"超疎油性表面を形成する方法において、ガラス表面を有するレーザアブレーション可能な基体を提供する工程、低表面エネルギーコーティングで被覆されたときに、前記基体の基体表面を超疎油性にする凹角の微小規模とナノ規模の特徴構造を有する不規則な粗面を側壁に形成するのに十分なエネルギーを有するレーザビームを前記基体表面に向け、該基体表面の少なくとも一部分をレーザアブレーションして、側壁を有する間隔の空いたマイクロピラーのアレイを形成する工程、および前記基体表面を前記低表面エネルギーコーティングで被覆する工程、を有してなる方法。前記レーザアブレーション中に前記基体表面のレーザアブレーションされた部分から破片を生成する工程、および前記破片を前記マイクロピラーの側壁に堆積させ付着させる工程、をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の方法。走査ミラーおよびFθレンズにより、前記レーザパルスを前記基体表面に向ける工程をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の方法。超疎油性基体において、表面を有するガラス基体、レーザアブレーションの結果として、前記表面が低表面エネルギーコーティングで被覆されたときに、該表面を超疎油性にする凹角の微小規模とナノ規模の特徴構造を有する不規則な粗面を有する側壁を備えた、前記表面に形成された間隔の空いたマイクロピラーのアレイを含むレーザアブレーションされた基体部分、および前記表面上の低表面エネルギーコーティング、を含む超疎油性基体。前記不規則な粗面が、前記側壁上に堆積され付着したレーザアブレーション破片を含むことを特徴とする請求項4記載の超疎油性基体。基体表面を超疎油性基体表面に転化させる方法において、基体表面を有する、ガラスから形成された基体を提供する工程、前記基体表面の少なくとも一部分をレーザアブレーションするパターンであって、低表面エネルギーコーティングで被覆されたときに該基体表面を超疎油性にするマイクロピラーの理想的なアレイに対応するパターンを選択する工程、選択された前記パターンにしたがって前記基体表面をレーザアブレーションして、側壁を有するマイクロピラーの実際のアレイを形成しながら、前記レーザアブレーションされた基体部分から破片を生成する工程、前記破片をマイクロピラーに堆積させ付着させて、低表面エネルギーコーティングで被覆されたときに前記基体表面を超疎油性にする凹角の微小規模とナノ規模の特徴構造を有する不規則な粗面を持つ側壁を有するマイクロピラーの実際のアレイを形成する工程、および前記基体表面を前記低表面エネルギーコーティングで被覆する工程、を有してなる方法。前記基体表面が、75°≦θCO≦180°となるような、油滴に関する、油の接触角θCOを画成することを特徴とする請求項6記載の方法。特別な部類の疎水性基体に、水の接触角θCW>150°である超疎水性基体がある。同様に、特別な部類の疎油性基体に、油の接触角θCO>150°である超疎油性基体がある。油と有機液体の表面張力が比較的低いので、超疎油性基体を形成することが難しいことが実証されてきた。このために、液体は、ほとんどのタイプの粗面または微小構造基体の表面の空間に侵入する。残念ながら、基体を超疎油性にする特別な基体表面特徴構造を特定し、形成することは、時間と費用のかかる試みである。本開示の態様は、超疎油性表面を形成する方法である。この方法は、表面を有するレーザアブレーション可能な基体であって、ガラスからなる基体を提供する工程を含む。この方法は、レーザビームを基体表面に向け、その基体表面の少なくとも一部分をレーザアブレーションして、側壁を有する間隔の空いたマイクロピラーのアレイを形成する工程であって、低表面エネルギーコーティングで被覆されたときに、基体表面を超疎油性にする凹角の微小規模とナノ規模の特徴構造を有する不規則な粗面を側壁に形成するのに十分なエネルギーを、そのレーザビームに与えることを含む工程も含む。この方法はさらに、基体表面を低表面エネルギーコーティングで被覆する工程を含む。本開示の別の態様は、レーザアブレーション中に基体表面のレーザアブレーションされた部分から破片を生成し、その破片をマイクロピラーの側壁に堆積させ付着させる各工程をさらに含む、上述した方法を含む。本開示の別の態様は、基体表面にレーザ光線のパルスを照射することによって、レーザアブレーションを行う工程をさらに含む、上述した1つ以上の方法を含む。本開示の別の態様は、走査ミラーおよびFθレンズにより、レーザパルスを基体表面に向ける工程をさらに含む、上述した1つ以上の方法を含む。本開示の別の態様は、レーザビームを移動させる工程および基体を移動させる工程の少なくとも一方を含む、上述した1つ以上の方法を含む。本開示の別の態様は、マイクロピラーが円柱状ではない、上述した1つ以上の方法を含む。本開示の別の態様は、超疎油性基体表面が、a115°≦θCW≦180°となるような、水滴に関する水の接触角θCW、およびb75°≦θCO≦180°となるような、油滴に関する、油の接触角θCO、の少なくとも一方を画成する、上述した1つ以上の方法を含む。本開示の別の態様は、マイクロピラーが突出部を持たない、上述した1つ以上の方法を含む。本開示の別の態様は、基体表面の一部分を、その基体表面の一部分にX-Y格子の溝を形成するパターンでレーザアブレーションする工程をさらに含む、上述した1つ以上の方法を含む。本開示の別の態様は、基体表面を超疎油性基体表面に転化させる方法である。この方法は、基体表面を有する、ガラスから形成された基体を提供する工程を含む。この方法は、基体表面の少なくとも一部分をレーザアブレーションするパターンであって、低表面エネルギーコーティングで被覆されたときに基体表面を超疎油性にするマイクロピラーのアレイに対応するパターンを選択する工程も含む。この方法は加えて、前記選択されたパターンにしたがって基体表面をレーザアブレーションして、側壁を有するマイクロピラーの実際のアレイを形成しながら、レーザアブレーションされた基体部分から破片を生成する工程を含む。この方法は、前記破片をマイクロピラーに堆積させ付着させて、低表面エネルギーコーティングで被覆されたときに基体表面を超疎油性にする凹角の微小規模とナノ規模の特徴構造を有する不規則な粗面を持つ側壁を有するマイクロピラーの実際のアレイを形成する工程をさらに含む。この方法は、基体表面を低表面エネルギーコーティングで被覆する工程も含む。本開示の別の態様は、基体表面が、75°≦θCO≦180°となるような、油滴に関する、油の接触角θCOを画成する、上述した表面転化方法を含む。本開示の別の態様は、基体表面にレーザ光線のパルスを照射することによって、レーザアブレーションを行う工程をさらに含む、上述した1つ以上の表面転化方法を含む。本開示の別の態様は、a走査ミラーおよびFθレンズにより、レーザパルスを基体表面に亘り走査する工程、およびb基体を移動させる工程、の少なくとも一方をさらに含む、上述した1つ以上の表面転化方法を含む。本開示の別の態様は、低表面エネルギーコーティングが、フルオロポリマーおよびフルオロシランの少なくとも一方を含む、上述した1つ以上の表面転化方法を含む。本開示の別の態様は、超疎油性基体表面が、115°≦θCW≦180°となるような、水の接触角θCWを画成する、上述した1つ以上の表面転化方法を含む。本開示の別の態様は、表面を有し、ガラスからなる超疎油性基体である。超疎油性基体は、表面に形成された、側壁を有する間隔の空いたマイクロピラーのアレイを含むレーザアブレーションされた基体部分を含む。この側壁は、レーザアブレーションの結果として、基体表面が低表面エネルギーコーティングで被覆されたときに、基体表面を超疎油性にする凹角の微小規模とナノ規模の特徴構造を有する不規則な粗面を有する。超疎油性基体は、基体表面上の低表面エネルギーコーティングも含む。本開示の別の態様は、不規則な粗面が、側壁上に堆積され付着したレーザアブレーション破片を含む、上述した超疎油性基体である。本開示の別の態様は、超疎油性基体表面が、a115°≦θCW≦180°となるような、水滴に関する水の接触角θCW、およびb75°≦θCO≦170°となるような、油滴に関する、油の接触角θCO、の少なくとも一方を画成する、上述した超疎油性基体である。本開示の別の態様は、低表面エネルギーコーティングが、フルオロポリマーおよびフルオロシランの少なくとも一方を含む、上述した超疎油性基体である。本開示の別の態様は、凹角の微小規模とナノ規模の特徴構造が、マイクロピラーの側壁上の隆起部と側壁内のピットを含む、上述した超疎油性基体である。先の一般的な説明および以下の詳細な説明の両方とも、本開示の実施の形態を提示しており、特許請求の範囲に記載された本開示の性質と特徴を理解するための概要または骨子を提供することが意図されている。添付の図面は、本開示をさらに理解するために含まれており、本明細書に包含され、その一部を構成する。図面は、本開示の様々な実施の形態を示しており、その説明と共に、本開示の原理と動作を説明する働きをする。図面のいくつかにおいて、参考のために、デカルト座標が示されている。ここで、その実施例が添付図面に示されている本開示の実施の形態を詳しく参照する。可能な場合には、同じまたは同様に部分を称するために、同じまたは同様の参照番号が図面に亘り使用されている。以下の議論において、符号~は約を意味する。また、マイクロピラーという用語は、必ずしも、マイクロメートル規模を意味せず、むしろ、マイクロピラーが、液滴に対して非常に小さいものであり、ナノメートル規模、マイクロメートル規模、ミリメートル規模、およびそれらの組合せを有し得ることを示す。接触角図1は、液滴20が上に形成された滑らかな表面12を有する例示の基体10の拡大断面図である。液滴20は液体表面22を有する。液体20は、水または油などの有機物質であって差し支えない。液滴20は、基体の表面エネルギーおよび表面粗さに依存する表面12で接触角θを形成する。表面12は完全に滑らかである場合、接触角θは基体の表面エネルギーのみに依存し、静的接触角は、として三本線でのヤングの力のバランス条件により決定され、式中、θYは、ヤングの接触角、すなわち、完全に滑らかな平らな基体表面上の接触角であり、γSVは固体と蒸気の界面の表面エネルギーであり、γSLは液体と固体との間の界面エネルギーであり、γLVは、特定の気相の雰囲気中の液体の表面張力としても知られている、液体と蒸気の表面エネルギーである。式1から、完全に平らな表面12上で超非湿潤条件を生じるためには、γSVすなわち固体表面の表面エネルギーの非常に低い値が必要であるのが分かる。自然と合成の基体10の平らな表面12上で得られる水と油の最大接触角θCWとθCOは、それぞれ、θCW~120°およびθCO~70°から80°である。表面粗さが全くなく超疎水性である天然に生じるまたは合成により製造される材料はない。油の場合、その状況はさらにより難題である。何故ならば、表面粗さがない状態では、超疎油性はもちろんのこと、疎油性である天然に生じるまたは合成により製造される材料はないからである。表面粗さにより、基体の湿潤性および/または非湿潤性特徴を向上させられることが公知である。天然に生じる超疎水性表面の一例は、170°ほど大きい水の接触角θCWを有する蓮の葉である。この超疎水性は、界面化学および表面粗さの両方であるとされている。多くの超疎水性表面は、そのような天然に生じる表面から学んだ情報に基づいて製造されてきた。例示の人工的に粗くされた基体図2は、そうでなければ平らな表面12が、基体表面から突出したマイクロピラー32のアレイ30により人工的に粗くされた、例示の基体10の斜視図である。マイクロピラー32は、側壁33および一般に上側基体表面42を画成する上面34を有し、一方で、表面12は下側の滑らかな基体表面を構成する。それゆえ、基体10は、集合的に表面50と称される複合表面を有する。図2のマイクロピラー32は、正方形の断面形状および平らな上面34を有するものとして示されている。アレイ30は、3つの主要パラメータ:マイクロピラーの側面寸法a、ピラー間の間隔bそれにより、ピラー間の空間36が定義される、およびマイクロピラーの高さHにより定義される。これらのパラメータを調節することによって、基体の粗さ特徴を調節することができる。本開示で考えられるa、bおよびHの典型的な寸法は、一般に、ナノメートル規模からミリメートル規模である。一例として、aはおよそ1から500マイクロメートル程度であり得、bはおよそ1から50マイクロメートル程度であり得、Hはおよそ100nmから500マイクロメートル程度であり得る。一般に、マイクロピラー32は、液滴20が、マイクロピラーのアレイ30により示される表面粗さよりもずっと大きくなるように構成される。液滴20が図2に示された基体などの粗くされた基体10上に配置されたときに、2つの配置:ウェンゼル状態とカシーバクスター状態が想定できることが、観察され、理論的に予測されてきた。図3Aは、ウェンゼル状態の液滴20を示す基体10の拡大断面図であり、図3Bは、図3Aと類似であり、カシーバクスター状態にある液滴を示す。ウェンゼル状態において、液体20は、液滴の下にある下側基体表面12が湿るように、ピラー間の空間36に完全に侵入する。ウェンゼル状態の接触角θCWは、十分に確立されたウェンゼルモデル:により与えられ、式中、rWは、実際に濡れた区域と予測された平面区域との間の比として定義される粗さパラメータであり、したがって、1より常に大きい。このモデルの直接的な結果は、元の基体10が液体20に対して非湿潤性である場合、粗面50は、同じ液体に対してさらにより非湿潤性であることである。言い換えれば、平らな表面のヤングの接触角θYが90°より大きい場合、粗面の接触角は、ヤングの接触角θYよりもさらに大きい。それゆえ、超疎水性状態は、PTFEやDC2604などの本質的に疎水性である基体上に表面粗さを形成することによって形成することが可能である。しかしながら、このモデルの別の直接の結果は、元の基体10が液体20に対して湿潤性である場合、粗くされた表面50は、その液体に対してさらにより湿潤性であるすなわち、ヤングの接触角θY<90°である場合、粗面上の接触角はθYよりもさらに小さいということである。油の場合、非疎油性状態は、油滴20がウェンゼル状態にあると想定される限り、どの基板10にも形成することができない。これは、油に関して、ヤングの接触角θY>90°となる公知の材料がないからである。しかしながら、液滴20は、図3Bのカシーバクスター配置も想定し得る。この配置において、液滴20は、ピラー間の空間36に侵入せずに、上側基体表面42の上に乗っている。この配置状態は、液体-固体および液体-空気の複合界面が共存して、全体の界面形状を形成しているので、複合状態としても知られている。この場合、液体表面22の多くを空気中に浮遊させることができれば、非常に大きい接触角θを達成することができる。カシーバクスター状態における接触角θCBは:と表され、式中、fは固体-液体界面の画分であり、rfは湿った区域の粗さ因子である。式3と、物理的検討事項から、固体-液体区域の画分fの値が低いほど、接触角θCBは大きくなるのが観察される。f=0の極端な場合、その状況は空気中に浮遊した液滴に相当し、これはθ=180°の角度に相当し、f=1の他の極端な場合、その配置状態は、完全に湿ったウェンゼル状態に相当する。ヤングの接触角θY>90°である基体で始まるθCB>150°の超疎水性表面を形成するために、正方形の柱、円柱、円錐などからなるマイクロピラー32を備えたアレイ30と同種の単純な幾何学構造が形成されてきた。人工的に形成された超疎水性表面の実例が文献に存在するが、その実質的に全てが、フォトリソグラフィーおよび電気化学エッチングなどの骨の折れるほど複雑なおよび/または遅いプロセスによって製造された。疎油性基体を形成することが難しい基本的な理由は、油と他の有機液体の表面張力が非常に小さい~20-40ダイン/cm~0.02-0.04N/m。平らな表面上で油についてθY>90°である公知の材料は、天然も合成も存在しない。これは、完全に平らな表面の全てが親油性であることを意味する。したがって、最初に親水性である表面で始め、この表面を疎油性および/または超疎油性の基板に転換させることの他に選択肢がない。θY<90°である場合、規則的な幾何学的表面上のカシーバクスター状態図3Bは不安定であることが、理論的かつ実験的に示されてきた。そのような構造上での一般的な経験に基づく方法は:1θY>90°である場合水に関するものなど、カシーバクスター状態は、設計パラメータ図2のa、bおよびHなどのに応じて、準安定または安定のいずれかである;および2θY<90°である場合油に関するものなど、カシーバクスター状態は不安定である。油について、θY<90°である最高が~80°ので、図2および図3Bに示されたものなどの単純な粗面上でカシーバクスター状態を達成することは難しい。これは、油滴20がピラー間の空間36に侵入し、ウェンゼル状態に転移する自然な傾向があるからである。カシーバクスター状態からウェンゼル状態へのこの転移は、湿潤転移として知られている。上述したように、θY<90°である場合、ウェンゼル状態の接触角θWは、ヤングの接触角θYよりさらに小さくなる。したがって、これにより、超疎油性はともかく、疎油性の基体を粗面化により形成するという重大な挑戦が提起される。図4Aおよび図4Bは、それぞれ、図2に示されるように、正方形のマイクロピラー32のアレイ30により形成された粗面50に基づくウェンゼルWおよびカシーバクスターCBモデルによる比b/aに対して、計算した接触角θ度をプロットしている。図4Aは、最初のヤングの接触角θY=120°である水に対応するのに対し、図4Bは、最初のヤングの接触角θY=75°である油に対応する。これらの値は、DC2604の低表面エネルギーコーティングで被覆された基体に関するものである。図4Aおよび図4Bのプロットにおいて、実線は複合カシーバクスター状態に対応するのに対し、点線はウェンゼル状態に対応する。水の場合、液滴20がウェンゼル状態またはカシーバクスター状態にあるか否かに関係なく、粗さにより、接触角θが、最初のヤングの接触角θYを超えて増加する。このことが、接触角の全ての値が120°よりも大きい図4Aのプロットに見られる。このことは、ウェンゼル状態とカシーバクスター状態の両方で超疎水性状態を達成することが可能であることを示唆している。他方で、油の場合、最初のヤングの接触角θYより大きい接触角θを達成する唯一の方法は、油滴をカシーバクスター状態にすることである。ウェンゼル状態の接触角θWは、最初のヤングの接触角θYよりも常に小さく、非常に高いb/a比の制限でヤングの接触角にゆっくりと近づく。大きいb/aは平らな表面に類似している。図4Bのプロットから、超疎油性状態が生じるためには、b/a比が~2以上でなければならないのが分かる。任意のb/a比について、接触角θが小さい状態は、表面自由エネルギーが低い。水の場合、カシーバクスター状態は、この特別な実例において、~1.25未満のb/aについて、ウェンゼル状態よりも接触角θが小さい。したがって、カシーバクスター状態は、この体制においてウェンゼル状態よりも安定であり、ウェンゼル状態に転移しない、カシーバクスター状態の安定な超疎水性基体を形成することができる。他方で、油の場合、ウェンゼル状態の接触角θWは、カシーバクスター状態の接触角θCBよりも常にずっと小さい。したがって、カシーバクスター状態は、ウェンゼル状態よりもずっと高いエネルギー状態に常にある。このことは、カシーバクスター状態は、本質的に不安定であり、液体20には、ピラー間の空間36に侵入し、ウェンゼル状態に転移する自然の傾向があることを意味する。図5は、図3Aおよび3Bのものに類似の例示の基体10の拡大断面図であり、空気が占めると予測される、ピラー間の空間36中に深さhだけ液体20のメニスカス24が侵入したことを示している。カシーバクスター状態は、ゼロの侵入深さの場合、すなわち、h=0に相当する。しかしながら、h<Hである限り、hがゼロではない値についてさえも、複合状態が存在し得る。図6は、複合状態に関する正規化侵入深さh/Hに対して自由エネルギー左側の軸、点線をプロットし、油に関する正規化侵入深さの関数として対応する接触角θ右側の軸、実線をプロットしている。図6から分かるように、その系の自由エネルギーは、侵入深さhが増加するにつれて、単調に減少し、それによって、油について不安定な系であることを示唆している。この場合、油滴20がピラー間の空間36に瞬時に侵入し、溢れ、ウェンゼル状態への転移をもたらす。また、全体の油の接触角θCOは、侵入深さhと共に単調に減少するのが図6のプロットから分かる。複合界面の湿潤配置への崩壊の物理的過程は、液体のメニスカス24の形状の役割によって理解することができる。粗面50上の液滴20の有効接触角はヤングの接触角θYとは異なるのに対し、局所接触角はヤングの接触角の条件を満たす。このことは、垂直なマイクロピラーの側壁33上のメニスカス24の局所接触角θはヤングの接触角θYと等しいことを意味する。図7Aおよび図7Bは、図2の粗面50の拡大断面図であり、図7Aの液滴20は水であり、図7Bの液滴20は油である。図7Aおよび図7Bの両方において、液滴20のメニスカス24は、ピラー間の空間36に部分的に侵入している。メニスカス24は、水については上向きに凹面であり、油については下向きに凹面であり、何故ならば、ヤングの接触角θYが、それぞれ、120°および75°であるからである。したがって、表面張力の垂直成分は、水の場合には上向きであり図7A、油の場合には下向きである図7B。これにより、ピラー間の空間36中への侵入を防ぐ、水の場合の上向きのバランス力がもたらされる。油の場合、ピラー間の空間36への侵入を支援する平衡していない下向きに引っ張る力が界面にある。これが、超疎油性基体に、例えば、突出部、凹角またはフラクタルの表面形状を有する非常に複雑な粗面50が必要とされる基本的な理由である。これらの複雑な表面形状では、油20によるピラー間の空間36への侵入を防ぐ必要がある。凹角または突出部形状は、下の基体表面12の上の粗さの高さが横方向距離の多価関数である場合である。図8Aから図8Cは、図7Aおよび図7Bに類似しており、逆ピラミッド形状のマイクロピラー32の実例を示している。このタイプの突出構造は、マイクロピラー32に関する凹角形状の最も基本的な形態を表す。逆ピラミッド型のマイクロピラー32について、マイクロピラーの下の基体に沿った特定の位置に、2つの異なる高さ値がある。角度φは、上面34と側壁33との交差により画成される。角度φのサイズは、メニスカス24の形状、したがって、液体20の侵入特徴に強い影響を及ぼす。例えば、φ>θYの場合、メニスカス24は、図8Aに示されるように、下向きに凹面であり、表面張力が、ピラー間の空間36への液体の侵入を支援する。φ=θYの場合、メニスカス24は、図8Bに示されるように、完全に平らであり、メニスカスには垂直力は加わらない。最後に、φ<θYの場合、メニスカス24は、図8Cに示されるように、上向きに凹面であり、表面張力が、ピラー間の空間36への液体の侵入を防ぐ。安定な複合状態について、図8Bおよび図8Cのメニスカス配置が望ましい。凹角特徴構造を有するマイクロピラー32を備えた粗面50を形成することによって、準安定な超疎油性基体10を設計することができる。フッ素化された平らな表面上の油のヤングの接触角θYは~70-80°であるので、図8Aから8Cの凹角/突出部マイクロピラー32は、~70-80°より小さい角度φを持たなければならない。ウェンゼル状態はまだ球状の最小エネルギーの状態であるが、複合状態の周りのエネルギーバリアは、そうでなければ瞬時の湿潤転移を防ぐために凹角形状によって形成することができる。疎油性基体は凹角/突出部構造を有さなければならないと広く考えられている。これにより、凹角表面形状は製造するのが難しいので、表面形状の選択およびそれを形成するプロセスにとてつもない制限が課せられる。そのような表面を大量生産することは特に難しい。レーザアブレーションシステム図9は、最初の基体10を加工して超疎油性基体110を形成するために本開示において使用される例示のレーザアブレーションシステム100の説明図である。基体10は一般にレーザアブレーション可能であり、ガラスがその基体の例示の材料である。ここで、ガラスは、非晶質非結晶質の固体材料と定義される。ガラスは、ここに用いたように、ガラス物品、または別の材料の表面に施されたガラスの層であってよい。例えば、ガラスの層は、例えば、スパッタリングによって、金属やセラミックなどの別の材料に施されるであろう。次いで、超疎油性基体を形成するために本開示の実施の形態したがって、このガラスの層をレーザアブレーションしてよい。ガラスがガラスの層である場合、そのガラスの層は、レーザアブレーションの深さと少なくとも同じだけ厚くなければならない。例えば、ガラスは、30μm厚、40μm厚、50μm厚、30μm超の厚さ、40μm超の厚さ、50μm超の厚さなどであってよい。セラミックは、結晶質または部分結晶質構造を有する無機の非金属固体と定義される。システム100は、レーザビーム122を発生するレーザ120を含む。レーザ120は、走査システム130に光学的に結合されており、走査システム130は、次に、焦点FSおよび像面144を有する走査レンズ140に光学的に結合されている。基体ステージ150は、像面144で基体10を支持するように配置されている。レーザ120、走査システム130および基体ステージ150は、制御装置170に電気的に接続されている。一例において、レーザ120と走査システム130との間の光路に、拡大鏡160を必要に応じて含めてもよい。レーザ120は、パルスまたは持続レーザビーム122を発生させることのできるパルスレーザまたは持続波CWレーザであってよい。一例において、レーザ120は、比較的高い繰返し率例えば、1MHzまでで短い例えば、10から15ピコ秒高エネルギー例えば、30μJの光パルスを発生できるパルスレーザである。工業用マイクロ加工および微細機械加工向けに設計された新規の高性能半導体レーザ励起固体レーザが、レーザ120として使用するのに適している。レーザ120の例示の波長は、紫外線から赤外線に及ぶ例えば、266nmから1064nm。一例において、レーザビーム光パルスは、使用される特定の基体材料の波長依存性アブレーション閾値以上のエネルギー密度を有し、その閾値は典型的に約7J/cm2である。例示のレーザ120としては、独国カイザースラウテルン所在のLumeraLaserGmbHから市販されているLumeraSuperRapidが挙げられる。例示の走査システム130としては、幅広い走査角度に亘りレーザビーム122を高速で走査できる2軸ガルバノメータ駆動ミラーが挙げられる。例示の走査レンズ140は、走査角度に関係なく、垂直に入射するアブレーションビーム122を基体表面12に提供するFθレンズである。一例において、基体ステージ150は、基体10を三方向に動かし、必要に応じて、回転動作するように構成されている。Z方向における動きにより、レーザビーム122の焦点をぼかすことができ、このタイプの焦点のぼかしを使用して、以下に記載するように、レーザアブレーションプロセス中の基体表面の形状を調節することができる。それゆえ、レーザビーム122は、走査システム130の作用によりすなわち、レーザビームを動かすことにより、基体ステージ150を動かすことにより、またはそれらの組合せにより、基体表面12上に走査させることができる。典型的な走査速度は、毎秒数十ミリメートルであるが、約1m/sまでに及んで差し支えない。システム100の主な動作変数としては、レーザビーム122のレーザパルス繰返し率、エネルギー密度、波長、および走査速度が挙げられる。例示のレーザパラメータは、100kHzで測定した6.9ワットでのλ=1064nmであり、これにより、69μJ/パルスのパルスエネルギーが生じる。例示の走査レンズ140は、約14J/cm2の関連エネルギー密度を有する、約25マイクロメートルのスポットサイズの約100mmの有効焦点距離を有する。一例において、制御装置170は、プロセッサ172およびメモリ174を有するWindows登録商標対応パーソナルコンピュータなどのコンピュータである、またはコンピュータを含む。メモリ174は、以下に記載するように、システム100の動作を制御するために制御装置170プロセッサ172を通じてに指示する命令を記憶するためのコンピュータ読取り可能媒体を構成する。超疎油性基体の形成システム100の一般動作において、制御装置170が制御信号S1をレーザ120に送信して、レーザビーム122の生成を開始する。レーザビーム122は、随意的な折り返しミラーFM1およびFM2によりもしあれば、随意的な拡大鏡160を通じて、走査システム130に向けられる。制御装置は制御信号S2を走査システム130に送信し、この信号が、走査システムにある角度範囲に亘りレーザビーム122を方向付けさせる例えば、曲折させる。曲折したレーザビーム122は走査レンズ140により受け取られ、このレンズが、レーザビームを基体表面12に向け、焦点を合わせ、この表面にレーザスポット124が形成される。走査システム130の動作により、レーザスポット124が、矢印A1により示されるように、基体表面12に亘り動く。一例において、制御装置170は、基体ステージ150に制御信号S3を送信して、基体ステージに、基体10を動かさせて走査プロセスを促進させる、またはレーザスポット124の走査範囲内で基体表面の別の部分を動かさせる。基体ステージ150の動きが矢印A2により示されている。一例において、システム100は、レーザスポット124が走査できる動作範囲180を有する。いくつかの場合、動作範囲180は基体表面12のサイズより小さくてもよく、その場合、基体が処理されるに連れて、基体の異なる領域を動作範囲中に動かすために、基体ステージ150が使用される。例示のレーザスポット124は、光源の波長の約2倍の直径、例えば、CO2レーザなどの公称10.6マイクロメートルの波長の赤外線レーザについては、約20マイクロメートルの直径を有する。しかしながら、幅広い範囲のレーザスポットサイズ直径を使用することができ、例示の範囲は約20マイクロメートルと約250マイクロメートルの間に及ぶ。レーザスポット124の形状は丸い必要はない。制御装置170は、システム100に、動作範囲180内で基体表面12に亘りレーザスポット124を高速かつ精密に動かさせ、レーザスポットの動きをレーザビームエネルギーに同期化させ、基体10を動作区域内に正確に位置決めさせ、基体に送達されるエネルギー密度を基体のアブレーション閾値未満または超のいずれかで制御させる命令を含むすなわち、命令がメモリ174内で具現化されるようにプログラムされている。基体表面12がアブレーションされる程度は、レーザビーム122のエネルギーおよびレーザスポット124の走査速度の関数である。レーザビーム122が短い光パルス例えば、~10psにより形成される場合、光パルスは、システム100走査速度と比べて瞬時であると考えられる。レーザパルス繰返し率は、例えば、10kHzから1MHzまで、変えることができ、それに対応してエネルギーが変化する。走査システム130がレーザビーム122を曲折するので、レーザスポット124の走査速度が、パルス間でレーザスポットの重複があるか否かを決定する。一般に、基体表面12の少なくとも一部分がレーザアブレーションされる。以下の表1は、システム100のいくつかの例示のシステムパラメータおよびレーザスポット124の対応するステッピング距離を列記している。図10は、レーザスポット走査の3つの例示EX1,EX2およびEX3を示しており、第1の例において、隣接するレーザスポット124の間に空間がありEX1、第2の例において、隣接するレーザスポットが互いに接触しておりEX2、第3の例において、隣接するレーザスポットが重複しているEX3。50マイクロメートルの直径を有するレーザスポット124について、0.1マイクロメートルのステッピング距離が隣接するレーザスポットの実質的な重複を表すのに対し、100マイクロメートルのステッピング距離は、レーザスポットの直径の2倍に等しい、隣接するレーザスポット間の中心から中心までの空間を表す。図11は、以下に記載するように、X方向溝と共に、格子型のピラー間の空間136を画成するY方向溝を生成する例示の走査パターン190を示している。レーザスポット124に、ラスター、犂耕体、螺旋などのどのようなタイプの走査パターンを使用してもよい。X-Y格子の溝は、例えば、X方向溝を形成するために図11の走査パターン190を90°回転させて追加に走査を行うことによって形成される。引き続き図9と、図11も参照すると、一例において、制御装置170は、基体表面12に亘りレーザスポット124を走査して、基体表面の少なくとも一部分に選択されたパターン190をレーザアブレーションする命令を含む例えば、ようにプログラムされている。実際には、異なるマイクロピラー形状例えば、円形、楕円形、正方形、矩形、三角形、多角形、非球状など、異なるピラー間の空間36、および様々な可能な高さHに基づいて、この様式で、様々な考えられるマイクロピラーの幾何学的形状を形成することができる。しかしながら、以下に詳しく論じるように、マイクロピラーのアレイ30は、基体10に形成される実際のマイクロピラーのアレイの理想化を表す。実際、本開示において、理想化されたマイクロピラーのアレイ30が高い忠実性例えば、きれいで滑らかな側壁で形成された場合、それによって、低表面エネルギーコーティングで被覆されたときに、基体10は超疎油性にはならない。マイクロピラー32は、図2に示されるほど規則的に配列される必要もなく、本開示の特徴は、無作為にまたは準無作為に配列されたマイクロピラーを含む。図12は、マイクロピラーのアレイ30の比較例の拡大断面図である。マイクロピラーのアレイ30は、きれいな側壁33および平らな滑らかな上面34を有するマイクロピラー32を含む。図12に示されるような、きれいで正確に複製されたマイクロピラーのアレイ30は、フォトリソグラフィーなどの他の微細構造製造方法を使用して形成できる。図13は、レーザアブレーションシステム100図9が、基体表面12に亘りパターン190図11でレーザスポット124を走査して、基体表面に溝200を形成し始めるようにレーザビーム122を方向付けるときの基体の拡大図である。水200は内面204を有する。図14Aは、実際のマイクロピラー232が超疎油性基体110に形成された、実際のマイクロピラーのアレイ230の概略断面図である。溝200は実際のピラー間の空間236を画成し、実際のマイクロピラー232は側壁表面233を有する。図13を参照すると、最初の溝200は最初の側壁204を含む。しかしながら、図14Aに示されるように、レーザアブレーションプロセスにより、破片210が形成され得る。ある場合には、破片210のいくらかが溶融され、ある場合には、溝の側壁204が、溶融され、変形される程度まで加熱される。図14Bを参照すると、基体に低表面エネルギーコーティング246を施すことによって、最終的な超疎油性基体110が形成される。そのようなコーティングの例としては、フルオロポリマー、フルオロシランおよびそれらの組合せが挙げられる。その結果、図14Aおよび図14Bを再び参照すると、本開示で実施されるレーザアブレーションプロセスは、高い忠実性で、理想的なマイクロピラーのアレイ30を複製しない。ここで実施されるレーザアブレーションプロセスは、従来のレーザアブレーションの施用に一般的な、実質的な破片軽減方法および装置を含まない。その代わりに、このレーザアブレーションプロセスは、マイクロピラーの側壁表面233が、不規則に粗くされる程度まで変形されている、理想的ではないマイクロピラー232を含む理想的ではないマイクロピラーのアレイ230であると通常は考えられるであろうものを形成する。ある場合には、破片210がマイクロピラーの側壁233および上面234に堆積し、付着し、それによって、不規則に粗くされた側壁233に寄与する。それゆえ、堆積された破片220、側壁表面の変形、またはそれらの組合せにより、不規則に粗くされたマイクロピラーの側壁表面233が画成される。一例において、粗くされた側壁表面233は、ピット224および隆起部225を含む。ピット224は、例えば、側壁の溶融または他の誘発された変形のために、もしくは破片220の堆積により形成される。隆起部225は、マイクロピラー232にくっついた破片により形成される傾向にある。これらの表面特徴構造は、凹角のマイクロピラーの幾何学的形状を画成し、次に、複合カシーバクスター状態の大いに必要とされる安定性を生じる、重畳されたマイクロメートルおよびナノメートルの空間規模すなわち、微小規模とナノ規模の特徴構造を有する。ここで、微小規模の特徴構造という用語は、約1マイクロメートルから数マイクロメートルのサイズを有するピットおよび隆起部などの特徴構造を含み、ナノ規模の特徴構造は、約1マイクロメートル未満から約1ナノメートルまでの特徴構造を含む。図15および図16は、上述したようなレーザアブレーションにより形成されたマイクロピラーのアレイ230を有する例示の超疎油性基体110の上からの斜視走査共焦点顕微鏡画像である。図15および図16は、マイクロピラーのアレイ230の溝200を形成するために使用したX-Y格子パターン190の重畳部分を示す。図17Aから図17Cは、図17Aから図17Cへと倍率が増加している、マイクロピラー232の拡大断面画像である。これらの画像は、レーザアブレーションプロセスによりマイクロピラー232に形成された不規則な粗い側壁表面233および上面234を示す。ピット224および隆起部225も画像に特定される。上述したレーザアブレーションプロセスを使用して、20マイクロメートルから50マイクロメートルの範囲のマイクロピラー寸法を有する数多くの基体110を形成した。これらの基体上での水と油の接触角θCWおよびθCOを、DC2634の形態の低表面エネルギーコーティング246で被覆した後に測定した。全ての基体110上での水の接触角θCWは、θCW~180°であると測定され、基体表面50上に配置された水滴は、下の底面12を濡らさずに、基体から転がり落ちた。油の接触角θCOも測定し、意外なほど大きいことが分かった。DC2604で被覆した平らな表面上で、油の接触角θCOは~75°であった。しかしながら、上述したように製造した基体110の全てについて、油の接触角θCOはθCO>140°であると測定され、いくつかの基体について、θCO>150°であり、超疎油性基体110の形成が確認された。図18は、基体表面50をフルオロシランDC2634の形態の低表面エネルギーコーティング246で被覆した後の、特徴構造サイズマイクロメートルの関数としての製造した基体110上の水と油の測定した接触角θCWおよびθCOをプロットしている。DC2634で被覆された平らな基体表面12上の水と油の固有の接触角θCWおよびθCOはθCW~115°から120°およびθCO~75°から77°である。しかしながら、基体110についての測定したθCWおよびθCOの値は、水についてθCW>170°およびθCO>140°、しばしば>150°であった。マイクロピラーのパラメータa、bおよびHを調整することによって、本開示のシステムおよび方法により、水については、115°≦θCW≦180°、および油については、75°≦θCO≦170°が得られる。0の特徴構造サイズのデータ点は、平らな表面に相当する。図19は、少なくとも1つの超疎油性領域250および超疎油性以外例えば、疎水性、超疎水性、親水性、超親水性、および親油性の少なくとも1つの領域260を含む例示の基体110の上から見た図である。そのような基体は、移動流体流、熱および物質移動、反応性反応速度論および熱力学、核形成、分離混合物の異なる流れへの分離特性などの、独特の性質を有するいわゆるスマート表面を形成するために使用することができる。超疎油性基体110の潜在的な用途には、いつかの例を挙げると、マイクロキャビティアレイ、マイクロレンズ系、生命科学の細胞、マイクロリアクタ混合設計、タッチスクリーンおよび光起電防汚ガラスがある。本開示のシステムおよび方法は、多種多様のパターン形成された特徴構造および表面テキスチャーを形成するためにレーザアブレーションを使用できるという点で、設計の融通性を提供する。このシステムおよび方法により、高速試作形成および製造が可能になる。何故ならば、超疎油性基体を、数分足らずで、一工程または数工程で製造することができるからである。本開示をいくつかの好ましい実施の形態に関して説明してきたが、様々な改変および追加が当業者には明白になる。そのような追加、変更および改変の全ては、本開示の範囲内に含まれ、その範囲は、添付の特許請求の範囲、およびその同等物のみによって制限される。"