"荷電粒子によって形成されるエネルギー放射のビームでターゲットに照射する方法であって、次のステップ:-該放射を透過する複数の開口を有するパターン定義手段102を提供するステップと、-該開口を通って該パターン定義手段を横断し、対応している複数のビームレットから構成されるパターニングされたビームpbを形成する照明ワイドビームlbによって該パターン定義手段を照明するステップと、-該パターニングされたビームを該ターゲット14、41の場所上へパターン画像43を作るステップであり、該パターン画像が、該ターゲット上の対応する数の画像画素p1、px上へ撮像される該複数の開口の少なくとも一部の画像を含むステップと、-連続した露光で該領域をカバーするストライプ42;s1、s2、s3を定めるビーム露光が実行される該領域の上の通路に沿って該ターゲット上の該パターン画像の動きを作成する該ターゲットと該パターン定義手段との間で相対的な動きを生成するステップと、を含み、該ストライプs1、s2、s3は、隣接したストライプに対するそれらの境界で、重複した縁m12、m21、m32を含み、該ストライプの各々の該重複した縁m21は、隣接したストライプの対応している該重複した縁m12との空間的な重複がもたらされ、そこで、該重複した縁m21の画像画素の名目上の位置は、該対応する重複した縁m12の対応する画像画素の名目上の位置と重なり、該重複した縁の露光の間、該重複した縁の画像画素の第1の部分集合n1が露光し、該重複した縁の画像画素の第2の部分集合n2が露光せず、一方で、該対応する重複した縁の露光の間、該第1の部分集合の画像画素に対応する該対応する重複した縁の画像画素は露光せず、該第2の部分集合の画像画素に対応する該対応する重複した縁の画像画素は露光する、方法。前記第1および第2の部分集合n1、n2が、前記重複した縁の中で前記ターゲットに生成される画素パターンの前記画像画素N1の数に関して相補的である、請求項1の方法。前記第1の部分集合の画像画素の数と、該第1および第2の部分集合の画像画素の数の総計との間で形成される比率は、前記それぞれのストライプを定める前記通路の方向に横断する方向に沿って前記重複した縁の外側の境界の方へ減少する、請求項1の方法。前記比率が前記重複した縁における連続的な小領域の列で段階に減少する、請求項3の方法。前記連続的な小領域の数は、少なくとも2、例えばn2-1n≧2または22i-1i≧1である。請求項4の方法。前記比率が0より大きく1未満の少なくとも2つの異なる値を有し、異なる値の数は好ましくはn2-1または22i-1である、請求項3の方法。前記比率が前記それぞれの重複した縁または小領域内で均一のサイズのサンプリングセルに関して表される、請求項3または4の方法。前記サンプリングセルが隣接した画像画素のブロックである、請求項6の方法。前記重複した縁m21と対応する重複した縁m12間の前記空間重複は、該重複した縁m21の画像画素の名目上の位置が該対応する重複した縁m12の対応する画像画素の名目上の位置に本質的に一致するようにされる、請求項1の方法。前記ターゲットの上に形成される開口の前記画像が、各々のストライプ内で画像画素の隣接した位置の間の距離より大きい幅を有する、請求項1の方法。隣接した画像画素の位置の間の距離に関して表される場合の前記開口の画像の幅は、少なくとも2、例えば2NN≧1である整数部分を有する請求項11の方法。以下において議論される本発明の好ましい実施態様は、大幅に削減した投影系を有する上述した米国特許第6,768,125号および米国特許公開第2009/0200495A1号にて開示したように、PML2タイプの粒子ビーム露光装置およびそのパターン定義PDシステムの展開である。以下では、本発明に関連する限り、最初に装置の技術的な背景が議論され、それから、本発明の実施態様が詳述される。本発明は、単に発明の可能な実施態様の例を表すのみである以下の実施態様またはPDシステムの特定のレイアウトに制限されず;むしろ、本発明は、粒子ビームおよびマルチビームパターニングを同様に使用する他のタイプの処理システムに適していると認識されるべきである。PML2システム本発明を使用している投影マスクレスリソグラフィ粒子ビーム処理装置PML2の図式的な概要は、図1に示される。以下では、本発明を開示するために必要であるので、それらの細部のみが与えられる;明確性のため、構成要素は図1のサイズに示されない、特に粒子ビームの横の幅は誇張される。詳細については、粒子ビーム装置およびPD手段の全体的なレイアウトに関する教示が参照によってここに含まれる米国特許第6,768,125号および米国特許公開第2009/0200495A1号が参照される。すでに言及されたように、粒子供給源によって生成された粒子ビームは、PML2システムにおいて使われる。照明荷電粒子光学系は、ターゲット表面に投影されるビームパターンを定めるため、ビームで、規則的なアレイの開口を有するPD手段を照らす広いビームを作る。各々の開口によって小さなビームまた‘ビームレット’と呼ばれるが定められ、開口を通じた各々のビームの通過は、可能にする‘スイッチオン’、または、開口および/またはターゲットの方への次の光学縮小荷電粒子投影光学によりビームの粒子の通過を効果的に停止させる‘スイッチオフ’ために制御される。開口アレイに広がるビームは、開口の空間配置によって表されるようにパターン情報を持つパターニングされた粒子ビームを形成する。パターニングされたビームはそれから、ターゲット例えば半導体基板上へ、光学縮小荷電粒子光学的投影系によって投影され、そこで対応するビームが偏向しないそれらの開口の画像は、照射された部分でターゲットを修正するために形成される。ビームによって形成された画像は、各々のダイ領域の上で直線の通路に沿って動かされる;この大規模な動作は、おそらく投影系の微調整により、通常ターゲット段階の連続的な動作によって達成される。スキャン方向に対して垂直方向におけるビームの追加のスキャニングは、例えば、スキャニング段階の横の移動の動作エラーを補正し、さらに特別の露光技術の場合で、近距離にのみ実行される以下の図4に関するものを参照のこと。装置100の主な構成要素は、―この例で図1において垂直に下方へ動くリソグラフィビームlb、pbの方向で―照明システム101、PDシステム102、投影系103、および、ターゲットまたは基板14を有するターゲットステーション104である。荷電粒子光学系101、103は、静電および/または電磁レンズを使用して実現する。装置100の荷電粒子光学パーツ101,102,103は、装置の光軸に沿ったビームlb、pbの妨げられない伝播を確実にするため、高真空で保持される真空ハウジング図示せずにおいて含まれる。照明システム101は例えば、電子またはイオン源11、仮想線源の場所を定める抽出器配置、イオンビームを使用する場合には粒子フィルタとして使われる一般的なブランカー12、および、集光レンズシステム13により実現された照明荷電粒子光学を含む。使用されるイオンは例えば、水素イオンまたは重イオンである;この開示における文脈において、重イオンはCより重い要素のイオン、例えばO、N、または、希ガスNe、Ar、Kr、Xeを指す。イオンは別として、粒子は電子銃から発された電子である、または、一般に他の電気的に満たされた粒子を同様に使うことができる。粒子供給源11は、例えばΔE=1eVの比較的小さなエネルギーの広がりで、概して数keVの定められた運動エネルギーを有する例えばPDシステム102で5keV水素またはArイオンのような、主に特定の種類のエネルギー性電子またはイオンを発する。速度/エネルギーに依存するフィルタ12は、供給源11においても作成される他の不必要な粒子の種類をろ過するのに役立つ;フィルタ12はまた、ビームレットの再配置の間、全体としてビームを消すために用いられる。粒子光学集光レンズシステム13によって、供給源11から発される荷電粒子は、広い領域のリソグラフィビームlbとして役立つ本質的にテレセントリックなビームに作られる。リソグラフィビームlbはそれから、その位置を保つために必要な装置と共にPDシステム102を形成するPD装置に照射する。PD装置はリソグラフィビームlbの通路における特別な位置で保持されて、したがって複数の開口21によって形成される開口パターンに照射する。すでに言及されたように、各々の開口は、ターゲットに届くようにビームレットがそれぞれの開口を通過させるためスイッチオンまたは開くことができる;開口は、入射ビームを透過すると言える。別に開口は、スイッチオフまたは閉じることができ、その場合、それぞれのビームレットのビーム経路は、それがターゲットに届く前に吸収されるまたはビーム経路から別途取り除かれる方法で例えば、横断方向の電圧が適用される偏向器電極によって影響を受ける;したがって、開口は効果的に非透過であるまたはビームを通さない。スイッチオンの開口のパターンは、これらの開口が、開口からすなわち、図1において、PDシステム102の下で現れるパターニングされたビームpbに作られるビームlbを透過するPD装置の唯一の部分であるので、基板に露光するパターンによって選択される。特にそのメクラプレートに関するPD装置の構成および動作は、以下に詳細に議論される。図1において、5つのビームレットのみがパターニングされたビームpbに示され、一方で、ビームレットの実際の数が非常に大きいすなわち、概して数千であることは、明確である;示されるビームレットの中で、それが吸収プレート17に吸収されるので、左から二番目のものはスイッチオフされて表され;スイッチオンされた他のビームレットは、プレート17の中央開口を通過し、したがってターゲット上へ投影される。パターニングされたビームpbによって表されるパターンはそれから、スイッチオンの開口の画像を形成するところで基板14の上の荷電粒子光学的投影系103によって投影される。投影系103は、例えば200倍の光学縮小を実行する。基板14は例えば、粒子高感度レジスト層によってカバーされるシリコンウエハーである。ウエハー14は、ターゲットステーション104のウエハーステージ図示せずによって保持されて配置される。二次放射のための検出器15は、ビームに関して基板の適当な位置決めを検出するために用いることができる。投影系103は例えば、それぞれ交差c1、c2を有して2つの連続的な荷電粒子光学的プロジェクタステージから構成される。プロジェクタを実現させるために用いる電界レンズ30は、静電撮像システムの技術的な実現は従来の技術では周知であるので象徴的な形状のみで図1に示され;本発明の他の実施態様において、磁気および/または電磁レンズもまた適切である様に含まれる。第1のプロジェクタステージは、第2のプロジェクタステージによって基体表面上へ順番に撮像される中間の画像へPD装置の開口の平面を撮像する。両方のステージは、交差c1、c2による光学縮小撮像を使用する;したがって、中間の画像が逆転される一方、基板に作成される最終的な画像は垂直である逆転されない。光学縮小率は両方のステージにおいて約14倍であり、全体的な200倍の光学縮小につながる。この光学縮小は、PD装置の小型化の問題の質を引き上げるリソグラフィ構成では特に適切である。荷電粒子光学レンズは主に静電電極から構成されるが、磁気レンズが使われてもよい。光学系のさらなる詳細は、上記の引用された従来技術において見つけることができる。小さな横の移動、すなわち光軸cxに対して垂直な方向に沿った移動を画像に導入する手段として、偏向手段16は、プロジェクタステージの一方または両方において提供される。そのような偏向手段は例えば、米国特許第6,768,125号において議論されるように多重極電極システムとして実現することができる。加えて、軸方向の磁気のコイルは、必要な所で基板平面のパターンの回転を生成するために用いられる。横の偏向は、通常パターニングされたビームbpの横の幅と比較してとても小さく、多くの場合、単一のビームレット、または隣接したビームレットの間の距離の数桁の幅であるが、ビーム幅の下の少なくとも一桁分である、この文脈において、ビームレットの間の横の距離がビームbpの全幅より相当小さいと認識されるべきである。露光ストライプを用いたパターン書込みPDシステム102において形成されるパターンによって、任意のビームパターンが生成され、基板へ移されることができる。図2を参照すると、例えば、レジストでカバーされたウエハー41として示される、ターゲット上のPDシステム102によって形成される画像領域mfは、通常ターゲットより小さい定形のサイズを有する。したがって、絶え間なくターゲット上のビームの位置を変えるようにターゲットが入射ビーム下で動く所で、スキャニングストライプ露光方針は利用される:ビームは、ターゲット表面を通じて効果的にスキャンされる。図示した実施態様において、大規模な動きをもたらすのはターゲットであるので、ビーム-スキャニング方針は大規模な動きのために必要とされない;本発明のためのみに、ターゲット上の画像領域mfの相対運動が関連することが強調される。ターゲットおよびビームの相対的な動きは、一連のストライプs0露光ストライプ、スキャンラインとも呼ばれる、を形成するように画像領域mfがターゲット41の表面を通じて動くように実現する。各々のストライプ42の幅は、スキャン方向sdに対して垂直な画像領域43の幅y0に対応する。ストライプの完全な集合は、基体表面の全体の領域をカバーする。動きのビーム路程を最小化するため、スキャン方向sdは、1つのストライプから次に交替する犂耕的な動作。他の実施態様において、スキャン方向はすべてのストライプで同じであり、例えば、1つのストライプの端部から図4において左にある次のストライプ右のの開始までの画像の迅速な再配置での図2における右から左の方向である。ストライプ間の再配置は一般に、出願人/譲受人の米国特許公開第2009/0200495A1号にて説明したように、ビームの一般的な無力化を用いて実行される。上記から、画像領域43が複数のパターン画素pxから構成されることは、明確である。しかしながら、定型数の開口のみがPDシステムの開口領域に存在するので、画素pxの部分集合のみが同時に露光することができると認識されるべきである。同時に露光することができる画素は、以下に主たる画素p1と呼ばれる主たる画素の可能な空間配置について、図3および4を参照のこと。主たる画素p1はPDシステムの開口の画像であるので、それらは光学系の光学縮小のため異なるスケールでPDシステムの開口手段の開口の空間配置を複写することはいうまでもない。連続的な画素露光サイクルの連続において、画像領域43は、連続的にターゲット上のすべての画素pxを露光させるようにターゲットの動き、ビームの動きまたは両方の適当な組合せによって達成されるターゲット上で取り除かれる。図3は、パターン画素の基本的な格子の範囲内で、主たる画素p1のグリッドの1つの可能な配置を示す。主たる画素p1は、スキャン方向sdに平行な線である各々の画素線においてずらされたグリッドにあり、そこに同じ数の主たる画素p1が存在し、主たる画素p1の位置は、規則的な方法で典型的な実施態様において1つの画素線から次の画素線まで変化する。このレイアウトの利点は、ストライプ全体が矢印線a3で示すように線形の動作で進むターゲットに露光する順序で主たる画素p1によって露光することができることである。したがって、スキャン方向sdに沿って線形の方法でターゲット上において画像領域43を動かすのに十分であり、右上角の3つの主たる画素p1のための矢印線で示すように主たる画素のセットは、スキャン方向に横断方向の画像の余分の動きを必要とせずにすべてのパターン画素pxをカバーする。図4は、基本的なパターンの画素格子内、すなわち、規則的な矩形のグリッド内での主たる画素p1のグリッドの可能な他の配置を示す;この場合、基本的な格子の3x3間隔を有する正方形のようなグリッド‘四角形グリッド’である。この場合、追加の横断方向の動きは、スキャン方向に沿った画像の動作の間作成されるので、主たる画素p1は、ターゲット上のすべてのパターン画素位置pxをカバーすることができる。横断方向の動きは例えば、階段状の矢印線a4によって例示されるように偏向手段16によって提供される。多くの画素が異なる画素線において露光した後、動きは、元々の画素線へ戻るプラス、間隔が経過した時にもたらされる方向sdに沿った線形の変位。したがって、横断方向の動きの振幅は小さくすることができる;振幅は、ビームレットのおよその相互の距離であることはいうまでもない。小さな数、概して2から8によって逓倍されるビームレットの幅と同等である;図3および4において、この数は3である;ターゲット面において、ビームレットの幅も画素p1の幅y1に等しい。この変形例は、図3で示すずらされたレイアウトと比較すると、PD装置の開口配置の幾何学的なレイアウトを単純化する。実際のパターンにおいて、すべての画素が完全な照射量で露光するわけではないが、いくつかの画素は、実際のパターンにしたがってスイッチオフされることに注目する価値がある;いかなる主たる画素または、同等にすべてのビームレットにおいて、露光するまたはターゲットに組み立てられるパターンによって画素がスイッチオンまたはスイッチオフされるかにより、1つの画素露光サイクルから次のサイクルまで変化することができる。しかしながら、本発明の説明のため、実際のパターンの実現は無関係である。したがって、以下の説明では、個々の選択されたビームレットがスイッチオフされるという事実は、考慮から外される;すべてのビームレットは常に、あたかも露光するパターンが、すべてのターゲット領域をカバーするようにスイッチオンされたものとしてターゲットで作動中である示される。実際の実施態様において、ビームレットの相当数がターゲットの照射の間にスイッチオフされる必要があるパターンが上に重ねられることに留意するべきである。従来技術による平行ストライプの書込みは、図5および6を参照して上記された。境界エラーが発生するべきときでも、隣接した露光ストライプ間の境界全体の移行の特徴を改良するため、本発明は、重複した縁に基づくが、マルチビーム露光の文脈において改良された方針を使用する露光方法を提案する。重複した縁図7は、ストライプ間のそのようなずれの効果を軽減する効率的な方法を示す。重複領域m12、m23と呼ばれる縁のような領域においてそれらが重なるようにストライプs1、s2、s3は配置される。各々の重複領域の幅はストライプの幅と比較して小さいが、スキャン方向全体にとる画素の幅y1図3よりなお大きい。図7において、重複した縁m12の左端で画素は象徴的に表される;本発明の現実的な実施で、概して数十から数百の範囲で重複した縁の画素線の番号は相当高いということに留意する必要がある。したがって、ストライプは、少なくとも1つの重複した縁、ストライプのいずれの端にも位置する概して2つの重複した縁を備える。例えば図7において、ストライプs2は、隣接したストライプs1、s3のそれぞれ同類の重複した縁に各々対応する重複した縁m12およびm23を加えることによって延長される。隣接したストライプの重複した縁を上に重ね合うことによって、連続的な画像パターンがターゲットに取り戻される。2つの隣接したストライプの重複により定められるターゲット上の重複の範囲内で露光は、2つのストライプの第1のものの重複した縁の露光の間に部分的にもたらされ、第2のものの露光の間に部分的にもたらされる;2つの露光は、ストライプの主要部すなわち、重なることのないストライプの領域と同等な完全な露光を作成するために組み合わされる。従来技術において、部分的な露光は、1つのストライプの重複した縁の照射量が完全な露光の二分の一であるように照射量を調整することによって達成されることが提案された;これは、重複した領域で完全な露光を生じるように嵌合する重複した縁の露光量の他の半分と組み合わせられる。さらなる展開において、含まれる値は1になる異なる分数であり、米国特許第7,129,024号で示すように例えば25、50および75の値で露光量は段階的に変えられる。露光量の調整は、しかしながら本発明の主な焦点を形成するマルチビーム照射装置において実現させるのが困難である。さらに、すでに議論されたように、従来技術に記載される方法に対応する方法でストライプの重なり合う領域を実現させるためにグレーレベルを使用するよりはむしろ、パターン配置および近接効果の調整のために利用できるグレーレベルの数を保存することは、マルチビーム照射装置の場合非常に要求される。従来技術とは対照的に、本発明の方法は、それぞれの場所で上に重ねられる2つの重複した縁の1つまで重複した領域の各々の画素を割り当てて、ターゲットに露光する画素を分割する。したがって露光する画素のそれぞれの照射量値は、どのストライプが画素を生成するかに関わらず変わらない。図8は、図7の2つのストライプs1、s2の重複した縁m12、m21が重複した領域の詳細である本発明の本態様を示す。それに属している重複した縁m21を含む、ストライプs1の間で露光する画素の画素の露光スポットサイズが図8に示される円より大きい幾何学径を有する点に留意のこと画素の位置は斜線の円によって表される;それに属している重複した縁m12を含むストライプs2の間で露光する画素または画素位置は白い円で表される。図8の一番上の範囲で示されるストライプs1の主な領域において、画素は、全体にストライプs1によって露光し、一方ストライプs2の主な領域の画素、すなわち、図8の一番下の範囲は、全体にストライプs2によって露光する。重複した縁m12、m21の重ね合せによって形成される重複した領域において、各々の画素は、ストライプs1またはストライプs2で露光する。ストライプs1斜線の円に属している画素の頻度は、重複した縁m21の外縁部の方へ進む場合、すなわち、図面において縁m21の下部の端の方へ下降する場合に、段階的に減少する。これに反して、ストライプs2白い円に割り当てられる画素は、ストライプs2の主な部分に接近するとますます頻度が高くなる。変形例において、図8に示される図は、例えば、多くのパターン画素で1つの主たる画素から次の主たる画素最終的な主たる画素を除外するまでの列a3、a4において露光するパターン画素を表す主たる画素を示すだけである。各々の円は、それからターゲット上のパターン画素の対応している数を表す。以下では、単純な語‘画素’は、図8の円のいずれの解釈のためにもターゲット上のいずれの種類もの画像画素、すなわち、パターン画素または主たる画素を指すことができる。本発明によると、ストライプのいずれかによって露光するパターンは同じであるが、各々のストライプの書込みプロセスの間、そのストライプに割り当てられる画素のみが使われる。重複した縁において、すべての重複した縁において、画素は、相補的傾向のストライプのどちらにでも分配されるので、これにより、取り戻される完全なパターンが生じる。本発明の好都合な展開において、その一端からその他端への重複した縁を交差する場合の画素移行の頻度は段階的である。また、図8から目に見える様に、重複した縁は、以下にグリッド階層と呼ばれる多くの平行した小領域901、902915に分割される。各々のグリッド階層901915の範囲内で、第2のストライプs2に割り当てられるものと比較して、第1のストライプs1に割り当てられる画素の比率は本質的に均一であるが、1つのグリッド階層から次のグリッド階層において減少するまたは、縁を横切る図8において下方または上方に進むかどうかによって増加する。概して、グリッド階層の幅y9は、主たる画素p1の隣接したビームの距離に対応するそれは、図8のこの場合4画素であるが、図3および4の例においては3画素である。例として、5nm画素の距離5nmの物理的なグリッドおよび、20nmの露光スポットサイズを有する、かみ合わせグリッドにおいて、5nmx5nmの16の画素の総数と重複した20nmx20nmのスポット領域で、最も小さな階層幅y9は、20nmである。いかなるより大きい階層幅も、例えば、グリッド階層の幅の総計により定められるように対応してより広い長さスケールで境界エラーを消すために同様に選択することができることは明確である。特徴の長さに匹敵する階層幅が大きいほど、重なり合う領域の境界エラーはより小さくなる。図8において、各々のグリッド階層901915は4画素の幅または場合により、4つの主たる画素の幅であり、各々のグリッド階層の範囲は、左側でマークされる。その形状の追加のラベルn2/N1n1/N1は、均一のサイズのサンプリングセル92に基づいて分数として表されるいずれのストライプによっても露光する画素すなわち、パターン画素または主たる画素の頻度を与える。画素の数を称するラベルn1およびn2は、N1画素を含むサンプリングセルの画素に関して、それぞれ第1または第2のストライプs1、s2に割り当てられる。示される場合において、サンプリングセルは、各々N1=4x4=16画素の正方形のセルである。ストライプは、関連するストリップs1の主要部の方へ向かって重複した縁m21の外側の境界でストライプ901から始まって番号をつけられる;したがって、番号付けは、ストリップs1に割り当てられる画素の番号n1に対応する。結果的に、第1のまたは最も外部のグリッドストライプ901は、例えばラベル15/161/16に対応し、最後のグリッドまたは最も内部のストライプ915は1/1615/16に対応する。サンプリングセル92の1つの列の輪郭は、破線の正方形として図8に示される。各々のグリッド階層から次の階層まで、ストライプs1に割り当てられる画素数は、ちょうど1増加する。グリッドストライプの数はしたがって、サンプリングセル引くマイナス1の画素数であるそれぞれ、値0およびN1がストライプs1およびs2の主要部に対応するので。サンプルセル92の形状は例えば正方形のようであるので、その画素数N1は、概して平方数n2であるn=2、3、4。これらのうちで、2の累乗であるnを有する値が特に関心事であるので、N1=22ii=1、2、3である。言及されるように、グリッド階層の最大限の数は、サンプルセル引くマイナス1、すなわちN1-1の画素の数である。各々のグリッド階層内で、1つのストライプに属している画素は、他のものに属している画素の中で分散する。したがって、重複した縁のそれぞれの画素によってグリッドのかみ合わせとして記載されるものが存在する。図9は、ストライプs1左側から始まりストライプs2右側までの重複した領域全体を進む場合、N1=16での画素の頻度を示す。重複した領域m12、m21の画素の頻度は段階的に変化し、段階的および準連続的な移行を実現させる。各々のステップは、図8のグリッド階層901915に対応する。グリッド階層目盛は1による増加を実行するが、特に、4の増加量それぞれのストライプの主部分に対応する目盛の最初のおよび最終的な値で3つの中間の値を実現させる例えば目盛0、4、8、12、16のようなユニークな増加量の値を使用して、他の目盛も同様に可能であることは明確である。本発明の実施のための典型的な寸法の1つの例のみを与えるため、4×4画素y1=40nmの幅を有するを有するサンプルセルの幅y9=ny1は0.16μmであり、グリッド階層当たりの1つの画素の増加を有する目盛のためにN1=16の値を有する重複した縁の幅はN1-1ny1=2.4μmである。2つの画素の増加では、重複した縁の幅はおよそ半分、すなわち、1.12μmである。これにより、各々のグリッド階層が通常パラメータの適切な選択であるサンプルセルの幅を有するとみなされる。5nmの物理的なグリッド画素サイズおよび20nmスポットサイズ、すなわち、上述したかみ合わせグリッドの本発明の実施のための寸法の他の例では、4×4画素を有するサンプルセルの幅y9=ny1y1=5nmの幅を有するはわずか0.02μmであり、1つの露光スポットの幾何学径およびN1=16の値を有する重複した縁の幅は、グリッド階層当たりの1つの画素の増加を有する目盛のためにN1-1ny1=0.30μmである。境界エラーの軟化図10aおよび10bは本発明の重複した縁の利点を示す、すなわち、例示的なケースで、隣接したストライプの間で発生する境界エラーは、互いに関連して1つのストライプの小さな変位を引き起こす。図10aにおいて、画素が、第1または第2のストライプの斜線のまたは白い円によって示される図8に記載のものと同じ方法で;加えて、完全な正方形および破線の正方形は、見た目のガイドラインとして重複した縁のグリッドを示して、画素の位置は示される。図10aにおいて表される画素に加えて、各々のパターン画素は、そのぼやけが図10aに示される画素の間の距離である固有のぼやけ明確性のため図示せずを有してターゲットに生成されることは、当業者には明確である。重複しない画素配置においてのものと比較して境界エラーの衝撃が露光グリッドにおけるより多くのステップに分配することができるので、より平滑化効果に関連するのは、効果的にパターン上の境界エラーの衝撃を減らす露光スポット画素を重ねる使用である。その結果、図10bにて示したように、本発明の露光ストライプ間の移行は、小さなステップに境界エラーから伸びる、例えば実際の変位オフセットの1/N1=1/16である。したがって、境界エラーによって生じる限界寸法CDにおけるエラーは、ストライプの端が関係する境界で局所化されない;むしろ、本発明は重複した縁の範囲の上のエラーを伸ばすまたは塗る。例えば図10bに関して、x方向に沿って例えば320nmの長さの垂直線すなわち、スキャン方向に対して垂直に動くは、ストライプ間の境界を交差させる。例えば2nmの配置エラーを引き起こす境界エラーは水平なベクトルによる変位、重複した縁を使用せずに発生する2nmの突然の変位の代わりに、2nm/16=0.25nmの線の変形に伸ばされる。非常に重要な他の仕様は、CD制御である。重なり合う領域内に位置する水平な線を他の例図示せずとして考えると、この線のCDは、わずか0.25nmにより2nmの垂直境界エラーによって変わり、それが2つの階層幅である場合20.25nmであり、線幅が1つの階層幅よりかなり小さい場合実質的にゼロの値に減少する;この最後の場合は、重大な特徴のための最も一般的な場合である水平である場合は水平な境界エラーのCDエラーはない。結果的に、本発明による柔らかい境界の方法によって、最終的なターゲットの仕様およびパターンタイプは、どのように階層幅の必要な値が選択されるかを決定する。この場合、より多くの露光ストライプがすべての基板をカバーするのに必要であるので、より大きい重複は効率を減らすことは明らかである。要約すると、本発明は、置き誤りおよび/または隣接したストライプ間での異なる計測の軟化を達成するため、ストライプの重複した領域の概念の新規な実現を提供する。ストライプ重複は、フェードアウトに類似した1つの階層から他の階層までのグリッド位置の連続した置き換えがある一連のグリッド階層に分割される。隣接したストライプに属する画素グリッドのかみ合わせを実現させる可能性を活用する最高の均質性が達成されるように、置き換えの列は実行される。本発明の方法の特別な利点は、以下の通りである。追加のグレーレベル補正または適合が必要とされない。いかなる像点ものグレーレベルが、ストライプを露光するための画素の分割との干渉なしで使うことができる。境界エラーの有害反応は、減らされる。これは、境界エラーが一連のセルに分配され、1つのセルにおいて、ビームレットすなわち、画素の1つのみまたは小数の位置はセル内の他のビームに関して変えられるという事実の結果である。重大な設計の特徴の局所的均一性における境界エラーの衝撃は、徹底的に減らされる。本発明によると、境界エラーによって非常に小さな局所的パターン変形および配置エラーのみが生じる。本発明は、ストライプ境界全体の短いおよび長い特徴のために機能的である。重複した領域は、可能な最小の階層幅を選択することによって効果的に最小化することができる。粒子ビームツールのための境界の仕様は、CD制御仕様概して、6シグマで、約3.5nmよりも、配置仕様の範囲概して、3シグマで、1から2nm、に縮小することができる。"