"活性層5を含み主放射方向6へ放射を送出する半導体チップ1と、外部共振器とを備えた面発光型半導体レーザにおいて、自然放出放射10による半導体チップ1の加熱が低減されるよう、前記活性層5は主放射方向6の方向で構造形成され、ここで、前記活性層5はメサ型形状を有し、メサ型部分の側縁11,15は反射低減層13を有する、ことを特徴とする面発光型半導体レーザ。前記活性層5は、ポンピング放射源8による光学的ポンピングのために設けられた領域7を有する、請求項1記載の面発光型半導体レーザ。メサ型部分の幅は前記面発光型半導体レーザの主放射方向6に対し垂直な方向で、光学的にポンピングされる領域7の幅とほぼ等しい大きさである、請求項2記載の面発光型半導体レーザ。ヒートシンク14が設けられている、請求項1記載の面発光型半導体レーザ。前記ヒートシンク14と前記活性層5との間に基板が設けられていない、請求項4記載の面発光型半導体レーザ。本発明の基礎とする課題は、動作中の温度上昇が著しく僅かな点で優れた半導体レーザを提供することにある。本発明によればこの課題は、活性層は主放射方向の方向で構造形成されていて、自然放出放射による半導体チップの加熱が低減されることにより解決される。従属請求項には本発明の有利な実施形態が示されている。本発明の第1の実施形態によれば、半導体レーザの活性層は主放射方向に対し垂直な方向で、活性層内部の自然放出放射の出力結合が改善されるよう構造形成されている。半導体チップから出力結合される自然放出放射の成分は半導体チップ内では再吸収されないので、この成分は半導体チップの不利な加熱には作用しない。本発明の第2の実施形態によれば、活性層は主放射方向に対し垂直な方向で、自然放出放射が活性層内ではこの方向において低減されるよう構造形成されている。欠点となる半導体チップの加熱を自然放出放射の出力結合成分の増大によって低減させるようにした本発明の第1の実施形態とは異なりこの実施形態の目的は、そもそも自然放出放射の発生を低減しようというものである。この実施形態が基礎としているのは、自然放出が純粋に内在的な材料特性ではなく活性媒体や周囲の構造にも依存する可能性があるということである。ここで半導体レーザをたとえば面発光型レーザVECSELVerticalExternalCavitySurfaceEmittingLaserとすることができ、この場合、活性層はメサ型である。メサ型構造をたとえばホトリソグラフィによるパターニングによってエッチングプロセスと共働させて製造することができる。メサ型構造によって活性層はレーザの主放射方向に対し垂直な方向で空間的に制限されるので、活性層においてこの方向へ放出される自然放出放射を、活性層を通り抜ける比較的短い経路を辿りメサ型部分の側縁を通過して半導体チップから外へ出すことができる。光学的にポンピングされる面発光型レーザの場合にはポンプ放射源から活性層の部分領域へポンピングビームが入射されるが、この場合、メサ型部分の幅は半導体レーザの主放射方向に対し垂直な方向で、光学的にポンピングされる領域の幅とほぼ等しい。光学的にポンピングされる領域内での吸収は反転分布に起因してレーザ動作中はごく僅かであるため、このような措置によって自然放出放射の再吸収が低減される。有利であるのは、メサ型部分の側縁がレーザの主放射方向に対し斜めに延在することである。このことによって、レーザの主放射方向に対し垂直な側縁が共振器を形成することが回避される。さらに有利であるのは、メサ型部分の側縁が反射低減層を有することである。このことで、側縁が主放射方向を横切る方向で共振器として望ましくない働きをするのが回避されるだけでなく、半導体チップからの自然放出放射の出力結合も改善される。本発明の第2の実施形態に関する1つの実現手法によれば、メサ型形状の活性層を備えた面発光型レーザが設けられ、その際にメサ型部分の側縁は、活性層における自然放出が低減されるよう共振器を成している。この共振器の寸法を、放出波長の放射が伝播不可能となるよう選定すると有利である。先に説明した本発明の第1の実施形態とは異なりこのケースでは、メサ型部分の側縁が共振器作用の増大のために反射増加層を備えていると有利である。本発明の第2の実施形態のさらに別の実現手法によれば、ポンピング源による光学的ポンピングのために設けられた領域を活性層が備えている半導体レーザが形成される。この場合、光学的にポンピングされる領域は、レーザの主放射方向に対し垂直な方向で周期的な構造を有する領域によって取り囲まれており、この周期的な構造はフォトニック結晶を成しており、そこにおいて放出波長の放射は伝播不可能である。上述の周期的な構造は、たとえば複数の開口部から成る格子状の配置である。それらの開口部を、活性層とは異なる屈折率をもつ材料で充填することができる。共振器またはフォトニック結晶によって、主放射方向に対し垂直な方向への自然放出放射に対する確率が低減されるよう活性層における光の状態密度が変えられる。半導体チップがヒートシンクを有していれば、さらに有利なやり方で半導体チップの加熱の低減を達成できる。その際にこのヒートシンクをたとえば、基板において活性層とは反対の側に配置することができ、その上に半導体レーザの層列を取り付けることができる。有利であるのは、半導体チップにおいてもともと設けられていた基板を取り除くことであり、そのようにすれば殊に活性層を含む残された薄い層系がヒートシンクとじかに接触するようになる。次に、図1~図4を参照しながら実施例に基づき本発明について詳しく説明する。なお、図中、同じ素子または同等の役割を果たす素子には同じ参照符号が付されている。図1に示されている半導体レーザは、外部共振器を備えた面発光型の光ポンピング半導体レーザVECSELである。半導体レーザは半導体チップ1を有しており、これは基板2,反射器3および活性層5を有している。ブラッグ反射器とすると有利である反射器3は、外部反射器4とともに半導体レーザの共振器を成している。半導体レーザは主放射方向6へ放射を送出する。活性層5はたとえば量子井戸構造を有することができ、殊にIII-V化合物半導体材料を含めることができる。活性層5の領域7はポンピングビーム源8により光学的にポンピングされる。活性層5はメサ型である。半導体レーザの主放射方向に対し垂直な方向で、このメサ型部分の断面はそれ以外の半導体チップ1よりも小さい。メサ構造の製造は、たとえばホトリソグラフィによるパターニングならびにそれに続くエッチングプロセスによって行われる。ポンピングビーム源8からのポンピングビーム9が入射する領域7内で自然放出しメサ型部分の側縁11に向かって伝播する放射10は、活性層5の領域12を通り比較的短い経路を辿った後に側縁11に到達し、この領域12は光学的にはポンピングされず、したがって吸収を行う。これに対し光学的にポンピングされる領域7内では、自然放出した放射10がほぼ吸収されることなく伝播する。その理由はそこではポンピングプロセスに基づき反転分布が生じるからである。活性層5をメサ型構造として成形することによって非反転領域12が主放射方向に対し垂直な方向で制限されるので、有利なことにこの領域12における自然放出の吸収が低減される。殊に有利であるのは、メサ型部分が主放射方向6に対し垂直な方向において光学的にポンピングされる領域7とほぼ等しい幅を有することである。これにより自然放出放射10を吸収する可能性のある非反転領域12の幅が最小限に抑えられる。半導体チップ1からの自然放出放射10の出力結合をいっそう改善する目的で有利であるのは、メサ型部分の側縁11に反射防止層13を設けることである。これにより活性層5の屈折率の相違に起因して周囲へ反射して戻る放射が低減される。自然放出放射10の吸収が低減されることによって半導体レーザの熱的負荷が減少するが、それでも発生する熱損失をいっそう良好に放熱させる目的で、半導体レーザにさらにヒートシンク14を設けることができる。たとえば半導体チップ1を半導体基板2の背面でヒートシンク14に取り付けることができる。基板2を取り除けば、有利なことに活性層5とヒートシンク14との間の熱抵抗を低減することができる。図2にはこのような半導体レーザが描かれている。図2に示されている本発明による半導体レーザの実施例と図1に示した実施例との相違点はさらに、メサ型部分の側縁15が半導体レーザの主放射方向6に対し斜めに延びていることである。側縁15を斜めにすることで有利なことに共振器が形成されず、それによって主放射方向6に対し垂直な方向でのレーザの振動が低減される。この実施例の場合にも有利であるのは、メサ型部分の側縁15に反射防止層13を設けることである。本発明の第2の実施形態の目的は自然放出の発生そのものを低減することであり、このことはたとえば図1に示した実施例であれば、メサ型部分の側縁11により共振器を形成し、それによって主放射方向に対し垂直な方向での自然放出を低減することによって実現できる。しかも本発明のこの実施形態では、メサ型部分の側縁11に反射増加層16を設けることができる。図3Aおよび図3Bには、本発明の第2の実施形態に関する第2の実施例が示されている。図3Aに描かれている半導体レーザは、活性層5の構成を除いて図1に示した半導体レーザに対応している。この場合、活性層5は、光学的にポンピングされる領域7がレーザの主放射方向6に対し垂直な方向で領域17によって取り囲まれるように構成されている。領域17は格子構造を有しており、これはフォトニック結晶を成していて、そこでは放出波長の放射は伝播不可能である。格子構造はたとえば、光学的にポンピングされる領域7を取り囲む活性層5の領域17に複数の開口部18を周期的に配置することによって実現される。このことは、図3Bに描かれている活性層5を上から見た断面図によって示されている。開口部18には、周囲を取り囲む半導体材料の屈折率とは異なる屈折率をもつ材料を充填することもできる。図4に示されているシミュレーション計算の結果に基づき、本発明の両方の実施形態の基本的な着想についてもう一度説明する。ここに描かれているのは、ポンピングビーム源PPのパワーに依存する半導体レーザの出力PLのシミュレーションである。矩形のシンボルで表された曲線19のシミュレーションでは、半導体レーザにおいて発生する自然放出放射は出力結合されないものとした。この場合、約17Wよりも上のポンプパワーのところで半導体レーザ出力が過熱に起因して激しく落ち込んでいる。円形のシンボルで表された曲線20は、自然放出放射の50が半導体チップから出力結合されるものとしてシミュレートした。自然放出放射のこのような出力結合の改善は、本発明の第1の実施形態の基本的な着想に対応する。曲線20により表されているのは、ポンプパワーが比較的高くなってはじめて出力の落ち込みが生じることであり、したがっていっそう高い出力を達成できることである。三角形のシンボルで表された曲線21は、本発明の第2の実施形態の基本原理を示すものである。このシミュレーションでは、自然放出放射は半導体チップから出力結合されはしないが自然放出放射は全体で50低減されているものとした。このケースでも、曲線19のときより高い出力を達成することができる。シミュレートされた曲線21の場合、半導体レーザ出力は同じポンプパワーであれば曲線20よりも高い。その理由は、自然放出の低減によって全体としてレーザ閾値も低下されるからである。それゆえいっそう低いポンプパワーのときでもすでにレーザを作動させることができる。本発明は実施例に基づく既述の説明に限定されるものではない。むしろ本発明にはあらゆる新しい特徴やそれらの特徴のあらゆる組み合わせが含まれており、このことには殊に特許請求の範囲における特徴の各々組み合わせが含まれ、それらの特徴またはそれらの組み合わせ自体が明示的には特許請求の範囲または実施例に挙げられていないにしても、このことはあてはまる。"