照明光学系からの露光光で照明したマスクステージに支持したマスク面上の回路パターンを投影光学系によりプレートステージに載置したプレート面上に投影する露光装置において、前記マスク面上にマスク側合焦用マークを備え、前記プレートステージ上に光電センサと前記光電センサ上にプレート側合焦用マークとを備え、前記露光光で前記マスク側合焦用マークを照明し、前記マスク面上の合焦用マークを通過した光束を、前記投影光学系と前記プレート面上の合焦用マークを介して光電センサに入射させ、前記プレートステージを前記投影光学系の光軸方向と直交する平面上に振ったときに得られる前記光電センサからの光の強度信号と前記プレートステージの位置信号に基づいて前記投影光学系の合焦位置の変化を検出する露光装置。前記露光光で前記マスク側合焦用マークを照明し、前記マスク面上の合焦用マークを通過した光束を、前記投影光学系と前記プレート面上の合焦用マークを介して前記光電センサに入射させ、前記プレートステージを前記投影光学系の光軸方向に振ったときに得られる前記光電センサからの光の強度信号と前記プレートステージの位置信号に基づいて、前記投影光学系の合焦位置を検出する際、前記プレートステージの投影光学系の光軸方向の駆動幅を前記合焦位置の変化の検出結果に基づいて制御することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。前記照明光学系の照明条件を検出する照明光量検出系を備え、前記露光光で前記マスク側合焦用マークを照明し、前記マスク面上の合焦用マークを通過した光束を、前記投影光学系と前記プレート面上の合焦用マークを介して光電センサに入射させ、前記照明光学系の照明条件と前記プレートステージを前記投影光学系の光軸方向と直交する平面上に振ったときに得られる前記光電センサからの光の強度信号と前記プレートステージの位置信号と前記照明系の照明条件信号に基づいて前記投影光学系の合焦位置の変化を検出することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の露光装置であって、露光装置。デバイスを製造するデバイス製造方法であって、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の露光装置によって基板に露光する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法。しかしながら演算により得られる合焦位置は、演算に使用するデータ露光光の照射量や照射時間、マスク透過率、温度、湿度、気圧等の計測誤差や補正係数の誤差等によって、実際にTTLオートフォーカス計測により検出される合焦位置とでは、差が生じることになる。そのため、演算に使用するデータ計測誤差及び補正係数の誤差分を考慮した計測範囲でTTLオートフォーカス計測を行う必要があり、合焦位置の演算が正しかった場合に余分な時間がかかることやリトライ計測が生じるとことがありうる。このような従来技術の問題点を鑑み、本発明の目的は、TTLオートフォーカス前に演算によって求めた合焦位置とTTLオートフォーカスにより検出される合焦位置との誤差を求め、最適なTTLオートフォーカスの計測範囲を求めることでスループットの良い露光装置を提供することにある。その目的を達成するために、本発明に係る露光装置は、マスク1面上にマスク側合焦用マーク8を備え、プレートステージ5上に光電センサ10と光電センサ10上にプレート側合焦用マーク9とを備え、露光光7でマスク側合焦用マーク8を照明し、マスク側合焦用マーク8を通過した光束を、投影光学系3とプレート側合焦用マーク9とを介して光電センサ10に入射させ、プレートステージ5を投影光学系3の光軸方向と直交する平面上に振ったときに得られる光電センサ10の信号に基づいて投影光学系3の合焦位置の変化を検出することを特徴とする。合焦位置の計測にかかる時間が短い露光装置を提供することができる。以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。第1実施形態まず本発明の第1実施形態の露光装置の構成を図1と図2とを用いて説明する。マスク1は、マスクステージ2に保持されている。マスク1上の回路パターンを転写する時、マスク1は照明光学系6によって回路パターンを照明されマスク1上の回路パターンが投影光学系3によって、プレートステージ5に保持されているプレート4上のフォトレジストに結像し露光処理が行われる。マスク1面上には回路パターンとは別に、マスク側合焦用マーク8があり、遮光部8aとスリット8bを有している。また、プレート4に隣接する位置に、プレート4の上面と高さが略一致しているプレート側合焦用マーク9が配置されている。プレート側合焦用マーク9は、遮光部9aとスリット9bを有しており、プレート側合焦用マーク9の下には光電センサ10が設けられている。光電センサ10に入射した光の強度信号は、信号線を介して自動合焦制御系22に入力される。ここで、マスク側合焦マーク8のスリット8aとプレート側合焦用マーク9のスリット9aの配置については、図2に示すように、X方向に長いスリットを通過した光とY方向に長いスリットを通過した光とが同時に重なり合わないように配置し、X方向スリットとY方向スリットとの合焦位置の差を求めることで投影光学系3の非点収差を計測できるようにする。また、プレートステージ5は投影光学系3の光軸方向Z方向及び光軸に直交する平面XY面で移動可能であり、X軸Y軸Z軸まわりに回転させることもできる。11は投光光学系、12は検出光学系であり、これらはプレート側合焦マーク9面あるいはプレート4の上面の投影光学系3の光軸方向Z方向の位置を検出するプレート面位置検出手段を構成している。投光光学系11からは複数個の光束を投光している。この投光光学系11より投光される各光束は非露光光から成り、プレート4上のフォトレジストを感光させない光より成っている。そしてこの複数個の光束はプレート側合焦用マーク9面に各々集光されて反射する。反射された光束は検出光学系12内に入射する、図示は略したが検出光学系12内には各反射光束に対応させて位置検出用のラインセンサが配置されており、各位置検出用のラインセンサの受光面とプレート側合焦用マーク9面での各光束の反射点が略共役になるように構成されている。検出光学系12内のラインセンサー上での入射光束の位置ずれ信号は、面位置検出系21により、プレート側合焦用マーク9面のZ方向の位置ずれとして算出され、自動合焦制御系22に入力される。自動合焦制御系22はプレート側合焦用マーク9が積置されたプレートステージ5を駆動するための駆動手段としてステージ制御系23に信号線を介して指令信号を与える。ステージ制御系23はプレートステージ5を駆動し、駆動時のプレートステージ5の位置をモニタし、モニタ結果を信号線を介して自動合焦制御系22に入力される。また、自動合焦制御系22は、後述するスリット位置合わせをした際の光電センサ10からの光の強度と、プレートステージ5の位置信号と、合焦位置変化の判断に使用する閾値のデータとを複数保存可能なメモリを備える。次にTTLオートフォーカスついて説明する。まずプレート側合焦用マーク9がマスク側合焦用マーク8の合焦位置にある場合について、図3を用いて説明する。マスク側合焦用マーク8を通った露光光7は投影光学系3を介してプレート側合焦用マーク9に集光し、全部の光束がプレート側合焦用マークを透過して、光電センサ10による光の強度信号が最大になる。次に、プレート側合焦用マーク9がマスク側合焦用マーク8の合焦位置と投影光学系の光軸方向Z方向にずれた位置にある場合について、図3を用いて説明する。この時、プレート側合焦用マーク9は合焦位置にないので、露光光7は投影光学系3を介して広がった光束として、プレート側合焦用マーク9に照射される。この時、露光光の一部はプレート側合焦用マーク9の遮光部9aにけられ、全部の光束がスリット9bを通過できない。つまり、TTLオートフォーカスは、プレート側合焦用マーク9が、投影光学系3を介したマスク側合焦用マーク8の合焦位置光が強いとデフォーカスした位置光が弱いとの光電センサ10の光の強度信号に差があることを利用してプレート側合焦用マーク9の合焦位置を検出している。さらにTTLオートフォーカス方法の手順と合焦位置の算出方法について説明する。まずマスク側合焦用マーク8に露光光7があたるようにマスクステージ2を移動し、マスク側合焦用マーク8の結像位置とプレート側合焦用マーク9が合うようにプレートステージを移動する。次に投影光学系3の光軸方向Z方向にプレートステージ5を振る。この時、ステージ制御系23は、プレートステージ5の投影光学系3の光軸方向Z方向の位置をモニタし、自動合焦制御系22に信号出力する。また、光電センサ10は光の強度信号を自動合焦制御系22に信号出力する。図4は自動合焦制御系22に入力された信号であり、自動合焦制御系22は図4の信号から以下イ乃至ニの方法を適用して合焦位置Z0を算出可能である。イ光の強度が最大となるプレートステージのZ位置を合焦位置Z0とする。ロ光の最大強度に対してある割合のスライスレベル30を設定し、このスライスレベル30の出力を示すプレートステージのZ1Z2位置から、Z0=Z1Z2/2として、合焦位置Z0を算出する。ハ光の強度及びプレートステージのZ位置に対して重心計算を行い、重心位置を合焦位置Z0とする。ニ光の強度及びプレートステージのZ位置に対して2次関数近似y=AXXBXCを行い、Z0=-B2Aとして合焦位置Z0を計算する。また、ある割合のスライスレベル30を設定し、スライスレベル30以上の光の強度を示すプレートステージの位置から2次近似するのが望ましい。続いてTTLオートフォーカスに必要な、スリット位置合わせについて説明する。まず、プレート側合焦用マーク9がマスク側合焦用マーク8の合焦位置と投影光学系の光軸方向と直交する方向にずれた位置にある場合について、図3を用いて説明する。この時、プレート側合焦用マーク9は結像位置にないので、マスク側合焦用マーク8を通った露光光7は投影光学系3を介してプレート側合焦用マーク9とずれた位置に集光し、露光光の一部はプレート側合焦用マーク9の遮光部9aにけられ、全部の光束がスリット9bを通過できない。つまり、この位置でTTLオートフォーカスを行っても、プレート側合焦用マークに光がけられて計測できない。特に合焦位置では、光がスリット9aとずれた位置に集光しているため、合焦位置で光が弱り、デフォーカス位置で光が強くなってしまう可能性があり、TTLオートフォーカス前にはスリット位置合わせが必要である。スリット位置合わせは、プレート側合焦用マーク9が、投影光学系3を介したマスク側合焦用マーク8の合焦位置光が強いと位置がずれた時光が弱いとの光電センサ10の光の強度信号に差があることを利用して行っている。また、スリット位置合わせはデフォーカス位置光が広がった位置であっても、TTLオートフォーカスのように、スリット位置が合っていると合っていないときで光の強度が逆転することはないので、TTLオートフォーカス前に計測できる。さらにスリット位置合わせの手順と最適位置の算出方法について説明する。まず、マスク側合焦用マーク8に露光光7があたるようにマスクステージ2を移動し、マスク側合焦用マーク8の結像位置とプレート側合焦用マーク9が略合うようにプレートステージ5を移動する。次に投影光学系3の光軸と直交する方向XY方向にプレートステージ5を駆動する。この時、ステージ制御系23は、プレートステージ5のX位置またはY位置をモニタし、自動合焦制御系22に信号出力する。また、光電センサ10は光の強度信号を自動合焦制御系22に信号出力する。また、この時スリットに対して直交する方向にプレートステージ5を駆動する。例えば、Y方向に長いスリットで計測する時には、プレートステージ5をX方向に駆動してスリット位置計測を行う。また、必ずしもスリットと直交する方向にプレートステージ5を駆動する必要はなく、例えば45°に傾けた斜め方向スリットの場合、プレートステージ5をX軸Y軸同時に斜め方向にスリットと直交させて駆動せずに、X軸方向またはY軸方向に駆動して計測してもよい。自動合焦制御系22は、プレートステージ5のXまたはY位置信号と光の強度信号とから以下の方法を適用して最適位置を算出可能である。算出方法は前述のTTLオートフォーカスと同じ算出方法イ乃至ニと同様の算出方法を適用可能である。次にプレート4を合焦位置に合わせるキャリブレーション方法について説明する。まず、TTLオートフォーカスでプレート側合焦用マーク9を合焦位置に移動する。次にプレート面位置検出系21でプレート側合焦用マーク9の位置を計測し、その計測位置を合焦位置とする。そして、プレート4の上面を面検出系21の計測位置に移動し、プレート面位置検出系でプレート4の上面の位置を計測し、合焦位置との差をプレートステージをZ方向に移動することで、プレート4の上面を投影光学系の合焦位置に移動することができる。次にスリット位置合わせ時の信号から投影光学系3の合焦位置の変化を検出する方法について説明する。準備段階として、プレート側合焦用マーク9を投影光学系3の合焦位置及び合焦位置からデフォーカスさせた位置でスリット位置合わせ計測した際に得られる光電センサ10からの光の強度信号及びステージ制御系23からの信号を複数取得し、自動合焦制御系22に保存する。図5の乃至は、プレートステージを投影光学系の光軸方向に振った時の光電センサからの光の強度を縦軸に、プレートステージのX軸またはY軸の位置を横軸に取った時のグラフである。図5のの信号はプレート側合焦マークの位置が合焦位置で計測したグラフで、図5のの信号は合焦位置からずれた位置で計測したグラフある。bはaよりも投影光学系の光軸方向Z方向で装置上照明側にあり、cはaよりも投影光学系の光軸方向Z方向で装置下露光光が進む方向にあり、どちらも合焦位置で取得した位置よりも同じだけ離れている。この時、bとのグラフは略一致するため、投影光学系の合焦位置が装置上方向照明側にずれたか、装置下方向露光光の進む方向にずれたかを判断せず、同じに扱う。但し、投影光学系に収差がある場合、ととで信号に差が発生する。投影光学系の収差がデバイスの製造に影響ない程度のあり、bととで合焦位置の信号が異なる場合は、合焦位置での信号との差が大きい信号を後述する閾値算出に用いる。合焦位置で計測した図5aの信号は、マスク側合焦用マーク8を通った露光光7は投影光学系3を介してプレート側合焦用マーク9に集光し、全部の光束がプレート側合焦用マーク9を透過して、光電センサ10による光の強度信号が最大になり、光軸と直交する方向XY方向にずれるとプレート側合焦用マークに光がけられるため、光電センサ10による信号が低くなる。合焦位置からずれた位置で計測した図5bの信号は、マスク側合焦用マーク8を通った露光光7は投影光学系3を介して広がった光束として、プレート側合焦用マーク9に照射される。この時、露光光の一部はプレート側合焦用マーク9にけられ、全部の光束がスリット9aを通過できず、最大の光量はに比べて低くなり、また、光軸と直交方向にずれても、露光光7が広がっているため、露光光の一部はプレート側合焦用マーク9を通過し、最小の光量はに比べて高くなる。つまり、合焦時と合焦からずれた時とでスリット位置合わせ計測時の信号に差があるので、これを利用して合焦位置の変化を検出する。合焦位置の変化の検出方法は、例えば次に示す方法が適用可能である。ホ光の強度の最大値と最小値の差が、自動合焦制御系22に記録されている合焦位置で計測した値よりも閾値以上に小さくなった場合、合焦位置からずれたと検出する。ヘ光の強度の最大値が、自動合焦制御系22に記録されている合焦位置で計測した値よりも閾値以上に小さくなった場合、合焦位置からずれたと検出する。ト光の強度の最小値が、自動合焦制御系22に記録されている合焦位置で計測した値よりも閾値以上に大きくなった場合、合焦位置からずれたと検出する。ホ乃至トの各検出方法における閾値は、それぞれプレートステージを投影光学系の光軸方向に振って合焦位置を計測する際の計測幅やデフォーカス許容値によって任意に定める。そして、デバイス製造時にスリット位置合わせ計測で得られた信号が、合焦位置で計測した時の信号よりも閾値以上に変化していた場合、閾値を計測した合焦位置からのずれ以上に合焦位置が変化したと検出することができる。つまり、スリット位置合わせ位置計測時の信号から、合焦位置の変化を検出することが可能である。続いて、本実施例における具体的な過程をについて、準備段階フローチャートを図6に示し、デバイス製造段階のフローチャートを図7に示し説明する。本実施例におけるスリット位置合わせ計測時の信号を用いたスループットの向上は、スリット位置計測時の信号によって検出した合焦位置の変化が5umより少ない場合は合焦位置計測をスキップすることと、合焦位置の変化が20umより少ない場合は合焦位置計測の範囲を狭めることで合焦位置にかかる時間を短縮することとを行う。まず、準備段階として、合焦位置と合焦位置から投影光学系の光軸方向Z方向に±5umずらした位置、及び±20umずらした位置におけるスリット位置合わせ計測の信号取得を行い、閾値の決定を行う。図6のフローチャートにおいてまず、マスク側合焦用マーク8に露光光7があたるようにマスクステージ2を移動し、マスク側合焦用マーク8の合焦位置とプレート側合焦用マーク9が略合うようにプレートステージ5を移動し、スリット位置合わせ計測を行うS101。そして、スリット位置合わせ計測の結果をもとに、プレートステージ5を駆動し、マスク側合焦用マーク8の合焦位置とプレート側合焦用マーク9の合焦位置が投影光学系の光軸と直交する平面XY面内でスリット位置合わせを終えるS102。続いて、TTLオートフォーカス計測を移動しS103、TTLオートフォーカス検出結果をもとにプレートステージ5をZ軸方向に駆動し、マスク側合焦用マーク8の合焦用位置とプレート側合焦用マーク9とを合わせるS104。続いてスリット位置合わせ計測を行い、この時の光電センサの光の強度信号と、プレートステージ5の位置信号を合焦制御系22に記憶するS105。次に合焦位置から投影光学系3の光軸方向Z方向に5um-5um20um-20umずらした位置に移動しS106、スリット位置計測を行い光電センサ10の光の強度信号と、プレートステージ5の位置信号を合焦制御系22に記憶するS107。合焦位置で取得した信号と合焦位置から5umずれた位置で取得した信号との差を閾値T1とし、合焦位置で取得した信号と合焦位置から20umずれた位置で取得した信号との差を閾値T2として保存するS108。ここで、5umと-5umとの信号は略同じで、20umと-20umとの信号は略同じであるが、投影光学系3に収差がある場合、信号に差が発生する。デバイスの製造に影響ない程度の収差があり、デフォーカス方向で合焦位置の信号が異なる場合は、差が大きい方を閾値として使えば良い。つまり、20umよりも-20umの方が合焦位置で取得した信号よりも大きい場合は-20umの時の信号の差を閾値T2として使う。続いて、デバイス製造段階のフローを図7を用いて説明する。ΔF1を初期値に設定するS201。ΔF1はプレート4に露光処理する際のプレートステージ5のZ方向位置であり、初期値は略合焦位置で仮の位置で良いが、前に露光処理した際のΔF1がある場合、その値を引き継ぐのが望ましい。続いてプレート4を供給し、プレートステージ5上に保持するS202。次に、プレートステージ5をZ方向にΔF1の位置に駆動しS203、スリット位置合わせ計測を行うS204。そして、スリット位置合わせ計測S204の時の信号と、準備段階で自動合焦処理系22に記憶した合焦位置でのスリット位置合わせ計測S105の時の信号を比較しS205、信号の差が閾値T1未満の場合は、現在のZ位置が合焦位置から±5[um]以内にあるので、TTLオートフォーカス計測をスキップしプレート側合焦用マーク9の面位置検出S211に移る。S204の信号の差が閾値T2未満の場合は、合焦位置が±20um以内の範囲でずれたので、合焦位置計測時の計測範囲を±20umに設定しS207、信号の差が閾値T2より大きい場合は合焦位置が±20um以上ずれたので合焦位置計測時の計測範囲を±100umに設定しS206、スリット位置合わせ計測S204の検出結果からプレート側合焦用マーク9を最適位置に移動しS208、TTLオートフォーカスを行うS209。また、TTLオートフォーカスS209の検出結果から、プレートステージ5をZ方向に駆動することでプレート側合焦用マーク9を合焦位置に移動し、ΔF1の値をプレートステージ5のZ方向の位置で更新するS210。そして、プレート側合焦用マーク9をプレート面位置検出手段で計測し、計測された位置を合焦位置とするS211。続いて、プレート4をプレート面位置検出手段で計測できるようにプレートステージ5を駆動する。そこでプレート4の上面をプレート面位置検出手段で計測し、プレート4の上面が合焦位置に来るようにプレートステージ5をZ方向に駆動するS212。以上で、プレート4の上面が合焦位置にあるので、露光処理を行うS213。続いて、露光処理時に露光処理による合焦位置の変化量ΔF2を計算し、計算された合焦位置をΔF1を更新するS214。ここで合焦位置の変化量ΔF2はΔF2=KτEt0/tの計算式でおこない、ΔF1の値にΔF2を加算するΔF1=ΔF1ΔF2。ここでKは投影光学系3の合焦位置変化係数、τはマスク1の透過率、Eは照明系6からの単位時間辺りの照射光量、t0は照明系6からの露光光7の照射時間、tは露光間隔時間の合計である。続いて露光処理が終了したプレート4を回収しS215、未処理プレートがあれば、S202に戻り次のプレートを受け取り処理を続け、処理するプレートが無ければ終了する。本実施例では以上のようにして投影光学系3の合焦位置にプレート4の上面が位置するようにして、マスク1面上の回路パターンを投影光学系3によりプレート4の上面のレジストに投影露光し、液晶表示デバイスや半導体デバイスを製造している。尚、本発明に係るTTLオートフォーカス方式は、特開平1-286418にあるように、マスク面上のスリットを透過した光を投影光学系を通してプレート面上でミラーを用いて反射させ、再度マスク面上のスリットを通して光の強度を検出する方式でも適用可能である。以上説明したように、本実施例によれば、スリット位置合わせの信号を用いて合焦位置の変化を検出することで、TTLオートフォーカスの最適な計測範囲を決めることができ、スループットを向上させることができる。第2実施形態続いて、本実施形態の露光装置において、照明系6の照明が製造するデバイスによって変わる場合について説明する。本実施形態のTTLオートフォーカスは光の強度によっておこなうため、露光光量などの照明条件が変更になると、光電センサ10が受光する光の強度が変わる。そのため、準備段階で使用する照明条件と、デバイスを製造するときの照明条件とが異なる場合は、準備段階で求めた閾値を使用することはできない。このように、デバイス毎に照明条件を持つ場合は、その照明条件毎に閾値を算出し、自動合焦制御系22に照明条件をキーとして閾値と合焦位置におけるスリット位置計測時の信号を記憶すれば良い。本実施形態では、照明光量検出系20を備え、照明光量検出系20は不図示であるが照明系6内に備えた光量センサによって、照明系6からの露光光7の光の強度を計測し自動合焦制御系22に出力する。そして準備段階では、照明系6からの光の強度の信号をキーとして閾値と合焦位置におけるスリット位置合わせ計測時の信号を自動合焦制御系22に記憶し、そして、デバイス製造時には、照明光量検出系20からの光の強度の信号をキーとして、閾値と合焦位置におけるスリット位置計測時の信号とを用いてスリット位置計測から合焦位置の変化を検出する。以上説明したように、本実施例によれば、照明光学系6からの露光光7がデバイス毎に異なる場合も、スリット位置合わせの信号を用いて合焦位置の変化を検出することで、TTLオートフォーカスの最適な計測範囲を決めることができ、スループットを向上させることができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。