半導体装置であって、半導体層と、半導体層上に形成されており、半導体層よりも電気伝導率が低い半絶縁層を有しており、半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の端部の下側の領域に、第1半導体領域が形成されており、半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の下側の少なくとも一部の領域に、第2半導体領域が形成されており、第1半導体領域の不純物濃度が、第2半導体領域の不純物濃度よりも高い、ことを特徴とする半導体装置。半導体層の上面に形成されている絶縁層をさらに有しており、半絶縁層が、絶縁層の上面に形成されており、半絶縁層の電気伝導率が、絶縁層よりも高い、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。半絶縁層が、平坦な表面に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。半導体層に、半導体素子領域が形成されており、半絶縁層が、半導体層の外周端と半導体素子領域の間に形成されていることを特徴とする請求項1~3の何れか一項に記載の半導体装置。半導体装置であって、半導体層と、半導体層上に形成されており、半導体層よりも電気伝導率が低い半絶縁層、を有しており、半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の一方の端部の下側の領域に、第1半導体領域が形成されており、半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の下側の少なくとも一部の領域であって、半絶縁層の他方の端部の下側の領域を含む領域に、第2半導体領域が形成されており、第1半導体領域の不純物濃度が、第2半導体領域の不純物濃度よりも高く、第1半導体領域から第2半導体領域内に空乏層が最も長く伸びたときに、空乏層が半絶縁層の前記他方の端部の下側の領域までは伸びない、ことを特徴とする半導体装置。特許文献1に記載の半絶縁層によれば、イオン等の外部電荷が半導体層中の電界に与える影響を抑制することができる。しかしながら、イオン等の外部電荷は、液体に溶解した状態で半絶縁層の端部に沿って半導体層側に侵入する場合がある。外部電荷が半絶縁層の端部に侵入すると、外部電荷によって半導体層中の電界が乱され、半導体装置が適切に動作できない場合がある。したがって、本明細書では、半絶縁層の端部に外部電荷が侵入した場合でも、半導体層中の電界が乱され難い半導体装置を提供する。本明細書が開示する半導体装置は、半導体層と、半導体層上に形成されており、半導体層よりも電気伝導率が低い半絶縁層を有している。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の端部の下側の領域に、第1半導体領域が形成されている。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の下側の少なくとも一部の領域に、第2半導体領域が形成されている。第1半導体領域の不純物濃度が、第2半導体領域の不純物濃度よりも高い。なお、上記の半導体層上に形成されておりとは、半絶縁層が、半導体層の上面に直接形成されていることと、半絶縁層と半導体層との間に他の層が介在していることとの両方を含む。例えば、半導体層の上面に他の層例えば、絶縁層が形成されており、当該他の層の表面に半絶縁層が形成されている場合も、半絶縁層が半導体層上に形成されていることに該当する。このような構成によれば、半絶縁層の端部にイオン等の外部電荷が侵入しても、その進入した領域の近傍に、不純物濃度が高い第1半導体領域が存在している。第1半導体領域は電気伝導率が高いので、第1半導体領域の近傍に外部電荷が進入しても、第1半導体領域内の電界にはほとんど影響がない。したがって、この半導体装置は、半絶縁層の端部から外部電荷が侵入しても、半導体層中の電界が乱され難く、電界集中が生じ難い。上述した半導体装置は、半導体層の上面に形成されている絶縁層をさらに有しており、半絶縁層が絶縁層の上面に形成されており、半絶縁層の電気伝導率が絶縁層よりも高いことが好ましい。上述した半導体装置は、半絶縁層が、平坦な表面に形成されていることが好ましい。このように、半絶縁層を平坦な表面に形成することで、凹凸を起点として半絶縁層にクラック等が生じることを防止することができる。上述した半導体装置は、半導体層に半導体素子領域が形成されており、半絶縁層が半導体層の外周端と半導体素子領域の間に形成されていることが好ましい。このような構成によれば、半導体層の中央部と半導体層の外周端との間の耐圧を確保することができる。また、本明細書は、他の半導体装置を提供する。この半導体装置は、半導体層と、半導体層上に形成されており、半導体層よりも電気伝導率が低い半絶縁層を有している。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の一方の端部の下側の領域に、第1半導体領域が形成されている。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の下側の少なくとも一部の領域であって、半絶縁層の他方の端部の下側の領域を含む領域に、第2半導体領域が形成されている。第1半導体領域の不純物濃度が、第2半導体領域の不純物濃度よりも高い。第1半導体領域から第2半導体領域内に空乏層が最も長く伸びたときに、空乏層は半絶縁層の前記他方の端部の下側の領域までは伸びない。半導体層の内部のうち、空乏層が伸びている領域では、高い電界が発生する。したがって、空乏層が伸びている領域では、外部電荷によって電界が乱されて、電界集中が起こり易い。この半導体装置では、半絶縁層の一方の端部の下側の領域に、不純物濃度が高い第1半導体領域が形成されており、第1半導体領域によってこの端部近傍での電界の乱れが抑制される。また、半絶縁層の他方の端部の下側の領域には、不純物濃度が低い第2半導体領域が形成されている。但し、この端部の下側の第2半導体領域には、空乏層が伸びない。したがって、この端部に外部電荷が侵入したとしても、外部電荷による半導体層内の電界への影響はほとんどない。この半導体装置でも、半絶縁層の端部から外部電荷が侵入した場合に、半導体層中の電界が乱され難い。図1に示すように、実施例1の半導体装置10は、半導体層20と、絶縁層40と、中央電極50と、外周電極60と、半絶縁層70と、裏面電極80を備えている。半導体層20は、シリコンにより構成されている。また、半導体装置10は、半導体素子領域100と周辺耐圧領域200を備えている。半導体素子領域100には、半導体素子が形成されている。本実施例では、半導体素子領域100内に、IGBTが形成されている。なお、他の例においては、半導体素子領域100内に、例えば、MOSFETやダイオード等の他のパワー半導体素子が形成されていてもよい。図2に示すように、半導体素子領域100は、半導体層20の略中央部に形成されており、周辺耐圧領域200は、半導体層20の外周端22に沿って形成されている。すなわち、周辺耐圧領域200は、半導体素子領域100の周囲を取り囲んでいる。周辺耐圧領域200は、半導体層20の外周端22と半導体素子領域100との間の耐圧を確保するための領域である。図1、2に示すように、中央電極50は、半導体素子領域100内の半導体層20の上面24に形成されている。中央電極50は、IGBTのエミッタ電極である。外周電極60は、半導体層20の上面24に形成されており、半導体層20の外周端22に沿って伸びている。絶縁層40は、中央電極50と外周電極60の間の半導体層20の上面24に形成されている。絶縁層40の上面24は、平坦に形成されている。中央電極50の絶縁層40側の端部は絶縁層40上に乗り上げており、これによって、絶縁層40の中央電極50側の端部が中央電極50に覆われている。外周電極60の絶縁層40側の端部は絶縁層40上に乗り上げており、これによって、絶縁層40の外周電極60側の端部が外周電極60に覆われている。半絶縁層70は、窒化シリコンにより構成されている。半絶縁層70は、中央電極50と外周電極60の間の絶縁層40の上面に形成されている。半絶縁層70は、絶縁層40の上面のみに形成されている。すなわち、半絶縁層70は、凹凸のない平坦な面上にのみ形成されている。半絶縁層70の電気伝導率は、半導体層20内の何れの半導体領域よりも低く、かつ、絶縁層40よりも高い。裏面電極80は、半導体層20の裏面26下面に形成されている。裏面電極80は、IGBTのコレクタ電極である。半導体層20の内部には、低濃度n型領域30、中央電極コンタクト領域32、リサーフ領域34、外周電極コンタクト領域36、裏面電極コンタクト領域38が形成されている。裏面電極コンタクト領域38は、p型不純物濃度が高いp型半導体により構成されている。裏面電極コンタクト領域38は、半導体層20の下面26側の表層領域下面26を含む下面26近傍の領域の全域に形成されている。裏面電極コンタクト領域38は、裏面電極80に対してオーミック接続されている。裏面電極コンタクト領域38は、半導体素子領域100内のIGBTのコレクタ領域である。中央電極コンタクト領域32は、p型不純物濃度が高いp型半導体により構成されている。中央電極コンタクト領域32は、半導体層20の上面24側の表層領域上面24を含む上面24近傍の領域であって、半導体素子領域100内に形成されている。中央電極コンタクト領域32は、中央電極50に対してオーミック接続されている。中央電極コンタクト領域32は、半導体素子領域100内のIGBTのボディ領域である。低濃度n型領域30は、n型不純物濃度が低いn型半導体により構成されている。低濃度n型領域30は、主に、半導体層20の深さ方向の中間部に形成されている。半導体素子領域100内においては、低濃度n型領域30は、裏面電極コンタクト領域38と中央電極コンタクト領域32の間に形成されている。半導体素子領域100内の低濃度n型領域30は、IGBTのドリフト領域として機能する。なお、図示していないが、半導体素子領域100内の半導体層20内には、中央電極コンタクト領域32、低濃度n型領域30及び裏面電極コンタクト領域38の他にも、種々のn型またはp型の領域例えば、エミッタ領域等が形成されている。また、図示していないが、半導体素子領域100内には、ゲート電極が形成されている。半導体素子領域100内のIGBTは、中央電極50と、裏面電極80と、ゲート電極と、半導体素子領域100内の種々のn型またはp型の半導体領域によって形成されている。リサーフ領域34は、p型不純物濃度が低いp型半導体により構成されている。リサーフ領域34は、半導体層20の上面24側の表層領域であって、周辺耐圧領域200内に形成されている。リサーフ領域34の一方の端部は、中央電極コンタクト領域32に接している。外周電極コンタクト領域36は、n型不純物濃度が高いn型半導体により構成されている。外周電極コンタクト領域36は、半導体層20の上面24側の表層領域であって、最も外周側に形成されている。すなわち、外周電極コンタクト領域36は、半導体層20の外周端22に露出する位置に形成されている。外周電極コンタクト領域36は、外周電極60に対してオーミック接続されている。外周電極コンタクト領域36とリサーフ領域34の間には、上述した低濃度n型領域30が存在している。低濃度n型領域30によって、外周電極コンタクト領域36はリサーフ領域34から分離されている。半絶縁層70の外周側半導体層20の外周端22側の端部72の直下の半導体層20の上面24側の表層領域には、上述した外周電極コンタクト領域36が形成されている。すなわち、端部72の直下の半導体層20の表層領域では、n型不純物濃度が高い。半絶縁層70の内周側半導体素子領域100側の端部74の直下の半導体層20の上面24側の表層領域には、上述した中央電極コンタクト領域32が形成されている。すなわち、端部74の直下の半導体層20の表層領域では、p型不純物濃度が高い。この位置関係は、周辺耐圧領域200の全域で維持されている。すなわち、周辺耐圧領域200の何れの位置においても、半絶縁層70の外周側の端部72の直下の半導体層20の上面24側の表層領域には外周電極コンタクト領域36が形成されており、半絶縁層70の内周側の端部74の直下の半導体層20の上面24側の表層領域には中央電極コンタクト領域32が形成されている。次に、半導体装置10の周辺耐圧領域200の機能について説明する。半導体素子領域100内のIGBTがオンしている場合には、半導体装置10の各電極間に高い電位差は生じない。IGBTがオフすると、中央電極50の電位が、外周電極60及び裏面電極80に対して上昇する。すると、中央電極コンタクト領域32から低濃度n型領域30内に空乏層が伸びる。周辺耐圧領域200内においては、空乏層は、半導体層20の上面24側の表層領域内を中央電極コンタクト領域32から外周側に向かって伸びる。このとき、リサーフ領域34は、空乏層が外周側に向かって伸びるのを促進する。これによって、中央電極コンタクト領域32の近傍で電界が集中することが抑制される。周辺耐圧領域200の空乏層は、外周電極コンタクト領域36に到達する。外周電極コンタクト領域36はn型不純物濃度が高いので、空乏層は外周電極コンタクト領域36の内部には伸展しない。すなわち、空乏層は、図1の点線90に示すように、外周電極コンタクト領域36と低濃度n型領域30の境界部で停止する。したがって、空乏層は、外周電極コンタクト領域36より外周側へは伸展しない。これによって、空乏層が半導体層20の外周端22まで伸展することが防止される。このように、IGBTがオフしている状態においては、中央電極コンタクト領域32と外周電極コンタクト領域36の間の領域すなわち、低濃度n型領域30とリサーフ領域34に空乏層が形成される。中央電極50と外周電極60の間の電圧の大部分は、この空乏化された領域に印加されるので、この空乏化された領域に高い電界が発生する。次に、IGBTのオフ時に、イオン等の外部電荷が周辺耐圧領域200内の電界に与える影響について検討する。外部電荷が半絶縁層70の上面に存在する場合には、電気伝導率が比較的高い半絶縁層によって外部電荷からの電界が半導体層20内の電界に与える影響が抑制される。また、外部電荷は、液体に溶解した状態で半導体装置10の表面に付着する場合がある。このような液体が半絶縁層70の端部72または端部74に付着すると、外部電荷がその端部に侵入し、半絶縁層70の下側の絶縁層40の近くまで到達する場合がある。この場合には、半絶縁層70による外部電荷の電界を抑制する効果はほとんど得られないため、外部電荷から半導体層20に対して電界が加わる。高い電界が生じている空乏層内に外部電荷からの電界が加わると、空乏層の電位分布に乱れが生じて、空乏層内の一部の領域に電界が集中する場合がある。しかしながら、実施例1の半導体装置10では、端部70、72に外部電荷が侵入した場合でも、外部電荷からの電界が空乏層内に加わることを抑制することができる。すなわち、実施例1の半導体装置10では、端部72の直下の半導体層20の上面24側の表層領域に、n型不純物濃度が高い外周電極コンタクト領域36が形成されている。したがって、端部72に侵入した外部電荷からの電界は、外周電極コンタクト領域36に印加される。上述したように、外周電極コンタクト領域36内には空乏層が形成されていないので、外周電極コンタクト領域36内に高い電界は発生していない。したがって、外部電荷からの電界が外周電極コンタクト領域36に印加されても、電界集中は発生しない。また、外周電極コンタクト領域36はn型不純物濃度が高く電気伝導率が高いので、外部電荷からの電界が外周電極コンタクト領域36を通して空乏層内に印加されることも抑制される。また、端部74の直下の半導体層20の上面24側の表層領域には、p型不純物濃度が高い中央電極コンタクト領域32が形成されている。したがって、端部74に侵入した外部電荷からの電界は、中央電極コンタクト領域32に印加される。上述したように、中央電極コンタクト領域32内には空乏層が形成されていないので、中央電極コンタクト領域32内に高い電界は発生していない。したがって、外部電荷からの電界が中央電極コンタクト領域32に印加されても、電界集中は発生しない。また、中央電極コンタクト領域32はp型不純物濃度が高く電気伝導率が高いので、外部電荷からの電界が中央電極コンタクト領域32を通して空乏層内に印加されることも抑制される。以上に説明したように、実施例1の半導体装置10では、外部電荷が半絶縁層70の端部72、74に侵入した場合でも、外部電荷からの電界が空乏層すなわち、上面24側の表層領域内の低濃度n型領域30とリサーフ領域34に印加されることを抑制する。これによって、周辺耐圧領域200内で局所的な電界集中が発生することが抑制される。また、上述した実施例1の半導体装置10では、半絶縁層70が、平坦な平面である絶縁層40の上面のみに形成されていた。すなわち、半絶縁層70の下地に凹凸がない。半絶縁層70を構成する窒化シリコンは、じん性、延性が低く割れ易い。このように、凹凸がない平面に半絶縁層70を形成することで、半絶縁層70にクラックが生じることが抑制されている。なお、上述した実施例1において、半絶縁層70の電気伝導率は、1×10-10/EΩ-1cm-1以上であることが好ましい。なお、上式中のEは、半絶縁層70に印加される電界強度であり、例えば、2×104Vcm-1以上の値である。上記式に基づいて算出される実質的に好ましい電気伝導率は、1×10-15~5×10-12Ω-1cm-1である。この範囲の電気伝導率を半絶縁層70が有していれば、好適に外部電荷の影響を抑制することができる。また、上述した実施例1において、半絶縁層70の端部72、74の直下の半導体層20の上面24側の表層領域内の半導体領域すなわち、中央電極コンタクト領域32と外部電極コンタクト領域36は、1×1016cm-3以上の不純物濃度を有することが好ましい。半絶縁層70の端部72、74の直下の表層領域内の半導体領域がこの範囲の不純物濃度を有していれば、端部72、74に侵入した外部電荷の影響を好適に抑制することができる。また、これらの領域の不純物濃度は、実施例1で説明したように、電極とオーミック接続される程度の濃度である方がより好ましい。また、実施例1で説明したように、端部72、74の直下の不純物濃度が高い領域は、n型領域であってもp型領域であってもよい。何れの領域であっても、不純物濃度が高いことで、外部電荷の影響を抑制することができる。また、上述した実施例1では、中央電極コンタクト領域32と外周電極コンタクト領域36の間に、リサーフ領域34が形成されていたが、図3に示すように、リサーフ領域34に代えてFLRフィールドリミッティングリング35が形成されていてもよい。なお、図3中の参照番号37は、FLR35に接続されている電極である。リサーフ領域34に比べて、FLR35の不純物濃度は高い。しかしながら、図3の構造でも、FLR35と外周電極コンタクト領域36の間に低濃度n型領域30が存在しており、この領域に空乏層が伸展するので、この領域における電界集中が抑制される。このように、半絶縁層70の下部の上面24側の表層領域の一部に低濃度領域すなわち、空乏層が広がる領域が形成されている場合でも、電界集中を抑制することができる。また、上述した実施例1では、絶縁層40の上に半絶縁層70が形成されていたが、絶縁層40が形成されておらずに、半導体層20の上面に直接、半絶縁層70が形成されていてもよい。このような構成でも、半絶縁層70によって外部電荷の影響を抑制することができる。また、半絶縁層70上には、他の絶縁層例えば、樹脂層等が形成されていてもよい。次に、実施例2の半導体装置110について説明する。なお、以下の説明において、半導体装置110の構成のうち、半導体装置10と共通する構成については、その説明を省略する。また、半導体装置110の構成要素のうち、半導体装置10の構成要素と対応する構成要素については、実施例1と同じ参照番号を用いる。図4は、実施例2の半導体装置110の断面図を示している。実施例2の半導体装置110も、半導体素子領域100と周辺耐圧領域200を有している。実施例2の半導体装置110では、絶縁層40、中央電極50、外周電極60、半絶縁層70、裏面電極80、中央電極コンタクト領域32、リサーフ領域34、及び、裏面電極コンタクト領域38は、実施例1と同様に形成されている。実施例2の半導体装置110では、外周電極コンタクト領域36が形成されていない。すなわち、半導体層20の上面24側の表層領域のうち、リサーフ領域34よりも外周側全体に、低濃度n型領域30が形成されている。したがって、半絶縁層70の端部72の下部の半導体層20の上面24側の表層領域に、不純物濃度が高い領域が形成されていない。図4の距離L1は、中央電極コンタクト領域32から半絶縁層70の外周側の端部72までの横方向半導体層20の上面に沿った方向の距離を示している。また、図4の点線92は、最も長く伸びたときの空乏層の端部の位置を示している。なお、最も長く伸びたときの空乏層の端部の位置とは、空乏層でアバランシェ降伏が起きるときの空乏層の端部の位置を意味する。すなわち、中央電極50と外周電極60の間の電位差若しくは、中央電極60と裏面電極80の間の電位差が大きくなると、その電位差が上昇するに従って空乏層が長く伸びる。しかしながら、当該電位差がある値を超えると、空乏層でアバランシェ降伏が起きて、それ以上当該電位差が上昇しても空乏層が伸びなくなる。上述した最も長く伸びたときの空乏層は、このアバランシェ降伏が起きたときの空乏層を意味する。図4に示すように、距離L1は、最も長く伸びたときの空乏層の幅L2外周側に向かう方向における幅よりも長い。すなわち、半絶縁層70の端部72は、中央電極コンタクト領域32からの空乏層が到達することができない領域の上方に位置している。実施例2の半導体装置110では、半絶縁層70の表面の外部電荷や端部74に侵入した外部電荷に対しては、実施例1と同様にして電界集中が抑制される。また、外部電荷が端部72に侵入した場合には、外部電荷からの電界が端部72の直下の半導体層20の上面24側の表層領域に印加される。しかしながら、上述したように、端部72の直下の半導体層20には空乏層が伸展せず、このため、この領域には高い電界は発生しない。したがって、外部電荷からの電界が端部72の直下の領域に印加されても、半導体層20内で電界集中は生じない。実施例2の半導体装置110でも、端部72に外部電荷が侵入した場合に、電界集中が生じることが抑制される。なお、実施例2の半導体装置110でも、半絶縁層70の電気伝導率として、実施例1の半導体装置10と同様の電気伝導率を採用することができる。実施例2の半導体装置110でも、半導体層20内の各半導体領域の不純物濃度として、実施例1の半導体装置10と同様の不純物濃度を採用することができる。また、実施例2の半導体装置110でも、リサーフ層に代えて、FLRを採用することができる。また、実施例2の半導体装置110でも、絶縁層40が形成されておらずに、半導体層20の上面に直接、半絶縁層70が形成されていてもよい。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。