複数の開口部を有するエッチングマスクを第1導電型の半導体基板の一面側に形成し、前記エッチングマスクを用いたウエットエッチングにより前記開口部の下部領域およびその周辺領域の前記半導体基板をエッチングしてテクスチャーを形成するテクスチャー形成工程と、前記半導体基板の一面側に第2導電型の不純物元素を拡散して不純物拡散層を形成する不純物拡散層形成工程と、前記半導体基板の一面側における電極形成領域および前記半導体基板の他面側に電極を形成する電極形成工程と、を含む太陽電池の製造方法であって、前記テクスチャー形成工程では、前記ウエットエッチングの途中において、前記ウエットエッチングにより発生した水素ガスを前記開口部から外部に放出した後に再度ウエットエッチングを実施すること、を特徴とする太陽電池の製造方法。前記テクスチャー形成工程は、前記ウエットエッチングにおいて耐性を有する耐エッチング膜を半導体基板の一面側に形成する第1工程と、前記耐エッチング膜に複数の開口部を形成する第2工程と、前記半導体基板の前記耐エッチング膜が形成された面に対してエッチング液を供給し、前記耐エッチング膜を前記エッチングマスクとした第1ウエットエッチングを実施して前記開口部の下部およびその近傍領域に第1凹部を形成する第3工程と、前記開口部内および前記第1凹部内の前記エッチング液を乾燥除去する第4工程と、前記半導体基板の前記耐エッチング膜が形成された面に対してエッチング液を供給し、前記耐エッチング膜を前記エッチングマスクとした第2ウエットエッチングを実施して前記開口部の下部およびその近傍領域に前記第1凹凸がさらにエッチングされた第2凹部を形成する第5工程と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第4工程では、前記第1凹部の表面の前記第1エッチング液を前記半導体基板と反応しない液体に置換して前記エッチング液と前記半導体基板とのエッチング反応を停止させる工程と、前記液体を乾燥除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項2に記載の太陽電池の製造方法。前記第1凹部内に気体を吹き付けることにより前記液体を乾燥除去すること、を特徴とする請求項3に記載の太陽電池の製造方法。前記半導体基板の外周縁部に温風を吹き付けて前記半導体基板を加熱することにより前記液体を乾燥除去すること、を特徴とする請求項3に記載の太陽電池の製造方法。しかしながら、特許文献2に示されるような、開口部を有する保護膜をマスクに使用し、アルカリ性の溶液を用いて受光面にテクスチャーを形成する方法において、開口部が小さい場合、例えば開口径が10μm以下の大きさである場合は、テクスチャーの形成過程で発生する水素が開口部の外部へ放出されないという現象が生じる。この場合には、水素が開口部を塞ぐため開口部内のエッチング液の交換が妨げられてテクスチャー形成部へのアルカリ性溶液の供給が律速され、開口部ごとにエッチングによるテクスチャーの形成の進行にずれが生じる。このため、エッチング完了後のテクスチャー形状にばらつきが生じ、受光面全面への理想的なテクスチャー形成が行えない。この結果、テクスチャー形状のばらつきに起因した基板への光入射量の減少が生じて光利用効率が低下し、光電変換効率が低下する、という問題があった。ここで、理想的なテクスチャー形成とは、受光面内において均一なテクスチャーが形成されることである。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、光利用効率が高く、光電変換効率に優れた太陽電池の製造方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる太陽電池の製造方法は、複数の開口部を有するエッチングマスクを第1導電型の半導体基板の一面側に形成し、前記エッチングマスクを用いたウエットエッチングにより前記開口部の下部領域およびその周辺領域の前記半導体基板をエッチングしてテクスチャーを形成するテクスチャー形成工程と、前記半導体基板の一面側に第2導電型の不純物元素を拡散して不純物拡散層を形成する不純物拡散層形成工程と、前記半導体基板の一面側における電極形成領域および前記半導体基板の他面側に電極を形成する電極形成工程と、を含む太陽電池の製造方法であって、前記テクスチャー形成工程では、前記ウエットエッチングの途中において、前記ウエットエッチングにより発生した水素ガスを前記開口部から外部に放出した後に再度ウエットエッチングを実施すること、を特徴とする。本発明によれば、半導体基板の受光面側に対して均一な形状のテクスチャーを一様に形成することができ、光利用効率が高く、光電変換効率に優れた太陽電池を得ることができる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる太陽電池の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。実施の形態1.図1-1は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池セルの構造を示す断面図である。図1-2は本発明の実施の形態1にかかる太陽電池セルにおける太陽電池基板の構成を説明するための要部斜視図である。図1-3は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池セルにおける太陽電池基板の構成を説明する図であり、図1-2の線分A-Aにおける要部断面図である。本実施の形態1にかかる太陽電池セルは、複数のテクスチャー2がテクスチャー非形成領域1上に設けられた太陽電池基板である半導体基板3と、テクスチャー2の表層に第2導電型の不純物が拡散された不純物拡散層である第2導電型層4と、テクスチャー2の表面に例えばシリコン窒化膜により形成された絶縁層5と、第2導電型層4に電気的に接続されて半導体基板3の受光面側に形成された受光面側電極6と、半導体基板3の受光面と反対側の面裏面の表層に形成された第1導電型層8と、該第1導電型層8の裏面側に形成された裏面側電極7と、を備える。本実施の形態にかかる太陽電池基板である半導体基板3においては、受光面側に複数のテクスチャー2が形成されている。該テクスチャー2は半導体基板3の一面側の表面を加工して形成したものであり、テクスチャー非形成領域1との間には境界はないが、理解の容易のため便宜上領域を分けて図示する。半導体基板3としては、例えばp型の単結晶または多結晶のシリコン基板を用いることができる。この場合、第2導電型層4は、半導体基板3の表層に例えばリンが拡散された不純物拡散層n型不純物拡散層である。また、第1導電型層8は、半導体基板3の裏面側の表層に裏面側電極7の電極材料、例えばアルミニウムが拡散された拡散層である。なお、半導体基板3はこれに限定されるものではなく、n型のシリコン基板を用いてもよい。また、絶縁層5は反射防止膜として設けられ、例えばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜により形成される。このように構成された実施の形態1にかかる太陽電池セルの半導体基板3の受光面側には、高さおよび形状の揃った均一且つ微細なピラミッド状のテクスチャー2が全面に均一に形成されている。高さおよび形状が均一なテクスチャー2は、該テクスチャー2で反射された光が隣接するテクスチャー2に再入射する確率を高め、太陽電池セルの光の利用効率を増大させる。光の利用効率の増大は、太陽電池セルで生成されるキャリア数を増加させ、光電変換効率の向上を実現させることができる。また、この太陽電池セルでは、形成工程の不足のために他のテクスチャーと形状が異なる微小なテクスチャーの形成が抑制されており、受光面の意図しない表面積の増加が抑制されている。すなわち、この太陽電池セルでは、表面積の増加による太陽電池セルの開放電圧の低下が抑制されており、高い開放電圧が得られる。したがって、実施の形態1にかかる太陽電池セルによれば、高い光利用効率と、高い開放電圧を有し、光電変換効率に優れた太陽電池セルが実現されている。つぎに、上述した実施の形態1にかかる太陽電池セルの製造方法について図2-1~図2-10および図3を参照して説明する。図2-1~図2-10は実施の形態1にかかる太陽電池セルの製造方法を説明するための断面図である。図2-1~図2-10は、図1-3に対応した図である。図3は、実施の形態1にかかる太陽電池セルの製造方法におけるテクスチャーの形成工程を説明するためのフローチャートである。まず、半導体基板として例えばp型単結晶シリコン基板11を用意し、該p型単結晶シリコン基板11のスライス時に形成されたダメージ層をウエットエッチングにより除去する。その後、該p型単結晶シリコン基板11の表面に、後述するウエットエッチングにおけるエッチング耐性を備える、例えばシリコン窒化膜からなる耐エッチング膜12を形成するステップS10、図2-1。ここでは、耐エッチング膜12としてシリコン窒化膜を用いたが、耐エッチング膜12としては後の工程で開口が可能であり且つp型単結晶シリコン基板11とのエッチング選択性があれば、他の材料を選択してもよく、シリコン酸化膜SiO2膜、金属膜、有機膜等を用いることができる。耐エッチング膜12の膜厚は、成膜速度とエッチング選択性、除去性等を考慮して選択すればよい。つぎに、耐エッチング膜12に対して開口部を形成する微細穴加工を施すステップS20、図2-2。すなわち、p型単結晶シリコン基板11の一面側に形成された耐エッチング膜12に対して、例えばレーザー加工処理を施し、p型単結晶シリコン基板11の表面が露出する開口部13を正方格子点状に形成する。ここで、開口部13は所定の単位面積に対して1個または複数設けられる。本発明が有効に作用する開口部の直径は1μm~8μm程度である。つぎに、テクスチャーを形成させるために、第1エッチングとして等方性エッチングを行うステップS30、図2-3。すなわち、p型単結晶シリコン基板11を例えば水酸化ナトリウム0.5wt~10wtとイソプロピルアルコール1wt~30wtとを混合して85°Cに加熱した第1エッチング液14中に浸漬させることにより、開口部13が形成された耐エッチング膜12をエッチングマスクとして用いたウエットエッチングを行う。この工程において、開口部13内に第1エッチング液14が供給され、開口部13の底部に露出しているp型単結晶シリコン基板11と前述の第1エッチング液とが反応し、開口部13とp型単結晶シリコン基板11との界面からp型単結晶シリコン基板11のエッチングが等方的に進行し、エッチング進行領域である第1凹部11aが形成される。なお、第1エッチング液14の濃度や温度は、テクスチャー形成のためのエッチングが進行すればよく、前述の濃度に限定するものではない。また、開口部13内に第1エッチング液14を供給する方法は、p型単結晶シリコン基板11を第1エッチング液14中に浸漬させることに限定されない。例えば、p型単結晶シリコン基板11の表面に第1エッチング液14を連続的に供給するなどの方法を用いても構わない。つぎに、開口部13内のエッチング溶液を純水15に置換して、第1凹部11a内のエッチング溶液を純水15に置換するステップS40、図2-4。第1凹部11aのエッチングがある程度進行した時点、例えば合計エッチング処理時間60分に対して20分程度経過した時点でp型単結晶シリコン基板11を第1エッチング液から取り出し、純水15中に浸漬させる。p型単結晶シリコン基板11を純水15に浸漬させることで開口部13内に純水15が入り込んで第1凹部11aの表面での第1エッチング液14の濃度が減少し、エッチングの進行が抑制される。そして、最終的には第1凹部11aの表面の第1エッチング液14が純水15に置換されることにより、エッチングの進行が停止する。なお、第1凹部11aの表面でのエッチングの進行を停止させる方法は、p型単結晶シリコン基板11を純水15中に浸漬させることに限定されない。p型単結晶シリコン基板11を浸漬させる液体は、p型単結晶シリコン基板11と反応せず、耐エッチング膜12に大きな影響を与えない範囲内で、第1凹部11aでのエッチングの進行を停止させ得る液体であればよい。また、第1凹部11a内の第1エッチング液14をこのような液体と置換する方法は、p型単結晶シリコン基板11を液体中に浸漬させることに限定されない。例えば、p型単結晶シリコン基板11の表面に液体を連続的に供給するなどの方法を用いても構わない。つぎに、p型単結晶シリコン基板11を純水15から取り出し、開口部13内および第1凹部11a内の純水15を乾燥させる乾燥工程を実施するステップS50、図2-5。純水15の乾燥には、たとえばエアナイフ本体16の先端に吹き出し口17を取り付けた乾燥エアナイフ18を用いる。乾燥エアナイフ18から窒素ガスがp型単結晶シリコン基板11に対して20°~90°の角度範囲で当たるようにp型単結晶シリコン基板11上に配置する。そして、p型単結晶シリコン基板11の表面に窒素ガスを吹き付けることにより開口部13内および第1凹部11a内に窒素ガスを吹き付けて、開口部13内および第1凹部11a内の純水15を乾燥させる。従来のテクスチャーの形成方法では、エッチング過程で発生する水素が開口部13から外部へ放出されずに開口部13を塞ぐために、開口部内のエッチング液の交換が妨げられて基板の全面で均一にエッチングが進行しなかった。これにより、開口部ごとにエッチングによるテクスチャーの形成の進行にずれが生じ、基板の全面において均一なテクスチャーが形成できなかった。しかしながら、本実施の形態においては、テクスチャー形成のためのエッチングの途中においてエッチング進行領域である第1凹部11aの表面に存在するエッチング液を純水15に置換してエッチング反応を停止させ、該純水15を乾燥させる。これにより、第1凹部11aのエッチング過程で発生する水素を開口部13の外部へ放出することができる。なお、p型単結晶シリコン基板11の表面に吹き付ける乾燥用の気体は窒素ガスに限定されず、空気やアルゴンなど、p型単結晶シリコン基板11と反応せず、耐エッチング膜12に影響を与えない気体であればよい。第1凹部11aに入りこんだ純水15の排出を容易にするために、乾燥の際にp型単結晶シリコン基板11を水平から傾けて保持したり、開口部13が下面となるように保持したりしてもよい。p型単結晶シリコン基板11の乾燥後は、純水15が排出された第1凹部11a内は、空隙領域19となる図2-6。つぎに、テクスチャーを形成させるために、第2エッチングとして耐エッチング膜12をマスクとして用いた等方性エッチングをさらに行うステップS60、図2-7。すなわち、乾燥処理が施されたp型単結晶シリコン基板11を、例えば水酸化ナトリウム0.5wt~10wtとイソプロピルアルコール1wt~30wtとを混合して85°Cに加熱した第2エッチング液20に浸漬させる。これにより、空隙領域19には第2エッチング液20が新規に一様に供給され、第1凹部11aの表面のエッチングが均一に進行する。この結果、第1凹部11aがさらにエッチング加工された第2凹部11bが一様に形成される。第2エッチング液20は第1エッチング液14と同じで薬液であってもよく、異なる薬液であってもよい。そして、例えば合計エッチング処理時間60分に対して残りの40分程度経過した時点でp型単結晶シリコン基板11をエッチング液から取り出し、洗浄する図2-8。つぎに、ウエットエッチングにより、残存した耐エッチング膜12の除去を行うステップS70、図2-9。耐エッチング膜12の除去のためのエッチング液としては、例えば5wtのフッ化水素酸水溶液を用いる。このようにして耐エッチング膜12を除去することにより、ピラミッド形状の揃った複数のテクスチャー2がテクスチャー非形成領域1上に均一に設けられた太陽電池基板である半導体基板3が得られる。なお、エッチング液は、使用した耐エッチング膜12の材料等の条件に合わせて適宜変更することができる。なお、ステップS60の後に、上述したステップS40~ステップS60と同様の工程を複数回繰り返してもよい。これにより、エッチング過程で発生する水素を開口部13の外部へ放出する回数を増やすことができ、開口部13内および第1凹部11a内へのエッチング液の供給交換を促進して、p型単結晶シリコン基板11の全面においてより均一にテクスチャー2を形成することができる。最後に、一般的に用いられている工程を経て、半導体基板3への第2導電型層4、絶縁層5、受光面側電極6、裏面側電極7、第1導電型層8との形成を行い、図1-1に示す太陽電池セルが作製される。たとえば、上記の処理が完了した半導体基板3を熱拡散炉へ投入し、オキシ塩化リンPOCl3蒸気の存在下で加熱して半導体基板3の表面にリンガラスを形成することで半導体基板3にリンを拡散させ、半導体基板3の表層に第2導電型層4を形成する。なお、ここではp型シリコン基板を使用したため、pn接合を形成するために異なる導電型のリンを拡散させたが、n型シリコン基板を使用した場合はp型の不純物を拡散させればよい。次に、フッ酸溶液中で半導体基板3のリンガラス層を除去し、半導体基板3の受光面側の面以外に形成された第2導電型層4を除去した後、絶縁層5としてプラズマCVD法によりSiN膜を第2導電型層4上に形成する。絶縁層5の膜厚および屈折率は、光反射を最も抑制する値に設定する。なお、屈折率の異なる2層以上の膜を積層してもよい。また、絶縁層5は、スパッタリング法など、異なる成膜方法により形成してもよい。次に、半導体基板3の受光面に銀の混入したペーストを櫛形にスクリーン印刷にて印刷し、半導体基板3の裏面にアルミニウムの混入したペーストを全面にスクリーン印刷にて印刷した後、焼成処理を実施して受光面側電極6、裏面側電極7を形成する。焼成は大気雰囲気中において例えば760°Cで実施する。また、焼成により裏面側電極7の成分が半導体基板3の裏面側内部に拡散して第1導電型層8が形成される。以上のようにして、図1-1に示す太陽電池セルが作製される。上述したように、本実施の形態においては、複数の開口部13を有する耐エッチング膜12をマスクとしたテクスチャー形成のためのエッチングの途中において、エッチング進行領域である第1凹部11aの表面に存在するエッチング液を純水15に置換し、該純水15を乾燥させる。従来のテクスチャーの形成方法では、エッチング過程で発生する水素が開口部から外部へ放出されずに開口部を塞ぐために、エッチング液がマスクの開口部の内部に入ることが阻害され、開口部の内部のエッチング液の交換が妨げられて基板の全面で均一にエッチングが進行しなかった。これにより、開口部ごとにエッチングによるテクスチャーの形成の進行にずれが生じ、基板の全面において均一なテクスチャーが形成できなかった。このような現象の発生は、開口部の径が例えば10μm以下の小さい場合に特に顕著であった。しかしながら、本実施の形態では、テクスチャー2を形成するためのエッチング処理の途中に上述した処理を実施して開口部13内および第1凹部11a内を乾燥させるため、エッチング過程で発生して開口部13を塞いでいた水素が外部へ放出され、その後の第2エッチングにおいてはp型単結晶シリコン基板11の全面においてエッチング液が開口部13内および第1凹部11a内に新規に均一に供給される。これにより、第1凹部11aの表面のエッチングが均一に進行し、p型単結晶シリコン基板11の全面に均一な形状のテクスチャー2が一様に形成され、光の入射量が増大した太陽電池基板が得られる。そして、この均一な形状のテクスチャー2が一様に形成された半導体基板3を用いて太陽電池セルを作製することにより、高い光利用効率を有し、光電変換効率に優れた太陽電池セルを作製することができる。また、サイズの大きいテクスチャー2のみを形成することが可能となり、受光面積の増大による開放電圧の低下を減少させることができる。したがって、実施の形態1によれば、太陽電池基板の受光面側に均一なテクスチャーが形成された、高い光利用効率と高い開放電圧とを有し、光電変換効率に優れた太陽電池セルを作製することができる。実施の形態2.実施の形態2では、実施の形態1で説明した太陽電池セルの製造方法における乾燥工程についての変形例について説明する。実施の形態2にかかる太陽電池セルの製造方法は、乾燥工程を除いて実施の形態1の太陽電池セルの製造方法と同様であるので、実施の形態1の説明を参照することとして詳細な説明は省略する。図4は、本発明の実施の形態2にかかる太陽電池セルの製造方法における乾燥工程を説明するための断面図である。上述した実施の形態1にかかる太陽電池セルの製造方法では乾燥工程においては、乾燥エアナイフ18から開口部13内および第1凹部11a内に気体の吹き付けを行っている。実施の形態2にかかる太陽電池セルの製造方法の乾燥工程では、加温された気体をp型単結晶シリコン基板11の周囲より吹き付けて、p型単結晶シリコン基板11の周囲からp型単結晶シリコン基板11の表面を乾燥させる。たとえば100°C~180°Cに加温された窒素ガスを吹き出す温風エアナイフ本体31の先端に吹き出し口32を取り付けた温風エアナイフ33を用いる。温風エアナイフ33からp型単結晶シリコン基板11の外周縁部に対して窒素ガスが0°~30°の角度範囲で当たるように温風エアナイフ33をp型単結晶シリコン基板11上に配置する。このような配置でp型単結晶シリコン基板11に加温された窒素ガスを吹き付けることにより、吹き出し口32から吹き出された窒素ガスがp型単結晶シリコン基板11を周囲から加熱して、開口部13内および第1凹部11a内の純水15を乾燥させることができる。上述したように、実施の形態2にかかる太陽電池セルの製造方法における乾燥工程では、p型単結晶シリコン基板11を周囲から加熱することにより、実施の形態1の場合と同様に開口部13内および第1凹部11a内の純水15を乾燥させて、第1凹部11a内の純水15を乾燥させることができる。そして乾燥工程の後、実施の形態1の場合と同様にして第2エッチング工程を実施することにより、第1凹部11aの表面のエッチングが均一に進行し、p型単結晶シリコン基板11の全面に均一な形状のテクスチャー2が一様に形成され、光の入射量が増大した太陽電池基板が得られる。また、実施の形態2にかかる太陽電池セルの製造方法では、p型単結晶シリコン基板11を周囲から加熱するため、複数のp型単結晶シリコン基板11が狭い間隔で並べられ、エッチング面が上部に露出していない場合においても、加熱された窒素ガスによりp型単結晶シリコン基板11が加熱される。したがって、p型単結晶シリコン基板11が大量に並べられてエッチング面が上部に露出していない状態においても、p型単結晶シリコン基板11に均一なテクスチャー2を形成させることができ、高い光利用効率を有する、光電変換効率に優れた太陽電池を作製することができる。