導電性を有する内層導体配線層と絶縁層とが複数積層された積層膜と、該積層膜を貫通し設けられた前記内層導体配線層間を電気的に接続する導体ビアとを含んでなる多層基板において、前記多層基板上に配置された複数の電極パッドの一つに第1の導体ビアを介して接続された第1の内層導体配線層と、前記電極パッドの一つに隣接する他の一つの電極パッドに第2の導体ビアを介して接続された第2の内層導体配線層と、を有し、前記他の一つの電極パッドと前記第2の導体ビアとは、前記多層基板の表面上に設けられた表層導体配線層を介して接続され、前記表層導体配線層と前記第1の内層導体配線層との間に、接地電位に保持されたグランド導体ビア、もしくは電源電位に保持された電源導体ビアが設けられていることを特徴とする多層基板。前記第1の内層導体配線層と前記第2の内層導体配線層との間に、接地電位に保持されたグランド導体配線層、もしくは電源電位に保持された電源導体配線層がさらに設けられていることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。前記グランド導体ビア、もしくは前記電源導体ビアは、前記第1の内層導体配線層を前記多層基板表面に投影してなる投影像と前記表層導体配線層との間に位置するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。前記第2の導体ビアと前記表層導体配線層とは、前記電極パッドの一つ、又は他の一つと異なる別の電極パッドを介して接続され、前記グランド導体ビア、もしくは前記電源導体ビアは、前記電極パッドの一つと別の電極パッドとの間に位置するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。前記表層導体配線層の長手方向は、前記第1および第2の内層導体配線層の長手方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。基板上に少なくとも光素子と電子回路装置とを搭載した光モジュールにおいて、導電性を有する内層導体配線層と絶縁層とが複数積層された積層膜と、該積層膜を貫通し設けられた前記内層導体配線層間を電気的に接続する導体ビアとを含んでなる多層基板と、前記多層基板上に配置された複数の電極パッドの一つに第1の導体ビアを介して接続された第1の内層導体配線層と、前記電極パッドの一つに隣接する他の一つの電極パッドに、前記多層基板の表面上に設けられた表層導体配線層を介して接続された第2の導体ビアと、前記第2の導体ビアを介して接続された第2の内層導体配線層と、を有し、前記表層導体配線層と前記第1の内層導体配線層との間に、接地電位に保持されたグランド導体ビア、もしくは電源電位に保持された電源導体ビアが設けられ、前記第1の内層導体配線層と前記第2の内層導体配線層との間に、接地電位に保持されたグランド導体配線層、もしくは電源電位に保持された電源導体配線層が設けられ、前記光素子、および前記電子回路装置は、それぞれに設けられた電極パッドを介して前記多層基板上に配置された複数の電極パッドの何れかと接続されていることを特徴とする光モジュール。前記光素子に設けられた電極パッドと前記多層基板上に配置された複数の電極パッドの何れかがボンディングワイヤを介して接続されていることを特徴とする請求項6に記載の光モジュール。前記光素子の複数が、同一基板上に配列されたアレイ素子であることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。前記光素子は、光信号変調方式が直接変調方式もしくは間接変調方式のいずれかの半導体レーザであることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。前記光素子は、光共振方向が、前記多層基板に対して水平方向もしくは垂直方向のいずれかの半導体レーザであることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。前記光素子は、光受発光部とレンズとが同一基板に一体集積されていることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。前記光素子から入出力される光信号の入出力方向には、外部レンズが実装されていることを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。前記光素子から入出力される光信号の入出力方向には、複数の光信号を1つの多重化光信号へ変換する光多重化部もしくは、一つの多重化光信号を複数の光信号へ変換する光分波部を有することを特徴とする請求項6または7に記載の光モジュール。図1に示す光モジュールのように、光素子と集積回路を表面実装し、ボンディングワイヤにより電気接続を行う場合、集積回路に形成される電極パッドのレイアウトは自ずと表面外周部に限定され、集積回路の高機能化にともなう多ピン化入出力電極パッドの増加に対応できない。一方、図2、3、4に示す光モジュールのように、多層基板に形成された導体ビアと内層導体配線により光素子と集積回路の電気接続を行う場合、アレイ光素子に接続される導体ビアと導体ビアとの距離は250μmと狭ピッチであるためチャンネル間クロストークが大きくなる。特に25Gbps以上の超高速信号伝送では、この導体ビア間のクロストークの信号品質への影響が無視できなくなる。そこで、本発明の目的は、集積回路がフリップチップ実装された光モジュールにおいて、25Gbps以上の超高速伝送を行っても、隣接するチャンネル間のクロストークを低減し、良好な信号伝送を実現する光モジュールを提供することにある。上記課題を解決するために、本願発明の多層基板およびそれを用いた光モジュールの主な特徴は、以下の通りである。多層基板上の隣り合う第1電極パッド、第2電極パッドのうち、第1電極パッドは第1導体ビア、第1内層導体配線と順次接続され、第2電極パッドは多層基板の表層導体配線、第3電極パッド、第2導体ビア、第2内層導体配線と順次接続される、第1内層導体配線と表層導体配線の間にはグランド導体ビアもしくは電源導体ビアが設けられ、第1内層導体配線が形成されている第1形成層と第2内層導体配線が形成されている第2形成層との間には、グランド導体配線もしくは電源導体配線が形成されている形成層が設けられる。第1電極パッドと第2電極パッドは、第1光素子と第2光素子の表面に形成された電極パッドと接続される。第1電極パッドと第2電極パッドは、第1光素子と第2光素子の表面に形成された電極パッドはボンディングワイヤを介して接続しても良い。本発明の光モジュールを用いれば、25Gbps以上の超高速伝送を行っても、隣接するチャンネル間のクロストークを低減し、良好な信号伝送を実現する光モジュールを提供することができる。以下に、本発明の実施例の具体的な構造を順に説明する。<実施例1>図5に本発明の第1実施例に係る光モジュールの斜視図を示す。本実施例では、多層基板0101上に光素子0105、集積回路0102がそれぞれ実装されている。光素子0105は、電気信号を光信号に変換する半導体レーザもしくは、光信号を電気信号へ変換するフォトダイオードのいずれかである。集積回路0102は半導体レーザ前段で、電気信号の波形整形と増幅を行うドライバ回路もしくは、フォトダイオードから入力した電気信号電流信号を電圧信号へ変換したのち増幅するトランスインピーダンス回路のいずれかである。大容量情報伝送を実現するために、光素子0105はアレイ上に実装されており、各光素子間の距離は多チャンネル光ファイバのピッチ間隔に合わせて250μmとなっている。上記所定のピッチで配列された複数の光素子0105からは、図示するように、一つ置きに多層基板0101上に設けられた表層導体配線0112が引き出され、電極パッド0108-3に接続されている。以下に、この表層導体配線0112に関して、さらに詳細に説明する。図6は、本実施例に係る光モジュールのうち、光素子0105近傍の配線の斜視図を示し、図7は、本実施例に係る光モジュールの断面図を示している。まず、図7で示すように多層基板0101上に電極パッド0108-1が形成され、同様に多層基板0101上に電極パッド0108-2が電極パッド0108-1に隣接して形成されている。なお、同図では、電極パッド0108-1および0108-2が重なって図示されている。また、光素子0105上に形成された電極パッド0108-1aは、電極パッド0108-1に対向するように配置され図6参照、それぞれの電極パッドは半田バンプ0111-1により電気的に接続されている。同様に、光素子0105上に形成された電極パッド0108-2aは、電極パッド0108-2に対向するように配置され図6参照、それぞれの電極パッドは半田バンプ0111-1により電気的に接続されている。集積回路0102上の電極パッドも同様に多層基板0101上に形成された電極パッドが半田バンプ0111-2により電気的に接続されている。次に、図6を用いて、表層導体配線および内層導体配線の関係を説明する。図6では、主として、前記の配線関係を図示するために、電極パッド0108-1と電極パッド0108-1aとを接続する半田バンプは図示していない。また、図6は、図7で示す光素子0105の直下近傍における配線層を図示し、その他の多層基板や集積回路などは省略している。多層基板0101上に形成された隣り合う電極パッド0108-1と0108-2のうち、電極パッド0108-1は、多層基板の垂直方向に配設される導体ビア0109-1、内層導体配線0110-1と順次接続されている。もう一方の電極パッド0108-2は、表層導体配線0112、電極パッド0108-3、導体ビア0109-02、内層導体配線0110-2と順次接続されている。通常、内層導体配線0110-1、あるいは0110-2および表層導体配線0112は、長手方向に延在するように配置され、途中経路で迂回するように配置される場合もあるが、互いに電気的に短絡しないような配置が施される。導体ビア0109-1や0109-2などは、多層基板表面に対して、通常は、ほぼ垂直な方向に、多層基板を構成する積層膜を貫通して設けられた貫通孔に導電材料を埋め込んで設けられている。また、内層導体配線0110-1や0110-2は、多層基板表面に対して、ほぼ平行な面で形成され、互いに該基板表面からの深さを異にする位置に配置されている。内層導体配線0110-1と内層導体配線0110-2との間は、電気的に絶縁する絶縁層あるいは絶縁膜が形成されていることは言うまでもない。他の導体配線間における多層基板の縦方向の絶縁も同様である。図6において、導体ビア0109-1と導体ビア0109-2との間隔は、電極パッド0108-1および0108-2との間の間隔より、明らかに広がっていることが判る。図3で示すように、従来の導体ビア0109-1と導体ビア0109-2との間隔は、電極パッド0108-1および0108-2との間の間隔と同じである。すなわち、従来は光素子と接続された導体ビア0109-1と0109-2との間の距離は、多チャンネル光ファイバのピッチ間隔に合わせ250μmと狭ピッチになっており、導体ビア0109-1と導体ビア0109-2の間にはクロストークを遮蔽するための導体ビアを、加工上の問題などにより設置することができなかった。一方、本実施例では、表層導体配線0112を新たに導入することにより、導体ビア0109-1と導体ビア0109-2との間隔を広げることが可能となり、両者の間にクロストーク遮蔽用導体ビア0109-3を設けることが可能となった。ここで、導体ビア0109-3はグランド導体ビアもしくは電源導体ビアのいずれかである。ここで、導体ビア0109-1と導体ビア0109-2との間とは、内層導体配線0110-1の配線パターンを多層基板表面に投影した投影像と、表層導体配線0112の配線パターンとによって挟まれる平面領域内に位置するように配置されていることを指す。また、内層導体配線0110-1と0110-2の間には、広面積の導体配線0110-3が形成されており図7を参照、内層導体配線0110-1と0110-2の間のクロストークを低減している。ここで、内層導体配線0110-3はグランド導体配線もしくは電源導体配線のいずれかである。本実施例の構造をとることにより、導体ビア0109-1と導体ビア0109-2との間にクロストーク遮蔽用導体ビア0109-3を設けることが可能となり、基板垂直方向のチャンネル間クロストーク導体ビア同士のクロストーク低減することができるようになった。さらに、内層導体配線0110-1と0110-2の間には、広面積の導体配線0110-3が形成されることにより、基板水平方向のチャンネル間クロストーク内層導体配線同士のクロストークを同時に低減することができる。図8は、導体ビア間のクロストークを計算した結果であり、横軸が周波数Frequency、縦軸がクロストークを示す。測定条件は、導体ビアの直径を100μm、導体ビアの長さを1.0mm、基板材料としては、光素子を実装する多層基板材料はアルミナ誘電率10とし、導体材料はタングステンとした。図中に示された3つのグラフのうち1のプロットは、ビア導体間のピッチを250μmで、かつ導体ビア間にクロストーク遮蔽用導体ビアがない場合であり、2のプロットは、導体ビア間のピッチを500μmで、かつ信号導体ビア間にクロストーク遮蔽用導体ビアがない場合であり、3のプロットは、導体ビア間のピッチを500μmで、かつ導体ビア間にクロストーク遮蔽用導体ビアがある場合のクロストークをそれぞれ示している。たとえば、25Gbit/s信号の基本周波数である12.5GHzでのクロストークは、従来のモジュールに相当する1のプロット-11dBであるのに対して、本実施例に相当する3のプロットはと-30dBと特性が改善されることがわかる。<実施例2>図9に本発明の実施例2に係る光モジュール斜視図を示す。本実施例は、光素子0105の電極パッドと、多層基板0101の電極パッドがボンディングワイヤ0107により接続されている点を除いては、実施例1と同様である。従って、その詳細説明は省略する。本構造においても、実施例1と同様にクロストークを低減した良好な特性を実施することができる。本実施例は、光素子0105に設けられた電極パッドを実施例1で示したようにフェースダウンできない場合に適用が可能となる。<実施例3>図10に本発明の実施例3に係る光モジュール上面図を示す。図11は本実施例の光モジュールの断面図である。本実施例は、光素子0105の光信号の入出力方向に、複数の光信号を1つの多重化信号へ変換する光多重器もしくは、1つの多重化信号を複数の光信号へ変換する光分波器が実装されている。光素子0105から基板垂直方向へ入出力される光信号は光多重器分波器0113に形成されたミラー0114図11を参照により基板水平方向へ光路変換され、光多重器分波器内0113に形成された光導波路0115を伝播する。本実施例は光素子0105の上部に光多重器分波器が実装されている点を除いては、実施例1と同様である。したがって、光多重器分波器からはクロストークの低減された良好な特性が得られる。