第1金属層と、第1絶縁層を介在して前記第1金属層に積層される放熱層と、前記放熱層に形成されるキャビティと、前記第1絶縁層に接するように前記キャビティに形成される取付層と、前記取付層に取付られる第1電子素子と、前記放熱層の少なくとも一部と前記キャビティとをカバーする第2絶縁層と、を備えるパッケージ基板。前記取付層と前記放熱層から孤立する第1電極部をさらに備え、前記第1電子素子と前記第1電極部とがワイヤボンディングで電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ基板。前記第1電子素子が、発光素子であることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ基板。前記第1電子素子から発生する熱が前記放熱層に伝達されるように、前記取付層が前記放熱層と連結されることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ基板。前記取付層の厚みと前記第1電子素子の厚みとの和が、放熱層の厚みより小さいことを特徴とする請求項1に記載のパッケージ基板。前記第2絶縁層が、透明な材質からなることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ基板。前記第2絶縁層の、前記キャビティをカバーする部分には屈曲が形成されることを特徴とする請求項3に記載のパッケージ基板。前記第1電子素子の上面に取付られる第2電子素子と、前記取付層及び前記放熱層から孤立する第2電極部と、をさらに備え、前記第2電子素子と前記第2電極部とは、ワイヤボンディングで電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ基板。前記第2絶縁層に積層される第2金属層をさらに備え、前記第2金属層には、前記第1電子素子から発生する光が選択的に透過するように所定のパターンが形成されることを特徴とする請求項3に記載のパッケージ基板。第1金属層と、第1絶縁層を介在して前記第1金属層に積層される放熱層と、前記放熱層に形成されるキャビティと、前記キャビティに内蔵される第1電子素子と、前記キャビティと前記放熱層とをカバーする第2絶縁層と、前記放熱層から孤立して前記第2絶縁層を貫通する柱と、を備えるパッケージ基板。前記第1電子素子が、発光素子であることを特徴とする請求項10に記載のパッケージ基板。前記第2絶縁層が、透明な材質からなることを特徴とする請求項10に記載のパッケージ基板。前記第2絶縁層の、前記キャビティをカバーする部分には屈曲が形成されることを特徴とする請求項10に記載のパッケージ基板。前記第1絶縁層に積層され、前記第1電子素子が取付けられる層と、前記取付層と前記放熱層から孤立する第1電極部をさらに備え、前記第1電子素子と前記第1電極部とはワイヤボンディングで電気的に接続されることを特徴とする請求項10に記載のパッケージ基板。前記第1電子素子の上面に取付けられる第2電子素子と、前記取付層及び前記放熱層から孤立する第2電極部と、をさらに備え、前記第2電子素子と前記第2電極部とは、ワイヤボンディングで電気的に接続されることを特徴とする請求項10に記載のパッケージ基板。前記第2絶縁層に積層される第3絶縁層と、前記第3絶縁層に積層される第2金属層と、をさらに備える請求項10に記載のパッケージ基板。前記第3絶縁層を貫通し、前記第2金属層と前記柱とを電気的に接続させるビアをさらに備える請求項16に記載のパッケージ基板。前記第2絶縁層と前記第3絶縁層が、同じ材質からなることを特徴とする請求項16に記載のパッケージ基板。前記第2金属層には、前記第1電子素子から発生する光が選択的に透過するように所定のパターンが形成されることを特徴とする請求項16に記載のパッケージ基板第1絶縁層を介在して積層される第1金属層及び放熱層を提供する段階と、第1電極部に対応して、放熱層の一部が貫通されるようにエッチングする段階と、前記放熱層の一部をエッチングして第1電子素子が取付けられる取付層及び前記第1電極部を形成する段階と、前記取付層に前記第1電子素子を取付け、前記第1電子素子と前記第1電極部とを電気的に接続させる段階と、前記第1電子素子及び前記放熱層の少なくとも一部をカバーするように第2絶縁層を積層する段階と、を含むパッケージ基板の製造方法。前記第2絶縁層の積層が、液状の絶縁物質を用いてモールディングすることにより行われることを特徴とする請求項20に記載のパッケージ基板の製造方法。前記放熱層のエッチングが、電解練磨または放電練磨により行われることを特徴とする請求項20に記載のパッケージ基板の製造方法。前記放熱層の一部をエッチングして前記放熱層から孤立する第2電極部を形成する段階と、前記第1電子素子の上面に第2電子素子を取付け、前記第2電子素子と前記第2電極部とを電気的に接続させる段階と、をさらに含む請求項20に記載のパッケージ基板の製造方法。前記第2絶縁層に第2金属層を積層する段階と、前記第2金属層に所定のパターンを形成する段階と、をさらに含む請求項20に記載のパッケージ基板の製造方法。第1絶縁層を介在して積層される第1金属層及び放熱層を提供する段階と、前記放熱層の一部を貫通するようにエッチングして、キャビティ及び前記放熱層から孤立する柱を形成する段階と、前記柱以外の放熱層を所定の厚みだけエッチングする段階と、前記キャビティに第1電子素子を内蔵する段階と、前記キャビティと前記放熱層とをカバーし、前記柱の端部が露出するように第2絶縁層を積層する段階と、を含むパッケージ基板の製造方法。前記第2絶縁層の積層が、液状の絶縁物質を用いてモールディングすることにより行われることを特徴とする請求項25に記載のパッケージ基板の製造方法。前記柱の形成が、電解研磨または放電研磨により行われることを特徴とする請求項25に記載のパッケージ基板の製造方法。前記第2絶縁層に第3絶縁層を積層する段階をさらに含む請求項25に記載のパッケージ基板の製造方法。前記第3絶縁層が、前記第2絶縁層と同じ材質であることを特徴とする請求項28に記載のパッケージ基板の製造方法。前記第3絶縁層に第2金属層を積層する段階と、前記第2金属層に所定のパターンを形成する段階と、をさらに含む請求項28に記載のパッケージ基板の製造方法。前述した従来技術の問題点に鑑み、本発明は、放熱効果が向上され、薄型化が可能なパッケージ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の一実施形態によれば、第1金属層と、第1絶縁層を介在して第1金属層に積層される放熱層と、放熱層に形成されるキャビティと、第1絶縁層に接するようにキャビティに形成される取付層と、取付層に取付られる第1電子素子と、放熱層の少なくとも一部とキャビティとをカバーする第2絶縁層と、を備えるパッケージ基板が提供される。取付層と放熱層から孤立する第1電極部をさらに備え、第1電子素子と第1電極部とはワイヤボンディングで電気的に接続可能である。第1電子素子は発光素子であってもよく、第1電子素子から発生する熱が放熱層に伝達されるように、取付層は放熱層と連結されてもよい。取付層の厚みと第1電子素子の厚みとの和は、放熱層の厚みより小さくてもよく、第2絶縁層は透明な材質からなることができ、第2絶縁層のキャビティをカバーする部分には屈曲が形成されることができる。第1電子素子の上面に取付らされる第2電子素子と、取付及び放熱層から孤立する第2電極部と、をさらに備え、第2電子素子と第2電極部とはワイヤボンディングで電気的に接続されることができる。また、第2絶縁層に積層される第2金属層をさらに備え、第2金属層には第1電子素子から発生する光が選択的に透過するように所定パターンを形成することができる。本発明の他の実施形態によれば、第1金属層と、第1絶縁層を介在して第1金属層に積層される放熱層と、放熱層に形成されるキャビティと、キャビティに内蔵される第1電子素子と、キャビティと放熱層とをカバーする第2絶縁層と、放熱層から孤立して第2絶縁層を貫通する柱と、を備えるパッケージ基が提供される。第1電子素子は発光素子であってもよく、第2絶縁層は透明な材質からなることができ、第2絶縁層のキャビティをカバーする部分には屈曲が形成されることができる。第1絶縁層に積層され第1電子素子が取付られる取付層と、取付層と放熱層から孤立する第1電極部と、をさらに備え、第1電子素子と第1電極部とはワイヤボンディングで電気的に接続することができる。一方、第1電子素子の上面に取付らされる第2電子素子と、取付層及び放熱層から孤立する第2電極部と、をさらに備え、第2電子素子と第2電極部とはワイヤボンディングで電気的に接続することができる。第2絶縁層に積層される第3絶縁層と、第3絶縁層に積層される第2金属層と、をさらに備えることができ、第3絶縁層を貫通して第2金属層と柱とを電気的に接続させるビアをさらに備えることができる。第2絶縁層と第3絶縁層とには同じ材質が使用でき、第2金属層に第1電子素子から発生する光が選択的に透過するように所定パターンを形成することができる。本発明のさらに他の実施形態によれば、第1絶縁層を介在して積層される第1金属層及び放熱層を提供する段階と、第1電極部に対応して、放熱層の一部が貫通されるようにエッチングする段階と、放熱層の一部をエッチングして第1電子素子が取付られる取付層及び第1電極部を形成する段階と、取付層に第1電子素子を取付け、第1電子素子と第1電極部を電気的に接続する段階と、第1電子素子及び放熱層の少なくとも一部をカバーするように第2絶縁層を積層する段階と、を含むパッケージ基板の製造方法が提供される。第2絶縁層の積層は液状の絶縁物質を用いてモールディングすることにより行われることができ、放熱層のエッチングは電解研磨または放電研磨により行われることができる。一方、放熱層の一部をエッチングして放熱層から孤立する第2電極部を形成する段階と、第1電子素子の上面に第2電子素子を取付け、第2電子素子と第2電極部とを電気的に接続する段階と、をさらに含むことができる。また、第2絶縁層に第2金属層を積層する段階と、第2金属層に所定パターンを形成する段階と、をさらに含むこともできる。本発明のさらに他の実施形態によれば、第1絶縁層を介在して積層される第1金属層及び放熱層を提供する段階と、放熱層の一部が貫通されるようにエッチングし、キャビティ及び放熱層から孤立する柱を形成する段階と、柱以外の放熱層を所定厚みだけエッチングする段階と、キャビティに第1電子素子を内蔵する段階と、キャビティと放熱層とをカバーし、柱の端部が露出するように第2絶縁層を積層する段階と、を含むパッケージ基板の製造方法が提供される。第2絶縁層の積層は、液状の絶縁物質を用いてモールディングすることにより行われることができ、柱の形成は電解研磨または放電研磨により行われることができる。第2絶縁層に第3絶縁層を積層する段階をさらに含むことができ、第3絶縁層として第2絶縁層と同じ材質を使用できる。一方、第3絶縁層に第2金属層を積層する段階と、第2金属層に所定パターンを形成する段階と、をさらに含むことができる。前述した以外の他の実施形態、特徴、利点が、以下の図面、本発明の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明から明確になるだろう。本発明の好ましい実施例によれば、電子素子を金属層に直接接させることにより放熱効果を向上でき、薄型化を実現することができる。以下、本発明に係るパッケージ基板及びその製造方法の好ましい実施例を添付図面に基づいて詳しく説明するが、添付図面を参照して説明することにおいて、同一かつ対応する構成要素は同じ図面番号を付し、これに対する重複される説明は省略する。図1は本発明の一実施形態に係るパッケージ基板の第1実施例を示す断面図であり、図2は図1のパッケージ基板を示す平面図である。図1及び図2を参照すると、第1金属層110、第1絶縁層120、放熱層130、取付層132、電極部134、電子素子140、ワイヤ142、第2絶縁層150、導電性のビア162が示されている。第1金属層110には所定の回路パターン図示せずが形成でき、第1金属層110に第1絶縁層120が積層される。第1絶縁層120には第1金属層110に形成された所定の回路パターンと後で説明する電極部134とを電気的に接続させる導電性のビアが形成されてもよい。第1絶縁層120には放熱層130が積層されることができる。放熱層130は熱伝導性に優れた金属材質からなるが、熱伝導性に優れた材質であれば、金属に限定されるものではない。一方、一面に厚い銅箔が形成されている銅箔積層板CCLで、本実施例の第1金属層110、第1絶縁層120、及び放熱層130を代替することも可能である。この場合、厚い銅箔が放熱層130に対応できる。放熱層130には電子素子が内蔵されるように、キャビティ135を形成することができる。キャビティ135とは、電子素子140が内蔵される放熱層130内部の空間を意味する。このようなキャビティ135は放熱層130の一部をエッチングすることにより形成できる。キャビティ135には電子素子が取付られる取付層132が形成されてもよい。この場合、放熱効果を高めるために、取付層132は放熱層130と同じに熱伝導性に優れた材質、例えば、銅からなることができる。一方、取付層132の厚みと電子素子の厚みとの和は、放熱層130の厚みより小さい方がよい。安着層132に電子素子が取付らされるので、これらの厚みの和を放熱層130の厚みより小さくすることにより、パッケージ基板が厚くなることを防止できる。図1を参照すると、取付層132の下面は第1絶縁層120に接し、上面は電子素子140に接することになる。このように、電子素子と取付層132とが直接接することにより、電子素子140から発生する熱が取付層132に効果的に伝達される。また、図2に示すように、取付層132と放熱層130とは互いに連結されるが、これは、電子素子から取付層132に伝達された熱が放熱層130に効率的に伝達されるようにするためである。一方、前述したように、パッケージ基板が厚くなることを防止するために、取付層132と放熱層130とが連結される部分には段差が形成されてもよい。取付層132には電子素子140が取付られる。電子素子としては発光ダイオードLightEmittingDiode、LEDのような発光素子を用いてもよく、その他の多くの電子素子が使用できる。このような電子素子から発生する熱が、電子素子と直接接する取付層132を通して放熱層130に伝達されることにより、放熱効果を増大できることは前述の通りである。一方、電子素子140と第1金属層110に形成される回路パターン図示せずとの電気的接続のために、キャビティ135には電極部134が形成される。電極部134は、電極部134と第1金属層110に形成される回路パターン図示せずとを含む回路網の短絡を防止するために、取付層132及び放熱層130から孤立して形成される方がよい。すなわち、図2に示すように、取付層132及び放熱層130からそれぞれ離隔され形成されることができる。このような電極部134は、取付層132に取付られた電子素子とワイヤ142を通して電気的に接続でき、第1金属層110に形成される回路パターン図示せずとは第1絶縁層120を貫通するビア162を通して電気的に接続することができる。電極部134は、キャビティ135を通して露出された第1絶縁層120上に伝導性物質を結合する方法から形成されることができ、放熱層130をエッチングしてキャビティ135を形成する過程で一部を残存させることにより形成されることもできる。ところで、前記取付層132は、この取付層を介して、第1金属層110上の第1絶縁層120に電子素子140をマウントするための層でありマウンティング層ということもでき、電子素子を安定して取り付けるための安着層ということもできる。第2絶縁層150はキャビティ135と放熱層130とをカバーする手段であって、多層パッケージを形成する場合には層間絶縁層としての機能も果たすことができる。キャビティ135に内蔵される電子素子がLEDのような発光素子である場合、光が効率的に投光されるように第2絶縁層150は透明な材質からなることがよい。一方、キャビティ135内部に絶縁物質を均一に分布するために、液状の絶縁材料を用いてモールディングを行うことにより第2絶縁層150を形成することもできる。図3は、本発明の一実施形態に係るパッケージ基板の第2実施例を示す断面図である。図3に示す第2実施例は、キャビティ135をカバーする第2絶縁層250の一部分に屈曲が形成される点に特徴がある。キャビティ135に内蔵される電子素子がLEDのような発光素子である場合、光を分散させたり、集中させたりする機能を果たせるように、キャビティ135をカバーする部分にレンズを形成することができる。図3には凸状の屈曲を提示したが、必要により、凹状の屈曲を形成することもでき、その他の多様な形状に変更することができる。図4は、本発明の一実施形態に係るパッケージ基板の第3実施例を示す断面図である。図4に示す第3実施例は第2絶縁層350が放熱層130の一部及びキャビティ135をカバーするように形成される点に特徴がある。本実施例に係るパッケージ基板が、多層回路基板の最外郭層に位置する場合、放熱層130を外部に露出させることにより、放熱効果が増大できる。一方、本実施例においても、第2実施例と同じくレンズの機能を果たすように屈曲を形成することができることは勿論である。図5は、本発明の一実施形態に係るパッケージ基板の第4実施例を示す断面図である。図5を参照すると、第1金属層110、第1絶縁層120、第2絶縁層150、放熱層130、柱状体或いは柱138、キャビティ135、電子素子140、ソルダ144、導電性のビア164、166が示されている。放熱層130にはキャビティ135が形成される。キャビティ135は電子素子140が実装されるように放熱層130を貫通して形成されることができる。本実施例では放熱層130を貫通して形成されたキャビティ135を提示したが、放熱層130の一部のみをエッチングして凹溝状のキャビティ135を形成することもできる。キャビティ135に内蔵される電子素子140は、ビア166を通して第1金属層110と電気的に接続することができる。本実施例では、ソルダ144及び第1絶縁層120を貫通するビア166を通して第1金属層110と電気的に接続する電子素子を提示したが、これに限定されず、図9に示すように、ワイヤボンディングで第1金属層110と電気的に接続する電子素子を提示することもできる。柱138は、熱伝導性や放熱性に優れた放熱層130から孤立或いは独立して、第2絶縁層150を貫通することができる。柱138の一端部は第1絶縁層120を貫通するビア164を通して第1金属層110と接続することができ、他の端部は外部に露出することになる。これにより、本実施例に係るパッケージから発生する熱を円滑に分散させ放出させることができる。図6は、本発明の一実施形態に係るパッケージ基板の第5実施例を示す断面図である。図6を参照すると、第1金属層110、第2金属層110’、第1絶縁層120、第2絶縁層150、第3絶縁層120’、放熱層130、柱138、電子素子140、ソルダ144、ビア164、164’、166が示されている。本実施例に係るパッケージ基板は、第4実施例に係るパッケージ基板に比べて、第2絶縁層150に第3絶縁層120’及び第2金属層110’が積層され、ビア164’を通して第2金属層110’と柱138とが電気的に接続するということに差異がある。これは、多層パッケージ基板を形成するためのものであって、第2金属層110’には所定のパターン図示せずが形成されることができる。第3絶縁層120’を貫通するように形成されるビア164’は第2金属層110’と柱138とを電気的に接続させることができ、これにより、柱138は、第1金属層110と第2金属層110’とを接続させる層間導通部としての機能を果たせることになる。図7は、本発明の一実施形態に係るパッケージ基板の第6実施例を示す断面図である。本実施例に係るパッケージ基板は、第5実施例に係るパッケージ基板に比べて、第2絶縁層150と第3絶縁層120’とが同じ材質からなるということに差異がある。第2絶縁層150と第3絶縁層120’とを同じ材質から形成することにより、第2絶縁層150の積層の際に、第3絶縁層120’の厚みに相当する所定厚みdだけ、第2絶縁層150をさらに積層して第2絶縁層150と第3絶縁層120’とを同時に積層することができる。さらに、液状の絶縁物質を用いてモールディングを行い第2絶縁層150を積層する場合、本実施例の長所はより著しくなる。図8は、本発明の一実施形態に係るパッケージ基板の第7実施例を示す断面図である。図8を参照すると、第1金属層110、第2金属層110’、第1絶縁層120、第2絶縁層150、放熱層130、柱138、キャビティ135、第1電子素子140、第2電子素子140’、ソルダ144、144’、ビア164、164’、166、166’が示されている。本実施例に係るパッケージ基板は、第6実施例に係るパッケージ基板に比べて、複数の電子素子が内蔵されるということにその差異がある。図8を参照すると、第1電子素子140の上面に第2電子素子140’を積層することができる。第1電子素子140と第2電子素子140’とを電気的に接続させるために、第1電子素子140にスルーホール146を形成することができ、第2電子素子140’にもスルーホール146’を形成することができる。このようなスルーホール146、146’を通して各層間の電気的接続を簡単に実現できる。図9は、本発明の一実施形態に係るパッケージ基板の第8実施例を示す断面図である。図9を参照すると、第1金属層110、第1絶縁層120、第2絶縁層150、放熱層130、取付層132、電極部134、柱138、電子素子140、ワイヤ142、ビア162、164が示されている。本実施例に係るパッケージ基板は、第1実施例に係るパッケージ基板と第4実施例等に係るパッケージ基板とを組合せたものである。すなわち、第4実施例に示した柱138を形成し、第1実施例に示した取付層132を形成することにより、放熱効果を倍加できることになる。図10は、本発明の一実施形態に係るパッケージ基板の第9実施例を示す断面図である。本実施例は第8実施例に係るパッケージ基板に比べて、第5実施例と同じく第3絶縁層120’及び第2金属層110’を積層したことに特徴がある。これは多層パッケージ基板を形成するためのものであって、第2金属層110’には所定のパターン図示せずが形成されることができる。第3絶縁層120’を貫通するように形成されるビア164’は第2金属層110’と柱138とを電気的に接続させることができ、これにより、柱138は第1金属層110と第2金属層110’とを接続させる層間導通部としての機能を果たせる。図11は本発明の一実施形態に係るパッケージ基板の第10実施例を示す断面図である。本実施例に係るパッケージ基板は、第9実施例に係るパッケージ基板に比べて、第2絶縁層150と第3絶縁層120’とが同じ材質からなることにその特徴がある。第2絶縁層150と第3絶縁層120’とを同じ材質から形成することにより、第2絶縁層150の積層の際に、第3絶縁層120’の厚みに相当する所定厚みdだけ第2絶縁層150をさらに積層して第2絶縁層150と第3絶縁層120’とを同時に積層することができる。また、液状の絶縁物質を用いてモールディングを行い第2絶縁層150を積層する場合、本実施例の長所はより著しくなる。図12は、本発明の一実施形態に係るパッケージ基板の第11実施例を示す断面図である。本実施例に係るパッケージ基板は、第10実施例に係るパッケージ基板に比べて、複数のパッケージ基板を内蔵するということにその特徴がある。図12を参照すると、第1電子素子140の上面に第2電子素子140’を積層することができる。第1電子素子140と第2電子素子140’とを電気的に接続させるために、放熱層130と取付層132から孤立或いは独立する第2電極部134’を形成し、第2電子素子140’と第2電極部134’とをワイヤボンディングで電気的に接続することができる。このような構造により、各層間の電気的接続を簡単に実現することができる。以上、本発明の一実施形態に係るパッケージ基板の第1実施例~第11実施例に対して説明した。ここでは、限定的に提示した図面に基づいて各実施例の構成及び特徴をそれぞれ説明したが、各実施例から提示された構成及び特徴などを組合せてさらに他の実施例を構成することもできることは勿論である。以下では、本発明の他の実施形態に係るパッケージ基板の製造方法に対して説明する。図13は、本発明の他の実施形態に係るパッケージ基板の製造方法の第1実施例を示すフローチャートであり、図14は、図13のパッケージ基板の製造方法を示す工程図である。図14を参照すると、第1金属層110、第1絶縁層120、放熱層130、取付層132、電極部134、電子素子140、ワイヤ142、第2絶縁層150、ビア162が示されている。先ず、段階s110で、第1絶縁層120を介在して積層される第1金属層110及び放熱層130を提供する。この時、第1絶縁層120には層間の電気的信号を交換できるように所定のビア162を形成してもよい。一方、第1絶縁層120を介在して積層される第1金属層110及び放熱層130として、一面に厚い銅箔が形成されている銅箔積層板CCLを用いることができる。この時、厚い銅箔が放熱層130に対応できる。次に、段階s120で、図14のbに示すように、第1電極部134に対応して放熱層130の一部が貫通されるようにエッチングする。この時、放熱層130のエッチングは電解ポリッシング即ち電解研磨、または放電グラインディング加工のような放電研磨方法を用いることができる。電解研磨、または放電研磨方法でエッチングすると、微細な加工ができ、ピッチを減らすことができる。勿論、化学的エッチング方法を用いることもできる。次に、段階s130で、図14のcに示すように、放熱層130の一部をエッチングして取付層132及び第1電極部134を形成する。取付層132は放熱層130の一部をエッチングして形成し、取付層132の厚みと電子素子の厚みとの和は、放熱層130の厚みより小さい方がよい。取付層132に電子素子を取付け、これらの厚みの和を放熱層130の厚みより小さくすることにより、パッケージ基板が厚くなることを防止できる。一方、取付層132は放熱層130の一部をエッチングして形成するので、図2に示したように、取付層132と放熱層130とは互いに連結されている。これは電子素子から取付層132に伝達された熱が放熱層130に効率的に伝達されるようにする。第1電極部134は、回路網の短絡を防止するために、取付層132及び放熱層130から孤立或いは独立して形成されることができる。すなわち、図14及び図2に示したように、取付層132及び放熱層130からそれぞれ離隔され形成されることができる。このような電極部は、取付層132に取付られている電子素子140とワイヤ142で電気的に接続することができ、第1金属層110に形成される回路パターン図示せずとは第1絶縁層120を貫通するビア162を通して電気的に接続することができる。次に、段階s140で、図14のdに示すように、取付層132に電子素子140を取付け、第1電子素子140と第1電極部134とを連結する。第1電子素子140が取付層132に直接接するように取付られることにより電子素子140から発生する熱が取付層132に効率的に伝達されることができる。第1電子素子140と第1電極部134との連結は、ワイヤ142で行うことができる。次に、段階s150で、図14のeに示すように、第1電子素子140と、放熱層130との少なくとも一部をカバーする第2絶縁層150を積層する。第2絶縁層150は電子素子140と放熱層130とをカバーする手段であり、多層パッケージを形成する場合には層間絶縁層としての機能も果たせる。キャビティ135に内蔵される電子素子140がLEDのような発光素子である場合、光が効率的に透過できるように、第2絶縁層150は透明な材質からなることがよい。一方、絶縁層がキャビティ135の内部に均一に分布されるようにするために、液状の絶縁材料を用いてモールディングを行うことにより第2絶縁層150を形成することもできる。図3に示されているように、電子素子140をカバーする第2絶縁層150の一部分に屈曲部を形成することができ、図4に示されているように、第2絶縁層150が、放熱層130の一部及び電子素子140をカバーするように形成することもできる。一方、図12に示されているように、複数の電子素子を内蔵する場合には、内蔵される電子素子の個数に対応する電極部を形成することができる。各々の電極部を形成する方法は前述した第1電極部134を形成する方法と同様であるので、具体的な説明は省略する。また、電子素子140が発光素子である場合、電子素子140から発生される光が選択的に透過されるように、第2絶縁層150に第2金属層110’を積層し、前述したように、所定のパターン、例えば、スリットなどを形成することができる。図15は、本発明の他の実施形態に係るパッケージ基板の製造方法の第2実施例を示すフローチャートであり、図16は図15のパッケージ基板の製造方法を示す工程図である。図16を参照すると、第1金属層110、第2金属層110’、第1絶縁層120、第2絶縁層150、第3絶縁層120’、放熱層130、柱138、キャビティ135、電子素子140、ソルダ144、ビア164、164’、166が示されている。先ず、段階s210で、図16のaに示すように、第1絶縁層120を介在して積層される第1金属層110及び放熱層130を提供する。この時、第1絶縁層120には層間の電気的信号を交換できるように所定のビアを形成してもよい。一方、第1絶縁層120を介在して積層される第1金属層110及び放熱層130として、一面に厚い銅箔が形成されている銅箔積層板CCLを用いることができる。この時、厚い銅箔が放熱層130に対応できる。次に、段階s220で、図16のbに示すように、放熱層130の一部を貫通するようにエッチングしてキャビティ135及び柱状部或いは柱138を形成し、段階s230で、図16のcに示すように、柱138以外の放熱層130を所定厚みだけエッチングする。次に、段階s240で、図16のdに示すように、キャビティ135に第1電子素子140を内蔵する。キャビティ135に内蔵される第1電子素子140は第1絶縁層120を貫通する所定のビア166及びソルダ144を通して第1金属層110の回路パターン図示せずと電気的に接続することになる。次に、段階s250で、キャビティ135と放熱層130とをカバーするように第2絶縁層150を積層する。第2絶縁層150は電子素子140と放熱層130とをカバーする手段であって、多層パッケージを形成する場合には層間絶縁層としての機能も果たせる。一方、第2絶縁層150を積層する際に、柱138の端部は露出されることができ、これにより、図5に示した本発明の一実施形態に係るパッケージ基板の第4実施例を実現することができる。多層パッケージ基板を製造するために、図5に示されているように、柱138の端部が露出するように積層された第2絶縁層150に、段階s260で、第3絶縁層120’を積層し、段階s270で、第2金属層110’を積層することができる。しかし、この時、工程の簡素化のために、第2絶縁層150と第3絶縁層120’とを同じ材質から形成することができる。すなわち、液状の絶縁物質を用いてモールディングを行い第2絶縁層150を形成する場合、第3絶縁層120’に相当する厚みだけ、さらにモールディングを行うことにより、第2絶縁層150と第3絶縁層120’とを同時に形成することができる。図16のeには同じ材質からなった第2絶縁層150と第3絶縁層120’とが示されている。第2金属層110’には所定のパターン図示せずが形成されることができるが、このようなパターンは電気的信号の流れのための回路パターンであってもよく、電子素子140が発光素子である場合、電子素子140から発生する光を選択的に透過させるためのスリットであってもよい。一方、第2金属層110’に回路パターン図示せずが形成される場合、柱138は第1金属層110及び第2金属層110’にそれぞれ形成される回路パターン図示せずを電気的に接続させる層間導通部の機能を果たせる。このために、第2金属層110’と柱138とはビア164’を通して互いに接続することができる。図16のfには、柱138がビア164’を通して第2金属層110’と接続していることが示されている。図17は、本発明の他の実施形態に係るパッケージ基板の製造方法の第3実施例を示すフローチャートであり、図18は図17のパッケージ基板の製造方法を示す工程図である。本実施例に係るパッケージ基板の製造方法は、前述したパッケージ基板の製造方法の第1実施例と2実施例とを組合せたものであるので、各段階に対して概略的に説明する。先ず、段階s310で、図18のaに示すように、第1絶縁層120を介在して積層される第1金属層110及び放熱層130を提供する。この時、第1絶縁層120には層間電気的信号を交換できるように所定のビア162、164を形成してもよい。次に、段階s320で、図18のbに示すように、柱138及び第1電極部134に対応して放熱層130の一部が貫通されるようにエッチングする。次に、段階s330で、図18のcに示すように、放熱層130の一部をエッチングして第1電極部134と取付層とを形成する。第1電極部134と取付層とはエッチングにより形成され、柱138は別途のエッチングなしでそのまま用いることができる。次に、段階s340で、図18のdに示すように、取付層132に第1電子素子140を取付け、第1電子素子140と第1電極部134とを接続させる。第1電子素子140と第1電極部134との接続はワイヤボンディングで行うことができる。次に、段階s350で、図18のeに示すように、第1電子素子140と放熱層130とをカバーする第2絶縁層150及び第3絶縁層120’を積層する。第2絶縁層150と第3絶縁層120’とは、同じ材質からなってもよく、液状の絶縁物質を用いてモールディングする場合、前述した通り、第2絶縁層150と第3絶縁層120’とを同時に形成することができる。次に、段階s360で、図18のfに示すように、第2金属層110’を積層する。第2金属層110’には所定のパターンを形成することができ、第2金属層110’に回路パターン図示せずが形成される場合、柱138が層間導通部の機能を果たせるように、所定のビア164’を用いて第2金属層110’の回路パターン図示せずと柱138とを接続できることは前述した通りである。一方、回路パターン以外にも、選択的な投光のために所定のスリットを形成することもできる。本実施例の場合にも、複数の電子素子を内蔵する場合、電子素子の数に対応する電極部を形成し、電子素子を垂直に取付けた後、それぞれワイヤボンディングで電極部と接続させる方法をさらに行うことができる。以上、本発明の多くの実施例に係るパッケージ基板及びその製造方法に対して説明したが、前述した実施例以外の多くの実施例が本発明の特許請求の範囲内に存在する。