底部が溶融スズで満たされ且つ上部空間が還元性ガスで覆われたフロートバスを用いたフロート法によってガラス板を製造するガラス板製造方法であって、前記フロートバスの上部空間中に浮遊するスズ化合物粒子の濃度を測定し、その測定結果に基づいて、前記フロートバスの上部空間への前記還元性ガスの供給量、前記フロートバスの上部空間からの前記還元性ガスの排気量、及び前記フロートバスの上部空間の温度のうち、少なくとも一つを制御することを特徴とするガラス板製造方法。前記スズ化合物粒子の濃度測定が、前記フロートバスの壁部に設けられた複数のガス排気部のうち、最下流に位置するものよりも下流側で行われることを特徴とする請求項1に記載のガラス板製造方法。前記スズ化合物粒子の濃度測定が、前記フロートバスの上部空間に含まれるスズ化合物の水蒸気分圧が飽和蒸気圧を超える前記フロートバスの下流側領域で行われることを特徴とする請求項1に記載のガラス板製造方法。しかしながら、特許文献1に開示の方法では、バスの上部空間におけるH2O濃度を測定して、バス内に供給する窒素及び水素の流量分布を制御するようにしているが、バス内の温度や圧力条件が変化すれば、H2Oの濃度とスズ化合物粒子の濃度との間に相関がなくなるおそれがある。したがって、H2Oの濃度を制御指標とした場合には、スズ化合物粒子に起因する欠陥密度を確実に低減することが依然として困難である。本発明は、上記実情に鑑み、フロート法によって成形されるガラス板において、スズ化合物粒子に由来する欠陥密度を確実に低減することを技術的課題とする。上記課題を解決するために創案された本発明は、底部が溶融スズで満たされ且つ上部空間が還元性ガスで覆われたフロートバスを用いたフロート法によってガラス板を製造するガラス板製造方法であって、前記フロートバスの上部空間中に浮遊するスズ化合物粒子の濃度を測定し、その測定結果に基づいて、前記フロートバスの上部空間への前記還元性ガスの供給量、前記フロートバスの上部空間からの前記還元性ガスの排気量、及び前記フロートバスの上部空間の温度のうち、少なくとも一つを制御することを特徴とすることに特徴づけられる。ここで、還元性ガスの供給量の制御には、供給量のフロートバス内での分布を制御する場合も含まれる。また、還元性ガスの排気量の制御には、排気量のフロートバス内での分布を制御する場合も含まれる。このような方法によれば、フロートバスの上部空間に浮遊するスズ化合物粒子の濃度を直接の制御指標として測定することになるので、フロートバス内の温度や圧力条件が変化しても、制御指標に狂いが生じるおそれがない。そのため、スズ化合物粒子に起因するガラス板表面の欠陥密度を正確に予測することができる。したがって、測定されたスズ化合物粒子の濃度を制御指標として、フロートバスの上部空間に供給する還元性ガスの供給量、フロートバスの上部空間から排気する還元性ガスの排気量、及びフロートバスの上部空間の温度からなるパラメータの全部又は一部を制御すれば、成形されるガラス板にスズ化合物粒子に起因する欠陥密度を予め規定された程度まで確実に低減することができる。上記の方法において、前記スズ化合物粒子の濃度測定が、前記フロートバスの壁部に設けられた複数のガス排気部のうち、最下流に位置するものよりも下流側で行われることが好ましい。スズ化合物粒子は、詳細には次のように3つのステップを経て発生する。すなわち、まず第1に、フロートバスの底部に貯溜された溶融スズと、フロートバス内に侵入した酸素又はガラスに含まれる硫酸塩が反応することにより、硫化スズSnSや酸化第1スズSnOが生成される。第2に、これら硫化スズや酸化第1スズなどのスズ化合物が蒸気となって溶融スズ表面より揮発する。そして、最後に、バスの上部空間に含まれるスズ化合物の飽和度=水蒸気分圧/飽和蒸気圧が1を超える領域で、揮発したスズ化合物が凝縮することによって、スズ化合物粒子が発生する。そして、フロートバスにおいては、飽和蒸気圧が高いフロートバス上流側領域において、硫化スズや酸化第1スズの蒸気をフロートバスの外部に排出するために、フロートバスの壁部に複数のガス排気部が設けられているのが通例である。そのため、比較的温度が高く、フロートバスの壁部にガス排気部が設けられているフロートバスの上流側領域では、スズ化合物の飽和度が1を超えることがなく、当該領域にはスズ化合物粒子は発生し難い。これに対し、フロートバスの壁部に設けられた複数のガス排気部のうち、最下流のものよりも下流側領域では、比較的温度が低く、ガス排気部も設けられていないので、スズ化合物の飽和度が1を超える領域が存在し、当該領域ではスズ化合物粒子が発生して問題となる。したがって、上記の方法のように、スズ化合物粒子の濃度測定を、前記フロートバスの壁部に設けられた複数のガス排気部のうち、最下流に位置するものよりも下流側で行うようにすれば、スズ化合物粒子が発生し易い領域の測定結果が反映されることから、より正確且つ無駄のない還元ガスの供給量や排気量の制御を行うことが可能となる。上記の方法において、前記スズ化合物粒子の濃度測定を、前記フロートバスの上部空間に存在するスズ化合物の水蒸気分圧が飽和蒸気圧を超える前記フロートバスの下流側領域で行うようにしてもよい。このようにすれば、スズ化合物粒子の濃度測定を、前記フロートバスの壁部に設けられた複数のガス排気部のうち、最下流に位置するものよりも下流側で行う場合と同様に、スズ化合物粒子が発生し易い領域の測定結果が反映されることから、より正確且つ無駄のない還元ガスの供給量や排気量の制御を行うことが可能となる。以上のように本発明によれば、フロートバスの上部空間に浮遊するスズ化合物粒子の濃度を直接の制御指標として測定することになるので、フロート法によって成形されるガラス板において、スズ化合物粒子に由来する欠陥密度を確実に低減することができる。以下、本発明の実施形態を添付図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係るガラス板製造装置の主要部を示す概略平面図である。このガラス板製造装置1は、底部が溶融スズMで満たされた且つ上部空間が還元性の雰囲気ガス例えば、窒素と水素の混合ガスで覆われたフロートバス2を有する。バス2の上流側端部同図の左側端部には、溶融窯からの溶融ガラスGを流し込ませるための入口3が形成されると共に、バス2の下流側端部同図の右側端部には、溶融ガラスGを帯状ガラス流とした後に冷却固化させて板状ガラスG1として搬出させるための出口4が形成されている。また、この実施形態では、バス2は、上流側から順に、流路が漸次拡大する拡大部2aと、流路が相対的に幅広となる幅広部2bと、流路が漸次縮小する縮小部2cと、流路が相対的に幅狭となる幅狭部2dとを備えている。バス2の両側壁部2xには、バス2の上部空間の雰囲気ガスの排出量を調整するために、複数のガス排気部5が設けられている。一方、図2に示すように、バス2の上壁部2yには、バス2の上部空間に還元性ガスを供給するために、複数のガス供給部6が設けられている。そして、これらガス排気部5による雰囲気ガスの排出量と、ガス供給部6による還元性ガスの供給量を調整することで、バス2の上部空間の雰囲気ガラスの圧力値が制御されるようになっている。この実施形態では、ガス排気部5は、幅広部2bを含むバス2の上流側領域にのみ設けられている。これは、バス2の下流側領域例えば、縮小部2cと幅狭部2dでは、ガス排気部5を設けなくても、バス2の上部空間の雰囲気ガスをバス2の出口4から排出することができるためである。なお、図2には、図1において省略しているトップロール7を図示している。このトップロール7は、帯状ガラス流の幅方向への収縮を防止するために、バス2の内部で帯状ガラス流の幅方向両端部の上面に接触しながら回転する。そして、特徴的構成として、図1に示すように、最下流に配置されたガス排気部5よりも下流側領域図示例ではバス2の幅狭部2dに、バス2の上部空間に浮遊するスズ化合物粒子例えば、硫化スズSnSや、酸化第1スズSnOの濃度を測定する濃度測定部8が設けられている。詳細には、この濃度測定部8は、図3に示すように、バス2の一方側の側壁部2xに設けられた投受光器8aと、バス2の他方側の側壁部2xに設けられた反射器8bとを備えた透過型濃度測定計からなる。そして、投受光器8aからバス2を全幅に亘って横断するように投光された光例えば、可視領域の波長650nmなどを有するレーザなどを反射器8bで投受光器8a側に反射させ、このときに投受光器8aで受光される光に基づいて、バス2の上部空間に浮遊するスズ化合物粒子の濃度が測定される。このとき、スズ化合物粒子の濃度は、光の光路に対応してバス2の全幅の状態が反映される。具体的には、濃度測定部8としては、例えば、SICK社製のダストハンターTシリーズを使用することができる。なお、図示例では、投受光器8a及び反射器8bをバス2の外部に配置した状態で、バス2の側壁部2xの貫通孔9に設けられた透明窓10を介して光をバス2の内部との間で往来させるようにしているが、透明窓10を省略して貫通孔9のみとしてもよい。次に、上記の構成を備えたガラス板製造装置1を使用してガラス板を製造する方法について説明する。バス2の上流側端部の入口3からバス2内に流し込まれた溶融ガラスGは、溶融スズM上を下流側に流動して帯状ガラス流となった後、冷却固化されていき、バス2の下流側端部の出口4から板状ガラスG1として搬送されていく。このように、溶融ガラスGがバス2内に流し込まれてから、板状ガラスG1としてバス2外に搬出されるまでの間において、バス2の幅狭部2dで濃度測定部8によって、バス2の上部空間に浮遊するスズ化合物粒子の濃度が測定される。そして、この濃度測定結果に基づいて、ガス供給部6からの還元性ガスの供給量、ガス排気部5及びバス2の出口4からの還元性ガスの排気量、バス2の上部空間の温度が制御される。なお、濃度測定結果に基づいて、還元性ガスの供給量、還元性ガスの排気量、バス2の上部空間の温度のうち、任意の1又は2つのパラメータのみを制御するようにしてもよい。このような方法によれば、バス2の上部空間に浮遊するスズ化合物粒子の濃度を還元性ガスの供給量の直接の制御指標として測定することになるので、バス2内の温度や圧力条件が変化しても、制御指標に狂いが生じるおそれがない。そのため、スズ化合物粒子に起因するガラス板表面の欠陥密度を正確に予測することができる。したがって、測定されたスズ化合物粒子の濃度を制御指標として、バス2の上部空間に供給する還元性ガスの供給量を制御すれば、成形されるガラス板にスズ化合物粒子に起因する欠陥密度を予め規定された程度まで確実に低減することが可能となる。この際、濃度測定部8は、最下流のガス排気部5よりも下流側に配置されているので、スズ化合物粒子が発生し易い領域の測定結果が反映されるため、より正確且つ無駄のない還元ガスの供給量の制御を行うことが可能となる。付言すれば、比較的温度が高く、バス2の側壁部2xにガス排気部5が設けられているバス2の上流側領域では、溶融スズMから揮発したスズ化合物の飽和度が1を超えることがなく、当該領域にはスズ化合物粒子は発生し難い。これに対し、バス2の側壁部2xに設けられた最下流のガス排気部5よりも下流側領域では、バス2の上部空間の温度が比較的低く、ガス排気部5も設けられていないので、スズ化合物の飽和度が1を超える領域が存在し、当該領域ではスズ化合物粒子が発生し易い。したがって、スズ化合物粒子の濃度測定を最下流のガス排気部5よりも下流側で行うようにすれば、上述のように、スズ化合物粒子が発生し易い領域の測定結果を反映させることができる。なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の形態で実施することができる。例えば、上記の実施形態では、濃度測定部8として、透過型濃度計の一例を説明したが、バス2の一方側の側壁部2xに投光器を設けると共に、バス2の他方側の側壁部2xに受光器を設け、その投光器から投光された光をバス2の上部空間を横断させ、このときに受光器で受光される光に基づいて、バス2の上部空間に浮遊するスズ化合物粒子の濃度を測定するタイプの透過型濃度計を用いてもよい。また、濃度測定部8として、バス2の一方側の側壁部2xに投受光器を設け、その投受光器から投光された光をバス2の上部空間で散乱させ、このときに投受光器で受光される光散乱光に基づいて、バス2の上部空間に浮遊するスズ化合物粒子の濃度を測定する散乱型濃度計を用いてもよい。更に、図4に示すように、バス2の上部空間の雰囲気ガスを外部に導出する導出部11を設け、この導出部11によって導出される雰囲気ガスに含まれるスズ化合物粒子の濃度を、ダストモニタ12によって測定するようにしてもよい。なお、ダストモニタ12としては、摩擦静電気により雰囲気ガスに含まれるスズ化合物粒子の濃度を測定するものを使用することができる例えば、横河電機製のダストモニタDT450G。