制御端子によって制御可能な切替可能な経路を有する電子スイッチを夫々が有する複数の段;及びドライバ段を有し、前記電子スイッチの前記切替可能な経路は、切り替えられる電位の間に直列に接続され、夫々の段は、夫々の電子スイッチが開状態にある場合に、当該段内の切替可能な経路から分岐して、開放された前記切替可能な経路にわたる電圧降下によって引き起こされる電流により充電されるエネルギ蓄積部を更に有し、前記ドライバ段は、前記電子スイッチの前記切替可能な経路を閉じて、少なくとも一時的に閉状態を保つよう、前記エネルギ蓄積部で保持されるエネルギを前記電子スイッチの前記制御端子に供給することで前記電子スイッチを切り替える、スイッチング回路。夫々の段は、前記電子スイッチの切替を開始する光素子を更に有する、請求項1に記載のスイッチング回路。夫々の段は、同じように設計される、請求項1に記載のスイッチング回路。前記段は、前記電子スイッチの前記切替可能な経路に沿った接続の他に相互間の接続がない、請求項1に記載のスイッチング回路。夫々の段は、前記エネルギ蓄積部を更に充電する少なくとも1つの光電池素子を更に有する、請求項1に記載のスイッチング回路。夫々の段は、前記エネルギ蓄積部を更に充電する少なくとも1つの光電池素子を更に有し、前記光素子及び前記少なくとも1つの光電池素子は、前記電子スイッチの切替を開始するよう構成される光源からの光を受けるよう配置される、請求項2に記載のスイッチング回路。前記段の夫々は、接続ラインのための2つの端子しか有さず、前記電子スイッチは、前記2つの端子の間に配置される、請求項1に記載のスイッチング回路。スイッチング回路によって電位を切り替える方法であって、前記スイッチング回路は、制御端子によって制御可能な切替可能な経路を有する電子スイッチを夫々が有する複数の段を有し、前記電子スイッチの前記切替可能な経路は切り替えられる前記電位の間に直列に接続される、方法において:開放された前記切替可能な経路にわたる電圧降下によって引き起こされる、夫々の段内の前記切替可能な経路からの電流を分岐するステップ;夫々の電子スイッチが開状態にある間、前記分岐された電流により夫々の段のエネルギ蓄積部を充電するステップ;前記電子スイッチの前記切替可能な経路をその閉状態へ切り替え、該閉状態を少なくとも一時的に保つよう、前記電子スイッチの前記制御端子へ前記エネルギ蓄積部で保持されるエネルギを供給するステップを有する方法。夫々の段に設けられた光素子により前記電子スイッチの切替を開始するステップを更に有する請求項8に記載の方法。少なくとも1つの光電池素子により前記エネルギ蓄積部を更に充電するステップを更に有する請求項8に記載の方法。請求項1に記載のスイッチング回路を有する高電圧発生器。請求項1に記載のスイッチング回路を有するX線発生器。請求項1に記載のスイッチング回路を有する医用撮像システム。本発明の目的は、より簡単な設計を有するスイッチング回路を提供することである。上記の目的は、独立請求項に従うスイッチング回路により達成される。有利な更なる展開は、従属請求項の対象である。本発明の実施形態に従って、電位を切り替えるための、特に、高電圧ケーブルの容量性高電圧負荷のような電気負荷を放電するためのスイッチング回路が提供される。本明細書において、語高電圧は、4kVよりも大きい電圧をいう。スイッチング回路は、夫々が望ましくはトランジスタ、特にNチャネルMOSFET又はIGBTである電子スイッチを有する複数の段を有する。夫々の電子スイッチは、制御端子例えば、トランジスタのゲート/ベースによって制御可能な切替可能な経路を有し、電子スイッチの切替可能な経路は、切り替えられる電位、又は放電される電気負荷の間に直列に接続される。トランジスタの場合に、切替可能な経路は、ドレイン-ソース経路又はコレクタ-エミッタ経路である。より具体的に、直列配置は、1つのトランジスタのソース又はエミッタが連続したトランジスタのドレイン又はコレクタと接続されるように、実装される。切替可能な経路の直列配置は、切り替えられる電位を接続するための直列導電線を形成する。夫々の段は、夫々の電子スイッチが開状態高抵抗切替可能経路にある間に、当該段内の切替可能な経路から分岐されて、開放された切替可能な経路にわたる電圧降下によって引き起こされる電流により充電されるキャパシタ又は蓄電池のようなエネルギ蓄積部を更に有する。これに関連して、エネルギ蓄積部は、望ましくは、夫々の電子スイッチが開状態にある間に、もっぱら当該段内の切替可能な経路から分岐された電流により充電される。更に、スイッチング回路は、電子スイッチの切替可能な経路を閉じて、少なくとも一時的に閉状態低抵抗切替可能経路を保つために、エネルギ蓄積部に蓄えられたエネルギを電子スイッチの制御端子に供給することによって電子スイッチを切り替えるドライバ段を有する。望ましくは、夫々の段は、同じように設計される。この設計は、夫々の電子スイッチの切替可能な経路へ接続されるラインの他にエネルギを供給する如何なる電源ラインもない段を提供する。それはまた、電子スイッチの切替可能な経路に沿った接続の他に相互間の接続ラインがない段を提供する。この実施形態は、必要な配線が低減され得るという利点を提供する。電子スイッチの制御端子に与えられる電力を供給する付加的な電源は必要とされない。よって、自立的な自己供給型スイッチング回路が、その自立的な自己供給型段により提供され得る。それらの利点はまた、そのようなスイッチング回路により電位を切り替える方法により、又はそのようなスイッチング回路有する高電圧発生器、X線発生器若しくは医用撮像システムにより、達成され得る。更なる実施形態に従って、夫々の段は、電子スイッチの切替を開始するためのフォトトランジスタのような光素子を有する。光素子を段に組み込むことにより、制御ラインのための配線が節約され得る。更に、この配置は、低電圧制御ユニットからの、高電圧スイッチング回路のような高電圧発生器の高電圧部分のガルバニック分離を可能にする。更に、夫々の段は、エネルギ蓄積部を更に充電する少なくとも1つの光電池素子を更に有することが考えられる。光素子を駆動する光源がオンされ、エネルギ蓄積部の放電を引き起こす場合に、光源によって発せられる光は少なくとも1つの光電池素子によって受光され、エネルギ蓄積部に供給され得る。これは、延長された時間期間に電流が電子スイッチの制御端子へ供給され得るという利点を有する。高電圧負荷を放電するために使用される直列導電線からエネルギを引き込む複数の段を有する高電圧スイッチング回路を提供することが、本発明の主旨と見なされてよい。直列導電線が遮断される時間期間中に、段のエネルギ蓄積部は、後に直列導電線を閉じてその閉状態を保つために利用されるエネルギを充電される。本発明は、夫々が自己供給特性を有する段を備えた高電圧スイッチング回路クローバとも呼ばれる。を対象とする。夫々の単一段は各自のフォトトランジスタを設けられ、全ての段が、フォトトランジスタによって受光される中央光源をオンすることによって、同時に作動することができるようにする。図1は、本発明の実施形態に従う高電圧スイッチング回路1の概略図を示す。スイッチング回路1は、放電される高電圧負荷に直列に接続された複数の段2を有し、そのうちの1つは例として破線により囲まれている。参照符号3は、段2にわたって印加される派生電位を示す。X線高電圧発生器図5参照では、最大140kVの電位が存在する。X線発生器を開くとき、検査される患者に対するX線量を下げるために、高電圧の迅速な切替が必要とされるμs内。そのような大きさを有する電圧のそのような高速スイッチングを実現するために、高電圧発生器からX線管へエネルギを供給する電力ケーブルその全てがX線発生器の部分である。の残留容量負荷は放電される必要がある。これは、高電圧スイッチング回路により実現され得る。より厳密には、夫々の段に設けられている電子スイッチ6は、開状態から閉状態に切り替えられ、それにより、スイッチング回路2は、高電圧負荷が放電され得る低抵抗経路形成する。単一半導体素子は特定の電圧例えば、最大4kVを切り替えることしかできないので、段2は、放電される負荷の全体的な電圧を段2の全体にわたって等しく分けるために、直列に配置されている。本明細書において、電子スイッチの語開状態は、この電子スイッチの切替可能な経路が高抵抗であること、すなわち、電子スイッチがトランジスタである場合には、コレクタ-エミッタ経路又はドレイン-ソース経路が高抵抗であり、実質的に電流が流れないようにすることをいう。必要な変更を加えて、電子スイッチの語閉状態は、この電子スイッチの切り換え可能な経路が低抵抗であること、すなわち、電子スイッチがトランジスタである場合には、コレクタ-エミッタ経路又はドレイン-ソース経路が低抵抗であり、電流が実質的に抵抗なく流れるようにすることをいう。段2の数は、スイッチング回路1に印加される電圧の大きさに適応され得る。目下の場合に、放電される電気負荷の電圧は最大140kVであり、これは、使用されるMOSFET又はIGBTスイッチ及びそれらの最大降伏電圧に依存して45から200段を必要とする。しかし、本発明の適用範囲は、特定の数の段に限定されず、あらゆる数量をカバーすべきである。夫々の段2の電子スイッチ6のスイッチング状態、すなわち、閉又は開状態は、夫々の段に設けられている光素子4を介して制御され得る。光素子4は、フォトトランジスタが使用されてよく、高周波光源5から発せられた光を受けることができるように配置される。光源5は、望ましくは複数の発光ダイオードであるが、単一又は複数のランプであってもよい。負荷の放電がX線高電圧発生器に置いて必要とされる場合に、光源5はコントローラ図示せず。によってオンされる。発せられた光は光素子4によって受光され、光素子4は、個々の段2の電子スイッチがそれらの閉状態に適応することを開始する。光源5及び光素子4を用いることによって、全ての段2は同時に切り替えられ得る。更に、この配置は、光源が結合されている制御回路からの、X線発生器の高電圧部分例えば、高電圧スイッチング回路のガルバニック分離を可能にする。図2は、スイッチング回路1の2つの段2を示す。段2の夫々は、光素子4、望ましくはトランジスタである電子スイッチ6、エネルギ蓄積部を有する高電圧電源7、及び低電力ドライバ段8を有してよい。図3は、スイッチング回路1の段2をより詳細に示す。参照符号4、7及び8を付された破線囲みは、どの電子部品が図2に示された夫々のモジュールに割り当てられ得るのかを示す。簡単のために、それらの破線囲みは段2の1つにおいてしか与えられていないが、段は全く同じに設計されるので、それらは全ての段に適用される。図3に示される実施形態に従って、NチャネルMOSFET金属酸化膜半導体電界効果トランジスタmetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistorsM1~M3が、段2の夫々において電子スイッチ6として設けられている。なお、IGB絶縁ゲートバイポーラトランジスタinsulatedgatebipolartransistor例えば、IXGH25N160又はIXGT25N160もMOSFET例えば、IXTH12N120に代えて使用されてよい。既に述べられたように、段2のMOSFETM1~M3は直列に配置される。すなわち、MOSFETの1つ例えば、M3のソース又は、IGBTが使用される場合には、コレクタが、連続するMOSFET例えば、M2のドレイン又は、IGBTが使用される場合には、エミッタと接続される。直列の最も外側のMOSFETM3のドレインは、例えば高電圧ケーブルによって搬送される電気負荷から得られる正の電位9と接続され、その直列の遠端部にある最も外側のMOSFETM1のソースは接地される例えば、ケーブルの負の電位に接続される。直列に配置されているMOSFETM1~M3は、このようにして、放電され又は切り替えられるケーブル又はいずれかの他の負荷の電位を接続するための直列導電線を形成する。直列におけるいずれかの位置で、ダンピング抵抗R1例えば、100Ωが設けられてよい。この抵抗は、MOSFETM1~M3が損傷を与えられることを防ぐために、全てのMOSFETM1~M3がそれらの閉状態にある状態において直列導電線を通る電流フローを制限する。MOSFETM1~M3と並列に、夫々の抵抗R10、R19、R28例えば、10000kΩが設けられており、抵抗R10、R19、R28の一方の端子は夫々のMOSFETM1~M3のドレインに接続され、抵抗R10、R19、R28の他方の端子は夫々のMOSFETM1~M3のソースに接続される。それらのトランジスタR10、R19、R28は、MOSFETM1~M3がそれらの開状態にある場合にスイッチング回路1に印加される高電圧を段2の全てに等しく分ける静的な対称抵抗として機能する。目下の実施形態では、これは段2ごと、すなわち、開放されたMOSFETM1~M3のいずれかのドレインとソースとの間の800Vの電位である。以下の記載では、段2の1つについてしか説明されない。段2は同じであるから、その説明は、異なる段2における同一の電子部品が図3において異なる参照符号を付されているとしてしても、段2の全て及びそれらの電子部品に当てはまる。抵抗R26例えば、10000kΩ、トランジスタQ12NPN型トランジスタ及びツェナーダイオードD8例えば、BZX84C15Lは、抵抗R26の一方の端子がMOSFETM3のドレインと、トランジスタQ12のコレクタとへ接続されるように、接続されている。トランジスタQ12のベースは、抵抗R26の他方の端子と、ツェナーダイオードD8のカソードとへ接続されている。ツェナーダイオードD8のアノードは、MOSFETM3のソースへ接続されている。この構成において、ツェナーダイオードD8は、そのカソードとアノードとの間に15Vの電位差を引き起こす。MOSFETM3のドレイン-ソース経路に印加された電位差の残りは、抵抗R26に印加される。抵抗R26はまた、ツェナーダイオードD8を保護するための電流制限素子として働く。トランジスタQ12のエミッタは、ダイオードD9例えば、1N4148のアノードと接続されている。ダイオードD9のカソードは、抵抗R24例えば、470Ωを介してキャパシタC3エネルギ蓄積部の端子と接続されている。キャパシタC3の他方の端子は、MOSFETM3のソースへ接続されている。トランジスタQ12がその閉状態コレクタ-エミッタ経路が低抵抗にある場合に、キャパシタC3は、MOSFETM3のドレインからトランジスタQ12のコレクタ-エミッタ経路、ダイオードD9及び抵抗R24を介して流れる電流によって充電される。キャパシタC3がますます充電されると、トランジスタQ12が特定のベース-エミッタ電位差に達した場合にそのコレクタ-エミッタ経路を開くまで、トランジスタQ12のエミッタでの電位はますます高くなる。キャパシタC3が以下で説明されるように放電される場合に、トランジスタQ12のエミッタでの電位は再び下がり、そのコレクタ-エミッタ経路の閉成を開始する。抵抗R24は、電流制限素子及び/又は電流調整素子として働く。これは、さもなければ、キャパシタC3が完全放電状態にある場合に、初期充電電流が高すぎるためである。ダイオードD9は、キャパシタC3がトランジスタQ12を介して放電することを防ぐ。高電圧電源7のまさに説明された設計に代えて、まさに説明されたものに類似する2つの回路が直列に配置されてもよく、2つの回路の夫々は、高電圧電源7の電圧出力の半分を供給する。更に、図3に示される設計に代えて、高電圧電源7としてバックコンバータを用いることが考えられ得る。キャパシタC3に代えて、蓄電池が使用されてもよい。更に、フォトトランジスタq9が光素子として設けられ、光源5から発せられた光を受けるよう位置付けられている。フォトトランジスタQ9のコレクタは、抵抗R20例えば、2200Ωを介して、抵抗R24へも接続されているキャパシタC3の端子へ接続されている。フォトトランジスタQ9のエミッタは、抵抗R21例えば、100kΩの端子と、トランジスタQ10例えば、2N5089のベースと、トランジスタQ11例えば、2N4126のベースとに接続されている。トランジスタQ10はNPN型であり、トランジスタQ11はPNP型である。抵抗R21の他方の端子は、MOSFETM3のソースと接続されている。高抵抗R21により、フォトトランジスタQ9が光源5によって発せられた光によってその閉状態に切り替えられる場合に、充電されたキャパシタC3の両端の電位差の一部はトランジスタQ10及びQ11のベースへ印加される。結果として、トランジスタQ10はその閉状態に切り替えられ、トランジスタQ11はその開状態に切り替えられる。かかる配置は、プッシュプル段として知られている。トランジスタQ10の閉じられたコレクタ-エミッタ経路により、電流はキャパシタC3から抵抗R20と接続されているキャパシタ端子からMOSFETM3のゲートへ流れることができる。従って、MOSFETM3は閉状態に切り替えられ、そのドレイン-ソース経路は低抵抗である。全てのMOSFETM1~M3が同時に切り替えられるので、直列導電線全体が低抵抗であり、電位9を接地することができる。光源5がオフされる場合、フォトトランジスタQ9は開状態に切り替えられ、トランジスタQ10及びQ11のベースでの電位をMOSFETM3のソースに存在する電位とする。結果として、トランジスタQ10は開状態に切り替わり、トランジスタQ11は閉状態に切り替わる。次いで、MOSFETM3のゲートは、抵抗R25例えば、10Ωを介してMOSFETM3のソースに存在する電位に引っ張られ得る。更に、MOSFETM3のゲートとMOSFETM3のソースとの間には、抵抗R23が、当該技術から知られるレッジングledgingのために設けられている。ゲート抵抗R22例えば、10Ωは、MOSFETM3のゲートとトランジスタQ10のエミッタとの間に接続されている。ゲート抵抗R22は、MOSFETのターンオン速度の調整を可能にする。ターンオフの間、抵抗R22に対して逆並列であるショットキーダイオードD7例えば、1N5818は、MOSFETゲート放電の速度を速めるために、ゲート抵抗R22を短絡する。更なる他の実施形態に従って、夫々の段2は、図3に示されて先に記載された設計に加えて、キャパシタC3を更に充電する光電池素子例えば、CPC1831を有することができる。また、複数の光電池素子が使用されて、直列に配置されてよい。この単一の光電池素子又は光電池素子の直列は、キャパシタC3と並列に設けられる。光源5がオンされ、先に記載されたようにキャパシタC3の放電を引き起こす場合に、光源5によって発せられた光は、光電池素子によって受光され、キャパシタC3へ供給される。これは、延長された時間期間に電流がキャパシタC3からMOSFETM3のゲートへ供給され得るという効果を有する。図4は、上記の実施形態に従う、電気負荷を放電する方法を示す。電子スイッチ6、M1、M2、M3の開放されたスイッチング経路により、特定の電位差すなわち、MOSFETM1、M2、M3のドレイン-ソース間又はIGBTのコレクタ-エミッタ間の電圧が夫々の電子スイッチ6、M1、M2、M3のスイッチング経路にわたって印加される。夫々の段内のこの切替可能な経路から、特に、MOSFET又はIGBTのドレイン又はコレクタで、電流は分岐される。この電流は、夫々の段2のエネルギ蓄積部C1、C2、C3へ与えられる。電流を分岐することができるために、夫々の電子スイッチ6、M1、M2、M3は、電流フローを駆動するために存在する電圧を有するために、開状態にある必要がある。スイッチング回路の切替が先に記載されたように光源5によって開始される場合に、エネルギ蓄積部C1、C2、C3に蓄えられているエネルギは電子スイッチ6、M1、M2、M3の制御端子へ供給される。これは、閉状態への電子スイッチ6、M1、M2、M3の切替可能な経路の切替を引き起こし、次いで、閉状態は、少なくとも一時的に保たれる。図5は、上記のスイッチング回路が使用され得る、合成医療ビュー/画像を生成する医用撮像システム10を概略的に示す。医用撮像システム10は、画像取得装置11、データ処理ユニット12及びディスプレイ装置13を有する。例えば、医用撮像システム10は、X線発生器14を有するX線撮像システムである。X線発生器14は、X線放射を発生させるよう設けられているX線管19と、高電圧ケーブル20を介してX線管19へ電力を供給する高電圧発生器21とを有する。図5において、X線管19及び高電圧発生器21は、別個の装置として概略的に表されているが、それらは、単一の筐体において一体化されてもよい。テーブル15は、試験される患者16を支えるために設けられている。更に、X線画像検出モジュール17はX線発生器14の反対側に位置付けられており、検出モジュール17及びX線発生器14の両方へ接続されているデータ処理ユニット12へデータを送信している。データ処理ユニット12は、テーブル15の近くに位置付けられる。更に、ディスプレイ装置13は、X線撮像システムを操作する人に情報を表示するためにテーブル15の近くに配置される。また、インターフェースユニット18は、ユーザによって情報又はコマンドを入力するために配置される。基本的に、画像検出モジュール17は、対象をX線放射にさらすことによって画像を発生させ、該画像はデータ処理ユニット12において更に処理される。示される例は所謂CTタイプのX線画像取得装置であることが知られる。本発明はまた、CVタイプのX線画像取得装置のような他のタイプのX線画像取得装置に関する。特に、上記のスイッチング回路は、CV及びCT用途のための高速グリッドスイッチ及びデュアルエネルギX線システムに適用可能である。本発明の教示は上記の実施形態の如何なる組み合わせもカバーすることが明示的に意図される。本発明は図面及び上記の説明において詳細に図示及び記載されてきたが、そのような図示及び記載は単なる例であって限定ではなく、開示される実施形態に本発明を制限するよう意図されない。特定の手段が相互に異なる従属請求項において挙げられているという単なる事実は、それらの手段の組み合わせが有利に使用され得ないことを示さない。特許請求の範囲における如何なる参照符号も、本発明の適用範囲を制限するよう解されるべきではない。