"少なくとも1つの入力ポートと、複数の出力ポートと、前記少なくとも1つの入力ポートから出射される光信号を集光する集光レンズと、前記集光レンズにより集光された光信号に位相シフトを与える偏向手段であって、当該位相シフトが与えられた光信号が前記集光レンズを介して前記出力ポートに結合するように該光信号を反射する偏向手段とを備えた非波長選択スイッチであって、前記偏向手段によるある出力ポートにおける位相シフト波形の周期は、前記偏向手段による他の出力ポートにおける位相シフト波形の周期の1/i倍iはゼロ以外の整数と異なることを特徴とする非波長選択スイッチ。前記偏向手段は、LCOS素子又はMEMS素子であることを特徴とする請求項1に記載の非波長選択スイッチ。少なくとも1つの入力ポートと、複数の出力ポートと、前記入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、前記分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、前記集光レンズにより集光された光信号に位相シフトを与える偏向手段であって、当該位相シフトが与えられた光信号が前記集光レンズ、前記分光手段を介して前記出力ポートに結合するように該光信号を反射する偏向手段とを備えた波長選択スイッチであって、前記偏向手段によるある出力ポートにおける位相シフト波形の周期は、前記偏向手段による他の出力ポートにおける位相シフト波形の周期の1/i倍iはゼロ以外の整数と異なることを特徴とする波長選択スイッチ。前記偏向手段は、LCOS素子又はMEMS素子であることを特徴とする請求項3に記載の波長選択スイッチ。前記偏向手段によるある出力ポートに対応する反射光の高次光の成分と、前記偏向手段による他の出力ポートにおける反射光の主信号とのなす角に対して、前記高次光の成分と、前記主信号との間の光結合が十分無視できるほど小さくなるように、前記偏向手段におけるビームサイズを大きくすることを特徴とする請求項1乃至4に記載の波長選択スイッチ。従来の波長選択スイッチの構成では、以下のような問題があった。図4は、従来技術に係る波長選択スイッチの課題を説明するための概念図である。図4aに示すように、光偏向部を構成するLCOSに入射する入射光は、偏向され反射される。ここで、出力ポートを1に設定するときのセロダイン波形の周期をNとする。図4aでは、0次、±1次、±2次の回折光の発生が例示されている。ここで、出力ポートを2に設定するときのセロダイン波形の周期がN/2となるように出力ポートが配置されたとする。図4bに示すセロダイン波形の周期は、図4aに示すセロダイン波形の周期の半分である。図4bでは、0次、±1次の回折光の発生が例示されている。図4a,図4bに示すように、セロダイン波形の周期がNのときの2次回折光の回折角は、セロダイン波形の周期がN/2のときの1次回折光の回折角と等しい。従って、セロダイン波形の周期がNのときの2次回折光は、セロダイン波形の周期がN/2のときの1次回折光と重なり、ポート間のクロストークが劣化する。このように、理想的なセロダイン波形であっても、高次回折光が発生し、所望の出力ポート以外の出力ポートに信号光が偏向反射されるためポート間クロストークの劣化を引き起こすという課題があった。本発明は、上記課題を解決すべくなされたものであり、所望の出力ポート以外のポートに高次回折光が入射しないような光信号選択スイッチを提供することを目的とする。本発明は、少なくとも1つの入力ポートと、複数の出力ポートと、少なくとも1つの入力ポートから出射される光信号を集光する集光レンズと、集光レンズにより集光された光信号に位相シフトを与える偏向手段であって、位相シフトが与えられた光信号が集光レンズを介して出力ポートに結合するように光信号を反射する偏向手段とを備えた非波長選択スイッチであって、偏向手段による任意の出力ポートにおける位相シフト波形の周期は、偏向手段による他の出力ポートにおける位相シフト波形の周期の1/i倍iはゼロ以外の整数と異なることを特徴とする。本発明の一実施形態に係る非波長選択スイッチおいて、偏向手段は、LCOS素子又はMEMS素子であることを特徴とする。本発明は、少なくとも1つの入力ポートと、複数の出力ポートと、入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、集光レンズにより集光された光信号に位相シフトを与える偏向手段であって、位相シフトが与えられた光信号が集光レンズ、分光手段を介して出力ポートに結合するように光信号を反射する偏向手段とを備えた波長選択スイッチであって、偏向手段によるある出力ポートにおける位相シフト波形の周期は、偏向手段による他の出力ポートにおける位相シフト波形の周期の1/i倍iはゼロ以外の整数と異なることを特徴とする。本発明の一実施形態に係る波長選択スイッチおいて、偏向手段は、LCOS素子又はMEMS素子であることを特徴とする。本発明の一実施形態に係る波長選択スイッチおいて、偏向手段によるある出力ポートに対応する反射光の高次光の成分と、偏向手段による他の出力ポートにおける反射光の主信号とのなす角に対して、高次光の成分と、主信号との間の光結合が十分無視できるほど小さくなるように、偏向手段におけるビームサイズを大きくすることを特徴とする。本発明により、所望の出力ポート以外のポートに高次回折光が入射しないような光信号選択スイッチを提供することができる。以下、本発明の実施形態を説明する。図5は、本発明に係る波長選択スイッチにおいて従来からの課題を解決する手段を説明するための概念図である。図5では、出力ポート数が2の場合を示している。図5aに示すように、光偏向部を構成するLCOSに入射する入射光は、偏向され反射される。ここで、出力ポートを1に設定するときのセロダイン波形の周期をNとする。図5aでは、0次、±1次、±2次の回折光の発生が例示されている。本発明の実施形態においては、図5bに示すように、出力ポートを2に設定するときのセロダイン波形の周期が、N/2ではなく、N/3となるように出力ポートが配置される。図5bでは、0次、±1次の回折光の発生が例示されている。図5a,図5bに示すように、セロダイン波形の周期がNのときの2次回折光の回折角は、セロダイン波形の周期がNを非整数で割った値のときの1次回折光の回折角と相違する。従って、セロダイン波形の周期がNのときの2次回折光は、セロダイン波形の周期がN/2のときの1次回折光と重ならない。よって、ポート間のクロストークが劣化しない。より詳細に説明する。セロダイン波形の基本周期は、簡単のためLCOSのピクセルピッチの整数倍とする。ここで、iを回折光の次数としi=1の回折光は、所望の出力ポートへの出力を意図された回折光である、j番目のポートに出力設定する場合のセロダイン周期をNjとする。このとき、出力ポートkに対応するセロダイン波形の周期Nkが、となるように出力ポートを配置する。以下、本発明の実施例を説明する。第1の実施例図6は、光偏向部としてピクセルピッチが20um、セロダイン波形の空間周期が380um20um×19ピクセルであるLCOSを用いた場合の、回折光の回折角degとLCOSからの反射光の空間的強度分布dBとの関係を示すグラフである。入力光の波長は1590nmとし、LCOS上に入射するガウスビームのビーム半径が4.2mmとなるようにした。本実施形態では、図6に示すような回折光が発生するが、これはセロダイン波形が理想的に2πで折り返されずにバックラッシュを持つことに起因する図7を参照。図7は、本実施の形態のLCOSに設定されるセロダイン波形の概略を示すものである。実際の位相設定では、位相が2π近傍となるピクセルと、位相がゼロ近傍となるピクセルが隣接する箇所が存在するが、その境界ではディジタル的に位相が不連続に変化することは無く、図7に示すように、急峻ではあるがセロダイン波形と逆のスロープをもって2π近傍からゼロまで変化する。この逆スロープの位相変化が高次回折光を発生する。本実施例では、セロダイン周期が互いに素となるように即ち、式1を満たすように、セロダイン周期をN=6,7,8,9,10,11,13,17,19の9個として選択し、出力ポートを配置した。夫々のセロダイン周期に対応する1次の回折光は以下の表1のi=1の列に示すとおりである。例として、N=19の場合を検討する。N=19のセロダイン波形が作る高次回折光の回折角は、2次回折光が0.48degであり、3次回折光が0.72degであり、4次回折光が0.96degであり、5次回折光が1.20degであり、6次回折光が1.44degであり、7次回折光が1.68degである。表1に示すように、これらの高次回折光は、他のセロダイン波形即ち、N=6,7,8,9,10,11,13,17の1次回折光の位置に存在しない。よって、クロストークの劣化は生じない。LCOS上に入射するガウスビームのビーム半径は、2次以上の高次回折光と、主信号1次回折光とが十分分離できる程度に広ければ良い。本実施例における高次回折光と主信号1次回折光とのなす角度のうち、最も小さいものは、N=10の主信号1次回折光とN=19の2次回折光との間に成立する0.02degである。この角度0.02degに対する、N=19のときの2次回折光がN=10のときの主信号1次回折光へ結合する結合率dBと、LCOS上に入射するガウスビームのビーム半径umとの関係を、図8に示す。図8に示すように、クロストーク量は、LCOS上に入射するガウスビームのビーム半径に依存する。理想的なクロストーク量を-50dB以下とするとき、LCOS上に入射するガウスビームのビーム半径は、約5000um以上であれば良い。第2の実施例図9に、本発明の実施例に係る1入力4出力の非波長選択スイッチを示す。図9は、本実施例に係る非波長選択スイッチの概略構成図である。非波長選択スイッチ900は、1本の入力光ファイバ903及び4本の出力光ファイバ901,902,904,905を配置するための光ファイバブロック910と、5個のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイ912と、集光レンズ914と、LCOS素子916とを備える。入力光ファイバ903から入射した光信号は、マイクロレンズを介して平行光に変換される。マイクロレンズを介して平行光に変換された光信号は、集光レンズ914によって集光される。集光レンズ914によって集光された光信号は、LCOS素子916によって偏向反射される。集光レンズ914を介して集光された光信号のビームウェストの位置がLCOS素子上になるように、LCOS素子916の位置を設定する。LCOS素子916によって偏向反射された光信号は、集光レンズ914、マイクロレンズを経由して、何れかの出力ファイバ即ち、901,902,904,905の何れかにおいて結合される。光ファイバブロック910は、基板上に5本の光ファイバを保持するための5本のV溝を有する。V溝は、その伸長方向が光信号の進行方向に沿って形成される。図10は、光ファイバブロック910の上面図である。光ファイバ901と光ファイバ902との間隔が0.391mm、光ファイバ902と光ファイバ903との間隔が1.761mm、光ファイバ903と光ファイバ904との間隔が1.490mm、光ファイバ904と光ファイバ905との間隔が0.447mmとなるように、光ファイバブロック上のV溝を形成した。上記のようなV溝を形成することにより、LCOSの鋸波の周期が以下の表に示す関係を満たすようになる。表2は、LCOSの鋸波の周期を1周期辺りのピクセル数で表している。ここで、ピクセル数の符号は、正の場合は鋸波の傾きが左上がりであることを示し、負の場合は鋸波の傾きが右上がりであることを示す。入力光の波長を1.55um、LCOSのピクセルピッチを8umとし、レンズの焦点距離が100mmの集光レンズを使用した。LCOS上に入射する信号光のビーム半径は、各々の出力ポート間のクロストークが十分小さくなるように、大きくする必要がある。本実施例では、ビーム半径を3mmとした。図11に、鋸波の周期がピクセル数-11のときのLCOSにおける位相設定の概略を示す。図11において、横軸はピクセル番号を示し、縦軸は付与される位相の値radを示す。図11には、傾きが右上がりであり、セロダイン周期がピクセル数-11の鋸波を確認することができる。鋸波のセロダイン周期がピクセル数-11以外の場合も同様に設定することができる。図12に、本実施例に係る1入力4出力の非波長選択スイッチのスイッチング動作特性を示す。図12において、横軸は出力ポート番号を示し、縦軸は透過率dBを示す。例として、出力ポートをポート1としたときの、各ポートへの光信号を光信号の透過率を検討すると、-50dB以上のポート間のクロストークが確保されていることがわかる。このように、鋸波の周期が互いに素となるように即ち、式1を満たすように、出力ポート間の間隔を設定することにより、鋸波の周期性に起因する高次回折光を抑圧することができる。鋸波の周期が互いに素となるような範囲は、出力ポートが存在する範囲に高次回折光が出現する領域まで検討すれば良い。すなわち、100次のような高次回折光は、出力ポートが存在する領域の範囲外にあるため考慮する必要はない。MEMS素子を使用した非波長選択スイッチ本実施例では、偏向素子としてLCOS素子を使用したが、複数のMEMSミラーから構成されるMEMS素子を使用することができる。図9に示した非波長選択スイッチにおいて、LCOS素子7の位置にLCOS素子7の代わりにMEMS素子を設置する。図13は、MEMS素子のピクセルの配列によって、光に位相シフトを付与する様子を示す図である。図13に示すように、MEMS素子を用いて鋸波波形の位相シフトが付与される。図13aはセロダイン周期がピクセル数4のときの波形を示し、図13bはセロダイン周期がピクセル数3のときの波形を示す。最低段のMEMSミラーと最高段のMEMSミラーとの段差は、それらによって生じる光の位相差が2πとなるように設定する。MEMS素子を用いて、セロダイン周期が、ピクセル数3およびピクセル数4となる場合を示した。なお、先の例で示したセロダイン周期すなわち、セロダイン周期がピクセル数-9,-10,11,13についてもMEMS素子を用いて設定することができる。上述の例では、セロダイン周期がピクセル数の整数倍である場合を示したが、セロダイン周期はピクセル数の非整数倍であってもよい。図14に、セロダイン周期がピクセル数の整数倍のときの鋸波の波形と、セロダイン周期がピクセル数の非整数倍のときの鋸波の波形とを示す。実線はセロダイン周期がピクセル数の整数倍の鋸波を示し、破線はセロダイン周期がピクセル数の非整数倍の鋸波を示す。セロダイン周期がピクセル数の非整数倍の鋸波は、鋸の歯ごとにそれを構成するピクセル数は変化するが、入力光には等価的に鋸波の傾きの位相面の変化として見えるので、実用上問題はない。ビーム半径に関する要請LCOS上に入射するビームのビーム半径が小さい場合、高次回折光は出力ポート以外のポートに対してクロストークを発生させる恐れがある。よって本実施例では、LCOS上に入射するビームのビーム半径をw、入力光の波長をλとしたとき、所望のクロストークXTdBに対してとなるようにwを設定した。ここで、Δθはのこぎり波の位相設定によって、光信号が回折される際の1次回折光の回折角度出力信号に対応するとそれらの高次回折光の回折角度とのなす角のうち最小のものである。1次回折光の回折角度は、と表すことができる。NSawはのこぎり波の一つの波を構成するLCOS素子のピクセル数を表しNSawは、整数または非整数でよい、PitchはLCOS素子のピッチを表す。この場合、スイッチングに必要なNSawの集合をNPortとすると上述の実施例においては、NPort-9,10,-11,13となるである。kは高次回折光の次数整数である。kに関しては、高次回折光が出力ポートが存在する領域に出現するような範囲のkのみを考えればよい。本実施例の場合を検討する。各ポートに出力する光信号の回折角はである。この場合、最小角度差Δθは、ポート4へ出力される1次回折光の回折角とポート2へ出力される-1次回折光の回折角との間で成立し、0018rad00194rad00176radである。入力光の波長λを1.55umとし、高次回折光の次数としてk1,2の場合を検討すると、式2より、50dBのクロストークを確保するためには、ビーム半径は950um以上であればよいことが導かれる。第3の実施例図15に、本発明の一実施例に係る1入力4出力の波長選択スイッチ1500を示す。図15は、本実施例に係る波長選択スイッチ1500の概略構成図である。波長選択スイッチ1500は、1本の入力光ファイバ及び4本の出力光ファイバを配置するための光ファイバブロック1502と、回折格子1504と、集光レンズ1506と、LCOS素子1508とを備える。入力光ファイバから入射した光信号は、回折格子1504により波長ごとに分光される。回折格子1504により分光された光信号は、集光レンズ1506によって集光される。集光レンズ1506によって集光された光信号は、LCOS1508によって偏向反射される。集光レンズ1506を介して集光された光信号のビームウェストの位置がLCOS上になるように、LCOS素子1508の位置を設定する。LCOS1508によって偏向反射された光信号は、集光レンズ1506、回折格子1504を経由して、波長合波され、何れかの出力ファイバにおいて結合される。本実施例における各パラメータについては、回折格子に関するパラメータを除き第1の実施例と同様の設定とした。"