"複数の接続端子を有する半導体素子と、前記半導体素子の表裏面に対向して配置された一対の導体板とを有する半導体ユニットと、前記半導体ユニットを挿入する挿入用開口部を有し、内部に前記半導体ユニットが収納された冷却ケースとを備え、前記冷却ケースは、前記各導体板に対向し、それぞれ、複数の放熱用のフィンを有する一対の放熱部と、前記放熱部に連結され、前記半導体ユニットの前記接続端子に接続される接続部材を挿通する開口部を有する金属製の枠体とを備え、前記放熱部は、少なくとも一方が前記枠体と別体として形成され、前記一方の放熱部は、少なくとも、一側縁における前記半導体ユニットに対面する側と反対側に薄肉とされた連結部を有し、前記枠体は、前記一方の放熱部が配置される開口部を有し、前記一方の放熱部は前記枠体の前記開口部に配置され、前記連結部の先端部において前記枠体に接合されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、前記一方の放熱部の連結部は、ほぼ全周に亘って連続して形成され、前記枠体に摩擦攪拌により接合されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項1または2のいずれかに記載の半導体モジュールにおいて、前記各放熱部と前記半導体ユニットとの間に、熱伝導性絶縁層が介在されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、前記半導体ユニットは、前記各導体板の表面を露出すると共に前記各導体板の側面を覆う封止樹脂を含むことを特徴とする半導体モジュール。請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、前記冷却ケース内に前記半導体ユニットの周囲を覆う封止剤が内蔵されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項5に記載の半導体モジュールにおいて、前記封止剤の一部は、前記連結部の下面と前記半導体ユニットとの間に充填されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、前記一方の放熱部は、前記連結部の根本側の周縁部に、前記半導体ユニット側に向かって面積が縮小する方向に傾斜する傾斜面を有することを特徴とする半導体モジュール。請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、前記連結部の根本と前記一方の放熱部の側面との間には面取りが形成されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項1~8のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、前記連結部の先端は、前記連結部の他の部分よりも厚肉であることを特徴とする半導体モジュール。請求項1、3~9のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、前記一方の放熱部と前記枠体とは摩擦攪拌接合により接合されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項1~10のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、前記一方の放熱部は、A1050により形成されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項1~11のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、前記放熱部の他方は、周側縁部に段状に形成された薄肉の接合部を有する、前記枠体とは別体に形成された部材であることを特徴とする半導体モジュール。請求項1~11のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、前記放熱部の他方は、成形により前記枠体の一部として一体に形成されていることを特徴とする半導体モジュール。上記特許文献1に記載された半導体モジュールでは、CAN状放熱ベースを外部から加圧することにより、湾曲状の連結部を塑性変形させた状態で電極モジュールとCAN状放熱ベースを接着させている。このため、連結部の板厚は、ベース板より薄くして変形が容易に行われるようにする必要がある。しかし、パワー半導体素子からの発熱が大きい半導体モジュールでは、線膨張係数の差に起因して湾曲状の連結部に大きな応力が作用する。このため、連結部の板厚を薄くすると、ベース板と連結部との接合部において金属疲労による破壊が生じ易い。また、連結部の板厚を厚くすると、接着後のスプリングバックにより、電極モジュールとCAN状放熱ベースの接着が剥離する。この発明は、複数の接続端子を有する半導体素子と、半導体素子の表裏面に対向して配置された一対の導体板とを有する半導体ユニットと、半導体ユニットを挿入する挿入用開口部を有し、内部に半導体ユニットが収納された冷却ケースとを備え、冷却ケースは、各導体板に対向し、それぞれ、複数の放熱用のフィンを有する一対の放熱部と、放熱部に連結され、半導体ユニットの接続端子に接続される接続部材を挿通する開口部を有する金属製の枠体とを備え、放熱部は、少なくとも一方が枠体と別体として形成され、一方の放熱部は、少なくとも、一側縁における前記半導体ユニットに対面する側と反対側に薄肉とされた連結部を有し、枠体は、一方の放熱部が配置される開口部を有し、一方の放熱部は枠体の開口部に配置され、連結部の先端部において枠体に接合されていることを特徴とする。この発明によれば、導体板に対向する平面部の開口部に放熱部が配置され、この放熱部に形成された薄肉の連結部の先端部において、ほぼ平坦な状態で枠体に接合されている。このため、連結部に作用する温度分布差に起因する応力を低減することができる。また、連結部は、半導体ユニットに対面する面側が除去されて薄肉とされている。つまり、放熱部の連結部は、放熱部の外面側に形成されている。このため、半導体素子の発熱により、放熱部は、連結部を含む全体が膨張し、薄肉部である連結部には、膨張力が大きい放熱部における連結部の内周部分により圧縮される圧縮応力が作用することになり、応力発生に伴う破壊の防止にはより効果的となる。実施形態1以下、図面を参照して、本発明の半導体モジュールの実施形態を説明する。図1a、bは本発明の実施形態1を示し、図1aは半導体モジュールの一部を切り欠いた外観斜視図であり、図1bは図1aの領域Xの拡大図である。また、図2は、図1の縦断断面図である。また、図3は、図1における中継端子ユニットと冷却ユニットを分解した状態の斜視図である。半導体モジュール1は、中継端子ユニット2と半導体冷却ユニット3とを複数の締結部材91により締結して構成される図3参照。半導体冷却ユニット3は、半導体ユニット30とCAN冷却ユニット20を備えている。この半導体モジュール1は、図示はしないが、冷却ジャケットに設けられた冷却水流路内に挿入され、冷却水流路内を循環する冷却媒体により冷却されるものである。半導体ユニット30は、半導体素子31、ダイオード32、半導体素子31およびダイオード32の表裏面に密着する導体板33、34、35、36および各導体板33~36の周側面全体を覆って形成された封止樹脂6を有する図2参照。また、半導体ユニット30は、後述する、複数の信号端子24および温度信号端子25を備えている図3参照。なお、後述する如く、導体板33と34および導体板35と36とは、それぞれ、図2における同一平面に位置しており、図2においては1個ずつ図示されている。CAN冷却ユニット20は、半導体ユニット30を収容する空間を有し、フレーム21枠体と一対のフィンプレート放熱部22とを一体化して形成された冷却ケース23および冷却ケース23内に収容された半導体ユニット30の周囲を覆って充填された絶縁性封止剤17を有する。フィンプレート22は、例えば、熱伝導性が高く、他の部位の熱変形に対する追随性の良好なA1050等のアルミニウムで形成されており、矩形のほぼ平板状のベース部22aの内面側、すなわち、半導体ユニット30側は平坦面とされている。また、ベース部22aの外面には多数のフィン22bが立設されている。ベース部22aは、熱抵抗、熱の拡散熱、および変形の抑制の面から、例えば、厚さ1.0~4.0mm程度とするのが好ましく、特に、2.5mm程度とすることがより好ましい。フィンプレート22の側縁部は、ベース部22aの半導体ユニット30側が、全周に亘って所定の深さに除去されており、ベース部22aよりも薄肉とされた連結部22cとされている。絶縁性封止剤17は、連結部22cの下面と半導体ユニット30の間にも充填されている。フレーム21は、アルミニウム等により形成され、ベース部21aと、ベース部21aに対し垂直方向に張り出すフランジ部21bを有する。図3に図示されるように、フランジ部21bのほぼ中央部にはボス部41が形成されており、ボス部41にはねじ穴43と位置決め用穴44が形成されている。また、フランジ部21bの両側部にはボス部42とねじ穴43が形成されている。冷却ケース23には、半導体ユニット30を収容する空間23aが形成されており、この空間23aには、上述の絶縁性封止剤17の一部17aが充填される。空間23aは、図2の紙面に垂直な方向の寸法長さが、ベース部21aとフランジ部21bとにおいて同一であり、図2における左右方向の寸法幅が、フランジ部21bにおいてベース部21aよりも幅広く形成されている。フレーム21のベース部21aは、半導体ユニット30の表面および裏面に対向する一対の周側壁を有し、各周側壁には、フィンプレート22が配置される開口21cが形成されている。フィンプレート22は、フレーム21の開口21c内に配置され、連結部22cの先端が、フレーム21のベース部21aの側壁に設けられた開口21cの周縁部に接合されている。冷却ケース23の空間23aに収容された半導体ユニット30の表裏面と冷却ケース23の内面との間には、それぞれ、高熱伝導性絶縁層16が装着されている。半導体ユニット30の半導体素子31から発生した熱は、導体板33~36のいずれか1つ、高熱伝導性絶縁層16、フィンプレート22の順に伝導し、フィン22bから効率的に放熱される。つまり、半導体ユニット30の一面上に高熱伝導性絶縁層16が配置されており、図1aおよび図1bに図示されるように、高熱伝導性絶縁層16上に、フレーム21の開口21cに沿って絶縁性封止剤17の一部17aが形成されている。そして、絶縁性封止剤17の一部17a上に、フィンプレート22の連結部22cが配置された状態で、連結部22cの先端がフレーム21の開口21cの周縁部に接合されている。図示はしないが、冷却ケース23は、例えば、フレーム21のフランジ部21bが、冷却媒体が循環する冷却管が挿通された冷却器に連結され、半導体素子31の冷却を促進する。中継端子ユニット2は、半導体ユニット30の半導体素子31およびダイオード32のオンオフ動作を制御する制御部などの外部回路に接続される複数の中継端子8を有する。中継端子8は、絶縁樹脂製の支持体9に一体成形されており、各中継端子8の端部が半導体ユニット30の信号端子24、温度信号端子25図3参照と中継端子接合部14図2参照で接続されている。図3に図示されるように、中継端子ユニット2の支持体9のほぼ中央部にはボス部51が形成されており、ボス部51には、ねじ穴53と位置決め用ピン54が形成されている。また、支持体9の両側部にはボス部52とねじ穴53が形成されている。中継端子ユニット2と半導体冷却ユニット3とを組み付けるには、支持体9の位置決め用ピン54をフレーム21の位置決め用穴44に挿通して位置決めをした状態で、ねじ等の締結部材91をねじ穴53およびねじ穴43に締め付ける。図4は、本発明の半導体モジュールに内蔵された半導体冷却ユニットの表面側の外観斜視図であり、図5は、本発明の半導体モジュールに内蔵された半導体ユニットの裏面側の外観斜視図である。また、図6は、図4における絶縁封止剤を除去した状態の斜視図であり、図7は、図5における絶縁封止剤を除去した状態の斜視図である。半導体ユニット30の表面側には、図6に図示されるように、交流出力側の導体板33と直流負極側の導体板34とが同一平面上に配置されている。半導体ユニット30の表面側に形成された封止樹脂6は、図4に図示されるように、導体板33の上面33aと導体板34の上面34aを露出して、導体板33および34の周囲全体を被覆している。封止樹脂6の上面は、導体板33の上面33aおよび導体板34の上面34aと面一となっている。同様に、半導体ユニット30の裏面側には、図6に図示されるように、直流正極側の導体板35と交流出力側の導体板36とが同一平面上に配置されている。半導体ユニット30の裏面側に形成された封止樹脂6は、図5に図示されるように、導体板35の上面35aと導体板36の上面36aを露出して、導体板35および36の周囲全体を被覆している。封止樹脂6の上面は、導体板35の上面35aおよび導体板36の上面36aと面一となっている。導体板33~36は、図示は省略されているが、相互に分離され、一端側で連結フレーム部に連結された複数のリード部を有するリードフレームである。図7に図示されるように、直流正極側の導体板35には、半導体素子31Uおよびダイオード32Uから構成される上アーム回路の入出力端子がボンディングされている。導体板35の各リード図示せずには、複数の信号端子24および複数の温度信号端子25がワイヤ26Uにより接続されている。各半導体素子31U、31Lは、導体板33~36に、特に図示しないが金属接合材を介してそれぞれボンディングでされる。金属接合材としては、例えば、半田材や銀シート及び微細金属粒子を含んだ低温焼結接合材等を用いる。また、交流出力側の導体板36には、半導体素子31Lおよびダイオード32Lから構成される下アーム回路の入出力端子がボンディングされている。導体板36の各リード図示せずには、複数の信号端子24Lがワイヤ26Lにより接続されている。また、図6に図示されるように、導体板34には引出しリード34bが形成されており、この引出しリード34bの先端が導体板35に接続されている。半導体ユニット30における封止樹脂6は、信頼性向上および導体板33~36の保持を目的として設けられるものである。封止樹脂6は、例えば、エポキシ樹脂を用いて、トランスファーモールドにより、導体板33~36の上面33a~36aを露出し、かつ、信号端子24U、24Lおよび温度信号端子25の先端側を露出した状態に形成される。なお、導体板33~36のリード部図示せずおよび信号端子24U、24L、温度信号端子25は、連結フレーム部図示せずに連結されて一体に形成されており、各入出力端子およびワイヤ26U、26Lとのボンディングを行い、封止樹脂6により封止された後、連結フレーム部を切断して半導体ユニット30が作製される。図8は、本発明の半導体モジュールに内蔵される回路構成の一例を示す図である。図8に図示された回路は、インバータ回路の1相分の回路構成を示す。半導体ユニット30の半導体素子31Uおよび31Lとしては、IBGT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタからなるパワートランジスタが用いられる。導体板35には、上アーム側の半導体素子31Uのコレクタ電極と上アーム側のダイオード32Uのカソード電極が接続される。導体板36には、下アーム側の半導体素子31Lのコレクタ電極と下アーム側のダイオード32Lのカソード電極が接続される。図9は、本発明の半導体ユニット30により構成される電力変換装置の回路ブロック構成の一例を示す図である。図9に示すように、電力変換装置100は、バッテリ200とモータジェネレータ300とに接続されて、バッテリ200から供給される直流電流を3相の交流電流に変換して、モータジェネレータ300へ供給する装置である。電力変換装置100は、バッテリ200から供給される直流電流を安定化し、平滑化するためのコンデンサ一体モジュール110と、直流電流から3相の交流電流を生成するためのインバータ装置120を含んで構成される。また、インバータ装置120は、U相、V相、W相の3相を構成する上下アーム直列回路121と、それを制御する制御モジュール130と、を含んで構成されている。インバータ装置120において、上下アーム直列回路121のそれぞれは、半導体素子31とダイオード32との並列接続回路からなる2つの電流スイッチ回路が直列に配置されて構成される。上下アーム直列回路121の上下端は、それぞれ、バッテリ200の正極および負極に直流コネクタ140を介して接続される。上側正極側に配置された半導体素子31Uとダイオード32Uとからなる電流スイッチ回路は、いわゆる、上アームとして動作する。また、下側負極側に配置された半導体素子31Lとダイオード32Lとからなる電流スイッチ回路は、いわゆる、下アームとして動作する。インバータ装置120は、それぞれの上下アーム直列回路121の中点位置、すなわち、上下の電流スイッチ回路の接続部分からは、3相の交流電流u、v、wが出力され、その出力された3相の交流電流u、v、wは、交流コネクタ160を介して、モータジェネレータ300へ供給される。また、制御モジュール130は、3組の上下アーム直列回路121を駆動制御するドライバ回路131と、ドライバ回路131へ制御信号を供給する制御回路132と、を含んで構成される。ここで、ドライバ回路131から出力される信号は、半導体モジュール1の上アームおよび下アームの各半導体素子31U、31Lに供給され、そのスイッチング動作を制御して、各上下アーム直列回路121から出力される交流電流u、v、wの振幅や位相などを制御する。制御回路132は、3組の上下アーム直列回路121における各半導体素子31U、31Lのスイッチングタイミングを演算処理するためのマイクロコンピュータを備えている。そのマイクロコンピュータには、入力情報として、モータジェネレータ300に対して要求される目標トルク値、上下アーム直列回路121からモータジェネレータ300へ供給する電流値、およびモータジェネレータ300の回転子の磁極位置などが入力される。これらの入力情報のうち、目標トルク値は、図示しない上位の制御装置から出力された指令信号に基づく。また、電流値は、各上下アーム直列回路121から出力される交流電流の電流値を検出する電流センサ150の検出信号に基づく。また、磁極位置は、モータジェネレータ300に設けられた図示しない回転磁極センサの検出信号に基づく。また、制御モジュール130は、過電流,過電圧,過温度などの異常検知を行う機能を有し、上下アーム直列回路121を保護している。ちなみに、各アームの半導体素子31U、31Lのエミッタ電極は、ドライバ回路131に接続され、ドライバ回路131は、それぞれの半導体素子31U、31Lごとにエミッタ電極における過電流検知を行い、過電流が検知された半導体素子31U、31Lについては、そのスイッチング動作を停止させ、過電流から保護する。また、制御回路132には、上下アーム直列回路121に設けられた図示しない温度センサや、上下アーム直列回路121の両端に印加される直流電圧を検出する検出回路などからの信号が入力され、それらの信号に基づき、過温度,過電圧などの異常を検知する。そして、過温度,過電圧などの異常を検知した場合には、全ての半導体素子31U、31Lのスイッチング動作を停止させ、半導体モジュール1全体を過温度、過電圧などの異常から保護する。なお、以上に示した電力変換装置100において、半導体素子31U、31Lおよびダイオード32U、32Lからなる電流スイッチ回路は、MOSFET金属酸化物半導体型電界効果トランジスタを用いて構成してもよい。また、3組の上下アーム直列回路121は、2つの上下アーム直列回路を含んで構成され、2相の交流電流を出力するものとしてもよい。さらに、電力変換装置100は、図1の回路構成とほとんど同様に構成される3相2相の交流電流を直流電流に変換する装置であってもよい。このような、電力変換装置100は、電気自動車やハイブリッド自動車に搭載される車載電機システムの車両駆動用電機システムに用いることができる。図10は、図2における領域Xの拡大断面図である。上述した如く、フィンプレート22と半導体ユニット30とは高熱伝導性絶縁層16を挟んで配置されている。フィンプレート22のベース部22aの側縁部は、全周に亘り、半導体ユニット30側が所定の深さに除去され、薄肉の連結部22cとされている。つまり、連結部22cは、ベース部22aの上層部により形成されている。連結部22cの上面側は平坦であり、連結部22cの先端部には、下面側に突き出す接合部22dが形成されている。フィンプレート22はフレーム21の開口21c内に配置され、フィンプレート22の接合部22dの先端側面は、フレーム21の開口21cの縁部に接面している。フィンプレート22の接合部22dは、例えば、摩擦攪拌接合によりフレーム21の開口21cの縁部に接合される。摩擦攪拌接合による接合方法の一例を下記に示す。攪拌ピンおよび攪拌ピンより径大のショルダ部が同軸上に配置された接合用回転ツールを準備する。接合回転用ツールの攪拌ピンの中心を、フィンプレート22の接合部22dの先端側面がフレーム21の開口21cに接面する位置にほぼ一致させる。攪拌回転用ツールを回転し、フィンプレート22の接合部22dおよびフレーム21の開口21cの周縁部を攪拌ピンにより掘削し、ショルダ部の先端部を所定深さに食い込ませる。ショルダ部の先端部を所定深さに食い込ませた状態のまま、接合用回転ツールを開口21cに沿って移動する。摩擦攪拌によって、フィンプレート22の接合部22dとフレーム21の開口21cの周縁部が塑性化し接合される。接合用回転ツールを開口21cの全周に亘り移動して、開口21cの全周を接合する。フィンプレート22の連結部22cとベース部22aの側面22eの交差部には、円弧状の面取り22fが形成されている。面取り22fは、熱膨張により連結部22cとベース部22aの側面22eに発生する応力集中を緩和する。また、以下に詳細を説明するが、半導体ユニット30と冷却ケース23との間に高熱伝導性絶縁層16を配置する際、連結部22cを変形するが、この変形時における応力集中を緩和する。図11は、高熱伝導性絶縁層16およびその近傍の拡大断面図である。高熱伝導性絶縁層16は、絶縁膜16aと、絶縁膜16aの両面に形成された接着層16bとを有する。絶縁膜16aは、例えば、エポキシ樹脂にセラミック粒子が分散されて形成されている。樹脂よりも熱伝導性に優れる酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等のセラミックシートの両面に放熱グリースを塗布したシートを用いてもよい。シートではなく、グリース、コンパウンド等を用いることもできる。高熱伝導性絶縁層16の接着層16bの一方には、フィンプレート22の内面が接着され、高熱伝導性絶縁層16の接着層16bの他方には、半導体ユニット30の導体板33、34または35、36および封止樹脂6の一部が接着される。上述した如く、導体板33、34の上面33a、34aまたは導体板35、36の上面35a、36aは封止樹脂6の上面と面一であるので、半導体素子31で発生した熱は、導体板33~36から高熱伝導性絶縁層16に伝達され、フィンプレート22から効率よく放熱される。以下に、半導体ユニット30と冷却ケース23との間に高熱伝導性絶縁層16を取り付ける方法を示す。フレーム21とフィンプレート22が接合されて形成された冷却ケース23の空間23aに、半導体ユニット30を収容する。冷却ケース23のフィンプレート22を外方に押し広げて、冷却ケース23と半導体ユニット30との間に高熱伝導性絶縁層16を挿入する。この際、フィンプレート22は、連結部22cにおいて容易に変形させることができる。フィンプレート22を解放して変形前の形状に復元し、高熱伝導性絶縁層16に、冷却ケース23の内面および半導体ユニット30の外面を接着する。接着後、フィンプレート22の連結部22cは、スプリングバックにより元の位置戻る。必要に応じ、フィンプレート22を半導体ユニット30側に押し付けてもよい。この後、冷却ケース23の空間23aに絶縁性封止剤17を充填して、半導体ユニット30の周側面全体を被覆する。この際、フィンプレート22の連結部22cの下面と半導体ユニット30の間に、絶縁性封止剤17の一部17aが充填される。絶縁性封止剤17としては、例えば、エポキシ系接着剤を用いる。上記において、フィンプレート22は、連結部22cが湾曲されていない、ほぼ平坦な状態でフレーム21に接合されている。このため、温度分布差に起因して連結部に作用する応力を低減することができ、以て、連結部22cにおける金属疲労による破壊に対する耐久性を向上することができる。連結部22cには、ベース部22aの側面22eとの接続部に面取り22fが形成されており、熱膨張により連結部22cとベース部22aの側面22eに発生する応力集中を緩和する。また、連結部22cに面取り22fが形成されているため、フィンプレート22の連結部22cを変形して、半導体ユニット30と冷却ケース23との間に高熱伝導性絶縁層16を取り付ける工程において、連結部22cとベース部22aの接続部の応力集中を緩和することができる。また、連結部22cは、ベース部22aの上層部側、換言すれば、半導体ユニット30側と反対側に形成されている。この構造は、連結部22cをベース部22aの下層部側に形成する構造に比し、連結部22cに作用する応力を緩和するという効果を奏する。以下に、その理由を説明する。図12は、比較例としての半導体モジュール60の縦断断面図である。比較例としての半導体モジュール60は、導体板64a、64bを収納する冷却ケース61は、フランジ部61aと、多数のフィン62が形成された一対のベース部63を有する。冷却ケース61のフランジ部61aと各ベース部63との間には、ベース部63より薄肉の連結部65が形成されている。一対のベース部63は、下端部61bにおいて一体的に連接されている。連結部65は、ベース部63の上層部側が除去され、ベース部63の下層部側に設けられている。導体板64aおよび64bのそれぞれと、冷却ケース61の内面との間には高熱伝導性絶縁層16が配置されている。導体板64a、64bの全周側面は、封止樹脂66により被覆されている。また、冷却ケース61の上部空間には絶縁性封止剤67が充填されている。導体板64a、64bおよび一対のベース部63は、高熱伝導性絶縁層16に接着されている。半導体モジュール60おいて、連結部65は、高熱伝導性絶縁層16を介して封止樹脂66に固着されている。封止樹脂66を含めた導体板64aおよび封止樹脂66を含めた導体板64bの線膨張係数はベース部63の線膨張係数より小さい。従って、ベース部63は、矢印Y方向で示すように外方に向かって湾曲する方向、換言すれば、ベース部63の下層部側半導体ユニット30に面する側の中央領域側が半導体ユニット30側に凸状となるように変形しようとする。しかし、ベース部63の下端部61bは連接され、ベース部63の上端は、上部側のフランジ部61a内に充填された絶縁性封止剤67により移動を阻止されている。このため、ベース部63と連結部65の接合部に引張応力が大きな作用する。これにより、この部分が金属疲労により破壊され易くなる。これに対し、本発明の一実施の形態の半導体モジュール1では、フィンプレート22の連結部22cは、ベース部22aの上層部側に形成されており、高熱伝導性絶縁層16側とは反対側に位置する。この構造では、比較例の場合と同様に、ベース部22aの下層部側半導体ユニット30に面する側の中央領域側が半導体ユニット30側に凸状となるように変形すると、ベース部22aの上層部側に位置する連結部22cには圧縮応力が作用することになる。圧縮応力による破壊は、引張応力による場合に比し、著しく生じ難い。このため、本発明の一実施の形態の半導体モジュール1は、比較例に比して、金属疲労に対する信頼性を大幅に向上することができる。図13は、本発明の一実施の形態および比較例における熱ひずみと疲労破壊の関係を示す対比図である。図13において、縦軸の熱ひずみ[]および横軸の金属疲労までの回数は、共に対数目盛である。図13に図示される如く、比較例における熱ひずみは1.5程度であり、疲労回復に至るまでの回数は6×102程度である。これに対し、本発明の一実施の形態の場合には、熱ひずみは、0.48程度であり、疲労回復に至るまでの回数は8×103程度である。このように、本発明の一実施の形態では、フィンプレート22の連結部22cに発生する熱ひずみは、比較例の1/3程度熱応力も1/3程度に低減され、金属疲労までの回数では、1桁以上大きくなることが確認された。実施形態2図14は、本発明の半導体モジュールの実施形態2の縦断断面図である。実施形態2の半導体モジュール1Aが実施形態1として図2に示す半導体モジュール1と相違する点は、一方のフィンプレート22Aには、薄肉の連結部22cが形成されていない点である。すなわち、一方のフィンプレート22Aは側面22eに、直接、接合部22dが連接されている。フィンプレート22Aの接合部22dは、他方のフィンプレート22の接合部22dよりも肉厚にしてもよい。半導体モジュール1Aにおいて、半導体ユニット30と冷却ケース23Aとの間に高熱伝導性絶縁層16を取り付ける場合、フィンプレート22Aは、接合部22dにおいて変形せず、フィンプレート22の連結部22cのみを変形する。このことにより、フィンプレート22Aの強度を向上することができる。半導体モジュール1Aのその他の構造は、実施形態1に示された半導体モジュール1と同様であり、従って、同様な効果を奏する。なお、図14では、半導体ユニット30の裏面側に、薄肉の連結部22cが形成されていないフィンプレート22Aを配置した構造としたが、逆に、半導体ユニット30の表面側に、薄肉の連結部22cが形成されていないフィンプレート22Aを配置する構造としてもよい。実施形態3図15は、本発明の半導体モジュールの実施形態3の縦断断面図である。実施形態3の半導体モジュール1Bが実施形態1として図2に示す半導体モジュール1と相違する点は、フレーム21Aに、フィンプレート22の一方が一体化して形成されている点である。すなわち、フレーム21Aは、半導体ユニット30の裏面側に対応する放熱部27を有し、放熱部27に多数のフィン27aが立設されている。フレーム21Aの半導体ユニット30の表面側には、実施形態1と同様に、フィンプレート22が開口21c内に配置された状態で、フレーム21の開口21cの縁部に接合されている。実施形態3の構造では、実施形態2と同様に強度の向上を図ることができ、また、部品点数の削減および組立作業の効率化を図ることができる。半導体モジュール1Bのその他の構造は、実施形態1に示された半導体モジュール1と同様であり、従って、同様な効果を奏する。なお、図15では、フレーム21Aは、半導体ユニット30の裏面側に対応する側に、多数のフィン27aを有する放熱部27を一体に形成した構造としたが、逆に、半導体ユニット30の表面側に対応する側に、多数のフィン27aを有する放熱部27を一体に形成した構造としてもよい。実施形態4図16は、本発明の半導体モジュールの実施形態4を示すもので、高熱伝導性絶縁層16およびその近傍の拡大断面図である。図16に図示された実施形態4においては、フィンプレート22Aの側面22eが、ベース部22aの下面側、換言すれば、半導体ユニット30側に向かって、面積が縮小する方向に傾斜されている。上述した如く、フィンプレート22の連結部22cとベース部22aの側面22eの交差部には、熱集中に起因する応力集中が生じる。また、半導体ユニット30と冷却ケース23との間に高熱伝導性絶縁層16を配置する際、連結部22cを変形するために、この変形に伴う応力集中が生じる。そこで、連結部22cに連接されるベース部22aの側面22eを、連結部22cと側面22eの角度が90度よりも大きくなるように傾斜させる。これにより、熱集中に起因する応力集中が緩和され、変形に起因する応力集中が緩和され、以て、連結部22cが破壊するまでの寿命が向上する。図17は、図16におけるベース部22aの側面傾斜角θと熱ひずみ[]との関係を示す特性図である。側面傾斜角θが50~60度では、傾斜角θの増大と共に、熱ひずみは直線的に上昇する。側面傾斜角θが60~70度では、傾斜角θの増大と共に、熱ひずみは直線的に上昇するが、熱ひずみの上昇率は、側面傾斜角θが50~60度の範囲の場合よりも小さい。側面傾斜角θが70度以上では、傾斜角θが増大しても熱ひずみは、ほぼ一定である。図17に図示された結果から、次のことが理解される。下面22gに対する側面22eの傾斜角θは、70度程度以下が好ましく、60度以下がより好ましい。傾斜角θが小さすぎすると、フィンプレート22が大きくなるため、傾斜角θは、例えば、30度以上とすることが好ましい。図16に図示された、フィンプレート22のベース部22aの側面22eに傾斜角θを形成する構造は、実施形態2および3に対しても適用が可能である。なお、上記した各実施形態では、半導体モジュール1、1A、1Bに内蔵される電子部品は、半導体素子31およびダイオード32としたが、他の電子部分を含んでいてもよいし、さらに多数の電子部品を含んでいてもよい。半導体ユニット30は、半導体素子31およびダイオード32を覆う導体板33~36、回路部の入出力に接続される信号端子24、温度信号端子25および封止樹脂6で構成される構造として例示した。しかし、半導体ユニット30はこのような構造に限られるものではない。例えば、導体板33~36をケース形状としたり、信号端子24、温度信号端子25をコネクタとしたりしてもよい。フィン22bは、半導体ユニットの表裏両面において、個数や配置面積を異なるようにしてもよい。その他、本発明の趣旨の範囲で、適宜、変形して適用することが可能であり、要は、半導体素子の発熱を冷却する冷却ケースを、放熱部と枠体により構成し、放熱部の少なくとも一側縁に、放熱部の上層部で形成される薄肉の連結部を設け、この連結部がほぼ平坦な状態でフレーム21に接合されるようにしたものであればよい。"