"物体を非接触でハンドリングする装置であって、前記物体の方に向くよう構成されたキャリング面を有するキャリングボディであって、前記キャリング面が複数のトラクション部材および複数の過圧部材を備え、各過圧部材が、少なくとも1つの排気口を備え、各トラクション部材がくぼみ部と、前記くぼみ部に配置された少なくとも2つの吸込口とを備え、各トラクション部材の前記少なくとも2つの吸込口が、前記くぼみ部に前記キャリング面に実質的に平行な方向にトラクション流体流れを作り出すために、それらの間に圧力勾配を発生するよう構成されている、キャリングボディと、各トラクション部材の前記少なくとも2つの吸込口間の圧力勾配を制御するよう構成された圧力制御部と、を備えることを特徴とする装置。前記圧力制御部は、少なくとも1つの吸引ポンプと、前記トラクション部材の前記吸込口を前記吸引ポンプに接続する流路とを備えることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記圧力制御部は、前記排気口から排出された流体流れを制御するよう構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の装置。前記トラクション部材および前記過圧部材は、交互に隣同士に配置されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の装置。前記トラクション部材および前記過圧部材は、前記キャリング面に設けられた溝部により互いに分離されていることを特徴とする請求項4に記載の装置。各過圧部材および各トラクション部材は、幅寸法および長さ寸法を有する四角形状を有し、幅寸法は約2-35mmであり、長さ寸法は約2-35mmであることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の装置。前記くぼみ部は、約1-400μmの深さ寸法を有することを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の装置。前記くぼみ部は、幅寸法および長さ寸法を有する実質的に四角形状を有し、前記くぼみ部の幅寸法は前記トラクション部材の約0.2-0.9倍であり、前記くぼみ部の長さ寸法は前記トラクション部材の長さ寸法の約0.2-0.9倍であることを特徴とする請求項6または7に記載の装置。各トラクション部材は、前記くぼみ部を囲む周辺壁を備え、前記周辺壁は前記くぼみ部内に漏れ流を許容するよう構成されることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の装置。前記くぼみ部は、該くぼみ部の両端に少なくとも2つの埋込スロットを備え、前記少なくとも2つの吸込口は、それぞれ前記埋込スロットに設けられていることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の装置。各過圧部材は、H型くぼみ部を備え、該H型くぼみ部は約100μm未満の深さ寸法を有し、前記過圧部材の前記排気口は、前記H型くぼみ部に設けられていることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の装置。当該装置を熱的に調整するよう構成された温度調整部材を備えることを特徴とする請求項1から11のいずれかに記載の装置。パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するよう構成されたリソグラフィ装置と、物体を非接触でハンドリングするよう構成された請求項1から12のいずれかに記載の装置とを備えることを特徴とするシステム。放射ビームの断面にパターンを付与してパターン形成放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するよう構成されたサポートと、基板を保持するよう構成された基板テーブルと、前記パターン形成放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影系と、物体を非接触でハンドリングするよう構成された請求項1から11のいずれかに記載の装置と、を備えることを特徴とするシステム。キャリングボディを用いて物体を非接触でハンドリングする方法であって、前記キャリングボディが前記物体の方に向くよう構成されたキャリング面を有し、前記キャリング面が複数のトラクション部材および複数の過圧部材を備え、各過圧部材が、少なくとも1つの排気口を備え、各トラクション部材がくぼみ部と、前記くぼみ部に配置された少なくとも2つの吸込口とを備え、当該方法は、各トラクション部材の前記少なくとも2つの吸込口間に圧力勾配を発生させることにより、前記くぼみ部の流体流れを、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口を通って前記キャリング面に実質的に平行な方向に制御するステップを備えることを特徴とする方法。基板などの物体の非接触ハンドリングを改善することが望ましい。本発明のある実施形態によれば、例えば基板などの物体を非接触でハンドリングするよう構成された装置が提供される。この装置は、物体の方に向くよう構成されたキャリング面を有するキャリングボディであって、キャリング面が複数のトラクション部材および複数の過圧部材を備え、各過圧部材が、少なくとも1つの排気口を備え、各トラクション部材がくぼみ部と、くぼみ部に配置された少なくとも2つの吸込口とを備え、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口が、くぼみ部にキャリング面に実質的に平行な方向にトラクション流体流れを作り出すために、それらの間に圧力勾配を発生するよう構成されている、キャリングボディを備える。この装置はさらに、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口間の圧力勾配を制御するよう構成された圧力制御部を含む。本発明の別の実施形態によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するよう構成されたリソグラフィ装置と、例えば基板などの物体を非接触でハンドリングするよう構成された装置とを備えるシステムが提供される。上記装置は、物体の方に向くよう構成されたキャリング面を有するキャリングボディであって、キャリング面が複数のトラクション部材および複数の過圧部材を備え、各過圧部材が、少なくとも1つの排気口を備え、各トラクション部材がくぼみ部と、くぼみ部に配置された少なくとも2つの吸込口とを備え、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口が、くぼみ部にキャリング面に実質的に平行な方向にトラクション流体流れを作り出すために、それらの間に圧力勾配を発生するよう構成されている、キャリングボディと、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口間の圧力勾配を制御するよう構成された圧力制御部とを備える。本発明のさらなる実施形態によれば、放射ビームを調整するよう構成された照明系と、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン形成放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するよう構成されたサポートと、基板を保持するよう構成された基板テーブルと、パターン形成放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影系とを備えるリソグラフィ装置と、例えば基板などの物体を非接触でハンドリングするよう構成された装置とを備えるシステムが提供される。上記装置は、物体の方に向くよう構成されたキャリング面を有するキャリングボディであって、キャリング面が複数のトラクション部材および複数の過圧部材を備え、各過圧部材が、少なくとも1つの排気口を備え、各トラクション部材がくぼみ部と、くぼみ部に配置された少なくとも2つの吸込口とを備え、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口が、くぼみ部にキャリング面に実質的に平行な方向にトラクション流体流れを作り出すために、それらの間に圧力勾配を発生するよう構成されている、キャリングボディと、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口間の圧力勾配を制御するよう構成された圧力制御システムとを備える。本発明のさらなる実施形態によれば、物体を非接触でハンドリングする方法が提供される。この方法は、物体の方に向くよう構成されたキャリング面を有するキャリングボディを設けるステップであって、キャリング面が複数のトラクション部材および複数の過圧部材を備え、各過圧部材が、少なくとも1つの排気口を備え、各トラクション部材がくぼみ部と、くぼみ部に配置された少なくとも2つの吸込口とを備えるステップと、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口によって流体を引き込むステップであって、くぼみ部にキャリング面に実質的に平行な方向のトラクション流体流れを作り出すために、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口間に圧力勾配が発生されるステップとを備える。本発明の実施形態によれば、デバイス製造方法が提供される。この方法は、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するステップと、基板の方に向くよう構成されたキャリング面を有するキャリングボディを設けるステップであって、キャリング面が複数のトラクション部材および複数の過圧部材を備え、各過圧部材が、少なくとも1つの排気口を備え、各トラクション部材がくぼみ部と、くぼみ部に配置された少なくとも2つの吸込口とを備えるステップと、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口によって流体を引き込むステップであって、くぼみ部にキャリング面に実質的に平行な方向のトラクション流体流れを作り出すために、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口間に圧力勾配が発生されるステップと、キャリングボディを用いて基板をパターニングデバイスに移動させるステップとを備える。本発明の実施形態によれば、キャリングボディを用いて物体を非接触でハンドリングする方法が提供される。キャリングボディは、物体の方に向くよう構成されたキャリング面を有し、キャリング面は複数のトラクション部材および複数の過圧部材を備え、各過圧部材は、少なくとも1つの排気口を備え、各トラクション部材は、くぼみ部と、くぼみ部に配置された少なくとも2つの吸込口とを備える。この方法は、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口間に圧力勾配を発生させることにより、くぼみ部の流体流れを、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口を通ってキャリング面に実質的に平行な方向に制御するステップを備える。図1は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、放射ビームB例えばUV放射または他の適切な放射を調整するよう構成されている照明系照明器ILと、パターニングデバイス例えばマスクMを支持するよう構成され、あるパラメタに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第1の位置決め装置PMに接続されているパターニングデバイスサポートまたはサポート構造例えばマスクテーブルMTとを含む。この装置はまた、基板例えばレジストでコーティングされたウエハWを保持するよう構成され、あるパラメタに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第2の位置決め装置PWに接続されている基板テーブル例えばウエハテーブルWTまたは基板サポートを含む。この装置はさらに、パターニングデバイスMにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの例えば、1つまたは複数のダイを含むターゲット部分Cに投影するよう構成されている投影系例えば屈折投影レンズ系PSを含む。照明系は、放射を方向付け、整形しまたは制御するために、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスの向きやリソグラフィ装置の構成、あるいはパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、機械的固定、真空固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定用技術を用いてもよい。パターニングデバイスサポートは、例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスが例えば投影系に対して所望の位置にあることを確かなものとしてもよい。本明細書ではレチクルまたはマスクという用語を用いた場合には、より一般的な用語であるパターニングデバイスに同義であるとみなされるものとする。本明細書で使用されるパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成する等のために放射ビームの断面にパターンを付与するのに使用されうるいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分における所望のパターンと厳密に対応していなくてもよいことを注意しておく。このような場合には例えば、パターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、ターゲット部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。本明細書で使用される投影系という用語は、使用される露光光あるいは液浸や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系には例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では投影レンズという用語は、より一般的な用語である投影系と同義に用いられ得る。ここに図示されるのは、例えば透過型マスクを用いる透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。リソグラフィ装置は2つ以上2つの場合にはデュアルステージと呼ばれるの基板テーブルまたは基板サポートおよび/または2つ以上のマスクテーブルまたはマスクサポートを備えるタイプのものであってもよい。このような多重ステージ型の装置においては、追加されたテーブルまたはサポートは、並行して使用されるか、あるいは1以上のテーブルまたはサポートで露光が行われている間に、他の1以上のテーブルまたはサポートで準備工程を実行するようにしてもよい。また、リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的屈折率の高い液体、たとえば水で覆われ、それにより投影系と基板との間の空間が充填されるタイプの装置であってもよい。液浸液は例えばマスクと投影系との間などの、リソグラフィ装置の他の空間に与えられてもよい。液浸技術は、投影系の開口数を大きくするために用いることができる。本明細書で使用される液浸immersionという用語は、基板などの構造が液体の中に沈められなければならないことを意味するものではなく、むしろ露光中投影系と基板との間に液体がある程度のことを意味するものである。図1に示されるように、照明器ILは放射源SOから放射ビームを受け取る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源SOから照明器ILへとビーム搬送系BDを介して受け渡される。ビーム搬送系BDは、例えば適当な方向変更用のミラー及び/またはビームエキスパンダを含む。あるいは光源が例えば水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源SOと照明器ILとは、またビーム搬送系BDが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称される。照明器ILは、放射ビームの角強度分布を調整するよう構成されたアジャスタADを含んでもよい。一般には、照明器の瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び/または内径の大きさ通常それぞれシグマ-アウタσ-outer、シグマ-インナσ-innerと呼ばれるが調整される。加えて照明器ILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの種々の他の要素を含んでもよい。照明器はビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。放射ビームBは、パターニングデバイスサポート例えばマスクテーブルMTに保持されるパターニングデバイス例えばマスクMAに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイス例えばマスクMAを通過した放射ビームBは投影系PSに進入する。投影系PSはそのビームを基板Wのターゲット部分Cに集束する。第2の位置決め装置PWおよび位置センサIF例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなどにより基板テーブルWTを正確に移動させることができる。基板テーブルWTは例えば放射ビームBの経路上に異なるターゲット部分Cを位置決めするように移動される。同様に、第1の位置決め装置PMおよび他の位置センサ図1には明示せずは、放射ビームBの経路に対してパターニングデバイス例えばマスクMAを正確に位置決めするのに使用されうる。この位置決めは例えばマスクライブラリからのマスクの機械検索後や走査中に行われる。一般に、パターニングデバイスサポート例えばマスクテーブルMTの移動は、第1の位置決め装置PMの一部を形成するロングストロークモジュール粗い位置決め用及びショートストロークモジュール精細な位置決め用により実現されうる。同様に、基板テーブルWTまたは基板サポートの移動は、第2の位置決め装置PWの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現されうる。ステッパではスキャナとは異なり、パターニングデバイスサポート例えばマスクテーブルMTはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイス例えばマスクMAと基板Wとは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用のターゲット部分を占拠しているが、アライメントマークはターゲット部分間のスペースに配置されてもよいこれはスクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、パターニングデバイス例えばマスクMAに複数のダイがある場合には、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。図示の装置は例えば次のうちの少なくとも1つのモードで使用され得る。1.ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が1回の照射でターゲット部分Cに投影される間、パターニングデバイスサポート例えばマスクテーブルMTまたはマスクサポート並びに基板テーブルWTまたは基板サポートは、実質的に静止状態とされるすなわち単一静的露光。そして基板テーブルWTまたは基板サポートがX方向及び/またはY方向に移動されて、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写されるターゲット部分Cのサイズを制限することになる。2.スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影される間、パターニングデバイスサポート例えばマスクテーブルMTまたはマスクサポート並びに基板テーブルWTまたは基板サポートは、同期して走査されるすなわち単一動的露光。パターニングデバイスサポート例えばマスクテーブルMTまたはマスクサポートに対する基板テーブルWTまたは基板サポートの速度及び方向は、投影系PSの拡大縮小特性及び像反転特性により定められてもよい。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光でのターゲット部分の非走査方向の幅を制限し、走査移動距離がターゲット部分の走査方向の長さを決定する。3.別のモードにおいては、パターニングデバイスサポート例えばマスクテーブルMTまたはマスクサポートがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影される間、基板テーブルWTまたは基板サポートが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルWTの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。上記で記載した使用モードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別の使用モードでリソグラフィ装置を使用してもよい。基板テーブルWは、放射線感受性材料レジストの層を有する上面と、上面と反対の底面とを備える。ストレージ装置から基板テーブルWT上に基板Wを設置するために、基板の底面上にかみ合うよう構成されたグリッパ構造を用いることが知られている。基板テーブルWTは、基板テーブルWTにおける格納位置retractedpositionと基板テーブルWTから上方に突き出ている伸展位置extendedpositionとの間で移動可能な伸縮ピンが設けられている。グリッパ構造は、基板Wをストレージ装置から基板テーブルWTまで移動し、ピンが伸展位置にあるとき基板Wをピン上に降ろす。基板Wがピン上に移動されると、その後グリッパ構造が離され、基板Wが基板テーブルWT上に正確に位置するようピンが格納位置に引っ込められる。ピンおよびグリッパは、基板Wと物理的に接触する。その結果、基板Wに及び基板Wから、汚染物が移動する。基板Wの底面への汚染物の移動は、オーバーレイリスクを生じる。汚染されると、基板Wが十分に平坦でなくなる可能性があるためである。加えて、ピンおよびグリッパの基板Wとの物理的な接触は、基板の一時的な熱変形を引き起こす熱負荷をもたらす。これは、非再生nonreproducingのグリッド歪みおよびオーバーレイ誤差を引き起こす可能性がある。また、基板テーブルWTの伸縮ピンは、基板テーブルWT上に望ましくない共振を引き起こす可能性がある不要な塊を形成する。加速の間および加速後の時間に、柔らかい塊flexiblemassが基板テーブルWT上に動的負荷を生じさせる。これは、サーボ精度および位置決め精度に影響を及ぼす。本発明の典型的な実施形態において、基板Wは、基板Wを非接触でハンドリングするよう構成された装置1により、ストレージ装置から基板テーブルWFに移動される。図2に概略的に示されるように、基板Wを非接触でハンドリングするよう構成された装置1は、基板Wに向けられるよう構成されたキャリング面3を有するキャリングボディ2を備える。キャリング面3は、複数のトラクション部材tractionmember4と、複数の過圧部材overpressuremember5とにより規定される。トラクション部材4および過圧部材5は、交互に隣同士に配置されている。この典型的な実施形態において、各トラクション部材4および各過圧部材5は、幅寸法w1および長さ寸法l1を有する四角形状を有する。幅寸法w1は約2-35mmであり、長さ寸法l1は約2-35mm、例えば約8-15mm、例えば約10mmなどである。この典型的な実施形態において、過圧部材5およびトラクション部材4のそれぞれは、正方形状を有する。しかしながら、それらは例えば長方形状などの異なる四角形状を有してもよい。各過圧部材5は、H型くぼみ部6を備える。H型くぼみ部6は、キャリング面3に実質的に垂直な方向に見られるように、深さ寸法を有する。深さ寸法は、約100μm未満、例えば約20μm未満、例えば約10μmである図3aも参照。各過圧部材5は、少なくとも1つの排気口7を備える。排気口7は、H型くぼみ部6内に構成されている。各排気口7は、例えば、約0.05-1mmの直径を有する穴である。この典型的な実施形態において、各過圧部材5は1つだけ排気口7を備えるが、各過圧部材5は任意の数の排気口7を備えることができる。過圧部材5の排気口7は、キャリング面3から離れる方向へ向かう流体流れfluidflowを排出するよう構成されている。これにより、基板W上に支持力bearingforceが生じる。この支持力は、排気口7からの流体流れを制御することにより調整可能である。この典型的な実施形態において、排気口7は、キャリング面3に対して実質的に横方向に流体を吹き出すよう構成されている。この流体は、H型くぼみ部6内で広がり、これは一様な支持力および大きな支持剛性bearingstiffnessをもたらす。各過圧部材5の各排気口7は、流量制限部材を備えることができる。流量制限部材は、様々な方法で構成できる。図3bに示す典型的な実施形態においては、流量制限部材は狭窄穴を備える。例えば、狭窄穴は、約0.10-0.20mmの直径および約8-12mmの長さ、例えば、約0.16mmの直径および約10mmの長さを有する。狭窄穴は、毛細血管抵抗を生じさせる。図3cは、他の実施形態を示す。本実施形態において、流量制限部材は、過圧部材5のキャリング面3の少なくとも一部を規定する多孔質体を備える。この多孔質体は、排気口7からキャリング面3への流体に影響を及ぼす。流量制限部材の結果として、キャリング面3にわたる温度安定度が改善する。各トラクション部材4は、くぼみ部8を備えている。この典型的な実施形態において、各くぼみ部8は正方形状を有する。しかしながら、それらは異なる四角形状、例えば長方形状を有してもよい。くぼみ部8は、幅寸法w2および長さ寸法l2を有する。幅寸法w2は、トラクション部材4の幅寸法w1の約0.2-0.9倍であり、長さ寸法l2は、トラクション部材4の長さ寸法l1の約0.2-0.9倍である。例えば、幅寸法w2がトラクション部材4の幅寸法w1の約0.7倍であり、長さ寸法l2がトラクション部材4の長さ寸法l1の約0.7倍である。各くぼみ部8は、キャリング面3に垂直な方向に見られるように、深さ寸法を有する。この深さ寸法は、例えば、約1-400μm、例えば約40μmである。くぼみ部8はさらに、くぼみ部8の両端に少なくとも2つの埋込スロット10,11を備える。例えば、スロット10,11はそれぞれ、キャリング面3に実質的に垂直な方向に見られるように、深さ寸法を有する。この深さ寸法は、約2mm未満、例えば約40μmである。各くぼみ部8は、くぼみ部8を取り囲む周辺壁circumferentialwall9により囲まれている。周辺壁9の上部表面は、トラクション部材4の位置におけるキャリング面3を規定している。くぼみ部8の埋込スロット10,11は、各トラクション部材4の周辺壁9に隣接している。この典型的な実施形態において、各トラクション部材4は、2つの吸込口14,15を備える。しかしながら、各トラクション部材4は、任意の数の吸込口を備えることができる。吸込口14,15は、くぼみ部8に形成されている。この典型的な実施形態において、埋込スロット10,11のそれぞれに吸込口14,15が形成されている。各トラクション部材4の吸込口14,15は、くぼみ部8内でキャリング面3に実質的に平行な方向にトラクション流体流れを発生させるために、それらの間に圧力勾配を作り出すよう構成されている。この目的のために、各トラクション部材4の吸込口14,15間の圧力勾配を制御するよう構成された圧力制御部が設けられる。基板Wにかかるトラクション力は、各トラクション部材4の吸込口14,15間の圧力勾配を制御することにより、制御可能である。例えば、各トラクション部材4の圧力勾配は、他の過圧部材5における圧力勾配から独立して制御可能である。しかしながら、あるグループのトラクション部材4における圧力勾配を他のトラクション部材4の圧力勾配から独立して、または、別のグループのトラクション部材4から独立して制御することも可能である。その結果、基板Wを制御可能な方法で移動できる。圧力制御部は、様々な方法で構成できる。この典型的な実施形態においては、圧力制御部は、少なくとも1つの吸引ポンプと、トラクション部材4の吸込口14,15を吸引ポンプに接続する流路システムとを備える。例えば、流路システムは、キャリングボディ2内に設けられた内部流路を備える。各トラクション部材4の吸込口14,15は、各トラクション部材4の少なくとも2つの吸込口14,15間に圧力勾配を作り出すために、流路システムによって吸引ポンプに接続されている。例えば、トラクション部材4の吸込口14は、第1制御バルブによって吸引ポンプに接続されており、トラクション部材4の吸込口15は、第2制御バルブによって吸引ポンプに接続されている。第1および第2制御バルブは、各トラクション部材4の吸込口14,15の一方のアンダー圧力underpressureが、前記各トラクション部材4の吸込口14,15の他方のアンダー圧力と異なるように制御される。あるいは、流路システムは、吸込口14,15から延びる吸込流路と、各トラクション部材4の吸込口14,15と関連する吸込流路間の圧力を制御するよう構成された差動制御バルブとを備えてもよい。加えて、圧力制御システムは、過圧部材5の排気口7から排出される流体流れを制御するよう構成されてもよい。トラクション部材4および過圧部材5は、キャリング面3に設けられた溝部16により互いに分離されている。キャリング面3の溝部16は、流路区分channelsectionのグリッドを構成する。例えば、各溝部16は、約0.4-4mm、例えば約1mmの幅寸法w3を有する。また、各溝部16は、キャリング面3に実質的に垂直な方向に見られるように、約0.4-4mmの幅寸法、例えば1mmの深さ寸法を有することができる。例えば、溝部16は断面において正方形状または長方形状を有している。溝部16は、各トラクション部材4および各過圧部材5の流れ場flowfieldが、隣接するトラクション部材4および過圧部材5の流れ場と相互作用するのを妨げる。これは、基板Wを操作する間の正確な制御を向上する。使用の際、基板Wは、キャリング面3により非接触な方法で運ばれる。排気口7は、基板W上に衝突する流体を排出する。これにより、基板Wがキャリング面3に接触するのを妨げる支持力がもたらされる。排出流体の温度は、例えば、約300-1000°Cである。例えば、各過圧部材5の排気口7の圧力は、約10Paから約5bar絶対圧、例えば2.2bar絶対圧である。圧力制御システムにより、各トラクション部材4の吸込口14,15は、周囲圧力に対して2つの異なるアンダー圧力をもたらす。例えば、各トラクション部材4の吸込口14,15の平均圧力は、約2Paから約0.9bar絶対圧、例えば約0.5bar絶対圧である。各トラクション部材4の吸込口14,15間の圧力勾配は、約0.9barより小さく、例えば約0.6barである。キャリング面3を規定する周辺壁9は、くぼみ部8に流体が漏れるのを許容する図3において矢印により図示。従って、流体は、基板Wとくぼみ部8との間のギャップに吸い込まれ、各トラクション部材4の吸込口14,15に吸い込まれる。異なるアンダー圧力の結果、一方の吸込口14を通る質量流量は、他方の吸込口15を通る質量流量よりも大きくなる。これは、くぼみ部8に、キャリング面3に実質的に平行な方向のトラクション流を生じさせる。このトラクション流は、流体摩擦により、基板Wにかかるトラクション力を生成する。トラクション部材4において、キャリングボディ2から流体は排出されない。流体は、キャリングボディ2から過圧部材5の排気口7のみを通って排出される。一方では過圧部材5の結果、そして他方では少なくとも2つの吸込口14,15が設けられ、排気口が設けられていないトラクション部材4の結果、基板Wをしっかりとクランプすることができる。例えば、クランプ力の剛性は、キャリング面3にわたって、10μmギャップ高さにつき0.5barとなる。基板Wに印加されるクランプ力は、基板Wが基板テーブルWF上に搭載される前に、基板を実質的に平らにするのに十分である。図2および図3に示される装置1により、基板Wは、基板のストレージ装置図示せずからリソグラフィ装置の基板テーブルWFに移動できる。これは、図5に矢印Aにより概略的に示されている。加えて、基板Wは、平行移動およびその中心軸周りに回転できる図5の矢印B参照。基板Wがストレージ装置からリソグラフィ装置に移動する間に、基板Wの表面にわたって温度が均一となるように、基板Wはトラクション部材4により回転できる。この典型的な実施形態において、キャリング面3は、を放射線感受性材料レジストの層が設けられた上面上において、基板Wとかみ合う。キャリング面3はレジストと物理的な接触をしないので、基板Wをレジスト面からクランプできる。従って、基板Wはキャリング面3からぶら下がっている。しかしながら、基板Wは、図2に示す位置においてキャリング面3上に浮いていてもよい。この場合、キャリング面3は、放射線感受性材料の層が設けられていない基板Wの底面に隣接している。図4に示されるように、基板Wを非接触でハンドリングするよう構成された装置1は、例えばサーマルプレートなどの温度調整部材25を備えてもよい。これは、装置1を予め規定された温度に調整するよう構成されている。温度調整部材25は、キャリング面3から離れたキャリングボディ2の面上に配置される。図6に示すように、典型的な実施形態において、各トラクション部材104および各過圧部材105は、実質的に円形状を有する。この実施形態において、4つのセルグループ、すなわち:剛性をもたらすための過圧部材105のグループ、時計回り方向にYトラクションおよびRzトラクションを与えるためのトラクション部材104aの第1グループ、反時計回り方向にYトラクションおよびRzトラクションを与えるためのトラクション部材104bの第2グループ、およびXトラクションを与えるためのトラクション部材104cの第3グループ、がキャリング面にわたって分配されている。この実施形態において、トラクション部材104a、104bおよび104cの分布は、製造および制御が比較的容易な異なるグループを形成するよう構成および配置されている。キャリング面3のエッジにおいて、過圧部材105およびトラクション部材104は、ウエハの平坦面をもたらすよう均等に分配されている。好適な実施形態において、過圧部材105およびトラクション部材104a、104bおよび104cは、それぞれ50、20、20および10の割合でキャリング面にわたって分配されている。この場合、過圧部材105およびトラクション部材104は、平坦なウエハ面を得るために、キャリング面3にわたって均等に分配されている。この例において、X方向に要求される速度は、Y方向に要求される速度よりも小さく、この例において、Y/Rzトラクション部材104a,104bの数は、Xトラクション部材104cの数よりも多い。図7に示すように、各トラクション部材104は、くぼみ部108を備える。この実施形態において、各くぼみ部108は、実質的に円形状を有する。くぼみ部108は、例えば、2-10mm、例えば約6mmの直径を有する。各くぼみ部は、キャリング面3に垂直な方向見られるように、深さ寸法を有する。この深さ寸法は、例えば、約1-400μm、例えば約12μmである。くぼみ部108はさらに、くぼみ部108の両端に少なくとも2つの埋込スロット110,111を備える。例えば、埋込スロット110,111はそれぞれ、キャリング面3に実質的に垂直な方向に見られるように、深さ寸法を有する。この深さ寸法は、約2mm未満、例えば40μm未満である。各くぼみ部108は、くぼみ部108を取り囲む周辺壁9により囲われている。周辺壁9の上部表面は、トラクション部材104の位置におけるキャリング面3を規定している。周辺壁109はさらに、隣接するトラクション部材104および過圧部材105からのクロストークを防止する。この実施形態において、トラクション部材104および過圧部材105はさらに、キャリング面3に設けられた溝部16により互いに分離されている。溝部16は、キャリング面3の部材間にさらなる分離性アイソレーションをもたらすために、大気圧に接続されてもよい。例えば、各溝部16は、約0.4-4mm、例えば約1mmの幅を有する。また、各溝部16は、キャリング面3に実質的に垂直な方向に見られるように、約0.4-4mm、例えば1mmの深さ寸法を有することができる。この実施形態において、各トラクション部材104は、2つの独立した吸込口114,115を備える。しかしながら、各トラクション部材104は、任意の数の吸込口を備えることができる。図8は、図7の断面図を示し、矢印120により、くぼみ部108においてキャリング面3に実質的に平行な方向にトラクション流体流れを作り出すために、どのように例えば各トラクション部材104が吸込口114,115間に圧力勾配を発生するよう構成されているかを示す。説明したように、基板Wにかかるトラクション力は、各トラクション部材104の吸込口114,115間の圧力勾配を制御することにより制御できる。図9は、図3a、3bおよび3cに概略的に示す過圧部材の実施例として、過圧部材105のさらなる実施形態を示す。各過圧部材は、少なくとも1つの排気口107を備える。各排気口107は、例えば、約0.05-1mm、例えば約0.2mmの直径を有する穴である。この典型的な実施形態では、各過圧部材は1つだけ排気口107を備えるが、過圧部材105は任意の数の排気口107を備えることができる。過圧部材105の排気口107は、キャリング面3から離れる方に向かう第1流体流れを排出するよう構成されている。これは基板Wに支持力を与え、この支持力は排気口107からの第1流体流れの圧力を制御することにより調整できる。排気口107の流れ抵抗、および排気口107と基板Wとの間の流れ抵抗は、全体の流れ抵抗と、その結果としての基板Wがキャリング面3に接触するのを防止する支持力とを決定する。この実施形態において、過圧部材105は、第2流体吸気口200aおよび対応する第2流体排気口200bをさらに備える。これらは、第2流体を過圧部材105内にもたらすよう構成および配置された第2流体構造を形成する。一例として、過圧部材105の温度調節のために、温度制御された水を第2流体構造内に与えることができる。その結果、排気口107を通ってキャリング面3から離れる方に向かう第1流体流れの温度が制御され、ウエハWの温度条件をさらに改善できる。図10は、図9の横断面であり、さらに好ましい実施形態の詳細を示す。ここでは、第1流体が長いらせん状流路を通って導かれ、第1流体流れの温度調整を改善する実質的に熱的に中立な排気システムが提供される。さらなる実施形態では、過圧部材は、過圧部材105のキャリング面3の少なくとも一部を規定する多孔質体201を備える。第2流体が多孔質体により調整されるとき、排気口107からキャリング面への流れはさらにもっと温度安定化する。本発明の実施形態に係る物体を非接触でハンドリングする方法は、物体の方に向くよう構成されたキャリング面を有するキャリングボディを設けるステップであって、キャリング面が複数のトラクション部材および複数の過圧部材を備え、各過圧部材が、少なくとも1つの排気口を備え、各トラクション部材がくぼみ部と、くぼみ部に配置された少なくとも2つの吸込口とを備えるステップと、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口によって流体を引き込むステップであって、くぼみ部にキャリング面に実質的に平行な方向のトラクション流体流れを作り出すために、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口間に圧力勾配が発生されるステップと、を備える。特に本発明の実施形態に係る方法において、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口間の圧力勾配が制御される。本発明の実施形態に係る方法によれば、各加圧部材の排気口の圧力は、約10Paから約5bar絶対圧、例えば2.2bar絶対圧である。本発明の実施形態に係る方法によれば、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口の圧力は、約2Paから約0.9bar絶対圧、例えば約0.5bar絶対圧である。本発明の実施形態に係る方法によれば、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口間の最大圧力勾配は、約0.9bar未満、例えば約0.6barである。本発明の実施形態に係る方法によれば、物体は、放射線感受性材料の層が設けられた上面と、放射線感受性材料の層が設けられていない底面とを備え、キャリング面は、上面において基板とかみ合う。本発明の実施形態に係る方法は、過圧部材の排気口を通ってのみ、キャリングボディから排出される流体を提供する。本発明の実施形態に係るパターニングデバイスから基板にパターンを転写するデバイス製造方法は、基板の方に向くよう構成されたキャリング面を有するキャリングボディを設けるステップであって、キャリング面が複数のトラクション部材および複数の過圧部材を備え、各過圧部材が、少なくとも1つの排気口を備え、各トラクション部材がくぼみ部と、くぼみ部に配置された少なくとも2つの吸込口とを備えるステップと、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口によって流体を引き込むステップであって、くぼみ部にキャリング面に実質的に平行な方向のトラクション流体流れを作り出すために、各トラクション部材の少なくとも2つの吸込口間に圧力勾配が発生されるステップと、キャリングボディを用いて基板をパターニングデバイスに移動させるステップと、を備える。本明細書ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書におけるウエハあるいはダイという用語がそれぞれ基板あるいはターゲット部分という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本明細書で言及される基板は露光前または露光後において例えばトラック典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置、メトロロジツール、及び/またはインスペクションツールにおいて処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ICを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は処理されている多数の層を既に含む基板をも意味してもよい。上では特に光リソグラフィにおける本発明の実施の形態の使用に言及したが、本発明は例えばインプリントリソグラフィなどの他のアプリケーションにおいても使用されうるものであり、文脈が許す場面において光リソグラフィに限られるものではないことは理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが基板に生成されるパターンを決める。パターニングデバイスのトポグラフィが基板に塗布されているレジスト層に押し付けられ、電磁放射や熱、圧力、あるいはこれらの組み合わせによってレジストが硬化される。レジストが硬化された後パターニングデバイスはレジストから外され、レジスト上にはパターンが残される。本明細書において放射およびビームという用語は、紫外UV放射例えば約365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長を有するおよび極端紫外EUV放射例えば5nm-20nmの範囲の波長を有するを含むあらゆる種類の電磁放射、およびイオンビームや電子ビームなどの粒子線を含む。レンズという用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子を含む各種の光学素子の任意のひとつまたは組み合わせを指し示すものであってもよい。本発明の具体的な実施の形態が上述のように説明されたが、本発明は上述の形式以外の形式でも実施可能であると理解されたい。例えば、本発明はコンピュータプログラムの形式を取ってもよい。このコンピュータプログラムは機械に読み取り可能な命令の1つもしくは複数のシーケンスを含む。命令は、上述の方法を記述する。あるいはまた、本発明は、そのようなコンピュータプログラムを記憶保持するデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気もしくは光学ディスクの形式を取ってもよい。上述の記載は例示を目的としており、それに限定されるものではない。したがって、以下の特許請求の範囲から逸脱することなく記載された発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことであろう。"