基板と、前記基板に配置される前面電極と、前記前面電極上部に配置される後面電極と、前記前面電極と前記後面電極の間に配置され、入射光を受光し電気に変換する光電変換部を含み、前記前面電極は光透過性の導電性物質を含む第1前面電極膜と第2前面電極膜を含み、前記第1前面電極膜は前記基板上部に接触して形成され、前記第1前面電極膜の一部には前記基板の一部が露出する多孔性のピンホールが形成され、前記第2前面電極膜は前記第1前面電極膜上部に接触して前記第1前面電極膜に形成された前記ピンホールを覆うように形成されることを特徴とする薄膜太陽電池。前記第2前面電極膜は金属性物質に亜鉛酸化物ZnO、スズ酸化物SnO2、またはチタン酸化物TiO2のうち少なくとも一つの物質が結合された物質を含むことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池。前記第1前面電極膜はアルミニウム添加酸化亜鉛ZnO:Al物質を含み、前記第2前面電極膜はホウ素添加酸化亜鉛ZnO:Bを含むことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池。前記第2前面電極膜の平均厚さは前記第1前面電極膜の平均厚さより薄いことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池。前記第2前面電極膜の平均厚さ50nm以上500nm以下であることを特徴とする、請求項4記載の薄膜太陽電池。前記第2前面電極膜の厚さは誤差範囲内で均一なことを特徴とする、請求項5記載の薄膜太陽電池。前記第1前面電極膜の平均厚さは300nm以上900nm以下であることを特徴とする、請求項4記載の薄膜太陽電池。前記第1前面電極膜及び前記第2前面電極膜の表面はテクスチャリングされており、前記第2前面電極膜のテクスチャリング表面の傾斜角は前記第1前面電極膜のテクスチャリング表面の傾斜角より小さいことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池。前記光電変換部はp型半導体層、真性半導体層、及びn型半導体層であるp-i-n構造が少なくとも一つ以上形成されることを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池。前記光電変換部の真性半導体層はゲルマニウムGeを含むことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池。前記光電変換部の真性半導体層は非晶質シリコンa-siまたは微結晶シリコンmc-siのうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池。前記第2前面電極膜の内で前記ピンホールを覆う部分は前記基板と直接接触することを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池。前記ピンホールは丸い形状、楕円形状、格子形状、多角形形状及び不規則的形状のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池。前記基板は透明な非導電性物質で形成されることを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池。本発明の目的とするところは、効率が向上した薄膜太陽電池を提供することにある。前記課題を解決するために、本発明に係る薄膜太陽電池の一例は基板と、基板に配置される前面電極と、前面電極上部に配置される後面電極と、前面電極と後面電極の間に配置され、入射光を受光し電気に変換する光電変換部を含み、前面電極は光透過性の導電性物質を含む第1前面電極膜と第2前面電極膜を含み、第1前面電極膜は基板上部に接触して形成され、第1前面電極膜の一部には基板の一部が露出する多孔性のピンホールが形成され、第2前面電極膜は第1前面電極膜上部に接触して第1前面電極膜に形成されたピンホールを覆うように形成される。ここで、第2前面電極膜は金属性物質に亜鉛酸化物ZnO、スズ酸化物、またはチタン酸化物TiO2の内少なくとも一つの物質が結合された物質を含むことができる。また、第1前面電極膜はアルミニウム添加酸化亜鉛ZnO:Al物質を含み、第2前面電極膜はホウ素添加酸化亜鉛ZnO:B物質を含むことができる。また、第2前面電極膜の平均厚さは第1前面電極膜の平均厚さより薄いことがある。ここで、第2前面電極膜の平均厚さは50nm以上500nm以下で有り得る。ここで、第2前面電極膜の厚さは誤差範囲内で均一とすることがある。また、第1前面電極膜の平均厚さは300nm以上900nm以下で有り得る。また、第1前面電極膜及び第2前面電極膜の表面はテクスチャリングされており、第2前面電極膜のテクスチャリング表面の傾斜角は第1前面電極膜のテクスチャリング表面の傾斜角より小さいことがある。また、光電変換部はp型半導体層、真性i型半導体層、及びn型半導体層であるp-i-n構造が少なくとも一つ以上で形成されることができる。ここで、光電変換部の真性i型半導体層はゲルマニウムGeを含むことができる。また、光電変換部の真性i型半導体層は非晶質シリコンa-siまたは微結晶シリコンmc-siのうち少なくともいずれか一つを含む。以上説明したように本発明に係る太陽電池は第2前面電極膜が第1前面電極膜上部に接触し第1前面電極膜に形成されたピンホールを覆うように形成され太陽電池の光電効率を向上する効果がある。以下では添付した図面を参照して本発明の実施の形態について本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし本発明はいろいろ異なる形態に具現することができ、ここで説明する実施の形態に限定されない。そして図では本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じ同様な部分に対しては同様の図面符号を付けた。図で多くの層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分上にあると言う時、これは他の部分真上にある場合だけではなくその中間に他の部分がある場合も含む。反対にいずれの部分が他の部分真上にあると言う時には中間に他の部分がないことを意味する。またいずれの部分が他の部分上に全体的に形成されていると言う時には他の部分の全体面に形成されていることだけではなく端の一部には形成されないことを意味する。図1は本発明に係る薄膜太陽電池の一例を説明するための図である。図1では光電変換部PVの構造が入射面からp-i-n構造になるものを一例で説明しているが、光電変換部PVの構造が入射面からn-i-p構造になるものも可能である。しかし、以下では説明の便宜上光電変換部PVの構造が入射面からp-i-n構造になるものを一例で説明する。図1で示されたように、本発明に係る薄膜太陽電池の一例は基板100、前面電極110、光電変換部PV及び後面電極130を含む。ここで、前面電極110は光透過性または導電性物質を含む第1前面電極膜110aと第2前面電極膜110bを含む。ここで、前面電極110は基板100の上部に配置され、後面電極130は前面電極110の上部に配置され、光電変換部PVは前面電極110と後面電極130の間に配置され基板100の入射面に入射される光を電気に変換する機能を有する。ここで、基板100は他の機能性層を配置することができる空間を用意することができる。共に、基板100は入射される光が光電変換部PVにさらに効果的に到達するようにするために実質的に透明な非導電性材質、例えばガラスまたはプラスチック材質からなることができる。前面電極110は基板100に配置され、入射される光の透過率を高めるために実質的に光透過性または導電性物質を含む第1前面電極膜110aと第2前面電極膜110bを含む。共に、前面電極110の比抵抗範囲は約102Ωcm乃至1011Ωcmで有り得る。ここで、第1前面電極膜110aと第2前面電極膜110bに対する詳細な説明は前面電極110、後面電極130及び光電変換部PVに対する基本的な説明をした後後述する。このような前面電極110は光電変換部PVと電気的に接続されることができる。これによって、前面電極110は入射される光によって生成されたキャリアcarrier内の一つ、例えば正孔を収集して出力することができる。共に、前面電極110の上部表面にはランダムのピラミッド構造を有する複数の凹凸を形成することができる。すなわち、前面電極110はテクスチャリング表面を備えている。このように、前面電極110の表面をテクスチャリングするようになれば、入射される光の反射を低減させ、光の吸収率を高めることができて太陽電池の効率を向上することが可能である。一方、図1では前面電極110のみに凹凸を形成した場合を示しているが、光電変換部PVにも凹凸を形成するのが可能である。次に、後面電極130は光電変換部PVが発生させた電力の回収効率を高めるために電気伝導性がすぐれた金属材質を含むことができる。共に、後面電極130は光電変換部PVと電気的に接続されて入射される光によって生成されたキャリア内の一つ、例えば電子を収集して出力することができる。ここで、光電変換部PVは前面電極110と後面電極130の間に配置され外部から入射される光で電力を生産する機能をする。このような光電変換部PVは基板100の入射面からp-i-n構造、すなわちp型半導体層120p、真性半導体層120i、n型半導体層120nを含むことができる。ここで、p型半導体層120pはシリコンSiを含む原料ガスにホウ素、ガリウム、インジウムなどのような3価元素の不純物を含むガスを利用して形成することができる。真性i型半導体層はキャリアの再結合率を減らし光を吸収することができる。このような真性半導体層120iは入射される光を吸収し、電子と正孔のようなキャリアを生成することができる。このような真性半導体層120iは微結晶シリコンmc-Si、例えば水素化された微結晶シリコンmc-SiHを含むこともでき、または非晶質シリコン、例えば水素化された非晶質シリコンを含むことができる。n型半導体層120nはシリコンを含む原料ガスにりんP、砒素As、アンチモンSbなどのように5価元素の不純物を含むガスを利用し形成することができる。このような光電変換部PVはプラズマ化学気相成長のような化学気相成長によって形成することができる。また、図1に示されるように、光電変換部PVのp型半導体層120p及びn型半導体層120nのようなドーピング層は真性半導体層120iを間に置いてp-n接合を形成することができる。このような構造で、p型半導体層120pの方へ光が入射されると真性半導体層120iの内部では相対的に高いドーピング濃度を有するp型半導体層120pとn型半導体層120nによって空乏層が形成され、これによって電場が形成される。光吸収層である真性半導体層120iから生成された電子と正孔は接触電位差により形成される電場によって分離し互いに異なる方向に移動する。例えば、正孔はp型半導体層120pを通じて前面電極110の方へ移動し、電子はn型半導体層120nを通じて後面電極130の方へ移動する。このような正孔及び電子の移動により起電力が発生する。この起電力を光起電力といい、光の照射により起電力が発生する現象を光起電力効果という。このような方式で電力を生産することができる。一方、本発明の前面電極110に含まれる第1前面電極膜110aは基板100上部に接触して形成されるが、第1前面電極膜110aの一部には図2のa及びbのように基板100の一部が露出する多孔性のピンホールが形成され、第2前面電極膜110bは第1前面電極膜110a上部に接触し第1前面電極膜110aを覆うように形成され第1前面電極膜110aに形成された多孔性のピンホールPHを覆うように形成される。このように第1前面電極膜110aと第2前面電極膜110bは基板100の上部に接触し基板100から順次に形成することができる。このように、前面電極110を2重膜で形成することは薄膜太陽電池の光電効率を向上するためである。ここで、第1前面電極膜110aに形成される多孔性のピンホールPHの形状が図2では円型であることのみを一例に示しているが、これと異なり多孔性のピンホールPHの形状は楕円形、格子状になることもでき、さまざまな形態の多角形形状を有することもある。結局、多孔性のピンホールPHの形状は第1前面電極膜110aが形成された基板100から基板100の一部が露出する構造であればいずれの形態を有しても関係ない。また、図2のbでは多孔性ピンホールPHの内部には第1前面電極膜110aの残余粒子が含まれないことを示したが、これと異なりに多孔性ピンホールPHの内部には第1前面電極膜110aの残余粒子がパーティクル形態で含まれることもある。このような多孔性ピンホールPHは第1前面電極膜110aに多様な個数で分散しランダムに形成することができる。第1前面電極膜110aに形成される多孔性ピンホールPHの密度は一例でμm2当たり1-5個を形成することができる。ここで、多孔性ピンホールPHそれぞれの平均直径は一例で200nm乃至1000nmで有り得る。したがって多孔性ピンホールPHそれぞれの平均直径は第1前面電極膜110aの厚さより小さいか同一であるか、あるいはさらに大きいこともある。ここで、第1前面電極膜110aの多孔性のピンホールPHは光電変換部PV内で入射光のトラッピングを向上するために第1前面電極膜110aの表面をエッチングしテクスチャリング表面を形成する過程で形成される。一例で多孔性ピンホールPHは第1前面電極膜110aをエッチングする工程の中に第1前面電極膜110aの他の部分よりさらに早くエッチングされる部分に形成されることもあり、第1前面電極膜110aが相対的にさらに薄い部分のエッチングにより形成されることもある。ここで、もし第1前面電極膜110a上部に直接シリコンを含む光電変換部PVが形成される場合、第1前面電極膜110aの多孔性のピンホールPHは光電変換部PVの機能を弱化させる欠陥として作用することがある。さらに具体的には、本発明と異なり第2前面電極膜110bが第1前面電極膜110aの上部に形成されないで第1前面電極膜110a上部に直接光電変換部PVが形成される場合、第1前面電極膜110aの内ピンホールPHが形成された部分で光電変換部PVは直接基板100と接するようになる。このような場合、基板100と接する光電変換部PVの部分では結合が不安定になって欠陥として作用するようになるだけでなく基板100と接する光電変換部PVに割れが発生することがあり、全体的に太陽電池の光電効率を低下させる原因になる。しかし、図3に示された本発明のように、第2前面電極膜110bが第1前面電極膜110a上部に接触し第1前面電極膜110aを覆うように形成される場合、第1前面電極膜110aの内ピンホールPHが形成された部分でも光電変換部PVが基板100と直接接することを防止し、不安定な結合を最小化すると共に光電変換部PVに発生することができる割れを防止することができて全体的に太陽電池の光電効率を向上する効果がある。ここで、第1前面電極膜110aは大部分の光が透過し電気が通ずるように高い光透過度と高い電気伝導度を備えるためにインジウムスズ酸化物、スズ系酸化物SnO2等、AgO、ZnO-Ga2O3またはAl2O3、フローリンティンオキサイド及びこれらの混合物からなる群から選択されたもので形成されることができる。一例では、第1前面電極膜110aはアルミニウム添加酸化亜鉛ZnO:Al、AZOから成る。ここで、アルミニウム添加酸化亜鉛ZnO:Alで第1前面電極膜110aを形成する場合、フッ素添加酸化スズSnO2:Fに比べ第1前面電極膜110aの表面テクスチャリングのための化学的エッチングをする時、テクスチャリング表面の形状制御が相対的に容易となり、光透過度と電気伝導度の高い長所がある。また、光散乱を増加させ光特性改善の重要な変数であるヘイズを制御するのが容易である。このように光散乱が増加されれば光経路が増加され光電効率が増加することができる。また、第2前面電極膜110bは金属性物質に亜鉛酸化物ZnO、スズ酸化物SnO2、またはチタン酸化物TiO2のうち少なくとも一つの物質が結合された物質を含むことができる。一例では第2前面電極膜110bはホウ素添加酸化亜鉛ZnO:B、BZOを含むことができる。このような第2前面電極膜110bは低圧化学気相成長を利用して形成することができる。さらに具体的な一例で、ホウ素添加酸化亜鉛ZnO:Bを含む第2前面電極膜110bは低圧化学気相成長LPCVDで100°C~250°Cの温度でジエチル亜鉛、ジボランと水を混合したガスを用いた堆積により形成することができる。このように第2前面電極膜110bを形成するために低圧化学気相成長LPCVDを利用すれば、スパッタを利用した蒸着と比べて相対的にステップカバレージがすぐれているのでテクスチャリングされた第1前面電極膜110aの不均一な表面を蒸着する時に相対的にさらに均一な厚さで堆積することができる効果がある。ここで、第2前面電極膜110bの平均厚さTE2は第1前面電極膜110aの平均厚さTE1より小さいことがある。これは第1前面電極膜110aには前述のように光散乱増加のために表面をテクスチャリング処理ができるように、このようなテクスチャリング処理のために十分な厚さを確保するために第1前面電極膜110aの平均厚さTE1をさらに厚くするのである。したがって、図3のように、第2前面電極膜110bの平均厚さTE2が第1前面電極膜110aの平均厚さTE1よりさらに小さいから第1前面電極膜110aのテクスチャリング表面形状は第2前面電極膜110bを形成しても第2前面電極膜110bの表面にかなり多い数が同様に維持される。これのために、第2前面電極膜110bの厚さは誤差範囲内で均一に形成することができる。ここで、誤差範囲は一例としておおよそ5nm乃至50nmで有り得る。ここで、第1前面電極膜110aの平均厚さTE1は300nm以上900nm以下になるようにできる。第1前面電極膜110aの平均厚さTE1を300nm以上になるようにすることは第1前面電極膜110aの表面にエッチングによってテクスチャリング形状が形成されても発生する多孔性ピンホールPHの個数を最小化するためである。また、第1前面電極膜110aの平均厚さTE1を900nm以下になるようにすることは最小限の光透過率を維持するためである。すなわち、第1前面電極膜110aの平均厚さTE1が過度に厚くなれば光電変換部PVが吸収する光量が減少するが、最小限の光透過率を維持することで光電変換部PVの光吸収量減少を防止するためである。また、第2前面電極膜110bの平均厚さTE2は50nm以上500nm以下になるようにできる。第2前面電極膜110bの平均厚さTE2を50nm以上になるようにすることは第2前面電極膜110bの厚さTE2が過度に薄い場合第1前面電極膜110aに形成されたピンホールPHを満たすのに不充分なことがあるからである。そして、第2前面電極膜110bの平均厚さTE2を500nm以下になるようにすることは最小限の光透過率を維持し光透過度の低下を防止するためである。また、第2前面電極膜110bのテクスチャリング表面の傾斜角は第1前面電極膜110aのテクスチャリング表面の傾斜角より小さく形成することができる。これは第1前面電極膜110aにアルミニウム添加酸化亜鉛AZOが使われ第2前面電極膜110bにホウ素添加酸化亜鉛BZOが使われる場合、物質固有の特性によって現われることができる特徴である。このように、第1前面電極膜110aのテクスチャリング表面傾斜角θ1より第2前面電極膜110bのテクスチャリング表面傾斜角θ2が小さくなれば、第1前面電極膜110aと第2前面電極膜110bを透過する光の散乱特性をさらに増加させることができる効果がある。図3の実施の形態で、多孔性ピンホールPHが位置した第2前面電極膜110bの部分の上部表面は多孔性ピンホールPHの形状によって陥没することがある。しかしこれと異なり多孔性ピンホールPHが位置した第2前面電極膜110bの部分の上部表面は陥没せずに形成されることもできる。また、多孔性ピンホールPHが位置した部分で第2前面電極膜110bの厚さはTE2より大きいこともある。したがって、多孔性ピンホールPHが位置した第2前面電極膜110bの部分の上部表面は平坦に形成することもでき、平坦でないように形成することもある。一方、このような図1乃至図3では、薄膜太陽電池10が断層p-i-n構造に形成された場合のみを一例で説明したが、前面電極110が第1前面電極膜110aと第2前面電極膜110bを含むことはタンデム構造、例えば、2重接合か3重接合の構造でも可能である。図4は本発明に係る第2前面電極膜が2重接合太陽電池あるいはp-i-n-p-i-n構造でも適用される一例を説明するための図である。以下では以上で詳しく説明した部分に対しては説明を省略することにする。図4に示されたのように、薄膜太陽電池は第1光電変換部421及び第2光電変換部423を含むことができる。図4のように、薄膜太陽電池は光入射面から第1p型半導体層421p、第1i型半導体層421i、第1n型半導体層421n、第2p型半導体層423p、第2i型半導体層423i及び第2n型半導体層423nが順に積層される。第1真性i型半導体層421iは短波長帯域の光を主に吸収し電子と正孔を生成することができる。共に、第2真性i型半導体層423iは長波長帯域の光を主に吸収し電子と正孔を生成することができる。このように、2重接合構造の太陽電池は短波長帯域及び長波長帯域の光を吸収しキャリアを生成するから高い効率を有することが可能である。共に、第2真性i型半導体層423iの厚さTP2は長波長帯域の光を充分に吸収するために第1真性i型半導体層421iの厚さTP1より厚い。また、図4に示された薄膜太陽電池は第1光電変換部421の第1真性半導体層421i及び第2光電変換部423の第2真性半導体層423iが全て非晶質シリコンを含むこともでき、または第1光電変換部421の第1真性半導体層421iは非晶質シリコンを含み、第2光電変換部423の第2真性半導体層423iは微結晶質シリコンを含むこともできる。また、図4のような2重接合構造を有する太陽電池で第2真性半導体層423iにはゲルマニウムGeが不純物としてドープされる。ゲルマニウムGeは第2真性半導体層423iのバンドギャップを小さくすることができ、これによって第2真性半導体層423iの長波長帯域光の吸収率が向上することで太陽電池の効率が向上することができる。すなわち、2重接合構造を有する太陽電池は第1真性半導体層421iで短波長帯域の光を吸収して光電効果を発揮し、第2真性半導体層423iで長波長帯域の光を吸収して光電効果を発揮するようになるのに、第2真性半導体層423iにゲルマニウムGeが不純物としてドープされた太陽電池は第2真性半導体層423iのバンドギャップをさらに小さくすることでさらに多い量の長波長帯域光を吸収することができ太陽電池の効率を向上することができる。このような第2真性半導体層423iにゲルマニウムGeをドーピングする方法ではゲルマニウムGeガスが満たされたチェンバー内でVHF、HFまたはRFを利用したPECVD工法を一例で挙げることができる。このような第2真性半導体層423iに含まれるゲルマニウムの含有量は一例で3~20atomで有り得る。このようにゲルマニウムの含有量が適切に含まれる場合第2真性半導体層423iのバンドギャップが充分に小さくでき、これによって第2真性半導体層423iの長波長帯域光の吸収率が向上する。このような場合にも第1真性半導体層421iは短波長帯域の光を主に吸収し電子と正孔を生成することができ、第2真性半導体層423iは長波長帯域の光を主に吸収し電子と正孔を生成することができる。共に、第2真性半導体層423iの厚さTP1は長波長帯域の光を充分に吸収するために第1真性半導体層421iの厚さTP2より厚いことがある。このような2重接合太陽電池でも前面電極110が第1前面電極膜110aと第2前面電極膜110bを含み、第1前面電極膜110aは基板上部に接触し形成されるが、第1前面電極膜110aの一部には基板の一部が露出する多孔性のピンホールPHが形成され、第2前面電極膜110bは第1前面電極膜110a上部に接触し第1前面電極膜110aを覆うように形成される。また、図5は本発明に係る第2前面電極膜が3重接合太陽電池あるいはp-i-n-p-i-n-p-i-n構造で適用される一例を説明するための図である。以下では以上で詳しく説明した部分に対しては説明を省略する。図5に示されるように、薄膜太陽電池は基板100の入射面から第1光電変換部521、第2光電変換部523及び第3光電変換部525が順に配置される。ここで、第1光電変換部521、第2光電変換部523及び第3光電変換部525はそれぞれp-i-n構造に形成することができ、基板100から第1p型半導体層521p、第1真性半導体層521i、第1n型半導体層521n、第2p型半導体層523p、第2真性半導体層523i、第2n型半導体層523n、第3p型半導体層525p、第3真性半導体層525i及び第3n型半導体層525pが順に配置される。ここで、第1真性半導体層521i、第2真性半導体層523i及び第3真性半導体層525iを多様に具現することができる。第1例では、第1真性半導体層521i及び第2真性半導体層523iは非晶質シリコンa-Siを含むことができ、第3真性半導体層525iは微結晶シリコンmc-Siを含むことができる。ここで、第2真性半導体層523iのみにゲルマニウムGeが不純物としてドープされるようにして第2真性半導体層523iのバンドギャップを小さくすることもでき、第2真性半導体層523iだけでなく第3真性半導体層525iも共にゲルマニウムGeが不純物としてドープされるようにすることもできる。また、これと異なりに、第2例では第1真性半導体層521iは非晶質シリコンを含むことができ、第2真性半導体層523i及び第3真性半導体層525iは微結晶シリコンmc-Siを含むことができる。ここで、第3真性半導体層525iにはゲルマニウムGeが不純物としてドープされるようにして第3真性半導体層525iのバンドギャップを小さくすることもできる。ここで、第1光電変換部521は短波長帯域の光を吸収し電力を生産することができ、第2光電変換部523は短波長帯域と長波長帯域の中間帯域の光を吸収し電力を生産することができ、第3光電変換部525は長波長帯域の光を吸収して電力を生産することができる。ここで、第3真性半導体層525iの厚さTP30は第2真性半導体層523iの厚さTP20より厚く、第2真性半導体層523iの厚さTP20は第1真性半導体層521iの厚さTP10より厚いことがある。これは第3真性半導体層525iで長波長帯域の光吸収率をさらに向上させるためである。このように図5のような3重接合太陽電池の場合にはより広い帯域の光を吸収することができるから電力生産効率が高い。このように図5のような3重接合太陽電池でも前面電極110が第1前面電極膜110aと第2前面電極膜110bを含み、第1前面電極膜110aは基板上部に接触し形成されるが、第1前面電極膜110aの一部には基板の一部が露出する多孔性のピンホールPHが形成され、第2前面電極膜110bは第1前面電極膜110a上部に接触し第1前面電極膜110aを覆うように形成することができる。共に、薄膜太陽電池で少なくとも一つの光電変換部は他の半導体物質によって形成することもできる。したがって、少なくとも一つの光電変換部を形成する物質はCdTe、CIGSのような物質を含むこともできる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はここに限定されるのではなく次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多くの変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属するのである。