"被めっき体に無電解めっきをする工程よりも前に被めっき体に対して行う前処理方法であって、アルミニウムの塩又は化合物を含む水溶液で被めっき体を一次処理した後、有機ケイ素化合物を含む水溶液で該被めっき体を二次処理することを特徴とする無電解めっきの前処理方法。前記アルミニウムの塩又は化合物が、アルミニウムの塩である請求項1に記載の無電解めっきの前処理方法。前記有機ケイ素化合物が、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-2-アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-3-トリエトキシシリルプロピル-4,5-ジヒドロイミダゾール、3-ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、2-[メトキシポリエチレンオキシプロピル]トリメトキシシランおよび高分子ケイ素化合物からなる群から選択される1種又は2種以上の化合物である請求項1又は2に記載の無電解めっきの前処理方法。前記被めっき体が、銅、銀、金、亜鉛、ニッケル、スズ、コバルト、クロム、ステンレス、セラミックスおよび合成樹脂からなる群から選択される1種又は2種以上である請求項1~3のいずれか1項に記載の無電解めっきの前処理方法。しかしながら、上記の特許文献1~4に記載されている前処理方法は、いずれも、処理が困難な酸性化合物を必要としたり、これらの前処理を行ってもめっき膜が所望する密着強度に至らず不十分な場合があり、更なる改良が求められている。従って、本発明の目的は、被めっき体に前処理することで、無電解めっきを行った場合に、金属めっきと被めっき体とが良好な密着性を発揮する、簡易で、環境負荷が少なく、環境保護の点からも有用な無電解めっきの前処理方法を提供することにある。そこで、本発明者等は上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、被めっき体に無電解めっきをする工程よりも前に被めっき体に対して行う前処理方法であって、アルミニウムの塩又は化合物を含む水溶液で被めっき体を一次処理した後、有機ケイ素化合物を含む水溶液で該被めっき体を二次処理することを特徴とする無電解めっきの前処理方法を提供する。本発明によれば、被めっき体に前処理することで、無電解めっきを行った場合に、金属めっきと被めっき体とが良好な密着性を発揮する、簡易で、環境負荷が少なく、環境保護の点からも有用な無電解めっきの前処理方法の提供が可能になる。本発明の好ましい形態を挙げて本発明を詳細に説明する。本発明は、被めっき体に無電解めっきをする工程よりも前に被めっき体に対して行う、無電解めっきの前処理方法に関するが、本発明では、被めっき体を一次処理した後、さらに、該被めっき体を二次処理することを特徴とする。以下、これらの処理について具体的に説明する。まず、一次処理では、アルミニウムの塩又は化合物を含む水溶液で被めっき体を処理するが、その具体的な方法としては、例えば、下記のようにして、被めっき体にアルミニウムの塩又は化合物を含む水溶液を接触させることで行うことができる。まず、アルミニウムの塩又は化合物を含む水溶液を調製する。前処理は、調製した水溶液を、ハケ塗り、ローラー塗り或いはスプレー等の方法によって被めっき体に直接塗布する方法によって行ってもよいし、調製した水溶液中に、被めっき体を浸漬させる方法によって行ってもよい。操作が簡便で工程時間が短いため、調製した水溶液中に被めっき体を浸漬させる方法が好ましい。被めっき体にアルミニウムの塩又は化合物を含む水溶液を浸漬させる場合の、温度及び浸漬時間は特に限定されないが、例えば、5~60°Cの温度で行うことが好ましく、浸漬時間は、1秒~5分とすることが好ましい。浸漬時間は、10秒~5分とすることがより好ましく、10秒~3分とすることが更に好ましい。上記の水溶液は、浸漬させる場合又は塗布する場合に関わらず、他の水溶性の有機溶媒等を添加してもよい。いずれの場合も水溶液中のアルミニウムの塩または化合物の濃度が、0.01質量~3質量になるように調製することが好ましい。また、上記したようにして行う一次処理後に、被めっき体を水洗してもよい。本発明の方法で前処理を施す被めっき体としては特に制限はなく、金属やセラミックスや合成樹脂等に広く適用できる。例えば、被めっき体として、銅、銀、金、亜鉛、ニッケル、スズ、コバルト、クロム等の金属、又はステンレス等のこれらの金属の合金、ポリシロキサンポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン-1、エチレン-酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリスチレン、アクリロニトリルブタジエンスチレン、ポリカーボネート、ポリヘキサメチレンアジパミド、ノルボルネン樹脂、ニトロセルロース、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アクリロニトリルブタジエンゴム、シリコーンゴム等の合成樹脂、ガラス、シリカ、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ヒドロキシアパタイト、蛍石、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、フェライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、コーディエライト、サイアロン、マシナブルセラミックス等のセラミックスが挙げられる。これらは1種又は2種以上が選択される。特に、無電解めっき後の、被めっき体とめっき層との密着性の改善効果が高いため、被めっき体としては、銅、銀、金、亜鉛、ニッケル、スズ、コバルト、クロム、ステンレス、セラミックス、合成樹脂が好ましく、銅、アルミ、ステンレス、ガラスがより好ましく、ガラスが更に好ましい。2種以上併用する場合は、合成樹脂を上記の好ましい条件で使用できる被めっき体と少なくとも一つ組み合わせて使用することが好ましい。なお、被めっき体は粗面化処理されていても、粗面化処理されていなくてもよい。本発明で用いるアルミニウムの塩又は化合物としては、例えば、アルミニウムの塩、有機酸から生成する有機アルミニウム、アルコールから生成する有機アルミニウム等が挙げられる。アルミニウムの塩としては、例えば、硫酸アルミニウム、硝酸アンモニウムアルミニウム、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ化アルミニウム、フッ化アルミニウム、硫酸アルミニウムカリウム、アルミナゾル、擬ベーマイト等のアルミナ水和物、クロルヒドロキシアルミニウム、水酸化アルミニウム、第一りん酸アルミニウム、第二りん酸アルミニウム、第三りん酸アルミニウム、上記のアルミニウム塩の水和物等が挙げられる。また、上記のアルミニウムの塩はポリ塩化アルミニウム[Al2nCl6n]、ポリ水酸化アルミニウム[Al3nAlCl3n’’は一般的には1~50程度等のように重合性のアルミニウム塩であってもよい。有機酸から生成する有機アルミニウムは、分子内にカルボン酸構造を有するアルミニウムであり、例えば、式Al3で示されるトリソープ、Al2で示されるジソープ、Al23基から脱R3OHし、分子間で重合することで本発明で用いる高分子型有機ケイ素化合物が得られる。以下に、上記した方法1における反応の概要を示す。<方法2>方法2では、A成分と、B成分のテトラカルボン酸の二無水物をモル比2:1で反応させて中間体Tとするが、A成分とB成分のモル比2:1での反応は、B成分の酸無水物部位とA成分のアミン部位が反応し、中間体Tとなる。一般式3のR4がイソシアネート基である化合物[C成分]と、該中間体Tとが反応した場合、中間体Tの-COOHの部位と、C成分のイソシアネートの部位が反応し、二酸化炭素の放出を伴ってアミド結合が形成され、中間体T2が得られる。この中間体T2は、中間体Tの構造によって位置異性体となる。そして、下記に示したように、得られたT2の-SiOR33基から脱R3OHし、分子間で重合することで本発明で用いる高分子型有機ケイ素化合物が得られる。以下に、上記した反応の概要を示す。<方法3>方法3では、A成分と、B成分のテトラカルボン酸の一無水物をモル比1:1で反応させて中間体Uとするが、A成分とB成分のモル比1:1での反応は、B成分の酸無水物部位とA成分のアミン部位が反応し、中間体Uとなる。一般式3中のR4がイソシアネート基である化合物[C成分]と、該中間体Uとが反応した場合、中間体Uのカルボン酸の部位と、C成分のイソシアネートの部位が反応し、アミド結合が形成され、中間体U2が得られる。なお、中間体Uに反応部位が複数ある場合には、中間体U2は、異性体の混合物として得られる。また、該中間体U2は、中間体Uの構造により位置異性体となる。そして、下記に示したように、得られた中間体U2の-SiOR33基から脱R3OHし、分子間で重合することで本発明で用いる有機ケイ素化合物が得られる。以下に反応の概要を示す。本発明の前処理方法において被めっき体を前処理した後にめっきに使用する無電解めっき液は、公知のものを使用することが可能であり、めっき液に使用できる金属は特に限定されない。例えば、銅、銀、金、亜鉛、ニッケル、スズ、コバルト、クロム、パラジウム、タングステン、白金、ロジウム、ルテニウム等が挙げられ、これらは2種以上を併用してもよい。本発明の無電解めっきの前処理方法を使用して製造される、めっきが施された製品は、特に限定されないが、例えば、自動車工業材料ヒートシンク、キャブレータ部品、燃料注入器、シリンダー、各種弁、エンジン内部等、電子工業材料接点、回路、半導体パッケージ、プリント基板、薄膜抵抗体、コンデンサー、ハードディスク、磁性体、リードフレーム、ナット、マグネット、抵抗体、ステム、コンピューター部品、電子部品、レーザー発振素子、光メモリ素子、光ファイバー、フィルター、サーミスタ、発熱体、高温用発熱体、バリスタ、磁気ヘッド、各種センサーガス、温度、湿度、光、速度等、MEMS等、精密機器複写機部品、光学機器部品、時計部品等、航空船舶材料水圧系機器、スクリュー、エンジン、タービン等、化学工業材料ボール、ゲート、プラグ、チェック等、各種金型、工作機械部品、真空機器部品等、広範なものが挙げられる。本発明の無電解めっきの前処理方法は、特に無電解めっきと被めっき体との密着性が求められる電子工業材料に使用することが好ましく、中でも、半導体パッケージ、プリント基板の製造においてめっき処理を施す際に適用することがより好ましく、半導体パッケージの製造に使用することが更に好ましい。無電解めっきを使用した半導体製造におけるビルドアップ法は、通常は、めっきスルーホール法によって作られたコア層の上に、絶縁層と導体層を交互に積み上げ、多層配電層を形成し、ビルドアップ基板を形成する方法であり、従来の張り合わせ型のプリント基板と比較し、微細な配線パターンを高密度に収容できる点で特徴がある。ビルドアップ基板の製造方法は特に限定されないが、例えば、まずソフトエッチングした被めっき体基板に対して、粗化を目的としてクロム酸-硫酸水溶液等でエッチング処理を行った後、被めっき体と堆積層の密着性を向上させる目的で、先に説明したような有機ケイ素化合物を用いたカップリング剤を含有する水溶液に、被めっき体を浸漬させる。その後、プレデッィプとしてパラジウム化合物等の金属化合物を含有する水溶液を用いて触媒を付与する。その後、無電解めっきを行い、引き続いて電解めっきを行う方法がよく知られている。本発明では上記工程において、カップリング剤を含有する水溶液を浸漬させる工程の前にアルミニウムの塩または化合物に被めっき体を浸漬させることに特徴がある。以下、実施例等を示して本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例等により限定されるものではない。尚、以下の実施例等においては特に記載が無い限り質量基準である。本発明のアルミニウム化合物Al成分及び有機ケイ素化合物Si成分は下記の化合物を使用した。Al成分Al-1:硫酸アルミニウム14-18水和物Al-2:硫酸アルミニウムカリウム12水和物Al-3:塩化アルミニウム6水和物Al-4:高塩基性塩化アルミニウム多木化学株社製、タンホワイトAl-5:ポリ塩化アルミニウムAl-6:塩基性乳酸アルミニウム多木化学株社製、タキセラムM-160PAl-7:第一りん酸アルミニウムSi成分Si-1:3-アミノプロピルトリメトキシシランSi-2:3-2-アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシランSi-3:N-3-トリエトキシシリルプロピル-4,5-ジヒドロイミダゾールSi-4:2-[メトキシポリエチレンオキシプロピル]トリメトキシシランSi-5:下記の製造法1により製造された化合物b1Si-6:下記の製造例2により製造された化合物b2[製造例1]NMP51.17gに、メソ-ブタン1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物5.94g、0.03molを45°Cで溶かした。これを25°Cに冷却し、同温で1-3-アミノプロピルイミダゾール3.76g、0.03mol/NMP3.76g溶液を5分掛けて滴下した。滴下終了後、25°Cで30分間撹拌した。さらに20°Cで、3-アミノプロピルトリメトキシシラン5.38g、0.03mol/NMP5.38g溶液を5分掛けて滴下した。滴下終了後、25°Cで30分間撹拌する。ガスクロマトグラフィー以下、GCと略記で3-アミノプロピルトリメトキシシランの消失を確認して反応を終了し、化合物b1分子量:14,464を得た。なお、製造した化合物b1の分子量測定は、下記の条件で測定した。Shodex社製、GPC-101、カラム:ShodexGPCKD-806M、分子量マーカー:標準ポリスチレン0.2g/L[製造例2]NMP57.86gに、無水コハク酸12.01g、0.12molを室温で溶かした。水浴で冷却しながら、3-アミノプロピルトリエトキシシラン26.56g、0.12molを5分掛けて滴下した。滴下終了後、そのまま1時間撹拌し、目的の下記の構造の有機ケイ素化合物b2を得た。評価基板被めっき体には、下記のC-1~C-4の、それぞれ材質と表面性状が異なる、形状が90mm×50mm×0.4mmのものを使用した。C-1:銅張積層板の銅箔をエッチング除去した評価基板、日立化成工業株社製、ICパッケージ用基板、MCL-E-679FG表面粗さRa=0.4μmC-2:表1に記載のガラス粗化剤にソーダ石灰ガラスを室温下、25°C、10分浸漬し表面を粗化し、表面粗さRa=0.6μmの表面を得たソーダ石灰ガラスC-3:表2記載のステンレス粗化剤に、SUS304を、30°Cで3分浸漬し表面を粗化し、粗度Ra=0.2μmの表面を得たステンレスC-4:アクリロニトリルブタジエンスチレン共重合体無電解めっきの前処理方法無電解めっきの前処理は、製造法2-1又は比較製造法2-1により行った。[製造法2-1]まず、Al成分としてAl-1~Al-7を、それぞれAl2O3換算濃度で1質量となる量で含む水溶液500mLを調製した。一次処理として、上記で調製した各水溶液中に、基板C-1~C-4を、それぞれ21°Cで5分間浸漬した。浸漬後、水洗25°C、1分を行った。次いで、Si成分として1質量となる量のSi-1~Si-6を含む水溶液500mLを調製し、二次処理として、一次処理後の各基板を、調製した各水溶液中に、40°C、5分間浸漬した。浸漬後、水洗25°C、1分を行った。その後、プレディップ25°C、1分、活性化35°C、5分、水洗25°C、1分、還元30°C、5分、水洗25°C、1分の順に行い、無電解めっきの前処理を行った。[比較製造法2-1]一次処理は行わず二次処理のみを行う製造例2-1で行ったAl成分による一次処理を行わず、基板C-1~C-4を、製造例2-1で使用したと同様のSi-1~Si-6を含む水溶液500mL中に、40°C、5分間浸漬した。浸漬後、水洗25°C、1分を行った。その後、プレディップ25°C、1分、活性化35°C、5分、水洗25°C、1分、還元30°C、5分、水洗25°C、1分の順に行い、無電解めっきの前処理を行った。無電解めっき方法次に、下記の製造法3-1~製造法3-3に従い、製造法2-1で、本発明で規定する方法により無電解めっきの前処理を行った基板と、比較製造法2-1で、それ以外の方法で前処理を行った基板のそれぞれに対して、無電解めっき、電解めっきを順に行った。[製造法3-1]市販の無電解銅めっき溶液アトテック社製、製品名:MSK-DKを使用し、めっき浴を32°Cに調節し、上記製造法2-1又は比較製造法2-1により前処理した基板をそれぞれ浸漬し、空気撹拌下、20分間撹拌し、無電解めっきした。その際のめっき厚は1μmである。これを水洗25°C、1分した後、恒温槽内で、150°C、30分乾燥し、10硫酸に1分間浸漬した。そして、この無電解銅めっき上に、電解銅めっきを20μm形成し、水洗25°C、1分した後、恒温槽内で、180°Cで30分乾燥して、めっき物を得た。[製造法3-2]表3に記載の成分が含有されている無電解ニッケル浴を調製し、浴の温度を60°Cに調節して、上記製造法2-1又は比較製造法2-1によってそれぞれの前処理をした基板を浸漬し、空気撹拌下、15分間撹拌し、無電解めっきした。その際のめっき厚は2.0μmである。これを水洗25°C、1分した後、恒温槽内で、180°C、30分乾燥し、10硫酸に1分間浸漬した。そして、この無電解ニッケルめっき上に、電解銅めっきを20μm形成し、水洗25°C、1分後、恒温槽内で、180°C、30分乾燥して、めっき物を得た。[製造法3-3]表4に記載の成分が含有されている無電解銀浴を調製し、浴の温度を25°Cに調節し、上記製造法2-1又は比較製造法2-1によってそれぞれの前処理をした基板を浸漬し、浴を撹拌しながら10グルコース水溶液を7分掛けて滴下した。滴下終了後、30分間撹拌し、無電解めっきした。その際のめっき厚は0.5μmである。これを、水洗25°C、1分した後、恒温槽内で、180°C、30分乾燥し、10硫酸に1分間浸漬した。そして、この無電解銀めっき上に、電解銅めっきを20μm形成し、水洗25°C、1分した後、恒温槽内で、180°C、30分間乾燥して、めっき物を得た。[実施例4-1~4-16及び比較例4-1~4-14]上記した製造例3-1~製造例3-3の各製造法によりめっきを施した基板について、ピール強度を下記の条件で測定し、結果を表5にまとめて示した。なお、ピール強度の数値が高いほど、電解めっき後の被めっき体評価基板とめっき膜が剥離しにくく、密着度が高いことが分かる。測定装置:島津製作所社製、卓上試験機EZ-S使用ピール速度:50mm/min試料サイズ:5mm幅"