"p型のシリコン基板、および前記シリコン基板の上に形成されたn型のシリコンからなるn型シリコン受光層を備える第1太陽電池サブセルと、n型の窒化物半導体からなる半導体基板の上に結晶成長することで形成された、n型の窒化物半導体からなるn型窒化物受光層およびp型の窒化物半導体からなるp型窒化物受光層を備える第2太陽電池サブセルと、前記p型窒化物受光層の上に形成されたn型の窒化物半導体からなる接合層とを備え、前記n型シリコン受光層および前記接合層が接合されて前記第1太陽電池サブセルおよび前記第2太陽電池サブセルが一体とされ、前記n型シリコン受光層の上に,前記接合層,p型窒化物受光層,n型窒化物受光層,および前記半導体基板が、これらの順に積層され、前記p型窒化物受光層および前記n型窒化物受光層は、同じバンドギャップとされ、前記p型窒化物受光層および前記n型窒化物受光層は、シリコンと前記半導体基板との間のバンドギャップとされ、加えて、前記p型窒化物受光層および前記n型窒化物受光層は、シリコンと前記接合層との間のバンドギャップとされていることを特徴とするタンデム太陽電池セル。請求項1記載のタンデム太陽電池セルにおいて、前記p形窒化物受光層と前記接合層とは、自発分極が異なることを特徴とするタンデム太陽電池セル。以上に説明したように、シリコンおよび窒化物半導体を用いた従来のタンデム太陽電池セルにおいては、2つの太陽電池サブセルの間の電気伝導性が阻害され、効率よく発電することができないという問題があった。また、従来では、シリコンの111面を用いることに制限され、例えば、より一般的である100面を用いるなど、任意の面方位のシリコン基板を用いることができないなど、製造上の様々な制限があり、容易に製造できないという問題があった。本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、より容易に製造できる状態で、2つの太陽電池サブセルの間の良好な電気伝導性が得られて効率よく発電ができるようにすることを目的とする。本発明に係るタンデム太陽電池セルは、p型のシリコン基板、およびシリコン基板の上に形成されたn型のシリコンからなるn型シリコン受光層を備える第1太陽電池サブセルと、n型の窒化物半導体からなる半導体基板の上に結晶成長することで形成された、n型の窒化物半導体からなるn型窒化物受光層およびp型の窒化物半導体からなるp型窒化物受光層を備える第2太陽電池サブセルと、p型窒化物受光層の上に形成されたn型の窒化物半導体からなる接合層とを備え、n型シリコン受光層および接合層が接合されて第1太陽電池サブセルおよび第2太陽電池サブセルが一体とされ、n型シリコン受光層の上に,接合層,p型窒化物受光層,n型窒化物受光層,および半導体基板が、これらの順に積層され、p型窒化物受光層およびn型窒化物受光層は、同じバンドギャップとされ、p型窒化物受光層およびn型窒化物受光層は、シリコンと半導体基板との間のバンドギャップとされ、加えて、p型窒化物受光層およびn型窒化物受光層は、シリコンと接合層との間のバンドギャップとされている。上記タンデム太陽電池セルにおいて、p形窒化物受光層と接合層とは、自発分極が異なるようにしてもよい。以上説明したことにより、本発明によれば、より容易に製造できる状態で、2つの太陽電池サブセルの間の良好な電気伝導性が得られて効率よく発電ができるようになるという優れた効果が得られる。以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。[実施の形態1]はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1は、本発明の実施の形態1におけるタンデム太陽電池セルの構成を示す構成図である。図1では、断面を模式的に示している。このタンデム太陽電池セルは、まず、p型のシリコン基板101、およびシリコン基板101の上に形成されたn型のシリコンからなるn型シリコン受光層102から構成された第1太陽電池サブセル110を備える。また、本実施の形態におけるタンデム太陽電池セルは、n型の窒化物半導体からなる半導体基板103の上に結晶成長することで形成されたn型の窒化物半導体からなるn型窒化物受光層104およびp型の窒化物半導体からなるp型窒化物受光層105から構成された第3太陽電池サブセル120と、p型窒化物受光層105の上に形成されたn型の窒化物半導体からなる接合層106とを備える。また、n型シリコン受光層102および接合層106で接合されて第1太陽電池サブセル110および第2太陽電池サブセル120が一体とされ、n型シリコン受光層102の上に,接合層106,p型窒化物受光層105,n型窒化物受光層104,および半導体基板103が、これらの順に積層されたものとされている。p型窒化物受光層105と接合層106とによりトンネル接合が形成されている。また、n型シリコン受光層102と接合層106との界面は、異種材料間接着面となる。加えて、p型窒化物受光層105およびn型窒化物受光層104は、同じバンドギャップエネルギーとされ、p型窒化物受光層105およびn型窒化物受光層104は、シリコンと半導体基板103との間のバンドギャップエネルギーとされ、p型窒化物受光層105およびn型窒化物受光層104は、シリコンと接合層106との間のバンドギャップエネルギーとされている。なお、シリコン基板101の側には、アノード電極107が形成され、半導体基板103の側には、カソード電極108が形成されている。カソード電極108は、例えば、平面視櫛形に形成されている。例えば、p型窒化物受光層105およびn型窒化物受光層104をInxGaN0<x<0.75から構成し、接合層106をInyGaNy<xから構成することで、上述したバンドギャップエネルギーの関係が得られる非特許文献3参照。次に、製造方法について簡単に説明する。まず、シリコン基板101を用意し、用意したシリコン基板101にn型不純物をイオン注入によって導入し、活性化アニールを行うことによってn型シリコン受光層102を形成する。また、シリコン基板101の裏面に、アノード電極107を形成する。これらのことにより、第1太陽電池サブセル110が作製できる。一方、第2太陽電池サブセル120については、まず、例えばn型の導電性を有し、主表面が0001のGaNからなる半導体基板103を用意する。次に、半導体基板103の上に、例えば、有機金属気相成長MOCVD法によりn型のInGaNをエピタキシャル成長することでn型窒化物受光層104を形成し、続いて、p型のInGaNをエピタキシャル成長することでp型窒化物受光層105を形成し、続いて、これらの材料より大きいバンドギャップエネルギーを有するn型の窒化物半導体をエピタキシャル成長することで接合層106を形成する。また、半導体基板103の裏面に、Ti/Al/Ni/Auからなり櫛形の形状を有するカソード電極108を形成する。ここで、カソード電極108を形成するときの熱処理において、p型のInGaNからなるp型窒化物受光層105中でアクセプタを不活性化している水素を、接合層106を介しての拡散によって外部へ放出させることができる。これにより、p型窒化物受光層105におけるアクセプタの活性化率を向上させることができる。上述したように、第1太陽電池サブセル110および第2太陽電池サブセル120を作製したら、接合層106とn型シリコン受光層102とを、例えばウェハボンディングによりメカニカルスタック接合させることで、異種材料界面を介して電気的に接続する。これにより、本実施の形態におけるタンデム太陽電池セルが作製される。ここで、前述したように接合層106は、n型窒化物受光層104およびp型窒化物受光層105と比較して、バンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体から構成する。このような材料は、例えば、GaN~InGaNがある。特に、接合層106をGaNから構成すれば、GaNの伝導帯端とシリコンの伝導帯端はほぼ一致するので非特許文献3参照、接合層106とn型シリコン受光層102との接合において、電子の流れを阻害するバリア障壁は著しく低い状態となる。上述した異種材料界面の状態を、実験的に確認した結果について図2を用いて説明する。図2は、n型のGaN層とn型のシリコン層とのメカニカルスタック接合の典型的な電流電圧特性を示している。図2に示すように、n型のGaN層とn型のシリコン層との間の異種材料接着面を介し、オーミック性を示す良好な電流電圧特性が実現されていることがわかる。次に、動作について説明する。まず、半導体基板103のカソード電極108形成面裏面から太陽光を入射する。半導体基板103は、可視光を透過する材料から形成されているので、入射された太陽光は、半導体基板103を透過し、n型InGaNからなるn型窒化物受光層104およびp型InGaNからなるp型窒化物受光層105へと到達する。太陽光の中で、InGaNのバンドギャップエネルギーと比較して短波長の成分は、第2太陽電池サブセル120で吸収され発電に寄与する。一方、InGaNのバンドギャップエネルギーと比較して長波長の成分は、第2太陽電池サブセル120を透過する。また、接合層106は、InGaNと比較してバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体例えばGaNから形成しているので、第2太陽電池サブセル120を透過した光はすべて接合層106を透過し、第1太陽電池サブセル110に到達する。第2太陽電池サブセル120は、バンドギャップエネルギーがシリコンより大きいInGaNから構成されているので、第2太陽電池サブセル120を透過した光にはシリコンのバンドギャップエネルギーと比較して波長の短い成分が含まれる。このような太陽光の成分は、第1太陽電池サブセル110において吸収され発電に寄与する。上述した本実施の形態のおけるタンデム太陽電池セルでは、第1太陽電池サブセル110および第2太陽電池サブセル120が、n-on-p構造となっているので、p-on-n構造と比較して、より高効率の太陽電池セルが実現されている。更に、図2を用いて説明したように、本実施の形態によれば、異種材料接着面を介したn型シリコン受光層102と接合層106との間の接合が良好な電気特性を示す。また、p型窒化物受光層105および接合層106からなるトンネル接合において、従来構造のようなキャリア輸送特性を阻害するバリア障壁が存在しない状態としている。このように、本実施の形態のタンデム太陽電池セルによれば、従来構造と比較して良好な特性が実現される。[実施の形態2]次に、本発明の実施の形態2について図3を用いて説明する。図3は、本発明の実施の形態2におけるタンデム太陽電池セルの構成を示す構成図である。図3では、断面を模式的に示している。このタンデム太陽電池セルは、まず、p型のシリコン基板301、およびシリコン基板301の上に形成されたn型のシリコンからなるn型シリコン受光層302から構成された第1太陽電池サブセル310を備える。また、本実施の形態におけるタンデム太陽電池セルは、n型の窒化物半導体からなる半導体基板303の上に結晶成長することで形成されたn型の窒化物半導体からなるn型窒化物受光層304およびp型の窒化物半導体からなるp型窒化物受光層305から構成された第3太陽電池サブセル320と、p型窒化物受光層305の上に形成されたn型の窒化物半導体からなる接合層306とを備える。また、n型シリコン受光層302および接合層306で接合されて第1太陽電池サブセル310および第2太陽電池サブセル320が一体とされ、n型シリコン受光層302の上に,接合層306,p型窒化物受光層305,n型窒化物受光層304,および半導体基板303が、これらの順に積層されたものとされている。p型窒化物受光層305と接合層306とによりトンネル接合が形成されている。また、n型シリコン受光層302と接合層306との界面は、異種材料間接着面となる。また、p型窒化物受光層305およびn型窒化物受光層304は、同じバンドギャップエネルギーとされ、p型窒化物受光層305およびn型窒化物受光層304は、シリコンと半導体基板303との間のバンドギャップエネルギーとされ、p型窒化物受光層305およびn型窒化物受光層304は、シリコンと接合層306との間のバンドギャップエネルギーとされている。また、シリコン基板301の側には、アノード電極307が形成され、半導体基板303の側には、カソード電極308が形成されている。カソード電極308は、例えば、平面視櫛形に形成されている。上述した構成は、前述した実施の形態1と同様である。本実施の形態2では、p形窒化物受光層305と接合層306とが、自発分極が異なるようにしている。例えば、p型窒化物受光層305およびn型窒化物受光層304をInxAlN0.32<x<0.77から構成し、接合層306をInyGaNy<xから構成すればよい。この構成とすることで、上述したバンドギャップエネルギーの関係が得られ非特許文献4参照、加えて、p形窒化物受光層305と接合層306との自発分極が、異なる状態となる。窒化物半導体は、結晶成長方向に自発分極を有するが、上述した構成としたp形窒化物受光層305の自発分極の値と、接合層306の自発分極の値とは異なるものとなり、p形窒化物受光層305と接合層306との界面において、自発分極の値が変化する。このように、自発分極の値が変化する面には、面状に2つの層間の自発分極差に起因する電荷が生じる面分極電荷面が形成されるようになる。上述した材料の組み合わせでは、p型窒化物受光層305および接合層306の自発分極はともに負の値となり、かつ、p型窒化物受光層305の自発分極の絶対値は、接合層306の自発分極の絶対値と比較して大きい。これらの条件が成り立つ場合は、以下に具体的に示すように、分極電荷面の電荷は負電荷となる非特許文献5参照。言い換えると、p型窒化物受光層305および接合層306の界面に、アクセプタがドーピングされている状態と同一の効果をもたらす。例えば、接合層306をGaNから構成し、p型窒化物受光層305をIn組成0.5のInAlNIn05Al05Nから構成する場合、接合層306中の自発分極は、GaNの自発分極である-0.029C/m2となる。また、p型窒化物受光層305中の自発分極は、InNの自発分極-0.032C/m2とAlNの自発分極-0.081C/m2の中間値である-0.0565C/m2となる非特許文献5,TABLEIII参照。第2太陽電池サブセル320の作製で、例えば、MOCVD法により結晶成長を行えば、エピタキシャル結晶表面がIII族原子面により覆われるような成長モードによって第2太陽電池サブセル320の各層が結晶成長するようになる。このIII族極性の成長モードにおいては、負の値の自発分極は、自発分極の向きが結晶成長の向きと逆になる。図3においては、負の値の自発分極の向きは、紙面の下側から上側の方向の向きとなる非特許文献5、FIG7abc参照。接合層306の自発分極の絶対値と比較してp型窒化物受光層305の自発分極の絶対値が大きいので、これら自発分極差によって界面に形成される分極電荷面の電荷は負電荷となり、面状にアクセプタがドーピングされている状況と電気的に等価となる。接合層306をGaNから構成し、p型窒化物受光層305をIn05Al05Nから構成する場合においては、自発分極差により1.7E13cm2程度の面密度のアクセプタと等価の分極電荷面が、界面に発生する。分極電荷面は、p型窒化物受光層305中の空乏層厚を短縮し、トンネル接合の輸送特性を改善する作用を有する。この結果、第1太陽電池サブセル310と第2太陽電池サブセル320との電気導通がより改善されるようになる。以上に説明したように、本発明によれば、第1太陽電池サブセルと第2太陽電池サブセルとの間に電子および正孔に対するバリア障壁が形成されることが無い。また、第1太陽電池サブセルにおいては、より高い発電効率が得られるn-on-p構造とすることができる。また、第1太陽電池サブセルにおいては、シリコン基板の結晶方位に制限はなく、例えば、最も一般的に用いられている面方位が100のシリコン結晶基板を用いることができる。また、自発分極の状態を制御することで、2つの太陽電池サブセルの間の電気導通をより改善することができる。なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、上述した実施の形態では、窒化物半導体からなる第2太陽電池サブセルをシングルセルとした場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、n型GaN基板の上にバンドギャップの異なる窒化物半導体からなる複数のサブセルを連続的に結晶成長し、これらと、シリコンからなる第1太陽電池サブセルとを異種材料界面を介して接続してもよい。また、第2太陽電池サブセルにおいては、受光層を多重量子井戸構造としてもよいことは言うまでもない。例えば、p型半導体受光層とn型半導体受光層との間に、これらを構成する材料の組成を制御することで形成した量子井戸層と障壁層とを積層したMQWMultiQuantumWellを配置すればよい。また、パッシベーション膜、BSFBackSurfaceField層、ダブルヘテロ構造トンネル接合など、公知の発電効率を高めるための様々な変更を施してもよい。例えば、第1太陽電池サブセルのn型シリコン受光層の上に、高濃度に不純物を導入したBSF層を形成してもよい。この場合、BSF層と第2太陽電池セルの接合層とが接する構造となるが、前述した実施の形態と同様である。"