内部電源と、前記内部電源に電源を供給する補償容量部とを具備し、前記補償容量部は、前記補償容量部を構成する領域に配置された拡散層の矩形領域と、前記拡散層の矩形領域の各辺に対し、各辺の中心が直行する箇所に設けられた矩形開口部と、前記拡散層の矩形領域の中心線近傍に沿って直行するゲート電極と、前記拡散層の前記矩形領域の四隅に、前記拡散層と上層の金属層とを接続する第1コンタクトと、前記ゲート電極と前記拡散層の矩形開口部の重なる箇所に、前記ゲート電極と上層の金属層とを接続する第2コンタクトと、前記ゲート電極が直行する箇所で形成された容量と、補償容量の単位セルとを具備する半導体装置。請求項1に記載の半導体装置であって、前記単位セルは、半導体基板上に、行及び列に対してマトリックス状格子状に配置されている半導体装置。請求項1又は2に記載の半導体装置であって、前記拡散層と金属層とを接続する第1コンタクトと、前記ゲート電極と金属層とを接続する第2コンタクトとは、交互に配置されている半導体装置。請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置であって、前記ゲート電極と上層の金属層を接続する第2コンタクトを形成した領域の拡散層は、該拡散層の端を単位セルの各辺に対し水平方向に変化させることで、該拡散層の面積率が調整される半導体装置。内部電源を設けることと、前記内部電源に電源を供給する補償容量部を設けることと、前記補償容量部を構成する領域に拡散層の矩形領域を配置することと、前記拡散層の矩形領域の各辺に対することと、各辺の中心が直行する箇所に矩形開口部を設けることと、前記拡散層の矩形領域の中心線近傍に沿ってゲート電極を直行するように形成することと、前記拡散層の前記矩形領域の四隅に、前記拡散層と上層の金属層とを接続するための第1コンタクトを形成することと、前記ゲート電極と前記拡散層の矩形開口部の重なる箇所に、前記ゲート電極と上層の金属層とを接続する第2コンタクトを形成することと、前記ゲート電極が直行する箇所で容量を形成することと、補償容量の単位セルを構成することとを含む半導体装置の製造方法。請求項5に記載の半導体装置の製造方法であって、前記単位セルを、半導体基板上に、行及び列に対してマトリックス状格子状に配置することを更に含む半導体装置の製造方法。請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法であって、前記拡散層と金属層とを接続する第1コンタクトと、前記ゲート電極と金属層とを接続する第2コンタクトとを交互に配置することを更に含む半導体装置の製造方法。請求項5乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記ゲート電極と上層の金属層を接続するコンタクトを形成した領域の拡散層の端を単位セルの各辺に対し水平方向に変化させることで、拡散層の面積率を調整することを更に含む半導体装置の製造方法。請求項5乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法を、計算機に実行させるためのプログラム。従来技術において、単位セルをマトリックス状格子状に配置した場合、形成されるコンデンサ部分となる重複部11a~11dのそれぞれが隣接する単位セルと共有されるため、コンデンサの容量値が配置場所で変化するため、容量値の見積もりが煩雑になるという問題がある。図4は、従来の単位セルの範囲を示した図である。図4に示すように、単位セルは、コンタクト7の中心を結ぶ矩形領域25の範囲となり、従来技術のコンデンサは、矩形領域25をマトリックス状格子状に並べて形成される。したがってゲート電極4と拡散層2が重なっている部分であるコンデンサ部分となる重複部11a~11dにおいて、矩形領域25内の矩形領域21a~21dの図形部分のみが単位セル当たりのコンデンサ領域となり、繰り返し配置する境界部に単位セル当たりのコンデンサ領域がかかる重複するため、中央部、上下、左右の領域でコンデンサの容量値が変わってくるためである。本発明では、内部電源と、内部電源に電源を供給する補償容量部を有する半導体装置の補償容量部のレイアウト配置において、補償容量部を構成する領域に拡散層の矩形領域を配置し、拡散層の矩形領域の各辺に対し、各辺の中心が直行する箇所に矩形開口部を有する。また、拡散層の矩形領域の中心線近傍に沿ってゲート電極を直行するように形成する。また、拡散層の矩形領域の四隅4つの角部に上層の金属層と接続するためのコンタクトを形成する。また、ゲート電極と拡散層の矩形開口部の重なる箇所にゲート電極と上層の金属層を接続するコンタクトを形成する。また、ゲート電極が直行する箇所で容量capacitorを形成する。また、補償容量の単位セルを形成する。本発明に係る半導体装置は、内部電源と、該内部電源に電源を供給する補償容量部とを具備する。該補償容量部は、該補償容量部を構成する領域に配置された拡散層の矩形領域と、該拡散層の矩形領域の各辺に対し、各辺の中心が直行する箇所に設けられた矩形開口部と、該拡散層の矩形領域の中心線近傍に沿って直行するゲート電極と、該拡散層の該矩形領域の四隅に、該拡散層と上層の金属層とを接続する第1コンタクトと、該ゲート電極と該拡散層の矩形開口部の重なる箇所に、該ゲート電極と上層の金属層とを接続する第2コンタクトと、該ゲート電極が直行する箇所で形成された容量と、補償容量の単位セルとを具備する。本発明に係る半導体装置の製造方法では、内部電源を設ける。また、該内部電源に電源を供給する補償容量部を設ける。また、該補償容量部を構成する領域に拡散層の矩形領域を配置する。また、該拡散層の矩形領域の各辺に対することと、各辺の中心が直行する箇所に矩形開口部を設ける。また、該拡散層の矩形領域の中心線近傍に沿ってゲート電極を直行するように形成する。また、該拡散層の該矩形領域の四隅に、該拡散層と上層の金属層とを接続するための第1コンタクトを形成する。また、該ゲート電極と該拡散層の矩形開口部の重なる箇所に、該ゲート電極と上層の金属層とを接続する第2コンタクトを形成する。また、該ゲート電極が直行する箇所で容量を形成する。また、補償容量の単位セルを構成する。本発明に係るプログラムは、上記の半導体装置の製造方法における処理を、計算機に実行させるためのプログラムである。例えば、レイアウト設計やシミュレーションの段階で、上記の半導体装置の製造方法を計算機に実行させる可能性がある。なお、本発明に係るプログラムは、記憶装置や記憶媒体に格納することが可能である。従来技術の課題であったコンデンサの容量値が配置場所で変化するため、容量値の見積もりが煩雑になるという問題を解決できる。<第1実施形態>以下に、本発明の第1実施形態について添付図面を参照して説明する。[第1実施形態の構成]図5、図6を参照して、本発明に係る補償容量部の構成例について説明する。[単位セルの平面構造]図5は、本発明に係る半導体装置の補償容量部の単位セル基本セルの基本構造の平面図を示す概念図である。図5に示すように、本発明に係る補償容量部22は、拡散層2とゲート電極4の重なり部分となる。補償容量部22は、半導体基盤のPウエルWell10上に、Nウエル20、拡散層2、誘電体層3、ゲート電極4が、この順に積層して形成されている。拡散層2は、対応する辺の中心線上近傍に、辺に沿って矩形開口部12を設ける。矩形開口部12は、単位セル当たり各辺の中央近傍箇所に4箇所設けられる。また、単位セルの四隅となる箇所にコンタクト7を設ける。コンタクト7の中心間各コンタクト7の中心を結んだ矩形領域25が、単位セルの領域となる。単位セルの四隅に配置されたコンタクト7の中心を結ぶ矩形領域25を単位セルの大きさとして、補償容量部22の単位セルがマトリックス状格子状に配置される。また、矩形領域25の各辺の中心線上に指定幅を有するゲート電極4を配置する。ゲート電極4は、拡散層2上に矩形領域25の中心近傍で直行するように配置され、補償容量部22となる。[単位セルの断面構造]図6は、図5の補償容量部の単位セルの基本構造の断面構造を示す図である。同図aは、図5のa1-a2の断面構造を示している。同図bは、図5のb1-b2の断面構造を示している。図6に示すように、本発明に係る補償容量部22は、Pウエル10上にNウエル20を形成し、Nウエル20内に拡散層2を設ける。拡散層2は、コンタクト7を介して金属層80、金属層81に接続される。拡散層2の矩形開口部12において、Nウエル20上に導電体層30を介してゲート電極4を形成する。ゲート電極4は、コンタクト23を介して電位を規定する上層の積層された金属層81に接続される。ここで、金属層80、金属層81、金属層81は、同一層であっても別層であっても良い。図6aに示すゲート電極4は、Nウエル20上で、導電体層30の下部にチャネルが形成され、容量として形成される。図6bに示すゲート電極4は、拡散層2の矩形開口部12になるため単なる配線領域となる。この領域で上層の金属層と接続することができる。[第1実施形態の動作又は製造方法等]補償容量部22の単位セルにおいて、半導体基盤内のPウエル10上に、Nウエル20を形成する。次に、Nウエル20内に拡散層2を形成する。拡散層2の形成処理において、補償容量部22の中心線上で矩形領域25の外周上の拡散層2の4辺それぞれに切り欠き部である矩形開口部12を設ける。次に、補償容量部22の中心線上にゲート電極4を直行するように配置する。このとき、ゲート電極4を、矩形開口部12上に配置する。矩形領域25の四隅の頂点のそれぞれにおいて、拡散層2上にコンタクト7を配置する。拡散層2の4辺それぞれの矩形開口部12に位置するゲート電極4に、コンタクト23を配置する。拡散層2は、コンタクト7を介して上層の積層された金属層80、金属層81に接続する。ゲート電極4は、コンタクト23を介して上層の積層された金属層81に接続する。以上により、補償容量部22が形成される。[単位セルのマトリックス状格子状配置]図7は、本発明に係る補償容量部22の単位セルをマトリックス状格子状に配置した図であり、4行、4列で形成される例を示す。前記補償容量部22を示す矩形領域25を半導体基板上に行及び列状にマトリックス状格子状に配置し、金属層80、金属層81、81に電源電位を与えることで、半導体装置上に補償容量部22を形成する。[第1実施形態のメカニズム及び効果]本発明に係る補償容量部22は、補償容量を形成する矩形領域25内にコンデンサ領域が存在するため、マトリックス状格子状に配置する単位セル当たりのコンデンサ部分の容量値が配置位置で変わることはなく、配置個数と容量値が対応しているため、見積もりやすくなる。これにより、見積もりが煩雑になるという従来の問題を解決した。図5において、補償容量部22は、拡散層2とゲート電極4の重なり部分の形状として形成される。補償容量部22の単位セルにおいて、拡散層2の4辺それぞれにコンタクト23を配置するための切り欠き部矩形開口部12を設けることで、補償容量部22の形状がコンタクト7の中心を結ぶ矩形領域25の境界を越えないためである。また、従来技術では、ゲート電極4の4領域分でしかコンデンサ部を形成できなかったが、本発明では、ゲート電極4の直行する領域もコンデンサ部とすることができるため、単位セル当たりの容量値も増加することができる。<第2実施形態>以下に、本発明の第2実施形態について説明する。[第2実施形態の構成]図8は、本発明の第2実施形態における補償容量部22の単位セルの平面図を示す概念図である。ゲート電極4の形状において、第1実施形態では、縦方向の矩形領域と横方向の矩形領域を直交させた形状で形成されているが、第2実施形態では、更に、拡散層2の切り欠き部矩形開口部12の内側境界を4辺とする矩形領域としている。[第2実施形態の動作又は製造方法等]切り欠き部矩形開口部12の内側境界を両側それぞれ延長し、同様に延長された直行する内側境界の延長線との交点まで辺を延長する。4辺について同様に切り欠き部矩形開口部12の内側境界を延長して4辺を得る。[第2実施形態のメカニズム及び効果]ゲート電極4の面積が増加することにより、補償容量部22の単位セル当たりの容量値が増加する。<第3実施形態>以下に、本発明の第3実施形態について説明する。[第3実施形態の構成]図9は、本発明の第3実施形態における補償容量部22の単位セルの平面図を示す概念図である。コンタクト7とコンタクト23は、それぞれ上層の配線層に接続される。コンタクト7とコンタクト23は、隣接して配置されており、上層の配線層に接続されるまでの配線領域において、それぞれ寄生容量24を有する。[第3実施形態の動作又は製造方法等]コンタクト7とコンタクト23とを配線で接続し、当該配線上に寄生容量24を形成する。[第3実施形態のメカニズム及び効果]補償容量部22に加えて、コンタクト7とコンタクト23間の寄生容量が増加することにより、単位セル当たりの容量値が増加する。<第4実施形態>以下に、本発明の第4実施形態について説明する。[第4実施形態の構成]図10は、本発明の第4実施形態における補償容量部22の単位セルの平面図を示す概念図である。同図aは、容量部からコンタクト7に至る拡散層2aの形状に関し、領域2aaに示すように階段状に変形し構成した例を示している。同図bは、同じく領域2baに示すように斜めに変形し構成した例を示している。[第4実施形態の動作又は製造方法等]矩形領域25の各辺に対して水平な距離2dを変化させることで、拡散層2a、2bのくり抜き率を調整できる。例えば距離2dを大きくすると、拡散層2a、2bのくり抜き率は向上する。ただし、拡散層2a、2bのコンタクト7に対する囲みは、使用プロセスにより決定される数値に従う。[第4実施形態のメカニズム及び効果]本発明に係る補償容量部22の単位セルのコンデンサ部22からコンタクト7へ至る拡散層2a、2bの形状を、階段状領域2aaもしくは斜めにした形状領域2baとすることで、補償容量部22の単位セルの矩形領域25の各辺上の拡散層2a、2bのくり抜き領域の距離2dを可変することができ、従来技術では50のくり抜き率であったが、本初明ではくり抜き率も調整可能となる。<半導体装置のレイアウト設計、製造>本発明の各実施形態における半導体装置のレイアウト設計を、計算機により行うことが考えられる。このような計算機の例として、PCパソコン、シンクライアントサーバ、ワークステーション、メインフレーム、スーパーコンピュータ等が考えられる。ここでは、計算機によるレイアウト設計を、本発明に係る半導体装置のレイアウト設計方法とする。また、計算機に、該半導体装置のレイアウト設計方法を実行させるために、本発明に係る半導体装置のレイアウト用のプログラムを使用する場合も考えられる。なお、実際には、レイアウト設計方法に限らず、当該レイアウトに基づく半導体の製造方法であっても良い。すなわち、本発明に係る半導体装置の製造装置の一部として、半導体装置のレイアウト設計を行う計算機を使用しても良い。図示しないが、上記のような計算機は、プログラムに基づいて駆動し所定の処理を実行するプロセッサと、当該プログラムや各種データを記憶するメモリとによって実現される。上記のプロセッサの例として、CPUCentralProcessingUnit、マイクロプロセッサmicroprocessor、マイクロコントローラ、或いは、専用の機能を有する半導体集積回路IntegratedCircuitIC等が考えられる。上記のメモリの例として、RAMRandomAccessMemory、ROMReadOnlyMemory、EEPROMElectricallyErasableandProgrammableReadOnlyMemoryやフラッシュメモリ等の半導体記憶装置、HDDHardDiskDriveやSSDSolidStateDrive等の補助記憶装置、又は、DVDDigitalVersatileDisk等のリムーバブルディスクや、SDメモリカードSecureDigitalmemorycard等の記憶媒体メディア等が考えられる。なお、上記のプロセッサ及び上記のメモリは、一体化していても良い。例えば、近年では、マイコン等の1チップ化が進んでいる。したがって、計算機等に搭載される1チップマイコンが、プロセッサ及びメモリを備えている事例が考えられる。但し、実際には、これらの例に限定されない。<各実施形態の関係>なお、上記の各実施形態は、組み合わせて実施することも可能である。<まとめ>以上のように、本発明は、見積もり精度面積率容量値の向上を図った補償容量部のレイアウト構成を有する半導体装置に関する。本発明では、内部電源と、前記内部電源に電源を供給する補償容量部を有する半導体装置の補償容量部のレイアウト配置において、補償容量部を構成する領域に拡散層の矩形領域を配置し、前記拡散層の矩形領域の各辺に対し、各辺の中心が直行する箇所に矩形開口部を有する。また、前記拡散層の矩形領域の中心線近傍に沿ってゲート電極を直行するように形成する。また、前記拡散層の前記矩形領域の四隅に上層の金属層と接続するためのコンタクトを形成する。また、前記ゲート電極と前記拡散層の矩形開口部の重なる箇所にゲート電極と上層の金属層を接続するコンタクトを形成する。また、前記ゲート電極が直行する箇所で容量を形成する。また、補償容量の単位セルを構成する。これにより、従来の課題であったコンデンサの容量値が配置場所で変化するため、容量値の見積もりが煩雑になるという問題を解決する。更に、従来技術では、ゲート電極を直行させた重なり部以外で容量を形成し、容量部が単位セル境界に入っており、見積もり精度が悪かったが、本発明では、ゲート電極重なり部を容量部とし単位セルの境界部に容量部がかからない重複しないようにレイアウト変更し、拡散層上及びゲート電極上のコンタクトを交互に配置することで、見積もり精度及び面積率の向上も期待できる。<付記>上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のように記載することも可能である。但し、実際には、以下の記載例に限定されない。[付記1]内部電源と、前記内部電源に電源を供給する補償容量部を有する半導体装置の補償容量部のレイアウト配置であって、補償容量部を構成する領域に拡散層の矩形領域を配置し、前記拡散層の矩形領域の各辺に対し、各辺の中心が直行する箇所に矩形開口部を有し、前記拡散層の矩形領域の中心線近傍に沿ってゲート電極を直行するように形成し、前記拡散層の前記矩形領域の四隅に上層の金属層と接続するためのコンタクトを形成し、前記ゲート電極と前記拡散層の矩形開口部の重なる箇所にゲート電極と上層の金属層を接続するコンタクトを形成し、前記ゲート電極が直行する箇所で容量を形成し、補償容量の単位セルを構成したことを特徴とする半導体装置。[付記2]付記1に記載の半導体装置であって、前記単位セルは、半導体基板上に行及び列に対してマトリックス状格子状に配置することを特徴とする半導体装置。[付記3]付記1又は2に記載の半導体装置であって、前記拡散層と金属層を接続するコンタクトと、前記ゲート電極と金属層を接続するコンタクトを交互に配置することを特徴とする半導体装置。[付記4]付記1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置であって、前記ゲート電極と上層の金属層を接続するコンタクトを形成した領域の拡散層の端を単位セルの各辺に対し水平方向に変化させることで、拡散層の面積率を調整することを特徴とする半導体装置。<備考>以上、本発明の実施形態を詳述してきたが、実際には、上記の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の変更があっても本発明に含まれる。