"Aカーボンナノチューブ、B導電性高分子、及びC活性エネルギー線照射又は熱の付与によりラジカルを発生する化合物を含有する導電性組成物。前記Cのラジカルを発生する化合物が、活性エネルギー線照射又は熱の付与により、Aカーボンナノチューブ及び/又はB導電性高分子に対し、酸化能を有する化合物である、請求項1記載の導電性組成物。前記Cのラジカルを発生する化合物が、a芳香族カルボニル化合物、bアシルホスフィン化合物、c有機過酸化物、d活性エステル化合物、eヘキサアリールビイミダゾール化合物、fジスルホン化合物、gボレート化合物、hメタロセン化合物、iハロアルキル基を有する化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物である、請求項1又は2記載の導電性組成物。Dラジカル重合性化合物を含有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の導電性組成物前記Dラジカル重合性化合物が2個以上のラジカル重合性基を有する化合物である、請求項4記載の導電性組成物。溶媒を含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の導電性組成物。導電性組成物の全固形分中に、Aカーボンナノチューブを3~50質量、B導電性高分子を30~80質量、Cラジカルを発生する化合物を1~20質量含有する、請求項1~6のいずれか1項に記載の導電性組成物。熱電変換用である、請求項1~7のいずれか1項に記載の導電性組成物。請求項1~8のいずれか1項に記載の導電性組成物を用いてなる導電性膜。基材と、該基材上に設けられた請求項9に記載の導電性膜を備えた導電性積層体。基材が樹脂フィルムである請求項10記載の導電性積層体。請求項9記載の導電性膜、又は請求項10若しくは11記載の導電性積層体を含む熱電変換素子。電極を有する請求項12記載の熱電変換素子。請求項12又は13記載の熱電変換素子を用いた熱電発電物品。請求項1~8のいずれか1項に記載の導電性組成物を用いて成膜する工程を含む、導電性膜又は導電性積層体の製造方法。前記成膜工程が、導電性組成物を基材上に塗布する工程を含む、請求項15記載の製造方法。成膜後に加熱又は活性エネルギー線照射を行う工程を含む、請求項15又は16記載の製造方法。加熱又は活性エネルギー線照射後に、60~150°Cで1~20分間加熱する工程を含む、請求項17記載の製造方法。本発明は、導電性高分子を含有し、CNTの分散性が良好で優れた塗布性を示す導電性組成物であって、導電性と膜質に優れた導電性膜及び導電性積層体の製造に好適な導電性組成物を提供することを課題とする。また、本発明は当該組成物を用いてなる熱電変換性能に優れた熱電変換材料及び当該導電性膜及び導電性積層体を用いた熱電変換素子を提供することを課題とする。本発明者らは、上記課題に鑑み、CNT及び有機材料を含有し優れた導電性を発揮する導電性組成物について鋭意検討を行った。その結果、CNT及び導電性高分子とともに、ラジカルを発生する化合物を配合することで、CNTや導電性高分子中での電荷移動がスムーズに起こって導電性や半導体特性を低下させることがなく、CNTが本来有する高い導電性が発揮された導電性組成物が得られることを見出した。さらに、当該組成物は優れた熱電変換性能を有しており、熱電変換材料として好適に用いられるものであった。また、当該組成物にさらにラジカル重合性化合物を加えることで、強度や耐久性が向上した導電性膜が得られることを見出した。本発明は、この知見に基づき成されたものである。すなわち、上記の課題は以下の手段により達成された。<1>Aカーボンナノチューブ、B導電性高分子、及びC活性エネルギー線照射又は熱の付与によりラジカルを発生する化合物を含有する導電性組成物。<2>前記Cのラジカルを発生する化合物が、活性エネルギー線照射又は熱の付与により、Aカーボンナノチューブ及び/又はB導電性高分子に対し、酸化能を有する化合物である、前記<1>項記載の導電性組成物。<3>前記Cのラジカルを発生する化合物が、a芳香族カルボニル化合物、bアシルホスフィン化合物、c有機過酸化物、d活性エステル化合物、eヘキサアリールビイミダゾール化合物、fジスルホン化合物、gボレート化合物、hメタロセン化合物、iハロアルキル基を有する化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物である、前記<1>又は<2>項記載の導電性組成物。<4>Dラジカル重合性化合物を含有する、前記<1>~<3>のいずれか1項に記載の導電性組成物<5>前記Dラジカル重合性化合物が2個以上のラジカル重合性基を有する化合物である、前記<4>項記載の導電性組成物。<6>溶媒を含む、前記<1>~<5>のいずれか1項に記載の導電性組成物。<7>導電性組成物の全固形分中に、Aカーボンナノチューブを3~50質量、B導電性高分子を30~80質量、Cラジカルを発生する化合物を1~20質量含有する、前記<1>~<6>のいずれか1項に記載の導電性組成物。<8>熱電変換用である、前記<1>~<7>のいずれか1項に記載の導電性組成物。<9>前記<1>~<8>のいずれか1項に記載の導電性組成物を用いてなる導電性膜。<10>基材と、該基材上に設けられた前記<9>項記載の導電性膜を備えた導電性積層体。<11>基材が樹脂フィルムである前記<10>項記載の導電性積層体。<12>前記<9>項記載の導電性膜、又は前記<10>若しくは<11>項記載の導電性積層体を含む熱電変換素子。<13>電極を有する前記<12>項記載の熱電変換素子。<14>前記<12>又は<13>項記載の熱電変換素子を用いた熱電発電物品。<15>前記<1>~<8>のいずれか1項に記載の導電性組成物を用いて成膜する工程を含む、導電性膜又は導電性積層体の製造方法。<16>前記成膜工程が、導電性組成物を基材上に塗布する工程を含む、前記<15>項記載の製造方法。<17>成膜後に加熱又は活性エネルギー線照射を行う工程を含む、前記<15>又は<16>項記載の製造方法。<18>加熱又は活性エネルギー線照射後に、60~150°Cで1~20分間加熱する工程を含む、前記<17>項記載の製造方法。本発明の導電性組成物は、CNTの分散性が良好で優れた導電性を有する。当該組成物は各成分が均一に分散され成膜性塗布性が良好で、導電性膜や導電性積層体等への成形加工性に優れ、各種の導電性物品の材料として有用である。また、当該組成物は高い導電性に加えて優れた熱電変換性能を備えており熱電変換材料として好適に用いることができる。当該組成物を用いて製造された導電性膜や導電性積層体、熱電変換素子は、各種の導電性物品や熱電発電用物品に好適に用いることができる。本発明の導電性組成物は、ACNT、B導電性高分子、及びC活性エネルギー線照射又は熱の付与によりラジカルを発生する化合物を必須成分として含有し、必要に応じてDラジカル重合性化合物を含有してなる。CNTとともに導電性高分子及びラジカルを発生する化合物を用いることで、組成物中でのCNTの分散性を高め、CNT本来の導電性を損なうことなく、しかも導電性高分子及びラジカルを発生する化合物との相乗的効果により非常に高い導電性を示す組成物が得られる。さらに、当該組成物はこの高い導電性に加えて優れた熱電変換性能を有しており、熱電変換材料として好適に用いることができる。以下、本発明の導電性組成物について詳述する。AカーボンナノチューブCNTCNTには、1枚の炭素膜グラフェンシートが円筒状に巻かれた単層CNT、2枚のグラフェンシートが同心円状に巻かれた2層CNT、及び複数のグラフェンシートが同心円状に巻かれた多層CNTがある。本発明においては、単層CNT、2層CNT、多層CNTを各々単独で用いてもよく、2種以上を併せて用いてもよい。特に、導電性及び半導体特性において優れた性質を持つ単層CNT及び2層CNTを用いることが好ましく、単層CNTを用いることがより好ましい。単層CNTは、半導体性のものであっても、金属性のものであってもよく、両者を併せて用いてもよい。半導体性CNTと金属性CNTとを両方を用いる場合、組成物中の両者の含有比率は、組成物の用途に応じて適宜調整することができる。例えば、電極用途として用いる場合は、導電性の観点から、金属性CNTの含有比率が高いほうが好ましい。半導体用途として用いる場合は、半導体特性の観点から、半導体性CNTの含有比率が高いほうが好ましい。また、CNTには金属などが内包されていてもよく、フラーレン等の分子が内包されたものを用いてもよい。なお、本発明の導電性組成物には、CNTの他に、カーボンナノホーン、カーボンナノコイル、カーボンナノビーズなどのナノカーボンが含まれてもよい。CNTはアーク放電法、化学気相成長法以下、CVD法という、レーザーアブレーション法等によって製造することができる。本発明に用いられるCNTは、いずれの方法によって得られたものであってもよいが、好ましくはアーク放電法及びCVD法により得られたものである。CNTを製造する際には、同時にフラーレンやグラファイト、非晶性炭素が副生成物として生じ、また、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウムなどの触媒金属も残存する。これらの不純物を除去するために、精製を行うことが好ましい。CNTの精製方法は特に限定されないが、硝酸、硫酸等による酸処理、超音波処理が不純物の除去には有効である。併せて、フィルターによる分離除去を行うことも、純度を向上させる観点からより好ましい。精製の後、得られたCNTをそのまま用いることもできる。また、CNTは一般に紐状で生成されるため、用途に応じて所望の長さにカットして用いてもよい。例えば、半導体用途に用いる場合は、素子電極間の短絡を防ぐために、素子電極間の距離よりも短いCNTを使用することが好ましい。CNTは、硝酸、硫酸等による酸処理、超音波処理、凍結粉砕法などにより短繊維状にカットすることができる。また、併せてフィルターによる分離を行うことも、純度を向上させる観点から好ましい。本発明においては、カットしたCNTだけではなく、あらかじめ短繊維状に作製したCNTも同様に使用できる。このような短繊維状CNTは、例えば、基板上に鉄、コバルトなどの触媒金属を形成し、その表面にCVD法により700~900°Cで炭素化合物を熱分解してCNTを気相成長させることによって、基板表面に垂直方向に配向した形状で得られる。このようにして作製された短繊維状CNTは基板から剥ぎ取るなどの方法で取り出すことができる。また、短繊維状CNTはポーラスシリコンのようなポーラスな支持体や、アルミナの陽極酸化膜上に触媒金属を担持させ、その表面にCNTをCVD法にて成長させることもできる。触媒金属を分子内に含む鉄フタロシアニンのような分子を原料とし、アルゴン/水素のガス流中でCVDを行うことによって基板上にCNTを作製する方法でも配向した短繊維状のCNTを作製することもできる。さらには、SiC単結晶表面にエピタキシャル成長法によって配向した短繊維状CNTを得ることもできる。本発明で用いるCNTの平均長さは特に限定されず、組成物の用途に応じて適宜選択することができる。例えば、本発明の導電性組成物を半導体用途に用いる場合、電極間距離にもよるが、製造容易性、成膜性、導電性等の観点から、CNTの平均長さが0.01μm以上1000μm以下であることが好ましく、0.1μm以上100μm以下であることがより好ましい。本発明で用いるCNTの直径は特に限定されないが、耐久性、透明性、成膜性、導電性等の観点から、0.4nm以上100nm以下であることが好ましく、より好ましくは50nm以下、さらに好ましくは15nm以下である。B導電性高分子本発明に用いられる導電性高分子は、共役系の分子構造を有する高分子化合物である。共役系の分子構造を有する高分子とは、高分子の主鎖上の炭素-炭素結合において、一重結合と二重結合とが交互に連なる構造を有している高分子をいう。また、本発明で用いる導電性高分子は、必ずしも高分子量化合物である必要はなく、オリゴマー化合物であってもよい。前述のCNTとともに当該導電性高分子を用いることで、CNTが組成物中で凝集せず均一に分散され、組成物の塗布性が向上する。また、高い導電性の組成物が得られる。これは、導電性高分子が長く伸びた共役系構造を有するため、当該高分子とCNT間の電荷移動がスムーズであり、その結果、CNT本来の高い導電性や半導体特性を効果的に利用できるためと考えられる。本発明で用いられる導電性高分子として、具体的には、チオフェン系化合物、ピロール系化合物、アニリン系化合物、アセチレン系化合物、p-フェニレン系化合物、p-フェニレンビニレン系化合物、p-フェニレンエチニレン系化合物、p-フルオレニレンビニレン系化合物、ポリアセン系化合物、ポリフェナントレン系化合物、金属フタロシアニン系化合物、p-キシリレン系化合物、ビニレンスルフィド系化合物、m-フェニレン系化合物、ナフタレンビニレン系化合物、p-フェニレンオキシド系化合物、フェニレンスルフィド系化合物、フラン系化合物、セレノフェン系化合物、アゾ系化合物、金属錯体系化合物、及びこれらの化合物に置換基を導入した誘導体などをモノマーとし、当該モノマーから導かれる繰り返し単位を有する共役系高分子が挙げられる。上記の誘導体に導入される置換基としては特に制限はないが、他の成分との相溶性、用いうる媒体の種類等を考慮して、組成物中でのCNT、導電性高分子、ラジカルを発生する化合物の分散性や溶解性を高めうる基を適宜選択して導入することが好ましい。例示すると、媒体として有機溶媒を用いる場合、直鎖、分岐又は環状のアルキル基、アルコキシ基、チオアルキル基のほか、アルコキシアルキレンオキシ基、アルコキシアルキレンオキシアルキル基、クラウンエーテル基、アリール基等を好ましく用いることができる。これらの基は、さらに置換基を有してもよい。また、置換基の炭素数に特に制限はないが、好ましくは1~12個、より好ましくは4~12個であり、特に炭素数6~12個の長鎖のアルキル基、アルコキシ基、チオアルキル基、アルコキシアルキレンオキシ基、アルコキシアルキレンオキシアルキル基が好ましい。水系の媒体を用いる場合は、各モノマーの末端又は上記置換基にさらに、カルボン酸基、スルホン酸基、水酸基、リン酸基等の親水性基を導入することが好ましい。他にも、ジアルキルアミノ基、モノアルキルアミノ基、アミノ基、カルボキシル基、エステル基、アミド基、カルバメート基、ニトロ基、シアノ基、イソシアネート基、イソシアノ基、ハロゲン原子、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基などを置換基として導入することができ、好ましい。導入されうる置換基の数も特に制限されず、CNT、導電性高分子等の分散性や相溶性、導電性等を考慮して、1個又は複数個の置換基を適宜導入することができる。チオフェン系化合物及びその誘導体から導かれる繰り返し単位を有する共役系高分子としては、ポリチオフェン、チオフェン環に置換基が導入されたモノマーから導かれる繰り返し単位を含む共役系高分子、及びチオフェン環を含む縮合多環構造を有するモノマーから導かれる繰り返し単位を含む共役系高分子が挙げられる。チオフェン環に置換基が導入されたモノマーから導かれる繰り返し単位を含む共役系高分子としては、ポリ-3-メチルチオフェン、ポリ-3-ブチルチオフェン、ポリ-3-ヘキシルチオフェン、ポリ-3-シクロヘキシルチオフェン、ポリ-3-2’-エチルヘキシルチオフェン、ポリ-3-オクチルチオフェン、ポリ-3-ドデシルチオフェン、ポリ-3-2’-メトキシエトキシメチルチオフェン、ポリ-3-メトキシエトキシエトキシメチルチオフェンなどのポリ-アルキル置換チオフェン類、ポリ-3-メトキシチオフェン、ポリ-3-エトキシチオフェン、ポリ-3-ヘキシルオキシチオフェン、ポリ-3-シクロヘキシルオキシチオフェン、ポリ-3-2’-エチルヘキシルオキシチオフェン、ポリ-3-ドデシルオキシチオフェン、ポリ-3-メトキシジエチレンオキシチオフェン、ポリ-3-メトキシトリエチレンオキシチオフェン、ポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェンなどのポリ-アルコキシ置換チオフェン類、ポリ-3-メトキシ-4-メチルチオフェン、ポリ-3-ヘキシルオキシ-4-メチルチオフェン、ポリ-3-ドデシルオキシ-4-メチルチオフェンなどのポリ-3-アルコキシ置換-4-アルキル置換チオフェン類、ポリ-3-チオヘキシルチオフェン、ポリ-3-チオオクチルチオフェン、ポリ-3-チオドデシルチオフェンなどのポリ-3-チオアルキルチオフェン類が挙げられる。なかでも、ポリ-3-アルキルチオフェン類、ポリ-3-アルコキシチオフェン類が好ましい。3位に置換基を有するポリチオフェンに関しては、チオフェン環の2,5位での結合の向きにより異方性が生じる。3-置換チオフェンの重合において、チオフェン環の2位同士が結合したものHH結合体:head-to-head、2位と5位が結合したものHT結合体:head-to-tail、5位同士が結合したものTT結合体:tail-to-tailの混合物になるが、2位と5位が結合したものHT結合体の割合が多いほど、重合体主鎖の平面性が向上し、ポリマー間のπ-πスタッキング構造を形成しやすく、電荷の移動を容易にする上で好ましい。これら結合様式の割合は、H-NMRにより測定することができる。チオフェン環の2位と5位が結合したHT結合体の重合体中における割合は50質量以上が好ましく、さらに好ましくは70質量以上、特に90質量以上のものが好ましい。より具体的に、チオフェン環に置換基が導入されたモノマーから導かれる繰り返し単位を含む共役系高分子、及びチオフェン環を含む縮合多環構造を有するモノマーから導かれる繰り返し単位を含む共役系高分子として、下記の化合物が例示できる。なお下記式中、nは10以上の整数を示す。ピロール系化合物及びその誘導体から導かれる繰り返し単位を有する共役系高分子としては、下記の化合物が例示できる。なお下記式中、nは10以上の整数を示す。アニリン系化合物及びその誘導体から導かれる繰り返し単位を有する共役系高分子としては、下記の化合物が例示できる。なお下記式中、nは10以上の整数を示す。アセチレン系化合物及びその誘導体から導かれる繰り返し単位を有する共役系高分子としては、下記の化合物が例示できる。なお下記式中、nは10以上の整数を示す。p-フェニレン系化合物及びその誘導体から導かれる繰り返し単位を有する共役系高分子としては、下記の化合物が例示できる。なお下記式中、nは10以上の整数を示す。p-フェニレンビニレン系化合物及びその誘導体から導かれる繰り返し単位を有する共役系高分子としては、下記の化合物が例示できる。なお下記式中、nは10以上の整数を示す。p-フェニレンエチニレン系化合物及びその誘導体から導かれる繰り返し単位を有する共役系高分子としては、下記の化合物が例示できる。なお下記式中、nは10以上の整数を示す。上記以外の化合物及びその誘導体から導かれる繰り返し単位を有する共役系高分子としては、下記の化合物が例示できる。なお下記式中、nは10以上の整数を示す。上記共役系高分子のなかでも、直鎖状の共役系高分子を用いることが好ましい。このような直鎖状の共役系高分子は、例えば、ポリチオフェン系高分子、ポリピロール系高分子の場合、各モノマーのチオフェン環又はピロール環が、それぞれ2,5位で結合することにより得られる。ポリ-p-フェニレン系高分子、ポリ-p-フェニレンビニレン系高分子、ポリ-p-フェニレンエチニレン系高分子では、各モノマーのフェニレン基がパラ位1,4位で結合することにより得られる。本発明で用いる導電性高分子は、上述の繰り返し単位以下、この繰り返し単位を与えるモノマーを第1のモノマー群とも称するを1種単独で有しても、2種以上を組合わせて有していてもよい。また、第1のモノマーに加えて、他の構造を有するモノマー以下、第2のモノマーと称するから導かれる繰り返し単位を、併せて有していてもよい。複数種の繰り返し単位からなる高分子の場合、ブロック共重合体であっても、ランダム共重合体であっても、グラフト重合体であってもよい。上記第1のモノマーと併用される、他の構造を有する第2のモノマーとしては、フルオレニレン基、カルバゾール基、ジベンゾ[b,d]シロール基、チエノ[3,2-b]チオフェン基、チエノ[2,3-c]チオフェン基、ベンゾ[1,2-b;4,5-b’]ジチオフェン基、シクロペンタ[2,1-b;3,4-b’]ジチオフェン基、ピロロ[3,4-c]ピロール-1,42H,5H-ジオン基、ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール-4,8-ジイル基、アゾ基、1,4-フェニレン基、5H-ジベンゾ[b、d]シロール基、チアゾール基、イミダゾール基、ピロロ[3,4-c]ピロール-1,42H、5H-ジオン基、オキサジアゾール基、チアジアゾール基、トリアゾール基等を有する化合物、及びこれらの化合物にさらに置換基を導入した誘導体が挙げられる。導入する置換基としては、上述した置換基と同様のものが挙げられる。本発明で用いる導電性高分子は、第1のモノマー群から選択された1種又は複数種のモノマーから導かれる繰り返し単位を導電性高分子中、合計で50質量以上有していることが好ましく、70質量以上有していることがより好ましく、第1のモノマー群から選択された1種又は複数種のモノマーから導かれる繰り返し単位のみからなることが更に好ましい。特に好ましくは、第1のモノマー群から選択された単一の繰り返し単位のみからなる共役系高分子である。第1のモノマー群のなかでも、チオフェン系化合物及び/又はその誘導体から導かれる繰り返し単位を含むポリチオフェン系高分子がより好ましく用いられる。特に、下記の構造式1~5で表されるチオフェン環、又はチオフェン環含有縮合芳香環構造を繰り返し単位として有するポリチオフェン系高分子が好ましい。上記構造式1~5中、R1~R11はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、チオエーテル基、ポリエチレンオキシ基、エステル基を表し、Yは炭素原子又は窒素原子を表し、nは1または2の整数を表す。または、各繰り返し単位の連結部位を表す。導電性高分子の分子量は特に限定されず、高分子量のものはもちろん、それ未満の分子量のオリゴマー例えば重量平均分子量1000~10000程度であってもよい。高い導電性を実現する観点から、導電性高分子は、酸、光、熱に対して分解されにくいものが好ましい。高い導電性を得るためには、導電性高分子の長い共役鎖を介した分子内のキャリア伝達、及び分子間のキャリアホッピングが必要となる。そのためには、導電性高分子の分子量がある程度大きいことが好ましく、この観点から、本発明で用いる導電性高分子の分子量は、重量平均分子量で5000以上であることが好ましく、7000~300,000であることがより好ましく、8000~100,000であることがさらに好ましい。当該重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィーGPCにより測定できる。これらの導電性高分子は、構成単位である上記モノマーを通常の酸化重合法により重合させて製造できる。また、市販品を用いることもでき、例えば、アルドリッチ社製のポリレジオレギュラー品が挙げられる。Cラジカルを発生する化合物本発明の導電性組成物は、光や熱などのエネルギーの付与によりラジカルを発生する化合物以下、単にラジカルを発生する化合物というを含有し、当該化合物により組成物の導電性を飛躍的に向上させることができる。エネルギー付与の方法としては、活性エネルギー線の照射や加熱が挙げられる。導電性が向上するメカニズムの詳細はまだ定かではないが、該化合物が、光や熱などの外部から付与したエネルギーによってラジカルを生じ、上記CNT及び/又は導電性高分子に対して酸化能を発現し、ドーパントとして作用するものと考えられる。ドーパントによって、導電性高分子、及び導電性高分子とCNT間の電荷移動がよりスムーズになるため、導電性が向上する。従来のドーピング手法では、プロトン酸やルイス酸などの酸をドーパントとして用いるため、組成物中に酸を添加した時点でCNTや導電性高分子が凝集析出沈殿を生じてしまう。このような組成物では塗布性や成膜性が劣り、その結果、導電性も低下していた。本発明のラジカルを発生する化合物は中性であり、CNTや導電性高分子を凝集析出沈殿させることがない。また、光や熱などのエネルギー付与によりラジカルが発生する化合物でもあり、ラジカル発生の開始時期をコントロールすることができる。ラジカルを発生させない条件下で組成物を調製して凝集を防止し、良好な分散性塗布性を維持したまま当該組成物を成形することができる。そのため、成形成膜後に適宜エネルギー付与を行うことで、高い導電性を付与できる。本発明の組成物は導電性高分子によりCNTの分散性向上を実現するものであるが、オラジカルを発生する化合物は、これらと共に用いても、良好な分散性及び塗布性を維持することができる。塗布後の膜質も良好であり、CNT、導電性高分子、ラジカルを発生する化合物が均一に分散されているため、塗布後に必要応じ、熱や光などの外部エネルギーを与えることで、高い導電性を示す。上記の理由から、本発明で用いるラジカルを発生する化合物は、CNT及び/又は導電性高分子に対し、酸化能を有する化合物であることが好ましい。当該ラジカルを発生する化合物としては、一般的なラジカル重合開始剤を用いることができ、熱重合開始剤であっても光重合開始剤であってもよいが、光重合開始剤を用いることが好ましい。本発明では、ラジカルを発生する化合物として、a芳香族カルボニル化合物、bアシルホスフィン化合物、c有機過酸化物、d活性エステル化合物、eヘキサアリールビイミダゾール化合物、fジスルホン化合物、gボレート化合物、hメタロセン化合物、及びiハロアルキル基を有する化合物から選択される少なくとも1種の化合物を使用することが好ましい。a芳香族カルボニル化合物の好ましい具体例としては、ベンゾフェノン、4-メチルベンゾフェノン、2,4,6-トリメチルベンゾフェノン、2-メトキシカルボニルベンゾフェノン、4-フェニルベンゾフェノン、4-4-メチルフェニルチオベンゾフェノン、4,4’-ビスジメチルアミノベンゾフェノン、4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン、イソプロピルチオキサントン、2,4-ジエチルチオキサントン、2,4-ジクロロチオキサントン、2-エチルアントラキノン、1-ヒドロキシ-1-メチルエチルフェニルケトン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、1-ヒドロキシ-1-メチルエチル4’-イソプロピルフェニルケトン、1-ヒドロキシ-1-メチルエチル4’-ヒドロキシエトキシフェニルケトン、α-オキソ-フェニル酢酸メチル、ジエトキシアセトフェノン、ジブトキシアセトフェノン、1,1-ジメトキシ-1-フェニルアセトフェノン、1,1-ジエトキシ-1-フェニルアセトフェノン、1-メチル-1-モルホリノエチル4’-メチルチオフェニルケトン、1-ベンジル-1-ジメチルアミノプロピル4’-モルホリノフェニルケトン、ベンジル、9,10-フェナントレンキノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインブチルエーテルの他、RADIATIONCURINGINPOLYMERSCIENCEANDTECHNOLOGY,J.P.FOUASSIER,J.F.RABEK1993、pp.77~117記載のベンゾフェノン骨格又はチオキサントン骨格を有する化合物、特公昭63-61950号公報記載のチオキサントン類、特開平2-211452号公報記載のp-ビスジアルキルアミノベンゾフェノン、特公平1-34242号公報、米国特許第4,318,791号、ヨーロッパ特許0284561A1号記載のα-アミノベンゾフェノン類、特開昭61-194062号公報記載のチオ置換芳香族ケトン、特公昭47-3981号公報、特公昭60-26403号公報、特開昭62-81345号公報記載のベンゾインエーテル化合物、特公昭47-22326号公報記載のα-置換ベンゾイン化合物、特公昭47-23664号公報記載のベンゾイン誘導体、特公昭60-26483号公報記載のジアルコキシベンゾフェノン等の置換もしくは無置換の芳香族カルボニル化合物が挙げられる。bアシルホスフィン化合物の好ましい具体例としては、ビス2,4,6-トリメチルベンゾイル-フェニルホスフィンオキサイドIrgacure819:BASF社製、ビス2,6-ジメトキシベンゾイル-2,4,4-トリメチル-ペンチルフェニルホスフィンオキサイド、ビス2,6-ジクロロベンゾイル-4-プロピルフェニルホスフィンオキサイドチバスペシャリティケミカルス社製BAPO、2,4,6-トリメチルベンゾイル-ジフェニル-ホスフィンオキサイドDarocurTPO:BASF社製、LucirinTPO:BASF社製の他、特公平2-9596号公報記載のアシルホスフィン、特公平2-9597号公報記載のアシルホスフィンスルフィド化合物が挙げられる。c有機過酸化物としては、分子中に酸素-酸素結合を1個以上有する有機化合物であればよく、特に3,3’,4,4’-テトラキスt-ブチルパーオキシカルボニルベンゾフェノン、3,3’4,4’-テトラキスt-アミルパーオキシカルボニルベンゾフェノン、3,3’4,4’-テトラキスt-ヘキシルパーオキシカルボニルベンゾフェノン、3,3’4,4’-テトラキスt-オクチルパーオキシカルボニルベンゾフェノン、3,3’4,4’-テトラキスクミルパーオキシカルボニルベンゾフェノン、3,3’4,4’-テトラキスp-イソプロピルクミルパーオキシカルボニルベンゾフェノン、ジ-t-ブチルジパーオキシイソフタレートなどの過酸化エステル化合物が好ましい。d活性エステル化合物の好ましい具体例としては、3-ベンゾイロキシイミノブタン-2-オン、3-アセトキシイミノブタン-2-オン、3-プロピオニルオキシイミノブタン-2-オン、2-アセトキシイミノペンタン-3-オン、2-アセトキシイミノ-1-フェニルプロパン-1-オン、2-ベンゾイロキシイミノ-1-フェニルプロパン-1-オン、3-p-トルエンスルホニルオキシイミノブタン-2-オン、2-エトキシカルボニルオキシイミノ-1-フェニルプロパン-1-オン等のケトオキシムエステル化合物の他、欧州特許0290750号、同046083号、同156153号、同271851号、及び同0388343号各明細書、米国特許3901710号、及び同4181531号各明細書、特開昭60-198538号、及び特開昭53-133022号各公報に記載されるニトロベンジルエステル化合物、欧州特許0199672号、同84515号、同199672号、同044115号、及び同0101122号各明細書、米国特許4618564号、同4371605号、及び同4431774号各明細書、特開昭64-18143号、特開平2-245756号、及び特開平4-365048号各公報記載のイミノスルホネート化合物、特開平10-7653号、特開平11-2901号等に記載のN-イミドスルホネート化合物、特公昭62-6223号、特公昭63-14340号、及び特開昭59-174831号各公報に記載される化合物等が挙げられる。eヘキサアリールビイミダゾールの好ましい具体例としては、特公昭45-37377号公報や特公昭44-86516号公報記載のロフィンダイマー類、例えば2,2’-ビスo-クロロフェニル-4,4’,5,5’-テトラフェニルビイミダゾール、2,2’-ビスo-ブロモフェニル-4,4’,5,5’-テトラフェニルビイミダゾール、2,2’-ビスo,p-ジクロロフェニル-4,4’,5,5’-テトラフェニルビイミダゾール、2,2’-ビスo-クロロフェニル-4,4’,5,5’-テトラキスm-メトキシフェニルビイミダゾール、2,2’-ビスo,o’-ジクロロフェニル-4,4’,5,5’-テトラフェニルビイミダゾール、2,2’-ビスo-ニトロフェニル-4,4’,5,5’-テトラフェニルビイミダゾール、2,2’-ビスo-メチルフェニル-4,4’,5,5’-テトラフェニルビイミダゾール、2,2’-ビスo-トリフルオロフェニル-4,4’,5,5’-テトラフェニルビイミダゾール等が挙げられる。fジスルホン化合物の好ましい具体例としては、ジフェニルジスルホン、4,4’-ジメチルジフェニルジスルホン、4,4’-ジメトキシジフェニルジスルホン、4-クロロフェニル-4’-メチルフェニルジスルホン、4-クロロフェニル-1-ナフチルジスルホン、4-メチルフェニル-1-4’-メトキシナフチルジスルホン等の他、特開昭61-166544号、特開平2-71270号等に記載のジスルホン化合物が挙げられる。gボレート化合物の好ましい具体例としては、米国特許3,567,453号、同4,343,891号、ヨーロッパ特許109,772号、同109,773号に記載されている化合物が挙げられる。hメタロセン化合物の好ましい具体例としては、ジ-シクロペンタジエニル-Ti-ジ-クロライド、ジ-シクロペンタジエニル-Ti-ビス-フェニル、ジ-シクロペンタジエニル-Ti-ビス-2,3,4,5,6-ペンタフルオロフェニ-1-イル、ジ-シクロペンタジエニル-Ti-ビス-2,3,5,6-テトラフルオロフェニ-1-イル、ジ-シクロペンタジエニル-Ti-ビス-2,4,6-トリフルオロフェニ-1-イル、ジ-シクロペンタジエニル-Ti-2,6-ジフルオロフェニ-1-イル、ジ-シクロペンタジエニル-Ti-ビス-2,4-ジフルオロフェニ-1-イル、ジ-メチルシクロペンタジエニル-Ti-ビス-2,3,4,5,6-ペンタフルオロフェニ-1-イル、ジ-メチルシクロペンタジエニル-Ti-ビス-2,3,5,6-テトラフルオロフェニ-1-イル、ジ-メチルシクロペンタジエニル-Ti-ビス-2,4-ジフルオロフェニ-1-イル、ビスシクロペンタジエニル-ビス2,6-ジフルオロ-3-ピリ-1-イルフェニルチタニウム、ビスシクロペンタジエニルビス2,6-ジフルオロ-3-メチルスルホンアミドフェニルチタン、ビスシクロペンタジエニルビス2,6-ジフルオロ-3-N-ブチルビアロイル-アミノフェニルチタン等のチタノセン化合物の他、特開昭59-152396号、特開昭61-151197号、特開昭63-41484号、特開平2-249号、特開平2-4705号各公報記載のチタノセン化合物ならびに、特開平1-304453号、特開平1-152109号各公報記載の鉄-アレーン錯体が挙げられる。iハロアルキル基を有する化合物は、好ましくはジハロアルキル基、トリハロアルキル基を有する化合物である。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、好ましい。具体的には、トリクロロメチル-4-t-ブチルフェニルケトン、ジクロロメチル-4-フェノキシフェニルケトン、トリブロモメチルフェニルスルホン、2,4,6-トリストリクロロメチルトリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-4’-メトキシフェニルトリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-3’,4’-ジメトキシフェニルトリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-4’-クロロフェニルトリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-4’-トリフルオロメチルフェニルトリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-4’-メトキシナフチルトリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-4’-メトキシスチリルトリアジン等の他、若林ら著、Bull.Chem.Soc.Japan,42、29241969記載の化合物、英国特許1388492号明細書記載の化合物、特開昭53-133428号公報記載の化合物、独国特許3337024号明細書記載の化合物等を挙げることができる。また、F.C.Schaefer等によるJ.Org.Chem.29、15271964記載の化合物、特開昭62-58241号公報記載の化合物、特開平5-281728号公報記載の化合物等を挙げることができる。ドイツ特許第2641100号に記載されているような化合物、ドイツ特許第3333450号に記載されている化合物、ドイツ特許第3021590号に記載の化合物群、あるいはドイツ特許第3021599号に記載の化合物群等を挙げることができる。ラジカルを発生する化合物として、上記a~iの化合物を単独で又は2種以上組み合わせて使用することが好ましい。Dラジカル重合性化合物本発明の組成物は、上記A~C成分に加えて、Dラジカル重合性化合物を含有することが好ましい。ラジカル重合性化合物としては、上記Cラジカルを発生する化合物から加熱又は活性エネルギー線照射により発生したラジカルによって重合反応を開始し、硬化する化合物であれば特に制限はなく、一般的なラジカル重合性化合物を使用することができる。本発明の組成物にこのような重合性化合物を添加すると、外部エネルギーの付与によりラジカルを発生する化合物から生じたラジカル種により重合反応が開始され、膜を硬化させることができ、優れた導電性を維持しながら耐久性を大きく向上させた導電材料が得られる。本発明で用いるラジカル重合性化合物として好ましくは、ラジカル重合性基を2つ以上有する化合物である。ラジカル重合性基としては、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、ビニル基が好ましい。このようなラジカル重合性基を有する化合物としてアクリレート化合物、メタクリレート化合物、アクリルアミド化合物、メタクリルアミド化合物、及びN-ビニル基を有する化合物が挙げられ、これらは当該技術分野において広く利用されており、本発明においてはこれらを用いることができる。具体的なアクリレート化合物、メタクリレート化合物としては、2-ヒドロキシエチルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、カルビトールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、トリデシルアクリレート、2-フェノキシエチルアクリレート、エポキシアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピルアクリレート、2-アクリロイロキシエチルフタル酸、メトキシ-ポリエチレングリコールアクリレート、2-アクリロイロキシエチル-2-ヒドロキシエチルフタル酸、サイクリックトリメチロールプロパンフォルマールアクリレート、2-2-エトキシエトキシエチルアクリレート、2-メトキシエチルアクリレート、3-メトキシブチルアクリレート、エトキシ化フェニルアクリレート、2-アクリロイロキシエチルコハク酸、ノニルフェノールEO付加物アクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、フェノキシ-ポリエチレングリコールアクリレート、2-アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、ラクトン変性アクリレート、ステアリルアクリレート、イソアミルアクリレート、イソミリスチルアクリレート、イソステアリルアクリレート、ラクトン変性アクリレート、ビス4-アクリロキシポリエトキシフェニルプロパン、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリメチロールプロパンPO変性トリアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジアクリレート、テトラメチロールメタントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、変性グリセリントリアクリレート、ビスフェノールAジグリシジルエーテルアクリル酸付加物、変性ビスフェノールAジアクリレート、ビスフェノールAのPO付加物ジアクリレート、ビスフェノールAのEO付加物ジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、プロピレングリコールジグリシジルエーテルアクリル酸付加物、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート等のアクリレート化合物、メチルメタクリレート、n-ブチルメタクリレート、アリルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、ジメチルアミノメチルメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート2,2-ビス4-メタクリロキシポリエトキシフェニルプロパン等のメタクリレート化合物が挙げられる。また、イソシアネートと水酸基の付加反応を用いて製造されるウレタン系付加重合性化合物も好適であり、そのような化合物の具体例としては、例えば、特公昭48-41708号公報中に記載されている1分子に2個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物に、下記一般式Iで示される水酸基を含有するビニルモノマーを付加させて得られる、1分子中に2個以上の重合性ビニル基を含有するビニルウレタン化合物等が挙げられる。一般式ICH2=CR41COOCH2CHR42OH式中、R41およびR42は、HまたはCH3を表す。また、特開昭51-37193号、特公平2-32293号、特公平2-16765号に記載されているようなウレタンアクリレート類や、特公昭58-49860号、特公昭56-17654号、特公昭62-39417、特公昭62-39418号記載のエチレンオキサイド系骨格を有するウレタン化合物類も好適である。なお、前記POはプロピレンオキシド、EOはエチレンオキシドを示す。アクリルアミド化合物、メタクリルアミド化合物の具体例としては、アクリルアミド、N-メチロールアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、N,N-ジメチルアクリルアミド、N,N-ジエチルアクリルアミド、N-イソプロピルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、メチレンビスアクリルアミド、1,6-ヘキサメチレンビスアクリルアミド、キシリレンビスアクリルアミド、ジエチレントリアミントリスアクリルアミド等のアクリルアミド化合物、メタクリルアミド、N-メチロールメタクリルアミド、ジアセトンメタクリルアミド、N,N-ジメチルメタクリルアミド、N,N-ジエチルメタクリルアミド、N-イソプロピルメタクリルアミド、メチレンビスメタクリルアミド、1,6-ヘキサメチレンビスメタクリルアミド、キシリレンビスメタクリルアミド等のメタクリルアミド化合物が挙げられる。N-ビニル基を有する化合物の具体例としては、N-ビニルホルムアミドNVF、N-ビニルカプロラクタムNVC、Nビニルピロリドン、Nビニルカルバゾール等が挙げられる。ラジカル重合性化合物は、導電性組成物や当該組成物を成形して得られる導電性膜の用途、要求される性能に応じて適宜選択して使用することができる。例えば、硬化性を高める観点からは、1分子あたりにラジカル重合性基が多く含まれる構造が好ましく、多くの場合、2官能以上の化合物を用いることが好ましい。また、硬化膜の強度を高くする観点からは、3官能以上の化合物を使用することも好ましい。硬化性や膜強度を高める観点からは、分子量の大きな化合物や疎水性の高い化合物が好ましいが、これらの化合物は他成分との相溶性、分散性において望ましくない場合もある。相溶性や分散性を高める観点からは、重合性化合物の選択使用方法が重要であり、例えば2種以上の重合性化合物を併用することによって、相溶性を向上させることができる。以上のような観点を考慮して、用いるラジカル重合性化合物を選択することが好ましい。[溶媒]本発明の導電性組成物は、CNT、導電性高分子及びラジカルを発生する化合物に加えて、溶媒を含有することが好ましい。溶媒は、CNT、導電性高分子及びラジカルを発生する化合物を良好に分散又は溶解できればよく、水、有機溶媒、及びこれらの混合溶媒を用いることができる。好ましくは有機溶媒であり、アルコール、クロロホルムなどのハロゲン系溶媒、DMF、NMP、DMSOなどの極性の有機溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族系溶媒、シクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケントンなどのケトン系溶媒、ジエチルエーテル、THF、t-ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、ジグライムなどのエーテル系溶媒などが好ましく使用される。また、溶媒は、あらかじめ脱気しておくことが好ましい。溶媒中における溶存酸素濃度を、10ppm以下とすることが好ましい。脱気の方法としては、減圧下超音波を照射する方法、アルゴン等の不活性ガスをバブリングする方法などが挙げられる。[他の成分]本発明の導電性組成物は、上記の各成分に加えて、他の成分を含んでいてもよい。塗布時のムラを防ぐ観点からは、界面活性剤を添加することが好ましい。界面活性剤としては、特開昭62-173463号公報、同62-183457号公報に記載されたものが挙げられる。例えば、ジアルキルスルホコハク酸塩類、アルキルナフタレンスルホン酸塩類、脂肪酸塩類等のアニオン性界面活性剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、アセチレングリコール類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類等のノニオン性界面活性剤、アルキルアミン塩類、第4級アンモニウム塩類等のカチオン性界面活性剤が挙げられる。なお、界面活性剤の代わりに有機フルオロ化合物を用いてもよい。有機フルオロ化合物は、疎水性であることが好ましい。有機フルオロ化合物としては、例えば、フッ素系界面活性剤、オイル状フッ素系化合物例、フッ素油及び固体状フッ素化合物樹脂例、四フッ化エチレン樹脂が含まれ、特公昭57-9053号公報第8~17欄、特開昭62-135826号公報に記載されたものが挙げられる。組成物中における界面活性剤の含有量は使用目的により適宜選択されるが、組成物全固形分中、0.0001質量~1質量が好ましく、0.001質量~0.1質量がより好ましいこの他にも、必要に応じて、例えば、分散安定性を向上させるために、水酸化リチウム、過硫酸アンモニウム、紫外線吸収剤、重合禁止剤、レベリング添加剤、マット剤などを含有させることができる。また、膜強度を調整する観点からは、無機微粒子、ポリマー微粒子、シランカップリング剤、ワックス類などを適宜含有させることができる。重合禁止剤としては、例えば、ハイドロキノン、メトキシベンゾキノン、メトキシフェノール、フェノチアジン、t-ブチルカテコール、メルカプトベンズイミダゾール、アルキルジチオカルバミン酸塩類、アルキルフェノール類、アルキルビスフェノール類、サリチル酸塩類、チオジプロピオン酸エステル類、ホスファイト類、ニトロキサイドアルミニウム錯体などが挙げられる。具体的には、Gerorad16,18,20,21、22、Rahn社製等が挙げられる。これら他の成分の含有量は、組成物全固形分中、0.1~5質量程度であることが好ましい。[導電性組成物の調製]本発明の導電性組成物は、CNT、導電性高分子及びラジカルを発生する化合物を含有し、必要に応じてラジカル重合性化合物や溶媒を含有する。本発明の組成物は、溶媒にCNTが分散されたCNT分散液であることが好ましい。本発明の導電性組成物は、CNTの含有量を変えることによって、該組成物の導電性や半導体特性を制御することができる。組成物中のCNT、導電性高分子及びラジカルを発生する化合物の含有量は、組成物の用途、当該用途に求められる導電性や透明性などの特性に応じて、適宜選択決定することができる。導電性組成物中のCNT含有量は、全固形分中、3~50質量であることが好ましく、5~40質量であることがより好ましく、10~30質量であることがさらに好ましい。組成物中の導電性高分子含有量は、全固形分中、30~80質量であることが好ましく、35~75質量であることがより好ましく、40~70質量であることがさらに好ましい。組成物中のラジカルを発生する化合物の含有量は、全固形分中、1質量~20質量であることが好ましく、3質量~15質量であることがより好ましく、3質量~10質量であることがさらに好ましい。組成物中のラジカル重合性化合物の含有量は、全固形分中、5~50質量であることが好ましく、10~40質量であることがより好ましく、10~30質量であることがさらに好ましい。ラジカル重合性化合物の含量に関しては、多い方が硬化性に有利であるが、多すぎる場合には、相分離が生じたり、硬化膜の粘着性による製造工程上の問題例えば、導電性膜成分の転写、粘着に由来する製造不良等の問題を生じ得る。溶媒を用いる場合、当該溶媒の使用量は、組成物中、60~99.9質量用いることが好ましく、70~99.5質量用いることがより好ましく、80~99質量用いることがさらに好ましい。本発明の導電性組成物は、上記の各成分を混合して調製することができる。好ましくは、溶媒に少なくともCNT、導電性高分子及びラジカルを発生する化合物を添加し、これらを通常の方法により分散させて調製する。各成分の添加混合順序は特に限定されないが、予め溶媒中に導電性高分子を所定量添加した後、CNTを所定量添加することが好ましい。調製方法に特に制限はなく、通常の方法を適用することができる。例えば、メカニカルホモジナイザー法、ジョークラッシャ法、超遠心粉砕法、カッティングミル法、自動乳鉢法、ディスクミル法、ボールミル法、超音波分散法などの分散方法を用いることができる。また、必要に応じ、これらの方法を2つ以上組み合わせて用いてもよい。好ましい分散方法の組み合わせは、メカニカルホモジナイザー法と超音波分散法である。組み合わせの順番はいかなるものであってもよく、順次異なる分散方法により分散する方法、もしくは同時に異なる分散方法で分散する方法がある。好ましくは、最初に弱い分散エネルギーを有する分散方法で分散した後、次に高い分散エネルギーを有する分散方法で分散する順番がよい。そうすることで、欠陥なく高い濃度でCNTを分散できるようになる。具体的には、最初にメカニカルホモジナイザー法、次に超音波分散法を組み合わせることが好ましい。また、組成物中のラジカルを発生する化合物から、ラジカルが発生しない温度下、放射線や電磁波等を遮った状態で、組成物の調製を行うこと好ましい。ラジカルによる凝集等を防ぎ、組成物の調製及び保存時において、組成物中の各成分の均一な分散性又は溶解性を保つことができる。組成物の調製は、大気下で行うこともできるが、不活性雰囲気において行うことが好ましい。不活性雰囲気とは、酸素濃度が大気中濃度よりも少ない状態のことをいう。好ましくは、酸素濃度が10以下の雰囲気である。不活性雰囲気にする方法としては、窒素、アルゴンなどの気体で大気を置換させる方法が挙げられ、好ましく用いられる。また、調製時の温度は、0°Cから50°Cの範囲であることが好ましい。得られた導電性組成物中に含まれるCNTには、欠陥のあるCNTが含まれていることがある。このようなCNTの欠陥は、組成物の導電性を低下させるため、低減化することが好ましい。組成物中のCNTの欠陥の量は、ラマンスペクトルのG-バンドとD-バンドの比率G/Dで見積もることができる。G/D比が高いほど欠陥の量が少ないCNT材料であると推定できる。本発明においては、組成物のG/D比が10以上であることが好ましく、30以上であることがより好ましい。[導電性膜]本発明の導電性膜は、本発明の導電性組成物を用いてなる。本発明の導電性組成物は、上記各成分の分散性が良好で成膜性や塗布性に優れており、導電性膜や下記の導電性積層体への成形加工が容易である。本発明の導電性膜の製造では、本発明の導電性組成物を膜状に成形できる手法であれば特に限定なく採用することができる。好ましくは、本発明の導電性組成物を基材上に塗布して成膜し、熱や活性エネルギー線等のエネルギーを付与することで、該基材上に得ることができる。成膜方法及びエネルギー付与の詳細は後述する。[導電性積層体]上記の導電性膜はそのままフイルムとして用いることも、基材上に塗布等により導電性膜を成膜した導電性積層体として用いることもできる。本発明の導電性積層体は、基材と、該基材上に設けられた本発明の導電性膜とを有する。基材の詳細は後述する。導電性積層体は、用途に応じてさらに電極等を有していてもよい。本発明の導電性積層体は、例えば、本発明の導電性組成物を基材上に塗布して、必要により乾燥させて成膜し、その後、熱や活性エネルギー線等のエネルギーを付与することで得られる。[成膜方法]導電性膜の成膜方法は、特に限定されないが、例えば、エクストルージョンダイコート、ブレードコート、バーコート、スクリーン印刷、ロールコート、カーテンコート、スプレーコート、ディップコートなど、公知の塗布方法を用いることができる。塗布後は、必要に応じて乾燥工程を行う。例えば、熱風を吹き付けることにより溶媒を揮発、乾燥させることができる。用いる導電性組成物の量は、所望の膜厚によって適宜調整される。導電性膜の膜厚は、用途に応じて適宜選択すればよい。例えば、透明電極に用いる場合は、抵抗値と光透過率が重要となる。LCD、PDP、EL素子等の表示装置用の透明電極の場合、好ましい抵抗値は、0.001~100,000Ω/□の範囲であり、より好ましくは0.1~10,000Ω/□の範囲である。光透過率は、550nmにおける光透過率が40~100程度、好ましくは50~100、より好ましくは60~100の範囲である。これらを満たすように、CNT、導電性高分子、ラジカルを発生する化合物の濃度を考慮して膜厚を適宜調整する。エネルギー付与成膜後、当該膜に活性エネルギー線を照射又は加熱するなどして外部エネルギーを付与してドーピングを行う。その際、ラジカルを発生する化合物からラジカル種が発生し、このラジカル種によりドーピングが行われる。また、導電性組成物がラジカル重合性化合物を含有する場合は、発生したラジカル種が重合性化合物の重合反応膜硬化反応を引き起こす。この場合、ドーピングと膜硬化反応とを同時並行で進行させることができる。活性エネルギー線には、放射線や電磁波が包含され、放射線には粒子線高速粒子線と電磁放射線が包含される。粒子線としては、アルファ線α線、ベータ線β線、陽子線、電子線原子核崩壊によらず加速器で電子を加速するものを指す、重陽子線等の荷電粒子線、非荷電粒子線である中性子線、宇宙線等が挙げられ、電磁放射線としては、ガンマ線γ線、エックス線X線、軟X線が挙げられる。電磁波としては、電波、赤外線、可視光線、紫外線近紫外線、遠紫外線、極紫外線、X線、ガンマ線などがあげられる。本発明において用いる線種は特に限定されず、例えば、使用するラジカルを発生する化合物の極大吸収波長付近の波長を有する電磁波を適宜選べばよい。これらの活性エネルギー線のうち、ドーピング効果および安全性の観点から好ましいのは紫外線、可視光線、赤外線であり、具体的には240~1100nm、好ましくは300~850nm、より好ましくは350~670nmに極大吸収を有する光線である。活性エネルギー線の照射には、放射線または電磁波照射装置が用いられる。照射する放射線または電磁波の波長は特に限定されず、使用するラジカルを発生する化合物の感応波長に対応する波長領域の放射線または電磁波を照射できるものを選べばよい。放射線または電磁波を照射できる装置としては、LEDランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、DeepUVランプ、低圧UVランプなどの水銀ランプ、ハライドランプ、キセノンフラッシュランプ、メタルハライドランプ、ArFエキシマランプ、KrFエキシマランプなどのエキシマランプ、極端紫外光ランプ、電子ビーム、X線ランプを光源とする露光装置がある。紫外線照射は、通常の紫外線照射装置、例えば、市販の硬化/接着/露光用の紫外線照射装置ウシオ電機株式会社SP9250UBなどを用いて行うことができる。露光時間及び光量は、用いるラジカルを発生する化合物の種類及びドーピング効果を考慮して適宜選択すればよい。具体的には、光量10mJ/cm2~10J/cm2、好ましくは50mJ/cm2~5J/cm2、で行うことが挙げられる。加熱によるドーピングは、導電性組成物を塗布した基材成膜を、ラジカルを発生する化合物がラジカルを発生する温度以上で加熱すればよい。加熱温度として、好ましくは50°C~200°C、より好ましくは70°C~150°Cである。加熱時間は、好ましくは1分~60分、より好ましくは3分~30分である。導電性組成物がラジカル重合性化合物を含有する場合は、上記活性エネルギー線照射や加熱等のエネルギーの付与工程の後、さらに、当該ラジカル重合性化合物の硬化を促進完了させるための、加熱工程を設けることが好ましい。加熱温度は60~150°C、好ましくは80~120°Cで、加熱時間は1~20分間、好ましくは2~5分間である。[基材]本発明の導電性膜の製造に用いる基材、すなわち、本発明の導電性積層体が備える基材は、本発明の導電性膜を成膜した後の用途等に応じ選択することができる。例えば、本発明の導電性膜をLCD、電気泳動方式表示材料、電子ペーパー、有機EL素子などの表示装置の電極として形成する場合は、ガラス基板またはプラスチック基板を好適に用いることができる。また、導電性膜との間に絶縁膜を設けた金属基板を使用することもできる。なお、基材は板状に限らず、例えば、表面が曲面であるものや、凹凸が形成されているものなど、用途に応じて選択することができる。また、本発明の導電性膜を熱電変換用途に用いる場合には、導電性膜の圧着面に各種電極材料を設けた基材を好適に用いることができる。この電極材料としてはITO、ZnO等の透明電極、銀、銅、金、アルミニウムなどの金属電極、CNT、グラフェンなどの炭素材料、PEDOT/PSS等の有機材料等が使用できる。塗布、成膜後に加熱や光照射を行う場合は、これらの刺激による影響を受けにくい基材を選択することが好ましい。本発明で使用可能な基材としては、ガラス、透明セラミックス、金属、プラスチックフィルムなどの基板が挙げられる。ガラス、透明セラミックスは、金属、プラスチックフィルムに比べ、柔軟性に欠ける。また、金属とプラスチックフィルムを価格的に比べると、プラスチックフィルムの方が安価であり、柔軟性を有するので好ましい。このような観点から、本発明の基材としては、樹脂フィルムが好ましく、特に、ポリエステル系樹脂以下、適宜、ポリエステルと称する、ポリシクロオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリスルフィド系樹脂が好ましい。ポリエステルとしては、芳香族二塩基酸又はそのエステル形成性誘導体とジオール又はそのエステル形成性誘導体とから合成される線状飽和ポリエステルが好ましい。本発明に用い得る樹脂フィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ1,4-シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレン-2,6-フタレンジカルボキシレート、ビスフェノールAとイソ及びテレフタル酸のポリエステルフィルム等のポリエステルフィルム、製品名ゼオノアフィルム日本ゼオン社製、アートンフィルムJSR社製、スミライトFS1700住友ベークライト社製等のポリシクロオレフィンフィルム、製品名カプトン東レデュポン社製、アピカルカネカ社製、ユービレックス宇部興産社製、ポミラン荒川化学社製等のポリイミドフィルム、製品名ピュアエース帝人化成社製、エルメックカネカ社製等のポリカーボネートフィルム、製品名スミライトFS1100住友ベークライト社製等のポリエーテルエーテルケトンフィルム、製品名トレリナ東レ社製等のポリフェニルスルフィドフィルム等が挙げられる。使用条件や環境により適宜選択させるが入手の容易性、好ましくは100°C以上の耐熱性、経済性及び効果の観点から、市販のポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、各種ポリイミドフィルムやポリカーボネートフィルム等が好ましい。また、本発明の効果を損なわない限りにおいて、上記樹脂の共重合体、又はこれらの樹脂と他の種類の樹脂とのブレンド物なども用いることができる。本発明に用いる基材は、紫外線吸収剤等の添加剤を含むことが好ましい。紫外線吸収剤としては、オキサゾール系、トリアジン系、スチルベン系、クマリン系吸収剤を好適に用いることができる。基材は単一の材料からなる1層でもよいし、異なる材料からなる2層以上の構成を有してもよい。ここで用いられる樹脂フィルムの厚さに特に制限はなく、フィルムの使用目的に応じて適宜選択できるが、一般的には、5~500μmのものを用いることが好ましい。本発明の導電性組成物は、CNTの分散性に優れ、かつ含有するCNTに欠陥が少ないという利点を有し、CNT、導電性高分子、ラジカルを発生する化合物、ラジカル重合性化合物の種類や含有量等を適宜調整することにより、10~2000S/cm程度の高い導電率の導電膜を得ることができる。そのため、本発明の導電性組成物、導電性膜、導電性積層体は、液晶ディスプレイに代表される各種の表示素子や太陽電池などに用いられる透明電極、コンデンサ、キャパシタ、二次電池などに使用される導電材料の他、太陽熱発電、温水発電、電子機器からの排熱を利用した発電、外気や体温の温度差を利用したセンサーネットワークやヘルスモニター等の環境発電に使用される熱電変換材料又は熱電変換素子として有用である。[熱電変換素子]本発明の導電性組成物は高い導電性に加えて優れた熱電変換性能を有し、熱電変換材料として好適に用いることができる。当該組成物を用いてなる導電性膜は熱電変換素子の熱電変換層として、また、基板上に導電性膜及び電極を備えた導電性積層体は、熱電変換素子として用いることができる。本発明の熱電変換素子は、本発明の導電性膜、又は本発明の導電性積層体を備えるものであればよく、その構成については特に限定されないが、基材と、本発明の導電性膜を含む熱電変換層と、これらを電気的に接続する電極とを有していることが好ましい。本発明の熱電変換素子の構造の一例として、図1に示す素子1及び図2に示す素子2の構造が挙げられる。図1に示す素子1は、第1の基材12上に、第1の電極13及び第2の電極15を含む一対の電極と、該電極間に熱電変換層14として本発明の導電性膜を備える素子である。第2の電極15は第2の基材16表面に配設されており、第1の基材12及び第2の基材16の外側には互いに対向して金属板17が配設される。図2に示す素子2は、第1の基材22上に、第1の電極23及び第2の電極25が配設され、その上に熱電変換材料層24として本発明の導電性膜が設けられている。図1及び2中、矢印は、熱電変換素子の使用時における温度差の方向を示す。本発明の熱電変換素子は、本発明の導電性積層体を備えるものであってもよく、この場合には、本発明の導電性積層体を構成する基材を上記第1の基材12、22として機能させることが好ましい。すなわち、本発明の導電性積層体の基材表面熱電変換材料との圧着面には、上述した各種電極材料が設けられていることが好ましい。形成された熱電変換材料層導電性膜は、一方の表面が基材で覆われているが、これを用いて熱電変換素子を調製するに際しては、他方の表面にも基材第2の基材16、26を圧着させることが、膜の保護の観点から好ましい。また、この第2の基材16表面熱電変換材料層との圧着面には上記各種電極材料を予め設けておいてもよい。また、第2の基材と熱電変換材料層との圧着は、密着性向上の観点から100°C~200°C程度に加熱して行うことが好ましい。本発明の熱電変換素子において、熱電変換層の膜厚は、0.1μm~1000μmであることが好ましく、1μm~100μmであることがより好ましい。膜厚が薄いと温度差を付与しにくくなることと、膜内の抵抗が増大してしまうため好ましくない。また、第1及び第2の基材の厚さは取り扱い性、耐久性等の点から30~3000μmであることが好ましく、100~1000μmであることが好ましい。一般に熱電変換素子では、有機薄膜太陽電池用素子等の光電変換素子と比べて、変換層の塗布製膜が有機層1層分でよく、簡便に素子を製造できる。特に、本発明の熱電変換材料を用いると有機薄膜太陽電池用素子と比較して100倍~1000倍程度の厚膜化が可能であり、空気中の酸素や水分に対する化学的な安定性が向上する。[熱電発電物品]本発明の熱電発電物品は、本発明の熱電変換素子を用いて熱電変換を行う物、装置、機械、器具等を含む。より具体的には、温泉熱発電機、太陽熱発電機、廃熱発電機等の発電機や、腕時計用電源、半導体駆動電源、小型センサー用電源等が挙げられる。以下、実施例に基づき本発明をより詳しく説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。実施例1CNT単層カーボンナノチューブ:ASP-100F、Hanwhananotech社製、純度9512mg、及び下記に示す導電性高分子120mgに、o-ジクロロベンゼン10mLを加えて、メカニカルな攪拌装置で20分間攪拌した。その後、超音波洗浄機井内盛栄堂株製US-2、出力120W、間接照射を用いて、30°Cで10分間超音波分散することによって、ジクロロベンゼンのCNT分散液を得た。この溶液に、下記に示すラジカルを発生する化合物78mgを室温で添加して、導電性組成物のジクロロベンゼン分散液を作製した。この分散液のG/D比を下記方法により測定したところ65であった。一方、基板として、1.1mmの厚み、40mm×50mmのガラス基板をアセトン中で超音波洗浄した後、10分間UV-オゾン処理を行った。上記導電性組成物のジクロロベンゼン分散液をこのガラス基板上にスピンコーターにて塗布した後、室温真空条件で3時間乾燥することで、厚さ約1μmの導電膜を形成した。その後、紫外線照射機アイグラフィックス株式会社製、ECS-401GXにより紫外線照射光量:約1J/cm2を行った。得られた膜の導電率、成膜性、G/D比、熱電変換性能、及び膜強度を、下記の手法で測定評価した。結果を表1に示す。[G/D比]分散液のラマン分光測定スペクトル波長633nm、堀場製作所製レーザラマン分光測定装置の測定により、CNTの欠陥の程度をGバンドとDバンドのスペクトル強度比から、G/D比で評価した。G/D比が小さい程、CNTの欠陥が多い。[導電率及び熱電変換性能の測定]得られた導電性膜を、熱電特性測定装置オザワ科学株製:RZ2001iを用いて、100°Cにおけるゼーベック係数単位:μV/K及び導電率単位:S/cmを評価した。続いて、熱伝導率測定装置英弘精機株製:HC074を用いて熱伝導率単位:W/mKを算出した。これらの値を用いて、前記式Aに従って、100°CにおけるZT値を算出し、この値を熱電変換性能値とした。[成膜性]成膜性は目視により下記の3段階の基準で評価した。1:良好2:凝集物が少しみられ、成膜性が低下した3:凝集物が多く、成膜性が大きく低下した[膜強度]得られた導電性膜について、JISK5600-4に基づき、鉛筆硬度試験を行った。本発明の導電性膜において硬度の許容範囲はHB以上であり、H以上であることが好ましい。評価結果がBである膜は膜の取り扱い時にキズが生じる可能性があり好ましくない。なお、鉛筆は三菱鉛筆社製のUNI登録商標を使用した。実施例2~11導電性高分子、ラジカルを発生する化合物の種類を表1に示すように変更した以外は実施例1と同様にして、導電性膜を製造し評価した。結果を表1に示す。実施例12実施例1におけるメカニカルな攪拌20分間と、その後の超音波洗浄機井内盛栄堂株製US-2、出力120W、間接照射分散10分間の代わりに、超音波破砕機東京理化器械株製VCX-502、出力250W、直接照射30分間攪拌にてCNT分散液を調製した以外は実施例1と同様にして、ガラス基板上に導電性膜を作製した。得られた導電性を、実施例1と同様の手法により、導電率、成膜性、熱電変換性能及び膜強度を評価すると共に、G/D比を評価した。結果を表1に示す。なお、上記分散液のG/D比は12であった。実施例13~16導電性高分子、ラジカルを発生する化合物の種類を表1に示すように変更した以外は実施例1と同様にして作製したCNTのジクロロベンゼン分散液に、さらに下記に示すラジカル重合性化合物10mgを添加し、実施例1と同様にして、ガラス基板上に厚さ約1μmの導電膜を形成した。その後、紫外線照射機アイグラフィックス株式会社製、ECS-401GXにより紫外線照射光量:約1J/cm2、及び80°Cで2分間、後加熱処理を行った。得られた膜の導電率、成膜性、熱電変換性能、及び膜強度を実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。実施例17実施例13における後加熱処理を行わない以外は実施例13と同様にして、ガラス基板上に導電性膜を作製し、実施例1と同様の手法により、導電率、成膜性、熱電変換性能、及び膜強度を評価した。結果を表1に示す。実施例18,19実施例1におけるCNT/導電性高分子/ラジカルを発生する化合物の添加量を14mg/20mg/6mgに、及び実施例13におけるCNT/導電性高分子/ラジカルを発生する化合物の添加量/ラジカル重合性化合物の添加量を14mg/15mg/6mg/15mgに変えた以外は実施例1,13と同様にして、ガラス基板上に導電性膜を作製した。この塗膜を、実施例1と同様にして評価した。結果をそれぞれ表1に示す。比較例1~5実施例1において、ラジカルを発生する化合物を添加する代わりに、無添加または表1に示す他の化合物を添加すること以外は実施例1と同様にして、ガラス基板上にCNTと導電性高分子とを含む比較用塗膜を作製した。この塗膜を、実施例1と同様の手法により、導電率、成膜性、熱電変換性能、及び膜強度を評価した。結果を表1に示す。<導電性高分子>下記の繰り返し単位を有する導電性高分子1:ポリ3-ヘキシルチオフェン重量平均分子量87,000下記の繰り返し単位を有する導電性高分子2:ポリ3-2’’-エトキシ-2’-エトキシエトキシチオフェン重量平均分子量65,000下記の繰り返し単位を有する導電性高分子3:ポリ2,5-ビス3-ドデシルチオフェニルチエノ[3,2-b]チオフェン重量平均分子量79,000下記の繰り返し単位を有する導電性高分子4:ポリ2,6-44-ビス2-エチルヘキシル-4H-シクロペンタ[2,1―b;3,4-b’]ジチオフェン-co-4,7-ベンゾ[c][1,2,5]チアジアゾール重量平均分子量48,000下記の繰り返し単位を有する導電性高分子5:ポリ2,6-ビス3-ヘキシルチオフェニル-4,4-ジヘキシルジチエノ[3,2-b;2‘,3’-d]シロール重量平均分子量52,000下記の繰り返し単位を有する導電性高分子6:ポリ2-メトキシ-5-2-エチルヘキシルオキシ-1,4-フェニレンビニレン重量平均分子量110,000<ラジカルを発生する化合物><ラジカル重合性化合物>重合性化合物1:ポリエチレングリコールジメタクリレート重合性化合物2:ビスフェノールAのEO付加物ジアクリレート重合性化合物3:キシリレン-1,3-ビスアクリルアミド重合性化合物4:ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネートと2等量の2-ヒドロキシエチルメタクリレートの付加体表1から明らかなように、CNT、導電性高分子、ラジカルを発生する化合物を含有する組成物を用いて成膜された実施例1~12,18の導電性膜では、高い導電率、良好な成膜性、及び良好な熱電変換性能を示した。さらにラジカル重合性化合物を添加した組成物を用いて成膜された実施例13~17,19の導電性膜では、高い導電率、良好な成膜性、良好な熱電変換性能を示すと共に、優れた膜強度を示した。これに対し、ドーパントとしてラジカルを発生する化合物を用いていない比較例1~5では、導電率、熱電変換性能が大きく低下した。また酸や金属ハロゲンといった従来のドーパントを用いた比較例3~5では、成膜性に劣る結果となった。さらに重合性化合物を含有しない比較例1,2,4では、膜強度が劣る結果となった。"