"微細な凹凸パターンを表面に有するモールド本体と、該表面に形成された離型層とを備えたナノインプリント用のモールドにおいて、前記離型層が、前記凹凸パターンが形成されたパターン形成領域を包含する前記モールド本体上の領域であって前記パターン形成領域の外縁から離れた位置を外縁とする領域である離型層形成領域に形成されたものであり、前記パターン形成領域の外縁と前記離型層形成領域の外縁との間に存在する前記離型層である外周部離型層が、略連続的かつ全周にわたって、前記パターン形成領域の外縁から離れた位置における前記外周部離型層の厚さが極大となるような厚さ分布を有するものであることを特徴とするモールド。前記外周部離型層が、前記離型層形成領域の外縁における前記外周部離型層の厚さが極大となるような厚さ分布を有するものであることを特徴とする請求項1に記載のモールド。前記外周部離型層が、極大高低差が1nm以上であるような厚さ分布を有するものであることを特徴とする請求項1または2に記載のモールド。微細な凹凸パターンを表面に有するモールド本体と、該表面に形成された離型層とを備えたナノインプリント用のモールドの製造方法において、前記モールド本体を用意し、離型剤を塗布するための離型処理用基板であって、前記モールド本体および前記離型処理用基板が所定の位置合わせをされたとき前記モールド本体上の離型層形成領域に対応する対応部分の角が取られた前記離型処理用基板を用意し、前記離型処理用基板の前記対応部分の表面に離型剤を塗布し、前記位置合わせを維持した状態で、前記モールド本体と前記離型処理用基板とを互いに押し付けた後、前記モールド本体および前記離型処理用基板を互いに離すことを特徴とするモールドの製造方法。微細な凹凸パターンを表面に有するモールド本体と、該表面に形成された離型層とを備えたナノインプリント用のモールドの製造方法において、前記凹凸パターンが形成されたパターン形成領域を包含する前記モールド本体上の離型層形成領域に離型剤が結合した前記モールド本体を用意し、離型剤を塗布するための離型処理用基板を用意し、前記モールド本体および前記離型処理用基板が所定の位置合わせをされたとき前記パターン形成領域の外縁と前記離型層形成領域の外縁との間の領域に対応する前記離型処理用基板上の対応領域に、前記パターン形成領域の外縁に対応する前記対応領域の外縁から離れかつ該外縁を囲むように、離型剤からなる複数の液滴を所定の間隔で配置し、前記位置合わせを維持した状態で、前記モールド本体に既に結合している離型剤と前記離型処理用基板上の離型剤とを接触させた後、前記モールド本体および前記離型処理用基板を互いに離すことを特徴とするモールドの製造方法。請求項1から3いずれかに記載のモールドを用いて、ナノインプリント用基板上にレジストを塗布し、前記モールドを前記ナノインプリント用基板の前記レジストが塗布された面に押し付け、前記モールドを前記レジストから離型することを特徴とするナノインプリント方法。請求項6に記載のナノインプリント方法により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を被加工基板上に形成し、該レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って、該レジスト膜に転写された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを前記被加工基板に形成することを特徴とするパターン化基板の製造方法。しかしながら、そのようなメサ型基板を用いてナノインプリント方法を実施する場合には、表面に段差を有するように基板を加工する工程が必要となってしまう。その結果、モールドの製造コストが高くなる等の問題が生じる場合がある。本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、ナノインプリントにおいて、メサ型基板を用いずともレジストの流動領域を制限することを可能とするモールドおよびその製造方法並びにそのモールドを用いたナノインプリント方法を提供することを目的とするものである。さらに本発明は、パターン化基板の製造において、パターン高さもしくはパターン深さが均一なモールドを製造可能なパターン化基板の製造方法を提供することを目的とするものである。上記課題を解決するために、本発明に係るナノインプリント用のモールドは、微細な凹凸パターンを表面に有するモールド本体と、この表面に形成された離型層とを備えたナノインプリント用のモールドにおいて、離型層が、凹凸パターンが形成されたパターン形成領域を包含するモールド本体上の領域であってパターン形成領域の外縁から離れた位置を外縁とする領域である離型層形成領域に形成されたものであり、パターン形成領域の外縁と離型層形成領域の外縁との間に存在する離型層である外周部離型層が、略連続的かつ全周にわたって、パターン形成領域の外縁から離れた位置における外周部離型層の厚さが極大となるような厚さ分布を有するものであることを特徴とするものである。本明細書において、パターン形成領域とは、凹凸パターンが形成されたモールドまたはモールド本体上の領域を意味する。離型層形成領域とは、モールド本体に対しては離型層を形成する領域として設定された領域を意味し、モールドに対しては離型層が形成された領域を意味する。略連続的かつ全周にわたってとは、パターン形成領域の周囲にある外周部離型層の厚さが極大となる部分はパターン形成領域の全周を連続して取り囲むものであることが好ましいが、本発明の課題を解決することができる範囲で一部連続していない部分があったり一周の内の一部の角度範囲に極大となる部分がなかったりしてもよいことを意味する。そして、本発明に係るモールドにおいて、外周部離型層は、離型層形成領域の外縁における外周部離型層の厚さが極大となるような厚さ分布を有するものであることが好ましい。そして、本発明に係るモールドにおいて、外周部離型層は、極大高低差が1nm以上であるような厚さ分布を有するものであることが好ましい。さらに、本発明に係る第1のモールドの製造方法は、微細な凹凸パターンを表面に有するモールド本体と、この表面に形成された離型層とを備えたナノインプリント用のモールドの製造方法において、モールド本体を用意し、離型剤を塗布するための離型処理用基板であって、モールド本体および離型処理用基板が所定の位置合わせをされたときモールド本体上の離型層形成領域に対応する対応部分の角が取られた離型処理用基板を用意し、離型処理用基板の上記対応部分の表面に離型剤を塗布し、上記位置合わせを維持した状態で、モールド本体と離型処理用基板とを互いに押し付けた後、モールド本体および離型処理用基板を互いに離すことを特徴とするものである。さらに、本発明に係る第2のモールドの製造方法は、微細な凹凸パターンを表面に有するモールド本体と、この表面に形成された離型層とを備えたナノインプリント用のモールドの製造方法において、凹凸パターンが形成されたパターン形成領域を包含するモールド本体上の離型層形成領域に離型剤が結合したモールド本体を用意し、離型剤を塗布するための離型処理用基板を用意し、モールド本体および離型処理用基板が所定の位置合わせをされたときパターン形成領域の外縁と離型層形成領域の外縁との間の領域に対応する離型処理用基板上の対応領域に、パターン形成領域の外縁に対応する上記対応領域の外縁から離れかつこの外縁を囲むように、離型剤からなる複数の液滴を所定の間隔で配置し、上記位置合わせを維持した状態で、モールド本体に既に結合している離型剤と離型処理用基板上の離型剤とを接触させた後、モールド本体および離型処理用基板を互いに離すことを特徴とするものである。さらに、本発明に係るナノインプリント方法は、上記に記載のモールドを用いて、ナノインプリント用基板上にレジストを塗布し、モールドをナノインプリント用基板のレジストが塗布された面に押し付け、モールドをレジストから離型することを特徴とするものである。さらに、本発明に係るパターン化基板の製造方法は、上記に記載のナノインプリント方法により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を被加工基板上に形成し、このレジスト膜をマスクとしてエッチングを行って、このレジスト膜に転写された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを被加工基板に形成することを特徴とするものである。本発明に係るナノインプリント用のモールドは、離型層が、離型層形成領域に形成されたものであり、外周部離型層が、略連続的かつ全周にわたって、パターン形成領域の外縁から離れた位置における外周部離型層の厚さが極大となるような厚さ分布を有するものであることを特徴とするものである。これにより、ナノインプリント用基板上に塗布されたレジストを押し付けた際に、外周部離型層の厚さ分布に起因してレジストの流動が阻害されるから、ナノインプリントにおいて、メサ型基板を用いずともレジストの流動領域を制限することが可能となる。さらに、本発明に係る第1のモールドの製造方法は、離型剤を塗布するための離型処理用基板であって、モールド本体および離型処理用基板が所定の位置合わせをされたときモールド本体上の離型層形成領域に対応する対応部分の角が取られた離型処理用基板を用意し、離型処理用基板の上記対応部分の表面に離型剤を塗布し、上記位置合わせを維持した状態で、モールド本体と離型処理用基板とを互いに押し付けた後、モールド本体および離型処理用基板を互いに離すことを特徴とするものである。これにより、外周部離型層が、略連続的かつ全周にわたって、パターン形成領域の外縁から離れた位置における外周部離型層の厚さが極大となるような厚さ分布を有するモールドを製造することができる。この結果、モールドの効果同様に、ナノインプリントにおいて、メサ型基板を用いずともレジストの流動領域を制限することが可能となる。さらに、本発明に係る第2のモールドの製造方法は、凹凸パターンが形成されたパターン形成領域を包含するモールド本体上の離型層形成領域に離型剤が結合したモールド本体を用意し、離型剤を塗布するための離型処理用基板を用意し、モールド本体および離型処理用基板が所定の位置合わせをされたときパターン形成領域の外縁と離型層形成領域の外縁との間の領域に対応する離型処理用基板上の対応領域に、パターン形成領域の外縁に対応する上記対応領域の外縁から離れかつこの外縁を囲むように、離型剤からなる複数の液滴を所定の間隔で配置し、上記位置合わせを維持した状態で、モールド本体に既に結合している離型剤と離型処理用基板上の離型剤とを接触させた後、モールド本体および離型処理用基板を互いに離すことを特徴とするものである。これにより、外周部離型層が、略連続的かつ全周にわたって、パターン形成領域の外縁から離れた位置における外周部離型層の厚さが極大となるような厚さ分布を有するモールドを製造することができる。この結果、モールドの効果同様に、ナノインプリントにおいて、メサ型基板を用いずともレジストの流動領域を制限することが可能となる。さらに、本発明に係るナノインプリント方法は、本発明のモールドを用いて実施するものであるから、ナノインプリント用基板上に塗布されたレジストを押し付けた際に、外周部離型層の厚さ分布に起因してレジストの流動領域を制限することができる。さらに、本発明に係るパターン化基板の製造方法は、レジストの流動領域を制限することを可能とする本発明のナノインプリント方法を用いて実施するものである。この結果、パターン化基板の製造において、パターン高さもしくはパターン深さが均一なモールドを製造することができる。以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限られるものではない。なお、視認しやすくするため、図面中の各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。ナノインプリント用のモールド図1は、本発明のナノインプリント用のモールドの一実施形態を示す概略断面図である。また、本実施形態のモールド1は、図1に示されるように、微細な凹凸パターン13を表面に有するモールド本体12と、この表面に形成された離型層14とを備える。モールド本体モールド本体12の材料は、例えばシリコン、ニッケル、アルミニウム、クロム、鉄、タンタルおよびタングステン等の金属材料、並びにそれらの酸化物、窒化物および炭化物とすることができる。具体的には、モールド本体12の材料としては、酸化シリコン、酸化アルミニウム、石英ガラス、パイレックス登録商標ガラスおよびソーダガラス等を挙げることができる。或いは、モールド本体12の材料は樹脂でもよい。凹凸パターン13の形状は、特に限定されず、ナノインプリントの用途に応じて適宜選択される。例えば典型的なパターンとして図1から図2に示されるようなラインスペースパターンである。そして、ラインスペースパターンの凸部の長さ、凸部の幅W1、凸部同士の間隔W2および凹部底面からの凸部の高さ凹部の深さHは適宜設定される。例えば、凸部の幅W1は10~100nm、より好ましくは20~70nmであり、凸部同士の間隔W2は10~500nm、より好ましくは20~100nmであり、凸部の高さHは10~500nm、より好ましくは30~100nmである。また、凹凸パターン13を構成する凸部の形状は、その他、矩形、円および楕円等の断面を有するドットが配列したような形状でもよい。上記のようなモールド本体12は、例えば以下の手順により製造することができる。まず、例えばシリコン基材上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、PMMAポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂などを主成分とするフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層を形成する。その後、シリコン基材にレーザ光又は電子ビームを所望の凹凸パターンに対応して変調しながら照射し、フォトレジスト層表面にパターンを露光する。その後、フォトレジスト層を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層のパターンをマスクにして反応性イオンエッチングRIEなどにより選択エッチングを行い、所定のパターンを有するモールド本体を得る。離型層モールド1の表面には、モールド1とレジストとの離型性を向上させるために、離型層14が備えられている。離型層14は、離型剤をモールド1表面に結合させる後述の離型処理により行われる。離型層14は、離型層形成領域R2に形成されている。離型層形成領域R2とは、凹凸パターン13が形成されたパターン形成領域R1を包含するモールド本体12上の領域であってパターン形成領域R1の外縁E1から離れた位置を外縁E2とする領域である。さらに、パターン形成領域R1の外縁E1と離型層形成領域R2の外縁E2との間外縁間領域R3に存在する離型層である外周部離型層14aは、略連続的かつ全周にわたって、パターン形成領域R1の外縁E1から離れた位置における外周部離型層14aの厚さが極大となる増加から減少に転じるような厚さ分布を有している。上記のような外周部離型層14aの形態としては、例えば、図3から図5に示されるようなものが挙げられる。図3から図5は、図1におけるモールド1の外周部離型層14a近傍の領域Aの構造を拡大して示す断面図である。図3は、離型層形成領域R2の外縁E2における外周部離型層14aの厚さが極大である形態を示している。外周部離型層14aは、このような厚さ分布を環状の外縁間領域R3の全周にわたって有しており、厚さが極大となる部分Pは連続的に繋がっている。このような構造によって、インプリント時のレジストの流動領域を制限することが可能となる。図3に示されるような外周部離型層14aを有する離型層14は、例えば後述の第1の離型処理方法によって形成することができる。図4は、外縁間領域R3の間に厚さが極大となる部分Pが存在する形態を示している。このような場合には、厚さが極大となる部分Pは外縁間領域R3の中間よりも外周側離型層形成領域R2の外縁E2側にあることが好ましい。インプリント時の流動領域を制限しやすいからである。図4に示されるような外周部離型層14aを有する離型層14は、例えば後述の第2の離型処理方法によって形成することができる。図5は、離型層形成領域R2の外縁E2における外周部離型層14aの厚さが極大であり、かつ、内周側パターン形成領域R1の外縁E1側に向かって徐々に厚さが変化する形態を示している。図5に示されるような外周部離型層14aを有する離型層14は、例えば後述の第1の離型処理方法または第3の離型処理方法によって形成することができる。外周部離型層14aの厚さが極大となる部分Pからパターン形成領域の外縁E1までの距離厚さが極大となる部分Pの任意の位置から外縁E1までの最短距離は、モールド本体12の全体形状やパターン形成領域R1の形状にも依るが、限りなくゼロに近い値から20mmまでの範囲であることが好ましい。下限の理由は、レジスト流動領域が小さくなれば小さくなるほど、モールド1がレジスト9から離型される際の抵抗を減少させることができるためである。また、上限の理由は、20mmを超えると、モールド1がレジスト9から離型される際の抵抗が増加し、レジスト剥がれなどの離型欠陥が発生しやすくなるためである。なお、上記距離は、全周にわたって同一で得ある必要はなく、全周にわたって上記範囲内にあれば充分である。さらに、外周部離型層14aは、極大高低差D厚さが極大となる部分Pとその他の部分の平均厚さとの差が0.5~25nmであるような厚さ分布を有するものであることが好ましい。下限値の理由は、極大高低差Dが0.5nm未満になると、レジストの流動領域を所望の領域に制限する効果が充分に得られないためである。上限値の理由は、極大高低差Dが25nmより大きくなると、パターン化基板を製造する際に、パターン高さもしくはパターン深さにムラが生じやすくなるためである。これは以下のような2つの理由による。まず1つ目の理由は、モールド1でレジスト9を押し付けた際に、レジスト9を所望のレジスト流動領域内に完全に充填させるためには、極大高低差≦レジストの残膜厚さという要件を満たす必要があるからである。これは、仮に極大高低差>レジストの残膜厚さという要件を満たす場合には、外周部離型層14aのうち厚さが極大となる部分Pが支えとなり、モールドおよびナノインプリント用基板の接近が阻害されてしまうからである。この結果、モールドおよびナノインプリント用基板の間の空間が大きくなってしまい、未充填欠陥が発生しやすくなるという問題が生じうる。そして、2つ目の理由は、数十nmオーダーの微細パターンを形成する場合、残膜厚さhが25nmより大きくなると、パターン高さもしくはパターン深さが均一になるように、エッチングを実施することが困難になるからである。その結果、パターン高さもしくはパターン深さにムラが生じやすくなる。離型層14の厚さは、0.1~10nmであることが好ましい。下限値の理由は、0.1nm未満になると、モールド1をレジスト9から離型する際にモールド表面にレジストが残存しやすくなるためである。上限値の理由は、これを超えると凝集物などによりパターン形成領域R1が汚染されるためである。ただし、外縁間領域R3にある外周部離型層14aのうち厚さが極大となる部分Pについては、0.6~35nmであることが好ましい。ここで、図6から図8を参照して、パターン形成領域R1および離型層形成領域R2の設定の仕方について説明する。図6は、凹凸パターン13が一か所に形成されているモールド1aつまり、図1および図3のモールド1である。のパターン形成領域R1および離型層形成領域R2の位置関係の例を示す概略上面図である。図7は、凹凸パターン13が複数の位置に区分されて形成されているモールド1bのパターン形成領域R1および離型層形成領域R2の位置関係の例を示す概略上面図である。図8は、凹凸パターン13が複数の位置に区分されて形成されているモールド1cのパターン形成領域R1および離型層形成領域R2の位置関係の他の例を示す概略上面図である。1つのモールドに関して、パターン形成領域R1および離型層形成領域R2の設定の仕方は、図1および図3のような方法に限られない。具体的には、図1および図3では、図6に示されるような位置関係でパターン形成領域R1および離型層形成領域R2を設定している。つまり、パターン形成領域R1は凹凸パターン13が形成されている領域そのものである。そして、離型層形成領域R2は、その外縁E2がパターン形成領域R1の外縁E1から離れた位置にありかつパターン形成領域R1を囲む領域として設定されている。さらに、例えば凹凸パターン13が複数の位置に区分されて形成されている場合には、図7に示されるように、凹凸パターン13ごとにパターン形成領域R1および離型層形成領域R2を設定することもできる。このように設定することにより、インプリント時のレジスト流動領域をより狭い範囲に制限することができる。しかし、凹凸パターン13が複数の位置に区分されて形成されている場合であっても、凹凸パターン13の複雑性、インプリントの条件およびその用途等を勘案して、図8に示されるように、複数の凹凸パターン13を含めて全体としてパターン形成領域R1を設定することもできる。このようにパターン形成領域R1を設定しても、インプリント時のレジスト流動領域を制限するという効果が充分に得られる場合はあるからである。離型剤は、フッ素化合物であることが好ましい。また、フッ素化合物は、フッ素系シランカップリング剤であることが好ましい。これらの離型剤は、ダイキン工業株式会社製のオプツールDSXや、住友スリーエム株式会社製のNovecEGC1720等の市販のものを使用することができる。また、この他にも、公知のフッ素系樹脂、炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、フッ素系シランカップリング剤などが使用できる。例えば、フッ素系樹脂としては、PTFE、PFAテトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、FEPテトラフルオロエチレンヘキサフルオロプロピレン共重合体、ETFEテトラフルオロエチレンエチレン共重合体などが挙げられる。例えば、炭化水素系潤滑剤としては、ステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。例えば、フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ-n-プロピレンオキシド重合体CF2CF2CF2On、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体CFCF3CF2Onまたはこれらの共重合体等である。ここで、下付き文字のnは重合度を表す。例えば、その他のフッ素系シランカップリング剤としては、分子中に少なくとも1個、好ましくは1~10個のアルコキシシラン基、クロロシラン基を有するものであり、かつ分子量が200~10000であるシランカップリング剤が好ましい。アルコキシシラン基の例としては、-SiOCH33基、-SiOCH2CH33基が挙げられる。一方、クロロシラン基としては、-SiCl3基などが挙げられる。具体的なフッ素系シランカップリング剤としては、ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラ-ハイドロデシルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルジメチルクロロシラン、トリデカフルオロ-1,1,2,2-テトラ-ハイドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ-1,1,2,2-テトラハイドロオクチルトリメトキシシランなどが挙げられる。モールドの製造方法以下、モールド1の製造方法の3つの実施形態について説明する。モールドの製造方法の第1の実施形態まず、第1の実施形態の離型処理方法について説明する。第1の実施形態の離型処理方法は、図9に示されるように、ナノインプリント装置内で、モールド本体12を用意し、離型剤6を塗布するための離型処理用基板7aであって、モールド本体12および離型処理用基板7aが所定の位置合わせをされたときモールド本体12上の離型層形成領域R2に対応する対応部分が丸みのある角を有する離型処理用基板7aを用意し、離型処理用基板7aの上記対応部分の表面に離型剤6をインクジェットプリンター5で塗布し図9a、上記位置合わせを維持した状態で、モールド本体12と離型処理用基板7aとを互いに押し付け図9b、その後モールド本体12および離型処理用基板7aを互いに引き離す図9cことを特徴とするものである。離型処理用基板離型処理用基板7aは、転写法によりモールド本体12の離型処理を行うために、離型剤6が塗布される基板である。離型処理用基板7aは、略連続的かつ全周にわたってその角が取られた構造を有する。本実施形態においては、離型処理用基板7aは、図9bの領域A2の拡大図に示されるように、その角が丸みを帯びるように形成されている。ただし、角が取られた構造は、丸みを帯びた構造に限られず、角が平面的に切り取られたような構造でもよい。位置合わせとは、凹凸パターン13を基板側に向け、凹凸パターン13の基板への射影位置を所望の位置に合わせることを意味する。所定の位置合わせをされたとき離型層形成領域R2に対応する対応部分とは、当該位置合わせを維持した状態で、モールド本体12と離型処理用基板7aとを互いに押し付けた時に、離型層形成領域R2と対向して接触することになる離型処理用基板7aの部分を意味する。この丸みのある角があることにより、図9bの領域A2の拡大図に示されるように、離型層形成領域R2の外縁E2における離型剤6の量が多くなる。その結果、図9cの領域A3の拡大図に示されるように、離型層形成領域R2の外縁E2における外周部離型層14aの厚さが厚くなる。離型処理用基板7aは、角以外の形状、構造、大きさ、材質等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。モールド本体12のパターン形成領域R1と向かい合う面が離型剤6を塗布する面となる。例えばモールド1が情報記録媒体の製造向けのものである場合には、離型処理用基板7aの形状は通常円板状である。構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。材質としては、基板材料として公知のものの中から、適宜選択することができ、例えば、シリコン、ニッケル、アルミニウム、ガラス、樹脂などが挙げられる。これらの基板材料は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。離型処理用基板7aの厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.05mm以上が好ましく、0.1mm以上がより好ましい。離型処理用基板7aの厚みが0.05mm未満であると、離型処理用基板7aとモールド1との接着時に基板側に撓みが発生し、均一な接着状態を確保できない可能性がある。離型剤の塗布方法離型処理用基板7aに、離型剤6を塗布する方法としてはインクジェット法やディスペンス法など所定の量の液滴を所定の位置に配置できる方法を用いることができる。離型剤6をインクジェット法により塗布する場合には、液適量配置された液滴1つ当たりの量や吐出速度の調整が可能なピエゾ方式が好ましい。例えば、ピエゾ方式のインクジェットプリンターであるFUJIFILMDimatix社製DMP-2831がある。離型剤6は、インクジェット法やディスペンス法により滴下するために、所定の粘度になるよう、希釈して使用する。液滴量が所定の値となるように、あらかじめ吐出条件が調整及び設定される。例えば、液適量は、凹凸パターン13の凹部の空間体積が大きい領域では多くしたり、凹部の空間体積が小さい領域や凹部がない領域では少なくしたりして調整することが好ましい。このような調整は、液滴吐出量吐出された液滴1つ当たりの量に応じて適宜制御される。離型剤の転写方法離型処理用基板7aに離型剤6を塗布した後、モールド本体12と離型処理用基板7aは、凹凸パターン13および離型剤6が対向するように位置合わせされる。その後、その位置合わせが維持された状態で、凹凸パターン13および離型剤6が密着される。位置合わせにはアライメントマークを用いてもよい。モールド本体12を離型剤6と所定の時間接触させた後、離型処理用基板7aから引き離すことにより、離型剤6がモールド本体12に結合物理的結合および化学的結合を含むして離型処理が完了する。これにより、厚さが極大となる部分Pが外周部離型層14aに形成される図9の領域A3の拡大図。上記の離型処理法は、ナノインプリント装置内で容易に実施することができるため、モールドをナノインプリント用基板に押し付ける工程とモールドに離型処理を実施する工程とをナノインプリント装置内で一貫して実施する場合には特に有効である。モールド本体12と離型剤6との接触時間は1秒以上1時間以下であることが好ましい。下限の理由は、1秒未満であると離型剤6が充分にモールド本体12に結合せず、離型性に支障があるためである。一方、上限の理由は、1時間を超えるとモールド本体12の表面における離型剤6の結合量が飽和して、離型性はほとんど変わらないにもかかわらず、スループットが低下するためである。モールドの製造方法の第2の実施形態次に、第2の実施形態の離型処理方法について説明する。第2の実施形態の離型処理方法は、ナノインプリント装置内で、離型処理用基板7bを用意し、モールド本体12および離型処理用基板7bが所定の第1の位置合わせをされたときモールド本体12上の離型層形成領域R2に対応する対応領域R2’に、離型剤6からなる複数の液滴をインクジェット法により所定の間隔で配置し図10Aa、上記第1の位置合わせを維持した状態で、モールド本体12を離型処理用基板7b上に塗布された離型剤6に押し付け図10Ab、その後それらを互いに引き離して、モールド本体12上の離型層形成領域R2に離型剤6が結合したモールド本体12を用意し図10Ac、モールド本体12および離型処理用基板7bが所定の第2の位置合わせをされたときこのモールド本体12の外縁間領域R3に対応する離型処理用基板7b上の対応領域R3’に、パターン形成領域R1の外縁E1に対応する上記対応領域の外縁E1’から離れかつこの外縁E1’を囲むように、離型剤6からなる複数の液滴をインクジェット法により所定の間隔で配置し図10Bd、上記第2の位置合わせを維持した状態で、モールド本体12に既に形成された離型層14と離型処理用基板7b上の離型剤6とを接触させた後図10Be、モールド本体12および離型処理用基板7bを互いに引き離す図10Bfことを特徴とするものである。つまり、本実施形態の離型処理方法は、大きく分けると、モールド本体12の離型層形成領域R2全体に離型層14の大部分を形成する一次工程図10Aと、外周部離型層14aの厚さが極大となる部分Pを後付けで形成する二次工程図10Bとに分けることができる。離型処理用基板離型処理用基板7bは、その角に丸みがない点以外については第1の実施形態における離型処理用基板7aと同様である。ただし、本実施形態の離型処理用基板7bにおいてもその角に丸みがあっても、特に離型処理方法には支障はない。一次工程において離型剤6を塗布する離型処理用基板7bの場所と二次工程において離型剤6を塗布する離型処理用基板7bの場所とは互いに異なる場所であることが好ましい。一次工程における離型剤6の残渣が二次工程に影響を及ぼすことを防止し、離型処理用基板7bを洗浄する手間を省くためである。なお、本実施形態では、一次工程および二次工程において同じ離型処理用基板7bを用いたが、それぞれの工程で異なる基板を用いるようにしてもよい。離型剤の塗布方法第1の実施形態と同様にインクジェット法により実施する。一次工程では、所定の第1の位置合わせをされたときモールド本体12上の離型層形成領域R2に対応する対応領域R2’全体に、液滴が塗布される図10Aa。本実施形態では、離型処理用基板7bの図10Aにおける上面全体が、第1の位置合わせをされたときモールド本体12上の離型層形成領域R2に対応する対応領域R2’となる。一方、二次工程では、所定の第2の位置合わせをされたときこのモールド本体12の外縁間領域R3に対応する離型処理用基板7b上の対応領域R3’に、液滴が塗布される。より具体的には、この対応領域R3’は、外縁間領域R3の形状に従い全周にわたって、パターン形成領域R1の外縁E1に対応する上記対応領域R3’の外縁E1’から離れかつこの外縁E1’を囲むように、液滴が塗布される図10Bd。なお、一次工程および二次工程では、それぞれの工程で使用する離型処理用基板自体が異なったり同じ離型処理用基板でも塗布する場所が異なったりする場合があるため、それぞれの工程における位置合わせを上記のように第1の位置合わせおよび第2の位置合わせとして区別した。離型剤の転写方法一次工程では、離型処理用基板7bに離型剤6を塗布した後、第1の位置合わせを維持した状態で、モールド本体12と離型処理用基板7bは密着される図10Ab。モールド本体12を所定の時間接触させた後、離型処理用基板7bから引き離すことにより一次工程が完了する図10Ac。この時点では、厚さが極大となる部分Pはまだ外周部離型層14aに形成されない図10Aの領域A4および領域A5の拡大図。一方、二次工程では、離型処理用基板7bに離型剤6を塗布した後、第2の位置合わせを維持した状態で、モールド本体12と離型処理用基板7bは密着される図10Bd。ただし、二次工程では、既に形成された離型層14と離型処理用基板7b上の離型剤6とが接触する程度にモールド本体12を近付けることが好ましい図10Bの領域A6の拡大図。つまり、モールド本体12を離型処理用基板7bに押し付けないことが好ましい。モールド本体12を離型処理用基板7bに押し付けた場合、液滴が広範囲に流動し、外周部離型層14aの高低差が付きにくくなるためである。そして、モールド本体12を所定の時間接触させた後、離型処理用基板7bから引き離すことにより二次工程が完了する。この二次工程を経ることによって、厚さが極大となる部分Pが外周部離型層14aに形成される図10Bの領域A7の拡大図。モールドの製造方法の第3の実施形態次に、第3の実施形態の離型処理方法について説明する。第3の実施形態の離型処理方法は、二次工程においてモールド本体12を撓ませながら離型剤6を転写する点で第2の実施形態の離型処理方法と異なる。つまり、第3の実施形態の離型処理方法は、ナノインプリント装置内で、離型処理用基板7bを用意し、モールド本体12および離型処理用基板7bが所定の第1の位置合わせをされたときモールド本体12上の離型層形成領域R2に対応する対応領域R2’に、離型剤6からなる複数の液滴をインクジェット法により所定の間隔で配置し図10Aa、上記第1の位置合わせを維持した状態で、モールド本体12を離型処理用基板7b上に塗布された離型剤6に押し付け図10Ab、その後それらを互いに引き離して、モールド本体12上の離型層形成領域R2に離型剤6が結合したモールド本体12を用意し図10Ac、モールド本体12および離型処理用基板7bが所定の第2の位置合わせをされたときこのモールド本体12の外縁間領域R3に対応する離型処理用基板7b上の対応領域R3’に、パターン形成領域R1の外縁E1に対応する上記対応領域の外縁E1’から離れかつこの外縁E1’を囲むように、離型剤6からなる複数の液滴をインクジェット法により所定の間隔で配置し図10Bd、上記第2の位置合わせを維持しかつモールド本体12の中央部分が離型処理用基板7bに近付くようにモールド本体12を撓ませた状態で、モールド本体12に既に形成された離型層14と離型処理用基板7b上の離型剤6とを接触させた後図11a、モールド本体12および離型処理用基板7bを互いに引き離す図11bことを特徴とするものである。つまり、本実施形態の離型処理方法は、第2の実施形態の離型処理方法と同様に、一次工程と二次工程とに分けることができる。そして、本実施形態における一次工程は第2の実施形態における一次工程と同一である。また、二次工程についても、離型処理用基板および離型剤の塗布方法に関しては、本実施形態の場合および第2の実施形態の場合で同一である。離型剤の転写方法二次工程では、離型処理用基板7bに離型剤6を塗布した後、第2の位置合わせを維持しかつモールド本体12の中央部分が離型処理用基板7bに近付くようにモールド本体12を撓ませた状態で、モールド本体12と離型処理用基板7bは密着される図11aの領域A8の拡大図。モールド本体12を撓ませる方法としては、モールド本体12の外周部分のみを保持する方法が挙げられる。上記のようにモールド本体12を撓ませながら離型剤6を転写することにより、外周に向かって徐々に厚さが増していく外周部離型層14aが形成される図11bの領域A9の拡大図。以上により、本発明に係るナノインプリント用のモールドによれば、ナノインプリント用基板上に塗布されたレジストを押し付けた際に、外周部離型層の厚さ分布に起因してレジストの流動が阻害されるから、ナノインプリントにおいて、メサ型基板を用いずともレジストの流動領域を制限することが可能となる。そして、その結果、残膜厚さにムラが生じる等のインプリント不良の発生を低減させることができる。また、本発明に係るモールドの製造方法によれば、外周部離型層が、略連続的かつ全周にわたって、パターン形成領域の外縁から離れた位置における外周部離型層の厚さが極大となるような厚さ分布を有するモールドを製造することができるから、モールドの効果同様に、ナノインプリントにおいて、メサ型基板を用いずともレジストの流動領域を制限することが可能となる。そして、その結果、残膜厚さにムラが生じる等のインプリント不良の発生を低減させることができる。本発明のモールドを用いたナノインプリント方法以下、本発明のモールドを用いたナノインプリント方法の実施形態について説明する。本実施形態のナノインプリント方法は、例えば図3に示されるようなモールド1を用いて、石英からなるナノインプリント用基板8上に光硬化性のレジスト9を塗布し、モールド1をナノインプリント用基板8のレジスト9が塗布された面に押し付け図12、ナノインプリント用基板8の裏面から紫外光を照射してレジスト9を硬化させ、モールド1をレジスト9から離型することを特徴とするものである。レジストレジストは、特に制限されるものではないが、本実施形態では例えば重合性化合物に、光重合開始剤2質量程度、フッ素モノマー0.1~1質量を加えて調製された光硬化性レジストを用いることができる。また、必要に応じて酸化防止剤1質量程度を添加することもできる。上記の手順により作成した光硬化性レジストは波長360nmの紫外光により硬化することができる。溶解性の悪いものについては少量のアセトンまたは酢酸エチルを加えて溶解させた後、溶媒を留去することが好ましい。なお、本実施形態では、レジスト9は光硬化性の材料であるが、本発明はこれに限られず他に熱硬化性の材料を適用することもできる。重合性化合物としては、例えば、ベンジルアクリレートビスコート登録商標160:大阪有機化学株式会社製、エチルカルビトールアクリレートビスコート190:大阪有機化学株式会社製、ポリプロピレングリコールジアクリレートアロニックス登録商標M-220:東亞合成株式会社製、トリメチロールプロパンPO変性トリアクリレートアロニックスM-310:東亞合成株式会社製等を挙げることができる。また、その他下記構造式1で表される化合物Aを使用することもできる。構造式1:また、重合開始剤としては、例えば、22[メチル14フェニル1ブタノンIRGACURE379:豊通ケミプラス株式会社製等のアルキルフェノン系光重合開始剤を挙げることができる。また、フッ素モノマーとしては、例えば、下記構造式2で表される化合物B等を挙げることができる。構造式2:インクジェット法によりレジストを塗布する場合には、例えば、上記構造式1で示される化合物A、アロニックスM-220、IRGACURE379および上記構造式2で示される化合物Bをそれぞれ質量比48:48:3:1の割合で混合して形成された光硬化性のレジストを使用することが好ましい。ナノインプリント用基板ナノインプリント用基板8は、モールド1が光透過性を有する場合、その形状、構造、大きさ、材質等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。ナノインプリント用基板8のパターン転写の対象となる面がレジスト9を塗布する面となる。例えばナノインプリント用基板8が情報記録媒体の製造向けのものである場合には、ナノインプリント用基板8の形状は通常円板状である。構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。材質としては、基板材料として公知のものの中から、適宜選択することができ、例えば、シリコン、ニッケル、アルミニウム、ガラス、樹脂、などが挙げられる。これらの基板材料は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。ナノインプリント用基板8の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.05mm以上が好ましく、0.1mm以上がより好ましい。ナノインプリント用基板8の厚みが0.05mm未満であると、ナノインプリント用基板8とモールド1との接着時に基板側に撓みが発生し、均一な接着状態を確保できない可能性がある。一方、モールド1が光透過性を有しない場合は、レジスト9の露光を可能とするためにナノインプリント用基板8として石英基板を用いることが好ましい。石英基板は、光透過性を有し、厚みが0.3mm以上であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択される。石英基板は例えばシランカップリング剤で被覆したものを用いてもよい。また石英基板はその表面上にCr、W、Ti、Ni、Ag、Pt、Auなどからなる金属層および/またはCrO2、WO2、TiO2などからなる金属酸化膜層を積層したものを用いてもよい。また石英基板は上記積層体の表面をシランカップリング剤で被覆したものを用いてもよい。石英基板の厚みは、通常0.3mm以上が好ましい。0.3mm以下では、ハンドリングやインプリント中の押圧で破損しやすい。レジストの塗布工程ナノインプリント用基板8にレジスト9を塗布する方法としては、離型剤6の塗布方法と同様に、インクジェット法やディスペンス法など所定の量の液滴を所定の位置に配置できる方法を用いる。レジスト9の液滴量や液滴吐出量は、離型剤6の塗布方法で説明した方法に準じて行われる。レジスト9の残膜厚さhは3~25nmであることが好ましい。下限の理由は、残膜厚さhが3nm未満であると、モールド1をレジスト9から離型する際に、レジスト剥がれなどの離型欠陥が生じやすくなるためである。一方、上限の理由は、残膜厚さhが25nmより大きくなると、パターン化基板を製造する際に、パターン高さもしくはパターン深さにムラが生じやすくなるためである。このことは、数十nmオーダーの微細パターンを形成する場合、残膜厚さhが25nmより大きくなると、パターン高さもしくはパターン深さが均一になるようにエッチングを実施することが困難になることに起因する。モールド密着工程ナノインプリント用基板8上に配置された液滴のパターンに対してモールド1の凹凸パターンを位置合わせするため、モールド1とナノインプリント用基板8を近接させる。そして、例えば、ナノインプリント用基板8の裏面から顕微鏡でアライメントマークを観察しながら、モールド1またはナノインプリント用基板8のステージを回転及び移動させる。そして、アライメントマークが所定の位置にくるように位置合わせを行った後、モールド1をレジスト9の上からナノインプリント用基板8に押し付ける。この際、凹凸パターン内に気体が残留することを防止するため、モールド1とナノインプリント用基板8の間の雰囲気を減圧または真空雰囲気にした後にモールドを押し付けることが好ましい。He雰囲気条件では、圧力容器内を99体積以上のHeガスで置換することが好ましい。Heは石英基板中を透過する。したがって、モールド1およびナノインプリント用基板8を流体圧力により共に加圧する際、上記のような残留気体を中から追い出すことができる。Heで置換しない場合、上記のような残留気体に起因して未充填欠陥が生じる可能性がある。一方、減圧雰囲気条件では、密着させた時の残留気体が生じにくくなり、未充填欠陥が生じにくくなる。モールドの加圧工程および紫外光の照射工程モールド1およびナノインプリント用基板8を密着させるときの加圧は、0.1~5MPaとなり、より好ましくは0.5~3MPaとなり、特に好ましくは1~2MPaとなるように実施することが好ましい。下限を0.1MPaとしたのは、圧力が0.1MPaより小さいと、凹凸パターン13とレジスト9とが密着されている時に、パターン形成領域の残留気体が押し出されにくくなる、残留気体気体がHeの場合が石英基板から透過しにくくなる、残留気体がレジストに溶けにくくなるといった問題が起こって、未充填欠陥が生じてしまうためである。また、0.1MPaより小さいと、ナノインプリント用基板8が流体圧力に従いにくくなるので、残膜ムラも生じやすくなる。一方、上限を5MPaとしたのは、5MPaを超えると、モールド1およびナノインプリント用基板8の間にかみこんだ異物によって、モールド1およびナノインプリント用基板8を傷つけてしまう恐れがあるためである。加圧流体は、AirまたはN2、He、Arなどの不活性気体であってもよい。その後、例えば、360nmの波長を含む紫外光により、照射量が300mJcm2となるように露光し、光硬化性のレジスト9を硬化させる。本発明では、外縁間領域R3に存在する外周部離型層14aが、略連続的かつ全周にわたって、パターン形成領域R1の外縁E1から離れた位置における外周部離型層14aの厚さが極大となるような厚さ分布を有しているから、図12に示されるように、外周部離型層14aの厚さが極大となっている部分Pによってレジスト9の流動領域が制限される図12の領域A10の拡大図。その結果、残膜厚さにムラが生じる等のインプリント不良の発生を低減させることができる。モールドの離型工程モールド1をナノインプリント用基板8に押し付け、レジスト9を露光した後、モールド1をレジスト9から離型する。離型させる方法としては、例えばモールド1またはナノインプリント用基板8のどちらかの外縁部を保持し、他方のナノインプリント用基板8またはモールド1の裏面を吸引保持した状態で、外縁の保持部もしくは裏面の保持部を押圧と反対方向に相対移動させることで離型させる方法が挙げられる。モールドの再離型処理ナノインプリントでは、インプリントを重ねるとモールド1表面の離型剤6が剥がれていくため、モールド1を押し付ける工程の所定の回数ごとに、モールド1に離型処理を実施することが好ましい。インプリント後の離型処理については、前述したモールド1の製造の際の離型処理と同様である。パターン化基板の製造方法次に、本発明のパターン化基板の製造方法の実施形態について説明する。本実施形態では、前述したナノインプリント方法を用いてパターン化基板の製造を行う。まず、前述したナノインプリント方法を用いて、所定のパターンが形成されたレジスト膜を被加工基板上に形成する。次に、パターン形成されたレジスト膜をマスクにして被加工基板のエッチングを行い、レジスト膜に形成された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを被加工基板上に形成して、所定のパターンを有するパターン化基板を得る。一方、被加工基板が積層構造を有しており表面上にマスク層を含む場合には、前述したナノインプリント方法を用いて、所定のパターンが形成されたレジスト膜をマスク層付きの被加工基板上に形成する。次に、レジスト膜をマスクにしてドライエッチングを行い、レジスト膜に形成された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを当該マスク層に形成し、そのマスク層をエッチストップ層にして被加工基板にさらにドライエッチングを行い、凹凸パターンを被加工基板上に形成して、所定のパターンを有するパターン化基板を得る。ドライエッチングとしては、基板に凹凸パターンを形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチングRIE、スパッタエッチング、などが挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチングRIEが特に好ましい。以上のように、本発明に係るパターン化基板の製造方法は、レジストの流動領域を制限することを可能とする本発明のナノインプリント方法を用いて実施するものである。この結果、パターン化基板の製造において、パターン高さもしくはパターン深さが均一なモールドを製造することができる。本発明に係るモールドおよびその製造方法並びにそのモールドを用いたナノインプリント方法、パターン化基板の製造方法の実施例および比較例を以下に示す。<実施例1>モールド本体は、直径200mmのSi基板でできており、その一方の表面に深さ100nmの複数のスペースパターンの存在によって、同心円状のラインスペースパターンが形成されている。当該スペースパターンの幅およびスペース同士の間隔は、それぞれ100nmおよび100nmである。また、同心円状のラインスペースパターン全体は、直径60mmの領域内に形成されている。モールド製造の一次工程離型処理用基板として、角に丸みがない直径70mmの石英基板を用いた。そして、この石英基板の表面全体に離型剤からなる液滴をインクジェット法により配置した。そして、モールド本体と石英基板の中心の位置が一致するように位置合わせを行って、モールド本体を離型剤に接触させた。そして、モールド本体と離型剤を接触させた状態で5分間維持した後、これらを引き離した。モールド製造の二次工程離型処理用基板として直径100mmの石英基板を用意した。この石英基板上の中心から半径32.5mmの円周上の位置全周にわたって、離型剤からなる液滴を所定の間隔でインクジェット法により配置した。そして、一次工程を経たモールド本体と石英基板の中心の位置が一致するように位置合わせを行って、モールド本体を離型剤に接触させた。そして、モールド本体と離型剤を接触させた状態で5分間維持した後、これらを引き離した。これにより、連続的かつ全周にわたって、中心から半径32.5mm直径65mmの円周上の位置における外周部離型層の厚さが極大となるような厚さ分布を有する離型層が形成されたモールドを得た。ナノインプリント方法二次工程の後、直径150mmの石英基板を用いて、この石英基板上に光硬化性のレジストからなる液滴を配置した。そして、モールドと石英基板の中心の位置が一致するように位置合わせを行って、モールドをレジストに接触させた。接触後10分間放置し、レジストを露光した。そして、モールドおよびレジストを離型した。これにより、同心円状のラインスペースパターンが転写されたレジスト膜を得た。パターン化基板の製造方法ラインスペースパターンが転写されたレジスト膜をマスクにして、石英をエッチングした。エッチングにより、レジスト膜の凹凸形状を石英基板上に転写して、所定の凹凸パターンを有する石英基板を製造した。石英基板の凹凸パターンのエッチングは、誘導結合型ICPの反応性イオンエッチング装置を用い、堆積性ガスであるフルオロカーボンを含む混合ガスをエッチングガスとして用い、100nmの深さ分だけバイアスをかけてエッチングすることにより行った。また、マスクの除去は、同様のエッチング装置にてアッシングすることにより行った。その他、使用した離型剤、光硬化性のレジスト、石英基板並びに各工程の詳細については以下の通りである。離型処理液ダイキン工業株式会社製の離型剤であるオプツールDSXをダイキン工業株式会社製のフッ素系特殊溶剤であるHD-ZVに溶解し、0.1wtの離型処理液を調整した。離型剤の塗布方法ピエゾ方式のインクジェットプリンターであるFUJIFILMDimatix社製DMP-2831を使用した。インクジェットヘッドには専用の10plヘッドを使用した。モールド製造の一次工程および二次工程において、液滴の配置パターンは正方格子状とし、液滴の間隔は150μmと設定した。モールド本体と離型処理基板の接着方法モールド本体および離型処理用基板の位置合わせをするため、モールド本体および石英基板を互いに近接させた。そして、モールド本体の背面から光学顕微鏡でモールド本体および石英基板のアライメントマークを観察しながら、アライメントマークが所定の位置にくるように位置合わせをした。レジスト使用した光硬化性のレジストは、前述した構造式1で表される化合物A、アロニックスM220、IRGACURE379および前述した構造式2で表される化合物Bを、それぞれ質量比48:48:3:1の割合で混合したものである。石英基板レジストとの接着性に優れるシランカップリング剤により表面処理された石英基板を使用した。表面処理は、シランカップリング剤を溶剤で希釈し、スピンコート法により基板表面に塗布し、アニールすることにより行った。レジストの塗布方法ピエゾ方式のインクジェットプリンターであるFUJIFILMDimatix社製DMP-2831を使用した。インクジェットヘッドには専用の10plヘッドを使用した。このインクジェットヘッドは離型剤を塗布するために使用したインクジェットヘッドとは異なる。液滴の配置パターンは正方格子状とし、液滴の間隔は400μmと設定した。モールドおよび石英基板の接着方法モールドおよびレジストの位置合わせをするため、モールドおよび石英基板を互いに近接させた。そして、モールドの背面から光学顕微鏡でモールドおよび石英基板のアライメントマークを観察しながら、アライメントマークが所定の位置にくるように位置合わせをした。露光方法360nmの波長を含む紫外光により、照射量が300mJ/cm2となるように、石英基板を通して露光した。エッチングの条件具体的なエッチングの条件は、CHF3流量:20sccm、CF4流量:20sccm、Ar流量:80sccm、圧力:2Pa、ICPパワー:300W、RIEパワー:50Wである。アッシングの条件具体的なアッシングの条件は、O2流量:60sccm、圧力:7Pa、ICPパワー:200W、RIEパワー:0Wである。<比較例1>モールド製造の二次工程において、石英基板上の中心から半径32.5mm以下の面全体つまり、パターン形成領域全面にも、離型剤からなる液滴を所定の間隔で配置した以外は実施例1と同じである。<実施例2>モールド製造の二次工程において、石英基板上の中心から半径35mmの円周上の位置全周にわたって離型剤からなる液滴を所定の間隔で配置したこと以外は、実施例1と同じである。<実施例3>使用した離型処理液の濃度が0.025wtであること以外は、実施例2と同じである。<実施例4>使用した離型処理液の濃度が0.05wtであること以外は、実施例2と同じである。<実施例5>使用した離型処理液の濃度が4wtであり、またレジストを塗布する際の液滴の間隔が370μmであること以外は、実施例2と同じである。<実施例6>使用した離型処理液の濃度が10wtであり、またレジストを塗布する際の液滴の間隔が350μmであること以外は、実施例2と同じである。<実施例7>モールド本体は、直径200mmのSi基板でできており、その一方の表面に深さ100nmの複数のスペースパターンの存在によって、同心円状のラインスペースパターンが形成されている。当該スペースパターンの幅およびスペース同士の間隔は、それぞれ100nmおよび100nmである。また、同心円状のラインスペースパターン全体は、直径60mmの領域内に形成されている。モールドの製造工程離型処理用基板として、角に丸みがある直径70mmの石英基板を用いた。そして、この石英基板の丸みのある角で囲まれた表面全体に、離型剤からなる液滴を配置した。そして、モールド本体と石英基板の中心の位置が一致するように位置合わせを行って、モールド本体を離型剤に接触させた。そして、モールド本体と離型剤を接触させた状態で5分間維持した後、これらを引き離した。これにより、連続的かつ全周にわたって、中心から半径35mm直径70mmの円周上の位置における外周部離型層の厚さが極大となるような厚さ分布を有する離型層が形成されたモールドを得た。ナノインプリント方法上記製造工程の後、直径150mmの石英基板を用いて、この石英基板上に光硬化性のレジストからなる液滴を配置した。そして、モールドと石英基板の中心の位置が一致するように位置合わせを行って、モールドをレジストに接触させた。接触後10分間放置し、レジストを露光した。そして、モールドおよびレジストを離型した。これにより、同心円状のラインスペースパターンが転写されたレジスト膜を得た。パターン化基板の製造方法ラインスペースパターンが転写されたレジスト膜をマスクにして、石英をエッチングした。エッチングにより、レジスト膜の凹凸形状を石英基板上に転写して、所定の凹凸パターンを有する石英基板を製造した。石英基板の凹凸パターンのエッチングは、ICPの反応性イオンエッチング装置を用い、堆積性ガスであるフルオロカーボンを含む混合ガスをエッチングガスとして用い、100nmの深さ分だけバイアスをかけてエッチングすることにより行った。また、マスクの除去は、同様のエッチング装置にてアッシングすることにより行った。その他、使用した離型剤、光硬化性のレジスト、石英基板並びに各工程の詳細については以下の通りである。離型処理液ダイキン工業株式会社製の離型剤であるオプツールDSXをダイキン工業株式会社製のフッ素系特殊溶剤であるHD-ZVに溶解し、0.1wtの離型処理液を調整した。離型剤の塗布方法ピエゾ方式のインクジェットプリンターであるFUJIFILMDimatix社製DMP-2831を使用した。インクジェットヘッドには専用の10plヘッドを使用した。液滴の配置パターンは正方格子状とし、滴下する際の液滴の間隔は150μmと設定した。モールド本体と離型処理基板の接着方法モールド本体および離型処理用基板の位置合わせをするため、モールド本体および石英基板を互いに近接させた。そして、モールド本体の背面から光学顕微鏡でモールド本体および石英基板のアライメントマークを観察しながら、アライメントマークが所定の位置にくるように位置合わせをした。レジスト使用した光硬化性のレジストは、前述した構造式1で表される化合物A、アロニックスM220、IRGACURE379および前述した構造式2で表される化合物Bを、それぞれ質量比48:48:3:1の割合で混合したものである。石英基板レジストとの接着性に優れるシランカップリング剤により表面処理された石英基板を使用した。表面処理は、シランカップリング剤を溶剤で希釈し、スピンコート法により基板表面に塗布し、アニールすることにより行った。レジストの塗布方法ピエゾ方式のインクジェットプリンターであるFUJIFILMDimatix社製DMP-2831を使用した。インクジェットヘッドには専用の10plヘッドを使用した。このインクジェットヘッドは離型剤を塗布するために使用したインクジェットヘッドとは異なる。液滴の配置パターンは正方格子状とし、液滴の間隔は400μmと設定した。モールドおよび石英基板の接着方法モールドおよびレジストの位置合わせをするため、モールドおよび石英基板を互いに近接させた。そして、モールドの背面から光学顕微鏡でモールドおよび石英基板のアライメントマークを観察しながら、アライメントマークが所定の位置にくるように位置合わせをした。露光方法360nmの波長を含む紫外光により、照射量が300mJ/cm2となるように、石英基板を通して露光した。<比較例2>離型処理用基板として、角に丸みがない直径70mmの石英基板を用いたこと以外は、実施例5と同じである。評価方法以下に、実施例および比較例の評価方法を示す。外周部離型層の極大点の高さを測定する方法外周部離型層の極大点の高さDは、離型層が厚さ分布を有する円周上の所定の8点0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°および315°をAFM原子間力顕微鏡により半径方向に走査して測定し、8点の平均値から求めた。実施例1と比較例1に関しては、中心から半径32.5mmの円周上の位置を測定した。また、実施例2~7と比較例2に関しては、中心から半径35mmの円周上の位置を測定した。インプリントにより形成されたレジストパターンを、光学顕微鏡倍率50倍の暗視野で観察した。観察する際、倍率50倍で3mm角の視野を規定した。そして、基板中心を基準とした0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°および315°のそれぞれの方向における、パターン形成領域の外縁からレジストと石英基板の境界までの距離を測定した。なお、パターン形成領域の外縁および上記境界の位置は、散乱光が検出されるため、この散乱光を観察することにより場所を特定した。実施例1と比較例1に関しては、パターン形成領域の外縁から上記境界までの距離が2.5mm以下である箇所が、7箇所以上である場合には非常に良好であると評価し、5~6箇所である場合には良好であると評価し、3~4箇所である場合にはやや良好であると評価し、2箇所以下である場合には不良であると評価し、これらの結果をそれぞれ◎、○、△および×で表した。一方、実施例2~7と比較例2に関しては、パターン形成領域の外縁から上記境界までの距離が5mm以下である箇所が、7箇所以上である場合には非常に良好であると評価し、5~6箇所である場合には良好であると評価し、3~4箇所である場合にはやや良好であると評価し、2箇所以下である場合には不良であると評価し、これらの結果をそれぞれ◎、○、△および×で表した。未充填欠陥の評価方法インプリントにより形成されたレジストパターンを、光学顕微鏡倍率50倍の暗視野で観察した。観察する際、倍率50倍で3mm角の視野を規定した。そして、基板中心を基準とした0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°および315°のそれぞれの方向の位置において、半径方向に走査して任意の3箇所を観察し、石英基板表面の未充填欠陥の有無を測定した。測定では、正常なラインスペースパターンでは見られない散乱光を検出した部分を未充填欠陥とした。未充填欠陥の発生個所をカウントし、3mm角当たりの発生数が、0個の場合には欠陥が未発生であると評価し、1個以上の場合には欠陥が発生したと評価した。残膜厚さの均一性についての評価方法実施例または比較例でインプリントにより形成されたそれぞれのレジストパターンに関して、パターン形成領域の中心からその外縁付近までのラインスペースパターンの残膜の厚さを測定した。レジストパターンの一部を、スクラッチまたはテープ剥離等により剥離することにより石英基板を露出させ、当該剥離領域とパターン領域の境界部をAFMで測定することにより、残膜の厚さを測定した。具体的には、基板中心を基準とした0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°および315°のそれぞれの方向の位置において、半径方向に走査して任意の3箇所を測定した。それぞれ方向において、測定値の最大値と最小値との差が、1.5nm未満である場合には非常に良好であると評価し、1.5nm以上3nm未満である場合には良好であると評価し、3nm以上5nm未満である場合にはやや良好であると評価し、5nm以上である場合には不良であると評価し、これらの結果をそれぞれ◎、○、△および×で表した。残膜厚さの平均値の算出方法残膜厚さの平均値を、残膜厚さの均一性の評価において非常に良好であると評価されたレジストパターンに限って算出した。残膜厚さの平均値は、残膜厚さの均一性を評価する際に測定された24ヶ所の残膜厚さを平均することにより求めた。パターン化基板のパターン高さの均一性についての評価方法AFMを用いて、パターン化基板のパターン形成領域の中心からその外縁付近までのパターン高さを測定した。具体的には、基板中心を基準とした0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°および315°のそれぞれの方向の位置において、半径方向に走査して任意の3箇所を測定した。それぞれ方向において、測定値の最大値と最小値との差が、3nm未満である場合には非常に良好であると評価し、3nm以上6nm未満である場合には良好であると評価し、6nm以上10nm未満である場合にはやや良好であると評価し、10nm以上である場合には不良であると評価し、これらの結果をそれぞれ◎、○、△および×で表した。表1は以上の実施例および比較例の実施条件をまとめた表であり、表2は以上の実施例および比較例の結果をまとめた表である。これにより、本発明のモールドおよびその製造方法並びにそのモールドを用いたナノインプリント方法により、ナノインプリントにおいて、メサ型基板を用いずともレジストの流動領域を制限することが可能となり、本発明のパターン化基板の製造方法により、パターン化基板の製造において、パターン高さもしくはパターン深さが均一なモールドを製造することが可能となることがわかる。"