マイクロ波を伝播させる導波管と、該導波管に接続されたプラズマ生成室と、前記導波管及び前記プラズマ生成室の間に介在し、前記導波管を伝播する前記マイクロ波を前記プラズマ生成室の内部へ導入する誘電体窓とを備え、前記プラズマ生成室は、半球体状の湾曲表面と、該半球体状の湾曲表面とは所定の間隔を隔てて同心状に対向配置された前記半球体状の径よりも径が大きい中空半球体状の内側湾曲面とによって挟まれた半球状湾曲空間部を備えていることを特徴とするプラズマ生成装置。前記プラズマ生成室は基板を収容する処理室に隣接して配置され、前記プラズマ生成室の内部は前記処理室の内部と連通していることを特徴とする請求項1記載のプラズマ生成装置。前記導波管は前記プラズマ生成室の中心軸に関して対称的に配置されていることを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ生成装置。基板を収容する処理室と、該処理室に隣接して配置されたプラズマ生成装置とを備え、該プラズマ生成装置は、マイクロ波を伝播させる導波管と、該導波管に接続されたプラズマ生成室と、前記導波管及び前記プラズマ生成室の間に介在し、前記導波管を伝播する前記マイクロ波を前記プラズマ生成室の内部へ導入する誘電体窓とを有し、前記プラズマ生成室は、半球体状の湾曲表面と、該半球体状の湾曲表面とは所定の間隔を隔てて同心状に対向配置された前記半球体状の径よりも径が大きい中空半球体状の内側湾曲面とによって挟まれた半球状湾曲空間部を備え、当該プラズマ生成室の内部は前記処理室の内部と連通していることを特徴とするプラズマ処理装置。真空チャンバ62の内部においてプラズマの電子密度が高まると、プラズマは誘電体窓65を透過したマイクロ波を遮断する。これに加えて、高密度の不均一なプラズマ中では、電子プラズマ角周波数とマイクロ波周波数が一致する領域で、共鳴吸収が起こる。その結果、誘電体窓65の近傍で積極的にプラズマが生成される。比較的圧力の高い条件下でプラズマを生成すると処理ガスの温度が非常に高温となり、誘電体窓65を溶融等によって損傷させるおそれがあり、又、被処理体である基板S周辺に所望のプラズマを生成することができなくなるおそれがある。本発明の目的は、マイクロ波を導入するための誘電体窓が損傷するのを防止すること及び被処理体である基板Sの周辺の所望の領域にプラズマを生成することができるプラズマ生成装置及びプラズマ処理装置を提供することにある。上記目的を達成するために、請求項1記載のプラズマ生成装置は、マイクロ波を伝播させる導波管と、該導波管に接続されたプラズマ生成室と、前記導波管及び前記プラズマ生成室の間に介在し、前記導波管を伝播する前記マイクロ波を前記プラズマ生成室の内部へ導入する誘電体窓とを備え、前記プラズマ生成室は、半球体状の湾曲表面と、該半球体状の湾曲表面とは所定の間隔を隔てて同心状に対向配置された前記半球体状の径よりも径が大きい中空半球体状の内側湾曲面とによって挟まれた半球状湾曲空間部半球状湾曲空間部の半球状部分は、多面体形状もしくは高次の関数で表される曲面である場合を含む。を備えていることを特徴とする。請求項2記載のプラズマ生成装置は、請求項1記載のプラズマ生成装置において、前記プラズマ生成室は基板を収容する処理室に隣接して配置され、前記プラズマ生成室の内部は前記処理室の内部と連通していることを特徴とする。請求項3記載のプラズマ生成装置は、請求項1又は2記載のプラズマ生成装置において、前記導波管は前記プラズマ生成室の中心軸に関して対称的に配置されていることを特徴とする。上記目的を達成するために、請求項4記載のプラズマ処理装置は、基板を収容する処理室と、該処理室に隣接して配置されたプラズマ生成装置とを備え、該プラズマ生成装置は、マイクロ波を伝播させる導波管と、該導波管に接続されたプラズマ生成室と、前記導波管及び前記プラズマ生成室の間に介在し、前記導波管を伝播する前記マイクロ波を前記プラズマ生成室の内部へ導入する誘電体窓とを有し、前記プラズマ生成室は、半球体状の湾曲表面と、該半球体状の湾曲表面とは所定の間隔を隔てて同心状に対向配置された前記半球体状の径よりも径が大きい中空半球体状の内側湾曲面とによって挟まれた半球状湾曲空間部を備え、当該プラズマ生成室の内部は前記処理室の内部と連通していることを特徴とする。本発明によれば、マイクロ波が導入されるプラズマ生成室が、半球体状の湾曲表面と、該半球体状の湾曲表面とは所定の間隔を隔てて同心状に対向配置された半球体状の径よりも径が大きい中空半球体状の内側湾曲面とによって挟まれた半球状湾曲空間部を備えているので、電磁波の境界条件となる半球状湾曲空間部の内径及び外径を適切に設定することで、特定のモードの電磁波を励起できる。その結果、モードに応じた任意の領域で強電界領域を生じさせることができる。強電界領域は処理ガスからプラズマを生成する。したがって、誘電体窓から離れ且つ被処理体である基板周辺の所望の領域において強電界領域を生じさせることにより、プラズマを誘電体窓から離れた領域で生成することができ、もって、誘電体窓がプラズマによって損傷するのを防止することができ、更に被処理体である基板S周辺の所望の領域にプラズマを生成することができる。本発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意研究を行った結果、プラズマ生成装置がマイクロ波を伝播させる導波管と、該導波管に接続された半球状湾曲空間部を有するプラズマ生成室と、導波管及びプラズマ生成室の間に介在し、導波管を伝播するマイクロ波をプラズマ生成室の内部へ導入する誘電体窓とを備えれば、電磁波の境界条件となる半球状湾曲空間部の内径及び外径を適切に設定することで、特定のモードの電磁波を励起でき、該特定モードに応じた任意の領域で強電界領域を生じさせることができ、もって、プラズマを誘電体窓から離し、且つ被処理体である基板周辺の所望の領域において生成することができ、その結果、誘電体窓がプラズマによって損傷するのを防止することができること及び被処理体である基板S周辺の所望の領域にプラズマを生成することができることを見出した。本発明は、上記研究の結果に基づいてなされたものである。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施の形態に係るプラズマ生成装置を備えるプラズマ処理装置の構成を概略的に示す断面図である。図1において、プラズマ処理装置10は、基板Sにプラズマ処理を施す処理チャンバ11処理室と、該処理チャンバ11に隣接して配置されるプラズマ生成ユニット12プラズマ生成装置とを備える。処理チャンバ11は、基板Sを載置するステージ13を内部に有し、排気管14が連結されている。排気管14は真空ポンプや圧力制御バルブともに図示しないに接続され、真空ポンプや圧力制御バルブは処理チャンバ11の内部の圧力を制御する。ステージ13は内部にヒータや冷却機構ともに図示しないを有し、載置された基板Sを適切な温度になるように制御する。プラズマ生成ユニット12は、マイクロ波ジェネレータ図示しないが発生させるマイクロ波を伝播させる導波管15と、該導波管15に接続されたプラズマ生成チャンバ16プラズマ生成室と、導波管15及びプラズマ生成チャンバ16の間に介在する誘電体窓17とを有する。導波管15は、同軸管図2B参照もしくは円形導波管からなり、円形導波管の場合、諸寸法が所定の周波数のマイクロ波、例えば、2.45GHzのマイクロ波を最低次のモードで伝播できるように設定されている。図1に戻り、プラズマ生成チャンバ16は、図中における下端が半球状に形成された円筒容器16aと、図中における下端が半球状の凸部16eに形成された円柱部材16bとで挟まれた半球状湾曲空間部を有する。すなわち、円柱部材16bは円筒容器16aの内部に同軸で収容され、円柱部材16bの下端の凸部16eと円筒容器16aの下端の内壁面16dとで半球状湾曲空間部としてのプラズマ発生空間Gプラズマ生成室の内部を形成する。また、円筒容器16aの内側面と円柱部材16bの側面の隙間には、誘電体窓17が配されている例えば、図2A参照。。本実施の形態において、半球状湾曲空間部とは、半球体状の湾曲表面16eと、該半球体状の湾曲表面16eとは所定の間隔を隔てて同心状に対向配置された当該半球体状の径よりも径が大きい中空半球体状の内側湾曲面16dとによって挟まれた空間部をいう。プラズマ生成チャンバ16としてのプラズマ発生空間Gへ図示しない処理ガス導入口から処理ガスが導入される。また、円筒容器16aの下端の一部が開放されてプラズマ発生空間Gと処理チャンバ11の内部とが連通している。さらに、円筒容器16aの上面中心には導波管15が接続されている。すなわち、導波管15は円筒容器16aの中心軸上に配置されている。プラズマ生成ユニット12では、導波管15を伝播するマイクロ波が誘電体窓17によってプラズマ導入路16cに導入され、該プラズマ導入路16cに導入されたマイクロ波はさらにプラズマ発生空間Gへ導入される。ここで、プラズマ導入路16cはプラズマ発生空間Gの中心軸に関して対称的に形成されているので、マイクロ波はプラズマ発生空間Gの中心軸に関して対称的に導入される。プラズマ発生空間Gは半球状湾曲空間部を有するので、半球状湾曲空間部の内径及び外径を適切に設定することによって特定のモードの電磁波を励起でき、結果として空間中の任意の領域、例えば、プラズマ発生空間Gの中心において強電界領域を形成できる。当該強電界領域では、マイクロ波から電子へのエネルギー移行量が大きいため電子温度が高くなり、十分なエネルギーを持つ電子が処理ガス中の原子や分子と衝突を繰り返すことで高密度のプラズマが局所的に生成される。すなわち、強電界領域では他の領域よりもプラズマの生成が積極的に起こるため、強電界が生じた領域では密度の高いプラズマPが生じる。換言すれば、本実施の形態では磁界等を利用することなく、マイクロ波の導入のみで処理ガスからプラズマPを生じさせる。ここで、プラズマ生成チャンバ16としてのプラズマ発生空間Gと処理チャンバ11の内部は連通しているので、プラズマ発生空間Gで生じたプラズマPの一部は処理チャンバ11のステージ13に載置された基板Sに到達し、該基板Sにプラズマ処理を施す。例えば、プラズマ処理装置10では、処理ガスとして、水素ガス、炭素含有ガス、例えば、メタンガス、プロパンガスやアセチレンガス、及び不純物含有ガス、例えば、ホスフィンガスやジボランガスを含む混合ガスを用い、プラズマ発生空間Gや処理チャンバ11の内部の圧力を10~200Torrに維持し、基板Sをステージ13によって700~1200°Cに加熱することにより、処理ガスから生じたプラズマP中のラジカルによって基板S上でダイヤモンドを成長させる。図1のプラズマ処理装置10によれば、マイクロ波が導入されるプラズマ生成チャンバ16としてのプラズマ発生空間Gが半球状湾曲空間部を備えているので、半球状湾曲空間部の内径及び外径を適切に設定することにより特定のモードの電磁波を励起でき、該特定のモードに応じた任意の領域に強電界領域を生じさせることができ、もって、プラズマPを誘電体窓17から離れた領域で生成することができる。その結果、誘電体窓17がプラズマPによって損傷するのを防止することができる。また、プラズマ処理装置10では、マイクロ波がプラズマ発生空間Gの中心軸に関して対称的に導入されるので、特定のモードの電磁波を励起するために必要な半球状湾曲空間部の内径及び外径の適切な設定、及び強電界領域が生じる領域の予測が容易となり、もって、生成されるプラズマPの領域を容易に制御することができる。プラズマ処理装置10において、マイクロ波の境界条件となる円筒容器16aの下端の内壁面16dが半球状を呈するため、半球状湾曲空間部の内径及び外径により電磁波のモードを特定できることが、プラズマ発生空間Gにおいてモードに応じた局所的な強電界領域が生じることの主要因であると考えられる。したがって、プラズマ発生空間Gさえ半球状湾曲空間部を有していれば、プラズマ発生空間Gに対するマイクロ波の導入形態がどのようなものであろうとも、例えば、マイクロ波がプラズマ発生空間Gの中心に関して対称的に導入されていなくとも、プラズマ発生空間Gの任意の領域において概ね局所的な強電界領域を生じさせることができる。以上の理由から、導波管15の配置には自由度があり、図1のプラズマ処理装置10のように、導波管15を円筒容器16aの中心軸上に配置する必要はない。例えば、図3Aに示すように、1つの導波管15を円筒容器16aの中心軸からオフセットして配置してもよく、また、図3Bに示すように、複数、例えば、2つの導波管15を円筒容器16aの中心軸からオフセットして配置してもよい。また、図3Cに示すように、1つの導波管15を円筒容器16aの側面に配置してもよい。図3A~図3Cに示すプラズマ生成ユニット12においても、プラズマ発生空間Gが半球状湾曲空間部を有するため、プラズマ発生空間Gの内部の任意の領域において概ね局所的な強電界領域を生じさせることができる。また、図3Bのプラズマ生成ユニット12のように複数の導波管15を備える場合には、各導波管15を円筒容器16aの中心軸に関して対称的に配置するのが好ましい。これにより、結果的にプラズマ発生空間Gの中心軸に関して対称的にマイクロ波を導入することができ、生成されるプラズマPの領域を容易に制御することができる。また、プラズマ処理装置10において処理チャンバ11内のステージ13を、図4Aに示すように、図中上下方向に移動可能に構成してもよい。これにより、プラズマPと基板Sとの距離を制御することができ、もって、プラズマPを利用した成膜時には、基板Sにおける成膜速度や膜の厚さ分布を制御することができる。また、プラズマPを利用したエッチング時には、基板Sにおけるエッチングレートや該エッチングレートの分布を制御することができると考えられる。さらに、図4Bに示すように、円柱部材16bの下端の凸部16eと、円筒容器16aの下端の内壁面16dとの間を広げることによって、プラズマ発生空間Gの内容積を大きくすることもできる。この場合であっても、円筒容器16aの下端の内壁面16dが半球面を呈し、それらが境界条件となるため、定在波を形成できると予想され、半球状湾曲空間部の形状を調整することで、プラズマ発生空間Gにおいて局所的な強電界領域を生じさせることができると考えられる。図5は、本発明の他の実施の形態に係る、プラズマ生成装置を備えるプラズマ処理装置の構成を概略的に示す断面図である。このプラズマ処理装置は、基板Sにプラズマ処理を施す処理チャンバ処理室と、プラズマ生成装置のプラズマ発生空間Gとを一体化させたものである。図5において、プラズマ処理装置20は、図中における上端が半球状に形成された円筒容器26aと、図中における上端の半球状の凸部が水平に切除された上部平面ステージ26eを有する円柱部材26bとを備えている。円柱部材26bは円筒容器26aの内部に同軸で収容され、円柱部材26bのステージ26eと円筒容器26aの上端の内壁面26dとの間に半球状の空間部が形成されている。この半球状の空間部は、半球状湾曲空間部からなるプラズマ発生空間Gと円柱部材26bから切除された凸部に相当する半球状の空間部からなる処理チャンバ21とが一体化されたものである。また、円筒容器26aの内側面及び円柱部材26bの側面の間には誘電体窓27が配置されている。プラズマ処理装置20では、プラズマ処理を施す処理チャンバ21と一体化されたプラズマ発生空間Gへ図示しない処理ガス導入口から処理ガスが導入される。円筒容器26aは下端の中心部において開口部26fを有し、該開口部26fには導波管25が連結されている。プラズマ処理装置20では、導波管25を伝播するマイクロ波が誘電体窓27によって導入路26cに導入され、該導入路26cに導入されたマイクロ波はさらにプラズマ発生空間Gへ導入される。導入路26cはプラズマ発生空間Gの中心軸に関して対称的に配置されているので、マイクロ波はプラズマ発生空間Gの中心に関して対称的に導入される。プラズマ発生空間Gは半球状湾曲空間部を備えているので、半球状湾曲空間部の内径及び外径を適切に設定することにより特定のモードの電磁波を励起でき、該特定のモードに応じた任意の領域、例えば、プラズマ発生空間Gの中心において局所的な強電界領域を生じさせる。ここで、プラズマ発生空間Gと処理チャンバ21とが一体化されているので、プラズマ発生空間Gで生じたプラズマPの一部は処理チャンバ21のステージ26eに載置された基板Sに到達し、図1の実施の形態と同様、基板Sにプラズマ処理を施す。図5のプラズマ処理装置20によれば、基板Sにプラズマ処理を施す処理チャンバ処理室21と、プラズマ生成装置におけるプラズマ発生空間Gとを一体化すると共に、プラズマ発生空間Gを半球状湾曲空間部を有するものとしたので、プラズマ発生空間Gの任意の領域で強電界領域を生じさせることができ、もって、プラズマPを誘電体窓27から離れた領域で生成することができる。その結果、誘電体窓27がプラズマPによって損傷するのを防止することができる。図6は、上記他の実施の形態に係るプラズマ処理装置の変形例を示す図である。本実施の形態においては、図1に記載した実施の形態と同様、導波管25の配置には自由度があり、例えば、図6Aに示すように、1つの導波管25を円筒容器26aの中心軸からオフセットして配置してもよく、また、図6Bに示すように、複数、例えば、2つの導波管25を円筒容器26aの中心軸からオフセットして配置してもよい。また、図6Cに示すように、1つの導波管25を円筒容器26aの側面に配置してもよい。この場合であっても、円筒容器26aの上端の内壁面26dが半球面であるために、それらが電磁波の境界条件となり、その結果、プラズマ発生空間Gにおいて局所的な強電界領域を生じさせられると考えられる。以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。次に、本発明の実施例について説明する。まず、プラズマ発生空間Gの形状の違いによる局所的な強電界領域の発生形態への影響を検討するために、図7に示したように、プラズマ処理装置20図5参照における円柱部材26bの上端が凸部形状であり、ステージ26eが設けられていないプラズマ生成ユニットを想定して実施例1及び実施例2の2次元モデルを作成し、実施例1ではプラズマ発生空間Gにおける外側半球の半径を10cm、内側半球の半径を4cmに設定し、実施例2ではプラズマ発生空間Gにおける外側半球の半径を10cm、内側半球の半径を8cmに設定した。次いで、プラズマ発生空間G内にω>ωpeを満たすne=1016m-3の分布が一様な低密度のプラズマが既に存在しωはマイクロ波角周波数、ωpeは電子プラズマ角周波数、neは電子密度を示す。、且つ運動量移行衝突周波数νmはωに等しいと仮定した上で、COMSOL社製の電磁界計算モジュールを用いて実施例1及び実施例2における電界強度分布を計算し、その結果を図8A及び図8Bに示した。なお、図8Aは実施例1における電界強度分布を示し、図8Bは実施例2における電界強度分布を示す。図8A及び図8Bに示すように、プラズマ発生空間Gの形状が異なっていても、プラズマ発生空間Gが半球状湾曲空間部を備えていれば、局所的な強電界領域を生じさせられることが分かった。また、プラズマ発生空間Gの形状を変更すれば、生じる局所的な強電界領域の形状が変わることも分かった。これにより、局所的な強電界領域の発生はプラズマ発生空間Gの形状が主要因であることが推察された。次に、プラズマ発生空間Gの内側に処理チャンバを設けてプラズマ発生空間Gと処理チャンバとを一体化させた場合の局所的な強電界領域の発生形態への影響を検討するために、図5のプラズマ処理装置20を想定して実施例3乃至実施例5の2次元モデルを作成した。実施例3では円柱部材26bの上端にステージ26eを設け、また、プラズマPと基板Sとの隙間の影響を調べるべくステージ26eに窪みを設け、実施例4はステージ26eの表面から基板Sが載置される窪みの底部までの深さを2cmに設定し、実施例5ではステージ26eの表面から基板Sが載置される窪み底部までの深さを3cmに設定した。次いで、実施例1及び2と同じ条件で同じCOMSOL社製の電磁界計算モジュールを用いて実施例3乃至実施例5における電界強度分布を計算し、その結果を図9A乃至図9Cに示した。なお、図9Aは実施例3における電界強度分布を示し、図9Bは実施例4における電界強度分布を示し、図9Cは実施例5における電界強度分布を示す。図9A乃至図9Cに示すように、プラズマ発生空間Gと処理チャンバ21とを一体化させても、プラズマ発生空間Gが半球状湾曲空間部を有すれば、局所的な強電界領域を生じさせることができるのが分かった。これによっても、局所的な強電界領域の発生はプラズマ発生空間Gの形状が主要因であることが推察された。また、ステージ26eを上下動させても局所的な強電界領域の領域が殆ど変わらないことも分かった。これにより、ステージ26eを上下動させるだけで所望の成膜速度やエッチングレートを容易に実現できる可能性がある。次に、プラズマ発生空間Gの外側湾曲部に処理チャンバを連結した場合の局所的な強電界領域の発生形態への影響を検討するために、図1のプラズマ処理装置10を想定して実施例6乃至実施例8の2次元モデルを作成した。実施例6では、プラズマ生成装置10におけるプラズマ発生空間Gの外側図中下側に処理チャンバ11処理室を連結させたものであり図1参照、実施例7及び8は、図1のプラズマ処理装置におけるプラズマPと基板Sとの間の隙間の影響を調べるべく、図1のステージ13を上下駆動自在に設け、実施例7はチャンバ11の上端からステージ13の表面までの間隔を2.5cmに設定し、実施例8ではチャンバ11の上端からステージ13の表面までの隙間を1.5cmに設定した。次いで、実施例1~5と同じ条件で同じCOMSOL社製の電磁界計算モジュールを用いて実施例6乃至実施例8における電界強度分布を計算し、その結果を図10A乃至図10Cに示した。なお、図10Aは実施例6における電界強度分布を示し、図10Bは実施例7における電界強度分布を示し、図10Cは実施例8における電界強度分布を示す。図10A乃至図10Cに示すように、プラズマ発生空間Gと処理チャンバ11とを連通させても、プラズマ発生空間Gが半球状湾曲空間部を有すれば、局所的な強電界領域を生じさせられることが分かった。これによっても、局所的な強電界領域の発生はプラズマ発生空間Gの形状が主要因であることが推察された。また、ステージ13を上下動させても局所的な強電界領域の領域が殆ど変わらないことも分かった。これにより、ステージ13を上下動させるだけで所望の成膜速度やエッチングレートを容易に実現できる可能性がある。