フラーレン薄膜を形成し、前記フラーレン薄膜に光渦レーザービームを照射するフラーレン重合体の製造方法。前記フラーレン重合体は、導電性を有するものである請求項1記載のフラーレン重合体の製造方法。フラーレン薄膜のうち、重合されていないフラーレンを除去する請求項1記載のフラーレン重合体の製造方法。フラーレン薄膜を形成し、前記フラーレン薄膜に光渦レーザービームを照射する導電膜の製造方法。前記フラーレン薄膜のうち、導電膜でない部分を除去する請求項4記載の導電膜の製造方法。しかしながら、上記非特許文献1及び2に記載の方法では、いずれも半導体的な電気伝導特性しか有しておらず、十分な導電性を得ることはできていない。特に、上記非特許文献1に記載の方法では350時間といった長時間の照射が必要となる。また上記非特許文献2に記載の方法では、重合化されたフラーレン薄膜にひび割れが生じてしまい、半導体特性自体も劣化してしまうといった問題もある。そこで、本発明は上記課題を鑑み、良好な電気特性を有するフラーレン重合体を簡便に製造する方法、これを用いた導電膜を製造する方法を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の第一の観点に係るフラーレン重合体の製造方法は、フラーレン薄膜を形成し、フラーレン薄膜に光渦レーザービームを照射することを特徴とする。また、本発明の第二の観点に係る導電膜の製造方法は、フラーレン薄膜を形成し、フラーレン薄膜に光渦レーザービームを照射することを特徴とする。以上本発明により、良好な電気特性を有するフラーレン重合体を製造する方法、これを用いた導電膜を製造する方法を提供することができる。以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は多くの異なる形態による実施が可能であり、以下に示す実施形態、実施例の例示にのみ狭く限定されるものではない。図1は、本実施形態に係るフラーレン重合体の製造方法以下本製造方法という。の工程を示すフロー図である。本図で示すように、本製造方法は、1フラーレン薄膜を形成し、2フラーレン薄膜に光渦レーザービームを照射し、3フラーレン薄膜のうち、重合されていないフラーレンを除去する。本実施形態においてフラーレン薄膜とは、フラーレンを含む薄膜を意味し、フラーレンとは、炭素原子でできた籠状分子であり、60個の炭素原子からなるC60をいう。本実施形態において1フラーレン薄膜を形成する工程は、薄膜を形成することができる限りにおいて特に限定されず様々な工程を採用することができる。例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ラングミュアブロジェット法LB法等を用いることができるが、より精密に膜厚ならびに結晶粒径を制御した薄膜を形成することのできる真空蒸着法が好適である。また本実施形態において、フラーレン薄膜を形成するためには、フラーレン薄膜を支持するための基板を用いることが好ましい。基板としては、絶縁性の基板であっても、導電性の基板であっても、半導体性の基板であってもよいが、フラーレン薄膜を導電性膜として使用する場合は、絶縁性又は半導体製の基板であることが好ましい。絶縁性の基板としては例えばSiO2等の絶縁層を形成した基板、半導体性の基板としてはSi基板を用いることができるがこれに限定されない。本実施形態において、形成するフラーレン薄膜の厚さとしては、導電性を確保しつつ、後述の光渦レーザービーム照射によって十分に重合できる程度の厚さであれば限定されるわけではないが、バックゲートを用いたデバイスを形成するためには、例えば1nm以上100nm以下の範囲であることが好ましい。本実施形態において、2フラーレン薄膜に光渦レーザービームを照射する工程は、フラーレン薄膜を重合化させる重要な工程である。ここで光渦レーザービームとは、中心に位相特異点を有するらせん状の波面を持ち、リング状のビームプロファイルを有することを特徴とするレーザー光をいう。光渦レーザービームを発生させる方法としては限定されず、様々な公知の方法を採用することができ、例えばバウンス共振器を用いる方法、マルチモードエリアファイバー増幅器を用いる方法、位相板を用いる方法、位相空間変調器を用いる方法などを好適に用いることができる。本実施形態において、光渦レーザービームの強度としては、フラーレン薄膜を重合化させることができる限りにおいて限定されるわけではないが、1mW以上1W以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは10mW以上100mW以下であることが好ましい。また、光渦レーザービームを照射する時間としては、強度等によって適宜調整可能であるが、5秒以上3時間以下であることが好ましく、より好ましくは1分以上10分以下である。最適な照射条件は照射時間以外にドーズ量にも関係し、104J/cm2以上108J/cm2以下であり、より好ましくは106J/cm2以上107J/cm2以下である。また、本実施形態において、光渦レーザービームのスポットの大きさとしては、フラーレンの伝導性を十分に維持しつつフラーレン薄膜を重合化させる上で限定されるわけではないが、例えば5μm以上100μm以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは10μm以上50μm以下の範囲である。また、本実施形態において、光渦レーザービームの波長としては、重合化させることができる限りにおいて限定されるわけではないが、可視光から紫外光の範囲であることが好ましく、照射中における試料の温度上昇を避けることを考慮すれば、緑色光から紫外光の範囲がより好ましい。また、本実施形態において、光渦レーザービームを照射する工程は、空気中で行なってもよいが、窒素等の非酸化性のガス中で行なうことがフラーレン分子の酸化によるエポキシ化を防ぐ理由から好ましい。また、本実施形態において、フラーレン薄膜上に光渦レーザービームを照射する際、光渦レーザービームの照射位置を順次に移動させていくことが好ましい。このようにすることで、ビームスポット形状だけでなく、線状、面状の導電領域を形成することができるといった利点がある。また、本実施形態において、フラーレン薄膜に光渦レーザービームを照射する工程の前に、フラーレン薄膜をアニールする工程を有することが好ましい。このようにすることで、フラーレン薄膜内および基板との界面に吸着された酸素分子や水分子を除去することができ、フラーレン分子の持つ本来の電気伝導性を回復することができる。このような吸着された酸素分子や水分子はフラーレン分子間の重合化を阻害することが考えられ、光渦照射の前にできるだけ取り除くことが好ましい。なおこのアニールの際の温度としては、フラーレンが蒸発しない程度の温度範囲であることが好ましく、例えば100°C以上250°C以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは180°C以上200°C以下の範囲である。また、アニールの際、減圧しておくことが好ましい。以上の通り本実施形態において、フラーレン薄膜に光渦レーザービームを照射すると、短時間で、導電性を良好な状態に保ったまま重合化させることができ、特に、公知の技術のように、ひび割れを極めて少なくすることができる。これは、光渦レーザービームは、波面がらせん状に回転するレーザー光であり、この光渦レーザーが照射された位置には回転する軌道角運動量によりビームの接線方向にトルクが働くため、分子間に圧縮応力を受けた形で重合化が進行するためであると考えられる。この原理の概略について、図2に簡単に示しておく。本実施形態において、3フラーレン薄膜のうち、重合されていないフラーレンを除去する工程は、重合していないフラーレンを除去し、重合された領域を露わにするための工程である。本工程は、この限りにおいて限定されないが、例えば、トルエンやキシレン等の有機溶媒で表面を洗浄することが好ましい。以上、本実施形態により、良好な電気特性を有するフラーレン重合体を製造する方法、これを用いた導電膜を製造する方法を提供することができる。以下、上記フラーレンの重合体について、実際に作製を行いその効果を確認した。以下具体的に説明する。実施例1まず、絶縁膜SiO2が形成されたSi基板に、真空蒸着法により50nmのC60からなるフラーレン薄膜を形成し、光学窓を有する小型真空容器内に配置し、高真空10-6Torr台にした状態で180°C、12時間アニール処理を行い、その後窒素ガスを充填し1atmとした。次に、連続波レーザーダイオード波長532nm、出力60mWと、16分割された螺旋位相板とを用いて光渦レーザービームを発生させ、10倍の対物レンズを介してスポット径を50μm程度に絞り、上記フラーレン薄膜に、2時間照射した。なお本実施例における光学系の概略図を図3に示しておく。その後、トルエン中で3分洗浄し、重合化されていない余分なフラーレンを除去した。この結果、図4で示すように、重合化したフラーレン領域を得ることができた。なお、この領域にひび割れは存在していないことを確認した。次に、重合化されたフラーレン領域重合化構造体を挟み、その両端に電極を接続し、電圧を印加することでその間に流れる電流量を大気中で測定した。この結果を図5に示す。この結果、-1V~1Vの電圧印加において、電流量は比例しており、大気中であっても良好な伝導特性を有していることが確認できた。この傾きから得られる抵抗値は360MΩであった。これを抵抗率に換算すると、18Ωmとなる。以上、本実施例により、良好な電気特性を有するフラーレン重合体を製造する方法、これを用いた導電膜を製造する方法を提供することができることを確認した。実施例2また本実施例では、光渦レーザービームの照射時間を5秒に変えた以外は上記実施例1と同じ手順、条件にてフラーレン薄膜を重合化した。この結果得られた重合化したフラーレン薄膜を図6に示しておく。本実施例では、ビームスポット径は重合化構造体とほぼ同じの約38μmと考えられ、重合化構造体内部に同心円状の多重リング構造が観察された。なおこれらのリングとリングの間には重合化が不十分な領域が存在していることが確認できた。なお、重合化構造体の領域にひび割れは存在していないことを確認した。実施例3また本実施例では、光渦レーザービームの照射時間を1分に変えた以外は上記実施例1と同じ手順、条件にてフラーレン薄膜を重合化した。この結果得られた重合化したフラーレン薄膜を図7に示しておく。多重リング構造が確認されているが、この場合、リングとリングの間の領域の重合化はより進行しており、リング形状が不鮮明になってきていることが確認された。本実施例では、ビームスポット径は重合化構造体とほぼ同じの約38μmと考えられる。なお、重合化構造体の領域にひび割れは存在していないことを確認した。実施例4また本実施例では、光渦レーザービームの照射時間を3分に変えた以外は上記実施例1と同じ手順、条件にてフラーレン薄膜を重合化した。この結果得られた重合化したフラーレン薄膜を図8に示しておく。本実施例では、円形の重合化構造体内に多重リング形状が確認できないことから、重合時間の増加に伴ってリング間の重合化が更に進行し、照射領域全体が一様に重合化されたと判断することができる。このときのビーム径は、重合化構造体とほぼ同じの約22μmと考えられる。なお、重合化構造体の領域にひび割れは存在していないことを確認した。実施例5また本実施例では、光渦レーザービームの照射時間を10分に変えた以外は上記実施例1と同じ手順、条件にてフラーレン薄膜を重合化した。この結果得られた重合化したフラーレン薄膜を図9に示しておく。本実施例では、ビームスポットに対応する領域は、中央の円形のリング状になって現れている。このリングの部分は、基板上に残留するフラーレン膜の厚さが薄くなっており、その外側の重合化した領域はにじんだ状態となっていることが確認できた。リング形状の直径から、このときのビーム径は約5μmと考えられる。なお、重合化構造体の領域にひび割れは存在していないことを確認した。実施例6また本実施例では、光渦レーザービームの照射時間を20分に変えた以外は上記実施例1と同じ手順、条件にてフラーレン薄膜を重合化した。この結果得られた重合化したフラーレン薄膜を図10に示しておく。本実施例では、ビームスポットに対応する領域は円形のリング状になって現れている。このリングの部分は、基板上に残留するフラーレン膜の厚さがやや薄くなっており、その外側の重合化した領域はにじんだ状態となっていることが確認できた。リング形状の直径から、このときのビーム径は約16μmと考えられる。なお、重合化構造体の領域にひび割れは存在していないことを確認した。実施例7また本実施例では、光渦レーザービームの照射時間を3時間に変えた以外は上記実施例1と同じ手順、条件にてフラーレン薄膜を重合化した。この結果得られた重合化したフラーレン薄膜を図11に示しておく。本実施例では、ビームスポットに対応する領域は円形のリング状になって現れている。このリングの部分は、基板上に重合体として残留するフラーレン膜の厚さが更に薄くなっており、リング内部では基板の表面が見えていることがわかる。その外側の重合化した領域はにじんだ状態となっていることが確認できた。リング形状の直径から、このときのビーム径は約19μmと考えられる。なお、重合化構造体の領域にひび割れは存在していないことを確認した。以上実施例1から7で示した方法により得られた重合化構造体内部に現れたリング構造の特徴は、照射時間だけでなく、ビーム径にも依存することがわかる。これは、フラーレン薄膜上におけるビーム径が変化すると、照射された光渦レーザービームのエネルギー密度が変化することになるからである。とくに、短時間の照射によって得られたリング構造例えば図6と、長時間の照射によって得られたリング構造例えば図11とを比較すると、コントラストが逆転していることがわかる。つまり、短時間の照射ではエネルギー密度ドーズ量が不十分なため照射エネルギー密度が高い領域が優先的に重合化されていると考えられる。一方で、長時間の重合化にではドーズ量が多くなり照射エネルギー密度が高い領域では熱が蓄積し、温度上昇により重合の解離が進行し、モノマー化が起こっていると考えられる。C60モノマーはトルエンに対して溶解性が高いため、未重合領域のC60分子と共に溶解したものと解釈できる。この様な観点から、重合化構造体内部に現れたリング構造の深さをドーズ量に対してプロットしたものを図12に示す。ただし、ここでのドーズ量とは、半導体レーザーのパワーワット×照射時間秒÷ビームスポット面積cm2から換算したものであり、実測によって得られたものではないことを断っておく。図12より、ドーズ量が106J/cm2以下図6及び7に対応ではドーズ量の減少に従ってリングの深さが深くなっていくことがわかり、この領域はドーズが不十分なアンダードーズ状態であると考えられる。一方、ドーズ量が107J/cm2以上図9、10及び11に対応では、ドーズ量の増加に伴ってリングの深さが再び深くなっていくことがわかり、この領域はドーズが過剰なオーバードーズ状態であると考えられる。したがって、重合化構造体内部に現れたリング構造が現れない106J/cm2以上107J/cm2以下のドーズ領域図8に対応が、重合化構造体の形成に最適なドーズ量と判断することができる。さらに、図13に示されるように、本実施形態における光渦照射によれば、重合化構造体内に発生するひび割れを抑制する効果があることが特徴として挙げられる。従来の光照射例えば紫外線などによって得られた重合化構造体では、重合化による分子間距離の減少に伴い重合領域全体にひび割れが生じることが問題であった図13a。しかし、光渦レーザービームの照射によって得られた重合化構造体では、ひび割れが生じていないことが電子顕微鏡観察によって確認された図13b。これは、図2に示すよう、光渦レーザービームによって生じる光トルクによって分子が平衡位置から変位することによって圧縮応力を受けた状態で重合化が進行するため、ビーム照射領域内で密に重合化が進行するためであると考えられる。またさらに、図5で示されたように、光渦照射によって十分に重合化された重合化構造体では、金属的な電気伝導特性を示すことに特徴がある。これは、前途の通り、圧縮応力を受けた形で、さらに高エネルギー密度のレーザー光の照射によって光重合が進行することは、高温高圧環境におけるフラーレン分子の重合化と類似の重合環境が達成されている可能性が考えられる。このことから、高温高圧環境で得られる金属的な重合化と同様の重合状態が達成されている可能性が考えられ、これが光渦レーザービームの照射による格別な効果であるといえる。上記に示した光渦レーザービームの照射による重合化における照射条件の結果に基づき、最適なドーズ量の条件を満たしつつ照射位置をフラーレン薄膜上で順次に移動させていくことにより、ビームスポット形状に対応する円形だけでなく、線状または面状に導電領域を形成することができる。