p形コレクタ層と、前記p形コレクタ層上に形成されたn形ベース層と、前記n形ベース層上に形成されたp形ベース層と、前記p形ベース層の表面に選択的に形成され前記n形ベース層よりも高いn形不純物濃度を有するn形ソース層と、前記n形ソース層の表面から前記n形ソース層、及び前記p形ベース層を貫通し、前記n形ベース層中に至るトレンチ内に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成された層間絶縁膜と、前記p形コレクタ層の前記n形ソース層とは反対側の表面に電気的に接続されたコレクタ電極と、前記層間絶縁膜に設けられた開口部を介して前記n形ソース層と前記p形コンタクト層とに電気的に接続されたエミッタ電極と、を備え、前記p形ベース層の不純物濃度は、積層方向において、前記ソース層と隣接する上端部で最大値を有し、前記p形ベース層の前記上端部から前記n形ベース層に向かって減少し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜の第1の部分を介して前記n形ベース層と前記p形ベース層の底端部とに対向する第1の部分と、前記ゲート電極の前記第1の部分の上部と連続し、前記ゲート絶縁膜の第2の部分を介して前記p形ベース層の前記上端部と前記n形ソース層とに対向する第2の部分と、を有し、前記ゲート絶縁膜の前記第1の部分と前記p形ベース層の前記底端部との間に反転分布層が形成される閾値は、前記ゲート絶縁膜の前記第2の部分と前記p形ベース層の前記上端部との間に反転分布層が形成される閾値以上となるように、前記ゲート電極が形成されていることを特徴とする電力用半導体装置。前記p形ベース層は、前記n形ベース層の表面に選択的に形成された拡散層であることを特徴とする請求項1記載の電力用半導体装置。前記エミッタ電極は、前記p形ベース層の表面に形成され前記p形ベース層のp形不純物の濃度よりも高いp形不純物の濃度を有するp形コンタクト層を介して前記p形ベース層に電気的に接続されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の電力用半導体装置。前記ゲート絶縁膜の前記第1の部分の膜厚は、前記ゲート絶縁膜の前記第2の部分の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の電力用半導体装置。前記ゲート絶縁膜の前記第2の部分の膜厚は、前記ゲート絶縁膜の前記ゲート絶縁膜の前記第1の部分に向かって厚くなっていることを特徴とする請求項4記載の電力用半導体装置。前記ゲート絶縁膜の前記第1の部分は、前記ゲート絶縁膜の前記第2の部分の誘電率よりも高い誘電率を有する材料で構成されることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の電力用半導体装置。前記ゲート電極の前記第1の部分のフェルミレベルは、前記ゲート電極の第2の部分のフェルミレベルよりも低いことを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の電力用半導体装置。前記ゲート電極の前記第1の部分は、p形のポリシリコンであり、前記ゲート電極の前記第2の部分は、n形のポリシリコンであることを特徴とする請求項7記載の電力用半導体装置。前記ゲート電極の前記第1の部分は、p形の半導体層であり、前記ゲート電極の前記第2の部分は、n形の半導体層であることを特徴とする請求項7記載の電力用半導体装置。前記ゲート電極の前記第1の部分は、第1の半導体層であり、前記ゲート電極の前記第2の部分は、第2の半導体層であり、前記第1の半導体層の電子親和力は、前記第2の半導体層の電子親和力よりも大きいことを特徴とする請求項7又は9に記載の電力用半導体装置。負荷短絡耐量が高く、オン抵抗が低い電力用半導体装置を提供する。実施形態の電力用半導体装置は、p形コレクタ層と、n形ベース層と、p形ベース層と、n形ソース層と、ゲート電極と、層間絶縁膜と、コレクタ電極と、エミッタ電極と、を備える。n形ベース層は、p形コレクタ層の上に形成される。p形ベース層は、n形ベース層の上に形成される。n形ソース層は、n形ベース層よりも高いn形不純物濃度を有し、p形ベース層の表面に選択的に形成される。トレンチが、n形ソース層の表面からn形ソース層及びp形ベース層を貫通し、n形ベース層中に至るように形成される。ゲート電極は、ゲート絶縁膜を介してトレンチ内に形成される。層間絶縁膜は、ゲート電極の上に形成される。コレクタ電極は、p形コレクタ層のn形ソース層とは反対側の表面に電気的に接続される。エミッタ電極は、層間絶縁膜に設けられた開口部を介してn形ソース層とp形コンタクト層とに電気的に接続される。p形ベース層の不純物濃度は、積層方向において、ソース層と隣接する上端部で最大値を有し、p形ベース層の上端部からn形ベース層に向かって単調減少する。ゲート電極は、ゲート絶縁膜の第1の部分を介してn形ベース層とp形ベース層の底端部とに対向する第1の部分と、ゲート電極の第1の部分の上部と連続し、ゲート絶縁膜の第2の部分を介してp形ベース層の上端部とn形ソース層とに対向する第2の部分と、を有する。ゲート絶縁膜の第1の部分とp形ベース層の底端部との間に反転分布層が形成される閾値は、ゲート絶縁膜の第2の部分とp形ベース層の上端部との間に反転分布層が形成される閾値以上となるように、ゲート電極が形成されていることを特徴とする。以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら説明する。実施の形態中の説明で使用する図は、説明を容易にするための模式的なものであり、図中の各要素の形状、寸法、大小関係などは、実際の実施においては必ずしも図に示されたとおりとは限らず、本発明の効果が得られる範囲内で適宜変更可能である。特に断りがない限り、半導体材料はシリコンを一例に説明する。また、n-形、n形、及びn形が用いられる場合は、その不純物濃度に、n-<n<nの関係があるものとする。p-形、p形、及びp形に関しても同様である。また、各実施形態は、電力用半導体装置として、IGBTを例に説明するが、これらの実施形態は、IEGTに関しても同様に適用することが可能である。第1の実施形態第1の実施形態について比較例とともに、図1~10を用いて説明する。図1は、第1の実施形態に係る電力用半導体装置の要部断面図である。図2は、図1のC-C線に沿った不純物濃度プロファイルを示すグラフである。図3は、第1の実施形態に係る電力用半導体装置のゲート絶縁膜厚のトレンチ深さ方向に沿った変化を示すグラフである。図4は、比較例に係る電力用半導体装置の要部断面図である。図5は、比較例に係る電力用半導体装置のゲート絶縁膜厚のトレンチ深さ方向に沿った変化を示すグラフである。図6は、比較例に係る電力用半導体装置の動作を説明するための要部断面図である。図7は、比較例に係る電力用半導体装置のp形ベース層のp形不純物濃度のプロファイルと閾値の深さ方向の変化を示すグラフである。図8は、比較例に係る電力用半導体装置のゲートベース間電圧とコレクタ-エミッタ間電流の関係を示すグラフである。図9は、第1の実施形態に係る電力用半導体装置のp形ベース層のp形不純物濃度のプロファイルと閾値の深さ方向の変化を示すグラフである。図10は、第1の実施形態に係る電力用半導体装置のゲートベース間電圧とコレクタ-エミッタ間電流の関係を示すグラフである。図1に示すように、第1の実施形態に係る電力用半導体装置100は、IGBTであり、p形コレクタ層1と、n形バッファ層2と、n-形ベース層3と、p形ベース層4と、n形ソース層5と、ゲート電極8と、層間絶縁膜9と、コレクタ電極11と、エミッタ電極12と、を備える。p形コレクタ層1の上に、n形バッファ層2を介して、n-形ベース層3が設けられる。n-形ベース層3は、n形バッファ層2のn形不純物濃度より低いn形不純物濃度を有する。一例として、これらの層構造は、p形のシリコン基板の上に、順にn形バッファ層2及びn-形ベース層3をシリコンのエピタキシャル成長により形成することができる。後にp形基板を所望の厚さに研磨することで、p形基板をp形コレクタ層とすることができる。p形ベース層4は、n-形ベース層3の上に設けられる。図2に示したように、p形ベース層4は、後述するn形ソース層5と積層方向で隣接する部分4B以後、上端部で、すなわちp形ベース層4の表面からn形ソース層5が形成される厚さだけp形コレクタ層1側に侵入した部分で、p形不純物濃度が最大値を有し、p形コレクタ層1に向かうに従ってp形不純物の濃度は単調に指数関数的に減少する、p形不純物の濃度プロファイル4Pを有する。このようなp形ベース層4は、一例として、n-形ベース層3の表面に所定の条件でp形不純物例えばボロンなどをイオン注入し、その後熱処理によりp形不純物を熱拡散させることにより、拡散層として形成されることができる。n形ソース層5は、n-形ベース層3よりも高いn形不純物の濃度を有し、p形ベース層4の表面に選択的に形成される。n形ソース層5の表面から、n形ソース層5及びp形ベース層4を貫通しn-ベース層3の内部に至るトレンチ6が形成される。第1の部分7Aと第2の部分7Bとを有するゲート絶縁膜7が、トレンチ6の底面及び側壁、並びにn形ソース層5のトレンチ6の開口部周辺の表面上を覆うように設けられる。ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aは、トレンチ6の底面及び側壁に露出するn-形ベース層3及びn-形ベース層3と隣接するp形ベース層4の底端部4Aのそれぞれの表面上を覆う。ゲート絶縁膜7の第2の部分は、トレンチ6の側壁に露出するn形ソース層5の表面及びp形ベース層4の上端部4Bから中央部までの部分の表面上を覆いゲート絶縁膜7の第1の部分7Aに連続する。ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bは、トレンチ6の側壁のn形ソース層5の表面及びp形ベース層4の上端部4Bの表面上で、ゲート絶縁膜7の第1の部分より厚さが薄く、p形ベース層4の底端部4Aに向かって指数関数的に厚くなり、p形ベース層4の底端部4Aの表面上でゲート絶縁膜7の第2の部分7Bの膜厚になる。図2に示したように、p形ベース層4中のp形不純物の濃度は、p形ベース層4の上端部4Bの深さBからp形ベース層4の底端部4Aの深さAに向かって指数関数的に減少する。図3に示したように、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bの膜厚は、p形ベース層4中のp形不純物濃度の変化に合わせて、p形ベース層4の上端部4Bの深さBからp形ベース層4の底端部4Aの深さAに向かって指数関数的に増加する。ゲート絶縁膜7は、第1の部分7A及び第2の部分7Bともに酸化シリコンとすることができるが、その他、窒化シリコンやアルミナなどの誘電体膜や、それらの積層構造とすることも可能である。ゲート電極8も同様に、第1の部分8Aと第2の部分8Bとを有する。ゲート電極8の第1の部分8Aは、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aを介してトレンチ6内に埋め込まれる。ゲート電極8の第2の部分8Bは、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bを介してトレンチ6内に埋め込まれ、ゲート電極8の第1の部分8Aと連続する。層間絶縁膜9は、ゲート電極8の第2の部分8Bの上を覆うように形成され、後述のエミッタ電極12から絶縁される。ゲート電極8の第1の部分8Aと第2の部分8Bとは、ともに同じ導電性の高い材料であればよく、例えば、n形にドープされたポリシリコンとすることができる。ゲート電極8は、図示しない層間絶縁膜9の開口部よりトレンチ6の外に引き出され、図示しないゲート配線層及びゲート電極パッドにより、図示しないゲート電極端子に引き出される。層間絶縁膜9は、ゲート絶縁膜と同様に、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ、又はこれらの積層構造とすることができる。コレクタ電極11が、p形コレクタ層1のn-ベース層3とは反対側の表面に形成され、p形コレクタ層1と電気的に接続される。コレクタ電極11も、図示しない配線によりコレクタ電極端子に引き出される。p形ベース層4の表面のn形ソース層5に隣接する部分にp形コンタクト層10が形成される。p形コンタクト層10は、p形ベース層4のp形不純物濃度より高いp形不純物濃度を有する。エミッタ電極12が、層間絶縁膜9の図示しない開口部を介して、n形ソース層5及びp形コンタクト層10の表面上に形成される。エミッタ電極12は、n形ソース層5と電気的に接続され、p形コンタクト層10を介してp形ベース層4と電気的に接続される。p形コンタクト層10は、エミッタ電極12とp形ベース層4とを良好に電気的に接続させるため設けられる層である。エミッタ電極12が、p形コンタクト層10を介さずに直接p形ベース層4の表面上に形成されても、コンタクト抵抗が高くなるだけなので、このような構造も、同様に本発明の効果が得られるので、本発明の技術的思想の範囲内である。本実施形態に係るIGBT100の動作及び発明の効果を説明する前に、比較例に係るIGBT500の構造及び動作について説明する。図4は、比較例に係るIGBTの要部断面図である。比較例に係るIGBT500は、トレンチ6の底面及び側壁を覆うように形成されるゲート絶縁膜507の厚さが均一であることを除いて、本実施形態に係るIGBT100と同じ構造である。すなわち、比較例に係るIGBT500は、ゲート絶縁膜507及びゲート電極508は、それぞれ第1の部分及び第2の部分を有する構造ではなく、一様な単一の構造である。図4中のp形ベース層4の上端部4Bの深さBからp形ベース層4の底端部4Aの深さAまでのC-C線に沿った不純物濃度プロファイルも、図2に示した通りである。図5は、比較例に係るIGBT500のゲート絶縁膜の深さ方向の変化を示す。図5に示したように、ゲート絶縁膜507は、トレンチの底面及び側壁の全域で一様に形成される。以下、比較例に係るIGBT500の動作について説明する。コレクタ電極11にエミッタ電極12に対して正の電圧が印加された状態で、ゲート電極508にエミッタ電極12に対してIGBTのオン/オフ状態の閾値を超える定格電圧VGEを印加すると、p形ベース層4とゲート絶縁膜508の間に、電子の反転分布層が形成される。この時、図6に示したように、電子が、エミッタ電極12から、n形ソース層5、及びp形ベース層4の反転分布層を経由してn-形ベース層3に注入され、n-形ベース層3とp形コレクタ層1との間が順バイアスとなる。正孔がp形コレクタ層1からn-形ベース層3に注入されて、n-形ベース層3では、電子と正孔の数が急増して伝導度変調を起こす。この結果、n-形ベース層3の抵抗値が急激に減少して、IGBT500はオン状態になる。オン状態では、電子が、エミッタ電極12から、n形ソース層5、p形ベース層4の反転分布層、n-形ベース層3、及びp形コレクタ層1を経由して、コレクタ電極11に流れる。正孔が、コレクタ電極11、p形コレクタ層1、n-形ベース層3、p形ベース層4、及びp形コンタクト層10を経由してエミッタ電極12へ流れる。ここで、図7に示したように、p形ベース層4中のp形不純物の濃度が、p形ベース層4の上端部4B図中点Bで最大値を有し、p形ベース層4の底部4A図中Aに向かって減少する。一般に、p形ベース層のp形不純物濃度が高いほど、p形ベース層とゲート絶縁膜との間に反転分布層が形成されにくくなる。すなわち、ゲート電極とp形ベース層との間に印加される電圧が閾値を超えると反転分布層が形成されることになるが、この反転分布層形成の閾値は、p形ベース層のp形不純物濃度が高いほど高くなる。なお、反転分布層の電子が伝搬される方向チャネル長の方向において、反転分布層形成の閾値が違う部分が複数ある場合は、IGBTのオン/オフ状態の閾値は、この反転分布層形成の閾値のうち最も高い閾値となる。すなわち、ゲート電極とp形ベース層との間に係る電圧が、反転分布層形成の最も大きい閾値を超えると、IGBTがオン状態になる。比較例に係るIGBT500では、図7に示したように、p形ベース層4の上端部4Bで反転分布層の閾値が最大値をとり、p形ベース層4の底端部4Aで最小値をとるので、IGBT500は、p形ベース層4Bの閾値を有するようになる。ここで、p形ベース層4の上端部4B及び底端部4Aにおける反転分布層形成の閾値をそれぞれ、VTB及びVTAとすると、ゲート電極508とp形ベース層4との間の電圧が、VTBより高い状態ではIGBT500はオン状態となり、VTBより低くVTAより高い状態では、IGBT500はオフ状態となる。後者のオフ状態では、p形ベース層4の上端部4Bでは、反転分布層が消失しピンチオフとなり、p形ベース層4の底端部4Aでは反転分布層は存在している。このとき、p形ベース層4の上端部4Bと底端部4Aとの間にピンチオフ点があり、その部分のゲート電極508とp形ベース層4との間に印加されている電圧が、ピンチオフ電圧になっている。次に、IGBTの閾値VTAより十分大きな定格電圧VGEが、ゲート電極508に印加されたオン状態において、負荷側で負荷短絡が発生した場合を考える。負荷短絡が発生すると、負荷に印加されていた大電圧がIGBT500のコレクタ電極11とエミッタ電極12との間に印加されるので、瞬間的にコレクタ-エミッタ間に負荷短絡電流の大電流が流れる。正孔による負荷短絡電流は、図6に示したようにp形ベース層4及びp形コンタクト層10を流れることでそれぞれの層で電圧降下VA及びVBを生じる。p形ベース層4及びp形コンタクト層10の内部抵抗をそれぞれ、R2及びR1とすると、p形ベース層4中のp形不純物濃度は図2及び図7に示した不純物濃度プロファイルを有すること、及びp形コンタクト層10は、p形ベース層4のp形不純物濃度の最大値よりもさらに高い濃度を有すること、とにより、R2>>R1となる。コレクタ-エミッタ間電流をICEとすれば、VA=R2×ICE、VB=R1×ICEとなり、p形ベース層4の上端部4Bにおいて、ゲート電極508とp形ベース層4との間にかかる電圧は、VGE-VBとなる。また、p形ベース層4の底端部4Aにおいて、ゲート電極508とp形ベース層4との間にかかる電圧は、VGE-VAVBとなる。図8は、ゲート電極とp形ベース層との間にかかる電圧以後、ゲートベース間電圧が、コレクタ-エミッタ間電流により減少するグラフを、それぞれ、p形ベース層4の上端部4B図中B及び底端部4A図中Aに対して示す。IGBT500のコレクタ-エミッタ間に定格電流が流れている時は、ゲートベース間電圧は、正孔電流による電圧降下の影響は少なく、p形ベース層4の上端部4B及び底端部4Aのそれぞれの反転分布層形成の閾値VTB及びVTAより十分に大きいので、IGBT500は安定したオン状態である。ここで、負荷短絡が発生すると、コレクタ-エミッタ間電流が急増し、ゲートベース間電圧が急激に低下する。p形ベース層4の底端部4Aの方が、上端部4Bに比べて正孔電流による電圧降下が大きいので、ゲートベース層間電圧が急減する。しかしながら、p形ベース層4の上端部4Bの方が、底端部4Aに比べて反転分布層形成の閾値VTBが大きいので、ゲートベース間電圧は、p形ベース層4の上端部4Bの反転分布層形成の閾値VTBに達して、p形ベース層4の上端部4Bの方が先にピンチオフ状態になる。このため、IGBT500のコレクタ-エミッタ間の電流ICEは、このピンチオフにおける飽和電流に固定され、これが負荷短絡電流となる。このピンチオフによる飽和電流を低く抑えるほど、IGBT500の負荷短絡耐量を大きくすることができる。次に、本実施形態に係るIGBT100に関して上記と同様に、負荷短絡発生時についての動作を説明する。図9に、本実施形態に係るIGBT100のp形ベース層中のp形不純物濃度のプロファイル図2及び図7と同様及び反転分布層形成の閾値の深さ方向の変化を示したものである。本実施形態に係るIGBT100のゲート絶縁膜7の膜厚を、図3のようにp形不純物濃度の増加に合わせ増加させている。一般に、ゲート絶縁膜を厚くするほど、ゲート絶縁膜とp形ベース層間の反転分布層が形成されにくくなるので、反転分布層形成の閾値はあがる。本実施形態では、p形不純物濃度の低下による反転分布層形成の閾値の低下以上に、ゲート絶縁膜による閾値の上昇となるように、p形半導体層4の底端部4Aにおけるゲート絶縁膜7の第1の部分7Aの膜厚が、p形半導体層4の上端部4Bにおけるゲート絶縁膜7の第2の部分7Bの膜厚よりも厚くなるように形成されている。この結果、図9に示したように、p形ベース層4の底端部4Aにおける閾値VTAが上端部4Bにおける閾値VTBよりも高くなっている。本実施形態に係るIGBT100では、比較例に係るIGBT500と違い、p形ベース層4の底端部4Aにおける反転分布層形成の閾値VTAが上端部4Bにおける反転分布層形成の閾値VTBよりも高い。このため、図10に示したように、本実施形態に係るIGBT100の負荷側で負荷短絡が発生すると、p形ベース層4の底端部4Aで上端部4Bよりも先にピンチオフが発生し、このときのピンチオフによる飽和電流が負荷短絡電流になる。この結果、本実施系に係るIGBT100は、比較例に係るIGBT500よりも負荷短絡電流が遙かに低いので、遙かに高い負荷短絡耐量を有する。以上説明したように、本実施形態に係るIGBT100では、ゲート電極8は、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aを介してn-形ベース層3とp形ベース層4の底端部4Aとに対向する第1の部分8Aと、ゲート電極8の第1の部分8Aの上部と連続し、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bを介してp形ベース層4の上端部4Bとn形ソース層5とに対向する第2の部分8Bと、を有する。ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aとp形ベース層4の底端部4Aとの間に反転分布層が形成される閾値VTAは、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bとp形ベース層4の上端部4Bとの間に反転分布層が形成される閾値VTB以上となるように、ゲート電極8が形成されている。これにより、p形ベース層4の上端部4Bよりも底端部4Aにおいて先にピンチオフが発生して、本実施形態に係るIGBT100は低いオン抵抗を有しながら、高い負荷短絡耐量を有する。特に、本実施形態では、ゲート電極8が、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aの膜厚を第2の部分7Bの膜厚よりも厚くしたゲート絶縁膜7を介して、トレンチ6内に形成されることで、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aとp形ベース層4の底端部4Aとの間に反転分布層が形成される閾値VTAが、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bとp形ベース層4の上端部4Bとの間に反転分布層が形成される閾値VTB以上となるようにしている。本実施形態に係るIGBT100は、p形コレクタ層1とn-形ベース層3との間にn形バッファ層2を備えているが、n-形ベース層3が十分に厚くてp形ベース層3からp形コレクタ層1へ空乏層が達しない構造であれば、省略することも可能である。次に本実施形態の変形例に係るIGBT500を図11を用いて説明する。図11は、本実施形態の変形例に係るIGBT500の要部断面図である。図12は、本実施形態の変形例に係るIGBT500のゲート絶縁膜厚のトレンチ深さ方向に沿った変化を示すグラフである。図13は、本実施形態の変形例に係るIGBT500のp形ベース層のp形不純物濃度のプロファイルと閾値の深さ方向の変化を示すグラフである。図14は、本実施形態の変形例に係るIGBT500のゲートベース間電圧とコレクタ-エミッタ間電流の関係を示すグラフである。第1の実施形態のIGBT100において、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bの膜厚が、p形ベース層4中のp形不純物濃度の変化に合わせて、p形ベース層4の上端部4Bの深さBからp形ベース層4の底端部4Aの深さAに向かって指数関数的に増加していた。これに対して、図11及び図12に示したように、本実施形態の変形例に係るIGBT101では、p形ベース層4中のp形不純物濃度によらず、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bの膜厚は一定の厚さを有し、第1の部分7Aの膜厚より薄く形成される。これ以外の点においては、本変形例に係るIGBT101は、本実施形態に係るIGBT100と同じ構造を有する。本変形例においても、p形ベース層4の上端部4Bにおけるゲート絶縁膜7の第2の部分7Bの厚さに対して第1の部分7Aの厚さを厚くすることで、第1の部分7Aの反転分布層形成の閾値VTAを高く設定している。しかしながら、本実施形態に係るIGBT100は、第1の部分7Aにおける反転分布層形成の閾値VTAよりも第2の部分7Bにおける反転分布層形成の閾値VTBを高く形成したが、本変形例に係るIGBT101は、図13に示したように、第1の部分7Aにおける反転分布層形成の閾値VTAと第2の部分7Bにおける反転分布層形成の閾値VTBとをほぼ同じ閾値になるように設定している。このようにしても、図14に負荷短絡時のピンチオフの様子を示したように、本変形例に係るIGBT101では、p形ベース層4の底端部4Aの方が上端部4Bよりも先にピンチオフ状態になるので飽和電流値が小さくなり、負荷短絡電流を低くすることができるため、負荷短絡耐量が向上する。本変形例に係るIGBT101においても、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aとp形ベース層4の底端部4Aとの間に反転分布層が形成される閾値VTAは、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bとp形ベース層4の上端部4Bとの間に反転分布層が形成される閾値VTB以上となるように、ゲート電極8が形成されている。これにより、p形ベース層4の上端部4Bよりも底端部4Aにおいて先にピンチオフが発生して、本実施形態に係るIGBT100は低いオン抵抗を有しながら、高い負荷短絡耐量を有する。なお、本実施形態に係るIGBT100及び変形例に係るIGBT101においては、ゲート電極8が、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aの膜厚を第2の部分7Bの膜厚よりも厚くしたゲート絶縁膜7を介して、トレンチ6内に形成されることで、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aとp形ベース層4の底端部4Aとの間に反転分布層が形成される閾値VTAが、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bとp形ベース層4の上端部4Bとの間に反転分布層が形成される閾値VTB以上となるようにしている。これに対して、詳細は省略するが、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aは、第2の部分7Bと同じ膜厚を有するが、第2の部分の誘電率より低い誘電率をもつ誘電体で構成されることによっても、上記本実施形態及び変形例の効果を実現させることも可能である。例えば、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aを酸化シリコンとし、第2の部分7Bを窒化シリコンとすることができる。勿論、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aの膜厚を第2の部分7Bの膜厚より厚くすることと、第1の部分7Aの誘電率が第2の部分7Bの誘電率より低くなるようにそれぞれの誘電体材料を選ぶことを併用することは可能である。第2の実施形態次に第2の実施形態に係るIGBT200を、図15を用いて説明する。図15は、本実施形態に係るIGBT200の要部断面図である。なお、第1の実施形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第1の実施形態との相異点について主に説明する。図4に示したように、本実施形態に係るIGBT200は、第1の実施形態に係るIGBT100において、ゲート絶縁膜7の第1の部分7A及び第2の部分7Bを同じ誘電体膜で同じ厚さに形成されている点と、及びゲート電極8の第1の部分が第2の部分よりも低いフェルミレベルを有するように形成されている点において、第1の実施形態に係るIGBT100と相異する。これ以外は、IGBT200は、IGBT100と同じ構造を有する。反転分布層形成の閾値Vthは、一般に下記の式1により表される。ここで、VFBはフラットバンド電圧で、VFB=EF-EFM/qであり、EFはp形ベース層のフェルミレベル、EFMはゲート電極のフェルミレベル、qは電荷素量である。ψB=Ei-EF/qであり、Eiはp形ベース層の真性フェルミレベルある。εSはシリコンの誘電率であり、NAはアクセプタ密度であり、COはゲート絶縁膜の静電容量である。VFBは、ゲート電極のフェルミレベルEFMが高いほどエネルギー準位が高いほど負の値が大きくなるので、式1よりVthは低くなる。従って、ゲート電極8の第1の部分8AのフェルミレベルEFMを、第2の部分8BのフェルミレベルEFMより低く設定することで、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aとp形ベース層4の底端部4Aとの間に反転分布層が形成される閾値VTAは、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bとp形ベース層4の上端部4Bとの間に反転分布層が形成される閾値VTBより高く設定することができる。図7に示したように、p形ベース層4のp形不純物濃度がp形ベース層4の上端部4Bから底端部4Bに向けて指数関数的に減少することにより、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aとp形ベース層4の底端部4Aとの間に反転分布層が形成される閾値VTAは、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bとp形ベース層4の上端部4Bとの間に反転分布層が形成される閾値VTBより低くなっている。そこで、本実施形態に係るIGBT200では、上記p形ベース層4内のp形不純物濃度が反転分布層形成の閾値に与える影響を打ち消し、さらに、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aとp形ベース層4の底端部4Aとの間に反転分布層が形成される閾値VTAが、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bとp形ベース層4の上端部4Bとの間に反転分布層が形成される閾値VTB以上となるように、ゲート電極8の第1の部分8AのフェルミレベルEFMが、第2の部分8BのフェルミレベルEFMより低く設定される。上記のように、ゲート電極8の第1の部分8Aと第2の部分8Bのフェルミレベルを設定することによって、図10又は図14に示したように、第1の実施形態又はその変形例と同様な効果を得ることができる。ゲート電極8の第1の部分8AのフェルミレベルEFMが、第2の部分8BのフェルミレベルEFMより低いゲート電極8の一例としては、ゲート電極8の第1の部分をp形にドープされたポリシリコンで構成し、ゲート電極8の第2の部分をn形にドープされたポリシリコンで構成することができる。また、ゲート電極8の第1の部分8Aと第2の部分8Bがそれぞれp形半導体とn形半導体であれば、ポリシリコン以外の導電性の高い半導体層をゲート電極8の第1の部分8A及び第2の部分8Bに用いることも可能である。または、ゲート電極8の第1の部分8Aを第1の半導体層で構成し、第2の部分8Bを第2の半導体層で構成し、第1の半導体層の電子親和力が第2の半導体層の電子親和力よよりも大きい構成とすることでも、ゲート電極8の第1の部分8AのフェルミレベルEFMが、第2の部分8BのフェルミレベルEFMより低いゲート電極8とすることができる。例えば、第1の半導体としてn形ポリシリコンを用い、第2の半導体としてn形炭化シリコンSiCを用いることができる。更に、上述のように、第1の半導体をp形とし、第2の半導体をn形とすることで、ゲート電極8の第1の部分8Aのフェルミレベルをさらに第2の部分8Bより低くすることができる。以上説明したように、本実施形態に係るIGBT200においても、第1の実施形態に係るIGBT100と同様に、ゲート電極8は、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aを介してn-形ベース層3とp形ベース層4の底端部4Aとに対向する第1の部分8Aと、ゲート電極8の第1の部分8Aの上部と連続し、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bを介してp形ベース層4の上端部4Bとn形ソース層5とに対向する第2の部分8Bと、を有する。ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aとp形ベース層4の底端部4Aとの間に反転分布層が形成される閾値VTAは、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bとp形ベース層4の上端部4Bとの間に反転分布層が形成される閾値VTB以上となるように、ゲート電極8が形成されている。これにより、p形ベース層4の上端部4Bよりも底端部4Aにおいて先にピンチオフが発生して、本実施形態に係るIGBT100は低いオン抵抗を有しながら、高い負荷短絡耐量を有する。特に、本実施形態では、ゲート電極8が、ゲート電極8の第1の部分8AのフェルミレベルEFMが、第2の部分8BのフェルミレベルEFMより低くなるようにゲート絶縁膜7を介してトレンチ6内に形成されることで、ゲート絶縁膜7の第1の部分7Aとp形ベース層4の底端部4Aとの間に反転分布層が形成される閾値VTAが、ゲート絶縁膜7の第2の部分7Bとp形ベース層4の上端部4Bとの間に反転分布層が形成される閾値VTB以上となるようにしている。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。