配線基板の四隅に形成される4つのアライメントマークの位置によって定まる第1四辺形と、設計データにおける前記アライメントマークの位置によって定まる第2四辺形との対応する辺同士の角度差の平均角度差を求める第1工程と、前記第1四辺形の各辺と前記第2四辺形の各辺との角度差が小さくなるように、前記第1四辺形又は前記第2四辺形を前記平均角度差だけ回転させる第2工程と、前記第1四辺形と前記第2四辺形との対応する頂点同士の平均距離差を求める第3工程と、前記第1四辺形と前記第2四辺形とが近づくように、前記第1四辺形又は前記第2四辺形を前記平均距離差だけ移動させる第4工程と、前記第1四辺形の各頂点を中心として前記配線基板に形成されるビアの公差を半径とする4つの円の内部を通り、前記第2四辺形の各辺と平行で、前記第2四辺形の各辺に最も近い4本の直線を求める第5工程と、前記4本の直線の4つの交点が前記ビアの公差を半径とする4つの円の内部にあるか否かを判定する第6工程と、前記第6工程で前記ビアの公差を半径とする4つの円の内部にあると判定された前記4つの交点で定まる第3四辺形の大きさ及び前記第3四辺形の基準位置に対する形状と、前記第2四辺形の大きさ及び前記第2四辺形の基準位置に対する形状との差に基づき、前記設計データに基づく前記配線基板へのビアの加工位置を補正する第7工程とを含む、配線基板の加工位置の補正方法。前記第6工程で前記ビアの公差を半径とする4つの円の内部にあると判定されなかった交点を前記4つの円のうち当該交点に最も近い円の内部に移動させる移動工程をさらに含み、前記移動工程では、前記第6工程で前記ビアの公差を半径とする円の内部にあると判定された交点と、前記移動工程で移動された交点とを合わせた4つの交点で定まる第3四辺形の大きさ及び前記第3四辺形の基準位置に対する形状と、前記第2四辺形の大きさ及び前記第2四辺形の基準位置に対する形状との差に基づき、前記設計データに基づく前記配線基板へのビアの加工位置を補正する、請求項1記載の配線基板の加工位置の補正方法。前記基準位置は、重心である、請求項1又は2記載の配線基板の加工位置の補正方法。前記基準位置は、4つの頂点の座標の平均座標である、請求項1又は2記載の配線基板の加工位置の補正方法。前記第1工程において求められる前記辺同士の角度差の平均角度差は、前記第1四辺形の四辺と、前記第2四辺形の対応する四辺とのそれぞれの角度差のうち、最大の角度差と、最小の角度差との平均角度差である、請求項1乃至4のいずれか一項記載の配線基板の加工位置の補正方法。前記第3工程において求められる前記平均距離差は、前記第1四辺形の4つの頂点と、前記第2四辺形の対応する4つの頂点とのそれぞれの距離差のうち、最大距離差と最小距離差との平均距離差である、請求項1乃至5のいずれか一項記載の配線基板の加工位置の補正方法。前記第1工程では、前記設計データにおける前記アライメントマークの位置に、前記第7工程で加工位置を補正するビアの上側に接続される配線層の倍率を乗じた位置によって定まる第2四辺形と、前記配線基板の四隅に形成される4つのアライメントマークの位置によって定まる第1四辺形との対応する辺同士の角度差の平均角度差を求める、請求項1乃至6のいずれか一項記載の配線基板の加工位置の補正方法。しかしながら、従来の配線基板の製造方法は、アライメントマークのアライメントホールに対する位置ズレ量の半分の値で基板の伸縮と歪みを補正するため、位置ズレ量の半分の値がビアの位置ずれの許容値を超えると配線不良が生じるという問題があった。具体的には、例えば、位置ズレ量の半分の値がビアとパッドの位置ずれの許容値を超えると、パッドとビアが接続されなくなる虞があった。パッドとビアが接続されない場合は、配線基板の不良に繋がるという問題があった。そこで、配線不良を抑制した配線基板の加工位置の補正方法を提供することを目的とする。本発明の実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法は、絶縁層を積層して形成される配線基板の表面の四隅に形成される4つのアライメントマークの位置によって定まる第1四辺形と、設計データにおける前記アライメントマークの位置によって定まる第2四辺形との対応する辺同士の角度差の平均角度差を求める第1工程と、前記第1四辺形の各辺と前記第2四辺形の各辺との角度差が小さくなるように、前記第1四辺形又は前記第2四辺形を前記平均角度差だけ回転させる第2工程と、前記第1四辺形と前記第2四辺形との対応する頂点同士の平均距離差を求める第3工程と、前記第1四辺形と前記第2四辺形とが近づくように、前記第1四辺形又は前記第2四辺形を前記平均距離差だけ移動させる第4工程と、前記第1四辺形の各頂点を中心として前記配線基板に形成されるビアの公差を半径とする4つの円の内部を通り、前記第2四辺形の各辺と平行で、前記第2四辺形の各辺に最も近い4本の直線を求める第5工程と、前記4本の直線の4つの交点が前記ビアの公差を半径とする4つの円の内部にあるか否かを判定する第6工程と、前記第6工程で前記ビアの公差を半径とする4つの円の内部にあると判定された前記4つの交点で定まる第3四辺形の大きさ及び前記第3四辺形の基準位置に対する形状と、前記第2四辺形の大きさ及び前記第2四辺形の基準位置に対する形状との差に基づき、前記設計データに含まれる回路パターンの前記配線基板への加工位置を補正する第7工程とを含む。低コストで配線基板を製造できる配線基板の製造方法、及び、配線基板用の構造体を提供することができる。以下、本発明の配線基板の加工位置の補正方法を適用した実施の形態について説明する。図1は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法が適用される配線基板を示す図であり、Aは断面図、Bは平面透視図である。図1Aは、図1BにおけるA-A矢視断面を示す。図1Aに示すように、ビルドアップ基板100は、コア基板110、ビア111A、111B、配線層120A、120B、絶縁層121、ビア122A、122B、配線層130A、130B、130C、130D、アライメントマーク131A、131B、及び絶縁層132を含む。また、ビルドアップ基板100は、さらに、コア基板110の下側に、配線層140A、140B、絶縁層141、ビア142A、142B、配線層150A、150B、150C、150D、及び絶縁層151を含む。ビルドアップ基板100は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法が適用される配線基板の一例である。なお、ここでは、上下という文言は、図1Aに示す断面構造における上下を表し、普遍的な上下の位置関係を表すものではない。コア基板110は、例えば、ガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸させたものを用いることができる。ビア111A、111Bは、コア基板110を厚さ方向に貫通するビアホールの内部に形成されている。ビアホールは、例えば、レーザ加工又はドリル加工によって形成すればよい。ビア111A、111Bは、コア基板110を厚さ方向に貫通するビアホールの内壁に形成されていても、ビアホールの内部を充填するように形成されていてもどちらでもよい。例えば、セミアディティブ法によるビア111A、111Bの形成は、例えば次の通りである。コア基板110のビアホールの内壁に、銅の無電解めっきやスパッタによりシード層を形成し、シード層上に配線パターンの形状の開口部を有するめっきレジストパターンを形成する。次いで、シード層を給電層とする、銅の電解めっきにより、ビアホール内にビア111A、111Bとなる銅めっきを析出させる。次いで、めっきレジストを除去し、シード層を除去することにより、ビア111A、111Bを形成する。配線層120A、120Bは、コア基板110の上面に形成され、下面側がビア111A、111Bに接続されている。また、配線層120A、120Bは、上面側が絶縁層121によって覆われるとともに、絶縁層121を貫通するビア122A、122Bに接続されている。配線層120A、120Bは、コア基板110の上側における第1層である。配線層120A、120Bは、例えば、銅箔であり、レジストを用いためっき処理によって形成すればよい。絶縁層121は、コア基板110の上面と、配線層120A、120Bの上面とを覆うように形成されるとともに、配線層120A、120Bの上面の一部に形成されるビアホールの内部にビア122A、122Bが形成されている。絶縁層121は、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を半硬化状態の樹脂フィルムにし、半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネータで加熱加圧して積層させるとともに硬化することによって作製される。また、その後に配線層120A、120Bの上面まで貫通するビアホールが形成され、ビアホールの内部にビア122A、122Bが形成されている。ビア122A、122Bは、絶縁層121を厚さ方向に貫通するビアホールの内部に形成され、下面がそれぞれ配線層120A、120Bの上面に接続されている。ビア122A、122Bの上面は、それぞれ、配線層130A、130Dに接続されている。ビア122A、122Bは、例えば、銅めっきによって形成される。ビア122A、122Bは、例えば、後述する配線層130A、130B、130C、130Dを形成するためのめっき処理によって形成すればよい。配線層130A、130B、130C、130Dは、それぞれ、絶縁層121の上面に形成されている。このうち、配線層130A、130Dは、それぞれ、ビア122A、122Bに接続されている。配線層130A、130B、130C、130Dの上面は、絶縁層132によって覆われている。配線層130A、130B、130C、130Dは、コア基板110の上側における第2層である。配線層130A、130B、130C、130Dは、例えば、銅箔で形成すればよい。配線層130A、130B、130C、130Dは、例えば、ビア122A、122Bめっき処理によって形成すればよい。アライメントマーク131A、131Bは、絶縁層121の上面の端部に形成されており、絶縁層132によって覆われている。アライメントマーク131A、131Bは、絶縁層132にビアホールを形成する際の加工位置の位置決め用に用いられる。図1Aには配線層130A~130Dと同様にコア基板110の上側における第2層に含まれるアライメントマーク131A、131Bのみを示すが、実際には、ビア122A、122Bを形成するビアホールの加工位置を位置決めするために用いるアライメントマークが配線層120A、120Bと同様にコア基板110の上側における第1層によって形成される。アライメントマーク131A、131Bは、後述するアライメントマーク131C、131D図1B参照とともに、平面視においてビルドアップ基板100の四隅に位置するように形成されている。アライメントマーク131A~131Dは、配線層130A、130B、130C、130Dとともに、コア基板110の上側における第2層の銅箔をパターニングすることによって形成される。絶縁層132は、絶縁層121、配線層130A~130D、アライメントマーク131A、131Bの上面を覆うように形成されている。配線層140A、140Bは、コア基板110の下面に形成され、上面側がビア111A、111Bに接続されている。また、配線層140A、140Bは、下面側が絶縁層141によって覆われるとともに、絶縁層141を貫通するビア142A、142Bに接続されている。配線層140A、140Bは、コア基板110の下側における第1層である。配線層140A、140Bは、例えば、銅箔であり、レジストを用いためっき処理によって形成すればよい。絶縁層141は、コア基板110の下面と、配線層140A、140Bの下面とを覆うように形成されるとともに、配線層140A、140Bの下面の一部に形成されるビアホールの内部にビア142A、142Bが形成されている。絶縁層141は、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を半硬化状態の樹脂フィルムにし、半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネータで加熱加圧して積層させるとともに硬化することによって作製される。また、その後に配線層140A、140Bの下面まで貫通するビアホールが形成され、ビアホールの内部にビア142A、142Bが形成されている。ビア142A、142Bは、絶縁層141を厚さ方向に貫通するビアホールの内部に形成され、上面がそれぞれ配線層140A、140Bの下面に接続されている。ビア142A、142Bの下面は、それぞれ、配線層150B、150Cに接続されている。ビア142A、142Bは、例えば、銅めっきによって形成される。ビア142A、142Bは、例えば、後述する配線層150A、150B、150C、150Dを形成するためのめっき処理によって形成すればよい。配線層150A、150B、150C、150Dは、それぞれ、絶縁層141の下面に形成されている。このうち、配線層150B、150Cは、それぞれ、ビア142A、142Bに接続されている。配線層150A、150B、150C、150Dの下面は、絶縁層151によって覆われている。配線層150A、150B、150C、150Dは、コア基板110の下側における第2層である。配線層150A、150B、150C、150Dは、例えば、ビア142A、142Bとともに、めっき処理によって形成すればよい。絶縁層151は、絶縁層141、配線層150A~150D、アライメントマーク131A、131Bの下面を覆うように形成されている。図1Bは、実施の形態のビルドアップ基板100のコア基板110よりも上側に形成される、配線層120A~120F、配線層130A~130L、アライメントマーク131A~131Dを透視的に示す図である。図1Bでは、コア基板100より上側に形成される構成要素のうち、ビア111A、111Bの図示を省略し、配線層120A~120F、配線層130A~130L、アライメントマーク131A~131Dの平面的なパターンを破線で示す。配線層120A~120F、配線層130A~130L、アライメントマーク131A~131Dは、平面視では、図1Bに示すようにパターニングされている。ここで、配線層130Aは、ビア122A図1A参照によって配線層120Aに接続されているが、平面視でビア122Aは配線層130Aより小さいため、図1Bではビア122Aは見えない。同様に、配線層130Dは、ビア122B図1A参照によって配線層120Bに接続されているが、平面視でビア122Bは配線層130Bより小さいため、図1Bではビア122Bは見えない。なお、配線層130Aと130Bは接続されておらず図1A参照、配線層130Cと130Dは接続されていない図1A参照。また、配線層120C~120F及び配線層130E~130Lは、それぞれ、配線層120A、120B及び配線層130A~130Dと同様に、平面視で重なるいずれかの点において、図示しないビアによって接続されていてもよい。次に、図2を用いて、ビルドアップ基板100の絶縁層132に、ビアを形成するためのビアホールを形成する工程について説明する。図2は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法が適用される配線基板を示す図であり、Aは断面図、Bは平面透視図である。図2Aは、図2BにおけるA-A矢視断面を示す。図2に示すビルドアップ基板100には、ビアホール133A~133Fが形成されている。図2A、Bに示すように、ビアホール133Aは、絶縁層132を厚さ方向に貫通し、配線130Bの上面に到達している。ビアホール133Aは、配線層130Bに接続されるビアを形成するために形成されている。また、ビアホール133Bは、絶縁層132を厚さ方向に貫通し、配線130Cの上面に到達している。ビアホール133Bは、配線層130Bに接続されるビアを形成するために形成されている。ビアホール133A、133Bの形成は、例えば、ビア加工機によるレーザ加工によって行えばよい。ビアホール133A、133Bは、それぞれ、配線層130B、130Cを底面とし、絶縁層132の表面に開口部を有する形状であって、例えば、底面側の開口部より開口部側の径が大きい、円錐台形状の断面を有する。同様に、ビアホール133C~133Fは、それぞれ、絶縁層132を厚さ方向に貫通し、配線130E、130G、130I、130Kの上面に到達している。ビアホール133C~133Fは、配線層130E、130G、130I、130Kに接続されるビアを形成するために形成されている。ビアホール133C~133Fの形成は、例えば、ビア加工機によるレーザ加工によって行えばよい。ビアホール133C~133Fは、それぞれ、配線層130E、130G、130I、130Kを底面とし、絶縁層132の表面に開口部を有する形状であって、例えば、底面側の開口部より開口部側の径が大きい、円錐台形状の断面を有する。このようなビアホール133A~133Fをビア加工機で形成する際には、ビアホール133A~133Fを、それぞれ、配線層130B、130C、130E、130G、130I、130Kの上面に形成するために、アライメントマーク131A~131Dを用いて、位置合わせを行う。このため、設計データにおけるビアホール133A~133Fの位置は、設計データにおけるアライメントマーク131A~131Dの位置との関係で定められている。アライメントマーク131A~131Dの位置は、例えば、赤外線カメラを含む検出装置でビルドアップ基板100を上面側から撮影し、パターン認識等の画像処理を施すことにより、所定の原点に対する座標値として検出される。所定の原点は、例えば、後にビアホール133A~133Fを加工するビア加工機の加工ステージと同一の座標系における原点であればよい。しかしながら、ビルドアップ基板100を作製する工程では、コア基板110の上に、配線層120A~120Fを形成した後に、半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネータで加熱加圧して積層させるとともに硬化することによって絶縁層121を形成する。同様に、絶縁層121の上に配線層130A~130L及びアライメントマーク131A~131Dを形成した後に、半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネータで加熱加圧して積層させるとともに硬化することによって絶縁層132を形成する。これらはコア基板110の下側に形成される配線層140A、140B、絶縁層141、配線層150A~150D、絶縁層151等についても同様である。このように、ビルドアップ基板100を作製する工程で加熱及び加圧を行うことにより、ビルドアップ基板100は膨張や伸縮を繰り返して変形するため、アライメントマーク131A~131Dの位置は設計値で定められる位置からずれる場合がある。そして、アライメントマーク131A~131Dの位置が大きくずれると、ビアホール133A~133Fと、配線層130B、130C、130E、130G、130I、130Kとのそれぞれのコンタクトが取れなくなる場合がある。このため、本実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法では、以下のようにしてビアホール133A~133Fを加工する位置を補正する。図3は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法の工程を示す工程図である。本実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法は、大きく分けて、以下の5つの工程を含む。まず、アライメントマークを赤外線カメラを含む検出装置で検出し、4つのアライメントマークがなす第1四辺形と、設計データに含まれる対応する4つのアライメントマークがなす第2四辺形との位置及び大きさを比較し、第2四辺形を第1四辺形に近づけるように移動させるステップS1。設計データにおけるビアホールの位置加工する位置は、設計データにおけるアライメントマークの位置と同一座標上で定義されているため、このステップS1により、ビアホールを加工する位置は、赤外線カメラを含む検出装置で検出された4つのアライメントマークの位置ずれに合わせて移動されることになる。次に、第1四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする4つの円の内部を通り、第2四辺形の各辺と平行で、第2四辺形の各辺に最も近い4本の直線を求めるステップS2。そして、4本の直線の4つの交点が第1四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする4つの円の内部にあるか否かを判定するステップS3。ステップS3で4本の直線の4つの交点が第1四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする4つの円の内部にある場合は、4つの交点で定まる第3四辺形の大きさ及び第3四辺形の基準位置に対する形状と、第2四辺形の大きさ及び第2四辺形の基準位置に対する形状との差に基づき、設計データに基づくビアホール133A~133Fの加工位置を補正するステップS4。なお、ステップS3において、4つの交点のうちのいずれかが第1四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする4つの円の内部にない場合は、円内にない交点を円内に移動させるステップS5。ステップS5では、ステップS2における直線が平行である条件が外され、第1四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする4つの円の内部を通り、第2四辺形の各辺に最も近い4本の直線が求められる。ステップS5で4つの交点を求めた後は、ステップS4の処理を行う。以下、図4乃至図7を用いて、ステップS1~S4の詳細について説明する。図4は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法のステップS1において、第1四辺形と第2四辺形の各辺同士の角度差を求める工程を示す図である。ここで、図2Bに示すアライメントマーク131A~131Dを赤外線カメラを含む検出装置で検出することによって得る4点をQ1~Q4で表す。点Q1~Q4を結ぶ四辺形は、第1四辺形の一例である。図4に示す4つの点Q1~Q4の位置は、赤外線カメラを含む検出装置が用いる座標系における座標で表される。なお、赤外線カメラを含む検出装置が用いる座標系は、ビア加工機の加工ステージにおける座標系と同一である。また、点P1~P4は、設計データに含まれるアライメントマーク131A~131Dの位置を表す。点P1~P4を結ぶ四辺形は、第2四辺形の一例である。ここで、赤外線カメラを含む検出装置が用いる座標系と、設計データが用いる座標系が異なる場合には、点Q1~Q4又は点P1~P4の位置座標をいずれかの座標系における位置座標に変換すればよい。図4では、説明の便宜上、設計データが用いる座標系を赤外線カメラを含む検出装置及びビア加工機の加工ステージにおける座標系に変換することとする。また、この座標系を図4に示すXY座標系として示し、原点をOと表す。また、第1四辺形及び第2四辺形のそれぞれの4つの頂点については、原点に最も近い点の添え数字を1とし、反時計回りに2~4の添え数字を付す。ステップS1では、まず、点Q1~Q4を結ぶ第1四辺形Q1Q2Q3Q4と、点P1~P4を結ぶ第2四辺形P1P2P3P4との各辺同士の角度差を求める。ここで、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1P2P3P4との各辺同士の角度差を求めるために、各辺に方向を定義することによって各辺をベクトルとして取り扱う。各辺に反時計回りの方向を付与することにより、第1四辺形Q1Q2Q3Q4の各辺のベクトルVQ1、VQ2、VQ3、VQ4を生成する。ベクトルVQ1~VQ4の添え数字は、各ベクトルの基点となる頂点の添え数字を用いる。例えば、辺Q1Q2については、反時計回りの方向Q1からQ2に向かう方向を付与することにより、ベクトルVQ1を得る。同様に、辺Q2Q3については、反時計回りの方向Q2からQ3に向かう方向を付与することにより、ベクトルVQ2を得る。辺Q3Q4については、反時計回りの方向Q3からQ4に向かう方向を付与することにより、ベクトルVQ3を得る。辺Q4Q1については、反時計回りの方向Q4からQ1に向かう方向を付与することにより、ベクトルVQ4を得る。また、第2四辺形P1P2P3P4についても同様に、辺P1P2については、反時計回りの方向P1からP2に向かう方向を付与することにより、ベクトルVP1を得る。同様に、辺P2P3については、反時計回りの方向P2からP3に向かう方向を付与することにより、ベクトルVP2を得る。辺P3P4については、反時計回りの方向P3からP4に向かう方向を付与することにより、ベクトルVP3を得る。辺P4P1については、反時計回りの方向P4からP1に向かう方向を付与することにより、ベクトルVP4を得る。以上のようにして第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1P2P3P4についてそれぞれ得られる4つのベクトルにつき、添え数字が同じベクトル同士のなす角を求める。すなわち、ベクトルVQ1とVP1のなす角θ1、ベクトルVQ2とVP2のなす角θ2、ベクトルVQ3とVP3のなす角θ3、ベクトルVQ4とVP4のなす角θ4を求める。各ベクトルは、基点と終点の座標が分かっているため、ベクトル同士のなす角を求めることにより、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と、第2四辺形P1P2P3P4に含まれる各辺同士の角度差を求めることができる。なお、説明の便宜上、図4には、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1P2P3P4を重ねて示すが、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1P2P3P4とが重なっていない場合でも、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と、第2四辺形P1P2P3P4に含まれる各辺同士の角度差を求めることができる。次に、ベクトルVQ1とVP1のなす角θ1、ベクトルVQ2とVP2のなす角θ2、ベクトルVQ3とVP3のなす角θ3、ベクトルVQ4とVP4のなす角θ4のうちの最大値と最小値の平均値平均角度差を求める。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第1工程の一例である。例えば、θ1~θ4のうちでθ1が最大であり、θ3が最小である場合は、ベクトルVQ1とVP1のなす角θ1と、ベクトルVQ3とVP3のなす角θ3との平均値θ1θ3/2を求める。なお、ここでは、θ1~θ4のうちの最大値と最小値の平均値平均角度差を求める形態について説明するが、平均角度差は、このような求め方で求めた値に限らず、例えば、θ1~θ4の平均値を平均角度差として求めてもよい。次に、平均角度差によって表される角度だけ第2四辺形P1P2P3P4を回転移動する。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第2工程の一例である。この回転移動に伴い、第2四辺形P1P2P3P4の各頂点の座標も同様に回転移動しておけばよい。次に、回転移動した第2四辺形P1P2P3P4の各頂点と、第1四辺形Q1Q2Q3Q4の各頂点との距離差を求める。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第3工程の一例である。頂点同士の距離差は、添え数字が等しい頂点同士について行う。このため、頂点Q1とP1、頂点Q2とP2、頂点Q3とP3、頂点Q4とP4の各々の距離差D1、D2、D3、D4を求める。距離差D1、D2、D3、D4は、X軸方向及びY軸方向の位置座標の差Dx、Dyを求めることによって行えばよい。このため、距離差D1、D2、D3、D4は、それぞれ、D1Dx1、Dy1、D2Dx2、Dy2、D3Dx3、Dy3、D4Dx4、Dy4と表される。各距離は、x方向及びy方向の位置座標の差を用いて、D=√Dx2Dy2で得られる。そして、本実施の形態では、各頂点同士の距離差D1~D4のうちの最大値と最小値の平均値を平均距離差として求める。ここで、距離差D1~D4のうち、距離差D1が最大で、距離差D4が最小である場合には、距離差D1とD4の平均値D1D4/2を平均距離差DmDmx、Dmyとして求める。次に、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1P2P3P4とが近づくように、第2四辺形P1P2P3P4を平均距離差だけ移動させる。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第4工程の一例である。具体的には、第2四辺形P1P2P3P4の4つの頂点P1~P4の座標に、それぞれ、距離差D1、D2、D3、D4は、それぞれ、D1Dx1、Dy1、D2Dx2、Dy2、D3Dx3、Dy3、D4Dx4、Dy4のx座標成分Dx及びy座標成分Dyを加算すればよい。これにより、第2四辺形P1P2P3P4は、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1P2P3P4とが近づくように、平均距離差DmDmx、Dmyだけ移動される。図5は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法において、第2四辺形を平均距離差だけ移動させる処理の一例を示す図である。例えば、図5に示すように、第2四辺形P1P2P3P4を平均距離差DmDmx、Dmyだけ移動させると、移動後の第2四辺形P1’P2’P3’P4’の各頂点P1’、P2’、P3’、P4’は、移動前の第2四辺形P1P2P3P4の頂点P1、P2、P3、P4をX軸方向にDm、Y軸方向にDyだけ平行移動したものとなる。これにより、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1’P2’P3’P4’は、角度が略一致して重なった状態となる。以上の第1工程から第4工程により、ステップS1の処理が終了する。次に、図6を用いて、ステップS2の処理について説明する。図6は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法におけるステップS2の処理を示す図である。図6Aは、第1四辺形Q1Q2Q3Q4の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする4つの円の内部を通り、第2四辺形P1P2P3P4の各辺と平行で、第2四辺形P1P2P3P4の各辺に最も近い4本の直線を示す図である。ここで、ビアホール133A、133B図2A、B参照に形成するビアの公差をrとする。ビアの公差とは、ビアホール133A、133Bに形成されるビアと、配線層130B、130Cの位置ずれの許容最大誤差を意味する。許容最大誤差は、ビアホール133A、133Bに形成されるビアの位置がずれた場合でも、ビアホール133A、133Bに形成されるビアが、それぞれ、配線層130B、130Cに接続される場合の位置ずれの最大値である。このようなビアの公差を用いると、図6Aに示すように、第1四辺形Q1Q2Q3Q4の各頂点を中心としてビアの公差rを半径とする4つの円C1、C2、C3、C4が求まる。そして、4つの円C1、C2、C3、C4の内部を通り、第2四辺形P1P2P3P4の各辺と平行で、第2四辺形P1P2P3P4の各辺に最も近い4本の直線L1、L2、L3、L4を求める。この工程は、上述したステップS2の処理であり、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第5工程の一例である。直線L1、L2、L3、L4の具体的な求め方については後述する。次に、直線L1、L2、L3、L4の4つの交点N1、N2、N3、N4を求める。交点N1~N4の座標は、各直線同士の交点の座標を求めることによって与えられる。なお、図6Aには交点N1、N2、N3、N4を白丸で示す。そして、次に、4本の直線L1、L2、L3、L4の4つの交点N1、N2、N3、N4が4つの円C1、C2、C3、C4の内部にあるか否かを判定する。この処理は、交点N1、N2、N3、N4の座標が、それぞれ、4つの円C1、C2、C3、C4のうちの添え数字が同一の円の内部にあるか否かに基づいて行えばよい。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第6工程の一例である。図6Aに示す交点N1、N2、N3、N4は、交点N2のみが円C2の内部にある場合を示している。このような場合には、添え数字の等しい円の内部に位置しない交点N1、N3、N4を移動させる。交点N1、N3、N4の移動は、図6Bに示すように、各交点N1、N3、N4と添え数字が同一の頂点Q1、Q3、Q4とをそれぞれ結ぶ線と、各円C1、C3、N4の円周との交点N1’、N3’、N4’に移動させることによって行われる。図6Bには、移動後の交点N1’、N3’、N4’を黒丸で示す。この工程は、ステップS5の工程であり、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における移動工程の一例である。このステップS5で交点N1、N3、N4が交点N1’、N3’、N4’に移動されるため、直線L1、L2、L3、L4は、第2四辺形P1’P2’P3’P4’の各辺とは平行ではない直線L1’、L2’、L3’、L4’に矯正される。このように、ステップS5では、ステップS2における直線が平行である条件が外され、第1四辺形Q1Q2Q3Q4の各頂点Q1、Q2、Q3、Q4を中心としてビアの公差を半径とする4つの円C1、C2、C3、C4の内部を通り、第2四辺形P1’P2’P3’P4’の各辺に最も近い4本の直線L1’、L2’、L3’、L4’が求められる。以上により、4つの交点N1’、N2、N3’、N4’が求まる。最後に、4つの交点N1’、N2、N3’、N4’で定まる第3四辺形N1’N2N3’N4’の大きさ及び第3四辺形N1’N2N3’N4’の基準位置に対する形状と、第2四辺形P1’P2’P3’P4’の大きさ及び第2四辺形P1’P2’P3’P4’の基準位置に対する形状との差に基づき、設計データに基づくビアホールの加工位置を補正するステップS4。このステップS4は、第7工程の一例である。基準位置としては、例えば、XY座標の原点を用いればよい。以上のように、第1四辺形Q1Q2Q3Q4の各頂点Q1、Q2、Q3、Q4を中心としてビアの公差を半径とする4つの円C1、C2、C3、C4の内部に位置し、第2四辺形P1’P2’P3’P4’の各辺に最も近い4本の直線L1’、L2’、L3’、L4’の4つの交点N1’、N2、N3’、N4’を求める。そして、この4つの交点N1’、N2、N3’、N4’によって定義される第3四辺形N1’N2N3、N4’の大きさ及び形状と、設計データに含まれる対応する4つのアライメントマークがなす第2四辺形P1’P2’P3’P4’の大きさ及び形状との差に基づいて、設計データに基づくビアホール133A~133Fの加工位置を補正する。従って、補正後のビアホール133A~133Fの加工位置は、ビルドアップ基板100の形状の歪みに応じて補正された位置となる。このため、補正後のビアホール133A~133Fの加工位置にビアホール133A~133Fをレーザ加工等によって形成し、ビアホール133A~133Fの内部にビアを形成すれば、ビアと配線層130B、130C、130E、130G、130I、130Kとの配線不良を抑制することができる。なお、ビルドアップ基板100は、絶縁層を積層する度に、加熱及び加圧によって伸縮と歪みが生じるが、この伸縮及び歪みにはある程度の傾向があり、設計データに含まれる配線層等の位置に、加熱及び加圧によって伸縮と歪みによって与えられる倍率を乗じてもよい。このような倍率が予め分かっている場合には、例えば、コア基板110の上側における第2層に含まれるアライメントマーク131A~131D図1A、B参照を形成する際に、設計データに含まれるアライメントマーク131A~131Dの位置に、コア基板110の上側における第3層に含まれる倍率を乗じてもよい。すなわち、ステップS1において、設計データにおけるアライメントマーク131A~131Dの位置に、ステップS4で加工位置が補正されるビアの上側に接続される配線層コア基板110の上側の第3層の倍率を乗じた位置によって定まる第2四辺形を求めてもよい。そして、このような倍率を乗じた位置によって定まる第2四辺形と、ビルドアップ基板100の四隅に形成される4つのアライメントマーク131A~131Dの位置によって定まる第1四辺形との対応する辺同士の角度差を求めてもよい。このような場合は、アライメントマーク131A~131Dの位置が、一層上層の配線基板の倍率によって矯正されるため、配線層130B、130Cと、ビアホール133A、133Bとのそれぞれの位置ずれをさらに抑制することができる。また、ステップS2において4本の直線が求まらない場合は、次のような工程を行えばよい。図7は、実施の形態1の配線基板の加工位置の補正方法のステップS2において4本の直線を求める方法を示す図である。ここでは、説明の便宜上、設計データに含まれる2つのアライメントマークの位置をPa、Pba、bは添え数字を表すで表す。また、ビルドアップ基板100内の位置Pa、Pbにあるアライメントマークを赤外線カメラで検出した位置をQa、Qbで示す。Qa、Qbは、第1四辺形の4つの頂点のうちの隣り合う2つの頂点であり、Pa、Pbは、第2四辺形の4つの頂点のうちの隣り合う二つの頂点であり、それぞれ、頂点Qa、Qbと添え数字が同一の頂点である。また、頂点Qa、Qbを中心として、ビアの公差rを半径とする円をそれぞれCa、Cbで表す。図7Aは、円Ca、Cbの内部を通り、辺PaPbと平行で、辺PaPbに最も近い直線が引ける場合の頂点Pa、Pb、Qa、Qbと、円Ca、Cbとの関係を示す。図7Bは、円Ca、Cbの内部を通り、辺PaPbと平行で、辺PaPbに最も近い直線が引けない場合の頂点Pa、Pb、Qa、Qbと、円Ca、Cbとの関係を示す。図7Aに示すように、辺PaPbから頂点Qa、Qbに垂線を引き、辺PaPbと頂点Qa、Qbとのそれぞれの距離をsd1、ed1とする。このような場合に、辺PaPbと平行な直線を引ける範囲は、辺PaPbに垂直な方向において、円CaとCbが重複する区間Tとなる。区間Tの範囲は、辺PaPbに垂直な方向において、sd1-rからed1rの間である。この区間Tにおいて、辺PaPbに最も近いのは、辺PaPbからの距離がsd1-rの位置である。ここで、距離sd1は、辺PaPbから頂点Qaに垂線を引いた場合の辺PaPbと頂点Qaとの距離であり、rはビアの公差である。従って、第1四辺形及び第2四辺形の各頂点の位置座標を定義する座標系において、距離sd1-rを表せば、直線Laを座標系で表す式を求めることができる。また、図7Bに示すように、円Ca、Cbの内部を通り、辺PaPbと平行で、辺PaPbに最も近い直線が引けない場合とは、円CaとCbが辺PaPbに垂直な方向において重複する区間T図7A参照を有しない場合である。ここで、辺PaPbから頂点Qa、Qbに垂線を引き、辺PaPbと頂点Qa、Qbとのそれぞれの距離をsd2、ed2とする。このような場合は、図7Bに示すように、辺PaPbから頂点Qaに引いた垂線上において、辺PaPbからの距離がsd2rとなる点αと、辺PaPbから頂点Qbに引いた垂線上において、辺PaPbからの距離がed2-rとなる点βとを通る直線を図7Aに示す直線Laの代替直線として用いればよい。以上、本発明の例示的な実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。