"基板140を非接触で前進させる方法であって、-長手方向に延在して少なくとも第1120および第2130の壁に界接するプロセストンネル102を設けるステップであって、前記両壁は、前記両壁に平行な向きのほぼ平坦な基板140がその間に収容されるように互いに平行に離隔している、ステップと、-前記第1の壁120に沿ってほぼ横方向に流れるガスを供給することによって第1のガスベアリング124を設け、前記第2の壁130に沿ってほぼ横方向に流れるガスを供給することによって第2のガスベアリング134を設けるステップと、-前記プロセストンネルを長手方向に複数の圧力セグメント116に分割する第1の長手方向分割をもたらすステップであって、或る圧力セグメント内の前記第1および第2のガスベアリング124、134の平均ガス圧は隣接する圧力セグメントの前記第1および第2のガスベアリングの平均ガス圧とは異なる、ステップと、-基板140が前記第1124および第2134のガスベアリング間に浮動状態で収容されるように、前記基板140を前記第1の壁120と前記第2の壁130との間に供給するステップと、-隣接し合う圧力セグメント116間の平均ガス圧の差によって、前記基板を前記プロセストンネルの前記長手方向に沿って追いやるステップと、を含む方法。少なくとも1つの圧力セグメント内の前記第1および第2のガスベアリングの前記ガスの平均長手方向速度成分は、前記圧力セグメント内の前記ガスの平均横方向速度成分の20以下である、請求項1に記載の方法。連続する少なくとも3つの圧力セグメント116における前記平均ガス圧は、前記長手方向に見て、前記平均ガス圧が単調に増加または減少するように設定される、請求項1または2に記載の方法。連続する少なくとも3つの圧力セグメント116における前記平均ガス圧は、前記基板140がこれらの圧力セグメントを通過しているときにほぼ一定の圧力差ΔPzを受けるように設定される、請求項1乃至3の何れかに記載の方法。連続するいくつかの圧力セグメント116における前記平均ガス圧は、前記基板140がこれらの圧力セグメントを通過しているときに0~100Paの範囲内の圧力差ΔPzを受けるように設定される、請求項1乃至4の何れかに記載の方法。少なくとも1つの圧力セグメント116は、順次配置された少なくとも2つの基板140を収容するために十分な長さを有する、請求項1乃至5の何れかに記載の方法。-隣接し合う圧力セグメントの前記第1および第2のガスベアリング124、134の剛性を変化させずに、前記基板が前記隣接し合う圧力セグメント116、116’を通過する際に前記基板を追いやる力を変化させるように、前記隣接し合う圧力セグメントの前記第1および第2のガスベアリング124、134内の前記ほぼ横方向に流れるガスの横方向ガス流速Qxを変化させずに、前記隣接し合う圧力セグメント116、116’間の平均ガス圧の差を変化させるステップ、をさらに含む、請求項1乃至6の何れかに記載の方法。-前記基板が隣接し合う圧力セグメント116、116’を通過する際に前記基板を追いやる力を変化させずに、前記隣接し合う圧力セグメント内の前記ガスベアリングの剛性を変化させるように、前記隣接し合う圧力セグメント間の平均ガス圧差を変化させずに、前記隣接し合う圧力セグメントの前記第1および第2のガスベアリング124、134内の前記ほぼ横方向に流れるガスの横方向ガス流速Qxを変化させるステップ、をさらに含む、請求項1乃至7の何れかに記載の方法。-前記プロセストンネルを複数のALDセグメントに分割する第2の長手方向分割をもたらすステップであって、前記基板が前記プロセストンネル内を前記長手方向に移動している間に、前記基板が連続するガスゾーン内で第1の前駆体ガスと、パージガスと、第2の前駆体ガスと、パージガスとにさらされ、単一ALDセグメントの少なくとも4つのゾーンの全てを通過したときに1つの原子層が前記基板上に堆積されるように、各ALDセグメント内の前記第1および前記第2のガスベアリングの少なくとも一方は、前記複数のガスを順次含む少なくとも4つの横方向に延在するガスゾーンを備える、ステップ、をさらに含む、請求項1乃至8の何れかに記載の方法。-前記基板140が前記プロセストンネルの少なくとも一部分を通過する際に前記基板140をアニール処理にかけるステップであって、前記プロセストンネル部分の前記第1および/または第2のガスベアリング124、134は、次の複数のプロセスガス、すなわちi酸素、iiアンモニア、iii水素、およびiv燐または硼素含有化合物、のうちの少なくとも1つを必要に応じて含む、ステップ、をさらに含む、請求項1乃至9の何れかに記載の方法。前記長手方向に見て、前記プロセストンネル102の少なくとも一部分は、前記少なくとも1つのプロセストンネル部分内での基板140の搬送を重力によって駆動可能にするように、水平面に対して傾斜している、請求項1乃至10の何れかに記載の方法。-長手方向に延在して少なくとも第1120および第2130の壁に界接するプロセストンネル102であって、前記第1120および第2130の壁は、前記第1120および第2130の壁に平行な向きのほぼ平坦な基板140がその間に収容されるように互いに平行に離隔している、プロセストンネル102と、-前記第1および前記第2の壁の両方に設けられた複数のガス注入路122、132であって、前記第1の壁の前記ガス注入路は第1のガスベアリングをもたらすように構成され、前記第2の壁の前記ガス注入路は第2のガスベアリングをもたらすように構成され、前記両ガスベアリングは前記基板をその間に浮動状態で支持して収容するように構成される、複数のガス注入路122、132と、を備える装置であって、第1の長手方向分割により、前記プロセストンネルは複数の圧力セグメント116に分割され、或る圧力セグメントに対応付けられた前記ガス注入路は、隣接する圧力セグメントに対応付けられたガス注入路が構成されたガス注入用平均ガス圧とは異なる平均ガス圧でガスを注入するように構成される、装置。連続する少なくとも3つの圧力セグメント116に対応付けられた前記複数のガス注入路は、前記長手方向に見て、前記平均ガス圧が前記圧力セグメントにわたって単調に増加または減少するような平均ガス圧でガスを注入するように構成される、請求項12に記載の装置。連続する少なくとも3つの圧力セグメント116に対応付けられた前記複数のガス注入路は、基板140がこれらの圧力セグメントを通過する際に前記基板140がほぼ一定の圧力差ΔPzを受けるような平均ガス圧でガスを注入するように構成される、請求項12または13に記載の装置。少なくとも1つの圧力セグメント116は、順次配置された少なくとも2つの基板140を収容するために十分な長さを有する、請求項12乃至14の何れかに記載の装置。前記長手方向に見て、前記第1および第2の壁の少なくとも一方の前記複数のガス注入路は、使用時、第1の前駆体ガスと、パージガスと、第2の前駆体ガスと、パージガスとをそれぞれ含む連続するゾーンを備えたALDセグメント114を生じさせるように、第1の前駆体ガス源と、パージガス源と、第2の前駆体ガス源と、パージガス源とに順次接続され、このようなトンネルセグメントが少なくとも2つ前記搬送方向に連続して配設される、請求項12乃至15の何れかに記載の装置。前記プロセストンネルの少なくとも一部分において、前記第1および第2の壁120、130の少なくとも一方の前記複数のガス注入路122、132は、350~1000°Cの範囲内の温度に加熱されたガスを注入するように構成され、前記加熱されたガスは、次の複数のプロセスガス、すなわちi酸素、iiアンモニア、iii水素、およびiv燐または硼素含有化合物、のうちの少なくとも1つを必要に応じて含む、請求項12乃至16の何れかに記載の装置。本発明の1つの態様は、基板を非接触で前進させる方法に関する。本方法は、長手方向に延在して少なくとも第1および第2の壁に界接するプロセストンネルを設けるステップであって、第1および第2の壁に平行な向きのほぼ平坦な基板が両壁間に収容されるように、第1および第2の壁は互いに平行に離隔している、ステップを含みうる。本方法は、第1の壁に沿ってほぼ横方向に流れるガスを供給することによって第1のガスベアリングを設け、第2の壁に沿ってほぼ横方向に流れるガスを供給することによって第2のガスベアリングを設けるステップをさらに含みうる。本方法は、プロセストンネルを複数の圧力セグメントに分割する第1の長手方向分割をもたらすステップであって、或る圧力セグメント内の第1および第2のガスベアリングは、隣接する圧力セグメント内の第1および第2のガスベアリングの平均ガス圧とは異なる平均ガス圧を有する、ステップをさらに含みうる。また、本方法は、基板が第1および第2のガスベアリング間に浮動状態で収容され、隣接し合う圧力セグメント間の平均ガス圧の差によって基板がプロセストンネルの長手方向に追いやられるように、基板を第1の壁と第2の壁との間に供給するステップを含みうる。本発明の別の態様は、基板処理装置に関する。本装置は、長手方向に延在して少なくとも第1および第2の壁に界接するプロセストンネルを備えうる。第1および第2の壁は、これらの壁に平行な向きのほぼ平坦な基板がその間に収容されるように、互いに平行に離隔している。本装置は、第1および第2のトンネル壁の両方に設けられた複数のガス注入路をさらに備えうる。第1のトンネル壁内の各ガス注入路は第1のガスベアリングをもたらすように構成され、第2のトンネル壁内の各ガス注入路は第2のガスベアリングをもたらすように構成され、前記両ガスベアリングは、その間に前記基板を浮動状態で支持して収容するように構成される。このプロセストンネルは、第1の長手方向分割により複数の圧力セグメントに分割されうる。或る圧力セグメントに対応付けられた各ガス注入路は、隣接する圧力セグメントに対応付けられた各ガス注入路が構成されたガス注入用平均ガス圧とは異なる平均ガス圧でガスを注入するように構成されうる。本発明による方法および装置は、基板がその間に浮動状態で収容されうる第1および第2のガスベアリングを用いる。第1および第2のガスベアリングは、一般には、第1および第2の壁をそれぞれ覆う動的なガスクッションと考えられうる。これらのガスベアリングはプロセストンネルの長手方向に延在するが、各ガスベアリングを構成するガスはほぼ横方向に流れる。すなわち、ガスベアリングの或る長手方向部分を構成するガスの少なくとも平均速度は、プロセストンネルの長手方向の成分より大きな成分をプロセストンネルの横方向に有する。ガス流の方向がほぼ横方向である理由を以下に説明する。本プロセストンネルは、長手方向に複数の圧力セグメントに分割される。隣接し合う圧力セグメントは、ガスベアリングの平均ガス圧が互いに異なる。すなわち、1つの圧力セグメント内で組み合わされた第1および第2のガスベアリングの平均静圧は、隣接する圧力セグメント内で組み合わされた第1および第2のガスベアリングの平均静圧とは異なる。この結果、隣接し合う圧力セグメント間に、ひいてはプロセストンネルの長さ方向に、圧力差が存在する。これらガスベアリング間に収容された基板は、この圧力差を受け、その方向に推進されることになる。物理的観点から見ると、基板を推進させる力は2つの分力を有する。第1の分力は、横方向に延在する基板縁端間の、すなわち基板の前縁端と後縁端との間の、圧力差によるものである。第2の分力は、基板の両主面に作用する粘性力によってもたらされる。すなわち、プロセストンネル内の圧力差により、両ガスベアリングのガスはプロセストンネルの長手方向に流れるため、前方へのすなわち、圧力差の方向に向かう粘性牽引力が基板に作用する。ただし、基板は、その移動中、後方への粘性牽引力も受ける。この3つの分力が釣り合って互いに打ち消し合うと、基板は一定の速度を維持する。以下の詳細な説明においては、数学的モデルを参照して上記分力をさらに説明する。基板の速度を左右する圧力差は、隣接し合う圧力セグメント間の圧力差を変化させることによって、変化させうる。本発明による装置においては、1つの圧力セグメントの両ガスベアリング内の圧力は、それぞれのガス注入路がプロセストンネル内に注入するガスの圧力を制御することによって、容易かつ正確に調整されうる。本装置の代表的な複数の実施形態においては、このような制御は、各ガス注入路、および/または各ガス注入路の接続先のガス源、に対応付けられうる従来の制御可能なガス圧調整器によって実現されうる。これら動的ガスベアリングのガスはプロセストンネルの長手方向への速度成分を有しうるが、このガスは実質的に横方向に流れることを強調しておく必要がある。すなわち、長手方向の速度成分は、少なくとも平均すると、横方向の速度成分より小さい。確かに、当該技術分野においては、浮動状態で支持された基板をガス流によって推進することは公知である。例えば、英国特許第1,268,913号は、空気式半導体ウエハ搬送システムを開示している。この搬送システムは、その内部を搬送される物品、例えば半導体ウエハ、を受け入れるように構成された管路を備えている。この管路は、その底壁が多孔性材料で形成されており、物品を浮動状態で浮遊させうるガス薄膜を生じさせるためのガスが底壁を通して吹き込まれうる。この搬送システムは、管路の長手方向にガス圧差をもたらす手段をさらに備えている。実際に、この手段は、この管路内を流れる/吹き抜けるガス流を発生させ、この管路内に配置されて浮動状態で支持されている物品をこのガス流によって牽引する。英国特許第’913号の搬送システムはそれ自体は満足に機能しうるが、英国特許第’913号において物品を前進させるために用いられている長手方向のガス流は、横方向に延在して相互に反発し合う複数のガス流がガスベアリングを構成する原子層堆積処理環境とは相容れないことは明らかであろう国際公開第2009/142,487号または以下の詳細な説明を参照のこと。基板を推進させる実質的に長手方向のガス流は、横方向の反応性ガス流を歪め、これらのガス流を混合させ、望ましくない制御不能な化学蒸着をもたらすであろう。このような影響を回避するために、本発明による方法は、1つの圧力セグメント内の第1および第2のガスベアリングのガスの長手方向の平均速度成分がこの圧力セグメント内のこのガスの横方向の平均速度成分の20以下であることを保証しうることが好ましい。本発明で用いられる横方向へのガス流の別の利点は、基板の動きを良好に制御しうる剛性ガスベアリングの形成を可能にしうることである。特に、横方向へのガス流は、トンネル側壁への基板の衝突が回避されるように、プロセストンネル内を移動している基板の横方向への安定化を助けうる。横方向へのガス流を用いた基板の横方向への安定化は、レビテック社LevitechB.V.の名前で出願された同時継続特許出願であるオランダ国特許出願公開第2003836号により詳細に説明されているので、本文では詳細に説明しない。その効果にここで言及する目的は、ほぼ横方向に流れるガスベアリングの有利な用途は、原子層堆積の分野に限定されず、他の基板加工処理、例えばアニールなど、にも適用されうることを単に明らかにするためである。本発明の1つの実施形態において、連続する少なくとも3つの圧力セグメントにおける平均ガス圧は、長手方向に見て、平均ガス圧が単調に増加または低減するように設定される。このような実施形態は、プロセストンネル内での基板の単方向搬送を可能にする。基板の搬送方向を効果的に逆にするように、および基板の双方向搬送をもたらすように、前記複数のセグメントにわたるガス圧差の方向を経時的に変化させることも可能である。本発明による方法の一実施形態においては、いくつかの圧力セグメントにおける平均ガス圧は、基板がこれらの圧力セグメントを通過するときにほぼ一定の圧力差を受けるように設定されうる。以下に明らかにされるように、基板の両縁端間の圧力差がほぼ一定であると、一般に、ほぼ一定の基板速度が保証されうる。圧力差がほぼ一定であるという句は、瞬間的に受ける如何なる圧力差も、それぞれの圧力セグメントを通過しているときに受ける平均圧力差からの差が35以下、好ましくは20以下、であることを意味すると解釈されうる。本願明細書で開示される圧力駆動方法の際立った特徴は、プロセストンネル内の長手方向の圧力差が順次配置された複数の基板にわたって分散されることである。例えば、プロセストンネルの長手方向の1つのセグメントにおける圧力差がΔP1であると想定する。このプロセストンネルセグメントが単一基板をすっぽり収容する場合、この基板はΔP1に近い圧力差を受けることになる。その理由は、この基板が、このプロセストンネルセグメント内のガス流に対する唯一の主要障害物を形成するからである。ただし、このプロセストンネルセグメントが順次配置された2つの基板を収容する場合は、各基板はΔP1/2に近い圧力差を受けるだけになる。このように総圧力差は複数の異なる基板にわたって分散される。一定の基板速度を維持するには、一般に、基板の両縁端間の圧力差が一定である必要があるので、連続する一連の圧力セグメントにわたって一定の基板速度を維持するには、これらの圧力セグメントの各々における平均ガス圧をこれらの圧力セグメントに収容される基板の数すなわち、基板密度に応じて設定する必要がありうる。本発明による方法のさらに別の実施形態においては、連続するいくつかの圧力セグメントにおける平均ガス圧は、基板がこれらの圧力セグメントを通過するときに受ける圧力差が0~100Paの範囲内、より好ましくは0~50Paの範囲内、であるように設定される。半導体ウエハなどの基板は、一般に質量が小さく、慣性が相応に小さいこともある。同時に、この基板が2つのガスベアリングの間に浮動状態で支持されるという事実は、この基板を動かし、かつその動きを維持するために打ち勝つべき摩擦が小さくて済むことを有利に保証しうる。したがって、基板の両縁端間の小さな圧力差だけで、所望の速度を基板にもたらしうる。大半の用途には、100Paすなわち1mbar未満の圧力差で実用目的に十分でありうる。本発明による方法の1つの実施形態においては、少なくとも1つの圧力セグメントは、順次配置された少なくとも2つの基板を収容するために十分な長手方向寸法、すなわち長さ、を有する。本発明による方法の別の実施形態においては、少なくとも1つの圧力セグメントの長手方向寸法、すなわち長さ、は基板の長手方向寸法以下である。複数の圧力セグメントへのプロセストンネルの分割は、所望どおりの細かさにしうる。独立に制御可能な圧力セグメントの数がプロセストンネルの長さ単位当たりに多いほど、個々の基板の動きをより厳密に制御しうる。例えば、或る基板をプロセストンネルの一部分において一時的に加速または減速させるために、極めて高精度の制御が望まれる場合は、少なくとも1つの圧力セグメントの長手方向寸法、すなわち長さ、が基板の長手方向寸法以下になるように選択されうる。ただし、多数の圧力セグメントを含むように細かく分割すると、個々の圧力セグメントごとに制御装置が必要となりうるので、相対的に高コストになりうる。したがって、順次配置された基板を少なくとも2つ、例えば2~10個、収容しうるように、圧力セグメントの長さを選択することが好ましい場合もありうる。両選択肢を単一の実施形態に組み合わせることも可能である。例えば、プロセストンネルは相対的に長い圧力セグメントをいくつか連続して含み、その前/後に相対的に短い圧力セグメントをいくつか連続して含みうる。本発明による方法は、プロセストンネル内で基板を推進させるための単一機構として使用されうるが、他の複数の、特に非接触式の、基板推進メカニズムと組み合わせても使用されうる。このような補助的な基板推進方法は、a注入された複数のガス流が搬送方向に対して接線方向の成分を有するように、搬送方向に対して斜めに配置された複数のガス注入路からもたらされる有向ガス流による推進と、b電気力および/または磁気力による推進と、cプロセストンネル全体またはその一部に下り坂を設けるために、プロセストンネル全体またはその一部を水平面に対して傾斜させることによってもたらされうる重力による推進とを含みうる。選択肢cは、上記の国際特許出願公開である国際公開第2009/142,487号に詳細に説明されている。本発明による圧力駆動と国際公開第’487号による重力駆動とを組み合わせた好適な一実施形態においては、基板の基準平衡速度を設定するために、少なくとも一部が傾斜したプロセストンネルを使用しうる一方で、この速度を微調整するために、ガスベアリングの圧力をプロセストンネルの長手方向に沿って変化させうる。このような実施形態は、例えば、使用されるプロセスガスの粘度、処理温度複数または単数、または基板の厚さの変化に応じて、平衡速度の簡便かつ迅速な調整を可能にし、おそらくプロセストンネル全体の傾斜の調整を不要にする。本発明によるプロセストンネル内で複数の基板を推進させる圧力駆動方法は、さらに、さまざまな基板処理方法と組み合わせられうる。これらの処理は、一般に、プロセス材料/化合物を供給するために、および/または熱を伝達するために、ガスベアリングのガスを使用しうる。1つの実施形態において、基板を推進させる方法は、原子層堆積ALD:atomiclayerdepositionと組み合わされうる。この場合、本方法は、プロセストンネルを複数のALDセグメントに分割するための第2の長手方向分割をもたらすステップを含みうる。各ALDセグメント内の第1および第2のガスベアリングの少なくとも一方は、第1の前駆体ガスと、パージガスと、第2の前駆体ガスと、パージガスとを順次含む少なくとも4つの横方向に延在するガスゾーンを備え、基板がプロセストンネル内を長手方向に移動している間に、連続するガスゾーン内でこの基板がこれらのガスにさらされ、この基板が単一のALDセグメントの少なくとも4つのゾーンをすべて通過したときに、原子層がこの基板上に堆積されるようになっている。別の実施形態において、本方法は、基板がプロセストンネルの少なくとも長手方向の一部分を通過しているときに、この基板を熱またはアニール処理にかけるステップを含みうる。基板のアニール処理のために、このアニール処理に使用されるプロセストンネル部分におけるガスベアリングの温度は、適したアニール温度、例えば350~1000°Cの範囲内の温度、に設定されうる。アニール処理に使用されるトンネル部分の長さとその部分のガスベアリングの温度とは、所望のサーマルバジェットをもたらすために、意図された基板速度に合わせられうることを当業者は理解されるであろう。本方法は、第1および/または第2のガスベアリングに使用されるガスの化学組成を選択するステップをさらに含みうる。これらのガスベアリングのガスは、例えば、熱伝達用にのみ構成されるように、特に基板に対して不活性なガスでもよい。あるいは、適したプロセスガス、例えばi酸化処理を行うための酸素、ii、窒化物形成処理を行うためのアンモニアNH3、iiiフォーミングガス、例えば、基板表層を不動態化するための水素ガスH2と窒素ガスN2との混合物、またはiv燐Pまたは硼素B含有化合物例えばPH3またはB2H6など、半導体基板のドープ用のドーパント原料など、を含むように、これらのガスベアリングの少なくとも一方の化学組成を選択しうる。本発明の上記各特徴を本発明による方法の実施形態を参照して説明してきたが、これらの特徴は、本方法を実現するために構成された、本発明による装置にも等しく準用されることを理解されたい。本発明の上記および他の特徴および利点は、本発明を限定するためではなく例示することを目的とした添付図面と組み合わせて以下に記載されている本発明の諸実施形態の詳細な説明からより深く理解されるであろう。本発明による方法を実現する、本発明による装置の一例示的実施形態を図1~3を参照して以下に説明する。この例示的実施形態は、空間分割型の原子層堆積ALD:atomiclayerdeposition装置として構成される。ただし、本発明による装置および方法の適用範囲は、原子層堆積の分野に限定されないことを理解されたい。本装置および方法は、複数の異なる基板加工処理、例えばアニールなど、を実施する目的にも適用されうる。開示される装置100は、基板140、例えばシリコンウエハ、が好ましくは基板列の一部として、その内部で直線的に搬送されうるプロセストンネル102を備えうる。すなわち、基板140は、プロセストンネル102にその入り口で挿入され、出口まで一方向に搬送されうる。あるいは、プロセストンネル102はデッドエンドを有しうる。この場合、基板140はプロセストンネルの入り口からデッドエンドに向かい、さらに入り口に戻るという双方向に移動されうる。このような代替の双方向システムは、比較的小さい設置面積の装置が望まれる場合に好適でありうる。プロセストンネル102自体は直線状でよいが、必ずしもそうである必要はない。プロセストンネル102は4つの壁、すなわち上壁130と、下壁120と、2つの横壁、すなわち側壁、108を備えうる。上壁130および下壁120は、互いに平行に、かつ水平に、または水平面に対して斜めに、向けられてもよく、上壁および下壁130、120に平行な向きの厚さが例えば0.1~1mmのほぼ平坦な、すなわち平板状の、基板140が上壁および下壁130、120に接触せずに両壁間に収容されるように、上壁および下壁130、120は僅かに、例えば0.5~1mm、互いに離隔されうる。ほぼ鉛直に、かつ互いに平行に、向けられうる両側壁108は、上壁130と下壁120とをそれぞれの側面で相互に連結しうる。両側壁108は、処理対象の基板140の幅より若干大きな距離、例えば基板140の幅プラス0.5~3mm、互いに離隔されうる。したがって、プロセストンネル102の各壁108、120、130は、トンネルの長手方向に順次配置された1つ以上の基板140をすっぽり収容可能な、トンネルの長さ単位当たりの容積が比較的小さい細長いプロセストンネル空間104を画成し、その境界を定めうる。トンネル上壁130およびトンネル下壁120の両方に、複数のガス注入路132、122が設けられうる。各壁130、120内のガス注入路132、122は、そのうちの少なくともいくつかがトンネル102の長さ全体に分散されるのであれば、所望どおりの配置にしうる。ガス注入路132、122は、それぞれの壁の内面全体にわたって、その長手方向および横方向のどちらにも規則的にガス注入路が分散されるように、例えば、仮想的な矩形格子、例えば25mm×25mmの格子、の各コーナーに配設されうる。ガス注入路122、132は、好ましくは同じトンネル壁120、130内の、かつその長手方向位置が同じである、複数のガス注入路が同じガスまたはガス混合物のガス源に接続されるように、複数のガス源に接続されうる。ALD用の場合、下壁120および上壁130の少なくとも一方のガス注入路122、132は、使用時に第1の前駆体ガスと、パージガスと、第2の前駆体ガスと、パージガスとをそれぞれ含む複数のトンネル幅のガスゾーンを順次備えた機能的なALDセグメント114を形成するように、搬送方向Tに見て、第1の前駆体ガス源と、パージガス源と、第2の前駆体ガス源と、パージガス源とに順次接続されうる。このような1つのALDセグメント114は、単一のALDサイクルに対応することを理解されたい。したがって、所望厚の薄膜の堆積を可能にするために、複数のALDセグメント114が搬送方向Tに連続して配設されうる。プロセストンネル102内のそれぞれのALDセグメント114は、前駆体の同じ組み合わせを含みうるが、必ずしもそうである必要はない。混合膜の堆積を可能にするために、例えば異なった構成の複数のALDセグメント114が使用されうる。プロセストンネルの同じ長手方向位置を共有する、向かい合ったトンネル壁120、130内に配置された対向するガス注入路122、132を同じガス組成のガス源に接続するかどうかは、装置100の所望の構成により決まりうる。両面堆積、すなわちプロセストンネル102内を通過する基板140の上面140bおよび下面140aの両方のALD処理、が望まれる場合は、対向するガス注入路122、132を同じガス源に接続しうる。あるいは、片面のみの堆積、すなわち処理対象の基板140の上面140bおよび下面140aのどちらか一方のみのALD処理、が望まれる場合は、処理対象の基板面に面したトンネル壁120、130のガス注入路122、132を反応性ガス源と不活性ガス源とに交互に接続し、もう一方のトンネル壁内の全てのガス注入路を不活性ガス源に接続しうる。図1~3の例示的実施形態においては、複数の酸化アルミニウムAl2O3原子層堆積サイクルを実施するために適した一連の同一ALDセグメント114を形成するように、上壁130内のガス注入路132はトリメチルアルミニウムAlCH33、TMA源と、窒素N2源、水H2O源と、窒素源とに順次接続される。これに対して、トンネル下壁120内のガス注入路122は全て窒素源に接続される。したがって、例示的装置100は、浮動状態で支持されて通過する基板140の上面140bへの片面堆積を連携して行うように構成された上側の堆積用ガスベアリング134と下側の非堆積用ガスベアリング124とを維持するように構成される。プロセストンネル102の各側壁108には、その長さ全体またはその一部に沿って、ガス排出路110が複数設けられうる。これらのガス排出路110は、プロセストンネルの長手方向に、好ましくは等距離、互いに離隔されうる。同じ側壁108内で隣接し合う、すなわち連続する、2つのガス排出路110間の距離は、処理対象の基板140の長さに関連付けられうるこのテキストにおいて、矩形基板140の長さとは、通常、プロセストンネル120の長手方向に延在する基板の寸法と解釈されるものとする。1つの基板140の長さに相当する側壁部分に設けられる排出路110の数は、約5と20の間、より好ましくは8と15の間、であることが好ましい。連続する2つのガス排出路110の中心間距離は、約10~30mmの範囲内にしうる。各ガス排出路110は、プロセストンネル102の外側に設けられたガス排出管路112に接続され、このガス排出管路112内に排出しうる。装置100がALDを実施するように構成される場合、排出ガスは大量の未反応前駆体を含有しうる。したがって、互いに異なる複数の反応性ガスゾーンに対応付けられた複数のガス排出路110を同じガス排出管路112に接続することは不測の化学蒸着をもたらしうるため望ましくないことがある。したがって、複数の異なる前駆体のためにそれぞれ異なるガス排出管路112が設けられうる。装置100の全般的動作は、以下のように説明されうる。使用時、上壁130および下壁120の両方のガス注入路132、122は、ガスをプロセストンネル空間104に注入する。各ガス注入路122、132は、それぞれの接続先のガス源から供給されたガスを注入しうる。装置100は大気圧および非大気圧の両方で運転可能であるため、ガス注入は何れか適した圧力で行われうる。ただし、真空ポンプを不要にするために、およびプロセストンネル環境からトンネル空間104内への特に、基板入り口および出口区間におけるガス流の汚染を防止するために、トンネル空間は大気圧より僅かに高い圧力に維持されうることが好ましい。したがって、ガス注入は、大気圧より多少高い圧力、例えば数ミリバール台の過圧で行われうる。これより低い圧力、例えば大気圧、がガス排出路112内に維持されていると、トンネル空間104に注入されたガスは横方向に、すなわちプロセストンネルの長手方向を横切る方向に、さらには排出管路112へのアクセスをもたらす両側壁108内のガス排出路110に向かって、当然流れることになる。基板140が上壁および下壁130、120の間にある場合、上壁130内のガス注入路132からトンネル空間104内に注入されたガス単数または複数は、上壁と基板の上面140bとの間を横方向に流れうる。基板140の上面140bを横切るこのような横方向へのガス流は、上側ガスベアリング134を効果的にもたらす。同様に、下壁120内のガス注入路122からトンネル空間104内に注入されたガス複数または単数は、下壁と基板140の下面140aとの間を横方向に流れる。基板140の下面140aを横切るこのような横方向へのガス流は、下側ガスベアリング124を効果的にもたらす。下側および上側のガスベアリング124、134は共に基板140を取り囲み、基板140を浮動状態で支持しうる。基板140がプロセストンネル102内を移動するに伴い、その上面140bは順次配置された上側ガスベアリング134のガスゾーンの各々に存在するガスに帯状にさらされる図3を参照。各ゾーンの配置とそれぞれのガスとが適切に選択されていれば、1つのALDセグメント114の横断は、基板140を1つの原子層堆積サイクルにかけることに相当しうる。トンネル102は所望数のALDセグメント114を備えうるので、基板140がトンネルを通過する間に、任意の厚さの薄膜を基板140上に成長させうる。プロセストンネル102の直線性は、処理対象の複数の基板140の連続流をさらに可能にし、これにより、かなりの処理能力を有する原子層堆積装置100を提供する。装置100の構成および全般的動作をある程度詳細に説明したので、その設計に組み込まれる基板140を非接触で前進させる方法の説明に移る。上記のように、プロセストンネル102の長手方向に圧力差を生じさせることによって、基板140を前進させうる。この目的のために、プロセストンネル102は複数の圧力セグメント116に分割されうる。図1~3の実施形態において、各圧力セグメント116は、1つのALDセグメント114の2つのガスゾーン、すなわち前駆体TMAまたはH2Oガスゾーンと隣接するパージガスN2ガスゾーン、を含むプロセストンネル102の長手方向の一部分にわたって延在する。ただし、プロセストンネル102を複数の圧力セグメント116に分割するための分割は、通常、複数のALDセグメント104に分割するための分割とは独立させうることを理解されたい。すなわち、複数の圧力ゾーン116に分割するための分割は、複数のALDセグメント114に分割するための分割と特に関連付ける必要は一切ない。例えば、単一の圧力セグメントを1つ以上のALDセグメント114に対応付けてもよく、あるいはALDセグメントの長手方向部分のいくつかに対応付けてもよい。複数の異なる圧力セグメント116が同じ長さを有する必要はない。使用時、各圧力セグメント116は、隣接する圧力セグメントの平均ガス圧両ガスベアリング124、134にわたって平均化されたガス圧とは異なる平均ガス圧によって特徴付けられる。1つの圧力セグメント116内のガスベアリング124、134の平均ガス圧は、ガス注入路122、132からプロセストンネル空間104内に注入されるガスの平均圧力を制御することによって制御されうる。この目的のために、ガス注入路122、132にガス圧調整器を設けうる。これらのガス圧調整器の各々を手動制御可能にしてもよい。このような実施形態は経済的であると共に、装置100の設置後さらなる調整が望まれない場合に実用的である。あるいは、ガス圧調整器は、中央制御装置、例えばCPU、を介して制御可能にしてもよい。この中央制御装置は、複数の異なる圧力セグメント116内の平均圧力を手軽に制御できるように、個々のガス注入路122、132またはガス注入路群に対して所望の注入ガス圧を操作者に選択させるための、および/またはプロセストンネル102を複数の圧力セグメントに分割する分割を操作者に変更させるための、入力端末に操作可能に接続されうる。代わりに、または加えて、中央制御装置は、複数の異なる圧力セグメントに対するガス注入圧力を動的に制御するプログラムを実行しうる。このような動的制御は、例えば、プロセストンネル102がデッドエンドを有し、基板がこのデッドエンドに到達したときにトンネル両端間の圧力差を逆にする必要がありうる場合に、望まれうる。このような実施形態においては、基板140の位置は、基板の位置を中央制御装置に伝える1つ以上の非接触式位置センサ、例えば光検出器、によって検出されうる。図1~3の実施形態においては、或る圧力セグメント116に対応付けられたガス注入路122、132は、搬送方向Tに見て隣接する下流の圧力セグメント116’に対応付けられたガス注入路122、132が構成されたガス注入用平均ガス圧より高い平均ガス圧でガスを注入するように静的に構成される。したがって、プロセストンネル102の搬送方向Tに見て、ガスベアリング124、134の平均ガス圧は単調に低下する。これにより、各基板140の両縁端間に圧力差がもたらされ、この圧力差によって各基板140は搬送方向Tに追いやられる。基板140の速度に影響するさまざまなパラメータの理解および洞察をもたらすために、この状況の基本的な物理モデルを以下に展開する。このモデルを装置100の実用的な諸実施形態に適用するには、概説されている条件または状況から逸脱した非理想的な条件または状況を補償するための適合化を必要としうることを当業者は理解されるであろう。次に図4を参照すると、プロセストンネル102の一部分の長手方向断面の略側面図が示されている。図面を見やすくするために、この図では、トンネル下壁およびトンネル上壁120、130内のガス注入路122、132が全て省略されている。ほぼ平坦な基板140がプロセストンネル102の第1の、下壁120と第2の、上壁130との間に配置されている。基板140は正方形であり図3を参照、縁端長Lと厚さdsとを有する。プロセストンネルの下壁120と上壁130とは互いに平行であり、基板の下面および上面140a、140bは、それぞれ下壁120および上壁130にほぼ平行である。図示の状況は対称的である、すなわち基板140はトンネル壁120、130間のちょうど中間に配置され、下面140aに接触するガスベアリング124は上面140bに接触するガスベアリング134と同一であると想定する。プロセストンネル102、ひいては壁110、120、および基板130は水平に延在する。複数の圧力セグメントが維持されているため上記、プロセストンネル102の搬送方向Tに負の圧力差が存在する。基板140の長さLにわたるガス圧差ΔPzは、下流のガス圧P1から上流のガス圧P0を引いた値に等しい、すなわち、ΔP=P1-P0である。この圧力差により、ガスベアリングのガス流は長手方向に、すなわちz方向に、追いやられる。この長手方向の流れは、この図面の平面に対して直角な横方向の流れに比べ、相対的に小さいが、基板140の推進には最適である。基板140の上方および下方の両方における長手方向の流れは、下側ガスベアリングに関する空間的座標において次の等式に従う速度分布をもたらす。式中、vzはz方向へのガス速度を表しdgは基板の底面および上面140a、140bと第1および第2のトンネル壁120、130との間のそれぞれの空隙、すなわち距離、を表し、ηはガスベアリング124、134の粘度を表し、yは第1の、トンネル下壁120からの距離を表しトンネル下壁120自体はy=0に位置する、vsはy方向への基板速度を表す。実際には、粘度ηは、それぞれのゾーンの相対長さを重み付け係数として考慮することによって、使用されるパージおよび前駆体ガスの粘度の重み付き平均によって近似されうる。プロセストンネルの長手方向に基板140にかかる正味の力は、Fnで表され、次のように、2つの力、すなわち、横方向に延在する基板の前縁端および後縁端に作用する圧力Fpと基板の底面および上面140a、140bに作用する粘性牽引力Fv、によってもたらされると言える。式1を用いると、基板140の表面140a、140bとガスベアリング124、134との間のそれぞれの相互作用によってもたらされる粘性牽引力Fvは、次のように表されうる。式中、2Aは基板の底面および上面140a、140bの合計表面積を表しAはL2に等しい、dvz/dyは両ガスベアリング124、134における速度勾配を表す。この速度勾配は、式1をyについて微分することによって得られる。圧力Fpは、横方向に延在する基板の後縁端と前縁端との間の圧力差にこれら縁端の一方の表面積を乗じた値に単純に等しく、次のように表されうる。式2、3、および4を組み合わせ、正味の力Fnをゼロに設定すると、基板の平衡速度vs,eqを求める次の式がもたらされる。式5によって表される平衡速度は、上記パラメータがプロセストンネルの長さに沿って不変である場合に基板140が取ることになる速度である。平衡速度vs,eqは、次のように定められる。基板140がプロセストンネル102に挿入されると、基板はプロセストンネル102を部分的に遮り図2を参照、流れ抵抗を形成することになる。この結果、基板140は、その横方向に延在する前縁端および後縁端に作用して基板140を搬送方向Tに押し出す力Fp式4を参照に相当する圧力差ΔPzを受けることになる。その両主面140a、140bとガスベアリング124、134と間の粘性力は、式2により、速度依存の粘性牽引力Fvを基板140に及ぼす。圧力Fpと牽引力Fvとの合計Fnが正であれば、基板は搬送方向Tに加速されることになり、この逆も成り立つ。基板140を搬送方向Tに推進する正味の力Fnは、牽引力Fvが圧力Fpを打ち消すまで、基板上での牽引を増加させ、圧力Fpが打ち消された時点からは、基板の速度は一定にvs,eqに保たれる。同様に、基板に作用する正味の牽引力Fnは、粘性力Fvが圧力Fpを打消し、基板が一定の速度vs,eqを取るまで、基板の速度を低下させることになる。数値例として、基板の両縁端間の圧力差ΔPzが-100Paであり、基板の縁端長が0.156m、厚さdsが200μmであり、基板の両側に150μmの隙間dgがあるようにプロセストンネルの高さHが500μmであると想定する。ガスベアリングは、窒素N2であり、温度20°Cで動作し、粘度ηが1.8810-5Pasになるように選択されうる。これらの値を式5に代入すると、基板の平衡速度vs,eqが0.90m/sになる。本発明による方法および装置の極めて実用的な特徴は、使用される第1および第2のガスベアリング124、134の剛性が基板の所望平衡速度vsとは独立に制御されうることである。これは、ほぼ横方向に流れるガスで構成されるガスベアリング124、134の剛性が、隣接し合う圧力セグメント116、116’間の長手方向の圧力降下からは独立しているが、Qx/dg3に比例するという事実の結果である。ここでQxは、基板表面140a、140bとそれぞれに隣接するトンネル壁120、130との間を横方向に流れるガスの横方向ガス流速を表し、dgは、それぞれの基板表面140a、140bとそれぞれの隣接トンネル壁120、130との間の隙間である。したがって、或る圧力セグメント116内の第1および第2のガスベアリング124、134の平均ガス圧は、ガス注入路122、132内およびそのセグメント116のガス放出管路112内の両方の局所的圧力を同時に相応に変化させることによって、横方向のガス流速Qxまたは基板の表面140a、140bとトンネル壁120、130との間の隙間dgのどちらも変えずに、変化させうる、例えば上昇または低下させうる。この圧力セグメント116内の平均ガス圧のこのような変化は、この圧力セグメント116とこれに隣接する圧力セグメント116’との間の長手方向の圧力降下に、ひいては隣接し合う圧力セグメント116、116’を通過する基板の平衡速度に、影響することになるが式5を参照、両圧力セグメント116、116’のガスベアリング124、134内の横方向の圧力降下ΔPxへの影響はなく、したがって、両圧力セグメントのガスベアリングの剛性またはガス流速Qxへの影響もない。あるいは、横方向の圧力降下ΔPxを調整することによって、隣接し合う圧力セグメント116、116’の第1および第2のガスベアリング124、134における横方向のガス流速Qxを逆に変化させ、ひいてはガスベアリングの剛性を変化させうることは言うまでもない。隣接し合う圧力セグメント116、116’に対して横方向の圧力降下ΔPxの調整が一様に行われると、この隣接し合う圧力セグメント間の長手方向の圧力降下には影響がなく、ひいては前記両圧力セグメントを通る基板140の平衡速度vsへの影響もないことになる。部分的に添付図面を参照しながら本発明の例示的実施形態を上で説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことを理解されたい。当業者は図面、開示、および添付の特許請求の範囲を検討することにより、開示された実施形態の複数の変形例を理解し、特許請求された本発明の実施の際に実現可能である。本願明細書全体にわたって1つの実施形態oneembodimentまたは一実施形態anembodimentへの言及は、その実施形態に関連して説明されている特定の特徴、構造、または特性が本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本願明細書全体にわたってさまざまな箇所で出現する1つの実施形態においてinoneembodimentまたは一実施形態においてinanembodimentという句は、必ずしも全てが同じ実施形態に言及しているとは限らない。さらに、1つ以上の実施形態の特定の特徴、構造、または特性は、明示的に記載されていない新しい実施形態を形成するために、何れか適した方法で組み合わせられうる。"