マンガン原子の含有量が03質量ppm以下で、ケイ素原子の含有量が01質量ppm以下、且つアルミニウム原子の含有量が01質量ppm以下であることを特徴とする、高純度ビスマグネシウム。一般式1式中、R1及びR2は、同一又は異なっていても良く、炭素数1~6のアルキル基を示す。で示されるジアルキルマグネシウムと、ジアルキルマグネシウム1モルに対して、205~218モルのシクロペンタジエンを反応させた後、得られたビスマグネシウムを減圧下で昇華精製させることを特徴とする、高純度ビスマグネシウムの製法。ジアルキルマグネシウムが、一般式2式中、R3は、炭素数6~12のアルキル基を示す。で示されるトリアルキルアミンで処理したものである請求項1記載の高純度ビスマグネシウムの製法。ジアルキルマグネシウムが、nブチルエチルマグネシウムである請求項1記載の高純度ビスマグネシウムの製法。シクロペンタジエンが、ジシクロペンタジエンを140~170°Cでクラッキング反応させた後に25°C以下に冷却したものである請求項1記載の高純度ビスマグネシウムの製法。トリアルキルアミンが、トリnドデシルアミンである請求項2記載の高純度ビスマグネシウムの製法。本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、簡便な方法により、高純度ビスマグネシウム及びその製法を提供することにある。本発明の課題は、マンガン原子の含有量が03質量ppm以下で、ケイ素原子の含有量が01質量ppm以下、且つアルミニウム原子の含有量が01質量ppm以下であることを特徴とする、高純度ビスマグネシウムによって解決される。本発明の課題は、又、一般式1式中、R1及びR2は、同一又は異なっていても良く、炭素原子数1~6のアルキル基を示す。で示されるジアルキルマグネシウムと、ジアルキルマグネシウム1モルに対して、205~218モルのシクロペンタジエンを反応させた後、得られたビスマグネシウムを減圧下で昇華精製させることを特徴とする、高純度ビスマグネシウムの製法によっても解決される。本発明により、各種半導体製造等におけるドーパント剤として有用な高純度ビスマグネシウムを得ることができる。本発明に反応において使用するジアルキルマグネシウムは、前記の一般式1で示される。その一般式1において、R1及びR2は、同一又は異なっていても良く、炭素数1~6のアルキル基を示し、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられるが、好ましくはR1及びR2がそれぞれ独立してnブチル基及びエチル基である即ち、ジアルキルマグネシウムが、nブチルエチルマグネシウム。なお、これらの基は、各種異性体も含む。前記ジアルキルマグネシウムは、ニート品をそのまま使用することもできるが、安全性の面から、nヘプタン等の脂肪族炭化水素類やトルエン等の芳香族炭化水素類等のジアルキルマグネシウムに対して不活性な有機溶媒に溶解させたものを使用するのが望ましい。前記ジアルキルマグネシウムは、一般式2式中、R3は、炭素数6~12のアルキル基を示す。で示されるトリアルキルアミンで処理含有するアルミニウム化合物を除去したものを使用するのが望ましい。その一般式2において、R3は、炭素数6~12のアルキル基であり、例えば、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基が挙げられるが、好ましくはnドデシル基である即ち、トリアルキルアミンが、トリnドデシルアミン。なお、これらの基は、各種異性体も含む。前記トリアルキルアミンの使用量は、ジアルキルマグネシウム1モルに対して、好ましくは01~10モル、更に好ましくは02~05モル、特に好ましくは02~03モルである。なお、これらのトリアルキルアミンは、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。前記ジアルキルマグネシウムのトリアルキルアミンによる処理含有するアルミニウム化合物を除去は、例えば、ジアルキルマグネシウム又はその有機溶媒溶液とトリアルキルアミンとを混合し、攪拌させながら処理する等の方法によって行われる。その際の処理温度は、好ましくは60~100°C、更に好ましくは80~100°Cであり、処理圧力は特に制限されない。本発明の反応において使用するシクロペンタジエンは、ジシクロペンタジエンを140~170°Cでクラッキング反応させた後に25°C以下に冷却したものを用いるものが望ましい。なお、その際の圧力は特に制限されない。前記シクロペンタジエンの使用量は、ジアルキルマグネシウム1モルに対して、205~218モルである。なお、205モルよりも少ないとビスマグネシウム中のケイ素原子及びアルミニウム原子の含有量が多くなり、218モルよりも多いとビスマグネシウム中のマンガン原子の含有量が多くなる実施例と比較例との対比。本発明の高純度のビスマグネシウムの製造は、例えば、前記の方法で予め処理したジアルキルマグネシウムと、ジアルキルマグネシウム1モルに対して205~218モルのシクロペンタジエン前記の方法で得たシクロペンタジエニルを25°C以下に冷却しているを混合し、攪拌させながら反応させた後、得られたビスマグネシウムを減圧下で昇華精製させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは25~60°C、更に好ましくは30~50°Cであり、反応圧力は特に制限されない。又、昇華精製の温度は、好ましくは80~100°C、更に好ましくは85~90°Cであり、その際の圧力は、好ましくは01~12kPa、更に好ましくは02~09kPaである。なお、昇華精製の際には、前記のトリアルキルアミンを存在させて行うのが望ましい。次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。なお、ビスマグネシウム中の金属原子の分析は、誘導プラズマ発光分析法ICPOES法により行った。実施例1シクロペンタジエンの合成攪拌装置、温度計及び還流冷却器を備えた内容積1000mlの反応器に、ジシクロペンタジエン610gを加え、常圧下、攪拌しながら160°Cでクラッキング反応させた。反応終了後、得られたシクロペンタジエンを15°C以下に冷却した受器に入れた。実施例2高純度ビスマグネシウムの合成攪拌装置、温度計及び還流冷却器を備えた内容積4000mlの反応器に、20質量nブチルエチルマグネシウムのnヘプタン溶液1887g及びトリnデシルアミン450gを加え、常圧下、攪拌しながら90°Cでnブチルエチルマグネシウムを処理した。次いで、該混合液に、実施例1で合成したシクロペンタジエン488gを、液温を40°C以下に保ちながらゆるやかに加え、同温度で875時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮nヘプタンを除去した後、得られた濃縮物ビスマグネシウムを含有を減圧下で昇華精製875°C、05kPaした。更に、得られた留出物ビスマグネシウムを含有にトリnドデシルアミン450gを加えた後、再び減圧下で昇華精製875°C、05kPaし、白色結晶として、ビスマグネシウム345gを得た単離収率;65。なお、得られたビスマグネシウムは、マンガン原子が僅か007質量ppm、ケイ素原子が僅か008質量ppm、アルミニウム原子が001質量ppm以下しか混入していない高純度品であった。実施例3高純度ビスマグネシウムの合成実施例2において、シクロペンタジエンの使用量を468gに変えたこと以外は、実施例2と同様に反応を行い、ビスマグネシウム319gを得た単離収率;60。なお、得られたビスマグネシウムは、マンガン原子が僅か002質量ppm、ケイ素原子が僅か009質量ppm、アルミニウム原子が001質量ppm以下しか混入していない高純度品であった。実施例4高純度ビスマグネシウムの合成実施例2において、シクロペンタジエンの使用量を493gに変えたこと以外は、実施例2と同様に反応を行い、ビスマグネシウム308gを得た単離収率;58。なお、得られたビスマグネシウムは、マンガン原子が僅か015質量ppm、ケイ素原子が僅か002質量ppm、アルミニウム原子が001質量ppm以下しか混入していない高純度品であった。比較例1ビスマグネシウムの合成実施例2において、シクロペンタジエンの使用量を490gに変えたこと以外は、実施例2と同様に反応を行い、ビスマグネシウム342gを得た単離収率;60。なお、得られたビスマグネシウムは、マンガン原子が001質量ppm、ケイ素原子が042質量ppm、アルミニウム原子が024質量ppm混入している低純度品であった。比較例2ビスマグネシウムの合成実施例2において、シクロペンタジエンの使用量を509gに変えたこと以外は、実施例2と同様に反応を行い、ビスマグネシウム266gを得た単離収率;49。なお、得られたビスマグネシウムは、マンガン原子が046質量ppm、ケイ素原子が007質量ppm、アルミニウム原子が002質量ppm混入している低純度品であった。