圧電体層と前記圧電体層に設けられた電極とを具備する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドであって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、降伏応力が5.66GPa以上であり、ヤング率が114GPa以上であることを特徴とする液体噴射ヘッド。請求項1に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。圧電体層と前記圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子であって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、降伏応力が5.66GPa以上であり、ヤング率が114GPa以上であることを特徴とする圧電素子。このようなBi、Fe、Ba及びTiを含む圧電材料を圧電体層とすると、クラックが発生し易いという問題がある。圧電体層が、電極上に直接設けられている部位圧電体層電極上部位と電極以外の部材上に直接設けられている部位圧電体層電極外部位とを有する場合、特に圧電体層電極外部位にクラックが発生し易い。なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドだけではなく、勿論、インク以外の液滴を吐出する他の液体噴射ヘッドにおいても同様に存在し、また、液体噴射ヘッド以外に用いられる圧電素子においても同様に存在する。本発明はこのような事情に鑑み、環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された圧電体層を有する圧電素子を備えた液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の態様は、圧電体層と前記圧電体層に設けられた電極とを具備する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドであって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、降伏応力が5.66GPa以上であり、ヤング率が114GPa以上であることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。かかる態様では、圧電体層を、降伏応力が5.66GPa以上で且つヤング率が114GPa以上のものとすることにより、クラックの発生が抑制できる。また、非鉛又は鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。本発明の他の態様は、上記液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、クラックの発生が抑制された圧電体層を有するため、信頼性に優れた液体噴射装置となる。また、環境への負荷を低減することができる。本発明の他の態様は、圧電体層と前記圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子であって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、降伏応力が5.66GPa以上であり、ヤング率が114GPa以上であることを特徴とする圧電素子にある。かかる態様では、圧電体層を、降伏応力が5.66GPa以上で且つヤング率が114GPa以上のものとすることにより、クラックの発生が抑制できる。また、非鉛又は鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。実施形態1図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図であり、図3aは図2のA-A′線断面図であり、図3bは図3aの要部拡大図である。図1~図3に示すように、本実施形態の流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のマニホールド部31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設けられていることになる。また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、厚さが例えば、400nm程度の酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜55が形成されている。この絶縁体膜55上には、例えば厚さ10~50nm程度の酸化チタン等からなり、弾性膜50等の第1電極60の下地との密着性を向上させるための密着層56が設けられている。さらに、この密着層56上には、第1電極60と、厚さが3μm以下、好ましくは0.3~1.5μmの薄膜である圧電体層70と、第2電極80とが、積層形成されて、圧力発生室12に圧力変化を生じさせる圧力発生手段としての圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、絶縁体膜55、密着層56及び第1電極60が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50または絶縁体膜55や、密着層56を設けなくてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。第1電極60や第2電極80は、金属伝導を示す材料であればよく、例えば、白金、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの積層構造からなるものとすることができる。そして、本発明においては、圧電体層70を構成する圧電材料は、ビスマスBi、鉄Fe、バリウムBa及びチタンTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物である。ペロブスカイト構造、すなわち、ABO3型構造のAサイトは酸素が12配位しており、また、Bサイトは酸素が6配位して8面体オクタヘドロンをつくっている。このAサイトにBi及びBaが、BサイトにFe及びTiが位置している。このようなBi、Fe、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物は、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物、または、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体としても表される。なお、X線回折パターンにおいて、鉄酸ビスマスや、チタン酸バリウムは、単独では検出されないものである。ここで、鉄酸ビスマスやチタン酸バリウムは、それぞれペロブスカイト構造を有する公知の圧電材料であり、それぞれ種々の組成のものが知られている。例えば、鉄酸ビスマスやチタン酸バリウムとして、BiFeO3やBaTiO3以外に、元素Bi、Fe、Ba、TiやOが一部欠損する又は過剰であったり、元素の一部が他の元素に置換されたものも知られているが、本発明で鉄酸ビスマス、チタン酸バリウムと表記した場合、基本的な特性が変わらない限り、欠損過剰により化学量論の組成からずれたものや元素の一部が他の元素に置換されたものも、鉄酸ビスマス、チタン酸バリウムの範囲に含まれるものとする。また、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムとの比も、種々変更することができる。このようなペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70の組成は、例えば、下記式1で表される混晶として表される。また、この式1は、下記式1’で表すこともできる。ここで、式1及び式1’の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成のずれは勿論、元素の一部置換等も許容される。例えば、化学量論比が1とすると、0.85~1.20の範囲内のものは許容される。また、下記のように式で表した場合は異なるものであっても、Aサイトの元素とBサイトの元素との比が同じものは、同一の複合酸化物とみなせる場合がある。1-xBiFeO3-xBaTiO310<x<0.40Bi1-xBaxFe1-xTixO31’0<x<0.40また、圧電体層70を構成する複合酸化物は、Bi、Fe、Ba及びTi以外の元素をさらに含んでいてもよい。他の元素としては、例えば、Mn、Co、Crなどが挙げられる。勿論、他の元素を含む複合酸化物である場合も、ペロブスカイト構造を有する必要がある。圧電体層70が、Mn、CoやCrを含む場合、Mn、CoやCrはBサイトに位置した構造の複合酸化物である。例えば、Mnを含む場合、圧電体層70を構成する複合酸化物は、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体のFeの一部がMnで置換された構造、又は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物として表され、基本的な特性は鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物と同じであるが、リーク特性が向上することがわかっている。また、CoやCrを含む場合も、Mnと同様にリーク特性が向上するものである。なお、X線回折パターンにおいて、鉄酸ビスマス、チタン酸バリウム、鉄酸マンガン酸ビスマス、鉄酸コバルト酸ビスマス、及び、鉄酸クロム酸ビスマスは、単独では検出されないものである。また、Mn、CoおよびCrを例として説明したが、その他遷移金属元素の2元素を同時に含む場合にも同様にリーク特性が向上することがわかっており、これらも圧電体層70とすることができ、さらに、特性を向上させるため公知のその他の添加物を含んでもよい。このようなBi、Fe、Ba及びTiに加えてMn、CoやCrも含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70は、例えば、下記式2で表される混晶である。また、この式2は、下記式2’で表すこともできる。なお式2及び式2’において、Mは、Mn、CoまたはCrである。ここで、式2及び式2’の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成ずれは許容される。例えば、化学量論が1であれば、0.85~1.20の範囲内のものは許容される。また、下記のように式で表した場合は異なるものであっても、Aサイトの元素とBサイトの元素との比が同じものは、同一の複合酸化物とみなせる場合がある。1-xBiFe1-yMyO3-xBaTiO320<x<0.40、0.01<y<0.10Bi1-xBaxFe1-yMy1-xTixO32’0<x<0.40、0.01<y<0.10また、本発明においては、圧電体層70は、降伏応力が5.66GPa以上であり且つヤング率が114GPa以上である。このように、降伏応力が5.66GPa以上であり且つヤング率が114GPa以上である圧電体層70とすると、クラックの発生が抑制される。したがって、信頼性の高いインクジェット式記録ヘッドとなる。なお、圧電体層70の降伏応力が5.66GPa以上であってもヤング率が114GPa未満では、本発明のようにクラックの発生を抑制することができない。また、圧電体層70のヤング率が114GPa以上であっても降伏応力が5.66GPa未満では、本発明のようにクラックの発生を抑制することはできない。ここで、図3bに示すように、圧電体層70のうち、第1電極60ではない部材上本実施形態においては酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55上に直接設けられている部位である圧電体層電極外部位501は、特にクラックが発生し易いという問題が、従来あった。そして、この圧電体層電極外部位501にクラックが発生すると、圧電体層電極外部位501の下地本実施形態においては絶縁体膜55まで派生してクラックが生じてしまう。本発明においては、圧電体層70の降伏応力とヤング率とを上記所定の範囲とすることで、この圧電体層電極外部位501についてもクラックの発生を抑制することができる。なお、このように圧電体層70が、第1電極60上に設けられている部位である圧電体層電極上部位502と、第1電極60ではない部材上に直接設けられている圧電体層電極外部位501を有するという構成は、例えば、パターニングされた第1電極60が設けられた絶縁体膜55等の下地上に、圧電体層70や第2電極80を積層する方法によって製造されるものである。詳しくは後述するが、圧電体層70がその上に直接設けられる絶縁体膜55、第1電極60や、弾性膜50等の材料や製造条件を調整することにより、圧電体層70の降伏応力及びヤング率を上記所定の範囲にすることができる。このような圧電素子300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、絶縁体膜55上にまで延設される、例えば、金Au等からなるリード電極90が接続されている。このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、弾性膜50、絶縁体膜55及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、マニホールド部31のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材例えば、弾性膜50、絶縁体膜55等にマニホールド100と各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法の一例について、図4~図8を参照して説明する。なお、図4~図8は、圧力発生室の長手方向の断面図である。まず、図4aに示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。次いで、図4bに示すように、弾性膜50二酸化シリコン膜上に、絶縁体膜55を熱酸化や反応性スパッター法等で形成する。詳しくは後述するが、本実施形態においては圧電体層70の一部が、この絶縁体膜55上に直接設けられる。そして、この絶縁体膜55の材質や製造条件を調整することにより、圧電体層70の降伏応力やヤング率を上記範囲にすることができる。例えば、熱酸化により酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を設ける場合は、ジルコニウム膜を成膜し、これを酸化することにより得られる。この時、例えばジルコニウム膜をスパッタリング法によって成膜すると、発生する圧縮応力によって、成膜されるジルコニウム膜は成膜上面側が若干突出する凸形状になる。次に、このジルコニウム膜を加熱して酸化すると、形成される酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55は、発生する引っ張り応力によって上記凸形状が緩和されて例えばほぼ平らにすることができる。この状態からさらなる加熱、例えば熱処理炉によるファーネスアニールをすると、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55は、発生する引っ張り応力によって、成膜上面側が凹となる凹形状になる。このように酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55の応力は、その製造段階によって変わり、また、加熱温度や時間等の製造条件によって変わる。さらに、絶縁体膜55の応力は、絶縁体膜55を構成する材質によっても変わる。この絶縁体膜55の応力の種類や大きさを調製することによって、その上に設けられる圧電体層70の降伏応力やヤング率を、所望の値に調整することができる。なお、絶縁体膜55上に直接形成される圧電体層70、すなわち、圧電体層電極外部位501のヤング率や降伏応力が変わる製造条件で絶縁体膜55を製造すると、上記のように絶縁体膜55の応力の状態は変わるが、絶縁体膜55のヤング率や降伏応力はほとんど変わらない。次に、図4cに示すように、絶縁体膜55上に酸化チタン等からなる密着層56を、スパッタリング法や熱酸化等で形成する。次に、図5aに示すように、密着層56の上に、白金、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの積層構造等からなる第1電極60をスパッタリング法や蒸着法等により全面に形成する。次に、図5bに示すように、第1電極60上に所定形状のレジスト図示無しをマスクとして、密着層56及び第1電極60の側面が傾斜するように同時にパターニングする。次いで、レジストを剥離した後、この第1電極60上に、圧電体層70を積層する。なお、本実施形態においては、弾性膜50及び絶縁体膜55が順に全面に設けられ、また、その上に所望の形状にパターニングした第1電極60を有している流路形成基板用ウェハー110上に圧電体層70を積層するため、製造される圧電体層70は、第1電極60上に設けられている圧電体層電極上部位502と、第1電極60ではない部材である絶縁体膜55上に直接設けられている圧電体層電極外部位501を有するという構成になる。圧電体層70の製造方法は特に限定されないが、例えば、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層圧電体膜を得るMODMetal-OrganicDecomposition法やゾル-ゲル法等の化学溶液法を用いて圧電体層70を製造できる。その他、レーザーアブレーション法、スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法、CVD法、エアロゾルデポジション法など、気相法、液相法や固相法でも圧電体層70を製造することができる。圧電体層70を化学溶液法で形成する場合の具体的な形成手順例としては、まず、図5cに示すように、第1電極60上に、金属錯体、具体的には、Bi、Fe、Ba及びTiを含有する金属錯体を含むMOD溶液やゾルからなる圧電体膜形成用組成物前駆体溶液をスピンコート法などを用いて塗布して、圧電体前駆体膜71を形成する塗布工程。塗布する前駆体溶液は、焼成によりBi、Fe、Ba及びTiを含む複合酸化物を形成しうる金属錯体を混合し、該混合物を有機溶媒に溶解または分散させたものである。また、Mn、CoやCrを含む複合酸化物からなる圧電体層70を形成する場合は、さらに、Mn、CoやCrを有する金属錯体を含有する前駆体溶液を用いる。Bi、Fe、Ba、Tiをそれぞれ含む金属錯体や、必要に応じて混合するMn、CoやCrを有する金属錯体の混合割合は、各金属が所望のモル比となるように混合すればよい。Bi、Fe、Ba、Ti、Mn、Co、Crをそれぞれ含む金属錯体としては、例えば、アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Biを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Feを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄、トリスアセチルアセトナート鉄などが挙げられる。Baを含む金属錯体としては、例えばバリウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸バリウム、バリウムアセチルアセトナートなどが挙げられる。Tiを含有する金属錯体としては、例えばチタニウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸チタン、チタンジ-i-プロポキシドビスアセチルアセトナートなどが挙げられる。Mnを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸マンガン、酢酸マンガンなどが挙げられる。Coを含む有機金属化合物としては、例えば2-エチルヘキサン酸コバルト、コバルトIIIアセチルアセトナートなどが挙げられる。Crを含む有機金属化合物としては、2-エチルヘキサン酸クロムなどが挙げられる。勿論、Bi、Fe、Ba、Tiや、必要に応じて含有させるMn、Co、Crを二種以上含む金属錯体を用いてもよい。また、前駆体溶液の溶媒としては、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、オクタン、デカン、シクロヘキサン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン、酢酸、オクチル酸などが挙げられる。次いで、この圧電体前駆体膜71を所定温度例えば、150~200°Cに加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。次に、乾燥した圧電体前駆体膜71を所定温度例えば、350~450°Cに加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜71に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を複数回行ってもよい。次に、図6aに示すように、圧電体前駆体膜71を所定温度、例えば600~850°C程度に加熱して、一定時間、例えば、1~10分間保持することによって結晶化させ、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体膜72を形成する焼成工程。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。次いで、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の圧電体膜72からなる圧電体層70を形成することで、図6bに示すように複数層の圧電体膜72からなる所定厚さの圧電体層70を形成する。例えば、塗布溶液の1回あたりの膜厚が0.1μm程度の場合には、例えば、10層の圧電体膜72からなる圧電体層70全体の膜厚は約1.1μm程度となる。なお、本実施形態では、圧電体膜72を積層して設けたが、1層のみでもよい。このようにして設けられた圧電体層70は、本実施形態においては、絶縁体膜55をジルコニウムを酸化することにより形成されたものであって所定の製造条件で形成された酸化ジルコニウムからなる膜とし、この上に設けたものであるため、降伏応力が5.66GPa以上であり、且つ、ヤング率が114GPa以上とすることができる。そして、圧電体層70を形成する時に、従来は、形成される圧電体層70にクラックが発生し易い、特に、絶縁体膜55等の第1電極60ではない部材上に直接設けられた圧電体層70圧電体層電極外部位501にクラックが発生し易いという問題があったが、本発明においては、降伏応力が5.66GPa以上であり、且つ、ヤング率が114GPa以上であるため、圧電体層70全体に亘って、クラックの発生を抑制することができる。このように圧電体層70を形成した後は、図7aに示すように、圧電体層70上に白金等からなる第2電極80をスパッタリング法等で形成し、各圧力発生室12に対向する領域に圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして、第1電極60と圧電体層70と第2電極80からなる圧電素子300を形成する。なお、圧電体層70と第2電極80とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト図示なしを介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、例えば、600~850°Cの温度域でアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層70の結晶性を高くすることができる。次に、図7bに示すように、流路形成基板用ウェハー110の全面に亘って、例えば、金Au等からなるリード電極90を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン図示なしを介して各圧電素子300毎にパターニングする。次に、図7cに示すように、流路形成基板用ウェハー110の圧電素子300側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハー130を接着剤35を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚さに薄くする。次に、図8aに示すように、流路形成基板用ウェハー110上に、マスク膜52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図8bに示すように、流路形成基板用ウェハー110をマスク膜52を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングウェットエッチングすることにより、圧電素子300に対応する圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15等を形成する。その後は、流路形成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハー130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー110の保護基板用ウェハー130とは反対側の面のマスク膜52を除去した後にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハー130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハー110等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIとする。以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1まず、100単結晶シリコンSi基板の表面に熱酸化により膜厚1100nmの酸化シリコンSiO2からなる弾性膜50を形成した。次に、弾性膜50膜上にDCスパッター法により、厚さ270nmのジルコニウム膜を形成した。その後、ジルコニウム膜をRTA装置にて900°Cで5秒間熱酸化して、厚さ400nmの酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を形成した。次いで、絶縁体膜55上にRFマグネトロンスパッター法により膜厚40nmのチタン膜を作製し、熱酸化することで酸化チタンからなる密着層56を形成した。次に、密着層56上にRFマグネトロンスパッター法により、111面に配向し厚さ100nmの白金膜からなる第1電極60を形成した。次に、第1電極60上に所定形状のレジストをマスクとして、密着層56及び第1電極60を同時にパターニングした。次いで、弾性膜50、絶縁体膜55、密着層56及び第1電極60が順に積層されたシリコン基板上、すなわち、第1電極60及び絶縁体膜55表面に、圧電体層70を形成した。その手法は以下のとおりである。まず、2-エチルヘキサン酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸鉄、2-エチルヘキサン酸マンガン、2-エチルヘキサン酸バリウム及び2-エチルヘキサン酸チタンの各n-オクタン溶液を、各元素がモル比でBi:Ba:Fe:Ti:Mn=75:25:71.25:25:3.75となるように混合して、前駆体溶液を調製した。そしてこの前駆体溶液を、第1電極60及び絶縁体膜55表面に滴下し、3000rpmで基板を回転させて圧電体前駆体膜を形成した塗布工程。次に、ホットプレート上で、180°Cで2分間乾燥した乾燥工程。次いで、350°Cで2分間脱脂を行った脱脂工程。この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を3回繰り返し行った後に、酸素雰囲気中で、RTA装置で、750°C、5分間焼成を行った焼成工程。次いで、この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を3回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程を4回繰り返し、合計12回の塗布による圧電体膜からなり、第1電極60上の厚さが900nmの圧電体層70を形成した。その後、圧電体層70上に、第2電極80としてスパッタ法により厚さ50nmの白金膜からなる第2電極80を形成することで、Bi、Fe、Mn、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物を圧電体層70とする圧電素子300を形成した。比較例1ジルコニウム膜を形成した後、ジルコニウム膜をRTA装置にて900°Cで5秒間熱酸化した後にさらに850°Cの拡散炉で1時間熱処理して、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を形成した以外は、実施例1と同様の操作を行った。試験例1実施例1及び比較例1において、圧電体層70を形成した段階で、100倍の金属顕微鏡で表面を観察した。比較例1の写真を図9aに、実施例1の写真を図9bに示す。なお、図9において、圧電体層70は透明なため下地の第1電極60と絶縁体膜55が観察でき、灰色の箇所は第1電極60、黒い箇所は絶縁体膜55、白い箇所が圧電体層70に発生したクラックである。図9に示すように、実施例1ではクラックが全く観察されなかったが、比較例1では圧電体層70の絶縁体膜55上に直接設けられた部位、すなわち、圧電体層電極外部位501にクラックが数箇所観察された。試験例2実施例1及び比較例1の圧電素子について、圧電体層70を形成した段階で、圧電体層70について、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55上に直接設けられている部位である圧電体層電極外部位501、及び、第1電極60上に設けられている部位である圧電体層電極上部位502の降伏応力とヤング率を、ナノインデンターCSIRO製UMIS2000を用い、以下の条件で測定した。なお、降伏応力は、完全弾性域の値を適用した。結果を表1及び図10に示す。球形圧子:直径1μmLA初期接触過重:0.03mN最大荷重:0.5mNLoad/UnloadIncrements:20LinearUnloadingto:70ofmaxEnableunloadonincrements:UnloadIncrements1Dwell:1secIndentDelay:30secn=20この結果、表1及び図10に示すように、実施例1では、圧電体層電極外部位501及び圧電体層電極上部位502の両方とも降伏応力が5.66GPa以上で且つヤング率が114GPa以上であった。一方、比較例1では圧電体層電極外部位501では降伏応力が5.66GPa未満で、ヤング率が114GPa未満であった。試験例1及び試験例2の結果から、降伏応力が5.66GPa以上で且つヤング率が114GPa以上である圧電体層70とすると、クラックの発生が顕著に抑制されるといえる。他の実施形態以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。さらに、上述した実施形態では、基板流路形成基板10上に第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を順次積層した圧電素子300を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子にも本発明を適用することができる。また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図11は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図11に示すインクジェット式記録装置IIにおいて、インクジェット式記録ヘッドIを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。なお、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED電界放出ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。また、本発明にかかる圧電素子は、液体噴射ヘッドに用いられる圧電素子に限定されず、その他のデバイスにも用いることができる。その他のデバイスとしては、例えば、超音波発信器等の超音波デバイス、超音波モーター、温度-電気変換器、圧力-電気変換器、強誘電体トランジスター、圧電トランス、赤外線等の有害光線の遮断フィルター、量子ドット形成によるフォトニック結晶効果を使用した光学フィルター、薄膜の光干渉を利用した光学フィルター等のフィルターなどが挙げられる。また、センサーとして用いられる圧電素子、強誘電体メモリーとして用いられる圧電素子にも本発明は適用可能である。圧電素子が用いられるセンサーとしては、例えば、赤外線センサー、超音波センサー、感熱センサー、圧力センサー、焦電センサー、温度センサー及びジャイロセンサー角速度センサー等が挙げられる。