基板の上に窒化物半導体で形成された第1層および第2層が堆積された半導体装置の製造方法であって、前記基板に前記第1層および前記第2層を順に堆積させる堆積工程と、窒素および水素の混合雰囲気中で加熱して前記第2層をエッチングする熱エッチング工程とを備え、前記熱エッチング工程では、水素濃度が1以上20以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記熱エッチング工程は、前記基板の温度を700°C以上900°C以下にして処理されることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1層は、窒化アルミニウムガリウムで形成され、前記第2層は、窒化インジウムガリウムで形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1から請求項3までのいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法であって、前記熱エッチング工程でエッチングされた領域は、前記第1層が露出していることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1から請求項4までのいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法であって、前記堆積工程において、前記基板と前記第1層との間に、チャネルを形成するチャネル層を堆積させることを特徴とする半導体装置の製造方法。ところで、特許文献1には、p型半導体層をエッチングする方法として、ICPInductive-CoupledPlasmaエッチングなどのプラズマエッチングが挙げられている。しかしながら、エッチング方法として他の方法を適用することができれば、製造装置の選択の自由度を向上させることができる。また、特許文献2に記載の方法では、エッチング速度について考慮されていないため、過剰なエッチングによって、エッチングストップ層がエッチングされることや、エッチングマスク層で保護された領域がエッチングされることサイドエッチングが生じる虞がある。本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、水素を用いた熱分解において、水素濃度を規定してエッチング速度を制御することで、半導体装置の製造方法の加工精度を向上させることを目的とする。本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の上に窒化物半導体で形成された第1層および第2層が堆積された半導体装置の製造方法であって、前記基板に前記第1層および前記第2層を順に堆積させる堆積工程と、窒素および水素の混合雰囲気中で加熱して前記第2層をエッチングする熱エッチング工程とを備え、前記熱エッチング工程では、水素濃度が1以上20以下であることを特徴とする。この構成によると、水素を用いた熱分解によって、制御性に優れたエッチングを行うことができる。つまり、水素濃度を規定してエッチング速度を制御することで、半導体装置の製造方法の加工精度を向上させることができる。なお、適切なエッチング速度を確保するため、水素濃度を1以上とすることが望ましい。また、過剰な反応を防ぐため、水素濃度を20以下とすることが望ましい。本発明に係る半導体装置の製造方法では、前記熱エッチング工程は、前記基板の温度を700°C以上900°C以下にして処理されることを特徴とする。この構成によると、基板の温度を規定することによって、さらに制御性を向上させることができる。つまり、基板の温度を700°C以上とすることによって、水素を用いた熱分解を促すのに必要なエネルギーを確保できる。また、高温にすると、過剰な熱分解によって制御性が乏しくなるため、基板の温度を900°C以下とすることが望ましい。さらに、反応を促進させるために温度を上昇させると基板が溶融する虞がある。本発明に係る半導体装置の製造方法では、前記第1層は、窒化アルミニウムガリウムで形成され、前記第2層は、窒化インジウムガリウムで形成されていることを特徴とする。この構成によると、結合力の異なる材質を積層することによって、選択的なエッチングを行うことができる。つまり、窒化アルミニウムガリウムは、アルミニウムを含むため窒素との結合力が強くなり、窒化インジウムガリウムより熱分解を生じにくい。そのため、第2層がエッチングされて第1層が露出しても、反応速度が遅くなり過剰なエッチングを防止することができる。本発明に係る半導体装置の製造方法では、前記熱エッチング工程でエッチングされた領域は、前記第1層が露出していることを特徴とする。この構成によると、第2層が確実にエッチングされ、第1層より下の層が露出していない状態とされている。第1層で過剰なエッチングを停止させることによって、エッチング速度の誤差などを無視することができる。本発明に係る半導体装置の製造方法では、前記堆積工程において、前記基板と前記第1層との間に、チャネルを形成するチャネル層を堆積させることを特徴とする。この構成によると、半導体装置を電界効果トランジスタとして構成することができる。本発明によると、水素を用いた熱分解によって、制御性に優れたエッチングを行うことができる。つまり、水素濃度を規定してエッチング速度を制御することで、半導体装置の製造方法の加工精度を向上させることができる。なお、適切なエッチング速度を確保するため、水素濃度を1以上とすることが望ましい。また、過剰な反応を防ぐため、水素濃度を20以下とすることが望ましい。図1Aないし図1Gに基いて、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、図1Aないし図1Gでは、図の見易さを考慮してハッチングを省略する。半導体装置の製造工程である、堆積工程、酸化膜形成工程、ゲートパターニング工程、熱エッチング工程、オーミックパターニング工程、リセスエッチング工程、および電極形成工程について順に説明する。図1Aは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の堆積工程を説明する概略断面図である。本発明の実施の形態に係る半導体装置1の製造方法では、堆積工程において、基板10の上にバッファ層、チャネル層24、障壁層25第1層、およびキャップ層26第2層を積層する。なお、バッファ層は、順に基板10の上に積層された第1シード層21、第2シード層22、および超格子層23で構成されている。また、以下では説明のため、完成前を含めて半導体装置1と呼ぶ。基板10は、シリコンSiで形成されている。なお、本発明はこれに限定されず、基板10は、シリコン、サファイアAl2O3、炭化珪素SiC、窒化ガリウムGaN、またはホウ化ジルコニウムZrB2で形成されていてもよい。第1シード層21は、窒化アルミニウムAlNで形成され、膜厚が100nmである。第2シード層22は、Al組成20の窒化アルミニウムガリウムAl020Ga080Nで形成され、膜厚が50nmである。超格子層23は、窒化アルミニウムで形成され、膜厚が3nmの第1層と、窒化ガリウムで形成され、膜厚が20nmの第2層とが、交互に積層された構造である。本実施の形態では、超格子層23は、第1層と第2層とが、それぞれ100回積層されており、第1層と第2層とを合計した膜厚が2.3μmである。チャネル層24は、窒化ガリウムで形成され、膜厚が1.0μmである。障壁層25は、Al組成20の窒化アルミニウムガリウムで形成され、膜厚が25nmである。チャネル層24と障壁層25との界面には、ソース電極41後述する図1G参照とドレイン電極42後述する図1G参照との間に電子を流すチャネルとして、2次元電子ガス層2DEGが形成される。キャップ層26は、In組成10の窒化インジウムガリウムIn010Ga090Nで形成され、膜厚が10nmである。なお、キャップ層26には、p型不純物がドーピングされており、キャリア濃度が1×1018cm3である。堆積工程では、基板10は、有機金属気相成長装置MOCVDに導入されて結晶成長が行われる。次に、各層の成長条件について説明する。第1シード層21、第2シード層22、および超格子層23は、成長圧力を10kPaとし、基板温度を1100°Cで成膜した。チャネル層24は、成長圧力を100kPaとし、基板温度を1100°Cで成膜した。障壁層25は、成長圧力を10kPaとし、基板温度を1100°Cで成膜した。キャップ層26は、成長圧力を100kPaとし、基板温度を850°Cで成膜した。図1Bは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の酸化膜形成工程を説明する概略断面図である。酸化膜形成工程では、キャップ層26の上に、酸化膜層30aが堆積される。酸化膜層30aは、酸化珪素SiO2で形成され、膜厚が50nmである。なお、酸化膜層30aは、既存の方法で形成することができ、例えば、CVD法やスパッタ法などを適用することができる。図1Cは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法のゲートパターニング工程を説明する概略断面図である。ゲートパターニング工程では、酸化膜層30aの一部を残して除去し、キャップ層26のうち熱エッチング工程でエッチングされる部分を露出させる。酸化膜層30aは、フォトリソグラフィーによって一部の領域が保護され、残りの領域がバッファードフッ酸BHFで除去される。つまり、平面視において、ゲート電極43後述する図1G参照と一致する領域のみ酸化膜層30aで保護し、キャップ層26の一部を露出させる。なお、以下では、ゲート電極43と一致する領域をゲート領域と呼ぶことがある。図1Dは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の熱エッチング工程を説明する概略断面図である。熱エッチング工程では、キャップ層26のうちゲートパターニング工程で露出していた部分がエッチングされる。つまり、積層したキャップ層26をゲート領域にのみ残すことで、半導体装置1をノーマリーオフの動作をするトランジスタとすることができる。熱エッチング工程において、半導体装置1は、熱処理炉へ導入される。熱処理炉には窒素が供給され、半導体装置1は昇温されて、基板温度を800°Cとした。基板10の温度が安定した後、水素濃度が10となるように熱処理炉に水素を供給する。窒素と水素との混合雰囲気中で加熱状態を保持することによって、キャップ層26がエッチングされる。本実施の形態では、加熱状態を4分間保持した。基板温度を800°Cとして水素濃度を10としたとき、エッチング速度は3nm/minであるため、膜厚が10nmであるキャップ層26は確実にエッチングされ、障壁層25が露出する。ここで、熱処理条件を調整して、キャップ層26と障壁層25との選択的なエッチングを行うことによって、障壁層25の過剰なエッチングを防止することができる。なお、熱処理条件とエッチング速度との関係については、後述する図3ないし図8に基いて説明する。熱エッチング工程の後、ゲート領域に残っている酸化膜層30aが除去され、新たに、キャップ層26および障壁層25の上に酸化膜層30bが形成される。なお、酸化膜層30bは、酸化膜層30aと同様に、酸化珪素SiO2で形成され、膜厚が50nmであって、酸化膜層30aと同様の方法で形成することができる。図1Eは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法のオーミックパターニング工程を説明する概略断面図である。オーミックパターニング工程では、酸化膜層30bの一部を除去し、障壁層25のうちリセスエッチング工程でエッチングされる部分を露出させる。酸化膜層30bは、フォトリソグラフィーによって一部の領域が保護され、残りの領域が除去される。つまり、平面視において、ソース電極41またはドレイン電極42と一致する領域の酸化膜層30bを除去して、障壁層25の一部を露出させる。なお、後述する図1Gに示すように、ゲート電極43は、ソース電極41とドレイン電極42との間に配置される。図1Fは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法のリセスエッチング工程を説明する概略断面図である。リセスエッチング工程では、障壁層25のうちオーミックパターニング工程で露出していた部分がエッチングされる。リセスエッチング工程では、塩素Cl2ガスを用いたRIEReactiveIonEtchingによって、障壁層25をエッチングし、チャネル層24の一部を露出させる。ここでは、チャネル層24が露出されることが重要であって、エッチングする膜厚を厳密に制御する必要はない。リセスエッチング工程の後、キャップ層26および障壁層25の上に形成された酸化膜層30bは除去される。図1Gは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の電極形成工程を説明する概略断面図である。電極形成工程では、リセスエッチング工程で露出されたチャネル層24の上にソース電極41およびドレイン電極42が形成され、熱エッチング工程の際に保護されていたキャップ層26の上にゲート電極43が形成される。なお、ソース電極41、ドレイン電極42、およびゲート電極43は、フォトリソグラフィーによって、形成する位置を決定することができる。ソース電極41およびドレイン電極42は、Ti/Auで形成され、膜厚が16nm/200nmである。ソース電極41およびドレイン電極42を形成した後、半導体装置1は、窒素雰囲気中で580°Cに加熱され、オーミック接合を形成する。ゲート電極43は、WN窒化タングステンで形成され、膜厚が50nmである。ソース電極41、ドレイン電極42、およびゲート電極43は、既存の方法で形成することができ、例えば、蒸着法やスパッタ法などを適用することができる。上述したように、本発明の実施の形態に係る半導体装置1の製造方法は、基板10に窒化物半導体で形成された第1層障壁層25および第2層キャップ層26を順に堆積させる堆積工程と、窒素および水素の混合雰囲気中で加熱して第2層をエッチングする熱エッチング工程とを備える。熱エッチング工程では、水素濃度が1以上20以下であることが望ましい。この構成によると、水素を用いた熱分解によって、制御性に優れたエッチングを行うことができる。つまり、水素濃度を規定してエッチング速度を制御することで、半導体装置1の製造方法の加工精度を向上させることができる。なお、適切なエッチング速度を確保するため、水素濃度を1以上とすることが望ましい。また、過剰な反応を防ぐため、水素濃度を20以下とすることが望ましい。熱エッチング工程は、基板10の温度を700°C以上900°C以下にして処理されることが望ましい。この構成によると、基板10の温度を規定することによって、さらに制御性を向上させることができる。つまり、基板10の温度を700°C以上とすることによって、水素を用いた熱分解を促すのに必要なエネルギーを確保できる。また、高温にすると、過剰な熱分解によって制御性が乏しくなるため、基板10の温度を900°C以下とすることが望ましい。さらに、反応を促進させるために温度を上昇させると基板10が溶融する虞がある。第1層障壁層25は、窒化アルミニウムガリウムで形成され、第2層キャップ層26は、窒化インジウムガリウムで形成されていることが望ましい。この構成によると、結合力の異なる材質を積層することによって、選択的なエッチングを行うことができる。つまり、窒化アルミニウムガリウムは、アルミニウムを含むため窒素との結合力が強くなり、窒化インジウムガリウムより熱分解を生じにくい。そのため、第2層がエッチングされて第1層が露出しても、反応速度が遅くなり過剰なエッチングを防止することができる。熱エッチング工程でエッチングされた領域は、第1層が露出していることが望ましい。この構成によると、第2層が確実にエッチングされ、第1層より下の層が露出していない状態とされている。第1層で過剰なエッチングを停止させることによって、エッチング速度の誤差などを無視することができる。堆積工程において、基板10と第1層との間に、チャネルを形成するチャネル層24を堆積させることが望ましい。この構成によると、半導体装置1を電界効果トランジスタとして構成することができる。<実験結果>次に、熱処理条件とエッチング速度との関係について、実験した結果を説明する。図2は、エッチング速度の測定方法を説明する説明図である。エッチング速度を測定するためのサンプルを、以下の手順で作成した。まず、ベース基板Subに窒化物半導体層Semを堆積し、窒化物半導体層Semの上に保護膜Masを形成した。なお、窒化物半導体層Semは、InGaNまたはAlGaNのいずれか一方で形成されており、保護膜Masは、SiO2で形成されている。また、ベース基板Subと窒化物半導体層Semとの間に、下地層などが堆積されていてもよい。つまり、保護膜Masを除去したとき、窒化物半導体層Semが露出される構造とするために、積層する順番を適宜調整すればよい。窒化物半導体層Semなどが積層されたベース基板Subは、フォトリソグラフィーを用いて保護膜Masの一部が除去され、窒化物半導体層Semの一部が露出される。そして、熱エッチングを所定の時間行って窒化物半導体層Semをエッチングした後、残っている保護膜Masを除去する。ここで、窒化物半導体層Semの下の層が露出しないように、熱エッチングを行う時間を調整する。なお、熱エッチングを行う際の熱処理条件水素濃度および基板温度は、それぞれサンプルごとに異なり、後述する図3ないし図8に基いて説明する。上述した方法で作成されたサンプルに対して、段差測定器などを用いて、保護膜Masで保護されていてエッチングされなかった部分の窒化物半導体層Sem測定点P1と、熱エッチングされた部分の窒化物半導体層Sem測定点P2との段差を測定することで、エッチングされた膜厚が測定できる。また、エッチングされた膜厚とエッチングした時間との関係から、エッチング速度を算出する。図3は、水素濃度とエッチング速度との関係を示す特性図であって、図4は、図3のグラフの具体的な数値を示す特性図表である。水素濃度とエッチング速度との関係を評価するため、基板温度を一定750°Cとし、異なる水素濃度とした熱処理条件で、熱エッチングを行ったサンプルを用意した。なお、窒化物半導体層SemはInGaNで形成されている。水素濃度が0.5の場合、エッチング速度は0.06nm/minであった。水素濃度が1の場合、エッチング速度は0.12nm/minであった。水素濃度が10の場合、エッチング速度は0.89nm/minであった。水素濃度が20の場合、エッチング速度は1.8nm/minであった。水素濃度が30の場合、エッチング速度は50nm/minであった。上述した結果によると、水素濃度を増加させるとエッチング速度が増加し、水素濃度が20を越えるとエッチング速度が急激に増加することがわかる。図5は、基板温度とエッチング速度との関係を示す特性図であって、図6は、図5のグラフの具体的な数値を示す特性図表である。基板温度とエッチング速度との関係を評価するため、3種類の水素濃度1、10、および20に対して、それぞれ基板温度を変更したときのエッチング速度を測定した。さらに、水素によって熱分解が促進されることを確認するため、水素濃度を0とし、熱処理炉に窒素のみを供給して熱エッチングを行った。なお、窒化物半導体層SemはInGaNで形成されている。水素濃度を0とした場合では、基板温度を750°Cとしたとき、エッチング速度は0.001nm/minであり、基板温度を800°Cとしたとき、エッチング速度は0.001nm/minであり、基板温度を850°Cとしたとき、エッチング速度は0.001nm/minであり、基板温度を900°Cとしたとき、エッチング速度は0.01nm/minであり、基板温度を950°Cとしたとき、エッチング速度は0.2nm/minであり、基板温度を1000°Cとしたとき、エッチング速度は30nm/minであった。水素濃度を1とした場合では、基板温度を700°Cとしたとき、エッチング速度は0.1nm/minであり、基板温度を750°Cとしたとき、エッチング速度は0.12nm/minであり、基板温度を850°Cとしたとき、エッチング速度は0.5nm/minであり、基板温度を900°Cとしたとき、エッチング速度は2.5nm/minであり、基板温度を950°Cとしたとき、エッチング速度は100nm/minであった。水素濃度を10とした場合では、基板温度を750°Cとしたとき、エッチング速度は0.89nm/minであり、基板温度を800°Cとしたとき、エッチング速度は3nm/minであり、基板温度を850°Cとしたとき、エッチング速度は10nm/minであり、基板温度を900°Cとしたとき、エッチング速度は50nm/minであった。水素濃度を20とした場合では、基板温度を700°Cとしたとき、エッチング速度は1nm/minであり、基板温度を750°Cとしたとき、エッチング速度は1.8nm/minであり、基板温度を800°Cとしたとき、エッチング速度は6nm/minであり、基板温度を850°Cとしたとき、エッチング速度は22nm/minであり、基板温度を900°Cとしたとき、エッチング速度は120nm/minであり、基板温度を950°Cとしたとき、エッチング速度は800nm/minであった。上述した結果によると、基板温度を上昇させるとエッチング速度が上昇し、基板温度が900°Cを越えるとエッチング速度が急激に増加することがわかる。つまり、基板温度を900°Cとした場合と、基板温度を950°Cとした場合とで大きくエッチング速度が異なっている。また、窒素だけを供給した場合に比べて、水素を供給することで、エッチング速度が確実に増加することがわかる。図7は、窒化物半導体の組成とエッチング速度との関係を示す特性図であって、図8は、図7のグラフの具体的な数値を示す特性図表である。窒化物半導体の組成とエッチング速度との関係を評価するため、窒化物半導体層Semを異なる材質InGaNまたはAlGaNで形成した場合について比較した。用意したサンプルは、水素濃度を一定20とし、異なる基板温度とした熱処理条件で、熱エッチングが行われた。窒化物半導体層SemをInGaNで形成した場合は、図5および図6の水素濃度を20とした場合と同様であるので、説明を省略する。窒化物半導体層SemをAlGaNで形成した場合では、基板温度を700°Cとしたとき、エッチング速度は0.01nm/minであり、基板温度を900°Cとしたとき、エッチング速度は0.5nm/minであり、基板温度を950°Cとしたとき、エッチング速度は2nm/minであり、基板温度を1000°Cとしたとき、エッチング速度は50nm/minであった。上述した結果によると、基板温度を上昇させることで、AlGaNをエッチングするのに充分なエッチング速度となるが、InGaNをエッチングするのに適した温度とは異なっていることがわかる。また、窒化物半導体層Semの材質によってエッチング速度が異なることを明確にするため、窒化物半導体の組成に対する選択比を算出した。なお、選択比は、同じ熱処理条件としたときのエッチング速度に基いて、InGaNのエッチング速度÷AlGaNのエッチング速度=選択比として算出した。つまり、選択比が高ければ、AlGaNのエッチング速度よりInGaNのエッチング速度が明らかに速いことを示しており、より確実に選択的なエッチングができるとわかる。水素濃度を1とし、基板温度を700°Cとしたときの選択比は、10であった。水素濃度を1とし、基板温度を900°Cとしたときの選択比は、250であった。水素濃度を20とし、基板温度を700°Cとしたときの選択比は、100であった。水素濃度を20とし、基板温度を900°Cとしたときの選択比は、240であった。図1Gに示す半導体装置1では、熱エッチング工程において、障壁層25AlGaNがエッチングされて膜厚が薄くなることによって、2次元電子ガス層2DEGの濃度が低減するため、障壁層25がエッチングされる膜厚を低減させることが望ましい。例えば、障壁層25の膜厚が1nm割合で示すと、2~3程度薄くなると、2次元電子ガス層2DEGの濃度が2×1011cm2程度減少するが、トランジスタの特性には影響しない。選択比が10以上であれば、確実に選択的なエッチングを行うことができる。