晶とを備え、波長λで発振する分布帰還型面発光レーザであって、前記基板の上に設けられ、レーザ発振を起こす複数の第1のフォトニック結晶領域と、前記第1のフォトニック結晶領域間に設けられ、面外方向への光回折を起こす第2のフォトニック結晶領域と、前記第2のフォトニック結晶領域の上に設けられている波長λの光を吸収する光吸収体と、を有し、前記第1のフォトニック結晶領域の放射係数が、前記第2のフォトニック結晶領域の放射係数より小さいことを特徴とする。本発明によれば、漏れ光の入射を低減しつつ、反射戻り光を発生しにくい構成のフォトニック結晶面発光レーザアレイを提供することができる。本発明の実施形態における活性層と該活性層の近傍に設けられた周期的な屈折率分布を有するフォトニック結晶とを備えた、分布帰還型面発光レーザの一種であるフォトニック結晶面発光レーザの構成例について説明する。本発明の実施形態におけるフォトニック結晶面発光レーザは、第1のフォトニック結晶領域と第2のフォトニック結晶領域を含み構成されている。第1のフォトニック結晶領域は同一基板上に複数配置されており、第2のフォトニック結晶領域は該複数の第1のフォトニック結晶領域間に位置するように配置される。ここで、フォトニック結晶領域とはフォトニック結晶を含む領域であるが、本明細書中では、フォトニック結晶領域とは、フォトニック結晶が形成された層のみを指すのではなく、フォトニック結晶の上下の構造も含めた領域を指す。なお、本明細書中では、レーザ素子の基板側を下側、基板と反対側を上側として説明する。第1のフォトニック結晶領域第1のフォトニック結晶領域は、レーザ発振が起こるように設計される。すなわち、活性層と、共振器である第1のフォトニック結晶と、電流を注入するための電極を備えている。第1のフォトニック結晶は、レーザ発振波長λにおいて活性層の面内方向に共振モードを有する。第1のフォトニック結晶の屈折率変調のピッチ格子定数は、レーザ発振波長において2次以上の回折格子となるように設計される。2次以上の回折格子であればDFB型面発光レーザの共振器として動作し得る。さらに、面に垂直な方向にレーザ光が放射されるという点で偶数次の回折格子であることが好ましい。また、その中でも、面に垂直な方向以外の余計な方向への放射が生じないという点で2次の回折格子が最も好ましい。第1のフォトニック結晶を2次の回折格子とするには、フォトニック結晶の格子定数に実効屈折率を乗じた値が所望のレーザ発振波長となるように設計される。活性層の利得領域をその波長に合わせることで、その波長でレーザ発振が起こる。第2のフォトニック結晶領域第2のフォトニック結晶領域は、レーザ発振が起こらないように設計される。レーザ発振を起こさないためには、活性層を形成しないか、電流を注入しない等の工夫を施せばよい。第2のフォトニック結晶領域の役割は、第1のフォトニック結晶領域から活性層の面内方向に漏れ出た光の進行方向を、回折により上下の面外方向に変換することである。面外方向に回折を起こすためには、第2のフォトニック結晶は2次以上の回折格子である必要がある。第2のフォトニック結晶領域によって下側に回折された光は、基板に逃げ、上側に回折された光は、後に述べる光吸収体で吸収される。第2のフォトニック結晶領域が十分大きければ、第1のフォトニック結晶領域から活性層の面内方向に漏れ出た光の大部分が第2のフォトニック結晶領域によって上下方向に回折されて、隣接する別の第1のフォトニック結晶領域に到達しなくなる。また、このような構成では、溝のような光反射を起こす急峻な界面が存在しないので、先に図6を用いて説明した反射戻り光は発生しにくい。よって、第1のフォトニック結晶領域の間に第2のフォトニック結晶領域を設けることで、第1のフォトニック結晶領域から漏れ出た光が隣接する別の第1のフォトニック結晶領域に到達することを防ぎ、かつ反射戻り光も発生しにくい構成を実現できる。光吸収体本発明の実施形態におけるフォトニック結晶面発光レーザでは、第2のフォトニック結晶領域の上側に光吸収体が配置される。光吸収体に用いる材料は、レーザ発振する波長の光を吸収するものを用いることができる。例えば金属などである。光吸収体として金属を用いる場合は、フォトニック結晶面発光レーザへ電流を流すための電気配線の一部が光吸収体を兼ねたものであってもよい。光吸収体を設けない場合、第2のフォトニック結晶領域によって上側に回折された光が素子表面から放射されて迷光となってしまい、レーザ特性に悪影響を与える。フォトニック結晶領域の放射係数本発明の実施形態における第1のフォトニック結晶領域と第2のフォトニック結晶領域では、本発明の効果を奏するために最適な放射係数が異なる。ここで、フォトニック結晶領域の放射係数とは、フォトニック結晶中に導波モードとして存在する光のうち、単位長さを導波する間に回折によって面外方向に放射される光の割合のことである。第1のフォトニック結晶領域では、レーザ発振を起こす必要があることから、低閾値でレーザ発振させるためには、損失は小さい方が望ましい。しかし、放射係数が大きすぎると損失も大きくなってしまうため、第1のフォトニック結晶領域は放射係数を小さくする必要がある。一方、第2のフォトニック結晶領域では、レーザ発振を起こす必要は無いので、損失が大きくなることを考慮しなくても良い。むしろ、放射係数が大きいほど、より短い距離で漏れ光を減衰させることができる。この結果、第1のフォトニック結晶領域間の距離が小さい場合でもクロストークを発生しにくくなるため、狭ピッチのアレイ化に向いている。以上の理由から、第1のフォトニック結晶領域の放射係数は、所望の発振閾値や光出力によって最適値が異なり、無条件に大きくすればよいというものではない。一方、第2のフォトニック結晶領域の放射係数は可能な限り大きくすることが望ましい。したがって、本発明の意図する効果を十分に発揮させようとする場合、第1のフォトニック結晶領域の放射係数より第2のフォトニック結晶領域の放射係数を大きくすることが望ましい。フォトニック結晶の構造と放射係数の関係放射係数を変えるためには、フォトニック結晶の構造を変えてやればよい。例えば、孔の深さ、孔径、孔形状、フォトニック結晶に隣接する層の構造などを変えることで放射係数を変えることができる。まず、孔の深さを変えることで放射係数を変える例を説明する。図7に、フォトニック結晶による光回折の模式図を示す。格子定数aの2次元フォトニック結晶から面垂直方向に光が回折する様子を表している。フォトニック結晶内では、厚さ方向に対してあらゆる位置で回折が生じるため、図7の回折光700と710のように回折の生じる位置が異なる場合には、面垂直方向に放射される光に対して光路差720が生じる。このような光が干渉を起こして強めあったり弱めあったりすることで、放射の生じやすさ、つまり放射係数が影響を受ける。放射される光全体として干渉で強めあうか弱めあうかは、フォトニック結晶の膜厚dで決まる。図8は図7に示したフォトニック結晶において、回折されて外部に放射される光の強度とフォトニック結晶の膜厚との関係を示した図である。実線は、2次元フォトニック結晶中の厚さ方向の光分布が均一である場合の計算結果である。点線は、2次元フォトニック結晶中の光分布が厚さ方向に指数関数的に減衰している場合の計算結果である。2次元フォトニック結晶の膜厚dを0から増していくと、ある厚さまでは回折光の強度は強め合って増加する。回折光の強度がピークとなる厚さは、d=0.5aである。それよりさらに膜厚を増すと、回折した光が弱め合いはじめ、回折光の強度が減少し始める。そして、2次元フォトニック結晶の膜厚dがaの時、回折光強度は最も弱くなる。それ以降は厚さが0.5a変化するごとに強め合い、弱め合いが繰り返される。つまり、2次元フォトニック結晶の格子定数aに対してフォトニック結の層の膜厚dがd=0.5p×aの時に回折光は最も強め合う。これに対してd=q×aの時に最も弱め合う。但し、p=0,1,2であり、q=1,2,3である。このように、フォトニック結晶の厚さによって放射係数が変化するので、フォトニック結晶の厚さに面内分布をつけてやれば、放射係数に面内分布を持たせることが可能になる。次に、孔径を変えることによって放射係数を変える例を説明する。回折格子における回折の起こりやすさを示す指標として、結合係数が知られている。フォトニック結晶面内での各々の回折の起こりやすさは、結合係数の大小と関連があり、結合係数の絶対値が大きいほど回折が起こりやすい。ここで、1次回折に係る結合係数の大きさは放射係数と相関があることが知られている。つまり、1次回折に係る結合係数が大きいほど放射係数も大きくなる傾向にあると言える。図9に、2次元フォトニック結晶の孔径と1次回折に係る結合係数の関係を計算した一例を示す。結合係数の値は孔径に依存し、孔径が0から増していくと結合係数も増大していくが、ある孔径以上では結合係数は減少に転じることが読み取れる。この計算結果では、孔の半径が格子定数の40程度の時に結合係数が最大値をとる。先ほど述べたように、1次回折に係る結合係数は放射係数と相関があるため、孔径を変えることで放射係数を変えることが可能になる。また、孔径に面内分布をつけてやれば、放射係数に面内分布を持たせることが可能になる。フォトニック結晶に隣接する層と放射係数の関係以上のように、フォトニック結晶の構造を変えることによって放射係数を任意に変えることができる。しかしながら、フォトニック結晶そのものの構造に面内分布を持たせることは難しい場合がある。例えば、孔径を変えた場合、ドライエッチング時のマイクロローディング効果により、孔の深さも変わってしまう場合がある。そのような場合、異なる孔径について、ともに所望の孔深さを実現することが難しい場合がある。このような場合、図1に示すように、フォトニック結晶100そのものではなく、フォトニック結晶に隣接する層110の厚さを変えることで放射係数を変えることも可能である。ここで、フォトニック結晶に隣接する層110はフォトニック結晶中の光分布を制御するために設けられたものであり、光強度分布制御層と呼ぶことにする。この光強度分布制御層110の膜厚を面内で変化させることにより、回折光の干渉強度を変えて回折光の強弱の分布をつけるように構成される。光強度分布制御層110を設ける意図は、フォトニック結晶中の光分布の均一具合を制御することにある。図8に示したように、フォトニック結晶中の厚さ方向の光分布が均一な場合と均一でない場合では、回折光強度が異なる。光強度分布が均一な場合の方が、干渉の度合いが強まり、変調の幅を大きくすることができる。例えば、図8のA点とC点を比較すると、光分布が均一な場合C点の方が、光分布が不均一な場合A点に比べて回折光強度が大きい。一方、B点とD点を比較すると、光分布が不均一な場合B点の方が回折光強度が大きい。一般的に、フォトニック結晶面発光レーザ中の光強度分布は、活性層付近にピークを持ち、そこから離れるにしたがって徐々に減衰する。光分布制御層110は、フォトニック結晶の平均屈折率より屈折率の高い材料で構成されている。一般的に、光分布は屈折率の高い領域に集まりやすい傾向がある。光分布制御層110をフォトニック結晶に対して活性層の反対側に配置することで、光分布が光分布制御層110に引き込まれるように広がり、フォトニック結晶内の厚さ方向の光分布が均一に近づく。その結果、前述したように回折光強度が影響を受ける。光分布制御層110の屈折率や厚さが変わるとフォトニック結晶中の光分布の均一具合が変わるので、回折光強度も変わる。つまり、フォトニック結晶そのものの構造が同一であっても、光分布制御層110の有無や厚さによって光分布の均一具合が異なる。そのため、光分布制御層110の厚さに面内分布を設けることで、フォトニック結晶領域の放射係数に面内分布を設けることができる。このような構成では、放射係数を制御するためには光強度分布制御層の膜厚を制御するだけで足りるため、作製が比較的容易であるという利点を持つ。その他の構成例第1のフォトニック結晶領域と第2のフォトニック結晶領域の境目では上記したように、孔の深さ、孔径、孔形状、フォトニック結晶に隣接する層の構造等が変化するため、導波光に対する実効的な屈折率が不連続になり、光の一部が反射されてしまう場合がある。そこで、急峻に構造を変化させるのではなく、連続的に構造を変化させることで、反射を起こりにくくすることもできる。本発明で使用するフォトニック結晶構造は、その屈折率の周期性が1次元的であってもよいし、2次元的であってもよい。2次元的な周期性としては、正方格子、三角格子や、その他一般的に使用されている格子構造を利用することができる。本実施形態のレーザ構造における活性層は、一般の半導体レーザに使用されるものを使用することができる。例えば、GaAs/AlGaAs、GaInP/AlGaInP、GaN/InGaNなどの材料を用いた多重量子井戸構造である。本実施形態に係る面発光レーザにおいては、光励起方式、あるいは電流注入方式により駆動することができる。以下に、本発明の実施例について説明する。[実施例1]実施例1として、本発明を適用したフォトニック結晶面発光レーザの構成例について、図2を用いて説明する。図2に、本実施例のレーザ構造を説明する断面模式図を示す。本実施例は、孔の深さを変えることで放射係数が変わることを利用したものである。本実施例のレーザ構造は、波長405nmでレーザ発振するように設計されている。n型GaN基板200上に、n-AlGaNクラッド層205、n-GaNガイド層210、活性層215、p-GaN層220、p-AlGaNクラッド層225、p-GaN層230が、以上の順に積層されている。活性層215は3周期のIn0.08Ga0.92N/In0.01Ga0.99N多重量子井戸からなる。レーザ構造の表面には、NiとAuで構成されたp電極235およびTiとAlで構成されたn電極240が配置されており、そこから電流注入することにより第1のフォトニック結晶領域250でレーザ発振する。複数の第1のフォトニック結晶領域250が配置されており、その間に第2のフォトニック結晶領域255が設けられている。第1のフォトニック結晶領域と第2のフォトニック結晶領域には、p-GaN層220中にそれぞれ2次元フォトニック結晶260と265が埋め込まれている。2次元フォトニック結晶260および265は、円柱状の孔がp-GaN層中に2次元的に周期的に配列されて形成されている。格子構造は正方格子である。フォトニック結晶の格子定数aは160nmである。2次元フォトニック結晶260および265は、電子ビームリソグラフィーとドライエッチングを用いたパターニングと、再成長技術を用いてp-GaN層内に埋め込んで形成した。第2のフォトニック結晶領域の上側表面には、金で形成された光吸収体270が配置されている。第1のフォトニック結晶領域250のフォトニック結晶260の厚さは、フォトニック結晶の格子定数aの1.0倍である160nmである。第2のフォトニック結晶領域255のフォトニック結晶265の厚さは、フォトニック結晶の格子定数aの0.5倍である80nmである。第1のフォトニック結晶領域ではレーザ発振閾値を小さくするために放射係数が小さくなる厚さを選び、第2のフォトニック結晶領域では放射係数が最も大きくなる厚さを選んでいる。第1のフォトニック結晶領域でレーザ発振した光の一部は、活性層215の面内方向に導波して第2のフォトニック結晶領域255に漏れ出すが、漏れ出した光は第2のフォトニック結晶領域255のフォトニック結晶265により上下方向に回折される。上側に回折された光は光吸収体270で吸収される。下側に回折された光はn型GaN基板200に逃げ、最終的にはn電極240等で吸収される。このように、第1のフォトニック結晶領域250から漏れ出た光が隣接する別の第1のフォトニック結晶領域250に到達することを防ぎ、安定したレーザ発振を実現することができる。[実施例2]図3に、実施例2のレーザ構造を説明する断面模式図を示す。実施例1は孔の深さを変えることにより、放射係数を変えていたのに対して、本実施例では、孔径を変えることで放射係数を変える点において異なる。本実施例と実施例1との違いは、2次元フォトニック結晶の構成厚さおよび孔径のみであり、それ以外の構成は実施例1と同じである。第1のフォトニック結晶領域350におけるフォトニック結晶360の孔半径は30nmであり、第2のフォトニック結晶領域355におけるフォトニック結晶365の孔半径は60nmである。フォトニック結晶360および365の厚さは100nmである。計算の結果、第1のフォトニック結晶領域350におけるフォトニック結晶360の1次回折に係る結合係数は580cm-1であり、第2のフォトニック結晶領域355におけるフォトニック結晶365の1次回折に係る結合係数は1250cm-1であった。本実施例においても、第1のフォトニック結晶領域350の放射係数より第2のフォトニック結晶領域355の放射係数の方が大きく、第2のフォトニック結晶領域の放射係数ができるだけ大きくなるようにフォトニック結晶の孔径が決められている。本実施例においても、実施例1と同様、第1のフォトニック結晶領域350から漏れ出た光が隣接する別の第1のフォトニック結晶領域350に到達することを防ぎ、安定したレーザ発振を実現することができる。[実施例3]図4に、本実施例のレーザ構造を説明する断面模式図を示す。本実施例は、フォトニック結晶に隣接する層の構成を変えることで放射係数が変わることを利用したものである。本実施例と実施例1との違いは、2次元フォトニック結晶の構成厚さおよび孔径および隣接する層の構成のみであり、それ以外の構成は実施例1と同じである。本実施例において、第1のフォトニック結晶領域450におけるフォトニック結晶460と第2のフォトニック結晶領域455におけるフォトニック結晶465は同一の構造を有しており、孔半径は30nm、フォトニック結晶厚さは80nmである。第2のフォトニック結晶領域455においてフォトニック結晶465の上側にIn0.05Ga0.95Nで形成された光強度分布制御層480が配置されている。この光強度分布制御層480は、フォトニック結晶465の平均屈折率や周囲のp-GaN層420より屈折率が大きいので、光分布を上側に引き上げる働きをする。その結果、フォトニック結晶460内の厚さ方向の光分布が均一に近づく。ここで、フォトニック結晶460および465の厚さ80nmはフォトニック結晶の格子定数160nmの0.5倍に相当する。図8で見たように、このフォトニック結晶厚さにおいてフォトニック結晶内の厚さ方向の光強度分布が均一に近づくと、放射係数は大きくなる。したがって、光強度分布制御層480の存在により、第2のフォトニック結晶領域455の方が第1のフォトニック結晶領域450より放射係数が大きくなっている。本実施例においても、実施例1と同様、第1のフォトニック結晶領域450から漏れ出た光が隣接する別の第1のフォトニック結晶領域450に到達することを防ぎ、安定したレーザ発振を実現することができる。[実施例4]図5に、本実施例のレーザ構造を説明する断面模式図を示す。本実施例は、第1のフォトニック結晶領域と第2のフォトニック結晶領域の境目を滑らかにすることで、実効屈折率の不連続点で発生する光反射を低減することを目指したものである。本実施例と実施例1との違いは、第1のフォトニック結晶領域と第2のフォトニック結晶領域との境目が急峻に変化しているか連続的に変化しているかの違いのみであり、それ以外の構成は実施例1と同じである。本実施例において、第1のフォトニック結晶領域550は第2のフォトニック結晶領域555に比べてフォトニック結晶の孔の占める体積が大きい。孔の中に充填している材料はその周囲の材料より屈折率が小さいため、第1のフォトニック結晶領域550の実効屈折率は第2のフォトニック結晶領域555の実効屈折率より小さくなる。この屈折率の不一致により、第1のフォトニック結晶領域550と第2のフォトニック結晶領域555の境目で光の反射が起こるが、境目における屈折率変化を滑らかにすることで光反射を低減することができる。具体的には、図5に示したように、境目付近の孔深さを連続的に変化させることで、実効屈折率が急峻に変化しないようにすることができる。本実施例においても、実施例1と同様、第1のフォトニック結晶領域550から漏れ出た光が隣接する別の第1のフォトニック結晶領域550に到達することを防ぎ、安定したレーザ発振を実現することができる。それに加え、実施例1よりも反射戻り光を低減してさらに安定したレーザ発振を実現することができる。以上、実施例について説明したが、本発明の面発光レーザは記載した実施例に限定されるものではない。フォトニック結晶の形状や材料や大きさ、活性層やクラッド層や電極を構成する材料は本発明の範囲内で適宜変更できる。また、上記実施例では、レーザ発振波長として405nmのものを示したが、適切な材料構造の選択により、任意の波長での動作も可能である。以上説明した本発明の面発光レーザは、複写機、レーザプリンタなどの画像形成装置が有する感光ドラムへ描画を行うための光源としても利用することができる。"