"1~10重量のふっ素化合物を含有する水溶液からなる結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。結晶質透明導電膜が、X線回折法により、In2O3の222ピークが検出される、結晶質ITOインジウム錫酸化物膜である、請求項1に記載の結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。結晶質透明導電膜が、250°C以上でアニールして形成される、請求項1または2に記載の結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。結晶質透明導電膜が、シュウ酸に溶解しない結晶質ITOインジウム錫酸化物膜である、請求項1~3のいずれか一項に記載の結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。結晶質透明導電膜が、銅および/または銅合金を有する結晶質ITO膜である、請求項1~4のいずれか一項に記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物。水溶液が硝酸および塩化カルシウムを含有しない、請求項1~5のいずれか一項に記載の結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。さらに過塩素酸を含有する、請求項1~6のいずれか一項に記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物。ふっ素化合物が、ふっ化水素、ふっ化アンモニウム、ふっ化ナトリウム、ふっ化カリウム、ふっ化水素アンモニウム、ふっ化水素ナトリウム、テトラフルオロけい素、ヘキサフルオロけい酸、ヘキサフルオロけい酸塩、フルオロホウ酸、フルオロホウ酸塩から選択される1種または2種以上の化合物を含有する、請求項1~7のいずれか一項に記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物。ふっ素化合物が、ふっ化水素である請求項8に記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物。界面活性剤として芳香族のポリスルホン酸及びその塩をさらに含有する請求項1~9のいずれか一項に記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物。結晶質ITO膜のエッチングする処理方法であって、銅および/または銅合金膜を有する結晶質ITO膜が基板上に形成されており、請求項1~10のいずれか一項に記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物を用いて結晶質ITO膜をエッチングする工程を含む、前記方法。タッチパネル用の結晶質ITO膜のエッチング処理方法であって、銅および/または銅合金膜を有する結晶質ITO膜が基板上に形成されており、請求項1~10のいずれか一項に記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物を用いて結晶質ITO膜をエッチングする工程を含む、前記方法。本発明は、上記従来の問題点を解決し、電極材料などに用いられている銅および/または銅合金に対してダメージがなく、かつ非晶質及び結晶質ITO膜、特に結晶質ITO膜をエッチングすることが可能な透明導電膜用エッチング液組成物を提供することである。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、ふっ素化合物を含有する水溶液からなる透明導電膜用エッチング液組成物が、電極配線材料などに用いられている銅および/または銅合金に対しダメージを与えず、非晶質及び結晶質ITO膜をエッチングすることが可能であることを見出した。また、前記透明導電膜用エッチング液組成物に酸化剤、特に過塩素酸を含有せしめることにより、銅および/または銅合金に対してダメージを与えることなく、エッチング速度を速くすることが可能であることも見出し、さらに研究を進めた結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下に関する。[1]1~10重量のふっ素化合物を含有する水溶液からなる結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。[2]結晶質透明導電膜が、X線回折法により、In2O3の222ピークが検出される、結晶質ITOインジウム錫酸化物膜である、[1]に記載の結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。[3]結晶質透明導電膜が、250°C以上でアニールして形成される、[1]または[2]に記載の結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。[4]結晶質透明導電膜が、シュウ酸に溶解しない結晶質ITOインジウム錫酸化物膜である、[1]~[3]のいずれかに記載の結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。[5]結晶質透明導電膜が、銅および/または銅合金を有する結晶質ITO膜である、[1]~[4]のいずれかに記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物。[6]水溶液が硝酸および塩化カルシウムを含有しない、[1]~[5]のいずれかに記載の結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。[7]さらに過塩素酸を含有する、[1]~[6]のいずれかに記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物。[8]ふっ素化合物が、ふっ化水素、ふっ化アンモニウム、ふっ化ナトリウム、ふっ化カリウム、ふっ化水素アンモニウム、ふっ化水素ナトリウム、テトラフルオロけい素、ヘキサフルオロけい酸、ヘキサフルオロけい酸塩、フルオロホウ酸、フルオロホウ酸塩から選択される1種または2種以上の化合物を含有する、[1]~[7]のいずれかに記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物。[9]ふっ素化合物が、ふっ化水素である[8]に記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物。[10]界面活性剤として芳香族のポリスルホン酸及びその塩をさらに含有する[1]~[9]のいずれかに記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物。[11]結晶質ITO膜のエッチングする処理方法であって、銅および/または銅合金膜を有する結晶質ITO膜が基板上に形成されており、[1]~[10]のいずれかに記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物を用いて結晶質ITO膜をエッチングする工程を含む、前記方法。[12]タッチパネル用の結晶質ITO膜のエッチング処理方法であって、銅および/または銅合金膜を有する結晶質ITO膜が基板上に形成されており、[1]~[10]のいずれかに記載の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物を用いて結晶質ITO膜をエッチングする工程を含む、前記方法。本発明の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物およびエッチング処理方法により、エッチング残渣や副生成物を生じず、またエッチング速度が制御された精度の高い透明導電膜のエッチングが可能となる。本発明は、1~10重量のふっ素化合物を含有する水溶液からなる結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物に関する。本発明における透明導電膜は、これに限定されるものではないが、酸化インジウム錫、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛などが挙げられる。本発明において好ましい透明導電膜は、ITO膜であり、特に結晶質ITO膜のエッチングに最適であるが、非晶質ITO膜をエッチングすることもできる。本発明において、結晶質ITO膜とは、aX線回折法により、In2O3の222ピークが検出されるもの図1参照、b250°C以上でアニールされて形成されたものまたはcシュウ酸に溶解しないもののうちの何れか1つを満たすものをいう。好ましくは、上記a~cのうち2つを満たすものであり、さらに好ましくはa~cの全てを満たすものをいう。また、本発明の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物は、銅および/または銅合金を腐食することなくエッチングすることができるため、銅および/または銅合金を有する結晶質透明導電膜、特に銅および/または銅合金を有する結晶質ITO膜のエッチングに適している。本発明の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物に使用されるふっ素化合物としては、これに限定されるものではないが、ふっ化水素、ふっ化アンモニウム、ふっ化ナトリウム、ふっ化カリウム、ふっ化水素アンモニウム、ふっ化水素ナトリウム、テトラフルオロけい素、ヘキサフルオロけい酸、ヘキサフルオロけい酸塩、フルオロホウ酸、フルオロホウ酸塩などが挙げられる。電子工業用途での使用実績が多く、かつ安価であるとの観点からふっ化アンモニウムおよびふっ化水素が好ましく、特にふっ化水素が好ましい。本発明の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物に使用されるふっ素化合物の濃度は、0.1~10.0重量である。好ましくは、1.0~5.0重量である。ふっ素化合物の濃度が0.1重量以下では、エッチング速度が遅く実用的ではない。10.0重量を超える場合、それに見合う効果が見られない上経済的ではない。また、FPD等の基材として使用されるガラスに対するダメージも大きい。本発明の一態様において、本発明の透明導電膜用エッチング液組成物は、硝酸および塩化カルシウムを含有しない。硝酸は、透明導電膜上に形成される銅および/または銅合金を腐食するため、銅および/または銅合金を有する透明導電膜に用いることができない。また、塩化カルシウムは、ふっ素化合物と反応し、副生成物を生じる。例えば、ふっ化水素と塩化カルシウムの組み合わせでは、ふっ化カルシウムが沈殿し、実用的ではない。さらに同組み合わせの透明導電膜用エッチング液組成物は、結晶質ITO膜をエッチングすることができない。また、本発明の一態様において、本発明の透明導電膜用エッチング液組成物に酸化剤を添加することにより、エッチング速度を上昇させることが出来る。酸化剤には過塩素酸、硝酸、過酸化水素などが挙げられるが、銅および/または銅合金に対してダメージを与えないとの観点から、過塩素酸が好ましい。本発明において、酸化剤の濃度はとくに限定されないが、過塩素酸を用いた場合、過塩素酸の濃度は、0.1~30.0重量である。好ましくは、1.0~20.0重量である。過塩素酸の濃度が0.1重量以下では、エッチング速度を上昇させる効果が得られない。30.0重量を超える場合、それに見合う効果が得られない上経済的ではない。また、エッチング残渣除去性を向上させる為、本発明のエッチング液組成物に界面活性剤を添加してもよい。例えば、これに限定するものではないが、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びその塩、ポリスチレンスルホン酸及びその塩、リグニンスルホン酸及びその塩、ポリエチレンスルホン酸及びその塩、1,5-ナフタレン-ジスルホン酸、1-ナフトール-3,6-ジスルホン酸などの芳香族のポリスルホン酸及びその塩などがある。ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びその塩として、ポリスターNP100日本油脂株式会社、ルノックス1000、1000C、1500A東邦化学工業株式会社、イオネットD-2、三洋レベロンPHL三洋化成株式会社、ローマPWA-40サンノプコ株式会社、デモールN、デモールAS花王株式会社などの商品名で市販されている。また、ポリスチレンスルホン酸及びその塩のナトリウム塩として、ポリティ1900ライオン株式会社、リグニンスルホン酸及びその塩のナトリウム塩として、ソルポール9047K東邦化学工業株式会社が市販されている。電子工業用として使用する場合には、ナトリウムなどの金属を含有するものは好ましくなく、イオン交換樹脂などでナトリウムを除去することにより使用可能となる。本発明の透明導電膜用エッチング液組成物を使用する時の温度は、50°C以下とし、好ましくは20~45°Cの範囲、より好ましくは25~40°Cの範囲である。温度が50°C以上になるとエッチング液組成物成分の揮発により液寿命が低下する。温度が20°C以下の場合、実用的なエッチング速度が得られない。本発明は、一態様において、結晶質ITO膜をエッチングする方法であって、銅および/または銅合金膜を有する結晶質ITO膜が基板上に形成されており、本発明の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物を用いて結晶質ITO膜をエッチングする工程を含む、前記方法に関する。ここで基板は、半導体基板、FPDおよびタッチパネル等に用いられ得る任意のものでよく、典型的には、ガラス、石英、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエーテルスルフォンPESなどが挙げられる。特に、可撓性、透明性、強靭さ、耐薬品性、電気絶縁性などの特性が求められるタッチパネルにおいては、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエーテルスルフォンPESなどの有機ポリマーフィルムが基板として用いられ、本発明はこのような有機ポリマーフィルムの基板上に形成された銅および/または銅合金膜を有するタッチパネル用の結晶質ITO膜のエッチング処理方法に適している。本発明を以下の実施例と比較例と共に示し発明の内容を詳細に示すが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。表1に本発明のエッチング液組成物と比較のためのエッチング液組成を示す。上記に示したエッチング液組成物について、以下の実験を実施した。結晶質ITO膜を膜厚200Åに成膜したPET基板を準備し、表1の組成にて調整したエッチング液組成物を40°Cに保持しエッチング試験を行った。エッチング速度の算出方法は、エッチングした基板を水洗、乾燥した後、表面抵抗がテスターで無限大となる時間を計測し、膜厚より換算してエッチング速度Å/min.を求めた。結果を表2に示す。銅のダメージ性については、基板上に銅を膜厚3500Å成膜した基板を用いて、表1の組成にて調整したエッチング液組成物を40°Cに保持しエッチングを行った。ダメージ性の確認は、一定時間60min.浸漬させ目視にて銅の存在有無を確認した。結果を表2に示す。塩酸を含む、比較例1および比較例2は、結晶質ITOをエッチングすることができるが、銅膜を消失させる。これに対し、本発明の結晶質透明導電膜用エッチング液組成物は、銅膜にダメージを与えることなく、実用的なエッチングレートが得られる。また、過塩素酸の量により、銅膜にダメージを与えることなく、エッチング速度を微調整することができる。"