"与えられた原点の周囲に所望の幾何学形状を有する磁場の生成のためのコイルアセンブリを設計する方法であって、前記方法は、各コイルでの同時の試験電流による原点の周囲に生成される場を、場の所望の成分及び所望しない成分に分解する工程と、未知の電流のセットによるコイルアセンブリのコイルの同時電力供給による前記場の同一の分解を与える分解された成分に基づく線型方程式系を形成する工程と、線型方程式系の解法による前記場の所望の幾何学形状の結果による前記未知の電流のセットを求める工程と、を含むことを特徴とする方法。各コイルの前記場の前記分解は、真空中の磁場の振る舞いを記述した式を用いて前記コイルアセンブリの前記幾何学形状から前記原点の周囲で算出されることを特徴とする請求項1に記載の方法。各コイルの前記場の前記分解は、前記コイルにおける前記試験電流により前記原点の周囲で磁場分布の測定から得られることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。所望の場成分及び所望しない場の成分は、前記磁場の3つの直交成分及びそれらの独立なデカルト導関数から構築されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。前記所望の場成分は、前記磁場の3つの直交成分及び5つの独立な1次のデカルト導関数から構築され、前記所望しない場の成分は、7つの独立な2次のデカルト導関数であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。前記未知の電流のベクトルは、前記試験電流による各コイルに対する場成分ベクトルを含む、ムーア-ペンローズの擬似逆行列の生成、及び原点で同時に電力供給されたコイルの合計磁場ベクトルにより算出されることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。条件数により前記行列の特異点の指数を求め、前記行列の前記条件数が所望の閾値を超える場合には、特異行列又は実質的な特異行列を示す工程と、前記コイルアセンブリを変更し、前記行列の再度求めた条件数が、前記所望の閾値を下回る場合に、非特異行列を示す工程と、前記未知の電流のセットを算出する工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。前記所望の場成分は、干渉の別の測定から求められる、少なくとも1つの支配的な外部干渉成分、又は1又はいくつかの支配的な外部干渉成分の線形結合を含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。所望の場成分として用いられる前記支配的な外部干渉成分は、干渉の別の測定の主成分分析又は独立成分分析から求められることを特徴とする請求項8に記載の方法。前記支配的な外部干渉成分の前記線形結合は、アクティブ補償システムでのフィードバック場形状として用いられ、前記フィードバック場形状を形成する前記線形結合及びセンサーの方向は、同時に動作するフィードバックループの結合が最小化されるように選択されることを特徴とする請求項8に記載の方法。勾配を有する前記磁場を生成する磁気共鳴画像機能と、周囲環境干渉のためのアクティブ補償を行う脳磁図装置機能とを切り替える工程をさらに含むことを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。与えられた原点の周囲に所望の幾何学形状を有する磁場を生成するコイルアセンブリ20を有する磁気共鳴画像装置又は脳磁図装置であって、マルチチャネルデータを測定する複数のセンサー22を含むセンサーアレイ22’と、前記装置を制御する制御手段23と、を含み、前記装置は、各コイル20での同時の試験電流29’による原点の周囲に生成される場を、場の所望の成分及び所望しない成分に分解するように構成される前記制御手段23と、未知の電流のセットによるコイルアセンブリの前記コイル20の同時電力供給による前記場の同一の分解を与える分解された成分に基づく線型方程式系を形成するように構成される前記制御手段23と、前記線型方程式系の解法による前記場の所望の幾何学形状の結果による前記未知の電流のセットを求めるように構成される前記制御手段23と、をさらに含むことを特徴とする装置。前記制御手段23は、真空中の磁場の振る舞いを記述した式を用いて前記コイルアセンブリ20の前記幾何学形状から前記原点の周囲で各コイル20の前記場の分解を算出するように構成されることを特徴とする請求項12に記載の装置。前記制御手段23は、前記コイル20における前記試験電流29’により前記原点の周囲で磁場分布の測定から各コイル20の前記場の前記分解を得るように構成されることを特徴とする請求項12又は13に記載の装置。前記制御手段23は、前記磁場の3つの直交する成分及びそれらの独立なデカルト導関数から、所望の場成分及び所望しない場の成分を構築するように構成されることを特徴とする請求項12から14のいずれか一項に記載の装置。前記制御手段23は、前記磁場の3つの直交成分及び5つの独立な1次のデカルト導関数から、前記所望の場成分を構築するように構成され、前記所望しない場の成分は、7つの独立な2次のデカルト導関数であることを特徴とする請求項12から14のいずれか一項に記載の装置。前記制御手段23は、前記未知の電流のベクトルを、前記試験電流29’による各コイル20に対する場成分ベクトルを含む、ムーア-ペンローズの擬似逆行列の生成、及び原点で同時に電力供給されたコイルの合計磁場ベクトルにより算出するように構成されることを特徴とする請求項12から16のいずれか一項に記載の装置。前記制御手段23は、条件数により前記行列の特異点の指数を求め、前記行列の前記条件数が所望の閾値を超える場合には、特異行列又は実質的な特異行列を示すように構成され、前記コイルアセンブリ20を変更し、前記行列の再度求めた条件数が、前記所望の閾値を下回る場合に、非特異行列を示すように構成される変更手段をさらに含み、前記制御手段23は、前記未知の電流のセットを算出するように構成されることを特徴とする請求項17に記載の装置。前記所望の場成分は、干渉の別の測定から求められる、少なくとも1つの支配的な外部干渉成分、又は1又はいくつかの支配的な外部干渉成分の線形結合を含むことを特徴とする請求項14に記載の装置。前記制御手段23は、所望の場成分として用いられる前記支配的な外部干渉成分を、干渉の別の測定の主成分分析又は独立成分分析から求めるように構成されることを特徴とする請求項19に記載の装置。前記制御手段23は、前記支配的な外部干渉成分の前記線形結合を、アクティブ補償システム25,29,20でのフィードバック場形状として用いるように構成され、前記フィードバック場形状を形成する前記線形結合及びセンサー22の方向は、同時に動作するフィードバックループの結合が最小化されるように選択されることを特徴とする請求項19に記載の装置。勾配を有する前記磁場を生成するように構成される磁気共鳴画像機能24と、周囲環境干渉のためのアクティブ補償を行うように構成される脳磁図装置機能25とを選択するための切り替え手段28a,28bをさらに含むことを特徴とする請求項12から21のいずれか一項に記載の装置。場が、与えられた原点の周囲に所望の幾何学形状を有する、コイルアセンブリを有する磁場の生成を制御するコンピュータプログラムであって、前記コンピュータプログラムは、データ処理装置で実行される場合に以下:各コイルでの同時の試験電流による原点の周囲に生成される場を、場の所望の成分及び所望しない成分に分解する工程と、未知の電流のセットによるコイルアセンブリのコイルの同時電力供給による前記場の同一の分解を与える分解された成分に基づく線型方程式系を形成する工程と、線型方程式系の解法による前記場の所望の幾何学形状の結果による前記未知の電流のセットを求める工程と、を実行するように構成されるコードを含むことを特徴とするコンピュータプログラム。この発明の目的は、磁性材料を含むコイルアセンブリの周辺の環境であっても、所望の次数まで均一かつスムースな磁場を生成可能なコイルアセンブリを設計する方法を示すことである。本発明では、磁場形状は、幾何学的に固定されたコイルアセンブリのncコイルへ与えられる、nc電流、電流ベクトルIを適切に選択されることにより制御される。アセンブリの各コイルは、場成分及び空間の与えられた点原点で発生するそれらの勾配により特徴付けられる。本発明のキーポイントは、発生する場から除かれることが望まれる、各コイルに対する場-ベクトルBc及び場の形状derivativesのこの特徴づけを含むことであり、1所望の場成分又はそれらの導関数を与える必要がある、及び2それらの導関数を、原点で消えることが求められるゼロで維持する必要がある電流ベクトルIを算出する簡素な代数的な方法を策定することができる。各コイルの特性のために必要な場-ベクトルBcは、算出又は測定されうる。後者のアプローチは、磁性材料を含む環境において必要である。より明確な手法で説明される、本発明は、与えられた原点の周囲に所望の幾何学形状を有する磁場の生成のためのコイルアセンブリを設計する方法を導入する。本方法は、以下:各コイルでの同時の試験電流による原点の周囲に生成される場を、場の所望の成分及び所望しない成分に分解する工程と、未知の電流のセットによるコイルアセンブリのコイルの同時電力供給による前記場の同一の分解を与える分解された成分に基づく線形方程式系を形成する工程と、線形方程式系の解法による前記場の所望の幾何学形状の結果による前記未知の電流のセットを求める工程と、を含むことを特徴とする。本発明の一実施形態では、各コイルの前記場の前記分解は、真空中の磁場の振る舞いを記述した式を用いて前記コイルアセンブリの前記幾何学形状から前記原点の周囲で算出される。本発明の一実施形態では、各コイルの前記場の前記分解は、前記コイルにおける前記試験電流により前記原点の周囲で磁場分布の測定から得られる。本発明の一実施形態では、所望の場成分及び所望しない場の成分は、前記磁場の3つの直交成分及びそれらの独立なデカルト導関数から構築される。本発明の一実施形態では、前記所望の場成分は、前記磁場の3つの直交成分及び5つの独立な1次のデカルト導関数から構築され、前記所望しない場の成分は、7つの独立な2次のデカルト導関数である。本発明の一実施形態では、前記未知の電流のベクトルは、前記試験電流による各コイルに対する場成分ベクトルを含む、ムーア-ペンローズの擬似逆行列の生成、及び原点で同時に電力供給されたコイルの合計磁場ベクトルにより算出される。本発明の一実施形態では、前記方法は、条件数により前記行列の特異点の指数を求め、前記行列の前記条件数が所望の閾値を超える場合には、特異行列又は実質的な特異行列を示す工程と、前記コイルアセンブリを変更し、前記行列の再度求めた条件数が、前記所望の閾値を下回る場合に、非特異行列を示す工程と、前記未知の電流のセットを算出する工程と、さらに含む。本発明の一実施形態では、前記所望の場成分は、干渉の別の測定から求められる、少なくとも1つの支配的な外部干渉成分、又は1又はいくつかの支配的な外部干渉成分の線形結合を含む。本発明の一実施形態では、所望の場成分として用いられる前記支配的な外部干渉成分は、干渉の別の測定の主成分分析又は独立成分分析から求められる。本発明の一実施形態では、前記支配的な外部干渉成分の前記線形結合は、アクティブ補償システムでのフィードバック場形状として用いられ、前記フィードバック場形状を形成する前記線形結合、及びセンサーの方向は、同時に動作するフィードバックループの結合が最小化されるように選択される。本発明の一実施形態では、前記方法は、勾配を有する前記磁場を生成する磁気共鳴画像機能と、周囲環境干渉のためのアクティブ補償を行う脳磁図装置機能とを切り替える工程をさらに含む。本発明の第2の態様によれば、発明の着想は、また、与えられた原点の周囲に所望の幾何学形状を有する磁場を生成するコイルアセンブリを有する磁気共鳴画像装置又は脳磁図装置であって、マルチチャネルデータを測定する複数のセンサーを含むセンサーアレイと、前記装置を制御する制御手段と、を含む。前記装置は、各コイルでの同時の試験電流による原点の周囲に生成される場を、場の所望の成分及び所望しない成分に分解するように構成される前記制御手段と、未知の電流のセットによるコイルアセンブリの前記コイルの同時電力供給による前記場の同一の分解を与える分解された成分に基づく線形方程式系を形成するように構成される前記制御手段と、前記線形方程式系の解法による前記場の所望の幾何学形状の結果による前記未知の電流のセットを求めるように構成される前記制御手段と、をさらに含むことを特徴とする。本発明の一実施形態では、前記制御手段は、真空中の磁場の振る舞いを記述した式を用いて前記コイルアセンブリの前記幾何学形状から前記原点の周囲で各コイルの前記場の分解を算出するように構成される。本発明の一実施形態では、前記制御手段は、前記コイルにおける前記試験電流により前記原点の周囲で磁場分布の測定から各コイルの前記場の前記分解を得るように構成される。本発明の一実施形態では、前記制御手段は、前記磁場の三つの直交する成分及びそれらの独立なデカルト導関数から、所望の場成分及び所望しない場の成分を構築するように構成される。本発明の一実施形態では、前記制御手段は、前記磁場の3つの直交成分及び5つの独立な1次のデカルト導関数から、前記所望の場成分を構築するように構成され、前記所望しない場の成分は、7つの独立な2次のデカルト導関数である。本発明の一実施形態では、前記制御手段は、前記未知の電流のベクトルを、前記試験電流による各コイルに対する場成分ベクトルを含む、ムーア-ペンローズの擬似逆行列の生成、及び原点で同時に電力供給されたコイルの合計磁場ベクトルにより算出するように構成される。本発明の一実施形態では、前記制御手段は、条件数により前記行列の特異点の指数を求め、前記行列の前記条件数が所望の閾値を超える場合には、特異行列又は実質的な特異行列を示すように構成され、前記コイルアセンブリを変更し、前記行列の再度求めた条件数が、前記所望の閾値を下回る場合に、非特異行列を示すように構成される変更手段をさらに含み、前記制御手段は、前記未知の電流のセットを算出するように構成される。本発明の一実施形態では、前記所望の場成分は、少なくとも1つの支配的な外部干渉成分、又は干渉の別の測定から求められる1又はいくつかの支配的な外部干渉成分の線形結合を含む。本発明の一実施形態では、前記制御手段は、所望の場成分として用いられる前記支配的な外部干渉成分を、干渉の別の測定の主成分分析又は独立成分分析から求めるように構成される。本発明の一実施形態では、前記制御手段は、前記支配的な外部干渉成分の前記線形結合を、アクティブ補償システムでのフィードバック場形状として用いるように構成され、前記フィードバック場形状を形成する前記線形結合、及びセンサーの方向は、同時に動作するフィードバックループの結合が最小化されるように選択される。本発明の一実施形態では、前記装置は、勾配を有する前記磁場を生成するように構成される磁気共鳴画像機能と、周囲環境干渉のためのアクティブ補償を行うように構成される脳磁図装置機能とを選択するための切り替え手段をさらに含む。本発明の第3の態様によれば、発明の着想は、場が、与えられた原点の周囲に所望の幾何学形状を有する、コイルアセンブリを有する磁場の生成を制御するコンピュータプログラムをさらに含む。前記コンピュータプログラムは、データ処理装置で実行される場合に以下、各コイルでの同時の試験電流による原点の周囲に生成される場を、場の所望の成分及び所望しない成分に分解する工程と、未知の電流のセットによるコイルアセンブリのコイルの同時電力供給による前記場の同一の分解を与える分解された成分に基づく線形方程式系を形成する工程と、線形方程式系の解法による前記フィールドの所望の幾何学形状の結果による前記未知の電流のセットを求める工程と、を実行するように構成されるコードを含む。本発明のさらなる利点は、示されたコイルアセンブリ設計方法により、相対的に大きな体積に亘る異なる種類のアクティブな干渉状況を効果的に補償するアセンブリにより所望のかつ正確な磁場を生成しうることである。さらなる利点は、この設計方法が、主に行列代数を実現することであり、したがって、本発明の応用は、例えば、MEG装置の存在する制御ロジック又はプロセッサにおける簡単なstraight-forward手法で行われうることである。さらなる利点は、分解される測定体積が大きいことであり、最後に、本方法は、以前のアクティブ補償システムで非常に干渉した磁性材料を通常含む磁性シールドルームの内側でも適用できることである。本発明の実施形態についての参照が詳細になされる。本発明は、背景技術の項で説明した発生するHelmholz/Maxwell設計問題を解決するための方法を策定する。本方法は、Helmholz及びMaxwell設計問題、つまり、任意の要求される次数まで減少する導関数を有する磁場を生成するコイルアセンブリの設計以上の直接的な手法に拡張されうる。単純化のために、導関数は、以下の例では二次の次数で切り捨てられる。しかし、コイルが測定対象物へ近接し、かつ非常にスムースで均質な磁場が望まれる状態では、2よりも大きい次数の導関数を使用する必要がある。演算が考慮される導関数の次数は、使用される用途での精度要求に応じて選択されうる。無論、考慮されるより多くの量の導関数は、演算ベクトル及び行列の次元の複雑さを増大させるが、代数処理の主な原理は、同じままである。例えば、本方法が適用されうる三つの異なる状態が以下に説明される。設計状態は、複雑さを増加する次数において示される。先ず、本発明に係る方法が適用されうる第1の状態を説明する。この最も単純化された場合では、コイルアセンブリは、磁性材料を含まない周囲環境に配置され、その目的は、コイルアセンブリ内の与えられた点原点で、三つのデカルト方向Bx,By,Bzにおける厳密に均一な場、及びこれら3つの成分の一定の第1の導関数を生成することである。磁性源磁性材料又は電流が無い体積において、磁場の発散及び回転はゼロである。したがって、9つの取り得る第1の導関数dBx/dx,dBx/dy,dBx/dz,dBy/dx,dBy/dy,dBy/dz,dBz/dx,dBz/dy,dBz/dzから、5つのみ、例えば、dBx/dx,dBx/dy,dBx/dz,dBy/dy,及びdBy/dzが独立である。同様に、三次元空間での自由ベクトル場の発散及び回転のために、27の第2の導関数から、7つのみ、例えば、d2Bx/dx2,d2Bx/dxdy,d2Bx/dxdz,d2By/dxdy,d2Bx/dx2,d2By/dy2,d2By/dydz及びd2Bx/dydzが独立である。ncコイルのセットが特定され、各コイルの電流から生じる場の3つの磁場成分、5つの第1の導関数、及び7つの第2の導関数は、原点で算出される。磁性材料の無い周囲環境では、これは、単純な既知の数学的表記を用いることによりなされうる。このように、各ncコイルに対して、場ベクトル、Bcは、Bx,By,Bz,dBx/dx,dBx/dy,dBx/dz,dBy/dy,dBy/dz,d2Bx/dx2,d2Bx/dxdy,d2Bx/dxdz,d2By/dxdy,d2Bx/dx2,d2By/dy2,d2By/dydz,及びd2Bx/dydzの15の成分により得られる。列ベクトルとしてのこれらのnc場ベクトルを用いて、15×ncの行列Mが形成される。ncコイルが電流I1,I2,...,Incで同時に電源供給される場合、原点でのアセンブリ全体に対する得られる場ベクトルは、行列方程式により与えられる。ここで、Iは、成分I1,I2...Incを有する列ベクトルであり、個々のコイルにおける電流である。よって、任意の場ベクトルを生成するために必要な電流ベクトルは、次の式から得られる。ここで、invMは、Mの逆行列であり、コイルの数が、場ベクトルBにおける成分の数と同じ場合、この例では15である。コイルの数が、場ベクトルの成分の数よりも少ない又は多い場合、invMは、Mのムーア-ペンローズ逆行列である。例えば、電流は、X方向において1テスラの均一な場を生成するためのアセンブリのコイルで必要であり、Bxは、列ベクトルB=[1,0,0,...,0]を用いることにより式2から得られる。得られたI-ベクトルにより発生する場は、x方向、つまり、By,Bz=0である。また、その第1及び第2の次数の導関数の全ては、原点でゼロである。なお、二次までの場の導関数は、原点でのみ消える、これは、それらが各コイルの対するモデルBc-ベクトルを含むためである。Bc-ベクトルから省略される導関数は、式1及び2により定義されるアルゴリズムでは制御されない。式2の後に残る設計のみの問題は、コイルアセンブリの形状全体が、行列Mが、特異singularではなく、よって、invMが存在するように選択されなければならないことである。これは、難しいことではなく、Mが非常に対称なアセンブリに対してのみ厳密に特異であるためである。実務上の視点からは、これは、如何に特異Mが近いかという問題でもある。Mが特異に近い場合、いくつかの場成分又はそれらの導関数の生成は、いくつかのコイルでの非常に高い電流を必要とする。したがって、どの程度特異Mが近いかという測定である行列Mの条件数は、コイルアセンブリの形状設計の質を良好に測る。コイルアセンブリが、例えば単一平面上又は対称的な相互の位置に位置する場合、それは、補償コイルアセンブリにおける少なくとも一つの得られた電流が、適切に動作するために非常に著しく高く必要とされることを、通常、生じる。これは、現実的又は経済的でない。したがって、この種の動作を示すための良好な測定は、非経済的な場合に大きくなりうる例えば100を超える条件数である。条件数を最小化するために、例えば、より対称的でない形でコイルアセンブリを再配置しなければならず、その後、相対的に小さな電流を有する最適なコイルアセンブリを実現し、MRIにおけるスムースな測定又はMEGにおける効果的なアクティブ補償の生成のための良好に機能するシステムを達成できる。場ベクトルBにおける成分の数と比べて、アセンブリのコイルの数が1等しい、2多い、3小さい場合、互いに原理が異なる。1の場合が最も単純である。ここで、コイルの数取得可能な自由度は、制御するための数量と同じである3つの場成分及び原点でのそれらの57つの独立導関数。この場合、Mは、15×15の正方行列であり、式2は、一意の解を有する。電流ベクトルIは、z方向における均一な場を生成するために必要であり、Bzは、例えば、列ベクトルB=[0,0,1,0,...,0]を用いることにより式2から得られる。得られた場は、z軸に沿って数値的な精度で正確であり、第2の導関数までのその全ての導関数は、原点で消える。2の場合では、式1により定義されるシステムが劣決定される。コイルの数は、制御される数量よりも多い。この場合、式1は、無限数の解Iを有する。ムーア-ペンローズ擬似逆行列により与えられる解は、最も小さなユークリッドノルムをもつもの、つまり、ベクトルIの最小長さである。この場合、他の最適解Iが、また、選択されてもよい:15個のncコイルのみにおけるゼロでない電流を有するこれらの解のうちの最小のベクトルI。このように、ncコイルのものを探索することは、少なくとも均一な場及び一定の第1の導関数を生成するために有益であり、アセンブリから省略されることが可能である。この後の解は、通常、ムーア-ペンローズ擬似逆解よりも大きな最大電流を必要とする。過剰に決定された3の場合、式1に対する正確な解Iが存在しない。ここで、取得可能な自由度の数コイルの数は、制御される数量よりも少ない。この場合、ムーア-ペンローズ擬似インバースは、偏差I-MBのユークリッドノルムを最小化する意味での最適化であるベクトルIを与える。この電流ベクトルIは、過剰な問題への最小二乗解である。ベクトルB及びBcの全てにおける成分の数は、2以上の次数の導関数を含むように増加されうる。これは、MRI用途のような均一な場及び正確な第1の勾配が相対的に大きな体積において必要な場合に、必要となる。または、これは、複雑な形状を表す干渉が成分を含む、つまり、大きな導関数を含む場合、アクティブなシールド用途で必要となる。この場合に満足な結果を実現するために、アセンブリにおけるコイルの数も増加させなければならない。本発明に係る第2の状態は、以下の説明するような場合に適用されうる。実際には、コイルアセンブリは、磁性材料及び構造を有する建物の環境において実装される。具体的には、MEGの場合、その高い透磁性壁を有する磁性シールドルームは、コイルに非常に近く、かなりの散乱場を得られる。これらの材料の形状及び磁性特性は、通常、複雑であり、詳細に特徴付けることは難しい。したがって、計算により各コイルに対するBcベクトルを得ることは、不正確又は不可能でありうる。この場合、コイルのアセンブリは、初めに作られ、実装されなければならず、その後、場ベクトルBcは、アセンブリの各コイルへ電流を与えることにより一度に測定されなければならない。例えば、MEGの場合-及び同じ装置内にMEG及びMRIを組み合わせることが可能な装置の場合-場及びその導関数を測定することは、容易である、これは、MEG装置自体が多数の磁性センサーのアレイを含むためである。各コイルへ与えられる電流励起へのMEGセンサーアレイからの応答、信号ベクトル、Bcが必要とされる場成分及びそれらの導関数は、容易に導き出せる。MEGセンサーアレイが取得できない場合、場及びその導関数の測定は、いくつかの他の正確に較正されたセンサーアレイ、又は原点の周りを正確に動きうる一つのセンサーからなりうる。測定により各コイルのBc-ベクトルが求められた後、Bの異なる成分に対応するI-ベクトルを得るための工程は、上記の第1の状態として正確に適用される。本発明に係る第3の状態は、以下に示す場合に適用されうる。この第3の場合は、本方法のMEG用途に適用される。MRI用途における目的は、測定体積において均一な場成分及び一定の勾配第1の導関数を得るためのコイルを用いることであり、一方、MEG用途における目的は、できるだけ正確に周囲環境の磁性干渉を中和することである。これは、均一な場及び空間的に一定の第1の導関数を除去することのみにより最適に行われる必要は無い、なぜなら、MSR内の支配的な干渉場形状が高い導関数を含んでもよいためである。したがって、最適な除去を実現することは、実際の支配的な干渉場パターンを正確に再生成する電流分布Iを求めなければならないが、望まない高い導関数場形状を除く。実際の支配的な干渉パターンは、MEGシステムヘルメットを対象としないでの干渉信号を記録すること、及び例えば、マルチチャネルMEG信号に主成分分析principalcomponentanalysisPCAをすることにより、求められうる。他の実施形態は、マルチチャネルMEG信号に独立成分分析independentcomponentanalysisICAをすることである。この後、本方法は、Bc-ベクトルの第1のnp成分が、先に記録された干渉の支配的なnp主成分に従うコイル信号の投影であるように適用されうる。除去する場における望まれない高い導関数の出現を防ぐために、Bc-ベクトルの残りの成分は、これらの高い導関数から選択される。原理上、第3の状態では、正確に同一な工程が第2の状態として適用される。Bc-ベクトルでは、第1のいくつかの成分Bx,By,Bz,...は、測定された干渉を、実際の支配的なPCA成分により再配置のみがされる。MEGにおけるアクティブ補償用途では、干渉除去は、フィードバックシステムとして動作する。MEGヘルメットの異なる側の磁力計センサーは、補償コイルアセンブリの電流を制御するフィードバックループのゼロ検出器として使用されるPCT/FI2005/000090。このようなフィードバックループのいくつかは、周囲環境干渉のnp支配的なPCA成分に対して補償するように平行となる。互いからのループを最大限に切り離すための平行なフィードバックループのこのようなシステムの安定した機能のために有益である。一つのループにより駆動されるコイルの組み合わせは、他のループのゼロ検出器における最小の信号を生成すべきである。これは、異なる制御ループ中の循環からの反作用を防ぎ、これにより、制御システム全体を速くし、広い帯域に亘って安定にさせる。この制御システムの直交化は、上記の第1及び第2の状態に組み込まれる。これは、これらの状態において制御される場形状が直交デカルト成分であり;By及びBz成分等がみられないようにx-方向での厳密なBx-フィードバックループのためにゼロ検出器を選択することが自然であるためである。これは、しかし、第3の状態が最大限の干渉補償を達成するために用いられる場合には、自動化されない。np支配的PCA-成分は、空間において正確に直交な純粋な磁場成分ではない。たとえ、それらの初めの3つが均一な場に近く、三次元での主要な干渉方向を定義していたとしても、これらの方向は、測定装置及びコイルアセンブリの主要な方向に対して頻繁に回転される。この場合、平行なフィードバックループは、干渉の支配的なnpPCA成分を、これらのPCA成分により定義される信号サブ空間内の適切な線形変換と混合することにより、最適に切り離されうる。最適な線形変換は、それが、装置の主要な軸に沿うPCA成分により定義される座標系を回転するように構築され、任意のフィードバックループのゼロ検出器が、他の制御ループに関する反作用場を見ないように、干渉場形状を混合する。機械的な形式を構築するために、先ず、行列P及びCそれぞれによるnch×np及びnch×nc次元のPCA及びコイル信号サブ空間を示す。ここで、nchは、測定チャネルの数である。また、fによる全てのチャネルからの測定値を含む実際の信号ベクトルを示す。ここでの課題は、与えられたコイル信号のセットCに、できるだけfのように正確な反作用信号を生成することである。数学的に、これは、定式化されるここで、最も単純な場合のKは、コイル信号が任意の種類の混合なしで用いられるようなnc×nc次の恒等行列であり、nc×1次のベクトルf0は、ゼロ検出器からのフィードバック情報を含む。しかしながら、Kは、恒等行列として得られる最適保証を提供しない。これは、支配的な干渉の組み合わせf=Pxと同様に、信号ベクトルfを初めに表すこと、及びf0=P0xとしてのf及びPからゼロ検出器の寄与率を抽出することにより容易にわかる。ここで、pinvP0は、P0の擬似インバースを示す。f=Pxを設定し、3ができるだけ正確に当てはまるこのような手法でKについて解くことにより、これは、最適コイル混合行列である。最後の工程として、行列Kを回転することによりゼロ検出器間のクロストークを除去しうる。先ず、C2=CKを設定する。回転Korth=KRは、回転したセットC3=C2R=CKRにおいて、ゼロ検出器が、直交する、すなわち、C20R=Iが、nz×nz次の恒等行列であり、ここで、nzは、ゼロ検出器の数であり、C20のみがゼロ検出器のよって、R=pinvC20を有し、回転した混合行列は、本方法に係る実施形態を用いることにより、一つ及び同一のコイルアセンブリは、MEG/MRI装置を組み合わせたものにおいて、MRIのための場及び勾配生成に用いられ、MEGのためのアクティブ干渉除去に用いられる。これらの場合及び本発明の一実施形態では、磁気共鳴画像測定場を制御するMRI電子機器は、ホスト装置として機能しうる。その場合、MEG装置は、MRI電子機器のためのスレーブ装置として動作し、MEGが磁気共鳴信号のための測定機器となりうる。同一のコイルシステムは、また、MEGの座位及びあお向け測定位置のような、コイルアセンブリ内で異なる測定位置原点のために用いられてもよい。アセンブリのみにおける各コイルに対するベクトルBcは、各測定位置を別々に、計算又は測定のいずれかによって求める必要がある。同じものは、第3の状態における周囲環境干渉場PCA分析に適用する。この後、各測定位置に対する電流分布Iは、式2から得られる。これは、Bc-ベクトル及びM-行列が、二つの測定位置に対して異なり、得られたI-ベクトルもまた異なるためである。しかし、異なるコイルアセンブリを用いること、又は一つの測定位置から他の位置へ変更するときの移動又は幾何学的な変更が必要ではない。また、コイルアセンブリに対する測定装置の可能な再配置のみが、新たなM-行列の算出に必要であり、その後、式2を用いて新たな電流ベクトルIが算出される。添付の図面で示される本発明の付加的な実施例についての参照が詳細になされる。図1は、本発明の実施形態において、測定体積の周囲の正方形状場生成コイルの一つの可能なアセンブリを示す。24個のコイル10は、矩形状フレーム11の8つの角ごとに3つのコイルのグループで配置される。各角の3つのコイル19は、互いに直交している。測定装置が磁気遮蔽した部屋に配置された場合、フレーム11は、部屋の内壁でありうる。測定体積measuringvolumeの中央である、原点に対する二つの可能な位置は、12として示される。図2は、本発明の実施形態において、コイルアセンブリ20の電流を制御して、MRI装置のための測定する場及び勾配、又はMEG装置のための周囲環境干渉のアクティブ補償のいずれかを提供する電子機器の配置を示す。測定する体積例えば、MSRは、患者が測定センサー22の付近に位置する21で示される。セットアップすると、システムは、その周囲環境のアセンブリのコイル20のための場ベクトルBcの算出を開始する。データ要求電子機器23は、nc出力29’を有する電流供給29に、一つずつアセンブリのコイル20へ電流を供給するように命令する。得られるコイル信号は、磁気計チャネルアレイ22’により記録され、要求システム23に記録される。MRI機能24をセットアップするために、これらのコイル信号は、デカルト場成分及びそれらの導関数に分解され、これは、MRI用途のためのBc-ベクトルの成分である。この後、M行列は、これらのBc-ベクトルから形成され、電流ベクトルIMRIは、Mのインバースをとることにより求められる。これらの各IMRIベクトルの一つは、電流供給29への入力として与えられた場合、純粋なデカルト測定場又は純粋な勾配場を得る。これらのベクトルは、MRI制御ユニット24に記憶される。MRI機能において、このユニットは、MRIシーケンスを制御し、ncチャネル電流供給29へのリンク26aを通じて、均一な場及び勾配の両方の、適切なIMRIベクトルを送ることにより、場の形状を記録する。アクティブ干渉補償機能が、以下の上記第2の状態で動作する場合、これらのIMRI電流ベクトルは、同様にアクティブ補償のために用いられうる。しかし、第3の状態が適用される場合、その後、干渉のPCA分析からの情報は、Bcベクトルを定義するために用いられなければならない。記録されたコイル信号は、ここで、干渉の第1のnpPCA成分及びその後のB-場成分の高い導関数を含む座標系において分解される図4も参照。これは、MRIの場合からBcベクトル及びM行列を導き、ベクトルIMRIとは異なる電流ベクトルIACを導く。アクティブ補償25がオンのとき、これらのIACベクトルのnpの初めの一つは、補償フィードバックループのためのゼロ検出器として用いられるセンサー22から受信されるエラー信号により乗じられ、その後、リンク26bを介し加算器27b、27c及びスイッチ28bを通じて電流供給29へ送信される。リンク26a-bの一方の上の二つのスイッチ28a-bにより、MRI24とMEGアクティブ補償25機能とを選択しうる。MRIモードでは、加算器ユニット27aは、MRI測定場及び選択した勾配に対応する二つのベクトルIMRIを加算する。一方、MEGモードでは、補償期間の間、加算器ユニット27bは、支配的な干渉成分そのnpPCA成分に反作用するIACベクトルnpエラー信号により重み付けられるを加算して、nc成分電流ベクトルを形成する。これらの信号両方は、選択されたモード切り替え28a又は28bと共に、加算器ユニット27cを通じて電流供給29に与えられる。一実施形態では、MRI測定についての上記で開示したように、MRI24は、磁気共鳴信号のための測定装置として動作するスレーブ装置として設定されうるMEG測定ユニット23へのホスト装置として機能しうる。これは、二つのユニット23,24間での二方向の矢印として図2に表される。図3は、MRI用途のためのコイルアセンブリを設計するための処理のフローチャートとして、本方法に係る実施形態を示す。このチャートは、前述の段落で既に処理された工程のサマリーである。この処理の第1の工程では、30において、アセンブリの各コイルにより生成される磁場は、原点で算出又は測定される。この後、31において、アセンブリの全てのコイルに対して磁場Bc要素Bx,By,Bz,dBx/dx,...を含む列ベクトルを求める。その後、32において、全てのコイルに対する場ベクトルから行列Mを構築する準備をする。この後、33において、Mの条件数を求め、これは、特異行列Mに実際どのくらい近いかを教示する。条件数が100又は任意の他の所望の閾値以上である場合には、34において、コイルアセンブリを変更する。状況に応じて、これは、個々のコイルの再配置又は再方向付けを意味する、若しくはアセンブリのコイルの数を減少又は増加することを意味する。その場合、処理の初めから開始し、変更したアセンブリの各コイルに対する場の算出又は測定を30で再び行わなければならない。100以下の条件数が得られたときには、コイルアセンブリが実現可能であり、35において、式2に基づく電流ベクトルIMRIを算出する。最後に、最終工程36では、測定した場及び勾配に対応するMRIユニットにおけるIMRIベクトルをインストールしうる。図4は、他の用途、MEGのアクティブ干渉除去のためのコイルアセンブリ設計の処理のフローチャートとしての例を示す。初めに、補償コイル40のアセンブリを測定体積、例えばMSRの内側へセットアップする。その後、41において、任意の物体の存在無しでバックグラウンド干渉を測定し、この干渉した場を、成分B1,B2,...,Bnpnpは干渉の支配的なPCA成分の数を意味するに分解する。この後、42において、原点で各コイルから生じる磁場を測定する。その後、43において、全てのコイルに対する場ベクトルBcB1,B2,...,Bnp,d2Bx/dx2,...Tを求める。Bc’sを有するとき、44において、行列Mを構築する。図3の実施形態と同様に、45において、行列Mの条件数をチェックする、つまり、行列Mが特異か、特異に近いか、又は特異から遠いかをチェックする。46において、インバースになりうる行列Mが実現するまで条件数が100以下、又は任意の他の所望の閾値以下、コイルのアセンブリを変更し、バックグラウンド干渉を再測定しなければならない。その場合、47において、式2を用いることにより電流ベクトルIACを算出しうる。最後に、48において、MEG装置のアクティブ補償ユニットへベクトルIACをインストールしうる。本方法は、適切な方法の工程を実行するためのデータ処理装置を制御しうるコンピュータプログラムによって実現されうる。コンピュータプログラムは、プロセッサ又は他の制御手段により適切な媒体に記憶されうる。当業者には、技術の進歩により、本発明の基本的な概念が様々な手法で実現してもよいことが明らかである。よって、本発明及びその実施形態は、上述した例に限定されず、特許請求の範囲内で変更してもよい。"