"第1導電型半導体基板の一方の主面側に設けられる第2導電型ベース領域により形成される順耐圧用接合と、他方の主面側に設けられる第2導電型コレクタ層により形成される逆耐圧接合とを有し、この順耐圧用接合と逆耐圧用接合の両端面を一方の主面に配置し保護するために、前記一方の主面の前記第2導電型ベース領域を取り巻く耐圧構造部の外側の表面から前記半導体基板内部に形成される第2導電型半導体領域と、該p型半導体領域の底部に達する深さに他方の主面から形成されるエッチング溝と、該エッチング溝により形成される傾斜面に沿って形成され、前記第2導電型コレクタ層に接続される第2導電型分離拡散層とを有する半導体基板を、いずれか一方の主面にテープを貼付した後、前記エッチング溝の底部基板に前記一方の主面からレーザー照射し、該レーザー照射により発生するクラックを起点とする壁開により分割しチップ化することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。前記傾斜面がアルカリエッチングにより形成される結晶面であることを特徴とする請求項1記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。前記一方の主面にテープを貼付した後、該一方の主面側から前記レーザー波長が1.0μmを超える波長を有するレーザー照射の際に、前記エッチング溝の底部から5乃至50μmの基板内部に焦点を合わせることを特徴とする請求項1記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。前記エッチング溝の底部から10乃至30μmの基板内部に焦点を合わせることを特徴とする請求項3記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。前記一方の主面にテープを貼付した後、該一方の主面側から前記レーザー波長が1.0μm以下の波長を有するレーザー照射の際に、前記エッチング溝の底部に対向する基板表面に焦点を合わせることを特徴とする請求項1記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。前記一方の主面および前記他方の主面が100面であり、前記エッチング溝により形成される傾斜面が111面であることを特徴とする請求項2記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。しかしながら、前述の特許文献1の記載のように、図3に示す半導体基板の裏面側にダイシングテープ25を貼り付け、基板1の表面側からの図示しないブレードダイシングにより半導体基板1を分割しチップ化する場合、ダイシングと同時に切断面21aにクラック30またはチッピング31が深さ数10μmレベルで入ることが多い。そのため、このクラック30、チッピング31に起因するリーク電流を発生させないようにするためには、ダイシング面の全領域にクラック30、チッピング31の最大深さ以上の深さに不純物を分布または拡散させ活性化させて分離拡散層22cとしなくてはならない。しかし、ダイシングによるクラック30が多量に入っているダイシング切断面21aに、10μm以上の深さに不純物を精密に制御して分布または拡散させることは、非常に難しく、量産プロセスとして採用することは困難である。また、前述の特許文献2、3の記載のように、結晶方位の差異によりエッチング速度の異なる湿式のアルカリエッチングにより半導体基板の裏面側から111面を有する溝を形成するプロセスでは、クラックやチッピングの無いダメージレスな傾斜結晶面が得られる。例えば、図2に示すように、結晶面100を主表面とする半導体基板にエッチング溝27を形成する場合、表面側に半導体機能領域の形成後、裏面側から100面に対して125°傾斜した111面からなる傾斜面23を有する凹部状の溝27がアルカリエッチングにより形成される。さらに、図2a、b、cに示すような111面からなる傾斜面23に沿って分離拡散層22bを形成した後、裏面側にダイシングテープ25が貼り付けられ、表面側から溝27の底部26を、図示しないダイシングブレードで高速切断しチップに分割する工程が実施される。しかし、このダイシングブレードによる高速切断の際、溝底部26の基板は厚さが薄く強度が低いためチッピング31小さい欠け、割れが多数発生し易い。しかも発生したチッピング31の先端が分離拡散層22bの近傍に、さらには分離拡散層22bを超えて、より内部へ侵入することが多くあり、リーク電流の増大や耐圧低下の原因になり易いという問題がある。本発明は、以上説明した点を考慮してなされたものである。本発明の目的は、エッチング溝を利用して、逆耐圧接合の接合端面を表面に延在させるための分離拡散層を形成した後、このエッチング溝の底部の薄板部を高速ダイシングしてもチッピングの発生を抑制し電気特性不良を少なくすることができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供することである。前記本発明の目的を達成するために、n型半導体基板の一方の主面側に設けられるp型ベース領域により形成される順耐圧用接合と、他方の主面側に設けられるp型コレクタ層により形成される逆耐圧接合とを有し、この順耐圧用接合の端面と逆耐圧用接合の両端面を一方の主面に配置し保護するために、前記一方の主面の前記p型ベース領域を取り巻く耐圧構造部の外周側の表面から前記半導体基板内部に形成されるp型半導体領域と、該p型半導体領域の底部に達する深さに他方の主面から形成されるエッチング溝と、該エッチング溝により形成される傾斜面に沿って形成され、前記p型コレクタ層に接続されるp型分離拡散層とを有する半導体基板を、いずれか一方の主面にテープを貼付した後、前記エッチング溝の底部基板に前記一方の主面からレーザー照射し、該レーザー照射により発生するクラックを起点とする壁開により分割しチップ化する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法とする。前記傾斜面がアルカリエッチングにより形成される結晶面であることがより好ましい。前記他方の主面にテープを貼付した後、該一方の主面側から前記レーザー波長が1.0μmを超える波長を有するレーザー照射の際に、前記エッチング溝の底部から5乃至50μmの基板内部に焦点を合わせることが好ましい。前記一方の主面にテープを貼付した後、該一方の主面側から前記レーザー波長が1.0μmを超える波長を有するレーザー照射の際に、前記エッチング溝の底部から5乃至50μmの基板内部に焦点を合わせることもより好ましい。前記エッチング溝の底部から10乃至30μmの基板内部に焦点を合わせることがより好ましい。さらに、前記一方の主面および前記他方の主面が100面であり、前記エッチング溝により形成される傾斜面が111面であることがいっそう好ましい。本発明によれば、エッチング溝を利用して、逆耐圧接合の接合端面を表面に延在させるための分離拡散層を形成した後、このエッチング溝の底部の薄板部を高速ダイシングしてもチッピングの発生を抑制し電気特性不良を少なくすることができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供することができる。以下、本発明にかかる絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法の実施例について、図面を参照して詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、nまたはpを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、半導体基板の一方の主面を表面と、半導体基板の他方の主面を裏面として以下説明する。なお、以下の実施例の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する実施例の記載に限定されるものではない。本発明にかかる絶縁ゲート型半導体装置の半導体機能領域である半導体拡散領域、ゲート絶縁膜、電極膜などを作製する方法は従来の方法と同じであるので、詳細な説明を省くことにする。以下の説明では、本発明の特徴部分である半導体基板をチップ化するための方法を中心に説明する。Siシリコン半導体のような単結晶の脆性材料では、一般的に結晶面に沿って壁開させると、清浄で、かつチッピング欠けなどの影響の少ない面が得られる。一方、図4に示す半導体基板の100面のステレオ投影図から分かるように、矩形にチップ化するための切断面は、111側壁面と平行な110面になるので、この110面での壁開をチップ化のための切断に利用することができる。また、111側壁面を有するエッチング溝底部26の基板は薄板化されているため、この薄板のところで壁開させることは比較的容易である。従って、エッチング溝底部26の基板表面または基板内部に、壁開のきっかけとなるクラックを高い位置精度で作ることができれば、その後に、基板に貼り付けられているテープを伸張させることで簡単に壁開でき、チップ化できる。一方、図8に示すように、シリコン半導体基板シリコン基板に対するレーザー光の波長と透過率の関係は、波長1.0μm以下ではほぼ透過せず吸収され、波長1.1μmで透過率が約10、波長1.2μmで透過率が約15、波長1.5μmで透過率が約20と急上昇していることが分かる。すなわち、波長1.0μm以下のレーザー照射の場合、シリコン基板内部へのレーザー光によるダメージを最小限に抑えて壁開に利用するクラック以外のクラックの発生をできるかぎり少なくするために、その焦点を基板表面に設定することが好ましい。また、波長が1.0μmを超える波長のレーザー照射では、その焦点を裏面側のエッチング溝底部から基板内部へ深さ50μm以内、好ましくは30μm以内のシリコン基板内に設定することが好ましい。前述の2種類の波長のレーザー照射によるレーザーダイシング方法について、以下説明する。1.0μm以下の波長のレーザー照射の場合第1の方法、半導体基板にエッチング溝27を含む半導体機能領域を形成した後、図1aに示すように、エッチング溝27の開口部がある裏面側にテープ25を貼付する。その後、1.0μm以下の波長のレーザー光を基板表面側から照射する。その際のレーザー照射の焦点を、半導体基板の表面に設定して、スクライブライン50図2上を走査する。この第1の方法の場合、レーザー光としては、YAGレーザーの第二高調波532nmやエキシマーレーザー、もしくは半導体レーザーを使用し、0~5,000n秒遅延時間を設けて、その強度を2.0J/cm2以上としてダイシングすることが好ましい。この方法により、半導体特性への悪影響無しにクラックが形成され、チップ化が可能になる。1.0μmを超える波長のレーザー照射の場合第2の方法、半導体基板にエッチング溝27を含む半導体機能領域を形成した後、図1bに示すように、半導体基板の表面側に1.0μmを超える波長のレーザー光を透過するテープ25を貼付する。次に、1.0μmを超える波長のレーザー光を表面側からテープ25越しに照射する。その際のレーザー照射の焦点を、エッチング溝底部から基板内部に深さ5~50μmの範囲内に設定して、スクライブライン50図2上を走査する。この第2の方法の場合、レーザー光としては、シリコン基板に対する透過率の大きいYAGレーザーの1.064μm、1.320μm、1.44μmなどの赤外域の波長を使用し、0~5,000n秒遅延時間を設けて、その強度を2.0J/cm2以上としてダイシングすることが好ましい。この方法によっても半導体特性への悪影響無しにクラックが形成され、チップ化が可能になる。この場合、レーザー照射の焦点は基板内部でありテープに対しては透過性が高いので、テープは熱で切断されることなく基板保持能力を維持する。これらの第1,2の方法のレーザー照射により焦点部に発生したクラックを半導体基板に垂直な方向のみに進展させて壁開して、半導体基板を半導体チップに分割させる。この分割方法をさらに詳細に説明する。前述のクラックの進展による壁開後、貼り付けたテープ25によりバラバラにならないように保たれている半導体基板を中心から外周部の全方位に向けて均等にテープを引き伸ばすことにより半導体チップとして分離分割させることができる。さらに異なるチップ化方法として、レーザー照射後に、半導体基板に超音波を当てる方法、レーザー照射部にステンレス、Alなどの金属材料からなる治具で叩いたりするなどの物理的な刺激を加えてクラックを進展させたりする方法などもある。ただし、本発明にかかるチップ化では、レーザー照射部のエッチング溝底部の基板厚がエッチングで、エッチング前の厚さ200μmから数10μm~100μm程度にまで薄くされているため、物理的な刺激を加えると、却って新たなチッピングが発生するおそれがある。従って、物理的な刺激を加える際には、刺激の大きさに細心の注意を払う必要がある。また、Si半導体は赤外域での光の屈折率が3.5程度と大きいため、レーザー照射の際に焦点を結ばせるには、NA開口数値の大きなレンズを必要とするだけでなく、レンズと基板間の距離を小さくする必要がある。そのためには、レンズと基板間の距離の小さい半導体基板の表面側からレーザー照射することが好適である。このようにすることにより屈折率の高いSi半導体基板を通過する距離が短くなり焦点をより正確な位置に絞れるため、クラックが安定して生成し、深さ方向の位置を安定させ易くすることができる。以下、本発明の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法について、特にダイシング方法に関して条件を変えた実験を行い、本発明にかかる実施例および比較例として評価した結果について説明する。本発明にかかる実施例および比較例には逆阻止型IGBTを用いて評価をした。この逆阻止型IGBTを製造するための投入ウエハとして、全厚が200μmの半導体基板を用いた。図1の断面図に示すように、ウエハプロセスの終了時には、この実施例および比較例に用いた逆阻止型IGBTはアルカリエッチングにより半導体基板の溝27底部の基板厚が約100μmにされている。このような逆阻止型IGBTのウエハプロセスを終了したウエハをチップ化するために、ダイシングの種類、レーザー波長、レーザー照射の焦点位置、ダイシング速度などの条件を変える実験を行った。下記表1の実施例1~7および比較例1~4の各欄に、前記条件変更した内容および評価結果良品率について記載した。良品率は、レーザー照射ダイシングにより得られた200チップについて、耐圧および外観不良を差し引いた良品の割合を示した。良品率は95以上あれば、量産に採用される製造方法として好適である。表1に示す試験から、他の条件は同じでダイシング速度のみ変更した実施例1と2では、良品率は両方とも95以上あり、量産に採用するプロセスとして十分であると考えた。実施例2では良品率が4下がるだけで、ダイシング速度を100mm/sec.から250mm/sec.へ上げることができ、高い製造効率が得られるので好ましい。実施例3~6ではダイシング速度は100mm/sec.で一定で、レーザー照射の焦点を溝底部側裏面側から基板内部へ6μm~40μmの範囲で深い位置とする条件で、いずれも表面側からのレーザー照射で行ったものである。これらの実験結果ではいずれも95以上の良品率があるが、特に焦点が裏面側から25μmの時最も良品率が高く好ましいことを示している。実施例7では、焦点を前述の25μmに固定してダイシング速度を250mm/sec.に高くした条件である。その結果は実施例7のレーザーダイシング速度は100mm/sec.より250mm/sec.の方が良品率が4高いことを示している。生産効率を優先するならば、実施例7の条件が有利である。一方、比較例1および比較例2はレーザー照射ではなくブレードダイシングとしたものである。このブレードダイシングでは、チッピングが多く、耐圧不良および外観不良品が多く、良品率は92と53であった。特に、切断スピードを100mm/sec.から250mm/sec.に上げるとその影響で不良が増大する傾向が顕著に認められた。実施例1~7のレーザーダイシングでは、スピードを上げても顕著な良品率の悪化は認められないことが分かる。しかしながら、比較例3および4のように、ダイシングに1064nmの波長のレーザー照射を用いても、半導体基板の溝底部の最表面近傍または深い位置裏面側中空部側2μm、または溝底部から70μmの深さに焦点を結ばせようとした場合は、半導体基板表面へのダメージが発生し、外観不良が増す傾向があった。クラックの発生位置から基板表面または裏面へのクラックの進展長さが長いと、外観不良が増えるためと考えられる。表1全体から、焦点位置は、エッチング溝底部から基板内部へ深さ5~50μmの範囲内であることが好ましく、深さ10~30μmの範囲内に設定することがより好ましいことが分かる。本発明は、逆阻止型IGBTに限らず、その他の逆阻止型デバイスや双方向型デバイス、または分離拡散層の形成を伴うMOSFETやバイポーラトランジスタ、MOS型サイリスタなどの絶縁ゲート型半導体装置にも適用できる。以上の実施例の説明した分離拡散層の形成工程とレーザー照射による半導体基板の分割工程を含む絶縁ゲート型半導体装置の製造方法によれば、接合を横切る方向に進展するクラックの発生がほとんど無いレーザーダイシングとすることができるので、耐圧高信頼性を有する逆阻止能力が可能になり、量産性に優れた逆阻止IGBTを安価に実現できる。"