"環境の1つまたは複数の特徴的な刺激に対して反応することが可能な少なくとも1つの可動部をそれぞれ含むMEMS及び/またはNEMS型の複数のセンサ2が設けられた層I、前記センサを制御し、前記センサ2によって伝達された情報を処理する手段4を含む層IIであって、前記制御及び処理手段4が電気的に前記センサ2に接続された層II、及び前記層I上であって前記センサ2を含む面の側部上に位置し、前記センサ2へ1つまたは複数の刺激を空間的に及び時間的に分配する手段を含む層IVを含む、環境を分析するデバイス。前記分配手段が、1つまたは複数の刺激を、同時にまたは準同時に全ての前記センサ2または前記センサ2のグループに分配する、請求項1に記載の分析デバイス。前記分配手段が、所定の前記センサに連続して時間をずらして1つまたは複数の刺激を分配する、請求項1に記載の分析デバイス。前記環境が流体であり、前記分配手段が少なくとも1つの流路を含み、その一端がいわゆる流入端であり、分析される流体の供給部に接続されるようになされる、請求項2または3に記載の分析デバイス。前記分配層IVが、前記流体に含まれる特定の組成物をフィルタリングする手段を含む、請求項2から4のいずれか一項に記載の分析デバイス。質量分析器を形成し、前記センサ2が共振器を形成し、前記分配手段が、前記センサ2上または前記センサ2のグループ上に前記流体を注入する手段及び/またはイオン化する手段を含み、少なくとも1つの前記流路が、前記注入手段及び/または前記イオン化手段に接続された第2の端部を含む、請求項4又は5に記載の分析デバイス。前記注入手段が、電子スプレーイオン化型である少なくとも1つのインジェクタによって形成される、請求項6に記載の分析デバイス。前記分配手段が、前記センサ2のそれぞれに、細胞を含む流体を運ぶようになされた複数の流路によって形成され、前記流路のそれぞれの前記第2のいわゆる流出端が、センサ2またはセンサのグループの上に開口し、前記センサ2が、前記センサ2の可動部上の細胞によって印加される力のセンサを形成する、請求項2から5のいずれか一項に記載の分析装置。前記環境が流体であり、前記分配手段が、ガスクロマトグラフィマイクロカラムを形成する流路を含む、請求項3に記載の分析デバイス。前記分配手段の前記流路が、前記分配層IVに形成された少なくとも1つの溝14を含み、前記溝14の開口端が、前記連続した所定のセンサ2を覆い、前記溝14内を循環する前記流体が、前記連続した所定のセンサ2に接触する、請求項9に記載の分析デバイス。少なくとも1つの前記溝14が、少なくとも1つの固定相を含む、請求項10に記載の分析デバイス。前記センサ2が、分析される流体から分離される化学種に対して特定の親和性を備える少なくとも1つの材料を成膜することによって化学的に機能化される、請求項9から11のいずれか一項に記載の分析デバイス。前記センサ2間のギャップが、検出ピークの幅の半分よりも小さい、請求項9から12のいずれか一項に記載の分析デバイス。前記センサ2の前記層Iと前記制御及び処理手段を含む前記層IIとの間に、相互接続層IIIを含み、前記相互接続層が、前記センサ2を前記制御及び処理手段4に電気的に接続する、請求項1から13のいずれか一項に記載の分析デバイス。前記制御及び処理手段4が設けられた前記層IIが、相互接続された第1及び第2の副層に分割され、前記第1の副層が、各センサのアナログ事前処理のための画素に近い基本的な電子部品を含み、前記第2の副層が、前記情報のデジタル処理を実施することができる電子部品を含む、請求項1から14のいずれか一項に記載の分析デバイス。前記センサ2が設けられた前記層Iを形成する段階、前記制御及び処理手段4が設けられた前記層IIを形成する段階、前記層I、IIを重ね、前記制御及び処理手段4と前記センサ2とを相互接続する段階、前記分配層IVを形成する段階、及び前記分配層IVを前記センサ2が設けられた前記層IIの前面に移設する段階、を含む、請求項1から15のいずれか一項に記載のデバイスを3次元集積によって製造する方法。前記制御及び処理手段と前記センサとの相互接続が、ワイヤーボンディング30によって実施される、請求項16に記載の製造方法。前記制御及び処理手段4と前記センサ2との相互接続が、前記制御及び処理手段4が設けられた前記層Iと前記センサ2が設けられた前記層IIとの間に介在された相互接続層IIIによって実施される、請求項16に記載の製造方法。基板上にMOS型の少なくとも1つの電子回路及び/または電気的相互接続の少なくとも1つの階層を形成する段階、SOI基板の層の少なくとも一部分にドーパントを均一にインプラントする段階、前記SOI基板の前記層の前記部分にインプラントされた前記ドーパントを熱的に活性化させる段階、前記SOI基板層を、前記電子回路が設けられた前記基板上に移設する段階、前記SOI基板を、前記基板の前記ドープされた部分まで薄化する段階、前記センサを前記SOI基板の残りの部分に形成する段階、前記センサと前記電子回路との間の前記相互接続を形成する段階、及び前記センサの前記可動部をリリースする段階、を含む、請求項16から18のいずれか一項に記載の製造方法。前記SOI基板及び前記電子回路が設けられた前記基板の前記移設が、冷間接着接合法によって実施される、請求項19に記載の製造方法。前記センサが設けられた前記層Iを形成する段階において、相互接続柱が、前記層Iの表面の1つに形成され、前記柱が、ビアによって前記層の前記相互接続に接続され、前記制御及び処理層IIを形成する段階において、ビアによって前記層IIの相互接続に接続された相互接続パッドが、前記層の前記面の1つに形成される、請求項16に記載の製造方法。前記相互接続柱が、前記センサ層Iの前記前面に形成され、前記相互接続パッドが、前記制御及び処理層IIの前記前面に形成され、前記センサ層Iを前記制御及び処理層II上に組み立てる段階において、前記センサ層Iが、対面技術によって前記制御及び処理層II上に移設される、請求項21に記載の製造方法。前記センサ層Iが、SOI基板上に形成され、前記シリコン基板が抑制され、フッ酸に対して耐性のある材料からなる層が、前記シリコン基板に代わって前記SOI基板の絶縁材料上に成膜される、請求項21または22に記載の製造方法。従って、本発明の目的は、MEMS及び/またはNEMSシステムのネットワークを含む小型化された電気デバイスを提供することであり、マイクロ及び/またはナノ電気機械システムのこのネットワークから利点を引き出すことである。前述した目的は、センサを形成する複数のMEMS及び/またはNEMSシステムを備える階層、前述のセンサを個別にまたはグループごとに制御し、センサから送られる情報を処理する手段を含む階層、及びセンサ上に位置し、センサによって分析される環境の少なくとも1つの刺激を分配する手段を含む追加的な階層を含む分析デバイスによって実施され、これらの手段は、時間的に及び空間的に所定の方法で各センサまたはセンサのグループに確実にこの刺激を分配する。換言すれば、本発明によれば、センサへ前述の少なくとも1つの刺激を接触させる状態とすることは、これらの多数から利点を得るように制御下に置かれる。このために、MEMSまたはNEMSシステムを封止するための手段が、検出器によって分析される環境のこの少なくとも1つの刺激の制御された分配に寄与する。全てのセンサに接触させる状態とすることは、同時または逐次的のいずれかであってもよい。環境が流体である場合には、刺激は例えば分子によって形成され、その目的は、型及び/または濃度を判別するためのものである。例えば、そして特に有利には、ガスクロマトグラフィカラムが、非常に小型化されてもよく、環境は空気のサンプルのような気体またはカラムに導入する際に蒸発させられる液体のいずれかであってもよく、分配手段は、流体をセンサの経路上に循環させるすくなくとも1つの流路を備える。この例において、流体は、互いの背後に位置するセンサ上を循環し、逐次的にセンサに接触する状態となる。質量分析器の場合、分配手段は、センサ上への流体のインジェクタであってもよく、例えばタンパク質分子である。インジェクタは可能な限りセンサに近接するように確実に導入し、分子の大きすぎる空間的分散を防ぐ。細胞の種類を判別するデバイスの場合には、分配手段は例えば各センサ上に細胞を運び、センサが力の測定を行うようにされたものであってもよい。本発明によって、分子は全てのセンサ上に同時に運搬され、それによって分析のスループットを実質的に増加させることが可能になる。本発明の対象は、従って、環境を分析するデバイスであって、刺激に対して反応することが可能な少なくとも1つの可動部をそれぞれ含むMEMS及び/またはNEMS型の複数のセンサが設けられた層、前記センサを制御し、前記センサによって伝達された情報を扱う手段を含む層であって、前記制御及び処理手段が電気的に前記センサに接続された層、及び前記層上であって前記センサを含む面の側部上に位置し、前記センサへ1つまたは複数の刺激を空間的に及び時間的に分配する手段を含む層を含む。一実施形態において、前記分配手段は、1つまたは複数の刺激を、同時にまたは準同時に全ての前記センサ2または前記センサ2のグループに分配する。わずかな時間のずれがネットワーク内のセンサの位置に依存して現れうるため、センサへの1つまたは複数の刺激の分配は、準同時であってもよい。他の一実施形態において、前記分配手段は、所定の前記センサに連続して時間をずらして1つまたは複数の刺激を分配する。前記環境は例えば流体であり、このとき前記分配手段は少なくとも1つの流路を含み、その一端はいわゆる流入端であり、分析される流体の供給部に接続されるようになされてもよい。このとき前記分配層は、前記流体に含まれる特定の組成物をフィルタリングする手段を含んでもよい。本発明に従う分析デバイスは、質量分析器を形成するものであってもよく、前記センサが共振器を形成し、前記分配手段が、センサ上またはセンサのグループ上に前記流体を注入する手段及び/またはイオン化する手段を含み、少なくとも1つの前記流路が、前記注入手段及び/または前記イオン化手段に接続された第2の端部を含む。前記注入手段は、例えば電子スプレーイオン化型である少なくとも1つのインジェクタによって形成される。代替的には、前記分配手段は、前記センサのそれぞれに、細胞を含む流体を運ぶようになされた複数の流路によって形成され、前記流路のそれぞれの前記第2のいわゆる流出端は、センサまたはセンサのグループの上に開口し、前記センサは、前記センサの可動部上の細胞によって印加される力のセンサを形成する。分配する手段が時間をずらして連続した所定のセンサに1つまたは複数の刺激を分配し、環境が流体である他の一実施形態において、前記分配手段が、流路を含み、ガスクロマトグラフィマイクロカラムを形成してもよい。前記分配手段の前記流路は、例えば前記分配層に形成された少なくとも1つの溝を含み、前記溝の開口端が、前記連続した所定のセンサを覆い、前記溝内を循環する前記流体が、前記連続した所定のセンサに接触する。少なくとも1つの前記溝は、有利には、少なくとも1つの固定相を含む。前記センサはまた、好適には、分析される流体から分離される化学種に対して特定の親和性を備える少なくとも1つの材料を成膜することによって化学的に機能化される。センサは異なる材料で機能化され、デバイスのネットワーク内で同一のまたは異なる形態を有するものであってもよい。有利には、前記センサ間の間隔は、検出ピークの幅の半分よりも小さい。本発明に従う分析デバイスは、前記センサの前記層と前記制御及び処理手段を含む前記層との間に、相互接続層を含んでもよく、前記相互接続層が、前記センサを前記制御及び処理手段に電気的に接続する。例示的な実施形態において、前記制御及び処理手段が設けられた前記層は、相互接続された第1及び第2の副層に分割されてもよく、前記第1の副層が、各センサのアナログ事前処理のための画素に近い基本的な電子部品を含み、前記第2の副層が、前記情報のデジタル処理を実施することができる電子部品を含む。本発明の対象はまた、前記センサが設けられた前記層を形成する段階、前記制御及び処理手段が設けられた前記層を形成する段階、前記層を重ね、前記制御及び処理手段と前記センサとを相互接続する段階、前記分配層を形成する段階、及び前記分配層を前記センサが設けられた前記層の前面に移設する段階、を含む、本発明に従うデバイスを3次元集積によって製造する方法である。一実施形態において、前記制御及び処理手段並びに前記センサの相互接続は、ワイヤーボンディングによって実施される。他の一実施形態において、前記制御及び処理手段並びに前記センサの相互接続は、前記制御及び処理手段が設けられた前記層と前記センサが設けられた前記層との間に介在された相互接続層によって実施される。本発明に従う製造手段は、基板上にMOS型の少なくとも1つの電子回路及び/または電気的相互接続の少なくとも1つの階層を形成する段階、SOI基板の層の少なくとも一部分にドーパントを均一にインプラントする段階、前記SOI基板の前記層の前記部分にインプラントされたドーパントを熱的に活性化させる段階、前記SOI基板層を、前記電子回路が設けられた前記基板上に移設する段階、前記SOI基板を、前記基板の前記ドープされた部分まで薄化する段階、前記センサを前記SOI基板の残りの部分に形成する段階、前記センサと前記電子回路との間の前記相互接続を形成する段階、及び前記センサの前記可動部をリリースする段階、を含んでもよい。前記SOI基板及び前記電子回路が設けられた前記基板の前記移設は、例えば冷間接着接合法によって実施される。本発明に従う製造方法の他の一実施形態において、前記センサが設けられた前記層を形成する段階においては、相互接続柱が、前記層の表面の1つに形成され、前記柱が、ビアによって前記層の前記相互接続に接続され、前記制御及び処理層を形成する段階において、ビアによって前記層の相互接続に接続された相互接続パッドが、前記層の前記面の1つに形成される。例示的な一実施形態において、前記相互接続柱は、前記センサ層の前記前面に形成され、前記相互接続パッドは、前記制御及び処理層の前記前面に形成され、前記センサ層を前記制御及び処理層上に組み立てる段階において、前記センサ層は、対面技術によって前記制御及び処理層上に移設される。前記センサ層をSOI基板上に形成し、前記移設段階後に、前記シリコン基板を抑制し、フッ酸に対して耐性のある材料からなる層を、前記シリコン基板に代わって前記SOI基板の絶縁材料上に成膜することを規定してもよい。本発明は、以下の説明および添付された図面によって、より良く理解されるであろう。図1及び3には、本発明に従う分析デバイスの例示的な一実施形態が示されている。本発明に従う分析デバイスは、流体、気体または液体の分析、より具体的にはガスクロマトグラフィカラムを形成することによってまたはその質量の測定によって化学種の検出をすることを可能にするものであってよい。また、液体媒質中の力、例えば細胞の力を測定することを可能にするものであってよい。本発明に従う分析デバイスは、いくつかの重ねられた層を含む3次元統合された電子システムである。Iとして示されている第1の層は、MEMSマイクロ電気機械システム型及び/またはNEMSナノ電気機械システム型のセンサ2のネットワークを含む。図示された例において、センサは行および列に配置されている。この説明において、以降は、センサはMEMSかNEMSかに関わらずセンサとして示される。さらに、基本的な検出器が、いくつかのMEMS及び/またはNEMSマイクロセンサで形成されてもよいことは十分に理解されるであろう。第2の層II、いわゆる電子層は、制御及び処理手段4及びその相互接続を含む。これらの手段4は、例えばCMOS、MOS、バイCMOS型などのトランジスタによって形成され、これらは、回路において従来から用いられる特定の部品キャパシタ、ダイオード、抵抗などが関連するものであってよい。層IIの相互接続の階層はまた、キャパシタ、インダクタなどのような従来の受動部品を形成するために任意に用いられてもよい。これらの手段によって、センサ2を駆動し、センサ2によって伝達された情報を処理することが可能となる。第3の層IIIは、センサ2と制御及び処理手段4との間の接続を確実に行う。これは、センサ2のネットワークを制御及び処理手段4に電気的に接続し、位置指定を行うために、相互接続6及びビア型またはTSV貫通シリコンビア型などの配線からなる。この第3の層IIIは、直接、センサ2の第1の層Iの背面に配置され、第1の層Iと第2の層IIとの間に介在される。代替的に、センサの第1の層I内の相互接続の一部を形成することを規定してもよい。他の一代替例において、図6に示されているように、中間層によってではなく、ワイヤーボンディングによって相互接続を形成することを規定してもよい。本発明に従えば、分析デバイスは、センサの第1の層Iの前面に第4の層IVを含む。この層IVは、センサを封止するとともに特に外部環境に対するこの保護を確実に行う手段を形成し、センサによって分析される環境の1つまたは複数の刺激の制御された分配を確実にする。層IVは、以下で分配層と呼ぶことにするが、センサ2上に刺激を分配するための手段を含む。環境が流体である場合には、分配手段は、センサ2上に所定の方法で流体を循環させるための1つの流路または各センサ2上に流体を運ぶ複数の流路を形成する流体型からなるものであってよい。分配手段は、機械型からなるものであってもよく、例えば、分析される流体を所定のセンサまたは所定のセンサのグループ上で気化またはイオン化するためのインジェクタによって形成される。これから、分析デバイスの各層を詳細に説明する。第1の層Iは、複数のNEMS及び/またはMEMSセンサを含む。図示された例において、センサは、行および列のネットワークに沿って位置するが、この配置は、限定を意味するものでは全くなく、例えば円形または螺旋形の配置が、本発明の範囲から逸脱するものではない。センサは同一である必要はないことに注意すべきである。さらに、センサはグループとして相互接続されるものであってもよい。複数のセンサを適用することによって、有利には、所定の分析環境のイメージを得ることが可能となる。例えば、異なる質量の組み合わせ、異なるガスの組み合わせ、液体相の被検質の組み合わせ、放射型のイメージングなどである。さらには、センサのネットワークによって、情報の処理を並列に行うことが可能となる。個別に位置指定されるセンサの場合、多数の測定が同時に実施されてもよい。そのため、単一のセンサを有する分析装置において得られる逐次的な型の情報の時間多重化を有する代わりに、本発明によれば情報の空間多重化が可能になる。さらには、センサの機能が、センサのネットワークの作動全体に影響を与えない、またはほとんど影響を与えないため、分析デバイスの安定性が、単一のセンサを有するデバイスに対して改善される。さらには、本発明に従う分析デバイスは、単一のセンサを有するデバイスに比べて改善された性能を有する。特に、同一の構造を有する部品の数Nを考慮し、各部品からの雑音が相関しないと仮定すると、システム全体の信号対雑音出力比は、N倍に改善される。最後に、機械的に及び/または電気的にネットワークのセンサを結合することにより、受動的または能動的に、同一のまたは同期された、一貫した集合的な反応を確実に得ることができ、これによってばらつきの安定性を改善することが可能である。センサは全て同一でも、そうでなくてもよい。なお、MEMSまたはNEMSセンサは、固定部及び固定部に対して懸架された可動部を含み、固定部と可動部の相対的な変位によって、例えば外部環境の情報の異なる断片を得ることが可能となる。代替的に、MEMSセンサ及びNEMSセンサの両方を含むネットワークを有することを規定してもよい。図4において、静電駆動及びピエゾ抵抗検出を有する、平面内で動作する共振センサ4の一例が示されている。可動部8の変位のピエゾ抵抗検出は、例えばドープされたシリコンのゲージ10によって実施される。センサはまた、平面外の運動、例えば体積内の運動、回転運動を有するタイプからなるものであってもよいことは、よく理解されるものである。異なる駆動手段、例えば熱弾性駆動、静電駆動または圧電駆動、及び異なる検出手段、例えば静電容量検出、例えば半導体または金属ゲージによるピエゾ抵抗検出、またはさらに圧電検出を規定してもよい。図2において、相互接続層IIIに含まれるセンサ4及び位置指定配線12の概略図が示されている。センサは集合的に位置指定、つまり、全てのセンサに対して単一の入力信号及び各センサの信号の合計に対応する単一の出力信号であってもよく、または個別に位置指定、つまり、各センサの各出力信号が専用の経路で電子回路または電子回路の一部によって処理されるものであってもよい。サブネットワークもまた、センサが集合的に位置指定されるように形成されてもよい。センサを個別に位置指定する場合において、例えばこれらを異なるようにバイアスすることにより、センサの周波数の変化が、バイアス電圧を調整することによって補償されるものであってもよい。補償の直接読み出しによって、センサが共振する機械的構造として動作する場合、検出された情報をたどることが可能となる。例えば、質量を測定したい場合には、共振センサへの質量の追加によって、システムの機械的振る舞いが変化し、共振器の周波数が変化する。周波数のずれを測定することにより、センサと相互作用した材料の量をたどることが可能である。代替的に、センサは、非共振構造であってもよく、この場合には力センサを形成する。これらのセンサは、医薬スクリーニング、医療有効性の測定または細菌性病原性もしくはがん細胞の浸潤性の測定などのような医療監視を実施することができるように、液体媒質中でリアルタイムに力、特に、可動部上の細胞によって働く力を測定することが可能であってよい。力センサとして用いられるMEMSまたはNEMSセンサは、静的測定で数10ピコN程度の分解能で力を測定するものであってよく、これは、数100から数1000Hzの分析周波数では数ピコNまで引き下げられるものであってよい。このことは、続いて見られるように、分析デバイスの応用に従えば、測定される被検質に対して選択性を改善するために、化学層によってセンサを機能化することを規定してもよい。第2の層IIは、センサの駆動、制御及び電気機械的振る舞いを測定するための制御及び処理手段を含む。センサが共振器を形成するような応用では、電子層IIの手段で、センサを共振状態にセットし、動的追跡、つまりリアルタイムで時間依存のセンサの周波数の変化の追跡を達成することができる。例えば、電子層IIは、主に振動子及び/または位相同期回路またはPLL型のアプローチに基づく測定アーキテクチャを含むものであってよい。静的または準静的な低周波数応用に関しては、電子層IIの制御及び処理手段4は、センサIIの機械的変位のリアルタイム測定を実施する。例示的な一実施形態において、電子層IIを例えばビアまたはシリコンを貫通するビアもしくはTSV貫通シリコンビアなどによって2つの相互接続された副層に分割することを規定してもよい。例えば、第1の副層は、各センサのアナログ事前処理のための画素に近い基本的な電子部品特にアナログ/デジタル変換、変換前のアナログ圧縮などを含む。第2の副層は、例えばデジタルプロセッサによって情報のデジタル処理全体出力信号をPCI、USB型などの標準的な通信プロトコルに整形するなどを実行する電子部品を含む。さらに、電子層の制御及び処理手段は、プログラム可能であってもよく、そのため必要に応じて、例えば分散に対抗する、最適な方法で稼働する環境に対して調整を実行する、温度補償などのような他の追加的な機能を実行するなどのために再設定されるものであってよい。相互接続層IIIは、前述したように、センサ2と制御及び処理手段4との間の電気的インターフェースを達成する機能を有する。この層IIIによって、ネットワークのセンサの数を限定するような、ワイヤーボンディング型の接続技術に頼らないようにすることができる。層IIIは例えばビア、シリコンを貫通するビアまたはTSVを含み、酸化物接合、つまり2つの酸化物層または分子接合を可能とする他の材料間の分子接合及びコンタクトの回復によって形成されるものであってよい。相互接続層IIIは、このとき、その大きさと比較して大きな統合レベルを有するように形成され、センサのネットワークの密度を増大させることができるものであってよい。さらに、層IIIはまた、センサ層Iと電子層IIとの間の大きさを、組み立て及びコストを最適化するように調整することが可能である。層I及びIIを、コストに依存する異なる方法によって形成し、それらをワイヤーボンディング及びTSVによってそれらをインターフェース化させることを規定してもよい。第4の層IVは、分析される環境の1つまたは複数の刺激に関して封止及び分配の両方を行う層を形成する。この層は、センサを含む第1の層I上に追加される。本発明に従う層IVは、分析デバイスに関して求められる応用に応じて様々な型からなるものであってよい。環境が流体である場合には、この分配層は、選択された応用に応じて化学的に機能化されたものであってよい。さらに、分配層は、電気的に制御可能であってよい。例えば流体を通過させまたは通過させず、それによって制御された方法でそれらを好適に導入することができるように制御されたバルブを含む関連のある層を有するように規定されてもよい。分配層IVはまた、例えば溶液中の化学種を選別するためのフィルタリング手段を含んでもよい。これらの手段は、例えばグリッド型からなるものであってよい。例えば、フィルタリング手段は、所定の最大寸法で分子のみを通過させる調整可能な大きさの穴を含む。第1の応用において、本発明に従う分析デバイスは、質量分析器を形成するものであってよい。分配層IVは、このとき分析される物質の混合物、例えばセンサのネットワーク上へのタンパク質の射出を可能とする注入及びイオン化手段を含む。注入手段は、例えばインジェクタ型の機械的部品またはスプレーを形成できる手段である。インジェクタは、液体を帯電された液滴として確実に分散させることができる電子スプレーイオン化ESI型からなるものであってよい。インジェクタはインクジェット印刷のノズルに類似した機械的なものであってよい。この場合、これらは適切な量の分子、例えばタンパク質を含む液滴の分散を可能とする一方でそれらを分解させることなく分子の空間的分離を行うことができる大きさである。図8において、そのようなデバイスの例示的な実施形態が概略的に示されている。この例示的な実施形態において、分配手段は、穴によって貫通されたバイアスを印加されたティップ24のネットワークによって形成されたインジェクタ22を含み、バイアスを印加された対向電極26は、穴を含み、対向電極26は、ティップ24のネットワークとセンサ層Iとの間に位置する。インジェクタは、層Iのセンサにほぼ位置合わせされている。センサ上に導入される気体のための分散円錐28もまた図示されている。ガスの流入は、矢印30によって表される。センサの直上にインジェクタが配置されることにより、分子がイオン化されているか否かに関わらず、分子の過大な空間分散を避けることができ、関心のある化学種により焦点を合わせることができ、検出収率を改善する。センサのネットワークと注入システムを近接させることにより、オンライン損失を減少させることが可能となり、MEMSまたはNEMSセンサの高い質量感度によって、他のセンサのこれらと同等な電気的信号を有することが可能となる。従って、イオン化収率は、より感度が低くより多くの遠隔検出器と比較して低いものであってよく、このことは、特に分析される分子をイオン化するときに、インジェクタの収率における制約を減少させる。分析時間も減少する。質量分析器の場合には、分配層とセンサとの間が真空にされる。他の一実施形態において、センサはまた、例えば細胞におけるタンパク質のような液体中に含まれる分子を検出することができるように、力を測定するために用いられるものであってもよい。前述したように、NEMSセンサは100pNピコニュートン程度の力の測定が可能である。この場合、分配層は、例えばそれぞれの細胞を適切に生存できる環境と共に、ネットワークの各マイクロ電気機械検出器に直接送る流路を含む。各細胞によってセンサ内の可動部に印加される力をリアルタイムで測定することにより、この細胞内に導入された分子の型/量に依存する各細胞の機械的振る舞いの特性及び変化を判別することが可能となる。そのため、このことにより、例えばがん細胞の特性化/区別、浸潤性及び転移能力の評価が可能となる。このことはまた潜在的に、細胞における特定の薬理学的分子の毒性の測定またはり患した細胞への治療法の有効性及びありうる作用機構の評価を可能にする。同時に全てのセンサに力測定を実施することができるので、このとき分析収率は向上する。例えば、分配層IVは、流体供給部に接続された複数の流路を含み、各流路はセンサに対向した位置に到達する。本発明に従う分析デバイスは、特に有利には、図5A及び5Bに示されたガスクロマトグラフィGCマイクロカラムを形成するものであってよい。このとき分配層IVは、1つまたは複数の溝14を含む。溝14の配置は、センサ2の配置に従い、カラムは、流体の流れる方向に沿ってカラム内に均一に分布されたセンサ2が設けられた1つの面を利用できる。例えば、溝は数10μmから数100μmの深さであり、数10μmから数100μmの幅で測定する。例えばこれらはシリコン基板に、フォトリソグラフィ及び深掘りエッチング段階と関連する従来の微小電気技術によってエッチングされる。この基板は、センサ層I上に例えば分子封止または陽極封止によって移設されるものであってよい。スクリーン印刷によって堆積された接着剤による両層の堅固な接着もまた考えることができる。数平方センチメートルの表面上に、カラムがエッチング深さ及びエッチング幅によって決定される部分によって形成されてもよい。これらの大きさのそれぞれは、数10から数100ミクロンまで変更してもよく、長さは数10センチメートルから1メートルまたはそれより長く、例えば2メートルの範囲であってもよい。図5A及び5Bにおいて、溝10は、基板16にエッチングされた並列な外部境界14.1及び内部境界14.2の部分を含む。流路は、分析される流体の供給部のための端部18及びこの流体を排出するための端部20を含む。マイクロカラムの流入部において、マイクロカラムに、微小予濃縮部図示されないを結合することを規定してもよい。代替的に、クロマトグラフィカラムは、それ自体に巻きついて例えば互いに入れ子となった2つの螺旋を形成するものであってもよい。さらに、この分配層は、化学的に機能かれてもよく、シリコンにエッチングされた溝は、例えばPDMSポリジメチルシロキサン、シラン系またはその他のポリマーで形成された固定相で覆われてもよい。さらに、センサは有利には吸収材料、例えば分析される混合物の組成物と化学的な親和性を有する感受性ポリマーで機能化される。化学的組成物の存在において、この組成物の特定の量が、感受性層上に吸収され、センサに信号を発生させる。吸収材料は、固定相と同一でもよく、異なるものでもよい。層Iのセンサのネットワークは、均等に間隔をあけた少なくとも十分な数の検出器を含み、この間隔はピークの幅の半分よりも小さい。所定のカラムについて、ピークの平均幅は、理論段相当高さによって推測されてもよい。実際には、約1ミリメートルの間隔の検出器、つまり1メートルのカラムに対して約1000の検出器を有することが有利である。本発明に従うクロマトグラフィカラムによって、2つの連続した検出器の間の各組成物の平均速度、カラム内の組成物の位置によって可変でありうる速度を判別することができる。従って、カラム内の組成物の濃度の、2次元空間―時間マップを再構築することが可能である。さらには、本発明に従うクロマトグラフィカラムによって、第1のサンプルの全ての成分が排出される前に、第2のサンプルが導入されてもよい。成分の数によって特徴づけられ、カラム内のピークに対応するサンプルの複雑さに依存して、十分な数の検出器が各成分を追跡し、第2のサンプルの成分を検出できるものであってよく、その速度は第1のサンプルの成分よりも大きく、もはや不正確さは存在しない。任意の複雑さのサンプルに関して、その間隔がピークの幅の半分よりも小さいような密度で検出器を有することは十分である。本発明に従ういくつかのカラムを直列に接続し、分析システムの分離能力を向上させることが可能である。ここで、本発明に従う分析デバイスを製造する例示的な方法を説明する。本発明に従う分析デバイスは、非常な小型化を確実に行う、3次元集積回路型からなる。第1の実施形態の方法に従えば、分配層は、シリコンのような半導体材料の基板に、基板をエッチングして作られ、ガスクロマトグラフィマイクロカラムの場合には、微小流路を形成する。さらに、センサ層I及び電子層IIが作られる。この方法によって得られる本発明に従う分析デバイスが、図6に示される。分配層IVは、センサ層I上に接着して接合され、その一方でセンサに接続されるパッド26の領域は開けたままとされる。次いで、それによって形成された組立体が、電子層IIの上または横に接着接合される。次いで、ワイヤーボンディング28が、センサ層Iのパッド26の、電子層IIのパッド30への接続が実施される。この方法は、センサの数が限られている、例えば100より小さいような場合に特に興味深い。図7Aから7Eに図示される他の一実施形態の方法に従えば、TSV貫通シリコンビアの原理が用いられ、これは、貫通ビアによって2つの電子回路を接続することからなる。以下において、MEMS及び/またはNEMS並びにその相互接続を含む層Iを上部回路と呼び、CMOS制御回路を形成する電子回路IIを下部回路と呼ぶこととする。本方法は、以下の、上部回路Iを形成する段階、上部回路上に相互接続柱を形成する段階、下部回路II及びその相互接続を形成する段階、上部回路Iを下部回路II上に移設する段階、MEMS及び/またはNEMSセンサをリリースする段階を含む。ここで、上述のこれらそれぞれの段階を詳細に説明する。上部回路Iを形成するために、シリコン基板101上に成膜されたSOI基板100が例えば用いられる。SOI基板は、絶縁材料、例えばSiO2層100.1及び絶縁材料層100.1上に成膜されたシリコンまたは半導体材料の層100.2を含む。SOI基板100の例えばP型のドーピングが行われる。次いで、パターン102を形成するための層100.2のリソグラフィ及びエッチングの段階が行われる。次いで、例えばSiO2、SiOまたはバックエンドのためにマイクロエレクトロニクスで従来用いられるその他どのような絶縁材料からもなる絶縁材料層104が、パターン102上に成膜される。次いで、層104の平坦化の段階が、例えば機械的化学的研磨、CMP化学的機械的研磨または蒸気相研磨によって行われる。次いで、NEMS及び/またはMEMSセンサのリリースにおいて伴う停止層106が成膜される。MEMS及び/またはNEMSのリリースは例えばフッ酸によって実施される。従って、この停止層については、層104として用いられる相互接続絶縁体と比較してHFによって全くまたはほとんど損傷されないどのような材料が選択されてもよい。これは、例えば窒化物層Si3N4、SiNなどまたはHfO2であってよい。次いで、絶縁層108が、停止層106上に成膜される。次いで、ビア110が、絶縁層104及び108並びに停止層106を貫通してパターン102まで形成される。可能なドーピング及びコンタクト底部のシリサイド化の段階の後、ビア110が例えばタングステン及び/または銅及び/またはTiNなどで充填される。充填の平坦化の段階が行われる。次いで、1つまたは複数の相互接続階層112が、絶縁層108上のビアの上に形成される。以下の段階において、相互接続柱114が、上部回路Iと下部回路IIとの間の上部回路上に形成され、シリコン基板101の薄化の段階が実施される。下部回路は、図7Aに示されている。次に、SOI100のシリコン層の薄化の段階が実施される。下部回路IIは、標準的な方法に従って形成される。次いで、銅のパッド116が、上部回路IIの表面に、相互接続のために銅の相互接続柱114と共に形成される。パッド116が設けられた下部回路が、図7Bに示されている。以下の段階において、相互接続柱108と相互接続パッド116とを位置合わせしつつ、上部回路Iが、下部回路II上に移設される図7C。両方の回路が、接着接合される。図示された例において、上部回路Iは、下部回路II上に、対面技術によって移設され、このため、下部回路は裏返しにされる。代替的に、背面対前面技術によって移設されてもよい。有利には、上部回路Iと下部回路IIとの間に材料が設けられ、空いた空間が抑制されて良好な接着が確保されてもよい。この材料は例えばスピンオフ技術によって成膜されたレジンまたはポリマー、あるいは成膜され次いでCMPによって平坦化された酸化物であり、これは例えば非特許文献2に記載されている。次いで、上部回路のシリコン層におけるキャビティ118のリソグラフィ及びエッチングの段階が、この方法の初めにおける上部回路の背面に行われる。このエッチングは、例えば異方性プラズマエッチングまたはTMAHテトラメチルアンモニウムヒドロキシドでの化学的エッチングによって行われてもよい。シリコンのエッチングは、絶縁層100.1において停止する。これらのキャビティ118は、リリースすることを意図するNEMSまたはMEMSの部分の上に形成される図7D。以下の段階において、MEMSまたはNEMSの可動部119が、絶縁層100.1及びNEMSの相互接続絶縁層104の、フッ酸蒸気を用いたエッチングによってリリースされる図7E。次いで、分配層IV図示せずが、層I上に、例えば接着接合によって移設される。代替的に、対面構成における下部回路上への上部回路の移設の後、シリコン基板101を、TMAHによる化学的エッチングまたはプラズマによって完全に除去することが規定されてもよく、このエッチングは絶縁層100.1で停止する。次いで、例えば窒化物またはアモルファスシリコンのフッ酸に耐性のある材料の層の絶縁層100.1の成膜が実施される。この層は約50nmの厚さを有してもよい。次いで、この層がエッチングされ、MEMS及び/またはNEMSセンサがフッ酸でリリースされる。この代替例は、この方法の最後において、抑制されていたシリコン基板101よりも薄い層を有するという利点があり、このことにより、例えば生物学的応用において、MEMS及び/またはNEMSセンサに向かうガスの進行を混乱させることがより少ない。NEMS及び/またはMEMS制御は、平面の電極120またはMEMSまたはNEMSの可動部の下に位置する相互接続121のいずれかによって達成されてもよい図7E。代替的に、下部回路IIは、インターポーザ、つまり上部回路Iと他の回路との間で、下部回路の下に位置し、下部回路IIと相互接続された中間回路を形成するものであってもよい。本発明に従う分析デバイスは、非常に高い集積密度を得られうる第3の実施形態の方法によって得られるものであってもよい。この方法は、次の各段階を含む。―基板上に相互接続とともにCMOS、MOS,biCMOS回路などを形成する段階。―薄いSOI基板にドーピングを行う段階であって、好ましくは、P型であり、ドーパントを例えば900°Cから1050°Cの間で熱的に活性化するドーピングを行う段階。SOI基板もまたエピタキシー成長されたSi/SiGe/Si基板に置き換えられてもよい。このとき、SiGeは犠牲層としてSiO2絶縁体を置き換える。―SiOなどの接着接合を促進させる層で覆われた、例えばSiN、Si3N4またはHfO2などのような、フッ酸に対して停止する層をSOI基板上に成膜する段階。―両基板を対面して、例えば非特許文献3に記載されたような冷間接着接合法によって接着接合する段階。実施される接着接合は、例えば酸化物/酸化物親水性接合である。例えば高密度プラズマHDP型の酸化シリコンが、支持ウェハ上及び移送されたウェハ上に成膜される。2つの平坦な表面を対面して位置できるように、支持ウェハ上の誘電体の表面形状が抑制される。接着接合は、室温で実施される。界面を固体化するためのアニーリング例えば、200°C1時間により、両酸化膜間に共有結合が生成される。SOI基板の薄化は、機械的アブレーション及びそれに続けて停止層における選択的エッチングによって得られる。例えば、これは、埋め込み酸化膜で停止する化学エッチングTMAH:テトラメチルアンモニウムヒドロキシドであってもよい。この酸化物は、Siと比較して選択的に除去され、より低いトランジスタの上部に接着接合された薄いシリコン層を残す。この場合、SOI基板の絶縁体は、SiO2の代わりにSiGeであり、TMAHによる化学的エッチングの段階は、SiGe層で停止するプラズマエッチングに置き換えられてもよい。次いで、SiGe層がSi層と比べて選択的に、例えば装置外で、SF4に基づく等方性プラズマによって除去される。―当業者によって知られた方法で、リソグラフィ及びエッチングによってNEMSセンサを形成する段階、―NEMSセンサ層と下の回路のパッドとの間に相互接続を形成する段階。NEMSにおいて知られた方法で用いられるように、突出したAlSiパッドが形成されてもよい。―SOI基板上に成膜された停止層で停止する、蒸気としてのフッ酸でのNEMSまたはMEMSセンサのリリース段階。―ガスクロマトグラフィカラムの場合には微小流路をエッチングすることによって予め形成された分配層を接着接合する段階。本発明によって、MEMSまたはNEMSセンサのネットワークが設けられ、非常に小型化し、一定の数の利点を備える分析デバイスが形成された。例えば質量分析器または分子分析のための力センサのような特定の応用において、多数の測定を同時に実行することが可能になるため、分析収率は実質的に増大する。さらに、ガスクロマトグラフィマイクロカラムを、非常に小型化するように形成することが可能となり、このカラムを用いると、各化学種の平均速度を知ることができ、信頼できる方法で、これを分離することができる。"