パターニングデバイスから基板上へパターンを投影するように構成されたリソグラフィ投影装置であって、使用中、約100nm未満の距離だけ前記基板から間隔を置いて配置され、かつ内側部分および外側部分に分割される屈折型光エレメントである最終要素を有する投影システムと、前記最終要素の前記内側部分の位置および/または向きを制御するように構成されたアクチュエータシステムと、を備える、装置。前記外側部分に対向する前記内側部分の表面および前記内側部分に対向する前記外側部分の表面は、共に、実質的に球面状であり、かつ共通の中心を有し、前記アクチュエータシステムは、前記最終要素の前記内側部分を前記共通の中心の周りを回転させるように構成される、請求項1に記載の装置。前記外側部分に対向する前記内側部分の表面は第1の曲率半径を有し、前記内側部分に対向する前記外側部分の表面は第2の曲率半径を有し、前記第1の曲率半径は前記第2の曲率半径よりも大きい、請求項1に記載の装置。前記第1の曲率半径は、実質的に無限である、請求項3に記載の装置。前記最終要素の前記内側部分と前記外側部分との間にギャップが画定され、前記ギャップに流体を供給するように構成された流体供給システムをさらに備える、先行する請求項のいずれかに記載の装置。前記流体供給システムは、液体を前記ギャップに供給するように構成される、請求項5に記載の装置。前記液体は、約1.4より大きい、約1.45より大きい、約1.5より大きい、約1.55より大きい、約1.68より大きい、または、約2.0より大きい、屈折率を有する、請求項6に記載の装置。前記最終要素と前記基板との間の距離を検出するように構成されたセンサシステムをさらに備える、先行する請求項のいずれかに記載の装置。放射ビームを前記最終要素の前記内側部分の側面内へと誘導し、前記基板に対向する前記最終要素の前記内側部分の表面上で前記放射ビームを内部反射させるように構成される、請求項8に記載の装置。前記アクチュエータシステムは、前記投影システムの光軸に沿った位置および前記光軸に垂直な軸周りの回転から成る群から選択される少なくとも1つの自由度で、前記最終要素の前記内側部分を制御するように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の装置。前記アクチュエータシステムは、前記投影システムの光軸に沿った前記最終要素の前記内側部分の前記位置および前記光軸に垂直な2つの直交軸周りの前記最終要素の前記内側部分の回転を制御するように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の装置。前記最終要素の出射面から前記投影システム内へ後方反射した放射を検出するように構成される後方散乱検出システムをさらに備える、先行する請求項のいずれかに記載の装置。前記後方散乱検出システムは、前記最終要素の前記出射面上の3つの離れた位置から反射された放射のそれぞれの強度を検出するように構成される、請求項12に記載の装置。前記距離は、前記基板上に前記パターンを投影する投影ビームの波長未満である、先行する請求項のいずれかに記載の装置。放射のパターン付きビームを、前記パターン付きビーム投影する最終要素を有する投影システムを使って基板上に投影することであって、前記最終要素は約100nm未満の距離だけ前記基板から間隔を置いて配置され、かつ内側部分および外側部分に分割される屈折型光エレメントである、投影することと、前記投影中、アクチュエータシステムを使って前記最終要素の前記内側部分の位置および/または向きを制御することと、を含む、デバイス製造方法。0023本明細書は、本発明の特徴を取り入れた1つ以上の実施形態を開示する。開示される実施形態は、単に本発明を例示するものである。本発明の範囲は、開示される実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付した請求の範囲により規定される。0024記載される実施形態、および、一実施形態oneembodiment、ある実施形態anembodiment、一例の実施形態anexampleembodimentなどといった明細書中の言及は、その記載される実施形態が特定の特徴、構造、または特色を含み得ることを示すが、全ての実施形態が、必ずしもそれら特定の特徴、構造、または特色を含んでいなくてもよい。さらに、そのような語句は必ずしも同じ実施形態を示さなくてもよい。また、特定の特徴、構造、または特色がある実施形態に関連して説明される場合、明確な記載の有無に関わらず、そのような特色、構造、または特徴が他の実施形態に関連して有効となることは、当業者の知識の範囲内であると理解される。0025このような実施形態を詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実施され得る一例の環境を示すことが有益である。0026図1は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、-放射ビームB例えば紫外線またはDUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、-パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造例えば、サポート構造MTと、-基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば、屈折投影レンズシステムPLと、を備える。0027照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。0028サポート構造は、パターニングデバイスを支持する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用されるレチクルまたはマスクという用語はすべて、より一般的なパターニングデバイスという用語と同義であると考えるとよい。0029本明細書において使用されるパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。0030パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。0031本明細書において使用される投影システムという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される投影レンズという用語はすべて、より一般的な投影システムという用語と同義であると考えるとよい。0032本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの例えば、透過型マスクを採用しているものである。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているものであってもよい。0033リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のパターニングデバイステーブルを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。0034また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体例えば水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間例えば、パターニングデバイスと投影システムとの間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される液浸という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。0035図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源SOからイルミネータILへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。0036イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。0037放射ビームBは、サポート構造例えば、サポート構造MT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスMAを通り抜けた後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサ図1には明示的に示されていないを使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。0038通常、サポート構造MTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合はスキャナとは対照的に、サポート構造MTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできるこれらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、複数のダイがパターニングデバイスMA上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。0039例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。1.ステップモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。2.スキャンモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅非スキャン方向が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さスキャン方向が決まる。3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0040上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0041図2は、使用に際して基板Wとの間に非常に小さなギャップを挟んで位置決めされるいわゆる固浸レンズSILである投影システム10の最終要素13を示す。一実施形態では、ギャップdは約20nm~約50nmの範囲内であり、例えば約±2nm以下の範囲の精度で維持される。許容可能なギャップの変動は、投影システムの開口数NAおよび像中の許容可能なアポディゼーションに左右されることになる。固浸レンズは、近接場光学系を利用する。近接場光学系では、サブ波長フィーチャを有する要素への、該要素からの、該要素を通る、あるいは該要素の近くの放射の通過が存在する。放射または放射ビームは、第1要素からサブ波長距離に位置する第2要素に結合され得る。例えば、第1要素は最終要素であってよく、第2要素は基板の表面であってよい。基板上の結像は、焦点面上で同一平面にあるか、あるいは基板の表面上にある。基板上の結像は、複雑なパターンとなる場合もある。パターン形成された像は、基板上に複数の焦点スポットを形成する。ギャップ内の媒体のバルク屈折率は、結像を制限しない。実質上、固浸レンズは、約1.8の屈折率を有する高屈折率結像を提供するSiO2。BaLiF3、MgO、結晶スピネル、セラミックスピネル、およびLuAGなどの高nガラスを使用して、さらに高い屈折率が可能である。一実施形態では、最終要素の屈折率n1は、1.8~2.5の範囲である。0042露光中、所望の精度でギャップを維持するために、SIL要素13は、作動システム13、14、15により能動的にレべリングされる。一実施形態では、最終要素13は、3自由度、すなわち、Z、Rx、およびRyで作動され、ここで、Zは投影システム10の光軸に平行な方向であり、RxおよびRyはZ軸に直交する軸周りの回転である。一実施形態では、作動システムは5自由度、すなわちX、Y、Z、RxおよびRyで最終要素を作動する。一実施形態では、作動システムは、全6自由度で最終要素を作動する。作動システムは、基準フレームに対して測定されたSIL要素13の位置情報を、あらかじめ測定可能な基板トポロジの知識と共に使用することができる。この代わりに、あるいはこれに加えて、作動機能は、ガス例えば、空気ベアリングまたは液体例えば水ベアリングにより支持することができる。0043一実施形態では、最終要素の位置は後方散乱検出デバイス16、17、18により測定される。これは、例えば1.7の高NAで、SIL要素を介して放射ビームを投影し、後方散乱した放射の強度を検出する。SIL要素が近接場の外へ移動する場合、散乱強度は劇的に増加して全反射となる。急速に低強度から略全強度になる信号は、位置信号として使用することができる。光場にわたって分布したこれら測定点の3つを取り込むことにより、SIL要素のZ、Rx、Ryを制御することができる。唯一残ったトポロジは、基板自体のトポロジである。0044一実施形態では、さらなる光エレメント12がSIL要素13の近くに設けられる。一実施形態では、光エレメント12とSIL要素13との間のスペースは、流体供給部からの流体例えば、水11によって満たすことができる。さらなる光エレメント12は、屈折率n3を有し、また、流体11は屈折率n2を有し得る。0045一実施形態では、最小限の制御誤差で作動信号に追従することを容易にするために、作動されるSIL要素の質量は可能な限り小さく維持される。従って、一実施形態では、図3に示すように、光学系20は2つの同心部分21、22に分割される。内側部分を共通中心の周りで傾斜させると、投影システムの光学特性に最小限の影響を与える。この影響は、無視できるほどか、あるいは、投影システムの他の部分でおよび/またはパターニングデバイスの位置を調節することにより補償できる。従って、SIL要素は、大きな光学的影響をもたらすことなく基板の局所的な傾きに追従することができる。2つの同心光エレメントの間の距離は、流体供給部からの流体24例えば、水で満たすことができる。高屈折率液体を使用することにより、オフアクシス場の点についても光結合を増大させ、これによりアポディゼーションに起因するコントラスト損失が減少する。光学面上の反射防止ARコーティング23、25、または液体と反射防止コーティングとの組み合わせを使用して同様の作用を実現することができる。0046固浸リソグラフィが直面する別の問題として、基板上の粒子35がある。これらの粒子は、最終要素50のSIL要素に付着し、損傷を与え得る。一実施形態では、図4を参照すると、粒子を除去するクリーニングデバイス30において液浸濡れ/乾燥技術が使用される。例えば、クリーニングデバイスは、構造33の供給口31を介して液体例えば、超純水UPWなどの水を基板上に供給し、同様に構造33の一部であり得る抽出口32を介してその液体を除去し、基板から汚染をクリーニングし得る。一実施形態では、SIL要素51の前方の表面は、粒子ディテクタ40、例えばスキャトロメータにより走査される。粒子ディテクタは、クリーニングデバイスに対する追加的なフェイルセーフとして作用し得る。放射出力または放射源41からの検出ビーム42は、基板W上に誘導され、あらゆる散乱放射が1つ以上のディテクタ43により検出される。クリーンな基板は鏡面反射をするため、散乱放射は欠陥または粒子を示す。大きい散乱信号が発生した場合は、作動システム52、53、54によりSIL要素51の緊急後退が引き起こされる。一実施形態では、粒子ディテクタは、クリーニングデバイスと投影システムとの間に位置決めされ、クリーニングデバイスによりクリーニングされ、かつ投影システムの下で走査が開始されようとしている基板の一部分上の粒子を検出するように構成される。0047一実施形態では、NAは、液浸リソグラフィで実現される約1.35から、SIO2のSIL要素を使って約1.7まで増加させることができ、38nmに代わってハーフピッチ30nmの限界光解像度を可能にする。LuAGについて2.1までの屈折率により、2.0の有効NAおよび単一露光におけるハーフピッチ25nmを実現することができる。0048本発明の一実施形態における投影システムの最終要素60を図5に概略的に示す。この要素は、2つの部分、内側部分63および外側部分61から形成される。内側部分63は、作動システム図示なしにより作動される一方、外側部分61は静止状態で維持される。内側部分63の第1表面63aは、前述したように、投影中、基板Wから所定の距離で維持される。内側部分63の第2表面63bは、最終要素60の外側部分61の第1表面61aに対向する。内側部分63の第2表面63bは、外側部分61の第1表面61aより大きい曲率半径つまり、より小さい湾曲を有する。結果的に得られるギャップは、高屈折率を有する流体例えば液体62によって満たされる。一実施形態では、流体62は、約1.4より大きい、約1.45より大きい、約1.5より大きい、約1.55より大きい、約1.8より大きい、または約2.0より大きい、屈折率を有する。最終要素60の内側および外側部分63、61は、石英SiO2から作られ、約1.45の屈折率n1、n3を有する。一実施形態では、流体62の屈折率n2は、内側および外側部分63、61の屈折率n1、n3よりも大きい。好適な液体には、シス型またはトランス型のデカリン、官能化されたデカリン、および水中のナノ粒子の懸濁液が含まれる。0049図5の実施形態では、基板Wとの間隔を制御するために作動させる必要がある最終要素の部分の質量が減少され、短い応答時間で当該部分を作動するのがより容易になっている。高屈折率流体62は、最終要素の2つの部分に含まれているため、基板W上のレジストおよび/またはトップコートとの相互作用に関する制限なく、かつ急速に走査されている基板に対する液体の封じ込めに関する制限なく、流体を選択することができる。内側部分63の第2表面および外側部分61の第1表面の異なる曲率により、高い屈折力を実現するのが可能になる。この制限において、内側部分63の第2表面は、実質的に無限の曲率半径を有する、つまり平面的である。0050図6には、本発明の一実施形態に係る最終要素70およびレベルセンサシステム74、75が概略的に示されている。図6の実施形態では、最終要素は、図5の実施形態と同様に流体72によって満たされたギャップを挟んで内側部分73および外側部分71を備える。レベルセンサシステムは、基準、リソグラフィ装置の例えば基準またはメトロロジフレームに対して基板Wの表面の位置を測定する2つのレベルセンサ74、75を備える。センサ74、75は、本技術で公知の光センサ、静電容量センサ、またはガスゲージとすることができる。図6には2つのセンサが示されているが、より多いまたはより少ない数のセンサを使ってもよい。最終要素70の周囲に適切な間隔を空けて3つのセンサを配置すると、最終要素70の光軸に平行な方向における位置、およびこの光軸に垂直な直交軸の周りの傾きRx、Ryの測定が可能になる。レベルセンサ出力を使用して、最終要素の作動を制御する。一実施形態では、基板ステージWTの位置も並行して制御される。最終要素の制御では、基板ステージの測定された位置および/または基板のあらかじめ測定されたプロファイルも考慮に入れることができる。0051図7は、本発明のさらなる実施形態に係る投影システムの最終要素80およびレベルセンサを示す。本実施形態では、最終要素は内側部分83および外側部分81を備える。流体82は、前述したように内側部分と外側部分との間のギャップに閉じ込められる。レベルセンサシステムは、最終要素80を介して基板上に放射を誘導し、最終要素80の結像フィールド内の基板の点の垂直方向位置を測定する1つ以上の光センサ84、85を備える。1つ以上の折り畳みミラー86を設け、光放射を最終要素80へと結合させてもよい。一実施形態では、レベルセンサによって使用される放射の波長は、基板上のレジストが感応しない波長である。ここでも、図7には2つのレベルセンサが示されるが、より多いまたはより少ない数のセンサを使用することができる。3つのセンサにより、Z、Rx、およびRyを決定することができる。0052図8には、本発明の一実施形態に係る最終レンズ要素90およびレベルセンサシステム94、95を示す。前述したように、最終要素90は、内側部分91および外側部分93を備える。高屈折率流体92はこれらの間に閉じ込められる。レベルセンサシステムは、内側部分91の側面内へと放射を誘導し、内側部分91の下面基板Wに対向する表面で内部反射させる放射出力または放射源94を備える。その後、放射は正反対の点で内側部分91の側面から出射し、ディテクタ95に入射する。内側部分91の下面で内部反射される放射の割合は、内側部分91と基板Wとの間の距離に左右される。従って、反射された放射の強度の絶対値および/またはその変化を使用して、内側部分91と基板Wとの間の距離および/または当該距離の変化を検出することができる。内側部分91の下面上の異なる点に誘導された複数のビームを使用することにより、ギャップ距離を複数の点で測定することが可能になる。0053本発明の一実施形態では、最終要素の内側部分および外側部分の対向する表面の形状は、内側部分が作動された際に、内側部分と外側部分との間のギャップ体積の変化を最小限に抑えるように選択することができる。本発明の実施形態では、最終要素の内側部分と外側部分との間のギャップは、内側部分が作動された際のギャップ体積の変化を吸収するために、流体のリザーバに接続することができる。0054本発明の一実施形態では、投影システムの最終要素の内側部分の下面は、投影ビームの放射に対して負の屈折率を有する材料により被覆されている。このような材料は、メタ材料または左手系材料として知られ、その特性をナノスケール構造から導出し、様々な異なる形態が知られている。負の屈折率材料は、最終要素と基板との間の近接場ギャップを増大させる。これにより、所望の近接場ギャップを維持するべく最終要素を制御するためのより大きいスペースが与えられることになる。本発明の一実施形態において、回折光エレメントを形成する回折格子は、最終要素の内側部分の下面上に形成される。回折光エレメントは、結像されたフィーチャのサイズを減少させるのをさらに補助し得る。0055本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0056光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。0057レンズという用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0058発明の概要および要約には、本発明者らにより意図される、本発明の1つ以上の全てではない例示的な実施形態が記載されており、よって発明の概要および要約は本発明および添付の請求の範囲をいかようにも限定することを意図したものではない。0059本発明の実施形態を、特定の機能の実施およびそれら機能の関係を説明する機能的な基本要素を使って説明してきた。本明細書において、これら機能的な基本要素の境界は、説明の都合上、任意に定義した。特定の機能およびそれらの関係が適切に実行される限り、別の境界を定義してもよい。0060特定の実施形態の以上の説明は、本発明の一般的な性質を完全に明らかにするため、当業者の知識を適用することにより、他の者が本発明の一般概念から逸脱することなく、必要以上の実験をせずに当該特定の実施形態を容易に変更および/または多様な用途に適用させることができる。従って、そのような適用および変更は、本明細書に提示した教示および説明に基づき、開示された実施形態の均等物の意味および範囲内であることが意図される。当然のことながら、本明細書中の言い回しおよび用語使いは、説明を目的としたものであって、限定的なものでなく、本明細書の言い回しおよび用語使いは本明細書の教示および説明に照らして当業者に理解される。0061本発明の広さおよび範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の請求の範囲およびその均等物に従ってのみ定義されるべきものである。0062本発明に係る実施形態は、以下の番号付けされた項において提供される。1.パターニングデバイスから基板上へパターンを投影するように構成されたリソグラフィ投影装置であって、使用中、約100nm未満の距離だけ前記基板から間隔を置いて配置され、かつ内側部分および外側部分に分割される屈折型光エレメントである最終要素を有する投影システムと、前記最終要素の前記内側部分の位置および/または向きを制御するように構成されたアクチュエータシステムと、を備える、装置。2.前記外側部分に対向する前記内側部分の表面および前記内側部分に対向する前記外側部分の表面は、共に、実質的に球面状であり、かつ共通の中心を有し、前記アクチュエータシステムは、前記最終要素の前記内側部分を前記共通の中心の周りを回転させるように構成される、1項に記載の装置。3.前記外側部分に対向する前記内側部分の表面は第1の曲率半径を有し、前記内側部分に対向する前記外側部分の表面は第2の曲率半径を有し、前記第1の曲率半径は前記第2の曲率半径よりも大きい、1項に記載の装置。4.前記第1の曲率半径は、実質的に無限である、3項に記載の装置。5.前記最終要素の前記内側部分と前記外側部分との間にギャップが画定され、前記ギャップに流体を供給するように構成された流体供給システムをさらに備える、先行する項のいずれかに記載の装置。6.前記流体供給システムは、液体を前記ギャップに供給するように構成される、5項に記載の装置。7.前記液体は、約1.4より大きい、約1.45より大きい、約1.5より大きい、約1.55より大きい、約1.68より大きい、または、約2.0より大きい、屈折率を有する、6項に記載の装置。8.前記内側部分は第1屈折率n1を有し、前記液体は第2屈折率n2を有し、その他の部分は第3屈折率n3を有し、ここで、n2>n1およびn2>n3である、6または7項に記載の装置。9.前記最終要素と前記基板との間の距離を検出するように構成されたセンサシステムをさらに備える、先行する項のいずれかに記載の装置。10.前記センサシステムは、基準に対する前記基板上の複数の点の位置を測定するように構成された複数の光センサを備える、9項に記載の装置。11.前記光センサは、前記投影システムの投影フィールドの外側にある、前記基板の複数の点のそれぞれの位置を測定するように構成される、10項に記載の装置。12.前記光センサは、前記投影システムの投影フィールド内にある、前記基板上の複数の場所のそれぞれの位置を測定するように構成される、10または11項に記載の装置。13.前記光センサは、前記最終要素の前記内側および前記外側部分を介して前記基板上に放射ビームを誘導するように構成される、12項に記載の装置。14.放射ビームを前記最終要素の前記内側部分の側面内へと誘導し、前記基板に対向する前記最終要素の前記内側部分の表面上で前記放射ビームを内部反射させるように構成される、9~12項のいずれかに記載の装置。15.前記基板に対向する前記最終要素の前記内側部分の表面は、コーティングを有し、前記コーティングは負の屈折率を有する材料で形成される、14項に記載の装置。16.前記基板に対向する前記最終要素の前記内側部分の表面は、当該表面上に形成された回折格子を有する、14または15項に記載の装置。17.前記アクチュエータシステムは、前記投影システムの光軸に沿った位置および前記光軸に垂直な軸周りの回転から成る群から選択される少なくとも1つの自由度で、前記最終要素の前記内側部分を制御するように構成される、先行する項のいずれかに記載の装置。18.前記アクチュエータシステムは、前記投影システムの光軸に沿った前記最終要素の前記内側部分の前記位置および前記光軸に垂直な2つの直交軸周りの前記最終要素の前記内側部分の回転を制御するように構成される、先行する項のいずれかに記載の装置。19.前記最終要素の出射面から前記投影システム内へと後方反射した放射を検出するように構成される後方散乱検出システムをさらに備える、先行する項のいずれかに記載の装置。20.前記後方散乱検出システムは、前記最終要素の前記出射面上の3つの離れた位置から反射された放射のそれぞれの強度を検出するように構成される、19項に記載の装置。21.前記基板をクリーニングするように構成されたクリーニングデバイスをさらに備える、先行する項のいずれかに記載の装置。22.前記基板上に像を投影している間に前記投影システムに対して前記基板を走査するように構成された位置決めデバイスをさらに備え、前記クリーニングデバイスは、前記基板の領域を、前記領域が投影システムの下で走査される前にクリーニングするように構成される、21項に記載の装置。23.前記クリーニングデバイスは、前記基板を水で洗浄するように構成される、21または22項に記載の装置。24.前記投影システムの下で走査されようとしている前記基板の一部分上の粒子を検出するように構成された粒子ディテクタをさらに備える、先行する項のいずれかに記載の装置。25.前記粒子ディテクタは、前記基板をクリーニングするように構成されたクリーニングデバイスと前記投影システムとの間に位置決めされ、かつ、前記クリーニングデバイスによりクリーニングされた前記基板および前記投影システムの下で走査されようとしている前記基板の一部分上の粒子を検出するように構成される、24項に記載の装置。26.前記アクチュエータシステムは、前記粒子検出器に応答し、粒子が検出された場合には、前記最終要素を前記基板から離れるように移動するように構成される、24または25項に記載の装置27.前記距離は、前記基板上に前記パターンを投影する投影ビームの波長未満である、先行する項のいずれかに記載の装置。28.前記波長は約193nmである、27項に記載の装置。29.放射のパターン付きビームを、前記パターン付きビーム投影する最終要素を有する投影システムを使って基板上に投影することであって、前記最終要素は約100nm未満の距離だけ前記基板から間隔を置いて配置され、かつ内側部分および外側部分に分割される屈折型光エレメントである、投影することと、前記投影中、アクチュエータシステムを使って前記最終要素の前記内側部分の位置および/または向きを制御することと、を含む、デバイス製造方法。