"センサ出力に所定の周波数のPWM波形を重畳させるCPUと、前記PWM波形が重畳したセンサ出力をそれぞれ入力して前記センサ出力を測定する複数の電圧検出手段と、該複数の電圧検出手段で検出される前記センサ出力がそれぞれ異なる所定の電圧に達するまでの時間を測定する複数のタイマーを備え、前記複数のタイマーで測定した時間に基づいて前記センサ内部の抵抗値を測定することを特徴とするガラス膜抵抗測定回路。前記所定の周波数を設定したときに前記複数の電圧検出手段により計測される前記所定の電圧に達するまでの時間が、起動時に設定した所定の時間よりも所定時間短くなったときに前記所定の周波数を高くすることを特徴とする請求項1に記載のガラス膜抵抗測定回路。しかしながら、図5に示す測定回路では、センサの起電力Vgも抵抗RgとRによって1式に示すように分圧されてしまい誤差になる。また、オペアンプなどのオフセット電圧も誤差になる。また、図6に示す測定回路もセンサの起電力Vgの影響を受ける。さらに、ガラス膜抵抗Rgが1MΩ以上になると時定数が大きくなることから精度良く計ることが難しく、実際には抵抗値の値を表示することが出来ない。そのため、10MΩ以上、10M~1MΩの間、1M~1kΩの間など、抵抗値Rgはある範囲でしか表示することができない。従って本発明は、センサのガラス膜抵抗Rgとバッファ23aの入力端子間に接続されたコンデンサCの過渡応答を利用し、測定箇所を連続的に複数箇所測定することで、ガラス膜抵抗Rgの値を従来よりも幅広い範囲10kΩ~100MΩ程度で測定できるようにし、また、サンプリングホールド回路を除去して、応答波形に重畳している直流成分を直流カットコンデンサなどを使用せずに計算で除去し、PWMの周波数を可変にすることで、測定時間を短縮し広範囲のガラス膜抵抗を高精度に測定可能としたガラス膜抵抗測定回路を提供することを目的としている。本発明は上記課題を解決するためになされたもので、請求項1に記載のガラス膜抵抗測定回路においては、センサ出力に所定の周波数のPWM波形を重畳させるCPUと、前記PWM波形が重畳したセンサ出力をそれぞれ入力して前記センサ出力を測定する複数の電圧検出手段と、該複数の電圧検出手段で検出される前記センサ出力がそれぞれ異なる所定の電圧に達するまでの時間を測定する複数のタイマーを備え、前記複数のタイマーで測定した時間に基づいて前記センサ内部の抵抗値を測定することを特徴とするガラス膜抵抗測定回路。ことを特徴とする。請求項2においては、請求項1に記載のガラス膜抵抗測定回路において、前記所定の周波数を設定したときに前記複数の電圧検出手段により計測される前記所定の電圧に達するまでの時間が、起動時に設定した所定の時間よりも所定時間短くなったときに前記所定の周波数を高くすることを特徴とする。以上説明したことから明らかなように本発明の請求項1によれば、センサ出力に所定の周波数のPWM波形を重畳させるCPUと、前記PWM波形が重畳したセンサ出力をそれぞれ入力して前記センサ出力を測定する複数の電圧検出手段と、該複数の電圧検出手段で検出される前記センサ出力がそれぞれ異なる所定の電圧に達するまでの時間を測定する複数のタイマーを備え、前記複数のタイマーで測定した時間に基づいて前記センサ内部の抵抗値を測定するように構成したので、従来よりも幅広い範囲10kΩ~100MΩ程度を測定でき、PWMの周波数を変えることで抵抗値を精度よく測定することができ、直流成分の影響も受けないガラス膜抵抗測定回路することができる。また、回路の直流成分を除去することで回路の簡略化を図ることができる。請求項2によれば、前記所定の周波数を設定したときに前記複数の電圧検出手段により計測される前記所定の電圧に達するまでの時間が、起動時に設定した所定の時間よりも所定時間短くなったときに前記所定の周波数を高くするので、抵抗値測定精度の向上や測定時間の短縮を図ることができる。図1a~cは本発明のガラス膜抵抗測定回路の実施形態の一例を示すもので、図1aは要部ブロック構成図、bは起動時における測定周波数の算出のための説明図、cは通常測定時におけるタイマーでの時間計測の一例を示す説明図である。図1aにおいて、図5、図6と同一要素には同一符号を付して重複する説明は省略する。22は本発明における変換器であり、CPU27はセンサ21に対してバッファー23bを介してPWM波形を出力し、センサ21の出力に例えばデューティ比50の矩形波を重畳させる。矩形波が重畳された信号はバッファー23aに入力され、その出力は後段に接続された第1電圧検出手段28aに入力される。バッファー23aからの出力信号は同じくバッファー23aの後段に接続された第2電圧検出手段28bにも入力される。これら第1,第2電圧検出手段28a28bはバッファー23aからの電圧値を検出する。29aは第1電圧検出手段28aの後段に接続された第1タイマーであり、29abは第2電圧検出手段28bの後段に接続された第2タイマーである。第1第2タイマー29a29bにはCPU27からPWMが入力されると共にタイマースタートパルスが入力される。図1bは図1aに示すガラス膜抵抗測定回路における起動時の印加信号イの周波数の算出例を示すもので、印加信号Vに対して出力が70になるまでの第2タイマー29bの時間を計測している。図1cは図1aに示すガラス膜抵抗測定回路における第1,第2タイマー29a29bでVinの電圧が印加信号Vの30,70になるまでの時間を測定している状態を示している。図2は本発明におけるガラス膜抵抗測定のフローを示す図である。フローに従って説明する。ステップ1起動時において、印加信号の周波数を決めるためにCPU27のPWM出力ポートをL→Hにする。ステップ2応答波形が70電圧値になるまでの時間t70を第2タイマー29bで計測するPWM出力ポートをL→Hにする。そのタイミングで第2タイマー29bがスタートする。Vinの電圧が70になると70電圧検出28bの出力がL→Hになり第2タイマーに入力され第2タイマーがストップする。タイマーがスタートしてストップするまでの時間をCPU27はシリアル通信でタイマーより読み込む。ステップ3CPUのPWM出力を周波数1/Hzに設定し、PWM波形を出力するここで、周波数を1/Hzに設定するのは図1b,cに示す応答波形が十分に100になるまでの時間を確保するためのもので、必ずしも70に達するまでの時間の8倍でなくても良い。ステップ4応答波形が30電圧値になるまでの時間t30を第1タイマー29aで測定する。ステップ5応答波形が70電圧値になるまでの時間t70をタイマー29bで測定するステップ6ガラス膜抵抗Rgを計算する。ステップ7測定を終了するか否かを判断する。終了するのであればステップ9に進む。ステップ9PWM出力を停止する。ステップ7において、測定を終了しない場合は、ステップ8に進む。ステップ8現在の周波数<1/Hzであるかを判断し、NOの場合はステップ4に戻る。YESの場合はステップ10に進む。ステップ10印加信号Vの周波数を1/Hzに設定し、CPUのPWM出力を出力し、ステップ4に戻る。抵抗の測定はステップ4~ステップ8→ステップ10を繰り返す。上記のフローにおいて、ステップ6におけるガラス膜抵抗は以下の計算式により計算する。図1に示すコンデンサCの容量を100pF、印加信号Vの電圧を2V、第1タイマーで測定した時間をt30例えば3.5×103秒、第2タイマーで測定した時間をt70例えば10×103秒としたとき、ガラス膜抵抗Rgは次のようになる。ここでVoffは応答波形に重畳している直流成分で、,式より求めることが出来る。ガラス膜抵抗Rgはセンサが劣化すると抵抗値が下がるため、抵抗の測定を続ける場合は、PWMの周波数が適切か否かを判断する。抵抗値が下がると70電圧値になるまでに時間が短くなるため、周波数を設定したときの70電圧値になるまでの時間に対し、現在の70電圧値になるまでの時間が例えば半分になったら周波数の設定を変える。次の不等号が成り立つときはステップ8に示すように周波数の設定を変える。なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。例えば、本実施例においては、CPUのPWM出力を周波数=1/Hzとしたが8倍に限ることなく応答波形が100になるまでの時間が十分に確保できれば例えば2以上に設定してもよい。また、実施例では応答波形の電圧が30と70になるまでの時間をタイマーで測定したがこの数値に限るものではなく、例えば40と80でもよい。従って本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形を含むものである。"