基板を保持するためのサセプタと、前記サセプタを介して前記基板を加熱する加熱部とを備え、前記基板を加熱した状態で成膜ガスを供給することにより前記基板に化合物半導体膜を形成する化合物半導体気相成長装置において、前記加熱部が、前記サセプタを複数に分割して成る各分割領域をそれぞれ加熱するための複数の発熱体と、各発熱体の両端に設けられた電極取付部と、各電極取付部に接続された、前記発熱体に電流を導入するための電流導入端子とを備え、複数の発熱体のうち少なくとも一つに設けられた電極取付部のうちの一方は他の発熱体の電極取付部のうちの一方と共通であることを特徴とする化合物半導体気相成長装置。複数の発熱体が、1個の発熱部材から構成され、前記電極取付部が、前記発熱部材を前記各分割領域に対応する前記複数の発熱体に分割する位置に設けられ、隣接する2個の発熱体の境界部に設けられた前記電極取付部が、該2個の発熱体の共通の電極取付部であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体気相成長装置。前記発熱体が、前記サセプタの内側領域を加熱する内側発熱体及び外周側領域を加熱する外周側発熱体から構成され、前記電極取付部が、前記内側発熱体の一方の端部と前記外周側発熱体の一方の端部の間に設けられた1個の共通電極取付部と、前記内側発熱体の他方の端部及び前記外周側発熱体の他方の端部にそれぞれ設けられた2個の端部電極取付部とから構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の化合物半導体気相成長装置。前記発熱体が、前記サセプタの内側領域、外周側領域及びこれら領域の間の中間領域をそれぞれ加熱する内側発熱体、外周側発熱体及び中間発熱体から構成され、前記電極取付部が、前記外周側発熱体の一方の端部と前記中間発熱体の一方の端部の間に設けられた第1共通電極取付部と、前記中間発熱体の他方の端部と前記内側発熱体の一方の端部の間に設けられた第2共通電極取付部と、前記内側発熱体の他方の端部及び前記外周側発熱体の他方の端部にそれぞれ設けられた2個の端部電極取付部とから構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の化合物半導体気相成長装置。前記外周側発熱体を、その他の発熱体よりも前記サセプタに近づけることを特徴とする請求項3又は4に記載の化合物半導体気相成長装置。反応容器内に配置された、基板を保持するためのサセプタと、前記サセプタを介して前記基板を加熱する加熱部とを備え、前記基板を加熱した状態で前記反応容器内に成膜ガスを導入することにより前記基板に化合物半導体膜を形成する化合物半導体気相成長装置において、前記加熱部が、前記サセプタの内側領域、外周側領域及びこれら領域の間の中間領域をそれぞれ加熱する内側発熱体、外周側発熱体及び中間発熱体と、前記外周側発熱体の一方の端部と前記中間発熱体の一方の端部の間に設けられた第1共通電極取付部と、前記中間発熱体の他方の端部と前記内側発熱体の一方の端部の間に設けられた第2共通電極取付部と、前記内側発熱体の他方の端部及び前記外周側発熱体の他方の端部にそれぞれ設けられた2個の端部電極取付部と、前記第1共通電極取付部、前記第2共通電極取付部、及び前記端部電極取付部のいずれか1個に接続された3個の電流導入端子と、前記端部電極取付部の他の1個に取り付けられたグラウンド端子とから構成されていることを特徴とする化合物半導体気相成長装置。ところで、MOCVD装置のヒータには、通常、カーボンなどの導体から成る発熱体が用いられる。発熱体の両端にはそれぞれ電極取付部が設けられ、該電極取付部に金属製のボルト等を介して接続された電流導入端子を通してこれら一対の電極取付部に電流が導入されることにより該発熱体が発熱する。従って、サセプタを内部と外周部の2ゾーンに分割し、各ゾーンを別々の発熱体で加熱する場合には、発熱体の数の2倍の4個の電極取付部と4個の電流導入端子がそれぞれ必要となる。ところが、電極取付部には金属製のボルト等が挿通されているため、発熱体の熱が該電極取付部及びボルトから外部に放出され易い。従って、サセプタを均一に加熱するためにヒータを分割すると、その分、電極取付部の数が増え、サセプタの加熱効率が低下するという欠点がある。また、電極取付部の数が増えると、該電極取付部に接続される電流導入端子の数も増え、電流導入端子の設置スペースを確保するために装置が大形化するという問題があった。本発明が解決しようとする課題は、加熱効率の低下や装置の大形化を招くことなくサセプタを均一に加熱することができる化合物半導体気相成長装置を提供することである。上記課題を解決するために成された本発明に係る化合物半導体気相成長装置は、基板を保持するサセプタと、前記サセプタを加熱することにより該サセプタに保持された前記基板を加熱する加熱部とを備え、前記基板を加熱した状態で成膜ガスを供給することにより前記基板に化合物半導体膜を形成する化合物半導体気相成長装置であって、前記加熱部が、前記サセプタを複数に分割して成る各分割領域をそれぞれ加熱するための複数の発熱体と、各発熱体の両端に設けられた電極取付部と、各電極取付部に接続された、前記発熱体に電流を導入するための電流導入端子とを備え、複数の発熱体のうち少なくとも一つに設けられた電極取付部のうちの一方が他の発熱体の電極取付部のうちの一方と共通であることを特徴とする。ここで、共通であるとは、一の発熱体の電極取付部の内の一方と他の発熱体の電極取付部のうちの一方が同じものであること、言い換えると、一つの発熱体の電極取付部が他の発熱体の電極取付部を兼ねていることを意味する。この場合、複数の発熱体を1個の発熱部材から構成し、前記電極取付部を、前記発熱部材を前記各分割領域に対応する前記複数の発熱体に分割する位置に設けると共に、隣接する2個の発熱体の境界部に設けられた前記電極取付部が、該2個の発熱体の共通の電極取付部として機能するように構成すると良い。また、本発明に係る化合物半導体気相成長装置では、前記発熱体が、前記サセプタの内側領域を加熱する内側発熱体及び外周側領域を加熱する外周側発熱体から構成されていることが望ましく、前記電極取付部が、前記内側発熱体の一方の端部と前記外周側発熱体の一方の端部の間に設けられた1個の共通電極取付部と、前記内側発熱体の他方の端部及び前記外周側発熱体の他方の端部にそれぞれ設けられた2個の端部電極取付部とから構成されていることが望ましい。さらに、本発明の化合物半導体気相成長装置では、前記発熱体が、前記サセプタの内側領域、外周側領域及びこれら領域の間の中間領域をそれぞれ加熱する内側発熱体、外周側発熱体及び中間発熱体から構成されていることが望ましく、前記電極取付部が、前記外周側発熱体の一方の端部と前記中間発熱体の一方の端部の間に設けられた第1共通電極取付部と、前記中間発熱体の他方の端部と前記内側発熱体の一方の端部の間に設けられた第2共通電極取付部と、前記内側発熱体の他方の端部及び前記外周側発熱体の他方の端部にそれぞれ設けられた2個の端部電極取付部とから構成されていることが望ましい。また、サセプタを内外方向に領域分割して各領域を個別の発熱体で加熱する構成においては、外周側発熱体を、その他の発熱体よりもサセプタに近づけることが望ましい。サセプタの外周側領域は放熱し易いため、サセプタ全体の温度を均一にするためには外周側発熱体への投入電力をその他の発熱体よりも大きくする必要があるが、外周側発熱体をその他の発熱体よりもサセプタに近づけることにより、該外周側発熱体への投入電力を抑えることができる。さらに、本発明に係る化合物半導体気相成長装置は、反応容器内に配置された、基板を保持するためのサセプタと、前記サセプタを介して前記基板を加熱する加熱部とを備え、前記基板を加熱した状態で前記反応容器内に成膜ガスを導入することにより前記基板に化合物半導体膜を形成する化合物半導体気相成長装置であって、前記加熱部が、前記サセプタの内側領域、外周側領域及びこれら領域の間の中間領域をそれぞれ加熱する内側発熱体、外周側発熱体及び中間発熱体と、前記外周側発熱体の一方の端部と前記中間発熱体の一方の端部の間に設けられた第1共通電極取付部と、前記中間発熱体の他方の端部と前記内側発熱体の一方の端部の間に設けられた第2共通電極取付部と、前記内側発熱体の他方の端部及び前記外周側発熱体の他方の端部にそれぞれ設けられた2個の端部電極取付部と、前記第1共通電極取付部、前記第2共通電極取付部、及び前記端部電極取付部のいずれか1個にそれぞれ接続された3個の電流導入端子と、前記端部電極取付部の他の1個に取り付けられたグラウンド端子とから構成されていることを特徴とする。本発明に係る化合物半導体気相成長装置によれば、サセプタの温度分布を均一にするために、サセプタを分割して各分割領域を個別の発熱体で加熱する構成において、各発熱体に設ける電極取付部の一部を共通化したため、該電極取付部の数を少なく抑えることができる。従って、加熱効率の低下や装置の大形化を招くことなく、サセプタを均一に加熱することができる。以下、本発明をMOCVD装置に適用したいくつかの実施例について図面を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施例に係るMOCVD装置を示している。図1に示すように、本実施例に係るMOCVD装置は、反応容器1内の内部に反応室11と該反応室11に成膜ガスを導入するためのたガス導入路13を備えている。ガス導入路13は、第1ガス導入路13aと第2ガス導入路13bから構成されている。各ガス導入路13a及び13bは、ガス導入口14aと反応室11の上部に開口する多数のガス放出口14bとを繋ぐ分岐流路から構成されており、該ガス放出口14bから成膜ガスをシャワー状に放出するようになっている。反応室11内に導入された成膜ガスは、反応室11の下部に設けられた排気口15から排出される。また、反応室11内には、回転自在な基台3の上面に円板状のサセプタ31が載置され、該サセプタ31の上に基板4が載置されている。サセプタ31の下の基台3の内部には該サセプタ31を加熱するための加熱部5が配置されている。図1~図3に示すように、加熱部5は、全体が炭化ケイ素SiCで被覆されたグラファイトカーボンから成る発熱部材51と、これを保持する保持板52、該発熱部材51に電流を導入するための電流導入端子53とから構成されている。発熱部材51は、サセプタ31の外周部から中心部まで反時計回りに円弧を描き、中心部で折り返されて時計回りに円弧を描くことにより同心円状を成すように形成された一体物からなり、その両端部及び途中部にはそれぞれ電極取付部54が設けられている。電極取付部54は、発熱部材51に一体的に形成された円筒状部から成る。発熱部材51のうち電極取付部54の上面は他の部分よりも電気抵抗が小さくなるようにSiCの被覆が除去されている。以下の説明では、発熱部材51の途中部に設けられた電極取付部を共通電極取付部541、発熱部材51の最外周側の端部に設けられた電極取付部を外周側電極取付部542、発熱部材51の内側端部に設けられた電極取付部を内側電極取付部543と呼ぶこととする。また、発熱部材51のうち内側電極取付部543から共通電極取付部541までの部分を内側ヒータH1、外周側電極取付部542から共通電極取付部541までの部分を外周側ヒータH2と呼ぶこととする。なお、これらヒータH1及びヒータH2が本発明の発熱体に相当する。なお、内側電極取付部543、共通電極取付部541及び外周側電極取付部542のいずれか二つ以上の電極取付部が同じ円周上に位置しないことが好ましい。これは次の理由による。電極取付部54は図示しない水路により冷却されているため、発熱部材51の他の部位に比べて電極取付部54の付近の発熱部材51の温度が低くなる傾向がある。従って、二つ以上の電極取付部54が同じ円周上に位置すると、その円周上の温度が他の部位よりも低くなるため、サセプタ31上に載置した基板4に化合物を成長させたときに、電極取付部54の位置を反映した同心円状の膜厚分布が生じる傾向があるからである。図4は加熱部5の電気回路を示している。この図4に示すように、外周側電極取付部542は外周側ヒータH2の一方の端部に位置し、内周側電極取付部543は内側ヒータH1の一方の端部に位置する。また、共通電極取付部541は、外周側ヒータH2の他方の端部と内側ヒータH1の他方の端部に位置し、1個の電極取付部が外周側ヒータH2及び内側ヒータH1の電極取付部を兼ねる。また、これら3個の電極取付部541~543にはそれぞれ電流導入端子531~533が接続されている。電流導入端子531と電流導入端子532の間にはトランス55の2次巻線551が接続されている。また、電流導入端子531と電流導入端子533の間にはそれぞれトランス56の2次巻線561が接続されている。トランス55の1次巻線552及びトランス56の1次巻線562には、サイリスタSCR1及びSCR2を介して交流電源57からの交流電源電圧が供給されるようになっている。このように、本実施例では、1個の発熱部材51の両端及び途中部に電極取付部を設けることにより、1個の発熱部材51を見かけ上2個の発熱体に分割し、それぞれの発熱体に独立的に交流電源電圧を供給することによってサセプタ31の内側領域と外周側領域をそれぞれ加熱制御するようにしている。このような加熱部5において、3個の電流導入端子531~533に流れる電流をそれぞれI1、I2、I3とすると、共通電流取付部541に接続された電流導入端子531に流れる電流I1は、電流I2と電流I3の差の値と略等しくなり、電流I2及び電流I3よりも小さくなる。そのため、電流導入端子531には他の電流導入端子532及び電流導入端子533よりも許容電流が小さい、細い導体を用いることができ、経済的である。また、本実施例では、外周側ヒータH2の他方の端部と内側ヒータH1の他方の端部に設けられる電極取付部を共通化したため、電極取付部の数を少なく抑えることができ、ヒータH1及びヒータH2の加熱効率の低下や加熱部5の大形化を招くことがなく、サセプタ31を効率よく且つ均一に加熱することができる。図5は本発明の第2実施例に係るMOCVD装置の加熱部5を構成する発熱部材51を示す平面図である。本実施例の発熱部材51は、上述の第1実施例とは形状が異なるが、第1実施例と同様に内側ヒータH1と外周側ヒータH2とから構成されている。このような構成によれば、第1実施例と同様の作用効果に加えて、次の作用効果が得られる。第1実施例では同心円状の発熱部材51が用いられているため、サセプタ31の裏面は同心円状に加熱される。この場合、サセプタ31上に載置された基板4に化合物を成長させると、サセプタ31の素材や厚さによっては、サセプタ31の裏面から表面に熱が充分に拡散して伝わらず、この結果、発熱部材51の形状を反映した同心円状の膜厚分布が生じる場合がある。これに対して、第2実施例に係る発熱部材51では同心円状の膜厚分布が生じる可能性が小さく、特に、サセプタ31上の基板4の位置を内側ヒータH1の上にすることにより同心円状の膜厚分布が生じることがない。図6は本発明の第3実施例に係るMOCVD装置の加熱部5の電気回路を示している。第3実施例は、サセプタ31を内側部、中間部、外周側部の3領域に分割し、これら3領域をそれぞれ内側ヒータH1、中間ヒータH3、外周側ヒータH2で加熱制御した点に特徴を有する。内側ヒータH1、中間ヒータH3、外周側ヒータH2は一体物の発熱体から成り、内側ヒータH1と中間ヒータH3の間、中間ヒータH3と外周側ヒータH2の間にはそれぞれ第1共通電極取付部101、第2共通電極取付部102が設けられている。これら第1共通電極取付部101及び第2電極取付部102、並びに外周側電極取付部542及び内側電極取付部543には、それぞれ電流導入端子111及び112、並びに電流導入端子532及び533が接続されている。このように本実施例では、内側ヒータH1の一方の端部と中間ヒータH3の一方の端部に設けられる電極取付部を共通化し、外周側ヒータH2の一方の端部と中間ヒータH3の他方の端部に設けられる電極取付部を共通化した。このため、内側ヒータH1の一方の端部と中間ヒータH3の一方の端部、外周側ヒータH2の一方の端部と中間ヒータH3の他方の端部にそれぞれ電極取付部を設ける構成よりも電極取付部及び電流導入端子の数をそれぞれ2個ずつ少なくすることができ、第1実施例と同様の作用、効果が得られる。図7は本発明の第4実施例に係るMOCVD装置の加熱部5の電気回路を示している。この第4実施例は、内側ヒータH1の端部に取り付けられた内側電極取付部543にグラウンド端子120が接続されている点が第3実施例と異なる。このグラウンド端子120は例えば加熱部5を保持する保持基板52及び反応容器1を介して接地されている。このような構成によれば、第3実施例のMOCVD装置と電極取付部の数は同じであるが、電流導入端子の数を少なくすることができる。図8は本発明の第5実施例に係るMOCVD装置の加熱部5の一部を示している。この実施例では、内側ヒータH1及び外周側ヒータH2をそれぞれ別の発熱体から構成し、これら内側ヒータH1の一方の端部と外周側ヒータH2の一方の端部をワッシャ131を介して積層し、1個のボルト図示せずで連結して1個の電極取付部132としている。このような構成においても第1実施例と同様の作用効果が得られる。さらに、本実施例では、発熱体を分離したことにより、内側ヒータH1及び外周側ヒータH2の一方が劣化した場合に、該劣化したヒータのみを取り外して交換できるという効果が得られ、経済的である。図9は本発明の第6実施例に係るMOCVD装置の加熱部5の一部を示している。本実施例は次の点が第5実施例と異なるのみで、その他の構成は第5実施例と略同じである。つまり、本実施例では、内側ヒータH1及び外周側ヒータH2をそれぞれ別の発熱体から構成し、更に、外周側ヒータH2を内側ヒータH1よりも上方に位置させてサセプタ31に近づけた点に特徴を有する。サセプタ31の外周側領域は放熱し易いため、サセプタ31全体の温度を均一にするためには、第5実施例のようにサセプタ31から内側ヒータH1までの距離、及びサセプタ31から外周側ヒータH2までの距離が同じである時は外周側ヒータH2への投入電力を内側ヒータH1よりも大きくする必要がある。これに対して、本実施例のように外周側ヒータH2を内側ヒータH1よりもサセプタ31に近づけることにより、該外周側ヒータH2への投入電力を抑えることができるため、該外周側ヒータH2の高寿命化を図ることができる。