電子放出源が配されたカソードと、前記カソードに対向配置され蛍光体が配されたアノードと、複数の磁場発生手段と、を含み、前記複数の磁場発生手段は、前記カソードに面する面、またはカソードの側面と対向するように装置外部に配されており、かつ磁極が交互に逆極性となっている電界放出型発光装置。前記磁場発生手段が永久磁石または電磁石である請求項1に記載の電界放出型発光装置。前記電子放出源がカーボンナノチューブで出来ている請求項1または2に記載の電界放出型発光装置。前記磁場発生手段は前記カソードに面する面に配されており、かつN極とS極を結ぶ線が前記カソードの面と直交している請求項1~3のいずれか1項に記載の電界放出型発光装置。器具の大型化、発光効率の低下を伴うことなく電界放出型発光装置の輝点サイズを、拡大することが望まれる。本発明の目的は、電極間距離の増大や励起電圧不足による蛍光効率の減少を引き起こさずに、輝点サイズを拡大し、均一な発光が得られる電界放出型発光装置を提供することにある。本発明によれば、電子放出源が配されたカソードと、上記カソードに対向配置され蛍光体が配されたアノードと、複数の磁場発生手段と、を含み、上記複数の磁場発生手段は、上記カソードに面する面、またはカソードの側面と対向するように装置外部に配されており、かつ磁極が交互に逆極性となっている電界放出型発光装置が提供される。本発明によれば、電界放出型発光装置の輝点サイズを、器具の大型化、発光効率の低下を伴うことなく拡大することが可能である。このため、器具の発光均一性の向上、電流分散による信頼性の向上が可能である。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、本発明の実施形態における電解放出型発光装置を示す図である。図1に示すように、電解放出型発光装置は、電子放出源20が配されたカソード200と、カソード200に対向配置され蛍光体が配されたアノード100と、複数の磁場発生手段300と、を含み、複数の磁場発生手段300は、カソード200に面する面、またはカソード200の側面と対向するように装置外部に配されており、かつ磁極が交互に逆極性となっている構成を有している。なお、磁場発生手段300は永久磁石または電磁石であり、電子放出源20はカーボンナノチューブで構成されている。さらに、磁場発生手段300はカソード200に面する面に配されており、かつN極310とS極320を結ぶ線がカソード200の面と直交している。また、本実施形態による電界放出型発光装置において、アノード100とカソード200との間には、電源410によって電圧が加わり、電位差が生じる。この電位差によって、電子放出源20から放出された電子は、アノード100側に加速する。図2は、本発明の実施形態における平面内の磁極配置を示す図である図2に示すように、カソード200の裏面に磁場発生手段300をN極310およびS極320が、カソード200に面する面の磁極が交互に逆極性となるように配置してある。なお、磁場発生手段300は、一次元だけでなく二次元においても磁極が交互に逆極性となるように配置してある。本発明による電界放出型発光装置は、電子放出源20が配されたカソード200の裏面に置かれた磁場発生手段300を有している。この磁場発生手段300は、カソード200とアノード100との間の空間に、横方向の磁場を発生させる。この磁場によって、放出電子の軌跡を歪めることができる。このとき軌跡の歪み方は、電子が通過した全軌道におけるローレンツ力を積算した量に依存する。このため軌跡の歪み方は、電子放出初期の運動量のバラつきや磁場の不均一さの影響によって、磁場がないときに比べ蛍光面到達位置のバラつきが大きくなる。これは、蛍光体面上での輝点がぼやけたことに相当し、電流の局所集中を抑制出来る。さらに、磁場発生手段300同士の間隔を自由に変えてもよい。これによって、磁場発生手段の間隔を変えた際、電子の軌跡の分布もそれに応じて変化する。このため、電子が蛍光体面にあたる箇所も変化させることができ、これにより蛍光体の特定の箇所だけが早く劣化することを防ぐことが出来る。また、本実施形態の電界放出型発光装置は、特許文献6に開示されている電界放出型発光装置とは異なり、磁場発生手段300が装置の外側にある。さらに、磁場発生手段300はカソード200の裏面にのみ、カソード200とアノード100の面に直行する面に配されている。これにより、本電界放出型発光装置では、発光装置内の位置に応じて磁場の向きがが変化する。したがって、輝点が単に一方向にシフトするのではなく、発光面全域に渡って輝点のサイズを広げることが出来る。次に、本実施の形態の効果について説明する。磁場発生手段300の有無によって、全輝度及び、輝点パターンの変化を、輝度計と、デジタルカメラによる像の明暗で比較した。この結果、磁場発生手段300がある場合は、磁場発生手段300が無い場合と比べて、全輝度が5上昇すると共に、デジタルカメラピクセルごとの明暗値の標準偏差が10低減する。この結果、本実施形態による電界放出型発光装置によって、輝点が拡大し、面内の明るさの均一性が増し、かつ電流分散により輝度飽和効果が緩和されたため、蛍光体の発光効率が向上したことを示している。第2の実施形態図3は、本発明の実施形態における磁極配置を示す図で、aは平面図、bは側面図である。図3に示すように、本実施形態の電界放出型発光装置は、第1の実施形態と異なり装置の側面に磁場発生手段300を配置している。この電界放出型発光装置の作成方法は第1の実施形態と同様な方法である。なお、本実施形態においても第1の実施形態と同様の効果が得られている。また、本電界放出型発光装置による効果を十分に発揮するためには、装置内部の磁場が出来る限り一様でないほうが望ましい。これは、輝点の拡大が起こる代わりに蛍光体面上の輝点の一様なシフトが起こってしまうことが考えられるためである。図4は、均一な磁極配置を説明するための図であり、aは平面図、bは側面図である。図4に示すように、側面に配置する磁場発生手段300が一様磁場に近い磁場を作る場合、磁場発生手段300の有無によって輝点位置が若干シフトする。しかし、これによって十分に輝点は拡大しない。なぜなら、均一な磁場の元では、放出電子はわずかな差異を除いては、ほぼカソード200と直交する方向に磁場を生み出すため、輝点の位置が、単にシフトするからである。このため、磁場の配置を最適化することによって少ない磁場発生手段の数で輝点の拡大を最大化できる。さらに、カソード200の底面および側面への磁場発生手段300の配置は、排他的なものでなく、両方を併用できる。なお、本実施形態における電界放出型発光装置の作成は、例えば、特開2010-192245号に開示されている方法と同様の手順で行うことができる。まず、電子放出のためのカソード200を、以下の手順で作成した。カーボンナノチューブ200mgをトルエン10mlとαテルピネオール15ml混合溶液中で30分間超音波分散させ、その分散液にセルロース系有機バインダー200mgとラスフリット400mgを混ぜる。次に、得られた混合溶液に対し、30分間超音波分散を行う。これにより、カーボンナノチューブペーストを調整する。次に、得られたナノチューブペーストをITO基板上にスクリーン印刷し、窒素中480°Cで熱処理を行い、鉄カーボンナノチューブで出来ている電子放出源を作製した。この電子放出源を使用してランプを作製した。アノード100は、ITO基板の表面に蛍光体を塗布することにより作製した。電極サイズは2cm×2cmで、電極間距離は3mmに設定した。ランプ内部の真空度は4×10-6Paであった。ランプのカソード裏面に図3のような磁極配置となるようにSmCo磁石をカソード200の裏面のみに配置したプレートを取り付け、発光を観察する。実際に作製して観察した。その結果、磁場発生手段300がある場合は、磁場発生手段300が無い場合と比べて、全輝度が5上昇すると共に、デジタルカメラピクセルごとの明暗値の標準偏差が10低減している。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。