"搬送ロボットを備えた中央の搬送室と、搬送室の周囲に設けられたロードロック室及び少なくとも3個の処理室とから構成され、処理対象物を、基板表面に導電層間と絶縁層とを積層し、絶縁層中にビアホールが形成されたものとし、この処理対象物に対し、バリア層及び埋込層を真空雰囲気にて一貫して形成する真空処理装置において、第1の処理室に、処理対象物を加熱する加熱手段と水素ガスの導入を可能とする第1のガス導入手段とを設け、第1の処理室にて処理対象物に対し還元処理が実施されるように構成し、第2の処理室に、スパッタ電源に接続される、Ti、Ta、W、V、Cr、Zr及びMoのうち少なくとも一種の金属元素からなるターゲットと、酸素ガス及び窒素ガスを含むガスとスパッタガスとの少なくとも一方の導入を可能とする第2のガス導入手段と、処理対象物を保持する、バイアス電源に接続された第2のステージとを設け、ターゲットをスパッタリングして導電層表面に第1金属層を形成した後、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入すると共に、ステージにバイアス電力を投入してプラズマ雰囲気を形成し、第1金属層の表面を酸窒化処理すると共にターゲットをもプラズマ雰囲気に曝して当該ターゲット表面を酸窒化し、この状態で更にターゲットをスパッタリングすることで第2金属層を形成することでバリア層の形成が実施されるように構成し、第3の処理室に、スパッタ電源に接続される、Al含有の金属製のターゲットと、スパッタガスの導入を可能とする第3のガス導入手段と、処理対象物を保持する、バイアス電源に接続されたステージと、処理対象物を加熱する加熱手段とを設け、ターゲットのスパッタリングによる成膜当初、ターゲットからの金属粒子がプラズマ中の荷電粒子と衝突するように真空チャンバを所定圧力に調節して金属粒子のイオンを生成すると共に、バイアス電力を投入して当該金属粒子のイオンを処理対象物に引き込み、成膜中に、バイアス電力の投入を停止し、処理室の圧力を低下させると共に、加熱手段により処理対象物を、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱するようにしてアルミニウムを含む埋込層の形成が実施されるように構成したことを特徴とする真空処理装置。前記搬送室の周囲に第1~第3の処理室を、対をなして夫々設け、2枚の処理対象物に対して同時処理できるように構成したことを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。本発明は、以上の点に鑑み、少ない処理室で効率よく上記機能を持つバリア層及び埋込層を形成できる小型の真空処理装置を提供することを課題とするものである。上記課題を解決するために、本発明は、搬送ロボットを備えた中央の搬送室と、搬送室の周囲に設けられたロードロック室及び少なくとも3個の処理室とから構成され、処理対象物を、基板表面に導電層間と絶縁層とを積層し、絶縁層中にビアホールが形成されたものとし、この処理対象物に対し、バリア層及び埋込層を真空雰囲気にて一貫して形成する真空処理装置において、第1の処理室に、処理対象物を加熱する加熱手段と水素ガスの導入を可能とする第1のガス導入手段とを設け、第1の処理室にて処理対象物に対し還元処理が実施されるように構成し、第2の処理室に、スパッタ電源に接続される、Ti、Ta、W、V、Cr、Zr及びMoのうち少なくとも一種の金属元素からなるターゲットと、酸素ガス及び窒素ガスを含むガスとスパッタガスとの少なくとも一方の導入を可能とする第2のガス導入手段と、処理対象物を保持する、バイアス電源に接続された第2のステージとを設け、ターゲットをスパッタリングして導電層表面に第1金属層を形成した後、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入すると共に、ステージにバイアス電力を投入してプラズマ雰囲気を形成し、第1金属層の表面を酸窒化処理すると共にターゲットをもプラズマ雰囲気に曝して当該ターゲット表面を酸窒化し、この状態で更にターゲットをスパッタリングすることで第2金属層を形成することでバリア層の形成が実施されるように構成し、第3の処理室に、スパッタ電源に接続される、Al含有の金属製のターゲットと、スパッタガスの導入を可能とする第3のガス導入手段と、処理対象物を保持する、バイアス電源に接続されたステージと、処理対象物を加熱する加熱手段とを設け、ターゲットのスパッタリングによる成膜当初、ターゲットからの金属粒子がプラズマ中の荷電粒子と衝突するように真空チャンバを所定圧力に調節して金属粒子のイオンを生成すると共に、バイアス電力を投入して当該金属粒子のイオンを処理対象物に引き込み、成膜中に、バイアス電力の投入を停止し、処理室の圧力を低下させると共に、加熱手段により処理対象物を、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱するようにしてアルミニウムを含む埋込層の形成が実施されるように構成したことを特徴とする。本発明によれば、バリア層は、チタン等の金属元素からなる第1金属層下層と、当該金属元素を含む酸窒化物層中間層と、当該金属元素からなる第2金属層上層とで構成される。ここで、中間層は、酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入したプラズマ雰囲気に曝すことで第1金属層表面が改質されて形成される。このとき、ターゲットをも上記プラズマ雰囲気に曝すことでターゲット表面を酸窒化させておく。このような状態で、第3工程にて、第2金属層を形成するためにターゲットをスパッタリングすると、その当初、ターゲットから飛散するものに、上記金属元素の他、酸素や窒素が含まれていることで、第1金属層表面が改質されてなる金属化合物層表面には、反応性スパッタリングの如く、上記金属元素と酸素及び窒素との金属化合物が付着、堆積するようになる。つまり、中間層が、酸窒化処理による金属化合物層と、酸窒化されたターゲットのスパッタリングによる金属化合物層との界面のある積層構造として形成される。そして、ターゲット表面の酸窒化物がスパッタリングにより除去されると、ターゲットから上記金属元素のみが付着、堆積して第2金属層が形成される。これにより、上記の如く、中間層を、酸窒化処理による金属化合物層と、酸窒化されたターゲットのスパッタリングによる金属化合物層との積層構造として構成することで、当該バリア層を、アルミニウムや銅等の異種金属からなる導電層間に介在されるような場合でも十分なバリア性能を発揮することが確認された。しかも、膜のストレスが比較的強く、真空処理室内に配置される金属製防着板との密着性に欠ける金属化合物層が、ストレスが比較的弱く、真空処理室内に配置される金属製防着板との密着性の良い上記金属元素で挟み込まれるようになる。このため、単一の処理室スパッタリング装置にて上記積層構造のバリア層を形成する場合でも、金属化合物の防着板からの剥離に伴うパーティクル発生を防止すべく行われる防着板交換のサイクルを長くできる等、生産性も向上させることができる。他方、埋込層を形成する場合、スパッタリングによる成膜当初、ターゲットから飛散した金属粒子スパッタ粒子がプラズマ中の荷電粒子と衝突して金属粒子のイオンとなる。この金属粒子のイオンは、プラズマ中の多重散乱によって指向性を失うが、ステージ、ひいては、処理対象物に投入されたバイアス電力により、当該処理対象物、ひいては、ビアホールへと指向性を持って引き込まれ、付着、堆積するようになるライナー層。そして、成膜中に、バイアス電力の投入を停止することで、プラズマ中の金属粒子のイオンによる所謂逆スパッタが抑制されながら、ターゲットから飛散した金属粒子が付着、堆積するバルク層。このとき、処理対象物の温度を所定温度に加熱することで、ビアホール内に付着した金属粒子の粒径を、ライナー層とバルク層との間で互いに異なるものとできる。また、ライナー層とバルク層との界面における膜中の金属粒子の流動性が促進されることで、金属材料のビアホールへの埋込性が向上する。このように、本発明では、高いバリア性を発揮するバリア層と、耐エレクトロマイグレーション及び埋込性が良好な埋込層とを夫々単一の処理室スパッタリング装置内で形成できる。このため、これらバリア層と埋込層を真空雰囲気で一貫して形成する真空処理装置として構成した場合でも、1枚の処理対象物に対して、搬送室に設ける処理室が2個で済み、装置の大型化を招来することがない。なお、本発明においては、生産性を向上するため、前記搬送室の周囲に第1~第3の処理室を、対をなして夫々設け、2枚の処理対象物に対して同時処理できるように構成することが好ましい。以下、図面を参照して、処理対象物Wを、シリコンウエハ表面に銅やアルミニウムや銅からなる一方の導電層CLが形成され、この導電層CL表面にシリコン酸化物等の絶縁層Iを所定の厚さで形成した後、この絶縁層I中に、導電層CLに通じるビアホールHが形成されたものとし図3参照、また、バリア層BMの形成に用いる金属元素をTiとし、ビアホールH内に形成される埋込層ELをアルミニウムー銅とし、これらを真空雰囲気中で一貫して形成する本発明の実施形態の真空処理装置Mを説明する。なお、本実施形態では、2枚の処理対象物Wを並行して処理できるようにしたものを例とするが、本発明はこれに限定されるものではない。また、真空処理装置Mは、マイクロコンピュータやシーケンサ等を備えた制御手段Cを有し、制御手段Cにより、スパッタ電源、マスフローコントローラや真空ポンプ等の後述の各部品の作動が統括管理されるようになっている。真空処理装置Mは、図1に示すように、平面視略八角形の中央の搬送室TCを備える。搬送室TC内には搬送ロボットR1が設けられている。搬送ロボットR1は、所謂フロッグレッグ式のものであり、図示省略のモータにより夫々回転駆動される、同心状に配置された2本の回転軸11a、11bと、回転軸11a、11bに夫々連結されたロボットアーム12と、ロボットアーム12の先端に取り付けられたロボットハンド13とから構成される。そして、回転軸11a、11bの回転角を適宜制御することで、ロボットアーム12が伸縮及び旋回自在となり、ロボットハンド13に保持された処理対象物Wを後述のロードロック室や処理室に対して搬出又は搬入する。搬送室TCには図外の真空ポンプが接続され、搬送室TC内を所定の真空度まで真空引きできるようになっている。搬送室TCの周囲側面のうち、相互に隣接するものに2個のロードロック室L1、L2がゲートバルブGVを介して連結されている。そして、両ロードロック室L1、L2を夫々基準として、搬送室Tの時計周り及び半時計周りに第1の処理室P11、P12、第2の処理室P21、P22及び第3の処理室P31、P32が夫々連結されている。また、ロードロック室L1、L2の搬送室TCと背向する側には、多関節式の搬送ロボットR2を備えたテーブル3が設けられている。そして、搬送ロボットR2により複数枚の処理対象物Wを収納するカセット4から、処理前の一枚の処理対象物Wを取り出して一方のロードロック室L1L2に搬入したり、処理済み処理対象物Wをロードロック室L1L2から取り出してカセット4に収納できるようになっている。本実施形態では、処理対象物Wは、搬送室TCの時計周りまたは半時計周りに各処理室P11~P31またはP12~P32を夫々搬送されて所定の処理が行われるようになっている。即ち、ロードロック室L1L2を介して搬送室TCに搬入された処理前の処理対象物Wは、先ず、第1の処理室P11P12に搬入される。第1の処理室P11P12には、特に図示して説明しないが、処理対象物Wが載置される第1のステージと、処理対象物Wを加熱する加熱手段と、水素ガスの導入を可能とする第1のガス導入手段とが設けられている。そして、第1の処理室P11P12にて処理対象物Wに対し還元処理が実施される。なお、第1の処理室P11P12で実施される還元処理は公知の方法で実施されるため、ここでは詳細な説明を省略する。そして、第1の処理室P11P12で還元処理が実施された処理対象物Wは第1の処理室P11P12から第2の処理室P21P22に搬送されてバリア層が形成される。第2の処理室P21、P22は、スパッタリングによる成膜処理及び酸窒化処理兼用のものとして構成されている。第2の処理室P21、P22は、同一の構成を有し、図2に示すように、真空チャンバ20により画成される。真空チャンバ20の底部近傍の側壁には、図示省略の排気管を介して真空ポンプが接続され、所定圧力例えば10-5Paまで真空引きできるようになっている。真空チャンバ20の上部には、カソードユニット21が設けられている。カソードユニット21は、第2の処理室P21、P22を臨むように配置され、基板Wの輪郭より一回り大きい輪郭例えば、平面視で円形のターゲット21aを有する。ターゲット21aはTi製のものであり、スパッタリングによる成膜中、当該ターゲット21aを冷却するバッキングプレート21bにインジウムやスズなどのボンディング材図示せずを介して接合されている。そして、バッキングプレート21bにターゲット21aを接合した状態で絶縁板22を介して真空チャンバ20の上部に、そのスパッタ面を後述する第2のステージで吸着された処理対象物Wに対向させて装着される。ターゲット21aの周囲には、グランド接地されたアノードとしての役割を果たす図示省略のシールドが取付けられている。また、ターゲット21aには、真空チャンバ20外に配置されるDC電源や高周波電源等のスパッタ電源23からの出力が接続され、スパッタリングによる成膜時、負の電位を持った所定電力例えば、1~30kWが投入されるようになっている。カソードユニット21は、ターゲット21aの上方図1中、スパッタ面と背向する上側に配置される磁石ユニット24を備える。磁石ユニット24については特に限定はなく、ターゲット21aの前方図1中、スパッタ面の下側に、釣り合った閉ループのトンネル状の磁束を形成してターゲット21aの前方で電離した電子及びスパッタリングによって生じた二次電子を捕捉することで、ターゲット21a前方での電子密度を高くしてプラズマ密度を高くできるものであれば、その形態は問わない。真空チャンバ20の底部には、ターゲット21aに対向した位置で処理対象物Wを保持する第2のステージ25が絶縁材料25aを介して設けられている。ステージ25の上面には、図示省略の静電チャックが設けられ、この静電チャックにより位置決めされた処理対象物Wが吸着されるようになっている。また、第2のステージ25には、例えば抵抗加熱式ヒータ等の加熱手段25bが内蔵されると共に、ヘリウムや冷却水等の冷媒を循環するための通路25cが形成され、第2のステージ25に吸着された基板Wを所定温度例えば、200°Cに保持できるようになっている。第2のステージ25には高周波電源26からの出力が接続されている。そして、第2の処理室P21P22内に所定のガスを導入した状態で、ターゲット21aと第2のステージ25とを対向配置される2枚の電極と見立て当該ステージ25に高周波電源からの所定電力を投入することで、容量結合方式で真空処理室P21P22にプラズマ雰囲気を形成でき、処理対象物Wに対する酸窒化処理第2工程に利用される。高周波電源26としては、周波数が13.56MHzで、その出力が50W~1kWである既存のものが用いられる。酸窒化処理のため第2の処理室P21P22にプラズマ雰囲気を形成する手段は上記に限定されるものではなく、例えば、真空チャンバ20の周囲に高周波アンテナを配置し、この高周波アンテナに交番電流を供給することにより、誘導結合式でプラズマ雰囲気を形成するものであってもよい。他方、高周波電源26は、スパッタリングによる成膜中や酸窒化処理の際に誘導結合式でプラズマ雰囲気を形成した場合に、基板Wに高周波バイアス電圧を印加する役割を果たすようにしてもよい。ターゲット21aの未使用時のスパッタ面と第2のステージ25に配置される基板Wとの間の距離以下、T-S間距離というは、基板Wに対して酸窒化する際に、ターゲット21a表面も酸窒化されるように、例えば、40~70mmの範囲に設定される。また、真空チャンバ20の側壁には、ステンレス等の金属製である上下一対の防着板27u、27dが設けられ、スパッタリングによる成膜中、真空チャンバ20の内壁面等へのスパッタ粒子の付着を防止する。また、真空チャンバ20の側壁には、ガス導入管28が接続されている。ガス導入管28は、切換弁28aを介して、二本のガス管に分岐され、この分岐されたガス分岐管28b、28cには、マスフローコントローラ29a、29bが夫々介在されて、Arなどの希ガスからなるスパッタガスのガス源28dと、酸窒化ガスのガス源28eとに夫々連通し、これらが第2のガス導入手段を構成する。そして、スパッタガスや酸窒化ガスが、上下一対の防着板27u、27dの隙間を通して処理室P21P22内に一定の流量で導入できる。酸窒化ガスとしては、酸素ガス及び窒素ガスを予め所定の混合比で混合したものが用いられるが、酸素ガス及び窒素ガスを夫々第2の処理室P21、P22内に導入するように構成してもよい。次に、図2及び図3を参照して、第2の処理室P21、P22でのバリア層の形成方法を説明する。処理対象物Wをステージ25に吸着させた後、真空チャンバ20内の圧力が所定値に達すると、第1工程を実施する。即ち、切換弁28aを操作して、ガス分岐管28bからガス導入管28を通して、Arガススパッタガスを所定の流量2~200sccmで導入する。そして、スパッタ電源23により、ターゲット21aに負の電位を持った所定電力例えば、14kWを投入する。これにより、第2の処理室P21P22内にプラズマ雰囲気が形成されてターゲット21aがスパッタリングされ、当該ターゲット21aから放出されたスパッタ粒子Ti原子が、微細ホールH内を含む絶縁膜I表面に付着、堆積してTi膜第1金属層BM1:下層が所定の膜厚例えば、25nmで形成される。このとき、ステージ25、ひいては処理対象物Wに高周波電源26により所定のバイアス電力例えば、300Wを投入し、プラズマにてイオン化されたスパッタ粒子を基板に引き込むようにしてもよい。これにより、高アスペクト比の微細ホールに対しても高いボトムカバレッジ率でTi膜を成膜することが可能になる。第1工程が終了すると、スパッタガスの導入を停止して第2の処理室P21P22を再度真空引きし、所定の真空度に達すると、第2工程を実施する。即ち、切換弁28aを操作して、ガス分岐管28cからガス導入管28を通して、酸窒化ガスを所定の流量例えば、窒素ガス1000sccm、酸素ガス100sccmで導入する。この場合、Arガススパッタガスも所定の流量で導入するようにしてもよい。そして、ステージ25に、高周波電源26により所定電力例えば、400Wを投入する。これにより、第2の処理室P21P22内に容量結合方式で酸素及び窒素を含むプラズマ雰囲気が形成され、処理対象物Wに形成されたTi膜BM1がプラズマ雰囲気に曝されることで、当該Ti膜表面が改質されて、その表面に酸窒化チタン膜金属化合物層BM21:中間層が形成される。このとき、Ti製のターゲット21aもまた上記プラズマ雰囲気に曝されることで、当該ターゲット21aの表面が酸窒化させる。この第2工程においては、酸素ガスと窒素ガスとの流量比は適宜設定される。また、酸窒化処理を促進するために、処理対象物Wを、100~400°Cの範囲内の所定温度に加熱保持するようにしてもよい。この場合、100°Cより低い温度では、酸窒化処理を効果的に促進できず、また、400°Cより高い温度では、下地配線層が劣化するという不具合がある。また、ステージ25への所定電力の投入時、ターゲット21aの酸窒化をコントロールするために、所定電力100~1000Wでターゲット21aに電力投入してもよい。これにより、投入電力に応じてターゲットの酸窒化を少なくできる。なお、上記の如く、例えば、高周波アンテナに交番電流を供給することにより誘導結合式でプラズマ雰囲気を形成するような場合には、ステージ25、ひいては、処理対象物Wに高周波電源26により所定のバイアス電圧例えば、50~1000Vを印加し、プラズマにてイオン化された酸素や窒素を積極的に基板Wに引き込むようにしてもよい。これにより、一層、酸窒化処理を促進できる。第2工程が終了すると、酸窒化ガスの導入を停止して第2の処理室P21P22を再度真空引きし、所定の真空度に達すると、第3工程を実施する。即ち、切換弁28aを操作して、ガス分岐管28bからガス導入管28を通して、Arガススパッタガスを所定の流量2~200sccmで導入する。そして、直流電源23により、ターゲット21aに負の電位を持った所定電力例えば、1~30kWを投入する。これにより、第2の処理室P21P22内にプラズマ雰囲気が形成されてターゲット21aがスパッタリングされ、当該ターゲット21aから放出されたスパッタ粒子Ti原子が、酸窒化チタン層表面に付着、堆積してTi膜第2金属層BM3:上層が所定の膜厚例えば、15nmで形成される。ここで、第2金属層BM3の成膜当初、ターゲット21aから飛散するものに、Ti元素の他、酸素や窒素が含まれていることで、第1金属層たるTi層BM1表面が改質されて形成された中間層たる酸窒化チタン層BM21表面には、反応性スパッタリングの如く、上記Tiと酸素及び窒素との金属化合物たる他の酸窒化チタン層BM22が形成される。即ち、本実施形態においては、中間層が、酸窒化処理による酸窒化チタン層BM21と、酸窒化されたターゲットのスパッタリングによる酸窒化チタン層BM22との界面のある積層構造として形成される。そして、ターゲット21a表面の酸窒化物がスパッタリングにより除去されると、ターゲット21aから上記金属元素のみが飛散して第2金属層たるTi膜BM3が形成される。なお、第3工程の初期においては、ターゲット表面が酸窒化層で覆われているが、所定の直流電圧を印加してターゲット21aをスパッタリングする際、スパッタリング開始当初の投入電力を所定時間数秒小さくし、その後、投入電力を増加させる等により、異常放電が生じる等の不具合は発生しないことが確認された。以上によれば、中間層が、酸窒化処理による酸窒化チタン層BM21と、酸窒化されたターゲット21aのスパッタリングによる酸窒化チタン層BM22との積層構造から構成されることで、当該バリア層BMを、異種金属たる、銅からなる導電層CLとアルミニウム含有の金属からなる埋込層ELとの間に介在されても十分なバリア性能を発揮する。その上、単一の処理室P21、P22にて一貫して処理できるため、生産性もよい。しかも、膜のストレスが比較的強く、処理室内に配置される防着板27u、27dとの密着性に欠ける酸窒化チタン層が、ストレスが比較的弱く、防着板27u、27dとの密着性の良い上記Ti元素で挟み込まれるようになる。このため、酸窒化チタン層の防着板27u、27dからの剥離に伴うパーティクル発生を防止すべく行われる防着板27u、27d交換のサイクルを長くできる等、生産性も向上することができる。以上の効果を確認するために次の実験を行った。本実験では、評価用の処理対象物Wとして、シリコンウエハ表面にシリコン酸化物膜100nmと、タンタル膜15nmと、銅膜45nm:一方の導電層に相当を順次積層したものを用意した。なお、銅膜を形成した後、水素ガス雰囲気で還元処理を行っている。また、真空処理装置Mに配置されるターゲットとしてTi製組成比99.999のものを用いた。そして、上記真空処理装置Mを用いてバリア層を所定膜厚で形成した。最後に、他のスパッタリング装置を用いてアルミニウム膜250nm:他方の導電層に相当を形成し、このようにして得られたものを真空熱処理炉にて、415°C、10minの条件でアニール処理を施し、アニール処理前後のアルミニウム膜のシート抵抗値Ω/□の平均値処理前のものをRsi、処理後のものをRsaとするを夫々測定し、バリア層BMのバリア特性を評価した。第1及び第3の各工程でのスパッタリング条件として、スパッタ電源から負の直流電位を持った投入電力を14kWに設定し、成膜中、第2の処理室内の圧力が20Paに保持されるようにアルゴンガスを導入しながら、18sec間成膜した目標膜厚35nm。また、第2工程の酸窒化処理の条件としては、基板の加熱温度を250°C、高周波電源から印加電力を400Wに設定し、酸素及び窒素ガスの流量比を1:10に設定し、第2の処理室内の圧力が14Paに保持されるように上記各ガスを導入し、所定の時間酸窒化処理を行った。比較実験として、上記と同一の処理対象物Wを用意し、バリア層として、上記と同一の条件でTi層のみを形成した比較実験1。また、他の比較実験として、第2工程にて、基板を250°Cに加熱したが、高周波電源から電圧を印加せずに酸素ガス及び窒素ガスを1:10の流量比で導入して酸窒化処理を施した比較実験2。以上の実験によれば、比較実験1では、Rsa/Rsiの値が2.77であり、比較実験2では、Rsa/Rsiの値が2.40であり、両者とも十分なバリア特性を発揮しないことが確認された。それに対して、本発明に係る実験では、Rsa/Rsiの値が1.26であり、十分なバリア特性を発揮することが確認された。また、上記実験において、第2工程における酸窒化処理の処理時間を、1、5及び10secに夫々設定して実験を行ったところ、処理時間が1secのとき、Rsa/Rsiの値が2.19であったのに対して、処理時間を5sec以上にすることで、Rsa/Rsiの値が1.26となり、バリア特性が向上することが確認された。上記の如く、バリア層BMが形成されると、処理対象物Wは第2の処理室P21P22から第3の処理室P31P32に搬送されアルミニウム含有の金属からなる埋込層が形成される。ここで、第3の処理室P31P32は、スパッタリングによる成膜処理を施すことができるものとして構成され、実質的に第2の処理室P21P22と略同一の構成を備えるため、以下においては、特に図示することなく、上記第2の処理室P21P22との相違点のみ説明する。即ち、図2を参照して、ターゲット21aは、例えば、アルミニウムー銅の合金製のものであり、真空チャンバ外に配置されるDC電源や高周波電源等のスパッタ電源5からの出力が接続され、スパッタリングによる成膜時、負の電位を持った所定電力例えば、1~30kWが投入されるようになっている。また、第3のステージ25の上面には、上記同様、静電チャックが設けられているが、静電チャックに印加するチャック電圧は段階的に変化できるように構成されている例えば、100Vまたは800V。そして、制御手段Cにより、第3のステージ25に内蔵した加熱手段を作動させた状態で処理対象物Wを静電吸着するときのチャック電圧を変えることで、処理対象物Wへの第3のステージ25からの伝熱量を変えることができる。また、第2の処理室と同様、ステージ25には高周波電源26からの出力が接続され、成膜中、ステージ25、ひいては、処理対象物にW対して所定のバイアス電力を投入し、プラズマ中の荷電粒子と衝突して金属粒子のイオンとなったものを、指向性を持って引き込む。T-S間距離は、例えば、40~70mmの範囲に設定される。以下に、第3の処理室P31、P32での埋込層の形成方法を説明する。先ず、バリア層BLが形成された処理対象物Wを第3のステージ25に吸着させる。このとき、静電チャックに印加するチャック電圧を低く設定し例えば、100V、弱い吸着力で処理対象物を吸着しておく。また、処理対象物Wの吸着後、加熱手段25bを作動させるが、処理対象物が例えば、200°C以下の温度に保持されるように制御する。第3の処理室P31P32の圧力が所定値に達すると、ガス導入管28を通して、Arガススパッタガスを所定の流量10~200sccmで導入する。そして、スパッタ電源23により、ターゲット21aに負の電位を持った所定電力例えば、22kWを投入すると共に、ステージ25、ひいては、処理対象物Wに高周波電源26により所定のバイアス電力例えば、400Wを投入する。これにより、処理室P31P32内にプラズマ雰囲気が形成されてターゲット21aがスパッタリングされ、当該ターゲット21aから放出されたスパッタ粒子アルミニウムや銅の原子が、微細ホールH内を含むバリア層BL表面に付着、堆積する。このとき、ターゲット21aから飛散したスパッタ粒子がプラズマ中の荷電粒子と衝突してスパッタ粒子のイオンとなる。このスパッタ粒子のイオンは、プフズマ中の多重散乱によって指向性を失うが、ステージ25にバイアス電力を投入することで、当該処理対象物W、ひいては、ビアホールHへと指向性を持って引き込まれ、付着、堆積し、ライナー層EL1が所定の膜厚で形成される図3参照。なお、ライナー層EL1の形成工程において、処理室P31P32の圧力が、プラズマ中のスパッタガスのイオンと効率よく衝突するように、5~30Paの範囲に設定される。次に、成膜時間開始後、所定時間埋込層の形成に必要な成膜時間の10~50の範囲内の時間経過すると、バイアス電力の投入を停止すると共に、上記制御手段Cにより静電チャックに印加するチャック電圧を高く設定する例えば、800V。これにより、ステージ25からの伝熱量が急激に増加して処理対象物が350~450°Cの温度に加熱される。ガス導入管28を通して導入するArガススパッタガスの流量を5~100sccmに増加させて導入し、処理室内の圧力を0.1~1Paとする。これにより、プラズマ中の金属のイオンによる所謂逆スパッタが抑制されながら、ターゲット21aから飛散した金属粒子が付着、堆積し、バルク層EL1が形成される。このとき、処理対象物の温度を所定温度350~500°Cに加熱していることで、ビアホールH内に付着した金属粒子の粒径を、ライナー層EL1とバルク層EL2との間で互いに異なるものとできる。しかも、ライナー層EL1とバルク層EL2との界面においる膜中の金属粒子の流動性が促進されることで、金属材料のビアホールへの埋込性が向上する。これにより、高アスペクト比の微細ホールに対しても高い埋込性をもってアルミニウム含有の導電性の金属埋込層が成膜される。以上の効果を確認するために次の実験を行った。本実験では、評価用の処理対象物Wとして、シリコンウエハ表面にシリコン酸化物膜220nmを形成した後、深さ220nmアスペクト比1.2のビアホールを形成したものを用意した。また、真空処理装置Mに配置されるターゲットとしてアルミニウムー銅の合金製のものAl-0.5Cuを用いた。そして、上記真空処理装置Mを用いて埋込層を所定膜厚で形成した。T-S間距離を45mmとし、ライナー層の成膜条件を、アルゴンガスの供給量を55sccm処理室内圧力20Pa、ターゲットへの投入電力を14kW、バイアス電圧を200W0.003W/mm2、処理対象物の加熱温度を150°Cとし、200nmの膜厚でライナー層を形成した。また、バルク層の成膜条件を、アルゴンガスの供給量を30sccm処理室内圧力0.12Pa、ターゲットへの投入電力を14kW、バイアス電圧を0W、処理対象物の加熱温度を400°Cとし、500nmの膜厚でバルク層を形成した。また、ライナー層のうちビアホール底面の膜厚Tb、ビアホール側面の膜厚Ts、シリコン酸化物表面の膜厚Toを測定した結果、ビアホール底部の被覆率が39.5で、ビアホール側壁の被覆率が19であった。以上によれば、高いバリア性を発揮するバリア層BMと、耐エレクトロマイグレーション及び埋込性の良好な埋込層ELとを単一の処理室P21、P31P22、P32にて夫々形成できる。結果として、これらバリア層BMと埋込層ELを真空雰囲気で一貫して形成する真空処理装置Mとして構成した場合でも、2枚の処理対象物に対して、還元処理を含め、搬送室TCに設ける処理室が6個あれば済み、装置の大型化を招来することがない。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記に限定されるものではない。上記実施形態では、導電層や埋込層として、銅とアルミニウムとを用いたものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、W、Mo、Ni、Co、Cr,Fe、Pd、Ag及びAuの中から選択されたものを用いることができる。つまり、本発明のバリア膜は、同種または異種金属たる金属層間の相互拡散を防止するために広く適用できる。また、上記実施形態においては、バリア層を、Ti製ターゲットを用いて形成するものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、Ta、W、V、Cr、Zr及びMoのうち少なくとも一種の金属元素からなるターゲットを用いた場合にも有効である。"