"発光ダイオードチップであって、-n導電型領域1と、-p導電型領域2と、-前記n導電型領域1と前記p導電型領域2との間の活性領域3と、-前記活性領域3とは反対側の前記p導電型領域2の面におけるミラー層4と、-電気的絶縁材料によって形成されている絶縁層5と、を備えており、-前記ミラー層4が、前記活性領域3において生成される電磁放射を反射するように設計されており、-前記ミラー層4が孔41を有し、前記孔41の領域において、前記ミラー層4の側面領域4aが前記絶縁層5によって完全に覆われている、発光ダイオードチップ。前記ミラー層4の残りの外側領域に前記絶縁層5が存在しない、請求項1に記載の発光ダイオードチップ。前記絶縁層5が、オルトリン酸によってエッチングされ得る、請求項2に記載の発光ダイオードチップ。前記絶縁層5が非晶質セラミック材料からなる、請求項1から請求項3のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記絶縁層5が、非晶質Al2O3によって形成されている、または非晶質Al2O3からなる、請求項1から請求項4のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記孔41が開口部8に隣接しており、前記開口部8が、前記p導電型領域2および前記活性領域3を貫いて前記n導電型領域1の中、または前記n導電型領域まで延びている、請求項1から請求項5のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記孔41および前記開口部8が導電性材料6によって満たされており、前記導電性材料6と前記ミラー層4との間に前記絶縁層5が配置されている、請求項1から請求項6のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。-放射通過領域102であって、その一部分が、前記p導電型領域2とは反対側の前記n導電型領域1の外側領域、によって形成されている、前記放射通過領域102、を備えており、-前記発光ダイオードチップの動作時に前記活性領域3に通電するための電流分散が、前記放射通過領域102より下で行われる、請求項1から請求項7のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記ミラー層4が銀を含んでいる、または銀からなる、請求項1から請求項8のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記p導電型領域2とは反対側の前記ミラー層4の外側領域に、導電層7が配置されており、前記導電層7が、横方向において、前記ミラー層4、前記n導電型領域1、前記p導電型領域2、および前記活性領域3よりも突き出しており、前記導電層7には、前記ミラー層4の側の面において、その一部分に自由にアクセス可能である、請求項1から請求項9のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記導電性材料6が、パッシベーション層12によって前記導電層7から電気的絶縁状態に隔てられており、前記パッシベーション層12が、前記導電性材料6によって満たされた開口部12’を有する、請求項1から請求項10のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。発光ダイオードチップを製造する方法であって、-p型ドープ層2’を形成するステップと、-前記p型ドープ層2’の外側領域21にミラー層4を形成するステップと、-前記ミラー層4を部分的に除去することによって、前記p型ドープ層2’の一部分を露出させるステップと、-前記ミラー層4が除去された領域内に絶縁層5を堆積させるステップであって、前記ミラー層4が、前記p型ドープ層2’とは反対側の面において前記絶縁層5と同じ高さにあり、前記p型ドープ層2’の側面領域2’aが前記絶縁層5に直接隣接している、前記ステップと、-前記p型ドープ層2’とは反対の前記ミラー層4の側にキャリア9を形成するステップと、-前記キャリア8と前記p型ドープ層2’との間に中空の溝10を形成する目的で、前記絶縁層5を部分的に除去するステップと、を含んでいる、方法。請求項1から請求項11のいずれかに記載の発光ダイオードチップが製造される、請求項12に記載の方法。本発明の1つの目的は、特に簡単な方法で製造することのできる発光ダイオードチップを開示することである。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップは、n導電型領域と、p導電型領域と、これらn導電型領域とp導電型領域との間の活性領域と、を備えている。この場合、n導電型領域およびp導電型領域ならびに活性領域は、III-V族化合物半導体材料によって形成されていることが好ましい。特に、n導電型領域およびp導電型領域ならびに活性領域は、窒化物をベースとする化合物半導体材料によって形成することができる。III-V族化合物半導体材料は、第III族の少なくとも1種類の元素例えば、B、Al、Ga、Inと、第V族の元素例えば、N、P、Asとを含んでいる。特に、用語III-V族化合物半導体材料は、第III族の少なくとも1種類の元素と第V族の少なくとも1種類の元素とを含んだ、二元化合物、三元化合物、または四元化合物の群を包含している例えば、窒化物化合物半導体、リン化物化合物半導体。このような二元化合物、三元化合物、または四元化合物は、例えば1種類または複数種類のドーパントおよび追加の構成成分を、さらに含んでいることができる。窒化物化合物半導体材料をベースとしているとは、本明細書においては、半導体積層体またはその少なくとも一部分、特に好ましくは少なくとも活性領域もしくは成長基板ウェハまたはその両方が、窒化物化合物半導体材料、好ましくはAlnGamIn1-n-mN0≦n≦1、0≦m≦1、nm≦1を含んでいる、またはこのような材料からなることを意味する。この場合、この材料は、上の化学式に従った数学的に正確な組成を有する必要はない。そうではなく、この材料は、例えば1種類または複数種類のドーパントと、追加の構成成分とを含んでいることができる。しかしながら、説明を簡潔にする目的で、上の化学式は、結晶格子の本質的な構成成分Al、Ga、In、Nのみを含んでおり、これらの構成成分は、その一部分を少量のさらなる物質によって置き換える、もしくはさらなる物質を添加する、またはその両方を行うことができる。この場合、活性領域は、本発光ダイオードチップの動作時に、例えば紫外線と赤外線との間の周波数範囲の電磁放射を生成する特に、可視光を生成する目的で、設けられている。これを目的として、活性領域は、例えば、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を備えている。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップは、活性領域とは反対側のp導電型領域の面に配置されているミラー層を備えている。このミラー層は、本発光ダイオードチップの動作時に活性領域において生成される電磁放射をp導電型領域の方向に反射するように設計されている。これを目的として、ミラー層は、金属を含んでいる、または金属からなることができる。特に、ミラー層が複数の副層を備えており、これらの副層が全体としてミラー層を形成していることも可能である。この実施形態の場合、ミラー層は、導電性として具体化されていることが好ましい。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、ミラー層は孔perforationを有し、この孔の領域においては、ミラー層の側面領域が絶縁層によって完全に覆われており、絶縁層は電気的絶縁材料によって形成されている。1つまたは複数の孔は、それぞれ、ミラー層が完全に除去されている領域である。したがって、孔は、ミラー層における開口部を構成している。孔の領域において、ミラー層は、孔に隣接する少なくとも1つの側面領域を有する。孔は、例えば、横方向においてミラー層によって囲まれているように、ミラー層に配置されている。この場合、孔とミラー層との間の境界は、ミラー層の少なくとも1つの側面領域によって形成されている。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、側面領域は、電気的絶縁材料からなる絶縁層によって完全に覆われている。すなわち、絶縁層は、ミラー層の側面領域を電気的に不動態化している。この場合、ミラー層が、孔に面するすなわち孔との横方向の境界を形成する複数の側面領域を有する場合、孔の領域においては、ミラー層のこれらの側面領域すべてが絶縁層によって完全に覆われていることが好ましい。言い換えれば、ミラー層は、孔との境界において絶縁層によって電気的に不動態化されている。絶縁層は、ミラー層と同じ厚さを有することが好ましく、すなわち、絶縁層は垂直方向においてミラー層よりも突き出していないことが好ましい。垂直方向とは、ミラー層の主延在面を横切る、または主延在面に垂直に延びる方向である。ミラー層の主延在面に平行な方向は、横方向と称する。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップは、n導電型領域と、p導電型領域と、これらn導電型領域とp導電型領域との間の活性領域と、を備えている。さらに、本発光ダイオードチップは、活性領域とは反対側のp導電型領域の面に、ミラー層を備えている。さらに、本発光ダイオードチップは、電気的絶縁材料によって形成されている絶縁層を備えている。この場合、ミラー層は、活性領域において生成される電磁放射を反射するように設計されており、ミラー層は孔を有し、孔の領域においては、ミラー層の側面領域が絶縁層によって完全に覆われている。この場合、絶縁層は、本発光ダイオードチップの動作時における電気的絶縁層としてのみならず、特に、本発光ダイオードチップの製造時にも有用である。n導電型領域およびp導電型領域ならびに活性領域を備えた、本発光ダイオードチップの半導体ボディの縁部領域に、絶縁層を利用することで、中空の溝またはアンダーカットまたはフィレットfilletを形成することができ、この中空の溝の中に、ミラー層を保護するパッシベーション層を配置することができる。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、ミラー層の残りのすなわち孔の中以外の側領域には、絶縁層が存在しない。すなわち、絶縁層は、孔の領域においてのみミラー層に配置されている。特に、この領域においては、絶縁層を、ミラー層に直接接触した状態に配置することができる。これに対して、孔の中以外のミラー層の外側領域には絶縁層が存在しない。一例として、本発光ダイオードチップを製造する過程において、孔の中以外のミラー層の外側領域から絶縁層を除去する。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、絶縁層は、リン酸、特にオルトリン酸H3PO4によってエッチングすることができる。このことは特に有利であり、なぜならこのようにすることで、本発光ダイオードチップの製造時、同様にリン酸、特にオルトリン酸によってエッチングすることのできる半導体材料と一緒に、絶縁層を除去できるためである。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、絶縁層は、非晶質セラミック材料によって形成されている、または非晶質セラミック材料からなる。この場合、特に、非晶質酸化アルミニウムAl2O3を使用することが特に有利であり、なぜなら、この材料は、リン酸、特にオルトリン酸を使用して、特に容易に除去できるためである。絶縁層は、例えば、スパッタリングまたは蒸着によって形成される。この場合、スパッタリングによって形成されるとは、特に、実質的な特徴substantivefeatureも意味し、なぜなら、スパッタリングによって形成される層は、別の方法によって形成される層と、例えば電子顕微鏡によって行われる試験によって区別できるためである。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、ミラー層における孔は開口部に隣接しており、この開口部は、p導電型領域および活性領域を貫いてn導電型領域の中、またはn導電型領域まで延びている。言い換えれば、開口部は、p導電型領域および活性領域を貫いて形成されており、n導電型領域まで、またはn導電型領域の中まで達することができる。この場合、開口部は、n導電型領域を完全には貫いていない。開口部は、孔に隣接するように配置されており、したがって、孔および開口部は、ミラー層からn導電型領域まで、またはn導電型領域の中まで延びる連続的な切取り部を形成している。この場合、孔および開口部は、互いに個別に形成され、互いに同心であることが好ましい。孔および開口部は、横方向に同じ寸法を有することができる。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、孔および開口部は、導電性材料によって満たされており、この導電性材料とミラー層との間に絶縁層が配置されている。すなわち、絶縁層は、導電性材料とミラー層とを電気的絶縁状態に隔てている。したがって、導電性材料とミラー層の間に直接的な電気接続は存在しない。孔および開口部の中の導電性材料は、本発光ダイオードチップとのn側の接触を形成する役割を果たしていることが好ましい。すなわち、導電性材料は、本発光ダイオードチップのn導電型半導体材料と導電的に接触した状態に配置されている。この場合、導電性材料は、本発光ダイオードチップの動作時に活性領域において生成される電磁放射に対して反射性である金属から形成することができる。言い換えれば、導電性材料は、本発光ダイオードチップのさらなるミラーに結合する、または本発光ダイオードチップのさらなるミラーを形成することができる。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップは放射通過領域を有し、この放射通過領域は、一部分が、p導電型領域とは反対側のn導電型領域の外側領域によって形成されている。すなわち、動作時に本発光ダイオードチップによって放出される電磁放射の大部分または全体が、n導電型領域の外側領域によって形成されている放射通過領域を通過する。放射は、放射通過領域から例えば本発光ダイオードチップの放射出口領域に進み、放射出口領域は、n導電型領域とは反対側の、パッシベーション層の外側領域によって形成することができる。この場合、本発光ダイオードチップの動作時に活性領域に通電するための電流分散は、n導電型領域の外側領域によって形成されている放射通過領域より下で行われることが好ましい。すなわち、特に、本発光ダイオードチップの放射通過領域には、入射する電磁放射を吸収するコンタクト領域あるいは電流分散構造が存在しない。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、ミラー層は銀を含んでいる、またはミラー層は銀からなる。銀は、電界中でマイグレーションの傾向にあるいわゆるエレクトロマイグレーションの傾向にある金属である。本発明の発光ダイオードチップの場合、特に簡単な方法でミラー層を湿気に対して保護することが可能である。これを目的として、一例として、半導体ボディの周囲全体にわたり延在する中空の溝の中に、誘電性の電気的絶縁材料が配置されている。この中空の溝は、絶縁層を利用することで特に簡単な方法で形成することができる。銀は、電界中で、特に湿気の影響下でマイグレーションの傾向にあり、湿気はミラー層の腐食につながりうるため、本発明の発光ダイオードチップは、経年劣化に関して特に安定的である。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、p導電型領域とは反対側のミラー層の外側領域に、導電層が配置されており、この導電層は、横方向において、ミラー層、n導電型領域、p導電型領域、および活性領域よりも突き出しており、導電層には、ミラー層の側の面において、その一部分に自由にアクセス可能である。言い換えれば、導電層は、p導電型領域、n導電型領域、および活性領域を備えた半導体ボディから、ミラー層の下において横方向に外側の方に引き出されている。この場合、導電層には、ミラー層の側の面において、その一部分に本発光ダイオードチップの外側から自由にアクセス可能である。導電層は、その一部の自由にアクセス可能な領域において、本発光ダイオードチップのp側接続領域を形成している。このようにすることで、本発光ダイオードチップのp側接続領域は、本発光ダイオードチップの半導体ボディから横方向に隔てて配置されている。活性領域において生成される電磁放射の全体または一部分を、より長い波長を有する電磁放射に変換する変換要素が、本発光ダイオードチップの放射通過領域に配置される場合、この構造は特に有利である。p側接続領域が半導体ボディから隔てて配置されていることにより、変換要素は、例えば、コンタクトワイヤのための切取り部を有する必要がない。さらには、変換要素を形成する工程がコンタクトワイヤによって妨げられることがない。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、導電性材料は、パッシベーション層によって導電層から電気的絶縁状態に隔てられており、パッシベーション層は、導電性材料によって満たされた開口部を有する。開口部の中の導電性材料は、本発光ダイオードチップの半導体ボディを横方向において円周状に囲んでいる。パッシベーション層における開口部は、湿気に対する本発光ダイオードチップの耐性を高める。さらには、発光ダイオードチップの製造方法を開示する。本方法では、例えば本明細書に記載されている1つ、複数、またはすべての実施形態による、本発明の発光ダイオードチップを、製造することができる。言い換えれば、本発光ダイオードチップに関して記載されている特徴すべては、発光ダイオードチップを製造するための本方法にもあてはまり、逆も同様である。少なくとも一実施形態によると、本方法は、以下のステップを含んでいる。最初に、p型ドープ層を形成する。このp型ドープ層は、例えばエピタキシャル成長させることができる。これを目的として、成長基板の上にn型ドープ層をエピタキシャルに堆積させることができる。成長基板とは反対側のn型ドープ層の面に、活性領域をエピタキシャルに堆積させることができる。次いで、活性領域の上にp型ドープ層を、例えば同様にエピタキシャルに堆積させる。さらなる方法ステップにおいては、p型ドープ領域の外側領域にミラー層を形成する。この場合、外側領域とは、活性領域とは反対側のp型ドープ層の外側領域であることが好ましい。次いで、ミラー層を少なくとも部分的に除去することによって、p型ドープ層の一部分を露出させる。すなわち、ミラー層を所定の領域において除去し、したがってミラー層の下のp型ドープ層が露出する。次いで、ミラー層が除去された領域内に絶縁層を堆積させ、この場合、ミラー層は、p型ドープ層とは反対側の面において絶縁層と同じ高さにあり、p型ドープ層の側面領域は絶縁層に直接隣接している。言い換えれば、ミラー層が除去された領域が、絶縁層によって満たされている。この場合、絶縁層の厚さは、ミラー層の厚さに一致するように選択する。この場合、同じ高さにあるとは、ミラー層が絶縁層よりも10厚く、または10薄く実施される場合も含まれる。すなわち、例えば、製造によって決まる状況に応じて、絶縁層がミラー層よりもわずかに高い、またはミラー層が絶縁層よりもわずかに高い状態も可能である。この場合、絶縁層は、p型ドープ層を露出させる工程において形成された、ミラー層の側面領域に密着して、この側面領域に直接接触した状態に配置されるように、堆積させる。さらなる方法ステップにおいては、p型ドープ層とは反対のミラー層の側に、キャリアを形成する。この場合、ミラー層とキャリアの間には、さらなる層、例えば、原子もしくは分子またはその両方がミラー層から拡散する、またはミラー層内に拡散することを抑制する障壁層や、ミラー層の側にキャリアを機械的に結合する結合層などを、配置することができる。次いで、絶縁層の一部分を除去し、これにより、キャリアとp型ドープ層との間に中空の溝が形成される。この中空の溝は、横方向においてp型ドープ層の周囲全体にわたりに延在していることが好ましい。次いで、パッシベーション材料によって中空の溝を満たして、パッシベーション層を形成することができる。このパッシベーション材料は、湿気に対して半導体ボディを保護する役割を果たす。以下では、本発明の発光ダイオードチップと、発光ダイオードチップを製造するための本発明の製造方法とについて、例示的な実施形態に基づき、対応する図面を参照しながらさらに詳しく説明する。図面において、同じ要素、同じタイプの要素、または同じ機能の要素には、同じ参照数字を付してある。図面と、図面に示した要素間の互いのサイズの関係は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張した大きさで示してある。図1Pは、本発明の発光ダイオードチップの第1の例示的な実施形態を概略断面図として示している。この発光ダイオードチップは、n導電型領域1およびp導電型領域2を備えている。n導電型領域1とp導電型領域2との間には、放射を生成する目的で設けられる活性領域3が配置されている。この場合、n導電型領域1およびp導電型領域2ならびに活性領域3は、本発光ダイオードチップの半導体ボディを形成している。n導電型領域1とは反対側のp導電型領域2の面には、ミラー層例えば銀を含んでいる、または銀からなるが配置されている。ミラー層4は孔41を有し、この孔41においては、ミラー層が例えば円柱状に除去されている。孔41に面しているミラー層4の側面領域4aには、絶縁層5この実施形態の場合には例えば非晶質酸化アルミニウムからなるが配置されている。ミラー層4の孔41には、開口部8が同心状態で隣接しており、この開口部は、p導電型領域および活性領域3を貫いてn導電型領域1まで達している。開口部8に面している、p導電型領域2の側面領域には、中和領域neutralizedregion2が配置されており、この中和領域は、p型ドープ層2’を中和することによって形成されている。この場合、中和領域2は、p導電型領域2をその側面領域において円周状に封止している。p型ドープ層2’は、中和領域2およびp導電型領域2によって形成されている。孔41および開口部8は導電性材料6によって満たされており、導電性材料6は、例えば銀およびチタンを含んでいる。この場合、導電性材料6は、さらに、活性領域3において生成される電磁放射に対して反射性であるように具体化されており、結果として、導電性材料6は電磁放射に対するミラーを形成している。ミラー層4と導電性材料6との間、p導電型領域とは反対側のミラー層4の外側領域には、導電層7が配置されており、この導電層は、例えば金を含んでおり、例えば、チタン/金/チタンという積層体によって形成されている。導電層7は、ミラー層4を通じてp導電型領域との電気的接触を形成する役割を果たしている。導電層7は、ミラー層4、p導電型領域2、n導電型領域1、および活性領域3よりも、横方向lに突き出している。本発光ダイオードチップの半導体ボディの外側において、導電層7の一部分に自由にアクセス可能である。導電層7は、この部分において、例えば、p側接続領域16を有するp側接続部としての役割を果たしている。この部分に、例えばコンタクトワイヤによってコンタクトを形成することができる。導電層7は、導電性材料6の側において、パッシベーション層12によって電気的絶縁状態に隔てられている。この電気的絶縁層12は、例えば二酸化ケイ素からなり、例えば400nm~600nmの範囲内例えば450nmの厚さを有する。この実施形態の場合、導電性材料6は、n導電型領域1との電気的接触を形成する役割を果たしている。本発光ダイオードチップは、この実施形態の場合、n側にはキャリア9を通じて通電され、キャリア9は、例えば金を含んでいる結合層14によって、導電性材料6に電気的に接続かつ機械的に結合されている。この場合、導電性材料6と結合層14との間に障壁層13を配置することができ、障壁層は例えばチタンを含んでいる。障壁層13は、導電性材料6の中への、または導電性材料6からの拡散プロセスを防止する。キャリア9は、導電性材料例えば、ゲルマニウム、モリブデン、シリコン、または銅からなる、または導電性材料を含んでいることが好ましい。図1Pの例示的な実施形態においては、キャリア9は電解によって形成される、すなわち、キャリア9は、残りの本発光ダイオードチップの領域に接合工程によって結合されないことが好ましい。このようにすることで、パッシベーション層12が過大な熱負荷にさらされることがない。これにより、パッシベーション層12例えば二酸化ケイ素からなるは、湿気に対する不浸透性を維持する。キャリア9とは反対側の本発光ダイオードチップの面には、さらなるパッシベーション層15が設けられており、さらなるパッシベーション層15は、特に、p型ドープ層2とキャリア9との間の中空の溝10を満たしている。この場合、さらなるパッシベーション層15は、例えばALD原子層堆積法によって形成されている。この方法では、中空の溝10をさらなるパッシベーション層15の材料によって特に良好に満たすことができる。この場合、パッシベーション層15は、Al2O3、ZrO2、TiO2、HfO2のうちの1種類の材料を含んでいる、または1種類の材料からなることができる。さらなるパッシベーション層15は、放射に対して透過性として特に、透明に具体化されていることが好ましい。さらなるパッシベーション層15は、p導電型領域とは反対側のn導電型領域1の面における粗面化部101を覆っており、粗面化部101は、電磁放射の放出時における全反射を低減する目的で設けられている。さらなるパッシベーション層15に面しており、かつp導電型領域2とは反対側の、n導電型層1の外側領域は、放射通過領域102を形成している。図1Pにおける例示的な実施形態とは異なる、本発明の発光ダイオードチップのさらなる例示的な実施形態について、図1Qの例示的な実施形態を参照しながら説明する。この実施形態においては、パッシベーション層12は、導電性材料6によって満たされた開口部12’を有する。このようにすることで、横方向において、本発光ダイオードチップの半導体領域の周囲全体にわたり導電性材料6が延在している。言い換えれば、本発光ダイオードチップの周囲全体にわたり延在する中断部が、導電性材料6によって満たされた開口部12’の形として、パッシベーション層12に導入されている。このようにして、本発光ダイオードチップは、横方向において導電性材料6により円周状に金属によって封止されているencapsulatedmetallically。図1Qの例示的な実施形態においては、キャリア9は、残りの本発光ダイオードチップの領域に接合工程によって結合することができる。この場合、キャリアの材料として、導電性半導体材料例えばシリコン、ゲルマニウムも適している。円周状に延在する開口部12’によってパッシベーション層12が中断されているため、接合の結果として発生する熱負荷による悪影響を受けない。この熱負荷が存在しなければ、パッシベーション層12自体は湿気に対してすでに不浸透性である。接合時の熱負荷によって湿気の経路が生じるが、この経路は開口部12’によって遮断される。以下では、発光ダイオードチップを製造するための、本発明の方法の例示的な実施形態について、図1A~図1Qの概略断面図を参照しながらさらに詳しく説明する。最初に、成長基板11例えばサファイアによって形成することができるの上に、半導体積層体をエピタキシャル成長させる。半導体積層体は、n導電型領域1およびp型ドープ層2’を備えている。n導電型領域1とp型ドープ層2’との間に活性領域3が配置される図1A。さらな方法ステップ図1Bにおいては、成長基板とは反対側のp型ドープ層2’の面にミラー層4を形成し、このミラー層4は、例えば蒸着によって堆積させる。ミラー層4は銀層を備えていることができ、この層の、p型ドープ層2’とは反対側の面に、チタンからなるカバー層を設けることができる。次の方法ステップ図1Cにおいては、フォトマスク図示していないによってミラー層4のパターニングを行い、これによりミラー層4の一部分が除去されてp型ドープ層2’が露出する。次の方法ステップ図1Dにおいては、フォトマスク図示していないをそのまま残し、p型ドープ層2’の領域を中和して中和領域2を形成する。このステップは、例えばArによるスパッタリングによって行うことができる。このようにすることで、p導電型領域2がミラー層4の下に限定され、p導電型領域2は側方においてすなわち横方向において円周状に中和領域2によって封止される。次の方法ステップ図1Eにおいては、p型ドープ層2’の露出した領域に、絶縁層5この実施形態の場合には非晶質Al2O3からなるを、スパッタリングによって堆積させる。この場合、絶縁層5は、特に、孔41におけるミラー層4の側面領域4aを覆っている。絶縁層5の厚さは、ミラー層4の厚さに等しいように選択する。この方法ステップも、図1Cの方法ステップにおいて形成されたフォトマスクを利用して行われる。次いで、フォトマスクを除去することができる。次の方法ステップ図1Fにおいては、導電層7を形成し、この層は、その一部分が後から本発光ダイオードチップのp型接続領域を形成する。導電層7は、一例として、チタン/金/チタンという積層体である。さらなる方法ステップ図1Gにおいては、成長基板11とは反対側の外側領域に、パッシベーション層12を例えばCVDによって堆積させる。図1Hは、オプションの方法ステップを示しており、このステップでは、横方向においてミラー層4を囲むように円周状に延在する開口部12’を、パッシベーション層12に導入する。この目的には、フォト技術phototechniqueが必要である。この開口部は、図1Qの例示的な実施形態の場合である。この開口部によって、パッシベーション層例えば二酸化ケイ素からなり、ミラー層4まで達する湿気の経路が形成されうるが、本発光ダイオードチップの縁部まで延在していない。さらなる方法ステップ図1Iにおいては、パッシベーション層12および絶縁層5を除去することによって、ミラー層4における孔41を形成し、さらには、p導電型領域2および活性領域3を貫いてn導電型領域1まで、またはn導電型領域1の中まで達する開口部8を形成する。この目的には、さらなるフォト技術が必要である。次の方法ステップ図1Jにおいては、成長基板11とは反対側の露出している外側領域に、導電性材料6を堆積させ、導電性材料6は、例えば、チタン/銀/チタンという層によって形成される。図1Kの方法ステップにおいては、キャリア9を、結合層14および障壁層13を介して、接合または電着によって形成する。図1Lの方法ステップにおいては、例えばレーザリフトオフ法によって、成長基板を除去する。次いで図1Mを参照、キャリア9とは反対側のn導電型領域1の外側領域に、例えばKOHエッチングによって粗面化部101を形成する。次の方法ステップ図1Nにおいては、例えばH3PO4を利用してのメサエッチングを、第4のフォト技術によって行う。この場合、エッチング液は、例えば銀の上で停止するが、領域1,2,2の半導体材料と絶縁層5とが除去される。すなわち、中和領域2の下の絶縁層5が除去され、したがって中空の溝が生じ、この溝においてミラー層4の側面領域が露出する。言い換えれば、パターニングの後、半導体ボディが横方向においてミラー層4よりも側方に突き出している。パッシベーション層12は、エッチング液によって腐食されずに残る。次の方法ステップ図1Oにおいては、さらなるパッシベーション層15を形成し、この層15は、特に、中空の溝10を完全に満たす。この場合、パッシベーション層15は、ALDによって堆積させることが好ましい。さらなる方法ステップ図1P、図1Qにおいては、さらなるパッシベーション層15を、p型接続領域16の領域において除去する。上述した例示的な実施形態の代替形態として、本発光ダイオードチップのn側の接触接続を、キャリア9を通じて形成するのではなく、キャリア9とは反対側の導電性材料6の面におけるさらなる接続領域によって形成することも可能である。この場合、キャリアに電気的絶縁材料を使用することもできる。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本特許出願は、独国特許出願第102010044986.5号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。"