"カソードと、アノードと、発光層と、前記アノードと前記発光層との間に堆積された正孔注入層または電荷発生層とを含む電子デバイスであって、前記発光層は少なくとも1つの量子ドットと少なくとも1つの有機ホスト材料とを含むことを特徴とする電子デバイス。請求項1に記載の電子デバイスであって、前記電荷発生層または正孔注入層は5.6eVより高い、好ましくは6.0eVより高い仕事関数または電子親和力を有する、および/または前記正孔注入層または電荷発生層は遷移金属酸化物、酸化バナジウムVOx、酸化モリブデンMoOx、酸化ルテニウムRuOxおよび酸化タングステンWOxから選択される少なくとも1つの要素を含むことを特徴とする電子デバイス。請求項1または2に記載の電子デバイスであって、前記量子ドットのイオン化ポテンシャルもしくは価電子帯VBが前記有機ホストのHOMOより少なくとも0.3eV、好ましくは0.4eV、特に好ましくは0.5eV高い、または前記量子ドットの電子親和力もしくは伝導帯が前記ホスト材料のLUMOより少なくとも0.3eV、好ましくは0.4eV、特に好ましくは0.5eV低いことを特徴とする電子デバイス。請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電子デバイスであって、前記ホスト材料は、前記量子ドットより大きなバンドギャップを有するホスト材料、少なくとも-5.7eVより低いHOMOを有する有機化合物、および少なくとも-3.0eVより低いLUMOを有する有機化合物から選択される少なくとも1つの要素であることを特徴とする電子デバイス。請求項1ないし4のいずれか1項に記載の電子デバイスであって、前記量子ドットは-5.7eVより高い、好ましくは-5.5eVより高い、非常に好ましくは-5.3eVより高い価電子帯を有することを特徴とする電子デバイス。請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電子デバイスであって、前記量子ドットは、II-VI族、III-V族、IV-VI族、およびIV族半導体、好ましくはZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、および2以上のこのような半導体の適切な組合せから選択される少なくとも1つの要素を含む、および/またはこれらのコア/シェル、コアマルチシェル層状構造をもつことを特徴とする電子デバイス。請求項1ないし6のいずれか1項に記載の電子デバイスであって、前記量子ドットの濃度が、前記量子ドットが前記有機ホスト内で正孔トラップまたは電子トラップとして作用するように、好ましくは0.5ないし20体積、非常に好ましくは1ないし15体積、最も好ましくは2ないし10体積に選択されることを特徴とする電子デバイス。請求項1ないし7のいずれか1項に記載の電子デバイスであって、少なくとも1つのさらなる有機発光体、または前記量子ドットの発光スペクトルと重なる吸収スペクトルをもつ少なくとも1つのさらなる有機発光体を含む電子デバイス。少なくとも1つの量子ドットと1つの有機ホストとを含む混合物であって、前記量子ドットのイオン化ポテンシャルまたは価電子帯が、前記有機ホストのHOMOより少なくとも0.3eV、好ましくは0.4eV、非常に好ましくは0.5eV高い混合物。請求項9に記載の混合物であって、前記有機ホストは前記量子ドットより大きいバンドギャップを有することを特徴とする混合物。請求項9または10に記載の混合物であって、前記量子ドットは-5.7eVより高い、好ましくは-5.5eVより高い、非常に好ましくは-5.3eVより高い価電子帯VBを有する、および/または前記量子ドットは、II-VI族、III-V族、IV-VI族、およびIV族半導体、好ましくはZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、および2以上のこのような半導体の適切な組合せから選択される少なくとも1つの要素を含む、および/またはこれらのコア/シェル、コアマルチシェルの層状構造をもつことを特徴とする混合部。請求項9ないし11のいずれか1項に記載の混合物であって、前記有機ホストは、少なくとも-6.0eVより低いHOMOを有する有機化合物、小分子および/またはポリマーから選択される少なくとも1つの要素であることを特徴とする混合物。請求項9ないし12のいずれか1項に記載の混合物であって、前記量子ドットの濃度が、前記量子ドットが前記有機ホスト内で正孔トラップとして作用するように、好ましくは0.5ないし30重量、非常に好ましくは1ないし20重量、最も好ましくは5ないし15重量に選択されることを特徴とする混合物。請求項9ないし13のいずれか1項に記載の混合物であって、少なくとも1つのさらなる発光体、または前記量子ドットの発光スペクトルに重なる吸収スペクトルをもつ少なくとも1つのさらなる発光体を含む、および/または前記少なくとも1つのさらなる発光体は有機化合物または他の量子ドットから選択される混合物。好ましくは-5.7eVより高い、非常に好ましくは-5.5eVより高い、最も好ましくは-5.3eVより高いHOMOを有する正孔輸送単位を有するキャップを含む量子ドット。請求項15に記載の量子ドットであって、前記正孔輸送単位は、小分子正孔輸送材料、アミン、トリアリールアミン、チオフェン、カルバゾール、フタロシアニン、ポルフィリン、これらの異性体および誘導体から選択される少なくとも1つの基を含むことを特徴とする量子ドット。請求項15または16に記載の量子ドットを調製するための方法であって、前記量子ドットを配位子交換によって形成することを特徴とする方法。請求項9ないし14のいずれか1項に記載の混合物、または請求項15または16に記載の量子ドットを含む、またはアノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間の機能層とを含み、前記機能層が請求項9ないし14のいずれか1項に記載の混合物、または請求項15もしくは16に記載の量子ドットを含む電子デバイス。請求項1ないし8または18のいずれか1項に記載の電子デバイスであって、前記デバイスが発光デバイス、光変換デバイス、集光デバイス、光起電力デバイス、フォトダイオード、光センサデバイス、有機発光ダイオードOLED、ポリマー発光ダイオードPLED、有機発光電気化学セル、有機電界効果トランジスタOFET、薄膜トランジスタTFT、有機太陽電池O-SC、有機レーザダイオードO-laser、有機集積回路O-IC、無線認証RFIDタグ、光検出器、センサ、論理回路、メモリ素子、キャパシタ、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止膜、伝導性基材またはパターン、光導電体、電子写真用素子、有機発光トランジスタOLET、有機スピントロニックデバイス、および有機プラズモン発光デバイスOPEDから選択され、好ましくは有機発光ダイオードから選択されることを特徴とする電子デバイス。請求項9ないし14のいずれか1項に記載の混合物、または請求項15もしくは16に記載の量子ドットを含む、配合物、特に溶液、分散液、またはエマルジョン。[実施例]例1材料以下の材料を、例として本発明で使用する。ホスト材料ポリマー1ホモポリマー:ポリマーに関するさらなる情報については、WO2007085377A2を参照されたい。ポリマー1の詳細な合成については、TetrahedronLetters478689ないし8692を参照されたい。量子ドット1QD1は、PlasmachemGmbH、Berlin、Germany製のコア-シェル型量子ドットであり、エピタキシャルZnSシェルでキャップされたCdSe球状コアを有している。QD1は、主にトリオクチルホスフィンオキシドを含む表面疎水性層を有する。QD1のフォトルミネッセンス量子効率PLQEを、参照としてローダミン6Gを使用して測定し、約30であることがわかっている。ChenらJmaterialsChemistry、2009、19、8112ないし8118により開示されたTMMは、広いバンドギャップを有する三重項マトリックス材料であり、例えば上述のように時間依存性DFT法によれば、HOMOが-6.47eVでありLUMOが-2.8eVである。ここではTMMを、電子輸送材料、またはEMLとカソードとの間の緩衝層として使用することになる。例2本発明で使用される材料および本発明によるQD-LEDに適切ないくつかのさらなる材料のエネルギー準位。光電子デバイスで使用される材料を設計するために、エネルギー準位、特にHOMOおよびLUMO準位の予測は必要不可欠である。エネルギー準位、特に問題となっている分子のHOMOおよびLUMOを、Gaussian,Inc.のGaussian03Wで時間依存性DFTによりシミュレートし:最初にAM1を使用して分子幾何形状を最適化し、補正関数B3PW9および基底系6-31GdによるTD-DFT時間依存密度汎関数法を使用して、HOMO/LUMO準位と、三重項および一重項励起状態に関するエネルギーとを含むエネルギーの計算を行った。最初の三重項および最初の一重項励起状態は最も重要であり、以下、T1およびS1準位と呼ぶことにする。HOMOおよびLUMO準位を、サイクロボルタンメトリーCVにより下記の通り補正する:ひと組の材料をCVにより測定し、やはりGaussian03Wにより同じ方法で、例えばB3PW91および同じ基底系6-31Gdを使用して計算する。次いで計算値を、測定値により較正する。そのような較正係数は、さらなる計算のために使用する。ポリマーの場合、ポリマーのトライマーを計算した。例えばM2-M3-M2は、下記の構造ブロックを意味し;重合可能な基は除去している。シミュレーションを、下記の3つの異なる繰り返し単位をベースにしたポリマーに関して行う:ホモポリマー、WO2007085377A2によるポリマー1100M1およびWO03/099901によるポリマー2100M2と、50M1-50M3および50M2-50M3のコポリマーを、トライマー構成でシミュレートした。図1は、ポリマーのHOMOおよびLUMOを示すCorr.という記述は、補正値を意味する。全ては、-3.0eVより低いLUMOと、-6.0eVより低いHOMOを有し、したがって本発明によるQD-LEDで使用することが適切であるべきである。図2は、4つのポリマーの一重項および三重項準位を示す。全てのポリマーは、十分高いS1準位を有し>2.85eV、したがって全てのRGB発光を支援することができる。例3溶液からのQD-LEDの調製図1に示される構造を備えたQD-LEDを、下記の手順に従い調製する:11×107mbarのベース圧力で、真空システム内での熱蒸着により、ITOでコーティングされたガラス基板上のHILとして10nmのWO3を堆積する。2ポリマー1およびQD1のトルエン溶液からEMLを堆積するが、このときQD1の濃度は約10重量であり、厚さはドクターブレード法を使用して80nmであるここで浸漬コーティングを使用してもよい;3デバイスを加熱して、残留溶媒を180°Cで10分間除去する。;41×107mbarのベース圧力で、真空システム内での熱蒸着により、ETLまたは緩衝層として30nmのTMMを堆積する。5厚さ1nm/150nmのカソードLiF/Alを、発光層上への真空熱蒸着により堆積する。6デバイスを封止する。例4測定および結果の比較QD-LEDを社内で特性評価し、以下の性質を記録した:VIL特性、ELスペクトル、および色座標、効率、駆動電圧。QD-LEDの性能を表1にまとめるが、ここでUonはターンオン電圧を表し、U100は100ニトでの電圧を表し、EQEは外部量子効率を表す。CIE座標0.67,0.33の濃赤色を実現した。1より高い最大EQEが、適切なポリマーホストとデバイス構成との組合せにより達成された。QD-LEDは、OLEDに比べて依然として不十分であるが、その性能は既に、量子ドット発光ダイオードに関してこれまで報告された最良のものの中にあり、EMLの組成と本発明によるデバイス構造とが、高効率QD-LEDへの将来性あるアプローチであることを示している。さらなる改善は、1濃度の最適化;2厚さの最適化;3より高いフォトルミネッセンスPL効率を有するQDの使用によって有望であると考えられる。例59-フェニル-3-4,4,5,5-テトラメチル-[1,3,2]ジオキサボロラン-2-イル-9H-カルバゾールの調製150g0.41molの3-ヨード-9-フェニル-9H-カルバゾール、123.8g0.49molの4,4,5,5,4’,4’,5’,5’-オクタメチル-[2,2’]ビ[[1,3,2]ジオキサボロラニル]、および131g1.34molの酢酸カリウムをジオキサンに溶解する。次いで3.3gの1,1-ビスジフェニルホスフィノフェロセンジクロロ-PdIIPddppf錯体を反応混合物に添加し、溶液を16時間還流する。混合物を室温まで冷却し、250mlの水および250mlのトルエンを添加し、次いで層を分離させる。水相をトルエンで3回抽出し、次いで有機層を水で2回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、溶媒を真空中で除去する。残留物をアセトニトリルから再結晶させることにより、純度96の薄茶色の固体91g0.25mmol61が得られる。例63-4-ヨード-フェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールの調製90g244mmolの9-フェニル-3-4,4,5,5-テトラメチル-[1,3,2]ジオキサボロラン-2-イル-9H-カルバゾール、および69g244mmolの1-ヨード-4-ブロムベンゼン[589-87-7]を500mlのトルエンに溶解し、炭酸ナトリウムの2M溶液200mlで処理する。反応混合物を入念に脱気し、200mgのテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを添加する。反応物を20時間加熱還流する。次いで溶液を室温まで冷却し、層を分離させる。水相をトルエンで3回抽出し、次いで有機層を水で2回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、溶媒を真空中で除去する。残留物をDMFから再結晶させることにより、純度98.7の白色粉末100g225mmol92が得られる。例79,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル-[4-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル-フェニル]-アミンの調製50g112mmolの3-4-ヨード-フェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールおよび23.5g112mmolの9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イルアミンを500mlのトルエンに溶解し、21.5gのナトリウム-tert-ブチラトを添加する。反応混合物を入念に脱気し、80mgのビスジフェニルホスフィノフェロセンジクロロ-PdIIPddppf錯体を添加する。溶液を6時間還流する。次いで反応混合物を室温まで冷却し、250mlの水を添加する。層を分離する。水相をトルエンで3回抽出し、次いで有機層を水で2回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、溶媒を真空中で除去する。残留物をブタノールから再結晶させることにより、純度99.5の白色固体57g108mmol96が得られる。例84’-ブロモ-ビフェニル-4-イル-9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル-[4-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル-フェニル]-アミンの調製30g57mmolの9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル-[4-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル-フェニル]-アミン、および20g57mmolの4-ブロモ-4’-ヨード-ビフェニル[105946-82-5]を200mlのトルエンに溶解し、炭酸ナトリウムの2M溶液100mlで処理する。反応混合物を入念に脱気し、200mgのテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを添加し、20時間還流する。次いで反応混合物を室温まで冷却し、250mlの水を添加する。層を分離させる。次いで水相をトルエンで3回抽出する。次いで有機層を水で2回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、次いで溶媒を真空中で除去する。残留物をブタノール/トルエンから再結晶させることにより、純度99.3の白色固体29g38mmol67が得られる。例910-4’-{9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル-[4-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル-フェニル]-アミノ}-ビフェニル-4-イル-デカン-1-チオールの調製5.2g30mmolのデカ-9-エン-1-チオール[178561-30-3]、および3.7g15mmolの9-BBN-ダイマー[21205-91-4]を室温の窒素中で100mlのトルエンに懸濁し、20時間撹拌する。反応中に、9-BBNの懸濁液はゆっくり消失する。次いで23g30mmolの4’-ブロモ-ビフェニル-4-イル-9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル-[4-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル-フェニル]-アミン、および1Mの水酸化ナトリウム溶液50mlを添加する。次いで反応混合物を入念に脱気し、200mgのテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを添加し、20時間還流する。反応混合物を室温まで冷却し、250mlの水を添加する。層を分離させる。水相をトルエンで3回抽出し、次いで有機層を水で2回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、溶媒を真空中で除去する。残留物をエタノール/トルエン3:1から再結晶させることにより、純度99.99の白色固体24g28mmol93が得られる。"