"R-T-B系焼結磁石体を準備する工程と、重希土類元素RHDyおよびTbの少なくとも一方からなるおよび30質量以上80質量以下のFeを含有するRH拡散源を準備する工程と、前記焼結磁石体と前記RH拡散源とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能に処理室内に装入する工程と、前記焼結磁石体と前記RH拡散源とを前記処理室内にて連続的または断続的に移動させながら、前記焼結磁石体および前記RH拡散源を850°C超1000°C以下の処理温度に加熱するRH拡散工程と、を包含するR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記処理温度は870°C以上1000°C以下である請求項1に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記RH拡散源には40質量以上80質量以下のFeが含まれる請求項1または2に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記RH拡散源には40質量以上60質量以下のFeが含まれる請求項1から3のいずれかに記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記RH拡散工程は、前記処理室を回転させる工程を含む、請求項1から4のいずれかに記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記RH拡散工程において、前記処理室を周速度0.01m/s以上の速度で回転させる、請求項1から5のいずれかに記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記RH拡散工程は、攪拌補助部材を前記処理室内に装入して行う請求項1から6のいずれかに記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記攪拌補助部材は、ジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化硼素または、これらの混合物のセラミックスからなる請求項7に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記RH拡散工程における前記熱処理は、前記処理室の内部圧力を0.001Pa以上大気圧以下に調整して行う、請求項1から8のいずれかに記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。他のR-T-B系焼結磁石体を準備する工程Aと、前記他のR-T-B系焼結磁石体と前記RH拡散源とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能に処理室内に装入した状態で、前記他のR-T-B系焼結磁石体と前記RH拡散源とを前記処理室内にて連続的または断続的に移動させながら、前記他のR-T-B系焼結磁石体および前記RH拡散源を850°C超1000°C以下の処理温度に加熱するRH拡散工程Bと、を包含する請求項1から9のいずれかに記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記工程Aおよび前記工程Bを繰り返すことにより、同一の前記RH拡散源から複数の前記他のR-T-B系焼結磁石体に対して重希土類元素RHを拡散させる、請求項10に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。請求項1から11のいずれかに記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法によって製造されたR-T-B系焼結磁石。請求項1から11の何れかに記載されているR-T-B系焼結磁石の製造方法に使用されるRH拡散源であって、重希土類元素RHDyおよびTbの少なくとも一方からなるおよび30質量以上80質量以下のFeを含有するRH拡散源。特許文献1の方法では、スパッタ処理や蒸着処理にてR-T-B系焼結磁石体の表面に被膜するのと比べると、700°Cから1000°Cという低い温度で重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体に供給することでR-T-B系焼結磁石体への重希土類元素RHの供給量が過多にならないため、残留磁束密度の低下がほとんどなく保磁力の向上したR-T-B系焼結磁石を作製することができた。しかし、重希土類元素RHを供給するRHバルク体は反応性が高いものを用いるため、R-T-B系焼結磁石体と接触しつつ加熱するとRHバルク体がR-T-B系焼結磁石体と反応し、変質してしまう恐れがあった。また、処理室内において、RHバルク体とR-T-B系焼結磁石体とが反応しないよう、R-T-B系焼結磁石体と重希土類元素RHからなるRHバルク体とを離間して配置する必要があるため、配置のための工程に手間がかかるという問題があった。一方、特許文献2の方法によると、Yb、Eu、Smのように飽和蒸気圧の高い希土類金属であれば、焼結磁石体への被膜の形成と被膜からの拡散とを同一温度範囲例えば800~850°Cの熱処理によって実行することが可能であるが、特許文献2によれば、DyやTbのように蒸気圧の低い希土類元素をR-T-B系焼結磁石体表面へ被膜堆積するためには、高周波加熱用コイルを用いた誘導加熱により粉末状の希土類金属を選択的に高温に加熱することが必要になる。このようにDyやTbをR-T-B系焼結磁石体よりも高い温度に加熱する場合は、DyやTbとR-T-B系焼結磁石体とを一定程度離間させることが必要になる。特許文献2の技術思想および方法によれば、離間しなければ特許文献1に記載の方法と同様にRH拡散源がR-T-B系焼結磁石体と反応し、変質してしまう問題が生じ得る。離間していても、粉末状のDy、Tbを選択的に高温に加熱するとR-T-B系焼結磁石体の表面にDyやTbの被膜が厚く例えば数十μm以上形成されるため、R-T-B系焼結磁石体の表面近傍において主相結晶粒の内部にDyやTbが拡散してしまい、残留磁束密度の低下が発生することになる。特許文献3の方法によると、DyやTbの鉄合金の粉末がR-T-B系焼結磁石体に付着した状態で熱処理を行うため、固定した付着点からR-T-B系焼結磁石体にDyやTbが拡散される。用いるDyやTbの鉄合金は50μmから100nmの微粉末であるため、熱処理後、完全に取り除くのが難しく熱処理炉内に残りやすい。炉内に残った熱処理後のDyやTbの鉄合金は次に行なうR-T-B系焼結磁石体と反応し、コンタミネーションに変質しやすい。そのため特許文献3に開示されているDyやTbの鉄合金の粉末は熱処理毎に炉内から完全に除去しなければならず、DyやTbの鉄合金の粉末は何度も使用することができない。また、DyやTbの鉄合金の粉末を溶媒に溶かして塗布したり、スラリー状にして塗る工程が追加されるためR-T-B系焼結磁石の製造に手間がかかるという問題がある。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、残留磁束密度を低下させることなくDyやTbの重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体の表面から内部に拡散させるR-T-B系焼結磁石の製造方法において、RH拡散源を繰り返し使用でき、かつR-T-B系焼結磁石を効率よく生産する製造方法を提供することである。本発明のR-T-B系焼結磁石の製造方法は、R-T-B系焼結磁石体を準備する工程と、重希土類元素RHDyおよびTbの少なくとも一方からなるおよび30質量以上80質量以下のFeを含有するRH拡散源を準備する工程と、前記R-T-B系焼結磁石体と前記RH拡散源とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能に処理室内に装入する工程と、前記R-T-B系焼結磁石体と前記RH拡散源とを前記処理室内にて連続的または断続的に移動させながら、前記R-T-B系焼結磁石体および前記RH拡散源を850°C超1000°C以下の処理温度に加熱するRH拡散工程とを包含する。ある実施形態において、前記処理温度は870°C以上1000°C以下である。ある実施形態において、前記RH拡散源には40質量以上80質量以下のFeが含まれる。ある実施形態において、前記RH拡散源には40質量以上60質量以下のFeが含まれる。ある実施形態において、前記RH拡散工程は、前記処理室を回転させる工程を含む。ある実施形態において、前記RH拡散工程で前記処理室を周速度0.01m/s以上の速度で回転させる。ある実施形態において、前記RH拡散工程は、攪拌補助部材を前記処理室内に装入して行う。ある実施形態において、前記攪拌補助部材は、ジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化硼素または、これらの混合物のセラミックスからなる。ある実施形態において、前記RH拡散工程における前記熱処理は、前記処理室の内部圧力を0.001Pa以上大気圧以下に調整して行う。ある実施形態において、他のR-T-B系焼結磁石体を準備する工程Aと、前記他のR-T-B系焼結磁石体と前記RH拡散源とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能に処理室内に装入した状態で、前記他のR-T-B系焼結磁石体と前記RH拡散源とを前記処理室内にて連続的または断続的に移動させながら、前記他のR-T-B系焼結磁石体および前記RH拡散源を850°C超1000°C以下の処理温度に加熱するRH拡散工程Bと、を包含する。ある実施形態において、前記工程Aおよび前記工程Bを繰り返すことにより、同一の前記RH拡散源から複数の前記他のR-T-B系焼結磁石体に対して重希土類元素RHを拡散させる。本発明によるR-T-B系焼結磁石は、上記いずれかのR-T-B系焼結磁石の製造方法によって製造されたR-T-B系焼結磁石である。本発明のRH拡散源は、上記何れかのR-T-B系焼結磁石の製造方法に使用されるRH拡散源であって、重希土類元素RHDyおよびTbの少なくとも一方からなるおよび30質量以上80質量以下のFeを含有する。本発明によれば、DyおよびTbの少なくとも一方からなる重希土類元素RHと30質量以上80質量以下のFeとを含有するRH拡散源は、変質することなく、繰り返して使用することができる。また、DyおよびTbの少なくとも一方からなる重希土類元素RHと30質量以上80質量以下のFeとを含有するRH拡散源を、R-T-B系焼結磁石体と相対的に移動可能かつ近接または接触可能に処理室内に装入し、850°C超1000°C以下の温度にて連続的または断続的に移動させることで配置の手間がかからずRH拡散処理ができる。本発明の製造方法では、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能に処理室または処理容器内に装入し、それらを850°C超1000°C以下の温度処理温度に加熱保持する。好ましい処理温度は870°C以上1000°C以下である。ここで、RH拡散源は、重希土類元素RHDyおよびTbの少なくとも一方からなると、30質量以上80質量以下のFeとを含有する合金である。このとき、例えば、処理室を回転または揺動させたり、処理室に振動を加えたりすることにより、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを前記処理室内にて連続的にまたは断続的に移動して、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源との接触部の位置を変化させたり、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを近接離間させながら、重希土類元素RHの供給とR-T-B系焼結磁石体への拡散とを同時に実行するRH拡散工程。本発明では、RH拡散源とR-T-B系焼結磁石体とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能に処理室内に装入し、連続的または断続的に移動させることができるので、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを所定位置に並べる載置の時間が不要となる。重希土類元素RHと30質量以上80質量以下のFeとからなる合金をRH拡散源とすることで、RH拡散工程時にRH拡散源がR-T-B系焼結磁石体から染み出すNd、Prにより変質することを抑制する。また、本発明のRH拡散源はR-T-B系焼結磁石と反応しにくいので、850°C超から1000°C以下の温度でRH拡散処理を行っても、R-T-B系焼結磁石の表面に供給される重希土類元素RHDyまたはTbの少なくとも一方からなるが供給過多とならない。これにより、RH拡散後の残留磁束密度の低下を抑えながら、充分に高い保磁力を得ることができる。ここで、RH拡散源のFeの含有量が30質量未満であると、重希土類元素RHの体積率が高くなり、その結果、RH拡散処理中にR-T-B系焼結磁石体から染み出すNd、PrがRH拡散源に取り込まれ、Nd、PrがFeと反応してRH拡散源の組成がずれ、RH拡散源が変質してしまう。一方、Feの含有率が80質量を超えると、RH含有量が20質量よりも少なくなるため、RH拡散源からの重希土類元素RHの供給量が小さくなり、処理時間が非常に長くなるため量産には適しない。本発明は、重希土類元素RHと30質量以上80質量以下のFeとを含有するRH拡散源を850°C超から1000°C以下で連続的または断続的にR-T-B系焼結磁石体とともに移動させることで、処理室内でRH拡散源とR-T-B系焼結磁石体との接触点により、重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体表面から導入し、R-T-B系焼結磁石体内部に拡散させることができる。また、850°C超から1000°C以下という温度範囲が、R-T-B系焼結磁石体においてRH拡散が促進される温度範囲であり、重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体内部に拡散させやすい状況でRH拡散ができる。870°C以上1000°C以下でRH拡散をより効率的に行うことができる。本発明のRH拡散源に含まれるFeの質量比率は好ましくは40質量から80質量である。さらに好ましくは40質量から60質量である。さらに好ましい範囲ではRH拡散源中に含まれるDyFe2等のRHFe2化合物および/またはDyFe3等のRHFe3化合物および/またはDy6Fe23等のRH6Fe23化合物の体積比率が90以上となる。希土類元素とFeとの組合せでは、希土類元素がNd、Prの場合は原子数比がNdまたはPr:Fe=1:2、1:3、又は6:23の1-2、1-3、6-23の化合物は生成しない。従って、上記さらに好ましい範囲においては、RH拡散源を1-2、1-3、6-23の組成比とすることでRH拡散時にR-T-B系焼結磁石体からしみだしたNd、PrをRH拡散源中のRH-Fe化合物が取り込むことを防止できるので、RH拡散源が変質せず、より多くの回数を繰り返し使用できる。また、RH拡散処理でのR-T-B系焼結磁石体への重希土類元素RHの供給過多がなくなり、残留磁束密度Brの低下がなくなる。ここで、RH拡散工程においてR-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを処理室内において連続的または断続的に移動させる方法としては、R-T-B系焼結磁石体に欠けや割れを発生させることなく、RH拡散源とR-T-B系焼結磁石体との相互配置関係を変動させることが可能であれば、任意の方法を採用し得る。例えば、処理室を回転、揺動したり、外部から処理室に振動を加えたりする方法を採用できる。また、処理室内に攪拌手段を設けてもよい。また、処理室を固定し、処理室内に設けた撹拌手段によってRH拡散源とR-T-B系焼結磁石体との相互配置関係を変動してもよい。重希土類元素RHを主相結晶粒の外側から拡散させることにより、主相外殻部に重希土類置換層を形成することで、R-T-B系焼結磁石の主相結晶粒の外殻部における結晶磁気異方性が高められると、磁石全体の保磁力HcJが効果的に向上するとされている。本発明では、R-T-B系焼結磁石体の表面に近い領域だけでなく、R-T-B系焼結磁石体表面から離れた内部の領域においても重希土類置換層を主相外殻部に形成することができるため、R-T-B系焼結磁石体全体にわたって主相外殻部で効率良く重希土類元素RHが濃縮された層を形成することにより、保磁力HcJを向上させることが可能になる一方、重希土類置換層は充分薄く、主相内部には重希土類元素RHの濃度の低い部分が残存するため、残留磁束密度Brを殆ど低下させない。また、本発明では、R-T-B系焼結磁石体の組成に重希土類元素RHを含む必要はない。すなわち、希土類元素Rとして軽希土類元素RLNdおよびPrの少なくとも一方からなるを含有する公知のR-T-B系焼結磁石体を用意し、その表面から重希土類元素RHを磁石内部に拡散する。本発明によれば、重希土類元素RHの粒界拡散により、R-T-B系焼結磁石体の内部に位置する主相の外殻部にも重希土類元素RHを効率的に供給することが可能になる。もちろん、本発明は、重希土類元素RHが添加されているR-T-B系焼結磁石体に対して適用しても良い。ただし、多量の重希土類元素RHを添加したのでは、本発明の効果を充分に奏することはできないため、相対的に少ない量の重希土類元素RHが添加され得る。好ましい実施形態では、他のR-T-B系焼結磁石体を準備する工程Aと、前記他のR-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能に処理室内に装入した状態で、前記他のR-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを処理室内にて連続的または断続的に移動させながら、前記他のR-T-B系焼結磁石体およびRH拡散源を850°C超1000°C以下の処理温度に加熱するRH拡散工程Bとを実行する。工程Aおよび工程Bを繰り返すことにより、同一のRH拡散源から複数の前記他のR-T-B系焼結磁石体に対して重希土類元素RHを拡散させてもよい。ここで、他のR-T-B系焼結磁石体とは、同一のRH拡散源を用いて前回のRH拡散工程が実行されたR-T-B系焼結磁石体とは異なるR-T-B系焼結磁石体を意味する。また、複数の前記他のR-T-B系焼結磁石体に対して重希土類元素RHを拡散させてとは、未だRH拡散が実行されていないR-T-B系焼結磁石体に対するRH拡散工程を順次繰り返すことにより、重希土類元素RHが拡散されたR-T-B系焼結磁石を順次作製することを意味する。[R-T-B系焼結磁石体]まず、本発明では、重希土類元素RHの拡散の対象とするR-T-B系焼結磁石体を準備する。本発明で準備するR-T-B系焼結磁石体は公知の組成からなる。このR-T-B系焼結磁石体は、例えば、以下の組成からなる。希土類元素R:12~17原子BBの一部はCで置換されていてもよい:5~8原子添加元素MAl、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb、およびBiからなる群から選択された少なくとも1種:0~2原子TFeを主とする遷移金属であって、Coを含んでもよいおよび不可避不純物:残部ここで、希土類元素Rは、主として軽希土類元素RLNd、Prから選択される少なくとも一方の元素であるが、重希土類元素を含有していてもよい。なお、重希土類元素を含有する場合は、DyおよびTbの少なくとも一方を含むことが好ましい。上記組成のR-T-B系焼結磁石体は、公知の製造方法によって製造される。以下、作製されたR-T-B系焼結磁石体に対して行う拡散処理工程を詳細に説明する。[RH拡散源]RH拡散源は、重希土類元素RHと30質量以上80質量以下のFeとを含有する合金であり、その形態は、例えば、球状、線状、板状、ブロック状、粉末など任意である。ボールやワイヤ形状を有する場合、その直径は例えば数mm~数cmに設定され得る。粉末の場合、その粒径は、例えば、0.05mm以上5mm以下の範囲に設定され得る。このように、RH拡散源の形状大きさは、特に限定されない。RH拡散源の作成方法は、一般的な合金溶製法の他、拡散還元法なども利用できる。同一のRH拡散源を用いてRH拡散工程を繰り返すと、R-T-B系焼結磁石体からRH拡散源にNdが取り込まれることがある。しかし、Ndが取り込まれても、RH拡散源の組成が上記の範囲から外れない限り、そのRH拡散源を本発明の製造方法に繰り返して用いることができる。本明細書において同一のRH拡散源とは、RH拡散工程を繰り返すことによってRH拡散源の組成、形状、および重量が変化したとしても、組成が上記の範囲から外れていないRH拡散源を含むものとする。言い換えると、RH拡散源の同一性は、その組成、形状、および重量が変化しても、RH拡散源の機能が損なわれない限り、維持される。なお、Ndの取り込みが発生したとしても、1回のRH拡散工程におけるRH拡散源の組成の変化は僅かである。このため、Ndの取り込みが発生したとしても、RH拡散源の繰り返し使用可能な回数は大きく減少しない。RH拡散源は、Dy、Tb、Fe以外に本発明の効果を損なわない限りにおいて、Nd、Pr、La、Ce、Zn、Zr、SnおよびCoからなる群から選択された少なくとも1種を含有してもよい。さらに不可避不純物として、Al、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Ga、Nb、Mo、Ag、In、Hf、Ta、W、Pb、SiおよびBiからなる群から選択された少なくとも1種を含んでいてもよい。[攪拌補助部材]本発明の実施形態では、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源に加えて、攪拌補助部材を処理室内に導入することが好ましい。攪拌補助部材はRH拡散源とR-T-B系焼結磁石体との接触を促進し、また攪拌補助部材に一旦付着した重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体へ間接的に供給する役割をする。さらに、攪拌補助部材は、処理室内において、R-T-B系焼結磁石体同士やR-T-B系焼結磁石体とRH拡散源との接触による欠けを防ぐ役割もある。攪拌補助部材は処理室内で運動しやすい形状にし、その攪拌補助部材をR-T-B系焼結磁石体とRH拡散源と混合して処理室の回転、揺動、振動を行うことが効果的である。ここで運動しやすい形状の例として、直径数百μmから数十mmの球状、楕円状、円柱状等が挙げられる。攪拌補助部材は、RH拡散処理中にR-T-B系焼結磁石体およびRH拡散と接触しても、反応しにくい材料から形成されることが好ましい。攪拌補助部材としてはジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素並びに窒化硼素、または、これらの混合物のセラミックスから好適に形成され得る。また、Mo、W、Nb、Ta、Hf、Zrを含む族の元素、または、これらの混合物からも形成されえる。[RH拡散工程]図1を参照しながら、本発明による拡散処理工程の好ましい例を説明する。図1に示す例では、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2がステンレス製の筒3の内部に導入されている。また、図示していないが、ジルコニア球などが攪拌補助部材として筒3の内部に導入されていることが好ましい。この例では、筒3が処理室として機能する。筒3の材料は、ステンレスに限定されず、850°C超1000°C以下の温度に耐える耐熱性を有し、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2と反応しにくい材料であれば任意である。例えば、Nb、Mo、Wまたはそれらの少なくとも1種を含む合金を用いてもよい。また、Fe-Cr-Al系合金、Fe-Cr-Co系合金を用いてもよい。筒3には開閉または取り外し可能な蓋5が設けられている。また筒3の内壁には、RH拡散源とR-T-B系焼結磁石体とが効率的に移動と接触を行い得るように、突起物を設置することができる。筒3の長軸方向に垂直な断面形状も、円に限定されず、楕円または多角形、あるいはその他の形状であってもよい。図1に示す状態の筒3は排気装置6と連結されている。排気装置6の働きにより、筒3の内部は減圧され得る。筒3の内部には、不図示のガスボンベからArなどの不活性ガスが導入され得る。筒3は、その外周部に配置されたヒータ4によって加熱される。筒3の加熱により、その内部に収納されたR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2も加熱される。筒3は、中心軸の回りに回転可能に支持されており、ヒータ4による加熱中もモータ7によって回動することができる。筒3の回転速度は、例えば筒3の内壁面の周速度を毎秒0.01m以上に設定され得る。回転により筒内のR-T-B系焼結磁石体同士が激しく接触して欠けないよう、毎秒0.5m以下に設定するのが好ましい。図1の例では、筒3は回転するが、本発明は、このような場合に限定されない。RH拡散工程中に筒3内でR-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とが相対的に移動可能かつ接触可能であればよい。例えば、筒3は、回転することなく揺動または振動していてもよいし、回転、揺動および振動の少なくとも2つが同時に生じていてもよい。次に、図1の処理装置を用いて行うRH拡散工程の動作を説明する。まず、蓋5を筒3から取り外し、筒3の内部を開放する。複数のR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2を筒3の内部に装入した後、再び、蓋5を筒3に取り付ける。排気装置6を接続して筒3の内部を真空排気する。筒3の内部圧力が充分に低下した後、排気装置6を取り外す。加熱後、必要圧力まで不活性ガスを導入し、モータ7によって筒3を回転させながら、ヒータ4による加熱を実行する。拡散熱処理時における筒3の内部は不活性雰囲気であることが好ましい。本明細書における不活性雰囲気とは、真空、または不活性ガスを含むものとする。また、不活性ガスは、例えばアルゴンArなどの希ガスであるが、焼結磁石体1およびRH拡散源2との間で化学的に反応しないガスであれば、不活性ガスに含まれ得る。不活性ガスの圧力は、大気圧以下であることが好ましい。筒3の内部における雰囲気ガス圧力が大気圧に近いと、例えば特許文献1に示された技術では、RH拡散源2から重希土類元素RHがR-T-B系焼結磁石体1の表面に供給されにくくなる。しかし、本実施形態においては、RH拡散源2とR-T-B系焼結磁石体1とが近接または接触しているため、特許文献1に記載の圧力よりも高い圧力でRH拡散ができる。また、真空度とRHの供給量との相関は比較的小さく、真空度を更に高めても、重希土類元素RHの供給量保磁力の向上度に大きく影響しない。供給量は、雰囲気圧力よりもR-T-B系焼結磁石体の温度に敏感である。本実施形態では、重希土類元素RHを含むRH拡散源2とR-T-B系焼結磁石体1とをいっしょに入れた処理室を回転させつつ、加熱することにより、RH拡散源2から重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体1の表面に供給しつつ、内部に拡散させることができる。拡散処理時における処理室の内壁面の周速度は、例えば0.01m/s以上に設定され得る。回転速度が低くなると、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源との接触部の移動が遅くなり、溶着が発生しやすくなる。このため、拡散温度が高いほど、処理室の回転速度を高めることが好ましい。好ましい回転速度は、拡散温度のみならず、RH拡散源の形状やサイズによっても異なる。本実施形態では、RH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1の温度を850°C超1000°C以下の範囲内に保持する。この温度範囲は、重希土類元素RHがR-T-B系焼結磁石体1の粒界相を伝って内部へ拡散するのに好ましい温度領域である。RH拡散源2は重希土類元素RHと30質量以上80質量以下のFeとからなり、850°C超1000°C以下で重希土類元素RHが供給過多にならない。熱処理の時間は、例えば10分から72時間である。好ましくは1時間から12時間である。また、RH拡散源2は、変質が起こりにくく、特に体積率でRHFe2またはRHFe3が大部分を占める範囲であるときは、R-T-B系焼結磁石体1から染み出すNd、PrがRH拡散源2の中のRH-Fe化合物に取り込まれることもないので、その結果、変質することなく、RH拡散源を繰り返して使用することができる。ここで、RH拡散源の変質とは、RH拡散源の機能が損なわれる程度に組成、形状、および重量が変化し、RH拡散源の同一性が保持できない状態に変化することを意味するものとする。処理温度が1000°Cを超えると、RH拡散源2とR-T-B系焼結磁石体1とが溶着してしまう問題が生じ易く、一方、処理温度が850°C以下では、処理に長時間を要する。保持時間は、RH拡散処理工程をする際のR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2の投入量の比率、R-T-B系焼結磁石体1の形状、RH拡散源2の形状、および、RH拡散処理によってR-T-B系焼結磁石体1に拡散されるべき重希土類元素RHの量拡散量などを考慮して決められる。RH拡散工程時における雰囲気ガスの圧力処理室内の雰囲気圧力は、例えば0.001Paから大気圧の範囲内に設定され得る。RH拡散工程後に、拡散された重希土類元素RHをより均質化する目的または拡散された重希土類元素RHをより奥深くまで拡散させる目的でR-T-B系磁石体1に対する第1熱処理を追加的に行っても良い。熱処理は、RH拡散源を取り除いた後、重希土類元素RHが実質的に拡散し得る700°C~1000°Cの範囲で行い、より好ましくは850°Cから950°Cの温度で実行される。この第1熱処理では、R-T-B系焼結磁石体1に対して重希土類元素RHの更なる供給は生じないが、R-T-B系焼結磁石体1において重希土類元素RHの拡散が生じるため、R-T-B系焼結磁石体の表面側から奥深くに重希土類元素RHを拡散し、磁石全体として保磁力を高めることが可能になる。第1熱処理の時間は、例えば10分から72時間である。好ましくは1時間から12時間である。ここで、第1熱処理を行なう熱処理炉の雰囲気圧力は、大気圧以下である。好ましいのは100kPa以下である。[第2熱処理]また、必要に応じてさらに第2熱処理400°C~700°Cを行うが、第2熱処理400°C~700°Cを行う場合は、第1熱処理700°C~1000°Cの後に行うことが好ましい。第1熱処理700°C~1000°Cと第2熱処理400°C~700°Cとは、同じ処理室内で行っても良い。第2熱処理の時間は、例えば10分から72時間である。好ましくは1時間から12時間である。ここで、第2熱処理を行なう熱処理炉の雰囲気圧力は、大気圧以下である。好ましいのは100kPa以下である。実験例1まず、組成比Nd=30.0、Dy=0.5、B=1.0、Co=0.9、Al=0.1、Cu=0.1、残部=Fe質量のR-T-B系焼結磁石体を作製した。これを機械加工することにより、7.4mm×7.4mm×7.4mmの立方体のR-T-B系焼結磁石体を得た。作製したR-T-B系焼結磁石体の磁気特性をB-Hトレーサによって測定したところ、熱処理500°C後の特性で保磁力HcJは1000kA/m、残留磁束密度Brは1.42Tであった。次に、図1の装置を用いてRH拡散処理を実行した。筒の容積:128000mm3、R-T-B系焼結磁石体の投入重量:50g、RH拡散源の投入重量:50gであった。RH拡散源は直径3mm以下の球形のものを用いた。拡散処理時における処理室の温度は、図2に示すように変化した。図2は、加熱開始後における処理室温度の変化ヒートパターンを示すグラフである。図2の例では、ヒータによる昇温を行いながら、真空排気を実行した。昇温レートは、約10°C/分である。処理室内の圧力が所望のレベルに達するまで、例えば約600°Cに温度を保持した。その後、処理室の回転を開始する。拡散処理温度に達するまで昇温を行った。昇温レートは約10°C/分であった。拡散処理温度に達した後、所定の時間だけ、その温度に保持した。その後、ヒータによる加熱を停止し、室温程度まで降温させた。その後、ヒータによる加熱を停止し、室温程度まで降温させた。その後、図1の装置から取り出したR-T-B系焼結磁石体を別の熱処理炉に投入し、拡散処理時と同じ雰囲気圧力で第1熱処理800°C~950°C×4時間~6時間を行ない、さらに拡散後の第2熱処理450°C~550°C×3時間~5時間を行なった。ここで、第1熱処理と第2熱処理の処理温度と時間は、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源の投入量、RH拡散源の組成、RH拡散温度等を考慮し設定された。Dy量、Tb量、Fe量を変えたRH拡散源サンプル1から18を用いてRH拡散処理を行ったところ、表1の結果となった。また、比較のため、Dy金属単体の拡散源、Tb金属単体の拡散源およびDy-20質量FeをRH拡散源として用いて同様の実験サンプル19から22を行った。ここで、磁気特性は拡散処理後におけるR-T-B系焼結磁石体の各面を0.2mmずつ研削し、7.0mm×7.0mm×7.0mmの立方体に加工した後、B-Hトレーサにてその磁石特性を評価している。表では、RH拡散源の欄には、拡散処理工程で使用したRH拡散源の組成およびサイズが示されている。周速度の欄には、図1に示す筒3の内壁面の周速度が示されている。RH拡散温度の欄には、拡散処理中において保持される筒3内の温度が示されている。RH拡散時間の欄は、RH拡散温度を保持した時間が示されている。雰囲気圧力は拡散処理開始時の圧力を示している。RH拡散処理後の保磁力HcJ増加量をΔHcJ、RH拡散処理後の残留磁束密度Br増加量をΔBrで示している。マイナスの数値はRH拡散処理前のR-T-B系焼結磁石体の磁気特性より低下したことを示している。表1からわかるように、本発明の範囲重希土類元素RHと30質量以上80質量以下のFeとを含有するRH拡散源では、残留磁束密度の低下を0.005T以内に抑え、かつ保磁力が向上していた。サンプル3、5から、本発明の効果は雰囲気圧力が高くとも得られることがわかった。本発明の範囲では、RH拡散源の組成を除いて同じ条件にてRH拡散処理を行ったサンプル1、2、6、12、14から16を比べると、表1より60質量から40質量のDyおよび40質量から60質量のFeを含有するDy-Fe合金を用いてRH拡散処理を行ったサンプル2、6、12、14で保磁力向上効果ΔHcJが高く、かつ残留磁束密度の低下もなかったのがわかった。また、サンプル17では60質量のTbと40質量のFeを含有するTb-Fe合金を用いてRH拡散処理を行い、保磁力向上効果ΔHcJが高く、かつ残留磁束密度の低下もなかったのがわかった。また、サンプル18では30質量のDy、30質量のTbおよび40質量のFeを含有するDy-Tb-Fe合金を用いてRH拡散処理を行い、保磁力向上効果ΔHcJが高く、かつ残留磁束密度の低下もなかったのがわかった。一方、Dy金属単体のRH拡散源サンプル19、Tb金属単体のRH拡散源サンプル21およびDy―20質量Fe合金からなるRH拡散源サンプル22を用いた場合では保磁力は向上しているが、残留磁束密度は最大0.02T低下していた。また、サンプル20のようにRH拡散温度を900°Cにした場合、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とが溶着してしまっていた。また、60質量から40質量Dy-40質量から60質量Fe合金を用いてRH拡散処理を行っても、RH拡散温度が1000°Cを超えるとサンプル9で焼結磁石体とRH拡散源とが溶着してしまうことがわかった。実験例2ここで、直径5mmのジルコニア球を重量50g、攪拌補助部材として追加してRH拡散処理、第1熱処理を行った以外は、実験例1と同じ条件でRH拡散処理を行い、磁気特性を評価したところ、表2の結果となった。表2の通り、サンプル23、24、26、27、28、29、30、31、32,33はサンプル1、2、5、6、12、14、15、16、17、18と比べてRH拡散処理時間が半分になったにも関わらず、短時間でHcJの向上効果があり、かつBrがほとんど低下していないことがわかった。サンプル24、25、26を比べても本発明の効果は雰囲気圧力が高くとも効果があることがわかった。また、表2のサンプル24と表1のサンプル4との比較により、直径5mmのジルコニア球を投入するとΔHcJが向上することがわかった。これは、ジルコニア球からなる攪拌補助部材が、RH拡散源とR-T-B系焼結磁石体との接触を促進し、かつ攪拌補助部材に付着した重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体へ間接に供給する効果によるものと考える。欠けの発生もサンプル1、2、5、6、12、14、15、16、17、18と比べ抑制されていることがわかった。実験例3また、サンプル2、6、12、14、19、22の実験条件で、RH拡散源を5回、10回、30回、50回繰り返し使用してRH拡散処理をしたときのΔHcJ、ΔBrの値を表3に示す。表3において、サンプル34はサンプル2、サンプル35はサンプル6、サンプル36はサンプル12、サンプル37はサンプル14、サンプル38はサンプル19、サンプル39はサンプル22の実施条件にてRH拡散処理を行った。RH拡散処理後の焼結磁石のBr、HcJをB-Hトレーサで測定したところ、本発明の範囲であるサンプル34から37の条件でRH拡散処理を行い、5回、10回、30回、50回と繰り返しても表1のサンプル2、6、12、14の数値と変わらなかった。ΔHcJ、ΔBrに変化がないことからRH拡散処理をしたときにR-T-B系焼結磁石体の磁気特性に影響を及ぼすようなRH拡散源の変質は起こっていないことがわかった。一方、サンプル38、39では、5回、10回、30回、50回と繰り返すと、表1のサンプル19、22と比べ保磁力の向上効果が低下していた。ΔHcJ、ΔBrに変化があることからRH拡散処理をしたときにR-T-B系焼結磁石体の磁気特性に影響を及ぼすようなRH拡散源の変質は起ったことがわかった。以上のことから分かるように、Feを30質量から80質量含有するRH拡散源とR-T-B系焼結磁石体とを加熱した処理室内で接触させ、かつ、その接触点が固定されないようにすると、量産に適した方法で重希土類元素RHを効果的に焼結磁石体の粒界内に導入し、それによって磁石特性を向上させることが可能である。実験例4まず、組成比Nd=29.0、Pr=1.5、B=1.0、Co=0.9、Al=0.2、Cu=0.1、残部=Fe質量のR-T-B系焼結磁石体を作製した。これを機械加工することにより、7.4mm×7.4mm×7.4mmの立方体のR-T-B系焼結磁石体を得た。作製したR-T-B系焼結磁石体の磁気特性をB-Hトレーサによって測定したところ、熱処理500°C×1時間後の特性でHcJは860kA/m、Brは1.40Tであった。この値を以下各実験例の特性評価の基準とした。RH拡散源は、表4に記載の所定の組成になるようにDy、Tb、Feを秤量し、高周波溶解炉で溶解した後、ロール表面速度が2m/秒で回転する銅製の水冷ロールに溶湯を接触させ急冷凝固合金を形成し、スタンプミル、水素粉砕などで粉砕し、ふるい目で3mm以下に粒度調整をして作製した。次に、図1の装置を用いてRH拡散工程を実行した。筒の容積:128000mm3、R-T-B系焼結磁石体の投入重量:50g、RH拡散源の投入重量:50gであった。RH拡散源は直径3mm以下の不定形のものを用いた。RH拡散工程は、処理室内を真空排気した後、アルゴンガスを導入し処理室内の圧力を5Paとし、その後、処理室を回転させながら、RH拡散温度820°Cに達するまでヒータ4により昇温を行った。昇温中の圧力変動に対してはArガスの放出又は供給を適宜行い、5Paを維持した。昇温レートは約10°C/分であった。RH拡散工程を異なる温度700°C、800°C、870°C、900°C、970°C、1000°C、1020°Cで行った後、加熱を停止し、室温まで降温させた。その後、図1の装置からRH拡散源を取り出した後、残ったR-T-B系焼結磁石に対し雰囲気圧力5PaのAr中で第1熱処理900°C、3時間を行ない、ひきつづき拡散後の第2熱処理500°C、1時間を行なった。ここで、磁気特性はRH拡散処理後におけるR-T-B系焼結磁石体の各面を0.2mmずつ研削し、7.0mm×7.0mm×7.0mmの立方体に加工した後、B-Hトレーサにてその磁石特性を評価した。表4の溶着の有無で、有はRH拡散工程後RH拡散源とR-T-B系焼結磁石とが溶着したことを示している。RH拡散工程を異なる温度700°C、800°C、870°C、900°C、970°C、1000°C、1020°Cで行ったときの溶着の有無は表4の結果となった。サンプル40から52は本発明のRH拡散源を用いたものであり、サンプル53から61は比較例である。表4より、サンプル41から46、48から52に示すように870°Cから1000°Cの範囲では溶着が発生しないことがわかった。本発明のRH拡散源を用いても、1020°CでRH拡散工程を行った場合、サンプル40、47に示したように溶着が発生した。従って、1000°C以下でRH拡散工程をする必要がある。サンプル41から44、48から50に示すように、本発明では870°Cから1000°Cの範囲で、RH拡散処理をすることで高いΔHcJを得ることができることがわかった。一方、Dy金属単体を拡散源として用いた場合、サンプル53から55に示すように870°C、900°C、1000°Cでは溶着が発生した。Tb金属単体を拡散源として用い、拡散工程を行った場合、サンプル58、59に示すように870°C、900°Cで溶着が発生した。実験例5表5に記載の条件以外は、実験例4と同じ条件、方法にてR-T-B系焼結磁石を作製した。RH拡散時の雰囲気圧力の影響について、表5の通り種々の雰囲気圧力でRH拡散工程を行ったところ、雰囲気圧力が0.001Paから100000Paの間サンプル62から71では、圧力に関係なくHcJが向上した。実験例6表6に記載の条件以外は、実験例4と同じ条件、方法にてR-T-B系焼結磁石を作製した。RH拡散時のRH拡散処理容器の周速度の影響について、表6の通り周速度を変えてRH拡散処理を行ったところ、920°CのRH拡散工程では周速度を0.01m/sから0.50m/sの間サンプル72から77で変えても、HcJの向上効果に大きな影響がなかった。実験例7表7に記載の条件以外は、実験例4と同じ条件、方法にてR-T-B系焼結磁石を作製した。Dy量を80質量、70質量、60質量、55質量、50質量、40質量、30質量、20質量、10質量、100質量と変え、DyとFeの比率を変えたRH拡散源を用いて、RH拡散工程を行った後、磁気特性を測定した。検討した結果は表7の通りである。Dy量が20質量以上70質量以下のRH拡散源にてRH拡散工程を930°C、7時間行ったサンプル79から85では、ΔHcJが高まった。その中でもDy量が60質量から40質量であるサンプル80から83では、Brの低下もなく、高いΔHcJを得ることができ、いずれも良好な磁気特性が得られた。サンプル79では高いΔHcJを得ることができたが、Brが0.01T低下した。サンプル84、85ではBrの低下はなかったが、ΔHcJの向上度がサンプル80から83ほど高くなかった。一方、サンプル78、87では溶着が発生し、磁気特性を測定できなかった。サンプル86ではΔHcJが50kA/mとΔHcJはわずかしか向上しなかった。実験例8表8に記載の条件以外は、実験例4と同じ条件、方法にてR-T-B系焼結磁石を作製した。Tb量を80質量、70質量、60質量、55質量、50質量、40質量、30質量、20質量、10質量、100質量と変え、TbとFeの比率を変えたRH拡散源を用いて、RH拡散工程を行った後、磁気特性を測定した。検討した結果は表8の通りである。Tb量が20質量以上70質量以下のRH拡散源にてRH拡散工程を930°C、5時間行ったサンプル89から95は、高いΔHcJを得ることができた。特にTb量が60質量から40質量であるサンプル90から93では、Brの低下もなく、高いΔHcJを得ることができ、いずれも良好な磁気特性が得られた。サンプル89では高いΔHcJを得ることができたが、Brが0.01T低下した。サンプル94、95ではBrの低下はなかったが、ΔHcJの向上度がサンプル90から93ほど高くなかった。一方、サンプル88、97では溶着が発生し、磁気特性を測定できなかった。サンプル96ではΔHcJが70kA/mとΔHcJはわずかしか向上しなかった。なお、本発明の拡散処理で実行可能なヒートパターンは、図2に示す例に限定されず、他の多様なパターンを採用することができる。また、真空排気は拡散処理が完了し、焼結磁石体が充分に冷却されるまで行ってもよい。"