"第一電荷キャリヤタイプの電荷キャリヤと第二電荷キャリヤタイプの電荷キャリヤとを隔てるための有機層構造体100,402を有するオプトエレクトロニクス部品300,400,500であって、該有機層構造体100,402が、式I:[式中、E1及びE2は、それぞれ互いに独立して、次の元素:酸素、硫黄又はセレンのうちの1種であり、かつRは、水素あるいは置換又は非置換、分枝鎖状、線状又は環状の炭化水素の群から選択されている]による化学構造を有する少なくとも1個の配位子を有する銅錯体を含む、オプトエレクトロニクス部品300,400,500。該銅錯体が、銅Iペンタフルオロベンゾアートである、請求項1記載のオプトエレクトロニクス部品300,400,500。該銅錯体がドーパントとしてマトリックス材料中に導入されている、請求項1又は2記載のオプトエレクトロニクス部品300,400,500。該マトリックス材料が、1-TNATA4,4′,4′′-トリスN-1-ナフチル-N-フェニル-アミノトリフェニルアミンを含有する、請求項3記載のオプトエレクトロニクス部品300,400,500。該有機層構造体100,402が、電荷発生層系列である、請求項1から4までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス部品300,400,500。該有機層構造体100,402が、該銅錯体でp-ドープされた有機半導体層104と、n-ドープされた有機半導体層102とを有する、請求項1から5までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス部品300,400,500。p-ドープされた該有機半導体層104とn-ドープされた該有機半導体層102との間に、中間層110が配置されている、請求項7記載のオプトエレクトロニクス部品300,400,500。p-ドープされた該有機半導体層104が、n-ドープされた該有機半導体層102の方へドーピング勾配を有する、請求項7又は8記載のオプトエレクトロニクス部品300,400,500。p-ドープされた該有機半導体層104の該ドーピングが、n-ドープされた該有機半導体層102の方へ増加する、請求項9記載のオプトエレクトロニクス部品300,400,500。該有機層構造体100,402を含む層スタックを有する、請求項1から10までのオプトエレクトロニクス部品300,400,500。該層スタックが、少なくとも1個の活性層310,312,404を有する、請求項11記載のオプトエレクトロニクス部品300,400,500。該活性層310,312,404が、エレクトロルミネセンス材料を含有する、請求項12記載のオプトエレクトロニクス部品300,400,500。該有機層構造体100、402が、第一活性層310と第二活性層312との間に配置されている、請求項12又は13記載のオプトエレクトロニクス部品300,400,500。該有機層構造体が、電極上、特に陽極接点上302に、施されている、請求項10から14までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス部品300,400,500。第一電荷キャリヤタイプの電荷キャリヤと第二電荷キャリヤタイプの電荷キャリヤとを隔てるために設計されている有機層構造体100,402における銅錯体の使用であって、該銅錯体が、式I:[式中、E1及びE2は、それぞれ互いに独立して、次の元素:酸素、硫黄又はセレンのうちの1種であり、かつRは、水素あるいは置換又は非置換、分枝鎖状、線状又は環状の炭化水素の群から選択されている]による化学構造を有する少なくとも1個の配位子を有する、有機層構造体100,402における銅錯体の使用。"