平坦な表面を有する支持構造体と、前記平坦な表面からオフセット距離の位置にあり第1の光デバイスを有する第1の平坦な基板であって、前記第1の光デバイスが、前記第1の平坦な基板のエッジに沿って第1の光ポートのアレイを有する、第1の平坦な基板と、前記平坦な表面からオフセット距離の位置にあり1つまたは複数の第2の光デバイスを有する第2の平坦な基板であって、前記1つまたは複数の第2の光デバイスが、前記第2の平坦な基板の第2のエッジに沿って第2の光ポートを有し、前記第2のエッジは前記第1のエッジに面している、第2の平坦な基板と、前記第1の平坦な基板に熱的に結合された第1のヒータと、前記第2の平坦な基板に熱的に結合された第2のヒータと、を備え、前記第1の平坦な基板が、前記第2の平坦な基板とは実質的に異なる熱膨張率を有し、前記第1のヒータと前記第2のヒータが、別個に制御可能であるように構成されている、装置。前記第1の平坦な基板が平坦なベースを含み、前記光デバイスが前記平坦なベースに隣接する位置にあり、前記平坦なベースが前記第2の平坦な基板の組成と異なる組成を有し、前記1つまたは複数の第2の光デバイスが、前記支持構造体の前記平坦な表面に位置するデバイスと光学的に結合されている、請求項1に記載の装置。前記平坦な表面に実装された複数の光検出器と、前記平坦な表面に実装され、受け取った光に応答して前記光検出器によって生成される電気信号を受け取るように電気的に接続されている複数の増幅器であって、前記1つまたは複数の第2の光デバイスが、前記第1の光ポートのアレイからの光を前記複数の光検出器に向けるように構成されている、複数の増幅器と、前記平坦な表面に取り付けられ、前記光検出器が実装されているサブマウントと、をさらに備える、請求項1に記載の装置。前記サブマウントが、前記平坦な表面に取り付けられた第1の層と、前記第1の層の上に形成され、前記光検出器が直接的に取り付けられている第2の層と、を備え、前記第1の層がシリコンで構成され、前記第2の層がシリコン酸化物またはシリコン窒化物で構成され、少なくとも約10μmの厚さを有し、前記サブマウントが、前記第2の層の上に形成され導電性材料で作られた第3の層をさらに備え、前記第3の層が、前記光検出器から前記増幅器に前記電気信号を伝送する電気リードを形成するようにパターニングされている、請求項3に記載の装置。支持板と、前記支持板に実装されている複数の光検出器と、前記支持板に実装され、受け取った光に応答して前記光検出器によって生成された電気信号を受け取るように電気的に接続されている複数の増幅器と、前記支持板に実装されている光サブアセンブリとを備え、前記光検出器が、前記光サブアセンブリと前記支持板との間に位置決めされ、前記光サブアセンブリが、光を前記光検出器に向けるように構成されている、装置。前記光検出器が、前記支持板から第1のオフセット距離に実装され、前記増幅器が、前記支持板から第2のオフセット距離に実装され、前記第1のオフセット距離が前記第2のオフセット距離よりも長い、請求項5に記載の装置。前記支持板に直接的に取り付けられたサブマウントをさらに備え、前記光検出器が前記サブマウントに実装され、前記サブマウントが、前記支持板に直接的に取り付けられた第1の層と、前記第1の層の上に形成され、前記光検出器が直接的に取り付けられている第2の層とを備える、請求項5に記載の装置。前記第1の層がシリコンで構成され、前記第2の層がシリコン酸化物またはシリコン窒化物で構成され、少なくとも約10μmの厚さを有し、前記サブマウントが、前記第2の層の上に形成され導電性材料で作られた第3の層をさらに備え、前記第3の層が、前記光検出器から前記増幅器に前記電気信号を伝送する電気リードを形成するようにパターニングされ、フォトダイオードが実装されている前記サブマウントの表面が、約±2μmの範囲内で平坦である、請求項7に記載の装置。共に前記支持板に実装されている第1および第2のスペーサであって、前記光サブアセンブリの第1の端部が前記第1のスペーサに取り付けられ、前記光サブアセンブリの第2の端部が前記第2のスペーサに取り付けられ、前記光サブアセンブリの中間部が前記第1のスペーサと前記第2のスペーサとの間に吊り下げられている、第1および第2のスペーサと、前記支持板に取り付けられたサブマウントであって、前記光検出器が前記サブマウントに実装され、前記第1および第2のスペーサが前記サブマウントに取り付けられている、サブマウントとをさらに備える、請求項5に記載の装置。前記光サブアセンブリが、光信号を複数のスペクトル成分に逆多重化するように構成された光デマルチプレクサと、前記光デマルチプレクサから前記スペクトル成分を受け取り、前記スペクトル成分を対応する光検出器に向けるように構成されている1つまたは複数のミラーと、温度制御ユニットと、を備え、前記光デマルチプレクサと前記1つまたは複数のミラーが共に、前記温度制御ユニットに横並びの配列で取り付けられ、前記温度制御ユニットが、前記光デマルチプレクサとミラーのアレイとのいずれよりも前記支持板から大きなオフセット距離に位置決めされ、前記温度制御ユニットが、前記光デマルチプレクサと前記1つまたは複数のミラーとの温度を個別に制御するように構成された2つ以上の抵抗性ヒータを備え、前記光デマルチプレクサが、前記1つまたは複数のミラーよりも前記支持板から大きなオフセット距離に位置決めされている、請求項5に記載の装置。本明細書に開示されているのは、ラインカードの光受信機において用いることができる光電子アセンブリの様々な実施形態である。一実施形態では、この光電子アセンブリは、トランスインピーダンス増幅器TIAの対応するアレイに電気的に結合されたアバランシェフォトダイオードAPDのアレイを有するハイブリッド集積回路であり、APDとTIAが共に共通のセラミック基板に実装されている。この光電子アセンブリは、アレイ状の導波路回折格子AWGとターニングミラーのアレイとを備えた光サブアセンブリをさらに有し、アレイ状の導波路回折格子AWGとターニングミラーのアレイは共に、横並びの配列で温度制御ユニットに取り付けられ、APDの上の基板にフリップチップ実装されている。光電子アセンブリは、APDとTIAとの間の高差を調整するために、APDと基板との間に挿入されたシリコンベースのサブマウントを用いる。このサブマウントは、有利には、基板に対するAPDの傾斜とオフセット距離とを適切に制御しながら、APDをターニングミラーに比較的近接近して配置することを可能にする。温度制御ユニットは、AWGとターニングミラーのアレイとの独立した温度制御を可能にし、これは、ターニングミラーのサイズが比較的小さな場合でも、AWGとAPDとの間の適切な光結合効率の達成に役立つ。別の実施形態によれば、平坦な表面を有する支持構造体と、平坦な表面からオフセット距離の位置にあり第1の光デバイスを有する第1の平坦な基板であって、第1の光デバイスが第1の平坦な基板のエッジに沿って第1の光ポートのアレイを有する、第1の平坦な基板と、平坦な表面からオフセット距離の位置にあり1つまたは複数の第2の光デバイスを有する第2の平坦な基板であって、1つまたは複数の第2の光デバイスが、第2の平坦な基板の第2のエッジに沿って第2の光ポートを有し、第2のエッジは第1のエッジに面している、第2の平坦な基板と、第1の平坦な基板に熱的に結合された第1のヒータと、第2の平坦な基板に熱的に結合された第2のヒータとを備えた装置が提供される。第1の平坦な基板は、第2の平坦な基板とは実質的に異なる熱膨張率を有する。第1のヒータと第2のヒータは、別個に制御可能であるように構成されている。さらに別の実施形態によれば、支持板と、支持板に実装されている複数の光検出器と、支持板に実装され、受け取った光に応答して光検出器によって生成された電気信号を受け取るように電気的に接続されている複数の増幅器と、支持板に実装されている光サブアセンブリとを有する装置が提供される。光検出器は、光サブアセンブリと支持板との間に位置決めされている。光サブアセンブリは、光を光検出器に向けるように構成されている。本発明の様々な実施形態の他の態様、特徴および利益は、例として、以下の詳細な説明と添付の図面とから、より完全に明らかになるはずである。図1は、本発明の一実施形態による光ラインカードにおいて使用可能な光受信機100のブロック図を示している。受信機100は、光/電気O/E変換器110と信号プロセッサ150を含む。O/E変換器110は、例えば外部の光通信リンクから、N成分の波長分割多重化WDM信号102を受け取り、それをN個の電気アナログ信号1421~142Nに変換してそれぞれの信号142が信号102の対応するWDM成分を表すようにする。なお、ここでNは1よりも大きい整数である。プロセッサ150は、当技術分野で知られているように、信号102のN個の個別的に変調されたWDM成分によって搬送されたデータを回復して、この回復されたデータをデジタル出力信号1521~152Nを介して出力するように、対応する電気回線1421~142Nにおいて受け取った信号を処理する。信号プロセッサ150において実施される信号処理はアナログ/デジタル変換を含み、クロック回復、電子分散補償EDCおよび前方誤り訂正FECの中の1つまたは複数をオプションで含み得る。代表的な実施形態ではN=10であるが、他の実施形態では、特定の適用例に必要に応じてより小さくまたはより大きくなり得る。O/E変換器110は、例えば図2を参照して以下でさらに説明されるように実装可能なハイブリッド集積回路である。O/E変換器110は、WDM信号102をλ1~λNとラベリングされるそのN個の構成成分であるWDM成分に分解する光デマルチプレクサ120を有する。それぞれのWDM成分λiは、光検出器PD1301~130Nの中のそれぞれの光検出器に与えられる。それぞれのPD130は、受け取ったWDM成分を、ライン1321~132Nにおいて電気信号の中の対応する信号に変換する。次いで、それぞれの電気信号132は、増幅器1401~140Nの中の対応する増幅器において増幅されて、電気アナログ信号の中の対応する信号が電気回線1421~142Nにおいて生じる。代表的な実施形態では、光デマルチプレクサ120はモノリシックな光集積回路であり、PD1301~130Nと増幅器1401~140Nはそれぞれが個別の半導体デバイスである。PD1301~130Nは、任意の所望の様態で、例えば図1に示されているような直線状の横方向のアレイで、空間的に配置することができる。デマルチプレクサ120、PDデバイス1301~130Nおよび増幅器デバイス1401~140Nは、例えばセラミック、複合またはポリマの材料で作られた共通の支持板104の平坦な表面に接して、またはそのような平坦な表面の上に実装される。支持板104は、O/E変換器110を、直接かまたは追加的な構造的要素を介してかのいずれかで、対応する光ラインカードのプリント回路板に取り付けるために用いることができる。図2は、本発明の一実施形態によるO/E変換器110において用いることができる光電子アセンブリ200の部分的な断面側面図を示している。光電子アセンブリ200は、例えば、そのアセンブリの他の構成要素に対する構造上の支持を提供するセラミック基板支持板204を有する。基板204は、支持板104の可能な実装形態の1つであり得る。基板204に直接に実装されるのは、直線状に横方向のアレイで配列される複数のトランスインピーダンス増幅器TIA2401~240Nである。この直線状の横方向のアレイでの配列により、図2の図面では、TIA2401~240Nの中の1つだけ、すなわちTIA240iだけが見えるようになっている。TIA240iは、アバランシェフォトダイオードAPD230iからの信号を、ワイヤリード238iを介して受け取るように、電気的に接続されている。TIA240iと同様に、APD230iは、直線状の横方向アレイとして配列されている複数のAPD2301~230Nの一部であり、そのため、図2ではAPD230iだけを見ることになる。APD2301~230Nは、基板204に取り付けられたサブマウント222に実装されている。サブマウント222は、少なくとも2つの異なる機能を果たし、例えば、ベース層224、絶縁層226および導電層228を備え得る。いくつかの実施形態では、サブマウント222の第1の機能は、APD2301~230NとTIA2401~240Nとの間の高差を調整することによって、光学的な損失を減少させることである。本明細書において、高さという用語は、図2に示されているZ軸に沿った対応するピースまたは構成要素の厚さを意味する。典型的には、APD230iなどのAPDは、TIA240iなどのTIAよりも小さな高さを有する。APD230iが基板204に直接実装される場合には、APDの感光性領域234は、光を感光性領域の上に射影する光サブアセンブリ290から比較的大きな距離のところに配置されるのであるが、その理由は、TIA240iとワイヤリード238iのために、光サブアセンブリが、TIAおよび/またはワイヤリードの最高点よりもAPDにより近づいて位置決めされることが全くできないからである。都合の悪いことに、この比較的大きな距離のために比較的高い光学的損失が生じ、あるいはレンズなど1つまたは複数の追加的な光学素子を組み込むことが必要となる可能性もある。サブマウント222は、感光性領域234と光サブアセンブリ290との間の距離の著しい短縮を可能にすることにより、この問題に対処することができる。その理由で、いくつの実施形態では、追加的な光学素子をアセンブリ200の中に組み込むことなく、光学的損失を受け入れ可能な低い水準に維持することができる。いくつかの実施形態では、サブマウント222の第2の機能は、APD2301~230Nのアレイ全体にわたる、高さおよび傾斜の適切な制御を可能にすることである。例えば、基板204がセラミックキャリアである場合には、比較的大きな例えば、N>5直線状のAPDアレイであると、セラミックキャリアが、例えば1cmX1mmという比較的大きなサイズおよび/または大きなアスペクト比を有していることが要求されることがある。このような大きなアスペクト比は、セラミックの脆弱性により、製造上の歩留まりを低下させる可能性がある。また、セラミック材料が製造の間に受ける熱処理のため、多くの場合にこの材料に比較的大きな収縮が生じ、それにより、結果的に得られるセラミックキャリアの表面がいくぶん波形になってしまう。都合の悪いことに、このタイプの実装用表面は、APDアレイのAPD同士間に、受け入れられない高さおよび傾斜の変動を生じさせることもある。アセンブリ200では、この問題は、非セラミック材料をサブマウント222のために用いることによって対処可能であり、それにより、サブマウントの表面を、APD2301~230Nの位置決めにおける高さの一様性および傾斜に関する比較的厳格な仕様を満足するのに十分なほどに平坦にすることが可能になる。一実施形態では、サブマウント222のベース層224はシリコンで作られており、サブマウントの絶縁層226はシリコン酸化物またはシリコン窒化物で作られている。シリコン処理技術は成熟し十分に発達しているので、サブマウント222の外部表面の平坦性は、例えば±2μmの範囲内など、多くの場合に適切に制御することが可能であり、それによって、APD2301~230Nの位置決めにおける高さの一様性および傾斜に関する仕様に従うことは容易である。絶縁層226は、APD230iとシリコン製のベース層224との間の非導電性のスペーサとして機能し、APDが変調された光信号を受け取り対応する電気RF信号をTIA240iのために生成するときに、シリコン製のベース層において無線周波数RFの誘導された寄生電流が生じることを防止することが可能であるのに十分な厚さとすることができる。絶縁層226の典型的な厚さは、約10μmから約30μmの間である。絶縁層226は、また、APD230と対応するワイヤリード238との間に適切な電気的接続を提供するために導電層228の都合のよい堆積、パターニングおよびはんだ付けを可能にすることができる。光サブアセンブリ290は、この光サブアセンブリの2つのY軸の端部に位置決めされた2つのスペーサ236を用いて基板204上に実装されてΠの形状の構造を形成する。ここで、スペーサはΠの2つの脚部であり、光サブアセンブリはΠの上部の水平方向のバーである。図2に示されている図では、2つのスペーサ236の一方だけ、すなわち、光サブアセンブリ290の遠位端に接続されているスペーサだけを見ることができる。様々な実施形態において、スペーサ236は、基板204またはサブマウント222に直接取付け可能である。スペーサ236の高さとサブマウント222の厚さとは、APD230とワイヤリード238のために適切な公差を維持しながら十分な間隙を提供しながら、光サブアセンブリ290の下部表面と感光性領域234の上部表面との間のエアギャップを光学的な損失を低く維持するために実際的に可能な限り小さくするように選択される。光サブアセンブリ290は、アレイ状の導波回折格子デバイスAWGD220、その表面上ミラー262のアレイを有する平坦構造260および温度制御ユニット270を備える。AWGD220は、WDM波長デマルチプレクサ図1におけるデマルチプレクサ120も参照のこととして機能し、基板層214と導波層218を有するモノリシックで平坦な集積回路である。AWGD220は、光導波層218が基板204との関係で基板層214よりも小さなオフセット距離を有するように配向されている。光導波層218は、AWGD220の光回折格子機能を実現する様々な光導波路を有する。図1の光信号102などの入力WDM信号が、図2には明確には示されていない入力導波路に与えられる。AWGD220は、入力WDM信号をそのN個の構成成分であるWDM成分に分解し、それぞれのWDM成分を、層218におけるN個の出力導波路2161~216Nの中のそれぞれの出力導波路の中に方向付ける。例えば、WDM成分λiは、図2に示されているように、出力導波路216iの中に方向付けられる。AWGD220のエッジ221は、出力導波路2161~216Nの終端を有し、それぞれの出力導波路がN個のミラー262の中の対応するミラーに光学的に結合されるように、ミラーアレイ260に面している。それぞれのミラー262は、X軸に沿った出力導波路216からの光を、APD230の方向にZ軸に沿って伝播するように方向を変えるターニングミラーとして機能する。例えば、図2に示されているように、ミラー262iは、出力導波路216iからWDM成分λiを受け取り、そのWDM成分を、APD230iの感光性領域234に向かう方向に変更する。一実施形態では、ミラーアレイ260は、ガラスまたはシリコンの実質的に矩形のピースであり、そのエッジの1つが、隣接する2つの表面に対して非90度の角度に配向されている傾斜表面を形成するように、研磨により取り除かれている。この傾斜表面は、薄い金属層がその上に堆積され、ミラー2621~262Nの反射面を形成し得る。ガラス部材の厚さと傾斜表面の幅とは、出力導波路216のコアが傾斜表面の中心部と位置合わせされるように、選択される。結果的に、ミラーアレイ260は、AWGD220よりも僅かに厚くすることができ、これにより、出力導波路216の終端とミラーアレイの傾斜表面との間の自由空間において光ビームの広がりが与えられることに役立つ。一構成形態では、スペーサ236は、基板204に面しているミラーアレイ260の表面264に取り付けられている。表面264は、AWG220における光導波層218の外側の表面すなわち、図2に示されている図では下側の表面よりも基板204からのオフセット距離が小さいので、スペーサ236と光導波層の間には小さなギャップが存在する。他のスペーサの構成も可能である。別の実施形態では、ミラーアレイ260は、MEMSデバイスとしての可能な実装形態を含むマイクロミラーの任意の適切なアレイであり得る。ミラーアレイ260とAWGD220は共に温度制御ユニット270に取り付けられ、温度制御ユニット270は、少なくとも2つの機能を果たすことができる。第1に、温度制御ユニット270は、APD2301~230Nの上にフリップチップ実装するためにAWGD220とミラーアレイ260を互いに対して適切に位置決めすることを可能にする光サブアセンブリ290のための構造的ベースとして機能し得る。第2に、温度制御ユニット270は、AWGD220とミラーアレイ260の温度を制御する。例えば、温度制御ユニット270は、AWGD220の温度を特定された温度の±1Kの範囲内に維持するために、1つまたは複数の温度センサと1つまたは複数の抵抗性ヒータ図2には明示的には示されていないを組み込むことができる。当技術分野で知られているように、AWGD220のようなAWGDのスペクトル透過特性は温度に対して比較的敏感であり、適切な温度制御によって、AWGDがITU波長λiにおいて比較的小さな光挿入損失を有することが保証されることが可能になる。一構成形態では、温度制御ユニット270は、抵抗の異なるヒータを用いて、それぞれに異なる比率の熱フローをAWGD220とミラーアレイ260まで運び、例えば、悪影響のある温度勾配を回避し、および/または、AWGとミラーアレイをそれぞれ異なる温度に維持する。この特徴を用いて、例えばAWGD220とミラーアレイ260が異なる材料で作られている実装形態を可能にすることにより、例えばミラーアレイの場合であれば光学的損失増加という損害を生じることなく低コストの材料の使用を可能にすることができる。さらに、光サブアセンブリ290の比較的近接近して配置された電子回路などの外部の熱源によって誘導された一様でない加熱によって生じる可能性がある光学的なミスアライメントを低減するまたは回避することが可能になる。図3には、本発明の一実施形態による光サブアセンブリ290として用いることができる光サブアセンブリ390の断面側面図が示されている。光サブアセンブリ390は、AWGD320、その表面にミラー362のアレイを有する平坦な構造360および温度制御ユニット370を備える。それぞれのミラー362の垂直方向のサイズは比較的小さくて、AWGD320における出力導波路316の厚さよりも僅かに大きいだけである。この小さな垂直方向のサイズは、ミラー362の中間部をi出力導波路316の終端に比較的近接近して、および/または、ii感光性領域234図2を参照のことに比較的近接近して、位置決めを可能にするのに有利であり得る。平坦な構造360とAWGD320は、それぞれが異なる材料の組を用いて実現される。例えば、AWGD320は第1の材料例えばシリコンで作られた平坦な基板314を有することができ、平坦な構造360は第1の材料とは異なる第2の材料例えばガラスで作られた平坦な基板364を有することができる。その結果として、平坦な構造360とAWGD320は、異なる熱膨張係数を有する。概して、AWGD320の異なる例は、製造の間のプロセス変動に起因して、最適な動作温度が異なる。その結果、光サブアセンブリ390の異なる例は、そのそれぞれのAWGD320をそれぞれ異なる動作温度に維持するように構成される必要があることがある。平坦な構造360が、ミラー362の中央部を、公称の動作温度において、出力導波路316と光学的に位置合わせするように配置する厚さを有するように設計されているとしても、熱膨張係数の差異と公称の動作温度からの実際の動作温度の変位とのため、平坦な構造360がAWGD320と同じ温度を有している場合、光サブアセンブリ390のいくつかの例では、ミラー362が出力導波路316との適切な光学的位置合わせからずれてしまう場合があり得る。この問題に対処するために、温度制御ユニット370は、独立に制御される2つのヒータ372および374を有する。ヒータ372は、AWGD320のための温度制御を提供し、AWGDにおける光挿入損失がほぼ最小限に維持されるように選択された適切な動作温度T1にAWGDを維持するように、構成されている。既に上述したように、温度T1は、公称の動作温度とは異なり得る。ヒータ374は、平坦な構造360のために独立な温度制御を提供し、この平坦な構造を、温度T1とは異なり得る温度T2に維持するように構成されている。より具体的には、温度T2は、必要であれば、AWGD320と平坦な構造360との間の熱膨張係数の差異が、温度T1と温度T2との間の差異によって適切に補償されるように、選択される。この補償により、ミラー362と出力導波路316は、相互に適切な光学的位置合わせがなされた状態に配置され、それによって、温度T1が公称の動作温度から逸脱している場合でも、光サブアセンブリ390は比較的高い光スループットすなわち、低い光学的損失を有することが可能になる。一実施形態では、平坦な構造360の異なるミラー362は、平坦な構造360の中に集積され異なる例えば、分離した光デバイスとして実装され、平坦な構造360がそのエッジに沿って対応する複数の光ポートを有することにより、AWGD320の出力ポート例えば、出力導波路316の終端部と対応するミラー362との間の光学的な結合が可能になる。本明細書で用いられているオフセット距離という用語は、2つの要素の間の最短距離を意味する。例えば、図2に示されている図では、基板204とミラーアレイ260との間のオフセット距離は、基板の上側表面とミラーアレイの下側表面との間の距離である。同様にして、基板204とAWGD220との間のオフセット距離は、基板の上側表面とAWGDの下側表面との間の距離である。従って、AWGD220と基板204との間のオフセット距離は、ミラーアレイ260と基板204との間のオフセット距離よりも大きい。本発明が例示の実施形態を参照して説明されてきたが、この説明は、限定的な意味において解釈されることを意図していない。例えば、TIA240iは基板204に直接的に取り付けられているとして説明したが、TIAと基板との間に挿入されたサブマウントを用いる別の実施形態もまた可能である。異なるAPD230に接続されたTIA240は、直線状の構成ではなく、千鳥状に配列されてもよい。より具体的には、図2に示されている図では、千鳥状の構成とは、TIA240iが図示のAPD230iの右側に配置され、他方でTIA240i1はAPD230i1の左側に配置され、この交代がTIAアレイ全体にわたって反復されることを意味する。平坦な基板314は主として第1の半導体から形成され得、平坦な基板364は主として例えば第1の半導体とは異なる合金の組成を有する第2の半導体から形成され得る。本発明の他の実施形態に加え、説明された実施形態の様々な修正形態は、本発明が属する当業者に明らかであり、添付の特許請求の範囲に記載された本発明の原理および範囲に含まれるものと認められる。本明細書の目的では、MEMSデバイスは、互いに対して相対的に運動するように適合された2つ以上の部分を有するデバイスであり、その運動は、機械的、熱的、電気的、磁気的、光学的および/または化学的な相互作用など、任意の適切な相互作用または相互作用の組合せに基づく。MEMSデバイスは、マイクロまたはナノ加工技術を含むそれ未満の加工技術を用いて加工される。この加工技術には、必ずしも限定されるものではないが、1例えば自己集合的な単一層、所望の化学物質に対する高い親和性を有する化学コーティングならびにダングリング化学結合の生成および飽和を用いる自己集合的技術、および、2例えばリソグラフィ、化学的蒸着、物質のパターニングおよび選択的エッチングならびに表面の処理、成形、プレーティングおよびテクスチャリングを用いるウェハ/材料処理技法が含まれ得る。MEMSデバイスの例には、限定的ではないが、NEMSナノ電気機械システムデバイス、MOEMSマイクロ光電気機械システムデバイス、マイクロマシン、マイクロシステムおよびマイクロシステム技術またはマイクロシステム統合を用いて作られるデバイスが含まれる。別段断らない限りは、それぞれの数値および範囲は、単語約aboutまたは近似的にが値および範囲の前に付されているかのように、近似的なものとして解釈されるべきである。本発明の性質を説明する目的で上述し、図示した部分の詳細、材料および配列を様々に変更することは、添付の特許請求の範囲に記載された本発明の範囲から逸脱せずに、当業者によってなされ得ることがさらに理解される。本明細書において、一実施形態またはある実施形態の参照は、その実施形態と関係して説明された特定の特徴、構造または特性が、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれてもよいということを意味する。本明細書の様々な場所において一実施形態ではという句が現れているが、すべてが同じ実施形態を意味しているのでは必ずしもない。また、別個のまたは代替的な実施形態が、他の実施形態について相互に排他的な関係に必ずしもあるわけでもない。同じことは、実装形態という用語についても当てはまる。本明細書および図面は、本発明の原理を説明するためだけのものである。従って、当業者は、本明細書に明示的に説明や図解がなくとも、本発明の原理を具体化しその精神および範囲に含まれる様々な構成を工夫することができることが認識されよう。さらに、本明細書で挙げたすべての例は、基本的に、本発明の原理と、当技術分野を進歩させるために発明者によって寄与された概念との理解の助けとなる教育的な目的のためのみであると明確に意図されているのであって、このように具体的に列挙した例および条件に限定されずに解釈されるべきである。さらに、その特定の例に加えて、本発明の原理、態様および実施形態に関する本明細書での言及は、その均等物にも及ぶことが意図されている。高さ、長さ、幅、上、下などの用語の使用は、厳密に、本発明の説明を容易にするためのものであり、本発明を特定の向きに限定することは意図していない。例えば、高さは、垂直方向の上昇だけを限定的に意味するのではなく、図面に示されているように、3次元構造の3つの次元の中の1つを特定するのに用いられている。そのような高さは、電極が水平方向である場合には垂直であり得るし、電極が垂直方向である場合には水平であり得る。それ以外の場合もあり得る。同様に、すべての図面において異なる層は水平方向の層として示されているが、そのような向きは、説明上の目的に過ぎず、限定として解釈されるべきではない。図面に示されている様々な要素の機能は、プロセッサとしてラベル付けがなされている任意の機能ブロックも含めて、適切なソフトウェアと関連しながらソフトウェアを実行することができるハードウェアに加えて、専用のハードウェアを用いることによっても提供され得る。プロセッサによって提供されるときには、これらの機能は、単一の専用のプロセッサによって、単一の共用のプロセッサによって、または、その中のいくつかは共用も可能である複数の個別のプロセッサによって、提供され得る。さらに、プロセッサまたはコントローラという用語の明示的な使用は、ソフトウェアを実行することができるハードウェアを排他的に意味するものと解釈されるべきではなく、明示的ではないが、デジタル信号プロセッサDSPハードウェア、ネットワークプロセッサ、特定用途向け集積回路ASIC、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGA、ソフトウェアを記憶するリードオンリメモリROM、ランダムアクセスメモリRAMおよび不揮発性ストレージを、限定なく含み得る。通常型および/またはカスタムである他のハードウェアも含まれ得る。同様に、図面に示されているすべてのスイッチは、概念的なものに過ぎない。それらの機能は、プログラムロジックの動作を通じて、専用のロジックを通じて、プログラム制御と専用ロジックとの相互作用を通じて、またはさらに手動でも実行され得る。特定の技術が、コンテクストからより特定的に理解されるものとして、実施者に選択可能である。やはりここでの説明のために、結合する、結合している、結合された、接続する、接続しているまたは接続されたという用語は、2つ以上の要素の間でエネルギが伝達されることが許容される当技術分野において知られているまたは後に開発される任意の様態を意味し、1つまたは複数の追加的な要素の介在が、必須ではないものの、想定されている。逆に、直接に結合された、直接に接続されたなどの用語は、そのような追加的な要素が存在しないことを意味する。