"大領域結晶の成長方法であって、転位密度が約107cm-2よりも低い少なくとも2つの結晶を提供する工程と、ハンドル基板を提供する工程と、前記少なくとも2つの結晶を前記ハンドル基板に対してウェーハ接合する工程と、前記少なくとも2つの結晶を成長させて、溶合結晶として合体させる工程と、を含み、前記第1の結晶と前記第2の結晶との間の極性配向不整角度γは、0.5度未満であり、方位配向不整角度αおよびβは1度未満である、ことを特徴とする大領域結晶の成長方法。前記少なくとも2つの結晶は、六角形結晶構造を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記少なくとも2つの結晶は、立方結晶構造を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記少なくとも2つの結晶は、立方BN、BP、BA、AlP、AlAs、AlSb、β-SiC、GaP、GaAs、GaSb、InP、InAs、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CdTe、CdZeTeおよびHgCdTeから選択される、ことを特徴とする請求項3に記載の大領域結晶の成長方法。前記少なくとも2つの結晶は、ZnO、ZnS、AgI、CdS、CdSe、2H-SiC、4H-SiCおよび6H-SiCから選択される、ことを特徴とする請求項2に記載の大領域結晶の成長方法。前記少なくとも2つの結晶は、貫通転位濃度が約106cm-2よりも高い領域を含み、前記領域は、貫通転位濃度が約106cm-2よりも低い領域によって分離される、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記少なくとも2つの窒化物結晶は、AlxInyGa1-x-yNを含み、ここで、0≦x、y、xy≦1である、ことを特徴とする請求項2に記載の大領域結晶の成長方法。前記少なくとも2つの結晶の転位密度は、約106cm-2未満である、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記少なくとも2つの結晶の転位密度は、約104cm-2未満である、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記2つの結晶のうち少なくとも1つは、イオン注入、あるいは、損傷領域を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記ハンドル基板にウェーハ接合された前記少なくとも2つの結晶の表面の結晶学的配向は、0001、000-1、{10-10}、{10-1±1}、{20-21}および{11-22}の1度以内である、ことを特徴とする請求項2に記載の大領域結晶の成長方法。前記ハンドル基板は、サファイア、アルミニウム酸化物、ムライト、ケイ素、ケイ素窒化物、ゲルマニウム、ケイ素ゲルマニウム、ダイヤモンド、ガリウムヒ素、炭化ケイ素、MgAl2O4スピネル、亜鉛酸化物、リン化インジウム、窒化ガリウム、インジウム窒化物、ガリウムアルミニウムインジウム窒化物、およびアルミニウム窒化物から選択される、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記ハンドル基板はガラスであり、Si、Ge、Sn、Pb、B、Al、Ga、In、Tl、P、As、Sb、Pb、Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、Hf、Mn、ZnおよびCdを含む材料の少なくとも1つの酸化物を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記ハンドル基板および前記結晶のうち少なくとも1つは接着層をさらに含み、前記接着層は、SiO2、GeO2、SiNx、AlNx、B、Al、Si、P、Zn、Ga、Ge、Au、Ni、Ti、Cr、Cd、In、Sn、Sb、Tl、またはPb、あるいはその酸化物、窒化物またはオキシ窒化物のうち少なくとも1つを含む、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記ハンドル基板は、前記少なくとも2つの結晶と実質的に同一の組成を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記結晶のうち少なくとも1つは、溶合結晶を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記少なくとも2つの結晶は、ピックアンドプレースマシン、ロボットまたはダイ取付ツールにより、前記ハンドル基板上に配置される、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記溶合結晶を半導体構造のための基板として用いる工程をさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記半導体構造の活性領域が前記溶合結晶の単一ドメイン内に収まるように、前記半導体構造を配置する工程をさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。前記溶合結晶をバルク結晶成長のための種晶として用いるさらなる工程を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の大領域結晶の成長方法。本発明は、大領域のガリウム含有窒化物結晶の成長のための方法を提供する。前記方法は、転位密度が約107cm-2よりも低い少なくとも2つの窒化物結晶をハンドル基板と共に提供する工程を含む。前記窒化物結晶は、前記ハンドル基板に接合された。その後、前記窒化物結晶を成長させて、溶合窒化物結晶と合体させる。第1の窒化物結晶と第2の窒化物結晶との間の極性配向不整角度γは、0.5度未満であり、方位配向不整角度αおよびβは、1度未満である。前記窒化物結晶上に半導体構造を所望に形成することができる。別の実施形態において、本発明は、上記の工程を含むだけでなく、前記2つの窒化物結晶それぞれの上の放出層と、高品質エピタキシャル層とを提供する工程も含む。前記エピタキシャル層は、成長させて、溶合窒化物結晶に合体させる。前記第1の窒化物結晶と前記第2の窒化物結晶との間の極性配向不整角度γは、0.5度未満であり、方位配向不整角度αおよびβは1度未満である。本発明は、少なくとも2つの単結晶ドメインを含む結晶を提供することができる。前記少なくとも2つの単結晶ドメインは窒化物組成を有し、前記ドメイン内の転位密度は107cm-2未満である。前記2つの単結晶ドメインは、50cm-1未満および好適には5×105cm-1未満の線密度と共に、転位線によって分離される。前記第1のドメインと前記第2のドメインとの間の極性配向不整角度γはi0.5度未満であり、前記方位配向不整角度はαおよびβは1度未満である。図1aを参照して、第1の表面105を有する結晶101が示されている。結晶101のことをしばしば窒化物結晶と呼ぶが、これは、ウルツ鉱型結晶構造を有する窒化物結晶が好適な実施形態を含むからである。しかし、開示の方法の普遍性はより広く、窒化物結晶という用語は非窒化物結晶、および、窒化物結晶を含む者として理解されるべきである。本発明が適用可能な非窒化物結晶の例を挙げると、ダイヤモンド、立方窒化ホウ素、ホウ素炭化物、ケイ素、ゲルマニウム、ケイ素ゲルマニウム、リン化インジウム、ガリウムリン、亜鉛酸化物、セレン化亜鉛、ガリウムヒ素、テルル化カドミウム、およびテルル化カドミウム亜鉛がある。好適な実施形態において、窒化物結晶101はGaNまたはAlxInyGa1-x-yNを含み、ここで、0≦x、y≦1であり、結晶学的な質が極めて高い。別の実施形態において、結晶101は、ウルツ鉱型結晶構造を有し、ZnO、ZnS、AgI、CdS、CdSe、2H-SiC、4H-SiCおよび6H-SiCである。窒化物結晶101の表面転位密度は好適には約107cm-2未満、106cm-2未満、105cm-2未満、104cm-2未満、103cm-2未満、またはさらには約102cm-2未満である。また、窒化物結晶101の積層欠陥濃度は好適には103cm-1未満、102cm-1未満、10cm-1未満またはさらには1cm-1未満である。また、窒化物結晶101の対称的なX線ロッキングカーブ半値全幅FWHMは、約300秒未満、200秒未満、100秒未満、50秒未満、35秒未満、25秒未満、またはさらには約15秒未満である。窒化物結晶101の結晶学的曲率半径は、3つまでの独立方向または直交方向において、0.1メートルよりも大きいか、1メートルよりも大きいか、10メートルよりも大きいか、100メートルよりも大きいか、またはさらには1000メートルよりも大きい。窒化物結晶101においては、比較的高濃度の貫通転位を有する領域が、比較的低濃度の貫通転位を有する領域によって分離される。前記比較的高濃度の領域内の貫通転位濃度は、約106cm-2よりも高いか、107cm-2よりも高いか、またはさらには約108cm-2よりも高くすることができる。前記比較的低濃度の領域の内の貫通転位濃度は、約106cm-2未満、105cm-2未満、またはさらには約104cm-2未満にすることができる。窒化物結晶101の厚さは、約100ミクロン~約100ミリメートル、またはさらには約1ミリメートル~約10ミリメートルである。結晶101の直径は、少なくとも約0.5ミリメートル、1ミリメートル、2ミリメートル、5ミリメートル、10ミリメートル、15ミリメートル、20ミリメートル、25ミリメートル、35ミリメートル、50ミリメートル、75ミリメートル、100ミリメートル、150ミリメートルであり、少なくとも約200ミリメートルであり得る。表面105の結晶学的配向は、5度以内、2度以内、1度以内、0.5度以内、0.2度以内、0.1度以内、0.05度以内、0.02度以内、またはさらには0001Ga-極性、000-1N-極性、{10-10}非極性または{11-20}非極性面の0.01度以内である。表面105はhkil半極性配向を有し、ここで、i=-hkおよびlであり、hおよびkのうち少なくとも1つは非ゼロである。特定の実施形態において、表面105の結晶学的配向は、5度以内、2度以内、1度以内、0.5度以内、0.2度以内、0.1度以内、0.05度以内、0.02度以内、またはさらには{10-1±1}、{10-1±2}、{10-1±3}、{11-2±2}、{20-2±1}、{21-3±1}、または{30-3±4}の0.01度以内である。窒化物結晶101の最小横方向寸法は、少なくとも2ミリメートルであるが、4ミリメートル、1センチメートル、2センチメートル、3センチメートル、4センチメートル、5センチメートル、6センチメートル、8センチメートル、またはさらには少なくとも10センチメートルであってもよい。別の一連の実施形態において、結晶101は立方結晶構造を有する。いくつかの実施形態において、結晶101は、立方ダイヤモンド構造を有し、ダイヤモンド、ケイ素、ゲルマニウム、またはケイ素ゲルマニウムから選択される。他の実施形態において、結晶101は、立方閃亜鉛鉱構造を有し、立方BN、BP、BA、AlP、AlA、AlSb、β-SiC、GaP、GaAs、GaSb、InP、InAs、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CdTe、CdZeTeおよびHgCdTeから選択される。特定の実施形態において、表面105の結晶学的配向は、5度以内、2度以内、1度以内、0.5度以内、0.2度以内、0.1度以内、0.05度以内、0.02度以内、またはさらには{111}、{110}、{100}、{311}、および{211}の0.01度以内である。いくつかの実施形態において、窒化物結晶101は、公知の方法に従って、ハイドライド気相成長HVPEによって成長される。他の実施形態において、窒化物結晶101は、分子線エピタキシーMBEまたは有機金属気相成長法MOCVDによって成長される。窒化物結晶101は、ヘテロエピタキシャル基板例えば、サファイアまたはガリウムヒ素上に成長され得る。いくつかの実施形態において、窒化物結晶101は、フラックスまたは高温度溶液方法によって成長さえる。いくつかの実施形態において、窒化物結晶101は、熱アンモニア的に成長される。窒化物結晶101の作製における工程の1つは、米国特許出願番号第12/556,562号出願日:2009年9月9日および米国特許出願番号第61/250,476号出願日:2009年10月9日に記載のように、種晶からの横方向成長であり得る、図8を参照して、一連の実施形態のうちの1つにおいて、2つの面配向縁部を有する棒状種晶330が提供される。熱アンモニア成長が行われ、好適にはa方向における高速成長条件が用いられ、これにより、横方向に成長した翼部340および350が得られる。これらの横方向に成長した翼部は、前記種晶から分離され、これにより、図9に示すような概して半菱形形状の結晶が得られる。図10を参照して、別の一連の実施形態において、c面配向縁部および-c面配向縁部を有する棒状種晶780が提供される。熱アンモニア成長が行われ、c方向、および/または、-c方向における高速成長条件が好適に用いられ、これにより、横方向に成長した結晶790が得られる。所望であれば、前記横方向に成長した翼部は分離され得る。再度図1aを参照して、いくつかの実施形態において、結晶がノミナル配向において成長し、かつ、極めて平坦となるように、結晶101の最終成長工程の条件が選択される。例えば、前記成長条件は、表面105に対して平行な方向における成長速度が表面105に対して垂直方向における成長速度よりも、少なくとも係数5、係数10、係数20または係数50の倍数だけより高くなるように、選択され得る。表面105の配向が0001Ga-極性、000-1N-極性、{10-10}非極性または{10-1±1}半極性から選択される場合、直接成長による軸上配向の確立が特に有利である。窒化物結晶101、および、表面105の作製におけるさらなる工程を挙げると、切断、ラッピング、研磨、ドライエッチング、および化学的機械的研磨がある。表面105は光学的に平坦であり、その平面度からの逸脱は、1ミクロン未満、0.5ミクロン未満、0.2ミクロン未満、0.1ミクロン未満、またはさらには0.05ミクロン未満である。表面105は極めて平滑であり、少なくとも10ミクロン×10ミクロンの面積にわたって測定されたときのその二乗平均平方根粗さは、5ナノメートル未満、2ナノメートル未満、1ナノメートル未満、0.5ナノメートル未満、0.2ナノメートル未満、0.1ナノメートル未満、またはさらには0.05ナノメートル未満である。いくつかの実施形態において、窒化物結晶101の少なくとも1つの縁部、少なくとも2つの縁部、または、少なくとも3つの縁部がas-grown状態にされる。いくつかの実施形態において、窒化物結晶101の少なくとも1つの縁部、少なくとも2つの縁部、または、少なくとも3つの縁部が劈開される。いくつかの実施形態において、窒化物結晶101の少なくとも1つの縁部、少なくとも2つの縁部、または、少なくとも3つの縁部に対し、切断、研削、ラッピング、研磨、および/または、エッチングが、例えば反応性イオンエッチングRIE、または、誘導結合プラズマICPによって行われる。1つの特定の実施形態において、結晶101の表面の1つ以上の縁部が、より大きな結晶中のエッチング1つ以上のトレンチにより、規定される。いくつかの実施形態において、窒化物結晶101の少なくとも1つの縁部、少なくとも2つの縁部または少なくとも3つの縁部は、{10-10}m面配向を有する。1つの特定の実施形態において、窒化物結晶101は、実質的に六角形状を有する。別の特定の実施形態において、窒化物結晶101は、実質的に菱形または半菱形の形状を有する。さらに別の実施形態において、窒化物結晶101は実質的に矩形である。1つの特定の実施形態において、窒化物結晶101は、0001c面縁部および000-1-c面縁部を有する。別の特定の実施形態において、窒化物結晶101は、2つの{11-20}縁部を有する。さらに別の特定の実施形態において、窒化物結晶101は、2つの{10-10}縁部を有する。さらに別の特定の実施形態において、結晶101は立方結晶構造を有し、少なくとも1つの縁部、少なくとも2つの縁部または少なくとも3つの縁部が、{111}配向を有する。さらに別の特定の実施形態において、結晶101は、立方閃亜鉛鉱結晶構造を有し、少なくとも1つの縁部、少なくとも2つの縁部または少なくとも3つの縁部が、{110}配向を有する。再度、図1aを参照して、一連の実施形態において、窒化物結晶101の表面105にイオンが注入され、これにより、当該分野において公知の方法に従って注入/損傷領域103が形成される。イオン注入は、H、H2、He、Ne、Ar、Kr、Xe、NまたはN2のうち、少なくとも1つによって行われる。注入エネルギーは、約10keV~約1MeVであり、あるいは、好適には約20keV~約200keVであり得る。イオンのフルエンスまたはドーズ量は、約1016cm-2~約1019cm-2、約1017cm-2~約1018cm-2、または、約2×1017cm-2~約4×1017cm-2であり得る。いくつかの実施形態において、結晶101の後ろ側にもイオン注入が行われ、その結果、第2の注入/損傷領域図示せずが形成される。この第2の注入/損傷領域は、同様のイオン組成、エネルギーおよびフルエンスを有し、これにより、O.MoutanabbirおよびU.Goesele,J.ElectronicMater.39、4822010年に記載のように、結晶101中のバウが最小化される。ここで、同文献全体を参考のため援用する。図1bを参照して、いくつかの実施形態において、放出層107が提供される。いくつかの実施形態において、窒化物結晶101が実質的に透明となり、かつ、その光吸収係数が50cm-1未満となる少なくとも1つの波長において、放出層107の光吸収係数は1000cm-1よりも高く、次に、放出層107を窒化物結晶101上に蒸着させる。いくつかの実施形態において、窒化物結晶101が実質的に透明となる少なくとも1つの波長において、前記放出層の光吸収係数は5000cm-1よりも高い。いくつかの実施形態において、優先的に結晶101に対してまたは高品質エピタキシャル層109に対して、放出層107を選択的にウェットエッチング、電気化学的エッチング、または光電気化学的エッチングすることができる。いくつかの実施形態において、前記放出層はAlxInyGa1-x-yNを含み、ここで、0≦x、y≦1である。いくつかの実施形態において、前記放出層は、いくつかの波長における前記放出層の吸収性を高めるために、少なくとも1つの不純物をさらに含む、複数のドーパント不純物例えば、H、O、C、Mn、FeおよびCoにより、AlxInyGa1-x-yNまたはGaN結晶を着色することができる。特に、コバルトを高濃度ドーピングした場合、GaNを黒色にすることができるすなわち、可視スペクトルにわたる高光吸収係数。詳細には、前記光吸収係数は、可視スペクトル全体例えば、約465nm~約700nmにおいて5000cm-1よりも高くすることができる。前記光吸収係数はまた、約700nm~約3077nm間においてまた約3333nm~約6667nmの波長においても、5000cm-1よりも高くすることができる。イオンを採用することにより、GaNのバンドギャップを低減することができ、その結果、GaNまたはAlGaNが実質的に透明となる波長における吸収性を高めることができる。しかし、InGaNの場合、温度安定性が低く、また、高濃度ドープされたGaNまたはAlGaNよりもGaN、または、AlGaNに対する格子不整合がより大きい。放出層107の窒化物結晶101上へのエピタキシャル的蒸着は、米国特許出願番号第12/546458号にさらに記載されているように、有機金属気相成長法MOCVD、ハイドライド気相成長HVPE、分子線エピタキシーMBE、熱アンモニア成長、または、フラックス成長によって行うことができる。ここで、同文献全体を参考のため援用する。別の一連の実施形態において、放出層107は、窒素と、Si、Sc、Ti、V、Cr、Y、Zr、Nb、Mo、希土類元素、Hf、TaおよびWから選択された少なくとも1つの元素とを含む。金属層のベース結晶上での蒸着は、約1nm~約1ミクロンの厚さになるまで、スパッタリング、熱蒸発、電子ビーム蒸着などにより、行われ得る。その後、窒素含有雰囲気例えば、アンモニア内において、約600°C~約1200°Cの温度まで加熱することにより、金属層が窒化され得る。この窒化物形成プロセスにおいて、前記金属が前記ベース結晶から部分的にデウェットされ、これにより、ナノ単位からミクロ単位の開口部が生成される。この開口部を通じて、高品質のエピタキシーを行うことができる。この窒化物形成工程は、MOCVDリアクターにおいて、HVPEリアクターにおいて、または熱アンモニアリアクターにおいて行うことができ、その直後に高品質エピタキシャル層の蒸着を行う。さらに別の一連の実施形態において、放出層107はAlxInyGa1-x-yNを含み、ここで、0≦x、y、xy≦1である。しかし、放出層107は、窒化物結晶101よりもより高い光吸収係数を持たない場合もある。好適な実施形態において、窒化物結晶101はGaNを含み、放出層107はAl1-xInxNを含み、ここで、xは0.17にほぼ等しく、これにより、前記放出層は窒化物結晶101に格子整合する窒化物ベース結晶としても知られる。再度、図1bを参照して、高品質エピタキシャル層109が提供され得る。いくつかの実施形態において、前記高品質エピタキシャル層は、前記放出層の蒸着後、別個の工程において、MOCVDによって、MBEによって、または、HVPEによって成長される。別の実施形態において、前記高品質エピタキシャル層は、熱アンモニア的に成長される。前記高品質エピタキシャル層の厚さは、約0.05ミクロン~約500ミクロンであり得る。いくつかの実施形態において、前記高品質エピタキシャル層の厚さは、約1ミクロン~約50ミクロンである。高品質エピタキシャル層109は、窒化物結晶101と同一の結晶学的配向を、約0.5度内まで、0.2度内まで、0.1度内まで、0.05度内まで、0.02度内まで、または0.01度内まで有し、極めて類似する結晶学的性質を有する。高品質エピタキシャル層109は、厚さが0.1ミクロン~50ミクロンであり、窒素を含み、表面転位密度が107cm-2未満である。好適な実施形態において、高品質エピタキシャル層109は、GaNまたはAlxInyGa1-x-yNを含み、ここで、0≦x、y≦1であり、また、結晶学的な質が極めて高い。高品質エピタキシャル層109の表面転位密度は、約107cm-2未満、約106cm-2未満、約105cm-2未満、約104cm-2未満、約103cm-2未満、または、約102cm-2未満であり得る。高品質エピタキシャル層109の積層欠陥濃度は、103cm-1未満、102cm-1未満、10cm-1未満または1cm-1未満であり得る。高品質エピタキシャル層109の対称的なX線ロッキングカーブ半値全幅FWHMは、約300秒未満、約200秒未満、約100秒未満、約50秒未満、約35秒未満、約25秒未満、または約15秒未満であり得る。いくつかの実施形態において、前記高品質エピタキシャル層は実質的に透明であり、その光吸収係数は、約700nm~約3077nmの波長および約3333nm~約6667nmの波長において、100cm-1未満、50cm-1未満、5cm-1未満、または1cm-1未満である。いくつかの実施形態において、前記高品質エピタキシャル層は、低角度粒子境界または傾斜境界が実質的に無い。他の実施形態において、前記高品質エピタキシャル層は、少なくとも2つの傾斜境界を含み、隣接する傾斜境界間の分離は3mmを下回らない。前記高品質エピタキシャル層の不純物濃度については、O、H、C、Na、およびKが1×1017cm-3、2×1017cm-3、1×1017cm-3、1×1016cm-3および1×1016cm-3であり得る。これらの濃度は、それぞれ、較正二次イオン質量分析法SIMS、グロー放電質量分析GDMS、格子間ガス分析IGAなどによって定量化される。再度、図1bを参照して、放出層および高品質エピタキシャル層を蒸着させるプロセスは、少なくとも1回、少なくとも2回、少なくとも4回、少なくとも8回、または少なくとも16回繰り返すことができる。一連の実施形態において、前記高品質エピタキシャル層はGaNを含み、前記放出層は、格子整合したAl0.83In0.17Nを含む。別の一連の実施形態において、前記役割が逆転し、前記放出層がGaNを含み、前記高品質エピタキシャル層が、格子整合したAl0.83In0.17Nを含む。1つ以上高品質エピタキシャル層の最外側表面111は、表面105と同じ結晶学的配向を有する。図1cを参照して、いくつかの実施形態において、一連のチャネルが、高品質エピタキシャル層を通じて提供される。例えば、一連のストリップによって構成されるパターンが、従来のフォトリソグラフィーにより、規定され得る。チャネルは、反応性イオンエッチングRIE、誘導結合プラズマICPエッチングなどにより、エッチングされ得る。いくつかの実施形態において、前記チャネルは、たった1つの高品質エピタキシャル層を通じてエッチングされる。あるいは、前記チャネルは、前記最外側放出層を通じて切断してもしなくてもよく、その場合、前記放出層を各チャネル内に露出させる。他の実施形態において、前記チャネルを、2つ以上の高品質エピタキシャル層を通じて切断する。隣接するチャネル間のスペーシングは、約10ミクロン~約10ミリメートルまたは約0.1ミリメートル~1ミリメートルであり得る。図1dを参照して、いくつかの実施形態において、窒化物結晶101がブロック112に貼付される。ブロック112は、ステンレス鋼、スチール、鉄ベースの合金、ニッケルベースの合金、コバルトベースの合金、銅ベースの合金などを含み得る。ブロック112は、極めて高精度に機械加工されるか、または、研削された縁部を有し得る。例えば、ブロック112上の少なくとも2つの平行面間の平行度は、1度以内、0.5度以内、0.2度以内、0.1度以内、0.05度以内、0.02度以内、または、0.01度以内であり得る。ブロック112上の少なくとも2つの垂直面間の垂直度は、1度以内、0.5度以内、0.2度以内、0.1度以内、0.05度以内、0.02度以内、または0.01度以内であり得る。窒化物結晶101のブロック112への貼付は、セメント、エポキシ、接着剤、Au-Sn共晶混合物、はんだ接着、ろう付け接合、ポリマーベースのセメントなどにより行われ得る。窒化物結晶101の1つ以上縁部の研削を極めて高精度に行ってもよい。窒化物結晶101の少なくとも1つの縁部は、ブロック112の縁部と同一平面上にあり得る。いくつかの実施形態において、結晶101の少なくとも2つの縁部が、ブロック112の縁部と同一平面上にあり得る。図1eおよび図1fを参照して、表面115を有するハンドル基板117が示される。ハンドル基板117は、単結晶材料、多結晶材料またはアモルファス材料を含み得る。ハンドル基板117は、サファイア、アルミニウム酸化物、ムライト、ケイ素、ケイ素窒化物、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、炭化ケイ素、MgAl2O4スピネル、亜鉛酸化物、リン化インジウム、窒化ガリウム、インジウム窒化物、ガリウムアルミニウムインジウム窒化物、または、アルミニウム窒化物を含み得る。ハンドル基板117は、結晶101と実質的に同一の組成を含み得る。1つの特定の実施形態において、ハンドル基板117は、別の方法を用いて溶合、または、敷設された結晶を含む。例えば、ハンドル基板117の形成を、Dwilinskiらによって開示されているタイリング方法のうち少なくとも1つを用いて行うことができる。[米国特許出願第2008/0156254]号または米国特許出願第12/635645中に開示の方法、ここで、同文献全体を参考のため援用する。好適な実施形態において、ハンドル基板117は、結晶101と実質的に同一の組成を含む。ハンドル基板117の結晶学的配向は、結晶101の結晶学的配向の約10度以内、約5度以内、約2度以内、または約1度以内である。ハンドル基板117は、ガラスを含み得る。ハンドル基板117は、Si、Ge、Sn、Pb、B、Al、Ga、In、Tl、P、As、Sb、Pb、Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、Hf、Mn、ZnまたはCdのうち、少なくとも1つの酸化物を含み得る。1つの特定の実施形態において、ハンドル基板117は、ほうりんけい酸ガラスを含む。ハンドル基板117の表面115に平行な熱膨張係数は、室温~約700°Cすなわち、約2.5×10-6K-1および約7×10-6K-1であり得る。ハンドル基板117の表面115に平行な熱膨張係数は、室温~約700°Cすなわち、約5.5×10-6K-1~約6.5×10-6K-1であり得る。ハンドル基板117は軟化点を有し得る。軟化点とは、500°C~約1400°Cの温度においてハンドル基板117の粘度値が約108ポアズになるという意味である。ハンドル基板117のガラス遷移温度は、約600°C~約1200°Cであり得る。ハンドル基板117は軟化点を有し得る。軟化点とは、約600°C~約900°Cの温度においてハンドル基板117の粘度値が約108ポアズになるという意味である。表面115は光学的に平坦であり、少なくとも10ミクロンs×10ミクロンの面積において測定された平面度からのその逸脱は、1ミクロン未満、0.5ミクロン未満、0.2ミクロン未満、0.1ミクロン未満、または0.05ミクロン未満である。表面115は極めて平滑であり、その二乗平均平方根粗さは、5ナノメートル未満、2ナノメートル未満、1ナノメートル未満、0.5ナノメートル未満、0.2ナノメートル未満、0.1ナノメートル未満、または0.05ナノメートル未満であり得る。接着層113が、ハンドル基板117の表面115上に蒸着され得る。接着層113は、SiO2、GeO2、SiNx、AlNx、またはB、Al、Si、P、Zn、Ga、Si、Ge、Au、Ag、Ni、Ti、Cr、Zn、Cd、In、Sn、Sb、Tl、またはPb、あるいはその酸化物、窒化物、またはオキシ窒化物のうち少なくとも1つをを含み得る。接着層113は、水素をさらに含み得る。接着層113の蒸着は、熱蒸発、電子ビーム蒸気、スパッタリング、化学的蒸気、プラズマ化学気相成長法など、または、蒸着金属膜の熱酸化により、行うことができる。接着層113の厚さは、約1ナノメートル~約10ミクロンまたは約10ナノメートル~約1ミクロンであり得る。いくつかの実施形態において、接着層は、窒化物結晶101の表面105上、または、高品質エピタキシャル層109の表面111上図示せずに蒸着される。前記接着層単数または複数は、例えば約300°C~約1000°Cの温度までアニールされ得る。いくつかの実施形態において、接着層は、結晶101の表面105上に蒸着され、アニールされた後、注入/損傷層がイオン注入によって形成される。いくつかの実施形態において、少なくとも1つの接着層が、化学機械的に研磨される。好適な実施形態において、少なくとも1つの接着層の20×20μm2の面積における二乗平均平方根表面粗さは、約0.5ナノメートル未満または約0.3ナノメートル未満である。再度、図1eおよび図1fを参照して、窒化物結晶101の表面105、高品質エピタキシャル層109の表面111、またはその上煮は一された接着層が、接着層113と接触して、かつ/または、ハンドル基板117の表面115と接触した様態で配置され、ウェーハ接合される。好適な実施形態において、前記ウェーハ接合作業はクリーンルームにおいて行われ、その際の空気中の粒子数は、10,000/立方センチメートル未満、1,000/立方センチメートル未満、100/立方センチメートル未満、または、10/立方センチメートル未満である。これらの表面のうち少なくとも1つから粒子を除去した直後に、ウェーハ接合を噴霧、ブラッシング、またはリンシングにより、イオン化窒素、CO2ジェット、CO2スノー、高抵抗水、有機溶媒例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトンと共に行う。いくつかの実施形態において、表面105または表面109またはその上に配置された接着層の表面と、表面113または表面115とを液体中に浸漬させた様態で接触させる。任意選択的に、これらの表面のうち少なくとも1つをプラズマに露出させて、ウェーハ接合を向上させる。ハンドル基板117に対する、窒化物結晶101の配置の位置、および、配向精度は、高精度に制御される。1つの特定の実施形態において、ピックアンドプレースマシンまたはロボットまたはダイ取付ツールにより、窒化物結晶をハンドル基板117上に配置する。窒化物結晶101は、真空チャックによってピックアップされ、ステッッパーモーター駆動xyステージによってハンドル基板117の上方の所望の位置に平行移動させ、必要ならば、デジタルカメラ駆動回転ドライブにより再配向され、その後、ハンドル基板上へと降下される。配置の位置精度は、50ミクロンよりも高いか、30ミクロンよりも高いか、20ミクロンよりも高いか、10ミクロンよりも高いか、または5ミクロンよりも高くすることができる。配置の配向精度は、5度よりも高いか、2度よりも高いか、1度よりも高いか、0.5度よりも高いか、0.2度よりも高いか、0.1度よりも高いか、0.05度よりも高いか、0.02度よりも高いか、または0.01度よりも高くすることができる。別の特定の実施形態において、窒化物結晶101に取り付けられたブロック112をキネマティックマウント上に配置する。前記キネマティックマウントにより、ハンドル基板117に対する配向精度を1度よりも高いか、0.5度1度よりも高いか、0.2度1度よりも高いか、0.1度1度よりも高いか、0.05度1度よりも高いか、0.02度1度よりも高いか、または0.01度1度よりも高くすることができる。その後、窒化物結晶101、ブロック112および前記キネマティックマウントを、サブミクロン精度でハンドル基板117に対して配置することができるこの配置は、ステッパーフォトリソグラフィーツールにおけるものと同様のxyステージを用いて、ステッパーモータを音声コイルを共に用いて、行われる。いくつかの実施形態において、結晶101およびハンドル基板117の方位結晶学的配向は、約10度内、約5度内、約2度内または約1度内に等しい。窒化物結晶101は、約0.1メガパスカル~約100メガパスカルの圧力により、ハンドル基板117に対して押圧され得る。いくつかの実施形態において、良好なウェーハ接合を得るためには、ファンデルワールス力で十分であり、それ以上のさらなる力付加は不要である。窒化物結晶101およびハンドル基板117を約30°C~約950°C、約30°C~約400°C、約30°C~約200°Cまで加熱して、ウェーハ接合を強化させることができる。いくつかの実施形態において、窒化物結晶101およびハンドル基板113の加熱は、相互に機械的負荷をかけた状態で、行われる。いくつかの実施形態において、注入/損傷領域103を有する接合された窒化物結晶101の少なくとも表面領域、および、ハンドル基板117を約200°C~約800°C、または、約500°C~約700°Cの温度まで加熱して、マイクロバブル、マイクロクラック、マイクロブリスター、または、他の機械的欠陥を領域103内に発生させる。1つの特定の実施形態において、表面領域105または109の加熱は、ハンドル基板117を通じた光放射または赤外線放射によって行われ、ブロック112と接触し得る結晶101の遠位部位が、約300°C未満、約200°C未満または約100°C未満において残留し得る。いくつかの実施形態において、熱エネルギーの代わりにまたは熱エネルギーと共に機械的エネルギーを与えてもよい。いくつかの実施形態において、エネルギー源例えば、加圧流体が選択領域例えば、接合された窒化物結晶101の縁部へと方向付けられ、これにより、制御された切断作用が領域103内において開始される。エネルギー付加後、窒化物結晶101の遠位部位を除去し、その結果、ハンドル基板117に接合された窒化物結晶101の近位部位が現れる。いくつかの実施形態において、窒化物結晶101の遠位部位は、ブロック112と接合されたままである。いくつかの実施形態において、窒化物結晶101の遠位部位の新規露出表面に対し、研磨、ドライエッチング、または、化学機械的研磨を行う。窒化物結晶101の遠位部位の新規露出表面の表面結晶学的配向が表面105の処理前配向と同一となるように、注意を払う。いくつかの実施形態において、窒化物結晶101の遠位部位の新規露出表面上に接着層を蒸着する。いくつかの実施形態において、前記接着層を化学機械的に研磨する。図1gを参照して、いくつかの実施形態において、レーザー放射により、窒化物結晶101を高品質エピタキシャル層109およびハンドル基板117から分離する。放出層107は、レーザー放射125により、窒化物結晶101を通じて照射され得る。レーザー放射125は、放出層の光吸収係数が1000cm-1よりも高くかつ窒化物結晶の光吸収係数が50cm-1未満となって実質的に透明となる波長において、行われる。別の一連の実施形態において、前記放出層をレーザー放射127によってハンドル基板117を通じて照射する。レーザー放射127は、前記放出層の光吸収係数が1000cm-1よりも高くかつハンドル基板の光吸収係数が50cm-1未満となっハンドル基板が実質的に透明となる波長において、行なわれる。放出層109によるレーザーエネルギーの吸収は、極めて短い長さのスケールにおいて発生し、その結果、大きな局部加熱が発生する。理論に縛られることは望まないが、前記局部加熱に起因して、前記放出層、および/または、前記放出層と直接接触している窒化物結晶の肉薄部位が部分的にまたは完全に分解し、その結金属およびN2が発生し、その結果肉薄層、または、マイクロ、または、ナノバブルが発生し得る、と考えられる。N2の肉薄層またはマイクロ、または、ナノバブルに起因して、窒化物結晶と高品質エピタキシャル層との間の界面が機械的に弱体化され、その結果、前記窒化物結晶を前記高品質エピタキシャル層から容易に分離することができ、その結果、前記ハンドル基板に接合させることができる。前記高品質エピタキシャル層、または、前記ハンドル基板の望ましくない損傷を生じさせることなく前記界面を最適に弱体化させるために、ダイ温度、レーザー出力、レーザースポットサイズ、レーザーパルス持続時間および/またはレーザーパルス数を調節する。分離を行うためのレーザーフルエンスは、300~900ミリジュール/平方センチメートルまたは約400mJ/cm2~約750mJ/cm2であり得る。ビーム経路内にビームホモジナイザーを設けることにより、レーザービームの均一性を向上させることができ、ビームサイズは、約4mm×4mmであり得る。いくつかの実施形態において、レーザービームを静置するのではなく、前記放出層上においてレーザービームを走査またはラスターする。分離は、分解によって生成される金属の融点よりも高い温度例えば、ガリウム金属の場合、約30°Cよりも高い温度において行われ得る。いくつかの実施形態において、複数の放出層および高品質エピタキシャル層が、ウェーハ接合されたスタック内に存在する。この場合、レーザー照射は好適には、ハンドル基板を通じて付加され、フルエンス制御され、これにより、ハンドル基板に最も近い放出層内のみにおいて実質的分解が発生し、リフトオフ後に残りの放出層および高品質エピタキシャル層が前記窒化物結晶に接合されたままとなる。前記高品質エピタキシャル層を前記窒化物結晶から分離した後、前記高品質エピタキシャル層の新規露出背面上、窒化物結晶101上、または窒化物結晶101に未だ接合されている別の新規露出高品質エピタキシャル層上の残留ガリウム、インジウム、または、他の金属、または、窒化物を全て除去することができる。この除去は、過酸化水素、アルカリ水酸化物、水酸化テトラメチルアンモニウム、希土類硝酸エステル、過塩素酸、硫酸、硝酸、酢酸、塩酸およびフッ化水素酸のアンモニウム塩のうち少なくとも1つによる処理により、行われる。これらの表面を、ドライエッチングによってさらに洗浄するかまたは損傷除去することができる。このドライエッチングは、Ar、Cl2、およびBCl3のうち少なくとも1つにおいて、化学的に促進されたイオンビームエッチングCAIBE、誘導結合プラズマICPエッチング、または反応性イオンエッチングRIEなどの技術により、行われる。これらの表面は、化学機械的研磨により、さらに処理され得る。いくつかの実施形態において、前記放出層の縁部からのレーザーリフトオフまたはエッチング後、微量の放出層が残留する場合がある。残留放出層材料の除去は光電気化学エッチングによって行うことができ、その際、前記高品質エピタキシャル層の後ろ側または窒化物結晶101の前側または窒化物結晶101に未だ接合されている最外側高品質エピタキシャル層の前側を照射する。この照射においては、前記放出層の光吸収係数が1000cm-1を上回りかつ前記高品質エピタキシャル層の光吸収係数50cm-1を下回って実質的に透明となる波長において、放射を行う。図1hを参照して、別の一連の実施形態において、前記放出層の化学的エッチングにより、前記ハンドル基板に接合された前記高品質エピタキシャル層を前記窒化物結晶から分離する。一実施形態において、前記放出層の1つ以上縁部の処理を、1、2-ジアミノエタン、過酸化水素、アルカリ水酸化物、水酸化テトラメチルアンモニウム、希土類硝酸エステル、過塩素酸、硫酸、硝酸、酢酸、塩酸、およびフッ化水素酸のアンモニウム塩のうち少なくとも1つにより行う。1つの特定の実施形態において、前記放出層の縁部のエッチング処理を、200ミリリットルの脱イオン水、50グラムの硝酸アンモニウムセリウム、CeNH42NO36、および13ミリリットルの過塩素酸、HClO4の混合物により約70°Cにおいて行う。前記放出層の少なくとも1つの縁部をエッチアウェイし、前記窒化物ベース結晶と前記高品質エピタキシャル層との間の界面を機械的に弱体化させ、これにより、前記窒化物ベース結晶を前記高品質エピタキシャル層から容易に分離させ、その結果、少なくとも1つの半導体デバイス層に接合させる。前記高品質エピタキシャル層または前記半導体構造の望ましくない損傷を生じさせることなく前記界面を適切に弱体化させるために、前記化学処理の温度および時間を調節する。事前形成された一連のチャネルを前記放出層内に設けることにより、前記放出層の横方向エッチングに必要な時間を低減することができる。複数の交互の放出層および高品質エピタキシャル層が窒化物結晶101に接合されている場合、最外側高品質エピタキシャル層のみを貫通するエッチチャネルを用いることにより、移動を最外側高品質エピタキシャル層に制限することができる。さらに別の一連の実施形態において、前記放出層に光電気化学PECエッチングを行うことにより、前記ハンドル基板に接合された前記高品質エピタキシャル層を前記窒化物結晶から分離する。例えば、InGaN層またはInGaN/InGaN超格子を前記放出層として蒸着させることができる。前記窒化物結晶および前記放出層を上記バンドギャップ放射により照射することで、両者上に電気的接触が得られる。上記バンドギャップ放射では、例えば、Xeランプおよびフィルターを用いて、前記高品質エピタキシャル層および/または前記窒化物結晶のバンドギャップよりもエネルギーが高い光を除去する。一連の実施形態において、図1iに模式的に示される、前記ハンドル基板を通じて照明127が提供され、その強度は、前記ハンドル基板に最も近い前記放出層によって当該光が全て吸収されるように、調節されている。前記放出層の少なくとも1つの縁部が、電解質例えば、撹拌された0.004MHCl溶液に露出される。事前形成された一連のチャネルを前記放出層内に設けることにより。前記放出層の横方向エッチングに必要な時間を低減することができる。複数の交互の放出層および高品質エピタキシャル層が窒化物結晶101に接合されている場合、当該光が必ず前記最外側放出層のみによって吸収されるようにすることにより、エッチチャネルが複数の高品質エピタキシャル層を貫通している場合であっても、移動を最外側高品質エピタキシャル層に限定することができる。PECエッチングプロセスのさらなる詳細については、Sharmaらによって記載されているAppliedPhysicsLetters87、0511072005年および同文献中の参考文献。一連の実施形態において、GaNが前記放出層として蒸着され、格子整合したAlInNは、前記高品質エピタキシャル層を含み、前記照明の波長範囲は、電子正孔対がAlInN内にではなくGaN内に発生するように、選択される。さらに、別の一連の実施形態において、選択的酸化後に前記放出層の化学的エッチングを行うことにより、前記ハンドル基板に接合された前記高品質エピタキシャル層を前記窒化物結晶から分離する。例えば、AlxInyGa1-x-yNを含む少なくとも1つの放出層ここで、0<x、xy≦1、0≦y≦1、または、GaNに格子整合したAl0.83In0.17Nを選択的に酸化させることができる。この選択的酸化は、Al含有放出層の少なくとも1つの縁部をニトリロ酢酸NTAおよび水酸化カリウムを含む溶液に露出させることにより、行うことができる。この溶液のpHは、8~11であり、アノード電流はおよそ20μA/cm2、~約0.1μA/cm2である。上記については、DorsazらAppliedPhysicsLetters87、0721022005年、および、AltoukhovらAppliedPhysicsLetters95、1911022009年ならびに同文献中の参考文献中に記載がある。その後、硝酸溶液中の約100°Cでの処理により、前記酸化物層を除去することができる。事前形成された一連のチャネルを前記放出層内に設けることにより、前記放出層の横方向エッチングに必要な時間を低減することができる。複数の交互の放出層および高品質エピタキシャル層が窒化物結晶101に接合されている場合、最外側高品質エピタキシャル層のみを貫通するエッチチャネルを用いることにより、移動を最外側高品質エピタキシャル層に制限することができる。図1jおよび図1kを参照して、前記ウェーハ接合プロセスが繰り返される。第2の窒化物結晶または第1の窒化物結晶の遠位部位が、第1の窒化物結晶の近隣にまたは第1の窒化物結晶の近位部位の近隣にウェーハ接合される。第1の窒化物結晶と同様に、第2の窒化物結晶は、イオン注入された損傷領域または少なくとも1つの放出層と、少なくとも1つの高品質エピタキシャル層とを有し得る。第2の窒化物結晶または第2の窒化物結晶上の最外側高品質エピタキシャル層は、表面135を有する。表面135の結晶学的配向は、窒化物結晶101の表面105または第1の高品質エピタキシャル層の表面111と本質的に同じである。いくつかの実施形態において、高精度の平坦軸上配向が得られるように各結晶を成長させる例えば、0001Ga極性、000-1N極性、{10-10}非極性、または、{10-1±1}半極性ことにより、前記第1の第1の高品質エピタキシャル層のと第2の窒化物結晶との間の表面配向を高精度に同様にする。前記第1の窒化物結晶、および/または、第2の窒化物結晶に対して研磨、ドライエッチング、または化学機械的研磨を行う場合、いずれかの表面配向が著しく変化しないように、注意する。いくつかの実施形態において、前記第1の窒化物結晶の均一の肉薄近位部位を除去して、前記第2の窒化物結晶を形成することにより、前記第1の窒化物結晶と、第2の窒化物結晶との間の表面配向を、高精度に同等にする。前記第1の窒化物結晶の遠位部位前記第2の窒化物結晶としても用いられるに対して、研磨、ドライエッチング、または、化学機械的研磨を行う場合、その表面配向が著しく変化しないように、注意する。他の実施形態において、均一の肉薄の高品質エピタキシャル層を、前記第1の窒化物結晶から除去して、前記第2の窒化物結晶を形成することにより、前記第1の窒化物結晶と前記第2の窒化物結晶との間の表面配向を、高精度に同等にする。前記第1の窒化物結晶の遠位部位前記第2の窒化物結晶としても用いられるに対して研磨、ドライエッチング、または化学機械的研磨を行う場合、その表面配向がが著しく変化しないように、注意する。例えば、前記第1の窒化物結晶および前記第2の窒化物結晶上の最外側表面、または、高品質エピタキシャル層の第1の表面105または111および135それぞれの結晶学的配向の同一度を、0.5度未満、0.2度未満、0.1度未満、0.05度未満、0.02度未満、または、0.01度未満にすることができる。さらに、別の実施形態において、例えば高精度ゴニオメーターを用いて結晶学的配向および研削、および/または、研磨を極めて注意深く行うことにより、前記第1の窒化物結晶と前記第2の窒化物結晶との間の表面配向を、高精度に同等にすることができる。ウェーハ接合後、前記第2の窒化物結晶の遠位部位が除去され得る。2つ以上の隣接する窒化物結晶またはその近位部位の縁部間のギャップ145は、1ミリメートル未満、100ミクロン未満、50ミクロン未満、20ミクロン未満、10ミクロン未満、5ミクロン未満、2ミクロン未満、または1ミクロン未満であり得る。上記ウェーハ接合プロセスを繰り返す回数は、2回よりも多いか、4回よりも多いか、8回よりも多いか、16回よりも多いか、32回よりも多いか、または64回よりも多くすることができる。前記第2の窒化物結晶の配置は、前記第1の窒化物結晶と前記第2の窒化物結晶との間、または、その上の高品質エピタキシャル層の前記結晶学的配向がほとんど同一となるように、行われる。図2を参照して、座標系221x1、y1、z1は、第1の窒化物結晶201からの高品質エピタキシャル層の結晶学的配向を示し、ここで、z1は、表面111のノミナル配向に垂直な負の表面であり図1を参照、x1およびy1は、z1に直交するベクトルである。例えば、表面111が0001配向を有する場合、z1は、[000-1]に沿った単位ベクトルであり、x1およびy1は、[10-10]および[1-210]に沿うように、それぞれ選択され得る。表面111が10-10配向を有する場合、z1は、[-1010]に沿った単位ベクトルであり、x1およびy1は、[1-210]および[0001]に沿うように、それぞれ選択され得る。同様に、座標系222x2、y2、z2は、第2の窒化物結晶202からの高品質エピタキシャル層の結晶学的配向を示し、ここで、z2は、表面105のノミナル配向に垂直な負の表面であり図1を参照、x2およびy2は、z2に直交するベクトルである。ここで、x2、y2、z2に対応する結晶学的方向において、x1、y1、z1のときと同一の変換を用いる。前記第1の窒化物結晶と前記第2の窒化物結晶との間の結晶学的配向不整は、α、βおよびγの3つの角度によって指定され、ここで、αは、x1とx2との間の角度であり、βは、y1とy2との間の角度であり、γは、z1とz2との間の角度である。前記第1の窒化物結晶および前記第2の窒化物結晶の表面配向はほとんど同一であるため、極性配向不整角度γは極めて小さい例えば、0.5度未満、0.2度未満、0.1度未満、0.05度未満、0.02度未満、または0.01度未満。配置時における前記窒化物結晶の配向時において、制御が高精度に行われるため、αとβとの間の配向不整角度は極めて小さい例えば、1度未満、0.5度未満、0.2度未満、0.1度未満、0.05度未満、0.02度未満、または0.01度未満。典型的には、γは、αおよびβ以下である。さらなる隣接する窒化物結晶間の結晶学的配向不整も、同様に極めて小さい。図3を参照して、複数の同様のサイズおよび同様の形状の高品質エピタキシャル層を1つ以上の窒化物結晶から配置およびウェーハ接合した後、高品質エピタキシャル層の敷設配置が形成され、前記ハンドル基板上の各隣接する対は、その近隣物単数または複数と結晶学的に高精度に整列される。タイリングパターンは、a四角形、b矩形、c六角形、またはd菱形であり得る。他の配置も可能である。2つ以上の隣接する高品質エピタキシャル層の縁部間のギャップは、1ミリメートル未満、100ミクロン未満、50ミクロン未満、20ミクロン未満、10ミクロン未満、5ミクロン未満、2ミクロン、または1ミクロン未満であり得る。いくつかの実施形態において、同様の一連の窒化物結晶、または、高品質エピタキシャル層が、ハンドル基板の背面にウェーハ接合される。この接合は、ハンドル基板の前面上に窒化物結晶または高品質エピタキシャル層のタイルパターンを形成する際に用いられる手順と類似する手順により行われる。好適な実施形態において、ハンドル基板の背面上のタイルパターンは、ハンドル基板の前面上のタイルパターンの鏡像であり、前タイルパターンおよび後ろタイルパターンが記録される。一連の実施形態において、ハンドル基板上の少なくとも2つの窒化物結晶、または、高品質エピタキシャル層を、1つ以上デバイスの作製のための基板として用いる。2つ以上の敷設高品質エピタキシャル層、または、前記ハンドル基板に接合された結晶を、エピタキシャル成長のための横方向成長、および/または、前記敷設結晶を溶融して単一のより大きな結晶にする工程のために作製することができる。この横方向結晶成長は、有機金属気相成長法MOCVD、ハイドライド気相成長HVPE、熱アンモニア結晶成長などの技術あるいはフラックスからの結晶成長により、達成することができる。いくつかの実施形態において、前記ハンドル基板は、さらなる処理を用いない、前記エピタキシャル成長環境への露出に適している。いくつかの実施形態において、隣接する窒化物結晶間のギャップがアンダーカットされた場合、成長をよりスムーズに、かつ、より少量の応力で進めることができる。図4aを参照して、フォトレジスト447を、ウェーハ接合された敷設基板上にスピンすることができる。この基板は、ハンドル基板417と、第1の窒化物結晶401と、第2の窒化物結晶402とを含む。フォトレジスト447の露出をマスクを通じて行い、エッチングし、露出チャネルをドライエッチングによってエッチングし、フォトレジストを除去して、パターン化窒化物/ハンドル基板450を形成する。図4bを参照して、MOCVD、HVPE、熱アンモニア成長、または、フラックス成長によるエピタキシャル窒化物成長のための基板として、パターン化窒化物/ハンドル基板450を用いることができる。成長を当該分野において公知の方法で行い、少なくとも2つの窒化物結晶401および402を横方向および垂直方向双方に成長させて、溶合窒化物結晶455を形成する。窒化物結晶401と窒化物結晶402との間の結晶学的配向不整は極めて低いため、合体前部457の転位濃度は低くすることができるが、従来からの低い角度粒子境界または傾斜境界は、検出が困難であり得る。いくつかの実施形態において、前記ハンドル基板、および/または、前記接着層は、さらなる処理を用えないエピタキシャル成長環境への露出に適していない場合がある。前記ハンドル基板の露出部位は、適切な不活性材料でコーティングされ得る。図5を参照して、窒化物結晶501および502は、例えばシャドーマスクによって、または、フォトレジストでのフォトリソグラフィーによりマスキングすることができ、ハンドル基板517、および/または、接着層509上の前記マスキングされた領域間の領域を、不活性コーティング561によってコーティングする。不活性コーティング561は、Ag、Au、Pt、Pd、Rh、Ru、Ir、SiO2、SiNx、またはAlNのうち少なくとも1つを含み得る。不活性コーティング561は、ハンドル基板517の表面および/または例えばTi、V、Cr、Al、またはNiのうち少なくとも1つを含む接着層509と接触する接着層図示せずをさらに含み得る。不活性コーティング561の蒸着は、スパッタリング、熱蒸発、電子ビーム蒸着、化学的蒸気、プラズマ化学気相成長法などにより、行うことができる。マスキングされた窒化物/ハンドル基板550は、エピタキシャル窒化物成長byMOCVD、HVPE、熱アンモニア成長、または、フラックス成長によるエピタキシャル窒化物成長のための基板として、用いることができる。例えば1~3GPaの窒素圧力下において液体Gaを用いてフラックス成長を行うことができ、その際、Gaおよび少なくとも1つのアルカリ金属を含む合金を窒素含有ガスの圧力下において10~200MPaの圧力において用いるか、または、1つ以上のハロゲン化物、窒化物、またはアミド塩を窒素含有ガスの圧力下において0.1~200MPaの圧力において用いる。成長は当該分野において公知の方法で行い、少なくとも2つの窒化物結晶501、および、502を横方向および垂直方向双方に成長させて、溶合窒化物結晶555を形成する。窒化物結晶501と窒化物結晶502との間の結晶学的配向不整は極めて低いため、合体前部557の転位濃度は低くすることができるが、従来からの低い角度粒子境界または傾斜境界は、検出が困難であり得る。エッチング/パターン形成工程およびマスキング工程を組み合わせることができる。図6を参照して、窒化物結晶601および602は、両者の間にエッチギャップを含み、窒化物結晶601および602のマスキングを、例えばシャドーマスクによって、または、フォトレジストによるフォトリソグラフィーにより行うことができ、ハンドル基板617、および/または、接着層609上の前記マスキングされた領域間の領域を不活性コーティング661でコーティングする。マスキングされた/パターン化/エッチングされた窒化物/ハンドル基板670は、MOCVD、HVPE、熱アンモニア成長、または、フラックス成長によるエピタキシャル窒化物成長のための基板として、用いることができる。成長は当該分野において公知の方法で行い、少なくとも2つの窒化物結晶601および602を横方向および垂直方向双方において成長させて、溶合窒化物結晶655を形成する。窒化物結晶601と窒化物結晶602との間の結晶学的配向不整は極めて低いため、合体前部657の転位濃度は低くすることができるが、従来からの低い角度粒子境界または傾斜境界は、検出が困難であり得る。前記溶合窒化物結晶の成長後の厚さは、5ミクロンよりも高いか、50ミクロンよりも高いか、0.5ミリメートルよりも高いか、または5ミリメートルよりも高くすることができる。冷却およびリアクターからの除去の後、前記溶合窒化物結晶を前記ハンドル基板から分離することができる。不活性コーティングが存在する場合、スクライビング、摩耗などにより、当該不活性コーティングをハンドル基板の縁部の少なくとも一部から除去することができる。前記ハンドル基板は、例えば酸、塩基または溶融フラックスと接触させることにより、溶解、または、エッチアウェイが可能である。この溶解またはエッチアウェイは、好適には、溶合窒化物結晶に対するエッチング、または、他の損傷がごく少量となるような様態で、行われる。例えば、HFおよび/またはH2SiF6を含む溶液中の処理により前記溶合窒化物結晶を損傷させることなく、ガラス、ケイ素またはゲルマニウム基板をエッチアウェイすることができる。あるいは、NaOH、KOH、またはNH4OHを含む溶液中の処理により、前記溶合窒化物結晶を損傷させることなく、ガラス、または、亜鉛酸化物基板をエッチアウェイすることもできる。王水またはHCl、HNO3、HF、H2SO4およびH3PO4のうち1つ以上を含む溶液中での処理により前記溶合窒化物結晶を損傷させることなく、ガリウムヒ素または亜鉛酸化物基板をエッチアウェイすることができる。溶融KBF4中での処理により前記溶合窒化物結晶を損傷させることなく、サファイア、または、アルミナ基板をエッチアウェイすることができる。ハンドル基板を除去した後、前記溶合窒化物結晶の1つ以上の表面に対し、ラッピング、研磨、および/または、化学機械的研磨を行うことができる。前記溶合窒化物結晶をスライス切断、研磨および/または化学機械的研磨して、1つ以上のウェーハを得る。図7を参照して、前記溶合窒化物結晶は、1つ以上の転位線によって分離された2つ以上のドメインを含む。処理前の窒化物結晶のジオメトリに応じて、ドメインのパターンをa四角形、b矩形、c六角形またはd菱形にすることができる。他のパターンも可能である。隣接ドメイン間の極性配向不整角度γは、0.5度未満、0.2度未満、0.1度未満、0.05度未満、0.02度未満、または0.01度未満とすることができる。隣接ドメイン間の配向不整角度はαおよびβは、1度未満、0.5度未満、0.2度未満、0.1度未満、0.05度未満、0.02度未満、または0.01度未満とすることができる。典型的には、γは、αおよびβ以下である。隣接ドメイン間の線に沿った転位密度は、5×105cm-1未満、2×105cm-1未満、1×105cm-1未満、5×104cm-1未満、2×104cm-1未満、1×103cm-1未満、5×103cm-1未満、2×103cm-1未満または1×103cm-1未満とすることができる。隣接ドメイン間の線に沿った転位密度は、50cm-1よりも高いか、100cm-1よりも高いか、200cm-1よりも高いか、500cm-1よりも高いか、1000cm-1よりも高いか、2000cm-1よりも高いか、または5000cm-1よりも高くすることができる。個々のドメイン内において、前記溶合窒化物結晶の表面転位密度は、約107cm-2未満、約106cm-2未満、約105cm-2未満、約104cm-2未満、約103cm-2未満、または約102cm-2未満とすることができる。ドメインが有し得る積層欠陥濃度は、103cm-1未満、102cm-1未満、10cm-1未満、1cm-1未満である。前記溶合窒化物結晶が有し得る対称的なX線ロッキングカーブ半値全幅FWHMは、約300秒未満、約200秒未満、約100秒未満、約50秒未満、約35秒未満、約25秒未満、または約15秒未満である。前記溶合窒化物結晶の厚さは、約100ミクロン~約100ミリメートル、または、約1ミリメートル~約10ミリメートルであり得る。前記溶合窒化物結晶の直径は、少なくとも約5ミリメートル、少なくとも約10ミリメートル、少なくとも約15ミリメートル、少なくとも約20ミリメートル、少なくとも約25ミリメートル、少なくとも約35ミリメートル、少なくとも約50ミリメートル、少なくとも約75ミリメートル、少なくとも約100ミリメートル、少なくとも約150ミリメートル、少なくとも約200ミリメートル、または少なくとも約400ミリメートルであり得る。前記溶合窒化物結晶の表面の結晶学的配向は、5度以内、2度以内、1度以内、0.5度以内、0.2度以内、0.1度以内、0.05度以内、0.02度以内、または、0001Ga-極性、000-1N-極性、{10-10}非極性、または{11-20}非極性a面の0.01度以内であり得る。前記溶合窒化物結晶の表面は、hkil半極性配向を有し、ここで、i=-hkであり、lならびにhおよびkのうち少なくとも1つのは非ゼロである。特定の実施形態において、前記溶合窒化物結晶の結晶学的配向は、{10-1±1}、{10-1±2}、{10-1±3}、{11-2±2}、{20-2±1}、{21-3±1}または{30-3±4}の5度以内、2度以内、1度以内、0.5度以内、0.2度以内、0.1度以内、0.05度以内、0.02度以内、または0.01度以内である。前記溶合窒化物結晶の最小横方向寸法は、少なくとも4ミリメートルである。いくつかの実施形態において、前記溶合窒化物結晶の最小横方向寸法は、少なくとも1センチメートル、少なくとも2センチメートル、少なくとも3センチメートル、少なくとも4センチメートル、少なくとも5センチメートル、少なくとも6センチメートル、少なくとも8センチメートル、少なくとも10センチメートル、または少なくとも20センチメートルである。いくつかの実施形態において、前記溶合窒化物結晶は、エピタキシーのための基板として用いられる。前記溶合窒化物結晶に対し、当該分野において公知の方法において、切断、ラッピング、研磨、ドライエッチングおよび/または化学機械的研磨が行われる。前記溶合窒化物結晶の1つ以上の縁部が研削され得る。前記溶合窒化物結晶、または、前記溶合窒化物結晶から形成されたウェーハを、適切なリアクターと、MOCVD、MBE、HVPEなどによって成長されたエピタキシャル層との中に配置することができる。好適な実施形態において、前記エピタキシャル層はGaN、または、AlxInyGa1-x-yNを含み、ここで、0≦x、y≦1である。表面配向がほぼ同一であるため、前記エピタキシャル層の形態は、表面上においてドメイン間において均一である。いくつかの実施形態において、前記溶合窒化物結晶は、さらなるタイリングのための基板として用いられる。例えば、図11~図1kを参照して、窒化物結晶101を溶合窒化物結晶となるように選択することができる。タイリング、合体および再タイリング作業を繰り返す回数は、2回よりも多い回数、4回よりも多い回数、8回よりも多い回数、または16回よりも多い回数であり得る。このようにして、連続的タイリング作業により、結晶質が極めて高く、かつ、直径が極めて大きな溶合窒化物結晶を作製することができる。溶合窒化物結晶または前記溶合窒化物結晶からスライス、および、研磨されたウェーハは、光電子および電子デバイスの作製のための基板として用いることができる。電子デバイスとしては、例えば、発光ダイオード、レーザーダイオード、光検知器、アバランシェフォトダイオード、トランジスタ、整流器、およびサイリスタ;トランジスタ、整流器、ショットキー整流器、サイリスタ、p-i-nダイオード、金属-半導体-金属ダイオード、高電子移動度トランジスタ、金属半導体電界効果トランジスタ、金属酸化物電界効果トランジスタ、パワーモス半導体電界効果トランジスタ、パワー金属絶縁体半導体電界効果トランジスタ、バイポーラ接合トランジスタ、金属絶縁体電界効果トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、電力用絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ、電力用垂直接合電界効果トランジスタ、カスケードスイッチ、内側サブバンドエミッタ、量子井戸型赤外光検知器、量子ドット赤外光検知器、太陽電池、ならびに光電気化学水分解、および、水素発生のうち少なくとも1つのためのダイオードのうち1つがある。いくつかの実施形態において、前記溶合窒化物結晶中のドメイン構造に対する前記デバイスの位置は、個々のデバイスの活性領域が前記溶合窒化物結晶の単一ドメイン内に収まるように、選択される。他の実施形態において、前記溶合窒化物結晶あるいは前記溶合窒化物結晶からスライス、または、研磨して得られたウェーハは、バルク結晶成長のための種晶として用いられる。1つの特定の実施形態において、前記敷設結晶あるいは前記溶合窒化物結晶あるいは前記溶合窒化物結晶からスライスまたは研磨して得られたは、熱アンモニア結晶成長のための種晶として用いられる。別の実施形態において、前記敷設結晶、あるいは、前記溶合窒化物結晶あるいは前記溶合窒化物結晶からスライス、または、研磨して得られたは、HVPE結晶成長のための種晶として用いられる。さらに別の実施形態において、前記ハンドル基板上の非溶合の前記少なくとも2つの窒化物結晶、または、高品質エピタキシャル層、光電子および電子デバイス内への作製用途の基板として用いられる。光電子および電子デバイスの例を挙げると、発光ダイオード、レーザーダイオード、光検知器、アバランシェフォトダイオード、トランジスタ、整流器およびサイリスタのうちの少なくとも1つ、トランジスタ、整流器、ショットキー整流器、サイリスタ、p-i-nダイオード、金属-半導体-金属ダイオード、高電子移動度トランジスタ、金属半導体電界効果トランジスタ、金属酸化物電界効果トランジスタ、パワーモス半導体電界効果トランジスタ、パワー金属絶縁体半導体電界効果トランジスタ、バイポーラ接合トランジスタ、金属絶縁体電界効果トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、電力用絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ、電力用垂直接合電界効果トランジスタ、カスケードスイッチ、内側サブバンドエミッタ、量子井戸型赤外光検知器、量子ドット赤外光検知器、太陽電池、および光電気化学水分解および水素発生のためのダイオードのうちの1つがある。前記少なくとも1つのデバイスは、キャリア上にフリップフロップ取り付けされ、ハンドル基板が除去される。上記において、特定の実施形態の詳細に説明したが、多様な変更、別の構造および均等物の使用が可能である。従って、上記の記載および例示は、本発明の範囲を限定するものとしてとられるべきではない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって規定される。"