処理チャンバの内壁に堆積した堆積膜を除去するクリーニングガスを、前記処理チャンバの供給管からの前記クリーニングガスの単位時間当たりの供給量が、前記処理チャンバの排気管からの前記クリーニングガスの単位時間当たりの排気量よりも多くなるよう、前記供給管を介して供給し、不活性ガスを供給することにより、前記供給管内を前記不活性ガスで満たすことを含む半導体製造装置のクリーニング方法。さらに、前記排気管から前記クリーニングガス及び前記不活性ガスを排出することで、前記処理チャンバ内を真空にすることを含む請求項1に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。前記供給管を介して前記クリーニングガスを供給する処理と、前記供給管内を前記不活性ガスで満たす処理と、前記処理チャンバ内を真空にする処理を、所定のクリーニング時間内で前記堆積膜の膜厚に応じて複数回繰り返す請求項2に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。前記供給管を介して前記クリーニングガスを供給する処理は、前記排気管に設けられた排気バルブを閉じた状態で、前記処理チャンバ内に前記クリーニングガスを供給すること、又は前記排気バルブを開いた状態で、前記処理チャンバ内に前記クリーニングガスを供給した後に、前記排気バブルを閉じることで行われ、前記供給管内を前記不活性ガスで満たす処理は、前記排気バルブを閉じた状態で行われ、前記処理チャンバ内を真空にする処理は、前記排気バルブを開いた状態で行われる請求項2又は3に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。前記排気管は、内壁面が、前記クリーニングガスでエッチングされる保護膜でコーティングされている請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。前記クリーニングガスは、ハロゲンガスを含有する請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。処理チャンバの内壁に堆積した堆積膜を除去するクリーニングガスを、前記処理チャンバの供給管からの前記クリーニングガスの単位時間当たりの供給量が、前記処理チャンバの排気管からの前記クリーニングガスの単位時間当たりの排気量よりも多くなるよう、前記供給管を介して供給するクリーニングガス供給部と、不活性ガスを供給することにより、前記供給管内を前記不活性ガスで満たす不活性ガス供給部と、を備える半導体製造装置。請求項7に記載の複数の半導体製造装置と、前記複数の半導体製造装置の前記クリーニングガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、を備える管理システム。本発明の目的は、処理チャンバの内壁に堆積する堆積膜を除去するためのクリーニングガスの使用量を削減する半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置、及び管理システムを提供することにある。本発明の一態様は、処理チャンバの内壁に堆積した堆積膜を除去するクリーニングガスを、前記処理チャンバの供給管からの前記クリーニングガスの単位時間当たりの供給量が、前記処理チャンバの排気管からの前記クリーニングガスの単位時間当たりの排気量よりも多くなるよう、前記供給管を介して供給し、不活性ガスを供給することにより、前記供給管内を前記不活性ガスで満たすことを含む半導体製造装置のクリーニング方法である。本発明の他の一態様は、処理チャンバの内壁に堆積した堆積膜を除去するクリーニングガスを、前記処理チャンバの供給管からの前記クリーニングガスの単位時間当たりの供給量が、前記処理チャンバの排気管からの前記クリーニングガスの単位時間当たりの排気量よりも多くなるよう、前記供給管を介して供給するクリーニングガス供給部と、不活性ガスを供給することにより、前記供給管内を前記不活性ガスで満たす不活性ガス供給部と、を備える半導体製造装置である。本発明によれば、処理チャンバの内壁に堆積する堆積膜を除去するためのクリーニングガスの使用量を削減することができる。本発明の実施の形態を、図面に基づいて説明する。[第1の実施の形態]半導体製造装置の構成図1a~cは、第1の実施の形態に係る半導体製造装置の処理チャンバの要部断面図である。この半導体製造装置1は、例えば、半導体基板上に薄膜を形成する成膜装置である。このような成膜装置の例としては、CVDChemicalVaporDeposition法により薄膜を形成するCVD装置が挙げられる。半導体製造装置1は、例えば、図1aに示すように、処理チャンバ10と、供給部11と、供給管12と、供給バルブ14と、排気管16と、排気バルブ18と、排気部19と、を備えて概略構成されている。処理チャンバ10は、例えば、SiO2石英からなる。半導体製造装置1は、例えば、半導体基板上に薄膜を形成する処理を繰り返すことで、この処理チャンバ10の内壁102に、薄膜の材料を主成分とする堆積膜3が堆積する。この堆積膜3は、処理チャンバ10内で成膜する膜によって異なるが、例えば、シリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物等の、Si原子を含有する膜である。また、堆積膜3は、例えば、アルミナAl2O3等の金属酸化膜であっても良い。処理チャンバ10には、例えば、供給管12と排気管16が接続されている。この供給管12と排気管16は、例えば、処理チャンバ10と一体となって製造されたものであるとする。供給管12には、供給バルブ14が設けられている。この供給バルブ14は、供給部11から供給されたガスを処理チャンバ10内に通したり、遮断したりするように構成されている。供給部11は、例えば、クリーニングガス4や不活性ガス6等の所望のガスを処理チャンバ10内に供給できるように構成されている。供給部11は、本開示のクリーニングガス供給部及び不活性ガス供給部の例である。クリーニングガス4は、例えば、ハロゲンガスを含有するガスが用いられる。本実施の形態における堆積膜3はSi原子を含有する膜であるので、クリーニングガス4は、例えば、フッ素ガスを含有するガスが用いられる。クリーニングガス4は、例えば、ハロゲンガスのほか、希ガスやN2窒素ガス等の希釈ガスを含有する混合ガスである。排気管16には、排気バルブ18が設けられている。この排気バルブ18は、処理チャンバ10内のガスを通したり、遮断したりするように構成されている。この排気管16には、例えば、排気部19が接続されている。排気部19は、例えば、この排気管16から処理チャンバ10内のガスを排出することにより、処理チャンバ10内を真空にすることができるように構成されている。以下に、本実施の形態の半導体製造装置のクリーニング方法の一例について説明する。半導体製造装置のクリーニング方法図2は、第1の実施の形態に係る処理チャンバ内の圧力Pと時間tの関係を示すグラフであり、図3は、第1の実施の形態に係る不活性ガスを利用したクリーニング方法に関するフローチャートである。堆積膜3としてのSi3N4膜が、処理チャンバ10の内壁102に100nm堆積している場合について説明する。まず、供給バルブ14を閉じた状態、排気バルブ18を開いた状態にし、排気部19により処理チャンバ10内を真空にするS1;真空処理。図2の時間t1は、処理チャンバ10内が真空となった後、クリーニングガス4の供給が開始される時間を示している。次に、図1aに示すように、供給バルブ14を開いた状態、排気バルブ18を閉じた状態又は少し開いた状態にし、供給部11から送出されたクリーニングガス4及び不活性ガス6を、所定の圧力P1図2参照となるまで処理チャンバ10内に供給するS2。具体的には、クリーニングガス4としてF2/HFガスを2slmStandardliterminの流量で供給する。また、クリーニングガス4及び不活性ガス6を、所定の圧力として200torrとなるまで処理チャンバ10内に供給する。クリーニングガス4及び不活性ガス6の供給は、図2に斜線で示すように、時間t1~t2まで行われるただし、クリーニングガス4の供給は、時間t2で終了するのに対し、不活性ガス6の供給は、さらに時間t3まで継続される。不活性ガス6の供給は、ガス排気の際にガスの流れを生じさせるために、時間t3以降も継続してもよい。図2には、不活性ガス6の供給を時間t4まで継続させた様子が示されている。なお、S2において、クリーニングガス4は、供給管12からのクリーニングガス4の単位時間当たりの供給量が、排気管16からのクリーニングガス4の単位時間当たりの排気量よりも多くなるよう供給される。これにより、処理チャンバ10内のクリーニングガス4の量は、時間の経過と共に増加していくこととなる。なお、排気バルブ18を閉じた状態でクリーニングガス4を供給する場合には、排気量がゼロとなるため、供給量は当然に排気量よりも多くなる。一方、排気バルブ18を開いた状態でクリーニングガス4を供給する場合には、供給量が排気量よりも多くなるよう、クリーニングガス4の供給及び排気を調整する必要がある。なお、排気量は、供給量に比べ無視できる程度に少なく設定することがより望ましい即ち、排気量<<供給量。次に、処理チャンバ10内が所定の圧力P1となった後、供給バルブ14を閉じた状態又は少し開いた状態にすることで、クリーニングガス4を処理チャンバ10内に留まらせるS3。このクリーニングガス4の供給を停止してから排出を開始するまでの時間t2~t3は、一例として、1分間である。なお、排気バルブ18を少し開けた状態でS2の処理を行う場合には、S3の処理にて排気バルブ18を閉じる。次に、図1bに示すように、供給管12内にクリーニングガス4が留まらないように、供給部11から不活性ガス6を供給して供給管12内をクリーニングガス4で満たすS4。供給部11による不活性ガス6の供給は、例えば、供給バルブ14を少し開けた状態で行われる。一方、排気バルブ18は、閉じた状態に維持する。不活性ガス6は、半導体製造装置1がプラズマCVD装置の場合には、例えば、Heヘリウムガス、Neネオンガス、Arアルゴンガス等のガスが用いられる。また、半導体製造装置1がLPLowPressure-CVD装置の場合には、不活性ガス6として、例えば、N2窒素ガス等のガスが用いられる。本実施の形態では、不活性ガス6としてArガス又はN2ガスを用いる。図2に示すΔPaは、Arガス又はN2ガスの供給により、上昇した処理チャンバ10内の圧力である。なお、不活性ガス6は、例えば、CDACleanDryAirでも良い。クリーニングガス4は、処理チャンバ10の内壁102に堆積する堆積膜3をエッチングする。処理チャンバ10内に供給するクリーニングガス4の量や留まらせておく時間滞留時間t2~t3は、例えば、堆積膜3の膜種や膜厚、クリーニングガス4による堆積膜3のエッチングレート等から設定され、また、クリーニングガス4による処理チャンバ10の内壁102のエッチングを抑制すべく、堆積膜3と内壁102とのエッチング選択比が大きくなるよう設定される。クリーニングガス4は、半導体製造装置1がプラズマCVD装置の場合には、例えば、NF3三フッ化窒素ガスを含有するガスが用いられる。また、半導体製造装置1がLP-CVD装置の場合には、クリーニングガス6として、例えば、F2フッ素ガス、HFフッ化水素ガスを含有するガスが用いられる。次に、図1cに示すように、所定の時間が経過した後、排気バルブ18を開け、排気部19によって処理チャンバ10内のガスを排出しS5、処理チャンバ10のクリーニングを終了する。図2に示す時間t3~t5は、処理チャンバ10内を真空にするためにガスを排出している時間であり、排出時間t5は、処理チャンバ10内のガスが完全に排出されて、再び、処理チャンバ10内が真空となった時間を示している。なお、S5の処理を行う際、供給バルブ14は、閉じた状態でも少し開いた状態でも構わない。また、ステップ2からステップ5まで、すなわち、時間t1~t5までのクリーニング時間は、一例として、1分半程度である。以下に、本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法を用いた半導体装置の製造方法の一例について説明する。半導体装置の製造方法まず、シリコンが主成分の半導体基板を用意し、熱酸化法等によって半導体基板上にシリコン酸化膜SiO2を形成する。次に、上記の半導体製造装置のクリーニング方法にて処理チャンバ10内の堆積膜3を除去した半導体製造装置1を用いたCVD法により、シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜Si3N4を形成する。次に、フォトリソグラフィ法及びRIEReactiveIonEtching法等により、シリコン窒化膜を所望のパターンにパターニングする。次に、周知の工程を経て所望の半導体装置を得る。ここで、シリコン窒化膜を形成する工程において、所定の膜厚以上の堆積膜3が処理チャンバ10内に堆積していた場合は、上記の半導体製造装置のクリーニング方法を行って処理チャンバ10内の堆積膜3の除去を行う。第1の実施の形態の効果本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法によれば、クリーニングガス4の使用量を削減することができる。クリーニングガス4を処理チャンバ10内に留まらせた場合と留まらせずにクリーニングを行った場合を比較すると、例えば、クリーニングガス4の使用量とクリーニング時間が同じとき、クリーニングガス4を留まらせたクリーニングの方がより多くの堆積膜3をエッチングすることができる。また、上記のクリーニング方法によれば、クリーニングガス4を留まらせることで、クリーニングガス4の圧力が低い状態でも厚い堆積膜3を除去することができる。クリーニングガス4の使用量が少ないので、半導体装置の製造にかかるコストを削減することができる。本発明者らの実験によると、本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法によれば、クリーニングガス4を処理チャンバ10内に留まらせずにクリーニングを行った場合と比較して、クリーニングガス4の使用量を約10分の1にまで減らすことが可能となった。また、クリーニングガスを処理チャンバ内に留まらせる従来の方法では、堆積膜が形成されていない、又は処理チャンバ内の堆積膜の膜厚よりも薄い堆積膜が堆積した供給管の内壁がエッチングされてしまう可能性がある。しかし、本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法によれば、供給管12内を不活性ガス6で満たすので、供給管12の内壁をエッチングされることがない。さらに、本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法によれば、処理チャンバ内にクリーニングガスを留まらせずに流し続けて行うクリーニング方法と比べて、クリーニングガス4の使用量を削減し、尚且つ、スループットが向上し、半導体装置の製造にかかる時間TAT;TurnAroundTimeを短縮することができる。またさらに、本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法によれば、処理チャンバ10の内壁102に堆積膜3が堆積していない状態で半導体装置の製造を行うことができるので、処理チャンバ10内の内壁102から剥がれ落ちた堆積膜3による半導体基板の汚染が防止され、歩留まりが向上する。[第2の実施の形態]第2の実施の形態は、所定のクリーニング時間Tを変えずに、堆積膜の膜厚に応じてクリーニングの回数を増やす点で第1の実施の形態と異なっている。なお、以下の各実施の形態について第1の実施の形態と同様の構成及び機能を有する部分は、第1の実施の形態と同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。図4aは、クリーニングガスを1回、処理チャンバに供給した場合の処理チャンバ内の圧力Pと時間tの関係を示すグラフである。図4bは、図4aと同じクリーニング時間内に2回のクリーニングを行う場合のグラフである。図5は、第2の実施の形態に係るクリーニングの回数を増やす場合のフローチャートである。堆積膜3としてのSi3N4膜が、処理チャンバ10の内壁102に5000nm堆積している場合について説明する。なお、時間t20~t24のクリーニング時間Tは、処理チャンバ10内の圧力をP2として、1回のクリーニングで堆積膜3を除去する際のクリーニング時間所定のクリーニング時間を示している。また、図4aに示すΔPbは、Arガス又はN2ガスの供給により、上昇した処理チャンバ10内の圧力である。さらに、図4bに示すΔPcは、Arガス又はN2ガスの供給により、上昇した処理チャンバ10内の圧力である。P3とΔPcは、図4bに示すように、例えば、1回目のクリーニングと2回目のクリーニングで同じ値となっているが、これに限定されず異なっていても良い。ステップ10からステップ14までは、処理チャンバ10内の圧力をP3として第1の実施の形態のステップ1からステップ5までと同様に行われる。ただし、第2の実施の形態における時間t30~t34は、第1の実施の形態における時間t1~t5と比べて短くなっている。次に、ステップ10~ステップ14までを所定の回数実施しS15、半導体製造装置1のクリーニングを終了する。本実施の形態では、所定の回数を2回として、時間t35~t39間に、ステップ10~ステップ14までの工程を行っている。具体的には、半導体製造装置1は、例えば、堆積膜3の膜厚に応じたクリーニングガス4の最適滞留時間、クリーニングガス4の最適滞留ガス量、及び最適滞留回数等の設定値を、実験やシミュレーションによって予め求めておき、測定された堆積膜3の膜厚に応じた設定値に従って処理チャンバ10内のクリーニングを行う。なお、設定値は、外部装置から取得されたものでも良い。第2の実施の形態の効果本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法によれば、堆積膜3の膜厚が厚い場合であっても、複数回のクリーニングを行うことで、所定のクリーニング時間やTATを変えずに、堆積膜3を除去することができる。また、上記のクリーニング方法によれば、クリーニングを繰り返さない場合と比べて、クリーニングガス4の使用量を増やすことで、所定のクリーニング時間を短縮することも可能となる。[第3の実施の形態]第3の実施の形態は、供給管12内に不活性ガス6を供給しない点で、上記の各実施の形態と異なっている。このクリーニング方法は、例えば、供給管12が、クリーニングガス4によってエッチングされない材料で形成されている場合等に有効である。例えば、クリーニングガス4として、F2、HF、NF3の少なくともいずれかを含有するガスを使用する場合には、クリーニングガス4によってエッチングされない材料の例として、アルミニウムやアルミナが挙げられる。この場合、供給管12は、その全体がアルミニウム又はアルミナで形成されていてもよいし、その内壁面のみがアルミニウム又はアルミナで形成されていてもよい。図6a~cは、第3の実施の形態に係る半導体製造装置の処理チャンバの要部断面図である。図7は、第3の実施の形態に係る不活性ガスを用いない場合のフローチャートである。まず、供給バルブ14を閉じ、排気バルブ18を開いた後、排気部19により処理チャンバ10内を真空にしS20、次に、図6aに示すように、供給バルブ14を開き、排気バルブ18を閉じて、供給部11により供給管12を介してクリーニングガス4を処理チャンバ10内に供給するS21。次に、処理チャンバ10内の圧力が所定の圧力に達した後、供給バルブ14を閉じて、図6bに示すように、処理チャンバ10内にクリーニングガス4を留まらせるS22。次に、所定の時間が経過した後、図6cに示すように、排気バルブ18を開いて、処理チャンバ10内のガスを排出しS23、半導体製造装置1のクリーニングを終了する。第3の実施の形態の効果本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法によれば、不活性ガス6を供給管12に供給する場合に比べて、半導体装置の製造にかかるコストを削減することができる。[第4の実施の形態]第4の実施の形態は、供給管12内に不活性ガス6を供給しないでクリーニングを繰り返す点で、上記の各実施の形態と異なっている。このクリーニング方法は、例えば、供給管12が、クリーニングガス4によってエッチングされない材料で形成されている場合等に有効である。図8は、第4の実施の形態に係る不活性ガスを用いずにクリーニングを繰り返す場合のフローチャートである。図8におけるステップ30~ステップ33までは、第3の実施の形態のステップ20~ステップ23までと同様に行われる。次に、ステップ30~ステップ33までを所定の回数実施しS34、半導体製造装置1のクリーニングを終了する。第4の実施の形態の効果本実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法によれば、堆積膜3の膜厚が厚い場合であっても、複数回のクリーニングを行うことで、所定のクリーニング時間やTATを変えずに、又は短縮して堆積膜3を除去することができる。[第5の実施の形態]図9は、第5の実施の形態に係る半導体製造装置のブロック図である。図9は、クリーニングガス4と排気ガス5の流れを図示するため、供給バルブ14と排気バルブ18を開け、クリーニングガス4を供給した場合を示している。この半導体製造装置1Aは、例えば、図9に示すように、処理チャンバ10と、供給部11と、供給管12と、供給バルブ14と、排気管16と、排気バルブ18と、排気部19と、制御部20と、記憶部22と、を備えて概略構成されている。また、この半導体製造装置1Aは、プログラム220を実行することによって、上記の第1~第4の実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法を実行することができるように構成されているものとする。制御部20は、例えば、CPUCentralProcessingUnit等からなるマイクロコンピュータであり、記憶部22に記憶されるプログラム220に基づいて供給部11、供給バルブ14、排気バルブ18及び排気部19等を制御する。記憶部22は、例えば、HDDHardDiskDriveや半導体メモリー等からなる記憶装置である。記憶部22に記憶されるプログラム220は、例えば、第1~第4の実施の形態に示す半導体製造装置のクリーニング方法の少なくとも1つのクリーニング方法の各工程を実行する命令が記載されている。制御部20は、例えば、取得及び/又は設定された堆積膜3の膜種や膜厚、半導体製造装置1Aの処理状況等に応じて第1~第4の実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法をプログラム220から選択する。この処理状況とは、例えば、半導体製造装置1Aの処理の空き時間や未処理の処理対象物の数等の状況である。なお、プログラム220は、記憶部22に記憶されていても良いし、ネットワークや外部装置から読み込み、実行されても良い。また、プログラム220は、例えば、第1~第4の実施の形態の工程を実行するものであっても良いし、各実施の形態が別々のプログラムとして記憶部22に記憶されていても良い。以下に、第5の実施の形態に係る半導体製造装置の動作について、第1の実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法を例にして説明する。半導体製造装置のクリーニング方法堆積膜3としてのSi3N4膜が、処理チャンバ10の内壁102に100nm堆積しているとして説明する。まず、制御部20は、記憶部22からプログラム220を読み出す。次に、制御部20は、読み出したプログラム220に従って供給バルブ14を閉じる。続いて、制御部20は、排気部19を制御して処理チャンバ10内を真空にする。次に、制御部20は、供給バルブ14を開け、排気バルブ18を閉じ、供給部11を制御してクリーニングガス4を所定の圧力となるまで処理チャンバ10内に供給する。次に、制御部20は、処理チャンバ10内が所定の圧力となった後、供給バルブ14を閉じ、クリーニングガス4を処理チャンバ10内に留まらせる。次に、制御部20は、供給管12内にクリーニングガス4が留まらないように、供給部11を制御して不活性ガス6供給して供給管12内を不活性ガス6で満たす。次に、制御部20は、所定の時間が経過した後、排気バルブ18を開け、排気部19により処理チャンバ10内のガスを排出し、処理チャンバ10のクリーニングを終了する。第5の実施の形態の効果本実施の形態に係る半導体製造装置1Aによれば、第1~第4の実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法のうち、少なくとも1つのクリーニング方法を実行することができる。半導体製造装置1Aは、取得及び/又は設定された堆積膜3の膜種や膜厚、半導体製造装置1Aの処理状況等に応じて第1~第4の実施の形態に係るクリーニング方法を選択することができるので、選択できない場合と比べて、効率良く処理チャンバ10のクリーニングを行うことができる。[第6の実施の形態]図10は、第6の実施の形態に係る管理システムのブロック図である。この管理システム7は、主に、第5の実施の形態に係る複数の半導体製造装置10A~10Cと、その複数の半導体製造装置10A~10Cの排気バルブ18及び供給部11を制御する制御部700と、を備えている。この制御部700は、例えば、管理装置70に備えられ、半導体製造装置10A~10Cは、この管理装置70に接続されている。なお、半導体製造装置は、1台であっても良い。この半導体製造装置10A~10Cは、例えば、第5の実施の形態に記載の半導体製造装置1Aにおいて、少なくともプログラム220を持たない構成としたものである。また、半導体製造装置10A~10Cは、例えば、それぞれの処理チャンバの表面積、体積及び材質等が異なるものであっても良い。さらに、半導体製造装置10A~10Cは、例えば、成膜する膜種や膜厚等が異なっていても良い。管理装置70は、例えば、記憶部701を備えている。管理装置70の制御部700は、例えば、CPU等からなるマイクロコンピュータであり、記憶部701に記憶されるプログラム702を読み出して実行する。プログラム702は、例えば、第5の実施の形態に係るプログラム220と同様の機能を有する。また、制御部700は、プログラム702に基づいて、例えば、半導体製造装置10A~10Cの処理状況や構成、半導体製造装置10A~10Cから取得及び/又は設定された、処理チャンバ10内に堆積する堆積膜3の膜種、膜厚等の情報に基づいて、第1~第4の実施の形態に示すクリーニング方法、クリーニングガス4の種類、最適滞留時間、最適滞留圧力及び最適滞留回数を選択する。また、制御部700は、例えば、選択したクリーニング方法の工程データやパラメータ等を対象となる半導体製造装置に出力するように構成されている。なお、管理装置70は、例えば、個々の半導体製造装置によって製造された半導体数に基づいてクリーニングを行うように構成されても良い。第6の実施の形態の効果本実施の形態に係る管理システム7によれば、複数の半導体製造装置の処理チャンバ内に堆積する堆積膜を、クリーニングガス4の使用量を削減しながら除去することができる。管理システム7の複数の半導体製造装置10A~10Cのそれぞれで、クリーニングガス4の使用量を削減することができるので、半導体装置の製造コストを抑えることができる。また、本実施の形態に係る管理システム7によれば、複数の半導体製造装置の処理状況を管理しながらクリーニングを行うことができるので、効率よくクリーニングを行うことができる。この管理システム7によれば、クリーニングガス4を減らすクリーニングか、TATを変えないクリーニングか、TATを短くするようなクリーニングか等を選択することができる。[第7の実施の形態]図11は、第7の実施の形態に係る管理システムのブロック図である。本実施の形態に係る管理システム8は、例えば、図11に示すように、総合管理装置80と、総合管理装置80が管理する第1~第3のクループ81~83を備えて概略構成されている。なお、グループの数は、上記に限定されない。第1のグループ81は、例えば、管理装置70Aと、その管理装置70Aに管理される半導体製造装置10A~10Cとを備える。第2のグループ82は、例えば、管理装置70Bと、その管理装置70Bに管理される半導体製造装置10D~10Fとを備える。第3のグループ83は、例えば、管理装置70Cと、その管理装置70Cに管理される半導体製造装置10G~10Iと、を備える。なお、各グループが管理する半導体製造装置の数は、上記に限定されない。管理装置70A~70Cは、例えば、第6の実施の形態における管理装置70において、少なくともプログラム702を持たない構成としたものである。第1~第3のグループ81~83に属する半導体製造装置10A~10Iは、例えば、それぞれの処理チャンバの表面積、体積及び材質、成膜する膜種、及び膜厚等が異なっていても良い。総合管理装置80は、例えば、制御部800と、記憶部801と、を備えて概略構成されている。制御部800は、例えば、CPU等からなるマイクロコンピュータであり、記憶部801に記憶されるプログラム802を読み出して実行する。プログラム802は、例えば、第6の実施の形態に係るプログラム702と同様の機能を有する。制御部800は、プログラム802に基づいて、例えば、第1~第3のグループ81~83の管理装置70A~70Cから取得した半導体製造装置10A~10Iの処理状況や構成、処理チャンバ10内に堆積する堆積膜3の膜種、膜厚等の情報に基づいて、第1~第4の実施の形態に示すクリーニング方法、クリーニングガス4の種類、最適滞留時間、最適滞留圧力及び最適滞留回数を選択する。また、制御部800は、例えば、選択したクリーニング方法の工程データやパラメータ等を対象となる半導体製造装置が属するグループの管理装置に出力するように構成されている。なお、総合管理装置80は、例えば、個々の半導体製造装置によって製造された半導体数に基づいてクリーニングを行うように構成されても良い。第7の実施の形態の効果本実施の形態に係る管理システム8によれば、複数の半導体製造装置の処理チャンバ内に堆積する堆積膜を、クリーニングガス4の使用量を削減しながら除去することができる。管理システム8の複数の半導体製造装置10A~10Cのそれぞれで、クリーニングガス4の使用量を削減することができるので、半導体装置の製造コストを抑えることができる。[第8の実施の形態]図12aは、第8の実施の形態に係る半導体製造装置の処理チャンバの要部断面図である。図12bは、図12aの処理チャンバ内の圧力Pと時間tの関係を示すグラフである。図12bに示すΔPdは、1回目のArガス又はN2ガスの供給により、上昇した処理チャンバ10内の圧力である。図12bに示すΔPeは、2回目のArガス又はN2ガスの供給により、上昇した処理チャンバ10内の圧力である。半導体製造装置1aは、例えば、図12aに示すように、アウター管10aとアウター管10aの内部に設けられたインナー管10bからなる処理チャンバ10cと、供給部11と、排気部19と、を備えて概略構成されている。アウター管10aは、例えば、排気管16aと、排気管16aに設けられた排気バルブ18aと、を備える。インナー管10bは、例えば、供給管12aと、供給管12aに設けられた供給バルブ14aと、を備える。処理チャンバ10cの内壁には、図12aに示すように、成膜される膜種に応じた堆積膜3が堆積する。アウター管10aとインナー管10bで囲まれる部分は、堆積膜3により、クリーニングガス4の通路が狭くなっている。半導体製造装置のクリーニング方法図13は、第8の実施の形態に係る半導体製造装置のクリーニングに関するフローチャートである。まず、供給バルブ14aを閉じ、排気バルブ18aを開け、排気部19により処理チャンバ10c内を真空にするS40。図12bの時間t31は、処理チャンバ10c内が真空となった後、クリーニングガス4の供給が開始される時間を示している。次に、供給バルブ14aを開け、排気バルブ18aを閉じ、供給部11からクリーニングガス4及び不活性ガス6を、圧力P4図12b参照となるまで処理チャンバ10c内に供給するS41。クリーニングガス4及び不活性ガス6の供給は、図12bに斜線で示すように、時間t31~t32まで行われるただし、クリーニングガス4の供給は、時間t32で終了するのに対し、不活性ガス6の供給は、さらに時間t35まで継続される。不活性ガス6の供給は、ガス排気の際にガスの流れを生じさせるために、時間t35以降も継続してもよい。なお、S41において、クリーニングガス4は、供給管12aからのクリーニングガス4の単位時間当たりの供給量が、排気管16aからのクリーニングガス4の単位時間当たりの排気量よりも多くなるよう供給される。これにより、処理チャンバ10c内のクリーニングガス4の量は、時間の経過と共に増加していくこととなる。次に、処理チャンバ10内が所定の圧力P4となった後、供給バルブ14aを閉じ、クリーニングガス4を処理チャンバ10内に、時間t32~t33の間留まらせるS42。この時間t32~t33の間、供給管12a内にクリーニングガス4が留まらないように、供給部11から不活性ガス6を供給して供給管12a内をクリーニングガス4で満たすS43。このとき、処理チャンバ10内の圧力は、図12bに示すように、圧力P4からΔPd上昇する。次に、供給バルブ14aを開け、供給部11からクリーニングガス4及び不活性ガス6を、圧力P5図12b参照となるまで処理チャンバ10c内に供給するS44。クリーニングガス4の供給は、図12bに斜線で示すように、時間t33~t34まで行われるただし、クリーニングガス4の供給は、時間t34で終了するのに対し、不活性ガス6の供給は、さらに時間t35まで継続される。なお、S44において、クリーニングガス4は、供給管12aからのクリーニングガス4の単位時間当たりの供給量が、排気管16aからのクリーニングガス4の単位時間当たりの排気量よりも多くなるよう供給される。これにより、処理チャンバ10c内のクリーニングガス4の量は、時間の経過と共に増加していくこととなる。次に、処理チャンバ10内が所定の圧力P5となった後、供給バルブ14aを閉じ、クリーニングガス4を処理チャンバ10内に、時間t34~t35の間留まらせるS45。この時間t34~t35の間、供給管12a内にクリーニングガス4が留まらないように、供給部11から不活性ガス6を供給して供給管12a内をクリーニングガス4で満たすS46。このとき、処理チャンバ10内の圧力は、図12bに示すように、圧力P5からΔPe上昇する。次に、所定の時間が経過した後、排気バルブ18aを開け、排気部19により処理チャンバ10内のガスを排出しS47、処理チャンバ10cのクリーニングを終了する。第8の実施の形態の効果本実施の形態に係る半導体製造装置による複数回の供給でクリーニングガス4の滞留処理を行うクリーニング方法は、クリーニングガス4の量及び滞留時の圧力P例えば、P5が同じで、且つ、1回の供給でクリーニングガス4の滞留処理を行うクリーニング方法と比べて、クリーニングガス4を滞留させる際の抵抗が大きくなって、アウター管10aとインナー管10bで挟まれた狭い領域内に十分な量のクリーニングガス4を満たすことができ、クリーニングし易くなる。アウター管10aとインナー管10bからなる処理チャンバ10cのクリーニングは、アウター管10aとインナー管10bで挟まれた領域が狭くなるため、十分に堆積膜3がエッチングされない可能性がある。しかし、本実施の形態に係る半導体製造装置によれば、真空処理を行わずに、複数回に分けてクリーニングガス4の供給を行って、クリーニングガス4を処理チャンバ10c内に滞留させるので、アウター管10aとインナー管10bで挟まれた狭い領域の堆積膜3を除去することができる。また、上記の半導体製造装置によれば、真空処理を行ってクリーニングを繰り返すクリーニング方法と比べて、クリーニング時間を短縮することができる。なお、本実施の形態においては、真空処理を行わずに、2段階でクリーニングガス4を滞留させたが、これに限定されず、さらに多くの回数の滞留処理を行っても良い。なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形及び組み合わせが可能である。上記の各実施の形態において、堆積膜3をSiN膜としたが、これに限定されず、例えば、ポリシリコン膜やSiO2膜であっても良い。堆積膜3がポリシリコン膜である場合には、クリーニングガス4は、例えば、ClF3三フッ化塩素ガスを含有するガスが用いられる。堆積膜3がSiO2膜である場合には、クリーニングガス4は、例えば、F2フッ素ガス、HFフッ化水素ガス、又はNF3三フッ化窒素ガスを含有するガス、又はこれら3種類のガスのうちの2種類以上を含有する混合ガスが用いられる。また、上記の各実施の形態において供給管12は、SiO2からなるとしたが、これに限定されず、アルミナ及びステンレス等でも良い。クリーニングガス4で供給管12がエッチングされる場合は、例えば、第1及び第2の実施の形態に示すクリーニング方法が用いられる。クリーニングガス4で供給管12がエッチングされない場合は、例えば、第3及び第4の実施の形態に示すクリーニング方法が用いられる。第1、第2及び第8の実施の形態において、供給管12内を不活性ガス6で満たしたが、さらに、排気管16内を不活性ガス6で満たしても良い。一方、排気管16内を不活性ガス6で満たさない場合には、排気管16の内壁面を、クリーニングガス4によりエッチングされる保護膜でコーティングしてもよい。ただし、保護膜は、エッチングされても、半導体基板上に形成される薄膜のコンタミネーション物質とならない材料で形成する。このような保護膜によれば、排気管16の本体部分のエッチングを防止することが可能となると共に、保護膜がエッチングされてコンタミネーション物質となることを防止することが可能となる。この場合、排気管16は、処理チャンバ10から着脱可能に構成し図14参照、保護膜が除去されたら、この排気管16に保護膜をコーティングし直す、又はこの排気管16を別の排気管16に取り替えるようにしてもよい。図14は、第1から第8の実施の形態の変形例に係る半導体製造装置の処理チャンバの要部断面図である。図14には、着脱可能な排気管16の内壁面にコーティングされた保護膜100が示されている。例えば、クリーニングガス4として、F2、HF、NF3の少なくともいずれかを含有するガスを使用する場合、保護膜の例としては、石英膜等のSiO2膜が挙げられる。また、排気管16内を不活性ガス6で満たさない場合には、排気管16を、クリーニングガス4によってエッチングされない材料で形成してもよい。例えば、クリーニングガス4として、F2、HF、NF3の少なくともいずれかを含有するガスを使用する場合には、クリーニングガス4によってエッチングされない材料の例として、アルミニウムやアルミナが挙げられる。この場合、排気管16は、その全体がアルミニウム又はアルミナで形成されていてもよいし、その内壁面のみがアルミニウム又はアルミナで形成されていてもよい。なお、少なくとも内壁面がクリーニングガス4によってエッチングされない材料で形成された供給管12や排気管16は、第1から第8のいずれの実施の形態でも採用可能である。同様に、内壁面が上記のような保護膜でコーティングされた排気管16は、第1から第8のいずれの実施の形態でも採用可能である。第5から第7の実施の形態において、第8の実施の形態に示すクリーニング方法を選択するようにしても良い。第2及び第4の実施の形態において、所定のクリーニング時間内でクリーニングを繰り返したが、これに限定されず、例えば、半導体の製造が行われていない間に、所定のクリーニング時間を越えて繰り返しても良い。