"半極性主面を有する基板と、前記半極性主面上に配置された光ガイド層と、510~550nmの光を発生可能な量子井戸構造を有すると共に前記光ガイド層上に配置された活性層と、を備え、前記量子井戸構造が、InGaNからなる第1井戸層と、当該第1井戸層上に配置されると共に窒化ガリウム系半導体からなるバリア層と、当該バリア層上に配置されると共にInGaNからなる第2井戸層と、を有し、前記バリア層のバンドギャップが前記光ガイド層のバンドギャップより小さい、窒化ガリウム系半導体レーザ素子。前記半極性主面が、窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する面から前記窒化ガリウム系半導体のm軸方向に傾斜している、請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。前記半極性主面の前記m軸方向への傾斜角度が63°以上80°未満である、請求項2に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。前記第1井戸層又は前記第2井戸層の少なくとも一方の膜厚が1.0~4.0nmである、請求項1~3のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。前記第1井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差、又は、前記第2井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が1.12eVを超え1.14eV以下であり、前記バリア層の膜厚が1.0~2.2nmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。前記第1井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差、又は、前記第2井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が1.07eVを超え1.12eV以下であり、前記バリア層の膜厚が1.0~2.4nmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。前記第1井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差、又は、前記第2井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が1.02eVを超え1.07eV以下であり、前記バリア層の膜厚が1.0~2.9nmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。前記第1井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差、又は、前記第2井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が0.97eVを超え1.02eV以下であり、前記バリア層の膜厚が1.0~3.3nmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。前記第1井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差、又は、前記第2井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が0.92eVを超え0.97eV以下であり、前記バリア層の膜厚が1.0~4.1nmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。前記第1井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差、又は、前記第2井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が0.87eVを超え0.92eV以下であり、前記バリア層の膜厚が1.0~4.8nmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。前記第1井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差、又は、前記第2井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が0.82eVを超え0.87eV以下であり、前記バリア層の膜厚が1.0~6.5nmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。前記第1井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差、又は、前記第2井戸層と前記バリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が0.77eV以上0.82eV以下であり、前記バリア層の膜厚が1.0~8.3nmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。ところで、複数の井戸層がバリア層を介して積層されてなる活性層を有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子の発光特性は、単一の井戸層からなる活性層を有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子に比して優れる傾向がある。しかしながら、複数の井戸層がバリア層を介して積層されてなる活性層を有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子では、単一の井戸層からなる活性層を有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子に比して井戸層とバリア層とのバンドオフセットが大きいため、大きな電圧降下例えば3V以上の電圧降下が生じて、所定量の電流を得るための動作電圧が高くなる傾向がある。そのため、このような活性層を備えた窒化ガリウム系半導体レーザ素子に対しては、動作電圧を低減することが求められている。本発明は、上記課題を解決しようとするものであり、複数の井戸層がバリア層を介して積層されてなる活性層を有しつつ動作電圧を低減することが可能な窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供することを目的とする。本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、510~550nmの光を発生可能な井戸層/バリア層/井戸層の量子井戸構造を基板の半極性面上に光ガイド層を介して有する素子では、当該量子井戸構造を基板の極性面上に光ガイド層を介して有する素子に比してキャリアの移動度に優れたバンド構造が形成され易く、半導体レーザ素子において動作電圧を低減し易いことを見出した。さらに、本発明者は、基板の半極性面上に光ガイド層を介して配置される上記量子井戸構造において、バリア層のバンドギャップを光ガイド層のバンドギャップより小さくなるように調整することで、キャリアの移動度に更に優れたバンド構造が形成され、動作電圧を低減することができることを見出した。すなわち、本発明に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子は、半極性主面を有する基板と、半極性主面上に配置された光ガイド層と、510~550nmの光を発生可能な量子井戸構造を有すると共に光ガイド層上に配置された活性層と、を備え、量子井戸構造が、InGaNからなる第1井戸層と、当該第1井戸層上に配置されると共に窒化ガリウム系半導体からなるバリア層と、当該バリア層上に配置されると共にInGaNからなる第2井戸層と、を有し、バリア層のバンドギャップが光ガイド層のバンドギャップより小さい。本発明に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子では、基板の半極性主面上に光ガイド層を介して配置される井戸層/バリア層/井戸層の量子井戸構造が510~550nmの光を発生可能な構造を有しており、バリア層のバンドギャップが光ガイド層のバンドギャップより小さい。これにより、キャリアの移動度に優れたバンド構造が形成されてキャリアの移動が促進されることとなる。したがって、本発明に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子では、複数の井戸層がバリア層を介して積層されてなる活性層を有しつつ、所定量例えば200mAの電流を得るための動作電圧を低減することができる。半極性主面は、窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する面から窒化ガリウム系半導体のm軸方向に傾斜していることが好ましい。この場合、動作電圧を更に低減することができる。半極性主面のm軸方向への傾斜角度は、63°以上80°未満であることが好ましい。この場合、動作電圧を更に低減することができる。第1井戸層又は第2井戸層の少なくとも一方の膜厚は、1.0~4.0nmであることが好ましい。この場合、動作電圧を更に低減することができる。本発明においては、第1井戸層とバリア層のバンドギャップ差、又は、第2井戸層とバリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が1.12eVを超え1.14eV以下であり、且つ、バリア層の膜厚が1.0~2.2nmであることが好ましい。この場合、動作電圧を更に低減可能な半導体レーザ素子を実現することができる。本発明においては、第1井戸層とバリア層のバンドギャップ差、又は、第2井戸層とバリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が1.07eVを超え1.12eV以下であり、且つ、バリア層の膜厚が1.0~2.4nmであることが好ましい。この場合、動作電圧を更に低減可能な半導体レーザ素子を実現することができる。本発明においては、第1井戸層とバリア層のバンドギャップ差、又は、第2井戸層とバリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が1.02eVを超え1.07eV以下であり、且つ、バリア層の膜厚が1.0~2.9nmであることが好ましい。この場合、動作電圧を更に低減可能な半導体レーザ素子を実現することができる。本発明においては、第1井戸層とバリア層のバンドギャップ差、又は、第2井戸層とバリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が0.97eVを超え1.02eV以下であり、且つ、バリア層の膜厚が1.0~3.3nmであることが好ましい。この場合、動作電圧を更に低減可能な半導体レーザ素子を実現することができる。本発明においては、第1井戸層とバリア層のバンドギャップ差、又は、第2井戸層とバリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が0.92eVを超え0.97eV以下であり、且つ、バリア層の膜厚が1.0~4.1nmであることが好ましい。この場合、動作電圧を更に低減可能な半導体レーザ素子を実現することができる。本発明においては、第1井戸層とバリア層のバンドギャップ差、又は、第2井戸層とバリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が0.87eVを超え0.92eV以下であり、且つ、バリア層の膜厚が1.0~4.8nmであることが好ましい。この場合、動作電圧を更に低減可能な半導体レーザ素子を実現することができる。本発明においては、第1井戸層とバリア層のバンドギャップ差、又は、第2井戸層とバリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が0.82eVを超え0.87eV以下であり、且つ、バリア層の膜厚が1.0~6.5nmであることが好ましい。この場合、動作電圧を更に低減可能な半導体レーザ素子を実現することができる。本発明においては、第1井戸層とバリア層のバンドギャップ差、又は、第2井戸層とバリア層のバンドギャップ差の少なくとも一方が0.77eV以上0.82eV以下であり、且つ、バリア層の膜厚が1.0~8.3nmであることが好ましい。この場合、動作電圧を更に低減可能な半導体レーザ素子を実現することができる。本発明によれば、複数の井戸層がバリア層を介して積層されてなる活性層を有しつつ、所定量の電流を得るための動作電圧を低減することが可能な窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供することができる。本発明によれば、複数の井戸層がバリア層を介して積層されてなる活性層を有しつつ、単一の井戸層からなる活性層を有する素子と同等の動作電圧を達成可能な窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供することができる。以下、本発明に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子の好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本実施形態に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子を示す模式断面図である。本実施形態に係る半導体レーザ窒化ガリウム系半導体レーザ素子1は、半導体基板10、半導体領域20、活性層30及び半導体領域40を備えている。半導体基板10は、例えば、GaN基板等の窒化ガリウム系半導体基板である。半導体基板10は、互いに対向する表面10aと裏面10bとを有しており、半導体基板10の表面10aは、例えば、窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する面から窒化ガリウム系半導体のm軸方向に傾斜した半極性主面である。表面10aのm軸方向への傾斜角度は、動作電圧を更に低減する観点から、63°以上80°未満が好ましく、70°以上80°未満がより好ましく、71°以上79°以下が更に好ましい。半導体レーザ1は、半導体領域20、活性層30及び半導体領域40を半導体基板10の表面10a上に表面10aの法線方向にエピタキシャル成長させて形成される。半導体基板10の表面10a上にエピタキシャル成長する半導体領域半導体領域20、活性層30、半導体領域40の各構成層の主面は、表面10aの結晶方位を引き継ぐ傾向がある。半導体領域20は、一又は複数の窒化ガリウム系半導体層から構成されており、GaN、AlGaN、InGaN又はInAlGaN等からなる窒化ガリウム系半導体層から構成されている。半導体領域20は、光ガイド層を少なくとも一つ有しており、例えば、バッファ層20a、下部クラッド層20b、下部光ガイド層20c及び下部光ガイド層20dを有している。バッファ層20aは、半導体基板10の表面10a上に配置されており、表面10aに接合している。バッファ層20aは、例えば、Si等をn型ドーパントとして含有するn型窒化ガリウム系半導体層GaN層等である。バッファ層20aのn型ドーパント濃度は、例えば3×1018/cm3である。バッファ層20aの膜厚は、例えば1.1μmである。下部クラッド層20bは、バッファ層20a上に配置されており、例えば、Si等をn型ドーパントとして含有するn型窒化ガリウム系半導体層In0.03Al0.14Ga0.83N層等である。下部クラッド層20bのn型ドーパント濃度は、例えば3×1018/cm3である。下部クラッド層20bの膜厚は、例えば1.2μmである。下部光ガイド層20cは、下部クラッド層20b上に配置されており、例えば、Si等をn型ドーパントとして含有するn型窒化ガリウム系半導体層GaN層等である。下部光ガイド層20cのn型ドーパント濃度は、例えば2×1018/cm3である。下部光ガイド層20cの膜厚は、例えば0.250μmである。下部光ガイド層20dは、バッファ層20a、下部クラッド層20b及び下部光ガイド層20cを介して半導体基板10上に配置されている。下部光ガイド層20dは、例えば、Si等をn型ドーパントとして含有するn型InxGa1-xN半導体層である。In組成xは、0.025≦x≦0.06が好ましい。下部光ガイド層20dのn型ドーパント濃度は、例えば5×1017~2×1018/cm3である。下部光ガイド層20dの膜厚は、例えば0.115μmである。活性層30は、下部光ガイド層20d上に配置されており、下部光ガイド層20dの主面20sに接合している。活性層30は、510~550nmの光を発生可能な多重量子井戸構造MQW構造を有している。活性層30は、井戸層第1井戸層30aと、井戸層30a上に配置されたバリア層30bと、バリア層30b上に配置された井戸層第2井戸層30cとから構成されるMQW構造を有している。井戸層30a,30cは、例えばノンドープのInyGa1-yN半導体層である。In組成yは、0.25≦y≦0.30が好ましい。井戸層30aのIn組成yと井戸層30cのIn組成yとは、互いに同一であっても異なっていてもよい。井戸層30a又は井戸層30cの少なくとも一方の膜厚は、1.0~4.0nmであることが好ましく、2.0~3.0nmがより好ましい。また、井戸層30a,30cの膜厚のいずれもが1.0~4.0nmであることが好ましい。井戸層30a,30cの膜厚のいずれもが1.0nm未満であると、発光効率が低下する傾向がある。井戸層30a,30cの膜厚のいずれもが4.0nmを超えると、歪が大きくなり結晶が壊れ易くなる傾向がある。バリア層30bは、下部光ガイド層20dよりもバンドギャップが小さい窒化ガリウム系半導体からなり、例えばノンドープのInzGa1-zN半導体層である。In組成zは、0.025≦z≦0.10が好ましく、0.025<z≦0.10がより好ましく、0.03≦z≦0.06が更に好ましい。In組成zが0.025未満であると、バリア層30bでの電圧降下が大きくなる傾向がある。In組成zが0.10を超えると、バリア層30bを結晶成長させ難くなる傾向がある。In組成zは、下部光ガイド層20dのIn組成x以上であることが好ましく、下部光ガイド層20dのIn組成xより大きいことがより好ましい。また、In組成zは、井戸層30a,30cのIn組成yより小さいことが好ましい。バリア層30bの膜厚は、1.0nm以上が好ましい。バリア層30bの膜厚が1.0nm未満であると、結晶成長が困難になる傾向がある。半導体領域40は、一又は複数の窒化ガリウム系半導体層から構成されており、GaN、AlGaN、InGaN又はInAlGaN等からなる窒化ガリウム系半導体層から構成されている。半導体領域40は、例えば、上部光ガイド層40a、電子ブロック層40b、上部光ガイド層40c、上部光ガイド層40d、上部クラッド層40e及びコンタクト層40fを有している。上部光ガイド層40aは、活性層30上に配置されており、活性層30の主面30sに接合している。上部光ガイド層40aは、例えば、ノンドープの窒化ガリウム系半導体層In0.025Ga0.975N層等である。上部光ガイド層40aの膜厚は、例えば0.075μmである。電子ブロック層40bは、上部光ガイド層40a上に配置されており、例えば、Mg等をp型ドーパントとして含有するp型窒化ガリウム系半導体層GaN層等である。電子ブロック層40bのp型ドーパント濃度は、例えば1×1019/cm3である。電子ブロック層40bの膜厚は、例えば20nmである。上部光ガイド層40cは、電子ブロック層40b上に配置されている。上部光ガイド層40cは、例えば、Mg等をp型ドーパントとして含有するp型窒化ガリウム系半導体層In0.025Ga0.975N層等である。上部光ガイド層40cのp型ドーパント濃度は、例えば5×1018/cm3である。上部光ガイド層40cの膜厚は、例えば0.050μmである。上部光ガイド層40dは、上部光ガイド層40c上に配置されており、例えば、Mg等をp型ドーパントとして含有するp型窒化ガリウム系半導体層GaN層等である。上部光ガイド層40dのp型ドーパント濃度は、例えば5×1018/cm3である。上部光ガイド層40dの膜厚は、例えば0.250μmである。上部クラッド層40eは、上部光ガイド層40d上に配置されており、例えば、Mg等をp型ドーパントとして含有するp型窒化ガリウム系半導体層In0.03Al0.14Ga0.83N層等である。上部クラッド層40eのp型ドーパント濃度は、例えば1×1019/cm3である。上部クラッド層40eの膜厚は、例えば0.40μmである。コンタクト層40fは、上部クラッド層40e上に配置されており、例えば、Mg等をp型ドーパントとして含有するp型窒化ガリウム系半導体層GaN層等である。コンタクト層40fのp型ドーパント濃度は、例えば3×1019/cm3である。コンタクト層40fの膜厚は、例えば0.050μmである。図2は、半導体レーザ1の一部におけるエネルギーバンドの模式図であり、下部光ガイド層20dから上部光ガイド層40aにかけてのバンド図である。縦軸はバンドエネルギーを示し、横軸は積層方向の座標を示す。実線Ecは伝導帯の下端を示し、実線Evは価電子帯の上端を示す。本発明者の知見によれば、バリア層30bのバンドギャップBG1を下部光ガイド層20dのバンドギャップBG2より小さくなるように調整することにより、動作電圧を低減することができる。また、バリア層30bのバンドギャップBG1を上部光ガイド層40aのバンドギャップBG3より小さくなるように調整することにより、動作電圧を更に低減することができる。各半導体層のバンドギャップの大きさは、例えば、各半導体層のIn組成により調整することが可能であり、In組成の増加に伴いバンドギャップは減少する傾向がある。さらに、本発明者の知見によれば、バンドギャップBG1をバンドギャップBG2より小さくなるように調整した上で、i井戸層30a,30cとバリア層30bとのバンドオフセットBO1~BO4を小さくする、iiバリア層30bの膜厚Tを小さくすることにより、動作電圧を更に低減することができる。バンドオフセットBO1~BO4は、例えば、井戸層30a,30c及びバリア層30bのIn組成により調整することができる。本実施形態においては、動作電圧を更に低減可能な半導体レーザ素子を実現する観点から、井戸層30a,30cとバリア層30bとのバンドギャップ差すなわち、井戸層30a,30cとバリア層30bとのバンドオフセットに応じて、バリア層30bの膜厚を調整することが好ましい。例えば、井戸層30a,30cとバリア層30bとのバンドギャップ差が大きい場合には、バリア層30bにおけるキャリアのトンネリング作用を向上させる観点から、膜厚の小さいバリア層30bを用いることが好ましい。井戸層30aとバリア層30bのバンドギャップ差、又は、井戸層30cとバリア層30bのバンドギャップ差の少なくとも一方が1.12eVを超え1.14eV以下である場合、バリア層30bの膜厚は1.0~2.2nmであることが好ましい。井戸層30aとバリア層30bのバンドギャップ差、又は、井戸層30cとバリア層30bのバンドギャップ差の少なくとも一方が1.07eVを超え1.12eV以下である場合、バリア層30bの膜厚は1.0~2.4nmであることが好ましい。井戸層30aとバリア層30bのバンドギャップ差、又は、井戸層30cとバリア層30bのバンドギャップ差の少なくとも一方が1.02eVを超え1.07eV以下である場合、バリア層30bの膜厚は1.0~2.9nmであることが好ましい。井戸層30aとバリア層30bのバンドギャップ差、又は、井戸層30cとバリア層30bのバンドギャップ差の少なくとも一方が0.97eVを超え1.02eV以下である場合、バリア層30bの膜厚が1.0~3.3nmであることが好ましい。井戸層30aとバリア層30bのバンドギャップ差、又は、井戸層30cとバリア層30bのバンドギャップ差の少なくとも一方が0.92eVを超え0.97eV以下である場合、バリア層30bの膜厚が1.0~4.1nmであることが好ましい。井戸層30aとバリア層30bのバンドギャップ差、又は、井戸層30cとバリア層30bのバンドギャップ差の少なくとも一方が0.87eVを超え0.92eV以下である場合、バリア層30bの膜厚が1.0~4.8nmであることが好ましい。井戸層30aとバリア層30bのバンドギャップ差、又は、井戸層30cとバリア層30bのバンドギャップ差の少なくとも一方が0.82eVを超え0.87eV以下である場合、バリア層30bの膜厚が1.0~6.5nmであることが好ましい。井戸層30aとバリア層30bのバンドギャップ差、又は、井戸層30cとバリア層30bのバンドギャップ差の少なくとも一方が0.77eV以上0.82eV以下である場合、バリア層30bの膜厚が1.0~8.3nmであることが好ましい。半導体レーザ1では、半極性主面である表面10a上に下部光ガイド層20dを介して配置される井戸層30a/バリア層30b/井戸層30cの量子井戸構造が510~550nmの光を発生可能な構造を有しており、バリア層30bのバンドギャップが下部光ガイド層20dのバンドギャップより小さい。この場合、図3を用いて後述するようにキャリアの移動度に優れたバンド構造が形成されているため、キャリアの移動が促進されることとなる。したがって、半導体レーザ1では、複数の井戸層がバリア層を介して積層されてなる活性層を有しているものの、所定量の電流を得るための動作電圧を低減することができる。このような半導体レーザ1では、単一の井戸層からなる活性層を有する素子と同等の動作電圧を達成しつつ当該素子よりも優れた発光特性を得ることができる。本発明は上述の実施形態に限定されず、様々な変形態様が可能である。例えば、上述の実施形態において半導体基板10の表面10aは、窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する面から窒化ガリウム系半導体のm軸の方向に傾斜しているが、窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する面から窒化ガリウム系半導体のa軸の方向に傾斜していてもよい。また、半導体領域40の表面側に、半導体レーザ素子の光導波方向に延びるリッジ部が形成されていてもよい。また、上記半導体レーザ1では、上部光ガイド層40aはノンドープであるが、Mg等をp型ドーパントとして含有するp型窒化ガリウム系半導体層であってもよい。また、上記半導体レーザ1では、上部光ガイド層40a及び上部光ガイド層40cの間に電子ブロック層40bが配置されているが、電子ブロック層40bが配置されることなく単一の上部光ガイド層が形成されていてもよい。次に、下記半導体レーザ素子モデルA~Cを用いたデバイスシミュレーションの結果について説明する。半導体レーザ素子モデルAは、半導体レーザ1と同様の構成を有している。半導体レーザ素子モデルA~Cの構成の詳細は下記のとおりである。半導体レーザ素子モデルA半導体基板10ノンドープGaN基板、主面:{20-21}面c面からm軸方向への傾斜角度:75°バッファ層20an型GaN層、ドーパント:Si、ドーパント濃度:3×1018/cm3、膜厚:1.1μm下部クラッド層20bn型In0.03Al0.14Ga0.83N層、ドーパント:Si、ドーパント濃度:3×1018/cm3、膜厚:1.2μm下部光ガイド層20cn型GaN層、ドーパント:Si、ドーパント濃度:2×1018/cm3、膜厚:0.250μm下部光ガイド層20dn型In0.025Ga0.975N半導体層、ドーパント:Si、ドーパント濃度:5×1017/cm3、膜厚:0.115μm活性層30多重量子井戸構造:井戸層30a/バリア層30b/井戸層30c、井戸層30a,30cの組成:In0.30Ga0.70N、井戸層30a,30cの膜厚:3nm、バリア層30bの組成:InzGa1-zN半導体層z:0.025、0.050、0.10、0.15、バリア層30bの膜厚:1nm、2nm、5nm、10nm上部光ガイド層40aノンドープIn0.025Ga0.975N半導体層、膜厚:0.075μm電子ブロック層40bp型GaN層、ドーパント:Mg、ドーパント濃度:1×1019/cm3、膜厚:20nm上部光ガイド層40cp型In0.025Ga0.975N層、ドーパント:Mg、ドーパント濃度:5×1018/cm3、膜厚:0.050μm上部光ガイド層40dp型GaN層、ドーパント:Mg、ドーパント濃度:5×1018/cm3、膜厚:0.250μm上部クラッド層40ep型In0.03Al0.14Ga0.83N層、ドーパント:Mg、ドーパント濃度:1×1019/cm3、膜厚:0.40μmコンタクト層40fp型GaN層、ドーパント:Mg、ドーパント濃度:3×1019/cm3、膜厚:0.050μm半導体レーザ素子モデルB半導体レーザ素子モデルBは、半導体基板10の主面が{0001}面c面であることを除き半導体レーザ素子モデルAと同様の構成を有している。半導体レーザ素子モデルC半導体レーザ素子モデルCは、活性層30が井戸層30aの単層からなることを除き半導体レーザ素子モデルAと同様の構成を有している。図3は、半導体レーザ素子モデルA,Bを用いたシミュレーションによって提供されたエネルギーバンド図であり、下部光ガイド層20dからバリア層30bにかけてのエネルギーバンド図である。図3aは、半導体レーザ素子モデルAを用いたシミュレーション結果であり、図3bは、半導体レーザ素子モデルBを用いたシミュレーション結果である。縦軸はバンドエネルギーeVを示し、横軸は積層方向の座標を示す。実線Ec1,Ec2は伝導帯の下端を示し、実線Ev1,Ev2は価電子帯の上端を示す。破線Fc1,Fc2は電子のフェルミ準位を示し、破線Fv1,Fv2は正孔のフェルミ準位を示す。図3aを参照すると、半導体基板の半極性面上に下部光ガイド層20d/井戸層30a/バリア層30bの量子井戸構造を有する素子では、伝導帯の下端Ec1において、井戸層30a/バリア層30b界面におけるエネルギーレベルELc11の方が井戸層30a/下部光ガイド層20d界面におけるエネルギーレベルELc12に比してバンドエネルギーが高いと共に、価電子帯の上端Ev1において、井戸層30a/バリア層30b界面におけるエネルギーレベルELv11の方が井戸層30a/下部光ガイド層20d界面におけるエネルギーレベルELv12に比してバンドエネルギーが高い。一方、図3bを参照すると、半導体基板の極性面上に下部光ガイド層20d/井戸層30a/バリア層30bの量子井戸構造を有する素子では、伝導帯の下端Ec2において、井戸層30a/バリア層30b界面におけるエネルギーレベルELc21の方が井戸層30a/下部光ガイド層20d界面におけるエネルギーレベルELc22に比してバンドエネルギーが低いと共に、価電子帯の下端Ev2において、井戸層30a/バリア層30b界面におけるエネルギーレベルELv21の方が井戸層30a/下部光ガイド層20d界面におけるエネルギーレベルELv22に比してバンドエネルギーが低い。そのため、電子が井戸層30aに注入されるときに乗り越えなければならないバンド障壁の高さが、半極性の場合は比較的低くなることにより、半極性面上に量子井戸構造を有する素子は、極性面上に量子井戸構造を有する素子に比してキャリアの移動度に優れたバンド構造を有しているため、半導体レーザ素子において所定量の電流を得るための動作電圧を低くすることができる。半導体レーザ素子モデルAを用いて、バリア層30bの膜厚及びIn組成を変化させて電流-電圧特性のデバイスシミュレーションを行った。図4は、シミュレーションによって提供された電流-電圧特性を示す図面であり、シミュレーション結果の一例として、バリア層30bの膜厚が10nmである場合における電流-電圧特性を示す図面である。縦軸は電流mAを示し、横軸は電圧Vを示す。図5は、バリア層30bの各膜厚及び各In組成において200mAの電流を得るための動作電圧を図4の電流-電圧特性のシミュレーション結果に基づき導出した結果を示す図面であり、動作電圧とIn組成との関係を示す図面である。縦軸は200mAの電流を得るための動作電圧VfVを示し、横軸はバリア層30bのIn組成を示す。図5を参照すると、バリア層30bがいずれの膜厚を有している場合であっても、200mAの電流を得るための動作電圧がIn組成の増加に伴い減少することが確認される。バリア層30bのIn組成が増加するに伴い、バリア層30bのバンドギャップが下部光ガイド層20dのバンドギャップよりも小さくなると共に、バリア層30bと井戸層30a,30cとのバンドオフセットが小さくなることにより、キャリアの移動に更に優れたバンド構造が形成されることとなり動作電圧が減少したものと推測される。また、図5を参照すると、バリア層30bの膜厚が小さくなるに伴い、同一のIn組成における動作電圧が減少することが確認される。バリア層30bの膜厚が小さくなるに伴い、バリア層30bにおけるキャリアのトンネリング作用が向上することにより、動作電圧が減少したものと推測される。また、単一の井戸層からなる活性層を有する半導体レーザ素子モデルCを用いて、電流-電圧特性のデバイスシミュレーションを行ったところ、200mAの電流を得るための動作電圧VfVが6.3Vであることが確認された。半導体レーザ素子においては井戸層の数が増加するに伴い動作電圧が増大する傾向があるところ、200mAの電流を得るための動作電圧の増加量は、単一の井戸層からなる活性層を有する素子に対して1.0V以下であることが好ましく、すなわち、200mAの電流を得るための動作電圧VfVは7.3V以下であることが好ましい。図6は、図5の結果に基づき、動作電圧が7.3Vとなる膜厚以下、許容膜厚というをIn組成2.5~10の範囲内で算出した結果を示す図面であり、バリア層30bの許容膜厚とIn組成との関係を示す図面である。縦軸はバリア層30bの許容膜厚nmを示し、横軸はバリア層30bのIn組成を示す。また、半導体レーザ素子モデルAを用いて、井戸層30aとバリア層30bのバンドギャップ差についてデバイスシミュレーションを行った。図7は、井戸層30a及びバリア層30bのバンドギャップ差とバリア層30bのIn組成との関係を示す図面である。縦軸は井戸層30a及びバリア層30bのバンドギャップ差eVを示し、横軸はバリア層30bのIn組成を示す。なお、井戸層30aのバンドギャップは2.2eVであった。バンドギャップ差はIn組成の増加に伴い単調に減少し、近似曲線y=-0.0497x1.2675x:In組成、y:バンドギャップ差が得られた。次に、図6及び図7の結果に基づき、バリア層30bの許容膜厚と、井戸層30a及びバリア層30bのバンドギャップ差との関係を導出した。例えば、図7においてバンドギャップ差が1.12eVを超え1.14eV以下の範囲では、1.14eVにおける許容膜厚をバリア層30bが有している場合には、当該範囲のいずれにおいても動作電圧を7.3V以下とすることができる。図7においてバンドギャップ差が1.14eVである場合、In組成は2.5である。そして、In組成が2.5である場合、図6における許容膜厚は2.2nmである。したがって、バンドギャップ差が1.12eVを超え1.14eV以下の範囲では、バリア層30bの膜厚を2.2nm以下にすることにより、200mAの電流を得るための動作電圧を7.3V以下にすることができる。同様の手順により、図7においてバンドギャップ差が1.07eVを超え1.12eV以下の範囲では、図6において許容膜厚は2.4nm以下と算出される。バンドギャップ差が1.02eVを超え1.07eV以下の範囲では、許容膜厚は2.9nm以下と算出される。バンドギャップ差が0.97eVを超え1.02eV以下の範囲では、許容膜厚は3.3nm以下と算出される。バンドギャップ差が0.92eVを超え0.97eV以下の範囲では、許容膜厚は4.1nm以下と算出される。バンドギャップ差が0.87eVを超え0.92eV以下の範囲では、許容膜厚は4.8nm以下と算出される。バンドギャップ差が0.82eVを超え0.87eV以下の範囲では、許容膜厚は6.5nm以下と算出される。バンドギャップ差が0.77eV以上0.82eV以下の範囲では、許容膜厚は8.3nm以下と算出される。"