光半導体層と、前記光半導体層と接続される電極部と、前記光半導体層および前記電極部を封止し、光反射成分を含有する封止樹脂層とを備えることを特徴とする、発光ダイオード素子。ベース基板と、前記ベース基板にフリップチップ実装された請求項1に記載の発光ダイオード素子とを備えることを特徴とする、発光ダイオード装置。しかし、特許文献1に記載の発光ダイオード装置には、拡散膜を、光半導体層や封止樹脂層とは別に設ける必要があるため、その分、装置構成が複雑となる。また、そのような発光ダイオード装置の製造コストが増大する。本発明の目的は、低コストで製造され、簡単な構成で、光の取出効率を十分に向上させることのできる、発光ダイオード装置およびそれがフリップチップ実装された発光ダイオード装置を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の発光ダイオード素子は、光半導体層と、前記光半導体層と接続される電極部と、前記光半導体層および前記電極部を封止し、光反射成分を含有する封止樹脂層とを備えることを特徴としている。また、本発明の発光ダイオード装置は、ベース基板と、前記ベース基板にフリップチップ実装された上記した発光ダイオード素子とを備えることを特徴としている。本発明の発光ダイオード素子は、封止樹脂層が、光反射成分を含有しているので、電極部から電力の供給を受けて、光半導体層から発光される光を、封止樹脂層によって、反射させることができる。そのため、特許文献1に記載される拡散膜などを設ける必要がなく、発光ダイオード素子を、簡易な構成で、かつ、低コストで製造できながら、光の取出効率を向上させることができる。その結果、上記した発光ダイオード素子がフリップ実装された発光ダイオード装置では、光の取出効率を向上させることできる。図1は、本発明の発光ダイオード装置の一実施形態の断面図、図2は、図1の発光ダイオード装置を、発光ダイオード素子のフリップチップ実装により製造する工程を説明する断面図、図3は、図2に示す発光ダイオード素子を製造する方法を説明する工程図を示す。図1において、この発光ダイオード装置21は、ベース基板16と、それにフリップチップ実装図2参照される発光ダイオード素子20とを備えている。ベース基板16は、略平板状をなし、具体的には、絶縁基板の上に、導体層が回路パターンとして積層された積層板から形成されている。絶縁基板は、例えば、シリコン基板、セラミックス基板、ポリイミド樹脂基板などから形成され、好ましくは、セラミックス基板から形成されている。導体層は、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。また、導体層は、端子15を含んでいる。端子15は、絶縁基板の表面において、面方向ベース基板16に沿う方向、すなわち、厚み方向に直交する方向、面方向、詳しくは、図1における紙面左右方向および紙面奥行き方向に間隔を隔てて形成される所定のパターン後述するバンプ13に対応するパターンに形成されている。なお、端子15は、図示しないが、導体層を介して電力供給部と電気的に接続されている。端子15は、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。これら導体は、単独使用または併用することができる。発光ダイオード素子20は、図2に示すように、光半導体層3、光半導体層3に電気的に接続される電極部4、および、光半導体層3および電極部4を封止する封止樹脂層14を備えており、後述する図3dの製造工程において製造された後、上下反転させ裏返して、ベース基板16に実装される。光半導体層3は、緩衝層6、その下に形成されるN形半導体層7、その下に形成される発光層8、および、その下に形成されるP形半導体層9を備えている。緩衝層6は、発光ダイオード素子20の外形形状に対応するように形成されており、例えば、略矩形平板状に形成されている。緩衝層6は、次に説明するN形半導体層7の格子定数の不正を緩衝する。緩衝層6を形成する緩衝材料としては、例えば、元素半導体単元素半導体、酸化物半導体、化合物半導体酸化物半導体を除くなどの半導体が挙げられる。元素半導体としては、例えば、Si、Ge、Snなどの4B元素長周期型周期表における4B元素、以下同様が挙げられる。酸化物半導体としては、例えば、Al2O3、ZnO、SnO2などの典型元素の酸化物、例えば、TiO2、V2O5、Cr2O3、MnO2、Fe2O3、NiO、Cu2Oなどの遷移元素の酸化物などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。化合物半導体は、Oを除く複数の元素が結合する化合物であって、例えば、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlGaN、InGaN、AlInN、AlGaInNなどの3B元素と5B元素との化合物、例えば、ZnS、SnSe、ZnTeなどの2B元素と6B元素との化合物などが挙げられる。好ましくは、3B元素と5B元素との化合物が挙げられる。上記した半導体のうち、好ましくは、化合物半導体が挙げられる。緩衝層6の厚みは、例えば、0.5~200nm、好ましくは、1~100nmである。N形半導体層7は、緩衝層6の下面全面に形成されている。N形半導体層7を形成するN形半導体としては、特に限定されず、公知のN形半導体が挙げられ、上記した半導体に、例えば、5B元素、さらには、4B元素などの不純物が微量ドープ添加された不純物半導体が挙げられる。発光層8は、緩衝層6の下面に、面方向一方側図2における右側端部において所定パターンに形成されている。つまり、各発光層8は、面方向他方側端部図2における左側において、N形半導体層7の下面を露出している。発光層8を形成する発光材料としては、上記した緩衝層6で例示した半導体と同様の半導体が挙げられ、好ましくは、化合物半導体が挙げられる。発光層8の厚みは、例えば、20~300nm、好ましくは、30~200nmである。P形半導体層9は、発光層8の下面全面に、発光層8と同一パターンに形成されている。P形半導体層9を形成するP形半導体としては、特に限定されず、公知のP形半導体が挙げられ、例えば、上記した半導体に、3B元素、2A元素などの不純物が微量ドープ添加された不純物半導体が挙げられる。2A元素としては、例えば、Be、Mgなどのアルカリ土類金属が挙げられる。電極部4は、アノード電極10およびカソード電極11を備えている。アノード電極10は、P形半導体層9の下に、透明電極12を挟むように形成されており、透明電極12を介してP形半導体層9と電気的に接続されている。透明電極12は、P形半導体層9の下面に形成され、厚み方向に投影したときに、P形半導体層9に含まれるように、配置されている。透明電極12を形成する電極材料としては、例えば、インジウム錫酸化物ITO、酸化亜鉛ZnO、酸化錫SnO2などの金属酸化物が挙げられ、その厚みは、例えば、10~300nm、好ましくは、20~200nmである。アノード電極10は、厚み方向に投影したときに、透明電極12に含まれるパターンに形成されている。アノード電極10を形成する電極材料としては、例えば、金、アルミニウムなどが挙げられる。好ましくは、金が挙げられる。アノード電極10の厚みは、例えば、10~300nm、好ましくは、20~200nmである。カソード電極11は、N形半導体層7の下に形成され、具体的には、P形半導体層9および発光層8から露出するN形半導体層7の下面に形成されている。カソード電極11は、N形半導体層7と電気的に接続されている。カソード電極11を形成する電極材料としては、金、アルミニウムなどが挙げられる。好ましくは、金が挙げられる。カソード電極11の厚みは、例えば、10~300nm、好ましくは、20~200nmである。また、この電極部4には、バンプ13が設けられている。バンプ13は、アノード電極10の下面と、カソード電極11の下面とに形成されている。各バンプ13は、それぞれ、平面視において、アノード電極10およびカソード電極11に含まれるパターンに形成されている。また、バンプ13は、端子15と実質的に同一パターンに形成されている。バンプ13を形成する材料としては、例えば、金、銀、鉛、錫、それらの合金具体的には、はんだなどなどの導体が挙げられる。各バンプ13の厚みは、フリップチップ実装前においては、アノード電極10の下面に形成されるバンプ13の下面と、カソード電極11の下面に形成されるバンプ13の下面とが同じ高さ深さとなるように、調整されている。すなわち、バンプ13の厚みは、面方向厚み方向に直交する方向に投影したときに、それらが同じ位置厚み方向位置となるように、調整されている。封止樹脂層14を形成する封止樹脂としては、例えば、封止材料と、光反射成分とを含有している。封止材料は、特に限定されず、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。光反射成分としては、例えば、白色の化合物であって、具体的には、白色顔料が挙げられる。そのような白色顔料としては、例えば、白色無機顔料が挙げられ、そのような白色無機顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなどの酸化物、例えば、鉛白炭酸亜鉛、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンカオリナイトなどの粘度鉱物などが挙げられる。白色無機顔料として、好ましくは、酸化物、さらに好ましくは、酸化チタンが挙げられる。酸化チタンであれば、高い白色度、高い光反射性、優れた隠蔽性隠蔽力、優れた着色性着色力、高い分散性、優れた耐候性、高い化学的安定性などの特性を得ることができる。そのような酸化チタンは、具体的には、TiO2、酸化チタンIV、二酸化チタンである。酸化チタンの結晶構造は、特に限定されず、例えば、ルチル、ブルッカイト板チタン石、アナターゼ鋭錐石などであり、好ましくは、ルチルである。また、酸化チタンの結晶系は、特に限定されず、例えば、正方晶系、斜方晶系などであり、好ましくは、正方晶系具体的には、ルチル構造である。酸化チタンの結晶構造および結晶系が、ルチルおよび正方晶系であれば、封止樹脂層14が長期間高温に曝される場合でも、光とりわけ、波長450nm付近の光に対する反射率が低下することを有効に防止することができる。光反射成分は、粒子状であり、その形状は限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。光反射成分の最大長さの平均値球状である場合には、その平均粒子径は、例えば、1~1000nmである。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。光反射成分の配合割合は、封止樹脂に対して、例えば、5~90質量、好ましくは、着色性および光反射性の観点から、10~60質量である。上記した光反射成分は、封止材料中に均一に分散混合される。また、封止樹脂には、さらに、充填剤を添加することもできる。つまり、充填剤を、光反射成分具体的には、白色顔料と併用することができる。充填剤は、上記した白色顔料を除く、公知の充填剤が挙げられ、具体的には、無機質充填剤が挙げられ、そのような無機質充填剤としては、例えば、シリカ粉末、タルク粉末、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ケイ素粉末などが挙げられる。充填剤として、好ましくは、封止樹脂層14の線膨張率を低減する観点から、シリカ粉末が挙げられる。シリカ粉末としては、例えば、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末などが挙げられ、好ましくは、溶融シリカ粉末すなわち、石英ガラス粉末が挙げられる。充填剤の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、優れた充填性および流動性の観点から、球状が挙げられる。従って、シリカ粉末として、好ましくは、球状溶融シリカ粉末が挙げられる。充填剤の最大長さの平均値球状である場合には、平均粒子径は、例えば、5~60μm、好ましくは、15~45μmである。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。充填剤の添加割合は、充填剤および光反射成分の総量が、例えば、封止樹脂に対して、10~80質量となるように、調整され、線膨張率の低減および流動性の確保の観点から、封止樹脂に対して、好ましくは、25~75質量、さらに好ましくは、40~60質量となるように、調整される。封止樹脂は、上記した封止材料と、光反射成分と、必要により添加される充填剤とを配合して、均一混合して、封止樹脂組成物として調製される。なお、封止樹脂組成物は、ペースト状、あるいは、シート状に形成される。封止樹脂層14によって、アノード電極10に対応するバンプ13の側面と、かかるバンプ13から露出するアノード電極10の下面および側面と、アノード電極10から露出する透明電極12の下面および側面と、透明電極12から露出するP形半導体層9の下面および側面と、発光層8の側面とが被覆されている。また、アノード電極10に対応するバンプ13の下面は、封止樹脂層14から露出している。また、封止樹脂層14によって、カソード電極11に対応するバンプ13の側面と、かかるバンプ13から露出するカソード電極11の下面および側面とが被覆されている。また、カソード電極11に対応するバンプ13の下面は、封止樹脂層14から露出している。さらに、封止樹脂層14によって、N形半導体層7の下面発光層8およびカソード電極11から露出するN形半導体層7の下面も被覆されている。このようにして、光半導体層3および電極部4は、封止樹脂層14によって封止されている。上記した発光ダイオード素子20は、図3cおよび図3dに示すように、封止樹脂層14によって封止された発光積層体5が複数整列配置された発光積層板1を切断加工することにより、得られる。具体的には、発光ダイオード素子20は、光半導体層3および電極部4を備える各発光積層体5が封止樹脂層14によって封止されており、上記した発光積層板1を1個ずつ切り分けることにより得られる。詳しくは、発光ダイオード素子20は、図3a~図3dに示す製造方法によって得られる。すなわち、この方法では、まず、図3aに示すように、まず、発光積層板1を用意する。発光積層板1は、支持基板2、その上に形成される複数の光半導体層3、および、その上に形成される複数の電極部4を備えている。発光積層板1では、支持基板2、光半導体層3および電極部4をそれぞれ備える発光積層体5が複数整列配置されている。支持基板2は、例えば、平面視略円板状に形成されている。支持基板2は、光半導体層3および電極部4を支持する。支持基板2を形成する支持材料としては、例えば、Al2O3サファイア、SiC、Si、GaNなどが挙げられる。好ましくは、サファイアが挙げられる。支持基板2の厚みは、例えば、100~1000μm、好ましくは、200~800μmである。光半導体層3は、緩衝層6、その上に形成されるN形半導体層7、その上に形成される光層8、および、その上に形成されるP形半導体層9を備えている。発光積層板1を用意するには、まず、支持基板2を用意し、その上に、各光半導体層3を、例えば、エピタキシャル成長法などの公知の成長法によって、積層し、その後、各電極部4を、公知のパターンニング法によって積層する。なお、光半導体層3における発光層8およびP形半導体層9は、上記した成長法の後に、例えば、マスクを用いるエッチングによって、上記したパターンに形成される。次いで、この方法では、図3bに示すように、封止樹脂層14を、複数の光半導体層3および複数の電極部4を被覆するように、形成する。封止樹脂層14を形成するには、上記した封止樹脂組成物を、電極部4を含む複数の光半導体層3の上に、例えば、ラミネータやアプリケータを用いた塗布方法により塗布して、皮膜を形成する。その後、封止材料が熱硬化性樹脂である場合には、皮膜を、加熱により硬化させる。また、封止樹脂組成物が、シート状に形成されている場合には、かかる封止樹脂組成物を、複数の光半導体層3の上に載置し、加熱により硬化させることによって、封止層14を成形することもできる。さらには、封止樹脂組成物が、粉末状の熱硬化性樹脂を含有している場合には、封止樹脂組成物を、圧縮成形機によって、加熱しながら圧縮成形することによって、硬化させて、封止層14を成形することもできる。これによって、封止樹脂層14が形成される。なお、このようにして形成される封止樹脂層14は、その上面が、電極部4の上面つまり、バンプ13の上面よりも、上側に形成される。封止樹脂層14の上面と、バンプ13の上面との間の長さL1は、例えば、2000μm以下、好ましくは、10~1000μmである。これにより、光半導体層3および電極部4が、封止樹脂層14によって封止される。次いて、図3cに示すように、支持基板2を、光半導体層3から除去する。支持基板2の除去には、例えば、ドライエッチング、ウエットエッチングなどのエッチング、例えば、グラインド加工具体的には、研磨などの機械加工などが採用される。次いで、図3dに示すように、封止樹脂層14を、電極部4の上面が露出されるように、部分的に除去する。具体的には、封止樹脂層14において、バンプ13の上面より上側にある上側部分を除去する。封止樹脂層14の上側部分の除去には、例えば、上記したエッチング、機械加工などが採用される。上側部分が除去された封止樹脂層14は、バンプ13の上面を露出するとともに、その周囲の上面が、バンプ13の上面と面一に形成される。これにより、複数の発光積層体5に対応し、光半導体層3、電極部4および封止樹脂層14を備える複数の発光ダイオード素子20が一体的に形成される。その後、図3dの1点破線で示すように、封止樹脂層14が形成された発光積層板1を、各発光ダイオード素子20に対応するように、切断加工ダイシングする。つまり、発光積層板1から複数の発光ダイオード素子20に切り分ける。具体的には、電極部4、発光層8およびP形半導体層9の周囲の緩衝層6およびN形半導体層7を、図3dの1点破線で示す厚み方向に沿って、ダイシングする。これにより、各発光ダイオード素子20を得ることができる。その後、図2に示すように、得られた発光ダイオード素子20を上下反転させ裏返して、上記したベース基板16と対向配置させた後、図1に示すように、電極部4のバンプ13と、端子15とを電気的に接続して、発光ダイオード素子20をベース基板16にフリップチップ実装する。フリップチップ実装では、発光ダイオード素子20を、ベース基板16の上に、バンプ13と端子15とが厚み方向に隣接するように載置し、続いて、バンプ13を、例えば、加熱または超音波などによって、リフローさせる。これにより、バンプ13が端子15と接触し、発光ダイオード素子20がベース基板16にフリップ実装され、発光ダイオード素子20およびベース基板16を備える発光ダイオード装置21を得ることができる。そして、この発光ダイオード素子20は、封止樹脂層14が、光反射成分を含有しているので、電極部4から電力の供給を受けて、光半導体層3から発光される光を、封止樹脂層14によって、反射させることができる。そのため、特許文献1に記載される拡散膜図10参照などを設ける必要がなく、発光ダイオード素子20を、簡易な構成で、かつ、低コストで製造できながら、光の取出効率を向上させることができる。その結果、発光ダイオード素子20がフリップ実装された発光ダイオード装置21では、光の取出効率を向上させすることできる。なお、図1~図3の実線で示す実施形態では、支持基板2を全部除去することにより、発光ダイオード素子20および発光ダイオード装置21を得ているが、例えば、図1~図3の仮想線で示すように、支持基板2を部分的に残存させて、発光ダイオード素子20および発光ダイオード装置21を得ることもできる。つまり、図3cの実線で示すように、支持基板2の全部を、光半導体層3から除去することなく、図3cの仮想線で示すように、支持基板2の下側部分のみを除去して、支持基板2の上側部分を残存させる。下側部分の除去後の支持基板2の厚みは、除去前の厚みに対して、例えば、80以下、好ましくは、30以下であり、通常、1以上であり、具体的には、例えば、320μm以下、好ましくは、10~120μmである。上記した範囲を超えると、光の取出効率が低下する場合があり、一方、上記した範囲に満たないと、次に説明する、光半導体層3を支持することによって、電極部4が損傷することを防止する効果を十分に発現することができない場合がある。図3cの仮想線で示すように、支持基板2の下側部分のみを除去すれば、図3dに示す封止樹脂層14の上側部分の除去において、電極部4にかかる応力を、残存する支持基板2の上側部分によって、光半導体層3を介して確実に支持することができる。そのため、電極部4の損傷をより一層防止することができる。一方、図3cの実線で示すように、支持基板2の全部のみを除去すれば、図1に示す発光ダイオード装置21において、発光ダイオード素子20の光半導体層3から発光され、上方に向かう光を遮ることがないので、光の取出効率を向上させることができる。図4は、本発明の発光ダイオード装置の他の実施形態発光ダイオード素子の光半導体層の下面および側面が封止樹脂層によって封止される態様の断面図、図5および図6は、図4に示す発光ダイオード装置を製造する方法を説明する工程図を示す。なお、上記した各部に対応する部材については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、図1~図3の実施形態では、封止樹脂層14によって、光半導体層3の下面図1および図2を封止しているが、例えば、図4に示すように、光半導体層3の下面および側面の両面を封止することもできる。具体的には、封止樹脂層14は、光半導体層3の上記した各面に加え、緩衝層6の側面と、N形半導体層7の側面とを被覆する。次に、図4に示す発光ダイオード装置21を製造する方法について、図5および図6を参照して、説明する。まず、この方法では、図5aに示すように、光半導体層3および電極部4を備える発光積層体5を複数用意する。なお、複数の発光積層体5は、例えば、支持基板2図3参照の上に、複数の光半導体層3および複数の電極部4を順次積層し、その後、切断加工ダイシングし、その後、支持基板2を剥離することにより得られる。次いで、この方法では、図5bに示すように、剥離板19の上面に、複数の発光積層体5を貼着する。剥離板19は、略平板形状であって、厚み方向に投影したときに、発光積層体5を含むように、形成されている。剥離板19は、発光積層体5図5a~図5cおよび図6d参照を支持し、その後、封止樹脂層14により封止された発光積層体5から剥離される剥離シートである。具体的には、剥離板19は、支持層17と、支持層17の上面に積層される粘着層18とを備えている。支持層17は、例えば、ポリエステルなどの耐熱性樹脂から形成されている。粘着層18は、例えば、常温25°Cにおいて、粘着性を有し、加熱時に、粘着性が低減するあるいは、粘着性を失う。具体的には、粘着層18は、後述する封止樹脂層14の成形時の加熱では、粘着力を維持することのできる粘着剤からなり、かつ、成形温度よりも高い温度に加熱することによって粘着性が低減する粘着剤からなり、具体的には、熱膨張性粘着剤などから形成されている。上記した剥離板19は、市販品を用いることができ、具体的には、リバアルファシリーズ登録商標、日東電工社製などを用いることができる。剥離板19は、支持層17によって、発光積層体5を粘着層18を介して確実に支持しながら、その後の加熱によって、粘着層18の粘着性の低下に基づいて、発光積層体5から剥離される。具体的には、複数の発光積層体5を、粘着層18を介して支持層17の上に仮固定する粘着させる。また、各発光積層体5を、粘着層18の上に、互いに間隔を隔てて整列配置させる。次いで、この方法では、図5cに示すように、封止樹脂層14を、複数の光半導体層3および複数の電極部4を被覆するように、剥離板19の上に形成する。封止樹脂層14は、少なくとも光半導体層3の側面緩衝層6の側面およびN形半導体層7の側面を含むおよび上面と、少なくとも電極部4の側面および上面と、光半導体層3から露出する剥離板19の上面とを被覆する。具体的には、封止樹脂組成物を、電極部4および光半導体層3を含む剥離板19の表面に、例えば、ラミネータやアプリケータを用いた塗布方法により塗布して、皮膜を形成する。その後、封止材料が熱硬化性樹脂である場合には、皮膜を、加熱により硬化させる。あるいは、封止樹脂組成物が、粉末状の熱硬化性樹脂を含有している場合には、封止樹脂組成物を、圧縮成形機によって、加熱しながら圧縮成形することによって、硬化させて、封止層14を成形することもできる。これによって、封止樹脂層14が形成される。つまり、封止樹脂層14によって、光半導体層3および電極部4が封止される。次いで、この方法では、図6dの実線で示すように、封止樹脂層14の上側部分を、電極部4の上面が露出されるように、部分的に除去する。続いて、図6dの1点破線で示すように、発光積層シート1を切断加工ダイシングすることによって、1個ずつの発光ダイオード素子20に切り分ける。具体的には、各光半導体層3の間の封止樹脂層14と、その下に形成される剥離板19とを、切断する。これにより、図6eに示すように、裏面に剥離板19が設けられた複数の発光ダイオード素子20を得る。その後、図6eの仮想線および矢印で示すように、剥離板19を、発光ダイオード素子20から剥離する。剥離板19を剥離するには、剥離板19を、例えば、成形温度よりも高い温度に加熱する。その後、図4に示すように、発光ダイオード素子20を上下反転させて、上記したベース基板16と対向配置させた後、発光ダイオード素子20をベース基板16にフリップチップ実装する。これによって、発光ダイオード装置21を得る。図4の発光ダイオード21および発光ダイオード素子20は、図1の発光ダイオード21および発光ダイオード素子20と同様の作用効果を奏し、さらに、緩衝層6の側面と、N形半導体層7の側面とが、封止樹脂層14によって封止されているので、緩衝層6およびN形半導体層7の周端部の封止性を向上させることができる。図7は、本発明の発光ダイオード装置の他の実施形態発光ダイオード素子の光半導体層の下面および側面と、支持基板の側面とが封止樹脂層によって封止される態様の断面図、図8および図9は、図7に示す発光ダイオード装置を製造する方法を説明する工程図を示す。図4~図6の実施形態では、とりわけ、図5aが参照されるように、支持基板2の全部が除去された発光積層体5を、剥離板19の上に貼着しているが、例えば、図3c、図3dの仮想線および図7~図9に示すように、支持基板2の下側部分のみを除去して、支持基板2の上側部分を残存させた発光積層体5を用いて、発光ダイオード素子20および発光ダイオード装置21を得ることもできる。図7に示すように、発光ダイオード装置21において、発光ダイオード素子20は、緩衝層6の上面全面に積層される支持基板2を備えている。支持基板2の側面には、封止樹脂層14がその側面を被覆するように形成されており、これにより、支持基板2の側面は、封止樹脂層14によって封止されている。次に、図7に示す発光ダイオード装置21を製造する方法について、図8および図9を参照して、説明する。まず、この方法では、図8aに示すように、支持基板2、光半導体層3および電極部4を備える発光積層体5を複数用意する。なお、発光積層体5は、図3が参照されるように、例えば、支持基板2の上に、複数の光半導体層3および複数の電極部4を順次積層し、その後、支持基板2の下側部分のみを除去して、支持基板2の上側部分を残存させ、その後、切断加工ダイシングすることにより得られる。つまり、図8aの発光積層体5は、図示しないが、封止樹脂層14に封止される前で、支持基板2の上側部分が残存する、複数の発光積層体5である。次いで、この方法では、図8bに示すように、剥離板19の上面に、複数の発光積層体5を貼着する。具体的には、複数の発光積層体5を、剥離板19の上面に、面方向に互いに間隔を隔てるように、貼着する。次いで、この方法では、図8cに示すように、封止樹脂層14を、複数の支持基板2、複数の発光積層体5および複数の電極部4を被覆するように、剥離板19の上に形成する。封止樹脂層14は、支持基板2の側面と、光半導体層3の側面および上面と、支持基板2から露出する剥離板19の上面とを被覆する。また、封止樹脂層14は、支持基板2から露出する剥離板19の上面にも積層されている。そして、封止樹脂層14によって、支持基板2、光半導体層3および電極部4が封止される。次いで、この方法では、図9dの実線で示すように、封止樹脂層14の上側部分を、電極部4の上面が露出されるように、部分的に除去する。続いて、図9dの1点破線で示すように、発光積層シート1を切断加工ダイシングすることによって、1個ずつの発光ダイオード素子20に切り分ける。具体的には、各光半導体層3の間の封止樹脂層14と、その下に形成される剥離板19とを、切断する。これにより、図9eに示すように、裏面に剥離板19が設けられた発光ダイオード素子20を得る。その後、図9eの仮想線および矢印で示すように、剥離板19を、発光ダイオード素子20から剥離する。その後、図7に示すように、発光ダイオード素子20を上下反転させて、上記したベース基板16と対向配置させた後、発光ダイオード素子20をベース基板16にフリップチップ実装する。これによって、発光ダイオード装置21を得る。図7の発光ダイオード21および発光ダイオード素子20は、図4の発光ダイオード21および発光ダイオード素子20と同様の作用効果を奏し、さらに、支持基板2が設けられているので、図9dの1点破線で示す発光積層シート1の切断加工ダイシングにおいて、電極部4が損傷することを有効に防止することができる。以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、それらに限定されない。実施例1支持基板、その上に形成される光半導体層、および、その上に形成される電極部を備える発光積層板を用意した図3a参照。発光積層板を用意するには、まず、サファイアからなる厚み450μmの支持基板を用意し、エピタキシャル成長法によって、支持基板の上に、GaNからなる厚み30nmの緩衝層、SiがドープされたN形GaNn-GaN:Si、以下同様に示すからなる厚み5μmのN形半導体層、InGaNからなる厚み120nmの発光層、および、n-GaN:Mgからなる厚み50nmのP形半導体層を、上記したパターンで順次積層した。なお、発光層およびP形半導体層は、それぞれ、エピタキシャル成長の後、エッチングによって上記したパターンに形成した。その後、ITOからなる厚み50nmの透明電極を、P形半導体層の上に形成し、続いて、透明電極の上に、金からなる厚み50nmのアノード電極を形成した。同時に、金からなる厚み50nmのカソード電極を、N形半導体層の上に形成した。続いて、金からなるバンプを、アノード電極およびカソード電極の上に、それぞれ、形成した。なお、アノード電極の上のバンプの厚みと、カソード電極の上のバンプの厚みとを、それらバンプの上面が、面方向に投影した時に、同じ高さとなるように、調整した。次いで、封止樹脂層を、光半導体層の上に、電極部を被覆するように形成した図3b参照。具体的には、まず、熱硬化性シリコーン樹脂100質量部、および、球状で、平均粒子径300nmの酸化チタンTiO2、:ルチルの正方晶系粒子20質量部を均一に混合することにより、ペースト状の封止樹脂組成物を調製した。続いて、調製した封止樹脂組成物を、電極部を含む光半導体層の上に塗布し、半硬化状態Bステージ状態の皮膜を形成した。その後、皮膜を、加熱により硬化させた。なお、封止樹脂層の上面を、バンプの上面よりも、30μmL1、上側に形成した。その後、支持基板を、エッチングにより、光半導体層から除去した図3cの実線参照。次いで、封止樹脂層の上側部分厚み30μmを、電極部の上面が露出されるように、グラインド加工によって、除去した。なお、封止樹脂層の上側部分を、電極部の上面とその周囲の封止樹脂層の上面とが面一となるように、除去した図3dの実線参照。これにより、複数の発光ダイオード素子を一体的に形成した。その後、発光積層板をダイシングして、発光積層板から各発光ダイオード素子を切り分けた図3dの1点破線参照。その後、各発光ダイオード素子を裏返すとともに、サファイアAl2O3からなる絶縁基板の表面に、銅、ニッケルおよび金からなる端子を含む導体層が積層された、厚み1mmのベース基板を用意し、発光ダイオード素子とベース基板とを対向配置させた図2参照。その後、バンプを、加熱によりリフローさせて、バンプと端子とを接触させて、それらを電気的に直接接続して、発光ダイオード素子をベース基板にフリップチップ実装した図1参照。これにより、発光ダイオード装置を作製した。実施例2支持基板の全部を光半導体層から除去すること図2cの実線参照に代えて、支持基板の下側部分厚み420μmのみを除去した図2cの仮想線参照以外は、実施例1と同様にして、発光ダイオード素子を得、続いて、それをベース基板にフリップチップ実装することにより、発光ダイオード装置を作製した図1仮想線参照。つまり、図1の仮想線が参照されるように、支持基板の下側部分は、残存しており、その下側部分の厚みは30μmであった。実施例3光半導体層および電極部を備える発光積層体を複数用意した図5a参照。なお、発光積層体は、複数の発光積層体が設けられた発光積層板を切り分けることによって得た。次いで、複数の発光積層体を、剥離板リバアルファシリーズ、日東電工社製の上に、互いに間隔を隔てて整列配置した図5b参照。次いで、封止樹脂層を、光半導体層および電極部を被覆するように、剥離板の上に形成した図5c参照。すなわち、実施例1と同様の封止樹脂組成物を、電極部および光半導体層を含む剥離板の表面に塗布して、半硬化状態Bステージ状態の皮膜を形成した。その後、皮膜を、加熱により硬化させた。次いで、封止樹脂層の上側部分を、電極部の上面が露出されるように、グラインド加工した図6dの実線参照。続いて、発光積層シートをダイシングすることによって、複数の発光ダイオード素子を得た図6dの1点破線参照。その後、発光ダイオード素子を上下反転させて、ベース基板と対向配置させた後、発光ダイオード素子をベース基板にフリップチップ実装した図4参照。実施例4支持基板、光半導体層および電極部を備える発光積層体を複数用意した図8a参照。なお、発光積層体は、複数の発光積層体が設けられた発光積層板を切り分けることによって得た。次いで、複数の発光積層体を、剥離板リバアルファシリーズ、日東電工社製の上に、互いに間隔を隔てて整列配置した図8b参照。次いで、封止樹脂層を、支持基板、光半導体層および電極部を被覆するように、剥離板の上に形成した図8c参照。すなわち、実施例1と同様の封止樹脂組成物を、電極部、光半導体層および支持基板を含む剥離板の表面に塗布して、半硬化状態Bステージ状態の皮膜を形成した。その後、皮膜を、加熱により硬化させた。続いて、封止樹脂層の上側部分を、電極部の上面が露出されるように、グラインド加工した図9dの1点破線参照。続いて、発光積層シートをダイシングすることによって、複数の発光ダイオード素子を得た図9dの1点破線参照。その後、発光ダイオード素子を上下反転させて、ベース基板と対向配置させた後、発光ダイオード素子をベース基板にフリップチップ実装した図7参照。比較例1封止樹脂組成物に、光反射成分を含有させず、また、図10に示すように、光半導電性の表面に、拡散膜30アルミニウム製、厚み100nmを設けた以外は、実施例1と同様に処理して、発光ダイオード装置を作製した。比較例2封止樹脂層の上側部分のグラインド加工を実施しなかった図3b参照以外は、実施例1と同様にして、発光ダイオード素子を得、これをベース基板に貼着して、発光ダイオード装置を得た。評価1.電極部の検査実施例1~4および比較例1の発光ダイオード装置を厚み方向に沿って切断してサンプルを作製し、サンプルの電極部を、電子顕微鏡SEMによって観察したところ、電極部に損傷がないことを確認した。2.光の取出効率の測定実施例1~4および比較例1、2の発光ダイオード装置について、光の取出効率を、放射束から算出することによって求めた。その結果、実施例1~4および比較例1の発光ダイオードの光の取出効率は、比較例2のそれに比べて、10、3、10、3および10、それぞれ、高いことを確認した。