支持部材と、前記支持部材の上に位置し、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、下に及び前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記支持部材の上面の周りに沿って形成された保護部材と、前記第1導電型半導体層の上に配置され、前記発光構造物の側面に沿って延長されて少なくとも一部分が前記保護部材の上に配置される電極と、前記発光構造物の側面と前記電極との間に絶縁層と、を含むことを特徴とする、発光素子。前記保護部材の上に配置された前記電極の上の少なくとも一部分に接合金属層を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記電極は電気伝導性を有し、前記第1導電型半導体層とオーミック接触をなす材質を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記第1導電型半導体層の上面に形成された前記電極はパターンを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記第1導電型半導体層の上面に形成された前記電極が開口部を有することを特徴とする請求項4に記載の発光素子。前記保護部材の上に配置された前記電極上の少なくとも一部分に接合金属層を含み、前記第1導電型半導体層の上面に形成された前記電極の部分と前記接合金属層がライン部により連結されることを特徴とする請求項4に記載の発光素子。前記接合金属層と前記ライン部とが一体形成されることを特徴とする請求項6に記載の発光素子。前記電極は、前記発光構造物及び前記保護部材の全領域に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。支持部材の上に位置し、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、下に及び前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下面の周りに沿って形成される保護部材と、前記第1導電型半導体層の上に配置され、前記発光構造物の側面に沿って延長されて少なくとも一部分が前記保護部材の上に配置される電極と、前記発光構造物の側面及び前記電極の間に絶縁層を含む発光素子と、前記発光素子が配置されるパッケージ胴体部と、前記パッケージ胴体部に設置され、前記発光素子と電気的に連結されるリード電極と、前記発光素子の電極及び前記リード電極と電気的に連結されるソケット部と、を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。前記発光素子は前記第2導電型半導体層の下に伝導性支持部材を含み、前記パッケージ胴体部を貫通して前記伝導性支持部材と電気的に連結される貫通電極をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の発光素子パッケージ。前記ソケット部は、前記発光構造物が挿入される開口部を含むことを特徴とする請求項9に記載の発光素子パッケージ。前記ソケット部は、前記発光素子の保護部材の上に形成された前記電極と電気的に連結されるソケット電極部と、前記ソケット電極部と前記伝導性支持部材とを絶縁させる絶縁胴体を含むことを特徴とする請求項10に記載の発光素子パッケージ。前記保護部材の上に形成された前記電極の上には接合金属層が形成されたことを特徴とする請求項12に記載の発光素子パッケージ。前記ソケット電極部は前記接合金属層に対応する形状の凹部を有することを特徴とする請求項13に記載の発光素子パッケージ。前記ソケット電極部が前記電極のうちの前記発光構造物の側面に延長された部分を覆いかぶせながら形成されることを特徴とする請求項9に記載の発光素子パッケージ。本発明は、新しい構造を有する発光素子及び発光素子パッケージを提供することを目的とする。本発明は、信頼性が向上した発光素子及び発光素子パッケージを提供することを目的とする。本発明は、光損失の少ない発光素子及び発光素子パッケージを提供することを目的とする。本発明に従う発光素子は、支持部材と、上記支持部材の上に位置し、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、下に及び上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、上記支持部材の上面の周りに沿って形成された保護部材と、上記第1導電型半導体層の上に配置され、上記発光構造物の側面に沿って延長されて少なくとも一部分が上記保護部材の上に配置される電極と、上記発光構造物の側面と上記電極との間に絶縁層と、を含む。本発明に従う発光素子パッケージは、支持部材の上に位置し、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、下に及び上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、上記発光構造物の下面の周りに沿って形成される保護部材と、上記第1導電型半導体層の上に配置され、上記発光構造物の側面に沿って延長されて少なくとも一部分が上記保護部材の上に配置される電極と、上記発光構造物の側面及び上記電極との間に絶縁層を含む発光素子と、上記発光素子が配置されるパッケージ胴体部と、上記パッケージ胴体部に設置され、上記発光素子と電気的に連結されるリード電極と、上記発光素子の電極及び上記リード電極と電気的に連結されるソケット部と、を含む。本発明によれば、新しい構造を有する発光素子及び発光素子パッケージが得られる。本発明によれば、信頼性が向上した発光素子及び発光素子パッケージが得られる。本発明によれば、光損失の少ない発光素子及び発光素子パッケージが得られる。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張または省略して概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するものではない。以下、添付した図面を参照しながら実施形態による発光素子、発光素子製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムについて説明する。<実施形態>図1は本発明の実施形態による発光素子100の断面図であり、図2は上記発光素子100の上面図である。図1及び図2を参照すると、上記発光素子100は、伝導性支持部材160、上記伝導性支持部材160の上面の周り領域に保護部材155、上記伝導性支持部材160、及び上記保護部材155の上に発光構造物145、上記発光構造物145の上面に電気的に連結され、上記発光構造物145の側面に沿って少なくとも一部が上記保護部材155の上に配置される電極128、及び上記発光構造物145と上記電極128との間に形成されて上記発光構造物145と上記電極128とを絶縁させる絶縁層125を含むことができる。上記発光構造物145は、少なくとも第1導電型半導体層130、上記第1導電型半導体層130の下に活性層140、上記活性層140の下に第2導電型半導体層150を含み、これらは光を生成する構造物をなす。上記伝導性支持部材160及び上記電極128は、外部電源から電源電圧が伝達されて、上記発光素子100に電源電圧を提供する。ここで、実施形態によると、上記発光素子100を外部電源と電気的に連結するために、ワイヤなどを上記保護部材155の上に形成された上記電極128の領域に連結することができる。したがって、上記発光構造物145から放出される光が上記ワイヤなどにより吸収されることを最小化することができ、上記ワイヤなどを付着する過程で発生する上記発光構造物145の損傷を防止することができる。以下、実施形態による発光素子100について構成要素を中心として具体的に説明する。上記伝導性支持部材160は、チタンTi、クロムCr、ニッケルNi、アルミニウムAl、白金Pt、金Au、タングステンW、銅Cu、モリブデンMo、またはドーパントが注入された半導体基板のうち、少なくともいずれか1つから形成される。上記伝導性支持部材160の上には反射層157が形成される。上記反射層157は、上記発光構造物145から入射される光を反射させて外部に放出される光量を増加させることによって、上記発光素子100の発光効率を向上させることができる。上記反射層157は、反射率の高い銀Ag、アルミニウムAl、白金Pt、パラジウムPd、または銅Cuのうち、少なくとも1つを含む金属または合金で形成される。たとえ図示してはいないが、上記反射層157及び上記伝導性支持部材160の間には2層間の界面接合力を強化させるための接着層を形成することができるが、これに対して限定されない。上記反射層157の上面の周り領域には上記保護部材155が形成される。上記保護部材155は、上記発光構造物145と上記伝導性支持部材160との間の電気的ショートshortを防止することができる。上記保護部材155は電気絶縁性を有し、光損失を最小化するために透明な材質で形成されることが好ましく、例えば、SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、ITO、AZO、ZnOなどからなる群から少なくとも1つが選択されて形成される。上記反射層157の上面及び上記保護部材155の内側には接触層156が形成される。上記接触層156は半導体層である上記発光構造物145と上記伝導性支持部材160または上記反射層157との間のオーミック接触のために形成され、例えば、ITO、Ni、Pt、Ir、Rh、Agのうち、少なくとも1つを含むように形成される。また、上記発光構造物145と接触される上記伝導性支持部材160または上記反射層157がオーミック接触をなす場合、上記接触層156は形成されないこともある。上記接触層156の上には上記発光構造物145が形成される。上記発光構造物145は、少なくとも第1導電型半導体層130、上記第1導電型半導体層130の下に活性層140、及び上記活性層140の下に第2導電型半導体層150を含む。上記第1導電型半導体層130は、例えば、n型半導体層を含むことができるが、上記n型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InNなどから選択することができ、Si、Ge、Snなどのn型ド-パントをドーピングすることができる。上記活性層140は、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料を含んで形成することができ、量子線Quantumwire構造、量子点Quantumdot構造、単一量子井戸構造、または多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWellのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記活性層140は、上記第1及び第2導電型半導体層130、150から電子及び正孔が提供されて、上記電子及び正孔は上記活性層140で再結合しながら光エネルギーが生成される。上記第2導電型半導体層150は、例えば、p型半導体層で具現できるが、上記p型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InNなどから選択することができ、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパントをドーピングすることができる。但し、上記第1導電型半導体層130にp型ド-パントがドーピングされ、上記第2導電型半導体層150にn型ド-パントがドーピングされるか、上記第2導電型半導体層150の上に第3導電型半導体層がさらに形成されることもあり、ここに、上記発光素子100はnp、pn、npn、またはpnp接合のうち、いずれか1つを含むことができる。上記発光構造物145の側面には複数個のチップを個別チップ単位に分離するアイソレーションisolationエッチングが実施される。上記アイソレーションエッチングにより上記発光構造物145の側面は傾斜を有することができ、上記保護部材155が露出することができる。実施形態では、上記電極128が形成される上記保護部材155の上部の領域が上記アイソレーションエッチングにより確保される。上記電極128は、上記発光構造物145の上面、即ち、上記第1導電型半導体層130に電気的に連結され、少なくとも一部が上記保護部材155の上に配置される。即ち、上記電極128は上記第1導電型半導体層130の上面から延長されて上記発光構造物145の側面に沿って上記保護部材155の上に配置される。上記電極128の材質は電気伝導性を有し、上記第1導電型半導体層130とオーミック接触をなす金属または導電性非金属でありうる。例えば、上記電極128は、Cu、Ti、Zn、Au、Ni、Pt、Ir、Rh、Ag、ITO、IZOIn-ZnO、GZOGa-ZnO、AZOAl-ZnO、AGZOAl-GaZnO、IGZOIn-GaZnO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、またはZnOのうち、少なくとも1つを含むことができる。そして、この電極128と電気的に連結された接合金属層129はワイヤなどを用いて外部電源との連結がなされる部分であって、外部電源との連結及び電流伝達特性を考慮して金属で形成される。一例に、接合金属層129は、Ni、Cu、またはこれらの合金を含むことができる。一方、実施形態では上記電極128の形状は、材質の透明度に従って変更することができる。図1及び図2に示すように、上記電極128が透明な材質で形成された場合、上記電極128は上記発光構造物145及び上記保護部材155の全領域に形成される。上記電極128が透明な材質を有するので、上記発光構造物145から放出される光のうち、上記電極128により吸収される光量が少ないためである。また、上記電極128は所定のパターンを有するように上記発光構造物145の上に形成することもでき、これに対して限定されない。図3は、本発明の他の実施形態による発光素子100Aの上面図である。上記電極128が不透明な材質、一例として電気伝導性に優れる金属で形成された場合、上記電極128は所定のパターンを有するように形成される。即ち、上記第1導電型半導体層130の上面の全領域に均等に電源電圧がスプレッディング拡散して印加されると共に、上記発光構造物145から放出される光の光損失量を最小化するように、上記電極128aは所定のパターンを有することができる。例えば、図示したように、上記第1導電型半導体層130の上面に形成された上記電極128aは開口部を有するパターン、例えば、格子パターン、螺旋形パターンなどのパターンを有し、上記パターンから薄いライン部により延長されて上記発光構造物145の側面に沿って上記保護部材155の上に形成される。上記電極128aの形状に対しては限定されない。一方、上記電極128aは多層構造を有するように形成することもでき、これに対しては限定されない。例えば、上記電極128aは上記第1導電型半導体層130とオーミック接触をなす第1層と、上記第1層の上にワイヤボンディングなどが容易な接合金属からなる第2層を含むこともできる。また、上記保護部材155の上に形成された上記電極128aの少なくとも一部分には接合金属層129が形成され、上記接合金属層129にはワイヤ127などが付着されて、外部電源から上記発光素子100に電源電圧を供給することができる。上記接合金属層129は、上記発光素子100の設計に従って多数個が形成されることもあり、これに対して限定されるものではない。図3では個別的に形成された電極128aのライン部と接合金属層129とが互いに電気的に連結されたものを図示した。これによると、電極128aと接合金属層129とを互いに異なる物質で形成することができるので、電極128aは第1導電型半導体層130とのオーミック接触特性に優れる物質を使用し、接合金属層129は外部電源との連結及び電流伝達特性を考慮した物質を使用することができる。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではない。したがって、図4及び図5に示すように、電極128aのライン部と接合金属層129a、129bが同一な物質を含んで、互いに一体形成される。これによれば、電極128aと接合金属層129a、129bを一回の工程で共に形成することができるので、工程を単純化することができる。この際、図4に示すように、接合金属層129aが電極128aのライン分と同一な幅を有することもできる。または、図5に示すように、接合金属層129bが第1電極層128aのライン部より大きい幅を有して接合金属層129bと外部電源との連結をより容易にすることができる。このように実施形態では、上記発光構造物145にワイヤなどが付着されず、上記保護部材155の上に形成された上記電極128、128a、または接合金属層129、129a、129bの上に上記ワイヤなどが付着されるので、上記ワイヤによる光損失を最小化し、上記ワイヤを付着する過程で発生される上記発光構造物145の損傷を防止することができる。上記電極128、128aと上記発光構造物145との間には上記絶縁層125が形成されて2層の間を絶縁させることができる。即ち、上記絶縁層125は上記発光構造物145の側面に形成されて、上記発光構造物145と上記電極128、128aとが電気的にショートされることを防止することができる。一方、上記絶縁層125は、上記保護部材155及び上記電極128の間にさらに形成することができ、これに対して限定されない。上記絶縁層125は電気絶縁性を有し、光損失を最小化するために透明な材質で形成されることが好ましく、例えば、SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2等からなる群から少なくとも1つが選択されて形成される。一方、図3に示すように、上記電極128aが所定のパターンを有する場合、上記絶縁層125は上記電極128aのパターンに対応する形状に形成される。以下、実施形態による発光素子100の製造方法について詳細に説明する。図6乃至図11は、実施形態による発光素子100の製造方法を説明する図である。図6を参照すると、基板110の上に上記発光構造物145を形成する。上記基板110は、サファイアAl2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Geのうち、少なくとも1つから形成することができ、これに対して限定されない。上記基板110の上には上記発光構造物145が形成される。上記発光構造物145は多層の半導体で形成することができ、少なくとも第1導電型半導体層130、上記第1導電型半導体層130の下に活性層140、及び上記活性層140の下に第2導電型半導体層150を含むことができる。上記発光構造物145は、有機金属化学蒸着法MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDeposition、化学蒸着法CVD:ChemicalVaporDeposition、プラズマ化学蒸着法PECVD:PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition、分子線成長法MBE:MolecularBeamEpitaxy、水素化物気相成長法HVPE:HydrideVaporPhaseEpitaxyなどの方法を用いて形成することができ、これに対して限定されない。図7を参照すると、上記発光構造物145の上面の周り領域に上記保護部材155を形成し、上記発光構造物145及び上記保護部材155の上に上記伝導性支持部材160を形成することができる。上記保護部材155は、蒸着工程及びフォトリソグラフィ工程により形成することができ、これに対して限定されない。上記伝導性支持部材160は、蒸着工程及びメッキ工程により形成されるか、別途のシートとして用意された後、ボンディングされることもあり、これに対して限定されない。一方、上記伝導性支持部材160の下には上記発光素子100の光抽出効率の向上のために上記反射層157が形成される。また、上記第2導電型半導体層150と上記伝導性支持部材160との間には上記接触層156が形成される。図7及び図8を参照すると、上記基板110が除去される。上記基板110は、レーザリフトオフLLO工程及びエッチング工程のうち、少なくとも1つを用いて除去されるが、これに対して限定されない。一方、上記基板110を除去した後、露出された上記第1導電型半導体層130の表面を研磨するために、ICP/RIEInductivelyCoupledPlasmaReactiveIonEtchなどのエッチングを実施することもできる。図9を参照すると、複数個のチップを個別チップ単位に区分するために、上記発光構造物145にアイソレーションエッチングを実施し、上記発光構造物145の側面に上記絶縁層125を形成することができる。上記アイソレーションエッチングは、上記保護部材155の上面が露出するように実施される。上記絶縁層125は、例えば、電子ビームEbeam蒸着、またはPECVD蒸着方式により形成される。上記絶縁層125は、電気絶縁性を有しながら光透過率の良い材質で形成されることが好ましく、例えば、SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2のうち、少なくとも1つから形成される。一方、上記絶縁層125は上記発光構造物145の側面に形成されることに限定されず、上記発光構造物145の上面にも一部形成することができる。図10を参照すると、上記発光構造物145の上面に接触し、少なくとも一部領域が上記保護部材155の上に配置されるように上記電極128が形成される。即ち、上記電極128は上記第1導電型半導体層130の上面から延長されて上記絶縁層125の側面に沿って上記保護部材155の上に配置される。上記電極128の材質は電気伝導性を有し、上記第1導電型半導体層130とオーミック接触をなす金属または導電性非金属でありうる。例えば、上記電極128は、Cu、Ti、Zn、Au、Ni、Pt、Ir、Rh、Ag、ITO、IZOIn-ZnO、GZOGa-ZnO、AZOAl-ZnO、AGZOAl-GaZnO、IGZOIn-GaZnO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、またはZnOのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記電極128は、上記発光構造物145の全領域に対して形成したり、所定のパターンを有するように形成することができ、これは上記発光素子100の設計及び上記電極128の材質によって決定することができる。図11を参照すると、上記保護部材155の上に形成された上記電極128の上の少なくとも一部分に上記接合金属層129が形成され、上記接合金属層129には外部電源と連結されるように上記ワイヤ127などがボンディングされる。ここに、実施形態による発光素子100が提供される。一方、実施形態では、垂直型発光素子を中心として説明しているが、これに対して限定するものではなく、水平型発光素子に対しても適用することができる。<第1発光素子パッケージ>図12は、本発明の実施形態による発光素子100を含む第1発光素子パッケージの断面図である。図12を参照すると、上記第1発光素子パッケージは、胴体部20、上記胴体部20に配置された第1リード電極31及び第2リード電極32、上記胴体部20に配置されて上記第1リード電極31及び第2リード電極32と電気的に連結される実施形態による発光素子100、及び上記発光素子100を囲むモールディング部材40を含む。上記胴体部20は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成することができ、上記発光素子100の周囲に傾斜面が形成される。上記第1リード電極31及び第2リード電極32は互いに電気的に分離され、上記発光素子100に電源電圧を提供する。また、上記第1リード電極31及び第2リード電極32は、上記発光素子100で発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、上記発光素子100で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。上記発光素子100は、上記胴体部20の上に配置したり、上記第1リード電極31または第2リード電極32の上に配置することができる。上記発光素子100は、例えば、ワイヤを介して上記第1リード電極31及び第2リード電極32と電気的に連結される。前述したように、上記ワイヤは上記発光素子100の保護部材の上に形成された接合金属層に連結されるので、上記ワイヤによる光損失を最小化し、上記ワイヤなどを付着する過程で発生される発光構造物の損傷を防止することができる。上記モールディング部材40は、上記発光素子100を囲んで上記発光素子100を保護することができる。また、上記モールディング部材40には蛍光体が含まれて上記発光素子100から放出された光の波長を変化させることができる。<第2発光素子パッケージ>以下、第2発光素子パッケージについて説明する。但し、前述したものと重複する内容については簡略に説明するか、あるいは説明を省略する。図13は本発明の実施形態による発光素子102を用いた第2発光素子パッケージの断面図であり、図14は上記第2発光素子パッケージの発光素子102及びソケット部200の拡大断面図であり、図15は上記第2発光素子パッケージの発光素子102及びソケット部200の分解斜視図である。図13乃至図15を参照すると、上記第2発光素子パッケージは、胴体部20a、上記胴体部20aに配置されたリード電極31a、上記胴体部20aの上面及び下面を貫通する貫通電極32a、上記貫通電極32aに電気的に連結されるように配置される実施形態による発光素子102、上記発光素子102と上記リード電極31aとを電気的に連結するソケット部200、及び上記発光素子102を囲むモールディング部材40を含む。上記第2発光素子パッケージは、ワイヤの代わりに上記ソケット部200を用いて上記発光素子102を上記リード電極31aに電気的に連結する。より詳しくは、上記ソケット部200は、上記発光構造物145が挿入される開口部、上記発光素子102の上記電極128と電気的に連結されるソケット電極部210、及び上記ソケット電極部210と上記発光素子102の伝導性支持部材160とを絶縁させる絶縁胴体220を含む。上記発光構造物145が上記開口部に挿入されて挟まれると共に、上記電極128及び上記ソケット電極部210は互いに電気的に連結される。即ち、上記ソケット電極部210は上記電極128と接触できるように、一部分が上記絶縁胴体220の内側方向に突出される。また、上記第1電極部128とソケット電極部210との接触が容易であるように上記絶縁胴体220の厚さは上記伝導性支持部材160の厚さと同一であるように形成される。図示したように、上記ソケット電極部210は上記絶縁胴体220の外側に形成され、内側端は上記電極128と接触し、外側端は上記リード電極31aと接触することと図示されたが、これに対して限定されず、上記ソケット部200の形状は多様に変形することができる。一方、図16に示すように、上記ソケット電極部210aが上記電極128の上に形成された上記接合金属層129と接触するように設計される場合、上記ソケット電極部210aは上記接合金属層129の形状に対応する凹部212を有することができ、これに対して限定されない。図15では、ソケット電極部210が保護部材155の上に位置した電極128の部分で電気的に連結されるものを例示したが、これに限定されるものではない。変形例として、図17に示すように、ソケット電極部210bが電極128のうち、発光構造物145の側面上に形成された部分も覆いかぶせながら形成されて、第1導電型半導体層130の上面の一部まで延長される。実施形態に従って、上記発光素子102にワイヤの代わりに上記ソケット部200を用いて電源電圧を供給することで、上記発光素子102を上記リード電極31a及び貫通電極32aにワイヤボンディング工程に比べて容易に電気的に連結することができ、上記発光素子102を上記胴体部20aの上に堅固に固定及び結合することができる。一方、前述した電極構造は1つの例であり、上記リード電極31a及び上記貫通電極32aを含む構造に限定するものではない。上記発光素子パッケージは、上記に開示された実施形態の発光素子のうち、少なくとも1つを1つまたは複数個搭載することができ、これに対して限定されない。実施形態による発光素子パッケージは、複数個が基板の上にアレイ配列され、上記発光素子パッケージから放出される光の経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シート、蛍光シートなどが配置される。このような発光素子パッケージ、基板、及び光学部材は、バックライトユニットとして機能したり、照明システムとして機能することができ、例えば、照明システムは、バックライトユニット、照明ユニット、指示装置、ランプ、及び街灯を含むことができる。図18は、本発明の実施形態による発光素子または発光素子パッケージを含むバックライトユニットを説明する図である。但し、図18のバックライトユニット1100は照明システムの一例であり、これに対して限定されない。図18を参照すると、上記バックライトユニット1100は、ボトムカバー1140、上記ボトムカバー1140の内に配置された光ガイド部材1120、及び上記光ガイド部材1120の少なくとも一側面または下面に配置された発光モジュール1110を含むことができる。また、上記光ガイド部材1120の下には反射シート1130が配置される。上記ボトムカバー1140は、上記光ガイド部材1120、上記発光モジュール1110、及び上記反射シート1130が収納されるように上面が開口されたボックスbox形状に形成することができ、金属材質または樹脂材質で形成することができるが、これに対して限定されない。上記発光モジュール1110は、基板700、及び上記基板700に搭載された複数個の発光素子パッケージ600を含むことができる。上記複数個の発光素子パッケージ600は、上記光ガイド部材1120に光を提供することができる。実施形態において、上記発光モジュール1110は上記基板700の上に発光素子パッケージ600が設置されたものが例示されているが、実施形態による発光素子が直接設置されることも可能である。図示したように、上記発光モジュール1110は、上記ボトムカバー1140の内側面のうち、少なくともいずれか1つに配置することができ、これによって上記光ガイド部材1120の少なくとも1つの側面に向けて光を提供することができる。但し、上記発光モジュール1110は、上記ボトムカバー1140の内で光ガイド部材1120の下に配置されて、上記光ガイド部材1120の低面に向けて光を提供することもでき、これは、上記バックライトユニット1100の設計によって多様に変形可能であるので、これに対して限定されない。上記光ガイド部材1120は、上記ボトムカバー1140の内に配置される。上記光ガイド部材1120は、上記発光モジュール1110から提供された光を面光源化して、表示パネル図示せずにガイドすることができる。上記光ガイド部材1120は、例えば、導光板LGP:LightGuidePanelでありうる。上記導光板は、例えばPMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COC、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つから形成される。上記光ガイド部材1120の上側には光学シート1150を配置することもできる。上記光学シート1150は、例えば拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくとも1つを含むことができる。例えば、上記光学シート1150は、上記拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートが積層されて形成される。この場合、上記光学シート1150は、上記発光モジュール1110から出射された光を均等に拡散させ、上記拡散された光は上記集光シートにより表示パネル図示せずに集光される。この際、上記集光シートから出射される光はランダムに偏光された光であるが、上記輝度上昇シートは上記集光シートから出射された光の偏光度を増加させることができる。上記集光シートは、例えば、水平または/及び垂直プリズムシートでありうる。また、上記輝度上昇シートは、例えば、デュアル輝度強化フィルムDualBrightnessEnhancementfilmでありうる。また、上記蛍光シートは蛍光体が含まれた投光性プレートまたはフィルムとなることもできる。上記光ガイド部材1120の下には上記反射シート1130が配置される。上記反射シート1130は、上記光ガイド部材1120の下面を通じて放出される光を上記光ガイド部材1120の出射面に向けて反射することができる。上記反射シート1130は、反射率の良い樹脂材質、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成されるが、これに対して限定されない。図19は、本発明の実施形態による発光素子または発光素子パッケージを含む照明ユニットを説明する図である。但し、図19の照明ユニット1200は照明システムの一例であり、これに対して限定されない。図19を参照すると、上記照明ユニット1200は、ケース胴体1210、上記ケース胴体1210に設置された発光モジュール1230、及び上記ケース胴体1210に設置され、外部電源から電源電圧が提供される連結端子1220を含むことができる。上記ケース胴体1210は放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成される。上記発光モジュール1230は、基板700、及び上記基板700に搭載される少なくとも1つの発光素子パッケージ600を含むことができる。実施形態において、上記発光モジュール1230は、上記基板700の上に発光素子パッケージ600が設置されたものが例示されているが、実施形態による発光素子100、102が直接設置されることも可能である。上記基板700は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含むことができる。また、上記基板700は光を効率的に反射する材質で形成したり、その表面を、光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などで形成することができる。上記基板700の上には上記少なくとも1つの発光素子パッケージ600が搭載される。上記発光素子パッケージ600は、それぞれ少なくとも1つの発光ダイオードLED:LightEmittingDiodeを含むことができる。上記発光ダイオードは、赤色、緑色、青色、または白色の有色光をそれぞれ発光する有色発光ダイオード、及び紫外線UV:UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール1230は、色感及び輝度を得るために多様な発光ダイオードの組合を有するように配置される。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置することができる。また、上記発光モジュール1230から放出される光の進行経路上には蛍光シートをさらに配置することができ、上記蛍光シートは上記発光モジュール1230から放出される光の波長を変化させる。例えば、上記発光モジュール1230から放出される光が青色波長帯を有する場合、上記蛍光シートには黄色蛍光体を含むことができ、上記発光モジュール1230から放出された光は上記蛍光シートを経て最終的に白色光と見えるようになる。上記連結端子1220は、上記発光モジュール1230と電気的に連結されて電源電圧を供給することができる。図19の図示によると、上記連結端子1220はソケット方式により外部電源に接続されるように螺旋状の形状で形成されるが、これに対して限定されない。例えば、上記連結端子1220はピンpin形態に形成されて外部電源に挿入したり、配線により外部電源に連結することもできる。前述したような照明システムは、上記発光モジュールから放出される光の進行経路上に、光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくともいずれか1つが配置されて、所望の光学的な効果を得ることができる。以上、説明したように、本実施形態の照明システムは、信頼性が向上し、光損失の少ない発光素子または発光素子パッケージを含んで、優れる特性を有することができる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合及び変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。