"一側面に発熱素子が実装される基板とこの基板に接続されるリードフレームの一部とが封止部材により封止される半導体装置の製造方法であって、前記基板の他側面の外縁に対して環状に接触可能な環状部が形成された前記リードフレームを用意する第1工程と、前記外縁を除く前記他側面が前記環状部の内方から露出面として露出するように前記基板を前記リードフレームに組み付ける第2工程と、前記環状部を封止用金型に押し当てて前記露出面を密閉した状態で当該封止用金型内に前記封止部材を注入することで、前記露出面を除き前記基板および前記リードフレームを前記封止部材により封止する第3工程と、前記露出面に対して、熱伝導部材を介在させた状態で放熱板を取り付ける第4工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第4工程は、前記露出面に対して、前記熱伝導部材として接着剤を介在させた状態で、前記放熱板を接着して取り付けることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第4工程は、前記露出面に対して、前記熱伝導部材として放熱ゲルを介在させた状態で、前記放熱板を支持部材を用いて取り付けることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第4工程は、前記露出面に対して、前記熱伝導部材として放熱グリスを介在させた状態で、前記放熱板を支持部材を用いて取り付けることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第4工程は、前記露出面に対して前記放熱板を取り付ける際に、前記環状部の内方を囲うように前記封止部材と前記放熱板との双方に密着する環状仕切部を設けることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記環状部の内方には、当該環状部の内縁間を連結する連結部が形成されることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記放熱板と、この放熱板の放熱性を高めるための放熱体とが締結具により締結されることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記露出面には、前記基板を検査するための検査用電極が設けられ、前記第4工程は、前記検査用電極が電気的に絶縁された状態で、前記露出面に対して、前記熱伝導部材を介在させた状態で前記放熱体を取り付けることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。一側面に発熱素子が実装される基板とこの基板に接続されるリードフレームの一部とが封止部材により封止される半導体装置であって、前記リードフレームには、前記基板の他側面の外縁に対して環状に接触可能な環状部が形成され、前記封止部材により、前記外縁を除く前記他側面が前記環状部の内方から露出面として露出するように前記基板を前記リードフレームに組み付けて接続した状態で、前記露出面を除き前記基板および前記リードフレームが封止され、前記露出面に対して熱伝導部材を介在させた状態で放熱体が取り付けられ、この露出面には、前記基板を検査するための検査用電極が電気的に絶縁された状態で設けられていることを特徴とする半導体装置。前記熱伝導部材は接着剤であって、前記放熱体は、前記露出面に対して、前記接着剤を介在させた状態で接着して取り付けられることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。前記熱伝導部材は放熱ゲルであって、前記放熱体は、前記露出面に対して、前記放熱ゲルを介在させた状態で支持部材を用いて取り付けられることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。前記熱伝導部材は放熱グリスであって、前記放熱体は、前記露出面に対して、前記放熱グリスを介在させた状態で支持部材を用いて取り付けられることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。前記環状部の内方を囲うように前記封止部材と前記放熱体との双方に密着する環状仕切部を備えることを特徴とする請求項9~12のいずれか一項に記載の半導体装置。ところで、モールド成形型を用いて基板等をモールド樹脂により封止する場合、上記特許文献1,2,4に開示される構成では、基板の露出面に対して金型の凸部等を隙間なく接触させる必要がある。露出面と金型の接触面との間に隙間があると、モールド成形時にこの隙間にモールド樹脂が回り込んで露出面の少なくとも一部が覆われてしまい、露出面と放熱体との間の接触面積が十分に確保できず、露出面を介した放熱効果が低下してしまうからである。このため、金型の上記接触面の平面度等、金型の高精度化が求められ、設備コストが増加するだけでなく、この設備を用いて成形した半導体装置の製造コストも増大するという問題がある。また、基板裏面の保護樹脂の平面度が低いことからモールド樹脂が回り込みやすいだけでなく、セラミック基板を金型に直接押しつけると、保護樹脂や基板裏面に印刷されているパターンが損傷を受ける可能性がある。また、上記特許文献3に開示される半導体チップの側面に凸部を設ける構成では、そもそも、モールド成形型を用いて基板等をモールド樹脂により封止する場合には、凸部周囲にもモールド樹脂が回り込んでしまい、上記効果を奏することができないという問題がある。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、封止部材から露出する基板の露出面を用いた放熱経路の放熱性を高め得る半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することにある。上記目的を達成するため、請求項1に記載の半導体装置の製造方法は、一側面11bに発熱素子12が実装される基板11とこの基板に接続されるリードフレーム20の一部とが封止部材30により封止される半導体装置10,10a,10bの製造方法であって、前記基板の他側面11aの外縁11cに対して環状に接触可能な環状部22が形成された前記リードフレームを用意する第1工程と、前記外縁を除く前記他側面が前記環状部の内方から露出面16として露出するように前記基板を前記リードフレームに組み付ける第2工程と、前記環状部を封止用金型60,61に押し当てて前記露出面を密閉した状態で当該封止用金型内に前記封止部材を注入することで、前記露出面を除き前記基板および前記リードフレームを前記封止部材により封止する第3工程と、前記露出面に対して、熱伝導部材51,53を介在させた状態で放熱板40を取り付ける第4工程と、を備えることを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第4工程は、前記露出面に対して、前記熱伝導部材として接着剤51を介在させた状態で、前記放熱板を接着して取り付けることを特徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第4工程は、前記露出面に対して、前記熱伝導部材として放熱ゲル53を介在させた状態で、前記放熱板を支持部材25を用いて取り付けることを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第4工程は、前記露出面に対して、前記熱伝導部材として放熱グリス53を介在させた状態で、前記放熱板を支持部材25を用いて取り付けることを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第4工程は、前記露出面に対して前記放熱板を取り付ける際に、前記環状部の内方を囲うように前記封止部材と前記放熱板との双方に密着する環状仕切部31を設けることを特徴とする。請求項6に記載の発明は、請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記環状部の内方には、当該環状部の内縁間を連結する連結部23,24が形成されることを特徴とする。請求項7に記載の発明は、請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記放熱板と、この放熱板の放熱性を高めるための放熱体41とが締結具42により締結されることを特徴とする。請求項8に記載の発明は、請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記露出面には、前記基板を検査するための検査用電極17が設けられ、前記第4工程は、前記検査用電極が電気的に絶縁された状態で、前記露出面に対して、前記熱伝導部材を介在させた状態で前記放熱板を取り付けることを特徴とする。請求項9に記載の半導体装置は、一側面11bに発熱素子12が実装される基板11とこの基板に接続されるリードフレーム20の一部とが封止部材30により封止される半導体装置10,10a,10bであって、前記リードフレームには、前記基板の他側面11aの外縁11cに対して環状に接触可能な環状部22が形成され、前記封止部材により、前記外縁を除く前記他側面が前記環状部の内方から露出面16として露出するように前記基板を前記リードフレームに組み付けて接続した状態で、前記露出面を除き前記基板および前記リードフレームが封止され、前記露出面に対して熱伝導部材51,53を介在させた状態で放熱板40が取り付けられ、この露出面には、前記基板を検査するための検査用電極17が電気的に絶縁された状態で設けられていることを特徴とする。請求項10に記載の発明は、請求項9に記載の半導体装置において、前記熱伝導部材は接着剤51であって、前記放熱板は、前記露出面に対して、前記接着剤を介在させた状態で接着して取り付けられることを特徴とする。請求項11に記載の発明は、請求項9に記載の半導体装置において、前記熱伝導部材は放熱ゲル53であって、前記放熱板は、前記露出面に対して、前記放熱ゲルを介在させた状態で支持部材25を用いて取り付けられることを特徴とする。請求項12に記載の発明は、請求項9に記載の半導体装置において、前記熱伝導部材は放熱グリス53であって、前記放熱板は、前記露出面に対して、前記放熱グリスを介在させた状態で支持部材25を用いて取り付けられることを特徴とする。請求項13に記載の発明は、請求項9~12のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記環状部の内方を囲うように前記封止部材と前記放熱板との双方に密着する環状仕切部31を備えることを特徴とする。なお、上記各括弧内の符号は、後述する各実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。請求項1の発明では、第1工程により、上記環状部が形成されたリードフレームが用意され、第2工程により、上記露出面が環状部の内方から露出するように基板がリードフレームに組み付けられる。そして、第3工程により、環状部を封止用金型に押し当てて露出面を密閉した状態で当該封止用金型内に封止部材を注入することで、露出面を除き基板およびリードフレームが封止部材により封止される。そして、第4工程により、露出面に対して、熱伝導部材を介在させた状態で放熱板が取り付けられる。このように、環状部を封止用金型に押し当てて露出面を密閉した状態で当該封止用金型内に封止部材が注入されるので、露出面への封止部材の流出を防止することができる。したがって、封止用金型を高精度化することなく、封止部材から露出する基板の露出面を用いた放熱経路の放熱性を高めることができる。請求項2の発明では、第4工程により、露出面に対して、熱伝導部材として接着剤を介在させた状態で、放熱板が接着して取り付けられるので、接着剤を介した放熱経路の構築と露出面に対する放熱板の取り付けとを容易に実施することができる。請求項3の発明では、第4工程により、露出面に対して、熱伝導部材として放熱ゲルを介在させた状態で、放熱板が支持部材を用いて取り付けられるので、放熱ゲルを介した放熱経路の構築と支持部材を用いた露出面に対する放熱板の取り付けとを容易に実施することができる。請求項4の発明では、第4工程により、露出面に対して、熱伝導部材として放熱グリスを介在させた状態で、放熱板が支持部材を用いて取り付けられるので、放熱グリスを介した放熱経路の構築と支持部材を用いた露出面に対する放熱板の取り付けとを容易に実施することができる。請求項5の発明では、第4工程により、露出面に対して放熱板を取り付ける際に、環状部の内方を囲うように封止部材と放熱板との双方に密着する環状仕切部が設けられるので、この環状仕切部と封止部材および放熱板とにより囲まれた空間が密閉される。これにより、この密閉空間内に配置される熱伝導部材を周囲の腐食ガス等から好適に保護することができる。請求項6の発明では、環状部の内方には、当該環状部の内縁間を連結する連結部が形成されるため、環状部の剛性が増し、環状部をより強い押圧力で封止用金型に押し当てることができるので、露出面への封止部材の流出を確実に防止することができる。また、基板をリードフレームに接着する際の組付け応力を、この連結部が受け、基板の割れを防ぐ事ができる。請求項7の発明では、放熱板と、この放熱板の放熱性を高めるための放熱体とが締結具により締結されるので、封止部材から露出する基板の露出面を用いた放熱経路の放熱性をさらに高めることができる。請求項8の発明では、第4工程により、露出面に設けられる検査用電極が電気的に絶縁された状態で当該露出面に対して、熱伝導部材を介在させた状態で放熱板が取り付けられる。これにより、第3工程後であって第4工程前の基板、すなわち、露出面が露出するように封止部材により封止された基板について、検査用電極が封止部材から露出することとなるので、この検査用電極を用いて、封止された基板を好適に検査することができる。また、熱伝導部材を介在させて放熱板が取り付けられた基板についても、放熱板および熱伝導部材を取り除くことで検査用電極が封止部材から露出するので、この露出した検査用電極を用いて好適に検査することができる。この結果、検査のみに使用するアウターリードを設けて、当該半導体装置の外部に取り出す必要が無くなるので、リード端子設計に余裕をもたせることができる。また、封止部材をレーザーデキャッパや、発煙硝酸等により取り除く手間を省くことができる。さらに、熱伝導部材として放熱ゲルや放熱グリスを用いて放熱経路を構築する場合には、基板や封止部材等を傷つけることなく熱伝導部材や放熱板を取り除けるので、動作確認、検査等を容易に実施することができる。請求項9の発明では、リードフレームには、基板の他側面の外縁に対して環状に接触可能な環状部が形成され、この環状部の内方から露出面が露出するように基板をリードフレームに組み付けて接続した状態で、この露出面を除き基板およびリードフレームが封止部材により封止される。また、上記露出面に対して熱伝導部材を介在させた状態で放熱板が取り付けられており、当該露出面には、検査用電極が電気的に絶縁された状態で設けられる。これにより、封止部材により封止された基板であっても、放熱板および熱伝導部材を取り除くことで検査用電極が封止部材から露出するので、この露出した検査用電極を用いて好適に検査することができる。また、封止部材による封止後であって放熱板および熱伝導部材の取り付け前の製造段階での基板であっても、露出面の検査用電極を用いて好適に検査することができる。請求項10の発明では、放熱板は、露出面に対して、接着剤を介在させた状態で接着して取り付けられるため、接着剤を介した放熱経路の構築と露出面に対する放熱板の取り付けとを容易に実施することができる。請求項11の発明では、放熱板は、露出面に対して、放熱ゲルを介在させた状態で支持部材を用いて取り付けられるため、放熱ゲルを介した放熱経路の構築と支持部材を用いた露出面に対する放熱板の取り付けとを容易に実施することができる。請求項12の発明では、放熱板は、露出面に対して、放熱グリスを介在させた状態で支持部材を用いて取り付けられるため、放熱グリスを介した放熱経路の構築と支持部材を用いた露出面に対する放熱板の取り付けとを容易に実施することができる。請求項13の発明では、環状部の内方を囲うように封止部材と放熱板との双方に密着する環状仕切部が設けられるので、この環状仕切部と封止部材および放熱板とにより囲まれた空間が密閉される。これにより、この密閉空間内に配置される熱伝導部材を周囲の腐食ガス等から好適に保護することができる。[第1実施形態]以下、本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法を具現化した第1実施形態について、図面を参照して説明する。図1は、第1実施形態に係る半導体装置10の構成を概略的に示す断面図である。図1に示すように、第1実施形態に係る半導体装置10は、回路基板11と、この回路基板11に電気的に接続される複数のリード21を有するリードフレーム20の一部とが、封止部材として機能するモールド樹脂30により封止モールドされて構成されている。特に、回路基板11の裏側面11aの中央部が露出面16としてモールド樹脂30から矩形状に露出しており、この露出面16に対して、回路基板11からの熱を放熱する放熱経路を構成する略平板状の放熱板40が、その凸部40aにて熱伝導部材として接着剤51を介在させた状態で接着して取り付けられる。この放熱板40には、この放熱板40の放熱性を高めるための放熱体41が、締結具として例えばボルト42を用いて締結されることで熱的に接続されており、この放熱体41は、表面積を大きくするために複数の凹部が表面に形成されている。なお、本実施形態では、接着剤51として、例えば、シリコーン接着剤が採用されている。回路基板11は、アルミナ等からなるセラミック層が複数層積層されて構成されるセラミック積層基板である。この回路基板11の表側面11bには、ICチップ12等の発熱素子やコンデンサ13等の各種電子部品が実装搭載されており、Au金線等のボンディングワイヤ14を介して表側面11b上の所定の配線パターンにそれぞれ接続されている。このように構成される回路基板11は、対応する各リード21に対してAlアルミニウム線等のボンディングワイヤ15を介してそれぞれ電気的に接続されている。また、回路基板11の裏側面11aには、放熱板40等との絶縁を保つため、またキズ等から守るための絶縁保護膜が形成されている。なお、裏側面11aおよび表側面11bは、特許請求の範囲に記載の他側面および一側面の一例に相当し得る。図2は、モールド樹脂30により封止される前のリードフレーム20の詳細形状を示す説明図であり、この図2から分かるように、リードフレーム20には、回路基板11に電気的に接続される複数のリード21とともに、回路基板11の裏側面11aの外縁11cに対して環状に接触可能な環状部22が矩形状の開口を有するように形成されている。このように構成されるリードフレーム20には、外縁11cを除く裏側面11aが環状部22の内方から上述した露出面16として露出するように、ポリアミド等の接着剤52を介して回路基板11が組み付けられる。すなわち、リードフレーム20の環状部22は、回路基板11を裏側面11aから支持するブラケットとして機能することとなる。モールド樹脂30は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂から構成されており、リードフレーム20の環状部22と回路基板11の露出面16とが矩形状に露出するように、回路基板11とリードフレーム20の一部とを封止している。モールド樹脂30と放熱板40との間には、環状部22の内方、すなわち、露出面16を囲うようにモールド樹脂30と放熱板40との双方に密着する環状仕切部31が設けられている。この環状仕切部31は、例えば、エポキシ樹脂、ポリアミド、Oリング等からなり、当該環状仕切部31とモールド樹脂30および放熱板40とにより囲まれた空間を密閉することで、この密閉空間内に配置される接着剤51等を周囲の腐食ガス等から好適に保護するように機能する。次に、本実施形態に係る半導体装置10の製造方法の工程を、図2~図4を用いて詳細に説明する。図3A~Dおよび図4E~Hは、本実施形態における半導体装置10の製造方法の工程を示す説明図である。まず、図2に示す環状部22および各リード21が形成されたリードフレーム20を形成して用意する。なお、図2に示す工程は、特許請求の範囲に記載の第1工程の一例に相当し得る。次に、図3Aに示すように、アルミナ等からなるセラミック層を複数層積層したセラミック積層基板として回路基板11を成形する。続いて、この回路基板11の表側面11bの所定の位置に部品を搭載するための部品接着剤を印刷法等により塗布した後、この部品接着剤を介してICチップ12やコンデンサ13等の電子部品を組み付け、部品接着剤を硬化させる。次に、図3Bに示すように、表側面11bに固定したICチップ12やコンデンサ13等の電子部品と表側面11b上の所定の配線パターンとを、ボンディングワイヤ14を介してそれぞれ電気的に接続する。続いて、図3Cに示すように、裏側面11aの外縁11c等にリードフレーム20を接着固定等するための接着剤52が塗布される。そして、図3Dに示すように、回路基板11を、その外縁11cを除く裏側面11aが環状部22の内方から上述した露出面16として露出するように、リードフレーム20の環状部22に接着剤52を介して組み付ける。次に、図4Eに示すように、回路基板11の表側面11b上の所定の配線パターンと対応するリード21とを、ボンディングワイヤ15を介してそれぞれ電気的に接続する。なお、図3Dおよび図4Eに示す工程は、特許請求の範囲に記載の第2工程の一例に相当し得る。次に、上述のように組み付けられた回路基板11およびリードフレーム20を上型60aおよび下型60bから構成されるモールド成形型60内の所定の位置に配置する。続いて、図4Fに示すように、リードフレーム20の環状部22がモールド成形型60の下型60bの壁面61に押し付けられるように図略の押圧用ピン等で押圧することで、露出面16が露出する空間が密閉空間Sとして密閉される。そして、このように密閉空間Sが密閉された状態で、モールド樹脂30を構成する封止用材料をモールド成形型60内に注入する。これにより、図4Gに示すように、回路基板11およびリードフレーム20の一部とが、露出面16および環状部22を露出させるように、モールド樹脂30により封止モールドされる。なお、図4Fおよび図4Gに示す工程は、特許請求の範囲に記載の第3工程の一例に相当し、モールド成形型60は、特許請求の範囲に記載の封止用金型の一例に相当し得る。そして、図4Hに示すように、放熱板40の凸部40aをモールド樹脂30から露出する露出面16に接着剤51を介在させた状態で接着して取り付ける。続いて、モールド樹脂30と放熱板40との間であって露出面16を囲うように、モールド樹脂30と放熱板40との双方に密着する環状仕切部31を環状に形成する。なお、図4Hに示す工程は、特許請求の範囲に記載の第4工程の一例に相当し得る。このように接着剤51を介在させて露出面16に取り付けられた放熱板40に対して、放熱体41をボルト42を用いて締結することで、図1に示す半導体装置10が完成する。なお、放熱体41を組み付けることなく、接着剤51を介在させて放熱板40を取り付けた状態で半導体装置の完成としてもよい。以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置10の製造方法では、図2に示す工程により、環状部22が形成されたリードフレーム20が用意され、図3Dおよび図4Eに示す工程により、露出面16が環状部22の内方から露出するように回路基板11がリードフレーム20に組み付けられるとともに、これら回路基板11およびリードフレーム20が接続される。そして、図4Fおよび図4Gに示す工程により、環状部22をモールド成形型60の壁面61に押し当てて露出面16を密閉した状態で当該モールド成形型60内に封止用材料を注入することで、露出面16を除き回路基板11およびリードフレーム20がモールド樹脂30により封止される。そして、図4Hに示す工程により、露出面16に対して、接着剤51を介在させた状態で放熱板40が取り付けられる。このように、環状部22をモールド成形型60の壁面61に押し当てて露出面16を密閉した状態で当該モールド成形型60内に封止用材料が注入されるので、露出面16への封止用材料の流出を防止することができる。したがって、モールド成形型60を高精度化することなく、モールド樹脂30から露出する回路基板11の露出面16を用いた放熱経路の放熱性を高めることができる。また、上述のようにモールド樹脂30により封止されることから、基板裏面の保護樹脂の平面度が低い場合でもモールド樹脂30の回り込みが防止されるだけでなく、回路基板11をモールド成形型60の壁面61に直接押しつけることもないので、保護樹脂や基板裏面に印刷されているパターンが損傷を受けることをなくすことができる。特に、露出面16に対して、熱伝導部材として接着剤51を介在させた状態で、放熱板40が接着して取り付けられるので、接着剤51を介した放熱経路の構築と露出面16に対する放熱板40の取り付けとを容易に実施することができる。また、露出面16に対して放熱板40を取り付ける際に、環状部22の内方を囲うようにモールド樹脂30と放熱板40との双方に密着する環状仕切部31が設けられるので、この環状仕切部31とモールド樹脂30および放熱板40とにより囲まれた空間が密閉される。これにより、この密閉空間内に配置される接着剤51熱伝導部材を周囲の腐食ガス等から好適に保護することができる。さらに、放熱板40と、この放熱板40の放熱性を高めるための放熱体41とがボルト42により締結されているので、モールド樹脂30から露出する回路基板11の露出面16を用いた放熱経路の放熱性をさらに高めることができる。図5A,Bは、第1実施形態の変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図である。第1実施形態の変形例として、環状部22の内方には、当該環状部22の内縁間を連結する補強用の連結部が形成されてもよい。この連結部としては、例えば、図5Aに示すように、1つの連結部23が環状部22の内縁間を連結するように設けられてもよいし、図5Bに示すように、十字状の連結部24が環状部22の内縁間を複数箇所連結するように設けられてもよい。これにより、環状部22の剛性が増し、環状部22をより強い押圧力でモールド成形型60に押し当てることができるので、露出面16への封止用材料の流出を確実に防止することができる。また、回路基板11をリードフレーム等に接着する際の組付け応力を、この連結部23,24が受け、回路基板11の割れを防ぐ事ができる。[第2実施形態]次に、本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法を具現化した第2実施形態について、図面を参照して説明する。図6は、第2実施形態に係る半導体装置10aの構成を概略的に示す断面図である。本第2実施形態に係る半導体装置10aでは、露出面16に、回路基板11を検査するための検査用電極17が設けられる点が、上記第1実施形態に係る半導体装置と異なる。一般にモールド樹脂30等の封止部材により封止された回路基板を検査するためには、当該封止部材から露出するリード等を検査用の電極として使用する必要がある。しかしながら、専用の検査用電極を封止部材から露出させると、通常使用されない電極リードが設けられることとなり、当該半導体装置の小型化等を妨げる要因となってしまう。そこで、本実施形態では、図6に示すように、露出面16には、回路基板11を検査するための検査用電極17が設けられており、この検査用電極17は、放熱板40から絶縁するための絶縁シート18により覆われている。そして、検査用電極17を絶縁シート18により絶縁した状態の露出面16に対して、接着剤51を介在させた状態で放熱板40が取り付けられる。これにより、第3工程後であって第4工程前の回路基板11、すなわち、露出面16が露出するようにモールド樹脂30により封止された回路基板11について、絶縁シート18を除去することで、検査用電極17がモールド樹脂30から露出することとなるので、この検査用電極17を用いて、封止された回路基板11を好適に検査することができる。また、接着剤51を介在させて放熱板40が取り付けられた回路基板11についても、放熱板40および接着剤51を取り除き絶縁シート18を除去することで検査用電極17がモールド樹脂30から露出するので、この露出した検査用電極17を用いて好適に検査することができる。この結果、検査のみに使用するアウターリードを設けて、当該半導体装置10の外部に取り出す必要が無くなるので、リード端子設計に余裕をもたせることができる。また、モールド樹脂30をレーザーデキャッパや、発煙硝酸等により取り除く手間を省くことができる。なお、本実施形態では、接着剤51が導電性を有することを前提に検査用電極17を絶縁シート18により覆っているが、導電性を持たない接着剤熱伝導部材を使用する場合には、この接着剤が絶縁機能を有することとなるので、絶縁シート18を廃止して、露出面16に対して、そのまま接着剤を介在させた状態で放熱板40を取り付けることもできる。本第2実施形態の検査用電極17等の特徴的構成は、上記第1実施形態に係る変形例や後述する他の実施形態等に適用されてもよい。[第3実施形態]次に、本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法を具現化した第3実施形態について、図面を参照して説明する。図7は、第3実施形態に係る半導体装置10bの構成を概略的に示す断面図である。本第3実施形態に係る半導体装置10bでは、熱伝導部材として、接着剤51に代えて放熱ゲル53を採用するとともに、ブラケット25を新たに採用する点が、上記第1実施形態に係る半導体装置と異なる。具体的には、図7に示すように、各ブラケット25は、その一部が回路基板11やリードフレーム20とともにモールド樹脂30によりそれぞれ封止され、残部がモールド樹脂30の下端から放熱板40に対して取付可能にそれぞれ延出している。そして、各ブラケット25の延出部をボルト43等により放熱板40に締結することで、露出面16と凸部40aとが対向するように固定される。このため、露出面16と凸部40aとの間に放熱ゲル53を介在させることで、露出面16に対して、放熱板40が、その凸部40aにて熱伝導部材として放熱ゲル53を介在させた状態で各ブラケット25を用いて取り付けられることとなる。このように、露出面16に対して、熱伝導部材として放熱ゲル53を介在させた状態で、放熱板40がブラケット25を用いて取り付けられるので、放熱ゲル53を介した放熱経路の構築とブラケット25を用いた露出面16に対する放熱板40の取り付けとを容易に実施することができる。なお、ブラケット25は、特許請求の範囲に記載の支持部材の一例に相当し得る。また、上記第3実施形態の変形例として、放熱ゲル53に代えて、放熱グリス53を採用してもよい。このようにしても、露出面16に対して、熱伝導部材として放熱グリス53を介在させた状態で、放熱板40がブラケット25を用いて取り付けられるので、放熱グリス53を介した放熱経路の構築とブラケット25を用いた露出面16に対する放熱板40の取り付けとを容易に実施することができる。本第3実施形態の放熱ゲルや放熱グリス等の熱伝導部材を用いた特徴的構成は、上記第1実施形態に係る変形例や他の実施形態等に適用されてもよい。特に、第2実施形態のように、露出面16に回路基板11を検査するための検査用電極17を設ける構成では、回路基板11やモールド樹脂30等を傷つけることなく熱伝導部材放熱ゲルや放熱グリスや放熱板40を取り除けるので、動作確認、検査等を容易に実施することができる。なお、本発明は上記各実施形態および変形例に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよい。1放熱板40とモールド樹脂30から露出する露出面16との間に介在する熱伝導部材としては、接着剤51や放熱ゲル53、放熱グリス53を採用することに限らず、放熱板40と露出面16との放熱経路を構成可能な部材を採用してもよい。この場合、放熱ゲル53や放熱グリス53のように接着力を有しない熱伝導部材を採用する場合には、上述したブラケット25などの支持部材を用いることで、露出面16に対して、当該熱伝導部材を介在させた状態で、放熱板40を取り付けることができる。2モールド樹脂30から露出する露出面16は、矩形状に露出することに限らず、例えば、円形状に露出してもよい。この場合、リードフレーム20の環状部22は、露出すべき露出面16の形状に応じて形成することができる。"