"半導体素子と、半導体素子の一方の面側に配設された第一の冷却機構と、半導体素子の他方の面側に配設された第二の冷却機構と、を有し、前記第一の冷却機構及び前記第二の冷却機構は、絶縁基板と、絶縁基板の一面に形成された導電層と、前記絶縁基板の他面に接合されたヒートシンクと、を有し、前記導電層上に前記半導体素子が接合される構成とされており、少なくとも、前記第一の冷却機構の前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面から、前記第二の冷却機構の前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面までの領域が、樹脂封止されたことを特徴とするパワーモジュールユニット。前記第一の冷却機構及び前記第二の冷却機構のうち少なくとも一方において、前記ヒートシンクがアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、前記ヒートシンクのうち前記絶縁基板との接合界面近傍に、Cu,Si,Ag,Zn,Mg,Ge,Ca,Ga及びLiから選択される1種又は2種以上の添加元素が固溶されていることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュールユニット。前記第一の冷却機構及び前記第二の冷却機構のうち少なくとも一方において、前記ヒートシンクと前記絶縁基板との接合界面に、少なくともAg粉末が焼結されてなるAg焼結層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュールユニット。半導体素子と、半導体素子の一方の面側に配設された第一の冷却機構と、半導体素子の他方の面側に配設された第二の冷却機構と、を有し、前記第一の冷却機構及び前記第二の冷却機構は、絶縁基板と、絶縁基板の一面に形成された導電層と、前記絶縁基板の他面に接合されたヒートシンクと、を有し、前記導電層上に前記半導体素子が接合される構成とされたパワーモジュールユニットの製造方法であって、前記第一の冷却機構及び前記第二の冷却機構を形成する冷却機構形成工程と、前記半導体素子の一方の面と前記第一の冷却機構の前記導電層とを接合するとともに前記半導体素子の他方の面と前記第二の冷却機構の前記導電層とを接合する半導体素子接合工程と、少なくとも前記第一の冷却機構の前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面から前記第二の冷却機構の前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面までの領域を樹脂で封止する樹脂モールド工程と、を有し、前記冷却機構形成工程において、前記絶縁基板の他面に前記ヒートシンクを接合することを特徴とするパワーモジュールユニットの製造方法。前記ヒートシンクは、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、前記冷却機構形成工程は、前記ヒートシンクの接合面と前記絶縁基板の接合面のうち少なくとも一方に、Cu,Si,Ag,Zn,Mg,Ge,Ca,Ga及びLiから選択される1種又は2種以上の添加元素を固着して添加元素層を形成する添加元素層形成工程と、前記添加元素層を介して前記絶縁基板と前記ヒートシンクとを積層する積層工程と、積層された前記絶縁基板と前記ヒートシンクとを積層方向に加圧するとともに加熱し、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、この溶融金属領域を凝固させることによって、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとを接合する溶融金属凝固工程と、を備えており、前記加熱工程において、前記添加元素層の添加元素を前記ヒートシンク側に拡散させることにより、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの界面に、前記溶融金属領域を形成することを特徴とする請求項4に記載のパワーモジュールユニットの製造方法。前記添加元素層形成工程は、前記ヒートシンクの接合面と前記絶縁基板の接合面のうち少なくとも一方に、AgとCuとを含むAg-Cuペーストを塗布する構成とされており、このAg-CuペーストにおけるCuの含有量が5質量以上45質量以下に設定されていることを特徴とする請求項5に記載のパワーモジュールユニットの製造方法。前記冷却機構形成工程において、前記ヒートシンクと前記絶縁基板との間にろう材を配設し、前記ヒートシンクと前記絶縁基板とをろう付けすることを特徴とする請求項4に記載のパワーモジュールユニットの製造方法。前記冷却機構形成工程は、前記ヒートシンクの接合面と前記絶縁基板の接合面のうち少なくとも一方に、Ag粉末を含むAgペーストを塗布するAgペースト塗布工程と、このAgペーストを焼成する焼成工程と、を備えていることを特徴とする請求項4に記載のパワーモジュールユニットの製造方法。ところで、特許文献2に記載された半導体冷却機構においては、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと絶縁材との間にグリスを介在させ、かつ、絶縁材と冷却管との間にもグリスを介在させ、半導体モジュールと絶縁材、絶縁材と冷却管とを接触配置している。グリスは、金属等に比べて熱伝導性が劣ることから、半導体素子を効率良く冷却することができなかった。また、グリスは、経時劣化損耗、固化等が激しいため、使用期間が長くなると半導体モジュールと絶縁材、絶縁材と冷却管の密着性が悪くなり、半導体素子を効率良く冷却することができなくなってしまうといった問題があった。また、半導体モジュール、絶縁材、冷却管のそれぞれは、グリスを介在して接触配置しているため、半導体モジュール、絶縁材、及び冷却管を樹脂で一体化することができなかった。この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、半導体素子を効率良く冷却することができる冷却機構を備えたパワーモジュールユニット、及び、このパワーモジュールユニットの製造方法を提供することを目的とする。このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明のパワーモジュールユニットは、半導体素子と、半導体素子の一方の面側に配設された第一の冷却機構と、半導体素子の他方の面側に配設された第二の冷却機構と、を有し、前記第一の冷却機構及び前記第二の冷却機構は、絶縁基板と、絶縁基板の一面に形成された導電層と、前記絶縁基板の他面に接合されたヒートシンクと、を有し、前記導電層上に前記半導体素子が接合される構成とされており、少なくとも、前記第一の冷却機構の前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面から前記第二の冷却機構の前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面までの領域が、樹脂封止されたことを特徴としている。この構成のパワーモジュールユニットにおいては、半導体素子の一方の面側に配設された第一の冷却機構と、半導体素子の他方の面側に配設された第二の冷却機構と、を有し、半導体素子の両面から冷却を行う構造とされている。そして、前記第一の冷却機構及び前記第二の冷却機構が、絶縁基板と、絶縁基板の一面に形成された導電層と、前記絶縁基板の他面に接合されたヒートシンクと、を有している。このように、絶縁基板とヒートシンクとが接合された構造とされているので、熱伝導性に劣るグリス等を介在させる必要がなく、半導体素子から発生した熱をヒートシンクへと効率良く伝達させることができる。また、経時劣化するグリスを有していないので、信頼性に優れている。なお、絶縁基板とヒートシンクとを接合していることから、絶縁基板とヒートシンクとの接合信頼性を向上させる必要がある。ここで、本発明では、少なくとも、前記第一の冷却機構の前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面から前記第二の冷却機構の前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面までの領域が、樹脂封止されていることから、絶縁基板とヒートシンクと接合界面に大きな応力が作用することが防止され、絶縁基板とヒートシンクとの接合信頼性が確保される。よって、信頼性に優れたパワーモジュールユニットを提供することができる。ここで、前記第一の冷却機構及び前記第二の冷却機構のうち少なくとも一方において、前記ヒートシンクがアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、前記ヒートシンクのうち前記絶縁基板との接合界面近傍に、Cu,Si,Ag、Zn,Mg,Ge,Ca,Ga及びLiから選択される1種又は2種以上の添加元素が固溶された構成としてもよい。この場合、前記ヒートシンクのうち前記絶縁基板との接合界面近傍が、添加元素の固溶によって強化することになる。これにより、前記ヒートシンクと前記絶縁基板との接合界面に応力が作用した場合であっても、ヒートシンク部分での破断を防止することができ、前記ヒートシンクと前記絶縁基板との接合信頼性を向上させることができる。また、前記第一の冷却機構及び前記第二の冷却機構のうち少なくとも一方において、前記ヒートシンクと前記絶縁基板との接合界面に、少なくともAg粉末が焼結されてなるAg焼結層が形成された構成とされていてもよい。この場合、前記ヒートシンクと前記絶縁基板とがAg焼結層を介して接合されることになる。Ag粉末が焼成されてなるAg焼結層は、熱伝導性に優れていることから、半導体素子を効率的に冷却することが可能となる。また、前記ヒートシンクと前記絶縁基板との接合界面に応力が作用した場合であっても、この応力をAg焼結層で吸収することができ、前記ヒートシンクと前記絶縁基板との接合信頼性を向上させることができる。本発明のパワーモジュールユニットの製造方法は、半導体素子と、半導体素子の一方の面側に配設された第一の冷却機構と、半導体素子の他方の面側に配設された第二の冷却機構と、を有し、前記第一の冷却機構及び前記第二の冷却機構は、絶縁基板と、絶縁基板の一面に形成された導電層と、前記絶縁基板の他面に接合されたヒートシンクと、を有し、前記導電層上に前記半導体素子が接合される構成とされたパワーモジュールユニットの製造方法であって、前記第一の冷却機構及び前記第二の冷却機構を形成する冷却機構形成工程と、前記半導体素子の一方の面と前記第一の冷却機構の前記導電層とを接合するとともに前記半導体素子の他方の面と前記第二の冷却機構の前記導電層とを接合する半導体素子接合工程と、少なくとも前記第一の冷却機構の前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面から前記第二の冷却機構の前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面までの領域を樹脂で封止する樹脂モールド工程と、を有し、前記冷却機構形成工程において、前記絶縁基板の他面に前記ヒートシンクを接合することを特徴としている。この構成のパワーモジュールユニットの製造方法によれば、第一の冷却機構及び第二の冷却機構を形成する冷却機構形成工程と、前記半導体素子の一方の面と前記第一の冷却機構の前記導電層、前記半導体素子の他方の面と前記第二の冷却機構の前記導電層とを接合する半導体素子接合工程と、を備えているので、半導体素子を両面から冷却可能なパワーモジュールユニットを製造することができる。また、前記冷却機構形成工程において、前記絶縁基板の他面に前記ヒートシンクを接合する構成とされているので、ヒートシンクと絶縁基板とが接合され、半導体素子を効率的に冷却可能なパワーモジュールユニットを製造することができる。さらに、少なくとも前記第一の冷却機構の前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面から前記第二の冷却機構の前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面までの領域を樹脂で封止する樹脂モールド工程を有しているので、絶縁基板とヒートシンクと接合界面に大きな応力が作用することが防止された信頼性の高いパワーモジュールユニットを製造することができる。ここで、前記ヒートシンクは、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、前記冷却機構形成工程は、前記ヒートシンクの接合面と前記絶縁基板の接合面のうち少なくとも一方に、Cu,Si,Ag,Zn,Mg,Ge,Ca,Ga及びLiから選択される1種又は2種以上の添加元素を固着して添加元素層を形成する添加元素層形成工程と、前記添加元素層を介して前記絶縁基板と前記ヒートシンクとを積層する積層工程と、積層された前記絶縁基板と前記ヒートシンクとを積層方向に加圧するとともに加熱し、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、この溶融金属領域を凝固させることによって、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとを接合する溶融金属凝固工程と、備えており、前記加熱工程において、前記添加元素層の添加元素を前記ヒートシンク側に拡散させることにより、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの界面に、前記溶融金属領域を形成する構成としてもよい。この場合、前記絶縁基板の接合面及び前記ヒートシンクの接合面のうち少なくとも一方に、Cu,Si,Ag,Zn,Mg,Ge,Ca,Ga及びLiから選択される1種又は2種以上の添加元素を固着して添加元素層を形成する添加元素層形成工程を備えているので、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面には、Cu,Si,Ag,Zn,Mg,Ge,Ca,Ga及びLiから選択される1種又は2種以上の添加元素が介在することになる。ここで、前記添加元素は、アルミニウムの融点を降下させる元素であるため、比較的低温条件において、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンクと絶縁基板との界面に溶融金属領域を形成することができる。よって、比較的低温、短時間の接合条件で接合しても、絶縁基板とヒートシンクとを確実に接合することが可能となる。前記添加元素層の添加元素をヒートシンク側に拡散させることにより、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの界面に前記溶融金属領域を形成し、この溶融金属領域を凝固させることで、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとを接合する構成としているので、ヒートシンクのうち絶縁基板との接合界面近傍に前記添加元素が固溶することになり、ヒートシンクの前記接合界面近傍の強度を向上させることができる。前記添加元素層形成工程は、前記ヒートシンクの接合面と前記絶縁基板の接合面のうち少なくとも一方に、AgとCuとを含むAg-Cuぺーストを塗布する構成とされており、このAg-Cuペーストに含まれる金属粉末におけるCuの含有量が5質量以上45質量以下に設定されていてもよい。この場合、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの接合界面には、AgとCuとが介在することになる。Cuは、アルミニウムに対して反応性の高い元素であるため、接合界面近傍にCuが存在することによってアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンクの接合面が活性化することになる。よって、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとを強固に接合することが可能となる。また、Cuは、アルミニウムの強度を向上させる効果が大きいことから、ヒートシンクの接合界面近傍を確実に固溶強化することができる。なお、Ag-Cuペーストに含まれる金属粉末におけるCuの含有量が5質量以上とされているので、上述のように、Cuによって前記絶縁基板と前記ヒートシンクと強固に接合することが可能となる。また、Ag-Cuペーストに含まれる金属粉末におけるCuの含有量が45質量以下とされているので、Cu酸化物が絶縁基板の接合面あるいはヒートシンクの接合面に過剰に混入することを防ぐことができる。また、前記冷却機構形成工程において、前記ヒートシンクと前記絶縁基板との間にろう材を配設し、前記ヒートシンクと前記絶縁基板とをろう付けする構成としてもよい。この場合、融点の低いろう材を用いることで、ヒートシンクと絶縁基板との界面に溶融金属領域を形成することができ、前記ヒートシンクと前記絶縁基板とを確実に接合することができる。また、ろう材に含まれる元素がヒートシンク側に拡散することで、ヒートシンクの接合界面近傍を強化することができる。さらに、前記冷却機構形成工程は、前記ヒートシンクの接合面と前記絶縁基板の接合面のうち少なくとも一方に、Ag粉末を含むAgペーストを塗布するAgペースト塗布工程と、このAgペーストを焼成する焼成工程と、を備えた構成としてもよい。この場合、絶縁基板とヒートシンクとを、Ag粉末を含むAgペーストを焼成してなるAg焼結層を介して接合することができる。このAg焼結層は、熱伝導性に優れていることから、半導体素子を効率的に冷却することが可能となる。また、前記ヒートシンクと前記絶縁基板との接合界面に応力が作用した場合であっても、この応力をAg焼結層で吸収することができ、前記ヒートシンクと前記絶縁基板との接合信頼性を向上させることができる。本発明によれば、半導体素子を効率良く冷却することができる冷却機構を備えたパワーモジュールユニット、及び、このパワーモジュールユニットの製造方法を提供することが可能となる。以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。本発明の第1の実施形態であるパワーモジュールユニットを図1に示す。このパワーモジュールユニット1は、半導体素子2と、この半導体素子2の一方の面側に配設された第1冷却機構10と、半導体素子2の他方の面側に配設された第2冷却機構20と、を有している。第1冷却機構10は、セラミックス基板11と、このセラミックス基板11の一面に形成された導電層12と、セラミックス基板11の他面に接合されたヒートシンク13と、を備えている。また、第2冷却機構20は、第1冷却機構10と同様の構造とされており、セラミックス基板21と、このセラミックス基板21の一面に形成された導電層22と、セラミックス基板21の他面に接合されたヒートシンク23と、を備えている。セラミックス基板11,21は、導電層12,22とヒートシンク13,23との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いAlN窒化アルミで構成されている。このセラミックス基板11,21の厚さは、0.2~1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、0.635mmに設定されている。導電層12,22は、セラミックス基板11,21の一面に導電性を有する金属板32,42が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、導電層12,222は、純度が99.99以上のアルミニウムいわゆる4Nアルミニウムの圧延板からなる金属板32,42がセラミックス基板11,21に接合されることにより形成されている。なお、第2冷却機構20の導電層22には、回路パターン図示なしが形成されている。ヒートシンク13,23は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる多穴管とされており、冷却媒体が流通する流路13A,23Aを備えている。本実施形態では、ヒートシンク13,23は、A1050で構成されている。そして、図2に示すように、セラミックス基板11,21とヒートシンク13,23との接合界面においては、ヒートシンク13,23側にAg及びCuが固溶している。ヒートシンク13,23のうちセラミックス基板11,21との接合界面近傍には、この接合界面から積層方向に離間するにしたがい漸次Ag濃度及びCu濃度が低下する濃度傾斜層15,25が形成されている。ここで、ヒートシンク13,23の前記接合界面近傍のAg濃度が0.05質量以上10質量以下、Cu濃度が0.05質量以上5質量以下の範囲内に設定されている。なお、ヒートシンク13,23の前記接合界面近傍のAg濃度及びCu濃度は、EPMA分析スポット径30μmによって、接合界面から50μmの位置で5点測定した平均値である。また、図2のグラフは、ヒートシンク13,23の中央部分において積層方向にライン分析を行い、前述の50μm位置での濃度を基準として求めたものである。そして、第1冷却機構10の導電層12と半導体素子2、及び、半導体素子2と第2冷却機構20の導電層22は、それぞれはんだ層3を介して接合されている。なお、本実施形態では、導電層12,22とはんだ層3との間にNiメッキ層図示なしが設けられている。また、第2冷却機構20の導電層22は、ワイヤーボンディングによって外部接続端子6に接続されている。そして、本実施形態では、図1に示すように、第1冷却機構10のセラミックス基板11とヒートシンク13との接合界面から、第2冷却機構20のセラミックス基板21とヒートシンク23との接合界面までの領域が、樹脂5で封止されて一体化されている。また、外部接続端子6は、その一端が樹脂5の外部へと突出するように配設されている。なお、樹脂として、例えば、エポキシ系樹脂SiO2フィラー入り等を適用することができる。以下に、前述の構成のパワーモジュールユニット1の製造方法について説明する。本実施形態であるパワーモジュールユニット1の製造方法は、図3に示すように、第1冷却機構10及び第2冷却機構20を形成する冷却機構形成工程S01と、第1冷却機構10の導電層12及び第2冷却機構20の導電層22と半導体素子2とを接合する半導体素子接合工程S02と、第1冷却機構10のセラミックス基板11とヒートシンク13との接合界面から第2冷却機構20のセラミックス基板21とヒートシンク23との接合界面までの領域を樹脂5で封止する樹脂モールド工程S03と、を備えている。冷却機構形成工程S01では、まず、図4に示すように、セラミックス基板11,21の一面及び他面に、Ag粉末とCu粉末とを含有するAg-Cuペーストを塗布して、100~200°Cで乾燥した後に300~500°Cで焼成を行うことにより、Ag-Cu層33,43,34,44を形成するAg-Cu層形成工程S11。Ag-Cuペーストの厚さは、乾燥後で約0.02~200μmとされている。また、Ag-Cu層33,43,34,44におけるAg量は0.5mg/cm2以上6.0mg/cm2以下、Cu量は0.2mg/cm2以上2.0mg/cm2以下とされている。なお、このAg-Cu層33,43,34,44は、この後の積層工程S12、加熱工程S13において、セラミックス基板11,21の一面及び他面から剥離しない程度の強度でセラミックス基板11,21に固着していればよい。ここで使用されるAg-Cuペーストは、Ag粉末及びCu粉末を含む金属粉末成分と、樹脂と、溶剤と、分散剤と、可塑剤と、還元剤と、を含有するものであり、金属粉末成分の含有量が、Ag-Cuペースト全体の40質量以上90質量以下とされている。また、本実施形態では、Ag-Cuペーストの粘度が10Pas以上500Pas以下、より好ましくは50Pas以上300Pas以下に調整されている。Ag及びCuを含む金属粉末成分として、本実施形態では、銀粉末と銅粉末との混合粉末を用いている。そして、銀粉末と銅粉末との混合粉末金属粉末成分におけるCuの含有量が5質量以上45質量以下に設定されている。また、Ag粉末、Cu粉末の混合粉末だけでなく、AgCu合金粉末を用いることもできる。銀粉末は、その粒径が0.05μm以上1.0μm以下とされており、本実施形態では、平均粒径0.3μmのものとした。銅粉末は、その粒径が0.05μm以上1.0μm以下とされており、本実施形態では、平均粒径0.3μmのものとした。なお、銀粉末および銅粉末の平均粒径は、例えば、マイクロトラック法を用いることで測定することができる。本実施形態では、d50メジアン径を平均粒径とした。樹脂は、Ag-Cuペーストの粘度を調整するものであり、例えば、アクリル樹脂、アルキッド樹脂等を適用することができる。なお、本実施形態では、エチルセルロースを用いている。溶剤は、例えば、タピネオール系、アセテート系、シトレート系等を用いることができる。より具体的には、α-テルピネオール、テキサノ-ル、トリエチルシトレート等を適用できる。なお、本実施形態では、α-テルピネオールを用いている。分散剤は、例えば、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤等を適用することができる。なお、本実施形態では、アニオン系界面活性剤を用いている。可塑剤は、例えば、フタル酸ジブチル、アジピン酸ジブチル等を適用することができる。なお、本実施形態では、フタル酸ジブチルを用いている。還元剤は、例えば、ロジン、アビエチン酸等を適用することができる。なお、本実施形態では、アビエチン酸を用いている。なお、分散剤、可塑剤、還元剤は、必要に応じて添加すればよく、分散剤、可塑剤、還元剤を添加することなくAg-Cuペーストを構成してもよい。次に、図4に示すように、セラミックス基板11,21の一面側に金属板32,42を積層し、かつ、セラミックス基板11,21の他面側にヒートシンク13,23を積層する積層工程S12。次に、金属板32,42、セラミックス基板11,21、ヒートシンク13,23を積層方向に加圧圧力3.0~30kgf/cm2した状態で真空加熱炉内に装入して加熱し、セラミックス基板11,21とヒートシンク13,23との界面に溶融金属領域37,47を形成する。また、同時に、金属板32,42とセラミックス基板11,21との界面にも溶融金属領域38,48を形成する加熱工程S13。ここで、セラミックス基板11,21とヒートシンク13,23との界面の溶融金属領域37,47は、図5に示すように、Ag-Cu層33,43のAg及びCuがヒートシンク13,23側に拡散し、ヒートシンク13,23のAg-Cu層33,43近傍のAg濃度及びCu濃度が上昇して融点が低くなることによって形成されるものである。また、金属板32,42とセラミックス基板11,21との界面の溶融金属領域38,48は、Ag-Cu層34,44のAg及びCuが金属板32,42側に拡散し、金属板32,42のAg-Cu層34、44近傍のAg濃度及びCu濃度が上昇して融点が低くなることによって形成されるものである。なお、上述の圧力が3.0kgf/cm2未満の場合には、セラミックス基板11,21と金属板32,42との接合及びセラミックス基板11,21とヒートシンク13,23との接合を良好に行うことができなくなるおそれがある。また、上述の圧力が30kgf/cm2を超えた場合には、金属板32,42、ヒートシンク13,23が変形するおそれがある。よって、上述の加圧圧力は、3.0~30kgf/cm2の範囲内とすることが好ましい。ここで、本実施形態では、真空加熱炉内の圧力は10-6Pa以上10-3Pa以下の範囲内に、加熱温度は570°C以上650°C以下の範囲内に設定している。次に、セラミックス基板11,21とヒートシンク13,23との界面に溶融金属領域37,47が形成された状態で温度を一定に保持しておく。すると、溶融金属領域37,47中のAg及びCuが、さらにヒートシンク13,23側へと拡散していく。これにより、溶融金属領域37,47であった部分のAg濃度及びCu濃度が徐々に低下して融点が上昇することになり、温度を一定に保持した状態で凝固が進行していく溶融金属凝固工程S14。同様に、金属板32,42とセラミックス基板11,21との界面に形成された溶融金属領域38,48中のAg及びCuが、さらに金属板32,42側へと拡散していく。これにより、溶融金属領域38,48であった部分のAg濃度及びCu濃度が徐々に低下して融点が上昇することになり、温度を一定に保持した状態で凝固が進行していく。つまり、ヒートシンク13,23とセラミックス基板11,21、金属板32,42とセラミックス基板11,21とは、いわゆる液相拡散接合TransientLiquidPhaseDiffusionBondingによって接合されているのである。以上のようにして、金属板32,42とセラミックス基板11,21とが接合され、かつ、セラミックス基板11,21とヒートシンク13,23とが接合され、第1冷却機構10及び第2冷却機構20が形成されることになる。次に、図6に示すように、第1冷却機構10の導電層12と半導体素子2の一方の面とをはんだ接合する。また、第2冷却機構20の導電層22と半導体素子2の他方の面とをはんだ接合する半導体素子接合工程S02。ここで用いられるはんだ材は、例えばSn-Ag系、Sn-In系、若しくはSn-Ag-Cu系のはんだ材とされている。次に、外部接続端子6を配置し、この外部接続端子6と、回路パターンが形成された第2冷却機構20の導電層22とを、ワイヤーボンディングによって接続する。そして、第1冷却機構10、半導体素子2、第2冷却機構20を樹脂モールドによって一体化する樹脂モールド工程S03。このとき、少なくとも第1冷却機構10のセラミックス基板11とヒートシンク13との接合界面から第2冷却機構20のセラミックス基板21とヒートシンク23との接合界面までの領域を樹脂封止するように、樹脂モールドを実施する。また、外部接続端子6の一端が樹脂5から外部へと突出するように配設する。なお、樹脂モールド工程S03は、温度150°C以上200°C以下、圧力10MPa以上20MPa以下の条件で実施することが好ましい。以上のようにして、本実施形態であるパワーモジュールユニット1が製出される。このような構成とされたパワーモジュールユニット1を、並列配置、及び、積層配置し、外部接続端子6を介して互いに接続することで、パワーモジュール半導体装置を構成することが可能となる。前述の構成とされた本実施形態であるパワーモジュールユニット1及びパワーモジュールユニット1の製造方法によれば、図1に示すように、第1冷却機構10と第2冷却機構20とによって半導体素子2を挟持する構成とされていることから、半導体素子2の両面から冷却を行うことができ、半導体素子2を効率よく冷却することができる。また、第1冷却機構10及び第2冷却機構20は、ヒートシンク13,23とセラミックス基板11,21、セラミックス基板11,21と導電層12,22とが直接接合されているので、半導体素子2から発生する熱を、ヒートシンク13,23側へと効率良く伝達させることができ、ヒートシンク13,23の流路13A,23Aを流通する冷却媒体によって半導体素子2を効率良く冷却することができる。また、少なくとも第1冷却機構10のセラミックス基板11とヒートシンク13との接合界面から第2冷却機構20のセラミックス基板21とヒートシンク23との接合界面までの領域が、樹脂封止されているので、セラミックス基板11,21とヒートシンク13,23と接合界面に大きな応力が作用することが防止され、セラミックス基板11,21とヒートシンク13,23との接合信頼性が確保される。よって、信頼性に優れたパワーモジュールユニット1を提供することができる。すなわち、樹脂モールドを実施した場合、樹脂5内の部材には圧縮応力が作用することから、セラミックス基板11,21、ヒートシンク13,23、導電層12,22に対して引張応力が作用することが抑制され、これらセラミックス基板11,21、ヒートシンク13,23、導電層12,22における亀裂の発生が抑えられるのである。このように、セラミックス基板11,21における亀裂の発生が抑制されていることから、セラミックス基板11,21自体の厚さを薄く構成することが可能となる。すると、積層方向の熱抵抗が低下し、さらに効率よく半導体素子2を冷却することができる。また、樹脂5によって一体化されているので、取り扱いが容易であり、パワーモジュールユニット1を用いて、複雑な構造のパワーモジュール半導体装置を、容易に製造することができる。本実施形態では、セラミックス基板11,21とヒートシンク13,23とが、Ag及びCuを用いた液相拡散接合によって接合されているので、ヒートシンク13,23の接合界面近傍にAg及びCuが固溶することになる。よって、ヒートシンク13,23の接合界面近傍が固溶強化されており、ヒートシンク13,23とセラミックス基板11,21との接合界面に応力が作用した場合であっても、ヒートシンク13,23部分での破断を防止することができ、ヒートシンク13,23とセラミックス基板11,21との接合信頼性を向上させることができる。さらに、本実施形態では、導電層12,22とセラミックス基板11,21と接合にも、Ag及びCuを用いた液相拡散接合を用いているので、導電層12,22の接合界面近傍が、Ag及びCuの固溶によって強化されている。よって、導電層12,22とセラミックス基板と11,21の接合界面に応力が作用した場合であっても、導電層12,22部分での破断を防止することができる。また、Ag及びCuといった元素は、アルミニウムの融点を降下させる元素であるため、比較的低温条件において、ヒートシンク13,23とセラミックス基板11,21との界面、及び、金属板32,42とセラミックス基板11,21との界面に、それぞれ溶融金属領域37,47,38,48を形成することができる。よって、比較的低温、短時間の接合条件で接合しても、ヒートシンク13,23とセラミックス基板11,21、及び、金属板32,42とセラミックス基板11,21とを確実に接合することが可能となる。また、Cuは、アルミニウムに対して反応性の高い元素であるため、接合界面近傍にCuが存在することによって、ヒートシンク13,23の接合面及び金属板32,42の接合面が活性化することになる。よって、セラミックス基板11,21とヒートシンク13,23、及び、セラミックス基板11,21と金属板32,42と強固に接合することが可能となる。また、本実施形態では、セラミックス基板11,21の一面及び他面に、AgとCuとを含むAg-Cuぺーストを塗布してAg-Cu層33,43,34,44を形成するAg-Cu層形成工程S11を備えているので、セラミックス基板11,21とヒートシンク13,23、セラミックス基板11,21と金属板32,42の界面に、確実にAgとCuとを固着することができる。また、AgとCuの固着量を精度良く調整することができる。さらに、Ag-CuペーストにおけるCuの含有量が5質量以上とされているので、Cuによる強度向上、接合強度の向上を図ることができる。また、Ag-CuペーストにおけるCuの含有量が5質量以上とされているので、セラミックス基板11,21の一面及び他面に容易に塗布することができる。次に、本発明の第2の実施形態であるパワーモジュールユニット及びパワーモジュールユニットの製造方法について説明する。本発明の第2の実施形態であるパワーモジュールユニット101を図7に示す。このパワーモジュールユニット101は、半導体素子102と、この半導体素子102の一方の面側に配設された第1冷却機構110と、半導体素子102の他方の面側に配設された第2冷却機構120と、を有している。第1冷却機構110は、セラミックス基板111と、このセラミックス基板111の一面に形成された導電層112と、セラミックス基板111の他面に接合されたヒートシンク113と、を備えている。また、第2冷却機構120は、第1冷却機構110と同様の構造とされており、セラミックス基板121と、このセラミックス基板121の一面に形成された導電層122と、セラミックス基板121の他面に接合されたヒートシンク123と、を備えている。セラミックス基板111,121は、導電層112,122とヒートシンク113,123との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いSi3N4窒化珪素で構成されている。このセラミックス基板111,121の厚さは、0.2~1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、0.635mmに設定されている。導電層112,122は、セラミックス基板111,121の一面に導電性を有する金属板が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、導電層112,122は、タフピッチ銅の圧延板からなる銅板112A,122Aと4Nアルミニウムの圧延板からなるアルミニウム板112B、122Bとが積層された積層構造とされている。なお、第2冷却機構120の導電層122には、回路パターン図示なしが配設されている。ヒートシンク113,123は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる多穴管とされており、冷却媒体が流通する流路113A,123Aを備えている。本実施形態では、ヒートシンク113,123は、A1050で構成されている。そして、図7に示すように、セラミックス基板111,121とヒートシンク113,123との接合界面には、Ag焼結層115,125が形成されている。また、セラミックス基板111,121と導電層112,122との接合界面にもAg焼結層116,126が形成されている。さらに、導電層112,122を構成する銅板112A,122Aとアルミニウム板112B,122Bとの接合界面にもAg焼結層117,127が形成されている。ここで、Ag焼結層115,125,116,126,117,127の厚さは、5μm以上200μm以下の範囲内に設定されている。第1冷却機構110の導電層112と半導体素子102、及び、半導体素子102と第2冷却機構120の導電層122は、Ag焼結層103を介して接合されている。また、第2冷却機構120の導電層122は、ワイヤーボンディングによって外部接続端子106に接続されている。そして、本実施形態では、図7に示すように、第1冷却機構110のセラミックス基板111とヒートシンク113との接合界面から第2冷却機構120のセラミックス基板121とヒートシンク123との接合界面までの領域が、樹脂105で封止されて一体化されている。また、外部接続端子106は、その一端が樹脂105から外部へと突出するように配設されている。なお、樹脂105としては、例えば、エポキシ系樹脂SiO2フィラー入り等を適用することができる。以下に、前述の構成のパワーモジュールユニットの製造方法について説明する。本実施形態であるパワーモジュールユニット101の製造方法は、図8に示すように、第1冷却機構110及び第2冷却機構120を形成する冷却機構形成工程S101と、第1冷却機構110の導電層112及び第2冷却機構120の導電層122と半導体素子102とを接合する半導体素子接合工程S102と、第1冷却機構110のセラミックス基板111とヒートシンク113との接合界面から第2冷却機構120のセラミックス基板121とヒートシンク123との接合界面までの領域を樹脂105で封止する樹脂モールド工程S103と、を備えている。冷却機構形成工程S101においては、まず、図9に示すように、ヒートシンク113,123の接合面にAgペーストを塗布してAgペースト層133,143を形成するAgペースト塗布工程S111。また、導電層112,122を構成するアルミニウム板112B,122Bの両面にそれぞれAgペーストを塗布してAgペースト層134、144,135,145を形成する。そして、これらのAgペースト層133,143,134,144,135,145を20~30°Cで乾燥する。なお、Agペースト層133,143,134,144,135,145の厚さは、乾燥後で約10~200μmとされている。ここで使用されるAgペーストは、酸化Ag粉末と、アルコールと、酢酸Ag及び酢酸Cuと、を含有しており、質量比で、酸化Ag:アルコール:酢酸Ag及び酢酸Cu=9:1:2の割合で混合されている。酸化Ag粉末は、その粒径が0.05μm以上10μm以下とされており、本実施形態では、平均粒径2.5μmのものとした。なお、酸化Ag粉末の平均粒径は、例えば、マイクロトラック法を用いることで測定することができる。本実施形態では、d50メジアン径を平均粒径とした。次に、図9に示すように、セラミックス基板111,121の一面側にアルミニウム板112B,122Bを積層し、かつ、セラミックス基板111,121の他面側にヒートシンク113,123を積層する積層工程S112。また、アルミニウム板112B,122Bの上に銅板112A,122Aを積層する。次に、銅板112A,122A、アルミニウム板112B,122B、セラミックス基板111,121、ヒートシンク113,123を積層方向に加圧圧力5~40MPaした状態で、大気雰囲気で200~400°Cで加熱し、Agペースト層133,143,134,144,135,145を焼成して、Ag焼結層115,125,116,126,117,127とする焼成工程S113。これにより、セラミックス基板111,121とヒートシンク113,123とが、Ag焼結層115,125を介して接合されることになる。また、アルミニウム板112B,122Bと銅板112A,122AとがAg焼結層117,127を介して接合されるとともに、アルミニウム板112B,122Bとセラミックス基板111,121とがAg焼結層116,126を介して接合され、セラミックス基板111,121の一面に導電層112,122が形成されることになる。以上のようにして、ヒートシンク113,123とセラミックス基板111,121とが接合され、かつ、銅板112A,122Aとアルミニウム板112B,122Bとセラミックス基板111,121とが接合され、第1冷却機構110及び第2冷却機構120が形成されることになる。次に、第1冷却機構110の導電層112と半導体素子102の一方の面とを、上述のAgペーストを用いて接合する。また、第2冷却機構120の導電層122と半導体素子102の他方の面とを、上述のAgペーストを用いて接合する半導体素子接合工程S102。なお、上述の焼成工程S113において半導体素子102と導電層112,122とを同時接合してもよい。次に、外部接続端子106を配置し、この外部接続端子106と、回路パターンが形成された第2冷却機構120の導電層122とを、ワイヤーボンディングによって接続する。そして、第1冷却機構110、半導体素子102、第2冷却機構120を樹脂モールドによって一体化する樹脂モールド工程S103。このとき、少なくとも第1冷却機構110のセラミックス基板111とヒートシンク113との接合界面から第2冷却機構120のセラミックス基板121とヒートシンク123との接合界面までの領域を樹脂封止するように、樹脂モールドを実施する。また、外部接続端子106の一端が樹脂105から外部へと突出するように配設する。なお、樹脂モールド工程S103は、温度150°C以上200°C以下、圧力10MPa以上20MPa以下の条件で実施することが好ましい。以上のようにして、本実施形態であるパワーモジュールユニット101が製出される。このような構成とされたパワーモジュールユニット101を、並列配置、及び、積層配置し、外部接続端子106を介して互いに接続することで、パワーモジュール半導体装置を構成することが可能となる。前述の構成とされた本実施形態であるパワーモジュールユニット101及びパワーモジュールユニット101の製造方法によれば、第1の実施形態と同様に、半導体素子102を両面から冷却でき、かつ、セラミックス基板111,121とヒートシンク113,123とが接合されていることから、半導体素子102を効率よく冷却することが可能となる。また、ヒートシンク113,123とセラミックス基板111,121との接合界面が樹脂105で封止されていることから、ヒートシンク113,123とセラミックス基板111,121との接合信頼性が確保され、信頼性に優れたパワーモジュールユニット101を提供することができる。本実施形態では、第1冷却機構110及び第2冷却機構120において、ヒートシンク113,123とセラミックス基板111,121とが、Ag焼結層115,125を介して接合されているので、ヒートシンク113,123とセラミックス基板111,121との接合界面に応力が作用した場合であっても、この応力をAg焼結層115,125で吸収することができ、ヒートシンク113,123とセラミックス基板111,121との接合信頼性を向上させることができる。また、Ag焼結層115,125は熱伝導性に優れていることから、積層方向の熱抵抗が高くならず、半導体素子102を効率的に冷却することができる。また、本実施形態では、導電層112,122が、銅板112A,122Aとアルミニウム板112B,122Bとの積層構造とされていることから、熱伝導性に優れた銅板112A,122A部分で熱を面方向に広げることができ、半導体素子102をさらに効率よく冷却することができる。この銅板112A,122Aとアルミニウム板112B、122B、アルミニウム板112B,122Bとセラミックス基板111,121についても、Ag焼結層116,126,117,127を介して接合されていることから、銅板112A,122Aとアルミニウム板112B,122B、アルミニウム板112B、122Bとセラミックス基板111,121の接合界面に作用する応力をAg焼結層116,126,117,127で吸収することができ、銅板112A,122Aとアルミニウム板112B,122B、アルミニウム板112B,122Bとセラミックス基板111、121の接合信頼性を確保することができる。次に、本発明の第3の実施形態であるパワーモジュールユニット及びパワーモジュールユニットの製造方法について説明する。図10に、本発明の第3の実施形態であるパワーモジュールユニット201を示す。このパワーモジュールユニット201は、半導体素子202と、この半導体素子202の一方の面側に配設された第1冷却機構210と、半導体素子202の他方の面側に配設された第2冷却機構220と、を有している。第1冷却機構210は、セラミックス基板211と、このセラミックス基板211の一面に形成された導電層212と、セラミックス基板211の他面に接合されたヒートシンク213と、を備えている。また、第2冷却機構220は、第1冷却機構210と同様の構造とされており、セラミックス基板221と、このセラミックス基板221の一面に形成された導電層222と、セラミックス基板221の他面に接合されたヒートシンク223と、を備えている。セラミックス基板211,221は、導電層212,222とヒートシンク213,223との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いAl2O3アルミナで構成されている。このセラミックス基板211,221の厚さは、0.2~1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、0.32mmに設定されている。導電層212,222は、セラミックス基板211,221の一面に導電性を有する金属板232,242が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、導電層212,222は、純度が99.99以上のアルミニウムいわゆる4Nアルミニウムの圧延板からなる金属板232,242がセラミックス基板211,221に接合されることにより形成されている。なお、第2冷却機構220の導電層222には、回路パターン図示なしが形成されている。ヒートシンク213,223は、図10に示すように、アルミニウム又はアルミニウム合金の板材とされている。本実施形態では、ヒートシンク213,223はA1050で構成されている。第1冷却機構210の導電層212と半導体素子202、及び、半導体素子202と第2冷却機構220の導電層222は、はんだ層203を介して接合されている。また、第2冷却機構220の導電層222は、ワイヤーボンディングによって外部接続端子206に接続されている。そして、本実施形態では、図10に示すように、第1冷却機構210のセラミックス基板211とヒートシンク213との接合界面から第2冷却機構220のセラミックス基板221とヒートシンク223との接合界面までの領域が、樹脂205で封止されて一体化されている。また、外部接続端子206は、その一端が樹脂205から外部へと突出するように配設されている。なお、樹脂205としては、例えば、エポキシ系樹脂SiO2フィラー入り等を適用することができる。以下に、前述の構成のパワーモジュールユニット201の製造方法について説明する。本実施形態であるパワーモジュールユニットの製造方法は、図11に示すように、第1冷却機構210及び第2冷却機構220を形成する冷却機構形成工程S201と、第1冷却機構210の導電層212及び第2冷却機構220の導電層222と半導体素子202とを接合する半導体素子接合工程S202と、第1冷却機構210のセラミックス基板211とヒートシンク213との接合界面から第2冷却機構220のセラミックス基板221とヒートシンク223との接合界面までの領域を樹脂205で封止する樹脂モールド工程S203と、を備えている。冷却機構形成工程S201では、まず、図12に示すように、セラミックス基板211,221の一面と金属板232,242との間にAl-Si系のろう材箔234,244を配設する。また、セラミックス基板211,221の他面とヒートシンク213,223との間にAl-Si系のろう材箔233,243を配設する。ここで、本実施形態では、Al-7.5質量Siからなり、厚さ10~12μmのろう材箔を用いている。次に、金属板232,242、セラミックス基板211,221、ヒートシンク213,223を積層方向に加圧圧力1.5~6.0kgf/cm2した状態で真空加熱炉内に装入して加熱し、セラミックス基板211,221とヒートシンク213,223との界面に溶融金属領域237,247を形成する。また、同時に、金属板232,242とセラミックス基板211,221との界面に溶融金属領域238,248を形成する。ここで、本実施形態では、真空加熱炉内の圧力は10-6Pa以上10-3Pa以下の範囲内に、加熱温度は640°C以上650°C以下の範囲内に設定している。そして、上述の溶融金属領域237,247,238,248を凝固させることにより、金属板232,242とセラミックス基板211,221とが接合され、セラミックス基板211,221とヒートシンク213,223とが接合される。これにより、本実施形態における第1冷却機構210及び第2冷却機構220が形成されることになる。次に、第1冷却機構210の導電層212と半導体素子202の一方の面とをはんだ接合する。また、第2冷却機構220の導電層222と半導体素子202の他方の面とをはんだ接合する半導体素子接合工程S202。ここで用いられるはんだ材は、例えばSn-Ag系、Sn-In系、若しくはSn-Ag-Cu系のはんだ材とされている。次に、外部接続端子206を配置し、この外部接続端子206と、回路パターンが形成された第2冷却機構220の導電層222とを、ワイヤーボンディングによって接続する。そして、第1冷却機構210、半導体素子202、第2冷却機構220を樹脂モールドによって一体化する樹脂モールド工程S203。このとき、少なくとも第1冷却機構210のセラミックス基板211とヒートシンク213との接合界面から第2冷却機構220のセラミックス基板221とヒートシンク223との接合界面までの領域を樹脂封止するように、樹脂モールドを実施する。また、外部接続端子206の一端が樹脂205から外部へと突出するように配設する。なお、樹脂モールド工程S203は、温度150°C以上200°C以下、圧力10MPa以上20MPa以下の条件で実施することが好ましい。以上のようにして、本実施形態であるパワーモジュールユニット201が製出される。このような構成とされたパワーモジュールユニット201は、例えば図13に示すように、ヒートシンク213,223に冷却管251が接合されて使用される。また、ひとつの冷却管251の両面に、それぞれ本実施形態であるパワーモジュールユニット201が接合され、積層構造のパワーモジュール250が構成されることになる。前述の構成とされた本実施形態であるパワーモジュールユニット201及びパワーモジュールユニット201の製造方法によれば、第1、第2の実施形態と同様に、半導体素子202を両面から冷却でき、かつ、セラミックス基板211,221とヒートシンク213,223とが接合されていることから、半導体素子202を効率よく冷却することが可能となる。また、ヒートシンク213,223とセラミックス基板211,221との接合界面が樹脂205で封止されていることから、セラミックス基板211,221とヒートシンク213,223との接合信頼性が確保され、信頼性に優れたパワーモジュールユニット201を提供することができる。また、本実施形態では、第1冷却機構210及び第2冷却機構220において、ヒートシンク213,223とセラミックス基板211,221とがろう材箔233,243を用いて接合されているので、ヒートシンク213,223とセラミックス基板211,221とを確実に接合することができる。そして、本実施形態では、図13に示すように、ヒートシンク213,223としてアルミニウム又はアルミニウム合金からなる板材が用いられており、このヒートシンク213,223が、パワーモジュールユニット201の外部に配設された冷却管251に接合して使用する構成とされているので、複雑な構造のパワーモジュール250半導体装置を簡単に構成することができる。また、図13に示すように、一つの冷却管251の両面にパワーモジュールユニット201,201を配設することで、積層構造とされたパワーモジュール250の薄型化、省スペース化を図ることができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、絶縁基板であるセラミックス基板を、AlN、Si3N4、Al2O3で構成されたものとして説明したが、これに限定されることはなく、SiC等の他のセラミックス基板を用いてもよい。また、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンクを用いたものとして説明したが、これに限定されることはなく、銅又は銅合金からなるヒートシンクであってもよい。この場合、セラミックス基板とヒートシンクとの接合には、Ag-Cu-Ti等を用いた活性金属法や、Cu-Cu2Oの共晶反応を利用した直接接合法DBC法を適用することができる。同様に、セラミックス基板と銅板とを接合して導電層を構成してもよい。第1の実施形態において、Ag及びCuを用いた液相拡散接合によってセラミックス基板とヒートシンクとを接合する構成として説明したが、これに限定されることはなく、Cu,Si,Ag,Zn,Mg,Ge,Ca,Ga及びLiから選択される1種又は2種以上の添加元素を用いて液相拡散接合してもよい。さらに、Ag-Cuペーストを塗布することによって、ヒートシンクとセラミックス基板の界面にAg及びCuを固着するものとして説明したが、これに限定されることはなく、めっき、蒸着、CVD、スパッタリング、コールドスプレー、又は、粉末が分散しているインクなどの塗布によって、添加元素を固着させる構成としてもよい。また、ヒートシンクとセラミックス基板との液相拡散接合を、真空加熱炉を用いて行うものとして説明したが、これに限定されることはなく、N2雰囲気、Ar雰囲気及びHe雰囲気等でヒートシンクとセラミックス基板との液相拡散接合を行ってもよい。第2の実施形態において、導電層を銅板とアルミニウム板の積層構造とし、銅板とアルミニウム板とをAg焼結層を介して接合するものとして説明したが、これに限定されることはなく、はんだ材を用いて銅板とアルミニウム板とを接合してもよい。また、Agペーストの組成は、本実施形態に限定されることはなく、接合強度が確保されるAg焼結層を形成可能なものであればよい。第3の実施形態において、ヒートシンクとセラミックス基板とを、Al-Si系のろう材箔を用いて接合するものとして説明したが、これに限定されることはなく、Al-Ge系等の他のろう材を用いてもよいし、ろう材ペースト等を用いてもよい。また、本実施形態では、第1冷却機構と第2冷却機構とが同じ構造とされたものとして説明したが、第1冷却機構と第2冷却機構とが別構造とされていてもよい。例えば、第1冷却機構として第1の実施形態で説明した冷却機構を適用し、第2冷却機構として第2の実施形態で説明した冷却機構を適用してもよい。さらに、図14に示すように、第1冷却機構310及び第2冷却機構320において、ヒートシンク313,323の両面にセラミックス基板311,321,315,325を接合してもよい。また、図15に示すように、第1冷却機構410及び第2冷却機構420において、ヒートシンク413,423の両面にセラミックス基板411,421,415,425を接合し、かつ、導電層416,426を形成してもよい。このような構成のパワーモジュールユニット301,401においては、接合時の反りの発生を抑制することが可能となる。また、これらのパワーモジュールユニット301,401に対して、電子部品等を積層するように配設することが可能となる。本発明の有効性を確認するために行った比較実験について説明する。本発明例20mm×40mm×0.635mmのセラミックス基板に、18mm×38mm×0.6mmの導電層金属板と、21.25mm×60mm×2.5mmのヒートシンクとを接合し、冷却機構を形成した。ここで、ヒートシンクは、A1050からなる多穴管とした。ヒートシンク多穴管の形状は、図16に示すように、a=1.25mm、b=1.5mm、c=1.0mm、d=0.5mmとした。13mm×10mm×0.25mmのヒータチップの一方の面と上述の冷却機構第1冷却機構の導電層とをはんだ接合した。また、ヒータチップの他方の面と上述の冷却機構第2冷却機構の導電層とをはんだ接合した。なお、はんだ材としてSn-Ag-Cu系を用いた。そして、ヒータチップ、第1冷却機構、第2冷却機構を、樹脂モールドした。樹脂として、エポキシ系樹脂SiO2フィラー入りを使用し、温度190°C、圧力16MPaの条件で樹脂モールドを実施した。このとき、第1冷却機構のセラミックス基板とヒートシンクとの接合界面から、第2冷却機構のセラミックス基板とヒートシンクとの接合界面までの領域を樹脂封止した。導電層、セラミックス基板の材質、セラミックス基板と導電層との接合方法、ヒートシンクとセラミックス基板の接合方法は、表1に示すものを適用した。なお、導電層として銅板とアルミニウム板との積層板を用いる場合には、銅板の厚さを2.0mm、アルミニウム板の厚さを0.4mmとした。また、導電層として用いられる銅板はタプピッチ銅の圧延板とし、アルミニウム板は4Nアルミの圧延板とした。液相拡散接合は、添加元素としてAg,Cuを用いた。Agの固着量を1.3mg/cm2とし、Cuの固着量を0.5mg/cm2とした。そして、真空中10-5Torr、荷重160kgf、温度620°Cで液相拡散接合を実施した。ろう付けは、Al-7.5質量Siのろう材箔厚さ15μmを用いて、真空中10-5Torr、荷重50kgf、温度650°Cで実施した。Ag焼結層による接合は、Agペーストとして、Ag2O粉末株式会社ワコーケミカル製、純度99質量以上、粒径2~3μm、ミリスチルアルコール和光純薬工業株式会社製、酢酸Ag関東化学株式会社製を含むものとし、質量比で、Ag2O粉末:ミリスチルアルコール:酢酸Ag=9:1:2で混合したものを用いた。このAgペーストを塗布し、大気中で荷重10MPa,温度300°Cで焼成することで接合した。比較例比較例は、ヒートシンクとセラミックス基板とを、本発明例と同様に接合し、樹脂モールドを実施しない構成とした。従来例従来例は、特開2007-165620号公報に開示されているように、ヒータチップの両面に銅板をはんだ接合し、銅板とヒータチップとを樹脂モールドして、半導体モジュールとした。この半導体モジュールの両面に、それぞれグリスを介してセラミックス基板を配置した。また、セラミックス基板の外側に、それぞれグリスを介して上述のヒートシンクを配置した。なお、グリスとして信越シリコーン株式会社製G-751を使用し、グリスの厚さを0.1mmとした。また、銅板とヒータチップとのはんだ接合、樹脂モールドは、本発明例、比較例と同様の条件で実施した。評価評価として、初期熱抵抗と冷熱サイクル後の熱抵抗を測定した。また、パワーサイクル負荷時の熱抵抗の上昇率を評価した。熱抵抗は以下のようにして測定した。ヒータチップを100Wの電力で加熱し、熱電対を用いてヒータチップの温度を実測した。また、ヒートシンクを流通する冷却媒体エチレングリコール:水=1:1の温度を実測した。そして、ヒータチップの温度と冷却媒体の温度差を電力で割った値を熱抵抗とした。冷熱サイクルは、エスペック株式会社製TSB-51を用いて、液相としてフロリナート住友スリーエム株式会社製を使用して実施した。-40°C×5分←→125°C×5分を1サイクルとして2000サイクル実施した。パワーサイクルは、IGBT素子に、15V、150Aの通電条件で、通電時間2秒、冷却時間8秒を繰り返し実施し、温度を30°Cから130°Cの範囲で変化させた。このパワーサイクルを100000回実施した後、熱抵抗を測定した。そして、パワーサイクル後の熱抵抗の初期熱抵抗に対する上昇率を算出した。評価結果を表1、表2、表3に示す。従来例では、初期熱抵抗、冷熱サイクル後の熱抵抗がともに高く、ヒータチップを効率よく冷却することができなかった。これは、グリスによって熱伝導が阻害されたためと推測される。比較例では、初期熱抵抗は低いものの、冷熱サイクル後の熱抵抗が高くなった。また、パワーサイクル後の熱抵抗の上昇率が非常に大きくなっていることが確認される。冷熱サイクル及びパワーサイクルによる応力がヒートシンクとセラミックス基板との接合界面に作用し、ヒートシンクとセラミックスとの接合が不十分となったためと推測される。これに対して、本発明例においては、初期熱抵抗、冷熱サイクル後の熱抵抗がともに低い値を示した。このように、本発明例によれば、長期間にわたって半導体素子を効率よく冷却可能なパワーモジュールユニットを提供できることが確認された。"