チャンバ内に処理対象を保持する処理対象保持手段と、前記チャンバ内に導入されるガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備え、生成されたプラズマを用いて前記処理対象を処理するプラズマ処理装置において、前記処理対象保持手段は、前記処理対象が載置される処理対象支持部材と、前記処理対象支持部材の外周に設けられるリング状のインシュレータリングと、前記インシュレータリングの側面および前記側面を除いた前記プラズマに曝される面以下、プラズマ暴露面というを覆うイットリアを含有する保護膜と、を備え、前記保護膜は、前記インシュレータリングの前記側面上に比して前記プラズマ暴露面上の方が厚く形成されることを特徴とするプラズマ処理装置。前記保護膜は、前記インシュレータリングの前記プラズマ暴露面上での厚さが、外周側から中心側に向かって厚くなるように形成されることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記インシュレータリングの前記プラズマ暴露面は、前記処理対象支持部材の前記処理対象の載置面と略平行であり、前記保護膜の上面は、前記インシュレータリングの外周側から中心側に向かって高くなるように傾斜していることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記インシュレータリングの前記プラズマ暴露面は、前記インシュレータリングの外周側から中心側に向かって低くなるように傾斜しており、前記保護膜の上面は、前記処理対象支持部材の前記処理対象の載置面と略平行であることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記インシュレータリングの前記プラズマ暴露面上に形成される保護膜の厚さは一定であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記イットリア膜は、酸化イットリウム粒子を有し、膜厚が10μm以上200μm以下であり、膜密度が90以上であり、単位面積200μm×200μm中に存在する粒界が確認できる酸化イットリウム粒子が面積率で0~80、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子が面積率20~100であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。しかしながら、従来技術では、プラズマはフォーカスリングよりも広い領域に生成されるため、ウェハのエッチング時にインシュレータリングなどの基板保持部の構成部材がエッチングされてしまう。特に、上記のような構成のプラズマ処理装置で処理対象とするものはウェハ上に形成されたシリコン酸化膜などの酸化膜であり、これらの酸化膜のエッチング時に、石英で構成されるインシュレータリングなどもエッチングされてしまい、交換頻度が高くなっているという問題点もあった。本発明の一つの実施形態は、インシュレータリングの交換頻度を従来に比して抑えることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。本発明の一つの実施形態によれば、チャンバ内に処理対象を保持する処理対象保持手段と、前記チャンバ内に導入されるガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備え、生成されたプラズマを用いて前記処理対象を処理するプラズマ処理装置が提供される。前記処理対象保持手段は、前記処理対象が載置される処理対象支持部材と、前記処理対象支持部材の外周に設けられるリング状のインシュレータリングと、前記インシュレータリングの側面および前記側面を除いた前記プラズマに曝される面以下、プラズマ暴露面というを覆うイットリアを含有する保護膜と、を備える。また、前記保護膜は、前記インシュレータリングの前記側面上に比して前記プラズマ暴露面上の方が厚く形成される。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるプラズマ処理装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態図1は、プラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図であり、図2は、第1の実施形態による保護膜でコーティングされたインシュレータリングの構成の一例を示す図であり、図2aは斜視図であり、図2bは断面図である。また、図3は、一般的なインシュレータリングの経時変化を模式的に示す図であり、図4は、インシュレータリング付近の構造の一部拡大断面図である。ここでは、プラズマ処理装置10として、RIEReactiveIonEtching装置を例示している。図1に示されるように、プラズマ処理装置10は、気密に構成されたたとえばアルミニウム製のチャンバ11を有している。チャンバ11内には、処理対象としてのウェハ100を水平に支持するとともに、下部電極として機能する支持テーブル21が設けられている。支持テーブル21の表面上には、図示しないがウェハ100を静電吸着する静電チャック機構などの保持機構が設けられている。支持テーブル21の側面および底面の周縁部を覆うようにインシュレータリング22が配置され、インシュレータリング22で覆われた支持テーブル21の上方の外周には、フォーカスリング23が設けられている。このフォーカスリング23は、ウェハ100のエッチング時に、電界がウェハ100の周縁部で鉛直方向ウェハ面に垂直な方向に対して偏向しないように電界を調整するために設けられる部材である。また、支持テーブル21は、チャンバ11内の中央付近に位置するように、チャンバ11の中央付近の底壁から鉛直上方に筒状に突出する支持部12上に、インシュレータリング22を介して支持されている。インシュレータリング22とチャンバ11の側壁との間には、バッフルプレート24が設けられている。バッフルプレート24は、板の厚さ方向を貫通する複数のガス排出孔25を有する。また、支持テーブル21には、高周波電力を供給する給電線31が接続されており、この給電線31にブロッキングコンデンサ32、整合器33および高周波電源34が接続されている。プラズマ処理時に高周波電源34からは所定の周波数の高周波電力が支持テーブル21に供給される。下部電極として機能する支持テーブル21に対向するように、支持テーブル21の上部に上部電極として機能するシャワーヘッド41が設けられている。シャワーヘッド41は支持テーブル21と平行に対向するように、支持テーブル21から所定の距離を隔てたチャンバ11の上部付近の側壁に固定される。このような構造によって、シャワーヘッド41と支持テーブル21とは、一対の平行平板電極を構成している。また、シャワーヘッド41には、板の厚さ方向を貫通する複数のガス吐出口42が設けられている。チャンバ11の上部付近には、プラズマ処理時に使用される処理ガスが供給されるガス供給口13が設けられており、ガス供給口13には配管を通じて図示しないガス供給装置が接続されている。支持テーブル21とバッフルプレート24よりも下部のチャンバ11にはガス排気口14が設けられており、ガス排気口14には配管を通じて図示しない排気手段である真空ポンプが接続されている。また、バッフルプレート24とシャワーヘッド41との間で区切られる領域のチャンバ11の側壁には、プラズマ処理時に発生する堆積物のチャンバ11の側壁への付着を防止するデポシールド45が設けられている。さらに、チャンバ11の所定の位置の側壁部には、ウェハ100を出し入れする開口部15が形成され、この開口部15に対応するデポシールド45の部分には、シャッタ46が設けられている。シャッタ46は、チャンバ11の外部と内部との間を仕切る役割を有し、ウェハ100を出し入れする際に、開口部15とチャンバ11内とを接続するように開閉される。チャンバ11内の支持テーブル21およびバッフルプレート24と、シャワーヘッド41とで仕切られた領域は、プラズマ処理室61となり、シャワーヘッド41で仕切られたチャンバ11内の上部の領域は、ガス供給室62となり、支持テーブル21およびバッフルプレート24で仕切られたチャンバ11内の下部の領域はガス排気室63となる。このように構成されたプラズマ処理装置10での処理の概要について説明する。まず、支持テーブル21上に処理対象であるウェハ100が載置され、たとえば静電チャック機構によって固定される。ついで、ガス排気口14に接続される図示しない真空ポンプでチャンバ11内が真空引きされる。このとき、ガス排気室63とプラズマ処理室61との間は、バッフルプレート24に設けられたガス排出孔25によって接続されているので、ガス排気口14に繋がる真空ポンプによってチャンバ11内全体が真空引きされる。その後、チャンバ11内が所定の圧力に達すると、プラズマ処理室61とガス供給室62との間はシャワーヘッド41のガス吐出口42によって接続されているので、図示しないガス供給装置からガス供給室62に処理ガスが供給され、シャワーヘッド41のガス吐出口42を介してプラズマ処理室61に供給される。プラズマ処理室61内の圧力が所定の圧力に達すると、シャワーヘッド41上部電極を接地した状態で、支持テーブル21下部電極に高周波電圧を印加して、プラズマ処理室61内にプラズマを生成させる。ここで、下部電極側には高周波電圧による自己バイアスにより、プラズマとウェハ100との間に電位勾配が生じ、プラズマガス中のイオンが支持テーブル21へと加速されることになり、異方性エッチング処理が行われる。異方性エッチング処理時には、ウェハ100だけでなくフォーカスリング23やインシュレータリング22もイオンやラジカルによってエッチングされる。このように、プラズマ生成領域に接する側の構成部材の面、すなわちプラズマ処理室61の構成部材の表面は、プラズマに曝されて劣化しやすいのでプラズマ処理時にエッチング耐性を有する保護膜50が設けられる。つぎに、本実施形態による保護膜50を形成したインシュレータリング22について説明する。図2に示されるように、インシュレータリング22は、円形のリング形状を有し、絶縁性の材料、たとえば石英SiO2で構成される。インシュレータリング22は、高周波を印加する下部電極およびフォーカスリングが装置本体と絶縁されるように、支持テーブル21の外周を覆うとともに、支持テーブル21の外周に設けられた段差部で固定されるように下面側に設けられる下部切り欠き部221と、フォーカスリング23を固定するように上面側に設けられる上部切り欠き部222と、を有する。保護膜50は、このインシュレータリング22でプラズマ処理時にエッチングされる領域に形成されるものであり、この例では上部切り欠き部222を除く上面部223から側面部224にわたって形成される。なお、プラズマは、シャワーヘッド41上部電極と支持テーブル21下部電極との間に生成されるので、上面部223はプラズマ暴露面となる。保護膜50として、たとえば酸化イットリウム粒子を含有する被膜以下、イットリア膜というを用いることができる。イットリア膜であれば、どのような膜であってもよいが、特に、少なくとも粒子の表面が溶融状態で隣接する粒子同士が結合し、固化した酸化イットリウム粒子を含み、一部の粒界が見えなくなったイットリア膜以下、半溶融状態のイットリア膜というであることが望ましい。この半溶融状態のイットリア膜は、酸化イットリウム粒子を有し、膜厚10μm以上、膜密度90以上であり、単位面積20μm×20μm中に存在する粒界が確認できる酸化イットリウム粒子を面積率で0~80含み、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を面積率で20~100含むものである。イットリア膜の膜厚は10μm以上であることが好ましい。10μm未満ではイットリア膜を設ける効果が十分得られず、却って膜はがれの原因となる虞がある。イットリア膜の厚さの上限は特に限定されるものではないが、あまり厚いとそれ以上の効果が得られず、また内部応力の蓄積によりクラックが発生し易くなりコストアップの要因ともなる。そのため、イットリア膜の厚さは10~200μm、より好ましくは50~150μmである。また、膜密度は90以上、より好ましくは95以上、さらには99以上100以下であることが好ましい。イットリア膜中に気孔ボイド多く存在すると、その気孔からプラズマアタックなどの浸食が進行して酸化物被膜の寿命を低下させる。特にイットリア膜表面に気孔が少ないことが望ましい。なお、膜密度とは気孔率の反対の用語であり、膜密度90以上とは、気孔率10以下と同じ意味である。膜密度の測定方法は、酸化物被膜を膜厚方向に切断し、その断面組織の光学顕微鏡による500倍の拡大写真を撮り、そこに写る気孔の面積率を算出する。そして、膜密度=100-気孔の面積率により膜密度を算出する。膜密度の算出には、単位面積200μm×200μmの面積を分析するものとする。なお、膜厚が薄いときは、合計の単位面積が200μm×200μmとなるまで複数個所測定するものとする。さらに、粒界が確認できる酸化イットリウム粒子が面積率で80を超えると、衝撃による破壊熱が不十分であるため、堆積において急激な冷却状態となり膜の低密度化や結合力が低下し、場合によってはクラックが発生するので、粒界が確認できる酸化イットリウム粒子が面積率で0~80であることが望ましい。また、イットリア膜の表面粗さRaは3μm以下が好ましい。イットリア膜の表面凹凸が大きいとプラズマアタックなどが集中し易く膜の寿命を低下させる虞がある。表面粗さRaの測定はJIS-B-0601-1994に準ずるものとする。好ましくは表面粗さRa2μm以下である。さらに、粒界を確認できる酸化イットリウム粒子の平均粒径は2μm以下、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を含めた全体の酸化イットリウム粒子の平均粒径は5μm以下であることが好ましい。このような保護膜50は、たとえば、溶射法、CVDChemicalVaporDeposition法、エアロゾルデポジションAerosolDeposition法、コールドスプレー法、ガスデポジション法、静電微粒子衝撃コーティング法、衝撃焼結法などを用いて、インシュレータリング22の上面部223と側面部224とに形成することができる。特に、上記半溶融状態のイットリア膜は、イットリア粒子を含むスラリーを燃焼フレーム炎に供給して噴射ノズルから粒子を噴射し、粒子が高速度たとえば音速以上で基材に衝突し、その衝突による粒子の破砕熱で焼結結合して被膜を形成する衝撃焼結法において、酸化イットリウム粒子を溶融させないあるいは表層だけ溶融した状態で酸化イットリウム粒子の噴射速度を加速し、粒子が堆積し始める臨界速度以上の高速で制御して成膜することによって形成することができる。これによって、イットリア膜中の酸化イットリウム粒子は原料粉末の粒形状より破砕形状となった被膜が形成し易くなる傾向がある。また、表層が溶融した酸化イットリウム粒子は、基材に衝突する際の破砕熱で隣接する酸化イットリウム粒子と結合することで、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を含むイットリア膜を形成する。このとき、酸化イットリウム粒子の基材への衝突時の破砕熱で、酸化イットリウム粒子が表層だけでなくさらに粒子全体が溶融されてもよく、この場合にも同様のイットリア膜が形成される。また、表層を溶融させない酸化イットリウム粒子は、基材に衝突する際の破砕熱で少なくとも表層が溶融する場合もあり、これによっても隣接する酸化イットリウム粒子間の粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を含むイットリア膜が形成される。このように高速噴射を使うことによって、溶射のように原料粉末を溶かして噴射しないため、原料粉末としての酸化イットリウム粒子の粉末形状をほぼ維持した状態で堆積できる。その結果、膜内部の応力が発生せず、緻密膜密度の高いで結合力の強いイットリア膜を形成することができる。燃焼フレーム炎にスラリーを供給する際のスラリー供給位置や粒子を噴射する際の噴射ノズルと基材との距離を調整することにより、基材に形成されるイットリア膜中の粒界が確認できる粒子と粒界が確認できない粒子との面積率を調整することができる。ところで、保護膜50を形成しないインシュレータリング22を用いてたとえばRIE装置で酸化膜をエッチングする場合には、ウェハ100上に形成された酸化膜のエッチングとともに、インシュレータリング22も同時にエッチングされてしまう。特に、半導体装置の製造においては、酸化膜としてシリコン酸化膜が多く用いられ、シリコン酸化膜をエッチングする際には、同じ組成のインシュレータリング22も同様にエッチングされてしまうことになる。図3に示されるように、新品のインシュレータリング22では、上面部223は輪郭223aに示されるように、インシュレータリング22の半径方向で上面部223の高さはどこも同じであるが、使用とともに上部切り欠き部222側ほどエッチングされていき、輪郭223bのようになってしまう。また、側面部224に比してプラズマに曝されるプラズマにより近い上面部223の方がエッチングされやすい。そこで、第1の実施形態では、図4に示されるように、プラズマ処理中にエッチングされ難いプラズマからより離れた側面部224に比してエッチングされ易いプラズマにより近い上面部223に形成される保護膜50の厚さを、厚くするようにしている。たとえば、上面部223の保護膜50の厚さを100μmとし、側面部224の保護膜50の厚さを50μmとすることができる。このように保護膜50を形成したインシュレータリング22とすることで、エッチング耐性が向上し、また、保護対象であるインシュレータリング22が図3に示されるようにエッチングされることがないので、インシュレータリング22の寿命を石英のみで構成される場合に比して延ばすことが可能となる。以上のように、第1の実施形態によれば、インシュレータリング22の側面部224に比して上面部223の方が厚くなるようにプラズマ耐性の高い材料であるイットリア膜からなる保護膜50を形成したので、プラズマ処理時にエッチングされ難く、インシュレータリング22の寿命を石英製のインシュレータリング22に比して延ばすことができるという効果を有する。一般的なプラズマ処理装置のようにインシュレータリング22が石英で構成される場合には、ウェハ100に形成された酸化膜のエッチングとともにインシュレータリング22も略同じ割合でエッチングされてしまう。これに対して、第1の実施形態による保護膜50を有する構造のインシュレータリング22では、石英製のインシュレータリング22を使用した場合の数十分の一程度のエッチング量とすることができる。そのため、石英製のインシュレータリング22を使用する場合には、インシュレータリング22の交換を頻繁に行わなければならないが、第1の実施形態による保護膜50を有するインシュレータリング22では、従来に比して寿命を延ばすことができ、交換頻度を少なくすることが可能となる。さらに、プラズマに近い上面部223での保護膜50の厚さを、プラズマに遠い側面部224での保護膜50の厚さよりも厚くすることで、保護膜50の形成時の原料の使用量を、すべて同じ膜厚としたときに比して抑えることができるという効果も有する。また、インシュレータリング22の上面部223と側面部224にイットリア膜からなる保護膜50を形成したので、プラズマ処理エッチング処理時に、石英製のインシュレータリング22に比してダストの発生を抑制することができるという効果も有する。具体的には、酸化物のエッチングには一般的にF系ガスが用いられるが、たとえば一般的なプラズマ処理装置のようにインシュレータリング22が石英で構成されている場合には、インシュレータリング22のエッチングによってSiF4などの反応生成物が発生する。これらはダストとして処理対象に付着してしまう虞がある。しかし、第1の実施形態のイットリア膜からなる保護膜50を有するインシュレータリング22では、エッチングによってYF3などの反応生成物が発生するが、YF3は蒸発し難いので、再蒸発せずにインシュレータリング22を覆うようになり、エッチングされ難くなる。その結果、反応生成物がダストとしてたとえば処理対象に付着してしまうことを抑制することができる。さらに、石英の場合、F系ガスでエッチングされる際にSiF4などの反応生成物と共に酸素が発生するが、イットリア膜からなる保護膜50はエッチング耐性が高く石英の場合に比して酸素の発生が少なくなるので、エッチング条件が安定し経時変化が抑えられるという効果も有する。第2の実施形態第1の実施形態では、インシュレータリングの上面部に設けられる保護膜の厚さを側面部に設けられるものよりも厚くするようにしたが、第2の実施形態では、インシュレータリングの上面部内での保護膜の厚さを変化させる場合を例に挙げる。図3に示されるように、石英製のインシュレータリング22の上面部223のエッチングによる経時変化は、内側フォーカスリング側またはウェハ載置側ほどエッチングされ易い。そのため、インシュレータリング22の上面部223に設けられる保護膜50の厚さも場所によって変えることができる。図5は、第2の実施形態によるインシュレータリング付近の構造の一部拡大断面図である。図5に示されるように、保護膜50の厚さを内側に近い側ほど厚くし、外側ほど薄くしている。このときのインシュレータリング22の上部切り欠き部222以外の上面部223は、インシュレータリング22の半径方向で同じ高さに設定されているので、保護膜50の上面の高さは、インシュレータリング22の外側から内側に向けて高くなる構成となっている。なお、保護膜50は、第1の実施形態と同様にイットリア膜を含有する膜によって形成することができる。第2の実施形態では、インシュレータリング22の上面部223に形成する保護膜50の厚さを場所によって変えるようにしたので、エッチングされ易い箇所では保護膜50の厚さを厚くし、エッチングされ難い箇所では保護膜50の厚さを薄くした。これによって、エッチングされ難い箇所での保護膜50の厚さを第1の実施形態に比較して薄くすることができるので、保護膜50の形成に要する時間を短縮することができるととともに、保護膜50に用いる原料の使用量をさらに抑えることができるという効果を有する。第3の実施形態第3の実施形態でも第2の実施形態同様にインシュレータリングの上面部内での保護膜の厚さを変化させる場合について説明する。図6は、第3の実施形態によるインシュレータリング付近の構造の一部拡大断面図である。第3の実施形態でも、図5と同様に保護膜50の厚さを内側に近い側ほど厚くし、外側ほど薄くしているが、インシュレータリング22の上部切り欠き部222以外の上面部223上で保護膜50形成後のインシュレータリング22の半径方向の保護膜50の上面の高さが同じとなるようにされている。すなわち、インシュレータリング22の上面部223は、外側から内側に向かって低くなるように傾斜を有して構成されている。このインシュレータリング22の上面部223の傾斜の度合いは、たとえば図3に示される保護膜50を形成しない場合の石英製のインシュレータリング22におけるエッチング時の経時変化と一致するように設定することができる。なお、保護膜50は、第1の実施形態と同様にイットリア膜を含有する膜によって形成することができる。この第3の実施形態によっても第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、上記した説明では、プラズマ処理装置10としてRIE装置を例に挙げて説明したが、アッシング装置、CDEChemicalDryEtching装置などの処理装置全般や半導体製造装置全般に、上記した実施形態を適用することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。