EUV光強度を測定するためのシステムであって、ミラーをEUV光に露出してミラー内に光電流を発生させるためにEUV光経路に沿って配置可能な多層ミラーと、前記光電流を測定してEUV光強度を示す出力を生成するように前記ミラーに接続した電流モニタと、を含むことを特徴とするシステム。前記ミラーは、Moの少なくとも1つの層及びSiの少なくとも1つの層を含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。接地した底板、及び前記ミラーと該底板の間に挿入された絶縁体を更に含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のシステム。EUV光源と加工物の間に帯域幅低減光路を有するリソグラフィツールと共に使用することができ、>9W/cm2のサンプル平均強度を有する光を該光源からサンプリングし、該光の帯域幅を低減し、該低減された帯域幅EUV光の少なくとも1つの特性を測定するための、EUV光源に対する測定システムであって、低減帯域幅EUV光特性を測定するための計器と、MoSi2の少なくとも1つの層とSiの少なくとも1つの層とを有し、前記計器によって受光されるように>9W/cm2のサンプル強度を有する前記光の少なくとも一部分を反射する位置内に移動可能な多層ミラーと、を含むことを特徴とするシステム。前記サンプリングされた光の帯域幅を前記リソグラフィツールの前記光路を出る帯域幅低減光の帯域幅の±10以内に低減することを特徴とする請求項4に記載のシステム。本発明の実施形態の第1の態様では、EUV光源電力出力を測定するためのシステムを開示する。システムは、EUV光に原料物質を露出させてある一定量の光電子を発生させるためにEUV光経路に沿って配置された光電子原料物質、例えば、ガス状ヘリウム又はアルゴンを含むことができる。システムは、光電子を検出してEUV電力を示す出力を生成するための検出器、例えば、電子増倍管検出器、チャンネルプレート検出器、又は真空フォトダイオードを更に含むことができる。一実施形態では、システムは、選択領域内の光電子を検出器に導いて領域外側の光電子の少なくとも一部が検出器に到達するのを防止するために、電界、例えば非対称の四極子電界を確立するように配置された複数の電極を含むことができる。この構造は、例えば、レーザ生成プラズマLPP光源からのプラズマ生成デブリに露出される場合がある位置でのEUV光源出力電力の測定を、デブリからの測定の影響が殆どないか又は全くない状態で可能にする。この構造はまた、EUV光源からの光の大部分が、下流側、例えばリソグラフィツールでの使用に向けて測定システムを通過することを可能にする。本発明の実施形態の別の態様では、EUV光強度を測定するためのシステムは、EUV光経路に沿って配置可能な多層ミラー、例えば、Mo/Si層で被覆された基板を含み、ミラーを露出させて光電流を発生さることができる。光電流を測定してEUV電力を示す出力を生成するために、電流モニタをミラーに接続することができる。特定的な実施形態では、システムは、ミラーに接触して光電流をモニタに伝達するリング電極を含むことができる。一部の場合には、リング電極をEUV光から遮蔽するために、絞りを配置することができる。ミラーから反射した光は、下流側、例えばリソグラフィツールによって使用することができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、EUV光源のための測定システムは、光特性を測定するための計器と、少なくとも1つのMoSi2層及び少なくとも1つのSi層を有する少なくとも1つの多層ミラーとを含むことができる。多層ミラーは、計器によって受光されるように、例えば、>9W/cm2の熱的損傷のない光源からの高強度光ビームの少なくとも一部を反射する位置に移動可能とすることができる。1つの態様では、システムは、光源と加工物の間に帯域幅低減光路を有するリソグラフィツールと共に使用される光源に対して測定を行うことができる。この態様では、システムは、加工物に到達する光のスペクトル帯域幅と類似のスペクトル帯域幅を有する光を計器に有利に導くことができる。最初に図1を参照すると、本発明の態様による例示的な製品EUV光源、例えば、レーザ生成プラズマEUV光源20の概略図が示されている。本発明の態様は、レーザ生成プラズマLPPを参照して示すが、本発明の態様は、本明細書において引用により組み込まれている本出願人所有の米国特許第6、815、700号で代表的構成が開示されている放電生成プラズマDPPを含むプラズマを生成する他の形式の光源に等しく適用可能であることは認められるものとする。引き続き図1を参照すると、LPP、EUV光源20は、CO2ガス放電エキシマレーザ又は分子フッ素レーザを含むことができ、高電力及び高パルス繰返し数で作動するパルスレーザシステム22、例えばCO2ガス放電レーザ、又は分子フッ素レーザを含むことができ、かつ米国特許第6、625、191号、米国特許第6、549、551号、及び米国特許第6、567、450号に示すようなMOPA構成レーザシステムとすることができる。光源20はまた、例えば、液滴、液流、固体粒子又はクラスター、液滴内に含まれた固体粒子、又は液流内に含まれた固体粒子の形態でターゲットを送出するターゲット送出システム24を含むことができる。ターゲットは、ターゲット送出システム24によって、例えば、チャンバ26の内部の中へプラズマ形成サイト28まで送出することができる。レーザパルスは、パルスレーザシステム22から入力ウィンドウを通るレーザ光軸に沿ってチャンバ26の中へ照射サイトまで送出され、適切に集束されて、ターゲットの原料物質に依存するある一定の特性を有するプラズマを作成することができる。これらの特性としては、生成されたEUV光の波長、及びプラズマ形成中及び/又は形成後のプラズマから放出されたデブリの種類及び量を含むことができる。光源はまた、例えば、レーザ光が通過して形成サイト28に至ることを可能にする開口を有する先を切り取った楕円の形態の集光装置30、例えば、反射体を含むことができる。集光装置30は、例えば、形成サイト28に第1の焦点、及びEUV光が光源から出力されて、例えば、集積回路リソグラフィツール図示せずに入力することができるいわゆる中間点40中間焦点40とも呼ばれるに第2の焦点を有する楕円ミラーとすることができる。パルスシステム22は、二重チャンバ、例えば、発振レーザシステム44のためのパルス電力タイミングモニタリングシステム54と増幅レーザシステム48のためのパルス電力タイミングモニタリングシステム56と共に、例えば、発振レーザシステム44のための磁気反応器切換え式パルス圧縮及びタイミング回路50と増幅レーザシステム48のための磁気反応器切換え式パルス圧縮及びタイミング回路52とを備えた、例えば、発振レーザシステム44及び増幅レーザシステム48を有する主発振器-電力増幅器MOPAガス放電レーザシステムを含むことができる。システム20はまた、例えば、レーザビーム位置決めシステム66と共に、例えば、ターゲット位置検出フィードバックシステム62及び発射制御システム65も含むことができるEUV光源制御システム60を含むことができる。システム20はまた、例えば、点火サイトに対するターゲット液滴の位置を示す出力を送出する1つ又はそれよりも多くの液滴撮像器70aからcを含むことができるターゲット位置検出システムを含むことができ、ターゲット位置検出フィードバックシステムは、例えば、液滴単位ではないならば平均でターゲット誤差を計算することができる元になるターゲット位置及び軌道を計算することができる。次に、ターゲット誤差は、システムコントローラ60への入力として送出することができ、システムコントローラ60は、例えば、レーザタイミング回路を制御し、及び/又はレーザ位置及び方向変更器68を制御して、例えばレーザビームの焦点を異なる点火点28に変えるためにレーザビーム位置決めシステムが使用することができる例えばレーザビーム位置決めシステム66に、例えば、レーザ位置、方向、及びタイミング補正信号を供給することができる。ターゲット送出制御システム90は、システムコントローラ60からの信号に応答して、例えば、ターゲット送出機構によって放出されるようなターゲット液滴放出点を修正し、望ましい点火点28に到達するターゲット液滴内の誤差を修正することができる。また、EUV光源検出器図示せずは、有効かつ効率的なEUV光生成に適正な位置及び時間でターゲット液滴を確実に捕捉するように、レーザパルスのタイミング及び焦点のような事柄における誤差を示すフィードバックをシステムコントローラ60に送出することができる。ここで図2及び図3を参照すると、図1に示す光源20のような光源によって生成された光電力を測定するシステム100が示されている。システム100は、中間焦点40及び/又は中間焦点の上流側で光電力を測定するように位置決めすることができる。代替的に又は追加的に、このシステムは、例えば、走査ツール図示せずで中間点40の下流側で光電力を測定するように位置決めすることができる。図2に示すように、システム100は、原料物質をEUV光に露出させるためにEUV光経路104に沿ってガスの存在を確立するように位置決めすることができる光電子原料物質、例えば、ガス状ヘリウム、アルゴン、水素、重水素、及び/又は1つ又はそれよりも多くの他の希ガスの供給102を含むことができる。一部の場合には、例えば、ミリトル範囲の比較的低い圧力でのガス状原料物質を使用することができる。この構成では、例えば、リソグラフィツールでのEUV光の比較的大きな部分のその後の使用を考慮して、入射EUV光の一部のみを原料物質によって吸収することができる。一部の場合には、光電子原料物質は、例えば、背景ガスとして望ましい測定位置に既に存在している場合があり、従って、付加的な原料物質を光電子生成に向けて供給する必要がないであろう。例えば、緩衝ガスをプラズマチャンバ内で採用し、プラズマ生成イオンを偏向又は減速させてイオンが内部構成要素を損傷するのを防止することができる。この場合、緩衝ガスはまた、原料物質の役目をすることができる。次に、EUV光と原料物質の相互作用によって、EUV電力を示すある一定量の光電子106を生成することができる。図示のように、光電子106は、EUV光電力を示す電気信号110を出力する検出器108に導くことができる。例えば、検出器108は、電子増倍管検出器、チャンネルプレート検出器、又は真空フォトダイオードとすることができる。一部の場合には、比較的高い繰返し数、例えば、数kHzでパルス化されたパルスEUV電力に対して、増幅によって例えば、電子増倍管検出器を使用して電気パルスを検出することができる。一般的に、電子信号は、次のEUV光パルスが到着した時にイオン衝撃によって生成された一部の散乱電子のために小さな背景信号しかないような十分に急速にマイクロ秒時間尺度で減衰する場合がある。この背景は、次に、パルス信号から差し引くことができる。一部の実施例に対しては、原料ガスは、光電子が生成されるのが深UV、可視、又は赤外線放射線によってではなくEUV放射線によってのみであるように、比較的高いイオン化閾値を有するように選択することができる。図1に示すシステムに対しては、光は、多層被覆垂直入射ミラーとすることができる集光ミラー30による反射後に中間焦点40に導くことができる。この構成により、中間焦点40に到達する光は、大部分帯域内のEUV放射線とすることができる。代替的に、その後にスペクトル純度フィルタを備えたグレージング入射ミラー構成を例えばDPP源において使用し、大部分帯域内のEUV放射線を中間焦点に導くことができる。これらの状況に対しては、光電子に基づくシステム100は、帯域内EUV放射線を検出する。一部の場合には、他のEUV放射線帯域内以外がIFに存在する場合もある例えば、スペクトル純度フィルタなしのグレージング入射集光手法の場合のように。この場合に対しては、帯域内EUV放射線によって生成された光電子は、例えば、電子エネルギフィルタリング例えば、電子分光を用いて残りの光電子から隔離することができる。約92eVのエネルギに相当する13.5nm波長に対応するEUV放射線エネルギは、ガス原子から2つ又はそれよりも多くの光電子を生成するほど十分に高いものとすることができるすなわち、例えば、二重イオン化が可能。しかし、システム10は、中間焦点でEUV出力電力の変化をモニタするのに相対信号のみが必要であると考えられるために、EUV光電力を示す有用な信号を依然として出力することができる。ガス圧は、図3に示すように、ガスモニタ111によって測定することができる。この構成により、次に、検出光電子信号は、ガス圧による信号変動を排除するためにガス圧に対して正規化することができる。代替的に又は追加的に、ガス圧は、所定の範囲にガス圧を制御するために、供給102図2に示すと共に制御ループ内に入力することができる。図2及び図3は、光電子を検出器110に偏向させるために使用することができる帯電電極112aからgの配置を示している。注:電極112b及び112cの後部部分は、電極112fを示すために図2では離している。以下でより詳細に説明するように、図示の独立して帯電させた電極の配置は、EUV光が光電子原料物質と相互作用する位置で生成される又は近くに存在する光電子に最終的に検出器108に到着する光電子を限定することができる。図示のように、各電極112aからgは、独立して帯電させて帯電回路は図示せずサドル114を有する非対称の四極子電界構成を確立することができる。図示のように、非対称四極子電界を確立する適切な電極電圧は、電極112a=0V、電極112g=100V、電極112c=240V、及び電極112b=電極112d=電極112e=電極112f=-520Vとすることができる。代表的な力線を115aからcと付して例示的な等ポテンシャル力線を示している。他の電極電圧の組合せも可能である。図示のように、光路104光電子は、原料物質とEUV光間の相互作用によって生成されるは、サドル114と検出器108の間に位置決めすることができる。図3に示す場の構成に対しては、正イオンは、負に帯電したプレートの方向に引いてそこで捕捉することができる。光路104の外側の領域に例えば、負に帯電した場のプレートで生成された2次光電子は、一般的に、検出器に到達するには不十分なエネルギを有する。例えば、位置118aの光電子は、一般的に、サドルを上って検出器108に到達するのに不十分なエネルギを有する。位置118bの光電子はまた、一般的に、場の強度を克服して検出器108に到達するのに不十分なエネルギを有する。代わりに、場は、検出器108に到達しない軌道上にこれらの光電子を配置する。四極子構成に関する更なる詳細は、R.Mollenkamp及びU.Heinzmann、J.Phys.E15、6921982年、及びU.Heinzmann、J.Phys.B11、3991978年に見ることができる。一部の場合には、光路104/その近くで生成された全ての光電子を検出することができるとは限らない。しかし、これらの場合に対しては、EUV光電力に比例し、従ってそれを示す出力信号を依然としてもたらすことができる。図2は、更に、光電子偏向に悪影響を与える場合がある漂遊磁界からシステム100の各部又は全てを遮蔽することができることを示している。これらの漂遊磁界は、鋼製システム構成要素、地球の磁場、及び/又は他の発生源から生じる場合がある。漂遊磁界の影響を最小にするために、システム100は、比較的高い透磁率μを有する材料で製造されたハウジング116を含むことができる。例えば、ミュー金属として公知である材料を使用して、77ニッケル、15鉄、及び様々な量の銅及びモリブデンのようなニッケル-鉄合金を含めることができる。光電子に追加して又は光電子の代わりに、他の形態のエネルギ、例えば、エネルギビーム、光、高エネルギ粒子などを適切な原料物質とEUV放射線の間の相互作用を通じて生成かつ使用してEUV光電力を測定することができる。これらの他のエネルギビームとしては、以下に限定されるものではないが、蛍光、イオン、及び材料とEUV光の間の相互作用によって生成することができる当業技術で公知のあらゆる他の粒子及び/又は光照射を含むことができる。更に、原料物質は、必ずしもガス状である必要はない。これらの他のエネルギ形態は、適切な検出器例えば、CCDアレイ、ファラデーカップなどを使用して測定し、EUV光電力の表示を行うことができる。一部の場合には、光電子の方がイオンよりも軽く、高速であり、かつ偏向させやすいと考えられるので、イオンではなく光電子を検出することが有利であろう。図4は、図1に示す光源20のような光源によって生成された光電力を測定する全体的にシステム100’と指定した本発明の別の実施形態の態様を示している。図4に示すように、システム100’は、EUV光経路104’に沿ってガスの存在を確立し、原料物質をEUV光に露出させるように位置決めすることができる原料物質、例えば、ガス状ヘリウム、アルゴン、水素、重水素、及び/又は1つ又はそれよりも多くの希ガスの供給102’を含むことができる。次に、EUV光と原料物質の間の相互作用は、EUV電力106’を示すある一定量の光電子を生成することができる。また、EUV電力を示すある一定量のイオン107’をEUV光と原料物質の間の相互作用によって生成することができる。システム100’は、例えば、10から30Vの電圧に帯電された複数の正電極120aからd及び電圧計122から成る検出システムを更に含むことができる。EUV光と原料物質の間の相互作用によって生成された光電子106’は、電極120aからdに引き付けられてそこに到達し、電圧計122にEUV光電力を表す電圧を示すことができる。代替的に、例えば、10から30Vに帯電された負電極124aからdを電圧計に接続し、EUV光と原料物質の間の相互作用によって生成されたイオン107’を測定することができ、ここでもまた、電圧計出力は、EUV光電力を示している。代替的に、システム100、100’に入る光の大部分は、システム100、100内では悪影響を受けず、かつ下流側、例えばリソグラフィツールで使用することができる。図5は、多層ミラー202内で生成される光電流を測定してミラー202に入射するEUV光例示的な光線204aからcによって図示の強度を判断することができる全体的にシステム200と指定した本発明の別の実施形態の態様を示している。構造的により詳細には、システム200は、多層ミラー、例えば、Siと交互するMoのような複数の交互層を有するミラーを含むことができる。図示のように、ミラー202は、接地底板206に装着することができ、絶縁体208をミラー202と底板206の間に挿入してミラー202を接地から絶縁することができる。一実施形態では、絶縁体208は、セラミック材料で製造することができる。図5は、更に、システム200が、図示のようにミラー202の外縁と電気的に接触して配置することができる導電材料で製造されたリング電極210を含むことができることを示している。絞り212は、リング電極210をEUV光から遮蔽するように位置決めすることができる。システム10の場合、電流モニタ214をリング電極210に電気的に接続することができる。例えば、ピコアンペア計のような敏感な電流モニタ又は当業技術で公知の他のパルス式電流検出計器を使用することができる。使用面においては、ミラー202は、ミラーを露出させてミラー202内に光電流を生成するようにEUV光経路に沿って位置決めすることができる。次に、光電流は、リング電極210を通過して電流モニタ214に到達する。次に、電流モニタ214は、EUV電力を示す出力を生成する。システム200を使用して、EUV光を光強度モニタに導いて及び/又はフィルタリングするのに使用されるミラーを含むEUV光源又はリソグラフィツールのような光学システム内に既に存在する多層ミラーをある程度容易に適応させることができる。代替的に、システム200に入る光の大部分は、システム内では影響を受けないので、下流側、例えばリソグラフィツールで使用することができる。図6は、平均強度が比較的高い例えば、>9W/cm2EUV光198を測定検出器200に導くシステムを示している。図示のように、システムは、光を検出器200に導くようにビーム路に沿って位置決めされた1対の背面冷却多層ミラー202a、bを含むことができる。例えば、ミラー202a、bは、例えばEUV検出器200の前にジグザグ構成で5°の入射角85°のグレージング角に対応で位置決めすることができる。2つのミラー202が示されているが、2つよりも多いミラー202及び僅か1つのミラー202を使用して、強度が比較的高いEUV光を測定検出器200に導くことができることは認められるものとする。1つの応用においては、本発明のシステムを使用して、中間焦点40又はその近くの位置図1を参照されたいから検出器200まで光を導くことができる。一部の光源に対しては、中間焦点40での光図1を参照されたいは、9W/cm2よりも大きく、例えば、9から11W/cm2という平均強度を有する可能性があり、従って、一部の場合には、標準的なMoSi多層ミラーMLMを品質低下させる場合がある。パルス放射線の場合、平均強度は、平均パルスエネルギにパルス繰返し数を掛け、それを露出面積で割ったものに等しい。この誘導システムの場合、ミラー202a、bは、各々、少なくとも1つのMoSi2層と、少なくとも1つのSi層とを有するMLMとすることができる。一例示的実施形態では、各ミラー202a、bは、50を超える複層、例えば、60と80の間又はそれよりも多い複層を含むことができ、各複層は、MoSi2層とSi層を有する。他の形式の層、例えば、拡散障壁及び保護コーティングをミラー202a、b内に組み込むことができることは認められるものとする。MoSi2/Si構造では、ミラー202a、bは、劣化が殆ど又は全くなく最大約600°Cまでの温度に耐えることができる。更に、図5に示すように、冷却サブシステム204a、bを各ミラー202a、bの非反射側に取り付けることができる。例えば、各冷却サブシステム204a、bは、水冷銅板を含むことができる。1つの実施例においては、ミラー202a、bの一方又は両方は、光源がオンラインであって光の大部分又は全部がミラー202a、bに接触することなく下流側の使用に向けてシステムを通過する第1の位置図示せずから、光198の大部分又は全部がミラー202a、bによって検出器200に導かれる第2のオフライン図5に示す位置まで移動可能とすることができる。例えば、光源がオンラインである時、光198は、リソグラフィツールに導くことができる。本発明の1つの態様では、図5に示すシステムを使用して、検出器200に到達するEUV光を約2のスペクトル帯域幅を有する光に限定し、下流側リソグラフィツールのウェーハ面で予想されるEUV光のスペクトル帯域幅を模擬することができる。より詳細には、図1に示す中間焦点40から、光源によって生成されたEUV光をリソグラフィツール図示せず内で典型的なMoSiMLMの約8から10倍だけ反射することができる。MoSiMLMからの毎回の反射は、反射光の帯域幅に影響を与えることができる。従って、リソグラフィツールは、光源と加工物例えば、ウェーハ面の間に帯域幅低減光路を確立することができる。図7は、Mo/Si多層ミラーからの単一反射の反射率と波長の計算に基づくプロット206を示している。図示のように、反射は、約13.5nmでのピーク及び約5の半値全幅FWHM帯域幅、例えば、0.6から0.7nmを有する。一方、プロット208は、Mo/Si多層ミラーからの10回の反射の影響を示している。図示のように、10回の反射は、約13.5nmでのピーク及び約2のFWHM帯域幅、例えば、0.27nmを有する光ビームをもたらす。図7のプロット210は、MoSi2/Si多層ミラー、例えば、ミラー202aからの単一反射の影響を示している。具体的には、プロット210は、約N=60からN=80の複層を有するMoSi2/SiのMLMに対応する。これは、MoSi2/SiのMLMが、ほぼ垂直入射でそれらの最適反射率に近い反射率を有する複層の数に対応する。約R~45のピーク反射率を有し、例えば、測定ツール及び撮像に十分な光を供給するMoSi2/SiのMLMは、最上層としてSi、5.8g/ccmのMoSi2密度、6.857nmの周期、0.45のガンマ比、0.4nmのシグマ層粗度、0の偏光すなわち、非偏光、及び85°の入射角、例えばグレージング角を有することができる。プロット210は、約13.5nmでのピークと、2を若干下回る、例えば、0.25nmのFWHM帯域幅とを有し、プロット208と多少類似のものであることが図7から分る。この類似点が意味することは、MoSi2/Si多層ミラー、例えばミラー202aを使用して、リソグラフィツールを出てウェーハと交差する光の帯域幅に近い例えば約2の帯域幅を有する光すなわち、Mo/SiのMLMから8回から10回反射される光を検出器に導くことができるという点である。1つの実施例においては、MoSi2/SiのMLMシステムは、サンプル光の帯域幅をリソグラフィツールの光路を出る例えば約0.30nm未満まで低減された光の帯域幅の±10内に低減することができるように配置することができる。35U.S.C.§112を満足するために必要とされる詳細において本特許出願において説明しかつ例示した実施形態の特定の態様は、上述の実施形態の態様のあらゆる上述の目的、及び上述の実施形態の態様により又はその目的のあらゆる他の理由で又はその目的にために解決すべき問題を完全に達成することができるが、本発明の上述の実施形態のここで説明した態様は、本発明による広義の主題を示しかつ表すことを当業者は理解すべきである。実施形態のここで説明しかつ主張する態様の範囲は、本明細書の教示内容に基づいて当業者に現在明らかであると考えられるか又は明らかになると考えられる他の実施形態を漏れなく包含するものである。本発明の範囲は、単独にかつ完全に特許請求の範囲によってのみ限定され、いかなるものも特許請求の範囲の詳細説明を超えるものではない。単数形でのこのような請求項における要素への言及は、解釈において、明示的に説明していない限り、このような要素が1つ及び1つのみであることを意味するように意図しておらず、かつ意味しないものとし、1つ又はそれよりも多いを意味する意図とし、かつ意味するものとする。当業者に公知か又は後で公知になる実施形態の上述の態様の要素のいずれかに対する全ての構造的及び機能的均等物は、引用により本明細書に明示的に組み込まれると共に、特許請求の範囲によって包含されるように意図されている。本明細書及び/又は本出願の請求項に使用され、かつ本明細書及び/又は本出願の請求項に明示的に意味を与えられたあらゆる用語は、このような用語に関するあらゆる辞書上の意味又は他の一般的に使用される意味によらず、その意味を有するものとする。実施形態のいずれかの態様として本明細書で説明した装置又は方法は、それが特許請求の範囲によって包含されるように本出願において開示する実施形態の態様によって解決するように求められる各及び全て問題に対処することを意図しておらず、また必要でもない。本発明の開示内容におけるいかなる要素、構成要素、又は方法段階も、その要素、構成要素、又は方法段階が特許請求の範囲において明示的に詳細に説明されているか否かに関係なく、一般大衆に捧げられることを意図したものではない。特許請求の範囲におけるいかなる請求項の要素も、その要素が~のための手段という語句を使用して明示的に列挙されるか又は方法の請求項の場合にはその要素が作用ではなく段階として列挙されていない限り、35U.S.C.§112第6項の規定に基づいて解釈されないものとする。上記で開示した本発明の実施形態の態様は、好ましい実施形態であることのみを意図しており、いかなる点においても本発明の開示内容を限定するものではなく、特に、特定の好ましい実施形態だけに限定するものではないものとすることが当業者によって理解されるであろう。開示した発明の実施形態の開示した態様には、当業者によって理解及び認められるような多くの変更及び修正を行うことができる。特許請求の範囲は、その範囲及び意味において、本発明の実施形態の開示した態様だけではなく、当業者には明らかになると思われる均等物及び他の修正及び変更も包含するものとする。