基板電極を有する基板と、部品電極を有する電子部品と、前記基板電極と前記部品電極を接合する接合部とを備え、前記接合部は、はんだ補強領域とはんだ接合領域とで構成され、前記はんだ補強領域は、前記接合部の側面領域であり、且つInが3wt以上8wt以下、Snが88wt以上含有する領域であり、前記はんだ接合領域は、SnBi系のはんだ材料を含有し、且つInが0wt以上3wt未満の領域である、実装構造体。前記基板は、前記基板電極を一対有し、前記電子部品は、前記部品電極を一対有し、前記接合部は、前記一対の基板電極と、それらに対応する前記一対の部品電極の間にそれぞれ形成されており、前記はんだ補強領域は、それぞれの前記接合部の対向する側面の全体に形成されている、請求項1記載の実装構造体。前記はんだ補強領域は、前記側面から内側方向に10μm以上、027mm以下の厚みで形成されている、請求項1記載の実装構造体。基板の基板電極の上又は近傍に第1のはんだ材料を供給する第1のはんだ材料供給ステップと、前記基板電極上に、第2のはんだ材料を供給する第2のはんだ材料供給ステップと、前記第2のはんだ材料上に、電子部品の部品電極を配置し、前記基板の上に前記電子部品を搭載する電子部品搭載ステップと、前記第2のはんだ材料の融点以上、前記第1のはんだ材料の融点未満の温度で、前記第1のはんだ材料及び前記第2のはんだ材料を加熱する加熱ステップと、前記加熱ステップの後、前記第1のはんだ材料及び前記第2のはんだ材料を冷却する冷却ステップとを備え、前記第1のはんだ材料供給ステップ又は前記第2のはんだ材料供給ステップにおける前記第1のはんだ材料又は前記第2のはんだ材料の前記供給により、前記第1のはんだ材料と前記第2のはんだ材料が互いに近接し、前記第2のはんだ材料は、Inを含まないSnBi系のはんだ材料であり、前記第1のはんだ材料は、Inを3wt以上、8wt以下含有し、Snを88wt以上含有する材料であり、前記加熱ステップにおいて、溶融した前記第2のはんだ材料に前記第1のはんだ材料のInが溶け出した後、前記冷却ステップにおいて、前記冷却により前記基板電極と前記部品電極との間を接合する接合部が形成される際、i前記接合部のうちInが溶け出した領域であって、Inが3wt以上、8wt以下であり、Snを88wt以上含有する領域がはんだ補強領域として前記接合部の側面に形成され、ii前記接合部のうち前記はんだ補強領域以外の領域であって、SnBi系のはんだ材料を含有し、且つInが0wt以上、3wt未満の領域がはんだ接合領域として形成される、実装構造体の製造方法。前記基板は、前記基板電極を一対有し、前記電子部品は、前記部品電極を一対有し、前記接合部は、前記一対の基板電極と、それらに対応する前記一対の部品電極の間にそれぞれ形成され、前記はんだ補強領域は、それぞれの前記接合部の対向する側面の全体に形成される、請求項4記載の実装構造体の製造方法。前記はんだ補強領域は、前記側面から内側方向に10μm以上、027mm以下の厚みで形成される、請求項4記載の実装構造体の製造方法。前記第1のはんだ材料は、SnAgBiIn系のはんだ材料である、請求項4記載の実装構造体の製造方法。基板の基板電極の上又は近傍にSn35Ag05Bi6Inの第1のはんだ材料を供給する第1のはんだ材料供給ステップと、前記基板電極上に、Sn58Biの第2のはんだ材料を供給する第2のはんだ材料供給ステップと、前記第2のはんだ材料上に、電子部品の部品電極を配置し、前記基板の上に前記電子部品を搭載する電子部品搭載ステップと、前記第2のはんだ材料の融点以上、前記第1のはんだ材料の融点未満の温度で、前記第1のはんだ材料及び前記第2のはんだ材料を加熱する加熱ステップと、前記加熱ステップの後、前記第1のはんだ材料及び前記第2のはんだ材料を冷却する冷却ステップとを備え、前記第1のはんだ材料供給ステップ又は前記第2のはんだ材料供給ステップにおける前記第1のはんだ材料又は前記第2のはんだ材料の前記供給により、前記第1のはんだ材料と前記第2のはんだ材料が互いに近接し、前記加熱ステップにおいて、溶融した前記第2のはんだ材料に前記第1のはんだ材料のInが溶け出した後、前記冷却ステップにおいて、前記冷却により前記基板電極と前記部品電極との間を接合する接合部が形成される際、i前記接合部のうちInが溶け出した領域であって、Inが3wt以上、8wt以下であり、Snを88wt以上含有する領域がはんだ補強領域として前記接合部の側面に形成され、ii前記接合部のうち前記はんだ補強領域以外の領域であって、SnBi系のはんだ材料を含有し、且つInが0wt以上、3wt未満の領域がはんだ接合領域として形成される、実装構造体の製造方法。しかしながら、上記従来の構成では、衝撃や振動による亀裂の発生を抑制できるが、Sn58Biはんだを用いたはんだ接合部205を、第1の接着補強部206及び第2の接着補強部207が包囲しているため、熱が付加された際には、第1の接着補強部206及び第2の接着補強部207と、はんだ接合部205との線膨張率の差によるはんだ接合部205にかかる応力により、良好な耐熱疲労特性は得られない。本発明は、上記従来の課題を解決するため、耐熱疲労特性の向上した実装構造体及びその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、第1の本発明は、基板電極を有する基板と、部品電極を有する電子部品と、前記基板電極と前記部品電極を接合する接合部とを備え、前記接合部は、はんだ補強領域とはんだ接合領域とで構成され、前記はんだ補強領域は、前記接合部の側面領域であり、且つInが3wt以上8wt以下、Snが88wt以上含有する領域であり、前記はんだ接合領域は、SnBi系のはんだ材料を含有し、且つInが0wt以上3wt未満の領域である、実装構造体である。第2の本発明は、前記基板は、前記基板電極を一対有し、前記電子部品は、前記部品電極を一対有し、前記接合部は、前記一対の基板電極と、それらに対応する前記一対の部品電極の間にそれぞれ形成されており、前記はんだ補強領域は、それぞれの前記接合部の対向する側面の全体に形成されている、第1の本発明の実装構造体である。第3の本発明は、前記はんだ補強領域は、前記側面から内側方向に10μm以上、027mm以下の厚みで形成されている、第1の本発明の実装構造体である。第4の本発明は、基板の基板電極の上又は近傍に第1のはんだ材料を供給する第1のはんだ材料供給ステップと、前記基板電極上に、第2のはんだ材料を供給する第2のはんだ材料供給ステップと、前記第2のはんだ材料上に、電子部品の部品電極を配置し、前記基板の上に前記電子部品を搭載する電子部品搭載ステップと、前記第2のはんだ材料の融点以上、前記第1のはんだ材料の融点未満の温度で、前記第1のはんだ材料及び前記第2のはんだ材料を加熱する加熱ステップと、前記加熱ステップの後、前記第1のはんだ材料及び前記第2のはんだ材料を冷却する冷却ステップとを備え、前記第1のはんだ材料供給ステップ又は前記第2のはんだ材料供給ステップにおける前記第1のはんだ材料又は前記第2のはんだ材料の前記供給により、前記第1のはんだ材料と前記第2のはんだ材料が互いに近接し、前記第2のはんだ材料は、Inを含まないSnBi系のはんだ材料であり、前記第1のはんだ材料は、Inを3wt以上、8wt以下含有し、Snを88wt以上含有する材料であり、前記加熱ステップにおいて、溶融した前記第2のはんだ材料に前記第1のはんだ材料のInが溶け出した後、前記冷却ステップにおいて、前記冷却により前記基板電極と前記部品電極との間を接合する接合部が形成される際、i前記接合部のうちInが溶け出した領域であって、Inが3wt以上、8wt以下であり、Snを88wt以上含有する領域がはんだ補強領域として前記接合部の側面に形成され、ii前記接合部のうち前記はんだ補強領域以外の領域であって、SnBi系のはんだ材料を含有し、且つInが0wt以上、3wt未満の領域がはんだ接合領域として形成される、実装構造体の製造方法である。第5の本発明は、前記基板は、前記基板電極を一対有し、前記電子部品は、前記部品電極を一対有し、前記接合部は、前記一対の基板電極と、それらに対応する前記一対の部品電極の間にそれぞれ形成され、前記はんだ補強領域は、それぞれの前記接合部の対向する側面の全体に形成される、第4の本発明の実装構造体の製造方法である。第6の本発明は、前記はんだ補強領域は、前記側面から内側方向に10μm以上、027mm以下の厚みで形成される、第4の本発明の実装構造体の製造方法である。第7の本発明は、前記第1のはんだ材料は、SnAgBiIn系のはんだ材料である、第4の本発明の実装構造体の製造方法である。第8の本発明は、基板の基板電極の上又は近傍にSn35Ag05Bi6Inの第1のはんだ材料を供給する第1のはんだ材料供給ステップと、前記基板電極上に、Sn58Biの第2のはんだ材料を供給する第2のはんだ材料供給ステップと、前記第2のはんだ材料上に、電子部品の部品電極を配置し、前記基板の上に前記電子部品を搭載する電子部品搭載ステップと、前記第2のはんだ材料の融点以上、前記第1のはんだ材料の融点未満の温度で、前記第1のはんだ材料及び前記第2のはんだ材料を加熱する加熱ステップと、前記加熱ステップの後、前記第1のはんだ材料及び前記第2のはんだ材料を冷却する冷却ステップとを備え、前記第1のはんだ材料供給ステップ又は前記第2のはんだ材料供給ステップにおける前記第1のはんだ材料又は前記第2のはんだ材料の前記供給により、前記第1のはんだ材料と前記第2のはんだ材料が互いに近接し、前記加熱ステップにおいて、溶融した前記第2のはんだ材料に前記第1のはんだ材料のInが溶け出した後、前記冷却ステップにおいて、前記冷却により前記基板電極と前記部品電極との間を接合する接合部が形成される際、i前記接合部のうちInが溶け出した領域であって、Inが3wt以上、8wt以下であり、Snを88wt以上含有する領域がはんだ補強領域として前記接合部の側面に形成され、ii前記接合部のうち前記はんだ補強領域以外の領域であって、SnBi系のはんだ材料を含有し、且つInが0wt以上、3wt未満の領域がはんだ接合領域として形成される、実装構造体の製造方法である。本発明によれば、耐熱疲労特性の向上した実装構造体及びその製造方法を提供することが出来る。以下、本発明にかかる実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態1以下に、本発明にかかる実施の形態1における実装構造体について説明する。図1aは、本実施の形態1の実装構造体の平面模式図である。図1bは、図1aのAA矢視縦断面模式図である。図2は、図1bのXの接合部におけるはんだ接合領域105とはんだ補強領域106の形成状態を説明するための拡大模式図である。図3は、本実施の形態1の実装構造体を模式的に示した斜視図である。図1a、bに示すように、本実施の形態1の実装構造体107には、基板電極101とレジスト102を有する基板100と、基板100に実装された、部品電極104を有する電子部品103と、基板電極101と部品電極104の間を接合する接合部109が設けられている。接合部109は、はんだ接合領域105とはんだ補強領域106を有している。はんだ補強領域106は、2つの接合部109の互いに対向する面109aの全体に形成された領域であり、はんだ接合領域105は、接合部109のはんだ補強領域106以外の領域である。また、図2に示す通り、本実施の形態では、はんだ補強領域106は、面R図2中、点線参照で示される部分から基板電極端部101aと部品電極端部104aとの間を結ぶ平面Q図2中、一点鎖線参照を超えて、接合部109の面109aまでを示している。ここで、図1b及び図2に示すように、この基板電極端部101aは、搭載されている電子部品103を基準にして、基板電極101の内側の端部を示している。また、部品電極端部104aは、搭載されている電子部品103を基準にして、部品電極104の内側の端部を示している。そして、はんだ補強領域106は、接合部109の互いに対向する面側である、接合部109の内側の面109a全体に形成されている。又、電子部品103の下方のレジスト102と、基板電極101の間にはクリアランス111が設けられている。次に、本実施の形態1の実装構造体107の製造方法について説明する。図4~図8は、本実施の形態1における実装構造体の製造方法の各工程を説明するための図である。尚、図4~図8の各図のaでは、平面模式図が示され、bでは、その平面模式図のAA矢視縦断面模式図が示されている。又、図4~図8において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。図4a及び図4bに示すように、基板100の表面には、基板電極101の電子部品103が載置される位置の下側に設けられたレジスト102と、基板電極端部101aの間に03mmのクリアランス111が設けられている。次に、図5a及び図5bに示すように、クリアランス111に、厚さ30μmのメタルマスクを用いて、ペースト状の第1のはんだ材料116が、スクリーン印刷によって供給される。尚、ここで用いる第1のはんだ材料116の合金組成は、Sn35Ag05Bi60Inであり、融点は液相線温度で209°C、粘度は約200Pasである。次に、図6a及び図6bに示すように、基板電極101上に、厚さ120μmのメタルマスクを用いて、ペースト状の第2のはんだ材料115が供給される。今回は、第2のはんだ材料115を幅方向つまりクリアランスの幅方向と同じ方向に2.7mmの幅の量を供給した。ここで用いる第2のはんだ材料115の合金組成は、Sn58Biであり、融点は139°C、粘度は約200Pasである。そして、図7a及び図7bに示すように、第2のはんだ材料115上に電子部品103の部品電極104が配置され、電子部品103が搭載される。搭載された電子部品103は、3216サイズのチップコンデンサである。次に、最高温度が第2のはんだ材料115の融点以上かつ第1のはんだ材料116の融点未満になるように、一般的なSn58Biはんだの接合条件で、第1のはんだ材料116及び第2のはんだ材料115の加熱が行われる。この加熱により、第2のはんだ材料115は溶融するが、第1のはんだ材料116は溶融しない。しかし、第1のはんだ材料116のInは、溶融した第2のはんだ材料115に溶け出す。Inが溶け出すことについては、更に後述する。ここで、溶融した第2のはんだ材料115に第1のはんだ材料116が溶け出した領域のうち、所定の領域をはんだ補強領域106と呼び、それ以外の領域をはんだ接合領域105と呼ぶ。その後冷却することにより、基板電極101と部品電極104が、はんだ接合領域105とはんだ補強領域106で接合され、図8a及び図8bに示す実装構造体107が製造される。尚、具体的な加熱条件としては、最高温度を160°Cに設定し、140°C以上に保持される時間を30sと設定する。詳細に言うと、140°Cから160°Cまで温度を上げ、160°Cから140°Cまで温度を下げる時間を合わせて30sと設定する。このような工程で製造した本実施の形態1における実装構造体107を用いて、熱疲労試験を行った。熱疲労試験の条件は、40°Cで30min、85°Cで30minを1サイクルとして、500サイクルを実施した。熱疲労試験後に、図1aの破線AA部の断面観察を行ったところ、亀裂の発生は見られなかった。次に、比較に、はんだ補強領域106を設けていない実装構造体を用いて、熱疲労試験が行われた。熱疲労試験の条件は、同様に40°Cで30min、85°Cで30minを1サイクルとして、500サイクルを実施した。表1は、熱疲労試験後に、図1aの破線AA部の断面観察を行った際の亀裂の有無を示している。表1に示すように、はんだ補強領域106を設けなかった実装構造体には、亀裂が発生していた。この結果から、第1のはんだ材料116を供給することにより、はんだ補強領域106が形成され、そのはんだ補強領域106によって、熱疲労によるはんだ接合領域105の亀裂の発生を抑制し、実装構造体107の耐熱疲労特性を向上させることができることがわかる。本実施の形態において、はんだ補強領域106に含まれるInが、実装構造体の耐熱疲労特性に大きく影響すると考えられるため、はんだ補強領域106のIn含有量について、以下に検証を行った。本実施の形態では、第1のはんだ材料116に含まれるInが、加熱ステップにおいて溶融した第2のはんだ材料115中に溶け出し、第2のはんだ材料115中に拡散する。そのため、図2に示すように、第1のはんだ材料116を供給するクリアランス111に近い位置ほどIn含有率が大きく、離れるにつれてIn含有率は若干小さくなると考えられる。すなわち、基板電極101と部品電極104との間では、基板電極101に近いほどIn含有率が若干大きく、部品電極104側では若干小さくなると考えられる。なお、In含有率は、エネルギー分散型X線分析EDXを用いて、測定点を含む直径20μmの範囲の元素分析を行った結果である。また、部品電極104の直下の部分で比較した場合、クリアランス111に近い部品電極端部104aが最もIn含有率が高くなり、クリアランス111から離れるにつれてIn含有率は小さくなる。図9は、図2のはんだ接合領域105及びはんだ補強領域106によって、基板100と接合された部品電極104直下の破線b1b2部分のIn含有率の測定結果を示した図である。図9に示す通り、接合部109におけるInの含有率は場所によって異なる値で分布している。すなわち、部品電極104のうち、クリアランス111に最も近い位置である部品電極端部104ab1部におけるIn含有率は、クリアランス111に供給した第1のはんだ材料116のIn含有率と同じ6wtであった。そして、クリアランス111から離れるにつれてIn含有率は低下し、b2の位置ではIn含有率は1wt未満となっていた。なお、クリアランス111の幅03mmと比較して、基板100からの電子部品103の底面までの距離高さ例えば、005mmは小さいため、この高さ方向には、In含有率の濃度変化はほとんど生じない。そのため、上述したように、部品電極端部104ab1部におけるIn含有率は、クリアランス111に供給した第1のはんだ材料116のIn含有率とほぼ同じとなる。尚、本出願の図面では、分かりやすくするために、図2で横方向の長さに対して、高さ方向の長さを誇張して図示している。この結果から、供給した第1のはんだ材料116中のInは、b1b2部では、供給したクリアランス111に近い部品電極端部104a付近に多く存在することが確認され、基板電極端部101aと部品電極端部104aの間の面Qを越えて、面109aまでInを含有するはんだ補強領域106が形成されていることが確認された。なお、本明細書では、はんだ補強領域106は、Inが3wt以上、8wt以下の範囲であり、Snを88wt以上含有する領域と定義される。又、はんだ接合領域105は、SnBi系のはんだ材料を含有し、Inが0wt以上、3wt未満の範囲である領域と定義される。このようにInが面109aの全面に形成することで、面109aの全体が、Inの固溶強化によって強度が高くなるため、SnBi系はんだで電子部品を基板に接合した場合に問題となる、熱疲労によるはんだ接合領域105の亀裂の発生を抑制し、実装構造体107の耐熱疲労特性を向上させることができる。また、従来のはんだ接合部205を樹脂で包囲している場合と比べて、はんだ接合領域105とはんだ補強領域106では、線膨張率の差が少ないため、従来の構造と比較しても耐熱疲労特性を向上させることが出来る。ここで、Inが溶け出すことについて、更に説明する。すなわち、本実施の形態では、第2のはんだ材料115の融点より高く、第1のはんだ材料116の融点未満の温度で加熱することにより、第2のはんだ材料115が溶融するが、第1のはんだ材料116は、そのペースト成分が溶けるだけで溶融はしない。しかし、第1のはんだ材料116中の金属粒子が、すでに溶融している第2のはんだ材料115中に拡散し、金属粒子中のInが第2のはんだ材料115側に溶け出す。上記のように加熱温度を設定することにより、Inが第2のはんだ材料115側に溶け出す速度が遅くなり、第1のはんだ材料116を供給した位置の近傍である、面109aを含む領域に、Inが3wt以上含有されたはんだ補強領域106を形成することが出来る。仮に、第1のはんだ材料116の融点以上で加熱を行った場合、Inの溶け出す速度が速いため、Inが広範囲に拡散し、濃度が低くなりすぎることにより、Inを3wt以上含有するという条件を満たしたはんだ補強領域106が形成されない場合があり得るためである。実施の形態2本発明の実施の形態2では、実施の形態1の実装構造体において、第1のはんだ材料116のIn含有量を変化させ、それにより形成された実装構造体107について説明する。その他の構成および製造方法については実施の形態1と同様である。ここで用いる第1のはんだ材料116の合金組成を、Sn35Ag05BixInに変化させ、図2のb1の位置に接するはんだのIn含有率を測定した。その結果、いずれのIn含有率の第1のはんだ材料116を供給した場合でも、図2のb1の位置まで第1のはんだ材料116のInの拡散が起こり、接合部109のb1の位置では、供給した第1のはんだ材料116のIn含有率と同等となっていることが確認された。これも上述したように、高さ方向には、In含有率の濃度変化はほとんど生じないためである。すなわち、In含有率が例えば4wtの第1のはんだ材料を供給した場合には、製造された実装構造体のb1の位置におけるIn含有率も4wtとなる。尚、面109a上のIn含有率も、b1の位置での含有率と同等レベルである。表2は、本実施の形態2における、部品電極端部104aのb1の位置に接するはんだのIn含有率と、熱疲労試験後の亀裂の発生の有無の結果を示す。以下、b1の位置に接する接合部109に着目して、そのIn含有率と亀裂の発生の有無の関係を説明する。表2に示すように、部品電極端部104aのb1の位置に接するはんだのIn含有率が1wt、2wtの場合、亀裂が発生していた。In含有率が3~8wtの場合、亀裂の発生は見られなかった。しかしながら、In含有率が9wtの場合、基板電極101と部品電極104とを接合するはんだの形状が変化し、亀裂が発生していた。これは、In含有はんだで発生する相変態による体積変化が原因であると考えられる。SnIn系はんだ合金は、βSn相とγ相で構成される。SnIn系はんだ合金は、同じ組成であっても温度によってβSn相とγ相の存在比率が異なるため、温度変化によって相変態が発生する。相変態が発生する温度は、In含有量が多いほど低くなることが知られている。そのため、In含有率が9wtの場合、熱疲労試験中に相変態が発生し、βSn相とγ相では体積が異なり変形が生じるため、亀裂が発生したと考えられる。以上の結果から、第1のはんだ材料116のIn含有率を、3wt以上8wt以下と決めた。この範囲のInを含有させた第1のはんだ材料116を用いることにより、b1においても同じIn含有率の接合部109を形成することが出来るからである。この場合、厳密には、部品電極端部104aのb1の位置に接するはんだのIn含有量が3wt以上、8wt以下となる。また、本実施の形態の結果から、補強効果を発現するためには、第1のはんだ材料116としては、Inを3wt以上、8wt以下含有し、さらにIn含有による相変態を抑制するために、Snを88wt以上97wt以下含有しているはんだ材料を用いる必要がある。その場合、第1のはんだ材料116の融点は210~220°C程度である。また、はんだ付け時の加熱ステップでは、加熱ステップの温度バラツキから20°C程度のマージンが必要であるため、加熱時の最高温度は190°C以下とする必要がある。さらに、良好なはんだ付けを行うためには、第2のはんだ材料115の融点より10~20°C高い温度に加熱する必要があるため、第2のはんだ材料115は融点が170°C以下のはんだ材料を用いる必要がある。実施の形態3本発明の実施の形態3では、実施の形態1における実装構造体において、第1のはんだ材料116を供給するクリアランス111の幅を変化させることによって、第1のはんだ材料116と第2のはんだ材料115の和に対する第1のはんだ材料116の割合を変化させて形成される実装構造体について説明する。その他の構成については、実施の形態1と同様である。製造方法を、本実施の形態1における実装構造体の製造方法の各工程を示した図である図4~図8を用いて説明する。本発明の実施の形態3では、クリアランス111の幅を01mmから06mmで変化させ、第1のはんだ材料116の供給量を変化させている。ここで用いる第1のはんだ材料116の合金組成は、Sn35Ag05Bi60Inである。その他の製造方法については実施の形態1と同様である。なお、実施の形態1の結果から、In含有率が3wt以上である領域をはんだ補強領域106としている。表3は、本実施の形態3におけるクリアランス111の幅と、部品電極104直下の部分における部品電極端部104aの位置b1から、電子部品103の長手方向へのはんだ補強領域106の幅δと、亀裂の有無の状況との関係を示している。クリアランス111の幅が01mmの場合、図2のb1の位置におけるはんだには、3wt以上のInは含有されていなかった。つまり、図2の破線b1b2部分において、はんだ補強領域106は形成されておらず、亀裂が発生していた。クリアランス111の幅が02~04mmの場合、破線b1b2方向に幅を有するはんだ補強領域106が形成されており、亀裂の発生は見られなかった。しかしながら、クリアランス111の幅が05mm、06mmの場合、加熱、冷却による接合後、第1のはんだ材料116がはんだ接合領域105に十分に溶解せず、第1のはんだ材料116がペースト状で残った状態となっており、良好な接合が得られなかった。表4は、本実施の形態におけるクリアランス111の幅と、第2のはんだ材料115の供給量と第1のはんだ材料116の供給量の和に対する第1のはんだ材料116の割合を示している。クリアランス111の幅が01mmの場合、第1のはんだ材料116の供給量が少ない。そのため、クリアランス111に供給した第1のはんだ材料116からのInの拡散量が不十分であり、部品電極端部104aまでInが十分に拡散せず、面109aの全体には、はんだ補強領域106が形成されていない。その結果、熱疲労時の応力集中部に、脆弱なはんだ接合領域105のSnBi共晶組織が存在するため、亀裂が発生してしまうと考えられる。クリアランス111の幅が02mm以上の場合、第1のはんだ材料116からのInの拡散により、部品電極端部104aまでInが拡散し、面109aの全体にはんだ補強領域106を形成できるため、亀裂の発生を抑制できたと考えられる。本実施の形態の結果から、亀裂の発生を抑制するためには、第2のはんだ材料115の供給量と第1のはんだ材料116の供給量の和に対する第1のはんだ材料116の割合を67wt以上とし、面109aの全体にはんだ補強領域106が形成されることが望ましいことが分かる。また、クリアランス111の幅が05mm、06mmの場合において、第1のはんだ材料116の一部がペースト状で残留することについては、以下のように考えられる。クリアランス111の幅を大きくした場合、第2のはんだ材料115の量に対する第1のはんだ材料116の割合が大きくなるため、第1のはんだ材料116は、加熱中に溶融した第2のはんだ材料115に溶解しにくくなる。そのため、クリアランス111の幅が05mm、06mmでは、基板電極101と部品電極104との接合過程において、第1のはんだ材料116が第2のはんだ材料115に溶け出しきらなかったため、ペースト状で残留したと考えられる。すなわち、クリアランス111の幅が広いために、溶融した第2のはんだ材料115が、第1のはんだ材料116の内側の端まで届かず、第1のはんだ材料116にペースト状で残留する部分が生じることによるものである。本実施の形態の結果から、良好な接合を得るためには、第2のはんだ材料115の供給量と第1のはんだ材料116の供給量の和に対する第1のはんだ材料116の割合を126wt以下にし、実装構造体のはんだ補強領域106の幅は027mm以下にする方がより好ましいことが分かる。又、はんだ補強領域106の幅は、10μm以上にする方が好ましい。この下限値は、Snの結晶1個分の幅が10μmであることから規定されている。尚、実施の形態1では、図2に示すように、はんだ補強領域106は、接合部109の面109aから、部品電極端部104aと基板電極端部101aを結ぶ面Q図中一点鎖線参照を越えて形成されているが、面Qまで形成されていなくても良い。しかしながら、はんだ補強領域106は、図10の模式図に示すように、少なくとも面109aの全体に露出して形成されている方がより好ましい。このように面109aの全体に、はんだ補強領域106が形成されている方が好ましい点について以下に説明する。実装構造体107において、接合部109と部品電極104の間、又は接合部109と基板電極101の間に亀裂が発生すると電気的な接続が損なわれ、問題となるが、この亀裂は、面109aから生じ、接合部109と部品電極端部104aの間、又は接合部109と基板電極端部101aの間へと延びていく。このため、面109aの全体をInの固溶化によって強化することにより、亀裂の発生を大幅に低減することが可能となる。又、亀裂の発生を抑制する効果が小さくなるものの、はんだ補強領域106が面109aの全体に露出して形成されていなくても良い。すなわち、面109aに、はんだ補強領域106が形成されていない部分が存在しても良い。このような構成でも、はんだ補強領域106が形成されていない場合と比較すると、亀裂発生を抑制する効果を発揮することが出来る。実施の形態4次に、本発明にかかる実施の形態4における実装構造体について説明する。本実施の形態4の実装構造体は、実施の形態1と基本的な構成は同じであるが、第1のはんだ材料116を供給するためのクリアランスが設けられていない点が異なっており、又、製造方法についても異なる工程がある。そのため、本相違点を中心に説明する。図11aは、本実施の形態4の実装構造体170の平面模式図である。図11bは、aのAA矢視縦断面模式図である。図11a、bに示すように、本実施の形態4の実装構造体170では、実施の形態1の実装構造体107と異なり、クリアランス111が設けられていない点が異なっている。次に、本発明にかかる実施の形態4の実装構造体170の製造方法について説明する。図12~図15は、本実施の形態4の実装構造体170の製造方法を説明するための模式図である。尚、図12~図15の各図のaでは、平面模式図が示され、bでは、その平面模式図のAA矢視縦断面模式図が示されている。尚、図14では、図14cとしてS部拡大図も示されている。図12a及び図12bに示すように、基板電極101の電子部品103が載置される位置の下側に設けられたレジスト102と基板電極端部101aとの間は隣接しており、実施の形態1のクリアランスが形成されていない。そして、図13a及び図13bに示すように、露出されている基板電極101に、基板電極端部101aから所定の間隔を空けて、第2のはんだ材料115が供給される。この第2のはんだ材料115の供給が、本発明の第2のはんだ材料供給ステップの一例に相当する。次に、図14a及び図14bに示すように、基板電極端部101aから所定の間隔を空けた基板電極101上に、第2のはんだ材料115と間隔を空けて第1のはんだ材料116が供給される。次に、第1のはんだ材料116と第2のはんだ材料115の間に間隔を設ける点について説明する。本発明では、電子部品103を載置した際に第1のはんだ材料116と第2のはんだ材料115が潰れて混合すると、面109a側に第2のはんだ材料115が移動し、加熱ステップ後に面109aの一部にはんだ補強領域106が露出して形成されない場合がある。はんだ補強領域106は、面109aの全体に露出して形成される方がより好ましいため、電子部品103を載置した際に第1のはんだ材料116と第2のはんだ材料115が潰れて混合されることを防止する必要がある。このため、はんだの潰れ幅を考慮し、第1のはんだ材料116と第2のはんだ材料115の間に01mm以上の間隔を設ける方が好ましい。一方、加熱ステップにおいて、加熱されて第2のはんだ材料115が溶融し基板電極101にぬれ広がった際に、第2のはんだ材料115が第1のはんだ材料116に触れる必要がある。第2のはんだ材料115は03mm程度までぬれ広がるため、第1のはんだ材料116と第2のはんだ材料115の間隔は、03mm以下に設定する方が好ましい。このため、第1のはんだ材料116が供給される位置と、第2のはんだ材料115が供給される位置の間隔t1図14cのS部拡大図参照は、01mm以上03mm以下とする。つまり、図14cに示すように、第2のはんだ材料115は、基板電極端部101aから、第1のはんだ材料116が供給される領域の幅t2と、上記間隔t1を空けた位置に供給されることになる。続いて、図15a及び図15bに示すように、部品電極104が第2のはんだ材料115上に配置されるように、電子部品103が基板100上に搭載される。そして、電子部品103が基板100上に搭載された状態で、加熱されて第2のはんだ材料115が溶融し、冷却されて実装構造体170図11b参照が製造される。上述した本実施の形態4の実装構造体170のように、クリアランスを設けなくてもはんだ補強領域106を形成することが出来、耐熱疲労特性を向上させることが出来る。以上のように、SnBi系はんだで電子部品を基板に接合した実装構造体において、熱疲労が負荷された際に発生する亀裂の起点となる電子部品下の応力集中部の合金強度が、結晶格子のSn原子の一部がInに置換されるInの固溶強化によってSnBiと比較して高くなり、亀裂の発生を抑制することができる。尚、上記実施の形態では、接合部109の内側の面109aに、3wt以上、8wt以下のInを含有したはんだ補強領域106を形成したが、これに限らず、例えば、図16に示すような位置にはんだ補強領域106が形成されていてもよい。図16は、実装構造体180の側面構成図である。図16に示す実装構造体180では、電子部品103を基準として接合部109の外側の面109bにInを含有したはんだ補強領域106が形成されている。このように外側の面109b側に、はんだ補強領域106を形成しても良いが、亀裂の発生は、内側の面109aから発生し易いため、実装構造体107及び実装構造体170よりも耐熱疲労特性は若干劣ると考えられるものの、従来の構成と比較すると、耐熱疲労特性を向上させることが出来る。これによって、はんだ接合領域105を樹脂で補強した際と異なり、はんだ接合領域105とはんだ補強領域106の線膨張率の差はほとんどないため、耐熱疲労特性を向上させることが出来る。この場合、本発明の接合部の側面の一例は、図16の面109bに相当する。なお、本実施の形態において、第1のはんだ材料116はSn35Ag05BiXInを用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、Inによる補強効果を発現し、かつγSnへの相変態が抑制されればよいので、Inを3wt以上、8wt以下含有しており、Snを88wt以上97wt以下含有したはんだであればよく、例えばSn6In、Sn8Inのようなはんだ合金であってもよい。また、本実施の形態において、第1のはんだ材料116はスクリーン印刷によって供給したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばめっきによる供給であっても良い。また、本実施の形態において、第2のはんだ材料115は合金組成Sn58Biのものを用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、170°C以下の低融点のSnBi系はんだであれば本発明の実装構造体の製造方法が適用できるので、例えばAgやCuを微量含有した、Sn57Bi1AgSn40Bi01Cuのようなはんだ合金であってもよい。また、本実施の形態において、電子部品103は3216サイズのチップコンデンサを用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、電子部品103のサイズや種類が異なるものでよく、また、部品電極104の形状がリード形状であってもよい。また、上記実施の形態では、基板電極101、部品電極104、接合部109は、一対設けられているが、一対に限定されるものではない。すなわち、接合部109が、1つ又は3つ以上形成されていてもよい。