"基板上にケイ素含有層を堆積させる方法であって、マイクロ波源及びガス送出源が処理容積内に配置された処理チャンバの処理容積内に基板をロードする工程と、ガス送出源から処理容積内に処理ガスを流す工程と、マイクロ波源に結合されたアンテナにマイクロ波電力を印加することによって、処理容積内の処理ガスからプラズマを生成する工程と、約1GHz~約10GHzの周波数で、約500ミリワット/cm2~約5,000ミリワット/cm2のマイクロ波電力を用いて、プラズマの存在下で基板上にケイ素含有層を堆積する工程であって、堆積中に基板は摂氏約200度未満の温度に維持される工程を含む方法。基板上にケイ素含有層を堆積させる工程が、約50ミリトール~約250ミリトールのチャンバ圧力でケイ素含有層を堆積する工程を含む請求項1記載の方法。処理ガスは、シランSiH4、ジシランSi2H6、四フッ化ケイ素SiF4、四塩化ケイ素SiCl4、ジクロロシランSiH2Cl2、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるケイ素含有前駆体と、窒素N2、アンモニアNH3、ヒドラジンN2H4、及びこれらの混合物からなる群から選択される窒素含有前駆体を含む請求項1記載の方法。処理ガスは更に、アルゴンAr、水素H2、ヘリウムHe、これらの誘導体、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるキャリアガスを含む請求項3記載の方法。ガス送出源に処理ガスを流す工程は、SiH4のArに対するガス流量比SiH4:Arが約1:5~約1:10でSiH4及びArを供給する工程を含む請求項4記載の方法。ガス送出源に処理ガスを流す工程は、SiH4のNH3に対するガス流量比SiH4:NH3が約1:1~約1:10でSiH4及びNH3を供給する工程を含む請求項3記載の方法。ガス送出源に処理ガスを流す工程は、NH3のArに対するガス流量比NH3:Arが約1:2~約1:5でNH3及びArを供給する工程を含む請求項4記載の方法。マイクロ波源は、平行に配置され、長手方向に約180mm~約350mmの間の距離で互いに離間している1以上のリニアマイクロ波発生器を含む請求項1記載の方法。ガス送出源は、平行に配置され、長手方向に約50mm~約200mmの間の距離で互いに離間しているガス送出ラインのアレイを含む請求項8記載の方法。ガス送出源は、マイクロ波源と基板との間に配置され、1以上のリニアマイクロ波発生器は、ガス送出ラインと平行な関係に配置される請求項9記載の方法。基板上にケイ素含有層を堆積させるためのマイクロ波プラズマ援用CVDプロセスであって、基板サセプタに平行な関係に配置されるマイクロ波源及びガス送出源を含む処理チャンバ内に基板をロードする工程であって、マイクロ波源は互いに平行な同一平面上にある関係で配置された1以上のリニアマイクロ波発生器を有し、ガス送出源は処理チャンバの処理容積内に配置され、互いに平行な同一平面上にある関係で配置されたガス送出ラインのアレイを有する工程と、処理容積内にガス送出源から前駆体ガスを流す工程と、マイクロ波電力をマイクロ波源内へ変調することによって、前駆体ガスからプラズマを発生させる工程と、基板サセプタ上に載置された基板の略全面に向かってガス送出源から均一に前駆体ガスを分配する工程と、約1GHz~約10GHzの周波数で、約500ミリワット/cm2~約5,000ミリワット/cm2のマイクロ波電力を用いて、プラズマの存在下で基板上にケイ素含有層を堆積する工程であって、堆積中に基板は摂氏約200度未満の温度に維持される工程を含むプロセス。ケイ素含有層は、ケイ素、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、水素化ケイ素、フッ化ケイ素、ホウ素又はリン又はヒ素をドープしたケイ素、ホウ素又はリン又はヒ素をドープした炭化ケイ素、及びホウ素又はリン又はヒ素をドープした酸化ケイ素から成る群から選択される材料を含む請求項11記載のプロセス。基板上にケイ素含有層を堆積する工程は、約50ミリトール~約250ミリトールのチャンバ圧力でケイ素含有層を堆積する工程を含む請求項11記載のプロセス。ガス送出源に前駆体ガスを流す工程は、約1:5~約1:10の間のケイ素含有前駆体のキャリアガスに対するガス流量比でケイ素含有前駆体及びキャリアガスを流す工程を含む請求項13記載のプロセス。ガス送出源に前駆体ガスを流す工程は、約1:1~約1:10の間のケイ素含有前駆体の窒素含有前駆体に対するガス流量比でケイ素含有前駆体及び窒素含有前駆体を流す工程を含む請求項13記載のプロセス。1以上のリニアマイクロ波発生器が長手方向に約180mm~約350mmの間の距離で互いに離間しており、ガス送出ラインのアレイが長手方向に約50mm~約200mmの間の距離で互いに離間している請求項11記載のプロセス。ガス送出源は、マイクロ波源と基板との間に配置されている請求項11記載のプロセス。処理チャンバ内に配置されたマイクロ波源に結合されたアンテナにマイクロ波電力を印加する工程であって、マイクロ波源は基板の略全面をカバーするガス分配カバレージを提供するように構成されたガス送出源の相対的に上方に配置されている工程と、ガス送出源によって供給される処理ガスから生成したマイクロ波プラズマに基板を曝露して、摂氏約200°C未満の温度で基板上にケイ素含有層を堆積する工程を含む、処理チャンバ内で基板を処理する方法。マイクロ波プラズマは、約1GHz~約10GHzの周波数で、約500ミリワット/cm2~約5,000ミリワット/cm2のマイクロ波電力を用いる請求項18記載の方法。処理ガスは、ケイ素含有前駆体及びキャリアガスを含み、ケイ素含有前駆体及びキャリアガスは、約1:5~約1:10の間のケイ素含有前駆体のキャリアガスに対するガス流量比でガス送出源に導入される請求項18記載のプロセス。"