"光電変換層と、前記光電変換層上に設けられ、放射線の波長を前記光電変換層の感度域の波長に変換する波長変換層と、前記光電変換層と前記波長変換層との間に設けられ、前記光電変換層および前記波長変換層よりも低い屈折率を有する低屈折率層とを備えた放射線撮像装置。前記光電変換層上に導電膜が設けられ、前記低屈折率層は、前記導電膜よりも低い屈折率を有する請求項1に記載の放射線撮像装置。前記導電膜上に保護層が設けられ、前記低屈折率層は、前記保護層よりも低い屈折率を有する請求項2に記載の放射線撮像装置。前記低屈折率層の前記光電変換層と反対側に設けられる層の屈折率をn0、前記低屈折率層の屈折率をn1、前記低屈折率層の厚みをd1、前記低屈折率層と前記光電変換層との間に設けられる層の屈折率をn2、および前記光電変換層の屈折率をn3としたとき、以下の式1,2を満足する請求項3に記載の放射線撮像装置。n0>n1<n2<n3.........1n1×d1=2m1×λ/4.........2但し、mは整数、λは入射光の波長とする。前記光電変換層側から順に、前記導電膜、前記保護層、前記低屈折率層および前記波長変換層が積層されている請求項4に記載の放射線撮像装置。前記保護層の屈折率および厚みをそれぞれn21,d21とし、前記導電膜の屈折率および厚みをそれぞれn22,d22とした場合、以下の式3を満足する請求項5に記載の放射線撮像装置。n21×d21n22×d22=2m’1×λ/4.........3但し、m’を整数とする。前記光電変換層側から順に、前記導電膜、前記低屈折率層、前記保護層および前記波長変換層が積層されている請求項4に記載の放射線撮像装置。前記導電膜の屈折率および厚みをそれぞれn2,d2とした場合、以下の式4を満足する請求項7に記載の放射線撮像装置。n2×d2=2m’1×λ/4.........4但し、m’を整数とする。前記波長変換層の放射線入射側の面および前記光電変換層側の面のうちの少なくとも一方の面に有機保護膜が設けられ、前記低屈折率層は、前記有機保護膜よりも低い屈折率を有する請求項3に記載の放射線撮像装置。前記波長変換層はヨウ化セシウムCsIよりなる請求項1に記載の放射線撮像装置。前記光電変換層は非晶質シリコンアモルファスシリコンよりなる請求項1に記載の放射線撮像装置。前記低屈折率層は酸化シリコンSiO2よりなる請求項1に記載の放射線撮像装置。前記導電膜はインジウム錫酸化物ITOよりなる請求項2に記載の放射線撮像装置。前記保護層は窒化シリコンSiNよりなる請求項3に記載の放射線撮像装置。放射線に基づく画像を取得する撮像装置と、前記撮像装置により取得された画像を表示する表示装置とを備え、前記撮像装置は、光電変換層と、前記光電変換層上に設けられ、放射線の波長を前記光電変換層の感度域の波長に変換する波長変換層と、前記光電変換層と前記波長変換層との間に設けられ、前記光電変換層および前記波長変換層よりも低い屈折率を有する低屈折率層とを有する放射線撮像表示システム。ところが、上記のような間接変換型の放射線撮像装置では、シンチレータが画素基板上に直付けされる場合、シンチレータがない場合光が空気層を経て光電変換素子へ入射する場合に比べ、界面反射に起因する光損失により、光吸収率が低減する。あるいは、特許文献1のように、光電変換素子を保護膜SiN単層で覆い、この保護膜上にシンチレータを積層した場合にも、上記直付けの場合と同様、光吸収率が低減するという問題がある。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、光電変換素子上に波長変換層が設けられた積層構造において、光吸収率の低減を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供することにある。本発明の放射線撮像装置は、光電変換層と、光電変換層上に設けられ、放射線の波長を光電変換層の感度域の波長に変換する波長変換層と、光電変換層と波長変換層との間に設けられ、光電変換層および波長変換層よりも低い屈折率を有する低屈折率層とを備えたものである。本発明の放射線撮像装置では、光電変換層と波長変換層との間に、それらよりも屈折率の低い低屈折率層が設けられていることにより、波長変換層から発せられた後、光電変換層へ入射するまでの間に光の干渉が生じ易くなる。これにより、光電変換層における光吸収率は、低屈折率層の膜厚に依存して変化し、極大値をもつようになる。本発明の放射線撮像表示システムは、放射線に基づく画像を取得する撮像装置上記本発明の放射線撮像装置と、この撮像装置により取得された画像を表示する表示装置とを備えたものである。本発明の放射線撮像装置によれば、光電変換層と波長変換層との間に、それらよりも屈折率の低い低屈折率層を設けるようにしたので、光の干渉による効果を利用して、光電変換層の光吸収率に対し、低屈折率層の膜厚依存性をもたせることができる。即ち、例えば光吸収率が極大値をとるように低屈折率層の膜厚を最適化することができる。これにより、光電変換素子上に波長変換層が設けられた積層構造において、光吸収率の低減を抑制することが可能となる。以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。尚、説明は以下の順序で行う。1.実施の形態光電変換層側から順に、透明導電膜、保護層、低屈折率層および波長変換層を備えた間接変換型の放射線撮像装置の例2.実施例11.の構成に相当するシミュレーション例3.変形例1低屈折率層を透明導電膜と保護層との間に設けた場合の例4.実施例23.の構成に相当するシミュレーション例5.変形例2波長変換層上に有機保護膜を設けた例6.変形例3有機保護膜の他の配置例7.変形例4画素駆動回路をパッシブ駆動回路とした例8.適用例放射線撮像表示システムの例<実施の形態>[放射線撮像装置の全体構成]図1は、本発明の一実施の形態に係る放射線撮像装置放射線撮像装置1の全体構成を表すものである。放射線撮像装置1は、いわゆる間接変換型FPDFlatPanelDetectorであり、α線、β線、γ線、X線に代表される放射線を波長変換後に受光し、放射線に基づく画像情報を読み取るものである。この放射線撮像装置1は、医療用をはじめ、手荷物検査等のその他の非破壊検査用のX線撮像装置として好適に用いられるものである。放射線撮像装置1は、基板11上に画素部12を有し、この画素部12の周囲には、例えば行走査部13、水平選択部14、列走査部15およびシステム制御部16からなる周辺回路駆動回路が設けられている。画素部12は、放射線撮像装置1における撮像エリアとなるものである。この画素部12には、入射光の光量に応じた電荷量の光電荷を発生して内部に蓄積する光電変換素子後述のフォトダイオード111Aを含む単位画素12a以下、単に画素と記述する場合もあるが行列状に2次元配置されている。単位画素12aには、画素駆動線17として例えば2本の配線具体的には行選択線およびリセット制御線が画素行ごとに設けられている。画素部12には更に、行列状の画素配列に対して画素行ごとに画素駆動線17が行方向画素行の画素の配列方向に沿って配線され、画素列ごとに垂直信号線18が列方向画素列の画素の配列方向に沿って配線されている。画素駆動線17は、画素からの信号読み出しのための駆動信号を伝送するものである。図1では、画素駆動線17について1本の配線として示しているが、1本に限られるものではない。画素駆動線17の一端は、行走査部13の各行に対応した出力端に接続されている。この画素部12の構成については後述する。行走査部13は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、画素部12の各画素12aを、例えば行単位で駆動する画素駆動部である。行走査部13によって選択走査された画素行の各単位画素から出力される信号は、垂直信号線18の各々を通して水平選択部14に供給される。水平選択部14は、垂直信号線18ごとに設けられたアンプや水平選択スイッチ等によって構成されている。列走査部15は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、水平選択部14の各水平選択スイッチを走査しつつ順番に駆動する。この列走査部15による選択走査により、垂直信号線18の各々を通して伝送される各画素の信号が順番に水平信号線19に出力され、当該水平信号線19を通して基板11の外部へ伝送される。行走査部13、水平選択部14、列走査部15および水平信号線19からなる回路部分は、基板11上に直に形成された回路であってもよいし、あるいは外部制御ICに配設されたものであってもよい。また、それらの回路部分は、ケーブル等により接続された他の基板に形成されていてもよい。システム制御部16は、基板11の外部から与えられるクロックや、動作モードを指令するデータなどを受け取り、また、放射線撮像装置1の内部情報などのデータを出力する。システム制御部16はさらに、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有し、当該タイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に行走査部13、水平選択部14および列走査部15などの周辺回路の駆動制御を行う。図2は、放射線撮像装置1の断面構造を模式的に表したものである。このように、間接変換型FPDでは、画素部12上に更にシンチレータ層114波長変換層を有している。画素部12は、後述のフォトダイオード111Aおよびトランジスタ111BTr1,Tr2,Tr3を画素毎に有し、シンチレータ層114から発せられた光波長変換後の光をフォトダイオード111Aにおいて受光し、読み出しトランジスタTr3により電気信号として読み出すようになっている。この画素部12とシンチレータ層114との界面付近には、詳細は後述するが、保護層128および低屈折率層129が積層されている。シンチレータ層114は、放射線の波長をフォトダイオード111Aの感度域の波長に波長変換するものである。このシンチレータ層114には、例えばX線を可視光に変換する蛍光体が用いられる。このような蛍光体としては、例えば、ヨウ化セシウムCsIにタリウムTlを添加したもの、酸化硫黄カドミウムGd2O2SにテルビウムTbを添加したもの、BaFXXはCl,Br,I等等が挙げられる。シンチレータ層114の厚みは100μm~600μmであることが望ましく、例えば600μmである。このようなシンチレータ層114は、平坦化膜113上に例えば真空蒸着法を用いて成膜することができる。以下、画素部12の詳細構成について説明する。[画素部12の詳細構成]画素回路図3は、画素部12における単位画素12aの回路構成の一例アクティブ駆動回路である。単位画素12aは、例えばフォトダイオード111Aと、トランジスタTr1,Tr2,Tr3後述のトランジスタ111Bに相当と、前述の垂直信号線18と、画素駆動線17としての行選択線171およびリセット制御線172とを含むものである。フォトダイオード111Aは、例えばPINフォトダイオードであり、例えばその感度域受光波長帯域が可視域である可視光を受光可能である。フォトダイオード111Aは、例えば上部電極126端子133に基準電位Vxrefが印加されることで、入射光の光量受光量に応じた電荷量の信号電荷を発生するものである。フォトダイオード111Aは、例えば下部電極p型半導体層122側が蓄積ノードNに接続されている。蓄積ノードNには容量成分136が存在し、フォトダイオード111Aで発生した信号電荷は蓄積ノードNに蓄積される。尚、フォトダイオード111Aを蓄積ノードNとグランドGNDとの間に接続した構成としてもよい。このフォトダイオードの断面構造については後述する。トランジスタTr1,Tr2,Tr3はいずれも、例えばNチャネル型の電界効果トランジスタであり、チャネルを形成する半導体層後述の半導体層126が例えば非結晶シリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコン等のシリコン系半導体、望ましくは低温多結晶シリコンにより構成されている。あるいは、酸化インジウムガリウム亜鉛InGaZnOまたは酸化亜鉛ZnO等の酸化物半導体により構成されていてもよい。トランジスタTr1は、リセットトランジスタであり、参照電位Vrefが与えられる端子137と蓄積ノードNとの間に接続されている。このトランジスタTr1は、リセット信号Vrstに応答してオンすることによって蓄積ノードNの電位を参照電位Vrefにリセットするものである。トランジスタTr2は、読出トランジスタであり、ゲートが蓄積ノードNに、端子134ドレインが電源VDDにそれぞれ接続されている。このトランジスタTr2は、フォトダイオード111Aで発生した信号電荷をゲートで受け、当該信号電荷に応じた信号電圧を出力する。トランジスタTr3は、行選択トランジスタであり、トランジスタTr2のソースと垂直信号線18との間に接続されており、行走査信号Vreadに応答してオンすることにより、トランジスタTr2から出力される信号を垂直信号線18に出力する。このトランジスタTr3については、トランジスタTr2のドレインと電源VDDとの間に接続する構成を採ることも可能である。以下、これらのトランジスタ総称してトランジスタ111Bとするの断面構造について説明する。トランジスタ111Bの断面構造図4は、トランジスタ111Bの断面構成例であり、画素部12の断面構造の一部に相当するものである。トランジスタ111Bは、半導体層126を挟むようにして2つのゲート電極を設けた、いわゆるデュアルゲート構造を有している。例えば、トランジスタ111Bは、基板11上に、第1ゲート電極120Aと、この第1ゲート電極120Aを覆うように形成された第1ゲート絶縁膜129を有している。第1ゲート絶縁膜129上には、チャネル層126aを含む半導体層126が設けられている。この半導体層126を覆うように、第2ゲート絶縁膜130が形成され、この第2ゲート絶縁膜130上の第1ゲート電極120Aに対向する領域に、第2ゲート電極120Bが配設されている。第2ゲート電極120B上には、層間絶縁膜131が形成されており、この層間絶縁膜131と第2ゲート絶縁膜130とに形成されたコンタクトホールH1を埋め込むように、ソースドレイン電極132が設けられている。第1ゲート電極120Aおよび第2ゲート電極120Bはそれぞれ、例えばチタンTi,アルミニウムAl,モリブデンMo,タングステンW,クロムCr等のいずれかよりなる単層膜またはそれらの積層膜よりなる。第1ゲート電極120Aおよび第2ゲート電極120Bの厚みはそれぞれ、例えば30nm~150nmとなっている。第1ゲート絶縁膜129および第2ゲート絶縁膜130は、例えば酸化シリコンSiO2、酸窒化シリコンSiON、窒化シリコンSiNx等の単層膜であるか、あるいはこのようなシリコン化合物よりなる層を複数積層した積層膜である。半導体層126は、例えば非結晶シリコン、多結晶シリコン、低温多結晶シリコンまたは微結晶シリコンにより構成され、望ましくは低温多結晶シリコンにより構成されている。あるいは、酸化インジウムガリウム亜鉛IGZO等の酸化物半導体により構成されていてもよい。この半導体層126では、チャネル層126aとN層126cとの間に、リーク電流を低減する目的でLDD層126bが形成されている。ソースドレイン電極132は、Ti、Al、Mo、W、Cr等からなる単層膜またはこれらの積層膜からなり、信号読み出しのための配線に接続されている。層間絶縁膜131は、例えば酸化シリコン、酸窒化シリコンおよび窒化シリコンのうちの単層膜またはこれらの積層膜により構成されている。尚、トランジスタ111Bは、上記のようなデュアルゲート構造を有するものに限定されず、半導体層のチャネルに対向して1つのゲート電極が配設されたものであってもよい。フォトダイオード111Aの断面構成図5は、フォトダイオード111Aの断面構成例であり、画素部12の一部に相当するものである。このフォトダイオード111Aは、上記トランジスタ111Bと共に基板11上に設けられ、例えばその積層構造の一部がトランジスタ111Bと共通しており、同一の薄膜プロセスによって形成されるものである。以下、フォトダイオード111Aの詳細構成について説明する。フォトダイオード111Aは、基板11上の選択的な領域に、ゲート絶縁膜121を介してp型半導体層122を有している。基板11上詳細にはゲート絶縁膜121上には、そのp型半導体層122に対向してコンタクトホールH2を有する層間絶縁膜123Aが設けられている。層間絶縁膜123AのコンタクトホールH2内のp型半導体層122上には、i型半導体層124が設けられており、このi型半導体層124上にn型半導体層125が形成されている。n型半導体層125には、コンタクトホールH3を有する層間絶縁膜123Bが設けられており、そのコンタクトホールH3を介してn型半導体層125と上部電極126導電膜とが接続されている。尚、ここでは、基板11側下部側にp型半導体層122、上部側にn型半導体層125をそれぞれ設けた例を挙げたが、これと逆の構造、即ち下部側基板11側をn型、上部側をp型とした構造であってもよい。また、上記ゲート絶縁膜121,層間絶縁膜123Aおよび層間絶縁膜123Bは、それらの一部または全部において、トランジスタ111Bにおける第1ゲート絶縁膜129、第2ゲート絶縁膜130および層間絶縁膜131の各層と同一の層構造を有する。このフォトダイオード111Aはトランジスタ111Bと同一の薄膜プロセスにより形成可能である。p型半導体層122は、例えば多結晶シリコンポリシリコン等に、例えばボロンB等のp型不純物がドープされてなるp領域であり、厚みは例えば40nm~50nmである。このp型半導体層122は、例えば信号電荷を読み出すための下部電極を兼ねており、例えば、前述の蓄積ノードN図3に接続されているあるいは、p型半導体層122が蓄積ノードNとなって、電荷を蓄積させるようになっている。i型半導体層124は、p型とn型の中間の導電性を示す半導体層、例えばノンドープの真性半導体層であり、例えば非結晶シリコンアモルファスシリコン:α-Siにより構成されている。i型半導体層124の厚みは、例えば400nm~1000nmであるが、厚みが大きい程、光感度を高めることができる。n型半導体層125は、例えば非結晶シリコンにより構成され、n領域を形成するものである。このn型半導体層125の厚みは例えば、10nm~50nmである。上部電極126は、光電変換のための基準電位を供給するための電極であり、例えばITO等の透明導電膜により構成されている。上部電極126には、この上部電極126に電圧を供給するための電源配線127が接続されている。この上部電極126の厚みは、例えば50nm~100nmであり、後述の条件式条件式3を満足するように設定されていることが望ましい。電源配線127は上部電極126よりも低抵抗の材料、例えばTi、Al、Mo、W、Cr等によって構成されている。[フォトダイオードとシンチレータ層との界面付近の積層構造]図6は、フォトダイオード111Aとシンチレータ層114との界面付近の積層構造積層構造10Aを模式的に表したものである。放射線撮像装置1では、上述のように画素部12上にシンチレータ層114が設けられるが、本実施の形態では、それらの界面付近に、フォトダイオード111A側上部電極126側から順に、更に保護層128と低屈折率層129とが設けられている。保護層128は、フォトダイオード114Aの保護するパッシベーション膜であり、例えば窒化シリコンSiNよりなる。保護層128の厚みは、例えば130nm~180nmであり、後述する条件式条件式3を満たすように設定されていることが望ましい。低屈折率層129は、界面付近において相対的に低屈折率を示す材料、例えば光電変換層としてのn型半導体層125あるいはi型半導体層124、上部電極126、保護層127およびシンチレータ層114よりも屈折率の低い材料により構成されている。また、この低屈折率層129の厚みは、例えば80nm~100nmであり、後述する条件式条件式2を満たすように設定されていることが望ましい。この低屈折率層129の構成材料としては、積層構造10Aのうちの他の層よりも低い屈折率を示すものであればよいが、例えばSiO2,SiON等が挙げられる。尚、ここでは低屈折率層129の材料として、SiO2のような絶縁材料を用いているが、絶縁材料に限らず、導電性を示す材料が用いられてもよい。低屈折率の導電膜を用いる場合には、上部電極126を兼ねて配設可能となるため、即ちn型半導体層125側から低屈折率層129、保護層128およびシンチレータ層114を順に積層した構造となる。屈折率および膜厚についての条件本実施の形態では、上記のような積層構造10Aにおいて、低屈折率層129と他の層との屈折率が、以下の条件式1を満足するようになっている。但し、低屈折率層129よりも上に設けられる層の屈折率をn0、低屈折率層129の屈折率をn1、低屈折率層129とn型半導体層125との間に設けられる層の屈折率をn2、およびn型半導体層125の屈折率をn3とする。n0>n1<n2<n3.........1ここでは、積層構造10Aが、n型半導体層125側から順に、上部電極126、保護層128、低屈折率層129およびシンチレータ層114が設けられた構造であるから、シンチレータ層114の屈折率をn0、低屈折率層129の屈折率をn1、保護層128および上部電極126の屈折率をn2詳細にはn21またはn22、およびn型半導体層125の屈折率をn3としている。尚、保護層128および上部電極126については、上記屈折率n2として、それぞれの屈折率n21,n22毎に条件式1を満足していればよい。図7は、上記のような屈折率の関係を満たす積層構造10Aにおける各層の材料の一例とその屈折率の相対的な程度低、中、高について表したものである。このように、n型半導体層125α-Sinが高屈折率n3=4であるのに対し、シンチレータ層114CsI、保護層128SiNおよび上部電極126ITOが中屈折率n0=1.77,n21=1.82,n22=1.73でほぼ同等の屈折率となっている。本実施の形態では、このような中屈折率層間ここでは、保護層128とシンチレータ層114との間に、それよりも低い屈折率n1=1.43を示す低屈折率層129SiO2が挟み込まれた構造となっている。このような構造では、特に、n0の値とn2n21またはn22の値とが相対的に近い場合に、低屈折率層129を設けることの効果が大きくなる。即ち、低屈折率層129を設けることにより、少なくとも上記の屈折率n0,n1,n21,n22,n3における相対的な大小関係において、以下に説明するような効果が得られる。但し、空気層の屈折率を1.0とし、括弧内に記載した低,中および高はそれぞれ、屈折率の相対的な程度を表したものとする。まず、上記のような積層構造10Aにおいて、CsI層のない場合について考えると、この場合、光入射側から順に、空気層低、SiN層およびITO層中、α-Si層高を積層した構造となる。このような構造では、光の干渉効果が生じ、空気から入射する光の吸収率が上がっている。ところが、CsI層を有する構造の場合、光入射側から順に、空気層低、CsI層中、SiN層およびITO層中、α-Si層高を積層した構造となる。このような構造では、CsI層とSiN層またはITO層とがほぼ同等の屈折率となりSiN層およびITO層等が光学的な干渉に寄与せず、光の吸収率向上の効果が得られない。そこで、SiO2層低が、CsI層中とα-Si層高との間のいずれかの層に設けられてさえいれば、光学的な干渉効果による光吸収率向上または光吸収率低減の抑制の効果を得ることができる。これは、後述する図12および図14より明らかである。また、この光吸収率向上の効果を、より効果的に得るためには、各層の屈折率および膜厚の関係を以下のように設定することが望ましいと推定される。即ち、積層構造10Aでは、上記条件式1を満たす場合に、低屈折率層129の屈折率n1および厚みd1が更に、以下の条件式2を満足することが望ましいと推定される。但し、mを整数、λを入射光の波長とする。後述の実施例において示されるように、条件式2を満足するような膜厚設定を行うことで、光の干渉による効果を有効に利用することができる。即ち、光の干渉により、低屈折率層129の膜厚に依存して、光電変換層における光吸収率が変化する極小点、極大点を形成するようになる。そのため、光吸収率が極大値最大値をとるように、低屈折率層129の膜厚を最適化することができ、これにより、光吸収率の低減を抑制することができる。n1×d1=2m1×λ/4.........2更に、これらの条件式1,2に加えて、以下の条件式3を満足することがより望ましいと推定される。但し、m’を整数とし、保護層128の厚みをd21、上部電極126の厚みをd22とする。このように本実施の形態では、n型半導体層125と低屈折率層129との間に設けられた、保護層128および上部電極126の2つの中屈折率層の膜厚を最適化することがより望ましい。n21×d21n22×d22=2m’1×λ/4.........3[作用効果]本実施の形態の作用、効果について、図1~図9を参照して説明する。放射線撮像装置1では、図示しない放射線例えばX線照射源から照射され、被写体検出体を透過した放射線を取り込み、これを波長変換後に光電変換することによって、被写体の画像を電気信号として取得する。詳細には、放射線撮像装置1に入射した放射線は、まず、シンチレータ層114において、フォトダイオード111Aの感度域ここでは可視域の波長に変換される。波長変換後の光可視光が、シンチレータ層114から発せられると、この可視光が画素部12へ入射する。画素部12では、フォトダイオード111Aに、図示しない電源配線から上部電極126を介して所定の電位が印加されると、上部電極126の側から入射した可視光が、その受光量に応じた電荷量の信号電荷に変換される光電変換がなされる。この光電変換によって発生した信号電荷は、p型半導体層122の側から光電流として取り出される。詳細には、フォトダイオード111Aにおける光電変換によって発生した電荷は、蓄積層p型半導体層122,蓄積ノードNにより収集され、この蓄積層から電流として読み出され、トランジスタTr2読出トランジスタのゲートに与えられる。トランジスタTr2は当該信号電荷に応じた信号電圧を出力する。このトランジスタTr2から出力される信号は、行走査信号Vreadに応答してトランジスタTr3がオンすると、垂直信号線18に出力される読み出される。このようにして読み出された信号は、垂直信号線18を介して画素列ごとに、水平選択部14へ出力される。比較例ここで、図8に、本実施の形態の比較例に係る放射線撮像装置におけるフォトダイオードとシンチレータ層との界面付近の積層構造積層構造100について示す。また図9には、積層構造100における各層の材料の一例とその屈折率の相対的な程度中、高について表したものである。この積層構造100では、α-Siよりなる光電変換層i型半導体層101,n型半導体層102上に、上部電極103ITO、保護層104SiNおよびシンチレータ層105CsIがこの順に設けられている。即ち、高屈折率n3のn型半導体層102上に設けられた、上部電極103、保護層104およびシンチレータ層105は、いずれもほぼ同等の中屈折率n22,n21,n0を示す。このような積層構造100では、例えばシンチレータ層105へ入射角0°で入射垂直入射した放射線は、可視光へ波長変換された後、n型半導体層102側へ向けて出射される。このとき、比較例では、シンチレータ層105、保護層104および上部電極103がほぼ同等の屈折率であるため、可視光はシンチレータ層105から出射された後、保護層104および上部電極103を順にほぼ垂直に透過する。ところが、n型半導体層102が高屈折率であるために、上記可視光は、上部電極103とn型半導体層102との間の界面S1において反射され、光損失が生じ易い。このような光損失により、シンチレータ層を有する間接変換型の放射線撮像装置では、光電変換層における光吸収率が低減してしまう。これは、保護層104を設けずに、上部電極103の表面にシンチレータ層105を直付けした場合についても同様のことが起こる。尚、フォトダイオード上にシンチレータ層が設けられていない場合、即ちフォトダイオードの直上が空気層である一般的なCCDやCMOS等の撮像装置では、前述のように、光学的な干渉効果が生じるため、上記のような光損失は生じない。上述の光吸収率低減の問題は、シンチレータ層を有する間接変換型の放射線撮像装置に特有に生じるものである。そこで、本実施の形態では、図6および図7に示したように、フォトダイオード111Aとシンチレータ層114との間、具体的には、それぞれが中屈折率を示すシンチレータ層114と保護層128との間に、低屈折率層129を設けている。換言すると、積層構造10Aは、上記条件式1を満足するような低屈折率層129を有している。これにより、シンチレータ層114から発せられた可視光が、n型半導体層125と上部電極126との間の界面S11において反射されたとしても、その反射光は、保護層128と低屈折率層129との界面S12および低屈折率層129とシンチレータ層114との界面S13において反射される。反射の繰り返しにより、光の干渉を生じる。このように、低屈折率層129を、シンチレータ層114と半導体層125との間に設けることにより、光学的な干渉効果を生じる。尚、ここでは、低屈折率層129を、シンチレータ層114と保護層128との間に設けているが、低屈折率層129の配置箇所はこれに限らず、シンチレータ層114およびn型半導体層125間であればよい。低屈折率層129が、シンチレータ層114とn型半導体層125との間のいずれかの層に設けられてさえいれば、上記と同様の干渉効果を得ることができる。このような干渉の効果により、光電変換層における光吸収率が変化する極小点、極大点を形成するようになる。そして、この光吸収率の変化は、主に低屈折率層129の膜厚に依存して生じるため、光吸収率が極大値最大値をとるように、低屈折率層129の膜厚を最適化することにより、光吸収率の低減をより効果的に抑制することができるものと推定される。具体的には、低屈折率層129の膜厚が上記条件式2を満足すればよいと推定され、これにより、後述の実施例において示したように、入射角0°で入射した放射線に基づく可視光の光吸収率が極大となるように、低屈折率層129の膜厚を最適化できる。またこの際、更に、保護層128および上部電極126の各膜厚が上記条件式3を満足することがより望ましい。即ち、上部電極126および保護層128の膜厚と屈折率とにより決まる光路長と、低屈折率層129の膜厚と屈折率とにより決まる光路長とを最適化反射率を最小化、言い換えると、透過率を最大化することが望ましい。また、詳細は後述するが、光電変換層の光吸収率は、入射角放射線のシンチレータ層114に対する入射角に対しても依存性を有する。上記のような低屈折率層129を含む積層構造10Aを有することにより、特に入射角0°の方向垂直方向における光吸収率を選択的に高めることができる斜め方向から入射する放射線を選択的に受光排除することができる。従って、画素間リーククロストークのない画像の取得が可能となる。以上説明したように本実施の形態では、フォトダイオード111Aおよびシンチレータ層114間の積層構造10Aにおいて、シンチレータ層114とn型半導体層125との間に、シンチレータ層114、保護層128、上部電極126およびn型半導体層125よりも屈折率の低い低屈折率層129を設けている。これにより、光の干渉効果を利用して、光電変換層における光吸収率の低減を抑制することができる。即ち、フォトダイオード111A上にシンチレータ層114が設けられた構造において、光吸収率の低減を抑制することが可能となる。<実施例>次に、上記実施の形態の放射線撮像装置1の数値実施例シミュレーションについて説明する。比較例1,2まず、上述した比較例の積層構造100図8,9について、光吸収率を次のような条件により測定した。即ち、比較例1として、シンチレータ層105を設けない構造保護層104上が空気層となっている構造に対し、入射角0°および30°でそれぞれ放射線を入射させた場合の光吸収率を測定した。また、比較例2として、シンチレータ層105を設けた構造に対し、入射角0°および30°でそれぞれ放射線を入射させた場合の光吸収率を測定した。これらの比較例1,2において使用した積層構造100の各層の膜厚および屈折率の条件を図10に示す。尚、いずれの場合においても、保護層104の膜厚を0~500nmと変化させ、ITOの膜厚は80nmとした。また、可視光の波長としては545nm~570nmの範囲5nm刻みとした。これらの結果を、図11A,Bおよび図12A,Bに示す。尚、光吸収率としては、入射フォトン数に対する半導体層101,102における吸収フォトン数の割合いわゆる外部量子効率を示している。図11A,Bに示したように、シンチレータ層105を設けていない比較例1では、光の干渉効果により、保護層104SiNの膜厚に依存して光吸収率が極大点ピークを形成するため、SiNの膜厚設定を最適に行えば、光吸収率は低減しない。但し、入射角0°から30°へ変化しても、光吸収率が極大値となるSiNの膜厚の変化が約10nm程しかなく、入射角依存性に乏しい。このように入射角依存性が乏しいと、詳細は後述するが、画素間クロストークを生じさせ易くなる。一方、図12A,Bに示したように、シンチレータ層105を設けた比較例2では、光の干渉が生じないため、保護層104SiNの膜厚に依存して光吸収率が極大点を形成し難くなり、約82程度まで低減してしまう。また、上記比較例1と同様、入射角0°から30°へ変化しても、光吸収率が極大値となるSiNの膜厚の変化が約10nm程しかなく、入射角依存性に乏しい。このように入射角依存性が乏しいと、詳細は後述するが、画素間クロストークを生じさせ易くなる。実施例1この比較例1に対し、実施例1として、上記実施の形態における積層構造10Aについても、入射角0°および30°でそれぞれ放射線を入射させた場合の光吸収率を測定した。これらの実施例1において使用した積層構造10Aの各層の膜厚および屈折率の条件を図13に示す。尚、実施例1では、低屈折率層129SiO2の膜厚を0~300nmの範囲で変化させ、ITOの膜厚を80nm、保護層128SiNの膜厚を150nmとした。また、可視光の波長としては上記比較例と同様、545nm~570nmの範囲5nm刻みとした。これらの結果を、図14A,Bに示す。図14A,Bに示したように、保護層128とシンチレータ層114との間に低屈折率層129SiO2を設けた実施例1では、光の干渉効果により、SiO2膜厚に依存して光吸収率が極大点を形成していることがわかる。即ち、光吸収率が極大値をとるようにSiO2膜厚の最適化を行うことができ、これにより、実施例1では95.1もの光吸収率を実現できることがわかる。また、光吸収率が極大値となるSiNの膜厚は、入射角0°,30°間で約80nmもの差があり、入射角依存性を有している。このため、入射角0°方向における光吸収率を相対的に高め、詳細は後述するが、画素間クロストークを抑制することができる。また、上記のような光吸収率の入射角依存性についても測定した。図15に比較例1、図16に比較例2、図17に実施例1に相当する結果を示す。これらの図に示したように、実施例1では、比較例1,2に比べ、入射角依存性が大きく、即ち入射角0°付近において局所的に高光吸収率を示しており、入射角が大きくなるに従って、光吸収率が急激に低減している。このため、比較例1,2よりも特に入射角0°方向における光吸収率を選択的に高めることができる斜め方向からの入射光を選択的に受光排除することができる。従って、画素間リーククロストークのない画像の取得が可能となる。以下、上記実施の形態の放射線撮像装置の変形例変形例1~4について説明する。尚、上記実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。<変形例1>図18Aは、変形例1に係る放射線撮像装置におけるフォトダイオード111Aとシンチレータ層114との界面付近の積層構造積層構造10Bについて表したものである。積層構造10Bは、上記実施の形態と同様、フォトダイオード111Aにおけるn型半導体層125とシンチレータ層114との間に低屈折率層129を有している。但し、本変形例では、上記実施の形態と異なり、n型半導体層125上に、上部電極126、低屈折率層129、保護層128およびシンチレータ層114がこの順に設けられている。即ち、本変形例の積層構造10Bは、低屈折率層129が上部電極126と保護層128との間に配設された構造となっている。また本変形例においても、上記積層構造10Bにおいて、低屈折率層129と他の層との屈折率が、前述の条件式1を満足するようになっている。但し、本変形例では、シンチレータ層114および保護層128の屈折率をn0詳細にはn01またはn02、低屈折率層129の屈折率をn1、上部電極126の屈折率をn2、およびn型半導体層125の屈折率をn3とする。尚、シンチレータ層114および保護層128については、上記屈折率n0として、それぞれの屈折率n01,n02毎に条件式1を満足していればよい。このような構造においても、特に、n0n01またはn02の値とn2の値とが相対的に近い場合に、低屈折率層129を設けることの効果が大きくなる。図18Bは、上記のような屈折率の関係を満たす積層構造10Bにおける各層の材料の一例とその屈折率の相対的な程度低、中、高について表したものである。このように、n型半導体層125α-Sinが高屈折率n3=4であるのに対し、シンチレータ層114CsI、保護層128SiNおよび上部電極126ITOが中屈折率n0=1.77,n21=1.82,n22=1.73でほぼ同等の屈折率となっている。本変形例では、このような中屈折率層間ここでは、保護層128と上部電極126との間に、それよりも低い屈折率n1=1.43を示す低屈折率層129SiO2が挟み込まれた構造となっている。これにより、本変形例では、n型半導体層125と上部電極126との間の界面S21側からの光が、上部電極126と低屈折率層129との間の界面S22、および低屈折率層129と保護層128との間の界面S23において、反射されるようになっている。また、積層構造10Bにおいても、上記実施の形態の積層構造10Aと同様、条件式1を満たす場合に、低屈折率層129の屈折率n1および厚みd1が更に、前述の条件式2を満足することが望ましいと推定される。これにより、光の干渉による効果を有効に利用して低屈折率層129の膜厚を最適化し、光吸収率の低減を抑制することができる。本変形例では、前述の条件式1,2に加えて、以下の条件式4を満足することがより望ましいと推定される。但し、m’を整数とし、上部電極126の厚みをd2とする。このように本実施の形態では、n型半導体層125と低屈折率層129との間に設けられた上部電極126の膜厚を最適化することがより望ましい。ここで、上記実施の形態の形態では、光吸収率を極大値にするために、低屈折率層129に加え、更に保護層128および上部電極126の計3層の膜厚を制御することが望ましいが、本変形例では、低屈折率層129と上部電極126との計2層の膜厚を制御すればよい。即ち、本変形例では、保護層128の膜厚ばらつきによる影響を受けにくいため、プロセス容易性が高い。n2×d2=2m’1×λ/4.........4以上のように本変形例においても、フォトダイオード111Aおよびシンチレータ層114間の積層構造10Bにおいて、シンチレータ層114、保護層128、上部電極126およびn型半導体層125よりも屈折率の低い低屈折率層129を設けている。これにより、光の干渉効果を有効に利用することができ、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。<実施例2>上記変形例1に係る積層構造10Bについても、上記実施例1と同様のシミュレーションを行った。即ち、実施例2として、上記積層構造10Bについて、入射角0°および30°でそれぞれ放射線を入射させた場合の光吸収率を測定した。この実施例2において使用した積層構造10Aの各層の膜厚および屈折率の条件を図19に示す。尚、実施例2では、低屈折率層129SiO2の膜厚を0~300nmの範囲で変化させ、ITOの膜厚を80nm、保護層128SiNの膜厚を150nmとした。また、可視光の波長についても、545nm~570nmの範囲5nm刻みとした。これらの結果を、図20A,Bに示す。図20A,Bに示したように、保護層128と上部電極126との間に低屈折率層129SiO2を設けた場合であっても、上記実施の形態と同様、光の干渉効果により、SiO2膜厚に依存して光吸収率が極大点を形成していることがわかる。即ち、光吸収率が極大値をとるようにSiO2膜厚の最適化を行うことができ、これにより、実施例2では95.1もの光吸収率を実現できることがわかる。また、光吸収率が極大値となるSiNの膜厚は、入射角0°,30°間で約50nmもの差があり、入射角依存性を有している。このため、画素間クロストークを抑制することができる。実施例2における光吸収率の入射角依存性についてのシミュレーション結果を図21に示す。このように、実施例2においても、前述の実施例1と同様、入射角0°付近において局所的に高光吸収率を示しており、入射角が大きくなるに従って光吸収率が急激に低減する傾向を示す。従って、画素間リーククロストークのない画像の取得が可能となる。<変形例2>図22は、変形例2に係る積層構造積層構造10Cについて表したものである。上記実施の形態および変形例1では、シンチレータ層114を最上層として図示したが、積層構造10Cのように、シンチレータ層114上に、水分バリア機能を有する有機保護膜130を設けた構造としてもよい。有機保護膜130は、例えばパリレンCポリモノクロルパラキシリレンよりなる。シンチレータ層114に用いられる上述のような蛍光体材料、特にCsIは水分によって劣化し易いため、このような有機保護膜130が設けられていることが望ましい。また本変形例においても、上記積層構造10Cにおいて、低屈折率層129と他の層との屈折率が、前述の条件式1を満足するようになっている。但し、本変形例では、有機保護膜130、シンチレータ層114の屈折率をn0、低屈折率層129の屈折率をn1、保護層128および上部電極126の屈折率をn2、およびn型半導体層125の屈折率をn3とする。<変形例3>図23は、変形例3に係る積層構造積層構造10Dについて表したものである。このように、有機保護膜130は、シンチレータ層114の下面光電変換層側の面に設けられていてもよい。上記変形例2,3のように、シンチレータ層114の上面または下面に、水分保護のための有機保護膜130が設けられていてもよく、このような場合であっても、低屈折率層129屈折率が有機保護膜130の屈折率例えば1.8よりも低ければ、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。<変形例4>上記実施の形態では画素の駆動回路をアクティブ駆動回路により構成した例について説明したが、図24に示したようなパッシブ駆動回路であってもよい。尚、上記実施の形態と同一の構成要素については同一符号を付してその説明は省略する。本変形例では、単位画素Pが、フォトダイオード111A、容量成分138およびトランジスタTr読出し用のトランジスタTr3に相当を含んで構成されている。トランジスタTrは、蓄積ノードNと垂直信号線18との間に接続されており、行走査信号Vreadに応答してオンすることにより、フォトダイオード111Aにおける受光量に基づいて蓄積ノードNに蓄積された信号電荷を垂直信号線18へ出力する。このように、画素の駆動方式は、上記実施の形態で述べたアククティブ駆動方式に限らず、本変形例のようなパッシブ駆動方式であってもよい。<適用例>上記実施の形態および変形例1~4において説明した放射線撮像装置1は、例えば図25に示したような放射線撮像表示システム2に適用可能である。放射線撮像表示システム2は、放射線撮像装置1と、画像処理部25と、表示装置28とを備えている。このような構成により、放射線撮像表示システム2では、X線源26から被写体27に向けて照射された放射線に基づいて、放射線撮像装置1が被写体27の画像データDoutを取得し、画像処理部25へ出力する。画像処理部25は、入力された画像データDoutに対して所定の画像処理を施し、その画像処理後の画像データ表示データD1を表示装置28へ出力する。表示装置28は、モニタ画面28aを有しており、そのモニタ画面28aに、画像処理部25から入力された表示データD1に基づく画像を表示する。このように、放射線撮像表示システム2では、放射線撮像装置1において、被写体27の画像を電気信号として取得可能であるため、取得した電気信号を表示装置28へ伝送することで、画像表示を行うことができる。即ち、放射線写真フィルムを用いることなく、被写体27の画像を観察可能となり、また、動画撮影および動画表示にも対応可能となる。以上、実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態等で説明した積層構造10A~10Dにおける各層の材料および厚みは、上述のものに限定されず、他の様々な材料、厚みとすることができる。加えて、上記実施の形態では、フォトダイオード111Aを、基板側から、p型半導体層、i型半導体層およびn型半導体層の順に積層した構造としたが、基板側から、n型半導体層、i型半導体層およびp型半導体層の順に積層してもよい。"