第1データ入出力ラインのデータを第2データ入出力ラインに転送したり、前記第2データ入出力ラインのデータを前記第1データ入出力ラインで転送するセンスアンプであって、前記第1データ入出力ラインは実質的にアクティブ動作の間、引き続いて前記第2データ入出力ラインと連結されることを特徴とするセンスアンプ。前記センスアンプは、前記第2データ入出力ラインを選択するための入出力スイッチ信号に応答して前記第1データ入出力ライン及び前記第2データ入出力ラインをお互いに連結させることを特徴とする請求項1に記載のセンスアンプ。前記入出力スイッチ信号は、アクティブ信号またはロー選択のための信号から生成されることを特徴とする請求項2に記載のセンスアンプ。入出力スイッチ信号に応答して第1データ入出力ライン及び第2データ入出力ラインを連結するデータライン連結部と、センスアンプイネーブル信号に応答して前記第1データ入出力ラインを増幅するように構成されたハイブリッドデータ転送部と、を含むことを特徴とするセンスアンプ。前記入出力スイッチ信号は、アクティブ信号またはロー選択のための信号から生成されることを特徴とする請求項4に記載のセンスアンプ。前記センスアンプイネーブル信号は、リードまたはライトコマンドから生成されることを特徴とする請求項4に記載のセンスアンプ。前記センスアンプイネーブル信号は、カラムデコーダーブロックで生成されることを特徴とする請求項6に記載のセンスアンプ。前記ハイブリッドデータ転送部は、前記センスアンプイネーブル信号がイネーブルになった時、前記第1データ入出力ラインのデータを差動増幅して前記第2データ入出力ラインに転送したり、前記第2データ入出力ラインから転送されたデータによって前記第1データ入出力ラインを差動増幅することを特徴とする請求項4に記載のセンスアンプ。入出力スイッチ信号及び駆動センスアンプイネーブル信号に応答して前記第1データ入出力ライン及び前記第2データ入出力ラインの間でデータを転送するセンスアンプと、駆動フリーチャージ信号に応答して前記第1データ入出力ラインをフリーチャージさせるフリーチャージ部と、を含み、前記駆動センスアンプイネーブル信号及び前記駆動フリーチャージ信号は、メモリブロック間の交差領域で生成されることを特徴とする半導体装置。前記センスアンプは、前記入出力スイッチ信号に応答して前記第1データ入出力ライン及び前記第2データ入出力ラインを連結し、前記駆動センスアンプイネーブル信号に応答して前記第1データ入出力ラインを差動増幅することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。前記入出力スイッチ信号は、アクティブ信号またはロー選択のための信号から生成されることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。前記交差領域に配置され、センスアンプイネーブル信号、フリーチャージ信号及び前記入出力スイッチ信号の入力を受け、前記駆動センスアンプイネーブル信号及び前記駆動フリーチャージ信号を生成するように構成されたドライバーブロックをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。前記センスアンプイネーブル信号は、リードまたはライトコマンドから生成されることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。前記センスアンプイネーブル信号及び前記フリーチャージ信号は、カラムデコーダーブロックで生成されることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。前記フリーチャージ部は、前記駆動フリーチャージ信号の応答して前記第1データ入出力ラインをコア電圧にフリーチャージさせることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。複数個のビットラインが配置される第1メモリブロック及び第2メモリブロックと、前記複数個のビットラインと連結される第1データ入出力ラインと、前記第1データ入出力ライン及び第2データ入出力ラインの間でデータの転送を行い、実質的にアクティブ動作の間、前記第1データ入出力ライン及び前記第2データ入出力ラインの連結を維持させるように構成されたセンスアンプと、前記第1データ入出力ラインをフリーチャージさせるフリーチャージ部と、を含み、前記センスアンプを制御するセンスアンプイネーブル信号及び前記フリーチャージ部を制御するフリーチャージ信号は、カラムデコーダーブロックで生成されることを特徴とする半導体装置。前記センスアンプイネーブル信号、前記フリーチャージ信号及び入出力スイッチ信号の入力を受け、駆動センスアンプイネーブル信号及び駆動フリーチャージ信号を生成するドライバーブロックをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。前記ドライバーブロックは、前記第1メモリブロック及び前記第2メモリブロックの間の交差領域に位置することを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。前記センスアンプは、前記入出力スイッチ信号に応答して前記第1データ入出力ライン及び前記第2データ入出力ラインを連結し、前記駆動センスアンプイネーブル信号に応答して前記第1データ入出力ラインを差動増幅することを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。前記入出力スイッチ信号は、アクティブ信号またはロー選択のための信号から生成されることを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。前記フリーチャージ部は、前記第1データ入出力ラインをコア電圧でフリーチャージさせることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。第1データ入出力ライン及び第2データ入出力ライン間のデータを転送するセンスアンプと、前記第1データ入出力ライン及び前記第2データ入出力ラインをフリーチャージさせるフリーチャージ部と、を含み、前記第1データ入出力ライン及び前記第2データ入出力ライン間の連結は、実質的にアクティブ動作の間、維持されることを特徴とする半導体装置。前記センスアンプを制御する信号及び前記フリーチャージ部を制御する信号は、カラムデコーダーブロックで生成されることを特徴とする請求項22に記載の半導体装置。前記センスアンプを制御する信号及び前記フリーチャージ部を制御する信号は、メモリブロック間の交差領域で駆動されることを特徴とする請求項23に記載の半導体装置。前記フリーチャージ部は、前記第1データ入出力ライン及び前記第2データ入出力ラインをコア電圧レベルでフリーチャージさせることを特徴とする請求項22に記載の半導体装置。リード及びライト動作で第1データ入出力ラインを差動増幅するように構成されたハイブリッドデータ転送部を含み、前記第1データ入出力ラインはアクティブ動作の間、実質的に引き続いて第2データ入出力ラインと連結されることを特徴とするセンスアンプ。前記ハイブリッドデータ転送部は、リードまたはライトコマンドから生成されるセンスアンプイネーブル信号に応答して前記第1データ入出力ラインを差動増幅することを特徴とする請求項26に記載のセンスアンプ。前記センスアンプイネーブル信号は、カラムデコーダーブロックから生成されることを特徴とする請求項26に記載の半導体装置。前記センスアンプイネーブル信号は、メモリブロック間の交差領域で駆動されることを特徴とする請求項26に記載のセンスアンプ。本発明は高速で正確に動作できるセンスアンプ及びこれを含む半導体装置を提供することを目的とする。本発明の一実施形態に係るセンスアンプは、第1データ入出力ラインのデータを第2データ入出力ラインに転送したり、前記第2データ入出力ラインのデータを前記第1データ入出力ラインに転送するセンスアンプであって、前記第1データ入出力ラインは実質的にアクティブ動作の間、引き続いて前記第2データ入出力ラインと連結される。本発明の他の実施形態に係るセンスアンプは、入出力スイッチ信号に応答して第1データ入出力ライン及び第2データ入出力ラインとを連結するデータライン連結部と、センスアンプイネーブル信号に応答して前記第1データ入出力ラインを増幅するように構成されたハイブリッドデータ転送部と、を含む。本発明の一実施形態に係る半導体装置は、入出力スイッチ信号及び駆動センスアンプイネーブル信号に応答して前記第1データ入出力ライン及び前記第2データ入出力ラインの間でデータを転送するセンスアンプと、駆動フリーチャージ信号に応答して前記第1データ入出力ラインをフリーチャージさせるフリーチャージ部と、を含み、前記駆動センスアンプイネーブル信号及び前記駆動フリーチャージ信号は、メモリブロック間の交差領域で生成される。本発明の他の実施形態に係る半導体装置は、複数個のビットラインが配置される第1メモリブロック及び第2メモリブロックと、前記複数個のビットラインと連結される第1データ入出力ラインと、前記第1データ入出力ライン及び第2データ入出力ラインの間でデータの転送を行い、実質的にアクティブ動作中に、前記第1データ入出力ライン及び前記第2データ入出力ラインの連結を維持させるように構成されたセンスアンプと、前記第1データ入出力ラインをフリーチャージさせるフリーチャージ部と、を含み、前記センスアンプを制御するセンスアンプイネーブル信号及び前記フリーチャージ部を制御するフリーチャージ信号は、カラムデコーダーブロックで生成される。また、本発明の他の実施形態に係る半導体装置は、第1データ入出力ライン及び第2データ入出力ライン間のデータを転送するセンスアンプと、及び前記第1データ入出力ライン及び前記第2データ入出力ラインをフリーチャージさせるフリーチャージ部と、を含み、前記第1データ入出力ライン及び前記第2データ入出力ライン間の連結は、実質的にアクティブ動作の間維持される。また、本発明の他の実施形態によるセンスアンプは、リード及びライト動作で第1データ入出力ラインを差動増幅するように構成されたハイブリッドデータ転送部を含み、前記第1データ入出力ラインはアクティブ動作の間、実質的に引き続いて第2データ入出力ラインと連結される。本発明によると、センスアンプ及びフリーチャージ部を制御する信号のスキューを制御して、データ入出力ラインのフリーチャージ効果を強化して、正確なリードまたはライト動作を行うことができる。従って、連続的なリードまたはライト動作が可能となり高速化に有利である。図3は、本発明の実施形態におけるセンスアンプ100を含む半導体装置1の構成を概略的に示す図面である。図3において、本発明の実施形態におけるセンスアンプ100は第1データ入出力ラインSIO、SIOBから第2データ入出力ラインLIO、LIOBにデータを転送したり、第2データ入出力ラインLIO、LIOBから第1データ入出力ラインSIO、SIOBにデータを転送する。センスアンプ100は、実質的に前記半導体装置1のアクティブ動作の間、第1データ入出力ラインSIO、SIOB及び第2データ入出力ラインLIO、LIOBの連結を維持させる。センスアンプ100は、データライン連結部110及びハイブリッドデータ転送部120を含む。図3において、データライン連結部110は入出力スイッチ信号IOSWに応答して第1データ入出力ラインSIO、SIOBと第2データ入出力ラインLIO、LIOBとを連結させる。従って、前記入出力スイッチ信号IOSWがイネーブルになると、第2データ入出力ラインLIO、LIOBのデータまたは信号が第1データ入出力ラインSIO、SIOBに転送される。あるいは反対に、第1データ入出力ラインSIO、SIOBのデータまたは信号が第2データ入出力ラインLIO、LIOBに転送される。ハイブリッドデータ転送部120は、入出力スイッチ信号IOSWに応答して第1データ入出力ラインSIO、SIOB及び第2データ入出力ラインLIO、LIOBと連結され、センスアンプイネーブル信号LSAENまたは駆動センスアンプイネーブル信号LSAENDに応答して第1データ入出力ラインSIO、SIOBを差動増幅する。ハイブリッドデータ転送部120は、センスアンプイネーブル信号LSAENまたは駆動センスアンプイネーブル信号LSAENDがイネーブルになると、第1データ入出力ラインSIO、SIOBのデータを差動増幅して、増幅されたデータを第2データ入出力ラインLIO、LIOBに転送したり、第2データ入出力ラインLIO、LIOBから転送されたデータを増幅する。本発明の実施形態において、入出力スイッチ信号IOSWは、第2データ入出力ラインLIO、LIOBを選択するための信号として、アクティブ信号及びローRow選択のための信号から生成される。また、アクティブ信号は半導体装置1がフリーチャージ状態で、リ―ドまたはライト動作を行うするために活性化されるようにするため外部またはコントローラからのアクティブコマンドに応答して生成されることができる信号である。ロー選択信号は半導体装置のメモリブロックのロー選択のための信号として、例えば、ワードラインを選択するための信号に該当する。センスアンプ100は、入出力スイッチ信号IOSWに応答して第1データ入出力ラインSIO、SIOB及び第2データ入出力ラインLIO、LIOBを連結させるので、半導体装置1がアクティブ状態の時には、引き続いて第1データ入出力ラインSIO、SIOBと第2データ入出力ラインLIO、LIOBとが連結されるようにする。センスアンプイネーブル信号LSAENは、半導体装置1がリ―ドまたはライト動作を行うために、外部またはコントローラからリ―ドまたはライトコマンドが印加される場合、半導体装置1において内部的に生成される内部リ―ド信号または、センスアンプイネーブル信号または内部ライト信号から生成される信号である。駆動センスアンプイネーブル信号LSAENDは、センスアンプイネーブル信号LSAENから生成されたもので、より詳細なことは後述する。本発明の実施形態におけるセンスアンプ100は、データライン連結部110により第1データ入出力ラインSIO、SIOBと第2データ入出力ラインLIO、LIOBとの連結をアクティブ動作の間実質的に維持させても、ハイブリッドデータ転送部120がリ―ド動作だけではなくライト動作でも第1データ入出力ラインSIO、SIOBを差動増幅させることによって正確なリ―ドまたはライト動作が行えるようにする。言い換えれば、アクティブ動作の間、第1データ入出力ラインSIO、SIOB及び第2データ入出力ラインLIO、LIOBが引き続いて繋がれても、前記ハイブリッドデータ転送部120は、リ―ド動作で前記第1データ入出力ラインSIO、SIOBのデータが前記第2データ入出力ラインLIO、LIOBに正確に転送できるようにして、ライト動作で前記第2データ入出力ラインLIO、LIOBのデータが第1データ入出力ラインSIO、SIOBに正確に転送できるようにする。図3において、半導体装置1は、フリーチャージ部200をさらに含む。フリーチャージ部200は、駆動フリーチャージ信号SIOPCに応答して第1データ入出力ラインSIO、SIOBをフリーチャージさせる。フリーチャージ部200は、駆動フリーチャージ信号SIOPCに応答して第1データ入出力ラインSIO、SIOBにコア電圧VCOREを提供して第1データ入出力ラインSIO、SIOBがコア電圧VCOREレベルにフリーチャージできるようにする。コア電圧VCOREは、半導体装置1のメモリバンクで使われる電圧である。駆動フリーチャージ信号SIOPCは、フリーチャージ信号SIOPCBから生成できる信号として、センスアンプイネーブル信号LSAENと同様に半導体装置1が外部またはコントローラからアクティブコマンドを受信する場合に生成される信号である。また、駆動フリーチャージ信号SIOPCは、半導体装置1が外部またはコントローラからリ―ドまたはライトコマンドを受信して内部リ―ド信号または内部ライト信号が生成される場合に非活性化になることができる信号である。図3には図示されなかったが、入出力スイッチ信号IOSWは、アクティブ信号またはロー選択のための信号から生成されるので、半導体装置1のローデコーダーブロックから生成され、駆動センスアンプイネーブル信号LSAEND及び駆動フリーチャージ信号SIOPCは、半導体装置1のカラムデコーダーブロックから生成される。より詳細なことは後述する。図3において、データライン連結部110は、第1NMOS型トランジスタN11及び第2NMOS型トランジスタN12を含む。第1NMOS型トランジスタN11は、ゲートで入出力スイッチ信号IOSWを受信して、入出力スイッチ信号IOSWがイネーブルになった時に第1データ入出力ラインSIO及び第2データ入出力ラインLIOを連結する。第2NMOS型トランジスタN12は、ゲートで入出力スイッチ信号IOSWを受信して、入出力スイッチ信号IOSWがイネーブルになった時に第1データ入出力ラインSIOB及び第2データ入出力ラインLIOBを連結する。図3において、ハイブリッドデータ転送部120は第3NMOS型トランジスタN13乃至第7NMOS型トランジスタN17を含む。第3NMOS型トランジスタN13は、ゲートで入出力スイッチ信号IOSWを受信して、入出力スイッチ信号IOSWがイネーブルになると、第2データ入出力ラインLIOBと第5NMOS型トランジスタN15の第1端とを連結する。第4NMOS型トランジスタN14は、ゲートで入出力スイッチ信号IOSWを受信して、入出力スイッチ信号IOSWがイネーブルになると、第2データ入出力ラインLIOと第6NMOS型トランジスタN16の第1端とを連結する。第5NMOS型トランジスタN15は、ゲートが第1データ入出力ラインSIOと連結され、第2端が第7NMOS型トランジスタN17の第1端と連結される。第6NMOS型トランジスタN16は、ゲートが第1データ入出力ラインSIOBと連結され、第2端が第7NMOS型トランジスタN17の第1端と連結される。第7NMOS型トランジスタN17は、ゲートで駆動センスアンプイネーブル信号LSAENDを受信して、駆動センスアンプイネーブル信号LSAENDがイネーブルになると第2端を接地電圧VSSと連結する。従って、ハイブリッドデータ転送部120は差動増幅回路の構造を持っていて、駆動センスアンプイネーブル信号LSAENDがイネーブルになると活性化され差動増幅動作を行うことができる。ハイブリッドデータ転送部120は活性化された時、第1データ入出力ラインSIO、SIOBのレベルによって第5NMOS型トランジスタN15及び第6NMOS型トランジスタN16を相補的にターンオンさせることにより、第1データ入出力ラインSIO、SIOBのデータを増幅することができる。フリーチャージ部200は、第1PMOS型トランジスタP11乃至第3PMOS型トランジスタP13を含む。第1PMOS型トランジスタP11乃至第3PMOS型トランジスタP13は、ゲートで駆動フリーチャージ信号SIOPCを受信し、駆動フリーチャージ信号SIOPCがイネーブルになった時、コア電圧VCOREを第1データ入出力ラインSIO、SIOBに提供して第1データ入出力ラインSIO、SIOBをフリーチャージさせる。上のような構成を用いて、センスアンプ100は、半導体装置1がアクティブ状態の時、入出力スイッチ信号IOSWに応答して第1データ入出力ラインSIO、SIOBと第2データ入出力ラインLIO、LIOBとを実質的に継続的に連結させる。従って、フリーチャージ部200が第1データ入出力ラインSIO、SIOBをフリーチャージさせると、第1データ入出力ラインSIO、SIOBのフリーチャージ効果は第2データ入出力ラインLIO、LIOBにも影響を及ぼすようになる。従って、本発明の実施形態による半導体装置1は第2データ入出力ラインLIO、LIOBのフリーチャージをより一層容易にする。図4は本発明の実施形態による半導体装置1の構成を示す図面である。図4において、半導体装置1は複数個のメモリブロックMB、ローカルセンスアンプブロックS/A、カラムデコーダーブロックColumnDec.及びドライバーブロック310、320を含む。図3を共に参照すると、複数個のメモリブロックMBはその内部に具備されたメモリセルと通信する複数個のビットラインBL、BLBを含む。図4に図示されなかったが、メモリセルはビットラインセンスアンプBLSAを通じてビットラインBL、BLBと通信できるし、第1データ入出力ラインSIO、SIOBはカラムスイッチCSLを用いてビットラインBL、BLBと連結することができる。第1データ入出力ラインSIO、SIOBは、センスアンプブロックS/Aを通して第2データ入出力ラインLIO、LIOBと連結される。センスアンプブロックS/Aは、図3のセンスアンプ100及びフリーチャージ部200が第1データ入出力ラインSIO、SIOB及び第2データ入出力ラインLIO、LIOBの個数に対応して複数個具備されたものを通称する。カラムデコーダーブロックColumnDec.は、半導体装置のカラム選択のためにカラムアドレス信号を生成する。また、本発明の実施形態では、カラムデコーダーブロックColumnDec.は、センスアンプイネーブル信号LSAEN及びフリーチャージ信号SIOPCBを生成する。先に言及した通り、センスアンプイネーブル信号LSAEN及びフリーチャージ信号SIOPCBは、アクティブコマンド、リ―ドまたはライトコマンドに応答して半導体装置1内部的に生成されることができるが、本発明の実施形態では、カラムデコーダーブロックColumnDec.がセンスアンプイネーブル信号LSAEN及びフリーチャージ信号SIOPCBを生成するように構成される。センスアンプイネーブル信号LSAEN及びフリーチャージ信号SIOPCBは、カラムデコーダーブロックColumnDec.で生成されるので、半導体装置1のカラム選択のためのカラム選択信号図3のCSLと同一の転送方向を持つ。従って、リ―ドまたはライト動作を行う際に、リ―ドまたはライト動作と関連する複数の信号が全て同一の方向に転送されることができるため、より正確なリ―ドまたはライト動作が行えるようにして動作視点を正確に確保することができる。ドライバーブロック310、320は、メモリブロックMB間の交差領域CrossareaAに位置する。交差領域Aは、メモリブロックMB間でX方向とY方向とが交差する部分に位置する領域をいう。ドライバーブロック310、320は、センスアンプイネーブル信号LSAEN、フリーチャージ信号SIOPCB及び前記入出力スイッチ信号IOSWの入力を受けて、駆動センスアンプイネーブル信号LSAEND及び駆動フリーチャージ信号SIOPCを生成する。ドライバーブロック310、320は、半導体装置1の交差領域Aに位置してローデコーダーブロック、即ち、X方向から転送される入出力スイッチ信号IOSWとカラムデコーダーブロック、即ち、Y方向から転送されるセンスアンプイネーブル信号LSAEN及びフリーチャージ信号SIOPCBを増幅駆動してセンスアンプブロックS/Aに転送する。図4において、ドライバーブロック310は、前記センスアンプイネーブル信号LSAENを駆動して駆動センスアンプイネーブル信号LSAENDを生成し、ドライバーブロック320は、フリーチャージ信号SIOPCBを駆動して駆動フリーチャージ信号SIOPCを生成する。従って、ドライバーブロック310は両側のセンスアンプブロックS/Aに駆動センスアンプイネーブル信号LSAENDを提供し、ドライバーブロック320は一方方向に並んで位置するセンスアンプブロックS/Aにフリーチャージ信号を提供する。しかし、ドライバーブロック310、320の配置を限定するものではない。即ち、フリーチャージ信号SIOPCBを駆動して駆動フリーチャージ信号SIOPCを生成するドライバーブロック320は駆動センスアンプイネーブル信号LSAENDを生成するドライバーブロックと同じ位置に配置されて両側のセンスアンプブロックS/Aに駆動フリーチャージ信号SIOPCを提供できる。図4において、ドライバーブロック310は、第1ナンドゲートND1及び第1インバータIN1を含む。第1ナンドゲートND1は、センスアンプイネーブル信号LSAEN及び入出力スイッチ信号IOSWの入力を受ける。第1インバータIN1は、第1ナンドゲートND1の出力を反転させ駆動センスアンプイネーブルLSAENDを生成する。ドライバーブロック320は第2ナンドゲートND2を含む。第2ナンドゲートND2は、フリーチャージ信号SIOPCB及び入出力スイッチ信号IOSWの入力を受け、駆動フリーチャージ信号SIOPCを生成する。ドライバーブロック310、320は、交差領域Aに位置してセンスアンプイネーブル信号LSAEN及びフリーチャージ信号SIOPCBを入出力スイッチ信号IOSWと共に駆動して駆動センスアンプイネーブル信号LSAEND及び駆動フリーチャージ信号SIOPCを生成する。従って、ドライバーブロック310、320は、駆動センスアンプイネーブル信号LSAEND及び駆動フリーチャージ信号SIOPCがお互いに正確な視点で生成できるようにして、お互い間のスキュー発生を防止する。従って、駆動センスアンプイネーブル信号LSAEND及び駆動フリーチャージ信号SIOPCに応答して動作するセンスアンプ100及びフリーチャージ部200はより正確な動作を行うことができる。従って、半導体装置1のリードまたはライト動作はより高速で正確に遂行されることができる。図5は、本発明の実施形態による半導体装置の動作タイミング図である。図3乃至図5を参照して本発明の実施形態による半導体装置1の動作を説明すると、次の通りである。外部からアクティブコマンドACTが印加されると入出力スイッチ信号IOSWがイネーブルになる。データライン連結部110の第1NMOS型トランジスタN11及び第2NMOS型トランジスタN12並びにハイブリッドデータ転送部120の第3NMOS型トランジスタN13及び第4NMOS型トランジスタN14は、入出力スイッチ信号IOSWを受信してターンオンされる。従って、第1データ入出力ラインSIO、SIOBは、第2データ入出力ラインLIO、LIOBと連結される。フリーチャージ信号SIOPCB及び入出力スイッチ信号IOSWは、ドライバーブロック320で駆動され駆動フリーチャージ信号SIOPCを生成し、第1データ入出力ラインSIO、SIOBは、フリーチャージ部200によりコア電圧VCOREレベルにフリーチャージされる。この時、第1データ入出力ラインSIO、SIOBは、第2データ入出力ラインLIO、LIOBと連結されているので、フリーチャージ部200が第1データ入出力ラインSIO、SIOBをフリーチャージさせる効果が第2データ入出力ラインLIO、LIOBにまで及ぼすことができる。従って、第2データ入出力ラインLIO、LIOBのフリーチャージを助けることができる。この後、リ―ドコマンドREADが印加されると、センスアンプイネーブル信号LSAENがイネーブルになり、フリーチャージ信号SIOPCBがディセーブルになる。ドライバーブロック310、320は、センスアンプイネーブル信号LSAEN及びフリーチャージ信号SIOPCBを駆動して、駆動センスアンプイネーブル信号LSAENDをイネーブルにして駆動フリーチャージ信号SIOPCをディセーブルにする。従って、フリーチャージ部200の第1PMOS型トランジスタP11乃至第3PMOS型トランジスタP13は全てターンオンされ、第1データ入出力ラインSIO、SIOBのフリーチャージ状態は解除される。そして、第7NMOS型トランジスタN17はターンオンされるので、ハイブリッドデータ転送部120は活性化され、第1データ入出力ラインSIO、SIOBにローディングされたデータを差動増幅して第2データ入出力ラインLIO、LIOBに転送する。リ―ド動作が完了されるとフリーチャージ信号SIOPCBは再びイネーブルされる。この時、第1NMOS型トランジスタN11及び第2NMOS型トランジスタN12は、入出力スイッチ信号IOSWに応答して第1データ入出力ラインSIO、SIOB及び第2データ入出力ラインLIO、LIOBの連結を維持しているので、フリーチャージ部200のフリーチャージ効果は第1データ入出力ラインSIO、SIOBだけではなく第2データ入出力ラインLIO、LIOBにまで及ぼすことができる。この後、ライトコマンドWRITEが印加されるとセンスアンプイネーブル信号LSAENがイネーブルになり、フリーチャージ信号SIOPCBがディセーブルになる。従って、第2データ入出力ラインLIO、LIOBのデータが第1データ入出力ラインSIO、SIOBに転送されることができ、第1データ入出力ラインSIO、SIOBに転送されたデータは、ハイブリッドデータ転送部120によって増幅される。最後にフリーチャージコマンドPCGが印加されると入出力スイッチ信号IOSWはディセーブルになり、第1NMOS型トランジスタN11乃至第4NMOS型トランジスタN14がターンオフされるので、1データ入出力ラインSIO、SIOB及び第2データ入出力ラインLIO、LIOBの連結は解除される。本発明が属する技術分野の当業者は、本発明がその技術的思想や必須的特徴を変更しなくて他の具体的な形態で実施できるので、以上で記述した実施形態は全ての面で例示的なことであり限定的なことでないことを理解しなければならない。本発明の範囲は、上述した詳細な説明よりも後述する特許請求の範囲によって示されており、特許請求の範囲の意味及び範囲そしてその等価概念から導出される全ての変更または変形された形態が本発明の範囲に含まれることと解析されなければならない。