"余分の酸化珪素膜を除くためのCMP研磨剤であって、酸化セリウム粒子、水溶性高分子、β-ジケトンから選択されるセリウムとの錯形成剤及び水を含み、セリウムとの錯形成剤濃度が0.1重量以上10.0重量以下であるCMP研磨剤。錯形成剤が一般式I式中、R1及びR2は置換もしくは無置換アルキル基を表し、R3は水素原子または炭素数が1~3の置換もしくは無置換アルキル基を表すで示されるβ-ジケトンである請求項1記載のCMP研磨剤。錯形成剤がアセチルアセトンである請求項1又は2記載のCMP研磨剤。水溶性高分子が水溶性陰イオン性界面活性剤及び水溶性非イオン性界面活性剤からなる群選ばれる少なくとも1種である請求項1から3に記載のいずれかのCMP研磨剤。酸化セリウム粒子、水溶性高分子、β-ジケトンから選択されるセリウムとの錯形成剤及び水を含むCMP研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、酸化珪素絶縁膜が形成された半導体チップである基板の被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて、表面に錯形成した酸化セリウム粒子を介して基板表面を研磨し、余分の酸化珪素絶縁膜を除くことを特徴とする基板の研磨方法。CMP研磨剤に係る本願発明は、研磨後の洗浄における粒子除去性能を向上させ、高い研磨速度、高平坦性を有し、かつ研磨傷を低減することのできる研磨剤を提供するものである。基板の研磨方法に係る本願発明は、研磨後の洗浄における粒子除去性能を向上させ、高い研磨速度、高平坦性を有し、かつ研磨傷を低減することのでき、歩留まり、作業性の優れたものである。本発明は、酸化セリウム粒子、水溶性高分子、セリウムとの錯形成剤及び水を含みセリウムとの錯形成剤濃度が0.1重量以上10.0重量以下であるCMP研磨剤に関する。また、本発明は、錯形成剤が一般式I式中、R1及びR2は置換もしくは無置換アルキル基を表し、R3は水素原子または炭素数が1~3の置換もしくは無置換アルキル基を表すで示されるβ-ジケトンである前記のCMP研磨剤に関する。また、本発明は、錯形成剤がアセチルアセトンである前記のCMP研磨剤に関する。また、本発明は、水溶性高分子が水溶性陰イオン性界面活性剤及び水溶性非イオン性界面活性剤からなる群選ばれる少なくとも1種である前記のいずれかのCMP研磨剤に関する。また、本発明は、酸化セリウム粒子、水溶性高分子、セリウムとの錯形成剤及び水を含むCMP研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、酸化珪素絶縁膜が形成された半導体チップである基板の被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて、表面に錯形成した酸化セリウム粒子を介して基板表面を研磨することを特徴とする基板の研磨方法に関する。一般式Iで示されるβ-ジケトンとセリウム粒子の錯形成は、一般式II式中、R1、R2及びR3は一般式Iにおけると同意義で示される。このように酸化セリウム粒子表面に錯形成すると、セリウム粒子表面を疎水性の有機官能基が覆う形となるため、酸化珪素等の親水性の金属を表面に有する膜との相互作用が低下し、酸化セリウム粒子の酸化珪素膜表面への付着防止効果が発現すると推定される。CMP研磨剤に係る本願発明は、研磨後の洗浄における粒子除去性能を向上させ、高い研磨速度、高平坦性を有し、かつ研磨傷を低減することのできる研磨剤を提供するものである。基板の研磨方法に係る本願発明は、研磨後の洗浄における粒子除去性能を向上させ、高い研磨速度、高平坦性を有し、かつ研磨傷を低減することのでき、歩留まり、作業性の優れたものである。本発明における酸化セリウム粒子は、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、しゅう酸塩等のセリウム化合物を焼成または酸化することによって得られる。本発明の実施例において、酸化セリウム粉末を作製する方法として焼成または過酸化水素等による酸化法が使用できる。焼成温度は350°C以上900°C以下が好ましい。上記の方法により製造された酸化セリウム粒子は凝集しているため、機械的に粉砕することが好ましい。粉砕方法として、ジェットミル等による乾式粉砕や遊星ビーズミル等による湿式粉砕方法が好ましい。ジェットミルは例えば化学工業論文集第6巻第5号1980527~532頁に説明されている。CMP研磨剤は、上記方法で合成された酸化セリウム粒子を洗浄し、水溶性高分子、セリウムとの錯形成剤、水及び必要に応じて分散剤を加えた組成物を分散させることによって得られる。洗浄は、遠心分離等で固液分離を数回繰り返す方法等が使用できる。CMP研磨剤のpHは、3以上9以下であることが好ましく、5以上8以下であることがより好ましい。pHが3未満では、化学的作用が小さくなり、研磨速度が低下する。pHが9より大きいと、粒子が凝集して被研磨膜との接触面積が低下し、研磨速度が低下する傾向がある。また、半導体チップ研磨に使用することから、アルカリ金属及びハロゲン類の含有率は酸化セリウム粒子中10ppm以下に抑えることが好ましい。水に分散させた酸化セリウム粒子は完全には1ヶずつバラバラになってはいないと一般に考えられており、水に分散させた酸化セリウムの粒子径測定値は、粉体状態でのSEM写真撮影等の方法を用いて得られる1次粒子径測定値より大きくなる。水に分散させた酸化セリウムの2次粒子径は、1nm以上300nm以下であることが望ましい。2次粒子径が1nmより小さいと、砥粒として被研磨膜への影響が低下し、研磨速度が低下する。2次粒子径が300nmより大きいと、被研磨膜との接触面積が小さくなり、研磨速度が低下する傾向がある。粒子径は、光子相関法例えばマルバーン社製ゼータサイザー3000HSで測定する。また、酸化セリウムの1次粒子径は、0nmより大きく300nm以下であることを要する。1次粒子径が0nmでは、全く酸化珪素膜が研磨されない。また、結晶子径が300nmより大きいと、2次粒子径が300nmより大きくなり研磨速度が低下する。酸化セリウム粒子の濃度に制限はないが、分散液の取り扱いやすさから0.5重量以上20重量以下の範囲が好ましい。水溶性高分子としては、ポリビニルスルホン酸、ポリメタクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸誘導体、ポリ4-ビニルピリジニウム塩、ポリ13-スルホニル-2-ビニルピリジニウムベタイン-co-p-スチレンスルホン酸、ポリビニルアルコール誘導体、ポリアクロレイン、ポリ酢酸ビニル-co-メタクリル酸メチル、ポリスチレン-co-無水マレイン酸、ポリオレフィン-co-無水マレイン酸、ポリアクリルアミド部分加水分解物、ポリアクリルアミド-co-アクリル酸、アルギン酸、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル、及びポリアクリル酸もしくはポリメタクリル酸のアンモニウム塩、アミン塩もしくはカリウム塩等の水溶性陰イオン性界面活性剤;ポリビニルピロリドン等の水溶性非イオン性界面活性剤;から選ばれた少なくとも1種を用いることができ、好ましくは、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール誘導体、ポリアクリルアミド部分加水分解物、ポリアクリルアミド-co-アクリル酸、ポリアクリル酸もしくはポリメタクリル酸のアンモニウム塩、アミン塩を用いることができる。ここでアミン塩としてはN,N-ジメチルアミノエタノールによる塩等が挙げられる。また、水溶性高分子の重量平均分子量GPC測定し、標準ポリスチレン換算した値は、1,000~100,000が好ましい。水溶性高分子のモノマー単位のモル数/水溶性高分子と塩を作るアミンのモル数の比に特に制限はないが、研磨剤のpHを3以上9以下にする必要から、10/7以上10/14以下であることが好ましい。水溶性高分子は、その量が酸化セリウム粒子に対して1~3重量倍となるようにCMP研磨剤に混合する必要がある。1重量倍未満では水溶性高分子の効果が薄れ平坦化特性が悪くなり、3重量倍を超えると、研磨速度が低くなる傾向にある。また、水溶性高分子の濃度は、取り扱い性、混合作業性等の点から1~5重量であることが好ましい。セリウムとの錯形成剤は、セリウムと錯形成可能なものであれば特に制限はなく、例えば、α-ジケトン、一般式I式中、R1及びR2は置換もしくは無置換アルキル基を表し、R3は水素原子または炭素数が1~3の置換もしくは無置換アルキル基を表すに示したβ-ジケトン、γ-ジケトン等のジケトン、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸等のジアミンなどから選ばれた少なくとも1種を用いることができ、錯形成能力が高い点でβ-ジケトンが好ましい。一般式Iにおいて、R1及びR2は置換もしくは無置換アルキル基を表し、研磨剤水溶液として取り扱うことを考慮すると、より極性で親水性となる炭素数が1~3であることが水への溶解度が高い点でより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。また、R3は水素原子または炭素数が1~3の置換もしくは無置換アルキル基を表し、研磨剤水溶液として取り扱うことを考慮すると、水素原子またはメチル基であることがより好ましく、水素原子が特に好ましい。すなわち、R1、R2がメチル基でありR3がHである、2,4-ペンタンジオン慣用名:アセチルアセトンが特に好ましい。一般式Iで示されるβ-ジケトンとセリウム粒子の錯形成は、一般式II式中、R1、R2及びR3は一般式Iにおけると同意義で示される。このように酸化セリウム粒子表面に錯形成すると、セリウム粒子表面を疎水性の有機官能基が覆う形となるため、酸化珪素等の親水性の金属を表面に有する膜との相互作用が低下し、酸化セリウム粒子の酸化珪素膜表面への付着防止効果が発現すると推定される。上記錯形成剤の濃度は、水への溶解性を考慮して取り扱い性、混合作業性等の点から0.1重量以上10重量以下であることを要し、0.5重量以上2重量以下であることがより好ましい。0.1重量未満ではセリウムに対する添加量が不足して望ましい研磨傷低減効果が得られない傾向があり、10重量より大きいと水への溶解性が低下する恐れがある。CMP研磨剤においては、必要に応じて研磨剤に分散剤を加えて組成物を分散させたものを使用することができる。分散剤としては、上述した水溶性高分子の他、水溶性陰イオン性分散剤、水溶性非イオン性分散剤、水溶性陽イオン性分散剤、水溶性両性分散剤から選ばれた少なくとも1種類を含む2種類以上の分散剤を使用することができる。水溶性陰イオン性分散剤としては、例えば、ラウリル硫酸トリエタノールアミン、ラウリル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸トリエタノールアミン等が挙げられるが、後述するアニオン系水溶性高分子を用いてもよい。水溶性非イオン性分散剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレン高級アルコールエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン誘導体、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビット、ポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエチレングリコールモノステアレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ポリエチレングリコールモノオレエート、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、アルキルアルカノールアミド等が挙げられる。水溶性陽イオン性分散剤としては、例えば、ココナットアミンアセテート、ステアリルアミンアセテート等が挙げられ、水溶性両性分散剤としては、例えば、ラウリルベタイン、ステアリルベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド、2-アルキル-N-カルボキシメチル-N-ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン等が挙げられる。これらの分散剤添加量は、分散性及び沈降防止、さらに研磨傷と分散剤添加量との関係から酸化セリウム粒子100重量部に対して、0.01重量部以上2.0重量部以下の範囲が好ましい。これらの酸化セリウム粒子を水中に分散させる方法としては、通常の攪拌機による分散処理の他にホモジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミルなどを用いることができる。CMP研磨剤を用いて研磨する対象である無機絶縁膜の作製方法として、定圧CVD法、プラズマCVD法等が挙げられる。定圧CVD法による酸化珪素絶縁膜形成は、Si源としてモノシラン:SiH4、酸素源として酸素:O2を用いる。このSiH4-O2系酸化反応を400°C程度以下の低温で行わせることにより得られる。高温リフローによる表面平坦化を図るためにリン:Pをドープするときには、SiH4-O2-PH3系反応ガスを用いることが好ましい。プラズマCVD法は、通常の熱平衡下では高温を必要とする化学反応が低温でできる利点を有する。プラズマ発生法には、容量結合型と誘導結合型の2つが挙げられる。反応ガスとしては、Si源としてSiH4、酸素源としてN2Oを用いたSiH4-N2O系ガスとテトラエトキシシランTEOSをSi源に用いたTEOS-O2系ガスTEOS-プラズマCVD法が挙げられる。基板温度は250°C~400°C、反応圧力は67~400Paの範囲が好ましい。酸化珪素絶縁膜にはリン、ホウ素等の元素がド-プされていても良い。同様に、低圧CVD法による窒化珪素膜形成は、Si源としてジクロルシラン:SiH2Cl2、窒素源としてアンモニア:NH3を用いる。このSiH2Cl2-NH3系酸化反応を900°Cの高温で行わせることにより得られる。プラズマCVD法は、Si源としてSiH4、窒素源としてNH3を用いたSiH4-NH3系ガスが挙げられる。基板温度は300~400°Cが好ましい。基板として、図1abに示す様に、半導体基板すなわち回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等の半導体基板上に酸化珪素膜或いは酸化珪素膜及び窒化珪素膜が形成された基板が使用できる。このような半導体基板上に形成された酸化珪素膜層を上記研磨剤で研磨することによって、酸化珪素膜層表面の凹凸を解消し、半導体基板全面に渡って平滑な面とする。具体的には、酸化セリウム粒子、水溶性高分子、セリウムとの錯形成剤及び水を含むCMP研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、酸化珪素絶縁膜が形成された半導体チップである基板の被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて、表面に錯形成した酸化セリウム粒子を介して基板表面を研磨する。シャロートレンチ分離の場合には、酸化珪素膜層の凹凸を解消しながら下層の窒化珪素層まで研磨することによって、素子分離部に埋め込んだ酸化珪素膜のみを残す。この際、ストッパーとなる窒化珪素との研磨速度比が大きければ、研磨のプロセスマージンが大きくなる。また、シャロートレンチ分離に使用するためには、研磨時に傷発生が少ないことも必要である。ここで、研磨する装置としては、半導体基板を保持するホルダーと研磨布パッドを貼り付けた回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある定盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。図2は本発明において使用するCMP装置を示す概略図である。研磨定盤18の上に貼り付けられた研磨パッド17の上に、酸化セリウム粒子、水溶性高分子、セリウムとの錯形成剤及び水を含むCMP研磨剤を供給し、半導体チップである基板13に形成された酸化珪素絶縁膜14を被研磨面としてウエハホルダ11に貼り付け、酸化珪素絶縁膜14を研磨パッドと接触させ、被研磨面と研磨パッドを相対運動、具体的にはウエハホルダ11と研磨定盤18を回転させてCMPすなわち基板の研磨を行う構造となっている。研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。また、研磨パッドには研磨剤が溜まる様な溝加工を施すことが好ましい。研磨条件には制限はないが、定盤の回転速度は半導体が飛び出さない様に100min-1以下の低回転が好ましい。被研磨膜を有する半導体基板の研磨パッドへの押しつけ圧力が10~100kPaであることが好ましく、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、20~50kPaであることがより好ましい。研磨している間、研磨パッドには研磨剤をポンプ等で連続的に供給する。この供給量には制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨剤で覆われていることが好ましい。また、図3は本発明におけるCMPプロセスを示す図である。研磨パッドの表面状態を常に同一にしてCMPを行うため、CMPの前に研磨パッドのコンディショニング工程を入れる。具体的には、ダイヤモンド粒子のついたドレッサを用いて少なくとも水を含む液で研磨を行う。続いて本発明の研磨工程を実施し、さらに、1研磨後の基板に付着した粒子等の異物を除去するためのブラシ洗浄、2研磨剤等を水に置換するためのメガソニック洗浄、3基板表面から水を除去するためのスピン乾燥、からなるウエハ洗浄工程を加える。研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。このようにして、Si基板上にシャロートレンチ分離を形成したあと、酸化珪素絶縁膜層及びその上にアルミニウム配線を形成し、その上に形成した酸化珪素絶縁膜を平坦化する。平坦化された酸化珪素絶縁膜層の上に、第2層目のアルミニウム配線を形成し、その配線間および配線上に再度上記方法により酸化珪素膜を形成後、上記研磨剤を用いて研磨することによって、酸化珪素絶縁膜表面の凹凸を解消し、半導体基板全面に渡って平滑な面とする。この工程を所定数繰り返すことにより、所望の層数の半導体を製造する。CMP研磨剤は、半導体基板に形成された酸化珪素膜や窒化珪素膜だけでなく、所定の配線を有する配線板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無機絶縁膜、フォトマスクレンズプリズムなどの光学ガラス、ITO等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路光スイッチング素子光導波路、光ファイバ-の端面、シンチレ-タ等の光学用単結晶、固体レ-ザ単結晶、青色レ-ザ用LEDサファイア基板、SiC、GaP、GaAS等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等の基板を研磨するために使用される。以下、実施例により本発明を説明する。実施例1添加液Aの作製重量平均分子量6000で、アンモニウムイオンのモル数/ポリアクリル酸中のカルボキシル基のモル数=1のポリアクリル酸アンモニウム塩を脱イオン水で希釈し、3重量の水溶液添加液Aとした。添加液Bの作製炭酸セリウム水和物2kgを白金製容器に入れ、850°Cで2時間空気中で焼成することにより黄白色の酸化セリウム粒子を約1kg得た。上記作製の酸化セリウム粒子1kg、アセチルアセトン10g、ポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液重量平均分子量15000、40重量23g及び脱イオン水8967gを混合し、撹拌しながら超音波分散を10分間施した。得られたスラリーを1μmフィルターを介してろ過し、さらに脱イオン水を加えて2倍に希釈した酸化セリウム粒子濃度5重量。研磨剤の作製上記の添加液A/添加液B/脱イオン水の重量比2/1で混合し、酸化セリウム粒子濃度1.7重量、ポリマ濃度2重量のCMP研磨剤を作成した。研磨剤のpHは6.8であった。研磨剤原液を用いる光子相関法により2次粒子径を測定したところ、その中央値は270nmであった。絶縁膜層及びシャロートレンチ分離層の研磨8インチSi基板上にLine/Space幅が0.05~5mmで高さが1000nmのAl配線Line部を形成した後、その上にTEOS-プラズマCVD法で酸化珪素膜を2000nm形成した絶縁膜層パターンウエハを作製する。上記のCMP研磨剤で、3分間研磨定盤回転数:50min-1、研磨荷重:30kPa、研磨剤供給量:200ml/分した。その結果、研磨後の凸部と凹部の段差が40nmとなり高平坦性を示した。また、図1aに示す様に、8インチSi基板に一辺350nm~0.1mm四方の凸部、深さが400nmの凹部を形成し、凸部密度がそれぞれ2~40となるようなシャロートレンチ分離層パターンウエハを作製した。続いて図1bに示す様に、凸部上に酸化窒素膜を100nm形成し、その上にTEOS-プラズマCVD法で酸化珪素膜を600nm成膜した。上記のCMP研磨剤で、このパターンウエハを2分間研磨定盤回転数:50min-1、研磨荷重:30kPa、研磨剤供給量:200ml/分した。その結果、図1cの様に、凸部の研磨は窒化珪素膜でストップし、研磨後の段差は40nmとなり、高平坦性を示した。いずれの研磨においても研磨傷は観察されなかった。絶縁膜層ブランケットウエハの研磨次に、8インチの酸化珪素膜ブランケットウエハ及び窒化珪素ブランケットウエハを上記のCMP研磨剤で各々研磨定盤回転数:50min-1、研磨荷重:30kPa、研磨剤供給量:200ml/分した。研磨後、ウエハをホルダーから取り外して、脱イオン水を流しながらPVAスポンジブラシで洗浄した。洗浄後、ウエハをスピンドライヤー上で1000min-1で1分間回転させて水滴を除去した。最後にレーザー散乱式異物検査装置を用いて乾燥済みウエハ表面の異物を数えた。その結果、酸化珪素膜については、研磨速度が150nm/分、0.2μm以上の異物はウエハ1枚当たり30個であった。また、窒化珪素膜については、研磨速度が5nm/分となり、0.2μm以上の異物はウエハ1枚当たり50個であった。また、いずれの研磨においても研磨傷は観察されなかった。実施例2研磨剤の作製実施例1の添加液Bの作製において使用するアセチルアセトンの量を10g→1000gとし、それに伴い脱イオン水の量を8967g→7977gとすること以外は、実施例1と同一にしてCMP研磨剤を作製した。研磨剤のpHは6.6で、2次粒子径の中央値は250nmであった。絶縁膜層及びシャロートレンチ分離層の研磨上記の通り作製したCMP研磨剤を用いて、実施例1と同一の絶縁膜層パターンウエハを、同一の研磨条件で5分間研磨した。その結果、研磨後の凸部と凹部の段差が55nmとなった。また、上記のCMP研磨剤を用いて、実施例1と同様にシャロートレンチ分離層パターンウエハの凸部上に酸化窒素膜を100nm形成しその上にTEOS-プラズマCVD法で酸化珪素膜を600nm成膜したものを実施例1と同一の研磨条件で4分間研磨した。その結果、研磨後の段差は42nmとなり高平坦性を示した。いずれの研磨においても研磨傷は観察されなかった。絶縁膜層ブランケットウエハの研磨次に、実施例1と同一の8インチ酸化珪素膜ブランケットウエハ及び窒化珪素膜ブランケットウエハについても上記のCMP研磨剤を用いて実施例1と同一の研磨条件で各々研磨した。その結果、酸化珪素膜については、研磨速度が80nm/分、0.2μm以上の異物はウエハ1枚当たり20個であった。また、窒化珪素膜については、研磨速度が6nm/分となり、0.2μm以上の異物はウエハ1枚当たり40個であった。また、いずれの研磨においても研磨傷は観察されなかった。比較例1研磨剤の作製実施例1の添加液Bの作製において使用するアセチルアセトンを10g→0となくすこと、及びそれに伴い脱イオン水の量を8967g→8977gとすること以外は、実施例1と同一にしてCMP研磨剤を作製した。研磨剤のpHは6.8で、2次粒子径の中央値は280nmであった。絶縁膜層及びシャロートレンチ分離層の研磨上記の通り作製したCMP研磨剤を用いて、実施例1と同一の絶縁膜層パターンウエハを、同一の研磨条件で3分間研磨した。その結果、研磨後の凸部と凹部の段差が45nmとなった。また、上記のCMP研磨剤を用いて、実施例1と同様にシャロートレンチ分離層パターンウエハの凸部上に酸化窒素膜を100nm形成しその上にTEOS-プラズマCVD法で酸化珪素膜を600nm成膜したものを実施例1と同一の研磨条件で2分間研磨した。その結果、研磨後の段差は40nmとなり高平坦性を示した。いずれの研磨においても研磨傷は観察されなかった。絶縁膜層ブランケットウエハの研磨次に、実施例1と同一の8インチ酸化珪素膜ブランケットウエハ及び窒化珪素膜ブランケットウエハについても上記のCMP研磨剤を用いて実施例1と同一の研磨条件で各々研磨した。その結果、酸化珪素膜については、研磨速度が160nm/分、0.2μm以上の異物はウエハ1枚当たり200個であった。また、窒化珪素膜については、研磨速度が6nm/分となり、0.2μm以上の異物はウエハ1枚当たり200個であった。また、研磨による研磨傷については、酸化珪素膜ブランケットウエハにおいてのみわずかに傷が観察された。セリウムとの錯形成剤濃度が0.1重量以上10.0重量以下である酸化セリウム粒子、水溶性高分子、セリウムとの錯形成剤及び水を含むCMP研磨剤を用いた実施例1に対して比較例1は、研磨速度に関しては同等であるが、研磨後の洗浄による異物すなわち粒子除去性能が劣る。また、研磨傷に関しても、実施例1は比較例1に優っており、高研磨速度、高平坦化性、低研磨傷の両立が可能であることが分かった。"