"スクライブラインと前記スクライブライン上に形成されたアライメントマークとを有する半導体ウエハを用意する工程と、前記スクライブラインにレーザを照射する工程と、を有し、前記レーザを照射する工程において、少なくとも一つのアライメントマークが残存するようにレーザを照射すること、を特徴とする半導体装置の製造方法。前記レーザを照射する工程において、少なくとも一つの前記アライメントマークにレーザを照射しないことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記レーザを照射する工程において、少なくとも一つの前記アライメントマークにレーザが照射される際にレーザの強度を低下させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記レーザを照射する工程において、少なくとも一つの前記アライメントマークにレーザが照射される際にレーザのパワーを低下させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記レーザ照射を行った後、前記アライメントマークにより位置合わせを行うことによりダイシングを行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし請求項4に記載の半導体装置の製造方法。本願発明者は、上記従来技術には以下の課題があることを発見した。スクライブラインにレーザを照射して層間絶縁膜を除去する際に、層間絶縁膜上に形成されたアライメントマークも除去されてしまう。すると、後のダイシングの際に用いるためのアライメントマークが存在せず、ダイシングブレードを正確な位置に合わせることができない。本発明の半導体装置の製造方法は、スクライブラインと当該スクライブライン上に形成されたアライメントマークとを有する半導体ウエハを用意する工程と、当該半導体ウエハのスクライブラインにレーザを照射する工程とを有し、レーザを照射する工程において、少なくとも一つのアライメントマークが残存するようにレーザ照射を行うことを特徴としている。この特徴により、本発明の半導体装置の製造方法においては、レーザ照射後においても、半導体ウエハ上にアライメントマークが存在する。従って、このアライメントマークを用いてダイシングブレードを正確な位置に合わせることができ、高精度なダイシングを行うことができる。本発明の半導体装置の製造方法によれば、レーザ照射後に半導体ウエハ上に残存したアライメントマークを用いることにより、ダイシングブレードを正確な位置に合わせることができ、高精度なダイシングを行うことができる。本発明を実施するための最良の形態について以下に説明する。まず始めに、図2に示すような、スクライブライン3とアライメントマーク41とを有する半導体ウエハ1を用意する。半導体ウエハ1上には、複数の半導体チップ2が形成されており、各々の半導体チップ2は、スクライブラインScribeLine3を挟んで隣接している。別の見方をすれば、半導体ウエハ1が、スクライブライン3により、複数のチップ領域2に区分されている。スクライブライン3とは、半導体ウエハ1を個々の半導体チップ2に分割する際に切断用ブレードや切断用レーザによって切断される領域のことである。また、図2中には示していないが、半導体ウエハ1自体の上には、多層配線層を構成する層間絶縁膜が形成されている。そして、アライメントマーク41は層間絶縁膜上に形成されている。次に、図5に示すように、半導体ウエハ1上の層間絶縁膜を除去するために、スクライブライン3に沿ったレーザ照射領域7にレーザを照射する。レーザの照射は、レーザ発振器図示せずをスクライブライン3上に沿って走査することにより行う。レーザ発振器の位置合わせは、アライメントマーク41を用いて行う。本実施例においては、レーザ発振器がアライメントマーク41上に来た時に、レーザ照射を停止することにより、アライメントマークを残存させている。この際、レーザ発振自体を停止しても良いし、シャッター等を用いてレーザ光を遮断してもよい。いずれにしても、レーザ光がアライメントマーク41に当たらないようして、アライメントマーク41を残存させる。図5においては、2個のアライメントマーク411,412が残存している例を示した。但し、高精度なアライメントが可能であれば、少なくとも一つのアライメントマークが残存していれば良い。図6にアライメントマーク41が残存している部分の断面図を示す。図6b、c、dは、それぞれ図6aのA-A断面、B-B断面、C-C断面である。レーザを照射した部分では、図6c中に点線で示したように、層間絶縁膜6が除去され、その上に形成されていたTEG42も除去されている。一方、レーザを照射しなかった部分では、層間絶縁膜6が除去されず、その上に形成されたアライメントマーク41が残存している。次に、残存しているアライメントマーク41を用いてダイシングブレードの位置合わせを行うことにより、半導体ウエハ1を個々の半導体チップ2にダイシングする。ダイシングの際には、残存しているアライメントマーク41も除去されてしまう。従って、各々のスクライブライン3がダイシングにより切断される順番を考慮して、残存させるアライメントマークの位置や数を適切に選択することが望ましい。好ましくは、半導体ウエハ1の中心に対して点対称となる位置に配置された一組のアライメントマークを残存させることである。さらに好ましくは、最も離れている一組のアライメントマークを残存させることである。例えば図8に示すように、半導体ウエハ1の中心Iに対して、PとPの位置にある一組を残存させることである。または、すべてのアライメントマークを残存させてもよい。上記実施の形態においては、アライメントマークを残存させるために、レーザ発振器が残存させるべきアライメントマーク上に来た時にレーザの照射を停止させている。しかし、レーザ発振を停止するとレーザ発振の安定性を損なう場合がある。また、シャッター機構を設けると装置が複雑になる。そこで、レーザ発振器が残存させるべきアライメントマーク上に来た時に、レーザ光の強度もしくはパワーを、アライメントマークが除去されない程度に低下させることもできる。この方法によれば、レーザ発振の安定性を著しく損なうことはなく、装置の複雑化を招くこともない。レーザ光の強度を低下させることは、集光用レンズの位置を光軸方向にわずかに動かして焦点位置をずらすことにより、容易に行うことができる。レーザ光のパワーを低下させることは、レーザ媒体を励起する強度を低下させることで容易に行うことができる。例えば、半導体レーザ励起YAGレーザの場合であれば、励起用の半導体レーザの出力を低下させればよい。また、図6に示すように、2本のスクライブライン3が交差する位置に形成されたアライメントマーク411を残存させてもよいが、この場合は、レーザ照射の停止動作、またはレーザ光の強度もしくはパワーの低下動作を2度行う必要がある。スクライブライン3が交差していない場所に形成したアライメントマーク412を残存させる方が、レーザ照射の停止動作、またはレーザ光の強度もしくはパワーの低下動作が一度で済むので好ましい。また、図7に示すように、1本のスクライブラインに対して、2か所にレーザを照射する場合もある。この場合も同様に、それぞれの走査時に、レーザ照射の停止動作、またはレーザ光の強度もしくはパワーの低下動作を行い、一部のアライメントマークを残存させる。尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、発明の思想から外れることなく修正や変更を加えることができる。"