"U,V及びW相の電圧電流出力を得る2レベルタイプの電力変換装置の各相のパッケージ対において、1つのパッケージは、複数のスイッチング素子が併設して内蔵され、それぞれの素子のコレクタ端子が独立して露呈し、それぞれの素子のエミッタ端子が独立して露呈し、それぞれの素子の制御端子が独立して露呈している構成であることを特徴とする電力変換装置。U,V及びW相の電圧電流出力を得る2レベルタイプの電力変換装置の各相のパッケージ対において、複数のスイッチング素子が併設して内蔵され、それぞれの素子のコレクタ端子が正の電源ラインに接続されるように露呈し、それぞれの素子のエミッタ端子が独立して露呈し、それぞれの素子の制御端子が独立して露呈している第1のパッケージと、複数のスイッチング素子が併設して内蔵され、それぞれの素子のコレクタ端子が独立して露呈し、それぞれの素子のエミッタ端子が負の電源ラインに接続されるように露呈し、それぞれの素子の制御端子が独立して露呈している第2のパッケージと、前記第1及び第2のパッケージが装着された冷却器と、前記第1のパッケージの各素子のコレクタ端子と前記第2のパッケージの各素子のエミッタ端子との組みごとに複数の接続板で接続するか若しくはすべてを1つの接続板で共通接続するかを選択できるように構成したことを特徴とする電力変換装置。前記パッケージと端子板の止め具はねじを有することを特徴とする請求子1記載の電力変換装置。本発明の一実施形態は、基本的には2レベルタイプの主回路を有し、小型化を図りつつ、既存の周辺部品との適合性を持たせる使い勝手を向上することができる電力変換装置を提供することを目的とする。実施形態によれば、U,V及びW相の電圧電流出力を得る2レベルタイプの電力変換装置の各相のパッケージ対において、1つのパッケージは、複数のスイッチング素子が併設して内蔵され、それぞれの素子のコレクタ端子が独立して露呈し、それぞれの素子のエミッタ端子が独立して露呈し、それぞれの素子の制御端子が独立して露呈している構成である。以下、実施の形態について図面を参照して説明する。図1において、一実施形態の基本構成を示しており、図1AはIGBT回路構成、図1Bは概観図である。図1Aにおいて、QA,QBは、半導体で構成されるスイッチング素子IGBT:絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであり、併設して1つのチップ2として構成されている。それぞれのスイッチング素子QA,QBのゲートgagbは独立してチップの外へ導出され、端子が設けられる。またスイッチング素子QA,QBのコレクタcacbエミッタeaebもそれぞれチップ2の外へ独立して導出され、端子が設けられる。図1Bは上記のチップ2がパッケージ5内に収容された後の概観図である。上記したゲートgagbは、パッケージ15の外で、接続板22により接続して使用することもできるし、また開放して使用することもできるように構成されている。またコレクタcacbに接続板12a、12bの一端部を接続して、他の同様なパッケージと直列接続することができる。さらには、あるいはコレクタcacbに接続板21を接続してコレクタcacbを接続して使用できる。同様に、エミッタeaebに接続板12a、12bの一端部を接続して、他の同様なパッケージと直列接続することができる。さらには、あるいはエミッタeaebに接続板21を接続してエミッタeaebを接続して使用できる。接続板は、パッケージに対して例えばねじ止めにより容易に取り付けできる。図2は、上記構成のIGBT回路を複数使用し、鉄道用電力変換装置のインバータ回路を構成した例である。また図3は、図2のインバータ回路のパッケージ状態を示す外観図である。図2の回路は2レベルタイプの三相の多重インバータ回路であり、U相パッケージPU1,PU2、V相パッケージPV1,PV2,W相パッケージPW1,PW2の部分を点線で示している。各パッケージ内は、図1で説明した構成と同じであるから、図1と同一符号を付している。この回路は、多重インバータ回路とするために、U相では、パッケージPU1内のスイッチング素子QAのコレクタを、パッケージPU2内のスイッチング素子QAのエミッタに接続板11Aを用いて接続し、パッケージPU1内のスイッチング素子QBのコレクタを、パッケージPU2内のスイッチング素子QBのエミッタに接続板11Bを用いて接続している。パッケージPU1内のスイッチング素子QA、QBのコレクタは正の電源ラインPに接続し、パッケージPU2内のスイッチング素子QA、QBのエミッタは負の電源ラインNに接続している。パッケージPU1のゲート端子は、パルス幅変調装置110に接続されている。図の例ではパッケージPU1のみを示しているが、他のパッケージのゲート端子もそれぞれパルス幅変調装置に接続されている。パルス幅変調装置は、図示していないが全体として駆動制御部に含まれている。またV相では、U相と同様な構成であり、パッケージPV1のスイッチング素子と、パッケージPV2のスイッチング素子の接続関係も接続板12A,12Bを用いて接続されている。さらにW相も、U相、V相と同様な構成であり、パッケージPW1のスイッチング素子と、パッケージPW2のスイッチング素子の接続関係も接続板13A,13Bを用いて接続されている。各U相,V相,W相の出力U1,U2,V1,V2,W1,W2は、トランスTR1に導かれる。接続板11A,11B、12A,12B、13A,13Bは、パッケージに対する止め具としては例えばねじが用いられ容易に取り付けできる。図3は、パッケージPU1、PU2、PV1、PV2、PW1、PW2を冷却器100の板上に実装した状態を示している。図4は、図2の構成の等化回路を示し、図5は動作を示す各部電圧電流波形を示している。トランスTR1は例えばセンタータップリアクトル方式が採用される。図4において、図2、図3と同一部分には同一符号を示している。図5の波形vU1V1は、図4のU相のスイッチング素子QAのエミッタと、V相のスイッチング素子QAのエミッタとの間の電圧波形を示し、波形vU2V2は、図4のU相のスイッチング素子QBのエミッタと、V相のスイッチング素子QBのエミッタとの間の電圧波形を示している。双方の電圧波形は、位相が30°ずれている。これらの電圧は、UV相間の電圧vUVとしてみると、サイン波形を形成する。図では、粗い波形で示しているが、実際には、スイッチング素子がパルス幅変調信号で駆動さされるので、滑らかな波形となり。このようにUV相間の電圧vUVのほかに、図示していないがVW相間、WU相間の電圧が得られ、モータが駆動される。上記したインバータによると、基本的には2レベルタイプであり、3レベルタイプに比べて素子数が少なく、安価に実施できる。一方、従来から利用されているトランスを有効に活用したいという要望もある。また、電流も小さくてよいシステムがある。このような場合、本発明の装置によると、図6、図7に示すように使用することができる。即ち、U相に関しては、接続板21Uにより、パッケージPU1のスイッチング素子QA,QBのエミッタが短絡されるとともに、パッケージPU2のスイッチング素子QA,QBのコレクタが短絡され、共通接続される。V相においても、接続板21Vにより、パッケージPV1のスイッチング素子QA,QBのエミッタが短絡されるとともに、パッケージPV2のスイッチング素子QA,QBのコレクタが短絡され、共通接続される。またW相においても、接続板21Wにより、パッケージPW1のスイッチング素子QA,QBのエミッタが短絡されるとともに、パッケージPW2のスイッチング素子QA,QBのコレクタが短絡され、共通接続される。またU相のパッケージPU1のスイッチング素子QA,QBのゲートは接続板22Uにより短絡されて、PWM装置110のU相駆動信号出力端子に接続される。図ではU相に関して示しているが、他のパッケージのスイッチング素子QA,QBのゲートもそれぞれ接続板により短絡されて、PWM装置110の対応する駆動信号出力端子に接続される。各接続板21U,21V,21Wは、それぞれ接続ラインを介してトランスTR2の所定の端子に接続される。図7は、図6の各IGBT回路がそれぞれパッケージPU1,PU2,PV1,PV2,PW1,PW2に収納され、冷却器100の板上に実装した状態を示している。この実施の形態においても基本的には2レベルタイプであり、3レベルタイプに比べて素子数が少なく、小型で、安価に実施できる。ここで、図3に示したインバータ装置と、図7に示したインバータ装置の比較を行う。今、両者の冷却器100は同じ冷却能力であるとする。またPWM装置110は、図3に示したインバータ装置と図7に示したインバータ装置に応じて任意に駆動信号を切り替え可能であるとする。図3に示したインバータ装置の場合、図7に示したインバータ装置の出力電流よりも大きな出力電流を必要とするシステムに使用する場合に有効である。この場合、出力電流が大きくても多重方式であるために、出力の平滑化が行われノイズ高調波成分が低減される。これに対して、図7に示したインバータ装置の場合、図3に示したインバータ装置の出力電流よりも出力電流が小さくてよいシステムに使用する場合に有効である。ここで、図3の装置と同様な出力条件で使用すると、スイッチング素子の動作に伴うノイズ高調波成分が問題となる。しかし、出力電流が小さくてよいシステムに使用する場合には、スイッチング周波数キャリア周波数を下げてもよいので、ノイズレベルをキャリア周波数低下により低減することができる。よって、上記したチップ構成をパッケージに収容して製品化して冷却器に取り付けることで、接続板を任意に変更して使用することで、多彩に活用することができる。上記したように本実施形態によると、1つのチップを構成したIGBT回路では、2つのスイッチング素子が併設した構成であった。しかしスイッチング素子の併設数は上記実施例に限定されるものではなく、例えば図8Aに示されるように、例えば3つスイッチング素子QA,QB,QC或いはそれ以上の素子が併設されたチップ2’であっても良い。この場合は、概観は図8Bに示すようになる。そして、多重インバータ回路として使用されるときは、独立した接続板12a,12b,12cが利用される。つまり、接続板12a,12b,12cがそれぞれエミッタ端子eaebecに接続されて使用される。あるいは、独立した接続板12a,12b,12cがコレクタ端子cacbccに接続されて使用される。また従来の如く2レベルタイプのインバータ回路として使用されるときは、共通接続を得る接続板21が使用される。上記したように本発明の実施形態は、基本的には2レベルタイプの主回路を有し、小型化を図りつつ、既存の周辺部品との適合性を持たせる使い勝手を向上することができる電力変換装置及び方法を提供する。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"