表面にナノメートルのオーダの第1の凹凸構造を形成した炭素系基板と、前記凹凸構造を覆い、可視光及び遠赤外領域の光を透過する表面保護膜と、を具備する放熱材料。前記凹凸構造が多数の柱状形状のグラファイトの密集構造である請求項1に記載の放熱材料。半導体チップと、前記半導体チップと熱的に接続されたヒートシンクとを有し、前記ヒートシンクは、グラファイト基板の表面にナノメートルのオーダの第1の凹凸構造を形成した炭素系基板と、前記凹凸構造を覆い可視光及び遠赤外領域の光を透過する表面保護膜と、を具備し、前記凹凸構造が、グラファイト基板の前記半導体チップから遠い側の表面に設置されている、ことを特徴とする半導体ユニット。CNTはCNTの脆弱性及び疎水性から発熱部品とCNTとの間の密着性が低いという課題がある。また、特許文献1では、加工性を向上させるためにCNT粉末と金属とを一軸プレス成形を行なっているため、金属基板とCNTとの間に熱伝導の損失を生じる。一方、本出願人は、炭素系材料を用いた放熱材料として、表面にナノメートルオーダの凹凸構造を形成した炭素系基板を用いることを提案した参照:特願2009-195354号。この先願によれば、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率が低くなるので、輻射による放熱性を高くすることができる。しかしながら、炭素系基板の表面に形成したナノメートルのオーダの凹凸構造は、その表面に大きな物体が接触した場合に、微細な凹凸構造が破壊されやすくハンドリングが容易ではないという課題がある。本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、ハンドリング性を向上させた輻射による放熱性を高くした炭素系基板を用いた放熱材料およびその放熱材料を用いた半導体ユニットを提供することにある。上述の課題を解決するために、本発明に係る放熱材料は、表面にナノメートルのオーダの第1の凹凸構造を形成した炭素系基板と、前記凹凸構造を覆い可視光及び遠赤外領域の光を透過する表面保護膜と、を具備することを特徴とする。これにより、可視光を含む領域の波長0.3-2μmの反射率を低くすると共に、遠赤外領域の例えば波長2-50μmの反射率も低くする。また、前記凹凸構造に触れた場合における微細な凹凸構造の破壊を抑制する。また、本発明に係る放熱材料を備えた半導体ユニットは、半導体チップと、前記半導体チップと熱的に接続されたヒートシンクとを有し、前記ヒートシンクは、グラファイト基板の表面にナノメートルのオーダの第1の凹凸構造を形成した炭素系基板と、前記凹凸構造を覆い可視光及び遠赤外領域の光を透過する表面保護膜と、を具備し、前記凹凸構造が、グラファイト基板の前記半導体チップから遠い側の表面に設置されている、ことを特徴とする。これにより、半導体チップから放射される電磁波を、ヒートシンクの放熱材料における可視光を含む領域の波長0.3-2μmの反射率を低くすると共に、遠赤外領域の例えば波長2-50μmの光反射率も低くしているので、高い放熱効率の半導体ユニットを提供することができる。本発明によれば、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率が低くなるので、輻射による放熱性を高くでき、また、炭素系基板を用いているので、放熱材料の融解及び熱伝導の悪化はほとんどなく、さらに、表面保護層にて覆っているのでハンドリング性に優れる。最初に表面保護層を形成する前の放熱材料について説明する。図1は放熱材料に要求される理想的な反射特性を示すグラフである。本発明に係る放熱材料の動作原理は完全黒体効果を利用した吸収エネルギーの遠赤外放射による放射冷却作用を利用する。すなわち、図1に示すように、光の平均反射率RがR=R080と高い時には、放熱材料が吸収したエネルギーは放熱材料が有する温度たとえば室温300Kで図1のI0に示す遠赤外領域の黒体放射スペクトルの放射率I0で外部に放射散逸を起こすが、反射率が高いため放熱効率が低い。他方、光の平均反射率RがR=R11と低い時には、放熱材料が吸収したエネルギーは室温300Kで図1のI1に示す遠赤外領域の黒体放射スペクトルの放射率I1で外部に放射散逸を起こすことができるので、放熱効率が高い。つまり、反射率Rが低下すると、放射率Iが上昇し、逆に、反射率Rが上昇すると、放射率Iが低下するという関係が成立する。この場合、光放熱つまり光放射能力を示す指数として放射率を用いるが、光の透過率がほぼ0の場合放射率I≒1-R反射率で表わされる。従って、理想的には、放熱材料としてたとえば波長0.3-50μmの反射率Rができるだけ0に近いものを用いると、放熱効率が大きくなることが分かる。次に実施の形態について説明する。図2は本発明に係る放熱材料のグラファイト基板のナノ凹凸構造の加工フローを示すフローチャートである。図2のステップ201において、図3のAに示す鏡面状表面を有するグラファイト基板を水素ガスを用いたプラズマエッチング法によってエッチングして図3のBに示すナノメートルのオーダの凹凸構造のグラファイト基板を得る。このプラズマエッチング条件は、たとえば、次のごとくである。RFパワー:100-1000W圧力:133-13300Pa1-100Torr水素流量:5-500sccmエッチング時間:1-100分尚、図2のステップ201でのプラズマエッチング法は、電子サイクロトロン共鳴ECRエッチング法、反応性イオンエッチングRIE法、大気圧プラズマエッチング法等のいずれでもよく、また、処理ガスは、H2ガス以外のArガス、N2ガス、O2ガス、CF4ガス等のいずれでもよい。従って、図4に示すように、可視光を含む領域の波長0.3-2μmの平均反射率はプラズマエッチング前の20-30からプラズマエッチング後の1.5以下と低くなる。従って、可視光を含む領域の吸収は最高となる。しかも、図5に示すように、遠赤外領域のたとえば波長2-15μmの平均反射率もプラズマエッチング前の60からプラズマエッチング後の2以下と低くなる。この結果、図1の理想的な反射特性R1に近づく。この結果、このプラズマエッチングされたグラファイト基板をそのまま放熱材料として用いることができる。図6は図2のフローの変更例を示し、図2のプラズマエッチングステップ201の前に、サンドブラスト等の機械的表面研磨及び/またはCO2レーザ、YAGレーザ、エキシマレーザ等のハイパワーレーザ照射による表面研磨による前処理を行う。これにより、不規則的周期のたとえばミクロンメートルのオーダ、サブミクロンメートルのオーダの凹凸構造を形成する。従って、グラファイト基板の表面積が増大して放熱効率が高くなる。尚、図6の不規則的周期のミクロンサブミクロン凹凸加工ステップ200において、グラファイト基板の表面に不規則的周期のミクロンメートルのオーダもしくはサブミクロンメートルのオーダの凹みを多数形成して表面積を増大させてもよい。たとえば、レジスト層を塗布し、次いで、不規則的周期パターンを有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィによりレジスト層のパターンを形成し、このレジスト層のパターンを用いてグラファイト基板をH2ガス及びO2ガスを用いたプラズマエッチングたとえばRIEを行い、その後、レジスト層のパターンを除去する。また、機械的ルーリングエンジン等を用いた切削方法によって不規則的周期のミクロンメートルのオーダあるいはサブミクロンメートルのオーダの剣山型凹凸構造を形成して表面積を増大させることもできる。この剣山型凹凸構造はエッチングで逆剣山型の金型を形成し、これに液体状のグラファイト材料、例えばカーボンブラック等を流し込んでも形成できる。ここで、規則的周期のミクロンメートルのオーダあるいはサブミクロンメートルのオーダの凹凸構造は2次元フォトニック結晶的効果を起こし、遠赤外領域の反射率を高めるので、放熱効率が低くなる逆効果となり、好ましくない。また、図4における波長0.3-2μmの反射率の測定はBaSO4粒子等を内面にコートした積分球を有する分光光度計によって行われ、他方、図5におけるたとえば波長2-15μmの反射率の測定は遠赤外反射光をすべて集光するために金を内面にコートした積分球を有するフーリエ変換赤外FTIR分光器によって行われる。本発明者は実際に上述のナノ凹凸構造をグラファイト基板の表面に加工した放熱材料について評価した。たとえば、1放熱材料は10cm×10cmであるが、図3Bに示すように多孔質構造なため大きな比表面積を有し、ここでは表面積が0.2m2とする。この場合、表面温度300°Cにおいて、放射率Iは98つまり、反射率Rは2とする。2発熱部品としてパワーコンバータの雰囲気温度を100°C、熱対流はほとんどないものとする。3発熱部品としてのパワーコンバータのパワーを5kWとしてエネルギー変換効率を98とすると、パワーコンバータは100Wの熱を発生する。この場合、放熱材料による熱放射量はシュテファンボルツマンの放射則に従う。つまり、放熱材料の総熱放射量Sは、S=Ts4-Ta4AIσ但し、Tsは放熱材料の表面の絶対温度K、Taは雰囲気の絶対温度K、Aは放熱材料の表面積m2、Iは放熱材料の放射率、σはシュテファンボルツマン定数で5.67×10-8W/m2K4で表わせる。従って、S=300273.154-100273.154×0.2×0.98×5.67×10-8=98.388Wこのように、発熱部材としての5kWのパワーコンバータから発生した100Wの熱の98を本発明に係る放熱材料を用いて散逸させることができる。次に表面保護層について説明する。図7は、本発明に係る放熱材料のグラファイト基板の加工フローを示すフローチャートである。なお、上述したまたは以下に述べる実施形態においてサブマイクロメートルオーダとは0.5~10μmの範囲を示し、ナノメートルオーダとは10~500nmの範囲を示す。最初にグラファイト基板を用意し、ナノ凹凸構造加工工程301を行なう。図7のステップ301においてプラズマエッチングを行なう。前述したプラズマエッチングにてナノメートルオーダの凹凸構造のグラファイト基板を得る。このプラズマエッチングとしては、例えば次の条件とする。なお、基板は黒鉛結晶構造を持つ炭素粒子を焼結させたグラファイト基板を使用し、プラズマエッチング前は鏡面状表面であった。使用プラズマガス:酸素RFパワー:500W圧力:6650Pa50mTorr酸素流量:200sccmエッチング時間:50分図8は、図7のプラズマエッチング後のグラファイト基板の表面の走査型電子顕微鏡SEM写真である。グラファイト基板をプラズマエッチンングすることにより、平滑な表面図3A参照から柱状のグラファイトが密集して起立した微細な凹凸構造の表面状態となる。この微細な凹凸構造は剣山型凹凸構造であり、表面積が増大している。微細な凹凸構造を構成する各々の柱状のグラファイトはナノメートルオーダとなっている。エッチング条件を選定することでナノメートルオーダの範囲で柱状のグラファイトの大きさ及び密度を変えた微細な凹凸構造を得ることができる。なお、図2Bにて説明したプラズマエッチング法によってエッチングしてナノメートルオーダの凹凸構造のグラファイト基板のSEM写真と、図8のSEM写真とでは撮影条件が異なる。図2BのSEM写真では真上方向から俯瞰した状態を示しており、図8のSEM写真は斜め方向、具体的には15度傾斜方向から俯瞰した撮影像を示している。図9は、図7のプラズマエッチング前後のグラファイト基板の表面の波長0.2-2.4μmの反射率を示すグラフである。グラフにおいて実線がプラズマエッチング前、点線がプラズマエッチング後のグラファイト基板の反射率である。グラファイト基板をプラズマエッチンングすることで、波長0.2~2.4μmの範囲における反射率を、エッチング前における反射率が15-25程度であったものが、プラズママエッチング後は1.5以下と低くなる。したがって、可視光を含む領域の吸収は最高となる。また、同じ基板について、プラズマエッチング後の基板について、基板表面温度が150°Cのときの放射率は0.99であった。なお、放射率は放射温度計KEYENCE社FT-H20により測定した。次に、図7のステップ302においてコーティング工程を行なう。プラズマエッチング後のグラファイト基板の微細な凹凸構造表面に表面保護膜を形成する。図10は表面保護膜を形成した後の状態を示す概略断面図である。表面にステップ301により微細な凹凸構造11が形成されたグラファイト基板10の上に、表面保護膜12を形成している。表面保護膜12は微細な凹凸構造11の最表面を覆うようにする。表面保護膜12は、赤外領域および遠赤外領域25μm以上の光を透過する材料を用いる。このような材料として、例えば珪素、ゲルマニウム、弗化カルシウム、弗化バリウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛などがある。表面保護膜材料は発熱部品の使用温度領域における黒体輻射の波長に対して透過であればよく、3μmから14μmまでの赤外線を透過する材料が好適である。また、表面保護膜12は真空蒸着法、CVD法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの周知の方法により形成することができる。物質中での光の吸収はランベルトベールの法則に従う。つまり、表面保護膜12を透過する放射の割合TはT=e-αxただし、αは保護膜材料の吸収係数cm-1、xは保護膜材料の膜厚cmで表わせる。例えば硫化亜鉛をCVD法により100μm形成した場合、12μm以下の赤外領域の波長に対して、吸収係数は0.24cm-1以下である。したがって99.76以上の赤外領域の光を透過する。すなわち、微細な凹凸構造表面11から放射される電磁波の99.76以上は透過する。したがって、硫化亜鉛からなる保護膜12を設けた場合には、ステップ302後のグラファイト基板の表面温度が150°Cのときの放射率0.988となり高い放射率を維持することができる。この結果、グラファイト基板の高い放射率を損なうことなく、表面の微細凹凸構造に接触することなくハンドリングすることが可能で、搬送、組付などの後工程における取扱い性が向上する。また、ハンドリングにおいて微細凹凸構造は容易に破損し難くなり粉塵の発生が抑止される。次に、他の実施の形態について説明する。他の実施の形態として、先の実施の形態で説明した放熱材料を備えた半導体ユニットについて図11を用いて説明する。図11は、半導体ユニットの断面模式図である。半導体ユニット20は、給電用の配線パターン23を備えた配線基板22上に、半導体チップ21がフリップチップ接続構造にて配置している。そして、配線基板22の他方の表面に前記したグラファイト基板10が設けられている。符号24は電源である。配線基板22は、セラミック、金属ベース基板などの熱伝導性に優れた基板からなる。半導体チップ21は、例えば発光ダイオードLEDであり、電源24から供給した電力により発光する。グラファイト基板10は、表面に微細な凹凸構造11が形成され、さらにその表面を覆うように表面保護膜12が形成した放熱材料1とされている。配線基板22とグラファイト基板10は、図示しない高熱伝導性ゲル接着剤などを介して接着する。なお、放熱材料1については、先の実施の形態の説明と同一の構成であるので、ここでの説明は同一の符号を付して詳細な説明を省略する。このような半導体ユニット20では、半導体チップ21が発熱すると配線基板22を介して放熱材料1に熱伝導する。放熱材料1に伝わった熱は微細凹凸構造11から表面保護膜12を介して赤外線を輻射して放熱する。表面保護層12を形成しているので、放熱材料1を取り付ける際のハンドリング性が向上し、微細凹凸構造11を破壊することなく配線基板22に固定できる。また、微細凹凸構造11を形成していない鏡面表面のグラファイト基板を放熱材料1の代わりに取り付けたときに比べて半導体チップ21の表面温度が低下していた。さらに他の実施の形態として、図12を用いて半導体ユニット30について説明する。図12は、別の実施の形態の半導体ユニットの断面模式図である。なお、前述した実施の形態の説明と同一の構成のものについては同一の符号を付してここでの詳細な説明を省略する。半導体ユニット30は、給電用の配線パターン23を備えた配線基板32上に、半導体チップ21がフリップチップ接続構造にて配置している。そして、半導体チップ21の上面のほぼ全面を覆うように前記したグラファイト基板10が設けられている。符号24は電源である。半導体チップ21は、例えば発光ダイオードLEDであり、電源24から供給した電力により発光する。配線基板32は、光透過性のガラス基板、蛍光体結晶からなる蛍光体プレート基板やプリント基板からなる。光透過性基板の上に発光ダイオードを搭載したときには光透過性の基板32を通して発光可能なものとする。このとき、配線パターン23も透明なITO電極などを用いることが好ましい。グラファイト基板10は、表面に微細な凹凸構造11が形成され、さらにその表面を覆うように表面保護膜12が形成した放熱材料1とされている。半導体チップ21とグラファイト基板10は、図示しない高熱伝導性ゲル接着剤などを介して接着する。このような半導体ユニット30では、半導体チップ21が発熱すると放熱材料1に熱伝導する。放熱材料1に伝わった熱はグラファイト基板10を通って微細凹凸構造11から表面保護膜12を介して赤外線を輻射して放熱する。表面保護層12を形成しているので、放熱材料1を取り付ける際のハンドリング性が向上し、微細凹凸構造11を破壊することなく配線基板22に固定できる。また、微細凹凸構造11を形成していない鏡面表面のグラファイト基板を放熱材料1の代わりに取り付けたときに比べて半導体チップ21の表面温度が低下していた。尚、上述のグラファイト基板に金属を混ぜて稠密グラファイト基板とすることができる。これにより、稠密グラファイト基板の靭性は大きいので、放熱材料としての加工性、発熱部品との密着性が向上し、発熱部品と放熱材料との間の空隙がなくなる。また、発熱部品と放熱材料との間で絶縁性が要求される場合には、放熱材料として絶縁性グラファイトを用いる。また、上述の実施の形態では、グラファイト基板を用いたが、グラファイト基板以外の炭素系基板たとえば、ダイヤモンド基板表面をプラズマエッチングして反射率を低減させた基板を用いてもよい。