実質的に平坦な基板と、前記基板上にマウントされた複数のスタックした半導体ダイであって、前記複数のダイの各ダイが類似の寸法を有し、各ダイが前記ダイの第1のボンディング端に沿って配列した第1の複数のボンディングパッドを有し、前記複数のダイが、第1の方向に配向した各ダイの前記第1のボンディング端を有し、前記基板にマウントされたダイの第1のグループと、前記第1の方向と反対の第2の方向に配向した各ダイの前記第1のボンディング端を有し、前記基板にマウントされたダイの第2のグループと、を含み、各ダイの前記ボンディングパッドが前記基板に垂直な方向において前記基板と残りのダイのいずれかの部分との間に配置されないように、前記複数のダイの各ダイがそれぞれの横方向オフセット距離だけ前記複数のダイの前記残りのダイに対して前記第2の方向に横方向にオフセットされる、複数のスタックした半導体ダイと、前記基板に前記ボンディングパッドを接続する複数のボンディングワイヤとを備えた、半導体デバイス。前記複数の半導体ダイが、前記第1の方向および前記第2の方向とは異なる第3の方向に配向した各ダイの前記第1のボンディング端を有し、前記基板にマウントされたダイの第3のグループと、前記第3の方向と反対の第4の方向に配向した前記第1のボンディング端を有し、前記基板にマウントされるダイの第4のグループとをさらに備え、前記第3の方向および前記第4の方向が前記第1の方向および前記第2の方向に対して90度に各々配向される、請求項1に記載の半導体デバイス。前記複数のダイが、交互の向きに前記基板上にマウントされ、その結果、隣接するダイの各対が前記第1のグループからの1個のダイおよび前記第2のグループからの1個のダイを含む、請求項1に記載の半導体デバイス。各ダイが、第2のボンディング端に沿って配列した第2の複数のボンディングパッドをさらに含む、請求項1に記載の半導体デバイス。前記第1の方向が、前記第2の方向と反対であり、ダイの前記第1のグループの各々の前記第2のボンディング端が、前記第1の方向および前記第2の方向とは異なる第3の方向に配向され、ダイの前記第2のグループの各々の前記第2のボンディング端が、前記第3の方向と反対の第4の方向に配向される、請求項4に記載の半導体デバイス。ダイの前記第1のグループがm個のダイを含み、ダイの前記第2のグループがn個のダイを含み、ダイの前記第1のグループの第1のダイが、前記基板に最も近いダイであり、ダイの前記第1のグループの前記基板からi番目のダイの横方向オフセット距離Δiが、Δi=i-1dであり、ダイの前記第2のグループの前記基板からj番目のダイの横方向オフセット距離Δjが、Δj=[mn-j]dであり、ここでは、dが所定の距離である、請求項1に記載の半導体デバイス。dが前記第2の方向の各ダイの前記第1の複数のボンディングパッドの横方向幅である、請求項6に記載の半導体デバイス。半導体デバイスを製造する方法であって、複数の電気的接続部を有する基板を用意するステップと、第1のダイの第1のボンディング端に沿って配列した第1の複数のボンディングパッドが第1の方向に配向するように、前記基板にダイの第1のグループからの第1の半導体ダイをマウントするステップと、前記基板に半導体ダイの前記第1のグループからの残りのダイをマウントするステップであって、ダイの前記第1のグループの各々の第1のボンディング端に沿って配列した第1の複数のボンディングパッドが、前記第1の方向に配向され、ダイの前記第1のグループの各残りのダイが、それぞれの横方向オフセット距離だけ前記第1の方向と反対の第2の方向に前記第1のダイに対して横方向にオフセットされるようにマウントするステップと、前記基板に半導体ダイの第2のグループをマウントするステップであって、ダイの前記第2のグループの各々の第1のボンディング端に沿って配列した第1の複数のボンディングパッドが、前記第2の方向に配向され、ダイの前記第2のグループの各ダイが、それぞれの横方向オフセット距離だけ前記第2の方向に前記第1のダイに対して横方向にオフセットされるようにマウントするステップと、前記基板に半導体ダイの前記第1のグループおよび前記第2のグループをマウントするステップの後で、前記基板と半導体ダイの前記第1のグループおよび前記第2のグループの前記ボンディングパッドとの間をボンドワイヤで接続するステップとを含む、方法。前記半導体ダイの各々の前記それぞれの横方向オフセット距離は、各ダイの前記ボンディングパッドが前記基板に垂直な方向において前記基板と前記残りのダイのいずれかの部分との間に配置されないように選択される、請求項8に記載の方法。ダイの前記第1のグループがm個のダイを含み、ダイの前記第2のグループがn個のダイを含み、半導体ダイの前記第1のグループからの前記残りのダイをマウントするステップは、ダイの前記第1のグループの前記基板からi番目のダイの前記横方向オフセット距離Δiが、Δi=i-1dになるように実行され、半導体ダイの前記第2のグループをマウントするステップは、ダイの前記第2のグループの前記基板からj番目のダイの前記横方向オフセット距離Δjが、Δj=[mn-j]dになるように実行され、ここでは、dが所定の距離である、請求項9に記載の方法。dが前記第2の方向の各ダイの前記第1の複数のボンディングパッドの横方向幅である、請求項10に記載の半導体デバイス。前記基板に半導体ダイの前記第1のグループおよび前記第2のグループをマウントするステップが、前記第1のグループからのダイをマウントするステップと前記第2のグループからのダイをマウントするステップとを交互に含む、請求項10に記載の方法。前記基板に半導体ダイの第1のグループおよび第2のグループをマウントするステップは、各ダイが前記反対の向きを有するダイにだけ隣接するように交互の向きに前記半導体ダイをマウントするステップを含む、請求項10に記載の方法。前記基板に半導体ダイの第3のグループをマウントするステップであって、ダイの前記第3のグループの各々の第1のボンディング端に沿って配列した第1の複数のボンディングパッドが、前記第1の方向および前記第2の方向とは別の第3の方向に配向され、前記第3のグループの第1のダイ以外のダイの前記第3のグループの各ダイが、それぞれの横方向オフセット距離だけ前記第3の方向と反対の第4の方向に前記第3のグループの前記第1のダイに対して横方向にオフセットされるようにマウントするステップと、前記基板に半導体ダイの第4のグループをマウントするステップであって、ダイの前記第2のグループの各々の第1のボンディング端に沿って配列した第1の複数のボンディングパッドが、前記第4の方向に配向され、ダイの前記第4のグループの各ダイが、前記基板に最も近いダイの前記第3のグループのうちの前記1個に対してそれぞれの横方向オフセット距離だけ前記第4の方向に横方向にオフセットされるようにマウントするステップと、をさらに含み、ボンドワイヤを接続するステップが、前記基板と半導体ダイの前記第3のグループおよび前記第4のグループの前記ボンディングパッドとの間をボンドワイヤで接続するステップをさらに含み、前記ボンドワイヤを接続するステップが、前記基板に半導体ダイの前記第3のグループおよび前記第4のグループをマウントするステップの後で実行される、請求項10に記載の方法。前記第3の方向および前記第4の方向が、前記第1の方向および前記第2の方向に対して90度に配向される、請求項14に記載の方法。先行技術の欠点の1つまたは複数に対処することが、本発明の目的である。複数の同一のチップが反対方向に配向したボンディングパッドを用いて基板上にスタックされ、どのチップも基板に近い側のいずれかの別のチップのボンディングパッドにオーバーハングしないマルチチップパッケージを提供することが、本発明のもう1つの目的である。複数の同一のチップが反対方向に配向したボンディングパッドを用いて基板上にスタックされ、すべてのダイのボンディングパッドが単一の製造ステップで基板に接続されるマルチチップパッケージを製造する方法を提供することが、本発明のもう1つの目的である。2つのダイ間にボンドワイヤのクリアランスを与えるために、インターポーザまたはダイの最小厚さに制限を設けることを必要とせずに、単一の操作でデバイスのスタックを組み立て、且つ単一の操作でスタックしたデバイスのすべてをワイヤボンディングすることが、本発明のもう1つの目的である。本発明の第1の態様によれば、半導体デバイスは、実質的に平坦な基板を備える。複数のスタックした半導体ダイが、基板上にマウントされる。複数のダイの各ダイが、類似の寸法を有する。各ダイが、ダイの第1のボンディング端に沿って配列した第1の複数のボンディングパッドを有する。複数のダイが、第1の方向に配向した各ダイの第1のボンディング端を有し、基板にマウントされたダイの第1のグループと、第1の方向と反対の第2の方向に配向した各ダイの第1のボンディング端を有し、基板にマウントされたダイの第2のグループとを含む。各ダイのボンディングパッドが、基板に垂直な方向において、基板と残りのダイのいずれかの部分との間に配置されないように、複数のダイの各ダイが、それぞれの横方向オフセット距離だけ複数のダイの残りのダイに対して第2の方向に横方向にオフセットされる。複数のボンディングワイヤが、基板にボンディングパッドを接続する。さらなる態様では、複数の半導体ダイは、第1の方向および第2の方向とは異なる第3の方向に配向した各ダイの第1のボンディング端を有し、基板にマウントされたダイの第3のグループと、第3の方向と反対の第4の方向に配向した第1のボンディング端を有し、基板にマウントされたダイの第4のグループとをさらに備える。第3の方向および第4の方向は、第1の方向および第2の方向に対して90度に各々配向される。さらなる態様では、複数のダイが、交互の向きに基板上にマウントされ、その結果、隣接するダイの各対が第1のグループからの1個のダイおよび第2のグループからの1個のダイを含む。さらなる態様では、各ダイが、第2のボンディング端に沿って配列した第2の複数のボンディングパッドをさらに含む。さらなる態様では、第1の方向は第2の方向と反対である。ダイの第1のグループの各々の第2のボンディング端が、第1の方向および第2の方向とは異なる第3の方向に配向される。ダイの第2のグループの各々の第2のボンディング端が、第3の方向と反対の第4の方向に配向される。さらなる態様では、ダイの第1のグループがm個のダイを含む。ダイの第2のグループがn個のダイを含む。ダイの第1のグループの第1のダイが、基板に最も近いダイである。ダイの第1のグループの基板からi番目のダイの横方向オフセット距離Δiが、Δi=i-1dである。ダイの第2のグループの基板からj番目のダイの横方向オフセット距離Δjが、Δj=[mn-j]dであり、ここでは、dが、第2の方向の各ダイの第1の複数のボンディングパッドの横方向幅である。別の態様では、半導体デバイスを製造する方法は、複数の電気的接続部を有する基板を用意するステップと、第1のダイの第1のボンディング端に沿って配列した第1の複数のボンディングパッドが第1の方向に配向されるように、基板にダイの第1のグループからの第1の半導体ダイをマウントするステップとを含む。半導体ダイの第1のグループからの残りのダイが基板にマウントされ、その結果、ダイの第1のグループの各々の第1のボンディング端に沿って配列した第1の複数のボンディングパッドが、第1の方向に配向され、ダイの第1のグループの各残りのダイが、それぞれの横方向オフセット距離だけ第1の方向と反対の第2の方向に第1のダイに対して横方向にオフセットされる。半導体ダイの第2のグループが、基板にマウントされ、その結果、ダイの第2のグループの各々の第1のボンディング端に沿って配列した第1の複数のボンディングパッドが、第2の方向に配向され、ダイの第2のグループの各ダイが、それぞれの横方向オフセット距離だけ第2の方向に第1のダイに対して横方向にオフセットされる。基板に半導体ダイの第1のグループおよび第2のグループをマウントするステップの後で、ボンドワイヤが、基板と半導体ダイの第1のグループおよび第2のグループのボンディングパッドとの間に接続される。さらなる態様では、半導体ダイの各々のそれぞれの横方向オフセット距離は、各ダイのボンディングパッドが基板に垂直な方向において基板と残りのダイのいずれかの部分との間に配置されないように選択される。さらなる態様では、ダイの第1のグループがm個のダイを含み、ダイの第2のグループがn個のダイを含み、ダイの第1のグループの基板からi番目のダイの横方向オフセット距離Δiが、Δi=i-1dであり、ダイの第2のグループの基板からj番目のダイの横方向オフセット距離Δjが、Δj=[mn-j]dである。さらなる態様では、基板に半導体ダイの第2のグループをマウントするステップは、半導体ダイの第1のグループからの残りのダイが基板にマウントされた後で実行される。さらなる態様では、基板に半導体ダイの第1のグループおよび第2のグループをマウントするステップは、各ダイが反対の向きを有するダイにだけ隣接するように交互の向きに半導体ダイをマウントするステップを含む。さらなる態様では、本方法は、基板に半導体ダイの第3のグループをマウントするステップを含み、その結果、ダイの第3のグループの各々の第1のボンディング端に沿って配列した第1の複数のボンディングパッドが、第1の方向および第2の方向とは別の第3の方向に配向される。半導体ダイの第4のグループが、基板にマウントされ、その結果、ダイの第4のグループの各々の第1のボンディング端に沿って配列した第1の複数のボンディングパッドが、第3の方向と反対の第4の方向に配向され、ダイの第4のグループの各ダイが、基板に最も近いダイの第3のグループのうちの1個に対してそれぞれの横方向オフセット距離だけ第4の方向に横方向にオフセットされる。ボンドワイヤを接続するステップが、基板と半導体ダイの第3のグループおよび第4のグループのボンディングパッドとの間をボンドワイヤで接続するステップをさらに含む。ボンドワイヤを接続するステップが、基板に半導体ダイの第3のグループおよび第4のグループをマウントするステップの後で実行される。さらなる態様では、第3の方向および第4の方向が、第1の方向および第2の方向に対して90度に配向される。本発明の実施形態の追加および/または代替の特徴、態様、および利点は、下記の説明、添付した図面、および別記の特許請求の範囲から明らかになるであろう。図6および図8を参照すると、第1の実施形態によるMCP600は、4個のダイ602A、602B、602C、602Dを有する。各ダイを、同じ寸法および同じ記憶容量の、NANDフラッシュチップなどのメモリチップとすることができる。本明細書において説明する構造および方法は、別のタイプのメモリデバイスに同様に適用可能であり、いずれかの特定の高さのダイスタックに限定されないことが理解されるはずである。各ダイ602A、602B、602C、602Dは、ボンディングパッド604A、604B、604C、604Dを有し、それぞれのボンドワイヤ606A、606B、606C、606Dを介して基板608の一方の表面に接続される。基板608の反対の表面上の複数のはんだボール610は、外部デバイスへの接続のためのボールグリッドアレイBGAを形成する。はんだボール610の数および位置は、本分野では知られており、本発明の一部を形成しない。MCPを外部デバイスへ接続する他の既知の方法を代わりに使用することができることが考えられる。図8を参照すると、底部ダイ602Aの横方向位置に関連して、ダイ602B、602C、602Dの各々は、それぞれのオフセット距離ΔB、ΔC、ΔDだけ横方向にオフセットする。距離Δは、ダイ602C、602Dがボンディングパッド604A、604Bにオーバーハングしないことに十分であり、これによって、ダイ602A、602B、602C、602Dのすべてを基板608上にスタックした後で、単一の製造ステップで4個すべてのダイ602A、602B、602C、602Dのボンドワイヤ606A、606B、606C、606Dの取り付けを可能にする。オフセット距離ΔBは、ボンディングパッド604Aを露出させ、ボンドワイヤ606Aを取り付けるためにワイヤボンディング装置図示せずによるアクセスを可能にするために十分な距離dである。距離dは、典型的には数100マイクロメートルの範囲であるが、距離dが別のタイプのダイまたは接続方法に対して変わる場合があることが理解されるはずである。オフセット距離ΔCは、距離3dであり、オフセット距離ΔDは、距離2dであり、その結果、ダイ602Dがボンディングパッド604Cを露出させ、ダイ602C、602Dが、ボンディングパッド604A、604Bのいずれにもオーバーハングしない。この配列は、ワイヤボンディング装置が同時にボンディングパッド604のすべてに妨害されないでアクセスすることを可能にし、これによって、ダイ602のすべてを基板608上にスタックした後で、単一の製造ステップでボンドワイヤ606のすべてを取り付けることを可能にする。この配列は、その上に、ボンドワイヤ606のために十分なクリアランスを与えるダイ602の厚さを必要とせず、これによって、技術が許す限り薄くダイ602を製造することを可能にし、これに応じてスタックの高さを減少させる。加えて、ダイ602の各辺上で基板にボンドワイヤ606の一部を接続することによって、基板上の相互配線密度を減少させ、これにより、付随する混雑および難しさをそれに応じて軽減することが理解されるはずである。MCP600の組み立て方法を、下記にさらに詳細に説明する。図7を参照すると、第2の実施形態によるMCP700は、4個のダイ702A、702B、702C、702Dを有する。ダイ702A、702B、702C、702Dが交互の向きにスタックされ、その結果、一方の方向に向いているボンディングパッド704を有するダイ702が反対方向に向いているボンディングパッド704を有するダイ702に隣接する点で、MCP700は、図6のMCP600とは異なる。MCP700の上面図は、図6のMCP600の上面図と同じであり、図8に見ることができる。図6の実施形態と同様に、ダイ702Bは、ダイ702Aに対して距離ΔB=dだけオフセットし、ダイ702Cは、距離ΔC=3dだけオフセットし、ダイ702Dは、距離ΔD=2dだけオフセットする。その結果、いずれのダイ702も、下側のダイ702のボンディングパッド704にオーバーハングしない。この配列は、ワイヤボンディング装置が同時にボンディングパッド704のすべてに妨害されないでアクセスすることを可能にし、これによってダイ702のすべてを基板708上にスタックした後で、単一の製造ステップでボンドワイヤ706のすべてを取り付けることを可能にする。この配列は、その上に、ボンドワイヤ706のために十分なクリアランスを与えるダイ702の厚さを必要とせず、これによって、技術が許す限り薄くダイ702を製造することを可能にし、これに応じてスタックの高さを減少させる。加えて、ボンドワイヤ706の一部をダイ702の各辺上で基板に接続することによって基板上の相互配線密度を減少させ、これにより、付随する混雑および難しさをそれに応じて軽減することが、理解されるはずである。この配列では、交互のダイ702が反対向きであるために、同じ向きを有するダイ702が間隔を空けて設置され、ボンドワイヤ706間にある追加の間隔を形成し、結果、図6の実施形態と比較して短絡に対する故障発生度の低下をもたらす。しかしながら、図6の実施形態と比較して、大きな長さの各ダイが上方および下方のダイ702の端部を通過して延びるので、この間隔は、隣のダイによって各ダイ702に与えられる機械的な支持を代償にして生じる。MCP700の組み立て方法を、下記にさらに詳細に説明する。図9を参照すると、第3の実施形態によるMCP900は、6個のダイ902A、902B、902C、902D、902E、902Fを有する。MCP900は、各向きに1個の追加のダイ902を追加することで図6のMCP600とは異なる。この構成では、ダイ902Aに対するそれぞれのダイ902B、902C、902D、902E、902Fの横方向オフセットΔは、下記の通りである。MCP900の所望の最終高さにより許容される場合には、より多くの数のダイ902を各向きにスタックすることができ、各向きのダイ902の数が必ずしも同じである必要がないことが考えられる。図10を参照すると、第3の実施形態によるMCP1000は、6個のダイ1002A、1002B、1002C、1002D、1002E、1002Fを有する。MCP1000は、各向きに1個の追加のダイ1002を追加することで図7のMCP700とは異なる。この構成では、ダイ1002Aに対するそれぞれのダイ1002B、1002C、1002D、1002E、1002Fの横方向オフセットΔは、下記の通りである。MCP1000の所望の最終高さにより許容される場合には、より多くの数のダイ1002を各向きにスタックすることができ、各向きのダイ1002の数が必ずしも同じである必要がないことが考えられる。底部ダイの基準位置に対して、MCP中の各ダイについての適切なオフセット距離Δを、各向きにおいて任意の数の等しいサイズのダイに関して、単位オフセットdを単位として一般化することができる。底部ダイと同じ向きのm個のダイのうちのi番目についてのオフセットΔiおよび底部ダイと反対向きのn個のダイのうちのj番目についてのオフセットΔjは、下記の通りである、Δi=i-1d式1Δj=[mn-j]d式2特に、底部ダイと同じ向きの最上部m番目のダイが、Δm=m-1dのオフセットを有するはずであり、反対向きの最上部n番目のダイが、Δn=mdのオフセットを有するはずであることが、上の式から、理解されるはずである。この配列では、各向きの最上部のダイは、互いに相対的にdのオフセットを有し、いずれも他のボンディングパッドにオーバーハングしないはずである。同じ向きのダイが、図9のMCP900におけるように連続してすべてスタックされるか、図10のMCP1000におけるように反対向きのダイと交互になって、または任意の他の順列ですべてスタックされているかどうかに、各ダイのオフセットが無関係であることが、やはり理解されるはずである。図11をここで参照すると、MCP1100は、8個のダイ1102が4つの異なる向きにそれぞれのボンディングパッド1104とともに配列される代替の配列を有する。この配列は、MCP1100の4つの辺に沿ってボンドワイヤ1106を分散させ、これによって、ボンドワイヤ1106の密度をこれに応じて増加させないでより多くの数のダイ1102の使用を可能にする。この実施形態では、ダイ1102A、1102B、1102C、1102D一括して、サブスタック1114を、図6のダイ602A、602B、602C、602D、もしくは図7のダイ702A、702B、702C、702Dのような同じ方法で、または底部ダイとしてダイ1102Cおよび頂部ダイとして1102Dを有するなどのある別の配列で互いに相対的に配列することができる。ダイ1102E、1102F、1102G、1102H一括して、サブスタック1116を、互いに相対的に同様に配列し、サブスタック1114に対して直角に配向させる。サブスタック1114をサブスタック1116のいずれか上方または下方に配列することができることが、考えられる。ダイ1102A、1102B、1102C、1102D、1102E、1102F、1102G、1102Hを、任意の代替の順序でスタックすることができ、上に論じたような適切な横方向オフセットを、各々のそれぞれサブスタック内のダイ間で維持して設けることができることが、さらに考えられる。各サブスタック1114、1116が、例えば、図9および図10に示したように、2つの向きのいずれかまたは両方にボンディングパッド1104を有する2個よりも多くのダイ1102を有することができることが、さらに考えられる。図12を参照すると、MCP1200は、4個のダイ1202A、1202B、1202C、1202Dを有する。MCP1200は、ボンディングパッド1204が隣接する2つの辺に沿ってボンドワイヤ1206を介して基板1208に接続された状態で、ダイ1202が2つの隣接する辺上にボンディングパッド1204を各々有するという点で、図6のMCP600および図7のMCP700とは異なる。ダイ1202Aおよび1202Bは、同じ2つの方向に配向したボンディングパッド1204A、1204Bを有し、ダイ1202Cおよび1202Dは、同じ2つの反対の方向に配向したボンディングパッド1204C、1204Dを有する。ダイ1202Cおよび1202Dを、それゆえ、ダイ1202Aおよび1202Bに対して180°回転させたと考えることができる。ダイ1202B、1202C、1202Dは、底部ダイ1202Aに対して2方向にオフセットし、下側のダイ1202のボンディングパッド1204にオーバーハングすることを防止する。各方向のオフセットを、図6のMCP600または図7のMCP700についてと同じ方式で決定する。ダイ1202が基板1208上にスタックされる順番に応じて、MCP1200の方向X-Xおよび方向Y-Yの断面図は、図6または図7のいずれかのように見ることがある。図13を参照すると、MCP1300は、4個のダイ1302A、1302B、1302C、1302Dを有し、ボンディングパッド1304が隣接する2つの辺に沿ってボンドワイヤ1306を介して基板1308に接続された状態で、2つの隣接する辺上にボンディングパッド1304を各々有する。MCP1300は、ダイ1302が共通の向きを各々有する2つのグループに配列されない点で図12のMCP1200とは異なる。この配列では、底部ダイ1302Aに対する各ダイ1302の横方向オフセットを、図6のMCP600または図7のMCP700についてと同じ方式で決定するが、ダイ1302Aに対する各ダイ1302についてのx-軸オフセットおよびy-軸オフセットを、互いに独立して決定する。ダイ1302Cを例として取ると、X-X方向に見たときには、ダイ1302Cは、底部ダイ1302Aのボンディングパッドと反対に配向したボンディングパッドを有する二番目に低いダイである。この位置は、j=2に対応し、式2にしたがえばこの方向に2dのオフセットを与える。Y-Y方向に見たときには、ダイ1302Cは、底部ダイ1302Aのボンディングパッドと反対に配向したボンディングパッドを有する最も低いダイである。この位置は、j=1に対応し、式2にしたがえばこの方向に3dのオフセットを与える。残りのダイ1302Bおよび1302Dのオフセットを、同様の方式で決定することができる。ダイ1302が基板1308上にスタックされる順番、および各ダイ1302に対して選択された向きに応じて、MCP1300の線X-Xおよび線Y-Yに沿った断面図は、いずれか図6または図7のように見えることも、見えないこともある。ここで図14を参照すると、マルチチップパッケージを組み立てる方法を説明し、ステップ1400において始める。ステップ1410において、各向きにスタックすべきダイの数を決定する。ダイの総数を、得られるMCPの所望の記憶容量、得られるスタックの最大の全高さ、コストの考慮、または何らかの他の適切な基準に基づいて決定することができる。より一様なボンドワイヤの分布および基板への電気的な接続を与えるために、第1の向きのダイの数mを第2の向きのダイの数nにほぼ等しくすることが有利である場合がある。しかしながら、一方の向きにはより多くのダイを有しもう一方の向きには少ないダイを有するいずれかm>nまたはn>mダイスタックが、やはり考えられる。容易に参照できるように、第1の向きを、基板上に設置する第1のダイの向きとして本明細書では定義する。これが本方法の普遍性を制限しないことが、理解されるはずである。各ダイが2つの隣接する辺上にボンディングパッドを有する場合には、2つの直交する次元の各々における向きが、互いに独立であると考えられることが、理解されるはずである。したがって、mおよびnの決定を各次元において独立に行う。プロセスはステップ1420に続く。ステップ1420において、第1のダイを基板上に設置し、任意の適切な方法で基板に接着する。プロセスはステップ1430に続く。ステップ1430において、スタックに追加する次のダイの向きを、第1のダイの向きに関連して決定する。次のダイが2つの隣接する辺上にボンディングパッドを有する場合には、2つの隣接する辺の各々の向きは、次のダイのボンディングパッドが、第1のダイの対応する辺と比して独立であり、第1の向きであるか第2の反対の向きであるかどうかを決定する。次のダイが第1の向きである場合には、プロセスは、ステップ1440に続く。次のダイが第2の向きである場合には、プロセスは、ステップ1460に続く。次のダイが2つの隣接する辺に沿ってボンディングパッドを有する場合には、プロセスは、それぞれに応じて、隣接する辺の一方に関してはステップ1440に続き、他方の隣接する辺に関してはステップ1460に続く。ステップ1440において、第1のダイと次のダイとの間のオフセット距離を決定する。決定が式1に基づくことがあり、第1の向きのダイに対応する。決定を、代わりに任意の別の適した方式で、例えば、第1の向きに最も後でスタックしたダイに関して1つの単位オフセットdを与えることによって、これにより暗に式1を満足する、または次のダイがいずれかの下方のダイのボンディングパッドにオーバーハングしない十分なオフセットを有する次のダイを与えることによって、行うことができる。例えば、複数のMCPを同じ規格にしたがって組み立てる場合には、オフセット距離を前もって決定し、メモリデバイス中に記憶させることができることが、さらに考えられる。プロセスはステップ1450に続く。ステップ1450において、次のダイを、ステップ1440において決定した位置でスタックへ追加し、任意の適した方式でスタックに接着する。プロセスはステップ1480に続く。ステップ1460において、第1のダイと次のダイとの間のオフセット距離を決定する。決定が式2に基づく場合があり、第2の向きのダイに対応する。決定を、代わりに任意の別の適した方式で、例えば、第2の向きの最も後でスタックしたダイに関して単一の単位オフセットdを与えることによって、これにより暗に式1を満足する、または次のダイがいずれかの下方のダイのボンディングパッドにオーバーハングしない十分なオフセットを有する次のダイを与えることによって、行うことができる。例えば、複数のMCPを同じ規格にしたがって組み立てる場合には、オフセット距離を前もって決定し、メモリデバイス中に記憶させることができることが、さらに考えられる。プロセスはステップ1470に続く。ステップ1470において、次のダイを、ステップ1460において決定した位置でスタックへ追加し、任意の適した方式でスタックに接着する。プロセスはステップ1480に続く。ステップ1480において、スタックに追加した最も後のダイが、付けるべき最後のダイである場合には、スタックしたダイ配列が完成し、プロセスはステップ1490に続く。スタックに追加した最も後のダイが、付けるべき最後のダイでない場合には、プロセスはステップ1430に戻ってもう1つのダイを追加する。ステップ1490において、ワイヤボンディング装置は、完成したスタック内のダイのすべてにボンディングワイヤを接続して、基板への電気的な接続を与える。スタック内の各ダイの各ボンディングパッドをワイヤボンディング装置によって上方からアクセス可能であり且つ上方のダイによって妨害されないように、完成したスタック内のダイ間の相対的なオフセットがなっているという理由で、ボンディングワイヤを、単一の製造ステップですべて取り付けることができる。ステップ1500において、プロセスは終了し、MCPは、保護プラスチックモールディング化合物中にダイおよびボンディングワイヤを封入すること、またはある別の適した方法によってパッケージを封止することを含むさらなる処理のための準備が整っている。本発明の上に説明した実施形態に対する変更および改善は、当業者に明らかになることがある。上記の説明は、限定的であるというよりは例示的であることを意図としている。本発明の範囲は、それゆえ、もっぱら別記の特許請求の範囲の範囲によってのみ限定されることを意図している。