-放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、-所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、-基板を保持する基板テーブルと、-パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、-該投影システムの最終素子と該基板間のスペースを少なくとも部分的に液体で満たす液体供給システムとから成るリソグラフィ投影装置において、該液体供給システムは、-上記投影システムの最終素子と上記基板テーブル間の上記スペースの少なくとも境界の部分に沿って伸長したシール部材と、-該シール部材と該基板の表面間においてガスシールを形成するガスシール手段とにより構成されることを特徴とするリソグラフィ投影装置。上記のガスシール手段は、上記基板上にて上記シール部材を支持するガスベアリングであることを特徴とする請求項1に記載の装置。上記のガスシール手段は、上記基板に対向した上記シール部材の面に形成されたガス導入口および第一ガス導出口と、該導入口に加圧下にてガスを供給する手段と、該第一ガス導出口からガスを抽出する真空手段とにより構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の装置。ガスソースに連結した、上記第一ガス導出口と上記ガス導入口間に配置されたさらなる導入口をさらに備えていることを特徴とする請求項3に記載の装置。上記のさらなる導入口は、上記基板に面した上記シール部材の面における連続した環状の溝から成ることを特徴とする請求項4に記載の装置。上記の溝の放射状の最も内側のコーナーは半径を有することを特徴とする請求項5に記載の装置。上記の第一ガス導出口は、上記基板に面した上記シール部材の面における連続した環状の溝から成ることを特徴とする請求項3から6のいずれか1項に記載の装置。上記の第一ガス導出口および/または上記のガス導入口は、上記供給の手段と上記真空手段間のそれぞれのチャンバと、上記表面における導入口あるいは導出口の開口から成り、チャンバは該開口よりも低い流量制限をもたらすことを特徴とする請求項3から7のいずれか1項に記載の装置。上記のガス導入口は、上記基板に面した上記シール部材の面における一続きの別々の開口からなることを特徴とする請求項3から8のいずれか1項に記載の装置。ガス導入口の領域にガスの流れを均等に分配するよう、該ガス導入口に多孔質部材が配置されることを特徴とする請求項3から9のいずれか1項に記載の装置。上記のガスシール手段は、上記基板に対向した上記シール部材の上記面に形成された第二ガス導出口をさらに備え、上記第一ガス導出口および該第二ガス導出口は上記ガス導入口の両側に形成されることを特徴とする請求項3から10のいずれか1項に記載の装置。上記面の残り部分に対して、上記第一ガス導出口と上記ガス導入口間における上記面の部分のレベルを変える手段をさらに備えていることを特徴とする請求項3から11のいずれか1項に記載の装置。該装置は、上記面の残り部分に対して、上記第一ガス導出口と上記光軸に最も近い面のエッジ間における上記面の部分のレベルを変える手段をさらに備えていることを特徴とする請求項3から12のいずれか1項に記載の装置。上記のガスシール手段は、上記第一ガス導出口よりも投影システムの光軸に近くに位置して、上記面に形成されるチャネルを備えていることを特徴とする請求項3から13のいずれか1項に記載の装置。上記のチャネルは第二ガス導入口であることを特徴とする請求項14に記載の装置。上記のチャネルは、上記スペースにおける液面の上の環境に開いていることを特徴とする請求項15に記載の装置。上記のガス導入口は、上記投影システムの光軸から、上記第一ガス導出口よりもさらに外側に配置されていることを特徴とする請求項3から16のいずれか1項に記載の装置。上記のガス導入口およびガス導出口は、それぞれ該基板に対向した該シール部材の該面における溝と、間隔をとって配置された該溝に導かれる複数の導管とから成ることを特徴とする請求項3から17のいずれか1項に記載の装置。上記シール部材の上記面と、上記基板および/または上記基板のトポロジー間の距離を測定するセンサーをさらに備えていることを特徴とする請求項1から18のいずれか1項に記載の装置。上記シール部材と上記基板間の剛性、および/または、上記シール部材と上記基板間の距離を調整するために、上記ガスシール手段におけるガスの圧力を調節する調整手段をさらに備えていることを特徴とする請求項1から19のいずれか1項に記載の装置。毛管作用によりギャップ内に液体を引き込むよう、かつ/またはガスシール部材からのガスが上記投影システムと上記基板間の上記スペースに入るのを防ぐよう、上記シール部材と上記ガスシール手段の内側にある該基板の面との間のギャップは小さいことを特徴とする前記請求項のいずれか1項に記載の装置。上記シール部材は、上記投影システムと上記基板間の上記スペースを囲んで閉ループを形成することを特徴とする前記請求項のいずれか1項に記載の装置。-放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、-所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、-基板を保持する基板テーブルと、-パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、-該投影システムの最終素子と該基板間のスペースを少なくとも部分的に液体で満たす液体供給システムとから成るリソグラフィ投影装置において、該スペースはダクトを通して液体リザーバと液体にて連結を行っており、流体の流れ方向に垂直な面における該ダクトの最小断面面積は少なくとも、となり、△Vは時間tmin内に該スペースから取り除かれなくてはならない液体の量であり、Lはダクト長であり、ηは該スペースにおける液体の粘度であり、そして△Pmaxは該最終素子にかかる最大許容圧力であることを特徴とするリソグラフィ投影装置。上記スペースに液体があるときに、該液体が自由な上面を有さないように該スペースが密閉されていることを特徴とする請求項23に記載の装置。-放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、-所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、-基板を保持する基板テーブルと、-パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、-該投影システムの最終素子と該基板間のスペースを少なくとも部分的に液体で満たす液体供給システムとから成るリソグラフィ投影装置において、該液体供給システムはさらに、該液体供給システムにおける液体の最上面において、波の発生を抑え、かつ、圧力解除手段を含む抑制手段を備えていることを特徴とするリソグラフィ投影装置。上記の抑制手段は可とう性のある膜からなることを特徴とする請求項25に記載の装置。上記の抑制手段はメッシュからなり、上記液体の上記最上面の最大領域がメッシュの開口に等しいことを特徴とする請求項25または26に記載の装置。上記の抑制手段は安全弁を備え、特定の圧力により液体を通過させることを特徴とする請求項25、26、または27に記載の装置。上記の抑制手段は、上記液体と非混和性である高粘度の液体であることを特徴とする請求項25に記載の装置。本発明は、ステージ動作の間に加速される必要のある液体の量を最小限にして、基板と投影システム間のスペースを液体で満たしたリソグラフィ投影装置を提供することを目的とする。本目的並びに他の目的は、冒頭の段落にて特定したようなリソグラフィ投影装置において、本発明に従い達成される。ここで、上記の液体供給システムは、-上記投影システムの最終素子と上記基板テーブル間の上記スペースの少なくとも境界の部分に沿って伸長したシール部材と、-該シール部材と該基板の表面間においてガスシールを形成するガスシール手段とから構成される。ガスシール手段はこのようにしてシール部材と基板間において非接触シールを形成することから、例えば走査露光中に、投影システムの下で基板が動作するときであっても、液体は投影システムの最終素子と基板間のスペースに封じ込まれる。シール部材は、スペースを囲む、円形、長方形、もしくは他の形状のいずれかの閉ループ形状をなすか、あるいは、例えばU型の形状、またはスペースの一方サイドに沿って伸長しただけの閉じていない形状も可能である。シール部材が閉じていない場合、基板が投影システムの下で走査されるとき、シール部材は液体を閉じ込めるように配置される。好ましくは、ガスシール手段は、該シール部材を支持するガスベアリングである。これは、液体供給システムの同一部分が、ベアリングと、そして、投影システムの最終素子と基板間のスペースにおける液体のシーリングの両方に使用可能であり、それによりシール部材の複雑さと重量を減じるという長所を有する。また、真空環境においてのガスベアリングの使用から得られた以前の経験を生かすことが出来る。好ましくは、ガスシール手段は、上記基板に対向した該シール部材の面に形成されたガス導入口および第一ガス導出口と、該導入口に加圧下にてガスを供給する手段と、該第一ガス導出口からガスを抽出する真空手段とにより構成される。さらに望ましくは、ガス導入口は上記投影システムの光軸から該第一ガス導出口よりもさらに外側に配置される。このようにしてガスシールにおけるガスの流れは内側に向き、最も効果的に液体を封じ込める。この場合、ガスシール手段は有利に、基板に対向したシール部材の面に形成された第二ガス導出口をさらに備え、第一ガス導出口および第二ガス導出口はガス導入口の両側に形成される。第二ガス導出口は、ガス導入口からシール部材を囲む環境に抜け出すガスを最小限に抑えることを可能にする。よって、抜け出る、干渉計により干渉する、あるいはリソグラフィ装置における真空を低下させるといったガスのリスクは最小限に抑えられる。液体供給システムは、シール部材の面と、基板および/または基板の最上面のトポロジー間の距離を測定するセンサーをも備えている。このようにして調整手段は、例えばガスシール手段をフィードフォワード方式あるいはフィードバック方式にて調整することでシール部材の面と基板間の距離を変えるために使用され得る。該装置は、第一ガス導出口と光軸に最も近い面のエッジとで該シール部材の該面の部分のレベルを面の残り部分に対して変える手段をさらに備えている。これは、スペース内に液体を封じ込める圧力の調整が導入口の下の圧力の調整とは別になされるようにすることで、スペース内に液体を保持する力のバランスを乱すことなく基板上のシール部材の高さを調整することが可能である。これを可能にするまた別の方法は、第一ガス導出口または第二ガス導出口とガス導入口間の面の部分のレベルを面の残り部分に対して変えるための手段を使用することである。これら3つのシステムはどのような組み合わせでも使用可能である。ガスシール手段のシーリング機能とベアリング機能を分けるまた別の方法は、第一ガス導出口よりも投影システムの光軸の近くに位置して、シール部材の面に形成されるチャネルを設けることである。このチャネルの圧力は、スペース内に液体を封じ込めるように変えることが可能である一方、ガス導入口およびガス導出口は基板上のシール部材の高さを変えるために使用可能であることから、これらはシール部材を支持するためにのみ作用し、シーリング機能は、たとえあったとしても、ほんのわずかでしかない。さらに有利なフューチャは、ガスの流れをガス導入口の領域に均等に分配する目的でガス導入口に配置される多孔質部材である。これは、ガス導入口およびガス導出口を形成するのに好都合であり、ガス導入口の各々は該基板に対向した該シール部材の該面における溝と、間隔をとって配置された該溝に導かれる複数の導管とから成る。また、毛管作用でギャップ内に液体を引き込むよう、かつ/あるいはガスシール部材からのガスが該スペースに入るのを防止するよう、該シール部材と該ガスシール手段の内側にある該基板の面との間のギャップは小さいことが望ましい。シール部材の下に液体を引き込む毛管作用とそれを押し出すガスの流れとの間のバランスによってとりわけ安定したシールを形成する。基板と投影システム間のスペースを液体で満たし、基板と投影システム間の外乱の伝わりを最小限におさえるリソグラフィ投影装置を提供することをさらなる目的とする。本目的並びに他の目的は、冒頭の段落で特定したようなリソグラフィ装置において本発明に従って達成される。ここで、該スペースはダクトを通して液体リザーバと液体にて連結を行っており、流体の流れ方向に垂直な面における該ダクトの最小断面面積は少なくとも、となり、△Vは時間tmin内に該スペースから取り除かれなくてはならない液体の量であり、Lはダクト長であり、ηは該スペースにおける液体の粘度であり、そして△Pmaxは該最終素子にかかる最大許容圧力である。この装置は、液体が、波の発生する大きな自由面を有さないように、完全に抑制されることができるという長所を有する。すなわち、スペースあるいはリザーバは最上部でエンクローズされ、リザーバは液体で満たされている。これは、所定の時間内実験的に計測されたクラッシュの時間にダクトを通して流出可能な流体の量が、装置のクラッシュの際に投影システムの最終素子への損傷が回避され得るほど十分に多いことから、スペース内の圧力が損傷を発生させるレベルに達する前にダクトを通り液体が抜け出すことが出来るからである。シール部材が最終素子に対して動作するとき、液体は抜け出さなくてはならない。そうしないと、シール部材に対する最終素子の相対動作の間に最終素子にかかる静水圧が最終素子に損傷を与えることとなる。本発明の別の態様において、冒頭の段落において特定したようなリソグラフィ装置が提供される。ここで、液体供給システムはさらに、該液体供給システムにおける液体の最上面において、波の発生を抑える、かつ、圧力解除手段を含む抑制手段を備える。このようにして抑制手段が液体の最上面と接触することにより波の発生が抑えられる。しかし、クラッシュの際に最終素子への損傷を回避するため、なおかつ液体はこのスペースから抜け出すことが出来る。抑制手段を提供する一つの方法は可とう性のある膜を通すか、あるいはスペース内の液体と非混和性の高粘度の液体をスペース内の液体最上面に置くことである。これらの各場合において、抑制手段の可とう性により圧力解除機能がもたらされる。本発明の別の態様において、-放射線感光材料の層により少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、-放射線システムを用いて放射線の投影ビームを供給するステップと、-パターニング手段を用いて投影ビームのその断面にパターンを与えるステップと、-放射線感光材料の層の目標部分に放射線のパターン化されたビームを投影するステップと、-基板と、上記投影ステップにおいて使用される投影システムの最終素子間のスペースを満たすように液体を供給するステップとからなるデバイス製造方法が提供され、-該スペースの少なくとも境界の部分に沿って伸長したシール部材と該基板の表面間においてガスシールを形成するか、あるいは、-ダクトを通して該スペースと液体にて連結する液体リザーバを提供するかのいずれかであって、-該ダクトは、の液体の流れ方向に垂直な面において最小の断面面積を有しており、ここで、△Vは時間tmin内に該スペースから取り除かれなくてはならない液体の量であり、Lはダクト長であり、ηは該スペースにおける液体の粘度であり、そして△Pmaxは該最終素子上の最大許容圧力であることを特徴とし、あるいは、-抑制手段によって該液体の波の発生を抑制し、かつ、該液体の圧力を解除させることを特徴とする。本発明による装置の使用法に関して、本文ではICの製造において詳細なる参照説明を行うものであるが、こうした装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、本発明による装置は、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて使用したレチクル、ウェハ、ダイといった用語は、それぞれマスク、基板、目標部分といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることは当該技術分野の専門家にとって明らかである。本明細書において使用した放射線およびビームという用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、あるいは126nmの波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものである。本発明の実施例についての詳細説明を、添付の図面を参照に、例示の方法においてのみ行うものとする。全図を通して同様部品には、同様の参照番号を含むものとする。実施例1図1は、本発明の独自の実施形態に基づくリソグラフィ投影装置を示したものである。この装置は、特別な本実施形態において放射線源LAも備えた、放射線の投影ビームPB例えばDUV放射線を供給する放射線システムEx、ILと、マスクMA例えばレクチルを保持するマスクホルダーw備え、かつ、品目PLに対して正確にマスクの位置決めを行う第一位置決め手段に連結を行った第一オブジェクトテーブルマスクテーブルMTと、基板W例えば、レジスト塗布シリコンウェハを保持する基板ホルダを備え、かつ、品目PLに対して正確に基板の位置決めを行う第二位置決め手段に連結を行った第二オブジェクトテーブル基板テーブルWTと、マスクMAの照射部分を、基板Wの目標部分C例えば、1つあるいはそれ以上のダイから成るに像形成する投影システムレンズPL例えば反射屈折レンズシステムとにより構成されている。ここで示しているように、この装置は透過タイプすなわち透過マスクを有するである。しかし、一般的には、例えば反射マスクを有する反射タイプのものも可能である。あるいは、本装置は、上記に関連するタイプであるプログラマブルミラーアレイといったような、他の種類のパターニング手段も使用可能である。ソースLA例えばエキシマレーザーは放射線のビームを作り出す。このビームは、直接的に、あるいは、例えばビームエキスパンダーExといったようなコンディショニング手段を横断した後に、照明システム照明装置ILに供給される。照明装置ILは、ビームにおける強度分布の外部かつ/あるいは内部放射範囲一般的にそれぞれ、σ-outerおよびσ-innerに相当するを設定する調整手段AMから成る。さらに、照明装置ILは一般的に積分器INおよびコンデンサCOといったような、他のさまざまな構成要素を備える。このようにして、マスクMAに照射するビームPBは、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する。図1に関して、ソースLAはリソグラフィ装置のハウジング内にあるこれは例えばソースが水銀ランプである場合に多いが、しかし、リソグラフィ投影装置から離して配置することも可能であることを注記する。この場合、ソースLAが作り出す放射線ビームは適した誘導ミラーにより装置内に導かれる。この後者のシナリオでは、ソースLAがエキシマレーザーである場合が多い。本発明および請求項はこれら両方のシナリオを網羅するものである。続いてビームPBはマスクテーブルMT上に保持されているマスクMAに入射する。ビームPBはマスクMAを横断して基板Wの目標部分C上にビームPBの焦点を合わせるレンズPLを通過する。第二位置決め手段および干渉計測手段IFにより、基板テーブルWTは、例えばビームPBの経路における異なる目標部分Cに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め手段は、例えばマスクライブラリからマスクMAを機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、ビームPBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めするように使用可能である。一般的に、オブジェクトテーブルMTおよびオブジェクトテーブルWTの運動はロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めにて行われる。これについては図1に明示を行っていない。しかし、ウェハステッパの場合ステップアンドスキャン装置とは対照的に、マスクテーブルMTはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。ここに表した装置は2つの異なるモードにて使用可能である。-ステップモードにおいて、マスクテーブルMTは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスクの像全体が1回の作動すなわち1回のフラッシュで目標部分Cに投影される。次に基板テーブルWTがx方向および/あるいはy方向にシフトされ、異なる目標部分CがビームPBにより照射され得る。-スキャンモードにおいて、基本的に同一シナリオが適用されるが、但し、ここでは、所定の目標部分Cは1回のフラッシュでは露光されない。代わって、マスクテーブルMTが、速度vにて所定方向いわゆる走査方向、例えばy方向に運動可能であり、それによってビームPBがマスクの像を走査する。これと同時に、基板テーブルWTが速度V=Mvで、同一方向あるいは反対方向に運動する。ここで、MはレンズPLの倍率一般的にM=1/4あるいは1/5である。このように、解像度を妥協することなく、比較的大きな目標部分Cを露光することが可能となる。図2は、投影システムと基板ステージ間における液体リザーバ10を示したものである。液体リザーバ10には、導入/導出ダクト13を介して、例えば水であるような比較的高い屈折率を有する液体11が満たされている。液体の効果は、投影ビームの放射線が空気や真空におけるよりも、液体にてより短い波長を有し、より小さいフィーチャの解像を可能にすることにある。投影システムの解像度限界は、とりわけ投影ビームの波長、およびシステムの開口数によって決定する。液体の存在も有効開口数を増すと考えられる。さらに、液体は固定の開口数で被写界深度を増すのに効果的である。リザーバ10は、投影システムのイメージフィールドのまわりに基板に対する非接触シールを形成しており、基板表面と投影システムの最終素子間のスペースをうめるように液体が閉じ込められている。リザーバは投影システムPLの最終素子の下で、これを囲んで配置されたシール部材12から形成されている。液体が投影システムの下のシール部材12内のスペースに入れられる。これでシール部材12は投影システムの最終素子を少し超えて伸長しており、液面は最終素子まで上がって液体のバッファがもたらされる。シール部材12は、上端部で、投影システムのステップもしくはその最終素子に、好ましくきっちりと一致する内周を有しており、そして、例えば丸くても良い。底部において、内周は、これに限るわけではないが例えば長方形のイメージフィールドの形状にきっちりと一致する。液体は、シール部材12の底部と基板W表面間のガスシール16によってリザーバに閉じ込められる。ガスシールは、例えば空気や合成エアーといったようなガス、しかし好ましくはN2もしくは他の不活性ガスにより形成される。こうしたガスは、導入口15を介してシール部材12と基板間のギャップに加圧下で供給され、第一導出口14により抽出される。ガス導入口15への過圧、第一導出口14の真空レベル、およびギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める内部への高速の空気流が生じるように調整される。これを図3においてより詳細に示している。ガスシールは2つの環状の溝18、19から形成されており、これらの環状の溝は、溝のまわりにスペースをとって連続した小さなコンダクトconductにより、それぞれ第一導入口15と第一導出口14に連結している。導入口15と導出口14は、シール部材24の外周を囲む複数の別々のオリフィスであるか、あるいは連続した溝またはスリットである。シール部材に大きな環状のくぼみが導入口と導出口各々に設けられ、マニホールドを形成する。ガスシールはガスベアリングとして作用することにより、シール部材12を支持することにおいても有効である。ガス導入口15の外側にあるギャップG1は、外側に向かう空気の流れに対して抵抗を与えるように小さく、かつ長いほうが好ましいが、必ずしもそうである必要はない。シール部材のまわりの多数の小さな穴により形成された導入口15の半円上端のギャップG2は少し大きく、シール部材のまわりのガスを確実に十分に分布させる。ギャップG3はシールを通るガスの流れをコントロールするように選択される。ギャップG4は真空の分布がうまくなされるように大きくなっている。導出口14は、導入口15と同様の方法にて多数の小さな穴により形成されている。ギャップG5は、スペース内の液体にガス/酸素が拡散するのを防ぐよう、かつ、多量の液体が入って真空を妨げるのを回避するよう、かつ、毛管現象により常にこれを確実に液体で満たすよう小さくなっている。このように、ガスシールは、ギャップに液体を引き込む毛管力と液体を押し出す空気流間のバランスである。ギャップがG5からG4に広くなると毛管力を減じ、空気の流れが増すことによって、液体の境界線がこの領域となり、投影システムPL下で基板が動くときでさえ安定する。ギャップG3のサイズおよびジオメトリのみならず、G2における導入口とG4における導出口間の圧力差がシール16を通るガスの流量を決定し、この圧力差は具体的な実施形態に従って決定される。一方、ギャップG3の長さが短く、G2における絶対圧力がG4における絶対圧力の2倍である場合、かなりの効果が達せられる。この場合、ガス速度はガスにおける音の速度であり、これ以上は上がらない。ゆえに安定したガスの流れを達成する。ガス導出系は、ガス導入圧を減じて液体をギャップG4に入らせて、そして真空システムによって吸い出すことにより、システムから液体を完全に取り除く際にも使用され得る。これはシールを形成するために用いられるガスと同様、液体を取扱うためにも容易に調整が可能である。ガスシールの圧力調整は、基板が動作するとき摩擦によって熱せられるギャップG5の液体が投影システムの下のスペースの液体温度を乱さないよう、ギャップG5を通る液体を確実に流動させるためにも用いられる。ガス導入口および導出口のまわりのシール部材の形状は、乱流と振動を減じるべく、出来るだけ層流をもたらすように選択されるべきである。また、ガスの流れは、液体を閉じ込める最大力をもたらすべく、液体の界面における流れ方向の変化が出来るだけ大きくなるように調整されるべきである。液体供給システムはリザーバ10の液体を循環させ、それにより新鮮な液体をリザーバ10に供給する。ガスシール16はシール部材12を支持するのに十分な大きさの力を作り出すことが可能である。実際に、シール部材12により支持される有効重量をあげるために、シール部材12を基板方向にバイアスする必要がある。シール部材12は、いずれの場合でも、投影システムに対して、かつこの下で実質的に静止位置においてXY面光軸に垂直に保持されるが、投影システムから切り離される。シール部材12はZ方向、RxおよびRyに自由に動く。実施例2図4および図5において第2実施例を示している。第2実施例は以下に記載の内容を除いて第1実施例と同様である。この実施例において、第一ガス導出口14に対して、ガス導入口15の向かい側に第二ガス導出口216が設けられる。この方法において、装置の光軸から外側へガス導入口15から抜け出るガスは、真空ソースに連結した第二導出口216により吸い上げられる。このようにして、ガスが、例えば干渉計読取り、あるいは、投影システムおよび/または基板が収容されている真空と干渉不可能であるよう、ガスシールからガスが抜け出すのを防止する。2つのガス導出口を使用する本実施例の他の利点は、この設計がリソグラフィ装置において以前に用いられていたエアベアリングの設計と非常に類似することである。従って、そうしたエアベアリングから得られた経験を本実施例のガスシールに直接適用することが可能である。第2実施例のガスシールはシール手段としてだけでなくガスベアリングとしての使用に特に適することから、シール部材12の重量の支持にこれを使用することが出来る。シール部材12の底面と基板W間の距離を測定するため、あるいは、基板Wの上面のトポロジーを計測するため、有効にセンサーが設けられる。ガス導入口および導出口の14、15、216に印加される圧力を変えるために調整手段を用いることが可能であり、リザーバに液体11を閉じ込める圧力P2と、シール部材12を支持する圧力P1およびP3を変える。よって、シール部材12と基板W間の距離Dが変えられるか、もしくは一定の距離に維持される。同一調整手段がシール部材12の面を維持するのに使用され得る。同一の調整手段はフィードフォワード調整ループあるいはフィードバック調整ループのいずれかにより調整され得る。図5は、リザーバに液体を保持する圧力P2と、シール部材12を支持する圧力P3を別々に調整するためにガスシールがいかに調整されうるかを詳細に示したものである。この特別な調整は、稼動中の液体損失を最小限におさえる方法を提供するため、有益である。第2実施例では、圧力P2およびP3を別々に調節可能にして、露光中のコンディションを変えるものである。コンディションが変わることは、異なる走査速度により、あるいは、おそらく基板Wのエッジがシール部材12によってオーバーラップしていることにより、単位時間ごとの液体損失が異なるレベルとなる。これは、基板Wに面したシール部材12の面における個々の部分の基板Wに対する距離を変える手段を提供することにより達成される。こうした部分には、第一ガス導出口14と、光軸に最も近いシール部材12のエッジ間の部分220、ガス導入口15と第一ガス導出口14間の部分230、そして、第二ガス導出口216とガス導入口15間の部分240を含む。これらの部分は、例えば圧電アクチュエータを使用して、基板W方向、かつ基板Wから離れる方向に動作される。つまり、シール部材12の底面は圧電アクチュエータ望ましくはスタックから成る。該圧電アクチュエータは、これらを横切る電位差を与えることで拡張/収縮することが可能である。また他の機械的手段を用いることも可能である。ガス導入口15の下で作り出される圧力P3は、ガス導入口15に印加されるガスの圧力P5、第一ガス導出口14および第二ガス導出口216それぞれに印加されるガスの圧力P6およびP4、そして、基板Wと基板Wに面したシール部材12の底面間の距離Dとにより決定される。また、ガス導入口とガス導出口間の水平距離も影響を与える。シール部材12の重さは圧力P3によって補正され、それによりシール部材12はウェハWからの距離Dを確定する。Dの減少はP3の増加となり、Dの増加はP3の減少となる。ゆえにこれは自己調整システムといえる。圧力P3による一定の押し出し力にて、距離Dは、圧力P4、P5、およびP6によって調整のみ可能とされる。しかし、P5、P6、およびDの組み合わせは、リザーバに液体11を保持する圧力である圧力P2を作り出す。所定の圧力レベルで液体の容器から抜け出す液体の量は計算可能であり、液体PLIQにおける圧力も重要である。PLIQがP2よりも大きい場合、液体はリザーバから抜け出る。また、PLIQがP2よりも小さい場合には好ましからざる気泡が液体に発生する。液体に気泡が確実に出来ないよう、かつ、この液体の交換が必要である際にそれほど多くの液体が抜け出ることがないよう、P2をPLIQよりもわずかに小さい値に維持していくようにすることが望ましい。好ましくは、これは全て定数Dによりなされる。部分220とウェハW間の距離D1を変えると、抜け出る液体の量が距離D1の2乗で変化するので、リザーバから抜け出す液体の量をかなり変えることが出来る。必要とされる距離の変動はわずか1mm程度のものであり、望ましくは10μmである。これは、100V以上のオーダの稼動電圧を有する圧電スタックにより容易に可能とされる。あるいは、部分230の底部に圧電素子を配置することにより、抜け出すことの出来る液体量を調整することが可能である。距離D2を変えることは圧力P2を変えるのに有効である。しかし、この解決法は、定数Dを維持するために、ガス導入口15における圧力P5の調整を必要とするであろう。当然、部分240の低位部分と基板W間の距離D3を同様の方法で変えることも可能であり、P2およびP3の個々の調整に使用することも可能である。P2およびP3を所望の値に変えるべく、圧力P4、P5、およびP6と、距離D1、D2、およびD3を全て別個に、あるいは組み合わせて調整することが可能であることが理解されよう。実際に、第2実施例は、リザーバ10の液体量のアクティブ管理における使用に特に有効である。基板Wの結像が行われていない投影装置のスタンバイ状態とは、リザーバ10の液体は空であるがそれによりシール部材12を支持するためにガスシールはアクティブであるという状態であろう。基板Wが配置された後、液体がリザーバ10内に導入される。次に基板Wが結像される。基板Wを取り除く前に、リザーバからの液体を取り除くことが出来る。最終基板の露光後にリザーバ10内の液体が取り除かれる。液体を取り除くたびに、前に液体が満たされていた領域を乾かすようにガスパージが適用されなくてはならない。上述したように定数P3を維持しながら、液体は、P2を変えることによって第2実施例に従って装置において容易に完全に取り除かれることが出来る。他の実施例において、P5およびP6かつ必要な場合、あるいは適切である場合、P4もを変えることにより、同様の効果を達成することが出来る。実施例3図6に示すように、第2実施例の代替案、あるいはさらなる展開として、第一ガス導出口14の内側投影システムの光軸にさらに近いに、基板Wに面したシール部材12の面にチャネル320が設けられる。チャネル320はガス導入口および導出口の14、15、216と同様の構成を有する。チャネル320を用いることで、圧力P3とは別々に圧力P2を変えることが可能である。もしくは、リザーバ10の液面より上方の周囲圧へチャネルを開口することにより、稼動中のリザーバからの液体消費がかなり減じられる。チャネル320は他のどのような実施例とも組み合わせることが可能であり、特に第1実施例と組み合わせて使用され得るが、本実施例を第2実施例との組み合わせにおいて説明した。さらなる長所は、ガス導入口15および第一ガス導出口14またある特定の実施例においては第二ガス導出口216もが乱されないことである。さらに、ここでは3個のみの素子を示しているが、基板Wに面したシール部材12の面に何個のチャネルでも取り入れることが可能である。各チャネルは、液体供給システムの剛性、液体消費、安定性、あるいは他の特性を改善するために圧力を与えられている。実施例4図7および図8に示した第4実施例は、以下に記載の内容を除いては第1実施例と同様である。しかし、第4実施例はここに記載のいずれか他の実施例とともに有効に使用することも可能である。第4実施例において、好ましくはポーラスカーボンや多孔質セラミック部材といった多孔質部材410が、ガス導入口15に取り付けられる。ここでは、ガスはシール部材の底面から抜け出る。好ましくは、多孔質部材の底面はシール部材の底面と同一平面上にある。このポーラスカーボン部材410は、この場合基板Wにおける完全に平らではない面に無関係であり、導入口14を抜け出るガスは導入口の出口全体によく分配される。シール部材12が基板Wのエッジ上に部分的に配置されるとき、このポイントにおいてガスシールが接触する面が平らでないとき、多孔質部材410を使用することによって得られる長所もまた明らかである。第4実施例の別形態において、多孔質部材410を真空チャネル14に配置することが可能である。望ましからざる圧力損失を回避しながら、多孔質部材410は、加圧状態を維持するように選択された孔を有するべきである。これは、基板Wのエッジを結像するときに有利であり、ガスベアリングは基板Wのエッジ上を動作する。なぜならば、たとえエッジ位置における予圧が損失するとしても、予圧の変動をかなり減じて、そして、ステージ上の浮上高と力の連続的な変化において、真空チャネルは多量かつ多種のガスにより汚染されないからである。実施例5上記の実施例全てにおいて一般的に、自由表面を有する、空気といったガスに露出されるリザーバ10内に液体を有する。これは、投影システムPLの最終素子が、投影システムに静水力が増すことによるクラッシュの場合に破壊するのを防ぐためでる。クラッシュの間、投影システムPLがそれに対して作用するとき、リザーバ10内の液体は抑制させず、液体が容易に上方にあがることを余儀なくされる。この解決法の欠点は、稼動中に自由表面で表面波が生じ、それにより基板Wから投影システムPLに好ましからざる外乱を伝えることである。この問題を解決する一つの方法は、リザーバ10が、特にその上面が、シール部材内に完全に含まれるようにすることである。液体は第二リザーバからダクトを通してリザーバ10に供給される。この第二リザーバは抑制されない最上面を有することができ、クラッシュの間、液体はダクトを通して第二リザーバ内に向かうことを余儀なくされることから、投影システムにおいて第一リザーバ10に大きな静水力が生じるのを回避する。こうしたクローズドシステムにおいて、投影システムにおける液体の圧力の局所的増加は、リザーバに連結するダクトが、次の等式に従う半径を有するダクトに等しい断面面積を確実に有することにより回避される。ここで、Rはダクト半径であり、△Vは時間t内にリザーバ10から取り除かれなくてはならない液体の量であり、Lはダクトの長さであり、ηは液体の粘度であり、そして△Pは第二リザーバと第一リザーバ10間の圧力差である。基板テーブルが0.2m/秒実験により計測の速度でクラッシュする可能性があり、かつ、△Pmaxは104Paである最大圧力において投影システムの最終素子はダメージが生じる前は持ちこたえることが出来るという仮定がたてられる場合、必要パイプ半径は0.2mのダクト長に対して約2.5ミリメータである。望ましくは、ダクトの有効半径は式から得られる最小値の少なくとも2倍である。投影システムPLがクラッシュ時になおかつ保護されるようにしながら、リザーバ10の液体において波の形成を回避するまた別の方法は、リザーバ10の液体の最上面における抑制膜510を液体の自由表面に提供することである。この解決法は、クラッシュの場合、高すぎる圧力にせずに液体を排出させるために、安全手段515を必要とする。その一解決法を図9において示している。抑制膜は可とう性材料から成り、これは、液体の圧力が所定の許容最大値に達する前に液体が可とう性のある抑制膜510を変形させることにより、液体が、投影システムPLと抑制膜510間、もしくは抑制膜とシール部材間をそれぞれ抜け出すといった方法で、シール部材12の壁部あるいは投影システムに取り付けされる。このように、クラッシュの場合に投影システムPLに損傷を与えることなく、液体が安全膜を抜け出すことが可能である。この実施例に関して、リザーバ10の少なくとも体積の抑制膜上にスペースを有することが明らかに望ましい。よって、可とう性のある膜は、リザーバ10における液体の最上面において波の形成を回避し得るほど十分に堅いが、一旦液体が所定の静水圧に達すると、液体が抜け出るのを防止するほどには堅くない。より堅い抑制膜との組み合わせにおいて、所定圧力以上で液体の自由な流れを可能にする圧力弁515を使用することで同様の効果が達せられる。抑制手段のまた別の形態では、リザーバ10の液体の最上部の自由表面に粘度の高い液体を配置する。これは、クラッシュの場合に、投影システムPLを妨害せず液体を抜け出させながら表面波の形成を抑制する。当然、高粘度の液体はスペース10において使用される液体と非混和性でなくてはならない。それに関する液体抑制手段510のさらなる代替案はメッシュで構成することである。この方法において液体の最上面は各々が小さい面積の複数部分に分割される。この複数部分の表面面積はメッシュの開口に等しく、それにより大きな表面波の生成が効果的に抑えられるため、このようにして、共振により作り出され、かつ投影システムを阻害する大きな表面波の発生を回避する。また、メッシュによって、その開口を通る液体の流れを可能にすることで、クラッシュの際に投影システム保護する効果的な圧力解除メカニズムがもたらされる。実施例6図10および図11に示した第6実施例は、以下に記載の内容を除いて第1実施例と同様である。第6実施例は上述の実施例における提案のいくつかを使用する。別の実施例において、投影システムの最終素子の下でこれを囲んで配置されたシール部材12により、投影システムの下の領域に浸液11が閉じ込められている。シール部材12と基板W間のガスシールは、3つのタイプの導入口および導出口から形成されている。シール部材は一般的に導出口614、導入口615、そして、さらにもう1つの導入口617を備えている。これらは、投影システムPLの最も近くに導出口614が、導出口614のすぐ外側にさらにもう1つの導入口617が、そして投影システムPLから最も遠くに導入口615が配置されている。導入口615は、環状のチャンバ622を介して、基板Wに面したシール部材12の表面にある複数の導出ホール620にガス供給がなされるエアベアリングから成る。導出口620を抜け出す空気の力は、シール部材12の重量の少なくとも部分を支持することと、投影システムPLの下の局所的な領域に閉じ込められる浸液をシールするのを助ける導出口614方向への空気の流れを可能にすることの両方の役割をなす。チャンバ622の目的は、別個のガス供給オリフィス625が導出ホール620で均一な圧力にてガスを供給するようにすることである。導出ホール620は直径が約0.25mmであり、約54個の導出ホール620がある。導出ホール620とチャンバ622間における流量制限にあるオーダの大きさの差があり、これは、少ない数、すなわち1つだけのメイン供給オリフィス625であっても、導出ホール620全てからの均一な流出を可能にする。導出ホール620を抜け出るガスは放射状に内側と外側の両方に流れる。導出口614から放射状に内側に流れる空気は、シール部材と基板W間のシールを形成するのに有効である。しかし、さらなる導入口617によりさらに空気の流れがもたらされる場合、シールを改善することが分かった。通路630はガスソース、例えば外気に連結している。導入口615からの空気の放射状の内側への流れは、さらなる導入口617から導出口614に向かってさらにガスを引き込むのに有効である。通路630の端部連続する別々の導入口ではなくに設けられた環状の溝633は、溝633の最も内側のエッジと導出口614間におけるガスのシーリングフローが外周全体において確実に均一であるようにする。溝は一般に幅が2.5mmであり、同様の高さを有するものである。溝633の最も内側のエッジ635は図示するような半径がもたらされ、通路630を通って導出口614に向かうガスのスムーズな流れを可能にする。導出口614はまた、高さがわずか約0.7mmであるが、幅が6から7mmの連続した溝640を有する。溝640の最も外側のエッジ642は、ほぼ90°の鋭いエッジがもたらされ、それによってガスの流れ、特に、さらなる導入口630からのガスの流れはガスシールの効果を高めるように加速される。溝640は、環状のチャンバ647につながる、よって別個の導出通路649につながる複数の導出ホール645を有する。複数の導出ホール645は直径が約1mmであり、それにより、導出ホール645を通過する水滴はより小さな水滴に細分される。シール部材12の液体除去効果を、さらなる導入口617に連結した調整弁638によって調整することが可能である。弁638はさらなる導入口617を通る流量の調整に有効であり、それにより、導出口614を通るガスシールの液体除去効果を変える。シール部材の全径は100mm程度のものである。図11は、図10のシール部材の下側の平面図である。図から分かるように、導入口615は複数の別個の導入ホール620として提供されている。エアベアリングとしての溝が、このようなシステムにおいて変動が設定されるような能力ガスの圧縮可能特性によるを有することから、これはメインの導入口615に溝を使用することに対して長所がある。小さい直径の導入ホール620はその中のガスは低量であるから、その能力によって生じる問題にあまり悩まされない。溝633の形状のさらなる導入口617は、別個の導入ホール620のみを使用するときには必ずしも可能でなかった、シール部材12の全円周において連続するガスの流れを可能にするために使用され得る。チャンバ647、622といったような有効な溝640を供給することにより別個の構成要素として導出口645を供給することは、流れを安定させるのに問題とはならない。液体の導入口は図10および図11のシール部材12において示されておらない。液体は、前述の実施例にて示された方法と同様の方法にて供給されるか、あるいは、いくらかの液体は、欧州特許申請番号03256820.6号および同第03256809.9号において記載されているように導出入される。実施例7第7実施例は以下に記載の内容を除いて第6実施例に類似する。図12は、図11と類似するシール部材12下側の平面図である。図12において、シール部材12には第6実施例に示したようなさらなる導入口は設けられないが、任意に追加することも可能である。第7実施例のシール部材12は、導入ホール720により形成され、かつ、第6実施例の全体設計と同様のガスベアリング715から成る。導入口714は、それぞれガスソースと真空ソースに導く2つのみの通路745と747を有する環状の溝740から成る。この方法により通路745に連結したガスソースから、通路747に連結した真空ソースへの高速のガスの流れがもたらされる。この高速のガスの流れにより浸液をより効果的に排水することが可能となる。さらに、真空チャンバにおいてより大きく制限された真空の流れを作り出すことで、基板W上のシール部材12の高さの変動による流れのばらつき、あるいは表面における他の漏れのもとは、ガスベアリングに対して予圧を与える真空チャンバの圧力に影響を与えない。実施例8第8実施例は図14との関連において説明を行うものであり、以下に記載の内容を除いて第一実施例と同様である。図14において分かるように、第8実施例は、第一実施例と同様導入口815と導出口814を備えたシール部材12を有する。しかし、導出口14の下に、あるいはこれのわずかに放射状の外側に、基板Wの面上のガスの速度を増すガスジェットが作り出されるように配列されたさらにもう1つの導入口817が設けられており、それによって浸液はより効果的に基板Wの表面から取り除かれる。さらなる導入口817は、投影システムPLに放射状の内側に向かう角度で基板Wに向かって導かれるノズルによってもたらされる出口を有する。従い、最後の数マイクロメータの液体フィルムを水から取り除くことの出来ない、基板表面上のゼロ速度で単純な放射線状の速度分布を有する、導入口815と導出口814間の層流レイノルズ数が約300が改善される。なぜならば、さらなる導入口817により、より高速の空気速度を有するガスが基板表面と接触するのを可能にするからである。図14から、さらなる導入口817のノズル出口が、導出口814の放射状の外側に、しかし、導入口815よりも導出口814の近くに設けられていることが分かる。実施例9第9実施例を図15および図16に示しており、これは以下に記載の内容を除いて第一実施例と同様である。第9実施例において、基板Wに面するシール部材の底面における導出口914の口が、導出口914内への空気の速度を増すように修正されている。これは、導出口914の通路を同じサイズに保ちながら、導入口914の口のサイズを減じることで達せられる。これは、シール部材12の材料を通路の中央に向かって伸長して、外側への追加部材940と内側への追加部材950を形成することにより、より小さい口を設けることで達成される。外側への追加部材940は内側への追加部材950よりも小さく、これら2つの部材940、950間のギャップは、導出口914の残り部分よりも約20倍小さい。口の幅は約100から300μmである。図16において、第9実施例のさらなる別の形態を示しており、ここでは、第8実施例における導入口817に類似するさらなる導入口917が設けられている。しかし、この場合、さらなる導入口917は基板Wの面にほぼ平行な噴流をもたらし、それにより導出口914の口に入るガスが加速される。実施例10第10実施例を図17に示しており、本実施例は以下に記載の内容を除いて第1実施例と同様である。第10実施例において、第8実施例と同様の原理に従って基板Wの表面上のガス速度を増すことによって液体除去効率が改善される。導入口1015から出て、導出口1014に向かって放射状の内側に動くガスは、環状の溝1018の下を通過する。図示するように、溝の効果は、ガスがその放射状の最も外側にある溝に入り、放射状の内側面において基板Wの方向に角度を持って出ることである。従い、導出口1014への入り口で基板Wの表面上のガスの速度は増し、液体除去効率が改善される。どの実施例のフューチャであっても、他の実施例のいくつかの、あるいは全部のフューチャとともに使用可能であることは明らかである。以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく他の方法でも具体化できることは当業者にとって明らかである。本詳細説明は本発明を制限する意図ではない。