極端紫外線EUVリソグラフィに用いられる反射型マスクであって、基板と、前記基板の回路パターン形成面に形成された回路パターン部と、前記回路パターン部の外周に設けられ、前記回路パターン部の極端紫外線吸収領域よりも極端紫外線に対する反射率が低い遮光部とを備え、前記遮光部は、前記基板と別体の遮光部材を、前記基板に装着して形成されていることを特徴とする反射型マスク。前記遮光部材は額縁状の形状に形成されていることを特徴とする請求項1記載の反射型マスク。前記遮光部材は少なくとも極端紫外線を吸収する吸収層と前記基板に接着する接着層とを備えることを特徴とする請求項2記載の反射型マスク。前記遮光部材の前記吸収層の極端紫外線に対する反射率は0.3パーセント以下であることを特徴とする請求項3記載の反射型マスク。しかしながら、上記特許文献1に記載された技術では、マスクパターン作成後の多層反射層の掘り込みはSiとMoの合計80層を加工する必要があり、このように反射型マスクの吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成するという技術では、マスクパターンを作成した後に多層反射層の掘り込みを行うことになり、パーティクル発生は避けられず、マスク品質の低下を招くという不都合があった。また、上層の吸収層を除去した後に、多層反射層を除去することから、多層反射層がほんの数層残ってしまった場合は、逆に反射率を高くしてしまうという不都合があった。また、反射率の低い遮光枠を反射型マスク上にレーザ照射またはイオン注入することで形成するという技術では、多層反射層以外によるレーザ光またはイオンの損失があるため、この損失分を考慮したレーザ光もしくはイオンを照射しなくてはならない。すると、多層反射層以外の膜においてレーザ光またはイオンの照射によるダメージが生じ、吸収層の露光光源波長の吸収率の低下してしまうという不都合があった。従来の方法では、いずれにせよ、反射型マスク上にすでに形成された回路パターンの近傍の部分について、複雑な加工や処理をする必要があるという不都合があった。本発明の目的は、複雑な加工や処理をすることなく簡単な工程により装着された、高い遮光性を有する遮光枠を備える反射型マスクを提供することにある。本発明は、上記の課題を解決するために、以下の構成を採用した。本発明は、極端紫外線EUVリソグラフィに用いられる反射型マスクに関する。そして、基板と、基板の回路パターン形成面に形成された回路パターン部と、回路パターン部の外周に設けられ、回路パターン部の極端紫外線吸収領域よりも極端紫外線に対する反射率が低い遮光部とを備え、遮光部は、基板と別体の遮光部材を、基板に装着して形成されていることを特徴とする。また、遮光部材は額縁状の形状に形成されていることを特徴とする。また、遮光部材は少なくとも極端紫外線を吸収する吸収層と基板に接着する接着層とを備えることを特徴とする。そして、遮光部材の吸収層の極端紫外線に対する反射率は0.3パーセント以下であることを特徴とする。本発明によれば、上述の特徴を有することから、下記に示すことが可能となる。すなわち、極端紫外線EUVリソグラフィに用いられる反射型マスクにおいて、基板と、基板の回路パターン形成面に形成された回路パターン部と、回路パターン部の外周に設けられ、回路パターン部の極端紫外線吸収領域よりも極端紫外線に対する反射率が低い遮光部とを備え、遮光部は、基板と別体の遮光部材を、基板に装着して形成されているので、複雑な加工や処理をすることなく簡単な工程により、高い遮光性の遮光枠を有する反射型マスクを得ることが可能となる。また、遮光部材は額縁状の形状に形成されているので、多重露光された場合でも半導体基板上のチップ外周部が感光してしまうことを防ぐことができる。また、遮光部材は少なくとも極端紫外線を吸収する吸収層と基板に接着する接着層とを備えるので、遮光部材を基板に装着できる。そして、遮光部材の吸収層の極端紫外線に対する反射率は0.3パーセント以下であるので、十分な遮光性を有することができる。以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について、詳細に説明する。遮光枠取り付け前の反射型マスク100の説明まず、本発明の一実施形態である反射型マスクであって、遮光枠取り付け前の反射型マスク100について、図1を参照して説明する。図1は、電子線リソグラフィによりパターニングされた反射型マスク100の回路パターン形成面の概略図を示している。回路パターン領域11の外周領域21と遮光領域31との表面は吸収膜、または多層反射膜で形成されている。遮光枠板遮光部材200の説明次に、本発明の一実施形態である反射型マスク100の遮光に用いられる遮光枠板200について、図2を参照して説明する。図2aは、遮光枠板200の表面を示している。遮光枠板200は、反射型マスク100の遮光領域31の大きさの、四角い額縁状の形状をしている。図2bは、遮光枠板のA-A線矢視方向の断面図を示している。遮光枠板200は、EUV光に対して低い反射率を示す材料から成る吸収層41と接着層51とにより構成されている。遮光枠板200の吸収層41は、単層構造でも多層構造でも良い。例えば、吸収層41を2つの層として、下の層として強度の強いプラスチックまたはアルミニウム等を用い、その表面の上の層としてEUV光に対する反射率の低いタンタルTaの窒素化合物TaN等を成膜して形成した構成としてもよい。吸収層41の他の材料として、タンタルホウ素窒化物TaBN、タンタルシリコンTaSi、タンタルTaやそれらの酸化物TaBON、TaSiO、TaOを使用してもよい。吸収層41を、スパッタ、メッキ、化学気層堆積CVD等により成膜することで形成してもよい。また、下の層として、例えばシリコンの薄板等、半導体基板と同じ膨張率のものを用いてもよい。遮光枠板200の裏面に設けられた接着層51に使用される接着剤の接着力は、元の反射型マスク100から剥がれない程度以上であればよい。接着層51の材料としては、例えばシリコーン系、アクリル系、スチレン系、ビニル系、ゴム系等の接着剤で構成される。このように、遮光枠板200を反射型マスク100と別体で構成することにより、反射型マスク100に加工や処理による影響を与えることなく、十分な反射率等の性能を有する遮光枠板200を得ることができる。遮光枠付き反射型マスク300の説明最後に、本発明の一実施形態である、遮光枠付き反射型マスク300について、図3を参照して説明する。図3は、作成した遮光枠付き反射型マスク300を表面から見た図である。遮光枠付き反射型マスク300は、元の反射型マスク100の回路パターン領域11の外側となる遮光領域31に、接着層51により接着して遮光枠板200を装着し、作成した。以上の構成により、吸収層や多層反射層の加工によるダメージや、光学的性質の変化なく、簡単な工程により反射型マスクに高い遮光性を有することができる。また、この反射型マスクを半導体製造に用いることにより、多重露光された場合でもチップ外周部が感光してしまうことを防ぎ、高品質の半導体を製造できる。以下、本発明の反射型マスクの製造方法の実施例を説明する。まず、図1に示す反射型マスクを用意した。回路パターン領域11の外周部21の表面は吸収膜で形成した。次に、遮光枠板200は、遮光領域31と同じ大きさを有するアルミニウムから成る基板の表面上に、タンタルナイトライドTaNから成る吸収層41をスパッタリング装置により形成した。このときの吸収層41の膜厚は100nmとした。また、接着層51にはシリコーン系から成る接着剤を形成して、パターニングされた元の反射型マスク100の回路パターン形成面の遮光領域31に接着剤で装着した。以上より、回路パターン領域11の外側にEUV光に対する反射率が充分に小さい遮光枠付き反射型マスク300が完成した。こうして作製した遮光枠付き反射型マスク300のEUV光波長13.5nmに対する反射率を測定した。図4に示すように、回路パターン領域11の外周部の吸収膜の反射率が1.24であるのに対し、遮光領域31の表面に装着された遮光枠板200の反射率は0.11となった。そして、この反射型マスク300を用いて13.5nmのEUVを光源とした露光を行い、半導体基板上に隣接した4つのチップを転写した。隣接したチップにおいて、作製した反射型マスク上の遮光枠に相当する領域の一部は重なっていたにもかかわらず、半導体基板上の当該領域におけるレジストの感光は確認されなかった。