画素の行と列のマトリックスを含む透過型液晶ディスプレイであって、各画素が、透明画素電極Epと全画素に共通の透明な対電極CEとの間の液晶CL、駆動トランジスタQ、及び補助蓄積コンデンサCstを備え、前記トランジスタのゲートが、第1の行導体から書き込み制御パルスを受けるように、与えられた行の全画素に共通の第1の行導体Liに接続され、トランジスタのドレインが、表示されるべきグレースケールを表わすアナログ電圧を列導体から受けるように、与えられた列の全画素に共通の列導体C1に接続され、そして前記トランジスタのソースが、前記画素の前記電極と前記補助蓄積コンデンサの端子とに接続され、前記トランジスタが前記液晶と前記補助蓄積コンデンサとの間に位置し、その前記蓄積コンデンサが、相互に入り込んだ平行な極板を有する不透明の金属で作られた、少なくとも2つの構造の堆積で構成され、各構造がそれぞれの金属化階層M2~M5内に作られ、前記相互に入り込んだ極板構造がそれぞれの構造内に平行な指を備え、1つの構造の指が他の構造の指に対して直角であることを特徴とするディスプレイ。前記トランジスタ及び前記補助蓄積コンデンサが画素面積の50よりも小さい面積を占めることを特徴とする、請求項1に記載のディスプレイ。コンデンサが、設けられるべき相互接続に応じて各種の前記階層を接続する導電性ビアホール22、24を有する、絶縁層によって分離された少なくとも3つの前記金属化階層の堆積から成ることを特徴とする、請求項2に記載のディスプレイ。前記コンデンサが、前記トランジスタ全体を覆う連続的な不透明の面を形成する極板を備えることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載のディスプレイ。補償コンデンサCcompが、与えられた行の中の全画素を接続する補助行導体L’iに接続され、前記補償コンデンサが前記トランジスタの上方に位置することを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載のディスプレイ。前記補償コンデンサが、前記トランジスタ全体を覆う連続的な不透明の面を有する極板を備えることを特徴とする、請求項5に記載のディスプレイ。LCOS技術を用いて作られ、前記トランジスタと前記補助蓄積コンデンサが単結晶シリコンオンインシュレータSOI基板の単結晶表面層の上に生成されることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載のディスプレイ。こうした理由から、本発明は、以下に記載する画素の行と列のマトリックスを含む透過型液晶ディスプレイを提供する。本ディスプレイにおいて、各画素が、透明画素電極と全画素に共通の透明な対電極との間の液晶、駆動トランジスタ、及び補助蓄積コンデンサを備え、トランジスタのゲートが、第1の行導体から書き込み制御パルスを受けるように、与えられた行の全画素に共通の第1の行導体に接続され、トランジスタのドレインが、表示されるべきグレースケールを表わすアナログ電圧を列導体から受けるように、与えられた列の全画素に共通の列導体に接続され、そしてトランジスタのソースが、画素の電極と補助蓄積コンデンサの端子とに接続される。本ディスプレイは、トランジスタが液晶と補助蓄積コンデンサとの間に位置し、その蓄積コンデンサが、相互に入り込んだ平行な極板を有する不透明の金属で作られた、少なくとも2つの構造の堆積で構成され、各構造がそれぞれの金属化階層内に作られ、相互に入り込んだ極板構造がそれぞれの構造内に平行な指を備え、1つの構造の指が他の構造の指に対して直角であることを特徴とする。コンデンサはそのとき液晶、駆動トランジスタ、及び補助蓄積コンデンサにより形成される堆積の上流側照明に関して上流に位置する。動作において、ディスプレイの光源はそれゆえコンデンサを照らすが、トランジスタは照らさないか、殆ど照らさず、後者はコンデンサによってマスキングされる。画素の残りはコンデンサによってマスキングされず、光が液晶に到達する可能性があり、そこではコンデンサは障害物でないすなわち透明電極を通る。トランジスタ及び補助蓄積コンデンサは画素面積の50よりも小さく、極力小さい小部分を占める。具体的にコンデンサの横方向の占有寸法は、画素の開口、すなわちそれを通って光が全体の画素面積まで通り得る画素面積の比率が、出来る限り大きく保たれるように、最小化されねばならない。可能な限り大きな静電容量と、可能な限り小さな横方向の占有寸法を有する補助蓄積コンデンサを得るため、コンデンサは各構造がそれぞれの不透明な金属化階層で作られる、少なくとも2つの相互に入り込んだ極板構造の堆積で構成される。金属化はアルミニウム及び/又は銅で作られることが望ましい。相互に入り込んだ構造は絶縁層により分離され、導電性のビアホールにより互いに接続される。例えば、6つの金属化階層を有するディスプレイにおいて、4つの重ねられた階層が、各々2つの電極を持つ4つの相互に入り込んだ極板構造を作るために使用され得る。様々な階層の対応する電極は、ビアホールにより全て相互に接続される。2つの異なる階層における2つの相互に入り込んだ構造の指の方向は、光をより良く阻止するように互いに直角に交代している。1つの実施形態において、コンデンサはトランジスタ全体を覆う連続した不透明な面積を占める極板を備える。補償コンデンサは更に、補助蓄積コンデンサと同じ金属層の堆積内に作られ得る。このコンデンサは、画素電極と補償電圧の印加を可能にする導電線との間に電気接続されている。このコンデンサは、光からのトランジスタの保護に役立ち、それは連続的に不透明でトランジスタ全体を覆う極板を有し得る。トランジスタと補助蓄積コンデンサはsilicon-on-insulatorSOI=シリコンオンインシュレータ基板の単結晶表面層の上に作られることが望ましい。本発明の別の特徴及び利点は添付図に関連して与えられる、以下の詳細記述を読むことにより明らかになるであろう。透過性液晶ディスプレイは、例えば図1~3に示すうちの1つのように組織された画素の行と列のマトリックスを含む。図5の断面には1つの画素のみが示されている。各画素は、画素電極Epと全画素に共通の対電極CEとの間に液晶セルCLを含む。駆動トランジスタQは液晶セルに接着された単結晶シリコンに基づく、CMOS技術構造10から作られる。共通の電極CEと画素電極EpはITOで作られて透明であるが、しかし例えばアルミニウムで作られる不透明のシールドBCLは、反射効果を用いて液晶セルを経由して到達し得る光からトランジスタを保護するように、画素電極とトランジスタとの間に局部的に介在する。CMOS構造10を作るために様々な技術が存在する。例として示される技術において、構造10はSOIシリコンオンインシュレータ基板から形成される。この基板は画素電極Epに隣接するシリコン酸化物の絶縁層12と、そこに駆動トランジスタが形成されている単結晶シリコン14の層との重ね合わせを含む。示されているトランジスタは、多結晶シリコンで作られた絶縁ゲートGにより覆われている、p型トレンチ溝により分離されたn型ドーピングされたソース及び、n型ドーピングされたドレインを備えるnMOSトランジスタである。そのトランジスタは代わりにpMOSトランジスタであり得る。トランジスタは、シリコン酸化物で満たされたSTIshallowtrenchisolation=浅いトレンチ絶縁により、隣接する画素のトランジスタから分離される。トランジスタは、画素のマトリックス用回路図を確立するために必要な相互接続の形成と、補助蓄積コンデンサCst及び任意選択的には、補償コンデンサCcompの形成とを可能にする、絶縁層と金属層の交番により覆われている。金属層は相互に接続され、そして絶縁層を貫通する導電性ビアホールにより、トランジスタに接続される。絶縁層12内に形成される導電性ビアホール16は、さらにトランジスタのソースと画素電極Epとの間の接続を確立出来るようにする。金属層はアルミニウム及び/又は銅で作られることが望ましい。それらは光に対して不透明であり、とりわけ、示されている堆積の上方に置かれるディスプレイの図示されていない光源からの光に対して不透明である。トランジスタが図4で非晶質シリコン技術において画素面積の小部分を占めるのが示されているのと同様に、トランジスタは画素面積の小部分を占め、図5に主として示されているのは画素のこの部分である。図5に示す例において、それぞれ参照記号M1~M6で示される6つの重ね合わせられた金属化階層が存在する。階層の数は異なり得る。各種の階層の機能は変わる可能性があり、その一例のみが下記に与えられているが、いずれの場合も、それらは蓄積コンデンサCst及び任意選択的に、補償コンデンサCcompを生成するために使用される。それらは更に画素内部の相互接続、及びマトリックスの動作に必要とされる相互接続制御線、接地線、列導体、等の全てを形成する。金属化階層は太い水平方向の線で象徴的に示され、ビアホールは太い垂直方向の線で象徴的に示されている。階層を分離するシリコン酸化物で作られる絶縁層は、連続的に堆積されている金属化階層同士間に、連続して堆積されるが、しかしそれらは、その中に複数の金属化階層が組み込まれている単一の絶縁層20として示されている。図5の例において:―階層M1は2つの機能を有する。それはビアホールによりトランジスタのゲートに接続された行導体Liを形成し、同時にそれはビアホール16を用いてトランジスタのソースを画素電極に接続し、―階層M2は、そこに画素が接続されている列導体C1を生み出すために使用され、これはビアホールによりトランジスタのドレインに接続され、同時にそれは補助蓄積コンデンサCstの一部分を生み出すために使用され、―階層M3は全マトリックスに共通の接地面への接続に使われ、同時にそれは補助蓄積コンデンサCstの別の部分を生み出すために使用され、―階層M4及びM5もまた補助蓄積コンデンサCstの一部分を生み出すために使用され、そして最後に―階層M6は、この例において補償コンデンサが蓄積コンデンサと異なる場合に、補償コンデンサCcompの極板を作るために使用されるか、あるいは補償コンデンサが存在しない場合に、補助蓄積コンデンサCstの一部分を生み出すために使用される。階層M6はまた、回路が図3に示すように配置される場合、補償列導体L’iを形成するために使用される。堆積の最終階層M6内に作られるコンデンサの極板は、蓄積コンデンサCstを生み出すために用いられる全ての金属部分を覆う、連続的な不透明の金属領域であることが望ましい。様々な金属化階層における導体の配置は、上記に示すものと異なり得る:例えば階層M3よりもむしろ階層M1が、接地された相互接続の形成に使用されることができ、階層M3がL’iを補償コンデンサに接続するため、及び補償コンデンサが1つの場合はその補償コンデンサ自体を形成するために用いられ得る、等。補助蓄積コンデンサCstはトランジスタを完全に覆い、それを透過する光の殆どを出来る限り防ぐ。トランジスタ上方の金属化階層数が多い程、光の障壁は良好である。不透明な遮蔽BCLもまた下方から到達しやすい光からトランジスタを保護する。横方向の占有寸法を制限しながら蓄積コンデンサの値を最大化するために、それを相互に入り込んだ極板を有する構造で構成することが望ましく、そして電気的に並列接続された、相互に入り込んだ極板を有する幾つかの構造の重ね合わせで構成することが望ましい。例として示される場合の、階層M2~M5の各々は、相互に入り込んだ極板を有する部分的なコンデンサを含み、すなわち部分的なコンデンサの2つの極板が同じ金属化階層内に形成される。各極板は、他の極板に属する別の一連の導体の内の導体近くに位置する、互いに電気接続された一連の導体又はその構造の指を含む。その中に金属化階層が組み込まれている絶縁層20は、2つの極板に属する指同士の間に誘電体を形成する。点線の円で囲まれている図は、階層4におけるそのような部分的コンデンサの原理と一般的外観を示す上面図である。その他の階層は同様に作られる。本図は2つの極板の平行な指を示すが、実際には極板の正確なレイアウトは、必要とされる相互接続及び、とりわけ金属化階層間に作られるべき接触ビアホールに関連する制約を考慮した、各階層において利用可能なスペースに依存する。22及び24のような導電性ビアホールは、階層の重ね合わせが並列につながれた部分的コンデンサを形成するように、様々な階層間の対応する極板を接続する。相互に入り込んだ極板の指は、そこを通過する光をより適切に阻止するため、1つの階層から別の階層へと交差するように方向付けられることが望ましい。図6は指が全て並行で直線である単純化された構成で、この交差した向きを示す。実際にはコンデンサの極板の指はもっと湾曲し得る。例えばM3とM5のような2つの隣接しない階層に対応する櫛が平行な指を持つ場合、再び光の透過を減らす目的で1つの階層の指を、他の階層の指間の隙間に対向して置こうと試みることが可能だと付け加えられるべきである。相互に入り込んだ構造により形成されるコンデンサの静電容量は、絶縁層により分離された2つの連続する金属層間の静電容量よりも、高くなり得ることが理解されるであろう。これはその構造の指から生じる静電容量が、それらの全長にわたり向き合っているためである。指は細長く、それらの数は多く、それらの幅と間隔は数μmであり得る。最後に、各種の金属化階層間の導電性ビアホールは、トランジスタを光から保護するのを助ける。それらは任意の横方向に伝播する光を捉える傾向がある。それゆえ電気接続されるべき2つの導電素子を接続するためには、1つだけよりも複数のビアホールを用意することが有利である。図5の例において、補償コンデンサが連続的な不透明の極板を含むが、蓄積コンデンサCst又は2つの蓄積コンデンサが、連続的な不透明の極板を持つのが代替的に可能であることが理解されるであろう。図7は別の画素構造の例を示す。この例において、3つの金属化階層M1、M2、及びM3だけが用いられる。これは製作費用の理由で、金属化階層の数を最小限にすることが有利であり得るためである。しかしながら光の防御の有効性は低下する。実際には少なくとも3つの金属化階層が存在するであろう。図7の例において:―階層M1は、ビアホール16を用いてトランジスタのソースを画素電極に接続するために用いられる。それはまた、それに画素がつながれており、ビアホールによってトランジスタのドレインに接続されている、列導体C1を生み出すためにも使用される。それはさらに接地導体GNDを作るためにも用いられ、最後にそれは補助蓄積コンデンサCstの一部分を作り上げる、相互に入り込んだコンデンサを形成するために用いられることができ、―階層M2は、金属化階層M1内に形成されるコンデンサ部分と並列に接続される、行導体Li及び、蓄積コンデンサCstの別の相互に入り込んだ部分を作り出すために使用され、最後に―階層M3は本例において、補償コンデンサが蓄積コンデンサと異なる場合か、あるいは補償コンデンサが無い時は補助蓄積コンデンサCstの一部分である場合に、補償コンデンサCcompの極板を作るために使用される。階層M3はまた、回路が図3に示すように配置される場合に、補償行導体L’iを形成するために使用される。堆積の最後の階層M3内に作られるコンデンサの極板は、蓄積コンデンサCstを作るために使用される金属部分の全てを覆う、連続的な不透明金属領域であることが望ましい。コンデンサCcompの別の極板は、階層M2の相互に入り込んだ蓄積コンデンサの極板の1つにより形成される。図8は上に示される素子を形成するための、3つの金属化階層M1、M2、及びM3に対する可能な構成を示す。本図はより暗くハッチングされた領域としての階層間の接続ビアホール及び、トランジスタのソース、ゲート、及びドレインを接続するビアホールを示す。補助蓄積コンデンサCstはトランジスタを覆い、殆どの光がそれを透過するのを出来る限り防ぐ。トランジスタ上方の金属化階層の数が多い程、光に対する障壁はより良くなる。図8の構成において、トランジスタを光からより良く保護するように、トランジスタを完全に覆う、連続した不透明な極板を持つのは補償コンデンサCcompである。従ってトランジスタは、透過性ディスプレイの光源による照明から、蓄積コンデンサ及び補償コンデンサを含む集合体により、非常にうまく保護される。