"試料の一部を平坦面とする平坦化工程と、前記平坦化工程により得られた前記試料の平坦面の下部に対して、集束させたイオンビームを前記平坦面に平行な方向に照射することで前記試料をスパッタエッチングし、前記平坦面に対向する対向面を形成して、前記平坦面と前記対向面とに挟まれた薄片部を形成する薄片部形成工程と、を備えることを特徴とする加工方法。試料の一部を平坦面とする平坦化工程と、前記平坦化工程により得られた前記試料の平坦面の下部に対して、集束させたイオンビームを前記平坦面に平行な方向に照射することで前記試料をスパッタエッチングし、前記平坦面に対向する対向面を形成して、前記平坦面と前記対向面とに挟まれた薄片部を形成する薄片部形成工程と、前記薄片部形成工程により形成された薄片部の分析を行う分析工程と、を備えることを特徴とする分析方法。前記分析工程においてEPMAにより前記薄片部の元素分析を行うことを特徴とする請求項2に記載の分析方法。ところが、試料を薄片化するには長時間を要する。また、薄片を扱うには困難を伴い、薄片を扱うための専用のマニピュレータが必要である。したがって、薄片化を要する試料の観察または分析は容易ではない。本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、短時間で容易に試料の薄片部を形成することができる加工方法を提供することを目的とする。また、本発明は、容易に試料の分析をすることができる分析方法を提供することを目的とする。本発明の加工方法は、試料の一部を平坦面とする平坦化工程と、平坦化工程により得られた試料の平坦面の下部に対して、集束させたイオンビームを平坦面に平行な方向に照射することで試料をスパッタエッチングし、平坦面に対向する対向面を形成して、平坦面と対向面とに挟まれた薄片部を形成する薄片部形成工程と、を備えることを特徴とする。本発明の分析方法は、試料の一部を平坦面とする平坦化工程と、平坦化工程により得られた試料の平坦面の下部に対して、集束させたイオンビームを平坦面に平行な方向に照射することで試料をスパッタエッチングし、平坦面に対向する対向面を形成して、平坦面と対向面とに挟まれた薄片部を形成する薄片部形成工程と、薄片部形成工程により形成された薄片部の分析を行う分析工程と、を備えることを特徴とする。分析工程においてEPMAにより薄片部の元素分析を行うのが好適である。本発明によれば、短時間で容易に試料の薄片部を形成することができ、また、容易に試料の分析をすることができる。以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、本実施形態の加工方法および分析方法のフローチャートである。本実施形態の加工方法は、平坦化工程ステップS1および薄片部形成工程ステップS2を順に行うことで、試料の薄片部を形成することができる。本実施形態の分析方法は、平坦化工程ステップS1,薄片部形成工程ステップS2および分析工程ステップS3を順に行うことで、試料の薄片部を分析することができる。図2は、本実施形態の加工方法および分析方法における薄片部形成工程ステップS2を説明する図である。図3は、本実施形態の加工方法および分析方法における薄片部形成工程ステップS2により形成された薄片部13を有する試料1Bを説明する図である。図3aは斜視図であり、同図bは正面図である。平坦化工程ステップS1では、加工対象である試料1Aの一部が平坦面11とされる。試料1Aが脆性材料例えばガラスファイバであれば、劈開等により平坦面11が形成される。また、鏡面研磨またはイオンビーム加工により平坦面11が形成されてもよい。続く薄片部形成工程ステップS2では、図2に示されるように、平坦化工程により得られた試料1Aの平坦面11の下部に対して、集束イオンビーム装置20から出力された集束イオンビーム30が平坦面11に平行な方向に照射される。集束イオンビーム装置20ではイオン源として通常Ga液体金属が用いられる。集束イオンビーム30は、数μm以下に集束され、試料1Aに対し照射され走査される。例えば、集束イオンビーム装置20としてFEI社製FIB200が用いられ、加速電圧が30kVであり、エミッション電流が22μAである。そして、この集束イオンビームの照射により試料1Aがスパッタエッチングされて、平坦面11に対向する対向面12が形成される。これにより、図3に示されるように、平坦面11と対向面12とに挟まれた薄片部13を有する試料1Bが作成される。薄片部13の厚みは例えば1μm程度である。対向面12は、試料1Bの一方側から他方側へ貫通する孔の壁面であってもよく、貫通していない凹部空間の壁面であってもよい。貫通孔の幅および高さは任意である。凹部空間の幅,高さ及び奥行きも任意である。分析工程ステップS3では、薄片部形成工程により形成された薄片部13の分析が行われる。このとき、EPMAにより薄片部13の元素分析が行われるのが好適である。EPMAは、試料表面を元素分析する方法として最も利用されている。EPMAは、分析精度や感度が優れるものの、TEMやFEAESなどと比べて空間分解能が劣っているとされている。EPMAの分解能を向上させる1つの方法が試料の薄片化である。EPMAでは、電子線照射に伴って試料で発生するX線を検出するので、薄片化によりX線発生領域を小さくすることができる。なお、EPMA以外にも、蛍光X線分析などの表面分析技術も適用可能である。本実施形態では、薄片化された試料が作製されるのではなく、試料1Bの一部に薄片部13が形成され、試料1Bの扱いが容易である。したがって、短時間で容易に試料1Bの薄片部13が形成され得る。また、容易に試料1Bの分析が行われ得る。さらに、このようにして形成された薄片部13の元素分析がEPMAにより行われることで、空間分解能の向上が可能となる。"