キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下である領域の成長方向に垂直な断面において、外周を含む領域に形成され、平均転位密度が1000cm-2以上である高転位密度領域と、前記高転位密度領域に取り囲まれるように形成され、平均転位密度が500cm-2以下の低転位密度領域とを備えた、InP単結晶。円筒状の形状を有する小径部と、前記小径部の軸方向において前記小径部に接続され、前記小径部から離れるに従って外径が大きくなる円錐台形状を有する円錐部と、前記小径部の軸方向において前記円錐部に接続され、前記小径部よりも直径の大きい円筒状の形状を有する直胴部とを備え、前記直胴部の軸方向の長さは150mm以上である、請求項1に記載のInP単結晶。前記外周からの距離が3mm以内の領域が前記高転位密度領域となっている、請求項1または2に記載のInP単結晶。InP単結晶の原料を準備する工程と、前記原料を溶融させた後、凝固させることにより、前記InP単結晶を成長させる工程とを備え、前記InP単結晶を成長させる工程では、キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下である前記InP単結晶の領域を、成長方向に垂直な断面の外周を含む領域に平均転位密度が1000cm-2以上である高転位密度領域が形成されるように成長させる、InP単結晶の製造方法。前記InP単結晶を成長させる工程では、円筒状の形状を有する小径部と、前記小径部の軸方向において前記小径部に接続され、前記小径部から離れるに従って外径が大きくなる円錐台形状を有する円錐部と、前記小径部の軸方向において前記円錐部に接続され、前記小径部よりも直径の大きい円筒状の形状を有する直胴部とを備えた前記InP単結晶を成長させ、前記直胴部の軸方向の長さは150mm以上とする、請求項4に記載のInP単結晶の製造方法。前記InP単結晶を成長させる工程では、キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下である前記InP単結晶の領域の少なくとも一部を、内部において前記InP単結晶が成長するるつぼを6mm/h以上の速度で引き下げつつ成長させる、請求項4または5に記載のInP単結晶の製造方法。成長した前記InP単結晶から前記高転位密度領域を除去する工程をさらに備える、請求項4~6のいずれか1項に記載のInP単結晶の製造方法。しかし、LEC法などの引き上げ法においては、成長中の結晶が外部雰囲気と接触する。そして、これに起因した結晶の溶解を回避する必要があるため、成長方向における温度勾配の低減には限界がある。その結果、温度勾配の低減による転位密度の抑制は、必ずしも容易ではない。また、InP単結晶において、硫黄や亜鉛などの不純物が導入されると、当該不純物が転位の伝播を阻害して転位が減少する作用が知られている不純物硬化作用。この不純物硬化作用は、導入される不純物の濃度が高いほど、顕著となる。ここで、硫黄や亜鉛は、InP中における偏析係数が1未満であるため、結晶成長が進行して融液の量が減少するに従って、融液内に含まれる硫黄や亜鉛の濃度が高くなる。そのため、結晶の成長方向における温度勾配が一定であれば、結晶の成長が進行するに従って転位密度は減少する。その結果、不純物濃度が高い領域、すなわちキャリア濃度が高い領域においては、転位密度を減少させることは、比較的容易である。しかし、キャリア濃度が低い領域においては、LEC法などの引き上げ法により、転位密度の低いInP単結晶を製造することは困難である。これに対し、封止されたるつぼ内において結晶を成長させるVBVerticalBridgman法やVGFVerticalGradientFreeze法などの縦型ボート法では、成長中の結晶が外部雰囲気と接触しないため、成長方向における温度勾配をLEC法などの引き上げ法に比べて小さくすることができる。その結果、VB法やVGF法などの方法によれば、キャリア濃度が低い領域でも、温度勾配を抑えることによる転位密度の抑制が比較的容易である。しかしながら、VB法やVGF法などの方法を採用して転位密度を低減した場合、双晶欠陥が発生しやすいという問題がある。そこで、本発明の目的は、キャリア濃度が低い領域において、転位密度を低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したInP単結晶およびその製造方法を提供することである。本発明に従ったInP単結晶は、キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下である領域の成長方向に垂直な断面において、外周を含む領域に形成され、平均転位密度が1000cm-2以上である高転位密度領域と、高転位密度領域に取り囲まれるように形成され、平均転位密度が500cm-2以下の低転位密度領域とを備えている。本発明者は、キャリア濃度が低い領域において、転位密度を低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したInP単結晶を実現する方策について詳細な検討を行なった。その結果、4.0×1018cm-3以下という低いキャリア濃度の領域においても、成長方向に垂直な断面において平均転位密度が1000cm-2以上である高転位密度領域を外周部に形成することにより、当該高転位密度領域に取り囲まれる領域に平均転位密度が500cm-2以下という転位密度の低い領域を、双晶欠陥の発生を抑制しつつ形成可能であることが分かった。したがって、本発明のInP単結晶によれば、4.0×1018cm-3以下というキャリア濃度が低い領域において、平均転位密度を500cm-2以下にまで低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したInP単結晶を提供することができる。上記InP単結晶は、円筒状の形状を有する小径部と、小径部の軸方向において小径部に接続され、小径部から離れるに従って外径が大きくなる円錐台形状を有する円錐部と、小径部の軸方向において上記円錐部に接続され、小径部よりも直径の大きい円筒状の形状を有する直胴部とを備えていてもよい。そして、直胴部の軸方向の長さは150mm以上とすることができる。InP単結晶をVB法やVGF法などの方法により製造する場合、小径部と、小径部に接続された円錐部と、円錐部に接続された直胴部とを備えたるつぼが使用される場合が多い。この場合、当該るつぼの形状に対応した小径部、円錐部および直胴部を備えたInP単結晶が得られる。ここで、本発明者による検討の結果、従来の製造方法によれば、当該直胴部が150mm以上とされた場合、双晶欠陥が極めて発生しやすいことが分かった。したがって、キャリア濃度が低い領域において、転位密度を低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制可能な本発明のInP単結晶は、直胴部が150mm以上の単結晶への適用が、特に有効である。上記InP単結晶においては、上記外周からの距離が3mm以内の領域が上記高転位密度領域となっていてもよい。これにより、双晶欠陥の発生が抑制された上記低転位密度領域を容易に形成することができる。本発明に従ったInP単結晶の製造方法は、InP単結晶の原料を準備する工程と、原料を溶融させた後、凝固させることにより、InP単結晶を成長させる工程とを備えている。そして、InP単結晶を成長させる工程では、キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下であるInP単結晶の領域を、成長方向に垂直な断面の外周を含む領域に平均転位密度が1000cm-2以上である高転位密度領域が形成されるように成長させる。上述のように、外周を含む領域に平均転位密度が1000cm-2以上である高転位密度領域を形成するように、キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下である単結晶の領域を成長させることにより、当該高転位密度領域に取り囲まれる領域に平均転位密度が500cm-2以下という転位密度の低い領域を、双晶欠陥の発生を抑制しつつ形成することができる。そのため、本発明のInP単結晶の製造方法によれば、4.0×1018cm-3以下というキャリア濃度が低い領域において、転位密度を500cm-2以下にまで低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したInP単結晶を製造することができる。上記InP単結晶の製造方法においては、InP単結晶を成長させる工程では、円筒状の形状を有する小径部と、小径部の軸方向において小径部に接続され、小径部から離れるに従って外径が大きくなる円錐台形状を有する円錐部と、小径部の軸方向において円錐部に接続され、小径部よりも直径の大きい円筒状の形状を有する直胴部とを備えたInP単結晶を成長させてもよい。このとき、直胴部の軸方向の長さは150mm以上とすることができる。上述のように、VB法やVGF法などの方法により小径部、円錐部および直胴部を備えたInP単結晶が作製される場合、従来の製造方法によれば、直胴部を150mm以上とすると、双晶欠陥が極めて発生しやすい。これは、融液の深さが大きくなるほど融液の対流が強くなり、融液の温度が不安定になりやすいためと考えられる。したがって、キャリア濃度が低い領域において、転位密度を低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制可能な本発明のInP単結晶の製造方法は、直胴部が150mm以上の単結晶の製造への適用が、特に有効である。上記InP単結晶の製造方法においては、InP単結晶を成長させる工程では、キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下であるInP単結晶の領域の少なくとも一部を、内部においてInP単結晶が成長するるつぼを6mm/h以上の速度で引き下げつつ成長させてもよい。これにより、InP単結晶の成長速度が上昇し、融液の凝固に伴って発生する潜熱が増加するため、上記高転位密度領域が容易に形成される。その結果、当該高転位密度領域に取り囲まれる領域に平均転位密度が500cm-2以下という転位密度の低い領域を、双晶欠陥の発生を抑制しつつ形成することが容易となる。上記InP単結晶の製造方法においては、成長したInP単結晶から高転位密度領域を除去する工程をさらに備えていてもよい。これにより、4.0×1018cm-3以下という低いキャリア濃度を有するとともに、転位密度を低減しつつ、双晶欠陥の発生を抑制したInP単結晶を得ることができる。以上の説明から明らかなように、本発明のInP単結晶およびその製造方法によれば、キャリア濃度が低い領域において、転位密度を低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したInP単結晶およびその製造方法を提供することができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。まず、本発明の一実施の形態におけるInP単結晶について説明する。図1および図2を参照して、本実施の形態におけるInP単結晶1は、円筒状の形状を有する小径部10と、小径部10の軸方向において小径部10に接続され、小径部10から離れるに従って外径が大きくなる円錐台形状を有する円錐部20と、小径部10の軸方向において上記円錐部20に接続され、小径部10よりも直径の大きい円筒状の形状を有する直胴部30とを備えている。直胴部30の軸方向成長方向の長さLは、150mm以上となっている。また、直胴部30は、キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下である低キャリア濃度部31と、キャリア濃度が4.0×1018cm-3を超える高キャリア濃度部32とを含んでいる。そして、低キャリア濃度部31の成長方向に垂直な断面図2に示す断面において、当該低キャリア濃度部31は、外周を含む領域に形成され、平均転位密度が1000cm-2以上である高転位密度領域31Bと、高転位密度領域31Bに取り囲まれるように形成され、平均転位密度が500cm-2以下の低転位密度領域31Aとを有している。本実施の形態におけるInP単結晶1では、キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下である低キャリア濃度部31において、外周を含む領域に平均転位密度が1000cm-2以上である高転位密度領域31Bを有している。その結果、高転位密度領域31Bに取り囲まれる内周側の領域に、平均転位密度が500cm-2以下である低転位密度領域31Aが、双晶欠陥の発生を抑制しつつ形成されている。このように、本実施の形態におけるInP単結晶1は、4.0×1018cm-3以下というキャリア濃度が低い領域において、平均転位密度を500cm-2以下にまで低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したInP単結晶となっている。次に、本発明の一実施の形態におけるInP単結晶の製造方法について説明する。ここでは、InP単結晶の製造方法として、VB法が採用される場合を例に、図3~図5に基づいてInP単結晶の製造方法を説明する。VB法を採用する場合、たとえば以下のようなるつぼを採用することができる。図4を参照して、本実施の形態において使用されるるつぼ5は、種結晶保持部51と、種結晶保持部51上に接続された単結晶成長部52とを備えている。種結晶保持部51は、単結晶成長部52に接続される側に開口し、その反対側に底壁が形成された円筒状の空洞部を有する円筒状の領域であり、当該空洞部において種結晶を保持することができる。単結晶成長部52は、軸方向小径側において種結晶保持部51に接続された円錐状の形状を有する円錐部52Aと、円錐部52Aの軸方向大径側に接続され、中空円筒状の形状を有する直胴部52Bとを含んでいる。単結晶成長部52は、その内部において単結晶の原料を保持するとともに、溶融状態になるように加熱された当該原料を凝固させることにより単結晶を成長させる機能を有する。また、るつぼ1を構成する材料としては、原料溶融時の温度に耐え得る種々の材料を採用することができるが、たとえば熱分解窒化硼素PBNを採用することができる。そして、図3を参照して、本実施の形態におけるInP単結晶の製造方法では、まず、工程S10として種結晶装入工程が実施される。この工程S10では、図4に示すように、るつぼ5の種結晶保持部51の内部にInP単結晶の種結晶61が装入される。次に、工程S20として原料装入工程が実施される。この工程S20では、図4を参照して、たとえば多結晶InPからなる円筒状の原料62が、るつぼ5内に複数個装入され、積み重ねられる。次に、工程S30として封止剤配置工程が実施される。この工程S30では、図4に示すように、たとえばB2O3酸化硼素からなる封止剤63が、工程S20において積み重ねられた原料62上に配置される。次に、図3を参照して、単結晶成長工程が実施される。この単結晶成長工程は、工程S40として実施される第1低速成長工程と、工程S50として実施される高速成長工程と、工程S60として実施される第2低速成長工程とを含んでいる。具体的には、単結晶成長工程では、工程S10~S30において種結晶61、原料62、および封止剤63が内部に配置されたるつぼ5が、結晶成長装置内に装填され、単結晶の成長が実施される。ここで、図5を参照して、本実施の形態において使用される結晶成長装置7は、高圧容器71と、高圧容器71内においてるつぼ5を保持するるつぼ保持台72と、るつぼ5を取り囲むように配置される発熱体73とを備えている。そして、図5を参照して、るつぼ保持台72により保持されるようにるつぼ5が高圧容器71内に装入された後、図示しない電源から発熱体73に電流が供給され、るつぼ5が加熱される。これにより、原料62上の封止剤63が溶融して液体封止剤83となるとともに、原料62が溶融して原料融液82となる。その後、図3および図5を参照して、工程S40においては、るつぼ5が軸方向下側種結晶保持部51側に向けて徐々に引き下げられていくことにより、るつぼ5の軸方向において種結晶61側の温度が低く、原料融液82側の温度が高くなるような温度勾配が形成される。その結果、種結晶61に接触する原料融液82が凝固してInPからなる単結晶81が成長する。この単結晶81の成長は、たとえば円錐部52A内の原料融液82の凝固が完了するまで、継続される。この工程S40においては、上記るつぼ5を引き下げる際の引き下げ速度は、たとえば2.0mm/h以上5.0mm/h以下とすることができる。これにより、工程S40が完了し、本実施の形態におけるInP単結晶1のうち、小径部10および円錐部20が形成される図1参照。次に、工程S50では、円錐部52A内の原料融液82を凝固させた工程S40に引き続き、直胴部52B内の原料融液82を凝固させる。このとき、工程S50において原料融液82が凝固して得られる単結晶81のキャリア濃度は、4.0×1018cm-3以下、より具体的には、たとえば1.0×1018cm-3以上4.0×1018cm-3以下である。そして、この工程S50では、上記工程S40よりも速い速度、たとえば10mm/h以上の速度で上記るつぼ5が引き下げられる。これにより、単結晶81の成長速度が上昇し、原料融液82の凝固に伴って発生する熱潜熱が増加するため、外周を含む領域において転位密度が上昇する。その結果、この工程S50では、外周を含む領域に形成され、平均転位密度が1000cm-2以上である高転位密度領域31Bと、高転位密度領域31Bに取り囲まれるように形成され、平均転位密度が500cm-2以下の低転位密度領域31Aとを備えた低キャリア濃度部31が、双晶欠陥の発生が抑制されつつ成長する図1および図2参照。なお、キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下である領域の少なくとも一部を、るつぼを6mm/h以上、好ましくは8mm/h以上、より好ましくは10mm/h以上の速度で引き下げつつ成長させることにより、当該領域に上記高転位密度領域31Bを容易に形成することができる。次に、工程S60では、低キャリア濃度部31を成長させた工程S50に引き続き、直胴部52B内に残存する原料融液82を凝固させる。このとき、工程S40およびS50における原料融液82の凝固の進行により、直胴部52B内に残存する原料融液82に含まれる不純物の濃度は増加し、工程S60において原料融液82が凝固して得られる単結晶81のキャリア濃度は、4.0×1018cm-3を超える。そして、直胴部52B内に残存する原料融液82の凝固が完了することにより、工程S60は完了し、単結晶成長工程は終了する。以上の工程により、るつぼ5内に図1および図2に示すInP単結晶1が作製され、これを取り出すことにより、本実施の形態におけるInP単結晶1が得られる。さらに、全域においてキャリア濃度が4.0×1018cm-3以下であり、かつ転位密度が500cm-2以下である単結晶が必要な場合、以下の工程S70およびS80が実施される。すなわち、工程S70およびS80として、切断工程および外周研削工程が実施される。この工程S70およびS80では、るつぼ5から取り出されたInP単結晶1が切断されることにより低キャリア濃度部31が採取されるとともに、当該低キャリア濃度部31の外周が研削されることにより、高転位密度領域31Bが除去される。これにより、低キャリア濃度部31のうち平均転位密度が500cm-2以下である低転位密度領域31Aのみが残存する。以上の手順により、本実施の形態におけるInP単結晶の製造方法は完了する。得られた低転位密度領域31Aは、たとえば所望の厚さにスライスされることにより、InP単結晶基板として使用することができる。本実施の形態におけるInP単結晶の製造方法においては、キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下である単結晶の領域を成長させる工程S50において速い速度でるつぼ5を引き下げることにより、低キャリア濃度部31の外周を含む領域に1000cm-2以上である高転位密度領域31Bを形成する。その結果、当該高転位密度領域31Bに取り囲まれる領域に平均転位密度が500cm-2以下である低転位密度領域31Aを双晶欠陥の発生を抑制しつつ形成することができる。そのため、本実施の形態におけるInP単結晶の製造方法によれば、4.0×1018cm-3以下というキャリア濃度が低い領域において、転位密度を500cm-2以下にまで低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したInP単結晶1を製造することができる。本発明のInP単結晶の製造方法の効果を確認する実験を行なった。まず、上記実施の形態において説明した工程S10~S60を実施することにより、硫黄をドープしたInP単結晶を製造した。具体的な製造条件は以下の通りである。まず、工程S10~S30において、るつぼ5に種結晶としてのInP単結晶、原料であるInP多結晶4kgおよび封止剤としてのB2O3300gを装入した。次に、単結晶成長工程では、このるつぼ5を結晶成長装置7にセットし、原料62および封止剤63を加熱し、融解させた。このとき、高圧容器71内の圧力は、リン抜け防止のため35気圧以上とした。その後、工程S40およびS60においては引き下げ速度2.0~5.0mm/hとする一方、キャリア濃度3.0~4.0×1018cm-3の単結晶が成長する工程S50においては引き下げ速度10mm/hで単結晶の成長を実施した。そして、工程S60完了後、るつぼ5から、直胴部30の直径Dが61mmであるInP単結晶1を取り出した実施例。なお、この実施例の手順によるInP単結晶1の作製は5回行ない、5個のInP単結晶1を作製した。一方、比較のため、上記実施例の場合と同様の製造方法において、工程S40~S60における引き下げ速度を2.0~5.0mm/hとして単結晶を成長させ、るつぼから取り出した比較例。この比較例の手順によるInP単結晶の作製は3回行ない、3個のInP単結晶を作製した。そして、実施例および比較例において得られたInP単結晶について、平均転位密度および双晶欠陥の発生の有無を調査した。その結果、実施例のInP単結晶1においては、図1を参照して、引き下げ速度10mm/hで成長させたキャリア濃度3.0~4.0×1018cm-3の低キャリア濃度部31のうち、外周からの距離tが3mm以内の領域は、転位密度が1000cm-2以上である高転位密度領域31Bとなっていた。そして、高転位密度領域31Bに取り囲まれる領域は、転位密度が500cm-2以下である低転位密度領域31Aとなっており、当該領域において、双晶欠陥の発生は確認されなかった。これらの調査結果については、実施例の5個のInP単結晶1について同様であった。これに対し、比較例の3個のInP単結晶においては、いずれもキャリア濃度3.0~4.0×1018cm-3の低キャリア濃度部に双晶欠陥の発生が確認された。また、双晶欠陥が発生する直前の領域について平均転位密度を調査したところ、外周からの距離が3mm以内の領域の平均転位密度は1000cm-2未満となっていた。以上の結果から、本発明のInP単結晶およびその製造方法によれば、キャリア濃度が低い領域において、転位密度を低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したInP単結晶およびその製造方法を提供できることが確認された。なお、実施例のInP単結晶1に対して直径2インチとなるように外周研削を行なったところ、高転位密度領域31Bは除去され、転位密度が500cm-2以下である領域のみからなるInP単結晶が得られた。また、実施例のInP単結晶においては、5個のうち2個が、双晶欠陥の無い単結晶となっていた。一方、5個のうち3個については、固化率が0.9を超える領域においてのみ双晶欠陥の発生が確認された。これは、固化率が0.9を超える領域では不純物濃度が高く、不純物硬化作用が大きくなることで転位密度が著しく低下したためであると考えられる。しかし、固化率が0.9を超える領域のキャリア濃度は8.0×1018cm-3を超えており、一般的な半導体デバイスの製作には使用されない。そのため、たとえば実施例のInP単結晶を半導体デバイス用のInP基板の原料として使用する場合、上記双晶欠陥の発生は歩留まりに影響を与えないものと考えられる。また、結晶成長により作製されたInP単結晶に対しては、歪を緩和する目的で800°C~1000°Cの温度域に加熱するアニールが実施される場合がある。そこで、上記実施例および比較例のInP単結晶に対して800°C~1000°Cに加熱するアニールを実施し、アニールによる転位密度の変化の有無を調査した。その結果、実施例のInP単結晶においては転位の増殖は認められなかった。これに対し、比較例のInP単結晶では、キャリア濃度4.0×1018cm-3以下の領域において転位の増殖が認められ、その平均転位密度は外周からの距離が3mm以内の領域のみならず、径方向全体において1000cm-2を上回るものであった。これは、実施例のInP単結晶では、外周部に既に高い密度で転位が存在しており、新たな転位が発生しにくいことに起因するものと考えられる。つまり、本発明のInP単結晶は、結晶成長後のアニールによる転位の増殖が抑制されたInP単結晶であるといえる。キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下である領域のうち外周から3mm以内の領域における平均転位密度と双晶欠陥の発生との関係を調査する実験を行なった。具体的には、上記実施例1における実施例の場合と同様の手順において、工程S50におけるるつぼ5の引き下げ速度を調整することにより、キャリア濃度が3.0~4.0×1018cm-3である低キャリア濃度部31の外周部の平均転位密度を変化させたInP単結晶を作製した。そして、低キャリア濃度部31において外周からの距離が3mm以内の領域での平均転位密度を調査するとともに、低キャリア濃度部31における双晶欠陥の発生の有無を調査した。次に、図6を参照して、実験結果について説明する。なお、図6において横軸は平均転位密度に対応するEPDEtchPitDensity平均値、縦軸は双晶欠陥の発生の有無を表している。図6に示すように、低キャリア濃度部31において外周からの距離が3mm以内の領域における平均転位密度が1000cm-2未満、より具体的には876cm-2以下である場合、双晶欠陥が発生したのに対し、平均転位密度が1000cm-2以上、より具体的には1025cm-2以上である場合、双晶欠陥は発生しなかった。このことから、InP単結晶においては、キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下である領域の外周を含む領域に平均転位密度が1000cm-2以上である高転位密度領域を形成することにより、当該領域における双晶欠陥の発生を抑制できることが確認された。なお、上記実施の形態および実施例においては、本発明のInP単結晶およびその製造方法の一例として、硫黄をドープしたInP単結晶およびその製造方法について説明したが、本発明を適用可能なInP単結晶およびその製造方法はこれに限られず、たとえば亜鉛をドープしたInP単結晶およびその製造方法にも適用して、同様の効果を得ることができる。また、上記実施の形態および実施例においては、本発明のInP単結晶の製造方法としてVB法が採用される場合について説明したが、採用可能な製造方法はこれに限られず、たとえばVGF法を採用して同様の効果を得ることができる。さらに、上記実施の形態および実施例では、本発明のInP単結晶の形状として図1に示す形状が採用される場合について説明したが、本発明のInP単結晶は種々の形状の単結晶に対して適用することができる。また、本発明における高転位密度領域は、キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下である領域の外周を含む領域に形成されることにより所定の効果を奏するが、外周からの距離が3mm以内の領域、より好ましくは外周からの距離が5mm以内の領域、さらに好ましくは外周からの距離が10mm以内の領域が高転位密度領域であることにより、より確実に双晶欠陥の発生を抑制しつつ低転位密度領域を形成することができる。上記高転位密度領域を形成することなくInP単結晶を成長させた場合におけるキャリア濃度と双晶欠陥の発生率との関係を調査した。具体的には、上記高転位密度領域を形成することなく上記実施の形態と同様の形状のるつぼ直胴部の長さ150mm以上を用いてキャリア濃度が1.0×1018cm-3~10.0×1018cm-3であるInP単結晶を成長させて複数のサンプルを作製し、当該サンプルにおける双晶欠陥の発生の有無を調査する実験を行なった。実験結果を図7に示す。図7を参照して、キャリア濃度が低い場合、双晶欠陥の発生率が高くなることが分かる。そして、キャリア濃度が4×1018cm-3以下である場合、100の確率で双晶欠陥が発生した。このことから、キャリア濃度が4.0×1018cm-3以下である領域の双晶欠陥の発生を抑制することが可能な本発明の有効性が確認される。上記高転位密度領域を形成することなくInP単結晶を成長させた場合における直胴部の長さと双晶欠陥の発生率との関係を調査した。具体的には、上記高転位密度領域を形成することなく上記実施の形態と同様の形状のるつぼ直胴部の長さ30mm~300mmを用いてInP単結晶を成長させることにより複数のサンプルを作製した。そして、各サンプルについて、キャリア濃度が4×1018cm-3である領域における双晶欠陥の発生の有無を調査する実験を行なった。実験結果を図8に示す。図8を参照して、直胴部の長さが長くなると双晶欠陥の発生率が高くなることが分かる。そして、直胴部の長さが150mm以上である場合、100の確率で双晶欠陥が発生した。このことから、直胴部の長さが150mm以上である場合でも双晶欠陥の発生を抑制することが可能な本発明の有効性が確認される。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。