"同一基板上に複数の磁気抵抗効果素子が直接形成されてなる磁気センサであって、前記磁気抵抗効果素子は、反平行結合膜を介して第1の強磁性膜と第2の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、前記第1の強磁性膜及び前記第2の強磁性膜は、キュリー温度が略同じであり、かつ、磁化量の差が実質的にゼロであり、各磁気抵抗効果素子の強磁性固定層の磁化方向が異なっており、前記基板上に同じ高さで並設されていることを特徴とする磁気センサ。前記第1の強磁性膜を構成する材料の保磁力が500Oe以上であり、前記第2の強磁性膜を構成する材料の結晶構造が前記非磁性中間層を構成する材料の結晶構造と同じであることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。前記第2の強磁性膜を構成する材料の保磁力が50Oe以下であることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。前記第1の強磁性膜が40原子~80原子のFeを含むCoFe合金で構成され、前記第2の強磁性膜が0原子~40原子のFeを含むCoFe合金で構成されていることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。基板上に、反平行結合膜を介して第1の強磁性膜と第2の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、特定方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子の第1積層膜を形成する第1形成工程と、前記第1積層膜を残存させる領域以外の領域の前記第1積層膜を前記基板から除去する除去工程と、前記第1積層膜を除去した基板上に、反平行結合膜を介して第1の強磁性膜と第2の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、前記特定方向と異なる方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子の第2積層膜を形成する第2形成工程と、を具備することを特徴とする磁気センサの製造方法。前記第1の強磁性膜の成膜時に、前記強磁性固定層の磁化を固定する方向に磁場を印加することを特徴とする請求項5記載の磁気センサの製造方法。前記除去工程及び前記第2形成工程を繰り返して行い、各積層膜における強磁性固定層の磁化方向を異ならせることを特徴とする請求項5記載の磁気センサの製造方法。しかしながら、特許文献1に開示された磁気センサにおいては、各層で磁気抵抗効果素子を素子形成する必要がある。また、磁気抵抗効果素子102a~102dが絶縁膜103を介して積層する場合、積層を重ねることで徐々に段差が発生するため、フォトレジストの塗布状態に影響を及ぼす。このため、フォトレジストの塗布状態に影響を及ぼさないようにするためには、平面視において、各磁気抵抗効果素子を離して設ける必要があり、近接して磁気抵抗効果素子を作り込むことができず、素子の小型化に制約がある。また、磁気センサにおいて各磁気抵抗効果素子102a~102dの高さ方向の位置がそれぞれ異なっているので、例えば、図6において、磁気センサに対して紙面上方に磁気部品が配置されるとすると、磁気部品から各磁気抵抗効果素子102a~102dまでの距離がそれぞれ異なってしまい、感度軸の違いによる感度差が生じてしまう恐れがある。さらに、磁気センサにおいて各磁気抵抗効果素子102a~102dの高さ方向の位置がそれぞれ異なっているので、配線の引き回しが難しく、コンタクトホールの形成などの追加プロセスも必要となり、製造プロセスが複雑になるという問題がある。本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、感度軸の違いによる感度差がない磁気センサ、そのような磁気センサを簡単に得ることができる製造方法を提供することを目的とする。本発明の磁気センサは、同一基板上に複数の磁気抵抗効果素子が直接形成されてなる磁気センサであって、前記磁気抵抗効果素子は、反平行結合膜を介して第1の強磁性膜と第2の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、前記第1の強磁性膜及び前記第2の強磁性膜は、キュリー温度が略同じであり、かつ、磁化量の差が実質的にゼロであり、各磁気抵抗効果素子の強磁性固定層の磁化方向が異なっており、前記基板上に同じ高さで並設されていることを特徴とする。この構成によれば、感度軸方向がそれぞれ異なる複数の磁気抵抗効果素子を同一基板上に近接して設けることができる。このため、各磁気抵抗効果素子間で高さ方向の位置基板からの磁気抵抗効果素子の高さ方向の位置が変わらない。その結果、感度軸の違いによる感度差がない状態を実現することができる。さらに、本発明に係る磁気センサにおいては、磁気抵抗効果素子の作り込みにおいて段差が生じないので、段差を許容するための磁気抵抗効果素子間のスペースを確保する必要が無く、より小型化を図ることが可能となる。本発明の磁気センサにおいては、前記第1の強磁性膜を構成する材料の保磁力が500Oe以上であり、前記第2の強磁性膜を構成する材料の結晶構造が前記非磁性中間層を構成する材料の結晶構造と同じであることが好ましい。本発明の磁気センサにおいては、前記第2の強磁性膜を構成する材料の保磁力が50Oe以下であることが好ましい。本発明の磁気センサにおいては、前記第1の強磁性膜が40原子~80原子のFeを含むCoFe合金で構成され、前記第2の強磁性膜が0原子~40原子のFeを含むCoFe合金で構成されていることが好ましい。本発明の磁気センサの製造方法は、基板上に、反平行結合膜を介して第1の強磁性膜と第2の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、特定方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子の第1積層膜を形成する第1形成工程と、前記第1積層膜を残存させる領域以外の領域の前記第1積層膜を前記基板から除去する除去工程と、前記第1積層膜を除去した基板上に、反平行結合膜を介して第1の強磁性膜と第2の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、前記特定方向と異なる方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子の第2積層膜を形成する第2形成工程と、を具備することを特徴とする。この方法によれば、磁気抵抗効果素子の作り込みにおいて段差が生じないので、配線形成が容易であり、配線の厚さを厚くしたり、スルーホール形成などの追加の工程が不要となる。このため、感度軸方向がそれぞれ異なる複数の磁気抵抗効果素子を同一基板上に近接して設けてなる磁気センサを簡易に製造することができる。本発明の磁気センサの製造方法においては、前記第1の強磁性膜の成膜時に、前記強磁性固定層の磁化を固定する方向に磁場を印加することが好ましい。本発明の磁気センサの製造方法においては、前記除去工程及び前記第2形成工程を繰り返して行い、各積層膜における強磁性固定層の磁化方向を異ならせることが好ましい。本発明の磁気センサは、同一基板上に複数の磁気抵抗効果素子が直接形成されてなり、前記磁気抵抗効果素子は、反平行結合膜を介して第1の強磁性膜と第2の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、前記第1の強磁性膜及び前記第2の強磁性膜は、キュリー温度が略同じであり、かつ、磁化量の差が実質的にゼロであり、各磁気抵抗効果素子の強磁性固定層の磁化方向が異なっており、前記基板上に同じ高さで並設されているので、感度軸の違いによる感度差がない磁気センサを実現することができる。以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る磁気センサを示す図である。この磁気センサ1は、例えば、図1に示すように、矢印方向に回転可能な磁石の磁界を検出するために使用される磁気エンコーダ。図1に示す磁気センサ1は、4つの磁気抵抗効果素子1a~1dを含んで構成されている。磁気抵抗効果素子1aは、図1の紙面向かって右側から左側に向かう方向を感度軸方向としており、磁気抵抗効果素子1bは、図1の紙面向かって下側から上側に向かう方向を感度軸方向としており、磁気抵抗効果素子1cは、図1の紙面向かって上側から下側に向かう方向を感度軸方向としており、磁気抵抗効果素子1dは、図1の紙面向かって左側から右側に向かう方向を感度軸方向としている。また、これらの磁気抵抗効果素子1a~1dは、すべて同一の基板11上に直接形成されており、高さ方向における位置がほぼ同じである。すなわち、これらの磁気抵抗効果素子1a~1dは、基板11上に同じ高さで並設されている。なお、図1において、参照符号1eは電極パッドを示す。磁気抵抗効果素子としては、その長手方向が互いに平行になるように配置された複数の帯状の長尺パターンストライプが折り返してなる形状ミアンダ形状を有するGMR素子であることが好ましい。このミアンダ形状において、感度軸方向Pin方向は矢印方向である。磁気抵抗効果素子の膜構成は、例えば、図2に示すものである。すなわち、磁気抵抗効果素子は、図2に示すように、基板11に設けられた積層膜構造を有する。なお、図2においては、説明を簡単にするために、基板11には磁気抵抗効果素子以外の下地層などは省略して図示している。磁気抵抗効果素子は、シード層12、第1の強磁性膜13、反平行結合膜14、第2の強磁性膜15、非磁性中間層16、軟磁性自由層フリー磁性層17、及び保護層18を含む。シード層12は、NiFeCrあるいはCrなどで構成される。保護層18は、Ta,Ruなどで構成される。なお、上記積層構造において、基板11とシード層12との間に、例えば、Ta,Hf,Nb,Zr,Ti,Mo,Wのうち少なくとも1つの元素などの非磁性材料で構成される下地層を設けても良い。この磁気抵抗効果素子においては、反平行結合膜14を介して第1の強磁性膜13と第2の強磁性膜15とを反強磁性的に結合させており、いわゆるセルフピン止め型の強磁性固定層SFP:SyntheticFerriPinned層が構成されている。この強磁性固定層において、反平行結合膜14の厚さを0.3nm~0.45nm、もしくは、0.75nm~0.95nmにすることにより、第1の強磁性膜13と第2の強磁性膜15との間に強い反強磁性結合をもたらすことができる。また、第1の強磁性膜13の磁化量Mstと第2の強磁性膜15の磁化量Mstが実質的に同じである。すなわち、第1の強磁性膜13と第2の強磁性膜15間で磁化量の差が実質的にゼロである。このため、SFP層の実効的な異方性磁界が大きい。したがって、反強磁性材料を用いなくても、強磁性固定層Pin層の磁化安定性を十分に確保できる。これは、第1の強磁性膜の膜厚をt1とし、第2の強磁性膜の膜厚をt2とし、両層の磁化及び誘導磁気異方性定数をそれぞれMsKとすると、SFP層の実効的な異方性磁界が次式1で示されるためである。式1effHk=2Kt1Kt2/Mst1-Mst2したがって、本発明の磁気センサに用いる磁気抵抗効果素子は、反強磁性層を有しない積層膜構成を有する。第1の強磁性膜13のキュリー温度Tcと第2の強磁性膜15のキュリー温度Tcとは、略同じである。これにより、高温環境においても両膜13,15の磁化量Mst差が略ゼロとなり、高い磁化安定性を維持することができる。第1の強磁性膜13を構成する材料は、大きい保磁力、500Oe×103/4πA/m以上、特に、600Oe以上の保磁力を有することが好ましい。ここで、第1の強磁性膜Pin1の膜厚と保磁力Hc及びΔMRとの間の関係について調べた。その結果を図3に示す。第1の強磁性膜の特性を確認するための膜構成を、基板/NiFeCrシード層:4nm/Fe60Co40第1の強磁性膜:X/Ru反平行結合膜:0.4nm/Cu非磁性中間層:2nm/Ta保護層:5nmとし、ΔMRを確認するための膜構成を、NiFeCrシード層:4nm/Fe60Co40第1の強磁性膜:X/Ru反平行結合膜:0.4nm/Co90Fe10第2の強磁性膜:最適化/Cu非磁性中間層:2nm/Co90Fe10軟磁性自由層:1nm/NiFe軟磁性自由層:2nm/Ta保護層:5nmとした。図3から分かるように、第1の強磁性膜13の厚さを増加させると、第1の強磁性膜13の保磁力が増加し、その結果ΔMRが増加して飽和安定する。このため、安定なΔMRを得るためには、少なくとも500Oe以上、好ましくは600Oe以上であることが好ましい。また、第2の強磁性膜15を構成する材料は、小さい保磁力、50Oe以下の保磁力を有することが好ましい。また、第2の強磁性膜15を構成する材料は、非磁性中間層を構成する材料の結晶構造と同じ結晶構造であることが好ましい。例えば、非磁性中間層を構成する材料がCuである場合には、第2の強磁性膜15を構成する材料は、面心立方格子fccの結晶構造を持つことが好ましい。このように設定することにより、保磁力の大きい第1の強磁性膜13の磁化方向が優先される。第1の強磁性膜13は、40原子~80原子のFeを含むCoFe合金で構成されていることが好ましい。これは、この組成範囲のCoFe合金が、大きな保磁力を有し、外部磁場に対して磁化を安定に維持できるからである。また、第2の強磁性膜15は、0原子~40原子のFeを含むCoFe合金で構成されていることが好ましい。これは、この組成範囲のCoFe合金が小さな保磁力を有し、第1の強磁性膜13が優先的に磁化する方向に対して反平行方向180°異なる方向に磁化し易くなるためである。この結果、上記式1で示すHkをより大きくすることが可能となる。また、第2の強磁性膜15をこの組成範囲に限定することで、磁気抵抗効果素子の抵抗変化率を大きくすることができる。第1の強磁性膜13及び第2の強磁性膜15は、その成膜中にミアンダ形状のストライプ幅方向に磁場が印加され、成膜後の第1の強磁性膜13及び第2の強磁性膜15に誘導磁気異方性が付与されることが好ましい。これにより、両膜13,15はストライプ幅方向に反平行に磁化することになる。また、第1の強磁性膜13及び第2の強磁性膜15の磁化方向磁化を固定する方向は、第1の強磁性膜13の成膜時の磁場印加方向で決まるため、第1の強磁性膜13の成膜時の磁場印加方向を変えることにより、同一基板上に磁化方向が異なる強磁性固定層を持つ複数の磁気抵抗効果素子を形成することが可能である。ここで、強磁性固定層の磁化を固定するための磁場は、例えば、60Oe以上であることが望ましい。特に、基板内の素子特性ばらつきを低減させるために、±1deg以内の磁場角度分布を有する永久磁石あるいは電磁石を用いることが望ましい。強磁性固定層の反平行結合膜14は、Ruなどにより構成される。また、軟磁性自由層フリー層17は、CoFe合金、NiFe合金、CoFeNi合金などの磁性材料で構成される。また、非磁性中間層16は、Cuなどにより構成される。また、軟磁性自由層17は、その成膜中にミアンダ形状のストライプ長手方向に磁場が印加され、成膜後の軟磁性自由層17には誘導磁気異方性が付与されることが好ましい。これにより、磁気抵抗効果素子においては、ストライプ幅方向の外部磁場に対して線形的に抵抗変化し、ヒステリシスを小さくすることができる。このような磁気抵抗効果素子においては、強磁性固定層、非磁性中間層及び軟磁性自由層により、スピンバルブ構成を採っている。本発明の磁気センサで用いる磁気抵抗効果素子の膜構成の例としては、例えば、NiFeCrシード層:4nm/Fe60Co40第1の強磁性膜:2.1nm/Ru反平行結合膜:0.4nm/Co90Fe10第2の強磁性膜:2nm/Cu非磁性中間層:2.2nm/Co90Fe10軟磁性自由層:1nm/Ni82Fe18軟磁性自由層:4nm/Ta保護層:5nmである。上述した磁気センサによれば、感度軸方向がそれぞれ異なる複数の磁気抵抗効果素子を同一基板上に近接して設けることができる。このため、各磁気抵抗効果素子間で高さ方向の位置基板からの磁気抵抗効果素子の高さ方向の位置が変わらない。このため、図1に示すように、磁気センサ1を磁石2に対して対向配置させたときに、各磁気抵抗効果素子1a~1dと磁石2との間の距離が変わらない。その結果、感度軸の違いによる感度差がない状態を実現することができる。さらに、本発明に係る磁気センサにおいては、磁気抵抗効果素子の作り込みにおいて段差が生じないので、段差を許容するための磁気抵抗効果素子間のスペースを確保する必要が無く、より小型化を図ることが可能となる。反強磁性膜で固定磁性層の磁化を固定するタイプの磁気抵抗効果素子を用いる場合、反強磁性材料のブロッキング温度交換結合磁界が消失する温度がおよそ300°C~400°Cであり、この温度に向けて交換結合磁界が徐々に低下していくため、高温になるほど固定磁性層の特性が不安定となる。本発明に係る磁気センサでは、反強磁性膜を用いていないため、固定磁性層の特性は主に固定磁性層を構成する強磁性材料のキュリー温度に依存する。一般に、CoFeなどの強磁性材料のキュリー温度は反強磁性材料のブロッキング温度よりもはるかに高い。したがって、第1の強磁性膜と第2の強磁性膜の強磁性材料のキュリー温度を一致させて高温領域においても磁化量Mst差をゼロに保つことにより、高い磁化安定性を維持することができる。また、反強磁性膜で固定磁性層の磁化を固定するタイプの磁気抵抗効果素子を用いる場合、アニール時の印加磁場方向に交換結合磁界を発生させるため、第1の強磁性膜の磁化量Mstと第2の強磁性膜の磁化量Mstとで意図的に差を付ける必要がある。これは、磁化量差がゼロの場合、第1の強磁性膜及び第2の強磁性膜が共に飽和する磁界が、アニール時に印加できる磁場~15kOeを超えてしまい、その結果、アニール後の第1の強磁性膜及び第2の強磁性膜の磁化分散が大きくなって、ΔR/Rの劣化を引き起こすためである。また、ΔR/Rをより大きくするため、第1の強磁性膜よりも第2の強磁性膜の膜厚を厚く磁化量を大きくする場合が多い。一般に、第2の強磁性膜の方が第1の強磁性膜より磁化量が多い場合、素子側壁において第2の強磁性膜から軟磁性自由層へ印加される還流磁界が大きくなり、出力のアシンメトリへ与える影響が大きくなる。また、この還流磁界は温度依存が大きいため、アシンメトリの温度依存も大きくなる。本発明に係る磁気センサにおいては、磁気抵抗効果素子の第1の強磁性膜と第2の強磁性膜の磁化量差がゼロであるため、このような問題を解決することもできる。また、本発明に係る磁気センサの磁気抵抗効果素子は反強磁性材料を含まないため、材料コストや、製造コストを抑制することもできる。本発明の磁気センサの製造方法においては、基板上に、反平行結合膜を介して第1の強磁性膜と第2の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、特定方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子の第1積層膜を形成し第1形成工程、前記第1積層膜を残存させる領域以外の領域の前記第1積層膜を前記基板から除去し除去工程、前記第1積層膜を除去した基板上に、反平行結合膜を介して第1の強磁性膜と第2の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、前記特定方向と異なる方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子の第2積層膜を形成する第2形成工程。これにより、強磁性固定層の磁化方向が異なる磁気抵抗効果素子を同一基板上に近接して設けることができる。また、上記除去工程及び第2形成工程を繰り返して行うことにより、強磁性固定層の磁化方向が異なる複数の磁気抵抗効果素子を同一基板上に近接して設けることができる。図4a~c及び図5a~cは、本発明の実施の形態に係る磁気センサにおける磁気抵抗効果素子の製造方法を説明するための図である。まず、図4aに示すように、基板11上に、シード層12a、第1の強磁性膜13a、反平行結合膜14a、第2の強磁性膜15a、非磁性中間層16a、軟磁性自由層フリー磁性層17a、及び保護層18aを順次形成する。第1の強磁性膜13a及び第2の強磁性膜15aの成膜中には、ミアンダ形状のストライプ幅方向に磁場を印加する。図4において、第1の強磁性膜13aについては、印加磁場方向は紙面奥側から手前側に向かう方向であり、第2の強磁性膜15aについては、印加磁場方向は紙面手前側から奥側に向かう方向である。ただし、第2の強磁性膜15aについては、必ずしもこの方向に磁場を印加する必要はない。第1の強磁性膜13aと同じ方向でも、無磁場でも良い。これは、反平行結合膜14aを介して交換結合が働き、第1の強磁性膜13aと反平行結合膜14aに必ず磁化方向が決まるからである。この場合、反平行結合膜14aの膜厚最適化と第1の強磁性膜13a及び第2の強磁性膜15aのMstの一致が重要となる。また、軟磁性自由層フリー磁性層17aの成膜中には、ミアンダ形状のストライプ長手方向に磁場を印加する。次いで、図4bに示すように、保護層18a上にレジスト層20を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、磁気抵抗効果素子1a側の領域上にレジスト層20を残存させる。次いで、図4cに示すように、イオンミリングなどにより、露出した積層膜を除去して、磁気抵抗効果素子1b,1c,1dを設ける領域の基板11を露出させる。次いで、図5aに示すように、露出した基板11上に、シード層12b、第1の強磁性膜13b、反平行結合膜14b、第2の強磁性膜15b、非磁性中間層16b、軟磁性自由層フリー磁性層17b、及び保護層18bを順次形成する。第1の強磁性膜13b及び第2の強磁性膜15bの成膜中には、ミアンダ形状のストライプ幅方向に磁場を印加する。図4において、第1の強磁性膜13bについては、印加磁場方向は紙面奥側から手前側に向かう方向であり、第2の強磁性膜15bについては、印加磁場方向は紙面手前側から奥側に向かう方向である。また、軟磁性自由層フリー磁性層17bの成膜中には、ミアンダ形状のストライプ長手方向に磁場を印加する。次いで、保護層18a,18b上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、磁気抵抗効果素子1a,1b側の領域上にレジスト層を残存させる。次いで、イオンミリングなどにより、露出した積層膜を除去して、磁気抵抗効果素子1c,1dを設ける領域の基板11を露出させる。同様にして、磁気抵抗効果素子1c,1dを設ける領域にシード層~保護層を形成する。このようにして、基板11上に、図1に示すようは配置で、磁気抵抗効果素子1a,1b,1c,1dを形成する。次いで、図5bに示すように、保護層18a,18b上にレジスト層20を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、磁気抵抗効果素子1a,1bの形成領域上にレジスト層20を残存させる。次いで、図5cに示すように、イオンミリングなどにより、露出した積層膜を除去して、磁気抵抗効果素子1a,1bを形成する。このような磁気センサの方法によれば、磁気抵抗効果素子の作り込みにおいて段差が生じないので、配線形成が容易であり、配線の厚さを厚くしたり、スルーホール形成などの追加の工程が不要となる。このため、感度軸方向がそれぞれ異なる複数の磁気抵抗効果素子を同一基板上に近接して設けてなる磁気センサを簡易に製造することができる。本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態における材料、各素子の接続関係、厚さ、大きさ、製法などは適宜変更して実施することが可能である。その他、本発明は、本発明の範囲を逸脱しないで適宜変更して実施することができる。"