キャビティ部を有する実装基板と、平面視で前記キャビティ部に重複して配置されている支持基板と、前記実装基板に対向する前記支持基板の第1面であり且つ平面視で前記キャビティ部に重複する位置に配置され、前記支持基板を介して前記実装基板に電気的に接続されている物理量センサー素子と、前記物理量センサー素子及び前記支持基板を封止する封止材と、を有し、前記支持基板は、前記封止材より弾性係数の高い接合部材により前記実装基板に片持ち支持されていることを特徴とする物理量センサー。前記支持基板は、前記第1面と反対側の第2面に端子電極を有し、前記実装基板は、前記支持基板が支持された面側に接続電極を有し、前記端子電極と前記接続電極とは、ワイヤーで接続され、前記接合部材は、前記実装基板と前記支持基板との間であって前記端子電極に平面視で重複する位置に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の物理量センサー。前記実装基板上には、前記封止材を覆うキャップが配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の物理量センサー。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の物理量センサーにおいて、前記支持基板の前記第2面側には前記物理量センサーに接続される集積回路が配置されていることを特徴とする物理量センサー。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の物理量センサーにおいて、前記支持基板の前記第2面側には第2の物理量センサー素子が配置されていることを特徴とする物理量センサー。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の物理量センサーが搭載されていることを特徴とする電子機器。しかし、特許文献3のような構成の場合、物理量センサーと集積回路とを実装基板上で横置きする形となるので実装基板の面積の小型化が困難である。また物理量センサーの支持基板としてガラス基板を用いる場合は、加工上若しくはハンドリングの観点から半導体基板よりも薄型化を行なうことが困難である。特に、集積回路を物理量センサー上に積層スタックして小型化を図る場合や、物理量センサーとして上述の複合センサーを構築する場合は薄型化が不利となる。さらに、上述のモバイル機器に搭載する場合には、耐衝撃性を高めた構成が不可欠となる。そこで、特許文献4乃至6においては、物理量センサーを実装基板に実装した実装構造体において、実装基板側の共振周波数を、物理量センサーを構成するパッケージの共振周波数よりも低くした構成としている。これにより実装基板側が受けた衝撃や振動が物理量センサーに伝達することを低減できるとしている。しかしながら、特許文献4また5においては、物理量センサーが実装基板にリジッドに接合しているため、実装基板が受けた衝撃や振動の物理量センサーへの伝達を低減させる効果には限界がある。また特許文献6においては、物理量センサーと実装基板との間を複数個所で弾性係数の低い材料を介して接続した構成を有している。このような構成であれば、実装基板で受けた衝撃や振動が物理量センサーに及ぶことを低減することはできるが、物理量センサーと実装基板との接合強度が低下する問題がある。よって特許文献7に示すように、実装基板上に配置された物理量センサーを樹脂等の封止材を用いて封止する形で実装基板上に固定する方法が考えられる。このような実装構造においては、上述の耐衝撃性の観点から、物理量センサーと実装基板とのリジッドな接続を回避するため、物理量センサーと実装基板とをボンディング用のワイヤーにより電気的に接続した構成を採用している。ここで封止材としてシリコン系樹脂を用いる場合は、シリコン系樹脂の弾性係数が小さいので、物理量センサーと実装基板との接合強度を確保することが困難となる。また封止材としてシリカ粒子とエポキシ樹脂から構成されるトランスファーモールド樹脂を用いる場合は、物理量センサーと実装基板との実装構造に対して100kg程度の荷重を印加してモールド成型するため、物理量センサーに過剰な応力が印加され、物理量センサーに悪影響を及ぼす虞がある。またトランスファーモールド樹脂によるモールド成型時の粘性流動のためボンディング用のワイヤーが断線する虞がある。そこで、本発明は、上記問題点に着目し、小型化可能で耐衝撃性に優れるととともに、製造効率の低下を抑制した物理量センサー、及びこれを搭載した電子機器を提供することを目的とする。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。[適用例1]キャビティ部を有する実装基板と、平面視で前記キャビティ部に重複して配置されている支持基板と、前記実装基板に対向する前記支持基板の第1面であり且つ平面視で前記キャビティ部に重複する位置に配置され、前記支持基板を介して前記実装基板に電気的に接続されている物理量センサー素子と、前記物理量センサー素子及び前記支持基板を封止する封止材と、を有し、前記支持基板は、前記封止材より弾性係数の高い接合部材により前記実装基板に片持ち支持されていることを特徴とする物理量センサー。上記構成により、物理量センサー素子及びそれを支持する支持基板は封止材により封止されているので、実装基板側から物理量センサー素子への衝撃や振動が伝達することを抑制することができる。また支持基板は、封止材より弾性係数の高い接合部材により実装基板に接続されるので、支持基板と実装基板との接合強度、すなわち物理量センサー素子と実装基板との接合強度を高めることができる。さらに支持基板は、接合部材により片持ち支持状態で実装基板に支持されているので、接合部材を介して実装基板側から物理量センサー素子へ衝撃や振動が伝達することを抑制することができる。物理量センサー素子及びそれを支持する支持基板の全体を硬い樹脂で封止すると、外部から衝撃が入ったときに、物理量センサー素子に衝撃が伝わり易いが、本願発明のように、物理量センサー素子及びそれを支持する支持基板の全体を柔らかい樹脂等の封止材で封止し、且つ、実装基板と支持基板とを封止材よりも硬い材質の接合部材で接合することにより、実装基板と支持基板とを強固に接合できる。また、物理量センサー素子は実装基板に形成されたキャビティ部に一部が収容されるため、物理量センサー素子の高さが実装構造体の高さ寸法の一部を形成しない。以上のことから、耐衝撃性に優れるとともに機械的信頼性が高く小型化低背化に優れた物理量センサーの実装構造体となる。[適用例2]前記支持基板は、前記第1面と反対側の第2面に端子電極を有し、前記実装基板は、前記支持基板が支持された面側に接続電極を有し、前記端子電極と前記接続電極とは、ワイヤーで接続され、前記接合部材は、前記実装基板と前記支持基板との間であって前記端子電極に平面視で重複する位置に配置されていることを特徴とする適用例1に記載の物理量センサー。これにより、ワイヤーを接続する端子電極の真下の位置に弾性係数の高い接合部材が配置されることになるので、ワイヤーの接続を容易に行うことができる。[適用例3]前記実装基板上には、前記封止材を覆うキャップが配置されていることを特徴とする適用例1または2に記載の物理量センサー。上記構成により、弾性係数の低い封止材が、外部からの衝撃により実装基板に対して大きな相対変位を起こすことを抑制し、物理量センサーの物理量の検出誤差を抑制することができる。[適用例4]適用例1乃至3のいずれか1例に記載の物理量センサーにおいて、前記支持基板の前記第2面側には前記物理量センサーに接続される集積回路が配置されていることを特徴とする物理量センサー。上記構成により、物理量センサー素子と集積回路とを実装基板上で横置きする従来構造よりも小型化に優れた物理量センサーとなる。[適用例5]適用例1乃至4のいずれか1例に記載の物理量センサーにおいて、前記支持基板の前記第2面側には第2の物理量センサー素子が配置されていることを特徴とする物理量センサー。上記構成により、物理量センサー素子と集積回路とを実装基板上で横置きする従来構造よりも小型化に優れた複合センサーとして機能する物理量センサーとなる。[適用例6]適用例1乃至5のいずれか1例に記載の物理量センサーが搭載されていることを特徴とする電子機器。上記構成により、耐衝撃性に優れるとともに機械的信頼性が高く小型化に優れた物理量センサーを搭載した電子機器となる。以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図1に、第1実施形態に係る物理量センサーの実装構造体の側面図を示す。また、図2に、第1実施形態に係る物理量センサーの実装構造体の分解斜視図を示す。図1に示すように、第1実施形態に係る実装構造体10は、実装基板12上に支持基板24、物理量センサー素子42を有し、支持基板24及び物理量センサー素子42が封止材34により封止された構造を有している。なお、物理量センサー素子42は、例えば図4に示すような櫛歯型のセンサー素子をキャップ等で覆った構造となっている。実装基板12は、例えばガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料で形成され、実装先の電子機器不図示の基板不図示に配置される。実装基板12の下面実装面には外部電極14が配置され、実装基板12の上面には接続電極16が配置されている。外部電極14は、実装先の電子機器不図示の電極不図示の配置に対応して形成されている。そして外部電極14と接続電極16とは貫通電極18により接続されている。また実装基板12の側面には切欠き20図2が形成され、切欠き20の壁面にはメタライズが施されている。本実施形態においては、切欠き20を外部電極14に対応させて形成し、メタライズを実装面に引き出して外部電極14に接続させても良い。これにより、この切欠き20に半田付けを行なって外部電極14と実装先の電子機器不図示の電極不図示に電気的に接続するとともに、実装基板12と電気機器不図示の基板不図示との接続の接続強度を高めることができる。一方、実装基板12の上面には、物理量センサー素子42を収容可能なキャビティ部としての凹部22が形成されている。この凹部22には物理量センサー素子42が収容されるとともに、凹部22の壁面と物理量センサー素子42の壁面との間は封止材34により充填される。なお、図1において、物理量センサー素子42のほぼ全体が凹部22に収容されているが、物理量センサー素子42の一部が凹部22に収容されるようにしてもよい。すなわち、物理量センサー素子42は、平面視で凹部22に重複する位置に配置され、その一部または全体が凹部22に収容される配置となる。支持基板24の一方の主面となる下面第1面28には、端子電極30と電気的に接続する物理量センサー素子42が配置され、他方の主面となる上面第2面26には、物理量センサー素子42と電気的に接続される端子電極30が配置される。端子電極30は、支持基板24に配置される物理量センサー素子42の電極数等に応じてその個数が設計変更される。また端子電極30は、支持基板24を貫通する貫通電極32図3bを介して物理量センサー素子42と電気的に接続される。そして端子電極30は、Au等で形成されたボンディング用のワイヤー40により実装基板12上の接続電極16に電気的に接続される。これにより物理量センサー素子42は、貫通電極32図3b、端子電極30、ワイヤー40、接続電極16、貫通電極18、外部電極14を介して実装先の電子機器不図示と電気的に接続することができる。図1に示すように、封止材34は、支持基板24、物理量センサー素子42、ワイヤー40等を封止するものである。また封止材34は、実装基板12と支持基板24の間、凹部22と物理量センサー素子42との間に充填される。これにより支持基板24及び物理量センサー素子42は実装基板12と直接接触することはない。また本実施形態において、封止材34としてシリコン系樹脂等の弾性係数の低い材料を用いることが好適である。これにより、実装基板12と物理量センサー素子42との間の衝撃及び振動の伝播を低減して物理量センサー素子42への負担を低減することができる。また、封止材34の封止時における物理量センサー素子42や支持基板24に対する負荷を軽減するとともに、ワイヤー40の断線を防止して製造効率の低下を抑制することができる。また実装基板12の周縁において、封止材34を収容する凹部を有するキャップ38が接続される。これにより弾性係数の低い封止材34が、外部からの衝撃により実装基板12に対して大きな相対変位を起こすことを抑制し物理量センサー素子42の物理量の検出誤差を抑制することができる。さらに支持基板24の下面28の凹部22の外周となる位置に接合部材36が配置され、支持基板24は、この接合部材36により片持ち支持状態で実装基板12に支持される。接合部材36は、少なくとも封止材34よりも弾性係数の高い材料であり、例えばエポキシ系樹脂やウレタン樹脂等の熱硬化型樹脂が好適である。本実施形態では、支持基板24及び物理量センサー素子42が封止材34により封止されているので、実装基板12側から物理量センサー素子42への衝撃や振動が伝達することを抑制することができる。また支持基板24は、封止材34より弾性係数の高い接合部材36により実装基板12に接続されるので、支持基板24と実装基板12との接合強度、すなわち物理量センサー素子42と実装基板12との接合強度を高めることができる。さらに支持基板24は、接合部材36により片持ち支持状態で実装基板に支持されているので、接合部材36を介して実装基板12側から物理量センサー素子42へ衝撃や振動が伝達することを抑制することができる。また物理量センサー素子42は実装基板12に形成された凹部22に収容されるため、物理量センサー素子42の高さが実装構造体10の高さ寸法の一部を形成しない。また、物理量センサー素子42及びそれを支持する支持基板24の全体を硬い樹脂で封止すると、外部から衝撃が入ったときに、物理量センサー素子42に衝撃が伝わり易い。しかし、本願発明のように、物理量センサー素子42及びそれを支持する支持基板24の全体を柔らかい樹脂等の封止材34で封止し、且つ、実装基板12と支持基板24とを封止材34よりも硬い材質の接合部材36で接合することにより、実装基板12と支持基板24とを強固に接合でき、耐衝撃性に優れるとともに機械的信頼性が高く小型化低背化に優れた実装構造体10となる。また、接合部材36は、実装基板12と支持基板24との間であって端子電極30に対向する位置平面視で重複する位置に配置することが好適である。これにより、ワイヤー40を接続する端子電極の真下の位置に弾性係数の高い接合部材が配置されることになるので、ワイヤー40の接続を容易に行うことができる。図3に、本実施形態の物理量センサー素子と支持基板を示し、図3aは斜視図、図3bは図3aのA-A′線断面図を示す。支持基板24は、上面26に複数の端子電極30が配置され、下面28には物理量センサー素子42が配置されている。物理量センサー素子42は、後述のように、支持基板24に対して相対位置が不変となる部材第1の固定電極指72、第2の固定電極指74と外力を受けて支持基板12に対して相対位置が変化する部材可動電極指64との間の静電容量の変化により加速度等の物理量を検出可能なものである。そして、物理量センサー素子42は、後述のように、支持基板24の下面28に貫通電極32と接続する配線第1の配線52、第2の配線54、第3の配線56を複数配置し、対応する配線に接続するように上述の部材を配置している。図4に本実施形態の物理量センサー素子の模式図を示す。本実施形態の物理量センサー素子42は、配線等が配置された支持基板24の下面28に半導体基板76図8参照を積層し、この積層された半導体基板76から、可動部60と、第1の固定電極指72と、第2の固定電極指74と、をエッチングにより型抜きしたのち、型抜きされた部材をリッド78で封止した構成を有している。支持基板24の下面28の物理量センサー素子42が配置される位置には凹部44が配置されている。また凹部44の外周に沿って第1の溝部46が配置され、第1の溝部46の外周に沿って離間した位置には第2の溝部48が配置されている。また第1の溝部46及び第2の溝部48から離間した位置には、第3の溝部50が配置されている。図4において、第1の溝部46、第2の溝部48は、全体としてU字型に配置されているが、各溝は互いに離間した形状であれば他の形状であってもよい。また、第1の溝部46の底面には、第1の溝部46に沿って第1の配線52が配置され、第2の溝部48の底面には、第2の溝部48に沿って第2の配線54が配置され、第3の溝部50の底面には、第3の溝部50に沿って第3の配線56が配置されている。第1の配線52は、第1の固定電極指72と電気的に接続する配線である。第2の配線54は、第2の固定電極指74と電気的に接続する配線である。第3の配線56は、後述の固定部68と電気的に接続する配線である。また各溝部のリッド78の外部となる位置には支持基板24の下面28から上面26に貫通し端子電極30に到達する貫通孔58が形成され、この貫通孔58に端子電極30に接続する貫通電極32が配置される。可動部60は、アーム62、可動電極指64、可撓部66、固定部68により構成されている。このうち、アーム62、可動電極指64、可撓部66は、支持基板24の凹部44に対向する位置、すなわちZ軸方向から見て凹部44に囲まれる位置に配置される。図4に示すように、アーム62は、X軸方向に長手方向を有するものであり、その長手方向の両端に可撓部66が配置されている。可動電極指64は、アーム62の長手方向X軸方向の側面において、アーム62の長手方向に一定の間隔でアーム62の長手方向に垂直な方向Y軸方向に延出するように櫛歯状に複数配置されたものである。可撓部66はX軸方向からの力を受けてX軸方向に撓み変形するものである。固定部68は、可撓部66の端部に接続されるとともに支持基板24の下面28に接合するものである。また固定部68の一方は、支持基板24上の第3の溝部50を跨ぐ位置に配置されている。そして固定部68は、第3の配線56と電気的に接続される。この固定部68と第3の配線56との接続方法は、例えば、第3の配線56の固定部68に対向する位置に、Au等で形成され第3の溝部50からはみ出る寸法のバンプ70を配置し、半導体基板76を支持基板24に接合させるとともにバンプ70を半導体基板76と支持基板24との間に挟んで両者に圧接させる。これにより、固定部68と第3の配線56とを電気的に接続することができる。よって、第3の配線56は、固定部68、可撓部66、アーム62を介して可動電極指64と電気的に接続する。第1の固定電極指72は、支持基板24上の第1の溝部46及び第2の溝部48を跨ぐ位置に配置される。また第1の固定電極指72は、Z軸方向から見て凹部44と一部が重なるように配置される。そして第1の固定電極指72は、第1の配線52と電気的に接続される。また第2の固定電極指74は、第1の固定電極指72と平行に配置され、支持基板24上の第1の溝部46及び第2の溝部48を跨ぐ位置に配置される。また第2の固定電極指74は、第1の固定電極指72と同様に、Z軸方向から見て凹部44と一部が重なるように配置される。そして第2の固定電極指74は第2の配線54と電気的に接続される。この第1の配線52と第1の固定電極指72との接続方法は、例えば、第1の配線52の第1の固定電極指72に対向する位置に、Au等で形成され第1の溝部46からはみ出る寸法のバンプ70を配置し、半導体基板76を支持基板24に接合させるとともにバンプ70を半導体基板76と支持基板24との間に挟んで両者に圧接させる。これにより、第1の配線52は、第1の固定電極指72半導体基板76と電気的に接続される。同様に、第2の配線54と第2の固定電極指74との接続方法は、第2の配線54の第2の固定電極指74に対向する位置に、第2の溝部48からはみ出る寸法の前述のバンプ70を配置し、半導体基板76を支持基板24に接合させるとともにバンプ70を半導体基板76と支持基板24との間に挟んで両者に圧接させる。これにより、第2の配線54は、第2の固定電極指74半導体基板76と電気的に接続される。なお、各配線の厚み寸法は、各溝部の深さ寸法より小さいため、各配線が支持基板24の下面28から露出することはない。よって、第1の溝部46、第2の溝部48、第3の溝部50の配置及び形状を変更しても、第1の配線52は第2の固定電極指74及び固定部68には接続しない。同様に、第2の配線54は第1の固定電極指72及び固定部68には接続せず、第3の配線56は第1の固定電極指72及び第2の固定電極指74には接続しない。そして第1の固定電極指72、第2の固定電極指74は、櫛歯状に配置された可動電極指64の間に挟まれる位置ごとに配置される。よって、上記構成において、第1の固定電極指72と、第1の固定電極指72に-X軸方向から対向する可動電極指64と、の間で第1のコンデンサーを形成し、第2の固定電極指74と、第2の固定電極指74にX軸方向から対向する可動電極指64との間で第2のコンデンサーを形成する。この状態で物理量センサー素子42が、例えば-X軸方向に加速度を受けると、アーム62及び可動電極指64は慣性の力を受けて物理量センサー素子42を基準としてX軸方向に相対変位する。このとき第1の固定電極指72と、第1の固定電極指72に-X軸方向から対向する可動電極指64との間隔は狭くなるので第1のコンデンサーの静電容量は増加する。また第2の固定電極指74と、第2の固定電極指74にX軸方向から対向する可動電極指64との間隔は広くなるので第2のコンデンサーの静電容量は減少する。一方、アーム62及び可動電極指64が物理量センサー素子42を基準として-X軸方向に変位すると、第1のコンデンサーの静電容量は減少し、第2のコンデンサーの静電容量は増加する。したがって、第1の配線52に接続する端子電極30と第3の配線56に接続する端子電極30との間で検出される第1のコンデンサーの静電容量の変化と、第2の配線54に接続する端子電極30と第3の配線56に接続する端子電極30との間で検出される第2のコンデンサーの静電容量の変化と、の差分をモニターすることにより物理量センサー素子42に印加される加速度等の物理量の大きさとその向きを検知することができる。そして本実施形態のように2つのコンデンサーの静電容量の変化の差分をモニターするので、高い感度で加速度等の物理量を検知することができる。支持基板24の構成材料としては、具体的には、高抵抗なシリコン材料、ガラス材料を用いるのが好ましく、特に、上述の可動部60、第1の固定電極指72、第2の固定電極指74の材料となる半導体基板76がシリコン材料を主材料として構成されている場合、アルカリ金属イオン可動イオンを含むガラス材料例えば、パイレックス登録商標のような硼珪酸ガラスを用いるのが好ましい。これにより、半導体基板76がシリコンを主原料として構成されている場合、支持基板24と半導体基板76とを陽極接合することができる。また、支持基板24の構成材料は、半導体基板76の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいのが好ましく、具体的には、支持基板24の構成材料と半導体基板76の構成材料との熱膨張係数差が3ppm/°C以下であることが好ましい。これにより、支持基板24と半導体基板76との間の残留応力を低減することができる。また各配線、貫通電極32、端子電極30の構成材料としては、それぞれ導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができる。よって、例えば、ITOIndimTinOxide、IZOIndiumZincOxide、In3O3、SnO2、Sb含有SnO2、Al含有ZnO等の酸化物透明電極材料、Au、Pt、Ag、Cu、Alまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、前述の各配線の構成材料としては、透明電極材料特にITOを用いることが好適である。各配線がそれぞれ透明電極材料で構成されていると、支持基板24が透明である場合、半導体基板76から型抜きされる固定電極指第1の固定電極指72、第2の固定電極指74の面上に存在する異物等を支持基板24の固定電極指とは反対の面から容易に視認することができ、物理量センサー素子42の検査を容易に行うことができる。図5に第1実施形態の物理量センサーの実装構造体の変形例を示す。図5に示すように、実装構造体10を構成する実装基板12において、凹部22の代わりに貫通孔23を配置することができる。これにより実装基板12を薄型化することができるので、実装構造体10の低背化を図ることができる。なお、外部電極14は十分に薄く形成されているので、実装基板12の下面は、実装構造体の製造プロセス時に用いる作業台に当接し、実装基板12の下面から封止材34が漏れ出ることはない。図6に、第2実施形態の物理量センサーの側面図を示し、図7に第2実施形態の物理量センサーの分解斜視図を示す。第2実施形態の物理量センサー80は、上述の実装構造体10において、支持基板24の上面26に集積回路82を搭載したものである。集積回路82は、物理量センサー素子42に所定の電圧を印加したり、上述の2つのコンデンサーの静電容量の差分に基づいて加速度等の物理量を算出して出力するものである。よって集積回路82の上面には複数のパッド電極84が配置され、一部のパッド電極84は実装基板12上の接続電極16とワイヤー40を介して接続され、他のパッド電極84は端子電極30とワイヤー40を介して電気的に接続される。図8に、図6、図7に示す第2実施形態に係る物理量センサーの製造工程半導体基板のエッチング工程前までを示し、図9に第2実施形態に係る物理量センサーの製造工程支持基板の実装基板への実装前までを示し、図10に第2実施形態に係る物理量センサーの製造工程支持基板の実装基板への実装後を示す。まず図8aに示すように、支持基板24をアレイ状に形成可能な母基板25を用意する。そして、図8bに示すように、母基板25の支持基板24に形成する貫通電極32に対応する位置に支持基板24の下面28となる面からサンドブラスト等により貫通孔58を形成し、導電性ペーストや金属半田を用いて貫通電極32を充填形成する。そして母基板25において、支持基板24に配置される第1の溝部46、第2の溝部48、第3の溝部50、凹部44不図示、図4参照に対応する位置にフォリソフラフィー法とウェットエッチング法を用いてハーフエッチングを行う。そしてフォトリソグラフィー法により、第1の溝部46に第1の配線52、第2の溝部48に第2の配線54、第3の溝部50に第3の配線56を形成する。そして第1の配線52の第1の固定電極指72半導体基板76に対向する位置、第2の配線54の第2の固定電極指74半導体基板76に対向する位置、第3の配線56の固定部68半導体基板76に対向する位置にそれぞれバンプ70を配置する。ここで、配線材料としては上述のITO以外にも、Ti/CuやAl、Cr/Auでも良い。次に、図8cに示すように、半導体基板76の一面と母基板25の各配線が形成された面支持基板24の下面28とを陽極接合法により接合する。そして図8dに示すように、第1の固定電極指72、第2の固定電極指74、可動部60が必要とする厚みとなるまで半導体基板76の研削研磨加工を行なう。そして、図9aに示すように、半導体基板76にドライエッチングを行い、半導体基板76から第1の固定電極指72、第2の固定電極指74、可動部60を型抜きする図4参照。そして、図9bに示すように、この型抜きされた半導体材料の構造体の全てを収容可能なリッド78例えばシリコン製がアレイ状に配置された部材を母基板25の各配線が形成された面に支持基板24の下面28に接合する。この場合、図9bに示すように、真空チャンバー内にてリッド78と母基板25支持基板24をガラスフリットの接着剤79を用いて接合しても良いし、リッド78がシリコンで形成されているのであれば陽極接合法を用いてリッド78と母基板25支持基板24を接合しても良い。これにより支持基板24をベースとする物理量センサー素子42がアレイ状に形成される。そして、図9cに示すように、母基板25の各配線が形成された面の反対面支持基板24の上面26に集積回路82を接着剤83を用いて接合し、貫通電極32の貫通先となる位置に端子電極30を配置する。そして図9dに示すように、ダイシングにより支持基板24物理量センサー素子42を個片化する。次に図10aに示すように、上述の外部電極14、接続電極16、貫通電極18、貫通孔23または凹部22が形成された実装基板12に支持基板24を搭載する。このとき物理量センサー素子42を貫通孔23または凹部22内に収容するとともに、支持基板24を接合部材36により一点支持状態で実装基板12に固着させる。そして、図10bに示すように、接続電極16と端子電極30、接続電極16と集積回路82のパッド電極84、端子電極30とパッド電極84とをワイヤー40により接続する。次に、図10cに示すように、貫通孔23凹部22と物理量センサー素子42リッド78との隙間、支持基板24と実装基板12との隙間であって接合部材36が接着した領域を除く領域を封止材34により充填するとともに、支持基板24、集積回路82、ワイヤー40を覆うように封止材34により充填して封止する。最後に図10dに示すようにキャップ38を実装基板12の周縁に接続させることにより第2実施形態の物理量センサー80が形成される。なお、上述の実装構造体10は物理量センサー80において集積回路82が搭載されないだけであり、基本的には物理量センサー10の製造方法と同様の製造方法である。なお、図10aにおいて、凹部22及び実装基板12上の支持基板24と接続する領域であって接合部材36が配置される領域以外の領域に、予め封止材34を充填してもよい。これにより、支持基板24はワイヤー40を接続する前に、封止材34及び接合部材36により支持されることになるので、ワイヤー40を容易に接続することができる。また図10dに示すようなキャップ38を用いる代わりに、トランスファーモールド樹脂で封止材34の周囲を覆うようにモールド成型しても良い。図11に、第3実施形態の物理量センサーの側面図を示し、図12に第3実施形態の物理量センサーの分解斜視図を示す。また図13に、第3実施形態の物理量センサーを構成する支持基板、物理量センサー素子、第2の物理量センサー素子を示し、図13aは斜視図、図13bは図13aのA-A′線断面図を示す。第3実施形態の物理量センサー90は、第2実施形態の物理量センサー80において支持基板24の上面26に第2の物理量センサー素子92を配置し、第2の物理量センサー素子92上に集積回路82を配置している。第2の物理量センサー素子92は支持基板24の上面26に配置した配線94を有し、この配線94が端子電極30と接続している。第2の物理量センサー素子92としては、例えば物理量センサー素子42と同じ構成を有するとともに、可動部60の角度が互いに直交するように配置したものが挙げられる。これにより第3の物理量センサー90は2つの互いに直交する加速度等を検出することができる。また第2の物理量センサー素子92としてはジャイロセンサーを適用することができる。ジャイロセンサーは、例えば集積回路82から交流電圧を受けて一定の周期で振動する可動部不図示と、支持基板24に対して固定された固定部不図示とを有する。この場合、可動部不図示は、角速度に起因するコリオリ力を受けて変位し、可動部不図示と固定部不図示との相対変位が変化する。よって、集積回路82は、可動部不図示と固定部不図示との間の静電容量の変化を検知することにより、前記静電容量の変化に対応する角速度の方向と大きさを算出することができる。上述同様に本実施形態においても、支持基板24は、接合部材36により片持ち支持状態で実装基板12に支持されるとともに弾性係数の低い封止材34により封止されている。よって、実装基板12による振動系と、支持基板24、物理量センサー素子42、第2の物理量センサー素子92による振動系は、エネルギー的に互いにほぼ孤立した状態となっている。よって、第2の物理量センサー素子92としてジャイロセンサーを適用した場合は、ジャイロセンサーから発せられる振動が実装基板12に伝達されることを防ぎ、ジャイロセンサーの振動効率の低下を抑制することができる。第3実施形態の物理量センサー90の製造工程は、第2の物理量センサー素子92を製造するために、図8a~図8d、図9a、図9bと同様の工程を支持基板24の上面26に行い、第2の物理量センサー素子92上に集積回路82を配置すればよい。この場合、第2の物理量センサー素子92は端子電極30と同じ面上面26に配置されるので、第2の物理量センサー素子92と端子電極30を接続するための貫通電極を支持基板24に形成する必要はない。本実施形態の物理量センサー80、90は、物理量センサー素子42が支持基板24の下面28に配置され、集積回路82が支持基板24の上面26に配置された構成を有している。よって、これらの構成要素を実装基板12上で横置きする従来構造よりも小型化に優れたものとなる。特に物理量センサー90においては、物理量センサー素子42のみならず第2の物理量センサー素子92を搭載し、小型化に優れた複合センサーとして機能させることができる。またいずれの実施形態に係る物理量センサー80、90を、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、医療機器、各種測定機器等に搭載して電子機器を構築することができる。なお、物理量センサーの実装構造体10、物理量センサー80、90において、支持基板24は、接合部材36により実装基板12に片持ち支持状態で支持されるが、接合部材36は、支持基板24の一辺に偏った位置に一点で配置してもよいし、前記一辺において二点またはそれ以上の位置に配置してもよい。