"直列に接続された複数のターゲットデバイスに接続するように適応されている、直列接続されたデバイスのためのシャント保護モジュールであって、ターゲットデバイスにそれぞれ対応する複数のシャント半導体であって、各シャント半導体は、1つのトリガー端子と2つのシャント端子を有し、対応するターゲットデバイスに並列にシャント端子で接続され、より高い電圧がトリガー端子に入力されればされるほどシャント端子間の電位差がより低くなるという特性を有するものと、少なくとも2つの隣接したターゲットデバイス上の電位差に等しいトリガー電圧を出力し、シャント半導体のトリガー端子に接続し、ターゲットデバイスのいずれかが故障したかどうかを検出し、対応するシャント半導体をオンにするように切り替えるために故障したターゲットデバイスに対応するシャント半導体にトリガー電圧を出力することが可能とされている制御部と、を含むシャント保護モジュール。制御部は、ターゲットデバイスのいずれかが故障したかどうかを検出するターゲットデバイス検出器と、ターゲットデバイス検出器とシャント半導体のトリガー端子に接続されたトリガー電圧生成器であって、トリガー電圧生成器は、ターゲットデバイスのいずれかが故障したことをターゲットデバイス検出器が検出した時に、対応するシャント半導体をオンにするように切り替えるために故障したターゲットデバイスに対応するシャント半導体にトリガー電圧を出力するものと、を含む、請求項1記載のモジュール。第一のターゲットデバイスと第二のターゲットデバイスに接続された請求項1または2記載のモジュールであって、各ターゲットデバイスは1つの入力と1つの出力を有し、第一のターゲットデバイスの出力はノードにおいて第二のターゲットデバイスの入力に接続されており、第一のシャント半導体と第二のシャント半導体が実装されており、第一のシャント半導体は第一のターゲットデバイスに対応し、1つのトリガー端子と、第一のターゲットデバイスの入力とノードにそれぞれ接続された2つのシャント端子を有し、第二のシャント半導体は第二のターゲットデバイスに対応し、1つのトリガー端子と、ノードと第二のターゲットデバイスの出力にそれぞれ接続された2つのシャント端子を有し、制御部は、第一のターゲットデバイスの入力と第二のターゲットデバイスの出力の間の電位差に等しいトリガー電圧を出力し、第一および第二のシャント半導体のトリガー端子に接続し、第一および第二のターゲットデバイスのいずれかが故障したかどうかを検出し、対応するシャント半導体をオンにするように切り替えるために故障したターゲットデバイスに対応するシャント半導体にトリガー電圧を出力することが可能である、請求項1または2記載のモジュール。制御部によって実行される、直列接続されたデバイスのためのシャント保護方法であって、直列に接続された少なくとも2つのターゲットデバイスにそれぞれ少なくとも2つのシャント半導体を接続するステップであって、少なくとも2つのシャント半導体の各々は、1つのトリガー端子と2つのシャント端子を有し、対応するターゲットデバイスに並列にシャント端子で接続され、より高い電圧がトリガー端子に入力されればされるほどシャント端子間の電位差がより低くなるという特性を有するステップと、全ての接続されたターゲットデバイスの状態を取得するステップと、接続されたターゲットデバイスのいずれかが故障したかどうかを決定するステップと、接続されたターゲットデバイスのいずれかが故障した時に、対応するシャント半導体をオンにするように切り替えるために故障したターゲットデバイスに対応するシャント半導体にトリガー電圧を出力するステップと、を含む方法。接続されたターゲットデバイスのいずれもが故障していなかった場合には、全ての接続されたターゲットデバイスの状態を取得するステップを再実行する、請求項4記載の方法。発明の主な目的は、低い電力消失を有するシャント保護モジュールおよび方法を提供することである。直列接続されたデバイスのためのシャント保護モジュールおよび方法は、複数のシャント半導体と1つの制御部を使用する。シャント半導体は、複数のターゲットデバイスにそれぞれ対応する。各シャント半導体は、対応するターゲットデバイスに並列に接続する。制御部は、シャント半導体のトリガー端子と接続する。各シャント半導体は、より高い電圧がトリガー端子に入力されればされるほどシャント端子間の電位差がより低くなるという特性を有し、制御部は、故障したターゲットデバイスに対応するシャント半導体に、少なくとも2つの隣接したターゲットデバイス上の電位差に等しいトリガー電圧を出力するので、動作時にはシャント半導体上の電位差は低い。シャント保護モジュールおよび方法は、故障したターゲットデバイスに対応するシャント半導体に高いトリガー電圧を提供することを確かなものとするので、本発明のシャント保護モジュールの電力消失は可能な限り低く低減されることができ、従来のシャント保護装置のそれよりも低くすることができる。本発明に従ったシャント保護モジュールは、複数のターゲットデバイスに接続するのに使われ、複数のシャント半導体と1つの制御部からなる。図1を参照すると、本発明のシャント保護モジュール10の実施形態が、直列に接続された複数のLEDを含むLED列に適用されているが、それに限定はされない。各シャント保護モジュールは、この実施形態におけるLED列中の2つの隣接したLEDに接続するように、複数の隣接したターゲットデバイスに接続する。2つの隣接したLEDは以降、第一のLED20と第二のLED30として例示される。第二のLED30の陽極は、ノード40中で第一のLED20の陰極に接続している。シャント半導体の量は、ターゲットデバイスの量に対応する。図2を更に参照すると、第一のシャント半導体11と第二のシャント半導体12である2つのシャント半導体がこの実施形態では実装され、第一のLED20と第二のLED30にそれぞれ対応する。もしシャント保護モジュールが3つまたは4つの隣接したLEDに接続していれば、3つまたは4つのシャント半導体がシャント保護モジュール中に実装され、3つまたは4つの隣接したLEDにそれぞれ対応する。第一のシャント半導体11は第一のLED20に対応し、1つのトリガー端子111と2つのシャント端子112、113を有する。第一のシャント半導体11のシャント端子112、113は、第一のLED20の陽極とノード40にそれぞれ接続しているので、第一のシャント半導体11は第一のLED20に並列に接続している、更に、第一のシャント半導体11は、より高い電圧がトリガー端子111に入力されればされるほどシャント端子112、113間の電位差がより低くなるという特性を有する。第一のシャント半導体11は金属酸化半導体MOSであっても良く、トリガー端子111はMOSのゲート端子であって、シャント端子112、113はそれぞれMOSのドレイン端子およびソース端子である。第二のシャント半導体12は第二のLED30に対応し、1つのトリガー端子121と2つのシャント端子122、123を有する。第二のシャント半導体12のシャント端子122、123は、ノード40と第二のLED30の陰極にそれぞれ接続しているので、第二のシャント半導体12は第二のLED30に並列に接続している、また、第二のシャント半導体12は、より高い電圧がトリガー端子121に入力されればされるほどシャント端子122、123間の電位差がより低くなるという特性を有する。第二のシャント半導体12はMOSであっても良く、トリガー端子121はMOSのゲート端子であって、シャント端子112、123はそれぞれMOSのドレイン端子およびソース端子である。制御部13は第一および第二のシャント半導体11、12のトリガー端子111、121に接続し、第一または第二のLED20、30が故障しているかどうかを検出する。制御部13はまた、故障したLED20、30に対応するシャント半導体11,12のトリガー端子111、121にトリガー電圧を出力するので、故障したLED20、30に対応するシャント半導体11、12がオンに切り替えられる。トリガー電圧は、少なくとも2つの隣接したターゲットデバイス上の電位差に等しい。図1および2に示された実施形態では、トリガー電圧は、第一のLED20の陽極と第二のLED30の陰極の間の電位差に等しい。更に図2を参照すると、制御部13は、ターゲットデバイス検出器131とトリガー電圧生成器132からなっていても良い。ターゲットデバイス検出器131は、第一のLED20または第二のLED30のどちらかが故障したかどうかを検出する。トリガー電圧発生器132は、ターゲットデバイス検出器131と第一および第二の半導体11,12のトリガー端子111、121に接続している。トリガー電圧発生器132は、トリガー電圧を出力することが可能である。更に図3を参照すると、制御部13によって実行される動作プロセスは、全ての接続されたターゲットデバイスの状態を取得するステップ301と、接続されたターゲットデバイスのいずれかが故障したかどうかを決定するステップ302と、対応するシャント半導体をオンにするように切り替えるために故障したターゲットデバイスに対応するシャント半導体にトリガー電圧を出力するステップ303と、からなる。全ての接続されたターゲットデバイスの状態を取得するステップ301では、ターゲットデバイス検出器131が全ての接続されたターゲットデバイスの状態を取得する。接続されたターゲットデバイスのいずれかが故障したかどうかを決定するステップ302では、ターゲットデバイス検出器131が接続されたターゲットデバイスのいずれかが故障したかどうかを決定する。接続されたターゲットデバイスのいずれもが故障していなかった場合には、制御部13は動作プロセスを繰り返すように全ての接続されたターゲットデバイスの状態を取得するステップを再実行する。上述した実施形態では、図4を参照すると、全ての接続されたLED20、30が通常通り動作する時には、ターゲットデバイス検出器131は接続されたLED20、30のいずれもが故障していないことを検出するので、トリガー電圧発生器132はトリガー電圧を出力せず、第一および第二のシャント半導体11、12はオンに切り替えられず、オフの状態のままとなる。もしターゲットデバイス検出器131が接続されたターゲットデバイスのいずれかが故障したことを検出すれば、制御部13は、故障したターゲットデバイスに対応するシャント半導体11、12に電圧生成器132からのトリガー電圧を出力するために、対応するシャント半導体をオンにするように切り替えるために故障したターゲットデバイスに対応するシャント半導体にトリガー電圧を出力するステップ303を実行する。以下の記載では、図5と6が上述した実施形態を使うことによってステップ303を説明することを例示する。図5を更に参照すると、例えば第一のLED20が故障したことのように、ターゲットデバイス検出器131が接続されたLED20、30の1つが故障したことを検出すると、トリガー電圧生成器132が、故障した第一のLED20に対応する第一のシャント半導体11にトリガー電圧を出力する。第一のLED20が丁度故障した瞬間に、第一のLED20の陽極と第二のLED30の陰極の間の電位差が鋭く上昇し、トリガー電圧も上昇する。トリガー電圧はMOSの閾値よりも大きいので、第一のシャント半導体11が引き続いてオンにされて飽和モードで動作する。この状態では、電流は第一のシャント半導体11のシャント端子を通して流れることが許容される。図6を参照すると、第一のシャント半導体11がオンにされた後、元々第一のLED20を通して流れていた電流は、シャント端子112、第一のシャント半導体11、シャント端子113、ノード40および第二のLED30を通して流れる。第一のシャント半導体11がシャント経路を提供するので、LED列は通常通り動作し続ける。第一のLED20が故障した後は第二のLED30だけが通常通り動作するが、第二のLED30の前方電圧が3.5ボルトなので第一のシャント半導体11はオンにされたままに留まり、制御部13は3.5ボルトのトリガー電圧を出力する。MOSの特性に従って、MOSが飽和モードで動作する時には、MOSのドレインおよびソース端子の間の電位差は非常に低い。例えば、もし100ミリアンペアmAの電流がMOS通して流れれば、MOSのドレインおよびソース端子の間の電位差はおよそ0.1ボルトである。従って、第一のLED20が故障して第一のシャント半導体11がオンにされた時には、第一のシャント半導体11の電力消失は0.01ワットである。前述した記載に基づくと、各シャント半導体は、より高い電圧がトリガー端子に入力されればされるほどシャント端子112、113間の電位差がより低くなるという特性を有し、制御部13は、故障したターゲットデバイスに対応するシャント半導体に、少なくとも2つの隣接したターゲットデバイス上の電位差に等しいトリガー電圧を出力するので、動作時にはシャント半導体上の電位差は低い。従って、本発明のシャント保護モジュールおよび方法は、故障したターゲットデバイスに対応するシャント半導体に高いトリガー電圧を提供することを確かなものとするので、本発明のシャント保護モジュールの電力消失は可能な限り低く低減されることができる。"