"下記工程1~2を含有することを特徴とする、パッケージ反りが0.1μm~235μmの半導体パッケージの製造方法。<工程1>A層耐熱フィルム層、B層封止層用樹脂組成物層、C層回路基板層、を順番に有し、A層の厚みが1~100μmであり、B層の厚みが100~600μmであり、C層の厚みが1~100μmである半導体パッケージ前駆体を熱硬化する工程、<工程2>A層を剥離する工程。半導体パッケージ前駆体におけるB層が、封止層用樹脂ペースト又は封止層用接着シートにより形成されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。半導体パッケージ前駆体におけるA層が、B層上にラミネートされることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体パッケージの製造方法。半導体パッケージ前駆体におけるA層とB層が、二層接着シートにより形成されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。リフロー処理した後のパッケージ反りが0.1μm~360μmであることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。C層の厚みを1とした場合、B層の厚みが0.05~10の範囲であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。C層の厚みを1とした場合、A層の厚みが0.05~2の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。請求項1~7のいずれか1項の方法によって製造された半導体パッケージ。本発明が解決しようとする課題は、回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージの製造方法を提供することである。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、A層耐熱フィルム層、B層封止層用樹脂組成物層、C層回路基板層を含有する特定の半導体パッケージ前駆体を熱硬化し、A層を剥離することにより、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は以下の内容を含むものである。1下記工程1~2を含有することを特徴とする、パッケージ反りが0.1μm~235μmの半導体パッケージの製造方法。<工程1>A層耐熱フィルム層、B層封止層用樹脂組成物層、C層回路基板層、を順番に有し、A層の厚みが1~100μmであり、B層の厚みが100~600μmであり、C層の厚みが1~100μmである半導体パッケージ前駆体を熱硬化する工程、<工程2>A層を剥離する工程。2半導体パッケージ前駆体におけるB層が、封止層用樹脂ペースト又は封止層用接着シートにより形成されることを特徴とする、上記1に記載の半導体パッケージの製造方法。3半導体パッケージ前駆体におけるA層が、B層上にラミネートされることを特徴とする上記1又は2に記載の半導体パッケージの製造方法。4半導体パッケージ前駆体におけるA層とB層が、二層接着シートにより形成されることを特徴とする、上記1に記載の半導体パッケージの製造方法。5リフロー処理した後のパッケージ反りが0.1μm~360μmであることを特徴とする上記1に記載の半導体パッケージの製造方法。6C層の厚みを1とした場合、B層の厚みが0.05~10の範囲であることを特徴とする、上記1に記載の半導体パッケージの製造方法。7C層の厚みを1とした場合、A層の厚みが0.05~2の範囲であることを特徴とする上記1に記載の半導体パッケージの製造方法。8上記1~7のいずれかの方法によって製造された半導体パッケージ。A層耐熱フィルム層、B層封止層用樹脂組成物層、C層回路基板層を含有する特定の半導体パッケージ前駆体を熱硬化し、A層を剥離することにより、回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージの製造方法を提供できるようになった。本発明は、下記工程1~2を含有することを特徴とする、パッケージ反りが0.1μm~235μmの半導体パッケージの製造方法である。<工程1>A層耐熱フィルム層、B層封止層用樹脂組成物層、C層回路基板層、を順番に有し、A層の厚みが1~100μmであり、B層の厚みが100~600μmであり、C層の厚みが1~100μmである半導体パッケージ前駆体を熱硬化する工程、<工程2>A層を剥離する工程。<工程1>熱硬化工程半導体パッケージ前駆体とは、A層耐熱フィルム層、B層封止層用樹脂組成物層、C層回路基板層、を順番に有し、B層がC層上の半導体素子を覆うようにして封止したものである。[A層耐熱フィルム層]本発明のA層は特に制限なく使用でき、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、液晶ポリマーフィルムなどの各種プラスチックフィルムが挙げられる。、また、銅箔、アルミニウム箔等の金属箔などを使用してもよい。具体的には、ポリイミドフィルムとして、宇部興産株製ユーピレックス-S、東レデュポン株製カプトン、株カネカ製アピカル、液晶ポリマーフィルムとして、株クラレ製ベクスター、銅箔として、株古河サーキットフォイル製電解銅箔F2-WSなどがある。耐熱フィルムには、マッド処理、コロナ処理等の表面処理が施してあってもよい。また、シリコーン樹脂系離型剤、アルキッド樹脂系離型剤、フッ素樹脂系離型剤等の離型剤で離型処理が施してあってもよい。本発明のA層のガラス転移温度は、パッケージ反りを低減する為に、80°C以上が好ましく、90°C以上がより好ましく、100°C以上が更に好ましい。また、ガラス転移温度の上限は特に限定されないが、実用的な観点から、300°C以下が好ましく、280°C以下がより好ましい。ここでいうガラス転移温度とは、耐熱性を示す値であり、JISK7179に記載の方法にしたがって決定され、具体的には、熱機械分析TMA、動的機械分析DMAなどを用いて測定される。熱機械分析TMAとしては、例えば、TMASS6100セイコーインスツルメンツ株製、TMA8310株リガク製などが挙げられ、動的機械分析DMAとしては、例えば、DMS6100セイコーインスツルメンツ株製などが挙げられる。また、ガラス転移温度が分解温度よりも高く、実際にはガラス転移温度が観測されない場合には、分解温度を本発明におけるガラス転移温度とみなすことができる。ここでいう分解温度とは、JISK7120に記載の方法にしたがって測定したときの質量減少率が5となる温度で定義される。本発明のA層の厚みは、パッケージ反り防止効果向上という観点から、1μm以上が好ましく、3μm以上がより好ましく、5μm以上が更に好ましく、10μm以上が更に一層好ましく、15μm以上が殊更好ましく、20μm以上が特に好ましい。また、コスト低減の観点、パッケージ反り防止効果向上という観点から、100μm以下が好ましく、90μm以下がより好ましく、80μm以下が更に好ましく、70μm以下が更に一層好ましく、60μm以下が殊更好ましい。本発明のA層の平均熱膨張率は、パッケージ反りを低減する為に、45ppm以下が好ましく、40ppm以下がより好ましく、35ppm以下が更に好ましく、30ppm以下が更に一層好ましく、25ppm以下が殊更好ましく、20ppm以下が特に好ましい。また、実用的な観点から、4ppm以上が好ましく、5ppm以上がより好ましく、6ppm以上が更に好ましく、7ppm以上が更に一層好ましく、8ppm以上が殊更好ましく、9ppm以上が特に好ましく、10ppm以上がとりわけ好ましい。本発明のA層の弾性率は、パッケージ反りを低減する為に、1GPa以上が好ましく、1.5GPa以上がより好ましく、2GPa以上が更に好ましく、2.5GPa以上が更に一層好ましい。また、上限値は特に制限は無いが、100GPa以下が好ましい。[B層封止層用樹脂組成物層]本発明のB層は、熱硬化性樹脂組成物を用いて得ることができ、半導体パッケージの絶縁層に適するものであれば、特に制限なく使用でき、aエポキシ樹脂を含有するものが好ましく、aエポキシ樹脂、b硬化剤、c無機充填剤を含有するものがより好ましい。{aエポキシ樹脂}エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tertブチルカテコール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。これらの中でも、耐熱性向上、絶縁信頼性向上、流動性向上の観点から、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。具体的には、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂三菱化学株製エピコート828EL、YL980、ビスフェノールF型エポキシ樹脂三菱化学株製jER806H、YL983U、ナフタレン型2官能エポキシ樹脂DIC株製HP4032、HP4032D、HP4032SS、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂DIC株製HP4700、HP4710、ナフトール型エポキシ樹脂新日鐵化学株製ESN-475V、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂ダイセル化学工業株製PB-3600、ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン系カップリング剤、メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリエトキシシラン等のメルカプトシラン系カップリング剤、メチルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メタクロキシプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン等のシラン系カップリング剤、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサフェニルジシラザン、トリシラザン、シクロトリシラザン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチルシクロトリシラザン等のオルガノシラザン化合物、ブチルチタネートダイマー、チタンオクチレングリコレート、ジイソプロポキシチタンビストリエタノールアミネート、ジヒドロキシチタンビスラクテート、ジヒドロキシビスアンモニウムラクテートチタニウム、ビスジオクチルパイロホスフェートエチレンチタネート、ビスジオクチルパイロホスフェートオキシアセテートチタネート、トリ-n-ブトキシチタンモノステアレート、テトラ-n-ブチルチタネート、テトラ2-エチルヘキシルチタネート、テトライソプロピルビスジオクチルホスファイトチタネート、テトラオクチルビスジトリデシルホスファイトチタネート、テトラ2,2-ジアリルオキシメチル-1-ブチルビスジトリデシルホスファイトチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリジオクチルホスフェートチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリスジオクチルパイロホスフェートチタネート、イソプロピルトリN-アミドエチルアミノエチルチタネート等のチタネート系カップリング剤等が挙げられる。{d硬化促進剤}d硬化促進剤としては、特に限定されないが、アミン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホスホニウム系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。アミン系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、4-ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、2,4,6,-トリスジメチルアミノメチルフェノール、1,8-ジアザビシクロ5,4,0-ウンデセン以下、DBUと略記する。などのアミン化合物などが挙げられる。これらは1種または2種以上組み合わせて使用してもよい。グアニジン系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、ジシアンジアミド、1-メチルグアニジン、1-エチルグアニジン、1-シクロヘキシルグアニジン、1-フェニルグアニジン、1-o-トリルグアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン、7-メチル-1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン、1-メチルビグアニド、1-エチルビグアニド、1-n-ブチルビグアニド、1-n-オクタデシルビグアニド、1,1-ジメチルビグアニド、1,1-ジエチルビグアニド、1-シクロヘキシルビグアニド、1-アリルビグアニド、1-フェニルビグアニド、1-o-トリルビグアニド等が挙げられる。これらは1種または2種以上組み合わせて使用してもよい。イミダゾール系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、2-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3-ジヒドロ-1H-ピロロ[1,2-a]ベンズイミダゾール、1-ドデシル-2-メチル-3-ベンジルイミダゾリウムクロライド、2-メチルイミダゾリン、2-フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。これらは1種または2種以上組み合わせて使用してもよい。ホスホニウム系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、n-ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、4-メチルフェニルトリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。これらは1種または2種以上組み合わせて使用してもよい。本発明に用いられる熱硬化性樹脂組成物において、硬化促進剤金属系硬化促進剤を除くの含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量とした場合、0.005~1質量の範囲が好ましく、0.01~0.5質量の範囲がより好ましい。0.005質量未満であると、硬化が遅くなり熱硬化時間が長く必要となる傾向にあり、1質量を超えると樹脂組成物の保存安定性が低下する傾向となる。金属系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルトアセチルアセトナート、コバルトアセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅IIアセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄IIIアセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケルアセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガンアセチルアセトナート等の有機マンガン錯体などが挙げられる。有機金属塩としては、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛などが挙げられる。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。本発明に用いられる熱硬化性樹脂組成物において、金属系硬化促進剤の添加量は、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量とした場合、金属系硬化触媒に基づく金属の含有量が25~500ppmの範囲が好ましく、40~200ppmの範囲がより好ましい。25ppm未満であると、樹脂組成物の硬化性が不十分となる傾向にあり、500ppmを超えると、樹脂組成物の保存安定性、絶縁性が低下する傾向となる。{e熱可塑性樹脂}e熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂を挙げることができる。これらの熱可塑性樹脂は各々単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。熱可塑性樹脂の重量平均分子量は5000~200000の範囲であるのが好ましい。この範囲よりも小さいとフィルム成型能や機械強度向上の効果が十分発揮されない傾向にあり、この範囲よりも大きいとシアネートエステル樹脂およびナフトール型エポキシ樹脂との相溶性が十分でない傾向にある。なお本発明における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC法ポリスチレンン換算で測定される。GPC法による重量平均分子量は、具体的には、測定装置として株島津製作所製LC-9A/RID-6Aを、カラムとして昭和電工株社製ShodexK-800P/K-804L/K-804Lを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度40°Cにて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。フェノキシ樹脂の具体例としては、例えば、新日鐵化学株製FX280、FX293、ERF001、三菱化学株製YX8100、YL6954、YL6974、YL7213、YL6794、YL7553、YL7482等が挙げられる。ポリビニルアセタール樹脂はポリビニルブチラール樹脂が好ましく、ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業製、電化ブチラール4000-2、5000-A、6000-C、6000-EP、積水化学工業株製エスレックBHシリーズ、BXシリーズ、KSシリーズ、BLシリーズ、BMシリーズ等が挙げられる。ポリイミドの具体例としては、新日本理化株製のポリイミドリカコートSN20及びリカコートPN20が挙げられる。また、2官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド特開2006-37083号公報記載のもの、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド特開2002-12667号公報、特開2000-319386号公報等に記載のもの等の変性ポリイミドが挙げられる。ポリアミドイミドの具体例としては、東洋紡績株製のポリアミドイミドバイロマックスHR11NN及びバイロマックスHR16NNが挙げられる。また、日立化成工業株製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミドKS9100、KS9300等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。ポリエーテルスルホンの具体例としては、住友化学株製のポリエーテルスルホンPES5003P等が挙げられる。ポリスルホンの具体例としては、ソルベンアドバンストポリマーズ株製のポリスルホンP1700、P3500等が挙げられる。本発明に用いられる熱硬化性樹脂組成物に、e熱可塑性樹脂を配合する場合には、樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物中の不揮発分100質量に対し、0.1~30質量が好ましく、1~10質量がより好ましい。熱可塑性樹脂の含有量が少なすぎるとフィルム成型能や機械強度向上の効果が発揮されない傾向にあり、多すぎると樹脂組成物の溶融粘度が上昇し、半導体パッケージにオーバーハング等の狭い充填領域が存在する場合、未充填によりボイドの発生を引き起こす可能性や、ワイヤ間隔が狭い場合、ワイヤ流れ等の不良を引き起こす可能性がある。{fゴム粒子}fゴム粒子は、例えば、当該樹脂組成物のワニスを調製する際に使用する有機溶剤にも溶解せず、必須成分であるシアネートエステル樹脂やエポキシ樹脂などとも相溶しないものである。従って、該ゴム粒子は、本発明の樹脂組成物のワニス中では分散状態で存在する。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム成分の分子量を有機溶剤や樹脂に溶解しないレベルまで大きくし、粒子状とすることで調製される。熱硬化性樹脂組成物に使用され得るゴム粒子の好ましい例としては、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される2層構造、又は外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される3層構造のものなどが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メタクリル酸メチルの重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物ブチルゴムなどで構成される。ゴム粒子は2種以上を組み合わせて使用してもよい。コアシェル型ゴム粒子の具体例としては、スタフィロイドAC3832、AC3816N、IM-401改1、IM-401改7-17商品名、ガンツ化成株製、メタブレンKW-4426商品名、三菱レイヨン株製が挙げられる。架橋アクリロニトリルブタジエンゴムNBR粒子の具体例としては、XER-91平均粒径0.5μm、JSR株製などが挙げられる。架橋スチレンブタジエンゴムSBR粒子の具体例としては、XSK-500平均粒径0.5μm、JSR株製などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、メタブレンW300A平均粒径0.1μm、W450A平均粒径0.2μm三菱レイヨン株製を挙げることができる。配合するゴム粒子の平均粒径は、好ましくは0.005~1μmの範囲であり、より好ましくは0.2~0.6μmの範囲である。本発明で使用されるゴム粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤にゴム粒子を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザーFPAR-1000;大塚電子株製を用いて、ゴム粒子の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。ゴム粒子の含有量は、樹脂組成物中の不揮発分100質量に対し、好ましくは1~10質量であり、より好ましくは2~5質量である。{g難燃剤}g難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。有機リン系難燃剤としては、三光株製のHCA、HCA-HQ、HCA-NQ等のフェナントレン型リン化合物、昭和高分子株製のHFB-2006M等のリン含有ベンゾオキサジン化合物、味の素ファインテクノ株製のレオフォス30、50、65、90、110、TPP、RPD、BAPP、CPD、TCP、TXP、TBP、TOP、KP140、TIBP、北興化学工業株製のTPPO、PPQ、クラリアント株製のOP930、大八化学株製のPX200等のリン酸エステル化合物、有機系窒素含有リン化合物としては、四国化成工業株製のSP670、SP703等のリン酸エステルアミド化合物、大塚化学株社製のSPB100、SPE100、株伏見製薬所製FP-series等のホスファゼン化合物等が挙げられる。金属水酸化物としては、宇部マテリアルズ株製のUD65、UD650、UD653等の水酸化マグネシウム、巴工業株社製のB-30、B-325、B-315、B-308、B-303、UFH-20等の水酸化アルミニウム等が挙げられる。{他の成分}本発明に用いられる樹脂組成物には、本発明の効果を阻害しない範囲で、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、ビニルベンジル化合物、アクリル化合物、マレイミド化合物、ブロックイソシアネート化合物のような熱硬化性樹脂、シリコンパウダー、ナイロンパウダー、フッ素パウダー等の有機充填剤、オルベン、ベントン等の増粘剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系の消泡剤又はレベリング剤、イミダゾール系、チアゾール系、トリアゾール系、シラン系カップリング剤等の密着性付与剤、フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオジングリーン、ジスアゾイエロー、カーボンブラック等の着色剤等を挙げることができる。本発明のB層の熱硬化性樹脂組成物の調製方法は、特に限定されるものではなく、例えば、上記配合成分を、必要により溶媒等を添加し、回転ミキサーなどを用いて混合する方法などが挙げられる。B層の厚みとは、B層とC層の接触面と、B層とA層の接触面との垂直方向の厚みをいう。B層の厚みは、半導体素子の厚さ以上として半導体素子の埋め込みを充分に行うという観点から、100μm以上が好ましく、150μm以上がより好ましく、200μm以上が更に好ましい。また、半導体パッケージの薄型化という観点から、600μm以下が好ましく、500μm以下がより好ましく、400μm以下が更に好ましい。B層を熱硬化して封止層を形成した際の、封止層の弾性率は、パッケージ反りを低減する為に、6GPa以上が好ましく、7GPa以上がより好ましく、8GPa以上が更に好ましく、9GPa以上が更に一層好ましく、10GPa以上が殊更好ましく、11GPa以上が特に好ましい。また、封止後の基板切削性向上の観点から、25GPa以下が好ましく、23GPa以下がより好ましく、21GPa以下が更に好ましく、19GPa以下が殊更好ましく、17GPa以下が特に好ましい。A層の弾性率と封止層の弾性率との関係は、パッケージ反りを低減させるという観点から、A層の弾性率を1とした場合の封止層の弾性率が、0.1~6の範囲であるのが好ましく、0.3~5の範囲であるのがより好ましく、0.5~4の範囲であるのが更に好ましい。B層を熱硬化して封止層を形成した際の、封止層の平均熱膨張率は、パッケージ反りを低減する為に、100ppm以下が好ましく、90ppm以下がより好ましく、80ppm以下が更に好ましく、70ppm以下が更に一層好ましく、60ppm以下が更に一層好ましく、50ppm以下が殊更好ましく、40ppm以下が特に好ましく、35ppm以下がとりわけ好ましい。また、実用的な観点から、4ppm以上が好ましく、5ppm以上がより好ましく、6ppm以上が更に好ましく、7ppm以上が更に一層好ましく、8ppm以上が殊更好ましい。[C層回路基板層]本発明でいう回路基板層とは、特に制限は無いが、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。回路基板層の厚みは、半導体パッケージの小型化という観点から、100μm以下が好ましく、90μm以下がより好ましく、80μm以下が更に好ましく、70μm以下が更に一層好ましい。また、パッケージ反りを低減させるという観点から、10μm以上が好ましく、20μm以上がより好ましく、30μm以上が更に好ましく、40μm以上が更に一層好ましい。C層の厚みとA層の厚みとの関係は、パッケージ反りを低減させるという観点から、C層の厚みを1とした場合、A層の厚みが0.05~2の範囲であるのが好ましく、0.08~1.8の範囲であるのが好ましく、0.11~1.6の範囲であるのがより好ましく、0.14~1.4の範囲であるのが更に好ましく、0.17~1.2の範囲であるのが更に一層好ましく、0.2~1の範囲であるのが殊更好ましい。C層の厚みとB層の厚みとの関係は、パッケージ反りを低減させるという観点から、C層の厚みを1とした場合、B層の厚みが0.05~10の範囲であるのが好ましく、0.1~9の範囲であるのが好ましく、1~8の範囲であるのがより好ましく、2~7の範囲であるのが更に好ましく、3~6の範囲であるのが更に一層好ましい。[半導体パッケージ前駆体の製造方法]半導体パッケージ前駆体は、C層上にB層を形成し、さらにB層上にA層を形成することにより得られる。{B層の製造方法}まず、B層の形成方法について述べる。本発明のB層は、封止層用樹脂ペースト又は封止層用接着シートにより形成されることができる。例えば封止層用樹脂ペーストを直接C層上に塗布、乾燥することによりB層を形成する方法がある。他の形成方法としては、封止層用接着シートをC層上にラミネートすることによりB層を形成する方法がある。これらの方法を具体的に述べる態様1封止層用樹脂ペーストを用いるB層形成方法有機溶剤に熱硬化性樹脂組成物を溶解し、封止層用樹脂ペーストを製造する。熱硬化性樹脂組成物が粘度の低い樹脂組成物であれば、そのまま樹脂ペーストとして用いることもできる。次いで、封止層用樹脂ペーストを用いて、スクリーン印刷工程によってC層上にB層を形成する。無溶剤の場合は、印刷後の乾燥は行わなくても良い。他の方法としては、封止層用樹脂ペーストを用いてトランスファー成型工程によってB層を形成する。態様2封止層用接着シートを用いるB層形成方法有機溶剤に熱硬化性樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、バーコーター、ダイコーターなどの装置を用いて、支持体に塗布し、加熱あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて、支持体上にB層を形成し、封止層用接着シートを製造する。次いで、封止層用接着シートをC層に対向させ、ラミネートし、C層上にB層を形成する。ラミネート後、支持体を剥離する。樹脂ペーストあるいは樹脂ワニスを調製する為の有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は2種以上を組みわせて用いてもよい。接着シートを作成する場合の支持体としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィンのフィルム、ポリエチレンテレフタレート以下PETと略称することがある。、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルのフィルム、ポリカーボネートフィルムなどの各種プラスチックフィルムが挙げられる。支持体及び後述する保護フィルムには、マッド処理、コロナ処理等の表面処理が施してあってもよい。また、シリコーン樹脂系離型剤、アルキッド樹脂系離型剤、フッ素樹脂系離型剤等の離型剤で離型処理が施してあってもよい。支持体の厚さは特に限定されないが、10~150μmが好ましく、25~50μmがより好ましい。接着シートにおいて、支持体が密着していない面には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、1~40μmである。保護フィルムを積層することにより、封止層用樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。接着シートは、ロール状に巻きとって貯蔵することもできる。接着シートを作成する場合の、乾燥条件は特に限定されないが、封止層用樹脂組成物層への有機溶剤の含有量が10質量以下、好ましくは5質量以下となるように乾燥させる。ワニス中の有機溶剤量、有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば30~60質量の有機溶剤を含むワニスを50~150°Cで3~10分乾燥させることにより、封止層用樹脂組成物層を形成することができる。{A層の製造方法}次に、A層の形成方法について述べる。上記態様1または態様2の方法で、C層上にB層を形成した後に、B層上にA層を形成する。A層は、耐熱フィルムをB層上にラミネートすることにより形成することができる。{二層接着シート形成方法}また、あらかじめA層とB層とが積層された二層接着シートを用いることもできる。具体的には、樹脂ワニスを、A層上に塗布し、加熱あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて、A層上にB層を形成し、二層接着シートを製造することができる。また、耐熱フィルムと封止層用接着シートのB層とをラミネートして二層接着シートを製造することもできる。該二層接着シートのB層面をC層上にラミネートする。{スクリーン印刷工程}樹脂ペーストをスクリーン印刷する場合、樹脂ペーストの粘度は、20PaS/25°C~40PaS/25°Cの粘度が好ましい。スクリーン印刷後のボイド発生を抑制する為に加熱減量は5以下であることが望ましい。印刷後、50~150°C、10~60分で、有機溶媒を乾燥させる。{トランスファー成型工程}本工程は、樹脂ペーストをトランスファー成型する工程であり、回路基板を金型に配置し、樹脂ペーストを流し込み、170~190°C、1~5分で成型し、成型後、金型から離型する。{ラミネート工程}本工程は、封止層用接着シートを、封止層用接着シートの樹脂面と回路基板の半導体素子が積層されている面を対向させ、回路基板層上の半導体素子を覆うようにして回路基板に配置し、減圧下で、弾性材を介して加熱及び加圧することにより回路基板上に積層する工程である。あるいは、耐熱フィルムと封止層用樹脂組成物層を対向させて配置し、減圧下で、弾性材を介して加熱及び加圧することにより積層する工程である。減圧下とは、空気圧を20mmHg26.7hPa以下に減じた雰囲気下である。ラミネート工程において、加熱および加圧は、加熱されたSUS鏡板等の金属板を支持体側からプレスすることにより行うことができるが、金属板を直接プレスするのではなく、回路基板上の半導体素子に封止層が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスを行う。プレスは、温度が好ましくは70~140°Cより好ましくは80~130°C、圧力が好ましくは1~11kgf/cm29.8×104~107.9×104N/m2の範囲で行われる。ラミネート工程は、市販されている真空ラミネーターによって連続的に行うことができる。市販されている真空ラミネーターとしては、例えば、株名機製作所製真空加圧式ラミネーター、ニチゴーモートン株製バキュームアップリケーター等が挙げられる。{支持体を剥離する工程}本工程は、封止層用接着シートを回路基板にラミネートした後に、支持体を剥離する工程である。支持体の剥離は、手動で剥離してもよく、自動剥離装置により機械的に剥離してもよい。支持体の剥離は耐熱フィルム層を形成する工程前に行う。[熱硬化する工程]本工程は、B層を熱硬化し、絶縁層である封止層を形成する熱硬化工程である。熱硬化させる温度は、樹脂組成物の熱分解を防ぐという観点から、250°C以下が好ましく、240°C以下がより好ましく、230°C以下が更に好ましく、220°C以下が更に一層好ましく、210°C以下が殊更好ましく、200°C以下が特に好ましい。また、樹脂組成物の熱硬化を十分行うという観点から、150°C以上が好ましく、160°C以上がより好ましく、170度以上が更に好ましい。熱硬化させる時間は、樹脂組成物の熱分解を防ぐという観点から、300分以下が好ましく、180分以下がより好ましく、120分以下が更に好ましく、110分以下が更に一層好ましく、100分以下が殊更好ましい。また、樹脂組成物の熱硬化を十分行うという観点から、30分以上が好ましく、60分以上がより好ましく、70分以上が更に好ましく、80分以上が更に一層好ましい。本工程は、スクリーン印刷工程、トランスファー成型工程、または、ラミネート工程の後に行う。絶縁層の厚さは、基本的に封止層用樹脂組成物層の厚さとなる。したがって、絶縁層の厚さは、100~600μmが好ましく、150~500μmがより好ましく、200~400μmが更に好ましい。絶縁層の厚みは硬化後の断面図を顕微鏡等で測定することもできる。また、半導体素子はC層上に配置され、B層がC層上の半導体素子を覆うようにして封止している。半導体素子の厚みは、半導体パッケージの薄型化という観点から、300μm以下が好ましく、250μm以下がより好ましく、200μm以下が更に好ましい。また、性能を十分に発揮するという観点から、50μm以上が好ましく、100μm以上がより好ましい。<工程2>剥離工程半導体パッケージ前駆体を熱硬化した後、A層を剥離することで半導体パッケージを得ることが出来る。本工程には支持体を剥離する工程と同様の方法を用いることができ、具体的には、耐熱フィルムの剥離は、手動で剥離してもよく、自動剥離装置により機械的に剥離してもよい。耐熱フィルムとして金属箔を用いた場合はエッチング溶液によりエッチングすることで除去してもよい。A層を剥離する工程後のパッケージ反り値は、実装性向上という観点から、235μm以下が好ましく、220μm以下がより好ましく、200μm以下が更に好ましく、180μm以下が更に一層好ましく、160μm以下が殊更好ましく、150μm以下が特に好ましく、140μm以下がとりわけ好ましく、130μm以下がなおさら好ましい。一方、パッケージ反り値の下限値は、実用的であるという観点から、0.1μm以上が好ましく、5μm以上がより好ましく、10μm以上が更に好ましく、20μm以上が更に一層好ましい。更に、ピーク温度260°C10秒以上のリフロー処理した後のパッケージ反り値は、プリント配線板への実装性向上という観点から、360μm以下が好ましく、330μm以下がより好ましく、310μm以下が更に好ましく、250μm以下が更に一層好ましく、220μm以下が殊更好ましく、220μm以下が特に好ましく、200μm以下がとりわけ好ましく、170μm以下がなおさら好ましい。一方、パッケージ反り値の下限値は、実用的であるという観点から、0.1μm以上が好ましく、5μm以上がより好ましく、10μm以上が更に好ましく、20μm以上が更に一層好ましい。以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、部は質量部を意味する。[測定方法評価方法]まずは各種測定方法評価方法について説明する。厚み測定実施例及び比較例で用いた耐熱フィルム層、支持体、封止層用樹脂組成物層を、接触式層厚計株ミツトヨ製、MCD-25MJを用いて測定した。封止層用樹脂組成物層は、二層接着シートの厚みの値から耐熱フィルム層の厚みの値を引き算すること、又は封止層用接着シートの厚みの値から支持体の厚みの値を引き算することで算出した。パッケージ反りの測定及び評価実施例及び比較例で得られた半導体パッケージを2.1cm×1.6cmにダイシングし、半導体パッケージのパッケージ反りを室温にて測定した。測定装置はシャドウモアレ測定装置ThermoireAXP:Akrometrix製を用いて、電子情報技術産業協会規格のJEITAED-7306に準じて測定した。具体的には、測定領域の基板面の全データの最小二乗法によって算出した仮想平面を基準面とし、その基準面から垂直方向の最大値をAとし、最小値をBとした時の、|A||B|の値Coplanarityをパッケージ反り値とし、次のように評価した。◎:100μm未満○:100μm以上150μm未満。△:150μm以上240μm未満×:240μm以上。リフロー後のパッケージ反りの測定及び評価実施例及び比較例で得られた半導体パッケージを2.1cm×1.6cmにダイシングし、リフローによる処理後の半導体パッケージのパッケージ反りを室温にて測定した。測定装置はシャドウモアレ測定装置ThermoireAXP:Akrometrix製を用いて、電子情報技術産業協会規格のJEITAED-7306に準じて測定した。具体的には、測定領域の基板面の全データの最小二乗法によって算出した仮想平面を基準面とし、その基準面から垂直方向の最大値をAとし、最小値をBとした時の、|A||B|の値Coplanarityをパッケージ反り値とし、次のように評価した。◎:160μm未満○:160μm以上260μm未満。△:260μm以上365μm未満×:365μm以上平均熱膨張率及びガラス転移温度の測定実施例及び比較例において得られた接着シートを180°Cで90分間加熱することで熱硬化させ、PETフィルムを剥離することによりシート状の硬化物を得た。上記硬化物を、幅約5mm、長さ約15mmの試験片に切断し、熱機械分析装置TMASS6100セイコーインスツルメンツ株製を使用して、引張加重法で熱機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、荷重1g、昇温速度5°C/分の測定条件にて連続して2回測定した。2回目の測定における25°Cから150°Cまでの平均熱膨張率ppmを算出した。また2回目の測定における寸法変化シグナルの傾きが変化する点からガラス転移温度°Cを算出した。弾性率の測定実施例及び比較例において得られた接着シートを180°Cで90分間加熱することで熱硬化させ、PETフィルムを剥離することによりシート状の硬化物を得た。上記硬化物を幅約7mm、長さ約40mmの試験片の切断し、動的機械分析装置DMS6100セイコーインスツルメンツ株製を使用して、引張モードにて動的機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、周波数1Hz、昇温速度5°C/分の測定条件にて測定した。かかる測定における25°Cのときの貯蔵弾性率E‘の値を読み取った。<製造例1>液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂エポキシ当量180、三菱化学株製エピコート828EL19部と、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂エポキシ当量163、DIC株製HP470043部とをMEK31部とシクロヘキサノン31部との混合液に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤DIC株製LA7052、固形分が60重量のMEK溶液、フェノール性水酸基当量12031部、フェノキシ樹脂分子量50000、三菱化学株製E1256の不揮発分40重量のMEK溶液8部、硬化触媒四国化成工業株製、2E4MZ0.1部、球形シリカSOC2320部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス1を作製した。<製造例2>ポリイミド樹脂味の素ファインテクノ株製、T240部と、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート以下、EDGAcと記す及びイプゾール150芳香族炭化水素系混合溶媒:出光石油化学株製混合ワニス固形分75重量、エポキシ当量210、三菱化学株製157S709.5部と、フェノールノボラック樹脂DIC株製TD2090、固形分が60重量のMEK溶液、フェノール性水酸基当量1052.1部と、イミダゾール誘導体三菱化学株製P200H500.1部と、球形シリカSOC215部とを混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス2を作製した。<製造例3>液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂エポキシ当量180、三菱化学株製エピコート828EL23.5部と、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂エポキシ当量163、DIC株製HP470020部とをMEK17部とシクロヘキサノン17部との混合液に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤DIC株製LA7054、固形分が60重量のMEK溶液、フェノール性水酸基当量12531部、フェノキシ樹脂分子量50000、三菱化学株製E1256の不揮発分40重量のMEK溶液20部、硬化触媒四国化成工業株製、2E4MZ0.15部、球形シリカSOC250部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス3を作製した。<実施例1>二層接着シートの製造樹脂ワニス1をアルキッド系離型剤で処理されたポリイミドフィルム厚み25μm、東レデュポン株製カプトンの離型処理面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが300μmになるよう、バーコーターにて均一に塗布し、80~120°C平均100°Cで7分間乾燥することにより二層接着シートを得た。二層接着シートの積層及び平滑化前記二層接着シートを、半導体素子が搭載された回路基板の半導体素子が搭載されている側に、封止層用樹脂組成物層が接するようにラミネートした。ラミネート工程には株名機製作所製の真空加圧式ラミネーターMVLP-500を用い、温度100°Cにて30秒間真空吸引後、温度120°C、圧力7.0kg/cm2の条件で耐熱フィルム上から、耐熱ゴムを介して30秒間プレスすることによりラミネートし、次いで、大気圧下で、SUS鏡板を用いて、温度120°C、圧力6.0kg/cm2の条件で60秒間プレスを行うことで、二層接着シートの平滑化を行った。封止層用接着シートの熱硬化封止層用接着シートを積層した回路基板を、熱風循環炉を用いて180°C、90分の条件で、熱硬化させて絶縁層を形成した。その後、ポリイミドフィルムを剥離した。これにより、半導体素子が絶縁層に封止された半導体パッケージを得た。<実施例2>実施例1のアルキッド系離型剤で処理されたポリイミドフィルム厚み25μm、東レデュポン株製カプトンの代わりに、アルキッド系離型剤で処理されたポリイミドフィルム厚み50μm、東レデュポン株製カプトンを用いたこと以外は、実施例1と同様にして半導体パッケージを得た。<実施例3>実施例1のアルキッド系離型剤で処理されたポリイミドフィルム厚み25μm、東レデュポン株製カプトンの代わりに、株クラレ製ベクスター25μmを用いたこと以外は、実施例1と同様にして半導体パッケージを得た。<実施例4>実施例1のアルキッド系離型剤で処理されたポリイミドフィルム厚み25μm、東レデュポン株製カプトンの代わりに、株古河サーキットフォイル製電解銅箔F2-WS12μmを用いたこと以外は、実施例1と同様にして半導体パッケージを得た。<比較例1>実施例2の樹脂ワニス1の代わりに、樹脂ワニス2を用いたこと以外は、実施例2と同様にして半導体パッケージを得た。<比較例2>実施例1のアルキッド系離型剤で処理されたポリイミドフィルム厚み25μm、東レデュポン株製カプトンの代わりに、PETフィルム38μmを用いたこと以外は、実施例1と同様にして半導体パッケージを得た。<比較例3>実施例2の樹脂ワニス1の代わりに、樹脂ワニス3を用いたこと以外は、実施例2と同様にして半導体パッケージを得た。結果を表1に示す。表1の結果から、実施例1~4は本発明の半導体パッケージの製造方法を用いているため、パッケージ反りの少ない半導体パッケージとなっている。一方、比較例1~3は本発明の半導体パッケージの製造方法を用いておらず、パッケージ反りが大きいものとなってしまった。"