電流線を通流する被測定電流からの誘導磁界を検出する磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサと、前記磁気抵抗効果素子に対しその感度方向に直交する向きの磁界を印加する磁界印加部と、前記磁気センサの出力からその補正値を算出する演算部と、を備え、前記演算部は、前記磁界印加部により印加する磁界が異なる少なくとも2つの状態において得られる前記磁気センサの出力から、前記補正値を算出可能に構成されていることを特徴とする電流センサ。前記磁界印加部により印加する磁界が異なる少なくとも2つの状態は、前記磁界印加部により磁界を印加しない状態、及び前記磁界印加部により所定の磁界を印加する状態であることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。前記磁界印加部により印加する磁界が異なる少なくとも2つの状態は、前記磁界印加部により第1の磁界を印加する状態、及び前記磁界印加部により第2の磁界を印加する状態であることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。前記演算部は、前記2つの状態間における前記磁気センサの感度変化率をα、前記2つの状態において得られる前記磁気センサの出力をそれぞれO1、O2として、下記式3から前記補正値として用いられるオフセットβを算出可能に構成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の電流センサ。3β=αO1-O2/α-1前記磁気センサの出力から前記補正値を減算して電流センサの出力を算出可能に構成されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の電流センサ。ところで、磁気抵抗効果素子は所定の温度特性を有しており、温度変化に起因してその抵抗値は変動するようになっている。このため、電流センサの継続使用に伴って使用環境の温度が変化すると、電流センサの感度が変動して電流測定精度が低下することがある。この電流センサの電流測定精度を高く維持するためには、電流測定時における磁界検出感度の適切な管理が必要である。しかしながら、これまでのところ、磁界検出感度の管理を電流測定時に行うことができる電流センサは提案されていない。本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、電流測定時においても磁界検出感度を適切に管理可能な電流センサを提供することを目的とする。本発明の電流センサは、電流線を通流する被測定電流からの誘導磁界を検出する磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサと、前記磁気抵抗効果素子に対しその感度方向に直交する向きの磁界を印加する磁界印加部と、前記磁気センサの出力からその補正値を算出する演算部と、を備え、前記演算部は、前記磁界印加部により印加する磁界が異なる少なくとも2つの状態において得られる前記磁気センサの出力から、前記補正値を算出可能に構成されていることを特徴とする。この構成によれば、磁気抵抗効果素子の感度方向に直交する向きの磁界を印加することで磁気センサの補正値を算出するため、電流測定時においても補正値を算出可能である。これにより、電流測定時においても磁界検出感度を適切に管理可能な電流センサが実現する。本発明の電流センサにおいて、前記2つの状態は、前記磁界印加部により磁界を印加しない状態、及び前記磁界印加部により所定の磁界を印加する状態であることが好ましい。この構成によれば、感度方向に直交する向きの磁界を印加しない状態における磁気センサ出力と、感度方向に直交する向きの磁界を印加する状態における磁気センサ出力とを用いて補正値を算出できる。本発明の電流センサにおいて、前記2つの状態は、前記磁界印加部により第1の磁界を印加する状態、及び前記磁界印加部により第2の磁界を印加する状態であることが好ましい。この構成によれば、感度方向に直交する第1の磁界を印加する状態における磁気センサ出力と、感度方向に直交する第2の磁界を印加する状態における磁気センサ出力とを用いて補正値を算出できる。本発明の電流センサにおいて、前記演算部は、前記2つの状態間における前記磁気センサの感度変化率をα、前記2つの状態において得られる前記磁気センサの出力をそれぞれO1、O2として、下記式3から前記補正値として用いられるオフセットβを算出可能に構成されていることが好ましい。この構成によれば、補正値として用いられる磁気センサ出力のオフセットβを算出できる。3β=αO1-O2/α-1本発明の電流センサにおいて、前記磁気センサの出力から前記補正値を減算して電流センサの出力を算出可能に構成されていることが好ましい。この構成によれば、磁気センサ出力から補正値を減算することで、電流センサの電流測定精度を高めることができる。本発明により、電流測定時においても磁界検出感度を適切に管理可能な電流センサを提供することができる。本発明者は、磁気抵抗効果素子に対し、その感度方向に直交する向きの磁界を印加すると、磁気抵抗効果素子の磁界検出感度が変化することを見出した。また、この方法で磁気抵抗効果素子の磁界検出感度を変化させると、磁気抵抗効果素子を含む磁気センサの出力特性の傾きは変化するが、オフセットはほとんど変化しないことを発見した。図1は、感度方向に直交する向きの磁界以下、直交磁界というを印加する場合と、直交磁界を印加しない場合とにおける磁気センサの出力特性図である。図1において、横軸は感度方向に印加される磁界強度を示し、縦軸は磁気センサの出力を示す。また、直交磁界を印加しない場合の出力特性をA1で、直交磁界を印加する場合の出力特性をA2で示す。この場合、磁気センサに直交磁界を印加すると、感度方向に印加される磁界強度横軸が同じであっても磁気センサの出力縦軸は増加するA1→A2。一方、感度方向に磁界が印加されない場合の磁気センサの出力オフセットは、直交磁界の有無に依存しない。すなわち、A1とA2とでオフセットの値は略等しくなる。本発明者は上述の知見から、感度方向の磁界が一定であれば、直交磁界が異なる条件において少なくとも2つの出力特性例えば、A1及びA2を取得してオフセットを算出できることを見出した。そして、直交磁界を複数の状態で印加可能な構成を設けることで任意のタイミングにおいてオフセットを補正できると考えて本発明を完成させた。すなわち、本発明は、直交磁界が異なる少なくとも2つの状態を作り出し、その2状態における磁気センサの出力からオフセットを算出することをその技術思想とするものである。上述した技術思想を実現するには、直交磁界が異なる2つの状態を作り出す必要がある。このため、本発明の電流センサは、磁気抵抗効果素子に対して直交磁界を印加する構成を備えている。そして、当該構成によって、直交磁界を印加する状態、及び、直交磁界を印加しない状態という2つの状態を実現可能にしている。又は、当該構成によって、所定の向き及び強度の直交磁界を印加する状態、及び、向き又は強度が異なる直交磁界を印加する状態という2つの状態を実現可能にしている。この電流センサにより、磁気センサ出力におけるオフセットを適時補正することができる。以下、本発明の電流センサについて添付図面を参照して説明する。実施の形態1図2及び図3は、本実施の形態に係る電流センサの構成例を示す模式図である。図2及び図3に示される電流センサ1は磁気比例式の電流センサであり、延在方向y方向に被測定電流Iが通流する電流線2の近傍に配設されている。図2及び図3に示される電流センサ1は、電流線2を通流する被測定電流Iによる誘導磁界Hiを検出する磁気センサ11と、磁気センサ11に対して所定方向の誘導磁界Hcを印加可能なコイル磁界印加部12とを含んで構成されている。図3においては簡単のため、コイル12を省略している。図3に示すように、磁気センサ11は、4個の磁気抵抗効果素子11a~11dを含むブリッジ回路により構成されている。各磁気抵抗効果素子11a~11dの感度方向感度軸方向Sa~Sdは、電流線2の延在方向y軸方向に対して略垂直な方向x軸方向になっている。このため、磁気センサ11の感度方向Sも、磁気抵抗効果素子11a~11dの感度方向Sa~Sdと同様、x軸方向になっている。これにより、磁気センサ11は、被測定電流Iによって生じるx軸方向の誘導磁界Hcを検出可能である。図3に示すように、磁気抵抗効果素子11a、11cの一端は電源端子Vと接続されており、電源電圧Vddが供給される。磁気抵抗効果素子11b、11dは接地端子Gと接続されており、接地電圧GNDが供給される。磁気抵抗効果素子11a、11bの他端は出力端子Out1と接続されている。また、磁気抵抗効果素子11c、11dの他端は出力端子Out2と接続されている。これにより、出力端子Out1、Out2には磁気抵抗効果素子11a~11dの抵抗値に応じた電圧が生じ、誘導磁界Hiに対応する電圧差が得られるようになっている。出力端子Out1、Out2の電圧差は磁気センサ11の出力に相当する。上述のように、磁気抵抗効果素子11a~11dによってブリッジ回路を構成することで、高感度の磁気センサ11を実現できる。なお、磁気センサ11は、必ずしも4個の素子でなるフルブリッジ回路でなくとも良い。例えば、2個の素子でなるハーフブリッジ回路を適用しても良い。また、磁気センサ11に用いられる磁気抵抗効果素子の数は適宜変更できる。例えば、1個~3個の磁気抵抗効果素子と任意の数の固定抵抗素子とを組み合わせてフルブリッジ回路を構成しても良い。コイル12は、磁気抵抗効果素子11a~11dに対し、それらの感度方向Sa~Sdに略直交する方向y方向の誘導磁界Hcを印加可能に構成されている。言い換えれば、コイル12は、磁気センサ11に対し、その感度方向Sに略直交する方向y方向の誘導磁界Hcを印加可能に構成されている。このように、感度方向Sに略直交する誘導磁界Hcを磁気センサ11に対して印加することで、磁気センサ11の感度特性を変化させることが可能である。そして、これを利用することで、温度に依存して変動するオフセットを、後述のように任意のタイミングにおいて補正することが可能である。なお、コイル12は図2に示すスパイラル状渦巻状の平面コイルに限られない。コイル12の形態は、感度方向Sに略直交する誘導磁界Hcを印加可能な態様において任意に設定できる。なお、スパイラル状の平面コイルは、磁気抵抗効果素子と一体に作り込むことが可能であるため、部品点数の削減、小型化などの点において特に有効である。図4は、磁気抵抗効果素子11a~11dとして用いられるGMRGiantMagnetoResistance素子の構成例を示す平面模式図である。図4に示すように、GMR素子は、複数の長尺パターン31a~31gを、その長手方向y軸方向に直交する方向x軸方向に配列した磁気検出パターン31を含んで構成されている。各長尺パターンは互いに略平行に配置されており、各長尺パターンの端部は隣接する長尺パターンの端部と接続されている。これにより、磁気検出パターン31はミアンダ形状を有している。図4において、素子の感度方向感度軸方向Sa~Sdは、長尺パターン31a~31gの長手方向に直交する方向x軸方向である。図4では、7個の長尺パターン31a~31gを含む磁気検出パターン31を示しているが、磁気検出パターン31を構成する長尺パターンの数はこれに限定されない。また、磁気検出パターン31を構成するフリー磁性層軟磁性自由層に対し、長尺パターン31a~31gの長手方向に平行なバイアス磁界を印加するハードバイアス層を備えていても良い。ハードバイアス層を備えることにより、フリー磁性層の磁化方向を揃えることができるため、抵抗値と外部磁界との間の線形性を高めることができる。図5は、磁気抵抗効果素子11a~11dとして用いられるGMR素子の構成例を示す断面模式図である。図5に示すように、GMR素子は、基板101に設けられた磁気検出パターン31を構成する積層構造により構成されている。磁気検出パターン31は、シード層102、第1の強磁性層103、反平行結合層104、第2の強磁性層105、非磁性中間層106、フリー磁性層107、及び保護層108を含む。第1の強磁性層103と第2の強磁性層105とは反平行結合層104を介して反強磁性的に結合されており、いわゆるセルフピン止め型の強磁性固定層SFP層:SyntheticFerriPinned層を構成している。上述のように、コイル12によって感度方向Sa~Sdに略直交する方向y方向の誘導磁界Hcが印加されると、誘導磁界Hcによってフリー磁性層107の磁化方向が変化する。このため、磁気抵抗効果素子11a~11dの抵抗値が変化して、磁気センサ11の感度が増減することになる。コイル12によって誘導磁界Hcを印加する場合と誘導磁界Hcを印加しない場合とにおける磁気センサ11の出力特性は、図1のようになる。すなわち、コイル12によって誘導磁界Hcを印加しない場合の磁気センサ11の出力特性はA1で表される。これに対して、コイル12によって誘導磁界Hcを印加する場合、磁気センサ11の感度が増加して、出力特性はA2のようになる。図1に示すように、コイル12によって感度方向Sに略直交する誘導磁界Hcを印加すると、磁気センサ11の感度は変化する。磁気抵抗効果素子11a~11dの感度方向Sa~Sdに垂直な磁界が印加されると、磁気抵抗効果素子11a~11dを構成するフリー磁性層の磁化方向が変化するためである。一方で、この場合、磁気センサ11の出力のオフセットは変化しない。このことを利用して、オフセットを補正するための補正値を算出し、これを用いて磁気センサ11の出力を補正することが可能である。例えば、図1のA1に示す出力特性が下記式1で表されるとする。ここで、O1は、誘導磁界Hcを印加しない場合における磁気センサ11の出力を表し、fHは、感度方向に印加される磁界Hに比例する関数を表し、βは、磁気センサ出力におけるオフセットを表す。1O1=fHβまた、図1のA2に示す出力特性が下記式2で表されるとする。ここで、O2は、誘導磁界Hcを印加する場合における磁気センサ11の出力を表し、fHは、感度方向に印加される磁界Hに比例する関数を表し、αは、感度方向Sに略直交する誘導磁界がゼロからHcになった場合の感度変化率を表し、βは、磁気センサ出力におけるオフセットを表す。2O2=αfHβ上記式1、2より、オフセットβは下記式3のようになる。3β=αO1-O2/α-1A1からA2への感度変化率αは、A1において印加されている感度方向に対して直交する磁界直交磁界と、A2において印加されている直交磁界との差分に依存する。ここでは、A1における直交磁界はゼロであり、A2における直交磁界はHcであるから、感度変化率αはHcの強度のみに依存する。このことは、磁気センサ11に対して印加される誘導磁界Hcがあらかじめ決定されていれば、感度変化率αを定数として取り扱うことができることを意味する。つまり、誘導磁界Hcを印加する条件において感度変化率αをあらかじめ求めておき、所望のタイミングで誘導磁界Hcを印加してその前後における磁気センサ11の出力を検出することで、上記式3からオフセットを算出することができる。なお、出力O1、O2を取得する前後において、感度方向に印加される磁界Hすなわち、被測定電流I、及び被測定電流Iによる誘導磁界Hiは変動しないと仮定している。図6は、本実施の形態に係る電流センサ1の回路構成を示すブロック図である。図6に示すように、電流センサ1は、磁気センサ11及びコイル12に加え、磁気センサ11の出力に相当する電圧差を演算する差動アンプ13と、差動アンプ13の出力を記憶する記憶部14と、記憶部14に記憶された差動アンプ13の出力に基づいて補正値を演算する演算部15と、演算部15により算出された補正値を用いて差動アンプ13の出力を補正する補正部16と、を備える。また、電流センサ1は、コイル12、記憶部14、演算部15などの動作を制御する制御部17を備える。差動アンプ13は、磁気センサ11の2個の出力端子Out1、Out2の出力電圧O1、O2を用いて磁気センサ11の出力に相当する電圧差を演算できるように構成されている。算出された電圧差は、記憶部14及び補正部16に送られる。なお、差動アンプ13は、磁気センサ11の電圧差を増幅する機能を備えていても良い。記憶部14は、制御部17からの指示により差動アンプ13の出力を記憶できるように構成されている。具体的には、例えば、記憶部14は、コイル12が誘導磁界Hcを発生する前後のタイミングにおいて差動アンプ13の出力を記憶できるようになっている。また、記憶部14には、あらかじめ測定された感度変化率の値などが記憶されている。演算部15は、記憶部14の記憶内容に基づいて補正値を演算する。すなわち、所定タイミングの前後において取得された差動アンプ13の出力磁気センサ11の出力に相当と、感度変化率の値とを用いて補正値を算出する。補正値は、上述した式3から算出できる。補正部16は、演算部15により算出された補正値を用いて差動アンプ13の出力磁気センサ11の出力を補正し、当該補正後の磁気センサ11の出力を電流センサ1の出力とすることができるように構成されている。すなわち、演算部15により補正値が決定された後には、補正部16は、磁気センサ11の出力から補正値を減じてオフセットの影響を除去できるようになっている。制御部17は、コイル12、記憶部14、演算部15などに対し各種指示を与えることができるように構成されている。図7は、本実施の形態に係る電流センサ1の処理フロー図である。上述のような電流センサ1において、制御部17は、まず、補正値の算出が必要か否かを判定するステップS201。当該判定は、例えば、直前の補正値算出から所定時間が経過しているか否か、電流測定対象となる装置の使用時間が所定時間を経過したか否か、環境温度が所定以上に変動したか否か、などを基準にして行うことができる。補正値の算出が必要と判定された場合ステップS201:Yes、制御部17は、差動アンプ13の出力を記憶するよう記憶部14に指示するステップS202。コイル12が誘導磁界Hcを発生する前のタイミングにおいて、磁気センサ11には被測定電流Iによる誘導磁界Hiは印加されているが、誘導磁界Hcは印加されていない。このため、磁気センサ11からは、図1のA1で示す出力特性に応じた出力が得られ、差動アンプ13を経て記憶部14に格納される。その後、制御部17は、コイル12に対して電流を通流させるように指示するステップS203。これにより、コイル12から誘導磁界Hcが発生する。また、この状態において、差動アンプ13の出力を記憶するよう記憶部14に指示するステップS204。コイル12に対して電流を通流させてコイル12から誘導磁界Hcが発生したタイミングにおいて、磁気センサ11には被測定電流Iによる誘導磁界Hi及び誘導磁界Hcが印加されている。このため、磁気センサ11からは、図1のA2で示す出力特性に応じた出力が得られ、差動アンプ13を経て記憶部14に格納される。なお、制御部17は、上述した出力が得られた後には、誘導磁界Hcの発生を停止させる。制御部17は、演算部15に対し、磁気センサ11の2種類の出力を用いて補正値オフセットを算出するように指示するステップS205。補正値は、上述のように式3を用いて算出することができる。演算部15により算出された補正値は、補正部16に送られる。その後の電流測定において、補正部16は、最新の補正値を用いて磁気センサ11の出力差動アンプ13の出力を補正しステップS206、電流センサ1の出力として出力する。また、直前の補正値算出から所定時間が経過していない場合など、補正値の算出が不要と判定された場合にもステップS201:No、補正部16は、最新の補正値を用いて磁気センサ11の出力差動アンプ13の出力を補正しステップS206、電流センサ1の出力として出力する。このように、本実施の形態に係る電流センサ1は、被測定電流Iによる誘導磁界Hiが変動しない条件のもとで、磁気センサ11の出力のオフセットを算出して補正することができる。補正値の算出に係る処理は短時間に終了するため数ms以下、被測定電流の時間変動が大きくない場合には、処理時間内において誘導磁界Hiは殆ど変動しない。このため、電流測定時においても補正値を算出することが可能である。また、コイル12を通流する電流を変更するだけで補正値を算出可能なため、電流測定時における磁界検出感度の管理を、比較的単純な構成で実現できる。その他、本実施の形態に係る構成は、他の実施の形態に係る構成と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態2本実施の形態では、上記実施の形態とは異なる方法によって補正値を算出する電流センサについて説明する。なお、本実施の形態に係る電流センサの構成は、上記実施の形態における電流センサの構成と同様であるため、その詳細については省略する。本実施の形態に係る電流センサは、コイル12により異なる誘導磁界を印加することで補正値を算出する。図8は、コイル12によって弱い誘導磁界Hc1を印加する場合と強い誘導磁界Hc2を印加する場合とにおける磁気センサ11の出力特性図である。図8において、コイル12によって弱い誘導磁界Hc1を印加する場合の磁気センサ11の出力特性はB1で表される。また、コイル12によって強い誘導磁界Hc2を印加する場合の磁気センサ11の出力特性はB2で表される。この場合も、オフセットβは式3で表される。ただし、この場合、O1は、弱い誘導磁界Hc1を印加する場合における磁気センサ11の出力を表し、O2は、強い誘導磁界Hc2を印加する場合における磁気センサ11の出力を表し、αは、感度方向Sに略直交する誘導磁界がHc1からHc2に変化する場合の感度変化率を表す。3β=αO1-O2/α-1図9は、本実施の形態に係る電流センサ1の処理フロー図である。上述のような電流センサ1において、制御部17は、まず、補正値の算出が必要か否かを判定するステップS301。判定基準は上記実施の形態と同様である。補正値の算出が必要と判定された場合ステップS301:Yes、制御部17は、コイル12に対して小さな電流を通流させるように指示するステップS302。これにより、コイル12から弱い誘導磁界Hc1が発生する。また、この状態において、差動アンプ13の出力を記憶するよう記憶部14に指示するステップS303。コイル12に対して小さな電流を通流させて弱い誘導磁界Hc1が発生したタイミングにおいて、磁気センサ11には被測定電流Iによる誘導磁界Hi及び弱い誘導磁界Hc1が印加されている。このため、磁気センサ11からは、図9のB1で示す出力特性に応じた出力が得られ、差動アンプ13を経て記憶部14に格納される。その後、制御部17は、コイル12に対して大きな電流を通流させるように指示するステップS304。これにより、コイル12から強い誘導磁界Hc2が発生する。また、この状態において、差動アンプ13の出力を記憶するよう記憶部14に指示するステップS305。コイル12に対して大きな電流を通流させて強い誘導磁界Hc2が発生したタイミングにおいて、磁気センサ11には被測定電流Iによる誘導磁界Hi及び強い誘導磁界Hc2が印加されている。このため、磁気センサ11からは、図9のB2で示す出力特性に応じた出力が得られ、差動アンプ13を経て記憶部14に格納される。なお、制御部17は、上述した出力が得られた後には、誘導磁界Hc2の発生を停止させる。制御部17は、演算部15に対し、磁気センサ11の2種類の出力を用いて補正値オフセットを算出するように指示するステップS306。補正値は、上述のように式3を用いて算出することができる。演算部15により算出された補正値は、補正部16に送られる。その後の電流測定において、補正部16は、最新の補正値を用いて磁気センサ11の出力差動アンプ13の出力を補正しステップS307、電流センサ1の出力として出力する。また、補正値の算出が不要と判定された場合にもステップS301:No、補正部16は、最新の補正値を用いて磁気センサ11の出力差動アンプ13の出力を補正しステップS307、電流センサ1の出力として出力する。本実施の形態のように、コイル12により異なる誘導磁界を印加する場合にも同様に補正値を算出して磁気センサ11の出力を補正することができる。なお、本実施の形態では、強度の異なる同じ向きの誘導磁界Hc1、Hc2を印加する場合について説明したが、逆向きの誘導磁界などを印加するようにしても良い。その他、本実施の形態に係る構成は、他の実施の形態に係る構成と適宜組み合わせて実施することができる。以上のように、本発明の電流センサは、磁気抵抗効果素子の感度方向に直交する向きの磁界を印加することで磁気センサの補正値を算出するため、電流測定時においても補正値を算出可能である。これにより、電流測定時においても磁界検出感度を適切に管理可能な電流センサが実現できる。なお、上記実施の形態における各素子の接続関係、配置などは、発明の趣旨を変更しない限りにおいて変更可能である。例えば、上記実施の形態では、演算部や補正部などが電流センサに含まれる構成を例示しているが、これらは電流センサ外部に設けられても良い。また、上記実施の形態では、磁気抵抗効果素子において感度方向に直交する磁界が異なる2つの状態から補正値を算出する構成を例示しているが、3つ以上の状態から補正値を算出する構成としても良い。その他、本発明は、本発明の範囲を逸脱しないで適宜変更して実施できる。