"酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、式B1で表される酸発生剤と、式Iで表される化合物とを含有するレジスト組成物。[式I中、環W2は、炭素数4~18のラクトン環を表し、該ラクトン環に含まれる水素原子は、シアノ基、炭素数2~18のアシル基、炭素数2~18のアシルオキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基で置換されていてもよい。L1は、炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。環W1は、炭素数2~36の複素環を表し、該複素環に含まれる-CH2-は、-O-で置き換わっていてもよい。][式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基の-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]1請求項1記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を、露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来のレジスト組成物では、パターン形成時のフォーカスマージンDOF及び得られるパターンのラインエッジラフネスLERが必ずしも満足できない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、式B1で表される酸発生剤と、式Iで表される化合物とを含有するレジスト組成物。[式I中、環W2は、炭素数4~18のラクトン環を表し、該ラクトン環に含まれる水素原子は、シアノ基、炭素数2~18のアシル基、炭素数2~18のアシルオキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基で置換されていてもよい。L1は、炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。環W1は、炭素数2~36の複素環を表し、該複素環に含まれる-CH2-は、-O-で置き換わっていてもよい。][式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基の-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]21上記1記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を、露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明のレジスト組成物によれば、パターンを形成する際のフォーカスマージンDOFが広く、得られるパターンはラインエッジラフネスLERに優れる。本明細書では、特に断りのない限り、同様の置換基を有するいずれの化学構造式も、炭素数を適宜選択しながら、後述する具体的な各置換基を適用することができる。直鎖状、分岐状又は環状いずれかをとることができるものは、特記ない限りそのいずれをも含み、また、同一の基において、直鎖状、分岐状及び/又は環状の部分構造が混在していてもよい。立体異性体が存在する場合は、それらの立体異性体の全てを包含する。さらに、各置換基は、結合部位及び結合態様によって一価又は二価以上の置換基となり得る。さらに、メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種並びにアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。レジスト組成物本発明のレジスト組成物は、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、式B1で表される酸発生剤と、式Iで表される化合物とを含有する。樹脂以下樹脂Aという場合がある。樹脂Aは、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂である。酸の作用によりアルカリ可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂は、酸に不安定な基を有するモノマー以下酸に不安定な基を有するモノマーa1という場合があるを重合することによって製造することができる。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。酸に不安定な基を有するモノマーa1酸に不安定な基とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、-O-が第三級炭素原子と結合した式1で表されるアルコキシカルボニル基が挙げられる。以下、式1で表される基を酸に不安定な基1という場合がある。式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の飽和環状炭化水素基を表すか、或いはRa1及びRa2は互いに結合して炭素数3~20の環を形成する。は結合手を表す以下同じ。脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、1-メチルエチル基イソプロピル基、n-ブチル基、1,1-ジメチルエチル基tert-ブチル基、2,2-ジメチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1,2-ジメチルプロピル基、2,2-ジメチルプロピル基、1-エチルプロピル基、n-ペンチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、n-ヘキシル基、1-プロピルブチル基、ペンチル基、1-メチルペンチル基、1,4-ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、1-メチルヘプチル基、オクチル基等のアルキル基が挙げられる。飽和環状炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよい。例えば、シクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などの単環式の飽和環状炭化水素基が挙げられる。縮合した芳香族炭化水素基を水素化して得られる基例えば、ヒドロナフチル基、橋かけ環状炭化水素基例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基などの多環式の飽和環状炭化水素基が挙げられる。さらに下記のような、橋かけ環例えばノルボルナン環と単環例えばシクロヘプタン環、シクロヘキサン環又は多環例えば、デカヒドロナフタレン環とが縮合した基又は橋かけ環同士が縮合した基;これらが組み合わせられた基メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。ここで、芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。式1における飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数3~16である。Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合、-CRa1Ra2Ra3基としては、以下の基が挙げられる。環の炭素数は、好ましくは炭素数3~12である。酸に不安定な基1としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert-ブトキシカルボニル基、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸に不安定な基1と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基1を有するメタアクリル系モノマーである。酸に不安定な基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、炭素数5~20の飽和環状炭化水素基を有するものが好ましい。また、酸に不安定な基を有するモノマーa1の中でも、飽和環状炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。酸に不安定な基1と飽和環状炭化水素基とを有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー及び式a1-2で表されるモノマーが好ましい。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。[式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-を表す。k1は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の飽和環状炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0~3の整数を表す。]式a1-1及び式a1-2では、La1及びLa2は、好ましくは、-O-又は-O-CH2f1-CO-O-であり前記f1は、1~4の整数を表す、より好ましくは-O-である。k1は、好ましくは1~4の整数、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数6以下である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n2は、好ましくは0又は1である。式a1-1で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートが好ましく、2-メチルアダマンタン-2-イルメタクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタクリレートがより好ましい。式a1-2で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレートが好ましく、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタクリレートがより好ましい。樹脂Aが式a1-1で表されるモノマー及び/又は式a1-2で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、これらの合計含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルであり、さらに好ましくは30~60モルである。これらの合計含有量が上記の範囲内であると、得られるレジストパターンのラインエッジラフネスLERに優れる傾向があるため好ましい。酸に不安定な基1と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマーが挙げられる。式a1-3で表されるモノマーに由来する構造単位を有する樹脂は、嵩高い構造を有するので、レジストの解像度を向上させることができる。さらに式a1-3で表されるモノマーは、樹脂の主鎖に剛直なノルボルナン環を導入してレジストのドライエッチング耐性を向上させることができる。[式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基又は基-COORa13を表し、Ra13は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Ra10~Ra12は、それぞれ独立に、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の飽和環状炭化水素基を表すか、或いはRa10及びRa11は互いに結合して炭素数3~20の環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基等で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。]Ra9のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra13としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基、又は2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。Ra10~Ra12としては、例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。Ra10、Ra11及びこれらが結合する炭素が形成する環としては、例えば、飽和環状炭化水素基が挙げられ、具体的には、シクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。式a1-3で表されるモノマーとしては、例えば、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチルなどが挙げられる。樹脂Aが式a1-3で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。酸に不安定な基1と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーとしては、式a1-4で表されるモノマーが挙げられる。[式a1-4中、R10は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。R11は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上の整数である場合、複数のR11は同一であっても異なってもよい。R12及びR13はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるに含まれる水素原子はハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は-CO-、-O-、-S-、-SO2-又は-NRc-で置き換わっていてもよい。Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基であり、該脂肪族炭化水素基、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子はハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。]ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基、ペルヨードメチル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基、n-ヘキトキシ基等が挙げられる。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられ、式1中のRa1~Ra3で説明した基と同じものが挙げられる。R10及びR11のアルキル基としては、炭素数1~4が好ましく、炭素数1又は2がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R11のアルコキシ基としては、炭素数1又は2がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。R12及びR13の炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イル-1-アルキル基、イソボルニル基等が好ましい。Xa2及びYa3が有していてもよい置換基としては、好ましくはヒドロキシ基である。式a1-4で表されるモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aが式a1-4で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。その他の酸不安定モノマーさらに、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを分子内に有する他の構造単位を誘導するその他のモノマーを用いてもよい。このようなモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aがその他の酸不安定モノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常、10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。樹脂Aは、好ましくは、酸に不安定な基を有するモノマーa1と、酸に不安定な基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるとの共重合体である。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。樹脂Aが酸に不安定な基を有するモノマーa1と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位は、全構造単位に対して、好ましくは10~80モル、より好ましくは20~60モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に酸に不安定な基を有するモノマーa1-1に由来する構造単位を、酸に不安定な基を有するモノマーa1100モルに対して15モル以上とすることが好ましい。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するものが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2という又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下ラクトン環を有する酸安定モノマーa3というに由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光248nm、あるいは、電子線又はEUVなどの高エネルギー線照射に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0を使用することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光193nmなどを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、式a2-1で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用することが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーa2-0として、式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。[式a2-0中、R8は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。R9は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のR9は同一であっても異なってもよい。]R8及びR9におけるアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R9におけるアルコキシ基としては、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、炭素数1又は2のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは0~2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。このようなフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂は、フェノール性ヒドロキシ基がアセチルオキシ基に置き換わったものに相当するアセチルオキシスチレン類及び共重合させるモノマーをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって製造することができる。フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。以上のモノマーのうち、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。樹脂Aが式a2-0で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常5~90モルであり、好ましくは10~85モルであり、より好ましくは15~80モルである。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式a2-1で表されるモノマーが挙げられる。式a2-1中、La3は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、-O-、-O-CH2f1-CO-O-であり前記f1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及びメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルが好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートがより好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレートがさらに好ましい。樹脂Aが式a2-1で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常3~40モルであり、好ましくは5~35モルであり、より好ましくは5~30モルであり、さらに好ましくは5~15モルである。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3酸安定モノマーa3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環、δ-バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、好ましくは、式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a3-1~式a3-3中、La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。式a3-1~式a3-3中のLa4~La6としては、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2d1-CO-O-であることが好ましく前記d1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。γ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-3としては、例えば以下のものが挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3の中でも、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル、メタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。樹脂Aが式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、それぞれ通常5~50モルであり、好ましくは10~45モルであり、より好ましくは15~40モルである。樹脂がラクトン環を有する酸安定モノマーa3に由来する構造単位を含む場合、その合計含有量は、樹脂の全構造単位に対して、通常5~60モルであり、好ましくは15~55モルである。その他の酸安定モノマーa4その他の酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸又は式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマーなどが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基又は基-COORa27を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成し、Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く即ちRa27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まない。Ra25及びRa26のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは炭素数1~6である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18、より好ましくは炭素数4~12である。Ra27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソオキソラン-3-イル基、2-オキソオキソラン-4-イル基などが挙げられる。ノルボルネン環を有する酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが式a4-1、式a4-2又は式a4-3で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、通常2~40モルであり、好ましくは3~30モルであり、より好ましくは5~20モルである。好ましい樹脂Aは、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマーa1、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマーa3を重合させた共重合体である。この好ましい共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマーa1は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1及びシクロへキシル基を有するモノマーa1-2の少なくとも1種さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1であり、ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、より好ましくはγ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種である。樹脂Aは、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、さらに好ましくは3,500以上、50,000以下より好ましくは30,000以下、さらに好ましくは15,000以下である。樹脂Aの含有量は、組成物の固形分中80質量以上99質量以下であることが好ましい。なお本明細書において組成物中の固形分とは、後述する溶剤Eを除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂Aの含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。酸発生剤以下酸発生剤Bという場合がある酸発生剤Bは、式B1で表されるスルホン酸塩である。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基の-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]ペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。式B1では、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の2価の飽和環状炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基、プロパン-2,2-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基特に、炭素数1~4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を有したもの、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基、シクロオクタン-1,5-ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の飽和環状炭化水素基;ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、アダマンタン-1,5-ジイル基、アダマンタン-2,6-ジイル基等の多環式の飽和環状炭化水素基等が挙げられる。Lb1における2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-が-O-又は-CO-で置き換わった基としては、例えば、式b1-1~式b1-6が挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれか、さらに好ましくは式b1-1又は式b1-2が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側でCQ1Q2-と結合し、右側で-Yと結合する。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の炭素数上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の炭素数上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の炭素数上限は12である。中でも、式b1-1で表される2価の基が好ましく、Lb2が単結合又は-CH2-である式b1-1で表される2価の基がより好ましい。式b1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。Lb1の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基などが挙げられる。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。Yの脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~6のアルキル基が好ましい。Yの飽和環状炭化水素基としては、以下の式Y1~式Y11で表される基が挙げられる。脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子但しフッ素原子を除く、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基含有炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~16の飽和環状炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1基式中、Rb1は、炭素数1~16の脂肪族炭化水素基、炭素数3~16の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。Yの置換基である脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。ヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Yの脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基における-CH2-が-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わった基としては、例えば、エーテル結合又は環状エーテル基-CH2-が-O-で置き換わった基、オキソ基を有する飽和環状炭化水素基-CH2-が-CO-で置き換わった基、スルトン環基隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-又は-SO2-で置き換わった基又はラクトン環基隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-又は-CO-で置き換わった基等が挙げられる。例えば、飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-が-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わった基としては、以下の式Y12~式Y26で表される基が挙げられる。なかでも、好ましくは式Y1~式Y19のいずれかで表される基であり、より好ましくは式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基であり、さらに好ましくは式Y11又は式Y14で表される基である。脂肪族炭化水素基で置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基で置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基で置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1基で置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yは、好ましくは置換基例えば、ヒドロキシ基、オキソ基等を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。式B1で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、例えば、置換基Lb1が式b1-1である以下の式b1-1-1~式b1-1-9で表されるアニオンが好ましい。以下の式においては、置換基の定義は上記と同じ意味であり、置換基Rb2及びRb3は、それぞれ独立に炭素数1~4の脂肪族炭化水素基好ましくは、メチル基を表す。脂肪族炭化水素基又は無置換の飽和環状炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基又はアラルキル基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。環状エーテルであるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ラクトン環であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有する飽和環状炭化水素であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。スルトン環であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。脂肪族炭化水素基又は無置換の飽和環状炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。環状エーテルであるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ラクトン環であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有するYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。スルトン環であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。脂肪族炭化水素基又は無置換のYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。アルコキシ基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有するYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。アルコキシ基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有する飽和環状炭化水素基であるYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。なかでも、式b1-1で表される2価の基を有する以下のスルホン酸アニオンがより好ましい。酸発生剤Bに含まれるカチオンは、オニウムカチオン、例えば、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。式B1中のZは、好ましくは式b2-1~式b2-4のいずれかで表されるカチオンである。これらの式b2-1~式b2-4において、Rb4~Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。Rb4とRb5とが一緒になってヘテロ原子例えば、イオウ原子を含む環を形成してもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。m2が2以上の整数である場合、複数のRb7は互いに同一であっても異なってもよく、n2が2以上の整数である場合、複数のRb8は互いに同一であっても異なってもよい。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の飽和環状炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数3~18、より好ましくは炭素数4~12である。Rb12は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10は、それらが結合する硫黄原子とともに互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、Rb11とRb12は、それらが結合する-CH-CO-とともに3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの環に含まれる-CH2-は、-O-、-S-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、-S-又は-O-を表す。o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上の整数である場合、複数のRb13は互いに同一であっても異なってもよく、これと同様に、p2、q2、r2、s2及びt2のいずれかが2以上の整数であるとき、それぞれ、複数のRb14~Rb18のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、2,2-ジメチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1,2-ジメチルプロピル基、2,2-ジメチルプロピル基、1-エチルプロピル基、n-ペンチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、n-ヘキシル基、1-プロピルブチル基、ペンチル基、1-メチルペンチル基、1,4-ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、1-メチルヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基などのアルキル基が挙げられる。中でも、好ましい脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基である。好ましい飽和環状炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基、及びイソボルニル基である。好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基アラルキル基としては、ベンジル基などが挙げられる。Rb9とRb10とが結合して硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環、1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12とが結合して-CH-CO-とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。カチオンb2-1~カチオンb2-4の中でも、カチオンb2-1が好ましく、式b2-1-1で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Rb19~Rb21のうち2つが一緒になってヘテロ原子例えば、イオウ原子を含む環を形成してもよい。脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18である。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。v2が2以上の整数である場合、複数のRb19は互いに同一でも異なってもよく、w2が2以上の整数である場合、複数のRb20は互いにでも異なってもよく、x2が2以上の整数である場合、複数のRb21は互いにでも異なってもよい。なかでも、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であることが好ましく、ヒドロキシ基又は炭素数1~4のアルキル基であることがより好ましい。カチオンb2-1-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-1-1以外のカチオンb2-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-4の具体例としては、以下のものが挙げられる。酸発生剤B1は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、アニオンb1-1-1~アニオンb1-1-9のいずれかとカチオンb2-1-1との組合せ、並びにアニオンb1-1-3~b1-1-5のいずれかとカチオンb2-3との組合せが好ましい。好ましい酸発生剤B1は、式B1-1~式B1-20で表されるものである。中でも、ヒドロキシアダマンチル基を有するアニオンを含む酸発生剤B1-2~B1-5が好ましい。また、トリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1-1、B1-2、B1-3、B1-6、B1-11、B1-12、B1-13及びB1-14がより好ましい。酸発生剤Bの含有量は、樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上より好ましくは3質量部以上、好ましくは30質量部以下より好ましくは25質量部以下である。<式Iで表される化合物>本発明のレジスト組成物は、式Iで表される化合物を含む。[式I中、環W2は、炭素数4~18のラクトン環を表し、該ラクトン環に含まれる水素原子は、シアノ基、炭素数2~18のアシル基、炭素数2~18のアシルオキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基で置換されていてもよい。L1は、炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。環W1は、炭素数2~36の複素環を表し、該複素環に含まれる-CH2-は、-O-で置き換わっていてもよい。]環W2におけるラクトン環としては、単環式ラクトン環及び多環式ラクトン環が挙げられる。中でも、レジストパターン形成時のフォーカスマージンが広くなる傾向があるため、多環式ラクトン環であることが好ましい。単環式ラクトン環としては、γ‐ラクトン環、δ‐ラクトン環及び式B2-1aで表される環などが挙げられる。[式B2-1a中、R9は、それぞれ独立に、炭素数2~18のアシル基、炭素数2~18のアシルオキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表す。lは、0~5の整数を表す。lが2以上のとき、複数のR9は、互いに同一でも異なってもよい。]多環式ラクトン環としては、式B2-1bで表される環、式B2-1cで表される環などが挙げられる。式B2-1b及び式B2-1c中、R10及びR10’は、それぞれ独立に、シアノ基、炭素数2~18のアシル基、炭素数2~18のアシルオキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表す。l’及びlは、それぞれ独立に、0~3の整数を表す。l’及びlが2以上のとき、複数のR10及びR10’は、互いに同一でも異なってもよい。]L1の2価の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又は炭素数2~4のアシル基などが挙げられる。L1の2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-が-O-又は-CO-で置き換わった基としては、例えば、上述した式b1-1~式b1-6で表される基等が挙げられる。環W1における複素環は、窒素原子を1つ含有しているものであればよく、1以上の酸素原子、1以上の硫黄原子をさらに含有していてもよく、2以上の窒素原子を含有していてもよい。また、芳香族複素環であってもよいし、芳香性を有さないものであってもよく、単環式及び多環式のいずれであってもよい。複素環としては、例えば、以下の式W1~式W9で表される環が挙げられる。複素環中の窒素原子とL1とが結合する。なかでも、式W1、式W2または式W3で表される環であることが好ましい。式Iで表される化合物としては、例えば以下の化合物が挙げられる。式Iで表される化合物は、当該分野で公知の方法によって製造することができる。例えば、L1が-O-CO-CH2-である式IAで表される化合物は、式IA-1で表される化合物と式IA-2で表される化合物とを溶剤中で反応させることにより、製造することができる。溶剤としては、酢酸エチル等が挙げられる。式IA-2で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。[式中、W1及びW2は、上記と同じ意味を表す。]式IA-1で表される化合物は、式IA-3で表される化合物と式IA-4で表される化合物とを溶剤中、塩基触媒下で反応させることにより製造することができる。溶剤としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ピリジン等が挙げられる。式IA-4で表される化合物としては、クロロアセチルクロライド等が挙げられる。[式中、W2は、上記と同じ意味を表す。]式IA-3で表される化合物としては、以下の化合物等が挙げられる。式Iで表される化合物の含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、0.01~1質量であることが好ましく、0.3~1質量であることがより好ましい。塩基性化合物以下塩基性化合物Cという場合がある本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物Cただし、式Iで表される化合物とは異なるを含有していてもよい。塩基性化合物Cの含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、0.01~1質量であることが好ましく、0.05~0.5質量であることがより好ましい。また、本発明のレジスト組成物が塩基性化合物Cを含有する場合、式Iで表される化合物と塩基性化合物Cとの合計量が、レジスト組成物の固形分量を基準に、0.01~1質量であることが好ましく、0.3~1質量であることがより好ましい。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物例えば、アミン及びアンモニウム塩である。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香族環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、式C2で表される芳香族アミン、特に式C2-1で表されるアニリンが挙げられる。式C2及び式C2-1中、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基、飽和環状炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。但し該脂肪族炭化水素基、該飽和環状炭化水素基又は該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基は、炭素数1~4のアルキル基で置換されていてもよい。前記脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度であり、前記飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数5~10程度であり、前記芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数6~10程度である。Rc7は、脂肪族炭化水素基好ましくはアルキル基、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基好ましくはシクロアルキル基又は芳香族炭化水素基を表す。但し該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、上記と同様の基で置換されていてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なってもよい。Rc7の脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の好ましい炭素数は、上記と同じであり、Rc7のアルコキシ基は、好ましくは炭素数1~6程度である。芳香族アミンC2としては、例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミンなどが挙げられる。アニリンC2-1としては、例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。中でもジイソプロピルアニリン特に2,6-ジイソプロピルアニリンが好ましい。塩基性化合物Cとしては、式C3~式C11で表される化合物が挙げられる。式C3~式C11中、Rc8は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。窒素原子と結合するRc9、Rc10、Rc11~Rc14、Rc16~Rc19及びRc22は、それぞれ独立に、Rc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。芳香族炭素と結合するRc20、Rc21、Rc23~Rc28は、それぞれ独立に、Rc7で説明したいずれかの基を表す。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2の整数以上であるとき、複数のRc20は互いに同一でも異なってもよく、これと同様に、p3、q3、r3、s3、t3及びu3のいずれかが2以上であるとき、それぞれ、複数のRc21~Rc28のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。Rc15は、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基又はアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基好ましくはアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-C=NRc3-、-S-、-S-S-又はこれらの組合せを表す。Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す。Rc15の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数3~6程度である。アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられ、好ましくは炭素数2~6程度である。Lc1及びLc2の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度である。化合物C3としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。化合物C4としては、例えば、ピペラジンなどが挙げられる。化合物C5としては、例えば、モルホリンなどが挙げられる。化合物C6としては、例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。化合物C7としては、例えば、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。化合物C8としては、例えば、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。化合物C9としては、例えば、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。化合物C10としては、例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミンなどが挙げられる。化合物C11としては、例えば、ビピリジンなどが挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。溶剤以下溶剤Eという場合がある本発明のレジスト組成物は、溶剤Eを、組成物中90質量以上の量で含有していてもよい。溶剤Eを含有する本発明のレジスト組成物は、薄膜レジストを製造するために適している。溶剤Eの含有量は、組成物中90質量以上好ましくは92質量以上、より好ましくは94質量以上、99.9質量以下好ましくは99質量以下である。溶剤Eの含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。溶剤Eとしては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ-ブチロラクトンのような環状エステル類;などを挙げることができる。溶剤Eは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。その他の成分以下その他の成分Fという場合がある本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分Fを含有していてもよい。成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。レジストパターンの製造方法本発明のレジストパターンの製造方法は、1上述した本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーターなど、通常、用いられる装置によって行うことができる。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤等の揮発成分を蒸発させて除去することいわゆるプリベークにより行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、乾燥された組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、50~200°C程度が好ましい。また、圧力は、1~1.0×105Pa程度が好ましい。得られた組成物層を露光する。露光は、通常露光機を用いて行う。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F22エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、露光機は、電子線、超紫外光EUVを照射するものであってもよい。露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。加熱温度としては、通常50~200°C程度、好ましくは70~150°C程度である。加熱後の組成物層を、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。現像は、一般に、現像装置を用いて行なう。ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。用途本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表すおよび部は、特記しないかぎり重量基準である。以下の実施例において、化合物の構造は、質量分析LC;Agilent製1100型、MASS;Agilent製LC/MSD型で確認した。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、測定条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製[化合物I-1の合成]式I-1-aで表される化合物25部、式I-1-bで表される化合物商品名:CANLクラレ製5部及び酢酸エチル25部を仕込み、23°Cで2時間攪拌した。得られた反応液に、イオン交換水17部及び酢酸エチル25部を添加して攪拌し、分液した。得られた有機層にイオン交換水17部を添加して攪拌し、分液した。この水洗操作を9回行った。得られた有機層に硫酸マグネシウム2部を添加して攪拌し、ろ過した。回収された濾液を濃縮して、式I-1で表される化合物0.63部を得た。式I-1で表される化合物の同定;質量分析MASS:281.1[化合物I-2の合成]式I-1-aで表される化合物50部と、式I-2-aで表される化合物10部を仕込み、80°Cで6時間攪拌した。23°Cに冷却し、得られた反応マスに、イオン交換水40部及び酢酸エチル120部を添加して攪拌し、分液した。得られた有機層にイオン交換水40部を添加して攪拌し、分液した。この水洗操作を5回行った。得られた有機層に硫酸マグネシウム1部を添加して攪拌し、ろ過した。回収された濾液を濃縮して、式I-2-bで表される化合物を9.00部得た。式I-2-bで表される化合物1.60部及びテトラヒドロフラン16.00部を仕込み、60°Cに昇温した。得られたマスに、式I-1-bで表される化合物1.43部及びテトラヒドロフラン1.43部の混合溶液を30分間かけて滴下し、60°Cで3時間攪拌した。得られた反応液を、23°Cまで冷却し、イオン交換水20部及び酢酸エチル60部を添加して攪拌し、分液した。得られた有機層にイオン交換水20部を添加して攪拌し、分液した。この水洗操作を5回行った。得られた有機層に硫酸マグネシウム1部を添加して攪拌し、ろ過した。回収された濾液を濃縮して、式I-2で表される化合物1.11部を得た。式I-2で表される化合物の同定;質量分析MASS:409.3樹脂の合成において使用したモノマーを下記に示す。樹脂A1の合成モノマーD、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーFを、モル比30:14:6:20:30の割合で仕込んだ。次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとの割合で添加し、これを73°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒4:1に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約8.1×103である共重合体を収率65で得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。樹脂A2の合成モノマーA、モノマーE、モノマーB及びモノマーCを、モル比35:10:6:49の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとの割合で添加し、これを73°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒4:1に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約7.8×103である共重合体を収率75で得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とする。樹脂A3の合成モノマーG及びモノマーHを、モル比70:30の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、0.8molと2.4molとの割合で添加し、これを75°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒3:1に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約1.0×104である共重合体を収率72で得た。この共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A3とする。実施例及び比較例以下の表1の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1:樹脂A1A2:樹脂A2A3:樹脂A3<酸発生剤>B1:式B1-3で表される塩B2:式B1-2で表される塩B3:式B’で表される塩<式Iで表される化合物>Q1:式I-1で表される化合物Q2:式I-2で表される化合物Q3:式I-3で表される化合物<塩基性化合物クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部2-ヘプタノン20.0部γ-ブチロラクトン3.5部12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が110nmとなるようにスピンコートした。得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。レジスト組成物膜を形成したウェハに、液浸露光用ArFエキシレーザマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、2-polesonaxis照明σout=0.97、σin=0.77、Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。尚、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、50nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量を実効感度とした。フォーカスマージン評価DOF:実効感度において、フォーカスを段階的に変化させてレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンの線幅が50nm±5の幅にあるフォーカス範囲47.5~52.5nmを指標DOFとし、DOFが、0.18μm以上であるものを◎、0.15μm以上であるものを○、0.15μm未満であるものを×とした。ラインエッジラフネス評価LER:リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸のふれ幅が、3.5nm以下であるものを◎、4nm以下であるものを○、4nmを超え、4.5nm以下であるものを△、4.5nmを超えるものを×とした。これらの結果を表2に示す。"