"放射ビームを生成するよう構成された放射源と、パターニングデバイスを支持するよう構成された支持構造であって、前記パターニングデバイスが前記放射ビームの断面にパターンを付与する働きをする支持構造と、基板を支持するよう構成された基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系と、前記目標部分の露光の間に前記パターニングデバイスと前記基板との間の相対的振動を測定するよう構成された振動測定装置と、測定された相対的振動が前記基板上に投影されるパターンに及ぼす影響を補償するよう前記放射ビームのパワーを調整する制御装置と、を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。前記振動測定装置は、前記パターニングデバイスの支持構造の振動および前記基板テーブルの振動を測定することにより、相対的振動を測定するよう構成されることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記制御装置は、以前に測定された相対的振動と基板における放射コントラストとの間の関係に従って前記放射ビームのパワーを調整するよう構成されることを特徴とする請求項1または2に記載のリソグラフィ装置。前記制御装置は、相対的振動の移動平均を算出するよう構成されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記放射源は、放射パルスを生成するよう構成されたレーザであり、前記制御装置は、前記レーザにより生成されたパルスのエネルギーを調整することにより放射ビームのパワーを調整するよう構成される、ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記放射ビームのパワーの調整は、測定された振動に対するリアルタイムの補償を提供することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記放射ビームのパワーの調整は、以前の目標部分の露光の間に測定された振動に対する補償を提供することを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記放射ビームのパワーの調整は、以前の基板の露光の間に測定された振動に対する補償を提供することを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記制御装置は、測定された振動に対して最もクリティカルな投影パターンのフィーチャを補償するよう前記放射ビームのパワーを調整することを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のリソグラフィ装置。当該リソグラフィ装置は、走査リソグラフィ装置であり、前記振動測定装置は、パターニングデバイス支持構造の振動を測定するよう構成された位置センサと、前記基板テーブルの振動を測定するよう構成された位置センサとを備えることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記パターニングデバイスは、個別に制御可能な素子のアレイを備え、前記振動測定装置は、前記基板テーブルの振動を測定するよう構成された位置センサを備えることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載のリソグラフィ装置。放射源を用いて放射ビームを生成し、パターニングデバイスを用いて前記放射ビームの断面にパターンを付与するステップと、基板の目標部分にパターン付与された放射ビームを投影するステップと、前記目標部分の露光の間に前記パターニングデバイスと前記基板との間の相対的振動を測定するステップと、測定された相対的振動が前記基板上に投影されるパターンに及ぼす影響を補償するよう前記放射ビームのパワーを調整するステップと、を備えることを特徴とする方法。前記放射ビームのパワーは、以前に測定された相対的振動と基板における放射コントラストとの間の関係に従って調整されることを特徴とする請求項12に記載の方法。レーザを用いて放射パルスにより生成される放射ビームを生成するステップをさらに備え、前記放射ビームのパワーは、前記レーザにより生成されるパルスのエネルギーを調整することにより調整されることを特徴とする請求項12または13に記載の方法。前記放射ビームのパワーの調整は、基板の以前の目標部分または以前の基板の目標部分の露光の間に測定された振動に対する補償を提供することを特徴とする請求項12から14のいずれかに記載の方法。本明細書において認識されていようと他のところで認識されていようと、従来技術の問題の1つまたは複数を取り除くまたは軽減する例えばリソグラフィ装置およびデバイス製造方法を提供することが望ましい。本発明のある態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、放射ビームを生成するよう構成された放射源と、パターニングデバイスを支持する支持構造であって、パターニングデバイスが放射ビームの断面にパターンを付与する働きをする支持構造と、基板を支持するよう構成された基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系とを備える。リソグラフィ装置はさらに、目標部分の露光の間にパターニングデバイスと基板との間の相対的振動を測定するよう構成された振動測定装置と、測定された相対的振動が基板上に投影されるパターンに及ぼす影響を補償するよう放射ビームのパワーを調整する制御装置とを備える。本発明の更なる態様によれば、放射源を用いて放射ビームを生成し、パターニングデバイスを用いて放射ビームの断面にパターンを付与するステップと、投影系を用いて基板の目標部分にパターン付与された放射ビームを投影するステップとを備える方法が提供される。この方法はさらに、目標部分の露光の間にパターニングデバイスと基板との間の相対的振動を測定するステップと、測定された相対的振動が基板上に投影されるパターンに及ぼす影響を補償するよう放射ビームのパワーを調整するステップとを備える。本発明のさらなる特徴、効果は、本発明のさまざまな実施形態の構成及び作用とともに添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。本発明は、本明細書に記載された特定の実施形態に限定されないことを留意されたい。これらの実施形態は、単に説明のみを目的として本明細書に示されている。本明細書に含まれる技術に基づくさらなる実施形態は、当業者にとって明らかであろう。本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ一つ以上の実施形態を開示している。開示された実施形態は、単に本発明の例示に過ぎない。本発明の範囲は、開示された実施形態に限られない。本発明は、この文書に添付された特許請求の範囲によって定義される。本明細書において一実施形態、実施形態の一実施例等は、説明した実施形態が特定のフィーチャ、構造、または特徴を含んでいてもよいことを表すが、すべての実施形態がその特定のフィーチャ、構造、または特徴を必ずしも含んでいるわけではない。さらにまた、上記のフレーズは必ずしも同じ実施形態を指すものではない。さらに、特定のフィーチャ、構造、または特徴を一実施形態に関して説明するとき、明示的に説明しようがしまいが、他の実施形態に関してそのような特定のフィーチャ、構造、または特徴を作用させることは、当業者の知識の範囲内であるとして理解すべきである。本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの組み合わせで実現されてもよい。本発明の実施形態は、また、一つ以上のプロセッサにより読み込まれ、実行されるコンピュータ読み取り可能媒体に記憶されたインストラクションとして実現されてもよい。コンピュータ読み取り可能媒体は、機械により読み取り可能な形式の情報を記憶または伝送するメカニズムを含んでもよい例えば、コンピュータデバイス。例えば、コンピュータ読み取り可能媒体は、読み出し専用メモリROM;ランダムアクセスメモリRAM;磁気ディスク記憶媒体;光記憶媒体;フラッシュメモリ装置;電気的、光学的、音響的またはその他の形式の伝搬信号例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号などである。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、インストラクションは、特定の動作を実行できるものとして、ここで説明されてもよい。しかしながら、このような説明は、単に便宜上のためだけであり、このような動作は、実際は、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、インストラクションなどを実行するコンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、その他のデバイスによって生じるものであると理解すべきである。しかしながら、このような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実装可能である例示的な環境を提示することが有益である。IC製造時におけるリソグラフィ装置の使用について本文で特定した言及がなされるかもしれないが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の誘導および検出パターンguidanceanddetectionpattern、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の応用形態も有していることを理解すべきである。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、ウェハまたはダイという用語のあらゆる使用が、より一般的な用語である基板または目標部分とそれぞれ同義であるとみなしうることを認められよう。本明細書で参照される基板を、例えばトラック通常、基板にレジスト層を塗布し露光されたレジストを現像する工具または計測工具または検査工具で、露光の前後に処理することができる。可能であれば、本明細書の開示をこれらのおよび他の基板処理工具に適用することができる。さらに、例えば多層ICを作製するために基板を二回以上処理してもよく、したがって、本明細書で使用される基板という用語は、複数回処理された層を既に有している基板のことも指す場合がある。本明細書で使用される放射およびビームという用語は、あらゆるタイプの電磁放射を包含しており、紫外線UV放射例えば、365、248、193、157または126nmの波長を有する、極紫外線EUV放射例えば、5~20nmの範囲の波長を有する、さらにイオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを含む。本明細書で使用されるパターニングデバイスという用語は、放射ビームの断面にパターンを与え、基板の目標部分にパターンを形成するために使用可能であるデバイスを参照するものとして、広く解釈される。放射ビームに与えられるパターンが、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応していなくてもよいことに注意する。通常、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、目標部分に作成されるデバイス内の特定の機能層と対応している。パターニングデバイスの例には、マスクレチクルとも称されるおよび個別に制御可能な素子のアレイがある。マスクは透過型であってもよいし、反射型であってもよい。マスクはリソグラフィ分野では周知であり、バイナリマスク、交互位相シフトalternatingphaseshiftマスク、ハーフトーン型位相シフトattenuatedphaseshiftマスク、および様々なハイブリッド型マスクタイプなどのマスクタイプがある。個別に制御可能な素子のアレイの例では、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルLCDパネルがある。支持構造マスクテーブルとも称されるは、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、例えばパターニングデバイスが真空環境に保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的クランプ、バキューム、または真空条件下での静電気クランプなどの他の固定技術を使用することができる。支持構造は、フレーム状またはテーブル状であってもよく、例えば、必要に応じて固定されていても移動可能でもよい。支持構造により、例えば投影系に対してパターニングデバイスを確実に所望の位置に配置することができる。本明細書におけるマスクテーブルという用語は、より一般的な用語である支持構造と同義であるとみなしてよい。本明細書で使用される投影系という用語は、例えば、使用中の露光照射に適した、あるいは液浸の使用または真空の使用といった他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含む様々なタイプの投影系を包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書における投影レンズという用語のいかなる使用も、より一般的な用語である投影系と同義であるとみなしてよい。照明系は、放射ビームの進行方向を決め、成形し、または制御するための屈折光学部品、反射光学部品、または反射屈折光学部品を含む様々な種類の光学部品で構成されており、このような部品は、以下において集合的にまたは単独でレンズと呼ばれることもある。リソグラフィ装置は、二つの基板テーブルを有するタイプデュアルステージであっても、より多数の基板テーブルおよび/または二つ以上の支持構造を有するタイプであってもよい。このようなマルチステージの装置では、追加のテーブルを並列して使用してもよいし、または、一以上のテーブルに対して準備ステップを実行する一方、一以上の他のテーブルを露光用として使用してもよい。リソグラフィ装置は、投影系の最終構成要素と基板の間の空間を満たすように、比較的屈折率の高い液体例えば、水の中に基板が浸されているタイプの装置であってもよい。液浸技術は、投影系の開口数を増大する技術として周知である。図1は、本発明の特定の実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームPB例えば、DUV放射またはEUV放射を調整する照明系照明器ILと、マスクMAを支持し、要素PLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするよう第1位置決め装置PMに接続されるマスクテーブルMTと、基板例えば、レジストコートされたウェハWを保持し、要素PLに対して基板を正確に位置決めするよう第2位置決め装置PWに接続される基板テーブル例えばウェハテーブルWTと、基板Wの目標部分C例えば、一つまたは複数のダイからなるに、マスクMAによって放射ビームPBに与えられたパターンを結像するよう構成された投影系例えば、屈折投影レンズPLとを備える。図示されるように、リソグラフィ装置は透過型例えば、透過型マスクを使用である。代替的に、リソグラフィ装置は反射型例えば、上述したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用であってもよい。照明器ILは、レーザLAまたは他の放射源から放射ビームを受け取る。レーザは、例えばエキシマレーザであってよい。レーザLAおよび照明器ILは、必要であればビーム伝送系BDを合わせて、放射系と称してもよい。照明器ILは、ビームの角度強度分布を調節する調節手段AMを備えてもよい。一般に、照明器の瞳面における強度分布の外径範囲および/または内径範囲一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれるを少なくとも調節することができる。加えて、照明器ILは、インテグレータINおよび集光器CO等の様々な他の構成要素を通常備えている。照明器は、その断面において所望の均一性および強度分布を有する調節された放射ビームPBを提供する。放射ビームPBは、マスクテーブルMT上に保持されたマスクMAに入射する。マスクMAを横切ると、ビームPBはレンズPLを通過し、そこでビームが基板Wの目標部分Cに合焦される。第2位置決め装置PWおよび第2位置センサIF例えば、干渉計デバイスを用いて、基板テーブルWTを正確に移動して、例えば異なる目標部分CをビームPBの経路に配置することができる。同様に、第1位置決め装置PMおよび第1位置センサIF1例えば干渉計デバイスを使用して、例えばマスクライブラリからの機械的復帰の後にまたは走査中に、ビームPBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に配置することができる。一般に、オブジェクトテーブルMTおよびWTの移動は、位置決め装置PMおよびPWの一部を形成する長ストロークモジュール粗い位置決めと短ストロークモジュール微細な位置決めを用いて達成することができる。マスクアライメントマークM1、M2と基板アライメントマークP1、P2とを用いて、マスクMAと基板Wを位置合わせしてもよい。図示する装置は、以下の好適なモードで使用することができる。1.走査モードでは、マスクテーブルMTと基板テーブルWTとが同期して走査される一方、ビームPBに与えられたパターンが目標部分C上に投影されるすなわち、単一の動的露光。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影系PLの減衰ファクターおよび像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一の動的露光における目標部分の非走査方向における幅を制限するのに対して、走査移動の長さが目標部分の走査方向における高さを決定する。2.別のモードでは、マスクテーブルMTは、プログラマブルパターニングデバイスを基本的に静止状態で保持し続け、基板テーブルWTは移動または走査される一方、ビームPBに付与されたパターンが目標部分Cに投影される。このモードでは、通常、パルス放射レーザが採用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの各移動の後に、または走査中の連続放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述したようなプログラマブルミラーアレイのタイプなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。プログラマブルパターニングデバイスは、例えば、個別に制御可能な素子のアレイであってよい。上述の使用モードの組み合わせおよび/または変形や、または全く異なる使用モードも利用することができる。リソグラフィ装置はさらに、第1および第2位置センサIF1,IF2に接続され、それらからの出力信号を受信する制御装置CAを備える。制御装置CAは、レーザLAに接続されており、レーザにより生成された放射ビームのパワーを制御する。制御装置CAは、基板Wに供給される放射線量を変化させ、それによりマスクテーブルMTおよび基板テーブルWTの振動に起因するコントラスト損失を補償するために、レーザLAにより生成された放射ビームのパワーを調整してもよい。リソグラフィ装置が走査モードで動作するとき、上述したように、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは、同期して走査される。リソグラフィ装置のスループットは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTが移動する速度にかなりの程度依存する。従って、マスクテーブルおよび/または基板テーブルの振動の発生を引き起こすほど十分に速い速度で、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTが走査される可能性がある。振動が小さい場合、振動は基板に露光される像にごくわずかな影響しか及ぼさないかもしれないまたは、基板に露光されるパターンを損なわないような十分に小さい影響しか及ぼさないかもしれない。しかしながら、振動が大きい場合、振動は基板に露光されたパターンにかなり有害な影響を及ぼす可能性がある。振動は、例えば基板に露光される機能デバイス例えば、集積回路が正確に動作するのを妨げる可能性がある。望ましくない大きな振動は、基板テーブルWTの走査移動および/またはマスクテーブルMTの走査移動の特定の一部の間に生じる可能性がある。例えば、望ましくない振動は、各走査移動の最後に生じる可能性がある。本実施例においては、この振動により、基板上の各目標部分の端部にストライプが形成される可能性がある。このストライプは、不正確な寸法を有する、および/または誤って形成されているパターンフィーチャを含んでいる。望まれていない振動が走査移動のある別の一部で生じていた場合、目標部分の対応部分にストライプが位置するであろう。走査露光において望まれていない振動が生じる位置にかかわりなく、ストライプは常に走査移動の方向に対して直角に走る。図2は、基板W上に設けられたレジストRへのラインの露光を概略的に示す。概して正弦波状の線量プロファイルDを有する放射が、閾値T点線で示すを有するレジストR上に入射している。放射線量Dが閾値Tを超えている位置において、レジストR放射により露光されるレジストに化学変化が起こる。現像液に対するレジストの露光は、現像液に対するレジストの化学的耐性を減少させる。レジストの露光の後に、現像液を用いて露光されたレジストが除去され、その結果、露光されていないレジストからパターンPが残されるこの場合、一対のライン。レジストに形成されたパターンを永久的構造に変化させるために、エッチングおよび/または材料の堆積が用いられてもよい。この構造は、例えば、露光されていないレジストのラインPの間に位置するラインを含んでもよい。図3は、振動がレジストの露光に及ぼす影響を概略的に示す。図3において、振動は、放射線量プロファイルDが相対的に浅くなっていることで概略的に示されるように、レジストに入射する放射のコントラストを低下させる。コントラストが低減した結果、放射により露光されるレジストの一部が広くなり、露光されない部分がそれに応じて狭くなる。従って、露光されていないレジストに形成されるラインPは、所望のものよりも狭くなる。本発明の実施形態は、この望ましくない効果を低減する。図1に図示された本発明の実施形態は、第1および第2位置センサIF1,IF2を用いてマスクテーブルMTおよび基板テーブルWTの振動を測定する。マスクMAは、マスクテーブルMTによりしっかりと保持されており、基板Wは基板テーブルWTによりしっかりと保持されている。従って、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTの振動を測定することで、マスクMおよび基板Wの振動が測定される。測定された振動は、制御装置CAに送られる。制御装置CAは、基板テーブルWTおよび/またはマスクテーブルMTの振動に起因するコントラストの低下を補償するために、レーザLAにより生成された放射のパワーを低下させる。レーザLAにより生成された放射のパワーを低下させる効果が図4に概略的に示されている。図4は、振動が図3に適用された振動と同じである状態を表すことを意図している。従って、放射線量Dは、図3に見られるのと同じコントラストの低下を有する。図3では、コントラストの低下は、放射により露光されたレジストの部分を広げ、それに応じてレジストの露光されていない部分の幅を狭くしていた。しかしながら、図4に見られるように、放射線量を低下させることにより、露光されるレジストの割合が低下する。閾値Tを超える放射線量を受けるレジストの割合が小さくなるからである。従って、放射により露光されるレジストの部分の幅は、図2に見られるそれと一致しているすなわち、レジストに形成されるラインは、所望の幅を有する。現像液を用いて録されたレジストを取り除く際、所望の寸法を有する露光されていないレジストから形成されたパターンPが残される。その後、エッチングおよび/または材料の堆積により、所望の寸法を有する露光されていないレジストのラインP間に位置するラインが形成されてもよい。振動の影響は、それ故、レジストRに入射する放射線量を低下させることを通じてレーザLAにより生成された放射のパワーを低下させることにより補償される。測定されたマスクテーブルMTおよび基板テーブルWTの相対的な振動の効果に対する補償は、基板上へ投影されるパターンが、相対的な振動がない場合に投影されるであろうパターンここでは所望のパターンと称すると一致しているという状態を含む。この実施例が図4に図示されている。測定された相対的な振動の効果に対する補償はまた、基板上へ投影されるパターンが、補償が適用されていないが所望のパターンに一致していないという場合よりも所望のパターンに近いという状態を含む。例えば、フィーチャが図2と図3の間の寸法を有するパターン。言い換えると、補償は、補償がない場合の投影パターンと比較して投影パターンの改善を含む。制御装置は、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTの相対的な振動を監視してもよい。あまり起こりそうにないことであるが、基板テーブルWTの振動がマスクテーブルMTの振動と振幅および方向の両方に関して同期する状態を考慮することは有益である。このような場合、基板テーブルWTとマスクテーブルMT間の相対的な振動はなく、基板Wに入射する放射の線量プロファイルにはコントラストの損失は見られないであろう。その結果、振動に起因するストライプは露光パターンに存在しないであろう。従って、レーザLAにより生成された放射のパワーを制御するおよび基板に適用されるべき線量を決定する際に、マスクテーブルMTと基板テーブルWTとの間の相対的な振動が制御装置CAにより考慮されてもよい。投影系PLが減衰ファクター例えば、4の減衰ファクターを有する場合、相対的な振動測定はこれを考慮に入れてもよい。相対的な振動は、移動平均として測定されてもよい。例えば基板上の所定位置が露光走査の間に放射を受ける時間帯を考慮する。相対的な振動の特性を示すために用いられる測定は、例えば移動標準偏差標準偏差の平均であってもよい。移動標準偏差は、基板上の所定位置が走査露光の間に放射を受ける時間帯に対応するタイムウィンドウを用いて測定されてもよい。レーザLAにより生成された放射のパワーの調整は、制御装置CAによりリアルタイムに行われてもよい。リソグラフィ装置は、レーザLAにより生成された放射の強度を測定するよう構成された強度センサ図示せずを含んでもよい。制御装置CAは、強度センサの出力を考慮に入れてもよい。パワー調整は、本リソグラフィ装置または類似のリソグラフィ装置で実行されるキャリブレーション測定に基づいてもよい。キャリブレーション測定は、基板における放射コントラストと、マスクテーブルMTと基板テーブルWTとの相対的な振動との関係を測定してもよい。キャリブレーション測定は、相対的な振動に起因するコントラスト低下を補償するために、レーザLAのパワーをどれだけ低下させるべきか決定してもよい。キャリブレーション測定の結果は、制御装置内にあるまたは制御装置に接続されたメモリに格納されてもよい。キャリブレーション測定の結果は、ルックアップテーブルの形式でまたはある別の形式で格納されてもよい。キャリブレーション測定値間の補間が制御装置により行われてもよい。レーザLAは、例えば放射のパルスを生成してもよい。この場合、複数の放射パルス例えば30パルスを用いて、所望の放射線量を基板上の所定位置に供給することができる。制御装置CAは、レーザにより生成されたパルスのエネルギーを合計して露光位置における所望の総放射線量を供給するよう、レーザLAを制御してもよい。所望の総放射線量は、マスクテーブルMTと基板テーブルWTの相対的な振動を考慮に入れている。レーザLAから供給されたパワーの調整は、例えば、パルスベースによりパルスに行われてもよい。例えば、露光位置に届けられた第1パルスが過剰なエネルギーを有している場合、第2パルスのエネルギーはこれを補償するよう低下されてもよい。第2パルスのエネルギーが低すぎる場合、第3パルスはこれを補償するために高いエネルギー有していてもよい。このようにレーザパルスのエネルギーを制御することにより、露光位置に届けられる放射線量の反復制御がもたらされる。レーザ放射パルスのエネルギーは、パルスのピークパワーを変化させることにより、および/またはパルスの持続時間を変化させることにより変更されてもよい。一実施形態においては、基板の所定位置に届けられる放射線量は、レーザパルスが生成される周波数レーザの繰り返し率と呼ばれることもあるを制御することにより変更されてもよい。レーザLAは、例えば連続的な放射ビームを生成してもよい。この場合、制御装置は、レーザにより生成される放射ビームのパワーを制御してもよい。レーザ以外の放射源を用いて放射ビームを生成する場合、制御装置は、放射源により生成された放射ビームのパワーを制御してもよい。異なるパターンフィーチャに対し、振動に起因するコントラスト損失の影響が異なる可能性がある。例えば、密度の高いラインは、孤立したラインよりも振動の影響を受ける可能性があるまたは違うように影響を受ける可能性もある。基板上に投影されたパターンが複数の異なるフィーチャを含む場合、振動を補償するための放射の調整は、パターンの最もクリティカルなフィーチャ向けに最適化されてもよいすなわち、放射を用いた補償は、フィーチャのコントラスト損失による影響の受け方を考慮に入れてもよい。一実施形態において、以前の走査露光の間に測定された振動を用いて、それに続く走査露光の間にレーザLAにより生成される放射のパワーを前もって決定してもよい。これは、例えば、別の走査露光がマスクテーブルMTおよび基板テーブルWT間の同じまたは類似の相対的振動に苦しんでいる場合に用いられてもよい。これは、例えば基板の特定領域に位置する目標部分を走査露光する場合であってもよい。一実施形態において、以前の基板露光の間に測定された振動を用いて、それに続く基板露光の間にレーザLAにより生成される放射のパワーを前もって決定してもよい。これは、例えばマスクテーブルMTと基板テーブルWT間の相対的振動が連続する基板露光の間において一貫していると分かっている場合に用いられてもよい。説明した実施形態は、干渉計デバイスIF1,IF2を用いてマスクテーブルMTおよび基板テーブルWTの位置を監視しているが、任意の適切な位置監視装置が用いられてもよい。例えば、エンコーダを用いてもよい。位置監視装置は、例えばマスクテーブルMTまたは基板テーブルWTの位置の所望の位置からの偏差を測定してもよい。説明した本発明の実施形態は、走査リソグラフィ露光に関するが、本発明は他の形態のリソグラフィ装置に用いられてもよい。例えば、本発明は、静止状態で基板を走査する例えば上述のモード2個別に制御可能な素子のアレイを用いるリソグラフィ装置に用いられてもよい。この場合、個別に制御可能な素子のアレイは、基板の走査移動の間に振動しないと仮定してよく、プログラマブルパターニングデバイスと基板間の相対的振動は、測定された基板テーブルの振動にのみ基づいて決定され得る。本発明の実施形態の説明は、ほとんどマスクテーブルMTにより保持されたマスクMAに言及している。これらは、パターニングデバイスおよびパターニングデバイスを支持するための支持構造の具体例であると考えられる。パターニングデバイスは、例えば個別制御可能な素子のアレイであってもよく、支持構造は、例えば個別制御可能な素子のアレイを支持してもよい。本発明の実施形態は、ポジティブレジストに関連して説明されているが、本発明は、ネガティブレジストに用いられてもよい。ネガティブレジストを用いる場合、振動を補償するために、放射源のパワーを低下させる代わりに放射源のパワーを増大させる。説明した本発明の実施形態は、基板テーブルWTの位置を監視することにより基板Wの振動を測定しているが、基板の振動は任意の適切な構成要素の位置を監視することにより測定されてもよい。例えば、基板の振動は、基板の位置を直接監視することにより測定されてもよい。説明した本発明の実施形態は、マスクテーブルMTの位置を監視することによりマスクMAの振動を測定しているが、マスクの振動は任意の適切な構成要素の位置を監視することにより測定されてもよい。例えば、マスクの振動は、マスクの位置を直接監視することにより測定されてもよい。本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。本説明は、本発明を限定することを意図していない。発明を実施するための形態が特許請求の範囲を解釈するために用いられることが意図されており、発明の概要および要約の部分は特許請求の範囲を解釈するために用いられることが意図されていないことが認められるべきである。発明の概要および要約の部分は、発明者によって考案された本発明の実施形態のうち一つまたは複数について述べているが、全ての例示的な実施形態について述べている訳ではない。したがって、本発明および添付の特許請求の範囲をいかなる方法によっても限定する意図はない。特定の機能および関係の実現を例証する機能的な構成要素の助けを用いて本発明を説明してきた。これらの機能的な構成要素の境界は、説明の便宜上、適宜定義されている。それらの特別な機能および関係が適切に実行される限り、別の境界も定義することができる。特定の実施形態についての上記説明は発明の一般的性質を完全に公開しており、したがって、当分野の能力に含まれる知識を適用することによって、過度の実験をすることなく、および本発明の一般概念から逸脱することなく、種々の応用に対してそのような特定の実施形態を直ちに修正しおよび/または適応させることができる。したがって、そのような適応および修正は、本書に提示された教示および助言に基づき、開示された実施形態の意義および等価物の範囲内であると意図されている。本書の言葉遣いおよび専門用語は説明を目的としており限定のためではなく、本明細書の専門用語または言葉遣いは教示および助言を考慮して当業者によって解釈されるべきものであることを理解されたい。本発明の広がりおよび範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲およびそれらの等価物にしたがってのみ規定されるべきである。"