"絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、第1の背面電極層と第2の背面電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記第1の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層が、溝により分離され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、電気的に絶縁されていることを特徴とする薄膜太陽電池。前記透明電極層の前記溝は、パルスレーザを照射することにより形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池。前記透明電極層の前記溝は、波長が紫外線領域にあるレーザを照射することにより形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜太陽電池。前記絶縁性基板が、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレートの耐熱性フィルムから形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の薄膜太陽電池。絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、第1の背面電極層と第2の背面電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記第1の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層が、溝により分離され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、電気的に絶縁されており、前記溝は、ビームエネルギー密度を0.2~0.3J/cm2に調節したYAG-THGレーザ波長355nmを用いて形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池。前記透明電極層の前記溝は、ビーム形状が円形や矩形のもの、更にビームプロファイルがガウシアンのものやトップハットのレーザを用いて形成されていることを特徴とする請求項5に記載の薄膜太陽電池。前記透明電極層の前記溝は、パルス幅が20ps以下のレーザを用いて形成されていることを特徴とする請求項5又は6に記載の薄膜太陽電池。前記絶縁性基板が、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレートの耐熱性フィルムから形成されていることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか一項に記載の薄膜太陽電池。絶縁性基板に第2の貫通孔を形成するステップと、前記絶縁性基板の一方の面に裏面電極層を形成するとともに、前記絶縁性基板の他方の面に第1の背面電極層を形成するステップと、前記裏面電極層及び前記第1の背面電極層を形成した後に、前記絶縁性基板に第1の貫通孔を形成するステップと、前記絶縁性基板の一方の面側から光電変換層と透明電極層とを当該順で積層するとともに、前記絶縁性基板の他方の面側から第2の背面電極層を積層するステップと、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成して、前記絶縁性基板を複数のユニットセルに分割するステップと、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層に溝を形成して、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とを電気的に絶縁するステップとを含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層に溝を形成するステップは、パルスレーザを照射することにより行われることを特徴とする請求項9に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層に溝を形成するステップは、波長が紫外線領域にあるレーザを照射することにより行われることを特徴とする請求項9又は10に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層に溝を形成するステップは、ビームエネルギー密度を0.2~0.3J/cm2に調節したYAG-THGレーザ波長355nmを照射することにより行われることを特徴とする請求項9ないし11のいずれか一項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層に溝を形成するステップは、ビーム形状が円形や矩形のもの、更にビームプロファイルがガウシアンのものやトップハットのレーザを照射することにより行われることを特徴とする請求項9ないし12のいずれか一項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層に溝を形成するステップは、パルス幅が20ps以下のレーザを照射することにより行われることを特徴とする請求項9ないし13のいずれか一項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。しかしながら、上述の図8ないし図10の構成では、以下のような問題が生じる。従来の構成においては、第2の貫通孔28において透明電極層25と第2の背面電極層26とが接触しないように、透明電極層25を形成する際には、第2の貫通孔28の近傍においてメタルマスクによるマスク処理を行っていた。メタルマスクを用いる場合、マスク処理の際の製造条件や、成膜時の膜の回り込みのための余裕の確保などを考慮する必要があり、メタルマスクの面積は、第2の貫通孔28よりも大幅に大きい面積となる。したがって、図10bに示すように、第2の貫通孔28の近傍では、透明電極層25が形成されない部分が大きくなり、透明電極層25の有効面積が制限されていた。したがって、透明電極層25の有効面積を確保する構造が必要となる。また、第2の貫通孔28の近傍をマスク処理する場合、絶縁性基板22上の透明電極層25とマスクとが接触することにより絶縁性基板22上の透明電極層25などが損傷する可能性があった。特に、特許文献3では、細い線状のマスクを用いているので、透明電極層25とマスクとが接触して透明電極層25損傷する可能性が高かった。このように絶縁性基板22上にある層が損傷すると、リーク電流などが増加することになり、薄膜太陽電池21を製造する際の不良率が増加してしまうという問題があった。また、特許文献2に開示された技術では、接続孔を導電性のある材料で塞いでいるので、そもそも接続孔における絶縁性が十分でなく、リーク電流が増加してしまうという問題があった。さらに、特許文献3では、接続孔を絶縁性樹脂、ポリイミドやポリアミドの樹脂で塞いでいるが、半導体層を成膜する前に絶縁性樹脂を塗布している。したがって、大気から絶縁性樹脂に吸着した水分等が、半導体層を成膜する際に放出され、薄膜太陽電池の特性が低下するという問題があった。また、絶縁性樹脂の硬化に長い時間がかかるために、製造コストが増大するという問題もあった。また、樹脂の厚さ分だけ基板が局所的に厚くなるので、基板を搬送する際に問題が生じやすい。また、非特許文献1には、レーザパターニングを行う際のレーザの波長やパルス幅が記載されているが、エネルギー密度に関する条件が記載されていない。したがって、非特許文献1の条件でレーザパターニングを行ったとしても、レーザ加工を行う周辺の発電層光電変換層などの変質を抑えることができないという問題があった。本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、透明電極層の有効面積を広げて薄膜太陽電池の出力を増加させるとともに、第2の貫通孔における絶縁性を確保して薄膜太陽電池を製造する際の不良率を低下させることが可能な薄膜太陽電池及びその製造方法を提供することにある。上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、第1の背面電極層と第2の背面電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記第1の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層が、溝により分離され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、電気的に絶縁されている。また、本発明の薄膜太陽電池によれば、前記透明電極層の前記溝は、パルスレーザを照射することにより形成されている。また、本発明の薄膜太陽電池によれば、前記透明電極層の前記溝は、波長が紫外線領域にあるレーザを照射することにより形成されている。また、本発明の薄膜太陽電池によれば、前記絶縁性基板が、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレートの耐熱性フィルムから形成されている。上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、第1の背面電極層と第2の背面電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記第1の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層が、溝により分離され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、電気的に絶縁されており、前記溝は、ビームエネルギー密度を0.2~0.3J/cm2に調節したYAG-THGレーザ波長355nmを用いて形成されている。また、本発明の薄膜太陽電池によれば、前記透明電極層の前記溝は、ビーム形状が円形や矩形のもの、更にビームプロファイルがガウシアンのものやトップハットのレーザを用いて形成されている。また、本発明の薄膜太陽電池によれば、前記透明電極層の前記溝は、パルス幅が20ps以下のレーザを用いて形成されている。また、本発明の薄膜太陽電池によれば、前記絶縁性基板が、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレートの耐熱性フィルムから形成されている。上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、絶縁性基板に第2の貫通孔を形成するステップと、前記絶縁性基板の一方の面に裏面電極層を形成するとともに、前記絶縁性基板の他方の面に第1の背面電極層を形成するステップと、前記裏面電極層及び前記第1の背面電極層を形成した後に、前記絶縁性基板に第1の貫通孔を形成するステップと、前記絶縁性基板の一方の面側から光電変換層と透明電極層とを当該順で積層するとともに、前記絶縁性基板の他方の面側から第2の背面電極層を積層するステップと、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成して、前記絶縁性基板を複数のユニットセルに分割するステップと、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層に溝を形成して、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とを電気的に絶縁するステップとを含む。また、本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層に溝を形成するステップは、パルスレーザを照射することにより行われる。また、本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層に溝を形成するステップは、波長が紫外線領域にあるレーザを照射することにより行われる。また、本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層に溝を形成するステップは、ビームエネルギー密度を0.2~0.3J/cm2に調節したYAG-THGレーザ波長355nmを照射することにより行われる。また、本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層に溝を形成するステップは、ビーム形状が円形や矩形のもの、更にビームプロファイルがガウシアンのものやトップハットのレーザを照射することにより行われる。また、本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層に溝を形成するステップは、パルス幅が20ps以下のレーザを照射することにより行われる。本発明に係る薄膜太陽電池によれば、絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、第1の背面電極層と第2の背面電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記第1の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層が、溝により分離され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、電気的に絶縁されている。従来では、第2の貫通孔の周辺にマスク処理を行ったり又は絶縁性樹脂を配置したりしていたが、本発明によれば、このような処理を行わなくても、透明電極層と第2の背面電極層との間の絶縁性を確保することができる。しかも、第2の貫通孔の周辺にマスク処理を行なわず、透明電極層を除去するだけの構成になっているので、マスク処理に比べて、透明電極層が形成されない領域が小さくなり、透明電極層の有効面積を広げることができる。これにより、薄膜太陽電池の出力を増加させることができる。また、本発明に係る薄膜太陽電池によれば、前記透明電極層の前記溝は、パルスレーザを照射することにより形成されているので、光電変換層などの発電層の結晶化によるショートを抑制することができる。また、本発明に係る薄膜太陽電池によれば、前記透明電極層の前記溝は、波長が紫外線領域にあるレーザを照射することにより形成されているので、透明電極層での光吸収が大きくなり、発電層への熱的ダメージを小さくすることができる。また、本発明に係る薄膜太陽電池によれば、絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、第1の背面電極層と第2の背面電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記第1の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層が、溝により分離され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、電気的に絶縁されており、前記溝は、ビームエネルギー密度を0.2~0.3J/cm2に調節したYAG-THGレーザ波長355nmを用いて形成されているので、レーザ加工を行う周辺の光電変換層などの発電層の変質すなわち、結晶化などを抑えることができる。また、加工用レーザに、紫外線領域波長400nm以下のレーザを使用しているので、透明電極層での光吸収が大きくなり、発電層への熱的ダメージを小さくすることができる。また、本発明に係る薄膜太陽電池によれば、前記透明電極層の前記溝は、パルス幅が20ps以下のレーザを用いて形成されているので、レーザのパルスの時間幅が短くなり、熱の影響を抑えることができるまた、本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、絶縁性基板に第2の貫通孔を形成するステップと、前記絶縁性基板の一方の面に裏面電極層を形成するとともに、前記絶縁性基板の他方の面に第1の背面電極層を形成するステップと、前記裏面電極層及び前記第1の背面電極層を形成した後に、前記絶縁性基板に第1の貫通孔を形成するステップと、前記絶縁性基板の一方の面側から光電変換層と透明電極層とを当該順で積層するとともに、前記絶縁性基板の他方の面側から第2の背面電極層を積層するステップと、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成して、前記絶縁性基板を複数のユニットセルに分割するステップと、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層に溝を形成して、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とを電気的に絶縁するステップとを含む。従来では、第2の貫通孔の周辺にマスク処理を行ったり又は絶縁性樹脂を配置する処理が必要だったが、本発明によれば、従来のように第2の貫通孔の近傍にマスク処理などを行う必要がなくなり、薄膜太陽電池1の製造時の歩留まりが向上する。加えて、第2の貫通孔の近傍にマスク処理を行う必要がなくなるので、マスクと絶縁性基板2上の層とが接触して絶縁性基板2上の層が損傷することもなくなる。これにより、薄膜太陽電池1においてリーク電流が増加することもなくなり、薄膜太陽電池1を製造する際の不良率を低下させることができる。以下、本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池を、図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る薄膜太陽電池の平面図である。図2は、図1のA-A線断面図であり、図3は、図2におけるCの拡大図である。また、図4は、図1のB-B線断面図であり、図5は、図4におけるCの拡大図である。[第1実施形態]図1ないし図5に示すように、本実施形態に係る薄膜太陽電池1は、絶縁性基板2図3及び図5参照を備えている。この絶縁性基板2は、フィルム材料から形成されており、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、あるいはアラミド等の材料から形成されている。図3に示すように、絶縁性基板2の両面2a,2bには、Ag/ZnO等の金属からなる金属電極層3が形成されている。ここで、絶縁性基板2の一方の面2a上の金属電極層3は、裏面電極層3aとして機能し、絶縁性基板2の他方の面2b上の金属電極層3は、第1の背面電極層3bとして機能する。また、図3及び図5に示すように、絶縁性基板2の一方の面2a上にある裏面電極層3aには、光電変換層4と透明電極層5とが当該順で積層されている。ここで、光電変換層4としては、アモルファス半導体或いは微結晶を含むアモルファス半導体、色素増感形太陽電池、有機太陽電池、又はCIGS系有機太陽電池を用いることができる。一方、絶縁性基板2の他方の面2b上にある第1の背面電極層3bには、第2の背面電極層6が積層されている。図1に示すように、絶縁性基板2には、絶縁性基板2を貫通する複数の第1の貫通孔7が設けられており、複数の第1の貫通孔7は、一定の間隔をおいて配置されている。また、図3に示すように、透明電極層5と第2の背面電極層6とは、第1の貫通孔7の側壁部7a上で互いに重なり合うような形で接続している。また、図1に示すように、絶縁性基板2には、絶縁性基板2を貫通する複数の第2の貫通孔8が設けられている。本実施形態において、第2の貫通孔8は、薄膜太陽電池1の絶縁性基板2の幅方向の両端部に配置されている。そして、図5に示すように、裏面電極層3aと第1の背面電極層3bとは、第2の貫通孔8の側壁部8aを介して電気的に接続されている。このように、第1及び第2の貫通孔7,8は、第1及び第2の背面電極層3b,6→第1の貫通孔7→透明電極層5→光電変換層4→裏面電極層3a→第2の貫通孔8→第1の背面電極層3bの順に接続するために利用されている。図1に示すように、絶縁性基板2の一方の面2a上に積層された層裏面電極層3a、光電変換層4、透明電極層5は、レーザ加工による第1のパターニングライン9により複数に分割されている。また、図1及び図5に示すように、絶縁性基板2の他方の面2b上に積層された層第1の背面電極層3b、第2の背面電極層6も同様に、レーザ加工による第2のパターニングライン10により複数に分割されている。ここで、第1のパターニングライン9及び第2のパターニングライン10は、絶縁性基板2において互い違いに配置されている。このような第1及び第2のパターニングライン9,10によって、絶縁性基板2の一方の面2a上の各層と他方の面2b上の各層とからなるユニットセル単位太陽電池に分割されている。薄膜太陽電池1は、絶縁性基板2の両面2a,2bの電極層の分離位置を互いにずらし、且つ絶縁性基板2の両面2a,2bの電極層を第2の貫通孔28で接続することにより、隣接するユニットセルが直列で接続される構造となっている。本実施形態の特徴としては、図1及び図5bに示すように、第2の貫通孔8の周辺には、透明電極層5を除去する加工が施されている。詳細には、図1及び図5bに示すように、第2の貫通孔8の周辺には、分離溝11が設けられており、分離溝11は、第2の貫通孔8の径方向外側に形成されている。すなわち、図5bに示すように、分離溝11は、第2の貫通孔8の側壁部8aに対して径方向外側に位置している。図1に示すように、分離溝11は、第2の貫通孔8と同心状に形成されており、平面視で環状に形成されている。また、図5bに示すように、分離溝11の深さは、光電変換層4まで達しており、透明電極層5と第2の透明電極層6とが、電気的に絶縁されている。次に、本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造方法について図面を参照して説明する。図6は、本実施形態に係る薄膜太陽電池1を製造する際のフローチャートである。本実施形態に係る薄膜太陽電池1は、絶縁性基板2として上述したようなフィルム材料を用いる。薄膜太陽電池1を製造する方法としては、ロールツーロール方式やインクジェットによる印刷技術を用いる。例えば、ロールツーロール方式は、フィルム材料の基板が複数のローラー搬送手段によって搬送され、連続して配置された成膜室内において基板上に連続的に薄膜を成膜する方式である。薄膜太陽電池1を製造する際には、図6に示すように、まずステップS1において、絶縁性基板2の前処理を行う。具体的には、絶縁性基板2を加熱しながら張力をかけることによって基板の変形を飽和させる前処理を行なう。次に、ステップS2において、絶縁性基板2に第2の貫通孔8を形成する。第2の貫通孔8はパンチング穿孔法により形成する。第2の貫通孔8の形状としては、直径が1mmの円形としている。第2の貫通孔8は、円形の直径を0.05-1mmの範囲で設定され、第2の貫通孔8の穿孔数は設計に応じて調整することができる。次に、ステップS3において、スパッタリング処理を行うことにより絶縁性基板2の両面2a,2bに裏面電極層3a及び第1の背面電極層3bを形成する。この際、裏面電極層3a及び第1の背面電極層3bが第2の貫通孔8を介して電気的に接続することになる。その後、ステップS4において、絶縁性基板2の両面2a,2bに形成した層をレーザ加工により除去して1次パターニングライン図示せずを形成する。この際、絶縁性基板2の両面2a,2bに形成するラインは、互いにずらして形成される。そして、ステップS5において、絶縁性基板2に第1の貫通孔7を形成する。第1の貫通孔7はパンチングにより形成する。そして、ステップS6において、絶縁性基板2の裏面電極層3a上に光電変換層4を形成し、その後、ステップS7において、光電変換層4上に更に透明電極層5を形成する。次に、ステップS8において、絶縁性基板2の第1の背面電極層3b上に第2の背面電極層6を形成する。次に、ステップS9において、ステップS4で形成した1次パターニングライン上の光電変換層4及び透明電極層5を、レーザ加工により再度除去して第1のパターニングライン9を形成する。さらに、ステップS10において、ステップS4で形成した1次パターニングライン上の第2の背面電極層6を、レーザ加工により再度除去して第2のパターニングライン10を形成する。これら第1及び第2のパターニングライン9,10により絶縁性基板2上の層が複数のユニットセルに分離される。次に、ステップS11において、第2の貫通孔8の周辺の透明電極層5に対してレーザ加工を行い、第2の貫通孔8の周辺に分離溝第3のパターニングライン11を形成する。分離溝11は、第2の貫通孔8と同心状で、且つ第2の貫通孔8の径方向外側に形成される図1参照。また、分離溝11の深さは、光電変換層4まで達している図5b参照。これにより、分離溝11の外側の透明電極層5と、裏面電極層6や第1の背面電極層3bとが、分離溝11によって分離され、その結果、透明電極層5と裏面電極層6とが、電気的に絶縁される。ここで、分離溝11を形成するレーザとしては、パルスレーザを用いることができる。パルスレーザを用いることにより、発電層の結晶化によるショートを抑制することができる。また、パルスレーザの波長を紫外線領域にするとよい。波長を紫外線領域に設定することにより、熱の影響が小さくしつつ、分子を切断して除去するアブレーションの効果が大きくすることができる。また、パルスレーザのパルスの時間幅を短くすると、熱の影響を抑えることができる。パルスレーザのパルスの時間幅としては、100ps以下、好ましくは、20ps以下に設定するとよい。以上により、薄膜太陽電池1の直列接続が完成する。本発明の第1実施形態に係る薄膜太陽電池1によれば、絶縁性基板2の一方の面2aには、裏面電極層3aと光電変換層4と透明電極層5とが当該順で積層され、絶縁性基板2の他方の面2bには、第1の背面電極層3bと第2の背面電極層6とが当該順で積層され、絶縁性基板2の両面2a,2bに積層した層に対して互い違いに第1及び第2のパターニングライン9,10を形成することにより絶縁性基板2が複数のユニットセルに分割され、透明電極層5と第2の背面電極層6とが、絶縁性基板2を貫通する第1の貫通孔7を介して電気的に接続され、裏面電極層3aと第1の背面電極層3bとが、絶縁性基板2を貫通する第2の貫通孔8を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池1において、第2の貫通孔8の周囲の透明電極層5が、分離溝11により分離され、透明電極層5と第2の背面電極層6とが、電気的に絶縁されている。従来では、第2の貫通孔の周辺にマスク処理を行ったり又は絶縁性樹脂を配置したりしていたが、本発明によれば、このような処理を行わなくても、第2の貫通孔8において透明電極層5と第2の背面電極層6との間の絶縁性を確保することができる。しかも、第2の貫通孔8の周辺にマスク処理を行なわず、透明電極層5をレーザで除去するだけの構成になっているので、マスク処理に比べて、透明電極層5が形成されない領域が小さくなり、従来に比べて透明電極層5の有効面積を広げることができる。これにより、薄膜太陽電池1の出力を増加させることができる。また、本発明の第1実施形態に係る薄膜太陽電池1によれば、分離溝11を形成するレーザとして、パルスレーザを用いているので、光電変換層4などの発電層の結晶化によるショートを抑制することができる。また、パルスレーザのパルスの時間幅を短く設定している100ps以下ので、レーザ加工する際の熱の影響を抑えることができる。本発明の第1実施形態に係る薄膜太陽電池1の製造方法によれば、絶縁性基板2に第2の貫通孔8を形成するステップと、絶縁性基板2の一方の面2aに裏面電極層3aを形成するとともに、絶縁性基板2の他方の面2bに第1の背面電極層3bを形成するステップと、裏面電極層3a及び第1の背面電極層3bを形成した後に、絶縁性基板2に第1の貫通孔7を形成するステップと、絶縁性基板2の一方の面2a側から光電変換層4と透明電極層5とを当該順で積層するとともに、絶縁性基板2の他方の面2b側から第2の背面電極層6を積層するステップと、絶縁性基板2の両面2a,2bに積層した層に対して互い違いにパターニングライン9,10を形成して、絶縁性基板2を複数のユニットセルに分割するステップと、第2の貫通孔8の周囲の透明電極層5に分離溝11を形成して、透明電極層5と第2の背面電極層6とを電気的に絶縁するステップとを含むので、従来のように第2の貫通孔の近傍にマスク処理などを行う必要がなくなり、薄膜太陽電池1の製造時の歩留まりが向上する。加えて、第2の貫通孔8の近傍にマスク処理を行う必要がなくなるので、マスクと絶縁性基板2上の層とが接触して絶縁性基板2上の層が損傷することもなくなる。これにより、薄膜太陽電池1においてリーク電流が増加することもなくなり、薄膜太陽電池1を製造する際の不良率を低下させることができる。[第2実施形態]以下、本発明の第2実施形態に係る薄膜太陽電池1を説明する。なお、第2実施形態に係る薄膜太陽電池1において、分離溝11図5b参照を形成するまでの製造工程は、第1実施形態と同様である。したがって、重複する説明は省略する。図7は、レーザを照射して透明電極層5図5b参照を加工する際のエネルギー密度と結晶化率との関係を示した図である。ここで、結晶化率は、ラマン分光法で測定されたピーク強度比を用いて計算されている。結晶Siのピーク強度をIc、非結晶Siのピーク強度をIaとすると、Ic/Iaが結晶化率である。なお、レーザ照射前の発電層の結晶化率を1とし、レーザ照射後の結晶化率との相対値を求めている。図7に示すように、エネルギー密度が大きくなると、発電層へ熱的なダメージが加わり、結晶化が進んでいくすなわち、結晶化率が大きくなる。まず、エネルギー密度が小さすぎると、透明電極層5の加工ができなくなるため、レーザ加工においてエネルギー密度は、0.2J/cm2は必要となる。ここで、結晶化率の上限の閾値を2相対値とすると、図7に示すように、エネルギー密度の上限値は、0.31J/cm2となる。この第2実施形態においては、透明電極層5を加工して分離溝11を形成する手段として、YAG-THGレーザ波長355nmを用いる。そして、図7の結果を用いて、YAG-THGレーザのエネルギー密度を0.2~0.3J/cm2の範囲に設定する。また、レーザのエネルギー密度は、0.2~0.3J/cm2の範囲内であれば、円形ガウシアン分布のビームを用いることができる。なお、好ましくは、エネルギー分布が良好な矩形形状のビームトップハットを用いるとよい。また、第1実施形態と同様に、レーザのパルスの時間幅を短くすると、熱の影響を抑えることができる。パルスレーザのパルスの時間幅としては、100ps以下、より好ましくは、20ps以下に設定するとよい。本発明の第2実施形態に係る薄膜太陽電池1の製造方法によれば、分離溝11が、ビームエネルギー密度を0.2~0.3J/cm2に調節したYAG-THGレーザ波長355nmを用いて形成されるので、レーザ加工を行う周辺の光電変換層などの発電層の変質すなわち、結晶化などを抑えることができる。また、加工用レーザに、紫外線領域波長400nm以下のレーザを使用しているので、透明電極層5での光吸収が大きくなり、発電層への熱的ダメージを小さくすることができる。以上、本発明の実施の形態につき述べたが、本発明は既述の実施形態に限定されるものでなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変形及び変更が可能である。上述の実施形態では、分離溝11は、平面視で環状に形成されているが、透明電極層5と第2の透明電極層6とが電気的に絶縁されればよく、別の形状でもよい。例えば、分離溝11を第2の貫通孔8の周囲に平面視で矩形状に形成してもよい。上述の実施形態では、第2の貫通孔8の周囲の透明電極層5に対してレーザ加工を行うステップS11は、最後に行っているが、ステップS8の実施以降であればよく、ステップS11の順序を入れ替えることができる。"