"NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層と、ZnOを主成分とし前記p型半導体層に接合されたn型半導体層とを有する紫外線センサにおいて、前記p型半導体層は、3価のNiが含有されていることを特徴とする紫外線センサ。内部電極が、前記p型半導体層に埋設されると共に、前記内部電極は、希土類元素とNiとを主成分とした複合酸化物で形成されていることを特徴とする請求項1記載の紫外線センサ。前記希土類元素は、Laであることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の紫外線センサ。前記n型半導体層は、前記p型半導体層の一部が表面に露出した形態で前記p型半導体層に接合されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の紫外線センサ。NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層とZnOを主成分とするn型半導体層とを接合させた紫外線センサの製造方法であって、前記p型半導体層を作製するp型半導体層作製工程が、少なくともNiO、ZnO、及び3価のNiを含有したNi化合物を混合させて混合物を作製する混合物作製工程と、前記混合物からグリーンシートを作製するグリーンシート作製工程と、前記グリーンシートを積層してグリーン積層体を作製する積層体作製工程と、前記グリーン積層体を焼成する焼成工程とを含んでいることを特徴とする紫外線センサの製造方法。前記Ni化合物は、オキシ水酸化ニッケルであることを特徴とする請求項5記載の紫外線センサの製造方法。前記Ni化合物を、0.001mol~1molの範囲で添加することを特徴とする請求項5又は請求項6記載の紫外線センサの製造方法。前記p型半導体層作製工程は、少なくとも希土類元素を含有したペーストを作製するペースト作製工程と、前記ペーストを前記グリーンシートの表面に塗布し、塗布膜を形成する塗布膜形成工程とを含み、前記積層体作製工程は、前記塗布膜が前記グリーンシート間に挟持されるように前記グリーンシートを所定枚数積層することを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の紫外線センサの製造方法。前記ペースト作製工程は、希土類酸化物とNi酸化物とを含む原料粉末から複合酸化物を作製する複合酸化物作製工程を含むことを特徴とする請求項8記載の紫外線センサの製造方法。前記ペースト作製工程は、希土類酸化物を主成分とした希土類ペーストを作製し、前記グリーン積層体を焼成する焼成工程は、前記グリーンシートに含有されるNiを拡散させて前記希土類酸化物と反応させ、複合酸化物からなる内部電極を形成することを特徴とする請求項8記載の紫外線センサの製造方法。しかしながら、特許文献1では、上述したように外部に電源回路107を設け、紫外線強度を抵抗値の変化として検出しなければならないため、該電源回路107の搭載スペースを確保する必要がある。また、電源回路107により検出される抵抗値は高く、このため高入力インピーダンスの測定機や増幅回路が別途必要となる。このように特許文献1は、高価な周辺回路が必要となり、かつデバイスも大型化するという問題点があった。また、特許文献1では、紫外線強度を抵抗値の変化で検出しているが、NiZnO層102の抵抗値が測定温度によって大きく変動するため、電源回路107により検出された抵抗値は紫外線照射による抵抗値と温度変化による抵抗変動値とが複合されたものとなる。このため紫外線強度のみを取得するためには温度補正等が必要となり、デバイスの煩雑化を招くという問題点があった。さらに、特許文献1では、基板実装する場合、NiZnO層102が基板と略同程度の高抵抗であるため、実装した場合の絶縁性確保が困難である。本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、周辺回路を必要とせず紫外線強度を光起電力により容易に検出することができる安価で小型化が可能な紫外線センサ、及び紫外線センサの製造方法を提供することを目的とする。本発明者は上記目的を達成するために、p型の酸化物半導体としてNi,ZnOを使用し、n型の酸化物半導体としてZnOを使用した紫外線センサについて鋭意研究を行ったところ、p型の酸化物半導体であるNi,ZnOに3価のNiを含有させることにより、p型半導体層の低抵抗化が可能となり、これにより光起電力により紫外線強度を検出できるという知見を得た。本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る紫外線センサは、NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層と、ZnOを主成分とし前記p型半導体層に接合されたn型半導体層とを有する紫外線センサにおいて、前記p型半導体層は、3価のNiが含有されていることを特徴としている。また、p型半導体層に内部電極を埋設されて形成し、かつ前記内部電極を、La等の希土類元素とNiとを主成分とした複合酸化物で形成することにより、p型半導体層の抵抗をより一層効果的に低減することが可能となる。すなわち、本発明の紫外線センサは、内部電極が、前記p型半導体層に埋設されると共に、前記内部電極は、希土類元素とNiとを主成分とした複合酸化物で形成されていることが好ましい。また、本発明の紫外線センサは、前記希土類元素が、Laであることが好ましい。さらに、前記p型半導体層の一部が表面に露出した形態で前記n型半導体層を前記p型半導体層に接合させることにより、紫外線照射時にn型半導体層を透過しなくてp型半導体層とn型半導体層との界面に到達することができ、これにより、より一層高感度の紫外線センサを得ることが可能となる。すなわち、本発明の紫外線センサは、前記n型半導体層は、前記p型半導体層の一部が表面に露出した形態で前記p型半導体層に接合されていることが好ましい。また、3価のNiを含有したp型半導体層は、オキシ水酸化ニッケル等の3価のNiを含有したNi化合物をNiO及びZnOに添加することにより容易に作製することができる。すなわち、本発明に係る紫外線センサの製造方法は、NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層とZnOを主成分とするn型半導体層とを接合させた紫外線センサの製造方法であって、前記p型半導体層を作製するp型半導体層作製工程は、NiO、ZnO、及び3価のNiを含有したNi化合物を混合させて混合物を作製する混合物作製工程と、前記混合物からグリーンシートを作製するグリーンシート作製工程と、前記グリーンシートを積層してグリーン積層体を作製する積層体作製工程と、前記グリーン積層体を焼成する焼成工程とを含んでいることを特徴としている。また、本発明の紫外線センサの製造方法は、前記Ni化合物は、オキシ水酸化ニッケルであることが好ましい。さらに、本発明の紫外線センサの製造方法は、前記Ni化合物を、0.001mol~1molの範囲で添加することが好ましい。少なくとも希土類元素を含有したペーストをグリーンシートに塗付し、ペーストが塗付されたグリーンシートをペーストが塗布されていないグリーンシートで挟持圧着して得られた積層体を焼成することにより、p型半導体層に内部電極を埋設することが可能となる。すなわち、本発明の紫外線センサの製造方法は、前記p型半導体層作製工程は、少なくとも希土類元素を含有したペーストを作製するペースト作製工程と、前記ペーストを前記グリーンシートの表面に塗布し、塗布膜を形成する塗布膜形成工程とを含み、前記積層体作製工程は、前記塗布膜が前記グリーンシート間に挟持されるように前記グリーンシートを所定枚数積層することが好ましい。そして、前記内部電極の作製方法としては、Ni及び希土類元素を主成分とした複合酸化物を含有するペーストをグリーンシートに塗布して焼成する方法、或いは希土類元素を含有したペーストを塗付し、p型半導体層となるべきグリーンシートに含有されるNiと反応させて形成する方法がある。前者は安定した特性を得ることができ、後者は安価に製造することができる。すなわち、本発明の紫外線センサの製造方法は、前記ペースト作製工程は、希土類酸化物とNi酸化物とを含む原料粉末から複合酸化物を作製する複合酸化物作製工程を含むことが好ましい。また、本発明の紫外線センサの製造方法は、前記ペースト作製工程は、希土類酸化物を主成分とした希土類ペーストを作製し、前記グリーン積層体を焼成する焼成工程は、前記グリーンシートに含有されるNiを拡散させて前記希土類元素と反応させ、複合酸化物からなる内部電極を形成することが好ましい。本発明の紫外線センサによれば、NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層と、ZnOを主成分とし前記p型半導体層に接合されたn型半導体層とを有する紫外線センサにおいて、前記p型半導体層は、3価のNiが含有されているので、キャリア濃度が増加し、これによりNi,ZnOの半導体化が促進され、p型半導体層の低抵抗化が可能となる。したがって、紫外線強度を抵抗値の変化により検出する必要はなく、光起電力により検出することが可能となる。そしてこれにより、電源回路等の周辺回路を設ける必要もなく、安価で小型化の可能な紫外線センサを得ることが可能となる。また、内部電極が、前記p型半導体層に埋設されると共に、前記内部電極を、希土類元素例えば、LaとNiとを主成分とした複合酸化物で形成した場合には、内部電極材料にPtやPd等の高価な貴金属材料を使用しなくてもよく、安価で高感度の紫外線センサを得ることができる。また、前記n型半導体層を、前記p型半導体層の一部が表面に露出した形態で前記p型半導体層に接合するようにした場合には、紫外線照射時にn型半導体層を透過しなくてもp型半導体層とn型半導体層との界面に到達することができ、これにより、より一層高感度の紫外線センサを得ることが可能となる。また、本発明の紫外線センサの製造方法によれば、p型半導体層を作製するp型半導体層作製工程は、NiO、ZnO、及び3価のNiを含有したNi化合物例えば、オキシ水酸化ニッケルNiOOHを混合させて混合物を作製する混合物作製工程と、前記混合物からグリーンシートを作製するグリーンシート作製工程と、前記グリーンシートを積層してグリーン積層体を作製する積層体作製工程と、前記グリーン積層体を焼成する焼成工程とを含んでいるので、焼成処理しても3価のNiはNi,ZnOに固溶した状態で存在し、これにより半導体としての作用を維持することができ、p型半導体層の低抵抗化を促進することができる。また、前記Ni化合物を、0.001mol~1molの範囲で添加するようにした場合には、上記作用効果を確実に奏することができる。また、前記p型半導体層作製工程を、少なくとも希土類元素を含有したペーストを作製するペースト作製工程と、前記ペーストを前記グリーンシートの表面に塗布し、塗布膜を形成する塗布膜形成工程とを含むようにし、前記積層体作製工程を、前記塗布膜が前記グリーンシート間に挟持されるように前記グリーンシートを所定枚数積層するようにした場合は、内部電極材料にPtやPd等の高価な貴金属材料を使用する必要はなく、光起電力により紫外線強度を検出できる紫外線センサを安価に製造することができる。また、前記ペースト作製工程を、希土類酸化物とNi酸化物とを含む原料粉末から複合酸化物を作製する複合酸化物作製工程を含むようにした場合は、内部電極の組成は安定しており、したがって紫外線照射により、より一層特性の安定した所望の光起電力を得ることができる。また、前記ペースト作製工程を、希土類酸化物を主成分とした希土類ペーストを作製するようにし、前記グリーン積層体を焼成する焼成工程を、前記グリーンシートに含有されるNiを拡散させて前記希土類元素と反応させ、複合酸化物からなる内部電極を形成するようにした場合は、内部電極形成用の複合酸化物を予め作製しなくても所望の内部電極を得ることができ、紫外線センサを安価に製造することができる。次に、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら詳説する。図1は、本発明に係る紫外線センサの一実施の形態第1の実施の形態を模式的に示す断面図である。すなわち、この紫外線センサは、NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層1と、ZnO系材料からなるn型半導体層2とを有し、n型半導体層2は、p型半導体層1の表面の一部が露出した形態でp型半導体層1に接合されている。また、p型半導体層1の両端には第1及び第2の端子電極3a、3bが形成されている。すなわち、p型半導体層1の上部には、一端が表面露出するように内部電極4が埋設されており、第1の端子電極3aは、内部電極4と電気的に接続されるようにp型半導体層1の一方の端部に形成されている。また、第2の端子電極3bは、n型半導体層2と電気的に接続されるようにp型半導体層1の他方の端部に形成されている。尚、第1及び第2の端子電極3a、3bは、Ag等からなる外部電極の表面にNi等からなる第1のめっき皮膜及びSn等からなる第2のめっき皮膜が順次形成されている。このように形成された紫外線センサでは、矢印Aに示すように紫外線が照射され、n型半導体層1とp型半導体層2との接合界面7に形成される空乏層に紫外光が当たると、キャリアが励起されて光電流が生じ、この光電流を検知することにより紫外線強度を検出することができる。そして、n型半導体層2を形成するZnO系材料は、ZnOを主成分とするのであれば、微量の添加物が含まれていてもよい。例えば、ドープ剤として、Al、Co、In、Ga等を含有していてもよく、拡散剤として、Fe、Ni、Mn等を含有していてもよい。また、不純物として微量のZr、Si等を含有していても特性に影響を与えるものではない。また、p型半導体層1は、上述したように主成分がNiOとZnOの固溶体で形成され、一般式Ni1xZnxO以下、Ni,ZnOと表記する。で表わされると共に、3価のNiが前記主成分に固溶されて結晶粒子中に含有されている。すなわち、発明が解決しようとする課題の項でも述べたように、Ni,ZnOはZnOに比べてキャリア濃度が低く、抵抗を十分に低くすることができないため、紫外線強度を光起電力により検出することができず、このため従来は特許文献1のように外部に電源回路を設けて抵抗の変化値により紫外線を検出せざるを得なかった。しかるに、本実施の形態では、3価のNiを主成分であるNi,ZnOに固溶させた状態で結晶粒子中に含有させることにより、p型半導体層1の抵抗を低下させ、これにより光起電力でもって紫外線強度を検出している。すなわち、Ni,ZnOでは、NiとZnの格子定数の相違から歪みが発生し、キャリアは発生するもののその濃度は低い。しかしながら、3価のNiをドープすることにより、キャリア濃度が増加してNi,ZnOの半導体化が促進され、抵抗を低下させることが可能となり、紫外線強度を光起電力として検出することが可能となる。したがって、紫外線強度を抵抗の変化値で検出しなくても済み、これにより外部に電源回路やその他の周辺機器を設ける必要がなくなり、デバイスの小型化が可能となる。そして、このようなNi化合物の添加形態としては、3価のNiを有するものであれば、特に限定されるものではなく、例えばオキシ水酸化ニッケルNiOOHを使用することができる。NiOOHは焼成処理中に結晶粒子中に残留し、半導体化の促進に寄与する。尚、Znの配合モル比xは、良好な感度を安定して得る観点からは、0.2≦x≦0.4が好ましい。これはxが0.2未満になると、Niの含有量が過剰となって高抵抗化するおそれがあり、一方、xが0.4を超えると、Znの含有量が過剰となってZnO粒子が結晶粒界に析出し、n型に半導体化してしまうおそれがあるからである。また、内部電極4は、希土類元素RとNiを主成分とした一般式RNiO3で表されるペロブスカイト型構造の酸化物や一般式R2NiO4で表される酸化物を含有する低抵抗の複合酸化物で形成されるのが好ましい。すなわち、p型半導体層1の主成分であるNi,ZnOは、1200°C前後の酸化性雰囲気で焼成されることから、通常は、内部電極材料としてPdやPt等の貴金属材料を使用し、同時焼成することが考えられる。しかしながら、これらの貴金属材料は高価な上、仕事関数が大きく、Ni,ZnOとの間にショットキー障壁が形成される。そして、光起電力はこのショットキー障壁に消費されることから、紫外線強度を光起電力として検知するのは困難である。しかも、Ptを使用した場合は、Ptの触媒作用により焼成過程で急激に反応が進行し、デラミネーションが生じるおそれがある。また、Pdを使用した場合は、焼成時におけるPdの酸素放出作用により、Ni,ZnOの結晶粒界や表面に強固な酸化層を形成し、その結果Ni,ZnOの見掛け上の比抵抗が上昇し、このため紫外線センサでは微弱の光電流しか生成することができない。したがって、内部電極材料として、貴金属材料を使用した場合は、外部に電源回路を設け、抵抗の変化値で紫外線強度を検出せざるを得ず、デバイスの高価格化大型化を避けるのは困難である。これに対し希土類元素RとNiを主成分とした複合酸化物は、Ni,ZnOと同様、Ni系酸化物であり、両者はエネルギー準位が近く、Ni,ZnOとの間で不必要なショットキー障壁が形成されるのを抑制でき、ほぼオーミック接触となる。また、希土類元素は、Niに比べ、Ni,ZnO側に拡散しにくく、触媒作用や酸素放出作用が生じることもない。したがって、Ni,ZnOの抵抗をより一層低下させることが可能となる。しかも、希土類元素RとNiを主成分とした複合酸化物は、Ni,ZnOと同様のNi系酸化物であることから、高温での収縮挙動がNi,ZnOと近く、p型半導体層1と内部電極4との間でデラミネーションは招じ難く、焼結体内部に電極を引き込むような現象もない。また、高価な貴金属材料を使用しなくて済むので、高価格化を抑制することができる。したがって、内部電極材料としては、希土類元素RとNiとを主成分とした複合酸化物を使用するのが好ましい。このような希土類元素としては、Niとの間で複合酸化物を形成した場合に低抵抗であれば、特に限定されるものではなく、例えば、La、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy、Ho、Er、及びYbの中から選択された少なくとも1種を使用することができる。そして、これらの中では、経済的観点から安価なLaを使用するのが好ましい。次に、上記紫外線センサの製造方法を詳述する。ZnO焼結体の作製ZnO粉末、及び必要に応じて各種ドープ剤、拡散剤等の添加物を用意し、所定量秤量する。そして、これら秤量物に純水等の溶媒を加え、PSZ部分安定化ジルコニア等の玉石を粉砕媒体とし、ボールミルを使用して十分に湿式で混合粉砕し、スラリー状混合物を得る。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥した後、所定粒径に造粒し、その後、所定温度で約2時間仮焼し、仮焼粉末を得る。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体とし、ボールミルを使用して十分に湿式で粉砕し、スラリー状粉砕物を得る。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、純水、分散剤、バインダ、可塑剤等を添加して成形用スラリーを作製する。そしてこの後、このドクターブレード法等の成形加工法を使用して成形用スラリーに成形加工を施し、所定膜厚のZnOグリーンシートを作製する。次いでこのZnOグリーンシートを所定枚数積層し、圧着して圧着体を作製する。その後、この圧着体を脱脂した後、焼成し、これによりZnO焼結体を得る。Ni,ZnOグリーンシートの作製NiO粉末及びZnO粉末を、Znの配合モル比xが0.2~0.4となるように秤量し、さらにNiOOH等の3価のNi化合物をこの秤量物に添加し、その後、純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で十分に湿式で混合粉砕し、スラリー状混合物を得る。ここで、前記Ni化合物の添加量は、所望の添加効果を得るためには、少なくとも0.001mol以上添加するのが好ましい。また、前記添加量の上限については、特に限定されるものではないが、1mol以下が好ましい。これは1molを超えて添加しても、焼成中にNiOに変化し、3価のNiが増加しないためである。次いで、この混合物を脱水乾燥し、所定粒径に造粒した後、所定温度で約2時間仮焼し、仮焼粉末を得る。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で十分に湿式で粉砕し、スラリー状粉砕物を得る。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、有機溶剤、分散剤、バインダ及び可塑剤等を加えて成形用スラリーを作製する。次いで、ドクターブレード法等の成形加工法を使用して成形用スラリーを成形加工し、これにより所定膜厚のNi,ZnOグリーンシートを得る。内部電極形成用ペーストの作製NiO粉末及びR2O3粉末R:希土類元素を、モル比で21となるように秤量し、この秤量物に純水等の溶媒を添加し、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で湿式で十分に混合粉砕し、スラリー状混合物を得る。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、所定粒径に造粒した後、所定温度で約2時間仮焼し、仮焼粉末を得る。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で十分に湿式で粉砕し、スラリー状粉砕物を得る。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥し、希土類元素RとNiを主成分とした複合酸化物粉末を得る。そして、得られた複合酸化物粉末を有機ビヒクルと混合し、三本ロールミルで混練し、これにより内部電極形成用ペーストを作製する。尚、有機ビヒクルは、バインダ樹脂が有機溶剤に溶解されてなり、バインダ樹脂と有機溶剤とは、例えば体積比率で、1~3:7~9となるように調製されている。バインダ樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、エチルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、アクリル樹脂、アルキド樹脂、又はこれらの組み合わせを使用することができる。また、有機溶剤についても特に限定されるものではなく、α―テルピネオール、キシレン、トルエン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等を単独、或いはこれらを組み合わせて使用することができる。グリーン積層体の作製グリーン積層体の作製方法を図2を参照しながら説明する。まず、所定枚数のNi,ZnOグリーンシート5a、5b、5c、...5nを用意し、そのうちの1枚のNi,ZnOグリーンシート5bの表面に上述した内部電極形成用ペーストを塗付し、導電膜塗布膜6を形成する。次に、導電膜の形成されていない所定枚数のNi,ZnOグリーンシート5c~5nを積層し、その上に導電膜6が形成されたNi,ZnOグリーンシート5bを積層し、さらに、その上に導電膜の形成されていないNi,ZnOグリーンシート5aを積層し、圧着してグリーン積層体を作製する。p型半導体層1の作製グリーン積層体を十分に脱脂した後、1200°C前後の温度で約5時間焼成し、導電膜6とNi,ZnOグリーンシート5a~5nとを同時焼成し、これにより内部電極4が埋設されると共に、NiOOHのNi3がNi,ZnOに固溶して存在したp型半導体層1を得る。端子電極3a、3bの作製p型半導体層1の両端部に外部電極形成用ペーストを塗布して焼付け処理を行い、これにより外部電極を形成する。ここで、外部電極形成用ペーストの導電性材料としては、良好な導電率を有するものであれば、特に限定されるものではなく、Ag、Ag-Pd等を使用することができる。そしてその後、電解めっきを施し、第1のめっき皮膜及び第2のめっき皮膜からなる二層構造のめっき皮膜を形成し、これにより第1及び第2の端子電極3a、3bを形成する。n型半導体層2の形成ZnO焼結体をターゲットとし、所定の開口部を有する金属マスクを介してスパッタリングを行い、p型半導体層1の一部が表面露出し、かつ第2の端子電極3bと電気的に接続されるように、ZnO系薄膜からなるn型半導体層2をp型半導体層1の表面に形成し、これにより紫外線センサを得る。このように本実施の形態では、p型半導体層1には、3価のNiが含有されているので、キャリア濃度が増加し、これによりNi,ZnOの半導体化が促進され、p型半導体層の低抵抗化が可能となる。したがって、紫外線強度を光起電力により検出することが可能となり、抵抗値の変化により検出しなくても済む。そしてこれにより電源回路等の周辺回路を設ける必要もなくなり、安価で小型化の可能な紫外線センサを得ることが可能となる。また、本実施の形態では、NiO、ZnO、及び3価のNiを含有したNi化合物を混合させて混合物を作製し、次いで該混合物からグリーンシートを作製し、この後、前記グリーンシートを積層してグリーン積層体を作製し、その後前記グリーン積層体を焼成し、これにより紫外線センサを製造しているので、焼成処理しても3価のNiはNi,ZnOに固溶した状態で結晶粒子中に存在する。そしてこれにより半導体としての作用を維持することができ、p型半導体層の低抵抗化が促進される。また、内部電極4が、p型半導体層1に埋設されると共に、前記内部電極4は、希土類元素とNiとを主成分とした複合酸化物で形成されているので、内部電極材料にPtやPd等の高価な貴金属材料を使用しなくてもよく、安価で高感度の紫外線センサを得ることができる。また、n型半導体層2は、p型半導体層1の一部が表面に露出した形態で前記p型半導体層1に接合されているので、紫外線照射時にn型半導体層2を透過しなくてもp型半導体層とn型半導体層との界面に到達することができ、これにより、より一層高感度の紫外線センサを得ることが可能となる。尚、上記実施の形態では、RNiO3を含有した内部電極形成用ペーストを作製し、該内部電極形成用ペーストをNi,ZnOグリーンシートの表面に塗付し、その後焼成することにより、内部電極4を形成しているが、変形例として内部電極形成用ペースト中にNiを含めることなく、主成分が希土類酸化物R2O3で構成された希土類ペーストを作製し、焼成時にNi,ZnOグリーンシートに埋め込んで形成するのも好ましい。この変形例の紫外線センサは以下のようにして作製することができる。すなわち、上記実施の形態と同様、ZnO焼結体及びNi,ZnOグリーンシートを作製する。次いで、R2O3粉末を上述した有機ビヒクルと混合し、三本ロールミルで混練し、これにより希土類ペーストを作製する。そしてその後、この希土類ペーストをNi,ZnOグリーンシート5bの表面に塗付し、希土類膜を形成する。次いで、希土類膜の形成されていない所定枚数のNi,ZnOグリーンシート5c、...5nを積層し、その上に希土類膜が形成されたNi,ZnOグリーンシート5bを積層し、さらに、その上に希土類膜の形成されていないNi,ZnOグリーンシート5aを積層し、圧着してグリーン積層体を作製する。次いで、グリーン積層体を十分に脱脂した後、1200°C前後の温度で約5時間焼成し、導電膜6とNi,ZnOグリーンシート5a~5nとを同時焼成し、これにより内部電極4が埋設されたp型半導体層1を作製する。この焼成処理では、希土類元素RはNi,ZnOグリーンシート側に拡散され難く、Ni,ZnOグリーンシート中のNiが、希土類膜側に拡散し、これにより焼成中に希土類元素とNiとを主成分とした複合酸化物からなる内部電極が形成される。そしてその後は、上記実施の形態と同様の方法手順で第1及び第2の端子電極3a、3b、n型半導体層2を順次形成し、これにより紫外線センサが作製される。このように内部電極形成用ペーストとして予め複合酸化物を合成しなくても、焼成中に希土類元素とNiとを主成分とした複合酸化物が合成されるため安価に製造することが可能である。ただし、上記変形例の場合、焼成中にNi,ZnOの組成が変動し易く、このためR2NiO6等の異相が生成され易いため、焼成条件を制御するのが好ましい。尚、上記実施の形態は本発明の一実施の形態を例示したものであり。本発明の要旨を逸脱しない範囲で変更可能なことはいうまでもない。次に、本発明の実施例を具体的に説明する。ZnO焼結体の作製主成分となるZnOとドープ剤としてのGa2O3とを、配合比がモルでそれぞれ99.9mol、0.1molとなるように秤量した。そして、これら秤量物に純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で混合粉砕し、平均粒径0.5μm以下のスラリー状混合物を得た。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、50μmの程度の粒径となるように造粒した後、1200°Cの温度で2時間仮焼し、仮焼粉末を得た。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で混合粉砕し、平均粒径0.5μmのスラリー状粉砕物を得た。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、純水及び分散剤を加えて混合し、さらにバインダ及び可塑剤を加えて成形用スラリーを作製し、ドクターブレード法を使用して厚みが20μmのグリーンシートを作製した。次いで、このグリーンシートを厚みが20mmとなるように所定枚数積層し、250MPaの圧力で5分間圧着処理を施し、圧着体を得た。次いで、この圧着体を脱脂した後、1200°Cの温度で20時間焼成し、ZnO焼結体を得た。Ni,ZnOグリーンシートの作製NiO粉末及びZnO粉末を、モル比で7:3となるように秤量し、さらにNiOOHの含有量が0~1molとなるように、NiOOHを秤量した。そしてこれら秤量物に純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で混合粉砕し、スラリー状混合物を得た。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、50μmの程度の粒径となるように造粒した後、1200°Cの温度で2時間仮焼し、仮焼粉末を得た。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で粉砕し、平均粒径0.5μmのスラリー状粉砕物を得た。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、有機溶剤及び分散剤を加えて混合し、さらにバインダ及び可塑剤を加えて成形用スラリーを作製した。そして、ドクターブレード法を使用し、この成形用スラリーに成形加工を施し、膜厚10μmのNi,ZnOグリーンシートを得た。内部電極形成用ペーストNiO粉末及び希土類酸化物としてのLa2O3粉末を、モル比で2:1となるようにそれぞれ秤量し、この秤量物に純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で混合粉砕し、スラリー状混合物を得た。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、50μmの程度の粒径となるように造粒した後、1200°Cの温度で2時間仮焼し、仮焼粉末を得た。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で粉砕し、平均粒径0.5μmのスラリー状粉砕物を得た。そして、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥し、LaNiO3粉末を得た。その後、得られたLaNiO3粉末を、有機ビヒクルと混合させ、三本ロールミルで混練し、これにより内部電極形成用ペーストを作製した。尚、有機ビヒクルは、バインダー樹脂としてエチルセルロース樹脂30体積、有機溶剤としてα―テルピネオール70体積となるようにエチルセルロース樹脂とα―テルピネオールとを混合し、作製した。グリーン積層体の作製NiZnOグリーンシートのうちの1枚について、内部電極形成用ペーストを表面にスクリーン印刷して塗付し、60°Cの温度で1時間乾燥させ、所定パターンの導電膜を形成した。次いで、導電膜の形成されていないNiZnOグリーンシートを20枚積層し、その上に導電膜が形成されたNiZnOグリーンシートを積層し、さらに、その上に導電膜の形成されていないNi,ZnOグリーンシートを1枚順次積層した。そして、これらを200MPaの圧力で圧着した後、2.5mm×1.5mmの寸法に切断し、これによりグリーン積層体を作製した。p型半導体層の作製グリーン積層体を300°Cの温度で十分に脱脂した後、1200°Cの温度で3時間焼成し、これによりp型半導体層を得た。端子電極の作製p型半導体層の両端部にAg-PdペーストAg/Pd=95/5を塗付して850°Cの温度で焼付け処理を行い、第1及び第2の外部電極を作製した。そして、この第1及び第2の外部電極の表面に電解めっきを施してNi皮膜及びSn皮膜を順次形成し、これにより第1及び第2の端子電極を作製した。n型半導体層の形成ZnO焼結体をターゲットとし、p型半導体層の一方の主面の一部を覆い、かつ第2の端子電極の一部と重なり合うように金属マスクを使用してスパッタリングを行い、厚みが約0.5μmの所定パターンを有するn型半導体層を作製し、これにより試料番号1~5の試料を得た。ここで、NiOOHの添加量は、試料番号1が0.001mol、試料番号2は0.01mol、試料番号3は0.1mol、試料番号4は1mol、試料番号5は0mol無添加である。試料の評価試料番号1~5の各試料は、図3に示すように、いずれもp型半導体層31に内部電極32が埋設されると共に、前記p型半導体層31の両端には第1及び第2の端子電極33a、33bが形成され、かつp型半導体層31の表面にはn型半導体層34が接合されている。そして、第1及び第2の端子電極33a、33bを抵抗35を介して電流計36に接続した。そして、これらの各試料について、分光器を備えた紫外線光源から365nmの波長の紫外光を、暗室で矢印Bに示すように、n型半導体層34側の外表面に照射し、電流計36で第1及び第2の端子電極33a,33b間に流れる電流を計測した。尚、紫外光の放射照度は、0.003~10mW/cm2とし、測定温度は、25°C±1°Cとなるように制御した。図4は、その測定結果を示し、横軸が放射照度mW/cm2、縦軸が出力電流nAである。また、図中、◆印が試料番号1、△印が試料番号2、●印が試料番号3、○印が試料番号4、×印が試料番号5をそれぞれ示している。試料番号5は、3価のNiを含有していないので、出力電流は相対的に低く、放射照度を大きくしても、所望の大きな出力電流を得ることが困難であることが分かった。これに対し試料番号1~4は、3価のNiを含有しているので、出力電流は放射照度に略比例して増加することが分かった。また、NiOOHの添加量が増加するに伴い、出力電流も増加することも分かった。次に、試料番号3について、放射照度を1mWcm2とし、紫外光の光源波長を200nmから600nmまで10nm毎に階段状に変化させて波長応答特性を調べた。図5はその測定結果を示し、横軸が波長nm、縦軸が出力電流nAである。この図5から明らかなように、本発明の紫外線センサは、波長が380nm以下の紫外線にのみ反応し、波長が500nm以上の可視光には全く反応せず、紫外光に対し良好な波長応答特性を有することが確認された。次に、試料番号3~5の各試料について、液体ヘリウム下、電子スピン共鳴ESRスペクトルを測定し、Ni3が観測されるか否かを調べた。図6はそのESRスペクトルであり、横軸がg因子、縦軸がスペクトル強度auである。図中、Cが、Ni3のスペクトルの出現を示している。この図6から明らかなように、試料番号3、4の双方において、g因子が2.14近傍でNi3のスペクトルが観察され、3価のNiが存在していることが確認された。次に、試料番号3と試料番号4のESRスペクトル曲線上での面積を比較した。すなわち、ESRスペクトル曲線を積分すると、各積分値はNi3の個数と見做すことができることから、両者の面積比較を行ない、Ni3の個数割合を評価した。その結果、試料中に含まれるNi3の個数は、試料番号3が245、試料番号4が598であり、両者の比率試料番号4/試料番号3は約2.4となった。すなわち、NiOOHの添加量を0.1mol試料番号3から1mol試料番号4に増加させることにより、Ni3の個数が増加することが分かった。そして、このNi3量の増加が図4に示すように出力電流の増加に寄与していると考えられる。"