"アルカリ可溶性バインダー樹脂;ハロゲン含有第1光酸発生剤;トリアジン系第2光酸発生剤;アルコキシ構造を含む架橋剤;および溶剤を含む、ネガティブフォトレジスト組成物。前記バインダー樹脂は、ノボラック系重合体またはポリヒドロキシスチレン系重合体を含む、請求項1に記載のネガティブフォトレジスト組成物。前記ノボラック系重合体は、3000~30000の重量平均分子量を有し、下記化学式1の共重合体を含む、請求項2に記載のネガティブフォトレジスト組成物:前記化学式1中、mおよびnは、それぞれの繰り返し単位の重合度を示すものであって、m:nは、1:9~9:1である。前記ポリヒドロキシスチレン系重合体は、500~10000の重量平均分子量を有し、下記化学式2の重合体を含む、請求項2に記載のネガティブフォトレジスト組成物:前記第1光酸発生剤は、ハロゲン含有イミノスルホン酸系光酸発生剤を含む、請求項に1に記載のネガティブフォトレジスト組成物。前記第1光酸発生剤は、下記化学式3の化合物を含み、前記第2光酸発生剤は、下記化学式4の化合物を含む、請求項5に記載のネガティブフォトレジスト組成物:前記架橋剤は、アルコキシ構造を2個以上有するメラミン系化合物またはウレア系化合物を含む、請求項1に記載のネガティブフォトレジスト組成物。前記架橋剤は、化学式5の化合物を含む、請求項7に記載のネガティブフォトレジスト組成物:前記溶剤は、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートPGMEA、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドDMF、ジメチルスルホキシドDMSO、アセトニトリル、ジグライム、γ-ブチロラクトン、フェノールおよびシクロヘキサノンからなる群より選択された1種以上の有機溶媒を含む、請求項1に記載のネガティブフォトレジスト組成物。染料、現像促進剤および界面活性剤からなる群より選択された1種以上の添加剤をさらに含む、請求項1に記載のネガティブフォトレジスト組成物。前記現像促進剤は、下記化学式6のフェノールノボラック系化合物を含む、請求項10に記載のネガティブフォトレジスト組成物:前記化学式6中、lは、繰り返し単位の重合度を示すものであって、2~10である。固形分含量は、10~40重量である、請求項1に記載のネガティブフォトレジスト組成物。バインダー樹脂の7~30重量;第1光酸発生剤の0.1~5重量;第2光酸発生剤の0.01~5重量;架橋剤の1~10重量;および残量の添加剤と溶剤を含む、請求項1に記載のネガティブフォトレジスト組成物。リフトオフ工程に使用される、請求項1に記載のネガティブフォトレジスト組成物。液晶表示素子LCDまたは発光ダイオード素子LEDの製造工程に使用される、請求項1に記載のネガティブフォトレジスト組成物。LCD素子の薄膜トランジスタ基板製造工程またはLED素子の電極形成工程に使用される、請求項15に記載のネガティブフォトレジスト組成物。請求項1に記載のネガティブフォトレジスト組成物を基板上に塗布する段階;前記塗布された組成物の一定の領域に露光する段階;前記非露光部の組成物を現像して逆テーパ形状のフォトレジストパターンを形成する段階;前記フォトレジストパターンおよび基板上にターゲット薄膜を形成する段階;および前記フォトレジストパターンを除去する段階を含む、リフトオフ工程を利用した素子のパターニング方法。前記露光の前および/または後に熱処理bake段階をさらに含む、請求項17に記載の素子のパターニング方法。前記露光前熱処理段階は、80~120°Cで行われ、前記露光後熱処理段階は、90~150°C、好ましくは約90~110°Cで行われる、請求項18に記載の素子のパターニング方法。前記現像後に形成されたフォトレジストパターンは、基板と側壁が55°以上90°未満の角度を有する逆テーパ形状を有する、請求項17に記載の素子のパターニング方法。前記露光段階は、365~436nm波長の光源を利用して行われる、請求項17に記載の素子のパターニング方法。前記露光段階は、20~120mJの露光エネルギーで行われる、請求項21に記載の素子のパターニング方法。本発明は、優れた感度を示すばかりか、逆テーパ形状の良好なフォトレジストパターンの形成を可能にするネガティブフォトレジスト組成物を提供することにその目的がある。また、本発明は、前記ネガティブフォトレジスト組成物を利用した素子のパターニング方法を提供することにその目的がある。本発明は、アルカリ可溶性バインダー樹脂;ハロゲン含有第1光酸発生剤;トリアジン系第2光酸発生剤;アルコキシ構造を含む架橋剤;および溶剤を含むネガティブフォトレジスト組成物を提供する。また、本発明は、前記ネガティブフォトレジスト組成物を基板上に塗布する段階;前記塗布された組成物の一定の領域に露光する段階;前記非露光部の組成物を現像して逆テーパ形状のフォトレジストパターンを形成する段階;前記フォトレジストパターンおよび基板上にターゲット薄膜を形成する段階;および前記フォトレジストパターンを除去する段階を含むリフトオフ工程liftoffを利用した素子のパターニング方法を提供する。本発明のネガティブフォトレジスト組成物は、優れた感度を示すばかりか、これを利用して逆テーパ形状の良好なフォトレジストパターンを形成することができる。したがって、このようなフォトレジスト組成物をリフトオフ工程に利用して液晶表示素子または発光ダイオード素子のような各種素子の製造工程中に電極のような多様な薄膜を効果的にパターニングすることができる。特に、このようなネガティブフォトレジスト組成物を利用して逆テーパ形状のフォトレジストパターンを良好に形成することができるため、パターンの側壁に残留物が積もることを減少させてパターニング後にフォトレジストパターンをより容易に除去することができる。また、前記ネガティブフォトレジスト組成物を利用して感度も向上させることができ、多様な露光光源の利用が可能であるため工程マージンの向上も可能である。以下、本発明の具体的な実施形態によるネガティブフォトレジスト組成物および素子のパターニング方法について説明する。本発明の一実施形態によれば、アルカリ可溶性バインダー樹脂;ハロゲン含有第1光酸発生剤;トリアジン系第2光酸発生剤;アルコキシ構造を含む架橋剤;および溶剤を含むネガティブフォトレジスト組成物が提供される。前記ネガティブフォトレジスト組成物は、特定系列の2種類の光酸発生剤と共に含む。後述する実施例でも記載されているように、本発明者らの実験結果、これら2種類の光酸発生剤と共に使用することによって、前記ネガティブフォトレジスト組成物がより優れた感度を示すばかりか、これを使用して逆テーパ形状のフォトレジストパターンを非常に良好に形成することができることが明らかになった。例えば、基板とフォトレジストパターンの側壁が90°未満、具体的には55°以上90°未満、より具体的には55°以上80°以下になる良好な逆テーパ形状のフォトレジストパターンを形成することができることが確認された。そのため、前記良好な逆テーパ形状のフォトレジストパターンを利用して、金属膜などの多様なターゲット薄膜をリフトオフ工程で効果的にパターニングすることができ、その過程で金属膜または電極などの短絡や素子の不良を最少化することができる。これは上述した良好な逆テーパ形状によりフォトレジストパターン側壁には金属残留物のようなターゲット薄膜の残留物が積もる恐れがほとんどないためである。したがって、前記ネガティブフォトレジスト組成物をLEDまたはLCD素子のような多様な素子の製造工程、例えば、LCD素子の薄膜トランジスタ基板製造工程またはLED素子の電極形成工程などに非常に好適に適用することができる。また、前記フォトレジストパターン側壁にターゲット薄膜の残留物が積もる恐れがほとんどないため、以降にフォトレジストパターンをより容易に除去することができ、これも素子の不良を減少させる主原因になり得る。これに比べて、他の系列の光酸発生剤を含んだり1種の光酸発生剤のみを含むネガティブフォトレジスト組成物をリフトオフ工程に適用すると、フォトレジストパターンが逆テーパ形状に良好に形成されなかったり感度が落ちることがある例えば、テーパ形状または長方形に近い形状にフォトレジストパターンが形成されたり、感度が落ちてパターン自体が良好に形成されない場合が多い。そのため、このようなフォトレジストパターンを利用して金属膜などのターゲット薄膜をパターニングする場合、前記フォトレジストパターン側壁に相当量の残留物などが積もることがある。このような残留物はパターニング後にも基板上に残って前記金属膜などで形成された電極の短絡を生じさせたり良好なパターニングを難しくすることがあり、これは素子の不良を招き得る。また、前記残留物により前記フォトレジストパターンの除去が難しくなり、これも素子の不良を招く一要因で作用し得る。一方、前記本発明の一実施形態によるネガティブフォトレジスト組成物が上述した作用を果たす原因は、以下の通り予測され得る。前記ネガティブフォトレジスト組成物は、第1光酸発生剤としてハロゲン、例えば、フッ素含有化合物を含む。このようにハロゲンを有する第1光酸発生剤を含むことによって、ネガティブフォトレジスト組成物を塗布した時、このような第1光酸発生剤は主に塗布された組成物の上部により多く分布し得る。そのため、前記塗布された組成物に対して露光および熱処理postexposurebake工程を行うと、露光された組成物の上部で相対的に多くの酸が発生してより多くの架橋構造が形成され得る。その以降、現像工程を行って非露光部の組成物を除去するなると、露光部で残留するフォトレジストパターンの幅は下部よりも上部でより広くなり得る。そのため、前記フォトレジスト組成物を使用してより良好な逆テーパ形状のフォトレジストパターンを形成することができる。また、前記ネガティブフォトレジスト組成物は、第2光酸発生剤としてトリアジン系化合物を使用する。このようなトリアジン系第2光酸発生剤は、露光および現像工程などで前記ネガティブフォトレジスト組成物の感度をより向上させる役割を果たす。これによって、逆テーパ形状の微細なネガティブフォトレジストパターンがより良好に形成され得る。以下、前記本発明の一実施形態によるネガティブフォトレジスト組成物の各構成成分と具体的な組成例について説明する。前記ネガティブフォトレジスト組成物は、アルカリ可溶性バインダー樹脂を含むが、これは基本的に現像液のようなアルカリ溶液に良好に溶解可能な性質を帯び、ただし、露光部では第1および第2光酸発生剤から発生した酸を媒介として架橋剤と架橋構造を形成してアルカリ溶液に対して不溶性を帯びるようになる。このようなバインダー樹脂の性質のため、前記ネガティブフォトレジスト組成物の塗布、露光および現像を行うと、非露光部の組成物のみが選択的に除去されて逆テーパ形状のフォトレジストパターンを形成することができるようになる。このようなバインダー樹脂としては、基本的にアルカリ溶液に溶解可能であると共に、酸を媒介として架橋剤と架橋構造を形成可能な任意の重合体が使用され得る。このようなバインダー樹脂の例としては、ヒドロキシ基を有することによって酸を媒介として架橋剤のアルコキシ構造と架橋構造を形成することができる重合体、例えば、ノボラック系重合体またはポリヒドロキシスチレン系重合体が挙げられる。より具体的には、前記ノボラック系重合体としては、下記化学式1の共重合体を使用することができ、このようなノボラック系重合体は、約3000~30000、好ましくは約4000~15000、より好ましくは約5000~10000の重量平均分子量を有することができる。前記化学式1中、mおよびnは、それぞれの繰り返し単位の重合度を示すものであって、m:nは、1:9~9:1である。また、前記ポリヒドロキシスチレン系重合体としては、下記化学式2の重合体を使用することができ、このような重合体は、約500~10000、好ましくは約1000~7000、より好ましくは約1500~5000の重量平均分子量を有することができる。上述した分子量範囲を有するノボラック系重合体またはポリヒドロキシスチレン系重合体を使用することによって、前記バインダー樹脂を含む組成物が適切なアルカリ可溶性および優れた現像性を示すことができると共に、露光時に適切な架橋構造を形成して良好なフォトレジストパターンの形成が可能になる。付加して、上述したノボラック系重合体またはポリヒドロキシスチレン系重合体以外にも、架橋剤のアルコキシ構造と架橋構造を形成することができ、アルカリ可溶性を示して従来からネガティブフォトレジスト組成物に使用可能であると知らされた任意の重合体をバインダー樹脂として使用することができることはもちろんである。また、前記ネガティブフォトレジスト組成物に含まれるハロゲン含有第1光酸発生剤としては、例えば、フッ素含有光酸発生剤、より具体的にはフッ素などのハロゲン含有イミノスルホン酸系光酸発生剤を使用することができる。このような第1光酸発生剤を使用して逆テーパ形状のフォトレジストパターンをより良好に使用することができる。このようなハロゲン含有イミノスルホン酸系光酸発生剤の具体的な例としては、下記化学式3の化合物が挙げられる。ただし、その他にもハロゲンを含有して、基板に塗布されたネガティブフォトレジスト組成物の上部に多く分布可能な光酸発生剤を適切に選択して前記第1光酸発生剤として使用することもできる。そして、前記ネガティブフォトレジスト組成物に含まれるトリアジン系第2光酸発生剤としては、任意のトリアジン系光酸発生剤を使用することができ、その具体的な例としては、下記化学式4の化合物を使用することができる。このような第2光酸発生剤を使用してネガティブフォトレジスト組成物の感度をより向上させ、逆テーパ形状のフォトレジストパターンを良好に使用することができる。ただし、その他にも以前から知られた多様なトリアジン系第2光酸発生剤を使用することができることはもちろんである。一方、前記ネガティブフォトレジスト組成物は、アルコキシ構造を含む架橋剤を含む。このような架橋剤は、アルコキシ構造を有することによって、酸を媒介として前記バインダー樹脂、例えば、前記ノボラック系重合体またはポリヒドロキシスチレン系重合体のヒドロキシ基などと架橋構造を形成することができる。より具体的には、露光部で第1および第2光酸発生剤から酸が発生すると、このような酸との相互作用でカルボニウム塩を提供することができ、このようなカルボニウム塩がバインダー樹脂のヒドロキシ基などと架橋構造を形成することができる。このような架橋剤の作用で露光部のフォトレジスト組成物に架橋構造が形成され、現像液に対して不溶性になって逆テーパ形状のフォトレジストパターンが形成され得る。このような架橋剤としては、アルコキシ構造を2個以上有する化合物、例えば、複数のアルコキシ構造を有するメラミン系化合物またはウレア系化合物などを使用することができ、このような架橋剤の具体的な例としては、下記化学式5の化合物が挙げられる。このような架橋剤を使用して露光部で前記バインダー樹脂と架橋剤の間の適切な架橋構造を形成することができ、現像後に露光部のフォトレジスト組成物が残留して適切なフォトレジストパターンが形成されるようにできる。ただし、その他にもアルコキシ構造を有する多様な化合物を架橋剤として使用することができることはもちろんである。前記ネガティブフォトレジスト組成物に含まれる溶剤は、残りの成分を溶解するための媒質で、以前からフォトレジスト組成物に含まれていた多様な溶剤が使用され得る。このような溶剤の例としては、特に限定されないが、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートPGMEA、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドDMF、ジメチルスルホキシドDMSO、アセトニトリル、ジグライム、γ-ブチロラクトン、フェノールまたはシクロヘキサノンや、これらの中から選択された2種以上の混合溶剤が挙げられる。前記溶媒として、好ましくはプロピレングリコールメチルエーテルアセテートPGMEAを使用することができる。一方、前記フォトレジスト組成物は、上述した各構成成分以外にも多様な添加剤、例えば、染料、現像促進剤speedenhancerまたは界面活性剤などを含むことができる。このうち、前記染料としては、以前からフォトレジスト組成物に使用可能であると知らされた商用化されたり一般的な染料を特別な制限なしに全て使用することができる。また、前記界面活性剤としては、シリコン系界面活性剤、例えば、BYK系界面活性剤を使用することができ、その他にもフォトレジスト組成物に使用可能であると知らされた多様な物質を使用することができる。そして、前記現像促進剤は、バインダー樹脂の間に分布して非露光部でフォトレジスト組成物が現像液によってより容易に除去されるようにする成分である。つまり、比較的に低分子量の現像促進剤を使用することによって、このような現像促進剤がバインダー樹脂の間に分布して高分子量のバインダー樹脂がかたまることを抑制することができる。そのため、非露光部で前記フォトレジスト組成物が現像液により容易に溶けて除去されるようにできる。このような現像促進剤としては、前記バインダー樹脂と類似する構造を有するフェノールノボラック系化合物、例えば、下記化学式6の化合物を使用することができる。前記化学式6中、lは、繰り返し単位の重合度を示すものであって、2~10である。その他にもバインダー樹脂の種類に応じて多様な現像促進剤を適切に選択して使用することができることはもちろんである。上述したネガティブフォトレジスト組成物は、溶剤を除いた固形分含量が10~40重量になり得る。これによって、組成物内に各成分が均一に溶解され得、また各成分が適切な濃度を維持して適切なフォトレジストパターンを形成させることができる。また、前記ネガティブフォトレジスト組成物は、バインダー樹脂の約7~30重量、好ましくは約10~27重量、より好ましくは約15~25重量;第1光酸発生剤の約0.1~5重量、好ましくは約0.2~3重量、より好ましくは約0.3~1.5重量;第2光酸発生剤の約0.01~5重量、好ましくは約0.02~1重量、より好ましくは約0.02~0.1重量;および架橋剤の約1~10重量、好ましくは約2~7重量、より好ましくは約2~5重量を含むことができ、これを除いた残りの含量の添加剤と溶剤を含むことができる。各成分をこのような含量範囲に使用して良好な逆テーパ形状のフォトレジストパターンを形成することができるようになる。一方、上述したネガティブフォトレジスト組成物は、各成分の作用によって、露光部では組成物が残留してフォトレジストパターンを形成し、非露光部では現像液により組成物が除去され得る。特に、上述したネガティブフォトレジスト組成物を使用して良好な逆テーパ形状のフォトレジストパターンを形成することができるため、前記ネガティブフォトレジスト組成物をリフトオフ工程で各種ターゲット薄膜をパターニングすることに非常に好適に適用することができる。例えば、前記ネガティブフォトレジスト組成物は、液晶表示素子LCDまたは発光ダイオード素子LEDの製造工程中に多様な薄膜をパターニングするために適切に使用され得、特に、薄膜トランジスタ基板の製造工程または電極などの金属膜をパターニングすることに好適に使用され得る。ここに本発明の他の実施形態により、上述したネガティブフォトレジスト組成物を使用してリフトオフ工程を利用した素子のパターニング方法が提供される。このようなリフトオフ工程を利用した素子のパターニング方法は、上述したネガティブフォトレジスト組成物を基板上に塗布する段階;前記塗布された組成物の一定の領域に露光する段階;前記非露光部の組成物を現像して逆テーパ形状のフォトレジストパターンを形成する段階;前記フォトレジストパターン上にターゲット薄膜を形成する段階;および前記フォトレジストパターンを除去する段階を含む。このようなパターニング方法の一工程例は、図1に概略的に示されたとおりである。図1を参照すると、前記パターニング方法では、前記フォトレジスト組成物を塗布した後、露光および現像を行ってフォトレジストパターンを形成する。この時、このようなフォトレジストパターンは、前述のように、良好な逆テーパ形状を有することができる。例えば、前記フォトレジストパターンは、基板とフォトレジストパターンの側壁が90°未満、具体的には55°以上90°未満、より具体的には55°以上80°以下になる良好な逆テーパ形状を帯びることができる。このようなフォトレジストパターン上に金属などを蒸着して金属膜などのターゲット薄膜を形成すると、前記逆テーパ形状により前記金属残留物のようなターゲット薄膜の残留物がフォトレジストパターンの側壁にほとんど積もらず、パターン上部とパターンが形成されていない基板上にのみ選択的に形成され得る。以降、フォトレジストパターンを除去すると基板上のターゲット薄膜のみが残って金属膜パターンのようなターゲット薄膜のパターンが形成され得る。この時、本発明の一実施形態によるネガティブフォトレジスト組成物から形成されたパターンが良好な逆テーパ形状を帯びることによって、パターンの両側壁に積もる金属残留物などのターゲット薄膜残留物の量を大幅減少させることができる。これによって、前記金属膜などのターゲット薄膜の短絡の恐れなしにこのようなターゲット薄膜を良好にパターニングすることができ、前記フォトレジストパターンをより容易に除去することができる。結果的に、本発明の一実施形態によるネガティブフォトレジスト組成物を使用することによって、リフトオフ工程を通じて金属膜などターゲット薄膜の良好なパターニングが可能になり、金属膜などの短絡による素子不良の恐れが大幅減少することができる。一方、前記素子のパターニング方法では、前記露光の前および/または後に熱処理prebakeおよび/またはpostexposurebake工程をさらに行うこともできる。このような熱処理により露光部でバインダー樹脂と架橋剤の間の架橋構造をより効果的に形成することができる。前記露光前熱処理prebake工程は、例えば、約80~120°C、好ましくは約90~110°Cで行うことができ、前記露光後熱処理postexposurebake工程は、例えば、約90~150°C、好ましくは約90~110°Cで行うことができる。各熱処理工程条件をこのような範囲に調節して架橋構造を最適化することができ、逆テーパ形状のフォトレジストパターンをより良好に形成することができる。そして、前記素子のパターニング方法で、露光段階は、365~436nm波長の光源、例えば、i-lineまたはg-lineの光源単色光または白色光の光源を利用して行われ得る。本発明の一実施形態のネガティブフォトレジスト組成物が2種の光酸発生剤を含むことによって、上述した広い領域帯の波長の多様な光源を使用しても良好なフォトレジストパターンおよびターゲット薄膜のパターンを優れた感度に形成することができる。したがって、露光工程のマージンがより向上し、リフトオフ工程の適用の可能性も向上し得る。また、前記露光段階は、約20~120mJ、好ましくは約30~100mJの露光エネルギーで行うことができる。露光エネルギー条件をこのような範囲に調節して架橋構造を最適化することができ、逆テーパ形状のフォトレジストパターンをより良好に形成することができる。そして、前記現像後に形成されたフォトレジストパターンは、基板と側壁が90°未満、具体的には55°以上90°未満、より具体的には55°以上80°以下になる良好な逆テーパ形状を有することができる。このように良好な逆テーパ形状のフォトレジストパターンを形成することによって、側壁上に残留物が積もることを抑制することができる。したがって、リフトオフ工程を利用した金属膜などターゲット薄膜のパターニングがより良好に行われるばかりか、フォトレジストパターンの除去がより容易になり得る。付加して、露光前熱処理prebake、露光および露光後熱処理postexposurebake条件などを調節して多様な逆テーパ形状のフォトレジストパターンを調節して形成することができるようになる。これによって、パターニングするターゲット薄膜の種類に応じて適切なフォトレジストパターンの形成が可能になり、これは素子の製造工程の効率化に大きく寄与することができる。本発明を下記実施例により詳細に説明する。ただし、下記実施例は本発明を例示するものに過ぎず、本発明の内容が下記実施例により限定されない。製造例1:ネガティブフォトレジスト組成物の製造化学式1のボラック系重合体Mw:6000;m:n=6:4の24.08重量、化学式6の現像促進剤l=8の8.03重量、化学式3の光酸発生剤の0.96重量、化学式4の光酸発生剤の0.03重量、化学式5の架橋剤の2.57重量、緑色染料の0.26重量、シリコン系界面活性剤BYK333の0.075重量および残量のPGMEA溶剤を混合してネガティブフォトレジスト組成物を製造した。製造例2:ネガティブフォトレジスト組成物の製造化学式2のポリヒドロキシスチレン系重合体Mw:10000の30重量、化学式6の現像促進剤l=8の5重量、化学式3の光酸発生剤の1重量、化学式4の光酸発生剤の0.5重量、化学式5の架橋剤の3重量、緑色染料の0.26重量、シリコン系界面活性剤BYK333の0.075重量および残量のPGMEA溶剤を混合してネガティブフォトレジスト組成物を製造した。製造例3:ネガティブフォトレジスト組成物の製造化学式1のボラック系重合体Mw:8000;m:n=6:4の24.08重量、化学式6の現像促進剤l=8の8.03重量、化学式3の光酸発生剤の1重量、化学式4の光酸発生剤の0.5重量、化学式5の架橋剤の2.57重量、緑色染料の0.26重量、シリコン系界面活性剤BYK333の0.075重量および残量のPGMEA溶剤を混合してネガティブフォトレジスト組成物を製造した。製造例4:ネガティブフォトレジスト組成物の製造化学式1のボラック系重合体Mw:6000;m:n=7:3の24.08重量、化学式6の現像促進剤l=8の8.03重量、化学式3の光酸発生剤の1重量、化学式4の光酸発生剤の0.5重量、化学式5の架橋剤の2.57重量、緑色染料の0.26重量、シリコン系界面活性剤BYK333の0.075重量および残量のPGMEA溶剤を混合してネガティブフォトレジスト組成物を製造した。比較製造例1:ネガティブフォトレジスト組成物の製造化学式3の光酸発生剤を使用しなかったことを除いては、製造例1と同様な方法および組成でフォトレジスト組成物を製造した。比較製造例2:ネガティブフォトレジスト組成物の製造化学式4の光酸発生剤を使用しなかったことを除いては、製造例1と同様な方法および組成でフォトレジスト組成物を製造した。比較製造例3:ネガティブフォトレジスト組成物の製造化学式4の光酸発生剤の代わりにオニウム塩系のトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートを使用したことを除いては、製造例1と同様な方法および組成でフォトレジスト組成物を製造した。実施例1~4および比較例1~3:フォトレジストパターンの形成製造例1~4および比較製造例1~3のフォトレジスト組成物をシリコンウエハーに3.0μmの厚さにスピン塗布し、80°Cの温度で90秒間の露光前熱処理prebakeを行った。以降、Nikon社製のNSRi-lineStepper露光装備を使用して70mJ/cm2の露光エネルギーで露光を行った。次に、110°Cの温度で60秒間の露光後熱処理postexposurebakeを行い、2.38のTMAHアルカリ現像液を使用して23°Cで非露光部を現像してフォトレジストパターンを形成した。製造例1のフォトレジスト組成物を使用して形成された実施例1のフォトレジストパターンの電子顕微鏡写真は、図2に添付されたとおりであり、各フォトレジストパターンでCDおよびパターンの側壁と基板が成す角度は、下記表1に整理されたとおりである。前記表1および図2を参照すると、製造例1~4のフォトレジスト組成物を使用する場合、優れた感度を示し、良好な逆テーパ形状のフォトレジストパターンが形成され得ることが確認された。これに比べて、比較製造例1~3のフォトレジスト組成物を使用する場合には、比較例1および2のように逆テーパ形状のパターン自体が形成されなかったり、感度が大きく低下してフォトレジストパターンのCDが大きく落ちることが確認された。実施例5および6:フォトレジストパターンの形成製造例1をフォトレジスト組成物を使用して露光前熱処理温度を90°Cに変更し、露光エネルギーを30mJ/cm2に変更したことを除いては、実施例1と同様な方法で実施例5のフォトレジストパターンを形成した。また、露光後熱処理温度を100°Cに変更し、露光エネルギーを90mJ/cm2に変更したことを除いては、実施例5と同様な方法で実施例6のフォトレジストパターンを形成した。実施例5および6のフォトレジストパターンの電子顕微鏡写真は、図3および4に添付されたとおりであり、各フォトレジストパターンでCDおよびパターンの側壁と基板が成す角度は、下記表2に整理されたとおりである。前記表2、図3および4と共に上述した図1および表1などを参照すると、製造例1のフォトレジスト組成物を使用して多様な露光エネルギー、露光後熱処理および露光前熱処理条件で良好な逆テーパ形状のフォトレジストパターンが形成され得ることが確認された。また、前記露光エネルギー、露光後熱処理および露光前熱処理条件を調節してパターンの逆テーパ形状を適切に調節することができることが確認された。"