"硬化性樹脂材料を被処理基板に塗布して、被処理基板に塗布された前記硬化性樹脂材料に、テンプレートに作成された半導体集積回路のパターンを転写するインプリント装置であって、前記被処理基板に向けて前記硬化性樹脂材料を吐出する吐出部と、前記被処理基板に対する前記硬化性樹脂材料の塗布量分布を示すドロップレシピを記憶するレシピ記憶部と、前記ドロップレシピに基づいて前記吐出部に対する前記硬化性樹脂材料の吐出指令を生成する吐出指令生成部と、前記吐出部からの前記硬化性樹脂材料の吐出先に前記被処理基板が有るか否かを判別する判別部と、前記判別部によって前記被処理基板が無いと判別された場合に、前記吐出部に対する前記硬化性樹脂材料の吐出禁止指令を生成する禁止指令生成部と、前記吐出指令よりも前記吐出禁止指令を優先させて前記吐出部に前記硬化性樹脂材料を吐出させる吐出制御部と、を備え、前記吐出部は、複数の吐出口を並べて構成され、前記判別部は、前記吐出口の配列方向と平行に設けられたCCDラインセンサであり、前記CCDラインセンサによる検出位置と、前記吐出口による前記硬化性樹脂材料の吐出先となる位置とを略1対1で対応させるインプリント装置。硬化性樹脂材料を被処理基板に塗布して、被処理基板に塗布された前記硬化性樹脂材料に、テンプレートに作成された半導体集積回路のパターンを転写するインプリント装置であって、前記被処理基板に向けて前記硬化性樹脂材料を吐出する吐出部と、前記被処理基板に対する前記硬化性樹脂材料の塗布量分布を示すドロップレシピを記憶するレシピ記憶部と、前記ドロップレシピに基づいて前記吐出部に対する前記硬化性樹脂材料の吐出指令を生成する吐出指令生成部と、前記吐出部からの前記硬化性樹脂材料の吐出先に前記被処理基板が有るか否かを判別する判別部と、前記判別部によって前記被処理基板が無いと判別された場合に、前記吐出部に対する前記硬化性樹脂材料の吐出禁止指令を生成する禁止指令生成部と、前記吐出指令よりも前記吐出禁止指令を優先させて前記吐出部に前記硬化性樹脂材料を吐出させる吐出制御部と、を備えるインプリント装置。前記被処理基板の位置を検出する基板位置検出部と、前記吐出部の位置を検出する吐出位置検出部と、前記被処理基板の形状を記憶する形状記憶部と、をさらに備え、前記判別部は、前記被処理基板の位置、前記吐出部の位置、および前記被処理基板の形状から、前記硬化性樹脂材料の吐出先に前記被処理基板が有るか否かを判別する請求項2に記載のインプリント装置。前記被処理基板の形状を記憶する形状記憶部をさらに備え、前記判別部は、前記被処理基板の形状から、前記硬化性樹脂材料の吐出先に前記被処理基板が有るか否かを予め判別し、前記禁止指令生成部は、前記被処理基板が無いと判別される領域で前記吐出部に前記硬化性樹脂材料を吐出させないための吐出禁止指令を予め生成する請求項2に記載のインプリント装置。吐出部から吐出された硬化性樹脂材料を被処理基板に塗布して、前記被処理基板に塗布された前記硬化性樹脂材料に半導体集積回路のパターンを転写する半導体基板の製造方法であって、前記被処理基板に対する前記硬化性樹脂材料の塗布量分布を示すドロップレシピに基づいて、前記硬化性樹脂材料を吐出する吐出部に対する吐出指令を生成し、前記吐出部からの前記硬化性樹脂材料の吐出先に前記被処理基板が有るか否かを判別し、前記被処理基板が無いと判別された場合に、前記吐出部に対する前記硬化性樹脂材料の吐出禁止指令を生成し、前記吐出指令よりも前記吐出禁止指令を優先させて前記吐出部に前記硬化性樹脂材料を吐出させ、前記被処理基板に塗布された前記硬化性樹脂材料に、テンプレートに作成された半導体集積回路のパターンを転写する半導体基板の製造方法。本発明は、ウェハからのはみ出しの少ないレジスト材料の塗布、およびレジスト材料の塗布領域をウェハの端部になるべく近づけることのできるインプリント装置および半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。本願発明の一態様によれば、インプリント装置は、硬化性樹脂材料を被処理基板に塗布して、被処理基板に塗布された硬化性樹脂材料に、テンプレートに作成された半導体集積回路のパターンを転写するインプリント装置である。インプリント装置は、吐出部と、レシピ記憶部と、吐出指令生成部と、判別部と、禁止指令生成部と、吐出制御部と、を備える。吐出部は、複数の吐出口を並べて構成されて被処理基板に向けて硬化性樹脂材料を吐出する。レシピ記憶部は、被処理基板に対する硬化性樹脂材料の塗布量分布を示すドロップレシピを記憶する。吐出指令生成部は、ドロップレシピに基づいて吐出部に対する硬化性樹脂材料の吐出指令を生成する。判別部は、吐出口の配列方向と平行に設けられたCCDラインセンサであり、吐出部からの硬化性樹脂材料の吐出先に被処理基板が有るか否かを判別する。禁止指令生成部は、判別部によって被処理基板が無いと判別された場合に、吐出部に対する硬化性樹脂材料の吐出禁止指令を生成する。吐出制御部は、吐出指令よりも吐出禁止指令を優先させて吐出部に硬化性樹脂材料を吐出させる。CCDラインセンサによる検出位置と、吐出口による硬化性樹脂材料の吐出先となる位置とが略1対1で対応する。以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態にかかるインプリント装置および半導体基板の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施の形態まず、ナノインプリンティングによる一般的な転写工程について説明する。図1-1~図1-3は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。図2は、インプリント装置の概略構成を示すブロック図である。なお、ここでは一例として、紫外線照射によりレジスト光硬化性樹脂材料を硬化させる光ナノインプリントについて説明するが、本実施形態は加熱によりレジスト熱硬化性樹脂材料を硬化させる熱ナノインプリンティングにも適用できる。転写工程では、まず、図1-1に示すように、加工対象のウェハ100被処理基板の一例にレジスト材料101硬化性樹脂材料の一例が塗布される。インプリント装置1は、ウェハ100に対してレジスト材料101を吐出する吐出部163を有する。吐出部163は、ウェハ100に対して平行に2次元的に駆動される。インプリント装置1は、レジスト材料の塗布量分布を定義したドロップレシピに基づいて吐出部163からのレジスト材料101の吐出を制御することで、レジスト材料101の塗布量を局所的に変化させることができる。ドロップレシピは、デザインパターンあるいはレジストパターンやテンプレートパターンでもよいの設計データに基づいて作成される。ドロップレシピは、例えば、レジストパターンの密度が高い部分には塗布量を多くし、レジストパターンの密度が低い部分には塗布量を少なくするように定義される。ドロップレシピにおける塗布量分布は、例えばノズルから吐出される一滴のレジスト材料の量吐出量と個々の液滴毎の吐出位置とで定義される。図1-1では、このようなタイプのインプリント装置1により、テンプレート102の凹部に対応する位置にレジスト材料101の液滴が滴下されている。続いて、レジスト材料101が塗布されたウェハ100にテンプレート102がプレスされる。すると、レジスト材料101は毛細管現象によりテンプレート102に形成されているテンプレートパターンの凹部に入り込む。レジスト材料101がテンプレートパターンに十分に入り込んだ後、図1-2に示すようにテンプレート102の上方から紫外線が照射される。テンプレート102は、紫外線UV光を透過する石英などの材質で構成されており、テンプレート102の上方から照射されたUV光はテンプレート102を透過してレジスト材料101に照射される。レジスト材料101はUV光照射により硬化する。レジスト材料101の硬化後、テンプレート102が離型され、図1-3に示すように、ウェハ100上に硬化したレジスト材料101によるレジストパターンが形成される。次に、インプリント装置1について詳細に説明する。インプリント装置1は、インプリント部2とインプリント制御部3とを備えて構成される。インプリント制御部3は、インプリント部2の制御を行う。インプリント部2においては、ウェハ100を保持するウェハチャック165、ウェハチャック165を載置する可動式のウェハステージ166、テンプレート102、テンプレート保持機構169、吐出部163、加圧装置164、UV光源167、などが同一チャンバー162内に配置されている。さらに、チャンバー162をステージ定盤168及び除振台170が支えている。ウェハ100はチャンバー162内のウェハチャック165上に載置される。テンプレート保持機構169は、テンプレート102を保持する。テンプレート保持機構169とテンプレート102との間は密閉状態の空間が設けられており、押印時に、加圧装置164は当該空間を加圧することによってテンプレート102の中央部をテンプレート102の直下に保持されているウェハ100からみて膨らんだ状態にすることができるようになっている。ウェハステージ166は、ウェハ100を吐出部163の下に移動させる。吐出部163は、レジスト材料をインクジェット方式でウェハ100上に塗布する。インプリント部2のインプリント機構はステップリピート方式、すなわち、1ショット分インプリントするとウェハ100を移動させる方式であるので、吐出部163は、1ショット分のレジスト材料101を塗布する。図3は、吐出部163の概略構成を示す図であって、吐出口163a側から見た図である。図4は、吐出部163の詳細な構成を示す部分拡大断面図である。吐出部163は、レジスト材料101を液滴として吐出する複数の吐出口163aが一列に配列されている。吐出部163は、複数の吐出口163aを有することで、一度に複数の液滴を吐出することができる。図4に示すように、吐出口163aのそれぞれに対応するようにインクタンク163bが設けられ、インクタンク163bの外部にはピエゾ素子163cが設けられている。ピエゾ素子163cに電圧を印加することで、インクタンク163bの容積が圧縮されて、吐出口163aからレジスト材料101が液滴になって吐出される。吐出部163は、吐出口163aの配列方向と略垂直な方向に移動しながら、レジスト材料101を吐出し、ウェハ100にレジスト材料101を塗布していく。図3に示すように、吐出部163の近傍には、CCDラインセンサ判別部181が設けられている。CCDラインセンサ181は、ウェハ100の端部を検出して、吐出部163からのレジスト材料101の吐出先にウェハ100が有るか否かを判別する。CCDラインセンサ181は、後述する禁止指令生成部に判別結果を送信する。CCDラインセンサ181は、ウェハ100の有無を複数の検出点で検出可能であり、その検出点が吐出口163aの配列方向と平行になるように設けられている。そして、吐出口163aとCCDラインセンサ181の検出点とは、略1対1で対応するようになっている。すなわち、吐出口163aごとに、レジスト材料101の吐出先となる位置におけるウェハ100の有無を、CCDラインセンサ181で判別できる。より具体的には、吐出口163a―1からのレジスト材料101の吐出先にウェハ100が有るか否かを検出点181-1で判別し、吐出口163a-2からのレジスト材料101の吐出先にウェハ100が有るか否かを検出点181-2で判別し、吐出口163a-3からのレジスト材料101の吐出先にウェハ100が有るか否かを検出点181-3で判別する。なお、判別部としてCCDラインセンサ181を例に挙げて説明したが、これに限られず、ウェハの有無を検出できるものであれば他のセンサであってもよい。例えば、フォトセンサを用いてもよい。図5は、ウェハ100の平面図であって、インプリント位置の配置を説明するための図である。図5に示す矩形はそれぞれ1回のインプリントでレジストパターンが形成される領域以下、1ショット領域というである。図6は、ドロップレシピによるレジスト材料の塗布例を示す図である。図5に示すように、ウェハ100は、インプリント位置をずらして複数回インプリントされることによって、ウェハ100のほぼ全面にレジストパターンが形成される。そして、図6に示すように、各インプリント位置に対して、レジスト材料101の塗布が行われる。ここで、インプリント位置Aでは、その全域にウェハ100が存在するため、図6に示すようにインプリント位置Aの全域にレジスト材料101を塗布しても特に問題は生じない。一方、インプリント位置B~Mでは、その一部がウェハ100の端部よりもはみ出しているため、レジスト材料101の吐出先にウェハ100が存在しない領域が生じる。なお、インプリント位置B~Mのように、一部がウェハ100の端部よりもはみ出している領域を、以下の説明において欠けショット領域ともいう。欠けショット領域の全域で、図6に示すようなレジスト材料101の塗布をインプリント位置Aと同様に行ってしまうと、ウェハ100の端部からはみ出した領域に向けて吐出されたレジスト材料101がウェハステージ166などに付着し、ダストの発生や、インプリント装置1の故障を招いてしまう場合がある。そこで、本実施の形態にかかるインプリント装置1では、ウェハ100の端部からはみ出した領域に向けたレジスト材料の吐出を禁止する制御が行われる。以下に、レジスト材料101の吐出を禁止する制御について詳細に説明する。図7は、インプリント制御部3の概略構成を示すブロック図である。インプリント制御部3は、レシピ記憶部5と、吐出指令生成部6と、禁止指令生成部7と、同期回路8と、吐出制御部9とを備える。図8-1は、ウェハ100の端部におけるレジスト材料101の塗布例を示す図である。図8-2は、図8-1に示すウェハ100の端部にレジスト材料101を塗布する際の各指令について説明するためのタイミングチャートである。図8-1では、矢印Xに示す方向に吐出部163が移動しながらレジスト材料を塗布するものとし、時刻t1以降にレジスト材料101の吐出先にウェハ100が無くなる場合を示している。すなわち、時刻t1以降にレジスト材料101を吐出してしまうと、ウェハの外側領域Sにレジスト材料を塗布してしまうこととなる。なお、以下のインプリント制御部3の説明では、図8-1に示す塗布例での吐出制御を例に挙げて説明する。レシピ記憶部5は、ROMReadOnlyMemoryやRAMRandomAccessMemoryなどの記憶装置であり、上述したドロップレシピを記憶する。吐出指令生成部6は、レシピ記憶部5に記憶されたドロップレシピに基づいて、吐出部163にレジスト材料101を吐出させるための吐出指令を生成する。吐出指令は、レジスト材料101の吐出量や吐出タイミングなどを示す情報である。本実施の形態では、吐出部163が有するピエゾ素子163c図3も参照に電圧を印加することで吐出口163aからレジスト材料101が吐出されるので、図8-2bに示すように、電圧のオン/オフ信号として吐出指令が生成される。吐出指令生成部6は、いずれのインプリント位置A~Mにレジスト材料101を塗布するかに関わらず、単純にドロップレシピに基づいて吐出信号を生成する。すなわち、レシピ記憶部5には、インプリント位置A~Mの位置に応じたドロップレシピは用意されておらず、基本的にインプリント位置Aにレジスト材料101を適切に塗布することのできるドロップレシピのみが記憶される。また、吐出指令生成部6は、生成した吐出指令を同期回路8に送信する。禁止指令生成部7は、CCDラインセンサ181から送信されたウェハ100の有無の判別結果に基づいて、吐出部163からのレジスト材料101の吐出を禁止する禁止指令や吐出を許可する許可指令を生成するなお、以下の説明において、禁止指令および許可指令をまとめて許可/禁止指令ともいう。。より具体的には、吐出口163aからのレジスト材料101の吐出先にウェハ100が無いと判別されている間は、その吐出口163aに対応するピエゾ素子163cへの電圧の印加を強制的にオフとするオフ信号を、禁止指令として生成する。インプリント位置B~Mに対してレジスト材料101を塗布する場合には、吐出先にウェハ100が無いという状態が発生する。また、禁止指令生成部7は、レジスト材料101の吐出先にウェハ100が有ると判別されている間は、吐出部163からのレジスト材料の吐出を許可する許可信号も生成する。より具体的には、ピエゾ素子163cへの電圧の印加をオンとするオン信号を、許可指令として生成する。図8-2aは、禁止指令生成部7で生成される指令を示すタイミングチャートである。図8-2aでは、時刻t1までは許可指令が生成され、時刻t1以降は禁止指令が生成されていることを示している。禁止指令生成部7は、生成した許可/禁止指令を同期回路8に送信する。同期回路8は、吐出指令生成部6から送信された吐出指令と、禁止指令生成部7から送信された許可/禁止指令とを同期させて、吐出制御部9に送信する。吐出制御部9は、同期回路8から送信された吐出指令と許可/禁止指令とに基づいて、吐出部163に電圧を印加させる電圧印加信号を生成し、生成した電圧信号にしたがってピエゾ素子163cに電圧を印加させる。吐出制御部9は、吐出指令と許可/禁止指令とを合成して電圧信号を生成する。図8-2bに示す吐出指令と、図8-2aに示す許可/禁止指令とを合成して生成された電圧信号を図8-2cに示す。ここで、吐出制御部9は、許可指令が生成されている間時刻t1までは吐出指令を優先し、禁止指令が生成されている間時刻t1以降は禁止指令を優先して電圧信号を生成する。このように生成された電圧信号によれば、図8cに示すように、吐出先にウェハ100の有る時刻t1までは、吐出指令にしたがった電圧信号によりピエゾ素子163cに電圧が印加される。すなわち、時刻t1までは、ドロップレシピにしたがったレジスト材料101の塗布が行われる。そして、吐出先にウェハ100が無くなる時刻t1以降は、禁止指令が優先されるため、電圧信号はオフとなり、ウェハ100の外側にはレジスト材料101が塗布されない。図9は、上述したインプリント装置1による半導体基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。まず、ドロップレシピに基づいて吐出指令を生成するステップS1。次に、レジスト材料101の吐出先にウェハ100が有るか否かを判別しステップS2、ウェハ100が有る場合にはステップS3,Yes、許可指令を生成しステップS4、ウェハ100が無い場合にはステップS3,No、禁止指令を生成するステップS5。そして、許可指令が生成されている場合にはステップS6,Yes、吐出指令を優先して電圧信号を生成しステップS7、禁止指令が生成されている場合にはステップS6,No、禁止指令を優先して電圧信号を生成してステップS8、吐出部163にレジスト材料101を吐出させるステップS9。そして、ウェハ100に塗布されたレジスト材料101にテンプレート102をプレスしステップS10、UV光を照射してレジスト材料101を硬化させるステップS11。その後、テンプレート102を離型しステップS12、硬化したレジスト材料101をマスクとしたエッチングなどを行うことでステップS13、半導体基板が製造される。以上説明したように、禁止指令を優先して合成された電圧信号に基づいて、レジスト材料101の吐出を制御することで、ウェハ100の端部の外側にレジスト材料101が塗布されるのを防ぐことができる。これにより、ウェハ100からはみ出したレジスト材料101によるダストの発生や、インプリント装置1の故障を抑えることができる。なお、ウェハ100からのレジスト材料101のはみ出しを抑えるために、例えばインプリント位置B~Mにはレジスト材料101を塗布しないという手法も考えられる。しかしながら、レジスト材料101の塗布領域が減ることで、1枚のウェハ100から得られる半導体チップの枚数が減ってしまう。また、ウェハ100は、後の工程で、その表面が研磨される場合がある。例えば、ステップS13のエッチング後に、レジスト材料が除去されたウェハ100の表面に酸化膜が形成される。酸化膜の表面には、エッチングによってウェハ100の表面に形成された凹凸の影響で凹凸が形成される。そこで、酸化膜の表面を研磨CMPChemicalMechanicalpolishingして、表面の平滑化を図る場合がある。この際、インプリント位置B~Mにレジスト材料101を塗布しない場合には、インプリント位置B~Mではインプリント位置Aと異なるエッチングがなされることで、表面の凹凸に違いが生じる。これにより、インプリント位置B~Mを含むウェハ100の周囲領域に形成される酸化膜の凹凸と、ウェハ100の中央領域に形成される酸化膜の凹凸とが異なることとなる。この場合、ウェハ100の周囲領域を研磨する場合と中央領域を研磨する場合とで、酸化膜が研磨定盤図示せずに接触する面積が異なることで、研磨速度などに違いが生じる。そのため、ウェハ100酸化膜の加工精度に影響が出てしまう場合がある。一方、本実施の形態では、ウェハ100からのはみ出しを抑えつつ、インプリント位置B~Mにレジスト材料101を塗布することができるので、レジスト材料101の塗布領域をウェハ100の端部に近づけることができる。これにより、研磨位置の違いによる加工精度への影響を抑えることができる。また、インプリント位置B~Mにもドロップレシピを用いたレジスト材料101の塗布を行うことができるので、インプリント位置Aでのレジスト材料101の塗布密度と、インプリント位置B~Mでのレジスト材料101の塗布密度とを略等しくすることができる。したがって、研磨位置の違いによる加工精度への影響をより一層抑えることができる。また、吐出部163を移動させながら、レジスト材料101の吐出先にウェハ100が有るか否かをCCDラインセンサ181によってinsituで判別して、レジスト材料101を実際に吐出させるか否かを決めているので、ウェハ100の位置を検出する手段を別途設けなくても、レジスト材料101のはみ出しを抑えた塗布を行うことができる。これにより、コストの抑制を図ることができる。また、レジスト材料101の塗布領域をウェハ100の端部になるべく近づけようとすると、図5に示すように、インプリント位置B~Mのような多数の欠けショット領域が発生する。本実施の形態では、吐出指令によりレジスト材料101の吐出が指示されている場合であっても、ウェハ100が吐出先に無いと判別されている場合には、禁止指令によってレジスト材料101の吐出が強制的に禁止される。したがって、インプリント位置Aのように欠けショットとならない領域に対応するドロップレシピをそのまま用いてインプリント位置B~Mにレジスト材料101を塗布することができる。そのため、わざわざインプリント位置B~Mに対応するドロップレシピをレシピ記憶部5に記憶させておく必要がなくなる。したがって、レシピ記憶部5に記憶するドロップレシピの数を抑えることができる。一般的に、ドロップレシピは大きなデータ容量になりやすいため、多くのドロップレシピを記憶するには、大容量の記憶装置が必要となり、コストの増大を招くこととなる。一方、本実施の形態では、レシピ記憶部5に記憶するドロップレシピの数を抑えることができるので、このようなコストの増大を抑えることができる。また、ドロップレシピには、レジスト材料101の塗布量分布を最適化する過程で、数多くの修正が行われる。修正のたびにインプリント位置B~Mに対応するドロップレシピも修正することになれば、その分の手間もコストも増大することになる。一方、本実施の形態では、インプリント位置Aに対応するドロップレシピのみ修正すればよいので、ドロップレシピの修正の手間を抑えることができ、コストの増大を抑えることができる。また、吐出部163に設けられた吐出口163aと、CCDラインセンサ181の検出位置とが1対1に対応しているので、CCDラインセンサ181の各検出位置による検出信号を、その検出位置に対応する吐出口163aに対する許可指令や禁止指令としてそのまま用いることができ、制御の簡素化を図ることができる。なお、本実施の形態では、図4に示すように吐出部163の一方側にのみCCDラインセンサ181を設けたが、吐出部163の両側にCCDラインセンサ181を設けても構わない。この場合、吐出部163の進行方向に合わせて、使用するCCDラインセンサ181を切替えるように構成することで、吐出口163aとCCDラインセンサ181の検出位置とを1対1で対応させるように構成すればよい。また、CCDラインセンサ181は、現に吐出部163から吐出されるレジスト材料101の吐出先よりも、吐出部163の進行方向に進んだ位置でウェハ100の有無を判別するように構成してもよい。この場合、同期回路8で吐出信号を遅延させたりすることで、ウェハ100の端部から一定の領域にはレジスト材料101が塗布されないようにすることもできる。この場合には、吐出部163の進行方向に合わせて使用するCCDラインセンサ181を切替えることができるように、吐出部163の両側にCCDラインセンサ181を配置することが好ましい。第2の実施の形態図10は、第2の実施の形態にかかるインプリント装置が備えるインプリント制御部13の概略構成を示すブロック図である。なお、上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。本実施の形態では、インプリント制御部13が、形状記憶部14と、ウェハ位置検出部基板位置検出部15と、吐出位置検出部16と、端部算出部17を備える。形状記憶部14は、ウェハ100の形状を示す形状情報を記憶している。ウェハ位置検出部15は、インプリント部2におけるウェハステージ166の位置を検出することで、ウェハ100の位置を検出する図2も参照。吐出位置検出部16は、インプリント部2における吐出部163の位置を検出する。ウェハ位置検出部15、吐出位置検出部16は、例えばポテンショメータである。端部算出部17は、ウェハ位置検出部15によるウェハ100の位置の検出結果と、形状記憶部14に記憶された形状情報とから、ウェハ100の端部の位置を算出する。一般的に、1ショット領域へのレジスト材料101の塗布中は、ウェハ100は停止している。また、ウェハ100の形状もレジスト材料101の塗布中に変化することはない。したがって、ウェハ100の端部の位置を算出することは比較的容易である。そして、端部算出部17は、吐出位置検出部16による吐出部163の位置の検出結果と、算出したウェハ100の端部の位置とから、吐出部163からのレジスト材料101の吐出先にウェハ100が有るか否かを判別する。そして、端部算出部17は、判別結果を禁止指令生成部7に送信する。判別結果に基づく禁止指令の生成などは、上記実施の形態と同様であるので、詳細な説明を省略する。このように、ウェハ100の位置や形状に基づいてウェハ100の端部の位置を算出し、レジスト材料101の吐出先にウェハ100が有るか否かを判別することで、ウェハ100の端部の外側にレジスト材料101が塗布されるのを防ぐことができる。これにより、はみ出したレジスト材料101によるダストの発生や、インプリント装置1の故障を抑えることができる。第3の実施の形態次に、第3の実施の形態にかかるインプリント装置について説明する。第3の実施の形態にかかるインプリント装置は、図10に示す構成と略同様のインプリント制御部13を有する。第3の実施の形態では、第2の実施の形態と同様にウェハ100の形状を示す形状情報を形状記憶部14に記憶しておく。そして、端部算出部17が、ウェハ100の形状情報に基づいて、予めウェハ100の端部の位置を算出する。そして、算出された端部の位置に基づいて、禁止指令生成部7は、レジスト材料101の吐出先にウェハが有るか否かを判別し、禁止指令を生成することとなる吐出部163の位置を示す禁止領域区画情報を予め作成し、例えばレシピ記憶部5に記憶させる。禁止領域区画情報は、インプリント位置の全域や、ウェハ100の全域に対応させて予め作成することができる。図11は、1ショット分の禁止領域区画情報の例を示す図である。図11では、インプリント位置Mに対応する禁止領域区画情報を例示している。図11に示すようにウェハ100の端部よりも内側となる領域は許可指令が生成される許可領域103とされ、ウェハ100の端部よりも外側となる領域は禁止指令が生成される禁止領域104とされる。禁止指令生成部7は、吐出位置検出部16による検出結果と、禁止領域区画情報とに基づいて、吐出部163からのレジスト材料101の吐出先が、許可領域103と禁止領域104のいずれの領域であるかを判別し、許可/禁止指令を生成する。以上説明したように、本実施の形態3では、禁止領域区画情報を予め作成することで、ウェハ100からのはみ出しを抑えたレジスト材料101の塗布が可能となる。これにより、ドロップレシピを欠けショット領域ごとに用意する必要がなくなるため、コストの抑制を図ることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"