"窒化ケイ素粉末である原料粉末と焼結助剤とを混合する混合工程と、上記混合工程により得られた混合粉を成形して圧粉体を生成する成形工程と、上記圧粉体を窒素雰囲気中で焼成することにより窒化ケイ素系セラミックスの焼結体を生成する焼結工程とを含み、上記混合工程において、焼結助剤として、上記原料粉末と上記焼結助剤との合計重量に対する重量比がa重量のY2O3と、b重量のHfO2と、c重量cは0以上1以下のSiO2とを添加し、MgOを添加せず、さらに、b/aが1以上2以下となり、かつ、abcが5.5重量以上11重量以下となるように焼結助剤を添加することを特徴とする窒化ケイ素系セラミックスの製造方法。金属Si粉末、または、窒化ケイ素粉末および金属Si粉末の混合物のいずれかである原料粉末と、焼結助剤とを混合する混合工程と、上記混合工程により得られた混合粉を成形して圧粉体を生成する成形工程と、上記圧粉体を窒素雰囲気中で焼成することにより、上記圧粉体中の金属Siを窒化させる窒化工程と、上記窒化工程後の上記圧粉体を窒素雰囲気中で焼成することにより窒化ケイ素系セラミックスの焼結体を生成する焼結工程とを含み、上記混合工程において、焼結助剤として、上記原料粉末中の金属Si粉末が窒化したと仮定したときの上記原料粉末の重量と上記焼結助剤の重量との合計重量に対する重量比がa重量のY2O3と、b重量のHfO2と、c重量cは0以上1以下のSiO2とを添加し、MgOを添加せず、さらに、b/aが1以上2以下となり、かつ、abcが5.5重量以上11重量以下となるように焼結助剤を添加することを特徴とする窒化ケイ素系セラミックスの製造方法。上記焼結工程において、窒素圧が0.5MPa以上であり、1850°C以上で焼成することを特徴とする請求項1または2に記載の窒化ケイ素系セラミックスの製造方法。上記焼結工程において、1925°C以上で焼成することを特徴とする請求項3に記載の窒化ケイ素系セラミックスの製造方法。上記cが0であり、abが7.5重量以上10重量以下であることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の窒化ケイ素系セラミックスの製造方法。特許文献1,2に記載されているように、窒化ケイ素系セラミックスに添加される焼結助剤として様々な元素の酸化物が存在する。添加される酸化物の種類およびその添加量の組み合わせは膨大であり、高熱伝導率を有する窒化ケイ素系セラミックスを実現するために必要な焼結助剤の種類およびその添加量の組み合わせや焼結条件などの最適化はまだ十分に解明されているとはいえない。例えば、特許文献1,2では、MgOを添加しているが、MgOは低温焼結における緻密化の効果を示すものであり、窒素雰囲気における高温焼結の際には、Mgに還元され蒸発して消失してしまう。そのため、MgOを添加している場合にはその効果を発揮させるために低温焼結を行うことが前提となり、高温焼結による窒化ケイ素の粒成長による熱伝導率の向上を図ることができない。このような観点から、特許文献1,2に記載の技術でも、高熱伝導率を有する窒化ケイ素系セラミックスを実現するために必要な添加物の最適化が十分に図られているとはいえない。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、熱伝導率の高い窒化ケイ素系セラミックスを容易に得ることができる製造方法を提供することを目的とする。本発明者は、鋭意検討の結果、窒化ケイ素系セラミックスにおけるY2O3およびHfO2の含有量の比率が窒化ケイ素系セラミックスの熱伝導率と関係しており、当該比率を制御することで熱伝導率を高めることができるという知見を得た。本発明者は、このような知見に着目し、本発明を見出すに至った。具体的には、本発明の窒化ケイ素系セラミックスの製造方法は、窒化ケイ素粉末である原料粉末と焼結助剤とを混合する混合工程と、上記混合工程により得られた混合粉を成形して圧粉体を生成する成形工程と、上記圧粉体を窒素雰囲気中で焼成することにより窒化ケイ素セラミックの焼結体を生成する焼結工程とを含み、上記混合工程において、焼結助剤として、上記原料粉末と上記焼結助剤との合計重量に対する重量比がa重量のY2O3と、b重量のHfO2と、c重量cは0以上1以下のSiO2とを添加し、MgOを添加せず、さらに、b/aが1以上2以下となり、かつ、abcが5.5重量以上11重量以下となるように焼結助剤を添加することを特徴とする。また、本発明の窒化ケイ素系セラミックスの製造方法は、金属Si粉末、または、窒化ケイ素粉末および金属Si粉末の混合物のいずれかである原料粉末と、焼結助剤とを混合する混合工程と、上記混合工程により得られた混合粉を成形して圧粉体を生成する成形工程と、上記圧粉体を窒素雰囲気中で焼成することにより、上記圧粉体中の金属Siを窒化させる窒化工程と、上記窒化工程後の上記圧粉体を窒素雰囲気中で焼成することにより窒化ケイ素系セラミックスの焼結体を生成する焼結工程とを含み、上記混合工程において、焼結助剤として、上記原料粉末中の金属Si粉末が窒化したと仮定したときの上記原料粉末の重量と上記焼結助剤の重量との合計重量に対する重量比がa重量のY2O3と、b重量のHfO2と、c重量cは0以上1以下のSiO2とを添加し、MgOを添加せず、さらに、b/aが1以上2以下となり、かつ、abcが5.5重量以上11重量以下となるように焼結助剤を添加することを特徴とする。なお、上記の構成において、焼結助剤としてMgOを添加せずとは、MgOを故意に添加しないことを意味しており、Y2O3およびHfO2など他の材料の不純物として含まれるMgOの添加を除外するものではない。すなわち、他の材料の不純物として含まれるような不可避であるMgOのみが窒化ケイ素系セラミックスに含まれる場合、他の構成を充足していれば本発明の範囲に含まれる。上記の構成により、熱伝導率の高い窒化ケイ素系セラミックスを容易に得ることができることが確認された。これは、粒界相として生成されるY2O3-HfO2-SiO2系化合物の液相化の始まる温度が上がることにより、1窒化ケイ素結晶の粒成長を最大限促進させ、2粒界相のガラス成分の量をより低減させ、3窒化ケイ素結晶中の不要元素の量を小さくすることができたことによるものと考えられる。この1の効果により、セラミック中に占める窒化ケイ素結晶を大きくさせることができ、より熱を伝導させやすくなる。また、2の効果により、粒界相の熱伝導率も向上させることができるとともに、3の効果により、窒化ケイ素結晶自体の熱伝導率を向上させることができる。さらに、本発明の製造方法では、上記焼結工程において、窒素圧が0.5MPa以上であり、1850°C以上で焼成することが好ましい。上記の構成によれば、粒界相として生成されるY2O3-HfO2-SiO2系化合物の液相化の始まる温度が上がったとしても、窒素圧を0.5MP以上とすることで窒化ケイ素の分解温度の上がり、より高温で液相焼結させることができる。その結果、窒化ケイ素結晶の粒成長を促すことができる。なお、1925°C以上で焼成することにより、より粒成長を促すことができる。また、上記cが0である場合、abが7.5重量以上10重量以下であることが好ましい。これにより、粒界相を構成する適量の化合物を生成しやすくなる。本発明によれば、熱伝導率の高い窒化ケイ素系セラミックスを容易に得ることができるという効果を奏する。本発明は、熱伝導率の高い窒化ケイ素系セラミックスを容易に製造可能な製造方法を提供するものである。窒化ケイ素系セラミックスの熱伝導率は、窒化ケイ素の結晶における熱伝導率、および、粒界相における熱伝導率の両者に依存する。そのため、窒化ケイ素系セラミックスの熱伝導率を高めるためには、窒化ケイ素結晶および粒界相の熱伝導率の両方を高める必要がある。本発明者らは、鋭意検討の結果、焼結助剤であるY2O3およびHfO2の窒化ケイ素系セラミックスにおける含有量の比率が窒化ケイ素系セラミックスの熱伝導率と関係しており、当該比率を制御することで熱伝導率を高めることができるという知見を得た。本発明はこの知見に基づいてなされたものである。具体的には、窒化ケイ素系セラミックスの製造方法において、原料粉末窒化ケイ素と焼結助剤との合計重量比がa重量のY2O3と、b重量のHfO2と、c重量ただし、cは0以上1以下のSiO2とを添加し、MgOを添加せず、さらに、b/aが1以上2以下となり、かつ、abcが5.5重量以上11重量以下となるように焼結助剤を添加する、Y2O3とHfO2とSiO2と調整する。HfO2については、例えば特許文献1に、粒界相の結晶化の機能が記載されている。また、特許文献2には、HfO2の添加量として、0.3~3質量、好ましくは1.0~2.5質量が記載されている。このように、HfO2の機能として粒界相の結晶化を機能が知られていたものの、その添加量としては3質量より低いことが好ましいとされていた。この点について、例えば特許公報3115238号には、HfO2の添加量が3.0重量を超える場合には熱伝導率および機械的強度の低下が起こるため、と記載されている。しかしながら、本発明者らは、Y2O3とHfO2との比率b/aを1以上2以下とし、かつ、abcを5.5重量以上11重量以下とすることにより、HfO2の含有量が3重量以上でありながら、むしろ熱伝導率を向上させることができるという、従来とは異なる知見を得た。このような熱伝導率の向上は以下の理由からであると考えられる。焼結助剤であるY2O3は、緻密化に寄与するとともに、柱状結晶の粒成長を促進させる機能を有する。これは、Y2O3と窒化ケイ素の表面に生成された酸化ケイ素との化合物例えば、Y2Si2O7やY2SiO5が生成され、当該化合物が液相になることで焼結を促進させるからである。そして、Y2O3にさらにHfO2を添加する場合には、Y2O3-HfO2-SiO2系の化合物が粒界に存在し、当該粒界を液相にすることで焼結を促進させることになる。従来、Y2O3-HfO2-SiO2系の化合物を粒界に存在させる場合、Y2O3の添加量をHfO2の添加量よりも多くすることが通常であった。これは、Y2O3の添加量がHfO2の添加量よりも多い領域でY2O3-HfO2-SiO2系の化合物の共晶点が存在し、より低い温度から液相を形成するように粒界成分を調整することで、窒化ケイ素結晶の粒成長を促進させるためである。しかしながら、このような従来の知見とは逆に、Y2O3の重量比含有量a、HfO2の重量比含有量bの比率b/aを1以上2以下とすることで、窒化ケイ素系セラミックスの熱伝導性が向上することが確認された。これは、Y2O3の重量比a、HfO2の重量比bの比率b/aを1以上2以下にすることにより、焼結助剤と窒化ケイ素の表面に生成されたSiO2もしくは焼結助剤として添加したSiO2とで生成されるY2O3-HfO2-SiO2系化合物の液相化の始まる温度が1900°C付近窒化ケイ素の分解温度よりもわずかに低い温度になるためであると考えられる。すなわち、粒界相として生成されるY2O3-HfO2-SiO2系化合物の液相化の始まる温度が窒化ケイ素の分解温度に近くなることにより、窒化ケイ素系セラミックスの焼結温度を、分解温度よりもわずかに低い温度に設定することとなる。その結果、液相焼結をより高温で行うこととなり、窒化ケイ素結晶の粒成長を最大限促進させることとなる。また、生成されるY2O3-HfO2-SiO2系化合物の液相化の始まる温度と焼成温度とが近いため、焼結温度から降温させる際にHfO2が再結晶化しやすく、粒界相のガラス成分の量をより低減させることができる。さらに、HfO2は再結晶する際に、窒化ケイ素結晶中の不純物を取り込み、窒化ケイ素結晶を純化させることが考えられる。そのため、上記のようにHfO2が再結晶化しやすいことでHfO2が取り込む不純物の量も多くなり、窒化ケイ素結晶中の不要元素の量も小さくなり、より高純度な窒化ケイ素結晶が生成されることとなる。このように、Y2O3の重量比含有量a、HfO2の重量比含有量bの比率b/aを1以上2以下とすることで、1窒化ケイ素結晶の粒成長を最大限促進させ、2粒界相のガラス成分の量をより低減させ、3窒化ケイ素結晶中の不要元素の量を小さくすることができたことによるものと考えられる。この1の効果により、セラミック中に占める窒化ケイ素結晶を大きくさせることができ、より熱を伝導させやすくなる。また、2の効果により、粒界相の熱伝導率も向上させることができるとともに、3の効果により、窒化ケイ素結晶自体の熱伝導率を向上させることができる。その結果、窒化ケイ素系セラミックスの熱伝導率が向上するものと考えられる。なお、abcが5.5重量未満である場合、上記1から3の効果が小さく、11重量より大きい場合、粒界成分が多くなりすぎて熱伝導率が低下する。そのため、abcを5.5重量以上11重量以下とする。また、他の焼結助剤を添加することも可能であるが、1850°Cを超える温度であり、かつ、窒素雰囲気下で焼結する際に、還元され蒸発して消失しやすいような焼結助剤例えば、MgOは添加しない。これは、1850°Cを超える温度で焼結させる際にも焼結助剤として機能し、窒化ケイ素を粒成長させて窒化ケイ素結晶の熱伝導率を高めるためである。以下、本発明の実施形態に係る窒化ケイ素系セラミックスの製造方法について説明する。<実施形態1>図1は、実施形態1に係る製造方法の工程の流れを示す図である。S1.調合工程まず、窒化ケイ素系セラミックスの原料となる、窒化ケイ素粉末、焼結助剤であるY2O3およびHfO2の粉末を準備する。なお、焼結助剤として、さらにSiO2を加えても良い。ただし、上述したように、1850°Cを超える温度で焼結する際に消失しやすい焼結助剤例えば、MgOは添加しない。この際、窒化ケイ素粉末と焼結助剤の粉末との合計重量に対する、Y2O3の重量比をa重量、HfO2の重量比をb重量、SiO2の重量比をc重量とするとき、b/aを1以上2以下とする。また、abcを5.5重量以上11重量以下とする。ただし、cは、0以上1以下である。このようにa,b,cを設定する理由は上述したとおりである。なお、SiO2の重量比が1重量を超える場合、粒界相として生成されるY2O3-HfO2-SiO2系化合物に対してSiO2が過剰となってしまう。また、c=0の場合は、abは7.5重量以上10重量以下であることのが好ましい。c=0の場合、Y2O3およびHfO2が窒化ケイ素原料の表面に形成されたSiO2と反応することで、Y2O3-HfO2-SiO2系化合物が生成される。窒化ケイ素原料の表面に形成されたSiO2の量は、窒化ケイ素粉末の種類や粒径等にも依存する。そのため、窒化ケイ素原料の表面に形成されたSiO2の量が少ない場合であっても、abは7.5重量以上であれば、SiO2の近傍に存在するY2O3およびHfO2の量が増え、適量のY2O3-HfO2-SiO2系化合物がより生成されやすくなる。S3.混合造粒工程次に、調合工程で得られた粉末を混合する混合工程。混合方式としては例えばボールミルを用いた湿式混合を用いることができるが、これに限定されるものではない。具体的には、ボール径10mmのSi3N4ボールを用いて24h混合させればよい。その後、各粉末の混合粉を乾燥させて造粒する造粒工程。この際、顆粒状にするために適宜バインダー樹脂等を添加してもよい。S5.成形工程続いて、造粒物を所定形状の成形型に充填し、加圧成形することで圧粉体を形成する。加圧成形の方法としては、一軸プレス成形法、冷間静水等方圧プレスCIP法などを用いることができる。また、一軸プレス成形法により仮成形した後にCIPを用いて本成形してもよい。S7.脱脂工程成形工程で得られた圧粉体の中には、造粒工程で添加したバインダー樹脂などの有機物が含まれている。そこで、例えば空気中で250~500°Cの温度に上げることで、これらの有機物を除く脱脂処理を行う。S9.焼結工程続いて、圧粉体を窒素雰囲気中で焼成することにより、緻密化させる。焼成温度の設定最高温度は、1850°C以上であることが好ましい。また、少なくとも、設定最高温度から当該設定最高温度よりも100°C低い温度までの温度域において、周囲の窒素圧を0.5MPa以上にすることが好ましい。これにより、窒化ケイ素が分解することを防ぐとともに、1850°C以上の高温で焼成することができる。さらに、焼成温度の設定最高温度は、1925°C以上であることが好ましい。さらに1950°C以上であることが好ましい。これにより、窒化ケイ素結晶の粒成長をより促進させることができる。<実施形態2>次に、別の実施形態に係る窒化ケイ素系セラミックスの製造方法について説明する。本実施形態の製造方法は、金属Si粉末を出発原料として窒化ケイ素系セラミックスを製造する方法である。図2は、実施形態2に係る製造方法の工程の流れを示す図である。S1a.原料準備工程まず、窒化ケイ素系セラミックスの原料粉末である金属Si粉末と、焼結助剤であるY2O3およびHfO2の粉末とを準備する。なお、焼結助剤として、さらにSiO2等を加えても良い。ただし、上述したように、1850°Cを超える温度で焼結する際に消失するような焼結助剤例えば、MgOは添加しない。および各種の焼結助剤の粉末を準備する。また、金属Si粉末とともに、窒化ケイ素粉末を加えてもよい。この場合、金属Si粉末と窒化ケイ素粉末との混合物が原料粉末となる。S2a.粉砕工程次に、金属Si粉末を湿式粉砕機により粉砕する。湿式粉砕機としては様々な機械があるが、細粒化が可能なビーズミルを用いることが好ましい。ビーズミルとは、ベッセルと呼ばれる容器の中にビーズ粉砕メディア、ビーズ径0.015~2mmを充填して回転させ、液体に原料粉末が混合されたスラリーを送り込み、ビーズと衝突させることで微粉砕する粉砕機である。なお、ビーズの材料としては、Si3N4を用いることが好ましい。これにより、不純物の混入を防止することができる。また、スラリーに各種の分散剤を添加し、スラリー粘度を制御することが好ましい。S3a.混合造粒工程次に、粉砕後の原料粉末と焼結助剤とが所定の組成比になるように混合する混合工程。この際、金属Si粉末が窒化したと仮定したときの原料粉末の重量と、焼結助剤との合計重量に対する、Y2O3の重量比をa重量、HfO2の重量比をb重量、SiO2の重量比をc重量とするとき、b/aを1以上2以下とする。また、abcを5.5重量以上11重量以下とする。ただし、cは、0以上1以下である。このようにa,b,cを設定する理由は上述したとおりである。なお、原料粉末として金属Si粉末のみを用いる場合には、金属Si粉末の重量にSiの原子量×3Nの原子量×4/Siの原子量×3を乗じることで、金属Si粉末が窒化したと仮定したときの原料粉末の重量を求めることができる。また、金属Si粉末と窒化ケイ素粉末との混合物を原料粉末として用いる場合、金属Si粉末の重量にSiの原子量×3Nの原子量×4/Siの原子量×3を乗じた値と、窒化ケイ素粉末の重量との合計が、金属Si粉末が窒化したと仮定したときの原料粉末の重量となる。混合方式としては、例えば、ボール径10mmのSi3N4ボールを用いて湿式混合させればよい。その後、原料粉末と焼結助剤との混合粉を乾燥させて造粒する造粒工程。この際、顆粒状にするために適宜バインダー樹脂等を添加してもよい。その後、実施形態1と同様に、S5.成形工程、S7.脱脂工程を行う。なお、造粒工程において、フェノール樹脂のような、溶融または気化することによって気孔を形成する造孔剤を添加してもよい。造孔剤を添加することにより、S5.脱脂工程において造孔剤が溶融または気化し、圧粉体に微小な気孔が形成される。その結果、金属Siと窒素との接触面積を増やすことができ、後述する窒化工程において金属Siの窒化を促進させることができる。S8.窒化工程反応焼結工程次に、脱脂された圧粉体を、窒素雰囲気中で1200~1450°Cの範囲で焼成することにより、金属Siの窒化を行う。ここで、焼成温度およびその保持時間は、圧粉体の大きさ等により適宜設定すればよい。本実施形態では、金属Si粉末をビーズミルにより微粉砕している。そのため、窒素と接触する金属Siの表面積が大きくなり、窒素との反応がし易くなっている。その結果、窒化工程における焼成温度を従来よりも低く設定することができる。続いて、窒化工程により得られた焼結体である反応焼結体に対して、実施形態1と同様に、S9.焼結工程を行う。本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明する。ただし、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。<実施例1~17、比較例1~7>上記の実施形態1に記載の方法に従って実施例1~17、比較例1~7の試料を作製した。S1.調合工程出発原料として、以下のものを用いた。窒化ケイ素粉末:宇部興産株製SN-E10Y2O3:信越化学工業株製RU-PHfO2:株高純度化学研究所製SiO2:株アドマテックス製So-C2また、重量比は、後述する表1に記載したとおりである。S3.混合造粒工程S1の工程にて得た混合粉100gおよび分散剤中京油脂製セルナE5032.0mlをエタノール120mlに加え、ボール径5mmのSi3N4ボールを用いて、ボールミル混合を24h行った。その後、混合粉100gに対して、パラフィン4wt、DOPジオクチルフタレート1wtを添加して造粒した。S5.成形工程その後、外径11mmの円柱状の中空部を有する金型を用いて、一軸プレス成形法により、50MPaの圧力を30秒間加えて成形した。さらに、冷間静水等方圧プレスCIP法により、200MPaの圧力を60秒間加えて成形した。これにより、圧粉された圧粉体を得た。S7.脱脂工程S9.焼結工程得られた圧粉体を空気中で250°Cで3時間保持した後、500°Cで3時間保持することにより、脱脂を行った。その後、各実施例について、後述する表1に記載の焼成条件で焼結工程を行った。なお、焼結工程では、0.9MPaの窒素を4l/minの速度で流しながら焼成した。<実施例18~21>上記の実施形態2に記載の方法に従って実施例18~21の試料を作製した。S1a.原料準備工程出発原料である金属Si粉末として、山石金属株製の600粉末を用いた。焼結助剤は、実施例1~17と同じ原料を用いた。S2a.粉砕工程ビーズミルとして、アシザワファインテック社製のミニツェアを用い、粉砕メディアとしてビーズ径0.5mmのSi3N4ビーズを290g用いた。そして、金属Si粉末1200gとエタノール4000gを混合したスラリーをビーズミルに10パス通過させ、粉砕した。なお、ビーズミルの回転数は3000rpmである。S3.混合造粒工程粉砕後の金属Si粉末と焼結助剤との組成比を調整して混合した。各実施例の重量比は、後述する表1に記載したとおりである。なお、表1では、金属Si粉末が窒化したときの窒化ケイ素と焼結助剤との組成比で示している。そのため、金属Si粉末の配合量は、窒化ケイ素Si3N4の重量に、Siの原子量×3/Siの原子量×3Nの原子量×4を乗じた値となる。なお、実施例18~21では窒化ケイ素粉末を添加していない。具体的には、ビーズミル粉砕物金属Si粉末と焼結助剤との混合粉57g、および、造孔剤エアウォーターベルパール株製ベルパールR200をエタノール120mlに加え、ボール径5mmのSi3N4ボールを用いて、ボールミル混合を24h行った。なお、造孔剤の添加量は、混合粉と造孔剤との合計体積に対して30volとした。その後、各実施例の混合粉100gに対して、パラフィンを4wt、DOPジオクチルフタレートを6wt、シクロヘキサンを35ml/100gを添加して造粒した。S5.成形工程その後、外径11mmの円柱状の中空部を有する金型を用いて、一軸プレス成形法により、6MPaの圧力を30秒間加えて成形した。さらに、冷間静水等方圧プレスCIP法により、200MPaの圧力を60秒間加えて成形した。これにより、圧粉された圧粉体を得た。S5.脱脂工程S8.窒化工程S9.緻密化工程得られた圧粉体を500°Cで3時間保持し、脱脂を行った。さらに、窒化工程において、窒素雰囲気中で1400°Cで8時間保持することにより窒化を行った。その後、各実施例について、後述する表1に記載の焼成条件で焼結工程を行った。なお、焼結工程では、0.9MPaの窒素を4l/minの速度で流しながら焼成した。<評価>焼結工程後の焼結体について相対密度を測定した。相対密度は、理論密度に対するアルキメデス法による実測密度の比率を算出することで求めている。表1に示されるように、いずれの試料についても相対密度96以上を示しており、十分な焼結体が得られていることが確認された。図3は、実施例2の焼結体を示すSEM走査型電子顕微鏡写真である。図3に示されるように、柱状の窒化ケイ素結晶が生成されているとともに、空孔のない緻密化された焼結体であることがわかる。次に、全ての実施例および比較例について、レーザーフラッシュ法により熱伝導率を測定した。測定器として、株リガク製LF/TCM-FA8510Bを用いた。熱伝導率の測定結果を表1に示している。表1に示されるように、Y2O3の含有量a重量とHfO2の含有量b重量との比b/aが1以上2以下であり、abcが5.5重量以上11重量以下を満たす実施例1~20において、熱伝導率が80W/mK以上となることが確認された。一方、比b/aが1未満である比較例1,2,6,7では熱伝導率が低かった。これは、粒界相を構成するY2O3-HfO2-SiO2系化合物の液相化の始まる温度と焼結温度との差が大きく、粒界相においてガラス成分の残存しやすく、かつ、HfO2による窒化ケイ素結晶中の不要元素の量を取り込む効果が小さかったものと考えられる。また、比b/aが2を超える比較例5でも熱伝導率が低かった。これは、粒界成分が液相になりにくいためである。また、abcの値が16である比較例3,4でも熱伝導率が低かった。これは、粒界相が多くなりすぎたことによる。また、実施例2の試料について、JISR1601に準拠した3×4×35mmの矩形状試験片を用いてスパン30mmの3点曲げ試験により3点曲げ強度を測定した。その結果、777MPaと高い強度を示すことが確認された。また、実施例2の試料について絶縁抵抗を測定した結果を図4に示す。図示されるように、電解強度が103V/cmを超えても高い絶縁抵抗を示すことが確認された。このように、本実施例の窒化ケイ素系セラミックスは、高い強度ならびに絶縁抵抗を有するため、半導体用基板として実用可能な材料であるといえる。"