"第1の方向及びこの第1方向に直交する第2の方向に沿って画素周期ppで画素がマトリクス状に配列され、当該画素が異なる色を表示する複数のサブ画素で構成されている表示部であって、前記サブ画素が夫々当該サブ画素の色を表示する開口部及びこの開口部を定める遮光部で第1及び第2のパターンの一方を有するように構成され、前記同色のサブ画素が前記第2方向に沿って前記第1及び第2パターンの交互配列或いは前記第2及び第1パターンの交互配列で配列され、前記サブ画素が互いに線対称或いは点対称を与えないようにマトリクス状に配列されている表示部と、前記表示部に対向して設置される光線制御素子であって、前記第2の方向に対してある角度θを成すように傾けられて直線状に延出され、かつ、この延出方向に直交する方向に沿って配列されている多数の光学的開口部から構成されている光線制御素子と、を具備することを特徴とする3次元画像表示装置。前記ある角度θが前記第1方向に沿った第1周期L1及び前記第2の方向に沿った第2周期L2の比で与えられるatanL1/L2に定められていることを特徴とする請求項1に記載の3次元映像表示装置。前記サブ画素は、前記光学的開口部の延出方向に沿った開口長さLyを有し、前記延出方向に直交する方向に沿う位置における前記サブ画素が有する前記開口長さLyの合計は、前記延出方向に直交する方向に沿って変化され、この変化に基づく周波数成分は、前記サブ画素の形成ピッチに由来するppsinθより長波長の成分が抑制されていることを特徴とする請求項1に記載の3次元映像表示装置。前記サブ画素の遮光部は、キャパシタに対応する遮光部を構成するパターンセグメントを含み、このパターンセグメントの配置が前記第1及び第2のパターンで異なり、このパターンセグメントの配置が前記互いに線対称或いは点対称を与えないマトリクス状配列を与えていることを特徴とする請求項1に記載の3次元画像表示装置。互いに隣接する前記サブ画素においては、前記開口部内の同一位置に前記キャパシタに対応する遮光部を構成する前記パターンセグメントが位置されていることを特徴とする請求項4に記載の3次元映像表示装置。前記パターンセグメントの配置が前記互いに線対称或いは点対称を与えないマトリクス状配列を与え、しかも、前記サブ画素が有する前記開口長さLyの変化に基づく前記周波数成分における振幅の変動が抑制されていることを特徴とする請求項3に記載の3次元画像表示装置。上述のように、1方向に限定された周期性を持つ光線制御素子と二次元的に画素が配列された平面表示装置を組み合わせた従来の3次元映像表示装置においては、周期的に設けられた光学的開口部と平面表示装置の画素の周期性が互いに干渉して輝度ムラモアレが発生する問題がある。光学的開口部の角度を調整することにより、光学的開口部の周期性と画素の周期性との関係を制御しモアレを抑制する方法が知られているが、それだけでは、モアレが十分に解消しないケースがあり、具体的には、画素の開口形状が単一でない場合に問題が発生することが明らかとなっている。この実施の形態は、光学的開口部を傾けて配置するとともに画素形状を改変することで、モアレを解消し、3次元映像の画質を向上させることを目的としている。実施形態に係る3次元画像表示装置は、第1の方向及びこの第1方向に直交する第2の方向に沿って画素周期ppで画素がマトリクス状に配列され、当該画素が異なる色を表示する複数のサブ画素で構成されている表示部と、及び前記表示部に対向して設置される光線制御素子であって、前記第2の方向に対してある角度θを成すように傾けられて直線状に延出され、かつ、この延出方向に直交する方向に沿って配列されている多数の光学的開口部から構成されている光線制御素子と、を具備している。この実施形態に係る3次元画像表示装置では、前記サブ画素が夫々当該サブ画素の色を表示する開口部及びこの開口部を定める遮光部で第1及び第2のパターンの一方を有するように構成され、前記同色のサブ画素が前記第2方向に沿って前記第1及び第2パターンの交互配列或いは前記第2及び第1パターンの交互配列で配列され、前記サブ画素が互いに線対称或いは点対称の関係を与えないようにマトリクス状に配列されている。以下、図面を参照して、実施の形態に係る3次元映像表示装置を詳細に説明する。図1は、実施形態に係る3次元映像表示装置を概略的に示す斜視図である。平面表示装置1の前面には、光線制御素子2が配置されている。この光線制御素子2においては、光学的開口部3ここでは、シリンドリカルレンズが第1方向、例えば、水平方向に沿って配置され、この第1方向に直交する第2方向、例えば、垂直方向に対してある角度θを成して延出されている。より詳細には、光学的開口部3例えば、シリンドリカルレンズの水平ピッチ第1方向ピッチがL1[pp]に、垂直ピッチ第2方向ピッチがL2[pp]に定められ、光学的開口部3の延出方向シリンドリカルレンズの稜線方向は、第2方向に対して角度θ=arctanL1/L2を成すように延出され、第1方向、例えば、水平方向に沿ってピッチL1[pp]で周期的に配置される。光線制御素子2が左右視差水平視差のみを与える場合には、光線制御素子2には、スリット視差バリア或いはシリンドリカルレンズのような光学的開口部が一次元方向に周期的に配置されている。このような光線制御素子は、バリアまたはレンチキュラーシートと称せられる。尚、本実施形態では、シリンドリカルレンズが用いられる光線制御素子について具体的に説明するが、光線制御素子2が液晶レンズ等で構成される光学素子で構成されても良い。このような光学素子では、その内に多数の液晶レンズを生じさせることができ、3次元映像を表示する際にのみ、必要に応じて液晶レンズを生じさせることができ、2次元映像を表示する際には、この液晶レンズを消失させることができる。従って、選択的に2次元映像及び3次元映像を表示できる表示装置を実現することができる。液晶レンズ等で構成される光学素子にあっては、印加する電圧に応じて、光学素子内の液晶の屈折率が変化して、光線制御素子2内に、例えば、シリンドリカルレンズと同様な液晶レンズが生じて液晶光線を制御することができる。図2は、画素配列の説明図であって、図1に示す平面表示装置1における第2方向に沿った画素4の配列の一部を拡大して概略的に示している。平面表示装置1は、画素4が水平並びに垂直方向第1及び第2方向に沿ってマトリックス状に画素ピッチppで配置されて表示面が構成され、各画素4は、水平方向第1方向に沿って配列されたサブ画素5から構成され、このサブ画素5は、光線を透過する画素開口部6及び光線を遮蔽する画素遮光部7とから構成されている。一般的には、各画素4は、画素領域内が水平方向に3セグメントに分割されてRレッド、Gグリーン及びBブルーのフィルタ機能を有するサブ画素で略正方形pp×ppの正方形となるように形成される。従って、各サブ画素1は、辺の長さが1:3の長方形に形成される。平面表示装置1の背面に配置されたバックライト図示せずから射出された光線は、この画素開口部6を経由することで、RGBのいずれかの色の光線として表示部の前方に照射される。この光線は、光線制御素子2の光学的開口部3を通過することで、射出方向が制御された光線となって前方に投射されて3次元画像が表示される。このような3次元映像表示装置において、通常、光学的開口部3に対してサブ画素5が周期性を有するように配置されていることから、3次元映像を観察する観察者においては、周期性の干渉に基づくモアレを観察することとなる。この実施形態では、発明者の知見に基づき、サブ画素の画素開口部6の形状が2種類以上の場合に、互いに線対称或いは点対称の関係を与えないように設計することで、モアレを抑制することができるとしている。以下の説明では、この実施形態がモアレ抑制に最適であることをより良く理解可能とする為に、図2~図8に示す比較例1から3を参照してモアレの発生について説明する。比較例1図2には、モアレが生ずる単純な光学系の一例比較例1として、光学的開口部3の稜線8光学開口3の軸線或いは中心線が第2の方向、即ち、輝度変化が発生することとなる。比較例3図9は、上述した画素設計を基にサブ画素が配列されているある液晶表示装置比較例3におけるサブ画素配列と光線制御素子2の光学開口3との関係を示している。図9に示される比較例3に係るサブ画素配列では、図2に示す配列と同様に垂直方向第2方向に沿う同一列に同一色例えば、Rのサブ画素9が配列され、また、このサブ画素9の配列に隣接する同一列に他の同一色例えば、Gのサブ画素10が配列され、更に、このサブ画素10の配列に隣接する同一列に更に他の同一色例えば、Bのサブ画素11が配列されている。同一行のRGBサブ画素9、10及び11が1つの画素12に定められている。図9に示すように、各サブ画素9、10、及び11には、電極に対応由来する遮光部13A及び13B、各サブ画素9、10、及び11の領域を2つのセグメントの領域に区画するように中央近傍を横切るとともに、電極に対応由来する遮光部13A及び13Bに電気的に接続されている電極配線に対応由来する遮光部14及び電極配線に対応する遮光部14に接続されたパターンセグメントとしてのキャパシタに対応由来する遮光部15によるパターンが設けられている。サブ画素9とこのサブ画素9に行方向で隣接する同色のサブ画素10とは、線対称なパターンに形成され、また、サブ画素10とこのサブ画素10に行方向で隣接する同色のサブ画素11も線対称なパターンに形成され、更に、このサブ画素11とこのサブ画素11に行方向で隣接する同色の、サブ画素9とは、線対称なパターンに形成される。ここで、図9に示される配置のみに着目して行列で各サブ画素を指定すると、第1行第1列のサブ画素9のパターンと第1行第3列のサブ画素11のパターンとは、同一のパターンであり、これを第1パターンとすると、第1行第2列のサブ画素10は、第2パターンに相当する。また、第2行第1列のサブ画素9のパターンと第2行第3列のサブ画素11のパターンとは、同一のパターンであり、第2パターンに相当し、第2行第2列のサブ画素10は、第1パターンに相当する。そして、サブ画素9の行配列では、第1パターン及び第2パターンが交互に配列されて列に沿って第1パターン及び第2パターンが市松模様を与えるように配置されている。サブ画素10及び11の行配列においても、第2パターン及び第1パターン或いは第1パターン及び第2パターンが交互に配列されて市松模様を生じさせている。ここで、光学的開口部3の傾きθは、水平ピッチ第1方向ピッチのレンズピッチL1[pp]及び垂直平ピッチ第2方向ピッチのレンズピッチL2[pp]とすると、θ=arctanL1/L2ここで、水平ピッチ第1方向ピッチL1=1.552[pp]に、また、垂直ピッチ第2方向ピッチL2=9.000[pp]に定められると、θ=atan1/5.8となる。本来、この傾きθは、モアレが解消するはずの条件の一つであるが、結果的に図10に示すようなモアレが面内に発生される。ここで、ppは、3サブピクセルで構成される1画素のピッチであり、水平方向ピッチL1及びL2は、この画素のピッチppの比で表される。上述したように、ある列のサブ画素配列例えば、Rのサブ画素配列には、第1パターン及び第2パターンのサブ画素9が列に沿って、交互配列で、例えば、市松模様に配置されている。同様に、他の列のサブ画素配列例えば、G及びBのサブ画素配列には、第2パターン及び第1パターンのサブ画素10並びに第1パターン及び第2パターンのサブ画素11も列に沿って市松模様に配置されている。ここで、1つのサブ画素配列、例えば、Gのサブ画素配列に着目して、ある1つの光学的開口部3との関係を考察すると、以下のようにモアレが生じることがシュミュレートされる。ここでは、Gのサブ画素配列に着目して説明するが、同様にR及びBのサブ画素についても同様であり、同様の考察が可能である。図11aは、1つの光学的開口部3の長軸を基準にして図3に示したと同様に観察角度を変化させた際の輝度変化をシュミュレートする為に、仮想的にGのサブ画素配列10が抜き出されて、θだけ傾けて描画されている。ここで、光学的開口部3の、光学的開口部3に沿った軸をY軸とし、この長軸Y軸に直交するX軸として、このX軸に沿ったサブ画素開口部6の合計高さ開口部長さLyの合計と遮光部7の合計高さ遮光部長さSyの合計との割合がY軸上にプロットされて、図11bに示すような周期的に変化する波形が得られる。この図11bにおいて、破線で示す範囲は、サブ画素の第2の方向の形成間隔でもある画素ピッチppを、X軸に換算投影した距離pp×sinθに相当している。ここで、X軸は、光学的開口部3の稜線8Y軸の法線方向に相当する。そして、サブ画素開口部6の合計高さは、法線方向X軸上のある位置における1以上のサブ画素開口部6の高さY軸上の距離の合計を表している。同様に、遮光部7の合計高さも法線方向X軸上位置における1以上の遮光部7の高さY軸上の距離の合計を表している。図11bは、図3に示したと同様に、サブ画素一列の光学的開口部3に対して観察角度を変化させた際の輝度変化に対応し、図4及び図6に観察角度の変化に基づく強度分布に相当する。実際のモアレの見え方は、この輝度変化を光線制御子の光学的開口部3越しに、どのようにサンプリングしたかで決まる。このような周期性を有するサブ画素配列と光学的開口部3との光学配置において、サブ画素の形成間隔であるppを、X軸に換算した距離pp×sinθより長い成分が発生しているかどうかは、図11bに示す遮光部7に対する開口部6の割合輝度変化に相当する。をフーリエ変換に基づいて変換すると、図12に示すような周波数スペクトル周波数成分の有無とその振幅が得られる。この周波数成分の分布を表す図12から明らかなように、サブ画素ピッチ由来の周波数成分pp×sinθ及びこの周波数成分pp×sinθより周波数の低い、周波数成分pp×sinθ×1/2の周波数成分の振幅が発生してモワレが生ずることが判明している。比較例4図13には、比較例4として第2パターンを用いずに図9に示した第1パターンのサブ画素のみで画素12が構成され、図9に示したサブ画素配列とは、異なり第2パターンを有するサブ画素を含まず、市松模様を生じさせないサブ画素配列が示されている。ここで、図9に示した光学系と同様に傾きθを第2方向垂直方向に対して成すように光学的開口部3が配置されるが、この配置では、図14にしめすように、図10に示すようなモアレが抑制されていることがわかる。すなわち、モアレを抑制するように光線制御子の光学的開口部が設計されている。この図13に示す配置において、図15aに示すように、1つのサブ画素配列、例えば、Gのサブ画素配列に着目して、図11bに示したと同様にある光学的開口部3の長軸を基準にして観察角度を変化させた際の輝度変化を計算すると、図11bと同様に図15bに示すような周期的に変化する波形が得られる。ここでは、Gのサブ画素についてのみ述べたが、R又はBのサブ画素配列に着目しても、それぞれ同様に周期的に変化する波形を得ることができる。図15aにおいて、破線で示す範囲が1画素のX軸上距離pp×sinθに相当している。ここで、X軸は、光学的開口部3の稜線8Y軸の法線方向に相当する。そして、図15bにおいては、サブ画素開口部6の合計高さ開口部長さLyの合計と遮光部7の合計高さ遮光部長さSyの合計との割合がY軸上にX方向の変化としてプロットされている。この図15bから明らかなように、距離pp×sinθの周期で、遮光部7に対する開口部6の割合が変動しており、この図15bに示す輝度変化の特性は、サブ画素の形状が単一であることを示している。図15bをフーリエ変換によって図16に示すような周波数スペクトル周波数成分の有無とその振幅に変換することができる。図12と図16とを比較すると、図12で発生していた、サブ画素由来の周波数の1/2の周波数成分pp×sinθ×1/2が図16では全くない。そして、図10で発生していたモアレが図14では解消していることが判明している。即ち、第1パターンと第2パターンとの2種類のサブ画素9、10、及び11が交互配列、例えば、市松状に設けたために、輝度変化にサブ画素9、10、及び11に起因する波長成分pp×sinθより周波数の低い、波長成分pp×sinθ×1/2の周波数成分が発生し、これが原因で新たなモアレが発生することが明らかである。実施例1サブ画素9、10、及び11及びこのサブ画素9、10、及び11で構成される画素12の開口形状は、最良の表示特性を実現するために設計されている3次元映像表示装置において、モアレが発生するからといって、その平面表示部で表示されるサブ画素及び画素の形態を自由に変更することはできない。しかしながら、上述の考察を踏まえると、pp×sinθより長い輝度変化の周波数特性がモワレの1つの原因であれば、画素の開口形状をほぼ維持した状態で、輝度変化のpp×sinθより長い周波数成分を抑制することは可能である。換言すれば、画素形状が単一でなくても、輝度変化の長波長成分を抑え、モアレを抑制することができることを意味している。この考察下において、発明者は、その位置が移動されても表示特性に影響を与えない遮光部の一部パターンセグメントについてレイアウト配置を変更することができることに着目し、レイアウト配置の変更によってモアレを抑制することができるとしている。より具体的には、遮光部には、電極に対応由来する遮光部13A,13B、電極14及びキャパシタに対応由来する遮光部15等があるが、遮光部の一部としてのキャパシタに対応由来する遮光部15について着目し、図17に示すようにパターンセグメントを構成するキャパシタに対応由来する遮光部15のレイアウトが変更されている。図17の配置では、図9に示される基本配置が採用されているが、第1パターンのサブ画素9、10及び11のキャパシタに対応する遮光部パターンセグメント15がサブ画素中の領域の左下に配置され、同様に第2パターンのサブ画素9、10及び11のキャパシタに対応する遮光部15もサブ画素中の領域の左下に配置され、第1パターンのサブ画素9、10及び11のキャパシタに対応する遮光部パターンセグメント15が第2パターンのサブ画素9、10及び11のキャパシタに対応する遮光部パターンセグメント15とほぼ同一の位置にシフトされている。このシフトによって、互いに隣接するサブ画素の開口部6内では、略同一位置開口部内における相対位置が同一である。にキャパシタに対応する遮光部パターンセグメント15が配置されている。ここで、キャパシタに対応する遮光部パターンセグメント15を除き、サブ画素9とこのサブ画素9に行方向で隣接するサブ画素10とは、線対称なパターンに形成されている。また、同様に、キャパシタに対応する遮光部パターンセグメント15を除き、サブ画素10とこのサブ画素10に行方向で隣接するサブ画素11も線対称なパターンに形成され、更に、キャパシタに対応する遮光部パターンセグメント15を除き、このサブ画素11とこのサブ画素11に行方向で隣接し、異なる画素に属するサブ画素9とは、線対称なパターンに形成されている。また、同一列では、第1パターンのサブ画素及び第2パターンのサブ画素が交互に配置されている。尚、図17に示される表示装置は、キャパシタに対応する遮光部パターンセグメント15の位置を除き、図9に示されるサブ画素パターンと同様であるので、同一の符号を付してその説明を省略する。図17に示される配置は、図9に示される配置に関する説明を参照されたい。また、実際の設計では、遮光部の一部のシフト、上述した実施の形態では、キャパシタに対応する遮光部パターンセグメント15のシフトに伴い、垂直方向の配線も水平方向にシフトされて、サブ画素内の左右の面積比が維持される等の他の変更が必要とされる。しかし、サブ画素内の左右の面積比が維持されることが必要とされるに説明を留め、その変更に係る設計事項の詳細に関しては、説明を省略する。図9を参照して説明されるように、線対称性を有する第1パターン及び第2パターンの2種類の画素が採用されることによって、2倍の波長の成分が発生しているメカニズムを踏まえると、2倍の波長成分を抑制するためには、対称にする必要がない素子、例えば、上述した実施の形態では、キャパシタに対応する遮光部パターンセグメント15については、出来る限り同じ位置に設けることがモワレ抑制に効果的とされる。このような配置の変更によって、1/2倍の周波数成分の振幅が大きく抑制され、図18に示すようにモアレも大幅に抑制される。図19aには、図11a及び図15aと同様に、図17に示す画素配列における1つのサブ画素配列、例えば、Gのサブ画素配列がある1つの光学的開口部3とともに示されている。この図19aの配列を基に、図19bに示すようにX軸に沿ったサブ画素開口部6の合計高さ開口部長さLyの合計と遮光部7の合計高さ遮光部長さSyの合計との割合がY軸上にプロットされて、図11b及び図15bと同様に、周期的に変化する波形が得られる。同様にR及びBのサブ画素配列についても周期的に変化する波形を得ることができる。そして、図19bに示される遮光部7に対する開口部6の割合輝度変化に相当する。がフーリエ変換されて図20に示す周波数スペクトル周波数成分の有無とその振幅が得られる。この図20から明らかなように、サブ画素ピッチ由来の周波数成分pp×sinθ及びこの周波数成分pp×sinθより周波数の低い、周波数成分pp×sinθ×1/2の周波数成分の振幅が抑制されてモワレがより抑制されることが理解される。このように1/2倍の周波数成分の干渉によるモアレが図18に示すように大幅に抑制される。実施例2図21には、更に他の実施例2に係る表示装置が示されている。図21に示される表示装置においては、図17に示されるサブ画素9、10、及び11と同様に遮光部の一部としてのキャパシタに対応する遮光部パターンセグメント15がサブ画素9、10、及び11内の領域の同一位置に配置されるとともに、よりモアレを抑制するために、開口部6の調整の為に付加的な遮光部16A、16Bがサブ画素9、10、及び11内の領域に設けられている。換言すれば、図21に示される画素配列では、2種類のサブ画素が市松状に設けられ、部分的に遮光部が付加されて対称性を失うようにレイアウトが変更されている。この遮光部16A、16Bがサブ画素9、10、及び11内の領域に付加されることによって、開口部6の形状及び面積が調整されて2倍の波長成分が更に抑制されて図22に示すようにモアレがより低減される。図23aには、図11a、図15a及び図19aと同様に、図22に示す画素配列における1つのサブ画素配列、例えば、Gのサブ画素配列がある1つの光学的開口部3とともに示されている。この図23aの配列を基に、図23bに示すようにX軸に沿ったサブ画素開口部6の合計高さ開口部長さLyの合計と遮光部7の合計高さ遮光部長さSyの合計との割合がY軸上にプロットされて、図11b、図15b及び図19bと同様に、周期的に変化する波形が得られる。同様にR及びBのサブ画素配列についても周期的に変化する波形を得ることができる。そして、図23bに示される遮光部7対する開口部6の割合輝度変化に相当する。がフーリエ変換されて図24に示す周波数スペクトル周波数成分の有無とその振幅が得られる。この図24から明らかなように、サブ画素ピッチ由来の周波数成分pp×sinθ及びこの周波数成分pp×sinθより周波数の低い、周波数成分pp×sinθ×1/2の周波数成分の振幅が抑制されてモワレがより抑制されることが理解される。このように輝度変化が著しい1/2倍の周波数成分が大きく抑制され、図18に示すようにモアレもより大幅に抑制される。2倍の波長成分に拘らずとも、輝度変化の振幅が抑制されることは、面内輝度均一性の向上に寄与することができる。なぜなら、光学的開口部3の傾きの制御は、光学的開口部3によりサンプリングした輝度の差を面積的に均一化することによるモアレの解消であり、輝度差そのものが小さいことは、例えば光線制御素子の貼り付け誤差のマージンを広げることができ、面内の輝度の分布によるざらざらとした印象を低減することができるメリットがある。実施例3図25は、更に他の実施形態に係る表示装置が示されている。図25に示される表示装置においては、図17に示されるサブ画素9、10、及び11と同様に遮光部の一部としてのキャパシタに対応する遮光部パターンセグメント15がサブ画素9、10、及び11内の領域の同一位置に配置されるとともに、よりモアレを抑制するために、開口部6の調整の為に付加的な遮光部16A、16Bがサブ画素9、10、及び11内の領域に設けられ、更に、他の遮光部17A、17Bが電極に対応する遮光部13Aに付加されている。電極に対応する遮光部13Aに遮光部17A、17Bが付加された結果、図21に示される電極に由来する遮光部13Aが正方形に対して図25に示される電極に対応する遮光部13Aは、長方形に形成されている。このように遮光部16A、16B及び17A、17Bが適切な位置に追加されることにより、周波数成分pp×sinθも含めて、長波長側の周波数成分を抑制することができ、図26に示すように、面内の輝度分布をさらに抑制し、モワレの生成を抑制することができる。図27aには、図11a、図15a、図19a及び図23aと同様に、図25に示す画素配列における1つのサブ画素配列、例えば、Gのサブ画素配列がある1つの光学的開口部3とともに示されている。この図27aの配列を基に、図27bに示すようにX軸に沿ったサブ画素開口部6の合計高さ開口部長さLyの合計と遮光部7の合計高さ遮光部長さSyの合計との割合がY軸上にプロットされて、図11b、図15b、図19a及び図23aと同様に、周期的に変化する波形が得られる。同様にR及びBのサブ画素配列についても周期的に変化する波形を得ることができる。そして、図27bに示される遮光部7に対する開口部6の割合輝度変化に相当する。がフーリエ変換されて図28に示す周波数スペクトル周波数成分の有無とその振幅が得られる。この図28から明らかなように、サブ画素ピッチ由来の周波数成分pp×sinθ及びこの周波数成分pp×sinθより周波数の低い、周波数成分pp×sinθ×1/2の周波数成分が低減されてモワレがより抑制されることが理解される。このように1/2倍の周波数成分の振幅が抑制され、1/2の周波数成分が原因の面内の輝度分布の変動もさらに抑制されて図26に示すようにモアレもより大幅に抑制される。以上の実施の形態では、第1及び第2のパターンの組み合わせについて述べたが、この実施の形態の適用においては、これに限らず、第1のパターンが基準パターンとされ、第2のパターンが基準パターンに対する線対称パターンとされ、更に、第3のパターンが基準パターンに対する点対称パターンとされて第1、第2及び第3のパターンが組み合わせて配列されても、以上に述べた手法を、R、G、B各色についてそれぞれに適用することによって、モアレを解消することができる。さらに述べれば、複数パターンの画素が周期的にもうけられた場合には、かならずその周期性に由来する、サブ画素の周期より長い周期が発生するが、当該実施の形態で述べた手法を用いて輝度変動からサブ画素の周期より長い周期を抑制することにより、モアレが改善される。以上のように、この実施例によれば、周期性が1方向に限定された光線制御素子と平面表示装置を組み合わせた3次元映像表示装置において、光学的開口部3の傾きの制御に加えて、画素形状を改変することで、モアレを解消し、3次元映像の画質を向上させることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"