"陽極、陰極及び発光層を含む有機発光素子であって、前記発光層は、前記陽極と前記陰極との間に配置されるとともに、該発光層は、ホスト材料及び燐光発光材料を含み、a前記ホスト材料は、式1又は2によって示される化学構造を有する置換又は非置換の炭化水素化合物を備え、式中、Czは、置換又は非置換のアリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアルキレン基であり、Aは、以下の一般式3によって示される基であり、式中、M及びM’は、それぞれ独立して、2~40個の炭素原子及び窒素原子を有し、置換又は非置換環を形成する芳香族複素環であり、M及びM’は、同じ環又は異なる環を示してもよく、Lは、単結合、6~30個の炭素原子を有する置換又は非置換のアリール基又はアリーレン基、5~30個の炭素原子を有する置換又は非置換のシクロアルキレン基、或いは2~30個の炭素原子を有する置換又は非置換の芳香族複素環であり、pは、0~2であり、qは、1又は2であり、rは、0~2であり、prは、1以上の整数を示し、n及びmは、1~3であり、b前記燐光発光材料は、式の以下の部分化学構造の一つによって示される置換化学構造を有する燐光有機金属錯体を含み、式中、Mは、八面体錯体を形成する金属であり、L、L’,Lは、各Lがsp2混成炭素及び窒素によりMに配位された置換又は非置換のフェニルピリジン配位子を含む等価又は不等価の二座配位子であり、L、L’及びLの一つは、他の二つの少なくとも一つと不等価である、有機発光素子。前記ホスト材料は、以下の式によって示される化学構造を有する、請求項1に記載の有機発光素子。前記ホスト材料の三重項エネルギーは、約2.0eV~約2.8eVである、請求項1に記載の有機発光素子。前記燐光発光材料は、前記置換化学構造が少なくとも二つのメチル基で置換される燐光有機金属錯体を含む、請求項1に記載の有機発光素子。前記燐光発光材料は、以下の化学構造によって示される置換化学構造を有する燐光有機金属化合物を含み、式中、各Rは、独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルキルアリール、CN、CF3、CnF2n1、トリフルオロビニル、CO2R、COR、NR2、NO2、OR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、置換アリール、置換ヘテロアリール又は複素環基からなる群より選択され、Ar’,Ar’’,Ar’’’及びAr’’’’は、それぞれ独立して、フェニルピリジン配位子上の置換又は非置換のアリール或いはヘテロアリール非融合置換基を示し、aは、0又は1であり、bは、0又は1であり、cは、0又は1であり、dは、0又は1であり、mは、1又は2であり、nは、1又は2であり、mnは、Mに配位されることができる配位子の最大数であり、a,b,c及びdの少なくとも一つは、1であり、a及びbの少なくとも一つが1であるとともに、b及びcの少なくとも一つが1である場合、Ar’及びAr’’の少なくとも一つは、Ar’’’及びAr’’’’の少なくとも一つと異なる、請求項1に記載の有機発光素子。前記燐光発光材料は、金属錯体を含み、該金属錯体は、Ir、Pt、Os、Au、Cu、Re、Ru及び配位子から選択される金属原子を含む、請求項1に記載の有機発光素子。前記金属錯体は、オルトメタル結合を有する、請求項6に記載の有機発光素子。前記金属原子は、Irである、請求項7に記載の有機発光素子。前記燐光発光材料は、以下の部分化学構造によって示される置換化学構造を有する燐光有機金属錯体を含む、請求項1に記載の有機発光素子。前記ホスト材料は、以下の式によって示される化学構造を有する非置換の芳香族炭化水素化合物を含み、前記燐光発光材料は、以下の化学構造によって示される置換化学構造を有する燐光有機金属化合物を含み、式中、各Rは、独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルキルアリール、CN、CF3、CnF2n1、トリフルオロビニル、CO2R、COR、NR2、NO2、OR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、置換アリール、置換ヘテロアリール又は複素環基からなる群より選択され、Ar’,Ar’’,Ar’’’及びAr’’’’は、それぞれ独立して、フェニルピリジン配位子上の置換又は非置換のアリール或いはヘテロアリール非融合置換基を示し、aは、0又は1であり、bは、0又は1であり、cは、0又は1であり、dは、0又は1であり、mは、1又は2であり、nは、1又は2であり、mnは、Mに配位されることができる配位子の最大数であり、a,b,c及びdの少なくとも一つは、1であり、a及びbの少なくとも一つが1であるとともに、b及びcの少なくとも一つが1である場合、Ar’及びAr’’の少なくとも一つは、Ar’’’及びAr’’’’の少なくとも一つと異なる、請求項1に記載の有機発光素子。前記発光層中に含まれる前記燐光材料の少なくとも一つは、発光波長において500nm以上720nm以下の最大値を有する、請求項10に記載の有機発光素子。本発明のOLEDは、陰極と陽極との間の単一層又は複層を含む有機薄膜層を提供することによって特徴付けられ、有機薄膜層は、少なくとも一つの有機発光層を備え、少なくとも一つの発光層は、少なくとも一つのホスト材料及び少なくとも一つの燐光発光材料を備え、ホスト材料は、以下の式1又は2によって示される置換又は非置換炭化水素化合物を備え、式中、Czは、置換又は非置換のアリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアルキレン基を示し、Aは、以下の一般式3によって示される基を示し、式中、M及びM’は、それぞれ独立して、2~40個の炭素原子及び窒素原子を有し、置換又は非置換環を形成する芳香族複素環を示し、M及びM’は、同じ環又は異なる環を示してもよく、Lは、単結合、6~30個の炭素原子を有する置換又は非置換のアリール基又はアリーレン基、5~30個の炭素原子を有する置換又は非置換のシクロアルキレン基、或いは2~30個の炭素原子を有する置換又は非置換の芳香族複素環を示し、pは、0~2の整数を示し、qは、1又は2の整数を示し、rは、0~2の整数を示し、prは、1以上の整数を示し、n及びmは、それぞれ、1~3の整数を示す。他の実施形態において、OLEDは、式GH‐1によって示される化学構造を有するホスト材料を備える。本発明の一実施形態において、燐光発光材料は、以下の式によって示される置換化学構造を有する燐光有機金属錯体を含み、式中、Mは、八面体錯体を形成する金属であり、L、L’,Lは、各Lがsp2混成炭素及び窒素によりMに配位された置換又は非置換のフェニルピリジン配位子を含む等価又は不等価の二座配位子であり、L、L’及びLの一つは、他の二つの少なくとも一つと不等価である。他の実施形態において、燐光発光材料は、以下の化学構造4によって示される置換化学構造を有する燐光有機金属化合物を含み、式中、各Rは、独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルキルアリール、CN、CF3、CnF2n1、トリフルオロビニル、CO2R、COR、NR2、NO2、OR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、置換アリール、置換ヘテロアリール又は複素環基からなる群より選択され、Ar’,Ar’’,Ar’’’及びAr’’’’は、それぞれ独立して、フェニルピリジン配位子上の置換又は非置換のアリール或いはヘテロアリール非融合置換基を示し、aは、0又は1であり、bは、0又は1であり、cは、0又は1であり、dは、0又は1であり、mは、1又は2であり、nは、1又は2であり、mnは、Mに配位されることができる配位子の最大数であり、a,b,c及びdの少なくとも一つは、1であり、a及びbの少なくとも一つが1であるとともに、b及びcの少なくとも一つが1である場合、Ar’及びAr’’の少なくとも一つは、Ar’’’及びAr’’’’の少なくとも一つと異なる。他の実施形態において、燐光発光材料は、金属錯体を含み、該金属錯体は、イリジウムIr、白金Pt、オスミウムOs、金Au、銅Cu、レニウムRe、ルテニウムRu及び配位子から選択される金属原子を含む。さらに別の実施形態において、金属錯体は、オルトメタル結合を有する。好ましい実施形態において、イリジウムは、金属原子である。他の実施形態において、燐光発光材料は、以下の部分化学構造GD‐1によって示される置換化学構造を有する燐光有機金属錯体を含む。他の実施形態において、本発明は、以下の式GH‐1によって示される化学構造を有する非置換芳香族炭化水素化合物を含むホスト材料、及び以下の化学構造によって示される置換化学構造を有する燐光有機金属化合物を含む燐光発光材料を含むOLEDを備え、式中、各Rは、独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルキルアリール、CN、CF3、CnF2n1、トリフルオロビニル、CO2R、COR、NR2、NO2、OR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、置換アリール、置換ヘテロアリール又は複素環基からなる群より選択され、Ar’,Ar’’,Ar’’’及びAr’’’’は、それぞれ独立して、フェニルピリジン配位子上の置換又は非置換のアリール或いはヘテロアリール非融合置換基を示し、aは、0又は1であり、bは、0又は1であり、cは、0又は1であり、dは、0又は1であり、mは、1又は2であり、nは、1又は2であり、mnは、Mに配位されることができる配位子の最大数であり、a,b,c及びdの少なくとも一つは、1であり、a及びbの少なくとも一つが1であるとともに、b及びcの少なくとも一つが1である場合、Ar’及びAr’’の少なくとも一つは、Ar’’’及びAr’’’’の少なくとも一つと異なる。一実施形態において、本発明は、ホスト材料を含むOLEDを備え、ホスト材料の三重項エネルギーは、約2.0eV~約2.8eVである。他の実施形態において、本発明は、発光層内に少なくとも一つの燐光材料を含むOLEDを備え、燐光材料は、発光波長において500ナノメートルnm以上720ナノメートルnm以下の最大値を有する。他の実施形態において、本発明は、改良された電圧及び耐用年数特性を提供するOLEDを備える。理論に縛られないが、本発明のOLEDの改良された特徴は、二以上の縮合多環芳香族環の一価フルオレン骨格への連続結合に起因して、及び互いに異なる縮合多環芳香族環を含む基を、共役長が延長される位置におけるフルオレン骨格に結合させることによって、達成され得ると考えられている。他の実施形態において、本発明は、高効率かつ長寿命を有する燐光性OLEDを含み、OLEDは、ホスト材料として、及び特に、燐光ホスト材料として一般式GH‐1の材料を含む。本発明のOLEDは、陽極と陰極との間に配置された複数の層を含み得る。本発明に係る代表的なOLEDは、以下に記載される構成層を有する構造を含むが、これらに限定されるものではない;1陽極/発光層/陰極2陽極/正孔注入層/発光層/陰極3陽極/発光層/電子注入輸送層/陰極4陽極/正孔注入層/発光層/電子注入輸送層/陰極5陽極/有機半導体層/発光層/陰極6陽極/有機半導体層/電子遮断層/発光層/陰極7陽極/有機半導体層/発光層/接着改善層/陰極8陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極9陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極10陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極11陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極12陽極/絶縁層/正孔注入輸送層/発光層/絶縁層/陰極、及び13陽極/絶縁層/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極。上述のOLED構成素構造の中で、構成素構造番号8が、好ましい構造であるが、本発明は、これらの開示された構成素構造に限定されない。本発明の一実施形態におけるOLEDの一例の概略構成を、図1に示す。本発明の代表例として、OLED1は、透明基板2と、陽極3と、陰極4と、陽極3と陰極4との間に設けられた有機薄膜層10と、を備える。有機薄膜層10は、燐光ホスト及び燐光ドーパントを含む燐光発光層5を含み、該燐光発光層5と陽極3との間の正孔注入輸送層6等、及び燐光発光層5と陰極4との間の電子注入輸送層7等を、それぞれ提供することができる。さらに、陽極3と燐光発光層5との間に設けられた電子遮断層、及び陰極4と燐光発光層5との間に設けられた正孔遮断層が、それぞれ提供されてもよい。これによって、燐光発光層5内の励起子の生成率を向上させるために、燐光発光層5内に電子及び正孔を含むことが可能となる。本明細書中、用語蛍光ホスト及び燐光ホストは、それぞれ、蛍光ドーパントと組み合された場合に蛍光ホストとして、そして、燐光ドーパントと組み合された場合に燐光ホストとして言われ、分子構造のみに基づいたホスト材料の分類に限定されるべきではない。従って、本明細書中の蛍光ホストは、蛍光ドーパントを含む蛍光発光層を構成する材料を意味し、蛍光材料のホストのためのみに使用されることができる材料を意味しない。同様に、燐光ホストは、燐光ドーパントを含む燐光発光層を構成する材料を意味し、燐光材料のホストのためのみに使用されることができる材料を意味しない。本明細書中、正孔注入輸送層は、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも何れか一つを意味し、電子注入輸送層は、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも何れか一つを意味する。基板本発明のOLEDは、基板上に調製されてもよい。この場合における基板は、OLEDを支持するための基板であり、基板は、約400~約700nmの可視領域における光が、少なくとも約50の透過率を有する平坦基板であるのが好ましい。基板は、ガラス板、高分子板等を含んでもよい。特に、ガラス板は、ソーダ石灰ガラス、バリウムストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を含んでもよい。高分子板は、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、硫化ポリエーテル、ポリスルホン等を含んでもよい。陽極及び陰極本発明のOLEDにおける陽極は、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層中に正孔を注入する役割を想定している。一般的に、陽極は、4.5eV以上の仕事関数を有する。陽極として使用するのに適する材料の具体例として、インジウムスズ酸化物合金ITO、酸化スズNESA、インジウム酸化亜鉛、金、銀、白金、銅等が挙げられる。陽極は、蒸着法、スパッタリング法等の方法によって、上述のような電極物質から薄膜を形成することによって調製されることができる。光が発光層から発光される場合、陽極内の可視光領域における光の透過率は、10より高いことが好ましい。陽極のシート抵抗は、数百Ω/スクエア以下であることが好ましい。陽極の膜厚は、材料に依存して選択され、一般的には、約10nm~約1μm、及び好ましくは、約10nm~約200nmの範囲内である。陰極は、電子注入層、電子輸送層又は発光層中に電子を注入する目的で、小さい仕事関数を有する材料を備えることが好ましい。陰極として使用されるのに適した材料として、インジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム‐インジウム合金、マグネシウム‐アルミニウム合金、アルミニウム‐リチウム合金、アルミニウム‐スカンジウム‐リチウム合金、マグネシウム‐銀合金等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。透明又はトップエミットtop‐emitting素子のために、特許文献21に開示されるようなTOLED陰極が好ましい。陰極は、陽極と同様に、蒸着法、スパッタリング法等の方法によって薄膜を形成することによって調製されることができる。さらに、発光が陰極側から得られる実施形態が、同様に利用されることができる。発光層OLEDにおける発光層は、以下の機能を単独で又は組み合わせて実行することが可能である;1注入機能:正孔が、電界を印加する際に陽極又は正孔注入層から注入されることができるとともに、電子が、陰極又は電子注入層から注入されることができる機能。2輸送機能:注入された電荷電子及び正孔が、電界の力によって移動され得る機能。3発光機能:電子及び正孔の再結合のための領域が提供され、その結果、光の発光がもたらされる機能。正孔の注入の容易さと、電子の注入の容易さとの間に、差異が存在し得、正孔及び電子の運動性によって示される輸送能力における差異が存在し得る。例えば、蒸着、スピンコーティング、ラングミュアブロジェット法等を含む既知の方法が、発光層を調製するために使用されることができる。発光層は、分子堆積膜であることが好ましい。この点に関して、用語分子堆積膜は、気相から化合物を堆積させることによって形成される薄膜、及び溶液状態又は液相状態における材料化合物を凝固させることによって形成される膜を意味し、通常、上記の分子堆積膜は、凝集構造及び高次構造における差異、並びに、それに由来する機能的相違によって、ラングミュアブロジェットLB法によって形成される薄膜分子累積膜と区別されることができる。好ましい実施形態において、発光層の膜厚は、好ましくは、約5~約50nmであり、より好ましくは、約7~約50nmであり、最も好ましくは、約10~約50nmである。膜厚が5nm未満である場合、発光層を形成するとともに、色度を制御することが難しい傾向にある。他方、膜厚が約50nmを越えると、駆動電圧が高くなる傾向にある。OLED本発明のOLEDにおいて、単層又は複層を含む有機薄膜層は、陰極と陽極との間に提供される。該有機薄膜層は、少なくとも一つの発光層を含む。有機薄膜層の少なくとも一つは、少なくとも一つの燐光材料及び以下に記載される少なくとも一つのホスト材料を含む。さらに、発光層の少なくとも一つは、有機エレクトロルミネセンス素子のための本発明の少なくとも一つのホスト材料及び少なくとも一つの燐光材料を含むことが好ましい。上述のように、高効率かつ長寿命、特に、高い作動温度における高い安定性を有する燐光発光層は、本発明の教示に従って調製されることができる。この点に関して、本発明のOLEDを構成する材料の励起三重項エネルギーギャップEgTは、その燐光発光スペクトルに基づいて規定され得、それは、エネルギーギャップが、一般的に使用されるような、以下のような方法で規定され得る本発明における一例として示されている。それぞれの材料は、燐光を測定するためのサンプルを調製するために、10μモル/Lμmol/L濃度で、EPA溶媒容積比で、ジエチルエーテル:イソペンタン:エタノール=5:5:2中に溶解される。この燐光測定用サンプルは、石英セル中に置かれ、77Kまで冷却されて、次に、発光された燐光の波長を測定するために励起光で照射される。短波長側で得られる燐光発光スペクトルの増加に基づいて、接線が引かれ、上記接線と基線の交点の波長値は、エネルギー値に変換され、励起三重項エネルギーギャップEgTとして設定される。市販の測定装置F‐4500株式会社日立製は、測定のために使用されることができる。しかしながら、三重項エネルギーギャップとして定義されることができる値は、それが、本発明の範囲から逸脱しない限り、上記手順に依存することなく使用されることができる。好ましいホスト材料は、以下の式GH‐1によって示される化学構造を有する。有機エレクトロルミネセンス素子のための本発明の材料は、大きな三重項エネルギーギャップEgT励起三重項エネルギーを有し、それにより、燐光は、燐光ドーパントにエネルギ―を移動することによって発光されることができる。本発明において、上述のホスト材料の励起三重項エネルギーは、好ましくは、約2.0eV~約2.8eVである。約2.0eV以上の励起三重項エネルギーによって、500nm以上及び720nm以下の波長で光を発光する燐光ドーパント材料にエネルギーを移動することが可能となる。約2.8eV以下の励起三重項エネルギーによって、発光が、エネルギーギャップにおける大きな差のために緑色燐光ドーパントにおいて効率的に実行されないという問題を回避することが可能となる。ホスト材料の励起三重項エネルギーは、より好ましくは、約2.1eV~約2.7eVである。以下の式A1~115によって示される、本発明に係るホスト材料に適した化合物の具体例として、以下の化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明のOLEDにおいて使用可能な燐光発光材料に関して、イル2‐フェニルキノリン及びイル1‐フェニルイソキノリン型の燐光材料が合成されるとともに、それらをドーパント発光材料として組み込むOLEDが、製造されてきた。そのような素子は、高電流効率、高安定性、狭い発光領域、高溶解度及び低蒸発温度等の高加工性、高発光効率、及び/又は高発光効率を、有利に示し得る。イル3‐Meppy3の基底構造を用いて、異なるアルキル及びフルオロ置換パターンが、イル2‐フェニルキノリン及びイル1‐フェニルイソキノリン型の燐光材料の材料加工性蒸発温度、蒸発安定性、溶解度等及び素子特性に関して構造‐物性関係を確立するために研究されてきた。アルキル及びフルオロ置換は、それらが、蒸発温度、溶解度、エネルギー準位、素子効率等の観点から広範囲の維持可能性を提供するために、特に重要である。さらに、アルキル及びフルオロ置換は、適切に適用される場合、化学的官能基として及び素子動作において安定的である。本発明の一実施形態において、燐光発光材料は、以下の式によって示される以下の部分化学構造の一つによって示される置換化学構造を有する燐光有機金属化合物を含む。式中、Mは、八面体錯体を形成する金属であり、L、L’,Lは、各Lがsp2混成炭素及び窒素によりMに配位された置換又は非置換のフェニルピリジン配位子を含む等価又は不等価の二座配位子であり、L、L’及びLの一つは、他の二つの少なくとも一つと不等価である。一実施形態において、燐光発光材料は、以下の化学構造によって示される置換化学構造を有する燐光有機金属化合物を含む。式中、各Rは、独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルキルアリール、CN、CF3、CnF2n1、トリフルオロビニル、CO2R、COR、NR2、NO2、OR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、置換アリール、置換ヘテロアリール又は複素環基からなる群より選択され、Ar’,Ar’’,Ar’’’及びAr’’’’は、それぞれ独立して、フェニルピリジン配位子上の置換又は非置換のアリール或いはヘテロアリール非融合置換基を示し、aは、0又は1であり、bは、0又は1であり、cは、0又は1であり、dは、0又は1であり、mは、1又は2であり、nは、1又は2であり、mnは、Mに配位されることができる配位子の最大数であり、a,b,c及びdの少なくとも一つは、1であり、a及びbの少なくとも一つが1であるとともに、b及びcの少なくとも一つが1である場合、Ar’及びAr’’の少なくとも一つは、Ar’’’及びAr’’’’の少なくとも一つと異なる。他の実施形態において、燐光発光材料は、金属錯体を含み、該金属錯体は、イリジウムIr、白金Pt、オスミウムOs、金Au、銅Cu、レニウムRe、ルテニウムRu及び配位子から選択される金属原子を含む。さらに別の実施形態において、金属錯体は、オルトメタル結合を有する。金属原子は、好ましくは、イリジウムである。好ましい実施形態において、燐光発光材料は、以下の部分化学構造GD‐1によって示される置換化学構造を有する燐光有機金属錯体を含む。好ましい実施形態において、本発明は、ホスト材料が式GH‐1によって示される化学構造を有する非置換芳香族炭化水素化合物を含むOLEDに関し、燐光発光材料は、以下の化学構造によって示される置換化学構造を有する燐光有機金属化合物を含み、式中、各Rは、独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルキルアリール、CN、CF3、CnF2n1、トリフルオロビニル、CO2R、COR、NR2、NO2、OR、ハロ、アリール、ヘテロアリール、置換アリール、置換ヘテロアリール又は複素環基からなる群より選択され、Ar’,Ar’’,Ar’’’及びAr’’’’は、それぞれ独立して、フェニルピリジン配位子上の置換又は非置換のアリール或いはヘテロアリール非融合置換基を示し、aは、0又は1であり、bは、0又は1であり、cは、0又は1であり、dは、0又は1であり、mは、1又は2であり、nは、1又は2であり、mnは、Mに配位されることができる配位子の最大数であり、a,b,c及びdの少なくとも一つは、1であり、a及びbの少なくとも一つが1であるとともに、b及びcの少なくとも一つが1である場合、Ar’及びAr’’の少なくとも一つは、Ar’’’及びAr’’’’の少なくとも一つと異なる。本発明のOLEDは、正孔輸送層正孔注入層を含んでいてもよく、該正孔輸送層正孔注入層は、本発明の材料を含んでいるのが好ましい。また、本発明のOLEDは、電子輸送層及び/又は正孔遮断層を含んでいてもよく、該電子輸送層及び/又は正孔遮断層は、本発明の材料を含んでいるのが好ましい。本発明のOLEDは、陰極と有機薄膜層との間の中間層領域内に、還元性ドーパントを含んでいてもよい。記載される構造的構成を有するそのようなOLEDは、改良された発光輝度及び延長された寿命を示し得る。還元性ドーパントは、アルカリ金属、アルカリ金属錯体、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属錯体、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、希土類金属錯体、希土類金属化合物等から選択される少なくとも一つのドーパントを含む。適切なアルカリ金属として、ナトリウム仕事関数:2.36eV、カリウム仕事関数:2.28eV、ルビジウム仕事関数:2.16eV、セシウム仕事関数:1.95eV等が挙げられる。2.9eV以下の仕事関数を有する化合物が、特に好ましい。それらの中で、カリウム、ルビジウム及びセシウムが好ましく、より好ましくは、ルビジウム又はセシウムであり、さらにより好ましくは、セシウムである。アルカリ土類金属として、カルシウム仕事関数:2.9eV、ストロンチウム仕事関数:2.0~2.5eV、バリウム仕事関数:2.52eV等が挙げられ、2.9eV以下の仕事関数を有する化合物が、特に好ましい。希土類金属として、スカンジウム、イットリウム、セリウム、テルビウム、イッテルビウム等が挙げられ、2.9eV以下の仕事関数を有する化合物が、特に好ましい。上述の金属の中で、高い還元能力を有する金属を選択することが好ましく、電子注入領域に比較的少量の金属を添加することによって、発光輝度を向上させるとともに、OLEDの寿命を延長させることが可能となる。アルカリ金属化合物として、酸化リチウムLi2O、酸化セシウムCs2O、酸化カリウムK2O等のアルカリ金属酸化物、及びフッ化リチウムLiF、フッ化ナトリウムNaF、フッ化セシウムCsF、フッ化カリウムKF等のアルカリ金属ハロゲン化物が挙げられる。好ましい化合物として、フッ化リチウムLiF、酸化リチウムLi2O及びフッ化ナトリウムNaFが挙げられる。アルカリ土類金属化合物として、上記化合物を混合することによって得られる酸化バリウムBaO、酸化ストロンチウムSrO、酸化カルシウムCaO、及びBaxSr1-xO0<x<1、BaxCa1-xO0<x<1等が挙げられ、酸化バリウムBaO、酸化ストロンチウムSrO及び酸化カルシウムCaOが好ましい。希土類金属化合物として、フッ化イッテルビウムYbF3、フッ化スカンジウムScF3、酸化スカンジウムScO3、酸化イットリウムY2O3、酸化セリウムCe2O3、フッ化ガドリニウムGdF3、フッ化テルビウムTbF3等が挙げられ、フッ化イッテルビウムYbF3、フッ化スカンジウムScF3及びフッ化テルビウムTbF3が好ましい。アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体は、それらがアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン及び希土類金属イオンの少なくとも一つの金属イオンを含んでいる限り、特に限定されるべきではない。配位子は、キノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β-ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体であるのが好ましい。しかしながら、適切な材料は、これら上述の化合物に限定されるものではない。還元性ドーパントは、界面領域において形成されてもよく、層状又は島状であるのが好ましい。形成方法は、抵抗加熱蒸着法によって還元性ドーパントを堆積させている間、界面領域を形成する発光材料及び電子注入材料に対応する有機物が、同時に堆積され、それによって、有機物内に還元性ドーパントを分散させる方法であり得る。分散濃度は、モル比で、有機物:還元性ドーパント=約100:1~1:100、好ましくは、約5:1~1:5の割合を有する。還元性ドーパントが層状に形成される場合、界面領域内の有機層である発光材料及び電子注入材料は、層状に形成され、それから、還元性ドーパントは、好ましくは、0.1~15nmの厚みの層を形成するために、抵抗加熱蒸着法によって単独で堆積され得る。還元性ドーパントが島状に形成される場合、界面領域内の有機層である発光材料及び電子注入材料は、島状に形成され、それから、還元性ドーパントは、好ましくは、0.05~1nmの厚みの島を形成するために、抵抗加熱蒸着発光法によって単独で堆積され得る。本発明のOLEDにおける主成分の還元性ドーパントに対するモル比は、好ましくは、モル比で、主成分:還元性ドーパント=5:1~1:5、より好ましくは、2:1~1:2である。本発明のOLEDは、好ましくは、発光層と陰極との間に電子注入層を有する。この点に関して、電子注入層は、電子輸送層として作用する層であり得る。電子注入層又は電子輸送層は、発光層中への電子の注入を補助するための層であり、大きな電子移動度を有する。電子注入層は、エネルギー準位における急変の緩和を含めてエネルギー準位を制御するために提供される。本発明のOLEDにおける各層の形成方法は、特に限定されるものではなく、これまでに公知であった真空蒸着法、スピンコート法等によって実行される形成方法が使用されることができる。本発明のOLEDのために使用される上記式GH‐1によって示されるホスト材料化合物を含む有機薄膜層は、それぞれ、溶媒中に化合物を溶解させることによって調製される溶液を用いて、真空蒸着、分子線蒸着法MBE法、及び浸漬、スピンコート、鋳造、バーコーティング及びロールコーティング等のコーティング法等による公知の方法によって形成されることができる。本発明のOLEDにおける各有機層の膜厚は、特に限定されるものではない。一般的に、膜厚が小さすぎると、ピンホール等の欠陥に関連するのに対して、膜厚が大きすぎると、高電圧の印加を必要とし、OLEDの効率を低下させ得る。従って、膜厚は、一般的に、1乃至数nmから1μmの範囲である。本発明の組み合わせによって、燐光ドーパントの三重項エネルギー準位及びホストの三重項エネルギー準位は、適切に制御される。その結果、高効率及び延長された寿命を有する有機エレクトロルミネセンスEL素子が得られる。本発明の有機エレクトロルミネセンス素子のための材料は、以下の一般式1又は2によって示されるホスト材料化合物を含む。上記式中、Czは、置換又は非置換のアリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアルキレン基を示し、n及びmは、それぞれ1~3の整数を示す。アリールカルバゾリル基中のアリール基は、6~30個の炭素原子を有する。アリール基の例として、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、フルオレニル基、ビフェニル基及びターフェニル基が挙げられる。これらの基の中で、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基及びターフェニル基が好ましい。カルバゾリルアルキレン基中のアルキレン基は、1~10個の炭素原子を有することが好ましい。アルキレン基の例として、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、n‐ブチレン基、s‐ブチレン基、イソブチレン基、t‐ブチレン基、n‐ペンチレン基、n‐ヘキシレン基、n‐ヘプチレン基、n‐オクチレン基、ヒドロキシメチレン基、クロロメチレン基及びアミノメチレン基が挙げられる。これらの基の中で、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、n‐ブチレン基、t‐ブチレン基及びn‐ペンチレン基が好ましい。一般式1及び2中、Aは、以下の一般式3によって示される基を示す。M及びM’は、それぞれ独立して、2~40個の炭素原子及び窒素原子を有し、置換又は非置換環を形成する芳香族複素環を示し、M及びM’は、同じ環又は異なる環を示してもよい。窒素原子を有する芳香族複素環の例として、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、アジリジン、アザインドリジン、インドリジン、イミダゾール、インドール、イソインドール、インダゾール、プリン、プテリジン、β‐カルボリン、ナフチリジン、キノキサリン、ターピリジン、ビピリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン及びイミダゾピリジン好ましくは、イミダゾ[1,2‐a]ピリジンの環が挙げられる。これらの環の中で、ピリジン、ターピリジン、ピリミジン、イミダゾピリジン好ましくは、イミダゾ[1,2‐a]ピリジン及びトリアジンの環が好ましい。Lは、単結合、6~30個の炭素原子を有する置換又は非置換のアリール基又はアリーレン基、5~30個の炭素原子を有する置換又は非置換のシクロアルキレン基、或いは2~30個の炭素原子を有する置換又は非置換の芳香族複素環を示す。pは、0~2の整数を示し、qは、1又は2の整数を示し、rは、0~2の整数を示し、prは、1以上の整数を示す。6~30個の炭素原子を有するアリール基の例として、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基及びパーフルオロアリール基が挙げられる。これらの基の中で、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基及びパーフルオロアリール基が好ましい。6~30個の炭素原子を有するアリーレン基の例として、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アントラニレン基、フェナントリレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、フルオランテニレン基及びパーフルオロアリーレン基が挙げられる。これらの基の中で、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基及びパーフルオロアリーレン基が好ましい。5~30個の炭素原子を有するシクロアルキレン基の例として、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基及びシクロヘプチレン基が挙げられる。これらの基の中で、シクロヘキシレン基が好ましい。2~30個の炭素原子を有する芳香族複素環の例として、1‐ピロリル基、2‐ピロリル基、3‐ピロリル基、ピラジニル基、2‐ピリジニル基、3‐ピリジニル基、4‐ピリジニル基、1‐インドリル基、2‐インドリル基、3‐インドリル基、4‐インドリル基、5‐インドリル基、6‐インドリル基、7‐インドリル基、1‐イソインドリル基、2‐イソインドリル基、3‐イソインドリル基、4‐イソインドリル基、5‐イソインドリル基、6‐イソインドリル基、7‐イソインドリル基、2‐フリル基、3‐フリル基、2‐ベンゾフラニル基、3‐ベンゾフラニル基、4‐ベンゾフラニル基、5‐ベンゾフラニル基、6‐ベンゾフラニル基、7‐ベンゾフラニル基、1‐イソベンゾフラニル基、3‐イソベンゾフラニル基、4‐イソベンゾフラニル基、5‐イソベンゾフラニル基、6‐イソベンゾフラニル基、7‐イソベンゾフラニル基、2‐キノリル基、3‐キノリル基、4‐キノリル基、5‐キノリル基、6‐キノリル基、7‐キノリル基、8‐キノリル基、1‐イソキノリル基、3‐イソキノリル基、4‐イソキノリル基、5‐イソキノリル基、6‐イソキノリル基、7‐イソキノリル基、8‐イソキノリル基、2‐キノキサニル基、5‐キノキサニル基、6‐キノキサニル基,1‐カルバゾリル基、1‐カルバゾリル基、2‐カルバゾリル基、3‐カルバゾリル基、4‐カルバゾリル基、9‐カルバゾリル基、1‐フェナントリジニル基、2‐フェナントリジニル基、3‐フェナントリジニル基、4‐フェナントリジニル基、6‐フェナントリジニル基、7‐フェナントリジニル基、8‐フェナントリジニル基、9‐フェナントリジニル基、10‐フェナントリジニル基、1‐アクリジニル基、2‐アクリジニル基、3‐アクリジニル基、4‐アクリジニル基、9‐アクリジニル基、1,7‐フェナントロリン‐2‐イル基、1,7‐フェナントロリン‐3‐イル基、1,7‐フェナントロリン‐4‐イル基、1,7‐フェナントロリン‐5‐イル基、1,7‐フェナントロリン‐6‐イル基、1,7‐フェナントロリン‐8‐イル基、1,7‐フェナントロリン‐9‐イル基、1,7‐フェナントロリン‐10‐イル基、1,8‐フェナントロリン‐2‐イル基、1,8‐フェナントロリン‐3‐イル基、1,8‐フェナントロリン‐4‐イル基、1,8‐フェナントロリン‐5‐イル基、1,8‐フェナントロリン‐6‐イル基、1,8‐フェナントロリン‐7‐イル基、1,8‐フェナントロリン‐9‐イル基、1,8‐フェナントロリン‐10‐イル基、1,9‐フェナントロリン‐2‐イル基、1,9‐フェナントロリン‐3‐イル基、1,9‐フェナントロリン‐4‐イル基、1,9‐フェナントロリン‐5‐イル基、1,9‐フェナントロリン‐6‐イル基、1,9‐フェナントロリン‐7‐イル基、1,9‐フェナントロリン‐8‐イル基、1,9‐フェナントロリン‐10‐イル基、1,10‐フェナントロリン‐2‐イル基、1,10‐フェナントロリン‐3‐イル基、1,10‐フェナントロリン‐4‐イル基、1,10‐フェナントロリン‐5‐イル基、2,9‐フェナントロリン‐1‐イル基、2,9‐フェナントロリン‐3‐イル基、2,9‐フェナントロリン‐4‐イル基、2,9‐フェナントロリン‐5‐イル基、2,9‐フェナントロリン‐6‐イル基、2,9‐フェナントロリン‐7‐イル基、2,9‐フェナントロリン‐8‐イル基、2,9‐フェナントロリン‐10‐イル基、2,8‐フェナントロリン‐1‐イル基、2,8‐フェナントロリン‐3‐イル基、2,8‐フェナントロリン‐4‐イル基、2,8‐フェナントロリン‐5‐イル基、2,8‐フェナントロリン‐6‐イル基、2,8‐フェナントロリン‐7‐イル基、2,8‐フェナントロリン‐9‐イル基、2,8‐フェナントロリン‐10‐イル基、2,7‐フェナントロリン‐1‐イル基、2,7‐フェナントロリン‐3‐イル基、2,7‐フェナントロリン‐4‐イル基、2,7‐フェナントロリン‐5‐イル基、2,7‐フェナントロリン‐6‐イル基、2,7‐フェナントロリン‐8‐イル基、2,7‐フェナントロリン‐9‐イル基、2,7‐フェナントロリン‐10‐イル基、1‐フェノキサジニル基、2‐フェノキサジニル基、1‐フェノチアジニル基、2‐フェノチアジニル基、3‐フェノチアジニル基、4‐フェノチアジニル基、10‐フェノチアジニル基、1‐フェノキサジニル基、2‐フェノキサジニル基、3‐フェノキサジニル基、4‐フェノキサジニル基、10‐フェノキサジニル基、2‐オキサゾリル基、4‐オキサゾリル基、5‐オキサゾリル基、2‐オキサジアゾリル基、5‐オキサジアゾリル基、3‐フラザニル基、2‐チエニル基、3‐チエニル基,2‐メチルピロール‐1‐イル基、2‐メチルピロール‐3‐イル基、2‐メチルピロール‐4‐イル基、2‐メチルピロール‐5‐イル基、3‐メチルピロール‐1‐イル基、3‐メチルピロール‐2‐イル基、3‐メチルピロール‐4‐イル基、3‐メチルピロール‐5‐イル基、2‐t‐ブチルピロール‐4‐イル基、3‐2‐フェニルプロピルピロール‐1‐イル基、2‐メチル‐1‐インドリル基、4‐メチル‐1‐インドリル基、2‐メチル‐3‐インドリル基、4‐メチル‐3‐インドリル基、2‐t‐ブチル‐1‐インドリル基、4‐t‐ブチル‐1‐インドリル基、2‐t‐ブチル‐3‐インドリル基及び4‐t‐ブチル‐3‐インドリル基が挙げられる。これらの基の中で、ピリジニル基及びキノリル基が好ましい。一般式1、2及び3中のCz,M又はM’によって示される基における置換基の例として、塩素原子、臭素原子及びフッ素原子等のハロゲン原子、カルバゾール基、置換及び非置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、シリル基、トリフルオロメチル基、カルボニル基、カルボキシル基、置換及び非置換のアルキル基、置換及び非置換のアルケニル基、置換及び非置換のアリールアルキル基、置換及び非置換の芳香族基、置換及び非置換のヘテロ芳香族複素環基、置換及び非置換のアラルキル基、置換及び非置換のアリロキシ基、並びに置換及び非置換のアルキルオキシル基が挙げられる。これらの基の中で、フッ素原子、メチル基、パーフルオロフェニレン基、フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、アダマンチル基、ベンジル基、シアノ基及びシリル基が好ましい。上述の一般式1又は2によって示される化合物の結合モードを、n及びmによって示される数に従って、以下の表1に示す。上述の一般式3によって示される基の結合モードを、p,q及びrによって示される数に従って、以下の表2に示す。Aによって示される基に結合されるCzによって示される基は、Aによって示される基を示す一般式3中のM,L又はM’によって示される基の何れかに結合され得る。例えば、Aによって示される基が、一般式1又は2中のm=n=1であるCz‐Aによって示される化合物において表2p=q=r=1中の結合モード[6]を有する場合、結合モードは、Cz‐M‐L‐M’、M‐LCz‐M’及びM‐L‐M’‐Czの三つの結合モードを含む。Aによって示される基が、一般式1中のn=2であるCz‐A‐Czによって示される化合物において表2p=q=1及びr=2中の結合モード[7]を有する場合、結合モードは、以下に示される結合モードを含む。一般式1,2又は3によって示される基の結合モード及び例示として上記に示される基の組み合わせに関して、以下のi~ivに示される化合物を含む有機EL素子のための材料が好ましい。i一般式1においてn=1並びに一般式3においてp=1及びr=0である有機EL素子のための材料一般式1において、Czは、置換又は非置換のアリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアルキレン基を示す。一般式3において、Mは、4又は5個の炭素原子及び窒素原子を有し、置換又は非置換環を形成する複素環六員環又は七員環、2~4個の炭素原子及び窒素原子を有し、置換又は非置換環を形成する複素環五員環、8~11個の炭素原子及び窒素原子を有し、置換又は非置換環を形成する複素環、或いは、置換又は非置換のイミダゾピリジニル好ましくは、イミダゾ1,2‐aピリジニル環を示す。Lは、6~30個の炭素原子を有する置換又は非置換のアリール基又はアリーレン基、或いは、2~30個の炭素原子を有する置換又は非置換の芳香族複素環を示す。ii一般式においてn=2並びに一般式3においてp=1及びr=0である有機EL素子のための材料一般式1において、Czは、置換又は非置換のアリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアルキレン基を示す。一般式3において、Mは、4又は5個の炭素原子及び窒素原子を有し、置換又は非置換環を形成する複素環六員環又は七員環、2~4個の炭素原子及び窒素原子を有し、置換又は非置換環を形成する複素環五員環、8~11個の炭素原子及び窒素原子を有し、置換又は非置換環を形成する複素環、或いは、置換又は非置換のイミダゾピリジニル好ましくは、イミダゾ1,2‐aピリジニル環を示す。Lは、6~30個の炭素原子を有する置換又は非置換のアリール基又はアリーレン基、或いは、2~30個の炭素原子を有する置換又は非置換の芳香族複素環を示す。iii一般式においてn=1並びに一般式3においてp=2及びr=0である有機EL素子のための材料一般式1において、Czは、置換又は非置換のアリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアルキレン基を示す。一般式3において、Mは、2~40個の炭素原子及び窒素原子を有し、置換又は非置換環を形成する芳香族複素環を示す。Lは、6~30個の炭素原子を有する置換又は非置換のアリール基又はアリーレン基、或いは、2~30個の炭素原子を有する置換又は非置換の芳香族複素環を示す。iv一般式においてm=2並びに一般式3においてp=q=1である有機EL素子のための材料一般式2において、Czは、置換又は非置換のアリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアルキレン基を示す。一般式3において、M及びM’は、それぞれ独立して、2~40個の炭素原子及び窒素原子を有し、置換又は非置換環を形成する芳香族複素環を示す。M及びM’は、同じ環又は異なる環を示してもよく、Lは、6~30個の炭素原子を有する置換又は非置換のアリール基又はアリーレン基、5~30個の炭素原子を有する置換又は非置換のシクロアルキレン基、或いは、2~30個の炭素原子を有する置換又は非置換の芳香族複素環を示す。上記一般式1及び2において、Czは、好ましくは、置換又は非置換のアリールカルバゾリル基、及びより好ましくは、フェニルカルバゾリル基を示す。アリールカルバゾリル基のアリール部分は、カルバゾリル基で置換されていることが好ましい。一般式1又はによって示される化合物の三重項状態のエネルギーギャップは、好ましくは、2.5~3.3eV、及びより好ましくは、2.5~3.2eVである。一般式1又はによって示される化合物の一重項状態のエネルギーギャップは、好ましくは、2.8~3.8eV、及びより好ましくは、2.9~3.7eVである。化合物の三重項エネルギーギャップ及び一重項エネルギーギャップを、以下の方法に従って測定してもよい。1三重項エネルギーギャップの測定最低励起三重項エネルギー準位を測定する。試料の燐光スペクトルを測定する10μモル/Lμmol/L濃度で、EPA溶媒容積比で、ジエチルエーテル:イソペンタン:エタノール=5:5:2中に溶解、石英セル中で77Kまで冷却、FLUOROLOGIISPEX社製で測定。燐光スペクトルの短波長側での増加線に対して接線を引き、該接線と横座標発光の端部との交点の波長を得る。得られた波長を、エネルギーに変換する。2一重項エネルギーギャップの測定励起一重項エネルギーギャップを測定する。試料のトルエン溶液10-5mol/Lを用いて、株式会社日立製の紫外線及び可視光線の吸収用スペクトロメータによって、吸収スペクトルを得る。スペクトルの長波長側での増加線に対して接線を引き、該接線と横座標吸収の端部との交点の波長を得る。得られた波長を、エネルギーに変換する。ホスト材料の合成は以下の通りである。1300mlのエタノール中に、50.8g192mmolの3,5‐ジブロモベンズアルデヒド及び37.8g192mmolの4‐アセチルビフェニルを添加した。混合物を、室温で撹拌し、次に、70mlの水中の14.2g356mmol、185モルの水酸化ナトリウムの水溶液を、反応液中に徐々に滴下した。室温で7時間の間撹拌後、反応液を一晩静置した。沈殿物を、濾過によって回収し、水、そして次に、洗浄用エタノール中に分散させ、真空乾燥後、淡黄色固体として82.9g収率99の目的のカルコン化合物を得た。1000mlのエタノール中に、上述のように合成された82.9g187mmolのカルコン化合物及び30.2g193mmol、103モルのベンズアミジン塩酸塩を添加した。混合物を、室温で撹拌し、次に、15.0g374mmol、200モルの水酸化ナトリウムを、反応液中に徐々に滴下した。その後、反応液を、還流温度まで加熱し、8時間の間撹拌後、一晩静置した。沈殿物を、濾過によって回収し、沈殿物を、濾過によって回収し、メタノールで洗浄し、真空乾燥後、白色固体として46.3g収率45の目的のピリミジン化合物を得た。1000mlフラスコ中に、上述のように合成された46.2g85.2mmolのピリミジン化合物,34.2g204mmol、240モルのカルバゾール、1.6g8.5mmol、10モルのヨウ化銅及び54.3g256mmol、300モルのリン酸三カリウムを添加した。内部大気をアルゴンガスで置換後、300mlの乾燥1,4‐ジオキサンを、フラスコに添加した。温度を70°Cまで上昇させ、内容物を撹拌した。次に、反応液に、1.9g17.4mmol、20モルのトランス‐1,2‐シクロヘキサンジアミンを添加し、還流温度まで加熱した。5時間後、反応液に、1.6g8.5mmol、10モルのヨウ化銅、1.0g8.7mmol、10モルのトランス‐1,2‐シクロヘキサンジアミン及び18.1g85mmol、100モルのリン酸三カリウムを添加し、還流温度で10時間の間撹拌した。反応液を濃縮し、沈殿固体をトルエン中に溶解するとともに、不溶性物質を濾過によって除去した。回収された濾液を、減圧下で濃縮した。沈殿固体を、トルエンから二度再結晶化し、白色固体として37.7g収率62の好ましいホスト材料を得た。本発明について、以下の実施例及び比較例を参照して、さらに詳細に説明する。しかしながら、本発明は、以下の例によって限定されるものではない。インジウムスズ酸化物ITOの透明電極ジオマテック株式会社製を有するガラス基板サイズ:25mm×75mm×1.1mmを、5分間、イソプロピルアルコール中で超音波洗浄し、30分間、UV紫外線/オゾン洗浄した。透明電極を有するガラス基板を洗浄した後、該ガラス基板を、真空蒸着装置の基板ホルダ上に実装した。透明電極線が提供されるガラス基板の表面を覆うために、40nmの厚みのHT‐1及び20nmの厚みのHT‐2を蒸着することによって、正孔輸送HT層をまず形成した。緑色燐光ホストとしてGH1及び緑色燐光ドーパントとしてGD1を、40nmの厚みの正孔輸送層上に共堆積させることによって、緑色燐光発光層を得た。GD1の濃度は、15重量であった。次に、陰極を得るために、40nm厚の電子輸送ET1層、1nm厚のフッ化リチウムLiF層及び80nm厚の金属アルミニウム層を、順に形成した。LiF層は、電子注入可能電極であり、1Åオングストローム/秒の速度で形成した。比較例1緑色燐光ホストとしてGH‐1の代わりにCBP4,4’‐ビスN‐カルバゾリルビフェニルを、緑色燐光ドーパントとしてGD1の代わりにIrppy3を使用したこと以外は、実施例1と同様にして、有機EL素子を調製した。比較例2緑色燐光ドーパントとしてGD1の代わりにIrppy3を使用したこと以外は、実施例1と同様にして、有機EL素子を調製した。比較例3緑色燐光ホストとしてGH‐1の代わりにCBPを使用したこと以外は、実施例1と同様にして、有機EL素子を調製した。実施例1及び比較例1~3に係る素子の構造を、表3に示す。有機EL素子の評価実施例1及び比較例1~3において製造された有機EL素子を、それぞれ、1mA/cm2の直流電流によって発光させ、発光色度、発光L及び電圧を測定した。測定値を用いて、電流効率L/J及び発光効率ηlm/Wを得た。結果を表4に示す。表2から明らかなように、実施例1に係る有機EL素子は、比較例1~3に係る有機EL素子に比し、優れた発光効率及び長寿命を示した。"