相対向して配置される一対の第1の配線層及び第2の配線層と、前記第1の配線層及び前記第2の配線層間に配設されてなる絶縁層と、前記絶縁層内に配設されるとともに、前記第1の配線層に実装されてなる中空形成部材と、前記中空形成部材内に収容されるとともに、前記第1の配線層に実装されてなる機能性素子と、を具えることを特徴とする、素子内蔵配線基板。前記中空形成部材は、前記第1の配線層に熱硬化性樹脂系の接着剤を介して実装されたことを特徴とする、請求項1に記載の素子内蔵配線基板。前記中空形成部材は、前記第1の配線層にはんだを介して実装されたことを特徴とする、請求項1に記載の素子内蔵配線基板。前記中空形成部材は、金属材料又は金属部材を有することを特徴とする、請求項1~3のいずれか一に記載の素子内蔵配線基板。前記中空形成部材は、非実装部が連続した曲面を有し、球面状に形成されてなることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一に記載の素子内蔵配線基板。前記中空形成部材内に収容され、前記第1の配線層に実装されてなる能動素子及び受動素子の少なくとも一方を具えることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一に記載の素子内蔵配線基板。第1の配線層に、機能性素子が実装されるとともに、前記機能性素子を収容するようにして中空形成部材が実装されてなる第1の配線基板を形成する工程と、前記中空形成部材を収容する開口部が形成されてなる絶縁層部材上に第2の配線層が形成されてなる第2の配線基板を形成する工程と、前記第1の配線基板と前記第2の配線基板とを、前記中空形成部材が前記開口部内に収容されるようにして積層する工程と、積層された前記第1の配線基板及び前記第2の配線基板を加熱下加圧することにより、前記絶縁層部材を流動化させ、前記中空形成部材を前記絶縁層部材が流動固化してなる絶縁層中に埋設する工程と、を具えることを特徴とする、素子内蔵配線基板の製造方法。前記第1の配線基板を形成する際に、前記中空形成部材の、前記第1の配線層に対する実装は、不活性ガス雰囲気下で行うことを特徴とする、請求項7に記載の素子内蔵配線基板の製造方法。本発明は、少なくとも一対の配線層と、この一対の配線層間に配設された絶縁層とからなる配線基板中に、MEMSやSAWフィルタなどの機能性素子をその機能面の機能を劣化させない状態で埋設してなる新規な構造の素子内蔵配線基板を安価に提供することを目的とする。上記目的を達成すべく、本発明は、相対向して配置される一対の第1の配線層及び第2の配線層と、前記第1の配線層及び前記第2の配線層間に配設されてなる絶縁層と、前記絶縁層内に配設されるとともに、前記第1の配線層に実装されてなる中空形成部材と、前記中空形成部材内に収容されるとともに、前記第1の配線層に実装されてなる機能性素子と、を具えることを特徴とする、素子内蔵配線基板に関する。また、本発明は、第1の配線層に、機能性素子が実装されるとともに、前記機能性素子を収容するようにして中空形成部材が実装されてなる第1の配線基板を形成する工程と、前記中空形成部材を収容する開口部が形成されてなる絶縁層上に第2の配線層が形成されてなる第2の配線基板を形成する工程と、前記第1の配線基板と前記第2の配線基板とを、前記中空形成部材が前記開口部内に収容されるようにして積層する工程と、積層された前記第1の配線基板及び前記第2の配線基板を加熱下加圧することにより、前記絶縁層を流動化させ、前記中空形成部材を前記絶縁層中に埋設する工程と、を具えることを特徴とする、素子内蔵配線基板の製造方法に関する。本発明によれば、一対の第1の配線層及び第2の配線層と、これら配線層間に配設された絶縁層とを含む配線基板において、絶縁層内に予め中空形成部品を第1の配線層に実装するようにして設け、目的とする機能性素子を中空形成部品内に収容した状態で第1の配線層に実装するようにして素子内蔵配線基板を形成するようにしている。したがって、素子内蔵配線基板の構成要素である上記第1の配線基板及び第2の配線基板を積層した後、加熱下加圧して目的とする素子内蔵配線基板を製造する際に、素子内蔵配線基板の絶縁層を構成すべき、第2の配線基板の絶縁層部材、具体的には絶縁層を構成する、必要に応じてガラス繊維等の強化繊維を含む樹脂が溶融して流動化した際においても、当該樹脂が中空形成部品内に入り込むようなことがない。この結果、機能性素子の機能面に対して樹脂、すなわち絶縁層が付着するのを防止することができ、機能性素子の機能が阻害されるのを抑制することができる。また、機能性素子の機能面に対する絶縁層の付着を、中空形成部品を予め実装するという簡易な操作で抑制することができるので、従来のようにスパッタリング法で金属膜等を形成するような場合に比較して、極めて安価に機能性素子の機能劣化を抑制することができる。さらに、金属膜等の形成で十分に抑制することのできなかった絶縁層の吸湿水分による機能面の酸化腐食による、機能性素子の経時的な機能劣化をも効果的に抑制することができる。なお、本発明における機能性素子とは、いわゆる機能面を有する素子を意味し、MEMSSAWフィルタ又は撮像素子等の素子を例示することができるが、これらに限定されるものではない。以上、本発明によれば、少なくとも一対の配線層と、この一対の配線層間に配設された絶縁層とからなる配線基板中に、MEMSやSAWフィルタなどの機能性素子をその機能面の機能を劣化させない状態で埋設してなる新規な構造の素子内蔵配線基板を安価に提供することができる。以下、本発明のその他の特徴及び利点について、発明を実施するための形態に基づいて説明する。第1の実施形態図1は、本実施形態の素子内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。図1に示すように、本実施形態の素子内蔵配線基板10は、第1の配線層11及び第2の配線層12を有し、これらの間に第1の絶縁層21が配設されている。第1の絶縁層21内には箱型の中空形成部品41が配設され、この中空形成部品41は第1の配線層11に実装されている。また、中空形成部品41内には、機能性素子42が収容されているとともに、第1の配線層11に対して実装されている。なお、機能性素子42はワイヤ43によって第1の配線層11と電気的に接続されている。また、中空形成部品41の外方には、第1の配線層11及び第2の配線層12間において、第1の絶縁層21の一部で電気的に絶縁されるようにして、第3の配線層13及び第4の配線層14が設けられている。さらに、第1の配線層11の外方下方には、第2の絶縁層22を介して第5の配線層15が配設されているとともに、第2の配線層12の外方上方には、第3の絶縁層23を介して第6の絶縁層16が配設されている。なお、第1の配線層11及び第3の配線層13は第1の層間接続体31によって電気的に接続されており、第3の配線層13及び第4の配線層14は第2の層間接続体32によって電気的に接続されており、第4の配線層14及び第2の配線層12は第3の層間接続体33によって電気的に接続されている。また、第1の配線層11及び第5の配線層15は第4の層間接続体34によって電気的に接続されており、第2の配線層12及び第6の配線層16は第5の層間接続体35によって電気的に接続されている。したがって、本実施形態の素子内蔵配線基板10は、いわゆる多層配線基板を構成する。第1の配線層11から第6の配線層16は、必要に応じて所定のパターニングが施されることによる配線パターンとして構成されてもよいし、ベタのパターンとして構成されていてもよい。また、機能性素子42としては、MEMSSAWフィルタ又は撮像素子等の素子を例示することができるが、これらに限定されるものではない。本実施形態の素子内蔵配線基板10においては、機能性素子42が中空形成部品41内に収容された状態で第1の配線層11に実装されている。したがって、第1の配線層11及び第2の配線層12間に配設された第1の絶縁層21を形成する際に、第1の絶縁層21となるべき所定の絶縁層、具体的にはこの絶縁層を構成する、必要に応じてガラス繊維等の強化繊維を含む樹脂が溶融して流動化した際においても、当該樹脂が中空形成部品41内に入り込むようなことがない。この結果、機能性素子42の機能面42Aに対して樹脂、すなわち絶縁層が付着するのを防止することができ、機能性素子42の機能が阻害されるのを抑制することができる。すなわち、第1の配線層11及び第2の配線層12間に配設された第1の絶縁層21内に予め中空形成部品41を第1の配線層11に実装するようにして設け、機能性素子42を中空形成部品41内に収容した状態で第1の配線層11に実装するという極めて簡易な構成及び操作のみで、機能性素子42の機能面42Aに第1の絶縁層21の一部が付着するのを抑制することができ、機能性素子42の機能阻害を抑制することができる。また、第1の絶縁層21の吸湿水分が中空形成部品41内に流入するのを抑制できるので、機能性素子42の機能面42Aに水分が付着することによる酸化腐食を抑制することができ、機能性素子42の経時的な機能劣化をも抑制することができる。なお、中空形成部品41は、ポリエーテルサルフォンPES、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリアミドイミドPAI、ポリイミドPI及びポリフェニレンサルファイドPPS等の耐熱性プラスチックから構成することができる。また、例えば銅やアルミニウム等の高導電性の金属材料から構成することもできる。後者のように、中空形成部品41を高導電性の金属材料から構成した場合、耐熱性プラスチックから構成した場合に比較して、第1の絶縁層21の吸湿水分が中空形成部品41内に流入するのをより効果的に抑制することができ、機能性素子42の経時的な機能劣化をより効果的に抑制することができる。また、中空形成部品41が電磁波シールド性を有するようになるので、中空形成部品41の外部、すなわち素子内蔵配線基板10外部から流入してくる電磁波の、中空形成部品41内に収容された機能性素子42に対する影響を抑制することができるともに、機能性素子42から発せられる電磁波が素子内蔵配線基板10の外部へ漏れでて、外部環境に悪影響を及ぼすことを抑制できるようになる。なお、中空形成部品41を金属材料から構成することによる上記作用効果は、例えば中空形成部品41を耐熱性のプラスチックから構成した後、その外側あるいは内側に、上記金属材料からなる金属部材、いわゆる膜体を形成することによっても奏することができる。さらに、耐熱性のプラスチック中に鱗片状の金属フィラーを高い割合で含有させることによっても奏することができる。中空形成部品41を実装するに対しては、例えばその接続部41Aにおいて熱硬化性樹脂系の接着剤を配設することによって接合して行うことができる。このような接着剤の溶融接着温度は約150度であるので、このような接着剤を用いることによって、中空形成部品41内に収容した機能性素子42への熱負荷を軽減することができる。また、中空形成部品41を実装するに対しては、接続部41Aにおいてはんだを配設し、このはんだをリフローすることによって行うこともできる。一般に、機能性素子42の第1の配線層11に対する実装ははんだを用いて行うので、中空形成部品41の実装をはんだを用いて行うことにより、中空形成部品41及び機能性素子42の実装を一括して行うことができ、素子内蔵配線基板10の製造工程を簡略化することができる。なお、上記接着剤及びはんだは、一般には実装される側の第1の配線層11上に配設するが、その配設形状は、中空形成部品41の接続部41Aの外径形状と合致するようにして行う。図2は、中空形成部品41の変形例を示す図であり、図3~図5は、図2に示す中空形成部品41の接続部41Aの近傍を拡大して示す図である。図1では、中空形成部品41の接続部41Aは、中空形成部品41の側壁の先端部として構成しているので、接着剤及びはんだと接触する面積は、その肉厚に起因した上記側壁の外周面積と内周面積との差分となる。しかしながら、図2では、接続部41Aを鍔状に形成しているので、接続部41Aの実質的な肉厚が増大したことになり、図3に示すように接着剤又ははんだ41Bとの接触面積が向上する。したがって、中空形成部品41の、第1の配線層11への実装を強固に行うことができる。また、中空形成部品41の鍔状の接続部41Aは、図4に示すように波型とすることができる。この場合、図3に示す場合と比較して、接続部41Aと接着剤又ははんだ41Bとの実質的な接触面積をさらに向上させることができるので、中空形成部品41の、第1の配線層11への実装をより強固に行うことができる。さらに、中空形成部品41の鍔状の接続部41Aは、図5に示すように内側に凸となったR形状とすることができる。この場合も、接続部41Aと接着剤又ははんだ41Bとの接触面積を増大でき、中空形成部品41の、第1の配線層11への実装を強固に行うことができる。また、溶融した絶縁層が接続部41Aと接着剤又ははんだ41Bとの接触部へ流入せずに、R形状の鍔状の接続部41Aの凹部に集中して流入するようになる。したがって、素子内蔵配線基板10の製造時における溶融絶縁層の、中空形成部品41内部への流入をより効果的に抑制することができ、その内部に収容された機能性素子42の機能面42Aへの絶縁層の付着をより完全に抑制して、機能性素子42の機能障害を抑制することができるようになる。第2の実施形態図6は、本実施形態の素子内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。なお、第1の実施形態に関する図1~図5に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては同一の参照符号を用いている。本実施形態の素子内蔵配線基板50は、第1の配線層11に実装された中空形成部品41内に、機能性素子42に加えて受動素子45及び能動素子46が収容され、第1の配線層11に実装されている点で相違する。なお、本実施形態の受動素子45及び能動素子46は第1の配線層11に対してフリップチップ実装されているが、実装方法はこれらに限定されるものではない。また、受動素子45としては、抵抗やコンデンサなどを例示することができ、能動素子46としてはICチップなどを例示することができる。受動素子45及び能動素子46は、機能性素子42のように外部に露出した機能面を有しないので、特に溶融した絶縁層がこれらの素子に接触した場合においてもそれら素子の機能を阻害することはない。しかしながら、第1の実施形態で述べたように、中空形成部品41を金属材料から構成したり、金属材料からなる膜体を付加したりすることによって、中空形成部品41は電磁波シールド性を有するようになる。したがって、このような場合において、図6に示すように、中空形成部品41内に受動素子45及び能動素子46を収容することによって、素子内蔵配線基板50の外部から流入してくる電磁波の、受動素子45及び能動素子46に対する悪影響を抑制することができるとともに、これらの素子が発する電磁波が素子内蔵配線基板50の外部に漏れ、外部環境に悪影響をもたらすことを抑制できる。また、受動素子45及び能動素子46を内蔵することによって、素子内蔵配線基板50の実装面積を削減できるので、素子内蔵配線基板50をより小型化することができる。その他の特徴及び作用効果については、上記第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。但し、中空形成部品41を実装するに際して熱硬化性樹脂系の接着剤を用いることにより、中空形成部品41内に収容した機能性素子42のみならず受動素子45及び能動素子46への熱負荷を軽減することができる。また、はんだを用いることによって、中空形成部品41及び機能性素子42のみならず、受動部品45及び能動素子46の実装をも一括して行うことができる。第3の実施形態図7は、本実施形態の素子内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。なお、第1の実施形態に関する図1~図5及び第2の実施形態に関する図6に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては同一の参照符号を用いている。本実施形態の素子内蔵配線基板60は、中空形成部品41が箱型から接続部41Aを除いた部分が連続した曲面を有し、球面状に形成されている点で第2の実施形態に示す素子内蔵配線基板50と相違し、その他は第2の実施形態における素子内蔵配線基板50と同様に構成されている。本実施形態の素子内蔵配線基板60においては、第1の絶縁層21内に配設されている中空形成部品41がエッジ部を有しないので、配線基板60を製造する際に、第1の絶縁層21を構成すべき絶縁層、すなわち必要に応じてガラス繊維等の強化繊維を含む樹脂が溶融して流動化した際においても、当該樹脂は中空形成部品41のエッジ部に応力集中することがない。したがって、中空成形部品41の実質的な機械強度が向上するようになるので、上記樹脂の流動による押圧力等によって中空成形部品41が破損するのを回避することができる。その他の特徴及び作用効果については、上記第2の実施形態と同様であるので説明を省略する。なお、本実施形態では、第2の実施形態における素子内蔵配線基板50の中空形成部品41を上述のように球面状に形成しているが、第1の実施形態における素子内蔵配線基板10における中空形成部品41を上述のように球面状にしてもよい。第4の実施形態次に、第1の実施形態における素子内蔵配線基板10の製造方法について説明する。図8~図12は、本実施形態の製造方法における工程図を示す図である。最初に、図8に示すように、第1の配線層11及び第5の配線層15が第2の絶縁層22の両主面に形成され、第2の絶縁層22を貫通する第4の層間接続体34によって電気的に接続されてなる両面基板を準備する。次いで、この両面基板の第1の配線層11上に機能性素子42を実装する。次いで、第1の配線層11上に、機能性素子42を収容するようにして中空形成部材41を実装して、下部配線基板第1の配線基板を形成する。なお、中空形成部材41の実装は、上述したように熱硬化性樹脂系の接着剤又ははんだを用いて行う。また、中空形成部材41の第1の配線層11に対する実装は、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。これによって、中空形成部材41内に収容した機能性素子42の酸化等による機能性の劣化を抑制することができる。次いで、図9に示すように、第2の配線層12及び第6の配線層16が第3の絶縁層23の両主面に形成されるとともに、第5の層間接続体35によって電気的に接続されるようにして配線基板を形成した後、この配線基板上、すなわち第2の配線層12上に後に説明する加熱加圧工程を経ることによって、第1の絶縁層21となる絶縁層部材21Pを配設する。また、絶縁層部材21Pを貫通するようにして第3の層間接続体33を形成し、上部配線基板を形成する。次いで、図10に示すように、第3の配線層13及び第4の配線層14が同じく絶縁層部材21Pの両主面に形成されるとともに、第3の層間接続体33によって電気的に接続されてなる配線基板を形成した後、この配線基板上、すなわち第3の配線層13上に同じく絶縁層部材21Pを配設し、この絶縁層部材21Pを貫通するようにして第1の層間接続体31を形成し、中間配線基板を形成する。なお、この中間配線基板の中央には、中空形成部品41を収納するための開口部41Oが形成されている。開口部41Oは、上述のようにして中間配線基板を作製した後、例えばレーザ加工等によって形成することもできるし、予め開口部41Oが形成された絶縁層部材21Pを用いて上述したような積層体を作製し、上記中間配線基板とすることもできる。図9に示す上部配線基板及び図10に示す中間配線基板の積層体は、第2の配線基板を構成する。但し、本実施形態では、素子内蔵配線基板10を多層配線基板の構成としているので、製造工程を簡略化する観点から、上述のように、多層配線基板を構成する第3の配線層13及び第4の配線層14を含む積層体を別途中間配線基板として形成し、第2の配線層12を含む上部配線基板と分離するようにしている。また、本実施形態では、中間配線基板を設けたことにより、開口部41Oを中間配線基板にのみ設けるようにしているが、上部配線基板の一部、すなわち第2の配線層12を残存させた状態で形成することもできる。次いで、図11に示すように、図8に示す下部配線基板、図9に示す中間配線基板及び図10に示す上部配線基板を、下部配線基板に実装された中空形成部材41が中間配線基板に形成された開口部41O内に収納されるとともに、互いに位置あわせをしながら積層する。次いで、図12に示すように、得られた配線基板の積層体に対して上下から加熱下加圧し、中間配線基板中の絶縁層部材21P及び上部配線基板中の絶縁層部材21Pを溶融して流動させ、開口部41Oと中空形成部品41との空隙を埋設させるとともに、上部配線基板、中間配線基板及び下部配線基板を互いに密着固定させて、目的とする素子内蔵配線基板10を得る。以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、配線層の数が6個の多層配線基板として素子内蔵配線基板を構成しているが、配線層の数は必要に応じて任意の数とすることができる。また、素子内蔵配線基板は必ずしも多層配線基板の構成で作製する必要はなく、第1の配線層11及び第2の配線層12と、これら配線層間に配設された第1の絶縁層とからなる単層の配線基板とすることもできる。