第1の面と、前記第1の面の反対面である第2の面と、前記第1の面と前記第2の面とをつなぐ側面と、を備えた金属ブロックと、前記金属ブロックの前記第1の面に設置された半導体素子と、前記金属ブロックの前記第2の面を覆う第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層から延在して前記金属ブロックの前記側面の少なくとも一部を覆う第2の絶縁層と、を含む絶縁層と、前記半導体素子及び前記金属ブロックの少なくとも前記第1の面を封止する封止部と、前記第2の絶縁層と接しないように前記封止部の外縁部から前記金属ブロックの前記第2の面側に立設された側壁部と、を含む樹脂モールド部と、を有する半導体モジュール。前記側壁部は、前記第2の絶縁層を囲むように環状に立設されている請求項1記載の半導体モジュール。前記半導体素子及び前記金属ブロックと電気的に接続され、一部が前記樹脂モールド部から露出する配線部材を有する請求項1又は2記載の半導体モジュール。前記第1の絶縁層と直接、又は放熱グリスを介して接する冷却器を更に有する請求項1乃至3の何れか一項記載の半導体モジュール。前記絶縁層はポリイミドである請求項1乃至4の何れか一項記載の半導体モジュール。前記金属ブロックはアルミニウムを主成分とし、前記絶縁層はアルマイト層である請求項1乃至4の何れか一項記載の半導体モジュール。第1の面と、前記第1の面の反対面である第2の面と、前記第1の面と前記第2の面とをつなぐ側面と、を備えた金属ブロックの前記第1の面に半導体素子を設置する半導体素子設置工程と、前記半導体素子及び前記金属ブロックの少なくとも前記第1の面を封止する封止部と、前記側面と接しないように前記封止部の外縁部から前記金属ブロックの前記第2の面側に立設された側壁部と、を含む樹脂モールド部を形成するモールド工程と、前記金属ブロックの前記第2の面を覆う第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層から延在して前記金属ブロックの前記側面の少なくとも一部を覆う第2の絶縁層と、を含む絶縁層を、前記第2の絶縁層が前記側壁部と接しないように形成する絶縁層形成工程と、を有する半導体モジュールの製造方法。第1の面と、前記第1の面の反対面である第2の面と、前記第1の面と前記第2の面とをつなぐ側面と、を備えた金属ブロックの前記第1の面に半導体素子を設置する半導体素子設置工程と、前記金属ブロックの前記第2の面を覆う第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層から延在して前記金属ブロックの前記側面の少なくとも一部を覆う第2の絶縁層と、を含む絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記半導体素子及び前記金属ブロックの少なくとも前記第1の面を封止する封止部と、前記第2の絶縁層と接しないように前記封止部の外縁部から前記金属ブロックの前記第2の面側に立設された側壁部と、を含む樹脂モールド部を形成するモールド工程と、を有する半導体モジュールの製造方法。前記絶縁層形成工程では、溶液中に前記金属ブロックを浸漬し、前記金属ブロックに通電することにより前記絶縁層を形成する請求項7又は8記載の半導体モジュールの製造方法。前記絶縁層は、電着法により形成されたポリイミドである請求項9記載の半導体モジュールの製造方法。前記金属ブロックはアルミニウムを主成分とし、前記絶縁層は、陽極酸化法により形成されたアルマイト層である請求項9記載の半導体モジュールの製造方法。請求項1乃至6の何れか一項記載の半導体モジュールを含むハイブリッドシステム。しかしながら、上記半導体モジュールには、半導体素子の発熱により生じる熱応力に起因して、金属ブロックの側面と金属ブロックの側面を被覆するモールド部との界面にクラックやボイド等が発生する問題もあり、この問題は、Si3N4、AlN等からなる高放熱絶縁板に代えてポリイミドを用いるだけでは解決できない。本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、樹脂モールド部にクラックやボイドが発生し難い半導体モジュール、及びその製造方法等を提供することを課題とする。本半導体モジュールは、第1の面と、前記第1の面の反対面である第2の面と、前記第1の面と前記第2の面とをつなぐ側面と、を備えた金属ブロックと、前記金属ブロックの前記第1の面に設置された半導体素子と、前記金属ブロックの前記第2の面を覆う第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層から延在して前記金属ブロックの前記側面の少なくとも一部を覆う第2の絶縁層と、を含む絶縁層と、前記半導体素子及び前記金属ブロックの少なくとも前記第1の面を封止する封止部と、前記第2の絶縁層と接しないように前記封止部の外縁部から前記金属ブロックの前記第2の面側に立設された側壁部と、を含む樹脂モールド部と、を有することを要件とする。本半導体モジュールの製造方法の一形態は、第1の面と、前記第1の面の反対面である第2の面と、前記第1の面と前記第2の面とをつなぐ側面と、を備えた金属ブロックの前記第1の面に半導体素子を設置する半導体素子設置工程と、前記半導体素子及び前記金属ブロックの少なくとも前記第1の面を封止する封止部と、前記側面と接しないように前記封止部の外縁部から前記金属ブロックの前記第2の面側に立設された側壁部と、を含む樹脂モールド部を形成するモールド工程と、前記金属ブロックの前記第2の面を覆う第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層から延在して前記金属ブロックの前記側面の少なくとも一部を覆う第2の絶縁層と、を含む絶縁層を、前記第2の絶縁層が前記側壁部と接しないように形成する絶縁層形成工程と、を有することを要件とする。本半導体モジュールの製造方法の他の形態は、第1の面と、前記第1の面の反対面である第2の面と、前記第1の面と前記第2の面とをつなぐ側面と、を備えた金属ブロックの前記第1の面に半導体素子を設置する半導体素子設置工程と、前記金属ブロックの前記第2の面を覆う第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層から延在して前記金属ブロックの前記側面の少なくとも一部を覆う第2の絶縁層と、を含む絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記半導体素子及び前記金属ブロックの少なくとも前記第1の面を封止する封止部と、前記第2の絶縁層と接しないように前記封止部の外縁部から前記金属ブロックの前記第2の面側に立設された側壁部と、を含む樹脂モールド部を形成するモールド工程と、を有することを要件とする。本発明によれば、モールド部にクラックやボイドが発生し難い半導体モジュール、及びその製造方法等を提供できる。以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。第1の実施の形態[第1の実施の形態に係る半導体モジュールの構造]まず、第1の実施の形態に係る半導体モジュールの構造について説明する。図1及び図2は、第1の実施の形態に係る半導体モジュールを例示する断面図である。図3は、第1の実施の形態に係る半導体モジュールを例示する下面側斜視図である。なお、図1と図2とは、半導体モジュールの異なる断面を示している。又、図3において、図1及び図2に示す一部の部品の図示が省略されている。図1~図3を参照するに、半導体モジュール1は、主なる構成要素として、半導体素子10及び11と、配線部材20、21、及び22と、金属ブロック30と、絶縁層40と、樹脂モールド部50とを有する。半導体素子10及び11は、例えば、シリコンSiや炭化珪素SiCを含む半導体である。より具体的には、半導体素子10は、例えば、IGBTInsulatedgatebipolartransistorやMOSFETMetaloxidesemiconductorfield‐effecttransistorのようなスイッチング素子である。半導体素子11は、例えば、IGBTのエミッタとコレクタとの間に接続される還流用のダイオードである。以降、半導体素子10がIGBTであり、半導体素子11がダイオードである場合を例に説明を行う。又、搭載状態に応じて上下方向が異なるが、便宜上、半導体モジュール1の金属ブロック30側を下方とする他の実施の形態についても同様。半導体素子10及び11は、金属ブロック30の上面に設置されている。より詳しくは、半導体素子10のコレクタ図示せずは、接合部38により金属ブロック30に接合されている。半導体素子10のエミッタ図示せずは、接合部38により配線部材20に接合されている。半導体素子10のゲート図示せずは、ボンディングワイヤ39により配線部材21に接合されている。半導体素子11のカソード図示せずは、接合部38により金属ブロック30に接合されている。半導体素子11のアノード図示せずは、接合部38により配線部材20に接合されている。金属ブロック30は、接合部38により配線部材22に接合されている。言い換えれば、半導体素子10のコレクタ図示せず、半導体素子11のカソード図示せず、金属ブロック30、及び配線部材22は電気的に接続されている。又、半導体素子10のエミッタ図示せず、半導体素子11のアノード図示せず、及び配線部材20は電気的に接続されている。半導体素子10のゲート図示せずと配線部材21とは電気的に接続されている。配線部材20~22は、例えば、銅等からなる金属板リードフレーム基材をプレス加工等して形成したものである。配線部材20~22の一部は、樹脂モールド部50から露出している。図示の例では、配線部材20は出力ライン用の配線部材出力ライン用リードである。又、配線部材21は、ピン状の形態を有し、信号伝達用の配線部材信号ライン用リードである。又、配線部材22は電源ライン用の配線部材電源ライン用リードである。接合部38は、例えば、はんだや銀ペースト等の導電性材料である。ボンディングワイヤ39は、例えば、金や銅等からなる導電性の細線である。金属ブロック30は、熱過渡熱等を吸収し拡散するヒートシンク機能を備える。金属ブロック30は、銅や銅合金、或いはアルミニウムのような熱拡散性の優れた金属から形成することが好ましい。金属ブロック30は、主に、半導体素子10及び11の駆動時に生じる半導体素子10及び11からの熱を吸収し内部に拡散する。絶縁層40は、下面絶縁層41と、下面絶縁層41と一体的に形成された側面絶縁層42とを有する。下面絶縁層41は、金属ブロック30の下面を覆うように形成されている。側面絶縁層42は、下面絶縁層41から延在して金属ブロック30の側面の少なくとも一部を覆うように形成されている。絶縁層40は、金属ブロック30と金属ブロック30が搭載される冷却器図示せずとの間の電気的な絶縁性を確保しつつ、金属ブロック30から冷却器図示せずへの高い熱伝導を可能とする。絶縁層40は、金属ブロック30に電気的に形成することが好ましく、例えば、電着ポリイミド層とすることができる。又、金属ブロック30がアルミニウムを主成分とする場合には、絶縁層40をアルマイト層とすることができる。金属ブロック30に絶縁層40を電気的に形成することにより、金属ブロック30にシート状の絶縁材を貼り付ける場合等と比べて、金属ブロック30から冷却器図示せずへのより高い熱伝導を実現できる。絶縁層40の厚さは、例えば、10~100μm程度とすることができる。絶縁層40が膜厚10μmのポリイミド層である場合、絶縁耐圧は1000V程度となる。なお、絶縁層40の側面絶縁層42は、樹脂モールド部50から露出する金属ブロック30の側面のなるべく多くの領域を覆うように形成することが好ましく、樹脂モールド部50から露出する金属ブロック30の側面の全ての領域を覆うように形成することが更に好ましい。樹脂モールド部50から露出する金属ブロック30の側面のなるべく多くの領域を側面絶縁層42で覆うことにより、側面絶縁層42が形成されていない金属ブロック30の側面とそれに対向する樹脂モールド部50の内壁面との間に放電が生じて金属ブロック30と冷却器図示せずとの沿面距離が短くなることを防止できる。樹脂モールド部50は、封止部51と、封止部51と一体的に形成された側壁部52とを有する。封止部51は、半導体素子10及び11、配線部材20~22の一部、金属ブロック30の少なくとも上面、接合部38、及びボンディングワイヤ39を封止している。側壁部52は、側面絶縁層42と接しないように封止部51の外縁部から金属ブロック30の下面側に立設されている。なお、本実施の形態では、平面視において、側壁部52は、金属ブロック30の周囲に側面絶縁層42と接しないように環状額縁状に形成されている。側壁部52の内壁面と側面絶縁層42との距離隙間は、例えば、1~3mm程度とすることができる。樹脂モールド部50の材料としては、例えば、ガラス転移温度が250°C程度以上のエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂等を用いることが好ましい。半導体素子10及び11の動作時の温度が175~250°C程度に達する虞があり、それに耐える必要があるためである。[第1の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法]次に、第1の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法について説明する。図4~図6は、第1の実施の形態に係る半導体モジュールの製造工程を例示する図である。なお、図4及び図5と図6とは、半導体モジュールの異なる断面を示している。まず、図4に示す工程では、配線部材20を含む金属板リードフレーム基材に接合部38を介して半導体素子10及び11を実装する。そして、半導体素子10及び11を実装した配線部材20を接合部38を介して金属ブロック30の上面に設置する。又、半導体素子10のゲート図示せずを、ボンディングワイヤ39により配線部材21に接合する。又、配線部材22を接合部38を介して金属ブロック30の上面に設置する。次に、図5に示す工程では、例えば、ガラス転移温度が250°C程度以上のエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂等により、封止部51及び封止部51と一体的に形成された側壁部52とを有する樹脂モールド部50を成形する。樹脂モールド部50は、例えば、対象物を上金型と下金型で挟持して樹脂を注入するトランスファーモールド法により成形できる。この際、下金型に所定形状の凸部を設けておくことにより、側壁部52の内壁面と金属ブロック30の側面との間に、例えば1~3mm程度の隙間を形成することができる。次に、図6に示す工程では、下面絶縁層41と下面絶縁層41と一体的に形成された側面絶縁層42とを有する絶縁層40を形成する。より詳しくは、下面絶縁層41は金属ブロック30の下面を覆うように形成し、側面絶縁層42は下面絶縁層41から延在して金属ブロック30の側面の少なくとも一部を覆うように形成する。絶縁層40は、金属ブロック30に電気的に形成することが好ましく、例えば、電着ポリイミド層とすることができる。又、金属ブロック30がアルミニウムを主成分とする場合には、絶縁層40をアルマイト層とすることができる。絶縁層40として電着ポリイミド層を形成するには、例えば、容器90内に貯留された溶液91ポリイミド電着液中に金属ブロック30の下面全面及び側面の少なくとも一部を浸漬し、配線部材22を介して金属ブロック30に通電する所謂電着法。これにより、金属ブロック30の下面全面及び側面の少なくとも一部にポリイミドが析出し、電着ポリイミド層が形成される。なお、ポリイミド電着液としては、例えば、周知のカチオン電着塗装用組成やアニオン電着塗装用組成のポリイミド電着液を用いることができる。絶縁層40としてアルマイト層を形成するには、例えば、容器90内に貯留された溶液91好適には硫酸水溶液中にアルミニウムを主成分とする金属ブロック30の下面全面及び側面の少なくとも一部を浸漬し、配線部材22を陽極とし、これに対向配置される白金Pd電極を陰極として金属ブロック30に通電パルス電圧を印加する陽極酸化法。これにより、金属ブロック30の下面全面及び側面の少なくとも一部が酸化され、アルマイト層が形成される。なお、アルマイト層は、微小径の孔ポーラスが規則正しく形成された酸化アルミニウムの層である。以上の各工程により、図1~図3に示す半導体モジュール1が製造される。なお、図5に示す工程と図6に示す工程とを入れ替えても構わない。[比較例]ここで、比較例を参照しながら、第1の実施の形態に係る半導体モジュール1が有する特有の効果について説明する。図7は、比較例に係る半導体モジュールを例示する断面図である。図7を参照するに、半導体モジュール5は、絶縁層40が絶縁層45に置換され、樹脂モールド部50が樹脂モールド部55に置換された点が第1の実施の形態に係る半導体モジュール1と相違する。絶縁層45は、金属ブロック30の下面のみを覆うように形成されている。樹脂モールド部55は、半導体素子10及び11、配線部材20~22の一部、金属ブロック30の上面及び側面、接合部38、及びボンディングワイヤ39を封止している。つまり、半導体モジュール1では、金属ブロック30の側面の大部分に側面絶縁層42が形成され、樹脂モールド部50の側壁部52が側面絶縁層42と接しないように隙間が設けられていた。これに対して、半導体モジュール5では、金属ブロック30の側面には絶縁層45が形成されていなく、樹脂モールド部55と金属ブロック30の側面との間には隙間が設けられていない。比較例に係る半導体モジュール5の構造では、樹脂モールド部55と金属ブロック30の側面とが接しているため、その界面にクラックやボイドが発生する場合がある。クラックやボイドが発生すると、金属ブロック30と冷却器図示せずとの沿面距離が短くなる問題が生じる。樹脂モールド部55と金属ブロック30の界面にクラックやボイドが発生するのは、以下のような理由による。第1に、半導体モジュール5が冷却器に搭載される際に、絶縁層45がフィラーを含有した放熱グリスを介して冷却器に圧接される場合があり、その場合、絶縁層45がフィラーにより摩耗するからである。第2に、半導体素子10や半導体素子11が発熱すると、樹脂モールド部55と金属ブロック30との温度差が大きくなり、樹脂モールド部55と金属ブロック30との界面に熱応力が生じるからである。第3に、半導体モジュール5が車両に搭載された場合に、車両の振動により樹脂モールド部55と金属ブロック30との界面が剥離するからである。これに対して、第1の実施の形態に係る半導体モジュール1の構造では、樹脂モールド部50の側壁部52が側面絶縁層42と接しないように隙間が設けられているため、上記3つの問題が生じ難い。又、金属ブロック30の側面の大部分には側面絶縁層42が形成されており、金属ブロック30の側面とそれに対向する樹脂モールド部50の内壁面との間に放電が生じ難いため、金属ブロック30と冷却器図示せずとの沿面距離を確保できる。第1の実施の形態の変形例1第1の実施の形態の変形例1では、第1の実施の形態とは形状の異なる樹脂モールド部を例示する。なお、第1の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図8は、第1の実施の形態の変形例1に係る半導体モジュールを例示する下面側斜視図である。図8を参照するに、半導体パッケージ1Aは、樹脂モールド部50が樹脂モールド部50Aに置換された点が第1の実施の形態に係る半導体モジュール1と相違する。樹脂モールド部50Aは、封止部51と、封止部51と一体的に形成された側壁部52Aとを有する。封止部51は、半導体素子10及び11、配線部材20~22の一部、金属ブロック30の少なくとも上面、接合部38、及びボンディングワイヤ39を封止している。側壁部52Aは、側面絶縁層42と接しないように封止部51の外縁部の四隅から金属ブロック30の下面側に立設されている。側壁部52Aの内壁面と側面絶縁層42との距離隙間は、例えば、1~3mm程度とすることができる。樹脂モールド部50Aの材料や製造方法については、樹脂モールド部50と同様である。樹脂モールド部50や樹脂モールド部50Aの側壁部は、半導体モジュール1や半導体モジュール1Aが冷却器に搭載される際に、その下面が接着剤等を介して冷却器上面と当接することにより、下面絶縁層41が冷却器上面に対して必要以上に押圧されることを防止する。従って、側壁部は、図3に示す側壁部52のような形状でもよいし、図8に示す側壁部52Aのような形状でもよい。又、上記目的を達成できれば、図3や図8以外の形状であっても構わない。なお、半導体パッケージ1Aの製造方法は、半導体パッケージ1の製造方法と同様であるため、その説明は省略する。第2の実施の形態第2の実施の形態では、第1の実施の形態とは異なる半導体モジュール及びそれを含むシステムを例示する。なお、第2の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図9は、第2の実施の形態に係る半導体モジュールとして実現されるIPMIntelligentPowerModuleを例示する回路図である。図9を参照するにIPM70は、IGBT71~76と、ダイオード81~86とを有する。IPM70は、例えば、ハイブリッド車や電気自動車で使用されるモータ駆動用のインバータを構成する。IPM70において、IGBT71~76の各ゲートは、ECU図示せず等に接続され、IPM70はECU図示せず等からの駆動信号に基づいてスイッチング動作を行う。IGBT71とダイオード81とは並列接続されて半導体素子12Aとしてパッケージ化されている。半導体素子12Aにおいて、IGBT71のコレクタとダイオード81のカソードとの接続部は端子P1として出力され、IGBT71のエミッタとダイオード81のアノードとの接続部は端子U1として出力されている。IGBT73とダイオード83とは並列接続されて半導体素子12Bとしてパッケージ化されている。半導体素子12Bにおいて、IGBT73のコレクタとダイオード83のカソードとの接続部は端子P2として出力され、IGBT73のエミッタとダイオード83のアノードとの接続部は端子V1として出力されている。IGBT75とダイオード85とは並列接続されて半導体素子12Cとしてパッケージ化されている。半導体素子12Cにおいて、IGBT75のコレクタとダイオード85のカソードとの接続部は端子P3として出力され、IGBT75のエミッタとダイオード85のアノードとの接続部は端子W1として出力されている。IGBT72とダイオード82とは並列接続されて半導体素子13Aとしてパッケージ化されている。半導体素子13Aにおいて、IGBT72のコレクタとダイオード82のカソードとの接続部は端子U2として出力され、IGBT72のエミッタとダイオード82のアノードとの接続部は端子N1として出力されている。IGBT74とダイオード84とは並列接続されて半導体素子13Bとしてパッケージ化されている。半導体素子13Bにおいて、IGBT74のコレクタとダイオード84のカソードとの接続部は端子V2として出力され、IGBT74のエミッタとダイオード84のアノードとの接続部は端子N2として出力されている。IGBT76とダイオード86とは並列接続されて半導体素子13Cとしてパッケージ化されている。半導体素子13Cにおいて、IGBT76のコレクタとダイオード86のカソードとの接続部は端子W2として出力され、IGBT76のエミッタとダイオード86のアノードとの接続部は端子N3として出力されている。端子P1、P2、及びP3は、ラインP正極ラインに接続されている。端子N1、N2、及びN3は、ラインN負極ラインに接続されている。なお、ラインP正極ライン及びラインN負極ラインは、電源供給用のラインである。端子U1及びU2は、ラインUU相用出力ラインに接続されている。端子V1及びV2は、ラインVV相用出力ラインに接続されている。端子W1及びW2は、ラインWW相用出力ラインに接続されている。ラインUU相用出力ライン、ラインVV相用出力ライン、及びラインWW相用出力ラインは、それぞれ駆動するモータジェネレータのU相、V相、W相の各コイルに接続されるラインである。このように、IPM70は、U相の上アームIGBT71、V相の上アームIGBT73、W相の上アームIGBT75、U相の下アームIGBT72、V相の下アームIGBT74、及びW相の下アームIGBT76の計6アームで構成されている。図10は、第2の実施の形態に係る半導体モジュールを例示する平面図である。図11は、第2の実施の形態に係る半導体モジュールを例示する図10のA-A線に沿う断面図である。なお、図10において、図11に示す一部の部品の図示が省略されている。図9~図11を参照するに、半導体モジュール2は、主なる構成要素として、IPM70を構成する半導体素子12A~12C及び13A~13Cと、配線部材21、25、及び26と、金属ブロック31及び32A~32Cと、絶縁層40と、樹脂モールド部50と、冷却器60とを含む。半導体素子12A~12Cは、金属ブロック31の上面に設置されている。半導体素子13A~13Cは、それぞれ金属ブロック32A~32Cの上面に設置されている。より詳しくは、半導体素子12Aの端子P1、半導体素子12Bの端子P2、及び半導体素子12Cの端子P3は、接合部38により金属ブロック31に接合されている。金属ブロック31は、図示しない配線部材によりラインPとして半導体モジュール2の外部に出力されている。半導体素子13Aの端子N1、半導体素子13Bの端子N2、及び半導体素子13Cの端子N3は、それぞれ接合部38により配線部材26に接合され、ラインNとして半導体モジュール2の外部に出力されている。半導体素子12Aの端子U1は、配線部材25及び接合部38により金属ブロック32Aに接合されている。半導体素子13Aの端子U2は、接合部38により金属ブロック32Aに接合されている。金属ブロック32Aは、図示しない配線部材によりラインUとして半導体モジュール2の外部に出力されている。半導体素子12Bの端子V1は、図示しない配線部材及び接合部により金属ブロック32Bに接合されている。半導体素子13Bの端子V2は、図示しない接合部により金属ブロック32Bに接合されている。金属ブロック32Bは、図示しない配線部材によりラインVとして半導体モジュール2の外部に出力されている。半導体素子12Cの端子W1は、図示しない配線部材及び接合部により金属ブロック32Cに接合されている。半導体素子13Cの端子W2は、図示しない接合部により金属ブロック32Cに接合されている。金属ブロック32Cは、図示しない配線部材によりラインWとして半導体モジュール2の外部に出力されている。半導体素子12Aのゲートは、ボンディングワイヤ39により配線部材21に接合され、半導体モジュール2の外部に出力されている。同様に、半導体素子12B、12C、及び13A~13Cの各ゲートは、それぞれ図示しないボンディングワイヤにより図示しない配線部材に接合され、半導体モジュール2の外部に出力されている。金属ブロック31及び32A~32Cは、金属ブロック30と同等の機能を有し、金属ブロック30と同等の熱拡散性の優れた金属から形成されている。金属ブロック31及び32A~32Cの各下面は下面絶縁層41に覆われ、各側面の少なくとも一部は下面絶縁層41と一体的に形成された側面絶縁層42に覆われている。樹脂モールド部50の封止部51は、半導体素子12A~12C及び13A~13C、配線部材21、25、及び26等の一部と、金属ブロック31及び32A~32Cの少なくとも上面、接合部38、及びボンディングワイヤ39を封止している。側壁部52は、側面絶縁層42と接しないように封止部51の外縁部から金属ブロック31等の下面側に立設されている。なお、本実施の形態では、平面視において、側壁部52は、封止部51の外縁部に側面絶縁層42と接しないように環状額縁状に形成されているが、第1の実施の形態の変形例1図8参照のように封止部51の外縁部の四隅のみに形成してもよい。又、側面絶縁層42と接しなければ、封止部51の外縁部以外の部分から金属ブロック31等の下面側に立設させてもよい。冷却器60は、冷却器の天板のみを図示している。半導体素子12A~12C及び13A~13Cの各下面絶縁層41は、放熱グリス65を介して、冷却器60の上面冷却器の天板の上面に接合されている。これにより、反り等に起因して半導体素子12A~12C及び13A~13Cの各下面絶縁層41と冷却器60の上面冷却器の天板の上面との間に隙間が広がった場合でも、放熱グリス65を介して放熱することができる。但し、半導体素子12A~12C及び13A~13Cの各下面絶縁層41は、直接冷却器60の上面冷却器の天板の上面に接合されてもよい。樹脂モールド部50の側壁部52の下面は、接着剤68を介して、冷却器60の上面冷却器の天板の上面に接合されている。冷却器60は、例えば、図示しない波板形状のフィンを有し内部に冷却水等の冷却媒体が流れる冷媒流通部、冷媒を冷媒流通部に導入するための導入パイプ、冷媒を導出するための導出パイプ等を有する。なお、フィンは、例えばストレートフィンやピンフィンの千鳥配置等で実現されてもよい。冷却媒体の流量は、例えば、10リットル/分定常時とされ、冷却媒体の温度は、例えば、65°Cとされている。冷却器60は、例えば、銅CuやアルミニウムAl等の熱伝導性の優れた金属から形成することができる。半導体素子12A~12C及び13A~13Cの駆動時に生じる半導体素子12A~12C及び13A~13Cからの熱は、金属ブロック31及び32A~32C、絶縁層40、及び放熱グリス65を介して、冷却器60の冷却媒体へと伝達され、半導体素子12A~12C及び13A~13Cの冷却が実現される。なお、半導体パッケージ2の製造方法は、半導体パッケージ1の製造方法と同様であるため、その説明は省略する。次に、IPM70を含むハイブリッドシステムを例示する。図12は、IPM70を含むハイブリッドシステム100を例示する概要図である。図12を参照するに、ハイブリッドシステム100は、電池110と、インバータ120と、モータジェネレータ130とを含む。なお、図示の例では、インバータ120内部にDC/DC変換を行う昇降圧コンバータ150及びコンデンサ160が含まれている。ハイブリッドシステム100において、電池110は、例えば、ニッケル水素やリチウムイオン等の二次電池や電気二重層キャパシタ等の蓄電装置である。モータジェネレータ130は、例えば、車両ハイブリッド自動車、電気自動車、燃料電池車等の電気エネルギーによって車両駆動力を発生する自動車の駆動輪を駆動するためのトルクを発生するための駆動用電動機であり、U相、V相、W相の3つのコイルの一端が中性点に共通接続されている。モータジェネレータ130は、電動機の機能と発電機の機能とを併せ持つように構成することができる。ハイブリッドシステム100は、以下のように動作する。すなわち、昇降圧コンバータ150は、ECU140からのスイッチング制御信号に応答してスイッチング動作を行い、電池110の両端の電圧を所定電圧に昇圧し、コンデンサ160の両端に出力する。又、昇降圧コンバータ150は、ECU140からのスイッチング制御信号に応答してスイッチング動作を行い、コンデンサ160の両端の電圧を所定電圧に降圧し、電池110の両端に出力し、電池110を充電する。コンデンサ160は、昇降圧コンバータ150からの直流電圧を平滑化し、平滑化した直流電圧をIPM70へ供給する。IPM70は、コンデンサ160から直流電圧が供給されると、ECU140からのスイッチング制御信号に応答してスイッチング動作を行い、直流電圧DCを交流電圧ACに変換して、モータジェネレータ130を駆動する。又、IPM70は、車両の回生制動時には、ECU140からのスイッチング制御信号に応答してスイッチング動作を行い、モータジェネレータ130が発電した交流電圧ACを直流電圧DCに変換し、変換した直流電圧DCをコンデンサ160を介して昇降圧コンバータ150へ供給する。ここで、回生制動とは、車両を運転するドライバーによるフットブレーキ操作があった場合の回生発電を伴う制動や、フットブレーキを操作しないものの、走行中にアクセルペダルをオフすることで回生発電をさせながら車両を減速または加速の中止させることを含む。なお、本実施の形態では、半導体モジュール2として実現されるIPM70は、U相、V相、W相の各上アーム及び各下アームの計6アームで構成されているが、アーム数は任意に決定できる。例えば、半導体モジュール2として実現されるIPM70が、2つのモータジェネレータ第1のモータジェネレータ及び第2のモータジェネレータを駆動する場合、第1のモータジェネレータ用のU相、V相、W相の各上アーム及び各下アーム、第2のモータジェネレータ用のU相、V相、W相の各上アーム及び各下アームで構成されてもよい。又、1アームについて、並列で複数のIGBTやダイオードが実装されてもよい。又、半導体モジュール2は、他の構成例えば、昇降圧コンバータ150の素子の一部を含んでよいし、他の素子コンデンサやリアクトル等を含んでよい。このように、第2の実施の形態によれば、半導体モジュール2によりIPM70を実現でき、更にIPM70を含むハイブリッドシステム100を実現できる。この際、半導体モジュール2は、第1の実施の形態に係る半導体モジュール1と同様に、樹脂モールド部50の側壁部52が側面絶縁層42と接しないように隙間が設けられているため、第1の実施の形態と同様の効果を奏する。すなわち、樹脂モールド部50にクラックやボイドが発生することを防止可能であり、金属ブロック31及び32A~32Cと冷却器60との沿面距離を確保できる。以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、各実施の形態に係る半導体モジュールは、冷却構造が必要なモジュールであれば任意であり、インバータを構成する半導体モジュールに限定されることはない。又、各実施の形態に係る半導体モジュールは、車両用のインバータに限らず、他の用途鉄道、エアコン、エレベータ、冷蔵庫等で使用されるインバータとして実現されてもよい。