"第1電荷蓄積層を備え、結像光学系の第1瞳領域を通過する光束を受光する撮像画素と、第2電荷蓄積層を備え、前記結像光学系の第2瞳領域を通過する光束を受光する焦点検出用画素と、を有し、前記第1瞳領域は前記第2瞳領域よりも大きく、かつ、前記第1瞳領域の重心位置と前記第2瞳領域の重心位置とが異なるように、開口部を有する遮光層が前記焦点検出用画素に構成された撮像素子であって、前記第1電荷蓄積層の静電容量と前記第2電荷蓄積層の静電容量の比が、前記結像光学系の絞り値、射出瞳距離の少なくとも一方の変化に応じて変化する、前記撮像画素の受光効率と前記焦点検出用画素の受光効率の比の最も1に近い値もしくは平均値に従って決定された値を有することを特徴とする撮像素子。さらに、前記第1電荷蓄積層の静電容量と前記第2電荷蓄積層の静電容量の比が、前記撮像素子の像高に応じて決定されることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。前記第1電荷蓄積層の静電容量が、前記第2電荷蓄積層の静電容量より大きいことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の撮像素子。前記第2電荷蓄積層が、複数の電荷蓄積層と、前記複数の電荷蓄積層の合成静電容量を調整する1つ以上のゲート電極から構成され、前記第1電荷蓄積層の静電容量と前記第2電荷蓄積層の合成静電容量の比が、前記結像光学系の絞り値、射出瞳距離の一方の可変範囲において、前記ゲート電極の制御によって実現可能な前記合成静電容量の組み合わせ数に等しい種類の値を有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の撮像素子。請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の撮像素子を備えたことを特徴とする撮像装置。特許文献1における焦点検出用画素は、撮像レンズの射出瞳を通過した光束の一部を、撮像素子中に形成された遮光層で遮ることで瞳分割を行っている。遮光層は撮像画素には影響しないため、撮像画素の透過率の方が焦点検出用画素の透過率より高く、受光効率が良い。従って、撮像画素と焦点検出用画素の飽和容量に差異が生じてしまう。この差異に対応するため、撮像画素と焦点検出用画素にそれぞれ形成されるソースフォロワ回路のフローティングディフージョンの静電容量を異ならせることが考えられる。しかしながら、瞳強度が分布する領域瞳領域の重心位置は、焦点検出用画素と撮像画素とで異なる。そのため、焦点検出用画素と撮像画素の受光効率比は一定でなく、撮像光学系の設定変化絞り値や、射出瞳距離射出瞳から結像面までの距離などに応じて大きく変化する。従って、フローティングディフュージョンの静電容量を画素の種類によって異ならせるだけでは、撮像画素と焦点検出用画素の飽和容量の差異を十分抑制できない。本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされたものであり、撮像画素と焦点検出用画素とを有する撮像素子において、撮像画素と焦点検出用画素との飽和容量の差異を抑制することを目的とする。上述の目的は、第1電荷蓄積層を備え、結像光学系の第1瞳領域を通過する光束を受光する撮像画素と、第2電荷蓄積層を備え、結像光学系の第2瞳領域を通過する光束を受光する焦点検出用画素と、を有し、第1瞳領域は第2瞳領域よりも大きく、かつ、第1瞳領域の重心位置と第2瞳領域の重心位置とが異なるように、開口部を有する遮光層が焦点検出用画素に構成された撮像素子であって、第1電荷蓄積層の静電容量と第2電荷蓄積層の静電容量の比が、結像光学系の絞り値、射出瞳距離の少なくとも一方の変化に応じて変化する、撮像画素の受光効率と焦点検出用画素の受光効率の比の最も1に近い値もしくは平均値に従って決定された値を有することを特徴とする撮像素子によって達成される。このような構成により、本願発明によれば、撮像画素と焦点検出用画素とを有する撮像素子において、撮像画素と焦点検出用画素との飽和容量の差異を抑制することができる。以下、図面を参照して、本発明の例示的な実施形態を詳細に説明する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態に係る撮像素子を用いた撮像装置の一例としてのデジタルスチルカメラ100以下、単にカメラ100というの機能構成例を示す図である。第1レンズ群101は撮像光学系結像光学系の先端に配置され、光軸に沿って前後に移動可能に保持される。シャッタ102は、静止画撮像時の露光時間を制御するためのシャッタとしてだけでなく、開口径を調節することで撮像時の光量調節を行なう絞りとしても機能する。シャッタ102の背面撮像素子側に配置された第2レンズ群103は、シャッタ102と一体となって光軸に沿って前後に可能であり、第1レンズ群101とともにズーム機能を実現する。第3レンズ群105はフォーカスレンズであり、光軸に沿って前後に移動可能である。光学ローパスフィルタ106は、撮像素子107の前方に配置され、撮像画像に発生する偽色やモアレを軽減する。撮像素子107は2次元CMOSイメージセンサとその周辺回路で構成される。本実施形態において、撮像素子107は、横方向にm個、縦方向にn個の複数の受光素子画素が2次元配列され、受光素子にベイヤー配列の原色カラーモザイクフィルタが形成された、2次元単板カラーイメージセンサである。カラーフィルタは受光素子に入射する透過光の波長を画素単位で制限する。ズームアクチュエータ111は、ズーム駆動回路129の制御に従い、不図示のカム筒を回動して第1レンズ群101と第3レンズ群105の少なくとも一方を光軸に沿って駆動して、ズーム変倍機能を実現する。シャッタアクチュエータ112は、シャッタ駆動回路128の制御に従い、シャッタ102開口径を制御して撮像光量を調節すると共に、静止画撮像時の露光時間を制御する。フォーカスアクチュエータ114は、フォーカス駆動回路126の制御に従い、第3レンズ群105を光軸に沿って駆動する。フラッシュ115は、好ましくはキセノン管を用いた閃光照明装置であるが、連続発光するLEDを備えた照明装置であってもよい。AF補助光出力部116は、所定の開口パターンを有するマスクの像を投稿レンズを介して被写界に投影し、低輝度の被写体や低コントラストの被写体に対する焦点検出能力を向上させる。CPU121は、カメラ100全体の動作を制御し、図示しない演算部、ROM、RAM、A/Dコンバータ、D/Aコンバータ、通信インターフェイス回路等を有する。CPU121は、ROMに記憶されたプログラムを実行して、カメラ100が有する各種回路を制御し、AF、AE、画像処理、記録等、カメラ100の機能を実現する。フラッシュ制御回路122は、撮像動作に同期してフラッシュ115を点灯制御する。補助光駆動制御回路123は、焦点検出動作時にAF補助光出力部116を点灯制御する。撮像素子駆動回路124は、撮像素子107の動作を制御するとともに、撮像素子107から読み出した画像信号をA/D変換してCPU121に出力する。画像処理回路125は、画像信号に対してγ変換、色補間、JPEG符号化などの画像処理を適用する。フォーカス駆動回路126は、焦点検出結果に基づいてフォーカスアクチュエータ114を駆動することにより第3レンズ群105を光軸に沿って移動させ、焦点調節を行なう。シャッタ駆動回路128は、シャッタアクチュエータ112を駆動してシャッタ102の開口径及び開閉タイミングを制御する。ズーム駆動回路129は、例えば操作スイッチ群132に含まれるズーム操作スイッチの押下によって撮像者から入力されるズーム操作に応じてズームアクチュエータ111を駆動する。表示器131はLCD等であり、カメラ100の撮像モードに関する情報、撮像前のプレビュー画像と撮像後の確認用画像、焦点検出時の合焦状態の情報等を表示する。操作スイッチ群132は、電源スイッチ、レリーズ撮像トリガスイッチ、ズーム操作スイッチ、撮像モード選択スイッチ等を含む。記録媒体133は例えば着脱可能な半導体メモリカードであり、撮像画像を記録する。撮像素子の画素配列図2は、本実施形態における撮像素子107の画素配列の一例を、12列×12行画素の範囲で示す図である。同様のパターンで画素が撮像素子107の撮像画面に配置される。本実施形態では、撮像素子107の撮像画面サイズが横22.3mm×縦14.9mmであり、画素ピッチ4μm、有効画素数が横5575列×縦3725行=約2000万画素であるものとする。図2に示すように、撮像素子107の画素は、2行×2列の撮像画素群210と、2行×2列の焦点検出用画素群220から構成される。撮像画素群210は、対角2画素に配置された、G緑の分光感度を有する撮像画素210Gと、他の2画素に1つずつ配置されたR赤の分光感度を有する撮像画素210RとB青の分光感度を有する撮像画素210Bとからなる。また、焦点検出用画素群220は、対角2画素配置された、Gの分光感度を有する撮像画素220Gと、他の2画素に配置された焦点検出用画素220SAと焦点検出用画素220SBとからなる。後述するように、本実施形態において焦点検出用画素220SAと焦点検出用画素220SBはG緑の分光感度を有する。焦点検出用画素220SAを、撮像素子107の受光面側z側から見た平面図を図3aに、図3aのa-a断面を-y側から見た断面図を図3bに示す。また、焦点検出用画素220SBを、撮像素子の受光面側z側から見た平面図を図4aに、図4aのb-b断面を-y側から見た断面図を図4bに示す。さらに、図2に示した撮像素子の1つの撮像画素220Gを、撮像素子の受光面側z側から見た平面図を図5aに示し、図5aのc-c断面を-y側から見た断面図を図5bに示す。なお、便宜上、図3b、図4b及び図5bには、転送ゲート304とnフローティングディフュージョンn型電荷蓄積層303a、303b、及び303を図示していない。図3bに示すように、焦点検出用画素220SAには、p型層300とn型層301の間にn-イントリンシック層302を挟んだpin構造のフォトダイオード光電変換部PDが形成される。焦点検出用画素220SAの光電変換部PDの領域は、図3のn-イントリンシック層302に形成される空乏層と、その周辺の、少数キャリアの拡散距離だけ拡がった領域であり、概ね、n-イントリンシック層302とn型層301を合わせた領域に等しい。必要に応じて、n-イントリンシック層302を省略し、pn接合フォトダイオードとしても良い。焦点検出用画素220SBや撮像画素220G、210R、210G、210Bでも同様である。図3b、図4b及び図5bに示すように、本実施形態における各画素の受光側には、入射光を集光するためのマイクロレンズ305が形成される。また、光電変換部PDよりマイクロレンズ305側に、受光波長を選択して色分離を行うためのカラーフィルタ306が形成されている。上述の通り、本実施形態では、焦点検出用画素220SA、焦点検出用画素220SB、撮像画素220Gには、Gカラーフィルタが形成される。同様に、撮像画素210RではRカラーフィルタ、撮像画素210GではGカラーフィルタ、撮像画素210BではBカラーフィルタが形成される。必要に応じて、他の色のカラーフィルタを形成しても良い。また、カラーフィルタを形成せず、W白画素としても良い。図3に示した焦点検出用画素220SAでは、瞳分割のために、マイクロレンズ305と光電変換部PDとの間に、開口部310a’を有する遮光層310aが形成される。光電変換部PDの受光面の重心に対して、遮光層310aの開口部310a’の重心が-x方向に偏心して構成される。図3aに破線で遮光層310aの開口部310a’を示す。一方、図4の焦点検出用画素220SBでは、瞳分割のために、マイクロレンズ305と光電変換部PDとの間に、開口部310b’を有する遮光層310bが形成される。そして、光電変換部の受光面の重心に対して、遮光層310bの開口部310b’の重心がx方向に偏心して構成される。図4aに破線で遮光層310bの開口部310b’を示す。なお、第1の実施形態では、開口部310a’、310b’を有する遮光層310a、310bが配線層を兼ねているが、配線層と遮光層を別々に形成しても良い。また、図3a及び図4aに示すように、焦点検出用画素220SAと焦点検出用画素220SBでは、それぞれ、第2電荷蓄積層であるn型電荷蓄積層303aと303bが、転送ゲート304を介して、光電変換部PDと接続されている。同様に、図5aに示すように、撮像画素220Gでは、光電変換部PDは転送ゲート304を介して、第1電荷蓄積層であるn型電荷蓄積層303と接続されている。図5に示した撮像画素220Gに入射した光は、マイクロレンズ305により集光され、光電変換部PDで受光される。光電変換部PDでは、受光量に応じて電子とホールが対生成し、空乏層で分離された後、負電荷の電子はn型層301に蓄積され、一方、正電荷のホールは定電圧源不図示に接続されたp型層300を通じて撮像素子外部へ排出される。一方、図3、図4に示した焦点検出用画素220SA、220SBに入射した光は、マイクロレンズ305により集光され、集光された光の一部が、遮光層310a、310bの開口部を通過し、光電変換部PDで受光される。したがって、撮像画素220Gの光透過率の方が焦点検出用画素220SA、220SBの光透過率より高く、すなわち受光効率が良い。よって、カラーフィルタの分光透過率が同一で、等しい光量が入射する場合、撮像画素220Gで生成される電荷QIMGの方が、焦点検出用画素220SA、220SBで生成される電荷QAFよりも多い。各画素の蓄積動作制御について説明する。図5に示した撮像画素220Gの概略回路図を図6に示す。図6で図5と同じ構成要素には同じ参照数字を付してある。300はp型層、301はn型層、302はn-イントリンシック層、303はn型電荷蓄積層、304は転送ゲート、TsfはソースフォロワMOSトランジスタである。また、Vdd、VssVdd>Vssは電源電圧であり、φTは転送ゲート電圧、φRはリセットゲート電圧、φSは画素の選択ゲート電圧、φLはライン選択ゲート電圧である。まず、各画素の光電変換部PDをリセットするために、全行の転送ゲート電圧φTとリセットゲート電圧φRを同時にONにする。転送ゲート電圧φTとリセットゲート電圧φRを同時にOFFした瞬間から、蓄積動作が始まり、光電変換部PDの受光量に応じてn型層301に電荷が蓄積される。所望の時間だけ蓄積を行った後、全行の転送ゲート電圧φTをONにし、再びOFFにすることで、各画素の信号電荷が、一斉に、各画素のn型層301からn型電荷蓄積層303に転送される。次に、行ごとに選択ゲート電圧φSpをON/OFFさせることにより、n型電荷蓄積層303に転送された信号電荷が行ごとに順次読み出される。また、ライン選択ゲート電圧φLnのON/OFFにより、読み出す列を順次選択してすることができる。焦点検出用画素220SA,220SBの蓄積動作制御は、上述の説明におけるn型電荷蓄積層303をそれぞれ303a,303bと読み替えればよい。撮像画素220Gのn型層301に蓄積された電荷QIMGは、転送ゲート304の制御により、n型電荷蓄積層303に転送され、ソースフォロワ回路により増幅され、電圧信号VIMGに変換される。同様に、焦点検出用画素220SA、220SBのn型層301に蓄積された電荷QAFは、転送ゲート304の制御により、n型電荷蓄積層303a、303bに転送され、ソースフォロワ回路により増幅され、電圧信号VAFに変換される。図7を参照して、画素の遮光層310a310bの開口部310a’310b’と、瞳分割との対応関係について説明する。図7a及び図7bは、それぞれ図3b及び図4b焦点検出用画素220SA及び220SBの断面図と、結像光学系の射出瞳面との関係を示している。また、撮像画素220Gの垂直断面図と、結像光学系の射出瞳面との関係を図7cに示す。なお、図7では、射出瞳面の座標軸との対応を取るため、断面図のx軸とy軸を図3、図4、図5と反転させている。図7の射出瞳面には、結像光学系の射出瞳400、撮像画素220Gの瞳強度分布範囲500、焦点検出用画素220SAの瞳強度分布範囲511、焦点検出用画素220SBの瞳強度分布範囲521を示している。被写体からの光束は、結像光学系の射出瞳400を通過してそれぞれの画素に入射する。図7cで、撮像画素220Gの瞳強度分布範囲500は、光電変換部PDの受光面と、マイクロレンズによって概ね共役関係になっており、撮像画素220Gで受光可能な瞳領域第1瞳領域を表している。瞳距離が数10mmであるのに対し、マイクロレンズの直径は数μmである。そのため、マイクロレンズの絞り値が数万となり、数10mmレベルの回折ボケが生じる。よって、光電変換部PDの受光面の像は、明瞭な領域とならずに、受光率分布範囲となる。撮像画素220Gの瞳強度分布範囲500は、射出瞳400を通過した光束をより多く受光できるように、受光領域を可能な限り大きくし、また、撮像画素220Gの瞳強度分布範囲500の重心が、光軸と概ね一致するように構成されている。図7aで、焦点検出用画素220SAの瞳強度分布範囲511は、遮光層310aの重心が-x方向に偏心している開口部と、マイクロレンズによって概ね共役関係になっており、焦点検出用画素220SAで受光可能な瞳領域を表している。焦点検出用画素220SAの瞳強度分布範囲511は、撮像画素220Gの瞳強度分布範囲500よりも受光領域が狭く、射出瞳面上でX側に重心が偏心している。一方、図7bで、焦点検出用画素220SBの瞳強度分布範囲521は、遮光層310bの重心がx方向に偏心している開口部と、マイクロレンズによって概ね共役関係になっており、焦点検出用画素220SBで受光可能な瞳領域を表している。焦点検出用画素220SBの瞳強度分布範囲521は、撮像画素220Gの瞳強度分布範囲500よりも受光領域が狭く、焦点検出用画素220SAとは反対に、瞳面上でーX側に重心が偏心している。焦点検出用画素220SA、220SBに対応する結像光学系の瞳領域をまとめて第2瞳領域とよぶ。図8aに、焦点検出用画素220SAの瞳強度分布範囲511、焦点検出用画素220SBの瞳強度分布範囲521、撮像画素220Gの瞳強度分布範囲500の関係を示す。また、図8bに、射出瞳面のX軸に沿った瞳強度分布範囲の例を、焦点検出用画素220SAについて破線で、焦点検出用画素220SBについて一点鎖線で、撮像素子について実線でそれぞれ示す。焦点検出用画素220SAの瞳強度分布範囲と焦点検出用画素220SBの瞳強度分布範囲は、それぞれ、射出瞳をX軸方向に分割していることがわかる。同様にして、遮光層310a310bの開口部の重心をy軸方向に偏心させると、射出瞳をY軸方向に分割することができる。図2に示したように、焦点検出用画素220SAをx軸方向に規則的に配列し、これら焦点検出用画素220SA群から取得した被写体像をA像とする。同様に、焦点検出用画素220SBをx軸方向に規則的に配列し、これら焦点検出用画素220SB群から取得した被写体像をB像とする。A像とB像の像ずれ量相対位置を検出することで、x軸方向に輝度分布を有する被写体像のデフォーカス量合焦ずれ量を検出することができる。図7aの焦点検出用画素220SAの結像光学系の射出瞳400より内側の瞳強度分布範囲511の重心をCAとし、図7bの焦点検出用画素220SBの結像光学系の射出瞳400より内側の瞳強度分布範囲521の重心をCBとする。基線長は、2つの重心間隔CA―CBで定義される。基線長の絶対値が大きいほど、デフォーカス量に対するA像とB像の像ずれ量が大きくなり、焦点検出精度が向上する。[n型電荷蓄積層の静電容量の決定方法]第1の実施形態では、焦点検出用画素220SA、焦点検出用画素220SBにも撮像画素220Gと同じGカラーフィルタが形成されており、カラーフィルタの分光透過率に差はない。そして、撮像画素220Gの瞳領域の方が、焦点検出用画素220SA,220SBの瞳領域より大きい。従って、等しい光量が入射する場合、撮像画素220Gで生成される電荷QIMGの方が、焦点検出用画素220SA、220SBで生成される電荷QAFよりも多い。ここで、撮像画素220Gのn型電荷蓄積層303の静電容量CIMGと、焦点検出用画素220SA、220SBのn型電荷蓄積層303a,303bの静電容量CAFが同じとする。この場合、撮像画素220Gのn型電荷蓄積層303の方が早く飽和することになり、撮像画素220Gと焦点検出用画素220SA、220SBの飽和容量に差異が生じてしまう。撮像画素と焦点検出用画素の飽和容量を同一にするための条件は、以下の式1となる。式1から、撮像画素220Gの受光効率をηIMG、焦点検出用画素220SA、220SBの受光効率をηAFとして、以下の式2の関係式が得られる。よって、撮像画素220Gと焦点検出用画素220SA、220SBの飽和容量の差異を抑制するためには、a焦点検出用画素220SA、220SBのn型電荷蓄積層303a,303bの静電容量を撮像画素220Gのn型電荷蓄積層303の静電容量で割った静電容量比QIMG/QIMGb焦点検出用画素220SA、220SBの受光効率を撮像画素220Gの受光効率で割った受光効率比ηAF/ηIMGが、概ね等しくなるように構成すれば良い。したがって、本実施形態では、撮像画素220Gのn型電荷蓄積層303の静電容量CIMGと、焦点検出用画素220SA、220SBのn型電荷蓄積層303a、303bの静電容量CAFとを異ならせる。これにより、撮像画素220Gと焦点検出用画素220SA、220SBの飽和容量の差異を抑制することができる。具体的には、第1の実施形態では、撮像画素220Gのn型電荷蓄積層303の静電容量CIMGが、焦点検出用画素220SA、220SBのn型電荷蓄積層303a、303bの静電容量CAFより大きくなるように構成される。しかしながら、第1の実施形態では、位相差方式の焦点検出を行うために、撮像画素220Gの瞳強度分布領域瞳領域の重心位置が、焦点検出用画素220SA、220SBの瞳領域の重心位置と異なっている。そして、瞳領域の重心位置が異なることにより起因して、結像光学系の絞り値Fや射出瞳距離、像高の変化に伴い、焦点検出用画素220SA、220SBと撮像画素220Gとの受光効率比ηAF/ηIMGが大きく変化してしまう。センサ中央からの像高が5mm近傍での、絞り値Fと、焦点検出用画素220SA、220SBと撮像画素220Gの受光効率比ηAF/ηIMGとの関係の具体例を図9から図11に示す。横軸は絞り値F、縦軸は受光効率比ηAF/ηIMGであり、焦点検出用画素220SAA像の焦点検出用画素と撮像画素220Gの受光効率比を実線で、焦点検出用画素220SBB像の焦点検出用画素と撮像画素220Gの受光効率比を破線で示す。図9は結像光学系の射出瞳距離が50mmの場合、図10は結像光学系の射出瞳距離が100mmの場合、図11は結像光学系の射出瞳距離が200mmの場合である。図9から、絞り値Fの変化に対して、焦点検出用画素220SBと撮像画素220Gの受光効率比が、約0.3から約0.8まで大きく変化することがわかる。さらに、図9から図11より、結像光学系の射出瞳距離の変化に対して、焦点検出用画素220SBと撮像画素220Gの受光効率比が約0.2から約0.8の範囲で大きく変化することがわかる。さらに、図9と図11から、射出瞳距離の大小によって、焦点検出用画素220SAと撮像画素220Gの受光効率比と、焦点検出用画素220SBと撮像画素220Gの受光効率比とで、絞り値Fに対する変化の傾向が逆転することがわかる。焦点検出用画素220SA/220SBと撮像画素220Gとの受光効率比が、最も0に近い値最小値を基準にして、n型電荷蓄積層303と、n型電荷蓄積層303a,303bとの静電容量の比を、上述の式2に従って決定することを考える。この場合、結像光学系の絞り値Fや射出瞳距離の変化に伴い受光効率比が増加すると、撮像画素220Gより焦点検出用画素220SA、220SBの方が早く飽和してしまう過補正が生じる。過補正が大きい場合、撮像画素220Gと焦点検出用画素220SA、220SBの飽和容量の差異がより大きくなってしまう可能性がある。したがって、結像光学系の絞り値Fと、射出瞳距離の予め定めた範囲内における焦点検出用画素220SA、220SBと撮像画素220Gとの受光効率比のうち、最も1に近い値最大値を求める。そして、この受光効率比と式2に従って、n型電荷蓄積層303の静電容量CIMGと、n型電荷蓄積層303a,303bの静電容量CAFの比を決定する。これにより、受光効率比が変化した場合の飽和容量の過補正を回避することができる。次に、結像光学系の射出瞳距離が200mmの場合の、センサ中央からの像高が10mm近傍での、焦点検出用画素220SA、220SBと撮像画素220Gの受光効率比と絞り値との関係の具体例を図12に示す。横軸は絞り値、縦軸は受光効率比であり、焦点検出用画素220SAA像の焦点検出用画素と撮像画素220Gの受光効率比を実線で、焦点検出用画素220SBB像の焦点検出用画素と撮像画素220Gの受光効率比を破線で示す。よって、図11と図12とから、センサ像高のみが変化した場合の比較が可能である。図11と図12の比較からわかるように、センサ像高の変化によっても、焦点検出用画素と撮像画素の受光効率比ηAF/ηIMGが大きく変化する。結像光学系の予定結像面のセンサ像高に応じて、n型電荷蓄積層303の静電容量CIMGと、n型電荷蓄積層303a,303bの静電容量CAFの比を決定することで、像高による受光効率比の変化にも対応できる。具体的には、センサ像高ごとに、絞り値と射出瞳距離とを予め定めた範囲内で変化させた場合の受光効率比のうち、最も1に近いものに従って、静電容量比を決定すればよい。センサ像高についてどの程度の間隔で静電容量比を変化させるかは、適宜定めることができる。等間隔であってもよいし、像高の大きさによって間隔を変えてもよい。静電容量比から、具体的な容量の値を決定する方法に制限はない。ただし、焦点検出用画素のn型電荷蓄積層303a、303bの静電容量を小さくし、感度を上げることで、低照度領域での焦点検出用画素のS/Nを改善し、焦点検出精度を向上させることができる。以上説明したように、本実施形態によれば、撮像画素の電荷蓄積層の静電容量と、焦点検出用画素の電荷蓄積層の静電容量の比を、少なくとも絞り値と射出瞳距離の変化による受光効率比の変化を考慮して決定する。これにより、撮像画素と焦点検出用画素の受光効率の差による飽和容量の差を良好に抑制することができる。さらに、この静電容量の比を、像高に応じて決定することで、より精度のよい抑制効果が得られる。第2の実施形態第1の実施形態では、図2の焦点検出用画素220SA、220SBにも撮像画素220Gと同様にGカラーフィルタを形成した。これに対し、第2の実施形態では、焦点検出用画素220SA、220SBにはカラーフィルタを形成せずにW白画素とする。第2の実施形態での焦点検出用画素220SAを、撮像素子の受光面側z側から見た平面図を図13aに示し、図13aのa-a断面を-y側から見た断面図を図13bに示す。本実施形態の焦点検出用画素220SAでは、カラーフィルタが形成されないため、受光効率を向上することができる。なお、焦点検出用画素220SBの構造も、遮光層310aの開口位置が異なることを除き、焦点検出用画素220SAと同様である。本実施形態では、撮像画素220GにはGカラーフィルタが形成される一方、焦点検出用画素220SA、220SBにはカラーフィルタは形成されない。そのため、焦点検出用画素220SA、220SBの方が光透過率が良い。そのため、瞳領域は撮像画素220Gの方が大きいが、同じ入射光量に対して生成される電荷量は焦点検出用画素220SA、220SBの方が多くなることがある。したがって、本実施形態では、撮像画素220Gのn型電荷蓄積層303の静電容量CIMGが、焦点検出用画素220SA、220SBのn型電荷蓄積層303a、303bの静電容量CAFより小さくなるように構成される。本実施形態では、結像光学系の絞り値Fや射出瞳距離の変化に伴い、焦点検出用画素と撮像画素の受光効率比が1以上にも1以下にもなる。よって、第1の実施形態における最も1に近い受光効率比に換えて、焦点検出用画素と撮像画素の受光効率比の平均値を用いることができる。この点を除き、第1の実施形態と同様にして静電容量比CAF/CIMGを決定することができる。本実施形態によれば、第1の実施形態の効果に加え、焦点検出用画素の受光効率が高くなるため、焦点検出用画素のS/Nが向上し、結果として焦点検出精度を向上させることができる。第3の実施形態第3の実施形態に係る撮像画素220Gの概略回路図を図14に示す。図14において、図6と同じ構成要素には同じ参照数字を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の撮像画素220Gは、n型電荷蓄積層303が、静電容量調整ゲート308を介して、付加的なn型電荷蓄積層307と接続されていることを特徴とする。そのため、本実施形態のソースフォロワ回路の実効的な電荷蓄積層は、n型電荷蓄積層303と付加的なn型電荷蓄積層307付加的電荷蓄積層を合成したものとなる。静電容量調整ゲート電圧φFをOFFにするとn型電荷蓄積層303のみが有効となるため電荷蓄積層全体の合成静電容量が小さくなる。一方、静電容量調整ゲート電圧φFをONにすると、n型電荷蓄積層307も有効となるため、電荷蓄積層の合成静電容量が大きくなる。図14に示した画素の構成は、同様に、焦点検出用画素220SA、220SBにも適用可能である。この場合、n型電荷蓄積層303がn型電荷蓄積層303a、303bとなる。このように、本実施形態の撮像画素220G、焦点検出用画素220SA、220SBは、n型電荷蓄積層が、複数のn型電荷蓄積層303/303a/303b及び307と、静電容量を可変させるゲート電極静電容量調整ゲート308から構成される。そして、この構成により、n型電荷蓄積層の静電容量を可変としたことを特徴とする。なお、小画素化に対応する観点から、焦点検出用画素220SA、220SBの光電変換部の受光面積を、撮像画素220Gの光電変換部の受光面積より小さくし、焦点検出用画素220SA、220SBだけに図14の構成を適用することができる。つまり、撮像画素220Gには静電容量調整ゲート電極308とn型電荷蓄積層307を形成しないあるいは、付加的電荷蓄積層であるn型電荷蓄積層307を有効にしない。第1及び第2の実施形態では、撮像画素220Gと焦点検出用画素220SA、220SBとの電荷蓄積層の静電容量比を動的に変更することはできなかったが、本実施形態ではそれが可能となる。そのため、第1及び第2の実施形態において決定する静電容量比を、絞り値F、射出瞳距離、像高のいずれか、例えば絞り値Fに関して、静電容量調整ゲート電極308の制御によって実現可能な静電容量比の組み合わせ数に等しい種類、決定する。そして、決定した静電容量比を実現できるようにn型電荷蓄積層303、307それぞれの静電容量を決定し、図示しない制御回路により、絞り値Fの値に応じて静電容量調整ゲート電極308を制御する。例えば、焦点検出用画素220SA、220SBのみに図14の構成を適用した場合、実現可能な静電容量比CAF/CIMGは2通りである。第1の実施形態の方法を用いる場合、絞り値Fの可変範囲において、2通りの静電容量比を決定する。例えば、絞り値の第1の範囲と、第2の範囲のそれぞれにおいて最も1に近い受光効率比から、2通りの静電容量比を決定し、個々の静電容量比が実現できるように具体的なn型電荷蓄積層303、307の静電容量値を決定する。そして、実使用時の絞り値に応じて、静電容量調整ゲート電極308をON/OFFすることで、絞り値に応じた撮像画素220Gと焦点検出用画素220SA、220SBとの静電容量比を実現することができる。絞り値Fの代わりに射出瞳距離に応じて静電容量比を可変してもよい。なお、像高に応じて静電容量比を変える場合も、像高ごとに上述の方法で複数種の静電容量比を決定すればよい。ここでは、説明及び理解を容易にするため、静電容量調整ゲート電極308および付加的なn型電荷蓄積層307を1つずつ設けた例のみを説明したが、理論的にはそれぞれを2つ以上設け、よりきめ細かい制御が可能であることは容易に理解されよう。また、撮像画素220Gにおいても静電容量値を可変とし、より多くの静電容量比の組み合わせを実現することも可能である。また、本実施形態において、焦点検出用画素220SA、220SBにカラーフィルタを設けるかどうかは任意である。カラーフィルタを設けない場合には、第2の実施形態に記載した方法で静電容量比を決定すればよい。このように、本実施形態によれば、電荷蓄積層の容量を動的に可変可能とすることにより、第1又は第2の実施形態の効果に加え、撮像時の状況に応じて、撮像画素と焦点検出用画素の受光効率の差による飽和容量の差を一層良好に抑制することができる。"