可動ミラーと、前記可動ミラーの変位を生じさせるために前記可動ミラーに結合された、可変静電容量を有するマイクロメカニカルシステムMEMSアクチュエータと、前記MEMSアクチュエータの現在の静電容量に基づいて前記可動ミラーの位置を決定するように前記MEMSアクチュエータの前記現在の静電容量を検知するための、前記MEMSアクチュエータに結合された容量検知回路とを備えるMEMS装置。前記MEMSアクチュエータが2枚の板を有する静電アクチュエータであり、前記容量検知回路が前記2枚の板間の前記現在の静電容量を検知する、請求項1に記載のMEMS装置。前記MEMSアクチュエータが静電櫛歯状アクチュエータである、請求項2に記載のMEMS装置。前記容量検知回路が、前記現在の静電容量を受け取り、前記静電容量に比例する出力電圧を作り出すための静電容量/電圧変換器を含む、請求項1に記載のMEMS装置。前記容量検知回路が、前記MEMSアクチュエータの前記現在の静電容量を検知するための特定用途向け集積回路を含み、前記現在の静電容量に基づいて前記可動ミラーの前記位置を決定するためのディジタル信号プロセッサをさらに備える、請求項1に記載のMEMS装置。前記ディジタル信号プロセッサが前記特定用途向け集積回路内で実施されている、請求項1に記載のMEMS装置。前記特定用途向け集積回路がさらに、前記MEMSアクチュエータの動きを生じさせる作動信号を生成する、請求項5に記載のMEMS装置。前記MEMSアクチュエータ、前記可動ミラーおよび前記特定用途向け集積回路が1つのダイdie型状パッケージ上に集積されている、請求項5に記載のMEMS装置。光を受け、反射するように光学的に結合された可動ミラーを含む干渉計と、前記可動ミラーの変位を生じさせるために前記可動ミラーに結合された、可変静電容量を有するマイクロメカニカルシステムMEMSアクチュエータと、前記MEMSアクチュエータの現在の静電容量に基づいて前記可動ミラーの位置を決定するように前記MEMSアクチュエータの前記現在の静電容量を検知するための、前記MEMSアクチュエータに結合された容量検知回路と、を備える、MEMS干渉計システム。前記干渉計が、入射ビームを受け、前記入射ビームを第1の干渉ビームと第2の干渉ビームとに分割するように光学的に結合されたビームスプリッタと、前記第1の干渉ビームを受け、第1の反射干渉ビームを作り出すために前記第1の干渉ビームを前記ビームスプリッタへ向けて反射して戻すように光学的に結合された固定ミラーと、前記第2の干渉ビームを受け、第2の反射干渉ビームを作り出すために前記第2の干渉ビームを前記ビームスプリッタへ向けて反射して戻すように光学的に結合された前記可動ミラーと、前記第1の反射干渉ビームと前記第2の反射干渉ビームとの間の干渉の結果として作り出される干渉パターンを検出するように光学的に結合された検出器とをさらに含み、前記可動ミラーの前記変位が、前記変位の2倍に等しい前記第1と第2の干渉ビーム間の光路長差を作り出す、請求項9に記載のMEMS干渉計システム。前記ビームスプリッタが、第1の媒質と第2の媒質との界面において前記第1の媒質の第1の表面に形成されている、請求項10に記載のMEMS干渉計システム。前記ビームスプリッタが、前記第1の媒質と前記第2の媒質との界面を形成する単一の反射屈折面からなり、前記第1の干渉ビームが、前記単一の反射屈折面からの前記入射ビームの部分屈折から作り出される屈折ビームであり、前記第2の干渉ビームが、前記単一の反射屈折面からの前記入射ビームの部分反射から作り出される反射ビームである、請求項10に記載のMEMS干渉計システム。前記干渉計が、フーリエ変換赤外分光FTIR分光計、マイケルソン干渉計、マッハツェンダー干渉計、またはファブリーペロー干渉計のうちの1つである、請求項9に記載のMEMS干渉計システム。前記MEMSアクチュエータが2枚の板を有する静電アクチュエータであり、前記容量検知回路が前記2枚の板間の前記現在の静電容量を検知する、請求項9に記載のMEMS干渉計システム。前記容量検知回路が、前記MEMSアクチュエータの前記現在の静電容量を検知するための特定用途向け集積回路を含み、前記現在の静電容量に基づいて前記可動ミラーの前記位置を決定するためのディジタル信号プロセッサをさらに備える、請求項9に記載のMEMS干渉計システム。前記特定用途向け集積回路がさらに、前記MEMSアクチュエータの動きを生じさせる作動信号を生成し、前記検出器の出力信号を調節する、請求項15に記載のMEMS干渉計システム。前記MEMSアクチュエータ、前記干渉計および前記特定用途向け集積回路が1つのダイパッケージ上に集積されている、請求項15に記載のMEMS干渉計システム。前記干渉計が、光ビームを作り出すための広帯域光源と、前記可動ミラーを含む第1のアームと、固定ミラーを含む第2のアームと、前記光ビームを、前記第1のアームと前記第2のアームの両方を横切るように分割するためのビームスプリッタとを含み、前記可動ミラーが、前記干渉計の前記第1と第2のアーム間の前記光ビームのゼロ光路差に対応するゼロ位置の両側を通って動くことができ、前記干渉計が、前記ディジタル信号プロセッサが位相補正に際して使用するための前記ゼロ位置の両側におけるインターフェログラムを記録する、請求項15に記載のMEMS干渉計システム。マイクロメカニカルシステムMEMS装置内の可動ミラーの位置を決定するための方法であって、前記可動ミラーに結合された、可変静電容量を有するMEMSアクチュエータを設ける段階と、前記MEMSアクチュエータを使用して前記可動ミラーを変位させる段階と、前記MEMSアクチュエータの現在の静電容量を検知する段階と、前記MEMSアクチュエータの前記現在の静電容量に基づいて前記可動ミラーの前記位置を決定する段階と、を含む方法。前記MEMSアクチュエータが2枚の板を有する静電アクチュエータであり、前記現在の静電容量を検知する前記段階が、前記静電アクチュエータの前記2枚の板間の前記現在の静電容量を検知する段階を含む、請求項19に記載の方法。したがって、サイズ、コストおよび複雑さが低減される、可動ミラー位置を決定するための機構が求められている。本発明の実施形態は、可動ミラーと、可動ミラーの変位を生じさせるために可動ミラーに結合されたマイクロメカニカルシステムMEMSアクチュエータとを含むMEMS装置を提供する。MEMSアクチュエータは可変静電容量を有する。MEMSアクチュエータには、MEMSアクチュエータの現在の静電容量を検知し、MEMSアクチュエータの現在の静電容量に基づいて可動ミラーの位置を決定するために、容量検知回路が結合されている。一実施形態では、MEMSアクチュエータは2枚の板を有する静電アクチュエータであり、容量検知回路は2枚の板間の現在の静電容量を検知する。一例示的実施形態では、MEMSアクチュエータは静電櫛歯状アクチュエータである。別の実施形態では、容量検知回路は、現在の静電容量を受け取り、静電容量に比例する出力電圧を作り出すための静電容量/電圧変換器を含む。別の実施形態では、容量検知回路は、MEMSアクチュエータの現在の静電容量を検知するための特定用途向け集積回路と、現在の静電容量に基づいて可動ミラーの位置を決定するためのディジタル信号プロセッサとを含む。一例示的実施形態では、特定用途向け集積回路はさらに、MEMSアクチュエータの動きを生じさせる作動信号を生成する。別の例示的実施形態では、MEMSアクチュエータ、可動ミラーおよび特定用途向け集積回路は1つのダイパッケージ上に集積されている。本発明の実施形態はさらに、光を受け、反射するように光学的に結合された可動ミラーを有する干渉計を含むマイクロメカニカルシステムMEMS干渉計システムを提供する。また、MEMS干渉計システムは、可動ミラーの変位を生じさせるために可動ミラーに結合されたMEMSアクチュエータと、MEMSアクチュエータの現在の静電容量を検知し、MEMSアクチュエータの現在の静電容量に基づいて可動ミラーの位置を決定するための、MEMSアクチュエータに結合された容量検知回路も含む。一例示的実施形態では、干渉計は、入射ビームを受け、入射ビームを第1の干渉ビームと第2の干渉ビームとに分割するように光学的に結合されたビームスプリッタと、第1の干渉ビームを受け、第1の反射干渉ビームを作り出すために第1の干渉ビームをビームスプリッタへ向けて反射して戻すように光学的に結合された固定ミラーとをさらに含む。可動ミラーは、第2の干渉ビームを受け、第2の反射干渉ビームを作り出すために第2の干渉ビームをビームスプリッタへ向けて反射して戻すように光学的に結合されている。検出器が、第1の反射干渉ビームと第2の反射干渉ビームとの間の干渉の結果として作り出される干渉パターンを検出するように光学的に結合されている。一実施形態では、可動ミラーの変位は、変位の2倍に等しい第1の干渉ビームと第2の干渉ビームとの光路長差を作り出す。別の例示的実施形態では、干渉計は、光ビームを作り出すための広帯域光源と、可動ミラーを含む第1のアームと、固定ミラーを含む第2のアームと、第1のアームと第2のアームの両方を横切るように光ビームを分割するためのビームスプリッタとを含む。可動ミラーは、干渉計の第1のアームと第2のアームとの間の光ビームのゼロ光路差に対応するゼロ位置の両側を通って動くことができる。干渉計は、ディジタル信号プロセッサが位相補正に際して使用するためのゼロ位置の両側におけるインターフェログラムを記録する。本発明の実施形態は、マイクロメカニカルシステムMEMS装置内の可動ミラーの位置を決定するための方法を提供する。方法は、可変静電容量を有する、可動ミラーに結合されたMEMSアクチュエータを設ける段階を含む。方法は、MEMSアクチュエータを使用して可動ミラーを変位させる段階と、MEMSアクチュエータの現在の静電容量を検知する段階と、MEMSアクチュエータの現在の静電容量に基づいて可動ミラーの位置を決定する段階とをさらに含む。図面の詳細な説明本発明の実施形態によれば、干渉計/分光計用途といった、マイクロメカニカルシステムMEMS用途において可動ミラーの位置を決定するための技法が提供される。この技法は、小型チップ上における干渉計/分光計システムの統合を可能にし、システムのコストおよび複雑さを低減する。次に図1を参照すると、本発明の実施形態による例示的MEMS装置100が示されている。MEMS装置100は、MEMSアクチュエータ110と、可動ミラー120とを含む。MEMSアクチュエータ110は、櫛歯状アクチュエータや、平行板アクチュエータや、別の種類の静電アクチュエータといった静電アクチュエータである。可動ミラー120は、MEMSアクチュエータの動きが可動ミラー120の位置の変位を生じさせるように、MEMSアクチュエータ110に結合されている。多くのMEMS用途では、可動ミラー120の位置の知識を有することが必要である。例えば、干渉計用途では、可動ミラー120の位置は、干渉計の出力を処理するのに使用される。MEMS干渉計システム105の一例が図2に示されている。図2に示すように、MEMSアクチュエータ110および可動ミラー120は、図7に関連して以下でより詳細に説明するビームスプリッタや、固定ミラーや、光検出器といった、干渉計140の他の構成部品と合わさってMEMS干渉計150を形成する。MEMS干渉計150は、例えば、フーリエ変換赤外分光FTIR分光計、マイケルソン干渉計、マッハツェンダー干渉計、ファブリーペロー干渉計などとすることができる。可動ミラー120の変位は、光検出器において所望の干渉パターンを達成するために、干渉計140の2つのアーム間の光路長差を作り出す。光検出器からの信号出力を効果的に処理するためには、少なくとも1つの平面おける可動ミラー120の位置が確認されなければならない。したがって、次に図1および図2を参照すると、可動ミラー位置を測定するために、MEMS装置100は、MEMSアクチュエータ110に結合された容量検知回路130も含む。MEMSアクチュエータ110は静電アクチュエータであるため、MEMSアクチュエータ110は、容量検知回路130によって測定され得る可変静電容量を有する。例えば、一実施形態では、容量検知回路130をMEMSアクチュエータ110の2枚の板に結合して、板間の静電容量を検出するすなわち、以下MEMSアクチュエータの現在の静電容量と呼ぶ静電容量の現在値を測定することができる。測定された現在の静電容量に基づき、可動ミラー120の位置を決定することができる。理解されるように、MEMSアクチュエータ110の2枚の板間の分離間隔距離は、ミラー120が移動するに従って変動する。MEMSアクチュエータ110は静電アクチュエータであるため、2枚の板間の静電容量は、2枚の板間の分離間隔に正比例場合によっては逆比例する。よって、板間の静電容量は、この分離間隔を決定するのに使用することができ、分離間隔はさらに、ミラー位置を決定するのに使用することができる。図3は、本発明の実施形態による、MEMS干渉計システム105の例示的構成部品を示すブロック図である。図3において、容量検知回路capacitivesensingcircuitCSC130は、特定用途向け集積回路ASIC160内で実施されている。ASIC160はさらに、MEMS干渉計150と、ディジタル信号プロセッサdigitalsignalprocessorDSP170とに結合されている。一実施形態では、DSP170は、ASIC160上で実施される。ASIC160上にDSP170を組み込むことにより、より大きなシステムに容易に組み込むことのできる、魅力的な自己完結型の解決策が与えられる。しかしこれは、ASIC技術選択に制限を課し、ディジタル部分と高感度のアナログフロントエンドとの間に干渉を生じさせる可能性もある。したがって、別の実施形態では、DSP170を、別のASIC上で、または汎用パーソナルコンピュータ上で実行可能なソフトウェアとして実施することもできる。ASIC160内のCSC130は、MEMS干渉計150のMEMSアクチュエータから容量検知信号190を受け取るように結合されている。CSC130は、容量検知信号190を測定してMEMSアクチュエータの現在の静電容量を決定し、現在の静電容量の値をDSP170へ送る。DSP170は、現在の静電容量値を処理して、MEMS干渉計150内の可動ミラーの位置を決定する。また、ASIC160は、作動信号180を生成し、MEMSアクチュエータの運動を制御するために作動信号180をMEMS干渉計150のMEMSアクチュエータへ送るための回路も含む。例えば、一例示的実施形態では、ASIC160は、任意の作動プロファイルをサポートするD/A変換器digitaltoanalogconverterDACを含む。またDACは、不要な共振モードが励起されないようにするために、作動雑音を低減し、非常に高度にスプリアスフリーの、すなわちスプリアスのないダイナミックレンジを有するように非常に高い分解能のものとすることもできる。加えて、ASIC160はさらに、MEMS干渉計150から出力される光学的干渉パターン195を受け取り、光学的干渉パターン195を処理のためにDSP170へ提供するようにも結合されている。例えば、一例示的実施形態では、MEMS干渉計システム105は、汎用MEMSインターフェースCMOSASIC160を使用するMEMSFTIR分光計である。この実施形態では、MEMS干渉計150は、光検出器と、固定ミラーと、可動ミラーとを含む。可動ミラーの動きに従って、光検出器は光学的干渉パターン195を捕える。ASIC160は、信号を増幅し、直流オフセットを除去し、必要なアンチエイリアシングantialiasing折り返し除去フィルタリングを提供する低雑音信号調節路を含んでいてもよい。信号調節は、最終出力スペクトルにおけるスプリアストーンを低減するために、高度に線形な手法で行われてもよい。DSP170においては、可動ミラーの位置の知識を用いた調節されたパターンのスペクトル分析により、光路内の材料の光波長およびスペクトル指紋spectralprintを識別することができる。次に図4を参照すると、例示的CRC130が示されている。CRC130は、静電容量/電圧変換器C/V200と、増幅器210と、低域フィルタ220とを含む。C/V200は、MEMSアクチュエータの現在の静電容量を指示する容量検知信号190を受け取るように結合されており、現在の静電容量を電圧に変換するよう動作する。特に、C/Vは、MEMSアクチュエータの2端子間の静電容量に比例する電圧出力を作り出す。増幅器210は、C/V200からの電圧出力を増幅し、低域フィルタ220は、電圧をフィルタリングしてスプリアス信号を除去する。一例示的実施形態では、C/V200は、様々な固定静電容量に重畳される幅広い静電容量範囲をサポートするための広範囲の利得および直流オフセット除去を有する、非常に低雑音のC/Vである。CRC130のために低雑音レベルが求められるのは、ミラー位置の不正確が、システムの信号対雑音比signaltonoiseratioSNRに直接影響を及ぼすからである。また、ASIC160も、18ビットを超える分解能を許容するために、非常に低い電圧および雑音レベルを示し得る。別の実施形態では、ASIC160は、C/V200を較正するための静電容量較正回路も含んでいてもよい。C/V200の一例が図5に示されている。C/V200は、測定される静電容量Cを受け取るための入力端子と、基準静電容量Crefを受け取るための入力端子と、演算増幅器202と、フィードバックコンデンサCoと、包絡線検波器回路204とを含む。例示的動作では、既知の周波数例えば10kHzの交流信号が静電容量Cの一方の端子に印加され、同じ励起信号の負のバージョンが基準コンデンサCrefに印加される。演算増幅器202の出力は、その振幅が値C-Crefに比例する同じ周波数の交流信号である。包絡線検波器回路204は、演算増幅器202の出力の包絡線を検出する。特に、包絡線検波器回路204は、演算増幅器202からの交流信号出力の振幅包絡線に比例する出力電圧を生成するように動作する。図5に示すように、包絡線検波器回路204は、演算増幅器202から出力される信号Vo1の包絡線を検出し、測定される静電容量の値に比例する電圧Voutを作り出す。C/V200のための他の回路設計も可能であり、本発明はどんな特定のC/V回路設計にも限定されるものではないことを理解すべきである。例えば、別の実施形態では、C/V200は、2つのコンデンサにおける差を検知するための複数の端子を有していてもよく、その場合、差分値はミラー位置に比例する。図6は、本発明の実施形態による、MEMS装置100の例示的アーキテクチャを示す図である。MEMS装置100は、ASIC160と、MEMS干渉計といったMEMSデバイス155とを含む。MEMSデバイス155は、静電櫛歯状MEMSアクチュエータ110と、可動ミラー120とを含む。図6に示す静電櫛歯状MEMSアクチュエータ110は、櫛歯115とばね118とで形成されており、それぞれ個々の端子112、114を有する。端子112において櫛歯115に電圧を印加することにより、アクチュエータ110の両端に電位差が生じ、この電位差がアクチュエータ110に静電容量を誘導し、駆動力をばね118からの復元力と共に発生させ、それによって、所望の位置への可動ミラー120の変位が生じる。誘導される静電容量Cvariableは、端子112および114をASIC160上のポート162および164に接続することによって、端子112と端子114の間で測定することができる。一実施形態では、ASIC160からの作動信号は、時分割多重化または周波数分割多重化を使用して、静電容量検知信号と同じポートポート162上で送られる。単一のポート上で両方の機能作動および容量検知を有することにより、必要最大作動電圧が低減され得ると同時に、検知される静電容量も増大する。しかし、これは、検知回路と作動回路との間の望ましくない相互作用につながり得る。したがって、別の実施形態では、作動信号は、ASIC160上の別のポート不図示上で送られる。図6に示すMEMSアクチュエータ110のレイアウトおよび特徴は単なる例示にすぎず、本発明は、櫛歯状アクチュエータであれ、平行板アクチュエータであれ、あるいは別の種類の静電MEMSアクチュエータであれ、任意の静電MEMSアクチュエータ設計を用いて実現され得ることを理解すべきである。図7は、本発明の実施形態による、MEMS干渉計システム105の例示的アーキテクチャを示す図である。MEMS干渉計システム105は、MEMS干渉計150と、ASIC160とを含む。MEMS干渉計150は、例えば、MEMS作動式可動ミラーを可能にするためにSOIウェーハ上で実現されるフーリエ変換赤外FTIR分光計などとすることができる。MEMS干渉計150は、MEMSアクチュエータ110と、干渉計140とを含む。図7に示すように、干渉計140は、光源300と、ビームスプリッタ310と、固定ミラー320と、光検出器330と、可動ミラー120とを含む。光源20は、干渉計140を通って半平面ビームスプリッタ30に到達するまで進む入射ビームIを作り出す。一例示的実施形態では、ビームスプリッタ30は、第1の媒質すなわちシリコンSiと第2の媒質すなわち空気との界面において形成される。シリコン/空気界面ビームスプリッタ30は、入射ビームIからある角度例えば45度に位置決めされる。所望の角度は、例えば、シリコン媒質の表面をフォトリソフラフィ的に定義することによって作り出されてもよい。半平面ビームスプリッタ30に当たると、入射ビームIは、2つの干渉ビームL1およびL2に分割される。L1は、シリコン/空気半平面ビームスプリッタ30からの入射ビームIの部分反射から生じ、よって、ビーム入射角と等しい反射角を有する。L2は、シリコン/空気半平面ビームスプリッタ30を通る入射ビームIの部分透過から生じ、少なくとも一部は、スネルの法則によって決定される屈折角でシリコン中を伝搬する。その結果、L1は可動ミラー120に向かって伝搬し、L2は固定ミラー320に向かって伝搬する。ビームL1は、可動ミラー120によって反射され、よって、反射ビームL3を作り出し、ビームL2は、固定ミラー320によって反射され、よって、反射ビームL4を作り出す。図7に示すように、ビームL3もビームL4も、それぞれ、ミラー120およびミラー320からの反射後に、それぞれ、L1およびL2と同じ光路を逆方向に取って、半平面ビームスプリッタ30に向かって戻る。よって、分光計/干渉計がフーリエ変換FT分光計として使用される実施形態では、ある干渉計アームはビームL1/L3で形成され、ビームスプリッタ30と可動ミラー120とを含み、別の干渉計アームは、ビームL2/L4で形成され、固定ミラー320を含む。ビームスプリッタ30において干渉する反射ビームL3およびL4から干渉パターンL5が作り出される。干渉パターンL5は、検出器330によって検出される。検出器330の出力は、端子166を介してASIC160に入力される。一実施形態では、検出器330は、例えば、基板の上面をエッチングして、その中に光検出器が配置され得る開口を実現することによって基板中において微細機械加工によって組み立てられる、または例えば、P-I-Nダイオードを実現するためのドーピングによって、もしくは例えば、金属-半導体-金属MSM光検出器を実現するための部分メタライゼーションによって、基板内においてモノリシックに実現される光検出器を含む。やはり図7に示すように、可動ミラー120は、SOI静電MEMSアクチュエータ110を使用して動かすことができる。図6と同様に、静電MEMSアクチュエータ110は、櫛歯115とばね118で形成されたものとして示されている。端子114を介して櫛歯114に電圧を印加し、それによって、端子112と端子114との間に静電容量を誘導し、ビームL1の反射のための所望の位置までの可動ミラー120の変位を生じさせることができる。よって、実質的にミラー変位の2倍に等しいビームL3とビームL4との光路長差opticalpathlengthdifferenceOPDを達成することができる。加えて、可動ミラー120の位置を決定するために、端子112と端子114との間の静電容量を、ポート162およびポート164を介して、ASIC160によって測定することもできる。決定される可動ミラー位置および検出器330の出力に基づき、光路内の任意の材料の光波長およびスペクトルパターンを識別するために、例えば、図3に示すDSP170などによってインターフェログラム340を作り出すことができる。図7の可動ミラー120は、2つの光路L1/L3およびL2/L4間のゼロ光路差において位置決めされるものとして示されている。しかし、別の実施形態では、容量検知法の結果として作り出される位相雑音および誤差を除去するために、可動ミラー120を、ゼロ光路位置の背後の距離δのところに位置決めすることができ、可動ミラー120は、測定が、ゼロ光路位置の正側と負側の両方で行われるように、ゼロ光路位置を通って移動させることができる。この実施形態では、光源300は、広帯域光源すなわち白色光源であり、負側と正側とは等しくても、等しくなくてもよい。図3に示すDSP170において、ミラー位置における位相誤差を補正するために、インターフェログラム340の複素フーリエ変換を取ることができる。別の実施形態では、インターフェログラムの正側と負側両方を記録するのではなく、正しい信号を抽出し、容量検知法によって作り出される多少の位相雑音および誤差を除去するために、負左側のインターフェログラムの小部分だけがDSPによって測定され、使用されてもよい。一実施形態では、ミラー120およびミラー320は金属ミラーであり、その場合、選択的メタライゼーション例えば、メタライゼーション段階においてシャドウマスクを使用するなどが、ビームスプリッタを保護するために使用される。別の実施形態では、小底面積smallfootprint分光計を得るために非金属垂直ブラッグミラーが使用される。ブラッグミラーは、深反応性イオンエッチングDeepReactiveIonEtchingDRIEを使用して実現することができ、よって、連続した垂直なシリコン/空気界面が作り出される。加えて、ブラッグミラーは、用途に応じて、単純な反射器として働くために幅広い分光反射感度を有するように、または波長選択応答を用いて設計することもできる。本明細書では、ビームスプリッタ30についてシリコン/空気界面が言及されているが、本発明を実現するのに半波長平面ビームスプリッタを提供する他の媒質を使用することもできる。例えば、別の例示的実施形態では、動作のより広いスペクトルウィンドウを可能にするために、シリコンの代わりに、微細機械加工され、または組み立てられたガラス半平面またはパイレックスPyrex商標などの他の材料を使用することもできる。加えて、半平面ビーム分割界面の反射率を変更するある程度の自由を与えるために、空気の代わりに、液体や異なる気体といった他の材料を使用することもできる。図8は、本発明による、例示的MEMSダイパッケージ400を示す図である。容量検知を使用して可動ミラーの位置を決定することにより、MEMS干渉計150を、同じMEMSダイパッケージ400上でASIC160チップと一緒に集積することができ、それによって、MEMSシステムのサイズ、コストおよび複雑さが低減される。図9に、本発明の実施形態による、MEMS装置内の可動ミラーの位置を決定するための例示的方法500を示す。方法は510から開始し、そこで、可動ミラーに結合された可変静電容量を有する静電MEMSアクチュエータが設けられる。520で、可動ミラーを、MEMSアクチュエータを使用して変位させる。その後、530で、MEMSアクチュエータの現在の静電容量が検知され、540で、MEMSアクチュエータの現在の静電容量に基づいて、可動ミラーの位置が決定される。当業者には理解されるように、本出願において説明した革新的概念は、広範囲の用途にわたって改変し、変更することができる。したがって、特許の主題の範囲は、前述の具体的例示的教示のいずれにも限定すべきではなく、添付の特許請求の範囲によって定義されるものである。