"セラミック板と導電性金属板とが銅微粒子Pから形成された多孔質状の接合層Lを介して接合されたセラミック接合体であって、前記銅微粒子Pが平均一次粒子径2~500nmの銅微粒子P1を含み、接合層Lの空孔率が3~30体積で平均空孔径が5~500nmであり、厚みが0.005~0.500mmであることを特徴とする、セラミック接合体。前記接合層Lが銅微粒子Pを焼結させて得られた焼結体であり、銅微粒子Pが平均一次粒子径2~500nmの銅微粒子P150質量以上と、平均一次粒子径0.5~50μmの銅微粒子P250質量以下からなることを特徴とする、請求項1に記載のセラミック接合体。前記セラミック板が金属酸化物であることを特徴とする、請求項1または2に記載のセラミック接合体。前記セラミック板がアルミナ、強化アルミナHPS、又はジルコニアであることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載のセラミック接合体。前記導電性金属板が銅板、銅合金板、アルミ板、またはアルミ合金板であることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載のセラミック接合体。本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、被接合体表面にパターン化する際にマスク形成が不要であり、めっきによる接合と比較して接合層における不純物残渣が少なく、熱伝導率を高く保持したまま、熱サイクルによって生じるクラック等の損傷が低減できて接合信頼性が高い、半導体装置用基板用のセラミック接合体を提供することを目的とする。本発明者らは、上記従来技術に鑑みて、銅微粒子と分散媒を含む加熱接合材料からなるパターン化物を、セラミック板と導電性金属板の間に配置後、該加熱接合材料を加熱、焼結して銅微粒子焼結体からなる、多孔質状の接合層を形成することにより、上記課題が解決できることを見出し本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、以下の1~5に記載する発明を要旨とする。1セラミック板と導電性基板Kとが銅微粒子Pから形成された多孔質状の接合層Lを介して接合されたセラミック接合体であって、前記銅微粒子Pが平均一次粒子径2~500nmの銅微粒子P1を含み、接合層Lの空孔率が3~30体積で平均空孔径が5~500nmであり、厚みが0.005~0.500mmであることを特徴とする、セラミック接合体。2前記接合層Lが銅微粒子Pを焼結させて得られた焼結体であり、前記銅微粒子Pが平均一次粒子径2~500nmの銅微粒子P150質量以上と、平均一次粒子径0.5~50μmの銅微粒子P150質量以下質量の合計は100質量でない場合もあるからなることを特徴とする、前記1に記載のセラミック接合体。3前記セラミック板Cが金属酸化物であることを特徴とする、前記1または2に記載のセラミック接合体。4前記セラミック板Cがアルミナ、強化アルミナHPS、又はジルコニアであることを特徴とする、前記1から3のいずれかに記載のセラミック接合体。5前記導電性基板Kが銅板、銅合金板、アルミ板、またはアルミ合金板であることを特徴とする、前記1から4のいずれかに記載のセラミック接合体。イ本発明のセラミック接合体は、セラミック板Cと導電性基板Kとが、比較的低温で焼結可能な銅微粒子焼結体からなる接合層Lを介して接合されているので、熱伝導率を高く保持したままで、セラミックと銅の線膨張差によって生じる残留応力を小さく抑えることができ、熱サイクルにおいてクラック等の損傷を防ぐことができ、接合信頼性が高い。また、従来技術におけるように、セラミック板Cと導電性基板Kとを貼り合わせる温度が1000°C以上のような高い温度では金属組織が粗くなるため表面に凹凸が出来てしまい、最終的に使用する際に銅板表面の研磨等の処理が必要となる。本発明方法では、金属組織に大きく影響がない温度領域での貼り付けが可能になるので、予め削られる分の厚い銅板を使用する必要がなく、材料コスト後処理コストが抑えられる。更に、接合層Lにおける不純物残渣が少なく、接合層Lを含んだ導体層LとKをパターン化した場合にマイグレーションによるパターン間の短絡が生じにくくすることが可能である。本発明のセラミック接合体以下、セラミック接合体Jと記載することがあるは、セラミック板C表面に、銅微粒子Pと分散媒Aを含む加熱接合材料Fからなるパターン化物を配置し、更に該パターン化物上に導電性金属板Kを配置後、該加熱接合材料Fを加熱、焼結して銅微粒子P焼結体からなる接合層Lを形成することにより、セラミック板Cと導電性金属板Kとが接合層Lを介して接合されたセラミック接合体Jであって、前記銅微粒子Pが平均一次粒子径2~500nmの銅微粒子P1を含み、接合層Lの空孔率が3~30体積で平均空孔径が5~500nmであり、厚みが0.005~0.500mmであることを特徴とする。1セラミック板C本発明のセラミック接合体Jに使用できるセラミック板Cとしては、半導体装置用のDBC基板等に従来から使用されているものを使用することができる。耐熱性、耐絶縁性、耐磨耗性、耐気密性等の特性や、電気的特性の点から、セラミック板Cとしては、アルミナ、強化アルミナHPS、又はジルコニアの使用が好ましく、添加剤としてSiO2、MgO、CaO等を含有させることができる。これらの添加剤は粘結剤として望ましいものである。強化アルミナHPSは一般的には、アルミナセラミックスにジルコニアを添加し緻密に焼結させたジルコニア強化アルミナセラミックスである。強化アルミナHPSは従来のアルミナセラミックスに比べて機械的強度、破壊靭性が高く、特に耐摩耗部材として使われている。セラミック板Cとして、単層の他に上記成分からなる多層のセラミック板を使用することも可能である。2導電性金属板K導電性金属板Kとしては、導電性、熱伝導性等の点から銅板、銅合金板、アルミ板、またはアルミ合金板を使用することができる。尚、セラミック板Cの導電性基板Kと相対する側に放熱用金属板として銅板を接合することもできる。3加熱接合材料F加熱接合材料Fは、以下に記載する銅微粒子Pと分散媒Aを含む。3-1銅微粒子P銅微粒子Pは、焼結性を有する、平均一次粒子径2~500nmの銅微粒子P1のみであってもよく、更に該銅微粒子P1に、平均一次粒子径0.5~50μmの銅微粒子P2を併用することができる。加熱接合材料Fに使用する銅微粒子Pは、はんだペーストの場合と異なり、少なくとも1種以上の高純度銅微粒子をそのまま使用することができるので、接合強度と導電性に優れる接合体を得ることが可能になる。一般にはんだペーストの場合、実装対象である基板の銅パッド部分の酸化を取り除くためにフラックス有機成分を含有しており、更に金属材料に含まれる不純物として少量ではあるがAl、Zn、Cd、As等の金属が含まれることが多い。イ銅微粒子P1銅微粒子P1は、一次粒子の平均粒子径が2~500nmの銅微粒子であれば特に制限されるものではない。銅微粒子P1の一次粒子の平均粒子径が2nm未満のものは製造上の困難性を伴い、一方、一次粒子の平均粒子径が500nm以下で精密な導電パターンを形成することができ、焼成も容易になる。ロ銅微粒子P2加熱接合材料Fに、一次粒子の平均粒子径が2~500nmの銅微粒子P1に加えて、一次粒子の平均粒子径0.5~50μmの銅微粒子P2を分散させて使用することもできる。銅微粒子Pとして、平均一次粒子径が2~500nmの銅微粒子P1に、更に平均一次粒子径が0.5~50μmの銅微粒子P2を使用すると、銅微粒子P2間に銅微粒子P1が分散して、加熱処理する際に銅微粒子P1の自由な移動を効果的に抑制することができ、前述の銅微粒子P1の分散性と安定性を向上するのでその結果、加熱焼成でより均質な粒子径と空孔を有する多孔質体を形成することが可能になる。銅微粒子P2の平均一次粒子径は、0.5~50μmが好ましい。銅微粒子P2の平均一次粒子径が0.5μm未満では銅微粒子P2の添加効果が発現せず、50μmを超えると焼成が困難になるおそれがある。ここで、一次粒子の平均粒子径とは、二次粒子を構成する個々の銅微粒子の一次粒子の直径の意味である。該一次粒子径は、電子顕微鏡を用いて測定することができる。また、平均粒子径とは、一次粒子の数平均粒子径を意味する。銅微粒子Pとして、銅微粒子P1と銅微粒子P2を併用する場合、その好ましい割合は、銅微粒子P中で銅微粒子P1が50質量以上、銅微粒子P2が50質量以下である。このような割合とすると、空孔率が3~30体積で平均空孔径が5~500nmを形成し易くなる。銅微粒子Pとして、平均一次粒子径0.5~50μmの銅微粒子P2を配合しない場合には、加熱加圧で焼結により一体化するときの条件が低加圧に限定されるが、銅微粒子P1と銅微粒子P2を併用することにより、焼結の際の製造条件が広く低加圧~高加圧できるメリットが得られる。3-2分散媒A分散媒Aとして、分子中に1又は2以上の水酸基を有するアルコール類A1が好ましく、更にアルコール類A1に他の溶媒を併用することができる。他の溶媒としては、アミド基を有する化合物A2、アミン化合物A3等を上げることができる。イアルコール類A1アルコール類A1としては、分子中に1の水酸基を有する脂肪族アルコール、エチレングリコ-ル、ジエチレングリコ-ル、1,2-プロパンジオ-ル、1,3-プロパンジオ-ル、1,2-ブタンジオ-ル、1,3-ブタンジオ-ル、1,4-ブタンジオ-ル、2-ブテン-1,4-ジオール、2,3-ブタンジオ-ル、ペンタンジオ-ル、ヘキサンジオ-ル、オクタンジオ-ル、グリセロール、1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタン、2-エチル-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール、1,2,6-ヘキサントリオール、1,2,3-ヘキサントリオール、1,2,4-ブタントリオール、トレイトール、エリトリト-ル、ペンタエリスリト-ル、ペンチト-ル、1-プロパノール、2-プロパノール、2-ブタノール、2-メチル2-プロパノール、キシリトール、リビトール、アラビトール、ヘキシト-ル、マンニトール、ソルビトール、ズルシトール、グリセリンアルデヒド、ジオキシアセトン、トレオース、エリトルロース、エリトロース、アラビノース、リボース、リブロース、キシロース、キシルロース、リキソース、グルコ-ス、フルクト-ス、マンノース、イドース、ソルボース、グロース、タロース、タガトース、ガラクトース、アロース、アルトロース、ラクト-ス、イソマルト-ス、グルコヘプト-ス、ヘプト-ス、マルトトリオース、ラクツロース、及びトレハロースの中から選択される1種又は2種以上を上げることができる。これらは還元性を有するので銅微粒子P表面が還元され、更に加熱処理を行うことでアルコール類A1が連続的に蒸発して、その液体および蒸気が存在する雰囲気で還元焼成されると銅微粒子Pの焼結が促進される尚、加熱接合材料Fの焼結性を考慮すると、アルコール類A1が加熱接合材料F中に、銅微粒子P100質量部に対して10質量部以上含有されていることが好ましい。ロアミド基を有する化合物A2アミド基を有する化合物A2としては、N-メチルアセトアミド、N-メチルホルムアミド、N-メチルプロパンアミド、ホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、1-メチル-2-ピロリドン、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、2-ピロリジノン、ε-カプロラクタム、及びアセトアミドの中から選択される1種又は2種以上を例示することができる。アミド基を有する化合物A2は溶媒A中で10~80体積となるように配合することができる。ハアミン化合物A3アミン化合物A3としては、脂肪族第一アミン、脂肪族第二アミン、脂肪族第三アミン、脂肪族不飽和アミン、脂環式アミン、芳香族アミン、及びアルカノールアミンの中から選択される1種又は2種以上のアミン化合物が挙げられ、その具体例としてはメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、n-プロピルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリ-n-プロピルアミン、n-ブチルアミン、ジ-n-ブチルアミン、トリ-n-ブチルアミン、t-プロピルアミン、t-ブチルアミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミン、テトラメチルプロピレンジアミン、ペンタメチルジエチレントリアミン、モノ-n-オクチルアミン、モノ-2エチルヘキシルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-2エチルヘキシルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-2エチルヘキシルアミン、トリイソブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリイソオクチルアミン、トリイソノニルアミン、トリフェニルアミン、ジメチルココナットアミン、ジメチルオクチルアミン、ジメチルデシルアミン、ジメチルラウリルアミン、ジメチルミリスチルアミン、ジメチルパルミチルアミン、ジメチルステアリルアミン、ジメチルベヘニルアミン、ジラウリルモノメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、メタノールアミン、ジメタノールアミン、トリメタノールアミン、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ブタノールアミン、N-メチルエタノールアミン、N-メチルジエタノールアミン、N,N-ジメチルエタノールアミン、N-エチルエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、N-n-ブチルエタノールアミン、N-n-ブチルジエタノールアミン、及び2-2-アミノエトキシエタノールの中から選択される1種又は2種以上を挙げることができる。アミン化合物A3は分散媒A中で0.3~30体積となるように配合することができる。3-3加熱接合材料F本発明の加熱接合材料Fは、銅微粒子Pが分散媒A中に分散している、常温で液状、高粘度体、固体であってもよい。加熱接合材料Fは、被接合面例えば、セラミック板C表面に、加熱接合材料Fからなるパターン化物を配置し、更に該パターン化物上に導電性金属板Kを配置して、銅微粒子Pが焼結する温度の範囲で加熱するとアルコール類A1が銅微粒子P表面を還元して活性化し、銅微粒子P同士の焼結を促進する。その結果、ナノサイズの銅微粒子を含むペーストを用いた場合と同様に、電極と基板を電気的、機械的に接合することが可能になる。尚、加熱接合材料Fを加熱焼結する際に分散媒Aは分解、蒸発等により除去される。加熱接合材料Fにおける、分散媒A/銅微粒子Pの割合質量比は,パターニングと焼結性を考慮し、安定した接合力を得るためには10/90~70/30が望ましい。加熱接合材料Fは、公知の混合機、捏和機等を使用して、銅微粒子Pを分散媒Aに分散させることにより得ることができる。加熱接合材料Fは、はんだペーストに含まれるような不純物を含まない、高純度の銅微粒子Pを使用することが可能であるので、接合強度と導電率を向上することが可能になる。4セラミック接合体Jセラミック接合体Jは、セラミック板Cと導電性金属板Kとが、銅微粒子Pと分散媒Aを含む加熱接合材料Fを焼結して形成された接合層Lを介して接合された、半導体装置用基板である。セラミック板Cと導電性金属板Kとは、銅微粒子Pと分散媒Aを含む加熱接合材料Fを加熱焼結して金属微粒子焼結体からなる接合層Lで接合されるが、該接合は300°C程度以下の加熱焼結によりおこなうことが可能であるので、従来のセラミック板Cと導電性金属板Kとを1000°C以上の温度で直接接合したり、ろう材を用いて750~900°C程度の温度で貼り合わせる方法と対比して、加熱温度を大幅に低くできるので、セラミックと銅の線膨張差によって生じる残留応力を小さく抑えることができ、接合層Lは、平均空孔径が2~500nmの銅微粒子P1を主成分とする粒子の焼結体からなる、多孔質状物で形成されているのでクラックの発生を抑制できる。接合層Lの平均空孔径は5~500nmである。該平均空孔径が5nm未満では熱伝導性が向上するが、接続信頼性が低下する。一方、500nmを超えると剥がれの発生が抑制されて接続信頼性は向上するが、熱伝導率が低下するという不都合を生ずる。かかる観点から該平均空孔径は50~400nmが好ましい。接合層Lの空孔率は3~30体積である。該空孔率が3体積未満では、熱伝導性が向上するが、剥がれが発生し易くなり接続信頼性が低下する。一方、30体積を超えると剥がれの発生が抑制されて接続信頼性は向上するが、熱伝導率が低下するという不都合を生ずる。かかる観点から該空孔率は5~25体積が好ましい。また、接合層Lの厚みは、0.005~0.500mmである。該厚みが0.005mm未満では導電性金属板K上に大きな熱を発する部品パワーデバイスを実装した場合、部品から発生した熱を下の金属板に伝える際の熱抵抗は小さくなるが接続信頼性が低下する。一方、0.500mmを越えると熱抵抗が大きくなるという不都合を生ずる。尚、上記接合層の厚み、空孔率、及び平均空孔径の測定は、セラミック接合体Jをエポキシ樹脂に埋め込んで、その断面を研磨して露出させ、走査型電子顕微鏡により観察することにより行った。6セラミック接合体Jの製造方法セラミック接合体Jは、セラミック板C表面に、銅微粒子Pと分散媒Aを含む加熱接合材料からなるパターン化物を配置し、更に該パターン化物上に導電性金属板Kを配置して、加圧下に加熱接合材料を加熱、焼結して銅微粒子P焼結体からなる接合層Lを形成することにより製造することができる。イ加熱接合材料加熱接合材料は、パターニングと焼結性を考慮し、安定した接合力を得るためには銅微粒子P90~30質量と、分散媒A10~70質量質量の合計は100質量とからなることが好ましい。銅微粒子Pは前記の通り、焼結性を有する、平均一次粒子径2~500nmの銅微粒子P1からなるものであってもよく、更に該銅微粒子P1に、平均一次粒子径0.5~50μmの銅微粒子P2を併用することができる。分散媒Aとして、分子中に1又は2以上の水酸基を有するアルコール類A1が好ましい。アルコール類A1の具体例は前記の通りである。分散媒Aには、アルコール類A1に他の溶媒を併用することができる。他の溶媒としては、アミド基を有する化合物A2、アミン化合物A3等を上げることができる。尚、アルコール類A1は、加熱接合材料F中に、銅微粒子P100質量部に対して10質量部以上含有されていることが好ましい。加熱接合材料Fは、公知の混合機、捏和機等を使用して、銅微粒子Pを分散媒Aに分散させることにより得ることができる。加熱接合材料Fは、はんだペーストに含まれるような不純物を含まない、高純度の銅微粒子Pを使用することが可能であるので、接合強度と導電率を向上することが可能になる。ロ加熱接合材料Fからなるパターン化物の配置加熱接合材料Fをシリコンチップ等の被接合体面に塗布又はパターニング、又はパターニング後乾燥することにより、パターン化物を得ることができる。前記塗布又はパターニング法としては、特に制限されず、グルーガン、ディッピング、スクリーンなどの印刷手段を用いることができる。ハ加熱焼結前記パターン化した後、その後セラミック板Cと導電性金属板Kとが前記パターン化物を介して接触した状態で、加熱焼結を行うことにより、加熱接合材料F中の銅微粒子Pが焼結されて、多孔質状の接合層Lが形成されるにより、セラミック板Cと導電性金属板Kとが接合されたセラミック接合体Jが製造される。加熱終結条件は、使用する銅微粒子Pの粒子径、分散媒A成分、ターニングの厚みにもよるが例えば焼結温度190~300°C程度に達したら、10~40分間程度保持することが好ましい。ニその他前記セラミック接合体Jの製造方法によると、セラミック板Cと導電性基板Kの貼り合わせを、銅微粒子Pと分散媒Aを含む加熱接合材料を用いて300°C以下の低温で行うことが可能であるので、セラミック板Cと導電性基板Kの線膨張差によって生じる残留応力を小さくする。主にDBC基板に好適に使用でき、従来の直接貼り合わせやろう材による貼り合わせと比較して、低温で銅板を貼り合わせることが可能となるため、残留応力を低減できることで熱サイクルによって生じるクラック等の損傷が低減できる。また、加熱接合材料Fは、比較的低温での加熱、焼成が可能であり、銅微粒子Pが焼結して形成される接合層Lには微細なボイドが存在しているため、剛性率が低く、熱膨張率の異なる材料間での接合を行っても応力を緩和することができる。また、銅微粒子Pとして、銅微粒子Pを使用するので、高熱伝導であり、電子部品の放熱性が向上する。次に、実施例により本発明をより具体的に説明する。尚、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。本実施例、比較例における評価方法を以下に記載する。1接合層の厚み、空孔率、平均空孔径作製したセラミック接合体サンプルをエポキシ樹脂に埋め込んで、その断面を研磨して露出させ、走査型電子顕微鏡により観察を行った。2クラック発生の有無、剥がれの場所、剥がれ面積作製したサンプルを温度サイクル試験-60°Cで30分間保持後、200°Cで30分間保持を3,000サイクル行う試験後の外観観察によりセラミック基板に発生したクラックの有無を判定し、超音波探傷による観察で剥がれの状態を判定した。3熱伝導率作製したセラミック接合体サンプルをエポキシ樹脂に埋め込んで、その断面を研磨して露出させ、サーモリフレクタンス法により熱伝導率の測定を行った。[実施例1]下記の3成分からなる材料を配合し、自転公転ミキサー株シンキー製、商品名:あわとり練太郎AR-100を使用して、2000rpmで5分間混合して加熱接合材料を調製した。1平均一次粒子径50nmの銅微粒子50質量部2エチレングリコール15質量部3エタノール35質量部次に、京セラ株製アルミナ板サイズ:厚さ1mm、10cm×10cm上に加熱接合材料を、80°Cで60分間乾燥後の厚みが0.3mmとなるように塗布後、該条件で乾燥した。次に、乾燥した加熱接合材料上に日本製箔株製の圧延銅サイズ:厚さ0.5mm、10cm×10cm、10wt硫酸で10分間洗浄したものを重ねて、5MPaの加圧下に300°Cで10分間の加熱により加熱接合材料を焼結させて、セラミック板と金属板とが接合層で接合されたセラミック接合体を得た。得られた焼結後の接合層の厚みは0.1mmであった。評価結果を表1に示す。[実施例2]下記の4成分からなる材料を配合し、自転公転ミキサー株シンキー製、商品名:あわとり練太郎AR-100を使用して、2000rpmで5分間混合して加熱接合材料を調製した。1平均一次粒子径50nmの銅微粒子45質量部2平均一次粒子径10μmの銅微粒子5質量部3エチレングリコール15質量部4エタノール35質量部次に、京セラ株製アルミナ板サイズ:厚さ1mm、10cm×10cm上に加熱接合材料を、80°Cで60分間乾燥後の厚みが0.3mmとなるように塗布後、該条件で乾燥した。次に、乾燥した加熱接合材料上に日本製箔株製の圧延銅サイズ:厚さ0.5mm、10cm×10cm、10wt硫酸10分間洗浄したものを重ねて、10MPaの加圧下に300°Cで10分間の加熱により加熱接合材料を焼結させて、セラミック板と金属板とが接合層で接合されたセラミック接合体を得た。このとき焼結後の接合層の厚みは0.08mmであった。評価結果を表1に示す。[実施例3]下記の3成分からなる材料を配合し、乳鉢で混合し加熱接合材料を調製した。1平均一次粒子径50nmの銅微粒子45質量2グリセリン20質量3マンニトール35質量次に、京セラ株製アルミナ板サイズ:厚さ1mm、10cm×10cm上に加熱接合材料を、0.8mmとなるように塗布後、加熱接合材料上に日本製箔株製の圧延銅サイズ:厚さ0.5mm、10cm×10cm、10wt硫酸10分間洗浄したものを重ねて、5MPaの加圧下に300°Cで10分間の加熱により加熱接合材料を焼結させて、セラミック板と金属板とが接合層で接合されたセラミック接合体を得た。このとき焼結後の接合層の厚みは0.08mmであった。評価結果を表1に示す。[実施例4]下記の2成分からなる材料を配合し、乳鉢で混合し加熱接合材料を調製した。1平均一次粒子径50nmの銅微粒子75質量2エチレングリコール25質量次に、次に、京セラ株製アルミナ板サイズ:厚さ1mm、10cm×10cm上に加熱接合材料を、0.4mmとなるように塗布後、加熱接合材料上に日本製箔株製の圧延銅サイズ:厚さ0.5mm、10cm×10cm、10wt硫酸10分間洗浄したものを重ねて、10MPaの加圧下に300°Cで10分間の加熱により加熱接合材料を焼結させて、セラミック板と金属板とが接合層で接合されたセラミック接合体を得た。このとき焼結後の接合層の厚みは0.1mmであった。評価結果を表1に示す。[比較例1]下記の2成分からなる材料を配合し、乳鉢で混合し加熱接合材料を調製した。1平均一次粒子径50nmの銅微粒子75質量2エチレングリコール25質量次に、次に、京セラ株製アルミナ板サイズ:厚さ1mm、10cm×10cm上に加熱接合材料を、0.03mmとなるように塗布後、加熱接合材料上に日本製箔株製の圧延銅サイズ:厚さ0.5mm、10cm×10cm、10wt硫酸10分間洗浄したものを重ねて、5MPaの加圧下に300°Cで10分間の加熱により加熱接合材料を焼結させて、セラミック板と金属板とが接合層で接合されたセラミック接合体を得た。このとき焼結後の接合層の厚みは0.003mmであった。評価結果を表2に示す。[比較例2]下記の4成分からなる材料を配合し、自転公転ミキサー株シンキー製、商品名:あわとり練太郎AR-100を使用して、2000rpmで5分間混合して加熱接合材料を調製した。1平均一次粒子径50nmの銅微粒子25質量2平均一次粒子径30μmの銅微粒子25質量3エチレングリコール12.5質量4エタノール37.5質量次に、京セラ株製アルミナ板サイズ:厚さ1mm、10cm×10cm上に加熱接合材料を、80°Cで60分間乾燥後の厚みが0.3mmとなるように塗布後、該条件で乾燥した。次に、乾燥した加熱接合材料上に日本製箔株製の圧延銅サイズ:厚さ0.5mm、10cm×10cm、10wt硫酸で10分間洗浄したものを重ねて、2MPaの加圧下に300°Cで10分間の加熱により加熱接合材料を焼結させて、セラミック板と金属板とが接合層で接合されたセラミック接合体を得た。このとき焼結後の接合層の厚みは0.1mmであった。評価結果を表2に示す。[比較例3]下記の2成分からなる材料を配合し、乳鉢で混合し加熱接合材料を調製した。1平均一次粒子径50nmの銅微粒子75質量2エチレングリコール25質量次に、次に、京セラ株製アルミナ板サイズ:厚さ1mm、10cm×10cm上に加熱接合材料を、0.4mmとなるように塗布後、加熱接合材料上に日本製箔株製の圧延銅サイズ:厚さ0.5mm、10cm×10cm、10wt硫酸10分間洗浄したものを重ねて、25MPaの加圧下に300°Cで10分間の加熱により加熱接合材料を焼結させて、セラミック板と金属板とが接合層で接合されたセラミック接合体を得た。このとき焼結後の接合層の厚みは0.05mmであった。評価結果を表2に示す。[評価結果]銅微粒子Pと分散媒Aを含む加熱接合材料Fを用いて、セラミック板Cと導電性金属板Kを接合することで得られるセラミック接合体Jは、従来のDBC基板の製造方法と比較して低温でセラミック板と導電性金属板を接合することが可能となるので、残留応力を低減することができる。従来のDBC基板でクラックや割れが発生するような温度サイクル試験においてそのような不具合は発生しないことが確認された。"