処理液中において、酸化珪素膜を含む被加工物の被加工面と、フッ素が吸着した固体板の表面とを接触または極接近させることにより、前記被加工物の被加工面を平坦化する平坦化方法であって、フッ素と前記固体板との結合エネルギーは、フッ素と珪素との結合エネルギーよりも小さいことを特徴とする平坦化方法。前記固体板は、イオン交換体を含むことを特徴とする請求項1に記載の平坦化方法。前記イオン交換体は、鉄酸化物またはセリウムを含むことを特徴とする請求項2に記載の平坦化方法。前記処理液が酸性溶液であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の平坦化方法。接触または極接近した前記被加工物の被加工面と前記固体板の表面の温度を上昇させることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の平坦化方法。前記被加工物の被加工面の平坦化前に、フッ酸溶液に浸されることにより前記固体板の表面にフッ素が吸着されることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の平坦化方法。酸化珪素膜を含む被加工物の被加工面への研磨ダメージを抑制することができる平坦化方法を提供する。本実施形態によれば、平坦化方法が提供される。平坦化方法においては、処理液中において、酸化珪素膜を含む被加工物の被加工面と、フッ素が吸着した固体板の表面とを接触または極接近させることにより、前記被加工物の被加工面を平坦化する。フッ素と前記固体板との結合エネルギーは、フッ素と珪素との結合エネルギーよりも小さい。本実施形態を以下に図面を参照して説明する。図面において、同一部分には同一の参照符号を付す。また、重複した説明は、必要に応じて行う。<実施形態>図1乃至図5を用いて、本実施形態に係る平坦化方法について説明する。本実施形態は、酸性溶液である処理液15中において酸化珪素膜21を含む被加工物12の被加工面をフッ素F23が吸着した固体板11の表面に接触させることで、接触した酸化珪素膜の被加工面を化学的に溶解させ、被加工面の平坦化を行う例である。本実施形態では、機械的研磨を必要としないため、被加工面への研磨ダメージを抑制することができる。以下に、本実施形態について詳説する。[平坦化装置]まず、図1を用いて、本実施形態に係る酸化珪素膜の平坦化を行う平坦化装置について説明する。図1は、本実施形態に係る酸化珪素膜の平坦化を行う平坦化装置の構成例を示す斜視図である。図1に示すように、本実施形態に係る平坦化装置は、容器10、固体板11、保持部13、および熱源14等を備える。容器10内には、処理液15が満たされる。処理液15は、pHが7以下の酸性溶液である。また、処理液15に含まれる陰イオンは、フッ素イオンよりも固体板11に吸着しにくい。処理液15としては、例えば、希硝酸や希塩酸などが用いられる。固体板11は、容器10内に処理液15に浸されるように配置される。固体板11は、フッ素イオンが吸着しやすいイオン交換体22を含み、その表面にフッ素23が吸着している。これらイオン交換体22とフッ素23とは、イオン結合により結合している。また、これらの結合エネルギーは、フッ素23と珪素との結合エネルギーよりも小さい。イオン交換体22としては、鉄酸化物FeOまたはセリウムCeを含むイオン交換体が用いられることが望ましい。これにより、酸性溶液中においてもフッ素23とイオン交換体22とが安定して吸着結合することが可能である。保持部13は、被加工物12を保持する。保持部13は、被加工物12の被加工面を固体板11の表面に対向させ、これらを接触させたり離したりすることができる。被加工物12の被加工面と固体板11の表面との接触部が処理液15で浸されるように、容器10内の処理液の量が調整される。後述するように、被加工物12の被加工面酸化珪素膜21と固体板11の表面フッ素23とを処理液酸性溶液15中において接触または極接近させることにより、被加工物12の被加工面を平坦化することができる。熱源14は、固体板11および被加工物12に接続され、これらの接触部の温度を上昇させる。これにより、後述する固体板11と被加工物12との反応を促進させ、被加工物12の加工速度を向上させることができる。また、熱源14により処理液15の温度を上昇させることで、固体板11と被加工物12との反応を促進させることも可能である。また、固体板11および保持部13はともに、回転可能である。これらを回転させながら接触することにより、摩擦熱を発生させてこれらの接触部の温度を上昇させることができる。すなわち、熱源14を用いなくても、接触部の温度を上昇させて固体板11と被加工物12との反応を促進させることが可能である。なお、回転に限らず、固体板11および保持部13を互いにスライドさせることにより、摩擦熱を発生させてもよい。なお、本例では、固体板11を容器15内に固定させて、保持部13に保持された被加工物12を動作させて接触させる例を示したが、これに限らない。被加工物12を容器15内に固定させて、保持部13に保持された固体板11を動作させて接触させてもよい。[平坦化方法および原理]次に、図2乃至図5を用いて、本実施形態に係る酸化珪素膜の平坦化方法および原理について説明する。図2乃至図5は、本実施形態に係る酸化珪素膜の平坦化工程および原理を示す断面図である。なお、ここでは、被加工物12が基板20およびその上部に形成された酸化珪素膜21からなり、酸化珪素膜21の表面を被加工面とした例を示す。基板20は、例えば半導体基板、ガラス基板または半導体基板上に形成された絶縁膜等である。また、固体板11は、セリウムを含有するイオン交換体22を含み、その表面にフッ素23が吸着している。また、図1における保持部13および熱源14は、省略している。まず、図2に示すように、処理液15中において、酸化珪素膜21を含む被加工物12の被加工面が固体板11の表面に対向されるように、被加工物12が保持される。酸化珪素膜21の被加工面は、凹凸形状を有する。固体板11の表面には、フッ素23が吸着している。より具体的には、フッ素23は、イオン交換体22中のセリウムとイオン結合で結合している。このフッ素23は、予めイオン交換体22を例えばフッ酸溶液に浸すことにより、固体板11の表面に吸着される。また、処理液15は、酸性溶液であり、水素Hイオン24を含む。この処理液15に含まれる陰イオンとイオン交換体22との結合エネルギーは、フッ素23とイオン交換体22との結合エネルギーよりも小さい。このため、処理液15中において単独で固体板11のフッ素23は、解離しない。言い換えると、処理液15中において、固体板11と被加工物12とが十分に離れている場合、固体板11の表面ではセリウムとフッ素23との間のイオン結合は安定して存在する。処理液15としては、例えば、希硝酸や希塩酸などが用いられる。次に、図3に示すように、処理液15中において、被加工物12を動作させて被加工物12の被加工面を固体板11の表面に接触または極近接させる。このとき、少なくとも被加工物12の被加工面と固体板11の表面との接触部または極近接部が処理液15に浸されている。これにより、固体板11の表面のフッ素23が被加工面の珪素に引きつけられ、フッ素イオンとして処理液15中に解離するとともに、被加工面に存在する珪素と反応する。フッ素23の解離は、固体板11においてフッ素23とイオン交換体22とが例えばイオン結合等の結合エネルギーが小さく、液中で解離しやすい結合をしているために生じる。より具体的には、フッ素23とイオン交換体22との結合エネルギーがフッ素23と被加工面の珪素との結合エネルギーよりも小さいために生じる。すなわち、フッ素23は、処理液15中においてイオン交換体セリウム22と結合するよりも珪素と結合したほうが安定する。なお、固体板11としては、イオン交換体22としてセリウム以外に鉄酸化物等を含有するものであってもよい。また、イオン交換体22に限らず、フッ素23と珪素との結合エネルギーよりも小さい結合エネルギーでフッ素23と結合し、液中で解離しやすい材料であればよい。フッ素23と被加工面の珪素との反応は、被加工面のうち固体板11に接触または極近接された酸化珪素膜21の凸部において優先的に進む。このため、図4に示すように、被加工面の凸部が加工され、平坦化される。より具体的には、被加工面の二酸化珪素SiO2、固体板11の表面から解離したフッ素イオンF-HF2-、および処理液15中の水素イオンHH3O24が以下の反応を生じる。SiO26F-6H→SiF62-2H2H2O1すなわち、解離したフッ素イオンと珪素とが結合し、ヘキサフルオロ珪酸イオンSiF62-30として酸性溶液の処理液15中に溶解する。なお、ここで、極近接とは、フッ素23の解離が生じる程度に、被加工物12の被加工面と固体板11の表面とを接近させることを意味する。また、化学反応式1の反応は、十分な速度で連続的に進む。このため、被加工物12の動作速度固体板11に押し当てる圧力は、特に限定されない。すなわち、被加工物12は、任意の速度で動作されて固体板11に接触または極近接されていく。なお、イオン交換体22または処理液15の種類によっては、被加工物12と固体板11とを接触または極接近しただけでは、反応速度が遅かったり、フッ素23の解離に必要な活性化エネルギーが得られず反応が進行しなかったりする場合がある。この場合、被加工物11と固体板12との接触部の温度を上昇させることにより、反応を効率的に進行させることが可能である。例えば、熱源14を固体板11および被加工物12に接続することにより、これらの温度を上昇させることができる。また、熱源14により処理液15の温度を上昇させることで、固体板11と被加工物12との反応を促進させることも可能である。また、固体板11および保持部13を回転させながら接触することにより、摩擦熱を発生させて温度を上昇させることができる。なお、回転に限らず、固体板11および保持部13を互いにスライドさせることにより、摩擦熱を発生させて温度を上昇させてもよい。その後、被加工面の平坦化が終了すると、図5に示すように、被加工物12が固体板11から離される。このとき、被加工物12が接触していた固体板11の表面ではフッ素23が解離している。これにより、固体板11の表面に、処理液15中に含まれる陰イオン、または反応によって生じたヘキサフルオロ珪酸イオン30等の不純物Xが吸着する。このため、次の被加工物の処理を行う前に、固体板11がフッ酸溶液に浸される。これにより、固体板11の表面に、再度フッ素とセリウムとをイオン結合により結合吸着させることができる。なお、本実施形態で説明した酸化珪素膜は、二酸化珪素SiO2膜に限るものではなく、シランやTEOSテトラエチルオルソシリケイトを原料とするCVD法により形成される酸化珪素膜や、PSZ塗布法により形成される酸化珪素膜であってもよい。また、ホウ素やリンなど、他の元素を含有する酸化珪素膜であってもよい。[効果]上記実施形態によれば、酸性溶液の処理液15中において、被加工物12酸化珪素膜21の被加工面をフッ素23が吸着した固体板11の表面に接触させる。これにより、固体板11に接触した酸化珪素膜21の被加工面を化学的に溶解させ、被加工面の平坦化を行う。すなわち、酸化珪素膜21を機械的な研磨なく、化学的な反応のみで平坦化することができる。このため、機械的研磨によって生じる酸化珪素膜21の被加工面への研磨ダメージを抑制することができる。ところで、酸化珪素膜の加工のためには、酸性溶液およびフッ素を用いて反応させることが必要である。このため、酸化珪素膜をフッ酸溶液に浸すことで、これらを反応させることができる。しかし、酸化珪素膜をフッ酸溶液に浸すだけでは、酸化珪素膜は等方的に加工されてしまい、その被加工面を平坦化することはできない。これに対し、本実施形態では、浸すだけでは反応しない酸性溶液処理液15に酸化珪素膜21を浸し、その被加工面にフッ素23を含む固体板11の表面を接触または極近接させる。これにより、固体板11の表面と接触または極近接した酸化珪素膜21の被加工面のみを反応させて平坦化することができる。<適用例>図6乃至図9を用いて、本実施形態に係る平坦化方法の適用例について説明する。本実施形態に係る平坦化方法は、半導体装置のSTIShallowTrenchIsolation形成プロセスに適用され得る。図6乃至図9は、本実施形態に係る半導体装置のSTI形成工程を示す断面図である。まず、図6に示すように、半導体基板40上に、例えば、CVDChemicalVaporDeposition法により、酸化珪素膜または窒化珪素膜を含むトンネル絶縁膜41が形成される。このトンネル絶縁膜41上に、例えば、CVD法により、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンを含む電荷蓄積膜42が形成される。次に、図7に示すように、リソグラフィおよびRIEReactiveIonEtchingにより、電荷蓄積膜42、トンネル絶縁膜41、および半導体基板40に溝43が形成される。溝43は、電荷蓄積膜42およびトンネル絶縁膜41を貫通し、半導体基板40の一部を除去するように形成される。次に、図8に示すように、例えば、CVD法により、全面に酸化珪素膜を含む素子分離絶縁膜44が形成される。これにより、素子分離絶縁膜44は、溝43内に埋め込まれ、かつ、溝43外の電荷蓄積膜42上にも形成される。次に、図9に示すように、溝43外の電荷蓄積膜42上に形成された素子分離絶縁膜44が除去される。このとき、上記実施形態に係る酸化珪素膜の平坦化方法が用いられる。より具体的には、処理液15中に浸しながら素子分離絶縁膜44の表面をフッ素23が吸着した固体板11の表面に接触させる。すなわち、酸化珪素膜を含む素子分離絶縁膜44の表面を被加工面として、上記平坦化方法が行われる。これにより、素子分離絶縁膜44、処理液15、およびフッ素23が反応する。その結果、素子分離絶縁膜44の表面を平坦化しながら除去することができる。このようにして、適用例におけるSTI構造が形成される。その他、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で、種々に変形することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。