亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を縦軸とし且つpHを横軸とする水溶液状態図で、ZnOH2が析出する領域とZnO22-が存在し得る領域とを画定する線αが、マグネシウムイオンが存在し得る領域とMgOH2が析出する領域とを画定する線βよりも低pH側に位置する温度のアンモニア水溶液に、Zn原料及びMg原料を溶解し、前記線αと前記線βとで挟まれた領域となるように、前記アンモニア水溶液のpH並びに前記アンモニア水溶液中の亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を調整する、調整工程と、前記調整工程後に、前記アンモニア水溶液の温度を、ZnOH2及びMgOH2が析出する温度に高める、加温工程と、前記加温工程後に、析出物を焼成する、焼成工程と、を有する、ZnMgO膜の製造方法。前記線αが前記線βよりも低pH側に位置する前記温度が25°C以下である、請求項1に記載のZnMgO膜の製造方法。002X線回折強度に対する100X線回折強度の比、及び、002X線回折強度に対する101X線回折強度の比が、1/2以上である、ZnMgO膜。CIGS太陽電池等の化合物薄膜太陽電池にZnMgOを用いる場合、pn接合界面形成時に電子がp層側へ移動可能な形態とし、且つ、光吸収によって生成された電子が電極へ移動可能な形態とするためには、Znに対するMg添加量を30mol以上にすることが求められている。ところが、非特許文献1に開示されているような従来の液相製膜法では、Znに対するMg添加量の上限が10mol程度に留まっていた。そこで本発明は、Znに対するMg添加量を30mol以上にすることが可能なZnMgO膜の製造方法及びZnに対するMg添加量が30mol以上であるZnMgO膜を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明は以下の手段をとる。すなわち、本発明の第1の態様は、亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を縦軸とし且つpHを横軸とする水溶液状態図で、ZnOH2が析出する領域とZnO22-が存在し得る領域とを画定する線αが、マグネシウムイオンが存在し得る領域とMgOH2が析出する領域とを画定する線βよりも低pH側に位置する温度のアンモニア水溶液に、Zn原料及びMg原料を溶解し、線αと線βとで挟まれた領域となるようにアンモニア水溶液のpH並びにアンモニア水溶液中の亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を調整する調整工程と、該調整工程後に、アンモニア水溶液の温度を、ZnOH2及びMgOH2が析出する温度に高める加温工程と、該加温工程後に、析出物を焼成する焼成工程と、を有する、ZnMgO膜の製造方法である。線αが線βよりも低pH側に位置する温度環境下で、線αと線βとで挟まれた領域となるようにpHが調整されたアンモニア水溶液に、適切な量のZn原料及びMg原料を溶解することにより、アンモニア水溶液中に、ZnO22-及びMg2を存在させることができる。これらのイオンが共存する状態にした後、アンモニア水溶液の温度を高めると、線βが低pH側に移動するため、MgOH2を析出させることが可能になる。さらに、アンモニア水溶液の温度を高めると、アンモニアを揮発させてアンモニア水溶液のpHを低下させることができ、線αよりも低pH側の状態にすることができるので、ZnOH2を析出させることが可能になる。このように、同じようなタイミングで、イオンの状態で存在していたZn及びMgを、それぞれZnOH2及びMgOH2として析出させることにより、ZnがMgに置換されやすくなるので、Znに対するMg添加量を30mol以上にすることが可能になる。ZnOH2及びMgOH2を析出させたら、焼成して脱水反応を生じさせることにより、ZnMgO膜を製造することが可能になる。また、上記本発明の第1の態様において、線αが線βよりも低pH側に位置する上記温度が25°C以下であることが好ましい。温度pH調整工程におけるアンモニア水溶液の温度を25°C以下にすることにより、線αと線βとで挟まれた領域を広げることが可能になり、その結果、アンモニア水溶液中に、ZnO22-及びMg2を共存させやすくなるので、Znに対するMg添加量を30mol以上にしたZnMgO膜を製造しやすくなる。本発明の第2の態様は、002X線回折強度に対する100X線回折強度の比、及び、002X線回折強度に対する101X線回折強度の比が、1/2以上である、ZnMgO膜である。上記本発明の第1の態様にかかる製造方法で製造した、Znに対するMg添加量が30mol以上であるZnMgO膜は、002X線回折強度に対する100X線回折強度の比、及び、002X線回折強度に対する101X線回折強度の比が、1/2以上である。そのため、このようなX線回折強度の比の条件を満たすことにより、Znに対するMg添加量を30mol以上にしたZnMgO膜を得ることが可能になる。本発明の第1の態様によれば、Znに対するMg添加量を30mol以上にすることが可能な、ZnMgO膜の製造方法を提供することができる。本発明の第2の態様によれば、Znに対するMg添加量が30mol以上であるZnMgO膜を得ることができる。図1は、25°Cにおける亜鉛イオン及びマグネシウムイオンを含む水溶液の状態図である。図1の縦軸は亜鉛イオン濃度[mol/L]及びマグネシウムイオン濃度[mol/L]であり、横軸はpHである。図1は、線γよりも低pH側では亜鉛イオンが存在可能であり、線γの高pH側ではZnOH2が析出し、線βよりも低pH側ではマグネシウムイオンが存在可能であり、線βの高pH側ではMgOH2が析出することを示す図である。従来の液相製膜法でZnMgO膜を製造する際には、例えば塩化亜鉛及び塩化マグネシウムを塩酸水溶液に溶解し、これにアンモニア水を入れZn及びMgを共沈させる過程を経て、ZnMgO膜を製造していた。図1を用いてこの方法を説明すると、例えば図1にXで示した状態からpHを高めることにより、線γを横切ってZnOH2が析出する状態にする過程を経て、ZnMgO膜を製造していることになる。このように、従来の液相製膜法では、低pHの状態から高pHの状態へと変化させることにより、線γを横切ってZnOH2を析出させていた。しかしながら、図1に示したように、pHを高めてZnOH2を析出させても、Mgは線βよりも低pH側ではイオンの状態で存在することができ、MgOH2を析出させるためには、さらにpHを高めて線βの高pH側にする必要がある。従来の方法では、イオンの状態で存在している亜鉛及びマグネシウムを同じようなタイミングで析出させることが困難であったため、ZnOH2が析出する際に取り込まれるMgは少量に留まり、その結果、Znに対するMg添加量の上限が10mol程度に留まっていたと考えられる。なお、電析による方法でも、同様の理由から、Znに対するMg添加量は、7.7mol程度に留まっている。Zn2がZnOH2として析出する領域から、さらにpHを高めると、ZnO22-の状態で存在し得る。図1の水溶液状態図に、ZnOH2が析出する領域とZnO22-が存在可能な領域とを画定する線αを追加した水溶液状態図を、図2に示す。図2は、線γよりも低pH側では亜鉛イオンが存在可能であり、線γの高pH側且つ線αよりも低pH側ではZnOH2が析出し、線αの高pH側ではZnO22-が存在可能であり、線βよりも低pH側ではマグネシウムイオンが存在可能であり、線βの高pH側ではMgOH2が析出することを示す図である。図2に示したように、線αの高pH側且つ線βよりも低pH側線αと線βとで挟まれた領域では、ZnO22-及びマグネシウムイオンが共存可能である。そのため、線αと線βとで挟まれた領域の条件を満たすように、水溶液の温度、pH、並びに、亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を制御した後、同じようなタイミングでZnOH2及びMgOH2を析出させることができれば、Znに対するMg添加量を従来よりも増大することが可能になると考えられる。本発明者は、鋭意研究の結果、60°Cにおける亜鉛イオン及びマグネシウムイオンを含む水溶液の状態図は図3のようになることを知見した。図3は、線γ’よりも低pH側では亜鉛イオンが存在可能であり、線γ’の高pH側且つ線α’よりも低pH側ではZnOH2が析出し、線α’の高pH側ではZnO22-が存在可能であり、線β’よりも低pH側ではマグネシウムイオンが存在可能であり、線β’の高pH側ではMgOH2が析出することを示す図である。また、図2に線α’、線β’、及び、線γ’を加えた水溶液状態図を、図4に示す。図4では、線αと線βとで挟まれた領域に斜線を付した。図2乃至図4より、水溶液の温度が25°Cの場合には、線αが線βよりも低pH側に存在していたが、水溶液の温度を高めることにより低pH側に移動した線αに相当する線α’は、水溶液の温度を高めることにより低pH側に移動した線βに相当する線β’よりも高pH側に存在している。したがって、温度上昇により、線α及び線βは何れも低pH側に移動するものの、低pH側へと移動する程度は、線αよりも線βの方が大きいことが分かった。この結果から、水溶液の温度を高めると、線βを大きく低pH側へと移動させることが可能になり、その結果、マグネシウムイオンが存在可能であった状態を、MgOH2が析出する状態へと変化させることが可能になると考えられる。加えて、亜鉛イオン及びマグネシウムイオンを含む水溶液としてアンモニア水溶液を用いると、水溶液の温度を高めるほどアンモニアを揮発させやすくなり、アンモニアが揮発するほどアンモニア水溶液のpHを低下させることが可能になる。それゆえ、アンモニア水溶液の温度を高めると、線αの高pH側であった状態ZnO22-が存在可能であった状態から線α’よりも低pH側の状態ZnOH2が析出する状態へと変化させることが可能になると考えられる。すなわち、アンモニア水溶液中にZnO22-及びマグネシウムイオンを共存させた後、アンモニア水溶液の温度を高めると、同じようなタイミングでZnOH2及びMgOH2を析出させることが可能になるので、Znに対するMg添加量が30mol以上へと高められたZnMgO膜を製造することが可能になると考えられる。本発明は、このような知見に基づいて完成させた。以下、図面を参照しつつ、本発明について説明する。なお、以下に示す形態は本発明の例示であり、本発明は以下に示す形態に限定されるものではない。図5は、本発明のZnMgO膜の製造方法以下において、本発明の製造方法ということがある。を説明するフロー図である。図5に示したように、本発明のZnMgO膜の製造方法は、調整工程S1と、基板投入工程S2と、加温工程S3と、乾燥工程S4と、焼成工程S5と、を有している。調整工程以下において、S1ということがある。は、亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を縦軸とし且つpHを横軸とする水溶液状態図で、ZnOH2が析出する領域とZnO22-が存在し得る領域とを画定する線α以下において、単に線αという。が、マグネシウムイオンが存在し得る領域とMgOH2が析出する領域とを画定する線β以下において、単に線βという。よりも低pH側に位置する温度のアンモニア水溶液に、Zn原料及びMg原料を溶解し、線αと線βとで挟まれた領域にアンモニア水溶液のpH並びにアンモニア水溶液中の亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を調整する工程である。すなわち、アンモニア水溶液の温度が25°Cである場合、S1は、アンモニア水溶液にZn原料及びMg原料を溶解し、図2の線αと線βとで挟まれた領域となるように、pH、亜鉛イオン濃度、及び、マグネシウムイオン濃度を調整する工程である。基板投入工程以下において、S2ということがある。は、S1に続いて、アンモニア水溶液が入れられている容器の中に、ZnMgO膜が形成されるべき基板を入れる工程である。加温工程以下において、S3ということがある。は、S2に続いて、アンモニア水溶液の温度を、ZnOH2及びMgOH2が析出する温度に高める工程である。上述のように、アンモニア水溶液の温度を高めることにより、アンモニアを揮発させてアンモニア水溶液のpHを低下させることが可能になるので、ZnO22-が存在可能な状態とされていたアンモニア水溶液を、ZnOH2が析出する状態へと変化させることが可能になる。また、上述のように、アンモニア水溶液の温度を高めることにより、線βを低pH側へと移動させることができるので、マグネシウムイオンが存在可能な状態とされていたアンモニア水溶液を、MgOH2が析出する状態へと変化させることが可能になる。すなわち、S3は、ZnO22-をZnOH2として析出させるとともに、マグネシウムイオンをMgOH2として析出させる工程である。乾燥工程以下において、S4ということがある。は、S3で析出させた析出物ZnOH2及びMgOH2の混合物を乾燥させる工程である。焼成工程以下において、S5ということがある。は、S4に続いて、乾燥させた析出物を焼成する工程である。S5を経ることにより、脱水反応を生じさせてZnMgO膜を製造することができる。S5における焼成温度は、脱水反応が生じて析出物の重量減少が確認される温度であれば良く、例えば、200°C以上350°C以下とすることができる。また、S5における焼成時間は特に限定されず、従来の液相製膜方法と同程度の時間とすることができる。S1乃至S5を経ることにより、同じようなタイミングでZnOH2及びMgOH2を析出させることが可能になるので、Znに対するMg添加量が30mol以上へと高められたZnMgO膜を製造することが可能になる。本発明において、Zn原料やMg原料としては、それぞれの塩化物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩等を適宜用いることができる。また、本発明において、S1は、線αが線βよりも低pH側に位置する温度のアンモニア水溶液にZn原料及びMg原料を溶解し、線αと線βとで挟まれた領域にpH並びに亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を調整する工程であれば、その形態は特に限定されない。ただし、Zn原料やMg原料を溶解させやすくしてS1の所要時間を短縮可能な形態にする等の観点からは、攪拌されているアンモニア水溶液にZn原料及びMg原料を溶解させる形態とすることが好ましい。また、S1において、線αが線βよりも低pH側に位置する温度のアンモニア水溶液にZn原料及びMg原料を溶解させる形態は、特に限定されない。アンモニア水溶液中にZn原料及びMg原料を溶解させた後に、温度を変化させる例えば、温度を低下させる形態であっても良く、アンモニア水溶液の温度を、線αが線βよりも低pH側に位置する温度にした後、当該アンモニア水溶液中にZn原料及びMg原料を溶解させる形態であっても良い。また、S1において、線αが線βよりも低pH側に位置する温度は、例えば30°C未満とすることができる。上述のように、温度を上げると低pH側へと移動する程度は、線αよりも線βの方が大きいので、アンモニア水溶液の温度を低下させた時に高pH側へと移動する程度も、線αよりも線βの方が大きいと考えられる。アンモニア水溶液の温度を低下させるほど、線αと線βとで挟まれた領域を広げることが可能になり、その結果、アンモニア水溶液を線αと線βとで挟まれた領域に調整しやすくなる。したがって、線αと線βとで挟まれた領域への調整を容易にしてZnMgO膜を容易に製造可能な形態にする等の観点からは、S1における、線αが線βよりも低pH側に位置する温度は、25°C以下とすることが好ましい。より好ましい温度は、5°C以下である。また、本発明において、S2で用いられる基板は、S5の焼成温度に耐えることが可能であり、且つ、表面にZnMgO膜を形成可能であれば、特に限定されない。そのような基板を構成可能な物質としては石英ガラスやステンレス鋼基板、ソーダライムガラス基板等を例示することができる。また、本発明において、S2で温度が高められるアンモニア水の温度は、ZnOH2及びMgOH2が析出し得る温度であれば特に限定されない。ZnOH2及びMgOH2を析出させるために、アンモニア水溶液の温度は例えば30°C以上とすることが好ましく、イオン濃度の大きな変動や水溶液の枯渇を防止可能にする等の観点から、アンモニア水溶液の温度は例えば80°C以下とすることが好ましい。より好ましいアンモニア水溶液の温度は、40°C以上60°C以下である。また、S2は、ZnO22-をZnOH2として析出させるとともに、マグネシウムイオンをMgOH2として析出させることができれば、その形態は特に限定されないが、ZnOH2及びMgOH2が析出しやすい形態にする等の観点からは、攪拌されているアンモニア水溶液の温度を高めて、ZnOH2及びMgOH2を析出させる形態、とすることが好ましい。<膜の製造>水180ml及び10アンモニア水5~30mlをビーカに入れ、これを氷水に浸けてアンモニア水溶液の温度が5°Cになるまで冷却した。一方、Zn原料酢酸亜鉛及びMg原料酢酸マグネシウムをモル比で酢酸亜鉛:酢酸マグネシウム=6:4、7:3、8:2、9:1、及び、1:0となるように秤量し、これを上記ビーカに入れた。そして、このビーカに回転子を入れ、スターラー上で良く攪拌させることにより、酢酸亜鉛や酢酸マグネシウムを溶解させた。なお、酢酸マグネシウムを用いなかった条件を除き、酢酸亜鉛や酢酸マグネシウムを溶解させた後のアンモニア水溶液は、線αと線βとで挟まれた領域となるように調整した。酢酸亜鉛や酢酸マグネシウムを溶解させた後、ビーカに石英ガラス基板を投入した。そして、アンモニア水溶液を攪拌しながら、60°Cに加熱したウォーターバスに上記ビーカを浸け、30分間に亘って保持した。その後、石英ガラス基板を取り出して乾燥させ、500°Cで1時間に亘って大気中で焼成した。以上の工程を経ることにより、膜酢酸マグネシウムを用いなかった条件ではZnO膜、酢酸マグネシウムを用いた条件ではZnMgO膜。以下において同じ。を製造した。<膜の評価>X線回折装置Smart-Lab、株式会社リガク製を用いて、X線回折測定を行った。結果を図6、図7、及び、表1に示す。図6の縦軸はCounts[a.u.]、同横軸は回折角2θ[°]である。図7は、原料比Mg/ZnMg[mol]とX線回折測定で002ピークが確認された回折角2θ[°]との関係を示す図である。図7の縦軸は002のピークが確認された回折角2θ[°]、同横軸は原料比Mg/ZnMg[mol]である。また、紫外可視分光光度計V-570、日本分光株式会社製を用いて光吸収係数を測定することにより、作製した膜のバンドギャップを特定した。バンドギャップの結果を表1、図9、及び、図10に示す。図9の縦軸は光吸収係数αの2乗[a.u.]、同横軸はエネルギーhν[eV]である。スペクトルの外挿線からバンドギャップを求めた。図10の縦軸はバンドギャップ[eV]、同横軸は原料比Mg/ZnMg[mol]である。なお、表1における固溶Mg量[mol]は、下記式1から求めた。<結果>図6及び図7に示したように、原料のMg比率が増加すると共に、002回折ピークが高角側にシフトした。これは、Znイオン半径0.74Åサイトにイオン半径0.65ÅのMgが置換し、C軸方向に結晶が収縮したためであると考えられる。このX線回折測定結果より、条件1~4の膜はZnMgO膜であると判断した。また、図8にスパッタ法で作製したZnMgO膜のX線回折測定結果を示す。図8の縦軸は強度[a.u.]、同横軸は回折角2θ[°]である。図8によると、002ピークのみが観測され、002に配向していることが分かる。一方、本発明の製造方法で製造した膜は、図6に示したように配向しておらず、002X線回折強度に対する100X線回折強度の比、及び、002X線回折強度に対する101X線回折強度の比が1/2以上となっている。図9及び図10に示したように、原料のMg比率が増加すると共に、バンドギャップが増大した。バンドギャップの値から下記式1のように結晶へのMg固溶量が算出できる。Mg固溶量[mol]=バンドギャップ-3.2/0.02...式1条件1の膜のバンドギャップは3.85eVであるから、式1よりこの膜のMg固溶量は32.5molである。したがって、本発明によれば、Znに対するMg固溶量を30mol以上にすることが可能なZnMgO膜の製造方法及びZnに対するMg添加量が30mol以上であるZnMgO膜を提供できる。