"基板と、前記基板との間に空洞部が形成されるように支持される支持部材と、前記支持部材に支持される熱検出素子と、前記熱検出素子と接続部によって接続され、平面視で前記接続部よりも広い面積を有し、前記熱検出素子上に形成されており、かつ、少なくとも一部の波長域の光に対して光透過性を有する集熱部を備える熱伝達部材と、前記熱伝達部材と前記支持部材との間において、前記熱伝達部材および前記支持部材に接して形成されている第1光吸収層と、前記熱伝達部材上において、前記熱伝達部材と接して形成されている第2光吸収層と、を有し、前記支持部材の、前記熱検出素子が載置される表面と前記第2光吸収層の上面との間で、第1波長の光が共振し、前記熱伝達部材の上面と、前記第2光吸収層の上面との間で、前記第1波長とは異なる第2波長の光が共振し、前記支持部材の前記熱検出素子が載置される表面と前記第1光吸収層の上面との間で、前記第1波長および前記第2波長とは異なる第3波長の光が共振することを特徴とする熱型光検出器。請求項1記載の熱型光検出器であって、前記支持部材の前記熱検出素子が載置される表面と、前記第2光吸収層の上面と、前記熱伝達部材の上面と、前記第1光吸収層の上面とは互いに平行であり、前記第1波長をλ1、前記第2波長をλ2とし、前記第3波長をλ3としたとき、前記支持部材の、前記熱検出素子が載置される表面と前記第2光吸収層の上面との間の距離は、mλ1/4mは1以上の整数に設定され、前記熱伝達部材の上面と前記第2光吸収層の上面との間の距離は、nλ2/4nは1以上の整数に設定され、前記熱検出素子が載置される表面と前記第1光吸収層の上面との間の距離は、qλ3/4qは1以上の整数に設定されていることを特徴とする熱型光検出器。請求項2記載の熱型光検出器であって、前記熱伝達部材は、窒化アルミニウムあるいは酸化アルミニウムで構成されることを特徴とする熱型光検出器。請求項1~請求項3のいずれかに記載の熱型光検出器であって、前記第1光吸収層および前記第2光吸収層は、前記支持部材上であって前記熱検出素子の周囲に形成されていることを特徴とする熱型光検出器。請求項1~請求項4のいずれかに記載の熱型光検出器であって、前記熱伝達部材は、前記熱検出素子を他の素子に接続する配線を兼ねることを特徴とする熱型光検出器。請求項1~請求項5のいずれかに記載の熱型光検出器が複数、2次元配置されていることを特徴とする熱型光検出装置。請求項1~請求項5のいずれかに記載の熱型光検出器と、前記熱型光検出器の出力を処理する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。請求項6記載の熱型光検出装置と、前記熱型光検出装置の出力を処理する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。基板の主面上に絶縁層を含む構造体を形成し、前記絶縁層を含む構造体上に犠牲層を形成し、前記犠牲層上に支持部材を形成する工程と、前記支持部材上に熱検出素子を形成する工程と、第1波長をλ1、第2波長をλ2とし、第3波長をλ3としたとき、前記熱検出素子を覆うように第1光吸収層を形成し、前記支持部材の前記熱検出素子が載置される表面と前記第1光吸収層の上面との間の距離が、qλ3/4qは1以上の整数になるように前記第1光吸収層を平坦化する工程と、前記第1光吸収層の一部にコンタクトホールを形成した後、熱伝導性を有する材料層を形成し、前記材料層をパターニングすることによって、前記熱検出素子に接続する接続部と、平面視で前記接続部よりも広い面積を有する集熱部とを備える熱伝達部材を形成する工程と、前記熱伝達部材上に前記熱伝達部材の上面と第2光吸収層の上面との間の距離が、nλ2/4nは1以上の整数になるように前記第2光吸収層を形成する工程と、前記第1光吸収層および前記第2光吸収層をパターニングする工程と、前記支持部材をパターニングする工程と、前記犠牲層をエッチングにより除去して、前記基板の主面上に形成された絶縁層を含む構造体と、前記支持部材との間に空洞部を形成する工程と、を含み、前記支持部材の、前記熱検出素子が載置される表面と前記第2光吸収層の上面との間の距離が、mλ1/4mは1以上の整数になるように、前記第1光吸収層の膜厚と前記第2光吸収層の膜厚と前記熱伝達部材の膜厚とを合わせた合計の膜厚を調整することを特徴とする熱型光検出器の製造方法。また、特許文献1に記載される赤外線検出素子では、光吸収層の下に高熱伝達部材が設けられているが、熱検出素子は、光吸収層ならびに高熱伝達部材の下には設けられていない。光赤外線吸収層は、赤外線感知部熱検出素子から離れた位置にあることから、光赤外線吸収層で発生した熱を直接的に熱検出素子赤外線感知部に供給することはできない。特許文献2に記載される赤外線固体撮像素子では、赤外線吸収部を構成する絶縁層は、温度検出器から離れた位置にあることから、赤外線吸収部の絶縁層で発生した熱を直接的に温度検出器に供給することができない。本発明の少なくとも一つの態様によれば、例えば、熱型光検出器の検出感度を向上させることができる。1本発明の熱型光検出器の一態様は、基板と、前記基板との間に空洞部が形成されるように支持される支持部材と、前記支持部材に支持される熱検出素子と、前記熱検出素子と接続部によって接続され、平面視で前記接続部よりも広い面積を有し、前記熱検出素子上に形成されており、かつ、少なくとも一部の波長域の光に対して光透過性を有する集熱部を備える熱伝達部材と、前記熱伝達部材と前記支持部材との間において、前記熱伝達部材および前記支持部材に接して形成されている第1光吸収層と、前記熱伝達部材上において、前記熱伝達部材と接して形成されている第2光吸収層と、を有し、前記支持部材の、前記熱検出素子が載置される表面と前記第2光吸収層の上面との間で、第1波長の光が共振し、前記熱伝達部材の上面と、前記第2光吸収層の上面との間で、前記第1波長とは異なる第2波長の光が共振し、前記支持部材の前記熱検出素子が載置される表面と前記第1光吸収層の上面との間で、前記第1波長および前記第2波長とは異なる第3波長の光が共振する。本態様の熱型光検出器は、熱伝導性の材料で構成される熱伝達部材を有する。また、本態様の熱型光検出器では、3つの波長第1波長~第3波長の光が共振する。これによって、熱伝達部材による集熱効果と、光共振による検出感度の向上、ならびに検出感度を有する波長帯域の拡大の効果を得ることができる。熱伝達部材は、熱検出素子に接続される接続部と、平面視で接続部よりも広い面積を有し、かつ熱検出素子上に形成されている集熱部を備える。熱検出素子上は、熱検出素子の直上ならびに熱検出素子の上部熱検出素子と集熱部との間に層間絶縁層等が介在している場合を含めて広義に解釈する。熱伝達部材の集熱部は、例えば、下層の第1光吸収層と上層の第2光吸収層との間につまり、二つの吸収層に挟まれる態様にて設けることができる。熱伝達部材の集熱部は、例えば、広範囲な領域において発生した熱を集熱して、熱検出素子に伝達する役割を果たす。なお、集熱部は、例えば、平坦化された第1光吸収層上において、平坦面を有する態様にて形成される場合があり、この場合には、集熱部は、平板部あるいは平坦部と言い換えることができる。この場合、集熱部は、支持部材に平行に設けることができる。つまり、集熱部の主面上面または下面と支持部材の主面上面または下面とを平行に配置することができる。また、熱伝達部材は、例えば、熱型光検出器が検出感度を有する波長帯域の少なくとも一部の波長域の光に対して光透過性半透過性を含むを有することができる。この場合、熱伝達部材としては、例えば、熱伝導が良好で、かつ光の半透過性を有する金属化合物例えばAlNやAlOxを使用することができる。また、熱伝達部材は、金属例えばアルミニウムのような光を反射する材料によって構成することもできる。熱伝達部材が光透過性を有する場合は、例えば、熱型光検出器に入射した光例えば赤外線、すなわち平面視で、支持部材メンブレンの領域に入射する入射光の一部は、まず第2光吸収層で吸収され、その他は吸収されずに熱伝達部材に到達する。熱伝達部材に到達した光の一部は反射され、その他の光は熱伝達部材を透過する。熱伝達部材で反射された光は、第2光吸収層で吸収される。熱伝達部材を透過した光の一部は、第1光吸収層で吸収され、その他は、支持部材の表面第1光吸収層と支持部材との界面ならびに支持部材上に載置されている熱検出素子に到達する。支持部材の表面第1光吸収層と支持部材との界面に到達した光の一部は、反射されて第1光吸収層に吸収される。反射光のうち、第1光吸収層を透過した光は第2光吸収層に達し、第2光吸収層によって吸収される。熱伝達部材が光透過性を有する材料で構成する場合における、第1光吸収層および第2光吸収層における熱の発生、ならびに、発生した熱の、熱検出素子への伝達は、例えば、以下のように行われる。すなわち、熱型光検出器に入射した光の一部が、まず第2光吸収層で吸収され、第2光吸収層にて熱が発生する。また、熱伝達部材で反射した光は、第2光吸収層で吸収され、これによって第2光吸収層にて熱が発生する。また、熱伝達部材を透過通過した光の一部は、第1光吸収層にて吸収されて熱が発生する。また、支持部材の表面第1光吸収層と支持部材との界面で反射した光は、第1光吸収層で吸収される。また、支持部材の表面で反射した光のうち、第1光吸収層を通過透過した光は、第1光吸収層の上面に到達し、一部の光は反射されて再び下方に向かう。また、他の一部の光は第2光吸収層に進み、第2光吸収層にて吸収される。すなわち、支持部材の表面で反射した反射光は、第1光吸収層および第2光吸収層の少なくとも一方に吸収され、これによって、第1光吸収層あるいは第2光吸収層にて熱が発生する。そして、第2光吸収層で発生した熱は、熱伝達部材を介して効率的に熱検出素子に伝達され、また、第1光吸収層で発生した熱は、直接的に、あるいは熱伝達部材を介して熱検出素子に効率的に伝達される。すなわち、熱伝達部材の集熱部は、熱検出素子上を広く覆うように形成されており、よって、第1光吸収層ならびに第2光吸収層の発生した熱の多くを、その発生場所を問わずに、効率的に熱検出素子に伝達することができる。例えば、熱検出素子から離れた箇所で発生した熱であっても、熱伝導率が高い熱伝達部材を経由して、熱検出素子に効率的に伝達することができる。また、熱伝達部材の集熱部と、熱検出素子とは、熱伝達部材の接続部によって接続されていることから、熱伝達部材の集熱部を経由して伝達される熱を、接続部を介して、熱検出素子に直接的に伝達することができる。また、熱伝達部材の下に熱検出素子が位置する平面視で重なる位置に設けられていることから、例えば、平面視における熱伝達部材の中央部と、熱検出素子とを最短で接続することが可能である。よって、熱伝達に伴うロスを減らすことができ、また、専有面積の増大を抑制することができる。また、熱伝達部材が金属のような光反射特性を有する材料で構成される場合においては、上述のとおり、集熱部の下にある第1光吸収層には入射光は進入しないことから、基本的には、熱は、第2光吸収層で発生し、その熱が熱伝達部材を経由して、効率的に熱検出素子に伝達されることになる。この場合であっても、熱検出素子から遠い地点において発生した熱を、効率的に集熱するという効果が得られる。但し、集熱部の平面視における面積が、第1光吸収層の平面視における面積よりも小さい場合は、焦熱部が設けられていない領域隙間領域を経由して、入射光が支持部材側に進入することができる。この場合には、第1光吸収層においても、光の吸収による熱が発生し、その熱を、集熱部を経由して熱検出素子に効率的に伝達することができる。本態様の熱型光検出器によれば、2層複数層の光吸収層における広範囲で発生した熱を、熱検出素子に効率的に伝達することができ、よって、小型の熱型光検出器の光検出感度を大幅に向上させることができる。また、熱の伝達に要する時間が短縮されるため、熱型光検出器の応答速度を高めることができる。また、本態様では、2層の光吸収膜によって熱を発生することから吸収効率が高まる。また、第1光吸収層を介して熱を直接的に熱検出素子に伝達することができる。よって、特許文献1に記載される赤外線検出素子ならびに特許文献2に記載される赤外線固体撮像素子と比較して、熱型光検出器の検出感度をより向上させることができる。また、本態様では、熱検出素子は熱伝達部材に接続されている。よって、応答速度は、特許文献1に記載される赤外線検出素子と同等に高い。また、本態様では、熱伝達部材が直接に熱検出素子に接続されているため、特許文献2に記載される赤外線固体撮像素子と比較して、より高い応答速度が得られる。また、本態様では、各光吸収層の膜厚を調整して、3つの波長第1波長~第3波長の光を共振させることができるすなわち、異なる共振波長をもつ3個の光共振器を構成することができる。支持部材の表面と第2光吸収層の上面との間において、第1波長の光が共振する。上述のとおり、支持部材の表面第1光吸収層と支持部材との界面で反射した光は、第1光吸収層および第2光吸収層の少なくとも一方に吸収されるが、このとき、第1波長の光による光共振が生じることによって、各光吸収層における実効吸収率を高めることができる。また、熱伝達部材の上面と第2光吸収層の上面との間において、第1波長とは異なる第2波長の光が共振する。上述のとおり、熱伝達部材で反射した光は、第2光吸収層で吸収されるが、このとき、第2波長の光の共振が生じることによって、第2光吸収層における実効吸収率を高めることができる。なお、本態様では、集熱部は、支持部材に平行に設けるのが好ましい。つまり、集熱部の主面上面または下面と支持部材の主面上面または下面とを平行に配置するのが好ましい。また、支持部材の、熱検出素子が載置されている表面第1光吸収層の下面ということもできると、第1光吸収層の上面との間において、第1波長ならびに第2波長とは異なる第3波長の光が共振する。上述のとおり、支持部材の表面で反射した光は、第1光吸収層で吸収されるが、このとき、第3波長の光の共振が生じることによって、第1光吸収層における実効吸収率を高めることができる。また、本態様によれば、異なる3つの波長において共振ピークが生じることから、熱型光検出器が検出可能な光の波長帯域波長幅を広げることができる。2本発明の熱型光検出器の他の態様は、前記支持部材の前記熱検出素子が載置される表面と、前記第2光吸収層の上面と、前記熱伝達部材の上面と、前記第1光吸収層の上面とは互いに平行であり、前記第1波長をλ1、前記第2波長をλ2とし、前記第3波長をλ3としたとき、前記支持部材の、前記熱検出素子が載置される表面と前記第2光吸収層の上面との間の距離は、mλ1/4mは1以上の整数に設定され、前記熱伝達部材の上面と前記第2光吸収層の上面との間の距離は、nλ2/4nは1以上の整数に設定され、前記熱検出素子が載置される表面と前記第1光吸収層の上面との間の距離は、qλ3/4qは1以上の整数に設定されている。本態様では、光共振として、いわゆるλ/4光共振を利用する。すなわち、第1波長をλ1としたとき、支持部材の、熱検出素子が載置される表面と第2光吸収層の上面との間の距離が、mλ1/4mは1以上の整数の関係を満足するようにすることによって、第1波長λ1の共振を実現することができる。ここで、支持部材の、熱検出素子が載置される表面と第2光吸収層の上面との間の距離をH1とし、第1光吸収層の膜厚をH3とし、第2光吸収層の膜厚をH2とし、熱伝達部材の厚みをH4としたとき、H1=mλ1/4=H2H3H4の関係が成立する。つまり、このような関係が満足されるように、第2光吸収層の膜厚H2と、第1光吸収層の膜厚H3と、熱伝達部材の厚みH4とを調整するのが好ましい。但し、熱伝達部材の厚みH4は、例えば、0.1μm未満のオーダーであることから、H4を無視してもよい。この場合、H1=mλ1/4≒H2H3という関係が満足するように、第2光吸収層の膜厚H2ならびに第1光吸収層の膜厚H3を調整すればよい。入射した波長λ1の光と、支持部材の表面で反射した波長λ1の光とが相互干渉よって打ち消されることによって、第1光吸収層ならびに第2光吸収層における実効吸収率が高まる。また、第2波長をλ2としたとき、熱伝達部材の上面と第2光吸収層の上面との間の距離を、nλ2/4nは1以上の整数に設定することによって、第2波長λ2の光を共振させることができる。但し、上述のとおり、熱伝達部材の厚みH4は、例えば、0.1μm未満のオーダーであることから、H4を無視してもよい。この場合は、実質的に、第2光吸収層の膜厚H2を、nλ2/4の関係を満足するように調整すればよい。これによって、入射した波長λ2の光と、熱伝達部材の上面で反射した波長λ2の光とが相互干渉よって打ち消され、第2光吸収層における実効吸収率を高めることができる。また、第3波長をλ3としたとき、支持部材の熱検出素子が載置される表面第1光吸収層の下面ということもできると第1光吸収層の上面との間の距離すなわち、第1光吸収層の膜厚H3を、qλ2/4qは1以上の整数に設定することによって、第3波長λ3の光を共振させることができる。これによって、入射した波長λ3の光と、支持部材の表面第1光吸収層の下面で反射した波長λ3の光とが相互干渉よって打ち消され、第1光吸収層における実効吸収率を高めることができる。3本発明の熱型光検出器の他の態様は、前記熱伝達部材は、窒化アルミニウムあるいは酸化アルミニウムで構成される。本態様では、熱伝達部材の材料として、窒化アルミニウムAlNあるいは酸化アルミニウムAlOxを使用する。これらは、平面視で支持部材の領域に入射する光のうちの、少なくとも一部の光を透過させる光透過性を有する。材料の組成や膜厚を調整することによって、透過する波長を選ぶことも可能である。また、AlNやAlOx等の金属化合物は、熱伝導性にも優れることから、集熱効果を得ることができる。4本発明の熱型光検出器の他の態様は、前記第1光吸収層および前記第2光吸収層は、前記支持部材上であって前記熱検出素子の周囲に形成されている。本態様では、第1光吸収層および第2光吸収層は、熱検出素子の周囲に形成される。例えば、第1光吸収層および第2光吸収層は、熱検出素子の全周囲に形成することができる但し、これに限定されるものではない。これによって、第1光吸収層および第2光吸収層の広範囲で発生した熱は、熱検出素子に、直接的に、あるいは熱伝達部材を経由して間接的に、効率的に伝達される。よって、熱型光検出器の光検出感度をさらに高めることができる。また、熱型光検出器の応答速度も、より向上する。5本発明の熱型光検出器の他の態様は、前記熱伝達部材は、前記熱検出素子を他の素子に接続する配線を兼ねる。熱伝達部材は、上述のとおり、例えば、AlNやAlOx等の金属化合物で構成することができるが、金属を主成分とする材料は電気伝導も良好であることから、熱伝達部材は、熱検出素子を他の素子に接続する配線配線の一部を含むとしても利用することができる。熱伝達部材を、配線としても利用することによって、配線を別途、設ける必要がなくなり、製造工程の簡素化を図ることができる。6本発明の熱型光検出装置の一態様では、上記いずれかの熱型光検出器が複数、2次元配置されている。これによって、複数の熱型光検出器熱型光検出素子が2次元に配置された例えば、直交2軸の各々に沿ってアレイ状に配置された、熱型光検出装置熱型光アレイセンサーが実現される。7本発明の電子機器の一態様は、上記1~5のいずれかの熱型光検出器と、前記熱型光検出器の出力を処理する制御部と、を有する。上記いずれかの熱型光検出器は、光の検出感度が高い。よって、この熱型光検出器を搭載する電子機器の性能が高まる。電子機器としては、例えば、赤外線センサー装置、サーモグラフィー装置、車載用夜間カメラや監視カメラ等が挙げられる。なお、制御部は、例えば、画像処理部やCPUで構成することができる。8本発明の電子機器の他の態様は、上記6の熱型光検出装置と、前記熱型光検出装置の出力を処理する制御部と、を有する。上記いずれかの熱型光検出器は、光の検出感度が高い。よって、この熱型光検出器を搭載する電子機器の性能が高まる。電子機器としては、例えば、赤外線センサー装置、サーモグラフィー装置、車載用夜間カメラや監視カメラ等が挙げられる。なお、制御部は、例えば、画像処理部やCPUで構成することができる。9本発明の熱型光検出器の製造方法の一態様は、基板の主面上に絶縁層を含む構造体を形成し、前記絶縁層を含む構造体上に犠牲層を形成し、前記犠牲層上に支持部材を形成する工程と、前記支持部材上に熱検出素子を形成する工程と、第1波長をλ1、第2波長をλ2とし、第3波長をλ3としたとき、前記熱検出素子を覆うように第1光吸収層を形成し、前記支持部材の前記熱検出素子が載置される表面と前記第1光吸収層の上面との間の距離が、qλ3/4qは1以上の整数になるように前記第1光吸収層を平坦化する工程と、前記第1光吸収層の一部にコンタクトホールを形成した後、熱伝導性を有する材料層を形成し、前記材料層をパターニングすることによって、前記熱検出素子に接続する接続部と、平面視で前記接続部よりも広い面積を有する集熱部とを備える熱伝達部材を形成する工程と、前記熱伝達部材上に前記熱伝達部材の上面と第2光吸収層の上面との間の距離が、nλ2/4nは1以上の整数になるように前記第2光吸収層を形成する工程と、前記第1光吸収層および前記第2光吸収層をパターニングする工程と、前記支持部材をパターニングする工程と、前記犠牲層をエッチングにより除去して、前記基板の主面上に形成された絶縁層を含む構造体と、前記支持部材との間に空洞部を形成する工程と、を含み、前記支持部材の、前記熱検出素子が載置される表面と前記第2光吸収層の上面との間の距離が、mλ1/4mは1以上の整数になるように、前記第1光吸収層の膜厚と前記第2光吸収層の膜厚と前記熱伝達部材の膜厚とを合わせた合計の膜厚を調整する。本態様では、基板の主面に、層間絶縁層を含む多層構造、犠牲層、支持部材を積層形成し、また、支持部材上に、熱検出素子、第1光吸収層、熱伝達部材ならびに第2光吸収層を積層形成する。第1光吸収層の上面は、平坦化処理によって平坦化される。また、第1光吸収層にはコンタクトホールが設けられ、このコンタクトホールに、熱伝達部材の接続部が埋め込まれる。第1光吸収層上に設けられる、熱伝達部材の集熱部は、接続部を介して熱検出素子例えば、焦電キャパシターの上側電極に接続される。第1光吸収層の膜厚、第2光吸収層の膜厚、ならびに、第1光吸収層の膜厚と、第2光吸収層の膜厚と、熱伝達部材の厚み但し、熱伝達部材の厚みは極薄いことから無視することもできると、を合わせた合計の膜厚を調整することによって、3つの波長の共振を実現することができるつまり、共振波長が異なる3つの光検出器を構成することができる。本態様によれば、半導体製造技術例えばMEMS技術を用いて、小型かつ検出感度が高い熱型光検出器を実現することができる。このように、本発明の少なくとも一つの態様によれば、例えば、熱型光検出器の検出感度を、格段に向上させることができる。以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。第1の実施形態図1Aおよび図1Bは、熱型光検出器の一例の平面図ならびに断面図である。図1Bは、図1Aに示される熱型光検出器のA-A’線に沿う断面図である。図1Aおよび図1Bでは、単独の熱型光検出器を示しているが、複数の熱型光検出器を、例えばマトリクス状に配置して、熱型光検出器アレイすなわち熱型検出装置を構成することもできる。図1Aおよび図1Bに示される熱型光検出器は、焦電型赤外線検出器光センサーの一種200である但し、一例であり、これに限定されるものではない。この焦電型赤外線検出器200は、2層の光吸収膜270,272における光吸収によって発生する熱を、熱伝導が良好な熱伝達部材260を経由して、熱検出素子ここでは焦電キャパシター230に、効率的に伝達することができる。熱伝達部材260は、例えば、高い熱伝導率を有すると共に、熱型光検出器が検出感度を有する波長帯域波長幅の光の少なくとも一部の波長域の光に対して、光透過性例えば半透過性を有する材料例えば、AlNやAlOx等の金属化合物によって構成することができる。また、熱伝達部材は、金属例えばアルミニウムのような光を反射する材料によって構成することもできる。なお、熱伝達部材260における光透過性については、図2を参照して後述する。熱検出素子としての焦電キャパシター230は、熱を電気信号に変換する。これによって、受光した光の強度に対応する検出信号例えば電流信号が得られる。以下、具体的に説明する。熱型光検出器としての焦電型赤外線検出器の構造の一例まず、図1Bを参照して、断面構造について説明する。断面構造熱型光検出器としての焦電型赤外線検出器200は、基板シリコン基板10上に形成された多層の構造体によって構成されている。すなわち、熱型光検出器200としての焦電型赤外線検出器は、基板ここではシリコン基板とする10と、基板10の第1主面ここでは表面とする上に形成された、絶縁層を含む構造体100例えば、層間絶縁層を含む多層構造:多層構造の具体例については図6を参照と、絶縁層を含む構造体100の表面に形成されたエッチングストッパー膜130aと、熱分離用の空洞部熱分離空洞102と、載置部210およびアーム部212a,212bとで構成される支持部材メンブレン215と、支持部材メンブレン215上に形成された焦電キャパシター230と、焦電キャパシターの表面を覆う絶縁層250と、第1光吸収層例えばSiO2層270と、熱伝達部材260接続部CNおよび集熱部FLを有すると、第2光吸収層例えばSiO2層272と、を有する。第1光吸収層270は、熱伝達部材260と支持部材メンブレン215との間において、熱伝達部材260に接して形成されている。第2光吸収層272は、熱伝達部材260上において、熱伝達部材260と接して形成されている。なお、基板10および多層構造100によって、基部ベースが構成される。この基部ベースは、空洞部102において、支持部材215や焦電キャパシター230を含む素子構造体160を支持する。また、例えば、シリコンSi基板10の、平面視で熱検出素子焦電キャパシター230と重なる領域には、トランジスターや抵抗等の半導体素子を形成することができる例えば、図6の例を参照。基板10上に形成される多層構造体100の表面には、上述したとおり、エッチングストッパー膜例えばSi3N4膜130aが設けられており、また、支持部材メンブレン215の裏面には、エッチングストッパー膜例えばSi3N4膜130b~130dが設けられている。このエッチングストッパー膜130a~130dは、空洞部102を形成するために犠牲層図1では不図示,図3の参照符号101を除去する工程において、エッチングの対象外の層が除去されるのを防止する役割を果たす。但し、エッチングストッパー膜は、支持部材メンブレン215を構成する材料によっては不要の場合がある。また、素子構造体160に含まれる焦電キャパシター230は、同じく素子構造体160の構成要素である支持部材メンブレン215によって、空洞部102上において支持されている。ここで、支持部材メンブレン215は、例えば、酸化シリコン膜SiO/窒化シリコン膜SiN/酸化シリコン膜SiOの3層の積層膜をパターニングすることによって形成することができる但し、一例であり、これに限定されるものではない。支持部材メンブレン215は、焦電キャパシター230を安定的に支持する必要があり、よって、支持部材メンブレン215のトータルの厚みは、必要な機械強度を満足する厚みを有する。支持部材メンブレン215の表面上には、配向膜不図示が形成されており、この配向膜上に、焦電キャパシター230が形成されている。焦電キャパシター230は、下部電極第1電極234と、下部電極上に形成される焦電材料層例えば焦電体としてのPZT層:チタン酸ジルコン酸鉛層232と、焦電材料層232上に形成される上部電極第2電極236と、を含む。下部電極第1電極234ならびに上部電極第2電極236は共に、例えば、3層の金属膜を積層することによって形成することができる。例えば、焦電材料層PZT層232から遠い位置から順に、例えばスパッタリングにて形成されるイリジウムIr、イリジウム酸化物IrOx及びプラチナPtの三層構造とすることができる。また、焦電材料層232としては、上述のとおり、例えばPZTPbZi,TiO3:チタン酸ジルコン酸鉛を用いることができる。焦電材料層焦電体に熱が伝達されると、その結果、焦電効果パイロ電子効果によって、焦電材料層232に電気分極量の変化が生じる。この電気分極量の変化に伴う電流を検出することによって、入射した光の強度を検出することができる。この焦電材料層232は、例えば、スパッタリング法やMOCVD法等で成膜することができる。下部電極第1電極234および上部電極第2電極236の膜厚は、例えば0.4μm程度であり、焦電材料層232の膜厚は、例えば0.1μm程度である。焦電キャパシター230は、絶縁層250ならびに第1光吸収層270によって覆われている。絶縁層250には、第1コンタクトホール252が設けられている。第1コンタクトホール252は、上部電極第2電極236用の電極226を、上部電極第2電極236に接続するために使用される。また、第1光吸収層270および絶縁層250には、第2コンタクトホール254が設けられている。第2コンタクトホール254は、第1光吸収層270および絶縁層250を貫通して設けられている。この第2コンタクトホール254は、熱伝達部材260を、焦電キャパシター230の上部電極236に接続するために使用される。すなわち、熱伝達部材260を構成する材料例えば、窒化アルミニウムAlNあるいは酸化アルミニウムAlOx等が、第2コンタクトホール254内に充填されており充填部分は、図中、参照符号228で示されている、これによって、熱伝達部材260における接続部CNが構成される。熱伝達部材260は、表面が平坦化されている第1光吸収層270上に延在する部分である集熱部FLと、この集熱部FLを、焦電キャパシター230における上部電極第2電極236に接続する部分である接続部CNと、を有している。ここで、熱伝達部材260の集熱部FLは、熱検出素子230上に形成されている。熱検出素子230上は、熱検出素子230の直上ならびに熱検出素子230の上部熱検出素子230と集熱部FLとの間に層間絶縁層等が介在している場合を含めて広義に解釈する。熱伝達部材の集熱部は、例えば、下層の第1光吸収層270と上層の第2光吸収層272との間に設けられている。集熱部FLは、例えば、広範囲な領域において発生した熱を集熱して、熱検出素子である焦電キャパシター230に伝達する役割を果たす。なお、集熱部FLは、例えば、平坦化された第1光吸収層270上において、平坦面を有する態様にて形成される場合があり、この場合には、集熱部は、平板部あるいは平坦部と言い換えることができる。上述のとおり、熱伝達部材230は、例えば、熱伝導率が高く、かつ所望の波長帯域の光に対して光透過性例えば半透過性を有する材料で構成することができ、この場合、例えば、窒化アルミニウムAlNあるいは酸化アルミニウムAlOx等で構成することができる。熱伝達部材230を、光透過性半透過性または全透過性を有する材料で構成すると、入射光の一部は、熱伝達部材230を透過通過して、支持部材215側に進入することができる。これによって、上側の第2光吸収層272のみならず、下側の第1吸収層270においても光の吸収によって熱が発生する。集熱部FLは、第1光吸収層270と第2光吸収層272とに挟まれている。つまり、集熱部FLは、第1光吸収層270および第2光吸収層272の各々に接している。よって、第1光吸収層270および第2光吸収層272の各々で発生した熱は、焦熱部FLに迅速に伝わり、熱伝導性が良好な集熱部FLを経由して、熱検出素子230に効率的に伝達される。なお、集熱部FLにおける材料と、接続部CNにおける材料228例えばコンタクトホール254に埋め込まれるコンタクトプラグの材料とを異ならせることも可能である。また、図1Bに示すように、接続部CNの横幅をW0とし、焦電キャパシター230の横幅ここでは、最も横幅が広い下部電極第1電極234の横幅をW1とし、熱伝達部材260の集熱部FLの横幅をW2としたとき、W0<W1<W2の関係が成立する。また、図1Bに示されるように、第1波長をλ1、第2波長をλ2とし、第3波長をλ3としたとき、支持部材215の、焦電キャパシター230が載置される表面と、第2光吸収層272の上面との間の距離H1は、mλ1/4mは1以上の整数に設定されている。これによって、支持部材215の、焦電キャパシター230が載置される表面と、第2光吸収層272の上面との間で、第1波長λ1が共振する。すなわち、第1光共振器λ1/4光共振器が構成される。また、熱伝達部材260の集熱部FLの上面と、第2光吸収層272の上面との間の距離H2は、nλ2/4nは1以上の整数に設定されている。これによって、熱伝達部材260の集熱部FLの上面と、第2光吸収層272の上面との間で第2波長λ2が共振する。すなわち、第2光共振器λ2/4光共振器が構成される。ここで、熱伝達部材260の集熱部FLは、支持部材メンブレン215に平行に設けるのが好ましい。つまり、集熱部FLの主面上面または下面と支持部材メンブレン215の主面上面または下面とを平行に配置するのが好ましい。また、支持部材215の熱検出素子230が載置される表面と、第2光吸収層272の上面と、熱伝達部材260の集熱部FLの上面と、第1光吸収層270の上面とは互いに平行であるのが好ましい。また、支持部材215の、熱検出素子230が載置される表面、すなわち、支持部材215の載置部210における上面第1光吸収層270の下面ということもできると、第1光吸収層270の上面との間の距離H3は、qλ3/4qは1以上の整数に設定されている。これによって、支持部材215の載置部210における上面と、第1光吸収層270の上面との間で第3波長λ3が共振する。すなわち、第3光共振器λ3/4光共振器が構成される。上述のとおり、支持部材215の、熱検出素子230が載置される表面と第2光吸収層272の上面との間の距離をH1とし、第1光吸収層270の膜厚をH3とし、第2光吸収層272の膜厚をH2とする。また、熱伝達部材260の集熱部FLの厚みをH4とする。このとき、H1=mλ1/4=H2H3H4の関係が成立する。つまり、このような関係が満足されるように、第2光吸収層272の膜厚H2と、第1光吸収層270の膜厚H3と、熱伝達部材260の厚みH4とを調整するのが好ましい。但し、熱伝達部材260の厚みH4は、例えば、0.1μm未満のオーダーであることから、H4を無視してもよい。この場合、H1=mλ1/4≒H2H3という関係が満足するように、第2光吸収層272の膜厚H2ならびに第1光吸収層270の膜厚H3を調整すればよい。これによって、入射した第1波長λ1の光と、支持部材215の表面で反射した第1波長λ1の光とが相互干渉よって打ち消されることによって、第1光吸収層270ならびに第2光吸収層272における実効吸収率が高まる。また、第2波長をλ2としたとき、熱伝達部材260の上面と第2光吸収層272の上面との間の距離を、nλ2/4nは1以上の整数に設定することによって、第2波長λ2の光を共振させることができる。但し、上述のとおり、熱伝達部材の厚みH4は、例えば、0.1μm未満のオーダーであることから、H4を無視してもよい。この場合は、実質的に、第2光吸収層の膜厚H2を、nλ2/4の関係を満足するように調整すればよい。これによって、入射した波長λ2の光と、熱伝達部材の上面で反射した波長λ2の光とが相互干渉よって打ち消され、第2光吸収層における実効吸収率を高めることができる。また、第3波長をλ3としたとき、支持部材215の熱検出素子230が載置される表面第1光吸収層270の下面ということもできると第1光吸収層270の上面との間の距離すなわち、第1光吸収層の膜厚H3を、qλ2/4qは1以上の整数に設定することによって、第3波長λ3の光を共振させることができる。これによって、入射した第3波長λ3の光と、支持部材215の表面第1光吸収層270の下面で反射した第3波長λ3の光とが相互干渉よって打ち消され、第1光吸収層270における実効吸収率を高めることができる。レイアウト構成次に、図1Aを参照して、レイアウト構成について説明する。図1Aに示すように、支持部材メンブレン215は、焦電キャパシター230を載置する載置部210と、この載置部210を、空洞部熱分離空洞部212上にて保持する2本のアーム、すなわち第1アーム部212aと第2アーム部212bと、を有している。焦電キャパシター230は、支持部材メンブレン215における載置部210上に形成されている。また、上述のとおり、支持部材メンブレン215、焦電キャパシター230、第1光吸収層270、熱伝達部材260ならびに第2光吸収層272を含めて、素子構造体160が構成される。第1アーム部212aならびに第2アーム部212bは、上述したように、例えば、酸化シリコン膜SiO/窒化シリコン膜SiN/酸化シリコン膜SiOの3層の積層膜をパターニングして、細長い形状に加工することによって形成することができる。細長い形状とするのは、熱抵抗を大きくして、焦電キャパシター230からの放熱熱の逃げを抑制するためである。第1アーム部212aにおける幅広の先端部232aは、第1ポスト104a図1Aにおいて破線で示される、平面視で円形の部材によって、空洞部102上において支持されている。また、第1アーム部212a上には、一端参照符号228が、焦電キャパシター230の下部電極第1電極234に接続され、他端231aが、第1ポスト104aに接続される配線229aが形成されている。第1ポスト104aは、例えば、図1Bに示される絶縁層を含む構造体100と、第1アーム部212aの先端部232aとの間に設けられる。この第1ポスト104aは、例えば、空洞部102に選択的に形成される、柱状に加工された多層配線構造層間絶縁層と、焦電キャパシター230と下地のシリコン基板10に設けられたトランジスター等の素子とを接続するための配線を構成する導電層とからなるによって構成することができる。同様に、第2アーム部212bは、第2ポスト104b図1Aにおいて、破線で示される、平面視で円形の部材によって、空洞部102上において支持されている。第2アーム部212bにおける幅広の先端部232bは、第2ポスト104b図1Aにおいて破線で示される、平面視で円形の部材によって、空洞部102上において支持されている。また、第2アーム部212b上には、一端参照符号226が、焦電キャパシター230の上部電極第2電極236に接続され、他端231bが、第2ポスト104bに接続される配線229bが形成されている。第2ポスト104bは、図1Bに示される絶縁層を含む構造体100と、第2アーム部212bの先端部232bとの間に設けられる。また、第2ポスト104bは、例えば、空洞部102に選択的に形成される、柱状に加工された多層配線構造層間絶縁層と、焦電キャパシター230と下地のシリコン基板10に設けられたトランジスター等の素子とを接続するための配線を構成する導電層とからなるによって構成することができる。図1Aに示される例では、第1ポスト104aならびに第2ポスト104bを用いて、支持部材215や焦電キャパシター230を含む素子構造体160を、空洞部102において保持している。この構成は、共通の空洞部102において、熱検出素子としての焦電キャパシター230を複数、高密度に配置する際つまり、熱検出素子のアレイを形成する際に有効である。但し、この構成は一例であり、これに限定されるものではない。例えば、図6に示される例のように、一つの熱検出素子230毎に一つの空洞102を形成し、支持部材メンブレン215を、空洞部102の周囲の、絶縁層を含む構造体100にて支持するようにしてもよい。また、図1Aにおいて、焦電キャパシター230は、支持部材215における載置部210の中央領域に配置されており、焦電キャパシター230は、平面視で、略正方形の形状を有する。また、図1Aに示すように、熱伝達部材269の接続部CNにおける横幅をW0とし、焦電キャパシター230の横幅ここでは、最も横幅が広い下部電極第1電極234の横幅をW1とし、熱伝達部材260の集熱部FLの横幅をW2としたとき、W0<W1<W2の関係が成立する。したがって、平面視基板10の表面に対して垂直な方向からみた平面視、より具体的には、垂直上側方向からみた平面視における熱伝達部材260の集熱部FLの面積は、接続部CNの面積よりも大きい。また、平面視における熱伝達部材260の集熱部FLの面積は、焦電キャパシター230の面積よりも大きい。また、図1Aに示されるように、第1光吸収層270ならびに第2光吸収層272は、平面視で、支持部材215上であって、熱検出素子である焦電キャパシター230の周囲に形成されている。例えば、第1光吸収層270および第2光吸収層272は、熱検出素子230の全周囲に形成することができる但し、これに限定されるものではない。したがって、第1光吸収層270および第2光吸収層272の広範囲で発生した熱は、焦電キャパシター230に、直接的に、あるいは、広範囲をカバーする広い面積をもつ熱伝達部材260を経由して間接的に、効率的に伝達される。つまり、第1光吸収層270および第2光吸収層272の広範囲で発生した熱は、焦電キャパシター230に、あらゆる方向つまり、四方八方から集まってくる。ここで、焦電キャパシター230は、平面視で、略正方形の熱伝達部材260の中央の下に位置している。よって、あらゆる方向から、熱伝達部材260を経由して集まってくる熱は、接続部CNを経由して、最短距離で、焦電キャパシター230の上部電極第2電極236に伝達される。よって、広範囲から、多くの熱を効率的に集約し、かつ、それらの熱を、最短距離で、ロスを最小限に抑制しつつ、焦電キャパシター230の上部電極第2電極236に伝達することができる。よって、熱型光検出器200の光検出感度をさらに高めることができる。また、熱型光検出器の応答速度も、より向上する。熱型光検出器の動作等について図1Aおよび図1Bに示される本実施形態にかかる熱型光検出器熱型光検出器200は、以下のように動作する。例えば、熱伝達部材260が光透過性を有する場合は、熱型光検出器200に入射した光例えば赤外線、すなわち、平面視で、支持部材メンブレン215の領域に入射する入射光の一部は、まず第2光吸収層272で吸収され、その他は吸収されずに熱伝達部材260に到達する。熱伝達部材260は、熱型光検出器200が検出感度を有する波長帯域の光の少なくとも一部に対して光透過性を有しており、例えば、赤外線に対して半透過性を有する。熱伝達部材260では、例えば、到達した光の一部は反射し、その他は熱伝達部材260を透過する。熱伝達部材260で反射した光は第2光吸収層によって吸収され、熱に変換される。熱伝達部材260を透過した光の一部は、第1光吸収層270で吸収され、その他は、支持部材メンブレン215の表面第1光吸収層270と、支持部材215における載置部210との界面、ならびに支持部材215に載置されている熱検出素子としての焦電キャパシター230に到達する。支持部材215の表面第1光吸収層270と、支持部材215における載置部210との界面に到達した光の大部分は、支持部材メンブレン215の表面で反射される。例えば、第1光吸収層270がSiO2層屈折率:1.45で構成され、支持部材メンブレン215が、SiN膜屈折率2.0で構成される場合、第1光吸収層270の屈折率よりも、支持部材メンブレン215を構成する膜の屈折率つまり、支持部材215の屈折率の方が大きいことから、支持部材メンブレン215に到達した光のほとんどは、支持部材メンブレン215の表面で反射されることになる。また、支持部材メンブレン215の構成要素として、例えばチタンTi膜等の金属膜を設けて特に、光が反射する表面に設けるのが好ましい、支持部材メンブレン215の表面における光の反射率を高めることも有効である。支持部材メンブレン215の表面で反射された光は、第1光吸収層270に吸収される。反射光のうち、第1光吸収層270を透過した光は第2光吸収層272に達し、第2光吸収層272によって吸収される。また、熱伝達部材260が金属のような光反射特性を有する材料で構成される場合には、集熱部FLの下にある第1光吸収層270には入射光は、基本的には進入しない。つまり、熱型光検出器に入射した光例えば赤外線、すなわち、平面視で、支持部材メンブレン215の領域に入射する入射光の一部は、まず第2光吸収層272で吸収され、その他は吸収されずに熱伝達部材260の集熱部FLに到達する。熱伝達部材260の集熱部FLに到達した光は、その表面で反射され、反射された光は第2光吸収層272で吸収される。但し、上述のとおり、熱伝達部材260が金属等で構成される場合であっても、例えば、集熱部FLの平面視における面積が、第1光吸収層270の平面視における面積よりも小さいような場合には、焦熱部FLが設けられていない領域隙間領域を経由して、入射光が支持部材215側に進入することができる。この場合には、第1光吸収層270においても、光の吸収によって熱が発生し、その熱を、集熱部FLを経由して熱検出素子230に効率的に伝達することができる。熱伝達部材が光透過性を有する材料で構成する場合における、第1光吸収層270および第2光吸収層272における熱の発生、ならびに、発生した熱の、熱検出素子である焦電キャパシター230への伝達は、例えば、以下のように行われる。すなわち、熱型光検出器200に入射した光の一部が、まず第2光吸収層272で吸収され、第2光吸収層272にて熱が発生する。また、熱伝達部材260で反射した光は、第2光吸収層272で吸収され、これによって第2光吸収層272にて熱が発生する。また、熱伝達部材260を透過通過した光の一部は、第1光吸収層270にて吸収されて熱が発生する。また、支持部材215の表面第1光吸収層270と、支持部材における載置部210との界面で反射した光の一部は、第1光吸収層270で吸収されて熱が発生する。また、反射光のうちの、第1光吸収層270を透過した光は、第1光吸収層270の上面あるいは集熱部FLの下面に到達し、一部の光は反射されて再び下方に向かう。また、他の一部の光は第2光吸収層に進み、第2光吸収層にて吸収される。すなわち、支持部材215の表面で反射した反射光は、第1光吸収層270および第2光吸収層270の少なくとも一方に吸収され、これによって、第1光吸収層270あるいは第2光吸収層272にて熱が発生する。また、上述のとおり、第1波長λ1に対する第1光共振器は、支持部材215載置部210の表面と第2光吸収層272の上面との間において形成される。支持部材215の表面第1光吸収層270と支持部材215との界面で反射した光は、第1光吸収層270および第2光吸収層272の少なくとも一方に吸収されるが、このとき、第1光共振器を構成することによって、各光吸収層270、272における実効吸収率を高めることができる。なお、集熱部FLは、支持部材215に対して平行に設けるのが好ましい。つまり、集熱部FLの主面上面または下面と支持部材215の主面上面または下面とを平行に配置するのが好ましい。また、第2波長λ2に対する第2光共振器は、熱伝達部材260の集熱部FLの上面と第2光吸収層272の上面との間において形成される。上述のとおり、熱伝達部材260の集熱部FLで反射した光は、第2光吸収層272で吸収されるが、このとき、第2光共振器を構成することによって、第2光吸収層272における実効吸収率を高めることができる。また、第3波長λ3に対する第3光共振器は、支持部材215の、熱検出素子230が載置されている表面第1光吸収層270の下面ということもできると、第1光吸収層270の上面との間において形成される。上述のとおり、支持部材215の表面で反射した光は、第1光吸収層270で吸収されるが、このとき、第3光共振器を構成することによって、第1光吸収層270における実効吸収率を高めることができる。また、異なる3つの波長λ1,λ2,λ3において共振ピークが生じることから、熱型光検出器が検出可能な光の波長帯域波長幅を広げることができる。この点については後述する。また、第2光吸収層272で発生した熱は、熱伝達部材260を介して効率的に熱検出素子である焦電キャパシター230に伝達され、また、第1光吸収層270で発生した熱は、直接的に、あるいは熱伝達部材260を介して焦電キャパシター230に効率的に伝達される。すなわち、熱伝達部材260の集熱部は、熱検出素子焦電キャパシター230上を広く覆うように形成されており、よって、第1光吸収層270ならびに第2光吸収層272で発生した熱の多くを、その発生場所を問わずに、効率的に熱検出素子焦電キャパシター230に伝達することができる。例えば、熱検出素子230から離れた箇所で発生した熱であっても、熱伝導率が高い熱伝達部材260を経由して、熱検出素子焦電キャパシター230に効率的に伝達することができる。また、熱伝達部材260の集熱部FLと、焦電キャパシター230とは、熱伝達部材260の接続部CNによって接続されていることから、熱伝達部材260の集熱部FLを経由して伝達される熱を、接続部CNを介して、焦電キャパシター230に直接的に伝達することができる。また、熱伝達部材260の下直下に熱検出素子としての焦電キャパシター230が位置する平面視で重なる位置に設けられていることから、例えば、平面視における熱伝達部材260の中央部と、焦電キャパシター230とを最短で接続することが可能である。よって、熱伝達に伴うロスを減らすことができ、また、専有面積の増大を抑制することができる。このように、図1Aおよび図1Bに記載される熱型光検出器ここでは焦電型赤外線検出器によれば、2層複数層の光吸収層270,272における広範囲で発生した熱を、熱検出素子である焦電キャパシター230に効率的に伝達することができ、よって、小型の熱型光検出器焦電型赤外線検出器の光検出感度を大幅に向上させることができる。また、熱の伝達に要する時間が短縮されるため、熱型光検出器焦電型赤外線検出器の応答速度を高めることができる。また、図1Aおよび図1Bに記載される熱型光検出器焦電型赤外線検出器では、第1光吸収層270および第2光吸収層272は、支持部材215の載置部210上において、平面視で、熱検出素子である焦電キャパシター230の周囲に形成されている。これによって、第1光吸収層270および第2光吸収層272の広範囲で発生した熱は、熱検出素子である焦電キャパシター230に、直接的に、あるいは熱伝達部材260を経由して間接的に、きわめて効率的に伝達される。よって、熱型光検出器焦電型赤外線検出器の光検出感度をさらに高めることができる。また、熱型光検出器焦電型赤外線検出器の応答速度も、より向上する。また、本実施形態では、2層の光吸収膜270,272によって熱を発生することから吸収効率が高まる。また、第1光吸収層270を介して熱を直接的に熱検出素子230に伝達することができる。よって、特許文献1に記載される赤外線検出素子ならびに特許文献2に記載される赤外線固体撮像素子と比較して、熱型光検出器の検出感度をより向上させることができる。また、本実施形態では、熱検出素子230は熱伝達部材260に接続されている。よって、応答速度は、特許文献1に記載される赤外線検出素子と同等に高い。また、本実施形態では、熱伝達部材260が直接に熱検出素子230に接続されているため、特許文献2に記載される赤外線固体撮像素子と比較して、より高い応答速度が得られる。熱伝達部材の好ましい例について次に、熱伝達部材熱伝達層の好ましい例について説明する。上述のとおり、本実施形態の熱型光検出器200では、熱伝達部材260における集熱部FLを、第1光吸収層270と第2光吸収層272とによって挟む構造が採用されており、かつ、熱伝達部材260の集熱部FLは、熱検出素子である焦電キャパシター230から遠い位置で発生した熱も集熱できるようにするため、平面視で、広い面積を有するのが好ましい。この状況下で、熱型光検出器200の上方から入射する光を、第1光吸収層270と第2光吸収層272の双方で吸収させるためには、熱伝達部材260を、所望の波長帯域のうちの、少なくとも一部の波長域の光を透過させる光透過性を有する材料にて構成するのが好ましい。すなわち、熱伝達部材260は、熱伝達良好な熱伝導性と光透過性とを有する材料にて構成するのが好ましい。熱伝達部材260は、例えば、窒化アルミニウムAlNや酸化アルミニウムAlOxにて構成することができる。酸化アルミニウムは、アルミナとも呼ばれ、例えば、Al2O3を使用することができる。図2Aおよび図2Bは、アルミナ板の、遠赤外線の波長域における分光特性光反射特性ならびに光透過特性の一例を示す図、ならびに、2つの光共振器が構成される場合における、熱型光検出器の検出感度の一例を示す図である。なお、遠赤外線の波長域については、特に厳密な定義があるわけではないが、一般には、遠赤外線の波長域は4μm~1000μm程度である。赤外線は物体からは必ず放射されており、高い温度の物体ほど赤外線を強く放射する。また、放射のピークの波長は温度に反比例し、例えば、室温20°Cの物体が放射する赤外線のピーク波長は、10μm程度である。図2Aには、アルミナ板の、4μm~24μmの波長域における反射率と透過率が示されている。横軸は波長μmであり、縦軸は相対強度arbitrayunitauである。図2において、透過率を示す特性線Q1は一点鎖線で示されており、反射率を示す特性線Q2は実線で示されており、透過率と反射率を加算した結果を示す特性線Q3は点線で示されている。図2Aに示されるように、反射率は、波長に応じて、かなり大きく変動する。本実施形態では、図2Aに示されるアルミナ板の反射率ならびに透過率の特性を考慮して、第1波長λ1~第3波長λ3の値を決定する。ここでは、第1波長λ1を5μmに設定し、第2波長λ2を12μmに設定し、第3波長λ3を4μmに設定している。この場合、λ1/4=1.2μmであり、λ2/4=3μmであり、λ3/4=1μmとなる。1/4波長の整数倍で共振が生じる。したがって、例えば、第1光吸収層270の膜厚第3光共振器の共振長H3、第2光吸収層272の膜厚第2光共振器の共振長H2、ならびに第1光共振器の共振長H1≒H2H3は、以下のように設定することができる。H2=3um=λ2/4×1H3=3um=λ3/4×3H1=6um=λ1/4×5ち、第2光吸収層272の膜厚H2上述したように、光共振を生じさせることによって、第1光吸収層270ならびに第2光吸収層272における、光の実効吸収率を高めることができる。また、図2Bに示すように、熱型光検出器の検出感度を有する波長帯域を広げることができる。図2Bは、2つの光共振器が構成される場合における、熱型光検出器の検出感度の一例を示す図である。図2Bに示される例では、第1光共振器による共振特性P1のピークが波長λ1例えばλ1=5μmに出現し、第2光共振器による共振特性P2のピークが波長λ2例えばλ2=12μmに出現し、第3光共振器による共振特性P3のピークが波長λ3例えばλ3=4μmに出現している。これらの共振特性ピーク特性が合成されることによって、熱型光検出器200の検出感度P4が広がる。つまり、広い波長域において検出感度をもつ熱型光検出器200が実現される。なお、熱伝達部材260の材料として、窒化アルミニウムAlNを用いた場合においても、同様の効果を得ることができる。このように、本実施形態の熱型光検出器によれば、熱検出素子から遠い箇所で発生した熱を、熱伝達部材熱伝達層260の集熱部FLを経由して、熱検出素子である焦電キャパシター230に高速かつ効率的に集めることができる。また、光の波長の相互干渉を利用する光の共振を利用することによって、第1光吸収層270ならびに第2光吸収層272における光の実効的な吸収効率を高めることができ、また、熱型光検出器が検出感度を有する波長帯域を広げることができる。熱型光検出器の製造方法について以下、図3~図5を参照して、熱型光検出器の製造方法について説明する。まず、図3A~図3Eを参照する。図3A~図3Eは、熱型光検出器の製造方法における、第1光吸収層を形成するまでの主要な工程を示す図である。図3Aに示される工程では、シリコン基板トランジスター等の素子を有してもよいを用意し、このシリコン基板10上に、絶縁層を含む構造体例えば、多層配線構造体100を形成する。絶縁層を含む構造体100上に、エッチングストッパー膜130aを形成し、さらに、犠牲層例えば、SiO2層101を形成する。図3Bの工程では、犠牲層101上にエッチングストッパー膜130bを形成する。次に、支持部材メンブレン215となる厚膜例えば、3層の積層膜で構成される厚膜を形成する。図3Cの工程では、支持部材メンブレン215に、下部電極第1電極234、焦電材料層PZT層232ならびに上部電極第2電極236を積層形成して、熱検出素子としての焦電キャパシター230を形成する。焦電キャパシター230の形成方法として、例えば、アトミックレイヤーCVD法を用いることができる。次に、焦電キャパシター230を覆うように絶縁層250を形成する。絶縁層250は、例えばCVD法によって形成することができる。続いて、絶縁層250をパターニングする。図3Eの工程では、焦電キャパシター230を覆う絶縁層250において、第1コンタクトホール252を形成し、続いて、金属材料層を堆積し、次に、その金属材料層をパターニングすることによって、上部電極第2電極236に接続される電極ならびに配線226を形成する。なお、図3Eの工程では、併せて、下部電極第1電極に接続される電極ならびに配線不図示も形成される。図3Eの工程では、CVD法によって第1光吸収層SiO2層等270を形成する。次に、その表面を、例えば、CMPケミカルメカニカルポリッシングによって平坦化する。このように、図3A~図3Eの工程では、基板10の主面上に絶縁層を含む構造体100を形成し、絶縁層を含む構造体100上に犠牲層101を形成し、犠牲層101上に支持部材215を形成し、支持部材215上に熱検出素子ここでは焦電キャパシター230を形成し、熱検出素子230を覆うように第1光吸収層270を形成し、第1光吸収層270を平坦化する。平坦化後の第1光吸収層270の膜厚H3は、支持部材215の熱検出素子230が載置される表面上面と第1光吸収層270の上面との間の距離に相当し、この距離=H3は、上述のとおり、qλ3/4qは1以上の整数の関係を満足する。図4A~図4Cは、熱型光検出器の製造方法における、第1光吸収層ならびに第2光吸収層をパターニングするまでの主要な工程を示す図である。図4Aの工程では、第1光吸収層270に、第2コンタクトホール254を形成する。続いて、酸化アルミニウムアルミナ:AlOxや窒化アルミニウムAlN等の、高い熱伝導率と、例えば光透過性とを有する材料を堆積し、パターニングすることによって、熱伝達部材熱伝達層260を形成する。熱伝達部材260は、集熱部FLおよび接続部CNを有する。第2コンタクトホール254内には、アルミナ等の材料が充填される。アルミナ等の材料が充填された部分238によって接続部CNが構成される。図4Bの工程では、第1光吸収層270上に、第2光吸収層となる材料層SiO2層等を堆積した後、パターニングする。これによって、第2光吸収層272が形成される。図4Cの工程では、第1光吸収層270をパターニングする。このように、図4A~図4Cの工程では、第1光吸収層270の一部にコンタクトホールを形成した後、熱伝導性を有する材料層を形成し、材料層をパターニングすることによって、熱検出素子230に接続する接続部CNと、平面視で接続部CNよりも広い面積を有する集熱部FLとを備える熱伝達部材260を形成する。ここで、熱伝達部材260の厚み膜厚H4は、例えば、0.1μm未満である。続いて、熱伝達部材260上に、第2光吸収層272を形成する。このとき、熱伝達部材260の集熱部FLの上面表面と、第2光吸収層272の上面との間の距離H2が、nλ2/4nは1以上の整数になるように第2光吸収層272の膜厚を調整する。そして、第1光吸収層270および第2光吸収層272をパターニングする。図5Aおよび図5Bは、熱型光検出器の製造方法における、熱型光検出器が完成するまでの主要な工程を示す図である。図5Aの工程では、支持部材メンブレン215をパターニングする。これによって、載置部210、第1アーム部212aならびに第2アーム部212bが形成される。図5Aにおいて、パターニングによって除去された部分開口部には参照符号OPを付してある。図5Bの工程では、例えば、ウエットエッチングによって犠牲層101を選択的に除去する。これによって、空洞部熱分離空洞部102が形成される。支持部材215の載置部210は、空洞部102によって、基部基板10、絶縁層を含む構造体100ならびにエッチングストッパー膜130aからなるから分離される。したがって、支持部材215を経由した放熱が抑制される。このようにして、熱型光検出器が完成する。このように、図5Aおよび図5Bの工程では、支持部材215をパターニングし、次に、犠牲層101をエッチングにより除去する。これによって、基板10の主面上に形成された絶縁層を含む構造体100と支持部材215との間に、空洞部102が形成される。そして、支持部材215の、熱検出素子230が載置される表面と第2光吸収層272の上面との間の距離H1は、mλ1/4mは1以上の整数の関係を満足する。ここで、H1は、第1光吸収層270の膜厚H3と、第2光吸収層272の膜厚H2と、熱伝達部材260の集熱部FLの膜厚H4とを合わせた合計の膜厚である。但し、熱伝達部材260の集熱部FLの膜厚H4は極薄いため、無視することもできる。第2の実施形態図6は、熱型光検出器の他の例を示す図である。図6に示される熱型光検出器200では、一つの熱検出素子毎に空洞部102が形成され、支持部材メンブレン215は、空洞部102の周囲の構造体基部の一部によって支持される。また、基板の、平面視で、熱検出素子に重なる領域には、回路構成要素ここではMOSトランジスターが形成されており、このMOSトランジスターは、多層配線を経由して、熱検出素子である焦電キャパシター230に接続される。また、図6の例では、熱伝達部材260が、配線としても利用されている。すなわち、基板シリコン基板10には、ソース層SならびにドレインD層が形成され、また、基板10上に、ゲート絶縁膜INSとゲート電極例えばポリシリコンゲート電極Gが形成されており、これらによって、回路構成要素であるMOSトランジスターが形成されている。基板10上には、絶縁層を含む構造体100が形成されている。基板10ならびに絶縁層を含む構造体100によって基部ベースが構成される。絶縁層を含む構造体100は、多層構造体で構成され、より具体的には、多層配線構造体で構成される。多層配線構造体は、第1絶縁層100aと、第2絶縁層100bと、第3絶縁層100cと、第1コンタクトプラグCP1と、第1層目配線M1と、第2コンタクトプラグCP2と、第2層目配線M2と、第3コンタクトプラグCP3と、を含む。第3絶縁層100cの一部が、選択的に除去されることによって、空洞部熱分離空洞部102が形成される。支持部材メンブレン215の載置部210上には、熱検出素子としての焦電キャパシター230が形成されている。また、熱伝達部材260は、第1光吸収層270と第2光吸収層272とによって挟まれて形成されている。支持部材メンブレン215と、焦電キャパシター230と、第1光吸収層270と第2光吸収層272と、熱伝達部材260と、第4コンタクトプラグCP4と、第3層目配線M3と、第5コンタクトプラグCP5と、によって素子構造体160が構成される。上述したとおり、熱伝達部材260は、熱検出素子である焦電キャパシター230を他の素子ここでは、基板10に形成されたCMOSトランジスターに接続する配線の一部を兼ねている。すなわち、熱伝達部材260は、上述のとおり、例えば、AlNやAlOx等の金属化合物で構成することができるが、金属を主成分とする材料は電気伝導も良好であることから、熱伝達部材260は、熱検出素子を他の素子に接続する配線配線の一部を含むとしても利用することが可能である。熱伝達部材260を、配線としても利用することによって、配線を別途、設ける必要がなくなり、製造工程の簡素化を図ることができる。また、平面視で、熱検出素子230と重なる領域にトランジスター等の素子を配置することによって、熱型光検出器の全体の専有面積の増大を抑制することができる。第3実施形態図7Aおよび図7Bは、熱型光検出器の他の例の平面図ならびに断面図である。図7Bは、図7Aに示される熱型光検出器のA-A’線に沿う断面図である。図7Aおよび図7Bでは、単独の熱型光検出器を示しているが、複数の熱型光検出器を、例えばマトリクス状に配置して、熱型光検出器アレイすなわち熱型検出装置を構成することもできる。図7Aおよび図7Bに示される熱型光検出器は、焦電型赤外線検出器光センサーの一種200である但し、一例であり、これに限定されるものではない。この焦電型赤外線検出器200は、2層の光吸収膜270,272における光吸収によって発生する熱を、熱伝導が良好な熱伝達部材260を経由して、熱検出素子ここでは焦電キャパシター230に、効率的に伝達することができる。基本的な構成は、図1Aおよび図1Bに記載される例と同じであるが、図7Aおよび図7Bの例では、熱伝達部材260の集熱部FLは、平面視で、入射する光の一部が支持部材メンブレン215側に進入することを可能とするパターンを有しており、この点で、図1Aおよび図1Bの例とは異なる。また、熱伝達部材269の接続部CNは、平面視で、焦電キャパシターの形状略正方形の中心に位置している。また、上述のとおり、W0<W1<W2<W3<W4の関係が成立する。図7Aの例では、平面視で、接続部CNを中心として、接続部CNから支持部材メンブレン215の外縁に向かう方向に延在する周囲に突出する8本の突出部延在部K1~K8を備える放射状のパターンが採用されている。但し、これは一例であり、このパターンに限定されるものではない。例えば、集熱部のパターンとしては、平面視で、接続部CNを中心として、周囲に突出する複数の突出部支持部材メンブレン215の外縁に向かう方向に延在する複数の延在部を備える十字状等のパターンとすることができ、また、例えば、平面視で、環状の形状円や多角形を含むを有する環状部を備えるパターンとすることができる。また、例えば、平面視で、閉じた形状をもつ外周によって決定される領域が少なくとも一つの切り欠き部ホール部、穴部あるいは開口部を内包する形状閉じた形状をもつ外周によって全体形状が決定される光反射面と、光反射面において選択的に設けられる切り欠き部ホール部と、を有するパターンとすることができる。また、複数の孤立パターンを含むパターンとすることもできる。このようなパターンを採用すると、熱検出素子としての焦電キャパシター230の上方に、集熱部FLが設けられていても、例えば、平面視で、支持部材215における載置部210熱検出素子を載置することが可能な領域の全域が完全に覆われることがなく、つまり、部分的に覆われることになる。よって、平面視で、支持部材メンブレン215の領域に入射する入射光の一部は、集熱部FLが存在しない領域を経由して、支持部材メンブレン215側熱検出素子230側ということもできるに進入することができる。また、集熱部FLが光透過性の材料で構成されている場合、入射した光の一部は、集熱部の表面第1光吸収層270と第2光吸収層272の界面で反射し、他の一部は、集熱部FLを透過して支持部材215側に進入する。これらの動作は、第1実施形態にて説明したとおりである。H1~H3の各々を適切に設定することによって、第1波長λ1に共振する第1光共振器、第2波長λ2に共振する第2光共振器、第3波長λ3に共振する第3光共振器を構成することができる。得られる効果は、第1実施形態と同様である。図7Aおよび図7Bに示される例において、焦電型赤外線検出器200に入射した光の一部は、まず第2光吸収層272で吸収され、この第2光吸収層272にて熱が発生する。また、熱伝達部材260の集熱部FLで反射した光は、第2光吸収層272で吸収され、これによって第2光吸収層272にて熱が発生する。また、集熱部FLが存在しない領域を通過した光の一部は、第1光吸収層270にて吸収されて熱が発生する。また、支持部材メンブレン215の表面第1光吸収層270と支持部材215との界面で反射した光は、第1光吸収層270および第2光吸収層272の少なくとも一方に吸収され、これによって、第1光吸収層270あるいは第2光吸収層272にて熱が発生する。そして、第2光吸収層272で発生した熱は、熱伝達部材260を介して効率的に熱検出素子としての焦電キャパシター230に伝達され、また、第1光吸収層270で発生した熱は、直接的に、あるいは熱伝達部材260を介して焦電キャパシター230に効率的に伝達される。熱伝達部材260における集熱部FLが、例えば、焦電キャパシター230上を広く覆うように形成されている場合には、第1光吸収層270ならびに第2光吸収層272で発生した熱の多くを、その発生場所を問わずに、効率的に焦電キャパシター230に伝達することができる。よって、例えば、焦電キャパシター230から離れた箇所で発生した熱であっても、熱伝導率が高い熱伝達部材260を経由して、焦電キャパシター230に効率的に伝達することができる。また、熱伝達部材260における集熱部FLと、熱検出素子である焦電キャパシター230とは、熱伝達部材260における接続部CNによって接続されていることから、熱伝達部材260の集熱部FLを経由して伝達される熱を、接続部CNを介して、熱検出素子である焦電キャパシター230に直接的に伝達することができる。また、熱伝達部材260の下に熱検出素子である焦電キャパシター230が位置する平面視で重なる位置に設けられていることから、例えば、平面視における熱伝達部材260の中央部と、熱検出素子とを最短で接続することが可能である。よって、熱伝達に伴うロスを減らすことができ、また、専有面積の増大を抑制することができる。また、図7Aに示されるように、第1光吸収層270ならびに第2光吸収層272は、平面視で、支持部材215上であって、熱検出素子である焦電キャパシター230の全周囲に形成されている。したがって、第1光吸収層270および第2光吸収層272の広範囲で発生した熱は、焦電キャパシター230に、直接的に、あるいは、広範囲をカバーする広い面積をもつ熱伝達部材260を経由して間接的に、効率的に伝達される。つまり、第1光吸収層270および第2光吸収層272の広範囲で発生した熱は、焦電キャパシター230に、あらゆる方向つまり、四方八方から集まってくる。ここで、焦電キャパシター230は、平面視で、略正方形の熱伝達部材260の中央の下に位置している。よって、あらゆる方向から、熱伝達部材260を経由して集まってくる熱は、接続部CNを経由して、最短距離で、焦電キャパシター230の上部電極第2電極236に伝達される。よって、広範囲から、多くの熱を効率的に集約し、かつ、それらの熱を、最短距離で、ロスを最小限に抑制しつつ、焦電キャパシター230の上部電極第2電極236に伝達することができる。よって、熱型光検出器200の光検出感度をさらに高めることができる。また、熱型光検出器の応答速度も、より向上する。第4実施形態図8は、熱型光検出装置熱型光検出アレイの回路構成の一例を示す回路図である。図8の例では、複数の光検出セルすなわち、熱型光検出器200a~200d等が、2次元的に配置されている。複数の光検出セル熱型光検出器200a~200d等の中から一つの光検出セルを選択するために、走査線W1a,W1b等と、データ線D1a,D1b等が設けられている。第1の光検出セルとしての熱型光検出器200aは、熱形光検出素子5としての圧電コンデンサーZCと、素子選択トランジスターM1aと、を有する。圧電コンデンサーZCの両極の電位関係は、PDr1に印加する電位を切り換えることによって反転することができるこの電位反転によって、機械的なチョッパーを設ける必要がなくなる。なお、他の光検出セルも同様の構成である。データ線D1aの電位は、リセットトランジスターM2をオンすることによって初期化することができる。検出信号の読み出し時には、読み出しトランジスターM3がオンする。焦電効果によって生じる電流は、I/V変換回路510によって電圧に変換され、アンプ600によって増幅され、A/D変換器700によってデジタルデータに変換される。本実施形態では、複数の熱型光検出器が2次元的に配置された例えば、直交2軸X軸およびY軸の各々に沿ってアレイ状に配置された、熱型光検出装置熱型光アレイセンサーが実現される。第5の実施形態本実施形態では、電子機器について説明する。赤外線カメラ図9に本実施形態の焦電型検出器または焦電型検出装置を含む電子機器の例として赤外線カメラ400Aの構成例を示す。この赤外線カメラ400Aは、光学系400、センサーデバイス焦電型検出装置410、画像処理部420、処理部430、記憶部440、操作部450、表示部460を含む。光学系400は、例えば1又は複数のレンズや、これらのレンズを駆動する駆動部などを含む。そしてセンサーデバイス410への物体像の結像などを行う。また必要であればフォーカス調整なども行う。センサーデバイス410は、上述した本実施形態の焦電型検出器200を二次元配列させて構成され、複数の行線ワード線、走査線と複数の列線データ線が設けられる。センサーデバイス410は、二次元配列された検出器に加えて、行選択回路行ドライバーと、列線を介して検出器からのデータを読み出す読み出し回路と、A/D変換部等を含むことができる。二次元配列された各検出器からのデータを順次読み出すことで、物体像の撮像処理を行うことができる。画像処理部420は、センサーデバイス410からのデジタルの画像データ画素データに基づいて、画像補正処理などの各種の画像処理を行う。処理部430は、赤外線カメラ400Aの全体の制御を行い、赤外線カメラ400A内の各ブロックの制御を行う。この処理部430は、例えばCPU等により実現される。記憶部440は、各種の情報を記憶するものであり、例えば処理部430や画像処理部420のワーク領域として機能する。操作部450は、ユーザーが赤外線カメラ400Aを操作するためのインターフェースとなるものであり、例えば各種ボタンやGUIGraphicalUserInterface画面などにより実現される。表示部460は、例えばセンサーデバイス410により取得された画像やGUI画面などを表示するものであり、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどの各種のディスプレイにより実現される。このように、1セル分の焦電型検出器を赤外線センサー等のセンサーとして用いる他、1セル分の焦電型検出器を二軸方向例えば直交二軸方向に二次元配置することでセンサーデバイス410を構成することができ、こうすると熱光分布画像を提供することができる。このセンサーデバイス410を用いて、サーモグラフィー、車載用ナイトビジョンあるいは監視カメラなどの電子機器を構成することができる。もちろん、1セル分または複数セルの焦電型検出器をセンサーとして用いることで物体の物理情報の解析測定を行う解析機器測定機器、火や発熱を検知するセキュリティー機器、工場などに設けられるFAFactoryAutomation機器などの各種の電子機器を構成することもできる。運転支援装置図10に本実施形態の焦電型検出器または焦電型検出装置を含む電子機器の例として、運転支援装置600の構成例を示す。この運転支援装置600は、運転支援装置600を制御するCPUを備えた処理ユニット610と、車両外部の所定撮像領域に対して赤外線を検出可能な赤外線カメラ620と、車両のヨーレートを検出するヨーレートセンサー630と、車両の走行速度を検出する車速センサー640と、運転者のブレーキ操作の有無を検出するブレーキセンサー650と、スピーカー660と、表示装置670とを備えて構成されている。この運転支援装置600の処理ユニット610は、例えば赤外線カメラ620の撮像により得られる自車両周辺の赤外線画像と、各センサー630~650により検出される自車両の走行状態に係る検出信号とから、自車両の進行方向前方に存在する物体及び歩行者などの対象物を検出し、検出した対象物と自車両との接触が発生する可能性があると判断したときに、スピーカー660または表示装置670により警報を出力する。また、たとえば図11に示すように、赤外線カメラ620は、車両の前部において車幅方向の中心付近に配置されている。表示装置670は、フロントウィンドーにおいて運転者の前方視界を妨げない位置に各種情報を表示するHUDHeadUpDisplay671などを備えて構成されている。セキュリティー機器図12に本実施形態の焦電型検出器または焦電型検出装置を含む電子機器の例として、セキュリティー機器700の構成例を示す。セキュリティー機器700は、少なくとも監視エリアを撮影する赤外線カメラ710と、監視エリアへの侵入者を検知する人感センサー720と、赤外線カメラ710から出力された画像データを処理して監視エリアに侵入した移動体を検知する動き検知処理部730と、人感センサー720の検知処理を行う人感センサー検知処理部740と、赤外線カメラ710から出力された画像データを所定の方式で圧縮する画像圧縮部750と、圧縮された画像データや侵入者検知情報の送信や外部装置からセキュリティー機器700への各種設定情報などを受信する通信処理部760と、セキュリティー機器700の各処理部に対して条件設定、処理コマンド送信、レスポンス処理をCPUで行う制御部770とを備えて構成されている。動き検知処理部730は、図示しないバッファメモリーと、バッファメモリーの出力が入力されるブロックデータ平滑部と、ブロックデータ平滑部の出力が入力される状態変化検出部とを備える。そして動き検出処理部730の状態変化検出部は、監視エリアが静止状態であれば動画で撮影した異なるフレームでも同一画像データとなるが、状態変化移動体の侵入があるとフレーム間の画像データで差が生じることを利用して状態変化を検知している。また、たとえば軒下に設置されているセキュリティー機器700と、セキュリティー機器700に組み込まれている赤外線カメラ710の撮像エリアA1と、人感センサー720の検知エリアA2を側面から示したものを図13に示す。ゲーム機器図14および図15に本実施形態の焦電型検出器または焦電型検出装置を含む電子機器の例として、前述のセンサーデバイス410を用いたコントローラー820を含むゲーム機器800の構成例を示す。図14に示すように、図15のゲーム機器800に用いられるコントローラー820は、撮像情報演算ユニット830と、操作スイッチ840と、加速度センサー850と、コネクター860と、プロセッサー870と、無線モジュール880と、を備えて構成される。撮像情報演算ユニット830は、撮像ユニット831と、この撮像ユニット831で撮像した画像データを処理するための画像処理回路835を有する。撮像ユニット831は、センサーデバイス832図9のセンサーデバイス410を含み、その前方には、赤外線フィルター赤外線だけを通すフィルター833及び光学系レンズ834を配置している。そして、画像処理回路835は、撮像ユニット831から得られた赤外線画像データを処理して、高輝度部分を検知し、それの重心位置や面積を検出してこれらのデータを出力する。プロセッサー870は、操作スイッチ840からの操作データと、加速度センサー850からの加速度データおよび高輝度部分データを一連のコントロールデータとして出力する。無線モジュール880は所定周波数の搬送波をこのコントロールデータで変調し、アンテナ890から電波信号として出力する。なおコントローラー820に設けられているコネクター860を通して入力されたデータもプロセッサー870によって上述のデータと同様に処理されてコントロールデータとして無線モジュール880とアンテナ890を介して出力される。図15に示すように、ゲーム機器800は、コントローラー820と、ゲーム機本体810と、ディスプレイ811と、LEDモジュール812Aおよび812Bとを備え、プレイヤー801が一方の手でコントローラー820を把持してゲームをプレイすることができる。そして、コントローラー820の撮像ユニット831をディスプレイ811の画面813を向くようにすると、ディスプレイ811の近傍に設置された二つのLEDモジュール812Aおよび812Bから出力される赤外線を撮像ユニット831が検知して、コントローラー820は、二つのLEDモジュール812A,812Bの位置や面積情報を高輝度点の情報として取得する。輝点の位置や大きさのデータがコントローラー820から無線でゲーム機本体810に送信され、ゲーム機本体810で受信される。プレイヤー801がコントローラー820を動かすと、輝点の位置や大きさのデータが変化するため、それを利用して、ゲーム機本体810はコントローラー820の動きに対応した操作信号を取得できるので、それにしたがってゲームを進行させることができる。体温測定装置図16に本実施形態の焦電型検出器または焦電型検出装置を含む電子機器の例として、体温測定装置900の構成例を示す。図16に示すように、体温測定装置900は、赤外線カメラ910と、体温分析装置920と、情報通信装置930と、ケーブル940とを備えて構成されている。赤外線カメラ910は、図示しないレンズなどの光学系と前述のセンサーデバイス410を含んで構成されている。赤外線カメラ910は所定の対象領域を撮影し、撮影された対象者901の画像情報を、ケーブル940を経由して体温分析装置920に送信する。体温分析装置920は、図示しないが、赤外線カメラ910からの熱分布画像を読み取る画像読取処理ユニットと、画像読取処理ユニットからのデータと画像分析設定テーブルに基づいて体温分析テーブルを作成する体温分析処理ユニットとを含み、体温分析テーブルに基づいて体温情報送信用データを情報通信装置930へ送信する。この体温情報送信用データは体温異常であることに対応する所定のデータを含んでもよい。また、撮影領域内に複数の対象者901を含んでいると判断した場合には、対象者901の人数と体温異常者の人数の情報を体温情報送信用データに含んでもよい。特定物質探知装置図17に本実施形態の焦電型検出器または焦電型検出装置を含む電子機器の例として、前述のセンサーデバイス410の焦電型検出器の光吸収材の吸収波長をテラヘルツ域としたセンサーデバイスをテラヘルツ光センサーデバイスとして用い、テラヘルツ光照射ユニットと組み合わせて特定物質探知装置1000を構成した例を示す。特定物質探知装置1000は、制御ユニット1010と、照射光ユニット1020と、光学フィルター1030と、撮像ユニット1040と、表示部1050とを備えて構成されている。撮像ユニット1040は、図示しないレンズなどの光学系と前述の焦電型検出器の光吸収材の吸収波長をテラヘルツ域としたセンサーデバイスを含んで構成されている。制御ユニット1010は、本装置全体を制御するシステムコントローラーを含み、該システムコントローラーは制御ユニットに含まれる光源駆動部および画像処理ユニットを制御する。照射光ユニット1020は、テラヘルツ光波長が100μm~1000μmの範囲にある電磁波を指す。出射するレーザー装置と光学系を含み、テラヘルツ光を検査対象の人物1060に照射する。人物1060からの反射テラヘルツ光は、探知対象である特定物質1070の分光スペクトルのみを通過させる光学フィルター1030を介して撮像ユニット1040に受光される。撮像ユニット1040で生成された画像信号は、制御ユニット1010の画像処理ユニットで所定の画像処理が施され、その画像信号が表示部1050へ出力される。そして人物1060の衣服内等に特定物質1070が存在するか否かにより受光信号の強度が異なるので特定物質1070の存在が判別できる。以上、いくつかの電子機器の実施形態について説明したが、上記実施形態の電子機器は説明した構成に限定されず、その構成要素の一部例えば光学系、操作部、表示部等を省略し、あるいは他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。センサーデバイス図18Aに図9のセンサーデバイス410の構成例を示す。このセンサーデバイスは、センサーアレイ500と、行選択回路行ドライバー510と、読み出し回路520を含む。またA/D変換部530、制御回路550を含むことができる。行選択回路行ドライバー510と読み出し回路520を駆動回路と称する。このセンサーデバイスを用いることで、図5に示す、たとえばナイトビジョン機器などに用いられる赤外線カメラ400Aなどを実現できる。センサーアレイ500には、例えば図17に示すように二軸方向に複数のセンサーセルが配列配置される。また複数の行線ワード線、走査線と複数の列線データ線が設けられる。なお行線及び列線の一方の本数が1本であってもよい。例えば行線が1本である場合には、図18Aにおいて行線に沿った方向横方向に複数のセンサーセルが配列される。一方、列線が1本である場合には、列線に沿った方向縦方向に複数のセンサーセルが配列される。図18Bに示すように、センサーアレイ500の各センサーセルは、各行線と各列線の交差位置に対応する場所に配置形成される。例えば図18Bのセンサーセルは、行線WL1と列線DL1の交差位置に対応する場所に配置されている。他のセンサーセルも同様である。行選択回路510は、1又は複数の行線に接続される。そして各行線の選択動作を行う。例えば図18BのようなQVGA320×240画素のセンサーアレイ500焦点面アレイを例にとれば、行線WL0、WL1、WL2WL239を順次選択走査する動作を行う。即ちこれらの行線を選択する信号ワード選択信号をセンサーアレイ500に出力する。読み出し回路520は、1又は複数の列線に接続される。そして各列線の読み出し動作を行う。QVGAのセンサーアレイ500を例にとれば、列線DL0、DL1、DL2DL319からの検出信号検出電流、検出電荷を読み出す動作を行う。A/D変換部530は、読み出し回路520において取得された検出電圧測定電圧、到達電圧をデジタルデータにA/D変換する処理を行う。そしてA/D変換後のデジタルデータDOUTを出力する。具体的には、A/D変換部530には、複数の列線の各列線に対応して各A/D変換器が設けられる。そして、各A/D変換器は、対応する列線において読み出し回路520により取得された検出電圧のA/D変換処理を行う。なお、複数の列線に対応して1つのA/D変換器を設け、この1つのA/D変換器を用いて、複数の列線の検出電圧を時分割にA/D変換してもよい。制御回路550タイミング生成回路は、各種の制御信号を生成して、行選択回路510、読み出し回路520、A/D変換部530に出力する。例えば充電や放電リセットの制御信号を生成して出力する。或いは、各回路のタイミングを制御する信号を生成して出力する。以上、いくつかの実施形態について説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるものである。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。本発明は、種々の焦電型検出器例えば、熱伝対型素子サーモパイル、焦電型素子等に広く適用することができる。検出する光の波長は問わない。また、焦電型検出器または焦電型検出装置、あるいはそれらを有する電子機器は、例えば、供給する熱量と流体が奪う熱量とが均衡する条件下にて流体の流量を検出するフローセンサーなどにも適用できる。このフローセンサーに設けられる熱伝対などに代えて本発明の焦電型検出器または焦電型検出装置を設けることができ、光以外を検出対象とすることができる。以上説明したように、本発明の少なくとも一つの実施形態によれば、例えば、熱型光検出器の検出感度を、格段に向上させることができる。以上、いくつかの実施形態について説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるものである。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。"