"パワー半導体素子と、当該パワー半導体素子と接続される導体部材とを有する回路体と、前記回路体を収納するケースと、前記回路体と前記ケースとを接続する接続部材と、を備えるパワー半導体モジュールであって、前記ケースは、前記回路体を挟むように対向して配置された第1放熱部材及び第2放熱部材と、当該第1放熱部材と当該第2放熱部材と繋ぐ側壁と、当該第1放熱部材の周囲に形成されかつ当該側壁に接続される中間部材と、を備え、前記中間部材は、前記収納部材の収納空間に向かって凸となるように湾曲した部分が形成されるパワー半導体モジュール。請求項1に記載されたパワー半導体モジュールであって、前記第1放熱部材と前記中間部材との接続部を第1接続部と定義するとともに前記側壁と前記中間部材との接続部を第2接続部と定義した場合、前記中間部材に形成される凸部は、前記第1接続部と前記第2接続部を結ぶ線分の位置よりも前記回路体が配置された側に凸形状を為すパワー半導体モジュール。請求項2に記載のパワー半導体モジュールであって、前記凸部の頂点が、前記第1接続部と前記第2接続部を結ぶ線分の中間部に形成されるパワー半導体モジュール。請求項2に記載のパワー半導体モジュールであって、前記凸部の頂点が、前記第1接続部と前記第2接続部を結ぶ線分の中間部よりも前記第1接続部に近い側に形成されるパワー半導体モジュール。請求項2に記載のパワー半導体モジュールであって、前記凸部の頂点が、前記第1接続部と前記第2接続部を結ぶ線分の中間部よりも前記第2接続部に近い側に形成されるパワー半導体モジュール。請求項2に記載のパワー半導体モジュールであって、前記第1接続部は、前記第1放熱部材の角部であり、前記第2接続部は、前記中間部材の角部であるパワー半導体モジュール。請求項6に記載のパワー半導体モジュールであって、前記第1放熱部材の放熱面から投影した場合において、前記中間部材に形成された凸部の投影部は、前記第1接続部の角部を形成するための前記第1放熱部材の隣り合う2つの辺に沿って屈曲する形状を為すパワー半導体モジュール。請求項1に記載されたパワー半導体モジュールであって、前記中間部材の湾曲した部分は、塑性変形されているパワー半導体モジュール。半導体素子と、前記半導体素子の電極面とはんだを介して接続される導体板とを有する回路体と、前記回路体の一方の面と対向する第1放熱板と、前記回路体の一方の面とは反対側の他方の面と対向する第2放熱板と、前記第1放熱板と前記第2放熱板を接続しかつ前記回路体を挿入するための開口を形成する中間部材とを有する金属製のケースと、を備えるパワー半導体モジュールの製造方法であって、前記ケースの開口から前記回路体を挿入する第1工程と、前記第1放熱板と前記第2放熱板によって前記回路体を挟むように、前記ケースの前記中間部材の一部を変形させる第2工程と、前記ケースの前記中間部材の一部を更に変形する第3工程と、前記ケース及び前記回路体に高温処理を施す第4工程と、を有するパワー半導体モジュールの製造方法。請求項9に記載されたパワー半導体モジュールの製造方法であって、前記第4工程の前記高温処理は、120°C~180°Cであるパワー半導体モジュールの製造方法。請求項9又は10に記載されたいずれかのパワー半導体モジュールの製造方法であって、前記パワー半導体モジュールは、前記第1放熱板と前記第2放熱板の少なくとも一方と前記回路体とを接合する絶縁性のシートを有し、前記シートは、前記第3工程の前記高温処理によって接着力が増加するパワー半導体モジュールの製造方法。直流電流を交流電流に変換するパワー半導体素子を備えるパワー半導体モジュールと、前記パワー半導体素子を冷却するための冷媒を流す流路を形成する流路形成体と、を備えた電力変換装置であって、前記パワー半導体モジュールは、前記パワー半導体素子と接続される導体部材を有する回路体と、前記回路体を収納するケースと、前記回路体と前記ケースとを接続する接続部材と、を有し、前記ケースは、前記回路体を挟むように対向して配置された第1放熱部材及び第2放熱部材と、当該第1放熱部材と当該第2放熱部材と繋ぐ側壁と、当該第1放熱部材の周囲に形成されかつ当該側壁に接続される中間部材と、を備え、前記中間部材は、前記収納部材の収納空間に向かって凸となるように湾曲した部分が形成され、さらに前記ケースは、前記第1放熱部材及び第2放熱部材が前記冷媒と直接接触するように前記流路形成体に固定される電力変換装置。本発明の課題は、パワー半導体装置及びそれを用いた電力変換装置の信頼性を向上させることである。本発明によるパワー半導体装置の一態様は、パワー半導体素子と、当該パワー半導体素子と接続される導体部材とを有する回路体と、前記回路体を収納する袋状の収納部材と、前記回路体と前記収納部材とを接続する接続部材と、を備えるパワー半導体モジュールであって、前記収納部材は、前記回路体を挟みかつ保持するように対向して配置された第1放熱部材及び第2放熱部材と、当該第1放熱部材と当該第2放熱部材と繋ぐ側壁と、当該第1放熱部材の周囲に形成されかつ当該側壁に接続される中間部材と、を備え、前記中間部材に、前記収納部材の収納空間に向かって凸となるように湾曲した部分を形成することで、湾曲部分のバネ力により、前記接続部材への残留応力を低減するものである。本発明により、パワー半導体装置及びそれを用いた電力変換装置の信頼性を向上させることができる。以下、実施例について図面を用いて説明する。図1aは本発明の第一の実施形態に係るパワー半導体モジュール300の一方側の斜視図であり、図1bはパワー半導体モジュール300の他方側の斜視図であり、図1cはパワー半導体モジュール300を図1a及びbに示された断面Aで切断して方向Bから見たときの断面図である。図1a及びbに示されるように、パワー半導体モジュール300は、後述する半導体素子1を内蔵する回路体100を収納するケース5を有する。ケース5は、直方体形状を為しており、最も大きい面を形成する第1放熱部材5A及び第2放熱部材5Bと、側面を形成する側壁5Cにより構成される。またケース5は、複数の側面のうちの一面に、回路体100を挿入するための開口5Gを形成する。第1放熱部材5A及び第2放熱部材5Bは、回路体100を介して、互いに対向して形成される。中間部材5Dは、第1放熱部材5Aを囲んで配置され、かつ当該第1放熱部材5Aと側壁5Cを接続する。同様に、間部材5Eは、第2放熱部材5Bを囲んで配置され、かつ当該第2放熱部材5Bと側壁5Cを接続する。ケース5は、例えば熱伝導率の高いAl,Al合金,Cu,Cu合金等を用いる。なお、ケース5の内壁と回路体100の間には、接合部材6が配置される。接合部材6は、例えば接着性と絶縁性の高い樹脂部材を用いる。このとき、接合部材6に、はんだ材,微細金属粒子を含んだ低温焼結接合材,微細金属粒子を含んだ導電性接着剤等を用いることも可能であるが、接合部材6が導電性の場合は、回路体100とケース5の間には絶縁性の部材、例えば窒化アルミ,アルミナ,窒化珪素などのセラミック部材やセラミックと金属の積層材を挿入し、接合することが必要となる。図1cに示されるように、回路体100は、半導体素子1と、半導体素子1の一方の電極面と接合部材2Aを介して接続される導体板3Aと、半導体素子1の他方の電極面と接合部材2Bと接続される導体板3Bと、半導体素子1と導体板3Aと導体板3Bを封止する封止材4を有する。封止材4は、半導体素子1が配置された側とは反対側の導体板3A及び導体板3Bの面が露出するように形成される。半導体素子1は、例えばSi,SiC,GaNなどである。接合部材2A及び2Bは、例えばはんだ材,微細金属粒子を含んだ低温焼結接合材,微細金属粒子を含んだ導電性接着剤等である。導体板3A及び導体板3Bは、例えば電気伝導率や熱伝導率の高いCu,Cu合金やAl,Al合金等を用いる。ケース5の中間部材5Dは、ケース5の収納空間に向かって凸となるように湾曲した部分が形成される。つまり、側壁5Cと中間部材5Dの接続部分を第1接続部5Hと定義し、かつ第1放熱部材5Aと中間部材5Dの接続部分を第2接続部5Iと定義した場合、中間部材5Dに形成される凸部は、第1接続部5Hと第2接続部5Iを結ぶ線分の位置よりも回路体100が配置された側に凸形状を為している。図2a乃至eは、本実施形態に関するパワー半導体モジュール300の組立工程を示す図である。図2aに示される第一の組立工程にて、接合部材6が取り付けられた回路体100を、開口5Gからケース5内へ挿入する。なお接合部材6は、回路体100の一面の全てないしは一部の領域において、例えば金属接合や接着,塗布などにより固定されており、双方位置ずれしない状態が好ましい。次に、図2bに示される第二の組立工程にて、第1放熱部材5Aの面に対して略垂直方向に押圧力が加えられる。これにより中間部材5Dが変形させられ、接合部材6とケース5の内壁が密着する。また、第1放熱部材5Aへの押圧力により、接合部材6と回路体100との接着力も向上させる。このとき、中間部材5Dを変形させたことによる反力が発生してしまう。この反力は、第1放熱部材5Aを回路体100が配置された側とは反対側へ引っ張る方向に作用する。この状態では、接合部材6に、第1放熱部材5Aを回路体100が配置された側とは反対側へ引っ張っている残留応力が付加されてしまうことになる。図2cは、第二の組立工程の終了後のパワー半導体モジュール300の断面図である。そこで、図2dに示される第三の組立工程にて、ケース5の中間部材5Dを、ケース5の収納空間に向かって凸となるように変形させ、湾曲した部分を形成する。これにより、第二の組立工程で中間部材5Dに発生した反力が低減する。これは、中間部材5Dを収納空間に向かって凸となるように湾曲させると、その変形の反力が、第1放熱部材5Aを回路体100側へ押しつける方向に作用するためである。なお、中間部材5Dの凸部分は塑性変形させることにより、前記反力を十分に低減することができる。図2eは、第三の組立工程の終了後のパワー半導体モジュール300の断面図である。図3aは本実施形態のパワー半導体モジュール300の断面図であり、図3bは図3aの点線囲み部の拡大図である。ここで、中間部材5Dに形成される凸部の頂点を凸頂点部7と定義する。さらに、第1放熱部材Aの放熱面と平行な方向における第1接続部5Hと凸頂点部7との距離を5Jと定義し、放熱部材Aと平行な面に投影した場合における第2接続部5Iと凸部頂点7との距離を5Kと定義する。図3bに示される実施形態においては、距離5Kが距離5Jよりも大きくなるように、中間部材5Dの凸部が形成されている。図4は、中間部材5Dの幅方向第1接続部5Hと第2接続部5Iとの間の中心位置から凸頂点部7までの距離と、第三の組立工程終了後における接合部材6の応力の関係を示した図である。ここで、中間部材5Dの幅方向の中心位置から凸頂点部7までの距離がゼロの場合は、凸頂点部7は中間部材5Dの中央に形成されることになる。また中間部材5Dの幅方向の中心位置から凸頂点部7までの距離がマイナス側であれば、凸頂点部7は第1放熱部材5Aに近い側に形成されることになる。また中間部材5Dの幅方向の中心位置から凸頂点部7までの距離がプラス側であれば、凸頂点部7は側壁5Cに近い側に形成されることになる。なお、接合部材6の応力の値は、第三の組立工程を模擬した有限要素解析の結果であり、中間部材5Dの幅方向の中心位置から凸頂点部7までの距離がゼロの時の応力値を基準に正規化した値である。これによれば、凸頂点部7が側壁5Cに近い側に形成さればされるほど、第三工程で接合部材6に発生する応力が小さくなっている。したがって、図3に示す実施形態のように、距離5Kに比べて距離5Jの方が長くなるように、中間材5Dの凸部が形成されることで、接合部材6や回路体100の損傷を抑制することができる。図5aは他の実施形態のパワー半導体モジュール300の断面図であり、図5bは図5aの点線囲み部の拡大図である。図5bに示される実施形態においては、距離5Jが距離5Kよりも大きくなるように、中間部材5Dの凸部が形成されている。図6は、中間部材5Dの幅方向の中心位置から凸頂点部7までの距離と、図2において示した第三工程で発生する側壁5Cの応力の関係を示した図である。ここも図4同様、図6は、中間部材5Dの幅方向第1接続部5Hと第2接続部5Iとの間の中心位置から凸頂点部7までの距離と、第三の組立工程終了後における接合部材6の応力の関係を示した図である。図6の縦軸,横軸及び解析方法は図4と同様である。これによれば、凸頂点部7が第1放熱部材5Aに近い側に形成さればされるほど、第三工程で側壁5Cに発生する応力が小さくなっている。したがって、図5に示す実施形態のように、距離5Jに比べて距離5Kの方が長くなるように、中間部材5Dの凸部が形成されることで、側壁5Cの損傷を防ぐことが可能となる。図7aは他の実施形態のパワー半導体モジュール300の断面図であり、図7bは図7aの点線囲み部の拡大図である。図7bに示される実施形態においては、凸頂点部7は中間部材5Dの中央に形成されており、距離5Jと距離5Kは等しい。これにより第三の組立工程終了後に発生する接合部材6の応力と側壁5Cの応力の両者をバランスよく低減することが可能である。なお、図3,図5及び図7に示されたそれぞれの実施形態は、応力を低減すべき箇所やケース5の形状に応じて適宜選択されることによりパワー半導体モジュール300の損傷を抑制することができる。図8は、接合部材6への残留応力を低減するための、ケース5の中間部材5Dにおける凸変形領域5Fの配置を示す。図9は、第二の組立工程後における接合部材6の引張応力を模擬した有限要素解析の結果を示した図である。図9に示されるように、第二の組立工程の終了後において、接合部材6に発生する最大の引張応力は、接合部材6の角部6Aに発生することが分かる。また、接合部材6の面内での引張応力の分布を見てみると、接合部材6の面の中央部よりも端部、つまり接合部材6の辺に近い方に大きな引張力は分布していることが分かる。また、接合部材6の辺上における引張応力の分布を見てみると、接合部材6の角部6Aに近い場所ほど、大きな引張力が発生していることが分かる。そこで図8aに示されるパワー半導体モジュール300においては、接合部材6と対向する第1放熱部材5Aを囲むように、凸変形領域5Fが形成される。これにより、凸変形領域5Fが比較的高い引張応力が発生している接合部材6の辺部近傍を全て囲うことになるので、残留応力の低減効果を最大限に得ることができる。一方、図8b及びcに示されるパワー半導体モジュール300においては、凸変形領域5Fを部分的に形成する場合について説明する。図8bに示されるように第1放熱部材5Aの角部を角部9Aと定義し、ケース5の角部を角部9Bと定義する。図8bでは凸変形領域5Fは、角部9Aと角部9Bを結ぶ線分と重なるように形成される。つまり、第1放熱部材5Aの放熱面と垂直方向から投影した場合に、凸変形領域5Fの投影部は、角部9Aと角部9Bを結ぶ線分と重なることになる。なお、第1放熱部材5Aの形状は、接合部材6の形状とほぼ同一又は相似な形状を為すので、第1放熱部材5Aの角部9Aと接合部材6の角部6Aとは重なるか又は近い位置に配置されることなる。これにより、図9に説示した引張応力が大きい接合部材6の角部6Aの領域を、中間部材5Dの変形を最小限に抑えながら、残留応力低減効果を得ることができる。したがって、ケース5の歪みや破壊を抑制することできる。また、図8cに示されるように、凸変形領域5Fは、第1放熱部材5Aの角部9Aの周辺において、略L字形状を為すように形成される。つまり、第1放熱部材5Aの放熱面から投影した場合において、凸変形領域5Fの投影部は、第1放熱部材5Aの角部9Aを形成するための第1放熱部材5Aの隣り合う2つの辺に沿って屈曲する形状を為している。なお、図8bと同様に、第1放熱部材5Aの形状は、接合部材6の形状とほぼ同一又は相似な形状を為すので、第1放熱部材5Aの角部9Aと接合部材6の角部6Aとは重なるか又は近い位置に配置されることなる。これにより、中間部材5Dの変形量と残留応力低減効果のバランスをとることができる。図10は、本発明の第二の実施形態に係るパワー半導体モジュールの断面図である。本実施形態においては、中間部材5Dに加えて、中間部材5Dと対向する中間部材5Eにも、中間部材5Dと同様にケース5の収納空間に向かって凸となるように変形させた湾曲した部分を形成している。これにより、中間部材5Dによる第1放熱部材5Aを回路体100側へ押しつける力に加え、中間部材5Eによる第2放熱部材5Bを回路体100側へ押しつける力が発生し、回路体100及び接合部材6を第1放熱部材5Aと第2放熱部材5Bによって挟み込む力が増大する。このような場合であっても、中間部材5Dと中間部材5Eの双方に実施例1にて説示した凸部が形成されるので、接合部材6の残留応力を低減することができる。なお、中間部材5E側においても、図3,図5,図7及び図8にて説示した凸部の形成位置や形成領域を適宜組み合わせて、実施例1と同様の効果を得ることができる。図11は、本発明の第三の実施形態に係るパワー半導体モジュールの断面図である。この形態においては、中間部材5Dは第1放熱部材5Aよりも薄く形成されている。これにより、第二の組立工程図2bでの中間部材5Dの反力が低減できるとともに、第三の組立工程図2dでの加工性を向上させることが可能である。さらに、第三の組立工程では、第1放熱部材5Aと回路体100は接合部材6を介して密着しており、その状態で中間部材5Dを変形させる荷重を加えると、その荷重のおよそ半分は接合部材6と回路体100に伝わり、他の半分は側壁5Cに伝わる。このとき、中間部材5Dを変形させる荷重が大き過ぎると、回路体100や接合部材6に損傷を与えてしまうことが懸念される。そのため、第1放熱部材5Aに比べて中間部材5Dの厚みが薄く形成することで、中間部材5Dを変形させる荷重を低減し、回路体100や接合部材6の損傷を防ぐことも可能となる。なお、図10にて説示した中間部材5E側の厚さを第1放熱部材5Aよりも小さくすることにより、上記と同様の効果を得ることができる。図12は、本発明の第四の実施形態に係るパワー半導体モジュール300の組立工程を示す図である。本実施形態のパワー半導体モジュール300においては、図2dに示した第三の組立工程と同時ないしは後に、図12dに示す高温熱処理を施す点が異なる。この高温処理工程により、接合部材6には接続保持力を発現すると同時に、金属製のケース5の中間部材5Dの反力を低減させ,接続後に接合部材6に発生する残留応力を低減することができる。図13及び図14を用いて、高温処理条件とその効果について説明する。図13は、一般的なはんだ材の融点を示した図である。例えば、接合部材6にはんだを用いた場合、一般的なはんだ材の融点は135°C以上であるため、それら一度溶融させ接続し、接続保持力を発現させるには135°C以上の熱処理を施す必要がある。また、その他の接着性シートや微細金属粒子を含んだ導電性接着剤など樹脂成分を含む接続部材については、高温下で材料内の架橋反応が進むため、製造段階で、一般的なパワー半導体モジュールの使用温度範囲である120°C以上の熱処理を行い、使用環境下で材料変化を起こりにくくするのが一般的である。よって、第三の工程において、接合部材6を高温熱処理する際には、120°C以上であることが必要である。図14は、回路体100を模擬した部材をケース5に挿入し、押圧変形を与えた後、押圧を解除した際の収納部材の5の戻り量スプリングバック量と、その際の温度の関係を示した図である。温度を上げることによりケース5の戻り量が低減していることが分かる。この結果より、金属製ケース5の変形に対する反力を低減するには、高温処理の温度が高い方が好ましいことが分かる。よって、変形させた状態の金属製のケース5と回路体100に対して同時に高温処理を施し、接合部材6に接続保持力を発現させるとともに、金属製のケース5の中間部材5Dの押圧変形に対する反力を低減するためには、高温処理温度を120°C以上にとすることが必要であることが分かる。本実施形態においては、実施例1乃至4のいずれかのパワー半導体モジュールを用いた電力変換装置について説明する。本発明の実施形態に係る電力変換装置は、ハイブリッド用の自動車や純粋な電気自動車に適用可能であるが、代表例として、本発明の実施形態に係る電力変換装置をハイブリッド自動車に適用した場合の制御構成と電力変換装置の回路構成について、図15と図16を用いて説明する。図15は、ハイブリッド自動車以下HEVと記述するの制御ブロックを示す図である。エンジンEGNおよびモータジェネレータMG1は車両の走行用トルクを発生する。また、モータジェネレータMG1は回転トルクを発生するだけでなく、モータジェネレータMG1に外部から加えられる機械エネルギーを電力に変換する機能を有する。モータジェネレータMG1は、例えば同期機あるいは誘導機であり、上述のごとく、運転方法によりモータとしても発電機としても動作する。モータジェネレータMG1を自動車に搭載する場合には、小型で高出力を得ることが望ましく、ネオジウムなどの磁石を使用した永久磁石型の同期電動機が適している。また、永久磁石型の同期電動機は誘導電動機に比べて回転子の発熱が少なく、この観点でも自動車用として優れている。エンジンEGNの出力側の出力トルクは動力分配機構TSMを介してモータジェネレータMG1に伝達され、動力分配機構TSMからの回転トルクあるいはモータジェネレータMG1が発生する回転トルクは、トランスミッションTMおよびデファレンシャルギアDEFを介して車輪に伝達される。一方、回生制動の運転時には、車輪から回転トルクがモータジェネレータMG1に伝達され、供給されてきた回転トルクに基づいて交流電力を発生する。発生した交流電力は後述するように電力変換装置200により直流電力に変換され、高電圧用のバッテリ136を充電し、充電された電力は再び走行エネルギーとして使用される。次に電力変換装置200について説明する。インバータ回路140は、バッテリ136と直流コネクタ138を介して電気的に接続されており、バッテリ136とインバータ回路140との相互において電力の授受が行われる。モータジェネレータMG1をモータとして動作させる場合には、インバータ回路140は直流コネクタ138を介してバッテリ136から供給された直流電力に基づき交流電力を発生し、交流端子188を介してモータジェネレータMG1に供給する。モータジェネレータMG1とインバータ回路140からなる構成は第1電動発電ユニットとして動作する。なお、本実施形態では、バッテリ136の電力によって第1電動発電ユニットを電動ユニットとして作動させることにより、モータジェネレータMG1の動力のみによって車両の駆動ができる。さらに、本実施形態では、第1電動発電ユニットを発電ユニットとしてエンジン120の動力或いは車輪からの動力によって作動させて発電させることにより、バッテリ136の充電ができる。また、図15では省略したが、バッテリ136はさらに補機用のモータを駆動するための電源としても使用される。補機用のモータとしては例えば、エアコンディショナーのコンプレッサを駆動するモータ、あるいは制御用の油圧ポンプを駆動するモータである。バッテリ136から直流電力が補機用パワー半導体モジュールに供給され、補機用パワー半導体モジュールは交流電力を発生して補機用のモータに供給する。補機用パワー半導体モジュールはインバータ回路140と基本的には同様の回路構成および機能を持ち、補機用のモータに供給する交流の位相や周波数,電力を制御する。なお、電力変換装置200は、インバータ回路140に供給される直流電力を平滑化するためのコンデンサモジュール500を備えている。電力変換装置200は、上位の制御装置から指令を受けたりあるいは上位の制御装置に状態を表すデータを送信したりするための通信用のコネクタ21を備えている。電力変換装置200は、コネクタ21から入力される指令に基づいて制御回路172でモータジェネレータMG1の制御量を演算し、さらにモータとして運転するか発電機として運転するかを演算し、演算結果に基づいて制御パルスを発生し、その制御パルスをドライバ回路174へ供給する。ドライバ回路174は、供給された制御パルスに基づいて、インバータ回路140を制御するための駆動パルスを発生する。次に、図16を用いてインバータ回路140の電気回路の構成を説明する。なお、以下で半導体素子として絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを使用しており、以下略してIGBTと記す。上アームとして動作するIGBT328及びダイオード156と、下アームとして動作するIGBT330及びダイオード166とで、上下アームの直列回路150が構成される。インバータ回路140は、この直列回路150を、出力しようとする交流電力のU相,V相,W相の3相に対応して備えている。これらの3相は、この実施の形態ではモータジェネレータMG1の電機子巻線の3相の各相巻線に対応している。3相のそれぞれの上下アームの直列回路150は、直列回路の中点部分である中間電極169から交流電流を出力する。この中間電極169は、交流端子159及び交流端子188を通して、モータジェネレータMG1への交流電力線である以下に説明の交流バスバー802や804と接続される。上アームのIGBT328のコレクタ電極153は、正極端子157を介してコンデンサモジュール500の正極側のコンデンサ端子506に電気的に接続されている。また、下アームのIGBT330のエミッタ電極は、負極端子158を介してコンデンサモジュール500の負極側のコンデンサ端子504に電気的に接続されている。上述のように、制御回路172は上位の制御装置からコネクタ21を介して制御指令を受け、これに基づいてインバータ回路140を構成する各相の直列回路150の上アームあるいは下アームを構成するIGBT328やIGBT330を制御するための制御信号である制御パルスを発生し、ドライバ回路174に供給する。ドライバ回路174は、上記制御パルスに基づき、各相の直列回路150の上アームあるいは下アームを構成するIGBT328やIGBT330を制御するための駆動パルスを各相のIGBT328やIGBT330に供給する。IGBT328やIGBT330は、ドライバ回路174からの駆動パルスに基づき、導通あるいは遮断動作を行い、バッテリ136から供給された直流電力を三相交流電力に変換し、この変換された電力はモータジェネレータMG1に供給される。IGBT328は、コレクタ電極153と、信号用エミッタ電極155と、ゲート電極154を備えている。また、IGBT330は、コレクタ電極163と、信号用のエミッタ電極165と、ゲート電極164を備えている。ダイオード156が、コレクタ電極153とエミッタ電極155との間に電気的に接続されている。また、ダイオード166が、コレクタ電極163とエミッタ電極165との間に電気的に接続されている。スイッチング用パワー半導体素子としては金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ以下略してMOSFETと記すを用いてもよい、この場合はダイオード156やダイオード166は不要となる。スイッチング用パワー半導体素子としては、IGBTは直流電圧が比較的高い場合に適していて、MOSFETは直流電圧が比較的低い場合に適している。コンデンサモジュール500は、正極側のコンデンサ端子506と負極側のコンデンサ端子504と正極側の電源端子509と負極側の電源端子508とを備えている。バッテリ136からの高電圧の直流電力は、直流コネクタ138を介して、正極側の電源端子509や負極側の電源端子508に供給され、コンデンサモジュール500の正極側のコンデンサ端子506および負極側のコンデンサ端子504から、インバータ回路140へ供給される。一方、交流電力からインバータ回路140によって変換された直流電力は、正極側のコンデンサ端子506や負極側のコンデンサ端子504からコンデンサモジュール500に供給され、正極側の電源端子509や負極側の電源端子508から直流コネクタ138を介してバッテリ136に供給され、バッテリ136に蓄積される。制御回路172は、IGBT328及びIGBT330のスイッチングタイミングを演算処理するためのマイクロコンピュータ以下、マイコンと記述するを備えている。マイコンへの入力情報としては、モータジェネレータMG1に対して要求される目標トルク値、直列回路150からモータジェネレータMG1に供給される電流値、及びモータジェネレータMG1の回転子の磁極位置がある。目標トルク値は、不図示の上位の制御装置から出力された指令信号に基づくものである。電流値は、電流センサ180による検出信号に基づいて検出されたものである。磁極位置は、モータジェネレータMG1に設けられたレゾルバなどの回転磁極センサ不図示から出力された検出信号に基づいて検出されたものである。本実施形態では、電流センサ180は3相の電流値を検出する場合を例に挙げているが、2相分の電流値を検出するようにし、演算により3相分の電流を求めても良い。制御回路172内のマイコンは、目標トルク値に基づいてモータジェネレータMG1のd軸,q軸の電流指令値を演算し、この演算されたd軸,q軸の電流指令値と、検出されたd軸,q軸の電流値との差分に基づいてd軸,q軸の電圧指令値を演算し、この演算されたd軸,q軸の電圧指令値を、検出された磁極位置に基づいてU相,V相,W相の電圧指令値に変換する。そして、マイコンは、U相,V相,W相の電圧指令値に基づく基本波正弦波と搬送波三角波との比較に基づいてパルス状の変調波を生成し、この生成された変調波をPWMパルス幅変調信号としてドライバ回路174に出力する。ドライバ回路174は、下アームを駆動する場合、PWM信号を増幅したドライブ信号を、対応する下アームのIGBT330のゲート電極に出力する。また、ドライバ回路174は、上アームを駆動する場合、PWM信号の基準電位のレベルを上アームの基準電位のレベルにシフトしてからPWM信号を増幅し、これをドライブ信号として、対応する上アームのIGBT328のゲート電極にそれぞれ出力する。また、制御回路172内のマイコンは、異常検知過電流,過電圧,過温度などを行い、直列回路150を保護している。このため、制御回路172にはセンシング情報が入力されている。例えば、各アームの信号用のエミッタ電極155及び信号用のエミッタ電極165からは各IGBT328とIGBT330のエミッタ電極に流れる電流の情報が、対応する駆動部ICに入力されている。これにより、各駆動部ICは過電流検知を行い、過電流が検知された場合には対応するIGBT328,IGBT330のスイッチング動作を停止させ、対応するIGBT328,IGBT330を過電流から保護する。直列回路150に設けられた温度センサ不図示からは直列回路150の温度の情報がマイコンに入力されている。また、マイコンには直列回路150の直流正極側の電圧の情報が入力されている。マイコンは、それらの情報に基づいて過温度検知及び過電圧検知を行い、過温度或いは過電圧が検知された場合には全てのIGBT328,IGBT330のスイッチング動作を停止させる。図17,図18は本発明に係る実施の形態としての電力変換装置200の外観斜視図であり、図18は交流コネクタ187および直流コネクタ138を外した状態を示す。本実施の形態の電力変換装置200は、平面形状がほぼ正方形の直方体形状としたことにより小型化が図れ、また、車両への取り付けが容易となるという効果を有している。8は蓋、10はハウジング、12は流路形成体、13は冷却媒体の入口配管、14は出口配管、420は下カバーである。コネクタ21は、外部との接続のために設けられた信号用のコネクタである。蓋8は、電力変換装置200を構成する回路部品が収納されるハウジング10の上部開口部に固定される。ハウジング10の下部に固定される流路形成体12は、後述するパワー半導体モジュール300及びコンデンサモジュール500を保持するとともに、冷却媒体によってこれらを冷却する。冷却媒体としては、例えば水が用いられる場合が多く、以下では冷媒として説明する。入口配管13および出口配管14は流路形成体12の一側面に設けられ、入口配管13から供給された冷媒は流路形成体12内の後述する流路19に流入し、出口配管14から排出される。なお、冷媒の流入及び流出する方向を変更しても、冷却効率や圧力損失に対して大きな影響を与えない。つまり冷媒が出口配管14側から流入し、入口配管13から流出しても、冷却効率や圧力損失はほぼ変化はない。つまり、本実施形態に係る電力変換装置200は、当該電力変換装置200の中央部に対して入口配管13と出口配管14の配置が対称性を有しているので、車両の冷媒配管の配線の状況に応じて変更できるという利点を有している。交流コネクタ187が装着される交流インターフェイス185および直流コネクタ138が装着される直流インターフェイス137は、ハウジング10の側面に設けられている。交流インターフェイス185は配管13,14が設けられている側面に設けられており、交流インターフェイス185に装着された交流コネクタ187の交流配線187aは配管13,14の間を通って下方に延びている。直流インターフェイス137は交流インターフェイス185が設けられた側面に隣接する側面に設けられており、直流インターフェイス137に装着された直流コネクタ138の直流配線135Jも電力変換装置200の下方に延びている。このように、交流インターフェイス185と配管13,14とが同一側面12dの側に配置され、交流配線187aが配管13,14の間を通るように下方に引き出されているので、配管13,14、交流コネクタ187および交流配線187aの占める空間を小さくでき、装置全体の大型化を低減できる。また、配管13,14に対して交流配線187aを下方に引き出しているので、交流配線187aの取り回しが容易になり生産性が向上する。図19は、図18に示す電力変換装置200から蓋8,直流インターフェイス137および交流インターフェイス185を外した状態を示す図である。ハウジング10の一側面には交流インターフェイス185が固定される開口10aが形成され、隣接する他の側面には直流インターフェイス137が固定される開口10bが形成されている。開口10aからは3本の交流バスバー802、すなわち、U相交流バスバー802U,V相交流バスバー802VおよびW相交流バスバー802Wが突出し、開口10bからは直流側の電源端子508,509が突出している。図20は、図19において流路形成体12からハウジング10を外した状態を示す図である。ハウジング10は2つの収納空間を有しており、隔壁10cによって上部収納空間と下部収納空間とに区画されている。上部収納空間にはコネクタ21が固定された制御回路基板20が収納され、下部収納空間にはドライバ回路基板22および後述するバスバーアッセンブリ800が収納される。制御回路基板20には図16に示した制御回路172が実装され、ドライバ回路基板22にはドライバ回路基板174が実装されている。制御回路基板20とドライバ回路基板22とは不図示のフラットケーブル後述する図21参照によって接続されるが、そのフラットケーブルは隔壁10cに形成されたスリット状の開口10dを通って下部収納空間から上部収納空間へと引き出される。図21は電力変換装置200の分解斜視図である。蓋8の内側の、すなわちハウジング10の上部収納空間には、上述したように制御回路172を実装した制御回路基板20が配置されている。蓋8には、コネクタ21用の開口5Jが形成されている。電力変換装置200内の制御回路を動作させる低電圧の直流電力は、コネクタ21から供給される。詳細は後述するが、流路形成体12には、入口配管13から流入した冷媒が流れる流路が形成されている。流路は、流路形成体12の3つの側面に沿って流れるようなコの字形状の流路を形成している。入口配管13から流入した冷媒はコの字形状流路の一端から流路内に流入し、流路内を流れた後に、流路の他端に接続されている出口配管14から流出される。流路の上面には3つの開口部402a~402cが形成されており、直列回路150図15参照を内蔵したパワー半導体モジュール300U,300V,300Wがそれらの開口部402a~402cから流路内に挿入される。パワー半導体モジュール300UにはU相の直列回路150が内蔵され、パワー半導体モジュール300VにはV相の直列回路150が内蔵され、パワー半導体モジュール300WにはW相の直列回路150が内蔵されている。これらパワー半導体モジュール300U~300Wは同一構成になっており、外観形状も同一形状である。開口部402a~402cは、挿入されたパワー半導体モジュール300U~300Wのフランジ部によって塞がれる。流路形成体12には、コの字形状の流路によって囲まれるように、電装部品を収納するための収納空間405が形成されている。本実施形態では、この収納空間405にコンデンサモジュール500が収納されている。収納空間405に収納されたコンデンサモジュール500は、流路内を流れる冷媒によって冷却される。コンデンサモジュール500の上方には、交流バスバー802U~802Wが装着されたバスバーアッセンブリ800が配置される。バスバーアッセンブリ800は、流路形成体12の上面に固定される。バスバーアッセンブリ800には、電流センサ180が固定されている。ドライバ回路基板22は、バスバーアッセンブリ800に設けられた支持部材807aに固定されることにより、バスバーアッセンブリ800の上方に配置される。上述したように、制御回路基板20とドライバ回路基板22とはフラットケーブル23によって接続される。フラットケーブル23は隔壁10cに形成されたスリット状の開口10dを通って下部収納空間から上部収納空間へと引き出される。このように、パワー半導体モジュール300U~300Wとドライバ回路基板22と制御回路基板20とが高さ方向に階層的に配置され、制御回路基板20が強電系のパワー半導体モジュール300U~300Wから最も遠い場所に配置されるので、制御回路基板20側にスイッチングノイズ等が混入するのを低減することができる。さらに、ドライバ回路基板22と制御回路基板20とは隔壁10cによって区画された別の収納空間に配置されるため、隔壁10cが電磁シールドとして機能し、ドライバ回路基板22から制御回路基板20に混入するノイズを低減することができる。なお、ハウジング10はアルミ等の金属材で形成されている。さらに、ハウジング10に一体に形成された隔壁10cに制御回路基板20が固定されるため、外部からの振動に対して制御回路基板20の機械的な共振周波数が高くなる。そのため、車両側からの振動の影響を受け難く、信頼性が向上する。以下では、流路形成体12と、流路形成体12に固定されるパワー半導体モジュール300U~300W、コンデンサモジュール500およびバスバーアッセンブリ800についてより詳しく説明する。図22は、流路形成体12にパワー半導体モジュール300U~300W,コンデンサモジュール500,バスバーアッセンブリ800を組み付けた外観斜視図である。また、図23は、流路形成体12からバスバーアッセンブリ800を外した状態を示す。バスバーアッセンブリ800は、流路形成体12にボルト固定される。まず、図24,図25を参照しながら流路形成体12について説明する。図24は流路形成体12の斜視図であり、図25は流路形成体12を裏面側から見た分解斜視図である。図24に示すように、流路形成体12は平面形状が略正方形の直方体を成し、その側面12dに入口配管13および出口配管14が設けられている。なお、側面12dは、配管13,14が設けられている部分が段差状に形成されている。図25に示すように、流路19は、残りの3つの側面12a~12cに沿うようにコの字形状に形成されている。そして、流路形成体12の裏面側には、流路19の横断面形状とほぼ同一形状を有する、1つに繋がったコの字形状の開口部404が形成されている。この開口部404は、コの字形状の下カバー420によって塞がれる。下カバー420と流路形成体12との間にはシール部材409aが設けられ、気密性が保たれている。コの字形状を成す流路19は、冷媒の流れる方向によって3つの流路区間19a,19b,19cに分けられる。詳細は後述するが、第1の流路区間19aは、配管13,14が設けられた側面12dと対向する位置の側面12aに沿って設けられ、第2の流路区間19bは側面12aの一方の側に隣接する側面12bに沿って設けられ、第3の流路区間19cは側面12aの他方の側に隣接する側面12cに沿って設けられている。冷媒は入口配管13から流路区間19bに流入し、破線矢印で示すように流路区間19b,流路区間19a,流路区間19cの順に流れ、出口配管14から流出される。図24に示すように、流路形成体12の上面側には、流路区間19aに対向する位置に側面12aに平行な長方形の開口部402aが形成され、流路区間19bに対向する位置に側面12bに平行な長方形の開口部402bが形成され、流路区間19cに対向する位置に側面12cに平行な長方形の開口部402cが形成されている。これらの開口部402a~402cを通して、パワー半導体モジュール300U~300Wが流路19内に挿入される。図25に示すように、下カバー420には、上述した開口部402a~402cと対向する位置に、流路19の下側に向かって突出する凸部406がそれぞれ形成されている。これらの凸部406は流路19側から見ると窪みとなっており、開口部402a~402cから挿入されたパワー半導体モジュール300U~300Wの下端部分が、これらの窪みに入り込む。流路形成体12は、開口部404と開口部402a~402cとが対向するように形成されているので、アルミ鋳造により製造し易い構成になっている。図24に示すように、流路形成体12には、3辺を流路19で囲まれるように形成され矩形状の収納空間405が設けられている。この収納空間405にコンデンサモジュール500が収納される。流路19で囲まれた収納空間405は直方体形状であるため、コンデンサモジュール500を直方体形状にすることができ、コンデンサモジュール500の生産性が良くなる。図26乃至図30を用いてインバータ回路140およびインバータ回路142に使用されるパワー半導体モジュール300U~300Wおよびパワー半導体モジュール301a~301cの詳細構成を説明する。上記パワー半導体モジュール300U~300Wおよびパワー半導体モジュール301a~301cはいずれも同じ構造であり、代表してパワー半導体モジュール300Uの構造を説明する。尚、図26乃至図30において信号端子325Uは、図2に開示したゲート電極154および信号用エミッタ電極155に対応し、信号端子325Lは、図16に開示したゲート電極164およびエミッタ電極165に対応する。また直流正極端子315Bは、図16に開示した正極端子157と同一のものであり、直流負極端子319Bは、図16に開示した負極端子158と同一のものである。また交流端子320Bは、図16に開示した交流端子159と同じものである。図26乃至図30を用いてインバータ回路140およびインバータ回路142に使用されるパワー半導体モジュール300U~300Wおよびパワー半導体モジュール301a~301cの詳細構成を説明する。図26aは、本実施形態のパワー半導体モジュール300Uの斜視図である。図26bは、本実施形態のパワー半導体モジュール300Uを断面Dで切断して方向Eから見たときの断面図である。図27は、理解を助けるために、図26に示す状態からネジ309および第二封止樹脂351を取り除いたパワー半導体モジュール300Uを示す図である。図27aは斜視図であり、図27bは図26bと同様に断面Dで切断して方向Eから見たときの断面図である。また、図27cはフィン305が加圧されて湾曲部304Aが変形される前の断面図を示している。図28は、図27に示す状態からさらにモジュールケース304を取り除いたパワー半導体モジュール300Uを示す図である。図28aは斜視図であり、図28bは図26b,図27bと同様に断面Dで切断して方向Eから見たときの断面図である。図29は、図28に示す状態からさらに第一封止樹脂348および配線絶縁部608を取り除いたパワー半導体モジュール300Uの斜視図である。図30は、モジュール一次封止体302の組立工程を説明するための図である。上下アームの直列回路150を構成するパワー半導体素子IGBT328,IGBT330,ダイオード156,ダイオード166が、図28および図29に示す如く、導体板315や導体板318によって、あるいは導体板320や導体板319によって、両面から挟んで固着される。導体板315等は、その放熱面が露出した状態で第一封止樹脂348によって封止され、当該放熱面に絶縁シート333が熱圧着される。第一封止樹脂348は図14に示すように、多面体形状ここでは略直方体形状を有している。第一封止樹脂348により封止されたモジュール一次封止体302は、モジュールケース304の中に挿入して絶縁シート333を挟んで、CAN型冷却器であるモジュールケース304の内面に熱圧着される。ここで、CAN型冷却器とは、一面に挿入口306と他面に底を有する筒形状をした冷却器である。モジュールケース304の内部に残存する空隙には、第二封止樹脂351を充填される。なお、実施例1乃至4にて説示したケース5は、本実施形態においてはモジュールケース304に対応する。また、実施例1乃至4にて説示した回路体100は、本実施形態においてはモジュール一次封止体302に対応する。モジュールケース304は、電気伝導性を有する部材、例えばアルミ合金材料Al,AlSi,AlSiC,Al-C等で構成され、かつ、つなぎ目の無い状態で一体に成形される。モジュールケース304は、挿入口306以外に開口を設けない構造であり、挿入口306は、フランジ304Bよって、その外周を囲まれている。また、図26aに示されるように、他の面より広い面を有する第1放熱面307A及び第2放熱面307Bがそれぞれ対向した状態で配置され、これらの放熱面に対向するようにして、各パワー半導体素子IGBT328,IGBT330,ダイオード156,ダイオード166が配置されている。当該対向する第1放熱面307Aと第2放熱面307Bと繋ぐ3つの面は、当該第1放熱面307A及び第2放熱面307Bより狭い幅で密閉された面を構成し、残りの一辺の面に挿入口306が形成される。モジュールケース304の形状は、正確な直方体である必要が無く、角が図26aに示す如く曲面を成していても良い。このような形状の金属製のケースを用いることで、モジュールケース304を水や油などの冷媒が流れる流路19内に挿入しても、冷媒に対するシールをフランジ304Bにて確保できるため、冷却媒体がモジュールケース304の内部に侵入するのを簡易な構成で防ぐことができる。また、対向した第1放熱面307Aと第2放熱面307Bに、フィン305がそれぞれ均一に形成される。さらに、第1放熱面307A及び第2放熱面307Bの外周には、厚みが極端に薄くなっている湾曲部304Aが形成されている。湾曲部304Aは、フィン305を加圧することで簡単に変形する程度まで厚みを極端に薄くしてあるため、モジュール一次封止体302が挿入された後の生産性が向上する。なお、実施例1乃至4に説示された凸変形領域を湾曲部304Aに形成することによって、絶縁シート333がモジュール一次封止体302やモジュールケース304から剥れてしまうことを抑制することができる。特に本実施形態のように、モジュールケース304の外面が冷却冷媒によって直接冷却される場合には、パワー半導体素子からモジュールケース304の外面までの伝熱経路の熱抵抗を低減することによって、ジュールケース304の外面からの放熱が促進される。それにより、パワー半導体素子に流す電流の増大や電力変換装置の冷却部の小型化を図ることができ、電力変換装置を体積当たりの出力電流量を大幅に増大することができる。上述のように導体板315等を絶縁シート333を介してモジュールケース304の内壁に熱圧着することにより、導体板315等とモジュールケース304の内壁の間の空隙を少なくすることができ、パワー半導体素子の発生熱を効率良くフィン305へ伝達できる。さらに絶縁シート333にある程度の厚みと柔軟性を持たせることにより、熱応力の発生を絶縁シート333で吸収することができ、温度変化の激しい車両用の電力変換装置に使用するのに良好となる。モジュールケース304の外には、コンデンサモジュール500と電気的に接続するための金属製の直流正極配線315Aおよび直流負極配線319Aが設けられており、その先端部に直流正極端子315B157と直流負極端子319B158がそれぞれ形成されている。また、モータジェネレータMG1に交流電力を供給するための金属製の交流配線320Aが設けられており、その先端に交流端子320B159が形成されている。本実施形態では、図29に示す如く、直流正極配線315Aは導体板315と接続され、直流負極配線319Aは導体板319と接続され、交流配線320Aは導体板320と接続される。モジュールケース304の外にはさらに、ドライバ回路174と電気的に接続するための金属製の信号配線324Uおよび324Lが設けられており、その先端部に信号端子325U154,155と信号端子325L164,165がそれぞれ形成されている。本実施形態では、図15に示す如く、信号配線324UはIGBT328と接続され、信号配線324LはIGBT328と接続される。直流正極配線315A,直流負極配線319A,交流配線320A,信号配線324Uおよび信号配線324Lは、樹脂材料で成形された配線絶縁部608によって相互に絶縁された状態で、補助モールド体600として一体に成型される。配線絶縁部608は、各配線を支持するための支持部材としても作用し、これに用いる樹脂材料は、絶縁性を有する熱硬化性樹脂かあるいは熱可塑性樹脂が適している。これにより、直流正極配線315A,直流負極配線319A,交流配線320A,信号配線324Uおよび信号配線324Lの間の絶縁性を確保でき、高密度配線が可能となる。補助モールド体600は、モジュール一次封止体302と接続部370において金属接合された後に、配線絶縁部608に設けられたネジ穴を貫通するネジ309によってモジュールケース304に固定される。接続部370におけるモジュール一次封止体302と補助モールド体600との金属接合には、たとえばTIG溶接などを用いることができる。直流正極配線315Aと直流負極配線319Aは、配線絶縁部608を間に挟んで対向した状態で互いに積層され、略平行に延びる形状を成している。こうした配置および形状とすることで、パワー半導体素子のスイッチング動作時に瞬間的に流れる電流が、対向してかつ逆方向に流れる。これにより、電流が作る磁界が互いに相殺する作用をなし、この作用により低インダクタンス化が可能となる。なお、交流配線320Aや信号端子325U,325Lも、直流正極配線315A及び直流負極配線319Aと同様の方向に向かって延びている。モジュール一次封止体302と補助モールド体600が金属接合により接続されている接続部370は、第二封止樹脂351によりモジュールケース304内で封止される。これにより、接続部370とモジュールケース304との間で必要な絶縁距離を安定的に確保することができるため、封止しない場合と比較してパワー半導体モジュール300Uの小型化が実現できる。図29に示されるように、接続部370の補助モジュール600側には、補助モジュール側直流正極接続端子315C,補助モジュール側直流負極接続端子319C,補助モジュール側交流接続端子320C,補助モジュール側信号接続端子326Uおよび補助モジュール側信号接続端子326Lが一列に並べて配置される。一方、接続部370のモジュール一次封止体302側には、多面体形状を有する第一封止樹脂348の一つの面に沿って、素子側直流正極接続端子315D,素子側直流負極接続端子319D,素子側交流接続端子320D,素子側信号接続端子327Uおよび素子側信号接続端子327Lが一列に並べて配置される。こうして接続部370において各端子が一列に並ぶような構造とすることで、トランスファーモールドによるモジュール一次封止体302の製造が容易となる。ここで、モジュール一次封止体302の第一封止樹脂348から外側に延出している部分をその種類ごとに一つの端子として見た時の各端子の位置関係について述べる。以下の説明では、直流正極配線315A直流正極端子315Bと補助モジュール側直流正極接続端子315Cを含むおよび素子側直流正極接続端子315Dにより構成される端子を正極側端子と称し、直流負極配線319A直流負極端子319Bと補助モジュール側直流負極接続端子319Cを含むおよび素子側直流負極接続端子315Dにより構成される端子を負極側端子と称し、交流配線320A交流端子320Bと補助モジュール側交流接続端子320Cを含むおよび素子側交流接続端子320Dにより構成される端子を出力端子と称し、信号配線324U信号端子325Uと補助モジュール側信号接続端子326Uを含むおよび素子側信号接続端子327Uにより構成される端子を上アーム用信号端子と称し、信号配線324L信号端子325Lと補助モジュール側信号接続端子326Lを含むおよび素子側信号接続端子327Lにより構成される端子を下アーム用信号端子と称する。上記の各端子は、いずれも第一封止樹脂348および第二封止樹脂351から接続部370を通して突出しており、その第一封止樹脂348からの各突出部分素子側直流正極接続端子315D,素子側直流負極接続端子319D,素子側交流接続端子320D,素子側信号接続端子327Uおよび素子側信号接続端子327Lは、上記のように多面体形状を有する第一封止樹脂348の一つの面に沿って一列に並べられている。また、正極側端子と負極側端子は、第二封止樹脂351から積層状態で突出しており、モジュールケース304の外に延出している。このような構成としたことで、第一封止樹脂348でパワー半導体素子を封止してモジュール一次封止体302を製造する時の型締めの際に、パワー半導体素子と当該端子との接続部分への過大な応力や金型の隙間が生じるのを防ぐことができる。また、積層された正極側端子と負極側端子の各々を流れる反対方向の電流により、互いに打ち消しあう方向の磁束が発生されるため、低インダクタンス化を図ることができる。補助モジュール600側において、補助モジュール側直流正極接続端子315C,補助モジュール側直流負極接続端子319Cは、直流正極端子315B,直流負極端子319Bとは反対側の直流正極配線315A,直流負極配線319Aの先端部にそれぞれ形成されている。また、補助モジュール側交流接続端子320Cは、交流配線320Aにおいて交流端子320Bとは反対側の先端部に形成されている。補助モジュール側信号接続端子326U,326Lは、信号配線324U,324Lにおいて信号端子325U,325Lとは反対側の先端部にそれぞれ形成されている。一方、モジュール一次封止体302側において、素子側直流正極接続端子315D,素子側直流負極接続端子319D,素子側交流接続端子320Dは、導体板315,319,320にそれぞれ形成されている。また、素子側信号接続端子327U,327Lは、ボンディングワイヤ371によりIGBT328,330とそれぞれ接続されている。図31は、コンデンサモジュール500の外観斜視図である。コンデンサモジュール500内には複数のコンデンサセルが設けられている。コンデンサモジュール500の上面には、コンデンサモジュール500の流路19に対向する面に近接して、コンデンサ端子503a~503cが突出するように設けられている。コンデンサ端子503a~503cは、各パワー半導体モジュール300の正極端子157及び負極端子158に対応して形成される。コンデンサ端子503a~503cは同一形状を成し、コンデンサ端子503a~503cを構成する負極側コンデンサ端子504と正極側コンデンサ端子506との間には絶縁シートが設けられ、端子間の絶縁が確保されている。コンデンサモジュール500の側面500dの側の上部には、突出部500e,500fが形成されている。突出部500e内には放電抵抗が実装され、突出部500f内にはコモンモードノイズ対策用のYコンデンサが実装されている。また、突出部500fの上面から突出した端子500g,500hに、図5に示した電源端子508,509が取り付けられる。図24に示すように、開口402b,402cと側面12dとの間には凹部405a,405bが形成されており、コンデンサモジュール500を流路形成体12の収納空間405に収納すると、突出部500eは凹部405aに収納され、突出部500fは凹部405bに収納される。突出部500e内に実装された放電抵抗は、インバータ停止時にコンデンサモジュール500内のコンデンサセルに溜まった電荷を放電するための抵抗である。突出部500eが収納される凹部405aは、入口配管13から流入した冷媒の流路の直上に設けられているので、放電時の放電抵抗の温度上昇を抑えることができる。図32は、バスバーアッセンブリ800の斜視図である。バスバーアッセンブリ800は、U,V,W相の交流バスバー802U,802V,802Wと、交流バスバー802U~802Wを保持し固定するための保持部材803と、交流バスバー802U~802Wを流れる交流電流を検出するための電流センサ180と、を備えている。交流バスバー802U~802Wは、それぞれ幅広導体で形成されている。樹脂等の絶縁材料で形成された保持部材803には、ドライバ回路基板22を保持するための複数の支持部材807aが、保持部材803から上方に突出するように形成されている。電流センサ180は、図22に示すようにバスバーアッセンブリ800を流路形成体12上に固体したときに、流路形成体12の側面12dに近接した位置で側面12dに平行となるように、バスバーアッセンブリ800に配置されている。電流センサ180の側面には、交流バスバー802U~802Wを貫通させるための貫通孔181がそれぞれ形成されている。電流センサ180の貫通孔181が形成されている部分にはセンサ素子が設けられており、電流センサ180の上面から各センサ素子の信号線182aが突出している。各センサ素子は、電流センサ180の延在方向、すなわち流路形成体12の側面12dの延在方向に並んで配置されている。交流バスバー802U~802Wは各貫通孔181を貫通し、その先端部分が平行に突出している。図32に示されるように、保持部材803には、位置決め用の突起部806a,806bが上方に向かって突出するように形成されている。電流センサ180はネジ止めにより保持部材803に固定されるが、その際に突起部806a,806bと電流センサ180の枠体に形成された位置決め孔とを係合させることで、電流センサ180の位置決めが行われる。さらに、ドライバ回路基板22を支持部材807aに固定する際に、ドライバ回路基板22側に形成された位置決め孔に位置決め用の突起部806a,806bを係合させることで、電流センサ180の信号線182aがドライバ回路基板22のスルーホールに位置決めされる。信号線182aは、ドライバ回路基板22の配線パターンと半田によって接合される。本実施形態では、保持部材803,支持部材807a及び突起部806a,806bは、樹脂で一体に形成される。このように、保持部材803が電流センサ180とドライバ回路基板22との位置決め機能を備えることになるので、信号線182aとドライバ回路基板22との間の組み付け及び半田接続作業が容易になる。また、電流センサ180とドライバ回路基板22を保持する機構を保持部材803に設けることで、電力変換装置全体としての部品点数を削減できる。交流バスバー802U~802Wは幅広面が水平となるように保持部材803に固定され、パワー半導体モジュール300U~300Wの交流端子159に接続される接続部805が垂直に立ち上がっている。接続部805は先端が凹凸形状をしており、溶接時にこの凹凸部分に熱が集中するような形状となっている。上述したように電流センサ180は流路形成体12の側面12dに平行に配置されているので、電流センサ180の貫通孔181から突出した各交流バスバー802U~802Wは、流路形成体12の側面12dに配置されることになる。各パワー半導体モジュール300U~300Wは、流路形成体12の側面12a,12b,12cに沿って形成された流路区間19a,19b,19cに配置されるので、交流バスバー802U~802Wの接続部805は、バスバーアッセンブリ800の側面12a~12cに対応する位置に配置される。その結果、図22に示すように、U相交流バスバー802Uは側面12bの近傍に配置されたパワー半導体モジュール300Uから側面12dまで延接され、V相交流バスバー802Vは側面12aの近傍に配置されたパワー半導体モジュール300Vから側面12dまで延接され、W相交流バスバー802Wは側面12cの近傍に配置されたパワー半導体モジュール300Wから側面12dまで延設される。図33は、開口部402a~402cにパワー半導体モジュール300U~300Wが固定され、収納空間405にコンデンサモジュール500が収納された流路形成体12を示す図である。図33に示す例では、開口部402bにU相のパワー半導体モジュール300Uが固定され、開口部402aにV相のパワー半導体モジュール300Vが固定され、開口部402cにW相のパワー半導体モジュール300Wが固定される。その後、コンデンサモジュール500が収納空間405に収納され、コンデンサ側の端子と各パワー半導体モジュールの端子とが溶接等により接続される。各端子は、流路形成体12の上端面から突出しており、上方から溶接機をアプローチして溶接作業が行われる。なお、コの字形状に配置された各パワー半導体モジュール300U~300Wの直流正極端子315B及び直流負極端子319Bは、図31に示される、コンデンサモジュール500の上面に突出して設けられたコンデンサ端子503a~503cと接続される。3つのパワー半導体モジュール300U~300Wはコンデンサモジュール500を囲むように設けられているため、コンデンサモジュール500に対する各パワー半導体モジュール300U~300Wの位置的関係が同等となり、同一形状のコンデンサ端子503a~503cを用いてバランス良くコンデンサモジュール500に接続することができる。そのため、コンデンサモジュール500とパワー半導体モジュール300U~300Wとの回路定数が3相の各相においてバランスし易くなり、電流の出し入れがし易い構造となっている。以上の説明はあくまで一例であり、本発明は上記実施形態の構成に何ら限定されるものではない。"