"半導体チップ上に形成され、前記半導体チップ上の第1の方向に延び、電源電位又は接地電位を供給する元配線と、前記半導体チップ上の第2の方向に延びると共に、前記第2の方向から前記第1の方向に屈曲し、前記元配線の一部と重畳する屈曲部を有する引き出し配線と、前記元配線と前記引き出し配線の間に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の中に形成され、前記元配線と前記引き出し配線の前記屈曲部とを電気的に接続する複数のビアコンタクトと、を備えることを特徴とする半導体集積回路。前記電源引き出し配線の前記屈曲部の前記第1の方向の幅は、前記引き出し配線の前記第2の方向に引き出された部分の前記第1の方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。前記元配線は、前記半導体チップの外周に沿って延びる環状配線であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体集積回路。半導体チップ上に形成され、前記半導体チップ上の第1の方向に延びた電源配線と、前記半導体チップ上の第2の方向に延びると共に、前記第2の方向から前記第1の方向に屈曲し、該電源配線の一部と重畳する屈曲部を有する電源引き出し配線と、前記半導体チップ上に形成され、前記第1の方向に延びた接地配線と、前記第2の方向に延びると共に、前記第2の方向から、前記第1の方向とは逆方向の第3の方向に屈曲し、該接地配線の一部と重畳する屈曲部を有する接地引き出し配線と、前記電源配線と前記電源引き出し配線の間に形成され、前記接地配線と前記接地引き出し配線の間に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の中に形成され、前記電源配線と前記電源引き出し配線の前記屈曲部とを電気的に接続する複数の電源配線ビアコンタクトと、前記層間絶縁膜の中に形成され、前記接地配線と前記接地引き出し配線の前記屈曲部とを電気的に接続する複数の接地配線ビアコンタクトと、を備えることを特徴とする半導体集積回路。前記電源引き出し配線の前記屈曲部の前記第1の方向の幅は、前記電源引き出し配線の前記第2の方向と平行に引き出された部分の前記第1の方向の幅よりも大きく、前記接地引き出し配線の前記屈曲部の前記第3の方向の幅は、前記接地引き出し配線の前記第2の方向と平行に引き出された部分の前記第1の方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路。前記電源引き出し配線と前記接地引き出し配線のペアが、前記第1の方向に複数配列されていることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の半導体集積回路。前記半導体チップ上であって、前記電源配線及び前記接地配線の外側に配置された入出力回路と、前記半導体チップ上であって、前記電源配線及び前記接地配線の内側に配置された内部回路と、前記入出力回路と前記内部回路とを接続する信号配線と、を備え、前記信号配線は、前記電源引き出し配線及び前記接地引き出し配線と同一の層からなり、前記電源引き出し配線の前記屈曲部が配置されていない前記電源配線の部分、及び前記接地引き出し配線の前記屈曲部が配置されていない前記接地配線の部分と立体的に交差していることを特徴とする請求項4乃至請求項6のいずれかに記載の半導体集積回路。前記電源引き出し配線と前記接地引き出し配線は、前記内部回路にそれぞれ電源電位と接地電位を供給することを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路。前記電源配線及び前記接地配線は、前記半導体チップの外周に沿って互いに平行に延びる環状配線であることを特徴とする請求項4乃至請求項8のいずれかに記載の半導体集積回路。電源配線112A、電源引き出し配線122A、接地配線112B、接地引き出し配線122Bには、寄生抵抗成分が存在するため、半導体集積回路の動作時にこれらの配線に電流Iが流れると、電圧降下が生じる。特に、電源配線112A及び接地配線112Bには大電流が流れるため、電圧降下が大きい。このため、半導体集積回路の内部回路に適正なレベルの電源電位VDD又は接地電位VSSが供給されず、内部回路の誤動作が生じるおそれがあった。このような電圧降下に対する対策としては、以下のものが挙げられる。1電源配線112Aや接地配線112B等の幅を太くする。しかしながら、電源配線112Aや接地配線112B等を太くすると、それらの配線の面積が増大して半導体集積回路の製造コストが増大するという問題がある。2電源電位や接地電位が供給される電源端子、接地端子の数を増やす。しかしながら、電源端子等の数を増やすと、それらの端子の全体の面積が増大して半導体集積回路の製造コストが増大するばかりでなく、ボンディングワイヤが増えてワイヤコストも増大する。3電源配線112Aや接地配線112B等を厚くする。しかしながら、電源配線112Aや接地配線112B等を厚くするためには、新たなプロセスを開発する必要があり開発コストが増大するという問題がある。また、厚い配線は細くすることが難しく、ビアコンタクトのサイズを大きくする必要があることから、信号配線のパターン設計が難しくなり、半導体集積回路の製造コストが増大するという問題もある。そこで本発明は、半導体集積回路の製造コストを増大させずに、半導体集積回路の電源配線、接地配線の電圧降下を減少させる。本発明の半導体集積回路は、半導体チップ上に形成され、前記半導体チップ上の第1の方向に延び、電源電位又は接地電位を供給する元配線と、前記半導体チップ上の第2の方向に延びると共に、前記第2の方向から前記第1の方向に屈曲し、前記元配線の一部と重畳する屈曲部を有する引き出し配線と、前記元配線と前記引き出し配線の間に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の中に形成され、前記元配線と前記引き出し配線の前記屈曲部とを電気的に接続する複数のビアコンタクトと、を備えることを特徴とする。また、本発明の半導体集積回路は、半導体チップ上に形成され、前記半導体チップ上の第1の方向に延びた電源配線と、前記半導体チップ上の第2の方向に延びると共に、前記第2の方向から前記第1の方向に屈曲し、該電源配線の一部と重畳する屈曲部を有する電源引き出し配線と、前記半導体チップ上に形成され、前記第1の方向に延びた接地配線と、前記第2の方向に延びると共に、前記第2の方向から、前記第1の方向とは逆方向の第3の方向に屈曲し、該接地配線の一部と重畳する屈曲部を有する接地引き出し配線と、前記電源配線と前記電源引き出し配線の間に形成され、前記接地配線と前記接地引き出し配線の間に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の中に形成され、前記電源配線と前記電源引き出し配線の前記屈曲部とを電気的に接続する複数の電源配線ビアコンタクトと、前記層間絶縁膜の中に形成され、前記接地配線と前記接地引き出し配線の前記屈曲部とを電気的に接続する複数の接地配線ビアコンタクトと、を備えることを特徴とする。本発明の半導体集積回路によれば、製造コストを増大させずに、半導体集積回路の電源配線、接地配線の電圧降下を減少させることができる。本発明の実施形態による半導体集積回路の全体構成について、図1の回路図を参照して説明する。半導体チップ1上に、トランジスタ等のデバイスを含む内部回路2が配置されている。半導体チップ1上の内部回路2を囲む領域であって、半導体チップ1の外周に沿った領域には、電源端子4Aを介して電源電位VDDが供給される元配線である電源配線12A、及び接地端子4Bを介して接地電位VSSが供給される元配線である接地配線12Bが、互いに平行に延びて配置されている。図1の例では、電源配線12A及び接地配線12Bは、それぞれ、電圧降下を抑えるために、閉ループの環状配線で形成されている。ただし、本発明の要部は、後述するように、電源配線12Aと電源引き出し配線22Aとの交差部、接地配線12Bと接地引き出し配線22Bとの交差部の構成にあるので、電源配線12A及び接地配線12Bは、必ずしも閉ループである必要は無く、部分的に開放された部分を含むものであってもよい。さらに半導体チップ1上には、半導体チップ1上の第1の方向と交差する第2の方向好ましくは、第1の方向と直交する方向に沿って、電源引き出し配線22Aと接地引き出し配線22Bが、互いに平行に延びて交互に配置されている。電源引き出し配線22Aは電源配線12Aと接続され、内部回路2に電源電位VDDを供給する。接地引き出し配線22Bは接地配線12Bと接続され、内部回路2に接地電位VSSを供給する。このように、電源配線12A、接地配線12B、電源引き出し配線22A、接地引き出し配線22Bは、格子状または櫛状に配置され、いわゆる電源グリッドを構成している。また、半導体チップ1上であって、電源配線12A及び接地配線12Bの外側には、入出力回路3、電源配線12Aに接続された電源端子4A、接地配線12Bに接続された接地端子4Bが配置されている。内部回路2と入出力回路3との間には、それらを接続する信号配線30が配置されている。なお、図1の例では、半導体チップ1の長辺方向を第1の方向として図示しているが、半導体チップ1の短辺方向を第1の方向としてもよい。次に、電源配線12Aと電源引き出し配線22Aの交差点近傍、及び接地配線12Bと接地引き出し配線22Bの交差点近傍の詳細な構成について図面を参照して説明する。図2は、この領域を部分的に拡大して示した平面図であり、図3は、図2のA-A線に沿った断面図である。図3は電源配線22Aの屈曲部24Aの断面構成を示しているが、この断面構成は、接地引き出し配線22Bの屈曲部24Bについても同様である。図4は図2及び図3の構成を簡略化して示した斜視図である。図4では、説明の便宜上、複数のビアコンタクト14A,14Bを簡略化して示している。半導体チップ1上に形成されたシリコン酸化膜等からなる絶縁膜11上に、多層配線構造における第1層最下層の金属層例えばアルミニウム層を用いて、半導体チップ1上の第1の方向に沿って、互いに平行に延びる電源配線12A及び接地配線12Bが配置されている。電源配線12A及び接地配線12Bは、BPSG等を含む第1の層間絶縁膜13に覆われている。第1の層間絶縁膜13上には、第1層よりも上層の第2層の金属層例えばアルミニウム層を用いて、電源引き出し配線22A及び接地引き出し配線22Bが配置されている。電源引き出し配線22A及び接地引き出し配線22Bは、BPSG等を含む第2の層間絶縁膜23に覆われている。この電源引き出し配線22Aは、第1の方向と交差する第2の方向好ましくは、第1の方向と直交する方向に延びると共に、第2の方向から第1の方向に屈曲し、電源配線12Aの一部と重畳する屈曲部24Aを有している。一方、接地引き出し配線22Bは、第2の方向に延びると共に、第2の方向から、第1の方向とは逆方向の第3の方向に屈曲し、接地配線12Bの一部と重畳する屈曲部24Bを有している。即ち、電源引き出し配線22Aの屈曲部24Aと、接地引き出し配線22Bの屈曲部24Bは、互いに逆の方向に屈曲すると共に、各屈曲部24A,24Bの長手方向は互いに平行に延びている。この場合、電源引き出し配線22Aの屈曲部24Aの第1の方向の幅W1は、電源引き出し配線22Aの第2の方向と平行に引き出された部分の第1の方向の幅W2よりも大きく、接地引き出し配線22Bの屈曲部24Bの第3の方向の幅W3は、接地引き出し配線22Bの第2の方向と平行に引き出された部分の第1の方向の幅W4よりも大きくなっている。また、接地引き出し配線22Bの屈曲部24Bの第3の方向の端と、電源引き出し配線22Aの引き出し部分との間の距離L1は、半導体集積回路のサイズを小さくするために、デザインルールに従って極力小さく決定されることが好ましい図2参照。第1の層間絶縁膜13の中には、電源配線12Aと電源引き出し配線22Aの屈曲部24Aを電気的に接続する複数の電源配線ビアコンタクト14Aが配置され、また、接地配線12Bと接地引き出し配線22Bの屈曲部24Bを電気的に接続する複数の接地配線ビアコンタクト14Bが配置されている。この構成により、電源配線12Aを流れる電流Iは、電源配線12Aの一部と重畳する電源引き出し配線22Aの屈曲部24Aにも分岐して流れることになる。即ち、電源配線12Aの寄生抵抗成分は、電源配線12Aと接続した屈曲部24Aを有していない従来例に比して小さくなる。接地配線12Bについても同様である。従って、本実施形態によれば、電源配線12A、接地配線12Bの電圧降下が抑えられる結果、内部回路に適正なレベルの電源電位VDD又は接地電位VSSが供給されるようになる。これにより、内部回路の誤動作を防止することができる。また、本実施形態によれば、電源配線12A、接地配線12Bに生じる電圧降下を小さくするために、電源配線12A、接地配線12B、電源引き出し配線22A、接地引き出し配線22Bの各配線の太さや厚さを通常の製造プロセスに比して大きくしなくてもよい。また、電源配線12Aと接地配線12Bに接続される電源端子4A,接地端子4Bの数を増やさなくてもよい。従って、本実施形態によれば、製造コストを増大させることなく、電源配線12A、接地配線12Bに生じる電圧降下を小さく抑えることができる。なお、電源配線12Aと電源引き出し配線22Aの屈曲部24Aの重畳領域は、第1の方向において長いほど好ましく、設置配線12Bと接地引き出し配線22Bの屈曲部24Bの重畳領域は、第3の方向において長いほど好ましい。上述した電源引き出し配線22Aと接地引き出し配線22Bのペアは、図5の平面図に示すように、第1の方向又は第3の方向に沿って複数配列されてもよい。あるいは、図示しないが、電源引き出し配線22Aと接地引き出し配線22Bのペアは、第2の方向に沿って複数配列されてもよい。なお、電源引き出し配線22A又は接地引き出し配線22Bは、屈曲部24A又は屈曲部24Bで終端せずに、さらに延びて形成されてもよい。いずれの配列においても、電源引き出し配線22Aと接地引き出し配線22Bのペアは、第1の方向又は第3の方向において、必ずしも緊密に隣接する繰り返しパターンで配列される必要はなく、部分的に離間して配列されてもよい。この場合には、図1の信号配線30は、電源引き出し配線22A及び接地引き出し配線22Bと同一の金属層を用いて配置することもできる。この信号配線30は、図示しないが、電源引き出し配線22Aの屈曲部24Aが重畳して配置されていない電源配線12Aの部分、及び接地引き出し配線22Bの屈曲部24Bが重畳して配置されていない接地配線12Bの部分と、立体的に交差して配置される。なお、図示しないが、上記実施形態の変形例として、電源配線12A、接地配線12B、電源引き出し配線22A、接地引き出し配線22B、信号配線30は、それぞれ、多層配線構造において、上記以外の金属層を用いて配置されてもよい。例えば、層間絶縁膜を介して下層から順に配置された第1層乃至第3層の金属層からなる多層配線構造では、電源配線12A及び接地配線12Bは、それぞれ、ビアコンタクトによって互いに電気的に接続された第1層及び第3層の金属層を用いて配置され、電源引き出し配線22A、接地引き出し配線22B、及び信号配線30は、それぞれ、第2層の金属層を用いて配置されてもよい。また、層間絶縁膜を介して下層から順に配置された第1層乃至第6層の金属層からなる多層配線構造では、電源配線12A及び接地配線12Bは、それぞれ、ビアコンタクトによって互いに電気的に接続された第2層、第4層、第6層の金属層を用いて配置され、電源引き出し配線22A、接地引き出し配線22B、及び信号配線30は、それぞれ、ビアコンタクトによって互いに電気的に接続された第1層、第3層、第5層の金属層を用いて配置されてもよい。さらにいえば、電源配線12A及び接地配線12Bに用いる金属層と、電源引き出し配線22A、接地引き出し配線22B、及び信号配線30に用いる金属層は、半導体チップ1の辺ごとに異なるものであってもよい。"