"コア/シェル構造を持つ半導体ナノ粒子を含有する半導体ナノ粒子集積体であって、前記半導体ナノ粒子を凝集させた凝集体の凝集状態を、物理的エネルギーにより制御することによって形成されたことを特徴とする半導体ナノ粒子集積体。前記半導体ナノ粒子を凝集させた凝集体を覆うように被覆構造が形成されてなることを特徴とする請求項1記載の半導体ナノ粒子集積体。前記被覆構造を構成する素材が、親水性ポリマーであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体ナノ粒子集積体。前記被覆構造を構成する素材が、ポリビニルアルコールであることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体ナノ粒子集積体。前記コア/シェル構造を持つ半導体ナノ粒子のシェル部を構成する素材が、硫化亜鉛ZnS又は二酸化珪素SiO2であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体ナノ粒子集積体。前記コア/シェル構造を持つ半導体ナノ粒子のコア部を構成する素材が、リン化インジウムInP、セレン化カドミウムCdSe、及びテルル化カドミウムCdTeからなる群から選ばれる単体又は化合物であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体ナノ粒子集積体。平均粒径が、30~300nmの範囲内であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体ナノ粒子集積体。粒度分布の変動係数が0.02から0.2の範囲にあることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体ナノ粒子集積体。粒度分布の変動係数が0.02から0.2の範囲にあることを特徴とする半導体ナノ粒子集積体。コア/シェル構造を持つ半導体ナノ粒子を含有する半導体ナノ粒子集積体の製造方法であって、前記半導体ナノ粒子を凝集させた凝集状態を、物理的エネルギーにより制御することによって前記半導体ナノ粒子集積体を形成することを特徴とする半導体ナノ粒子集積体の製造方法。本発明は、上記問題状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、蛍光発光する半導体ナノ粒子を高密度に集積させた発光輝度が高く、粒径の変動係数が小さい半導体ナノ粒子集積体及び半導体ナノ粒子集積体の製造方法を提供することである。請求項1に記載の発明によれば、コア/シェル構造を持つ半導体ナノ粒子を含有する半導体ナノ粒子集積体であって、前記半導体ナノ粒子を凝集させた凝集体の凝集状態を、物理的エネルギーにより制御することによって形成されたことを特徴とする半導体ナノ粒子集積体が提供される。請求項2に記載の発明によれば、前記半導体ナノ粒子を凝集させた凝集体を覆うように被覆構造が形成されてなることを特徴とする請求項1記載の半導体ナノ粒子集積体が提供される。請求項3に記載の発明によれば、前記被覆構造を構成する素材が、親水性ポリマーであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体ナノ粒子集積体が提供される。請求項4に記載の発明によれば、前記被覆構造を構成する素材が、ポリビニルアルコールであることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体ナノ粒子集積体が提供される。請求項5に記載の発明によれば、前記コア/シェル構造を持つ半導体ナノ粒子のシェル部を構成する素材が、硫化亜鉛ZnS又は二酸化珪素SiO2であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体ナノ粒子集積体が提供される。請求項6に記載の発明によれば、前記コア/シェル構造を持つ半導体ナノ粒子のコア部を構成する素材が、リン化インジウムInP、セレン化カドミウムCdSe、及びテルル化カドミウムCdTeからなる群から選ばれる単体又は化合物であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体ナノ粒子集積体が提供される。請求項7に記載の発明によれば、平均粒径が、30~300nmの範囲内であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体ナノ粒子集積体が提供される。請求項8に記載の発明によれば、粒度分布の変動係数が0.02から0.2の範囲にあることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体ナノ粒子集積体が提供される。請求項9に記載の発明によれば、粒度分布の変動係数が0.02から0.2の範囲にあることを特徴とする半導体ナノ粒子集積体が提供される。請求項10に記載の発明によれば、コア/シェル構造を持つ半導体ナノ粒子を含有する半導体ナノ粒子集積体の製造方法であって、前記半導体ナノ粒子を凝集させた凝集状態を、物理的エネルギーにより制御することによって前記半導体ナノ粒子集積体を形成することを特徴とする半導体ナノ粒子集積体の製造方法が提供される。本発明によれば、蛍光発光する半導体ナノ粒子の凝集体の凝集状態を制御することによって、発光輝度が高く、一粒子当たりの輝度バラつきが小さく、また、粒径の変動係数が小さい半導体ナノ粒子集積体を提供することができる。以下、本発明に係る半導体ナノ粒子集積体について説明する。半導体ナノ粒子集積体本願において、コア/シェル構造を持つ半導体ナノ粒子とは、後述する半導体形成材料素材を含有するナノサイズ1~20nmの粒径を有する粒子であって、コア部芯部とそれを被覆するシェル部被覆部で構成される多重構造を有する粒子をいう。本願において、半導体ナノ粒子集積体とは、コア/シェル構造を持つ半導体ナノ粒子が複数集合された構造を有する粒子をいう。集積体とは、上記半導体ナノ粒子が凝集した凝集体の凝集状態を物理的エネルギーにより制御して形成された形態を示しており、粒子が分子間力等の二次的な力で不特定に密集して集まった形態である凝集体とは異なるものである。半導体ナノ粒子集積体の製造方法本発明に係る半導体ナノ粒子集積体の製造方法としては、液相法又は気相法による方法を採用できる。特に、液相法は反応の制御性や製造コストの点から好ましい態様である。以下に液相法を用いた半導体ナノ粒子集積体の製造方法について説明する。後述する半導体ナノ粒子の製造方法を用いた半導体ナノ粒子の形成過程、又は形成後の分散過程において、半導体ナノ粒子を殆ど溶解しない貧溶媒を使用して半導体ナノ粒子集積体を形成する。ここで、貧溶媒としては、例えば、アルコール類メタノール、エタノール、プロパノール等、ケトン類アセトン、メチルエチルケトン等を用いることができる。貧溶媒によって凝集した半導体ナノ粒子凝集体に、一定の物理的エネルギーを加えることで凝集状態を制御して半導体ナノ粒子集積体を形成する。ここで、物理的エネルギーとしては、超音波や衝突力、せん断力等を示し、市販される各種分散機を用いてエネルギーを加えることができる。これらで用いられるエネルギー量には特に限定はなく、所望の粒径や変動係数になるよう適宜調整できるが、エネルギー量が大きすぎると半導体ナノ粒子自体の破壊や、過分散による多分散化が起こってしまう。その為、例えば圧力を物理的エネルギーとして使う分散機を用いる場合、好ましいエネルギー量としては20MPa~300MPa、更に好ましいエネルギー量として70MPa~150MPaが好ましく適用できる。ここで、エネルギー量として20MPa~300MPaとしたのは、20MPa未満であれば凝集状態を制御する為のエネルギーとして不充分であり、得られる半導体ナノ粒子集積体の多分散化や所望の粒径まで分散できなくなり、300MPaを超えると、半導体ナノ粒子自体の破壊が起こる為、蛍光特性が失活してしまい所望の半導体ナノ粒子集積体が得られないためである。半導体ナノ粒子半導体の形成過程、又は形成後の分散過程において、当該半導体ナノ粒子の集積体を覆うように、被覆構造を構成する素材を添加して被覆構造体を具備する半導体ナノ粒子集積体を形成する。<被覆構造を構成する材料>本発明において、被覆構造を構成する素材に特に限定はなく、半導体ナノ粒子の凝集体を被覆することができれば、無機物質、有機物質に関わらず用途に応じた適用をすることができる。例えば、本発明の半導体ナノ粒子集積体を後述する生体物質標識剤として使用する場合は、半導体ナノ粒子集積体表面が疎水性であると、水分散性が悪く、半導体ナノ粒子集積体が凝集してしまう等の問題がある為、半導体ナノ粒子集積体の表面を親水化することが好ましい。親水化する素材としてはシリカや親水性ポリマーゼラチン、グアーゴム、カルボキシメチルセルロース、ペクチン、カラヤゴム、ポリビニルアルコール等が挙げられる。親水性ポリマーで特に好ましい態様は取扱いや合成材料であるロット安定性の観点からポリビニルアルコールを挙げることができる。<半導体ナノ粒子集積体の粒径及び内包数>本発明において、半導体ナノ粒子集積体の平均粒径は、5~1000nmの範囲内であることが好ましく、さらに30~300nmの範囲内であることが好ましい。ここで、平均粒径を5~1000nmとしたのは、5nm未満であれば、ほぼ単一の半導体ナノ粒子と同等の粒径となり、1000nmを超えると、理由は定かではないが、半導体ナノ粒子の集積数に応じた蛍光強度の向上が見られなくなるためである。コア/シェル構造を持つ半導体ナノ粒子及び半導体ナノ粒子集積体の粒径の測定は、動的光散乱法により求めることができる。半導体ナノ粒子の集合数内包数の計算は以下のようにして行っている。まず、半導体ナノ粒子の元素比をICPAESICPS7500島津製作所を用いて計測する。その後、半導体ナノ粒子集積体の元素比をICPAESで計測することにより、濃度を計算することができる。半導体ナノ粒子及び半導体ナノ粒子集積体の密度は既知なので、上記動的光散乱法で計算した平均粒径と合わせて集合数を見積もることが可能である。<半導体ナノ粒子の変動係数>本発明において、半導体ナノ粒子の粒度分布の変動係数が0.02~0.2の範囲にあることが好ましい。更に0.03~0.1の範囲であることが好ましい。ここで、変動係数を0.02~0.2の範囲としたのは、変動係数が0.2を超えると、最大粒径を持つ半導体ナノ粒子集積体の体積が平均粒径の粒子が持つ体積と比較して2倍以上となり、例えば、半導体ナノ粒子集積体1粒子当たりの蛍光輝度バラつきが大きくなってしまう。逆に、変動係数0.02未満の半導体ナノ粒子集積体の作製には多大なコストがかかる半面、特性上の大きな差異がないためである。<半導体ナノ粒子の製造方法>本発明に係る半導体ナノ粒子の製造方法としては、液相法又は気相法による方法を採用できる。液相法の製造方法としては、沈殿法、共沈法、ゾル-ゲル法、均一沈殿法、還元法などがある。そのほかに、逆ミセル法、超臨界水熱合成法、などもナノ粒子を作製する上で優れた方法である例えば、特開2002-322468号、特開2005-239775号、特開平10-310770号、特開2000-104058号公報等を参照。。なお、液相法により、半導体ナノ粒子の凝集体を製造する場合においては、当該半導体の前駆体を還元反応により還元する工程を有する製造方法であることも好ましい。また、当該半導体前駆体の反応を界面活性剤の存在下で行う工程を有する態様が好ましい。なお、本発明に係る半導体前駆体は、上記の半導体材料として用いられる元素を含む化合物であり、たとえば半導体がSiの場合、半導体前駆体としてはSiCl4などが挙げられる。その他半導体前駆体としては、InCl3、PSiMe33、ZnMe2、CdMe2、GeCl4、トリブチルホスフィンセレンなどが挙げられる。反応前駆体の反応温度としては、半導体前駆体の沸点以上かつ溶媒の沸点以下であれば、特に制限はないが、70~110°Cの範囲が好ましい。<半導体ナノ粒子のコア部形成素材>コア部コア粒子ともいう。を形成するための素材としては、Si、Ge、InN、InP、GaAs、AlSe、CdSe、AlAs、GaP、ZnTe、CdTe、InAsなどの半導体又はこれらを形成する原料を用いることができる。本発明においては、特に、InP、CdTe、CdSeがより好ましく用いられる。<半導体ナノ粒子のシェル部形成素材>シェル部を形成するための素材としては、II-VI族、III-V族、IV族の無機半導体を用いることができる。例えば、Si、Ge、InN、InP、GaAs、AlSe、CdSe、AlAs、GaP、ZnTe、CdTe、InAsなどの各コア部形成無機材料よりバンドギャップが大きく、毒性を有さない半導体又はこれらを形成する原料が好ましい。より好ましくは、InP、CdTe、及びCdSeにはZnSが、SiにはSiO2がシェルとて適用される。<還元剤>半導体前駆体を還元する還元剤としては、従来周知の種々の還元剤を反応条件に応じて選択し用いることができる。本発明においては、還元力の強さの観点から、水素化アルミニウムリチウムLiAlH4、水素化ホウ素ナトリウムNaBH4、水素化ビス2-メトキシエトキシアルミニウムナトリウム、水素化トリsec-ブチルホウ素リチウムLiBHsec-C4H93及び水素化トリsec-ブチルホウ素カリウム、水素化トリエチルホウ素リチウムなどの還元剤が好ましい。特に、還元力の強さから水素化アルミニウムリチウムLiAlH4が好ましい。<溶媒>半導体前駆体の分散用溶媒としては、従来周知の種々の溶媒を使用できるが、エチルアルコール、sec-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール等のアルコール類、トルエン、デカン、ヘキサンなどの炭化水素類溶媒を使用することが好ましい。本発明においては、特に、トルエン等の疎水性の溶媒が分散用溶媒として好ましい。<界面活性剤>界面活性剤としては、従来周知の種々の界面活性剤を使用でき、陰イオン、非イオン、陽イオン、両性界面活性剤が含まれる。なかでも第四級アンモニウム塩系である、テトラブチルアンモニウムクロリド、ブロミド又はヘキサフルオロホスフェート、テトラオクチルアンモニウムブロミドTOAB、またはトリブチルヘキサデシルホスホニウムブロミドが好ましい。特に、テトラオクチルアンモニウムブロミドが好ましい。なお、液相法による反応は、液中の溶媒を含む化合物の状態により大きく変化する。単分散性の優れたナノサイズの粒子を製造する際には、特に注意を要する必要がある。例えば、逆ミセル反応法では、界面活性剤の濃度や種類により、反応場となる逆ミセルの大きさや状態が変わってくるため、ナノ粒子が形成される条件が限られてしまう。したがって、適切な界面活性剤は溶媒との組み合わせが必要となる。気相法の製造方法としては、1対向する原料半導体を電極間で発生させた第一の高温プラズマによって蒸発させ、減圧雰囲気中において無電極放電で発生させた第二の高温プラズマ中に通過させる方法例えば特開平6-279015号公報参照。、2電気化学的エッチングによって、原料半導体からなる陽極からナノ粒子を分離除去する方法例えば特表2003-515459号公報参照。、3レーザーアブレーション法例えば特開2004-356163号参照。、4高速スパッタリング法例えば特開2004-296781号参照。などが用いられる。また、原料ガスを低圧状態で気相反応させて、粒子を含む粉末を合成する方法も、好ましく用いられる。なお、半導体ナノ粒子集積体の製造方法の概要については、上述したが、具体的方法は、実施例の説明において詳述する。応用例以下において、本発明に係る半導体ナノ粒子集積体の代表的な応用例について説明する。<生体物質標識剤とバイオイメージング>本発明の半導体ナノ粒子集積体は、生体物質蛍光標識剤に適応することができる。標的追跡物質を有する生細胞もしくは生体に、生体物質標識剤を添加することで、標的物質と結合もしくは吸着し、当該結合体もしくは吸着体に所定の波長の励起光を照射し、当該励起光に応じて蛍光半導体微粒子から発生する所定の波長の蛍光を検出することにより、上記標的追跡物質の蛍光動態イメージングを行うことができる。すなわち、生体物質標識剤は、バイオイメージング法生体物質を構成する生体分子やその動的現象を可視化する技術手段に利用することができる。《半導体ナノ粒子集積体の親水化処理》上述した半導体ナノ粒子集積体表面は、一般的には、疎水性であるため、例えば生体物質標識剤として使用する場合は、このままでは水分散性が悪く、半導体ナノ粒子集積体が凝集してしまう等の問題があるため、半導体ナノ粒子集積体の表面を親水化処理することが好ましい。親水化処理の方法としては例えば、表面の親油性基をピリジン等で除去した後に半導体ナノ粒子集積体表面に表面修飾剤を化学的および/または物理的に結合させる方法がある。表面修飾剤としては、親水基として、カルボキシル基アミノ基を持つものが好ましく用いられ、具体的にはメルカプトプロピオン酸、メルカプトウンデカン酸、アミノプロパンチオールなどがあげられる。具体的には、例えば、Ge/GeO2型ナノ粒子105gをメルカプトウンデカン酸0.2gが溶解した純水10ml中に分散させて、40°C、10分間攪拌し、シェルの表面を処理することで無機ナノ粒子のシェルの表面をカルボキシル基で修飾することができる。《生体物質標識剤》生体物質標識剤は、上述した親水化処理された半導体ナノ粒子集積体と、分子標識物質と有機分子を介して結合させて得られる。《分子標識物質》生体物質標識剤は分子標識物質が目的とする生体物質と特異的に結合および/または反応することにより、生体物質の標識が可能となる。当該分子標識物質としては、例えば、ヌクレオチド鎖、抗体、抗原及びシクロデキストリン等が挙げられる。《有機分子》生体物質標識剤は、親水化処理された半導体ナノ粒子集積体と、分子標識物質とが有機分子により結合されている。当該有機分子としては半導体ナノ粒子集積体と分子標識物質とを結合できる有機分子であれば特に制限はないが、例えば、タンパク質中でも、アルブミン、ミオグロビンおよびカゼイン等、またタンパク質の一種であるアビジンをビオチンと共に用いることも好適に用いられる。上記結合の態様としては特に限定されず、共有結合、イオン結合、水素結合、配位結合、物理吸着および化学吸着等が挙げられる。結合の安定性から共有結合などの結合力の強い結合が好ましい。具体的には、半導体ナノ粒子集積体をメルカプトウンデカン酸で親水化処理した場合は、有機分子としてアビジンおよびビオチンを用いることができる。この場合親水化処理されたナノ粒子のカルボキシル基はアビジンと好適に共有結合し、アビジンがさらにビオチンと選択的に結合し、ビオチンがさらに生体物質標識剤と結合することにより生体物質標識剤となる。以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。1.[実施例1]1InP/ZnSコア/シェル構造半導体ナノ粒子の合成InP/ZnSコア/シェル粒子の合成は、下記の加熱溶液法によって行った。三つ口フラスコに6mlのオクタデセンを入れ、その溶媒中に1mlのオクタデセンに溶解させたInacac3とトリストリメチルシリルホスフィンをInとPの比がIn/P=1/1となるように加え、アルゴン雰囲気中で300°C、1h反応させInPコア粒子分散液を得た。その後、300°C、1h反応後のInPコア粒子分散液を80°Cまで放冷した後、その分散液に1mlのオクタデセンに溶解させたステアリン酸亜鉛硫黄をIn、P、Zn、Sの比がIn/P/Zn/S=1/1/1/1となるように加え、80°Cから230°Cに昇温し、30分反応させることにより得た。このようにして得られたInP/ZnSコア/シェル半導体ナノ粒子は630nmに極大発光波長を持った粒子であった。2半導体ナノ粒子凝集体形成InP/ZnSの凝集体は、上記反応後の分散液を放冷し、室温まで冷却した後に貧溶媒であるエタノールをInP/ZnSコア/シェル半導体ナノ粒子の10倍モル量加えることで得た。3半導体ナノ粒子集積体形成半導体ナノ粒子凝集体を含有する懸濁液を遠心分離とエタノール洗浄を数回繰り返した後、純水で置換し、半導体ナノ粒子凝集体を含有する水懸濁液を得た。前記水懸濁液5mlを、湿式微粒化装置ナノマイザー:吉田機械興業株式会社製を用いて150MPaで3パス分散した後、ポリビニルアルコール10水溶液0.5mlとドデシル硫酸ナトリウム0.5水溶液0.1mlを添加して更に4パス分散を行った。遠心分離により上澄みを除去した後、純水で置換し、再度、分散機に投入し、110Mpaで2パス行った後、0.5四ホウ酸ナトリウム十水和物0.1mlを加えてさらに3パスして半導体ナノ粒子集積体の分散液を形成した。得られた分散液を粒度分布計ゼータサイザーnano:マルバーン社製を用いて測定した結果、半導体ナノ粒子集積体は、平均粒径80nm、変動係数0.07であった。2.[実施例2]3半導体ナノ粒子集積体形成実施例1で得られた半導体ナノ粒子凝集体を含有する水懸濁液5mlを、湿式微粒化装置ナノマイザー:吉田機械興業株式会社製を用いて150MPaで3パス分散した後、メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.02mlを添加して更に2パス分散を行った。遠心分離により上澄みを除去した後、純水:エタノール=1:9で置換し、再度、分散機に投入し、110Mpaで2パス行った後、テトラエトキシシラン0.5mlと28アンモニア水溶液0.1mlを加えてさらに3パスして半導体ナノ粒子集積体の分散液を形成した。得られた分散液を粒度分布計ゼータサイザーnano:マルバーン社製を用いて測定した結果、半導体ナノ粒子集積体は、平均粒径94nm、変動係数0.13であった。3.[実施例4]1CdSe/ZnSコア/シェル半導体ナノ粒子の合成CdSe/ZnSコア/シェル半導体ナノ粒子の合成は以下のように行った。Ar気流下、トリ-n-オクチルホスフィンオキシドTOPO7.5gに、ステアリン酸2.9g、n-テトラデシルホスホン酸620mg、及び、酸化カドミニウム250mgを加え、370°Cに加熱混合した。これを270°Cまで放冷させた後、トリブチルフォスフィン2.5mlにセレン200mgを溶解させた溶液を加え、減圧乾燥し、TOPOで被覆されたCdSeコア半導体ナノ粒子を得た。CdSe/ZnSコア/シェル半導体ナノ粒子合成は得られたCdSeコア粒子に、TOPO15gを加えて加熱し、引き続き270°Cでトリオクチルホスフィン10mlにジエチルジチオカルバミン酸亜鉛1.1gを溶解した溶液を加え、CdSe/ZnSコア/シェル半導体ナノ粒子を得た。2半導体ナノ粒子凝集体形成CdSe/ZnSの凝集体は上記反応後の溶液を放冷し、室温まで冷却した後に貧溶媒であるエタノールをCdSe/ZnSコア/シェル半導体ナノ粒子の10倍モル量加えることで得た。3半導体ナノ粒子集積体形成半導体ナノ粒子凝集体を含有する懸濁液を遠心分離とエタノール洗浄を数回繰り返した後、純水で置換し、半導体ナノ粒子凝集体を含有する水懸濁液を得た。前記水懸濁液5mlを、湿式微粒化装置ナノマイザー:吉田機械興業株式会社製を用いて150MPaで2パス分散した後、ポリビニルアルコール10水溶液0.4mlとドデシル硫酸ナトリウム0.5水溶液0.05mlを添加して更に3パス分散を行った。遠心分離により上澄みを除去した後、純水で置換し、再度、分散機に投入し、70Mpaで2パス行った後、0.5四ホウ酸ナトリウム十水和物0.08mlを加えてさらに3パスして半導体ナノ粒子集積体の分散液を形成した。得られた分散液を粒度分布計ゼータサイザーnano:マルバーン社製を用いて測定した結果、半導体ナノ粒子集積体は、平均粒径161nm、変動係数0.03であった。4.[実施例5]3半導体ナノ粒子集積体形成実施例4で得られた半導体ナノ粒子凝集体を含有する水懸濁液5mlを、湿式微粒化装置ナノマイザー:吉田機械興業株式会社製を用いて150MPaで2パス分散した後、メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.01mlを添加して更に2パス分散を行った。遠心分離により上澄みを除去した後、純水:エタノール=1:9で置換し、再度、分散機に投入し、100Mpaで2パス行った後、テトラエトキシシラン0.45mlと28アンモニア水溶液0.06mlを加えてさらに3パスして半導体ナノ粒子集積体の分散液を形成した。得られた分散液を粒度分布計ゼータサイザーnano:マルバーン社製を用いて測定した結果、半導体ナノ粒子集積体は、平均粒径173nm、変動係数0.12であった。5.[実施例7]1CdTe/ZnSコア/シェル半導体ナノ粒子の合成CdTe/ZnSコア/シェル半導体ナノ粒子に関しては特開2005-281019号公報の実施例1に従い合成した。CdTeコア粒子については、ヒェミー、100巻、1772頁1996による方法に従って合成した。すなわち、アルゴンガス雰囲気下、界面活性剤としてのチオグリコール酸HOOCCH2SHの存在下で25°C、pH=11.4に調整した過塩素酸カドミウム水溶液を激しく撹拌しながら、テルル化水素ガスを反応させた。この水溶液を大気雰囲気下で6日間還流することにより、CdTeコア粒子を得た。CdTe/ZnSコア/シェル粒子の合成は、この水溶液を80°Cまで加熱した後、その溶液に1mlの水に溶解させたステアリン酸亜鉛硫黄をCd、Te、Zn、Sの比がIn/P/Zn/S=1/1/1/1となるように加え、80°Cから230°Cに昇温し、30分反応させることにより得た。2半導体ナノ粒子凝集体形成CdTe/ZnSの凝集体は上記反応後の溶液を放冷し、室温まで冷却した後に貧溶媒であるエタノールをCdTe/ZnSコア/シェル半導体ナノ粒子の10倍モル量加えることで得た。3半導体ナノ粒子集積体形成半導体ナノ粒子凝集体を含有する懸濁液を遠心分離とエタノール洗浄を数回繰り返した後、純水で置換し、半導体ナノ粒子凝集体を含有する水懸濁液を得た。前記水懸濁液5mlを、湿式微粒化装置ナノマイザー:吉田機械興業株式会社製を用いて150MPaで5パス分散した後、ポリビニルアルコール10水溶液0.7mlとドデシル硫酸ナトリウム0.5水溶液0.12mlを添加して更に3パス分散を行った。遠心分離により上澄みを除去した後、純水で置換し、再度、分散機に投入し、110Mpaで2パス行った後、0.5四ホウ酸ナトリウム十水和物0.15mlを加えてさらに3パスして半導体ナノ粒子集積体の分散液を形成した。得られた分散液を粒度分布計ゼータサイザーnano:マルバーン社製を用いて測定した結果、半導体ナノ粒子集積体は、平均粒径42nm、変動係数0.11であった。6.[実施例8]3半導体ナノ粒子集積体形成実施例7で得られた半導体ナノ粒子凝集体を含有する水懸濁液5mlを、湿式微粒化装置ナノマイザー:吉田機械興業株式会社製を用いて150MPaで5パス分散した後、メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.2mlを添加して更に3パス分散を行った。遠心分離により上澄みを除去した後、純水:エタノール=1:9で置換し、再度、分散機に投入し、100Mpaで2パス行った後、テトラエトキシシラン0.65mlと28アンモニア水溶液0.14mlを加えてさらに3パスして半導体ナノ粒子集積体の分散液を形成した。得られた分散液を粒度分布計ゼータサイザーnano:マルバーン社製を用いて測定した結果、半導体ナノ粒子集積体は、平均粒径58nm、変動係数0.20であった。7.[実施例3、6、9]特開2005-281019号公報記載の実施例1に従い、シリカマトリックス中にそれぞれInP/ZnS、CdSe/ZnS、CdTe/ZnSが存在する半導体ナノ粒子集積体を作成した。InP/ZnS、CdSe/ZnSコア/シェル半導体ナノ粒子分散液を25°C、pH=10の条件下、界面活性剤としてチオグリコール酸を加えることにより水溶化した。その後、疎水性有機溶媒としてのイソオクタン2,2,4-トリメチルペンタン25mlに、逆ミセル逆マイクロエマルジョンを形成させるために必要な界面活性剤ビス2-エチルヘキシルスルホこはく酸ナトリウムエーロゾルOTAOTとも表記する。1.1115gを溶解し、次に、この溶液を撹拌しながら、水0.74mlと、上記の水溶化InP/ZnS、CdSe/ZnS、CdTe/ZnSコア/シェル半導体ナノ粒子溶液0.3ml加えて溶解した。次に、この溶液を撹拌しながら、ゾル-ゲルガラスの前駆体として、アルコキシドであるテトラエトキシシランTEOS0.399ml、および、有機アルコキシシランである3-アミノプロピルトリメトキシシランAPS0.079mlを加えた。この分散液を2日間撹拌することによりシリカマトリックス中にそれぞれInP/ZnS、CdSe/ZnS、CdTe/ZnSが存在する半導体ナノ粒子集積体とした。以上で得た各種半導体ナノ粒子集積体について、輝度測定及び粒径測定の結果をまとめて表1に示す。なお、輝度測定は、光源として146nmの真空紫外線ランプウシオ社製を使用し、真空チャンバー内にサンプルをセットし、真空度1.33×10Paにて一定距離から照射し励起発光を輝度計で測定した。輝度の値については実施例1のInPコア粒子を1としたときの相対値で示した。表1に示した結果から明らかなように、本発明の半導体ナノ粒子集積体は比較例に比べ、発光輝度が高く、また、粒径の変動係数が小さいことが分かる。"