"所定の平面に平行な物体面に配置された物体の中間像を形成する第1の反射光学系と前記中間像を前記平面に平行な像面に投影する第2の反射光学系とを含む投影光学系であって、前記第1の反射光学系は、前記物体面から出射され前記平面に直交する第1方向に沿って入射した光を反射する第1の平面鏡と、前記第1の平面鏡からの光を反射する第1の光学系と、前記第1の光学系からの光を反射して前記中間像の形成位置に向け前記第1方向に沿って出射する第2の平面鏡とを有し、前記第2の反射光学系は、前記中間像の形成位置から出射され前記第1方向に沿って入射した光を反射する第3の平面鏡と、前記第3の平面鏡からの光を反射する第2の光学系と、前記第2の光学系からの光を反射して前記像面に向け前記第1方向に沿って出射する第4の平面鏡とを有し、前記第2の平面鏡における光の反射位置と前記中間像の形成位置との間の前記第1方向における距離は前記第1の平面鏡における光の反射位置と前記物体面との間の前記第1方向における距離よりも短いこと、及び、前記第3の平面鏡における光の反射位置と前記中間像の形成位置との間の前記第1方向における距離は前記第4の平面鏡における光の反射位置と前記像面との間の前記第1方向における距離よりも短いことの少なくともいずれかを満たすように、前記第1乃至第4の平面鏡並びに前記第1及び第2の光学系が配置されている、ことを特徴とする投影光学系。前記第1の光学系は、前記第1の平面鏡と前記第2の平面鏡との間の光路に、第1の凹面鏡と第1の凸面鏡と第2の凹面鏡とを含み、前記第2の光学系は、前記第3の平面鏡と前記第4の平面鏡との間の光路に、第3の凹面鏡と第2の凸面鏡と第4の凹面鏡とを含む、ことを特徴とする請求項1に記載の投影光学系。前記第1及び第2の平面鏡の組と前記第3及び第4の平面鏡の組との少なくとも一方の組が一体に形成されている、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の投影光学系。前記第2の平面鏡における光の反射位置と前記第1の光学系との間の前記第1方向に直交する第2方向における距離は前記第1の平面鏡における光の反射位置と前記第1の光学系との間の前記第2方向における距離よりも長いこと、及び、前記第3の平面鏡における光の反射位置と前記第2の光学系との間の前記第2方向における距離は前記第4の平面鏡における光の反射位置と前記第2の光学系との間の前記第2方向における距離よりも長いことの少なくともいずれかを満たすように、前記第1乃至第4の平面鏡並びに前記第1及び第2の光学系が配置されている、ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の投影光学系。前記第1の光学系は、前記第2の平面鏡に入射する光の前記第1方向における位置を前記物体面の側にシフトさせる互いに平行に配置された一対の平面鏡をさらに含むこと、及び、前記第2の光学系は、前記第3の平面鏡に入射する光の前記第1方向における位置を前記像面の側にシフトさせる互いに平行に配置された一対の平面鏡をさらに含むこと、の少なくともいずれかを満たす、ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の投影光学系。前記第1の光学系及び前記第2の光学系は等倍の光学系であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の投影光学系。請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の投影光学系を用いて前記物体面に配置された原版のパターンを前記像面に配置された基板に投影して前記基板を露光する露光装置。請求項7に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記工程で露光された基板を現像する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。複数の投影光学系を用いた露光装置では正立像にするために投影光学系を上下に2段積む方法が提案されている。しかし、2段積むことにより投影光学系の高さが高くなり、その結果露光装置の高さが高くなり露光装置が大型化するという問題がある。本発明は、良好な結像性能と小型化を両立する投影光学系を提供することを目的とする。本発明は、所定の平面に平行な物体面に配置された物体の中間像を形成する第1の反射光学系と前記中間像を前記平面に平行な像面に投影する第2の反射光学系とを含む投影光学系であって、前記第1の反射光学系は、前記物体面から出射され前記平面に直交する第1方向に沿って入射した光を反射する第1の平面鏡と、前記第1の平面鏡からの光を反射する第1の光学系と、前記第1の光学系からの光を反射して前記中間像の形成位置に向け前記第1方向に沿って出射する第2の平面鏡とを有し、前記第2の反射光学系は、前記中間像の形成位置から出射され前記第1方向に沿って入射した光を反射する第3の平面鏡と、前記第3の平面鏡からの光を反射する第2の光学系と、前記第2の光学系からの光を反射して前記像面に向け前記第1方向に沿って出射する第4の平面鏡とを有し、前記第2の平面鏡における光の反射位置と前記中間像の形成位置との間の前記第1方向における距離は前記第1の平面鏡における光の反射位置と前記物体面との間の前記第1方向における距離よりも短いこと、及び、前記第3の平面鏡における光の反射位置と前記中間像の形成位置との間の前記第1方向における距離は前記第4の平面鏡における光の反射位置と前記像面との間の前記第1方向における距離よりも短いことの少なくともいずれかを満たすように、前記第1乃至第4の平面鏡並びに前記第1及び第2の光学系が配置されている、ことを特徴とする。本発明によれば、良好な結像性能と小型化を両立する投影光学系を提供することができる。以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。第1実施形態図1は第1実施形態のマスク原版の等倍正立像を基板上に投影して基板を露光する露光装置の図である。本実施形態の露光装置は、図1に示すように、照明光学系IL投影光学系PO、所定のパターンが描画されたマスク1、マスク1を保持するためのマスクステージ2、基板3と基板3を保持する基板ステージ4を備える。マスクステージ2と基板ステージ4は同期してy方向に走査することにより、より広い領域を露光することが可能となる。投影光学系POはマスク1の中間像を形成する第1の反射光学系PO1と、第1の反射光学系PO1により形成された中間像を基板3に結像する第2の反射光学系PO2を含む。第1の反射光学系PO1は、所定の平面に平行な物体面に配置された物体であるマスク1の中間像を形成し、第2の反射光学系PO2は、中間像を前記平面に平行な像面に投影する。照明光学系ILに含まれる光源は生産されるデバイスによりエキシマレーザーや高圧水銀ランプなどから最適なものが選択可能である。例えば、光源として、液晶表示素子の生産においては高圧水銀ランプを用いてg線、h線、i線が使用されうる。マスク1にはデバイス製造のための所望のパターンが描画されており、投影光学系POにより基板3上にパターンが投影される。基板3上には照明光学系ILで使用される光源波長に感度のある感光材が塗布してあり、現像プロセスを経ることにより基板3上に所望のパターンが形成される。第1の反射光学系PO1は、第1の平面鏡5と第1の光学系と第2の平面鏡7とを有する。第1の平面鏡5は、マスクステージ2上の物体面から出射され物体面に直交する第1方向z方向に沿って入射した光を反射する。第1の光学系は、第1の平面鏡5により反射された光を第2の平面鏡7に向けて反射する。第1の光学系は、第1の平面鏡5と第2の平面鏡7との間の光路に、第1の凹面鏡と第1の凸面鏡11と第2の凹面鏡とを含むオフナー系を配置する。第1実施形態では、第1の凹面鏡及び第2の凹面鏡の組は一体の凹面鏡10として構成されている。第2の平面鏡7は、第1の光学系からの光を反射して中間像の形成位置6に向けZ方向に出射する。中間像の形成位置6は、マスク1と光学的に共役な位置である。第1の光学系は等倍の光学系である。第2の反射光学系PO2は、第3の平面鏡21と第2の光学系と第4の平面鏡24とを有する。第3の平面鏡21は、中間像の形成位置6から出射されz方向に沿って入射した光を反射する。第2の光学系は、第3の平面鏡21により反射された光を第4の平面鏡24に向けて反射する。第2の光学系は、第3の凹面鏡と第2の凸面鏡23と第4の凹面鏡とを含むオフナー系が利用可能である。第1実施形態では、第3の凹面鏡及び第4の凹面鏡の組は一体の凹面鏡22として構成されている。第4の平面鏡24は、第2の光学系からの光を反射して基板ステージ4上の像面に向けz方向に出射する。第2の光学系は等倍の光学系である。図1に示されている軸101-102は第1の光学系に含まれる凸面鏡11と凹面鏡10の曲率中心を結ぶ第1の光学系の光軸である。同様に軸103-104は第2の光学系に含まれる凸面鏡23と凹面鏡22の曲率中心を結ぶ第2の光学系の光軸である。図1に示す走査型の露光装置ではマスクステージ2がy方向に走査する。そのため、マスクステージ2と第1の凹面鏡との干渉を防ぐためにマスクステージ2と第1の平面鏡5とのz方向における距離は所定値以上に保つ必要がある。同様に第2の反射光学系PO2に含まれる凹面鏡22と基板3及び基板ステージ4との干渉を防ぐために、第2の反射光学系PO2に含まれる第4の平面鏡24と基板3のz方向における距離を所定値以上に保つ必要がある。一方、第2の平面鏡7と第3の平面鏡21との間には走査ステージが存在しない。そのため中間像の形成位置6と第2の平面鏡7における光の反射位置とのz方向の距離及び中間像の形成位置6と第3の平面鏡21における光の反射位置とのz方向の距離を短くすることが可能である。そのようにするために、第2の平面鏡7における反射位置と第1の光学系とのy方向における距離を第1の平面鏡5における反射位置と第1の光学系とのy方向における距離よりも長くする。そのようにするために、第2の平面鏡7における反射位置と第1の光学系とのy方向における距離を第1の平面鏡5における反射位置と第1の光学系とのy方向における距離よりも長くする。また、第3の平面鏡7における反射位置と第2の光学系とのy方向における距離を第4の平面鏡5における反射位置と第2の光学系とのy方向における距離よりも長くする。その結果、マスクステージ2と第1の平面鏡5とのz方向の距離を保ったまま、第2の平面鏡7と中間像の形成位置6とのz方向の距離を短くすることが可能となる。その結果、第1の光学系の光軸101-102とマスク1の距離に比べ光軸101-102と中間像の形成位置6との距離を短くすることが可能となる。同様なことが第2の反射光学系PO2についても成立し第3の平面鏡21を第4の平面鏡24に比べ-y方向に配置する。そうすることにより、第4の平面鏡24と基板3のy方向の距離を保ったまま、中間像と第3の平面鏡21とのy方向の距離を短くすることが可能となる。その結果中間像と第2の光学系の光軸103-104との距離を光軸103-104と基板3との距離に比べ短くすることが可能となる。図1では第2の平面鏡7と第3の平面鏡21の両方を-y方向へ移動させ配置する例を示している。しかしながら、第2の平面鏡7と第3の平面鏡21の少なくとも一方を-y方向に移動させ配置することによりマスク1と基板3とのz方向の距離を短くすることが可能であり、投影光学系POひいては露光装置を小型化することが可能である。前述の関係は図1においてマスク1から第1の平面鏡5における光の反射位置までの距離をA、第3の平面鏡7における光の反射位置から中間像までの距離をBとする。また中間像から第3の平面鏡21における光の反射位置までの距離をC、第4の平面鏡24における光の反射位置から基板3までの距離をDとする。マスク1と基板3とのz方向の距離を短くするための条件は、A>B及びD>Cの少なくともいずれかを満たすように第1乃至第4の平面鏡並びに前記第1及び第2の光学系が配置されていることである。平面鏡の配置位置は投影光学系POの光学性能へ影響を及ぼすものではない。したがって、投影光学系POの性能に影響を与えることなく投影光学系POの高さを低くすることが可能であり、その結果として装置を小型化することが可能である。第2実施形態図2に基づいて第2実施形態の露光装置について説明する。本実施形態の露光装置は、照明光学系ILから出た照明光はマスク201を通り第1の平面鏡203を通り第1の凹面鏡204により反射され、第1の凸面鏡205、第2の凹面鏡206を通る。その後、光は、第2の平面鏡207により反射され、マスク201に対して共役な位置221に中間像を結ぶ。第1の平面鏡203と第2の平面鏡207はプリズム状で一体的に構成されて互いに直角なしている。中間像を結んだ後、第2の反射光学系PO2に含まれる第3の平面鏡208により反射された光は第3の凹面鏡209、第2の凸面鏡210、第4の凹面鏡211を通り、第4の平面鏡212により反射され基板213上に結像する。第2の反射光学系PO2に含まれる第3の平面鏡208と第4の平面鏡212はプリズム状で一体的に構成され互いに直角をなしている。マスク201にはデバイスを製造するための所定のパターンが描画されており基板213上にパターンを形成することができる。マスク201は駆動可能なマスクステージ202に固定されている。また基板213は駆動可能な基板ステージ214に固定されている。マスクステージ202と基板ステージ214は同期してy方向に走査することにより広い領域を露光可能である。第1の光学系に含まれる第1の凸面鏡205と第1及び第2の凹面鏡204,206の曲率中心を結ぶ直線215-216は第1の光学系の光軸である。同様に第2の光学系に含まれる第2の凸面鏡210と第3及び第4の凹面鏡209211の曲率中心を結ぶ直線217-218は第2の光学系の光軸である。第1実施形態では中間像に近い第2の平面鏡のみを-y方向に移動させ光軸と中間像の距離を短くした。しかしながら本実施形態では第1及び第2の2つの平面鏡203207がプリズム状で一体的に構成されているため中間像に近い第2の平面鏡207のみを移動させることが不可能である。そこで図2に示すように、第1の反射光学系PO1に含まれるプリズム状の第1及び第2の平面鏡の頂点219を光軸215-216に対してz方向及びy方向に移動させる。そうすることで、反射光学系の光学性能に影響を及ぼすことなくマスクステージ202と第1の凹面鏡204の距離を保ったまま、第2の平面鏡207から中間像までの距離を短くすることが可能である。なお、従来技術における露光装置の第1の反射光学系に含まれるプリズム状の第1及び第2の平面鏡の頂点219は、図5に示されるように、第1の光学系の光軸215-216上に位置する。同様に第2の反射光学系PO2においてもプリズム状の第3及び第4の平面鏡208212のプリズム状の頂点220が第2の光学系の光軸217218に対しての-y及び-z方向へ移動させ配置する。そうすることで、反射光学系の性能、基板ステージ214の走査に影響を与えることなく、中間像と第3の平面鏡208とのz方向における距離を短くすることが可能である。マスク201から第1の平面鏡203の反射位置までの距離をA2、第2の平面鏡207の反射位置から中間像までの距離をB2とする。また中間像から第3の平面鏡208の反射位置までの距離をC2、第4の平面鏡212の反射位置から基板213までの距離をD2とする。マスク201と基板213とのz方向の距離を短くするための条件は、A2>B2またはD2>C2を満たすことである。したがって、投影光学系POの性能に影響を与えることなく投影光学系POの高さを低くすることが可能であり、その結果として装置を小型化することが可能である。第3実施形態図3に基づいて第3実施形態の露光装置について説明する。不図示の照明光学系から出た照明光はマスク301を通り第1の反射光学系PO1によりマスク301に対して共役な位置314に中間像を形成しその後第2の反射光学系PO2により基板303上にマスクパターンが形成される。マスク301はマスクステージに302に保持されており、基板303は基板ステージ304に保持されている。マスクステージ302と基板ステージ304は同期してy方向に走査することにより広い範囲を露光可能となる。第1の反射光学系PO1は第1の平面鏡305、第1の凹面鏡306、第1の凸面鏡307、第2の凹面鏡308、第2の平面鏡311を有している。第3実施形態の第1の光学系は、第2の凹面鏡308と第2の平面鏡311との間に配置された一対の平面鏡309,310をさらに含んでいる。一対の平面鏡309,310は、互いに平行に配置され、第2の凹面鏡308で反射され第2の平面鏡311に入射する光のz方向第2方向における位置を物体面の側にシフトさせる。x軸に右ねじが進む向きをωx周りに右ねじが進む向きをωxとした場合、平面鏡309はx-z平面をωxに-45°傾けたよう配置され、平面鏡310はx-z平面をωxに-45°傾けたように配置されている。また平面鏡310は平面鏡309に対して並行つまりx-z平面をωxに-45°傾けたよう配置されている。第2の平面鏡311は第1の平面鏡305と直角を成すように配置されている。第1の凸面鏡307の曲率中心と第1及び第3の凹面鏡306308の曲率中心を結ぶ直線312-313は第1の光学系の光軸である。一対の平面鏡309,310を配置することにより、光軸312-313からマスク301までの距離に比べ光軸312-313から中間像までの距離を短くすることが可能となる。図3においてマスク301から第1の平面鏡305の反射位置までの距離をA3、第2の平面鏡311の反射位置から中間像までの距離をB3とする。マスク301と基板303とのz方向の距離を短くするための条件は、A3>B3を満たすことである。以上の実施形態で述べた方法は図4に示すようにそれぞれを組み合わせることが可能である。また、第1の反射光学系PO1または第2の反射光学系PO2どちらに適応しても結像性能に影響を与えることなく投影光学系POの小型化が可能となる。本実施形態において第1、第2の光学系としてオフナー系を取り上げたが、ダイソン光学系と組み合わせて使用することも可能である。またオフナー系はマスクと凹面鏡の間や凹面鏡と凸面鏡の間に屈折光学部材を含むことも可能である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。[デバイス製造方法]本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、FPDのデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板を、上記の露光装置を用いて露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含みうる。"