"ポリシリコン上の酸化ケイ素膜を研磨するための研磨剤であって、砥粒、ポリシリコン研磨抑制剤、及び水を含む酸化ケイ素用研磨剤。酸化ケイ素とポリシリコンとの研磨速度比が10以上である請求項1に記載の酸化ケイ素用研磨剤。ポリシリコン研磨抑制剤が、アクリルアミド、メタアクリルアミドおよびそのα-置換体からなる群のいずれかの、N-モノ置換体またはN,N-ジ置換体骨格を有する水溶性高分子である請求項1または2に記載の酸化ケイ素用研磨剤。前記水溶性高分子が、下記一般式Iで示される重合性モノマおよび下記一般式IIで示される重合性モノマ一般式I中、R1は水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基またはシアノ基を示し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、C1~C18のアルキル鎖、メチロール基またはアセチル基を示し、両方が水素原子の場合は含まれない。一般式II中、R1は水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、シアノ基を、R4は、モルホリノ基、チオモルホリノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基を示す。からなる群から選ばれる少なくとも一種類を含む重合体または共重合体である請求項3に記載の酸化ケイ素用研磨剤。ポリシリコン研磨抑制剤がポリエチレングリコールである請求項1または2に記載の酸化ケイ素用研磨剤。ポリシリコン研磨抑制剤がアセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体である請求項1または2に記載の酸化ケイ素用研磨剤。ポリシリコン研磨抑制剤が、下記一般式IIIで示される化合物及び下記一般式IVで示される化合物一般式III中、R1は水素原子または炭素数が1~5の置換もしくは無置換アルキル基を表し、R2は炭素数が4~10の置換または無置換アルキル基を表す。一般式IV中、R3~R6はそれぞれ独立に水素原子または炭素数が1~5の置換もしくは無置換アルキル基を表し、R7、R8はそれぞれ独立に炭素数が1~5の置換または無置換アルキレン基を表し、m、nはそれぞれ独立に0または正数を表す。の少なくともいずれかである請求項1または2に記載の酸化ケイ素用研磨剤。ポリシリコン研磨抑制剤がアルコキシル化直鎖脂肪族アルコールである請求項1または2に記載の酸化ケイ素用研磨剤。ポリシリコン研磨抑制剤が二種類以上含まれる請求項1~7のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤。ポリシリコン研磨抑制剤が前記水溶性高分子、ポリエチレングリコール、アセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体、前記IIIで示される化合物、前記IVで示される化合物及びアルコキシル化直鎖脂肪族アルコールから選ばれる二種類以上を含む請求項9に記載の酸化ケイ素用研磨剤。ポリシリコン研磨抑制剤含有量が0.005質量以上2質量以下である請求項3~10のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤。pHが、5.0~8.0である請求項3~11のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤。さらに、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩およびアクリル酸塩を含有する共重合体のいずれかの少なくとも一種を含む請求項1~12のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤。砥粒は酸化セリウムを含む請求項1~13のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤。ポリシリコン研磨抑制剤が、ポリビニルピロリドンまたはビニルピロリドンを含有する共重合体を含む請求項1または2に記載の酸化ケイ素用研磨剤。ポリシリコン研磨抑制剤の含有量が、0.005~5質量である請求項15に記載の酸化ケイ素用研磨剤。pHが5.0~12.0である請求項15または16に記載の酸化ケイ素用研磨剤。さらに、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩およびアクリル酸塩を含有する共重合体のいずれかの少なくとも一種を含む請求項15~17のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤。砥粒は酸化セリウムを含む請求項15~18のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤。ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩およびアクリル酸塩を含有する共重合体の少なくとも1種以上の含有量が、0.01~5質量である請求項1~19のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤。砥粒は酸化ケイ素を含む請求項1~20のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤。請求項1~21のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤を用いる半導体基板の研磨方法。ポリシリコン上の酸化ケイ素膜を研磨するための研磨剤に使用される研磨剤用添加液であって、ポリシリコン研磨抑制剤及び水を含有する研磨剤用添加液。ポリシリコン研磨抑制剤が、アクリルアミド、メタアクリルアミドおよびそのα-置換体からなる群のいずれかの、N-モノ置換体またはN,N-ジ置換体骨格を有する水溶性高分子である請求項23に記載の研磨剤用添加液。前記水溶性高分子が、下記一般式Iで示される重合性モノマおよび下記一般式IIで示される重合性モノマ一般式I中、R1は水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基またはシアノ基を示し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、C1~C18のアルキル鎖、メチロール基またはアセチル基を示し、両方が水素原子の場合は含まれない。一般式II中、R1は水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、シアノ基を、R4は、モルホリノ基、チオモルホリノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基を示す。からなる群から選ばれる少なくとも一種類を含む重合体または共重合体である請求項24に記載の研磨剤用添加液。ポリシリコン研磨抑制剤がポリエチレングリコールである請求項23に記載の研磨剤用添加液。ポリシリコン研磨抑制剤がアセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体である請求項23に記載の研磨剤用添加液。ポリシリコン研磨抑制剤が、下記一般式IIIで示される化合物及び下記一般式IVで示される化合物一般式III中、R1は水素原子または炭素数が1~5の置換もしくは無置換アルキル基を表し、R2は炭素数が4~10の置換または無置換アルキル基を表す。一般式IV中、R3~R6はそれぞれ独立に水素原子または炭素数が1~5の置換もしくは無置換アルキル基を表し、R7、R8はそれぞれ独立に炭素数が1~5の置換または無置換アルキレン基を表し、m、nはそれぞれ独立に0または正数を表す。の少なくともいずれかである請求項23に記載の研磨剤用添加液。ポリシリコン研磨抑制剤がアルコキシル化直鎖脂肪族アルコールである請求項23に記載の研磨剤用添加液。ポリシリコン研磨抑制剤が二種類以上含まれる請求項23~29のいずれかに記載の研磨剤用添加液。ポリシリコン研磨抑制剤が前記水溶性高分子、ポリエチレングリコール、アセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体、前記IIIで示される化合物、前記IVで示される化合物及びアルコキシル化直鎖脂肪族アルコールから選ばれる二種類以上を含む請求項30に記載の研磨剤用添加液。さらに、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩およびアクリル酸塩を含有する共重合体のいずれかの少なくとも一種を含む請求項23~31のいずれかに記載の研磨剤用添加液。研磨パッドに、研磨対象物をその被研磨面を前記研磨パッドに対峙させた状態で保持し、研磨剤を前記研磨パッドと被研磨面との間に供給すると共に、前記研磨パッドならびに前記研磨対象物を相対的に摺動して研磨対象物を研磨する方法であって、前記研磨剤に請求項1~21のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤を使用する研磨方法。窒化ケイ素は硬度が高く、研磨速度を抑制しやすいため、シャロートレンチ分離のストッパとして実用化された。これに限らず研磨速度を抑制できる膜であれば窒化ケイ素以外のストッパも可能であり、たとえばCu配線のバリアメタルはCMPにおいてはストッパとしても機能している。これらとは別にポリシリコン多結晶ケイ素も研磨速度を十分抑制できればストッパとして使用可能である。ポリシリコンはトランジスタのゲートなどの導電性素材として用いられるため、これをストッパとして使用するCMP技術が確立できれば窒化ケイ素とは異なった応用が可能となる。しかしながらポリシリコンをストッパとして使用できる程度に抑制すること、すなわち、被研磨膜とポリシリコンとの研磨速度比を十分に大きくすることは、シリカ研磨剤、酸化セリウム研磨剤ともに困難であった。本発明は、酸化ケイ素とポリシリコンとの研磨速度比を十分に大きくし、ポリシリコンをストッパとして適用可能にする、ポリシリコン上の酸化ケイ素用研磨剤及びそれを用いて半導体基板等を研磨する研磨方法を提供することにある。本発明は、[1]ポリシリコン上の酸化ケイ素膜を研磨するための研磨剤であって、砥粒、ポリシリコン研磨抑制剤、及び水を含む酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[2]酸化ケイ素とポリシリコンとの研磨速度比が10以上である上記[1]に記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[3]ポリシリコン研磨抑制剤が、アクリルアミド、メタアクリルアミドおよびそのα-置換体からなる群のいずれかの、N-モノ置換体またはN,N-ジ置換体骨格を有する水溶性高分子である上記[1]または上記[2]に記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[4]前記水溶性高分子が、下記一般式Iで示される重合性モノマおよび下記一般式IIで示される重合性モノマからなる群から選ばれる少なくとも一種類を含む重合体または共重合体である上記[3]に記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。一般式I中、R1は水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基またはシアノ基を示し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、C1~C18のアルキル鎖、メチロール基またはアセチル基を示し、両方が水素原子の場合は含まれない。一般式II中、R1は水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、シアノ基を、R4は、モルホリノ基、チオモルホリノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基を示す。また、本発明は、[5]ポリシリコン研磨抑制剤がポリエチレングリコールである上記[1]または上記[2]に記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[6]ポリシリコン研磨抑制剤がアセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体である上記[1]または上記[2]に記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[7]ポリシリコン研磨抑制剤が、下記一般式IIIで示される化合物及び下記一般式IVで示される化合物の少なくともいずれかである上記[1]または上記[2]に記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。一般式III中、R1は水素原子または炭素数が1~5の置換もしくは無置換アルキル基を表し、R2は炭素数が4~10の置換または無置換アルキル基を表す。一般式IV中、R3~R6はそれぞれ独立に水素原子または炭素数が1~5の置換もしくは無置換アルキル基を表し、R7、R8はそれぞれ独立に炭素数が1~5の置換または無置換アルキレン基を表し、m、nはそれぞれ独立に0または正数を表す。また、本発明は、[8]ポリシリコン研磨抑制剤がアルコキシル化直鎖脂肪族アルコールである上記[1]または上記[2]に記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[9]ポリシリコン研磨抑制剤が二種類以上含まれる上記[1]~[7]のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[10]ポリシリコン研磨抑制剤が前記水溶性高分子、ポリエチレングリコール、アセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体、前記IIIで示される化合物、前記IVで示される化合物及びアルコキシル化直鎖脂肪族アルコールから選ばれる二種類以上を含む上記[9]に記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[11]ポリシリコン研磨抑制剤含有量が0.005質量以上2質量以下である上記[3]~[10]のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[12]pHが、5.0~8.0である上記[3]~[11]のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[13]さらに、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩およびアクリル酸塩を含有する共重合体のいずれかの少なくとも一種を含む上記[1]~[12]のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[14]砥粒は酸化セリウムを含む上記[1]~[13]のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[15]ポリシリコン研磨抑制剤が、ポリビニルピロリドンまたはビニルピロリドンを含有する共重合体を含む上記[1]または[2]に記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[16]ポリシリコン研磨抑制剤の含有量が、0.005~5質量である上記[15]に記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[17]pHが5.0~12.0である上記[15]または[16]に記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[18]さらに、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩およびアクリル酸塩を含有する共重合体のいずれかの少なくとも一種を含む上記[15]~[17]のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[19]砥粒は酸化セリウムを含む上記[15]~[18]のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[20]ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩およびアクリル酸塩を含有する共重合体の少なくとも1種以上の含有量が、0.01~5質量である上記[1]~[19]のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[21]砥粒は酸化ケイ素を含む上記[1]~[20]のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤に関する。また、本発明は、[22]上記[1]~[21]のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤を用いる半導体基板の研磨方法に関する。また、本発明は、[23]ポリシリコン上の酸化ケイ素膜を研磨するための研磨剤に使用される研磨剤用添加液であって、ポリシリコン研磨抑制剤及び水を含有する研磨剤用添加液に関する。また、本発明は、[24]ポリシリコン研磨抑制剤が、アクリルアミド、メタアクリルアミドおよびそのα-置換体からなる群のいずれかの、N-モノ置換体またはN,N-ジ置換体骨格を有する水溶性高分子である上記[23]に記載の研磨剤用添加液に関する。また、本発明は、[25]前記水溶性高分子が、下記一般式Iで示される重合性モノマおよび下記一般式IIで示される重合性モノマからなる群から選ばれる少なくとも一種類を含む重合体または共重合体である上記[24]に記載の研磨剤用添加液に関する。一般式I中、R1は水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基またはシアノ基を示し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、C1~C18のアルキル鎖、メチロール基またはアセチル基を示し、両方が水素原子の場合は含まれない。一般式II中、R1は水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、シアノ基を、R4は、モルホリノ基、チオモルホリノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基を示す。また、本発明は、[26]ポリシリコン研磨抑制剤がポリエチレングリコールである上記[23]に記載の研磨剤用添加液に関する。また、本発明は、[27]ポリシリコン研磨抑制剤がアセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体である上記[23]に記載の研磨剤用添加液に関する。また、本発明は、[28]ポリシリコン研磨抑制剤が、下記一般式IIIで示される化合物及び下記一般式IVで示される化合物の少なくともいずれかである上記[23]に記載の研磨剤用添加液に関する。一般式III中、R1は水素原子または炭素数が1~5の置換もしくは無置換アルキル基を表し、R2は炭素数が4~10の置換または無置換アルキル基を表す。一般式IV中、R3~R6はそれぞれ独立に水素原子または炭素数が1~5の置換もしくは無置換アルキル基を表し、R7、R8はそれぞれ独立に炭素数が1~5の置換または無置換アルキレン基を表し、m、nはそれぞれ独立に0または正数を表す。また、本発明は、[29]ポリシリコン研磨抑制剤がアルコキシル化直鎖脂肪族アルコールである上記[23]に記載の研磨剤用添加液に関する。また、本発明は、[30]ポリシリコン研磨抑制剤が二種類以上含まれる上記[23]に記載の研磨剤用添加液に関する。また、本発明は、[31]ポリシリコン研磨抑制剤が前記水溶性高分子、ポリエチレングリコール、アセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体、前記IIIで示される化合物、前記IVで示される化合物及びアルコキシル化直鎖脂肪族アルコールから選ばれる二種類以上を含む上記[30]に記載の研磨剤用添加液に関する。また、本発明は、[32]さらに、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩およびアクリル酸塩を含有する共重合体のいずれかの少なくとも一種を含む上記[23]~[31]のいずれかに記載の研磨剤用添加液に関する。また、本発明は、[33]研磨パッドに、研磨対象物をその被研磨面を前記研磨パッドに対峙させた状態で保持し、研磨剤を前記研磨パッドと被研磨面との間に供給すると共に、前記研磨パッドならびに前記研磨対象物を相対的に摺動して研磨対象物を研磨する方法であって、前記研磨剤に上記[1]~[21]のいずれかに記載の酸化ケイ素用研磨剤を使用する研磨方法に関する。本発明により、酸化ケイ素膜を研磨する半導体製造工程におけるCMP技術において、ポリシリコン膜上の酸化ケイ素膜を高速で研磨でき、かつ、ポリシリコン膜の露出時にポリシリコン膜の研磨の進行を抑えることが可能となる研磨剤および研磨方法を提供できる。本願の開示は、2005年11月11日に出願された特願2005-327422号に記載の主題と関連しており、それらの開示内容は引用によりここに援用される。本発明により、酸化ケイ素膜を研磨する半導体製造工程におけるCMP技術において、ポリシリコン膜上の酸化ケイ素膜を高速で研磨でき、かつ、ポリシリコン膜の露出時にポリシリコン膜の研磨の進行を抑えることが可能となる研磨剤および研磨方法を提供できる。以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。本発明者らは半導体平坦化工程におけるポリシリコン膜上の酸化ケイ素膜の研磨を鋭意検討した結果、砥粒と水に、ポリシリコン膜の研磨を抑制する抑制剤を加えた研磨剤とすることで酸化ケイ素膜の研磨速度を高く保ち、なおかつポリシリコン膜の研磨速度を低く抑えることができ、これにより両者の研磨速度の比選択比を大きくできることを見出し、本発明に至った。さらに、この選択比は研磨剤のpHを調整することにより高まることを見出した。本発明で用いる砥粒としては、酸化セリウム、酸化ケイ素などが挙げられるが、酸化セリウムが好ましい。酸化セリウム粒子は、その製造方法を限定するものではないが、酸化セリウム一次粒子径の平均値は5nm以上、300nm以下であることが好ましい。TEOS-CVD法等で形成される酸化ケイ素膜の、研磨に使用する酸化セリウム研磨剤は、酸化セリウムの一次粒子径が大きく、かつ結晶ひずみが少ないほど、すなわち結晶性がよいほど高速研磨が可能であるが、研磨傷が入りやすい傾向がある為である。ここで一次粒子とは、SEM走査型電子顕微鏡で測定して観察される、粒界に囲まれた結晶子に相当する粒子のことをいう。本発明において、酸化セリウム粉末を作製する方法として、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、しゅう酸塩等のセリウム化合物の焼成または過酸化水素等による酸化法が使用できる。焼成温度は350°C以上900°C以下が好ましい。上記の方法により製造された酸化セリウム粒子は凝集しやすいため、機械的に粉砕することが好ましい。粉砕方法として、ジェットミル等による乾式粉砕や遊星ビーズミル等による湿式粉砕方法が好ましい。前記砥粒の二次粒子径の中央値は、0.03~0.5μmであることが好ましく、0.05~0.3μmであることがより好ましい。二次粒子径の中央値が0.03μm未満であると研磨速度が低くなりやすく、0.5μmを超えると被研磨膜表面に研磨傷が生じやすくなるからである。これらの砥粒を水中に分散させてスラリーを得る。分散する方法としては、通常の撹拌機による分散処理のほかにホモジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミルなどを用いることができる。研磨剤中の砥粒の濃度に制限はないが、分散液スラリーの取り扱いやすさから、0.1質量以上、20質量以下の範囲が好ましく、0.2質量以上、10質量以下の範囲がより好ましく、0.5質量以上、5質量以下の範囲が特に好ましい。スラリーには砥粒の分散剤を含んでも良い。砥粒の分散剤としては、半導体素子研磨に使用することからナトリウムイオン、カリウムイオン等のアルカリ金属およびハロゲン、イオウの含有率を10ppm以下に抑えることが好ましい。例えば、共重合成分としてのアクリル酸アンモニウム塩を含む高分子分散剤が好ましい。分散剤添加量は、研磨剤中の粒子の分散性および沈降防止、さらに研磨傷と分散剤添加量との関係から砥粒粒子100質量部に対して、0.01質量部以上、5.0質量部以下の範囲が好ましい。分散剤の重量平均分子量は100~50,000が好ましく、1,000~10,000がより好ましい。分散剤の分子量が100未満の場合は、酸化ケイ素膜を研磨するときに、十分な研磨速度が得られにくく、分散剤の分子量が50,000を超えた場合は、粘度が高くなり、研磨剤の保存安定性が低下する傾向があるからである。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン換算した値である。作製された本発明の酸化ケイ素用研磨剤以下、研磨剤ともいう。中の砥粒は粒径分布を持つため、全体の99体積D99が1.0μm以下であることが好ましい。D99が1.0μmを超えるとスクラッチ研磨傷発生が多くなる場合がある。研磨剤中の砥粒の二次粒子径の中央値は、光散乱法、例えば、粒度分布計MalvernInstruments製、MastersizerMicroPlusなどで測定することができる。研磨剤中の固体全体に占める3μm以上の粗大粒子含有量は少ないことが好ましい。固体全体に占める3μm以上の粒子含有量が500ppm以下の場合、スクラッチ低減効果が明らかなので好ましい。固体全体に占める3μm以上の粒子含有量が200ppm以下の場合、スクラッチ低減効果が大きく、より好ましい。固体全体に占める3μm以上の粒子含有量が100ppm以下の場合にはスクラッチ低減効果が最も大きく、さらに好ましい。3μm以上の大粒子含有量は、孔径3μmのフィルタでろ過することで捕捉される粒子を質量測定で求めることができる。大粒子含有量を低減する手段としては、ろ過、分級が可能であり、これに限定されるものではない。本発明のポリシリコン膜研磨抑制剤としては、非イオン系の水溶性高分子が好ましい。これは特に本発明の研磨剤の研磨対象である酸化珪素膜表面のゼータ電位を測定すると、広いpH領域で-20mV前後以下の負のゼータ電位を示すのに対して、研磨の進行を抑制したいポリシリコン多結晶ケイ素膜はpHが8以下で-10mV前後以下とゼータ電位は比較的に0に近いからである。非イオン系の水溶性高分子は酸化珪素膜表面よりもポリシリコン膜表面に付着しやすいと考えられる。水溶性高分子の重量平均分子量は500以上300万以下が好ましく、1,000以上100万以下がより好ましい。これは重量平均分子量が大きいほど、ポリシリコン膜表面に付着したときに研磨の抑制効果が高いものと推測される。しかしながら、重量平均分子量が大きくなりすぎると研磨剤の粘度が高まり、砥粒の沈殿など不具合が発生する。したがって、下限としては500以上が好ましく、1000以上がより好ましく、2000以上が特に好ましい。また、上限としては5万以下が好ましく、2万以下がより好ましく、1万以下が特に好ましい。ポリシリコン膜研磨抑制剤として、まず、アクリルアミド、メタアクリルアミドおよびそのα―置換体からなる群のいずれかの、N-モノ置換体またはN,N-ジ置換体骨格を有する水溶性高分子が挙げられる。これら水溶性高分子のうち、下記一般式IおよびIIで表される重合性モノマから選ばれる少なくとも一種類を使用した重合体または共重合体が好ましい。また、一般式Iで表される重合性モノマおよびIIで表される重合性モノマの双方を使用した共重合体でもよい。また、一般式IおよびIIで表される重合性モノマ以外の、例えばアクリル酸、C1~C18のアクリル酸エステル、メタクリル酸、C1~C18のメタクリル酸エステル、アクリルアミド、ビニルアルコール、アクリロニトリル、ビニルピロリドン、ビニルピリジン、酢酸ビニル、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、p-スチレンカルボン酸等の重合可能なモノマと共重合したものでもよい。重合体または共重合体は、重量平均分子量が500以上であること、ラジカル重合等によって得られることが好ましい。ただし、一般式I中、R1は水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基またはシアノ基を示し、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子、C1~C18のアルキル鎖、メチロール基またはアセチル基を示し、両方が水素原子の場合は含まれない。また、一般式II中、R1は水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、シアノ基を、R4は、モルホリノ基、チオモルホリノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基を示す。前記N-モノ置換体またはN,N-ジ置換体骨格を有する水溶性高分子としては、次のものを例示することができる。N-メチルアクリルアミド、N-エチルアクリルアミド、N-プロピルアクリルアミド、N-イソプロピルアクリルアミド、N-ブチルアクリルアミド、N-イソブチルアクリルアミド、N-ターシャリブチルアクリルアミド、N-ヘプチルアクリルアミド、N-オクチルアクリルアミド、N-ターシャリオクチルアクリルアミド、N-ドデシルアクリルアミド、N-オクタデシルアクリルアミド、N-メチロールアクリルアミド、N-アセチルアクリルアミド、N-ジアセトンアクリルアミド、N-メチルメタクリルアミド、N-エチルメタクリルアミド、N-プロピルメタクリルアミド、N-イソプロピルメタクリルアミド、N-ブチルメタクリルアミド、N-イソブチルメタクリルアミド、N-ターシャリブチルメタクリルアミド、N-ヘプチルメタクリルアミド、N-オクチルメタクリルアミド、N-ターシャリオクチルメタクリルアミド、N-ドデシルメタクリルアミド、N-オクタデシルメタクリルアミド、N-メチロールメタクリルアミド、N-アセチルメタクリルアミド、N-ジアセトンメタクリルアミド等のN-モノ置換体骨格を有する化合物類;N,N-ジメチルアクリルアミド、N,N-ジエチルアクリルアミド、N,N-ジプロピルアクリルアミド、N,N-ジイソプロピルアクリルアミド、N,N-ジブチルアクリルアミド、N,N-ジイソブチルアクリルアミド、N,N-ジターシャリブチルアクリルアミド、N,N-ジヘプチルアクリルアミド、N,N-ジオクチルアクリルアミド、N,N-ジターシャリオクチルアクリルアミド、N,N-ジドデシルアクリルアミド、N,N-ジオクタデシルアクリルアミド、N,N-ジメチロールアクリルアミド、N,N-ジアセチルアクリルアミド、N,N-ジアセトンアクリルアミド、N,N-ジメチルメタクリルアミド、N,N-ジエチルメタクリルアミド、N,N-ジプロピルメタクリルアミド、N,N-ジイソプロピルメタクリルアミド、N,N-ジブチルメタクリルアミド、N,N-ジイソブチルメタクリルアミド、N,N-ジターシャリブチルメタクリルアミド、N,N-ジヘプチルメタクリルアミド、N,N-ジオクチルメタクリルアミド、N,N-ジターシャリオクチルメタクリルアミド、N,N-ジドデシルメタクリルアミド、N,N-ジオクタデシルメタクリルアミド、N,N-ジメチロールメタクリルアミド、N,N-ジアセチルメタクリルアミド、N,N-ジアセトンメタクリルアミド、アクリロイルピペリジン、アクリロイルモルホリン、アクリロイルチオモルホリン、アクリロイルピロリジン等のNNジ置換体骨格を有する化合物類。これらは、1種単独または2種以上組み合わせて用いることができる。本発明の別のポリシリコン膜研磨抑制剤として、水溶性高分子であるポリエチレングリコールが挙げられる。また、本発明のまた別のポリシリコン膜研磨抑制剤として、水溶性高分子であるアセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体を挙げられる。アセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体としては、2479テトラメチル5デシン47ジオール、2479テトラメチル5デシン47ジオールジポリオキシエチレンエーテル、2479テトラメチル5デシン47ジオールモノポリオキシエチレンエーテル等の化合物が例示される。水溶性と表面張力低下の両方の観点から、特に2479テトラメチル5デシン47ジオールジポリオキシエチレンエーテルであることが好ましい。さらに別のポリシリコン膜研磨抑制剤として、下記一般式IIIで示される化合物及び/又は下記一般式IVの、アセチレン結合を有する有機化合物が挙げられる。一般式III中、R1は水素原子または炭素数が1~5の置換もしくは無置換アルキル基を表し、R2は炭素数が4~10の置換または無置換アルキル基を表す。一般式IV中、R3~R6はそれぞれ独立に水素原子または炭素数が1~5の置換もしくは無置換アルキル基を表し、R7、R8はそれぞれ独立に炭素数が1~5の置換または無置換アルキレン基を表し、m、nはそれぞれ独立に0または正数を表す。本発明のさらに別のポリシリコン膜研磨抑制剤として、アルコキシル化直鎖脂肪族アルコールを挙げられる。以上に挙げたポリシリコン膜研磨抑制剤を使用した研磨剤のpHは、5.0以上、8.0以下であることが好ましく、6.0以上、7.0以下であることがより好ましい。pHが5より小さいとポリシリコン膜の研磨速度が上昇する傾向があり、pHが8より大きいと酸化ケイ素膜の研磨速度が低下する傾向がある。本発明において研磨剤のpHは、pHメータ例えば、横河電機株式会社製の型番PH81を使用し、標準緩衝液フタル酸塩pH緩衝液pH4.21、中性りん酸塩pH緩衝液pH6.8625°Cを用いて、2点校正した後、電極を研磨剤に入れて、2分以上経過して安定した後の値を測定する。pHは、アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ成分や酸によって調整可能である。ポリシリコン膜研磨抑制剤は、一種類を単独使用しても良いが、二種類以上を併用することが好ましく、特に前記アクリルアミド、メタアクリルアミドおよびそのα―置換体からなる群のいずれかの、N-モノ置換体またはN,N-ジ置換体骨格を有する水溶性高分子化合物、ポリエチレングリコール、アセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体、一般式IIIで示される化合物、一般式IVで示される化合物、アルコキシル化直鎖脂肪族アルコールから選択した二種類以上を含んで使用することが好ましい。以上のポリシリコン膜研磨抑制剤添加量は、研磨剤100質量に対して、0.005質量以上、2質量以下の範囲、すなわち研磨剤中0.005~2質量が好ましい。0.005質量未満ではポリシリコン膜研磨抑制効果が低く、2質量を超えると酸化ケイ素膜の研磨速度の低下も大きくなったり、ゲル化のため流動性が低下したりする場合がある。本発明で用いることができる別のポリシリコン膜研磨抑制剤として、ポリビニルピロリドン、ビニルピロリドンを含む共重合体以下、両者を総称してポリビニルピロリドン類という。が挙げられる。ポリビニルピロリドン類添加量は、研磨剤に対して、0.005質量以上、5質量以下の範囲が好ましい。またポリビニルピロリドン類の重量平均分子量は、10,000~1,200,000が好ましい。10,000未満であると平坦化特性が不充分となる傾向があり、1,200,000を超えると砥粒が凝集しやすくなる傾向がある。ポリビニルピロリドン類を用いたとき研磨剤のpHは、5.0以上、12.0以下であることが好ましく、6.0以上、7.0以下であることがより好ましい。pHが5.0未満では、ポリシリコン膜の研磨速度が大きくなりやすく、pHが12を超えて大きいと酸化ケイ素膜の研磨速度が低下しやすい。ポリビニルピロリドン類は先に挙げた他のポリシリコン膜研磨抑制剤と併用してもよい。また、本発明の研磨剤は他の水溶性高分子を併用してもよい。他の水溶性高分子としては、特に制限はなく、例えばアルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、寒天、カードラン及びプルラン等の多糖類;ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリp-スチレンカルボン酸、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、アミノポリアクリルアミド、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩;ポリビニルアルコ-ル及びポリアクロレイン等のビニル系ポリマー等が挙げられる。重量平均分子量は500以上であるのが好ましい。一方、粘度が高くなり、研磨剤の保存安定性が低下する傾向を避けるために50,000以下が好ましい。特に、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩およびアクリル酸塩を含有する共重合体のすくなくともいずれかを、酸化膜表面の平坦性向上の為の添加剤として用いるのが好ましい。ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩およびアクリル酸塩を含有する共重合体の添加量は研磨剤100質量に対して、0.01質量以上、5質量以下の範囲が好ましい。0.01質量未満では平坦性向上の効果が低く、5質量を超えると砥粒の凝集が起こりやすくなるからである。また、これらポリシリコン膜研磨抑制剤は、上に挙げたグローバルな平坦性を向上させるための添加剤と合わせ用いてもよい。すなわち、上記水溶性のポリシリコン膜研磨抑制剤は、ポリアクリル酸またはポリアクリル酸塩またはアクリル酸塩を含む共重合体を含む平坦性向上の為の添加剤と合わせ用いても問題は発生しない。本発明の研磨剤用添加液は、ポリシリコン上の酸化ケイ素膜を研磨するための研磨剤に使用される研磨剤用添加液であって、ポリシリコン研磨抑制剤及び水を含有する。本発明の酸化ケイ素用研磨剤は、砥粒、及び水を含むスラリーと、ポリシリコン研磨抑制剤及び水を含む添加液とを分けた二液式研磨剤として保存してもよいし、また予め添加液またはポリシリコン研磨抑制剤が含まれた一液式研磨剤として保存してもよい。二液式研磨剤として保存する場合、これら二液の配合を任意に変えられることにより平坦化特性と研磨速度の調整が可能となる。上記二液式の研磨剤で基板を研磨する際に、添加液は、スラリーと別々の配管で送液し、これらの配管を合流させて供給配管出口の直前で混合して研磨定盤上に供給する方法か、研磨直前にスラリーと混合する方法がとられる。二液式の場合、平坦性向上の為の添加剤は添加液に含まれるのが好ましい。本発明の研磨剤により研磨できる酸化ケイ素膜の作製方法として、低圧CVD法、プラズマCVD法等が挙げられる。低圧CVD法による酸化ケイ素膜形成は、Si源としてモノシラン:SiH4、酸素源として酸素:O2を用いる。このSiH4-O2系酸化反応を400°C以下の低温で行わせることにより得られる。場合によっては、CVD後1000°Cまたはそれ以下の温度で熱処理される。高温リフローによる表面平坦化を図るためにリン:Pをドープするときには、SiH4-O2-PH3系反応ガスを用いることが好ましい。プラズマCVD法は、通常の熱平衡下では高温を必要とする化学反応が低温でできる利点を有する。プラズマ発生法には、容量結合型と誘導結合型の2つが挙げられる。反応ガスとしては、Si源としてSiH4、酸素源としてN2Oを用いたSiH4-N2O系ガスとテトラエトキシシランTEOSをSi源に用いたTEOS-O2系ガスTEOS-プラズマCVD法が挙げられる。基板温度は250~400°C、反応圧力は67~400Paの範囲が好ましい。このように、酸化ケイ素膜にはリン、ホウ素等の元素がドープされていても良い。同様に、CVD法によるポリシリコン膜形成は、Si源としてSiH4を用いて基板温度は600~1000°Cにて行われる。本発明の研磨方法は、研磨パッドに、研磨対象物をその被研磨面を前記研磨パッドに対峙させた状態で保持し、研磨剤を前記研磨パッドと被研磨面との間に供給すると共に、前記研磨パッドならびに前記研磨対象物を相対的に摺動して研磨対象物を研磨する方法であって、前記研磨剤に前記本発明の酸化ケイ素用研磨剤を使用することを特徴とする。研磨対象物として、半導体素子製造に係る基板、例えばポリシリコン膜上に酸化ケイ素膜を形成した基板が挙げられる。研磨の停止制御が容易な点から、酸化ケイ素膜研磨速度とポリシリコン膜研磨速度の比選択比は、酸化ケイ素研磨速度/ポリシリコン研磨速度が10以上であることが好ましい。また、研磨速度は酸化ケイ素膜研磨速度が50nm/min以上が好ましく、100nm/min以上がより好ましい。ポリシリコン研磨速度は10nm/min以下が好ましく、5nm/min以下がより好ましい。研磨装置としては、基板を保持するホルダーと、研磨布パッドを貼り付け可能で、回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある定盤とを有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。また、研磨布には研磨剤がたまるような溝加工を施すことが好ましい。研磨条件に制限はないが、定盤の回転速度は基板が飛び出さないように200min-1以下の低回転が好ましく、基板にかける圧力は研磨傷が発生しないように9.8×104Pa以下が好ましい。研磨している間、研磨布には研磨剤をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨布の表面が常に研磨剤で覆われていることが好ましい。研磨終了後の基板は、流水中で良く洗浄後、スピンドライヤ等を用いて基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。[実施例]以下、実施例により本発明を説明する。本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。酸化セリウム粒子の作製炭酸セリウム水和物2kgを白金製容器に入れ、800°Cで2時間空気中で焼成することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。焼成粉末粒子径は30~100μmであった。焼成粉末粒子表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、酸化セリウムの粒界が観察された。粒界に囲まれた酸化セリウム一次粒子径を測定したところ、体積分布の中央値が190nm、最大値が500nmであった。酸化セリウム粉末1kgをジェットミルを用いて乾式粉砕を行った。粉砕粒子について走査型電子顕微鏡で観察したところ、一次粒子径と同等サイズの小さな粒子の他に、1~3μmの大きな粉砕残り粒子と0.5~1μmの粉砕残り粒子が混在していた。酸化セリウムスラリーの作製上記作製の酸化セリウム粒子1kgとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液40質量23gと脱イオン水8977gを混合し、撹拌しながら超音波分散を10分間施した。得られたスラリーを1ミクロンフィルターでろ過をし、さらに脱イオン水を加えることにより5質量スラリーを得た。スラリーpHは8.3であった。スラリー粒子をレーザ回折式粒度分布計で測定するために、適当な濃度に希釈して測定した結果、粒子径の中央値が190nmであった。水溶性高分子の準備水溶性高分子1和光純薬工業製、ポリビニルピロリドン試薬、K30を準備した。水溶性高分子2和光純薬工業製、ポリビニルピロリドン試薬、K90を準備した。水溶性高分子3-1合成例1脱イオン水280g、2-プロパノール20gを1リットルのフラスコに投入し、窒素ガス雰囲気下で撹拌しながら90°Cに昇温後、アクリロイルモルホリン100gに重合開始剤和光純薬工業株式会社製、商品名V-6011gを溶解させたものを2時間かけてフラスコ中に注入した。その後90°Cで5時間保温後、冷却して取り出し水溶性高分子溶液を準備した。溶液中の水溶性高分子の濃度は25.3であった。水溶性高分子3-2合成例2N,N-ジエチルアクリルアミド50g、アクリロイルモルホリン50gを合成例1の方法で合成し、水溶性高分子溶液を準備した。溶液中の水溶性高分子の濃度は25.1であった。水溶性高分子3-3合成例3N,N-ジエチルアクリルアミド50g、N,N-ジメチルアクリルアミド50gを合成例1の方法で合成し、水溶性高分子溶液を準備した。溶液中の水溶性高分子の濃度は25.0であった。水溶性高分子3-4合成例4N,N-ジメチルアクリルアミド100gを合成例1の方法で合成し、水溶性高分子溶液を準備した。溶液中の水溶性高分子の濃度は25.1であった。水溶性高分子4第一工業製薬製のポリエチレングリコール試薬、PEG4000を準備した。水溶性高分子5アセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体として、2479テトラメチル5デシン47ジオールを準備した。水溶性高分子6アルコキシル化直鎖脂肪族アルコールとしてBASF社製試薬、LF401を準備した。水溶性高分子7ポリアクリル酸日本純薬株式会社製、商品名:ジュリマーAC10Sを準備した。研磨剤の作製研磨剤1上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gとポリシリコン膜研磨抑制剤として水溶性高分子1のポリビニルピロリドン1gと脱イオン水2399gを混合し、研磨剤酸化セリウム:1質量を作製した。研磨剤のpHは微量の硝酸を用いて6.5に調整した。研磨剤2上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gとポリシリコン膜研磨抑制剤として水溶性高分子2のポリビニルピロリドン2gと脱イオン水2398gを混合し、研磨剤酸化セリウム:1質量を作製した。研磨剤のpHは微量の硝酸を用いて6.5に調整した。研磨剤3上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gとポリシリコン膜研磨抑制剤として水溶性高分子1のポリビニルピロリドン0.5gおよび酸化膜の高平坦化剤として水溶性高分子7の溶液70gと脱イオン水2329.5gを混合し、研磨剤酸化セリウム:1質量を作製した。研磨剤のpHは微量のアンモニアを用いて6.5に調整した。研磨剤4上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gとポリシリコン研磨抑制剤として水溶性高分子3-1合成例1の溶液20gと脱イオン水2380gを混合して、研磨剤酸化セリウム:1質量を作製した。また、研磨剤のpHは微量の硝酸を用いて6.5に調整した。研磨剤5ポリシリコン研磨抑制剤として水溶性高分子3-1合成例1に変えて水溶性高分子3-2合成例2の溶液を用いた以外は研磨剤4と同じ方法にて研磨剤を作製した。研磨剤6ポリシリコン研磨抑制剤として水溶性高分子3-1合成例1に変えて水溶性高分子3-3合成例3の溶液を用いた以外は研磨剤4と同じ方法にて研磨剤を作製した。研磨剤7ポリシリコン研磨抑制剤として水溶性高分子3-1合成例1に変えて水溶性高分子3-4合成例4の溶液を用いた以外は研磨剤4と同じ方法にて研磨剤を作製した。研磨剤8上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gとポリシリコン研磨抑制剤として水溶性高分子3-1合成例1の溶液10gおよび酸化膜の高平坦化剤として水溶性高分子7の溶液70gと脱イオン水2320gを混合し、研磨剤酸化セリウム:1質量を作製した。研磨剤のpHは微量のアンモニアを用いて6.5に調整した。研磨剤9ポリシリコン研磨抑制剤として水溶性高分子3-1合成例1に変えて水溶性高分子3-4合成例4の溶液を用いた以外は研磨剤8と同じ方法にて研磨剤を作製した。研磨剤10上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gとポリシリコン研磨抑制剤として水溶性高分子4の溶液5gおよび酸化膜の高平坦化剤として水溶性高分子7の溶液70gと脱イオン水2325gを混合し、研磨剤酸化セリウム:1質量を作製した。研磨剤のpHは微量のアンモニアを用いて6.5に調整した。研磨剤11上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gとポリシリコン研磨抑制剤として水溶性高分子5の液5gおよび酸化膜の高平坦化剤として水溶性高分子7の溶液70gと脱イオン水2325gを混合し、研磨剤酸化セリウム:1質量を作製した。研磨剤のpHは微量のアンモニアを用いて6.5に調整した。研磨剤12上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gとポリシリコン研磨抑制剤として水溶性高分子6の液5gおよび酸化膜の高平坦化剤として水溶性高分子7の溶液70gと脱イオン水2325gを混合し、研磨剤酸化セリウム:1質量を作製した。研磨剤のpHは微量のアンモニアを用いて6.5に調整した。研磨剤13上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gと脱イオン水2400gを混合し、研磨剤酸化セリウム:1質量を作製した。研磨剤のpHは微量のアンモニアを用いて6.5に調整した。研磨剤14上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gと酸化膜の高平坦化剤として水溶性高分子7の溶液70gと脱イオン水2330gを混合し、研磨剤酸化セリウム:1質量を作製した。研磨剤のpHは微量のアンモニアを用いて6.5に調整した。研磨剤15上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gとポリシリコン研磨抑制剤として水溶性高分子3-1合成例1の溶液12gと脱イオン水2388gを混合して、研磨剤酸化セリウム:1質量を作製した。また、研磨剤のpHは微量の硝酸を用いて4.5に調整した。研磨剤16上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gとポリシリコン研磨抑制剤として水溶性高分子3-1合成例1の溶液60gと脱イオン水2340gを混合して、研磨剤酸化セリウム:1質量作製した。また、研磨剤のpHは微量のアンモニアを用いて9.0に調整した。研磨剤17上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gと脱イオン水2400gを混合し、研磨剤酸化セリウム:1質量を作製した。また、研磨剤のpHは微量の硝酸を用いて4.5に調整した。研磨剤18上記準備した酸化セリウムスラリー固形分:5質量600gと脱イオン水2400gを混合し、研磨剤酸化セリウム:1質量を作製した。また、研磨剤のpHは微量のアンモニアを用いて9.0に調整した。各研磨剤の組成とpHを表1~表3に示す。研磨評価の実施実施例1研磨剤1の研磨剤を用いて、研磨機の定盤に貼り付けたパッドに滴下しながら、下記に示す評価基板および研磨条件でCMP研磨を行い、下記に示す評価を行った。<評価基板>基板1:Si基板上に厚さ08μmの酸化ケイ素膜P-TEOSを形成した8インチ径ブランケット基板。基板2:Si基板上に0.1μmの酸化ケイ素膜を形成し、さらにその上に膜厚さ04μmのポリシリコン膜を形成した8インチ径ブランケット基板。<評価条件>研磨装置:AMAT社MIRRA機定盤寸法600mmφ、ロータリータイプ研磨パッド:ニッタアンドハース社製IC-1000/Suba400同心円溝付き発泡二層パッド研磨圧力:25kPa定盤回転数:98min-1研磨剤流量:200ml/min研磨時間:1min<評価項目および評価方法>CMPによる酸化ケイ素研磨速度:基板1のCMP前後での膜厚差を光学式膜厚測定装置で求めた。CMPによるポリシリコン研磨速度:基板2のCMP前後での膜厚差を光学式膜厚測定装置で求めた。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は160nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は0.7nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は228であった。実施例2研磨剤2の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は250nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は1.5nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は167であった。実施例3研磨剤3の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は90nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は3.5nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は26であった。実施例4研磨剤4の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は270nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は1.2nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は225であった。実施例5研磨剤5の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は250nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は1nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は250であった。実施例6研磨剤6の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は200nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は1.5nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は133であった。実施例7研磨剤7の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は190nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は1.1nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は173であった。実施例8研磨剤8の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は160nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は0.8nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は200であった。実施例9研磨剤9の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は170nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は1nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は170であった。実施例10研磨剤10の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は180nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は1nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は180であった。実施例11研磨剤11の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は180nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は2nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は90であった。実施例12研磨剤12の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は150nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は1nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は150であった。比較例1研磨剤13の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は410nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は90nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は4.6であった。比較例2研磨剤14の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は260nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は60nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は4.3であった。実施例13研磨剤15の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は22nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は0.8nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は27.5であった。実施例14研磨剤16の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は280nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は35nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は8.0であった。比較例3研磨剤17の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は435nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は75nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は5.8であった。比較例4研磨剤18の研磨剤を用いて、実施例1と同じ条件で酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の研磨速度の評価を行った。評価の結果、酸化ケイ素膜の研磨速度は432nm/minであった。また、ポリシリコンの研磨速度は110nm/minであった。酸化ケイ素/ポリシリコン膜の研磨速度比は3.9であった。各実施例、比較例の研磨速度と研磨速度比を表1~表3に示す。本発明の実施例1~14は、酸化ケイ素膜の研磨速度が速く、ポリシリコンの研磨速度が遅く、酸化ケイ素膜とポリシリコンの研磨速度比を十分に大きくし、ポリシリコンをストッパとして適用できる。実施例13のpH4.5では酸化膜の研磨速度が幾分低く、実施例14のpH9ではポリシリコン膜の速度が幾分速いため、pH5~8の範囲でより実用性が高いことが分かる。一方、比較例1、3、4の、ポリシリコン研磨抑制剤を用いない場合は、酸化ケイ素膜の研磨速度が大きいが、ポリシリコンの研磨速度も大きくなり、ポリシリコンをストッパとして適用できない。また、比較例2の、ポリシリコン研磨抑制剤を用いず添加剤を用いた場合、ポリシリコンの研磨速度が速く酸化ケイ素膜とポリシリコンの研磨速度比を大きくできない。このように、本発明により、ポリシリコン膜上の酸化ケイ素膜を研磨する半導体製造工程におけるCMP技術において、酸化ケイ素膜を高速で研磨でき、かつ、ポリシリコン膜の露出時にポリシリコン膜の研磨の進行を抑えることが可能となる研磨剤および研磨方法を提供できる。"