III-V半導体層を含む半導体構造を形成する方法であって、第1の組の成長条件を使用して第1のIII-V半導体副層を成長させるステップ、および前記第1の組の成長条件と異なる第2の組の成長条件を使用して前記第1のIII-V半導体副層の上に少なくとも第2のIII-V半導体副層を成長させるステップを含むIII-V半導体層を成長させるステップであって、前記第1のIII-V半導体副層および前記少なくとも第2のIII-V半導体副層は、前記III-V半導体層を形成するステップと、前記第1のIII-V半導体層の臨界厚さよりも厚くかつ前記第2のIII-V半導体副層の臨界厚さよりも薄い平均全厚さを持つように前記III-V半導体層を形成するステップと、前記III-V半導体層の組成が前記III-V半導体層の平均全厚さにわたって少なくとも実質的に一定であるように、前記第1のIII-V半導体副層の成長表面へのIII族元素の正味組込み率が、前記少なくとも第2のIII-V半導体副層の成長表面への前記III族元素の正味組込み率に少なくとも実質的に等しくなるように、前記第1の組の成長条件および前記第2の組の成長条件を選ぶステップとを含むことを特徴とする方法。前記第1の組の成長条件および前記第2の組の成長条件を選ぶ前記ステップは、前記第1のIII-V半導体層の成長表面への前記III族元素の流入束に比べて、前記少なくとも第2のIII-V半導体層の成長表面への前記III族元素の流入束を減らすステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1のIII-V半導体層の成長表面への前記III族元素の流入束に比べて、前記少なくとも第2のIII-V半導体層の成長表面への前記III族元素の流入束を減らす前記ステップは、III族前駆物質の分圧を下げるステップ、反応炉圧力を下げるステップ、前駆物質流量を減らすステップ、前記III族前駆物質のアルキルに対する比を減らすステップ、V族前駆物質流量を増やすステップ、および不活性ガス流量を増やすステップのうちの少なくとも1つをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。前記第1の組の成長条件および前記第2の組の成長条件を選ぶ前記ステップは、前記第1のIII-V半導体層の成長表面からの前記III族元素の脱離束に比べて、前記少なくとも第2のIII-V半導体層の成長表面からの前記III族元素の脱離束を増やすステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1のIII-V半導体層の成長表面からの前記III族元素の脱離束に比べて、前記少なくとも第2のIII-V半導体層の成長表面からの前記III族元素の脱離束を増やす前記ステップは、基板成長温度を上げるステップ、反応炉成長圧力を下げるステップ、拡散境界層厚さを減らすステップ、および基板回転速度を上げるステップのうちの少なくとも1つをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。前記III-V半導体層は実質的に歪み緩和が無いように、前記第1の組の成長条件および前記第2の組の成長条件を選ぶステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。窒化インジウムガリウムInGaNの層を含むように前記III-V半導体層を選ぶステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。インジウムを含むように前記III族元素を選ぶステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。窒化インジウムガリウムInGaN層を成長させる方法であって、第1のInGaN副層を、第1の組の成長条件を利用して前記第1のInGaN副層の臨界厚さ以下の第1の厚さに成長させるステップと、第2のInGaN副層を、異なる第2の組の成長条件を利用して、前記InGaN層の平均厚さが前記第1のInGaN副層の臨界厚さよりも厚くかつ前記第2のInGaN副層の臨界厚さ以下であるように成長させるステップと、前記InGaN層中のインジウム濃度が前記InGaN層の前記平均厚さにわたって少なくとも実質的に一定であるように、前記第1の組の成長条件におけるインジウム前駆物質の流量に比べて前記インジウム前駆物質の減少した流量および前記第1の組の成長条件における反応炉成長温度に比べて高くなった反応炉成長温度のうちの少なくとも1つを含むように、前記異なる第2の組の成長条件を選ぶステップとを含むことを特徴とする方法。前記InGaN層は少なくとも実質的に歪み緩和が無いように、前記異なる第2の組の成長条件を選ぶステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。少なくとも1つの追加の組の成長条件を利用して、前記第2のInGaN副層上に少なくとも1つの追加のInGaN副層を成長させるステップと、前記InGaN層中のインジウム濃度が前記InGaN層の前記平均厚さにわたって実質的に一定であり、かつ前記InGaN層は実質的に歪み緩和が無いように、前記少なくとも1つの追加の組の成長条件を選ぶステップとをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。前記異なる第2の組の成長条件を選ぶ前記ステップは、前記第2のInGaN副層を成長させながらインジウム前駆物質の流量を毎分おおよそ5sccm以下だけ減らすステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。前記異なる第2の組の成長条件を選ぶ前記ステップは、前記第2のInGaN副層を成長させながら反応炉成長温度を毎分およそ10°C以下の率で上げるステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。窒化インジウムガリウムInGaN層であって、第1のInGaN副層と、前記第1のInGaN副層の上に配置された少なくとも第2のInGaN副層とを含み、前記InGaN層の全厚さが、前記第1のInGaN副層の厚さと前記少なくとも第2のInGaN副層の厚さの和に等しく、前記InGaN層の前記全厚さが、前記第1のInGaN副層の臨界厚さよりも厚くかつ前記少なくとも第2のInGaN副層の臨界厚さよりも薄いことを特徴とするInGaN層。前記第1のInGaN副層中のインジウム濃度は、前記少なくとも第2のInGaN副層中のインジウム濃度に少なくとも実質的に等しいことを特徴とする請求項14に記載のInGaN層。前記InGaN層中のインジウム濃度は、前記InGaN層の全厚さにわたって少なくとも実質的に一定であることを特徴とする請求項14に記載のInGaN層。前記InGaN層は、少なくとも実質的に歪み緩和が無いことを特徴とする請求項14に記載のInGaN層。前記InGaN層は、インジウム濃度が少なくとも約5であり、全厚さが少なくとも約200nmであることを特徴とする請求項14に記載のInGaN層。前記InGaN層は、インジウム濃度が少なくとも約8であり、全厚さが少なくとも約150nmであることを特徴とする請求項14に記載のInGaN層。窒化インジウムガリウムInGaN層であって、第1のInGaN副層の臨界厚さ以下の厚さを有する前記第1のInGaN副層と、前記第1のInGaN副層上に配置された第2のInGaN副層とを含み、前記InGaN層の厚さが前記第1のInGaN副層の前記臨界厚さよりも厚く、かつ前記第2のInGaN副層の厚さが前記第2のInGaN副層の臨界厚さ以下であり、さらに前記第1のInGaN副層中のインジウム濃度が、前記第2のInGaN副層中のインジウム濃度に少なくとも実質的に等しいことを特徴とするInGaN層。本発明の様々な実施形態は、一般的に、III-V半導体構造およびそのようなIII-V半導体構造を形成する方法に関する。例えば、いくつかの実施形態で、本発明は、窒化インジウムガリウムInGaN構造およびInGaN構造を形成する方法を含む。この概要は、本発明のいくつかの実施形態例のうちのどの概念が以下の詳細な説明でさらに説明されるかという概念の選択を単純化して紹介するために提供される。この概要は、特許請求される内容の重要な特徴および本質的な特徴を識別するように意図されていないし、また特許請求される内容の範囲を限定するために使用されるようにも意図されていない。いくつかの実施形態では、本発明は、III-V半導体層を含む半導体構造を形成する方法を含んでいる。III-V半導体層は、第1の組の成長条件を使用して第1のIII-V半導体副層を成長させ、さらに第1の組の成長条件と異なる第2の組の成長条件を使用して第1のIII-V半導体副層の上に少なくとも第2のIII-V半導体副層を成長させることによって成長されることがあり、第1のIII-V半導体副層と前記少なくとも第2のIII-V半導体副層とがIII-V半導体層を形成している。III-V半導体層は、第1のIII-V半導体層の臨界厚さよりも厚くかつ第2のIII-V半導体副層の臨界厚さよりも薄い平均全厚さを持つように形成されることがある。III-V半導体層の組成がIII-V半導体層の平均全厚さにわたって少なくとも実質的に一定であるように、第1のIII-V半導体副層の成長表面へのIII族元素の正味組込み率が、前記少なくとも第2のIII-V半導体副層の成長表面へのIII族元素の正味組込み率に少なくとも実質的に等しくなるように、第1の組の成長条件および第2の組の成長条件は選ばれることがある。追加の実施形態では、本発明は、窒化インジウムガリウムInGaN層を成長させる方法を含んでいる。第1のInGaN副層は、第1の組の成長条件を利用して、第1のInGaN副層の臨界厚さ以下の第1の厚さに成長されることがある。第2のInGaN副層は、InGaN層の平均厚さが第1のInGaN副層の臨界厚さよりも厚くかつ第2のInGaN副層の臨界厚さ以下であるように、異なる第2の組の成長条件を利用して成長されることがある。異なる第2の組の成長条件は、InGaN層中のインジウム濃度がInGaN層の平均厚さにわたって少なくとも実質的に一定であるように、第1の組の成長条件でのインジウム前駆物質の流量に比べてインジウム前駆物質の減少した流量および第1の組の成長条件での反応炉成長温度に比べて高くなった反応炉成長温度のうちの少なくとも1つを含むように選ばれることがある。本発明の様々な実施形態は、また、本明細書で説明される方法によって形成された構造を含むことがある。例えば、さらに他の実施形態で、本発明は窒化インジウムガリウムInGaN層を含み、このInGaN層は、第1のInGaN副層と、第1のInGaN副層の上に配置された少なくとも第2のInGaN副層とを含む。InGaN層の全厚さは、第1のInGaN副層の厚さと前記少なくとも第2のInGaN副層の厚さの和に等しく、さらにInGaN層の全厚さは、第1のInGaN副層の臨界厚さよりも厚くかつ前記少なくとも第2のInGaN副層の臨界厚さよりも薄い。他の例として、本発明の追加の実施形態は、第1の窒化インジウムガリウムInGaN副層の臨界厚さ以下の厚さを有する第1のInGaN副層と、第1のInGaN副層上に配置された第2のInGaN副層とを含むInGaN層を含む。InGaN層の厚さは、第1のInGaN副層の臨界厚さよりも厚く、かつ第2のInGaN副層の厚さは、第2のInGaN副層の臨界厚さ以下である。第1のInGaN副層中のインジウム濃度は、第2のInGaN副層中のインジウム濃度に少なくとも実質的に等しい。本発明の実施形態のさらなる態様、詳細、および要素の代替的組合せは、次の詳細な説明から明らかになるであろう。本発明は、本発明の実施形態例についての次の詳細な説明を参照することによってより完全に理解することができ、これらの実施形態は添付の図に示されている。本明細書に表される説明図は、任意の特定の材料、デバイス、または方法の実際の図であるように意図されておらず、本発明の実施形態を説明するために使用される単に理想化された図に過ぎない。見出しは、どのような意図された限定もなくただはっきりさせるためだけに、本明細書で使用される。複数の参考文献が本明細書で引用される。引用された参考文献は、本明細書でどのように特徴付けられるかにかかわらず、本明細書の主題の特許請求の発明に対する先行技術としてどれも認められない。本明細書で使用されるときに、III-V半導体という用語は、周期律表のIIIA族の1つまたは複数の元素B、Al、Ga、InおよびTiと周期律表のVA族の1つまたは複数の元素N、P、As、Sb、およびBiとから少なくとも主に構成された任意の半導体材料を意味し、また含む。本明細書で使用されるときに、窒化インジウムガリウムおよびInGaNという用語は、InxGa1xNの組成を持った、窒化インジウムInNと窒化ガリウムGaNの合金を意味し、ここで0<x≦1である。本明細書で使用されるときに、副層という用語は、材料の比較的大きな単一層の層部分を意味する。本明細書で使用されるときに、最終副層という用語は、複数の副層が堆積された半導体基板から最も遠位の副層を意味する。本明細書で使用されるときに、最後から二番目の副層という用語は、複数の副層の最終副層の下の隣接する副層を意味する。本明細書で使用されるときに、臨界厚さという用語は、その厚さで、またその厚さを超えると、擬似格子整合型成長が終わり半導体材料層の歪みが緩和される、半導体材料層の平均全厚さを意味する。本明細書で使用されるときに、成長表面という用語は、半導体基板、層または副層を追加して成長させることができる半導体基板、層または副層の任意の表面を意味する。本明細書で使用されるときに、実質的にという用語は、当技術分野で通常考えられる任意の不完全を除いて完全な結果を意味するように本明細書で使用される。本発明の実施形態は、広い範囲のIII-V半導体材料に適用されることがある。例えば、本発明の実施形態の方法および構造は、二元、三元、四元および五元形態のIII窒化物、IIIヒ化物、IIIリン化物、およびIIIアンチモン化合物に適用可能である。特定の用途は、窒化インジウムガリウムInGaNなどのインジウム含有III族窒化物半導体の成長に関する。したがって、限定でなく簡潔さと便宜のためだけに、次の説明および図は、III窒化物の共通の特性、特にInGaNの特性を示している。III窒化物材料系での実験によって、臨界厚さを超えた厚さにヘテロエピタキシャル成長されたInGaN層は、歪みが緩和されて、格子不整合に起因する結晶格子の歪みを軽減することがあることが実証される。InGaN層の歪み緩和の開始と同時に、より多くのインジウムが組み込まれるようになることがあり、これによって、InGaN層の厚さにわたってインジウムの不均一な濃度プロファイルが生じることがある。例えば、InGaN層は、この層の成長表面のすぐ近くにインジウムのより大きなパーセント値を含むことがある。InGaN層中のそのような不均一インジウム組成は、少なくともいくつかの用途で望ましくないことがある。また実験によって、InGaN層の歪み緩和はまたInGaN層の成長表面の荒れを引き起こす可能性があることが実証される。そのような表面の荒れは、InGaN層を使用する半導体デバイスの生産にとって妨げになることがある。さらに、実験によって、InGaN層の歪み緩和は結晶材料の欠陥密度の増加を引き起こすことがあることが実証されている。そのような欠陥には、例えば、転位および不均質組成の領域すなわち、相分離領域があることがある。図1Aを参照すると、半導体構造100は、半導体基板102を含むように製作されるか、そうでなければ用意されることがある。半導体基板102は半導体材料104を含むことがあり、半導体材料104は、以下でさらに詳細に説明されるように、InGaN層などのIII-V半導体層の製作の一部として半導体基板上に半導体材料の1つまたは複数の追加の副層を形成する際に使用されるシード層として使用されることがある。図1Aに示されるように、半導体材料104の層が基板106に付けられ支持されることがある。しかし、いくつかの実施形態では、半導体材料104は、基板106または任意の他の材料の上に配置されない、または基板106または任意の他の材料によって支持されない半導体材料の独立したバルク層を含むことがある。いくつかの実施形態では、半導体材料104の層は、半導体材料のエピタキシャル層を含むことがある。限定としてではなく例として、半導体材料104の層は、III-V半導体材料のエピタキシャル層を含むことがある。例えば、半導体材料104の層は、GaNのエピタキシャル層またはInGaNのエピタキシャル層を含むことがある。基板106は、例えば、酸化アルミニウムAl2O3例えば、サファイア、酸化亜鉛ZnO、ケイ素Si、炭化ケイ素SiC、ヒ化ガリウムGaAs、没食子酸リチウムLiGaO2、アルミ酸リチウムLiAlO2、酸化イットリウムアルミニウムY3Al5O12、または酸化マグネシウムMgOのような材料を含むことがある。随意選択的に、半導体材料の他の層などの材料の1つまたは複数の中間層図示せずが、半導体材料104の層と基板106の間に配置されることがある。材料のそのような中間層は、半導体材料104の層を基板106の上に直接形成することが困難または不可能であるとき行われるかもしれないように、例えば、基板の上に半導体材料104の層を形成するためのシード層として、または半導体材料104の層を基板106に接合するための接合層として使用されることがある。その上、半導体材料104が極性である場合には、半導体材料104の層を基板106に接合することが望ましいことがある。そのような実施形態では、接合プロセスは、極性半導体材料の極性を変えるために利用されることがある。本明細書で図は、一定の比率で拡大して描かれておらず、実際は、半導体材料104の層は、基板106に比べて比較的薄いことがある。図1Aに示された半導体構造100を形成するために、半導体材料104の層は、基板106の主表面上にエピタキシャル成長されるか、そうでなければ形成または用意されることがある。当技術分野で知られている様々な方法のどれでも使用して、半導体材料104の層の転移密度を減少させることができる。そのような方法には、例えば、エピタキシャル横方向オーバーグロース法ELO、PENDEOエピタキシ法、インサイチュマスク法などがある。半導体材料104の層は、例えば、有機金属化学気相成長法MOCVD、分子線エピタキシMBEまたは水素化物蒸気相エピタキシHVPEを使用して堆積させることができる。図1Bは、半導体基板102と、半導体材料104を覆うIII-V半導体層116とを含む半導体構造110を示す。非限定の例として、III-V半導体層116は、InGaN層を含むことがある。III-V半導体層116は、複数の副層にさらに分割されることがある。例えば、図1Bに示されるように、III-V半導体層116は、半導体基板102上に配置された最初の第1の副層112を含むことがある。第1の副層112は、第1の組の成長条件を利用して第1の厚さD1に成長されることがある。本発明のいくつかの実施形態では、III-V半導体層116は、複数の異なる組の成長条件を利用して成長され重ねて配置された複数の副層を含むことがある。III-V半導体層の平均全厚さD0は、複数の副層の厚さの和に等しいことがある。言い換えると、全ての副層の厚さの和は、III-V半導体層の平均全厚さD0に等しいことがある。図1Bは、III-V半導体層116の成長の初期段階を示し、したがって形成されるべきIII-V半導体層116の一部だけが示されている。図1Bに示されたIII-V半導体層116の一部は、第1の副層112を含む。したがって、III-V半導体層116の初期成長段階では、III-V半導体層の平均全厚さD0は、第1の副層112の平均厚さD1に等しい。より詳細には、第1の副層112は、例えば、有機金属化学気相成長法MOCVD、分子線エピタキシMBEまたは水素化物蒸気段階エピタキシHVPEのような方法を利用して、半導体基板102の上に、または半導体基板102の成長表面108に成長されることがある。本発明のいくつかの実施形態では、半導体基板102は、半導体材料104を含むことがあり、この半導体材料104は、第1の副層112と格子定数不整合であることがある。言い換えると、歪み緩和状態の半導体材料104の少なくとも1つの格子定数は、歪み緩和状態の第1の副層112の少なくとも1つの格子定数と異なることがある。例えば、本発明のいくつかの実施形態では、半導体材料104は、例えばGaNあるいは第1の副層112のインジウム濃度に比べてインジウム濃度が異なるInGaNなどのIII-V半導体を含むことがある。半導体材料104と第1の副層112の間の格子定数のそのような不整合は、第1の副層112に格子歪みを引き起こすことがある。III-V半導体層116の平均全厚さD0が、継続する成長と共に厚くなるにつれて、第1の副層112の格子歪みは大きくなる可能性がある。本発明の方法のいくつかの実施形態で、第1の副層112の平均全厚さD1は、第1の副層112の第1の臨界厚さDC1以下であるように選ばれることがある。第1の副層112の臨界厚さは、例えば第1の副層112の組成例えば、第1の副層112中のインジウムのパーセント値、第1の副層112の成長に利用された成長パラメータ、および第1の副層112と第1の副層112が成長する下の半導体層102との間の格子不整合の程度を含めて複数のパラメータに依存することがある。III-V半導体層、特にInGaN層の臨界厚さに関するさらなる詳細は、非特許文献1、2、および3の雑誌発表に見ることができる。図1Bに示されるように、第1の副層112の平均全厚さD1は、第1の副層112の第1の臨界厚さDC1よりも薄いことがある。しかし、最初の第1の組の成長条件これは、第1の副層112を形成している間一定に保たれることがあるを維持している間に第1の副層112の厚さが最初の臨界厚さを超えて厚くなるとすなわち、D1>DC1、第1の副層112の歪みが十分に大きくなって、歪み緩和および第1の副層112での欠陥形成を引き起こすことがある。図1Cは、半導体基板102およびIII-V半導体層116を含む半導体構造120を示す。例えば上述のようなInGaN層であることがあるIII-V半導体層116は、第1の副層112と次の第2の副層118を含むことがある。第2の副層118は第2の組の成長条件を利用して成長されることがあり、この第2の組の成長条件は、第1の副層112を形成するために使用された第1の組の成長条件と少なくとも1つの態様が異なり、第2の副層118の平均厚さD2が、最初の臨界厚さDC1よりも厚くかつ第2の副層118およびInGaN層116の次の第2の臨界厚さDC2以下のIII-V半導体層116の平均全厚さD0になるように、選ばれることがある。より詳細には、第2の副層118は、第1の副層112の成長表面108’上に成長されることがある。第2の副層118は、先に説明された成長法例えば、MBE、MOCVD、またはHVPEを利用して成長されることがある。第2の副層118D2は、III-V半導体層116の平均全厚さD0が厚くなって最初の臨界厚さDC1よりも厚くなるような厚さまで成長されることがある。第2の副層118を形成するために使用される第2の組の成長条件は、III-V半導体層116の平均全厚さD0が第1の臨界厚さDC1を超えて厚くなるときにIII-V半導体層116が歪み緩和を実質的に妨げられるように選ばれることがある。III-V半導体層116の平均全厚さD0が、第2の組の成長条件を利用して継続される成長で厚くなるにつれて、第2の副層118中の格子歪みはさらに大きくなることがある。本発明の方法のいくつかの実施形態で、第2の副層118の厚さD2は、III-V半導体層116の平均全厚さD0が第2の副層118およびIII-V半導体層116の次の第2の臨界厚さDC2以下になるように選ばれることがある。図1Cに示されるように、III-V半導体層116の平均全厚さD0は、最初の第1の臨界厚さDC1よりも厚くかつ次の第2の臨界厚さDC2よりも薄いことがある。しかし、第2の組の成長条件を維持している間にIII-V半導体層116の平均全厚さD0が第2の臨界厚さを満たすか超えるように、第2の副層118の厚さが厚くなれば、III-V半導体層116中の格子歪みは十分に大きくなって、III-V半導体層116の歪み緩和およびIII-V半導体層116での関連した欠陥の形成を引き起こすだろう。第2の副層118が形成されるときにIII族元素が第2の副層118中へ組み込まれる正味の率が、第1の組の成長条件を使用して第1の副層112が形成されるときにIII族元素が第1の副層112中へ組み込まれる正味の率に実質的に等しくなるように選ばれた第2の組の成長条件を利用して、第2の副層118は、成長されることがある。したがって、本発明の実施形態は、実質的に一様な組成を含むIII-V半導体層を実現する方法を含むことがある。III族元素は、インジウム、アルミニウムおよびガリウムの中の1つまたは複数を含むことがあり、また本発明の実施形態は、III-V半導体層の厚さにわたって少なくとも実質的に一定濃度のIII族元素を含むIII-V半導体層を提供することができ、また歪み緩和およびそのような歪み緩和に関連した欠陥が実質的に無いIII-V半導体層を提供することができる。より詳細には、III族元素が成長表面からIII-V半導体層の副層に組み込まれる正味の率は、例えば、成長表面へのIII族元素の流入束と、成長表面からのIII族元素の脱離束とを含めて複数の要素に依存することがある。したがって、III-V半導体層116の平均全厚さD0が厚くなるときに、III族元素が成長表面からIII-V半導体層中へ組み込まれる正味の率を維持するために、本発明の実施形態は、成長表面へのIII族元素の流入束を調整すること例えば、選択的制御、および/または成長表面からのIII族元素の脱離束を調整すること例えば、選択的制御を含むことがある。本発明のいくつかの実施形態では、第2の組の成長条件の選択は、第1の副層112形成中の成長表面108へのIII族元素の流入束に比べて、第2の副層118形成中の成長表面108’へのIII族元素の流入束を減らすことを含むことがある。理論によって制限されることなく、成長表面へのIII族元素の流入束を減らすことは、相互作用に使用できるIII族元素種の数に影響を及ぼすことがある。III-V半導体層116の成長表面へのIII族元素の流入束を減らすことによって、成長するIII-V半導体層116中へIII族元素が組み込まれる正味の率は、III-V半導体層の平均全厚さD0が厚くなるときに、少なくとも実質的に一定に維持されることがある。成長表面108’へのIII族元素の流入束を減らすことは、例えば、III-V半導体層116が形成される反応炉内のIII族元素前駆物質の分圧を下げること、この反応炉内の反応炉圧力を下げること、反応炉を流れるIII族元素前駆物質流量を減らすこと、反応炉内のIII族元素前駆物質のアルキルに対する比を減らすこと、反応炉を流れるV族前駆物質流量を増やすこと、および反応炉を流れる不活性ガス流量を増やすことの中の1つまたは複数をさらに含むことがある。III族元素の流入束を減らすそのような方法は、物理化学の分野で知られており、そのような方法に関するさらなる詳細は、例えば、非特許文献4、5、6、および7の刊行物を含めて複数の参照刊行物に見出すことができる。本発明の次の非限定の実施形態例は、III族元素をその成長表面からIII-V半導体層中へ組み込む率を実質的に一定に保つ方法を説明している。限定でなくただ簡潔さと便宜のためだけに、次の説明および図は、InGaNを含むIII-V半導体層およびインジウムを含むIII族元素に関している。しかし、次の説明はまた、上述のIII-V半導体材料およびIII族元素の範囲に適用される可能性があることは認識されたい。図3Aは、本発明のいくつかの方法の非限定の実施形態例を示し、この実施形態は、成長表面へのインジウムの流入束を減らすことによってIII-V半導体層116の成長表面へのIII族元素インジウムの組込み率を維持するために、使用することができる。図3Aは、成長時間と、InGaN組成と、III-V半導体層116の成長表面へのインジウムの流入束との関係を示すグラフ300を含んでいる。線302は、成長表面に入ってくるインジウム束の変化を成長時間の関数として表し、一方で、線304は、成長表面のInGaN層116の組成を成長時間の関数として表している。より詳細には、グラフ300の領域306は、第1の組の成長条件を利用して第1の副層112例えば、最初のInGaN副層を形成するための成長期間を示す。この非限定の例に示されるように、成長表面へのインジウムの流入束は、第1の副層112を形成するために使用される成長期間にわたって一定であることがあり、第1の副層112の成長表面の組成は、また、第1の副層112の厚さにわたって組成が少なくとも実質的に一定であるように、第1の副層112の成長中実質的に一定であることがある。グラフ300の領域308は、第1の副層112を形成するために使用された第1の組の成長条件と異なる第2の組の成長条件を利用して第2の副層118例えば、次のInGaN副層を形成するための成長期間を示す。この非限定の例に示されるように、InGaN層116の平均全厚さが線310で表される時間に最初の臨界厚さDC1に達した後で、成長表面108’へのインジウムの流入束は、所望の減少率で減らされることがある。しかし、InGaN層116の成長表面108’へのインジウムの流入束が減少するときに、InGaN層のInGaN組成は、線304で表されるように、実質的に一定のままであることがある。InGaN層の成長表面108’へのインジウムの流入束が減少するときに、第2の副層118の成長は、長くとも、InGaN層の厚さが線312で表される時間に次の臨界厚さDC2に等しくなるまで継続し、この時に成長が終わることがある。上で概説されたように、本発明のいくつかの実施形態では、第2の組の成長条件の選択は、インジウム前駆物質流量を減らしてInGaN層の成長表面へのインジウムの流入束を減らすことを含むことがある。より詳細には、InGaN層116の成長表面へのインジウム前駆物質の流れは、InGaN層の成長表面で相互作用に使用できるインジウム種の流入束に影響を及ぼすことがある。したがって、インジウム前駆物質流量を減らすことによって、InGaN層116の成長表面へのインジウム種の流入束の対応した減少を達成することができ、さらに、インジウムがInGaN層116に組み込まれる率を少なくとも実質的に一定に維持することができる。いくつかの実施形態では、減少したインジウム前駆物質流量の選択は、毎分約5cc以下の減少率、毎分約3cc以下の減少率、またはさらに毎分約1cc以下の減少率でインジウム流量を減らすことを含むことがある。本発明のいくつかの実施形態の非限定の例として、図3Bは、成長時間と、InGaN組成と、インジウム前駆物質の流量との関係を示すグラフ314を示している。線316は、前駆物質流量を成長時間の関数として表し、一方で、線318は、InGaN層116の組成をInGaN層116の成長時間の関数として表している。より詳細には、グラフ314の領域320は、第1の組の成長条件を利用して第1の副層112例えば、最初のInGaN副層を形成するために使用される成長期間を示す。インジウム前駆物質流量316は、第1の副層112を形成するための成長期間320にわたって一定であり、InGaN組成は、また、第1の副層112の厚さにわたって実質的に一定である。グラフ314の領域322は、第2の副層118例えば、次のInGaN副層を形成するための成長期間を示す。この非限定の例に示されるように、第1の副層112の厚さが、線324で表された時間に最初の臨界厚さDC1に達した後で、インジウム前駆物質流量316は、選ばれた減少率で減らされることがある。しかし、インジウム前駆物質流量が減少するときに、InGaN層のInGaN組成は、線316で表されるように、少なくとも実質的に一定のままであることがある。インジウム前駆物質流量が減少するときに、第2の副層118の成長は、長くとも、InGaN層の厚さが線326で表される時間に第2の臨界厚さDC2に達するまで継続し、この時点で成長が終わることがある。InGaN層116を形成するためのインジウム前駆物質は、例えば、トリメチルインジウムTMIおよび/またはトリエチルインジウムTEIを含むことがある。最初の成長条件でのインジウム前駆物質の流量は、例えば、毎分約60から約100ccに及ぶ範囲の流量を含むことがある。より詳細には、第2の組の成長条件中のインジウム前駆物質の流量は、例えば、毎分約40から80ccに及ぶ流量範囲を含むことがある。第2の組の成長条件中の前駆物質流量の減少率は、例えば、1分当たり毎分約0.5から10ccに及ぶ範囲の減少率を含むことがある。本発明のいくつかの実施形態では、第2の組の成長条件の選択は、InGaN層116の成長表面からのインジウムの脱離束を増やすことをさらに含む。理論によって制限されることなく、成長表面からのインジウムの脱離束を増やすことで、InGaN層の平均全厚さが厚くなるときにInGaN層がより多くのインジウムを組み込むことができなくなることがある。したがって、成長表面108’からのインジウムの脱離束を増やすことによって、InGaN層116の平均全厚さが厚くなるときに、InGaN層116の成長表面への正味のインジウム組込み率が、少なくとも実質的に一定に維持されるようになることがある。成長表面108’からのインジウムの脱離束を増やすことは、例えば、基板成長温度を高くすること、反応炉成長圧力を下げること、拡散境界層厚さを減らすこと、および基板回転速度を上げること例えば、回転円板型反応炉RDRを利用するときの中の1つまたは複数をさらに含むことがある。インジウムの流入束を減らすこれらの方法は、物理化学の分野では知られており、さらなる詳細は、先に特定された参照公表文献に見出すことができる。図4Aは、成長表面108’からのインジウムの脱離束を増やすことによってInGaN層116へのインジウムの正味組込み率を少なくとも実質的に一定に維持する本発明のいくつかの方法の非限定の実施形態例を示している。図4Aは、成長時間と、InGaN組成と、成長表面108’からのインジウムの脱離束との関係を示すグラフ400を示している。線402は、成長表面からのインジウム脱離束を成長時間の関数として表し、一方で、線404は、InGaN層の組成を成長時間の関数として表している。より詳細には、グラフ400の領域406は、第1の組の成長条件を利用して第1の副層112例えば、最初のInGaN副層を形成するために使用される成長期間を示す。この非限定の例に示されるように、成長表面からのインジウムの脱離束は、第1の副層112を形成するために使用される成長期間の間中ずっと一定であることがあり、InGaN組成は、また、第1の副層112の厚さにわたって一定であることがある。グラフ400の領域408は、異なる第2の組の成長条件を利用して第2の副層118例えば、次のInGaN副層を形成するために使用される成長時間を示す。この非限定の例に示されるように、InGaN層116の成長表面からのインジウムの脱離束は、線410で表される時間にInGaN層116の平均全厚さD0が第1の臨界厚さDC1に達した後で、選ばれた増加率で増加する。しかし、InGaN層116の成長表面からのインジウムの脱離束が増加するときに、InGaN層のInGaN組成は、線404で表されるように、少なくとも実質的に一定のままであることがある。InGaN層の成長表面からのインジウムの脱離束が増加するときに、第2の副層118の成長は、長くとも、平均全InGaN層厚さD0が線412で表される時間に第2の臨界厚さDC2に等しくなるまで継続し、この時に成長が終わることがある。上で概説されたように、本発明のいくつかの実施形態では、第2の組の成長条件の選択は、InGaN層116の成長表面からのインジウムの脱離束を増やすために基板成長温度を高くすることを含むことがある。より詳細には、基板成長温度を高くすることによって、InGaN層116の成長表面からのインジウムの脱離束が増えることがある。したがって、基板成長温度を高くすることによって、成長表面108’からのインジウムの脱離束の対応した増加を達成することができ、さらにInGaN層116の厚さが厚くなるときに、成長するInGaN層116へのインジウム組込み率を少なくとも実質的に維持することができる。いくつかの実施形態では、基板成長温度が所望の率で高くなるように第2の組の成長条件を選ぶことは、毎分約0.5°C以下の上昇率、毎分約2°C以下の上昇率、またはさらに毎分約10°C以下の上昇率で基板成長温度を高くすることを含むことがある。本発明のいくつかの実施形態の非限定の例として、図4Bは、成長時間と、InGaN組成と、基板成長温度との関係を示すグラフ414を示している。線416は、基板成長温度を成長時間の関数として表し、一方で、線418は、InGaN層の組成を成長時間の関数として表している。より詳細には、グラフ400の領域420は、第1の組の成長条件を利用して第1の副層112を成長させるための成長期間を示す。基板成長温度416は、第1の副層112を形成するために使用される成長期間420にわたって一定であり、InGaN組成は、また、第1の組の成長条件を利用する第1の副層112の成長にわたって一定である。グラフ400の領域422は、異なる第2の組の成長条件を利用して第2の副層118を成長させるための成長期間を示す。この非限定の例に示されるように、基板成長温度416は、線424で表された時間に第1の副層112の厚さが最初の臨界厚さDC1に達した後で、選ばれた上昇率で高くなる。しかし、基板成長温度が高くなるときに、InGaN層116中のインジウム濃度は、線418で示されるように、少なくとも実質的に一定のままであることがある。基板温度が高くなるときに、第2の副層118の成長は、長くとも、線426で表される時間にInGaN層厚さD0が第2の臨界厚さDC2に達するまで継続し、この時点で成長が終わることがある。第1の組の成長条件中の基板成長温度は、例えば、約750から約850°Cの成長温度を含むことがある。第2の組の成長条件中の基板成長温度は、例えば、約800から約900°Cの反応炉成長温度を含むことがある。第2の組の成長条件中の反応炉成長温度の上昇率は、例えば、1分当たり毎分約0.5から約10°Cの上昇率を含むことがある。本発明のいくつかの実施形態では、III-V半導体層116例えば、InGaN層は、最初の第1の副層、次の第2の副層、および第2の副層の上に成長された1つまたは複数の追加の副層を含んで成長されることがある。1つまたは複数の追加の副層は、III-V半導体層116例えば、InGaN層の組成がIII-V半導体層116にわたって少なくとも実質的に一定でかつIII-V半導体層が実質的に歪み緩和が無いように選ばれた1つまたは複数の追加の成長条件を利用して、成長されることがある。より一般的には、III-V半導体層を成長させる本発明の実施形態は、複数の異なる組の成長条件を利用して、互いに重なり合った複数の副層を成長させることを含むことがあり、III-V半導体層の平均全厚さは、これらの複数の副層の厚さの和に等しいことがある。より詳細には、図2Aは半導体構造200を示し、この半導体構造200は、図1Cの半導体構造120と追加の副層を含んでいる。追加の副層は、最後から2番目の副層202を含むことがある。最後から2番目の副層202の厚さDPSは、III-V半導体層の平均全厚さD0が隣接する下の副層例えば、副層118および/または副層112の臨界厚さよりも厚くなるようなものであることがある。この非限定の例では、隣接する下の副層は第2の副層118を含み、最後から2番目の副層の厚さDPSは、第2の副層の臨界厚さDC2よりも厚いIII-V半導体層116の平均全厚さD0をもたらす。その上、最後から2番目の副層202の厚さDPSは、III-V半導体層の平均全厚さD0が最後から2番目の副層の臨界厚さDCPS以下になるようなものであることがある。図2Bは半導体構造210を示し、半導体構造210は、図2Aの半導体構造200と、最後から2番目の副層202の上に成長された最終副層212とを含んでいる。最終副層212の厚さDUSは、III-V半導体層の平均全厚さD0が、隣接する下の最後から2番目の副層202の臨界厚さよりも厚くなるようなものすなわち、D0>DCPSであるようなものであることがある。その上、最終副層202の厚さDUSは、III-V半導体層116の平均全厚さD0が最終副層の臨界厚さDCUS以下になるようなものであることがある。図2Aおよび2Bの非限定の例は、4つの副層を含むIII-V半導体層116を示している。しかし、III-V半導体層116は、例えば最後から2番目の副層202および最終副層212を含めて複数の副層を含むことができることは認識されたい。その上、これらの複数の副層の成長では、III-V半導体層例えば、InGaN中のIII族元素の濃度がIII-V半導体層の厚さにわたって実質的に一定であるように、成長される副層の成長表面へのIII族元素例えば、インジウムの組込み率が、隣接する下の副層の成長表面にそのIII族元素が組み込まれた率に実質的に等しくなるように、複数の異なる組の成長条件が利用されることがある。III-V半導体層の組成が実質的に一定であるように、成長される副層の成長表面へのIII族元素例えば、インジウムの組込み率が、隣接する下の副層の成長表面にそのIII族元素が前に組み込まれた率に実質的に等しくなるように複数の異なる組の成長条件を選ぶ方法は、本明細書で既に説明され、本明細書で述べられたように成長表面へのIII族元素の流入束を減らすことおよび成長表面からのIII族元素の脱離束を増やすことのうちの少なくとも1つを含むことができる。III-V半導体層の全厚さを通して一様な組成を実質的に維持しながらIII-V半導体層の厚さをさらに厚くするために、III-V半導体層の追加の副層が成長されることがある。その上、本発明の実施形態を利用して追加の副層を成長させることによって、少なくともいくつかの以前から知られた方法と比較して歪み緩和および関連した欠陥の無いより厚いIII-V半導体層例えば、InGaN層を形成することが可能になることがある。ここで、非限定の例が、本発明の実施形態をさらに例示するために説明される。理解されるべきことであるが、次の例では、パラメータ例えば、材料、構造、その他は、ただ例示の目的のためだけのものであり、本発明の実施形態を限定しない。本発明の方法および構造の実施形態は、例えば窒化インジウムガリウム層を含めてIII-V半導体層をエピタキシャル成長させるために使用可能である。これらの方法および構造は、インジウム濃度が実質的に一様で歪み緩和およびこれに関連した欠陥の無いIII-V半導体層の成長を可能にする。図5Aおよび5Bは、本発明の方法と異なる以前から知られた方法によって成長された窒化インジウムガリウム層を示している。図5Aは、InGaN層の成長表面500の原子間力顕微鏡走査AFMを示す。この例では、InGaN層は、本発明の実施形態を利用して成長されたのではなく、InGaN層が成長される全時間の間ただ一組の成長条件が一定に保たれることを使用して成長された。図5AのAFM像から明らかなように、ただ一組の成長条件を使用して生成されたInGaN成長表面500は、複数の表面ピット502を含む比較的粗い表面を含んでいる。本明細書で説明されたように、粗い表面は、そのようなInGaN層を使用してデバイスを形成するのに妨げになることがある。その上、図5Bは、ラザフォード後方散乱分光RBSによってもたらされたデータを示し、このデータは、InGaN層の組成を示している。図5Bで明らかなように、ピーク504は、InGaN層の組成を表し、この層の組成が点506から点508に変化していることが明らかであり、この変化はこの層中のインジウム濃度の増加を示し、このインジウム濃度の増加は、歪み緩和と、そのような歪み緩和に関連したインジウム組込みのその後の増加とによっている可能性がある。対照的に、図5Cおよび5Dは、本発明の実施形態を使用して成長された窒化インジウムガリウム層を示している。簡単に言うと、この構造は、図1A~1Cに関連して以下で説明されるように形成されることがある。基板106は、サファイアを含むことがあり、半導体層104は、MOCVD法を利用して成長されたGaNを含むことがある。最初の第1のInGaN副層112は、インジウム前駆物質トリメチルインジウムTMIをインジウム源として利用して約700から約800トルの反応炉圧力、約750から約850°Cの温度で、MOCVDを使用して成長されることがある。最初のInGaN副層成長中に、TMI流量は、TMIバブラの温度が約20°Cで毎分約70から約90ccであることがある。次の第2のInGaN副層118は、また、インジウム前駆物質TMIをインジウムの供給源として利用して約700から約800トルの反応炉圧力、約750から約850°Cの温度で、MOCVDを使用して成長されることがある。次の第2のInGaN副層成長中に、TMI流量は、TMIバブラの温度が約20°Cで、毎分約50から約70ccに減らされることがある。TMI流量の減少率は、毎分約0.5から約1ccであることがある。そのような成長法を利用して、生成されるInGaN層116は、インジウム濃度がおよそ5よりも大きく厚さがおよそ200nmを超えることがある。いくつかの実施形態では、生成されたInGaN層は、インジウム組成がおよそ8よりも大きく厚さがおよそ150nmを超えることがある。図5CのAFM像を参照して、本発明の実施形態を利用して成長されたInGaN層のInGaN成長表面510が、図5Aおよび5BのInGaN層に比べて、より滑らかでかつ比較的表面ピットが無いことが明らかである。その上、図5Dは、本発明の実施形態を利用して成長されたInGaN層からRBSで生じたデータを示している。図5Dで明らかなように、ピーク512は、InGaN層の組成を表し、この層の組成が点514から点516まで実質的に変化していないことが明らかであり、このことは一様なインジウム濃度を示している。したがって、本発明の実施形態を利用して生成されたInGaN層は、少なくともいくつかの以前から知られた方法で形成されたInGaN層に比べて、デバイス形成に比較的いっそう適している可能性がある。追加の非限定の実施形態例が以下で説明される。<実施形態1>III-V半導体層を含む半導体構造を形成する方法であり、本方法は、第1の組の成長条件を使用して第1のIII-V半導体副層を成長させるステップ、および第1の組の成長条件と異なる第2の組の成長条件を使用して第1のIII-V半導体副層の上に少なくとも第2のIII-V半導体副層を成長させるステップを含むIII-V半導体層を成長させるステップであって、第1のIII-V半導体副層と前記少なくとも第2のIII-V半導体副層は、III-V半導体層を形成するステップと、第1のIII-V半導体層の臨界厚さよりも厚くかつ第2のIII-V半導体副層の臨界厚さよりも薄い平均全厚さを持つようにIII-V半導体層を形成するステップと、III-V半導体層の組成がIII-V半導体層の平均全厚さにわたって少なくとも実質的に一定であるように、第1のIII-V半導体副層の成長表面へのIII族元素の正味組込み率が、前記少なくとも第2のIII-V半導体副層の成長表面へのそのIII族元素の正味組込み率に少なくとも実質的に等しくなるように、第1の組の成長条件および第2の組の成長条件を選ぶステップとを含む。<実施形態2>実施形態1の方法であって、第1の組の成長条件および第2の組の成長条件を選ぶステップが、第1のIII-V半導体層の成長表面へのIII族元素の流入束に比べて前記少なくとも第2のIII-V半導体層の成長表面へのIII族元素の流入束を減らすステップをさらに含む方法。<実施形態3>実施形態2の方法であって、第1のIII-V半導体層の成長表面へのIII族元素の流入束に比べて、前記少なくとも第2のIII-V半導体層の成長表面へのIII族元素の流入束を減らすステップが、III族前駆物質の分圧を下げるステップ、反応炉圧力を下げるステップ、前駆物質流量を減らすステップ、前記III族前駆物質のアルキルに対する比を減らすステップ、V族前駆物質流量を増やすステップ、および不活性ガス流量を増やすステップのうちの少なくとも1つをさらに含む方法。<実施形態4>実施形態1から3のいずれか1つの方法であって、第1の組の成長条件および第2の組の成長条件を選ぶステップが、第1のIII-V半導体層の成長表面からのIII族元素の脱離束に比べて、前記少なくとも第2のIII-V半導体層の成長表面からのIII族元素の脱離束を増やすステップをさらに含む方法。<実施形態5>実施形態4の方法であって、第1のIII-V半導体層の成長表面からのIII族元素の脱離束に比べて、前記少なくとも第2のIII-V半導体層の成長表面からのIII族元素の脱離束を増やすステップが、基板成長温度を上げるステップ、反応炉成長圧力を下げるステップ、拡散境界層厚さを減らすステップ、および基板回転速度を上げるステップのうちの少なくとも1つをさらに含む方法。<実施形態6>実施形態1から5のいずれか1つの方法であって、III-V半導体層は実質的に歪み緩和が無いように、第1の組の成長条件および第2の組の成長条件を選ぶステップをさらに含む方法。<実施形態7>実施形態1から6のいずれか1つの方法であって、窒化インジウムガリウムInGaNの層を含むようにIII-V半導体層を選ぶステップをさらに含む方法。<実施形態8>実施形態1から7のいずれか1つの方法であって、インジウムを含むようにIII族元素を選ぶステップをさらに含む方法。<実施形態9>窒化インジウムガリウムInGaN層を成長させる方法であって、第1のInGaN副層を、第1の組の成長条件を利用して第1のInGaN副層の臨界厚さ以下の第1の厚さに成長させるステップと、第2のInGaN副層を、異なる第2の組の成長条件を利用して、InGaN層の平均厚さが第1のInGaN副層の臨界厚さよりも厚くかつ第2のInGaN副層の臨界厚さ以下であるように成長させるステップと、InGaN層中のインジウム濃度がInGaN層の平均厚さにわたって少なくとも実質的に一定であるように、第1の組の成長条件におけるインジウム前駆物質の流量に比べてインジウム前駆物質の減少した流量および第1の組の成長条件における反応炉成長温度に比べて高くなった反応炉成長温度のうちの少なくとも1つを含むように、異なる第2の組の成長条件を選ぶステップとを含む方法。<実施形態10>実施形態9の方法であって、InGaN層は少なくとも実質的に歪み緩和が無いように、異なる第2の組の成長条件を選ぶステップをさらに含む方法。<実施形態11>実施形態9または実施形態10の方法であって、少なくとも1つの追加の組の成長条件を利用して、第2のInGaN副層上に少なくとも1つの追加のInGaN副層を成長させるステップと、InGaN層中のインジウム濃度がInGaN層の平均厚さにわたって実質的に一定であり、かつInGaN層は実質的に歪み緩和が無いように、少なくとも1つの追加の組の成長条件を選ぶステップとをさらに含む方法。<実施形態12>実施形態9から11のいずれか1つの方法であって、異なる第2の組の成長条件を選ぶステップが、第2のInGaN副層を成長させながらインジウム前駆物質の流量を毎分おおよそ5sccm以下だけ減らすステップをさらに含む方法。<実施形態13>実施形態9から12のいずれか1つの方法であって、異なる第2の組の成長条件を選ぶステップが、第2のInGaN副層を成長させながら反応炉成長温度を毎分およそ10°C以下の率で上げることをさらに含む方法。<実施形態14>窒化インジウムガリウムInGaN層であって、第1のInGaN副層と、第1のInGaN副層の上に配置された少なくとも第2のInGaN副層とを含み、InGaN層の全厚さが、第1のInGaN副層の厚さと前記少なくとも第2のInGaN副層の厚さの和に等しく、InGaN層の全厚さが、第1のInGaN副層の臨界厚さよりも厚くかつ前記少なくとも第2のInGaN副層の臨界厚さよりも薄い、InGaN層。<実施形態15>実施形態14のInGaN層であって、第1のInGaN副層中のインジウム濃度が、前記少なくとも第2のInGaN副層中のインジウム濃度に少なくとも実質的に等しいInGaN層。<実施形態16>実施形態14または実施形態15のInGaN層であって、InGaN層中のインジウム濃度が、InGaN層の全厚さにわたって少なくとも実質的に一定である、InGaN層。<実施形態17>実施形態14から16のいずれか1つのInGaN層であって、InGaN層は少なくとも実質的に歪み緩和が無い、InGaN層。<実施形態18>実施形態14から17のいずれか1つのInGaN層であって、InGaN層は、インジウム濃度が少なくとも約5であり、全厚さが少なくとも約200nmである、InGaN層。<実施形態19>実施形態14から17のいずれか1つのInGaN層であって、InGaN層は、インジウム濃度が少なくとも約8であり、全厚さが少なくとも約150nmである、InGaN層。<実施形態20>窒化インジウムガリウムInGaN層であって、第1のInGaN副層の臨界厚さ以下の厚さを有する第1のInGaN副層と、第1のInGaN副層上に配置された第2のInGaN副層とを含み、InGaN層の厚さが第1のInGaN副層の臨界厚さよりも厚く、かつ第2のInGaN副層の厚さが第2のInGaN副層の臨界厚さ以下であり、さらに第1のInGaN副層中のインジウム濃度が、第2のInGaN副層中のインジウムの濃度に少なくとも実質的に等しい、InGaN層。上で説明された本発明の実施形態は本発明の範囲を限定しない。というのは、これらの実施形態は、ただ単に本発明の実施形態の例に過ぎず、本発明は、添付の特許請求の範囲およびそれの法律的同等物によって定義される。どんな同等な実施形態も、この発明の範囲内にある意図である。実際に、本明細書で示され説明された実施形態のほかに、説明された要素の有用な代替的組合せなどの本発明の様々な実施形態が、この説明から当業者には明らかになるであろう。そのような修正物は、また、添付の特許請求の範囲に含まれる意図である。