少なくとも1つの抵抗式熱検出器にバイアスをかけて読み取るための電子回路であって、前記抵抗式熱検出器の電気抵抗に変動があると、前記抵抗式熱検出器に一定値のバイアス電流を流すことによって前記抵抗式熱検出器にバイアスをかけることができるバイアス手段と、前記抵抗式熱検出器の端子で電圧を電流に変換することができ、前記抵抗式熱検出器の端子の一つにゲートが電気的に接続させる少なくとも1つのMOS型トランジスタを備える変換手段と、前記変換手段のMOS型トランジスタのソースに電気的に接続されるベースクリップ電圧生成手段とを備える電子回路。請求項1記載の電子回路であって、前記バイアス手段は、ソース又はドレインが前記抵抗式熱検出器の端子の一つに電気的に接続される少なくとも1つの第1のMOS型トランジスタを備え、前記変換手段の前記MOS型トランジスタが、第2のMOS型トランジスタであることを特徴とする電子回路。請求項2記載の電子回路であって、前記第1のMOS型トランジスタがNMOSトランジスタで、前記第2のMOS型トランジスタがPMOSトランジスタであり、又は、前記第1のMOS型トランジスタがPMOSトランジスタで、前記第2のMOS型トランジスタがNMOSトランジスタであることを特徴とする電子回路。請求項2記載の電子回路であって、前記第1のMOS型トランジスタ及び前記第2のMOS型トランジスタが、PMOS又はNMOSの、同じタイプのトランジスタであることを特徴とする電子回路。請求項2~4のいずれか一項に記載の電子回路であって、前記第2のMOS型トランジスタに電気的に接続され、かつ、前記第2のMOS型トランジスタと、前記変換手段によって出力された電流が送られる出力端子との間で電流の流れを規定し遮断することができる少なくとも1つのスイッチを備えることを特徴とする電子回路。少なくとも1つの抵抗式熱検出器を有する画素のマトリックスと、請求項1~5のいずれか1項に記載の、少なくとも1つの抵抗式熱検出器にバイアスをかけて読み取るための複数の電子回路とを備える電子撮像素子。請求項6記載の電子撮像素子であって、前記電子回路が、前記電子回路によってバイアスがかけられて読み取られる抵抗式熱検出器と、1つの前記画素に配置された前記電子回路の前記バイアス手段及び前記変換手段とを備える前記画素と関連付けられることを特徴とする電子撮像素子。請求項6記載の電子撮像素子であって、前記電子回路は、前記電子回路によってバイアスがかけられて読み取られる抵抗式熱検出器をそれぞれが備える数個の画素に関連付けられ、各々が前記画素の一つの前記抵抗式熱検出器の端子で電圧を電流に変換することができ、前記数個の画素のうちの1つに配置される数個の変換手段を備え、前記画素の前記抵抗式熱検出器の電気抵抗に変動があると、前記電子回路の前記バイアス手段が、前記数個の画素に共通であり、前記画素の前記抵抗式熱検出器に一定値のバイアス電流を流すことによって前記画素の前記抵抗式熱検出器にバイアスをかけることができることを特徴とする電子撮像素子。請求項8記載の電子撮像素子であって、前記電子回路の前記バイアス手段が前記画素の外部に配置されることを特徴とする電子撮像素子。請求項8又は9記載の電子撮像素子であって、前記画素の各々はまた、前記画素の前記抵抗式熱検出器と前記画素の前記バイアス手段との間で、一定値のバイアス電流の流れを規定し遮断することができる、少なくとも1つのスイッチを備えることを特徴とする電子撮像素子。請求項7~10のいずれか一項に記載の電子撮像素子であって、前記電子回路の前記バイアス手段はまた、前記バイアス電流の値を変更することができる少なくとも1つの熱式抵抗式熱検出器を備えることを特徴とする電子撮像素子。請求項6~11のいずれか一項に記載の電子撮像素子であって、前記抵抗式熱検出器が赤外線を測定できることを特徴とする電子撮像素子。請求項6~12のいずれか一項に記載の電子撮像素子であって、前記抵抗式熱検出器がボロメータであることを特徴とする電子撮像素子。抵抗式熱検出器によって温度を測定する方法であって、前記抵抗式熱検出器の電気抵抗に変動があると、前記抵抗式熱検出器に一定値のバイアス電流を流すことによって前記抵抗式熱検出器にバイアスをかける工程と、測定される温度にさらされる前記抵抗式熱検出器の端子で電圧を読み取る工程と、ベースクリップ電圧がソースに印加され、ゲートが前記抵抗式熱検出器の端子の一つに電気的に接続されたMOS型トランジスタによって前記抵抗式熱検出器の端子で読み取られた電圧を、測定温度に対応する電流に変換する工程とを少なくとも備える方法。本発明は、添付図面を参照して、単に指示的、かつ、非制限的に与えられた例示的実施形態の記載を読むことによって、より理解される。添付図面を通じて理解を容易にするために、以下に記載される異なる図面の同一、類似又は同等な部分は、同じ参照符号が付けられる。図面に示される異なる部分は、図面をより読み易くするために、必ずしも均等なスケールにより示されるものではない。異なる可能性は変形及び実施形態、互いに排他するものではないとして理解されなければならず、互いに組合せることもできる。明細書に記載された異なる例示的な実施形態は、ボロメータ型の抵抗式熱検出器を備える。しかしながら、これらの実施形態はまた、ボロメータ以外の、例えば、温度のより変化する抵抗等の、いかなる形式の抵抗式熱検出器にも適用できる。まず第1に、図2を参照すると、図2は、第1の実施形態の、赤外線撮像素子の画素101のボロメータ102にバイアスをかけ、読み取るための電子回路100を示す。明細書において、電子回路100の要素はすべて、電子回路100がバイアスをかけられ、読み取ることを目的とするボロメータ102を備える画素101内に、作られる。ボロメータ102は、電子回路100の一部である、電圧Vdtが印加される第1の端子と、PMOS型の第1のMOSトランジスタ104のドレインに電気的に接続する第2の端子とを備える。供給電圧Vddは第1のMOSトランジスタ104のソースに印加される。電子回路100はまた、第1のトランジスタ104、すなわち、NMOSトランジスタと反対のタイプの第2のMOSトランジスタ106を備える。電圧Vebは、第2のMOSトランジスタ106のソースに印加される。第2のMOSトランジスタ106のゲートは、第1のMOSトランジスタ104のドレインに電気的に接続される。最終的に、第2のMOSトランジスタ106のドレインはスイッチ108によってバス110に電気的に接続される。赤外線撮像素子のマトリックスは、図示しない、画素101と類似の他の画素、すなわち、ボロメータ102と類似のボロメータと、電子回路100と類似のバイアス印加読み取り電子回路electronicbiasingandreadingcircuitとを有する画素を備える。画素101と同じカラムに配置された画素はまた、このカラムの画素によって出力される測定信号すべてがバス110によって処理回路112に出力されるように、バス110に電気的に接続される。第1のMOSトランジスタ104は、ボロメータ102のバイアス電流のための手段を形成し、そして、ボロメータ102を通過する実質的に一定の値の平均バイアス電流Ioを有する。その状況での温度変動はボロメータ102の抵抗Roの変動と、従って、ボロメータ102の端子で電圧Voの変動とをもたらす。ボロメータ102と第1のmosトランジスタ104のドレインとの間の交点での電位に対応する電圧VboloVboloVoVdtとともにが、第2のMOSトランジスタ106のゲートで読み取られる。そして、この電圧Vboloは、第2のMOSトランジスタ106の相互コンダクタンスによって電流Imeasureに変換される。測定電流が読み取られると、すなわち、測定電流が画素101によって測定された信号を読み取ろうとすると、スイッチ108は閉鎖位置に切り替えられることが意図される。第2のMOSトランジスタ106のソースに印加される電圧Vebは、第2のMOSトランジスタ106が飽和限界になるように、制御され、決定される。これは、第2のMOSトランジスタ106の飽和領域saturationregimeにより、第2のMOSトランジスタ106のドレインをフローティング電圧に維持しながら、第2のMOSトランジスタ106が電流の変動に対応できるからである。センサの測定が行われ、次いでスイッチ108によって終了すると、このMOSトランジスタのドレインは、画素101によって出力される測定電流を処理する回路112に接続され、そして、例えば、電流処理回路112の一部を形成する積分器として接続される増幅器の負側入力端子に接続される。この増幅器は回路の負側入力端子で電圧を決定する。しかしながら、非常に小さなコモンモードを得るために可能な限り低い電流だけを供給し、次いで、測定されたシーン温度scenetemperatureの変動に対応する小さな電流の変動だけを維持しながら、第2のMOSトランジスタ106に対して、飽和状態であることが要求される。これが、第2のMOSトランジスタ106を飽和限界になるように、電圧Vebが制御され、かつ決定される理由である。従って、ボロメータ102によって測定された温度変化を表し、かつ、第2のMOSトランジスタ106の電流Idsに対応する測定電流Imeasureは、以下の通りである。ここで、Coxは第2のMOSトランジスタ106表面のユニットごとのゲート酸化物の静電容量;Wは第2のMOSトランジスタ106のチャネル幅;μは第2のMOSトランジスタ106のキャリアの移動度;Lは第2のMOSトランジスタ106のチャネル長;Vgsは第2のMOSトランジスタ106のゲート-ソース電圧;Vtは第2のMOSトランジスタ106の閾値電圧である。しかしながら、VgsVboloVebである。さらに、VboloIoxRoである。従って、以下のように与えられる。そして、ボロメータ102がシーン温度の変動にさらされると、これにより電気抵抗Roの変動が起き、そして、測定電流Imeasureの変動をもたらす。図3に示される曲線50は、Vboloの値の関数としての電流Imeasureの値の関係に対応し、すなわち、数式2を図示したものである。曲線52は、オームの法則によって得られる、Vboloの値の関数としてのバイアス電流IoIboloの値の関係をあらわしたものである。そして、図3に示すように、第2のMOSトランジスタ106の動作点に対して、ボロメータ102による温度変動の測定により、動作点のまわりで電圧Vboloの変動54がもたらされる。次いで、この変動54は、第2のMOSトランジスタ106によって電流Imeasureの変動56に変換される。電圧Vboloと測定電流Imeasureとの間の関係は、線形ではなく、2次式数式2である。また、この関係により、第2のMOSトランジスタ106の相互インダクタンスを介して、VboloからImeasureへの変換によって説明することができる。この場合、数式2はまた、以下のように記載することができる。前述した従来技術の画素10に関して、測定電流の変化とシーン温度との間の関係は逆になる。これは、画素101において、シーン温度が増加すると、ボロメータの抵抗Roが減少し、次いで、電圧Vboloの低下を起こし第1のMOSトランジスタ104によってボロメータ102のバイアス電流が一定電流Ioをもたらす、それ自身が第2のMOSトランジスタ106を介して電流Imeasureの変動を含み、そして、シーン温度が減少すると逆になるからである。従って、意図的に逆に挿入された場合を除き、画素101と類似する画素のマトリックスを備える赤外線撮像素子によって取得される画像において、クールゾーンcoolzoneは薄灰色レベルlightgreylevelで表され、ホットゾーンhotzoneは濃灰色レベルdarkgreylevelで表される。さらに、画素10の前記構造に反して、ボロメータ102にバイアスをかけて読み取るための電子回路100の構造は、ボロメータ102の熱さheatingθとシーン温度Tscとの間の関係の非線形性を弱める。図4は、ボロメータ102によってとらえられる赤外線から、電子回路100の出力で得られる測定電流Imeasureの範囲まで、画素101内で行われる様々な変換動作を図示する。測定されたシーン温度Tscの変動は、曲線60によって表される。シーンが黒体blackbodyに吸収されてもよいことを考えれば、この温度変化60に対応する熱線62は、黒体に対する熱さδθと温度Tscとの間の関係を表し、Tscのべき乗である曲線64によって得られる。図4において、熱さδθの値と温度Tscとの間の関係64は、熱線62の信号に見られる凹状の湾曲を、温度変動信号60に与えるということが分かる。受け入れられる赤外線フラックスinfraredfluxの関数として、ボロメータ102の抵抗Roの値を考慮すると、曲線66は、ボロメータ102の抵抗Roとボロメータ102によって受け入れられる熱さδθとの間の関係を示す。この曲線66は、熱さの逆数の指数関数に比例する。ボロメータ102は、熱吸収体として、すなわち、負係数の熱抵抗として、熱的に機能する。赤外線フラックス62に対応して得られたRoの変動は、曲線68によって表される。図4において、ボロメータ102の抵抗Roと、ボロメータ102によって受け入れられる熱さδθとの間の関係66は、凸状の湾曲を、赤外線フラックス62の変動信号に与え、熱さδθの値と温度Tscとの間の関係64によって与えられる凹状の湾曲を弱めるということが分かる。Roの変動は直接、電圧Vboloの変動と、従って、また第2のMOSトランジスタ106の端子で電圧Vgsの変動とに比例する。そして、曲線68はまた、一定の倍率内で、第2のMOSトランジスタ106のゲートとソースの間の電圧Vgsの変動を表す。変化において、2つのMOSトランジスタは、同じタイプでもよい。そして、関係64によって与えられる凹状の湾曲が強調される。曲線70は、ボロメータ102の抵抗Roと、画素101によって出力される電流Imeasureの値との間の関係を表す。この曲線70は、係数Vgs2に比例する。ここで、Vgsは、第2のMOSトランジスタ106のゲート-ソース電圧に対応する。Roの変動68に対応して得られるImeasureの変動は、曲線72によって表される。図4において、ボロメータ102の抵抗Roと、電流Imeasureとの間の関係70は、凸状の湾曲を電圧Vgsに対する変動信号に与えるということが分かる。従って、得られたImeasureに対する変動信号の湾曲72は、測定されたシーン温度に対する初期信号60の湾曲に近づく。電子回路100の構造は、第1のMOSトランジスタ104のおかげで、ボロメータ102に必要な平均電流Ioを供給することを可能にする。さらに、ボロメータ102に電圧を電流に転換するために用いられる第2のMOSトランジスタは、ノイズを弱めるには十分に弱く、ボロメータ102によって供給される有用な情報を表す変動を含むには十分に強い、第2のMOSトランジスタを通過するドレイン-ソース電流Idsを有する。第2のMOSトランジスタ106のソースに印加される電圧Vebは測定電流Imeasureが無駄なコモンモードを有さないように選択され、従って、有益な電流の変動のみがバス110上に送られることを考慮すると、この電圧Vebは、ボロメータ102の電圧ベースクリップを行う。従って、このような電子回路100は、ノイズを低減し、従来技術の画素10中のカラム先端に配置されたベースクリップ構造18を置き換えることができるようになる。図5を参照すると、図5は、第1の実施形態の変形例の赤外線撮像素子の画素201のボロメータ102にバイアスをかけて読み取るための電子回路200を示す。上述した電子回路100と比較すると、ボロメータ102のバイアス電流は、NMOS型の第1のMOSトランジスタ204によって供給される。さらに、第1のMOSトランジスタ104が、供給電圧Vddに電気的に接続されたソースと、ボロメータ102の端子に電気的に接続されたドレインとを有するボロメータ102の他の端子は電位Vdtに電気的に接続する電子回路100とは異なり、第1のMOSトランジスタ204は、アースに電気的に接続されるソースと、ボロメータ102の端子に電気的に接続されるドレインとを有する。ボロメータ102の他の端子は、電位Vdtに電気的に接続される。電位Vdt自身は供給電圧Vddに接続する電子回路200はまた、ボロメータ102の電圧を電流に変換するのに役立つPMOS型の第2のMOSトランジスタ206を備える。電子回路100と同様、電圧Vebは第2のMOSトランジスタ206のソースに印加される。この電圧Vebはまた、供給電圧Vddに接続される。電子回路100と同様、第2のMOSトランジスタ206のドレインは、測定電流Imeasureをバス110に出力できるように、スイッチ108に電気的に接続される。バイアス印加読み取り電子回路200の動作原理は、電子回路100の動作原理と同じである。電子回路100及び200の変形で、バイアスをかけて変換するMOSトランジスタが、NMOS又はPMOSで、同じタイプであっても可能である。PMOS型トランジスタに対しては、このような電子回路は、上述の回路100に対応するであろうが、回路のNMOSトランジスタ106がPMOSトランジスタ206によって置き換えられる。第2のPMOSトランジスタ206のソースに印加される電圧Vebはまた、図5に示されるように、供給電圧Vddに接続される。NMOS型トランジスタに対しては、このような電子回路は、上述の電子回路200に対応するであろうが、回路のPMOSトランジスタ206が、図2のようにソースに印加される電圧Vebを有するNMOSトランジスタ106によって置換される。第2の実施形態の赤外線撮像素子の画素301のボロメータ102にバイアスをかけて測定するための他の電子回路300を、図6に記載する。上述のバイアス印加読み取り電子回路100及び200と異なり、電子回路300のエレメントが、画素301内にすべて配置されるものではない。電子回路300において、これは、ボロメータ102のバイアス電流が、画素のマトリックスのカラム先端に配置された、PMOS型の第1のMOSトランジスタ304によって供給されるからである。電子回路100同様に、第1のMOSトランジスタ304のソースは、供給電圧Vddに電気的に接続する。第1のMOSトランジスタ304は、ここでは、画素301と同じカラムに配置された画素のボロメータすべてにバイアス電流をかける。従って、第1のMOSトランジスタ304のドレインは、バス307に電気的に接続する。また、スイッチによって、画素301と同じカラムに配置された画素のボロメータ各々をバス307に電気的に接続する。図6の例では、ボロメータ102はスイッチ305によってバス307に電気的に接続される。ボロメータ102はまた、第2の端子で、電位Vdtに電気的に接続され、画素301と同じカラムに配置された画素すべてに共通する。電子回路100と同様、電子回路300は、NMOS型の第2のMOSトランジスタ106を備える。カラムの画素すべてに対して共通の電圧Vebはまた、第2のMOSトランジスタ106のソースに印加される。第2のMOSトランジスタのゲートは、スイッチ305とボロメータ102との間の電気的接続に電気的に接続される。最終的に、第2のMOSトランジスタ106のドレインは、スイッチ108によってバス110に電気的に接続される。電子回路100と同じような方法で、電子回路300の第2のMOSトランジスタ106は、電圧Vboloを読み取り、相互コンダクタンスを介して電圧Vboloを電流Imeasureに変換できるようになる。測定電流Imeasureが読み取られると、スイッチ108は閉鎖位置に切り替えられる。間違いのない時点で間違いのないボロメータにバイアスをかけるために、スイッチ305が画素に加えられることを除き、電子回路300の機能ボロメータ102の電流にバイアスをかけることと、ボロメータ102の電圧を電流に変換することは、電子回路100の機能と同じである。電子回路100及び200と比較すると、第2の実施形態の電子回路300は、画素内に1つのトランジスタ第2のMOSトランジスタ106のみを要求する構造を有する点で有利である。図7を参照すると、図7は、第2の実施形態の変形例の赤外線撮像素子の画素401のボロメータ102にバイアスをかけて読み取るための電子回路400を示す。上述の電子回路300と比較すると、ボロメータ102のバイアス電流は、第1のMOSトランジスタ304と同様、画素カラム先端に配置されるNMOS型の第1のMOSトランジスタ404によって供給される。さらに、第1のMOSトランジスタ304が、供給電圧Vddに電気的に接続されるソースと、スイッチ305及びバス307によってボロメータ102ボロメータ102の他の端子は電位Vdtに接続されるに電気的に接続されるドレインとを有する電子回路300と異なり、第1のMOSトランジスタ404はアースに電気的に接続されるソースと、スイッチ305及びバス307によってボロメータ102に電気的に接続するドレインとを有する。ボロメータの他の端子は、電位Vdtに電気的に接続され、電位Vdt自身は供給電圧Vddに電気的に接続される。電子回路200と同様、電子回路400は、ボロメータ102の電圧を電流に変換するのに役立つPMOS型の第2のMOSトランジスタ206を備える。電子回路200と同様、電圧Vebは第2のMOSトランジスタ206のソースに印加される。この電圧Vebはまた、供給電圧Vddに接続される。最終的に、電子回路200と同様、第2のMOSトランジスタ206のドレインは、測定電流Imeasureをバス110に出力できるように、スイッチ108に電気的に接続される。バイアス印加読み取り電子回路400の動作原理は、電子回路300の動作原理と同じである。図8に示した他の実施形態の変形例では、電子回路300が第1のMOSトランジスタ304のソースと供給電圧Vddとの間に置かれた熱式ボロメータthermalisedbolometer310を備えられるように、ボロメータ102にバイアスをかけて読み取るための電子回路300を実装できる。これは、上述の電子回路100~400では、ボロメータ102にバイアスをかける手段が単独で電流源を備え、電圧/電流変換を行う第2のMOSトランジスタ106又は206の平均ゲート電圧が常に一定であるということになるからである。ベースクリップ電圧Vebはまた一定であることを考慮すると、一定の平均電圧Vgsと、その結果、一定の平均測定電流Imeasureとになる。このことは、電圧ベースクリップが決定されて、動作温度を考慮しないということを意味する。温度が上昇すると、ボロメータ102が加熱されて、ボロメータ102の平均抵抗値が減少し、そして、ボロメータ102を通過するコモンモードの電流を増加する。従って、この熱現象に合わせるために、図8に示されるように、熱式ボロメータ310を使用することができる。このボロメータ310は電子回路300の電流バイアス手段につながれる。従って、ボロメータ102の平均バイアス電流が、その温度上昇に追従する。結果として、第2の転換MOSトランジスタ106の電圧Vgsと、従って出力される平均測定電流Imeasureとはまた、この熱さに従う。図9に示されるように、このような熱式ボロメータ310はまた、電子回路400に加えられることも可能であり、そして、第1のMOSトランジスタ404とアースとの間に、電子回路400の電流バイアス手段につながれる。PMOSトランジスタは一般的にNMOSトランジスタよりもノイズが少なく、測定された電圧/電流変換を行う第2のPMOSトランジスタを備える、上述のボロメータにバイアスをかけて読み取る電子回路200及び400を、赤外線撮像素子に、実装するのに有利である。図10に、撮像素子1000、例えば、赤外線カメラが、部分的に示される。この撮像素子1000は、画素1004のマトリックス1002を備える。画素1004の各々は、上述の画素101、201、301、401の一つに対応し得る。各画素1004は、ボロメータと、例えば上述の回路100と類似のバイアス印加読み取り電子回路とを備える。同じカラムの画素におけるバイアス印加読み取り電子回路は、測定信号を処理し、画素1004によって取得される画像を回復することができるようにするために、バス1006によって、回路1008に電気的に接続される。