"被検査体であるシリコン基板へ向けて赤外照明光を供給する赤外線光源と、前記赤外線光源と前記シリコン基板との間のビームの光路中に設けられ,前記赤外照明光のうち円偏光成分を射出する円偏光フィルタと、前記シリコン基板から反射したビームを,前記円偏光フィルタを介して撮像する撮像手段と、前記撮像手段から入力された画像データを演算する画像処理手段と、を有することを特徴とするシリコン基板の検査装置。被検査体であるシリコン基板へ向けて赤外照明光を供給する赤外線光源と、当該赤外線光源と前記シリコン基板との間のビームの光路中に設けられ,前記赤外照明光のうち円偏光成分を射出する第1の円偏光フィルタと、前記ビームの光路の延長線上であって、前記シリコン基板に対して、前記円偏光フィルタの配置された側とは逆側に配設され、前記第1の円偏光フィルタの偏光方向と逆の偏光方向をもつ第2の円偏光フィルタと、当該第2の円偏光フィルタを透過するビームを撮像する撮像手段と、当該撮像手段から入力された画像データを演算する画像処理手段と、を有することを特徴とするシリコン基板の検査装置。被検査体はビーム反射材をその裏面に有するものであることを特徴とする請求項1に記載のシリコン基板の検査装置。被検査体であるシリコン基板へ向けて赤外線光源により赤外照明光を供給する照明工程と、前記赤外照明光であるビームのうちの円偏光成分を円偏光フィルタにより射出する円偏光出射工程と、前記円偏光フィルタを透過し前記シリコン基板で反射したビームの円偏光成分を撮像する撮像工程と、前記撮像工程により撮像された、前記ビームの円偏光成分の画像データを演算する画像処理工程と、を含むことを特徴とするシリコン基板の検査方法。円偏光出射工程は、前記シリコン基板に対して、前記ビームの光路のうち前記赤外線光源と同じ側における場合と逆側における場合の複数の工程を含むことを特徴とする請求項4に記載のシリコン基板の検査方法。被検査体はビーム反射材をその裏面に有するものであることを特徴とする請求項4に記載のシリコン基板の検査方法。シリコン基板のクラックを可視化するためには,第二の直線偏光フィルタの偏光方向を調整すれば良いが,その方向はシリコン基板の結晶面方位に依存する。このため,クラック部で発生した乱反射光のみを透過させるためには,結晶面方位に合わせてその都度,第二の直線偏光フィルタの偏光方向を調整し、乱反射光以外を遮光する必要がある。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、シリコン基板の内部に存在するクラック等の欠陥を正確に検出可能とする、シリコン基板の検査装置および検査方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、被検査体であるシリコン基板へ向けて赤外照明光を供給する赤外線光源と、前記赤外線光源と前記シリコン基板との間のビームの光路中に設けられ,前記赤外照明光のうち円偏光成分を射出する円偏光フィルタと、前記シリコン基板から反射したビームを,前記円偏光フィルタを介して撮像する撮像手段と、前記撮像手段から入力された画像データを演算する画像処理手段と、を有することを特徴とする。赤外線光源とシリコン基板との間のビームの光路中に円偏光フィルタを設置し、シリコン基板に対して照射した円偏光の反射光を,再度円偏光フィルタを介して撮像することにより、クラックが存在しない箇所の正反射光は円偏光フィルタを透過せず、クラックでの乱反射によって生じる無偏光は円偏光フィルタを透過することを利用して、クラック等の欠陥の有無を正確に検出可能となる。実施の形態1.本発明の実施の形態1の模式図を図1、2、3、4に示す。図2、3は、欠陥がない箇所を撮像した状態であり、図4は、クラックなどの欠陥がある箇所を撮像した状態である。以下、図に従って説明を行う。図2において、光源1は、赤外線照明光を供給する赤外線光源であり、ハロゲンランプなどを用い、可視光をフィルタによってカットしたものである。この光源1からビーム以下単に照明光とも呼ぶ場合も同じ意味2が出射され、ビーム2は、この段階では無偏光となっている。このビーム2は、光源1とシリコンウエハ間に配設されたビームスプリッタ3を介して、シリコンウエハ6に照射され、また、このシリコンウエハ6の表面から反射したビームは、上記ビームスプリッタ3により、90度そのビームの進行方向を変えてカメラ7に撮像される。円偏光フィルタ4は、上記ビームスプリッタ3とシリコンウエハの間に配置され、光源1から出射された無偏光のビームは、この円偏光フィルタ4を透過することで円偏光したビームとなる。この円偏光フィルタ4を透過したことで円偏光したビーム5aは、被検査体であるシリコンウエハ6の表面で反射して上記ビーム5aとは偏光状態が異なる円偏光したビーム5bとなる。シリコンウエハ6から反射したビームはカメラ7により撮像される。このカメラ7から出力される画像情報は画像処理装置8に入力され、シリコンウエハ内に内在するクラック等の欠陥9が検出される。なお、シリコンウエハ内に内在するクラック等の欠陥から乱反射した乱反射光10は無偏光となっている。上述のように、光源1のから出射したビームは、円偏光フィルタ4を透過することにより円偏光したビーム5aとなる。円偏光したビーム5aはシリコンウエハ6に照射され、その一部はシリコンウエハ6の表面で正反射され円偏光したビーム5bとなる。なお、シリコンウエハ6の表面で正反射された円偏光したビームは、その反射前後で円偏光方向が逆となるため、円偏光したビーム5aと5bは方向が逆向きの円偏光となっている。円偏光フィルタ4に入射した円偏光したビーム5bは、その偏光方向がシリコンウエハ表面で逆となっているため、円偏光フィルタ4を透過することは出来ず、カメラ7には撮像されない。また、図3に示すように、シリコンウエハ6に照射された円偏光したビーム5aの一部は、シリコンウエハ6を透過する。透過したビームはカメラ7に入射されないため、撮像されない。一方、図4に示すように、クラック等の欠陥に照射された円偏光したビーム5aはクラック表面で乱反射され、その乱反射したビームの一部は無偏光10として円偏光フィルタ4に入射される。この乱反射したビームは無偏光であるため、円偏光フィルタ4を透過することが可能であり、カメラ7にて撮像される。以上より、シリコンウエハ6にクラック等の欠陥がない場合、円偏光フィルタ4を透過し円偏光したビーム5aはカメラに撮像されない。一方、シリコンウエハ6にクラック等が内在する場合、クラック表面での乱反射光は無偏光ビームとなるため、カメラで撮像することができる。そして、撮像画像内で輝度の高い箇所をクラック等の欠陥として検出する処理を画像処理装置8で行うことにより、容易に欠陥検出を行うことができる。なお,図2、3、4では,光源1とシリコンウエハの間にビームスプリッタ3を配置し、シリコンウエハからの反射光を90°折り曲げてカメラ7にて撮像したが、図1に示すように光源1をカメラの周囲に配置することでビームスプリッタ3を配置せずともシリコンウエハからの反射光をカメラ7にて撮像することが可能となる。実施の形態2.実施の形態1では、シリコンウエハ6に対して照射した照明の反射光を撮像することでクラック等の欠陥検出を実施したが、透過光を撮像することでもクラック等の欠陥検出をすることが可能である。本発明の実施の形態2の模式図を図5、6に示す。図5は、欠陥がない箇所を撮像した状態を示したものであり、図6は、クラックなどの欠陥がある箇所を撮像した状態を示したものである。以下、図に従って説明を行う。図5において、光源1は、赤外線照明であり、ハロゲンランプなどを用い、可視光をフィルタによってカットしたものである。この光源1からビーム照明光2が出射され、ビーム2は、この段階では無偏光となっている。このビーム2はシリコンウエハ6に照射され、このシリコンウエハ6を透過したビームはカメラ7に撮像される。円偏光フィルタ4これを第1の円偏光フィルタとも呼ぶは、上記光源1とシリコンウエハの間に配置され、光源1から出射された無偏光のビームは、この円偏光フィルタ4を透過することで円偏光したビームとなる。シリコンウエハ6を透過したビームは、シリコンウエハ6とカメラ7の間に配置され、円偏光フィルタ4とは偏光方向が逆である円偏光フィルタ11これを第2の円偏光フィルタとも呼ぶを通して、カメラ7により撮像される。このカメラ7から出力される画像情報は画像処理装置8に入力され、シリコンウエハ内に内在するクラック等の欠陥9が検出される。なお、図6に示すようにシリコンウエハ内に内在するクラック等の欠陥で乱反射した乱反射光10は無偏光となっている。上述のように、光源1のビームは、円偏光フィルタ4を透過することにより円偏光したビーム5aとなる。円偏光したビーム5aは、シリコンウエハ6に照射され、その一部はシリコンウエハ6を透過する。シリコンウエハ6を透過した透過光は、円偏光フィルタ11に入射するが、円偏光フィルタ4と円偏光フィルタ11は偏光方向が逆であるため、透過光である円偏光したビーム5aは、円偏光フィルタ11を透過することは出来ず、カメラ7には撮像されない。また、図6に示すように、クラック等の欠陥に照射された円偏光したビーム5aはクラック表面で乱反射され、その乱反射したビームの一部は無偏光ビーム10として円偏光フィルタ11に入射される。この乱反射したビームは無偏光であるため、円偏光フィルタ11を透過することが可能であり、カメラ7にて撮像される。以上より、シリコンウエハ6にクラック等の欠陥がない場合、円偏光フィルタ4を透過した円偏光したビーム5aはカメラに撮像されず、一方、シリコンウエハ6にクラック等が内在する場合、クラック表面で乱反射したビームは無偏光となるため、カメラで撮像することができる。そして、撮像画像内で輝度の高い箇所をクラック等の欠陥として検出する処理を画像処理装置8で行うことにより、容易に欠陥検出を行うことができる。実施の形態3.実施の形態1では、シリコンウエハの裏面でのビームの反射はないことを想定したが、シリコンウエハによっては、裏面側に銀やアルミ、バックフィルム等の反射材が設置されることがある。このような場合には、シリコンウエハの裏面側の反射材によるビームの反射を考慮する必要がある。本発明の実施の形態3の模式図を図7、8、9に示す。図7、8は、欠陥がない箇所を撮像した状態を示したものであり、図9は、クラックなどの欠陥がある箇所を撮像した状態を示したものである。以下、図に従って説明を行う。図7において、光源1は、赤外線照明であり、ハロゲンランプなどを用い、可視光をフィルタによってカットしたものである。この光源1からビーム照明光2が出射され、ビーム2は、この段階では無偏光となっている。このビーム2は、光源1とシリコンウエハ間に配設されたビームスプリッタ3を介して、シリコンウエハ6に照射され、また、このシリコンウエハ6の表面もしくはシリコンウエハ6の裏面側に配置した反射材12から反射したビームは、上記ビームスプリッタ3により、90度そのビームの進行方向を変えてカメラ7に撮像される。円偏光フィルタ4は、上記ビームスプリッタ3とシリコンウエハの間に配置され、光源1から出射された無偏光のビームは、この円偏光フィルタ4を透過することで円偏光したビームとなる。この円偏光フィルタ4を透過したことで円偏光したビーム5aは、被検査体であるシリコンウエハ6の表面もしくはシリコンウエハ6の裏面側に配置した反射材12で反射して上記ビーム5aとは偏光状態が異なる円偏光したビーム5bとなる。シリコンウエハ6の表面もしくはシリコンウエハ6の裏面側に配置した反射材12から反射したビームはカメラ7により撮像される。反射材12は、銀やアルミ、バックフィルム等である。このカメラ7から出力される画像情報は画像処理装置8に入力され、シリコンウエハ内に内在するクラック等の欠陥9が検出される。なお、シリコンウエハ内に内在するクラック等の欠陥から乱反射した乱反射光10は無偏光となっている。図7に示すように、光源1から出射したビームは、円偏光フィルタ4を透過することにより円偏光したビーム5aとなる。円偏光したビーム5aは、シリコンウエハ6に照射され、その一部はシリコンウエハ6の表面で正反射され円偏光したビーム5bとなる。表面で正反射され円偏光したビーム5bは、その反射前後で円偏光方向が逆となる。つまり、円偏光したビーム5aと5bは方向が逆向きの円偏光である。円偏光フィルタ4に入射した円偏光したビーム5bは、その偏光方向がシリコンウエハ表面で円偏光したビーム5aとは偏光方向が逆となっているため、円偏光フィルタ4を透過することは出来ず、カメラ7には撮像されない。次に、図8に示す場合について説明する。この場合には、シリコンウエハ6に照射された円偏光したビーム5aの一部は、シリコンウエハ6を透過し、シリコンウエハの裏面側の反射材12で正反射され、円偏光したビーム5bとなる。図7の場合と同様に、反射材12の表面で正反射された円偏光は、その反射前後で円偏光方向が逆となる。つまり、円偏光したビーム5aと円偏光したビーム5bは、方向が逆向きの円偏光となっている。円偏光フィルタ4に入射した円偏光したビーム5bは、その偏光方向がシリコンウエハ裏面で逆となっているため、円偏光フィルタ4を透過することは出来ず、カメラ7には撮像されない。一方、図9に示すように、クラック等の欠陥に照射された円偏光したビーム5aは、クラック表面で乱反射され、その乱反射したビームの一部は無偏光10として円偏光フィルタ4に入射される。この乱反射したビームは無偏光であるため、円偏光フィルタ4を透過することが可能であり、カメラ7にて撮像される。以上より、シリコンウエハ6にクラック等の欠陥がない場合、円偏光フィルタ4を透過し円偏光したビーム5aはカメラに撮像されない。一方、シリコンウエハ6にクラック等が内在する場合、クラック表面での乱反射光は無偏光ビームとなるため、カメラで撮像することができる。そして、撮像画像内で輝度の高い箇所をクラック等の欠陥として検出する処理を画像処理装置8で行うことにより、容易に欠陥検出を行うことができる。なお,図7、8、9では,光源1とシリコンウエハの間にビームスプリッタ3を配置し、シリコンウエハおよび反射材12からの反射光を90°折り曲げてカメラ7にて撮像したが、図1と同様に光源1をカメラの周囲に配置することでビームスプリッタ3を配置せずともシリコンウエハからの反射光をカメラ7にて撮像することが可能となる。"