"対向した一対の主面を有するフェライトの少なくとも一の主面に中心電極を配置し、該フェライトの一対の主面にそれぞれ永久磁石を固着し、ヨークを配置したフェライト磁石素子において、前記永久磁石はその上面稜線部に切欠いた段差部を有し、前記ヨークは前記永久磁石の側面と上面とを覆う略箱形状をなし、前記段差部に係合する開口部を有すること、を特徴とするフェライト磁石素子。前記ヨークは前記段差部に接着剤を介して接着されていること、を特徴とする請求項1に記載のフェライト磁石素子。対向した一対の主面を有するフェライトの少なくとも一の主面に中心電極を配置し、該フェライトの一対の主面にそれぞれ永久磁石を固着し、ヨークを配置したフェライト磁石素子において、前記永久磁石はその上面稜線部に切欠いた第1の段差部及び下面稜線部に切欠いた第2の段差部を有し、前記ヨークは前記永久磁石の側面と上面とを覆う略箱形状をなし、前記第1の段差部に係合する開口部及び折り曲げることにより前記第2の段差部に係合する突片部を有すること、を特徴とするフェライト磁石素子。そこで、本発明の目的は、小型化、低背化を達成でき、かつ、ヨークをフェライトや永久磁石と一体的に取り扱うことのできるフェライト磁石素子を提供することにある。本発明の第1形態であるフェライト磁石素子は、対向した一対の主面を有するフェライトの少なくとも一の主面に中心電極を配置し、該フェライトの一対の主面にそれぞれ永久磁石を固着し、ヨークを配置したフェライト磁石素子において、前記永久磁石はその上面稜線部に切欠いた段差部を有し、前記ヨークは前記永久磁石の側面と上面とを覆う略箱形状をなし、前記段差部に係合する開口部を有すること、を特徴とする。本発明の第2の形態であるフェライト磁石素子は、対向した一対の主面を有するフェライトの少なくとも一の主面に中心電極を配置し、該フェライトの一対の主面にそれぞれ永久磁石を固着し、ヨークを配置したフェライト磁石素子において、前記永久磁石はその上面稜線部に切欠いた第1の段差部及び下面稜線部に切欠いた第2の段差部を有し、前記ヨークは前記永久磁石の側面と上面とを覆う略箱形状をなし、前記第1の段差部に係合する開口部及び折り曲げることにより前記第2の段差部に係合する突片部を有すること、を特徴とする。前記フェライト磁石素子において、永久磁石には段差部が形成され、ヨークはその開口部が該段差部第1の段差部に係合することにより、フェライトを挟着した一対の永久磁石に取り付けられる。それゆえ、ヨークの上面はフェライトや永久磁石の上面とほぼ同一平面に位置することになり、フェライト磁石素子が小型化、低背化する。また、フェライト磁石素子はヨークを一体化した状態で非可逆回路素子の製造工程に送られるため、非可逆回路素子の組立て工程において、ヨークはフェライト磁石素子と一体的に取り扱うことができ、組立て工程が簡略化され、非可逆回路素子の量産性が向上する。前記第2の形態であるフェライト磁石素子においては、折り曲げたヨークの突片部は永久磁石に形成した第2の段差部に係合するため、フェライト磁石素子の低背化を損なうことはない。本発明によれば、フェライト磁石素子の小型化、低背化が達成され、かつ、ヨークをフェライトや永久磁石と一体的に取り扱うことができるので非可逆回路素子の量産性が向上する。以下、本発明に係るフェライト磁石素子の実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各図において、同じ部材、部分については共通する符号を付し、重複する説明は省略する。第1実施例、図1~図3参照第1実施例であるフェライト磁石素子30Aは、図1に示すように、非可逆回路素子を構成する一つの素子であり、非可逆回路素子としては、この素子以外に、図示していない回路基板や外装樹脂、必要に応じて実装されるインダクタやコンデンサを含んでいる。なお、フェライトに形成される中心電極の基本的な構成は従来から種々の態様があり、図6、図7を用いて主要な構成を以下に例示する。フェライト磁石素子30Aは、対向した一対の主面を有する直方体形状のフェライト32の両主面に中心電極以下に示すを配置し、該フェライト32の一対の主面にそれぞれ永久磁石41を接着剤42を介して貼着し、ヨーク51を配置したものである。永久磁石41はその上面稜線部に切欠いた段差部41aを有している。ヨーク51は前記永久磁石41の側面と上面とを覆う略箱形状をなし、段差部41aに係合する開口部51aを有している。段差部41aに接着剤52を塗布した状態で、図2に示すように、ヨーク51をフェライト32及び永久磁石41の上方から被せ、開口部51aを段差部41aに係合させることにより、ヨーク51が永久磁石41と一体化される。以上の構成からなるフェライト磁石素子30Aは以下のような工程で製造することができる。ここで示す製造工程は、まず、一単位のフェライト磁石素子をマトリクス状に多数個形成した集合基板を形成し、必要な加工を行ったのち、該集合基板を一単位のフェライト磁石素子に切り分ける、いわゆる多数個取りと称するものである。まず、図3Aに示すように、永久磁石41、接着剤42、フェライト32中心電極形成済み、接着剤42及び永久磁石41を積み重ね接着剤42は塗布、集合基板31を作製する。次に、図3Bに示すように、前記集合基板31をダイシングシート61上に貼着し、ダイシングブレード62にて集合基板31をカットする。ダイシングブレード62は回転軸62aを支点に回転する刃物であり、回転しつつ図1Bに示す矢印X方向に移動し、集合基板31を短冊状にカットしていく。さらに、ダイシングブレード62にて別のブレードであってよい、図3Cに示すように、一方の永久磁石41の稜線部に段差部41aを形成する。次に、集合基板31を裏返してダイシングシート63上に貼着する図3D参照。この状態で、さらに、ダイシングブレード62にて別のブレードであってもよい図3Eに示すように、他方の永久磁石41の稜線部に段差部41aを形成する。次に、集合基板31を図1Bに示す矢印Y方向にカットすることにより、図3Fに示す一単位のフェライト磁石素子30Aが得られる。その後ヨーク51を図2を参照して説明したように取り付ける。前記フェライト磁石素子30Aにおいて、ヨーク51の板厚は段差部41aの深さにほぼ等しい。ヨーク51の開口部51aが永久磁石41の段差部41aに係合することにより、ヨーク51の上面はフェライト32や永久磁石41の上面とほぼ同一平面に位置することになり、フェライト磁石素子が小型化、低背化する。また、フェライト磁石素子30Aはヨーク51を一体化した状態で非可逆回路素子の製造工程に送られるため、非可逆回路素子の組立て工程において、ヨーク51はフェライト磁石素子30Aと一体的に取り扱うことができ、組立て工程が簡略化され、非可逆回路素子の量産性が向上する。なお、永久磁石41は段差部41aを形成することで磁路の一部が欠損することになるが、段差部41aにはヨーク51の上面部が入り込んで磁束の通過を補うことになる。第2実施例、図4及び図5参照第2実施例であるフェライト磁石素子30Bは、図4に示す一対の突片部53bを有するヨーク53を備えたもので、永久磁石41には前記段差部41aに加えて下面稜線部にも段差部41bが形成されている図5A参照。他の構成は前記第1実施例と同様である。このフェライト磁石素子30Bにあっては、フェライト32を接着剤42を介して永久磁石41で挟着した状態で、永久磁石41に段差部41a,41bを形成し、ヨーク53を永久磁石41に上方から被せる図5B参照。これにて、開口部53aが段差部41aに係合する。次に、突片部53bを内側に折り曲げ、突片部53bを段差部41bに係合させる図5C参照。これにて、ヨーク53が永久磁石41に一体化される。本第2実施例の作用効果は前記第1実施例と基本的に同様であり、突片部53bは段差部41bに入り込むため、フェライト磁石素子30Bの小型化、低背化を損なうことはない。また、突片部53bは段差部41bにおける磁束の通過を補うことになる。中心電極の構成、図6及び図7参照前記フェライト32に形成される中心電極の第1例を図6に示す。ここに示す中心電極35,36は、2ポートタイプの集中定数型アイソレータを構成するもので、フェライト32に互いに絶縁状態で交差して配置されている。第1中心電極35は、フェライト32に1ターン巻回されており、一端電極35aが入力ポートP1とされ、他端電極35bが出力ポートP2とされている。第2中心電極36は、フェライト32に第1中心電極35と所定の角度で交差した状態で4ターンターン数は任意である巻回されており、一端電極前記他端電極35bと共用が出力ポートP2とされ、他端電極36aがグランドポートP3とされている。なお、図6では煩雑さを避けるためにフェライト32の背面側の電極は図示を省略している。中心電極の第2例を図7に示す。ここに示す中心電極37は、磁気共鳴型アイソレータを構成するもので、ポート開口P1,P2,P3を有し、直線状に対向する開口P1,P2との間に配置された主線路37aは1/4波長以下の共振しない線路長とされている。フェライト32の表面で主線路37aから分岐した副線路37bは、裏面に回り込んで主線路37aと直交し、端部が開口P3とされている。他の実施例なお、本発明に係るフェライト磁石素子及びその製造方法は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。特に、フェライトに配置される中心電極は様々な形状、構成のものを採用することができる。また、ヨークの細部の形状などは任意である。"