真空槽と、前記真空槽内に配置され、複数の放出孔が設けられた中空の放出容器と、前記放出容器の中空の部分に配置された複数の管状の導入部と、各前記導入部に原料ガスを供給するガス供給部と、前記放出容器の前記放出孔と対面する位置に基板を保持する基板保持部と、を有し、各前記導入部の外周側面は前記放出容器の前記中空の部分に面する壁面に密着され、各前記導入部の前記密着する部分には前記導入部の内部空間と前記放出孔とを連通させる貫通孔が設けられた成膜装置。各前記導入部は、前記放出容器の前記壁面に、互いに平行に向けられて等間隔に配置された請求項1記載の成膜装置。前記ガス供給部は第一、第二の原料ガスを放出する第一、第二のガス供給部を有し、前記導入部のうち少なくとも一つの前記導入部は前記第一のガス供給部に接続され、他の前記導入部は前記第二のガス供給部に接続された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の成膜装置。前記第一のガス供給部に接続された前記導入部と、前記第二のガス供給部に接続された前記導入部とは、前記放出容器の前記壁面に、交互に並んで配置された請求項3記載の成膜装置。前記放出容器の前記中空の部分に配置され、外周側面に複数の副貫通孔が設けられ、前記外周側面の前記副貫通孔の外周部分は前記放出容器の前記壁面と離間された複数の副配管と、一端が前記副貫通孔に接続され、他端が前記放出孔に接続され、前記副貫通孔と前記放出孔とを連通させる複数の接続管と、を有し、前記ガス供給部は第一、第二の原料ガスを放出する第一、第二のガス供給部を有し、前記配管は前記第一のガス供給部に接続され、前記副配管は前記第二のガス供給部に接続された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の成膜装置。前記放出容器の容器壁には導入口と排出口とが設けられ、前記導入口から前記放出容器の前記中空の部分に温度管理された冷媒が導入され、前記排出口から前記冷媒が排出されるように構成された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の成膜装置。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、従来より製作が容易な構造により、複数の原料ガスを冷却しながら混合させずに基板上に放出できる原料ガス放出部を有する成膜装置を提供することにある。上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、前記真空槽内に配置され、複数の放出孔が設けられた中空の放出容器と、前記放出容器の中空の部分に配置された複数の管状の導入部と、各前記導入部に原料ガスを供給するガス供給部と、前記放出容器の前記放出孔と対面する位置に基板を保持する基板保持部と、を有し、各前記導入部の外周側面は前記放出容器の前記中空の部分に面する壁面に密着され、各前記導入部の前記密着する部分には前記導入部の内部空間と前記放出孔とを連通させる貫通孔が設けられた成膜装置である。本発明は成膜装置であって、各前記導入部は、前記放出容器の前記壁面に、互いに平行に向けられて等間隔に配置された成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記ガス供給部は第一、第二の原料ガスを放出する第一、第二のガス供給部を有し、前記導入部のうち少なくとも一つの前記導入部は前記第一のガス供給部に接続され、他の前記導入部は前記第二のガス供給部に接続された成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記第一のガス供給部に接続された前記導入部と、前記第二のガス供給部に接続された前記導入部とは、前記放出容器の前記壁面に、交互に並んで配置された成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記放出容器の前記中空の部分に配置され、外周側面に複数の副貫通孔が設けられ、前記外周側面の前記副貫通孔の外周部分は前記放出容器の前記壁面と離間された複数の副配管と、一端が前記副貫通孔に接続され、他端が前記放出孔に接続され、前記副貫通孔と前記放出孔とを連通させる複数の接続管と、を有し、前記ガス供給部は第一、第二の原料ガスを放出する第一、第二のガス供給部を有し、前記配管は前記第一のガス供給部に接続され、前記副配管は前記第二のガス供給部に接続された成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記放出容器の容器壁には導入口と排出口とが設けられ、前記導入口から前記放出容器の前記中空の部分に温度管理された冷媒が導入され、前記排出口から前記冷媒が排出されるように構成された成膜装置である。放出容器の中空の部分に冷媒を入れて導入部を冷媒中に浸すと、導入部の内側を流れる原料ガスの冷却効果を高めて熱分解を防止できる。原料ガスを放出する数万本の細管をろう付加工するという従来の製作方法に比べて、簡便な方法で原料ガス放出部を製作できる。本発明の成膜装置の構造を説明する。図1は成膜装置10の内部構成図、図2は同A-A線切断断面図を示している。成膜装置10は、真空槽12と、基板40を保持する基板保持台基板保持部41と、放出口22から原料ガスを放出する原料ガス放出部20とを有している。真空槽12の槽壁には排気口12aが設けられ、排気口12aには真空排気装置13が接続されている。真空排気装置13は真空槽12内を真空排気できるように構成されている。基板保持台41は真空槽12内に配置され、放出口22と対面する表面に基板40を保持できるように構成されている。基板保持台41には電熱器42が取り付けられ、電熱器42には電源装置44が電気的に接続されている。電源装置44から電熱器42に直流電圧を印加すると、電熱器42は発熱して、基板保持台41に保持された基板40を加熱するようになっている。基板保持台41の裏面には裏面に対して直角に回転軸46の一端が取り付けられている。回転軸46の他端は真空槽12の槽壁を気密に貫通して真空槽12の外側まで延ばされ、回転装置47に接続されている。回転装置47はここではモーターを有し、回転軸46を回転軸46の中心軸線を中心として回転可能に構成されている。回転装置47によって回転軸46を回転させると、基板保持台41と、基板保持台41に保持された基板40は一緒に、基板保持台41の裏面、すなわち基板40表面に平行に、言い換えると基板40表面に対して直角な回転軸線を中心に回転するようになっている。原料ガス放出部20の第一例の構造を説明する。原料ガス放出部20は、複数の放出孔22が設けられた中空の放出容器21と、放出容器21の中空の部分25に配置された管状の複数の導入部31a1~31a3、31b1~31b3とを有している。各導入部31a1~31a3、31b1~31b3の外周側面は放出容器21の中空の部分25に面する壁面に密着され、各導入部31a1~31a3、31b1~31b3の前記壁面に密着する部分には導入部31a1~31a3、31b1~31b3の内部空間と放出孔22とを連通させる貫通孔32a1~32a3、32b1~32b3が設けられている。原料ガス放出部20の各導入部31a1~31a3、31b1~31b3は、外周側面に貫通孔32a1~32a3、32b1~32b3が設けられた配管である。図3a~dは原料ガス放出部20の作製方法を説明するための模式図である。各配管導入部31a1~31a3、32b1~32b3の構造は同じであり、符号31a1の配管導入部で代表して説明する。放出容器21は平板形状の底板21aを有している。図3aを参照し、底板21aの表面に一端が閉口された配管31a1を互いに平行に等間隔に配置する。ここでは、底板21aの表面に互いに平行な複数本の窪みをあらかじめ等間隔に形成し、各窪みに沿って配管31a1をそれぞれ配置しているが、本発明はこれに限定されず、平面状の底板21aの表面に窪みを形成せずに配管31a1を配置してもよい。図3bを参照し、底板21aの表面と配管31a1の外周側面との間に溶けたろう29を流し入れた後、ろう29を冷まして固め、いわゆるろう付加工により、底板21aの表面と配管31a1の外周側面とを固定する。図3cを参照し、底板21a表面のうち配管31a1の外周側面とろう付加工で密着する部分の裏面側から底板21aの裏面と直角に、底板21aと、配管31a1の壁面とを連続して貫通する孔を、レーザー加工又は機械加工により形成する。形成した孔のうち底板21aに形成された部分が放出孔22であり、配管31a1に形成された部分が貫通孔32a1である。ろう29の部分も配管31a1の一部とみなすと、配管31a1の外周側面のうち貫通孔32a1の外周周囲部分は、底板21aの表面に密着している。各配管31a1~31a3、32b1~32b3の孔の位置関係を説明すると、図2を参照し、放出容器21の壁面と配管31a1~31a3、31b1~31b3の側壁とを連続して貫通する孔を、複数の放出孔22が放出容器21の一の壁面上で互いに等間隔に離間して行列状に配列するように、各配管31a1~31a3、31b1~31b3に沿って等間隔に形成する。ここで行列状に配列するとは、互いに平行で等間隔の第一の直線L1~L4と、互いに平行で等間隔であり、第一の直線L1~L4と交差する第二の直線M1~M5との各交点に配置されることをいう。配管31a1と底板21aとの固定方法は上記方法第一の方法に限定されず、図4aに示すように、配管31a1の外周側面にあらかじめ貫通孔32a1を等間隔で形成しておき、底板21aにあらかじめ放出孔22を貫通孔32a1の中心間隔と同じ間隔で形成しておき、配管31a1と底板21aとを、各貫通孔32a1とそれぞれ異なる放出孔22とが対面する連通するように位置合わせした後、図4bに示すように、配管31a1の外周側面と底板21a表面とをろう付加工して固定してもよい第二の方法。しかしながら、第二の方法では、放出孔22の数が増大すると位置合わせが困難になり、また、ろう付加工の際に溶けたろう29が放出孔22の内側にはみ出て放出孔22を塞ぐ虞があるため、第一の方法の方が簡便であり好ましい。第二の方法の場合には、図4cに示すように、配管31a1の外周側面に貫通孔32a1を、一つの貫通孔32a1の外周が複数の放出孔22の外側を取り囲むような大きさに形成しておき、一つの貫通孔32a1の内側に複数の放出孔22が位置する一つの貫通孔32a1が複数の放出孔22と連通するように位置合わせした後、図4dに示すように、配管31a1の外周側面と底板21a表面とをろう付加工して、一つの貫通孔32a1をそれぞれ複数の放出孔22と連通させてもよい。この場合には、放出孔22の数が増大しても位置合わせは容易であり、また配管31a1の外周側面と底板21a表面とを放出孔22の外周から離間した位置でろう付加工するので、ろう29が放出孔22の内側にはみ出る可能性が低減する。また、第二の方法の場合には、図4eに示すように、一つの放出孔22の外周を、複数の貫通孔32a1の外側を囲むような大きさに形成し、一つの放出孔22の内側に複数の貫通孔32a1が位置する一つの放出孔22が複数の貫通孔32a1と連通するように位置合わせした後、図4fに示すように、配管31a1の外周側面と底板21a表面とをろう付加工して、一つの放出孔22を複数の貫通孔32a1と連通させてもよい。次いで、図3dを参照し、底板21aの表面上に、凸状に膨出した形状一端が蓋された筒形状の蓋部21bを、配管31a1を覆うように配置し、蓋部21bの縁を底板21aの外周に密着して固定し、配管31a1の開口端である一端を蓋部21bの壁面を気密に貫通させて蓋部21bの外側に露出させる。底板21aと蓋部21bとで中空の放出容器21が構成される。原料ガス放出部20の第二例の構造を説明する。図5は原料ガス放出部20の第二例の内部構成図、図6は同B-B線切断断面図を示している。原料ガス導入部20の第二例の構造のうち第一例の構造と同じ部分には同じ符号を付して説明を省略する。原料ガス導入部20の第二例は、符号31a1~31a3、31b1~31b3の導入部の代わりに、符号33a1~33a3、33b1~33b3の導入部を有している。各導入部33a1~33a3、33b1~33b3の外周側面は放出容器21の中空の部分25に面する壁面に密着され、各導入部33a1~33a3、33b1~33b3の前記壁面に密着する部分には導入部33a1~33a3、33b1~33b3の内部空間と放出孔22とを連通させる貫通孔39a1~39a3、39b1~39b3が設けられている。原料ガス放出部20の各導入部33a1~33a3、33b1~33b3は、溝であり、溝の開口が貫通孔39a1~39a3、39b1~39b3を成している。原料ガス放出部20の作製方法を説明すると、ここでは一端が閉じられた溝導入部33a1~33a3、33b1~33b3の開口貫通孔39a1~39a3、39b1~39b3が底板21aの表面と対面する向きで、溝33a1~33a3、33b1~33b3の縁を底板21aの表面に密着させて、ろう付加工により固定する。次いで、底板21aの裏面からレーザー加工又は機械加工により放出孔22を形成して、溝33a1~33a3、33b1~33b3の内部空間と放出孔22とを連通させる。次いで、蓋部21bを溝33a1~33a3、33b1~33b3の側面を覆うように配置し、蓋部21bの縁を底板21aの外周に密着して固定し、溝33a1~33a3、33b1~33b3の開口端を蓋部21bの壁面を気密に貫通させて蓋部21bの外側に露出させ、中空の放出容器21を形成する。第一例の構造では、一の配管31a1~31a3、31b1~31b3の半径を広げると隣接する他の配管と接触するため、配管の内径面積を所定値以上に広げることができない。一方、第二例の構造では、溝33a1~33a3、33b1~33b3の深さを大きくすることで、溝の内径面積を広げることができ、溝の内側を通る原料ガスのコンダクタンスを増加させることができるという利点がある。図1、図5を参照し、原料ガス放出部20の放出容器21は真空槽12内で、放出孔22が設けられた壁面が基板保持台41に保持された基板40表面と平行に対面できる位置に配置されている。図2、図6を参照し、複数の導入部配管31a1~31a3、31b1~31b3又は溝33a1~33a3、33b1~33b3のうち、少なくとも一の導入部ここでは符号31a1~31a3の配管又は符号33a1~33a3の溝の開口端には第一の外部配管38a1~38a3の一端が気密に接続され、他の導入部符号31b1~31b3の配管又は符号33b1~33b3の溝の開口端には第二の外部配管38b1~38b3の一端が気密に接続されている。第一、第二の外部配管38a1~38a3、38b1~38b3の他端はそれぞれ真空槽12の壁面を気密に貫通して真空槽12の外側まで延ばされ、第一、第二の原料ガスを放出する第一、第二のガス供給部35a、35bに接続されている。ここでは第二の原料ガスは第一の原料ガスと混ざると反応するガスである。ここでは第一のガス供給部35aに接続された導入部符号31a1~31a3の配管又は符号33a1~33a3の溝と、第二のガス供給部35bに接続された導入部符号31b1~31b3の配管又は符号33b1~33b3の溝とは、放出容器21の中空の部分25に面する壁面に、交互に並んで配置され、互いに異なる放出口22から放出された第一、第二の原料ガスは均一な割合で混合するようになっている。第一例の構造の原料ガス放出部20は、一本の配管31a1~31a3、31b1~31b3と一本の外部配管38a1~38a3、38b1~38b3とが分離可能である場合に限定されず、一本の配管31a1~31a3、31b1~31b3と一本の外部配管38a1~38a3、38b1~38b3とが一本の連続した管で形成されている場合も本発明に含まれる。図1、図5を参照し、放出容器21の壁面には導入口23aと排出口23bとが設けられている。導入口23aと排出口23bにはそれぞれ第一、第二の冷媒管52a、52bが接続され、第一、第二の冷媒管52a、52bは真空槽12の壁面を気密に貫通して、真空槽12の外側に配置された冷媒循環装置51に接続されている。冷媒循環装置51は、導入口23aから放出容器21の中空の部分25に温度管理された冷媒を導入して、各導入部配管31a1~31a3、31b1~31b3又は溝33a1~33a3、33b1~33b3の外周側面を冷媒と接触させ、各導入部を冷媒中に浸した後、排出口23bから冷媒を排出して、すなわち放出容器21の中空の部分25に冷媒を循環させるように構成されている。本発明の原料ガス放出部20は、図7a、bに示すように、放出容器21の中空の部分25に配置された複数の副配管36b1~36b3を有していてもよい。各配管36b1~36b3の外周側面には複数の副貫通孔37b1~37b3が設けられ、外周側面の副貫通孔37b1~37b3の外周部分は底板21aの表面と離間されている。原料ガス放出部20の製作方法を説明すると、底板21a表面に垂直に複数の接続管341~343の一端をろう付加工で固定し、接続管341~343の他端に副配管36b1~36b3の外周側面をろう付加工で固定して、次いで底板21aの裏面側からレーザー加工又は機械加工により、接続管341~343の内側を通り、底板21aと副配管36b1~36b3の壁面とを貫通する孔すなわち放出孔22と副貫通孔37b1~37b3を形成する。副配管36b1~36b3の外周側面の副貫通孔37b1~37b3の外周部分は放出容器21の壁面から離間され、副貫通孔37b1~37b3と放出孔22は接続管341~343を介して連通される。なお、導入部配管31a1~31a3又は溝33a1~33a3は上述の説明と同様の方法で加工する。冷媒循環装置51により放出容器21の中空の部分25に液体の冷媒を循環させる場合には、冷媒の水面の高さを副配管36b1~36b3の高さと導入部配管31a1~31a3又は溝33a1~33a3の高さの両方よりも高い位置に維持させて、副配管36b1~36b3と導入部とを冷媒中に浸しながら循環させる。副配管36b1~36b3の方が導入部配管31a1~31a3又は溝33a1~33a3よりも、冷媒との接触面積が大きく、かつ基板40から離れて位置するので、冷却されやすい。従って第二の原料ガスが第一の原料ガスよりも熱で分解しやすい場合には、第一の原料ガスを導入部に流し、第二の原料ガスを副配管36b1~36b3に流すと、第二の原料ガスの熱分解を防止できるので好ましい。たとえば原料ガスとして有機金属ガスとNH3ガスを用いる場合には、NH3ガスを導入部に流し、有機金属ガスを副配管36b1~36b3に流すとよい。本発明の成膜装置10を用いて基板40表面にGaNの薄膜を形成する方法を説明する。ここでは原料ガス放出部20には配管31a1~31a3、31b1~31b3を有する第一例の構造のものを使用するが、溝33a1~33a3、33b1~33b3を有する第二例の構造の原料ガス放出部20や、副配管36b1~36b3を有する構造の原料ガス放出部20を使用する場合も使用方法は同じである。図1、図2を参照し、真空槽12内を真空排気する。以後、真空排気を継続して真空槽12内の真空雰囲気を維持する。不図示の搬送ロボットにより、真空槽12内に基板40を搬入し、基板40を基板保持台41上に載置する。基板保持台41と基板40とを一緒に、基板40表面に平行にすなわち基板40表面に対して直角な回転軸線を中心に回転させ、以後基板40の回転を継続する。放出容器21の中空の部分25に温度管理された冷媒を導入し、各配管31a1~31a3、31b1~31b3を冷媒中に浸して冷却させ、以後中空の部分25に冷媒を循環させて冷却を継続する。電熱器42を発熱させて、基板40を加熱する。第二のガス供給部35bでは液体のTMGaをH2ガス又はN2ガスによりバブリングして、第二の原料ガスであるTMGaガスを放出させ、第一のガス供給部35aから第一の原料ガスであるNH3ガスを放出させる。第一の原料ガスは符号31a1~31a3の配管を通り、第二の原料ガスは符号31b1~31b3の配管を通って、放出容器21のそれぞれ異なる放出孔22から基板40表面に向けて放出される。放出された第一、第二の原料ガスは基板40表面上で混合して、基板表面にGaNの薄膜が生成される。GaNと一緒に生成される副生成物は排気口12aから真空槽12の外側に真空排気される。複数の放出孔22は放出容器21の壁面に、互いに等間隔に離間して行列状に配列されているので、各放出孔22から放出された第一、第二の原料ガスは基板40上で均一な割合で混合し、基板40表面には均質な薄膜が成膜される。放出容器21の中空の部分25には冷媒が循環され、各配管31a1~31a3、31b1~31b3の外周側面は冷媒と接触して冷却されている。そのため各配管31a1~31a3、31b1~31b3は基板40が発する熱によって加熱されても昇温せず、各配管31a1~31a3、31b1~31b3の内部で第一、第二の原料ガスが熱分解されることが防止されている。基板40表面にあらかじめ定められた膜厚の薄膜を形成した後、第一、第二のガス供給部35a、35bからの第一、第二の原料ガスの供給を停止し、GaNの薄膜の形成を終了する。薄膜を成膜した後、回転装置47による基板40の回転を停止し、電熱器42による基板40の加熱を停止して、不図示の搬送ロボットにより基板40を真空槽12の外側に搬出し、次工程に渡す。次いで成膜装置10の真空槽12内に別の基板40を不図示の搬送ロボットにより搬入して上記方法で成膜を繰り返す。上記説明では第二のガス供給部35bは、液体のTMGaをH2ガス又はN2ガスでバブリングしてTMGaガスを第一の原料ガスとして放出したが、本発明は、TMGaと、トリエチルガリウムTEGaと、トリメチルアルミニウムTMAlと、トリメチルインジウムTMInと、シランSiH4と、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムCP2Mgとをそれぞれ異なる反応容器内でバブリングして、各反応容器のバルブを開閉することで、一種類の有機金属ガス又は二種類以上の有機金属ガスの混合ガスを第二の原料ガスとして放出するように構成してもよい。この場合には、真空槽12内にサファイア、SiC、Si又はGaNの基板40を搬入した後、同じ真空槽12内で基板40上にLT-GaN層と、GaN層と、Siドープn型GaN層と、GaN/InGaN多層膜層と、Mgドープp型AlGaN層とを順に積層することができ、すなわち発光ダイオード素子の積層構造を作製できる。