円板状のウエハ本体と、前記ウエハ本体の外周部に設けられたラウンド形状のベベル部と、前記ウエハ本体の裏面の外周部における前記ベベル部に連なる部位に形成された環状の第1の段部とを備え、前記第1の段部には水平部分が形成されていることを特徴とする半導体ウエハ。前記ウエハ本体の表面の外周部における前記ベベル部に連なる部位に形成された環状の第2の段部をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ。結晶軸合わせした円柱状の半導体単結晶をワイヤーソーによりスライスして円板状の半導体ウエハを形成し、前記円板状の半導体ウエハの外周部をラウンディングホイールによりラウンド加工してベベル部を形成する半導体ウエハの製造方法であって、前記ベベル部を形成する際、ラウンディングホイールにより前記ウエハ本体の裏面の外周部における前記ベベル部に連なる部位に環状の第1の段部を形成することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。前記ベベル部を形成する際、ラウンディングホイールにより前記ウエハ本体の表面の外周部における前記ベベル部に連なる部位に環状の第2の段部を形成することを特徴とする請求項3記載の半導体ウエハの製造方法。円柱状の半導体単結晶を円筒研削して結晶軸合わせした円柱状の半導体単結晶を形成し、結晶軸合わせした前記円柱状の半導体単結晶の外周面に、前記ウエハ本体の裏面の外周部における前記ベベル部に連なる部位に形成された環状の第1の段部となる溝を形成し、結晶軸合わせした前記円柱状の半導体単結晶をワイヤーソーによりスライスして円板状の半導体ウエハを形成し、前記円板状の半導体ウエハの外周部をラウンディングホイールによりラウンド加工してベベル部を形成することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。そこで、半導体ウエハにCVD膜を成膜する場合に、ボート痕に起因するCVD膜の膜厚差の発生を防止することができる半導体ウエハおよび半導体ウエハの製造方法を提供する。本実施形態の半導体ウエハは、円板状のウエハ本体と、前記ウエハ本体の外周部に設けられたラウンド形状のベベル部と、前記ウエハ本体の裏面の外周部における前記ベベル部に連なる部位に形成された環状の第1の段部とを備えた。そして、前記第1の段部には水平部分を形成した。以下、複数の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、各実施形態において、実質的に同一の構成部位には同一の符号を付し、説明を省略する。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。第1実施形態図1は、第1実施形態の半導体ウエハ1の断面図である。半導体ウエハ1は、円板状のウエハ本体2と、ウエハ本体2の外周部に設けられたラウンド形状のベベル部3とを備えている。半導体ウエハ1の直径寸法は例えば300mm程度、厚み寸法は例えば0.6~0.8mm程度である。ウエハ本体2の裏面図1中の下面2aの外周部におけるベベル部3に連なる部位には、環状の第1の段部4が全周にわたって形成されている。この第1の段部4の深さ寸法d1は、例えば20~30μm程度である。尚、第1の段部4の深さ寸法d1は、上記範囲の寸法に限られるものではなく、50μm程度であっても良いし、100μm程度であっても良い。また、ウエハ本体2の表面図1中の上面2b、即ち、デバイス面には、周知の半導体プロセスにより半導体装置デバイスが形成される。次に、半導体ウエハ1の上記第1の段部4の利用態様について、図2を参照して説明する。半導体ウエハ1に対して例えばLP-CVD工程を実行する場合、複数例えば100枚の半導体ウエハ1を収容可能なボート5に半導体ウエハ1を収容する。この場合、ボート5は、周知の熱処理用縦型ボートであり、例えば石英で構成されている。ボート5は、図2に示すように、複数例えば3本の支持柱6と、これら支持柱6の上下端部を連結する連結部材図示しないとを備えている。ボート5の各支持柱6の内面部には、ウエハ載置用の爪7が複数例えば100枚の半導体ウエハ1を載置可能なように100個内方へ向けて突設されている。上記爪7の上に半導体ウエハ1を載置支持するに際しては、半導体ウエハ1の前記第1の段部4を上記爪7に嵌合させると共に、半導体ウエハ1の第1の段部4の水平部分4aを上記爪7の上に載置する。そして、上記したように半導体ウエハ1をボート5の爪7上に載置支持した状態で、ボート5をCVD装置の反応室の中に収容し、CVD膜を成膜する処理を行う。この場合、ウエハ本体2の裏面2aには、ボート5の爪7が接触していないため、ウエハ本体2の裏面2aに均一な膜厚のCVD膜が成膜される。このため、従来構成とは異なり、ウエハ本体2の裏面2aにいわゆるボート痕が発生せず、この後のリソグラフィ工程において上記ボート痕に帰因するDefocusの発生を防止することができる。次に、半導体ウエハ1に上記第1の段部4を形成する製造方法について説明する。まず、半導体ウエハ1を製造する方法について簡単に説明する。半導体ウエハ1を製造する場合、まず、例えばCz法で製造された円柱状の半導体単結晶例えばシリコン単結晶のインゴッドを円筒研削して結晶軸合わせした円柱状の半導体単結晶を形成する工程を行う。続いて、上記円柱状の半導体単結晶を適当な長さに切断して円柱状のブロックを形成し、X線方位測定によって結晶方位を測定し、オリエンテーションフラットやノッチを刻み込む。この後、上記結晶軸合わせした円柱状の半導体単結晶ブロックをワイヤーソーによりスライスして円板状の半導体ウエハを形成する工程を行う。次いで、円板状の半導体ウエハの外周部をラウンディングホイールによりラウンド加工してベベル部を形成する工程を行うことで、半導体ウエハ1が製造される。上述した半導体ウエハ1を製造する方法において、前記第1の段部4を形成する方法工程としては、まず、ベベル部3を形成する工程が好ましい。このベベル部3を形成する工程において、ラウンディングホイールに、ベベル部3を形成するための加工部に加えて、第1の段部4を形成するための段部加工部を予め形成しておき、この段部加工部を形成しておいたラウンディングホイールによって円板状の半導体ウエハの外周部をラウンド加工する。これにより、ウエハ本体2の裏面2aの外周部における前記ベベル部3に連なる部位に環状の第1の段部4を形成することができる。また、第1の段部4を形成する他の方法としては、円筒研削して結晶軸合わせした円柱状の半導体単結晶を形成する工程を実行した後、旋盤加工により円柱状の半導体単結晶の外周面に第1の段部4形成用の溝を形成する。この第1の段部4形成用の溝としては、ワイヤーソーでスライスし、さらに、半導体ウエハの外周部をラウンディングホイールによりラウンド加工してベベル部3を形成した後においても、第1の段部4が残るような深さ寸法及び幅寸法を有する形状の溝を形成する。上述した2つの第1の段部4を形成する方法によれば、従来構成のウエハ製造工程と比較してわずかな製造コストの増加を伴うだけで、第1の段部4を有する半導体ウエハ1を製造することができる。第2実施形態図3および図4は、第2実施形態を示すものである。尚、第1実施形態と同一構成には、同一符号を付している。この第2実施形態では、図3に示すように、半導体ウエハ1のウエハ本体2の表面図3中の上面、即ち、デバイス面2bの外周部における前記ベベル部3に連なる部位に環状の第2の段部8を形成した。この第2の段部8の深さ寸法d2は、例えば100μm程度である。第2の段部8を形成する方法としては、前記第1の段部4の形成方法前記下2つの方法と同じ方法を適宜用いれば良く、第1の段部4の形成工程と同じ工程で形成すれば良い。尚、上述した以外の第2実施形態の構成は、第1実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第2実施形態においても、第1実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。ところで、ウエハ本体2の表面の外周部におけるベベル部3に連なる部位に環状の第2の段部8が形成されていない半導体ウエハの場合、半導体ウエハの裏面をウエットエッチングする工程において、次のような問題点が発生した。即ち、裏面ウエットエッチング工程を実行する場合、半導体ウエハを上下逆にして裏面を上にし、その状態で半導体ウエハを回転させると共に、裏面上にエッチング用の薬液を吐出噴射、塗布させながらエッチングを行う。このとき、半導体ウエハのベベル部の形状がラウンド形状であるため、薬液が上記ベベル部を伝って表面デバイス面側に回り込むおそれがある。これを防ぐために、ウエハの表面に吹き付けるエアーの流量や、薬液の吐出量や、ウエハの回転数などを制御することができる。しかし、これらエアー流量等の制御は制御性がかなり悪いことから、ウエハの表面側に薬液が回り込む量が多くなり、配線形成不良が発生するという問題があった。これに対して、上記第2実施形態においては、半導体ウエハ1のウエハ本体2の表面2bの外周部における前記ベベル部3に連なる部位に環状の第2の段部8を形成したので、半導体ウエハ1の裏面2aエッチングを実行する場合、図4に示すように、ノズル9から噴射された薬液が実線矢印で示すように半導体ウエハ1のベベル部3を伝って表面2b側に回り込もうとしたときに、上記第2の段部8が薬液回り込みを防止する堰として機能する。この場合、ベベル部3を伝り第2の段部8で堰き止められた薬液は、エアが白抜き線太矢印で示すように吹き付けられると共に、遠心力が作用していることから、下方へ落下する。従って、上記第2の段部8によって、薬液が半導体ウエハ1の表面2b側に回り込むことを抑制することができる。その他の実施形態以上説明した複数の実施形態に加えて以下のような構成を採用しても良い。上記した第2実施形態では、第2の段部8を1つの段部で構成したが、これに限られるものではなく、複数の段部で構成しても良い。例えば2つの段部で構成する場合、1段目の段部の深さ寸法を50μm程度とし、2段目の段部の深さ寸法を100μm程度としても良い。尚、エアの流量、薬液塗布量、ウエハ回転数などは、複数の段部で薬液の回り込みを防止できるように適宜調整すれば良い。以上のように、本実施形態の半導体ウエハ1によると、ウエハ本体2の裏面の外周部におけるベベル部3に連なる部位に環状の第1の段部4を形成したので、半導体ウエハ1にCVD膜を成膜する場合に、ボート痕に起因するCVD膜の膜厚差の発生を防止することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。