マイクロ波の照射により成長するグレインを少なくとも一部に有する基板を載置するサセプタと、前記基板に対してマイクロ波を照射する照射部と、前記照射部が照射する前記マイクロ波の周波数を、前記グレインの共鳴周波数に近づけるように、前記照射部を制御する制御部と、を備える半導体製造装置。前記グレインの成長に伴い変化する前記共鳴周波数の時系列データを記憶する記憶部を備え、前記制御部は、前記記憶部から前記共鳴周波数を得て、前記マイクロ波の周波数を前記共鳴周波数に近づけるように、時間とともに変化させる請求項1に記載の半導体製造装置。前記記憶部は、前記共振周波数を次式で表される時系列データとして記憶する請求項2に記載の半導体製造装置。前記制御部は、前記周波数が時間の平方根に対して反比例するように、前記照射部を制御する請求項1乃至3いずれか1項に記載の半導体製造装置。前記サセプタを透過するマイクロ波の透過量を計測する計測部を備え、前記制御部は、前記透過量が規定値以上の場合に、前記透過量を減少させる方向に前記周波数を変化させる、請求項1乃至4いずれか1項に記載の半導体製造装置。サセプタに載置される、少なくとも一部にグレインを有する基板に対してマイクロ波を照射するステップと、前記マイクロ波の周波数を、前記グレインの共鳴周波数に近づけるステップと、を有する半導体製造方法。効率的なアニール処理を行うことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。実施形態の半導体製造装置は、マイクロ波の照射により成長するグレインを少なくとも一部に有する基板を載置するサセプタと、前記基板に対してマイクロ波を照射する照射部と、前記照射部が照射する前記マイクロ波の周波数を、前記グレインの共鳴周波数に近づけるように、前記照射部を制御する制御部とを備える。実施形態の半導体製造方法は、サセプタに載置される、少なくとも一部にグレインを有する基板に対してマイクロ波を照射するステップと、前記マイクロ波の周波数を、前記グレインの共鳴周波数に近づけるステップとを有する。以下、発明を実施するための実施形態について説明する。第一の実施形態図1は、第一の実施形態に係る半導体製造装置100の構成図である。半導体製造装置100は、半導体基板における回路の製造プロセスにおいて、半導体基板の材料となるウェハ等の基板以下ではシリコン基板10に対してマイクロ波を照射することによりアニール処理を行う。このアニール処理は、半導体のキャリア生成のためにシリコン基板10に不純物をドープする際に生じるシリコン結晶格子の格子欠陥を修復するために必要なプロセスである。これにより、一旦は電気的に不活性状態となる回路を活性状態にすることができる。一般的に、アニール処理には、ハロゲンランプやキセノンランプを用い、シリコン基板10を1000°C以上の高温にする光アニール例えば、RTP、FLA、LSA等が用いられる。しかしながら、このような高温のもとでは、シリコン基板10内の不純物は拡散をしてしまうために、回路のリーク電流が増加してしまうことになる。そこで、本実施形態の半導体製造装置100では、600°C以下の比較的低温でのアニール処理を行うことができるマイクロ波を用いるマイクロ波アニール。これにより、光アニールを用いる際に問題となる不純物の拡散を抑制することができるために、回路のリーク電流を減少させることができる。ここで、半導体製造装置100の構成について説明する前に、マイクロ波アニールとシリコンの結晶化との関係について説明する。一般的に、アニール処理によるシリコン基板10の回路の電気的な活性化の度合いは、シリコンの結晶格子の規則性の高さが重要な指標となる。すなわち、シリコン基板10において、結晶格子が規則的になり、電気的な活性状態となると考えられる。前述のキャリア生成の際には、シリコン基板10に対して不純物をドープすることで、部分的にシリコン基板10の結晶格子が不規則なアモルファスシリコン非結晶の状態になっているものと考えられる。このアモルファスシリコンは、具体的には部分的に結晶化したポリシリコングレインが集まって形成される。非特許文献1では、X線回折の実測により、マイクロ波アニールによってシリコン結晶格子の規則性が高くなることが確認されている。また、前述のようにアニール処理の段階においては、部分的にシリコン基板10がアモルファスシリコンの状態であることを考慮すると、マイクロ波アニールを行うことで、マイクロ波は少なくともアモルファスシリコンのグレインにより吸収されることが考えられる。以上により、シリコン基板10内のアモルファスシリコンを形成するグレインによりマイクロ波が吸収され、このグレインが非熱的に結晶成長することで、アモルファスシリコンの結晶格子の規則性が高くなる結晶化するものと考えられる。これにより、低温での回路の活性化が実現できると考えられる。図1の半導体製造装置100は、シリコン基板10を支持するサセプタ101、サセプタ101を覆い、内部の雰囲気が制御されている容器102、マイクロ波を照射する電波源103、電波源103が照射するマイクロ波の周波数を制御する制御部104、電波源103が照射するマイクロ波の周波数の時系列データを記憶するメモリ105を備える。サセプタ101は、シリコン基板10を支持するための基台である。このサセプタ101に支持されているシリコン基板10の表面の数百nmの表層には、様々なパターンを持つ回路が形成されている。また、シリコン基板10内には不純物がドープされており、シリコン基板10は部分的にアモルファスシリコンの状態になっている。容器102は、内部の雰囲気温度や圧力、ガスの成分等がアニール処理に適した条件に制御されている。一般にアニール処理の段階では、温度は350°Cから650°C程度で、圧力は常圧であることが好ましい。また、ガスの成分としては、酸化を防ぐために窒素ガスを用いることが好ましい。また、後述の電波源103が照射するマイクロ波を透過する必要性に加え、ある程度の耐熱性を有する必要性から、例えば透明石英等を材質とする容器であることが好ましい。そこで、容器102の一部には、ガス供給装置106が取り付けられ、このガス供給装置106から容器102内には窒素ガスが供給される。また、容器102にはガス排出口107が設けられ、このガス排出口107から窒素ガスが排出される。容器102内にはヒーター等の熱源108が設けられ、後述の制御部104により容器102内の温度が制御されている。電波源103は、容器102外にサセプタ101に対向して設けられる。この電波源103は、サセプタ101に支持されているシリコン基板10に対してマイクロ波を照射する。これにより、シリコン基板10のアモルファスシリコンを形成するグレインを徐々に結晶成長させ、アモルファスシリコンを結晶化することで、アニール処理を行う。電波源103は、例えば1GHzから100GHz程度の範囲で異なる周波数のマイクロ波を照射できることが好ましい。制御部104は、電波源103を制御して電波源103が照射するマイクロ波の周波数を、予めメモリ105が記憶する周波数の時系列データに沿って変化させる。このメモリ105が記憶する周波数は、後述するように材質本実施形態ではシリコンにより固有のパターンである。具体的には、アニール処理の開始時刻をゼロとして、例えば1秒ごとにマイクロ波の周波数をメモリ105から読み出し、電波源103が照射するマイクロ波の周波数を、メモリ105から読み出した周波数に近づける方向に制御する。また、制御部104は、容器102内の雰囲気を制御する。具体的には、温度センサ図示せずにより計測される容器102内の温度を既定の温度に近づける方向に熱源108に対して発熱量を指示することで、容器102内の温度を制御する。また、制御部104は、必要に応じて圧力センサ図示せずにより計測される容器102内の圧力を既定の圧力に近づける方向に、ガス供給装置106に対してガスの供給量を、またガス排出口107に対して排出量をそれぞれ指示することで、容器102内の圧力を制御することもできる。この制御部104としては、例えばCPU等の演算処理装置のモジュールとして論理的に実現することができる。メモリ105は、アニール処理開始からの各時刻において、電波源103が照射するマイクロ波の周波数の時系列データを記憶している。また、制御部104が容器102内の雰囲気を制御する際に用いる温度や圧力等の既定値を記憶している。以下、メモリ105が記憶するマイクロ波の周波数の時系列データについて詳細に説明する。非特許文献2や非特許文献3によれば、結晶欠陥による空孔やダングリングボンドにより非一様な電荷分布を有するアモルファスシリコンにおいて、マイクロ波との相互作用が起こり、マイクロ波が吸収されることが述べられている。グレインの表面には、アモルファスシリコンと同様にダングリングボンドや空孔が存在する。したがって、グレイン表面には非一様電荷が存在し、マイクロ波の吸収による非熱的な結晶成長が進むことで、グレインサイズは時間とともに徐々に大きくなる。一般に、マイクロ波の吸収量はマイクロ波の周波数に依存し、吸収量が最大となる際のマイクロ波の周波数を共鳴周波数と呼ぶ。また、この共鳴周波数は、グレインサイズに依存する。したがって、本実施形態の半導体製造装置100では、グレインの結晶成長に伴い逐次変化する共鳴周波数のマイクロ波を照射することで、効率的にグレインを結晶成長させ、シリコン基板10の格子欠陥を修復させる。ここで、グレインサイズと共鳴周波数の関係について説明する。アニール処理開始時刻t0sとし、時刻tsにおけるグレインサイズをanmとすると、aはグレインの成長率Γ1sを用いて、と表される。ここで、非特許文献1を参照すると、グレインの成長率Γ10~100程度の値を用いることができる。ところで、非特許文献4により、マイクロ波の吸収の共鳴周波数の2乗は、各グレインの持つ非一様電荷余剰電荷あるいは不足電荷に比例し、質量に反比例することが示されている。ただし、アモルファスシリコンの場合、ここでいう各グレインとは1辺がグレインサイズを持つ微小なシリコン結晶の塊であり、その内部は結晶化されているものとする。あるいは、完全にアモルファス状態の場合には、例えばシリコン原子そのものをグレインとみなすことができる。このとき、マイクロ波の共鳴周波数をf1sとし、グレインの質量をMとし、非一様電荷をqとすると、となる。非一様電荷qは、各グレインに存在するダングリングボンドや空孔の多さに比例すると考えられる。また、図2に示すように結晶化が進むにつれて各グレインはお互いに結合し、グレインサイズが増大する。すると、ダングリングボンドや空孔は、主にグレインの表面に残されることになる。つまり、ダングリングボンドや空孔の数は、グレインサイズが大きくなるとともにグレインの表面積に比例して増加すると考えられる。このとき、グレインの非一様電荷qはグレインの表面積すなわちグレインサイズaの2乗に比例し、となる。一方、グレインの質量Mは、シリコンの密度が状態アモルファス、ポリシリコン、単結晶によらずほぼ一定であるため、体積すなわちグレインサイズaの3乗に比例して、となる。以上の数3及び数4を数2に代入することで、が得られる。以上から、時刻tsにおける共鳴周波数f1sは、グレインサイズaを用いて、となる。さらに、数6に数1を代入すると、時刻tsにおけるマイクロ波の吸収の共鳴周波数f1sは次のような式で表されることになる。以上より、マイクロ波の周波数を、各時刻に対し、数7で表されるような共鳴周波数に設定することで非熱的な結晶化の効率を上げることができる。なお、前述のように成長率Γが10~100程度の値であることを考慮すると、アニール処理開始から充分時間が経過した際には、Γt>>1が成り立ち、数7は次式のように近似することができる。したがって、時刻tsにおけるマイクロ波の吸収の共鳴周波数f1sは、厳密には数7により表されるが、数8のように時刻tの平方に反比例する傾向を示す周波数の時系列変化であれば、数7に含まれるものとみなすことができる。メモリ105は、以上の説明により得られる共鳴周波数の時系列データ数7を記憶している。図3に、メモリ105が記憶する時系列データの一例を示す。以下、半導体製造装置100の動作について説明する。半導体製造装置100において、サセプタ101上には、シリコン基板10が支持されている。このシリコン基板10の表面の回路層には、アモルファスシリコンの領域が形成されている。電波源103は、シリコン基板10に対して既定の周波数のマイクロ波を照射する。これにより、シリコン基板10のアモルファスシリコンはマイクロ波を吸収し、非熱的な結晶化が進むと同時に、マイクロ波のエネルギーの一部は熱化して、シリコン基板10の温度が上昇する450°Cから550°C程度。このとき、容器102内の雰囲気は、制御部104により制御されているために、シリコン基板10の温度も一定に保たれる。ここでは、例えば450°Cに保たれるものとする。シリコン基板10の温度を例えば温度センサ図示せずにより検出し、450°Cに達した時点を初期状態時刻t=0とする。制御部104は、時刻t=0から例えば1秒ごとに時刻をカウントし、メモリ105が記憶する周波数の時系列データからその時刻に対応するマイクロ波の周波数を読み出す。そして、制御部104は電波源103を制御し、この周波数に対応したマイクロ波が、電波源103より照射される。マイクロ波を吸収しグレインが徐々に結晶成長することで、アモルファスシリコンが結晶化し、格子欠陥が修復される。例えば既定時間が経過した段階で、制御部104は電波源103の制御を終了し、電波源103はマイクロ波の照射を停止する。これにより、シリコン基板10に対し、常に共鳴周波数のマイクロ波が照射されることになり、アモルファスシリコンの非熱的な結晶化の効率が増大する。すなわち、アニール時間の短縮や低温化が実現できる。したがって、回路のリーク電流を抑えることが可能となる。なお、本実施形態では、1GHzから100GHz程度の周波数領域をカバーする電波源103を備える例を説明したが、異なる周波数領域をカバーする電波源103を複数備えるものであってもよい。例えば、1GHzから50GHz程度の範囲で周波数を変化することができる電波源と、50GHzから100GHz程度の範囲で周波数を変化することができる電波源を備えることで、この場合には共鳴周波数が50GHz付近で2つの電波源を切り替えて用いることができる。第二の実施形態図4は、第二の実施形態に係る半導体製造装置200の構成図である。ここでは、図1の半導体製造装置100と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。第一の実施形態に係る半導体製造装置100は、予めメモリ105に記憶している周波数の時系列データを用いて、常に電波源103はシリコン基板10に対して共鳴周波数に近い周波数のマイクロ波を照射するものである。本実施形態に係る半導体製造装置200では、図1の構成に加え、サセプタ101の直下に、シリコン基板10を透過するマイクロ波の透過量を計測する計測部109を備えている。シリコン基板10に対して照射されるマイクロ波の周波数が共鳴周波数の場合には、前述のように、マイクロ波はシリコン基板10により吸収される。しかしながら、共鳴周波数とは異なる周波数のマイクロ波の大部分はシリコン基板10により吸収されることなくシリコン基板10を透過する。そこで、本実施形態では、このマイクロ波の透過量を用いることで、マイクロ波の周波数を変化する。制御部104は、計測部109が計測する透過量を得て、例えば透過量が既定値以上の場合には、透過量が既定値よりも小さくなる方向にマイクロ波の周波数を調整する。透過量が既定値よりも小さい場合には、第一の実施形態に係る半導体製造装置100と同様に、メモリ105が記憶する周波数の時系列データに従い、マイクロ波の周波数を制御することができる。これにより、シリコン基板10や、その表面回路の個体差により、共鳴周波数が数7の傾向から変動する場合であっても、制御部104が常時周波数を共鳴周波数の方向に調整することができるために、アモルファスシリコンの非熱的な結晶化の効率をさらに増大することが可能となる。以上説明した少なくとも1つの実施形態の半導体製造装置によれば、効率的なアニール処理を行うことができる。これら実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、様々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同時に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。