"一般式I:Lu3-x-yPrxYyAl5-zGazO12I式I中、0.0001≦x≦0.15、0.3≦y≦3、1≦z≦3であるで表されるシンチレータ用ガーネット型結晶。Pr34f5d発光由来の蛍光成分が、25ナノ秒以下の蛍光寿命を有する、請求項1に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。100ナノ秒を超える長寿命蛍光成分の発光量が、蛍光成分全体の発光量に対して40以下である、請求項1又は2に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。発光量が、18000photon/MeV以上である、請求項1乃至3いずれか1項に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶。請求項1乃至4いずれか1項に記載のシンチレータ用ガーネット型結晶から構成されるシンチレータと、前記シンチレータの発光を検出する受光器とを備える、放射線検出器。しかしながら、本発明者の知見によれば、特許文献1の技術では、20ns程度の早い蛍光寿命成分と同時に、100ns以上の長寿命発光成分が全発光量に対し70以上の割合で存在するという問題が明らかとなった。非特許文献1に記載の技術では、Pr:LuAGのAlサイトにGaを置換することで欠陥を低減し、当該の長寿命発光成分を低減できるものの、発光量が減少するという問題がある。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、放射線検出器に好適に適用できる、高発光量かつ蛍光寿命が短く、長寿命発光成分の少ないシンチレータ用ガーネット型結晶を提供するものである。上記課題を解決する本発明によれば、一般式1:Lu3-x-YPrxYyAl5-zGazO12I式I中、0.0001≦x≦0.15、03≦y≦3、1≦z≦3であるで表されるシンチレータ用ガーネット型結晶が提供される。また、本発明によれば、上記のシンチレータ用ガーネット型結晶から構成されるシンチレータと、前記シンチレータの発光を検出する受光器とを備える、放射線検出器が提供される。本発明によれば、Prを発光元素とし、AlとOとを必須成分とし、かつ、Gaを含むガーネット型結晶に、YあるいはLuを含ませたことにより、エネルギーバンド構造が最適化され、Pr3の4f5d発光が促進され、結果として蛍光寿命が短くなり、長寿命発光成分が減少するとともに、発光量が高くなる。したがって、放射線検出器に好適に適用できる、蛍光寿命が短く、高発光量かつ長寿命発光成分の少ないシンチレータ用ガーネット型結晶が実現可能となる。本発明によれば、放射線検出器に好適に適用できる、高発光量かつ蛍光寿命が短く、長寿命発光成分の少ない、シンチレータ用ガーネット型結晶が提供される。以下、本発明の実施形態について説明する。本発明の実施形態に係るシンチレータ用ガーネット型結晶は、以下の一般式Iで表される。Lu3-x-YPrxYyAl5-zGazO12I式I中、0.0001≦x≦0.15、03≦y≦3、1≦z≦3である。上記式Iで表されるシンチレータ用ガーネット型結晶において、Prの濃度xは、0.0001≦x≦0.15であり、好ましくは、0.001≦x≦0.10であり、より好ましくは、0.015≦x≦0.09である。このように、一般式Iにおいて好適なPrの値をとることで、Pr3の4f5d準位からの発光が促進され、結果として蛍光寿命が短くなり、長寿命発光成分が減少するとともに、発光量が高くなる。上記式Iで表されるシンチレータ用ガーネット型結晶において、Gaの濃度zは、1≦z≦3であり、より好ましいzの範囲は、1≦z≦2.5である。このように、一般式Iにおいて好適なY,Gaをとることで、蛍光寿命が短くなり、長寿命発光成分が減少するとともに、発光量が高くなる。また、上記式Iで表されるガーネット型結晶の発光量は、18000photon/MeV以上で得ることができ、より好ましくは、20000photon/MeV以上で得ることができる。本発明において、発光量とは、φ3×2mmサイズの結晶を25°Cで測定したものをいい、例えば、図1のような測定装置を用いて測定することができる。この測定装置では、暗箱10内に、Cs137γ線源11と、測定サンプルであるシンチレータ12と、光電子増倍管14とが備えられている。シンチレータ12は、光電子増倍管14に、テフロンテープ13を用いて物理的に固着されるとともに、光学接着剤等により光学接着されている。そして、Cs137γ線源11から、622keVのγ線をシンチレータ12に照射し、光電子増倍管14より出力される、パルス信号を前置増幅器15、波形整形増幅器16へと入力し、増幅波形整形し、さらにマルチチャンネルアナライザ17へと入力し、パーソナルコンピュータ18を用いてCs137γ線励起のエネルギースペクトルを取得する。得られたエネルギースペクトル中の光電吸収ピークの位置を既知のシンチレータであるCe:LYSO発光量:30000photon/MeVと比較し、光電子増倍管14の波長感度をそれぞれ考慮し、発光量を最終的に算出する。この測定方法では、シンチレーションカウンティング法による発光量を測定しており、放射線に対する光電変換効率を求めることができる。そのため、シンチレータが持つ固有の発光量を測定することができる。上記式Iで表されるガーネット型結晶は、03≦y≦3、1≦z≦3であるため、γ線励起による蛍光発光の蛍光寿命蛍光減衰時間を25ナノ秒以下、好ましくは、22ナノ秒以下、より好ましくは、20ナノ秒以下にすることができる。また、このガーネット型結晶は、03≦y≦3、1≦z≦3であるため、長寿命成分も顕著に低減することができ、例えば、蛍光寿命が100ナノ秒を超える長寿命成分の発光量を、蛍光成分全体の発光量に対して40以下にすることができるが、好ましくは10以下にすることができ、蛍光寿命が100ナノ秒を超える長寿命成分を有しないことが特に好ましい。1≦zであること、即ち、Gaが1以上の場合に、蛍光寿命を短くでき、かつ、長寿命成分を低減でき、発光量が高くできる理由は、以下のように推察することができる。一般的にガーネット型結晶は化学式C3A2D3O12で表される立方晶の結晶構造を有し、図2のような模式図で示される。ここでCはドデカヘドラルDodechahedrAlサイト、AはオクタヘドラルOctahedrAlサイト、DはテトラヘドラルTetrahedrAlサイトで、各サイトがO2-イオンで囲まれている。例えば、Lu、Al、Oから構成されるルテチウムアルミニウムガーネットではLu3Al2Al3O12のように表記される。より一般的にはLu3Al5O12と簡易的に表記され、Luがドデカヘドラルサイトに、Alはオクタヘドラル及びテトラヘドラルサイトに配置することが知られている。ここで、例えばLu3Al5O12におけるAlのサイトにGaを置換した場合には、Gaはオクタヘドラル及びテトラヘドラルサイトにランダムに置換されることが知られている。また、Y,Lu,Yb、Gdといった希土類元素をLuのサイトに置換した場合には、ドデカヘドラルサイトに置換されることが知られている。例えば、Lu3Al5O12におけるAlのサイトにGaを置換した場合,結晶格子が変化し、格子定数はLu3Al5O12で11.90Å、Lu3Ga5O12で12.18Åといったように変化する。このように、AlのサイトへのGa置換により、結晶格子が変化すると、結晶場が変化し、エネルギーバンド構造も変化することになる。Ga濃度が増加するとバンドギャップが小さくなり、かつPr3の5d1準位が伝導体により近接する。また、Y濃度が増加するとPr3の5d1準位が伝導体から離れる。上記一般式Iで表されるガーネット型結晶では、最適なYおよびGa置換量をとることで、エネルギーバンド構造が最適化され、Pr3の4f5dのエネルギー準位からの発光が促進され発光量が高くなる。さらに、蛍光寿命が短寿命化され、かつ長寿命成分が低減するものと考えられる。本発明において、γ線励起による蛍光発光の蛍光減衰時間は、例えば、上述の図1で示す測定装置を用いて測定することができる。具体的には、Cs137γ線源11からγ線をシンチレータ12に照射し、デジタルオシロスコープ19を用いて、光電子増倍管14より出力されるパルス信号を取得し、蛍光減衰成分を解析することで、各蛍光減衰成分の蛍光減衰時間、及び、蛍光寿命成分全体の発光量に対する各蛍光減衰成分の発光量の割合を算出することができる。具体的には図1で示す測定装置を用いて測定された電圧パルス信号の蛍光寿命成分に対して、下記式IIの関数を用いて非線形回帰曲線を描いた場合に、実測値との相関係数Rの2乗値が0.98以上とする。It=A1exp-t/t1A2exp-t/t2y0II式中、tは時間、A1は蛍光寿命の第一成分の強度、t1は第一成分の寿命、A2は蛍光寿命の第二成分の強度、t2は第二成分の寿命、y0はバックグランド値である。蛍光寿命の第一成分の発光量はA1t1、蛍光寿命の第二成分の発光量はA2t2であらわされ、蛍光成分全体の発光量はA1t1A2t2であらわされる。本発明のガーネット型結晶は、ガンマ線により励起されて発する蛍光波長が200~350nm、好ましくは200~320nmであると、高速応答の放射線検出の用途に好適に用いることができる。つづいて、本発明のガーネット型結晶の製造方法について、以下に説明する。いずれの組成の結晶の製造方法においても、出発原料としては、一般的な酸化物原料が使用可能であるが、シンチレータ用単結晶として使用する場合、99.99以上4N以上の高純度原料を用いることが特に好ましく、これらの出発原料を、融液形成時に目的の組成となるように秤量、混合したものを用いる。さらにこれらの原料中には、特に目的とする組成以外の不純物が極力少ない例えば、1ppm以下ものが特に好ましい。特に発光波長付近に発光を有する元素例えば、Tbなどを極力含まない原料を用いることが好ましい。結晶の育成は、不活性ガス例えば、Ar、N2、He等雰囲気下で行うことが好ましい。または、不活性ガス例えば、Ar、N2、He等と酸素ガスとの混合ガスを使用してもよい。ただし、この混合ガスの雰囲気下で結晶の育成を行う場合、坩堝の酸化を防ぐ目的で、酸素の分圧は2以下であることが好ましい。なお、結晶成長後のアニールなどの後工程においては、酸素ガス、不活性ガス例えば、Ar、N2、He等、および不活性ガス例えば、Ar、N2、He等と酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。混合ガスを用いる場合、酸素分圧は2以下という制限は受けず、酸素分圧0から100までいずれの混合比のものを使用してもよい。本実施形態の酸化物のガーネット型結晶の製造方法としては、マイクロ引き下げ法に加え、チョコラルスキー法引き上げ法、ブリッジマン法、帯溶融法ゾーンメルト法、縁部限定薄膜供給結晶成長EFG法及び熱間静水圧プレス燒結法等が挙げられるが、これらに限定されない。また、使用できる坩堝およびアフターヒータの材料としては、白金、イリジウム、ロジウム、レニウム、またはこれらの合金が挙げられる。シンチレータ用結晶の製造においては、さらに高周波発振機、集光加熱器、および抵抗加熱機を使用してもよい。以下に本実施形態の酸化物のシンチレータ用単結晶の製造方法について、マイクロ引き下げ法を用いた結晶製造法を一例として示すが、これに限定されるものではない。マイクロ引き下げ法については、高周波誘導加熱による雰囲気制御型マイクロ引き下げ装置を用いて行うことができる。マイクロ引き下げ装置は、坩堝と、坩堝底部に設けた細孔から流出する融液に接触させる種を保持する種保持具と、種保持具を下方に移動させる移動機構と、移動機構の移動速度制御装置と、坩堝を加熱する誘導加熱手段とを具備した単結晶製造装置である。このような単結晶製造装置によれば、坩堝直下に固液界面を形成し、下方向に種結晶を移動させることで、結晶を作製することができる。上記のマイクロ引き下げ法装置において、坩堝は、カーボン、白金、イリジウム、ロジウム、レニウム、またはこれらの合金製である。また、坩堝底部外周にカーボン、白金、イリジウム、ロジウム、レニウム、またはこれらの合金からなる発熱体であるアフターヒータが配置される。坩堝及びアフターヒータの誘導加熱手段の出力調整により、発熱量を調整することによって、坩堝底部に設けた細孔から引き出される融液の固液境界領域の温度およびその分布を制御することができる。上記の雰囲気制御型マイクロ引き下げ装置は、チャンバーの材質にはステンレス鋼SUS、窓材には石英を採用し、雰囲気制御を可能にするため、ロータリーポンプを具備し、ガス置換前において、真空度が0.13Pa1×10-3Torr以下にすることを可能にした装置である。また、チャンバーへは付随するガスフローメータにより精密に調整された流量でAr、N2、H2、O2ガス等を導入できるものである。この装置を用いて、上述の方法にて準備した原料を坩堝に入れ、炉内を排気して高真空にした後、ArガスもしくはArガスとO2ガスとの混合ガスを炉内に導入することにより、炉内を不活性ガス雰囲気もしくは低酸素分圧雰囲気とし、高周波誘導加熱コイルに高周波電力を徐々に印加することにより坩堝を加熱して、坩堝内の原料を完全に融解する。続いて、種結晶を所定の速度で徐々に上昇させて、その先端を坩堝下端の細孔に接触させて充分になじませたら、融液温度を調整しつつ、引き下げ軸を下降させることで結晶を成長させる。種結晶としては、結晶成長対象物と同等ないしは、構造組成ともに近いものを使用することが好ましいが、これに限定されない。また種結晶として方位の明確なものを使用することが好ましい。準備した材料が全て結晶化し、融液が無くなった時点で結晶成長は終了となる。一方、組成を均一に保つ目的および長尺化の目的で、原料の連続チャージ用機器を取り入れてもよい。上記式Iで表されるシンチレータ用ガーネット型結晶の融点は、1700~1900°Cの範囲とすることができる。例えば、Lu3Al5O12では融点は1980°Cと高温であるが、本発明の結晶では融点が低いため、断熱材の損傷を低減することができ、また、結晶作製に坩堝を使用する際には坩堝の損傷も低減できる。加えて、構成元素である酸化ガリウムの蒸発も低減する効果を得ることもできる。さらに、式Iにおいて、zを1以上とすれば、より工業的な量産が可能になるため、好ましい。また、本発明のシンチレータ用ガーネット型結晶の製造方法の他の一例として、熱間静水圧プレス燒結装置を用いた透明セラミックスを作製する方法が挙げられる。この方法では、はじめに、各粉末原料をアルミナ坩堝に入れ、アルミナの蓋をした後、1500°Cで2時間仮焼する。冷却後、純水で洗浄し乾燥したシンチレータ粉末は24時間ボールミル粉砕を行い、粒径1~2μmのシンチレータ粉砕粉を得る。ついで、この粉砕紛に、純水を5重量添加し、500kg/cm2の圧力で一軸プレス成形し、その後、加圧力3ton/cm2で冷間静水圧プレスを行って、理論密度に対し64程度の成形体を得る。その後、得られた成形体をこう鉢に入れ、フタをして、1750°C、3時間の一次燒結を行い、理論密度に対し、98.5以上の燒結体を得る。ここで、水素、窒素またはアルゴン雰囲気中で燒結する場合、こう鉢として、アルミナこう鉢を用いることが好ましいが、真空中で燒結する場合には、窒化ホウ素を用いることが好ましい。こうすることで、所望のシンチレータ結晶を効率的に得ることができる。また、1350°C以上の昇温速度は、50°C/時とすることが好ましい。こうすることで、密度の高い均一な燒結体を得ることができる。そして、最後に、1550°C、3時間、1000atmの条件で熱間静水圧プレス燒結を行う。これにより、理論密度と同じ密度を有する燒結体を得ることができる。本発明におけるガーネット構造を有するシンチレータ用結晶は、受光器と組み合わせることで、放射線検出器としての使用が可能となる。さらに、これらの放射線検出器を放射線検出器として備えたことを特徴とする放射線検査装置としても使用可能である。放射線検査装置としては、例えば、PET、SPECT、およびCTが例示される。また、本発明のガーネット型結晶は、蛍光寿命蛍光減衰時間が25ナノ秒以下の蛍光成分を発光し、蛍光寿命が100ナノ秒を超える長寿命成分の発光量を、蛍光成分全体の発光量に対して40以下にすることができる。したがって、本発明のガーネット型結晶を備えた放射線検出器は、蛍光測定のためのサンプリング時間が短くて済み、高時間分解能、すなわちサンプリング間隔を低減することができる。このように、本発明のシンチレータ用ガーネット型結晶は、高発光量、高いエネルギー分解能、高密度かつ短寿命の発光を有するため、本発明のシンチレータ用結晶を備えるこれら放射線検査装置では、高速応答の放射線検出が可能となる。以下、本発明の具体例について、図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるわけではない。なお、以下の実施例では、Pr濃度は、特定の結晶中における濃度か、融液仕込みにおける濃度かのいずれかの記載となっているが、各実施例において、結晶中の濃度1に対して仕込み時の濃度1~10程度となるような関係があった。実施例1マイクロ引下げ法により、Lu197Pr003Y1Al4Ga1O12の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。実施例2マイクロ引下げ法により、Lu197Pr003Y1Al3Ga2O12の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。実施例3マイクロ引下げ法により、Lu097Pr003Y2Al3Ga2O12の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。実施例4マイクロ引下げ法により、Pr003Y297Al4Ga1O12の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。実施例5マイクロ引下げ法により、Pr003Y297Al3Ga2O12の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。実施例6熱間静水圧プレス燒結法により、Lu197Pr003Y1Al3Ga2O12の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。実施例7チョクラルスキー法により、Lu197Pr003Y1Al3Ga2O12の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。比較例1マイクロ引下げ法により、Lu297Pr003Al5O12の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。比較例2マイクロ引下げ法により、Lu197Pr003Y1Al1Ga4O12の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。比較例3マイクロ引下げ法により、Lu097Pr003Y2Al1Ga4O12の組成で表されるガーネット型結晶を作製した。実施例1~7、比較例1~3で得られた結晶をφ3×2mmサイズに加工研磨した後、各々のシンチレータ特性を評価した。また、実施例及び比較例で得られた結晶をX線励起発光スペクトル法により発光スペクトルを測定した。具体的には、X線を各サンプルに照射し、発生したシンチレーション光を分光器を用いて、図3で示すようなプロファイルを取得した。図3は、実施例1,2において得られた発光スペクトルを示す。また、137Csからのγ線を照射し蛍光減衰時間、及び、発光量を測定した。発光量測定に関しては、得られたエネルギースペクトル中の光電吸収ピークの位置を既知のシンチレータであるCe:LYSO発光量:30000photon/MeVと比較し、光電子増倍管の波長感度をそれぞれ考慮し、発光量を算出した。測定温度は25°Cとした。蛍光寿命に関しては、図1で示す測定装置を用いて測定された電圧パルス信号の蛍光寿命成分に対して、上記式IIの関数を用いて非線形回帰曲線を描き、蛍光寿命の第一成分の発光量および蛍光寿命の第二成分の発光量を算出し、それぞれの発光量の割合を計算した。実施例1~7、比較例1~3で得られた結晶に関する諸特性を表1、2にまとめる。図3で示すように、実施例1~7および比較例1においてPr3の4f5d発光由来の発光ピークが310nm付近に確認された。図3、表1、2に示すとおり、Ga濃度が増加すると発光ピークが短波長側にシフトし、Y濃度が増加すると発光ピークが長波長側にシフトしている。これは、Ga濃度が増加するとバンドギャップが小さくなり、かつPr3の5d1準位が伝導体により近接する。また、Y濃度が増加するとPr3の5d1準位が伝導体から離れることをあらわしている。このように、本発明におけるプラセオジム付活ガーネット型結晶は、最適なGa濃度、Y濃度をとることで、高い発光量を持ち、さらに蛍光減衰時間を短くかつ長寿命成分も低減できることが分かった。なお、実施例1~6、比較例1~3で得られた結晶は、いずれも単結晶であり、実施例7の結晶は、透明セラミックスであった。"