"陽極と、発光層と、電子輸送帯域と、陰極をこの順に備え、前記発光層は、ホスト材料と、主ピーク波長が550nm以下の蛍光発光を示すドーパント材料とを含み、前記電子輸送帯域は、前記発光層に隣接する障壁層を含み、前記障壁層は、電子輸送構造部位と、縮合多環芳香族炭化水素化合物からなるトリプレット障壁構造部位を有するとともに下記式1を満たす障壁材料を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。ETb>ETh1ETh及びETbは、それぞれ前記ホスト材料及び前記障壁材料の三重項エネルギーを示す。前記ホスト材料と前記ドーパント材料が下記式2を満たす請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。ETd>ETh2ETdは、前記ドーパント材料の三重項エネルギーを示す。前記ホスト材料のアフィニティAfhと前記障壁材料のアフィニティAfbが下記式3を満たす請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。Afh-Afb>0eV3前記ホスト材料のイオン化ポテンシャルIphと前記ドーパント材料のイオン化ポテンシャルIpdが下記式4を満たす請求項1~3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。Ipd-Iph<0.2eV4前記障壁材料の電子移動度が、10-6cm2/Vs以上である請求項1~4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記障壁層が、前記障壁材料に対して還元性を示すドナーを含む請求項1~5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記発光層において三重項励起子同士が衝突して生成する一重項励起子由来の発光強度が、全発光強度に対して30以上である請求項1~6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記電子輸送構造部位が、下記部分構造を1以上含む請求項1~7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、X1、X2はそれぞれ炭素原子又は窒素原子である。前記電子輸送構造部位が、下記環から選択される1以上の環を含む請求項1~7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、X11~X15及びX21~X26はそれぞれ炭素原子又は窒素原子である。ただし、X11~X15の少なくとも1つ及びX21~X26の少なくとも1つは窒素原子である。前記電子輸送構造部位が、下記環から選択される1以上の環を含む請求項1~7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記電子輸送構造部位が、下記環から選択される1以上の環を含む請求項1~7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記トリプレット障壁構造部位が、下記環から選択される請求項1~11のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式1~6中、Ar1~Ar9は、環形成炭素数4~16の縮合環構造を表す。前記陽極と前記陰極の間に少なくとも2つの発光層を有し、2つの発光層の間に電荷発生層を備える請求項1~12のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。陽極と、複数の発光層と、電子輸送帯域と、陰極をこの順に備え、前記複数の発光層のいずれか二つの発光層の間に電荷障壁層を有し、前記電子輸送帯域に接する発光層は、ホスト材料と、主ピーク波長が550nm以下の蛍光発光を示すドーパント材料とを含み、前記電子輸送帯域は、該発光層に隣接する障壁層を含み、前記障壁層は、電子輸送構造部位と、縮合多環芳香族炭化水素化合物からなるトリプレット障壁構造部位を有するとともに下記式1を満たす障壁材料を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。ETb>ETh1ETh及びETbは、それぞれ前記ホスト材料及び前記障壁材料の三重項エネルギーを示す。前記ホスト材料と前記ドーパント材料が下記式2を満たす請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。ETd>ETh2ETdは、前記ドーパント材料の三重項エネルギーを示す。<第1の実施形態>本発明はTTF現象を利用したものである。まず、以下にTTF現象を説明する。陽極、陰極から注入された正孔、電子は発光層内で再結合し励起子を生成する。そのスピン状態は、従来から知られているように、一重項励起子が25、三重項励起子が75の比率である。従来知られている蛍光素子においては、25の一重項励起子が基底状態に緩和するときに光を発するが、残りの75の三重項励起子については光を発することなく熱的失活過程を経て基底状態に戻る。従って、従来の蛍光素子の内部量子効率の理論限界値は25といわれていた。一方、有機物内部で生成した三重項励起子の挙動が理論的に調べられている。S.M.BachiloらによればJ.Phys.Cem.A,104,77112000、5重項等の高次の励起子がすぐに三重項に戻ると仮定すると、三重項励起子以下、3Aと記載するの密度が上がってきたとき、三重項励起子同士が衝突し下記式のような反応が起きる。ここで、1Aは基底状態、1Aは一重項励起子を表す。3A3A→4/91A1/91A13/93A即ち、53A→41A1Aとなり、当初生成した75の三重項励起子のうち、1/5即ち20が一重項励起子に変化することが予測されている。従って、光として寄与する一重項励起子は当初生成する25分に75×1/5=15を加えた40ということになる。このとき、全発光強度中に占めるTTF由来の発光比率TTF比率は、15/40、即ち37.5となる。また、当初生成した75の三重項励起子のお互いが衝突して一重項励起子が生成した2つの三重項励起子から1つの一重項励起子が生成したとすると、当初生成する一重項励起子25分に75×1/2=37.5を加えた62.5という非常に高い内部量子効率が得られることとなる。このとき、TTF比率は37.5/62.5=60となる。図1は、本発明の第1の実施形態の一例を示す有機EL素子の概略構成図である。図2Aは各層の最低励起一重項エネルギー準位及び最低励起三重項エネルギー準位を模式的に表す。尚、本発明で三重項エネルギーは、最低励起三重項状態におけるエネルギーと基底状態におけるエネルギーの差をいい、一重項エネルギーエネルギーギャップという場合もあるは、最低励起一重項状態におけるエネルギーと基底状態におけるエネルギーの差をいう。図1に示す有機EL素子は、陽極10から順に、正孔輸送帯域50、発光層20、電子輸送帯域30、陰極40の順に積層されている。陽極10と発光層20の間に正孔輸送帯域50が設けられていることが好ましい。図2Aに示す実施形態では、電子輸送帯域が障壁層のみの構成を示している。しかし、障壁層のみの実施形態はより注入性の高い電子注入層の挿入を妨げるものではない。電子注入層を形成するときは、従来電子注入層として使用されてきた一般的な化合物を使用することができる。含へテロ環化合物が好ましい。なお、本発明において単に障壁層といったときは三重項エネルギーに対する障壁機能を有する層をいう。従って、正孔障壁層や電荷障壁層とはその機能が異なるものである。発光層はホスト材料と、主ピーク波長が550nm以下の蛍光発光を示すドーパント材料以下、主ピーク波長550nm以下の蛍光発光性ドーパント材料ともいうから形成される本発明における主ピーク波長とは、発光スペクトラムにおける発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長をいう。主ピーク波長550nmとは緑色発光程度に相当し、当該波長領域ではTTF現象を利用した蛍光発光素子の発光効率の向上が望まれる。また、480nm以下の青色発光を示す蛍光発光素子においては、より高い発光効率の向上が期待できる。なお、550nm以上の赤色発光については内部量子効率の高い燐光発光素子が既に実用水準にあることから、蛍光素子として発光効率の向上は望まれていない。図2Aにおいて、陽極から注入された正孔は正孔輸送帯域を通して発光層へ注入され、陰極から注入された電子は電子輸送帯域を通して発光層へ注入される。その後、発光層で正孔と電子が再結合し、一重項励起子と三重項励起子が生成する。再結合はホスト材料分子上で起こる場合とドーパント材料分子上で起こる場合の2通りがある。本実施形態では、図2Aに示されるように、ホスト材料、ドーパント材料の三重項エネルギーをそれぞれETh、ETdとするとき、ETh<ETdの関係を満たす。この関係を満たすことにより、さらに図2Bに示されるように、ホスト材料上で再結合し発生した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを持つドーパント材料には移動しない。また、ドーパント材料分子上で再結合し発生した三重項励起子は速やかにホスト材料分子にエネルギー移動する。即ちホスト材料の三重項励起子がドーパント材料に移動することなくTTF現象によって効率的にホスト材料上で三重項励起子同士が衝突することで一重項励起子が生成される。さらに、ドーパント材料の一重項エネルギーESdは、ホスト材料の一重項エネルギーEShより小さいため、TTF現象によって生成された一重項励起子は、ホスト材料からドーパント材料へエネルギー移動しドーパント材料の蛍光性発光に寄与する。本来、蛍光型素子に用いられるドーパント材料においては、励起三重項状態から基底状態への遷移は禁制であり、このような遷移では三重項励起子は光学的なエネルギー失活をせず、熱的失活を起こしていた。しかし、ホスト材料とドーパント材料の三重項エネルギーの関係を上記のようにすることにより、三重項励起子が熱的失活を起こす前に互いの衝突により効率的に一重項励起子を生成し発光効率が向上することになる。本発明では、電子輸送帯域は、発光層に隣接する部分に障壁層を有する。障壁層は、後述するように、発光層で生成する三重項励起子が電子輸送帯域へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層内に閉じ込めることによって三重項励起子の密度を高め、TTF現象を効率よく引き起こす機能を有する。三重項励起子拡散防止のため、図2A,2Bに示すように、障壁層を構成する化合物の三重項エネルギーETbはEThより大きく、さらに、ETdよりも大きいことが好ましい。障壁層は発光層にて生成された三重項励起子が電子輸送帯域へ拡散することを防止するので、発光層内においてホスト材料の三重項励起子が効率的に一重項励起子となり、その一重項励起子がドーパント材料上へ移動して光学的なエネルギー失活をする。また、後述するように、本発明の障壁層は、陰極等からの電子注入性を高めるため、ベンゾイミダゾール化合物のような含窒素化合物を部分構造として有する。さらに、TTF現象を効率的に起こすための条件を、ホスト材料とドーパント材料のアフィニティとイオン化ポテンシャルの関係に注目して説明する。以下では、ホスト材料及びドーパント材料のアフィニティをそれぞれAfh、Afdとし、イオン化ポテンシャルをIph、Ipdと記載する。1Afd-Afh≦-0.2eVである場合のエネルギーバンド図は、図3Aのようになる。発光層内に示している点線はドーパント材料のエネルギー準位を示す。図3Aのように、Afd-Afh<0eVの場合、ホスト材料とドーパント材料のアフィニティの差に比べてIpdとIphの差はより大きくなる。これは、ホスト材料とドーパント材料のエネルギーギャップの差に起因する。従って、Afd-Afh≦-0.2eVの条件下では、Ipd-Iph≦-0.2eVとなり、ドーパント材料は顕著な正孔トラップ性を示す。ここで、発光層内の正孔トラップの確率分布を考えると、図3Aのように発光層と正孔輸送層との界面付近で再結合が多く起きるようになる。これはドーパント材料に正孔がトラップされ、電子がホスト材料からドーパント材料に移動するのを待って再結合する確率が増えるからである。直接ドーパント材料分子上で生成された三重項励起子は、本発明のようにETh<ETdという関係では、直接ドーパント材料上で生成した三重項励起子がデクスター型エネルギー移動によりホスト材料上に集まるため、効率よくTTF現象が起きるようになる。一般的に正孔輸送材料の三重項エネルギーは大きいので、三重項励起子の閉じ込め効果は高く、発光層内で効率よくTTF現象が起きる。一方、障壁層に近接した領域に存在する三重項励起子についても、本発明では障壁層の三重項エネルギーETbがホスト材料の三重項エネルギーEThよりも大きく設定されているため、三重項励起子が電子輸送帯域へ拡散するのを防止し、発光層内で効率よくTTF現象を引き起こすことが可能となる。2Ipd-Iph≧0.2eVである場合のエネルギーバンド図は、図3Bのようになる。発光層内に示している点線はドーパント材料のエネルギー準位を示す。図3Bのように、Ipd-Iph>0eVの場合、ホスト材料とドーパント材料のイオン化ポテンシャルの差に比べてAfdとAfhの差はより大きくなる。これは、ホスト材料とドーパント材料のエネルギーギャップの差に起因する。従って、Ipd-Iph≧0.2eVの条件下では、Afd-Afh>0.2eVとなり、ドーパント材料は顕著な電子トラップ性を示す。ここで、発光層内の電子トラップの確率分布を考えると、図3Bのように発光層と障壁層との界面付近で再結合が多く起きるようになる。その結果、三重項励起子についても発光層と障壁層との界面付近でより多く生成されることになる。一方、Ipd-Iph≧0.2eVである場合には、ホスト材料からドーパント材料への正孔の移動が遅くなると考えられる。これは、ホスト材料とドーパント材料のHOMOレベルのエネルギー障壁に起因する。その結果、ホスト材料のラジカルカチオン状態が長く保たれることになる。ここで、ホスト材料のラジカルカチオンは三重項励起子の消光を招くため、三重項励起子の密度が高い発光層と障壁層との界面では、ホスト材料上の三重項励起子と陽極から運ばれてきたホスト材料上の正孔との間で励起状態のクエンチが起きやすい状況が生まれる。このため、障壁層による三重項励起子の障壁能力は高くても、Ipd-Iph≧0.2eVである場合は電子正孔の再結合領域とホスト材料の正孔輸送能力との関係でTTF現象が効率よく起きない可能性がある。従って、Ipd-Iph<0.2eVである場合が好ましい。3最後に、1,2以外の場合、Afd-Afh>-0.2eV、かつIpd-Iph<0.2eVの場合を考える。この場合のエネルギーバンド図は、図3Cのようになる。発光層内に示している点線はドーパント材料のエネルギー準位を示す。ここで、AfdとAfhの差を-0.2eV超としたのは、一般に有機材料は測定されるアフィニティレベルよりも0.2eV程度の範囲にLUMOレベルの広がりを持つからである。同様にイオン化ポテンシャルよりも0.2eV程度の範囲にHOMOレベルの広がりを持つ。ホスト材料とドーパント材料が図3Cのような関係にある場合、ホスト材料のLUMOレベルの広がりの中にドーパント材料のLUMOレベルが入らないため、発光層内を伝導する電子はドーパント材料にトラップされにくい、即ちこのドーパント材料は電子トラップ性を示しにくい。同様の理由により、正孔トラップ性も示しにくい。この場合のドーパント材料は電子、正孔のいずれにも顕著なトラップ性を有さない傾向にある。このとき、図3Cの発光層に付した斜線部分のように、電子-正孔の再結合は発光層内の広い全域において主としてホスト材料分子上で起こり、25の一重項励起子と75の三重項励起子が主としてホスト材料分子上に生成する。ホスト材料上で生成した一重項励起子の持つエネルギーは、フェルスター型エネルギー移動によりドーパント材料に移動しドーパント材料分子の蛍光性発光に寄与する。一方、三重項励起子の持つエネルギーはホスト材料、ドーパント材料の三重項エネルギーの関係によってその行方が決まる。その関係がETh>ETdとなっている場合、ホスト材料で生成した三重項励起子は近傍に存在するドーパント材料にデクスター型エネルギー移動してしまう。蛍光素子において発光層中のドーパント材料濃度は通常数重量~20重量程度と低く、ドーパント材料に移った三重項励起子は互いに衝突する頻度が小さくなりTTF現象が生じにくくなる。しかし、本発明のように、ETh<ETdとなっていれば、三重項励起子はホスト材料分子上に存在するため、衝突頻度が上がり効率的にTTF現象が生じやすくなる。1で表されるホスト材料とドーパント材料の組合せとして代表的には、ホスト材料がアントラセン誘導体又はピレン誘導体であり、ドーパント材料が芳香族アミン誘導体である組合せ等が挙げられる。中でもホスト材料はアントラセン誘導体が好ましく、ドーパント材料は、ジアミノクリセン誘導体、ジアミノピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、アミノ置換縮合フルオレン誘導体、ジアミノアントラセン誘導体であることが好ましい。青色素子におけるさらに好ましい組合せは、アントラセン誘導体とジアミノピレン誘導体、アントラセン誘導体とジアミノクリセン誘導体又はアントラセン誘導体とスチリルアミン誘導体である。アントラセン誘導体としては、下記式で表されるものが好ましい。式中、Ar11及びAr12は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリール基、又は環形成原子数5~50の複素環基であり、R101~R108は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5~50の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1~50のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7~50のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数2~50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる基である。ピレン誘導体としては、下記式で表されるものが好ましい。式中、Raはそれぞれ水素原子又は置換基を示す。Araは、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~50の複素環基を示す。L1は直接結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の2価の芳香族炭化水素基を示す。aは1~10の整数、pは1~6の整数、qは0~10の整数を示す。ジアミノピレン誘導体としては、下記式で表されるものが好ましい。式中、Rfはそれぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2~50のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数2~50のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数5~20のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数5~50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~50のアルキルゲルマニウム基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリールゲルマニウム基を示す。uは1~8の整数を示す。Ar5~Ar8は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数5~20のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~20のヘテロアリール基を示す。ジアミノクリセン誘導体としては、下記式で表されるものが好ましい。式中、Reはそれぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2~50のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数2~50のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~20のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数5~20のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数5~50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~50のアルキルゲルマニウム基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリールゲルマニウム基を示す。tは1~10の整数を示す。Ar1~Ar4は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数5~20のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~20のヘテロアリール基を示す。スチリルアミン化合物及びスチリルジアミン化合物としては、下記式6及び7で表されるものが好ましい。式6中、Ar11はu価の基であり、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベン基、スチリルアリール基、ジスチリルアリール基に対応するu価の基であり、Ar12及びAr13はそれぞれ環形成炭素数が6~20の芳香族炭化水素基であり、Ar11、Ar12及びAr13は置換されていてもよい。uは1~4の整数であり、1~2の整数であるのが好ましい。Ar11~Ar13のいずれか一つはスチリル基を含有する基である。さらに好ましくはAr12又はAr13の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。ここで、環形成炭素数が6~20の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。式7中、Ar14~Ar16は、v価の置換もしくは無置換の環形成炭素数6~40の芳香族基である。vは1~4の整数であり、1~2の整数であるのが好ましい。2で表されるホスト材料とドーパント材料の組合せとして代表的には、ホスト材料がアントラセン誘導体又はピレン誘導体であり、ドーパント材料が電子吸引基を含有する化合物である組合せが挙げられる。中でもホスト材料はアントラセン誘導体が好ましく、ドーパント材料は、電子吸引基が置換されたホウ素含有化合物が好ましい。アントラセン誘導体又はピレン誘導体の好適例は上述の通りである。かかるホウ素含有化合物としては、下記式のいずれかで表されるものが好ましい。式中、A及びA’は、独立して、少なくとも1つの窒素を含む6員環の芳香族環構造に対応するアジン環を示し、Xa及びXbは、それぞれ独立して、選択された置換基を示し、そのうちの2つは結合してAあるいはA’に縮合する環を形成してもよく、m及びnは、独立して、0から4を示し、Yは、水素もしくは置換基を示し、Za及びZbは、独立して、選択された置換基を示し、1,2,3,4、1’、2’、3’及び4’は、独立して、炭素原子か窒素原子のいずれを示す。3で表されるホスト材料とドーパント材料の組合せとして代表的には、ホスト材料がアントラセン誘導体又はピレン誘導体であり、ドーパント材料がアミノ基を含有しない3環以上縮環した縮合芳香族炭化水素誘導体である組合せ等が挙げられる。中でもホスト材料はアントラセン誘導体が好ましく、ドーパント材料は、アミノ基を含有しないフルオレン誘導体、縮合フルオレン誘導体、フルオランテン誘導体、ベンゾフルオランテン誘導体、ピレン誘導体であることが好ましい。最も好ましい組合せは、アントラセン誘導体とベンゾフルオランテン誘導体である。アントラセン誘導体又はピレン誘導体の好適例は上述の通りである。フルオランテン誘導体としては、下記式で表されるものが好ましい。式中、R101~R106、R108~R111はそれぞれ水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換のアリール基又は置換もしくは無置換のヘテロアリール基を示す。Ar101~Ar103はそれぞれ置換もしくは無置換のアリール基又は置換もしくは無置換のヘテロアリール基である。また、1~3のホスト材料は、環式構造又は単一原子同士が結合してなる化合物環式構造と単一原子の結合も含むであって、前記結合が単結合である化合物が好ましい。好ましくない例としては、環式構造以外で炭素-炭素二重結合が存在するホスト材料があげられる。その理由は、ホスト材料上で生成した三重項励起子のエネルギーが、TTF現象に使われず2重結合の構造変化に消費されてしまうからである。本発明における障壁層は、三重項エネルギーがホスト材料よりも大きな障壁材料から形成され、かつこれまで電子輸送層が果たしていた発光層への電子輸送機能も兼ねていることが好ましい。即ち、トリプレット障壁機能と電子輸送機能を併せ持つ障壁材料を用いることによって、有機EL素子の積層構造の層の数を増やすことなく、TTF現象を効率的に起こし、高効率かつ長寿命の有機EL素子を達成する。このことは、陰極からの電子注入性に優れた電子注入層を積層することを妨げるものではない。本発明における障壁材料のアフィニティAfbとホスト材料のアフィニティAfhが下記式を満たすことが好ましい。Afh-Afb>0eV好ましい理由としては、障壁層とホスト材料の間のLUMOレベルのエネルギー障壁をなくすことで、障壁層から発光層への電子注入性が増すためである。結果として、三重項励起子が生成されTTF現象を促進する。本発明における障壁層は、トリプレット障壁構造部位と電子輸送構造部位を含む化合物からなる。構造部位とは、化合物に含まれる個々の環式構造置換基を除いた単環又は縮合多環である。トリプレット障壁構造部位とは、化合物に含まれる構造部位の中で、三重項エネルギーが最も低くなる小さい構造部位をいう。つまり、化合物の三重項エネルギーを主として決定する構造部位である。トリプレット障壁構造部位は複数あってもよい。トリプレット障壁構造部位の三重項エネルギーは、置換基を除き、各構造部位同士の結合位置に水素が置換された独立した環式構造の三重項エネルギーをいう。さらに、トリプレット障壁構造部位は縮合多環芳香族炭化水素化合物でなければならない。その理由を以下に説明する。炭化水素からなる縮合環の遷移状態は、環式構造のπ電子雲が関与するππ遷移に基づく。このπ電子雲の広がりは小さく、発光層の励起状態に及ぼす影響は小さい。一方、構造部位に非共有電子対を有する場合の遷移状態は、非共有電子対が関与することで、発光層で生成した三重項励起子との間で強い相互作用が生じ、ホスト材料の三重項励起子の失活を促進させる。この結果、TTF現象の効率的に起こすことができない。したがって、障壁材料のトリプレット障壁構造部位は主にππ遷移に基づく励起三重項状態を形成する炭化水素からなる縮合環でなければならない。本発明では、障壁材料の三重項エネルギーは、発光層のホスト材料の三重項エネルギーよりも大きい。障壁材料のトリプレット障壁機能は、トリプレット障壁構造部位によって主として決定される。一般に、発光層で生成された三重項励起子が、隣接する障壁材料へそのエネルギーを遷移させる場合、障壁材料の各構造部位のうち、最も低い三重項エネルギーを有する構造部位に三重項エネルギーが遷移する。このことから、各構造部位のうち最も低い三重項エネルギーを有するトリプレット障壁構造部位が縮合多環芳香族炭化水素化合物である場合、障壁材料はトリプレット障壁機能を効果的に発揮する。以上の理由より、化合物に含まれる構造部位の中で三重項エネルギーが最も低くなる小さい構造部位が炭素と水素から構成されていない場合は、当該化合物はトリプレット障壁構造部位を有しないこととなる。トリプレット障壁構造部位は、下記の式1~6で表される化合物からなる群から選ばれるいずれかであることが好ましい。特に4環以上の構造部位が好ましい。4環以上の縮合環である場合、その平面性の高さによって薄膜中での分子スタッキングが向上し、電子移動度が大きくなる。結果として、発光層への電子注入を促進し、発光層での再結合効率を高め、TTF現象を効率的に起こすことができる。式1~6中、Ar1~Ar9は、環形成炭素数4から16の縮合環構造を表す。式1で表される化合物としては、例えば、以下の骨格が挙げられる。式2で表される化合物としては、例えば、以下の骨格が挙げられる。式3で表される化合物としては、例えば、以下の骨格が挙げられる。式4で表される化合物としては、式1で表される化合物に加えて、以下の骨格が挙げられる。式5で表される化合物としては、例えば、以下の骨格が挙げられる。式6で表される化合物としては、例えば、以下の骨格が挙げられる。電子輸送構造部位とは、1以上の非共有電子対を有する原子が存在する構造部位をいう。例えば、非共有電子対を有する原子として窒素、酸素、硫黄、リン等が挙げられる。なお、電子輸送構造部位は複数あってもよい。障壁材料の電子注入輸送機能は、電子輸送構造部位によって決定される。まず、電子輸送構造部位が有する非共有電子対は隣接層からの電子の授受を媒介する。障壁材料に注入された電子は、電子輸送構造部位を介してより電子を供与しやすい、即ちLUMO準位の低い構造部位へと移動することによって、発光層への電子注入に寄与することとなる。従って、本発明における障壁材料は、電子輸送構造部位を含むことによって、電子輸送帯域の積層構造を増やすことなく、電子の注入輸送機能を果たすことができる。好ましくは、電子輸送構造部位は、下記部分構造を1以上含む。式中、X1、X2はそれぞれ炭素原子又は窒素原子である。例えば、具体的には、電子輸送構造部位は、下記環から選択される1以上の環を含む単環又は縮合多環である。式中、X11~X15及びX21~X26はそれぞれ炭素原子又は窒素原子である。ただし、X11~X15の少なくとも1つ及びX21~X26の少なくとも1つは窒素原子である。例えば、より具体的には、電子輸送構造部位は、下記環から選択される1以上の環を含む。さらに好ましくは、以下で示される複素環である。複数の電子輸送構造部位が単結合で結合されていてもよい。例えば後述する実施例で用いたETB1の場合、環式構造は、ベンゾクリセン、2つのベンゼン、ベンゾイミダゾールである。ベンゾクリセンの三重項エネルギーは2.4eV、ベンゼンの三重項エネルギーは3.7eV、ベンゾイミダゾールの三重項エネルギーは3.3eVである。従って、ETB1のトリプレット障壁構造部位はベンゾクリセンとなる。電子輸送構造部位は、1以上の非共有電子対を有する原子である窒素があるベンゾイミダゾールとなる。例えば実施例で用いたET1の場合、環式構造は、3つのベンゼン、2つのフェナントロリンである。ベンゼンの三重項エネルギーは3.7eV、フェナントロリンの三重項エネルギーは2.8eVである。従って、ET1の中で最も三重項エネルギーが小さいのは縮合多環芳香族炭化水素化合物ではないフェナントロリンであるため、ET1はトリプレット障壁構造部位を有しない。電子輸送構造部位は、1以上の非共有電子対を有する原子である窒素があるフェナントロリンとなる。好適な障壁材料として、以下の式で表される多環芳香族化合物が挙げられる。式中、Arは、置換又は無置換の縮合多環芳香族炭化水素基であり、Lは、単結合、置換又は無置換の環形成炭素数6~30の1つ以上の炭化水素環、又は核原子数5~30の複素環である。HArは、置換又は無置換の非共有電子対を有する原子を含む複素環である。Lが縮合多環芳香族炭化水素基であるときは、Ar又はLが置換又は無置換のトリプレット障壁構造部位となり、HArが置換又は無置換の電子輸送構造部位となる。Lが非共有電子対を有する原子を含む複素環であるときはLも電子輸送構造部位となる。aとbは1~4の整数であり、かつ、どちらか一方は1である。好ましくは、aとb共に1である。上記多環芳香族化合物において、Lは好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基又はナフチレン基であり、より好ましくはフェニレン基である。各基Ar、L、HArの置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、又は、カルボキシル基が挙げられる。芳香族炭化水素基の好ましい例としては、ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、フルオレン、クリセン、フルオランテン及びトリフェニレンを挙げることができる。各基が複数の置換基を有する場合、それらが環を形成していてもよい。好適な置換基は、アルキル基又はフェニル基、ナフチル基等である。障壁材料の具体例を以下に例示する。障壁材料の移動度は、10-6cm2/Vs以上であることが好ましい。より好ましくは、10-5cm2/Vs以上である。なお、本発明における移動度の測定は、膜厚200nmで、バイアスDC電圧5V下で行う。有機材料の電子移動度の測定方法としては、TimeofFlight法等幾つかの方法が知られているが、本発明ではインピーダンス分光法で決定される電子移動度をいう。インピーダンス分光法による移動度測定について説明する。陽極、陰極で好ましくは厚さ100nm~200nm程度の障壁材料を挟み、バイアスDC電圧を印加しながら100mV以下の微小交流電圧を印加する。このときに流れる交流電流値絶対値と位相を測定する。交流電圧の周波数を変えながら本測定を行い、電流値と電圧値とから、複素インピーダンスZを算出する。このときモジュラスM=iωZi:虚数単位、ω:角周波数の虚数部ImMの周波数依存性を求め、ImMが最大値となる周波数ωの逆数を、障壁層内を伝導する電子の応答時間と定義する。そして以下の式により電子移動度を算出する。電子移動度=障壁材料の膜厚2/応答時間バイアスDC電圧障壁層は、障壁材料の他、障壁材料に対して還元性を示すドナーを含むことが好ましい。還元性ドナーを含むことにより、キャリア濃度を増やすことができる。還元性ドナーとして、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体及び希土類金属の有機錯体からなる群から選択される1種又は2種以上の物質が例示される。発光層は、主ピーク波長550nm以下の2以上の蛍光発光性ドーパント材料を含むことができる。電子輸送帯域と陰極の間には、低仕事関数金属含有層を有してもよい。低仕事関数金属含有層とは、低仕事関数金属や、低仕事関数金属化合物を含有する層である。低仕事関数金属や低仕事金属化合物のみで形成されても、電子輸送層として用いられる材料に、低仕事関数金属、低仕事関数金属化合物、又は低仕事関数金属錯体をドナーとして添加して形成してもよい。低仕事関数金属とは、仕事関数が3.8eV以下の金属をいう。低仕事関数が3.8eV以下の金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が挙げられる。アルカリ金属としては、Li,Na,K,Cs等が挙げられる。アルカリ土類金属としては、Mg,Ca,Sr,Ba等が挙げられる。その他としては、Yb,Eu及びCe等が挙げられる。また低仕事関数金属化合物としては、低仕事金属関数の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、ホウ酸塩が好ましい。ハロゲン化物としては、フッ化物、塩化物、臭化物が挙げられるが、フッ化物が好ましい。例えばLiFが好ましいものとして用いられる。また、低仕事関数金属錯体としては、低仕事関数金属の錯体であり、アルカリ金属、アルカリ土類金属又は希土類金属の有機金属錯体が好ましい。<TTF比率の測定>ホスト材料、ドーパント材料及び障壁材料の三重項エネルギーが所定の関係を満たすことにより、全発光に対するTTF由来の発光強度比を30以上とすることができ、従来知られていた蛍光素子では達成できなかった高効率化を可能とすることができる。TTF由来の発光強度比は、過渡EL法により測定することができる。過渡EL法とは、素子に印加しているDC電圧を除去したあとのEL発光の減衰挙動過渡特性を測定する手法である。EL発光強度は、最初の再結合で生成する一重項励起子からの発光成分と、TTF現象を経由して生成する一重項励起子からの発光成分に分類される。一重項励起子の寿命はナノ秒オーダーであり非常に短いためDC電圧除去後速やかに減衰する。一方、TTF現象は寿命の長い三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光のため、ゆるやかに減衰する。このように一重項励起子からの発光と三重項励起子からの発光は時間的に大きな差があるため、TTF由来の発光強度を求めることができる。具体的には以下の方法により決定することができる。過渡EL波形は以下のようにして測定する図4を参照。電圧パルスジェネレータPGから出力されるパルス電圧波形をEL素子に印加する。印加電圧波形をオシロスコープOSCに取り込む。パルス電圧をEL素子に印加すると、EL素子はパルス発光を生じる。この発光を、光電子増倍管PMTを経由してオシロスコープOSCに取り込む。電圧波形とパルス発光を同期させてパーソナルコンピュータPCに取り込む。さらに、過渡EL波形の解析によりTTF由来の発光強度比を以下のようにして決定する。三重項励起子の減衰挙動のレート方程式をといて、TTF現象にもとづく発光強度の減衰挙動をモデル化する。発光層内部の三重項励起子密度nTの時間減衰は、三重項励起子の寿命による減衰速度αと三重項励起子の衝突による減衰速度γを用いて次のようなレート方程式で表すことができる。この微分方程式を近似的に解くと、次の式が得られる。ここで、ITTFはTTF由来の発光強度であり、Aは定数である。このように、過渡EL発光がTTFに基づくものであれば、その強度の平方根の逆数が直線近似で表されることになる。そこで、測定した過渡EL波形データを下記近似式にフィッティングし定数Aを求める。このときDC電圧を除去した時刻t=0における発光強度1/A2をTTF由来の発光強度比と定義する。図5左のグラフは、EL素子に所定のDC電圧を印加し、その後電圧を除去した時の測定例であり、EL素子の発光強度の時間変化をあらわしたものである。図5左のグラフにて時刻約3×10-8秒のところでDC電圧を除去した。なお、グラフは電圧を除去した時の輝度を1として表したものである。その後約2×10-7秒までの急速な減衰ののちゆるやかな減衰成分が現れる。図5右のグラフは、電圧除去時点を原点にとり、電圧除去後、10-5秒までの光強度の平方根の逆数をプロットしたグラフであり、直線によく近似できることがわかる。直線部分を時間原点へ延長したときの縦軸との交点Aの値は2.41である。すると、この過渡EL波形から得られるTTF由来発光強度比は、1/2.412=0.17となり、全発光強度のうちの17がTTF由来であることになる。<第2の実施形態>本発明の素子は、発光層発光層を含むユニットを少なくとも2つ有するタンデム素子構成とすることができる。2つの発光層の間には電荷発生層CGLとも呼ぶが介在する。ユニット毎に電子輸送帯域を設けることができる。少なくとも1つの発光層が蛍光発光層でありその発光層を含むユニットが上記の要件を満たす。具体的な構成の例を以下に示す。また、下記発光層は、複数の発光層の積層体であってもよい。陽極/蛍光発光層/電荷発生層/蛍光発光層/障壁層/陰極陽極/蛍光発光層/障壁層/電荷発生層/蛍光発光層/陰極陽極/蛍光発光層/障壁層/電荷発生層/蛍光発光層/障壁層/陰極陽極/りん光発光層/電荷発生層/蛍光発光層/障壁層/陰極陽極/蛍光発光層/障壁層/電荷発生層/りん光発光層/陰極図6に本実施形態にかかる有機EL素子の一例を示す。有機EL素子1は、陽極10と、発光層22,24と、陰極40とをこの順に備え、発光層22,24の間には、電荷発生層60がある。障壁層32は発光層22,24のいずれかに隣接している。障壁層32に隣接する発光層22,24のいずれかが本発明の要件を満たす蛍光発光層である。他方の発光層は蛍光型でも燐光型でもよい。尚、2つの発光層22,24の間に電子輸送帯域及び/又は正孔輸送帯域が介在していてもよい。また、発光層は3以上あってもよく、電荷発生層も2以上あってもよい。発光層が3以上あるとき、全ての発光層の間に電荷発生層があっても、なくてもよい。電荷発生層として公知の材料、例えばUSP7,358,661、US特願10/562,124等に記載のものを用いることができる。<第3の実施形態>本実施形態では、陽極と、複数の発光層と、電子輸送帯域と、陰極をこの順に備え、複数の発光層のいずれか二つの発光層の間に電荷障壁層を有し、電子輸送帯域に接する発光層が蛍光発光層であり、上記の要件を満たす。本実施形態にかかる好適な有機EL素子の構成として、特許第4134280号公報、米国公開特許公報US2007/0273270A1、国際公開公報WO2008/023623A1に記載されているような、陽極、第1発光層、電荷障壁層、第2発光層及び陰極がこの順に積層された構成において、第2発光層と陰極の間に三重項励起子の拡散を防止するための障壁層を有する電子輸送帯域を有する構成が挙げられる。ここで電荷障壁層とは隣接する発光層との間でHOMOレベル、LUMOレベルのエネルギー障壁を設けることにより、発光層へのキャリア注入を調整し、発光層の注入される電子と正孔のキャリアバランスを調整する目的を有する層である。このような構成の具体的な例を以下に示す。陽極/第1発光層/電荷障壁層/第2発光層/電子輸送帯域/陰極陽極/第1発光層/電荷障壁層/第2発光層/第3発光層/電子輸送帯域/陰極尚、陽極と第1発光層の間には、他の実施形態と同様に正孔輸送帯域を設けることが好ましい。図7に本実施形態にかかる有機EL素子の一例を示す。図7の上図は、素子構成及び各層のHOMO、LUMOエネルギー準位を表す。下図は第3発光層と障壁層のエネルギーギャップの関係を示す。この有機EL素子2は、陽極と、第1発光層、第2発光層、第3発光層と、電子輸送帯域と、陰極4をこの順に備え、第1発光層と第2発光層の間には、電荷障壁層がある。電子輸送帯域は障壁層からなる。第3発光層が本発明の要件を満たす蛍光発光層である。第1発光層、第2発光層は蛍光型でも燐光型でもよい。本実施形態の素子は、白色発光素子として好適であり、第1発光層、第2発光層、第3発光層の発光色を調整して白色とすることができる。また、発光層を第1発光層、第2発光層だけとして、2つの発光層の発光色を調整して白色としてもよい。このとき第2発光層が本発明の要件を満たす蛍光発光層となる。特に、第1発光層のホスト材料を正孔輸送性材料とし、主ピーク波長が550nmより大きな蛍光発光性ドーパント材料を添加し、第2発光層及び第3発光層のホスト材料を電子輸送性材料とし、主ピーク波長550nm以下の蛍光発光性ドーパント材料を添加することにより、全て蛍光材料で構成された構成でありながら、従来技術よりも高い発光効率を示す白色発光素子を実現することができる。発光層と隣接する正孔輸送層に特に言及をすると、本発明のTTF現象を効果的に起こすためには、正孔輸送材料とホスト材料の三重項エネルギーを比較した場合に、正孔輸送材料の三重項エネルギーが大きいことが好ましい。しかし、一般的な正孔輸送材料の三重項エネルギーはホスト材料に比べて大きいため、本発明の効果を発現するにあたって、現状、正孔輸送材料の選定は特別な素子設計事項とはならないと考えられる。<第4の実施形態>本実施形態では、青色画素、緑色画素、赤色画素を、基板上に並べて設ける。これら3色の画素のうち、青色画素及び/又は緑色画素が第1の実施形態の構成を有する。図8に本実施形態にかかる有機EL素子の一例を示す。この図に示す上面発光型有機EL素子3は、共通基板100上に、青色画素B、緑色画素G及び赤色画素Rが並列に形成されている。青色画素Bは、陽極10、正孔輸送帯域50、青色発光層20B、障壁層32からなる電子輸送帯域、陰極40、保護層70を基板100からこの順に備えている。緑色画素Gは、陽極10、正孔輸送帯域50、緑色発光層20G、障壁層32からなる電子輸送帯域、陰極40、保護層70を基板100からこの順に備えている。赤色画素Rは、陽極10、正孔輸送帯域50、赤色発光層20R、障壁層32からなる電子輸送帯域、陰極40、保護層70を基板100からこの順に備えている。それぞれの隣接する画素の陽極間に絶縁膜200が形成され、画素間の絶縁を保持している。有機EL素子3では、障壁層が青色画素B、赤色画素R、緑色画素Gに共通に設けられている。障壁層の効果は青色蛍光素子において従来得られていた発光効率に比べて顕著なものであるが、緑色蛍光素子、赤色蛍光素子においても、三重項エネルギーを発光層内に閉じ込める同様の効果を得ることが可能であり、発光効率の向上が期待できる。一方、燐光発光層においては、三重項励起子を発光層内に閉じ込める効果を得ることが可能であり、三重項エネルギーの拡散を防ぎ、燐光発光性ドーパント材料の発光効率の向上に寄与する。正孔輸送帯域は正孔注入層及び/又は正孔輸送層等からなる。正孔輸送帯域は、共通でも異なってもよい。通常、正孔輸送帯域はそれぞれ発光色に適した構成にする。発光層20B,G,Rと障壁層から構成される有機層は、図に示す構成に限定されず適宜変更できる。緑色発光層は、以下のホスト材料及びドーパント材料から構成されるのが好ましい。ホスト材料は、縮合芳香族環誘導体が好ましい。縮合芳香族環誘導体としては、アントラセン誘導体、ピレン誘導体等が、発光効率や発光寿命の点でさらに好ましい。また、ホスト材料は、含ヘテロ環化合物が挙げられる。含ヘテロ環化合物としては、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ラダー型フラン化合物、ピリミジン誘導体が挙げられる。ドーパント材料としては、その機能を有するものであれば、特に限定されないが、発光効率等の点で、芳香族アミン誘導体が好ましい。芳香族アミン誘導体としては、置換されてもよいアリールアミノ基を有する縮合芳香族環誘導体が好ましい。このような化合物として、例えば、アリールアミノ基を有する、ピレン、アントラセン、クリセンが挙げられる。また、ドーパント材料として、スチリルアミン化合物も好ましい。スチリルアミン化合物としては、例えば、スチリルアミン、スチリルジアミン、スチリルトリアミン、スチリルテトラアミンが挙げられる。ここでスチリルアミンとは、置換されてもよいアリールアミンに少なくとも1つのアリールビニル基が置換されている化合物のことであり、前記アリールビニル基は置換されていてもよく、置換基としてはアリール基、シリル基、アルキル基、シクロアルキル基、アリールアミノ基があり、これらの置換基にはさらに置換基を保有してもよい。また、ドーパント材料として、ホウ素錯体やフルオランテン化合物も好ましい。また、ドーパント材料として、金属錯体も好ましい。金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体が挙げられる。赤色発光層は、以下のホスト材料及びドーパント材料から構成されるのが好ましい。ホスト材料は、縮合芳香族環誘導体が好ましい。縮合芳香族環誘導体としては、ナフタセン誘導体、ペンタセン誘導体等が、発光効率や発光寿命の点でさらに好ましい。また、ホスト材料は、縮合多環芳香族化合物が挙げられる。縮合多環芳香族化合物としては、ナフタレン化合物、フェナントレン化合物、フルオランテン化合物が挙げられる。ドーパント材料としては、芳香族アミン誘導体が好ましい。芳香族アミン誘導体としては、置換されてもよいアリールアミノ基を有する縮合芳香族環誘導体が好ましい。このような化合物として、例えば、アリールアミノ基を有するペリフランテンが挙げられる。また、ドーパント材料として、金属錯体も好ましい。金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体が挙げられる。実施形態4の素子は例えば以下のようにして作成する。基板上に、銀合金層であるAPCAg-Pd-Cu層反射層、酸化亜鉛膜IZOや酸化錫膜等の透明導電層をこの順に成膜する。続いて通常のリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、この導電材料層をパターニングし、陽極を形成する。次に、陽極の上にスピンコート法により、ポリイミド等の感光性樹脂からなる絶縁膜を塗布形成する。その後、露光、現像、硬化することで、陽極を露出させることにより青発光領域、緑発光領域、赤発光領域をパターンニングする。電極は、赤色画素用、緑色画素用及び青色画素用の3種類であり、それぞれ青発光領域、緑発光領域、赤発光領域に対応し、それぞれ陽極に相当する。イソプロピルアルコール中で洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なう。その後、正孔注入層と正孔輸送層を形成するときは、正孔注入層を基板全面にかけて積層し、さらにその上に正孔輸送層を積層する。各発光層を、赤色画素用、緑色画素用及び青色画素用の陽極の各位置に対応して配置するように形成する。真空蒸着法を用いる場合、青色発光層、緑色発光層及び赤色発光層を、シャドウマスクを用いて微細パターン化する。次に、障壁層を全面にかけて積層する。続いて、電子注入層を形成するときは、電子注入層を全面にかけて積層する。その後、MgとAgを蒸着成膜し、半透過性のMgAg合金からなる陰極を形成する。本発明で用いる基板、陽極、陰極、正孔注入層、正孔輸送層等のその他の部材は、PCT/JP2009/053247、PCT/JP2008/073180、US特願12/376,236、US特願11/766,281、US特願12/280,364等に記載の公知のものを適宜選択して用いることができる。実施例及び比較例で使用した材料は以下の通りである。上記材料の物性値を表1に示す。物性値の測定方法は以下の通りである。1三重項エネルギーET市販の装置F-4500日立社製を用いて測定した。ETの換算式は以下の通りである。換算式ETeV=1239.85/λedgeλedgeとは、縦軸に燐光強度、横軸に波長をとって、燐光スペクトルを表したときに、燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸の交点の波長値を意味する。単位:nm。なお、3重項エネルギーETは、下記のような量子化学計算によっても求めることができる。量子化学計算は,米Gaussian社製の量子化学計算プログラムGaussian03を用いて行うことができる。Gaussian03は1998年にノーベル化学賞を受賞したJ.A.Popleらによって開発されたプログラムであり、多種多様な分子系に対して、様々な量子化学計算法により、分子のエネルギー,構造,基準振動等の物性を予測することが可能である。計算には密度汎関数理論DFTを用いる。汎関数としてB3LYP,基底関数として631Gを用いて最適化した構造に対して、時間依存密度汎関数理論TDDFTにより、3重項エネルギーの計算値を求めることができる。特定の有機化合物においては燐光スペクトルが観測されない場合がある。そのような有機化合物においては、上記に示したような量子化学計算を用いて求めた3重項エネルギーETを推定に使うことにする。環構造の3重項エネルギーを以下に示す。ベンゼン3.67eVフェナントレン2.70eVナフタレン2.63eVベンゾ[g]クリセン2.43eVフルオランテン2.30eVピレン2.11eVアントラセン1.85eVベンゾイミダゾール3.31eV1,10-フェナントロリン2.75eV2イオン化ポテンシャル大気下光電子分光装置理研計器株社製:AC-3を用いて測定した。具体的には、材料に光を照射し、その際に電荷分離によって生じる電子量を測定することにより測定した。3アフィニティAfイオン化ポテンシャルとエネルギーギャップの測定値から算出した。エネルギーギャップはベンゼン中の吸収スペクトルの吸収端から測定した。具体的には、市販の可視紫外分光光度計を用いて、吸収スペクトルを測定し、そのスペクトルが立ち上がり始める波長から算出した。合成例1Aベンゾ[g]クリセン-10-ボロン酸の合成下記合成スキームに従って、ベンゾ[g]クリセン-10-ボロン酸を合成した。A-19-2-ホルミルフェニルフェナントレンの合成アルゴン雰囲気下、9-ブロモフェナントレン25.7g、2-ホルミルフェニルボロン酸16.5g、及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム02.31gをフラスコに仕込み、ジメチルエーテルDME340mL、2M炭酸ナトリウム水溶液170mLを加え、8時間加熱還流攪拌した。室温まで冷却後、水層を除去した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、目的の9-2-ホルミルフェニルフェナントレン25.0g収率89を得た。A-29-[2-2-メトキシビニルフェニル]フェナントレンの合成アルゴン雰囲気下、9-2-ホルミルフェニルフェナントレン25.0g、メトキシメチルトリフェニルホスフォニウムクロリド33.4g、及びテトラヒドロフランTHF300mLを仕込み、室温にて攪拌中に、t-ブトキシカリウム11.9gを加えた。室温にて2時間攪拌した後、水200mLを加えた。反応溶液をジエチルエーテルで抽出し、水層を除去した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、目的の9-[2-2-メトキシビニルフェニル]フェナントレン24.0g収率87を得た。A-3ベンゾ[g]クリセンの合成9-[2-2-メトキシビニルフェニル]フェナントレン24.0g、及びジクロロメタン100mLを仕込み、室温下攪拌中にメタンスルホン酸をパスツールピペットで6滴加えた。室温で8時間攪拌を続けた。反応終了後10炭酸カリウム水溶液100mLを加えた。水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、目的のベンゾ[g]クリセン5.21g収率25を得た。A-410-ブロモベンゾ[g]クリセンの合成ベンゾ[g]クリセン5.21g、及びN,N-ジメチルホルムアミド50mLをフラスコに仕込み、N-ブロモスクシンイミド4.00gのN,N-ジメチルホルムアミド10mL溶液を加えた。80°Cで8時間加熱攪拌した。室温まで冷却後、反応溶液を水200mL中に注いだ。析出した固体を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた個体をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、10-ブロモベンゾ[g]クリセン5.87g収率88を得た。A-5ベンゾ[g]クリセン-10-ボロン酸の合成アルゴン雰囲気下、10-ブロモベンゾ[g]クリセン5.87gをフラスコに仕込み、脱水エーテル100mLを加えた。反応溶液を-40°Cまで冷却し、1.6Mn-ブチルリチウムのヘキサン溶液11mLを加え、0°Cまで昇温し、1時間攪拌した。反応溶液を-60°Cまで冷却し、ホウ酸トリイソプロピル7.72gの脱水エーテル10mL溶液を滴下した。反応溶液を室温まで昇温しながら5時間攪拌を続けた。10塩酸水溶液50mLを加え、1時間攪拌した。水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。得られた固体をヘキサンで洗浄し、目的のベンゾ[g]クリセン-10-ボロン酸3.18g収率60を得た。合成例2B1-4-ブロモフェニル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾールの合成下記合成スキームに従って、1-4-ブロモフェニル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾールを合成した。B-14-ブロモフェニル-2-ニトロフェニルアミンの合成2-ブロモニトロベンゼン10g49.5mmol、酢酸ナトリウム13g163mmol、及び4-ブロモアニリン10g59mmolをアルゴン雰囲気下180°Cで8時間加熱攪拌した。反応溶液を室温まで冷却し、酢酸エチルで薄め、ろ過した。ろ液を濃縮後、残査をメタノールで洗浄することで、4-ブロモフェニル-2-ニトロフェニルアミン3.8gをオレンジ色結晶として得た収率22。B-2N-[2-4-ブロモフェニルアミノフェニル]ベンズアミドの合成4-ブロモフェニル-2-ニトロフェニルアミン3.8g13mmolをテトラヒドロフラン30mLに溶解させ、アルゴン雰囲気下、室温で攪拌しているところに、ハイドロサルファイトナトリウム11g64mmol/水30mLの溶液を滴下した。5時間攪拌した後、酢酸エチル20mLを加えて、炭酸水素ナトリウム2.2g26mmol/水20mLの溶液を加えた。さらにベンゾイルクロリド2.5g18mmol/酢酸エチル10mLの溶液を滴下し、室温で1時間攪拌した。酢酸エチルで抽出し、10炭酸カリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去し、N-[2-4-ブロモフェニルアミノフェニル]ベンズアミド2.1g収率45を得た。B-31-4-ブロモフェニル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾールの合成N-[2-4-ブロモフェニルアミノフェニル]ベンズアミド2.1g5.7mmolをキシレン30mL中に懸濁させ、p-トルエンスルホン酸1水和物0.6g2.9mmolを加え、3時間加熱還流させながら共沸脱水を行った。放冷後、反応溶液に酢酸エチル、塩化メチレン、水を加え、不溶物をろ別した。母液から有機層を抽出し、水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製し、1-4-ブロモフェニル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾール1.0gをわずかにピンク色の白色結晶として得た収率52合成例3<ETB1の合成>アルゴン雰囲気下、ベンゾ[g]クリセン-10-ボロン酸3.0g、1-4-ブロモフェニル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾール3.5g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.231g、ジメトキシエタン40mL、及び2M炭酸ナトリウム水溶液20mLをフラスコに仕込み、8時間加熱還流攪拌した。室温まで冷却後、反応溶液をトルエンで抽出した。水層を除去した後、有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、淡黄色固体3.8gを得た。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物ETB1であり、分子量546.21に対し、m/e=546であった。合成例4C1-3-ブロモフェニル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾールの合成C-13-ブロモフェニル-2-ニトロフェニルアミンの合成2-ブロモニトロベンゼン10g49.5mmol、酢酸ナトリウム13g163mmol、3-ブロモアニリン10g59mmolをアルゴン雰囲気下180°Cで8時間加熱攪拌した。反応溶液を室温まで冷却し、酢酸エチルで薄め、ろ過した。ろ液を濃縮後、残査をメタノールで洗浄することで、3-ブロモフェニル-2-ニトロフェニルアミンを得た。C-2N-[2-3-ブロモフェニルアミノフェニル]ベンズアミドの合成3-ブロモフェニル-2-ニトロフェニルアミン3.8g13mmolをテトラヒドロフラン30mLに溶解させ、アルゴン雰囲気下、室温で攪拌しているところに、ハイドロサルファイトナトリウム11g64mmol/水30mLの溶液を滴下した。5時間攪拌した後、酢酸エチル20mLを加えて、炭酸水素ナトリウム2.2g26mmol/水20mLの溶液を加えた。さらにベンゾイルクロリド2.5g18mmol/酢酸エチル10mLの溶液を滴下し、室温で1時間攪拌した。酢酸エチルで抽出し、10炭酸カリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去し、N-[2-3-ブロモフェニルアミノフェニル]ベンズアミドを得た。C-31-3-ブロモフェニル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾールの合成N-[2-3-ブロモフェニルアミノフェニル]ベンズアミド2.1g5.7mmolをキシレン30mL中に懸濁させ、p-トルエンスルホン酸1水和物0.6g2.9mmolを加え、3時間加熱還流させながら共沸脱水を行った。放冷後、反応溶液に酢酸エチル、塩化メチレン、水を加え、不溶物をろ別した。母液から有機層を抽出し、水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製し、1-3-ブロモフェニル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾールを得た。合成例5<ETB3の合成>アルゴン雰囲気下、フルオランテン-3-ボロン酸2.7g、合成例4で合成した1-3-ブロモフェニル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾール3.5g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.231g、ジメトキシエタン40mL、2M炭酸ナトリウム水溶液20mLをフラスコに仕込み、8時間加熱還流攪拌した。室温まで冷却後、反応溶液をトルエンで抽出した。水層を除去した後、有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製した。この精製物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物ETB3であり、分子量470.18に対し、m/e=470であった。合成例6Aベンゾ[c]フェナントレン-5-ボロン酸の合成下記スキームに従って、ベンゾ[c]フェナントレン-5-ボロン酸を合成した。A-11-ブロモ-4-2-ホルミルフェニルナフタレンの合成アルゴン雰囲気下、1,4-ジブロモナフタレン230g、2-ホルミルフェニルボロン酸121g、及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム018.5gをフラスコに仕込み、ジメトキシエタンDME2.4L、2M炭酸ナトリウム水溶液1.2Lを加え、8時間加熱還流攪拌した。室温まで冷却後、水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄して、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、目的の1-ブロモ-4-2-ホルミルフェニルナフタレン170g収率67を得た。A-21-ブロモ-4-[2-2-メトキシビニルフェニル]ナフタレンの合成アルゴン雰囲気下、1-ブロモ-4-2-ホルミルフェニルナフタレン170g、メトキシメチルトリフェニルホスフォニウムクロリド207g、及びテトラヒドロフランTHF2.0Lを仕込み、室温にて攪拌中に、t-ブトキシカリウム73.6gを加えた。室温にて2時間攪拌した後、水1.5Lを加えた。反応溶液をジエチルエーテルで抽出し、水層を除去した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、目的の1-ブロモ-4-[2-2-メトキシビニルフェニル]ナフタレン180g収率99を得た。A-35-ブロモベンゾ[c]フェナントレンの合成1-ブロモ-4-[2-2-メトキシビニルフェニル]ナフタレン180g、及びジクロロメタン1.0Lを仕込み、室温下攪拌中にメタンスルホン酸を25mL加えた。室温で8時間攪拌を続けた。反応終了後10炭酸カリウム水溶液1Lを加えた。水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、目的の5-ブロモベンゾ[c]フェナントレン24.4g収率15を得た。A-4ベンゾ[c]フェナントレン-5-ボロン酸の合成アルゴン雰囲気下、5-ブロモベンゾ[c]フェナントレン10.1gをフラスコに仕込み、脱水エーテル400mLを加えた。反応溶液を-40°Cまで冷却し、1.6Mn-ブチルリチウムのヘキサン溶液22mLを加え、0°Cまで昇温し、1時間攪拌した。反応溶液を-60°Cまで冷却し、ホウ酸トリイソプロピル14.4gの脱水エーテル10mL溶液を滴下した。反応溶液を室温まで昇温しながら5時間攪拌を続けた。10塩酸水溶液100mLを加え、1時間攪拌した。水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。得られた固体をヘキサンで洗浄し、目的のベンゾ[c]フェナントレン-5-ボロン酸5.37g収率60を得た。合成例7G2-3-ブロモフェニル-イミダゾ[1,2-a]ピリジンの合成下記合成スキームに示されるように、4-ブロモフェナシルブロミドの代わりに3-ブロモフェナシルブロミドを用いた他は合成例6と同様に反応を行って、2-3-ブロモフェニル-イミダゾ[1,2-a]ピリジンを合成した。合成例8下記合成スキームに従って、3-フルオランテン-3-イルフェニルボロン酸を合成した。H-13-3-ブロモフェニルフルオランテンの合成アルゴン雰囲気下、フルオランテン-3-ボロン酸9.1g、3-ヨードブロモベンゼン10.5g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム02.1g、トルエン186mL、2M炭酸ナトリウム水溶液74mLをフラスコに仕込み、100°Cにて8時間攪拌を行った。室温まで冷却後、反応溶液をトルエンで抽出した。水層を除去し有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し残渣をシリカゲルクロマトグラフィで精製し、目的の3-3-ブロモフェニルフルオランテン9.2g収率70を得た。H-23-フルオランテン-3-イルフェニルボロン酸の合成アルゴン雰囲気下、3-3-ブロモフェニルフルオランテン9.2g、テトラヒドロフラン129mLをフラスコに仕込み、反応溶液を-70°Cに冷却し、1.65Mn-ブチルリチウムのヘキサン溶液を17.2mL滴下し、-70°Cにて2時間攪拌を行った。反応溶液にホウ酸トリイソプロピル17.7mLを滴下し、-70°Cにて1時間攪拌した後、反応溶液を室温まで昇温しながら5時間攪拌した。反応液に2M塩酸を加えて酸性にした後、反応溶液を酢酸エチルで抽出した。水層を除去し有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し残渣をヘキサン-酢酸エチル混合溶液で洗浄し、目的の3-フルオランテン-3-イルフェニルボロン酸7.9g収率95を得た。合成例9J6-フルオランテン-3-イルナフタレン-2-イルボロン酸ピナコールエステルの合成下記合成スキームに従って、6-フルオランテン-3-イルナフタレン-2-イルボロン酸ピナコールエステルを合成した。J-16-フルオランテン-3-イル-2-ナフトールの合成アルゴン雰囲気下、フルオランテン-3-ボロン酸2.7g、6-ブロモ-2-ナフトール2.0g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.31g、1,2-ジメトキシエタン27mL、2M炭酸ナトリウム水溶液13.5mLをフラスコに仕込み、4時間加熱還流攪拌を行った。室温まで冷却後、反応溶液に2M塩酸を加えて酸性にした後、ジクロロメタンで抽出した。水層を除去し有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をジクロロメタン中で分散洗浄し、目的の6-フルオランテン-3-イル-2-ナフトール2.75g収率89を得た。J-26-フルオランテン-3-イル-2-トリフルオロメタンスルホキシナフタレンの合成アルゴン雰囲気下、6-フルオランテン-3-イル-2-ナフトール2.75g、ピリジン2mL、ジクロロメタン80mLをフラスコに仕込んだ。反応液に氷冷下、トリフルオロメタンスルホン酸無水物2mLを滴下し、20分間攪拌した後、室温に昇温しながら3時間攪拌を行った。反応液にトリフルオロメタンスルホン酸0.5mL滴下し、30分間攪拌を行った。反応液に慎重に水を滴下して反応をクエンチした後、0.5M塩酸200mLを加え、ジクロロメタンで抽出を行った。水層を除去し有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をトルエンにて再結晶を行い、目的の6-フルオランテン-3-イル-2-トリフルオロメタンスルホキシナフタレン3.11g収率82を得た。J-36-フルオランテン-3-イルナフタレン-2-イルボロン酸ピナコールエステルの合成アルゴン雰囲気下、6-フルオランテン-3-イル-2-トリフルオロメタンスルホキシナフタレン3.11g、ビスピナコラートジボロン1.83g、[1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン]パラジウムIIジクロリドジクロロメタン付加物0.27g、1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン0.18g、酢酸カリウム1.93g、ジメチルホルムアミド65mLをフラスコに仕込み、80°Cにて8時間攪拌を行った。室温まで冷却後、反応液に水を加えた後、混合物をトルエンで抽出した。得られたトルエン溶液をシリカゲルショートカラムに通し、溶出液の溶媒を減圧留去した。残渣をトルエンより再結晶し、目的の6-フルオランテン-3-イルナフタレン-2-イルボロン酸ピナコールエステル1.53g収率52を得た。合成例11<EBT6の合成>アルゴン雰囲気下、ベンゾ[c]フェナントレン-5-ボロン酸3.0g、1-4-ブロモフェニル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾール3.5g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.231g、ジメトキシエタン40mL、及び2M炭酸ナトリウム水溶液20mLをフラスコに仕込み、8時間加熱還流攪拌した。室温まで冷却後、反応溶液をトルエンで抽出した。水層を除去した後、有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、淡黄色固体3.8gを得た。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物ETB6であり、分子量496.19に対し、m/e=496であった。合成例12<ETB9の合成>アルゴン雰囲気下、合成例9で合成した6-フルオランテン-3-イルナフタレン-2-イルボロン酸ピナコールエステル2.7g、合成例4で合成した1-3-ブロモフェニル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾール3.5g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.231g、ジメトキシエタン40mL、2M炭酸ナトリウム水溶液20mLをフラスコに仕込み、8時間加熱還流攪拌した。室温まで冷却後、反応溶液をトルエンで抽出した。水層を除去した後、有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、淡黄色固体3.4gを得た。マススペクトル分析の結果、得られた物は下記化合物ETB9であり、分子量596.23に対し、m/e=596であった。合成例13<ETB12の合成>合成例12において、6-フルオランテン-3-イルナフタレン-2-イルボロン酸ピナコールエステルの代わりに合成例8で合成した3-フルオランテン-3-イルフェニルボロン酸を用いた他は、同様の方法で合成した。マススペクトル分析の結果、得られた物は下記化合物ETB12であり、分子量546.21に対し、m/e=546であった。合成例14E5-ブロモ-1-メチル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾールの合成下記合成スキームに従って、5-ブロモ-1-メチル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾールを合成した。E-14-ブロモ-N-メチル-2-ニトロアニリンの合成N-メチル-2-ニトロアニリン5.0g33mmol、及びN-ブロモスクシンイミド5.9g33mmolに酢酸60mLを加え、7時間加熱還流を行った。反応終了後、反応溶液を水500mLに注ぎ、析出した固体をろ別した。ろ別した固体を酢酸エチルに溶解させ、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、室温で減圧乾燥後、4-ブロモ-N-メチル-2-ニトロアニリンの橙色固体7.1g収率93を得た。E-24’-ブロモ-N-メチル-2’-ニトロベンズアニリドの合成4-ブロモ-N-メチル-2-ニトロアニリン6.8g29mmolをピリジン20mLに溶解させ、さらにベンゾイルクロライド5.0g35mmolを加え、アルゴン雰囲気下、90°Cで7時間加熱攪拌した。反応終了後、酢酸エチル200mLを加え、有機層を10塩酸水溶液、10炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、4’-ブロモ-N-メチル-2’-ニトロベンズアニリドの緑白色固体9.5g収率96を得た。E-34’-ブロモ-N-メチル-2’-アミノベンズアニリドの合成4’-ブロモ-N-メチル-2’-ニトロベンズアニリド9.5g28mmolをテトラヒドロフラン100mLに溶解させ、アルゴン雰囲気下、室温で攪拌させながらハイドロサルファイトナトリウム25g142mmol/水90mLの溶液を加えた。さらにメタノール10mLを加えて3時間攪拌させた。次に酢酸エチル100mLを加え、炭酸水素ナトリウム12g142mmol/水125mLの溶液を加えた。1時間室温で攪拌後、酢酸エチルで抽出した。水層を除去し、有機層を10炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去させ、4’-ブロモ-N-メチル-2’-アミノベンズアニリドの白色固体7.8g収率90を得た。E-45-ブロモ-1-メチル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾールの合成4’-ブロモ-N-メチル-2’-アミノベンズアニリド7.8g26mmolをキシレン50mL中に懸濁させ、p-トルエンスルホン酸1水和物1.5g7.7mmolを加え、7時間加熱還流させた。反応終了後ろ過した。得られた固体を塩化メチレンに溶解させ、10炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。ろ液からも同様の洗浄方法で有機物を回収し、合わせてシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、5-ブロモ-1-メチル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾールの白色結晶6.5g収率89を得た。合成例15<ETB13の合成>合成例12において、6-フルオランテン-3-イルナフタレン-2-イルボロン酸ピナコールエステルの代わりに合成例8で合成した3-フルオランテン-3-イルフェニルボロン酸を用い、1-3-ブロモフェニル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾールの代わりに合成例14で合成した5-ブロモ-1-メチル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾールを用いた他は、同様の方法で合成した。マススペクトル分析の結果、得られた物は下記化合物ETB13であり、分子量484.19に対し、m/e=484であった。合成例16<ETB14の合成>ベンゾcフェナントレン-5-ボロン酸の代わりにベンゾgクリセン-10-ボロン酸を用い、1-4-ブロモフェニル-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾールの代わりに6-ブロモ-2,2’-ビピリジルを用いた他は合成例11と同様に反応を行った。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、下記化合物ETB14であり、分子量432.16に対し、m/e=432であった。実施例1膜厚130nmのITOインジウム酸化錫が成膜された基板上に、以下の材料を順次蒸着し、素子を得た。括弧内は膜厚単位:nmを示す。陽極:ITO130正孔注入層:HT150正孔輸送層:HT245発光層:BH1とBD1BD1は5ドープ25障壁層:ETB125低仕事関数金属含有層:LiF1陰極:Al80実施例2~8、比較例1~2発光層のホスト材料と、障壁層の材料を表2に示すように変えた他は、実施例1と同様にして素子を得た。評価例実施例1~8、比較例1~2で得た素子について以下の評価を行った。結果を表2に示す。1初期性能電圧、色度、電流効率、外部量子効率、主ピーク波長電流値が10mA/cm2となるように素子に電圧を印加し、そのときの電圧値を測定した。またそのときのEL発光スペクトルを分光放射輝度計CS-1000:コミカミノルタ社製を用いて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、色度、電流効率L/Jcd/A、外部量子効率EQE、主ピーク波長nmを算出した。外部量子効率については、具体的には、実施例及び比較例で作製した有機EL素子に、電流密度10mA/cm2の電流を通電し、分光放射輝度計CS1000:ミノルタ製で発光スペクトルを測定し、下記数式により算出した。NP:光子数NE:電子数π:円周率=3.1416λ:波長nmφ:発光強度W/srm2nmh:プランク定数=6.63×10-34Jsc:光速度=3×108m/sJ:電流密度mA/cm2e:電荷=1.6×10-19C2TTF由来の発光比率パルスジェネレータアジレント社製8114Aから出力した電圧パルス波形パルス幅:500マイクロ秒、周波数:20Hzを印加し、EL発光を光電子増倍管浜松ホトニクス社製R928に入力し、パルス電圧波形とEL発光とを同期させてオシロスコープテクトロニクス社製2440に取り込んで過渡EL波形を得た。これを解析してTTF由来の発光比率TTF比率を決定した。なお、過渡EL波形は、電流密度-電流効率曲線において電流効率L/Jが最大となるときの電流密度を求め、それに相当する電圧パルス波形を印加して得た。尚、TTF現象による内部量子効率の向上は62.5が理論的限界と考えられ、この場合のTTF由来の発光比率は60になる。実施例1,2,4と比較例1は、障壁層の障壁材料だけが異なる。比較例1の障壁材料はトリプレット障壁構造部位を含まない。従って、ホスト材料で生じた三重項励起子が障壁層に拡散しやすくTTF現象が効率よく生じない。実施例1,2,4と比較例2は、障壁層の障壁材料だけが異なる。比較例2の障壁材料は電子輸送構造部位を含まない。従って、障壁層から発光層へ電子が注入し難く発光層において再結合が少なくなる。その結果発光効率が劣っている。実施例3は障壁材料としてフルオランテン化合物を用いている。同様に障壁材料にフルオランテン化合物を用いている比較例2と比較すると、発光効率が高い。比較例2の障壁材料は電子輸送構造部位を有さないためである。実施例5~8は、実施例1~4のホスト材料をBH1からBH2に変えた以外は同様である。実施例9~21発光層のホスト材料及びドーパント材料と、障壁層の材料をそれぞれ表3に示すように変えた他は、実施例1と同様にして各素子を得た。評価例実施例9~21で得た素子について、初期性能電圧、色度、電流効率、外部量子効率、主ピーク波長及びTTF由来の発光比率の評価を行った。結果を表3に示す。表3の結果から、実施例9~11においてトリプレット障壁構造部位として、ベンゾフルオランテン、トリフェニレン、ベンズアントラセンを含むETBを用いた際もいずれの組合せの場合も高いTTF比率を示している。実施例12~16の結果から、ETBの置換基を変化させた場合も高いTTF比率を示しことがわかる。さらに、実施例17~21の結果から、ドーパント材料をBD1に変えてBD2を用いた場合も同様に高いTTF比率が得られることがわかる。"