"反射型光学系を備えた露光装置に用いられるパターン転写用の反射型マスクに、前記反射型マスクへ入射する入射光の斜入射効果の測定に用いられる斜入射効果測定用パターンを形成するマスクパターン形成ステップと、前記反射型マスクを用いて、前記斜入射効果測定用パターンに対応する基板上パターンを基板上に形成する基板上パターン形成ステップと、前記基板上パターンの寸法に基づいて、前記斜入射効果を測定する測定ステップと、前記斜入射効果に基づいて、予め作成しておいたマスクパターンを補正する補正ステップと、を含み、前記斜入射効果測定用パターンは、回転対称なパターンであることを特徴とするマスクパターン作成方法。前記斜入射効果測定用パターンは、前記反射型マスクのマスク面内に対して複数の位置に配置され、前記マスクパターンの補正位置に応じた位置に配置されている前記斜入射効果測定用パターンでの斜入射効果に基づいて、前記マスクパターンデータが補正されることを特徴とする請求項1に記載のマスクパターン作成方法。前記斜入射効果測定用パターンは、複数種類からなり、前記マスクパターンの寸法に応じた前記斜入射効果測定用パターンでの斜入射効果に基づいて、前記マスクパターンデータが補正されることを特徴とする請求項1または2に記載のマスクパターン作成方法。前記斜入射効果の測定結果と、前記マスクパターンへの補正量と、を対応付けて対応関係情報として記憶しておく記憶ステップをさらに含み、前記予め作成しておいたマスクパターンを補正する際には、前記対応関係情報に基づいて、マスクパターンを補正することを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載のマスクパターン作成方法。前記斜入射効果測定用パターンは、前記反射型マスクのマスク面内に対して、前記斜入射効果の影響を受けない位置と、前記斜入射効果の影響を受ける位置と、に配置され、前記斜入射効果の影響を受けない位置に対応する基板上パターンの寸法に基づいて、前記斜入射効果の影響を受ける位置での斜入射効果が測定されることを特徴とする請求項2に記載のマスクパターン作成方法。反射型光学系を備えた露光装置に用いられるパターン転写用の第1の反射型マスクに、前記第1の反射型マスクへ入射する入射光の斜入射効果の測定に用いられる斜入射効果測定用パターンを形成するマスクパターン形成ステップと、前記第1の反射型マスクを用いて、前記斜入射効果測定用パターンに対応する基板上パターンを基板上に形成する基板上パターン形成ステップと、前記基板上パターンの寸法に基づいて、前記斜入射効果を測定する測定ステップと、前記斜入射効果に基づいて、予め作成しておいたマスクパターンを補正する補正ステップと、補正後の前記マスクパターンを用いて第2の反射型マスクを製造するマスク製造ステップと、を含み、前記斜入射効果測定用パターンは、回転対称なパターンであることを特徴とするマスク製造方法。本発明が解決しようとする課題は、所望の微細パターンを基板上に形成することができるマスクパターン作成方法およびマスク製造方法を提供することである。実施形態によれば、マスクパターン作成方法が提供される。マスクパターン作成方法では、反射型光学系を備えた露光装置に用いられるパターン転写用の反射型マスクに、前記反射型マスクへ入射する入射光の斜入射効果の測定に用いられる斜入射効果測定用パターンを形成する。そして、前記反射型マスクを用いて、前記斜入射効果測定用パターンに対応する基板上パターンを基板上に形成する。さらに、前記基板上パターンの寸法に基づいて、前記斜入射効果を測定する。その後、前記斜入射効果に基づいて、予め作成しておいたマスクパターンを補正する。前記斜入射効果測定用パターンは、回転対称なパターンとしておく。以下に添付図面を参照して、実施形態に係るマスクパターン作成方法およびマスク製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。実施形態図1は、実施形態に係る反射型マスクの構成例を示す図である。図1では、反射型マスク10の断面構成を示している。反射型マスク10には、低熱膨張率で高平坦な基板ガラス基板などのマスク基板11上に、EUV光EUV領域の中心波長=13.5nmに対して高反射率を有するEUV反射層12が積層されている。さらに、EUV反射層12の上層側に、EUV光を吸収するEUV吸収層13EUV光領域に対する低反射材が積層されている。そして、反射型マスク10では、EUV吸収層13を用いて、マスクパターンが形成されている。このように、反射型マスク10には、基板11上に、EUV反射層12と、EUV吸収層マスクパターン13と、が形成されている。EUV吸収層13は、例えばMoSiモリブデンシリサイド多層膜であり、EUV反射層12は、例えばCr層である。本実施形態の反射型マスク10には、EUV反射層12とEUV吸収層13との境界近傍で光強度が減衰する斜入射効果シャドウイング効果を測定するためのパターン後述の回転対称パターン30などが形成されている。回転対称パターン30を反射型マスク10上に形成する際には、電子ビーム描画装置などによってEUV吸収層13上にレジストパターンが形成され、レジストパターン上からEUV吸収層13がエッチングされる。反射型マスク10を用いてウエハなどの基板上に露光を行う際には、EUV露光装置に反射型マスク10がセットされる。そして、EUV露光装置は、EUV光源から送られてくる露光光を、反射型光学系反射ミラーなどを介して反射型マスク10に送る。また、EUV露光装置は、反射型マスク10で反射された露光光を反射光学系を介してウエハに送る。EUV露光装置が備えるEUV光源は、例えば放電プラズマ型の光源またはレーザプラズマ型の光源であり、プラズマ種としてはXe、Snなどが用いられる。反射型マスク10では、露光光の一部が反射される。具体的には、反射型マスク10では、EUV反射層12で露光光が反射されるとともに、EUV吸収層13で露光光が吸収される。これにより、反射型マスク10に形成されているマスクパターンEUV吸収層のパターン形状に応じた露光光がウエハに照射される。反射型マスク10に露光光を入射させた場合、露光光の一部は、斜入射効果により、ウエハ側に到達しない。例えば、EUV吸収層13の端部近傍位置15に入射する露光光L1は、露光光L1の斜入射が原因でEUV吸収層13に吸収されてしまい、ウエハに到達しない。また、EUV反射層12で反射されてEUV吸収層13の端部近傍位置16に送られてくる露光光L2は、露光光L2の斜入射露光光の斜め方向の反射が原因でEUV吸収層13に吸収されてしまい、ウエハに到達しない。このため、本実施形態では、斜入射効果の露光ショット内分布を測定し、測定結果に基づいてマスクパターンを補正する。本実施形態の反射型マスク10には、回転対称パターン30が形成されているので、反射型マスク10を介して露光光が照射されたウエハを現像することにより、回転対称パターン30に対応する基板上パターンレジストパターンがウエハ上に形成される。回転対称パターン30に対応する基板上パターンの寸法形状を測定することにより、露光ショット内における斜入射効果の分布を測定する。そして、所望の微細パターンをウエハ上に形成できるよう、斜入射効果の分布に基づいて、マスクパターンの補正を行う。なお、EUV反射層12の位置にEUV吸収層13を配置し、EUV吸収層13の位置にEUV反射層12を配置してもよい。この場合、基板11上の全面にEUV吸収層13を成膜するとともに、EUV反射層12を用いてマスクパターンを形成しておく。図2は、露光ショット内の位置と斜入射効果との関係を説明するための図である。EUV露光装置は、反射ミラーなどの反射光学系を用いてウエハ上に露光光を伝播させる。このため、矩形状の露光スリットスキャンスリットを通過してウエハの露光ショット20に到達する露光光は、矩形状からずれた形状を有した露光領域21に照射される。例えば、露光領域21は、矩形状が扇型のように曲げられた領域である。そして、矩形状の露光スリットを通過した露光光が露光領域21として照射されることにより、露光領域21内で斜入射効果が異なることとなる。このため、同一のマスクパターンを反射型マスク10に形成しておいた場合であっても、ウエハ上には異なるレジストパターンが形成される場合がある。例えば、同一のマスクパターン22A,22B,22Cを、それぞれ露光領域21内の左端部、中央部、右端部となるよう反射型マスク10上に配置した場合、これらのマスクパターン22A~22Cは、異なる斜入射効果の影響を受ける。このため、マスクパターン22A,22B,22Cに対応するレジストパターンが、それぞれ異なる寸法のレジストパターンとなってしまう。このように、同じマスクパターンを露光ショット内に転写する場合であっても、斜入射効果の影響を受けるので、露光領域内の位置毎にマスクパターンの形状補正量を変える必要がある。このため、本実施形態では、回転対称パターン30を、露光ショット内の種々の位置に配置しておく。図3は、回転対称パターンの構成例を示す図である。図3のaに示す回転対称パターン30は、ラインスペースパターンに対する斜入射効果を測定する際に用いられ、図3のbに示す回転対称パターン40は、ホールパターンに対する斜入射効果を測定する際に用いられる。図3のaに示す回転対称パターン30は、複数本の線状パターンを用いて構成される回転対称なパターンである。ここでは、中心位置32の周囲に線幅dの線状パターン31A~31Hが放射状に配置されている場合を示している。線状パターン31A~31Hは、中心位置32を中心とした同心円状に等間隔で且つ長手方向が中心位置32に向かうよう並べられている。換言すると、線状パターン31A~31Hは、それぞれ隣接する線状パターン31A~31Hとの間で一定の角度を成すよう配置されている。具体的には、線状パターン31Aとその横の線状パターン31Bとが、45度の角度をなし、線状パターン31Bとその横の線状パターン31Cとが、45度の角度をなしている。また、線状パターン31Cとその横の線状パターン31Dとが、45度の角度をなし、線状パターン31Dとその横の線状パターン31Eとが、45度の角度をなしている。また、線状パターン31Eとその横の線状パターン31Fとが、45度の角度をなし、線状パターン31Fとその横の線状パターン31Gとが、45度の角度をなしている。また、線状パターン31Gとその横の線状パターン31Hとが、45度の角度をなし、線状パターン31Hとその横の線状パターン31Aとが、45度の角度をなしている。反射型マスク10に入射する露光光入射光の入射方向33と、線状パターン31A~31Hとが成す角度入射角θは、それぞれ、0度、45度、90度、135度、180度-180度、225度-135度、270度-90度、315度-45度である。なお、線状パターン31A~31Hは、回転対称パターン30が回転対称となる配置に限らず、何れの位置に配置してもよい。例えば、線状パターン31Eの下方に線状パターン31H~31Fを配置してもよい。また、線状パターン31A~31Hのうち、少なくとも1つを、中心位置32から離れた位置に配置してもよい。また、斜入射効果を測定するためのパターンは、回転対称パターン30に限らず、何れのパターンであってもよい。例えば、線状パターン31A~31Hの何れかを用いて線対称や点対称となる配置を形成してもよい。また、7本以下の線状パターンまたは9本以上の線状パターンで回転対称パターン30を構成してもよい。また、線状パターン31Aと線状パターン31Eとは、入射光との間で同じ角度をなすので、線状パターン31Aと線状パターン31Eの何れか一方のみを配置してもよい。同様に、線状パターン31Bと線状パターン31Fの何れか一方のみを配置してもよい。同様に、線状パターン31Cと線状パターン31Gの何れか一方のみを配置してもよい。同様に、線状パターン31Dと線状パターン31Hの何れか一方のみを配置してもよい。また、各線状パターン31A~31Hを、矩形以外の形状で構成してもよい。例えば、各線状パターン31A~31Hを、T字形状やL字形状としてもよい。図3のbに示す回転対称パターン40は、複数の円状パターンを用いて構成される回転対称なパターンである。ここでは、中心位置42の周囲に円状パターン41A~41Hが配置されている場合を示している。回転対称パターン40は、線状パターン31A~31Hを、円状パターン41A~41Hに置き換えたパターンである。各円状パターン41A~41Hは、それぞれ複数ここでは3つのホールパターンで構成されており、各ホールパターンが、線状パターン31A~31Hの長手方向に並べられている。なお、回転対称パターン40を1つのホールパターンとしてもよい。つぎに、実施形態に係るマスクパターンの作成方法について説明する。図4は、実施形態に係るマスクパターンの作成処理手順を示すフローチャートである。なお、ここでは、回転対称パターン30を用いてマスクパターンを作成する場合の作成処理手順について説明する。設計レイアウトレイアウトパターンデータ上に図3のaに示した回転対称パターン30などが配置されるステップS10。設計レイアウト上には、回転対称パターン30とともに、ウエハ上に形成したい回路パターンなどを配置しておいてもよいし、回転対称パターン30のみを配置しておいてもよい。ここでは、回転対称パターン30のみを配置しておく場合について説明する。回転対称パターン30は、露光ショット内の複数の位置に配置される。図5は、回転対称パターンの配置位置の一例を説明するための図である。回転対称パターン30は、露光ショット20内の中心部、外周部などの種々の位置に配置される。例えば、露光スリットの形状に対応する露光領域25a~25c内に回転対称パターン30が配置される。露光領域25a~25cは、それぞれ露光ショット20内の上部側の領域、中央部の領域、下部側の領域である。また、露光領域25a~25c内には、それぞれ露光領域25a~25c内の左端部、中央部、右端部に回転対称パターン30が配置される。設計レイアウト上に回転対称パターン30が配置された後、設計レイアウトを用いて、リソグラフィターゲットが生成される。リソグラフィターゲットは、設計レイアウトに対応する実パターンをウエハ上に形成するために必要なレジストパターンのデータである。リソグラフィターゲットが生成されると、リソグラフィターゲットに光学的近接効果補正などが行なわれ、これにより、マスクパターンマスクパターンデータが生成されるステップS20。この後、マスクパターンを用いてマスクが製造されステップS30、マスクを用いてウエハプロセスが行われる。具体的には、ウエハ上にレジストが塗布された後、マスクを用いた露光処理が行われ、その後、ウエハへの現像処理が行われるステップS40。これにより、マスクパターンがウエハ上に転写され、ウエハ上にレジストパターンが形成される。ここでのレジストパターンは、回転対称パターン30のレジストパターンである。回転対称パターン30のレジストパターンが形成されると、この回転対称パターン30のレジストパターンが計測されるステップS50。具体的には、回転対称パターン30の寸法形状などがSEMScanningElectronMicroscopeなどによって計測される。この後、回転対称パターン30のレジストパターン寸法が許容範囲内であるか否かが判定されるステップS60。回転対称パターン30のレジストパターン寸法が許容範囲内でない場合ステップS60、No、マスクパターン補正量が算出されるステップS70。そして、算出されたマスクパターン補正量を用いてマスクパターンが補正されるステップS80。ここで補正されるマスクパターンは、回転対称パターン30のマスクパターンである。この後、補正後のマスクパターンを用いてマスクが製造されステップS30、マスクを用いてウエハプロセス露光現像が行われるステップS40。これにより、補正後のマスクパターンがウエハ上に転写され、ウエハ上に回転対称パターン30のレジストパターンが形成される。そして、回転対称パターン30のレジストパターンが計測されるステップS50。この後、回転対称パターン30のレジストパターン寸法が許容範囲内であるか否かが判定されるステップS60。回転対称パターン30のレジストパターン寸法が許容範囲内でない場合ステップS60、No、レジストパターン寸法が許容範囲内となるまで、ステップS70,S80,S30~S60の処理が繰り返される。回転対称パターン30のレジストパターン寸法が許容範囲内となった場合ステップS60、Yes、レジストパターン寸法が許容範囲内となったマスクパターン補正量を、斜入射効果を補正するマスクパターン補正量に決定するステップS90。そして、このマスクパターン補正量を用いて、回路パターンなどのマスクパターンが補正される。マスクパターン補正量は、例えば、EUV露光装置毎に決定される。ここで、設計レイアウト上に、回転対称パターン30とともに、ウエハ上に形成したい回路パターンなどを配置しておく場合の、マスクパターンの作成方法について説明する。なお、設計レイアウト上に回転対称パターン30のみを配置しておく場合と同様の処理については、その説明を省略する。設計レイアウト上に回転対称パターン30および回路パターンが配置されるステップS10。回転対称パターン30は、露光ショット内のダイシングラインスクライブラインに配置してもよいし、回路パターンなどの製品パターン内に配置してもよい。設計レイアウト上に回転対称パターン30が配置された後、設計レイアウトを用いて、リソグラフィターゲットが生成される。そして、リソグラフィターゲットに光学的近接効果補正などが行なわれ、これにより、マスクパターンが生成されるステップS20。この後、マスクパターンを用いてマスクが製造されステップS30、マスクを用いてウエハプロセス露光現像が行われるステップS40。これにより、マスクパターンがウエハ上に転写され、ウエハ上に回転対称パターン30および回路パターンのレジストパターンが形成される。そして、回転対称パターン30のレジストパターンが計測されるステップS50。この後、回転対称パターン30のレジストパターン寸法が許容範囲内であるか否かが判定されるステップS60。回転対称パターン30のレジストパターン寸法が許容範囲内でない場合ステップS60、No、マスクパターン補正量が算出されるステップS70。そして、算出されたマスクパターン補正量を用いてマスクパターンが補正されるステップS80。ここで補正されるマスクパターンは、回転対称パターン30のマスクパターンおよび回路パターンのマスクパターンである。この後、補正後のマスクパターンを用いてマスクが製造されステップS30、マスクを用いてウエハプロセス露光現像が行われるステップS40。これにより、マスクパターンがウエハ上に転写され、ウエハ上に回転対称パターン30および回路パターンのレジストパターンが形成される。そして、回転対称パターン30のレジストパターンが計測されるステップS50。レジストパターン寸法が許容範囲内となるまで、ステップS70,S80,S30~S60の処理が繰り返される。回転対称パターン30のレジストパターン寸法が許容範囲内となった場合ステップS60、Yes、レジストパターン寸法が許容範囲内となったマスクパターン補正量を、斜入射効果を補正するマスクパターン補正量に決定するステップS90。このマスクパターン補正量で補正されたマスクパターンを、回路パターン形成用のマスクパターンに決定する。マスクパターン補正量は、例えば、ウエハに形成される回路パターン毎に決定される。マスクパターン補正量を決定した後、このマスクパターン補正量を、データベースなどに格納しておいてもよい。この場合、データベースで記憶しておいたマスクパターン補正量を用いて次回以降のマスクパターン補正を行うことが可能となる。データベースには、例えば、測定されたレジストパターン寸法と、マスクパターン補正量と、の対応関係を入射角θ毎に格納しておく。また、データベースには、例えば、設計レイアウトと、マスクパターン補正量と、の対応関係を入射角θ毎に格納しておいてもよい。また、データベースには、後述する、シミュレーションによって算出されたレジストパターン寸法と、マスクパターン補正量と、の対応関係を入射角θ毎に格納しておいてもよい。具体的には、後述する特性50~52などをデータベースに格納しておく。図6は、入射光と回転対称パターンとが成す角度が、レジスト寸法に与える影響を説明するための図である。図6の横軸は、反射型マスク10に入射する露光光入射光と回転対称パターン30とが成す角度入射角θを示している。また、図6の縦軸は、線状パターン31A~31Hの幅寸法である。特性50は、入射角θと設計パターン上での線状パターン31A~31Hの幅との関係を示している。図6に示すように、設計パターン上では、全ての入射角θに対して線状パターン31A~31Hの線幅dが一定となるよう線状パターン31A~31Hが作成されている。特性51は、入射角θと線状パターン31A~31Hの線幅d測定されたレジストパターン寸法との関係を示している。図6に示すように、レジストパターンとしては、入射角θに対して種々の線幅dの線状パターン31A~31Hが形成されることとなる。本実施形態では、特性51が特性50に近付くよう、マスクパターンを補正する。このとき、図5に示した、露光ショット20内の位置毎にマスクパターンを補正する。なお、露光領域25a内のマスクパターン補正と、露光領域25b,25c内のマスクパターン補正は、同様の処理なので、ここでは、露光領域25a内のマスクパターン補正について説明する。例えば、露光領域25a内の左端部、中央部、右端部の各回転対称パターン30に対して、図6に示した特性50と特性51との関係を算出しておく。そして、露光領域25a内の左端部に配置されているマスクパターンに対しては、露光領域25a内の左端部で測定された特性50と特性51との関係に基づいて、マスクパターンを補正する。同様に、露光領域25a内の中央部、右端部に配置されているマスクパターンに対しては、それぞれ露光領域25a内の中央部、右端部で測定された特性50と特性51との関係に基づいて、マスクパターンを補正する。また、入射光と露光領域25a内に配置されているマスクパターンとが成す角度に基づいて、マスクパターンの補正量が算出される。例えば、露光領域25a内に配置されているマスクパターンが、線状パターン31Bと同じ方向に配置されている場合、このマスクパターンへの入射角θは、線状パターン31Bと同じであると判断できる。したがって、この入射角θでの特性51の線幅dが特性50の線幅dに近付くよう、マスクパターンが補正される。なお、設計レイアウトに対するレジストパターン寸法を、リソグラフィシミュレーションを用いて算出し、データベースに格納しておいてもよい。特性52は、入射角θと線状パターン31A~31Hの線幅dリソグラフィシミュレーションによって算出されたレジストパターン寸法との関係を示している。図6に示すように、リソグラフィシミュレーションによって算出されるレジストパターン寸法は、入射角θに対して種々の線幅dを有している。これにより、特性52と特性50との対応関係に基づいて、マスクパターン補正を行うことが可能となる。この場合、リソグラフィシミュレーションを用いてレジスト寸法を算出し、特性52が特性50に近付くよう、マスクパターンを補正する。このように、本実施形態では、反射型光学系を備えたEUV露光装置を用いて、ウエハへの露光を行う際に、以下の1~4の処理が行われる。1露光スリットに対応する露光領域内の位置毎にマスクパターン形状を補正するため、2つ以上の回転対称パターン30を1組としてマスク面内に複数組が配置される。2回転対称パターン30が配置されたマスクを用いてウエハへの露光が行われる。3露光により形成した回転対称パターン30のレジスト寸法が計測される。4回転対称パターン30のレジスト寸法に基づいて、斜入射効果を含むマスクパターンの形状補正量が決定される。マスクパターンの補正は、例えば回路パターン毎に行われる。そして、必要に応じてマスクパターンが補正されたマスクを用いて半導体デバイス半導体集積回路が製造される。具体的には、補正後のマスクパターンを用いてマスクが作製される。そして、レジストの塗布されたウエハにマスクを用いて露光を行ない、その後ウエハを現像してウエハ上にレジストパターンを形成する。なお、合格判定されたマスクを用いて、レジストの塗布されたウエハに露光を行なってもよい。現像処理の後、レジストパターンをマスクとしてウエハの下層側がエッチングされる。これにより、レジストパターンマスクパターンに対応する実パターンがウエハ上に形成される。半導体デバイスを製造する際には、上述した斜入射効果の測定、斜入射効果を考慮したマスクパターンの補正、マスクの作製、露光処理、現像処理、エッチング処理などがウエハプロセスのレイヤ毎に繰り返される。なお、本実施形態では、レジストパターン寸法に基づいて、マスクパターン補正量を算出したが、ウエハ上に形成される実パターンエッチング後パターンの寸法に基づいて、マスクパターン補正量を算出してもよい。また、本実施の形態では、斜入射効果を補正するようマスクパターンを補正したが、斜入射効果を補正するよう設計レイアウトを補正してもよい。また、回転対称パターン30は、露光ショット内に1つの配置でもよいし、2つ以上の配置でもよい。なお、予め斜入射効果の影響を受けない露光ショット内の位置非影響領域が分かっている場合には、この非影響領域とその他の領域の両方に、回転対称パターン30を配置してもよい。これにより、非影響領域に配置された回転対称パターン30のレジスト形状を基準のレジスト形状として、他の領域に配置された回転対称パターン30のレジスト形状斜入射効果を評価することが可能となる。また、設計レイアウトに配置する回転対称パターン30の構成は、1種類に限らず複数種類の回転対称パターン30を配置してもよい。例えば、回転対称パターン30毎に線幅dや線状パターン同士が成す角度線状パターンの本数などを種々変えたものを、1組の回転対称パターン群として、露光ショット内に複数組配置しておく。このように実施形態によれば、マスクパターン内に斜入射効果を測定するためのパターン回転対称パターン30を配置しているので、斜入射効果を含んだ実パターンの形状評価が可能となる。また、露光スリットに対応する露光領域内の複数位置に回転対称パターン30を配置しているので、露光スリットに対応する露光領域内の位置毎に、斜入射効果の影響を測定することが可能となる。また、露光ショット内の種々の位置に回転対称パターン30を配置しているので、露光ショット内の位置毎に、斜入射効果の影響を測定することが可能となる。また、斜入射効果を含んだ実パターンの形状評価に基づいて、マスクパターンを補正するので、斜入射効果と、その他の要因の両方を補正したマスクパターン補正が可能となる。また、回転対称パターン30は、回転対称なパターンであるので、種々の方向に延びるパターンを有している。このため、容易に種々のパターンに対する斜入射効果の影響を測定することが可能となる。したがって、斜入射効果を含むマスクパターンまたは設計レイアウトの形状補正を高精度かつ容易に行うことが可能となる。これにより、ウエハ上に形成するパターンのパターン転写精度が向上し、所望の微細パターンをウエハ上に形成することが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"