"各画素に対応するスイッチング素子が基板上に配置される画素領域において、複数の層間絶縁膜と複数の導電層とが交互に積層された積層膜構造を有しており、該複数の導電層のうちの最上層の導電層より下層の少なくとも一層の前記層間絶縁膜が研磨処理で平坦化されて成る電気光学装置用基板であって、前記基板上の非画素領域において形成された少なくとも入力端子パッドの近傍には、前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層の前記導電層からなる単層又は複層のダミーパターンを有しており、前記ダミーパターンは、平面的に細分化された複数の小分けダミーパターンから成り、相隣り合う前記入力端子パッドの間は、前記小分けダミーパターンが形成されていない非ダミーパターン領域となっていることを特徴とする電気光学装置用基板。請求項1において、前記複数の小分けダミーパターンは、前記入力端子パッドの前記基板縁に配置される第1の小分けダミーパターン、前記入力端子パッドの配線引き出し部間に配置される第2の小分けダミーパターン又は前記配線引き出し部の先部間とそこから引き出された配線間に配置される第3の小分けダミーパターンのいずれかからなることを特徴とする電気光学装置用基板。請求項2において、前記入力端子パッドとその周囲に配置された前記第1ないし第3のいずれかの小分けダミーパターンとの間隔は、前記配線とその近傍の前記第1ないし第3のいずれかの小分けダミーパターンとの間隔よりも広く設定されて成ることを特徴とする電気光学装置用基板。請求項1において、前記入力端子パッドと配線によって繋がった中継端子パッドを更に有しており、前記中継端子パッドとその周囲に配置された前記ダミーパターンとの間隔は、前記配線とその近傍の前記ダミーパターンとの間隔よりも広く設定されて成ることを特徴とする電気光学装置用基板。各画素に対応するスイッチング素子が基板上に配置される画素領域において、複数の層間絶縁膜と複数の導電層とが交互に積層された積層膜構造を有しており、該複数の導電層のうちの最上層の導電層より下層の少なくとも一層の前記層間絶縁膜が研磨処理で平坦化されて成る電気光学装置用基板であって、前記基板上の非画素領域において形成された端子パッドの近傍と、前記画素領域の周囲に形成されるシール領域と、前記シール領域の外側の外周領域と、前記画素領域の周辺に配置され前記スイッチング素子に信号を供給する駆動回路の近傍領域と、において、前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層の前記導電層からなる単層又は複層のダミーパターンをそれぞれ有して成ることを特徴とする電気光学装置用基板。請求項5において、前記ダミーパターンは、前記スイッチング素子の制御配線層と同層で形成された孤立パターンの上に積み足されて成ることを特徴とする電気光学装置用基板。各画素に対応するスイッチング素子が基板上に配置される画素領域において、複数の層間絶縁膜と複数の導電層とが交互に積層された積層膜構造を有しており、該複数の導電層のうちの最上層の導電層より下層の少なくとも一層の前記層間絶縁膜が研磨処理で平坦化されて成る電気光学装置用基板であって、前記画素領域の周囲に形成されるシール領域の隅部領域には、前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層の前記導電層からなる単層又は複層のダミーパターンを有しており、前記ダミーパターンは、少なくとも平面的に細分化された複数の小分けダミーパターンから成ることを特徴とする電気光学装置用基板。請求項7において、前記複数の小分けダミーパターンは、それぞれ短冊状に形成されてなり、前記シール領域のいずれかの辺に隣接して配置されてなることを特徴とする電気光学装置用基板。各画素に対応するスイッチング素子が基板上に配置される画素領域において、複数の層間絶縁膜と複数の導電層とが交互に積層された積層膜構造を有しており、該複数の導電層のうちの最上層の導電層より下層の少なくとも一層の前記層間絶縁膜が研磨処理で平坦化されて成る電気光学装置用基板であって、前記スイッチング素子に電気的に接続する第1の前記導電層と前記研磨処理の層間絶縁膜の上に成膜された上層の前記導電層とが電気的に接続されており、前記第1の導電層と前記上層の前記導電層との中間に第2の前記導電層を含み、前記基板上の非画素領域において前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層に複数の擬似画素凹凸パターンを有しており、前記擬似画素凹凸パターンは、前記第1の導電層からなる第1のダミーパターン及び前記第2の導電層からなる第2のダミーパターンのいずれか又は両者の積み重ねであることを特徴とする電気光学装置用基板。請求項9において、前記第1のダミーパターンは少なくとも擬似ゲート線及び擬似データ線で構成されており、前記第2のダミーパターンは擬似遮光膜で構成されて成ることを特徴とする電気光学装置用基板。請求項10において、少なくとも前記画素領域の周囲に形成されるシール領域において、前記擬似データ線は配線として利用されていることを特徴とする電気光学装置用基板。請求項1乃至請求項11のいずれか一項に規定する電気光学装置用基板とこれに対向する透明基板との間隔に電気光学材料を挟持して成ることを特徴とする電気光学装置。請求項12に規定する電気光学装置を表示部に用いて成ることを特徴とする電子機器。請求項12に規定する電気光学装置をライトバルブに用いて成ることを特徴とする投写型表示装置。図23は第3の層間絶縁膜13を膜厚約24000Åで成膜した後、その画素領域20の中心部の第3の層間絶縁膜13の残膜厚が約12000ÅになるまでCMP処理を施した液晶パネル用基板31における研磨後の第3の層間絶縁膜13の膜厚分布を示す等膜厚線図である。また、図24中のプロット×印を連ねるグラフは図23中のa-a′線に沿うシール左辺縦方向の残膜厚の分布を示し、図25中のプロット×印を連ねるグラフは図23中のb-b′線に沿う画素中央縦方向の残膜厚の分布を示し、図26中のプロット×印を連ねるグラフは図23中のc-c′線に沿うシール上辺横方向の残膜厚の分布を示し、図27中のプロット×印を連ねるグラフは図23中のd-d′線に沿う画素中央横方向の残膜厚の分布を示し、図28中のプロット×印を連ねるグラフは図23中のe-e′線に沿う画素中央横方向の残膜厚の分布を示す。図23~図28から判るように、画素領域20及びシール領域27での最大膜厚差は約6120Åもあり、画素領域20及びシール領域27を含め基板全体に亘る平坦性はまだ不十分なものである。また、端子パッド26の周囲領域やシール領域27の上下辺の中央部が過研磨状態となっている一方、シール領域27の左右辺の中央部が研磨不足状態となっている。図22に示すように、端子パッド26の領域ではスポット状孤立高の端子パッド26が離散的に列状に配されているため、第3の層間絶縁膜13で覆われた孤立高13cの部分に易研磨性が現れる。従って、端子パッド26の領域は画素領域20よりも初期研磨レートが大きくなるため、画素領域20がまだ充分平坦化されないのに、端子パッド26の領域が過剰研磨されて下地層上層膜26bが露出してしまう危険性がある。このような端子パッド26での過剰研磨状態を解消する手段として、予め第3の層間絶縁膜13を厚く堆積する方法が挙げられる。この方法によれば、端子パッド26の領域の研磨が速く進行しても、下地層が露出する前にこの領域での第3の層間絶縁膜13の平坦化がほぼ完了するので、それ以降の研磨レートは初期研磨レートに比べて著しく低下し、画素領域20の平坦化のために研磨時間を増やしても、下地層の露出を防ぐことができる。しかし、厚い第3の層間絶縁膜13を形成した場合、接続プラグ15のためのコンタクトホール16が却って深くなり、アスペクト比が大きくなるため、接続プラグ15を構成する高融点金属でコンタクトホール16を埋め難くなる。特に、接続プラグ15は第2の層間絶縁膜11と遮光膜15を貫通してから第3の層間絶縁膜13を貫通して画素電極14に繋げるための飛び越し層間導電部であり、コンタクトホール16自身は元々深くなり易い。また画素電極14間の隙間から入射する光が開口部12aを介してMOSFET等の素子に極力進入し難くするためには、開口部12aをできるだけ小さくする必要上、コンタクトホール16の孔径も細くせねばならない。このため、必然的にコンタクトホール16のアスペクト比は大きくなる。それ故、被研磨層の第3の層間絶縁膜13の薄膜化が強く要請される。しかし、上述したように、端子パッド26の領域では第3の層間絶縁膜13のCMP法による平坦化処理の過研磨が顕在化してしまう。他方、シール領域27の上下辺の中央部の膜厚は端子パッド26の領域での過研磨に引きずられて画素領域20の膜厚に比べ相対的に薄くなっているため、図26及び図28に示すように、画素領域20の上下縁又はシール領域27の上下辺は中央部が過研磨状態である。また、シール領域27の左右辺の四隅部付近も端子パッド26の領域での過研磨に引きずられて膜厚が薄くなり易いが、シール領域27の左右辺の中央部は研磨前のシール領域27の平坦性の故に却って初期研磨レートが落ち研磨し難くなっている。このため、図24に示すように、シール領域27の左右辺や画素領域20の左右縁は中央部が研磨不足状態である。このように、画素領域20の周囲縁やシール領域27が勾配面を有していると、研磨後の第3の層間絶縁膜13上に形成される画素電極14の反射効率の低下や液晶パネル組立の際のセルギャップ調整の困難やシール材の密着性不具合をもたらし、また、接続プラグ15のコンタクトホール16をCMP処理後に穴明けする場合は、膜厚不均一によりコンタクトホールのエッチング時間の最適化が困難となる。そこで、反射型液晶パネル用基板における遮光膜と画素電極との間に形成される研磨処理を要する層間絶縁膜についての二律背反した上述の問題点に鑑み、本発明の第1の課題は、素子領域が形成された基板の上に層間絶縁膜と導電層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する電気光学装置用基板において、成膜工数の追加を招かず、上記の研磨すべき層間絶縁膜も厚膜化せずに、その層間絶縁膜の研磨レートを均一化できる構造を持つ液晶パネル用基板等の電気光学装置用基板を提供することにある。また本発明の第2の課題は、シール領域も画素領域と同様に層間絶縁膜の研磨面が平坦面となり、画素電極の反射効率の向上,セルギャップ調整の容易化,シール材の密着性向上,コンタクトホールのエッチング時間の最適化を実現できる液晶パネル用基板等の電気光学装置用基板を提供することにある。上記第1の課題を解決するため、本発明の講じた第1の手段は、研磨前の層間絶縁膜の成膜表面レベルを少なくとも画素領域内でできるだけ全面均一に平坦化するべく、上記研磨処理の層間絶縁膜の底上げ用のダミーパターンを画素領域内の空き間に作り込むのではなく、既成配線層を援用して画素領域外に略一面的に形成する点にある。即ち、本発明は、各画素に対応するスイッチング素子が基板上に配置される画素領域において、複数の層間絶縁膜と複数の導電層とが交互に積層された積層膜構造を有しており、該複数の導電層のうちの最上層の導電層より下層の少なくとも一層の前記層間絶縁膜が研磨処理で平坦化されて成る電気光学装置用基板であって、前記基板上の非画素領域において形成された少なくとも入力端子パッドの近傍には、前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層の前記導電層からなる単層又は複層のダミーパターンを有しており、前記ダミーパターンは、平面的に細分化された複数の小分けダミーパターンから成り、相隣り合う前記入力端子パッドの間は、前記小分けダミーパターンが形成されていない非ダミーパターン領域となっていることを特徴とする。このようなダミーパターンを入力端子パッドの近傍に配置した構造においては、入力端子パッドの近傍でもダミーパターン上の研磨の層間絶縁膜の成膜表面レベルが底上げされるため、画素領域での研磨処理の層間絶縁膜の成膜表面レベルと略同等レベルになり、表面レベルが全体に亘り均一化する。このように、被研磨面を均一化すると、CMP化学的機械研磨等の研磨を施した際、入力端子パッド領域の近傍周囲の研磨レートが徒に速くならず、全体的に一様の研磨レートが得られて、研磨処理の層間絶縁膜の研磨面が従前に比し平坦化する。このため、画素領域の平坦化も一層良好となり、対向基板等を用いたセル組立時のセルギャップの制御性を改善できると共に、研磨後の画素領域の層間導電部等のコンタクトホールのエッチング時間を決定し易くなる。このような研磨面の一様平坦化が得られると、入力端子パッド部の過研磨により下地の入力端子パッド層の露出が起こり難くなり、また研磨処理に係る層間絶縁膜の薄膜化も実現できる。この薄膜化により、画素領域にある層間導電部のコンタクトホールのアスペクト比を改善できるので、コンタクトホールの細径化により開口部の細径化に結び付けることができる。それ故、遮光性能を改善できる。なお、この層間導電部は、スイッチング素子に電気的に接続する第1の前記導電層と前記研磨処理の層間絶縁膜の上に成膜された上層の前記導電層とを電気的に接続するものであるが、前記ダミーパターンは、第1の導電層からなる第1のダミーパターン、及び第1の導電層と遮光膜等の上層の導電層との中間にある第2の導電層からなる第2のダミーパターンのいずれか又は両者の積み重ねとすることができる。そして、画素領域外の入力端子パッドの近傍域にも導電層のダミーパターンが敷き詰められていると、このダミーパターンも遮光膜となるため、迷光が画素領域外から基板に作り込んだ素子領域に入り難くなり、光電流を抑制でき、スイッチング素子特性の改善に役立つ。ところで、通常、入力端子パッドと外部配線との接続においては異方性導電膜を熱圧着するようにしているので、ダミーパターン領域を覆う研磨後の比較的薄い前記層間絶縁膜が導電性粒子で傷つけられ、入力端子パッドとショートを引き起こす新たな危惧が生じる。入力端子パッドの近傍に配置されたダミーパターンが引出し配線の領域を除いて四方一面に略連続して形成されて成る場合、このダミーパターンを介して隣接する入力端子パッド間がショートする虞れがある。しかし、本発明においては、入力端子パッドの周囲に配置されたダミーパターンが平面的に細分化された複数の小分けダミーパターンからなるため、成膜直後の研磨処理すべき層間絶縁膜の表面レベルを均一化しながら、隣接の入力端子パッド間のショートを防止できる。小分けダミーパターンの数を増やす程に、ショート確率はより僅少になる。ここで、相隣り合う入力端子パッドの間は非ダミーパターン領域であることが好ましい。この非ダミーパターン領域には熱圧着時に強い押し付け力が加わるフレキシブルテープ配線の導電線に隣接している。仮にダミーパターンが連続して形成されていると、異方性導電膜中の導電性微粒子によって入力端子パッドとショートする確率が高く、またダミーパターンとのショートを介して入力端子パッド間のショートを招く危険性もある。非ダミーパターン領域とするのは、このような危険性の高いショートを確実に防止するためである。この入力端子パッドとその周囲に配置された小分けダミーパターンとの間隔は、配線とその近傍のダミーパターンとの間隔よりも広く設定されてなる。異方性導電膜の導電性粒子による入力端子パッドと小分けダミーパターンとの架橋が起こり難くなり、ショートを極力防止するためである。また、中継端子パッドとその周囲に配置されたダミーパターンとの間隔は、配線とその近傍のダミーパターンとの間隔よりも広く設定されてなる。中継端子パッド上では通常銀ペーストで導通が図られるようになっているが、銀ペーストが中継端子パッドから若干はみ出しても、その近傍のダミーパターンに極力ショートしないようにしている。上記第2の課題を解決するため、本発明の第2の手段は、端子パッドの近傍域に限らず、画素領域の周囲に形成されるシール領域とその外側の外周領域および駆動回路の近傍領域に、前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層の導電層からなる単層又は複層のダミーパターンを有して成ることを特徴とする。シール領域にダミーパターンが敷設されていないと、画素領域の前記研磨処理の層間絶縁膜表面は、特にその周辺部分において勾配面となり易く、この後に形成されるべき上層の導電層の遮光膜の反射効率の低下や、前記研磨処理の層間絶縁膜の膜厚不均一によるホールのエッチング時間最適化の困難を招来する。このような問題を解消するためには、シール領域にダミーパターンを設けると良い。これによって画素領域の周辺に近い領域はシール領域も含め前記研磨処理すべき層間絶縁膜の表面レベルはほぼ均一となるので、研磨処理を施しても画素領域における研磨処理の層間絶縁膜に勾配面や膜厚不均一は生じ難い。しかし、ダミーパターンを設けたシール領域の更に外側にダミーパターンが設けられていないと、研磨処理によってシール領域上の層間絶縁膜が勾配面となってしまう。これは、電気光学装置の組立において、対向基板と貼り合わせる際の基板間ギャップセルギャップとも言うの制御に支障を来たしたり、シール材の密着性に不具合を生じたりする。これを解決するために、シール領域の更に外側の外周領域にも、ダミーパターンを設けることが好ましい。なお、このダミーパターンは、スイッチング素子に電気的に接続する第1の導電層からなる第1のダミーパターン、及び第1の導電層と遮光膜等の前記上層の導電層との中間にある第2の導電層からなる第2のダミーパターンのいずれか又は両者の積み重ねとすることができる。更に、このシール領域及びシール領域の外周領域に設けるダミーパターンは、スイッチング素子の制御配線層と同層で孤立したパターンの上に積み足されて成ることが好ましい。また、必要があれば、端子パッドの近傍域のダミーパターンも、スイッチングの制御配線層と同層で孤立したパターンの上に積み足されて成ることが好ましい。このパターンをも底上げ用の台板として利用すると、前記研磨処理の層間絶縁膜の表面レベルの平坦化を更に微細に調節できる。そしてまた、本発明においては、画素領域の周辺に配置されスイッチング素子に信号を供給する駆動回路の近傍領域には、前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層の導電層からなる単層又は複層のダミーパターンを有してもよい。シール領域と画素領域との中間領域などにも、ダミーパターンを形成することにより、前記研磨処理の層間絶縁膜の平坦化等に役立つ。なお、このダミーパターンは、前記第1の導電層からなる第1のダミーパターン及び前記第2の導電層からなる第2のダミーパターンのいずれか又は両者の積み重ねとすることができる。更に、本発明においては、画素領域の周囲に形成されるシール領域の隅部領域には、前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層の前記導電層からなる単層又は複層のダミーパターンを有しており、前記ダミーパターンは、少なくとも平面的に細分化された複数の小分けダミーパターンから成ることを特徴とする。また、前記複数の小分けダミーパターンは、短冊状に形成されてなり、前記シール領域のいずれかの辺に隣接して配置されてなることを特徴とする。シール領域の隅部領域内では、シール辺部又は当該隅部の周辺領域のダミーパターンの様な広い連続拡張面いわゆるベタではなく、複数の小分けダミーパターンの分散的集合となっている。このため、シール四隅部における研磨前の層間絶縁膜の表面は離散的な複数の小分けダミーパターンによる凹凸が反映した面粗さを呈しており、研磨処理を施すと、四隅部を連続拡張面で形成する場合よりも、初期研磨レートが速くなり、四隅部の研磨レート並びにシール領域内側の研磨レートと略平等化する傾向で進行するので、画素領域及びシール領域の残膜厚バラツキが抑制される。また、画素領域の周囲に形成されるシール領域には、その隅部領域を除き、前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層の前記導電層からなる単層又は複層のダミーパターンを有して成る場合、即ち、四隅部において全くダミーパターンがないパターン密度ゼロ場合でも、隅部が落ち込みその境界部分が立ち上がっている角ばっているため、研磨初期ではその境界部分が易研磨状態になって勾配面が形成され、除々に画素領域及びシール領域の内方へ勾配面が波及する。このため、画素領域及びシール領域の全体的な平坦化を得ることができる。なお、このようなダミーパターンは、前記第1の導電層からなる第1のダミーパターン及び前記第2の導電層からなる第2のダミーパターンのいずれか又は両者の積み重ねとすることができる。そしてまた、本発明においては、非画素領域に連続拡張面いわゆるベタのダミーパターンを形成するではなく、前記スイッチング素子に電気的に接続する第1の前記導電層と前記研磨処理の層間絶縁膜の上に成膜された上層の前記導電層とが電気的に接続されており、前記第1の導電層と前記上層の前記導電層との中間に第2の前記導電層を含み、前記基板上の非画素領域において前記研磨処理の層間絶縁膜よりも下層に複数の擬似画素凹凸パターンを有しており、前記擬似画素凹凸パターンは、前記第1の導電層からなる第1のダミーパターン及び前記第2の導電層からなる第2のダミーパターンのいずれか又は両者の積み重ねであることを特徴とする。このような擬似画素凹凸パターンを具える基板では、研磨処理前の層間絶縁膜の画素領域以外の表面にも、画素の表面凹凸模様と略類似の表面凹凸模様が形成されているため、研磨レートが初期から基板のどの部分でも略等しくなり、少なくとも画素領域及びシール領域では高精度の表面平坦性を実現できる。複数の擬似画素凹凸パターンを非画素領域に非規則的に配置するよりも、基板上の2次元方向に繰り返し展開形成し、空間規則性を持たせる方が好ましい。画素領域に画素凹凸パターンがマトリクス状などの空間規則性を有していることに対応させるためである。画素領域及びシール領域での表面平坦性が顕著になる。この擬似画素凹凸パターンは、前記第1の導電層からなる第1のダミーパターン及び前記第2の導電層からなる第2のダミーパターンのいずれか又は両者の積み重ねで構成できるが、層間絶縁膜のパターンをも含ませることにより擬似度合いを一層高めることができる。そして、この擬似画素凹凸パターンとしては、少なくとも擬似ゲート線及び擬似データ線で構成することが好ましい。また前記第1のダミーパターンは少なくとも擬似ゲート線及び擬似データ線で構成されており、前記第2のダミーパターンは擬似遮光膜で構成されてもよい。また少なくとも前記画素領域の周囲に形成されるシール領域において、前記擬似データ線は配線として利用してもよい。これらが画素の凹凸の顕著な代表的部分であり、また画素領域の凹凸規則性に最も関与するからである。なお、上記の電気光学装置用基板を用いて電気光学装置が組立られるが、このような電気光学装置は各種電子機器の表示部に用いるに適している。例えば、投写型表示装置のライトバルブに好適である。発明の効果以上説明したように、本発明は、画素領域の空き間にダミーパターンを割り込ませて形成するのではなく、逆に、非画素領域において既成導電層層を援用して被研磨層の上層の層間絶縁膜の底上げ用のダミーパターンを略一面的に形成した点を特徴とするものである。画素領域においてダミーパターンを形成する場合は、底上げのための中間導電層と層間絶縁膜との成膜工程を追加せねばならず、また、研磨前の層間絶縁膜の表面起伏が抑えられていると、却って初期研磨レートが低くなるので、層間絶縁膜表面を鏡面様に平坦化するために必要な研磨時間が長くなり、砥液の消費も増大する。しかしながら、本発明は上記の不都合を解消できるばかりか、次のような効果を奏する。1端子パッドの近傍に、単層又は複層のダミーパターンを有する場合、端子パッドの近傍の上層の層間絶縁膜の成膜表面レベルが画素領域での成膜表面レベルと略同等レベルになり、表面レベルが全体として均一化するため、研磨処理において一様の研磨レートが得られる。このため、従前の成膜表面レベルが均一化されていない状態で問題となっていた端子パッド部の易研磨性が改善され、端子パッド部の下地が露出することがない。これは画素領域表面の更なる鏡面様の平坦化に役立ち、且つ研磨処理前の層間絶縁膜の薄膜化も実現できる。この薄膜化により、画素領域にある層間導電部のコンタクトホールのアスペクト比を改善できるので、コンタクトホールの細径化により開口部の細径化に結び付けることができる。それ故、遮光性能が向上し、スイッチング素子特性を改善できる。勿論、成膜工数の追加を招かずに済む。そして、画素領域外の端子パッドの近傍域にも導電層のダミーパターンが敷き詰められていると、このダミーパターンも遮光膜となるため、迷光が画素領域外から基板に作り込んだ素子領域に入り難くなり、光電流を抑制でき、スイッチング素子の改善に役立つ。2入力端子パッドの周囲に配置されたダミーパターンが平面的に細分化された複数の小分けダミーパターンからなる場合、成膜直後の層間絶縁膜の表面レベルを均一化しながら、隣接の端子パッド間のショートを防止できる。3相隣り合う入力端子パッド間が非ダミーパターン領域である場合、入力端子パッド間のショートを確実に防止できる。4この入力端子パッドとその周囲に配置された小分けダミーパターンとの間隔が、配線とその近傍のダミーパターンとの間隔よりも広く設定されてなる場合、異方性導電膜の導電性粒子による入力端子パッドと小分けダミーパターンとの架橋が起こり難くなり、ショートを極力防止できる。5中継端子パッドとその周囲に配置されたダミーパターンとの間隔が、配線とその近傍のダミーパターンとの間隔よりも広く設定されている場合、中継端子パッド上では通常銀ペーストで導通が図られるようになっているが、銀ペーストが中継端子パッドから若干はみ出しても、その近傍のダミーパターンにショートし難くなる。6端子パッドの近傍域に限らず、画素領域の周囲を取り囲むシール領域に、ダミーパターンが形成されている場合、その部分の研磨処理前の層間絶縁膜の表面は画素領域のそれと略同等になるので、研磨処理によって平坦化を行う際、画素領域はその周辺部まで均一なレートで研磨が進行する。このため、従前に比べ画素領域の平坦性が一層良好となり、反射率が向上するだけでなく、研磨後のコンタクトホールのエッチング時間が決定し易くなる。7更に、ダミーパターンをシール領域の外周部にも設けることにより、この領域はシール領域部分の上層の層間絶縁膜の表面のレベルと同等になる。従って研磨した場合、シール領域の層間絶縁膜表面が勾配面となることはなく、シール材の密着性を改善することができる。8シール領域のダミーパターンがスイッチング素子の制御配線層と同層で孤立したパターンの上に積み足されて成る場合、研磨処理の層間絶縁膜の表面レベルの平坦化を更に微細に調節できる。9そして、画素領域の周辺に配置され、スイッチング素子に信号を供給する駆動回路の近傍領域に、ダミーパターンを積み重ねて成る場合、研磨処理の層間絶縁膜の平坦化等に役立つ。10更に、本発明においては、画素領域を取り囲むシール領域の隅部領域には、平面的に細分化された複数の小分けダミーパターンが形成されている。このため、シール四隅部における研磨前の層間絶縁膜の表面は離散的な複数のダミーパターンによる凹凸が反映した面粗さを呈しており、研磨処理を施すと、シール領域の辺部の平坦に近い起伏に比し四隅部の初期研磨レートが速くなるため、これに引きずられる形で四隅部で囲まれたシール領域内側の研磨レートが略平等化する傾向で進行し、画素領域及びシール領域の残膜厚バラツキが抑制される。11また、シール四隅部において全くダミーパターンがないパターン密度ゼロ場合でも、隅部領域が落ち込みその境界部分が立ち上がっているため、研磨初期ではその境界部分が勾配面となり、その勾配面が次第に内方へ波及する。従って、画素領域及びシール領域の全体的な平坦化を得ることができる。12そしてまた、本発明においては、非画素領域に連続拡張面いわゆるベタのダミーパターンを形成するではなく、画素の凹凸を模した複数の擬似画素凹凸パターンを形成した構成を採用できる。研磨処理前の層間絶縁膜の画素領域以外の表面にも、画素の表面凹凸模様と殆ど類似の表面凹凸模様が拡がっているため、研磨レートが初期から基板のどの部分でも略等しくなり、少なくとも画素領域及びシール領域では高精度の表面平坦性を実現できる。13複数の擬似画素凹凸パターンを非画素領域上に2次元方向に繰り返し展開形成した構成では、画素領域のマトリクス状などの空間規則性も対応することになるため、画素領域及びシール領域での表面平坦性が顕著になる。14この擬似画素凹凸パターンが少なくとも擬似ゲート線,及び擬似データ線で構成されて成る場合、画素の凹凸の顕著な代表的部分や画素領域の凹凸規則性に最も酷似するパターンとなるので、画素領域及びシール領域での層間絶縁膜を高精度に平坦化できる。1...P型半導体基板、2,21′...P型ウェル領域、3...フィールド酸化膜、4...ゲート線、4a...ゲート電極、4b...ゲート絶縁膜、4p...擬似ゲート線、5b...N型ドレイン領域、6...第1の層間絶縁膜、6a,6b,6c,16...コンタクトホール、7...データ線、7a...ソース電極配線、7p...擬似データ線、7ap...擬似ソース電極配線、8...P型容量電極領域、9a...容量電極、9b...絶縁膜誘電膜、10...中継配線、11...第2の層間絶縁膜、12...遮光膜、12a...プラグ貫通用開口部、12b...接続用配線、12p...擬似遮光膜、13...第3の層間絶縁膜、14...画素電極、15...接続プラグ層間導電部、17...パッシベーション膜、20...画素領域表示領域、21...データ線駆動回路Xドライバ、22R,22L...ゲート線駆動回路Yドライバ、23...プリチャージ及びテスト回路、24...画像信号サンプリング回路、25...遮光膜、26,26′...入力端子パッド、26a...下層、26b,26b′...上層、27,127,227...シール領域、29R,29L...中継端子パッド銀点、30...反射型液晶パネル、31,131,231,331...反射型液晶パネル用基板、32...支持基板、33...対向電極共通電極、35...ガラス基板、37...液晶、38...異方性導電膜ACF、38a...導電性粒子、38b...接着用絶縁樹脂材、39...フレキシブルテープ配線、39a...フレキシブルテープ、39b...導電線、100...偏光照明装置、110...インテグレートレンズ、127a...パターン、127C,227C...四隅部、130...偏光変換素子、200...偏光ビームスプリッタ、201...S偏光束反射面、261...導電接触部、262...配線引出し部、412,413...ダイクロイックミラー、300B,300R,300G...反射型液晶ライトバルブ、500...投写光学系、600...スクリーン、L0...システム光軸、A...下層ダミーパターン、B,B′...上層ダミーパターン、a...小分けダミーパターン、X,X′,Y...挟間領域、W...行方向配線領域、L,LIN,LOUT...配線、M,T...配線間ダミーパターン、NR,NL...ダミーパターン、S0,S1,S2,S2′,S3...小分けダミーパターン、P...擬似画素凹凸パターン。次に、本発明の各実施形態を添付図面に基づいて説明する。実施形態1図1は本発明の実施形態1に係る反射型液晶パネルの反射型液晶パネル用基板のレイアウト構成例を示す平面図、図2は図1中のB-B′線に沿って切断した状態を示す切断図である。図1に示す本例の反射型液晶パネル用基板131は、従来の液晶パネル用基板を示す図18及び図19の基板31と同様に、図18に示す画素電極14がマトリクス状に配置された矩形の画素領域表示領域20と、画素領域20の左右辺の外側に位置し、ゲート線走査電極,行電極を走査するゲート線駆動回路Yドライバ22R,22Lと、画素電極14の上辺の外側に位置し、データ線信号電極,列電極についてのプリチャージ及びテスト回路23と、画素電極14の下辺の外側に位置し、データ線に画像データに応じた画像信号を供給する画像信号サンプリング回路24と、ゲート線駆動回路22R,22L,プリチャージ及びテスト回路23並びに画像信号サンプリング回路24の外側には前述したシール材36図18参照が位置決めされるシール領域127と、下側端に沿って配列されており、異方性導電膜を介してフレキシブルテープ配線に固着接続される複数の入力端子パッド26と、この端子パッド26の列とシール領域127の下辺との間に位置し、画像信号サンプリング回路24にサンプリング信号を供給するデータ線駆動回路Xドライバ21と、そのデータ線駆動回路21の両脇に位置し、入力端子パッド26から液晶交流駆動の振幅中心電圧を図18に示すガラス基板35の対向電極33に給電するための中継端子パッドいわゆる銀点29R,29Lとから構成されている。ゲート線駆動回路22R,22Lとデータ線駆動回路21は各々シフトレジスタを有し、シフトレジスタでのシフトデータの転送に応じて、走査信号をゲート線に、サンプリング信号を画像信号サンプリング回路24に各々供給する。信号サンプリング回路24はサンプリング信号を受けて画像信号をデータ線に供給する。特に、本例では、画素領域20を取り囲む枠形状額縁状のシール領域127はハッチングで示すような孤立した連続拡張面いわゆるベタのダミーパターン領域となっている。また、入力端子パッド26,中継端子パッド29R,29Lやデータ線駆動回路21の周囲もハッチングで示すような連続拡張面のダミーパターン領域となっている。このパネル基板131の画素領域20の平面構造及び断面構造は図20及び図21に示す構造と同じである。即ち、図2に示すように、大形サイズ約20mm角で単結晶シリコンのP型半導体基板N型半導体基板でも良い1の表面主面側にはP型ウェル領域2が形成されており、その上にはフィールド酸化膜いわゆるLOCOS3が形成されている。このP型ウェル領域2は、例えば画素数768×1024というような画素がマトリクス状に配置された画素領域20の共通ウェル領域として形成されており、周辺回路ゲート線駆動回路22R,22L,プリチャージ及びテスト回路23,画像信号サンプリング回路24及びデータ線駆動回路21を構成する素子を作り込む部分のP型ウェル領域2′とは分離されている。フィールド酸化膜3の1画素毎の区画領域には2つの開口部が形成されており、一方の開口部の内側中央にゲート絶縁膜4bを介して形成されたポリシリコン又はメタルシリサイド等からなるゲート電極4aと、このゲート電極4aの両側のP型ウェル領域2の表面に形成されたN型ソース領域5a,N型ドレイン領域5bとはスイッチング素子,即ち画素選択用のNチャネル型MOSFET絶縁ゲート型電界効果トランジスタを構成している。図20に示すように、行方向に隣接する複数の画素の各ゲート電極4aは走査線方向画素行方向に延在してゲート線4を構成している。図2では不図示であるが、図21に示す如く、他方の開口部の内側のP型ウェル領域2の表面に形成された行方向共通のP型容量電極領域8と、このP型容量電極領域8の上に絶縁膜誘電膜9bを介して形成されたポリシリコン又はメタルシリサイド等からなる保持電極9aとは画素選択用MOSFETを介して画素電極14に供給された画像信号を保持するための保持容量蓄積容量とも言うCを構成している。ここに、容量電極9aは画素選択用MOSFETのゲート電極4aを構成するポリシリコン又はメタルシリサイド層の成膜プロセスを援用して形成できる。また容量電極9a下の絶縁膜誘電膜9bもゲート絶縁膜4bを構成する絶縁膜成膜プロセスを援用して形成できる。絶縁膜9b,4bは熱酸化法で400~800Å程度の膜厚である。容量電極9a,ゲート電極4aは、ポリシリコン層を1000~2000Å程度の厚さで形成し、その上にMo又はWのような高融点金属のシリサイド層を1000~3000Å程度の厚さに重ねた複層構造である。ソース,ドレイン領域5a,5bは、上記のゲート電極4aをマスクとしてその両側の基板表面にN型不純物をイオン打ち込みで自己整合的に注入して形成される。P型容量電極領域8は、例えば、専用のイオン打ち込みと熱処理ドライブインによるドーピング処理で形成でき、ゲート電極形成工程前にイオン注入を施しても良い。つまり、絶縁膜9bの形成後にPウェル2と同型の不純物を注入し、P型ウェル2の表面はその深部よりも高不純物濃度領域に成し、低抵抗層を形成する。P型ウェル2の好ましい不純物濃度は1×1017cm3以下で、1×1016~5×1016程度が望ましい。ソース,ドレイン領域5a,5bの好ましい表面不純物濃度は1×1020~3×1020cm3、P型容量電極領域8の好ましい表面不純物濃度は1×1018~5×1019cm3であるが、保持容量Cを構成する絶縁膜9bの信頼性及び耐圧の観点からは、1×1018~1×1019cm3が望ましい。ゲート電極4a及び容量電極9aの上には第1の層間絶縁膜6が形成され、この絶縁膜6上にはアルミニウムを主体とする第1の導電層以下,第1のメタル層と言うが形成されている。第1のメタル層には、列方向に延在するデータ線7図20参照,データ線7から櫛歯状に突出してコクタクトホール6aを介してソース領域4bに導電接触するソース電極配線7a,コクタクトホール6bを介してドレイン領域5bに導電接触すると共にコクタクトホール6cを介して容量電極9aに導電接触する中継配線10とが含まれる。ここに、第1の層間絶縁膜6は、例えばHTO膜高温CVD法により形成される酸化シリコン膜を1000Å程度堆積した上に、BPSGボロン及びリンを含むシリケートガラス膜を8000~10000Å程度の厚さで堆積して形成される。ソース電極配線7a及び中継配線10を構成する第1のメタル層は、例えば下層からTi/TiN/Al/TiNで積層された4層構造とされる。最下層のTiは膜厚が100~600Å程度、2層目のTiN層は1000Å程度、3層目のAl層は4000~10000Å程度、最上層のTiN層は300~600Å程度とされる。この第1のメタル層の上には第2の層間絶縁膜11が形成され、この第2の層間絶縁膜11上にはアルミニウムを主体とする第2の導電層以下、第2のメタル層と言うが形成されている。この第2のメタル層は画素領域20の大部分を覆い、隣接する画素電極14の間隔部を遮光する遮光膜12が含まれる。なお、この遮光膜12を構成する第2のメタル層は、画素領域20の周囲に形成される周辺回路ゲート線駆動回路22R,22L,プリチャージ及びテスト回路23,画像信号サンプリング回路24,及びデータ線駆動回路21において素子間の接続用配線12b図2参照としても用いられる。ここに、第2の層間絶縁膜11は、例えばTEOSテトラエチルオルソシリケートを材料としプラズマCVD法により形成される酸化シリコン膜以下、TEOS膜と称するを3000~6000Å程度堆積した上に、SOG膜スピンオンガラス膜を堆積し、それをエッチバックで削ってから更にその上に第2のTEOS膜を2000~5000Å程度の厚さに堆積して形成される。遮光膜12等を構成する第2のメタル層は、第1のメタル層と同様にしても良く、例えば下層からTi/TiN/Al/TiNで積層された4層構造とされる。最下層のTiは膜厚が100~600Å程度、2層目のTiN層は1000Å程度、3層目のAl層は4000~10000Å程度、最上層のTiN層は300~600Å程度とされる。遮光膜12の中継配線10に対応する位置にはプラグ貫通用開口部12aが開けられている。遮光膜12の上には第3の層間絶縁膜13が形成され、この第3の層間絶縁膜13の上に略1画素に対応した矩形状の反射電極としての画素電極14が形成されている。ここに、第3の層間絶縁膜13も、第2の層間絶縁膜11と同様にしても良く、TEOS膜を3000~6000Å程度堆積した上に、SOG膜を堆積し、それをエッチバックで削ってから更にその上に第2のTEOS膜を16000~24000Å程度の厚さに堆積して形成される。或いは、TEOS膜の間にSOG膜を堆積せず、TEOS膜のみで第3の層間絶縁膜を構成することも可能である。このときの膜厚は16000~24000Å程度が好ましい。また、TEOS膜の下に窒化シリコン膜を形成したり、TEOS膜の上に窒化シリコン膜を形成したりすることにより、耐湿性を向上させた構成にしても良い。なお、窒化シリコン膜が上層となる場合はこの窒化シリコン膜を堆積する前にTEOS膜をCMP法等により平坦化するか、窒化シリコン膜そのものをCMP法等により平坦化することになる。遮光膜12の開口部12aに対応してその内側に位置するように、第3,第2の層間絶縁膜13,11を貫通するコンタクトホール16が設けられている。このコンタクトホール16内にはタングステン等の高融点金属をCVD法により埋め込んだ後、第3の層間絶縁膜13の上に堆積した高融点金属層と第3の層間絶縁膜13の表面側をCMP化学的機械研磨法で削り込んで鏡面様に平坦化する。このときの層間絶縁膜13の残りの膜厚は、最も薄い部分で約4000~10000Åとなるように研磨量を調整する。次いで、例えば低温スパッタ法によりアルミニウム層を300~5000Å程度の厚さに成膜し、パターニングにより一辺が15~20μm程度の矩形状の画素電極14を形成する。高融点金属の接続プラグ層間導電部15は、遮光膜12のメタル層1層分を飛び越し中継配線10と画素電極14とを導通させている。なお、接続プラグ15の形成方法としては、CMP法で第3の層間絶縁膜13を平坦化した後、コンタクトホールを開口し、その中にタングステン等の高融点金属を埋め込む方法もある。また、第2のメタル層12の開口部12aを大きくし、この開口部12a内に第2のメタル層12からなる第2の中継配線を例えば矩形状に形成し、第1の中継配線10とこの第2の中継配線を接続し、第2の中継配線と画素電極14とを接続プラグ15を介して接続するようにしても良い。そして、画素電極14の上には厚さ500~2000Å程度の酸化シリコン等のパッシベーション膜17が全面的に形成されている。なお、パッシベーション膜17上には、液晶パネルを構成する際に配向膜が全面に形成され、ラビング処理が施される。本例では、画素電極14が第3の導電層以下、第3のメタル層と言うにより形成されるが、メタル層をより多層化できるプロセスで基板形成する場合は、より上層で形成しても良い。いずれにしても、画素電極14は複数のメタル層の最上層で形成される。なお、画素領域20を覆うパッシベーション膜17としては上述のように酸化シリコン膜が用いられるが、周辺回路領域,シール領域,スクライブ部では2000~10000Å程度の厚さの窒化シリコン膜が用いられる。パッシベーション膜17の上に誘電体ミラー膜を成膜しても良い。図1に示すように、矩形の半導体基板1の大部分を占める画素領域20の周りには枠状にシール領域127が取り囲んでいる。このシール領域127は、画素領域20と液晶が封入されない非画素領域周辺回路領域,端子パッド領域,スクライブ領域との境界領域であるが、本例ではシール領域127内に周辺回路の一部ゲート線駆動回路22R,22L,プリチャージ及びテスト回路23,画像信号サンプリング回路24が含まれており、データ線駆動回路21のみがシール領域127の外側に配置されている。なお、データ線駆動回路21をシール領域127の内側に配置しても良いことは言う迄もない。そして、本例のシール領域127の断面構造は、図2に示す如く、フィールド酸化膜3上にゲート電極4aとは孤立したポリシリコン又はメタルシリサイド等から成る連続拡張面のパターン127aと、第1のメタル層からなる孤立した連続拡張面の下層ダミーパターンAと、第2のメタル層からなる孤立した連続拡張面の上層ダミーパターンBとが含まれている。パターン127aはゲート電極4aの形成プロセスを援用して形成できる。またダミーパターンA,Bも第1のメタル層と第2のメタル層でのプロセス援用で形成できる。これらパターン127a,ダミーパターンA,Bの層厚の分だけ、第3の層間絶縁膜13の成膜直後ではその表面レベルが一様に底上げされており、画素領域や周辺回路領域の表面レベルに略等しくなっている。シール領域127の外側に配されたデータ線駆動回路21の周囲は勿論のこと、図4~図6及び図9のハッチングで示す如く、中継端子パッド29R,29Lや入力端子パッド26の領域の周囲は配線領域を除いて電気的に浮遊又は電源電圧にクランプされたダミーパターン領域となっている。即ち、本例の入力端子パッド26も第1のメタル層からなる下層26aと第2のメタル層からなる上層26bとを積み重ねた構造となっているが、ダミーパターン領域の断面構造においては、フィールド酸化膜3上の第1の層間絶縁膜6上に形成された第1のメタル層からなる孤立した連続拡張面の下層ダミーパターンAと、第2の層間絶縁膜11上に形成された第2のメタル層からなる孤立した連続拡張面の上層ダミーパターンBとが含まれている。これらのダミーパターンA,Bもメタル層のプロセス援用で形成できる。そして、これらダミーパターンA,Bの層厚の分だけ、第3の層間絶縁膜13の成膜直後ではその表面レベルが積み足されており、その積み足し効果が近傍領域へ反映するため、入力端子パッド26の真上部分のレベルは、画素領域や周辺回路領域の表面レベルと略等しくなっている。また、図4及び図5に示す如く、シール領域127下辺とデータ線駆動回路21との間の挾間領域Xにおいても、データ線駆動回路21から延び出た複数の配線LOUT間に孤立縦長の配線間ダミーパターンMが敷き詰められている。この配線間ダミーパターンMもメタル層を援用して形成される。しかし、入力端子パッド26の形成法は、下層26aの上の第2の層間絶縁膜11に開けた大きな開口に上層26bを埋め込むものであるから、上層26bに大きな中央窪みが形成されるため、その真上の第3の層間絶縁膜13にも窪みが必然的に形成されてしまう。第3の層間絶縁膜13の成膜において前述したようにSOG膜の形成が含まれる場合は、上層26bの窪みをある程度浅くできる。ただ、入力端子パッド26の占有面積は配線電極のコンタクトホールに比し大規模であるため、SOG膜の形成工程の追加だけでは、端子パッド26真上の第3の層間絶縁膜13の窪みを充分解消できない。図3は入力端子パッドの別の構造を示す断面図である。図3においては、下層26aの上に複数の細径のコンタクトホールを開けてから、上層26b′を埋め込んで端子パッド26′が形成される。かかる構造では、コンタクトホール内への上層26b′の材料の落ち込み量が少なくなり、且つ微細な窪みが分散するため、上層26b′表面は平坦化される。このため、その上に第3の層間絶縁膜13を成膜した表面には窪みが反映し難く、平坦化し易い。このように、本例では画素領域や周辺回路領域の外部の殆どの領域において、パターン密度が100に近づくように、連続拡張面のダミーパターン領域ダミーパターンA,Bが積み重ね形成されているため、第3の層間絶縁膜13の成膜直後でも、その表面レベルが基板全面に亘って略一様レベルになる。それ故、この後、CMP研磨処理を施すと、第3の層間絶縁膜13の研磨面は図2又は図3の実線で示すレベルになる。特に、入力端子パッド26,26′の領域では研磨前の第3の層間絶縁膜13の表面が孤立高とはなっていないので、その領域では初期研磨レートが速すぎず、入力端子パッド26,26′が露出し難く、研磨レートが均一化する。このため、CMP研磨処理時間、即ち、研磨量を従前量約4000Åよりも増やすことが可能となる。このように研磨レートを均一化できる利益は、結局、研磨後の第3の層間絶縁膜13の膜厚を薄くできることをもたらす。そして、画素領域20の遮光膜12の開口部12aに開けたコンタクトホール16のアスペクト比を改善でき、接続プラグ15の細径化に寄与するので、開口部12aの開口面積を縮小でき、遮光性能を高めることができる。また、研磨量を増やすことができる利益は、第3の層間絶縁膜13がTEOS膜のみからなる場合に生じる開口部12aの段差が深くても、SOG膜を成膜せずに、CMP研磨で段差を緩和できる利益に繋がる。故に、第3の層間絶縁膜13の成膜プロセスを簡略化でき、生産性の向上に資する。本例のダミーパターン領域の平面レイアウトは、図1のハッチングで示すように、シール領域127の外側のうちデータ線駆動回路21,信号配線,電源配線,入力端子パッド26,中継端子パッド29R.29Lを除いて余すことなく略全面に敷き詰められている。データ線駆動回路シフトレジスタとその出力に基づきサンプリング信号を生成する論理回路とから成る21とシール領域127との挾間領域Xには、図4又は図5に示すように、配線LOUT間に形成された孤立縦長の配線間ダミーパターンMと基板の左右端側のダミーパターンNR,NLとが敷き詰められている。配線LOUTと配線間ダミーパターンMとの間隔は5μm程度である。データ線駆動回路シフトレジスタ及び論理回路21から画像信号サンプリング回路24へはサンプリング信号を出力する出力配線LOUTが延び出ているため、配線間ダミーパターンMが規則的に敷き詰められている。また、図6に示すように、入力端子パッド26の領域から基板の内方へ向かう配線は、データ線駆動回路21に入力する配線DXINデータ信号,電源Vddx,Vssx,クロック信号,反転クロック信号等LINと、ゲート線駆動回路22R,22L,プリチャージ及びテスト回路23に入力する配線DYINデータ信号,電源Vddy,Vssy,クロック信号,反転クロック信号等とに大別できるため、入力端子パッド26から一旦列方向図示縦方向に引き出された各配線Lは中途の行方向配線領域図示横方向Wでデータ線駆動回路21に入力すべき配線LINとそれ以外の配線とに行く手が別れる。このため、入力端子パッド26の領域とデータ線駆動回路21との挾間領域Yには、入力端子パッド26及びそこからの入力配線の間に形成された孤立矩形の複数の小分けダミーパターンS1~S3と、データ線駆動回路21に入力する配線LIN間に形成された孤立矩形の配線間ダミーパターンTとが敷き詰められている。なお、図6では入力端子パッド26はその数を減らして図示されている。入力端子パッド26の平面形状は、その略全体を占める矩形状の導電接触部261とそこから左右いずれの側に寄せて基板内方列方向へ細幅状に張り出した配線引出し部262とから成る。基板の左右中央線から右側に位置する入力端子パッド26の配線引出し部262は導電接触部261の左側に寄せて位置しており、基板の左右中央線から左側に位置する入力端子パッド26の配線引出し部262は導電接触部261の右側に寄せて位置している。配線引出し部262間には孤立横長の小分けダミーパターンS2が配置されている。更に、配線引出し部262の先部間とそこから引き出された配線L間には孤立矩形の小分けダミーパターンS3が跨がって形成されている。そしてまた、入力端子パッド26の基板縁には孤立矩形の小分けダミーパターンS1が配置されている。前述した基板の左右端側のダミーパターンNR,NLは入力端子パッド26の位置まで及んで形成されており、左右の最外側の入力端子パッド26の配線引出し部262との間の空き領域には孤立した小分けダミーパターンS2′が配置されている。また、ダミーパターンNR,NLの先端は入力端子パッド26の先端に揃っているが、ダミーパターンNR,NLの先端側の基板縁隅部には孤立した小分けダミーパターンS0が配置されている。なお、小分けダミーパターンの平面形状は、矩形正方形,長方形に限らず、種々の形状三角形,多角形,曲線形などを選択できる。例えば、六角形正六角形状の小分けダミーパターンを蜂の巣状に敷き詰めて配置しても良い。複数の入力端子パッド26は図18に示す如く異方性導電膜ACF38を介してフレキシブルテープ配線39に熱圧着で接続される。図6の破線は異方性導電膜38の占める領域の縁を示す。フレキシブルテープ配線39は、図7及び図8に示す如く、絶縁性のフレキシブルテープ39aと、この上に被着された複数本のストライプ状の導電線39bとからなる。このフレキシブルテープ39aの端部と入力端子パッド26の列との間には異方性導電膜38が挟まれている。異方性導電膜38は粒径5~10μm程度の導電性粒子38aと接着用絶縁樹脂材38bとからなる。その膜厚が2~10μm程度にまで押し潰されるまでフレキシブルテープ39aを圧着する。端子パッド26とフレキシブルテープ配線39の導電線39bとは押し潰されて離散的に分布する導電性粒子38aを介して導電接続するため、異方性導電膜38はその厚み方向にのみ導電性を有している。なお、図7及び図8でも入力端子パッド26はその数を減らして図示されている。入力端子パッド26の周囲にダミーパターン領域ダミーパターンA,Bを積み足すと、前述したように入力端子パッド26上の成膜直後の第3の層間絶縁膜13の表面レベルが孤立高ではなく画素領域20のそれと略同等になるので、研磨工程では入力端子パッド26の領域でも初期研磨レートが下がり、入力端子パッド26自身の研磨を防止できると共に、第3の層間絶縁膜13の薄膜化を実現できる。ここで、仮に各入力端子パッド26の周囲にダミーパターン領域が連続一面に形成されていると、異方性導電膜38を熱圧着する場合、導電性微粒子38aとダミーパターンを介して入力端子パッド26間がショートする虞れがある。しかし、本例では、入力端子パッド26間にはダミーパターンを設けず、非ダミーパターン領域Eとなっており、入力端子パッド26の周囲は小分けダミーパターンS1~S3で敷き詰められている。このため、入力端子パッド26間のショートを防止できる。入力端子パッド26と小分けダミーパターンS0~S3との間隔や、小分けダミーパターンS0~S3間の間隔は、配線LとダミーパターンS4との間隔約5μmよりも広く設定されている。異方性導電膜38を介したショートを防止するためである。なお、入力端子パッド26の領域において成膜直後の第3の層間絶縁膜13の孤立高を更に低減するため、入力端子パッド26間にもダミーパターンを形成しても良いが、入力端子パッド26間のショートを防止すためには、入力端子パッド26間に形成されるダミーパターンも小分けダミーパターンとする。小分けダミーパターンの小分け数を増やす程に、ショート確率はより僅少になる。ただ、小分け数が増せば増すほど、ダミーパターン領域上の成膜直後の第3の層間絶縁膜13の表面に起伏が顕在化するため、適度の数を選定することが好ましい。小分けダミーパターンの平面形状は、矩形正方形,長方形に限らず、種々の形状三角形,多角形,曲線形などを選択できる。例えば、六角形正六角形状の小分けダミーパターンを蜂の巣状に敷き詰めて配置しても良い。図9は中継端子パッド29Rの周辺を示す部分平面図である。中継端子パッド29R29Lは、データ線駆動回路21の脇で最外側の端子パッド26からの配線液晶の交流駆動における液晶印加電圧の極性反転の基準となる電位の供給配線Lに繋がった矩形パッドであり、銀ペーストを着けてガラス基板35の対向電極33に導電接続される。この中継端子パッド29R29Lの周囲にはダミーパターンNR,NLが形成されている。このため、中継端子パッド29R29Lにおいても端子パッド26と同様に、成膜直後の第3の層間絶縁膜13の表面レベルを均一化できる。本例では中継端子パッド29RとダミーパターンNRとの間隔を例えば70μmに設定してあり、銀ペーストを付着させた際のはみ出しが多少起こっても、ショートし難い間隔に設定してある。即ち、中継端子パッド29RとダミーパターンNRとの間隔は、配線とその近傍のダミーパターンとの間隔より広く設定されている。なお、中継端子パッド29R周囲のダミーパターンも小分けダミーパターンとしても良い。図10は、実施形態1において第3の層間絶縁膜13を膜厚約24000Åで成膜した後、その画素領域20の中心部の第3の層間絶縁膜13の残膜厚が約12000ÅになるまでCMP処理を施した液晶パネル用基板131における研磨後の第3の層間絶縁膜13の膜厚分布を示す等膜厚線図である。また、図24中のプロット△印を連ねるグラフは図10中のa-a′線に沿うシール左辺縦方向の残膜厚の分布を示し、図25中のプロット△印を連ねるグラフは図10中のb-b′線に沿う画素中央縦方向の残膜厚の分布を示し、図26中のプロット△印を連ねるグラフは図10中のc-c′線に沿うシール上辺横方向の残膜厚の分布を示し、図27中のプロット△印を連ねるグラフは図10中のd-d′線に沿う画素中央横方向の残膜厚の分布を示し、図28中のプロット△印を連ねるグラフは図10中のe-e′線に沿う画素中央横方向の残膜厚の分布を示す。これらの図から判るように、画素領域20及びシール領域127での最大膜厚差は約2720Åであり、等厚線の間隔膜厚差1000Åが図23のそれに比し相当広くなっている。画素領域20の平坦性が2倍以上も改善されている。基板チップ全体での最大膜厚差は約2910Åに抑制されている。シール領域127の上辺の中央部が低い勾配は略1/2以下に減少し、シール領域127の下辺の中央部が低い勾配は略1/4以下にも減少している。更に、シール領域127の左右辺は上隅部が最も薄く、中央部が高い勾配が解消されており、勾配は略1/4以下にも減少している。このような顕著な改善は、画素領域20や周辺回路領域の外部の殆どの領域において、連続拡張面ベタのダミーパターン領域ダミーパターンA,Bが敷き詰められているためである。しかし、画素領域20の最大膜厚差を1000Å以下に抑えることが望まれる。画素領域20の膜厚分布には画素中央縦線が膜厚の谷線となっており、入力端子パッド26の領域における中央部の膜厚が最大膜厚約14500Åとなっている。これは、図23の従来例とは逆に入力端子バッド26の領域が研磨不足になったものと考えられる。実施形態2図11は本発明の実施形態2に係る反射型液晶パネル用基板においてシール領域の四隅部の近辺を示す部分平面図、図12は図11中のC-C′線に沿って切断した状態を示す断面図である。なお、図11において、散点模様の領域は第1のメタル層を、一様斜線のハッチング領域は第2のメタル層をそれぞれ表し、第3のメタル層は不図示である。また、以下に説明する内容以外の構成は、実施形態1に係る反射型液晶パネル用基板と同様である。本例の反射型液晶パネル用基板231も実施形態1の反射型液晶パネル用基板131と略同様の構成を有しており、画素領域20を取り囲むシール領域127は孤立した連続拡張面いわゆるベタのダミーパターン領域第1のメタル層のダミーパターンAと第2のメタル層のダミーパターンBとなっていると共に、入力端子パッド26,中継端子パッド29R,29Lやデータ線駆動回路21の周囲も連続拡張面のダミーパターン領域第1のメタル層のダミーパターンAと第2のメタル層のダミーパターンBとなっている。実施形態1のダミーパターン形成態様と異なる点は、シール領域127のシール四隅部127Cの矩形領域内では、第1のメタル層のダミーパターンは、シール辺部の配線LOUT間に敷き詰めたダミーパターンAの様な広い連続拡張面いわゆるベタではなく、複数の小分けダミーパターンaの分散的集合となっている。即ち、矩形又は短冊状の面積の異なる複数の小分けダミーパターンaが間隔をおいてそれぞれ縦横方向に揃えて分散的に敷き詰められており、50以下のパターン密度になっている。複数の小分けダミーパターンaの面積はそれぞれ異なるが、入力端子パッド26の面積よりも皆小さい。シール四隅部127Cにおける第2のメタル層のダミーパターンB′は矩形状の連続拡張面である。このため、シール四隅部127Cにおける研磨前の第3の層間絶縁膜13の表面は図12の点線で示すように離散的な複数の小分けダミーパターンaによる凹凸が反映した面粗さを呈している。シール四隅部127Cに密度の低い分布の小分けダミーパターンaを設けた基板において、第3の層間絶縁膜13の表面をCMP処理すると、シール領域127の辺部の平坦に近い起伏に比し四隅部127Cの初期研磨レートが速くなるため、これに引きずられる形で四隅部127Cの4部位で囲まれたシール領域127及びその内側領域の研磨レートが略平等化する傾向で進行するので、画素領域20及びシール領域127の残膜厚バラツキが抑制される。特に、4部位のシール四隅部127Cのうちでも、シール領域127の下辺の左右隅部に予め粗さ度を付与した意義は大きいと言える。ここで、シール四隅部127Cにおける複数の小分けダミーパターンaの島状面積を略等しくして、均等分散的ないしランダムに分布していると仮定し、パターン密度単位面積においてダミーパターンの面積の総和が占める割合を低くすることは、ダミーパターンa間が空くので小分けダミーパターンaが粗く分布する。このため、第3の層間絶縁膜13の初期研磨レートはシール四隅部127Cの周辺に比べて速くなり、シール四隅部127Cの境界部分が速く勾配面となり易く、この勾配面は除々に研磨されて内方へ波及する。パターン密度が同じ場合、小分けダミーパターンaの数を減らし、面積を大きくすると、孤立高の傾向が強くなり、初期研磨レートは速くなる。このため、シール四隅部127Cの境界部分は速く勾配面となり易く、上記と同等に、この勾配面は除々に研磨されて内方へ波及する。本例では、シール四隅部127Cの初期研磨レートをその周囲よりも高めるダミーパターン分布を採用することにより、4部位のシール四隅部127Cで囲まれたシール領域127の辺部や画素領域20での残膜厚を基準たるシール四隅部127Cの残膜厚に引きずられて合わせ易くなる。シール領域127及び画素領域20の平坦制御化が実現されている。図11に示すように、シール四隅部127Cでは、シール辺の左右辺には縦方向に離散配列した複数の短冊状小分けダミーパターンaが隣接しており、シール辺の上下辺には横方向に離散配列した複数の短冊状小分けダミーパターンaが隣接している。縦方向の短冊状小分けダミーパターンaの存在はその長辺部分縦方向部分で初期研磨レートが最も速いのでシール上下辺方向の平坦化に寄与し、また横方向の短冊状小分けダミーパターンaの存在はその長辺部分横方向部分で初期研磨レートが最も速いのでシール左右辺方向の平坦化に寄与するものと考えられる。縦方向の短冊状小分けダミーパターンaがシール上下辺に隣接すると共に横方向の短冊状小分けダミーパターンaがシール左右辺に隣接しているのではなく、本例では、縦方向の短冊状小分けダミーパターンaがシール左右辺に隣接しており、また横方向の短冊状小分けダミーパターンaがシール上下辺に隣接しているため、シール四隅部127C内での縦方向と横方向の初期研磨レートが交錯し、結果的にこの部分での初期研磨レートが速くなるものと考えられる。なお、小分けダミーパターンaの形状,配列及びパターン密度を種々変えることにより、シール領域127及びその内側領域の平坦化が一層改善できるものと考えられる。また、シール四隅部127Cにおいて全くダミーパターンがないパターン密度ゼロ場合でも、隅部がその周囲に比べ落ち込んで窪み状になり、その境界部分が立ち上がっているため、研磨初期ではその境界部分が易研磨状態になって勾配面が形成され、除々に画素領域及びシール領域の内方へその勾配面が波及する。このため、画素領域20及びシール領域127の全体的な平坦化を得ることができる。図13は、実施形態2において第3の層間絶縁膜13を膜厚約24000Åで成膜した後、その画素領域20の中心部の第3の層間絶縁膜13の残膜厚が約12000ÅになるまでCMP処理を施した液晶パネル用基板231における研磨後の第3の層間絶縁膜13の膜厚分布を示す等膜厚線図である。また、図24中のプロット□印を連ねるグラフは図13中のa-a′線に沿うシール左辺縦方向の残膜厚の分布を示し、図25中のプロット□印を連ねるグラフは図13中のb-b′線に沿う画素中央縦方向の残膜厚の分布を示し、図26中のプロット□印を連ねるグラフは図13中のc-c′線に沿うシール上辺横方向の残膜厚の分布を示し、図27中のプロット□印を連ねるグラフは図13中のd-d′線に沿う画素中央横方向の残膜厚の分布を示し、図28中のプロット□印を連ねるグラフは図13中のe-e′線に沿う画素中央横方向の残膜厚の分布を示す。これらの図から判るように、画素領域20及びシール領域127での最大膜厚差は約1380Åであり、等厚線の間隔膜厚差1000Åが図10のそれに比し更に間延びしている。実施形態1に比し、本例では画素領域20の平坦性が2倍以上も改善されている。基板チップ全体での最大膜厚差は約2500Åであるが、これは入力端子パッド26の領域でダミーパターンが連続拡張面であるため、研磨不足でなおも膜厚が厚いからである。シール領域127の上辺の中央部が低い勾配も実施形態1に比し略1/2以下に減少している。また、シール領域127の左右辺は略平坦になっている。これはシール領域127の下辺の左右隅部のダミーパターンaのパターン密度を低くしたことで、研磨し易くなったからである。しかし、図13から理解できるように、シール領域127の下辺の左右隅部の周辺の膜厚はまだ厚く、画素領域20及びシール領域127での最大膜厚差は100Å以下とはなっていない。四隅部127Cのダミーパターンaを全く無くしたパターン密度ゼロ場合は、画素領域20内側はより平坦化するものの、四隅部127Cの境界部分は急勾配となるおそれがある。下辺の左右隅部127Cから左右辺の上方へ向かうにつれパターン密度が漸減するダミーパターンaを形成し、又は、下辺の左右隅部127Cから下辺の中央へ向かうにつれパターン密度が漸減するダミーパターンaを形成しても良い。かかる場合、画素領域20及びシール領域127の両領域の更なる平坦化を実現できる。実施形態3図14は本発明の実施形態3に係る反射型液晶パネル用基板においてシール領域の四隅部の近辺を示す部分平面図、図15は図14中のC-C′線に沿って切断した状態を示す断面図である。なお、図14において、散点模様の領域は第1のメタル層を、一様斜線のハッチング領域は第2のメタル層をそれぞれ表し、第3のメタル層は不図示である。また、以下に説明する内容以外の構成は実施形態1に係る反射型液晶パネル用基板と同様である。本例の反射型液晶パネル用基板331は、画素領域20を取り囲むシール領域227及びその外側領域においてマトリクス状2次元周期状に敷き詰められたダミーパターンとしての擬似画素凹凸パターンPを有している。この擬似画素凹凸パターンPは、データ線駆動回路21や中継端子パッド29R,29Lの周囲や入力端子パッド26の周囲にも余すことなく縦横方向へ展開拡張して形成されている。この擬似画素凹凸パターンPは画素領域20を構成する画素の構成要素のボリュウムを模して第3の層間絶縁膜13の表面に画素表面と類似の凹凸形状模様を得るためのものである。本例では、擬似画素凹凸パターンPの構成要素として、画素の最下層配線のゲート線4に見立てた略同線幅の第1のメタル層の擬似ゲート線4pと、画素の第1のメタル層のデータ線7,ソース電極配線7a及び中継配線10に見立てた略同線幅の第1のメタル層の擬似データ線7p,擬似ソース電極配線7ap及び擬似中継配線10pと、画素部分の第2のメタル層の遮光膜12に見立てた連続拡張面いわゆるベタの第2のメタル層の擬似遮光膜12pとが存在する。各画素では最下層配線及び第1のメタル層からなるパターン密度は約25であるため、擬似画素凹凸パターンPでの第1のメタル層及び第2のメタル層からなるパターン密度もそれに略合わせてある。上下のシール領域辺部227や挾間領域X′においては、データ線駆動回路21から画素信号サンプリング回路24へ第1のメタル層の信号配線LOUTがそのまま擬似データ線7pとして利用されている。このため、第1のメタル層の擬似ゲート線4p′や擬似ソース電極配線7ap′は擬似データ線7pとは接続されていない。擬似画素凹凸パターンPが基板の縦横2次元方向に繰り返し展開されて形成されているが、本例では擬似画素凹凸パターンPの行列は画素領域20の行列とは若干食い違っている。データ線駆動回路21,画素信号サンプリング回路24,及びゲート線駆動回路22R,22L等の周辺回路領域の素子レイアウトや信号配線LOUTのレイアウトを設計変更することで、擬似画素凹凸パターンPの行列と画素領域20の行列とを揃えることができる。このような擬似画素凹凸パターンPを具える基板331では、CMP処理前の第3の層間絶縁膜13の画素領域20以外の表面にも、画素の表面凹凸模様と殆ど類似の表面凹凸模様が空間周期的に拡がっているため、研磨レートが初期から基板331のどの部分でも略等しくなり、少なくとも画素領域20及びシール領域227では高精度の表面平坦性を実現できる。図16は、実施形態3において第3の層間絶縁膜13を膜厚約24000Åで成膜した後、その画素領域20の中心部の第3の層間絶縁膜13の残膜厚が約12000ÅになるまでCMP処理を施した液晶パネル用基板331における研磨後の第3の層間絶縁膜13の膜厚分布を示す等膜厚線図である。また、図24中のプロット○印を連ねるグラフは図16中のa-a′線に沿うシール左辺縦方向の残膜厚の分布を示し、図25中のプロット○印を連ねるグラフは図16中のb-b′線に沿う画素中央縦方向の残膜厚の分布を示し、図26中のプロット○印を連ねるグラフは図16中のc-c′線に沿うシール上辺横方向の残膜厚の分布を示し、図27中のプロット○印を連ねるグラフは図16中のd-d′線に沿う画素中央横方向の残膜厚の分布を示し、図28中のプロット○印を連ねるグラフは図16中のe-e′線に沿う画素中央横方向の残膜厚の分布を示す。これらの図から判るように、画素領域20及びシール領域227シール四隅部227Cを含むでの最大膜厚差は約850Åであり、基板全体での最大膜厚差は約950Åであった。画素領域20及びシール領域227での平坦性は充分であった。なお、入力端子パッド26の周囲領域では多少研磨不足ぎみであるため、入力端子パッド26の周囲領域での擬似画素凹凸パターンPのパターン密度を更に下げれば、更なる平坦化も実現できる。画素での凹凸形状模様に影響する構成要素としては、フィールド酸化膜3に開けた2つの開口部、最下層配線のゲート線4、第1のメタル層のデータ線7,ソース電極配線7a及び中継配線10、第2のメタル層の遮光膜12やプラグ貫通用開口部12aである。本例の擬似画素凹凸パターンPでは、最下層配線のゲート線4を第1のメタル層の擬似ゲート線4pに見立てているが、画素領域20と同様に、擬似ゲート線4pを最下層配線で形成しても良い。また、擬似画素凹凸パターンPの構成要素にフィールド酸化膜3に開けた2つの開口部に見立てた擬似開口部やプラグ貫通用開口部12aに見立てた擬似プラグ貫通用開口部を形成を含ませても良い。プロセス援用ができるので工数追加を招かず、画素領域20の外側に一層リアルな擬似画素凹凸パターンを形成でき、画素領域20及びシール領域227の更なる平坦化を実現できる。ところで、CMP処理においては、被研磨面の凸部が密であると初期研磨し難く、逆に被研磨面の凸部が粗であると初期研磨し易い。孤立突起は速く研磨されるからである。また、同等大きさの突起が密にランダム分布している領域と粗にランダム分布している領域とが存在する場合、粗の領域の方が初期研磨レートが速いため、研磨仕上がりでは両者領域に跨がる勾配面が形成され得る。粗の領域では結果としてパターン密度が低い。他方、被研磨面のどの部分のパターン密度が略等しくても、突起の平面規模島状面積が小さい領域の方が初期研磨レートが速い。島状面積に比し島状周囲輪郭長さが長くなるためである。従って、突起の島状面積が大きく且つ密にランダム分布している領域が一番初期研磨し難い。その極限例が領域全体に連続拡張面いわゆるベタが形成されている場合である。逆に、突起の島状面積が小さく且つ粗にランダム分布している領域は一番初期研磨し易い。その極限例が領域全体に突起がないダミーパターンがない場合である。しかし、突起の島状面積が大きく且つ粗にランダム分布している領域や突起の島状面積が小さく且つ密に分布している領域は、上記の最高研磨レートと最低研磨レートとの中間の初期研磨レートであろうが、突起の島状面積が大きく且つ粗にランダム分布している領域と、突起の島状面積が小さく且つ密にランダム分布している領域とは、いずれの方が速い初期研磨レートであるか否かは、研磨液や他の条件分布の規則性,突起形状,突起配列,突起配置などにも起因しているため、判然としない。ただ、実際のCMP処理では砥液が画素領域20の凹凸の規則的分布によりある程度規則的な流動分布を引き起こしているものと考えられるため、非画素領域でも同様な流動分布となるように工夫する必要もある。実際、反射型液晶パネル用基板のチップサイズ内においては、入力端子パッド26が最も広い島状突起でその1次元配列の間隔からして粗の分布と考えられるので、この入力端子パッド26を含む領域が最高研磨レートとなる。ところが、画素領域20では画素凹凸パターンが縦横2次元にマトリクス状に展開された明瞭な空間周期性を呈している。従って、画素領域20の凹凸分布には、画素凹凸パターンの空間周期性という高次の規則性と画素凹凸パターン内の低次の規則性とから成る階層的規則が存在する。画素凹凸パターンは、1000Å~10000Å程度の微細な線幅に代表される微視的な各種の基本1次凹凸部フィールド酸化膜3に開けた2つの開口部,最下層配線のゲート線4,第1のメタル層のデータ線7,ソース電極配線7a,及び中継配線10,第2のメタル層の遮光膜12やプラグ貫通用開口部12aの分布と、画素中でこれら基本凹凸部の偏りにより生じる凹凸密集部2次凹凸部とから成る階層構造と考えられる。本例の擬似画素凹凸パターンPでは、この基本凹凸部に逐一忠実に対応させた原始的な基本凹凸部をそのまま模する代わりに、マクロ的な凹凸密集部を見立てるように、擬似ゲート線4p,擬似データ線7p,擬似ソース電極配線7ap及び擬似中継配線10pのみを形成したものである。本例の凹凸密集部としては、ゲート線4とデータ7との重なり部分や容量電極9aと中継配線10の重なり部分が考えられる。このため、擬似画素凹凸パターンPは擬似ゲート線4p,擬似データ線7p及び擬似中継配線10pを含むことが好ましい。典型的な凹凸部分を擬似画素凹凸パターンPの要素とすれば良い。擬似画素凹凸パターンPの中での典型的な凹凸部分の位置と実際の画素の中の典型的な凹凸部分位置とが正確に対応していなくても構わない。ここで例えば、画素凹凸パターンが3次以上の階層構造と考えられる場合、基本凹凸部の細密なデットコピーまでは必要でなく、巨視的な階層から3次又は2次凹凸部までを模するだけでも充分であろう。ただ、このような画素内の凹凸パターンの階層構造が明瞭でない場合、基本凹凸部のデッドコピーを擬似画素凹凸パターンPとする方がマスク設計上の煩雑さを回避できる利点がある。また、最大膜厚差が1000Å以下となるような更なる高精度の平坦化を企画する場合は、画素のデッドコピーを擬似画素凹凸パターンPとする方が良い。なお、上記の実施形態の液晶パネル基板は反射型液晶パネルに用いるに好適であるが、その反射型液晶パネルは前述した液晶プロジェクタのライトバルブは勿論のこと、腕時計型電子機器、ワードプロセッサ,パーソナルコピュータ等の携帯型情報処理機、携帯電話機の表示部やその他各種の電子機器の表示部に適用することができる。また、上記実施形態の液晶パネル基板は半導体基板の主面にスイッチング素子を作り込んだものであるが、半導体基板に限らず、基板としてはガラス基板や石英基板等の絶縁性基板を用いることができる。スイッチング素子として絶縁性基板上に薄膜トランジスタTFTなどを形成する場合でも、本発明を適用できることは言う迄もない。更に、本発明は液晶パネル基板に限らず、他のフラットディスプレイ用基板に適用できるものである。発明の効果以上説明したように、本発明は、画素領域の空き間にダミーパターンを割り込ませて形成するのではなく、逆に、非画素領域において既成導電層層を援用して被研磨層の上層の層間絶縁膜の底上げ用のダミーパターンを略一面的に形成した点を特徴とするものである。画素領域においてダミーパターンを形成する場合は、底上げのための中間導電層と層間絶縁膜との成膜工程を追加せねばならず、また、研磨前の層間絶縁膜の表面起伏が抑えられていると、却って初期研磨レートが低くなるので、層間絶縁膜表面を鏡面様に平坦化するために必要な研磨時間が長くなり、砥液の消費も増大する。しかしながら、本発明は上記の不都合を解消できるばかりか、次のような効果を奏する。1端子パッドの近傍に、単層又は複層のダミーパターンを有する場合、端子パッドの近傍の上層の層間絶縁膜の成膜表面レベルが画素領域での成膜表面レベルと略同等レベルになり、表面レベルが全体として均一化するため、研磨処理において一様の研磨レートが得られる。このため、従前の成膜表面レベルが均一化されていない状態で問題となっていた端子パッド部の易研磨性が改善され、端子パッド部の下地が露出することがない。これは画素領域表面の更なる鏡面様の平坦化に役立ち、且つ研磨処理前の層間絶縁膜の薄膜化も実現できる。この薄膜化により、画素領域にある層間導電部のコンタクトホールのアスペクト比を改善できるので、コンタクトホールの細径化により開口部の細径化に結び付けることができる。それ故、遮光性能が向上し、スイッチング素子特性を改善できる。勿論、成膜工数の追加を招かずに済む。そして、画素領域外の端子パッドの近傍域にも導電層のダミーパターンが敷き詰められていると、このダミーパターンも遮光膜となるため、迷光が画素領域外から基板に作り込んだ素子領域に入り難くなり、光電流を抑制でき、スイッチング素子の改善に役立つ。2入力端子パッドの周囲に配置されたダミーパターンが平面的に細分化された複数の小分けダミーパターンからなる場合、成膜直後の層間絶縁膜の表面レベルを均一化しながら、隣接の端子パッド間のショートを防止できる。3相隣り合う入力端子パッド間が非ダミーパターン領域である場合、入力端子パッド間のショートを確実に防止できる。4この入力端子パッドとその周囲に配置された小分けダミーパターンとの間隔が、配線とその近傍のダミーパターンとの間隔よりも広く設定されてなる場合、異方性導電膜の導電性粒子による入力端子パッドと小分けダミーパターンとの架橋が起こり難くなり、ショートを極力防止できる。5中継端子パッドとその周囲に配置されたダミーパターンとの間隔が、配線とその近傍のダミーパターンとの間隔よりも広く設定されている場合、中継端子パッド上では通常銀ペーストで導通が図られるようになっているが、銀ペーストが中継端子パッドから若干はみ出しても、その近傍のダミーパターンにショートし難くなる。6端子パッドの近傍域に限らず、画素領域の周囲を取り囲むシール領域に、ダミーパターンが形成されている場合、その部分の研磨処理前の層間絶縁膜の表面は画素領域のそれと略同等になるので、研磨処理によって平坦化を行う際、画素領域はその周辺部まで均一なレートで研磨が進行する。このため、従前に比べ画素領域の平坦性が一層良好となり、反射率が向上するだけでなく、研磨後のコンタクトホールのエッチング時間が決定し易くなる。7更に、ダミーパターンをシール領域の外周部にも設けることにより、この領域はシール領域部分の上層の層間絶縁膜の表面のレベルと同等になる。従って研磨した場合、シール領域の層間絶縁膜表面が勾配面となることはなく、シール材の密着性を改善することができる。8シール領域のダミーパターンがスイッチング素子の制御配線層と同層で孤立したパターンの上に積み足されて成る場合、研磨処理の層間絶縁膜の表面レベルの平坦化を更に微細に調節できる。9そして、画素領域の周辺に配置され、スイッチング素子に信号を供給する駆動回路の近傍領域に、ダミーパターンを積み重ねて成る場合、研磨処理の層間絶縁膜の平坦化等に役立つ。10更に、本発明においては、画素領域を取り囲むシール領域の隅部領域には、平面的に細分化された複数の小分けダミーパターンが形成されている。このため、シール四隅部における研磨前の層間絶縁膜の表面は離散的な複数のダミーパターンによる凹凸が反映した面粗さを呈しており、研磨処理を施すと、シール領域の辺部の平坦に近い起伏に比し四隅部の初期研磨レートが速くなるため、これに引きずられる形で四隅部で囲まれたシール領域内側の研磨レートが略平等化する傾向で進行し、画素領域及びシール領域の残膜厚バラツキが抑制される。11また、シール四隅部において全くダミーパターンがないパターン密度ゼロ場合でも、隅部領域が落ち込みその境界部分が立ち上がっているため、研磨初期ではその境界部分が勾配面となり、その勾配面が次第に内方へ波及する。従って、画素領域及びシール領域の全体的な平坦化を得ることができる。12そしてまた、本発明においては、非画素領域に連続拡張面いわゆるベタのダミーパターンを形成するではなく、画素の凹凸を模した複数の擬似画素凹凸パターンを形成した構成を採用できる。研磨処理前の層間絶縁膜の画素領域以外の表面にも、画素の表面凹凸模様と殆ど類似の表面凹凸模様が拡がっているため、研磨レートが初期から基板のどの部分でも略等しくなり、少なくとも画素領域及びシール領域では高精度の表面平坦性を実現できる。13複数の擬似画素凹凸パターンを非画素領域上に2次元方向に繰り返し展開形成した構成では、画素領域のマトリクス状などの空間規則性も対応することになるため、画素領域及びシール領域での表面平坦性が顕著になる。14この擬似画素凹凸パターンが少なくとも擬似ゲート線,及び擬似データ線で構成されて成る場合、画素の凹凸の顕著な代表的部分や画素領域の凹凸規則性に最も酷似するパターンとなるので、画素領域及びシール領域での層間絶縁膜を高精度に平坦化できる。"