第1電極と、前記第1電極上に設けられた圧電体層と、該圧電体層上に設けられた第2電極と、該第2電極上に設けられた絶縁膜とを具備し、前記第2電極の前記絶縁膜と接触する領域に、凹凸部が設けられていることを特徴とする圧電素子。前記絶縁膜には、前記第2電極を露出させる開口が設けられており、該第2電極の該開口から露出する領域は平坦面であることを特徴とする請求項1記載の圧電素子。前記第2電極の周縁部には、前記凹凸部を構成する凸部が形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の圧電素子。前記凹凸部を構成する凸部は、前記第2電極の長手方向及び短手方向にそれぞれ複数離間して延設され、互いに交差して格子状となるように配されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の圧電素子。しかしながら、特許文献1の構成では、圧電素子が撓み変形した際に、保護膜が第2電極から剥がれてしまうことがあるという問題がある。このように保護膜の第2電極からの剥がれが生じると、絶縁性を確保できず、かつ、剥がれた保護膜が異物となってしまう可能性がある。このような剥がれは、第2電極と保護膜との熱膨張係数差等から、撓み変形とは関係なく保護膜を有する圧電素子で生じる問題である。ただし、インクを吐出するために圧電素子の大きな撓み変形が要求されるインクジェット式記録ヘッドなどの液体噴射ヘッドでは、特に問題となりやすいと考えられる。本発明はこのような事情に鑑み、保護膜と第2電極との密着性が向上した圧電素子を提供することを目的とする。本発明の圧電素子は、第1電極と、前記第1電極上に設けられた圧電体層と、該圧電体層上に設けられた第2電極と、該第2電極上に設けられた絶縁膜とを具備し、前記第2電極の前記絶縁膜と接触する領域に、凹凸部が設けられていることを特徴とする。本発明では、第2電極の絶縁膜と接触する領域には、凹凸部が設けられていることで、第2電極と絶縁膜との密着性を向上させることができる。前記絶縁膜には、前記第2電極を露出させる開口が設けられており、該第2電極の該開口から露出する領域は平坦面であることが好ましい。開口から露出する領域が平坦面であり、凹部が設けられていないことで、開口形成時のオーバーエッチングによる断線を防止することができる。前記第2電極の周縁部には、前記凹凸部を構成する凸部が形成されていることが好ましい。凸部が形成されていることで、第2電極の強度を保持することができ、また、凹凸部形成時の位置合わせ精度への要求を緩めることができる。前記凹凸部を構成する凸部は、前記第2電極の長手方向及び短手方向にそれぞれ複数離間して延設され、互いに交差して格子状となるように配されていることが好ましい。このように構成されていることで、接触面積を増加させてより第2電極と保護膜との密着性を向上させることができる。以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。実施形態1図1は、本発明の実施形態1に係るインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2aは、インクジェット式記録ヘッドの要部平面図であり、図2bは、図2aのA-A′断面図である。図示するように、インクジェット式記録ヘッドIの流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ0.5~2μmの弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、隔壁11によって区画された複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12に設けられたインク供給路14を介して連通されている。なお、連通部13は、後述する保護基板のリザーバー部と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバーの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、後述するマスク膜を介して接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。一方、流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように、二酸化シリコンからなり厚さが例えば、約1.0μmの弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、例えば、酸化ジルコニウムZrO2等からなる絶縁体膜55が積層形成されている。また、絶縁体膜55上には、第1電極60と、圧電体層70と、第2電極80とからなる圧電素子300が形成されている。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。さらには、本実施形態では、圧電素子300は、後述する保護膜100も含むものである。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層70から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部320という。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室12毎に圧電体能動部320が形成されていることになる。また、本実施形態では、第1電極60の圧力発生室12の長手方向の端部を圧力発生室12に相対向する領域内に設けることで、圧電素子300の実質的な駆動部となる圧電体能動部320の長手方向の端部長さを規定している。また、圧電体層70及び第2電極80の圧力発生室12の幅方向の端部を圧力発生室12に相対向する領域内に設けることで、圧電体能動部320の短手方向の端部幅を規定している。すなわち、圧電体能動部320は、パターニングされた第1電極60及び第2電極80によって、圧力発生室12に相対向する領域にのみ設けられていることになる。なお、本実施形態では、第1電極60を複数の圧電素子300の並設方向に亘って設け、第1電極60の圧力発生室12の長手方向の端部を、圧力発生室12に相対向する位置となるように設けた。なお、上述した例では、弾性膜50、絶縁体膜55及び第1電極60が圧電素子300と共に変形する振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50及び絶縁体膜55を設けずに、第1電極60のみが振動板として作用するようにしてもよい。そして、圧電素子300を構成する第1電極60、圧電体層70及び第2電極80圧電体能動部320は、耐湿性を有する絶縁材料からなる保護膜絶縁膜100によって覆われている。具体的には、保護膜100は、圧電体層70の側面と第2電極80の上面の周縁を覆うように設けられている。すなわち、第2電極80の上面の主要部は、保護膜100が設けられておらず、第2電極80の上面の主要部を露出するための開口部101が設けられている。開口部101は、保護膜100を厚さ方向に貫通して圧電素子300の長手方向圧力発生室12の長手方向に沿って矩形状に開口するものであり、例えば、流路形成基板10上の全面に亘って保護膜100を形成した後、選択的にパターニングすることで形成することができる。このように圧電素子300を保護膜100で覆うことにより、大気中の水分等に起因する圧電素子300の破壊を抑制することができる。ここで、このような保護膜100の材料としては、耐湿性を有する材料であればよいが、例えば、公知の絶縁性無機材料または絶縁性樹脂材料などが好適に用いられる。公知の絶縁性無機材料としては、例えば、酸化シリコンSiOx、酸化タンタルTaOx、酸化アルミニウムAlOx等を用いるのが好ましく、特に、無機アモルファス材料である酸化アルミニウムAlOx、例えば、アルミナAl2O3を用いるのが好ましい。公知の絶縁性樹脂材料としては、例えば、公知の感光性樹脂材料を用いてもよいし、非感光性樹脂材料を用いてもよい。絶縁性樹脂材料が、感光性樹脂材料である場合、公知の不飽和結合含有重合性化合物、光重合開始剤等も含んでいてもよい。具体的には、絶縁性樹脂材料は、フォトレジストであってもよいし、ポリイミド、サイクロテン、ベンゾシクロブテンBCB、ポリビニルアルコール誘導体等の樹脂組成物であってもよい。保護膜100の材料として酸化アルミニウムを用いた場合、保護膜100の膜厚を100nm程度と比較的薄くしても、高湿度環境下での水分透過を十分に防ぐことができる。また、保護膜100に開口部101が設けられていることで、圧電素子300の変位を阻害することがなく、インク吐出特性を良好に保持することができる。ここで、保護膜100は、例えば熱膨張係数の違いや圧電素子300駆動時の変位などにより第2電極80から剥がれてしまうことが考えられるので、このような保護膜100の第2電極80からの剥がれを抑制するために、本実施形態では、第2電極80の保護膜との接触領域には、凹凸が設けてある。この点について、図3を用いて説明する。図3aは、図2aにおけるX-X線での断面図であり、図3bは図2aにおけるY-Y線での断面図である。図3aに示すように、第2電極80の上面圧電体層70が設けられている面とは逆側の面には、凹部81が形成されることで相対的に凸部82が同時に形成されている凹凸部83が形成されている。このように第2電極80の上面に凹凸部83が形成されていることで、第2電極80の表面積が増大して第2電極80と第2電極80上に形成された保護膜100との密着性が向上する。これにより、第2電極80からの保護膜100の剥がれを抑制することができる。この凹凸部83は、第2電極80の上面のうち、保護膜100と接触する領域に形成されている。即ち、図3bに示すように、第2電極80の開口101から露出する領域第2電極80の開口101と対向する領域には凹凸部83は設けられていない。このように、第2電極80の開口101に露出する領域に凹凸部83が設けられていないことで、詳しくは後述するが、凹部81作製時の作製精度が向上し、これにより変位特性が安定する。図4に示すように、凹部81は、上面視において矩形状である。第2電極80の上面に形成された凹部81は、第2電極80上面に第2電極80の長手方向及び短手方向に複数離間して整列した状態、いわゆるマトリクス状となるように形成されている。これにより、凸部82は上面視では縦横方向第2電極の長手方向及び短手方向に複数の直線部が離間して延設され互いに交差直交していわゆる格子状となるように形成されている。そして、第2電極80の上面の保護膜の開口101から露出する領域には、凹凸部83が設けられていないので平坦面となっている。また、図3に示すように、凸部82の厚みH2は、従来の第2電極80と同一の厚みとなるように構成されている。凹部81の厚みH1は、従来の第2電極80の厚みよりも薄く、本実施形態では半分程度となっている。このように従来の第2電極80の厚みよりも薄い凹部81が設けられていることで、第2電極80と保護膜100との密着性を向上させると共に、第2電極80の剛性が低下するので圧電素子300の駆動時の圧電素子の変位を阻害せず、変位特性を向上させることが可能である。また、凹凸部83では、この凸部82が第2電極80の周縁部に位置するように設けられている。このように凸部82が第2電極80の周縁部に設けられていることで、第2電極80の端部が厚くなるので、第2電極80の強度が高まり、また、詳しくは後述するが、凹部81作製時の作製精度が向上し、これにより変位特性が安定するため好ましい。なお、本実施形態では、保護膜100を図2aに示すように、複数の圧電素子300圧電体能動部320に亘って連続して設けるようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、保護膜100を各圧電素子300毎に設けるようにしてもよい。保護膜100上には、例えば、金Au等からなるリード電極90が設けられている。リード電極90は、保護膜100に設けられた別の開口部100aを介して一端部が第2電極80に接続される。また、圧電素子300が形成された流路形成基板10上には、圧電素子300に対向する領域に、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部31を有する保護基板30が、接着剤35によって接合されている。なお、圧電素子保持部31は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。また、保護基板30には、連通部13に対向する領域にリザーバー部32が設けられており、このリザーバー部32は、上述したように、流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバー111を構成している。また、保護基板30の圧電素子保持部31とリザーバー部32との間の領域には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられ、この貫通孔33内に第1電極60の一部及びリード電極90の先端部が露出されている。この先端部は、後述する圧電素子300を駆動する駆動回路と接続配線を介して接続されている。また、保護基板30上には、圧電素子300を駆動するための駆動回路200が固定されている。この駆動回路200としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路200とリード電極90とはボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線210を介して電気的に接続されている。保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料例えば、厚さが6μmのポリフェニレンサルファイドPPSフィルムからなり、この封止膜41によってリザーバー部32の一方面が封止されている。また、固定板42は、金属等の硬質の材料例えば、厚さが30μmのステンレス鋼SUS等で形成される。この固定板42のリザーバーに対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、リザーバーの一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバー111からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路200からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。製造方法本発明の圧電素子の製造方法について、液体噴射ヘッドに設けられている場合を例にとり説明する。まず、図5aに示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2からなる二酸化シリコン膜51を形成する。次いで、図5bに示すように、弾性膜50二酸化シリコン膜51上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を形成する。次いで、図5cに示すように、絶縁体膜55上の全面に第1電極60を形成すると共に、図示しないが所定形状にパターニングする。この第1電極60の材料は、特に限定されないが、圧電体層70としてチタン酸ジルコン酸鉛PZTを用いる場合には、酸化鉛の拡散による導電性の変化が少ない材料であることが望ましい。このため、第1電極60の材料としては白金、イリジウム等が好適に用いられる。次に、図6aに示すように、第1電極60上に圧電体層70及び第2電極80を順次積層形成する。圧電体層70は、本実施形態では、有機金属化合物を溶媒に溶解分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層70を得る、いわゆるゾル-ゲル法を用いて形成している。なお、圧電体層70の製造方法は、ゾル-ゲル法に限定されず、例えば、MODMetalOrganicDecomposition法、スパッタリング法又はレーザーアブレーション法等のPVDPhysicalVaporDeposition法等を用いてもよい。また、第2電極80は、導電性の高い金属、例えば、イリジウムIr等を用いることができる。この第2電極80は、従来の第2電極と同一の厚みとなるように例えば厚さ10~100nmであり、本実施形態では50nmとした形成する。次に、図6bに示すように、圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングすることで、圧電素子300を形成する。具体的には、圧電体層70及び第2電極80をパターニングすることで、流路形成基板用ウェハー110の各圧力発生室12が形成される領域に相対向する領域に圧電素子300を形成する。この後、本実施形態における凹凸部83を第2電極80の上面に形成する。図7aに示すように、第2電極80の上面にレジスト等からなるマスクパターン84を形成する。そして、図7bに示すようにこのマスクパターン84を介して第2電極80の上面をエッチングすることで、凹凸部83を形成する。具体的には、凸部82の形状と同一の形状のマスクパターン84を形成してこのマスクパターン84を介して所定時間エッチングすることで、凹部81を形成する。これにより、第2電極の上面には凹凸部83が形成される。エッチング方法としては、例えば、イオンミリングや、反応性ドライエッチングRIE等のドライエッチングにより行うことができ、本実施形態ではドライエッチングである。この場合に、本実施形態では、凹凸部83の凸部82が第2電極80の端部に位置するように形成されている。これにより、マスクパターン84の位置合わせ精度が多少低くて凹部81を形成するためのマスクパターンの位置がずれたとしても、第2電極80の上面以外の場所をエッチングすることが防止でき、作製精度が向上する。次いで、その後、マスクパターン84を除去した後に、図7cに示すように、保護膜100を形成する。保護膜100の形成方法は特に限定されず、公知の成膜方法を用いることができる。公知の成膜方法としては、CVD法やPVD法などの蒸着法、スパッタリング法、MOD法、ゾル-ゲル法、スピンコート法等が挙げられる。その後、保護膜100にマスクを設けてエッチングして開口部101を形成する。なお、保護膜100のエッチングは、例えば、イオンミリングや、反応性ドライエッチングRIE等のドライエッチングにより行うことができる。この場合に、本実施形態では、第2電極80の開口部101に対向する領域には凹凸部83を形成していない。即ち、第2電極80の開口部101に対向する領域は、凹部が形成されていないことで第2電極80の厚みが従来と同一であるので、開口部101を形成した場合にオーバーエッチングが発生したとしても断線などが生じることがなく、作製が容易であり、作製精度が向上し、これにより変位特性が安定する。その後は、リード電極を形成後、流路形成基板用ウェハーの圧電素子側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板となる保護基板用ウェハーを接着剤を介して接合し、流路形成基板用ウェハーを所定の厚みに薄くする。次いで、流路形成基板用ウェハーを異方性エッチングウェットエッチングすることにより、圧電素子に対応する圧力発生室等を形成する。その後は、流路形成基板用ウェハー及び保護基板用ウェハーの外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハーの保護基板用ウェハーとは反対側の面にノズル開口が穿設されたノズルプレートを接合すると共に、保護基板用ウェハーにコンプライアンス基板を接合し、流路形成基板用ウェハー等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIとする。他の実施形態以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、凹凸部83は格子状となった凸部82により構成されていたが、これに限定されない。凹部もしくは凸部が形成されることで凹凸が形成されていればよい。例えば、凹凸部83は上面視において第2電極80の長手方向に沿ったストライプ状であってもよい。また、凹部81は、本実施形態では上面視において矩形状であったが、これに限定されず、例えば円形状であってもよい。もちろん、凹凸部83の凹部と凸部とが逆になるように構成されていてもよい。ただし、本実施形態で示したように、凸部82が第2電極80の上面の端部に設けられている方が変位を阻害せずに強度が高まるため好ましい。また、上述した実施形態では、凸部82の厚さは保護膜100の開口と対向する領域の第2電極の厚さと同一であったが、これに限定されない。例えば、図8aに示す実施形態では、保護膜100の開口101に対向する領域の第2電極80の厚みよりも、保護膜100に接触する領域に形成された凸部82の厚みが薄い。具体的には、従来の第2電極80の厚みよりも保護膜100の開口101に対向する領域の第2電極80の厚みが厚く、凸部82の厚みが第2電極80の従来の厚みと同一である。このように構成されていても、開口から露出する部分の厚みが第2電極80の従来の厚みと同程度あることで、開口101を形成する場合に第2電極80がオーバーエッチされてしまったとしても、断線をより防止することが可能である。この場合に、第2電極の剛性は上昇するが、凹部81が従来の第2電極の厚みよりも薄くなることで、圧電素子300全体では、変位特性が劣化することはない。また、図8bに示す実施形態では、保護膜100の開口101に対向する領域の第2電極80の厚みよりも、保護膜100に接触する領域に形成された凸部82の厚みが厚い。この場合であっても、第2電極80の厚みが従来の第2電極80の厚みと同一であれば、開口101を形成する場合に第2電極80がオーバーエッチされてしまったとしても、断線の可能性を防止することが可能である。また、上述した各実施形態では、第2電極80上面の開口101から露出する領域には凹凸部83が設けられておらず、平坦面とされていたがこれに限定されない。例えば、上面全面に亘って凹凸部83が設けられていて、第2電極80上面の開口101から露出する領域にも凹凸部83が形成されていてもよい。この場合には、第2電極80上面の開口101から露出する領域の凹部81における厚みが少なくとも従来の第2電極80と同一の厚みであれば断線の可能性も生じないので好ましい。また、上述した各実施形態では、保護膜100には開口101を設けているが、これに限定されない。保護膜100に開口101を設けず、第2電極80の全面に凹凸部83を設けても良い。保護膜100に開口101を設けるのは、保護膜を設けることで圧電素子の剛性が上昇してしまい圧電素子の変位特性が低下するのを抑制するためであるが、凹部81が形成されていることで、第2電極の剛性が低下しているため、保護膜で圧電素子300の全面を覆ったとしても、圧電素子の変位特性を低下させない。さらに、この場合には開口を設けないのでオーバーエッチの可能性がないため、第2電極80全体を薄く形成することができる。これにより、第2電極80を圧電素子の変位特性が低下することを抑制できる。また、上述した実施形態では、凹部81を形成することにより相対的に凸部82を形成して凹凸部83としたが、これに限定されない。凸部を形成することにより相対的に凹部81を形成して凹凸部83としてもよい。例えば、第2電極の上面に凹部に対応するマスクパターンを形成し、次いでマスクパターンを介して第2電極の材料を積層させ最後にマスクパターンをリフトオフすることにより凸部を形成して、これにより相対的に凹部を形成しても良い。また、上述した実施形態では、圧電素子保持部31を有する保護基板30を設けるようにしたが、圧電素子300は保護膜100によって覆われて外部環境に起因する破壊が防止されているため、保護基板30を厚さ方向に貫通する圧電素子保持部としてもよく、また保護基板を設けなくてもよい。また、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置IIに搭載される。図9は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図9に示すように、インクジェット式記録ヘッドIを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。また、上述した実施形態1では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明の圧電素子は、液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED面発光ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。本発明の圧電素子は、このような液体噴射ヘッドに圧力発生手段として搭載される圧電素子だけでなく、例えばメモリーやセンサー等にも適用することができる。