金属酸化物半導体層と、前記金属酸化物半導体層に接して積層させたバッファー層と、前記バッファー層に接して前記金属酸化物半導体層とは反対側に積層させた光吸収層と、を具備し、前記光吸収層は銅とテルルからなる化合物からなることを特徴とする光電変換素子前記光吸収層の銅とテルルからなる化合物はCu2Teの組成を有する化合物である請求項1に記載の光電変換素子前記バッファー層はIn2S3又はZnSからなるものである請求項1又は2に記載の光電変換素子。前記金属酸化物半導体層は多孔質構造である請求項1から3のいずれか一項に記載の光電変換素子。前記金属酸化物半導体層は、チタン酸化物、タングステン酸化物、亜鉛酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物及びチタン酸ストロンチウムよりなる群から選ばれた少なくとも1種である請求項1から4のいずれか一項に記載の光電変換素子。前記金属酸化物半導体層に接して前記バッファー層とは反対側に透光性導電層を備えた請求項1から5のいずれか一項に記載の光電変換素子。前記透光性導電層は、フッ素ドープ錫酸化物、インジウムドープ錫酸化物、ガリウムドープ錫酸化物、アルミニウムドープ錫酸化物及びニオブドープ錫酸化物よりなる群から選ばれた少なくとも1種の透明導電性酸化物からなる請求項6に記載の光電変換素子。前記透光性導電層に接して前記金属酸化物半導体層とは反対側に透光性基板を備え、前記光吸収層に接して前記バッファー層とは反対側に背面電極を備えた請求項6又は7に記載の光電変換素子。前記透光性基板はガラス又はプラスチックからなる請求項8に記載の光電変換素子。背面電極はモリブデン、金、銀、アルミニウム、カーボン及び白金よりなる群から選ばれた少なくとも1種からなる請求項8又は9に記載の光電変換素子。請求項1に記載の光電変換素子を製造する方法であって、前記バッファー層の形成は、下地となる前記金属酸化物半導体層の表面を150~400°Cに加熱した状態で前記バッファー層の構成原料化合物からなる溶液を空気中で前記金属酸化物半導体層の表面上に噴霧することにより行い、前記光吸収層の形成は、前記光吸収層の組成となる粉末を含む印刷用インクを印刷用スキージで前記バッファー層上に印刷塗布し、400~600°Cで加熱することにより行うことを特徴とする光電変換素子製造方法。本発明の第1の目的は、化合物半導体層を含み、高い光電変換効率が得られる太陽電池等に適した新規な光電変換素子を提供することである。本発明の第2の目的は、その光電変換素子を製造コストの低い方法により再現性よく製造する方法を提供することである。上記目的に鑑み、鋭意検討した結果、CuとTeからなる化合物半導体は、光吸収層として用いることで高い光電変換効率をもつ太陽電池等の光電変換素子を構成しうることを見出した。また、製造方法に関しては、金属酸化物半導体層上にスプレー法によりバッファー層を形成したのち、さらに印刷法によりCuとTeからなる化合物半導体を光吸収層として形成することで、少なくともバッファー層と光吸収層に関しては製造コストの高い真空プロセスに頼らずに再現性よく成膜することができ、しかも高い光電変換効率が得られることを見出した。すなわち、本発明は以下の構成からなる。本発明の光電変換素子は、金属酸化物半導体層と、金属酸化物半導体層に接して積層させたバッファー層と、バッファー層に接して金属酸化物半導体層とは反対側に積層させた光吸収層とを少なくとも具備している。そして、光吸収層はCuとTeからなる化合物からなることを特徴とするものである。金属酸化物半導体層は、平滑構造であってもよいし、多孔質構造であってもよい。多孔質構造とは、特に制限されるわけではないが、粒状体、線状体線状体は針状、チューブ状、及び柱状等を含む。等の金属酸化物半導体が集合してなるものであればよい。金属酸化物半導体層を多孔質構造とすれば、ナノスケールであるため、後述の光吸収層の活性表面積を著しく増加させ、光電変換効率を向上させるとともに、電子収集に優れる金属酸化物半導体層とすることができる。また、金属酸化物半導体層に使用される金属酸化物半導体としては、バンドギャップが2~5eV程度のn型半導体であれば特に制限はない。例えば、チタンTi、亜鉛Zn、スズSn、ニオブNb、インジウムIn、イットリウムY、ランタンLa、ジルコニウムZr、タンタルTa、ハフニウムHf、ストロンチウムSr、バリウムBa、バナジウムV、タングステンW等の金属元素よりなる群から選ばれた少なくとも1種を含む金属酸化物が好ましい。また、窒素N、炭素C、弗素F、硫黄S、塩素Cl、リンP等の非金属元素よりなる群から選ばれた少なくとも1種を含有していてもよい。金属酸化物半導体としては、具体的には、チタン酸化物、タングステン酸化物、亜鉛酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物、チタン酸ストロンチウム等がより好ましく、チタン酸化物がさらに好ましい。特に、電子エネルギー準位においてその伝導帯がバッファー層の好ましい例として使用されるIn2S3又はZnSの伝導帯よりも低いn型半導体が好ましい。金属酸化物半導体としてチタン酸化物を採用する場合には、結晶構造はアナターゼ型のものを用いることが好ましい。金属酸化物半導体として、ペロブスカイト型の酸化物半導体を使用する場合には、ドナーがドープされていてもよい。これらの金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層を形成することで、これらの金属酸化物半導体層が、後述する光吸収層に光を導入するための窓層となり、且つ、後述するバッファー層からの電子を収集する役割を担うn型半導体層とすることができる。なお、これらの金属酸化物半導体は、単独で用いてもよいし、2種以上を組合せて用いてもよい。金属酸化物半導体層の厚みは、10~2000nm程度が好ましく、20~300nm程度がより好ましい。金属酸化物半導体層の厚みをこの程度とすることにより、より確実にリーク電流を抑制し、且つ、後述するバッファー層からの電子を収集することができる。バッファー層は、n型半導体内の電子とp型半導体内の正孔との電荷再結合を防ぐ特性があるものとして、In2S3又はZnSからなるものが好ましい。特に、本発明では、In2S3が好ましい。バッファー層の材質としては、CdSも挙げられるが、CdSは安全性の懸念に加え、光吸収では青色領域のスペクトル応答に減少がみられる。バッファー層は金属酸化物半導体層上にスプレー法により形成されていることが好ましい。これにより、真空プロセスを使わないため製造コストを低減することができる。バッファー層の厚みは、0.1~3.0μm、好ましくは0.3~0.5μmである。バッファー層の厚みが薄すぎると、再現性の高い光電変換効率を得られる光電変換素子を得ることが困難となり、厚すぎると光吸収層までの透過光が減少し、変換効率が低下する。金属酸化物半導体層として多孔質の金属酸化物半導体層を採用する場合には、金属酸化物半導体層の上にバッファー層を積層するように形成する態様に限られず、例えば、層として形成される前の状態の粒状体、線状体等の金属酸化物半導体の表面にバッファー層として適当な厚み、例えば0.2~1.0μmの厚みのIn2S3又はZnSをスプレー熱分解法により形成し、それが集合してなるものを金属酸化物半導体層及びバッファー層としてもよい。光吸収層はCuとTeからなる化合物、すなわちCu-Te系の化合物半導体からなる。光吸収層に使用できるCu-Te系の化合物半導体としては、例えば、CuTe、Cu2Te等が挙げられるが、p型半導体特性を持つための一価の銅原子を含むCu2Teが好ましい。また、光吸収層は印刷法により形成されていることが好ましい。これにより、真空プロセスを使わないため、製造コストを低減することができる。本発明では、光吸収層の厚みは、色素増感太陽電池よりも薄くすることができ、0.2~2.5μm程度が好ましく、0.3~1.0μm程度がより好ましい。光吸収層の厚みを上記範囲内とすることにより、光吸収層にピンホールを発生させず、一定の強度を保てるとともに、より効率よく光を吸収できる。本発明では、金属酸化物半導体層に接してバッファー層とは反対側に透光性導電層を備えていることが好ましい。透光性導電層は、例えば、透明導電性酸化物からなるものとすればよく、例えば、フッ素ドープ錫酸化物FTO、インジウム錫酸化物ITO、ガリウムドープ亜鉛酸化物、アルミニウムドープ亜鉛酸化物、ニオブドープチタン酸化物等からなるものが好ましく、なかでも、ITOからなるものがより好ましい。これにより、透光性導電層が、光吸収層に導入するための窓層となり、且つ、光吸収層から得られた電力を効率よく取り出すことができる。透光性導電層の厚みは、0.01~10.0μm程度が好ましく、0.3~1.0μm程度がより好ましい。透光性導電層の厚みを上記範囲内とすることにより、シート抵抗を低減し、結果として光電変換装置のシリーズ抵抗を低減できるため、フィルファクター特性を維持できる。本発明では透光性導電層に接して金属酸化物半導体層とは反対側に透光性基板を備えていることが好ましい。透光性基板としては、特に制限されないが、例えば、ガラス、プラスチック等から構成すればよい。これにより、光を光吸収層に導入するための窓層になり得る。透光性基板の厚みは、特に限定されないが、0.1~5.0mm程度とすればよい。なお、例えば、ITO膜付きガラス、FTO膜付きガラス等の透明導電膜付き基板を、透光性基板及び透光性導電層としてもよい。本発明では光吸収層に接してバッファー層とは反対側に背面電極を備えていることが好ましい。背面電極としては、特に制限されないが、例えば、金属電極、特にモリブデン、金、銀、アルミニウム、カーボン、白金等が好ましい。また、これらの金属の合金等も好ましく用いられる。背面電極の厚みは、特に制限されないが、0.1~2.0μm程度とすればよい。本発明の製造方法は、本発明の光電変換素子を製造するための好ましい工程からなる製造方法であり、バッファー層の形成は下地となる金属酸化物半導体層の表面を150~400°Cに加熱した状態でバッファー層の構成原料化合物からなる溶液を空気中で金属酸化物半導体層の表面上に噴霧することにより行い、光吸収層の形成は光吸収層の組成となる粉末を含む印刷用インクを印刷用スキージでバッファー層上に印刷塗布し、400~600°Cで加熱することにより行うようにしたものである。本発明によれば、高い光電変換効率が得られる、太陽電池等に適した新規な光電変換素子を提供することができる。また、本発明の製造方法によれば、そのような新規な光電変換素子をスプレー法と印刷法を含む方法により製造するので、再現性よく、低コストに実現することができる。上記で説明した本発明の光電変換素子の具体的な態様について、図面を参照してさらに詳細に説明する。図1は、金属酸化物半導体層が平滑構造を有する場合の本発明の光電変換素子の一態様を示す模式断面図である。この光電変換素子1は、例えば、スーパーストレート構造で形成することができ、一主面として下面側に、透光性基板2が配置され、その上に、透光性導電層3、平滑な金属酸化物半導体層4、バッファー層5、光吸収層6及び背面電極7がこの順に積層されている。このような構成を採用することにより、再現性よく高い光電変換効率を実現できる。なお、本発明において、上、下という表示は、便宜的に図面をもとにして表示しているだけであり、特別な意味はない。素子の配置方向によっては上下が逆になったり、左右になったりする。透光性基板2、透光性導電層3、金属酸化物半導体層4、バッファー層5、光吸収層6及び背面電極7の材質や厚み等については上記したとおりである。透光性導電層3は、透光性基板2上に、CVD法、スパッタリング法、スプレー法等により形成すればよい。製造コスト、大面積化が容易なこと、品質が安定していることを考慮すると、スプレー法が好ましい。また、市販の透明導電膜付きガラス等を透光性基板2及び透光性導電層3として使用することもできる。平滑な金属酸化物半導体層4は、透光性導電層3上に、CVD法、スパッタリング法、スプレー法等により形成すればよい。製造コスト、大面積化が容易なこと、品質が安定していることを考慮すると、スプレー法が好ましい。また、金属酸化物半導体層4は多孔質構造をとることもよく、これにより、金属酸化物半導体層4の上方に形成される光吸収層6の活性面積を大きくし、光電変換効率を向上させることができる。バッファー層5は、平滑な金属酸化物半導体層4上に、スプレー法により形成される。例えば、表面が150~400°Cに加熱された平滑な金属酸化物半導体層4のその表面上に、InCl3及びCSNH22を含む原料溶液濃度は、それぞれInCl3:1mM~500mM、及びCSNH22:1mM~500mMを、空気中で噴霧してバッファー層を形成すればよい。この際、平滑な金属酸化物半導体層4の表面温度が低すぎると、噴霧されたバッファー層用原料化合物の十分な熱分解反応が得られず、目的とするバッファー層5が得られない。また、平滑な金属酸化物半導体層4の表面温度が高すぎると、バッファー層5の厚みを厚くするのが困難となる。光吸収層6は、バッファー層5上に印刷法により形成される。例えば、ボールミルを使用し、CuとTeを2対1の混合比で拌混練することによりCu2Teの組成となる粉末を調製し、この粉末をプロピレングリコールに混ぜ合わせ印刷用のインクとする。そのインクを印刷用スキージで上記バッファー層5の上に印刷塗布し、400°Cから600°Cの間で30分間加熱する。なお、上記では、バッファー層5及び光吸収層6の形成方法について、一例を示したが、これに限定されることはなく、様々な組成及び条件で作製することができる。背面電極7は、光吸収層層6上に、CVD法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等により形成すればよい。光電変換素子の用途本発明の光電変換素子は、これを発電手段として用い、その発電電力を負荷へ供給するように成した構成とすることで、様々な用途に適用可能である。具体的には、本発明の光電変換素子、本発明の光電変換素子から出力された直流電流を交流電流に変換するインバータ装置、電気モーター、照明装置等の負荷等を有する構成の光電変換装置とすることができる。その用途としては、例えば、建築物の屋根、壁面等に設置されるCu2Te太陽電池等として使用することができる。実施例に基づいて、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。実施例図1の態様の光電変換素子を以下のように作製した。透光性導電層3を具備した透光性基板2として、シート抵抗10Ω/□スクエアの厚み0.5μm程度のSnO2:F層フッ素ドープSnO2層からなる透光性導電層が一主面に形成されたガラス基板表面積は25cm2を用意し、その上に、酸化チタンからなる金属酸化物半導体層4を厚み200nm程度積層させた。積層法としてはスプレー法を用い、透光性導電層の表面温度を400~450°C程度とし、プリカーサー溶液としてTAA溶液チタンIVイソプロポキシドとアセチルアセトン=1:2モル比の溶液を10倍に希釈したエタノール溶液を30ml用い、1ml/分のスプレー速度で10分間噴霧した。噴霧方法としてはベンチュリの法則に従うガラス噴霧器を使用し、基板との距離を20cm程度とした。この金属酸化物半導体層4上に、スプレー法により厚み0.3μm程度のバッファー層5を形成した。金属酸化物半導体層4の表面温度を180°C程度とし、プリカーサー溶液として10mMのInCl3と20mMのCSNH22を混合した水溶液を50ml用い、50分間噴霧した。次に、このバッファー層5上に、印刷法により光吸収層6を厚み5μm程度積層させた。その際、光吸収層6となるCu2Teの印刷用インクとして、CuとTeを原子数2:1の比で混合し、遊星ボールミルで高速混練を行うことでCu2Teの組成の粉末を調製し、その粉末を溶媒としてのエチレングリコールに分散させたものを使用した。光吸収層6を400°Cで30分間加熱したのち、背面電極7として金を5mm角=25mm2で蒸着させ、光電変換素子1を作製した。光電変換素子の大きさを約5mm角=25mm2とし、1枚のガラス基板に複数個の光電変換素子を形成するために、金属酸化物半導体層4、バッファー層5及び背面電極7を形成するときはガラス基板の透光性導電層3上に一辺が5mmの正方形の穴が複数個あけられた金属製のマスク板を重ねて噴霧又は蒸着を行った。光吸収層6はスクリーン印刷により形成した。できあがる光電変換素子において、図1に示されるように、背面電極7から光吸収層6が一部露出するようにするには、背面電極7を形成するためのマスク板として、その穴の面積が光吸収層6の面積よりも僅かに小さいものを使用すればよい。マスク板の材質は例えばステンレスであり、基板温度によって影響を受けないものであれば特に限定されない。この実施例の光電交換素子について、AM1.5のソーラーシミュレータの光100mW/cm2を照射し、室温例えば20°Cで光電特性の測定を行った。この実施例の光電変換素子の光電流は21mA/cm2、光電圧は0.24V、光電変換効率は1.57となった。