"基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層と、前記導電層の外側の表面上に配置された第1のはんだ層と、前記第1のはんだ層の外側の表面上に配置された第2のはんだ層とを備え、前記第1のはんだ層の融点が、前記第2のはんだ層の融点よりも低い、導電性粒子。前記導電層が、1層の構造又は2層以上の積層構造を有し、前記導電層が1層の構造を有する場合には、前記導電層の導電性が、前記第1のはんだ層及び前記第2のはんだ層の導電性よりも高く、前記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、前記導電層の最外層の導電性が、前記第1のはんだ層及び前記第2のはんだ層の導電性よりも高い、請求項1に記載の導電性粒子。前記導電層が、1層の構造又は2層以上の積層構造を有し、前記導電層が1層の構造を有する場合には、前記導電層の融点が、前記第1のはんだ層及び前記第2のはんだ層の融点よりも高く、前記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、前記導電層の最外層の融点が、前記第1のはんだ層及び前記第2のはんだ層の融点よりも高い、請求項1又は2に記載の導電性粒子。前記第2のはんだ層における錫の含有量が、前記第1のはんだ層における錫の含有量よりも多い、請求項1~3のいずれか1項に記載の導電性粒子。平均粒子径が0.1μm以上、50μm以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の導電性粒子。前記基材粒子が樹脂粒子である、請求項1~5のいずれか1項に記載の導電性粒子。バインダー樹脂中に分散されて用いられる導電性粒子である、請求項1~6のいずれか1項に記載の導電性粒子。請求項1~6のいずれか1項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、異方性導電材料。フラックスをさらに含む、請求項8に記載の異方性導電材料。第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、前記第1,第2の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備え、前記接続部が、請求項1~6のいずれか1項に記載の導電性粒子により形成されているか、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料により形成されている、接続構造体。特許文献1に記載の導電性粒子では、電極間の接続時に、電極とニッケル層との間のはんだ層が十分に濡れ拡がらないことがある。このため、例えば、電極とはんだ層とが十分に接触及び接合せずに、はんだ層と電極との接続信頼性が低くなることがある。特許文献2に記載のように、銅層を表面に有する導電性粒子では、電極と銅層との接触面積が小さくなりやすく、銅層と電極との接続信頼性が比較的低くなりやすい。さらに、銅層を表面に有する導電性粒子では、導電性粒子が長期間保管されたり、導電性粒子が高温及び高湿下に晒されたりした場合に、銅層が酸化することがある。銅層が酸化した導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続すると、接続抵抗が高くなるという問題もある。本発明の目的は、接続構造体における電極間の接続に用いた場合に、接続信頼性を高めることができる導電性粒子、並びに該導電性粒子を用いた異方性導電材料及び接続構造体を提供することである。本発明の広い局面によれば、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層と、該導電層の外側の表面上に配置された第1のはんだ層と、該第1のはんだ層の外側の表面上に配置された第2のはんだ層とを備え、該第1のはんだ層の融点が、上記第2のはんだ層の融点よりも低い、導電性粒子が提供される。本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、上記導電層が、1層の構造又は2層以上の積層構造を有し、上記導電層が1層の構造を有する場合には、上記導電層の導電性が、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の導電性よりも高く、上記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、上記導電層の最外層の導電性が、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の導電性よりも高い。本発明に係る導電性粒子の他の特定の局面では、上記導電層が、1層の構造又は2層以上の積層構造を有し、上記導電層が1層の構造を有する場合には、上記導電層の融点が、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の融点よりも高く、上記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、上記導電層の最外層の融点が、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の融点よりも高い。本発明に係る導電性粒子のさらに他の特定の局面では、上記第2のはんだ層における錫の含有量は、上記第1のはんだ層における錫の含有量よりも多い。本発明に係る導電性粒子の平均粒子径は0.1μm以上、50μm以下であることが好ましい。上記基材粒子は、樹脂粒子であることが好ましい。本発明に係る導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられる導電性粒子であることが好ましい。本発明に係る異方性導電材料は、本発明に従って構成された導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。本発明に係る異方性導電材料のある特定の局面では、フラックスがさらに含まれている。本発明に係る接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、該第1,第2の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備えており、該接続部が、本発明に従って構成された導電性粒子により形成されているか、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料により形成されている。本発明に係る導電性粒子では、基材粒子の表面上に導電層が配置されており、該導電層の外側の表面上に第1のはんだ層が配置されており、該第1のはんだ層の外側の表面上に第2のはんだ層が配置されているため、更に上記第1のはんだ層の融点が上記第2のはんだ層の融点よりも低いので、本発明に係る導電性粒子を接続構造体における電極間の接続に用いた場合に、接続信頼性を高めることができる。以下、本発明を詳細に説明する。本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層と、該導電層の外側の表面上に配置された第1のはんだ層と、該第1のはんだ層の外側の表面上に配置された第2のはんだ層とを有する。上記第1のはんだ層の融点は、上記第2のはんだ層の融点よりも低い。上記導電層は、1層の構造又は2層以上の積層構造を有する。該導電層は1層の構造を有していてもよく、2層以上の積層構造を有していてもよい。すなわち、上記導電層は、単層であってもよく、多層であってもよい。導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、電極間に導電性粒子を挟み込み、加熱及び加圧して、導電性粒子の外部から導電性粒子に熱を加える。この場合に、導電性粒子に付与された熱は、先ず第2のはんだ層に伝わり、その後第2のはんだ層を経由して第1のはんだ層に伝わる。従って、第1のはんだ層の加熱温度は、第2のはんだ層の加熱温度よりも低くなりやすい。上記導電層の外側の表面に第1,第2のはんだ層が配置されており、上記第1のはんだ層の融点が上記第2のはんだ層の融点よりも低いことによって、第1,第2のはんだ層が溶融するタイミングを近づけることができる。このため、加熱及び加圧により、はんだ層が段階的に溶融することに起因する粒子の移動を抑制できる。すなわち、導電性粒子における基材粒子と導電層との粒子部分が移動し難くなる。このため電極と導電層又は内側のはんだ層との接触部分の周囲に、外側のはんだ層が良好に濡れ拡がりやすくなり、かつ多くのはんだ層が配置されやすくなる。このため、導電性粒子と電極との接合強度が大幅に向上する。従って、本発明に係る導電性粒子を用いた接続構造体の接続信頼性を高めることができる。この結果、例えば、導電性粒子を含む異方性導電材料を電極間の接続に用いた接続構造体において、落下又は振動などの衝撃が与えられても、電極間の接続不良が生じ難くなる。これに対して、内側の第1のはんだ層と外側の第2のはんだ層との融点が同じであると、第2のはんだ層が先に溶融しており、かつ第1のはんだ層が溶融していない時間が長くなる。この結果、粒子の移動、特に基材粒子と導電層との粒子部分の移動が生じやすくなる。基材粒子と導電層との粒子部分の移動を抑制する効果をより一層高めるために、上記第1のはんだ層の融点は、上記第2のはんだ層の融点よりも0.1°C以上低いことが好ましく、0.5°C以上低いことがより好ましく、1°C以上低いことが更に好ましい。第1,第2のはんだ層が溶融するタイミングを近づける観点からは、上記第1のはんだ層の融点と上記第2のはんだ層の融点との差の絶対値は特に限定されないが、好ましくは50°C以下、より好ましくは30°C以下、更に好ましくは10°C以下である。上記導電層が1層の構造を有する場合には、上記導電層の導電性は、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の導電性よりも高いことが好ましい。更に、上記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、上記導電層の最外層の導電性は、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の導電性よりも高いことが好ましい。導電層単層の場合又は導電層の最外層多層の場合の導電性を、第1,第2のはんだ層の導電性よりも高くすることにより、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。本発明に係る導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続する際には、上記導電層を電極に接触させることが好ましい。一方で、上記導電層を電極に接触させなくても、上記導電層があることによって、接続抵抗は低くなる傾向がある。さらに、内層である導電層の外側の表面上に第1,第2のはんだ層が配置されていることによって、内層である導電層の酸化を防ぐことができる。このため、導電層として、比較的酸化しやすい銅層、ニッケル層又は銀層などを用いることができる。銅層、ニッケル層又は銀層などは、酸化が進行しやすい一方で、導電性が高く、電極間の接続抵抗を低くすることを可能にする。上記導電層が1層の構造を有する場合には、上記導電層の融点は、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の融点よりも高いことが好ましい。更に、上記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、上記導電層の最外層の融点は、上記第1のはんだ層及び上記第2のはんだ層の融点よりも高いことが好ましい。これらの場合には、導電性粒子を用いて、加熱により接続構造体における電極間を接続する場合に、第1,第2のはんだ層を導電層よりも先に溶融させることができるか、又は第1,第2のはんだ層のみを溶融させることができる。このため、導電層と電極とをより一層容易に接触させたり、第1,第2のはんだ層と電極との接触面積をより一層大きくしたりすることができ、導電性粒子による電極間の接続をより一層確実に果たすことができる。上記第2のはんだ層における錫の含有量は、上記第1のはんだ層における錫の含有量よりも多いことが好ましい。この場合には、上記第2のはんだ層の融点と上記第1のはんだ層の融点とを上記関係を満たすようにすることが容易である。さらに、錫の含有量が比較的多い第2のはんだ層と電極との密着性をより一層高めることができる。従って、接続構造体における導通信頼性をより一層高くすることができる。さらに、上記導電層の表面上に上記第1,第2のはんだ層が配置されていることによって、接続対象部材の電極間の仮圧着時に、導通不良が生じた場合に、接続対象部材を再剥離することも容易になる。また、本発明に係る導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられる導電性粒子であることが好ましい。本発明に係る導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて異方性導電材料として用いられることが好ましい。該異方性導電材料を接続構造体における電極間の接続に用いた場合には、電極間の接続が容易である。例えば、接続対象部材上に設けられた電極上に導電性粒子を1個ずつ配置せずに、接続対象部材上に異方性導電材料を塗工又は積層するだけで、電極上に導電性粒子を配置できる。さらに、接続対象部材上に異方性導電材料層を形成した後、該異方性導電材料層に他の接続対象部材を電極が対向するように積層するだけで、電極間を電気的に接続できる。従って、接続対象部材の電極間が接続された接続構造体の製造効率を高めることができる。この電極間を電気的に接続する際に、導電層を電極に接触させることが好ましい。さらに、接続対象部材間には、導電性粒子だけでなくバインダー樹脂も存在するので、接続対象部材を強固に接着させることができ、接続信頼性を高めることができる。なお、特開平9-306231号公報に記載の導電性粒子は、バインダー樹脂に分散されて用いられていない。これは、導電性粒子の粒子径が大きいので、該導電性粒子は、該導電性粒子をバインダー樹脂中に分散させて異方性導電材料として用いるには好ましくないためである。特許文献2の実施例では、粒子径が650μmの樹脂粒子の表面を導電層で被覆しており、粒子径が数百μmの導電性粒子を得ており、この導電性粒子は、バインダー樹脂と混合された異方性導電材料として用いられていない。特開平9-306231号公報では、導電性粒子を用いて接続対象部材の電極間を接続する際には、1つの電極上に1つの導電性粒子を置き、次に導電性粒子上に電極を置いた後、加熱している。加熱により、はんだ層は、溶融して電極と接合する。しかしながら、このように、電極上に導電性粒子を置く作業は煩雑である。また、接続対象部材間には、樹脂層が存在しないため、接続信頼性が低くなる傾向がある。導電性粒子以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより本発明を明らかにする。図1に、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を断面図で示す。図1に示す導電性粒子1は、基材粒子2と、導電層3と、第1のはんだ層4と、第2のはんだ層5とを備える。第1のはんだ層4の融点は、第2のはんだ層5の融点よりも低い。導電層3は、基材粒子2の表面2a上に配置されている。導電層3は、基材粒子2の表面2aを被覆している。導電性粒子1では、基材粒子2の表面2a上に導電層3が直接積層されている。導電層3は1層の構造を有する。導電層3は内層である。第1のはんだ層4は、導電層3の外側の表面3a上に配置されている。第1のはんだ層4は、導電層3の外側の表面3a上に直接積層されている。第1のはんだ層4は、導電層3の外側の表面3aを被覆している。第1のはんだ層4は中間層である。第2のはんだ層5は、第1のはんだ層4の外側の表面4a上に配置されている。第2のはんだ層5は、第1のはんだ層4の外側の表面4a上に直接積層されている。第2のはんだ層5は、第1のはんだ層4の外側の表面4aを被覆している。第2のはんだ層5は外層である。図2に、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を断面図で示す。図2に示す導電性粒子11は、基材粒子2と、導電層12と、第1のはんだ層13と、第2のはんだ層14を備える。第1のはんだ層13の融点は、第2のはんだ層14の融点よりも低い。導電性粒子11と導電性粒子1とは、導電層のみが異なっている。導電層12は、基材粒子2の表面2a上に配置されている。導電層12は、基材粒子2の表面2aを被覆している。導電層12は、2層の構造を有し、多層である。導電層12は、内側の導電層21第1の導電層と、外側の導電層22第2の導電層とを有する。外側の導電層22は、導電層12の最外層である。第1のはんだ層13は、導電層12の外側の表面12a上に配置されている。第1のはんだ層13は、導電層12の外側の表面12a上に直接積層されている。第1のはんだ層13は、導電層12の最外層である外側の導電層22の表面上に配置されている。第1のはんだ層13は、導電層12の外側の表面12a及び外側の導電層22の外側の表面を被覆している。第2のはんだ層14は、第1のはんだ層13の外側の表面13a上に配置されている。第2のはんだ層14は、第1のはんだ層13の外側の表面13a上に直接積層されている。第2のはんだ層14は、第1のはんだ層13の外側の表面13aを被覆している。導電性粒子1,11のように、導電層は、1層の構造を有していてもよく、2層の積層構造を有していてもよい。さらに、導電層は、2層以上の積層構造を有していてもよい。上記基材粒子としては、樹脂粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。電極間を接続する際には、導電性粒子を電極間に配置した後、一般的に導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子であると、圧縮により導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。さらに、上記基材粒子が、ニッケルなどの金属又はガラスにより形成された粒子ではなく、樹脂により形成された樹脂粒子であると、導電性粒子の柔軟性を高めることができる。導電性粒子の柔軟性が高いと、導電性粒子に接触した電極の損傷を抑制できる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン及びポリエーテルスルホン等が挙げられる。圧縮により導電性粒子を適度に変形させることができるので、上記樹脂粒子は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体により形成されていることが好ましい。上記無機粒子を形成するための無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。上記導電層は、金属により形成されていることが好ましい。導電層を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、錫、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウムITOも用いることができる。なかでも、導電性に優れることから、銅層、ニッケル層、金層、銀層及びパラジウム層が好ましい。上記金属は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記基材粒子の表面上に導電層を形成する方法、導電層の表面上に第1のはんだ層を形成する方法、第1のはんだ層の表面上に第2のはんだ層を形成する方法は特に限定されない。導電層及び第1,第2のはんだ層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的な衝突による方法、メカノケミカル反応による方法、物理的蒸着又は物理的吸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを樹脂粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、無電解めっき、電気めっき又は物理的な衝突による方法が好適である。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。また、上記物理的な衝突による方法では、例えば、シータコンポーザ等が用いられる。本発明に係る導電性粒子では、上記導電層が1層の構造を有する場合には、上記導電層が銅層、ニッケル層又はパラジウム層であることが好ましく、銅層であることがより好ましい。また、上記導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、上記導電層の最外層が銅層、ニッケル層又はパラジウム層であることが好ましく、銅層であることがより好ましい。この場合には、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。また、これらの好ましい導電層の表面には、はんだ層をより一層容易に形成できる。銅層、ニッケル層、金層、銀層及びパラジウム層の導電性は、第1,第2のはんだ層の導電性よりも高い。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。一方で、銅層及びニッケル層も、比較的酸化しやすい性質を有する。しかしながら、本発明に係る導電性粒子では、導電層が銅層及びニッケル層である場合に、該銅層及びニッケル層の表面上に第1,第2のはんだ層が配置されているため、銅層及びニッケル層の酸化を効果的に抑制できる。上記第1,第2のはんだ層を構成する錫以外の金属としては、上述した導電層を構成する金属が挙げられる。第1,第2のはんだ層は、合金であってもよい。第1,第2のはんだ層を構成する金属の具体例としては、ビスマス、銀及びインジウム等が挙げられる。第1,第2のはんだ層における錫と錫以外の金属との重量比を調整することにより、第1,第2のはんだ層の融点を調整可能である。接続構造体における接続信頼性をより一層高める観点からは、上記第2のはんだ層における錫の含有量は、上記第1のはんだ層における錫の含有量よりも多いことが好ましく、5重量以上多いことが好ましく、10重量以上多いことがより好ましく、20重量以上多いことが更に好ましい。接続構造体における接続信頼性をより一層高める観点からは、第2のはんだ層100重量中、錫の含有量は、好ましくは60重量以上、より好ましくは65重量以上、好ましくは80重量以下、より好ましくは75重量以下、更に好ましくは70重量以下である。第1,第2のはんだ層の一例として、錫42重量とビスマス58重量とを含む第1のはんだ層a1を形成し、錫70重量とビスマス30重量とを含む第2のはんだ層a2とを形成した導電性粒子Aについて説明する。錫42重量とビスマス58重量とを含む組成は、共晶組成である。導電性粒子Aでは、第1のはんだ層a1が約139°Cで融解する一方で、第2のはんだ層a2は139°Cを超えないと融解しない。従って、この導電性粒子Aでは、第1のはんだ層a1と第2のはんだ層a2とで融解し始める温度が異なる。一方で、導電性粒子を加熱する際には、第2のはんだ層a2の加熱温度は、第1のはんだ層a1の加熱温度よりも高くなる。この結果、第1のはんだ層の融点と第2のはんだ層の融点とが同じ場合と比べて、第1のはんだ層a1の融点が第2のはんだ層a2の融点よりも低い場合には、第1のはんだ層a1と第2のはんだ層a2が溶融するタイミングが近くなる。また、この導電性粒子Aでは、第2のはんだ層a2における錫の含有量が第1のはんだ層a1における錫の含有量よりも多いので、第2のはんだ層a2は電極と良好に密着する。導電性粒子Aのように、第1,第2のはんだ層はビスマスを含むことが好ましい。導電性粒子Aのように、第1,第2のはんだ層がビスマスを含む場合には、第2のはんだ層100重量中のビスマスの含有量は好ましくは25重量以上、好ましくは40重量以下であり、第1のはんだ層100重量中のビスマスの含有量は好ましくは35重量以上、より好ましくは55重量以上、好ましくは60重量未満である。但し、本発明に係る導電性粒子では、ビスマス以外の銀又はインジウム等を用いることによっても、第1,第2のはんだ層の融点は調整可能である。導電層及び第1,第2のはんだ層の厚みはそれぞれ、好ましくは10nm以上、より好ましくは50nm以上、更に好ましくは100nm以上、好ましくは2000nm以下、より好ましくは1000nm以下である。導電層及び第1,第2のはんだ層の厚みが上記下限以上であると、導電性が十分に高くなる。導電層及び第1,第2のはんだ層の厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電層及び第1,第2のはんだ層との熱膨張率の差が小さくなり、導電層及びはんだ層の剥離が生じ難くなる。上記導電層の表面上に上記第1のはんだ層を形成する方法、並びに上記第1のはんだ層の表面上に第2のはんだ層を形成する方法は、物理的な衝突による方法であることが好ましい。上記第1のはんだ層は、物理的な衝撃により、導電層の表面上に配置されていることが好ましく、上記第2のはんだ層は、物理的な衝撃により、第1のはんだ層の表面上に配置されていることが好ましい。従来、導電層の外側の表面層にはんだ層を有する導電性粒子の粒子径は、数百μm程度であった。これは、粒子径が数十μmであり、かつ表面層がはんだ層である導電性粒子を得ようとしても、はんだ層を均一に形成できなかったためである。これに対して、無電解めっき時に分散条件を最適化することによりはんだ層を形成した場合には、導電性粒子の粒子径が数十μm、特に粒子径が0.1μm以上、50μm以下の導電性粒子を得る場合であっても、導電層の表面上にはんだ層を均一に形成できる。また、シータコンポーザを用いることによっても、粒子径が50μm以下である導電性粒子を得る場合であっても、導電層の表面上にはんだ層を均一に形成できる。導電層が2層以上の積層構造を有する場合には、導電層の最外層の厚みは、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上、更に好ましくは25nm以上、特に好ましくは50nm以上、好ましくは1000nm以下、より好ましくは500nm以下である。導電層の最外層の厚みが上記下限以上であると、導電性が十分に高くなる。導電層の最外層の厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電層の最外層との熱膨張率の差が小さくなり、導電層の最外層の剥離が生じ難くなる。上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは1μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは80μm以下、更に好ましくは50μm以下、特に好ましくは40μm以下である。導電性粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。異方性導電材料における導電性粒子に適した大きさであり、かつ電極間の間隔をより一層小さくすることができるので、導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは100μm以下、更に好ましくは50μm以下である。上記導電性粒子の平均粒子径は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。本発明に係る導電性粒子は、はんだ層の表面上に配置された絶縁性粒子を備えていてもよい。第2のはんだ層の表面上に配置された絶縁性粒子は、複数であることが好ましい。絶縁性粒子を備えた導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性粒子が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子におけるはんだ層と電極との間の絶縁性粒子を容易に排除できる。上記絶縁性粒子を構成する絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、メタアクリレート重合体、メタアクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン-酢酸ビニル共重合体及びエチレン-アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記メタアクリレート重合体としては、ポリメチルメタアクリレート、ポリエチルメタアクリレート及びポリブチルメタアクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン-アクリル酸エステル共重合体、SB型スチレン-ブタジエンブロック共重合体、及びSBS型スチレン-ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。上記はんだ層の表面に絶縁性粒子を付着させる方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリタイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁性粒子が脱離し難いことから、上記はんだ層の表面に、化学結合を介して絶縁性粒子を付着させる方法が好ましい。異方性導電材料本発明に係る異方性導電材料は、バインダー樹脂と、上述した導電性粒子とを含む。すなわち、本発明に係る異方性導電材料に含まれている導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層と、該導電層の表面上に配置された第1のはんだ層と、第1のはんだ層の外側の表面上に配置された第2のはんだ層とを備える。上記第1のはんだ層の融点は、上記第2のはんだ層の融点よりも低い。本発明に係る異方性導電材料は、液状であることが好ましく、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、例えば、絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記ビニル樹脂の具体例としては、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂の具体例としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体の具体例としては、スチレン-ブタジエン-スチレンブロック共重合体、スチレン-イソプレン-スチレンブロック共重合体、スチレン-ブタジエン-スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン-イソプレン-スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーの具体例としては、スチレン-ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル-スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。上記バインダー樹脂は、熱硬化性樹脂であることが好ましい。この場合には、電極間を電気的に接続する際の加熱により、導電性粒子のはんだ層を溶融させるとともに、バインダー樹脂を硬化させることができる。このため、はんだ層又は導電層による電極間の接続と、バインダー樹脂による接続対象部材の接続とを同時に行うことができる。本発明に係る異方性導電材料は、バインダー樹脂を硬化させるために、硬化剤を含むことが好ましい。上記硬化剤は特に限定されない。上記硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤及び酸無水物硬化剤等が挙げられる。硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。本発明に係る異方性導電材料は、フラックスをさらに含むことが好ましい。フラックスの使用により、はんだ層の表面に酸化被膜が形成され難くなり、さらに、はんだ層又は電極表面に形成された酸化被膜を効果的に除去できる。上記フラックスは特に限定されない。フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用できる。フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。フラックスは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びヒドラジン等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、松脂であることが好ましい。松脂の使用により、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。上記フラックスは、バインダー樹脂中に分散されていてもよく、導電性粒子の表面上に付着していてもよい。本発明に係る異方性導電材料は、フラックスの活性度を調整するために、塩基性有機化合物を含んでいてもよい。上記塩基性有機化合物としては、塩酸アニリン及び塩酸ヒドラジン等が挙げられる。異方性導電材料の保管時に、導電性粒子の沈降をより一層抑制する観点からは、異方性導電材料100重量中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは30重量以上、より好ましくは50重量以上、更に好ましくは80重量以上、好ましくは99.99重量以下、より好ましくは99.9重量以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子の沈降がより一層生じ難くなり、かつ異方性導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性をより一層高めることができる。硬化剤を用いる場合には、上記バインダー樹脂100重量部に対して、上記硬化剤の含有量は好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは0.1重量部以上、好ましくは100重量部以下、より好ましくは50重量部以下である。上記硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記バインダー樹脂を十分に硬化させることができ、更に硬化後に硬化剤に由来する残渣が生じ難くなる。異方性導電材料100重量中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは0.01重量以上、より好ましくは0.1重量以上、好ましくは20重量以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子の沈降がより一層生じ難くなり、かつ電極間の導通信頼性がより一層高くなる。異方性導電材料100重量中、フラックスの含有量は0重量以上、好ましくは0.5重量以上、好ましくは30重量以下、より好ましくは25重量以下である。異方性導電材料は、フラックスを含んでいなくてもよい。フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ層の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、さらに、はんだ層又は電極表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。本発明に係る異方性導電材料は、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤又は難燃剤等の各種添加剤をさらに含んでいてもよい。上記バインダー樹脂中に導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ特に限定されない。上記バインダー樹脂中に導電性粒子を分散させる方法としては、例えば、バインダー樹脂中に導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、バインダー樹脂中へ添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、並びにバインダー樹脂を水又は有機溶剤等で希釈した後、導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法等が挙げられる。本発明に係る異方性導電材料は、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘接着剤、異方性導電フィルム、又は異方性導電シート等として使用できる。本発明の導電性粒子を含む異方性導電材料が、異方性導電フィルム又は異方性導電シート等のフィルム状の接着剤として使用される場合には、該導電性粒子を含むフィルム状の接着剤に、導電性粒子を含まないフィルム状の接着剤が積層されていてもよい。ただし、上述のように、本発明に係る異方性導電材料は、液状であることが好ましく、異方性導電ペーストであることが好ましい。接続構造体本発明に係る異方性導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。上記接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、該第1,第2の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備えており、該接続部が本発明に係る導電性粒子により形成されているか、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料により形成されていることが好ましい。上記接続部は、上記異方性導電材料を硬化させることにより形成されていることが好ましい。図3に、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を含む異方性導電材料を用いた接続構造体を模式的に正面断面図で示す。図3に示す接続構造体51は、第1の接続対象部材52と、第2の接続対象部材53と、第1,第2の接続対象部材52,53を電気的に接続している接続部54とを備える。接続部54は、導電性粒子1とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図3では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。第1の接続対象部材52の上面52aには、複数の電極52bが設けられている。第2の接続対象部材53の下面53aには、複数の電極53bが設けられている。電極52bと電極53bとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材52,53が導電性粒子1により電気的に接続されている。上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との間に上記異方性導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。加熱及び加圧により、導電性粒子1の第1,第2のはんだ層4,5が溶融して、該導電性粒子1により電極52b,53b間が電気的に接続される。このとき、導電層3を電極52b,53bに接触させることが好ましい。バインダー樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、バインダー樹脂が硬化して、硬化したバインダー樹脂により第1,第2の接続対象部材52,53が接続される。上記加圧の圧力は9.8~104~4.9×106Pa程度である。上記加熱の温度は、120~220°C程度である。図4に、図3に示す接続構造体51における導電性粒子1と電極52b,53bとの接続部分を拡大して正面断面図で示す。図4に示すように、接続構造体51では、上記積層体を加熱及び加圧することにより、導電性粒子1の第1,第2のはんだ層4,5が溶融した後、溶融したはんだ層部分Xが電極52b,53bと十分に接触する。特に、第1のはんだ層4の融点が第2のはんだ層5の融点よりも低いので、導電層3と電極52b,53bとの間の第2のはんだ層5が短期間で効果的に濡れ拡がりかつ排除される。この結果、導電性粒子1における基材粒子2と導電層3との粒子部分の横方向への移動が生じ難くなる。この結果、導電性粒子1と電極52b,53bとの接触部分の周囲に第1,第2のはんだ層4,5を多くかつより一層確実に存在させることができ、良好なフィレットを形成することができる。このため、接続構造体51の接続信頼性を高めることができる。また、導電層3を電極52b,53bに接触させることにより、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。なお、加熱により、一般にフラックスは次第に失活する。上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板及びガラス基板等の回路基板等が挙げられる。上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。実施例11導電性粒子の作製平均粒子径20μmのジビニルベンゼン樹脂粒子積水化学工業社製ミクロパールSP-220を無電解銅めっきし、樹脂粒子の表面上に厚み1μmの下地銅めっき層を形成し、粒子Xを得た。その後、シータコンポーザ徳寿工作所社製を用いて、得られた粒子Xの銅層の表面上で、はんだ微粉末錫42重量とビスマス58重量とを含む、平均粒子径200nmを溶融させて、銅層の表面上に厚み1μmの第1のはんだ層を形成した。次に、シータコンポーザ徳寿工作所社製を用いて、得られた第1のはんだ層の表面上で、はんだ微粉末錫70重量とビスマス30重量とを含む、平均粒子径200nmを溶融させて、第1のはんだ層の表面上に厚み1μmの第2のはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面上に厚み1μmの第1のはんだ層錫を42重量含むが形成されており、第1のはんだ層の表面上に厚み1μmの第2のはんだ層錫を70重量含むが形成されている導電性粒子を作製した。得られた導電性粒子では、導電層である銅層の融点は、第1,第2のはんだ層の融点よりも高い。第1のはんだ層の融点は、第2のはんだ層の融点よりも45°C低く、融点の差の絶対値は45°Cである。2異方性導電材料の作製バインダー樹脂であるTEPIC-PASB22日産化学工業社製、比重1.4100重量部、硬化剤であるTEP-2E4MZ日本曹達社製15重量部と、弱活性ロジン5重量部とを配合し、さらに作製直後の導電性粒子10重量部を添加した後、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、異方性導電ペーストである異方性導電材料を得た。実施例2樹脂粒子を、平均粒子径30μmのジビニルベンゼン樹脂粒子積水化学工業社製ミクロパール-SP230に変更したこと、電解銅めっきにより形成した銅層の厚みを1μmから2.5μmに変更したこと、第1のはんだ層を形成するためのはんだ微粉末の使用量を増やして第1のはんだ層の厚みを1μmから2.5μmに変更したこと、並びに第2のはんだ層を形成するためのはんだ微粉末の使用量を増やして第2のはんだ層の厚みを1μmから2.5μmに変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子及び異方性導電材料を得た。実施例3第1のはんだ層を形成するためのはんだ微粉末錫42重量とビスマス58重量とを含む、平均粒子径200nmを、はんだ微粉末錫65重量とビスマス35重量とを含む、平均粒子径200nmに変更したこと、並びに第2のはんだ層を形成するためのはんだ微粉末錫70重量とビスマス30重量とを含む、平均粒子径200nmを、はんだ微粉末錫75重量とビスマス25重量とを含む、平均粒子径200nmに変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子及び異方性導電材料を得た。なお、導電層である銅層の融点は、第1,第2のはんだ層の融点よりも高い。第1のはんだ層の融点は、第2のはんだ層の融点よりも30°C低く、融点の差の絶対値は30°Cである。実施例4平均粒子径20μmのジビニルベンゼン樹脂粒子積水化学工業社製ミクロパールSP-220を無電解ニッケルめっきし、樹脂粒子の表面上に厚み0.3μmの下地ニッケルめっき層を形成した。次いで、下地ニッケルめっき層が形成された樹脂粒子を電解ニッケルめっきし、厚み1μmのニッケル層を形成して、粒子Yを得た。その後、シータコンポーザ徳寿工作所社製を用いて、得られた粒子Yのニッケル層の表面上で、はんだ微粉末錫42重量とビスマス58重量とを含む、平均粒子径200nmを溶融させて、銅層の表面上に厚み1μmの第1のはんだ層を形成した。次に、シータコンポーザ徳寿工作所社製を用いて、得られた第1のはんだ層の表面上で、はんだ微粉末錫70重量とビスマス30重量とを含む、平均粒子径200nmを溶融させて、第1のはんだ層の表面上に厚み1μmの第2のはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmのニッケル層が形成されており、該ニッケル層の表面上に厚み1μmの第1のはんだ層錫を42重量含むが形成されており、第1のはんだ層の表面上に厚み1μmの第2のはんだ層錫を70重量含むが形成されている導電性粒子を作製した。得られた導電性粒子では、導電層であるニッケル層の融点は、第1,第2のはんだ層の融点よりも高い。比較例1はんだ粒子錫:ビスマス=43重量:57重量、平均粒子径15μmを用意した。上記はんだ粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電材料を得た。比較例2実施例1で得られた粒子Xを用意した。シータコンポーザ徳寿工作所社製を用いて、得られた粒子の銅層の表面上で、はんだ微粉末錫42重量とビスマス58重量とを含む、平均粒子径200nmを溶融させて、銅層の表面上に厚み2μmのはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面上に厚み2μmのはんだ層単層、錫を42重量含むが形成されている導電性粒子を作製した。得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電材料を得た。比較例3実施例4で得られた粒子Yを用意した。シータコンポーザ徳寿工作所社製を用いて、得られた粒子のニッケル層の表面上で、はんだ微粉末錫42重量とビスマス58重量とを含む、平均粒子径200nmを溶融させて、ニッケル層の表面上に厚み2μmのはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmのニッケル層が形成されており、該ニッケル層の表面上に厚み2μmのはんだ層単層、錫を42重量含むが形成されている導電性粒子を作製した。得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電材料を得た。評価1接続構造体の作製L/Sが200μm/200μmの金電極パターンが上面に形成されたFR-4基板を用意した。また、L/Sが200μm/200μmの金電極パターンが下面に形成されたポリイミド基板フレキシブル基板を用意した。上記FR-4基板の上面に、得られた異方性導電材料を撹拌してから、異方性導電材料に含まれている導電性粒子の平均粒子径の2倍の厚みとなるように塗工し、異方性導電材料層を形成した。次に、異方性導電材料層の上面にポリイミド基板フレキシブル基板を、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電材料層の温度が185°Cとなるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、2.0MPaの圧力をかけて、異方性導電材料層を185°Cで硬化させて、接続構造体を得た。2上下の電極間の導通試験得られた接続構造体の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、4端子法により測定した。2つの接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧=電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。接続抵抗の平均値が2.0Ω以下である場合を○、接続抵抗の平均値が2Ωを超える場合を×として結果を下記の表1に示した。3接続信頼性A移動した痕跡がある導電性粒子の割合得られた接続構造体を断面観察することにより、上下の電極間に挟まれた100個の導電性粒子について、はんだ層の溶融に伴って導電性粒子が横方向に移動した痕跡があるか否かを評価した。なお、移動した痕跡がある導電性粒子に関しては、該導電性粒子と電極との接触部分に存在するはんだ層の量が少ない。[接続信頼性Aの判定基準]○:移動した痕跡がある導電性粒子の割合が50未満×:移動した痕跡がある導電性粒子の割合が50以上4接続信頼性B耐衝撃試験得られた接続構造体を高さ70cmの位置から落下させて各半田接合部の導通を確認することにより耐衝撃性の評価を行った。初期抵抗値からの抵抗値の上昇率が50以下の場合を○、初期抵抗値からの抵抗値の上昇率が50を超える場合を×として結果を下記の表1に示した。結果を下記の表1に示す。なお、実施例1~4で得られた異方性導電材料を用いた接続構造体では、第1,第2のはんだ層が溶融した後、固化しており、導電層と電極が接触していた。"