a半導体領域に少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体を提供すること、及びb前記少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体領域を、該半導体領域中に取り込んだ第VA族元素と共反応性でありかつ該半導体領域と接触している化学種と反応させることの工程を含み、ただし、もし少なくとも1つの金属含有種がMgを含むならば、下記の少なくとも1つを満たす、iMgはリン化マグネシウムの標準温度及び圧力でのリン化物の生成エンタルピーよりも大きな負の値である標準温度及び圧力でのリン化物の生成エンタルピーを有する第VA族元素と共反応性である少なくとも1つの他の金属含有種との組み合わせで存在し、及び/又は、iiもしIIB/VA族半導体がリン化亜鉛を含むならば、前記半導体領域は少なくとも1つの追加のIIB/VA族半導体を含み、及び/又は、iii少なくとも1つのプニクチド反応生成物は前記半導体領域中に含まれる少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体の標準温度及び圧力での生成エンタルピーよりも少なくとも100kJ/モル-Pnだけ大きな負の値である標準温度及び圧力でのプニクニドの生成エンタルピーを有する、光電池デバイス又はその一部の製造方法。前記半導体領域はリン化亜鉛、リン化カドミウム、リン化亜鉛カドミウム又はそれらの混合物のうちの少なくとも1つを含む、請求項1記載の方法。前記半導体領域は亜鉛及びカドミウムのうちの少なくとも1つのヒ化物又はアンチモン化物のうちの少なくとも1つを含む、請求項1記載の方法。前記共反応性である化学種はCaを含む、請求項1記載の方法。前記共反応性である化学種はMg、Sr、Ba、Sc、Y、Ti、V、Cr、Nb、Mo及びHfのうちの少なくとも1つを含む、請求項1記載の方法。工程bは前記半導体領域と接触している、Caを含む第一領域を提供すること、及び、前記第一領域と接触している、Mgを含む第二領域を提供することを含む、請求項4記載の方法。工程bは前記第二領域と接触している透明導電性層を提供することをさらに含む、請求項6記載の方法。工程bは前記半導体領域を熱処理することを含む、請求項1記載の方法。工程bの少なくとも一部を、前記共反応性である化学種を酸素及び水のうち少なくとも1つから分離するのを援助するバリアにより前記共反応性である化学種をキャッピングしている間に行う、請求項1記載の方法。前記バリアは絶縁体を含む、請求項9記載の方法。前記バリアは透明導電体を含む、請求項9記載の方法。前記プニクチド反応生成物は前記半導体領域中に含まれる少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体の標準温度及び圧力での生成エンタルピーよりも少なくとも150kJ/モル-Pnだけ大きな負の値である標準温度及び圧力でのプニクニドの生成エンタルピーを有する、請求項1記載の方法。工程bの反応を、p/nホモ接合を提供するのに有効な条件下又はp/nヘテロ接合を形成するのに有効な条件下に行う、請求項1記載の方法。a少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体を半導体領域に提供すること、b前記IIB/VA族半導体に対する正味反応度が-100kJ/モル-Pn又はそれより大きい負の値である、前記IIB/VA族半導体と接触している、少なくとも1つの金属含有種を提供すること、及び、c少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体の一部をn-型半導体に転化させること、の工程を含む、IIB/VA族半導体を含むp/n光起電力接合の製造方法。工程cを、p/nホモ接合を提供するのに有効な条件下又はp/nヘテロ接合を提供するのに有効な条件下に行う、請求項14記載の方法。前記正味反応度は前記IIB/VA族半導体に対して約-150kJ/モル-Pn又はそれより大きい負の値である、請求項14記載の方法。前記金属含有種はCaを含む、請求項14記載の方法。前記金属含有種はCa及びTiを含む、請求項14記載の方法。工程bは少なくとも1つの追加の金属含有種を提供することをさらに含む、請求項14記載の方法。a少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体領域、及び、b前記p-型IIB/VA族半導体領域と接触している少なくとも1つのn-型半導体領域、を含む、デバイスであって、in-型半導体領域は少なくとも1つの金属プニクチドを含み又は該金属プニクチドと接触しており、該金属プニクチドの金属構成成分はp-型IIB/VA族半導体領域に対する正味反応度がp-型IIB/VA族半導体に対して約-100kJ/モル-Pn又はそれより大きい負の値である、又は、iip/n接合はp-型領域及びn-型領域の間の界面で形成され、デバイスは追加の領域をさらに含み、該追加の領域はp-型及びn-型領域のうちの少なくとも1つと接触しており、該領域はp-型IIB/VA族半導体領域の第VA族元素と、Mg以外の少なくとも1つの金属種との間の少なくとも1つの反応生成物を含み、該少なくとも1つの金属種はp-型IIB/VA族半導体領域の第VA族元素と共反応性である、デバイス。前記金属プニクチドは混合金属プニクチド半導体である、請求項20記載のデバイス。前記金属プニクチドはリン化カルシウム及びリン化マグネシウムから選ばれるが、ただし、もし前記金属プニクチドがリン化マグネシウムであるならば、下記の少なくとも1つを満たす、iリン化マグネシウムは少なくとも1つの他の金属プニクチドとの組み合わせで存在し、前記金属プニクチドの金属構成成分はリン化マグネシウムの標準温度及び圧力でのリン化物の生成エンタルピーよりも大きな負の値である標準温度及び圧力でのリン化物の生成エンタルピーを有し、及び/又は、iiもしIIB/VA族半導体がリン化亜鉛を含むならば、少なくとも1つの追加のIIB/VA族半導体も提供され、及び/又は、iii少なくとも1つの金属プニクチドはp-型IIB/VA族半導体領域中に含まれる少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体の標準温度及び圧力での生成エンタルピーよりも少なくとも100kJ/モルだけ大きな負の値である正味反応度を有する金属構成成分を有する、請求項20記載のデバイス。a第IIB族元素及び第VA属元素を含む少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体を含む半導体領域を提供すること、及びb前記少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体を、第VA族元素と共反応性である少なくとも1つの化学種と反応させて、プニクチド反応生成物を生成することの工程を含み、ただし、もし少なくとも1つの共反応性である化学種がMgを含み、そのため、前記プニクチド反応生成物がマグネシウムプニクチドを含むならば、下記の少なくとも1つを満たす、iMgは第VA族元素と共反応性である少なくとも1つの他の金属含有種との組み合わせで提供され、少なくとも1つの他の金属含有共反応性種はマグネシウムプニクチドの標準温度及び圧力でのプニクチドの生成エンタルピーよりも大きい負の値である、第VA族元素に対する標準温度及び圧力でのプニクチドの生成エンタルピーを有し、及び/又は、iiもしIIB/VA族半導体がリン化亜鉛を含むならば、前記半導体領域は少なくとも1つの追加のIIB/VA族半導体を含み、及び/又は、iii少なくとも1つのプニクチド反応生成物は前記半導体領域中に含まれる少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体の標準温度及び圧力での生成エンタルピーよりも少なくとも100kJ/モル-Pnだけ大きな負の値である標準温度及び圧力でのプニクニドの生成エンタルピーを有し、及び/又は、iv工程bの少なくとも一部を、共反応性である化学種を酸素及び水のうちの少なくとも1つから分離するのを援助するバリアにより前記共反応性である化学種をキャッピングしている間に行う、光電池デバイス又はその一部の製造方法。IIB/VA族半導体を取り込んだマイクロエレクトロニクスデバイスの品質及び電子性能を改良するための方策は強く望まれている。発明の要旨本発明はZn及び/又はCdのうちの1つ以上のリン化物、ヒ化物及び/又はアンチモン化物総称として当該技術分野でプニクチドとも呼ぶなどのIIB/VA族半導体を取り込んだデバイス、特に光電池デバイスに関する。特に、本発明は、格子置換成分としてIIB/VA族半導体中に取り込まれた同一及び/又は別の第VA族種も別の方法で、例えば、ドーパントなどとして場合によりIIB/VA族半導体中に取り込まれうることが理解される少なくとも1つの第VA族種と十分に共反応性である少なくとも1つの金属含有種以下において、共反応性種と呼ぶとIIB/VA族半導体材料を反応させることにより、半導体材料の電子的性能が改良される方法、得られる製品及びその前駆体に関する。ある実施形態において、共反応性種と接触している間に半導体材料を加熱することにより反応を起こさせることができるが、共反応性種が十分に反応性であるときには加熱は必要ないであろう。代表的な実施形態において、その反応はp/nホモ接合、ヘテロ接合及び/又は不動態化特徴部を改良された解像度及び品質でもって形成することができるものと考えられる。本発明は、格子第VA族種に対する反応性の十分なしきいを有する共反応性種は、IIB/VA族半導体と反応したときに劇的に電子的性能が改良されたデバイスを生じることができることを評価することを少なくとも部分的に基礎とする。好ましい実施形態において、熱処理は、その反応を行うためにデバイス、特に光電池デバイスの前駆体に対して行われる。本明細書中に記載されるとおりの反応性特性を有する共反応性種及びIIB/VA族半導体の組み合わせを用いるときに、共反応性種がIIB/VA族半導体材料の1つ以上の構成成分と反応するものと考えられる。理論に拘束されるつもりはないが、反応は、比較的によく解像された領域のp-型IIB/VA族半導体をn-型IIB/VA族半導体に現場で転化させ、それにより、改良された解像度でもってp-型領域及びn-型領域の間でp/nホモ接合及び/又はヘテロ接合を形成するものと信じられる。実際上の効果において、共反応性種と第VA族種との間の反応は対応するp-型領域の第VA族相対含有分を欠乏させ、一方、第IIB族相対含有分が真性ドーピングintrinsicdopingにより増加される。例として、Caはリンと反応して、リン化カルシウムを生成する。このことは、反応が起こったp-型材料の部分のリン含有分を欠乏させる。その部分は、このため、真性ドーピングにより比較的にZnリッチになり、p-型からn-型に転化される。又は、反応はn-型混合金属リン化物をもたらし、p-型材料とn-型材料との間にヘテロ接合を形成させることができる。例えば、Caはp-型リン化亜鉛と反応して、n-型カルシウム亜鉛リン化物を生成する。反応は、また、IIB/VA族半導体材料と上層との間の界面が改良された不動態化効果を提供することも考えられる。理論に拘束されるつもりはないが、半導体の第VA族材料と共反応性種との反応は現場で遷移領域を提供するのを援助し、その形成は欠陥及び自然酸化物nativeoxideを除去し、不動態化させるのを援助するものと考えられる。1つの例として、Caとリン化亜鉛との間の反応は、処理される物品中でリン化亜鉛とカルシウムとの間の当初の界面に隣接した、リン化カルシウムを含む不動態化領域を生じさせることができる。1つの態様において、本発明は、a半導体領域に少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体を提供すること、及びb前記少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体領域を、該半導体領域中に取り込んだ第VA族元素と共反応性でありかつ該半導体領域と接触している化学種と反応させることの工程を含み、ただし、もし少なくとも1つの金属含有種がMgを含むならば、下記の少なくとも1つを満たす、iMgはリン化マグネシウムの標準温度及び圧力でのリン化物の生成エンタルピーよりも大きな負の値である標準温度及び圧力でのリン化物の生成エンタルピーを有する第VA族元素と共反応性である少なくとも1つの他の金属含有種との組み合わせで存在し、及び/又は、iiもしIIB/VA族半導体がリン化亜鉛を含むならば、前記半導体領域は少なくとも1つの追加のIIB/VA族半導体を含み、及び/又は、iii少なくとも1つのプニクチド反応生成物は前記半導体領域中に含まれる少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体の標準温度及び圧力での生成エンタルピーよりも少なくとも100kJ/モル-Pnだけ大きな負の値である標準温度及び圧力でのプニクニドの生成エンタルピーを有する、光電池デバイス又はその一部の製造方法に関する。別の態様において、本発明は、a少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体を提供すること、b前記IIB/VA族半導体に対する正味反応度が-100kJ/モル-Pn又はそれよりも大きな負の値である、前記半導体と接触している、少なくとも1つの金属含有種を提供すること、及び、c少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体の一部をn-型半導体に転化させること、の工程を含む、IIB/VA族半導体を含むp/n光起電力接合の製造方法に関する。別の態様において、本発明はa少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体領域、及び、b前記p-型IIB/VA族半導体領域と接触している少なくとも1つのn-型半導体領域、を含む、光電池デバイスであって、in-型半導体領域は少なくとも1つの金属プニクチドを含み又は該金属プニクチドと接触しており、該金属プニクチドの金属構成成分はp-型IIB/VA族半導体領域に対する正味反応度がp-型IIB/VA族半導体に対して約-100kJ/モル-Pn又はそれより大きな負の値である、又は、iip/n接合はp-型領域及びn-型領域の間の界面であり、デバイスは追加の領域をさらに含み、該追加の領域はp-型及びn-型領域のうちの少なくとも1つと接触しており、該領域はp-型IIB/VA族半導体領域の第VA族元素と、Mg以外の少なくとも1つの金属種との間の少なくとも1つの反応生成物を含み、該少なくとも1つの金属種はp-型IIB/VA族半導体領域の第VA族元素と共反応性である、光電池デバイスに関する。現在好ましい実施形態の詳細な説明下記に示す本発明の実施形態は発明が以下の詳細な説明に開示されるまさにその形態に尽くされ又は限定されることを意図しない。むしろ、当業者が本発明の原理及び実施を評価しそして理解することができるように実施形態を選択しそして記載している。本明細書中に引用するすべての特許、係属中の特許出願、公開特許出願及び技術文献をすべての目的でそれぞれの全体を参照により本明細書中に取り込む。図1及び2は1つの例示の実施形態を模式的に示しており、ここで、本発明の原理を用いて、図1の前駆体10の電子的な性能を改良し、図2の改良された作動性光電池セル100とする。最初に図1を参照すると、前駆体10はa少なくとも1つの第IIB族元素及びb少なくとも1つの第VA族元素を含むp-型半導体領域12を含む。このような半導体を本明細書中でIIB/VA族半導体と呼ぶ。第IIB族元素の例としてはZn及び/又はCdが挙げられる。Znは現在のところ好ましい。第VA族元素プニクトゲンとも呼ばれるの例としては、リン、ヒ素、アンチモン及びこれらの組み合わせが挙げられる。リンは現在のところ好ましい。IIB/VA族半導体の例示の実施形態としては、リン化亜鉛Zn3P2、ヒ化亜鉛Zn3As2、アンチモン化亜鉛Zn3Sb2、リン化カドミウムCd3P2、ヒ化カドミウムCd3As2、アンチモン化カドミウムCd3Sb2などのプニクチド、これらの組み合わせなどが挙げられる。第IIB族種の組み合わせ及び/又は第VA族種の組み合わせを含むプニクチド例えば、CdxZnyP2、ここで、x及びyは独立に約0.001~約2.999であり、xyは3であるも使用できる。例示の実施形態において、IIB/VA族半導体材料はp-型Zn3P2を含む。場合により、他の種類の半導体材料も領域12に取り込まれてよい。一般に、半導体領域12は光電池性能のための入射光を捕獲するのに有効な厚さを有する。もし、領域12が薄すぎると、多量の光が吸収されずに領域12を通過しすぎる。層が厚すぎると、光起電力機能を提供するであろうが、有効な光捕獲に要求されるより多量の材料を使用し、増加した直列抵抗のために曲線因子fillfactorが低くなるという点で無駄である。このような懸念をバランスさせるために、半導体領域12の例示の厚さは約0.5~約20μmであり、好ましくは2~約5μmである。半導体領域12は基材14上に支持されている。基材14は剛性であっても又は可とう性であってもよいが、得られる光電池デバイス100が非平坦表面との組み合わせで使用する可能性がある実施形態においては望ましくは可とう性である。基材14は単一又は多層の構造を有することができ、少なくとも1つの導電層は半導体領域12とオーム接触している。例示の目的で、基材14は任意の支持体16及び裏面電気接触領域18を含むものとして示している。支持体16は広範な材料から形成されてよい。これらの材料としては、ガラス、石英、他のセラミック材料、ポリマー、金属、合金、金属間化合物intermetalliccomposition、織物布もしくは不織布、天然もしくは合成セルロース材料、これらの組み合わせなどが挙げられる。薄膜光電池デバイスが関与する多くの用途において、ステンレススチールなどの導電性支持体はデバイスの裏にたやすく接触させることができるようにするのに好ましい。一体的に統合された光電池デバイスでは、ポリイミドなどの非導電性基材が好ましい。支持体16は望ましくは、有機汚染物などの汚染物を除去するために使用前にクリーニングされる。種々のクリーニング技術は使用されてよい。1つの例として、RFプラズマを使用するなどによるプラズマクリーニングは金属含有支持体から有機汚染物を除去するのに適するであろう。有用なクリーニング技術の他の例として、イオンエッチング、ウェットケミカル浴などが挙げられる。裏側電気接触領域18は得られるデバイス100を外部回路図示せずに電気接続する便利な方法を提供する。裏側電気接触領域18は、支持体16から半導体領域12を分離させて、相互汚染を最少化させることも援助する。デバイス10のいかなる領域の場合と同様に、領域18は広範な導電性材料を用いて単層又は多層から形成でき、その導電性材料としては、CuMoAgAuAlCrNiTiTaNbWの1つ以上、これらの組み合わせなどが挙げられる。Agを含む導電性組成物は例示の実施形態において使用しうる。一般に、裏側電気接触領域18は得られるデバイス100の所望の操作パラメータ例えば、電圧及び電流仕様の範囲内で半導体領域12と良好な品質のオーム接触を提供するのに有効な厚さを有する。裏側電極接触18の例示の厚さは約0.01~約1μmの範囲であり、好ましくは0.05~約0.2μmの範囲にある。裏側電気接触領域18はIIB/VA族半導体材料上に堆積されることができ、その後に、支持体16が領域18に形成され、ラミネートされ又はさもなければ適用される。又は、IIB/VA族半導体は裏側電気接触領域18及び任意の支持体16を含む基材上に堆積されうる。前駆体10は半導体領域12上に形成された領域20を含む。領域20は、リン化物、ヒ化物及び/又はアンチモン化物を生成するように、領域12のIIB/VA族半導体中に含まれる少なくとも1つの格子第VA族種例えば、P、As及び/又はSb、本明細書中でプニクトゲン又はプニクトゲン原子と呼ばれ、さらに、符号Pnは一般にプニクトゲン原子のための符号として本明細書中に使用されると十分に反応性である少なくとも1つの化学種以下において、共反応性種を含み、得られるプニクチド以下、プニクチド生成物とも呼ぶの生成エンタルピーは第VA族種の源として機能するIIB/VA族半導体の生成エンタルピーよりも少なくとも約100kJ/モル-Pnキロジュール毎モルプニクトゲン原子、好ましくは少なくとも約170kJ/モル-Pn、より好ましくは少なくとも200~500kJ/モル-Pn、さらには少なくとも約300~500kJ/モル-Pnの値だけ大きい、負のエンタルピーである。本明細書中に提供されるすべての生成エンタルピーはkJ/モル-Pnの単位であり、そして特に指示がないかぎり、標準温度及び圧力で決定される。文献では、このような生成エンタルピーは標準生成エンタルピーとも呼ばれるが、幾つかの報告値はkJ/モル-Pnとして表現されるときの1モルのプニクトゲン当たりに標準化されたものでなく、kJ/モルの単位であることがある。化合物の標準生成エンタルピーは1モルの標準状態の化合物を標準状態の構成元素から生成するのに伴うエンタルピーの変化である。例えば、金属リン化物の標準生成エンタルピーは適量の元素金属及び元素リンの反応により1モルの金属リン化物を生成するときのkJでの解放されるエネルギーである。これはプニクトゲン原子1モル当たりの値を表現することで標準化されうる。このように、1分子当たりに2個のP原子を含むリン化亜鉛の生成エンタルピーは2で割って、プニクトゲン原子1モル当たりに標準化されうる。1分子当たりに1個のP原子を含むリン化チタンの生成エンタルピーは1で割って、標準化される。本発明の目的では、プニクチド材料の生成エンタルピーは問題のプニクチドが実際にどのような源から得られたものかに関係なく、その構成元素からのプニクチドの生成を基準とする。このように、リン化カルシウムの生成熱は本発明の目的及び正味反応度下記に定義されるを決定する目的では-271kJ/モル-Pnであり、カルシウムがどのような源から得られたものであるか、例えば、標準状態のCa金属、又は、カルシウムを含む合金、化合物又はその他の組成物から得られたものであるかに関係ない。熱量測定技術は生成エンタルピーを測定するために従来から使用されている。生成エンタルピーは文献中に広く報告されており、これらの値は上記のとおりの反応熱を計算するために使用されうる。もし2つの値の差が2つの値の平均値の5以下であるならば、2つの文献は同等であると考えられる。文献中に報告されている値の間に不一致がある場合には、最も流通しているNISTThermoDataEnginel03aPureCompoundsに報告される値を取る。もしこのNISTデータベースに報告されていないならば、NISTThermoDataEngine103bPureCompoundsBinaryMixturesandChemicalReactionsに報告されている値を取る。もしいずれのNISTデータベースにも値が含まれないならば、ASTM216004StandardTestMethodforHeatofReactionofThermallyReactiveMaterialsbyDifferentialScanningCalorimetryに記載されている方法により決定される値を取る。本発明は、かかるプニクニド生成物の生成熱とp-型IIB/VA族半導体の生成熱との間の差異はIIB/VA族半導体材料を共反応性種と反応させるときに重要なファクターであるものと評価している。この反応はプニクチド生成物を生じることができ、そのプニクチド生成物も半導体特性を有することに注意されたい。以下に、この差異をIIB/VA族半導体に対する共反応性種の正味反応度NetReactivityとも呼ぶ。本発明によると、正味反応度は高度に負であり、すなわち、本発明によると、少なくとも100kJ/モル-Pn以上の値で負であり、又は、それより大きな値で負であり、それにより、改良された電子的性能を提供し、そのことは反応時のp/nホモ接合、p/nヘテロ接合及び/又は不動態化特徴部の形成に起因するものと考えられる。望ましい高度に負の正味反応度は下記のとおりに規定される。実際上の効果において、高度に負の正味反応度は領域12図1を参照されたいの第VA族種と領域20の共反応性種との間の反応は領域12の第VA族種と第IIB族種との間の反応よりも少なくとも100kJ/モル熱力学的に有利であることを示す。正味反応度がより負になるつれて、所望のプニクチド生成物を生成するのが熱力学的に有利な反応となり、それゆえ、p/nホモ接合及び/又は不動態化特徴部の望ましい形成が増加する。本発明は、このように、所望の不動態化領域の形成などの望ましい反応を促進し及び/又はn-型材料の生成を促進するための熱力学的な利点を利用する。ホモ接合に関しては、格子第VA族種の欠乏、そして対応して第IIB族種の相対的な濃縮によりこのことが起こりうる。ヘテロ接合に関しては、カリン化ルシウム亜鉛などのn-型混合金属リン化物の生成によりこのことが起こりうる。結果的に、本明細書中で好ましいとされる種類の高度に負の正味反応度を有する共反応性種の使用により、実質的に改良された品質及び電子的性能を有する最終デバイスを提供するのに望ましい反応が可能になる。高度に反応性の金属を使用する1つの理由は、反応を進行させるのに必要な熱の程度が、あったとしても、低減されることにある。穏やかなアニーリング条件であっても、低レベルの移行性汚染物を、おそらく約1014~1018cm-1でIIB/VA族半導体中に有害効果をもって導入することが非常に懸念される。より反応性の共反応性種はより低い温度でのより少ない熱処理を要求し、又は、おそらくは全く熱処理を要求せず、それにより、IIB/VA族半導体中への汚染物の所望されない拡散を軽減する。さらに、より低い温度で半導体デバイスを加工することができる能力は、他のデバイス層例えば、透明導電性酸化物層及び/又は基材などからの有害な移行の危険性を低減するだけでなく、より低いコストのプロセスを提供し、そしてより高温でデバイスに対して起こりうる他の種類の熱分解の危険性を低減する。他方、もし正味反応度が低すぎると、所望の反応は起こらず、又は、さほど効率的に起こらないことがある。これにより、熱処理時に形成されるものと考えられるホモ接合及び/又は不動態化特徴部の品質が損なわれる下記で図2でさらに説明する。候補の共反応性種がIIB/VA族半導体に対して十分に負の正味反応度を示すかどうかを評価するために、IIB/VA族半導体に対する共反応性種の正味反応度は下記表現によって決定されうる。NR=ΔHf ゚M-ΔHf ゚S上式中、NRはkJ/モル-Pnでの正味反応度であり、ΔHf ゚Mは成分元素からの対応する金属プニクチド生成物の標準温度及び圧力でのkJ/モル-Pnでの生成エンタルピーであり、ΔHf ゚Sは成分元素からのIIB/VA族半導体の標準温度及び圧力でのkJ/モル-Pnでの生成エンタルピーである。領域12のIIB/VA族半導体に依存して、広範な共反応性種を領域20中に取り込むことができる。共反応性種の例としてはMgCaSrBaScYTiZrVCrNbMoHfの1つ以上、これらの化合物、これらの合金、これらの組み合わせなどが挙げられる。領域20が、領域12のIIB/VA族半導体に対して所望の高度に負の正味反応度を有する少なくとも1つのかかる化学種を含むかぎり、領域20は、場合により、第VA族種と同様に反応性である、より低い反応性である、及び/又は、より高い反応性である他の共反応性種を含んでよい。1つより多くの共反応性種及び/又は1つより多くのIIB/VA族半導体を使用するならば、特定の共反応性種及びIIB/VA族半導体の各々の対応する組み合わせについての正味反応度を決定して、少なくとも1つのかかる組み合わせがそれ自体で約-100kJ/モル-Pn又はそれより大きい負の値である正味反応度を提供するかどうかを個々に調べることができる。存在する金属含有種及びIIB/VA族半導体の合計量の少なくとも5質量、好ましくは少なくとも10質量、そしてより好ましくは少なくとも約25質量を構成する少なくとも1つのかかる対が-100kJ/モル-Pn又はそれより大きい負の値である正味反応度を有するかぎり、本発明の目的での基準を満たしていると考えられる。共反応性種の組み合わせが領域20中で使用されうるが、特に好ましい実施形態において、領域20は領域12において使用されるIIB/VA族半導体材料に対して決定して約-100kJ/モル-Pnよりも正である正味反応度を有する他の化学種を10質量未満、さらに好ましくは約0~約1質量で含む。質量は領域20の合計質量を基準としている。例示の生成エンタルピーを下記の表に提供する。この表は一連の金属リン化物のkJ/モルでのΔHf ゚298での標準生成エンタルピーに関する値を示している。値は、また、kJ/モル-Pn、すなわち、リン原子の1モル当たりの標準生成エンタルピーに調整されている。文献1IBarinThermochemicalDataofPureSubstances3rdEd1995及び2VBChernogorenkoKALynchakCombustionExplosionandShockWavesVol34No31998を参照されたい。ある種のプニクチドを生成するための金属の正味反応度は異なる種類のIIB/VA族半導体では異なりうることはこの表から判る。結果として、共反応性種はある種のIIB/VA族半導体の格子第VA族種に有利な高度に負の正味反応度を有するが、別のものにはそうでないことがある。例えば、リン化マグネシウムを生成するためのMgの正味反応度はリン化亜鉛に対してと、リン化カドミウムに対してとは異なる。例えば、リン化カルシウムはΔHf ゚M値が-271kJ/モル-Pnであり、そしてリン化亜鉛はΔHf ゚S値が-120kJ/モル-Pnである。この関係でCaの正味反応度は-151kJ/モル-Pnであり、それは-100kJ/モル-Pnよりも負である。結果として、領域12中の少なくともリン化亜鉛との組み合わせで領域20中でCaを使用することは例示の実施形態で望ましいであろう。比較として、リン化マグネシウムはΔHf ゚M値が-208kJ/モル-Pnであり、リン化亜鉛はΔHf ゚S値が-120kJ/モル-Pnである。この関係でMgの正味反応度は-88kJ/モル-Pnであり、それは-100kJ/モルよりも正である。結果として、領域12が実質的にリン化亜鉛のみを含むときに、Mgのみを含む領域20を使用することを避けることが望ましい。それでも、Mg及び/又は他の共反応性種と、他のIIB/VA族半導体との組み合わせ、又は、他の共反応性種及び場合によりMgと、リン化亜鉛との組み合わせは、一般に、p-型IIB/VA族半導体中への共反応性種の拡散の抑制を示し、そして存在しうるキャッピング層と共反応性種の所望しない反応を潜在的に軽減し、一方で、p-型IIB/VA族半導体の第VA族種と共反応性種との良好な反応性を維持することが期待される。このように、選択肢として、領域20がMgを含みかつ半導体領域12がリン化亜鉛を含むならば、下記の1つ以上の条件を満たすことが望ましい。iMgは第VA族元素と共反応性である少なくとも1つの他の金属含有種との組み合わせで提供されて存在し、ここで、その少なくとも1つの他の金属含有共反応性種は、第VA族元素に対する標準温度及び圧力でのリン化物プニクチドの生成エンタルピーが、リン化マグネシウムの標準温度及び圧力でのリン化物プニクチドの生成エンタルピーよりも大きい負の値である。及び/又は、iiIIB/VA族半導体がリン化亜鉛を含むならば、少なくとも1つの追加のIIB/VA族半導体を含む半導体領域も提供される。及び/又は、iii少なくとも1つのプニクチド反応生成物は、プニクチドの標準温度及び圧力での生成エンタルピーが、半導体領域中に含まれる少なくとも1つのp-型IIB/VA族半導体の標準温度及び圧力での生成エンタルピーよりも少なくとも100kJ/モル-Pn大きい負の値である。及び/又は、iv工程bの少なくとも一部を、共反応性種を酸素及び水の少なくとも1つから分離するのを援助するバリアで共反応性種をキャップしながら行う。しかしながら、Caはこの関係で正味反応度により示されるとおり、非常に反応性であり、前駆体中の他の層あればと反応する傾向がありうる。例えば、Caは領域20中のCaの上にある領域24下記の詳細に説明する中に含まれることがある透明導電性酸化物と反応する傾向がありうる。このように、バリア層図示せずは領域20中のCaと領域24との間に挿入されることができ、それにより、所望されない反応を防止するのを援助する。適切なバリアの1つの例はMgであり、Caよりも透明導電性酸化物との反応性がずっと低いが、Caと組み合わせて用いたときに前駆体10の電子的特性を向上させるという有利な役割を果たすことができる。別の実施形態では、バリア層はZnSを含む。バリア層は下記にさらに議論する。ある実施形態において、理論に拘束されるつもりはないが、本発明の反応はn-型混合金属リン化物を生成する程度まで反応が起こり、p/nヘテロ接合を生じることがあると考えられる。例えば、Caとリン化亜鉛との反応により、n-型リン化カルシウム亜鉛を生じることができる。このような場合には、領域20に提供される共反応性種はCaだけでなく、n-型特性を向上させるのに有効な量のTiをも含むことができる。1つの実施形態において、Ca及びTiの合計質量を基準として約0.01質量~約5質量、より好ましくは約0.05~約1質量のTiを用いるのがn-型特性を向上させるのに適する。このようなバリア機能又は他の有利な役割を提供するためのMgの使用を望まないならば、また、Mgは領域20中で単独で使用されても又は他の共反応性種との組み合わせで使用されても、領域12が実質的にリン化亜鉛のみを含むときに、領域20中のMgの量を限定することが好ましい実施形態において望まれる。IIB/VA族半導体としてリン化亜鉛のみを取り込んだ領域12の実施形態との組み合わせで共反応性種としてMgを利用することの欠点は、1012cm-3を超えるMgの濃度がp-型IIB/VA族半導体の抵抗率を大きく増大させ、それにより、デバイスの電流収集特性を損なうことがあることである。さらに、1016cm-3を超えるMg濃度は追加の損失メカニズムをもたらすことがあり、ここでMg不純物は光生成されたキャリアの非放射型再結合を促進することが期待される。IIB/VA族半導体としてリン化亜鉛のみを取り込んだ光電池デバイス中のMgのみ以外の共反応性種の適切な利用は共反応性種としてMgのみを用いる同様の処理をされたデバイスと比較して、曲線因子及び短絡電流密度の増加を生じることが期待される。したがって、もし半導体領域が少なくとも約95質量、好ましくは少なくとも約98質量、より好ましくは少なくとも約99質量リン化亜鉛であるならば、領域20の少なくとも80原子、より好ましくは少なくとも90原子、さらに好ましくは少なくとも99原子はCaSrBaScYTiZrVCrNbMoHfの少なくとも1つ、これらの化合物、これらの合金、その組み合わせなどを含むことが好ましく、ただし、領域20は約20原子以下、より好ましくは約10原子以下、さらにより好ましくは約5原子以下、さらにより好ましくは約1原子以下のMgを含む。領域12が実質的にすべてリン化亜鉛であるときにMgを使用することと比較して、CaSrBaScYTiVCrNbMoHfなどの他の共反応性種を領域20中で使用することで、多くの利点がある。最初に、これらの種の使用により、得られる光電池デバイスが改良された電子的性能を備えるものと信じられる。理論に拘束されるつもりはないが、改良された性能を説明しうる理論が提案されうる。前駆体10などの前駆体を加熱して、前駆体を改良された電子的性能を有するデバイスに転化させるときに、領域20中の共反応性種の少なくとも一部は領域12に移行する及び/又はその逆もあるものと考えられる。Mgなどの化学種は実質的に完全にリン化亜鉛から形成された領域12中に非常に容易に拡散し、そしてさらに、領域12の全体ではないとしても、実質的な部分にわたって侵入することができる。過去に、かかる広範な拡散は初期的にp-型Zn3P2半導体材料にn-型ドーピングの領域を形成するものと疑われた。しかしながら、より最近のデータはMgドーピングが約104Ω-cmの抵抗率を有する高度に調整された材料を形成することを示している。広範なMg拡散は拡散領域の直列抵抗及びトラップ支援非放射型再結合の劇的な増加のために、処理されたデバイスの曲線因子及び短絡電流密度の両方の低下がもたらされるであろう。さらに、目的がn-型材料とp-型材料の間にホモ接合を形成することであるときに、かかる広範な拡散は当初のp-型材料と、真性ドーピング及び第VA族欠乏により現場で形成されるn-型材料との間の界面を乱す傾向がある。Mg及びリン化亜鉛の組み合わせとは対照的に、CaSrZr及びTiなどの共反応性種は通常の反応条件下にリン化亜鉛及び他のIIB/VA族半導体中で、ずっとゆっくりと拡散するものと考えられる。拡散の速度は十分に低く、移行性種の実質的な部分は移行がp-型材料中に広範になりすぎる前にリン及び他の共反応性種と反応する傾向がある。結果的に、かかる他の共反応性種のIIB/VA族半導体領域12中への侵入はより制御されそしてより限定される。より良好な品質のホモ接合が形成されるものと期待される。さらに、得られる金属リン化物例えば、M3P2MCaSrBaMPMYTiZrVCrNbMoHfの生成エンタルピーがより大きな負の値であることは金属リン化物の生成を有利にするすなわち、反応エンタルピーがより大きいという利点がある。かかる共反応性種の使用は、また、前駆体10をデバイス100に転化させる熱処理の結果として下記に示すとおりの有利な不動態化効果を提供する。領域20は広い範囲の厚さを有することができる。より厚さが厚いと、加工性があるが、前駆体10をデバイス100に転化した後に残る領域20中の残存材料は所望されるよりも光学透明性を低くすることがある。ホモ接合を形成するために要求されるよりも多量の材料を使用すると、十分な相殺利益なしに浪費にもなりうる。残存材料は酸化、湿分劣化を受け、又は、得られるデバイスの電子的性能及び/又は安定性を損なうことがある他の問題に寄与する可能性がある。もし、領域20が薄すぎるならば、所望のn-型及び/又は不動態化特性を提供するのに不十分な共反応性種が存在することになり得る。それでも、好ましい実施形態では、十分に薄い層を使用することが領域20の大部分、より好ましくは実質的にすべてを熱処理の間に消費してデバイス100を形成するのを確保する。これにより、高レベルの光学透過性を維持するのを確保し、より高い程度に不動態化効果を達成し、及び/又は、高品質のn-型を形成しそして対応してp/nホモ接合を形成することを確保する。かかる懸案事項をバランスさせ、領域20は厚さが約1nm~約2000nmの範囲にあることが好ましく、より好ましくは約1nm~約100nm、より好ましくは約2nm~約50nm、さらにより好ましくは約2nm~約20nmである。領域20は連続であっても又は不連続であってもよいが、望ましくは、領域20は製造される得られる光電池デバイス100の意図した活性領域を少なくとも網羅している。領域12上で領域20を形成する結果として、1つ以上の共反応性種を含む固体相とp-型IIB/VA族半導体が接触している間に加熱下記にさらに詳細に説明されるとおりが起こる。CaSrZr及びTiなどの共反応性金属種は酸素又はその他の酸化性材料と反応性である傾向がある。このような場合には、共反応性種と酸素との間の反応は第VA族種との所望の反応と競合する。実際、酸素との反応が有利すぎて、所望のVA族反応のほとんどは全く起こらないことがある。酸化物の生成は望ましい結果を阻害し又はさらには抑止することができる。したがって、共反応性種は望ましくは酸素又はその他の酸化性種から保護される。かかる保護はかかる種を取り込んだ層が形成され、その後、少なくとも熱処理が完了するまで提供される。この保護は1種以上の方法で提供されうる。1つの方策によると、1つ以上の共反応性種を取り込んだ層は、実用上及び/又は所望されるとおりに酸素をできるかぎり排除している、保護雰囲気又は真空下に形成されそして維持されることができる。この目的での例示の気体としては、窒素、アルゴン、二酸化炭素、これらの組み合わせなどが挙げられる。別の方策によると、酸素に対する保護のために共反応性種上に1つ以上のキャッピング層を形成することができ、それはその後、周囲雰囲気中に配置されうる。共反応性種上で少なくとも1つのキャッピング層を使用すると、多くの利点がある。1つの利点としては、キャップは酸素だけでなく、他の潜在的に損傷性である環境要素、例えば、水、汚染物、酸素などから共反応性種を有効に保護する。キャッピング層は周囲雰囲気下で続いて加熱反応を行うことを可能にし、この製造段階を容易かつ経済的なものとする。さらに、キャップは共反応性種と第VA族種との間のより完全な反応を促進するのを援助する。これにより、得られる光電池デバイスの電子的性能が向上される。上記の利点に加えて、キャッピング層はデバイス構築に有利な層例えば、透明導電性層となるように選択されうる。広範なキャッピング層を使用することができる。ある実施形態において、キャップ構造は犠牲構造であることができる。キャップ機能を発揮した後に、かかる層はデバイスの製造を完了するために、あるならばさらなる層を形成する前に除去される。犠牲キャッピング層は広範な材料から形成でき、その材料としては、フォトレジスト又は他のマスキング材料が挙げられる。他の実施形態において、キャップ構造は製造されるデバイスの要素であることができ、そしてその全体を除去しない。かかる機能性キャッピング層としては、ウィンドー層、絶縁層、透明導電性層、反射防止層、バリア層、これらの組み合わせなどが挙げられる。例示の目的で、図1は下層領域20を酸化から保護するためのキャップとして機能する透明導電性領域24を含むものとして前駆体10を示している。その後、領域24は半導体材料と外部回路図示せずとの間の電気接触の少なくとも一部分として機能する。透明導電性層24は種々の導電性材料から形成されうる。ある実施形態において、層24は金属膜を含むことができ、その金属膜は十分に薄く、例えば、得られる膜が導電性であるが、なおも、半導体領域12に入射光線を到達させうるために十分に透明である代表的な実施形態において、厚さが約5nm~約200nm、好ましくは約30nm~約100nmの範囲である。本明細書中に使用されるときに、用語金属は金属だけでなく、金属混合物、例えば、合金、金属間化合物intermetalliccomposition、これらの組み合わせなどを指す。これらの金属組成物は、場合により、ドープされうる。薄い光学的に透明な層30を形成するために使用されうる金属の例としては、裏側接触領域18、これらの組み合わせなどにおける使用に適する金属が挙げられる。金属の代わりに又は金属と組み合わせて、種々の透明導電性層TCO又はこれらの組み合わせは透明導電性層24中に取り込まれることができる。例としては、フッ素でドープされた酸化スズ、酸化スズ、酸化インジウム、インジウムスズオキシドITO、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛AZO、酸化亜鉛、これらの組み合わせなどが挙げられる。1つの例示の実施形態において、透明導電性層24はインジウムスズオキシドである。TCO層はスパッタリング又が他の適切な堆積技術により便利に形成される。ある実施形態において、キャッピング領域24は、デバイス100図2又はその前駆体10図1中の別の機能層と共反応性種との反応を防止するなどの追加の又は代わりの機能を提供することができる。例えば、キャッピング領域24は多層構造を有することができ、その多層構造は透明導電性層及び下層のバリア層を含み、そのバリア層は透明導電性層と領域20の共反応性種との反応を防止する。1つの例示の実施形態において、透明導電性層はインジウムスズオキシドITOを含み、領域20はCa又はMgなどの共反応性種を含み、そして領域12はリン化亜鉛を含む。さらに、ZnSのバリア層はITOと領域20との間に提供され、インジウムスズオキシドITOと領域20の共反応性種との反応を防止するのを援助する。ZnS層は十分に薄く、例えば、得られるバリア膜が半導体領域12に入射光線を到達させうるために十分に透明である代表的な実施形態において、約5nm~約50nm、好ましくは約5nm~約20nmの範囲である。なおも、バリア膜は、望ましくは、共反応性種と透明導電性領域との反応を防止するのに十分に厚い。この構成を含むデバイスは薄い共反応性種層20nmを用いて、実質的に高いVoc>600mVを有することが示された。比較のために、ITOと下層領域との間のバリアがないと、>99Mgを共反応性種として使用したデバイスの性能は空気アニーリング後にVoc>400mVを示すために30~50nmのMgを要求する。ZnSキャッピング層を取り込んだデバイスはより薄いMg層を使用して、100°Cで90分間、空気アニーリングした後に、有意に高いVoc値を示す。明らかに、バリア膜はデバイス性能を改良する。理論に拘束されるつもりはないが、バリアが共反応性金属とITOとの間の反応を防止し、それにより、あまり阻害されずに共反応性金属をZn3P2と反応させることができることにより改良がもたらされたものと想定される。ZnSキャッピング層を用いたデバイスでVoc>600mVを観測することは共反応性種とITOとの間の反応の抑制が期待されることと一貫する。また、バリア層を使用すると、より薄い層の共反応性金属を使用することができることも示される。点線で示されるとおり、代表的な実施形態において、前駆体10及び得られるデバイス100図2の光入射側は、場合により、収集グリッド26を含むことができる。場合により、ワイヤ又はリボン図示せずなどの導電性材料を使用して、収集グリッド26を外部電気接続に電気的に接続してもよい。また、選択肢として、保護バリア装置図示せずは望ましくは提供されてよい。保護バリア装置は電子グリッド26の上に配置され、得られるデバイス100を環境から分離しそして保護するのを助け、例えば、水分劣化から保護する。バリア装置は、場合により、また、エラストマー特徴部をも含むことができ、それは、熱サイクルにより生じ、及び/又は、雹からの衝撃、及び/又は、設置の際の設置者の重量又は落とした工具からの局所点荷重により生じうる離層応力によるデバイス10に対する損傷の危険性を低減するのを助ける。存在するならば、グリッド26、バリア保護装置、及び/又はリボンを、本明細書中に記載される熱処理後に前駆体10中に取り込み、又は、デバイス100中に取り込むことができる。図1の前駆体10は種々の方法で形成されうる。1つの例示の技術によると、領域12に対応する半導体サンプルは適切な技術を用いて調製される。1つの技術は適切な高温でリンチップ及び亜鉛粒子を調合することを含む。粉末を多結晶ボールboulesに成長させる。典型的な結晶粒サイズは約1mm2~約5mm2である。成長させた状態での典型的な抵抗率は約100Ω-cm~約2000Ω-cmの範囲である。ウエハをボールからダイシングして、領域12を提供する。場合により、ウエハはPAs及び/又はSbのうちの少なくとも1つでドープされる。好ましくは、ドーピングはウエハをドーパントにより染みこませるのに有効な条件下に行う。ドーピングは抵抗率を低減する傾向があり、そして改良された電子的性能のための開回路電圧を上げる傾向がある。1つの実施形態において、リンによるドーピングは抵抗率を約20Ω-cmに低減した。ドープされたウエハの物性が向上されて、前駆体の品質を改良することができる。1つの選択肢として、ウエハを高解像度で平坦な主要面を提供するように研磨することができる。かかる研磨は応力及び機械損傷をもたらすことがある。したがって、研磨に次いで、エッチング処理を行い、応力を緩和しそして機械損傷を除去することができる。これを行う便利な方法はBrを含むエッチング剤を用いてウエハ表面から約1ミクロン除去することである。酸エッチング剤とは対照的に、Brエッチング剤は研磨により得られる滑らかな表面を維持する。次に、少なくとも1つの共反応性種を含む金属膜を従来の手順を用いてウエハの1つの主要面上に堆積させることができる。典型的な厚さは約2~約50nmの範囲である。その後、透明導電性層をスパッタリングなどにより金属膜上に形成することができる。典型的な厚さは約50nm~約100nmである。有利には、金属膜及び透明導電性層はウエハ表面のスパッタエッチングを必要としないでウエハ上に形成されうる。対照的に、スパッタエッチングは多くの従来技術法で光電池特性を達成するために要求されてきた。拘束されるつもりはないが、スパッタエッチングは本発明を実施する際に要求されないものと考えられる。というのは、熱処理の間に少なくともプニクチド含有不動態化層を形成するように共反応性種が反応するときに生じる不活性化効果があるからである。基材14の1つ以上の層もウエハ上に形成され及び/又はラミネートされうる。基材14は層がウエハの反対面に形成される前又は後に全体に又は部分的に形成されうる。前駆体10の電子的特性は領域12及び20を互いに反応させることにより向上される。ある実施形態において、領域20の構成成分の正味反応度により、この反応は周囲条件で又はさらには前駆体10が冷却されている間に起こりうる。他の例において、領域12が領域20と接触している間に領域12を加熱すると、所望の速度で反応を実施させることができる。これには1回以上の熱処理が含まれてよい。拘束されるつもりはないが、加熱が図2に示す構造を有するデバイス100に前駆体10を転化させるものと考えられる。図2は加熱がp-型領域12の一部をn-型領域30に転化させることを図示している。ホモ接合はこのようにしてn-型及びp-型材料の間の界面31で形成される。拘束されるつもりはないが、実際上の効果で、共反応性種と第VA族種との間の反応はp-型領域12の相対的な第VA族含有分を低減させ、一方、相対的な第IIB族含有分を増加させるものと考えられる。共反応性種は、ドーパント、格子材料などを含む、存在しうる異なる種類の第VA族含有分と反応するものと考えられる。結果的に、反応した第VA族材料はもはや当初のp-型特性に寄与するように利用され得ない。結果的に、反応は、p-型領域12の対応する部分を第IIB族種により真性ドープされたものとし、p-型領域12の一部にn-型特性を示させるものと考えられる。反応は、このようにして、第VA族の欠乏により第IIB族種が比較的に豊富であるn-型領域を生じさせるであろう。それゆえ、反応は残存したp-型材料と、得られたn-型材料との間にホモ接合を形成することを助けるものと考えられる。不動態化領域32も形成するものと考えられる。この不動態化領域は当初の領域12及び領域20の構成成分の間の反応により得られるリン化物及び/又は他の反応生成物を含むと考えられる。例えば、カルシウムは格子及び/又はドーパントのリンと反応してリン化カルシウムを生成する。図2は、初期の領域20のすべてが領域32を形成するための熱処理の間に消費され、その初期の形態で存在しない実施形態を例示している。より多量の共反応性種が領域20に当初取り込まれた他の実施形態において、初期形態の領域20の一部図示せずは得られたデバイス100中になおも存在しうる。不動態化領域32の形成は領域20が熱処理の間に領域24などのキャップにより保護されるときに優勢となる傾向がある。もし、領域20が領域24などで加熱の間に酸素又はその他の汚染物から保護されなければ、領域32を形成するための不動態化リン化物材料の生成は観測されない。また、所望のn-型領域の形成はもしかかる領域が少しでも形成されるならば、共反応性種との反応による第VA族元素の欠乏が妥協されることから、より品質が低くなる。不動態化なしに、p-型及び/又はn-型IIB/VA族領域の間及び/又はn-型領域30及び領域24の間の界面は欠陥、酸化、不純物などにより低い品質となることがある。不動態化はこれらの界面の品質を有意に向上させる。特に、空気酸化の効果はなくなり、そして欠陥は包摂されることが観測される。また、有意には、従来の方法は領域12及び30に光起電力機能を取り込むためにIIB/VA族半導体表面のスパッタエッチング又は別の同等の処理を要求した。対照的に、本発明の原理から生じる不動態化により、かかるスパッタエッチング処理などを必要とせずに光起電力機能を達成することが可能である。加熱時の電子的特性の改良はp-型出発IIB/VA族材料が少なくとも1つの第VA族種をドーパントとして又はZn3P2結晶格子中に格子間に配置される化学種として取り込むならば、さらに向上されるであろう。驚くべきことに、第VA族ドーパントの存在により、第VA族ドーパントが当初、n-型又は他の材料へと後に転化されるp-型領域にのみ取り込まれたとしても、向上した電子的特性を有するデバイスが得られる。理論に拘束されるつもりはないが、第VA族ドーパントは第VA族ドーパントがn-型相を形成するのを援助するようにして共反応性種と反応することができる能力のために、得られるn-型特性を妥協しないものと考えられる。さらに、反応はp-型特性に寄与し又はn-型を過度に阻害することのないように反応した第VA族材料を除去する。p-型前駆体中にp-型第VA族ドーパントを含ませることが得られるn-型材料の形成及び品質を向上させるということは直感で解るものではない。別の利点として、第VA族ドーパントの存在は共反応性種とIIB/VA族半導体の第VA族含有分との所望の反応と両立できる。共反応性種と反応性でない、n-型材料へ転化される領域中の他の種のp-型ドーパントの使用はn-型材料の生成を阻害し又はさもなければn-型材料の生成と対立することになりうる。別の利点として、第VA族ドーパントを使用すると、共反応性種をIIB/VA族材料に侵入させる深さを制限するのを援助しうる。これはp/n接合の解像度及び品質を向上させる。別の言い方をすると、第VA族ドーパントはn-型材料が限定された深さに形成することを確保させる。さもなければ、ある第VA族種はIIB/VA族半導体材料をとおして広く移行し、p-型を維持することが意図された領域でのp-型特性を妥協することになる。加熱は広範な条件で行うことができる。もし加熱温度が高すぎると、1つ以上の層の熱分解が起こりうる。また、熱膨張率が大きく異なる場合のように層間の離層が起こりうる。他方、温度が低すぎると、所望の反応は所望のスループットを達成するには遅く進行しすぎ、又は、まったく起こらないこともある。かかる懸案事項をバランスさせると、約35°C~約300°C、好ましくは約50°C~約150°C、より好ましくは約90°C~約110°Cの範囲の温度での加熱は約10秒間~約48時間、好ましくは約2分間~約4時間、より好ましくは約30分間~約120分間の範囲の時間で適切であろう。例えば、1つの実施形態において、約100°Cでの約100分間の加熱は適切であろう。加熱は真空中、周囲圧力及び/又は高圧で行うことができる。領域20は層24などのキャップにより保護される場合には、周囲圧力は有効かつ経済的であり、そして現在好ましい。ここで、本発明は下記の例示の実施例を参照しながらさらに説明されるであろう。例1本例において使用されるZn3P2サンプルは物理蒸発輸送プロセスにより成長される。赤リンチップ及び亜鉛ショット99.9999を850°Cで合わせ、Zn3P2粉末を形成する。その後、その粉末を、結晶成長技術を用いて1cm直径で4cm長さで結晶粒サイズが約1~5mm2である多結晶ボールに加工する。得られた結晶をダイアモンドソーによりダイシングし、それは成長したままの抵抗率が100~2000Ω-cmである。シールされたアンプル中で白リンとともに400°Cで20時間のアニーリングをすることはリン格子間材料によるドープによりウエハ抵抗率を約20Ω-cmに低減するのに有効である。ドープされていないサンプル及びP-ドープされたサンプルの両方をダイアモンドペーストにより研磨し、Zn3P2ウエハを製造した。1cm直径及び500~600μm厚さのサンプルを2~3v:vのBr2CH3OH中でエッチングし、CH3OH中で濯ぎ、N2流下に乾燥し、その後、速やかに使用する。ITO/Ca/Zn3P2ソーラーセルをP-ドープされたZn3P2サンプルから製造する。エッチングされて直ぐのウエハを光学フォトリソグラフィーにより1mm2活性領域デバイスのアレイでパターン化する。約50nmの厚さのCa膜、次いで、約100nmの厚さのITO膜を、サンプルのスパッタリングエッチングを行うことなく、パターン化されたZn3P2ウエハ上でRFマグネトロンスパッタリングにより堆積させる。約100nmの厚さのAgからなる裏側接触部もRFマグネトロンスパッタリングにより堆積される。セルを100°Cで10分間、穏やかな空気アニーリングに付し、仕上がりデバイスを生じる。例2Ca及びCa以外の別の共反応性金属の反応性の試験の例として、ITOキャッピング層100nm、共反応性金属50nm、エッチングされそして研磨されたZn3P2基材及びAgの裏側接触部200nmからなるデバイスの群を製造した。1つのデバイスの群において、Caを共反応性金属として使用した。別のデバイスの群において、Mgを共反応性金属として使用した。通常、>99Mgを共反応性金属として使用したフォトリソグラフィー的に解像したデバイスのVocは製造されたままでは低く、<100mVである。同様のデバイスにおいて、100°Cでの熱処理では共反応性金属とZn3P2との反応によりVocが増加する。共反応性金属としてCaを取り込んだデバイスは有意に高いVoc製造されたままを示す。Caを用いた製造されたままのデバイスでVoc>380mVが観測されることは、共反応性種として使用するときに、Zn3P2中のリンとのCa金属の期待される反応性がMg下記に詳細に説明するキャッピング層としてのMgの使用とは区別されると比較して高いことと一貫している。デバイスは0.75太陽光強度sunsintensityでAM1.5Gスペクトルであることを特徴とする。図3は共反応性金属としてMg又はCaのいずれかを取り込んだITO/Zn3P2光電池デバイスのサンプルについての電圧の関数としての電流密度を示すグラフである。デバイスaは50nmのMgを含み、低いVoc<1000mV製造されたままを示す。デバイスbは50nmのCaを含み、有意に高いVoc>380mV製造されたままを示す。比較として、デバイスaは製造されたままのデバイスbの性能を達成するのに100°Cで20分間の熱処理を要した。例3ソーラーセルを例1にしたがって製造するが、本例の各セルはCaの代わりにSr又はTiをそれぞれ用いる。例4ソーラーセルを例1にしたがって製造するが、Caの代わりにCa及びTiの混合物又は二層を用い、ここで、混合物はCa及びTiの合計質量を基準として約0.1質量のTiを含む。例5ソーラーセルを例1及び3にしたがってそれぞれ製造するが、リン化カドミウムをリン化亜鉛の代わりに用いる。例6ソーラーセルを例1にしたがって製造するが、リン化カドミウム又はリン化カドミウム亜鉛をそれぞれリン化亜鉛の代わりに用い、そしてMgをCaの代わりに用いる。例7ソーラーセルを例1にしたがって製造するが、本例の各セルでは、Caの代わりにScYVNbMo又はHfをそれぞれ用いる。例8ソーラーセルを例6にしたがって製造するが、リン化亜鉛の代わりにリン化カドミウムを用いる。例9ITO/Mg/Ca/Zn3P2ソーラーセルを、例1で記載されるとおりに調製されたP-ドープされたZn3P2サンプルから製造する。エッチングされて直ぐのウエハを光学フォトリソグラフィーにより1mm2活性領域デバイスのアレイでパターン化する。約8nmの厚さのCa膜、次いで、約8nmの厚さのMg層を、サンプルのスパッタリングエッチングを行うことなく、パターン化されたZn3P2ウエハ上でRFマグネトロンスパッタリングにより堆積させた。約100nmの厚さのインジウムスズオキシドITOの層を、その後、Mg層の上部に堆積させる。約100nmの厚さのAgからなる裏側接触部もRFマグネトロンスパッタリングにより堆積される。セルをアニーリングしなかった。デバイスは0.75太陽光強度sunsintensityでAM1.5Gスペクトルであることを特徴とした。電圧の関数として電流密度を示す典型的な曲線を図4に示す。この場合、Ca膜は共反応性金属として見ることができ、そしてMg膜はCa膜の上のキャッピング層として見ることができる。例10ITO/ZnS/Mg/Zn3P2ソーラーセルを、例1で記載されるのと同様に調製されたP-ドープされたZn3P2サンプルから製造する。エッチングされて直ぐのウエハを光学フォトリソグラフィーにより1mm2活性領域デバイスのアレイでパターン化する。約10nm又は20nmの厚さのMg膜、次いで、約10nmの厚さのZnS膜及び約100nmの厚さのITO膜を、サンプルのスパッタリングエッチングを行うことなく、パターン化されたZn3P2ウエハ上でRFマグネトロンスパッタリングにより堆積させる。約100nmの厚さのAgからなる裏側接触部もRFマグネトロンスパッタリングにより堆積される。セルを100°Cで90分間、空気アニーリングに付し、仕上がりデバイスを生じる。ZnS拡散バリアを取り込んだデバイスは、100°Cで90分間空気アニーリングした後に、それぞれ10nm及び20nmのMg層でVoc値>500mV及び>600mVを示す図5を参照されたい。比較のために、ZnS拡散バリアが存在しないようにして同様に調製したデバイスは、Voc>400mVを達成するために30~50nmのMgを必要とした。ITO。デバイスは0.75太陽光強度sunsintensityでAM1.5Gスペクトルであることを特徴とした。図5はMgを共反応性金属として取り込んだITO/ZnS/Zn3P2光電池デバイスについての電圧の関数としての電流密度を示す。デバイスaは20nmのMg金属及び10nmのZnS拡散バリアを含み、そして有意に高いVoc>600mV製造されたままを示す。デバイスbは10nmのMg金属及び10nmのZnS拡散バリアを含み、そしてより低いVoc<500mVを示す。より低い光電流は生来的な抵抗性のZnS層に帰因し、最適化されたドーピングとともにZnS拡散バリアを用いることにより改良されることが期待される。例11例10と同様にしてITO/ZnS/Ca/Zn3P2ソーラーセルを製造するが、Mgの代わりに20nmのCa層を堆積する。本発明の他の実施形態は本明細書を考慮したときに、又は、本明細書中に開示された発明を実施することにより当業者に明らかであろう。本明細書中に記載された原理及び実施形態に対する種々の省略、改変及び変更は以下の特許請求の範囲により示される発明の真の範囲及び精神から逸脱することなく当業者によってなされることができる。