対向形成された貫通ラインを含む基板と、前記基板の上面に形成される半導体層と、前記半導体層上面の両端に形成されるバスラインと、前記バスラインと電気的に連結され、前記貫通ラインを通じて前記基板の背面に延長されるバスバーと、を含む太陽電池。前記半導体層は、前記貫通ラインの間に配置される請求項1に記載の太陽電池。前記貫通ラインは、直線形状または曲線形状を含む請求項1に記載の太陽電池。前記貫通ラインの終端は、前記基板の内側または外側に向かって折り曲げられた請求項1に記載の太陽電池。前記貫通ラインは、前記半導体層と干渉しない領域に形成された請求項1に記載の太陽電池。前記半導体層の両側面は、段差または傾斜面を含む請求項1に記載の太陽電池。前記半導体層は、階段型多層構造を含む請求項1に記載の太陽電池。前記半導体層は、前記基板上に配置される背面電極層と、前記背面電極層上に配置される光吸収層と、前記光吸収層上に配置される透明電極層と、を含む請求項1に記載の太陽電池。前記基板、前記背面電極層、前記光吸収層および前記透明電極層のそれぞれの幅は、順次狭くなる請求項8に記載の太陽電池。基板上に対向する貫通ラインを形成する段階と、前記基板の上面に半導体層を形成する段階と、前記半導体層上面の両端にバスラインを形成する段階と、前記バスラインにバスバーの一端を接合する段階と、前記バスバーの他端を前記貫通ラインを通じて前記基板の背面に配置する段階と、を含む太陽電池の製造方法。前記半導体層を形成する段階は、前記基板上に背面電極層を形成する段階と、前記背面電極層上に光吸収層を形成する段階と、前記光吸収層上に透明電極層を形成する段階と、を含む請求項10に記載の太陽電池の製造方法。前記半導体層を形成する段階は、前記基板、前記背面電極層、前記光吸収層、および前記透明電極層を階段型多層構造に形成する請求項11に記載の太陽電池の製造方法。前記背面電極層、前記光吸収層および前記透明電極層のそれぞれは、前記基板の両側面から前記基板の内側に一定間隔離隔されて形成される請求項12に記載の太陽電池の製造方法。前記半導体層を形成する段階で、前記基板は、前記貫通ラインと締結される基板固定装置によって固定される請求項10に記載の太陽電池の製造方法。前記貫通ラインは、直線形状または曲線形状をなすように形成される請求項10に記載の太陽電池の製造方法。本発明は、ジャンクションボックスの位置の自由度を確保して、構造的安定性を提供できる太陽電池およびこれの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、エッジアイソレーションedgeisolation工程を必要としない太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。さらに、本発明は、工程中に基板の固定および密着が容易な太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。本発明の太陽電池は、対向形成された貫通ラインを含む基板と、前記基板の上面に形成される半導体層と、前記半導体層上面の両端に形成されるバスラインと、前記バスラインと電気的に連結され、前記貫通ラインを通じて前記基板の背面に延長されるバスバーと、を含む。また、本発明の太陽電池の製造方法は、基板上に対向する貫通ラインを形成する段階と、前記基板の上面に半導体層を形成する段階と、前記半導体層上面の両端にバスラインを形成する段階と、前記バスラインにバスバーの一端を接合する段階と、前記バスバーの他端を前記貫通ラインを通じて前記基板の背面に配置する段階と、を含む。本発明の太陽電池によれば、基板に貫通ラインを形成して、前記貫通ラインを通じてバスバーを前記基板の背面に連結することで、基板背面に位置するジャンクションボックスの自由度を高めることができる。また、本発明の太陽電池によれば、基板上に階段型多層構造を有する半導体層を形成して、エッジアイソレーション工程を省略することができる。また、本発明の太陽電池の製造方法によれば、基板の貫通ラインと締結される基板固定装置を用いることで、工程中基板の固定および密着を容易にする。実施例の説明において、各パネル、配線、電池、装置、面、またはパターン等が、各パターン、配線、電池、面、またはパターン等の上または下に形成されると記載される場合、上と下は直接または他の構成要素を介在して形成されるものを全部含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面における各構成要素の大きさは、説明の便宜を図り誇張されることもあり、実際適用される大きさを表すものではない。図1は、本発明の実施例に係る太陽電池を示す平面図であり、図2は本発明の実施例に係る太陽電池を示す断面図である。また、図3~図5は本発明の実施例に係る貫通ラインが形成された基板の変形例を示す平面図である。図1および図2に示すように、実施例に係る太陽電池は、貫通ライン120が対向形成された基板100と、前記基板100上に形成された半導体層200と、前記半導体層200上面の両端に形成されたバスライン300と、前記バスライン300と電気的に連結され、前記貫通ライン120を通じて前記基板100の背面に延長されるバスバー400と、を含む。前記基板100はプレート形状となっており、前記半導体層200、前記バスライン300、前記バスバー400を支持する。前記基板100は、透明で堅固または柔軟な材質からなることができる。前記基板100は絶縁体からなることができる。例えば、前記基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板からなることができる。より詳しくは、前記基板100は、ナトリウム成分が含まれたソーダライムガラスsodalimeglass基板からなることができる。これとは違って、前記基板100の材質として、アルミナのようなセラミック、ステンレススチール、PETPolyethyleneTerephthalate、PENPolyethylenenaphthelate、PPPolypropylene、TACTriAcethlCelluloseのようなプラスチック等を用いることができる。前記基板100上には、前記基板100を上下に貫通する貫通ライン120が形成される。前記貫通ライン120は、相互対向するように前記基板100上に形成される。より詳しくは、前記貫通ライン120は、前記基板100の両端に配置され、相互対向されるように形成される。また、前記貫通ライン120は、後述する半導体層200と干渉しない領域に形成される。前記貫通ライン120は直線または曲線に形成されるが、これに限定されるものではない。より詳しくは、前記貫通ライン120は、一方向に延長されるバーの形状に形成される。また、前記貫通ライン120の長さおよび幅は、多様に変更することができる。前記基板100上面には半導体層200が形成される。前記半導体層200は、光電効率と耐久性が優れるCIGS系半導体層を用いることができるが、これに限定されるものではない。前記半導体層200は、前記基板100に形成された貫通ライン120の間に形成される。また、前記半導体層200はパターニング工程P3によって多数の単位セルに分割される。図1に示すように、前記半導体層200は5個の単位セルに分離されるが、セルの個数はこれに限定されない。図2に示すように前記半導体層200は、前記基板100上に順次形成される背面電極層210、CIGS系の光吸収層220、第1バッファ層230、高抵抗バッファ層240、および透明電極層250を含む。前記背面電極層210は導電層である。前記背面電極層210は、モリブデンMo、金Au、アルミニウムAl、クロムCr、タングステンWおよび銅Cuのいずれか1つからなることができるが、これに限定されるものではない。この中で、特にモリブデンMoは他の元素に比べて前記基板100と熱膨張係数の差が少ないので、接着性が優れて剥離現象の発生を防止でき、前記背面電極層210に要求される特性を全般的に充足することができる。また、前記背面電極層210は、2個以上の層を含むことができる。この時、それぞれの層は、同一金属、または相互異なる金属からなることができる。前記背面電極層210は、第1貫通溝P1によって多数個の背面電極層に分割される。前記第1貫通溝P1は図1のように、ストライプ形態に限らずマトリックス形態等多様な形態になることができる。前記第1貫通溝P1の幅は、約80μm~200μmにすることができるが、これに限定されるものではない。前記光吸収層220は、前記背面電極層210上に配置される。前記光吸収層220は、I-III-VI族化合物を含む。例えば、前記光吸収層220は、銅-インジウム-ガリウム-セレニドCuInGaSeS2;CIGSS系結晶構造、銅-インジウム-セレニド系または銅-ガリウム-セレニド系結晶構造を有することができる。前記バッファ層230は、前記光吸収層220上に配置される。前記バッファ層は、前記吸収層300と後述される透明電極層250とのエネルギーギャップの差を緩和させる役割をすることができる。また、前記バッファ層230は、硫化カドミウム、ZnS、InXSYおよびInXSeYZnOOH等を含む。前記バッファ層230は約50nm~約150nmの厚さを有することができ、前記バッファ層230のエネルギーバンドギャップは約2.2eV~2.4eVである。前記高抵抗バッファ層240は、前記バッファ層230上に配置される。前記高抵抗バッファ層240は、高い抵抗を有するように形成され、前記透明電極層250との絶縁および衝撃ダメージを防止することができる。前記高抵抗バッファ層240には、不純物がドーピングされていないジンクオキサイドi-ZnOを用いることができる。前記高抵抗バッファ層240のエネルギーバンドギャップは約31eV~約33eVである。また、前記高抵抗バッファ層240は省略することができる。前記光吸収層220、前記バッファ層230および前記高抵抗バッファ層240は、第2貫通溝P2を含む。即ち、前記光吸収層220、前記バッファ層230および前記高抵抗バッファ層240は、前記第2貫通溝P2によって貫通される。前記第2貫通溝P2によって、前記背面電極層210の一部は露出される。前記第2貫通溝P2の幅は、約80μm~約200μmにすることができるが、これに限定されるものではない。前記第2貫通溝P2には、前記透明電極層250を形成する物質と同一物質を充填され、これによって接続配線221が形成される。前記接続配線221は、前記透明電極層250と前記背面電極層210を電気的に連結する。前記透明電極層250は、透光性伝導性物質からなることができる。また、前記透明電極層250は、n型半導体の特性を有することができる。この時、前記透明電極層250は前記バッファ層230と一緒にn型半導体層を形成して、p型半導体層である前記光吸収層220とpn接合を形成することができる。前記透明電極層250は、例えばアルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドAZOからなることができる。前記透明電極層250は、約100nm~約500nmの厚さを有することができる。前記透明電極層250、前記高抵抗バッファ層240、前記バッファ層230および前記光吸収層220は、第3貫通溝P3を含む。前記第3貫通溝P3によって前記背面電極層210の一部は露出され、これによって前記半導体層200は多数のセルに分割される。また、前記多数個のセルは、前記接続配線221によって電気的に相互連結される。前記第3貫通溝P3の幅は、約80μm~約200μmにすることができるが、これに限定されるものではない。一方、前記半導体層200は、階段型多層構造を含む。即ち、前記半導体層200を形成する前記背面電極層210乃至前記透明電極層250は、階段型多層構造をなすことができる。より詳しくは、前記基板100上に順次積層された背面電極層210、光吸収層220、バッファ層230、高抵抗バッファ層240および透明電極層250の端部は、段差を有するように形成される。例えば、前記背面電極層210、前記光吸収層220、前記バッファ層230、前記高抵抗バッファ層240および前記透明電極層250それぞれの幅は、前記基板から離れるほど順次狭くなる。これによって、実施例に係る太陽電池は、半導体層を蒸着した後、前記半導体層200の端部を除去するエッジアイソレーション工程を省略することができる。以上では、背面電極層210、光吸収層220、バッファ層230、高抵抗バッファ層240および透明電極層250の端部が段差を有するように形成されたが、これに限定されるものではなく、それぞれの層が傾斜をなすように形成することもできる。バスライン300は、前記半導体層200上面に形成される。より詳しくは、前記バスライン300は、前記半導体層200上面の両端に形成される。例えば、前記バスライン300は前記透明電極層250と直接接触して形成される。また、前記バスライン300は相互対向形成される。前記バスライン300は、前記半導体層200に形成された前記貫通パターン120と平行するように前記基板100の一側および他側に形成される。前記バスライン300は、伝導性が優れて溶融点が低い金属物質からなることができる。例えば、前記バスライン300は、銀Ag、アルミニウムAl、マグネシウムMg、マンガンMn、アンチモンSb、モリブデンMo、およびこれらの組合からなる群から選択される物質からなることができる。また、前記バスライン300の酸化防止のために、コーティング物質を利用して表面がコーティングされるように構成することができる。前記バスライン300には、バスバー400が電気的に接続されるように形成される。前記バスバー400は、前記バスライン300の一定領域に接点されて電気的に連結される。また、前記バスライン300に連結された前記バスバー400は、前記基板100に形成された貫通ライン120を通じて前記基板100の背面に延長される。これによって、前記バスバー400は、前記基板100の背面に用意されたジャンクションボックス図示されないを通じて、外部に電力を供給することができる。ここで、前記バスバー400はバスライン300と同一材質から形成されるが、これに限定されるものではない。前記バスバー400は、前記基板100に形成された貫通ライン120を通過する間、前記半導体層200の側面と接触しないことが好ましく、このために前記バスバー400と前記半導体層200の側面の間には絶縁部材を更に設けることができる。図2では、前記バスバー400は、前記バスライン300と垂直に形成されて前記バスライン300と電気的に接続されたが、これに限定されるものではなく、前記バスバー400がバスライン300に沿って延長形成され、バスライン300の上部または下部から、基板100に形成された貫通ライン120を通過するように延長形成できることは勿論である。実施例に係る太陽電池は、基板100に形成された貫通ライン120を半導体層200と隣接するように形成することで、バスバー400を極めて短い長さで形成することができ、これはバスバー400の内部に流れる内部抵抗を減らし、電力効率を向上させることができる。また、実施例に係る太陽電池は、貫通ライン120を一方向に延長されたバーの形状で長く形成することで、バスバー400の位置に応じて基板100背面に配置されるジャンクションボックス図示されないの自由度を高めることができる。一方、図2および図3では、基板100に形成された貫通ライン120をバーの形状にしているが、これに限定されない。図3に示すように、前記貫通ライン120の中心部は前記基板100の一方向に延長され、前記貫通ライン120の両終端120aは前記基板100の外側に向かって折り曲げられる。ここで、前記貫通ライン120の両終端120aのいずれか1つのみを折り曲げるようにしてもよい。また、図4に示すように、前記貫通ライン120の両終端120bは、前記基板100の内側に向かって折り曲げられる。また、前記両終端120bは、貫通ライン120の間に形成された半導体層200と干渉しないように形成することが好ましい。図3および図4のように、前記貫通ライン120が折曲部を含む場合、前記バスバー400は折り曲げられた貫通ライン120の両終端120bを通じて基板100の背面に配置され、前記バスバー400の長さをより短くすることができる。一方、図5に示すように、前記貫通ライン120は曲線をなすように形成され、その曲線の角度は特別に限定されず、必要におうじて変更することができる。図3~図5のように、実施例に係る太陽電池の基板100にバスバー400が通過できる貫通ライン120を多様な形状で形成することで、前記基板100背面に位置するジャンクションボックス図示されないの自由度およびバスバー400との隣接度を高めることができる。以下では、図6~図10を参照して本発明による太陽電池の製造方法を説明する。本製造方法に関する説明では、前述した太陽電池に対する説明を参考とし、その重複説明は適宜省略する。図6に示すように、基板100上に貫通ライン120を形成する段階を実行する。前記貫通ライン120は一方向に延長形成され、レーザーまたはその他ガラス切断装置を用いて形成することができる。以後の工程で、前記基板100は、前記貫通ライン120と連結される基板固定装置500によって支持される。前記基板固定装置500は、製造工程中で前記基板100の固定および密着を容易にする。次に、図7~図9に示すように、前記基板100上に半導体層200を形成する。図7に示すように、前記基板100上に、PVDPhysicalVaporDepositionまたはメッキ等の方法により背面電極層200を形成する。例えば、前記基板100に形成された貫通ライン120の間に、モリブデンMoをスパッタリングして前記背面電極層210を形成することができる。以後、前記基板100の一部が第1貫通溝P1によって露出するように、第1パターニング工程を実行する。前記第1貫通溝P1によって背面電極層210は多数個に分離される。前記第1パターニング工程P1は、レーザーを利用したスクライビン法によって行うことができる。図8に示すように、前記背面電極層210上に光吸収層220、バッファ層230および高抵抗バッファ層240を順次形成する。前記光吸収層220は、前記背面電極層210上に銅ターゲット、インジウムターゲットおよびガリウムターゲットを用いてCIG系金属プリカーサ膜を形成する段階、および前記金属プリカーサ膜をセレン化selenization工程によってセレニウムSeと反応させる段階によって製造される。これとは違って、前記光吸収層220は、銅、インジウム、ガリウム、セレニドCu、In、Ga、Seを同時蒸着法co-evaporationによって形成することもできる。また、前記バッファ層230および前記高抵抗バッファ層240には硫化カドミウムCdSとZnOを用いることができ、それぞれCBDChemicalbathdeposition法とスパッタリング法によって形成することができる。次に、前記光吸収層220、前記バッファ層230および前記高抵抗バッファ層240に第2貫通溝P2を形成する第2パターニング工程を実行する。前記第2パターニング工程P2によって各階は分割され、背面電極層210の一部は露出される。ここで、第2パターニング工程は、レーザースクライビング法またはその他刃物のような部材を利用して行うことができる。前記光吸収層210乃至前記高抵抗バッファ層230を蒸着する間、前記基板100は前記基板固定装置500によって支持される。また、前記基板固定装置500は、前記光吸収層220、前記バッファ層230および前記高抵抗バッファ層240が蒸着される間、前記基板100を隔離させ、前記基板100上の各階の端部が段差をなすようにすることができる。このように、半導体層200の側面を段差をなすように形成すると、それぞれの層が順次積層されるので、工程が終了した後追加的に行われるエッジ除去工程を省略することができる。図9に示すように、前記高抵抗バッファ層240上に透明電極層250を形成する段階を実行する。前記透明電極層250は、前記高抵抗バッファ層240上に透明な導電物質を積層して形成される。この時、前記透明な導電物質が前記第2貫通溝P2の内部にも挿入され、接続配線221が形成される。前記接続配線221は、前記透明電極層250と前記背面電極層210を電気的に連結する。次に、前記透明電極層250の蒸着が終わると、第3貫通溝P3を形成する第3パターニング工程実行する。前記第3パターニング工程によって前記背面電極層210の一部は露出され、半導体層200は多数個の単位セルに分離される。前記第3貫通溝P3は、機械的の方法、またはレーザーを照射して形成することができる。また、前記透明電極層250が蒸着される間、前記基板100は前記基板固定装置500によって隔離され、これによって前記透明電極層250は前記高抵抗バッファ層240と段差をなすように形成される。上述した工程によって、前記半導体層200は階段型多層構造に形成される。より詳しくは、前記背面電極層210、前記光吸収層220および前記透明電極層230のそれぞれは、前記基板100の両側面から前記基板の内側に一定間隔離隔されて形成される。次に、図10に示すように、前記透明電極層250上にバスライン300を形成する段階を実行する。前記バスライン300は、銀Ag、アルミニウムAl、マグネシウムMg、マンガンMn、アンチモンSb、モリブデンMo、およびこれらの組合からなる群から選択される物質からなることができ、前記基板100に形成された前記貫通ライン120と平行するように形成される。以後、バスバー400の一端を前記バスライン300の一定領域に接合させる工程を実行する。前記バスバー400の一端は、前記バスライン300上にレーザー作業によって電気的に接続される。次に、前記バスバー400の他端を貫通ライン120を通じて前記基板100の背面に配置し、前記基板100の背面に備えられたジャンクションボックス図示されないと連結させ、高効率太陽電池の製造が終了する。以上、本発明を特定の実施例を中心に説明したが、これは本発明を限定するものではなく例示であり、本発明が属する技術分野で通常の知識を持った者によって、本発明の技術思想と特許請求の範囲内で多様な修正と変形が可能なことは勿論である。