"分子材料の安定溶液であって:-第1の種類の有機または有機金属分子M1を含み;-第2の種類の有機または有機金属分子またはイオンM2を含み;-前記第1の種類は、電子の非局在化が可能な基を少なくとも有し;-界面活性剤または溶媒であってもよい第3の種類の分子M3であって、前記第1または第2の種類の分子またはイオンM1、M2と混合して、溶液中に付加体であって、その存在によって、M1とM2との間の反応によって形成される化合物M1-M2の沈殿が防止され、前記第3の種類の分子M3が存在しない場合の前記化合物M1-M2の沈降係数によって制限される濃度よりも化合物M1-M2の濃度が高い溶液を得ることができるようにする付加体を形成するための第3の種類の分子M3を含むことを特徴とする、分子材料の安定溶液。前記第1および第2の種類の有機または有機金属分子M1、M2と混合することができる界面活性剤または溶媒であってもよい第4の種類の分子M4をも含むことを特徴とする請求項1に記載の分子材料の安定溶液。前記第1または第2の種類の分子が、有機または有機金属分子、あるいは有機または有機金属分子の塩であることを特徴とする請求項1または2に記載の分子材料の安定溶液。前記第3および/または第4の種類の分子M3、M4が、アミンまたはカルボン酸またはホスフィン型の官能基を含む化合物、あるいはπ配位系を有する分子であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液。前記第1および/または第2の種類の分子またはイオンM1、M2が:-TTF誘導体;-遷移金属錯体;-中性または荷電状態である、金属とビスジチオレン配位子との錯体:Mdmit2式中、MはNi、Pd、Ptであり、dmitは4,5-ジメルカプト-1,3-ジチオール-2-チオンである;-中性または荷電状態である、金属とtmdtなどのTTF-ビスジチオレン型配位子との錯体:Mtmdt2式中、tmdtはトリメチレンテトラチアフルバレン-ジチオレートであり、MはNi、Pd、Ptである;-中性または荷電状態である、金属とdcbdt配位子との錯体:Mdcbdt2式中、dcbdtはジシアノベンゼンジチオレートであり、MはNi、Pd、Ptである;-ペリレンなどの種類であってもよいドナー型の有機または有機金属分子であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液。前記第1および/または第2の種類の分子M1、M2が:-TCNQ誘導体の一種:テトラシアノ-p-キノジメタン;-TNAP:11,11,12,12-テトラシアノナフト-2,6-キノジメタン;-DCNQI:ジシアノキノンジイミンなどの種類であってもよいアクセプター型の有機または有機金属分子であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液。第1の種類または第2の種類の一方のみが前記有機または有機金属分子型である場合、他方の種類はイオン型であってもよく、以下の陰イオン:ヘキサフルオロリン酸塩、三ヨウ化物、塩化物、臭化物、ヒ酸塩、アンチモン酸塩の中の1つに含まれてもよいことを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液。第1の種類または第2の種類の一方のみが有機または有機金属分子型である場合、他方の種類はイオン型であってもよく、以下の陽イオン:Naナトリウム、Kカリウム、または遷移金属陽イオンの中の1つに含まれてもよいことを特徴とする、請求項1~7のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液。-前記第1の種類の分子がTTF分子であり;-前記第2の種類の分子がTCNQ分子であり;-前記第3の種類の分子が長炭素鎖アミン分子であることを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液。-前記第1の種類の分子がTTF分子であり;-前記第2の種類の分子がTCNQ分子であり;-前記第3の種類の分子が長炭素鎖アミン分子であることを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液。分子材料の安定溶液の製造方法であって、第1の種類の有機または有機金属分子M1と、第2の種類の有機または有機金属分子またはイオンM2とを混合するステップであって、前記第1の種類は、電子の非局在化が可能な基を少なくとも有し、分子結晶を形成することができ、界面活性剤または溶媒であってもよい第3の種類の分子M3であって、前記第1または第2の種類の分子またはイオンM1、M2と混合して、溶液中に付加体であって、その存在によって、M1とM2との間の反応によって形成される化合物M1-M2の沈殿が防止され、化合物M1-M2の濃度が、前記第3の種類の分子M3が存在しない場合の化合物M1-M2の沈降係数によって制限される濃度よりも化合物M1-M2の濃度が高い溶液を得ることができるようにする付加体を形成するための、少なくとも1種類の第3の種類の分子M3の存在下で行われるステップを含むことを特徴とする、請求項1~10のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液の製造方法。前記第1および第2の種類の有機または有機金属分子M1、M2と混合することができる、界面活性剤または溶媒であってもよい第3の種類の分子M3および第4の種類の分子M4を添加するステップを含むことを特徴とする、請求項11に記載の分子材料を含む分子材料の安定溶液の製造方法。-TTF分子および有機溶媒中の長炭素鎖アミン分子を混合して一次混合物を得るステップ;-有機溶媒中のTCNQ分子を前記一次混合物に加えるステップ、を含むことを特徴とする、請求項1~12のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液の製造方法。-TTF3BF42分子および有機溶媒中の長炭素鎖アミン分子を混合して一次混合物を得るステップ;-有機溶媒中の[n-C4H94N][Nidmit2]分子を前記一次混合物に加えるステップを含むことを特徴とする、請求項1~13のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液の製造方法。請求項1~10のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液を乾燥させることによって得られることを特徴とする、分子材料のナノ粒子粉末の製造方法。請求項1~10のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液を支持体上に堆積するステップと、続いて前記溶液を乾燥させるステップとを含むことを特徴とする、分子材料を主成分とする薄膜の製造方法。請求項1~10のいずれか一項に記載の安定溶液を有機または無機マトリックスと混合するステップを含むことを特徴とする、分子材料を主成分とする複合材料の製造方法。請求項15に記載の方法によって得られたナノメートル粉末を有機または無機マトリックスと混合するステップを含むことを特徴とする、分子材料を主成分とする複合材料の製造方法電磁波吸収材料を製造するための、請求項1~10のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液の使用。エレクトロニクス用活性材料を製造するための、請求項1~10のいずれか一項に記載の分子材料の安定溶液の使用。導電性トラックまたはトランジスタまたは発光ダイオードを製造するための、請求項20に記載の分子材料の安定溶液の使用。特に薄膜の製造を促進するために、上記の分子材料の溶液中の溶解の問題を克服するため、本発明は、高濃度の分子材料を有する安定なコロイド溶液製造する問題に対する解決法を提供する。この形態において、本発明の溶液は、薄膜を得るために基板上に直接堆積することができるか、あるいは、最適な均一性のナノ構造の複合材料を得るためにマトリックスの前駆体溶液と併用することができる。特に、本発明の主題の1つは、分子材料の安定溶液であって:-第1の種類の有機または有機金属分子M1を含み;-第2の種類の有機または有機金属分子またはイオンM2を含み;-第1の種類は、電子の非局在化が可能な基を少なくとも有し;-界面活性剤または溶媒であってもよい第3の種類の分子M3であって、第1または第2の種類の分子またはイオンM1、M2と混合して溶液中に付加体を形成することができ、その存在によって、M1とM2との間の反応によって形成される化合物M1-M2の沈殿が防止され、第3の種類の分子M3が存在しない場合の化合物M1-M2の沈降係数によって制限される濃度よりも化合物M1-M2の濃度が高い溶液を得ることができるようにする第3の種類の分子M3を含むことを特徴とする、分子材料の安定溶液である。本発明の溶液は、典型的には、少なくとも3か月の間まったく沈殿が観察されることなく安定となることができる。本発明の一変形によると、溶液は、第1および第2の種類の有機または有機金属分子と混合することができる界面活性剤または溶媒であってもよい第4の種類の分子M4をも含む。本発明の一変形によると、第1または第2の種類の分子は、有機または有機金属分子、あるいは有機または有機金属分子の塩である。本発明の一変形によると、第3および/または第4の種類の分子は、アミンまたはカルボン酸またはホスフィン型の官能基を含む化合物、あるいはπ配位系を有する分子である。本発明の一変形によると、第1および/または第2の種類の分子またはイオンは、ドナー型の有機または有機金属分子であり:-TTF誘導体;-遷移金属錯体;-中性または荷電状態である、金属とビスジチオレン配位子との錯体:Mdmit2式中、MはNi、Pd、Ptであり、dmitは4,5-ジメルカプト-1,3-ジチオール-2-チオンである;-中性または荷電状態である、金属とtmdtなどのTTF-ビスジチオレン型配位子との錯体:Mtmdt2式中、tmdtはトリメチレンテトラチアフルバレン-ジチオレートであり、MはNi、Pd、Ptである;-中性または荷電状態である、金属とdcbdt配位子との錯体:Mdcbdt2式中、dcbdtはジシアノベンゼンジチオレートであり、MはNi、Pd、Ptである;-ペリレンなどの種類のものであってもよい。本発明の一変形によると、第1および/または第2の種類の分子は、アクセプター型の有機または有機金属分子であり:-TCNQ誘導体の一種:テトラシアノ-p-キノジメタン;-TNAP:11,11,12,12-テトラシアノナフト-2,6-キノジメタン;-DCNQI:ジシアノキノンジイミンなどの種類のものであってもよい。本発明の一変形によると、第1の種類または第2の種類の一方のみが有機または有機金属分子型である場合、他方の種類はイオン型であってもよく、以下の陰イオン:ヘキサフルオロリン酸塩、三ヨウ化物、塩化物、臭化物、ヒ酸塩、アンチモン酸塩の中の1つに含まれてもよい。本発明の一変形によると、第1の種類または第2の種類の一方のみが有機または有機金属分子型である場合、他方の種類はイオン型であってもよく、以下の陽イオン:Naナトリウム、Kカリウム、または遷移金属陽イオンの中の1つに含まれてもよい。本発明の一変形によると:-第1の種類の分子はTTF分子であり;-第2の種類の分子はTCNQ分子であり;-第3の種類の分子は長炭素鎖アミン分子である。本発明の一変形によると:-第1の種類の分子はTTF分子であり;-第2の種類の分子はTCNQ分子であり;-第3の種類の分子は長炭素鎖アミン分子である。本発明の主題の1つは、本発明による分子材料の安定溶液の製造方法であって、第1の種類の有機または有機金属分子M1と、第2の種類の有機または有機金属分子またはイオンM2とを混合するステップであって、第1の種類は、電子の非局在化が可能な基を少なくとも有し、分子結晶を形成することができ、界面活性剤または溶媒であってもよい第3の種類の分子M3であって、第1または第2の種類の分子またはイオンM1、M2と混合して、溶液中に付加体であって、その存在によって、M1とM2との間の反応によって形成される化合物M1-M2の沈殿が防止され、化合物M1-M2の濃度が、第3の種類の分子M3が存在しない場合の化合物M1-M2の沈降係数によって制限される濃度よりも化合物M1-M2の濃度が高い溶液を得ることができるようにする付加体を形成するための、、少なくとも1種類の第3の種類の分子M3の存在下で行われるステップを含むことを特徴とする製造方法でもある。本発明の一変形によると、本発明の方法は、第1および第2の種類の有機または有機金属分子M1、M2と混合することができる、界面活性剤または溶媒であってもよい第3の種類の分子M3および第4の種類の分子M4を添加するステップを含む。本発明の一変形によると、本発明の方法は:-TTF分子および有機溶媒中の長炭素鎖アミン分子を混合して一次混合物を得るステップ;-有機溶媒中のTCNQ分子を一次混合物に加えるステップを含む。本発明の一変形によると、本発明の方法は:-TTF3BF42分子および有機溶媒中の長炭素鎖アミン分子を混合して一次混合物を得るステップ;-有機溶媒中の[n-C4H94N][Nidmit2]分子を一次混合物に加えるステップを含む。本発明の主題の1つは、本発明による分子材料の安定溶液を乾燥させることにより得られることを特徴とする、分子材料のナノ粒子粉末の製造方法でもある。本発明の主題の1つは、本発明による分子材料の安定溶液を支持体上に堆積するステップと、続いて前記溶液を乾燥させるステップとを含むことを特徴とする、分子材料を主成分とする薄膜の製造方法でもある。本発明の主題の1つは、本発明による安定溶液を有機または無機マトリックスと混合するステップを含むことを特徴とする、分子材料を主成分とする複合材料の製造方法でもある。本発明の主題の1つは、本発明の方法で得られたナノメートル粉末を有機または無機マトリックスと混合するステップを含むことを特徴とする、分子材料を主成分とする複合材料の製造方法でもある。本発明の主題の1つは、電磁波吸収材料を製造するための本発明による分子材料の安定溶液の使用でもある。本発明の主題の1つは、エレクトロニクス用活性材料を製造するための本発明による分子材料の安定溶液の使用でもある。これは特に、導電性トラックまたはトランジスタまたは発光ダイオードであってもよい。限定することなく提供される以下の説明を読むことと、本発明の導電性分子材料の溶液中に形成される付加体の一例に関する添付の図1とによって、本発明がより明確に理解でき、他の利点が明らかとなるであろう。一般に、第1の分子の種類M1およびM2は、同等の役割を果たし、単純な有機または有機金属分子、分子塩または無機塩の種類のものであってもよい。本発明を満たすためには、種類M1またはM2の1つと混合して、溶液中の付加体を形成することができる界面活性剤、またはさらには溶媒であってもよい第3の分子の種類M3を使用することも必要であり、付加体は、周知の方法で、種類M1および種類M3、あるいは種類M2および種類M3を直接混合することによって形成される化学種に対応する。特に、本発明は、第1および第2の種類の分子M1またはM2を第3の種類の分子M3と混合することで、溶媒中で、M1およびM2の接触によって不溶性分子導体M1-M2の沈殿が生じる可能性を回避することができることを提案しており、固体沈殿物の形成は、レドックス反応または電荷移動反応によって生じやすい。次に、M1、M2、およびM3の混合によって得られる安定溶液は、溶液中に完全に分散した3つの化学種の中の2つまたは3つの化学種を含む分子付加体、あるいはM3によって安定化された化合物M1-M2のナノ粒子を含有することができる。本発明の状況のこの問題を克服するために、種類M1またはM2の分子を、分子の種類M3、および分子の種類M4と混合して、2つの可溶性付加体を得ることもできる。さらに、種類M1の分子および種類M3の分子、あるいは種類M2の分子および種類M3の分子は、同じ溶媒に対して可溶性である必要がある。この溶媒和は、種類M1の分子と種類M3の分子との間、または種類M2の分子と種類M3の分子との間の相互作用から生じうる。付加体M1およびM3の溶媒と、分子M2の溶媒、または付加体M2およびM3の溶媒とは、同じ場合も異なる場合もある。種類M1および/または種類M2の分子の例:1ドナー型分子:1.1.TTFテトラチアフルバレン誘導体、MDT-TTFメチレンジチオテトラチアフルバレン、BMDT-TTFビスメチレンジチオテトラチアフルバレン、BPDT-TTFビスプロピレンジチオテトラチアフルバレン、DMETジメチルエチレンジチオジセレナジチアフルバレン、HMTSFヘキサメチレンテトラセレナフルバレン、TMTTFテトラメチルテトラチアフルバレン、TMTSFテトラメチルテトラセレナフルバレン、BEDT-TTFビスエチレンジチオテトラチアフルバレン。1.2.遷移金属錯体1.3.一連のビスジチオレン金属錯体、たとえば:中性または荷電状態のMdmit2式中、MはNi、Pd、Ptであり、dmitは4,5-ジメルカプト-1,3-ジチオール-2-チオンである。1.4.金属と、TTF-ビスジチオレン型配位子、たとえばtmdtとの一連の錯体:中性または荷電状態のMtmdt2式中、tmdtはトリメチレンテトラチアフルバレン-ジチオレートであり、MはNi、Pd、Ptである。1.5.金属と配位子dcbdtとの一連の錯体、中性または荷電状態のMdcbdt2式中、dcbdtはジシアノベンゼンジチオレートであり、MはNi、Pd、Ptである。1.6.ペリレン2アクセプター型分子TCNQ誘導体:テトラシアノ-p-キノジメタン;TNAP:11,11,12,12-テトラシアノナフト-2,6-キノジメタン;DCNQI:ジシアノキノンジイミンであってもよい、アクセプター型分子。溶液が前述の第1の種類M1またはM2のみを含む場合、他方の種はイオン種であってもよく、この場合、前記イオンは:3陰イオン:PF6-ヘキサフルオロリン酸塩I3-三ヨウ化物Cl-塩化物Br-臭化物AsF6-ヒ酸塩SbF6-アンチモン酸塩4陽イオンNaナトリウムKカリウム遷移金属陽イオンであってもよい。種類M3および種類M4の分子の例:一般に、第1または第2の種類の分子を含有する溶液中に付加体を得るために投入される第3および第4の種類の分子は、少なくとも1つの配位基を有する有機可溶性であってもよい。これらは、特に以下の官能基:-アミン例:1-オクチルアミン、1-ペンチルアミン;-カルボン酸;-エステル;-シロキサン;-ホスフィン;-π配位系を有する分子例:3-ヘキシルチオフェンを含む化合物であってもよい。一般に、分子導体のコロイド溶液を得るための手順は以下の通りである:互いが存在する場合に自発的に分子導体を形成する2つの種類の構成分子を選択すべきである。一方では、界面活性剤型界面活性剤は溶媒自体であってもよい第3の種類の分子M3をも含有する第1の種類の分子M1を含有する溶液が反応器中で製造される。次に、反応媒体中のある体積の溶媒中に溶解させた第2の種類の分子M2を磁気撹拌しながら加える。反応は室温で行われる。試薬および界面活性剤の濃度によって、形成される粒子の大きさおよびそれらの溶液中での安定性が決定される。典型的には、こうして形成される粒子の大きさは数ナノメートル、またはさらには数十ナノメートル程度となりうる。次にこれらのコロイド溶液を乾燥させると、分子導体のナノ粒子粉末を得ることができ、これは使用される溶媒にしたがって再溶解または分散させることができる。これらのコロイド溶液によって得られる実装の容易さは非常に大きい。このような溶液によって、マトリックス中への均一な混入が可能になり、分子導体溶液が低濃度であるために従来技術の周知の技術では不可能であったスピンコーティングまたは吹き付けなどの方法による堆積が可能になる。その場で合成されることで、別個の合成および分散ステップがさらに不要となる。導電性分子材料を含む溶液の製造方法の第1の例:例として、図1は、単結晶上で190,000Sm-1の導電率を有し、典型的には本発明により分子材料の溶液を得ることが可能となる分子材料であるTTF-TCNQの安定コロイド溶液の合成計画を示している。第1のステップにおいて、種類M1の分子のTTF0.1~10g/Lの間の濃度と、種類M3の分子の飽和または不飽和炭素鎖アミン0.1~20g/Lの間の濃度との一次混合物の調製を有機溶媒中で行う。並行して、種類M2の分子のTCNQを別の有機溶媒同一であってもよい、0.1~20g/Lの間の濃度中に入れる。次に、M2を含有する溶液をM1を含有する溶液に加えて、本発明の溶液を得る。この溶液は、沈殿せずに蒸発によって濃縮することができる。直接堆積によって得られる薄膜の導電率は20Sm-1である。より少ない当量のアミンを使用することで、溶液中で安定なナノヤーンおよびナノ粒子を得ることもできる。導電性分子材料を含む溶液の製造方法の第2の例:第1の種類の分子M1のTTF3BF420.1~10g/Lの間の濃度を、第3の種類の分子の飽和または不飽和長炭素鎖アミン0.1~10g/Lの間の濃度と有機溶媒中で混合する。この混合物を、第2の種類の分子の[n-C4H94N][Nidmit2]の別の有機溶媒中の溶液0.1~10g/Lの濃度に加えると、本発明の溶液が得られる。直接堆積によって得られる薄膜の導電率は200Sm-1である。"