半導体素子と、第一の接合材を介して前記半導体素子と接合される、導電性を有する第一の電極と、前記半導体素子に対して前記第一の電極の反対側に、第二の接合材を介して前記半導体素子と接合される、導電性を有する第二の電極と、前記第二の電極に対して前記半導体素子の反対側に、第三の接合材を介して前記第二の電極と接合される、前記第二の電極よりも線膨張係数の小さい緩衝部材と、これらを封止する第一の樹脂と、を有することを特徴とする半導体装置。前記緩衝部材は、前記第二の電極の投影面に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記半導体素子は、角部を有し、前記緩衝部材は、前記半導体素子の角部に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記緩衝部材は、前記第二の電極の投影面の内側に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記半導体装置は、前記半導体素子の側面に配置される第二の樹脂を有することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。ところで、後記するように、エポキシ樹脂封止型の半導体装置では、エポキシ樹脂で封止する前に、半導体素子と第一、第二の電極とをはんだで接合する工程が必要である。この際、半導体素子に大きな応力が加わるため、半導体装置の構成によっては、半導体素子が割れるおそれがあった。また、前記したように、回転発電機の電力容量は増加傾向にあるため、半導体装置に加わる温度振幅も今後更に大きくなると考えられる。それに加えて、低環境負荷の鉛フリーはんだが使用されるようになった場合、第一、第二の電極と半導体素子とを接合するはんだが、従来のものよりも硬くなるため、半導体素子に加わる応力が更に大きくなると考えられる。そのため、将来的には、半導体素子が割れるおそれが更に高まると考えられる。そこで、本発明は従来技術に鑑みて、前記した課題を解決するためになされたものである。本発明の目的は、熱抵抗を大きくすることなく、半導体素子に加わる応力を低減可能な半導体装置を提供することである。本発明による半導体装置は、半導体素子と、第一の接合材を介して前記半導体素子と接合される、導電性を有する第一の電極と、前記半導体素子に対して前記第一の電極の反対側に、第二の接合材を介して前記半導体素子と接合される、導電性を有する第二の電極と、前記第二の電極に対して前記半導体素子の反対側に、第三の接合材を介して前記第二の電極と接合される、前記第二の電極よりも線膨張係数の小さい緩衝部材と、これらを封止する第一の樹脂と、を有することを特徴とする。本発明によれば、半導体素子に加わる応力を低減可能な半導体装置を提供することが可能になる。以降、本発明を実施するための形態本実施形態と呼ぶを、図等を参照しながら詳細に説明する。また、本実施形態を説明するための全図において、同一部には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。<実施形態1>構造まず、実施形態1の半導体装置10の構造を説明する。図1は、実施形態1の半導体装置10の構造を説明する図である。図1aは、実施形態1の半導体装置10の中心を通る断面の断面図である。半導体装置10は、半導体素子1、第一の接合材2、第一の電極3、第二の接合材4、第二の電極5、エポキシ樹脂6、第三の接合材7および緩衝部材8を含んで構成される。第一の電極3は、導電性を有し、第一の接合材2を介して半導体素子1と接合されている。第二の電極5は、導電性を有し、半導体素子1に対して第一の電極3の反対側に、第二の接合材4を介して半導体素子1と接合されている。緩衝部材8は、第二の電極5に対して半導体素子1の反対側に、第三の接合材7を介して第二の電極5と接合されている。エポキシ樹脂6は、これらを封止する。また、図1bは、実施形態1の半導体装置10の平面図である。なお、エポキシ樹脂6の図示は省略されている。緩衝部材8は、第二の電極5第二の電極の端子部5aを除くの背面全域と接合されている。換言すれば、緩衝部材8は、第二の電極5第二の電極の端子部5aを除くの投影面に配置されている。なお、図1abにおいて、緩衝部材8の内径を第二の電極の端子部5aの直径と同一にしているが、必ずしも同一でなくても構わない。製造工程次に、半導体装置の製造工程について説明する。図2は、半導体装置のはんだ付けの工程を説明する図である。図2aは、比較例の半導体装置のはんだ付けの工程を説明する図である。比較例の半導体装置では、図示しない治具により、積層した半導体素子1、第一の電極3、第二の電極5、第一の接合材2および第二の接合材4の軸を合わせ、高温にて一括ではんだ付けを行った後、室温に戻している。この場合に、各部材に加わる応力を、図3を参照して説明する。図3は、比較例の半導体装置のはんだ付けの工程において、各部材に加わる応力を説明する図である。図3aは、半導体素子1に加わる応力のうち、第一の電極3の方向へ加わる応力を説明する図である。半導体素子1と第一の電極3を、第一の接合材2を用いて接合する工程において、高温で第一の接合材2が溶融するが、室温に冷却する際に、線膨張係数の差により反りが生じる。半導体素子1の材料にはSi線膨張係数3×10-6/°Cが、第一の電極3の材料にはCu線膨張係数17×10-6/°Cが使用されることが多い。半導体素子1よりも第一の電極3の線膨張係数が大きいために、第一の電極3の方が大きく収縮する。そのため、半導体素子1は、図3aに示す矢印の方向へ反ろうとする。また、図3bは、半導体素子1に加わる応力のうち、第二の電極5の方向へ加わる応力を説明する図である。第一の電極3と同様に、第二の電極5の材料にはCu線膨張係数17×10-6/°Cが使用されることが多い。そのため、半導体素子1は、図3bに示す矢印の方向へ反ろうとする。そして、図3cは、半導体素子1に加わる応力を説明する図である。前記のように、半導体素子1には、図3abに示す矢印の方向へ反ろうとするので、図3cに示す矢印のように、半導体素子1上面では上方向の力が加わり、半導体素子1下面では下方向の力が加わることになる。そのため、これらの力が大きいと、半導体素子1が水平方向へ割れるおそれが出てくる。図2に戻って、実施形態1の半導体装置10のはんだ付けの工程を説明する。図2bは、実施形態1の半導体装置10のはんだ付けの工程を説明する図である。比較例の半導体装置と同様に、実施形態1の半導体装置10でも、図示しない治具により、積層した半導体素子1、第一の電極3、第二の電極5、第一の接合材2、第二の接合材4、第三の接合材7および緩衝部材8の軸を合わせ、高温にて一括ではんだ付けを行った後、室温に戻している。この場合に、各部材に加わる応力を、図4を参照して説明する。図4は、実施形態1の半導体装置10のはんだ付けの工程において、各部材に加わる応力を説明する図である。図4abは、図3abと同様である。比較例の半導体装置と異なり、実施形態1の半導体装置10は、第二の電極5に対して半導体素子1の反対側に、第三の接合材7を介して緩衝部材8および第二の電極5が接合されている。図4cは、緩衝部材8に加わる応力を説明する図である。緩衝部材8の材料には、第二の電極5よりも線膨張係数の小さいものを使用すると、室温に冷却する際に、第二の電極5の方が大きく収縮する。そのため、緩衝部材8は、図4cに示す矢印の方向へ反ろうとする。そして、図4dは、半導体素子1に加わる応力を説明する図である。前記のように、半導体素子1は図4bに示す矢印の方向へ反ろうとし、緩衝部材8は図4cに示す矢印の方向へ反ろうとする。これらは反る向きが逆となるため、図4dに示す矢印のように、半導体素子1上面を上方向に引っ張る力が低減する。実施形態1のまとめ実施形態1では、第二の電極5よりも線膨張係数の小さい緩衝部材8を、第二の電極5に対して半導体素子1の反対側に、第二の電極5と接合させることにより、半導体素子1に加わる応力を低減することが可能となる。また、第二の電極5および緩衝部材8が接合する面積が大きいため、局所的に電極を拘束するよりも、半導体素子1に加わる応力を低減する効果は大きくなる。さらに、実施形態1では、緩衝部材8を、第二の電極5に対して半導体素子1の反対側に、第二の電極5を配置することにより、半導体素子1から発生した熱が、第一の電極3および第二の電極5へと広がることを妨げない。そのため、半導体装置10の熱抵抗を増大させることなく、半導体素子1に加わる応力を低減することが可能となる。これらの効果は、製造工程に限らず、エポキシ樹脂6で封止後に温度振幅が加わった場合でも維持されることは言うまでもない。また、エポキシ樹脂6で封止することにより、第一の接合材2、第二の接合材4および第三の接合材7の熱ひずみを抑制することが可能となる。そのため、半導体装置10の長期信頼性も確保することが可能となる。また、第三の接合材7は、第一の接合材2および/または第二の接合材4と同一の物質である必要はない。第三の接合材7が硬いはんだほど、緩衝部材8による第二の電極5の拘束が強まるので、半導体素子1に加わる応力を低減する効果が増大する。なお、図1では、半導体素子1および第二の電極5の形状を円としているが、それぞれが四角形や六角形等の角部を有し、互いに異なる形状であっても、同様の効果が得られる。<実施形態2>次に、実施形態2の半導体装置10の構造を説明する。実施形態1と異なり、実施形態2の半導体装置10は、半導体素子1が、四角形や六角形等の角部を有する構造である。図5は、実施形態2の半導体装置10の構造を説明する図である。図5aは、実施形態2の半導体装置10四角形の平面図である。図5bは、実施形態2の半導体装置10六角形の平面図である。なお、A-A断面図は、図1aと同様である。また、エポキシ樹脂6の図示は省略されている。角部を有する構造の場合、半導体素子1に加わる応力は、半導体素子1の角部に集中する。そのため、当該角部よりき裂が発生進展する。したがって、当該角部を保護することが、半導体装置10の信頼性を確保するために重要である。図5abに示すように、実施形態2の半導体装置10は、緩衝部材8が第二の電極5の全面ではなく、第二の電極の端子部5aを中心として角部の方向へ放射状に配置されている。これにより、緩衝部材8の使用量が低減されるので、低コストでも半導体素子1に加わる応力を低減することが可能となる。また、緩衝部材8の内径が、第二の電極の端子部5aの径と同一となっている。これにより、緩衝部材8および第二の電極5の位置決めが容易にできるので、生産性の向上にも資することとなる。<実施形態3>次に、実施形態3の半導体装置10の構造を説明する。実施形態1と異なり、実施形態3の半導体装置10は、緩衝部材8の径が、第二の電極5の径よりも小さい構造である。前記のように、緩衝部材8よりも第二の電極5の線膨張係数が大きいために、冷却により、第二の電極5の方が半導体装置10の中心方向へ大きく収縮する。そのため、第二の電極5側面のエポキシ樹脂62の方が、緩衝部材8側面のエポキシ樹脂68よりも収縮する。そして、第二の電極5およびエポキシ樹脂62の界面において、引張応力が発生する。これにより、エポキシ樹脂6がはく離することがある。図6に示すように、実施形態3の半導体装置10は、緩衝部材8の径が第二の電極5の径よりも小さい構造である。換言すれば、緩衝部材8は、第二の電極5第二の電極の端子部5aを除くの投影面の内側に配置されている。これにより、冷却時の緩衝部材8の径および第二の電極5の径の差が小さくなる。それに伴い、エポキシ樹脂62およびエポキシ樹脂68の収縮量の差が小さくなり、エポキシ樹脂62およびエポキシ樹脂68の界面に発生する引張応力が低減される。このように、実施形態3の半導体装置10は、緩衝部材8の径を第二の電極5の径よりも小さくすることで、エポキシ樹脂6に加わる応力を低減し、エポキシ樹脂6がはく離することを低減することが可能となる。<実施形態4>次に、実施形態4の半導体装置10の構造を説明する。実施形態1と異なり、実施形態4の半導体装置10は、半導体素子1等の各部材側面にパッシベーション用の第二の樹脂9を有する構造である。前記のように、各構成部材の線膨張係数の差により、各部材側面およびエポキシ樹脂6の界面において、エポキシ樹脂6がはく離することがある。図7に示すように、実施形態4の半導体装置10は、半導体素子1等の各部材側面にパッシベーション用の第二の樹脂9を有する構造である。第二の樹脂9には、エポキシ樹脂6と接着性の良い材料を使用するのが好ましい。第二の樹脂9を有することにより、実施形態4の半導体装置10は、半導体素子1等の各部材とエポキシ樹脂6とが、より強固に接着される。このように、実施形態4の半導体装置10は、エポキシ樹脂6と接着性の良い第二の樹脂9を有することで、エポキシ樹脂6がはく離することを低減することが可能となる。まとめ本実施形態の半導体装置10は、第二の電極5よりも線膨張係数の小さい緩衝部材8を、第二の電極5に対して半導体素子1の反対側に、第二の電極5と接合させることにより、半導体素子1に加わる応力を低減することが可能となる。その他なお、前記した実施形態は、本発明を実施するための好適なものであるが、その実施形式はこれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々変更することが可能である。例えば、図1に示すように、第二の電極5および緩衝部材8を全面で接合させるのではなく、一部のみで接合させる構造としてもよい。また、図5に示すように、半導体素子1の角部等に緩衝部材8を配置接合するのではなく、別の箇所に配置する構造としてもよい。