半導体基板を有するダイオードであって、半導体基板は、半導体基板の上面に露出する範囲に形成されたp型のアノード領域と、前記上面に露出する範囲に形成されており、アノード領域と繋がっており、アノード領域よりも深い位置まで広がるp型のディープ領域と、アノード領域及びディープ領域の下側、及び、半導体基板の端部とディープ領域との間の外周領域内に広がるn型のカソード領域、を有しており、前記上面に露出する範囲において、アノード領域に近い側のディープ領域の平均p型不純物濃度が、外周領域に近い側のディープ領域の平均p型不純物濃度よりも低い、ダイオード。ディープ領域はアノード領から外周領域側に向かうに従って深くなる第1領域と、第1領域よりも外周領域側に位置しており、外周領域側に向かうに従って浅くなる第2領域を有しており、第1領域の深さの変化率が第2領域の深さの変化率よりも小さいダイオード。前記上面には、アノード領域及びアノード領域に近い側のディープ領域と接しており、外周領域に近い側のディープ領域と接していないアノード電極が形成されている請求項1または2のダイオード。アノード領域の端部に、アノード領域よりも深い位置まで広がるp型のディープ領域を設けたダイオードが存在する。このダイオードによれば、周辺領域の耐圧特性の向上を図ることができる。しかしながら、従来のこのタイプのダイオードは、リカバリ耐性が高くない。すなわち、ダイオードに順電圧が印加されると、ダイオードに電流が流れる。このとき、アノード領域からカソード領域にホールが流入することで、カソード領域のホールの濃度が高くなる。ホールは外周領域内のカソード領域にも流入するので、外周領域内のカソード領域も多量のホールが存在する状態となる。その後に、ダイオードへの印加電圧が順電圧から逆電圧に切り換わると、ダイオードがリカバリ動作を行う。すなわち、カソード領域内に存在するホールがアノード側に流れる。このとき、外周領域内のカソード領域に存在するホールの大部分が、ディープ領域を介して流れる。したがって、ディープ領域に過電流が流れ易い。このため、従来のダイオードは、リカバリ耐量が低いという問題があった。したがって、本明細書では、ディープ領域を有するとともにリカバリ耐量が高いダイオードを提供する。本明細書が開示するダイオードは、半導体基板を有する。半導体基板は、半導体基板の上面に露出する範囲に形成されたp型のアノード領域と、前記上面に露出する範囲に形成されており、アノード領域と繋がっており、アノード領域よりも深い位置まで広がるp型のディープ領域と、アノード領域及びディープ領域の下側、及び、ディープ領域と半導体基板の端部との間の外周領域内に広がるn型のカソード領域を有している。前記上面に露出する範囲において、アノード領域に近い側のディープ領域の平均p型不純物濃度が、外周領域に近い側のディープ領域の平均p型不純物濃度よりも低い。このダイオードでは、アノード領域側のディープ領域の平均p型不純物濃度が、外周領域側のディープ領域の平均p型不純物濃度よりも低い。このように、アノード領域側のディープ領域のp型不純物濃度を低くすることで、ディープ領域の電気抵抗が高くなる。これによって、リカバリ動作時にディープ領域にホールが流れ難くなる。このため、この構成によれば、リカバリ耐量を向上することができる。また、外周領域側のディープ領域のp型不純物濃度を高くしておくことで、外周領域の耐圧特性を確保することができる。すなわち、外周領域側のディープ領域のp型不純物濃度は、外周領域内の電界分布に大きく影響する。このため、外周領域側のディープ領域のp型不純物濃度を下げると、外周領域の耐圧特性が低下する。上記のように外周領域側のディープ領域のp型不純物濃度を高くしておくことで、外周領域の耐圧特性を確保することができる。以上に説明したように、このダイオードは、リカバリ耐量と外周領域の耐圧特性が共に優れる。最初に、以下に説明する実施例の特徴を列記する。なお、ここに列記する特徴は、何れも独立して有効なものである。特徴1ディープ領域はアノード領域から外周領域側に向かうに従って深くなる第1領域と、第1領域よりも外周領域側に位置しており、外周領域側に向かうに従って浅くなる第2領域を有しており、第1領域の深さの変化率が第2領域の深さの変化率よりも小さい。ダイオードに高い逆電圧が印加されると、半導体層の中の電界が高い部分においてアバランシェ電流が流れる。従来のディープ領域を有するダイオードでは、図5に示すようにディープ領域24のアノード領域20側のコーナー部24zがアノード領域20側に突き出している。このため、その部分で、電界が集中し易く、アバランシェ電流が流れ易かった。上記特徴1のように第1領域の深さの変化率を小さくすれば、コーナー部分がアノード領域側に突き出す量が減るので、ディープ領域近傍での電界分布が均一化され、ディープ領域近傍でアバランシェ電流が流れ難くなる。すなわち、ダイオードのアバランシェ耐量を向上させることができる。特徴2半導体基板の上面には、アノード領域及びアノード領域に近い側のディープ領域と接しており、外周領域に近い側のディープ領域と接していないアノード電極が形成されている。このような構成によれば、リカバリ耐性をより向上させることができる。図1に示すダイオード10は、半導体基板12と、半導体基板12の上面及び下面に形成された電極、絶縁膜等によって構成されている。半導体基板12内には、アノード領域20と、カソード領域22と、ディープ領域24と、複数のFLRフィールドリミッティングリング26が形成されている。半導体基板12の端面12aとディープ領域24の間の領域は、ダイオードの主電流が流れない外周領域28である。アノード領域20は、p型であり、半導体基板12の上面に臨む範囲に形成されている。アノード領域20は、半導体基板12を上面側から平面視したときに半導体基板12の略中央に形成されている。アノード領域20は、高濃度アノード領域20aと低濃度アノード領域20bを有している。高濃度アノード領域20aは、p型不純物濃度が高い領域である。半導体基板12の上面に臨む範囲には、複数の高濃度アノード領域20aが島状に形成されている。低濃度アノード領域20bは、高濃度アノード領域20aよりもp型不純物が低い領域である。低濃度アノード領域20bは、高濃度アノード領域20aの側方及び下側に形成されている。ディープ領域24は、アノード領域20と繋がっているp型の領域である。ディープ領域24は、半導体基板12の上面に臨む範囲に形成されており、アノード領域20よりも深い位置まで広がっている。すなわち、略一定の深さで広がっているアノード領域20よりも深くまで広がっているp型領域が、ディープ領域24である。図1のセンターライン24Cは、アノード領域20から外周領域28に向かう方向におけるディープ領域24の中心を示している。以下では、センターライン24Cよりもアノード領域20側のディープ領域24を内周側ディープ領域24aといい、センターライン24Cよりも外周領域28側のディープ領域24を外周側ディープ領域24bという。図2は、半導体基板12の上面に露出する範囲のディープ領域24内のp型不純物濃度Dpの分布を、アノード領域20から外周領域28に向かう方向に沿って示している。図2に示すように、最もアノード領域20側の位置から外周領域28側に向かうに従って、p型不純物濃度Dpは徐々に増加する。p型不純物濃度Dpは、位置X1においてピークとなる。p型不純物濃度Dpは、位置X1から外周領域28側に向かうに従って減少する。位置X1は、外周側ディープ領域24b内に存在する。位置X1は、ディープ領域24のうちの最も深い位置と略一致する。図2のようにp型不純物濃度が分布しているので、内周側ディープ領域24aの平均p型不純物濃度は、外周側ディープ領域24bの平均p型不純物濃度よりも低い。また、図1に示すように、ディープ領域24は、最もアノード領域20側の位置から外周領域28側に向かうに従って深くなる第1領域24dを有している。第1領域24d内における深さの変化率dz/dx絶対値は、比較的小さい。すなわち、第1領域24d内では、ディープ領域24とカソード領域22との境界の傾きが小さい。ディープ領域24は、外周側ディープ領域24b内で最も深くなる。その最も深い位置から外周領域28側では、ディープ領域24は外周領域28側に向かうに従って浅くなる。このときの深さの変化率dz/dx絶対値は、大きい。すなわち、ディープ領域24とカソード領域22との境界が、大きく傾いている。以下では、この深さの変化率dz/dxが大きい領域を、第2領域24eという。第2領域24eでは、第1領域24dよりも、深さの変化率dz/dxが遥かに大きい。外周領域28内には、複数のFLR26が形成されている。FLR26は、p型領域である。FLR26は、半導体基板12の上面に露出している。FLR26は、ディープ領域24と略同じ深さまで広がっている。カソード領域22は、n型であり、アノード領域20及びディープ領域24の下側と、外周領域28内に広がっている。カソード領域22は、低濃度カソード領域22aと高濃度カソード領域22bを有する。低濃度カソード領域22aは、いわゆるドリフト領域であり、比較的低いn型不純物濃度を有する。低濃度カソード領域22aは、アノード領域20及びディープ領域24と接している。外周領域28内の低濃度カソード領域22aは、ディープ領域24と最もディープ領域24側のFLR26の間に広がっており、これらを分離している。また、低濃度カソード領域22aは、各FLR26を互いに分離している。低濃度カソード領域22aは、半導体基板12の端面12aに露出している。高濃度カソード領域22bは、低濃度カソード領域22aの下側に形成されている。高濃度カソード領域22bは、半導体基板12の下面全体に露出している。半導体基板12の上面には、層間絶縁膜40と、アノード電極42と、FLR電極44が形成されている。層間絶縁膜40は、外周領域28内の低濃度カソード領域22aの上面と、外周側ディープ領域24bの上面を覆うように形成されている。アノード電極42は、アノード領域20の上面に形成されている。アノード電極42は、高濃度アノード領域20aに対してオーミック接続されている。また、アノード電極42は、層間絶縁膜40に覆われていない範囲のディープ領域24すなわち、内周側ディープ領域24aの上面にも形成されている。したがって、アノード電極42と半導体基板12の接触面の端部42aは、内周側ディープ領域24a上に存在している。FLR電極44は、各FLR26上に形成されている。半導体基板12の下面の略全体には、カソード電極46が形成されている。カソード電極46は、高濃度カソード領域22bに対してオーミック接続されている。次に、実施例のダイオード10の動作を、図5の従来のダイオードと比較して説明する。なお、図5においては、図1のダイオード10に対応する構成要素に、図1と同じ参照番号を付している。図5の従来のダイオードは、ディープ領域24が略一定の深さで形成されており、また、ディープ領域24内のp型不純物濃度が略一定である点で実施例のダイオード10と相違する。図5の従来のダイオードに順電圧を印加すると、アノード電極42からカソード電極46に向かって電流が流れる。このとき、アノード領域20から低濃度カソード領域22aにホールが流入するので、低濃度カソード領域22aのホールの濃度が高くなる。ホールの濃度は、外周領域28内の低濃度カソード領域22a内でも高くなる。その後、ダイオードに逆電圧が印加されると、低濃度カソード領域22a内のホールが、アノード電極42に向かって流れる。このとき、外周領域28内の低濃度カソード領域22a内のホールが、矢印90に示すように、ディープ領域24の表面近傍を通って、端部42a近傍のアノード電極42に流れる。外周領域28内の低濃度カソード領域22a内のホールが一斉にディープ領域24に流れるので、ディープ領域24における電流密度が極めて高くなる。このため、従来のダイオードは、リカバリ動作時にディープ領域24にストレスが加わり易く、リカバリ耐性が低い。これに対し、実施例のダイオード10では、内周側ディープ領域24aのp型不純物濃度が低い。また、アノード電極42と半導体基板12の接触面の端部42aが、内周側ディープ領域24a上に位置している。このため、図1の矢印92に示す電流経路図5の矢印90に示す電流経路に対応する電流経路が高抵抗化されている。したがって、リカバリ動作時にディープ領域24にホールが流れ難く、ディープ領域24に高いリカバリ電流が流れることが抑制される。したがって、ダイオード10はリカバリ耐性が高い。また、外周側ディープ領域24bは、p型不純物濃度が高い。外周側ディープ領域24bとFLR26によって、外周領域28の耐圧が確保される。このように、内周側ディープ領域24aを低濃度とし、外周側ディープ領域24bを高濃度とすることで、リカバリ電流の低減と、外周領域28の耐圧とを両立させることができる。また、ダイオードに定常的に高い逆電圧が印加されると、半導体層内で電界が集中する箇所でアバランシェ電流が流れることがある。図5の従来のダイオードでは、ディープ領域24のコーナー部24zがアノード領域20側に突き出ている。このため、コーナー部24z付近の低濃度カソード領域22a内で電界が集中し易い。したがって、その位置でアバランシェ電流が流れ易い。このため、従来のダイオードはアバランシェ耐性が低い。これに対し、実施例のダイオード10では、アノード領域20側のディープ領域24に、深さの変化率dz/dxが小さい第1領域24dが形成されている。このため、図5のコーナー部24zのようにアノード領域20側に突き出ている部分が無い。したがって、ダイオード10では、逆電圧印加時におけるディープ領域24付近の電界分布が、従来よりも均一化する。このため、ダイオード10では、アバランシェ電流が流れ難い。すなわち、ダイオード10はアバランシェ耐性が高い。また、外周領域28側の第2領域24eでは、深さの変化率dz/dxが大きい。このため、ディープ領域24ディープ領域24のうちの最も深い領域の近くにFLR26を配置することができる。したがって、ディープ領域24によって外周領域28内の電界分布の均一化を図ることできる。すなわち、ディープ領域24とFLR26によって、外周領域28の耐圧が確保される。また、第2領域24eの深さの変化率dz/dxが大きいことで、ダイオード10の小型化も図られている。次に、実施例のダイオード10の製造方法について説明する。なお、実施例のダイオード10の構成要素のうち、ディープ領域24以外の構成要素は従来公知の方法により形成される。このため、ここでは、ディープ領域24の製造方法についてのみ説明する。ディープ領域24を形成する際には、図3に示すように、n型半導体基板の上面に、マスク50を形成する。このとき、ディープ領域24を形成すべき範囲24f上に、開口50aを設ける。マスク50は、外周領域28に近い側ほどマスク50の開口率が高くなるようにパターニングして形成する。次に、マスク50を介して半導体基板にp型不純物を注入する。外周領域28に近い側ほどマスク50の開口率が高いので、範囲24fのうちの外周領域28に近い位置ほど高濃度にp型不純物が注入される。次に、半導体基板を加熱して、注入したp型不純物を拡散、活性化させる。これによって、ディープ領域24を形成する。外周領域28に近い領域ほど高濃度にp型不純物が注入されているので、図2に示すように外周領域28に近い領域でp型不純物濃度が高いディープ領域24が形成される。また、p型不純物が高濃度に存在しているほど、より多くのp型不純物が深い位置まで拡散する。したがって、図1に示すように、外周領域28に近い領域でより深くまで広がる形状のディープ領域24が形成される。この方法によれば、容易に図1のディープ領域24を形成することができる。なお、マスク50のパターンを十分に細かくすることで、図2に示すように、内周側ディープ領域24a内において、外周領域28側に向かうに従ってp型不純物濃度がなだらかに上昇する単純増加する分布を得ることができる。このような分布が得られれば、図1に示すように、外周領域28側に向かうに従ってなだらかに深くなる深さが単純増加する第1領域24dを形成することができる。このような構成によれば、よりアバランシェ耐性が改善される。また、注入範囲を変えながらp型イオンの注入を複数回行うことで、ディープ領域24を形成してもよい。外周領域28に近い位置ほどp型不純物を高濃度に注入し、その後、熱処理を行うことで、図1に示すディープ領域24を形成することができる。以上に説明したように、実施例の構成によれば、リカバリ耐性とアバランシェ耐性が共に優れるダイオードを提供することができる。なお、上述した実施例では、外周領域28にFLRが形成されていたが、これに代えて、リサーフ等の他の耐圧構造が形成されていてもよい。また、外周領域28全体にn型領域が広がっていてもよい。また、図4に示すように、ディープ領域24が、第1領域24dと第2領域24eの間に、略深さが一定となる領域24gを有していてもよい。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。