"テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスからトリクロロシランを製造する装置であって、前記原料ガスを供給されてトリクロロシランと塩化水素等とを含む反応ガスを生成する反応室と、前記反応室内に上下方向に沿って設けられ前記原料ガスを加熱する複数のヒータと、これらヒータの基端部に接続された複数の電極とを備え、各前記ヒータは、前記電極からの通電によって発熱する発熱部からなる第1ヒータと、第1ヒータの発熱部よりも短い発熱部の上端又は下端に非発熱部からなる輻射板が接続された第2ヒータとを備え、前記第1ヒータの発熱部の一部と、前記第2ヒータの輻射板とが対向配置されており、前記反応室は、前記第2ヒータの発熱部と輻射板のうち、前記第2ヒータの発熱部が配置されている側に前記原料ガスの導入口を備え、前記第2ヒータの輻射板が配置されている側に前記反応ガスの導出口を備えることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。前記輻射板は、前記第1ヒータの発熱部の長さの2/3~1/4の長さに形成されることを特徴とする請求項1記載のトリクロロシラン製造装置。前記複数のヒータは、前記第1ヒータのみで構成される複数の第1ヒータ列と、該第1ヒータ列に挟まれて設置されて、その一部又は全部に前記第2ヒータを含む第2ヒータ列とによって構成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のトリクロロシラン製造装置。前記複数のヒータは、前記反応室内に同心円状に3列以上設置されており、最内列及び最外列を除くいずれかの列に、第2ヒータ列が設置されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のトリクロロシラン製造装置。前記反応室内に前記原料ガスを導入する導入口が前記反応室下部又は底部に配置され、前記ヒータと前記電極とが接続される前記ヒータの基端部が前記反応室の下部に配置され、前記第2ヒータの輻射板と、前記原料ガスを前記反応室外に導出する導出口とが、前記反応室の上部に配置されることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のトリクロロシラン製造装置。反応室内にテトラクロロシランと水素とを含む原料ガスを供給するとともに、前記反応室内に、上下方向に沿って設けられた複数のヒータに通電して発熱させることにより、トリクロロシランを製造する方法であって、前記ヒータを、その基端部に設けられた電極からの通電によって発熱する発熱部からなる第1ヒータと、前記電極からの通電によって発熱する第1ヒータの発熱部よりも短い発熱部の上端又は下端に非発熱部からなる輻射板が接続された第2ヒータとで構成し、前記第1ヒータの発熱部の一部と前記第2ヒータの輻射板とを対向配置しておき、上下方向において前記第2ヒータの発熱部と輻射板のうち前記第2ヒータの発熱部が配置されている側から前記原料ガスを供給し、前記第2ヒータの輻射板が配置されている側からトリクロロシランを含む反応ガスを導出することを特徴とするトリクロロシラン製造方法。トリクロロシランの製造装置では、一般的に、高温での不純物の発生防止のため、炭化珪素のコーティングが施されたカーボン部材が反応容器やヒータに使用される。トリクロロシランの製造装置においては、高い熱効率で反応室内をトリクロロシランの反応温度に効果的に加熱することが求められているが、一方でヒータが高温になり過ぎると、ヒータ表面の炭化珪素のコーティングを損傷してカーボンの露出を招き、カーボンから不純物が発生するおそれがあるため、ヒータ表面の最高温度を制限値以下に保ちながら、高温領域を増加させる必要がある。特許文献1,2記載の構造であると、反応室の外部に配した発熱体により反応室内を加熱するが、発熱体から半径方向外方に放射される輻射熱を有効に利用できず、熱効率が低いという不都合がある。特許文献3記載の構造の場合、反応室の内部にヒータが設置されているが、狭い配管内を通すものであり効率的でない。特許文献4記載のヒータは、ヒータの断面積を上部よりも下部で小さくすることにより下部の出力密度を上昇させている。しかしながら、上部の出力密度を大きく減少させながら、安全に自立させるために下部の断面積を一定以上確保するには、上部を著しく大きくしなければならず、反応室内にヒータを複数設置する場合に、設置数や配置に制約が生じるおそれがある。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、反応室内のヒータ表面の最高温度を抑制するとともに、さらに高い熱効率で供給ガスを加熱することができるトリクロロシラン製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。本発明は、テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスからトリクロロシランを製造する装置であって、前記原料ガスを供給されてトリクロロシランと塩化水素等とを含む反応ガスを生成する反応室と、前記反応室内に上下方向に沿って設けられ前記原料ガスを加熱する複数のヒータと、これらヒータの基端部に接続された複数の電極とを備え、各前記ヒータは、前記電極からの通電によって発熱する発熱部からなる第1ヒータと、前記電極からの通電によって発熱する第1ヒータの発熱部よりも短い発熱部の上端又は下端に非発熱部からなる輻射板が接続された第2ヒータとを備え、前記第1ヒータの発熱部の一部と、前記第2ヒータの輻射板とが対向配置されており、前記反応室は、前記第2ヒータの発熱部と輻射板のうち、前記第2ヒータの発熱部が配置されている側に前記原料ガスの導入口を備え、前記第2ヒータの輻射板が配置されている側に前記反応ガスの導出口を備えることを特徴とする。このトリクロロシラン製造装置によれば、ヒータを反応室内に設置することにより、ヒータの熱がその周囲を流通する原料ガスに直接伝わるので、原料ガスを高い熱効率で加熱することができる。また、反応室内にヒータを設置するので、反応室を大型化しても、その必要個所にヒータを設置することができ、熱効率を損なうことがない。さらに、本発明のトリクロロシラン製造装置においては、第1ヒータに加えて、輻射板を設けた第2ヒータが第1ヒータに対向配置されているとともに、第2ヒータの輻射板が反応室内の反応ガスの導出口側に配置されているので、反応室内において低温の原料ガスにさらされる第1ヒータ及び第2ヒータの発熱部における発熱量は高いままで、原料ガスの温度を速やかに上昇させることができ、効率よく原料ガスを加熱することができる。また、この場合、第2ヒータの輻射板は、第1ヒータと対向していることから、第1ヒータの熱により加熱され、その熱を周囲に輻射することにより、反応室内を加熱する。そのため、第1ヒータの第2ヒータに対向した部分の表面温度の上昇を抑制するとともに、反応室内において第1ヒータの最も高温となる反応ガスの導出口側を、非発熱部である輻射板に置き換えることによってヒータ表面の最高温度の上昇を抑制し、ヒータ及び輻射板の表面温度の高温領域を増加させることができるので、反応室内を効率的に加熱することができる。また、本発明のトリクロロシラン製造装置において、前記輻射板は、前記第1ヒータの発熱部の長さの2/3~1/4の長さに形成されているとよい。輻射板の範囲を前記第1ヒータの発熱部の長さの2/3を超えて設けた場合には、第2ヒータの発熱部分が小さくなり過ぎてしまい、ヒータとして非効率である。また、輻射板の範囲を1/4未満とした場合には、第1ヒータだけが設置された反応室と同様に、第1ヒータ及び第2ヒータの導出口側の表面温度が上昇し易くなり、ヒータ表面の最高温度を下げるためにヒータに供給する電力を下げざるを得ない。また、本発明のトリクロロシラン製造装置において、前記複数のヒータは、前記第1ヒータのみで構成される複数の第1ヒータ列と、該第1ヒータ列に挟まれて設置されて、その一部又は全部に前記第2ヒータを含む第2ヒータ列とによって構成されているとよい。第1ヒータは反応ガスの導出口側が高温となるため、第1ヒータの発熱部と第2ヒータの輻射板とを対向させることにより、ヒータ表面の最高温度の上昇を抑制することができる。また、同じ理由から、本発明のトリクロロシラン製造装置において、前記複数のヒータは、前記反応室内に同心円状に3列以上設置されており、最内列及び最外列を除くいずれかの列に、第2ヒータ列が設置されているとよい。各第1ヒータの間に第2ヒータの輻射板を挟んで配置することにより、両側に配置された第1ヒータの熱を受けた輻射板は効率よく反応室内を加熱することができる。また、第2ヒータの設置個所や設置数、輻射板と発熱部との長さの比率を適宜に設定することにより、反応室内の温度分布を調整することができる。また、本発明のトリクロロシラン製造装置において、前記反応室内に前記原料ガスを導入する導入口が前記反応室下部又は底部に配置され、前記ヒータと前記電極とが接続される前記ヒータの基端部が前記反応室の下部に配置され、前記第2ヒータの輻射板と、前記原料ガスを前記反応室外に導出する導出口とが、前記反応室の上部に配置されているとよい。反応室に設置されたヒータと電極との接続部の周辺が原料ガスに触れて高温に晒されると、その電極から不純物が発生するおそれがあるが、原料ガスの導入口を反応室の下部又は底部に配置し、ヒータと電極との接続部を反応室の下部に配置したことから、ガス導入口から導入される比較的低温の原料ガスを接続部に接触させることができる。これにより、接続部の温度上昇が抑えられ、不純物の発生を防止することができ、接続部における冷却機構の設計が容易となる。また、本発明のトリクロロシランの製造方法は、反応室内にテトラクロロシランと水素とを含む原料ガスを供給するとともに、前記反応室内に、上下方向に沿って設けられた複数のヒータに通電して発熱させることにより、トリクロロシランを製造する方法であって、前記ヒータを、その基端部に設けられた電極からの通電によって発熱する発熱部からなる第1ヒータと、前記電極からの通電によって発熱する第1ヒータの発熱部よりも短い発熱部の上端又は下端に非発熱部からなる輻射板が接続された第2ヒータとで構成し、前記第1ヒータの発熱部の一部と前記第2ヒータの輻射板とを対向配置しておき、上下方向において前記第2ヒータの発熱部と輻射板のうち前記第2ヒータの発熱部が配置されている側から前記原料ガスを供給し、前記第2ヒータの輻射板が配置されている側からトリクロロシランを含む反応ガスを導出することを特徴とする。本発明によれば、ヒータを反応室の中に設置したことにより、ヒータの熱を原料ガスに直接伝え、原料ガスを高い熱効率で加熱して、トリクロロシランへの転換率をより向上させることができる。また、ヒータの発熱量を、導入口側では大きくして導入初期の原料ガスを速やかに加熱するとともに、輻射板を有する導出口側では小さくして輻射板により周囲を加熱することで、反応室内のヒータ表面の最高温度を抑制するとともに、ヒータ及び輻射板の表面温度の高温領域を増加させることにより、高い反応効率を得ることができる。以下、本発明に係るトリクロロシラン製造装置の一実施形態について説明する。本実施形態のトリクロロシラン製造装置100は、テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスを加熱して、転換反応によりトリクロロシランと塩化水素等とを含む反応ガスを生成し、トリクロロシランを製造する装置であって、図1及び図2に示すように、原料ガスを供給される反応容器10と、この反応容器10の中に備えられて原料ガスを加熱する複数のヒータ20と、これらヒータ20の下端に接続された複数の電極23とを備えている。反応容器10は、断熱容器30を備えており、ヒータ20による熱が反応容器10から放出されることによる加熱効率の低下が防止されている。反応容器10は、略筒状の壁体11と、この壁体11の上端を閉じる天板12と、壁体11の下端を閉じる底板13とを備えている。壁体11は、それぞれ同心状に設けられた略筒状の内側壁体11Aと外側壁体11Bとを備えている。これら内側壁体11Aと外側壁体11Bとの間には、円筒状の空間円筒状流路11aが形成されている。外側壁体11Bの下端部は底板13に接続して閉塞されており、一方、内側壁体11Aは下端部が底板13に接続されているが、底板13の外周の一部は内側壁体11Aから離間し、ガス導入口11bが形成されている。ガス導入口11bは反応室内のガスの偏流が発生しないように等間隔に配置され、円筒状流路11aと内側壁体11Aの内部空間とを連通させている。この壁体11において、円筒状流路11aの上部に接続する環状流路11cが設けられている。さらに、この環状流路11cの上部に、原料ガス供給管14が接続されている。また、壁体11の上端を閉じる天板12の中央を貫通するように、反応ガスを装置外に導出するガス導出口15が設けられ、このガス導出口15に、反応室101の上方に延びる導出管16が設けられている。反応容器10の底板13は、外側壁体11Bの下端に接続されて壁体11の下端を閉じている。また、複数のヒータ20は同心状の多重に円を描いて配列されている。また、反応容器10の天板12は、壁体11の内側壁体11Aおよび外側壁体11Bの上端に接続されて壁体11の上端を閉じている。この天板12,壁体11内側壁体11A、および底板13によって囲まれて複数のヒータ20が立設している空間が、このトリクロロシラン製造装置100における反応室101である。この反応室101内で原料ガスを加熱する複数のヒータ20は、それぞれ、一対の電極23に固定され、これら電極23に取り付けられ通電によって抵抗発熱する板状の発熱部21を有する第1ヒータ20a及び第2ヒータ20bで構成される。各ヒータ20は、カーボン製とされており、電極23及びヒータ20には、その表面を覆う炭化珪素のコーティングが施されている。各電極23は、隣接するヒータ20同士を電気的に接続している。これにより、複数個たとえば4個のヒータ20が直列に接続されている。これら直列接続されたヒータ20が並列に接続されて電力を供給されることにより、各発熱部21が抵抗発熱して、反応室101内の原料ガスを加熱することができる。第1ヒータ20aは、図3に示すように、発熱部21aが電極23との接続部となる基端部22を除き、逆U字板状に構成される。また、第2ヒータ20bは、図4に示すように、第1ヒータ20aの発熱部21aよりも短い発熱部21bが形成されており、この発熱部21bの先端に非発熱部からなる輻射板24bが接続されている。この輻射板24bは、発熱部21bと同じ厚さであるが、発熱部21bよりも幅が大きい板状に形成されており、その断面積が発熱部21bに比べて十分に大きいために非発熱部となる。また、輻射板24bは、第1ヒータ20aの基端部22を除く発熱部21a全体の高さH1の2/3~1/4の長さ図4に示すH3に形成されている。また、第1ヒータ20a及び第2ヒータ20bは、反応室101内に、図2に示すように、三重の同心円を描くように配列されている。最内周のp1列及び最外周のp3列は、第1ヒータ20aのみで構成されており、p1列,p3列に挟まれるp2列は、第2ヒータ20bのみで構成される。したがって、反応室101の下部においては、第1ヒータ20aの発熱部21a及び第2ヒータ20bの発熱部21bが抵抗発熱し、上部においては、第1ヒータ20aの発熱部21aのみが抵抗発熱する構成となっている。このため、発熱部21a,21bが設けられる下部での発熱量が大きく、この下部と比較して発熱部21aのみが設けられている上部での発熱量が小さくなっているが、第1ヒータ20aの間に第2ヒータ20bを挟んで配置することにより、第1ヒータ20aの発熱部21aと第2ヒータ20bの輻射板24とを対向させており、この輻射板24bが発熱部21aから熱を奪って発熱部21aの温度上昇を抑制し、発熱部21aからの熱を受けて高温に加熱され周囲を加熱することにより、反応室101内の第1ヒータ20a及び第2ヒータ20bの表面の最高温度の上昇を抑制するとともに、第1ヒータ20a及び第2ヒータ20bの表面温度の高温領域を増加させることができる。ヒータ20の基端部22の上端位置には、ガス導入口11bの上方に配置される分散板40が略水平に設けられている。分散板40は、反応室101内における各ヒータ20の配置位置に応じた形状のガス流通孔40aを有している。このように配置された分散板40によって、反応室101は、電極23とヒータ20との接続部である基端部22を収容し原料ガスが導入される低温の下部と、ヒータ20の発熱部21を収容し原料ガスを加熱する高温の上部とに隔てられる。以上のように構成されたトリクロロシラン製造装置100において、原料ガス供給管14から反応容器10に供給された原料ガスは、環状流路11cに充満した後、円筒状流路11aに導入され、ガス導入口11bを通じて反応室101内の下部へ導入される。反応室101に導入された原料ガスは、たとえば400°C~700°Cであり、流通抵抗により分散板40の下方に充満して、分散流路40aを通過して分散板40の上方に分散供給され、ヒータ20によって加熱される。このとき、第1ヒータ20a及び第2ヒータ20bの下部は、発熱部21a,21bによって発熱量が多くなっていることにより、比較的低温で供給される原料ガスを、分散板40を経由した導入初期において速やかに加熱することができる。反応室101の下部で加熱された原料ガスは、反応室101内を上昇し、反応室101の上部で第1ヒータ20aの発熱部21aによってさらに加熱される。また、発熱部21aに対向するように設けられた第2ヒータ20bの輻射板24bが発熱部21aの熱を受けて加熱されるので、原料ガスは、この輻射板24bによっても加熱される。したがって、反応室101の上部は下部に比べて発熱量が小さいにもかかわらず、輻射板24bの効果により、原料ガスを有効に加熱することができる。また、反応室101内の第1ヒータ20a及び第2ヒータ20bの表面の最高温度を抑制するとともに、第1ヒータ20a及び第2ヒータ20bの表面温度の高温領域を増加させることができる。第1ヒータ20a及び第2ヒータ20bによって加熱された原料ガスの転換反応により生成された反応ガスは、たとえば800°C~1100°Cであり、ガス導出口15を通じてこのトリクロロシラン製造装置100から取り出される。以上説明したように、このトリクロロシラン製造装置100によれば、複数のヒータ20を反応室101の中に設置することにより、ヒータ20の熱がその周囲を流通する原料ガスに直接伝わるので、原料ガスを高い熱効率で加熱することができる。しかも、反応室101の下部においては、第1ヒータ20a及び第2ヒータ20bの発熱部21a,21bにより高い発熱量で加熱し、反応室101の上部においては、第1ヒータ20aの発熱部21aによる加熱と、第2ヒータ20bの輻射板24bによる加熱とにより、第1ヒータ20a表面の最高温度を上げることなく、ヒータ表面温度の高温領域を増加させることができ、反応室101内を効率よく加熱することができる。すなわち、このトリクロロシラン製造装置100によれば、反応室101内の反応ガスが排出される上部においてヒータ20の表面温度を過大にすることなく、反応室101内の原料ガスが供給される下部における発熱部21の出力を十分に得て、効率よく原料ガスを加熱することができる。なお、電極23も反応室101内に設置されるため、反応室の下部に設置された電極23とヒータ20との接続部である基端部22の周辺も原料ガスに晒されることになる。このため、基端部22から不純物が発生するおそれがあるが、このトリクロロシラン装置100においては、原料ガスのガス導入口11bを反応室101の下部に設けたことから、比較的低温の原料ガスを基端部22に接触させることができ、基端部22の温度上昇が抑えられ、不純物の発生を防止することができるとともに、容易に冷却することができる。次に、本発明のトリクロロシラン製造装置に係る実施例について説明する。実施例には、反応室内にヒータが同心円状に3列配置されたトリクロロシラン製造装置を用いた。実施例1~4においては、ヒータのp1列及びp3列に、図3に示す電極23から先端まで発熱部21aで構成される第1ヒータ20aを設置し、p2列に、図4から図7に示すように、発熱部21bの上端に、実施例毎に高さの異なる輻射板24bを備える第2ヒータ20bを設置した。実施例1~3においては、第1ヒータ20a及び第2ヒータ20bの基端部22を除く先端までの高さH1は同じに形成されており、第2ヒータ20bの輻射板24bの高さH3を実施例毎に表1に示すように変えて形成した。なお、第2ヒータ20bの全体の高さH1に対する輻射板24bの高さH3の比率や、各列のヒータに通電する電流の比率は、表1に示すものとした。高さH1,H3の比率は、実施例1~3の全体高さH1を100とし、この全体高さに対する比率とした。また、各実施例に用いられる第2ヒータ20bは、実施例1が図4、実施例2が図5、実施例3が図6に対応しており、第2ヒータ20bの輻射板24bの高さH3はぞれぞれ、表1に示すように、H1の50、33、25の高さに形成した。また、実施例4は、図7に示すように、第2ヒータ20bの基端部22を除く先端までの高さH1を実施例1~3の75とし、輻射板24bの高さH3を、実施例3と同じ25とした。比較例5は、p1列及びp3列だけでなく、p2列にも輻射板が形成されていない第1ヒータ20aを設置し、反応室内の全てのヒータを第1ヒータ20aとしたトリクロロシラン製造装置を用いた。比較例6は、p1列及びp3列に第1ヒータ20aを設置し、p2列に、図8に示す第3ヒータ20cを設置してトリクロロシラン製造装置を構成した。第3ヒータ20cには、輻射板が設けられておらず、基端部22を除く全体の高さH1発熱部21cの高さは、第1ヒータ20aの高さH1の50に形成した。なお、表1において、輻射板高さ比率とは、実施例1~4においてはヒータ20a,20bの基端部22を除く全体の高さH1に対する輻射板24bの高さH3の比率H3/H1を示す。また、通電の比率とは、p1~p3列に並列に設置された各ヒータに通電する列毎の電流の比率を示し、p1~p3列全ての合計が100となる。転換率は、原料ガスから転換されたトリクロロシランの転換率である。そして、最高温度°Cは、ヒータ20aの発熱部21a表面の最高温度である。950°C以上の領域は、ヒータ20aの発熱部21a表面における950°C以上の領域の占める比率であり、発熱部21aの全長に対する発熱部21aの先端からの長さの比率を示す。効率は、転換率をヒータの総出力で割った値であり、比較例5を1とした場合の、比較例5に対する各実施例1~4及び比較例6の比率を示す。比較例5及び比較例6においては、反応室内の全てのヒータを輻射板が形成されていないヒータ20a,20cとしたので、輻射板高さ比率を-で示した。供給ガスには、モル比でトリクロロシラン:水素が1:2となるガスを500°Cに加熱して反応室下部側面より供給した。表1から明らかなように、実施例1~3においてヒータ表面温度が950°C以上の領域を5~10増加させることができ、ヒータの総出力に対する転換率の効率を5~7上げることができた。このように、輻射板を設けることで、ヒータ表面の最高温度を上げることなく、表面温度の高温領域を増加させることができ、ヒータの総出力に対するトリクロロシラン転換率を高くできることが確認できた。また、実施例4の第2ヒータ20bように、全体の高さH1を低くして輻射板24bを設けた場合においても、ヒータ表面温度が950°以上の領域を5増加させることができ、ヒータの総出力に対する転換率の効率を低下させることがなかった。なお、本発明は前記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、細部構成においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。たとえば、上述の実施形態においては、第1ヒータ20aのp1,p3列の間に輻射板24bを有する第2ヒータ20bのp2列を挟んで設置したが、p2列の全部を第2ヒータ20bで構成する必要はなく、その列の一部に第2ヒータ20bを設置し、残り部分に第1ヒータ20aを設置することにより構成してもよい。また、第2ヒータ20bの設置個所及び設置数、並びに輻射板24bと発熱部21bとの長さの比率を適宜に設定することにより、反応室内及びヒータ表面の温度分布を調整することができる。また、反応室101の下方に電極23を設けてヒータ20を接続するとともに、反応室101の下部から原料ガスを導入する構成としたが、反応室の上方に電極を設け、反応室の上部から原料ガスを導入する構成としてもよい。この場合、第1ヒータ及び第2ヒータは上部から下方へ延びて発熱部を設ける構成とし、第2ヒータの発熱部の下方位置に輻射板を設け、反応室の下部から原料ガスを導出する構成とすることで、本発明の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第2ヒータ20bは、発熱部21bがその基端部で電極23と接続される構成としたが、例えば図9に示すように、輻射板24dをヒータ20dの基端部に配置し、輻射板24dの先に発熱部21dを設ける構成としてもよい。この場合、輻射板24dは対をなす分割された構造とされる。また、上述の実施形態の図1に示す例では、反応室101上部のガス導出口15に、反応室101の上方に延びるように導出管16を設けたが、反応室の天板は閉塞状態とし、反応室上部の導出部から反応室の中心部を経由して、底板を貫通するように導出管を設けてもよい。"