パワー半導体モジュール2用のサブモジュール22bであって、-キャリア6の少なくとも一部と、-前記キャリア6の前記一部に配置された導体トラック24と、-前記導体トラック24上に施与され、モノリシックに一体化された半導体構造26と、を含み、前記半導体構造が、-前記半導体構造26を前記導体トラック24に接続する接触実現エリア50と、第1の接続部28aおよび第2の接続部28b、ならびにこれら接続部28a、b間に接続された一体化の非反応性抵抗器40と、第3の接続部28c、ならびに前記第3の接続部28cと前記第2の接続部28bの間に接続された、一体化のダブルダイオード構造38と、を含む、サブモジュール22b。前記第3の接続部28cが、前記接触実現エリア50に接続されている、請求項1に記載のサブモジュール22b。前記半導体構造26において、前記ダブルダイオード構造38が、垂直構造として、前記導体トラック24に面する下面36から、この下面の反対側に位置する上面30へ延びる、請求項1または2に記載のサブモジュール22b。前記抵抗器40が、前記導体トラック24から離れた前記上面30にて前記半導体構造26内に配置される、請求項1~3のいずれか一項に記載のサブモジュール22b。前記半導体構造26が、平坦な平行六面体として作製され、前記接触実現エリア50とこの接触実現エリア50の反対側に位置する前記上面30とが、薄層の平坦面である、請求項1~4のいずれか一項に記載のサブモジュール22b。前記接触実現エリア50および/または前記接続部28a~cの少なくとも1つが、はんだ付け可能で焼結可能な金属化を有する、請求項1~5のいずれか一項に記載のサブモジュール22b。-請求項1~6のいずれか一項に記載の第1のサブモジュール22bと、-制御入力部21を有し、前記キャリア6上に配置され、かつ前記キャリア6と共に第2のサブモジュール22aを形成するパワー半導体8と、を含むパワー半導体モジュール2であって、-前記第1のサブモジュール22bが、前記キャリア6上で前記パワー半導体8の直近に位置決めされ、-前記制御入力部21が、前記第1のサブモジュール22bの前記第2の接続部28bに接続されている、パワー半導体モジュール2。前記パワー半導体8が、それ自体の制御入力部21を介して電圧制御されるパワー半導体である、請求項7に記載のパワー半導体モジュール2。第1のサブモジュール22bと第2のサブモジュール22aが、前記キャリア6に関して同じ製造プロセスを有する、請求項7または8に記載のパワー半導体モジュール2。本発明の目的は、改善されたパワー半導体モジュールを規定することである。本発明は、パワー半導体モジュール用のサブモジュールを提案する。サブモジュールには、キャリアの少なくとも一部およびキャリア上に配置された導体トラックが含まれる。モノリシックに一体化された半導体構造が、キャリアまたは導体トラックに貼り付けられる。前記半導体構造は、導体トラックおよびしたがってキャリアへの接続用の接触実現エリアを有する。したがって、キャリアまたは導体トラックへの半導体構造の機械的および適切な場合には電気的接続が、接触実現エリアを介して行われる。半導体構造は、第1の接続部および第2の接続部、ならびに前記接続部間に接続された、一体化された非反応性抵抗器を有する。さらに、半導体構造は、第3の接続部、ならびに第2の接続部と第3の接続部との間に接続された、一体化されたダブルダイオード構造を有する。本発明は、最適な有効性のためのスナバダイオードをパワー半導体のゲートに直接、すなわち、できる限り近くに、かつ第1の構成要素としてすなわち、恐らく追加的な直列抵抗器の前に装着する概念に基づいている。したがって、それは、内部ゲート直列抵抗器のないパワー半導体スイッチ用に有利に用いられる。次に、ダイオードスナバは、トランジスタまたはパワー半導体チップに直接的に接近して、駆動端子間、例えばIGBTのゲートおよびエミッタ間に直接位置する。したがって、クランピング回路の有効性は、外部プリント回路基板に基づく解決法と比較して向上するように意図されている。明らかに、パワー半導体モジュール内に、すなわちキャリア上に別個のクランピングダイオードをSMD構成要素表面実装型デバイスとして配置することがまた考えられよう。上記の寄生インダクタンスは、このようにして低減される。しかしながら、パワー半導体モジュールまたはその電気コンタクト接続部を焼結法によって作製することが周知である。そうならば、この場合に不利なことは、キャリア上へのクランピングダイオードの必須のはんだ付けが、焼結技術に加えた技術ステップ、すなわちはんだ付けステップを必要とするということである。したがって、SMD構成要素は、既存のまたは将来の焼結パワー半導体モジュール用には不利に使用できるだけである。しかしながら、SMD構成要素は、モノリシックに一体化された構成要素より、電気抵抗およびインダクタンスなど、より高い寄生特徴変数を有する。したがって、本発明は、直列抵抗器、例えばゲート抵抗器と、サプレッサダイオードまたはスナバダイオードと、の両方を含むモノリシックに一体化された構造を提案する。第2の接続部において、ダブルダイオード構造および非反応性抵抗器が互いに接続される。本発明によれば、一体化構造は、パワー半導体、またはパワー半導体によってキャリア上に形成されたサブモジュールに直接隣接して配置されるように、サブモジュールとして具体化される。第2の接続部において、ダイオード構造が、第2および第3の接続部の接続に基づいて、非反応性抵抗器の前でやはりアクセス可能であるという事実によって、ダイオード構造は、パワー半導体に直接的に接近して位置決めされる。したがって、ダブルダイオード構造の制限または降伏電圧は、ゲート電圧用の制限電圧として、ゲートにおいて直接的に利用可能である。したがって、換言すれば、サブモジュールには、単一半導体チップにおいてダブルダイオード構造とモノリシックに一体化されたゲート直列抵抗器が含まれる。本発明によるサブモジュールは、3つの接続部ゆえに3極ネットワークとして具体化される。第1の接続部は、例えば外部ゲートドライバ用の駆動接続部として働き、したがって、モジュールに対するゲート接続部Gとして理解することができる。第2の接続部は、パワー半導体の、すなわち電圧制御されたパワースイッチの実際のゲートへの接続のために働き、接続部G’として示される。第3の接続部は、パワー半導体のエミッタに接続され、したがって、接続部Eとして示される。ダブルダイオードとモノリシックに一体化されたゲート抵抗器は、例えば、金属導体トラックとして、または画定されたジオメトリおよび材料依存コンダクタンスを有するドープされたポリシリコントラックとして具体化される。ポリシリコントラックのコンダクタンスは、ドーピング濃度によってさらに設定することができる。金属導体トラックは、例えば、Al、AlSi、AlSi-Cu、Cu、Ti、Ni、W、Au、Ag、Pt、またはPdによって具体化することができる。原則として、導体トラックは、抵抗およびまたそれらのコンタクト接続部、特に第1の接続部を規定するが、ダブルダイオード構造ならびに第2および第3の接続部から誘電的に絶縁されなければならない。これは、例えば、二酸化ケイ素層またはシリコン亜硝酸塩層によって実現することができる。典型的なゲート直列抵抗器の値は、1~50ohmの範囲である。例えばPNPまたはNPN構造としてのダブルダイオード構造は、半導体ボリューム、例えばシリコンにおいて実現される。ダブルダイオード構造の2つのダイオードは、例えばアバランシェ、ショットキーまたはツェナーダイオードとして具体化することができる。多数の個々のダイオードによって形成される直列回路もまた考えられる。本発明の好ましい一実施形態において、第3の接続部は、例えば、基板に面する半導体構造の下面に接続される。接触実現エリアは、そこに位置し、したがって、それは、第3の接続部に接続される。次に、換言すれば、下面はまた、機械的接続と共に、第3の接続部を導体トラックに電気的に接続するために働く。この場合に、導体トラックは、半導体構造に面するキャリア表面を形成する。導体トラックは、例えば、半導体構造の少なくともベースエリアの領域を備えた、半導体構造の下のエリア全体にわたって形成される。これは、特に、パワー半導体のエミッタと第3の接続部との相互接続の上記の場合には役立つ。なぜなら、一般的なパワー半導体はまた、大きな面積の接触実現エリア、またはパワー半導体のキャリア上の導体トラックとして具体化されるからである。さらに、換言すれば、半導体構造は、キャリア上のエミッタ導体トラック上に直接配置することができる。本発明の好ましい一実施形態では、半導体構造内において、ダブルダイオード構造は、垂直構造として、基板に面する半導体構造の下面から、前記下面の反対側に位置する半導体構造の上面へ延びる。したがって、半導体構造の下面はベースエリアを形成し、ダブルダイオード構造は、前記ベースエリアから進む垂直構造として構成される。pn接合の進路は、ここでは垂直、すなわちベースエリアと平行として論じられる。特に、第3の接続部としての下面と関連して、対応するサブモジュールを特に簡単な方法で構成することができる。代替として、ダブルダイオード構造はまた、サブモジュールにおいて水平に配置することができる。すなわち、pn接合は、ベースエリアに対してほぼ直角に進む。さらなる好ましい実施形態において、抵抗器は、基板から離れた上面において、すなわち、換言すれば、ちょうど言及したベースエリアに向き合って、またはその反対側において、半導体構造に配置される。この場合にもまた、特定の利点が、第3の接続部としてのベースエリアのちょうど言及した実施形態に関連して、再び適用可能である。次に、第3のコンタクトは、ベースエリアに位置し、第1および第2のコンタクトは、半導体構造の反対側、およびしたがって基板から離れた上面に位置する。次に、第1および第2のコンタクトは、特に簡単な方法で、コンタクト接続、例えば接合することができる。次に、上記の実施形態の組み合わせにおいて、接続部GおよびG’は、半導体構造の上面に位置し、接続部Eは、基板の上面に位置する。水平変形としてのpn接合の代替実施形態において、3つの全ての接続部は、半導体構造の上面に位置することが可能である。次に、その下面は、単に基板への機械的および熱的接続のために働く。好ましい一実施形態において、半導体構造は、平坦な平行六面体、すなわち平坦な薄層laminaとして作製され、この場合には、接触実現エリアおよび接触実現エリアの反対側に位置する上面は、薄層の平坦面である。この場合の目的は、サブモジュールの構造高さを小さく保つことである。さらなる好ましい実施形態において、接触実現エリアおよび/または接続部の1つ~全ては、はんだ付け可能および焼結可能な金属化を有する。換言すれば、サブモジュールの1つまたは複数のコンタクト接続部は、はんだ付け可能および焼結可能な接続部として構成され、これによって、追加的なプロセスステップを必要とせずに、パワー半導体モジュールのはんだ付けおよび焼結プロセスへの一体化が可能になる。サブモジュールは、IGBTまたはMOSFETパワー半導体モジュールの標準的な製造プロセスへと問題なく組み込むことができる。本発明の目的は、さらに、上記の説明による、第1のサブモジュールとしてのサブモジュールと、さらにキャリア上に配置され、かつ制御入力部を有するパワー半導体と、を含む改善されたパワー半導体モジュールによって達成される。パワー半導体に割り当てられた共通キャリア部分と共にパワー半導体は、第2のサブモジュールを形成する。パワー半導体モジュールにおいて、第1のサブモジュールは、キャリア上でパワー半導体に直接的に接近して位置決めされ、パワー半導体の制御入力部は、第1のサブモジュールの第2の接続部に接続される。上記の第1サブモジュールに関連して既に上記で説明した利点は、本発明によるパワー半導体モジュールにおいて提供される。パワー半導体モジュールの好ましい一実施形態において、パワー半導体は、その制御入力部を介して電圧制御されるパワー半導体である。特に、この種のパワー半導体に関して、本発明によるサブモジュールは、上記のように制御入力部で過電圧を抑制するのに適している。好ましい一実施形態において、第1および第2のサブモジュール、すなわちパワー半導体スイッチは、キャリアに関して同じ製造プロセスを有する。換言すれば、パワー半導体モジュールに関して、その第1のサブモジュールおよびパワー半導体または第2のサブモジュールは、キャリアに対して両方ともはんだ付けされるかまたは両方とも焼結させる。上記のように、特に、はんだ付け可能および焼結可能コンタクト接続部を有するサブモジュール用に、この種のパワー半導体モジュールは、特に簡単な方法で作製することができる。本発明のさらなる説明のために、それぞれの場合に基本的な概略図である図面における実施形態を参照する。図1は、ハウジング4に囲まれたパワー半導体モジュール2の平面図を示す。パワー半導体モジュール2には、DCBセラミック基板の形態をしたキャリア6が含まれる。パワー半導体モジュール2には、ここでは例としてIGBTとして具体化された、トランジスタチップ10の形態をしたパワー半導体8が含まれる。パワー半導体8は、キャリア6の導体トラック12に貼り付けられるが、前記導体トラックは、キャリア6の上面に配置される。パワー半導体8、導体トラック12、およびこれらの部分に面積的に割り当てられたキャリア6の部分が、サブモジュール22aを形成する。4つのエミッタ窓18が、パワー半導体8の上面16に配置されるが、前記エミッタ窓は、前記パワー半導体のエミッタEと接触するために働く。さらに、ゲート窓20が、ゲートGと接触するために設けられる。ここでゲート窓20は、パワー半導体8の制御入力部21を形成する。コレクタC用の接続部は、図1では見えないような形で、上面16の反対側に位置する、パワー半導体8の下面に位置する。コレクタCは、導体トラック12の上面17へとコンタクト接続される。本発明によれば、サブモジュール22aの横に、さらなるサブモジュール22bがキャリア6上に位置する。前記さらなるサブモジュールには、同様にキャリア6上に配置された導体トラック24が含まれる。このモジュールには、さらに、モノリシックに一体化された半導体構造26が含まれる。半導体構造26は、コンタクトゲートGの形態をした第1の接続部28a、およびコンタクトゲートG’の形態をした第2の接続部28bを有する。両方の接続部28a、bは、半導体構造26の上面30に配置される。第3の接続部28cが、コンタクトエミッタE’として、半導体構造26の下面36に、パワー半導体8に従って配置されるが、前記下面は、図1では見えず、かつ導体トラック24の上面31上にコンタクト接続される。パワー半導体モジュール2は、電気接続部エミッタEM、ゲートGMおよびコレクタCM用の3つの端子32a~cをハウジング4の外側に有する。端子32aエミッタEMは、接合ワイヤ34を介して上面31に、およびこうしてコンタクト28cに接続され、コンタクト28cが、今度は、接合ワイヤ34を介してエミッタ窓18に接続される。換言すれば、パワー半導体8のエミッタEは、第3の接続部28cを介して端子32aに接続される。パワー半導体8のコレクタCは、導体トラック12に接続されているが、接合ワイヤ34を介して端子32cコレクタCMに接続される。今度は、ゲートGとしてのゲート窓20が、接合ワイヤ34によって接続部28b、すなわち半導体構造26のG’に接続され、接続部28aGだけが、端子32bゲートGMに接続される。図2は、側面図において、すなわち図1における矢印IIの視野方向において、図1のパワー半導体モジュール2からの抜粋を示す。特に、上面30に位置する接続部28a、bは、再び見ることができるが、しかし今はまた、下面36における接続部28cも見ることができる。図2は、モノリシックに一体化された半導体構造26を断面で示すが、この構造は、2つの構成要素を実現する。これらの構成要素の等価回路図が、図2において破線によって示されている。これらの構成要素は、クランピングダイオードまたはサプレッサダイオードの形態をした抵抗器40およびダブルダイオード構造38である。ダブルダイオード構造38は、2つのp型領域42および1つのn型領域44間のpnp接合として、接続部28b、c間に実現される。ダブルダイオード構造38は、垂直構造として作製され、その垂直構造は、下面36と上面30との間で階層状に延びるようにされる。接続部28a、b間において、抵抗器40は、半導体構造26の残りから絶縁層48によって分離された、一体化された抵抗トラック46として実現される。接触実現エリア50が、下面36、すなわちキャリア6に面する半導体構造26の面に位置する。接触実現エリア50は、キャリア6またはその導体トラック24に半導体構造26をコンタクト接続または装着する。本例において、接触実現エリア50は、接続部28cと同一である。すなわちまた、半導体構造26のコンタクトエミッタE’を形成する。接触実現エリア50は、次のように、はんだ付け可能および焼結可能な方法で具体化される。すなわち、サブモジュール22aが、はんだ付けまたは焼結技術を用いて行われるかどうかにかかわらず、サブモジュール22bまたは半導体構造26が、サブモジュール22a、つまりパワー半導体8と同じ製造プロセスでキャリア6に実装され得るように、具体化される。図3は、図1に関する等価回路図、すなわちパワー半導体8に接続された半導体構造26の等価回路図52枠に入れられているを示す。図1と共に図3は、ここではクランピングダイオードとして具体化されたダブルダイオード構造38が、やはり、その直接的に接近したパワー半導体8のゲートGおよびエミッタEに、抵抗器40の前で配置されることを明らかにしている。図4は、正ブランチにおけるゲート電圧の制限が約16Vであり、かつ反対方向では約-20Vであるダイオード構造38の特性曲線または特徴を示す。この場合に、値は、近似値として理解すべきである。対応する他の駆動電圧が与えられたとすると、他の電圧値が可能である。故障の場合には、特性曲線の負ブランチは、パワー半導体8におけるゲート酸化物の破壊保護を保証する。図3において、代替として、サプレッサダイオードを備えたダブルダイオード構造38の実現が、破線によって示され、その特性曲線が、図4において同様に破線によって示される。特性曲線は、事実上、正ブランチと一致する。負ブランチにおいて、降伏電圧は、クランピングダイオードとは対照的に単に約-16Vである。