"第1基材上の収容溝に補助体を挿入して、前記補助体の第1表面は、前記収容溝に収容され、前記補助体の第2表面は、外部に露出させるステップ、前記第2表面に第1コーティング層を形成するステップ、前記第1コーティング層が形成された補助体に第2基材を付着するステップ、前記第2基材に付着した前記第1コーティング層が形成された補助体を前記第1基材から分離して、前記第1コーティング層が形成された補助体の第1表面を外部に露出させるステップ、前記補助体の第1表面上に第2コーティング層を形成するステップ、及び前記第1コーティング層と前記第2コーティング層とが形成された補助体を前記第2基材から分離するステップを含む、粒子の製造方法。前記収容溝に補助体を挿入することは、前記第1基材上に前記補助体を分散させた後、物理的圧力をかけることを含む工程によって行われることである、請求項1に記載の粒子の製造方法。前記物理的圧力は、擦りまたは押し付けによってかけられることである、請求項2に記載の粒子の製造方法。前記第1コーティング層を形成するステップ及び前記第2コーティング層を形成するステップは、前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層のそれぞれを独立的に真空蒸着、スパッタリング、またはスピンコーティングすることを含むことである、請求項1に記載の粒子の製造方法。前記真空蒸着は、10-2torr~10-3torrの圧力で行われることである、請求項4に記載の粒子の製造方法。前記真空蒸着は、10°C~300°Cの温度で行われることである、請求項4に記載の粒子の製造方法。前記第2基材は、高分子層を追加含むことである、請求項1に記載の粒子の製造方法。前記第1コーティング層と前記第2コーティング層とが形成された補助体を前記第2基材から分離するステップは、前記高分子層を加熱して除去することを含むことである、請求項7に記載の粒子の製造方法。前記第1コーティング層と前記第2コーティング層とが形成された補助体を前記第2基材から分離するステップの後に、前記補助体に形成された前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層を均一にするステップを追加で含む、請求項1に記載の粒子の製造方法。前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層を均一にするステップは、前記第1コーティング層と前記第2コーティング層とが形成された補助体を、ナノステージと、プレートとの間に位置させ、前記ナノステージを回転及び線形移動させることを含むことである、請求項9に記載の粒子の製造方法。前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層を均一にするステップは、100°C~500°Cの温度で前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層を酸化させることを追加含むことである、請求項10に記載の粒子の製造方法。前記第1コーティング層と前記第2コーティング層とは、同一の物質または異なる物質を含むことである、請求項1に記載の粒子の製造方法。前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層の厚さは、それぞれ独立的に1nm~10,000nmである、請求項1に記載の粒子の製造方法。前記補助体は、1nm~10,000nmのサイズを有するものである、請求項1に記載の粒子の製造方法。前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層のそれぞれは、独立的に単一成分の金属、合金、単一成分の非金属、非金属混合物、金属-非金属混合物、非金属混合物のカルコゲン化物、窒化物、燐化物、ハロゲン化物及びこれらの組合でなる群から選択されるものを含むことである、請求項1に記載の粒子の製造方法。前記第1基材は、シリコーンまたは高分子を含むことである、請求項1に記載の粒子の製造方法。第1表面及び第2表面を有する補助体、前記補助体の第2表面にコーティングされた第1コーティング層、及び前記補助体の第1表面にコーティングされた第2コーティング層を含む、粒子。前記補助体の平均サイズは、1nm~100,000nmである、請求項17に記載の粒子。前記補助体は、球形、楕円体、五面柱型、六面柱型、八面柱型、七面柱型、円柱型、角が屈曲した六面柱型、六面体型、角が屈曲した六面体型及びこれらの組合でなる群から選択される形状を有するものである、請求項17に記載の粒子。前記補助体は、二酸化ケイ素SiO2を含むことである、請求項17に記載の粒子。前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層のそれぞれは、独立的に単一成分の金属、合金、単一成分の非金属、非金属混合物、金属-非金属混合物、非金属混合物のカルコゲン化物、窒化物、燐化物、ハロゲン化物及びこれらの組合でなる群から選択される物質を含むことである、請求項17に記載の粒子。前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層のそれぞれは、独立的にW-Ti、Ti、W、CdS、CdSe、CdMnTe、GaP、Si、SiC、TiO2、SiO、SiOC、SiON、ZnO2、SrTiO3、FeTiO3、MnTiO3、BaTiO3、ZrO2、Nb2O5、KTaO3、WO3、Fe2O3、SnO2及びこれらの組合でなる群から選択されるものを含むことである、請求項17に記載の粒子。前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層の厚さは、それぞれ独立的に1nm~10,000nmである、請求項17に記載の粒子。前記第1コーティング層と前記第2コーティング層とは、同一の物質または異なる物質を含むものである、請求項17に記載の粒子。請求項17乃至24のうち、いずれか一項による粒子を含む粒子アレイ。本願は、前記言及した従来の問題点を解決するために考案されたものであり、本願は、ナノ水準以上のサイズを有し、均一で滑らかなコーティング層が形成された粒子及びその製造方法を提供する。しかし、本願が解決しようとする課題は、以上で記述した課題に限らず、記述されなかったまた他の課題は、以下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。前記目的を達成するために、本願の一側面は、第1基材上の収容溝に補助体を挿入して、前記補助体の第1表面は、前記収容溝に収容され、前記補助体の第2表面は、外部に露出させるステップ、前記第2表面に第1コーティング層を形成するステップ、前記第1コーティング層が形成された補助体に第2基材を付着するステップ、前記第2基材に付着した前記第1コーティング層が形成された補助体を前記第1基材から分離して、前記第1コーティング層が形成された補助体の第1表面を外部に露出させるステップ、前記補助体の第1表面上に第2コーティング層を形成するステップ、及び前記第1コーティング層と前記第2コーティング層とが形成された補助体を前記第2基材から分離するステップを含む粒子の製造方法を提供する。本願の他の側面は、第1表面及び第2表面を有する補助体、前記補助体の第2表面にコーティングされた第1コーティング層、及び前記補助体の第1表面にコーティングされた第2コーティング層を含む粒子を提供する。本願のまた他の側面は、前記言及した本願の粒子を含む粒子アレイを提供する。本願の粒子は、多様なサイズ及び形態を有する補助体表面にコーティング層を形成することで製造されるため、ナノ水準からマイクロ水準のサイズを有する粒子を容易に製造することができる。また、本願の粒子は、均一で滑らかなコーティング層を有しており、モジュール製作が容易で、集積度を極大化させることができる効果があり、このような粒子を含む粒子アレイは、人工光合性分野などの多様な分野に利用することができる。以下、添付した図面を参照して、本願が属する技術分野で通常の知識を持った者が容易に実施することができるように本願の具現例及び実施例を詳しく説明する。しかし、本願は、様々な異なる形態で具現されることができ、ここで説明する具現例及び実施例に限らない。そして、図面で本発明を明確に説明するために、説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似した部分に対しては、類似した図面符号を付けた。本願の明細書全体において、ある部分がある構成要素を含むとすると、これは、特に反対する記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。本明細書で使用される程度の用語約、実質的になどは、言及された意味に固有の製造及び物質許容誤差が提示される時、その数値でまたはその数値に近接した意味として使用され、本願の理解を助けるために、正確であるか絶対的な数値が言及された開示内容を非良心的な侵害者が不当に利用することを防止するために使用される。本願の明細書全体で使用される程度の用語~するステップまたは~のステップは、~のためのステップを意味しない。本願の一側面による粒子の製造方法は、第1基材上の収容溝に補助体を挿入して、前記補助体の第1表面は、前記収容溝に収容され、前記補助体の第2表面は、外部に露出させるステップ、前記第2表面に第1コーティング層を形成するステップ、前記第1コーティング層が形成された補助体と第2基材とを付着するステップ、前記第2基材に付着した前記第1コーティング層が形成された補助体を前記第1基材から分離して、前記第1コーティング層が形成された補助体の第1表面を外部に露出させるステップ、前記補助体の第1表面上に第2コーティング層を形成するステップ、及び前記第1コーティング層と前記第2コーティング層とが形成された補助体を前記第2基材から分離するステップを含む。一具現例において、前記収容溝に補助体を挿入することは、前記第1基材上に前記補助体を分散させた後、物理的圧力をかけることを含む工程によって行われることができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記物理的圧力は、擦りrubbingまたは押し付けpressingagainstsubstrateによってかけられることができるが、これに限らない。他の具現例において、前記第1コーティング層を形成するステップ及び前記第2コーティング層を形成するステップは、前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層のそれぞれを独立的に真空蒸着、スパッタリング、またはスピンコーティングすることを含むことができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記真空蒸着は、10-2torr~10-3torrの圧力で行われることができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記真空蒸着は、10°C~300°Cの温度で行われることができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記第2基材は、高分子層を追加含むことができるが、これに限らない。前記高分子層は、熱または光の照射によって前記第2基材から容易に分離または除去されることができるものであれば、特に制限なく使用されることができる。例えば、前記高分子層は、PEIPolyetherimideを含むことができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記第1コーティング層と前記第2コーティング層とが形成された補助体を前記第2基材から分離するステップは、前記高分子層を加熱して除去することを含むことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記第1コーティング層と前記第2コーティング層とが形成された補助体を前記第2基材から分離するステップの後に、前記補助体に形成された前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層を均一にするステップを追加で含むことができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層を均一にするステップは、前記第1コーティング層と前記第2コーティング層とが形成された補助体をナノステージとプレートとの間に位置させ、前記ナノステージを回転及び線形移動させることを含むことができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層を均一にするステップは、約100°C~約500°Cの温度で前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層を酸化させることを追加含むことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記第1コーティング層と前記第2コーティング層とは、同一の物質または異なる物質を含むことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層の厚さは、それぞれ独立的に約1nm~約10,000nmであることができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層のそれぞれは、独立的に単一成分の金属、合金、単一成分の非金属、非金属混合物、金属-非金属混合物、非金属混合物のカルコゲン化物、窒化物、燐化物、ハロゲン化物及びこれらの組合でなる群から選択されるものを含むことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記第1基材は、シリコーンSiまたは高分子を含むことができるが、これに限らない。例えば、前記高分子は、ポリジメチルシロキサンpolydimethylsiloxaneまたはポリメチルメタクリレートpolymethylmethacrylateを含むことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記補助体の平均サイズは、約1nm~約100,000nmであることができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記補助体は、二酸化ケイ素SiO2を含むことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記補助体は、球形、楕円体、五面柱型、六面柱型、八面柱型、七面柱型、円柱型、角が屈曲した六面柱型、六面体型、角が屈曲した六面体型及びこれらの組合でなる群から選択される形状を含むことができるが、これに限らない。本願の他の側面による粒子は、第1表面及び第2表面を有する補助体、前記補助体の第2表面にコーティングされた第1コーティング層、及び前記補助体の第1表面にコーティングされた第2コーティング層を含むことができる。一具現例において、前記補助体のサイズは、約1nm~約100,000nmであることができるが、これに限らない。他の具現例において、前記補助体は、球形、楕円体、五面柱型、六面柱型、八面柱型、七面柱型、円柱型、角が屈曲した六面柱型、六面体型、角が屈曲した六面体型及びこれらの組合でなる群から選択される形状を有することができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記補助体は、二酸化ケイ素SiO2を含むことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層のそれぞれは、独立的に単一成分の金属、合金、単一成分の非金属、非金属混合物、金属-非金属混合物、非金属混合物のカルコゲン化物、窒化物、燐化物、ハロゲン化物及びこれらの組合でなる群から選択される物質を含むことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層のそれぞれは、独立的にW-Ti、Ti、W、CdS、CdSe、CdMnTe、GaP、Si、SiC、TiO2、SiO、SiOC、SiON、ZnO2、SrTiO3、FeTiO3、MnTiO3、BaTiO3、ZrO2、Nb2O5、KTaO3、WO3、Fe2O3、SnO2及びこれらの組合でなる群から選択されるものを含むことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記第1コーティング層及び前記第2コーティング層の厚さは、それぞれ独立的に約1nm~約10,000nmであることができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記第1コーティング層と前記第2コーティング層とは、同一の物質または異なる物質を含むことができるが、これに限らない。本願のまた他の側面による粒子アレイは、前記言及した本願の粒子を含む。前記粒子アレイ及び前記粒子は、前記粒子の製造方法に記述された内容を全て含むことができ、便宜上、重複記載を省略する。以下、図面を参照して、本願の粒子及びこれの製造方法に対して具体的に説明する。しかし、本願はこれに限らない。図1は、本願の一具現例による粒子10の断面図である。粒子の役割をする物質を利用して直接的な方法で粒子を製造する従来方法では、多様な範囲のサイズを有して表面積に優れた粒子、例えば球形状の粒子を作ることが困難であった。これにより、本願は、数ナノメートルから数十マイクロメートルのサイズを有し、表面積に優れた粒子を容易に製造するために、間接的な方法を使用する。より具体的に、ナノサイズを有して多様な球形またはその他の多様な模様を容易に作ることができる材料を利用して骨組みの役割をすることができる補助体11を作った後、前記補助体11に粒子の役割をするコーティング層15をコーティングしてナノサイズの球形の粒子10を製造する。以下の明細書では、球形の補助体11及びこれを利用して製造された球形の粒子10を具現例または実施例として記載しているが、前記補助体及び前記粒子の形状を特に限定するのではなく、図2に示すように、球形、楕円体、五面柱型、六面柱型、七面柱型、八面柱型、円柱型、六面体型、角が屈曲した六面柱型、角が屈曲した六面体型の断面を有する多様な形状を含むことができる。一具現例において、前記補助体11は、約1nm~約100,000nmの平均サイズまたは平均サイズを有することができる。前記補助体11の平均サイズが1nm未満である場合、サイズが小さ過ぎて粒子10の製造が容易ではなく、一方前記補助体11の平均サイズが100,000nmを超過する場合、補助体11の全体サイズが大きくなり過ぎて表面積及び集積度が低下されることがある。前記補助体の平均サイズは、前記補助体11の外接円の直径及び内接円の直径を平均したものである。このような補助体11の材料は、ナノからマイクロサイズの形状を容易に製造することができ、熱的化学的に安定した物質であれば特に制限なく使用されることができ、例えば、前記補助体は、二酸化ケイ素SiO2を含むものであることができる。前記二酸化ケイ素は、ナノサイズの球形補助体11に容易に製造することができ、熱的化学的に安定し、形態安全性に優れているため、コーティング層15を長期間安定して維持させることができるという利点がある。前記補助体11は、これの上下にそれぞれ第1表面11a及び第2表面11bが形成されており、前記第1表面11aには、第2コーティング層13がコーティングされ、前記第2表面11bには、第1コーティング層12がコーティングされている。前記補助体上にコーティングされているコーティング層15は、約1nm~約10,000nmの厚さを有することができる。前記コーティング層15の厚さが1nm未満である場合、用途展開時に効率が落ちることがあり、一方前記コーティング層15の厚さが10,000nmを超過する場合、粒子10の全体サイズが大きくなるため、集積度及び表面積が低下されることがある。前記第1コーティング層12と前記第2コーティング層13とは、同一のサイズであってもよく、異なるサイズであってもよい。即ち、前記第1コーティング層12の表面積と前記第2コーティング層13の表面積とは、同一であるか異なることがある。これは、後述する粒子10の製造方法において第1基材に形成された収容溝110の形態によって第1コーティング層12の表面積及び第2コーティング層13の表面積が同一であるか異なる工程を参照すれば、容易に理解することができる。前記第1コーティング層12及び前記第2コーティング層13のそれぞれは、独立的に単一成分の金属、合金、単一成分の非金属、非金属混合物、金属-非金属混合物、非金属混合物のカルコゲン化物、窒化物、燐化物、及びハロゲン化物のうち少なくとも一つを含むことができる。例えば、前記第1コーティング層12及び第2コーティング層13は、W-Ti、Ti、W、CdS、CdSe、CdMnTe、GaP、Si、SiC、TiO2、SiO、SiOC、SiON、ZnO2、SrTiO3、FeTiO3、MnTiO3、BaTiO3、ZrO2、Nb2O5、KTaO3、WO3、Fe2O3、及びSnO2のうち少なくとも一つを含むことができるが、これに限らない。前記第1コーティング層12及び前記第2コーティング層13は、同一の物質でなることができるが、必要な場合、前記第1コーティング層12及び第2コーティング層13を互いに異なる性質を有する物質で形成することができる。例えば、一つの粒子10に酸化機能を有する物質と還元機能を有する物質とを前記第1コーティング層12及び第2コーティング層13としてそれぞれコーティングして形成された粒子10は、酸化機能及び還元機能を同時に具現することができる。以下では、本願の一具現例による粒子10の製造方法を具体的に説明する。補助体11、コーティング層15などの前述したものと同一の部分に対する具体的な説明は省略する。図3は、本願の一具現例によるナノサイズの球形粒子10の製造工程図である。先ず、図3aに示すように、所定の収容溝110を有する第1基材100を準備する。前記収容溝110は、上述した補助体11を収容する役割をするものであり、前記補助体11が前記収容溝110に容易に挿入されることができるように前記補助体11と類似した形状をすることができる。前記収容溝110は、前記補助体11の半分サイズ以下でなることができ、この場合、前記第1基材の収容溝に挿入された前記補助体11に第1コーティング層12を形成した後、前記第1コーティング層12に第2基材を付着した後、前記第1基材100から前記第1コーティング層12がコーティングされた補助体11を分離する工程がより容易に行われることができる。前記第1基材は、シリコーンSiまたは高分子材質を含むことができる。また、前記高分子材質は、ポリジメチルシロキサンpolydimethylsiloxaneまたはポリメチルメタクリレートを含むことができるが、必ずこれに限られるものではない。本願の一実施例による前記補助体11は、二酸化ケイ素補助体を使用した。前記二酸化ケイ素補助体11の製造のためにエタノール及び水酸化アンモニウムの溶媒に噴霧器を利用してテトラエチルオルトシリケートを添加して混合した後、これを遠心分離し、エタノールで洗浄して二酸化ケイ素SiO2パウダーを収得した。次いで、製造された前記二酸化ケイ素パウダーをトルエンに溶かした後、噴射器を利用してアミノプロピルトリエトキシシランを添加して5時間程度還流し、その後、トルエンで洗浄し、フィルタリング及び乾燥することで、~650nmの粒子サイズを有する二酸化ケイ素補助体11を製造した。次に、図3bに示すように、第1基材100の収容溝110に補助体11を挿入する。前記挿入により、前記補助体11は、収容溝110に収容された補助体11の第1表面11a及び外部に露出した補助体11の第2表面11bを有する。前記補助体11を収容溝110に挿入する工程は、多様な方法によって行われることができ、前記補助体に物理的圧力をかけることで行うことができる。前記補助体に物理的圧力をかける方法の非制限的な例示として、擦りまたは押し付けが挙げられるが、これに限らない。前記圧力は、前記補助体11が前記第1基材100上の収容溝110に円滑に挿入されて固定される程度の圧力を付与することができる。擦りとは、前記補助体上に簡単に物理的な圧力だけをかけて前記補助体と前記第1基材上に物理的または化学的結合を形成させることをいう。前記化学的結合は、水素結合、イオン結合、共有結合、配位結合またはファンデルワールス結合を含むことができ、好ましくは、イオン結合または水素結合を含むことができる。前記擦りは、素手、ゴム手袋を着用した手を利用して前記補助体に圧力をかけることができ、擦る道具または擦る機械装置を利用して前記補助体に圧力をかけることができるが、これに限らない。このように物理的圧力によって前記補助体を挿入する方法は、溶媒に分散した粒子を利用して挿入する従来技術とは違って、精密な温度調節及び湿度調節が必要なく、非常に簡単である。また、所望の方向に前記第1基材上に補助体を速く移動させるため、前記第1基材上で補助体の移動が表面特性例えば、疎水性、電荷及びroughnessによって影響を受けることを防ぐ。また、溶媒に分散した粒子を使用する従来技術は、溶媒の毛細管現象によって収容溝内に補助体が挿入され難く、挿入可否が不規則であるが、本願は、補助体に物理的圧力をかけて挿入部に直接挿入させるので、全ての挿入部に補助体を挿入させることができる。次に、図3cに示すように、外部に露出した補助体11の第2表面11bに第1コーティング層12を形成する。前記第1コーティング層を形成する一具現例として、真空蒸着、スパッタリングまたはスピンコーティングを利用してチタニウムのような金属を補助体11の第2表面11bに蒸着させる工程を通じて行われることができる。前記真空蒸着工程は、アルゴンガスと約10-2トルtorr~10-3トルtorrの雰囲気で約40ワット~約150ワット、及び約10°C~約300°Cの温度で行うことができる。前記条件は、第1コーティング層12が補助体11と円滑に接着されるようにする範囲で設定されなければならないが、その理由は、後述する第2基材200に付着した補助体11を第1基材100から分離する工程中、コーティング層15が損傷される問題を防止するためである。即ち、補助体11が第1基材100と強く付着しており、前記補助体11の第1コーティング層12の接着力が弱い場合、前記分離工程中に第1コーティング層12が剥がれることがある。次に、図3dに示すように、前記第1コーティング層12が形成された補助体11に第2基材200を付着する。前記第2基材のような高分子を前記ガラス板220にコーティングして前記高分子層210が形成された第2基材を準備する。以後、前記第2基材に形成された前記高分子層210を前記第1コーティング層12がコーティングされた補助体11に安着させた後、圧力をかけて、前記第1コーティング層12がコーティングされた補助体11に前記第2基材200を付着する。最後に、図3eに示すように、前記第2基材200に付着した補助体11を前記第1基材100から分離することで、前記補助体11の第1表面11aを外部に露出させる。前記第1基材100の収容溝110は、前記補助体11の第1表面11aと物理的に弱く付着しているため、第1基材100は、補助体11から容易に分離することができる。仮に、前記補助体11が前記第1基材100から円滑に分離されない場合、前記第1基材100に熱を加える工程を追加することで、前記第2基材200に付着した補助体11を前記第1基材100からより容易に分離させることができる。以後、図3fに示すように、前記補助体11の第1表面11aに第2コーティング層13を形成する工程を実施する。これにより、前記補助体11の全体表面がコーティング層15でなるようになる。前記第2コーティング層を形成する工程は、上述した前記補助体11の第2表面11bに第1コーティング層12をコーティングする工程と同一の方法を利用して行うことができ、便宜上、重複記載を省略する。前記第2コーティング層13は、単一成分の金属、合金、単一成分の非金属、非金属混合物、金属-非金属混合物、非金属混合物のカルコゲン化物、窒化物、燐化物、及びハロゲン化物のうち少なくとも一つを含むことができる。例えば、前記第1コーティング層12及び第2コーティング層13は、W-Ti、Ti、W、CdS、CdSe、CdMnTe、GaP、Si、SiC、TiO2、SiO、SiOC、SiON、ZnO2、SrTiO3、FeTiO3、MnTiO3、BaTiO3、ZrO2、Nb2O5、KTaO3、WO3、Fe2O3、及びSnO2のうち少なくとも一つを含むことができるが、これに限らない。前記第2コーティング層13は、前記第1コーティング層12と同一の物質であるか、前記第1コーティング層12と第2コーティング層13とは、それぞれ機能が異なる物質であることができるが、このように一つの補助体11に機能が異なる物質がコーティングされる場合、集積度を高めることができ、用途展開時に効率を向上させることができる。次に、図3gに示すように、前記第1コーティング層12と前記第2コーティング層13とがコーティングされた補助体11を前記第2基材200から分離する工程を実施する。こうして、第1コーティング層12と第2コーティング層13とがコーティングされた補助体11のみを取ることができる。例えば、前記第2基材上に高分子層が追加で形成されている場合、前記分離工程は化学的方法、即ち、酸を利用して前記第2基材200に追加形成された高分子層をArイオンビームまたはICPを利用してエッチングして除去するか、熱または光を利用して前記第2基材200に追加形成された高分子層を燃消させて除去することができる。上述したように製造された、補助体11上の前記第1コーティング層12と前記第2コーティング層13とは、これの接着部位に導出されたコーティング層を有することができ、この場合、前記導出されたコーティング層を除去してコーティング層15の表面を滑らかにするための工程が必要となる。図4は、本願の一具現例による粒子10のコーティング層15を均一にする工程図である。図4に示すように、前記補助体11のコーティング層15を均一にする工程は、均一化装置300を利用して行われることができる。より具体的に、前記第2基材200から分離した補助体11をナノステージ320上に分散させ、前記分散した補助体11に上部プレート310を安着させた後、前記ナノステージ320を回転及びまたは線形移動させて補助体11のコーティング層15を均一にすることができる。このような工程を通じて、前記補助体11の表面に導出されたコーティング層15が除去され、コーティング層15が滑らかで均一になる。前記補助体11のコーティング層15を均一にするために、前記ナノステージ320及び上部プレート310との間隔は、コーティング層15が形成された補助体11の直径と同一に設定することができるが、これに限らない。前記ナノステージ320及び上部プレート310との間隔がコーティングされた補助体11の直径より小さい場合、補助体11のコーティング層15が損傷されることがあり、反対の場合、補助体11の表面に導出されたコーティング層15が円滑に除去されないことがある。一具現例において、前記補助体11のコーティング層15を均一にする工程は、酸素ガスが付与された状態で100°C~500°Cの温度で前記補助体11のコーティング層15を酸化させる工程を追加で含むことができる。例えば、コーティング層15が金属を含む場合、前記酸化工程を通じて補助体11の金属コーティング層15は金属酸化物コーティング層15に転換されることができ、前記金属の種類に応じて前記金属酸化物は半導体特性または絶縁体特性を示すものであることができる。選択的に、本願の粒子10の製造方法は、上述した工程のうち、補助体11の表面に形成されたコーティング層15は除去せず、第1基材100及び第2基材200上に形成された不要なコーティング層15を選択的に除去する工程をさらに含んで行われることができる。この場合、上述した補助体11のコーティング層15を均一にする工程が省略されることができ、コーティング層15の表面がさらに滑らかになることができる。前記第1基材100及び第2基材200上に形成されたコーティング層15を選択的に除去する工程は、第1コーティング層12及び第2コーティング層13をコーティングする工程後に行われることができる。即ち、前記コーティング層15にフォトレジストー層をコーティングした後、前記フォトレジストー層上にフォトマスクを載せた後、紫外線を照射し、現像液を吹き付けた後にエッチングEtchingする工程を通じて第1基材100及び第2基材200上に形成されたコーティング層15のみを選択的に除去することができる。本願は、前記言及した工程を通じて補助体11の全体表面にコーティング層15が形成された粒子10を製造することができる。前記粒子10は、数ナノから数十マイクロまで多様なサイズを有することで、現代科学文明に多くの応用可能性を提供することができる。以下で、実施例を挙げて本願をより詳しく説明するが、本願はこれに限らない。実施例1平均直径が650nmである球形の収容溝を有するPDMS基材上に、擦りによって球形のSiO2補助体を挿入した。以後、RFスパッタリング工程によって前記SiO2補助体の露出した表面を含み、前記補助体が挿入されたPDMS基材上にW-Tiを蒸着した。より具体的に、前記RFスパッタリングの蒸着工程は、2×10-2torr、アルゴンガス50sccm、25°Cの雰囲気で蒸着される前記PDMS基板を約5cm程度離隔させた状態で、60Wの電力を1分間印加することで行われた。前記W-Tiコーティング層の厚さは、約15nmで~20nmであった。図5は、前記言及した工程によって形成されたW-Tiコーティング層が蒸着された、SiO2補助体を含むPDMS基材を電子顕微鏡で観察した写真である。次いで、ガラス基材及びその上に形成されたPEI層を含むPEI/ガラス基材を前記W-Tiコーティング層が形成されたPDMS基材に接触した後、分離させる方法によって、前記PDMS基材上にSiO2補助体をPEI/ガラス基材上に転写した。以後、RFスパッタリング工程によってW-Tiが蒸着されていないSiO2補助体の一側面に追加でW-Tiを蒸着した。より具体的に、前記RFスパッタリングの蒸着工程は2×10-2torr、アルゴンガス50sccm、25°Cの雰囲気で1分間行われ、蒸着される前記ガラス基板を約2cm程度離隔させた状態で、45Wの電力rfpowerを約1分間印加することで行われた。前記W-Ti蒸着厚さは、約15nm~約20nmであった。以後、焼成によって前記PEI層を除去することで、W-Tiが全体表面にコーティングされたSiO2補助体を前記ガラス基板から分離した。図6は、前記工程によって収得された、W-TiがコーティングされたSiO2補助体を透過電子顕微鏡TransmissionElectronMicroscopy、TEMで観察した写真であり、前記補助体の内部及び前記補助体の表面の成分比を下記表1のように分析し、下記表1を参照すると、SiO2補助体の表面上にW-Tiコーティング層が蒸着されていることを確認することができる。また、図7を参照すると、W-Tiコーティング層が形成されていない純粋なSiO2補助体図7dとW-TiがコーティングされたSiO2補助体図7a~図7cとを比較観察することができる。実施例2平均直径が650nmである球形の収容溝を有するPDMS基材上に、擦りによって球形のSiO2補助体を挿入した。以後、RFスパッタリング工程によって前記SiO2補助体の露出した表面を含み、前記補助体が挿入されたPDMS基材上にITOIn2O3/SnO2、Indiumtinoxideを蒸着した。より具体的に、1次RFスパッタリングの蒸着工程は、圧力雰囲気を2×10-2torr、アルゴンガス:O2=50:03sccmで混合し、25°Cの雰囲気で蒸着される前記PDMS基板を約4cm程度離隔させた状態で、60Wの電力を約10分間印加することで行われた。前記ITO蒸着厚さは約15nmであった。図8は、前記言及した工程によって形成されたITOコーティング層が蒸着された、SiO2補助体を含むPDMS基材を電子顕微鏡で観察した写真である。次いで、ガラス基材及びその上に形成されたPEI層を含むPEI/ガラス基材に前記ITOが蒸着されたPDMSを接触した後、分離させる方法によって、前記PDMS基材上の前記ITOが蒸着されたSiO2補助体を前記PEI/ガラス記載上に転写した。以後、RFスパッタリング工程によってITOが蒸着されていないSiO2補助体の一側面に追加でITOを蒸着させた。より具体的に、2次RFスパッタリングの蒸着工程は、2×10-2torr、アルゴンガス:O2=50:03sccmで混合し、25°Cの雰囲気で行われ、蒸着される前記ガラス基板を約75cm程度離隔させた状態で、100Wの電力を約20分間認可することで行われた。前記ITO蒸着厚さは約15nmであった。以後、焼成によって前記PEI層を除去することで、ITO層が全体表面に蒸着されたSiO2補助体を前記ガラス基板から分離した。図9は、前記工程によって収得された、ITOがコーティングされたSiO2補助体を透過電子顕微鏡で観察した写真であり、コーティングされたITO層の厚さは約15nmであった。前記補助体の内部及び前記補助体の表面の成分比を下記表2のように分析し、下記表2を参照すると、SiO2補助体の表面上にITOコーティング層が蒸着されていることを確認することができる。上記では、本願の好ましい具現例及び実施例を参照して説明したが、該当技術分野で通常の知識を持った者なら下記の特許請求の範囲に記載された本願の思想及び領域から逸脱しない範囲内で、本願を多様に修正及び変更させることできることを理解できるであろう。"