"一般式1式中、R1はイソプロピル基、又は炭素原子数4~6の分岐状のアルキル基を示し、R2は炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、R1及びR2が共にイソプロピル基の場合、R1及びR2が共にイソブチル基の場合、及び、R1がイソプロピル基でありR2がメチル基の場合を除く。で示されるマグネシウムビスジアルキルアミド化合物。一般式2式中、R3及びR4は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ互いに独立に、炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。で示されるジアルキルマグネシウム化合物と、一般式3式中、R1はイソプロピル基、又は炭素原子数4~6の分岐状のアルキル基を示し、R2は炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、R1及びR2が共にイソプロピル基の場合、R1及びR2が共にイソブチル基の場合、及び、R1がイソプロピル基でありR2がメチル基の場合を除く。で示されるジアルキルアミンとを反応させる工程を含むことを特徴とする、一般式1式中、R1及びR2は前記と同義である。で示される請求項1記載のマグネシウムビスジアルキルアミド化合物の製造方法。一般式3式中、R1はイソプロピル基、又は炭素原子数4~6の分岐状のアルキル基を示し、R2は炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、R1及びR2が共にイソプロピル基の場合、R1及びR2が共にイソブチル基の場合、及び、R1がイソプロピル基でありR2がメチル基の場合を除く。で示されるジアルキルアミンと、アルキルリチウムとを反応させて、一般式4式中、R1及びR2は前記と同義である。で示されるリチウムジアルキルアミド化合物を合成する工程と、前記一般式4で示されるリチウムジアルキルアミド化合物と、一般式5式中、Xはハロゲン原子を示す。で示されるジハロゲノマグネシウムとを反応させる工程を含むことを特徴とする、一般式1式中、R1及びR2は前記と同義である。で示される請求項1記載のマグネシウムビスジアルキルアミド化合物の製造方法。請求項1に記載のマグネシウムビスジアルキルアミド化合物をマグネシウム供給源として用いた化学気相蒸着法によるマグネシウム含有薄膜の製造方法。請求項1に記載のマグネシウムビスジアルキルアミド化合物を含むマグネシウム含有薄膜形成用原料。しかしながら、従来のマグネシウム化合物は、蒸気圧、熱安定性、反応性等の物性がマグネシウム含有薄膜の製造において必ずしも最適ではなく、最も採用されているビスシクロペンタジエニルマグネシウムでさえ、マグネシウム含有薄膜を製造するための十分なマグネシウム化合物とは言い難かった。そのため、蒸気圧、熱安定性、反応性等のいずれの物性も満足させるマグネシウム化合物が求められていた。本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、簡便な方法によってマグネシウム含有薄膜を製造することができる、工業的に好適なマグネシウム化合物、より具体的にはCVD法によるマグネシウム含有薄膜の製造に適したマグネシウム化合物を提供するものである。本発明の課題は、又、当該マグネシウム化合物を用いるマグネシウム含有薄膜の製造方法を提供するものである。本発明は以下の事項に関する。1.一般式1式中、R1はイソプロピル基、又は炭素原子数4~6の分岐状のアルキル基を示し、R2は炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、R1及びR2が共にイソプロピル基の場合、R1及びR2が共にイソブチル基の場合、及び、R1がイソプロピル基でありR2がメチル基の場合を除く。で示されるマグネシウムビスジアルキルアミド化合物。2.一般式2式中、R3及びR4は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ互いに独立に、炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。で示されるジアルキルマグネシウム化合物と、一般式3式中、R1はイソプロピル基、又は炭素原子数4~6の分岐状のアルキル基を示し、R2は炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、R1及びR2が共にイソプロピル基の場合、R1及びR2が共にイソブチル基の場合、及び、R1がイソプロピル基でありR2がメチル基の場合を除く。で示されるジアルキルアミンとを反応させる工程を含むことを特徴とする、上記一般式1で示されるマグネシウムビスジアルキルアミド化合物の製造方法。3.一般式3式中、R1はイソプロピル基、又は炭素原子数4~6の分岐状のアルキル基を示し、R2は炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、R1及びR2が共にイソプロピル基の場合、R1及びR2が共にイソブチル基の場合、及び、R1がイソプロピル基でありR2がメチル基の場合を除く。で示されるジアルキルアミンと、アルキルリチウムとを反応させて、一般式4式中、R1及びR2は前記と同義である。で示されるリチウムジアルキルアミド化合物を合成する工程と、前記一般式4で示されるリチウムジアルキルアミド化合物と、一般式5式中、Xはハロゲン原子を示す。で示されるジハロゲノマグネシウムとを反応させる工程を含むことを特徴とする、上記一般式1で示されるマグネシウムビスジアルキルアミド化合物の製造方法。4.上記一般式1で示されるマグネシウムビスジアルキルアミド化合物をマグネシウム供給源として用いた化学気相蒸着法によるマグネシウム含有薄膜の製造方法。5.上記一般式1で示されるマグネシウムビスジアルキルアミド化合物を含むマグネシウム含有薄膜形成用原料。本発明により、特にCVD法による成膜に適した新規なマグネシウムビスジアルキルアミド化合物を提供することができる。当該マグネシウム化合物を用いて、CVD法により、良好な成膜特性で、マグネシウム含有薄膜を製造することができる。本発明のマグネシウムビスジアルキルアミド化合物は、前記の一般式1で示される。その一般式1において、R1はイソプロピル基、又はt-ブチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基等の炭素原子数4~6の分岐状のアルキル基を示し、R2はメチル基、エチル基、イソプロピル基、t-ブチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基等の炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。但し、R1及びR2が共にイソプロピル基の場合、R1及びR2が共にイソブチル基の場合、及び、R1がイソプロピル基でありR2がメチル基の場合を除く。2つのR1は異なっていてもよく、2つのR2も異なっていてもよいが、2つのR1が同一であり、2つのR2も同一である化合物は比較的容易に合成できるので、好ましい。本発明の好ましい態様としては、R1が炭素原子数4~5の分岐状のアルキル基であり、R2が炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。R1としては、t-ブチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基が特に好ましい。R2としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、t-ブチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基が特に好ましい。又、R1がt-ブチル基、t-ペンチル基、更に好ましくはt-ブチル基であり、R2が炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基、更に好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、t-ブチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基であることが好ましい。本発明のマグネシウムビスジアルキルアミド化合物としては、例えば、以下の式6~20によって示される化合物が挙げられる。本発明のマグネシウムビスジアルキルアミド化合物の合成は、以下のA又はBで示す方法以下、本発明の反応と称することもある。によって行うことができる。式中、R1及びR2は前記と同義であり、R3及びR4は炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。なお、R3及びR4は同一又は異なっていても良い。又、Xはハロゲン原子を示す。[方法A]方法Aは、ジアルキルマグネシウム化合物とジアルキルアミンとを反応させて、マグネシウムビスジアルキルアミド化合物を合成する方法である。本発明の反応Aにおいて使用するジアルキルマグネシウム化合物は、前記の一般式2で示される。その一般式2において、R3及びR4はメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基、n-デシル基等の炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。なお、R3及びR4は同一又は異なっていても良い。本発明の反応Aにおいて使用するジアルキルマグネシウム化合物としては、市販品を使用することができ、又、公知の方法により金属マグネシウムから製造することができる。本発明の反応Aにおいては、好適にはジn-ブチルマグネシウム又はn-ブチルエチルマグネシウム等が用いられる。本発明の反応Aにおいて使用するジアルキルアミンは、前記の一般式3で示される。その一般式3において、R1及びR2は、それぞれ、式1中のR1及びR2に対応し、前記と同義である。したがって、本発明の反応Aにおいて使用するジアルキルアミンとしては、t-ブチルメチルアミン、t-ブチルエチルアミン、t-ブチルイソプロピルアミン、ジ-t-ブチルアミン、t-ブチル-t-ペンチルアミン、ジ-t-ペンチルアミン等が好ましい。前記ジアルキルアミンの使用量は、ジアルキルマグネシウム1モルに対して、好ましくは1.5~3.0モル、更に好ましくは1.8~2.2モルである。本発明の反応Aは、有機溶媒中で行うことが望ましい。使用される有機溶媒としては反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類;ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられるが、好ましくはエーテル類、脂肪族炭化水素類、エーテル類と脂肪族炭化水素類との混合溶媒が使用される。なお、これらの有機溶媒は単独又は二種以上を混合して使用しても良い。前記有機溶媒の使用量は、ジアルキルマグネシウム1gに対して、好ましくは1~100g、更に好ましくは1~10gである。本発明の反応Aは、例えば、ジアルキルマグネシウム化合物、ジアルキルアミン及び有機溶媒を混合し、攪拌しながら反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは-20~120°C、更に好ましくは0~100°Cであり、反応圧力は特に制限されない。[方法B]方法Bは、ジアルキルアミンとアルキルリチウムとから合成したリチウムジアルキルアミドと、ジハロゲノマグネシウムとを反応させて、マグネシウムビスジアルキルアミド化合物を合成する方法である。本発明の反応Bにおいて使用するジアルキルアミンは、前記の一般式3で示される。その一般式3において、R1及びR2は、それぞれ、式1中のR1及びR2に対応し、前記と同義である。本発明の反応Bにおいて使用するアルキルリチウムは特に限定されないが、例えば、メチルリチウム、エチルリチウム、n-ブチルリチウム、s-ブチルリチウム、t-ブチルリチウム等が挙げられるが、好ましくはn-ブチルリチウムが使用される。前記アルキルリチウムの使用量は、ジアルキルアミン1モルに対して、好ましくは0.8~1.2モル、更に好ましくは0.9~1.1モルである。本発明の反応Bでは、ジアルキルアミンとアルキルリチウムとからリチウムジアルキルアミドを合成し、このリチウムジアルキルアミドとジハロゲノマグネシウムとを反応させる。本発明の反応Bにおいて使用するジハロゲノマグネシウムは、前記の一般式5で示される。その一般式5において、Xはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子を示すが、好ましくは塩素原子である。前記ジハロゲノマグネシウムの使用量は、ジアルキルアミン1モルに対して、好ましくは0.3~0.6モル、更に好ましくは0.45~0.55モルである。リチウムジアルキルアミドを単離した場合、リチウムジアルキルアミドの使用量は、ジハロゲノマグネシウム1モルに対して、好ましくは1.5~3.0モル、更に好ましくは1.8~2.2モルである。本発明の反応Bは、有機溶媒中で行うことが望ましい。使用される有機溶媒としては反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類;ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられるが、好ましくはエーテル類、脂肪族炭化水素類、エーテル類と脂肪族炭化水素類との混合溶媒が使用される。なお、これらの有機溶媒は単独又は二種以上を混合して使用しても良い。前記有機溶媒の使用量は、ジアルキルアミン1gに対して、好ましくは1~100g、更に好ましくは1~10gである。リチウムジアルキルアミドを単離した場合、リチウムジアルキルアミドとジハロゲノマグネシウムとを反応させる際の有機溶媒の使用量は、ジハロゲノマグネシウム1gに対して、好ましくは1~100g、更に好ましくは1~10gである。本発明の反応Bは、例えば、ジアルキルアミン、アルキルリチウム及び有機溶媒を混合し、攪拌しながら反応させてリチウムジアルキルアミド化合物を合成し、次いでジハロゲノマグネシウムを加えて、更に攪拌しながら反応させる、又は合成したリチウムジアルキルアミドを単離し、次いで得られたリチウムジアルキルアミド、ジハロゲノマグネシウム及び有機溶媒を混合し、攪拌しながら反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは-20~100°C、更に好ましくは0~50°Cであり、反応圧力は特に制限されない。なお、リチウムジアルキルアミド化合物は、ジハロゲノマグネシウムとの反応前に、一旦単離しても、単離せず、反応液をそのまま使用しても良く、又、適宜有機溶媒を変更、除去および/または追加しても良い。本発明の反応A又はBにより目的物であるマグネシウムビスジアルキルアミド化合物が得られる。合成したマグネシウムビスジアルキルアミド化合物は、反応終了後、抽出、濾過、濃縮、蒸留、昇華、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の公知の方法によって単離精製される。なお、本発明の目的物であるマグネシウムビスジアルキルアミド化合物、及びその製造に使用するジアルキルマグネシウムは、大気中の水分や酸素に対して不安定な場合が多いため、無水条件下や不活性ガス条件下にて、反応操作や反応液の後処理等を行うことが望ましい。本発明のマグネシウムビスジアルキルアミド化合物を用いて、例えばCVD法により、良好な成膜特性で、マグネシウム含有薄膜を成膜することができる。成膜対象物上へのマグネシウム含有薄膜の蒸着方法としては、公知のCVD法や原子層堆積法ALD法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、マグネシウムビスジアルキルアミド化合物蒸気を酸素源例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス;水;メタノール、エタノール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブタノール等のアルコール類又は還元性ガス例えば、水素ガス又はアンモニアガス、もしくはこれらの混合ガスと共に加熱した成膜対象物上に送り込んでマグネシウム含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス気化した液体も含むは不活性ガス等で希釈されていても良い。又、同様な原料供給により、プラズマCVD法でマグネシウム含有薄膜を蒸着させることも出来る。CVD法においては、薄膜形成のためにマグネシウムビスジアルキルアミド化合物を気化させる必要があるが、本発明で使用するマグネシウムビスジアルキルアミド化合物を気化させる方法としては、例えば、マグネシウムビスジアルキルアミド化合物自体を気化室に充填又は搬送して気化させる方法だけでなく、マグネシウムビスジアルキルアミド化合物を適当な溶媒例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類;トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素類;グライム、ジグライム、トリグライム、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等が挙げられる。に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化室に導入して気化させる方法溶液法も使用出来る。本発明のマグネシウムビスジアルキルアミド化合物を用いてマグネシウム含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは1Pa~200kPa、更に好ましくは10Pa~110kPa、成膜対象物温度は、好ましくは50~900°C、更に好ましくは100~600°C、マグネシウムビスジアルキルアミド化合物を気化させる温度は、好ましくは30~250°C、更に好ましくは60~200°Cである。なお、マグネシウム含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源例えば、酸化性ガス、水蒸気又はアルコール蒸気、もしくはこれらの混合ガス又は還元性ガス例えば、水素ガス又はアンモニアガス、もしくはこれらの混合ガスの含有割合としては、好ましくは3~99容量、更に好ましくは5~98容量である。次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。実施例1方法A;マグネシウムビスt-ブチルメチルアミド化合物6の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、金属マグネシウム5.5g0.23mol及びジエチルエーテル20mlを加えた後、ブロモブタン30g21mmolをゆるやかに滴下した。次いで、ジエチルエーテル180ml及びブロモブタン25g0.18molをゆるやかに滴下し、攪拌しながら40°Cで2時間反応させ、更にジオキサン55g0.62molを加えて攪拌しながら40°Cで2時間反応させた。反応終了後、アルゴン雰囲気にて反応液を濾過し、濾液を減圧下で濃縮した。濃縮物を加熱しながら真空乾燥させて、ジブチルマグネシウム22gを得た単離収率;80。次いで、攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積200mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、先に得られたジブチルマグネシウム7.0g50mmol及びヘプタン70mlを加え、液温を25°C付近に維持しながらt-ブチルメチルアミン10g0.11molをゆるやかに滴下し、攪拌しながら25°Cで3時間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮した後に、減圧下で昇華140°C、20Paさせて、白色固体として、マグネシウムビスt-ブチルメチルアミド6.4gを得た単離収率;66。なお、マグネシウムビスt-ブチルメチルアミドは以下の物性値で示される新規な化合物であった。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;2.583H,s、1.039H,s融点;140~141°C。実施例2方法A;マグネシウムビスt-ブチルエチルアミド化合物7の合成実施例1において、ジアルキルアミンをt-ブチルエチルアミン11g0.11molに変えたこと以外は、実施例1と同様に反応を行った。その結果、白色固体として、マグネシウムビスt-ブチルエチルアミド5.8gを得た単離収率;52。なお、マグネシウムビスt-ブチルエチルアミドは以下の物性値で示される新規な化合物であった。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;2.902H,q,6.8Hz、1.079H,s、0.973H,t,6.8Hz融点;75~78°C実施例3方法B;マグネシウムビスt-ブチルイソプロピルアミド化合物8の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、t-ブチルイソプロピルアミン1.8g16mmol及びヘプタン30mlを加えた。次いで、液温を25°C付近に維持しながら1.6mol/lのn-ブチルリチウムへキサン溶液10ml16mmolをゆるやかに滴下し、攪拌しながら25°Cで2時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、リチウム-t-ブチルイソプロピルアミド1.7gを得た単離収率;88。次いで、攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに塩化マグネシウム0.40g4.2mmol及びテトラヒドロフラン10mlを加えた。次いで、液温を25°C付近に維持しながら、リチウム-t-ブチルイソプロピルアミド1.0g8.3mmolのテトラヒドロフラン溶液10mlをゆるやかに滴下し、攪拌しながら25°Cで8時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物にヘキサン20mlを加えて攪拌した後に濾過した。濾液を減圧下で濃縮し、濃縮物を減圧下で蒸留120°C、5.7Paし、淡黄色液体として、マグネシウムビスt-ブチルイソプロピルアミド0.53gを得た単離収率;50。なお、マグネシウムビスt-ブチルイソプロピルアミドは以下の物性値で示される新規な化合物であった。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;2.991H,sept,6.6Hz、1.149H,s、0.996H,d,6.6Hz実施例4方法B;マグネシウムビスt-ブチル-t-ペンチルアミド化合物10の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、t-ブチル-t-ペンチルアミン1.1g8.0mmol及びヘプタン15mlを加え、液温を25°C付近に維持しながら1.6mol/lのn-ブチルリチウムへキサン溶液5.0ml8.0mmolをゆるやかに滴下し、攪拌しながら25°Cで2時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮して、リチウム-t-ブチル-t-ペンチルアミド1.1gを得た単離収率;90。次いで、攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに塩化マグネシウム0.16g1.7mmol及びテトラヒドロフラン10mlを加え、液温を25°C付近に維持しながらリチウム-t-ブチル-t-ペンチルアミド0.51g3.4mmolのテトラヒドロフラン溶液10mlをゆるやかに滴下し、攪拌しながら25°Cで8時間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮した後に、ヘキサン20mlを加えて攪拌した後に濾過した。濾液を減圧下で濃縮し、淡黄色固体として、マグネシウムビスt-ブチル-t-ペンチルアミド0.31gを得た単離収率;60。なお、マグネシウムビスt-ブチル-t-ペンチルアミドは以下の物性値で示される新規な化合物であった。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;1.444H,q,7.3Hz、1.2018H,s、1.1212H,s、0.856H,t,7.3Hz融点;170°C以上実施例5蒸着実験;マグネシウム含有薄膜の製造実施例1で得られたマグネシウムビスt-ブチルメチルアミド化合物6を用いて、CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着実験には、図1に示す装置を使用した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。蒸着条件マグネシウム原料;マグネシウムビスt-ブチルメチルアミド化合物6気化温度;100°CHeキャリアー流量;100sccm酸素流量;10sccm基板材料;SiO2/Si基板温度;300°C反応系内圧力;1.33kPa蒸着時間;30分膜特性XPSdepth測定膜厚;50nm以上XPS分析;マグネシウム酸化膜炭素含有率;検出されず窒素含有率;検出されず図1に示す装置は以下のような構造となっている。恒温槽8によって一定の温度に保たれたマグネシウム原料容器気化器7にあるマグネシウム化合物は加熱されて気化し、マスフローコントローラー4を経て導入されたヘリウムガスに同伴して原料容器7を出る。原料容器7を出たガスは、マスフローコントローラー5を経て導入されたヘリウムガスと共に反応器9に導入される。一方、反応器9には、反応ガスである酸素ガスもマスフローコントローラー6を経て導入される。反応系内圧力は、圧力計12によってモニターされ、真空ポンプ14手前のバルブの開閉により、所定圧力にコントロールされる。反応器9の中央部はヒーター11で加熱可能な構造となっている。反応器9に導入されたマグネシウム化合物は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター11で所定の温度に加熱された基板10の表面上で酸化熱分解し、基板10上にマグネシウム含有薄膜が形成される。反応器9を出たガスは、トラップ13、真空ポンプ14を経て、大気中に排気される。比較例1蒸着実験;マグネシウム含有薄膜の製造ビスシクロペンタジエニルマグネシウムを用いて、実施例5と同様にCVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。なお、各種条件を調整して原料の供給量を実施例5と揃えて蒸着実験を行った。蒸着条件マグネシウム原料;ビスシクロペンタジエニルマグネシウム気化温度;30°CHeキャリアー流量;10sccm希釈He流量;90sccm酸素流量;10sccm基板材料;SiO2/Si基板温度;300°C反応系内圧力;10Torr約1.33kPa蒸着時間;30分膜特性XPSdepth測定膜厚;50nm以上XPS分析;マグネシウム酸化膜炭素含有率;30炭素原子換算窒素含有率;検出されずそもそも原料に窒素原子が存在しない以上の結果から、本発明のマグネシウムビスジアルキルアミド化合物を用いることにより、炭素原子や窒素原子等の不純物を含まない高品質のマグネシウム含有薄膜マグネシウム酸化膜を製造することができることが判明した。"