"半導体レーザ素子と、周囲が壁で囲まれた領域の底面に前記半導体レーザ素子を保持するパッケージと、該パッケージ部材に接合され、前記半導体レーザ素子から出射された光を外部に取り出すための透光性の部材とを有する半導体レーザ装置であって、前記透光性の部材は、前記半導体レーザ素子から出射された光の一部を吸収して電気信号に変換するとともに、それ以外の光を透過させる半透光性光電変換機能部を有し、該半透光性光電変換機能部で変換された電気信号に応じて前記半導体レーザ素子の光出力を制御することを特徴とする半導体レーザ装置。前記透過性の部材は、板状であり、前記半透光性光電変換機能部は、前記透光性の板状部材の一方の面に形成された、pn接合を有する半導体薄膜、または、半導体薄膜と金属薄膜によるショットキーダイオードによって形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。前記半導体レーザ素子は、1または複数の面発光レーザを有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体レーザ装置。前記透過性の部材は、板状であり、前記半透光性光電変換機能部を有する透光性の板状部材は、前記半導体レーザ素子から出射される光の中心線に対し傾けて設置されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。前記半透光性光電変換機能部を、前記半導体レーザ素子に対向する前記透光性の部材の面に設けたことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置を光源として用いたことを特徴とする光学装置。請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置と、該半導体レーザ装置から出射された1または複数のレーザ光を偏向する偏向手段と、該偏向手段から出力された1または複数のレーザ光を被走査面上に集光する走査光学系とを有することを特徴とする光走査装置。光を平行光とするコリメートレンズと、平行光の中心の光を通過させるアパーチャを有する開口板を備え、前記半導体レーザ装置から出射された1または複数のレーザ光を該コリメートレンズと該開口板を介して前記偏向手段に入射させるようにしたことを特徴とする請求項7に記載の光走査装置。請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置、あるいは、請求項7または請求項8に記載の光走査装置を用いたことを特徴とする画像形成装置。少なくとも一つの像担持体と、前記少なくとも一つの像担持体に対して、画像情報によって変調された1または複数の光を走査する少なくとも一つの請求項7または8に記載の光走査装置とを備えたことを特徴とする請求項9に記載の画像形成装置。前記画像情報はカラー画像情報であり、前記像担持体を該カラー画像情報の色要素毎に備えたことを特徴とする請求項10に記載の画像形成装置。しかしながら、特開昭62-104187号公報特許文献1に提示された方法では、図14に示すような専用のフォトダイオードを別個に設置する必要がありコストが高くなるだけでなく薄型にすることもできない。さらに、この方法を面発光レーザアレイに適用する場合には、光の出射エリアが広くなるため、設置する光電変換用フォトダイオードも大型にしなければならなく、装置を小型化することもできない。また、特開平11-273138号公報特許文献2に提示された方法でも、特許文献1と同様に、専用の光電変換用フォトダイオードを別個に設置する必要がありコストが高くなるだけでなく薄型にすることもできない。さらに、面発光レーザアレイに適用する場合には、光の出射エリアが広くなるため、発光点毎にフォトダイオードの検出率が異なってしまう。したがって、本発明の目的は、上述した従来の問題点を解消し、フロントAPC駆動法により半導体レーザ素子の光出力制御を行うことができ、レーザプリンタなど他の装置に用いた場合に、その装置の小型化および薄型化ならびに部品点数の削減および低コスト化を実現することができる半導体レーザ装置、および該半導体レーザ装置を用いた光走査装置、ならびに高精彩画像が形成可能な画像形成装置を提供することにある。上記目的を達成するために、次のような構成を採用した。a本発明に係る半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、周囲が壁で囲まれた領域の底面に前記半導体レーザ素子を保持するパッケージと、該パッケージ部材に接合され、前記半導体レーザ素子から出射された光を外部に取り出すための透光性の部材とを有する半導体レーザ装置であって、前記透光性の部材は、前記半導体レーザ素子から出射された光の一部を吸収して電気信号に変換するとともに、それ以外の光を透過させる半透光性光電変換機能部を有し、該半透光性光電変換機能部で変換された電気信号に応じて前記半導体レーザ素子の光出力を制御することを特徴とする。bまた、前記半透光性光電変換機能部は、透光性の板状部材の一方の面に形成された、pn接合を有する半導体薄膜、または、半導体薄膜と金属薄膜によるショットキーダイオードによって形成されることを特徴とする。cまた、前記半導体レーザ素子は、1または複数の面発光レーザを有することを特徴とする。dまた、前記半透光性光電変換機能部を有する透光性の板状部材は、前記半導体レーザ素子から出射される光の中心線に対し傾けて設置されることを特徴とする。eまた、前記半透光性光電変換機能部を、前記半導体レーザ素子に対向する前記透光性の部材の内側に設けたことを特徴とする。h本発明に係る光学装置は、上記半導体レーザ装置を光源として用いたことを特徴とする。i本発明に係る光走査装置は、上記a~gのいずれかに記載の半導体レーザ装置と、該半導体レーザ装置から出射された1または複数のレーザ光を偏向する偏向手段と、該偏向手段から出力された1または複数のレーザ光を被走査面上に集光する走査光学系とを有することを特徴とする。jさらに、光を平行光とするコリメートレンズと、平行光の中心の光を通過させるアパーチャを有する開口板を備え、前記半導体レーザ装置から出射された1または複数のレーザ光を該コリメートレンズと該開口板を介して前記偏向手段に入射させるようにしたことを特徴とする。k本発明に係る画像形成装置は、上記a~gのいずれか一項に記載の半導体レーザ装置、あるいは、上記iまたはjに記載の光走査装置を用いたことを特徴とする。lさらに、少なくとも一つの像担持体と、前記少なくとも一つの像担持体に対して、画像情報によって変調された1または複数の光を走査する少なくとも一つの上記iまたはjに記載の光走査装置とを備えたことを特徴とする。mさらに、前記画像情報はカラー画像情報であり、前記像担持体を該カラー画像情報の色要素毎に備えたことを特徴とする。なお、本発明に係る半導体レーザ装置の応用例としては次のようなものがある。n応用例1に係る光情報記録再生装置は、上記a~gのいずれか一項に記載の半導体レーザ装置を光記録媒体への書き込み用光源または読み出し用光源として備えたものである。o応用例2に係る光送信モジュールは、上記a~gのいずれか一項に記載の半導体レーザ装置を光源として備えたものである。p応用例3に係る光送受信モジュールは、上記a~gのいずれか一項に記載の半導体レーザ装置を光源として備えたものである。q応用例4に係る光通信システムは、上記a~gのいずれか一項に記載の半導体レーザ装置、または、上記oに記載の光送信モジュール、または、上記pに記載の光送受信モジュールを備えたものである。本発明は、上記構成を採用したことにより、フロントAPC駆動法により半導体レーザ素子の光出力制御を行うことができる。また、レーザプリンタなど他の装置に用いた場合に、その装置の小型化および薄型化ならびに部品点数の削減および低コスト化をともに実現することができる半導体レーザ装置、および該半導体レーザ装置を用いた光走査装置、ならびに画像形成装置を実現することができる。更に詳しく述べると、本発明による半導体レーザ装置においては、フロントAPC駆動法による半導体レーザ素子の光出力制御を行うことができる。しかも、本発明による半導体レーザ装置は、電気信号に変換する機能が半導体レーザ装置に一体化されているので、この光半導体装置をレーザプリンタなど他の装置に組み込んだ場合、その装置の小型化および薄型化を図ることができるとともに、部品点数の削減および低コスト化を図ることができる。以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の半導体レーザ装置に用いる面発光レーザ素子の一例を示す平面図である。本例は、一つの面発光レーザ素子に4行4列の16個の発光点面発光レーザからなるを形成した場合を示している。同図において、10は面発光レーザ素子、11は電極配線、12は電極パッドであり、電極パッド12から電極配線11を通して図中丸印で示した4行4列からなる16個の発光点の各々に駆動電流を印加することを示している。各発光点は数十から数百μmの間隔で配置される。なお、上記例は、面発光レーザ素子に4行4列の16個の発光点を形成した場合を示しているが、一つの面発光レーザ素子に設ける発光点の数配列数は用途によって任意に設定可能であり、単一の光源でよい場合は単一の発光点だけを設ける。このように、本発明の半導体レーザ装置に用いる面発光レーザ素子は、複数の発光点を有するものでも単一の発光点を有するものでもよい。実施の形態1~3では、便宜的に図1に示した如き複数の発光点を有する面発光レーザ素子を用いた場合の図で説明するが、単一の発光点を有する面発光レーザ素子を用いた場合も含む。なお、実施の形態4~10では、単一の発光点面発光レーザを用いた半導体レーザ装置を半導体レーザ装置単一型と記し、複数の発光点面発光レーザを用いた半導体レーザ装置を半導体レーザ装置アレイ型と記して両者を区別する。<実施の形態1>半導体レーザ装置図2は、本発明の実施の形態1に係る、図1に示す面発光レーザ素子を実装した半導体レーザ装置の構造を示す断面図である。本実施の形態における半導体レーザ装置は、セラミックパッケージ20の底面に、図1に示す面発光レーザ素子10が導電性樹脂等を用いて接合されている。セラミックパッケージ20に設けられた面発光レーザを駆動するための面発光レーザ駆動用電極21は、ワイヤーボンディング22により面発光レーザ素子10の電極パッド図1の電極パッド12に相当と接合されている。セラミックパッケージ20の上面には透光性の板状部材30が樹脂等不図示を用いて気密接合されている。また、透光性の板状部材30の内側のほぼ全面に渡り、半透明光電変換機能部31が形成されている。なお、透過性の部材の形状として、板状としているが、面発光レーザからの光を所望の方向に出射できれば良く、板状とは限らない。つまり、面発光レーザからの光を所望の方向に出射ための透過性の部材であれば良い。また、本実施の形態では、透過性の部材により密閉されているパッケージの内側、つまり、面発光レーザ素子10に対向している透過性の部材の面に、半透明光電変換機能31が形成されている。しかしながら、この半透明光電変換機能31は、透明性の部材により密閉されているパッケージの外側、つまり、面発光レーザ素子10がある側から接触できない透明性の部材の面に形成されていても良い。半透明光電変換機能部31は、フリップチップボンディングによりセラミックパッケージ20に設けられた電気信号を出力する電極32に接合されている。セラミックパッケージ20の裏面には面発光レーザGnd用電極23が設けられている。また、セラミックパッケージ20と透光性の板状部材30で面発光レーザ素子10と半透明光電変換機能部31が内部に含まれるようにして気密接合をする際に、窒素などの不活性ガスの環境下または減圧環境下で気密接合してもよい。不活性ガスの環境下で気密接合したり、減圧環境下で気密接合した場合は半導体レーザ装置内の結露を防止することができ、特性の劣化を防止するとともに長寿命で信頼性の高い半導体レーザ装置が得られる。本実施の形態に係る半導体レーザ装置によれば、透光性の板状部材に半透明光電変換機能部を形成したことにより、半透明光電変換機能部で変換して得られた電気信号に応じて半導体レーザ素子の光出力が制御されるフロントAPC駆動法により半導体レーザ素子の光出力制御を行うことができ、また、従来例のように光電変換用のフォトダイオードを個別に設ける必要がなくなり、レーザプリンタなど他の装置に用いた場合に、その装置の小型化および薄型化ならびに部品点数の削減および低コスト化を実現することが可能になる。図3は、図2に示した半導体レーザ装置の発光をモニタしている状態を示す図である。同図に示すように、半導体レーザ装置の発光をモニタしている状態においては、面発光レーザ素子10上の各々の発光点より発せられる出射光40の全てが半透光性光電変換機能部31を通る。このため、半導体レーザ装置の発光をモニタしている状態では発光点の位置の違いによるモニタ出力の変化が無い。<実施の形態2>半導体レーザ装置図4は、本実施の形態に係る、図1に示す面発光レーザ素子を実装した半導体レーザ装置の構造を示す断面図である。本実施の形態における半導体レーザ装置は、搭載部品に電気信号を供給するTOヘッダ52と光信号を円滑に伝送するTOキャップ51の2つの部品を有するTOTransistorOutlineパッケージで構成されており、TOヘッダ52に面発光レーザ素子10が導電性樹脂等不図示を用いて接合されている。面発光レーザ素子10を駆動するための面発光レーザ駆動用電極21は、ワイヤーボンディング22により面発光レーザ素子10の電極パッド図1の電極パッド12に相当と接合されている。TOヘッダ52の上面には金属に透光性の板状部材30を接合したTOキャップ51が溶接により面発光レーザ素子10と半透明光電変換機能部31が内部に含まれるようにして気密接合されており、透光性の板状部材30の内側のほぼ全面に渡り半透明光電変換機能部31が形成されている。半透明光電変換機能部31は、TOヘッダの電極ピン電気信号を出力する電極32に相当と圧接されている。また、気密接合をする際に、窒素などの不活性ガスの環境下または減圧環境下で気密接合してもよい。不活性ガスの環境下で気密接合したり減圧環境下で気密接合した場合は、実施の形態1と同様に半導体レーザ装置内の結露を防止することができ、特性の劣化を防止するとともに長寿命で信頼性の高い半導体レーザ装置が得られる。本実施の形態においても、図3に示した実施の形態1と同様、半導体レーザ装置の発光をモニタしている状態においては、面発光レーザ素子10上の各々の発光点より発せられる出射光40の全てが半透光性光電変換機能部31を通るため発光点の位置の違いによるモニタ出力の変化が無いという効果を有する。本実施の形態に係る半導体レーザ装置によれば、実施の形態1と同様に透光性の板状部材に半透明光電変換機能部を形成しているため、従来例のように光電変換用のフォトダイオードを個別に設ける必要がなくなり、レーザプリンタなど他の装置に用いた場合に、その装置の小型化および薄型化ならびに部品点数の削減および低コスト化を実現することが可能になる。<実施の形態3>半導体レーザ装置図5は、本実施の形態に係る、図1に示す面発光レーザ素子を実装した半導体レーザ装置の構造を示す断面図である。本実施の形態における半導体レーザ装置は、図4に示した実施の形態2の半導体レーザ装置と同様、搭載部品に電気信号を供給するTOヘッダ52と光信号が円滑に伝送するTOキャップ51の2つの部品を有するTOTransistorOutlineパッケージで構成されており、TOヘッダ52に面発光レーザ素子10が導電性樹脂等不図示を用いて接合されている。面発光レーザ素子10を駆動するための面発光レーザ駆動用電極21は、ワイヤーボンディング22により面発光レーザ素子10の電極パッド図1の電極パッド12に相当と接合されている。TOヘッダ52の上面には金属に透光性の板状部材30を接合したTOキャップ51が溶接により面発光レーザ素子10と半透明光電変換機能部31が内部に含まれるようにして気密接合されており、透光性の板状部材30の内側のほぼ全面に渡り半透明光電変換機能部31が形成されている。半透明光電変換機能部31は、TOヘッダの電極ピン電気信号を出力する電極32に相当と圧接されている。また、ベース101とキャップ102と窓ガラス103で気密接合をする際に、窒素などの不活性ガスの環境下または減圧環境下で気密接合してもよい。不活性ガスの環境下で気密接合したり減圧環境下で気密接合した場合は、実施の形態1,2と同様に半導体レーザ装置内の結露を防止することができ、特性の劣化を防止するとともに長寿命で信頼性の高い半導体レーザ装置が得られる。本実施の形態においても、図4に示した実施の形態2と同様、半導体レーザ装置の発光をモニタしている状態においては、面発光レーザ素子10上の各々の発光点より発せられる出射光40の全てが半透光性光電変換機能部31を通るため発光点の位置の違いによるモニタ出力の変化が無いという効果を有する。本実施の形態が、図4に示した実施の形態2の半導体レーザ装置と異なる点は、TOヘッダの上面に金属に透光性の板状部材30を斜めに接合したTOキャップを用いている点である。TOヘッダの上面に金属に透光性の板状部材30を斜めに接合したTOキャップを用いることにより、面発光レーザ素子から出射された光が前記半透光性光電変換機能部を有する透光性の板状部材により反射されて生じる戻り光が前記レーザ素子に入射することを防止し、レーザ素子の誤動作を防止する事ができる効果を有する。以下、透光性の板状部材30を斜めに接合した技術的意味を説明する。従来、レーザ素子に外部からの光が入射すると誤動作を起す例が知られている。従って、一般的に、レーザ素子は外部光を遮蔽した状態で用いるようにしている。ところが、レーザ素子自身から出射した光は遮蔽できないため、光アイソレータ等の戻り光防止機能を備えた例が知られている。前記半透光性光電変換機能部を備えた透光性の板状部材に反射防止膜等を設けたとしても、表面でわずかながらも反射を起す。このわずかな戻り光でも誤動作を起しやすいレーザ素子では何らかの対策が必要である。本実施の形態は、この対策として、前記半透光性光電変換機能部を備えた透光性の板状部材を、面発光レーザ素子10から出射される光の中心線に対し傾斜させて設置したものである。本実施の形態によれば、簡便な構成で戻り光による誤動作を防止することができる。本実施の形態に係る半導体レーザ装置によれば、実施の形態1,2と同様に透光性の板状部材に半透明光電変換機能部を形成しているため、従来例のように光電変換用のフォトダイオードを個別に設ける必要がなくなり、レーザプリンタなど他の装置に用いた場合に、その装置の小型化および薄型化ならびに部品点数の削減および低コスト化を実現することが可能になる。図6は、本発明の半導体レーザ素子から出射された光の一部を吸収して電気信号に変換するとともに、それ以外の光を透過させる半透光性光電変換機能部31を形成した透光性の板状部材30の一例を示す図である。本図に示された透光性の板状部材30は、図2から図5に示した半導体レーザ装置に適用して好適なものである。透光性板状部材30としては、光学ガラス、石英ガラスが主として用いられるが、サファイアガラスあるいは透明プラスチック板等も用いることが可能である。図6に示した半透光性光電変換機能部31は、透光性板状部材30の大部分を覆うように、中央部に、p型Si薄膜パターンp型半導体31aと、n型Si薄膜パターn型半導体31bをわずかにずらして形成し、各々の単独膜部分に電極32を形成し、この電極32から光電変換した信号を取り出すようにしたものである。この構成において、p型Si薄膜パターンp型半導体とn型Si薄膜パターンn型半導体の重なっている部分が光電変換機能部31を形成している。図7は、本発明の半導体レーザ素子から出射された光の一部を吸収して電気信号に変換するとともに、それ以外の光を透過させる半透光性光電変換機能部31を有する透光性の板状部材30の形成方法の一例を示す図である。以下、図7に従って形成方法を説明する。a先ず、大型の透光性の板状基板イを準備する。基板材料としては、光学ガラス又は石英ガラスが好適である。b次に、フォトリソグラフィーによりフォトレジストパターンロを形成する。c次に、CVD法等を用いてp型Si薄膜ハを形成する。d次に、フォトレジストパターンを除去し、p型Si薄膜パターンを形成する。e次に、フォトリソグラフィーによりフォトレジストパターンニを形成する。f次に、CVD法等を用いてn型Si薄膜ホを形成する。g次に、フォトレジストパターンを除去し、n型Si薄膜パターンを形成する。h次に、電極パターンヘを形成する。電極パターンの形成には、不要部にレジストパターンを形成した後、真空蒸着法等により全面に金属膜を形成し、レジストを除去して必要な金属膜パターンを形成する、いわゆるリフトオフ法等を用いることが好適である。i次に、ダイサー等を用いて個片に切断する。個片に切断することにより、図6に示した半透光性光電変換機能部31を有する透光性の板状部材30が形成される。上記実施の形態1~3で説明した半導体レーザ装置においては、半導体レーザ素子から出射された光の一部を吸収して電気信号に変換するとともに、それ以外の光を透過させる半透光性光電変換機能部を有する透光性の板状部材を設けたことにより、本来の用途として用いるべき光の光量低下をさせず、別の受光素子や光学部材を使用せず、照射位置例えば、画像形成装置における感光体面上でのビーム形状の安定化が可能で、モジュール内で光量のモニタを行うことが可能な、安定した出力を有する信頼性の高い小型の光源を実現できる。このため、画像形成装置レーザプリンタ、複写機など、プロジェクタ、光走査装置、光情報記録再生装置光ディスク装置など、光送信モジュール、光送受信モジュール、光通信システムなど、様々な光学機器の光源として用いた場合に好適である。半透光性光電変換機能部は、前記透光性の板状部材の外側密封する外側に設けることももちろん可能であるが、面発光レーザ素子と一緒に内側密封側に設けると気密封止される状態になるのでさらに信頼性が向上するという利点が有るため、より好適である。面発光レーザ素子は、発光点が数十から数百μm間隔で縦横に配置されている。従って単独の半導体レーザ素子に比べ光の出射エリアが広くなるため、半透光性光電変換機能部の面積も大きくしないと正確な光出力モニタができなくなる。しかしながら、本実施形態の構成を採用すると、透光性の板状部材のほぼ全面を光検出に用いることができるため、出射光全面を用いて正確にモニタリングできるという効果も有する。以下では、光学機器の例として、画像形成装置レーザプリンタ、光走査装置、さらに応用例として、光情報記録再生装置光ディスク装置など、光送信モジュール、光送受信モジュール、光通信システムについて説明する。<実施の形態4>画像形成装置レーザプリンタ図15は、本実施の形態に係る画像形成装置としてのレーザプリンタの概略構成を示す図である。同図に示すように、本実施の形態に係るレーザプリンタ500は、光走査装置900、感光体ドラム901、帯電チャージャ902、現像ローラ903、トナーカートリッジ904、クリーニングブレード905、給紙トレイ906、給紙コロ907、レジストローラ対908、転写チャージャ911、除電ユニット914、定着ローラ909、排紙ローラ912、および排紙トレイ910などを備えている。具体的には、帯電チャージャ902、現像ローラ903、転写チャージャ911、除電ユニット914およびクリーニングブレード905は、それぞれ感光体ドラム901の表面近傍に、感光体ドラム901の回転方向に関して、帯電チャージャ902→現像ローラ903→転写チャージャ911→除電ユニット914→クリーニングブレード905の順に配置されている。感光体ドラム901の表面には、感光層が形成されている。ここでは、感光体ドラム901は、図15における面内で時計回り図中矢印方向に回転するようになっている。帯電チャージャ902は、感光体ドラム901の表面を均一に帯電させる機能を有している。光走査装置900は、帯電チャージャ902で帯電された感光体ドラム901の表面に、上位装置例えばパソコンからの画像情報に基づいて変調された光を照射する。この光の照射により、感光体ドラム901の表面には、画像情報に対応した潜像が形成される。感光体ドラム901の表面に形成された潜像の領域は、感光体ドラム901の回転に伴って現像ローラ903の方向に移動する。なお、この光走査装置900の詳細な構成については実施例7図16において説明する。トナーカートリッジ904にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ903に供給される。現像ローラ903は、感光体ドラム901の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ904から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着された潜像は、感光体ドラム901の回転に伴って転写チャージャ911の方向に移動する。給紙トレイ906には記録紙913が格納されている。この給紙トレイ906の近傍には給紙コロ907が配置されており、該給紙コロ907は、記録紙913を給紙トレイ906から1枚ずつ取り出し、レジストローラ対908に搬送する。該レジストローラ対908は、転写ローラ911の近傍に配置され、給紙コロ907によって取り出された記録紙913を一旦保持するとともに、該記録紙913を感光体ドラム901の回転に合わせて感光体ドラム901と転写チャージャ911との間隙に向けて送り出す。転写チャージャ911には、感光体ドラム901の表面上のトナーを電気的に記録紙913に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム901の表面の潜像が記録紙913に転写される。ここで転写された記録紙913は、定着ローラ909に送られる。この定着ローラ909では、熱と圧力とが記録紙913に加えられ、これによってトナーが記録紙913上に定着される。ここで定着された記録紙913は、排紙ローラ912を介して排紙トレイ910に送られ、排紙トレイ910上に順次スタックされる。除電ユニット914は、感光体ドラム901の表面を除電する。クリーニングブレード905は、感光体ドラム901の表面に残ったトナー残留トナーを除去する。なお、除去された残留トナーは、再度利用されるようになっている。残留トナーが除去された感光体ドラム901の表面は、再度帯電チャージャ902の位置に戻る。本実施の形態に係るレーザプリンタ500によると、実施の形態1~3に示した半導体レーザ装置アレイ型を光源ユニット810として含む光走査装置900を備えており、半導体レーザ装置自身がフロントAPC駆動法により半導体レーザ素子の光出力制御を行うことができるため、ビームスプリッタ、モニタ用フォトダイオード等のモニタ機構を半導体レーザ装置の外部に設置する必要が無いため、小型化および薄型化ならびに部品点数の削減および低コスト化を実現できる。<実施の形態5>光走査装置次に、本実施の形態に係る光走査装置について説明する。図9は、光走査装置の構成および作用を説明するための図である。本実施の形態に係る光走査装置図8の900は、同図に示すように、実施の形態1~3に係る半導体レーザ装置からなる光源ユニット810、カップリングレンズ811、アパーチャを有する開口板812、シリンドリカルレンズ813、ポリゴンミラー814、fθレンズ815、トロイダルレンズ816、2つのミラー817、818、および上記各部を統括的に制御する不図示の主制御装置を備えている。本実施の形態における光源ユニット810は、面発光レーザVCSELがアレイ状に配列された面発光レーザアレイLA実施例4~5に係る面発光レーザモジュールからなるを含むものにより構成されているものとする。カップリングレンズ811は、光源ユニット810から出射された光ビームを平行光に整形するためのものである。開口板812は、カップリングレンズ811を介した光ビームのビーム径を規定するもので、面発光レーサモジュール内の発光素子から出射された光に対して狭い範囲の中心光のみを通過させるアパーチャを有している。開口板812のアパーチャを通過した光ビームは更にシリンドリカルレンズ813とミラー817を介してポリゴンミラー814の反射面に集光する。ポリゴンミラー814は、高さの低い正六角柱状部材からなり、側面には6面の偏向面鏡面が形成されている。そして、不図示の回転機構モーターにより、図中に示される矢印の方向に一定の角速度で回転されている。したがって、光源ユニット810から出射され、シリンドリカルレンズ813によってポリゴンミラー814の偏向面に集光された光ビームは、ポリゴンミラー814の回転により一定の角速度で偏向される。fθレンズ815は、ポリゴンミラー814からの光ビームの入射角に比例した像高さを有しており、ポリゴンミラー814により一定の角速度で偏向された光ビームの像面を、主走査方向に対して等速移動させる。トロイダルレンズ816は、fθレンズ815からの光ビームを、ミラー818を介して、感光体ドラム901の表面上に結像する。図10は、本実施の形態に用いる光源ユニット810を構成する半導体レーザ装置実施の形態1~3に係る半導体レーザ装置からなるの一例の概要図であり、面発光レーザアレイLAにおいて、各々の面発光レーザは、主走査方向には所定の十分な間隔をもって配列されており、面発光レーザの主走査方向における配列は副走査方向において間隔d2ずつずれながら配列されている。このように副走査方向において間隔d2ずつずれながら主走査方向の配列されているものが、副走査方向におけるピッチd1ごとに形成されている。る。このように配置することにより、各々の面発光レーザの中心から副走査方向に垂直な垂線の間隔を等間隔間隔d2が等間隔とすることができる。これにより、各々の面発光レーザの点灯のタイミングを制御することにより、感光体ドラム901上においては副走査方向に狭い等間隔で光源が配列されている場合と同様の構成と捉えることが可能になる。例えば、副走査方向に対応した方向に関する面発光レーザ素子のピッチd1が26.5μmであって、面発光型半導体レーザを主走査方向に10個ずつ配列させた場合、前記間隔d2は2.65μmとなる。そして、光学系の倍率を2倍とすれば、感光体ドラム901上では副走査方向に5.3μm間隔で書き込みドットを形成することができる。これは、4800dpiドット/インチに対応するものであり、4800dpiドット/インチの高密度書込みができることを意味している。なお、主走査方向に対応する方向のVCSELの数を増加したり、前記ピッチd1を狭くして間隔d2を更に狭めたアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げるなどを行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。なお、主走査方向の書き込み間隔は、光源の点灯のタイミングで容易に制御できる。また、この場合には、レーザプリンタ500では書きこみドット密度が上昇しても面発光レーザ素子は高い単一基本横モード出力を発生させることができるので、印刷速度を落とすことなく印刷することができる。また、同じ書きこみドット密度の場合には印刷速度を更に速くすることができる。以上説明したように、本実施の形態に係る光走査装置900によると、光源ユニット810は実施例1~3に示す半導体レーザ装置を含んでおり、半導体レーザ装置自身がフロントAPC駆動法により半導体レーザ素子の光出力制御を行うことができるため、ビームスプリッタ、モニタ用フォトダイオード等のモニタ機構を半導体レーザ装置の外部に設置する必要が無いため、小型化および薄型化ならびに部品点数の削減および低コスト化を実現できる。なお、上記光走査装置900において、前記光源ユニット810は図10に示したVCSELアレイLAに代えて、同様な配列構成を有する複数の面発光レーザからなるアレイを含んでいてもよい。さらに、従来は別に設けていたモニタ光学系特に発光素子がVCSELアレイの場合には必須だったを不要にできることで光源ユニットの低コスト化が可能となる。また、上記実施の形態では、画像形成装置としてレーザプリンタ500の場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、実施の形態1~3に示す半導体レーザ装置を光源ユニット810として具備する画像形成装置であれば、安定した出力を有する高精細な画像を高速で形成することが可能となる。<実施の形態6>画像形成装置;カラーレーザプリンタ次に、本実施の形態に係る画像形成装置について説明する。本実施の形態に係る画像形成装置は、カラーレーザプリンタであり、カラー画像に対し複数の感光体ドラムを備えたダンデムカラー機である。図11は、本実施の形態に係るカラー印刷が可能な画像形成装置カラーレーザプリンタの構成図である。本実施の形態に係るカラーレーザプリンタは、同図に示すように、ブラックK用の感光体ドラムK1、帯電器K2、現像器K4、クリーニング手段K5、および転写用帯電手段K6と、シアンC用の感光体ドラムC1、帯電器C2、現像器C4、クリーニング手段C5、および転写用帯電手段C6と、マゼンタM用の感光体ドラムM1、帯電器M2、現像器M4、クリーニング手段M5、および転写用帯電手段M6と、イエローY用の感光体ドラムY1、帯電器Y2、現像器Y4、クリーニング手段Y5、および転写用帯電手段Y6と、光走査装置900、転写ベルト920、および定着手段930などを備えている。本カラーレーザプリンタでは、光走査装置900内に、ブラック用の半導体レーザ、シアン用の半導体レーザ装置、マゼンタ用の半導体レーザ装置、イエロー用の半導体レーザ装置を有しており、各々の半導体レーザ装置は、実施の形態1~3に係る半導体レーザ装置により構成されているので、小型で薄型で部品点数がすくない低コストのカラーレーザプリンタを実現することが可能になる。ブラック用の半導体レーザ装置からの光束はブラック用の感光体ドラムK1に照射され、シアン用の半導体レーザ装置からの光束はシアン用の感光体ドラムC1に照射され、マゼンタ用の半導体レーザ装置からの光束はマゼンタ用の感光体ドラムM1に照射され、イエロー用の半導体レーザからの光束はイエロー用の感光体ドラムY1に照射される。各々の感光体ドラムK1、C1、M1、Y1は、矢印の方向に回転し、回転方向の順に、各々の帯電器K2、C2、M2、Y2、現像器K4、C4、M4、Y4、転写用帯電手段K6、C6、M6、Y6、クリーニング手段K5、C5、M5、Y5が配置されている。各々の帯電器K2、C2、M2、Y2は、対応する感光体ドラムK1、C1、M1、Y1の表面を均一に帯電する。帯電された感光体ドラムK1、C1、M1、Y1の表面に、光走査装置900から光束が照射され、感光体ドラムK1、C1、M1、Y1の表面に静電潜像が形成される構成となっている。この後、各々の現像器K4、C4、M4、Y4によって、感光体ドラムK1、C1、M1、Y1の表面にトナー像が形成され、各々に対応する転写用帯電手段K6、C6、M6、Y6により、記録紙に各々の色のトナー像が転写され、定着手段930により、記録紙に画像が定着される。なお、クリーニング手段K5、C5、M5、Y5は、各々に対応した感光体ドラムK1、C1、M1、Y1の表面に残存する残留トナーを除去するものである。なお、本実施の形態では、像担持体として感光体ドラムについて説明したが、像担持体としては、銀塩フィルムを用いた画像形成装置であってもよい。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同様の処理により可視化させることができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼き付け処理と同様の処理により印画紙に転写することが可能である。このような画像形成装置は、光製版装置や、CTスキャン画像などを描画する光描画装置として実施することが可能である。また、像担持体としてビームスポットの熱エネルギーにより発色する発色媒体ポジの印画紙を用いた画像形成装置であってもよい。この場合においては、光走査により可視画像を直接像担持体に形成することが可能である。本実施の形態によれば、実施の形態1~3に記載の半導体レーザ装置を書き込み光源として備えることにより、本来の用途として用いるべき光の光量低下をさせず、装置内で光量のモニタを行うことができ、安定した光出力で高品位画像の形成可能な画像形成装置を実現することが可能となる。なお、上記画像形成装置の実施の形態は、発明の内容を限定するものではなく、従来のレーザプリンタ技術に基づいて当業者が任意に変更できる範囲の全ての構成を含むものとする。<応用例1;光学情報記録再生装置光ディスク装置、光ピックアップ装置>次に、応用例1として光情報記録再生装置光ディスク装置について説明する。応用例1に係る光情報記録再生装置光ディスク装置は、情報記録媒体光ディスクへのデータの書き込みや、情報記録媒体光ディスクに書き込まれたデータの再生に用いる光源として、実施の形態1~3に係る光量の低下がなく安定した出力を有する高信頼性の半導体レーザ装置を光源ユニットとして用いたものである。これにより安定した出力を有する高性能の光情報記録再生装置光ディスク装置を実現することができる。<応用例2;光送信モジュール>次に、応用例2に係る光送信モジュールについて説明する。本応用例は、実施の形態1~3に係る半導体レーザ装置を光源とした光送信モジュールである。以下、本応用例に係る光送信モジュールについて図面を用いて説明する。図12は、光送信モジュールの概略図であり、同図aは実施の形態1~3に係る単一の面発光レーザを有する半導体レーザ装置単一型と単一の光ファイバを用いた光送信モジュールを示し、同図bは実施の形態1~3に係る複数の面発光レーザを有する半導体レーザ装置アレイ型と該複数の面発光レーザのそれぞれに対応する複数の光ファイバを用いた光送信モジュールを示している。半導体レーザ装置単一型を用いた光送信モジュール60は、同図aに示すように、単一の面発光レーザからなる半導体レーザ装置61実施例1~3に係る半導体レーザ装置単一型から出射されるレーザ光62を光ファイバプラスチック光ファイバPOF63に入力し、他装置に伝送するモジュールである。半導体レーザ装置アレイ型を用いた光送信モジュール70は、同図bに示すように、半導体レーザ装置アレイ型71を構成するそれぞれの面発光レーザ実施例1~3に係る半導体レーザ装置アレイ型から出射されるレーザ光72を対応する光ファイバ73に入力し、他装置に並列伝送するモジュールである。本応用例においては、面発光レーザとして、実施の形態1~3に係る小型で安定した出力を有する信頼性の高い半導体レーザ装置を用いているので、小型で高信頼の光送信モジュールを実現できる。また、光ファイバとして安価なPOFを用いた場合低コストな光送信モジュールを実現でき、家庭用やオフィスの室内用および機器内などの短距離のデータ通信に有効である。また、同図bに示した光送信モジュールを用いると、高速な並列伝送が可能となり、従来よりも多くのデータを同時に伝送できるようになった。また、上記の場合は光発光レーザと光ファイバとを1対1に対応させているが、発振波長の異なる複数の面発光レーザ素子を1次元または2次元にアレイ状に配置して、波長多重送信することにより、伝送速度をさらに増大させることができる。<応用例3;光送受信モジュール>次に、応用例3として光送受モジュールについて説明する。本応用例は、実施の形態1~3に記載の半導体レーザ装置を光源とした光送受信モジュールである。以下、本応用例に係る光送受信モジュールについて図面を用いて説明する。図13は、光送受信モジュールの概略図であり、同図aは単一の面発光レーザを有する半導体レーザ装置単一型を用いた場合の構成例であり、該半導体レーザ装置単一型における単一の面発光レーザと単一の受光素子フォトダイオードとそれぞれに対応する光ファイバを用いた光送受信モジュールを示し、同図bは複数の面発光レーザを有する半導体レーザ装置アレイ型を用いた場合の構成例であり、半導体レーザ装置アレイ型における複数の面発光レーザと複数の受光素子フォトダイオードとそれぞれに対応する光ファイバを用いた光送受信モジュールを示している。半導体レーザ装置単一型と単一の受光素子フォトダイオードを用いた光送受信モジュール80は、同図aに示すように、半導体レーザ装置単一型から出射されるレーザ光82を光ファイバプラスチック光ファイバPOF83に入力し、他装置に伝送するとともに、他装置から光ファイバプラスチック光ファイバPOF85を介して伝送されてきたレーザ光86を受光素子フォトダイオード277で受信するモジュールである。半導体レーザ装置アレイ型と複数の受光素子フォトダイオードを用いた光送信モジュール90は、同図bに示すように、半導体レーザ装置アレイ型91を構成するそれぞれの面発光レーザから出射されるレーザ光92を対応する光ファイバ93に入力し、他装置に並列伝送するモジュールとともに、他装置から光ファイバプラスチック光ファイバPOF95を介して伝送されてきたレーザ光96を受光素子フォトダイオードアレイ97で受信するモジュールである。本応用例においては、光源として実施例1~3で説明した半導体レーザ装置を用いているので、小型で安定した出力を有する高信頼の光送受信モジュールを実現できる。また、光ファイバとして安価なPOFを用いた場合低コストな光送受信モジュールを実現でき、家庭用やオフィスの室内用および機器内などの短距離のデータ通信に有効である。また、同図bに示した光送受信モジュールを用いると、高速な並列伝送が可能となり、従来よりも多くのデータを同時に伝送できるようになった。また、上記の場合は光発光レーザと光ファイバとを1対1に対応させているが、発振波長の異なる複数の面発光レーザ素子を1次元または2次元にアレイ状に配置して、波長多重送信することにより、伝送速度をさらに増大させることができる。<応用例4;光通信システム>次に、応用例4として光通信システムについて説明する。本応用例に係る光通信システムは、実施の形態1~3に係る半導体レーザ装置、上記応用例2に係る光送信モジュール、あるいは、上記応用例3に係る光送受信モジュールを用いた光通信システムである。本応用例に係る光通信システムは、上記実施の形態1~3に係る半導体レーザ装置、応用例2に係る光送信モジュール、あるいは、応用例3に係る光送受信モジュールを用いているので、小型で安定した出力を有する高性能の光通信システムを実現でき、コンピュータなどの機器間伝送、さらに、機器内のボード間のデータ伝送、ボード内のLSI間、LSI内の素子間など、光インターコネクションとして、特に短距離通信に有効であり、超高速コンピュータシステムが可能となる。なお、本発明で用いる面発光レーザは、端面発光レーザに比べて桁違いに低消費電力化でき、2次元アレイ化が容易であるので、並列伝送型の光通信システムに適している。なお、上述した実施の形態や応用例はあくまでも例示したものであって本発明の権利範囲を制限するものではない。本発明の権利範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の構成と均等物とみなすことができる構成は全て含むものとする。本発明は、従来の半導体レーザ素子に適用できるのはもちろんであるが、特に面発光レーザ素子に適用して好適なものである。なお面発光レーザ素子に適用する場合には、各々の発光点を個別に順次点灯して個々の発光点毎にモニタして出力を安定化することも可能であるし、複数の発光点を同時にモニタし、平均出力を安定化する駆動も可能である。具体的に面発光レーザ素子を利用したレーザプリンタに適用する場合には、主走査方向の走査が終了し、次の走査が開始する前の間隔を利用して、各々の発光点を個別に順次点灯して個々の発光点毎にモニタして出力を安定化することが適している。なお、モニタのタイミングとしては1回の主走査方向の走査修了毎に1発光点をモニタすることも可能であるし、複数の発光点をモニタすることも可能である。又、複数回の走査ごとにモニタすることも可能である。上記実施の形態において、半透光性光電変換機能部としてpn接合あるいは半導体薄膜と金属薄膜によるショットキーバリアダイオードを用いているが、半導体レーザ素子からの出射光の波長の光に対して十分な受光感度を有するものであれば如何なる材料であってもよい。半透光性光電変換機能部において、半導体レーザ素子より出射される光のうち、透過する率と、吸収して電気信号に変換する率の調整は、前記薄膜の膜厚を調整することによってなされる。光の透過/変換率の設定は、使用目的に応じてほぼ任意に行えるが、レーザプリンタに適用する場合には、透過率90~95、変換率10~5にするのが好適である。半透光性光電変換機能部に用いる半導体薄膜の材料は、半導体レーザ素子からの出射光の波長に対応するために変更すればよい。可視光に対してはp型Si薄膜とn型Si薄膜を積層してpn接合を用い、一方、光通信に用いられる1300nm帯、1500nm帯の光に対しては、GaAs、InP等の化合物半導体を用いる。また、本発明において、透光性の板状部材に設けられる半透光性光電変換機能部は、半導体レーザ素子より出射される出射光全てを覆うよう形成することが好ましい。ここでいう出射光とは、例えば、半導体レーザ素子から出射される光のうち、半導体レーザ装置の外部に設けられる光学系にカップリングする部分の光をいい、この場合、使用される光学系、例えば対物レンズにより、この光学系にカップリングする出射光のビームが定まる。"