"大気圧で半導体材料の凝縮温度より低い温度まで加熱された基板を被覆する方法であって、制御された質量の半導体材料と加熱された不活性ガス流とを混合し、前記加熱された不活性ガス流の中で、前記半導体材料を気化させ、前記半導体材料の凝縮温度より高い温度を有する流体混合物を生成し、ほぼ大気圧で前記基板の上に前記流体混合物を向け、前記半導体材料の層を前記基板の表面の上に堆積させる、ステップを含むことを特徴とする方法。前記半導体材料は、硫化カドミウム又はテルル化カドミウムを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記不活性ガスが窒素であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記流体混合物の温度は、800°Cから1,100°Cまでの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記基板は、ガラスを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記ガラスは、透過性で導電性の低放射率コーティングを有することを特徴とする請求項5に記載の方法。前記基板は、585°Cから650°Cまでの範囲の温度を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。前記基板上に少なくとも1つの付加的な半導体材料層を堆積させるために、前記気化させるステップ、前記向けるステップ、及び前記堆積させるステップが、少なくとも1度繰り返されることを特徴とする請求項1に記載の方法。大気圧で半導体材料の凝縮温度より低い温度まで加熱された基板を被覆する方法であって、制御された質量の半導体材料と加熱された不活性ガス流とを混合し、前記加熱された不活性ガス流の中で、前記半導体材料を気化させ、800°Cから1100°Cまでの範囲の温度を有する流体混合物を生成し、ほぼ大気圧で、透過性で導電性の低放射率コーティングを有し、かつ、585°Cから650°Cまでの範囲の温度を有する前記基板の上に前記流体混合物を向け、前記半導体材料の層を前記基板の表面の上に堆積させる、ステップを含むことを特徴とする方法。前記基板上に少なくとも1つの付加的な半導体材料層を堆積させるために、前記気化させるステップ、前記向けるステップ、及び前記堆積させるステップが、少なくとも1度繰り返されることを特徴とする請求項9に記載の方法。大気圧で半導体材料の凝縮温度より低い温度まで加熱された基板を被覆する方法であって、制御された質量の半導体材料と加熱された不活性ガス流とを混合し、加熱された不活性ガス流の中で、前記半導体材料を気化させ、800°Cから1100°Cまでの範囲の温度を有する流体混合物を生成し、ほぼ大気圧で、透過性で導電性の低放射率コーティングを有し、かつ、585°Cから650°Cまでの範囲の温度を有する前記基板の上に前記流体混合物を向け、前記半導体材料の層を前記基板の表面の上に堆積させ、前記気化させるステップ、前記向けるステップ、及び前記堆積させるステップを少なくとも1度繰り返し、少なくとも1つの付加的な半導体材料層を前記基板の上に堆積させる、ステップを含むことを特徴とする方法。本発明の上記及び他の目的及び利点は、添付図面に照らして、本発明の好ましい実施形態の以下の詳細な説明を読むことにより、当業者には容易に明白になるであろう。図を参照すると、大気圧において、基板の表面をテルル化カドミウムの膜で被覆する方法のステップが、概略的に示される。好ましくは粉末形態の硫化カドミウムCdS又はテルル化カドミウムCdTeである、個々に計量された質量の半導体材料が、ほぼ大気圧で入口と出口との間を流れる、好ましくは窒素である不活性ガス流によって連続的にパージされる区域内に導入される。粉末は、制御された速度で流れる不活性ガスによって、入口から、加熱された充填床からなる気化装置の中に運ばれ、その中で、粉末は、充填床の媒体の格子間ボイドを通過するときに気化される。加熱された充填床の出口が、加熱された区域の内部と連通状態にされ、気化された材料を基板に分散させる。気化された材料の流体流を生成するために、計量された粉末質量及びキャリア不活性ガスが加熱される代替的な粉末気化方法を用いることもできる。代替的な方法は、必ずしもこれらに限られるものではないが、キャリア不活性ガスが加熱され、粉末が気化される、加熱された流動床、キャリア不活性ガスを加熱し、粉末を気化させる熱式点滅気化装置、及び、キャリア不活性ガスを加熱し、粉末を気化させる、大気圧溶射ユニットを含むことができる。好ましくは硫化カドミウム又はテルル化カドミウムの粉末及びキャリア不活性ガスを含む流体は、その凝縮温度より高い温度のキャリア不活性ガス及び気化された材料を含む高温の流体混合物である。流体混合物の温度は、典型的には、約800°Cから約1,100°Cまでの範囲にある。次に、加熱された流体混合物は、ほぼ大気圧で基板の表面の方向に一定速度の層流を生成するように、装置内に指向される。一般に、基板は、好ましくは、透過性で導電性の低放射率コーティングを有するソーダ石灰ガラスである。こうしたガラスの例は、PilkingtonGlassCo.社によって製造され、TEC-15と表される。基板の表面は、約585°Cから約650°Cまでの温度に維持される。所望の流体混合物層流を生成するための装置は、流体が通路を通って流れるときに過渡流体内の一連の速度変化をもたらすように適合された一連の個々の通路から構成される。装置は、通路内での材料の凝縮を防ぐために、硫化カドミウム又はテルル化カドミウムの気化温度より高く維持される。こうした流体流は、細長い出口ノズルに流体混合物を均等に分散させ、一定の質量流量分布の均一な層流が、基板の接線方向に流れ、基板の表面に供給されることを可能にする。上記の作用により、流体混合物の分子が、細長い出口ノズルの全長にわたって均等に分散され、該分子が、ほぼ平行な経路において一定速度で該出口ノズルから移動され、一定速度の層流及び基板の方向に向けられた質量分布を生成する。出口ノズルを出る流体混合物の速度は、入口において流体混合物が導入される質量流速を制御することによって調整することができる。基板に適用される装置から放出される流体内の気化された材料の薄膜堆積速度を制御するために、基板の温度を気化された材料の凝縮点より低くなるように制御しながら、流体混合物の質量流速及び基板の速度を制御する。加熱された流体混合物は、冷たい基板の上に当たるので、気化された材料の凝縮温度より低い温度まで冷却される。材料は、多結晶の形で、流体混合物から、連続的な薄膜層のような移動している基板の上に凝縮する。流体抽出装置が、出口ノズルの上流及び下流に配置され、基板の表面に向けられた流体混合物の非膜生成成分の回収の制御を可能にする。過渡ガラス基板の表面において気化された硫化カドミウム又はテルル化カドミウムを均等に分散させるための多数の異なるシステムが存在し得るが、Hofer他に付与された米国特許第4,509,526号に示され、説明された装置は、満足のいく結果をもたらし得ると考えられる。層流構造体を準備するための、上述された装置による硫化カドミウム及び/又はテルル化カドミウムの任意の数の連続的な層堆積が、本発明によって考えられる。テルル化カドミウムの多結晶薄膜の堆積に続いて、薄層状の積層膜から光起電力素子を生成することを可能にするように、再結晶化ステップが必要とされる。ほぼ1大気圧で、高温テルル化カドミウム膜を、窒素内の希塩化水素の高温ガス状雰囲気に曝すことによって、こうしたステップを1分未満で達成できることが見出された。基板の温度を維持しながらテルル化カドミウムの再結晶化を制御する能力は、再結晶化ステップの際の、基板/積層膜組立体の冷却及び再加熱を排除する。乾式再結晶化ステップの使用により、有毒な塩化カドミウム溶液及びその適用装置の使用が排除される。典型的には、ライン内の再結晶化プロセスを出るガラス基板は、約620°Cから約630°Cまでの温度を有する。こうした温度範囲は、基板/積層膜が処理ラインを出るとき、ガラスが、冷却ガス流によって熱的に調節されることを可能にする。上述のプロセスは、広い面積の光起電性パネルを提供するように、ソーダ石灰ガラス基板の表面上に、薄膜の硫化カドミウム/テルル化カドミウムの光起電材料を生成する方法に関する。しかしながら、通常真空で堆積される他の薄膜材料を含むように、大気圧での蒸着の概念を広げ得ることを理解する必要がある。考え得る薄膜光起電材料は、CIGS銅インジウムガリウムセレン化物、CdS/CIS合金硫化カドミウム/銅インジウムセレン合金、アモルファスシリコン又は薄膜多結晶シリコン、及びZnO、S、OHx/CIGS酸化硫化水酸化亜鉛/銅インジウムガリウムセレン化物である。ガラス基板に塗布することが考えられる他の薄膜材料は、非常に低い放射率の膜及び反射防止膜のために用いられる多層膜のような光学コーティングである。本発明の大気圧堆積概念を用いて、耐久性が改善された膜、自己洗浄膜、フォト光学膜、及び電気光学膜のような、他の付加価値構造を開発することができる。表面特性を向上させるために、薄膜材料の大気圧堆積プロセスを、種々の基板材料に適用することができる。考え得る基板は、ポリマー材料、セラミック、金属、木材及び他のものを含む。"