直線移動する検出対象のストロークを検出するストローク量検出装置であって、第1磁界発生手段と、磁気的特性が前記第1磁界発生手段と同一であり、形状および着磁方向が所定の基準点に対して前記第1磁界発生手段と対称に設けられる第2磁界発生手段と、磁性材料で形成され、前記第1磁界発生手段と接続し、前記第2磁界発生手段に対向する第1磁束伝達手段と、磁性材料で形成され、磁気的特性が前記第1磁束伝達手段と同一であり、前記第2磁界発生手段と接続し、前記第1磁界発生手段に対向し、形状が前記基準点に対して前記第1磁束伝達手段と対称に設けられる第2磁束伝達手段と、感磁面を有し、前記第1磁界発生手段と前記第2磁束伝達手段との間の領域、及び前記第2磁界発生手段と前記第1磁束伝達手段との間の領域において、検出対象の直線移動に伴って前記基準点を含む直進軸上を前記第1磁界発生手段、前記第2磁界発生手段、前記第1磁束伝達手段および前記第2磁束伝達手段に対して相対移動して前記検出対象のストローク量を検出する磁気検出手段と、を備えることを特徴とするストローク量検出装置。前記第1磁界発生手段および前記第1磁束伝達手段は、前記磁気検出手段側に向く内壁面、前記磁気検出手段と反対側に向く外壁面、互いに接続される面である接続面、及び、前記接続面と反対側に向く開放面を有し、前記第1磁界発生手段の前記内壁面および前記外壁面は、互いに平行な単一平面で構成され、かつ、前記第1磁束伝達手段の前記内壁面および前記外壁面は、互いに平行な単一平面で構成されることを特徴とする請求項1に記載のストローク量検出装置。前記第1磁界発生手段の前記接続面および前記開放面は、前記第1磁界発生手段の前記内壁面および前記外壁面に直交する単一平面で構成され、かつ、前記第1磁束伝達手段の前記接続面および前記開放面は、前記第1磁束伝達手段の前記内壁面および前記外壁面に直交する単一平面で構成されることを特徴とする請求項2に記載のストローク量検出装置。前記第1磁界発生手段の前記内壁面と前記第1磁束伝達手段の前記内壁面とは互いに同一平面に形成されることを特徴とする請求項3に記載のストローク量検出装置。前記第1磁界発生手段および前記第1磁束伝達手段の前記内壁面は、前記直進軸に対して平行であることを特徴とする請求項4に記載のストローク量検出装置。前記第1磁界発生手段および前記第1磁束伝達手段の前記内壁面は、前記直進軸に対して傾斜していることを特徴とする請求項4に記載のストローク量検出装置。前記第1磁界発生手段の前記内壁面と前記第2磁界発生手段の前記内壁面とは、互いの面に投影したとき重複部分を有することを特徴とする請求項5または6に記載のストローク量検出装置。前記第1磁束伝達手段の前記内壁面と前記第2磁束伝達手段の前記内壁面とは、互いの面に投影したとき重複部分を有することを特徴とする請求項5または6に記載のストローク量検出装置。前記第1磁界発生手段または前記第1磁束伝達手段の前記接続面と前記第2磁界発生手段または前記第2磁束伝達手段の前記接続面とは、前記基準点を通る同一平面に形成されることを特徴とする請求項5または6に記載のストローク量検出装置。前記第1磁界発生手段の前記開放面と前記接続面との距離は、前記第1磁束伝達手段の前記開放面と前記接続面との距離と同一であることを特徴とする請求項7~9のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。前記第1磁界発生手段の前記開放面と前記第2磁束伝達手段の前記開放面とは互いに同一平面に形成され、前記第1磁束伝達手段の前記開放面と前記第2磁界発生手段の前記開放面とは互いに同一平面に形成されることを特徴とする請求項7または8に記載のストローク量検出装置。前記第1磁界発生手段の前記内壁面は、前記第1磁束伝達手段の前記内壁面に対して傾斜していることを特徴とする請求項2または3に記載のストローク量検出装置。前記第1磁界発生手段および前記第1磁束伝達手段は、前記磁気検出手段側に向く内壁面、前記磁気検出手段と反対側に向く外壁面、互いに接続される面である接続面、及び、前記接続面と反対側に向く開放面を有し、前記第1磁界発生手段の前記内壁面または前記第1磁束伝達手段の前記内壁面のうち少なくとも一方は、対応する前記外壁面に対して非平行な傾斜面を含むことを特徴とする請求項1に記載のストローク量検出装置。前記磁気検出手段の感磁面は、前記直進軸に対して平行に設けられることを特徴とする請求項1~13のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。前記磁気検出手段の感磁面は、前記直進軸に対して傾斜して設けられることを特徴とする請求項1~13のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。前記磁気検出手段は、前記第1磁界発生手段、前記第1磁束伝達手段、前記第2磁界発生手段および前記第2磁束伝達手段に対して相対移動することにより生じる磁界の変化に応じた信号を出力する第1磁気検出素子を備えることを特徴とする請求項1~15のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。前記磁気検出手段は、前記第1磁気検出素子が検出した磁束密度が前記検出対象のストローク量に対して線形に変化するように補正するリニア補正手段を備えることを特徴とする請求項16に記載のストローク量検出装置。前記第1磁気検出素子および前記リニア補正手段は、1つの半導体チップとして構成されることを特徴とする請求項17に記載のストローク量検出装置。前記第1磁気検出素子はホール素子であることを特徴とする請求項16~18のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。前記磁気検出手段は、前記第1磁気検出素子と、前記第1磁気検出素子から前記直進軸に沿って所定距離ずらして配置され、前記第1磁気検出素子と同一の磁気的特性を有する第2磁気検出素子と、前記第1磁気検出素子および前記第2磁気検出素子の出力信号に基づき三角関数演算により前記検出対象のストローク量を演算する演算手段と、を備えることを特徴とする請求項16に記載のストローク量検出装置。前記磁気検出手段は、前記演算手段が演算した演算ストローク量が前記検出対象のストローク量に対して線形に変化するように補正するリニア補正手段を備えることを特徴とする請求項20に記載のストローク量検出装置。前記第1磁気検出素子、前記第2磁気検出素子、前記演算手段、及び、前記リニア補正手段は、1つの半導体チップとして構成されることを特徴とする請求項21に記載のストローク量検出装置。前記第1磁気検出素子および前記第2検出素子はホール素子であることを特徴とする請求項20~22のいずれか一項に記載のストローク量検出装置。特許文献1、2の装置は、いずれも4つの磁石を使用しており、磁石の個体ばらつきによって検出精度のばらつきが生じやすい。また、特許文献1の装置に関する課題について、図17を参照して説明する。図17aは、特許文献1の図3に相当し、磁石62a、63aと磁石62b、63bとのストローク方向の両端距離W1が比較的短い例を示している。図17b、cは、図17aに対し、磁石62a、63aと磁石62b、63bとのストローク方向の両端距離W2が比較的長い例を示している。図17aのストローク量検出装置601において、磁石62a、63aのストローク方向の中心と磁石62b、63bのストローク方向の中心との距離がストローク量を検出可能な磁束ベクトル変化範囲Reとなる。磁束ベクトル変化範囲Reのストローク方向外側の範囲は、ストローク量検出に有効に使用されない。言い換えれば、この有効に使用されない範囲に相当する分だけ磁気回路の体格が大きくなる。図17bのストローク量検出装置602は、図17aと同程度の大きさの磁石62a、62b、63a、63bをストローク方向に間隔を空けて配置したものである。この場合、磁石同士の間隔が一定以上広がると、磁束変化しない磁束ゼロ範囲R0が出現する。磁束ゼロ範囲R0では、ストローク量の検出が不可となる。そこで、図17cのストローク量検出装置603のように、ストローク方向に長い磁石62c、62d、63c、63dに置き換えることで磁束ゼロ範囲R0をなくすことができる。しかし、磁石がストローク方向に長くなる分、磁束ベクトル変化範囲Reは、両端距離W2に対してさらに内側に寄る。そのため、上述の有効に使用されない範囲が大きくなって磁気回路の体格がさらに大きくなる。このように、特許文献1の装置は、4つの磁石を使っているにも拘わらず、ストローク方向に有効に使用されない範囲が存在し、磁気回路の体格の増大を招いている。さらに、磁気検出素子の位置がストローク方向に直交する方向にずれることによる検出誤差以下、位置ずれ誤差という。が大きく、ロバスト性外乱や設計誤差などに対しシステム特性が現状を維持する性質に劣るという課題がある。本発明は、このような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、ストローク量の検出範囲に対して磁気回路の体格を小さくし、ロバスト性に強いストローク量検出装置を提供することにある。請求項1に記載の発明は、直線移動する検出対象のストローク量を検出するストローク量検出装置であって、第1磁界発生手段、第2磁界発生手段、第1磁束伝達手段、第2磁束伝達手段、及び磁気検出手段を備える。第1磁界発生手段および第2磁界発生手段は、磁気的特性が同一であり、形状および着磁方向が所定の基準点に対して対称に設けられる。第1磁束伝達手段および第2磁束伝達手段は、磁性材料で形成され、磁気的特性が同一であり、形状が前記基準点に対して対称に設けられる。第1磁束伝達手段は、第1磁界発生手段と接続し、第2磁界発生手段に対向する。第2磁束伝達手段は、第2磁界発生手段と接続し、第1磁界発生手段に対向する。磁気検出手段は、感磁面を有し、第1磁界発生手段と第2磁束伝達手段との間の領域、及び第2磁界発生手段と第1磁束伝達手段との間の領域において、検出対象の直線移動に伴って基準点を含む直進軸上を第1磁界発生手段、第2磁界発生手段、第1磁束伝達手段および第2磁束伝達手段に対して相対移動して検出対象のストローク量を検出する。このように、2つの磁界発生手段と2つの磁束伝達手段とが互い違いに対向するように配置することで、磁界発生手段が発生した磁束を磁束伝達手段が有効に伝達し、磁界発生手段の大きさに対するストローク量の検出範囲を相対的に大きくすることができる。言い換えれば、ストローク量の検出範囲に対する磁気回路の体格を小さくすることができる。また、4つの磁石を用いる従来技術に比べ磁石の数を減らすことができ、磁石の個体ばらつきによる検出精度のばらつきを低減することができる。さらに、部品コストを低減することができる。さらに、磁界発生手段と磁束伝達手段とが対向する間に磁気検出手段を配置することで、磁気検出手段が閉磁路の磁束を検出することができるため、位置ずれに対するロバスト性に強くなる。加えて、第1磁界発生手段および第2磁界発生手段の磁気的特性は同一であり、第1磁束伝達手段および第2磁束伝達手段の磁気的特性は同一である。また、磁界発生手段の形状および着磁方向、並びに磁束伝達手段の形状は、基準点に対して対称に設けられ、磁気検出手段は、当該基準点を含む直進軸上を相対移動する。すなわち、磁気検出手段は、第1磁界発生手段および第2磁界発生手段から等距離、かつ、第1磁束伝達手段および第2磁束伝達手段から等距離の直線上を相対移動する。したがって、磁束ベクトルが均一となり、磁気検出手段の位置ずれに対するロバスト性に一層強くなる。請求項2~13に記載の発明は、第1磁界発生手段と第2磁界発生手段とを最短距離で結ぶ磁束ベクトルが構成する平面に直交する方向以下、基準視方向という。から視た磁界発生手段および磁束伝達手段の各形状、磁界発生手段と磁束伝達手段との位置関係、並びに、磁界発生手段および磁束伝達手段と直進軸との位置関係を特定する。ここで、請求項2~13は請求項1に従属するため、第1磁界発生手段および第1磁束伝達手段と第2磁界発生手段および第2磁束伝達手段とは基準点に対して対称であることが前提となる。したがって、第1磁界発生手段および第1磁束伝達手段についての発明特定事項は、第2磁界発生手段および第2磁束伝達手段にも同様に適用される。そのため、原則として、第1磁界発生手段および第1磁束伝達手段についての構成のみを記載し、第2磁界発生手段および第2磁束伝達手段については、重複する記載を省略する。請求項2に記載の発明では、第1磁界発生手段および第1磁束伝達手段は、磁気検出手段側に向く内壁面、磁気検出手段と反対側に向く外壁面、互いに接続される面である接続面、及び、接続面と反対側に向く開放面を有する。そして、第1磁界発生手段の内壁面および外壁面は、互いに平行な単一平面で構成され、かつ、第1磁束伝達手段の内壁面および外壁面は、互いに平行な単一平面で構成される。この構成によれば、基準視方向から視た磁界発生手段および磁束伝達手段の形状は、内壁面と外壁面とが平行であることのみが特定される。さらに請求項3に記載の発明では、第1磁界発生手段の接続面および開放面は、第1磁界発生手段の内壁面および外壁面に直交する単一平面で構成され、かつ、第1磁束伝達手段の接続面および開放面は、第1磁束伝達手段の内壁面および外壁面に直交する単一平面で構成される。この構成によれば、基準視方向から視た磁界発生手段および磁束伝達手段の形状は長方形である。仮に、基準視方向から視た奥行方向での形状が一定である場合、磁界発生手段および磁束伝達手段の形状は直方体である。単純形状であるため加工および組立工程でのばらつきを抑制することができ、検出精度のばらつきを低減することができる。また、単純形状であるため製造コストを低減することができる。さらに請求項4に記載の発明では、第1磁界発生手段の内壁面と第1磁束伝達手段の内壁面とは互いに同一平面に形成される。なお、請求項4は請求項2に従属するから、第1磁界発生手段の外壁面と第1磁束伝達手段の外壁面とは互いに同一平面に形成される。この構成によれば、基準視方向から視た磁界発生手段および磁束伝達手段の形状は、互いに接続される辺の長さが等しい長方形である。これにより、磁界発生手段と磁束伝達手段とがより効率的に接続される。請求項5および6は、請求項4に従属し、磁界発生手段および磁束伝達手段の内壁面と直進軸との位置関係を特定する。請求項5に記載の発明では、第1磁界発生手段および第1磁束伝達手段の内壁面は、直進軸に対して平行である。請求項6に記載の発明では、第1磁界発生手段および第1磁束伝達手段の内壁面は、直進軸に対して傾斜している。この内壁面と直進軸との位置関係は、後述の請求項14または15で特定する感磁面と直進軸との位置関係と組み合わせることで、効果を調整することができる。例えば、感磁面が直進軸に対して平行に設けられる場合、請求項6に記載の発明のように磁界発生手段および磁束伝達手段の内壁面を直進軸に対して傾斜させることにより、磁束ベクトルを感磁面に対して垂直に近くすることができる。その結果、磁束をより均一にすることができ、位置ずれロバスト性が向上する。請求項7、8、9は、請求項5または6に従属し、対向する磁界発生手段同士、及び対向する磁束伝達手段同士の位置関係を特定する。請求項7に記載の発明では、第1磁界発生手段の内壁面と第2磁界発生手段の内壁面とは、互いの面に投影したとき重複部分を有する。これにより、第1磁界発生手段の開放面側の磁極と第2磁界発生手段の接続面側の磁極との距離、及び、第2磁界発生手段の開放面側の磁極と第1磁界発生手段の接続面側の磁極との距離が相対的に近くなる。したがって、磁束ベクトルが内壁面に対して垂直に近くなり、磁束がより均一になる。よって、位置ずれロバスト性が向上する。請求項8に記載の発明では、第1磁束伝達手段の内壁面と第2磁束伝達手段の内壁面とは、互いの面に投影したとき重複部分を有する。これにより、第1磁界発生手段の開放面側の磁極と第2磁界発生手段の接続面側の磁極との距離、及び、第2磁界発生手段の開放面側の磁極と第1磁界発生手段の接続面側の磁極との距離が相対的に遠くなる。したがって、磁束ベクトルが直進軸に対して平行に近くなる。よって、磁界発生手段の開放面と接続面との距離以下、簡単のため、磁界発生手段の長さという。に対して、磁束ベクトル変化範囲を大きくすることができる。請求項9に記載の発明では、第1磁界発生手段または第1磁束伝達手段の接続面と第2磁界発生手段または第2磁束伝達手段の接続面とは、基準点を通る同一平面に形成される。この場合、請求項7による磁界発生手段の重複部分、及び請求項8による磁束伝達手段の重複部分をいずれも有しない。よって、請求項7の構成と請求項8の構成との中間的な構成が実現される。請求項10に記載の発明では、請求項7~9のいずれか一項に記載のストローク量検出装置において、第1磁界発生手段の開放面と接続面との距離第1磁界発生手段の長さが第1磁束伝達手段の開放面と接続面との距離第1磁束伝達手段の長さと同一である。すなわち、磁界発生手段の長さと磁束伝達手段の長さとを合計した合計長が、磁界発生手段の長さの2倍となる。請求項7を引用する請求項10に係る発明では、磁界発生手段および磁束伝達手段の内壁面に平行な方向について、磁界発生手段の開放面が対向する磁束伝達手段の開放面に対して内側に位置することとなる。請求項8を引用する請求項10に係る発明では、磁界発生手段および磁束伝達手段の内壁面に平行な方向について、磁界発生手段の開放面が対向する磁束伝達手段の開放面に対して外側に位置することとなる。請求項9を引用する請求項10に係る発明では、磁界発生手段および磁束伝達手段の内壁面に平行な方向について、磁界発生手段の開放面と対向する磁束伝達手段の開放面とが同一平面に形成されることとなる。すなわち、第1磁界発生手段と第2磁界発生手段とが点対称であり第1磁束伝達手段と第2磁束伝達手段とが点対称であるのに加え、さらに、第1磁界発生手段と第2磁束伝達手段とが線対称であり第1磁束伝達手段と第2磁界発生手段とが線対称である関係が成立する。よって、装置全体として最もバランスが取れた形状となる。請求項11に記載の発明では、請求項7または8に記載のストローク量検出装置において、第1磁界発生手段の開放面と第2磁束伝達手段の開放面とは互いに同一平面に形成され、第1磁束伝達手段の開放面と第2磁界発生手段の開放面とは互いに同一平面に形成される。これにより、装置形状のバランスが取れる。請求項12に記載の発明は、請求項4に記載の発明と相反するものであり、第1磁界発生手段の内壁面は、第1磁束伝達手段の内壁面に対して傾斜している。すなわち、磁界発生手段と磁束伝達手段とがヘの字形に接続される。例えば、感磁面が直進軸に対して平行に設けられる場合、磁束ベクトルが直進軸に対して垂直に近くなるように、磁界発生手段の内壁面を磁束伝達手段の内壁面に対して傾斜させることにより、磁束ベクトルを感磁面に対して垂直に近くすることができる。その結果、磁束をより均一にすることができ、位置ずれロバスト性が向上する。請求項13に記載の発明は、請求項2に記載の発明と相反するものであり、第1磁界発生手段の内壁面または第1磁束伝達手段の内壁面のうち少なくとも一方は、対応する外壁面に対して非平行な傾斜面を含む。ここで、第1磁界発生手段の内壁面または第1磁束伝達手段の内壁面は、単一平面で構成されてもよく、複数の平面または曲面が複合して構成されてもよい。例えば、感磁面が直進軸に対して平行に設けられる場合、磁束ベクトルが直進軸に対して垂直に近くなるように、磁界発生手段の内壁面または磁束伝達手段の内壁面に傾斜面を設けることにより、磁束ベクトルを感磁面に対して垂直に近くすることができる。その結果、磁束をより均一にすることができ、位置ずれロバスト性が向上する。請求項14および15に記載の発明は、直進軸に対する磁気検出手段の感磁面の位置関係を特定する。上述のように、請求項5または6による内壁面と直進軸との位置関係と、この感磁面と直進軸との位置関係とを組み合わせることで、効果を調整することができる。請求項14に記載の発明では、磁気検出手段の感磁面は、直進軸に対して平行に設けられる。請求項15に記載の発明では、磁気検出手段の感磁面は、直進軸に対して傾斜して設けられる。例えば、磁界発生手段および磁束伝達手段の内壁面が直進軸に対して平行に設けられる場合、請求項15に記載の発明のように磁気検出手段の感磁面を直進軸に対して傾斜させることにより、磁束ベクトルを感磁面に対して垂直に近くすることができる。その結果、磁束をより均一にすることができ、位置ずれロバスト性が向上する。請求項16~23に記載の発明は、請求項1~15のストローク量検出装置に共通して磁気検出手段の構成を特定する。そのうち、請求項16~19に記載の発明では、磁気検出手段は1つの磁気検出素子を備え、請求項20~23に記載の発明では、磁気検出手段は2つの磁気検出素子を備える。請求項16に記載の発明では、磁気検出手段は、磁界発生手段に対して相対移動することにより生じる磁界の変化に応じた信号を出力する第1磁気検出素子を備える。請求項17に記載の発明では、磁気検出手段は、さらに、第1磁気検出素子が検出した磁束密度が検出対象のストローク量に対して線形に変化するように補正するリニア補正手段を備える。これにより、第1磁気検出素子の検出磁束密度に高い直線性を求める必要がなくなり、磁界発生手段の形状、配置などを単純にすることができる。第1磁気検出素子およびリニア補正手段は、請求項18に記載の発明のように、1つの半導体チップとして構成されることが好ましい。これにより、磁気検出手段の体格を小型化することができ、搭載性が向上する。また、第1磁気検出素子は、請求項19に記載の発明のように、ホール素子であることが好ましい。請求項20に記載の発明では、磁気検出手段は、第1磁気検出素子と、第1磁気検出素子から直進軸に沿って所定距離ずらして配置され、第1磁気検出素子と同一の磁気的特性を有する第2磁気検出素子と、第1磁気検出素子および第2磁気検出素子の出力信号に基づき三角関数演算により検出対象のストローク量を演算する演算手段とを備える。本発明では、2つの磁気検出素子が検出する磁束密度は位相がずれて変化し、それらの検出磁束密度を三角関数演算することにより、検出対象のストローク量を検出する。これにより、個々の磁気検出素子が有する検出磁束密度の温度特性をキャンセルすることができ、簡易な構成で高精度な検出が可能となる。請求項21に記載の発明では、磁気検出手段は、さらに、演算手段が演算した演算ストローク量が検出対象のストローク量に対して線形に変化するように補正するリニア補正手段を備える。これにより、第1磁気検出素子および第2磁気検出素子の検出磁束密度に高い直線性を求める必要がなくなり、磁界発生手段の形状、配置などを単純にすることができる。第1磁気検出素子、第2磁気検出素子、演算手段、及び、リニア補正手段は、請求項22に記載の発明のように、1つの半導体チップとして構成されることが好ましい。これにより、2つの磁気検出素子の磁気的特性をほぼ同一にでき、より高精度な検出が可能となるとともに、磁気検出手段の体格を小型化することができ、搭載性が向上する。また、第1磁気検出素子および第2検出素子は、請求項23に記載の発明のように、ホール素子であることが好ましい。以下、本発明の実施形態によるストローク量検出装置を図面に基づいて説明する。第1実施形態本発明のストローク量検出装置は、例えば、自動車のトランスミッション、アクセル、ブレーキ等のストローク部に適用されて検出対象のストローク量を検出する装置である。ストローク量検出装置1は、図2に示すように、第1磁界発生手段としての第1磁石21、第2磁界発生手段としての第2磁石22、第1磁束伝達手段としての第1ヨーク31、第2磁束伝達手段としての第2ヨーク32、及び磁気検出手段かつ第1磁気検出素子としてのホール素子5を備えている。ホール素子5は、図示しない基板に搭載され、リニアアクチュエータ3のストローク部3aの直線移動図中左右方向矢印に伴って磁石21、22およびヨーク31、32に対して相対移動し、ストローク量を検出する。検出されたストローク量は、ECUエンジン制御ユニット10に出力される。ECU10は、ストローク量検出装置1から出力されたストローク量に基づいて、リニアアクチュエータ3をフィードバック制御する。次に、図1を参照して、ストローク量検出装置1の構成を説明する。ここで、図1aの視方向を基準視方向とする。基準視方向は、第1磁石21と第2磁石22とを最短距離で結ぶ磁束ベクトルが構成する平面に直交する方向に相当する。第1磁石21と第2磁石22とは、磁気的特性が同一であり、形状および着磁方向が基準点Oに対して対称に設けられる。第1ヨーク31と第2ヨーク32とは、鋼材等の磁性材料で形成され、磁気的特性が同一であり、形状が基準点Oに対して対称に設けられる。第1ヨーク31は第1磁石21と接続し、第1磁石21が発生する磁束を伝達する。第2ヨーク32は第2磁石22と接続し、第2磁石22が発生する磁束を伝達する。また、第2ヨーク32は第1磁石21と対向し、第1ヨーク31は第2磁石22と対向する。第1磁石21および第2磁石22は、図1aに示す基準視方向から視た形状が長方形であり、図1b、cに示すように、奥行方向の形状は均一である。すなわち、第1磁石21および第2磁石22は、直方体形状であり、それぞれ、内壁面21a、22a、外壁面21b、22b、開放面21c、22c、接続面21d、22dを有する。内壁面21a、22aは、ホール素子5側に向く。外壁面21b、22bは、ホール素子5と反対側に向く。接続面21d、22dは、磁石21、22がヨーク31、32と接続される面である。開放面21c、22cは、接続面21d、22dと反対側に向く。外壁面21b、22bは、内壁面21a、22aと平行に形成される。接続面21d、22dおよび開放面21c、22cは、内壁面21a、22aおよび外壁面21b、22bに直交する。本実施形態では、開放面21c、22c側がN極に着磁され、接続面21d、22d側がS極に着磁されている。よって、図中矢印で示すように磁束ベクトルが発生する。第1ヨーク31および第2ヨーク32は、直方体形状であり、それぞれ、内壁面31a、32a、外壁面31b、32b、開放面31c、32c、接続面31d、32dを有する。各面の位置的関係は、第1磁石21および第2磁石22と同様である。そして、磁石21、22の内壁面21a、22aと、ヨーク31、32の内壁面31a、32aとは、互いに同一平面に形成される。磁石21、22の外壁面21b、22bと、ヨーク31、32の外壁面31b、32bとは、互いに同一平面に形成される。また、第1磁石21と第1ヨーク31との接続面21d31d、及び、第2磁石22と第2ヨーク32との接続面22d32dは、基準点Oを通る同一平面に形成される。さらに、磁石21、22の開放面21c、22cと接続面21d、22dとの距離である磁石長Lm1と、ヨーク31、32の開放面31c、32cと接続面31d、32dとの距離であるヨーク長Ly1とは同一である。その結果、第1磁石21の開放面21cと第2ヨーク32の開放面32cとは互いに同一平面に形成され、第1磁石21の開放面21cと第2ヨーク32の開放面32cとは互いに同一平面に形成されることとなる。また、磁石長Lm1とヨーク長Ly1とを合計した合計長Lt1は、磁石長Lm1の2倍となる。したがって、合計長Lt1の大部分の範囲で磁束ベクトルが変化する場合には、磁石長Lm1の約2倍のストローク量検出範囲を確保することができることとなる。ホール素子5は、基準点Oを通り、磁石21、22の内壁面21a、22aおよびヨーク31、32の内壁面31a、32aに対して平行な直進軸x上を相対移動する。言い換えれば、磁石21、22およびヨーク31、32は、ストローク方向である直進軸xに対して内壁面21a、22a、31a、32aが平行になるように配置される。また、基準点Oを通り、内壁面21a、22a、31a、32aに直交する直線を基準軸yと表す。ホール素子5の相対移動において、基準点Oをストローク量のゼロ点とする。また、ホール素子5が基準軸yに対して図1の右側に相対移動したときのストローク量を正の値で表し、ホール素子5が基準軸yに対して図1の左側に相対移動したときのストローク量を負の値で表す。図1aに示すように、ストローク量が負の領域では、第2磁石22から第1ヨーク31に磁束ベクトルが向かい、ストローク量が正の領域では、第1磁石21から第2ヨーク32に磁束ベクトルが向かう。このとき、ホール素子5の相対移動に伴って感磁面5aが受ける磁束密度の変化を検出することで、ストローク量検出装置1は、検出対象であるストローク部3aのストローク量を検出する。このように、本実施形態では、磁石21、22とヨーク31、32とが互い違いに対向するように配置することで、磁石21、22が発生した磁束をヨーク31、32が有効に伝達し、磁石21、22の大きさに対するストローク量の検出範囲を相対的に大きくすることができる。言い換えれば、ストローク量の検出範囲に対する磁気回路の体格を小さくすることができる。さらに、部品コストを低減することができる。また、4つの磁石を用いる従来技術に比べ磁石の数を減らすことができ、磁石の個体ばらつきによる検出精度のばらつきを低減することができる。さらに、磁石21、22とヨーク31、32とが対向する間にホール素子5を配置することで、ホール素子5が閉磁路の磁束を検出することができるため、位置ずれに対するロバスト性に強くなる。加えて、第1磁石21および第2磁石22の磁気的特性は同一であり、第1ヨーク31および第2ヨーク32の磁気的特性は同一である。また、磁石21、22の形状および着磁方向、並びにヨーク31、32の形状は、基準点Oに対して対称に設けられ、ホール素子5は、当該基準点Oを含む直進軸x上を相対移動する。すなわち、ホール素子5は、第1磁石21および第2磁石22から等距離、かつ、第1ヨーク31および第2ヨーク32から等距離の直線上を相対移動する。したがって、磁束ベクトルが均一となり、ホール素子5の位置ずれに対するロバスト性に一層強くなる。さらに、磁石21、22およびヨーク31、32は以下の形状的効果を奏する。1磁石21、22およびヨーク31、32は直方体形状である。単純形状であるため、加工および組立工程でのばらつきを抑制することができ、検出精度のばらつきを低減することができる。また、単純形状であるため製造コストを低減することができる。2磁石21、22とヨーク31、32とは、内壁面、外壁面がそれぞれ互いに同一平面に形成される。そのため、磁石21、22の接続面21d、22dとヨーク31、32の接続面31d、32dとの基準視方向から視た辺の長さ位置が一致する。したがって、磁石21、22とヨーク31、32とがより効率的に接続される。3第1磁石21と第1ヨーク31との接続面21d31dは、第2磁石22と第2ヨーク32との接続面22d32dと同一平面に形成される。また、磁石長Lm1とヨーク長Ly1とは同一である。これにより、第1磁石21と第2ヨーク32とが直進軸xに対して線対称であり、第2磁石22と第1ヨーク31とが直進軸xに対して線対称である関係が成立する。よって、装置全体として最もバランスが取れた形状となる。第2実施形態次に、第2実施形態について、図3を参照して説明する。以下の第2~第10実施形態は、第1実施形態に対し、磁石およびヨークの各形状、磁石とヨークとの位置関係、又は磁石およびヨークと直進軸xとの位置関係に関する構成が異なる。以下の実施形態の説明では、実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。図3に示す第2実施形態は、第1実施形態と実質的に同一の第1磁石21、第2磁石22、第1ヨーク31、第2ヨーク32およびホール素子5から構成され、磁石長Lm1とヨーク長Ly1とは同一である。感磁面5aは直進軸xに対して平行に設けられる。しかし、磁石21、22の内壁面21a、22a、及びヨーク31、32の内壁面31a、32aが、直進軸xに対して傾斜角αだけ傾斜する点が第1実施形態と相異する。この構成により、第2実施形態では、第1実施形態に比べ、第1磁石21から第2ヨーク32に向かう磁束ベクトル図中矢印、及び、第2磁石22から第1ヨーク31に向かう磁束ベクトルが感磁面5aに対して垂直に近くなる。よって、図4aにおいて第1実施形態の位置ずれ誤差をS1、第2実施形態の位置ずれ誤差をS2として示すように、第2実施形態は、第1実施形態に対し、位置ずれロバスト性が向上する。ただし、磁石長Lm1を直進軸x上に投影した長さであるLm1cosαは、αが0から大きくなるにしたがい、磁石長Lm1より短くなる。そのため、図4bに示すように、第2実施形態S2の磁束ベクトル変化範囲Re2は、第1実施形態S1の磁束ベクトル変化範囲Re1よりも短くなる。第3、第4実施形態次に、第3、第4実施形態について、図5を参照して説明する。図5aに示す第3実施形態は、第1磁石21、第2磁石22、第1ヨーク311、第2ヨーク321およびホール素子5から構成される。磁石21、22は、第1実施形態と実質的に同一の直方体形状であり、内壁面21a、22aは直進軸xに対して平行である。感磁面5aは直進軸xに対して平行に設けられる。第1ヨーク311と第2ヨーク321とは、形状が基準点Oに対して対称に設けられる。ヨーク311、321は、内壁面31a、32aがストローク方向外側に向かうにしたがって直進軸xに近づくように傾斜角βで傾斜している。外壁面31b、32bは内壁面31a、32aに平行である。開放面31c、32cは内壁面31a、32aに直交している。接続面31e、32eは、開放面31c、32cと非平行である。図5bに示す第4実施形態は、第1磁石21、第2磁石22、第1ヨーク312、第2ヨーク322およびホール素子5から構成される。磁石21、22は、第1実施形態と実質的に同一の直方体形状である。感磁面5aは直進軸xに対して平行に設けられる。しかし、第1実施形態と異なり、内壁面21a、22aがストローク方向外側に向かうにしたがって直進軸xから遠ざかるように傾斜角γで傾斜している。第1ヨーク312と第2ヨーク322とは、形状が基準点Oに対して対称に設けられる。ヨーク312、322は、内壁面31a、32aが直進軸xに対して平行であり、外壁面31b、32bは内壁面31a、32aに平行である。開放面31c、32cは内壁面31a、32aに直交している。接続面31f、32fは、開放面31c、32cと非平行である。この構成により、第3、第4実施形態のいずれも、第1実施形態に比べ、第1磁石21から第2ヨーク321、322に向かう磁束ベクトル図中矢印、及び、第2磁石22から第1ヨーク311、312に向かう磁束ベクトルが感磁面5aに対して垂直に近くなる。したがって、第2実施形態と同様、位置ずれロバスト性が向上する。第5、第6実施形態次に、第5、第6実施形態について、図6、図7を参照して説明する。図6aに示す第5実施形態は、第1磁石21、第2磁石22、第1ヨーク331、第2ヨーク341およびホール素子5から構成される。第1磁石21および第2磁石22は、第1実施形態と実質的に同一の直方体形状であり、内壁面21a、22aは直進軸xに対して平行である。感磁面5aは直進軸xに対して平行に設けられる。第1ヨーク331と第2ヨーク341とは、形状が基準点Oに対して対称に設けられる。ヨーク331、341は、外壁面33b、34bがそれぞれ磁石21、22の外壁面21b、22bと同一平面に形成されており、開放面33c、34cは外壁面33b、34bに直交している。また、傾斜内壁面33g、34gは、外壁面33b、34bに対して非平行であり、ストローク方向外側に向かうにしたがって直進軸xに近づくように傾斜している。図6b、cは、第5実施形態の変形例を示す。図6bに示す変形例では、ヨーク332、342の内壁面は、接続面33d、34d側で外壁面33b、34bに平行な内壁面33a、34aと、開放面33c、34c側で外壁面33b、34bに非平行な傾斜内壁面33g、34gとから構成されている。図6cに示す変形例では、ヨーク333、343の内壁面は、開放面33c、34c側で外壁面33b、34bに平行な内壁面33a、34aと、接続面33d、34d側で外壁面33b、34bに非平行な傾斜内壁面33g、34gとから構成されている。以上の第5実施形態および変形例は、ヨーク331等、341等の傾斜内壁面33g、34gと磁石21、22との関係に着目すると、第3実施形態に類似している。したがって、第1実施形態に比べ、第1磁石21から第2ヨーク341等に向かう磁束ベクトル図中矢印、及び、第2磁石22から第1ヨーク331等に向かう磁束ベクトルが感磁面5aに対して垂直に近くなる。よって、位置ずれロバスト性が向上する。図7aに示す第6実施形態は、第1磁石231、第2磁石241、第1ヨーク31、第2ヨーク32およびホール素子5から構成される。第1ヨーク31および第2ヨーク32は、第1実施形態と実質的に同一の直方体形状であり、内壁面31a、32aが直進軸xに対して平行である。感磁面5aは直進軸xに対して平行に設けられる。第1磁石231と第2磁石241とは、形状および着磁方向が基準点Oに対して対称に設けられる。磁石231、241は、外壁面23b、24bがそれぞれヨーク31、32の外壁面31b、32bと同一平面に形成されており、開放面23c、24cは外壁面23b、24bに直交している。また、傾斜内壁面23g、24gは、外壁面23b、24bに対して非平行であり、ストローク方向外側に向かうにしたがって直進軸xから遠ざかるように傾斜している。図7b、cは、第6実施形態の変形例を示す。図7bに示す変形例では、磁石232、242の内壁面は、開放面23c、24c側で外壁面23b、24bに平行な内壁面23a、24aと、接続面23d、24d側で外壁面23b、24bに非平行な傾斜内壁面23g、24gとから構成されている。図7cに示す変形例では、磁石233、243の内壁面は、接続面23d、24d側で外壁面23b、24bに平行な内壁面23a、24aと、開放面23c、24c側で外壁面23b、24bに非平行な傾斜内壁面23g、24gとから構成されている。以上の第6実施形態および変形例は、磁石231等、241等の傾斜内壁面23g、24gとヨーク31、32との関係に着目すると、第4実施形態に類似している。したがって、第1実施形態に比べ、第1磁石21から第2ヨーク341等に向かう磁束ベクトル図中矢印、及び、第2磁石22から第1ヨーク331等に向かう磁束ベクトルが感磁面5aに対して垂直に近くなる。よって、位置ずれロバスト性が向上する。第7、第8実施形態次に、第7、第8実施形態について、図8を参照して説明する。図8aに示す第7実施形態は、第1磁石25、第2磁石26、第1ヨーク35、第2ヨーク36およびホール素子5から構成される。第1磁石25と第2磁石26とは、形状および着磁方向が基準点Oに対して対称に設けられ、第1ヨーク35と第2ヨーク36とは、形状が基準点Oに対して対称に設けられる。磁石25、26およびヨーク35、36は直方体形状である。磁石25、26の内壁面25a、26aとヨーク35、36の内壁面35a、36aとは、それぞれ互いに同一平面に形成され、磁石25、26の外壁面25b、26bとヨーク35、36の外壁面35b、36bとはそれぞれ互いに同一平面に形成される。さらに、磁石25、26の内壁面25a、26aおよびヨーク35、36の内壁面35a、36aは直進軸xに対して平行である。加えて、第1磁石25の開放面25cと第2ヨーク36の開放面36cとは互いに同一平面に形成され、第1ヨーク35の開放面35cと第2磁石26の開放面26cとは互いに同一平面に形成される。感磁面5aは直進軸xに対して平行に設けられる。以上の点が第1実施形態と共通である。しかし、磁石25、26のストローク方向の長さLm5がヨーク35、36のストローク方向の長さLy5より長い点が、第1実施形態と相違する。ここで、磁石長Lm5とヨーク長Ly5とを合計した合計長Lt5は、第1実施形態における合計長Lt1と同一であるとする。そのため、第1磁石25の内壁面25aと第2磁石26の内壁面26aとは、互いの面に投影したとき重複する磁石重複部OLmを有する。言い換えれば、磁石25、26とヨーク35、36との接続面25d35d、26d36dは、基準軸yに対してそれぞれヨーク35、36の開放面35c、36c側に設けられる。この構成により、第7実施形態では、第1実施形態に比べ、第1磁石25から第2ヨーク36に向かう磁束ベクトル図中矢印、及び第2磁石26から第1ヨーク35に向かう磁束ベクトルが感磁面5aに対して垂直に近くなる。したがって、図10aにおいて第1実施形態の位置ずれ誤差をS1、第7実施形態の位置ずれ誤差をS7として示すように、第7実施形態は、第1実施形態に対し、位置ずれロバスト性が向上する。図8bに示す第8実施形態は、第1実施形態と実質的に同一の第1磁石21、第2磁石22、第1ヨーク31、第2ヨーク32およびホール素子5から構成され、磁石長Lm1とヨーク長Ly1とが同一である。感磁面5aは直進軸xに対して平行に設けられる。しかし、磁石21、22とヨーク31、32との接続面21d31d、22d32dが基準軸yに対してそれぞれヨーク31、32の開放面31c、32c側に設けられる点が、第1実施形態と相違する。そのため、第1磁石21の内壁面21aと第2磁石22の内壁面22aとは、互いの面に投影したとき重複する磁石重複部OLmを有する。また、磁石21、22の開放面21c、22cは、ヨーク32、31の開放面32c、31cに対してストローク方向の内側に形成されることとなる。この構成により、第8実施形態は第7実施形態と同様に、第1実施形態に比べ、第1磁石21から第2ヨーク32に向かう磁束ベクトル図中矢印、及び第2磁石22から第1ヨーク32に向かう磁束ベクトルが直進軸x上で感磁面5aに対して垂直に近くなる。したがって、図10aに示すように、第8実施形態S8は、第1実施形態S1に対し、位置ずれロバスト性が向上する。第9、第10実施形態次に、第9、第10実施形態について、図9を参照して説明する。図9aに示す第9実施形態は、第1磁石27、第2磁石28、第1ヨーク37、第2ヨーク38およびホール素子5から構成される。第1磁石27と第2磁石28とは、形状および着磁方向が基準点Oに対して対称に設けられ、第1ヨーク37と第2ヨーク38とは、形状が基準点Oに対して対称に設けられる。磁石27、28およびヨーク37、38は直方体形状である。磁石27、28の内壁面27a、28aとヨーク37、38の内壁面37a、38aとは、それぞれ互いに同一平面に形成され、磁石27、28の外壁面27b、28bとヨーク37、38の外壁面37b、38bとはそれぞれ互いに同一平面に形成される。さらに、磁石27、28の内壁面27a、28aおよびヨーク37、38の内壁面37a、38aは直進軸xに対して平行である。加えて、第1磁石27の開放面27cと第2ヨーク38の開放面38cとは互いに同一平面に形成され、第1ヨーク37の開放面37cと第2磁石28の開放面28cとは互いに同一平面に形成される。感磁面5aは直進軸xに対して平行に設けられる。以上の点が第1実施形態と共通である。しかし、磁石27、28のストローク方向の長さLm7がヨーク37、38のストローク方向の長さLy7より長い点が、第1実施形態と相違する。ここで、磁石長Lm7とヨーク長Ly7とを合計した合計長Lt7は、第1実施形態における合計長Lt1と同一であるとする。そのため、第1ヨーク37の内壁面37aと第2ヨーク38の内壁面38aとは、互いの面に投影したとき重複するヨーク重複部OLyを有する。言い換えれば、磁石27、28とヨーク37、38との接続面27d37d、28d38dは、基準軸yに対してそれぞれ磁石27、28の開放面27c、28c側に設けられる。この構成により、第9実施形態では、図中矢印で示す磁束ベクトルの直進軸xに対する角度が、第1実施形態に比べて浅くなる。その結果、磁石27、28の大きさを小さくしながら、同等の磁束ベクトル変化範囲Reを確保することができる。すなわち、磁石の長さに対する磁束ベクトル変化範囲Reを広げることができる。言い換えれば、要求される磁束ベクトル変化範囲Reに対して磁石の大きさを小さくすることでコストを低減することができる。図9bに示す第10実施形態は、第1実施形態と実質的に同一の第1磁石21、第2磁石22、第1ヨーク31、第2ヨーク32およびホール素子5から構成され、磁石長Lm1とヨーク長Ly1とが同一である。感磁面5aは直進軸xに対して平行に設けられる。しかし、磁石21、22とヨーク31、32との接続面21d31d、22d32dが基準軸yに対してそれぞれ磁石21、22の開放面21c、22c側に設けられる点が、第1実施形態と相違する。そのため、第1ヨーク31の内壁面31aと第2ヨーク32の内壁面32aとは、互いの面に投影したとき重複するヨーク重複部OLyを有する。また、磁石21、22の開放面21c、22cは、ヨーク32、31の開放面32c、31cに対してストローク方向の外側に形成されることとなる。この構成により、第10実施形態では、第1実施形態に比べて、第1磁石21の開放面21cと、第2磁石22の開放面22cとの間のストローク方向の距離を長く取ることができる。したがって、図10bに示すように、第10実施形態S10の磁束ベクトル変化範囲Re10は、第1実施形態S1の磁束ベクトル変化範囲Re1よりも長くなる。すなわち、ストローク量の検出範囲をより長く確保することができる。第11実施形態次に、第11実施形態について、図11を参照して説明する。第11実施形態は、第1実施形態に対してホール素子5の感磁面5aが向く方向のみが異なる。すなわち、図11に示すように、感磁面5aは、第2磁石22および第2ヨーク32の内壁面22a、32aの法線方向に対して傾斜角δだけ傾斜して設けられている。この傾斜角δは、ストローク検出範囲の両端付近での磁束ベクトル図中矢印方向に相当する角度と同等に設定される。これにより、ストローク検出範囲の両端付近での磁束ベクトルが感磁面5aに対して垂直に近くなるため、位置ずれロバスト性が向上する。第12実施形態第12、第13実施形態は、第1実施形態に対して磁気検出手段の構成が異なる。第12実施形態では、1つのホール素子5がホールICチップ7に搭載されている。ホールICチップ7は、図12に示すように、ホール素子5、ホール素子5の出力信号を増幅するアンプ回路11、増幅されたアナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換回路13、A/D変換されたデジタル信号を処理する信号処理装置14、信号処理装置14が出力したデジタル値をアナログ値に変換するD/A変換回路19等を搭載している。ホールICチップ7は、特許請求の範囲に記載の半導体チップに相当する。信号処理装置14は、例えばDSPデジタルシグナルプロセッサにより構成され、オフセット補正回路15、振幅補正回路16、及び、ホール素子5の出力信号をストローク量に対して直線化するリニア補正回路18等を有している。リニア補正回路18は、特許請求の範囲に記載のリニア補正手段に相当する。リニア補正回路18は、感磁面5aが検出した検出磁束密度図13a参照を直線化するように補正して、図13bに示すリニア補正後出力を出力する。第12実施形態では、リニア補正回路18がホール素子5の検出磁束密度を直線化するように補正するため、ホール素子5、6の検出磁束密度に高い直線性を求める必要がなくなり、磁石21、22の形状、配置などを単純にすることができる。また、ホール素子5およびリニア補正回路18は、1つのホールICチップ7として構成されるため、磁気検出手段の体格を小型化することができ、搭載性が向上する。第13実施形態第13実施形態は、図14に示すように、第12実施形態に対し、磁気検出手段がホール素子を2個備えるものである。第1磁気検出素子としての第1ホール素子5、及び、第2磁気検出素子としての第2ホール素子6は、1つのホールICチップ8内に、直進軸xに沿って所定距離ずらして搭載されている。第1ホール素子5の感磁面5aと第2ホール素子6の感磁面6aとは、いずれも直進軸xに対して平行に設けられている。ホールICチップ8は、特許請求の範囲に記載の半導体チップに相当する。ホールICチップ8は、図15に示すように、第1ホール素子5、第2ホール素子6、第1ホール素子5の出力信号を増幅する第1アンプ回路11、第2ホール素子5の出力信号を増幅する第2アンプ回路12、増幅された2つのアナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換回路13、A/D変換された2つのデジタル信号を処理する信号処理装置14、信号処理装置14が出力したデジタル値をアナログ値に変換するD/A変換回路19等を搭載している。信号処理装置14は、例えばDSPデジタルシグナルプロセッサにより構成され、オフセット補正回路15、振幅補正回路16、第1ホール素子5および第2ホール素子6の出力信号を三角関数演算する演算回路17、及び、演算回路17が演算した演算ストローク量をストローク量に対して直線化するリニア補正回路18等を有している。演算回路17は、特許請求の範囲に記載の演算手段に相当する。ここで、演算回路17が実行する三角関数演算について説明する。まず、下記のように記号を定義する。なお、tは雰囲気温度tについて温度特性を有する。V1:第1ホール素子5の出力電圧mVV2:第2ホール素子6の出力電圧mVKt:ホール係数-It:ホール電流mABt:検出しうる磁束密度の最大値正弦波の振幅mTB1t:第1ホール素子5の検出磁束密度mTB2t:第2ホール素子6の検出磁束密度mTL:ストローク量mme:第1ホール素子5と第2ホール素子6との位相差素子間距離mmd:基準ストローク量mm基準ストローク量dmmは、正弦波周期の1/2、すなわちπradに相当するストローク量である。ストローク範囲を-d~dmmに設定すれば、角度単位では-π~πradがストローク範囲となる。この関係に基づくと、ストローク量Lmmは、角度単位でπL/dradに換算される。第1ホール素子5の出力電圧V1および第2ホール素子6の出力電圧V2は、次式にて示される。V1=KtItB1t=KtItBtsinπL/d式1V2=KtItB2t=KtItBtsin{πL-e/d}式2このように、ホール素子5、6の出力電圧Vは雰囲気温度tに依存する。したがって、雰囲気温度tを測定し、ホール係数Kt、ホール電流It、磁束密度Btそれぞれの温度特性から出力電圧Vを補正しようとすると、複雑な補正回路が必要となる。そこで、式1、式2より次の式3、式4を導くことで、雰囲気温度tに依存する項を消し、温度特性をキャンセルする。L=d/π×arctan{cotπe/2dCv}式3Cv=V1-V2/V1V2式4特にe=d/2の場合には、式5のようになる。L=d/π×arctanV1/V2式5演算ストローク量は、上記の式による計算結果に、素子間距離eに応じたオフセット量を加えることによって得られる。第13実施形態は、2個のホール素子5、6を備え、演算回路17が三角関数演算を実行することにより、出力電圧Vの温度特性をキャンセルできるため、簡易な構成で高精度な検出が可能となる。また、リニア補正回路18が演算ストローク量を直線化するように補正するため、ホール素子5、6の検出磁束密度に高い直線性を求める必要がなくなり、磁石21、22の形状、配置などを単純にすることができる。また、第1ホール素子5、第2ホール素子6、演算回路17、及び、リニア補正回路18は、1つのホールICチップ8として構成される。これにより、第1ホール素子5と第2ホール素子6とは近接して配置されるので、雰囲気温度tや他の磁界の影響による磁気的特性をほぼ同一にでき、より高精度な検出が可能となるとともに、磁気検出手段の体格を小型化することができ、搭載性が向上する。その他の実施形態ア図16aに示すように、磁石218の内壁面218aとヨーク318の内壁面318aとは、いずれも直進軸xに対して平行であり、かつ、互いに異なる平面上に形成されてもよい。また、磁石218の外壁面218bとヨーク318の外壁面318bとは、いずれも直進軸xに対して平行であり、かつ、互いに異なる平面上に形成されてもよい。さらに、磁石218、228は直方体形状に限定されない。例えば図16bに示すように、開放面218cまたは接続面218dの形状が長方形でなく、例えば四角を面取りした八角形状でもよい。イ図16cに示すように、磁石219の開放面219cは、内壁面219aおよび外壁面219bと直交せず、接続面219dと平行でなくてもよい。また、ヨーク319の開放面319cは、内壁面319aおよび外壁面319bと直交せず、接続面319dと平行でなくてもよい。ウ磁石の着磁方向は上記実施形態に限定されない。例えば、上記実施形態のN極とS極とを入れ換えてもよい。また、内壁面および外壁面に対して傾斜して着磁されてもよく、内壁面および外壁面に対して垂直方向に着磁されてもよい。以上、本発明はこのような実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の形態で実施することができる。