"少なくとも1つのイメージセンサのピクセルを含むイメージセンサにおいて、前記少なくとも1つのイメージピクセルは、光を受信して少なくとも1つの電子を生成し、前記少なくとも1つの電子を復調部に送信する検出部と、前記検出部から前記少なくとも1つの電子を受信し、受信された少なくとも1つの電子を格納し、前記電子を蓄積するための少なくとも1つの送信ノードに前記少なくとも1つの電子を送信する復調部と、を含み、前記検出部は、前記電子を前記復調部に送信するために印加される電界のピニング電圧が異なる複数のドーピング領域を含むイメージセンサ。前記複数のドーピング領域は複数のn-層または複数のp-層を含み、前記複数のn-層または複数のp-層は前記復調部に近いほど高いピニング電圧を有する請求項1に記載のイメージセンサ。前記複数のn-層または複数のp-層それぞれのピニング電圧は、ドーピング濃度または接合深さによって調整される請求項2に記載のイメージセンサ。前記検出部は、前記複数のドーピング領域を含むピン止めフォトダイオードに構成される請求項1~請求項3のいずれか一項に記載のイメージセンサ。前記復調部はフォトゲートを含む請求項1~請求項4のいずれか一項に記載のイメージセンサ。前記フォトゲートの電位は、第1時間区間で前記検出部のピニング電圧および前記電子を蓄積するための第1送信ノードの電位と同一であるか低く、第2時間区間で前記検出部のピニング電圧および前記電子を蓄積するための第1送信ノードの電位よりも高い請求項5に記載のイメージセンサ。前記第1時間区間において前記フォトゲートに格納された電子は前記少なくとも1つの送信ノードに移動し、前記第2時間区間において前記検出部で生成された電子は前記フォトゲートに移動する請求項5または請求項6に記載のイメージセンサ。前記フォトゲートの電位は、第3時間区間で前記検出部の電位および前記電子を蓄積するための第2送信ノードの電位よりも低く、前記第2時間区間において前記検出部で生成された電子は第3時間区間で前記第1送信ノードに移動する請求項7に記載のイメージセンサ。前記フォトゲートの電位および前記検出部の電位は、前記第2時間区間で前記検出部から前記フォトゲートに前記少なくとも1つの電子が移動するように設定し、同時に、前記フォトゲートの電位および前記第1送信ノードの電位は、前記少なくとも1つの電子が前記第1送信ノードに移動されないように設定する請求項7または請求項8に記載のイメージセンサ。前記フォトゲートの電位および前記検出部の電位は、前記第1時間区間で前記少なくとも1つの電子が前記検出部の中から前記フォトゲートの前まで移動するように設定し、前記第1時間区間の以前に前記フォトゲートに格納された電子は前記第1送信ノードに送信されるように設定する請求項7または請求項9に記載のイメージセンサ。前記フォトゲートの電位は、第2時間区間において前記第1送信ノードの電位および前記第2送信ノードの電位よりも高く、前記第2時間区間において前記フォトゲートは受信される電子を格納し、前記第2時間区間において前記フォトゲートは前記第1送信ノードまたは前記第2送信ノードに電子を送信しない請求項8~請求項10のいずれか一項に記載のイメージセンサ。少なくとも1つのイメージセンサのピクセルを含むイメージセンサにおいて、前記少なくとも1つのイメージピクセルは、第1時間区間の以前に格納された電子を少なくとも1つの送信ノードを介して復調する復調部と、前記第1時間区間で光を受信して生成された電子を前記復調部の前まで送信する検出部と、を含み、前記復調部の前まで送信された電子は、第2時間区間で前記復調部に移動するイメージセンサ。前記検出部は複数のドーピング領域を含み、前記複数のドーピング領域それぞれのピニング電圧は、ドーピング濃度または接合深さによって調整されることを特徴とする請求項12に記載のイメージセンサ。前記検出部は、複数のドーピング領域を含むピン止めフォトダイオードに構成される請求項12に記載のイメージセンサ。前記復調部はフォトゲートを含む請求項12に記載のイメージセンサ。光を検出して電子を生成する検出部と、前記電子を復調し、フォトゲート、第1送信ノード、および第2送信ノードを含む復調部とを含むピクセルを含むイメージセンサの動作方法であって、前記検出部で生成された電子を前記フォトゲートに格納するステップと、前記フォトゲートに格納された電子を前記第1送信ノードおよび前記第2送信ノードのうちの1つによって復調するステップと、を含むイメージセンサの動作方法。前記格納するステップは、前記フォトゲートの電位を前記第1送信ノードおよび前記第2送信ノードよりも高く設定するステップを含む請求項16に記載のイメージセンサの動作方法。前記復調するステップは、前記第1送信ノードおよび前記第2送信ノードのうちの1つの電位を前記フォトゲートの電位よりも高く設定するステップを含む請求項16に記載のイメージセンサの動作方法。本発明の目的は、イメージセンサピクセルの復調速度を向上させることのできるイメージセンサを提供することにある。また、精度の向上した深さイメージを獲得することのできるイメージセンサを提供することにある。本発明の一側面において、イメージセンサのピクセルは、ピニング電圧が異なる複数のドーピング領域を含む検出部と、前記検出部から電子が送信されて復調する復調部とを含む。前記複数のドーピング領域は、複数のn-層n-layerを含んでもよい。このとき、前記複数のn-層は前記復調部に近いほど高いピニング電圧を有する。前記複数のn-層それぞれのピニング電圧は、ドーピング濃度または接合深さによって調整されてもよい。前記複数のドーピング領域は、複数のp-層を含んでもよい。このとき、前記複数のp-層は、前記復調部に近いほど高いピニング電圧を有する。前記複数のp-層それぞれのピニング電圧は、ドーピング濃度または接合深さに応じて調整されてもよい。前記複数のドーピング領域それぞれのピニング電圧は、ドーピング濃度または接合深さに応じて調整されてもよい。前記検出部は、前記複数のドーピング領域を含むピン止めフォトダイオードに構成されてもよい。前記復調部はフォトゲートを含んでもよい。前記フォトゲートの電位は、第1時間区間において前記検出部のピニング電圧および少なくとも1つの送信ノードの電位よりも低く、第2時間区間において前記検出部のピニング電圧および前記少なくとも1つの送信ノードの電位よりも高い。前記第1時間区間において前記フォトゲートに格納された電子は、前記少なくとも1つの送信ノードに移動し、前記第2時間区間において前記検出部で生成された電子は前記フォトゲートに移動してもよい。一側面において、イメージセンサのピクセルは、第1時間区間の以前に格納された電子を少なくとも1つの送信ノードを介して復調する復調部と、前記第1時間区間で光を受信して生成された電子を前記復調部の前まで送信する検出部とを含む。このとき、前記復調部の前まで送信された電子は、第2時間区間で前記復調部に移動してもよい。一側面において、イメージセンサのピクセル動作方法は、光を検出して電子を生成する検出部と、前記電子を復調する復調部とを含むイメージセンサによって行なわれてもよい。このとき、イメージセンサのピクセル動作方法は、前記検出部で生成された電子を前記復調部に格納するステップと、第1時間区間において、前記復調部に格納された電子が第1送信ノードを介して復調されるように前記復調部に電圧を印加するステップとを含む。前記イメージセンサのピクセル動作方法は、第2時間区間において、前記復調部の前まで移動した電子が前記復調部に格納されるように前記復調部へ電圧を印加するステップをさらに含んでもよい。前記イメージセンサのピクセル動作方法は、第3時間区間において、前記復調部に格納された電子を第2送信ノードを介して復調されるように前記復調部へ電圧を印加するステップをさらに含んでもよい。このとき、前記復調部は、フォトゲート、第1送信ノードおよび第2送信ノードを含み、前記第1時間区間において、前記フォトゲートの電位は前記第2送信ノードの電位と同じであり、前記検出部のピニング電圧および前記第1送信ノードの電位よりも低い。このとき、第2時間区間において、前記フォトゲートの電位は前記第1送信ノードおよび第2送信ノードの電位よりも高い。このとき、第3時間区間において、前記フォトゲートの電位は前記第1送信ノードの電位と同じであり、前記検出部のピニング電圧および前記第2送信ノードの電位よりも低い。検出部および復調部それぞれに電界を形成させることによって、低い電圧を使用する素子を用いて大きい電界を形成することができる。したがって、イメージセンサピクセルの復調速度を向上させることができる。イメージセンサの復調速度が向上するため、精度の向上された深さイメージを獲得することができる。提案される実施形態に係るイメージセンサのピクセル構造は、深さセンサだけでなく、カラーおよび深さを同時に獲得するセンサにも活用できる。以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照して詳細に説明する。図1は、関連技術に係るイメージセンサのピクセル構造を説明するための例示図である。図1に示す例は、フォトゲートphotogateを用いたデプスキャプチャdepthcapturing技術に関するものである。図1に示すように、フォトゲートは反射した赤外線、すなわち反射光を受信して、反射光を電子正孔対electron-holepair:EHPに変換する。フォトゲートは反射したIRが入射されるDGゲートを含む。PGゲートの両側には送信信号が印加されるG-AおよびG-Bが備えられる。PGゲートに電圧が印加されると、PGゲートの下側に空乏層depletion領域が形成される。空乏層の領域が生成した後、反射したIRが入射されると、PGゲートの下側に電子が生成する。PGゲートの下側に生成された電子はG-AまたはG-Bを介して蓄積ノードまたは浮遊拡散floatingdiffusionノードに送信される。蓄積ノードまたは浮遊拡散ノードに蓄積された電荷量によってTOFを求めることができる。図1に示すイメージセンサのピクセル構造および関連動作によってTOFを求めることができる。このとき、TOFを正確に算出するためには、電子を蓄積ノードまたは浮遊拡散ノードに送信する速度が極めて速くなければならない。すなわち、イメージセンサから約10m内のオブジェクトから反射された光は、数十ナノ秒以内に戻ってくる。イメージセンサのDGゲートに生成された電子は、G-AまたはG-Bを介して蓄積ノードまたは浮遊拡散ノードに正確に送信されなければならず、また、極めて短い時間内に送信されなければならない。電子がG-AまたはG-Bを介して送信される動作を復調demodulationと定義すれば、正確なTOFを算出するためには復調速度を速くしなければならない。図2および図3は、関連技術に係るイメージセンサにおいて、復調速度が深さ測定に及ぼす影響を説明するためのタイミングダイヤグラムである。図2および図3に示す斜線に示される領域は、復調によって生成される電荷量を示す。もし、変調周波数が20MHzであるとき、転送ゲートtransfergateのG-AおよびG-Bに電圧が印加されて復調が行われる時間は25nsである。図2に示すように、復調が行われる時間が極めて短い場合例えば、1ns以下の場合、G-AおよびG-Bに接続された各蓄積ノードに蓄積された電荷量の比率を用いて正確な深さ測定が可能である。一方、図3に示すように、復調が行われる時間が長ければ、各蓄積ノードに蓄積された電荷量の比率がG-AおよびG-Bそれぞれに電圧を印加した時間の比率との差が発生するため、結果的にTdelayに該当する誤差が発生する。したがって、深さ測定に誤差が発生する場合が生じ得る。このように、復調速度は深さ測定において極めて重要であり、深さ精度を高めるためには復調速度は速いのが好ましい。電子が転送される方式は、例えば、ドリフトプロセスdriftprocessおよび拡散プロセスdiffusionprocessの2種類がある。簡単に、ドリフトプロセスは、電界によって電子を移動させるものでああり、拡散プロセスは、拡散によって電子を移動させるものである。一般的に、ドリフトプロセスは拡散プロセスよりも10倍以上速い速度で電子を移動させることができる。図4は、イメージセンサの一実施形態を示す。図4に示すように、イメージセンサ400の少なくとも1つのピクセルは、検出部410および復調部420を含む。検出部410は光を受信して電子を生成し、生成された電子を復調部420に送信する。このとき、検出部410は、複数のドーピング領域を含んでもよく、複数のドーピング領域の間のピニングピン止め電圧pinningvoltageの差によって電子を復調部420に送信してもよい。検出部410は、複数のドーピング領域を含むピン止めフォトダイオードから構成してもよい。このとき、ピン止めフォトダイオードはP/N/P-sub構造であってもよい。ピン止めフォトダイオードは動作時ピニング電圧を維持することができ、暗電流darkcurrentを減らすことができる。復調部420は、検出部410から送信された電子を少なくとも1つの送信ノードを介して復調する。復調部420は、蓄積ノードまたは浮遊拡散ノードのうち少なくとも1つを含んでもよい。このとき、復調部420で行われる復調は、検出部410から送信された電子を少なくとも1つの送信ノードを介して蓄積ノードまたは浮遊拡散ノードに送信する動作を意味する。復調部420は、フォトゲートを含んで構成してもよい。イメージセンサ400の少なくとも1つのピクセルの動作方法は、検出部410に電界を印加することによって、電子を復調部420側に移動させる方式を用いる。すなわち、検出部410は光を受信して電子を生成し、第1時間区間で電子を復調部420の前まで送信することができる。復調部420は、第1時間区間の前に格納された電子を少なくとも1つの送信ノードを介して復調してもよい。このとき、復調部420の前まで送信された電子は、第2時間区間で復調部420に移動し得る。図5は、イメージセンサの一実施形態の平面図であり、図6は、図5のA-A’に対する断面図であり、図8は、図5のB-B’に対する断面図である。イメージセンサのピクセル500は、検出部510、フォトゲート520、第1送信ノードTX1530、第2送信ノードTX2540、第1浮遊拡散ノードFD1550および第2浮遊拡散ノードFD2560を含む。このとき、フォトゲート520、第1送信ノードTX1530、第2送信ノードTX2540、第1浮遊拡散ノードFD1550および第2浮遊拡散ノードFD2560は図4に示す復調部420に対応する。検出部510は図4に示す検出部410に対応する。したがって、検出部510は光を受信して電子を生成し、生成された電子を復調部に送信し得る。また、検出部510は、ピン止めフォトダイオードに構成してもよい。このとき、検出部510は、図6に示すように電子を送信するための複数のドーピング領域620、630、640、650を含んでもよい。複数のドーピング領域620、630、640、650は、P層620とP層620の下に位置するn-層630、640、650から構成してもよい。このとき、n-層630、640、650は、復調部に近いほど高いピニング電圧を有する。ここで、n-層630、640、650それぞれのピニング電圧は、n-層630、640、650それぞれのドーピング濃度または接合深さに応じて調整することができる。例えば、N1630、N2640、N3650の順に、次第に高いドーピング濃度を有してもよい。すなわち、N1630領域のピニング電圧はN2640領域のピニング電圧よりも低く、N3650領域のピニング電圧はn-層630、640、650の中で最も高いピニング電圧を有する。n-層630、640、650が復調部に近いほど高いピニング電圧を有するように調整すれば、検出部510で生成した電子は電界によって復調部側に移動し得る。一方、図7は、図6に示す検出部510の接合深さが調整された例を示す。すなわち、図7に示す、n-層710、720、730の接合深さは、N1710、N2720、N3730の順に次第に深い構造を有してもよい。このとき、N3730の領域は復調部に最も近い領域である。同じ原理として、P層620の領域を複数に分けて各ドーピング濃度または接合深さを調整してピニング電圧を調整してもよい。この場合、n-層630、640、650を単一のn-層に代替させてもよい。また、N-基板N-subに複数のPドーピング領域を形成し、その上にNドーピング領域を形成してイメージセンサのピクセルを実現することも可能である。すなわち、図6に示すP-基板P-sub510、n-層630、640、650、およびP層620は、それぞれN-基板、p-層、およびN層に代替されてもよい。この場合、検出部510はN/P/N-基板構造を有する。検出部510がN/P/N-基板構造を有する場合、N層の領域を複数に分けてそれぞれのドーピング濃度または接合深さを調整し、p-層を単一の層に代替させてもよい。本発明は、前記で言及した実施形態に限定されることなく、検出部510がフォトゲート520に近いほど高いピニング電圧を有する構造であればすべて含まれるものと解釈しなければならない。例えば、図6に示すn-層が形成された領域は3つであるが、n-層を2つまたは4つ以上に構成する実施形態も可能である。イメージセンサのピクセル500の復調部はフォトゲート520を含む。このとき、イメージセンサのピクセル500の復調部は、上側が遮蔽され得るため、イメージセンサのピクセル500の復調部には光によって電子が生成しない。図6に示す実施形態では、フォトゲート520の上側が金属610により遮蔽されている。図5~図8に示すように、フォトゲート520、第1送信ノードTX1530および第2送信ノードTX2540はP-基板の上に並んで配列されてもよい。フォトゲート520、第1送信ノードTX1530および第2送信ノードTX2540のそれぞれに印加される電圧に応じて、電界の方向が決められる。決められた電界の方向に応じて電子は移動し得る。このとき、第1送信ノードTX1530および第2送信ノードTX2540はフォトゲート520と共にポリシリコンで構成してもよく、他の物質で構成してもよい。他の物質に構成される場合、図8とは異なり、フォトゲート520と第1および第2送信ノード530、540の間はギャップがないように製造することができる。フォトゲート520と第1および第2送信ノード530、540の間にギャップがなければ、電子はさらに効率的に復調できる。第1浮遊拡散ノードFD1550および第2浮遊拡散ノードFD2560は、第1および第2送信ノード530、540によって送信された電子を蓄積する蓄積ノードに該当する。図5~図8に示すイメージセンサのピクセル500は、検出部510に電界を印加することによって、電子を復調部側に移動させる。イメージセンサのピクセル500は、ピン止めフォトダイオードの形状geometryを変化させることなく、ピニング電圧の変化を大きくすることのできる構造を有する。具体的に、イメージセンサのピクセル500はn-層630、640、650のドーピング濃度または接合深さを調整することによって、ピニング電圧の大きさを変化させるように設計されてもよい。また、イメージセンサのピクセル500は、フォトゲート520を用いて電子送信速度を増加させることができる。フォトゲート520に印加される電圧を高めれば、ピニング電圧の差によって移動した電子はフォトゲート520に集まる。すなわち、フォトゲート520は検出部510で生成した電子を一定時間の間に格納することができる。フォトゲート520に電子が集まった後、フォトゲート520に印加される電圧を低くしながら第1送信ノードTX1530または第2送信ノードTX2540に印加される電圧を高めて電界を強く生成すれば、フォトゲート520に集まった電子は早く第1浮遊拡散ノードFD1550または第2浮遊拡散ノードFD2560に送信され得る。図9は、図5~図8に示す検出部およびフォトゲートに形成される電位を示す例示図である。図10は、図5~図8に示す復調部に形成される電位を示す例示図である。具体的に、図9および図10は、それぞれ図6および図8に示す断面に形成される電位を示す。図9および図10は、各領域別電位の差によって電子がより容易に移動できることを図式的に表したものであり、電位は0を基準にして下方にいくほど高い値を有する。図9において、Vp1はN1630の電位を示し、Vp2はN2640の電位を、Vp3はN3650の電位を示す。VPGはフォトゲート520の電位を示し、VPGはフォトゲート520に印加される電圧によって調整されてもよい。図10において、VTX1は第1送信ノード530の電位を示し、第1送信ノード530に印加される電圧に応じて調整されてもよい。VPGおよびVTX2はそれぞれフォトゲートおよび第2送信ノードの電位を示し、これらはそれぞれフォトゲートおよび第2送信ノードに印加される電圧によって調整されてもよい。一方、VFD1およびVFD2はそれぞれ第1浮遊拡散ノードFD1550および第2浮遊拡散ノードFD2560の電位を示す。図11および図12は、本発明の一実施形態に係るイメージセンサピクセルの動作方法を説明するための例示図である。以下、図5~図8、図11および図12を参照して、本発明の一実施形態に係るイメージセンサピクセルの動作方法を説明する。第1時間区間t1において、検出部510で生成された電子1101は復調部の前まで送信される。すなわち、フォトゲート520の電位を低くすれば、第1時間区間t1で、検出部510で生成された電子1101がフォトゲート520の前に集められる。また、第1時間区間t1において、以前時間に復調部に格納された電子1103は第2送信ノード540を介して復調される。すなわち、第1時間区間t1において、第2送信ノード540の電位を高くすれば、復調部で以前時間に格納された電子1103が第2送信ノード540を介して復調され得る。第1時間区間t1において、フォトゲート520の電位は、第1送信ノード530の電位と同一であり、検出部510の電位および第2送信ノード540の電位よりも低い。したがって、検出部510で生成された電子1101は、電界によってフォトゲート520の前まで送信され、以前時間に復調部に格納された電子1103は、第2送信ノード540を介して第2浮遊拡散ノードFD2560に蓄積される。第2時間区間t2において、復調部の前まで移動した電子1101は復調部に格納されるよう、復調部に電圧が印加される。すなわち、第2時間区間t2でフォトゲート520の電位を高くし、第1送信ノード530および第2送信ノード540の電位を低くすれば、電子1101は強い電界によってフォトゲート520に移動する。このとき、フォトゲート520の電位は、第1送信ノード530および第2送信ノード540の電位よりも高い。したがって、電子1101はフォトゲート520にそのまま維持される。一方、第2時間区間t2においても、検出部では反射光によって新しい電子1102が生成され、生成される電子1102もフォトゲート520に移動し得る。第3時間区間t3において、フォトゲート520の電位を低くすれば、第3時間区間t3で生成された電子1201はフォトゲート520の前まで移動する。第3時間区間t3において、第1送信ノード530の電位を高くすれば、第2時間区間t2にフォトゲート520へ格納されていた電子1101、1102は、第1送信ノード530を介して第1浮遊拡散ノードFD1550に蓄積される。すなわち、第3時間区間t3において、フォトゲート520の電位は、第2送信ノード540の電位と同一であり、検出部510の電位および第1送信ノード530の電位よりも低い。第4時間区間t4において、検出部510および復調部は第2時間区間t2と同じ電位を有する。したがって、第3時間区間t3においてフォトゲート520の前まで移動した電子1201は、第4時間区間t4でフォトゲート520に集められ得る。一方、第4時間区間t4においても反射光によって検出部では電子1202が生成され、生成される電子1202もフォトゲート520に移動し得る。各時間区間においてフォトゲート520と第1、2送信ノード530、540の電位は、検出部510の電位を考慮して定められたものであって、例示するものに限定されることはない。例えば、フォトゲート520の電位が低くなる場合、図11および図12に示すように、電位が0である必要はない。電子はイメージセンサのピクセルが反射光を受信する間に生成され得るため、図11および図12に示す各時間区間t1、t2、t3、t4のうち、反射光が受信される時間と重なる時間区間で検出部に電子が生成し得る。図11および図12には、各時間区間t1、t2、t3、t4ごとに反射光によって検出部で電子が生成されるものと説明したが、これは例示的なものである。光例えば、IRをターゲットオブジェクトに放射する周期、フォトゲート520、第1送信ノード530、および第2送信ノード540に対する電圧印加タイミング、ターゲットオブジェクトとイメージセンサとの間の距離などに応じて、各時間区間t1、t2、t3、t4と反射光が受信される時間の重複の有無が異なってもよい。図13は、図11および図12に示すイメージセンサピクセルの動作に対するタイミングダイヤグラムを示す。ただし、図11および図12には、すべての時間区間t1、t2、t3、t4と反射光が受信される時間が重なるものと説明したが、図13は、時間区間t1およびt3の一部並びに時間区間t2と、反射光が受信される時間とが重なる場合を示す。図13において、照射される光はIRと仮定する。ただし、照射される光は検出可能な光であれば、いずれのものも可能である。また、変調方法は、図13には最も簡単な矩形波を示したが、正弦波、三角波およびパルスなど、いずれのものも可能である。したがって、照射される光または変調方法は例示するものに限定されない。図13において、電子は反射IRのハイhigh区間反射IRがイメージセンサのピクセルに受信される区間の1301および1303で生成される。ここで、区間1301で生成された電子は、t3でTX1を介して第1浮遊拡散ノードFD1550に送信され得る。また、区間1303で生成された電子はt4の後、TX2がハイとなる1305で第2浮遊拡散ノードFD2560に送信され得る。すなわち、図13に示す、斜線で表示した面積は第1浮遊拡散ノードFD1550または第2浮遊拡散ノードFD2560に蓄積される電子の量と比例する。したがって、反射IRに斜線で表示する面積から深さdepthを測定することができる。一方、図13に示す時間区間t1、t2、t3およびt4はフォトゲート520および第1および第2送信ノード530、540に印加される電圧を調整することによって変更し得する。図14および図15は、イメージセンサピクセルの一実施形態の電位ダイヤグラムを示す。図14および図15に示すように、イメージセンサピクセルは、検出部と復調部を区分して電圧を印加することによって、低い電圧でも高い電界を生成することができる。例えば、検出部に3V程度の電界を形成した後、復調部でPG電圧を低くすることによって、再び3V程度の電界を形成することができる。したがって、ピン止めフォトダイオードを使用しながらも、高い電界を獲得することができるため、復調速度を向上させることができる。図16~図19は、イメージセンサピクセルの様々な変形例を示す。図16に示す例は、図5に示すイメージセンサピクセルで送信ノードTX1、TX2および第1および第2浮遊拡散ノードFD1、FD2の大きさおよび位置が変更された例である。図5では、検出部510の一方の側にフォトゲート520が形成され、第1送信ノード530および第2送信ノード540はそれぞれ第1浮遊拡散ノード550および第2浮遊拡散ノード560とフォトゲート520の間に形成されている。ここで、第1送信ノード530および第2送信ノード540は、それぞれフォトゲート520の一方側及びとその反対側に形成されている。図16に示すように、TX11630およびTX21640はフォトゲート1620と並んで配列される。すなわち、図16に示す実施形態において、フォトゲート1620を基準として検出部例えば、ピン止めフォトダイオードPinnedPhotoDiode:PPD、1610が形成された側及びその反対側にTX11630およびTX21640が形成されている。一方、図17および図19に示すように、TX11730、1930およびTX21740,1940はフォトゲート1720、1920の両端に配列される。TX11630およびTX21640をフォトゲート1620と並んで配列する場合、フォトゲート1620とTX11630およびTX21640が接触する部分は増加し得る。フォトゲート1620とTX11630およびTX21640が接触する部分が広いほど、電子はさらに効率的に送信される。ここで、送信ノードTX11630、TX21640の大きさに応じて、電子が浮遊拡散ノードFD11650、FD21660に送信される速度が調整されることができる。図16に示す例で、浮遊拡散ノードFD11650、FD21660はフォトゲート1620、TX11630およびTX21640と並んで配列される。FD11650およびFD21660をTX11630およびTX21640と並んで配列する場合、送信ノードTX11630、TX21640および浮遊拡散ノードFD11650、FD21660が接触する部分は増加し得る。一方、図19に示す例として、浮遊拡散ノードFD11950、FD21960はそれぞれTX11930およびTX21940の終端に配列される。図17に示す例は、図5に示すイメージセンサピクセルで検出部例えば、PPDの形および浮遊拡散ノードFD1、FD2の大きさおよび位置が変更された例である。図17~図19に示すように、ピン止めフォトダイオード1710,1810,1910は、それぞれ図16に示すピン止めフォトダイオード1610とその構造および形状は異なるものの、図16で説明する事項は図16~図19に全て適用され得る。図17に示すように、ピン止めフォトダイオード1710はフォトゲート1720側にいくほど次第に幅が狭くなる構造を有する。ピン止めフォトダイオード1710の幅がフォトゲート1720側にいくほど次第に狭くなる場合、フォトゲート1720の大きさを小さくすることによって、動作時における電力消費を減らすことができる。図17に示す例として、FD11750およびFD21760はフォトゲート1720と並んで配列される。図18に示す例は、図16に示す例から検出部例えば、PPD、1610の形が変更された例を示す。すなわち、図18に示す例において、ピン止めフォトダイオード1810はフォトゲート1820側にいくほど次第に幅が広くなる構造を有する。この場合、ピン止めフォトダイオード1810のn-層が水平方向に大きくなるため、フォトゲート1820側にいくほど次第にピニング電圧が増加する効果があり、電子の送信速度は速くなる。図18に示す例として、送信ノードTX11830、TX21840および浮遊拡散ノードFD11850、FD21860は図16に示す構造と同一である。図19に示す例として、図5に示すイメージセンサピクセルで検出部例えば、PPDの形が変更された例を示す。図19に示す例において、ピン止めフォトダイオード1910は図17に示すピン止めフォトダイオード1710の構造と同一である。図19に示す例として、TX11930、TX21940は、図17に示すTX11730、TX21740の構造と同一であるか類似する。また、FD11950、FD21960は、図5に示すFD1550、FD2560に類似する形状を有する。図16~図19に示すように、フォトゲートおよび送信ノード、浮遊拡散ノードの位置は変更されてもよく、検出部の形も様々に変更されてもよい。したがって、復調速度、量子効率、フィルファクタなどイメージセンサの様々な仕様に応じてフォトゲートおよびTXゲート、浮遊拡散ノードの位置および形の変形が可能となる。上述したように、本発明は、特定の実施形態と図面によって説明したが、本発明は、前記の実施形態に限定されることなく、本発明が属する分野における通常の知識を有する者であれば、このような基材から多様な修正および変形が可能である。したがって、本発明の範囲は説明された実施形態に限定されて決められてはならず、後述する特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等なものなどによって定められなければならない。"