"トンネル磁気抵抗素子と、該トンネル磁気抵抗素子の両端子に一端が接続された一対のリード線と、前記一対のリード線の他端に接続され前記トンネル磁気抵抗素子を電圧駆動または電流駆動して抵抗変化を検出する駆動検出回路とを備え、該駆動検出回路が、前記一対のリード線の他端に接続された一対の出力端子間に、少なくとも一対のダイオードを互いに逆向きにして並列に、または少なくとも一対のツェナーダイオードを互いに逆向きにして直列に接続して構成された保護回路を有していることを特徴とする磁気センサ装置。請求項1に記載の磁気センサ装置において、前記駆動検出回路が、前記トンネル磁気抵抗素子を該トンネル磁気抵抗素子から前記駆動検出回路の出力端子までの共振周波数に設定された周波数で電流駆動することを特徴とする磁気センサ装置。請求項2に記載の磁気センサ装置において、前記駆動検出回路が、前記トンネル磁気抵抗素子との間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路を備えていることを特徴とする磁気センサ装置。上記従来の技術には、以下の課題が残されている。すなわち、従来の特許文献1の技術では、常温環境ではTMR素子の絶縁破壊を防止することができるが、TMR素子の設置環境が例えばモータ近傍等の高温環境下であると、保護回路のダイオードが高温のために動作しなくなって保護機能を失ってしまう問題があった。また、特許文献2の技術において、磁気センサの設置環境が高温環境下であると、LC回路が正常に機能しないおそれがあると共に保護回路が無いために駆動回路その他から侵入する異常電圧ノイズ高値による絶縁破壊を防止することができない。なお、特許文献2の技術では、磁界のON,OFF、すなわち発振回路が発振しているか、していないかしか検知できない。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、TMR素子の設置環境が高温環境下であってもTMR素子の絶縁破壊を防ぎ、さらにはノイズの影響を受け難く、高いS/N比を得ることができる磁気センサ装置を提供することを目的とする。本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第1の発明の磁気センサ装置は、トンネル磁気抵抗素子と、該トンネル磁気抵抗素子の両端子に一端が接続された一対のリード線と、前記一対のリード線の他端に接続され前記トンネル磁気抵抗素子を電圧駆動または電流駆動して抵抗変化を検出する駆動検出回路とを備え、該駆動検出回路が、前記一対のリード線の他端に接続された一対の出力端子間に少なくとも一対のダイオードを互いに逆向きにして並列に、または少なくとも一対のツェナーダイオードを互いに逆向きにして直列に接続して構成された保護回路を有していることを特徴とする。この磁気センサ装置では、駆動検出回路が、一対のリード線の他端に接続された一対の出力端子間に少なくとも一対のダイオードを互いに逆向きにして並列に、または少なくとも一対のツェナーダイオードを互いに逆向きにして直列に接続して構成された保護回路を有しているので、TMR素子が高温環境下に設置されても該高温環境下から離れた位置にリード線を介して保護回路を設置することができ、駆動検出回路から侵入する異常電圧ノイズをカットして絶縁破壊を防ぐことができる。また、第2の発明の磁気センサ装置は、第1の発明において、前記駆動検出回路が、前記トンネル磁気抵抗素子を該トンネル磁気抵抗素子から前記駆動検出回路の出力端子までの共振周波数に設定された周波数で電流駆動することを特徴とする。この磁気センサ装置では、駆動検出回路が、共振周波数でTMR素子を電流駆動するので、検出したTMR素子の電流変化または抵抗変化を復調し、磁界によるTMR素子の抵抗変化を検知することで、長いリード線にノイズが混入しても該ノイズの周波数が駆動電流の周波数と異なるため、ノイズが出力に影響をほとんど与えず、高いS/N比を得ることができる。さらに、第3の発明の磁気センサ装置は、第2の発明において、前記駆動検出回路が、前記トンネル磁気抵抗素子との間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路を備えていることを特徴とする。すなわち、この磁気センサ装置では、駆動検出回路が、TMR素子との間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路を備えているので、インピーダンス調整回路によりTMR素子から駆動検出回路までの共振周波数に共振させてインピーダンスマッチングを図り、リード線のインダクタンス成分やコンデンサ成分等と共に共振回路を構成し、TMR素子への駆動電流が最大となるインピーダンスに調整することで、共振状態を容易に得ることができる。本発明によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本発明に係る磁気センサ装置によれば、駆動検出回路が、一対のリード線の他端に接続された一対の出力端子間に少なくとも一対のダイオードを互いに逆向きにして並列に、または少なくとも一対のツェナーダイオードを互いに逆向きにして直列に接続して構成された保護回路を有しているので、TMR素子が高温環境下に設置されても異常電圧ノイズをカットして絶縁破壊を防ぐことができる。さらに、駆動検出回路が、共振周波数でTMR素子を電流駆動すると共に、検出したTMR素子の抵抗変化を復調し、磁界によるTMR素子の抵抗変化を検知することで、長いリード線に混入するノイズの影響を低減して、高いS/N比を得ることができる。したがって、高温環境下でも絶縁破壊が生じず、高い信頼性が得られると共に、高精度な磁気測定が可能となる。以下、本発明に係る磁気センサ装置の一実施形態を、図1から図6を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能又は認識容易な大きさとするために縮尺を適宜変更している。本実施形態の磁気センサ装置1は、図1および図2に示すように、トンネル磁気抵抗素子以下、TMR素子とも称す2と、該TMR素子2の両端子に一端が接続された一対のリード線3と、一対のリード線3の他端に接続されTMR素子2を電流駆動して抵抗変化を検出する駆動検出回路4とを備えている。また、この磁気センサ装置1は、TMR素子2が例えばモータ近傍等の高温環境H下例えば85°Cを超えた温度の環境下に設置されると共に、駆動検出回路4が、リード線3を介して高温環境Hから離間した常温環境L下例えば-40°C~85°Cの温度環境下に設置されて使用される。上記駆動検出回路4は、TMR素子2を電流駆動して抵抗変化を検出するIC等からなる検出回路本体5と、一対のリード線3の他端に接続された一対の出力端子4a間に少なくとも一対のダイオード6aを互いに逆向きにして並列に接続して構成された保護回路6と、保護回路6と検出回路本体5との間に接続されTMR素子2との間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路7とを有している。なお、保護回路6において、図4に示すように、一対の出力端子4a間に少なくとも一対のツェナーダイオード6bを互いに逆向きにして直列接続しても構わない。また、保護回路6は、駆動検出回路4の出力端子4aを有したコネクタ部に内蔵させても構わない。上記検出回路本体5は、TMR素子2を該TMR素子2から駆動検出回路4の出力端子4aまでの共振周波数に設定された周波数で電流駆動すると共に、検出したTMR素子2の抵抗変化を前記電流駆動の周波数に基づいて復調し、磁界によるTMR素子2の抵抗変化を検知する機能を有している。上記検出回路本体5は、TMR素子2を上記周波数で電流駆動して抵抗変化を検出するICを搭載しており、上記周波数で電流駆動する変調回路、検出した抵抗の信号を復調する復調回路、TMR素子2の抵抗の信号を増幅するアンプ、増幅した信号をアナログからデジタルへ変換するA/Dコンバータ等を備えている。例えば、検出回路本体5において復調回路に包絡線検波回路を採用した場合、図6のaに示すように、電流の変調駆動波形である振幅変調波が検出されると、復調前の波形が、図6のbに示すように半波整流波形になると共に、復調後の出力波形が、図6のcに示すように半波整流波形より高周波成分が取り除かれ、図6のbにおける包絡線とほぼ同じ出力が得られる。上記ダイオード6aは、例えば降伏電圧耐電圧Vb:0.5V~Vb:0.8Vのダイオードが採用される。また、このダイオード6aとしては、通常のダイオード以外にツェナーダイオード6b等が採用可能である。上記一対のリード線3は、より対線いわゆるツイストペアケーブルである。上記TMR素子2は、図3に示すように、例えば反強磁性層11、固定磁化層12、絶縁層13、自由磁化層14の順に積層された構造を有している。例えば、反強磁性層11は、IrMn層厚さ15nmで構成され、固定磁化層12は、CoFe層厚さ2nm/Ru層厚さ0.8nm/CoFeB層厚さ3nmの積層で構成されている。また、絶縁層13は、MgO層厚さ1.2nmであり、自由磁化層14は、CoFeB層厚さ3nmである。これらの積層を挟むように自由側電極層と固定側電極層とが形成されている図示せず。なお、固定側電極層および自由側電極層は、直接一対の端子図示略に接続されるか、ワイヤーボンディング等の他の配線を介して一対の端子図示略に電気的に接続されている。また、本実施形態では、一つのTMR素子2を接続しているが、複数のTMR素子2を接続しても構わない。この磁気センサ装置1では、図2の等価回路に示すように、TMR素子2が、並列接続されたコンデンサ成分と可変抵抗成分とを有し、ツイストペア分布定数線路であるリード線3が、直列接続されたインダクタ成分および抵抗成分と、リード線3間に並列接続された抵抗成分およびコンデンサ成分とを有している。上記インピーダンス調整回路7は、駆動検出回路4のICから供給する電流が最大となるように、すなわち共振状態駆動電流の周波数に応じて全インピーダンスの虚部の大きさが変化するが、この虚部がゼロとなる状態となるようにインピーダンスマッチングするチューナーである。したがって、予め磁界検出前に、インピーダンス調整回路7によって駆動電流が最大となるようにチューニングをし、この状態で、磁界検出を行う。なお、このインピーダンス調整回路7は、インピーダンスを自動調整する回路であっても、また手動で調整する回路であっても構わない。このインピーダンス調整回路7として、例えば図5に示すように、一対の可変容量例えば、印加電圧により容量を調整可能なバリキャップC1,C2を、保護回路6を介して一対の出力端子4aに接続された一対の配線7a間に並列に接続したもの等が採用される。すなわち、このインピーダンス調整回路7では、一方の配線7aにインダクタンスLを接続し、このインダクタンスLの両側に一対の可変容量C1,C2の一端を接続し、他端を他方の配線7a側に接続して、一対の配線7a間に並列に一対の可変容量C1,C2を接続している。このように本実施形態の磁気センサ装置1では、駆動検出回路4が、一対のリード線3の他端に接続された一対の出力端子4a間に少なくとも一対のダイオード6aを互いに逆向きにして並列に接続して構成された保護回路6を有しているので、TMR素子2が高温環境H下に設置されても該高温環境H下から離れた位置にリード線3を介して保護回路6を設置することができ、駆動検出回路4から侵入する異常電圧ノイズをカットして絶縁破壊を防ぐことができる。また、駆動検出回路4が、共振周波数でTMR素子2を電流駆動するので、検出したTMR素子2の電流変化または抵抗変化を復調し、磁界によるTMR素子2の抵抗変化を検知することで、長いリード線3にノイズが混入しても該ノイズの周波数が駆動電流の周波数と異なるため、ノイズが出力に影響をほとんど与えず、高いS/N比を得ることができる。例えば、スイッチング電源からの異常電圧ノイズの周波数がMHzオーダーである場合、これよりも上記共振周波数である電流周波数が低いため、ノイズの影響を受け難い。なお、ホール素子などでは、出力はホール電圧と呼ばれる電圧であるが、ホール電圧が小さいためにリード線を延ばすと雑音を拾ってしまい、S/N比の低下が顕著になってしまう。さらに、駆動検出回路4が、TMR素子2との間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路7を備えているので、インピーダンス調整回路7によりTMR素子2から駆動検出回路4までの共振周波数に共振させてインピーダンスマッチングを図り、リード線3のインダクタンス成分やコンデンサ成分等と共に共振回路を構成し、TMR素子2への駆動電流が最大となるインピーダンスに調整することで、共振状態を容易に得ることができる。次に、本発明に係る磁気センサ装置を、実際に作製して評価した結果を説明する。<実施例1>本発明の実施例1では、保護回路として、閾値電圧Vb:0.5V~Vb:0.8Vの一対のダイオードを並列接続したものを採用した。また、耐電圧1Vかつ素子抵抗10kΩのTMR素子を、駆動中のモータ近傍の高温環境200°Cに設置すると共に、駆動検出回路は室温25°Cに保たれた常温環境に設置した。なお、リード線は、1mのツイストペアケーブルを使用した。この実施例において、TMR素子と駆動検出回路とをリード線を介して接続したところ、保護回路により出力端子電圧が最大0.6Vに制限され、TMR素子の耐電圧1Vを超えることがないため、TMR素子が絶縁破壊されなかった。なお、比較のため、TMR素子を保護回路がない駆動検出回路出力5Vに接続したところ、TMR素子が絶縁破壊されてしまった。また、実施例1において、TMR素子を周波数f=1kHzの電流10μAで交流駆動したところ、リード線から周波数f’=1MHzのノイズが侵入したが、S/N比の低下はみられなかった。なお、比較のため、TMR素子を直流電流10μAで駆動したところ、リード線から周波数f’=1MHzで1μA相当のノイズが侵入し、S/N比が低下してしまった。<実施例2>本発明の実施例2では、保護回路として、降伏電圧耐電圧Vb:3Vの一対のツェナーダイオードを直列接続したものを採用した。また、耐電圧5Vかつ素子抵抗10kΩのTMR素子を駆動中のモータ近傍の高温環境200°Cに設置すると共に、駆動検出回路は室温25°Cに保たれた常温環境に設置した。なお、他の構成は実施例1と同様である。この実施例において、TMR素子と駆動検出回路とをリード線を介して接続したところ、保護回路により出力端子電圧が最大3.6Vに制限され、TMR素子の耐電圧5Vを超えることがないため、TMR素子が絶縁破壊されなかった。このように本発明の実施例では、TMR素子の絶縁破壊が防止できると共に、ノイズ侵入によるS/N比の低下を抑制することができる。なお、本発明の技術範囲は上記実施形態および上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。"