"研磨パッドを調整する方法であって、前記研磨パッドの表面と調整ディスクを接触させるステップと、前記研磨パッドの前記表面全体にわたって前記調整ディスクを掃引しながら、前記研磨パッドの厚さを測定するステップと、前記研磨パッドの前記測定された厚さと標準的な厚さの研磨パッドプロファイルを比較するステップと、前記研磨パッドの前記測定された厚さと前記標準的な厚さの研磨パッドプロファイルの前記比較に基づいて、前記調整ディスクの休止時間を調整するステップとを含む方法。前記調整された休止時間を使用して、前記研磨パッドの前記表面全体にわたって前記調整ディスクを掃引するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記研磨パッドが調整ゾーンに分割され、前記調整ディスクの前記休止時間が、各調整ゾーン内の前記調整ディスクの滞留時間と定義される、請求項2に記載の方法。前記研磨パッドの特定の調整ゾーンに対して測定された前記研磨パッドの厚さが前記標準的な研磨パッドの厚さより大きい場合、前記調整掃引中にその特定の調整ゾーンに対して前記調整ディスクの前記休止時間が増大される、請求項3に記載の方法。前記研磨パッドの特定の調整ゾーンに対して測定された前記研磨パッドの厚さが前記標準的な研磨パッドの厚さより小さい場合、前記調整掃引中にその特定の調整ゾーンに対して前記調整ディスクの前記休止時間が低減される、請求項3に記載の方法。前記調整された休止時間を使用して、前記研磨パッドの前記表面全体にわたって前記調整ディスクを掃引するステップが、前記研磨パッドの前記表面上で基板が研磨されている間にインサイチュで行われる、請求項2に記載の方法。前記調整された休止時間を使用して、前記研磨パッドの前記表面全体にわたって前記調整ディスクを掃引するステップが、前記基板の研磨間にエクスシチュで行われる、請求項2に記載の方法。前記研磨パッドの前記厚さが、前記調整ディスクと結合された調整アームと結合された誘導性センサを使用して測定される、請求項1に記載の方法。研磨パッドを調整する方法であって、最初の調整方策を使用して研磨パッドを調整しながら、内蔵型の誘導性センサを使用して前記研磨パッドの厚さを測定するステップであって、前記最初の調整方策が最初の休止時間プロファイルに基づく最初の掃引予定を含む、ステップと、前記研磨パッドの前記測定された厚さと最初の研磨前のパッドの厚さプロファイルを比較し、この差を使用して測定されたパッド摩耗プロファイルを構築するステップと、前記測定されたパッド摩耗プロファイルとターゲットパッド摩耗プロファイルを比較するステップと、前記測定されたパッド摩耗プロファイルとターゲットパッド摩耗プロファイルの前記比較に基づいて、変更された休止時間プロファイルを求めるステップと、前記変更された休止時間プロファイルに基づいて、変更された掃引予定を策定するステップと、前記変更された掃引予定に基づいて、前記調整ディスクの休止時間を調整するステップとを含む方法。前記変更された掃引予定を使用して、前記研磨パッドを調整するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。研磨パッドを調整するステップが、前記研磨パッドの表面と調整ディスクを接触させることと、前記研磨パッドの前記表面全体にわたって前記調整ディスクを掃引することとをさらに含み、前記誘導性センサが、前記調整ディスクと結合された調整アームと結合される、請求項9に記載の方法。変更された休止時間プロファイルを求めるステップが、前記研磨パッドを調整ゾーンに分割することを含み、前記調整ディスクの前記休止時間が、各調整ゾーン内の前記調整ディスクの滞留時間と定義される、請求項9に記載の方法。前記研磨パッドの特定の調整ゾーンに対して測定された前記研磨パッドの厚さが前記ターゲット研磨パッドの厚さより大きい場合、前記調整掃引中にその特定の調整ゾーンに対して前記調整ディスクの前記休止時間が増大される、請求項12に記載の方法。前記研磨パッドの特定の調整ゾーンに対して測定された前記研磨パッドの厚さが前記ターゲット研磨パッドの厚さより小さい場合、前記調整掃引中にその特定の調整ゾーンに対して前記調整ディスクの前記休止時間が低減される、請求項12に記載の方法。前記変更された掃引予定を使用して、前記研磨パッドを調整するステップが、前記研磨パッドの前記表面上で基板が研磨されている間にインサイチュで行われる、請求項10に記載の方法。理解を容易にするために、可能な場合、複数の図に共通の同一の要素を指すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素および特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態で有益に組み込むことができることが企図される。本明細書に記載の実施形態は、一般に、基板の平坦化のための方法および装置を提供する。より詳細には、本明細書に記載の実施形態は、研磨パッドの調整のための方法および装置を提供する。化学機械平坦化CMPパッドは、許容できる性能をもたらす表面を維持するために、調整を必要とする。しかし、調整は、パッド表面を再生するだけではなく、パッド材料およびスラリ輸送溝をすり減らす。許容できない調整の結果、パッドプロファイルが不均一になることがあり、パッドの生産寿命を制限する。本明細書に記載の特定の実施形態では、調整掃引の閉ループ制御CLCを使用して、パッド寿命全体を通してパッド全体にわたって均一な溝深さの除去を行うことができる。調整アーム内へセンサを内蔵して、パッドスタックの厚さをインサイチュおよびリアルタイムで監視することができる。厚さセンサからのフィードバックを使用して、パッド表面全体にわたってパッドコンディショナーの休止時間を修正し、パッドおよびディスクが老化するにつれて起こりうるパッドプロファイルのずれを補正することができる。パッドプロファイルCLCにより、連続した調整で溝深さを均一に低減させることができ、消耗品寿命をより長くし、動作コストを低減させる。パッド調整は、許容できる処理性能を維持するために、CMPにおいて広範囲にわたって使用される。ウエハ上の薄膜材料除去率MRRは、研磨剤ディスクによる定期的なパッド表面の調整を行わなければ急速に劣化する。パッドまたはパッドセットの寿命全体を通して許容できるウエハ内の不均一性WIWNUおよび欠陥性を維持するには、適当な調整間隔も必要である。しかし、調整は、パッド上面を再生するだけではなく、スラリの分散に使用される溝を含むパッド上面をすり減らす。これらの溝が不均一にすり減った場合、パッドの有効寿命が低減する可能性がある。許容できない調整の結果、パッドプロファイルが不均一になることがあり、それによってパッドの生産寿命を制限する。パッドプロファイルの不均一性は、消耗品の交換および後の処理の再認定のため、ツール動作コストに重大な衝撃を与える可能性がある。パッド調整掃引予定は、パッドプロファイルの不均一性に影響を与える最も重大な要因の1つである。回転研磨ツールの場合、プラテン全体にわたる調整ディスクの運動は通常、放射状の調整ゾーンに分割される。各ゾーン内の調整ディスクの滞留時間、または休止時間は、所望の掃引予定をもたらすように調整することができる。通常、固定された線形および正弦波形の掃引予定が一般に使用される。しかし、固定の掃引予定では、処理のずれおよび使用される消耗品たとえば、スラリのばらつきを補正できないことが多い。広範囲にわたって調整されたパッドに対するパッドスタックの厚さまたは溝深さプロファイルを測定することによって、優れたパッド内摩耗プロファイル性能をもたらす休止時間プロファイルを予測するように設計されたモデルが試験されてきた。パッド厚さプロファイルの測定は通常、中断を伴う傾向があり、本質的に破壊的であることが多いため、研磨動作中には実行されない。現在、コンディショナー掃引予定は静的であり、一度確立されると、処理のずれに応答して自己調整しない。本明細書に記載の実施形態は、プラテン内のパッド摩耗の不均一性を補正する閉ループ制御方法を提供する。パッド調整アーム内へ内蔵された非接触センサを使用して、調整動作中でも、調整および研磨動作とは関係なくても、パッド厚さまたは除去プロファイルを監視することができる。内蔵型のセンサからのフィードバックは、高性能の処理制御APCシステムまたはコントローラへ送られ、APCシステムまたはコントローラは、測定されたパッド除去プロファイルとターゲット除去プロファイルを比較する。次いでAPCシステムは、ターゲットパッド摩耗プロファイルからの逸脱を補正するように、掃引予定内の各ゾーンに対するコンディショナー休止時間を修正する。閉ループ制御方法は、ディスク設計、前側の平坦さ、および調整摩耗率の違いに左右されないと考えられる。この方法は、許容できない最初の掃引プロファイル設定、またはパッドおよびディスクが老化するにつれて起こりうるパッドプロファイルのずれを補正することができ、パッド寿命全体を通して均一のパッド内摩耗プロファイルを維持することができる。この方法はまた、スラリなどの消耗品の変動性、ならびにディスク間およびパッド間のばらつきを補正することができる。本明細書に記載の実施形態を実行できる特定の装置は限定されるものではないが、カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials,Inc.から市販のReflexionGT商標システム、REFLEXION登録商標LKCMPシステム、およびMIRRAMESA登録商標システム内でこれらの実施形態を実行すると特に有益である。さらに、他の製造者から入手可能なCMPシステムも、本明細書に記載の実施形態からの利益を得ることができる。本明細書に記載の実施形態は、2009年4月9日出願のPOLISHINGSYSTEMHAVINGATRACKという名称の、本発明の譲受人に譲渡された、現在は米国特許出願第2009/0258574号として公開されている米国特許出願第12/420,996号に記載のオーバーヘッドトラック研磨システムを含めて、オーバーヘッド式の円形のトラック研磨システム上で実行することもできる。同願を、全体として参照により本明細書に組み込む。図1は、化学機械研磨CMPシステム100の一実施形態を示す上面図である。CMPシステム100は、ファクトリインターフェース102、洗浄装置104、および研磨モジュール106を含む。ファクトリインターフェース102と研磨モジュール106の間で基板170を移送するために、湿式ロボット108が提供される。湿式ロボット108はまた、研磨モジュール106と洗浄装置104の間で基板を移送するように構成することもできる。ファクトリインターフェース102は、1つまたは複数のカセット114と1つまたは複数の移送プラットフォーム116の間で基板170を移送するように構成された乾式ロボット110を含む。図1に示す一実施形態では、4つの基板貯蔵カセット114を示す。乾式ロボット110は、4つのカセット114と1つまたは複数の移送プラットフォーム116の間の移送を容易にするのに十分な運動範囲を有する。任意選択で、乾式ロボット110をレールまたはトラック112上に取り付けて、ファクトリインターフェース102内でロボット110を側方に位置決めし、それによって、大型または複雑なロボットの連結を必要とすることなく、乾式ロボット110の運動範囲を増大させることができる。乾式ロボット110は、洗浄装置104から基板を受け取り、清浄な研磨された基板を基板貯蔵カセット114へ戻すようにさらに構成される。図1に示す実施形態には、1つの基板移送プラットフォーム116を示すが、2つ以上の基板移送プラットフォームを提供することもでき、したがって湿式ロボット108によって研磨モジュール106へ同時に移送するために、少なくとも2つの基板を待たせることができる。図1をさらに参照すると、研磨モジュール106は複数の研磨ステーション124を含み、研磨ステーション124上で、基板が1つまたは複数のキャリアヘッド126A、126B内に保持されたまま研磨される。研磨ステーション124は、2つ以上のキャリアヘッド126A、126Bと同時に整合するように寸法設定され、したがって、単一の研磨ステーション124を使用して、2つ以上の基板の研磨を同時に行うことができる。キャリアヘッド126A、126Bは、図1に想像線で示すオーバーヘッドトラック128に取り付けられたキャリッジ図示せずに結合される。オーバーヘッドトラック128により、研磨モジュール106の周りにキャリッジを選択的に位置決めすることができ、それによって研磨ステーション124およびロードカップ122の上へキャリアヘッド126A、126Bを選択的に位置決めすることが容易になる。図1に示す実施形態では、オーバーヘッドトラック128は円形の構成を有し、それによってキャリアヘッド126A、126Bを保持するキャリッジは、ロードカップ122および研磨ステーション124の上を、ならびに/またはロードカップ122および研磨ステーション124から離れて、選択的に独立して回転させることができる。オーバーヘッドトラック128は、長円形、楕円形、線形、または他の適した配向を含む他の構成を有することができ、他の適したデバイスを使用して、キャリアヘッド126A、126Bの運動を容易にすることができる。図1に示す一実施形態では、研磨モジュール106の向かい合わせの隅部に位置する2つの研磨ステーション124を示す。湿式ロボット108に最も近い研磨ステーション124間の研磨モジュール106の隅部には、少なくとも1つのロードカップ122が位置する。ロードカップ122は、湿式ロボット108とキャリアヘッド126A、126Bの間の移送を容易にする。任意選択で、ロードカップ122とは反対側の研磨ステーション124の隅部に、第3の研磨ステーション124想像線で示すを位置決めすることもできる。別法として、湿式ロボット近傍に位置決めされたロードカップ122とは反対側の研磨モジュール106の隅部に、第2の対のロードカップ122同じく想像線で示すを配置することもできる。より大きな設置面積を有するシステム内の研磨モジュール106内に、追加の研磨ステーション124を内蔵することもできる。各研磨ステーション124は、少なくとも2つの基板を同時に研磨することが可能な研磨表面130を有する研磨パッド200図2参照と、基板のそれぞれに対して一致する数の研磨ユニットとを含む。研磨ユニットはそれぞれ、1つまたは複数のキャリアヘッド126A、126B、調整モジュール132、および研磨流体供給モジュール134を含む。一実施形態では、調整モジュール132は、研磨破片を除去してパッドの孔をあけることによって研磨パッド200の研磨表面130を仕上げるパッド調整アセンブリ140を備えることができる。別の実施形態では、研磨流体供給モジュール134は、スラリ供給アームを備えることができる。一実施形態では、各研磨ステーション124は、複数のパッド調整アセンブリ132、133を備える。一実施形態では、各研磨ステーション124は、各研磨ステーション124へ流体流を供給する複数の流体供給アーム134、135を備える。研磨パッド200は、処理中に研磨表面130を回転させるプラテンアセンブリ240図2参照上で支持される。一実施形態では、研磨表面130は、化学機械研磨および/または電気化学機械研磨処理の少なくとも1つに適している。別の実施形態では、プラテンは、研磨中、約80rpm~約100rpmなど、約10rpm~約150rpm、たとえば約50rpm~約110rpmの速度で回転させることができる。システム100は、電源180と結合される。図2は、本明細書に記載の実施形態による調整モジュール132を有する研磨ステーション124の部分斜視図である。各調整モジュール132は、パッド調整アセンブリ140を含む。一実施形態では、パッド調整アセンブリ140は調整ヘッド242を備え、調整ヘッド242は、支持アセンブリ246によって、両者の間に介在する調整アーム244を用いて支持される。一実施形態では、パッド調整アセンブリ140は、調整アーム244と結合された変位センサ260をさらに備える。別の実施形態では、変位センサ260は、調整ヘッド242と結合することができる。支持アセンブリ246は、調整ヘッド242を研磨表面130に接触させて位置決めするように適合され、調整ヘッド242と研磨表面130の間に相対運動を提供するようにさらに適合される。調整アーム244は、調整ヘッド242に結合された遠位端と、基礎247に結合された近位端とを有する。基礎247は、研磨表面130全体にわたって調整ヘッド242を掃引して研磨表面130を調整するように回転する。研磨パッド200の研磨表面130に対する調整ヘッド242の相対運動の結果、変位センサ260は、研磨表面130および研磨パッド200の厚さ測定を行う。調整アームに結合されたセンサによって、通常動作サイクルの一部分において研磨パッド200の厚さを様々な点で測定することができ、付随する論理により、測定データを捕獲および表示することができる。いくつかの実施形態では、変位センサ260は、誘導性センサを利用することができる。変位センサ260がレーザベースのセンサである実施形態では、研磨パッド200の厚さは直接測定される。調整アーム244は、プラテン240に対して固定の位置にあり、レーザは、アームに対して固定の位置にある。したがって、レーザは、プラテンアセンブリ240に対して固定の位置にある。処理パッドまでの距離を測定し、研磨パッド200までの距離とプラテンアセンブリ240までの距離の差を計算することによって、研磨パッド200の残りの厚さを求めることができる。いくつかの実施形態では、レーザベースの変位センサ260を使用する厚さ測定の分解能は、25μmの範囲内とすることができる。変位センサ260が誘導性センサである実施形態では、研磨パッド200の厚さは間接的に測定される。調整アーム244は、調整ヘッド242が処理パッド200に接触するまで、枢動点の周りで作動される。枢動ベースの調整アーム244の端部には、電磁界を放出する誘導性センサが取り付けられる。ファラデーの誘導法則によれば、閉ループ内の電圧は、時間変化による磁界変化に直接比例する。印加される磁界が強ければ強いほど、発達する渦電流はより大きくなり、逆磁界もより大きくなる。センサからの信号は、センサの先端部から金属のプラテンアセンブリ240までの距離に直接関係する。プラテンアセンブリ240が回転すると、調整ヘッド242はパッドの表面に乗り、誘導性センサは、研磨パッド200のプロファイルに応じて調整アーム244とともに上下する。誘導性センサが金属のプラテンアセンブリ240に近づくと、処理パッドの摩耗を示し、信号の電圧が増大する。センサからの信号は処理され、研磨パッドアセンブリ200の厚さのばらつきを捕獲する。いくつかの実施形態では、誘導性センサ260を使用する厚さ測定の分解能は、1μmの範囲内とすることができる。調整ヘッド242はまた、制御可能な圧力またはダウンフォースを提供して調整ヘッド242を研磨表面130の方へ制御可能に押すように構成される。一実施形態では、ダウンフォースは、約0.5lbf22.2N~約14lbf62.3N、たとえば約1lbf4.45N~約10lbf44.5Nの範囲内とすることができる。調整ヘッド242は通常、研磨表面130全体にわたって掃引運動で側方に回転および/または移動する。一実施形態では、調整ヘッド242の側方運動は、プラテンアセンブリ240の回転と組み合わせて研磨表面130全体を調整できるように、研磨表面130の中心の周りから研磨表面130の外縁部の周りの範囲内で線形または弧状とすることができる。調整ヘッド242は、使用しないときは調整ヘッド242をプラテンアセンブリ240から離すように、さらなる運動範囲を有することができる。調整ヘッド242は、調整ディスク248を収納して研磨表面130に接触させるように適合される。調整ディスク248は、調整アーム244の既存の上下運動を利用する磁石および空気圧アクチュエータなどの受動機構によって、調整ヘッド242と結合することができる。調整ディスク248は通常、研磨表面130に接触するように、調整ヘッド242の収納を約0.2mm~約1mm越えて延びる。調整ディスク248は、研磨表面130を損傷しないナイロン、綿布、ポリマー、または他の軟化材料から作ることができる。別法として、調整ディスク248は、荒くした表面にダイヤモンド粒子を付着または形成したテキスチャ付きのポリマーまたはステンレス鋼から作ることができる。ダイヤモンド粒子は、約30ミクロン~約100ミクロンの寸法範囲とすることができる。研磨システム100の制御および研磨システム100上で実行される処理を容易にするために、研磨システム100には、中央処理装置CPU192、メモリ194、および支持回路196を備えるコントローラ190が接続される。CPU192は、様々なドライバおよび圧力を制御するために産業用の設定で使用できるコンピュータ処理装置の任意の形式の1つとすることができる。メモリ194は、CPU192に接続される。メモリ194またはコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリRAM、読出し専用メモリROM、フロッピー登録商標ディスク、ハードディスク、または任意の他の形式のローカルもしくは遠隔デジタルストレージなどの容易に入手可能なメモリの1つまたは複数とすることができる。支持回路196は、従来通り処理装置を支持するように、CPU192に接続される。これらの回路には、キャッシュ、電源、クロック回路、入出力回路、サブシステムなどが含まれる。図3は、パッド調整方法の一実施形態を示す流れ図300である。流れ図300に示す方法は、均一の研磨パッドプロファイルを維持し、または研磨パッドの有用寿命全体を通して不均一のパッド研磨プロファイルを補正する調整処理を実現する。ブロック310で、研磨パッドの表面全体にわたって調整ディスクを掃引しながら、研磨パッドの厚さを測定する。研磨パッドの厚さは、本明細書に記載の誘導性センサなどの変位センサを使用して測定することができる。測定された研磨パッドの厚さを使用して、測定された研磨パッドの厚さプロファイルを作ることができる。ブロック320で、測定された研磨パッドの厚さと、ターゲット値とすることができる標準的な研磨パッドの厚さプロファイルを比較する。標準的な研磨パッドの厚さプロファイルは、平坦な除去プロファイルたとえば、研磨パッドの溝深さの均一の低減に基づいて求めることができる。ブロック330で、ブロック320で実行した比較に基づいて、調整ディスクの休止時間の調整が行われる。調整ディスクの休止時間は、各調整ゾーン内の調整ディスクの滞留時間と定義される。研磨パッドの特定の領域に対して測定された研磨パッドの厚さが標準的な研磨パッドの厚さより大きい場合、研磨掃引中にその特定の調整ゾーンに対して調整ディスクの休止時間を増大させる。研磨パッドの特定の調整ゾーンに対して測定された研磨パッドの厚さが標準的な研磨パッドの厚さより小さい場合、研磨掃引中にその特定の調整ゾーンに対して調整ディスクの休止時間を低減させる。研磨表面の調整は、基板が処理されている間に排他的に行うことができインサイチュ調整、基板の処理間に進めることができエクスシチュ調整、または調整とは独立して行うことができる。いくつかの実施形態では、調整は、基板が装置上に位置決めされ、処理され、また装置から除去されるときに連続して行うことができる混合調整。他の実施形態では、調整は、研磨前、研磨中、または研磨後に開始することができ、研磨前、研磨中、または研磨後に終了することができる。図4は、パッド調整方法の別の実施形態を示す流れ図400である。流れ図400に示す方法は、均一の研磨パッドプロファイルを維持し、または研磨パッドの有用寿命全体を通して不均一のパッド研磨プロファイルを補正する調整処理を実現する。ブロック410で、最初の休止時間プロファイルに基づく最初の掃引予定を含む最初の調整方策が提供される。ブロック420で、最初の調整方策によって研磨パッドを調整しながら、内蔵型のセンサを使用して研磨パッドの厚さを測定する。研磨パッドは、研磨パッド上で基板を研磨しながら調整することができる。ブロック430で、研磨パッドの測定された厚さと最初の研磨前のパッドの厚さプロファイルを比較し、両者の差を使用して測定されたパッド摩耗プロファイルを構築する。ブロック440で、測定されたパッド摩耗プロファイルとターゲットパッド摩耗プロファイルを比較する。ブロック450で、測定されたパッド摩耗プロファイルとターゲットパッド摩耗プロファイルの比較に基づいて、変更された休止時間プロファイルを求める。ブロック460で、変更された休止時間プロファイルに基づく変更された掃引予定を策定する。ブロック470で、変更された掃引予定に基づいて、調整ディスクの休止時間を調整する。変更された掃引予定に基づいて変更された調整方策は、さらなる基板を処理するとき、研磨パッドのエクスシチュ、インサイチュ、または混合の調整に使用することができる。実施例以下の非限定的な例は、本明細書に記載の実施形態についてさらに説明するために提供する。しかし、これらの例は、包括的なものではなく、本明細書に記載の実施形態の範囲を限定しようとするものではない。パッド摩耗の調査は、カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials,Inc.から入手可能なREFLEXION登録商標LK300mmというCMPシステム上で行い、TheDowChemicalCompanyから入手可能なIC1010ポリウレタンパッド、および3MCorporationから入手可能なA165ダイヤモンド調整ディスクを使用した。この研磨器は、内蔵型の非接触厚さセンサ図2参照を特徴とする新しいパッド調整アーム設計を追加することによって修正した。パッドの厚さ測定は、調整中にパッド全体にわたってパッド調整アームが掃印されるときに収集した。ダイアル式の指示器および直径の小さいワイアスタイラスを有する深さゲージであるMitutoyoAbsoluteDigimaticIndicatorピンゲージを使用して、研磨パッドの残りの溝深さの手動測定から、パッドの摩耗プロファイルも得た。調整のみエクスシチュ調整の場合および研磨中の調整インサイチュ研磨の場合に対して、実験を行った。パッドは、調整のみの実行中には脱イオン水で濡らし、研磨の実行には、CabotCorp.から入手可能なSEMI-SPERSE登録商標12またはSEMI-SPERSE登録商標25脱イオン水と1:1で希釈を使用した。後者の場合、キャリアヘッド速度87rpmおよび平均膜圧4.5psiで除去率の高い層間誘電体ILD処理を使用して、熱酸化させたシリコンウエハまたはQuartzUnlimitedからの石英ディスクを研磨した。すべての実行で、プラテン速度は93rpmとした。95rpmのヘッド速度で9lb4.08kgの負荷を印加して、パッドコンディショナーを動作させた。掃引速度は1分当たり19回であり、1.7インチ4.32cm~14.7インチ37.3cmの掃引範囲を、13個の等距離のゾーンに分割した。開ループモードで実行される固定の線形の掃引予定図5A参照による調整と、本明細書に記載の実施形態による閉ループ制御下の調整可能な掃引予定図5B参照による調整とで、パッド除去プロファイルを比較した。最初の線形の掃引予定は、調整方策の範囲内で設定した。開ループ制御の場合、実行全体を通して線形掃引予定は維持された。閉ループ制御の場合、内蔵型のセンサからのフィードバックに基づいて、掃引予定は自動的に更新された。調整のみの実行IC1010パッドを、開ループの固定の休止実行で10時間を超える調整にかけ、また休止時間の閉ループ制御下で22時間の調整にかけた。調整のみの実行中、DI水を使用し、基板とパッドの接触はなかった。図6Aに示すように、開ループおよび閉ループの実行に対する掃引予定は最初、すべてのゾーン全体にわたって同一かつ均一平坦であった。しかし、閉ループ制御方式を使用した後は、パッドの極めて縁部のゾーン内で休止時間を最小にして、パッドの外縁部の摩耗を最小にし始める。閉ループ制御の実行が進むと、相対的な休止時間は縁部付近のゾーンで増大し、プラテンの中心付近のゾーン内で低減する。こうした休止時間のばらつきの理由を図6Bに示す。開ループの場合、パッド除去は、プラテンの中心に近づくプラテンの中心から約3インチ7.62cm~6インチ15.2cmと最も大きくなり、縁部付近の領域では最も小さくなる。閉ループの場合、最終的な休止時間プロファイルは、最終的な開ループのパッド除去プロファイルのほぼ逆になる。閉ループの休止時間プロファイルの結果、図6Bに観察される平坦な除去プロファイルが得られる。ピンゲージの測定と内蔵型のセンサの測定の間で、良好な一致プロファイルの整合が観察される。有用なパッド寿命は、パッドの任意の領域内の溝が残り深さ5ミルまですり減るたとえば、最初の溝深さが30ミルの場合、25ミルがすり減る累積調整時間と定義される。パッドの摩耗プロファイルが不均一である場合、平均的なパッドの摩耗ではなく、パッドのうち最も速く摩耗する領域が、有用なパッド寿命を制限する。図6Bに示すように、開ループ処理は、プラテンの中心から最大約5インチ12.7cmのパッド摩耗を有する。パッドの残り部分全体にわたって、特にプラテン縁部付近で十分な溝深さが依然として残っている場合でも、この摩耗の速い帯域が寿命を制限する。閉ループ制御では、除去プロファイルは平坦になる。溝深さの均一な低減により、パッド寿命が増大する。研磨中の調整の実行研磨中の調整は、調整のみの実行中に観察されるものに類似のパッド内除去プロファイルをもたらす。結果は、熱酸化物基板または石英ディスク上のスラリ研磨の実行たとえば、シリカスラリに関して比較され、一方は開ループモードであり、他方は閉ループ制御モードであり、どちらも2,000枚を超えるウエハを研磨する調整時間は20時間を超える。この場合も、開ループおよび閉ループの実行に対する最初の掃引予定は最初、すべてのゾーン全体にわたって同一かつ均一平坦である図7A参照。閉ループ制御方式を使用した後は、パッドの極めて縁部のゾーン内および半径中間付近で休止時間を最小にして、縁部付近の領域およびプラテン中心で休止時間を増大させ始める。2,000枚のウエハの開ループの基線実行に対するパッド摩耗結果を、図7Bに示す。不均一性プロファイルは、パッド摩耗率がプラテンの中心でより速いことを除いて、休止が固定された調整のみの実行で見られるもの図6Bに類似している。平坦なパッド除去プロファイルを維持するために、閉ループ制御システムは、ほとんどすべての半径中間ゾーンに対して休止時間を低減させながら、中心ゾーンの休止時間を増大させた。掃引予定の閉ループ制御により、パッド材料の除去はより均一になり、溝深さの低減はより均一になった。休止時間の閉ループ制御は、研磨した2,000枚を超えるウエハに対して、平坦な除去プロファイルをもたらした。ピンゲージの測定と内蔵型のセンサの測定の間で、良好な一致が得られた。調整のみの実行と研磨中の調整の実行を延長した場合のパッドプロファイルの不均一性範囲の比較を表1に示す。ピンゲージで測定したとき、閉ループのパッドプロファイル制御を使用すると、溝深さのばらつきは40を超えて低減した。内蔵型のセンサ測定は、75を超えるプロファイルの不均一性の低減を示した。本明細書に記載の実施形態は、調整掃引の閉ループ制御CLCを使用して、パッド寿命全体を通してパッド全体にわたって均一な溝深さの除去を行うことができる新しい調整手法を提供する。調整アーム内へ内蔵された非接触センサにより、パッドスタックの厚さをインサイチュおよびリアルタイムで監視することができる。厚さセンサからのフィードバックを使用して、掃引予定内の各ゾーンに対するパッドコンディショナーの休止時間を修正し、パッドおよびディスクが老化するにつれて起こりうるパッドプロファイルのずれを補正する。パッドプロファイルCLCにより、連続した調整で溝深さを均一に低減させることができ、消耗品寿命をより長くし、動作コストを低減させる。閉ループのパッドプロファイル制御を使用すると、溝深さのばらつきは40を超えて低減しており、有用なパッド寿命は20増大すると考えられる。本明細書では、特定の実施形態について、溝付きの研磨パッドに関連して論じたが、本明細書に記載の方法は、表面の特徴をもたない研磨パッド、および表面の特徴たとえば、穿孔、エンボス加工された表面特徴などを有する研磨パッドを含めて、すべての非金属の研磨パッドに適用できることも理解されたい。上記は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他のさらなる実施形態を考案することができ、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決まる。"