透光性基板と、前記透光性基板上に設けられ、屈折率が異なる複数の散乱層からなる散乱層積層体と、前記散乱層積層体上に設けられる透光性電極層とが積層され、前記透光性電極層、前記散乱層積層体、前記透光性基板の順に屈折率が低くなっており、前記散乱層積層体を構成する複数の散乱層は、透光性電極層側から順に、散乱層毎に屈折率が漸次低減するように構成されていることを特徴とする電子デバイス用基板。前記散乱層内部に存在し、かつ前記透光性電極層と接する散乱層の表面には存在しない散乱物質を備えたことを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス用基板。前記散乱層積層体を構成する複数の散乱層間の界面のうち、少なくとも1つの界面が凹凸形状になっていることを特徴とする請求項1または2に記載の電子デバイス用基板。前記散乱層積層体を構成する複数の散乱層のうち、隣接する少なくとも1組の散乱層において、上層の散乱層が下層の散乱層に向かって少なくとも1つの半球形状の突起物を有しており、下層の散乱層が前記上層の散乱層に設けられた前記突起物の形状に対応した位置にこれを受容するように凹部を有しており、前記上層の散乱層と下層の散乱層とが組み合わされることによって、その界面に凹凸形状が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の電子デバイス用基板。請求項1乃至4いずれか1項に記載の電子デバイス用基板を用いたことを特徴とする有機LED。しかしながら、上記特許文献1においては、被覆層、散乱層の材料として透光性電極層と同じかそれよりも大きな屈折率を有する材料を用いている。このため、散乱層よりも、散乱層上に設けられた透光性基板の屈折率のほうが小さくなる。従って、材料の組み合わせ、光の入射角によっては、両者の界面で全反射が生じてしまう。その結果デバイス内で多重反射が生じ、蛍光体の材料によってはその光を吸収してしまうため、外部取り出し効率が十分に大きくできない場合があった。本発明は上記従来技術が有する問題に鑑み、発光素子などの電子デバイス用基板において、光取り出し効率を高めることができる電子デバイス用基板を提供することを目的とする。上記課題を解決するため本発明は、透光性基板と、前記透光性基板上に設けられ、屈折率が異なる複数の散乱層からなる散乱層積層体と、前記散乱層積層体上に設けられる透光性電極層とが積層され、前記透光性電極層、前記散乱層積層体、前記透光性基板の順に屈折率が低くなっており、前記散乱層積層体を構成する複数の散乱層は、透光性電極層側から順に、散乱層毎に屈折率が漸次低減するように構成されていることを特徴とする電子デバイス用基板を提供する。本発明は、透光性電極層、複数の散乱層からなる散乱層積層体、透光性基板が積層された電子デバイス用基板に関するものである。本発明の電子デバイス用基板においては、透光性電極層側から順に、光取り出し面である透光性基板側にむかって、各層毎に漸次屈折率が低くなるように配置されている。従って、隣接する層間での屈折率の差を従来よりも小さなものとできるので、臨界角が大きくなり全反射を抑制することができる。その結果、光取り出し効率を高めることができる。以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。[第1の実施形態]本発明に係る電子デバイス用基板について、図1を用いて説明を行う。まず、図1の構造について説明する。図1は電子用デバイス基板の断面図を示しており、図中最上部から順に、透光性電極層1、第1の散乱層2、第2の散乱層3、透光性基板4が積層されていることを示している。なお、例えば有機LED素子に使用する場合には、図中の透光性電極層上にさらに、有機LED素子層、陰極が積層されることとなる。また、本実施の形態においては、説明の都合上、散乱層の数を2層としたが、屈折率が所定の条件を満たすように複数層設けることもできる。ここで、本実施の形態においては、透光性電極層1、第1の散乱層2、第2の散乱層3、透光性基板4の順番に屈折率が低くなるように各材料が選択されている。また、各層の屈折率は異なっている。すなわち、透光性電極層側発光素子側から透光性基板側光取り出し面側にいくに従い、各層毎に漸次屈折率が低くなっている。このように構成することによって、隣接した層間の屈折率の違いを小さくすることが可能となり、臨界角を大きくすることができる。光は、屈折率が大きい物質から、屈折率の小さい物質へ進む場合、その入射角が臨界角よりも大きいと、入射光が境界面を透過せず、全て反射されてしまう全反射が起こる。ここで、臨界角はスネルの法則により導くことができ、具体的には以下の式で表される。θm=sin-1nA/nB式中、θmが臨界角、nA、nBが屈折率nB>nAを表わしている。本願発明では、屈折率の大きい透光性電極層側から、屈折率の小さい透光性基板側に光が通るように構成されている。このため、屈折率nBの層から、屈折率nAの層へ光が進行することとなる。上記式によれば、屈折率nAとnBとの差が小さくなると、臨界角は90度に近づくため、全反射が起こりにくくなる。従って、本願発明のように透光性電極層と、透光性基板の間に、屈折率の変化を緩和できるように散乱層を複数層有する構成とすることにより、層内での多重反射が低減し、光取り出し効率を高めることができる。各部材について以下に説明する。透光性基板4としては、可視光に対する透過率が高い材料が用いられる。透過率の高い材料として具体的には、ガラス基板やプラスチック基板が挙げられる。ガラス基板の材料としては、アルカリガラス、無アルカリガラス又は石英ガラスなどの無機ガラスがある。またプラスチック基板の材料としては、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリビニルアルコール、ならびにポリフッ化ビニリデンなどのフッ素含有ポリマーが挙げられる。透光性基板の厚さは、デバイスを保護するため、十分な強度をもつように選択されていれば足りる。具体的には例えばガラスを用いた場合、0.1mm~2.0mmが好ましい。ただし薄すぎると強度が落ちること、厚すぎるとデバイスの大きさが大きくなり使用場所が限定されること、また重量が大きくなり使いにくくなることから、0.5~1.0mmであることが特に好ましい。なお、散乱層をガラスフリットで作製する場合、歪みの問題等が生じる場合がある。このため、透光性基板の熱膨張係数は50×10-7/°C以上が好ましい。更に好ましくは70×10-7/°C以上であり、より好ましくは80×10-7/°C以上である。また、これに合わせて、散乱層としては、100~400°Cにおける平均熱膨張係数が70~95×10-7/°Cであり、かつガラス転移温度が450~550°Cであることが好ましい。第2の散乱層3としては、所定の屈折率を有する光透過率の高い材料ベース材が用いられる。具体的には、ベース材としては、ガラス、結晶化ガラス、透光性樹脂、透光性セラミックスが挙げられる。ガラスの材料としては、ソーダライムガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどの無機ガラスがある。ガラス組成については所望の屈折率を有する材料であれば特に限定されるものではない。具体的には例えば、Si-B系ガラス、Bi系ガラス、Pb系ガラス、La-Ti系ガラスが挙げられる。例示すると、酸化物基準のモル表示で、SiO2を62、B2O3を10、ZnOを11、Li2Oを4、Na2Oを3、K2Oを6、BaOを1、Al2O3を3含有するガラスである。このガラスは、100~400°Cにおける平均熱膨張係数は75×10-7/°Cであり、かつガラス転移温度が505°C、屈折率nd=1.53である。基板材がソーダライムガラスの場合屈折率nd=1.52であり、基板材との間で、屈折率差が非常に小さいガラスである。更に例示すると、酸化物基準のモル表示で、SiO2を21、B2O3を31、ZnOを2、Li2Oを16、MgOを9、CaOを5、BaOを2、Al2O3を14含有するガラスである。100~400°Cにおける平均熱膨張係数は75×10-7/°Cであり、かつガラス転移温度が495°C、屈折率nd=1.58である。更に例示すると、酸化物基準のモル表示で、SiO2を15、B2O3を31、ZnOを34、BaOを11、Bi2O3を9含有するガラスである。100~400°Cにおける平均熱膨張係数は76×10-7/°Cであり、かつガラス転移温度が490°C、屈折率nd=1.80である。第2の散乱層3はゾル-ゲル法、蒸着法、スパッタ法など公知の成膜手段によって形成することができる。しかし、第2の散乱層3の厚さとしては10~100μmであることが好ましく、このような厚膜を大面積に均一且つ迅速に形成するという観点から、フリットペースト法により作製することが好ましい。具体的には、まず、ベース材である粒径が1~10μmのガラス粉末を樹脂、界面活性剤、溶剤、フィラー等と混合し、均一に分散させることによってフリットペースト化する。その後、塗布、印刷などにより作製したフリットペーストを透光性基板上に配置し、所望の温度例えば530~600°Cで焼成することで第2の散乱層3を形成する。第2の散乱層3は透光性基板4に直接形成されることが好ましい。しかしながら、透光性基板として、アルカリ成分を含有するガラス基板を用いた場合、ガラス基板中のアルカリ成分が拡散し、散乱層内の散乱物質等の特性に影響を与える場合がある。そのため、透光性基板と散乱層との間に1層以上からなるバリア層を形成してもいい。バリア層としては、酸化珪素膜や窒化珪素膜、酸化インジウム膜等のように酸素、珪素の少なくともどちらか一方を含む薄膜が好ましい。この場合、バリア層もその屈折率が第2の散乱層3と透光性基板4の間の値になるように選択することが好ましい。バリア層は、特にアルカリ成分を含有するガラスフリットのペーストを用いて、焼成膜を作製する時に、ガラス基板のアルカリ成分が焼成膜層との間で、相互拡散する事を抑制することに効果が期待できる。第1の散乱層2についても第2の散乱層3と同様の材料を使用することができ、所望の屈折率となるように、各種材料を選択できる。また、その形成方法についても、第2の散乱層3上に同様の方法によって形成することができる。透光性電極層1は、これに隣接する有機LED層等の発光層で発生した光を外部に取り出す必要があるため、80以上の透光性が要求される。また、多くの正孔を注入するため、仕事関数が高いものが要求される。具体的にはITOIndiumTinOxide、SnO2、ZnO、IZOIndiumZincOxide、AZOZnO-Al2O3:アルミニウムをドープした亜鉛酸化物、GZOZnO-Ga2O3:ガリウムがドープされた亜鉛酸化物、NbドープTiO2、TaドープTiO2などの材料が用いられる。透光性電極層の厚さは、100nm以上であることが好ましい。なお、透光性電極層の屈折率は一般的に1.9~2.2程度である。透光性電極層の屈折率を調整する方法として、例えばITOの場合、キャリア濃度を増加させると屈折率が低下することが知られている。具体的には、市販されているITOは、SnO2含有量を10wtとするのが標準となっているが、この量を調整して屈折率を制御することができる。ただし、Sn濃度の増加に伴いキャリア濃度は増加するが、移動度、透過率が低下するため、要求する性能との間でバランスをとる必要がある。透光性電極層の形成方法としては、まず、基板上にITOを成膜して、そのITO膜にエッチングを施すことによって形成する。ITOはスパッタや蒸着等によって、散乱層を形成した後の透光性基板全体に均一性良く成膜することができる。成膜したITO膜について、フォトリソグラフィー及びエッチングによりITOパターンを形成する。このITOパターンが透光性電極層となる。なお、フォトリソグラフィーの際に、レジストとして、例えばフェノールノボラック樹脂を使用することができる。また、エッチングはウェットエッチング、ドライエッチングいずれでも良いが、例えば、塩酸と硝酸の混合水溶液を用いて行うことができる。さらに、レジスト剥離剤としては、例えばモノエタノールアミンを使用することができる。ここで、本実施の形態においては、上記のように、透光性電極層1、第1の散乱層2、第2の散乱層3、透光性基板4の順番に屈折率が低くなるように構成されている。例えば、透光性電極層1として1.9の屈折率を有するものを用い、透光性基板4として屈折率が1.5のガラスを用いた場合、2つの散乱層は1.9よりも小さく、1.5よりも大きい屈折率である必要がある。さらに、係る範囲内で、発光層側の第1の散乱層2の方が光取り出し面側の第2の散乱層3よりも屈折率が大きくなるように材料を選択する必要がある。散乱層としては上記条件を充足していれば足りるが、透光性電極層1、第1の散乱層2、第2の散乱層3、透光性基板の間の屈折率の差が均等になるように材料を選択することがより好ましい。以上のように、電子デバイス用基板を構成する各部材の屈折率を所定のものとすることによって、層間の屈折率の差異を小さくし、臨界角を大きくすることができる。このため、全反射を抑制し、光の外部取り出し効率を高めることができる。[第2の実施形態]第2の実施形態を、図2を用いて説明する。本実施形態は、第1の実施形態において、第2の散乱層3内に散乱物質5を加えたものである。散乱物質を散乱層に添加することによって、散乱物質表面でも光を散乱し、その角度が変わるため、外部取り出し効率を高めることが期待できる。散乱層3から基板4に向かう光の多くが、散乱層3と基板4との界面で全反射される角度をもつが、散乱物質表面で散乱され、一部は、界面で全反射されずに通過できる角度に変えられるため、外部取り出し効率を高めることが期待できる。さらに、基板4から外部空気層に向かう光が、基板4と外部空気層との界面で全反射される光も散乱物質表面で散乱され、一部は、基板4と外部空気層界面で全反射されずに通過できる角度に変えられるため、外部取り出し効率を高めることが期待できる。この散乱による光の進行方向を変える効果は、光が減衰するまで、多重反射と多重散乱が繰り返されるため結果的に、外部出射できる進行角度を持つ光を増やすことができる。この点について以下に説明する。散乱物質5としては、気泡、析出結晶、ベース材とは異なる材料粒子、分相ガラスを挙げることができる。ここで、気泡とは、空気もしくはガスがベース材中に分散して存在しているものをいう。また、粒子とは固体の小さな物質をいい、例えばフィラーやセラミックスがある。また、分相ガラスとは、2種類以上のガラス層により構成されるガラスをいう。散乱物質の具体的な添加方法について以下に説明する。まず、散乱物質として気泡を用いた場合を説明する。散乱層を形成する際にフリットペースト法を使用した場合、その焼成条件を調整することによって、その層内に気泡からなる散乱物質を含有させることができる。具体的には、基板上に配置したガラス粒子を加熱していくと、まず、ガラスの粒子同士が融着し始める。ガラス粒子同士が融着すると、ガラス粒子間に存在した隙間はガラスが軟化することで変形し、ガラス中に閉空間を形成する。更に温度を上げていくとガラスの軟化、流動が進み、前記閉空間は球形の気泡となる。また、隙間によるものだけではなく、加熱中に発生したガスも気泡となってガラス中に存在することがある。ガラスの粘度は、軟化温度で107.6ポアズ程度と高いため、気泡の大きさが数μm以下であれば浮上せず層内に留まる。なお、ガラス最表面では、ガラスが軟化しているため、ガラス粒子の隙間に起因する凹みは平滑化されていく。従って、小さな気泡を発生させるように材料組成を調整するとともに、焼成条件を選択することによって、層表面の平滑性、層内の散乱物質の分布の程度を調整することができる。次に、散乱物質として析出結晶を用いた場合を説明する。これは、散乱層を作製する際に結晶化しやすいガラスを原料として用いることによって、散乱層ガラス層内部に結晶を析出させる方法である。このときの結晶のサイズが0.1μm以上であれば、散乱物質として機能することができる。このため、焼成条件を適切に選択することによって、層表面での結晶の析出を抑制しつつも、層内に結晶を析出させることが可能となる。具体的にはガラス転移温度よりも60°C~100°C程度高い温度で焼成することが考えられる。温度が高すぎる場合には、ガラス層最表面でも結晶が析出してしまい、最表面の平滑性が損なわれてしまうため、好ましくない。従って、焼成温度はガラス転移温度よりも60~80°C高くすることがより好ましく、60~70°Cとすることが更に好ましい。このような手法により、ガラス相中に、気泡や析出結晶を散乱物質として存在させつつも、散乱層最表面ではそれらの発生を抑制することができる。また、ベース材とは異なる材料粒子等を散乱物質として用いる場合には、散乱層の原料中にこれらの材料を予め添加し散乱層を形成することによって、散乱物質を有する散乱層を形成することができる。具体的には、酸化物、酸窒化物、窒化物、硫化物、酸硫化物、ハロゲン化物、アルミン酸塩化物、ハロリン酸塩化物などの無機蛍光体粉末等を散乱物質として使用することができる散乱層内に散乱物質を具備する場合、散乱層内におけるその分布は、散乱層内部から最表面に向かって小さくなっていることが好ましい。これは、散乱層の最表面側に散乱物質が存在すると、散乱層の表面に凹凸が生じやすくなるためである。また、散乱物質の添加方法で述べたように、散乱物質を添加する場合、散乱層として、ガラス層を用いることが好ましい。これは、優れた散乱特性を有しつつも表面の平滑性を維持することができるからであり、これを発光デバイスなどの光出射面側に用いることで、光の取り出し効率を向上させることができる。散乱物質は散乱層積層体を形成する全ての散乱層中に配置することができるが、透光性電極層と接している散乱層中に添加する場合、その表面からは散乱物質が突出していることは好ましくない。つまり、散乱物質は、散乱層内部に存在し、かつ透光性電極層と接する散乱層の表面には存在しないことが好ましい。これは、散乱層表面から散乱物質が突出していると、その上面に透光性電極層を形成した時に電極間の短絡を生じる恐れがあるためである。また、散乱層表面が平滑でないと、平坦な透光性電極層が作製することができないためでもある。このため、係る層に散乱物質を配置する場合には、散乱物質として、気泡を用いることが好ましく、散乱物質は散乱層の主表面から0.2μm以内に存在していないことが好ましい。さらに、透光性電極層と接している散乱層の表面のJISB0601-1994に規定される算術平均粗さRaは30nm以下が好ましく、10nm以下であることがより好ましく、1nm以下が特に望ましい。さらに、散乱物質は、ベース材の屈折率との差Δnが、少なくとも発光層の発光スペクトル範囲における一部分において0.2以上になるように選択することが好ましい。特に、十分な散乱特性を得るために、屈折率の差Δnは、発光スペクトル範囲全域430nm~650nm若しくは可視光の波長範囲全域360nm~830nmに亘って0.2以上であることがより好ましい。[第3の実施形態]本実施形態は、散乱層積層体を構成する複数の散乱層間の界面のうち、少なくとも1つの界面が凹凸形状になっているものである。つまり、散乱層間の界面に凹凸形状を設けた点で第1の実施形態と相違しており、この点について説明する。散乱層界面の凹凸形状としては各種考えられるが、具体的な例として、図3に第1の散乱層2が半球形状の突起物を有している場合を示す。これは第1の散乱層2の表面がマイクロレンズアレイのように凸レンズ形状の突起物が複数個配置された形態となっている。そして、これにあわせて第2の散乱層3の上部が前記第1の散乱層2と嵌合するような形態となっており、両散乱層を合わせたものである。図3の上図は基板を上面から見た図を示しており、図中に丸で示しているのは、第1の散乱層2に設けた半球状の突起物を示している。そして、図3の下図は、上図のA-A断面図を示しており、散乱層の界面に曲線状の凹凸を有することとなる。このように、散乱層積層体を構成する複数の散乱層のうち、隣接する少なくとも1組の散乱層において、第1の散乱層2上層の散乱層が、第2の散乱層3下層の散乱層に向かって複数の半球形状の突起物を有しており、第2の散乱層3に、前記第1の散乱層2に設けられた前記突起物の形状に対応した位置にこれを受容するように凹部が形成されている。このため、第1の散乱層2と第2の散乱層3とが組み合わされることによって、その界面に連続した曲面による凹凸形状が形成されていることになる。なお、半球形状の突起物は図3に示すように規則的に配置している場合に限定されるものではなく、ランダムに配置することもできる。また、大きさについても一律なものとする必要はなく、設置する数も限定されるものではない。係る形状とすることによる効果を、図4を用いて説明する。図4A、Bは共に、第1の散乱層2と第2の散乱層3及びその界面の部分を拡大して示したものである。図4Aは界面部分になんら加工していない場合を示している。この場合、第1の実施形態でも述べたように、界面を形成する隣接する2層の屈折率によって臨界角が決まっており、臨界角よりも大きな角度c1で入射した光a1はその界面を透過せずb1に示すように全反射することになる。これに対して、本実施形態の場合、第1の散乱層2に下に凸状の半球を複数個設けているため、界面部分に凹凸形状を有する。この場合、図4Bに示すように、界面が入射光に対して様々な角度で存在しているため、水平面に対して図4Aの場合と同じ角度を有する入射光a2であったとしても、界面との関係でその入射角c2は臨界角を超えておらず、b2に示すように透過できることとなる。この他の形状としては例えば、図5、図6に示すようにギザギザ形状や、井げた形状とすることが考えられる。中でも、上記したような半球形状としている場合、その表面で面の角度が連続的に変化し、様々な角度を有する面が存在することとなるため、対応できる入射光の角度が広くなるので、特に好ましいといえる。係る形状とする方法としては、公知の各種方法を採用できる。具体的には、例えば、平坦な表面を有する第2の散乱層3を形成した後にその表面をサンドブラスト等によって研削、加工し、その上に第1の散乱層2を形成する方法が挙げられる。また、第2の散乱層3を形成する際に所定の形状となるように、透光性基板4上にペーストを塗布、印刷し、その上に第1の散乱層2を形成する方法などが考えられる。以上のように、本実施例では、まず、電子用デバイス用基板を構成する各層の屈折率を選択することにより、臨界角が大きくなり光の取り出し効率が向上している。これに加えて、散乱層積層体を構成する複数の散乱層のうち、隣接する少なくとも1組の散乱層、すなわち上下に並んだ2つの散乱層の形状を所定のものとして、その界面に凹凸形状を形成することによって、界面を透過できる光の量をさらに大きくすることができる。本実施の形態では2つの散乱層の界面について説明を行ったが、隣接する層間の屈折率の差が大きい界面で同様の方法を適用することができ、同じ基板内の複数の界面に同時にこのような形態を設けることもできる。なお、本実施形態においても、散乱層について第2の実施形態のように散乱物質を加えることができる。この場合、光取り出し効率がより向上するため、好ましい。以上、実施の形態を挙げながら説明を行った。本発明の電子デバイス用基板は、透光性電極層上にさらに発光層を配置し、例えば、有機LED、無機LED等とすることができる。