"第1の部分と前記第1の部分より滑らかな第2の部分とを有する基材の表面と、前記基材に取り付けられた駆動素子の表面と、にそれぞれ金属膜を形成し、レーザービームによって前記基材の第1の部分に形成された前記金属膜を削り、前記第1の部分に形成された前記金属膜を削るレーザービームと異なるパワーのレーザービームによって前記基材の第2の部分に形成された前記金属膜を削ることで導体パターンを形成することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。前記基材の第2の部分に形成された前記金属膜を削るレーザービームは、前記第1の部分に形成された前記金属膜を削るレーザービームよりもパワーが弱いことを特徴とする請求項1に記載のインクジェットヘッドの製造方法。前記導体パターンを形成する際に、前記基材の第1の部分に形成された前記金属膜を削ったレーザービームよりもパワーが強いレーザービームによって前記駆動素子の表面に形成された前記金属膜を削ることを特徴とする請求項2に記載のインクジェットヘッドの製造方法。前記導体パターンを形成する際に、前記駆動素子の表面に形成された前記金属膜を削ったレーザービームよりもパワーが強いレーザービームによって、前記基材と前記駆動素子との間に介在する接着層に形成された前記金属膜を削ることを特徴とする請求項3に記載のインクジェットヘッドの製造方法。レーザービームを照射するレーザー加工装置は、レーザーダイオードを有し、前記レーザーダイオードの電流値を変化させることにより、レーザービームのパワーを変化させる請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載のインクジェットヘッドの製造方法。レーザービームを照射するレーザー加工装置は、レーザービームのパワーを可変的に低減可能な減衰器を有し、前記減衰器によって、レーザービームのパワーを変化させる請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載のインクジェットヘッドの製造方法。レーザービームを照射するレーザー加工装置は、レーザービームが出射されるビーム出射部を有し、前記ビーム出射部と加工点との距離を変化させることにより、レーザービームのパワーを変化させる請求項1ないし4に記載のインクジェットヘッドの製造方法。レーザービームの径を変化させることにより、レーザービームのパワーを変化させる請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載のインクジェットヘッドの製造方法。第1の部分と、前記第1の部分より滑らかな第2の部分とを有した基材と、前記基材に取り付けられ、複数の溝が設けられた駆動素子と、前記基材の第1の部分および第2の部分と前記駆動素子とに亘って設けられ、前記第1の部分に設けられた部分と前記第2の部分とに設けられた部分とが異なるパワーのレーザービームによって形成された複数の導体パターンと、を具備したことを特徴とするインクジェットヘッド。前記複数の導体パターンの間にそれぞれ設けられ、前記第1の部分に形成された部分の深さと前記第2の部分に形成された部分の深さとが異なる複数の凹部をさらに具備した請求項9に記載のインクジェットヘッド。ニッケル薄膜は、例えばアルミナによって形成されたベースプレートの表面や、チタン酸ジルコン酸鉛PZTによって形成された駆動素子の表面のように、特性が異なる種々の部分に亘って設けられる。このような下地の特性の違いにかかわらず一定のパワーでレーザービームの照射を行なうと、部分的にニッケル薄膜の切断が不十分になるような、パターニング欠陥が生じるおそれがある。ニッケル薄膜の切断が不十分な場合、レーザービームの照射を複数回行なってニッケル薄膜を切断することになり、製造コストおよび時間が増大する。本発明の目的は、パターニング欠陥を抑制できるインクジェットヘッドの製造方法およびインクジェットヘッドを提供することにある。一つの実施の形態に係るインクジェットヘッドの製造方法は、第1の部分と前記第1の部分より滑らかな第2の部分とを有する基材の表面と、前記基材に取り付けられた駆動素子の表面と、にそれぞれ金属膜を形成し、レーザービームによって前記基材の第1の部分に形成された前記金属膜を削り、前記第1の部分に形成された前記金属膜を削るレーザービームと異なるパワーのレーザービームによって前記基材の第2の部分に形成された前記金属膜を削ることで導体パターンを形成する。以下に、一つの実施の形態について、図1から図10を参照して説明する。図1は、一つの実施の形態に係るインクジェットヘッド10を分解して示す斜視図である。図2は、図1のF2-F2線に沿ってインクジェットヘッド10の一部を示す断面図である。図1に示すように、インクジェットヘッド10は、いわゆるサイドシュータ型のインクジェットヘッドである。インクジェットヘッド10は、インクを吐出するための装置であり、インクジェットプリンタの内部に搭載される。インクジェットヘッド10は、ベースプレート11と、オリフィスプレート12と、枠部材13と、一対の駆動素子14とを備えている。ベースプレート11は、基材の一例である。図2に示すように、インクジェットヘッド10の内部に、インクが供給されるインク室15が形成される。さらに、図2に二点鎖線で示すように、インクジェットヘッド10に、インクジェットヘッド10を制御する回路基板16、インクジェットヘッド10とインクタンクとの間の経路の一部を形成するマニホールド17のような、種々の部品が取り付けられる。図1に示すように、ベースプレート11は、例えばアルミナのようなセラミックスによって矩形の板状に形成されている。ベースプレート11は、平坦な実装面21を有している。実装面21は、基材の表面の一例である。図2に示すように、実装面21は、第1の部分22と、第2の部分23とを有している。実装面21の第1の部分22は、例えばエッチングによって表面を粗くされた部分である。図2において、第1の部分は太線によって示される。実装面21の第2の部分23は、例えば表面が研削された部分である。第2の部分23は、第1の部分22よりも滑らかである。実装面21の第1の部分22に、複数の供給孔25と、複数の排出孔26とが開口している。なお、供給孔25および排出孔26は、実装面21の第2の部分23に設けられても良い。図1に示すように、供給孔25は、ベースプレート11の中央部において、ベースプレート11の長手方向に並んで設けられている。図2に示すように、供給孔25は、マニホールド17のインク供給部17aに連通している。供給孔25は、インク供給部17aを介して前記インクタンクに接続されている。前記インクタンクのインクは、供給孔25からインク室15に供給される。図1に示すように、排出孔26は、供給孔25を挟むように二列に並んで設けられている。図2に示すように、排出孔26は、マニホールド17のインク排出部17bに連通している。排出孔26は、インク排出部17bを介して前記インクタンクに接続されている。インク室15のインクは、排出孔26から前記インクタンクに回収される。このように、インクは前記インクタンクとインク室15との間で循環する。図1に示すように、オリフィスプレート12は、例えばポリイミド製の矩形のフィルムによって形成されている。オリフィスプレート12は、ベースプレート11の実装面21に対向している。オリフィスプレート12に、複数のオリフィス28が設けられている。複数のオリフィス28は、オリフィスプレート12の長手方向に沿って二列に並んでいる。オリフィス28は、実装面21の供給孔25と排出孔26との間の部分に対向している。枠部材13は、例えばニッケル合金によって矩形の枠状に形成されている。枠部材13は、ベースプレート11の実装面21とオリフィスプレート12との間に介在している。枠部材13は、実装面21とオリフィスプレート12とにそれぞれ接着されている。すなわち、オリフィスプレート12は、枠部材13を介してベースプレート11に取り付けられている。インク室15は、ベースプレート11と、オリフィスプレート12と、枠部材13とに囲まれて形成されている。一対の駆動素子14は、例えばチタン酸ジルコン酸鉛PZTによって形成された板状の二つの圧電体によってそれぞれ形成されている。前記二つの圧電体は、分極方向がその厚さ方向に互いに逆向きになるように貼り合わされている。なお、PZTは、アルミナよりも熱が逃げ難い。一対の駆動素子14は、図2に示す接着層29を介して、ベースプレート11の実装面21に取り付けられている。接着層29は、例えば熱硬化性を有するエポキシ系接着剤によって形成される。一対の駆動素子14は、二列に並ぶオリフィス28に対応して、インク室15の中に平行に配置されている。図2に示すように、駆動素子14は、断面台形状に形成されている。駆動素子14は、頂面14aと、一対の傾斜面14bとを有している。傾斜面14bは、駆動素子の表面の一例である。駆動素子14の頂面14aは、オリフィスプレート12に接着されている。傾斜面14bは、ベースプレート11の実装面21の第1の部分22よりも粗い。駆動素子14に、複数の溝31が設けられている。溝31は、駆動素子14の長手方向と交差する方向にそれぞれ延びており、駆動素子14の長手方向に並んでいる。複数の溝31は、オリフィスプレート12の複数のオリフィス28に対向している。複数の溝31に、それぞれ電極32が設けられている。電極32は、導体パターンの一部である。電極32は、例えばニッケル薄膜によって形成されている。電極32は、溝31の内面を覆っている。ベースプレート11の実装面21から駆動素子14に亘って、複数の配線パターン35が設けられている。配線パターン35は、導体パターンの一部である。配線パターン35は、例えばニッケル薄膜によって形成されている。配線パターン35は、実装面21の一方の側端部21aおよび他方の側端部21bから、駆動素子18に向かってそれぞれ延びている。なお、側端部21a,21bは、実装面21の縁のみならずその周辺の領域を含む。このため、配線パターン35は、実装面21の縁よりも内側に設けられても良い。配線パターン35は、実装面21において、第1の部分22および第2の部分23に亘って設けられている。配線パターン35は、駆動素子14の傾斜面14bを通って、電極32にそれぞれ電気的に接続されている。回路基板16は、フィルムキャリアパッケージFCPであり、複数の配線が形成されるとともに柔軟性を有する樹脂製のフィルム37と、フィルム37の前記複数の配線に接続されたICとをそれぞれ有している。なお、FCPは、テープキャリアパッケージTCPとも称される。フィルム37は、テープオートメーテッドボンディングTABである。前記ICは、電極32に電圧を印加するための部品である。前記ICは、例えば樹脂によってフィルム37に固定されている。フィルム37の端部は、異方性導電性フィルムACF39によって、配線パターン35に熱圧着接続されている。これにより、フィルム37の前記複数の配線は、配線パターン35に電気的に接続される。フィルム37が配線パターン35に接続されることで、前記ICが、フィルム37の前記配線を介して電極32に電気的に接続される。前記ICは、フィルム37の前記配線を介して電極32に電圧を印加する。前記ICが電極32に電圧を印加すると、駆動素子14がシェアモード変形することにより、当該電極32が設けられた溝31の容積が増減させられる。これにより、溝31の中のインクの圧力が変化し、当該インクがオリフィス28から吐出される。次に、上記構成のインクジェットヘッド10の製造方法の一部である、ベースプレート11の製造方法の一例について、図3ないし図8を参照して説明する。図3は、ニッケル薄膜41a,41b,41c,41dが形成されたベースプレート11および駆動素子14を概略的に示す断面図である。なお、図3は図2とは異なる個所を示している。まず、焼成前のセラミックスシートセラミックスグリーンシートで構成されるベースプレート11に、プレス成形によって供給孔25と排出孔26を形成する。続いて、ベースプレート11を焼成する。次に、焼成されたベースプレート11の実装面21をエッチングする。これにより、実装面21が、焼成後の無垢なアルミナの表面よりも粗くなる。なお、実装面21を粗くする処理はエッチングに限らず、他の方法を用いても良い。次に、ベースプレート11に、駆動素子14となる断面矩形状の一対の圧電体を接着する。このとき、この一対の圧電体は、治具によって互いの距離が一定に維持される。これらの圧電体は、当該治具によりベースプレート11に位置決めされ、エポキシ系接着剤によってベースプレート11に接着される。圧電体をベースプレート11に接着することで、駆動素子14となる当該圧電体とベースプレート11の実装面21との間に接着層29が形成される。続いて、ベースプレート11に接着された前記圧電体のそれぞれの角部を研削する、いわゆるテーパ加工を行う。これによって、駆動素子14の傾斜面14bが形成され、駆動素子14となる圧電体の断面が台形状になる。前記圧電体を研削する際に、接着層29と、ベースプレート11とが僅かに削られる。これにより、実装面21に、エッチングされた第1の部分22と、研削されて第1の部分22よりも滑らかとなった第2の部分23とが形成される。次に、前記圧電体に、複数の溝31を形成する。複数の溝31は、例えば、ICウェハーの切断等に用いられるダイシングソーのマルチカッターによって形成される。これにより、駆動素子14が形成される。次に、例えば無電解メッキによって、第1の部分22と第2の部分23とを含むベースプレート11の実装面21と、駆動素子14の頂面14aおよび傾斜面14bとに、ニッケル薄膜41a,41b,41c,41dを形成する。ニッケル薄膜41a,41b,41c,41dは、金属膜の一例である。ニッケル薄膜41a,41b,41c,41dは、それぞれ一体に形成されている。ニッケル薄膜41aは、実装面21の第1の部分22に形成されている。ニッケル薄膜41bは、実装面21の第2の部分23に形成されている。ニッケル薄膜41cは、接着層29の表面に形成されている。ニッケル薄膜41dは、溝31の内面および頂面14aを含む駆動素子14の表面に形成されている。下地の粗さが異なるため、ニッケル薄膜41a,41b,41c,41dの厚さはそれぞれ異なっている。例えば、ニッケル薄膜41dは、ニッケル薄膜41aよりも厚い。ニッケル薄膜41aは、ニッケル薄膜41bよりも厚い。ニッケル薄膜41bは、ニッケル薄膜41cよりも厚い。さらに、ニッケル薄膜41dと駆動素子14の表面との密着力は、ニッケル薄膜41aと第1の部分22との密着力よりも強い。ニッケル薄膜41aと第1の部分22との密着力は、ニッケル薄膜41bと第2の部分23との密着力よりも強い。ニッケル薄膜41bと第2の部分23との密着力は、ニッケル薄膜41cと接着層29の表面との密着力よりも強い。なお、密着力とは、ニッケル薄膜と下地との界面に働く結合力である。次に、駆動素子14の頂面14aに形成されたニッケル薄膜41dを除去する。頂面14aのニッケル薄膜41dは、例えば研磨加工によって取り除かれる。図4は、ニッケル薄膜41aを削る工程を概略的に示すベースプレート11および駆動素子14の断面図である。以下に述べるように、図4に示すレーザー加工装置44によって、ニッケル薄膜41a,41b,41c,41dをパターニングし、電極32および配線パターン35を形成する。レーザー加工装置44は、レーザーダイオード45と、減衰器46と、ビーム出射部47とを有している。図4に示すように、レーザー加工装置44は、ベースプレート11に対して垂直にレーザービームLBを照射する。なお、レーザー加工装置44は、ベースプレート11に対して傾いた方向にレーザービームLBを照射しても良い。レーザーダイオード45は、レーザービームLBを放射する。レーザーダイオード45が放射するレーザービームLBのパワーは、レーザーダイオード45に印加される電流に比例する。なお、レーザービームLBを放射するする部品はレーザーダイオードに限らず、ガスレーザーのような他の種類のものを用いても良い。レーザービームのパワーは、単位時間当たりのエネルギー量である。減衰器46は、レーザーダイオード45が放射したレーザービームLBのパワーを可変的に低減する。例えば、減衰器46は、レーザービームLBの入射角を変化させることにより、反射率が変化するガラス板を有する。当該ガラス板を回動させてレーザービームLBの入射角を変化させることにより、レーザービームLBの減衰率が変化する。なお、減衰器46はこれに限らず、例えばグラデーション状の膜を形成したガラス板や、λ/2波長板を用いたものでも良い。ビーム出射部47は、レーザービームLBがレーザー加工装置44の外に出射される部分である。レーザー加工装置44は、ビーム出射部47と加工点との間の距離を変化させるように移動可能である。なお、加工点は、レーザービームLBが照射された部分である。ビーム出射部47と加工点との距離が近いほど、レーザービームLBの加工点におけるパワーは強くなる。まず、レーザー加工装置44によって、実装面21の一方の側端部21aに位置するニッケル薄膜41aの端部にレーザービームLBを照射する。図4に示すように、例えばベースプレート11を動かすことでレーザービームLBの加工点を駆動素子14に向かって動かすことにより、レーザービームLBによってニッケル薄膜41aを削る。なお、レーザービームLBの加工点は、配線パターン35の形状に応じて蛇行しても良い。図5は、ニッケル薄膜41bを削る工程を概略的に示すベースプレート11および駆動素子14の断面図である。レーザービームLBの加工点が実装面21の第2の部分23に到達した際に、ニッケル薄膜41aよりも下地との密着力が弱いニッケル薄膜41bに応じて、レーザービームLBのパワーを弱める。例えば、減衰器46の前記ガラス板を回動させることによって、レーザービームLBのパワーを弱める。なお、これに限らず、レーザーダイオード45に印加する電流を弱めたり、ビーム出射部47をベースプレート11から離間させたり、レーザービームLBの径を拡げたりすることによって、レーザービームLBのパワーを弱めても良い。これにより、レーザー加工装置44は、ニッケル薄膜41aを削るレーザービームLBよりもパワーが弱いレーザービームLBwを照射する。次に、図5に示すように、レーザービームLBwの加工点を駆動素子14に向かって動かすことにより、レーザービームLBwによってニッケル薄膜41bを削る。なお、レーザービームLBwの加工点は、配線パターン35の形状に応じて蛇行しても良い。図6は、接着層29の周辺を拡大して示すベースプレート11および駆動素子14の断面図である。図7は、ニッケル薄膜41cを削る工程を概略的に示すベースプレート11および駆動素子14の断面図である。図6に示すように、接着層29は、気泡によって窪んで形成された凹面29aを有することがある。レーザービームLBwの加工点が接着層29に到達した際に、凹面29aに形成され削り難いニッケル薄膜41cに応じて、レーザービームLBwのパワーを強める。例えば、ビーム出射部47を接着層29に近づけることにより、レーザービームLBwのパワーを強める。なお、他の方法によってレーザービームLBwのパワーを強めても良い。これにより、レーザー加工装置44は、ニッケル薄膜41aを削るレーザービームLBよりもパワーが強いレーザービームLBssを照射する。次に、レーザービームLBssの加工点をベースプレート11の中央部に向かって動かすことにより、図7に示すようにレーザービームLBssによって、接着層29および駆動素子14のそれぞれの端部とともに、ニッケル薄膜41cを削る。図8は、ニッケル薄膜41dを削る工程を概略的に示すベースプレート11および駆動素子14の断面図である。レーザービームLBssがニッケル薄膜41cを削り終えた際に、ニッケル薄膜41dに応じて、レーザービームLBssのパワーを弱める。ニッケル薄膜41dはニッケル薄膜41aよりも下地との密着力が強い。一方、ニッケル薄膜41dを削るためのパワーは、駆動素子14の端部を削るためのパワーよりも弱くて良い。例えば、ビーム出射部47を駆動素子14から離すことにより、レーザービームLBssのパワーを弱める。なお、他の方法によってレーザービームLBssのパワーを弱めても良い。これにより、レーザー加工装置44は、ニッケル薄膜41aを削るレーザービームLBよりもパワーが強く、ニッケル薄膜41cを削るレーザービームLBssよりもパワーが弱いレーザービームLBsを照射する。次に、図8に示すように、レーザービームLBsの加工点をベースプレート11の中央部に向かって動かすことにより、レーザービームLBsによって駆動素子14の傾斜面14bに形成されたニッケル薄膜41dを削る。この後、上記のようにニッケル薄膜41a,41b,41c,41dに応じてレーザービームのパワーを変え、実装面21の他方の側端部21bまでニッケル薄膜41a,41b,41c,41dを削る。このようなパターニングを繰返すことで、複数の配線パターン35および電極32を形成する。これにより、ベースプレート11の製造工程が終了する。図9は、図8のF9-F9線に沿ってベースプレート11の一部を示す断面図である。図10は、図8のF10-F10線に沿ってベースプレート11の他の部分を示す断面図である。レーザービームがニッケル薄膜41a,41b,41c,41dを削ることで、ベースプレート11に複数の凹部51,52が形成される。凹部51,52は、複数の配線パターン35の間にそれぞれ設けられる。凹部51は、実装面21の第1の部分22が、レーザービームLBに削られることで形成される。凹部52は、実装面21の第2の部分23が、レーザービームLBsに削られることで形成される。上記のようにレーザービームのパワーを変えてニッケル薄膜41a,41b,41c,41dを削ることで、凹部51の幅および深さと、凹部52の幅および深さとが異なる。例えば、レーザービームLBによって形成された凹部51の幅W1および深さD1は、レーザービームLBwによって形成された凹部52の幅W2および深さD2よりも大きい。これと同様に、レーザービームLBsによって駆動素子14の傾斜面14bに形成された凹部の幅および深さは、凹部51の幅W1および深さD1よりも大きい。前記構成のインクジェットヘッド10によれば、第2の部分23とニッケル薄膜41bとの密着力は、第1の部分22とニッケル薄膜41aとの密着力よりも弱い。さらに、ニッケル薄膜41bは、ニッケル薄膜41aよりも薄い。このため、ベースプレート11の第1の部分22のニッケル薄膜41aをレーザービームLBで削り、第2の部分23のニッケル薄膜41bをレーザービームLBwで削る。このように、密着力、厚さ、熱特性のような下地の特性の違いに応じてレーザービームのパワーを調整することにより、部分的にニッケル薄膜が過大に剥離したり、ニッケル薄膜の切断が不十分になったりするようなパターニング欠陥を抑制できる。さらに、レーザービームLBよりもパワーが強いレーザービームLBsによって、駆動素子14の傾斜面14bのニッケル薄膜41dを削る。また、レーザービームLBsよりもパワーが強いレーザービームLBssによって、接着層29のニッケル薄膜41c、接着層29、および駆動素子14の端部を削る。このように、密着力、厚さ、熱特性のような下地の特性の違いに応じてレーザービームのパワーを多様に調整することにより、パターニング欠陥を抑制できる。以上述べた少なくとも一つの実施形態のインクジェットヘッドの製造方法によれば、レーザービームによって基材の第1の部分に形成された金属膜を削り、前記第1の部分に形成された金属膜を削るレーザービームと異なるパワーのレーザービームによって前記基材の第2の部分に形成された金属膜を削ることで導体パターンを形成する。これにより、パターニング欠陥を抑制できる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"