一方の面に突起部を有する絶縁層と、前記突起部に設けられた電極パッドと、を有し、前記電極パッドの一方の面は前記絶縁層から露出し、前記電極パッドの一方の面の反対面は前記絶縁層に覆われており、前記突起部の断面形状は、前記絶縁層の一方の面側より前記電極パッドの一方の面側の方が幅が狭いテーパ形状である配線基板。前記電極パッドの前記反対面に、ビア配線が接続されている請求項1記載の配線基板。前記絶縁層には、前記絶縁層を貫通し、前記電極パッドの前記反対面を露出する貫通孔が設けられ、前記貫通孔内から前記絶縁層の一方の面の反対面にかけて一体に金属層が設けられ、前記金属層により、前記貫通孔内に前記ビア配線が、前記絶縁層の前記反対面に配線パターンが形成されている請求項2記載の配線基板。前記電極パッドの側面の少なくとも一部が前記絶縁層から露出している請求項1乃至3の何れか一項記載の配線基板。前記絶縁層と前記突起部とは、同一の絶縁性樹脂で一体に形成されている請求項1乃至4の何れか一項記載の配線基板。前記電極パッドの側面が前記絶縁層に覆われている請求項1乃至5の何れか一項記載の配線基板。前記突起部は、前記電極パッドの一方の面と同一平面に形成された面を有し、前記同一平面に形成された面は、平面視において、前記電極パッドの一方の面の周囲に形成されている請求項6記載の配線基板。前記電極パッドの一方の面は、前記突起部の前記絶縁層の一方の面から最も突起している部分よりも窪んだ位置にある請求項6記載の配線基板。前記電極パッドは、パッド本体及び前記パッド本体の一方の面に形成されためっき膜を備え、前記めっき膜の一方の面は前記絶縁層から露出し、前記パッド本体の一方の面の反対面は前記絶縁層に覆われている請求項1乃至8の何れか一項記載の配線基板。前記絶縁層上に、配線層と他の絶縁層が複数層積層されている請求項1乃至9の何れか一項記載の配線基板。請求項1乃至10の何れか一項記載の配線基板に半導体チップを搭載し、前記電極パッドの一方の面と前記半導体チップの電極パッドとをバンプで接合した半導体パッケージ。支持体上に電極パッドを形成する工程と、前記電極パッドを覆うように前記支持体上に絶縁層を形成する工程と、前記支持体を除去し、前記絶縁層の前記支持体を除去した表面から前記電極パッドの一方の面を露出させる工程と、前記電極パッド周囲の前記絶縁層の厚さを減少させて前記絶縁層表面に突起部を形成し、前記突起部に前記電極パッドを設ける工程と、を有し、前記電極パッドを設ける工程では、前記電極パッドの前記一方の面の反対面が前記絶縁層に覆われ、前記突起部の断面形状が前記絶縁層の一方の面側より前記電極パッドの一方の面側の方が幅が狭いテーパ形状となる配線基板の製造方法。前記電極パッドの前記反対面に、ビア配線を接続する工程を有する請求項12記載の配線基板の製造方法。前記ビア配線を接続する工程では、前記絶縁層に、前記絶縁層を貫通し、前記電極パッドの前記反対面を露出する貫通孔を設け、前記貫通孔内から前記絶縁層の一方の面の反対面にかけて一体に金属層を設け、前記金属層により、前記貫通孔内に前記ビア配線を、前記絶縁層の前記反対面に配線パターンを形成する請求項13記載の配線基板の製造方法。前記電極パッドを設ける工程では、前記電極パッドの側面の少なくとも一部を前記絶縁層から露出させる請求項12乃至14の何れか一項記載の配線基板の製造方法。前記絶縁層と前記突起部とを、同一の絶縁性樹脂で一体に形成する請求項12乃至15の何れか一項記載の配線基板の製造方法。前記電極パッドを設ける工程では、前記電極パッドの側面を前記絶縁層で覆う請求項12乃至16の何れか一項記載の配線基板の製造方法。前記電極パッドを設ける工程では、前記突起部を、前記電極パッドの一方の面と同一平面に形成された面を有するように形成し、前記同一平面に形成された面は、平面視において、前記電極パッドの一方の面の周囲に形成される請求項17記載の配線基板の製造方法。前記電極パッドを設ける工程では、前記電極パッドの一方の面を、前記突起部の前記絶縁層の一方の面から最も突起している部分よりも窪んだ位置に形成する請求項17記載の配線基板の製造方法。前記電極パッドを形成する工程では、前記電極パッドを、パッド本体及び前記パッド本体の一方の面に形成されためっき膜を備え、前記めっき膜の一方の面が前記絶縁層から露出し、前記パッド本体の一方の面の反対面が前記絶縁層に覆われるように形成する請求項12乃至19の何れか一項記載の配線基板の製造方法。前記絶縁層上に、配線層と他の絶縁層を複数層積層する工程を有する請求項12乃至20の何れか一項記載の配線基板の製造方法。前記電極パッドを形成する工程では、前記支持体上にバリア層を形成し、更に前記バリア層上に電極パッドを形成し、前記電極パッドを設ける工程よりも後に、前記バリア層を除去する工程を有する請求項12乃至21の何れか一項記載の配線基板の製造方法。前記電極パッドを設ける工程では、前記支持体を除去した前記絶縁層の表面にレーザ加工又はブラスト処理を施し、前記電極パッド周囲の前記絶縁層の厚さを減少させて前記絶縁層表面に突起部を形成する請求項12乃至22の何れか一項記載の配線基板の製造方法。ところで、ビルドアップ配線基板の電極パッドをビルドアップ配線基板表面よりも突起させる工程では、ビルドアップ配線基板製造時に使用する支持体にエッチングにより凹部を形成し、この凹部内に電極パッドを形成する。その後、支持体を除去し、凹部に対応する形状に突起した電極パッドを得ている。この場合、支持体にエッチングにより凹部を形成するため、各凹部の深さや幅が異なる等、凹部の形状にバラツキが生じる。よって、完成した電極パッドにも高さや幅等の形状のバラツキが生じる。このため、半導体チップ搭載時に、電極パッド毎に接合強度に差異が生じ、電極パッドと半導体チップとの接続信頼性が低下する問題があった。本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、電極パッドに接続される対象物との接続信頼性を向上可能な配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージを提供することを課題とする。本配線基板は、一方の面に突起部を有する絶縁層と、前記突起部に設けられた電極パッドと、を有し、前記電極パッドの一方の面は前記絶縁層から露出し、前記電極パッドの一方の面の反対面は前記絶縁層に覆われており、前記突起部の断面形状は、前記絶縁層の一方の面側より前記電極パッドの一方の面側の方が幅が狭いテーパ形状であることを要件とする。本配線基板の製造方法は、支持体上に電極パッドを形成する工程と、前記電極パッドを覆うように前記支持体上に絶縁層を形成する工程と、前記支持体を除去し、前記絶縁層の前記支持体を除去した表面から前記電極パッドの一方の面を露出させる工程と、前記電極パッド周囲の前記絶縁層の厚さを減少させて前記絶縁層表面に突起部を形成し、前記突起部に前記電極パッドを設ける工程と、を有し、前記電極パッドを設ける工程では、前記電極パッドの前記一方の面の反対面が前記絶縁層に覆われ、前記突起部の断面形状が前記絶縁層の一方の面側より前記電極パッドの一方の面側の方が幅が狭いテーパ形状となることを要件とする。開示の技術によれば、電極パッドに接続される対象物との接続信頼性を向上可能な配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージを提供できる。以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。第1の実施の形態[第1の実施の形態に係る配線基板の構造]まず、第1の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図1は、第1の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図2は、図1のA部を拡大して例示する断面図である。図1及び図2を参照するに、第1の実施の形態に係る配線基板10は、電極パッド11と、絶縁層12と、配線層13と、絶縁層14と、配線層15と、絶縁層16と、配線層17と、ソルダーレジスト層18とを有するコアレスのビルドアップ配線基板である。なお、本実施の形態では、便宜上、絶縁層12側を下、ソルダーレジスト層18側を上とする。例えば絶縁層12の絶縁層14と接する面は上面であり、絶縁層12の露出面絶縁層14と接する面の反対面は下面である。配線基板10において、電極パッド11は、めっき膜11a及びパッド本体11bを有する。めっき膜11aは、パッド本体11bの下面に形成されている。めっき膜11aとしては、例えば金Au膜、パラジウムPd膜、ニッケルNi膜を、金Au膜が配線基板10の外部に露出するように、この順番で順次積層しためっき膜を用いることができる。めっき膜11aとして、例えば金Au膜とニッケルNi膜を、金Au膜が配線基板10の外部に露出するように、この順番で順次積層しためっき膜を用いてもよい。パッド本体11bとしては、例えば銅Cu層等を含む導電層を用いることができる。電極パッド11の厚さは、例えば10~20μm程度とすることができる。電極パッド11は絶縁層12の下面12aに形成された突起部12pに埋め込まれている。突起部12pは、絶縁層12の一部であり、絶縁層12の他の部分と一体的に形成されている。電極パッド11の下面めっき膜11aの下面は絶縁層12の突起部12pから露出している。又、電極パッド11の側面めっき膜11aの側面の全部、及びパッド本体11bの側面の全部は、絶縁層12の突起部12pにより覆われている。又、電極パッド11の上面配線層13のビア配線と接する部分を除くは、突起部12pにより覆われている。つまり、電極パッド11の下面めっき膜11aの下面は絶縁層12の突起部12pから露出しているが、電極パッド11の下面は、絶縁層12の下面12aよりも突出している。但し、電極パッド11の側面の一部絶縁層14側及び電極パッド11の上面は、絶縁層12の突起部12p以外の部分により覆われていてもよい。つまり、電極パッド11の上面は、絶縁層12の下面12aよりも絶縁層14側に位置していてもよい。突起部12pの断面形状は、例えば、凹型R形状とすることができる。但し、突起部12pの断面形状は、例えば、直線的に傾斜した形状としてもよい。絶縁層12の下面12aから突起部12pの先端部めっき膜11aの下面までの高さHは、例えば、10~50μm程度とすることができる。本実施の形態では、電極パッド11側が半導体チップ搭載側であり、電極パッド11は、半導体チップ図示せずと電気的に接続される電極パッドとして機能する。電極パッド11の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば40~120μm程度とすることができる。電極パッド11のピッチは、例えば100~200μm程度とすることができる。電極パッド11において、めっき膜11aはパッド本体11bの下面のみに形成されている。これは、半導体チップ図示せずと電気的に接続される際に、電極パッド11の下面がバンプと接合されるため、その部分のみにめっき膜11aを形成すれば、接続信頼性を向上できるからである。このように、電極パッド11において、バンプとの接続に寄与しないパッド本体11bの側面にはめっき膜11aは形成されていない。その結果、めっき膜11aとなる貴金属材料の使用量を従来よりも削減できるため、配線基板10の製造コストを低減できる。絶縁層12突起部12pも含むは、電極パッド11の上面配線層13のビア配線と接する部分を除くと側面とを覆い、下面配線層13のビア配線と接続される面の反対面を露出するように形成されている。絶縁層12の材料としては、例えばエポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層12の材料である絶縁性樹脂としては、例えば熱硬化性樹脂を用いることができる。絶縁層12の厚さは、例えば15~35μm程度とすることができる。絶縁層12は、シリカSiO2等のフィラーを含有しても構わない。配線層13は、絶縁層12上に形成されている。配線層13は、絶縁層12を貫通し電極パッド11の上面を露出するビアホール12x内に充填されたビア配線、及び絶縁層12上に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール12xは、絶縁層14側に開口されていると共に、電極パッド11の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となっている。又、この凹部内にビア配線が形成されている。配線層13は、ビアホール12xの底部に露出した電極パッド11と電気的に接続されている。配線層13の材料としては、例えば銅Cu等を用いることができる。配線層13を構成する配線パターンの厚さは、例えば10~20μm程度とすることができる。絶縁層14は、絶縁層12上に、配線層13を覆うように形成されている。絶縁層14の材料としては、絶縁層12と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層14の厚さは、例えば15~35μm程度とすることができる。絶縁層14は、シリカSiO2等のフィラーを含有しても構わない。配線層15は、絶縁層14上に形成されている。配線層15は、絶縁層14を貫通し配線層13の上面を露出するビアホール14x内に充填されたビア配線、及び絶縁層14上に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール14xは、絶縁層16側に開口されていると共に、配線層13の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となっている。又、この凹部内にビア配線が形成されている。配線層15は、ビアホール14xの底部に露出した配線層13と電気的に接続されている。配線層15の材料としては、例えば銅Cu等を用いることができる。配線層15を構成する配線パターンの厚さは、例えば10~20μm程度とすることができる。絶縁層16は、絶縁層14上に、配線層15を覆うように形成されている。絶縁層16の材料としては、絶縁層12及び絶縁層14と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層16の厚さは、例えば15~35μm程度とすることができる。絶縁層16は、シリカSiO2等のフィラーを含有しても構わない。配線層17は、絶縁層16上に形成されている。配線層17は、絶縁層16を貫通し配線層15の上面を露出するビアホール16x内に充填されたビア配線、及び絶縁層16上に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール16xは、ソルダーレジスト層18側に開口されていると共に、配線層15の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となっている。又、この凹部内にビア配線が形成されている。配線層17は、ビアホール16xの底部に露出した配線層15と電気的に接続されている。配線層17の材料としては、例えば銅Cu等を用いることができる。配線層17を構成する配線パターンの厚さは、例えば10~20μm程度とすることができる。ソルダーレジスト層18は、絶縁層16上に、配線層17を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層18は開口部18xを有し、開口部18xの底部には配線層17の一部が露出している。開口部18xの底部に露出する配線層17は、マザーボード等の実装基板図示せずと電気的に接続される電極パッドとして機能する。必要に応じ、開口部18xの底部に露出する配線層17上に、例えば、無電解めっき法等により金属層を形成してもよい。金属層の例としては、Au層や、Ni/Au層Ni層とAu層をこの順番で積層した金属層、Ni/Pd/Au層Ni層とPd層とAu層をこの順番で積層した金属層等を挙げることができる。更に、開口部18xの底部に露出する配線層17上に開口部18xの底部に露出する配線層17上に金属層が形成されている場合には、金属層の上にはんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。外部接続端子は、マザーボード等の実装基板図示せずと電気的に接続するための端子となる。但し、開口部18xの底部に露出する配線層17配線層17上に金属層が形成されている場合には、金属層自体を、外部接続端子としても良い。以降、開口部18xの底部に露出する配線層17を電極パッド17と称する場合がある。本実施の形態では、電極パッド17側がマザーボード等の実装基板と接続される側である。電極パッド17の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば200~1000μm程度とすることができる。電極パッド17のピッチは、前述の電極パッド11のピッチ例えば100~200μm程度よりも広く、例えば500~1200μm程度とすることができる。なお、配線基板10において、配線層17を構成する配線パターンを絶縁層16上に引き出して形成し、絶縁層16上に引き出された配線パターンをソルダーレジスト層18の開口部18xから露出させ、電極パッド17としても良い。つまり、配線層17のビアホール16x上以外の部分を電極パッド17としてもよい。[第1の実施の形態に係る配線基板の製造方法]次に、第1の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図3~図11は、第1の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。まず、図3に示す工程では、支持体21を準備し、平坦面である支持体21の一方の面に、電極パッド11に対応する開口部22xを有するレジスト層22を形成する。支持体21としては、シリコン板、ガラス板、金属板、金属箔等を用いることができるが、本実施の形態では、支持体21として銅箔を用いる。後述する図4に示す工程等において電解めっきを行う際の給電層として利用でき、後述する図11に示す工程において容易にエッチングで除去可能だからである。支持体21の厚さは、例えば35~100μm程度とすることができる。レジスト層22を形成するには、支持体21の一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布する。或いは、支持体21の一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト例えば、ドライフィルムレジスト等をラミネートする。そして、塗布又はラミネートしたレジストを露光及び現像することで開口部22xを形成する。これにより、支持体21の一方の面に開口部22xを有するレジスト層22が形成される。なお、予め開口部22xを形成したフィルム状のレジストを支持体21の一方の面にラミネートしても構わない。開口部22xは、後述の図4に示す工程で形成される電極パッド11に対応する位置に形成されるが、その配設ピッチは、例えば100~200μm程度とすることができる。開口部22xの平面形状は、例えば円形であり、その直径は例えば40~120μm程度とすることができる。次に、図4に示す工程では、支持体21をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、支持体21の一方の面の開口部22x内に、めっき膜11a及びパッド本体11bが積層された電極パッド11を形成する。めっき膜11aは、例えば金Au膜、パラジウムPd膜、ニッケルNi膜をこの順番で順次積層した構造を有する。よって、電極パッド11を形成するには、まず、支持体21をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、金Au膜、パラジウムPd膜、ニッケルNi膜を順にめっきしてめっき膜11aを形成し、続いて、支持体21をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、めっき膜11a上に銅Cu等からなるパッド本体11bを形成すれば良い。なお、めっき膜11aは、金Au膜とニッケルNi膜をこの順番で順次積層した構造としてもよい。次に、図5に示す工程では、図4に示すレジスト層22を除去した後、電極パッド11を覆うように支持体21の一方の面に絶縁層12を形成する。絶縁層12の材料としては、例えばエポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層12の厚さは、例えば15~35μm程度とすることができる。絶縁層12は、シリカSiO2等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層12の材料として、例えば熱硬化性を有するフィルム状のエポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いた場合には、電極パッド11を覆うように支持体21の一方の面にフィルム状の絶縁層12を半硬化状態でラミネートする。そして、ラミネートした絶縁層12を押圧しつつ、絶縁層12を硬化温度以上に加熱して硬化させる。なお、絶縁層12を真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止できる。絶縁層12の材料として、例えば熱硬化性を有する液状又はペースト状のエポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いた場合には、電極パッド11を覆うように支持体21の一方の面に液状又はペースト状の絶縁層12を例えばスピンコート法等により塗布する。そして、塗布した絶縁層12を硬化温度以上に加熱して硬化させる。次に、図6に示す工程では、絶縁層12に、絶縁層12を貫通し電極パッド11の上面を露出させるビアホール12xを形成する。ビアホール12xは、例えばCO2レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。レーザ加工法により形成したビアホール12xは、絶縁層14が形成される側に開口されていると共に、電極パッド11の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となる。なお、他のビアホールもレーザ加工法により形成すると同様の形状となる。ビアホール12xをレーザ加工法により形成した場合には、デスミア処理を行い、ビアホール12xの底部に露出する電極パッド11の上面に付着した絶縁層12の樹脂残渣を除去することが好ましい。次に、図7に示す工程では、絶縁層12上に配線層13を形成する。配線層13は、ビアホール12x内に充填されたビア配線、及び絶縁層12上に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層13は、ビアホール12xの底部に露出した電極パッド11と電気的に接続される。配線層13の材料としては、例えば銅Cu等を用いることができる。配線層13は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線形成方法を用いて形成できるが、一例としてセミアディティブ法を用いて配線層13を形成する方法を以下に示す。まず、無電解めっき法又はスパッタ法により、ビアホール12xの底部に露出した電極パッド11の上面、及びビアホール12xの側壁を含む絶縁層12上に銅Cu等からなるシード層図示せずを形成する。更に、シード層上に配線層13に対応する開口部を備えたレジスト層図示せずを形成する。そして、シード層を給電層に利用した電解めっき法により、レジスト層の開口部に銅Cu等からなる配線層図示せずを形成する。続いて、レジスト層を除去した後に、配線層をマスクにして、配線層に覆われていない部分のシード層をエッチングにより除去する。これにより、絶縁層12上にビアホール12x内に充填されたビア配線、及び絶縁層12上に形成された配線パターンを含んで構成される配線層13が形成される。次に、図8に示す工程では、上記と同様な工程を繰り返すことにより、絶縁層12上に、絶縁層14、配線層15、絶縁層16、及び配線層17を積層する。すなわち、絶縁層12上に配線層13を被覆する絶縁層14を形成した後に、絶縁層14を貫通し配線層13の上面を露出するビアホール14xを形成する。絶縁層14の材料としては、絶縁層12と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層14の厚さは、例えば15~35μm程度とすることができる。絶縁層14は、シリカSiO2等のフィラーを含有しても構わない。更に、絶縁層14上に、ビアホール14xを介して配線層13に接続される配線層15を形成する。配線層15は、ビアホール14x内を充填するビア配線、及び絶縁層14上に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線層15は、ビアホール14xの底部に露出した配線層13と電気的に接続される。配線層15の材料としては、例えば銅Cu等を用いることができる。配線層15は、例えばセミアディティブ法により形成される。配線層15を構成する配線パターンの厚さは、例えば10~20μm程度とすることができる。更に、絶縁層14上に配線層15を被覆する絶縁層16を形成した後、絶縁層16を貫通し配線層15の上面を露出するビアホール16xを形成する。絶縁層16の材料としては、絶縁層12及び絶縁層14と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層16の厚さは、例えば15~35μm程度とすることができる。絶縁層16は、シリカSiO2等のフィラーを含有しても構わない。更に、絶縁層16上に、ビアホール16xを介して配線層15に接続される配線層17を形成する。配線層17は、ビアホール16x内に充填されたビア配線、及び絶縁層16上に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線層17は、ビアホール16xの底部に露出した配線層15と電気的に接続される。配線層17の材料としては、例えば銅Cu等を用いることができる。配線層17は、例えばセミアディティブ法により形成される。配線層17を構成する配線パターンの厚さは、例えば10~20μm程度とすることができる。このようにして、支持体21の一方の面に所定のビルドアップ配線層が形成される。本実施の形態では、3層のビルドアップ配線層配線層13、配線層15、及び配線層17を形成したが、n層nは1以上の整数のビルドアップ配線層を形成してもよい。次に、図9に示す工程では、絶縁層16上に配線層17を被覆するソルダーレジスト層18を形成する。ソルダーレジスト層18は、例えば、液状又はペースト状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層17を被覆するように絶縁層16上にスクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等で塗布することにより形成できる。或いは、例えば、フィルム状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層17を被覆するように絶縁層16上にラミネートすることにより形成してもよい。次に、図10に示す工程では、図9に示す工程で塗布又はラミネートした絶縁性樹脂を露光及び現像することで開口部18xを形成するフォトリソグラフィ法。これにより、開口部18xを有するソルダーレジスト層18が形成される。なお、予め開口部18xを形成したフィルム状の絶縁性樹脂を、配線層17を被覆するように絶縁層16上にラミネートしても構わない。なお、ソルダーレジスト層18の材料として、非感光性の絶縁性樹脂を用いてもよい。この場合には、絶縁層16上にソルダーレジスト層18を形成して硬化させた後、例えばCO2レーザ等を用いたレーザ加工法や、アルミナ砥粒等の研磨剤を用いたブラスト処理により開口部18xを形成できる。図10に示す工程により、開口部18xを有するソルダーレジスト層18が形成され、配線層17の一部が開口部18x内に露出する。開口部18x内に露出する配線層17電極パッド17は、マザーボード等の実装基板図示せずに設けられたパッドと電気的に接続するため電極パッドとして機能する。必要に応じ、開口部18xの底部に露出する配線層17上に、例えば無電解めっき法等により金属層を形成してもよい。金属層の例としては、Au層や、Ni/Au層Ni層とAu層をこの順番で積層した金属層、Ni/Pd/Au層Ni層とPd層とAu層をこの順番で積層した金属層等を挙げることができる。次に、図11に示す工程では、図10に示す支持体21を除去する。これにより、めっき膜11aの下面が絶縁層12から露出する。以降、絶縁層12から露出するめっき膜11aの下面を、めっき膜11aの露出面と称する場合がある。銅箔から構成されている支持体21は、例えば塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。この際、絶縁層12から露出する電極パッド11の最表層は金Au膜等であるため、銅箔から構成されている支持体21のみを選択的にエッチングできる。但し、配線層17が銅Cuから構成されている場合には、開口部18xの底部に露出する配線層17が支持体21とともにエッチングされることを防止するため、配線層17をマスクする必要がある。次に、図11に示す工程の後、めっき膜11aの露出面の周囲の絶縁層12をエッチングにより除去して絶縁層12の厚さを減少させ、絶縁層12の下面12aに突起部12pを形成し、めっき膜11aの露出面を絶縁層12の下面12aよりも突起させる。これにより、図1及び図2に示す配線基板10が完成する。突起部12pは、例えば、CO2レーザやYAGレーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。突起部12pは、ウェットブラスト等の各種ブラスト処理による研削で形成してもよい。エッチング量を制御することにより、突起部12pの高さを調整できる。本実施の形態では、電極パッド11めっき膜11a及びパッド本体11bを形成してから突起部12pを形成するため、従来のように、電極パッド11においてパッド本体11bの側面にめっき膜11aが形成されることはない。なお、図11に示す工程よりも後に、開口部18xの底部に露出する配線層17上に開口部18xの底部に露出する配線層17上に金属層が形成されている場合には、金属層上にはんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。外部接続端子は、マザーボード等の実装基板図示せずと電気的に接続するための端子となる。但し、開口部18xの底部に露出する配線層17配線層17上に金属層が形成されている場合には、金属層自体を、外部接続端子としても良い。又、支持体21を除去する前に、はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。なお、図3~図11では、支持体21上に1個の配線基板10を作製する例を示したが、支持体21上に複数の配線基板10となる部材を作製し、支持体21の除去後、それを個片化して複数の配線基板10を得るような工程としても構わない。このように、第1の実施の形態では、平坦面である支持体21の一方の面に電極パッド11を形成し、支持体21を除去後に電極パッド11の周囲の絶縁層12をエッチングにより除去して絶縁層12の厚さを減少させる。これにより、絶縁層12の下面12aに突起部12sが形成され、電極パッド11の下面は絶縁層12の下面12aよりも突起する。各電極パッド11の下面は同一平面に位置することとなり、又、各電極パッド11の径が均一化される。つまり、完成した電極パッド11の高さや幅等の形状のバラツキが小さいため、半導体チップ等の搭載時に、電極パッド11毎に接合強度に差異が生じ難く、電極パッド11と半導体チップ等との接続信頼性を向上できる。又、電極パッド11の下面を絶縁層12の下面12aよりも突起させているため、配線基板10の電極パッド11と半導体チップの電極パッドの何れか一方のみにバンプを形成すれば、配線基板10に半導体チップをフリップチップ接続することができる。又、電極パッド11めっき膜11a及びパッド本体11bを形成してから突起部12pを形成するため、電極パッド11において、バンプとの接続に寄与しないパッド本体11bの側面にはめっき膜11aは形成されない。その結果、めっき膜11aとなる貴金属材料の使用量を従来よりも削減できるため、配線基板10の製造コストを低減できる。第1の実施の形態の変形例1第1の実施の形態の変形例1では、電極パッド11の側面の一部又は全部を絶縁層12の突起部12pから露出させる例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図12は、図2に対応する断面図その1である。図13は、図2に対応する断面図その2である。図12に示すように、電極パッド11の側面の一部を突起部12pから露出させてもよい。又、図13に示すように、電極パッド11の側面の全部を突起部12pから露出させてもよい。レーザの照射量やブラスト量を調整することにより、このような形状とすることができる。図13の場合には、絶縁層12の下面12aに突起部12pが形成され、突起部12p上に電極パッド11が形成されている。そして、めっき膜11aの下面及び側面の全部、並びにパッド本体11bの側面の全部が突起部12p絶縁層12から露出している。又、電極パッド11の上面配線層13のビア配線と接する部分を除くは、突起部12p絶縁層12により覆われている。このように、電極パッド11の側面の一部又は全部を絶縁層12の突起部12pから露出させてもよく、この場合も第1の実施の形態と同様の効果を奏する。第2の実施の形態第2の実施の形態では、第1の実施の形態とは異なる突起部の形状の例を示す。なお、第2の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図14は、図2に対応する断面図その3である。図14を参照するに、突起部12qは、めっき膜11aの下面と同一平面に形成された面を有し、この面は、平面視において、めっき膜11aの下面の周囲に形成されている。電極パッド11の側面めっき膜11aの側面の全部、及びパッド本体11bの側面の全部は、突起部12qにより覆われている。又、電極パッド11の上面配線層13のビア配線と接する部分を除くは、突起部12qにより覆われている。つまり、電極パッド11の下面めっき膜11aの下面は絶縁層12の突起部12qから露出しているが、電極パッド11の下面は、絶縁層12の下面12aよりも突出している。但し、電極パッド11の側面の一部絶縁層14側及び電極パッド11の上面は、絶縁層12の突起部12q以外の部分により覆われていてもよい。つまり、電極パッド11の上面は、絶縁層12の下面12aよりも絶縁層14側に位置していてもよい。突起部12qを形成するには、まず、第1の実施の形態の図3~図11に示す工程を実施する。次に、図15に示す工程では、めっき膜11aの露出面、及びめっき膜11aの露出面の周囲の絶縁層12の表面を覆うレジスト層25を形成する。レジスト層25は、図3に示す工程のレジスト層22と同様にして形成できる。なお、レジスト層25は、本発明に係る第2のレジスト層の代表的な一例である。次に、図16に示す工程では、レジスト層25に覆われていない部分の絶縁層12を除去してめっき膜11aの露出面の周囲にめっき膜11aの露出面と同一平面に形成された面を有する突起部12qを形成する。そして、図16に示す工程の後、レジスト層25を除去する。これにより、図14に示す突起部12qが完成する。このように、突起部12qは、めっき膜11aの露出面の周囲に、めっき膜11aの露出面と同一平面に形成された面を有している。この場合には、第1の実施の形態の効果に加えて、更に以下の効果を奏する。すなわち、電極パッド11の側面めっき膜11aの側面の全部、及びパッド本体11bの側面の全部が確実に突起部12qを構成する樹脂で覆われる。そのため、電極パッド11と半導体チップの電極パッドとをバンプで接合する際に、溶融したバンプが電極パッド11の側面に付着することを防止できる。バンプが電極パッド11の側面に付着しても電気的には問題はないが、バンプ間が狭ピッチ化されている場合には、隣接するバンプ同士が接触することを防止するため、バンプが電極パッド11の側面に付着しないことが好ましい。つまり、突起部12qを設けることにより、バンプ間が狭ピッチ化された場合にも対応できる。但し、バンプ間が狭ピッチ化された場合に対応するためには、突起部12qのめっき膜11aの露出面と同一平面に形成された面は、必要最小限の幅に設定することが好ましい。第3の実施の形態第3の実施の形態では、第1の実施の形態とは異なる突起部の形状の他の例を示す。なお、第3の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図17は、図2に対応する断面図その4である。図17を参照するに、突起部12rの先端部分は、めっき膜11aの下面よりも突起している。換言すれば、めっき膜11aの下面は、突起部12rの絶縁層12の下面12aから最も突起している部分よりも絶縁層14側に窪んだ位置にある。電極パッド11の側面めっき膜11aの側面の全部、及びパッド本体11bの側面の全部は、突起部12rにより覆われている。又、電極パッド11の上面配線層13のビア配線と接する部分を除くは、突起部12rにより覆われている。つまり、電極パッド11の下面めっき膜11aの下面は絶縁層12の突起部12rから露出しているが、電極パッド11の下面は、絶縁層12の下面12aよりも突出している。但し、電極パッド11の側面の一部絶縁層14側及び電極パッド11の上面は、絶縁層12の突起部12r以外の部分により覆われていてもよい。つまり、電極パッド11の上面は、絶縁層12の下面12aよりも絶縁層14側に位置していてもよい。突起部12rを形成するには、まず、第1の実施の形態の図3に示す工程を実施する。次に、図18に示す工程では、支持体21をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、支持体21の一方の面の開口部22x内にバリア層28を形成し、更にバリア層28上にめっき膜11a及びパッド本体11bが積層された電極パッド11を形成する。バリア層28は、支持体21を除去する際に同時に除去されないように、支持体21とは異なる材料を用いる。支持体21が銅Cuである場合には、バリア層28の材料としては、銅Cuを除去するエッチング液で除去されないニッケルNi等を用いることができる。バリア層28の厚さは、例えば、0.5~5μm程度とすることができる。次に、第1の実施の形態の図5~図11に示す工程を実施する。次に、図19に示す工程では、バリア層28の露出面の周囲の絶縁層12をエッチングにより除去して絶縁層12の下面12aに突起部12rを形成し、バリア層28の露出面を絶縁層12の下面12aよりも突起させる。そして、図19に示す工程の後、バリア層28を除去する。例えば、バリア層28がニッケルNiである場合には、ニッケルNiを除去するエッチング液でバリア層28を除去する。これにより、突起部12rの先端部分は、めっき膜11aの下面よりも突起する。換言すれば、めっき膜11aの下面は、突起部12rの絶縁層12の下面12aから最も突起している部分よりも絶縁層14側に窪んだ位置となる。このように、突起部12rの先端部分が電極パッド11の下面めっき膜11aの下面よりも突起していてもよく、この場合には、第1の実施の形態の効果に加えて、更に以下の効果を奏する。すなわち、電極パッド11の側面が確実に突起部12rを構成する樹脂で覆われるため、突起部12qの場合と同様に、バンプ間が狭ピッチ化された場合にも対応できる。又、電極パッド11の周囲に突起部12rの先端部分が突起しているため、電極パッド11と半導体チップの電極パッドとをバンプで接合する際に、バンプが突起部12rの先端部分で位置決めされる。そのため、電極パッド11上へのバンプの搭載が容易になる。第3の実施の形態の変形例第3の実施の形態の変形例では、第3の実施の形態の図19に示す工程等により、図2、図12、又は図13の構造を形成する例を示す。図19に示す工程において、レーザの照射量やブラスト量を調整することで、バリア層28の側面や電極パッド11の側面の絶縁層12からの露出量を調整し、図19に示す工程の後、バリア層28を除去する。これにより、図2、図12、又は図13の構造を形成することができる。第4の実施の形態第4の実施の形態では、第1の実施の形態とは異なる突起部の形状の他の例を示す。なお、第4の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図20は、図2に対応する断面図その5である。図20を参照するに、第4の実施の形態では、電極パッド11に代えて電極パッド31が形成されている。電極パッド31は一層のみからなる。つまり、電極パッド31には、電極パッド11のめっき膜11aに相当する膜は形成されていなく、電極パッド11のパッド本体11bに相当する部分のみからなる。電極パッド31の材料としては、例えば銅Cu等を用いることができる。電極パッド31の厚さは、例えば10~20μm程度とすることができる。電極パッド31は絶縁層12の下面12aに形成された突起部12sに埋め込まれている。突起部12sは、絶縁層12の一部であり、絶縁層12の他の部分と一体的に形成されている。電極パッド31の下面は絶縁層12の突起部12sから露出している。又、電極パッド31の側面の少なくとも一部は、絶縁層12の突起部12sにより覆われている。又、電極パッド31の上面配線層13のビア配線と接する部分を除くは、突起部12sにより覆われている。つまり、電極パッド31の下面は絶縁層12の突起部12sから露出しているが、電極パッド31の下面は、絶縁層12の下面12aよりも突出している。但し、電極パッド31の側面の一部絶縁層14側及び電極パッド31の上面は、絶縁層12の突起部12s以外の部分により覆われていてもよい。つまり、電極パッド31の上面は、絶縁層12の下面12aよりも絶縁層14側に位置していてもよい。突起部12sを形成するには、まず、第1の実施の形態の図3に示す工程を実施する。次に、図21に示す工程では、支持体21をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、支持体21の一方の面の開口部22x内にバリア層28を形成し、更にバリア層28上に電極パッド31を形成する。バリア層28は、支持体21を除去する際に同時に除去されないように、支持体21とは異なる材料を用いる。支持体21が銅Cuである場合には、バリア層28の材料としては、銅Cuを除去するエッチング液で除去されないニッケルNi等を用いることができる。バリア層28の厚さは、例えば、0.5~5μm程度とすることができる。電極パッド31の材料としては、例えば銅Cu等を用いることができる。電極パッド31の厚さは、例えば10~20μm程度とすることができる。次に、図22に示す工程では、第1の実施の形態の図5~図11に示す工程を実施して支持体21を除去する。支持体21の除去面支持体21と接していた絶縁層12の下面にはバリア層28が露出する。次に、図23に示す工程では、バリア層28を除去する。例えば、バリア層28がニッケルNiである場合には、ニッケルNiを除去するエッチング液でバリア層28を除去する。電極パッド31の材料が銅Cuである場合には、電極パッド31は除去されない。これにより、電極パッド31の下面は、支持体21の除去面支持体21と接していた絶縁層12の下面よりも絶縁層14側に窪んだ位置に露出する。次に、図24に示す工程では、電極パッド31の下面の周囲の絶縁層12をブラスト処理等により研削して絶縁層12の厚さを減少させ、絶縁層12の下面12aに突起部12sを形成し、電極パッド31の下面を絶縁層12の下面12aよりも突起させる。このように、電極パッドは一層のみからなるものであっても、第1の実施の形態と同様に、電極パッド11と半導体チップ等との接続信頼性を向上できる。第5の実施の形態第5の実施の形態では、第1の実施の形態とは異なる突起部の形状の他の例を示す。なお、第5の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図25は、図2に対応する断面図その6である。図25を参照するに、電極パッド41は、めっき膜41a及びパッド本体41bを有する。めっき膜41aは、パッド本体41bの下面に形成されている。めっき膜41aは、無電解めっき法により形成された膜である。めっき膜41aとしては、例えば、無電解めっき法により形成された錫Sn膜を用いることができる。めっき膜41aとして、金Au膜、ニッケルNi膜を、金Au膜が絶縁層12の外部に露出するように、この順番で無電解めっき法により順次積層した膜を用いてもよい。又、めっき膜41aとして、金Au膜、パラジウムPd膜、ニッケルNi膜を、金Au膜が絶縁層12の外部に露出するように、この順番で無電解めっき法により順次積層した膜を用いてもよい。パッド本体41bとしては、例えば銅Cu層等を含む導電層を用いることができる。電極パッド41の厚さは、例えば10~20μm程度とすることができる。電極パッド41は絶縁層12の下面12aに形成された突起部12tに埋め込まれている。突起部12tは、絶縁層12の一部であり、絶縁層12の他の部分と一体的に形成されている。電極パッド41の下面めっき膜41aの下面は絶縁層12の突起部12tから露出している。又、電極パッド41の側面めっき膜41aの側面の全部、及びパッド本体41bの側面の全部は、絶縁層12の突起部12tにより覆われている。又、電極パッド41の上面配線層13のビア配線と接する部分を除くは、突起部12tにより覆われている。つまり、電極パッド41の下面めっき膜41aの下面は絶縁層12の突起部12tから露出しているが、電極パッド41の下面は、絶縁層12の下面12aよりも突出している。但し、電極パッド41の側面の一部絶縁層14側及び電極パッド41の上面は、絶縁層12の突起部12t以外の部分により覆われていてもよい。つまり、電極パッド41の上面は、絶縁層12の下面12aよりも絶縁層14側に位置していてもよい。突起部12tを形成するには、まず、第4の実施の形態の図21~図24と同様な工程を実施する。これにより、絶縁層12の下面12aに突起部12tが形成され、パッド本体41bの下面は絶縁層12の下面12aよりも突起する。次に、図26に示す工程では、パッド本体41bの下面に無電解めっき法により、めっき膜41aを形成する。これにより、図25に示す電極パッド41が完成する。なお、無電解めっき法により形成されためっき膜41aに代えて、OSPOrganicSolderbilityPreservatives膜を形成してもよい。このように、パッド本体41bの下面に無電解めっき法により形成されためっき膜41aやOSP膜を形成しても、第1の実施の形態と同様に、電極パッド41と半導体チップ等との接続信頼性を向上できる。第6の実施の形態第1の実施の形態では、電極パッド11側を半導体チップ搭載側とし、電極パッド17側をマザーボード等の実装基板と接続される側とする例を示した。第6の実施の形態では、電極パッド11側をマザーボード等の実装基板と接続される側とし、電極パッド17側を半導体チップ搭載側とする例を示す。なお、第6の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図27は、第6の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図27を参照するに、第6の実施の形態に係る配線基板10Aは、配線基板10図1参照と同様に、電極パッド11と、絶縁層12と、配線層13と、絶縁層14と、配線層15と、絶縁層16と、配線層17と、ソルダーレジスト層18とを有するコアレスのビルドアップ配線基板である。但し、配線基板10Aでは、電極パッド11側がマザーボード等の実装基板側であり、電極パッド17側が半導体チップ搭載側である。電極パッド11のピッチは、例えば500~1200μm程度とすることができ、電極パッド17のピッチは、電極パッド11のピッチよりも狭く、例えば100~200μm程度とすることができる。配線基板10Aの製造方法は、電極パッド11や電極パッド17のピッチ、各ビアホールの形成位置等が異なる点を除き、配線基板10の製造方法と同様である。このように、第6の実施の形態によれば、電極パッド11側をマザーボード等の実装基板側とし、電極パッド17側を半導体チップ搭載側としても、第1の実施の形態と同様の効果を奏する。第7の実施の形態第7の実施の形態では、第1の実施の形態に係る配線基板10図1参照に半導体チップを搭載した半導体パッケージの例を示す。なお、第7の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図28は、第7の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図その1である。図28を参照するに、半導体パッケージ70は、図1に示す配線基板10と、半導体チップ71と、バンプ74と、アンダーフィル樹脂75とを有する。なお、図28において、配線基板10は、図1とは上下を反転して描かれている。半導体チップ71は、本体72と、電極パッド73とを有する。本体72は、シリコン等からなる薄板化された半導体基板図示せず上に半導体集積回路図示せず等が形成されたものである。本体72には、電極パッド73が形成されている。電極パッド73は、半導体集積回路図示せずと電気的に接続されている。電極パッド73の材料としては、例えばAl等を用いることができる。バンプ74は、半導体チップ71の電極パッド73と、配線基板10の突起部12pから露出する電極パッド11めっき膜11aの露出面とを接合し、電気的に接続している。バンプ74は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えばPbを含む合金、SnとCuの合金、SnとAgの合金、SnとAgとCuの合金等を用いることができる。アンダーフィル樹脂75は、半導体チップ71と配線基板10の一方の面との間に充填されている。半導体パッケージ70では、電極パッド11の側面は突起部12pで覆われているため、バンプ74が電極パッド11の側面に形成されることはない。そのため、バンプ間が狭ピッチ化されている場合にも、隣接するバンプ同士が接触する虞を低減できる。又、隣接するバンプ同士の間隔を確保し易いため、アンダーフィル樹脂75がバンプ間に充填され易くなる。又、バンプ74の材料の使用量を低減することが可能となり、半導体パッケージ70の製造コストを低減できる。図29は、第7の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図その2である。図29に示す半導体パッケージ80のように、第6の実施の形態に係る配線基板10Aに半導体チップ71を搭載してもよい。半導体パッケージ80では、電極パッド11の側面は突起部12pで覆われているため、電極パッド11をマザーボード等の実装基板に接続する際に、バンプが電極パッド11の側面に形成されることはない。そのため、バンプの材料の使用量を低減することが可能となる。又、図示はしないが、第1の実施の形態の変形例1や第2及び第3の実施の形態に係る配線基板に半導体チップ71を搭載してもよいことは言うまでもない。このように、第7の実施の形態によれば、第1の実施の形態等に係る配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージを実現できる。以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。