"モールド層中において、少なくともその一部が半導体チップを搭載する複数のリードフレームが、絶縁基板上に形成された複数の回路パターンに、接合材によって接合された構成を具備する半導体モジュールであって、前記複数のリードフレームには、前記半導体チップを搭載する第1のリードフレームと、前記半導体チップを搭載せず、ボンディングワイヤが接続される第2のリードフレームと、が含まれ、前記複数の回路パターンには、前記第1のリードフレームと接合される第1の回路パターンと、前記第2のリードフレームと接合される第2の回路パターンと、が含まれ、前記第2のリードフレームにおける前記ボンディングワイヤが接続された領域の直下においては前記接合材及び前記第2の回路パターンが形成され、前記領域の周囲においては前記第2のリードフレームと前記絶縁基板との間に前記接合材及び前記第2の回路パターンが形成されていないように、前記第2のリードフレーム直下の前記絶縁基板上に局所的に前記第2の回路パターンが形成されたことを特徴とする半導体モジュール。前記半導体チップにはスイッチング素子が形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。2つの前記第1のリードフレームを具備し、一方の前記第1のリードフレームには前記スイッチング素子が形成された半導体チップが搭載され、他方の前記第1のリードフレームには、前記スイッチング素子が形成された半導体チップを制御する制御用の半導体チップが搭載されたことを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。前記第2のリードフレームは、前記2つの前記第1のリードフレームの間に設置されたことを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。前記第1のリードフレーム、前記第2のリードフレームの一端は、それぞれ前記モールド層から突出するように延伸して形成されたことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の半導体モジュール。特許文献2に記載の技術においては、プリント基板を用いて複雑な配線パターンを実現することができるものの、リードフレームと別途にプリント基板を準備することが必要となるために、高コストとなる。このため、特許文献1に記載の構成において、同様の回路構成を絶縁基板上において実現することが、より好ましい。すなわち、絶縁基板上の回路パターンとこれに接合されたリードフレームを配線として用いる構成がより好ましい。この場合、半導体モジュール内の複雑な配線を実現するためには、リードフレームとして、1半導体チップスイッチング用、制御用を搭載するために用いられ、かつ配線としても機能するリードフレーム、2半導体チップが搭載されず、配線としてのみ用いられるリードフレーム、の2種類のリードフレームを絶縁基板回路パターン上に設けることが必要となる。このうち、2配線としてのみ用いられるリードフレームに対する電気的接続は、一般にはボンディングワイヤを用いて行われる。このため、この半導体モジュールの信頼性を高くするためには、ボンディングワイヤとリードフレームとの間の接続の信頼性を高くすることが要求される。このためには、このリードフレーム表面の平坦性が高いことが要求される。ところが、半導体チップを搭載するリードフレーム1においては、半導体チップが接合されることによってこの平坦性が確保されるのに対し、半導体チップが搭載されないリードフレーム2においては、この平坦性は必ずしも良好とはならない。この平坦性には、直下のはんだ層に発生したボイド等が大きく影響を与え、特にリードフレームの面積が広いほど、平坦性を良好とすることは困難である。一方、前記の通り、リードフレームの一部をモールド層から突出させてリードとして用いる場合には、必然的にリードフレームの面積は広くなる。この場合、このリードフレーム2に対する接合の信頼性を高くすることは困難であった。このため、低コストで信頼性の高いIPMを得ることは困難であった。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。本発明の半導体モジュールは、モールド層中において、少なくともその一部が半導体チップを搭載する複数のリードフレームが、絶縁基板上に形成された複数の回路パターンに、接合材によって接合された構成を具備する半導体モジュールであって、前記複数のリードフレームには、前記半導体チップを搭載する第1のリードフレームと、前記半導体チップを搭載せず、ボンディングワイヤが接続される第2のリードフレームと、が含まれ、前記複数の回路パターンには、前記第1のリードフレームと接合される第1の回路パターンと、前記第2のリードフレームと接合される第2の回路パターンと、が含まれ、前記第2のリードフレームにおける前記ボンディングワイヤが接続された領域の直下においては前記接合材及び前記第2の回路パターンが形成され、前記領域の周囲においては前記第2のリードフレームと前記絶縁基板との間に前記接合材及び前記第2の回路パターンが形成されていないように、前記第2のリードフレーム直下の前記絶縁基板上に局所的に前記第2の回路パターンが形成されたことを特徴とする。本発明の半導体モジュールにおいて、前記半導体チップにはスイッチング素子が形成されたことを特徴とする。本発明の半導体モジュールは、2つの前記第1のリードフレームを具備し、一方の前記第1のリードフレームには前記スイッチング素子が形成された半導体チップが搭載され、他方の前記第1のリードフレームには、前記スイッチング素子が形成された半導体チップを制御する制御用の半導体チップが搭載されたことを特徴とする。本発明の半導体モジュールにおいて、前記第2のリードフレームは、前記2つの前記第1のリードフレームの間に設置されたことを特徴とする。本発明の半導体モジュールにおいて、前記第1のリードフレーム、前記第2のリードフレームの一端は、それぞれ前記モールド層から突出するように延伸して形成されたことを特徴とする。本発明は以上のように構成されているので、低コストで信頼性の高いIPMを得ることができる。以下、本発明の実施の形態となる半導体モジュールについて説明する。この半導体モジュールにおいては、スイッチング素子が形成された半導体チップスイッチング用半導体チップと、このスイッチング素子の制御を行う制御用の半導体チップ制御用半導体チップとが、それぞれ別のリードフレーム上に搭載され、モールド層中に封止されている。リードフレームは、絶縁基板上にパターニングされて形成された金属層回路パターン上に接合される。リードフレームには、半導体チップスイッチング用、制御用を搭載するために用いられ、かつ配線としても機能する第1のリードフレーム、半導体チップが搭載されず、配線としてのみ用いられる第2のリードフレーム、の2種類が存在する。また、リードフレームの一部はモールド層から突出し、この半導体モジュールにおける入出力端子であるリードとなっている。図1は、この半導体モジュール10の構成を示す上面図であり、図2はそのA-A方向の断面図、図3はそのB-B方向の断面図である。この半導体モジュール10においては、絶縁基板20が用いられる。絶縁基板20は、放熱板21とその上に形成された絶縁層22の2層構造となっている。放熱板21は、熱伝導率の高い銅や銅合金で厚く構成され、全体の支持基板ともなる。絶縁層22は、この上の回路パターンと放熱板21との間の絶縁性が確保されるような絶縁性の材料例えばエポキシ樹脂等からなる無機フィラーで構成される。回路パターンは、配線として使用することができ、かつこの上において接合材を用いた接合例えばはんだ付けが可能な金属例えば銅で構成され、絶縁層22の上で薄膜状でパターニングされて構成される。図1の構成においては、回路パターンは、回路パターン31~33の3つに分割されている。回路パターン31~33はいずれも矩形形状であり、後述する半導体チップが搭載されたリードフレームと接合される回路パターン31と回路パターン32第1の回路パターンは同等の大きさ、形状である。一方、後述する半導体チップが搭載されないリードフレームと接合される回路パターン33第2の回路パターンは、回路パターン31、32と比べて小さい。また、回路パターン31~33の厚さは、例えば200μm程度とされる。回路パターン31~33は、この厚さの金属層を絶縁基板20絶縁層22上に一様に形成した後に、リソグラフィ、エッチングを施すことにより、容易に形成することができる。回路パターン31~33の上には、はんだ層接合材40を介して、リードフレーム51~53がそれぞれ接合されている。リードフレーム51、52は、その表面には半導体チップが搭載される第1のリードフレームであり、リードフレーム53は、その表面に半導体チップが搭載されず、ボンディングワイヤが接続される第2のリードフレームとなる。リードフレーム51、52は、図1中の下側において互いが平行に突出するように延伸する部分が、矩形形状の部分に接続されて一体化された形態とされる。リードフレーム51、52におけるこの矩形形状の部分は、それぞれ回路パターン31、32に対応するが、この矩形形状の部分は、回路パターン31、32の矩形形状よりもわずかに小さい。このため、リードフレーム51、52における矩形形状の部分は、その裏面側の全面にわたり、はんだ層40によってそれぞれ回路パターン31、32と接合される。この構成により、リードフレーム51、52は、それぞれ回路パターン31、32と、はんだ層40を介して強固に接合される。このはんだ層接合材40の材料としては、例えば190°C程度の温度で接合が可能なPbフリーはんだを用いることができる。この場合、はんだ層40の接合後の厚さは、例えば40μm程度とすることができる。また、図1におけるリードフレーム51、52の下側には、これらと独立してそれぞれリード端子部54、55が設けられている。図1におけるリード端子部54、55の下端側は、リードフレーム51、52の下端部と同様に、図中下側に突出している。また、リード端子部54、55の上端部側は、この箇所におけるワイヤボンディングが容易なように、幅広形状とされている。リードフレーム51~53、リード端子部54、55は、配線として使用することができ、かつはんだ付けが可能な材料、例えば回路パターン31~33と同様の銅板で構成することができる。また、実際にはリードフレーム51~53、リード端子部54、55は、これら全てを取り囲む外枠部と一体化されて製造される。その後、この半導体モジュール10の製造工程の途中で、この一体化された構造が適宜切断加工されることによって図1の形態とされる。この一体化された構造は、例えば銅板の板金加工によって製造することができる。この一体化された構造は、製造工程においては、絶縁基板20等と別に独立して取り扱われる。また、後述するように、リードフレーム51~53、リード端子部54、55の下端部は、この半導体モジュール10における入出力端子リードとして用いられる。このため、リードフレーム51~53、リード端子部54、55には高い機械的強度が要求され、リードフレーム51~53、リード端子部54、55は、絶縁基板20上に直接形成される回路パターン31~33よりも厚い。リードフレーム51の表面には、スイッチング用半導体チップ半導体チップ61が、リードフレーム52の表面には制御用半導体チップ62が、それぞれはんだ層接合材40によって接合されて搭載される。スイッチング用半導体チップ61、制御用半導体チップ62の裏面側はんだ層40によって接合される側には、一つの電極が設けられており、この電極ははんだ層40を介してそれぞれリードフレーム51、52に接合される。なお、スイッチング用半導体チップ61、制御用半導体チップ62とリードフレーム51,52と間の接合に用いられるはんだ層40と、リードフレーム51、52と回路パターン31、32との間の接合に用いられるはんだ層40とで、製造が容易となるように、異なる材料を用いることも可能である。また、スイッチング用半導体チップ61の表面にも電極が2つ設けられ、このうち一方の電極はリード端子部54の幅広部に、他方の電極はリードフレーム53に、それぞれボンディングワイヤ70によって接続される。制御用半導体チップ62の表面にも電極が2つ設けられ、そのうち一方の電極はリードフレーム53に、他方の電極はリード端子部55の幅広部に、それぞれボンディングワイヤ70によって接続される。ボンディングワイヤ70としては、Al、Au、Cu等、低抵抗でありかつ接合信頼性を高くできる材料を主成分とするものが用いられる。また、上記の構成は、絶縁性の高い樹脂材料で構成されたモールド層100中に設けられる。図1は、このモールド層100を上面側から透視した透視図となっており、破線はモールド層100の外形を示している。リードフレーム51~53、リード端子部54、55の下端部は、このモールド層100から突出し、この半導体モジュール10における入出力端子リードとして用いられる。すなわち、この半導体モジュール10は、一つの側面にリードが配列されたSIPSingleInlinePackage型となっている。なお、モールド層100の下面側においては、モールド層100から放熱板21の下面が露出する設定とされる。一般にモールド層100の熱伝導率は低いものの、この構成により、この半導体モジュール10における放熱性を高めることができる。例えば熱硬化性樹脂でモールド層100を構成することにより、こうした形状を容易に実現することができる。また、この半導体モジュール10を使用するに際しては、放熱板21が露出した側が例えば金属ブロック等に接合されて固定される。上記の構成により、この半導体モジュール10においては、2つの半導体チップスイッチング用半導体チップ61、制御用半導体チップ62を中心とした電気回路が構成される。回路パターン31~33、リードフレーム51~53、リード端子部54、55、ボンディングワイヤ70等は、この電気回路における配線として用いられる。ここで、リードフレーム51、52第1のリードフレームにはそれぞれスイッチング用半導体チップ61、制御用半導体チップ62が搭載される。一方、リードフレーム53第2のリードフレームには半導体チップは搭載されず、その表面にはボンディングワイヤ70のみが接続される。図2はリードフレーム51第1のリードフレーム付近における断面構造を、図3はリードフレーム53第2のリードフレーム付近における断面構造を、それぞれ示している。前記の通り、回路パターン31第1の回路パターンは、リードフレーム51における矩形形状の部分よりもわずかに大きい。このために、図2に示されるように、リードフレーム51における矩形形状の部分は、その裏面側の全面にわたりはんだ層40によって回路パターン31に接合される。この構成により、リードフレーム51から回路パターン31にかけての熱伝導の効率を高くすることができる。また、スイッチング用半導体チップ61は、リードフレーム51における矩形形状の部分に接合搭載されている。このため、リードフレーム51の表面に搭載されたスイッチング用半導体チップ61の放熱を、絶縁基板20放熱板21を介して高効率で行うことができる。なお、図2はリードフレーム51付近における断面構造を示しているが、リードフレーム52付近の断面構造も同様である。一方、図1、3に示されるように、リードフレーム53が接合される回路パターン33第2の回路パターンは、リードフレーム53と比べて小さい。このため、図3に示されるように、リードフレーム53は、小さな回路パターン33が存在する箇所によってのみ局所的にはんだ層40によって部分的に接合される。なお、図2、3においてはモールド層100の記載は省略されており、実際にはリードフレーム53と絶縁基板20絶縁層22の間の空隙は実際にはモールド層100を構成する樹脂材料で充填される。また、図1に示されるように、リードフレーム53におけるボンディングワイヤ70の接続は、直下に回路パターン33が存在する狭い領域において行われる。すなわち、リードフレーム53におけるボンディングワイヤ70が接続された領域の直下においては、はんだ層40、回路パターン33が存在している。一方、この領域の周囲のリードフレーム53の直下においては、はんだ層40、回路パターン33が存在しない空隙が形成されている。こうした形態が実現されるように、回路パターン33は、リードフレーム53の直下に局所的に形成される。なお、この空隙にはモールド層100を構成する樹脂材料が充填される。あるいは、リードフレーム53においてボンディングワイヤ70が接続される領域を、回路パターン33が直下に存在する狭い領域とする。この構成においては、リードフレーム53から放熱板21までの熱伝導効率は低下するものの、リードフレーム53には発熱源となる半導体チップは搭載されておらず、かつ、リードフレーム53自身は低抵抗であるためにその発熱量も小さい。このため、この部分の熱伝導効率が低下しても問題にはならない。一方、図1に示されるように、ボンディングワイヤ70は、リードフレーム53における回路パターン33はんだ層40上に接続される。ボンディングワイヤ70をリードフレーム53に接続する際には、例えば、ボンディングワイヤ70の端部をリードフレーム53に押圧した状態で超音波が印加される。この際、この領域の直下には、はんだ層40、回路パターン33が存在しているために、この接合を強固に行うことができる。また、リードフレーム53は回路パターン33が存在する狭い領域においてのみ固定されており、この狭い領域における平坦度を高くすることができる。逆に、この狭い領域以外においてははんだ層40は形成されていないため、リードフレーム53は例えば図1における上下方向に長く、その面積は必ずしも小さくないにも関わらず、はんだ層40中のボイド等に起因する平坦性の劣化は少なくなる。このため、ボンディングワイヤ70とリードフレーム53との間の接合の信頼性を高めることができる。また、前記の通り、リードフレーム53における発熱は無視できるものの、この半導体モジュール10を使用する際には、リードフレーム53を高電位とすることもある。この場合、リードフレーム53と、使用する際にこの半導体モジュール10が接合される金属ブロック等との間の耐圧が問題になる。これに対して、図3に示された構造によれば、金属ブロックと直接接合される放熱板21とリードフレーム53との間の沿面距離を大きくすることができる。このため、この半導体モジュール10における耐圧を高めることができる。また、前記の通り、この半導体モジュール10を製造するに際しては、リードフレーム51~53、リード端子部54、55は一体化して製造される。このため、この一体化された状態で、各リードフレームと各回路パターンとをはんだで接合することも容易である。すなわち、この半導体モジュールを容易に製造することができる。すなわち、上記の半導体モジュール10における信頼性を高くすることができ、かつこれを容易に製造することができる。なお、上記の構成においては、第1のリードフレームを2つ設け、これらの間に第2のリードフレームを用いたが、この構成は任意である。ただし、半導体チップを2種類設け、各々を搭載する2つの第1のリードフレームを用いた構成においては、これらの間に第2のリードフレームを設けることにより、ボンディングワイヤの接続を容易に行うことができるため、図1の構成が有効である。また、上記の例はSIP型の半導体モジュールであるが、同様にDIPDualInlinePackage型の半導体モジュールを構成することができることも明らかである。また、上記の例では、放熱板の表面に絶縁層が形成された絶縁基板が用いられたが、その表面に回路パターン第1の回路パターン、第2の回路パターンが形成できる限りにおいて、任意の構成の絶縁基板を用いることができる。"