"導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁されたリード端子と、前記ステムの一部であるステムマウントに搭載されると共に、前記リード端子に電気的に接続された光素子を備えた光モジュールにおいて、表面は前記リード端子に対向し、裏面は前記ステムマウントに電気的に接続されている誘電体基板を備えたことを特徴とする光モジュール。導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第1のリード端子と、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第2のリード端子と、前記ステムの一部であるステムマウントに搭載されると共に、前記第1のリード端子及び前記第2のリード端子に電気的に接続された光素子を備えた光モジュールにおいて、表面は前記第1のリード端子及び第2のリード端子に対向し、裏面は前記ステムマウントに電気的に接続されている誘電体基板を備えたことを特徴とする光モジュール。請求項2に記載の光モジュールにおいて、前記誘電体基板は、第1のリード端子に対向している部分と、第2のリード端子に対向している部分とに分割されていることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記誘電体基板の裏面の全面にメタライズ処理がされていることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記誘電体基板の裏面のうち、前記リード端子に対向する位置には、前記リード端子の軸方向に沿い、メタライズ処理がされた部分とメタライズ処理がされずに前記裏面が露出している部分が交互に形成されていることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記誘電体基板の表面のうち前記リード端子に対向する部分に配線パタンが形成されていることを特徴とする光モジュール。請求項6に記載の光モジュールにおいて、前記誘電体基板の表面のうち前記リード端子に対向する部分に配線パタンが形成され、前記配線パタンが前記リード端子に電気的に接続されていることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記光素子がレーザダイオードであることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記誘電体基板は、前記ステムマウントに対向する箇所と、前記リード端子に対向する箇所とで、厚みが異なることを特徴とする光モジュール。請求項9に記載の光モジュールにおいて、前記誘電体基板は、前記ステムマウントに対向する箇所と、前記リード端子に対向する箇所との間に、溝状のスリットを具備することを特徴とする光モジュール。請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記光素子、前記ステムマウント、前記誘電体基板、前記リード端子のうち前記光素子が配置されている側に突出している部分、前記ステムの面のうち前記ステムマウントが形成されている側の面が、キャップにより封止されていることを特徴とする光モジュール。上述したように従来技術では、入力された高周波電気信号は、伝送線路102aを経由した後、伝送線路102aと伝送線路103aの界面で反射を受けるため、伝送線路102a~103aの高周波特性が悪くなってしまうという問題があった。本発明は、上記従来技術に鑑み、従来の安価なキャン型パッケージを用いても、10Gbit/s級の高速信号で駆動できる、高周波特性に優れた光モジュールを提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の構成は、導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁されたリード端子と、前記ステムの一部であるステムマウントに搭載されると共に、前記リード端子に電気的に接続された光素子を備えた光モジュールにおいて、表面は前記リード端子に対向し、裏面は前記ステムマウントに電気的に接続されている誘電体基板を備えたことを特徴とする。また本発明の構成は、導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第1のリード端子と、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第2のリード端子と、前記ステムの一部であるステムマウントに搭載されると共に、前記第1のリード端子及び前記第2のリード端子に電気的に接続された光素子を備えた光モジュールにおいて、表面は前記第1のリード端子及び第2のリード端子に対向し、裏面は前記ステムマウントに電気的に接続されている誘電体基板を備えたことを特徴とする。また本発明の構成は、前記誘電体基板は、第1のリード端子に対向している部分と、第2のリード端子に対向している部分とに分割されていることを特徴とする。また本発明の構成は前記誘電体基板の裏面の全面にメタライズ処理がされていることを特徴とする。また本発明の構成は前記誘電体基板の裏面のうち、前記リード端子に対向する位置には、前記リード端子の軸方向に沿い、メタライズ処理がされた部分とメタライズ処理がされずに前記裏面が露出している部分が交互に形成されていることを特徴とする。また本発明の構成は前記誘電体基板の表面のうち前記リード端子に対向する部分に配線パタンが形成されていることを特徴とする。また本発明の構成は前記誘電体基板の表面のうち前記リード端子に対向する部分に配線パタンが形成され、前記配線パタンが前記リード端子に電気的に接続されていることを特徴とする。また本発明の構成は前記光素子がレーザダイオードであることを特徴とする。また本発明の構成は前記誘電体基板は、前記ステムマウントに対向する箇所と、前記リード端子に対向する箇所とで、厚みが異なることを特徴とする。また本発明の構成は前記誘電体基板は、前記ステムマウントに対向する箇所と、前記リード端子に対向する箇所との間に、溝状のスリットを具備することを特徴とする。また本発明の構成は前記光素子、前記ステムマウント、前記誘電体基板、前記リード端子のうち前記光素子が配置されている側に突出している部分、前記ステムの面のうち前記ステムマウントが形成されている側の面が、キャップにより封止されていることを特徴とする。本発明によれば、10Gbit/s級の高速信号伝送が可能な高周波特性が良好で、かつ既存のパッケージにより構成される安価な光モジュールを提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、実施例に基づき詳細に説明する。誘電体基板を用いた光モジュール以下、図1に基づいて本発明の第1実施形態である光モジュールについて詳細に説明する。図1a,図1bはそれぞれ、第1実施形態の光モジュールの側面図、上面図である。図1において、表面に配線パタン10b,10cが形成された誘電体基板10aを導入した以外は、図10に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている図10及び図1において同一の部材には、図10と図1で共通の番号を振っている。そのため、配線パタン10b,10cを有する誘電体基板10aの追加を行っただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。なお、誘電体基板10aは、リード端子2a,2bとステムマウント1cの間隙に設置されている。また、誘電体基板10aの裏面は全面メタライズ処理され図示せず、裏面の一部はステムマウント1cに半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的に接続されているため、裏面はグランドと同位で接地している。また、誘電体基板10aのx軸方向の幅が、リード端子2aとリード端子2bの間隔よりも大きくなっており、配線パタン10b,10cは、リード端子2a,2bの直下に位置しているリード端子2a,2bと対向する位置に配置されている。さらに、誘電体基板10aの表面には、リード端子2a,2bとそれぞれ半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的な接続を行うための配線パタン10b,10cを具備している。そのため、リード端子2a,2bにおいて、それぞれ誘電体基板10aの表面に形成された配線パタン10b,10cと電気的に接続されている部分は、誘電体基板10aの誘電率、誘電体基板厚及び配線パタン10b,10cの面積により定まる容量成分が付加される。なお、本実施例では配線パタン10b10cの面積を等しくしているため、同一面積すなわち同一容量としているが、リード端子2a2bに付加する容量値を独立に調整する必要がある場合は、同一面積とは限らない。図1に示す光モジュールは、10Gbit/s級の高速光信号を送信するための光通信システム用モジュールであり、光半導体素子としてLD素子5が搭載されている。LD素子5としては、温度特性に優れるInGaAlAsを含む多重量子井戸構造を活性層に有する分布帰還型LDDFBLDが好適である。図1に示す第1実施形態の光モジュールにおいて、ステム外部からの10Gbit/s級の差動駆動電気信号N信号、P信号のうち、N信号は、伝送線路101a,102a,103aを経由し、ワイヤ4aを介し、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6bを経てLD素子の下面図示せずに形成されたカソード側に供給される。P信号も同様に、伝送線路101b,102b,103bを経由し、ワイヤ4bを介してLD素子5のアノード側に供給される。ここで、N信号に着目すると、誘電体基板10aの導入により、伝送線路103aの誘電体基板10aの表面に形成された配線パタン10bとリード端子2aが電気的に接続された部分において特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102a―103a間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102a―103a間のN信号の反射を抑制することが可能となる。同様に、P信号においては、誘電体基板10aの導入により、伝送線路103bの誘電体基板10aの表面に形成された配線パタン10cとリード端子2bが電気的に接続された部分において特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102b―103b間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102b―103b間のP信号の反射を抑制することが可能となる。このように駆動電気信号N信号、P信号の反射を抑制することができるため、高周波特性を向上することができる。図2に、実際に誘電体基板を導入したキャン型LDパッケージの高周波特性を示す。なお、誘電体基板の材質にはアルミナAl2O3、比誘電率100を用い、基板厚は100μmである。測定は、N信号側について行った。図2に示すように、誘電体基板を導入しない従来の方式では周波数10GHzにおいて、S21透過特性-2dB、S11反射特性-5dBと非常に劣化した。一方、誘電体基板を導入した場合、S21-1dB、S11-11dBと改善した。よって、高周波特性の悪い安価なキャン型パッケージを用いても、非常に安価な誘電体基板を追加するだけの本実施形態により、10Gbit/s級の高速信号で駆動しても良好な高周波特性が得られる。なお、誘電体基板の厚さは、リード端子2a2bとステムマウント1cとの間隙に設置するため、150μm以下であることが望ましい。そのため、誘電体基板の材質としては窒化アルミAlN、比誘電率8~9やアルミナAl2O3、比誘電率9~10など比誘電率が高い材質が望ましい。なお、図1に示した本発明の第1の実施形態においては、同一の誘電体基板の表面に配線パタンを2箇所配線パタン10b、配線パタン10c設けているが、図3に示したように誘電体基板を二枚に分割しても良い。図3において、誘電体基板10aと誘電体基板10dの二枚の誘電体基板が用いられており、それぞれの表面に具備される配線パタン10b及び配線パタン10cが、それぞれリード端子2a2bに電気的に接続されている。また、誘電体基板10a10dの裏面は全面メタライズ処理されており、ステムマウント1cに接続されている。誘電体基板を二枚に分割する場合、部材点数が一点増加すること、及び実装工程が多少煩雑になるデメリットはあるが、ステム1の製造工程においてリード端子2a2bが貫通孔3a3bに対し、互いに異なった量で偏心して形成された場合において、誘電体基板10a10dの配線パタン10b10cをそれぞれリード端子2a2bに対し独立に位置調整が可能になる利点が生じる。図3に示した各誘電体基板10a10dの材質、厚さ、配線パタンの大きさは図1に示した実施例と同様であるため、本発明の第1実施形態である光モジュールと同様の効果が得られることは明らかである。これまで述べてきたように、図1に示した本発明の第1の実施形態においては、誘電体基板10aに具備される配線パタン10b10cは、それぞれリード端子2a2bに半田または銀ペースト等の導電性接着剤を介して電気的に接続されていることで、リード端子2a2bに容量成分を付加していることを特徴としている。しかしながら、前記配線パタン10b10cをそれぞれリード端子2a2bに電気的に接続しなくとも同様の効果が得られる。この場合は、リード端子2a2bと誘電体基板10aの裏面全面メタライズ部グランド間には、誘電体基板10a図1の第一実施例の場合は、比誘電率100だけでなく大気比誘電率10、なお、キャン型LDパッケージを、キャップと不活性ガス等により気密封止する場合は、該不活性ガス等の比誘電率を考慮するも含まれるため、図1に示した第1実施例において付加した容量より小さいものの、特性インピーダンス差を低減できる容量が付加されることになる。また、同様の理由により、表面に前記配線パタン10b10cを具備せず裏面に全面メタライズ部のみを具備する誘電体基板10aを、リード端子2a2bとステムマウント1cの間隙に設置し、前記誘電体基板10aの裏面の一部をステムマウント1cに電気的にグランドに接続するだけでも同様の効果が得られる。この場合、図1に示した本発明の第1の実施形態よりも多少効果は少なくなるが、実装工程が簡易になる利点がある。誘電体基板を用いた光半導体素子用モジュール厚みによる容量調整応力緩和用スリット付き以下、図4に基づいて本発明の第2実施形態である光モジュールについて詳細に説明する。図4a図4bはそれぞれ、第2実施形態の光モジュールの側面図、上面図である。図4において、ステムマウント1c搭載面に面する部分と、リード端子2a2bと対向する部分とで異なった厚みを有する誘電体基板10a及び前記誘電体基板10aの表面に形成された配線パタン10b10c及びステム上面1aから垂直方向z軸方向に配置される溝状のスリット10h10iを導入した以外は、図10に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている図10及び図4において同一の部材には、図10と図4で共通の番号を振っている。そのため、配線パタン10b10cを有しかつ異なった厚みを有する誘電体基板10aの追加及び前記誘電体基板10aの一部にスリット10h10iの追加を行っただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。なお、誘電体基板10aは、リード端子2a2bとステムマウント1cの間隙に設置されている。また、誘電体基板10aの裏面は全面メタライズ処理され図示せず、裏面の一部はステムマウント1cに半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的に接続されているため、裏面はグランドと同位で接地している。また、誘電体基板10aのx軸方向の幅が、リード端子2aとリード端子2bの間隔よりも大きくなっており、配線パタン10b,10cは、リード端子2a,2bの直下に位置しているリード端子2a,2bと対向する位置に配置されている。さらに、誘電体基板10aの表面には、リード端子2a2bとそれぞれ半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的な接続を行うための配線パタン10b10cを具備している。そのため、リード端子2a2bにおいて、それぞれ誘電体基板10aの表面に形成された配線パタン10b10cと電気的に接続されている部分は、誘電体基板10aの誘電率、誘電体基板厚及び配線パタン10b10cの面積に定まる容量成分が付加される。本実施形態における光モジュールの特徴は、前記誘電体基板10aが一様の厚みを有するのではなく、異なった厚みを有することにある。誘電体基板10aの厚みは、誘電体基板10aをリード端子2a2bとステムマウント1cの間隙に設置するため、前記間隙よりは厚みを大きくすることができない。一方、誘電体基板10aにより付加する容量は、先に述べたように誘電体基板10aの誘電率、誘電体基板厚及び配線パタン10b10cの面積によって定まる。よって、基板厚を調整して容量を調整したい場合は、一様の厚みを有する誘電体基板では前記間隙100~150μm以上の厚みとすることができない。また、付加容量値を増大させるため、基板厚を一様に薄くした場合、リード端子との隙間が拡がるため、結果として付加容量値を増大できないケースがでてくる。前記誘電体基板10aに、基準厚み部10gとは異なる厚みを有する厚み調整部10e,10fを設けることにより、容量の設計自由度を高くすることが可能となる。以下では、図4に示したように、リード端子と対向する箇所の厚みを厚くしたケースについて詳細に説明する。本実施形態における光モジュールのもう一つの特徴は、前記誘電体基板10aの厚みが変化する箇所に応力緩和用のスリット10h,10iを具備することである。基板厚が変化する箇所基準厚み部10gと厚み調整部10eの間及び基準厚み部10gと厚み調整部10fの間には、異なった厚みによる応力に加え、基準厚み部10gのみがステムマウント1cに固定されることによる応力が加わるため、前記誘電体10aが反ることにより、最悪の場合前記誘電体10aが破損することが懸念される。そのため、図4に示すように前記基板厚が変化する箇所にスリット10h,10iを設けたことを特徴とする。なお、スリット10h,10iの詳細をそれぞれ図4,に示す。図4に示す光モジュールは、10Gbit/s級の高速光信号を送信するための光通信システム用モジュールであり、光半導体素子としてLD素子5が搭載されている。LD素子5としては、温度特性に優れるInGaAlAsを含む多重量子井戸構造を活性層に有する分布帰還型LDDFBLDが好適である。図4に示す第2実施形態の光モジュールにおいて、ステム外部からの10Gbit/s級の差動駆動電気信号N信号、P信号のうち、N信号は、伝送線路101a102a103aを経由し、ワイヤ4aを介し、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6bを経てLD素子の下面図示せずに形成されたカソード側に供給される。P信号も同様に、伝送線路101b102b103bを経由し、ワイヤ4bを介してLD素子5のアノード側に供給される。ここで、N信号に着目すると、誘電体基板10aの導入により、伝送線路103aの誘電体基板10aの表面に形成された配線パタン10bとリード端子2aが電気的に接続された部分において特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102a―103a間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102a―103a間のN信号の反射を抑制することが可能となる。同様に、P信号においては、誘電体基板10aの導入により、伝送線路103bの誘電体基板10aの表面に形成された配線パタン10cとリード端子2bが電気的に接続された部分において特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102b―103b間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102b―103b間のP信号の反射を抑制することが可能となる。このように駆動電気信号N信号、P信号の反射を抑制することができるため、高周波特性を向上することができる。図5に、実際に誘電体基板を導入したキャン型LDパッケージの高周波特性を示す。なお、誘電体基板の材質にはアルミナAl2O3、比誘電率100を用い、基準厚み部10gは100μm、厚み調整部10e10fは共に170μmである。測定は、N信号側について行った。図5に示すように、誘電体基板を導入しない従来の方式では周波数10GHzにおいて、S21透過特性-2dB、S11反射特性-5dBと非常に劣化した。一方、誘電体基板を導入した場合、S21-1dB、S11-9dBと改善した。よって、高周波特性の悪い安価なキャン型パッケージを用いても、非常に安価な誘電体基板を追加するだけの本実施形態により、10Gbit/s級の高速信号で駆動しても良好な高周波特性が得られる。なお、誘電体基板の厚さ基準厚み部10gは、リード端子2a,2bとステムマウント1cとの間隙に設置するため、150μm以下であることが望ましい。そのため、誘電体基板の材質としては窒化アルミAlN、比誘電率8~9やアルミナAl2O3、比誘電率9~10など比誘電率が高い材質が望ましい。なお、図4に示した本発明の第2の実施形態においては、同一の誘電体基板の表面に配線パタンを2箇所配線パタン10b、配線パタン10c設けているが、図6に示したように誘電体基板を二枚に分割しても良い。図6において、誘電体基板10aと誘電体基板10dの二枚の誘電体基板が用いられており、それぞれの表面に具備される配線パタン10b及び配線パタン10cが、それぞれリード端子2a2bに電気的に接続されている。また、誘電体基板10a10dの裏面は全面メタライズ処理されており、ステムマウント1cに接続されている。さらに、誘電体基板10a10dは容量を調整するための厚み調整部10e10fを具備し、図6cdに示したように応力緩和用のスリット10h10iを備えている。図6に示した各誘電体基板の材質、厚さ、配線パタンの大きさは図4に示した実施例と同様であるため、本発明の第2実施形態である光モジュールと同様の効果が得られることは明らかである。これまで述べてきたように、図4に示した本発明の第2の実施形態においては、誘電体基板10aに具備される配線パタン10b10cは、それぞれリード端子2a2bに半田または銀ペースト等の導電性接着剤を介して電気的に接続されていることで、リード端子部2a2bに容量成分を付加していることを特徴としている。しかしながら、前記配線パタン10b10cをそれぞれリード端子2a2bに電気的に接続しなくとも同様の効果が得られる。この場合は、リード端子2a2bと誘電体基板10aの裏面全面メタライズ部グランド間には、誘電体基板10a図4の第2実施例の場合は、比誘電率100だけでなく大気比誘電率10、なお、キャン型LDパッケージを、キャップと不活性ガス等により気密封止する場合は、該不活性ガス等の比誘電率を考慮するも含まれるため、図4に示した第2実施例において付加した容量より小さいものの、特性インピーダンス差を低減できる容量が付加されることになる。また、同様の理由により、表面に前記配線パタン10b10cを具備せず裏面に全面メタライズ部のみを具備する誘電体基板10aを、リード端子2a2bとステムマウント1cの間隙に設置し、前記誘電体基板10a10dの裏面の一部を、それぞれステムマウント1cに電気的にグランドに接続するだけでも同様の効果が得られる。なお、厚み調整部10e10fの厚さは、基準厚み部10gより厚い形態のみに限定されることなく、薄い形態であっても構わない。この場合、付加容量値を効果的に増大できる効果がある。裏面メタライズが周期的にパターニングされている誘電体基板を用いた光モジュール以下、図7に基づいて本発明の第3実施形態の光モジュールについて詳細に説明する。図7a図7bはそれぞれ、第3実施形態の光モジュールの側面図、上面図であり、図7cは、第3実施形態の光モジュールに導入される誘電体基板の裏面図である。図7において、誘電体基板10a及び前記誘電体基板10aの裏面にメタライズパタン部11a11bが形成されていること以外は図10に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている図10及び図7において同一の部材には、図10と図7で共通の番号を振っている。そのため、誘電体基板10aの追加を行っただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。なお、誘電体基板10aは、リード端子2a,2bとステムマウント1cの間隙に設置されている。また、誘電体基板10aの裏面は図7cに示したように、メタライズパタン部11a11bを除き全面メタライズ処理され、全面メタライズ部の一部はステムマウント1cに半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的に接続されているため、裏面はグランドと同位で接地している。また、誘電体基板10aのx軸方向の幅が、リード端子2aとリード端子2bの間隔よりも大きくなっている。誘電体基板10aの裏面に形成されたメタライズパタン部11a,11bは、誘電体基板10aを間にして、リード端子2a,2bと対向する位置に配置されている。メタライズパタン部11aでは、リード端子2aの軸方向z軸方向に沿い、メタライズ処理がされている面積部分であるパタン12a14a16aと、メタライズ処理がされておらず誘電体基板10aの裏面が露出している面積部分であるパタン13a15aとが、交互に周期的に形成されている。同様にメタライズパタン部11bでは、リード端子2bの軸方向z軸方向に沿い、メタライズ処理がされている面積部分であるパタン12b14b16bと、メタライズ処理がされておらず誘電体基板10aの裏面が露出している面積部分であるパタン13b15bとが、交互に周期的に形成されている。なお、本実施の形態では、誘電体基板10aの表面にはメタライズ部は形成しておらずリード端子2a2bと誘電体基板10aの表面とは物理的に離間している。そのため、リード端子2a2bにおいて、それぞれ誘電体基板10aと対向している部分は、誘電体基板10aの誘電率、誘電体基板10aとリード端子2a2bとの間隙に存在する気密封止ガスの誘電率、誘電体基板厚及びメタライズの面積により定まる容量成分が付加されるが、このとき、誘電体基板の裏面は、図7cに示したように異なったメタライズ面積が周期的に形成されたメタライズパタン部11a11bを有しているため、伝送線路3a3bにおいて一様な容量が付加されないことを第3実施例の特徴としている。図7に示す光モジュールは、10Gbit/s級の高速光信号を送信するための光通信システム用モジュールであり、光半導体素子としてLD素子5が搭載されている。LD素子5としては、温度特性に優れるInGaAlAsを含む多重量子井戸構造を活性層に有する分布帰還型LDDFBLDが好適である。図7に示す第3実施形態の光モジュールにおいて、ステム外部からの10Gbit/s級の差動駆動電気信号N信号、P信号のうち、N信号は、伝送線路101a102a103aを経由し、ワイヤ4aを介し、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6bを経てLD素子の下面図示せずに形成されたカソード側に供給される。P信号も同様に、伝送線路101b102b103bを経由し、ワイヤ4bを介してLD素子5のアノード側に供給される。ここで、N信号に着目すると、メタライズパタン部11aを有する誘電体基板10aの導入により、伝送線路103aの誘電体基板10aとリード端子2aが対向する部分においては、特性インピーダンスが下がる部分と特性インピーダンスが僅かに下がる部分が周期的に現れる。すなわち本実施例における伝送線路103aは、高周波伝送に好適なリード端子2aとメタライズパタン部11aで構成されたLC3段構成の疑似分布定数線路となっていることを特徴とする。なお、伝送線路103aにおいて特性インピーダンスが下がる部分とは、図7cに示すパタン12a14a16aの部分であり、特性インピーダンスが僅かに下がる部分とは図7cに示すパタン13a15aの部分である。なお、パタン12a13a14a15a16aは周期的に形成されている。以上より、誘電体基板の導入により伝送線路3aの特性インピーダンスを高周波領域までほぼ一様に低下させ、その結果伝送線路102a―103a間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102a―103a間のN信号の反射を大幅に抑制することが可能となる。同様に、P信号においては、メタライズパタン部11bを有する誘電体基板10aの導入により、伝送線路103bの誘電体基板10aとリード端子2bが対向する部分においては、特性インピーダンスが下がる部分と特性インピーダンスが僅かに下がる部分が周期的に現れる。すなわち本実施例における伝送線路103bは、高周波伝送に好適なリード端子2bとメタライズパタン部11bで構成されたLC3段構成の疑似分布定数線路となっていることを特徴とする。なお、伝送線路103bにおいて特性インピーダンスが下がる部分とは、図7cに示すパタン12b14b16bの部分であり、特性インピーダンスが僅かに下がる部分とは図7cに示すパタン13b15bの部分である。なお、パタン12b13b14b15b16bはそれぞれ周期的に形成されている。以上より、誘電体基板の導入により伝送線路103bの特性インピーダンスを高周波領域までほぼ一様に低下させ、その結果伝送線路102b―103b間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102b―103b間のP信号の反射を大幅に抑制することが可能となる。このように駆動電気信号N信号、P信号の反射を抑制することができるため、高周波特性を向上することができる。図8に、実際に本実施例における誘電体基板を導入したキャン型LDパッケージの高周波特性を示す。なお、誘電体基板の材質にはアルミナAl2O3、比誘電率100を用い、基板厚は100μmである。測定は、N信号側について行った。図8に示すように、誘電体基板を導入しない従来の方式では周波数10GHzにおいて、S21透過特性-2dB、S11反射特性-5dBと非常に劣化した。一方、誘電体基板を導入した場合、S21-1dB、S11-9dBと改善した。よって、高周波特性の悪い安価なキャン型パッケージを用いても、非常に安価な誘電体基板を追加するだけの本実施形態により、10Gbit/s級の高速信号で駆動しても良好な高周波特性が得られる。なお、誘電体基板の厚さは、リード端子2a2bとステムマウント1cとの間隙に設置するため、150μm以下であることが望ましい。そのため、誘電体基板の材質としては窒化アルミAlN、比誘電率8~9やアルミナAl2O3、比誘電率9~10など比誘電率が高い材質が望ましい。なお,疑似分布定数線路効果を最大にするためには、メタライズパタン部11a,11bにおいて,パタン12a,14a,16a及びパタン12b,14b,16bがそれぞれ等間隔に配置することが好適であるが、等間隔でなくても一定の効果を奏するため、必ずしもこれに限定されるものではない。なお、図7に示した本発明の第3の実施形態においては、同一の誘電体基板の裏面にメタライズパタン部を2箇所メタライズパタン部11a11b設けているが、図9に示したように誘電体基板を二枚に分割しても良い。図9において、誘電体基板10aと誘電体基板10bの二枚の誘電体基板が用いられており、それぞれリード端子2a2bに対向するように設置される。また、誘電体基板10a10bの裏面は、それぞれ図9cdに示したように異なったメタライズ面積が周期的に形成されたメタライズパタン部11a11bを有し、メタライズパタン部11a11b以外の部分がステムマウント1cに接続されている。図9に示した各誘電体基板の材質、厚さ、メタライズ部の大きさは図7に示した実施例と同様であるため、本発明の第3実施形態である光モジュールと同様の効果が得られることは明らかである。また、図7及び図9に示した本発明の第3の実施形態においては、同一の誘電体基板の裏面に異なったメタライズ面積が周期的なメタライズパタン部を形成するのみでなく、表面にも同様のメタライズパタン部を具備することによっても、本発明の第3実施形態である光モジュールと同様の効果が得られることは明らかである。更に、誘電体基板の表面にのみ、メタライズパタン部を具備することも可能である。"