出力トランジスタの出力する電圧を分圧した分圧電圧と、基準電圧の差を増幅して出力し、前記出力トランジスタのゲートを制御する誤差増幅回路と、前記出力トランジスタの出力電流を監視し、過電流から回路を保護する過電流保護回路と、を備えたボルテージレギュレータであって、前記過電流保護回路は、前記出力トランジスタのドレインに設けられ、前記出力電流をセンスするセンス抵抗と、入力端子にオフセット電圧を備え、前記センス抵抗の両端の電圧を比較するオフセットコンパレータと、前記オフセットコンパレータの出力端子にゲートが接続され、前記出力トランジスタのゲートにドレインが接続された第一のトランジスタと、を備えたことを特徴とするボルテージレギュレータ。前記センス抵抗は、配線抵抗もしくはボンディング抵抗を用いることを特徴とする請求項1記載のボルテージレギュレータ。前記オフセットコンパレータは、オフセット量を前記分圧電圧の大きさで調整する調整回路を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載のボルテージレギュレータ。しかしながら、従来の技術では、出力電流が大きくなった時に抵抗508に流れる電流が増加するので、消費電流が増加するという課題があった。本発明は上記課題に鑑みてなされ、出力電流が大きくなっても消費電流が増加することのないボルテージレギュレータを提供する。本発明のボルテージレギュレータは、出力トランジスタの出力する電圧を分圧した分圧電圧と、基準電圧の差を増幅して出力し、前記出力トランジスタのゲートを制御する誤差増幅回路と、前記出力トランジスタの出力電流を監視し、過電流から回路を保護する過電流保護回路と、を備えたボルテージレギュレータであって、前記過電流保護回路は、前記出力トランジスタのドレインに設けられ、前記出力電流をセンスするセンス抵抗と、入力端子にオフセット電圧を備え、前記センス抵抗の両端の電圧を比較するオフセットコンパレータと、前記オフセットコンパレータの出力端子にゲートが接続され、前記出力トランジスタのゲートにドレインが接続された第一のトランジスタと、を備えたことを特徴とする。本発明の過電流保護回路を備えたボルテージレギュレータは、出力トランジスタのドレインに接続された抵抗の電圧で電流を検出することで、消費電流を増加させることなく過電流保護をかけることができる。本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。図1は、第一の実施形態のボルテージレギュレータの回路図である。第一の実施形態のボルテージレギュレータは、基準電圧回路101と、差動増幅回路102と、オフセットコンパレータ110と、PMOSトランジスタ103、104と、抵抗111、105、106と、グラウンド端子100と、出力端子121と、電源端子150で構成されている。接続に関しては、差動増幅回路102は、反転入力端子は基準電圧回路101に接続され、非反転入力端子は抵抗105と106の接続点に接続され、出力端子はPMOSトランジスタ104のゲート及びPMOSトランジスタ103のドレインに接続される。基準電圧回路101のもう一方はグラウンド端子100に接続される。PMOSトランジスタ103は、ゲートはオフセットコンパレータ110の出力に接続され、ソースは電源端子150に接続される。PMOSトランジスタ104は、ドレインは抵抗111とオフセットコンパレータ110の反転入力端子に接続され、ソースは電源端子150に接続される。抵抗111のもう一方は、オフセットコンパレータ110の非反転入力端子と出力端子121と抵抗105のもう一方に接続される。抵抗106のもう一方はグラウンド端子100に接続される。次に第一の実施形態のボルテージレギュレータの動作について説明する。抵抗105と106は、出力端子121の電圧である出力電圧Voutを分圧し、分圧電圧Vfbを出力する。差動増幅回路102は基準電圧回路101の出力電圧Vrefと分圧電圧Vfbとを比較し、出力電圧Voutが一定になるよう出力トランジスタとして動作するPMOSトランジスタ104のゲート電圧を制御する。出力電圧Voutが所定電圧よりも高いと、分圧電圧Vfbが基準電圧Vrefよりも高くなる。そして差動増幅回路102の出力信号PMOSトランジスタ104のゲート電圧が高くなり、PMOSトランジスタ104はオフしていき、出力電圧Voutは低くなる。こうして、出力電圧Voutを一定になるように制御する。また、出力電圧Voutが所定電圧よりも低いと、上記と逆の動作をして、出力電圧Voutは高くなる。こうして、出力電圧Voutが一定になるように制御する。出力端子121とグラウンド端子100が短絡すると出力電流Ioutが増加する。出力電流Ioutが最大出力電流Imを上回る過電流状態になると、抵抗111で発生する電圧が高くなりオフセットコンパレータ110がLoを出力する。そして、PMOSトランジスタ103がオンしていきPMOSトランジスタ104のゲートソース間電圧が低くなることで、PMOSトランジスタ104がオフしていく。よって、出力電流Ioutは最大出力電流Imよりも多く流れず、出力電圧Voutが低くなる。最大電流Imは、短絡時に抵抗111で発生する電圧をオフセットコンパレータ110のオフセット電圧と同じになるように抵抗111を調節することで決定される。通常の状態では、オフセットコンパレータ110のオフセット電圧により非反転入力端子の電圧の方が高く設定されるため、オフセットコンパレータ110の出力からHiが出力されPMOSトランジスタ103はオフとなる。ここでオフセットコンパレータ110のオフセット電圧は、入力トランジスタの素子サイズを変えるなど多くの方式が知られており、いずれの方式を採用しても良い。また、抵抗111は配線抵抗を用いても良い。以上により、出力電流を抵抗111で検知することで過電流保護をかけることができる。そして、出力電流増加に伴い消費電流が増加することもなく過電流保護をかけることができる。図2は、第二の実施形態のボルテージレギュレータの回路図である。図1との違いは抵抗111の代わりにボンディング抵抗201、202を用いボルテージレギュレータ232をパッケージ231上で動作させている点である。接続としては、電源端子150はパッケージ電源端子221に接続され、グラウンド端子100はパッケージグラウンド端子222に接続される。PMOSトランジスタ104のドレインは出力端子211に接続され、オフセットコンパレータ110の非反転入力端子は出力端子212に接続される。ボンディング抵抗201は一方が出力端子211に接続され、もう一方がパッケージ出力端子223に接続される。ボンディング抵抗202は一方が出力端子212に接続され、もう一方がパッケージ出力端子223に接続される。他の接続は図1の第一の実施例と同じである。次に、第二の実施形態のボルテージレギュレータの動作について説明する。抵抗105と106は、パッケージ出力端子223の電圧である出力電圧Voutを分圧し、分圧電圧Vfbを出力する。差動増幅回路102は基準電圧回路101の出力電圧Vrefと分圧電圧Vfbとを比較し、出力電圧Voutが一定になるよう出力トランジスタとして動作するPMOSトランジスタ104のゲート電圧を制御する。出力電圧Voutが所定電圧よりも高いと、分圧電圧Vfbが基準電圧Vrefよりも高くなる。そして差動増幅回路102の出力信号PMOSトランジスタ104のゲート電圧が高くなり、PMOSトランジスタ104はオフしていき、出力電圧Voutは低くなる。こうして、出力電圧Voutを一定になるように制御する。また、出力電圧Voutが所定電圧よりも低いと、上記と逆の動作をして、出力電圧Voutは高くなる。こうして、出力電圧Voutが一定になるように制御する。パッケージ出力端子223とパッケージグラウンド端子222が短絡すると出力電流Ioutが増加する。出力電流Ioutが最大出力電流Imを上回る過電流状態になると、ボンディング抵抗201で発生する電圧が高くなりオフセットコンパレータ110がLoを出力する。そして、PMOSトランジスタ103がオンしていきPMOSトランジスタ104のゲートソース間電圧が低くなることで、PMOSトランジスタ104がオフしていく。よって、出力電流Ioutは最大出力電流Imよりも多く流れず、出力電圧Voutが低くなる。なお、ボンディング抵抗202は、流れる電流が微小で、抵抗105、106よりはるかに小さい抵抗値であることから電圧はほとんど発生しないため考慮しない。最大電流Imは、短絡時にボンディング抵抗201で発生する電圧をオフセットコンパレータ110のオフセット電圧と同じになるようにボンディング抵抗201等を調節することで決定される。通常の状態では、オフセットコンパレータ110のオフセット電圧により非反転入力端子の電圧の方が高く設定されるため、オフセットコンパレータ110の出力からHiが出力されPMOSトランジスタ103はオフとなる。ここでオフセットコンパレータ110のオフセット電圧は、入力トランジスタの素子サイズを変えるなど多くの方式が知られており、いずれの方式を採用しても良い。以上により、出力電流をボンディング抵抗201で検知することで過電流保護をかけることができる。そして、出力電流増加に伴い消費電流が増加することもなく過電流保護をかけることができる。図3は、第三の実施形態のボルテージレギュレータの回路図である。図1との違いは分圧電圧Vfbによってオフセットコンパレータ110のオフセット量を調節できるようにした点である。次に第三の実施形態のボルテージレギュレータの動作について説明する。抵抗105と106は、出力端子121の電圧である出力電圧Voutを分圧し、分圧電圧Vfbを出力する。差動増幅回路102は基準電圧回路101の出力電圧Vrefと分圧電圧Vfbとを比較し、出力電圧Voutが一定になるよう出力トランジスタとして動作するPMOSトランジスタ104のゲート電圧を制御する。出力電圧Voutが所定電圧よりも高いと、分圧電圧Vfbが基準電圧Vrefよりも高くなる。そして差動増幅回路102の出力信号PMOSトランジスタ104のゲート電圧が高くなり、PMOSトランジスタ104はオフしていき、出力電圧Voutは低くなる。こうして、出力電圧Voutを一定になるように制御する。また、出力電圧Voutが所定電圧よりも低いと、上記と逆の動作をして、出力電圧Voutは高くなる。こうして、出力電圧Voutが一定になるように制御する。出力端子121とグラウンド端子100が短絡すると出力電流Ioutが増加する。出力電流Ioutが最大出力電流Imを上回る過電流状態になると、抵抗111で発生する電圧が高くなりオフセットコンパレータ110がLoを出力する。そして、PMOSトランジスタ103がオンしていきPMOSトランジスタ104のゲートソース間電圧が低くなることで、PMOSトランジスタ104がオフしていく。よって、出力電流Ioutは最大出力電流Imよりも多く流れず、出力電圧Voutが低くなる。最大電流Imは、短絡時に抵抗111で発生する電圧をオフセットコンパレータ110のオフセット電圧301と同じになるように抵抗111を調節することで決定される。通常の状態では、オフセットコンパレータ110のオフセット電圧301により非反転入力端子の電圧の方が高く設定されるため、オフセットコンパレータ110の出力からHiが出力されPMOSトランジスタ103はオフとなる。オフセットコンパレータ110のオフセット電圧301は、分圧電圧Vfbによって入力トランジスタの素子サイズ等を変えオフセット量を調整する。こうして、出力電圧ごとに最大電流Imの電流値をさらに調整することが可能となる。ここで、抵抗111は配線抵抗を用いても良い。なお、図示はしないが出力端子121の電圧によってオフセットコンパレータ110のオフセット電圧301を調整しても良い。以上により、出力電流を抵抗111で検知することで過電流保護をかけることができる。そして、出力電流増加に伴い消費電流が増加することもなく過電流保護をかけることができる。さらに、オフセットコンパレータ110のオフセット量を調節することで最大電流Imの電流値を調整可能となる。図4は、第四の実施形態のボルテージレギュレータの回路図である。図2との違いは分圧電圧Vfbによってオフセットコンパレータ110のオフセット量を調節できるようにした点である。次に第四の実施形態のボルテージレギュレータの動作について説明する。抵抗105と106は、パッケージ出力端子223の電圧である出力電圧Voutを分圧し、分圧電圧Vfbを出力する。差動増幅回路102は基準電圧回路101の出力電圧Vrefと分圧電圧Vfbとを比較し、出力電圧Voutが一定になるよう出力トランジスタとして動作するPMOSトランジスタ104のゲート電圧を制御する。出力電圧Voutが所定電圧よりも高いと、分圧電圧Vfbが基準電圧Vrefよりも高くなる。そして差動増幅回路102の出力信号PMOSトランジスタ104のゲート電圧が高くなり、PMOSトランジスタ104はオフしていき、出力電圧Voutは低くなる。こうして、出力電圧Voutを一定になるように制御する。また、出力電圧Voutが所定電圧よりも低いと、上記と逆の動作をして、出力電圧Voutは高くなる。こうして、出力電圧Voutが一定になるように制御する。パッケージ出力端子223とパッケージグラウンド端子222が短絡すると出力電流Ioutが増加する。出力電流Ioutが最大出力電流Imを上回る過電流状態になると、ボンディング抵抗201で発生する電圧が高くなりオフセットコンパレータ110がLoを出力する。そして、PMOSトランジスタ103がオンしていきPMOSトランジスタ104のゲートソース間電圧が低くなることで、PMOSトランジスタ104がオフしていく。よって、出力電流Ioutは最大出力電流Imよりも多く流れず、出力電圧Voutが低くなる。なお、ボンディング抵抗202は、流れる電流が微小で、抵抗105、106よりはるかに小さい抵抗値であることから電圧はほとんど発生しないため考慮しない。最大電流Imは、短絡時にボンディング抵抗201で発生する電圧をオフセットコンパレータ110のオフセット電圧401と同じになるようにボンディング抵抗201等を調節することで決定される。通常の状態では、オフセットコンパレータ110のオフセット電圧401により非反転入力端子の電圧の方が高く設定されるため、オフセットコンパレータ110の出力からHiが出力されPMOSトランジスタ103はオフとなる。オフセットコンパレータ110のオフセット電圧401は、分圧電圧Vfbによって入力トランジスタの素子サイズ等を変えオフセット量を調整する。こうして、出力電圧ごとに最大電流Imの電流値をさらに調整することが可能となる。なお、図示はしないがパッケージ出力端子223の電圧によってオフセットコンパレータ110のオフセット電圧401を調整しても良い。以上により、出力電流をボンディング抵抗201で検知することで過電流保護をかけることができる。そして、出力電流増加に伴い消費電流が増加することもなく過電流保護をかけることができる。さらに、オフセットコンパレータ110のオフセット量を調節することで最大電流Imの電流値を調整可能となる。