表面にレジスト膜が設けられた被処理基板の複数のパターン転写領域それぞれに対して反射光学系、反射型フォトマスク及びEUV光を用いて第1の露光を行う工程と、前記パターン転写領域の一部にオーバーラップするようにして前記被処理基板の周辺領域に対して第2の露光を行う工程と、を備え、前記第2の露光は、前記パターン転写領域の配置に依存して行われることを特徴とする露光方法。表面にレジスト膜が設けられた被処理基板の複数のパターン転写領域それぞれに対してフォトマスクを介して第1の露光を行う工程と、前記パターン転写領域の一部にオーバーラップするようにして前記被処理基板の周辺領域に対して第2の露光を行う工程と、を備えたことを特徴とする露光方法。前記第1の露光は、反射光学系を用いて行われることを特徴とする請求項2に記載の露光方法。前記フォトマスクは、反射型フォトマスクであることを特徴とする請求項2に記載の露光方法。前記第1の露光は、EUV露光によって行われることを特徴とする請求項2に記載の露光方法。前記第2の露光は、前記パターン転写領域の配置に依存して行われることを特徴とする請求項2に記載の露光方法。請求項2の露光方法用いること特徴とする半導体装置の製造方法。パターン精度の劣化及びスループットの低下を抑制することが可能な露光方法及び半導体装置の製造方法を提供する。実施形態に係る露光方法は、表面にレジスト膜が設けられた被処理基板の複数のパターン転写領域それぞれに対してフォトマスクを介して第1の露光を行う工程と、前記パターン転写領域の一部にオーバーラップするようにして前記被処理基板の周辺領域に対して第2の露光を行う工程と、を備える。以下、実施形態を図面を参照して説明する。図1は、実施形態に係る露光方法を示したフローチャートである。まず、半導体ウェハ半導体基板、被処理基板のパターン形成面上にEUV露光用のフォトレジストを塗布する。これにより、表面にレジスト膜が設けられた半導体ウェハが用意されるS11。次に、レジスト膜が設けられた半導体ウェハの複数のパターン転写領域それぞれに対してフォトマスクを介して第1の露光を行うS12。この第1の露光は、反射光学系及び反射型フォトマスクを用いたEUV露光によって行われる。図2は、半導体ウェハのパターン転写領域について示した図である。図2に示すように、パターン転写領域12は、半導体ウェハ11の外周の内側に完全に含まれている。各パターン転写領域12は、1回のショットが行われるショット領域に対応している。第1の露光では、各パターン転写領域12に対して順次、EUV光によってパターン転写が行われる。次に、パターン転写領域12の一部にオーバーラップするようにして半導体ウェハ11の周辺領域ウェハの外周近傍の領域に対して第2の露光を行うS13。この第2の露光は、ウェハの中央領域と周辺領域とでフレアの影響度を同等にするために行われるものであり、第1の露光で用いた露光装置とは異なる露光装置を用いて行われる。図3は、半導体ウェハの周辺領域の第2の露光が行われる領域について示した図である。図3aは半導体ウェハ11の一部を示した図であり、図3bは図3aの一部を拡大した図である。図3に示すように、第2の露光が行われる領域13は、第1の露光が行われる領域パターン転写領域12の一部にオーバーラップしている。図3の例では、各パターン転写領域12について、他のパターン転写領域12が隣接しない辺の近傍の領域に対して、第2の露光が行われている。すなわち、他のパターン転写領域12が隣接している場合に、他のパターン転写領域12のショットから漏れ出てくるフレア光成分に対応するように、第2の露光を行っている。この第2の露光は、複数のパターン転写領域12の配置に依存して行われる。すなわち、半導体ウェハ11面内における各パターン転写領域12の位置に応じて、各パターン転写領域12に対する露光サイズや露光量が決められる。第2の露光は、周辺露光装置を用いて実行することが可能である。周辺露光装置は通常、ウェハ周辺部の不要なフォトレジストを除去するために用いられる。この周辺露光装置の中には、露光光の照射位置や照射強度を可変にできるものも提案されている。このような可変型の周辺露光装置を用いることで、各パターン転写領域12に対する露光サイズや露光量を変化させることが可能である。EUV用のレジストは、EUV波長域以外の波長域にも感度を有している。そのため、周辺露光装置から生じるUVultraviolet光、特にDUVdeepultraviolet光によってEUV用のレジストを感光させることが可能である。周辺露光装置の光ファイバから発せられるUV光をスキャンさせることで、所望の領域にUV光を照射することが可能であり、このUV光によってウェハの中央領域に対する周辺領域のフレア光の不足分を補うことができる。以上のように、本実施形態によれば、半導体ウェハの周辺領域に対して第2の露光を行うことにより、ウェハの中央領域と周辺領域とでフレアの影響度を同等にすることができ、パターン精度を向上させることができる。また、ダミーショットのような余分なショットを行わなくてもよいため、スループットを向上させることができる。したがって、本実施形態によれば、パターン精度の劣化及びスループットの低下を抑制することが可能な露光方法を提供することができる。なお、上述した方法によって露光を行った後、現像工程、エッチング工程等を行うことで、半導体ウェハ上に形成された膜導電膜、半導体膜、絶縁膜等のパターニングを行うことが可能である。また、上述した実施形態において、第2の露光が行われる領域13は、パターン転写領域12内のみであってもよいし、パターン転写領域12内の領域及びパターン転写領域12外の領域の両方を含んでいてもよい。また、上述した実施形態では、第2の露光に周辺露光装置から生じるUV光を用いたが、リソグラフィ工程で用いるレジストが感度を有していれば、UV光以外の光を用いることも可能である。また、上述した実施形態では、第1の露光にEUV光を用いたが、上述したようなフレアの影響が問題となる場合には、EUV光以外の光を用いることも可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。