"第1導電層と、該第1導電層上に設けられた光電変換層と、該光電変換層上に設けられた第2導電層とを備え、該第2導電層は、前記光電変換層側の一主面とは反対の他主面に複数の凹部が配されているとともに、該凹部の底部に穴部が設けられている、光電変換装置。前記穴部は、該穴部の中心軸を含む縦断面で見たときに、前記一主面側よりも前記他主面側における幅が大きい、請求項1に記載の光電変換装置。前記穴部は、底部を有している、請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。前記穴部は、前記光電変換層まで貫通している、請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。前記第2導電層上に線状導電部がさらに設けられており、該線状導電部は、前記穴部を避けて設けられている、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の光電変換装置。ところで、上記光電変換装置においては、形成条件によって、透明電極層の受光面側の表面に凹部および凸部が形成され得る場合がある。このような光電変換装置では、透明電極層の受光面に外部から力が作用した場合、透明電極層の凸部に応力が集中しやすくなる。これにより、透明電極層の凸部を起点としたクラックが透明電極層に生じ得る。このようなクラックは、半導体層および下部電極層まで進行すると、リーク等が発生する可能性が高まるため、光電変換装置の信頼性が低下する場合があった。そこで、信頼性の高い光電変換装置が望まれている。上記課題を解決するために、一態様に係る光電変換装置は、第1導電層と、該第1導電層上に設けられた光電変換層と、該光電変換層上に設けられた第2導電層とを備えている。そして、前記光電変換装置において、前記第2導電層は、前記光電変換層側の一主面とは反対の他主面に複数の凹部が配されているとともに、該凹部の底部に穴部が設けられている。上記一態様に係る光電変換装置によれば、第2導電層に作用する応力の集中が緩和されることによって光電変換装置の信頼性が向上する。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係などは正確に図示されたものではない。なお、図1乃至図4、図6および図7には、光電変換セル10の配列方向図1の図面視左右方向をX軸方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。<光電変換装置の構成><光電変換装置の概略構成>図1および図2で示されるように、光電変換装置100は、基板1と、該基板1の上に平面的に並べられた複数の光電変換セル10とを備えている。隣り合う光電変換セル10は溝部P3によって分離されている。図1および図2では、図示の都合上、2つの光電変換セル10の一部のみが示されている。光電変換装置100には、図面の左右方向に、所定数の光電変換セル10が平面的に配列され得る。ここで、所定数は、例えば8などであれば良い。そして、例えば、光電変換装置100のX軸方向の両端部に、発電による電圧および電流を得るための電極が配され得る。なお、光電変換装置100には、例えば、多数の光電変換セル10がマトリックス状に配置されていても良い。なお、光電変換装置100では、多数の光電変換セル10が高密度に平面的に配置されていれば、変換効率が向上する。変換効率は、光電変換装置100において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示す。例えば、変換効率は、光電変換装置100から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置100に入射される太陽光のエネルギーの値で除されて、100が乗じられることで導出され得る。<光電変換セルの基本的な構成>各光電変換セル10は、第1導電層としての下部電極層2、光電変換層3、第2導電層としての上部電極層4および線状導電部5を備えている。また、各光電変換セル10には、溝部P1と溝部P2とが配されている。そして、光電変換装置100では、上部電極層4が配されている側の主面が受光面となっている。基板1は、複数の光電変換セル10を支持するものである。基板1に含まれる主な材料には、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属などが採用され得る。なお、本実施形態では、基板1が青板ガラスソーダライムガラスである例が示されている。また、基板1の厚さは、1mm以上で且つ3mm以下程度であれば良い。さらに、例えば、基板1の形状は平板状であれば良く、基板1のZ側の主面上面とも言うは略平坦であれば良い。下部電極層2は、基板1の上面の上に配されている導電層である。下部電極層2に含まれる主な材料には、例えば、モリブデン、アルミニウム、チタン、タンタルおよび金などの導電性を有する各種金属などが採用され得る。また、下部電極層2の厚さは、例えば、0.2μm以上で且つ1μm以下程度であれば良い。下部電極層2は、例えば、スパッタリング法または蒸着法などによって形成され得る。光電変換層3は、下部電極層2の上に配されている。該光電変換層3は、光吸収層31とバッファ層32とを備えている。光吸収層31およびバッファ層32は、この順に下部電極層2の上に積層されている。光吸収層31は、下部電極層2のZ側の主面上面とも言うの上に配されている。該光吸収層31は、第1導電型を有する半導体を主に含んでおり、光を吸収して電荷を生じる。ここで、第1導電型を有する半導体としては、例えば、カルコパイライト系の化合物半導体であるI-III-VI族化合物半導体などが適用され得る。なお、第1導電型は、例えばp型の導電型であれば良い。I-III-VI族化合物半導体とは、I-III-VI族化合物を主に含む半導体である。なお、I-III-VI族化合物を主に含む半導体とは、半導体がI-III-VI族化合物を70mol以上含むことを言う。以下の記載においても、主に含むは70mol以上含むことを意味する。I-III-VI族化合物は、I-B族元素11族元素とも言うとIII-B族元素13族元素とも言うとVI-B族元素16族元素とも言うとを主に含む化合物である。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuIn,GaSe2CIGSとも言う、CuIn,GaSe,S2CIGSSとも言う、およびCuInSe2CISとも言うなどが採用され得る。なお、CuIn,GaSe2は、CuとInとGaとSeとを主に含む化合物である。また、CuIn,GaSe,S2は、CuとInとGaとSeとSとを主に含む化合物である。ここでは、光吸収層31が、CIGSを主に含むものとする。なお、光吸収層31がI-III-VI族化合物半導体を主に含んでいれば、光吸収層31の厚さが10μm以下であっても、光吸収層31による光電変換の効率が高めら得る。このため、光吸収層31の厚さは、例えば、1μm以上で且つ3μm以下程度であれば良い。光吸収層31は、スパッタリング法または蒸着法などといった真空プロセスによって形成され得る。また、光吸収層31は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成され得る。塗布法あるいは印刷法では、例えば、光吸収層31に主に含まれる金属元素を含む溶液が下部電極層2の上に塗布され、その後、乾燥および熱処理が行われる。該塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスが用いられることで、光電変換装置100の製造に要するコストが低減され得る。バッファ層32は、光吸収層31のZ側の主面上面とも言うの上に配されており、光吸収層31の第1導電型とは異なる第2導電型を有する半導体を主に含む。ここで、導電型が異なる半導体とは、伝導担体キャリアが異なる半導体である。そして、第2導電型は、例えばn型の導電型であれば良い。なお、光吸収層31の導電型がn型であり、バッファ層32の導電型がp型であっても良い。ここでは、光吸収層31とバッファ層32との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、光電変換セル10では、ヘテロ接合領域を形成する光吸収層31とバッファ層32とにおいて光電変換が生じ得る。バッファ層32は、化合物半導体を主に含む。バッファ層32に含まれる化合物半導体としては、例えば、CdS、In2S3、ZnS、ZnO、In2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OHおよびZn,MgOなどが採用され得る。そして、バッファ層32が1Ωcm以上の抵抗率を有していれば、リーク電流の発生が抑制され得る。なお、バッファ層32は、例えば、化学浴槽堆積CBD法などによって形成され得る。また、バッファ層32は、光吸収層31の上面の法線方向に厚さを有する。バッファ層32の厚さは、例えば、10nm以上で且つ200nm以下であれば良い。バッファ層32の厚さが100nm以上で且つ200nm以下であれば、バッファ層32の上に上部電極層4がスパッタリング法などで形成される際に、バッファ層32においてダメージが生じ難くなる。上部電極層4は、光電変換層3のZ側の主面上面とも言うの上に配されている。そして、該上部電極層4は、例えば、n型の導電型を有する透明の導電層透明導電層とも言うである。該上部電極層4は、光電変換層3において生じた電荷を取り出す電極となる。上部電極層4は、バッファ層32よりも低い抵抗率を有する材料を主に含んでいれば良い。上部電極層4には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれても良いし、窓層と透明導電層とが含まれても良い。上部電極層4は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、ZnO、ZnOの化合物、Snが含まれたITOおよびSnO2などの金属酸化物半導体などが採用され得る。ZnOの化合物は、Al、B、Ga、InおよびFのうちの何れか1つの元素などが含まれたものであれば良い。上部電極層4は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法などによって形成され得る。上部電極層4の厚さは、例えば、0.1μm以上で且つ2.0μm以下程度であれば良い。ここで、上部電極層4が、1Ωcm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有していれば、上部電極層4を介して光電変換層3から電荷が良好に取り出され得る。なお、上部電極層4は、例えば、溝部P2の内部に配されている垂下部4aを備え得る。ここで、バッファ層32および上部電極層4が、光吸収層31が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質光透過性とも言うを有していれば、光吸収層31における光の吸収効率の低下が抑制され得る。また、上部電極層4の厚さが0.05μm以上で且つ0.5μm以下であれば、上部電極層4における光透過性が高められ、光電変換によって生じた電流が上部電極層4によって良好に伝送され得る。さらに、上部電極層4の絶対屈折率とバッファ層32の絶対屈折率とが略同一であれば、上部電極層4とバッファ層32との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。また、図3および図4で示されるように、上部電極層4のZ側の主面上面または受光面とも言うに複数の凹部4dが配されている。すなわち、上部電極4の光電変換層3側の一主面とは反対の他主面に複数の凹部4dが配されているとも言える。各凹部4dは、該凹部4dの周囲の部分よりも相対的に凹んだ部分であり、内部空間を有している。各凹部4dのXY断面の形状は、例えば略円形であれば良い。凹部4dの大きさは、例えば、円形であれば、径が0.01mm以上で且つ1mmであれば良い。また、凹部4dのZ方向における高さは、上部電極4のZ方向における厚みよりも小さければよい。その高さとしては、例えば、5nm以上で且つ1μmであれば良い。そして、複数の凹部4dの存在によって、上部電極層4のうちの複数の凹部4dが配されている部分の方が複数の凹部4dの周囲に位置している部分よりも薄い。これにより、上部電極層4では、凹部4dが配されている部分では、凹部4dが配されていない部分よりも光の透過率が上昇する。その結果、光電変換層3に入射する光の量の増加によって光電変換装置100における変換効率が上昇し得る。別の観点から言えば、上部電極層4の上面のうちの所定形状の所定面積の領域において、凹部4dが配されていない部分非凹部または凸部とも言う4sにおけるZ側の面の高さの平均値よりも、凹部4dにおけるZ側の面の高さの平均値の方が小さい。ここで所定形状は、例えば、正方形であれば良い。また、所定面積は、例えば、1mm2であれば良い。高さの平均値は、例えば、基板1の上面を基準としたZ方向における高さの平均値であれば良い。また、図3および図4で示されるように、凹部4dの底部に穴部4hが設けられている。穴部4hは、該穴部4hの周囲の部分に相当する凹部4dの底面よりも相対的に凹んだ部分であり、内部空間を有している。そして、このような穴部4hの存在によって、上部電極層4の受光面に外部から力が作用しても、穴部4hの内部空間が閉じる方向に上部電極層4が変形しやすくなる。これにより、上部電極層4の凸部4sに集中し得る応力が緩和されて、上部電極層4に生じ得るクラックの過度な進行が低減される。その結果、光電変換装置100の信頼性が向上する。なお、上述したが外部から作用する力外力とは、例えば、光電変換装置100をモジュール化した際に、光電変換装置100の受光面側に設けられたガラス等の透光性基板上に作用するものがある。このような外力は、例えば、積雪等による荷重である。また、光電変換装置100を樹脂層で被覆する場合は、該樹脂層の膨張等によって上部電極層4に作用する力も上記外力の一つとなる。穴部4hのXY断面の形状は、例えば、略円形であれば良い。また、穴部4hのXZ断面の形状は、図4に示されるように、様々な形態穴部4ha~4hdを選択可能である。なお、図4において、穴部4hは、凹部4dと区別すべく、点線で示されている。例えば、穴部4hは、底部を有する形状穴部4haであっても良い。穴部4haであれば、穴部4haが設けられている部位であっても上部電極層4の下部で導通を確保できるため、電気抵抗値の低下を低減できる。また、穴部4hは、光電変換層3まで貫通するような形状穴部4hbであっても良い。穴部4hbであれば、穴部4haに比べて穴部の内部空間を広くできるため、上部電極層4がより変形しやすくなる。これにより、上部電極層4に生じ得る応力をより緩和しやすくなる。また、穴部4hは、穴部の中心軸Aを含む縦断面XZ断面、YZ断面で見たときに、上部電極層4の上面側よりも下面側における幅が大きい形状穴部4hcであっても良い。この穴部4hcであれば、上部電極層4の上面側の幅が大きいため、穴部4hcの内部空間が狭くなる方向に上部電極層4が変形しやすい。これにより。上部電極層4に生じ得る応力をより緩和しやすくなる。また、穴部4hは、穴部の中心軸Aを含む縦断面XZ断面、YZ断面で見たときに、上部電極層4の下面側から上面側に向かって、漸次、幅が狭くなる形状穴部4hdであっても良い。この穴部4hdであれば、上部電極層4の上面側の幅が大きいため、穴部4hcの内部空間が狭くなる方向に上部電極層4が変形しやすい。これにより。上部電極層4に生じ得る応力をより緩和しやすくなる。穴部4hは、1つの凹部4dの底部に1つであっても良く、複数設けられていてもよい。穴部4hの大きさは、穴部の中心軸Aを含む縦断面XZ断面、YZ断面において、幅が20μm以上で且つ900μm、Z方向における高さが10nm以上で且つ900nmであれば良い。線状導電部5は、上部電極層4の上面の上に配されている。該線状導電部5は、例えば、金属ペーストが上部電極層4の上面の上に塗布された後に乾燥されて該金属ペーストが固化されることで形成され得る。金属ペーストは、例えば、透光性を有する樹脂などのバインダーに光反射率が高く且つ導電性を有する粒子が添加されることで作製され得る。ここで、透光性を有する樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂などが採用され得る。また、金属ペーストに含まれる粒子としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケルならびに亜鉛と銀の合金などの金属粒子が採用され得る。この場合、線状導電部5には、導電性を有する多数の粒子が含まれており、該多数の粒子が相互に接触し合うことで、線状導電部5における良好な導電性が確保され得る。線状導電部5は、複数の集電部5aと連結部5bと垂下部5cとを備えている。複数の集電部5aは、Y軸方向に離間しており、各集電部5aがX軸方向に延在している。連結部5bは、Y軸方向に延在している。そして、該連結部5bには、各集電部5aが電気的に接続されている。垂下部5cは、連結部5bの下部に接続され、溝部P2を通って隣の光電変換セル10から延伸されている下部電極層2に垂下部4aを介して接続する。つまり、垂下部4a,5cを主に含む接続部45によって、連結部5bと隣の光電変換セル10から延伸されている下部電極層2とが接続され得る。なお、接続部45は、垂下部4aを含まず、垂下部5cを含むものとされても良い。集電部5aは、光電変換層3において発生して上部電極層4において取り出された電荷を集電する役割を担う。集電部5aが配されていることで、上部電極層4における導電性が補われるため、上部電極層4の薄層化が可能となる。その結果、電荷の取り出し効率の確保と、上部電極層4における光透過性の向上とが両立し得る。上部電極層4および複数の集電部5aによって集電された電荷は、接続部45を通じて、隣の光電変換セル10に伝達される。これにより、光電変換装置100においては、隣り合う光電変換セル10が電気的に直列に接続されている。また、集電部5aの幅が50μm以上で且つ400μm以下であれば、隣接する光電変換セル10の間における良好な導電が確保され、光吸収層31への光の入射量の低下が抑制され得る。1つの光電変換セル10に配されている複数の集電部5aのY方向における間隔は、例えば、2.5mm程度であれば良い。また、線状導電部5は、穴部4hを避けて設けられても良い。すなわち、線状導電部5は、穴部4hの非形成領域に配されている。これにより、穴部4hの内部空間を確保できるため、上部電極層4が変形しやすくなる。このとき、線状導電部5は、図1に示されるように、凹部4dの一部に入り込んでいても良い。<溝部の配置とその役割>溝部P1は、Y軸方向に直線状に延在している。1以上の該溝部P1が配されていることで、複数の下部電極層2がX軸方向に分離されている。図2では、2つの下部電極層2が示されている。溝部P1には、直上に配された光吸収層31の延在部分が埋入している。これにより、隣り合う光電変換セル10において、一方の光電変換セル10の下部電極層2と、他方の光電変換セル10の下部電極層2とが電気的に分離されている。溝部P1の幅は、例えば、線状導電部5の幅と同程度の50μm以上で且つ400μm以下程度であれば良い。溝部P2は、Y軸方向に直線状に延在している。そして、該溝部P2は、上部電極層4の上面から下部電極層2の上面に至るまで配されている。このため、溝部P2は、1つの光電変換セル10内において、光電変換層3と上部電極層4とが積層された積層部をX軸方向に分離している。溝部P3は、隣り合う光電変換セル10の間においてY軸方向に延在している。そして、該溝部P3は、光電変換セル10のZ側の主面上面とも言うから下部電極層2の上面に至るまで配されている。つまり、溝部P3は、隣り合う光電変換セル10を分離する領域である。溝部P3の幅は、例えば、40μm以上で且つ1000μm以下程度であれば良い。なお、各溝部P3には、光電変換装置100がモジュール化される際に、例えば、樹脂などの絶縁材料が入り込む。また、受光面の上方ここではZ側から各光電変換セル10を平面透視した場合、各光電変換セル10には、X方向に溝部P1と溝部P2と溝部P3とがこの順に配されている。このため、各光電変換セル10においては、下部電極層2の上から溝部P1を越えて、隣の下部電極層2の上に至るまで光電変換層3が配されている。ここで、隣の下部電極層2は、隣の光電変換セル10から延伸している下部電極層2である。また、受光面の上方ここではZ側から各光電変換セル10を平面透視した場合、各光電変換セル10には、溝部P2を包含して溝部P1と溝部P3とに挟まれた領域と、溝部P1が配されている領域と、残余の領域とがある。そして、該残余の領域が、発電に寄与する領域となる。なお、本実施形態では、各光電変換セル10において、光電変換層3が、下部電極層2の上から隣の下部電極層2の上にかけて配されていたが、これに限られない。例えば、光電変換層3が、下部電極層2の上から溝部P1の内部に至るまで配されていれば良い。<光電変換装置の製造プロセス>ここで、上記構成を有する光電変換装置100の製造プロセスの一例について説明する。図8は、光電変換装置100の製造フローを例示するフローチャートである。まず、ステップSp1では、略矩形の盤面を有する平板状の基板1が準備される。ステップSp2では、洗浄された基板1の一主面の略全面に、スパッタリング法または蒸着法などが用いられて、下部電極層2が形成される。ステップSp3では、下部電極層2の上面のうちの所定の形成対象位置からその直下の基板1の上面にかけて、一方向ここでは図1等に示されているY軸方向に直線状に延在する溝部P1が形成される。溝部P1は、例えば、YAGレーザーまたはその他のレーザーの光が走査されつつ所定の形成対象位置に照射されることで形成され得る。ステップSp4では、下部電極層2の上に、光吸収層31に主に含まれる金属元素を含む皮膜が形成される。皮膜は、例えば、光吸収層31に主に含まれる金属元素を含む溶液が下部電極層2の上に塗布された後に乾燥される処理が行われることで形成され得る。ステップSp5では、皮膜に対する加熱処理が行われることで、皮膜における化合物半導体の結晶化が進み、光吸収層31が形成される。ステップSp6では、光吸収層31の上にバッファ層32が形成される。これにより、光吸収層31とバッファ層32とが積層されている光電変換層3が形成される。バッファ層32は、例えば、化学浴槽堆積CBD法によって形成され得る。具体的には、例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニアに溶解させられることで作製された溶液に光吸収層31が浸漬されることで、CdSを主に含むバッファ層32が形成され得る。ステップSp7では、バッファ層32の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層2の上面に至る領域に、一方向ここでは図1等に示されているY軸方向に直線状に延在する溝部P2が形成される。溝部P2は、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングなどによって形成され得る。ステップSp8では、光電変換層3の上面から溝部P2の内部にかけて上部電極層4が形成される。上部電極層4は、例えば、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法などで形成され得る。具体的には、例えば、バッファ層32の上に、Alが添加されたZnOを主に含む透明な上部電極層4が形成される。このとき、溝部P2内に、上部電極層4のうちの垂下部4aが形成される。また、このステップSp8では、上部電極層4の上面に複数の凹部4dが形成される。複数の凹部4dは、例えば、フォトリソグラフィー技術を用いてレジストをマスクとするウエットエッチングまたはドライエッチングが施されることで形成され得る。また、複数の凹部4dは、金属製のマスクを用いたドライエッチングが施されることで形成されても良い。さらに、このステップSp8では、凹部4dの底部に穴部4hが形成される。穴部4hは、フォトリソグラフィー技術を用いてレジストをマスクとするウエットエッチングまたはドライエッチングが施されることで形成され得る。ステップSp9では、上部電極層4の上面のうちの所定の形成対象位置から溝部P2の内部にかけて線状導電部5が形成される。線状導電部5は、例えば、金属ペーストが所定のパターンを有するように印刷され、印刷後の金属ペーストが乾燥によって固化されることで形成され得る。ステップSp10では、上部電極層4の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層2の上面に至る領域に、一方向ここでは図1等に示されているY軸方向に直線状に延在する溝部P3図1および図2参照が形成される。これにより、基板1の上に複数の光電変換セル10が配されている光電変換装置100が得られる。溝部P3は、例えば、溝部P2と同様に、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングなどによって形成され得る。<変形例>なお、本発明は上記一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。図6および図7に示されるように、上部電極層4の上面が、凹部4dと凸部4sが繰り返されている、うねっている形状を有していても構わない。この形態では、凹部4dがディンプル状であった上記一実施形態と異なり、凹部4dが一方向図7ではY軸方向に沿って設けられることとなる。そして、この形態では、上記一実施形態と同様に、凹部4dの底部に穴部4hが設けられている。この場合、基板1の上面を基準として、上部電極層4のうち、うねりの山の最も高い場所の高さと、うねりの谷の最も低い場所の高さとの差分Hが、例えば、30nm以上で且つ200nm以下程度であれば良い。また、上部電極層4の上面におけるうねりの周期は、例えば、2mm以上で且つ10mm以下であれば良い。この形態に係る上部電極層4は、例えば、ステップSp5において、以下のようにすればよい。まず、光吸収層31に主に含まれる金属元素を含む溶液が下部電極層2の略平坦な上面に塗布される際に、下部電極層2の上面で該溶液がはじかれる性質が利用されることで、上面がうねっている光吸収層31が形成され得る。この光吸収層31上にステップSp8を経て上部電極層4が形成されれば、上面にうねりを有する上部電極層4が形成され得る。また、この形態に係る上部電極層4は、例えば、ステップSp8で凹部4dおよび穴部4hが形成される前に、上面がうねりを有するようなエッチング処理が施されることによって形成され得る。また、上記一実施形態では、直列に接続された複数の光電変換セル10が光電変換装置100に含まれていたが、これに限られない。例えば、光電変換装置100には、1以上の光電変換セル10が含まれていれば良い。また、上記一実施形態では、光吸収層31が、カルコパイライト系の化合物半導体であるI-III-VI族化合物半導体を主に含む例が挙げられたが、これに限られない。例えば、光吸収層31に主に含まれる半導体は、その他のカルコゲン元素を含む化合物半導体であっても良い。その他のカルコゲン元素を含む化合物半導体としては、例えば、Cu、Zn、Sn、Sの4元素を主に含むI-II-IV-VI族化合物半導体CZTSおよびCdとTeの2元素を主に含むII-VI族化合物半導体などが採用され得る。また、光吸収層31に主に含まれる半導体は、例えば、非晶質のシリコンであっても良い。なお、上記一実施形態および上記各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。"