"表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、下記一般式[1]で表されるケイ素化合物Aと酸Aとを含み、該酸Aはトリメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ジメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ブチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、オクチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、及び、オクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートからなる群から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする、保護膜形成用薬液。式[1]中、R1は、それぞれ互いに独立して、炭素数が1~18の炭化水素基を含む1価の有機基、および、炭素数が1~8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基から選ばれる少なくとも1つの基であり、Xは、それぞれ互いに独立して、Si元素に結合する元素が窒素である1価の有機基であり、aは1~3の整数、bは0~2の整数であり、aとbの合計は1~3である。前記薬液の出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し5000質量ppm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の保護膜形成用薬液。前記薬液中の液相での光散乱式液中粒子検出器によるパーティクル測定における0.5μmより大きい粒子の数が、該薬液1mL当たり100個以下であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の保護膜形成用薬液。前記薬液中のNa、Mg、K、Ca、Mn、Fe及びCuの各元素の金属不純物含有量が、該薬液総量に対し各100質量ppb以下であることを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の保護膜形成用薬液。請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の保護膜形成用薬液の調製方法であって、当該保護膜形成用薬液の原料である混合前のケイ素化合物A及び酸A、並びに、混合後の混合液のうち少なくとも1つを精製することを特徴とする、前記調製方法。請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の保護膜形成用薬液を用いる、表面に微細な凹凸パターンを有するウェハ表面の洗浄方法であり、該方法は、洗浄液をウェハ表面から取り除いた後に該ウェハ表面から保護膜を除去する工程を有することを特徴とする、前記洗浄方法。前記ウェハ表面から保護膜を除去する工程が、ウェハ表面を光照射すること、ウェハを加熱すること、ウェハをオゾン曝露すること、及び、ウェハ表面にプラズマ照射することから選ばれる少なくとも1つの処理であることを特徴とする、請求項6に記載の前記洗浄方法。表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、下記一般式[1]で表されるケイ素化合物Aと酸Aとを含み、該酸Aはトリメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ジメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ブチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、オクチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、オクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、デシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、及び、デシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートからなる群から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする、保護膜形成用薬液。式[1]中、R1は、それぞれ互いに独立して、炭素数が1~18の炭化水素基を含む1価の有機基、および、炭素数が1~8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基から選ばれる少なくとも1つの基であり、Xは、それぞれ互いに独立して、Si元素に結合する元素が窒素である1価の有機基であり、aは1~3の整数、bは0~2の整数であり、aとbの合計は1~3である。前記薬液の出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し5000質量ppm以下であることを特徴とする、請求項8に記載の保護膜形成用薬液。前記薬液中の液相での光散乱式液中粒子検出器によるパーティクル測定における0.5μmより大きい粒子の数が、該薬液1mL当たり100個以下であることを特徴とする、請求項8または請求項9に記載の保護膜形成用薬液。前記薬液中のNa、Mg、K、Ca、Mn、Fe及びCuの各元素の金属不純物含有量が、該薬液総量に対し各100質量ppb以下であることを特徴とする、請求項8乃至請求項10のいずれかに記載の保護膜形成用薬液。請求項8乃至請求項11のいずれかに記載の保護膜形成用薬液の調製方法であって、当該保護膜形成用薬液の原料である混合前のケイ素化合物A及び酸A、並びに、混合後の混合液のうち少なくとも1つを精製することを特徴とする、前記調製方法。請求項8乃至請求項11のいずれかに記載の保護膜形成用薬液を用いる、表面に微細な凹凸パターンを有するウェハ表面の洗浄方法であり、該方法は、洗浄液をウェハ表面から取り除いた後に該ウェハ表面から保護膜を除去する工程を有することを特徴とする、前記洗浄方法。前記ウェハ表面から保護膜を除去する工程が、ウェハ表面を光照射すること、ウェハを加熱すること、ウェハをオゾン曝露すること、及び、ウェハ表面にプラズマ照射することから選ばれる少なくとも1つの処理であることを特徴とする、請求項13に記載の前記洗浄方法。本発明の保護膜形成用薬液によって形成される保護膜は撥水性に優れることから、ウェハの凹凸パターン表面の毛細管力を低下させ、ひいてはパターン倒れ防止効果を示す。該薬液を用いると、表面に微細な凹凸パターンを有するウェハの製造方法中の洗浄工程が、スループットが低下することなく改善される。従って、本発明の保護膜形成用薬液を用いて行われる表面に微細な凹凸パターンを有するウェハの製造方法は、生産性が高いものとなる。本発明の保護膜形成用薬液は、今後益々高くなると予想される例えば7以上のアスペクト比を有する凹凸パターンにも対応可能であり、より高密度化された半導体デバイス生産のコストダウンを可能とする。しかも従来の装置から大きな変更がなく対応でき、その結果、各種の半導体デバイスの製造に適用可能なものとなる。本発明の保護膜形成用薬液を用いる、表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの好適な洗浄方法は、工程1ウェハ表面を微細な凹凸パターンを有する面とした後、水系洗浄液を当該面に供し、凹凸パターンの少なくとも凹部表面に水系洗浄液を保持する工程、工程2凹凸パターンの少なくとも凹部表面に保持された水系洗浄液を該水系洗浄液とは異なる洗浄液Aで置換する工程、工程3前記洗浄液Aを保護膜形成用薬液で置換し、該薬液を凹凸パターンの少なくとも凹部表面に保持する工程、工程4乾燥により凹凸パターン表面から液体を除去する工程、工程5保護膜を除去する工程を有する。さらに、保護膜形成用薬液を凹凸パターンの少なくとも凹部表面に保持する工程工程3の後で、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に保持された前記薬液を該薬液とは異なる洗浄液Bに置換した後に、乾燥により凹凸パターン表面から液体を除去する工程工程4に移ってもよい。また、前記洗浄液Bへの置換を経て、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に水系溶液からなる水系洗浄液を保持した後に、乾燥により凹凸パターン表面から液体を除去する工程工程4に移ってもよい。また、前記保護膜形成用薬液が水系洗浄液と置換可能である場合は、前記洗浄液Bによる置換を省略しても構わない。本発明において、ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部表面に前記薬液や洗浄液を保持できるのであれば、該ウェハの洗浄方式は特に限定されない。ウェハの洗浄方式としては、ウェハをほぼ水平に保持して回転させながら回転中心付近に液体を供給してウェハを1枚ずつ洗浄するスピン洗浄に代表される枚葉方式や、洗浄槽内で複数枚のウェハを浸漬し洗浄するバッチ方式が挙げられる。なお、ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部表面に前記薬液や洗浄液を供給するときの該薬液や洗浄液の形態としては、該凹部表面に保持された時に液体になるものであれば特に限定されず、たとえば、液体、蒸気などがある。前記薬液中のケイ素化合物Aは、下記一般式[1]で表される化合物であることが好ましい。式[1]中、R1は、それぞれ互いに独立して、炭素数が1~18の炭化水素基を含む1価の有機基、および、炭素数が1~8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基から選ばれる少なくとも1つの基であり、Xは、それぞれ互いに独立して、Si元素に結合する元素が窒素である1価の有機基であり、aは1~3の整数、bは0~2の整数であり、aとbの合計は1~3である。前記一般式[1]において、XとしてのSi元素に結合する元素が窒素の1価の有機基には、水素、炭素、窒素、酸素元素だけでなく、ケイ素、硫黄、ハロゲン元素などが含まれていても良い。Si元素と結合する元素が窒素の1価の有機基の例としては、イソシアネート基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、イソチオシアネート基、アジド基、アセトアミド基、-NCH3COCH3、-NCH3COCF3、-N=CCH3OSiCH33、-N=CCF3OSiCH33、-NHCO-OSiCH33、-NHCO-NH-SiCH33、イミダゾール環下式[3]、オキサゾリジノン環下式[4]、モルホリン環下式[5]、-NH-CO-SiCH33、-NH2gSiHhR33hgR3は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1~18の1価の炭化水素基、gは1または2、hは0~2の整数などがある。このようなケイ素化合物Aは、反応性部位であるXがシリコンウェハの凹凸パターン表面の反応サイトであるシラノール基と速やかに反応し、ケイ素化合物Aがシロキサン結合を介してシリコンウェハのSi元素と化学的に結合することによって、ウェハ表面を疎水性のR1基で覆うことができるため、短時間で該ウェハの凹部表面の毛細管力を小さくできる。また、前記一般式[1]において4-a-bで表されるケイ素化合物AのXの数が1であると、前記保護膜を均質に形成できるのでより好ましい。前記一般式[1]におけるR1は、それぞれ互いに独立して、CmH2m1m=1~18、および、CnF2n1CH2CH2n=1~8から選ばれる少なくとも1つの基であると、前記凹凸パターン表面に保護膜を形成した際に、該表面の濡れ性をより低くできる、すなわち、該表面により優れた撥水性を付与できるためより好ましい。また、mとnが1~8であると、前記凹凸パターン表面に保護膜を短時間に形成できるためより好ましい。前記一般式[1]で表されるケイ素化合物Aとしては、例えば、CH3SiNH23、C2H5SiNH23、C3H7SiNH23、C4H9SiNH23、C5H11SiNH23、C6H13SiNH23、C7H15SiNH23、C8H17SiNH23、C9H19SiNH23、C10H21SiNH23、C11H23SiNH23、C12H25SiNH23、C13H27SiNH23、C14H29SiNH23、C15H31SiNH23、C16H33SiNH23、C17H35SiNH23、C18H37SiNH23、CH32SiNH22、C2H5SiCH3NH22、C2H52SiNH22、C3H7SiCH3NH22、C3H72SiNH22、C4H9SiCH3NH22、C4H92SiNH22、C5H11SiCH3NH22、C6H13SiCH3NH22、C7H15SiCH3NH22、C8H17SiCH3NH22、C9H19SiCH3NH22、C10H21SiCH3NH22、C11H23SiCH3NH22、C12H25SiCH3NH22、C13H27SiCH3NH22、C14H29SiCH3NH22、C15H31SiCH3NH22、C16H33SiCH3NH22、C17H35SiCH3NH22、C18H37SiCH3NH22、CH33SiNH2、C2H5SiCH32NH2、C2H52SiCH3NH2、C2H53SiNH2、C3H7SiCH32NH2、C3H72SiCH3NH2、C3H73SiNH2、C4H9SiCH32NH2、C4H93SiNH2、C5H11SiCH32NH2、C6H13SiCH32NH2、C7H15SiCH32NH2、C8H17SiCH32NH2、C9H19SiCH32NH2、C10H21SiCH32NH2、C11H23SiCH32NH2、C12H25SiCH32NH2、C13H27SiCH32NH2、C14H29SiCH32NH2、C15H31SiCH32NH2、C16H33SiCH32NH2、C17H35SiCH32NH2、C18H37SiCH32NH2、CH32SiHNH2、CH3SiH2NH2、C2H52SiHNH2、C2H5SiH2NH2、C2H5SiCH3HNH2、C3H72SiHNH2、C3H7SiH2NH2、CF3CH2CH2SiNH23、C2F5CH2CH2SiNH23、C3F7CH2CH2SiNH23、C4F9CH2CH2SiNH23、C5F11CH2CH2SiNH23、C6F13CH2CH2SiNH23、C7F15CH2CH2SiNH23、C8F17CH2CH2SiNH23、CF3CH2CH2SiCH3NH22、C2F5CH2CH2SiCH3NH22、C3F7CH2CH2SiCH3NH22、C4F9CH2CH2SiCH3NH22、C5F11CH2CH2SiCH3NH22、C6F13CH2CH2SiCH3NH22、C7F15CH2CH2SiCH3NH22、C8F17CH2CH2SiCH3NH22、CF3CH2CH2SiCH32NH2、C2F5CH2CH2SiCH32NH2、C3F7CH2CH2SiCH32NH2、C4F9CH2CH2SiCH32NH2、C5F11CH2CH2SiCH32NH2、C6F13CH2CH2SiCH32NH2、C7F15CH2CH2SiCH32NH2、C8F17CH2CH2SiCH32NH2、CF3CH2CH2SiCH3HNH2等のアミノシラン、あるいは、前記アミノシランのアミノ基-NH2基を、-N=C=O、-NCH32、-NC2H52、-N=C=S、-N3、-NHCOCH3、-NCH3COCH3、-NCH3COCF3、-N=CCH3OSiCH33、-N=CCF3OSiCH33、-NHCO-OSiCH33、-NHCO-NH-SiCH33、イミダゾール環、オキサゾリジノン環、モルホリン環、-NH-CO-SiCH33、-NH2gSiHhR33hgR3は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1~18の1価の炭化水素基、gは1または2、hは0~2の整数に置き換えたものなどが挙げられる。この中でも、前記式[1]のケイ素化合物AのXは、-NCH32、-NH2、-NC2H52、-NCH3COCH3、-NCH3COCF3、-NHCO-NH-SiCH33、イミダゾール環、-N=C=O、-NH-CO-SiCH33、-NH2iSiHjR43jiR4は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1~8の1価の炭化水素基、iは1または2、jは0~2の整数が好ましい。前記薬液において、酸Aの濃度は、前記ケイ素化合物Aの総量100質量に対して0.01~50質量であることが好ましい。添加量が少ないと酸の効果が低下するので好ましくなく、過剰に多くしても触媒としての酸の効果は向上せず、逆に、ウェハ表面を浸食したり、不純物としてウェハに残留する懸念もある。このため、前記酸Aの濃度は、前記ケイ素化合物Aの総量100質量に対して0.05~25質量であることが特に好ましい。また、前記薬液において、前記のケイ素化合物A及び酸Aは、溶媒によって希釈されてもよい。前記薬液の総量100質量に対して、ケイ素化合物Aと酸Aの添加量の総和を、0.01~100質量とすると、前記凹凸パターンの少なくとも凹部表面に均一に保護膜を形成しやすくなるため好ましい。0.01質量未満では、凹凸パターンの保護効果が不十分となる傾向がある。また、ケイ素化合物Aと酸Aの添加量の総和が多いとコストが高くなる。さらに、ケイ素化合物Aと酸Aは、水やアルコールなどのプロトン性溶媒と触れる、あるいは、ケイ素化合物Aと酸Aが反応することによって固形物を副生する場合があり、該総和が多いと生成する固形物の量も多くなる。該固形物は前記薬液に溶解できることが多いが、乾燥後にパーティクルとしてウェハ上に残留する危険性が増加するため、前記薬液の取り扱いが難しくなる。このような観点から、総和はさらに好ましくは0.05~50質量、より好ましくは0.1~30質量である。さらに、ケイ素化合物Aと酸Aの添加量の総和が多いと、前記薬液の保管安定性を高くしやすい。このため、0.5~30質量、さらには1~30質量が好ましい。前記薬液において希釈に用いられることのある溶媒としては、例えば、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、ハロゲン元素含有溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、窒素元素含有溶媒などの有機溶媒が好適に使用される。この中でも、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ハロゲン元素含有溶媒、スルホキシド系溶媒、多価アルコールの誘導体のうちOH基を持たないものを用いると、前記凹凸パターン表面に保護膜を短時間に形成できるためより好ましい。前記炭化水素類の例としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどがあり、前記エステル類の例としては、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、アセト酢酸エチルなどがあり、前記エーテル類の例としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどがあり、前記ハロゲン元素含有溶媒の例としては、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロシクロペンタン、パーフルオロシクロヘキサン、ヘキサフルオロベンゼンなどのパーフルオロカーボン、1、1、1、3、3-ペンタフルオロブタン、オクタフルオロシクロペンタン、2,3-ジハイドロデカフルオロペンタン、ゼオローラH日本ゼオン製などのハイドロフルオロカーボン、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロイソブチルエーテル、アサヒクリンAE-3000旭硝子製、NovecHFE-7100、NovecHFE-7200、Novec7300、Novec7600いずれも3M製などのハイドロフルオロエーテル、テトラクロロメタンなどのクロロカーボン、クロロホルムなどのハイドロクロロカーボン、ジクロロジフルオロメタンなどのクロロフルオロカーボン、1,1-ジクロロ-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロパン、1,3-ジクロロ-1,1,2,2,3-ペンタフルオロプロパン、1-クロロ-3,3,3-トリフルオロプロペン、1,2-ジクロロ-3,3,3-トリフルオロプロペンなどのハイドロクロロフルオロカーボン、パーフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテルなどがあり、前記スルホキシド系溶媒の例としては、ジメチルスルホキシドなどがあり、前記多価アルコールの誘導体でOH基を持たないものの例としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジアセテート、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルなどがある。また、前記有機溶媒に不燃性のものを使うと、保護膜形成用薬液が不燃性になる、あるいは、引火点が高くなって、該薬液の危険性が低下するので好ましい。ハロゲン元素含有溶媒は不燃性のものが多く、不燃性ハロゲン元素含有溶媒は不燃性有機溶媒として好適に使用できる。また、ウェハを回転させながら前記薬液をウェハに供する場合、前記有機溶媒の沸点が低すぎると、前記薬液がウェハ全面に濡れ広がる前に該薬液が乾燥しやすくなり好ましくない。また、沸点が高すぎると前記薬液の粘性が高くなりすぎる傾向があり好ましくない。このため、前記有機溶媒は沸点が70~220°Cのものを用いるのが好ましい。このような溶媒としては、コストや他の洗浄液との溶解性置換のしやすさを考慮すると、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジアセテート、エチレングリコールジメチルエーテルが好ましい。また、前記保護膜形成用薬液の出発原料中の水分量の総量は、該原料の総量に対し5000質量ppm以下であることが好ましい。水分量の総量が5000質量ppm超の場合、前記一般式[1]で表されるケイ素化合物A及び酸Aの効果が低下し、前記保護膜を短時間で形成しにくくなる。このため、前記水分量の総量は少ないほど好ましく、特に1000質量ppm以下、さらには500質量ppm以下が好ましい。従って、前記薬液に含まれるケイ素化合物A、酸Aや、前記薬液に含まれることのある溶媒は水を多く含まないものであることが好ましい。また、前記薬液中の液相での光散乱式液中粒子検出器によるパーティクル測定における0.5μmより大きい粒子の数が該薬液1mL当たり100個以下であることが好ましい。前記0.5μmより大きい粒子の数が該薬液1mL当たり100個超であると、パーティクルによるパターンダメージを誘発する恐れがありデバイスの歩留まり低下及び信頼性の低下を引き起こす原因となるため好ましくない。また、0.5μmより大きい粒子の数が該薬液1mL当たり100個以下であれば、前記保護膜を形成した後の、溶媒や水による洗浄を省略または低減できるため好ましい。このため、前記薬液中の0.5μmより大きい粒子の該薬液1mL当たりの個数は少ないほど好ましく、特に10個以下、さらに2個以下が好ましい。また、前記0.5μmより大きい粒子の数は該薬液1mL当たり1個以上あってもよい。また、前記薬液中のNa、Mg、K、Ca、Mn、Fe及びCuの各元素の金属不純物含有量が、該薬液総量に対し各100質量ppb以下であることが好ましい。前記金属不純物含有量が、該薬液総量に対し100質量ppb超であると、デバイスの接合リーク電流が増大する恐れがありデバイスの歩留まりの低下及び信頼性の低下を引き起こす原因となるため好ましくない。また、前記金属不純物含有量が、該薬液総量に対し各100質量ppb以下であると、前記保護膜を形成した後の、溶媒や水による洗浄を省略または低減できるため好ましい。このため、前記金属不純物含有量は少ないほど好ましく、特に各1質量ppb以下、さらには各0.1質量ppb以下が好ましい。また、前記金属不純物含有量は、該薬液総量に対し各0.01質量ppb以上であってもよい。前記一般式[1]で表されるケイ素化合物Aと酸Aを混合して含有させる保護膜形成用薬液の調製方法において、混合前のケイ素化合物A、酸A、及び、混合後の混合液のうち少なくとも1つを精製することが好ましい。また、保護膜形成用薬液が溶媒を含有する場合は、前記の混合前のケイ素化合物A及び酸Aは、溶媒を含んだ溶液状態であってもよく、この場合前記精製は、混合前のケイ素化合物Aまたはその溶液、酸Aまたはその溶液、及び、混合後の混合液のうち少なくとも1つを対象とするものであってもよい。前記精製は、モレキュラーシーブ等の吸着剤や蒸留等による水分の除去、イオン交換樹脂や蒸留等によるNa、Mg、K、Ca、Mn、Fe及びCuの各元素の金属不純物の除去、及び、フィルターろ過によるパーティクル等の汚染物質の除去のうち少なくとも1つの除去手段を用いて行われるものである。保護膜形成用薬液の反応性やウェハの清浄度を考慮して、水分を除去し、かつ、金属不純物を除去し、かつ、汚染物質を除去することが好ましく、除去する順番は問わない。本発明の保護膜形成用薬液中に含まれる酸Aは、反応によって得られたものであってもよい。例えば、下記一般式[2]で表されるケイ素化合物Bと酸Bとを反応させて得られたものであってもよい。式[2]中、R2cHdSi-は、CH33Si-、CH32HSi-、C4H9CH32Si-、C6H13CH32Si-、C8H17CH32Si-、または、C10H21CH32Si-である。また、Yは、それぞれ互いに独立して、Si元素と結合する元素が窒素の1価の有機基を示す。なお、酸Bに無水トリフルオロ酢酸、及び、無水トリフルオロメタンスルホン酸から選ばれる少なくとも1つを用い、前記ケイ素化合物Bと反応させて酸Aを得ることで調製した薬液、または、前記ケイ素化合物Aと酸Aを出発原料として用いて調製した薬液は、安定性が優れるため、より好ましい。本発明の保護膜形成用薬液は、前記酸Bに対し前記ケイ素化合物Bを過剰に添加し、前記反応で消費されなかったケイ素化合物Bの余剰分はケイ素化合物Aとして前記保護膜形成に寄与するものであってもよい。なお、前記ケイ素化合物Bは、前記酸Bに対して、モル比で0.2~100000モル倍とすることが好ましく、0.5~50000モル倍、さらに1~10000モル倍とすることが好ましい。なお、酸Aが得られるのであれば、前記のケイ素化合物Bと酸Bとの反応以外の反応を利用してもよい。前記一般式[2]のケイ素化合物BのYとしてのSi元素に結合する元素が窒素の1価の有機基には、水素、炭素、窒素、酸素元素だけでなく、ケイ素、硫黄、ハロゲン元素などが含まれていても良い。Si元素と結合する元素が窒素の1価の有機基の例としては、イソシアネート基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、イソチオシアネート基、アジド基、アセトアミド基、-NCH3COCH3、-NCH3COCF3、-N=CCH3OSiCH33、-N=CCF3OSiCH33、-NHCO-OSiCH33、-NHCO-NH-SiCH33、イミダゾール環、オキサゾリジノン環、モルホリン環、-NH-CO-SiCH33、-NH2pSiHqR53qpR5は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1~18の1価の炭化水素基、pは1または2、qは0~2の整数などがある。前記式[2]のケイ素化合物Bとしては、例えば、CH33SiNH2、C4H9SiCH32NH2、C6H13SiCH32NH2、C8H17SiCH32NH2、C10H21SiCH32NH2、CH32SiHNH2のアミノシラン、あるいは、前記アミノシランのアミノ基-NH2基を、-N=C=O、-NCH32、-NC2H52、-N=C=S、-N3、-NHCOCH3、-NCH3COCH3、-NCH3COCF3、-N=CCH3OSiCH33、-N=CCF3OSiCH33、-NHCO-OSiCH33、-NHCO-NH-SiCH33、イミダゾール環、オキサゾリジノン環、モルホリン環、-NH-CO-SiCH33、-NH-SiCH33、-NH-SiHCH32、-NH-SiCH32C4H9、-NH-SiCH32C6H13、-NH-SiCH32C8H17、-NH-SiCH32C10H21、-N-{SiCH33}2に置き換えたものなどが挙げられる。この中でも、前記式[2]のケイ素化合物BのYは、-NCH32、-NH2、-NC2H52、-NCH3COCH3、-NCH3COCF3、-NHCO-NH-SiCH33、イミダゾール環、-NH-CO-SiCH33、-NH-SiCH33、-NH-SiHCH32、-NH-SiCH32C4H9、-NH-SiCH32C6H13、-NH-SiCH32C8H17、-NH-SiCH32C10H21が好ましい。例えば、ケイ素化合物Bとしてヘキサメチルジシラザンと、酸Bとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、酸Aとしてのトリメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Bとしてヘキサメチルジシラザンと、酸Bとして無水トリフルオロメタンスルホン酸を混合すると、無水トリフルオロメタンスルホン酸は、即座に反応して、酸Aとしてのトリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Bとしてテトラメチルジシラザンと、酸Bとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、酸Aとしてのジメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Bとしてテトラメチルジシラザンと、酸Bとして無水トリフルオロメタンスルホン酸を混合すると、無水トリフルオロメタンスルホン酸は、即座に反応して、酸Aとしてのジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Bとして1,3-ジブチルテトラメチルジシラザンと、酸Bとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、酸Aとしてのブチルジメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Bとして1,3-ジブチルテトラメチルジシラザンと、酸Bとして無水トリフルオロメタンスルホン酸を混合すると、無水トリフルオロメタンスルホン酸は、即座に反応して、酸Aとしてのブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Bとして1,3-ジヘキシルテトラメチルジシラザンと、酸Bとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、酸Aとしてのヘキシルジメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Bとして1,3-ジヘキシルテトラメチルジシラザンと、酸Bとして無水トリフルオロメタンスルホン酸を混合すると、無水トリフルオロメタンスルホン酸は、即座に反応して、酸Aとしてのヘキシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Bとして1,3-ジオクチルテトラメチルジシラザンと、酸Bとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、酸Aとしてのオクチルジメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Bとして1,3-ジオクチルテトラメチルジシラザンと、酸Bとして無水トリフルオロメタンスルホン酸を混合すると、無水トリフルオロメタンスルホン酸は、即座に反応して、酸Aとしてのオクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Bとしてオクチルジメチルジメチルアミノシランと、酸Bとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、酸Aとしてのオクチルジメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Bとしてオクチルジメチルジメチルアミノシランと、酸Bとして無水トリフルオロメタンスルホン酸を混合すると、無水トリフルオロメタンスルホン酸は、即座に反応して、酸Aとしてのオクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Bとして1,3-ジデシルテトラメチルジシラザンと、酸Bとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、酸Aとしてのデシルジメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Bとして1,3-ジデシルテトラメチルジシラザンと、酸Bとして無水トリフルオロメタンスルホン酸を混合すると、無水トリフルオロメタンスルホン酸は、即座に反応して、酸Aとしてのデシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートが得られる。また、前記のように反応によって酸Aを得る場合も、保護膜形成用薬液の出発原料中の水分量の総量は、該原料の総量に対し5000質量ppm以下であることが好ましい。この場合も、前記原料中の水分量は少ないほど好ましく、特に1000質量ppm以下が好ましく、さらには500質量ppm以下が好ましい。さらに、水の存在量が多いと、前記薬液の保管安定性が低下しやすいため、水分量は少ない方が好ましく、200質量ppm以下、さらには100質量ppm以下が好ましい。なお、前記原料中の水分量の総量は0.1質量ppm以上であってもよい。また、前記のように酸Aが反応によって得られた場合も、保護膜形成用薬液中の液相での光散乱式液中粒子検出器によるパーティクル測定における0.5μmより大きい粒子の数が該薬液1mL当たり100個以下であることが好ましい。前記0.5μmより大きい粒子の数が該薬液1mL当たり100個超であると、パーティクルによるパターンダメージを誘発する恐れがありデバイスの歩留まりの低下及び信頼性の低下を引き起こす原因となるため好ましくない。また、0.5μmより大きい粒子の数が該薬液1mL当たり100個以下であれば、前記保護膜を形成した後の、溶媒や水による洗浄を省略または低減できるため好ましい。このため、前記薬液中の0.5μmより大きい粒子の該薬液1mL当たりの個数は少ないほど好ましく、特に10個以下、さらに2個以下が好ましい。また、前記0.5μmより大きい粒子の数は該薬液1mL当たり1個以上あってもよい。また、前記のように酸Aが反応によって得られた場合も、保護膜形成用薬液中のNa、Mg、K、Ca、Mn、Fe及びCuの各元素の金属不純物含有量が、該薬液総量に対し各100質量ppb以下であることが好ましい。前記金属不純物含有量が、該薬液総量に対し100質量ppb超であると、デバイスの接合リーク電流が増大する恐れがあり、デバイスの歩留まりの低下及び信頼性の低下を引き起こす原因となるため好ましくない。また、前記金属不純物含有量が、該薬液総量に対し各100質量ppb以下であると、前記保護膜を形成した後の、溶媒や水による洗浄を省略または低減できるため好ましい。このため、前記金属不純物含有量は少ないほど好ましく、特に各1質量ppb以下、さらには各0.1質量ppb以下が好ましい。また、前記金属不純物含有量は、該薬液総量に対し各0.01質量ppb以上であってもよい。前記ケイ素化合物Bと前記酸Bを混合し、反応させて含有させる保護膜形成用薬液の調製方法において、混合前のケイ素化合物B、前記酸B、及び、混合後の混合液のうち少なくとも1つを精製することが好ましい。また、保護膜形成用薬液が溶媒を含有する場合は、前記の混合前のケイ素化合物B及び前記酸Bは、溶媒を含んだ溶液状態であってもよく、この場合前記精製は、混合前のケイ素化合物Bまたはその溶液、前記酸Bまたはその溶液、及び、混合後の混合液のうち少なくとも1つを対象とするものであってもよい。また、前記反応により得られた酸Aに、前記ケイ素化合物Aまたはその溶液を混合して保護膜形成用薬液を調製する場合、混合前のケイ素化合物Aまたはその溶液、反応により得られた酸Aまたはその溶液、及び、混合後の混合液のうち少なくとも1つを対象とするものであってもよい。前記精製は、モレキュラーシーブ等の吸着剤や蒸留等による水分の除去、イオン交換樹脂や蒸留等によるNa、Mg、K、Ca、Mn、Fe及びCuの各元素の金属不純物の除去、及び、フィルターろ過によるパーティクル等の汚染物質の除去のうち少なくとも1つの除去手段を用いて行われるものである。保護膜形成用薬液の活性や清浄度を考慮して、水分を除去し、かつ、金属不純物を除去し、かつ、汚染物質を除去することが好ましく、除去する順番は問わない。また、本発明の保護膜形成用薬液は、前記一般式[1]で表されるケイ素化合物A、酸Aや、溶媒の他に、本発明の目的を阻害しない範囲で、他の添加剤等を含有してもよい。該添加剤としては、過酸化水素、オゾンなどの酸化剤、界面活性剤等が挙げられる。また、ウェハの凹凸パターンの一部に、前記ケイ素化合物Aでは保護膜が形成しない材質がある場合は、該材質に保護膜を形成できるものを添加しても良い。また、触媒以外の目的で他の酸を添加しても良い。また、本発明の保護膜形成用薬液は、原料を2つ以上に分けた状態で保管し、使用前に混合して使うこともできる。例えば、前記保護膜形成用薬液の原料の一部としてケイ素化合物A、酸Aを用いる場合、ケイ素化合物Aと酸Aを個別に保管し、使用前に混合することもできる。ケイ素化合物B、及び酸Bを用いる場合、ケイ素化合物Bと酸Bを個別に保管して使用前に混合することもできる。なお、混合前のケイ素化合物と酸はそれぞれ溶液状態であっても良い。また、上記のケイ素化合物と酸を同じ溶液で保管して使用前に別の原料と混合することもできる。また、本発明の保護膜形成用薬液として、例えば、ハイドロフルオロエーテル、ハイドロクロロフルオロカーボン、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテルからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の有機溶媒が76~99.8999質量、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、1,3-ジオクチルテトラメチルジシラザン、オクチルジメチルジメチルアミノシランからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の化合物が0.1~20質量、トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ジメチルシリルトリフルオロアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の酸が0.0001~4質量からなる混合物を含むもの、又は当該混合物だけからなるものを使用してもよい。ウェハ表面を微細な凹凸パターンを有する面とするパターン形成工程では、まず、該ウェハ表面にレジストを塗布したのち、レジストマスクを介してレジストに露光し、露光されたレジスト、または、露光されなかったレジストをエッチング除去することによって所望の凹凸パターンを有するレジストを作製する。また、レジストにパターンを有するモールドを押し当てることでも、凹凸パターンを有するレジストを得ることができる。次に、ウェハをエッチングする。このとき、レジストパターンの凹の部分が選択的にエッチングされる。最後に、レジストを剥離すると、微細な凹凸パターンを有するウェハが得られる。表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハとしては、ウェハ表面にシリコン、酸化ケイ素、または窒化ケイ素などシリコン元素を含む膜が形成されたもの、あるいは、上記凹凸パターンを形成したときに、該凹凸パターンの表面の少なくとも一部がシリコン、酸化ケイ素、または窒化ケイ素などシリコン元素を含むものが含まれる。また、シリコン、酸化ケイ素、および、窒化ケイ素から選ばれる少なくとも1つを含む複数の成分から構成されたウェハに対しても、シリコン、酸化ケイ素、および、窒化ケイ素から選ばれる少なくとも1つの表面に保護膜を形成することができる。該複数の成分から構成されたウェハとしては、シリコン、酸化ケイ素、および、窒化ケイ素から選ばれる少なくとも1つがウェハ表面に形成したもの、あるいは、凹凸パターンを形成したときに、該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン、酸化ケイ素、および、窒化ケイ素から選ばれる少なくとも1つとなるものも含まれる。なお、本発明の薬液で保護膜を形成できるのは前記凹凸パターン中のシリコン元素を含む部分の表面である。前記ウェハ表面を微細な凹凸パターンを有する面とした後、水系洗浄液で表面の洗浄を行い、乾燥等により水系洗浄液を除去すると、凹部の幅が小さく、凸部のアスペクト比が大きいと、パターン倒れが生じやすくなる。該凹凸パターンは、図1及び図2に記すように定義される。図1は、表面が微細な凹凸パターン2を有する面とされたウェハ1の概略平面図を示し、図2は図1中のa-a’断面の一部を示したものである。凹部の幅5は、図2に示すように凸部3と凸部3の間隔で示され、凸部のアスペクト比は、凸部の高さ6を凸部の幅7で割ったもので表される。洗浄工程でのパターン倒れは、凹部の幅が70nm以下、特には45nm以下、アスペクト比が4以上、特には6以上のときに生じやすくなる。本発明の好ましい態様では、前記工程1に記したように、ウェハ表面を微細な凹凸パターンを有する面とした後、水系洗浄液を当該面に供し、凹凸パターンの少なくとも凹部表面に水系洗浄液を保持する。そして、前記工程2に記したように、凹凸パターンの少なくとも凹部表面に保持された水系洗浄液を該水系洗浄液とは異なる洗浄液Aで置換する。該洗浄液Aの好ましい例としては、本発明で特定する保護膜形成用薬液、水、有機溶媒、あるいは、それらの混合物、あるいは、それらに酸、アルカリ、界面活性剤、酸化剤のうち少なくとも1種が混合されたもの等が挙げられる。また、洗浄液Aとして前記薬液以外を使用したときは、凹凸パターンの少なくとも凹部表面に洗浄液Aが保持された状態で、該洗浄液Aを該保護膜形成用薬液に置換していくことが好ましい。また、該洗浄液Aの好ましい例の一つである有機溶媒の例としては、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、ハロゲン元素含有溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、窒素元素含有溶媒等が挙げられる。前記炭化水素類の例としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどがあり、前記エステル類の例としては、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、アセト酢酸エチルなどがあり、前記エーテル類の例としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどがあり、前記ケトン類の例としては、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロンなどがあり、前記ハロゲン元素含有溶媒の例としては、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロシクロペンタン、パーフルオロシクロヘキサン、ヘキサフルオロベンゼンなどのパーフルオロカーボン、1、1、1、3、3-ペンタフルオロブタン、オクタフルオロシクロペンタン、2,3-ジハイドロデカフルオロペンタン、ゼオローラH日本ゼオン製などのハイドロフルオロカーボン、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロイソブチルエーテル、アサヒクリンAE-3000旭硝子製、NovecHFE-7100、NovecHFE-7200、Novec7300、Novec7600いずれも3M製などのハイドロフルオロエーテル、テトラクロロメタンなどのクロロカーボン、クロロホルムなどのハイドロクロロカーボン、ジクロロジフルオロメタンなどのクロロフルオロカーボン、1,1-ジクロロ-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロパン、1,3-ジクロロ-1,1,2,2,3-ペンタフルオロプロパン、1-クロロ-3,3,3-トリフルオロプロペン、1,2-ジクロロ-3,3,3-トリフルオロプロペンなどのハイドロクロロフルオロカーボン、パーフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテルなどがあり、前記スルホキシド系溶媒の例としては、ジメチルスルホキシドなどがあり、アルコール類の例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、1,3-プロパンジオールなどがあり、前記多価アルコールの誘導体の例としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジアセテート、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルなどがあり、窒素元素含有溶媒の例としては、ホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジンなどがある。また、該洗浄液Aに混合されることのある酸としては、無機酸や有機酸がある。無機酸の例としては、フッ酸、バッファードフッ酸、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸など、有機酸の例としては、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロピオン酸などが挙げられる。該洗浄液Aに混合されることのあるアルカリとしては、アンモニア、コリンなどが挙げられる。該洗浄液Aに混合されることのある酸化剤としては、オゾン、過酸化水素などが挙げられる。なお、該洗浄液Aが有機溶媒であれば、前記保護膜形成用薬液を水と接触させることなく凹部に供すことができるので好ましい。この中でも、該有機溶媒が水溶性有機溶媒水100質量部に対する溶解度が5質量部以上を含むと、水系洗浄液から洗浄液Aの置換が容易に行えるので好ましい。また、該洗浄液Aが酸水溶液を含んでいれば、前記保護膜が短時間で形成できるので好ましい。また、前記洗浄液Aとして、複数の洗浄液を用いても良い。例えば、酸水溶液あるいはアルカリ水溶液を含む洗浄液と前記有機溶媒好ましくは水溶性有機溶媒を含むの2種類を洗浄液Aに用い、酸水溶液あるいはアルカリ水溶液を含む洗浄液→前記有機溶媒の順で洗浄することができる。また、さらに水系洗浄液を追加し、酸水溶液あるいはアルカリ水溶液を含む洗浄液→水系洗浄液→前記有機溶媒の順で洗浄することもできる。図3は、洗浄工程にて凹部4が保護膜形成用薬液8を保持した状態の模式図を示している。図3の模式図のウェハは、図1のa-a’断面の一部を示すものである。洗浄工程の際に、保護膜形成用薬液が、凹凸パターン2が形成されたウェハ1に供される。この際、前記薬液は図3に示したように凹部4に保持された状態となり、凹部4の表面に保護膜が形成されることにより該表面が撥水化される。保護膜形成用薬液は、温度を高くすると、より短時間で前記保護膜を形成しやすくなる。均質な保護膜を形成しやすい温度は、10°C以上、該薬液の沸点未満であり、特には15°C以上、該薬液の沸点よりも10°C低い温度未満で保持されることが好ましい。前記薬液の温度は、凹凸パターンの少なくとも凹部表面に保持されているときも当該温度に保持されることが好ましい。なお、他の洗浄液についても、10°C以上、洗浄液の沸点未満の温度で保持しても良い。例えば、洗浄液Aが酸水溶液を含む、特に好ましくは酸水溶液と沸点が100°C以上の有機溶媒を含む溶液を用いる場合、洗浄液の温度を該洗浄液の沸点付近に高くすると、前記保護膜が短時間で形成しやすくなるので好ましい。前記凹凸パターンの少なくとも凹部表面に保護膜形成用薬液を保持する工程工程3の後で、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に保持された前記薬液を該薬液とは異なる洗浄液Bに置換した後に、乾燥により凹凸パターン表面から液体を除去する工程工程4に移ってもよく、この洗浄液Bの例としては、水系溶液からなる水系洗浄液、または、有機溶媒、または、前記水系洗浄液と有機溶媒の混合物、それらに酸、アルカリ、界面活性剤のうち少なくとも1種が混合されたもの、またはそれらに保護膜形成用薬液に含まれるケイ素化合物A、及び酸Aが該薬液よりも低濃度になるように添加されたもの等が挙げられる。また、該洗浄液Bの好ましい例の一つである有機溶媒の例としては、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、ハロゲン元素含有溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、窒素元素含有溶媒等が挙げられる。前記炭化水素類の例としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどがあり、前記エステル類の例としては、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、アセト酢酸エチルなどがあり、前記エーテル類の例としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどがあり、前記ケトン類の例としては、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロンなどがあり、前記ハロゲン元素含有溶媒の例としては、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロシクロペンタン、パーフルオロシクロヘキサン、ヘキサフルオロベンゼンなどのパーフルオロカーボン、1、1、1、3、3-ペンタフルオロブタン、オクタフルオロシクロペンタン、2,3-ジハイドロデカフルオロペンタン、ゼオローラH日本ゼオン製などのハイドロフルオロカーボン、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロイソブチルエーテル、アサヒクリンAE-3000旭硝子製、NovecHFE-7100、NovecHFE-7200、Novec7300、Novec7600いずれも3M製などのハイドロフルオロエーテル、テトラクロロメタンなどのクロロカーボン、クロロホルムなどのハイドロクロロカーボン、ジクロロジフルオロメタンなどのクロロフルオロカーボン、1,1-ジクロロ-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロパン、1,3-ジクロロ-1,1,2,2,3-ペンタフルオロプロパン、1-クロロ-3,3,3-トリフルオロプロペン、1,2-ジクロロ-3,3,3-トリフルオロプロペンなどのハイドロクロロフルオロカーボン、パーフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテルなどがあり、前記スルホキシド系溶媒の例としては、ジメチルスルホキシドなどがあり、アルコール類の例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、1,3-プロパンジオールなどがあり、前記多価アルコールの誘導体の例としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジアセテート、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルなどがあり、窒素元素含有溶媒の例としては、ホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジンなどがある。また、前記洗浄液Bへの置換を経て、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に水系溶液からなる水系洗浄液を保持した後に、乾燥により凹凸パターン表面から液体を除去する工程工程4に移ってもよい。また、前記洗浄液Bとして、複数の洗浄液を用いても良い。例えば、有機溶媒好ましくは水溶性有機溶媒を含むと水系洗浄液の2種類を用いることができる。水系洗浄液の例としては、水、あるいは、水に有機溶媒、酸、アルカリのうち少なくとも1種が混合された水を主成分例えば、水の含有率が50質量以上とするものが挙げられる。特に、水系洗浄液に水を用いると、前記薬液によって撥水化された凹凸パターンの少なくとも凹部表面の該液との接触角θが大きくなって該凹部表面の毛細管力Pが小さくなり、さらに乾燥後にウェハ表面に汚れが残りにくくなるので好ましい。保護膜形成用薬液により撥水化された凹部4に水系洗浄液が保持された場合の模式図を図4に示す。図4の模式図のウェハは、図1のa-a’断面の一部を示すものである。凹凸パターン表面は前記薬液により保護膜10が形成され撥水化されている。そして、該保護膜10は、水系洗浄液9が凹凸パターン表面から除去されるときもウェハ表面に保持される。ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部表面に、保護膜形成用薬液により前記保護膜10が形成されたとき、該表面に水が保持されたと仮定したときの接触角は70~110°であると、パターン倒れが発生し難いため好ましい。また、接触角は90°に近いほど該凹部表面の毛細管力が小さくなり、パターン倒れが更に発生し難くなるため、75~105°がさらに好ましい。また、毛細管力は1.1MN/m2以下であることが好ましい。該毛細管力が1.1MN/m2以下であれば、パターン倒れが発生し難いため好ましい。また、該毛細管力が小さくなると、パターン倒れは更に発生し難くなるため、該毛細管力は0.8MN/m2以下がさらに好ましい。さらに、洗浄液との接触角を90°付近に調整して毛細管力を限りなく0.0MN/m2に近づけることが理想的である。次に、前記工程4に記したように、乾燥により凹凸パターン表面から液体を除去する工程が行われる。該工程では、凹凸パターン表面に保持された液体が乾燥により除去される。当該乾燥は、スピン乾燥法、IPA2-プロパノール蒸気乾燥、マランゴニ乾燥、加熱乾燥、温風乾燥、真空乾燥などの周知の乾燥方法によって行うことが好ましい。前記凹凸パターン表面から液体が除去されるときに、該表面に保持されている液体は、前記薬液、洗浄液B、水系洗浄液、及びそれらの混合液でもよい。なお、前記薬液を含む混合液は、前記薬液を洗浄液Bに置換する途中の状態の液でもよいし、あらかじめ前記薬液を該薬液とは異なる洗浄液に混合して得た混合液でもよい。また、前記凹凸パターン表面から液体が一旦除去された後で、前記凹凸パターン表面に、洗浄液B、水系洗浄液、および、それらの混合液から選ばれる少なくとも1つを保持させて、その後、乾燥しても良い。次に、前記工程5に記したように、保護膜10を除去する工程が行われる。前記保護膜を除去する場合、該保護膜中のC-C結合、C-F結合を切断することが有効である。その方法としては、前記結合を切断できるものであれば特に限定されないが、例えば、ウェハ表面を光照射すること、ウェハを加熱すること、ウェハをオゾン曝露すること、ウェハ表面にプラズマ照射すること、ウェハ表面にコロナ放電すること等が挙げられる。光照射で前記保護膜10を除去する場合、該保護膜10中のC-C結合、C-F結合を切断することが有効であり、このためには、それらの結合エネルギーである83kcal/mol、116kcal/molに相当するエネルギーである340nm、240nmよりも短い波長を含む紫外線を照射することが好ましい。この光源としては、メタルハライドランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、エキシマランプ、カーボンアークなどが用いられる。紫外線照射強度は、メタルハライドランプであれば、例えば、照度計コニカミノルタセンシング製照射強度計UM-10、受光部UM-360ピーク感度波長:365nm、測定波長範囲:310~400nmの測定値で100mW/cm2以上が好ましく、200mW/cm2以上が特に好ましい。なお、照射強度が100mW/cm2未満では前記保護膜10を除去するのに長時間要するようになる。また、低圧水銀ランプであれば、より短波長の紫外線を照射することになるので、照射強度が低くても短時間で前記保護膜10を除去できるので好ましい。また、光照射で前記保護膜10を除去する場合、紫外線で前記保護膜10の構成成分を分解すると同時にオゾンを発生させ、該オゾンによって前記保護膜10の構成成分を酸化揮発させると、処理時間が短くなるので特に好ましい。この光源としては、低圧水銀ランプやエキシマランプが用いられる。また、光照射しながらウェハを加熱してもよい。ウェハを加熱する場合、400~700°C、好ましくは、500~700°Cでウェハの加熱を行う。この加熱時間は、0.5~60分、好ましくは1~30分の保持で行うことが好ましい。また、当該工程では、オゾン曝露、プラズマ照射、コロナ放電などを併用してもよい。また、ウェハを加熱しながら光照射を行ってもよい。ウェハをオゾン曝露する場合、低圧水銀灯などによる紫外線照射や高電圧による低温放電等で発生させたオゾンをウェハ表面に供することが好ましい。ウェハをオゾン曝露しながら光照射してもよいし、加熱してもよい。前記のウェハ表面の保護膜を除去する工程では、光照射処理、加熱処理、オゾン曝露処理、プラズマ照射処理、コロナ放電処理などを組み合わせることによって、効率的にウェハ表面の保護膜を除去することができる。本発明の薬液は、前記ケイ素化合物Aと前記酸Aが最初から混合されて含まれる1液タイプでもよいし、前記ケイ素化合物Aを含む液と前記酸Aを含む液の2液タイプとして、使用する際に混合するものであってもよい。また、前記ケイ素化合物Bを含む液と前記酸Bを含む液の2液タイプとしてもよい。ウェハの表面を微細な凹凸パターンを有する面とすること、凹凸パターンの少なくとも凹部表面に保持された洗浄液を他の洗浄液で置換することは、他の文献等にて種々の検討がなされ、既に確立された技術であるので、本発明では、前記保護膜形成用薬液の評価を中心に行った。また、発明の背景等で述べた式P=2×γ×cosθ/Sγ:表面張力、θ:接触角、S:パターン寸法から明らかなようにパターン倒れは、洗浄液のウェハ表面への接触角、すなわち液滴の接触角と、洗浄液の表面張力に大きく依存する。凹凸パターン2の凹部4に保持された洗浄液の場合、液滴の接触角と、パターン倒れと等価なものとして考えてよい該凹部表面の毛細管力とは相関性があるので、前記式と保護膜10の液滴の接触角の評価から毛細管力を導き出してもよい。なお、実施例において、前記洗浄液として、水系洗浄液の代表的なものである水を用いた。しかしながら、表面に微細な凹凸パターンを有するウェハの場合、パターンは非常に微細なため、該凹凸パターン表面に形成された前記保護膜10自体の接触角を正確に評価できない。水滴の接触角の評価は、JISR3257基板ガラス表面のぬれ性試験方法にもあるように、サンプル基材表面に数μlの水滴を滴下し、水滴と基材表面のなす角度の測定によりなされる。しかし、パターンを有するウェハの場合、接触角が非常に大きくなる。これは、Wenzel効果やCassie効果が生じるからで、接触角が基材の表面形状ラフネスに影響され、見かけ上の水滴の接触角が増大するためである。そこで、本発明では前記薬液を表面が平滑なウェハに供して、ウェハ表面に保護膜を形成して、該保護膜を表面に微細な凹凸パターン2が形成されたウェハ1の表面に形成された保護膜10とみなし、種々評価を行った。なお、本発明では、表面が平滑なウェハとして、表面に熱酸化膜層または窒化ケイ素層またはシリコン層を有し表面が平滑なシリコンウェハを用いた。詳細を下記に述べる。以下では、保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法、該保護膜形成用薬液の調製、そして、ウェハに該保護膜形成用薬液を供した後の評価結果が述べられる。保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法として、以下の1~4の評価を行った。1ウェハ表面に形成された保護膜の接触角評価保護膜が形成されたウェハ表面上に純水約2μlを置き、水滴とウェハ表面とのなす角接触角を接触角計協和界面科学製:CA-X型で測定した。2毛細管力の評価下式を用いてPを算出し、毛細管力Pの絶対値を求めた。P=2×γ×cosθ/Sここで、γは表面張力、θは接触角、Sはパターン寸法を示す。本実施例では、パターン形状の一例として、パターン寸法に相当する線幅凹部の幅が45nmのラインアンドスペース形状のパターンのウェハを想定した。なお、線幅:45nmのパターンでは、気液界面がウェハを通過するときの洗浄液が水の場合はパターンが倒れやすく、2-プロパノールの場合はパターンが倒れ難い傾向がある。パターン寸法:45nm、ウェハ表面:酸化ケイ素の場合、洗浄液が、2-プロパノール表面張力:22mN/m、酸化ケイ素との接触角:1°では毛細管力は0.98MN/m2となる。一方、水銀を除く液体の中で表面張力が最も大きい水表面張力:72mN/m、酸化ケイ素との接触角:2.5°では毛細管力は3.2MN/m2となる。該毛細管力は1.1MN/m2以下が好ましく、0.8MN/m2以下が特に好ましい。3保護膜の除去性以下の条件でメタルハライドランプのUV光をサンプルに2時間照射した。照射後に水滴の接触角が30°以下となったものを合格表中で○と表記とした。ランプ:アイグラフィックス製M015-L312強度:1.5kW照度:下記条件における測定値が128mW/cm2測定装置:紫外線強度計コニカミノルタセンシング製、UM-10受光部:UM-360受光波長:310~400nm、ピーク波長:365nm測定モード:放射照度測定4保護膜除去後のウェハの表面平滑性評価原子間力電子顕微鏡セイコー電子製:SPI3700、2.5μm四方スキャンによって表面観察し、中心線平均面粗さ:Ranmを求めた。なお、Raは、JISB0601で定義されている中心線平均粗さを測定面に対し適用して三次元に拡張したものであり、基準面から指定面までの偏差の絶対値を平均した値として次式で算出した。保護膜を除去した後のウェハのRa値が1nm以下であれば、洗浄によってウェハ表面が浸食されていない、および、前記保護膜の残渣がウェハ表面にないとし、合格表中で○と表記とした。ここで、XL、XR、YB、YTは、それぞれ、X座標、Y座標の測定範囲を示す。S0は、測定面が理想的にフラットであるとした時の面積であり、XR-XL×YB-YTの値とした。また、FX,Yは、測定点X,Yにおける高さ、Z0は、測定面内の平均高さを表す。[実施例1]1保護膜形成用薬液の調製ケイ素化合物AとしてヘキサメチルジシラザンH3C3Si-NH-SiCH33;1g、酸AとしてトリメチルシリルトリフルオロアセテートCH33Si-OCOCF3;0.1gと有機溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;98.9gを混合し、保護膜形成用薬液を得た。なお、前記薬液の出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し5000質量ppm以下であることを確認した。モレキュラーシーブ4Aユニオン昭和製により該薬液から水分を除去し、次いで、イオン交換樹脂日本ポール製イオンクリーンSLにより該薬液から金属不純物を除去し、次いで、フィルターろ過日本インテグリス製オプチマイザーにより該薬液からパーティクルを除去し精製を行った。精製後の該薬液中の水分量をカールフィッシャー式水分計京都電子製、ADP-511型により測定を行ったところ、精製後の該薬液中の水分量は、該薬液総量に対し6質量ppmであった。また、精製後の該薬液中の金属不純物含有量を誘導結合プラズマ質量分析装置横河アナリティカルシステムズ製、Agilent7500cs型により測定したところ、精製後の該薬液中のNa、Mg、K、Ca、Mn、Fe及びCuの各元素の金属不純物含有量は、該薬液総量に対しそれぞれ、Na=2質量ppb、Mg=0.04質量ppb、K=0.2質量ppb、Ca=1質量ppb、Mn=0.005質量ppb、Fe=0.08質量ppb、Cu=0.06質量ppbであった。また、液相での光散乱式液中粒子検出器によるパーティクル測定における0.5μmより大きい粒子の数を光散乱式液中粒子測定装置リオン社製、KS-42AF型により測定したところ、0.5μmより大きい粒子の数は該薬液1mL当たり2個であった。なお、本実施例以降の実施例においても、薬液の出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し5000質量ppm以下であることを確認し、同様の精製を行い、水分量が薬液総量に対し5000質量ppm以下であり、Na、Mg、K、Ca、Mn、Fe及びCuの各元素の金属不純物含有量は、該薬液総量に対しそれぞれ100質量ppb以下であり、0.5μmより大きい粒子の数は該薬液1mL当たり100個以下であることを確認した薬液を用いた。2シリコンウェハの洗浄平滑な熱酸化膜付きシリコンウェハ表面に厚さ1μmの熱酸化膜層を有するSiウェハを室温で1質量のフッ酸水溶液に2分浸漬し、次いで純水に1分、2-プロパノールiPAに1分浸漬した。3シリコンウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理シリコンウェハを、上記1保護膜形成用薬液の調製で調製した保護膜形成用薬液に20°Cで10分浸漬させた。その後、シリコンウェハをiPAに1分浸漬し、次いで、水系洗浄液としての純水に1分浸漬した。最後に、シリコンウェハを純水から取出し、エアーを吹き付けて、表面の純水を除去した。得られたウェハを上記保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法に記載した要領で評価したところ、表1に示すとおり、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は84°となり、撥水性付与効果を示した。また、上記毛細管力の評価に記載した式を使って、水が保持されたときの毛細管力を計算したところ、毛細管力は0.3MN/m2となり、毛細管力は小さかった。また、UV照射後の接触角は10°未満であり保護膜は除去できた。さらに、UV照射後のウェハのRa値は0.5nm未満であり、洗浄時にウェハは浸食されず、さらにUV照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。本実施例で用いた薬液は、45°Cで1週間保管後でも、外観上変化なく、表面処理後の接触角が84°であり、性能低下は見られなかった。[実施例2~56]実施例1で用いたケイ素化合物A、ケイ素化合物Aの濃度、酸A、有機溶媒、保護膜形成用薬液の表面処理後の処理手順などの条件を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表1~表2に示す。なお、表中で、H3C2SiH-NH-SiHCH32はテトラメチルジシラザンを意味し、C6H5SiCH32-NH-SiCH32C6H5はジフェニルテトラメチルジシラザンを意味し、CF3C2H4SiCH32-NH-SiCH32C2H4CF3は1,3-ビストリフルオロプロピルテトラメチルジシラザンを意味し、CH33Si-NCH32はトリメチルシリルジメチルアミンを意味し、CH33Si-NC2H52はトリメチルシリルジエチルアミンを意味し、CH33Si-NCOはトリメチルシリルイソシアネートを意味し、C4H9SiCH32-NCH32はブチルジメチルジメチルアミノシランを意味し、C8H17SiCH32-NCH32はオクチルジメチルジメチルアミノシランを意味する。また、実施例45~46では、保護膜形成用薬液中のケイ素化合物Aとして、下式に示すトリメチルシリルイミダゾールを用いた。また、表中で、CH33Si-OSO2CF3はトリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートを意味する。また、表中で、PGMEAはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを意味し、HFE-7100はハイドロフルオロエーテル3M製HFE-7100を意味し、HFE-7100/PGMEAは質量比でHFE-7100:PGMEA=95:5である混合溶液を意味する。CTFPは1-クロロ-3,3,3-トリフルオロプロペンを意味し、CTFP/PGMEAは質量比でCTFP:PGMEA=95:5である混合溶液を意味する。DCTFPはcis-1,2-ジクロロ-3,3,3-トリフルオロプロペンを意味し、DCTFP/PGMEAは質量比でDCTFP:PGMEA=95:5である混合溶液を意味する。また、実施例56において、酸Aとして、トリメチルシリルトリフルオロアセテートとトリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートを0.05gずつ用いた。実施例17~20において、上記3シリコンウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理でシリコンウェハを保護膜形成用薬液に浸漬した後、純水に1分浸漬し、最後にシリコンウェハを純水から取出し、エアーを吹き付けて、表面の純水を除去した。実施例21~24において、上記3シリコンウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理でシリコンウェハを保護膜形成用薬液に浸漬した後、iPAに1分浸漬し、最後に、シリコンウェハをiPAから取出し、エアーを吹き付けて表面のiPAを除去した。実施例25~28において、上記3シリコンウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理でシリコンウェハを保護膜形成用薬液から取出した後、エアーを吹き付けて、表面の保護膜形成用薬液を除去した。実施例29~30において、上記3シリコンウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理でシリコンウェハを保護膜形成用薬液に浸漬した後、エアーを吹き付けて、表面の保護膜形成用薬液を除去した。次いで、純水に1分浸漬し、最後に、シリコンウェハを純水から取出し、エアーを吹き付けて表面の純水を除去した。実施例31~32において、上記3シリコンウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理でシリコンウェハを保護膜形成用薬液に浸漬した後、エアーを吹き付けて、表面の保護膜形成用薬液を除去した。次いで、iPAに1分浸漬し、最後に、シリコンウェハをiPAから取出し、エアーを吹き付けて表面のiPAを除去した。実施例33~34において、上記3シリコンウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理でシリコンウェハを保護膜形成用薬液に浸漬した後、エアーを吹き付けて、表面の保護膜形成用薬液を除去した。次いで、iPAに1分浸漬し、純水に1分浸漬し、最後に、シリコンウェハを純水から取出し、エアーを吹き付けて表面の純水を除去した。実施例51において、上記2シリコンウェハの洗浄で、平滑な熱酸化膜付きシリコンウェハ表面に厚さ1μmの熱酸化膜層を有するSiウェハを1質量のフッ酸水溶液に室温で2分浸漬し、純水に1分浸漬した。さらに、0.3質量の塩酸水溶液に98°Cで1分浸漬し、次いで室温で純水に1分浸漬したのち、2-プロパノールiPAに1分浸漬した。また、実施例52、実施例54では、平滑な窒化ケイ素膜付きシリコンウェハ表面に厚さ0.3μmの窒化ケイ素層を有するSiウェハを用いて、上記と同様の処理を行った。実施例53、実施例55において、上記2シリコンウェハの洗浄で、平滑な窒化ケイ素膜付きシリコンウェハ表面に厚さ0.3μmの窒化ケイ素層を有するSiウェハを1質量のフッ酸水溶液に室温で2分浸漬し、純水に1分浸漬した。さらに、0.6質量の塩酸水溶液とエチレングリコールの質量比が50:50の混合液に98°Cで1分浸漬し、次いで室温で純水に1分浸漬したのち、2-プロパノールiPAに1分浸漬した。[実施例57]ケイ素化合物Bとして、ヘキサメチルジシラザンH3C3Si-NH-SiCH33;1g、酸Bとして無水トリフルオロ酢酸{CF3CO}2O;0.1gと有機溶媒としてPGMEA;98.9gを混合し、反応させることにより、酸Aとしてトリメチルシリルトリフルオロアセテート、ケイ素化合物Aとしてヘキサメチルジシラザン、有機溶媒としてPGMEAを含む保護膜形成用薬液を得た以外は実施例1と同じとした。本実施例の薬液に含まれるヘキサメチルジシラザンは、前記の酸Aを得るための反応で消費されなかったケイ素化合物Bであり、該成分はケイ素化合物Aとして機能するものである。評価結果は表3に示すとおり、表面処理後の接触角は82°となり、撥水性付与効果を示した。また、水が保持されたときの毛細管力は0.4MN/m2となり、毛細管力は小さかった。また、UV照射後の接触角は10°未満であり保護膜は除去できた。さらに、UV照射後のウェハのRa値は0.5nm未満であり、洗浄時にウェハは浸食されず、さらにUV照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。[実施例58~71]実施例57で用いたケイ素化合物B、酸B、有機溶媒などの条件を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表3に示す。なお、表中で、C4H9SiCH32-NH-SiCH32C4H9は1,3-ジブチルテトラメチルジシラザンを意味し、C8H17SiCH32-NH-SiCH32C8H17は1,3-ジオクチルテトラメチルジシラザンを意味する。また、表中で、{CF3SO2}2Oは無水トリフルオロメタンスルホン酸を意味する。なお、実施例58~59において、酸Bとして用いている無水トリフルオロ酢酸は、ケイ素化合物Bであるヘキサメチルジシラザンと混合すると、即座に反応して、トリメチルシリルトリフルオロアセテートに変化するため、当該実施例は、酸Aとしてトリメチルシリルトリフルオロアセテートを用いた場合と同じ意味をなす。また、実施例60~62において、酸Bとして用いている無水トリフルオロメタンスルホン酸は、ケイ素化合物Bであるヘキサメチルジシラザンと混合すると、即座に反応して、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートに変化するため、当該実施例は、酸Aとしてトリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートを用いた場合と同じ意味をなす。なお、実施例63~65において、酸Bとして用いている無水トリフルオロ酢酸は、ケイ素化合物Bであるテトラメチルジシラザンと混合すると、即座に反応して、ジメチルシリルトリフルオロアセテートに変化するため、当該実施例は、酸Aとしてジメチルシリルトリフルオロアセテートを用いた場合と同じ意味をなす。また、実施例66~67において、酸Bとして用いている無水トリフルオロメタンスルホン酸は、ケイ素化合物Bであるテトラメチルジシラザンと混合すると、即座に反応して、ジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートに変化するため、当該実施例は、酸Aとしてジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートを用いた場合と同じ意味をなす。また、実施例68において、酸Bとして用いている無水トリフルオロ酢酸は、ケイ素化合物Bである1,3-ジブチルテトラメチルジシラザンと混合すると、即座に反応して、ブチルジメチルシリルトリフルオロアセテートに変化するため、当該実施例は、酸Aとしてブチルジメチルシリルトリフルオロアセテートを用いた場合と同じ意味をなす。また、実施例69において、酸Bとして用いている無水トリフルオロメタンスルホン酸は、ケイ素化合物Bである1,3-ジブチルテトラメチルジシラザンと混合すると、即座に反応して、ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートに変化するため、当該実施例は、酸Aとしてブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートを用いた場合と同じ意味をなす。また、実施例70において、酸Bとして用いている無水トリフルオロ酢酸は、ケイ素化合物Bである1,3-ジオクチルテトラメチルジシラザンと混合すると、即座に反応して、オクチルジメチルシリルトリフルオロアセテートに変化するため、当該実施例は、酸Aとしてオクチルジメチルシリルトリフルオロアセテートを用いた場合と同じ意味をなす。また、実施例71において、酸Bとして用いている無水トリフルオロメタンスルホン酸は、ケイ素化合物Bである1,3-ジオクチルテトラメチルジシラザンと混合すると、即座に反応して、オクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートに変化するため、当該実施例は、酸Aとしてオクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートを用いた場合と同じ意味をなす。[実施例72]ケイ素化合物Bとして、ヘキサメチルジシラザンH3C3Si-NH-SiCH33;1g、酸Bとしてトリフルオロ酢酸CF3CO-OH;0.1gと有機溶媒としてPGMEA;98.9gを混合し、下式のように反応させることにより、酸Aとしてトリメチルシリルトリフルオロアセテート、ケイ素化合物Aとしてヘキサメチルジシラザン、有機溶媒としてPGMEAを含む保護膜形成用薬液を得た以外は実施例1と同じとした。本実施例の薬液に含まれるヘキサメチルジシラザンは、前記の酸Aを得るための反応で消費されなかったケイ素化合物Bであり、該成分はケイ素化合物Aとして機能するものである。評価結果は表4に示すとおり、表面処理後の接触角は84°となり、撥水性付与効果を示した。また、水が保持されたときの毛細管力は0.3MN/m2となり、毛細管力は小さかった。また、UV照射後の接触角は10°未満であり保護膜は除去できた。さらに、UV照射後のウェハのRa値は0.5nm未満であり、洗浄時にウェハは浸食されず、さらにUV照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。[実施例73~103]実施例72で用いたケイ素化合物B、ケイ素化合物Bの濃度、酸B、有機溶媒などの条件を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表4に示す。また、表中で、CF3CO-OHはトリフルオロ酢酸を意味し、CF3SO2-OHはトリフルオロメタンスルホン酸を意味する。実施例78では、下式の反応により、酸Aとしてジメチルシリルトリフルオロアセテート、ケイ素化合物Aとしてテトラメチルジシラザンを含む保護膜形成用薬液を得た。本実施例の薬液に含まれるテトラメチルジシラザンは、前記の酸Aを得るための反応で消費されなかったケイ素化合物Bであり、該成分はケイ素化合物Aとして機能するものである。実施例86では、下式の反応により、酸Aとしてトリメチルシリルトリフルオロアセテート、ケイ素化合物Aとしてトリメチルシリルジメチルアミンを含む保護膜形成用薬液を得た。本実施例の薬液に含まれるトリメチルシリルジメチルアミンは、前記の酸Aを得るための反応で消費されなかったケイ素化合物Bであり、該成分はケイ素化合物Aとして機能するものである。実施例88では、下式の反応により、酸Aとしてトリメチルシリルトリフルオロアセテート、ケイ素化合物Aとしてトリメチルシリルジエチルアミンを含む保護膜形成用薬液を得た。本実施例の薬液に含まれるトリメチルシリルジエチルアミンは、前記の酸Aを得るための反応で消費されなかったケイ素化合物Bであり、該成分はケイ素化合物Aとして機能するものである。実施例90では、下式の反応により、酸Aとしてブチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ケイ素化合物Aとしてブチルジメチルジメチルアミノシランを含む保護膜形成用薬液を得た。本実施例の薬液に含まれるブチルジメチルジメチルアミノシランは、前記の酸Aを得るための反応で消費されなかったケイ素化合物Bであり、該成分はケイ素化合物Aとして機能するものである。実施例92では、下式の反応により、酸Aとしてオクチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ケイ素化合物Aとしてオクチルジメチルジメチルアミノシランを含む保護膜形成用薬液を得た。本実施例の薬液に含まれるオクチルジメチルジメチルアミノシランは、前記の酸Aを得るための反応で消費されなかったケイ素化合物Bであり、該成分はケイ素化合物Aとして機能するものである。実施例97において、上記2シリコンウェハの洗浄で、平滑な熱酸化膜付きシリコンウェハ表面に厚さ1μmの熱酸化膜層を有するSiウェハを1質量のフッ酸水溶液に室温で2分浸漬し、純水に1分浸漬した。さらに、0.3質量の塩酸水溶液に98°Cで1分浸漬し、次いで室温で純水に1分浸漬したのち、2-プロパノールiPAに1分浸漬した。また、実施例98、実施例100では、平滑な窒化ケイ素膜付きシリコンウェハ表面に厚さ0.3μmの窒化ケイ素層を有するSiウェハを用いて、上記と同様の処理を行った。また、実施例102では、平滑なポリシリコン膜付きシリコンウェハ表面に厚さ0.3μmのポリシリコン層を有するSiウェハを用いて、上記と同様の処理を行った。実施例99、実施例101において、上記2シリコンウェハの洗浄で、平滑な窒化ケイ素膜付きシリコンウェハ表面に厚さ0.3μmの窒化ケイ素層を有するSiウェハを1質量のフッ酸水溶液に室温で2分浸漬し、純水に1分浸漬した。さらに、0.6質量の塩酸水溶液とエチレングリコールの質量比が50:50の混合液に98°Cで1分浸漬し、次いで室温で純水に1分浸漬したのち、2-プロパノールiPAに1分浸漬した。また、実施例103では、平滑なポリシリコン膜付きシリコンウェハ表面に厚さ0.3μmのポリシリコン層を有するSiウェハを用いて、上記と同様の処理を行った。[実施例104]ヘキサメチルジシラザンH3C3Si-NH-SiCH33;1g、酸Bとしてトリフルオロ酢酸CF3COOH;1gと有機溶媒としてPGMEA;98gを混合して保護膜形成用薬液を得た以外は実施例1と同じとした。評価結果は、表面処理後の接触角は84°となり、撥水性付与効果を示した。また、水が保持されたときの毛細管力は0.3MN/m2となり、毛細管力は小さかった。また、UV照射後の接触角は10°未満であり保護膜は除去できた。さらに、UV照射後のウェハのRa値は0.5nm未満であり、洗浄時にウェハは浸食されず、さらにUV照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。ただし、45°Cで1週間保管後の薬液を用いると、表面処理後の接触角は10°であった。これは、トリフルオロ酢酸がヘキサメチルジシラザンと反応して、ヘキサメチルジシラザンが消費されたためと考えられる。なお、出発原料として酸Aを用いた実施例1の薬液は、45°Cで1週間保管後でも、表面処理後の接触角が84°であり、性能低下は見られなかった。従って、ケイ素化合物Aと酸Aを出発原料として用いて調製した薬液のほうが、薬液の安定性が優れるため、より好ましい。[実施例105]実施例1において、上記2シリコンウェハの洗浄で、平滑な熱酸化膜付きシリコンウェハ表面に厚さ1μmの熱酸化膜層を有するSiウェハを1質量のフッ酸水溶液に室温で2分浸漬し、純水に1分浸漬した。さらに、上記3シリコンウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理で、水に濡れたシリコンウェハをスピンコーターに設置し、1000rpmの速度で回転させながら、該ウェハ表面に2-プロパノールiPAを1分、次いで保護膜形成用薬液を10分、次いでiPAを1分、次いで純水を1分給液し、最後に何も給液しないまま1分間回転を継続し、表面の純水を除去した。得られたウェハの評価結果は、表面処理後の接触角は82°となり、撥水性付与効果を示した。また、水が保持されたときの毛細管力は0.4MN/m2となり、毛細管力は小さかった。また、UV照射後の接触角は10°未満であり保護膜は除去できた。さらに、UV照射後のウェハのRa値は0.5nm未満であり、洗浄時にウェハは浸食されず、さらにUV照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。[実施例106]出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し5500質量ppmである原料を用いた以外は実施例2と同じとした。評価結果は、表面処理後の接触角は70°となり、撥水性付与効果を示した。また、水が保持されたときの毛細管力は1.1MN/m2となり、毛細管力は小さかった。また、UV照射後の接触角は10°未満であり保護膜は除去できた。さらに、UV照射後のウェハのRa値は0.5nm未満であり、洗浄時にウェハは浸食されず、さらにUV照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。比較例1シリコンウェハに保護膜形成用薬液を供さなかった以外は、実施例1と同じとした。すなわち、本比較例では、撥水化されていない表面状態のウェハを評価した。評価結果は表5に示すとおり、ウェハの接触角は3°と低く、水が保持されたときの毛細管力は3.2MN/m2と大きかった。比較例2ヘキサメチルジシラザン;1.0g、PGMEA;99.0gを混合し保護膜形成用薬液を得た以外は実施例1と同じとした。すなわち、本比較例では、酸を含まない保護膜形成用薬液を用いた。評価結果は表5に示すとおり、表面処理後の接触角は28°と低く、水が保持されたときの毛細管力は2.8MN/m2と大きかった。[比較例3~8]実施例1で用いた酸Aを変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表5に示す。表中で、CH3SO2-OHはメタンスルホン酸を意味し、CH3COOHは酢酸を意味し、H2SO4は硫酸水の含有量が2質量を意味し、H3PO4はリン酸水の含有量が15質量を意味し、HClは塩酸水の含有量が65質量を意味し、HNO3は硝酸水の含有量が31質量を意味する。実施例1では酸Aを用い、比較例3~8では酸A以外の酸を用いており、それ以外は同一条件で表面処理を行ったものである。酸Aであるトリメチルシリルトリフルオロアセテートを用いた実施例1のみがウェハ表面に優れた撥水性を付与できることが確認された。一方、比較例3~8は、シリコンウェハに充分な撥水性を付与できないことが確認された。シリコンウェハ表面に充分な撥水性を付与することができる薬液は、すなわち、シリコンウェハ表面の反応サイトであるシラノール基とケイ素化合物Aを速やかに反応させて、ケイ素化合物Aをシロキサン結合を介してシリコンウェハのSi元素と化学的に結合させることができる薬液であるため、酸Aであるトリメチルシリルトリフルオロアセテートが薬液の反応速度を顕著に増大させることが示唆される。実施例35~38、47~50、68~71、90~93、及び95~96は、前記一般式[1]のR1として、比較的嵩高い炭化水素基を有するケイ素化合物Aを用いたものであり、このようなケイ素化合物Aはシリコンウェハ表面の反応サイトであるシラノール基と反応し、シロキサン結合を介してシリコンウェハのSi元素を嵩高い炭化水素基で覆うことができるため、効率よくウェハ表面を撥水化させることができる。当然ながら、このような比較的嵩高い炭化水素基を有するケイ素化合物Aと、薬液の反応速度を顕著に増大させることができる酸Aとを組み合わせて、さらに効率よくウェハ表面を撥水化させることができる。[参考例1~4]実施例1で用いたケイ素化合物A、有機溶媒を適宜変更し、さらに酸A以外の酸としてトリメチルクロロシランCH33SiClを用いて、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表6に示す。本参考例で用いた薬液は、調合時に、白濁した外観となり、析出成分が見られたが、該薬液を精製し表面処理すると、接触角が78~84°であり、ほとんど変化がなく、本発明の実施例の薬液と同等の効果が得られた。"