"半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、前記半導体素子と前記電極端子間に設けられ、前記半導体素子を押圧する電極部材と、前記電極部材に設けられる検出電極と、を備えたことを特徴とする半導体モジュール。前記電極部材は、導体平板を折り返し、この折り返した導体平板間に弾性部材を設けてなることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。前記検出電極は、前記電極部材を押圧して設けられることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。前記検出電極が前記電極部材を押圧する押圧力は、前記電極部材が前記半導体素子を押圧する押圧力の10分の1以下であることを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。前記検出電極は、前記導体平板を折り返して形成される平板部のうち、前記電極端子が設けられる平板部と対向する平板部に設けられることを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、前記電極端子を前記半導体素子方向に押圧する電極部材と、前記電極部材に設けられる検出電極と、を備えたことを特徴とする半導体モジュール。半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、前記半導体素子と前記電極端子間に設けられ、前記半導体素子を押圧する電極部材と、前記電極部材に設けられる検出電極と、を備えた半導体モジュールの内部状態検出方法であって、前記電極部材と接続される電極端子と、前記検出電極との間の電気的性質の変化に基づいて、前記電極部材の異常を検出することを特徴とする半導体モジュールの内部状態検出方法。半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、前記半導体素子と前記電極端子間に設けられ、前記半導体素子を押圧する電極部材と、前記電極部材に設けられる検出電極と、を備えた半導体モジュールの内部状態検出方法であって、前記電極部材と接続される電極端子と、前記検出電極との間の温度差に基づいて、前記電極部材の異常を検出することを特徴とする半導体モジュールの内部状態検出方法。半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、前記半導体素子と前記電極端子間に設けられ、前記半導体素子を押圧する電極部材と、前記電極部材に設けられる検出電極と、を備えた半導体モジュールの内部状態検出方法であって、前記電極部材と接続される電極端子と、前記検出電極との間の電気抵抗率に基づいて、前記半導体素子近傍の温度を検出することを特徴とする半導体モジュールの内部状態検出方法。しかしながら、半導体モジュール内部の温度や半導体モジュールを構成する部品の状態を把握するために、半導体モジュール内部状態を把握するための部品点数を増加させると、半導体モジュールの構成が複雑となり、半導体モジュールの小型化の妨げとなるおそれが生じる。上記事情に鑑みて、本発明は、圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、半導体モジュール内部の状態を把握し、半導体モジュールの信頼性の向上に貢献することを目的とする。上記目的を達成する本発明の半導体モジュールは、半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、前記半導体素子と前記電極端子間に設けられ、前記半導体素子を押圧する電極部材と、前記電極部材に設けられる検出電極と、を備えたことを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記電極部材は、導体平板を折り返し、この折り返した導体平板間に弾性部材を設けてなることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記検出電極は、前記電極部材を押圧して設けられることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記検出電極が前記電極部材を押圧する押圧力は、前記電極部材が前記半導体素子を押圧する押圧力の10分の1以下であることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記検出電極は、前記導体平板を折り返して形成される平板部のうち、前記電極端子が設けられる平板部と対向する平板部に設けられることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールは、半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、前記電極端子を前記半導体素子方向に押圧する電極部材と、前記電極部材に設けられる検出電極と、を備えたことを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの内部状態検出方法は、半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、前記半導体素子と前記電極端子間に設けられ、前記半導体素子を押圧する電極部材と、前記電極部材に設けられる検出電極と、を備えた半導体モジュールの内部状態検出方法であって、前記電極部材と接続される電極端子と、前記検出電極との間の電気的性質の変化に基づいて、前記電極部材の異常を検出することを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの内部状態検出方法は、半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、前記半導体素子と前記電極端子間に設けられ、前記半導体素子を押圧する電極部材と、前記電極部材に設けられる検出電極と、を備えた半導体モジュールの内部状態検出方法であって、前記電極部材と接続される電極端子と、前記検出電極との間の温度差に基づいて、前記電極部材の異常を検出することを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの内部状態検出方法は、半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、前記半導体素子と前記電極端子間に設けられ、前記半導体素子を押圧する電極部材と、前記電極部材に設けられる検出電極と、を備えた半導体モジュールの内部状態検出方法であって、前記電極部材と接続される電極端子と、前記検出電極との間の電気抵抗率に基づいて、前記半導体素子近傍の温度を検出することを特徴としている。以上の発明によれば、圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、半導体モジュール内部の状態を検出することができ、半導体モジュールの信頼性の向上に貢献することができる。本発明の実施形態に係る半導体モジュール及び半導体モジュールの内部状態検出方法について、図を参照して詳細に説明する。実施形態1図1は、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1の断面図である。本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1は、IGBT素子2半導体素子、IGBT素子2の電極層と電気的に接続されるコレクタ電極端子3、IGBT素子2の電極層と電気的に接続されるエミッタ電極端子4、ばね電極6及び検出電極7より構成される。IGBT素子2は、図1に示すように、コレクタカソード電極端子3上にモリブデン製コンタクト電極9を介して設けられる。IGBT素子2には、図示省略するが、上面にエミッタ、ゲート制御電極が形成され、底面にコレクタが形成されている。つまり、コレクタ電極端子3は、コンタクト電極9を介してIGBT素子2のコレクタと電気的に接続される。なお、実施形態の説明では、便宜上、上面及び底面とするが、上下方向は、本発明をなんら限定するものではない。また、ゲート制御電極と制御回路との接続については、従来の接続方法を用いればよいので図示省略する。コレクタ電極端子3及び、エミッタ電極端子4は、周知の電極材料からなる電極端子を用いる。例えば、コレクタ電極端子3及び、エミッタ電極端子4の材料に銅等の熱伝導性の良い金属を用いると、半導体モジュール1IGBT素子2の放熱性が向上する。ばね電極6は、コンタクト電極10を介してIGBT素子2のエミッタと接続され、IGBT素子2のエミッタと電気的に接続される。ばね電極6は、導電板部材8を折り返し、導電板部材8を折り返すことで形成される平板部8b,8c間に板ばね5を挟持して構成される。導電板部材8は、銅、アルミニウム等の導電材料より構成される。導電板部材8を折り返すことで、導電板部材8には、折り返し部8a及び、平板部8b,8cが形成される。そして、この平板部8cがコンタクト電極10と接するように、ばね電極6がコンタクト電極10上に設けられる。エミッタ電極端子4は、ばね電極6の平板部8bに設けられ、コンタクト電極10、ばね電極6を介してIGBT素子2のエミッタと電気的に接続される。検出電極7は、ばね電極6のIGBT素子2と対向する平板部8cの面を押圧するように設けられる。検出電極7が平板部8cを押圧する圧力を、ばね電極6がIGBT素子2を押圧する圧力の1/10以下とすると、検出電極7が平板部8cを押圧する押圧力が、ばね電極6によるIGBT素子2の押圧を妨げない。検出電極7は、周知の電極材料からなる電極を用いるとよいが、検出電極7に、銅、アルミニウム等の弾性力のある材料を用いると、検出電極7が弾性変形するので、ばね電極6によるIGBT素子2の押圧を妨げず好ましい。検出電極7と平板部8cとの接触面積は、特に限定するものではなく、検出電極7と平板部8cとの接触が確保できる程度の面積があればよいので、検出電極7は、検出電極7とエミッタ電極端子4間の電気的測定温度差測定が行いやすい箇所に設置することができ、半導体モジュール1の小型化や組立て利便性を妨げない。図2に示すように、検出電極7の一部は、IGBT素子2が格納される筺体14から突出した状態で設けられ、筺体14に接着剤等により固定される。このとき、検出電極7は、電気的な導通測定を行うための端子を当てることができる程度筺体14から突出させればよい。さらに、コレクタ電極端子3、エミッタ電極端子4、及び制御用電極端子16IGBT素子2に設けられたゲート電極層、エミッタ電極層またはソース電極層と接続される電極端子が筺体14から突出して設けられる。コレクタ電極端子3及びエミッタ電極端子4は、図示省略の駆動回路に接続される。また、制御用電極端子16は、IGBT素子2を制御する図示省略の制御回路と接続される。測定手段15は、検出電極7と、エミッタ電極端子4ばね電極6を介して検出電極7と対向して設けられる電極端子との電気的測定若しくは、温度差測定を行う。測定手段15が、ばね電極6とエミッタ電極端子4との間の電気抵抗測定を行う場合には、測定手段15は、電圧印加手段と電流検出手段を備える。また、測定手段15が、ばね電極6とエミッタ電極端子4との間の誘電率を測定する時には、測定手段15は、電圧印加手段と電荷測定手段電位測定手段とを備える。また、測定手段15が、ばね電極6とエミッタ電極端子4との間の温度差を測定する時には、測定手段15は、熱電対等の温度差測定手段から構成される。図1に示すように、コレクタ電極端子3とエミッタ電極端子4を、IGBT素子2方向に押圧するように、コレクタ電極端子3とエミッタ電極端子4のそれぞれに絶縁板13,13を介して冷却板11,12が設けられる。この冷却板11,12は、コレクタ電極端子3とエミッタ電極端子4をIGBT素子2方向に押圧した状態で固定される。そして、図示省略の筺体14に冷却板11,12に挟持されたIGBT素子2が収納され、筺体14内に窒素が封入される。冷却板11,12は、銅、アルミニウム等の金属板や熱伝導性の高いセラミックス板が用いられる。この冷却板11,12にヒートシンクを接続したり、冷却板11,12に直接冷却媒体気体または液体を接触させたりすることで半導体モジュール1を冷却する。また、絶縁板13,13を設けず、冷却板11,12を半導体モジュール1の外部回路と接続される外部接続用電極として用いることも可能である。上記構成からなる半導体モジュール1は、コレクタ電極端子3とエミッタ電極端子4をIGBT素子2方向に押圧するように冷却板11,12が設けられるので、ばね電極6の板ばね5に弾性エネルギーが蓄積される。ばね電極6は、板ばね5の弾性力により、エミッタ電極端子4と絶縁板13とを冷却板12方向に押圧し、コンタクト電極10をIGBT素子2IGBT素子2のエミッタ方向に押圧する。また、ばね電極6の押圧により、コレクタ電極端子3及び絶縁板13は冷却板11方向に押圧され、この押圧する力の反力によりコレクタ電極端子3がコンタクト電極9をIGBT素子2IGBT素子2のコレクタ方向に押圧する。このように、半導体モジュール1内部で各部材を押圧する力のバランスが保たれ、各部材間に適当な圧接力が働く。図3に示すように、ばね電極6は、上部と下部から加圧する力が作用する。ばね電極6の折り返し部8aは、板ばね5の弾性変形に伴う応力が集中しやすい。この力が、ばね電極6の折り返し部8aに集中すると、折り返し部8aが破損例えば、U字状の折り返し部8aが塑性変形してV字状に変形する等するおそれがある。そこで、実施形態に係る半導体モジュール1では、図2に示すように、検出電極7とエミッタ電極端子4間の電気抵抗測定、誘電率測定または温度差測定を行う測定手段15を備え、この測定手段15の測定値の変化に基づいて、半導体モジュール1の内部状態の変化折り返し部8aの破損またはIGBT素子2近傍の温度変化等を検出する。本発明の実施形態に係る半導体モジュール1の内部状態検出方法について、具体的な例1ばね電極6の破損を検出する例、2IGBT素子2近傍の温度を測定する例、を挙げて説明する。1ばね電極6の破損検出図2に示す半導体モジュール1において、半導体モジュール1の内部状態を検出する場合、測定手段15は、エミッタ電極端子4と検出電極7との間の電気的性質若しくは、温度差を測定する。図1に示すように、検出電極7は、ばね電極6の平板部8cを押圧した状態で設けられているので、ばね電極6に異常が生じた場合例えば、折り返し部8aが破損した、若しくはばね電極6の位置がずれた等の理由によりばね電極6がIGBT素子2を予め設計された圧力で押圧できない場合、検出電極7とばね電極6間の接触強度が変化する。したがって、検出電極7とエミッタ電極端子4間の電気抵抗や誘電率を測定し、この測定値が変化した場合、ばね電極6の異常を検出折り返し部8aが破損したと判断することができる。なお、ばね電極6に異常が生じた場合、検出電極7とばね電極6との熱接触が弱くなるので、検出電極6とエミッタ電極端子4間の温度差を測定し、測定された温度差が予め定められたしきい値を超えた場合に、ばね電極6になんらかの異常が生じたと判断することもできる。2IGBT素子2近傍の温度測定図2に示す半導体モジュール1において、半導体モジュール1に備えられるIGBT素子2の近傍の温度を検出する場合、測定手段15は、検出電極7とエミッタ電極端子4との間の電気抵抗率を測定する。ばね電極6を構成する導電板部材8が銅である場合、銅の電気抵抗率は、0°Cで1.55×108Ωmであり、300°Cで3.6×108Ωmとなる理科年表平成22年、国立天文台編、丸善、2009年11月30日発行。つまり、0°Cから300°Cの温度範囲で、導電板部材8の電気抵抗率はほぼ2倍となる。よって、検出電極7とエミッタ電極端子4間の電気抵抗率を測定することで、IGBT素子2の近傍の温度を推定することができる。すなわち、ばね電極6を構成する材料主に、導電板部材8の材質の温度による電気抵抗率の変化を予め把握しておくことで、導電板部材8が銅でない場合アルミニウム等の金属で構成された場合においても、測定手段15は、検出電極7とエミッタ電極端子4間の電気抵抗率に基づいて、IGBT素子2近傍の温度を推定することができる。また、ばね電極6の寿命は、IGBT素子2からの発熱量に大きく依存する。よって、ばね電極6の温度やIGBT素子2近傍の温度をモニタすることで、ばね電極6の寿命を推定することができる。一般に、1mm3より小型の温度センサとして、半導体温度センサがある。この半導体温度センサを半導体モジュール内に設置すると配線の引き回しをする必要があり、配線が困難となる。一方、本発明の実施形態に係る半導体モジュール1の内部状態検出方法によれば、筺体14から突出する検出電極7を一つ設けるだけで、IGBT素子2近傍の温度を検出することができる。実施形態2本発明の実施形態2に係る半導体モジュール及び半導体モジュールの内部状態検出方法について、図4を参照して詳細に説明する。なお、実施形態2に係る半導体モジュール17は、実施形態1に係る半導体モジュール1において、モジュール内に設けられるばね電極6の位置が異なるものである。よって、実施形態2に係る半導体モジュール17において、実施形態1に係る半導体モジュール1と同様の構成については、同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。また、実施形態2に係る半導体モジュールの内部状態検出方法は、実施形態1に係る半導体モジュール1と同様に、検出電極7と、ばね電極6に接続される電極端子エミッタ電極端子4との間の電気的測定温度差測定を測定手段15で行うことにより、半導体モジュール17内部の状態を検出するものである。よって、実施形態2に係る半導体モジュール17の内部状態検出方法の詳細な説明は省略する。図4は、本発明の実施形態2に係る半導体モジュール17の断面図である。本発明の実施形態2に係る半導体モジュール17は、IGBT素子2半導体素子、IGBT素子2の電極層と電気的に接続されるコレクタ電極端子3、IGBT素子2の電極層と電気的に接続されるエミッタ電極端子4、ばね電極6及び検出電極7より構成される。IGBT素子2は、コレクタカソード電極端子3上にモリブデン製コンタクト電極9を介して設けられ、IGBT素子2のコレクタと電気的に接続される。エミッタ電極端子4は、コンタクト電極10を介してIGBT素子2のエミッタと接続され、IGBT素子2のエミッタと電気的に接続される。ばね電極6は、エミッタ電極端子4上に設けられる。さらに、コレクタ電極端子3とばね電極6を、IGBT素子2方向に押圧するように、コレクタ電極端子3とばね電極6のそれぞれに絶縁板13,13を介して冷却板11,12が設けられる。つまり、冷却板11,12は、コレクタ電極端子3とばね電極6をIGBT素子2方向に押圧した状態で固定される。その結果、ばね電極6が、エミッタ電極端子4をIGBT素子2方向に押圧した状態で半導体モジュール17に設けられる。そして、図示省略の筺体に冷却板11,12に挟持されたIGBT素子2が収納され、筺体内に窒素が封入される。検出電極7は、ばね電極6を構成する導体平板8を折り返して形成される平板部8b,8cのうち、エミッタ電極端子4に接続される平板部8cと対向する平板部8bに設けられる。上記構成からなる実施形態2に係る半導体モジュール17においても、実施形態1に係る半導体モジュール1と同様に、測定手段15で、検出電極7とエミッタ電極端子4間の電気的測定若しくは、温度差測定を行うことにより、半導体モジュール17の内部状態電極部材の異常や電極部材の寿命等を把握することができる。以上のように、本発明の半導体モジュールによれば、半導体素子が、筺体に格納される等の理由により、目視により半導体モジュール内部の様子を判断できない場合でも、半導体モジュールの内部状態電極部材の状態や半導体素子近傍の温度等を検出することができる。そして、半導体モジュールの内部状態電極部材の異常や電極部材の寿命等を把握することで、半導体モジュールの信頼性を向上させることができる。また、半導体素子の近傍の温度を検出することにより、半導体素子の制御電極層に接続される制御電極端子の寿命推定を行うことができる。特に、半導体素子の制御電極層と接続される制御用電極端子の接続部が弾性体で形成されている場合、制御用電極端子の接続部は、電極部材と同様に、半導体素子から発生する熱による応力歪の影響を受けやすい。ゆえに、半導体素子の近傍の温度を検出することによって、電極部材だけでなく制御用電極端子の状態を把握することも可能となる。また、電極部材に異常が生じた場合、電極部材が半導体素子または検出電極を押圧する圧力は減少する傾向にある。そこで、電極部材面を押圧するように検出電極を設けることで、検出電極と電極部材の接触強度の変化を検出電極とエミッタ電極端子間の電気的測定値温度差測定値の変化として、より感度良く把握することができる。また、弾性部材を導電板部材で包んで電極部材を構成することで、半導体素子で発生した熱が導電板部材において拡散するので、半導体モジュールの放熱性が向上する。よって、SiC、GaNなどの高温で使用可能な半導体素子の性能を生かす半導体モジュールにおいて、温度サイクル、パワーサイクル等の信頼性を向上させることができる。その結果、電極部材の弾性力により半導体モジュールに備えられる各部材を圧接する半導体モジュールの温度サイクル、パワーサイクル等の信頼性が向上する。つまり、はんだ接合あるいはワイヤーボンドを用いず、かつ使い勝手の良い絶縁形パワー半導体モジュールを得ることができ、半導体モジュールの高信頼性、環境性、利便性を同時に実現することができる。なお、本発明の半導体モジュール及び半導体モジュールの内部状態検出方法は、上述した実施形態に限らず、本発明の特徴を損なわない範囲で適宜設計変更が可能であり、そのように変更された形態も本発明に係る半導体モジュール及び半導体モジュールの内部状態検出方法である。例えば、実施形態ではIGBT素子を備えた平型圧接構造の半導体モジュールを例示して説明したが、半導体モジュールに備えられる半導体素子は、IGBT素子に限定されるものでなく、サイリスタGTOサイリスタ等、トランジスタMOSFET等、FWD素子等の半導体素子を適宜選択して用いることができる。また、弾性部材は、板ばね5に限定されるものではなく、皿ばね、波板ばね、凸ばね、メッシュばね等を用いることができる。また、導電板部材8の折り返し部8aはU字状に折り返す形態の他に、導電板部材8の両端を折り返す形態等、板ばね5を挟持できる形態であればどのように折り返してもよい。また、平板部8b,8cと板ばね5との間に、それぞれステンレス板、モリブデンMo板、タングステンW板等、既知の硬い金属からなる分散板図示省略を設けることで、板ばね5の押圧力を分散させ、ばね電極6の押圧力をより均一にIGBT素子2に作用させることができる。また、電極部材は、半導体モジュール内に設けられ、半導体素子または、電極端子を押圧するものであれば、ばね電極の形状に限定されるものではない。また、ばね電極6をIGBT素子2とコレクタ電極端子3との間に若しくは、コレクタ電極端子3をIGBT素子2に押圧するように設けた場合には、測定手段15は、検出電極7とコレクタ電極端子3との間の電気的測定若しくは、温度差測定を行うことで、実施形態と同様の効果を得ることができる。"