多結晶シリコンインゴットを製造する方法において、プロセスチャンバー内にるつぼを設置し、るつぼは固体のシリコン材料またはシリコン材料であらかじめ満たされ、るつぼ内の固体のシリコン材料を溶融温度以上に加熱して溶融シリコンを形成し、プロセスチャンバー内に位置し且つ少なくとも一つのガス供給用の通路を備えたプレート要素を下降させ、溶融シリコンの固化温度以下にるつぼ内のシリコン材料を冷却し、溶融シリコンの固化の期間の少なくとも1区間の間、るつぼ内の溶融シリコン表面にガス流れを導き、そのガス流れはプレート要素の少なくとも一つの通路を介して少なくとも一部が溶融シリコンの表面に導かれるようにし、プレート要素を下降させている間に追加のシリコン材料の少なくとも一部がるつぼ内の溶融シリコンに浸積されるように、るつぼにおいてシリコン材料を加熱する前に追加の固体のシリコン材料をプレート要素に装着し、これによってるつぼ内の溶融シリコンの充填レベルを上昇させることを特徴とする多結晶シリコンインゴットの製造方法。追加のシリコン材料はシリコンロッドまたはシリコンディスクからなることを特徴とする請求項1記載の方法。るつぼ内の固体のシリコン材料の量および追加のシリコン材料の量は、るつぼ内で所定の溶融シリコンの総量を達成するために調整されていることを特徴とする請求項1又は2記載の方法。多結晶シリコンインゴットを製造する装置1において、るつぼ6を保持するためのるつぼホルダーを有したプロセスチャンバー4と、プロセスチャンバー内でるつぼホルダーの上方に配置され、且つ少なくとも一つの通路30を備えたプレート要素11と、プレート要素11内の少なくとも一つの通路30を通って伸びる少なくとも一つのガス供給チューブ13と、プロセスチャンバー4の外側に設けられ、プレート要素11の下方の領域にガス供給チューブ13を通してガス流れを供給する少なくとも一つのガス供給ユニットとを備え、プレート要素11を昇降させる昇降機構をさらに備え、プレート要素11はシリコン材料26を装着するための手段を備えていることを特徴とする多結晶シリコンインゴットの製造装置。るつぼ6の側壁の内部寸法に対応した内部寸法を有する保持リング40と、保持リング40用の昇降機構を備えたことを特徴とする請求項4記載の装置。保持リングは、窒化ケイ素から構成されるか又は内周に窒化ケイ素コーティングを有することを特徴とする請求項5記載の装置。るつぼホルダーに対して横方向に間隔をおいて設けられた少なくとも一つの側部ヒーター9と、少なくとも一つのガス出口10と、少なくとも一つのフォイルカーテン14とを備え、少なくとも一つのフォイルカーテン14は少なくとも一つの側部ヒーター9とるつぼ6との間に設けられ、少なくとも一つのガス供給チューブ13からのガス流れは、少なくとも一つの側部ヒーターに沿って流れることなく、少なくとも一つのガス出口10に向かって案内されるようになっていることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の装置。プレート要素11はヒーターとして形成されていることを特徴とする請求項4乃至7のいずれか1項に記載の装置。公知の装置を考慮すると、本発明で解決すべき課題は、相界の良好な制御が可能である多結晶シリコンインゴットの製造装置及び方法を提供することである。本プロセスにおいて柔軟性を持って制御することが可能である。また本発明の目的は、多結晶シリコンインゴットを製造している間、容易且つ安価な方法でるつぼ内の溶融シリコンの充填高さを所望の高さにすることである。本発明によれば、請求項1に係る多結晶シリコンインゴットの製造方法及び請求項4に係る多結晶シリコンインゴットの製造装置を提供できる。本発明の他の実施形態は従属項に含まれるものである。本方法において、るつぼはプロセスチャンバー内に配置され、るつぼは固体のシリコン材料であらかじめ充填されるか、またはプロセスチャンバ内でるつぼに固体のシリコン材料が充填される。続いて、プロセスチャンバーが閉じられている間、るつぼ内のシリコン材料は溶融点以上に加熱され、これによって、るつぼ内で溶融シリコンを生成し、その後、溶融シリコンはるつぼ内で固化温度以下に冷却される。プロセスチャンバーに位置し、ガスを導入するための少なくとも1つの通路を備えているプレート要素は、るつぼの上方に下げられる。溶融シリコンの固化の少なくとも一区間の間、ガス流れは溶融シリコンの表面へ向けられ、このガス流れはプレート要素の少なくとも一つの通路によって溶融シリコンの表面へ少なくとも部分的に向けられる。確かに、加熱及び/又は冷却プロセスの間も、ガス流は、るつぼ内に位置するシリコンの表面へ向けられる。表面とプレート要素との間に形成された空間にある溶融シリコンの表面にガスを向けることによって、冷却パラメータの良好な調整能力が得られ、また、溶融材料の表面雰囲気の良好な調整能力が得られる。溶融シリコンの固化の時間という用語は、液相から固相へのシリコンの相変化が起こる時間を意味する。プロセスチャンバーを閉じる前に、追加のシリコン材料がプレート要素に装着され、プレート要素を下降させている間、追加のシリコン材料の少なくとも一部はるつぼ内の溶融シリコン内に浸積され、溶融し、これゆえるつぼ内の溶融シリコンの位置レベルが増加する。このように、プレート要素はガス供給要素および再充填ユニットとして機能する。追加のシリコン材料は好ましくはシリコンロッドおよびシリコンディスクの少なくとも一方の形状であり、これらの形状の結果、工程における処理が容易となる。またそのようなシリコン材料のサイズによってプレート要素への装着が容易となる。るつぼ内のシリコン材料の充填高さの良好な調整のために、るつぼ内における固体のシリコン材料の量および追加のシリコン材料の量は互いに釣り合っている。これは、材料の重量によって可能となる。本発明の装置によれば、るつぼを受けるためのるつぼホルダーを有したプロセスチャンバーと、プロセスチャンバー内でるつぼホルダーの上方に配置され且つガス供給用の少なくとも一つの通路を備えたプレート要素と、随意の昇降機構と、プレート要素内の少なくとも一つの通路を通って伸びる少なくとも一つのガス供給チューブと、プロセスチャンバーの外側に設けられ、プレート要素の下方の領域にガス供給チューブを通してガス流れを供給する少なくとも一つのガス供給ユニットとを備えている。充填ユニットとして機能するためにプレート要素はシリコン材料を装着すなわち保持する手段を備えている。特に、追加の案内要素を必要としないように、追加のシリコン材料はプレート要素を動かすことのみによって溶融シリコン内に導入可能である。そのような装置は方法に関して既に述べた利点を有している。また、装置は、プロセスチャンバー内に配置された保持リングを備えてもよく、この保持リングは、るつぼの内部寸法に対応する内部寸法を有し、さらに装置は保持リング用の随意の昇降機構を備えてもよい。保持リングはシリコン材料を溶融する前にるつぼの上方でシリコン材料を保持することができ、それによってプロセスの間るつぼ内における溶融シリコンの充填高さを向上させる。随意の昇降ユニットは、プロセスの間にシリコン材料を溶融した後にるつぼから保持リングを上昇させることが可能となっており、保持リングはプロセスに悪影響を与えることはない。好ましくは、保持リングは窒化ケイ素からなるか、または少なくとも内周面に窒化ケイ素コーティングを有している。本発明の実施形態によれば、るつぼホルダーに対して横方向に配置されている少なくとも一つの側部ヒーターと、少なくとも一つのガス出口と、少なくとも一つのフォイルカーテンとが設けられている。少なくとも一つのフォイルカーテンは少なくとも一つの側部ヒーターとるつぼとの間に設けられ、少なくとも一つのガス供給チューブからのガス流れは、少なくとも一つの側部ヒーターに沿って流れることなく、少なくとも一つのガス出口に向かって案内されるようになっている。これゆえ、溶融シリコンの表面上に案内され、そして溶融シリコンの表面に接触した後のガス流れは、るつぼに面しているフォイルカーテンの表面に沿ってガス出口に向かって案内され、これゆえガス流れは、側部ヒータの領域に到達することはない。そのようなフォイルカーテンは、プロセスのスペースからのガス溶融シリコンに起因するガス状シリコンが直接に側部ヒータに接触しないように側部ヒータを保護する。ガスは、時間がたつと側部ヒータを覆い、すなわち側部ヒータを破壊する恐れがある。フォイルカーテンは、好ましくは耐熱性があり、且つガスが通らない材料からなり、さらに容易な取り替えが可能であるような方法でプロセスチャンバ内に装着されている。プロセスによって起こるひずみによって、数回のプロセスサイクルの後にフォイルカーテンの機能が劣化したときには、容易にフォイルカーテンは取り替え可能である。プレート要素は、加熱装置として形成することも可能であり、また、加熱装置を支持することも可能である。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。本明細書において、上部、底部、左側、及び右側等の用語は、図面等と関連して使用しているものであって、限定するものとしては見なされることはなく、これらの用語は好ましい実施形態について用いているものである。図1は多結晶シリコンインゴットを製造する装置1の概略断面図である。装置1はプロセスチャンバー4を形成する隔離箱3を備えている。プロセスチャンバー4には、るつぼ6を保持する保持ユニット詳細には図示せず、底部加熱ユニット8、横方向すなわち側部の加熱ユニット9が設けられている。少なくとも一つのガス出口10は隔離箱3の側壁の下端部に設けられている。プレート要素11はるつぼ6用のホルダの上方に設けられており、また上方から隔離箱3を通って且つプレート要素11の間を通ってプロセスチャンバー内に延びるガス供給チューブ13が設けられている。また、フィルムカーテン又はフォイルカーテン14は、側部ヒーター9とるつぼ6との間に位置しており、フォイルカーテン14は、上部側部加熱ユニットの上方に固定されている。隔離箱3は適当な絶縁材料からなり、この絶縁材料は公知であるため、隔離箱3は詳細には説明しない。プロセスチャンバー4内の所定のプロセス雰囲気を調整することが可能であり、プロセスチャンバー4は図示されない手段によってガス供給チューブおよびガス出口チューブ等に接続されている。これらの手段のうち、ガス供給チューブ13及びガス出口10のみが示されている。るつぼ6は、炭化ケイ素、溶融シリカ、窒化ケイ素、または窒化ケイ素でコーティングされた溶融シリカ等の適当な公知の材料から構成されており、その材料は製造プロセスには影響を与えることなく、また、シリコン材料を溶融する時の高温に対して耐える材料である。通常、るつぼ6は熱膨張によってシリコンインゴット製造プロセスの間に少なくとも部分的に壊れ、これ故、るつぼ6は完成品のシリコンインゴットすなわちシリコンブロックの取り出しのために容易に除去可能である。るつぼ6は頂部が開口した容器状であり、図1に示すように、シリコン原材料20を頂部縁部まで満たすことが可能である。るつぼに充填するためには、例えばシリコンロッドを用いることが可能であり、これらシリコンロッドの間の空間には、図1の左側で示すように砕いたシリコン材料を少なくとも部分的に充填する。この手段によって、程度が高い充填が可能であるが、エアポケットが充填されたるつぼには残っている。この結果、シリコン材料20を溶融した時には、るつぼ6を完全には満たしていない状態のシリコン材料になり、図2に示すように網目状の領域が溶融シリコン22である。底部加熱ユニット8および側部加熱ユニット9は、図2に示すように、原材料20を溶融して溶融材料22を形成するような適当な方法で、プロセスチャンバー4と、特にるつぼ6及びるつぼ6内に位置するシリコン原材料20とを加熱することが可能な加熱ユニットである。るつぼ6の上方に位置するプレート要素11は、シリコン原材料を溶融するために用いられる温度で溶融することはなく、且つプロセスに汚染を導入することがないような材料から構成されている。プレート要素11はプロセスチャンバーの内部にある機構詳細には図示せずによって上昇又は下降される。この点は、図3及び図4により詳細に説明される。プレート要素11の底部側には、プレート要素11の下方でシリコンロッド26等の追加のシリコン原材料を保持することが可能な保持ユニット24が設けられている。図1に示す構造では、4つのシリコンロッド26が示されており、これら4つのシリコンロッド26はプレート要素11の下方に一列に配置されている。追加のそのような保持要素は、追加のシリコンロッド26を保持するために深さ方向すなわち図の紙面に垂直な方向に設けられている。更に、保持要素24は円盤形状或いは長さが異なるロッド形状のシリコン原材料を保持することが可能である。保持要素は、単純なロッド、例えばシリコンロッドにねじ接続されたロッドとして示されている。保持要素はシリコンロッド26を支持するようになっているグリッパー或いは他の要素であってもよい。また、保持要素は溶融シリコンを汚染させない耐熱材料からなることが好ましい。プレート要素11はるつぼ6の内周に対応した形状をしている。プレート要素は、中央部にガス供給チューブ13が延びる中央通路30を備えている。ガス供給チューブ13はグラファイト等の適当な材料からなっている。ガス供給チューブ13は、プロセスチャンバー4から隔離箱3を通って外部に延び、例えば、アルゴンを供給する適当なガス供給ユニットに接続されている。ガスはガス供給チューブ13によってプロセスチャンバー4に供給される。この点については、以下に、より詳細に説明する。ガス供給チューブ13は、プレート要素の上昇又は下降の間、プレート要素11をガイドするように設けられている。フォイルカーテン14を固定するための固定要素は側部加熱ユニット9の上方に示されている図1。図1乃至図4に示されるように、フォイルカーテン14は、側部加熱ユニット9とるつぼ6間の領域に延びている。また、フォイルカーテンがプロセスチャンバー4の上部領域を少なくとも部分的に覆うようにしてもよい図6。フォイルカーテン14は、耐熱材料で且つ気密性がある材料からなっている。図1乃至図4を参照して本発明の装置の動作を説明する。これらの図は異なったプロセスステップにおいて同一の装置を示している。図1は、実際の製造プロセスの開始前の装置1を示している。るつぼ6は、上部縁部までシリコン原材料20で満たされている。図に示すように、シリコンロッドと粒状のシリコンがるつぼ6を満たすために用いられた。シリコンロッド26は保持要素24によってプレート要素11に固定されている。装置1がそのように準備されたのち、シリコン原材料20は、底部加熱ユニット8および側部加熱ユニット9による熱入力によってるつぼ6内で溶融される。側部加熱ユニット9および底部加熱ユニットは、このプロセス間、熱入力が最初に下部から起こるように制御され、シリコンロッド26はプレート要素11によってるつぼ6の上方で保持されて温められるが、溶融することはない。シリコン原材料20が完全に溶融したとき、図2に示すように、溶融シリコンまたはシリコン溶融物22がるつぼ6内に形成される。プレート要素11に固定されたシリコンロッド26は、この時点では溶融していない。その後、図3に示すように、シリコンロッド26を溶融シリコン22中に浸漬させるために、プレート要素11は、昇降機構詳細には図示せずによって下げられる。こうして、図3に示すように、るつぼ内の溶融シリコンの充填レベルは実質的に上昇する。浸漬されたシリコンロッド26は、溶融シリコン22との接触によって、また底部ヒータ8および側部ヒータ9による付加的な熱入力によって、完全に溶融し、溶融材料22と混合される。次に、保持要素24が溶融シリコン22に接触しない限りにおいて、プレート要素は図3による位置に維持することが可能である。保持要素が溶融シリコンに接触する場合、図4に示すように、保持要素24を溶融材料22に対して上昇させるために、プレート要素11をわずかに上昇させる。このとき、るつぼ6内の溶融シリコン22を冷却するために、底部ヒーター8および側部ヒーター9による熱入力は実質的に減らされるか、切られる。図示されない手段によって、溶融材料22の固化が底部から上部に向かって起こるように、冷却を制御する。図4は、溶融材料22が頂部にまだ存在している間に、るつぼ内で固化しているシリコン材料の下部32を示している。固化の間のある時点で、特に固化の最後に、アルゴン等のガスがガス供給チューブ13を介して溶融シリコン22の表面へ供給される。図4に示すように、ガスは溶融シリコン22の表面上をるつぼの縁部に向かって半径方向に流れ、その後、るつぼ6とフォイルカーテン14との間をガス出口10に向かって流れる。フォイルカーテン14は、側部加熱ユニット9が溶融シリコンの表面上を流れるガス状シリコンからなるガスと接触することを防止する保護部として機能する。側部加熱ユニット9を、フォイルカーテン1と隔離箱3との間に個別に導入される付加的なガスによって囲むことも可能である。この付加的なガスは、側部加熱ユニット9の材料と化学的に反応することがなく、また溶融シリコンの表面からのガス流と化学的に反応することはない例えばアルゴン、あるいは他の不活性ガス。このようにして、溶融シリコン22上を流れるガスであってガス状シリコンからなるガスは、加熱ユニットに到達することが防止される。側部加熱ユニット9上を流れる付加的なガスおよび溶融シリコン22上を流れるガスはガス出口10から排出される。溶融シリコン22が完全に固化すると、るつぼ6内にシリコンインゴットが形成され、このシリコンインゴットは最終製品となる。インゴットがプロセスチャンバー4から除去される前には、インゴットはプロセスチャンバー内で取扱温度まで冷却される。図5および図6は本発明にかかる多結晶シリコンインゴットを製造する装置1の別の実施形態を示す。同一または類似の要素に対して同一の参照符号が図5および図6においては用いられている。また、装置1はプロセスチャンバー4を内部に形成する隔離箱3から基本的に構成される。るつぼ6用のホルダーはプロセスチャンバー4内に設けられている。底部加熱ユニット8および側部加熱ユニット9はプロセスチャンバー内に設けられている。さらに図6に示すように、フォイルカーテン14はプロセスチャンバー4内に設けることが可能であり、フォイルカーテン14は隔離箱の天井領域に少なくとも部分的に沿って伸びることが可能である。フォイルカーテンは14は張り出し屋根のようにるつぼの側壁に少なくとも部分的にオーバーラップするように配置され、全ての側部ヒーターがオーバーラップした領域の外側に位置するようにフォイルカーテン14は配置されている。これらの要素は図1乃至図4の実施例の要素に類似しており、これゆえ重複した説明を避けるために詳細には説明しない。プロセスチャンバー内には、プレート要素11がるつぼ6の上方に設けられている。プレート要素11は多結晶シリコンインゴットの製造に悪影響を与えない適当な材料から構成されている。本実施形態のプレート要素11図5および図6は追加のシリコン材料を受けるためのフォルダーを備えていない。プレート要素11は、複数のガス供給チューブ13を案内する複数の通路30を備え、各通路はプロセスチャンバー4から隔離箱3を通って外側に伸びている。ガス供給チューブ13は、図1によるガス供給チューブ13と同一のタイプでも良い。しかしながら、より多くのガス供給チューブが設けられる。図5においては、3個のガス供給チューブ13が幅方向に示されている。また、装置の深さ方向において、3個のガス供給チューブ13が一列に配置され、全部で9個のガス供給チューブが設けられている。もちろん、異なった数のガス供給チューブ13を設けてもよい。また、プレート要素11は、さらに複数のガス出口チューブ図示せずを通す複数の通路を備えてもよく、これに対応した数のガス出口チューブを設けてもよい。そして、溶融シリコンに供給されたガスは、ガス出口チューブを介して排出される。これによって、溶融シリコンの表面上を流れるガスが、側部ヒーターに沿って流れることなく、ただちに上方に排出されるという利点がある。また、保持リング40がプロセスチャンバー4に配置されている。図5に示されるように、保持リング40は、るつぼ6の側壁の内周に実質的に対応した内周の形状を有している。保持リングは、シリコン原材料20の溶融プロセスの間、溶融しないような窒化ケイ素等の適当な再使用可能な材料から構成されている。また、窒化ケイ素は、比較的に頑強であり、溶融シリコンによって濡らされることはなく、すなわち保持リング40と接触する溶融シリコンは下方に向かって流れる。保持リング40は図示されない機構によって昇降可能になっている。この点は、以下においてより詳細に説明する。装置1の動作を図5および図6を参照して説明する。るつぼ6は、図5に示されるように、プロセスチャンバー4内に装填され、シリコン原材料20で満たされる。シリコン原材料20は、例えばシリコンロッドおよびシリコン粒からなっている。また、るつぼ6は、その上縁までシリコン原材料が装填される。続いて保持リング40はるつぼ6の縁部に位置するか、またはるつぼ6の縁部に接近して位置する。その後、追加のシリコン原材料、例えばシリコンロッドの形の追加の原材料が保持リング40に装填される。これゆえ、図5に示すように、るつぼ6のロードは、シリコン原材料がるつぼ6の上縁の上方まで伸びるようにすることが可能である。そのようなロードは、明らかにプロセスチャンバー4の外側で可能であり、るつぼ6および保持リング40は、材料を満たした後にプロセスチャンバー4内に装填可能である。続いて、るつぼ6内のシリコン原材料20および保持リング40の領域にある追加のシリコン原材料はるつぼ内で完全に溶融して、溶融シリコン22を形成する。材料の総量は、溶融シリコン22がるつぼ6内に完全に受け入れることが可能なように選定される。これは、シリコン原材料を装填する前に既に使われたシリコン原材料の重さを測定することによってなし得る。溶融シリコンが形成された時点で、保持リング40はるつぼ6から上昇させることが可能である。図6に示すように、プレート要素11はるつぼ6内の溶融シリコン22に隣接した位置まで下げることが可能である。フォイルカーテン14は、図6にも示すように、側部ヒーター9とるつぼ6との間の位置にもたらされる。るつぼ6内の溶融シリコンは、この時点で、多結晶シリコンインゴットを形成するため方向性がある固化が起こるように制御された方法で冷却される。図6は、下部32において部分的に固化したシリコンインゴットと上部においてまだ溶融しているシリコン22とを示す。図6の流れ矢印によって示すように、冷却工程の少なくとも一部の間、アルゴン流等のガス流れは、再びガス供給チューブ13を介して溶融シリコン22の表面に向かう。また、制御された流れ空間がプレート要素11と溶融シリコンの表面との間に形成される。保持リング40が上昇されるので、保持リングは各々のガス流れに悪影響を与えることはない。完全な固化の後、多結晶シリコンインゴットが完成され、そして多結晶シリコンインゴットは、プロセスチャンバーから取り出される前にプロセスチャンバー4内で取扱温度まで冷却される。本発明は、特定の実施形態に限ることなく本発明の好ましい実施形態とともに説明をした。特に、異なった実施形態の要素を互いに組み合わせたり、またはそれらの要素を異なった実施形態と交換することも可能である。プレート要素は他の再装填ユニットと組み合わせ可能であり、またプレート要素は加熱ユニットとしても形成することが可能である。プレート要素は調整可能な天井ヒーターとして使用可能である。