"遠心力を利用し、基板の一方面に膜材料を塗布するために、前記基板の他方面を基板保持部で保持して前記基板を回転させるスピンチャックであって、前記基板保持部は、前記基板の保持面と背面とが稜線で接続される先細り状の外周部を有し、前記基板の前記他方面に前記基板保持部の前記保持面が当接した状態で、前記基板の前記他方面と前記基板保持部の前記背面とが滑らかに連続していることを特徴とするスピンチャック。前記基板保持部は、この背面が回転中心から前記稜線に向かうに従って前記基板に近接するように傾斜して形成されていることを特徴とする請求項1に記載のスピンチャック。前記基板は、複数の圧電振動片を切り出す水晶ウエハであり、前記膜材料は、前記水晶ウエハに前記圧電振動片の外形を形成するときのマスクとなるフォトレジスト材であることを特徴とする請求項1または2に記載のスピンチャックを備えた圧電振動片の製造装置。請求項3に記載の圧電振動片の製造装置を用いて前記水晶ウエハから複数の圧電振動片を製造する圧電振動片の製造方法であって、前記水晶ウエハを前記スピンチャックにセットする水晶ウエハセット工程と、前記水晶ウエハを保持し前記水晶ウエハを回転させながら、前記水晶ウエハの一方面に前記圧電振動片の外形を形成するときのマスクとなるフォトレジスト材の膜を成膜するフォトレジスト膜成膜工程と、を備えたことを特徴とする圧電振動片の製造方法。請求項4に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする圧電振動片。請求項5に記載の圧電振動片を備えたことを特徴とする圧電振動子。しかしながら、特許文献1のスピンチャック300には、以下のような問題がある。特許文献1に記載のスピンチャック300は、吸着板310の上面に、外周縁310aに沿って円周状にシール突条312が形成されている。このシール突条312によって、吸着板310の外周縁310aの表面積が増加し、空気との接触面積が増加する。そして、スピンチャック300の回転時には、図11に示すように、吸着板310の外周縁310aと空気との接触によりスピンチャック300の外周縁310a周辺が高圧となって、水晶ウエハ65の下方に回り込む空気の乱流Rが発生する。そして、水晶ウエハ65にフォトレジスト材が吐出された際に発生するフォトレジスト材のミストは、乱流Rによって搬送され、水晶ウエハ65に付着するおそれがある。水晶ウエハ65にフォトレジスト材のミストが付着すると、フォトレジスト膜の膜厚のムラとなり、圧電振動片の外形形成時の不良の原因となる。そこで本発明は、膜材料を塗布して膜を成膜する際に、膜厚のムラを抑制できるスピンチャック、このスピンチャックを備えた圧電振動片の製造装置、この製造装置を用いた圧電振動片の製造方法、この製造方法により製造された圧電振動片、この圧電振動片を備えた圧電振動子の提供を課題とする。上記の課題を解決するため、本発明のスピンチャックは、遠心力を利用し、基板の一方面に膜材料を塗布するために、前記基板の他方面を基板保持部で保持して前記基板を回転させるスピンチャックであって、前記基板保持部は、前記基板の保持面と背面とが稜線で接続される先細り状の外周部を有し、前記基板の前記他方面に前記基板保持部の前記保持面が当接した状態で、前記基板の前記他方面と前記基板保持部の前記背面とが滑らかに連続していることを特徴としている。本発明によれば、基板保持部の外周部と空気との接触面積を小さくできるので、回転時における基板保持部の外周部と空気との接触により外周部周辺が高圧となるのを抑制して、基板の下方に回り込む空気の乱流が発生するのを防止できる。したがって、膜材料のミストが乱流によって搬送されて基板に付着するのを抑制できるので、膜材料を塗布して膜を成膜する際に、膜厚のムラを抑制できる。また、基板保持部は、この背面が回転中心から前記稜線に向かうに従って前記基板に近接するように傾斜して形成されていることを特徴としている。本発明によれば、このように基板保持部の背面を形成することで、基板保持部を形成する際の加工が容易となるため、加工コストの低減ができる。したがって、低コストに乱流を防止して、膜厚のムラを抑制できる。また、本発明のスピンチャックを備えた圧電振動片の製造装置は、前記基板が複数の圧電振動片を切り出す水晶ウエハであり、前記膜材料は、前記水晶ウエハに前記圧電振動片の外形を形成するときのマスクとなるフォトレジスト材であることを特徴としている。本発明によれば、水晶ウエハにフォトレジスト材を塗布してフォトレジスト膜を成膜する際に、膜厚のムラを抑制できる。これにより、フォトレジスト膜を露光した後現像する際に、フォトレジスト膜の表面欠陥の発生を抑制できるので、圧電振動片の外形を精度よく形成できる。また、本発明の圧電振動片の製造方法は、上述の圧電振動片の製造装置を用いて前記水晶ウエハから複数の圧電振動片を製造する圧電振動片の製造方法であって、前記水晶ウエハを前記スピンチャックにセットする水晶ウエハセット工程と、前記水晶ウエハを保持し前記水晶ウエハを回転させながら、前記水晶ウエハの一方面に前記圧電振動片の外形を形成するときのマスクとなるフォトレジスト材の膜を成膜するフォトレジスト膜成膜工程と、を備えたことを特徴としている。本発明によれば、スピンチャックの基板保持部の外周部と空気との接触面積を小さくできるので、フォトレジスト膜成膜工程では、基板保持部の外周部と空気との接触により外周部周辺が高圧となるのを抑制して、基板の下方に回り込む空気の乱流が発生するのを防止できる。したがって、膜材料のミストが乱流によって搬送されて基板に付着するのを抑制し、膜厚のムラを抑制できる。また、本発明の圧電振動片は、上記製造方法により製造されたことを特徴としている。本発明によれば、外形を精度よく形成できるので、耐久性に優れた高性能な圧電振動片を得ることができる。また、本発明の圧電振動子は、上記製造方法により製造された圧電振動片を備えたことを特徴としている。本発明によれば、耐久性に優れた高性能な圧電振動子を得ることができる。本発明によれば、基板保持部の外周部と空気との接触面積を小さくできるので、回転時における基板保持部の外周部と空気との接触により外周部周辺が高圧となるのを抑制して、基板の下方に回り込む空気の乱流が発生するのを防止できる。したがって、膜材料のミストが乱流によって搬送されて基板に付着するのを抑制できるので、膜材料を塗布して膜を成膜する際に、膜厚のムラを抑制できる。圧電振動片最初に、本発明の実施形態に係る圧電振動片を、図面を参照して説明する。図1は、圧電振動片4の平面図である。図2は、図1のA-A線における断面図である。図1に示すように、本実施形態の圧電振動片4は、水晶から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。この圧電振動片4は、平行に配置された一対の振動腕部10,11と、前記一対の振動腕部10,11の基端側を一体的に固定する基部12と、一対の振動腕部10,11の両主面上に形成された溝部18とを備えている。この溝部18は、該振動腕部10,11の長手方向に沿って振動腕部10,11の基端側から略中間付近まで形成されている。圧電振動片4は、一対の振動腕部10,11の外表面上に形成されて一対の振動腕部10,11を振動させる第1の励振電極13および第2の励振電極14からなる励振電極15と、圧電振動片4をパッケージに実装するために基部12に形成されたマウント電極16,17と、第1の励振電極13および第2の励振電極14とマウント電極16,17とを電気的接続する引き出し電極19,20と、を有している。励振電極15および引き出し電極19,20は、後述するマウント電極16,17の下地層と同じ材料のクロムにより単層膜で形成されている。これにより、マウント電極16,17の下地層を成膜するのと同時に、励振電極15および引き出し電極19,20を成膜することができる。ただし、この場合に限られず、例えば、ニッケルやアルミニウム、チタン等により励振電極15および引き出し電極19,20を成膜しても構わない。励振電極15は、一対の振動腕部10,11を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極である。励振電極15を構成する第1の励振電極13および第2の励振電極14は、一対の振動腕部10,11の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている図2参照。また、第1の励振電極13および第2の励振電極14は、基部12の両主面上において、それぞれ引き出し電極19,20を介して、後述するマウント電極16,17に電気的に接続されている。マウント電極16,17は、クロムと金との積層膜であり、水晶と密着性の良いクロム膜を下地層として成膜した後に、表面に金の薄膜を仕上げ層として成膜することにより形成される。ただし、この場合に限られず、例えば、クロムとニクロムを下地層として成膜した後に、表面にさらに金の薄膜を仕上げ層として成膜しても構わない。一対の振動腕部10,11の先端には、所定の周波数の範囲内で振動するように調整周波数調整を行うための重り金属膜21が被膜されている。この重り金属膜21は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜21aと、微小に調整する際に使用される微調膜21bとに分かれている。これら粗調膜21aおよび微調膜21bを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部10,11の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。圧電振動片の製造方法次に、上述した圧電振動片4の製造工程について、フローチャートを参照しながら以下に説明する。図3は、圧電振動片4の製造工程のフローチャートである。圧電振動片4の製造工程は、水晶ウエハ65図4参照に圧電振動片4の外形を形成する外形形成工程S110と、後に圧電振動片4の溝部18図2参照となる凹部を形成する溝部形成工程S130と、各電極を形成する電極等形成工程S140と、圧電振動片4を水晶ウエハ65から切り出す小片化工程S150とを備えている。以下に各工程の詳細を説明する。なお、以下の説明では、水晶ウエハ65の両面のうち、上方に配置された面を一方面65a、下方に配置された面を他方面65bとして説明する。外形形成工程S110外形形成工程S110は、水晶ウエハ65の表面に金属膜を成膜する金属膜成膜工程S112と、後述するスピンチャック70図4参照に水晶ウエハ65をセットする水晶ウエハセット工程S114と、水晶ウエハ65にフォトレジスト膜を成膜するフォトレジスト膜成膜工程S116と、を有している。さらに、このフォトレジスト膜からフォトリソグラフィ技術によってレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程S120と、金属膜をエッチングする金属膜エッチング工程S122と、水晶ウエハ65をエッチングする水晶ウエハエッチング工程S124と、を有している。金属膜成膜工程S112まず、金属膜成膜工程S112では、ポリッシングが終了し所定の厚みに高精度に仕上げられた水晶ウエハ65に金属膜を成膜する。金属膜は、例えば、クロムからなる下地膜と、金からなる保護膜との積層膜であり、それぞれスパッタリング法や蒸着法等により成膜される。なお、金属膜成膜工程S112で成膜された金属膜の一部は、後の水晶ウエハエッチング工程S124および溝部形成工程S130において、水晶ウエハ65をエッチングする際のメタルマスクとなる。水晶ウエハセット工程S114、スピンチャック次に、水晶ウエハ65をスピンチャック70にセットする水晶ウエハセット工程S114を行う。図4は、スピンチャック70の側面断面図である。以下では、まず図4を用いてスピンチャック70を説明した後に、水晶ウエハセット工程S114を説明する。なお、図4では、図面を分かりやすくするために、水晶ウエハ65の表面に成膜された金属膜の図示を省略している。また、スピンチャック70の中心軸をKとして説明している。スピンチャック70は、樹脂や金属等により形成されており、水晶ウエハ65を保持する基板保持部72と、基板保持部72を支持する支柱部76と、を備えている。基板保持部72は、平面視で略円形状をした板状部材である。基板保持部72の直径は、水晶ウエハ65の直径よりも小さく設定されている。基板保持部72の保持面72aは平坦に形成されており、水晶ウエハ65の表面を当接させて、水晶ウエハ65を載置できるようになっている。また、基板保持部72の保持面72aには、全面に複数の吸引孔74が形成されている。吸引孔74は、基板保持部72内に形成された吸引通路73および後述する支柱部76に形成された吸引通路78を介して、不図示の真空ポンプに接続されている。真空ポンプで真空引きすることにより、水晶ウエハ65は、基板保持部72に負圧吸着されて基板保持部72の保持面72aに保持される。基板保持部72は、水晶ウエハ65の保持面72aと背面72bとが稜線で接続される先細り状の外周部72dを有している。具体的には、基板保持部72の背面72bは、基板保持部72の中心部72cから外周部72dに向かって、上方に漸次傾斜して形成されており、基板保持部72の厚さは、中心部72cから外周部72dに向かって薄くなるように形成されている。したがって、後述する水晶ウエハセット工程S114で基板保持部72に水晶ウエハ65を載置した時、側面視で基板保持部72の背面72bが、中心部72cから外周部72dに向かって水晶ウエハ65に漸次近接するようになっている。これにより、基板保持部72の背面72bと水晶ウエハ65との間には大きな段差が存在せず、基板保持部72の外周部72dの表面積は極めて小さくなる。基板保持部72の背面72bにおける略中央には、支柱部76が設けられている。支柱部76は、中空の円柱状部材であり、中心軸が基板保持部72の中心軸と略一致するように、基板保持部72と一体的に形成される。支柱部76の内部には、吸引通路78が形成されており、不図示の真空ポンプに接続されている。吸引通路78は、基板保持部72に形成された吸引通路73および吸引孔74と連通されている。支柱部76は、不図示のモータと接続されている。モータが回転駆動することにより、スピンチャック70が中心軸Kを回転中心として回転する。なお、基板保持部72の下方であって支柱部76の外周側に、気流を整える整流板67を設けてもよい。整流板67は、例えば外形が水晶ウエハ65よりも大きく形成された、平面視略円板状の樹脂や金属等からなる部材である。整流板67の中央には、貫通孔67bが形成されており、支柱部76が挿通されている。整流板67の上面67aは、水晶ウエハ65よりも外周側が、下方に傾斜する傾斜面67cとなっている。後述するように、水晶ウエハ65の回転時に水晶ウエハ65の表面で発生した気流は、この傾斜面67cに沿うように流れるようになっている。水晶ウエハセット工程S114このように構成されたスピンチャック70に、金属膜が成膜された水晶ウエハ65をセットする水晶ウエハセット工程S114を行う。水晶ウエハセット工程S114では、スピンチャック70の基板保持部72に、水晶ウエハ65をセットする。具体的には、水晶ウエハ65の他方面65bを下方に向けて、基板保持部72の保持面72aに水晶ウエハ65の他方面65bを当接させて載置する。水晶ウエハ65の他方面65bと基板保持部72の保持面72aとの間には、不図示の位置決め機構が設けられており、水晶ウエハ65の中心軸が、スピンチャック70の中心軸Kと略一致するように載置される。フォトレジスト膜成膜工程S116図5は、フォトレジスト膜成膜工程S116の説明図である。続いて、図5に示すように、フォトレジスト材85を塗布し、水晶ウエハ65にフォトレジスト膜を成膜するフォトレジスト膜成膜工程S116を行う。なお、本実施形態で塗布されるフォトレジスト材85は、露光された部分が硬化して現像時に残存する、いわゆるネガレジスト材である。フォトレジスト膜成膜工程S116では、まず、不図示の真空ポンプで真空引きをして基板保持部72で水晶ウエハ65の他方面65bを真空吸着しつつ、不図示のモータを回転駆動させ、スピンチャック70および水晶ウエハ65を高速回転させる。続いて、図5に示すように、中心軸Kに沿って水晶ウエハ65の上方に配置されたノズル79から、フォトレジスト材85を適量だけ水晶ウエハ65の一方面65aに向かって滴下する。滴下されたフォトレジスト材85が水晶ウエハ65の一方面65aに付着すると、遠心力によって、水晶ウエハ65の略中央から外周側に向かって薄膜状に拡散する。これにより、水晶ウエハ65の一方面65aにフォトレジスト膜85aが成膜される。ところで、水晶ウエハ65の一方面65aには、水晶ウエハ65の回転により、水晶ウエハ65の中央から外周側に向かって気流Fが発生する。この気流Fにより、水晶ウエハ65の一方面65aにフォトレジスト材85が滴下された際に発生するフォトレジスト材85のミストが水晶ウエハ65の中央から外周側に向かって搬送される。ここで、図11に示すように、特許文献1のスピンチャック300では、吸着板310本実施形態の基板保持部72に相当の外周縁310aと空気との接触により外周縁310a周辺が高圧となって、水晶ウエハ65の下方に回りこむ空気の乱流Rが発生していた。このため、フォトレジスト材85のミストが乱流Rによって水晶ウエハ65の下方に搬送され、水晶ウエハ65に付着するおそれがあった。しかし、本実施形態のスピンチャック70は、側面視で基板保持部72の背面72bが、中心部72cから外周部72dに向かって水晶ウエハ65に近接するように形成されている。これにより、基板保持部72の外周部72dと空気との接触面積を小さくできるので、基板保持部72の外周部72dと空気との接触により外周部72d周辺が高圧となるのを抑制して、基板の下方に回り込む空気の乱流が発生するのを防止している。なお、本実施形態では整流板67が配置されているため、気流Fにより水晶ウエハ65の外周側に搬送されたフォトレジスト材85のミストは、整流板67の傾斜面67cに沿うように水晶ウエハ65の外側に誘導され、不図示の排気口から排出される。塗布面の確認S117および表裏反転工程S118水晶ウエハ65の一方面65aにフォトレジスト膜85aを成膜した後、下方に配置された水晶ウエハ65の他方面65bにフォトレジスト膜85aが成膜されていない場合にはS117、水晶ウエハ65の一方面65aおよび他方面65bの表裏を反転させ、水晶ウエハ65に対して、再度フォトレジスト膜成膜工程S116を行う。そして、水晶ウエハ65の一方面65aおよび他方面65bの全体に、フォトレジスト膜85aを成膜する。レジストパターン形成工程S120次に、上述のように形成されたフォトレジスト膜85aをフォトリソグラフィ技術によりパターニングするレジストパターン形成工程S120を行う。具体的には、まず、不図示のフォトマスクを水晶ウエハ65の両面にセットし、紫外線を照射して露光を行う。前述のとおり、本実施形態のフォトレジスト材85はネガレジスト材を用いている。したがって、露光後、現像液に浸漬することで、紫外線が露光された領域のフォトレジスト膜85aは硬化して除去されずに残存し、紫外線が露光されず硬化していない領域のフォトレジスト膜85aは選択的に除去される。ここで、フォトレジスト膜85aの膜厚にムラが生じ、膜厚が厚く形成された部分が存在すると、フォトレジスト膜85aを露光しても十分に硬化できず、現像時に溶解され除去されるおそれがある。そして、残存したフォトレジスト膜85aのレジストパターンに表面欠陥が発生するため、圧電振動片4の外形形成時の不良の原因となるおそれがある。しかし、本実施形態では、フォトレジスト膜成膜工程S116で、スピンチャック70の回転時における乱流の発生を抑制して、フォトレジスト材85のミストが水晶ウエハ65に付着するのを抑制しながらフォトレジスト膜85aを成膜している。これにより、フォトレジスト膜85aの膜厚のムラを抑制でき、レジストパターン形成工程S120で、表面欠陥のないレジストパターンを形成している。金属膜エッチング工程S122次に、残存したフォトレジスト膜85aのレジストパターンをマスクとして、金属膜成膜工程S112で成膜した金属膜のエッチングをする金属膜エッチング工程S122を行う。本工程では、フォトレジスト膜85aによりマスクされていない金属膜を選択的に除去する。その後、フォトレジスト膜85aのレジストパターンを除去する。これにより、水晶ウエハ65の一方面65aおよび他方面65b上には、圧電振動片4の外形に対応した金属膜パターンが形成される。水晶ウエハエッチング工程S124次に、金属膜パターンをマスクとして、水晶ウエハ65の両面からそれぞれドライエッチングをする水晶ウエハエッチング工程S124を行う。これにより、金属膜パターンでマスクされていない領域を選択的に除去して、圧電振動片4の外形形状を有する圧電板を形成できる。なお、各圧電板はドライエッチング後の水晶ウエハ65と連結されている。以上で、外形形成工程S110が終了する。溝部形成工程S130次に、各圧電板に後の溝部18図1参照となる凹部を形成する溝部形成工程S130を行う。具体的には、各圧電板の表面にスプレーコート法等によりフォトレジスト膜不図示を成膜し、フォトリソグラフィ技術によってフォトレジスト膜をパターニングする。続いて、レジストパターンをマスクとして金属膜のエッチング加工を行い、凹部形成領域を空けた状態で金属膜をパターニングする。そして、この金属膜をマスクとして水晶ウエハ65をエッチングした後、金属膜を除去することで、各圧電板の主面上に凹部を形成できる。電極等形成工程S140次に、圧電振動片4の外形形状に形成された圧電板の外表面に電極等を形成する電極等形成工程S140を行う。電極等形成工程S140では、まず、金属膜の成膜およびパターニングを行って、励振電極15、引き出し電極19,20、マウント電極16,17および重り金属膜21いずれも図1参照を形成する。次に、圧電板の共振周波数の粗調を行う。重り金属膜21の粗調膜21aにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、振動腕部10,11の重量を変化させることで行う。以上で、電極等形成工程S140が終了する。小片化工程S150最後に、水晶ウエハ65と各圧電板とを連結していた連結部を切断して、複数の圧電振動片4を水晶ウエハ65から切り離して小片化する小片化工程S150を行う。これにより、1枚のウエハから、音叉型の圧電振動片4を一度に複数製造することができる。この時点で、圧電振動片4の製造工程が終了し、図1に示す圧電振動片4を複数得ることができる。効果本実施形態によれば、基板保持部72の外周部72dと空気との接触面積を小さくできるので、基板保持部72の外周部72d周辺が高圧となるのを抑制して、水晶ウエハ65の下方に回り込む空気の乱流が発生するのを防止できる。したがって、フォトレジスト材85のミストが乱流によって搬送されて水晶ウエハ65に付着するのを抑制できるので、フォトレジスト材85を塗布してフォトレジスト膜85aを成膜する際に、膜厚のムラを抑制できる。また、本実施形態によれば、上述のように基板保持部72の背面72bを形成することで、基板保持部72を形成する際の加工が容易となるため、加工コストの低減ができる。したがって、低コストに乱流を防止して、膜厚のムラを抑制できる。また、本実施形態によれば、水晶ウエハ65にフォトレジスト材85を塗布してフォトレジスト膜85aを成膜する際に、膜厚のムラを抑制できる。これにより、フォトレジスト膜85aを露光した後現像する際に、フォトレジスト膜85aの表面欠陥の発生を抑制できるので、圧電振動片4の外形を精度よく形成できる。また、本実施形態によれば、スピンチャック70の基板保持部72の外周部72dと空気との接触面積を小さくできるので、フォトレジスト膜成膜工程S116では、基板保持部72の外周部72dと空気との接触により外周部72d周辺が高圧となるのを抑制して、水晶ウエハ65の下方に回り込む空気の乱流が発生するのを防止できる。したがって、フォトレジスト材85のミストが乱流によって搬送されて水晶ウエハ65に付着するのを抑制し、膜厚のムラを抑制できる。また、本実施形態によれば、外形を精度よく形成できるので、耐久性に優れた高性能な圧電振動片4を得ることができる。圧電振動子次に、上述した製造方法により製造された圧電振動片4を備えたパッケージ9の一例として、圧電振動子1について説明する。図6は、圧電振動子1の外観斜視図である。図7は、圧電振動子1の内部構成図であって、リッド基板3を取り外した状態の平面図である。図8は、図7のB-B線における断面図である。図9は、図6に示す圧電振動子1の分解斜視図である。なお、図9においては、図面を見易くするために後述する励振電極13,14、引き出し電極19,20、マウント電極16,17および重り金属膜21の図示を省略している。図6に示すように、本実施形態の圧電振動子1は、ベース基板2およびリッド基板3が接合膜35を介して陽極接合されたパッケージ9と、パッケージ9のキャビティ3aに収納された圧電振動片4と、を備えた表面実装型の圧電振動子1である。図8に示すように、ベース基板2およびリッド基板3は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる陽極接合可能な基板であり、略板状に形成されている。リッド基板3におけるベース基板2との接合面側には、圧電振動片4を収容するキャビティ3aが形成されている。リッド基板3におけるベース基板2との接合面側の全体に、陽極接合用の接合膜35接合材が形成されている。接合膜35は、キャビティ3aの内面全体に加えて、キャビティ3aの周囲の額縁領域に形成されている。本実施形態の接合膜35は、アルミニウムにより形成されているが、クロムやシリコン等で接合膜35を形成することも可能である。この接合膜35とベース基板2とが陽極接合され、キャビティ3aが真空封止されている。圧電振動子1は、ベース基板2を厚さ方向に貫通し、キャビティ3aの内側と圧電振動子1の外側とを導通する貫通電極32,33を備えている。そして、貫通電極32,33は、ベース基板2を貫通する貫通孔30,31内に配置され、圧電振動片4と外部とを電気的に接続する金属ピン7と、貫通孔30,31と金属ピン7との間に充填される筒体6と、により形成されている。なお、以下には貫通電極32を例にして説明するが、貫通電極33についても同様である。また、貫通電極33、引き回し電極37および外部電極39の電気的接続についても、貫通電極32、引き回し電極36および外部電極39と同様となっている。貫通孔30は、ベース基板2の上面U側から下面L側にかけて、内形が次第に大きくなるように形成されており、貫通孔30の中心軸Oを含む断面形状がテーパ状となるように形成されている。金属ピン7は、銀やニッケル合金、アルミニウム等の金属材料により形成された導電性の棒状部材であり、鍛造やプレス加工により成型される。金属ピン7は、線膨張係数がベース基板2のガラス材料と近い金属、例えば、鉄を58重量パーセント、ニッケルを42重量パーセント含有する合金42アロイで形成することが望ましい。筒体6は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体6の中心には、金属ピン7が筒体6を貫通するように配されており、筒体6は、金属ピン7および貫通孔30に対して強固に固着している。図9に示すように、ベース基板2の上面U側には、一対の引き回し電極36,37がパターニングされている。また、これら一対の引き回し電極36,37上にそれぞれ金等からなるバンプBが形成されており、前記バンプBを利用して圧電振動片4の一対のマウント電極が実装されている。これにより、圧電振動片4の一方のマウント電極16図7参照が、一方の引き回し電極36を介して一方の貫通電極32に導通し、他方のマウント電極17図7参照が、他方の引き回し電極37を介して他方の貫通電極33に導通するようになっている。ベース基板2の下面Lには、一対の外部電極38,39が形成されている。一対の外部電極38,39は、ベース基板2の長手方向の両端部に形成され、一対の貫通電極32,33に対してそれぞれ電気的に接続されている。このように構成された圧電振動子1を作動させる場合には、ベース基板2に形成された外部電極38,39に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片4の第1の励振電極13および第2の励振電極14に電圧を印加できるので、一対の振動腕部10,11を接近離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部10,11の振動を利用して、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として利用できる。効果本実施形態の圧電振動子1によれば、外形が精度よく形成された圧電振動片4を備えているので、耐久性に優れた高性能な圧電振動子1を得ることができる。なお、この発明は上述した実施の形態に限られるものではない。本実施形態では、本発明に係るスピンチャック70を使用した圧電振動片4の製造方法により、音叉型の圧電振動片4を製造した。しかし、本発明に係るスピンチャック70を使用して製造される圧電振動片4は音叉型に限られず、例えば、ATカット型の圧電振動片厚み滑り振動片であってもよい。また、本発明に係るスピンチャック70を使用して、圧電振動片以外の電子部品を製造してもよい。本実施形態の圧電振動片4の製造方法では、フォトレジスト材85としてネガレジスト材を用いているが、フォトレジスト材85はネガレジスト材に限られず、例えばポジレジスト材を用いてもよい。本実施形態では、スピンチャック70の基板保持部72の下方であって、支柱部76の外周側に、気流を整える整流板67を設けていたが、整流板67を設けなくても本実施形態の効果が得られる。ただし、水晶ウエハ65の外周側に搬送されたフォトレジスト材85のミストを、整流板67の傾斜面67cに沿うように水晶ウエハ65の外側に誘導でき、スムーズに排気口から排出できる点で、本実施形態に優位性がある。また、整流板67の中央に形成された貫通孔67bの内周面と、スピンチャック70の支柱部76の外周面との間の空間に、下方から上方に向かって窒素等の不活性ガスを流通させてもよい。この不活性ガスは、下方から上方に向かって流通した後、スピンチャックの背面72bに沿って水晶ウエハ65の外周側に案内される。これにより、フォトレジスト材85のミストが水晶ウエハ65に付着するのを確実に抑制できる。また、本実施形態では、基板保持部72の背面72bは、基板保持部72の中心部72cから外周部72dに向かって、上方に漸次傾斜する傾斜面となるように形成されていた。しかし、例えば、基板保持部72の背面72bは、上方に湾曲する曲面であって、基板保持部72の厚さが中心部72cから外周部72dに向かって薄くなるように形成してもよい。ただし、加工が容易であり低コストに形成できる点で本実施形態に優位性がある。"