"第1ブースターコイル素子と第2ブースターコイル素子とで構成されるブースターアンテナと、このブースターアンテナに結合する給電コイルとを備え、前記給電コイルはループ状またはスパイラル状であり、前記第1ブースターコイル素子および前記第2ブースターコイル素子はループ状またはスパイラル状であり、前記第1ブースターコイル素子と前記第2ブースターコイル素子は接続されて、平面上の隣接する位置に配置され、前記第1ブースターコイル素子は、互いに容量を介して結合する積層された第1コイルおよび第2コイルで構成され、前記給電コイルは、前記第1ブースターコイル素子と電磁界結合する位置に配置されたことを特徴とするアンテナ。前記給電コイルは、前記第1コイルおよび前記第2コイルの両方に対して電磁界結合する位置に配置された、請求項1に記載のアンテナ。前記給電コイルは前記第1ブースターコイル素子の外形より内側に配置されている、請求項1または2に記載のアンテナ。前記第2ブースターコイル素子は、互いに接続された、または容量を介して結合する、積層された第3コイルおよび第4コイルで構成された、請求項1~3のいずれかに記載のアンテナ。前記第1コイルおよび前記第3コイルは第1の層に形成され、前記第2コイルおよび前記第4コイルは第2の層に形成された、請求項4に記載のアンテナ。前記給電コイルおよび前記第1ブースターコイル素子はいずれも四辺を有する矩形状であり、平面視で前記給電コイルと前記第1ブースターコイル素子はそれぞれの前記四辺のうち三辺に沿って層方向に重なっている、請求項1~5のいずれかに記載のアンテナ。前記給電コイルの共振周波数、または前記給電コイルとこの給電コイルに接続される給電回路とによる回路の共振周波数は、前記ブースターアンテナの共振周波数よりも高い、請求項1~6のいずれかに記載のアンテナ。アンテナとこのアンテナに接続されたRFICを備えたRFIDデバイスであって、前記アンテナは、第1ブースターコイル素子と第2ブースターコイル素子とで構成されるブースターアンテナと、このブースターアンテナに結合する給電コイルとを有し、前記給電コイルはループ状またはスパイラル状であり、前記第1ブースターコイル素子および前記第2ブースターコイル素子はループ状またはスパイラル状であり、前記第1ブースターコイル素子と前記第2ブースターコイル素子は接続されて、平面上の隣接する位置に配置され、前記第1ブースターコイル素子は、互いに容量を介して結合する積層された第1コイルおよび第2コイルで構成され、前記給電コイルは、前記第1ブースターコイル素子と電磁界結合する位置に配置され、前記RFICは前記給電コイルに接続されたことを特徴とするRFIDデバイス。しかしながら、図1に示したようなRFIDタグにおいては、アンテナコイルはRFICチップと同サイズ、ブースターコイルはカードサイズであるため、両者のサイズが大きく異なる。そのため、アンテナコイルとブースターコイルとの結合度を高くすることが難しい。なお、特許文献1には、ブースターコイルのうちRFICチップが搭載される部分の形状をアンテナコイルに近似した形状とし、RFICチップ側のアンテナコイルとブースターコイルとの結合度を高くする構造が開示されているが、この構造では、ブースターコイルの形状が複雑化するとともに、ブースターコイルの外形寸法が大きくなってしまう傾向にある。また、アンテナコイルとブースターコイルを備えたアンテナにおいては、一般に、アンテナコイルとブースターコイルとが重なる領域またはその近傍を通る磁束が互いに打ち消し合う状況が生じる。図1に示したアンテナにおいても、例えば磁束B0とB1は何れもアンテナコイルとブースターコイルを同方向に通過するが、磁束B2はアンテナコイルとブースターコイルを逆方向に通過する。そのため、アンテナコイルによって形成される磁界とブースターコイルによって形成される磁界とが打ち消し合うヌル点が生じる場合がある。このヌル点ではリードライトができなくなってしまう。本発明は、上述した実情に鑑み、給電コイルとブースターアンテナとの結合度が高く、RF信号の伝達効率に優れ、さらにはヌル点の発生を抑制したアンテナ、およびそれを備えたRFIDデバイスを提供することを目的としている。1本発明のアンテナは次のように構成される。第1ブースターコイル素子と第2ブースターコイル素子とで構成されるブースターアンテナと、このブースターアンテナに結合する給電コイルとを備え、前記給電コイルはループ状またはスパイラル状であり、前記第1ブースターコイル素子および前記第2ブースターコイル素子は、ループ状またはスパイラル状であり、前記第1ブースターコイル素子と前記第2ブースターコイル素子は接続されて、平面上の隣接する位置に配置され、前記第1ブースターコイル素子は、互いに容量を介して結合する積層された第1コイルおよび第2コイルで構成され、前記給電コイルは、前記第1ブースターコイル素子と電磁界結合する位置に配置されたことを特徴とする。この構成により、給電コイルとブースターアンテナとの結合度が高く、RF信号の伝達効率に優れたアンテナが得られる。2前記給電コイルは、前記第1コイルおよび第2コイルの両方に対して電磁界結合する位置に配置されていることが好ましい。このことにより、給電コイルとブースターアンテナとの結合度がより高められる。3前記給電コイルは前記第1ブースターコイル素子の外形より内側に配置されていることが好ましい。この構造により、ヌル点の発生をより確実に抑制できる。4前記第2ブースターコイル素子は、互いに接続された、または容量を介して結合する、積層された第3コイルおよび第4コイルで構成されていることが好ましい。この構造により、第1ブースターコイル素子および第2ブースターコイル素子を単層で構成する場合に比べて、実質的に小さなブースターアンテナで高利得が得られる。5前記第1コイルおよび前記第3コイルは第1の層に形成され、前記第2コイルおよび前記第4コイルは第2の層に形成された構造であることが好ましい。この構造により、ブースターアンテナを少ない層数で容易に構成できる。6前記給電コイルおよび前記第1ブースターコイル素子はいずれも四辺を有する矩形状であり、平面視で前記給電コイルと前記第1ブースターコイル素子はそれぞれの前記四辺のうち三辺に沿って層方向に重なっていることが好ましい。この構造により、給電コイルとブースターアンテナとの結合度をより高めることができる。7前記給電コイルの共振周波数、または前記給電コイルとこの給電コイルに接続される給電回路とによる回路の共振周波数は、前記ブースターアンテナの共振周波数よりも高いことが好ましい。この構成により、給電コイルとブースターアンテナとが磁界結合して互いの結合度を高めることができ、ブースターアンテナとリーダライタアンテナ間も磁界を介した通信が可能となる。8本発明のRFIDデバイスはアンテナとこのアンテナに接続されたRFICを備え、前記アンテナは、第1ブースターコイル素子と第2ブースターコイル素子とで構成されるブースターアンテナと、このブースターアンテナに結合する給電コイルとを有し、前記給電コイルはループ状またはスパイラル状であり、前記第1ブースターコイル素子および前記第2ブースターコイル素子は、ループ状またはスパイラル状であり、前記第1ブースターコイル素子と前記第2ブースターコイル素子は接続されて、平面上の隣接する位置に配置され、前記第1ブースターコイル素子は、互いに容量を介して結合する積層された第1コイルおよび第2コイルで構成され、前記給電コイルは、前記第1ブースターコイル素子と電磁界結合する位置に配置され、前記RFICは前記給電コイルに接続されたことを特徴とする。本発明によれば、給電コイルとブースターアンテナとの結合度が高く、RF信号の伝達効率に優れ、さらにはヌル点の発生が抑制されたアンテナ、およびそのアンテナを備えたRFIDデバイスが構成できる。《第1の実施形態》図2は第1の実施形態に係るRFIDデバイス301の斜視図である。図3は、給電デバイスの基材20およびブースターアンテナの基材10を除く部分の分解斜視図である。このRFIDデバイス301は、HF帯のRFIDシステムに用いられるRFIDタグとして用いられる。例えばRFIDデバイス301は携帯電子機器内に備えられる。このRFIDデバイス301は、図2に示すように、RFICチップ23と、RFICチップ23に接続された給電コイル21と、給電コイル21に結合するブースターアンテナ110とを備える。RFICチップ23は、メモリ回路やロジック回路、クロック回路等を有し、RF信号を処理する集積回路チップとして構成されている。給電デバイス210は、給電デバイス基材20、給電コイル21およびRFICチップ23を備えている。給電コイル21は複数層に亘って複数ターンの矩形スパイラル状の導体パターンが形成されている。複数層の矩形スパイラル状の導体パターンは、同方向の磁束の通過により生じる誘導電流の方向が同方向になるように、層間接続導体を介して接続されている。この給電コイル21の両端に入出力電極22A,22Bが形成されていて、この入出力電極22A,22BにRFICチップ23が接続されている。図3に示すように、ブースターアンテナ110は、ブースターアンテナ基材10、第1ブースターコイル素子111と第2ブースターコイル素子112を含んで構成されている。第1ブースターコイル素子111は第1コイル11と第2コイル12とで構成されていて、第2ブースターコイル素子112は第3コイル13と第4コイル14とで構成されている。第1コイル11と第3コイル13とは互いに隣接配置されているとともに、直列接続されている。同様に、第2コイル12と第4コイル14とは互いに隣接配置されているとともに、直列接続されている。給電デバイス210の給電コイル21は、第1ブースターコイル素子111の第1コイル11、第3コイル13と電磁界結合する位置に第1ブースターコイル素子111に重ねて配置されている。具体的には、給電コイル21は第1ブースターコイル素子111の外形より内側に配置されている。また、給電コイル21および第1ブースターコイル素子の第1コイル11、第2コイル12はいずれも矩形状であり、平面視で前記給電コイルと前記第1ブースターコイル素子はそれぞれの三辺に沿って層方向に重なっている。第1ブースターコイル素子111の第1コイル11、第2コイル12に対する第2ブースターコイル素子112の第3コイル13、第4コイル14の巻回方向は、給電デバイス210の給電コイル21が第1ブースターコイル素子111および第2ブースターコイル素子112に対して電磁界を介して同相で結合する方向である。図4はRFIDデバイス301のアンテナ部分の等価回路図である。ここでインダクタL0は給電コイル21のインダクタンスに相当し、キャパシタC0は給電コイル21のキャパシタンス分布容量に相当する。給電回路23FはRFICチップ23の給電回路である。また、インダクタL1,L2,L3,L4は第1コイル11,第2コイル12,第3コイル13,第4コイル14にそれぞれ相当する。キャパシタC1は第1コイル11と第2コイル12との間に生じる分布容量に相当し、キャパシタC2は第3コイル13と第4コイル14との間に生じる分布容量に相当する。相互インダクタンスM3は第1コイル11と第3コイル13との間の磁界結合に相当し、相互インダクタンスM5は第2コイル12と第4コイル14との間の磁界結合に相当する。相互インダクタンスM4は第1コイル11と第2コイル12との間の磁界結合に相当し、相互インダクタンスM6は第3コイル13と第4コイル14との間の磁界結合に相当する。相互インダクタンスM1は給電デバイス210の給電コイル21と第1ブースターコイル素子111の第1コイル11との間の磁界結合に相当する。また、相互インダクタンスM2は給電デバイス210の給電コイル21と第1ブースターコイル素子111の第2コイル12との間の磁界結合に相当する。図5は給電デバイスおよびブースターアンテナとリーダライタアンテナとの結合の様子を示す図である。図5Aは給電コイル21と第1コイル11,第3コイル13および第2コイル12,第4コイル14に流れる電流の方向を矢印で表している。図5Bはリーダライタアンテナの磁束が給電デバイス210およびブースターアンテナを通る様子を磁力線で表した図である。図5Aに示すように、給電コイル21は、第1ブースターコイル素子の第1コイル11および第2コイル12と電磁界を介して結合する。給電コイル21は、コイル自身が持つインダクタンス成分図4に示したインダクタL0と給電コイル21の線間容量で構成されるキャパシタンス成分図4に示したキャパシタC0とを有するので、これらによりLC共振回路を構成し、共振周波数を有する。また、給電回路23Fの接続状態で、給電コイル21と給電回路23Fとによる回路の共振周波数を有する。ブースターアンテナ110は、図4に示したインダクタL1~L4およびキャパシタC1,C2によるLC共振回路で構成される共振周波数を有する。したがって、図5A図5Bに示すように、ある瞬間、給電コイル21に図中矢印a,bの方向に電流が流れると、ブースターアンテナの第1コイル11~第4コイル14には図中矢印c~jの方向に電流が誘起される。すなわち、給電コイル21に矢印a方向および矢印b方向の電流が流れると、矢印a方向の電流によって、第1ブースターコイル素子の第1コイル11に矢印c,d,e,f方向の電流が流れる。また、第2コイル12にも矢印c,d,e,f方向と同方向の電流が流れる。第1ブースターコイル素子の第1コイル11および第2コイル12は第2ブースターコイル素子112の第3コイル13および第4コイル14と電磁界結合するので、第3コイル13および第4コイル14には矢印g,h,i,j方向の電流が流れる。つまり、第1ブースターコイル素子と第2ブースターコイル素子には同方向に電流が流れる。給電コイル21に流れる電流による磁束の向きと第1コイル11、第2コイル12に流れる電流による磁束の向きとは逆であるので、リーダライタアンテナの磁束は給電コイル21を殆ど直接通過しない。換言すると、リーダライタアンテナから給電コイル21は等価的に見えない。そのため、従来のアンテナのようなヌル点の発生が抑制される。リーダライタアンテナの磁束が給電コイル21を直接通過しないための条件は、給電コイル21が第1ブースターコイル素子の第1コイル11、第2コイル12の外形より内側に配置されていることである。さらには、給電コイル21のパターン形成範囲の幅A2,B2より第1ブースターコイル素子の第1コイル11、第2コイル12のパターン形成範囲の幅A1,B1が大きいことである。この条件を満たすように、給電コイル21と第1コイル11,第2コイル13,第2コイル12,第4コイル14の大きさと位置関係を定めればよい。第1の実施形態に係るアンテナによれば、給電コイルとブースターコイルとの結合度を大きくすることができ、RF信号の伝達効率が高い。また、ヌル点が発生しにくい。図6は給電コイル21の共振周波数、ブースターアンテナの共振周波数、およびリーダライタアンテナと結合して通信する周波数の関係を示す図である。図6の横軸は周波数、縦軸はアンテナのリターンロスである。給電コイル21の共振周波数または、給電コイル21と給電回路23Fとによる共振周波数faはブースターアンテナの共振周波数fbより高い。例えばfa=14MHz、fb=13.6MHz、通信周波数foは13.56MHzである。仮に、給電コイルの共振周波数とブースターアンテナの共振周波数が同じであると、縮退が解け、給電コイルとブースターアンテナとが結合しにくくなってしまう。また、給電コイルの共振周波数faがブースターアンテナの共振周波数fbより低いと、給電コイルとブースターアンテナとの結合が容量性で結合することになるが、コイル同士の容量結合は強くならず、その結果、高い結合強度が得られない。第1の実施形態では上述のとおり、給電コイル21の共振周波数faはブースターアンテナの共振周波数fbより高いので、給電コイルとブースターアンテナとが誘導性で結合することになり、高い結合強度が得られる。また、リーダライタアンテナの共振周波数は通信周波数foまたはfo付近に設定されていて、ブースターアンテナの共振周波数fbは通信周波数foに等しいかまたは略等しく設定されている。そして給電コイル21の共振周波数faがブースターアンテナの共振周波数fbより高く、通信周波数foより高く設定されているので、ブースターアンテナがリーダライタアンテナと近接して強く結合したときのブースターアンテナの共振周波数fbが高周波側にシフトする量が抑制される。そのため、リーダライタアンテナと強く結合したときのヌル点が発生しにくいという効果を奏する。これは、近接する二つの共振器この場合、ブースターアンテナと給電コイルが磁気結合しているので、互いの共振周波数に近づく方向の周波数変化を抑制しあうという効果を利用している。また、図4に示したように、ブースターアンテナにおけるインダクタL1~L4は、相互インダクタンスM3~M6で互いに結合しているため、インダクタL1~L4を単純に合わせたインダクタンス値よりも、全体の実効的なインダクタンス値は大きい。その結果、小型でも十分なインダクタンス値を有するブースターアンテナを実現できる。《第2の実施形態》図7は第2の実施形態に係るRFIDデバイス302の斜視図である。図8AはRFIDデバイス302の分解斜視図、図8Bはブースターアンテナ120の下面に形成されているコイルのパターンを示す図である。図8Bにおいては、上面のコイルパターンを除いて描いている。このRFIDデバイス302は、給電デバイス220と、給電デバイス220に結合するブースターアンテナ120とを備える。給電デバイス220は、給電デバイス基材20、給電コイル21およびRFICチップ23を備えている。給電コイル21は複数層に亘って複数ターンの矩形スパイラル状の導体パターンが形成されている。この給電コイル21の両端にRFICチップ23が接続されている。ブースターアンテナ120は、第1ブースターコイル素子121と第2ブースターコイル素子122を含んで構成されている。第1ブースターコイル素子121は第1コイル11と第2コイル12とで構成され、第2ブースターコイル素子122は第3コイル13、第4コイル14およびパッド電極15,16で構成されている。第1コイル11と第3コイル13とは互いに隣接配置されているとともに、直列接続されている。同様に、第2コイル12と第4コイル14とは互いに隣接配置されているとともに、直列接続されている。第1ブースターコイル素子121は9ターン巻回された第1コイル11と9ターン巻回された第2コイル12とで構成されている。第2ブースターコイル素子122は9ターン巻回された第3コイル13と9ターン巻回された第4コイル14とで構成されている。いずれのコイルも図7図8においては図面の煩雑化を避けるためターン数を減らして描いている。給電デバイス220の給電コイル21は、第1ブースターコイル素子121の第1コイル11、第2コイル12と電磁界結合する位置に第1ブースターコイル素子に重ねて配置されている。具体的には、給電コイル21は第1ブースターコイル素子121の外形より内側に配置されている。また、給電コイル21および第1ブースターコイル素子の第1コイル11、第2コイル12はいずれも矩形状であり、平面視で前記給電コイルと前記第1ブースターコイル素子はそれぞれの三辺に沿って層方向に重なっている。第1ブースターコイル素子121の第1コイル11、第2コイル12に対する第2ブースターコイル素子122の第3コイル13、第4コイル14の巻回方向は、給電コイル21が第1ブースターコイル素子121および第2ブースターコイル素子122に対して電磁界を介して同相で結合する方向である。第3コイル13の内周端にはパッド電極15が接続されていて、第4コイル14の内周端はパッド電極16が接続されている。この二つのパッド電極15,16はパウチングされていて、直流的に導通している。第1ブースターコイル素子121の構成は、第1の実施形態で図3に示した第1ブースターコイル素子111と基本的に同様である。給電デバイス220は、7ターン巻回された2層の矩形スパイラル状導体パターンで構成されている。なお、図7、図8においては図面の煩雑化を避けるためにターン数を減らして描いている。この給電デバイス220の外形寸法は5mm角である。2層の矩形スパイラル状導体パターンは同方向の磁束の通過により生じる誘導電流の方向が同方向になるように、層間接続導体を介して接続されている。矩形スパイラル状導体パターンは、銅、銀、アルミニウム等の金属箔をエッチング等によりパターニングしたものであり、この矩形スパイラル状パターンはポリイミドや液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂シートからなる給電デバイス基材20に設けられている。給電デバイス220にはコンデンサチップ24を備えている。コンデンサチップ24は給電コイル21およびRFICチップ23に対して並列に接続されている。このコンデンサチップ24は、給電デバイス220の共振周波数を調整するために設けられている。この給電デバイス220の共振周波数は14MHzに設定されている。図8A、図8Bから明らかなように、給電コイル21は、第1ブースターコイル素子の第1コイル11、第2コイル12および第2ブースターコイル素子の第3コイル13、第4コイル14と電磁界を介して結合する。図9はRFIDデバイス302のアンテナ部分の等価回路図である。ここでインダクタL0は給電コイル21に相当し、キャパシタC0は給電デバイス220に設けられているコンデンサチップ24に相当する。給電回路23FはRFICチップ23の給電回路である。また、インダクタL1,L2,L3,L4はコイル11,12,13,14にそれぞれ相当する。キャパシタC1は第1コイル11と第2コイル12との間に生じる容量に相当する。図8に示したパッド電極15,16はパウチングされているので、第1の実施形態で図4に示したキャパシタC2に相当するキャパシタは無い。そのため、ブースターアンテナ120のキャパシタンス成分を大きくでき、所定の共振周波数を得るために要するブースターアンテナのサイズをより小さくできる。ブースターアンテナを構成する矩形スパイラル状導体パターンは、銅、銀、アルミニウム等の金属箔をエッチング等によりパターニングしたものであり、PET等の熱硬化性樹脂シートからなる給電デバイス基材20に設けられている。ブースターアンテナ120はY方向の幅W1が25mm、X方向の幅W2が10mmである。このブースターアンテナの共振周波数は13.56MHzに設定されている。なお、パッド電極15とパッド電極16とはビアホール電極等の層間接続導体を利用して接続してもよい。図10はRFIDデバイス302のリターンロス特性S11をスミスチャート上に表した図である。この例では周波数を9.0MHzから25.0MHzまでスイープしている。図中m1で示す点が13.56MHzである。このように、インピーダンス軌跡の途中のm1で示す位置に一つのループが生じていることから、共にLC共振回路である給電デバイス220とブースターアンテナ120との結合により、共振点が二つできていることがわかる。また、図11はRFIDデバイス302の通過特性S21を示す図である。この図において周波数frは共振周波数、faは反共振周波数である。このように共振周波数frは使用周波数である13.56MHz付近の周波数としている。《第3の実施形態》図12は、第3の実施形態のRFIDデバイス303の分解斜視図である。第2の実施形態と異なるのは、ブースターアンテナ130の給電デバイス220の配置位置と、第2ブースターコイル素子122の第3コイル13、第4コイル14のパッド電極15,16の構造である。図12において領域MAは給電デバイス220を搭載する領域である。第2の実施形態では、図7図8に示したとおり、第2ブースターコイル素子122から遠い側で、第1ブースターコイル素子121のコイルの三辺に給電デバイス220のコイル21の三辺が重なるように給電デバイス220を配置した。第3の実施形態では、前記領域MAで示すとおり、第2ブースターコイル素子の第3コイル13、第4コイル14に近い側の、第1ブースターコイル素子の第1コイル11、第2コイル12の三辺に給電デバイス220のコイル21の三辺が重なるように給電デバイス220を配置している。また、第2の実施形態では第2ブースターコイル素子の第3コイル13、第4コイル14のパッド電極15,16を直流的に接続した。第3の実施形態では、第2ブースターコイル素子の第3コイル13、第4コイル14のパッド電極15,16は誘電体層を介して対向している。第1ブースターコイル121は9ターン巻回されたコイル11と9ターン巻回された第2コイル12とで構成されている。第2ブースターコイル122は9ターン巻回された第3コイル13と9ターン巻回された第4コイル14とで構成されている。但し、図12においては、図面の煩雑化を避けるため各コイルのターン数を減らして描いている。図13はRFIDデバイス303のアンテナ部分の等価回路図である。ここでインダクタL0は給電コイル21に相当し、キャパシタC0は給電デバイス220に設けられているコンデンサチップ24に相当する。給電回路23FはRFICチップ23の給電回路である。インダクタL1,L2,L3,L4はコイル11,12,13,14にそれぞれ相当する。キャパシタC1は第1コイル11と第2コイル12との間に生じる容量に相当する。キャパシタC2は、第3コイル13と第4コイル14との間に生じる分布容量およびパッド電極15,16間に生じる容量の合成容量に相当する。このようにして、第2ブースターコイル素子全体の占有面積が小さくても、パッド電極15,16で大きな容量成分を得ることができる。図14はRFIDデバイス303のリターンロス特性S11をスミスチャート上に表した図である。この例では周波数を9.0MHzから25.0MHzまでスイープしている。図中m1で示す点が13.56MHzである。この構造によっても、インピーダンス軌跡の途中のm1で示す位置に一つのループが生じていることから共振点が二つできていることがわかる。また、図15はRFIDデバイス303の通過特性S21を示す図である。この図において周波数frは共振周波数、faは反共振周波数である。このように共振周波数frは使用周波数である13.56MHz付近の周波数としている。《他の実施形態》以上に示した各実施形態では、給電コイル、ブースターコイルの何れも矩形スパイラル状の導体パターンで構成したが、これらはループ状の導体パターンで構成してもよい。また、ターン数は必要に応じて1ターンであってもよい。また、以上に示した各実施形態では、給電コイルが第1ブースターコイル素子および第2ブースターコイル素子に対して主に磁界を介して結合する例を示したが、周波数帯域によっては主に電界を介して結合するようにしてもよい。さらには電界および磁界の両方を介して結合するようにしてもよい。これは高周波信号の場合に、給電コイルとブースターアンテナとの間の静電容量でも十分にエネルギーが伝達されるからである。また、以上に示した各実施形態では、HF帯のRFIDデバイスに適用する例を示したが、本発明はHF帯に限らず例えばUHF帯のRFIDデバイスにも同様に適用できる。"