一方側が、表面に第1のめっき部が形成されたワイヤボンディング部となって、他方側が、表面に第2のめっき部が形成された外部接続端子部となった複数の導体端子が配置され、前記ワイヤボンディング部と半導体素子の各電極パッド部がボンディングワイヤで電気的に連結され、前記半導体素子、前記ボンディングワイヤ、及び該半導体素子を搭載したリードフレームが、樹脂で樹脂封止されている半導体装置の製造方法であって、前記ワイヤボンディング部に、第1の下地めっきを施す第1のめっき工程と、前記第1の下地めっき上と前記外部接続端子部に、第2の下地めっきと貴金属めっきとを順次施す第2のめっき工程と、前記リードフレーム材の一方側をエッチング処理して、前記第1の下地めっきを前記ワイヤボンディング部の先端周囲より突出させる第1のエッチング工程と、前記第1のエッチング工程により突出した前記第1の下地めっきを前記導体端子の側面側へ折り曲げる折り曲げ工程と、前記折り曲げ工程と同時又は折り曲げ工程の後に、前記リードフレーム材の一方側を再度エッチングする第2のエッチング工程と、前記第2のエッチング工程を行なったリードフレーム材の素子搭載部に前記半導体素子を搭載して、該半導体素子の電極パッド部と前記ワイヤボンディング部とを電気的に接続するワイヤボンディング工程と、前記ワイヤボンディング工程を行なったリードフレーム材の一方側を樹脂で封止する樹脂封止工程と、前記樹脂封止工程を行なったリードフレーム材の他方側をエッチング処理して、前記外部接続端子部をそれぞれ独立させる第3のエッチング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の下地めっき上に形成される前記第2の下地めっきは、前記第1の下地めっきより形成領域が小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の下地めっきと、前記第2の下地めっきとは同一金属からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。上記したように、モールド樹脂からの端子の抜け落ち欠落は、特許文献2、3に記載の方法を用いても、十分な対応ができなかった。本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、樹脂からの端子の抜け落ちを防止して製品の品質低下を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。前記目的に沿う第1の発明に係る半導体装置の製造方法は、一方側が、表面に第1のめっき部が形成されたワイヤボンディング部となって、他方側が、表面に第2のめっき部が形成された外部接続端子部となった複数の導体端子が配置され、前記ワイヤボンディング部と半導体素子の各電極パッド部がボンディングワイヤで電気的に連結され、前記半導体素子、前記ボンディングワイヤ、及び該半導体素子を搭載したリードフレームが、樹脂で樹脂封止されている半導体装置の製造方法であって、前記ワイヤボンディング部に、第1の下地めっきを施す第1のめっき工程と、前記第1の下地めっき上と前記外部接続端子部に、第2の下地めっきと貴金属めっきを順次施す第2のめっき工程と、前記リードフレーム材の一方側をエッチング処理して、前記第1の下地めっきを前記ワイヤボンディング部の先端周囲より突出させる第1のエッチング工程と、前記第1のエッチング工程により突出した前記第1の下地めっきを前記導体端子の側面側へ折り曲げる折り曲げ工程と、前記折り曲げ工程と同時又は折り曲げ工程の後に、前記リードフレーム材の一方側を再度エッチングする第2のエッチング工程と、前記第2のエッチング工程を行ったリードフレーム材の素子搭載部に前記半導体素子を搭載して、該半導体素子の電極パッド部と前記ワイヤボンディング部とを電気的に接続するワイヤボンディング工程と、前記ワイヤボンディング工程を行ったリードフレーム材の一方側を樹脂で封止する樹脂封止工程と、前記樹脂封止工程を行ったリードフレーム材の他方側をエッチング処理して、前記外部接続端子部をそれぞれ独立させる第3のエッチング工程とを有する。第1の発明に係る半導体装置の製造方法において、第1の下地めっき上に形成される前記第2の下地めっきは、前記第1の下地めっきより形成領域が小さいことが好ましい。第1、第2の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記第1の下地めっきと、前記第2の下地めっきとは同一金属からなることが好ましい。本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワイヤボンディング部の表面に形成された第1のめっき部の下地めっきを、形成領域の大きい第1の下地めっき層と、その上に、第1の下地めっきより形成領域の小さい第2の下地めっき層とによる2層構造で形成しているため、第1の下地めっき層をエッチングによりワイヤボンディング部の先端周囲より突出させ、この突出した部位を導体端子の側面側へ折り曲げた後に再度エッチングを行うことで、導体端子の側面に凹部が形成されるため、この凹部に樹脂が入り込んでアンカー効果が増すことにより、導体端子が樹脂に密着して引っ掛かりになり、樹脂からの抜け落ちを防止でき、製品の品質低下を抑制できる。従って、半導体装置のファインピッチ化や薄型化、更には高集積化にも、十分に対応することができる。また加えて、第2の下地めっき層が存在することにより、めっきレジストとしての機能を確実に果たすことができるようになっている。続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。図1~図6に示すように、本発明の実施の形態に係る半導体装置10は、上面側となる表面側一方側に、樹脂11により封止され、表面に第1のめっき部12が形成された複数のワイヤボンディング部13を備え、下面側となる裏面側他方側に、ワイヤボンディング部13に対応して設けられ、表面に第2のめっき部14が形成された複数の外部接続端子部15を備えたものであり、特に、ファインピッチ化や薄型化、更には高集積化に適したものである。以下、詳しく説明する。半導体装置10は、リードフレーム16を用いて製造されたものであり、中央に素子搭載部17を配置し、その周辺にエリアアレイ状に、表面側がワイヤボンディング部13で裏面側が外部接続端子部15となった複数の棒状の導体端子18を配置して、素子搭載部17の表面側に半導体素子19を搭載したものである。このリードフレーム16は、銅Cu又は銅合金で構成されたリードフレーム材20により形成され、中央に素子搭載部17を配置し、その表面側周辺に、表面に第1のめっき部12が形成された複数のワイヤボンディング部13を備えたものである。なお、リードフレーム材20の厚み導体端子18の厚みTに相当は薄く、例えば、0.1~0.3mm程度特に、0.2mm以下であるが、この厚みに限定されない。上記したワイヤボンディング部13と半導体素子19の各電極パッド部21とは、金製又は銅製又はアルミニウム製の線からなるボンディングワイヤ22で電気的に接続され、半導体素子19、ボンディングワイヤ22、及びリードフレーム16の上半分が、樹脂11で封止されている。一方、半導体装置10の下半分は、樹脂11から突出して外部に露出している。つまり、ワイヤボンディング部13が樹脂封止され封止側端子、外部接続端子部15が樹脂11から露出露出側端子部している。第1のめっき部12は、ワイヤボンディング部13の先端面に形成される下地めっきと、この表面に形成される貴金属めっきで構成され、また、第2のめっき部14も、外部接続端子部15の先端面に形成される下地めっきと、この表面に形成される貴金属めっきとで構成される。なお、下地めっき層は、エッチング液に浸食されない又は浸食されにくい耐エッチング金属難エッチング金属である、例えば、ニッケルNi、すずSn等で構成されている。また、貴金属めっき層は、厚みが、0.002~0.5μm程度であり、例えば、金Au、パラジウムPd、銀Ag、白金Pt等のうち1種の貴金属で、又は2種以上複数種の貴金属又は合金めっきを積層して、構成されている。第1のめっき部12は、下地めっきが第1の下地めっき層と第2の下地めっき層の2層構造となっている。また、ワイヤボンディング部13の周囲の導体端子18の側面には凹部23が形成され、この凹部23が樹脂11を密着させて引っ掛け、アンカー効果を作用させて導体端子18が樹脂11から抜け落ちることを防止するものである。また、本実施の形態においては、第1の下地めっき層および第2の下地めっき層はいずれも0.5μmの厚みで形成されている。その理由は後述する本発明の製造方法で明らかにしているように、第1のめっき層は、0.1μm以下では剛性が低すぎてちぎれやすく、また折り曲げの調整も困難であり、0.8μmを超えると剛性が高すぎて容易に折れ曲がらなくなったり、また、折り曲げ後に除去することができなくなるため、0.1~0.8μmの間で形成することが好ましい。しかし、第1の下地めっき層を0.8μm以下で形成した場合、この厚みではめっきレジストとしての機能を十分に果たすことができないため。この問題を第2の下地めっき層を形成することで補う。めっきレジストとしての機能を確保するためには下地めっきの厚みは1μm程度が必要であるため、第1の下地めっき層の厚みでは足らない分を第2の下地めっき層の厚みで確保しようとするものである。このように、下地めっきを形成領域がそれぞれ異なる2層構造とすることで、ワイヤボンディング部13の周囲に突出する折り曲げ部位の形成と、めっきレジストとしての機能を確保するためのめっき厚みを得ることを実現している。外部接続端子部15に形成された第2のめっき部14の表面側には、半田濡れ性の良いめっき図示しないが設けられ、他の基板上に設けられたクリーム半田の溶融によって、他の基板との電気的な接続が行われる。なお、前記した素子搭載部17の裏面側には、第2のめっき部14と同一構造のめっきがなされているが、裏面側が樹脂11から外部に露出しているため、この素子搭載部17の表面側に半導体素子19を配置することで、半導体素子19からの熱放散を促進している。以上の構成にすることで、半導体装置10は、薄型化特に、リードフレームの厚みが0.2mm以下に際して導体端子18と樹脂11との密着性を確保でき、高集積化に際して導体端子18のピッチが0.7mm以下特に、0.5mm以下、更には0.4mm以下でも対応可能である。続いて、本発明の実施の形態に係る半導体装置10の製造方法について、図2A~D、図3E~G、図4A~C、図5D~F、図6G~Iを参照しながら説明する。まず、図2Aに示す準備工程では、銅又は銅合金等からなる板状のリードフレーム材20を用意する。次に、リードフレーム材20の表面側及び裏面側に、それぞれ耐めっき用レジスト膜を形成し、表面側に周知の露光処理及び現像を行って、図2Bに示すように、回路パターンが形成されたレジスト膜24と回路パターンが形成されていないレジスト膜25を形成する。図2Cに示す第1のめっき工程では、リードフレーム材20を全面めっきし、レジスト膜24の開口部にめっきをして第1の下地めっき層26を形成する。この際、耐エッチング金属に使用できるめっき金属ここでは、ニッケルで形成する。次に、レジスト膜24、25を除去し図2D、図3Eに示すように、リードフレーム20の表面側に既に形成した第1の下地めっき層26の一部を開口させるように、その周囲にめっき用レジスト膜27を形成し、裏面側にも回路パターンとなる部分にめっき予定部が開口したレジスト膜28を形成する。なお、本工程でのめっき用レジスト膜にはドライフィルムが使用される。図3Fに示す第2のめっき工程で、リードフレーム材20を再度全面めっきし、レジスト膜27、28の開口部にめっきをして、表面側では第1の下地めっき層26の上に、第1の下地めっき層よりも形成領域が小さい第2の下地めっき層29を形成し、裏面側では第2のめっき部の下地めっき層30を形成する。なお、この際もめっきされる金属は、耐エッチング金属として使用できるめっき金属ここでは、ニッケルである。これにより、表面側の下地めっきは、同一金属からなる第1の下地めっき層26および第2の下地めっき層29による2層構造で形成され、裏面側の下地めっき層30は1層構造で形成されていることになる。次に、貴金属めっきここでは、金、又はパラジウムと金を積層を行って、貴金属めっき層を形成する。このように、下地めっきを介して、金、パラジウム、銀等から選択された貴金属又はこれら貴金属の合金をめっきすることにより、リードフレーム材20に銅等を使用する場合のボンダビリティと半田濡れ性の確保を維持している。そして、図3Gに示すように、リードフレーム材20の両面からレジスト膜27、28を除去する。次に、図4Aに示すように、リードフレーム材20の裏面側全部を、耐エッチングレジスト膜からなるカバーテープ31で覆った後、リードフレーム材20を浸食するアルカリエッチング液を使用して、図4Bに示す第1のエッチング工程により、表面側のハーフエッチングファーストエッチングを行う。このとき、第1の下地めっき層26の下部に存在するリードフレーム材20がサイドエッチングにより侵食されるため、第1の下地めっき層26の周縁付近がワイヤーボンディング部13の周囲より突出することになる。つまり、突出した部位の第1の下地めっき層26は従来技術でめっきバリと称されているものと実質同一である。なお、本実施の形態では導体端子18と同様に素子搭載部17もその周囲から第1の下地めっき層26が突出している。次に、図4Cに示す突出した部位の折り曲げ工程では、ワイヤーボンディング部13の周囲および素子搭載部17の周囲より突出した第1の下地めっき層26を、アルカリエッチング装置のエッチングノズルの噴射圧によって導体端子18側へ折り曲げる。なお、この折り曲げは、前述した第1のエッチング工程の中で行なってもよい。また、折り曲げの手法も様々であり、例えばウォータージェットを用いて折り曲げてもよいし、エッチングしたリードフレーム16の上面を柔軟な表面を有するローラで押圧しながら走行することで折り曲げてもよい。その後、図5Dに示す第2のエッチング工程により、リードフレーム16の表面側を再度アルカリエッチングセカンドエッチングを行う。そうすると、折り曲げられた第1の下地めっき層26がめっきレジストとなり、第1の下地めっき層26がカバーした部分の周辺の導体端子18側面および素子搭載部17の側面が侵食されるため、ここに凹部32が形成される。そして、第2のエッチング工程が終了した後は、例えばウォータージェットを用いて折り曲げられた第1の下地めっき層26の除去を行い、その後に洗浄を行う。このようにして、図5Eに示すようなリードフレーム16が製造される。なお、本実施の形態では、図4Bの第1のエッチング工程から図5Dの第2のエッチング工程までが同じエッチング装置によって行われている。また、本実施の形態では折り曲げられた第1の下地めっき層26を最終的には除去したが、必ずしも除去せずともよく、折り曲げられた第1の下地めっき層26をそのまま残すことで製造工程の削減や、樹脂封止した際の樹脂との密着性向上に役立たせることもできる。そして、図5Fに示すように、リードフレーム16からカバーテープ31を除去する。続いて、図6Gに示すワイヤボンディング工程により、ハーフエッチングが終了したリードフレーム16の素子搭載部17に半導体素子19を搭載した後、半導体素子19の電極パッド部21とワイヤボンディング部13との電気的接続をボンディングワイヤ22で行う。なお、半導体素子19の素子搭載部17への取付けは、Agエポキシ系樹脂からなる接着剤を使用できるが、その他の導電性の接着剤又は絶縁性の接着剤でもよい。そして、図6Hに示す樹脂封止工程により、半導体素子19とワイヤボンディング部13との接続が終了したリードフレーム16の表面側を樹脂11で封止する。更に、図6Iに示す第3のエッチング工程では、リードフレーム16を浸食するアルカリエッチング液を使用して、裏面側のハーフエッチングサードエッチングを行う。このとき、めっき14はレジスト膜として機能するため、エッチング処理により外部接続端子部15導体端子18がそれぞれ独立し、その先端に第2のめっき部14が残存する。以上、本発明を、実施の形態を参照して説明してきたが、本発明は何ら上記した実施の形態に記載の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載されている事項の範囲内で考えられるその他の実施の形態や変形例も含むものである。例えば、ワイヤボンディング部と外部接続端子部とで構成される各端子がモールド樹脂内に埋没している外部接続端子部の先端面のみがモールド樹脂から露出している半導体装置等、前記したそれぞれの実施の形態や変形例の一部又は全部を組合せて本発明の半導体装置並びにその製造方法を構成する場合も本発明の権利範囲に含まれる。また、前記実施の形態においては、リードフレーム材の裏面側全部を覆ったカバーテープの除去を、第1のエッチング工程が終了した直後に行ったが、裏面側のハーフエッチングを行う前であれば、いつ行ってもよい。