ホットワイヤ化学気相堆積HWCVDツールを操作する方法であって、HWCVDツールのプロセスチャンバ内に配置されたフィラメントに、第1の期間、水素ガスH2を供給することと、第1の期間の後に、フィラメントに電流を流して、フィラメントの温度を第1の温度に上昇させることとを含む方法。水素ガスを供給することが、水素ガスおよび不活性キャリアガスを供給することをさらに含む、請求項1に記載の方法。ホットワイヤ化学気相堆積HWCVDツールを操作する方法であって、水素ガスH2含有雰囲気中で、HWCVDツールのプロセスチャンバ内に配置されたフィラメントを、第1の期間、事前調整することと、フィラメントを事前調整した後に、フィラメントに電流を流して、フィラメントの温度を第1の温度に上昇させることと、フィラメントが第1の温度となった後に、プロセスチャンバにプロセスガスを供給することと、プロセスガスから分解した種を使用して、基板上に材料を堆積させることとを含む方法。水素ガスH2含有雰囲気中でフィラメントを事前調整することが、水素ガスおよび不活性キャリアガスを供給することを含む、請求項3に記載の方法。不活性キャリアガスが、窒素、アルゴンまたはヘリウムのうちの少なくとも1つを含む、請求項2または4に記載の方法。プロセスガスを供給することが、水素ガスH2含有雰囲気を維持するために供給される水素ガス流を停止することをさらに含む、請求項3または4に記載の方法。プロセスガスが、シランSiH4、水素H2、ホスフィンPH3またはジボランB2H6のうちの1つを含む、請求項3、4または6に記載の方法。基板への材料の堆積の完了後、フィラメントへの電流の流れを停止することと、続いて、水素ガスH2含有雰囲気中でフィラメントを事前調整することと、フィラメントを事前調整した後に、フィラメントに電流を流して、フィラメントの温度を第2の温度に上昇させることと、フィラメントが第2の温度となった後に、プロセスチャンバに第2のプロセスガスを供給することと、第2のプロセスガスから分解した種を使用して、第2の基板上に材料を堆積させることとをさらに含む、請求項3、4、6または7に記載の方法。フィラメントを第一の温度に維持しながら、チャンバ内の基板を第2の基板と交換することと、第2の基板が設置された後に、プロセスチャンバに第2のプロセスガスを供給することと、第2のプロセスガスから分解した種を使用して、第2の基板上に材料を堆積させることとをさらに含む、請求項3、4または6ないし8のいずれか一項に記載の方法。フィラメントが、タンタルフィラメントである、請求項1ないし9のいずれか一項に記載の方法。第1の温度が、続いてCVD堆積プロセスが行われる温度である、請求項1ないし10のいずれか一項に記載の方法。第1の温度が、約1500°Cから約2400°Cである、請求項1ないし11のいずれか一項に記載の方法。プロセスチャンバ内の圧力が、約1ミリトールに維持される、請求項1ないし12のいずれか一項に記載の方法。第1の期間が、約5秒から約1800秒の範囲である、請求項1ないし13のいずれか一項に記載の方法。実行されると、HWCVDツール内で、請求項1ないし14に記載の方法のいずれかを含む方法が行われるようにする命令が格納されたコンピュータ可読媒体。理解を容易とするために、可能な場合は、複数の図に共通する同一要素を指し示すために、同一の参照番号を使用している。図は縮尺通りに描かれておらず、明確にするために単純化されている場合がある。一実施形態の要素および特徴は、さらなる列挙がなくても、他の実施形態に有利となるように組み込むことができることが意図されている。本発明の実施形態は、ホットワイヤ化学気相堆積HWCVDプロセスにおけるタンタルフィラメントの急速な酸化を、有利に排除または低減することができ、それによりフィラメントの寿命を大幅に向上させ、HWCVDプロセスにおけるタンタルフィラメントの長期的使用を促進する、HWCVDプロセス技術を提供する。したがって、本発明の実施形態は、タングステンフィラメントを使用した場合と比較して改善されたフィルム品質、フィラメントの寿命の延長、より長い機器稼働時間、より高い収率、およびより高いスループットという利益のうちの1つまたは複数を提供し得る。本発明者らは、1500~2000°Cの温度範囲および約10mTorrを超える圧力下例えば、シリコンフィルムの堆積等のある特定の用途における典型的なHWCVD操作条件で新しいタンタルフィラメントを点灯している間、フィラメントの白熱の減退を伴うフィラメント温度の急速な経時的低下が起きることを見出した。本発明者らは、温度の低下は、タンタルフィラメントの酸化に起因するものと考えている。しかしながら、本発明者らは、水素H2ガスの存在下例えば水素雰囲気中で新しいタンタルフィラメントを点灯すると、フィラメント酸化の速度フィラメント温度により測定されるが遅くなることを発見した。本発明者らは、以下でより詳細に説明するように、この技術の実施形態を組み込んだ、HWCVDツールを操作する方法を開発した。図1は、本発明のいくつかの実施形態によるHWCVDツールを操作する方法100のフローチャートを示す。概して、方法は102から開始し、102においては、HWCVDツールのプロセスチャンバ内に配置された1つのフィラメントまたは複数のフィラメントに、第1の期間、水素H2ガスが供給される。水素H2ガスは、単独で供給されてもよく、または、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性キャリアガスと共に供給されてもよい。水素H2ガスの流量は、HWCVDチャンバ内のフィラメントを包み込む、または覆うのに十分であってもよい。したがって、具体的な流量は、チャンバのサイズならびにフィラメントの表面積例えばフィラメントの長さおよび数に依存して変動する。例えば、いくつかの実施形態において、水素H2ガスは、約10sccmから約500sccmの流量で供給されてもよい。キャリアガスと共に供給される場合、キャリアガス中の水素H2ガスの濃度は、約5体積パーセントから約80体積パーセントであってもよい。いくつかの実施形態において、第1の期間は、リアクタからの残留酸素の除去を促進するように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、第1の期間は、チャンバ内のガスとフィラメントとの間の酸化等の不要な反応を防止するために、水素がフィラメントを完全に覆う、または包み込むのを可能にするように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、第1の期間は、約5秒から約1800秒の範囲であってもよい。次に、104において、第1の期間後に、フィラメントに電流を流して、フィラメントの温度を第1の温度に上昇させることができる。電流は、電源からフィラメントに供給されてもよい。供給される電流の量は、フィラメントの温度を第1の温度に上昇させるように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、第1の温度は、続いて堆積プロセスが行われる温度であってもよい。いくつかの実施形態において、第1の温度は、堆積プロセスが行われる温度を超える温度または下回る温度であってもよい。いくつかの実施形態において、温度は、約1500°Cから約2400°Cの間であってもよいただし他の温度が使用されてもよい。第2の期間は、フィラメントが第1の温度に達するのを可能にするように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、第2の期間は、フィラメントの周囲に水素ラジカルの覆いが形成されるのを促進するように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、第2の期間は、約5秒から約1800秒の範囲であってもよい。第2の期間の完了後、概して、方法100は終了する。いくつかの実施形態において、方法100またはその一部は、堆積プロセスの前の事前調整ステップとして使用されてもよい。例えば、いくつかの実施形態において、上述のようにフィラメントを調整した後に、フィラメントに電流を供給し続けて第1の温度を維持してもよく、チャンバにプロセスガスを供給して基板上に材料を堆積させてもよい。基板を連続的に処理する場合、最初に調整プロセスが行われてもよく、いくつかの実施形態においてはプロセスガスを継続的に流しながら、多くの基板をチャンバに送り、連続した基板上に材料を継続して堆積させてもよい。いくつかの実施形態において、最後の基板が処理された後に、プロセスガスを止めてもよく、また電流が止められてもよい。例えば、図2は、本発明のいくつかの実施形態によるHWCVDツールを操作する方法200のフローチャートを示す。方法200は、概して、202から開始し、202においては、HWCVDツール内に配置された1つのフィラメントまたは複数のフィラメントが事前調整され得る。フィラメントは、水素ガスH2含有雰囲気中で事前調整されてもよい。いくつかの実施形態において、フィラメントは、上述した方法100の実施形態に従い事前調整されてもよい。いくつかの実施形態において、フィラメントは、102に関して上述した方法100の実施形態に従い事前調整されてもよい。次に、204において、フィラメントを事前調整した後に、フィラメントに電流を流して、フィラメントの温度を第1の温度に上昇させることができる。いくつかの実施形態において、水素含有ガスを供給し続けながら、フィラメントに電流を供給して、フィラメントの温度を第1の温度に上昇させてもよい。いくつかの実施形態において、電流は、104に関して上述した方法100の実施形態に従い、フィラメントに流されてもよい。次に、206において、フィラメントが第1の温度となった後に、HWCVDツールにプロセスガスを供給することができる。いくつかの実施形態において、水素含有ガス流は、プロセスガスをHWCVDツールに供給する際に停止させてもよい。プロセスガスは、堆積プロセスにおいて使用される任意の好適なプロセスガスを含んでもよい。いくつかの実施形態において、プロセスガスは、分解したプロセスガスからの種が下に設置されている基板上に堆積され得るような、加熱されたフィラメントに暴露されると熱分解し得るガスを含んでもよい。例えば、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコン等のシリコン含有フィルムを堆積させる場合、プロセスガスは、シランSiH4、水素H2、ホスフィンPH3、ジボランB2H6等のうちの一又は複数を含んでもよい。次に、208において、プロセスガスから分解した種を使用して、基板上に材料を堆積させることができる。上述のように、基板上に堆積された材料は、概して、プロセスガスからの種を含む。いくつかの実施形態において、基板上に堆積された材料は、シリコンを含んでもよいが、他の材料も企図される。208における材料の堆積の完了後、概して、方法200は終了し、基板は、所望によりさらに処理されてもよい。いくつかの実施形態において、方法200は、同じ基板上またはHWCVDツールに設置された第2の基板上に材料を堆積させるために、所望により反復されてもよい。例えば、いくつかの実施形態において、208において基板上に材料が堆積された後、フィラメントを第1の温度に維持しながら、チャンバ内の基板が第2の基板と交換されてもよい。第2の基板が設置された後に、プロセスチャンバに第2のプロセスガスが供給されてもよい。第2のプロセスガスは、第1のプロセスガスと同じであってもよく例えば、同じ材料が堆積される場合、または、第2のプロセスガスは、第1のプロセスガスとは異なっていてもよい例えば、第2の基板上に異なる材料が堆積される場合。次いで、第2のプロセスガスから分解した種を使用して、第2の基板上に材料を堆積させてもよい。その代わりに、または組合せて、基板への材料の堆積の完了後、フィラメントへの電流の流れを停止させてもよい。例えば、基板への材料の堆積の完了後、ツールは、例えば、ロットの終了、シフトの終了、1日の終了、週の始め、メンテナンス期間、またはツールをオフにすべき他の任意の時間に達した後に、停止させてもよい。ツールが再び始動される場合、続いてフィラメントが水素ガスH2含有雰囲気中で事前調整されてもよい。フィラメントを事前調整した後に、フィラメントに電流を流して、フィラメントの温度を第2の温度に上昇させてもよい。フィラメントが第2の温度となった後に、プロセスチャンバに第2のプロセスガスが供給されてもよい。上述のように、第2のプロセスガスは、第1のプロセスガスと同じでもまたは異なっていてもよい。第2のプロセスガスから分解した種を使用して、第2の基板上に材料を堆積させてもよい。図4は定電力試験をまとめたグラフ400を示し、この試験においては、新しいタンタルフィラメントがHWCVDチャンバ内に設置され、いかなる水素H2ガスもなしに約1700°Cの温度まで点灯例えば加熱された。フィラメント温度は急速に減少し、フィラメントは約38分で破損した。新しいタンタルフィラメントを設置し、水素H2により約30sccmで約5分間、チャンバをフラッシングした。チャンバのフラッシング後、フィラメントを点灯した。この実験中、フィラメント温度は徐々に減少した。しかしながら、60分後でもフィラメントは破損しなかった。フィラメント温度は、約30分で約1700°Cの初期温度から約1660°Cまで降下した。約60分後、フィラメント温度は約1639°Cに低下した。再び同じフィラメントをさらにより高い水素H2ガス流約60sccm中で加熱した。より高い水素H2流では、フィラメント温度は、60分にわたり、初期の約1624°Cから約1609°Cまで、より緩やかに降下した。この場合も、フィラメントは破損しなかった。120sccmの水素H2ガス流で30分間もう一度試験を行ったが、フィラメントは破損せず、温度降下は、試験の経過中わずか約4°Cであった。図3は、本発明の実施形態に従って使用するのに好適なHWCVDプロセスチャンバ300の概略側面図である。プロセスチャンバ300は、概して、内部処理空間304を有するチャンバ本体302を備える。複数のフィラメントまたはワイヤ310が、チャンバ本体302内例えば、内部処理空間304内に配置される。複数のワイヤ310はまた、内部処理空間304を前後に横断するように配設される単一のワイヤであってもよい。複数のワイヤ310は、HWCVD源を備える。ワイヤ310は、典型的には、タングステンで作製されるが、タンタルまたはイリジウムもまた使用され得る。各ワイヤ310は、高温に加熱された際にワイヤの張りを維持するために、およびワイヤに電気接点を提供するために、支持体構造図示せずにより適所にクランプされる。電流を供給してワイヤ310を加熱するために、電源312がワイヤ310に連結される。基板330は、HWCVD源例えばワイヤ310の下、例えば基板支持体328上に配置されてもよい。基板支持体328は、静的堆積の場合、固定されていてもよく、または、動的堆積の場合、基板330がHWCVD源の下を通過するに伴って矢印305により示されるように移動してもよい。チャンバ本体302は、さらに、一又は複数のプロセスガスを供給するための1つまたは複数のガス注入口1つのガス注入口332が示されていると、プロセスチャンバ300内の好適な動作圧力を維持するための、ならびに余分なプロセスガスおよび/またはプロセス副生成物を取り除くための真空ポンプへの1つまたは複数の排出口2つの排出口334が示されているとを含む。ガス注入口332は、ガスを均一に分配するためのシャワーヘッド333図示もしくは他の好適なガス分配要素内に、または、所望によりワイヤ310上に流通してもよい。いくつかの実施形態において、チャンバ本体302の内部表面上の不要な堆積を最小限化するために、1つまたは複数のシールド320が配置されてもよい。その代わりに、または組合せて、洗浄をより容易とするために、1つまたは複数のチャンバライナ322を使用することができる。シールドおよびライナの使用は、温室効果ガスNF3等の望ましくない洗浄ガスの使用を回避または低減することができる。シールド320およびチャンバライナ322は、概して、チャンバ内を流れるプロセスガスに起因する堆積材料の望ましくない集積からチャンバ本体の内部表面を保護する。シールド320およびチャンバライナ322は、取外し可能、交換可能および/または洗浄可能であってもよい。シールド320およびチャンバライナ322は、これに限定されるものではないが、ワイヤ310の周囲およびコーティング区画の全ての壁上等の、チャンバ本体のコーティングされ得るあらゆる領域を覆うように構成されてもよい。典型的には、シールド320およびチャンバライナ322は、アルミニウムAlから製造されてもよく、堆積材料の剥離を防止するために堆積材料の接着を向上させるように粗面化された表面を有してもよい。シールド320およびチャンバライナ322は、HWCVD源の周囲等のプロセスチャンバの所望の領域に、好適な様式で設けられてもよい。いくつかの実施形態において、源、シールドおよびライナは、堆積チャンバの上部を開くことにより、メンテナンスおよび洗浄のために取り外されてもよい。例えば、いくつかの実施形態において、堆積チャンバの蓋または天井は、蓋を支持し堆積チャンバの本体に蓋を固定するための表面を提供するフランジ338に沿って、堆積チャンバの本体に連結されてもよい。コントローラ306をプロセスチャンバ300の様々な構成要素に連結して、それらの動作を制御してもよい。コントローラは、プロセスチャンバ300に連結されることが概略的に示されているが、本明細書に開示される方法に従ってHWCVD堆積プロセスを制御するために、コントローラにより制御され得る任意の構成要素、例えば、電源312、注入口322に連結されたガス供給源図示せず、排出口334に結合された真空ポンプおよび/または絞り弁図示せず、基板支持体328等に動作可能に接続されてもよい。コントローラ306は、概して、中央処理装置CPU308、メモリ313、およびCPU308の支援回路311を備える。コントローラ306は、HWCVDプロセスチャンバ300を、直接制御してもよく、または、特定の支援システム構成要素に付随させた他のコンピュータもしくはコントローラ図示せずを介して制御してもよい。コントローラ306は、様々なチャンバおよびサブプロセッサを制御するために工業環境において使用することができる、任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの1つであってもよい。CPU308のメモリまたはコンピュータ可読媒体313は、ランダムアクセスメモリRAM、読出し専用メモリROM、フロッピー登録商標ディスク、ハードディスク、フラッシュ、または任意の他の形態のローカルもしくは遠隔のデジタルストレージ等の、容易に入手可能なメモリのうちの一又は複数であってもよい。支援回路311は、従来の様式でプロセッサを支援するためにCPU308に連結されている。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力/出力回路およびサブシステム等を含む。本明細書に記載の本発明の方法は、コントローラを、本明細書に記載の様式でプロセスチャンバ300の動作を制御する特定用途のコントローラに転換するために実行または呼び出され得るソフトウェアルーチン314として、メモリ313に格納されてもよい。ソフトウェアルーチンはまた、CPU308により制御されるハードウェアから遠隔に位置する第2のCPU図示せずにより、格納および/または実行されてもよい。以上に述べたように、本明細書において、HWCVDプロセスにおけるタンタルフィラメントの寿命を延長するための方法が提供された。本明細書に開示される本発明の方法の実施形態は、タングステンフィラメントを使用した場合と比較して改善されたフィルム品質、フィラメントの寿命の延長、より長い機器稼働時間、より高い収率、およびより高いスループットという利益のうちの1つまたは複数を提供し得る。上述の事項は、本発明の実施形態に関するが、本発明の基本的範囲から逸脱せずに、本発明の他のおよび別の実施形態が考案され得る。