表面実装可能半導体素子100を製造する方法であって、少なくとも以下のステップ、すなわち、-プラスチック材料によって構成される補助支持体1を準備するステップと、-少なくとも1つの挿入部4と、少なくとも1つのオプトエレクトロニクス構成部分3とを前記補助支持体1の取り付け面11に載置するステップと、-前記オプトエレクトロニクス構成部分3および前記挿入部4を共通の1つの成形体5によって包囲するステップと、-前記成形体5により、前記オプトエレクトロニクス構成部分3および前記挿入部4を少なくとも部分的に形状結合的に覆うステップとを有しており、前記オプトエレクトロニクス構成部分3と、前記挿入部4とは互いに直接接触接続しておらず、-前記オプトエレクトロニクス構成部分3と前記挿入部4とを前記成形体5によって機械的に互いに接続させるステップと、-前記補助支持体1を除去するステップと、-前記成形体5を切断することにより、個々の表面実装可能半導体素子100を作製するステップとを有する、ことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記補助支持体1は、50μmないし200μmの厚さを有する、ことを特徴とする方法。請求項1または2に記載の方法において、前記挿入部4は反射器41であり、該反射器41は、動作時に前記オプトエレクトロニクス構成部分3によって形成されかつ前記反射器に当たる電磁ビームを反射するように構成されており、前記反射器41は、前記オプトエレクトロニクス構成部分3を横方向に少なくとも部分的に取り囲む、ことを特徴とする方法。請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法において、前記挿入部4は、前記オプトエレクトロニクス構成部分3用の接続箇所A1であるかまたは当該接続箇所A1を有する、ことを特徴とする方法。請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法において、前記補助支持体1と前記オプトエレクトロニクス構成部分3との間で前記包囲を行う前に、前記オプトエレクトロニクス構成部分3用の別の電気接続箇所A2であるかまたは当該電気接続箇所A2を有する支持エレメント2を前記補助支持体1の前記取り付け面11上に配置する、ことを特徴とする方法。請求項5に記載の方法において、前記オプトエレクトロニクス構成部分3と、前記挿入部4と、前記支持エレメント2とを共通の1つの成形体5によって包囲し、-前記成形体5により、前記オプトエレクトロニクス構成部分3と、前記挿入部4と、前記支持エレメント2とを少なくとも部分的に形状結合的に覆い、前記挿入部4と前記支持エレメント2とは互いに直接接触接続しておらず、-前記挿入部4と前記支持エレメント2とを前記成形体5によって互い機械的に接続させる、ことを特徴とする方法。請求項5または6に記載の方法において、前記支持エレメント2は250μmの最大厚さDを有する、ことを特徴とする方法。表面実装可能半導体素子100において、-ビーム通過面32を有する少なくとも1つのオプトエレクトロニクス構成部分3と、-動作時に前記オプトエレクトロニクス構成部分3によって形成されかつ入射する電磁ビームを反射するように構成された少なくとも1つの反射器41と、-前記オプトエレクトロニクス構成部分3および前記反射器41に少なくとも部分的に直接接触接続しているビーム透過形成形体5と、-少なくとも部分的に前記成形体5の表面によって構成される載置面101とを有しており、-前記オプトエレクトロニクス構成部分3および前記反射器41とは互いに直接接触接続しておらず、前記成形体5によって互いに機械的に接続されており、-前記反射器41は、前記オプトエレクトロニクス構成部分3を横方向に少なくとも部分的に取り囲んでいる、ことを特徴とする表面実装可能半導体素子100。表面実装可能半導体素子100において、-ビーム透過面32を有する少なくとも1つのオプトエレクトロニクス構成部分3と、-少なくとも1つの挿入部4と、-前記オプトエレクトロニクス構成部分3の側面33および前記反射器41に少なくとも部分的に直接接触接続しているビーム反射形成形体5と、-少なくとも部分的に前記成形体5の表面によって構成されている載置面101とを有しており、-前記オプトエレクトロニクス構成部分3と前記挿入部4とは互いに直接接触接続しておらず、前記成形体5によって互いに機械的に接続されており、-前記オプトエレクトロニクス構成部分3の前記ビーム透過面32には前記成形体5が設けられていない、ことを特徴とする表面実装可能半導体素子100。請求項8または9に記載の表面実装可能半導体素子100において、前記成形体5は、エポキシドからなるかまたは少なくとも1つのエポキシドを含んでおり、当該エポキシドに光反射性粒子が入れられている、ことを特徴とする表面実装可能半導体素子100。請求項8から10までのいずれ1項に記載の表面実装可能半導体素子100において、前記成形体5は側方に前記オプトエレクトロニクス構成部分3を突き出ていない、ことを特徴とする表面実装可能半導体素子100。請求項8から11までのいずれ1項に記載の表面実装可能半導体素子100において、前記オプトエレクトロニクス構成部分3の前記ビーム透過面32および前記成形体5の露出した箇所に別のビーム透過形成形体6が少なくとも部分的に被着されている、ことを特徴とする表面実装可能半導体素子100。