"重量平均分子量が10万以上である官能基を含む高分子量成分A;エポキシ樹脂b1と、フェノール樹脂とを含む熱硬化性樹脂成分B;イソシアネート化合物C;BET比表面積が30m2/g以上である第1のフィラーD;及びBET比表面積が30m2/g未満である第2のフィラーEを含む接着剤組成物。重量平均分子量が10万以上である官能基を含む高分子量成分A;エポキシ樹脂b1と、ビスフェノールAホルムアルデヒド重縮合物及びアミノトリアジンノボラック樹脂から選ばれる少なくとも1種のフェノール樹脂b2とを含む熱硬化性樹脂成分B;BET比表面積が30m2/g以上である第1のフィラーD;及びBET比表面積が30m2/g未満である第2のフィラーEを含む接着剤組成物。前記高分子量成分Aが、グリシジルメタアクリレートを0.5~6質量含むエポキシ基含有アクリル共重合体であることを特徴とする請求項1又は2に記載の接着剤組成物。前記フェノール樹脂b2が、式1で表される構造単位を有するビスフェノールAホルムアルデヒド重縮合物及び式2で表される構造単位を有するアミノトリアジンノボラック樹脂の少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項2~3のいずれか一項に記載の接着剤組成物。式1中、繰り返し単位の数を示すnは1~100の範囲の整数を示す。式2中、繰り返し単位の数を示すp又はqは1~100の範囲の整数を示す。前記イソシアネート化合物Cが、3-トリエトキシシリルプロパン-1-イル=イソシアネート及びヘキサメチレンジイソシアネートのブロックポリイソシアネートの少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項1又は3に記載の接着剤組成物。前記第1のフィラーD及び第2のフィラーEの少なくとも一方がシリカであることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の接着剤組成物。前記樹脂組成物が、官能基を含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分A100質量部に対して、熱硬化性樹脂成分Bを1~100質量部、イソシアネート化合物Cを0~20質量部、第1のフィラーDを0~50質量部、第2のフィラーEを0~100質量部を含有することを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の接着剤組成物。請求項1~7のいずれか1項に記載の接着剤組成物からなる接着フィルム。請求項8に記載の接着フィルムを用いて、半導体素子同士又は半導体素子と支持部材とを接着した構造を有してなる半導体装置。本発明の目的は、低温でウェハー裏面にラミネートでき、熱時接着力が高く、基板表面の凹凸埋め込み性及び耐リフロー性に優れた接着フィルム及びこれを用いた半導体装置を提供することである。ここで、低温とは100°C以下を意味する。1.重量平均分子量が10万以上である官能基を含む高分子量成分A;エポキシ樹脂b1と、フェノール樹脂とを含む熱硬化性樹脂成分B;イソシアネート化合物C;BET比表面積が30m2/g以上である第1のフィラーD;及びBET比表面積が30m2/g未満である第2のフィラーEを含む接着剤組成物。2.重量平均分子量が10万以上である官能基を含む高分子量成分A;エポキシ樹脂b1と、ビスフェノールAホルムアルデヒド重縮合物及びアミノトリアジンノボラック樹脂から選ばれる少なくとも1種のフェノール樹脂b2とを含む熱硬化性樹脂成分B;BET比表面積が30m2/g以上である第1のフィラーD;及びBET比表面積が30m2/g未満である第2のフィラーEを含む接着剤組成物。3.前記高分子量成分Aが、グリシジルメタアクリレートを0.5~6質量含むエポキシ基含有アクリル共重合体であることを特徴とする上記1又は2に記載の接着剤組成物。4.前記フェノール樹脂b2が、式1で表される構造単位を有するビスフェノールAホルムアルデヒド重縮合物及び式2で表される構造単位を有するアミノトリアジンノボラック樹脂の少なくとも1種を含むことを特徴とする上記2~3のいずれかに記載の接着剤組成物。式1中、繰り返し単位の数を示すnは1~100の範囲の整数を示す。式2中、繰り返し単位の数を示すp又はqは1~100の範囲の整数を示す。5.前記イソシアネート化合物Cが、3-トリエトキシシリルプロパン-1-イル=イソシアネート及びヘキサメチレンジイソシアネートのブロックポリイソシアネートの少なくとも一種を含むことを特徴とする上記1又は3に記載の接着剤組成物。6.前記第1のフィラーD及び第2のフィラーEの少なくとも一方がシリカであることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の接着剤組成物。7前記樹脂組成物が、官能基を含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分A100質量部に対して、熱硬化性樹脂成分Bを1~100質量部、イソシアネート化合物Cを0~20質量部、第1のフィラーDを50質量部以下、第2のフィラーEを100質量部以下を含有することを特徴とする上記1~6のいずれかに記載の接着剤組成物。8上記1~7のいずれかに記載の接着剤組成物からなる接着フィルム。9上記8に記載の接着フィルムを用いて、半導体素子同士又は半導体素子と支持部材とを接着した構造を有してなる半導体装置。本発明によれば、低温でウェハー裏面にラミネートでき、熱時接着力が高く、基板表面の凹凸埋め込み性及び耐リフロー性に優れた接着フィルム及びこれを用いた半導体装置を提供することができる。以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。本発明の接着剤組成物は、重量平均分子量が10万以上である官能基を含む高分子量成分A;エポキシ樹脂b1と、フェノール樹脂とを含む熱硬化性樹脂成分B;イソシアネート化合物C;BET比表面積が30m2/g以上である第1のフィラーD;及びBET比表面積が30m2/g未満である第2のフィラーEを含むか、あるいは、重量平均分子量が10万以上である官能基を含む高分子量成分A;エポキシ樹脂b1と、ビスフェノールAホルムアルデヒド重縮合物及びアミノトリアジンノボラック樹脂から選ばれる少なくとも1種のフェノール樹脂b2とを含む熱硬化性樹脂成分B;BET比表面積が30m2/g以上である第1のフィラーD;及びBET比表面積が30m2/g未満である第2のフィラーEを含む。[高分子量成分A]本発明で用いる高分子量成分Aの重量平均分子量は10万以上であり、好ましくは20万~300万、より好ましくは30万~200万である。前記重量平均分子量が10万未満だと、熱時接着力が低下し本発明の目的を達成することができない。なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法GPCで標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値であり、ポンプとして株式会社日立製作所製、製品名:L-6000を使用し、カラムとして日立化成工業株式会社製、製品名:ゲルパックGelpackGL-R440、ゲルパックGL-R450及びゲルパックGL-R400M各10.7mm直径×300mmをこの順に連結したカラムを使用し、溶離液としてテトラヒドロフラン以下、THFと言う。を使用し、試料120mgを、THF:5mlに溶解させたサンプルについて、流速1.75mL/分で測定することができる。前記高分子量成分Aは、官能基を含むものであり、該官能基は、ポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。官能基の具体例としては、エポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、イソシアネート基、アミノ基、アミド基等が挙げられる。これらのなかでも、エポキシ基が好ましく、グリシジシルメタアクリレートなどのエポキシ基含有モノマーを用いることによってポリマー鎖に導入することができる。官能基モノマーとして、カルボン酸タイプのアクリル酸や、水酸基タイプのヒドロキシメチルメタアクリレートを用いると、橋架け反応が進行しやすく、ワニス状態でのゲル化、Bステージ状態での硬化度の上昇による接着力の低下等の問題が起こる可能性ある。前記高分子量成分Aとしては、エポキシ基含有メタアクリル共重合体が好ましく、例えば、エポキシ基含有メタアクリル酸エステル共重合体、エポキシ基含有アクリルゴムなどを挙げることができる。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とするものであり、例えば、ブチルアクリレートやエチルアクリレートとアクリロニトリルの共重合体などからなるゴムである。上記エポキシ基含有メタアクリル共重合体は、グリシジルメタアクリレートを、全モノマー量を規準として、0.5~6.0質量含むことが好ましく、0.5~5.0質量含むことがより好ましい。グリシジルメタアクリレートの含有量が05質量未満だと接着力が低下する可能性があり、6.0質量超ではゲル化する可能性がある。グリシジルメタアクリレートと共重合するコモノマーは、エチルメタアクリレートやブチルメタアクリレート又は両者の混合物、アクリロニトリルを用いることができるが、混合比率は、共重合体のガラス転移温度Tgが-10°C以上となるよう考慮して決定すればよい。Tgが-10°C未満であるとBステージ状態での接着剤層のタック性が大きくなり取り扱い性が悪化する可能性がある。重合方法は特に制限はなく、パール重合、溶液重合等を使用することができる。なお、本発明ではメタアクリルとは、アクリル、メタクリルを意味する。また、グリシジルメタアクリレートは、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート及びそれらの混合物を意味する。本発明で好適に用いられる高分子量成分の市販品としては、例えば、ナガセケムテックス株式会社製、製品名:HTR-860-Pなどが挙げられる。[熱硬化性樹脂成分B]本発明で用いる熱硬化性成分Bは、加熱により3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂成分であり、エポキシ樹脂b1とフェノール樹脂とを含む。該フェノール樹脂はビスフェノールAホルムアルデヒド重縮合物及びアミノトリアジンノボラック樹脂から選ばれる少なくとも1種を含むフェノール樹脂b2であることが好ましい。[エポキシ樹脂b1]エポキシ樹脂としては、熱により硬化して接着作用を有するエポキシ樹脂であれば特に制限はなく、分子内に少なくとも2個のエポキシ基を含むものが好ましく、硬化性や硬化物特性の点からフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂がより好ましい。例えばビスフェノールA、ビスフェノールAD、ビスフェノールS、ビスフェノールF若しくはハロゲン化ビスフェノールAとエピクロルヒドリンの縮合物;フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル;クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル;ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル;ジシクロペンタジエンフェノール重合物のポリグリシジルエーテル;α-ヒドロキシフェニル-ω-ヒドロポリn=1~7ビフェニルジメチレン-ヒドロキシフェニルと1―クロロ-2,3-エポキシプロパンとの重縮合物;クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物のポリグリシジルエーテル化物;α-2,3-エポキシプロキシフェニル-ω-ヒドロポリn=1~7{2-2,3-エポキシプロポキシベンジリデン-2,3-エポキシプロポキシフェニレン}等が挙げられ、これらのなかでもノボラック型エポキシ樹脂が好ましく、市販品としては、日本化薬株式会社製、製品名:ESCN-195などが挙げられる。これらは1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。前記エポキシ樹脂は、熱時接着力の点でエポキシ当量50~500であることが好ましい。本発明の樹脂組成物におけるエポキシ樹脂b1の含有量は、高分子量成分A100質量部に対して1~100質量部であることが好ましく、1~90質量部であることがより好ましい。前記含有量が100質量部を超えると基板表面の凹凸埋め込み性が悪くなる傾向があり、1質量部未満の場合は熱時接着力が低下する傾向がある。フェノール樹脂b2本発明では、エポキシ樹脂の硬化剤として、ビスフェノールAホルムアルデヒド重縮合物及びアミノトリアジンノボラック樹脂から選ばれる少なくとも1種を含むフェノール樹脂b2を用いることが好ましく、それによって、低温ウェハーラミネート性が改善される。前記フェノール樹脂b2としては、式1で表される構造単位を有するビスフェノールAホルムアルデヒド重縮合物及び式2で表される構造単位を有するアミノトリアジンノボラック樹脂の少なくとも1種を含んでいることが好ましい。式1中、繰り返し単位の数を示すnは1~100の範囲の整数であり、好ましくは1~50の範囲の整数である。式2中、繰り返し単位の数を示すp又はqは1~100の範囲の整数であり、好ましくは1~50の範囲の整数である。式1で表される構造単位を有するビスフェノールAホルムアルデヒド重縮合物としては、大日本インキ化学工業株式会社製、製品名:VH-4150、4170、4240、KH-6021などが入手可能である。また、式2で表される構造単位を有するアミノトリアジンノボラック樹脂としては、日立化成工業株式会社製、製品名:HPM-J3などが入手可能である。樹脂組成物におけるフェノール樹脂b2の含有量は、エポキシ樹脂b1100質量部に対して1~200質量部であることが好ましく、10~190質量部であることがより好ましい。前記含有量が200質量部を超える又は1質量部未満の場合は、硬化性が不十分となる傾向がある。本発明では、フェノール樹脂b2として、前記ビスフェノールAホルムアルデヒド重縮合物及びアミノトリアジンノボラック樹脂のどちらか一方を用いても、併用してもよいが、併用する場合は、それらの合計量が前記フェノール樹脂b2の含有量の範囲内となるよう適宜調整すればよい。本発明では、熱硬化性樹脂成分Bとして、前記フェノール樹脂b2の他に、通常エポキシ樹脂硬化剤として用いられているものを使用できる。かかるその他の硬化剤は、分子中に少なくとも2個のフェノール性水酸基を有するものが好ましく、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールキシリレン樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ポリ-p-ビニルフェノール、フェノールアラルキル樹脂、フェノールビフェニレン樹脂、フェノールヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、トリスフェノール類、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物等が挙げられる。前記その他の硬化剤の量の配合量は、エポキシ樹脂b1100質量部に対して好ましくは0~200質量部である。前記配合量が200質量部を超えると硬化性が不十分となる傾向がある。その他の硬化剤の水酸基当量は、50~500であることが好ましい。また、本発明では、熱硬化性樹脂成分Bとして、エポキシ樹脂の硬化を促進させるために硬化促進剤を用いることができる。硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、2-エチル-4-メチルイミダゾール-テトラフェニルボレート、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7-テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂b1100質量部に対して好ましくは0~50質量部、より好ましくは0~40質量部、更に好ましくは0~30質量部である。前記配合量が50質量部を超えると保存安定性が悪くなる傾向がある。[イソシアネート化合物C]本発明の樹脂組成物は、低温ウェハ裏面ラミネート性の点からイソシアネート化合物Cを含有することが好ましい。本発明で用いるイソシアネート化合物Cとしては特に制限されないが、例えば、3-トリエトキシシリルプロパン-1-イル=イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートのブロックポリイソシアネートなどが挙げられ、これらは単独で用いても併用してもよい。市販品としては、信越化学工業株式会社製、製品名:KBE-9007、旭化成ケミカルズ株式会社製、製品名:TPA-B70Eなどが挙げられる。本発明の樹脂組成物におけるイソシアネート化合物Cの配合量は、高分子量成分A100質量部に対して0~20質量部であることが好ましく、0~10質量部であることがより好ましい。前記配合量が20質量部を超えると保存安定性が悪くなる傾向がある。[第1のフィラーD]本発明の樹脂組成物は、熱時接着力及び耐リフロー性の点で比表面積が30m2/g以上の第1のフィラーDを含有する。第1のフィラーDの材質としては、特に制限されず、例えば、金、銀、銅、マンガン、ニッケル、鉄、アルミニウム、ステンレスの単独もしくは合金である金属フィラー、半田フィラー、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機フィラー、カーボン、ゴム系フィラー、ポリマー系フィラー等の有機フィラー、金属、半田、無機物質及び有機物質等の2種以上からなる複合材料フィラー等が挙げられ、これらのなかでも、シリカが好ましい。第1のフィラーDのBET比表面積は、高温接着力を向上させるために、30m2/g以上であることが必要であり、40m2/g以上であることが好ましく、50m2/g以上であることがより好ましい。また、入手簡便性の点からは、第1のフィラーDのBET比表面積は、30~600m2/gであることが好ましい。このような第1のフィラーDとしては、株式会社トクヤマ製シリカ製品名:REOLOSILQS-09、10、102、QP-102、QS-20、20L、30、30C、40、MT-10、10C、DM-10、10C、30、30S、KS-20SC、HM-20L、30S、PM-20、20L、BET比表面積:約50~500m2/g、日本アエロジル株式会社製シリカ製品名:AEROSIL50、90G、130、200、200V、200CF、200FAD、300、300CF、380、R972、R972V、R972CF、R974、RX200、RY200、R202、R805、R812、R812S、OX50、TT600、MOX80、MOX170、COK84、BET比表面積:約50~380m2/g、日本アエロジル株式会社株製酸化アルミニウム製品名:AEROXIDEAluC、BET比表面積:約100m2/g、日本アエロジル株式会社製酸化チタン製品名:AEROXIDETiO2T805、P25、BET比表面積:約45~50m2/g等を挙げることができる。第1のフィラーDの配合量は、高分子量成分A100質量部に対して好ましくは50質量部以下であり、より好ましくは1~40質量部である。前記配合量が50質量部よりも多いとフィルム成形性が低下する傾向があり、1質量部よりも少ないと高温接着性及び耐リフロー性が低下する傾向がある。[第2のフィラーE]本発明の樹脂組成物は、高温接着性、耐リフロー性、ダイシング性及びピックアップ性の点で比表面積が30m2/g未満の第2のフィラーEを含有する。第2のフィラーEの材質としては、特に制限されず、前記第1のフィラーDと同様のものが例示されるが、これらのなかでも、窒化物またはシリカが好ましい。第2のフィラーEのBET比表面積は、ダイシング性及びピックアップ性向上のために、30m2/g未満であることが必要であり、1~25m2/gであることが好ましく、1~20mm2/gであることがより好ましい。このような第2のフィラーEとしては、電気化学工業株式会社製窒化ホウ素製品名:BN-SGP、BN-MGP、BN-GP、BN-HGP、BET比表面積:約1~20m2/g、アドマッテックス株式会社製シリカSO-C1、C2、C3、C4、C5、C6、SC-E1、E2、E3、E4、E5、E6、SC-G1、G2、G3、G4、G5、G6、BET比表面積:約1~20m2/g等を挙げることができる。第2のフィラーEの配合量は、高分子量成分A100質量部に対して、好ましくは100質量部以下、より好ましくは1~90質量部、更に好ましくは80質量部以下の範囲である。前記配合量が100質量部よりも多いとフィルム成形性が低下する傾向があるここで、本発明におけるBET比表面積は、ブルナウアーエメットテーラーBrunauer-Emmett-Teller式により、フィラーに窒素を吸着させてその表面積を測定した値であり、市販されているBET装置により測定することができる。また、接着フィルムの接着力を向上させるため、上記樹脂組成物には、シランカップリング剤、チタン系カップリング剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系添加剤等のその他の成分を適宜加えてもよい。<接着フィルムの作製>本発明の接着フィルムは、例えば、以下の工程によって作製することができる。1ワニスの調製高分子量成分A及び熱硬化性樹脂成分Bを有機溶媒に溶解し、必要に応じてイソシアネート化合物C、第1のフィラーD、第2のフィラーE及びその他の成分を加えて、混合、混練してワニスを調製する。ワニスの調製に用いる有機溶媒は、上記各成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン等が挙げられる。ワニスの調製に用いる際の有機溶媒の使用量には特に制限はなく、有機溶媒は加熱乾燥等により接着フィルムから除去されるものであるが、接着フィルム作製後の有機溶媒量残存揮発分は、全重量基準で0~1質量であることが好ましい。フィラーを用いた場合の混合混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミルなどの分散機を適宜組み合せて行うことができる。2ベースフィルムへの塗工上記1で得られたワニスをベースフィルム上に均一に塗工し、ワニスの層を形成する。ベースフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、これらに離型剤のコーティング処理を施したフィルムなどを用いることができる。塗工には、アプリケータ自動塗工機を用いることができ、塗工厚みは、接着フィルムの厚さを考慮して決定されるが、好ましくは1~200μm、より好ましくは1~100μmである。3加熱乾燥上記2で得られた、ワニスを塗工した基材層を加熱乾燥する。加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、概50°C~200°Cで、0.1~90分間加熱して行う。加熱乾燥後、ベースフィルムを除去して接着フィルムBステージ状態のフィルムを得ることができる。本発明では、接着フィルムの厚さは特に制限はなく、適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、好ましくは1~200μm、より好ましくは1~100μmである。前記厚さが1μm未満であると、成膜性、取り扱いが困難となる傾向があり、200μmを超えると、経済性が悪く、成形性が困難になる傾向がある。また、必要に応じてベースフィルム上の接着フィルムの上に、更に保護フィルムを設けることができる。保護フィルムとしては、ベースフィルムと同様のものの他、ポリエチレン等が用いられる。また、本発明の接着フィルムは、必要に応じて多層構造としてもよい。図1にその一例を示す。図1において、接着フィルム1は三層構造とした本発明の接着フィルムであり、ベースフィルム3の両面に上記成分からなる接着剤層2を設けたものである。このような接着フィルム1の製造方法としては、例えば、上記製造方法において、ワニス状の樹脂組成物をベースフィルム3の一方の面に塗布し、乾燥した後、ベースフィルム3の他方の面に同様にしてワニス状の樹脂組成物を塗布し、乾燥する方法等が挙げられる。ベースフィルム3としては、上述したベースフィルムと同様のものが用いられる。接着剤層2の厚みは、通常1~200μmとすることが好ましく、1~100μmとすることがより好ましい。ベースフィルム3の厚みは特に制限がなく、用途、必要な総厚みに応じて決定する。本発明の接着フィルムは、IC、LSI等の半導体素子間、あるいは、半導体素子と、42アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム、ポリイミド、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂、マレイミド系樹脂等のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材にポリイミド、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂、マレイミド系樹脂等のプラスチックを含浸硬化させたもの、アルミナ等のセラミックス等の絶縁性支持基板などの支持部材の接合に用いることができる。すなわち、前記したような半導体素子間、あるいは半導体素子と支持部材との間に本発明の接着フィルムを挟み、加熱圧着して両者を接着させる。圧着温度は、通常、50~300°C、圧着時間は、通常、0.1~300秒間である。<半導体装置>本発明の半導体装置は、上記本発明の接着フィルムを用いて製造されたものであれば特にその構造に制限はなく、例えば、本発明の接着フィルムを用いて、半導体素子同士又は半導体素子と支持部材とを接着した構造を有してなる半導体装置が挙げられる。図2に一般的な構造の半導体装置を示す。図2において、半導体素子4は本発明の接着フィルム1を介して半導体素子支持部材5に接着され、半導体素子4の接続端子図示せずはワイヤ6を介して外部接続端子図示せずと電気的に接続され、封止材7によって封止されている。近年は様々な構造の半導体装置が提案されており、本発明の接着フィルムの用途は、半導体素子が接着フィルムと接触していればこの構造に限定されるものではない。また、図3に半導体素子同士を接着した構造を有する半導体装置の一例を示す。図3において、一段目の半導体素子4は本発明の接着フィルム1を介して半導体素子支持部材5に接着され、一段目の半導体素子4の上に更に本発明の接着フィルム1’を介して二段目の半導体素子4’が接着されている。一段目の半導体素子4及び二段目の半導体素子4’の接続端子図示せずは、ワイヤ6を介して外部接続端子図示せずと電気的に接続され、封止材図示せずによって封止されている。このように、本発明の接着フィルムは、半導体素子を複数重ねる構造の半導体装置にも好適に使用できる。また、本発明の接着フィルムは、図4に示すように、ベースフィルム3及びダイシングテープ8と貼り合わせて、1枚のシートとすることもできる。更に、必要に応じて前記のように保護フィルム9を付けることもできる。このように予めダイシングテープ8と接着フィルム1とを積層しておくことによって、半導体装置製造工程を簡略化することができる。以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1~4及び比較例1~2接着フィルムの作製以下に示す高分子量成分、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イソシアネート化合物、フィラーを用いて、表1に示す配合質量部の組成物を得、シクロヘキサノンを加えて、攪拌脱泡し、不揮発分15質量のワニスを調製した。[高分子量成分]HTR-860P:ナガセケムテック株式会社製、アクリルゴム、重量平均分子量80万、ガラス転移温度15°C[エポキシ樹脂]ESCN-195:日本化薬株式会社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂[フェノール樹脂]HXL-3L:日立化成工業株式会社製、フェノールキシリレン樹脂VH-4150:大日本インキ化学工業株式会社製、ビスフェノールAホルムアルデヒド重縮合物HPM-J3:日立化成工業株式会社製、アミノトリアジンノボラック樹脂[イソシアネート化合物]TPA-B80E:旭化成ケミカルズ株式会社製、ブロックポリイソシアネートKBE-9007:信越化学工業株式会社製、3-トリエトキシシリルプロパン-1-イル=イソシアネート[フィラー]AEROSIL200:日本アエロジル株式会社製、シリカ、BET比表面積:約200m2/gSO-C2:株式会社アドマテックス製、シリカ、BET比表面積:約6m2/g上記で調製したワニスをポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、70~150°Cで60分間加熱した後、厚さ20μmの接着剤層とベースフィルムとが積層されてなる各接着フィルムを得た。接着フィルムの評価上記より得られた実施例1~4、比較例1~2の各接着フィルムについて、以下に示す評価を行った。実施例1~4及び比較例1~2の接着フィルムの熱時接着力の指標として、ダイシェア強度を測定した。接着フィルムを5mm×5mmの大きさに切断し、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、これを5mm×5mm×0.4mmのシリコンチップとガラスエポキシ基板日立化成工業株式会社製、E-679との間に挟み、250gの荷重をかけて、120°Cで5秒間圧着させ、続いて170°Cで180分間後硬化させて試験片を作製した。この試験片を温度85°C、相対湿度85、保持時間48時間の条件下に吸湿させた後、260°C、20秒加熱時のチップの熱時ダイシェア強度MPaをDAGE社製シリーズ4000ダイシェアスピード50μm/secを用いて測定した。その結果を表1に示す。[低温ウェハー裏面ラミネート性]実施例1~4及び比較例1~2の接着フィルムの低温ウェハー裏面ラミネート性を以下の手順で評価した。ポリエチレンテレフタレートフィルム付き接着フィルムを、直径200mm、厚さ50μmのシリコンウェハー裏面上に載せて0.15MPaで加圧、70°Cで加熱した後、ウェハー外周に沿ってフィルムを切断、除去し、ウェハー裏面に位置するポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離除去し、接着剤層付きウェハーを作製した。次に、接着剤層付きウェハーの接着剤層側の面にダイシングテープを貼り付け、ダイシング装置株式会社ディスコ製、DFD-6361で10mm×10mmのサイズにフルカットすることにより接着剤層付き半導体素子に分割した。このとき、評価サンプル数は各ウェハー1枚、判定基準は、フルカット後の半導体素子が接着剤層から1個も剥がれなかった場合を合格表1中、OKと示す、1個でも剥がれがあった場合を不合格表1中、NGと示すとした。[基板表面の凹凸埋め込み性]実施例1~4及び比較例1~2の接着フィルムの基板表面の凹凸埋め込み性及び耐リフロー性を以下の手順で評価した。接着フィルムを7.5mm×75mmの大きさに切断し、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、これを7.5mm×7.5mm×0.28mmのシリコンチップとガラスエポキシ基板日立化成工業株式会社製、E-679、凹凸はガラス基板表面にあり、E-679、平均表面段差7μmとの間に挟み、250gの荷重をかけて120°Cで1秒間圧着させた。次に、ワイヤーボンド相当の熱処理を行い、モールド用封止材日立化成工業株式会社製、CEL-9600にてモールドし、175°Cで5時間硬化させて半導体パッケージとし、接着フィルム層をSATScanningAcousticTomograph観察した。一般に、熱処理の温度が高くなる、あるいは、時間が長くなると、接着フィルムが硬化し硬くなり凹凸埋め込み性が悪化するので、これを観察する目的でワイヤーボンド相当の熱処理を行った。熱処理条件は170°C/4時間とした。評価サンプル数は、各実施/比較例毎に9個、判定基準は、接着フィルム層に基板表面の凹凸埋め込み不足が1個でも見られた場合を不合格表1中の基板凹凸埋め込み性にNGと示す、1個も埋め込み不足が見られなければ合格表1中の基板凹凸埋め込み性にOKと示すとした。[耐リフロー性]上記基板表面の凹凸埋め込み性で用いた半導体パッケージを、JEDECレベル2の吸湿条件温度85°C、相対湿度60、保持時間168時間で吸湿させた後、IRリフロー炉にて260°Cリフロー処理最大温度265°Cを3回行い、接着フィルム層をSAT観察した。接着フィルムのチップ裏面又は基盤表面からの剥離が1個もなければ合格表1中の耐リフロー性にOKと示す、1個でも剥離が見られれば不合格表1中の耐リフロー性にNGと示すとした。その結果を表1に示す。表1に示した結果から明らかなように、本発明の接着フィルム実施例1~4は、比較例1~2の接着フィルムと比較して、ダイシェア強度が高く熱時接着力に優れ、低温でウェハー裏面にラミネートでき、基板表面の凹凸埋め込み性及び耐リフロー性に優れていることが確認された。これに対して、請求項1で規定するフェノール樹脂b2を含有しない比較例1及び2は、低温ウェハー裏面ラミネート性に劣ることが分る。さらに、第1のフィラーDを含有しない比較例2は、ダイシェア強度が低く熱時接着力に劣り、耐リフロー性にも劣ることが分った。"