所定の波長域に渡り分光された光の波長を検出する受光装置であって、ホトデテクターと、該ホトデテクターに入光する光を規制する開孔を有するマスクを備えた受光手段と、光を波長域に渡り分光した回折光を該受光手段に向ける回折格子と、該回折格子を作動し波長域に渡り分光した回折光を選択的に該マスクの開孔に位置付ける作動手段と、該回折格子の作動位置を検出する位置検出手段と、を具備している、ことを特徴とする受光装置。上記特許文献1に記載された高さ計測装置は、被加工物に照射された光の反射光の波長を検出するためにラインイメージセンサーが用いられている。しかるに、ラインイメージセンサーは高価であり、計測装置全体のコストアップの要因となっている。本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ラインイメージセンサーと同等の機能を有する比較的安価な受光装置を提供することである。上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、所定の波長域に渡り分光された光の波長を検出する受光装置であって、ホトデテクターと、該ホトデテクターに入光する光を規制する開孔を有するマスクを備えた受光手段と、光を波長域に渡り分光した回折光を該受光手段に向ける回折格子と、該回折格子を作動し波長域に渡り分光した回折光を選択的に該マスクの開孔に位置付ける作動手段と、該回折格子の作動位置を検出する位置検出手段と、を具備している、ことを特徴とする受光装置が提供される。本発明による受光装置は、ラインイメージセンサーと比較して安価なホトデテクターおよびホトデテクターに入光する光を規制する開孔を有するマスクを備えた受光手段と、光を波長域に渡り分光した回折光を受光手段に向ける回折格子と、回折格子を作動し波長域に渡り分光した回折光を選択的に該マスクの開孔に位置付ける作動手段と、回折格子の作動位置を検出する位置検出手段とからなっているので、比較的安価に構成することができる。以下、本発明に従って構成された受光装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図1には、本発明に従って構成された受光装置を装備した高さ計測装置のブロック構成図が示されている。図1に示す高さ計測装置1は、白色光を発光する白色光源2と、該白色光源2が発光した光が有する各波長を回折する回折手段3と、該回折手段3によって回折された光の中央部を遮蔽して光を環状に形成するマスク手段4と、該マスク手段4によって形成された環状の光の像をリレーするリレーレンズ5と、該リレーレンズ5によって伝達された環状の光を集光して例えばレーザー加工装置のチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wに照射する対物レンズ6と、上記マスク手段4とリレーレンズ5との間に配設され被加工物に照射された白色光の反射光を分光するビームスプリッター7を具備している。上記白色光源2は、白色灯や発光ダイオードLED等を用いることができる。上記回折手段3は、第1の色収差レンズ31と、該第1の色収差レンズ31と光軸上に所定の間隔を置いて配設された第2の色収差レンズ32とによって構成されている。回折手段3を構成する第1の色収差レンズ31および第2の色収差レンズ32は、それぞれグラディウムレンズ等の色収差を有するレンズからなり、光の波長によって屈折率が異なる。回折手段3を構成する第1の色収差レンズ31は、光軸上に上記白色光源2から入光する白色光の各波長に対する焦点を形成する。回折手段3を構成する第2の色収差レンズ32は、第1の色収差レンズ31によって各波長に対する焦点を通過し拡がった光を略平行波長によって拡がり角が異なるな光束に形成する。このように第1の色収差レンズ31と第2の色収差レンズ32とによって構成された回折手段3は、白色光源2が発光した白色光の波長を光軸側から外側に向けて順次短くなるように回折する。上記マスク手段4は、図1および図2に示すようにガラス板等の透明坂41からなり、その表面中央部に光を遮蔽する円形の遮蔽マスク411が形成されている。なお、光を遮蔽する円形の遮蔽マスク411は、例えば、800nmより長い波長の光を遮蔽する大きさに設定されている。このように構成されたマスク手段4は、円形の遮蔽マスク411が回折手段3を通過する光の光軸上に配設される。従って、回折手段3を通過した光は、800nmより長い波長の光が円形の遮蔽マスク411によって遮断され、800nm以下の波長の光がマスク手段4を通過することにより環状の光に形成される。上記リレーレンズ5は、上述したようにマスク手段4によって形成された環状の光の像を対物レンズ6までリレーする。上記対物レンズ6は、該リレーレンズ5によって伝達された環状の光を集光してチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wに照射する。この対物レンズ6によって集光される環状の光は、図3に示すように800nmより長い波長の光が上述したように円形の遮蔽マスク411によって遮断されているので、800nm以下の波長の光が集光される。この800nm以下の波長の光は、回折手段3によって波長の短い光が外側に回折されているので光軸に近い長い波長の光の集光距離が短く、光軸から遠い短い波長の光の集光距離が長くなる。なお、上記マスク手段4とリレーレンズ5および対物レンズ6の位置関係は、図1に示すようにマスク手段4からリレーレンズ5までの距離を、リレーレンズ5から対物レンズ6までの距離を、リレーレンズ5の焦点距離をとすると、=の関係を満たす位置に設定される。上記ビームスプリッター7は、上記マスク手段4を通過した環状の光を実線で示すようにリレーレンズ5に向けて透過せしめるとともに、チャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wで反射した反射光を破線で示すように90度の角度で反射し分光せしめる。上記ビームスプリッター7によって分光された反射光は、光軸を通る波長の反射光を通過させる光分別手段8を通して受光装置10に至る。光分別手段8は、第1の集光レンズ81とマスク82および第2の集光レンズ83とからなっている。第1の集光レンズ81はアクロマテックレンズ等の色収差のないレンズからなり、ビームスプリッター7によって分光された反射光を集光せしめる。マスク82は、第1の集光レンズ81の集光点位置に配設され第1の集光レンズ81によって集光された反射光が通過するピンホール821を備えている。なお、ピンホール821は、直径が10~100μmでよい。第2の集光レンズ83はアクロマテックレンズ等の色収差のないレンズからなり、マスク82のピンホール821を通過した反射光を集光し、受光装置10に向けて照射する。受光装置10について、図1および図4を参照して説明する。図1および図4に示す受光装置10は、回折格子11と、該回折格子11を分光方向に作動する作動手段12と、該回折格子11の作動位置を検出する位置検出手段13と、該回折格子11によって回折された回折光を受光する受光手段14を具備している。回折格子11は光分別手段8を構成する第2の集光レンズ83によって集光された反射光を回折光に変換し、所定の波長域に渡り分光する。回折格子11を分光方向に作動する作動手段12は、静止基台121と、該静止基台121上に上記回折格子11によって回折された回折光の分光方向に沿って配設された一対の案内レール122、122と、該一対の案内レール122、122に沿って移動可能に配設され上記回折格子11を支持する移動基台123と、一対の案内レール122と122の間に平行に配設された雄ネジロッド124と、該雄ネジロッド124を回転駆動するためのパルスモータ125等の駆動源を含んでいる。移動基台123の下面には上記一対の案内レール122、122と嵌合する一対の被案内溝123a、123aが設けられており、この一対の被案内溝123a、123aを一対の案内レール122、122に嵌合することにより、移動基台123は案内レール122、122に沿って移動可能に支持される。上記雄ネジロッド124は、その一端が上記静止基台121に固定された軸受ブロック126に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ125の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド124は、移動基台123の中央部下面に突出して設けられた雌ネジブロック123bに形成された貫通雌ネジ穴123cに螺合されている。従って、パルスモータ125によって雄ネジロッド124を正転および逆転駆動することにより、回折格子11が配設された移動基台123は案内レール122、122に沿って移動せしめられる。このように構成された作動手段12は、回折格子11が配設された移動基台123を案内レール122、122に沿って移動することにより、波長域に渡り分光した回折光を選択的に後述する受光手段14のマスクに形成された開孔に位置付ける。上記回折格子11の作動位置を検出する位置検出手段13は、上記静止基台121に一対の案内レール122、122に沿って配設されたリニアスケール131と、上記移動基台123に配設され移動基台123とともにリニアスケール131に沿って移動する読み取りヘッド132とからなっている。この位置検出手段13の読み取りヘッド132は、図示の実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を制御手段20に送る。そして制御手段20は、入力したパルス信号をカウントすることにより、基準位置からのパルス数に対応して設定された回折光の波長を求める。なお、上記作動手段12の駆動源としてパルスモータ125を用いた場合には、パルスモータ125に駆動信号を出力する制御手段20の駆動パルスをカウントすることにより、回折格子11の作動位置を検出することもできる。上記回折格子11によって回折された回折光を受光する受光手段14は、ケース141と、該ケース141内に配設されたホトデテクター142と、該ホトデテクター142に入光する光を規制する開孔143aを有するマスク143とからなっている。このように構成された受光手段14は、開孔143aを有するマスク143側が回折格子11に対向して配置される。上述した高さ計測装置1の作用について説明する。上記白色光源2が発光した白色光は、図1において実線で示すように回折手段3を構成する第1の色収差レンズ31に入光する。第1の色収差レンズ31は、光軸上に白色光源2から入光した白色光の各波長に対する焦点を形成する。このようにして光軸上に各波長に対応した焦点が形成された光は第2の色収差レンズ32に入光し、第2の色収差レンズ32は第1の色収差レンズ31によって各波長に対する焦点を通過し拡がった光を略平行波長によって拡がり角が異なるな光束に形成する。このように第1の色収差レンズ31と第2の色収差レンズ32とによって構成された回折手段3は、白色光源2が発光した白色光の波長を光軸側内側から外側に向けて順次短くなるように回折する。このようにして回折手段3によって回折された白色光は、マスク手段4によって例えば800nmより長い波長の光が円形の遮蔽マスク411によって遮断され、800nm以下の波長の光が環状の光に形成される。上述したようにマスク手段4によって例えば800nmより長い波長の光が円形の遮蔽マスク411によって遮断され、800nm以下の波長の光が環状に形成された光はビームスプリッター7を透過してリレーレンズ5に入光し、リレーレンズ5は環状の光の像を対物レンズ6までリレーする。対物レンズ6は、リレーレンズ5によって伝達された環状の光を集光してチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wに照射する。この対物レンズ6によって集光される環状の光は、図3に示すように800nmより長い波長の光が上述したように円形の遮蔽マスク411によって遮断されているので、800nm以下の波長の光が集光される。この800nm以下の波長の光は、光軸に近い長い波長の光ほど集光距離が短く、光軸から遠い短い波長の光ほど集光距離が長い。従って、被加工物Wに照射された白色光は被加工物Wの上面で反射するが、このうち被加工物Wの上面に集光点が合致した波長の光が最も小さい直径で反射する。被加工物Wの上面で反射した集光点が合致した波長の反射光は、破線で示すように対物レンズ6およびリレーレンズ5を通り、ビームスプリッター7によって分光され、光分別手段8を構成する第1の集光レンズ81に入光する。第1の集光レンズ81に入光した反射光は、集光されマスク82のピンホール821を通過し、更に第2の集光レンズ83によって再度集光されて受光装置10を構成する回折格子11に至る。なお、被加工物Wの上面に集光点が合致しない波長の反射光は直径が大きいため、第1の集光レンズ81によって集光されてもマスク82によって遮断されピンホール821を通過する量はほんの僅かとなる。回折格子11に到達した反射光は、波長に対応した回折光に変換され受光手段14に向けて分光される。図1に示す実施形態においては波長が300nmの回折光は1点鎖線で示され、波長が500nmの回折光は破線で示されており、波長が700nmの回折光は2点鎖線で示されている。上述したように回折格子11によって回折された回折光の波長を検出するために、受光装置10の作動手段12を作動して回折格子11が配設された移動基台123を図1に示す基準位置から一対の案内レール122、122に沿って左方に移動せしめる。この移動基台123が移動する際に、移動基台123に配設された回折格子11の作動位置を検出する位置検出手段13の読み取りヘッド132はリニアスケール131に沿っての移動に伴うパルス信号を制御手段20に送る。そして、図5のに示すように回折格子11によって回折された回折光の波長が300nmの場合には、回折格子11が配設された移動基台123がリニアスケール131上に設定された300nmに対応する位置に移動したとき、波長が300nmの回折光は受光手段14のマスク143に形成された開孔143aを通してホトデテクター142に達する。このようにして、マスク143の開孔143aを通過した光を受光したホトデテクター142は、受光信号を制御手段20に送る。制御手段20は、ホトデテクター142が受光信号を発信した時点までの上記読み取りヘッド132からのパルス数をカウントし、カウントされたパルス数に基づいて上記反射光の波長を求める。図5のに示す実施形態においては、制御手段20は上記リニアスケール131上に設定された300nmに対応する位置までのパルス数に対応するとして、上記反射光の波長が300nmであると判定する。次に、図5のに示すように回折格子11によって回折された回折光の波長が500nmの場合には、回折格子11が配設された移動基台123がリニアスケール131上に設定された500nmに対応する位置に移動したとき、波長が500nmの回折光は受光手段14のマスク143に形成された開孔143aを通してホトデテクター142に達する。このようにして、マスク143の開孔143aを通過した光を受光したホトデテクター142は、受光信号を制御手段20に送る。制御手段20は、ホトデテクター142が受光信号を発信した時点までの上記読み取りヘッド132からのパルス数をカウントし、カウントされたパルス数に基づいて上記反射光の波長を求める。図5のに示す実施形態においては、制御手段20は上記リニアスケール131上に設定された500nmに対応する位置までのパルス数に対応するとして、上記反射光の波長が500nmであると判定する。また、図5のに示すように回折格子11によって回折された回折光の波長が700nmの場合には、回折格子11が配設された移動基台123がリニアスケール131上に設定された700nmに対応する位置に移動したとき、波長が700nmの回折光は受光手段14のマスク143に形成された開孔143aを通してホトデテクター142に達する。このようにして、マスク143の開孔143aを通過した光を受光したホトデテクター142は、受光信号を制御手段20に送る。制御手段20は、ホトデテクター142が受光信号を発信した時点までの上記読み取りヘッド132からのパルス数をカウントし、カウントされたパルス数に基づいて上記反射光の波長を求める。図5のに示す実施形態においては、制御手段20は上記リニアスケール131上に設定された700nmに対応する位置までのパルス数に対応するとして、上記反射光の波長が700nmであると判定する。上述したように上記反射光の波長を求めたならば、制御手段20は、反射光の波長に基いて対物レンズ6から照射される光の波長に対する焦点距離を求めることにより、チャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置を求める。即ち、御手段20は、図6に示すように対物レンズ6によって集光される光の波長と焦点距離との関係を設定した制御マップを格納するメモリを備えている。そして、制御手段20は、メモリに格納された図6に示す制御マップを参照して上記受光装置10を構成する位置検出手段13の読み取りヘッド132から送られるパルス数に基づいて求められる上記反射光の波長に対応した焦点距離を求める。従って、対物レンズ6から焦点距離に対応する位置がチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置となる。例えば、図6に示す制御マップにおいては上記受光装置10を構成する位置検出手段13の読み取りヘッド132から送られたパルス信号に基づいて求められた上記反射光の波長が500nmである場合に対物レンズ6の焦点距離例えば、29.4mmであり、チャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置は対物レンズ6から29.4mm下方位置となる。図示の実施形態においては、白色光の300nm~700nmまでの波長においては例えば100nm毎の集光点の間隔が5μmとなっており、上記読み取りヘッド132送られたパルス信号に基づいて求められた上記反射光の波長が400nmである場合にはチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置は対物レンズ6から29.395mm下方位置となり、上記受光装置10を構成する位置検出手段13の読み取りヘッド132から送られたパルス信号に基づいて求められた上記反射光の波長が300nmである場合にはチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置は対物レンズ6から29.390mm下方位置となる。一方、上記読み取りヘッド132から送られたパルス信号に基づいて求められた上記反射光の波長が600nmである場合にはチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置は対物レンズ6から29.405mm下方位置となり、上記読み取りヘッド132から送られたパルス信号に基づいて求められた上記反射光の波長が700nmである場合には、チャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置は対物レンズ6から29.410mm下方位置となる。このように、図示の実施形態における高さ計測装置1においては、対物レンズ6によって集光される白色光の各波長の集光点は一次直線的に変化するので、対物レンズ6からチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面までの距離、即ちチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置を正確に計測することができる。次に、本発明に従って構成された受光装置の他の実施形態について、図7および図8を参照して説明する。なお、図7および図8に示す受光装置100においては、回折格子11を分光方向に作動する作動手段以外の構成は上記受光装置10と実質的に同一であるため、同一部材には同一符号を付してその説明は省略する。図7および図8に示す受光装置100は、回折格子11と、該回折格子11を分光方向に作動する作動手段120と、該回折格子11によって回折された回折光を受光する受光手段14を具備しており、回折格子11を分光方向に作動する作動手段120が回折格子11の設置角度を調整する角度調整手段としてのガルバノスキャナー126からなっている。このように構成された受光装置100においては、上記制御手段20はガルバノスキャナー126を基準位置から作動し、回折格子11によって回折された回折光が受光手段14を構成するマスク143の開孔143aを通して入光し、ホトデテクター142が受光した時点までのガルバノスキャナー126に対する駆動パルスをカウントすることにより、回折格子11の作動位置を検出し、駆動パルス数に対応する波長を求める。従って、図7および図8に示す受光装置100における作動手段120を構成するガルバノスキャナー126およびガルバノスキャナー126に対する駆動パルスをカウントする制御手段20は回折格子11の作動位置を検出する位置検出手段として機能する。以上のように本発明に従って構成された受光装置は、ラインイメージセンサーと比較して安価なホトデテクターおよびホトデテクターに入光する光を規制する開孔を有するマスクを備えた受光手段と、光を波長域に渡り分光した回折光を受光手段に向ける回折格子と、回折格子を作動し波長域に渡り分光した回折光を選択的に該マスクの開孔に位置付ける作動手段と、回折格子の作動位置を検出する位置検出手段とからなっているので、比較的安価に構成することができる。