炭化珪素単結晶の原料を準備する準備工程と、坩堝に前記原料を配置する配置工程と、前記原料を加熱し、前記原料を昇華させる工程と、を備えた4H型炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記準備工程では、炭素と珪素の比であるC/Si比が0.7以下であり、C/Si比が異なる原料を複数準備し、前記配置工程では、高温に加熱される位置にある原料ほど、前記C/Si比が高くなるように、前記原料を配置する4H型炭化珪素単結晶の製造方法。前記配置工程では、加熱される温度が10°C異なる毎に、C/Si比が異なるように、前記原料を配置する請求項1に記載の4H型炭化珪素単結晶の製造方法。高品質の炭化珪素単結晶を製造するための方法のひとつに、炭化珪素単結晶の成長速度を遅くしたまま、炭化珪素単結晶を成長させる方法がある。坩堝の底部側の温度を原料の昇華温度から大幅に高くしなければ、坩堝の蓋体の温度と坩堝の底部側の温度との差が小さくなるため、成長速度を遅くすることが可能となる。原料の昇華温度付近では、原料から珪素が優先的に昇華するため、製造後半になると、原料の炭素の割合が増加する。このため、製造開始時に比べて、製造の後半になると、坩堝内部において、炭素と珪素との比であるC/Si比は、高くなっていた。加えて、原料の炭素の割合が増加するにつれ、原料が昇華しにくくなる。黒鉛製の坩堝が用いられる場合には、坩堝を構成する炭素によっても、坩堝内部のC/Si比は、高くなっていた。C/Si比が高くなると、4H型の多形は不安定になり、4H型以外の多形が発生しやすくなる。このため、C/Si比が高くなる後半に製造された炭化珪素単結晶は、4H型以外の炭化珪素単結晶が含まれていた。このため、後半に製造された4H型炭化珪素単結晶は、品質が低下するという問題が生じていた。そこで、本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、製造後半にC/Si比が高くなることによって生じる品質の低下を抑制した4H型炭化珪素単結晶の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決するため、本発明は、次のような特徴を有している。本発明の特徴は、炭化珪素単結晶の原料を準備する準備工程と、坩堝に前記原料を配置する配置工程と、前記原料を加熱し、前記原料を昇華させる工程と、を備えた4H型炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記準備工程では、炭素と珪素の比であるC/Si比が0.7以下であり、C/Si比が異なる原料を複数準備し、前記配置工程では、高温に加熱される位置にある原料ほど、前記C/Si比が高くなるように、前記原料を配置することを要旨とする。本発明の特徴によれば、準備工程では、炭素と珪素の比であるC/Si比が0.7以下であり、C/Si比が異なる原料を複数準備し、配置工程では、高温に加熱される位置にある原料ほど、C/Si比が高くなるように、原料を配置する。このため、製造前半では、高温に加熱される位置に配置された所定のC/Si比を有する原料が加熱される。製造後半になると、C/Si比の低い原料、すなわち、珪素を多く含有する原料が加熱される。従って、製造後半であっても、坩堝の内部に珪素を十分供給できるため、C/Si比が高くなることを抑制できる。このため、4H型の多形は安定して存在できるため、4H型炭化珪素単結晶は、安定して成長できる。すなわち、製造後半に成長した4H型炭化珪素単結晶の品質の低下を抑制することができる。また、前記配置工程では、加熱される温度が10°C異なる毎に、C/Si比が異なるように、前記原料を配置しても良い。本発明によれば、製造後半にC/Si比が高くなることによって生じる品質の低下を抑制した4H型炭化珪素単結晶の製造方法を提供することができる。本発明に係る4H型炭化珪素単結晶の製造方法の一例について、図面を参照しながら説明する。具体的には、14H型炭化珪素単結晶製造装置1の概略構成、24H型炭化珪素単結晶の製造方法、3作用効果、4比較評価、5その他実施形態、について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一または類似の符号を付している。図面は模式的なものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれ得る。14H型炭化珪素単結晶製造装置1の概略構成本実施形態に係る4H型炭化珪素単結晶製造装置1の概略構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る4H型炭化珪素単結晶製造装置1の概略断面図である。図1に示されるように、4H型炭化珪素単結晶製造装置1以下、適宜、装置1と略すは、坩堝蓋体30と坩堝本体40とを有する坩堝50、支持棒60、石英管70、加熱コイル80及び干渉防止コイル85とを備える。坩堝50は、坩堝蓋体30と坩堝本体40とを有する。坩堝蓋体30には、原料20の再結晶を誘起する種結晶10が配置される。具体的には、種結晶10は、坩堝蓋体30の原料20と対向する面31に配置される。坩堝本体40には、単結晶の原料20が配置される。坩堝50の一端部すなわち、坩堝蓋体30には、種結晶10が配置され、坩堝50の一端部に対向する坩堝50の他端部すわなち、坩堝本体40の底部には、原料20が配置される。従って、種結晶10と原料20とは対向している。坩堝50は、支持棒60により石英管70の内部に固定される。加熱コイル80は、石英管70の外周に設けられる。加熱コイル80は、加熱コイル80a及び加熱コイル80bを有する。加熱コイル80aは、坩堝蓋体30側に位置する。加熱コイル80bは、坩堝本体40の底部側に位置する。加熱コイル80に高周波電流を流すことにより、坩堝50を誘導加熱する。これにより、坩堝50の内部の温度が上昇し、原料20が昇華する。原料20が再結晶しやすいように、坩堝蓋体30側の温度は、坩堝本体40の底部側の温度に比べて、低くすることが好ましい。なお、坩堝50は、断熱材不図示で覆われている。24H型炭化珪素単結晶の製造方法本実施形態に係る4H型炭化珪素単結晶の製造方法について、図1から図3を参照しながら説明する。図2は、本実施形態に係る4H型炭化珪素単結晶の製造方法を説明するためのフローチャートである。図3は、本実施形態に係る4H型炭化珪素単結晶製造装置1の概略一部断面図である。具体的には、図3は、坩堝本体40の底部の概略断面図である。図2に示されるように、本実施形態に係る4H型炭化珪素単結晶の製造方法は、準備工程S1及び成長工程S2を有する。2.1準備工程S1準備工程S1は、原料準備工程S11と原料配置工程S12とを有する。原料準備工程S11は、単結晶の原料20を準備する工程である。具体的には、原料準備工程S11では、C/Si比が0.7以下であり、C/Si比が異なる原料20を複数準備する。原料20は、炭化珪素SiCに珪素Siを混ぜ合わせることによって、準備できる。まず、所定量の炭化珪素原料粉を複数準備する。準備した各炭化珪素原料粉に珪素原料粉を割合を変えて混ぜ合わせる。例えば、重量が等しくなるように、炭化珪素原料を3つに分ける。各炭化珪素原料の重量を100としたときに、1つ目の炭化珪素原料には、珪素原料の重量xを混ぜ合わせる。2つ目の炭化珪素原料には、珪素原料の重量1.1xを混ぜ合わせる。すなわち、2つ目の炭化珪素原料に混ぜ合わせる珪素原料は、1つ目の炭化珪素原料の珪素原料の重量の1.1倍の量である。3つ目の炭化珪素原料には、珪素原料の重量1.2xを混ぜ合わせる。すなわち、3つ目の炭化珪素原料に混ぜ合わせる珪素原料は、1つ目の炭化珪素原料の珪素原料の重量の1.2倍の量である。ここで、xは、1~10の範囲内の数値である。これによって、C/Si比が0.7以下であり、C/Si比が異なる原料20が準備できる。1つ目の炭化珪素原料を基に準備された原料20を原料20aとし、2つ目の炭化珪素原料を基に準備された原料20を原料20bとし、3つ目の炭化珪素原料を基に準備された原料20を原料20cとする。原料配置工程S12は、坩堝50に原料20を配置する工程である。具体的には、原料配置工程S12では、高温に加熱される位置にある原料20ほど、C/Si比が高くなるように、原料20を配置する。本実施形態において、坩堝本体40の側面から加熱されるため、坩堝本体40の側面から離れるほど、原料20を加熱する温度が低くなる。すなわち、坩堝本体40の底部の中心から坩堝本体40の側面に向かうにつれ、高温に加熱される。また、坩堝本体40の底部から加熱されるため、坩堝本体40の底部から離れるほど、原料20を加熱する温度が低くなる。すなわち、坩堝蓋体30側から坩堝本体40の底部へ向かうにつれ、高温に加熱される。このため、原料20を、図3に示されるように配置する。坩堝本体40の底部に原料20aを配置する。坩堝本体40の底部の中心には、原料20aを配置しない。坩堝蓋体30と坩堝本体40の底部とを通る坩堝50の中心から坩堝本体40の側面に向かうにつれ原料20aの高さが高くなるように、原料20aを配置する。すなわち、坩堝本体40の底部と側面とに近い部分に、原料20aを配置する。これによって、最も高温に加熱される位置に、原料20aは配置される。原料20a上に原料20bを配置する。坩堝本体40の底部の中心に原料20bを配置する。種結晶10と原料20とを通る坩堝50の中心から坩堝本体40の側面に向かうにつれ原料20aの高さが高くなるように、原料20bを配置する。これによって、原料20aの次に高温に加熱される位置に、原料20bは配置される。原料20b上に原料20cを配置する。原料20cの高さが等しくなるように、原料20cを配置する。従って、坩堝本体40の側面から坩堝本体40の中心に向かうにつれ、原料20cの量が多く配置される。これによって、原料20bの次に高温に加熱される位置に、原料20cは配置される。加熱される温度が10°C異なる毎に、C/Si比が異なるように、各原料を配置しても良い。従って、坩堝50の温度分布を基に、原料20が最も高温に加熱される最高温度から最高温度-10°Cまでの部分に原料20aを配置して、最高温度-10°Cから最高温度-20°Cまでの部分に原料20bを配置して、最高温度-20°Cから最高温度-30°Cまでの部分に原料20cを配置しても良い。最高温度-10°C及び最高温度-20°Cの境界で、各原料は区切られる。種結晶10は、坩堝蓋体30に配置される。種結晶10は、炭化珪素単結晶の成長起点となるため、炭化珪素単結晶からなるものを用いることが好ましい。種結晶10が配置された坩堝蓋体30を坩堝本体40に取り付ける。2.2成長工程S2成長工程S2は、炭化珪素単結晶を成長させる工程である。具体的には、成長工程S2では、原料20を加熱し、原料20を昇華させる。加熱コイル80に電流を通電して、坩堝50を加熱する。これによって、原料20を加熱する。一般的に、加熱温度は、2000°Cから2500°Cである。坩堝蓋体30側の温度が、坩堝本体40の底部側の温度よりもやや低温となるように、加熱コイル80a及び加熱コイル80bを調整する。原料20の昇華温度を超えると、原料20は、昇華する。原料20aは、最も高温に加熱される位置にあるため、原料20aが主に昇華する。原料20aがなくなるにつれ、原料20bが主に昇華しはじめる。その後、原料20bがなくなるにつれ、原料20cが主に昇華しはじめる。昇華した原料20は、種結晶10の成長面上で再結晶する。これにより単結晶が成長を開始する。所望の大きさの単結晶が得られるまで、単結晶を成長させる。3作用効果本実施形態に係る4H型炭化珪素単結晶の製造方法によれば、原料準備工程S11では、C/Si比が0.7以下であり、C/Si比が異なる原料20a、原料20b及び原料20cを準備し、原料配置工程S12では、C/Si比が高い原料20aが、高温に加熱される位置に配置され、C/Si比が次に高い原料20bが、次に高温に加熱される位置に配置され、C/Si比が次に高い原料20cが、次に高温に加熱される位置に配置される。このため、製造開始時には、原料20aが主に昇華し、時間が経過するにつれ、原料20bが主に昇華する。さらに、時間が経過すると、原料20cが主に昇華する。従って、製造が進むにつれ、C/Si比が低い原料20が昇華する。すなわち、製造後半になっても、珪素を多く含有する原料20が存在する。このため、製造後半であっても、坩堝50の内部に珪素を十分供給できるため、C/Si比が高くなることを抑制できる。このため、4H型の多形は安定して存在できるため、4H型炭化珪素単結晶は、安定して成長できる。すなわち、製造後半に成長した4H型炭化珪素単結晶の品質の低下を抑制することができる。本実施形態に係る4H型炭化珪素単結晶の製造方法によれば、原料配置工程S12では、加熱される温度が10°C異なる毎に、C/Si比が異なるように原料20を配置しても良い。これによって、C/Si比をより一定に保ちながら4H型炭化珪素単結晶を製造することができる。4比較評価本発明の効果を確かめるために、以下の測定を行った。なお、本発明は、以下の実施例に限定されない。実施例では、原料20aのC/Si比は、0.7となるように準備した。原料20bのC/Si比は、0.63となるように原料を準備した。原料20cのC/Si比は、0.56となるように原料を準備した。上述した装置1における、単結晶製造時の原料の温度分布を計算により求めた。その温度分布を基に、10°C毎に各原料が区切られるように各原料を配置した。具体的には、図3に示されるように、原料20a、原料20b及び原料20cを坩堝に配置した。原料を配置した後、加熱コイルにより坩堝本体40の底部側を2080°Cに、坩堝蓋体30側を2000度に加熱した。アルゴンガス雰囲気で所定の圧力に維持した。加熱により原料が昇華及び再結晶し、単結晶を製造した。比較例では、原料のC/Si比が0.7と均一なものを準備した。実施例と同量の原料を坩堝に配置した。その他の製造条件は、実施例と同様にして、単結晶を製造した。実施例及び比較例により製造した単結晶を用いて、各成長高さにおける多形の混入率を測定した。結果を図4に示す。図4は、成長高さと多形混入率との関係を表す図である。多形混入率が大きいほど、単結晶の品質が悪いことを示している。図4に示されるように、実施例では、成長高さ20mmまでは、多形混入率が0であり、成長高さ30mmになっても多形混入率は、10以下である。一方、比較例では、成長高さ8mmを超えると多形混入率が増え始め、成長高さ20mmを超えると65にまで達している。従って、本発明によれば、製造後半にC/Si比が高くなることによって生じる品質の低下を抑制できることが確認できた。5その他実施形態本発明の実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。具体的には、上述した実施形態では、3種類の原料20を準備したが、これに限られない。例えば、2種類の原料20を準備しても良いし、4種類以上の原料20を準備しても良い。各原料20のC/Si比は、最も高いC/Si比から10ずつC/Si比が減少するように、各原料20を準備しても良い。例えば、2番目に高いC/Si比は、最も高いC/Si比の90の値であり、3番目に高いC/Si比は、最も高いC/Si比の80の値であり、n番目に高いC/Si比は、最も高いC/Si比の[100-10n-1]の値となるように、各原料を準備しても良い。なお、n=1~10である。上述の通り、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。