"絶縁基板10上の金属層22と、該金属層22を覆う誘電体層31とを含み、該誘電体層31は、金属層22の基板10と反対側の表面及び全側面で、周囲から金属層22を電気的に絶縁し、前記覆う誘電体層31は、前記金属層22の周囲で密閉キャビティ40を規定するようにした構造。前記密閉キャビティ40は、金属層22を完全に包囲する、請求項1に記載の構造。前記誘電体層31は、金属層22を構成する金属の陽極酸化により得られる、請求項1又は2に記載の構造。前記誘電体層31は、均一な厚さを有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の構造。前記誘電体層31は、前記金属層22を構成する金属の酸化物を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の構造。ソースコンタクト26及びドレインコンタクト27は、前記誘電体層31の上方に設けられた、請求項1~5のいずれか1項に記載の構造を備えた電界効果トランジスタ。前記ソースコンタクト26又は前記ドレインコンタクト27と前記金属層22との間に電気的コンタクトを設けることができるように前記誘電体層31を貫通するビアをさらに含む、請求項6に記載の電界効果トランジスタ。請求項1~5のいずれか1項に記載の構造を1つ以上、又は、請求項6又は7に記載の電界効果トランジスタを1つ以上備えた電子回路。絶縁基板10上に連続する金属層20を設ける工程aと、該連続する金属層20上に誘電体層30を設け、これにより連続する金属層20,21の上に連続する誘電体層30を形成する工程bと、金属層20,21及び誘電体層30をパターニングする工程であって、誘電体層30より金属層20,21を充分速くエッチングするエッチング液を用いたウェットエッチング工程を含む工程cとを含み、工程cを工程bの後に実施する、請求項1に記載の構造を製造するための方法。前記金属層20は、好ましくは約3nmより小さいRMSラフネスを有する、請求項9に記載の方法。ウェットエッチング工程を実施した後、パターニングされた誘電体層31は下位のパターニングされた金属層22のエッジを超えて延び、誘電体層31の張り出し部32は絶縁基板10と接触するように崩壊し、充分に分離した下位のパターニングされた金属層22を生じるようにした、請求項9又は10に記載の方法。連続する金属層20上に誘電体層を設ける工程は、前記連続する金属層20の上部の陽極酸化を実施することにより、前記連続する金属層20上に金属酸化物層30を作成することを含む、請求項9~11のいずれか1項に記載の方法。陽極酸化処理を2段階で実施し、第1段階では、定電流を使用し、所定電圧まで電圧を直線的に増加させ、第2段階では、電圧を前記所定電圧に維持し、前記第1段階で使用した前記定電流より小さい値まで電流を指数的に減少させる、請求項12に記載の方法。金属層20,21のエッチング速度と誘電体層30のエッチング速度との間の比が、約10より大きく、より好ましくは約20より大きい、請求項9~13のいずれか1項に記載の方法。前記構造は電界効果トランジスタであり、前記金属層20の前記パターニングは、ゲート電極22を与え、前記金属酸化物層30は、ゲート誘電体層31であり、前記方法は、前記ゲート誘電体層31の上方にソースコンタクト26及びドレインコンタクト27を形成する工程をさらに含み、ゲート誘電体層31は、ゲート電極22と前記ソースコンタクト26及びドレインコンタクト27との間に電気的分離を付与するようにした、請求項9~14のいずれか1項に記載の方法。ゲート絶縁体を形成するためのゲート電極の陽極酸化を使用して電子回路を構築するためには、処理を逆にして即ち、ゲート金属層のパターニングを好ましくは酸化の後に行う陽極酸化中のエッジ効果を避ける必要がある。このような逆の処理では、連続するパターニングされていない金属層を設けて陽極酸化し、均一な絶縁金属酸化物層を形成する。その後、金属-絶縁体スタックをパターニングする。パターニングされた金属-絶縁体スタックにおいて、絶縁体層は金属層の上面にのみ存在し、それはパターニングされたゲート金属層の側壁を覆わない。絶縁体層上にソース電極及びドレイン電極を設ける場合には、このアプローチは問題を生じる。なぜなら、ゲート電極とソース-ドレイン電極との間の接触短絡の高いリスクが存在するからである。本発明の目的は、高品質の電子構造を提供すること、及びかかる構造を製造するための方法を提供することである。第1の態様では、本発明は、構造を製造するための方法に関する。第2の態様では、本発明は、前記構造に関する。かかる構造の例は、トランジスタ及びトランジスタ回路である。かかるトランジスタの例は、アモルファス酸化物電界効果トランジスタ例えば薄膜トランジスタ又は有機電界効果トランジスタである。かかるトランジスタ回路の例は、アモルファス酸化物電界効果トランジスタ回路例えば薄膜トランジスタ回路又は有機電子回路である。有機電子回路の例は、有機電界効果トランジスタ回路である。かかるトランジスタ回路アモルファス酸化物電界効果トランジスタ回路であっても有機電子回路であってもの特定の例は、インバータ及び発信器である。第1の態様の特定の発明の実施形態は、ゲート誘電体層を形成するためにゲート電極の陽極酸化を使用し、そのゲート誘電体層は、均一な厚さ図5の層31を参照及び平滑な表面例えば3nm未満又は2nm未満のRMSを有するを有してもよく、ゲート誘電体層は、短絡のリスクを回避するように、ゲート誘電体層上に形成されるゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間の良好な電気的分離を提供するようにした薄膜トランジスタを製造するための方法に関する。第1の態様の実施形態では、方法は、分離した複数のゲート電極を備え、ゲート電極はゲート電極材料の陽極酸化により形成されるゲート誘電体層で覆われ、ゲート誘電体層は、ゲート電極とソース-ドレインコンタクトとの間に良好な電気的分離を付与するようにした電子回路の製造を可能にする。第1の態様の実施形態は、パターニングされた金属層と、そのパターニングされた金属層を覆うパターニングされた誘電体層とを備え、そのパターニングされた誘電体層は、パターニングされた金属層の一表面及び側面で、周囲からそのパターニングされた金属層を絶縁するようにした構造を製造するための方法に関する。一態様は、この方法により製造した構造に関する。第1の態様の実施形態では、方法は、基板上に連続する金属層を設ける工程と、その連続する金属層上に誘電体層を設け、これにより連続する金属層の上に連続する誘電体層を形成する工程と、金属層及び誘電体層をパターニングする工程であって、金属層を誘電体層より充分速く即ち、充分大きいエッチング速度でエッチングするエッチング液を用いたウェットエッチング工程を含む工程とを含む。実施形態では、ウェットエッチング工程を実施した後、パターニングされた誘電体層は、下位のパターニングされた誘電体層のエッジを超えて延びてもよく、誘電体層の張り出し部は基板と接触するように崩壊し、これにより充分に絶縁された下位の金属パターンが得られる。特定の実施形態では、基板は、絶縁基板でもよい。特定の実施形態では、連続する金属層上に誘電体層を設ける工程は、陽極酸化工程を実施することによって金属酸化物層を設けることを含んでもよい。特定の実施形態では、基板は、絶縁基板でもよく、また、連続する金属層上に誘電体層を設ける工程は、陽極酸化工程を実施することによって金属酸化物層を設けることを含んでもよい。実施形態では、金属層のエッチング速度と誘電体層、例えば金属酸化物層のエッチング速度との比は、好ましくは約10倍より大きくてもよく、さらに好ましくは約20倍より大きくてもよい。実施形態では、誘電体層の張り出し部の横方向の大きさは、金属層例えば金属層を陽極酸化して誘電体層を形成した後に残る部分の厚さより少なくとも約2倍より大きくてもよく、好ましくは少なくとも約4倍より大きく、さらに好ましくは約10倍より大きく、例えば約50倍から100倍大きい。第1の態様の実施形態に係る方法は、好都合なことに、トランジスタ及びトランジスタ回路を製造するために使用することができ、ゲート電極の陽極酸化は、高品質、例えば厚さの良好な均一性及び平滑な表面を有するゲート誘電体層を形成するのに使用する。さらに、第1の態様の実施形態に係る方法により、陽極酸化により形成される誘電体層の上に形成されるゲート電極とソース電極及び/又はドレイン電極との間の良好な電気的分離が得られる。第1の態様の実施形態は、一態様に係る、パターニングされた金属層と、そのパターニングされた金属層を覆うパターニングされた誘電体層とを有する構造を製造するための方法に従って、ゲート及びゲート電極を製造するようにした、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ回路を製造するための方法に関する。第1の態様の実施形態では、本発明は、第2の態様に係る構造を製造するための方法に関し、前記方法は、次の工程、即ちa.基板好ましくは絶縁基板上に連続する金属層を設ける工程、b.連続する金属層の上に誘電体層を設けることにより、連続する金属層の上に連続する誘電体層を形成する工程、c.金属層及び誘電体層をパターニングする工程であって、誘電体層より充分速く金属層をエッチングするエッチング液を用いたウェットエッチング工程を含む工程、を含む。工程cは、工程bの後に実施する。誘電体層は、金属層の陽極酸化又は他の方法によって設けることができる。一実施形態では、前記金属は、陽極酸化するのに適していてもよい例えば、アルミニウム、チタン、亜鉛、マグネシウム、ニオブ又はタンタル。一実施形態では、方法は、陽極酸化以外の方法、例えば蒸着、原子層堆積、スパッタリング又は化学気相蒸着によって設けた誘電体層を用いてもよい。この場合、提示したプロセスフローの利点は、金属堆積直後の誘電体層の堆積を可能にし、これによりパターニング及びエッチングにより生成する汚染を避けることが可能なことである。別の実施形態では、金属層の陽極酸化を使用して誘電体層を設ける場合、パターニングを陽極酸化の後に実施し、一実施形態に係る方法の利点は、ゲート電極の良好な電気的分離を得ることができることである。まずゲート金属層をパターニングする先行技術の方法では、陽極酸化工程中に、各ゲート電極に定電流及び定電圧を供給し、分離した複数のゲート電極のために安定した陽極酸化を達成する必要がある。しかし、分離した各ゲート電極を接触させることは、ゲート電極の小ささ及び回路内に存在しうる多数のゲート電極に起因して非常に難しい。さらに、ワイヤをゲート電極に接続する領域は、陽極酸化しない。連続する金属層上で陽極酸化工程を実施する利点は、金属層に対して無視できる電圧降下が存在し、電流が均一に分布し、望まれないエッジ効果を避けられることである陽極酸化、工程cを工程bの後に実施すること、及び1つ以上のトランジスタを作成することの間には相乗効果が存在する。一実施形態では、陽極酸化処理を清浄で且つ連続する金属層上で実施してもよく、その結果、均一な厚さ及び平滑な表面を有する金属酸化物層を得ることができる。一実施形態では、K2クエン酸HK2O4P3H2O溶液及びK3クエン酸C6H5K3O7H2O溶液を含む0.01M以上0.1M以下例えば0.05Mの溶液、即ちリン酸カリウム二塩基性三水和物とクエン酸カリウム三塩基性一水和物とを含有するクエン酸塩の混合物である溶液を含む電解液に、前記均一な金属層を接触させることによって、前記陽極酸化を実施してもよい。C6H5K3O7に対するHK2O4Pのモル比は、好ましくは1/1である。金属層を堆積する場合、金属層の厚さは、陽極酸化の後にゲート電極層を形成するための好適な厚さを有する金属層が残るようにすることが好ましい。一実施形態では、設ける前記金属層の厚さは、20nm以上1000nm以下でもよく、好ましくは50nm以上150nm以下でもよい。金属層表面のラフネスは、陽極酸化によって平滑な酸化物層を形成することができるように、可能な限り小さいことが好ましい。一実施形態では、前記金属層は、好ましくは約3nm未満、例えば約2nmと3nmとの間のRMSラフネスを有してもよい。一実施形態では、前記連続する金属層を真空蒸着によって設けてもよい。一実施形態では、ウェットエッチング工程を実施した後、パターニングされた誘電体層は、下位のパターニングされた金属層のエッジを超えて延びてもよく、誘電体層の張り出し部は、基板と接触するように崩壊し、これにより充分に絶縁された下位の金属パターンが生じるようにしてもよい。アンダーエッチングが張り出し部の崩壊を引き起こすために充分な規模になるとすぐに、アンダーエッチングは自動的に停止する。本発明の一実施形態では、連続する金属層上に誘電体層を設ける工程は、前記連続する金属層の上部の陽極酸化を実施することによって金属酸化物層を設けることを含んでもよい。ゲート誘電体層を形成するのに陽極酸化処理を使用することの利点は、低い処理温度での高誘電率により、高品質の誘電体層を形成することを可能にすることである。低い処理温度は、例えばプラスチック例えば、PETポリエチレンテレフタレート、PEポリエチレン、BOPP二軸延伸ポリプロピレン又はアルミ箔のようなフレキシブル基板を含む広い範囲の基板での処理を可能にする。陽極酸化の利点は、例えばALD原子層堆積のような他の低温技術と比較して、コストが大幅に低く、大面積処理に使用可能であることである。一実施形態では、陽極酸化処理を2段階で実施してもよく、第1段階では、定電流を使用して電圧を所定の電圧まで直線的に増加させ、第2段階では、電圧を前記所定の電圧に維持し、電流を前記第1段階で使用した前記定電流より低い値まで指数的に減少させる。第2段階は、金属酸化物層の密度の増加及び品質の向上ピンホールの充填につながる。この2段階処理により、金属酸化物層における金属層の上部の変質例えばAl2O3層内でのAl層の上部の変質が生じる。前記所定の電圧は、例えば1V以上、好ましくは5V以上、より好ましくは10V以上、最も好ましくは25V以上が可能である。前記所定の電圧は、例えば1000V以下、好ましくは500V以下、より好ましくは200V以下、最も好ましくは50V以下が可能である。例えば、25V以上35V以下が可能である。25V以上の値、特に30V以上の値は、ゲート電極とソース/ドレイン電極との間での低リーク電流を達成することを可能にするので好都合である。前記定電流は、例えば25mA/cm2以下、好ましくは10mA/cm2以下、より好ましくは1mA/cm2以下、最も好ましくは0.1mA/cm2以下が可能である。前記定電流は、例えば0.01mA/cm2以上、好ましくは0.03mA/cm2以上、より好ましくは0.05mA/cm2以上が可能である。酸化物層のための最良の品質は、0.05mA/cm2以上0.09mA/cm2以下の定電流を使用することによって得られた。前記定電流未満の前記の値は、前記定電流の値の5以上15以下が通常である。例えば、それは前記定電流の値の約10とすることができる。一実施形態では、陽極酸化処理を2段階で実施してもよく、第1段階では定電流0.07mA/cm2を使用して電圧を30Vまで直線的に増加させ、第2段階では、電圧を30Vに維持し、電流を0.006mA/cm2まで指数的に減少させる。一実施例では、この2段階処理により、Al2O3層でのAl層の上部の変質が生じた。このとき、Al2O3層の厚さは50nmであった。一実施形態では、工程cで、前記ウェットエッチング工程を実施する前に、誘電体層上にパターニングされたフォトレジスト層50を設けてもよい。前記パターニングされたフォトレジスト層を設けることにより、ゲートマスクを形成することができる。一実施形態では、前記パターニングされたフォトレジスト層は、リソグラフィによって設けてもよい。一実施形態では、エッチング液はリン酸、硝酸及び酢酸の混合物でもよい。一実施形態では、金属層のエッチング速度と誘電体層のエッチング速度との間の比は、約10より大きくてもよく、さらに好ましくは約20より大きくてもよい。一実施形態では、エッチングを100秒以上300秒以下の間実施してもよい。一実施形態では、前記エッチングは、20°C以上80°C以下の温度、好ましくは35°Cから65°Cの温度で実施してもよい。一実施形態では、パターニングされた誘電体層の張り出し部の横方向の大きさは、下位の金属層の、少なくとも約2倍、好ましくは少なくとも約4倍、より好ましくは少なくとも約10倍、最も好ましくは50倍以上100倍以下でもよい。金属酸化物層の張り出し部32は、かかる条件下で崩壊してもよい。一実施形態では、アンダーエッチングの量図1のuは、1μmと10μmの範囲内、好ましくは2μmと5μmの範囲内でもよい。これにより、クラック無しに酸化物層の僅かな屈曲が得られる。一実施形態では、前記崩壊により、好ましくはパターニングされた金属層を充分に包囲する密閉キャビティが形成され、これによりパターニングされた金属層は周囲から充分に電気絶縁されてもよい絶縁基板及びパターニングされた金属酸化物層によって。一実施形態では、前記構造は、前記金属層の前記パターニングはゲート電極を提供し、前記金属酸化物層はゲート誘電体層であるゲート誘電体層は均一な厚さ及び平滑な表面を有するようにした電界効果トランジスタ例えば薄膜トランジスタでもよく、前記方法は、前記ゲート誘電体層上方にソース電極及びドレイン電極を形成する工程であって、ゲート誘電体層は、短絡のリスクを避けるように、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間の電気的分離を与えるようにした工程をさらに含む。金属酸化物層の崩壊及びゲート電極層を包囲する密閉キャビティの形成により、ソースコンタクト及びドレインコンタクトはボトムゲートから有効に電気絶縁された状態を維持し、パターニングされたゲートを有する回路の製造を可能にする。一実施形態では、前記ソース及びドレインは、第2の金属例えば金で作成することができる。例として、それらは例えば15nm以上45nm以下の厚さを有してもよい。一実施形態では、工程a,b及びcに加えて、方法は、工程bと工程cとの間に、前記金属酸化物層の上にアモルファス酸化物半導体層を設ける工程をさらに含んでもよい。本実施形態に係る方法は、金属-誘電体界面及び誘電体-半導体界面の両方のクリーンネスと品質の向上につながる。本実施形態では、工程cにおいて、単一のパターニング工程で、アモルファス酸化物半導体層、金属酸化物層及び金属層のすべてをパターニングしてもよい。かかるアプローチの利点は、さまざまな層間の界面を非常に清浄にすることができることである。ソースコンタクト及びドレインコンタクトを前記誘電体層上に設ける代替の実施形態では、アモルファス酸化物半導体層を設ける代わりに、方法は、工程a,b及びcに加えて、前記金属酸化物層と、前記ソースコンタクト及び前記ドレインコンタクトの一部の上に、パターニングされた有機半導体層を設ける工程をさらに含んでもよい。かかる有機半導体の例は、ペンタセン又はペンタセン誘導体である。一実施形態では、前記構造は電子回路であってもよく、前記金属層をパターニングする工程は、分離したゲート電極を形成してもよい。一実施形態では、工程aを実施する前に、基板上にエッチングストップ層を設けてもよく、工程aにより、前記絶縁基板及び前記エッチングストップ層の上に前記連続する金属層が生じるようにしてもよく、工程cの後、前記方法は、d前記パターニングされた誘電体層の上方にパターニングされたフォトレジストを設ける工程であって、前記パターニングされたフォトレジストは、前記下位のエッチングストップ層が存在する位置で開口部を有するようにした工程と、eパターニングされた金属酸化物層31、パターニングされた金属層22、及び、存在する場合にはアモルファス半導体層をエッチングする工程であって、パターニングされたフォトレジスト層53をマスクとして使用し、金属酸化物よりも金属に対して大きいエッチング速度を有するエッチング液を使用する工程と、を含んでもよい。第2の態様では、本発明は前記構造に関する。第2の態様の実施形態は、第1の態様の方法を用いて製造したトランジスタ及びトランジスタ回路に関する。一実施形態では、第2の態様は、絶縁基板例えばガラス基板上の金属層及びその金属層を覆う誘電体層を備え、誘電体層は、金属層の表面基板と反対側の表面及びその側面全側面で、その周囲から当該金属層を電気的に絶縁し、前記覆う誘電体層は、前記金属層の周囲の密閉キャビティを規定するようにした構造に関する。金属層及び誘電体層は、パターニングする工程の結果であり、それらをそれぞれパターニングされた金属層、パターニングされた誘電体層と呼んでもよい。パターニングされた金属層は、基板の一部のみを覆う。一実施形態では、前記密閉キャビティは、金属層を完全に包囲してもよい。一実施形態では、前記金属は、アルミニウム、チタン、亜鉛、マグネシウム、ニオブ及びタンタルからなる群から選択することができる。一実施形態では、前記金属はアルミニウムでもよい。一実施形態では、前記金属層は、10nm以上500nm以下、好ましくは25nm以上75nm以下の厚さを有してもよい。一実施形態では、前記誘電体層は、金属層の陽極酸化により得ることができる。一実施形態では、前記誘電体層は、均一な厚さを有してもよい。一実施形態では、前記誘電体層は、10nm以上500nm以下、好ましくは25nm以上75nm以下の厚さを有してもよい。一実施形態では、金属層は、好ましくは3nm未満、例えば約2nmと3nmの間のRMSラフネスを有してもよい。金属層表面のラフネスは、陽極酸化によって平滑な酸化物層を形成することができるように、可能な限り小さくすることが好ましい。一実施形態では、前記誘電体層は、前記金属の酸化物を含んでもよい。例えば前記誘電体層は、前記金属がアルミニウムである場合には、アルミニウム酸化物を含んでもよい。一実施形態では、前記構造は、電界効果トランジスタ又はアモルファス酸化物電界効果トランジスタ例えば薄膜トランジスタのようなトランジスタでもよい。それゆえ、本発明の一態様は、ソースコンタクト及びドレインコンタクトが前記誘電体層の上方に設けられた、第2の態様のいずれかの実施形態に係る構造を備えた電界効果トランジスタに関する。一実施形態では、アモルファス酸化物半導体層は、前記金属酸化物層上に存在してもよく、前記ソースコンタクト及びドレインコンタクトは、前記アモルファス酸化物半導体層上に設けてもよい。本実施形態では、前記構造はアモルファス酸化物電界効果トランジスタである。一実施形態では、前記ソースコンタクト及びドレインコンタクトは、前記誘電体層上に設けてもよく、有機半導体層が前記金属酸化物層及び前記ソースコンタクト及びドレインコンタクトの一部の上に存在してもよい。このような実施形態は、優れた電気的特性を有する有機電界効果トランジスタに、低電圧動作、高い電荷キャリア移動度並びに0V付近のオンセット電圧及び閾値電圧を与える。一実施形態では、前記誘電体層は、前記ソースコンタクト及びドレインコンタクトから前記金属層を電気的に絶縁することができる。一実施形態では、前記パターニングされた金属層は以下のようなゲート電極でもよい。即ち、当該ゲート電極は、ゲート電極材料の陽極酸化により形成されるゲート誘電体層たる前記パターニングされた誘電体層で覆われ、ソース-ドレインコンタクトは、前記ゲート誘電体層上に設けられ、ゲート誘電体層は、前記ソース-ドレインコンタクトから前記ゲート電極を電気的に絶縁するようにしたゲート電極である。一実施形態では、電界効果トランジスタは、前記金属酸化物層を貫通し、及び存在するならば前記アモルファス酸化物半導体層を、前記ソースコンタクト又は前記ドレインコンタクトと前記金属層との間に電気的コンタクトを設けることができるように貫通するビアをさらに有してもよい。一実施形態では、前記構造は、電子回路でもよい。それゆえ、本発明の一態様は、本発明の第2の態様のいずれかの実施形態に係る1つ以上の構造及び/又は電界効果トランジスタを含む電子回路に関する。一実施形態では、電子回路は、複数の前記構造、例えば複数の電界効果トランジスタであって、対応する複数の金属層が存在し、互いに分離している電界効果トランジスタをさらに含んでもよい。更なる態様では、本発明は、対応する上記の実施形態のいずれかに係る構造を含む電子回路に関する。上記のように、本発明の特定の目的及び利点について、本明細書で説明してきた。もちろん、本発明のいずれかの特定の実施形態に従って、必ずしもこのような目的又は利点のすべてを達成することができるわけではないと理解すべきである。したがって、例えば、当業者は、必ずしも本明細書で教示又は示唆される他の目的又は利点を達成することなく、本明細書で教示される1つ或は複数の利点を達成又は最適化する方法で、本発明を具現又は実行可能であると認識するであろう。さらに、この要約は単に一例であって、本発明の技術的範囲を制限することを意図しているのでないということを理解されたい。本発明は、動作の機構及び方法、更にはその特徴及び利点に関して、添付の図面と併せて読む場合には、次の詳細な説明を参照することにより最も理解することができる。以下の詳細な説明において、多くの具体的詳細を説明して、本発明、及び本発明を特定の実施形態においてどのように実施できるかについての深い理解を提供する。しかし本発明は、これらの特定の詳細なしに実施してもよいことが理解されるであろう。他の例において、周知の方法、手順及び技術は、本開示を不明瞭にしないように、詳細には説明していない。本発明は、特定の実施形態に関して、及び特定の図面を参照しながら説明することになるが、本発明はこれに限定されるものではない。本明細書に含まれ、説明される図面は概略的なものであり、本発明の技術的範囲を限定するものでない。図面において、いくつかのエレメントのサイズは、説明目的のため、誇張し、それゆえスケールどおり描いていないことがあることにも留意すべきである。さらに、説明での用語第1第2第3などは、類似のエレメントを区別するために使用しており、必ずしもシーケンスを時間的、空間的に、序列で、又は他のどの様式で表したものでもない。こうして用いた用語は、好適な状況下で交換可能であり、本発明の実施形態は、本明細書で説明し、図示したものとは別の順番で動作可能であると理解すべきである。さらに、説明での用語上下~の上方に~の下方になどは、説明目的で使用しており、必ずしも相対的な位置を記述するためのものでない。こうして用いた用語は、好適な状況下で交換可能であって、本明細書で説明した実施形態は、本明細書で説明又は図示した以外の他の向きで動作可能である。用語備える、含むは、それ以降に列挙された手段に限定されるものと解釈すべきでなく、他の要素又は工程を除外しない。記述した特徴、整数、工程又はコンポーネントの存在を、参照したように特定するよう解釈する必要があるが、1つ以上の他の特徴、整数、工程又はコンポーネント、或いはこれらのグループの存在又は追加を除外しない。したがって、手段AとBとを備えたデバイスという表現の範囲は、コンポーネントA、Bのみからなるデバイスに限定すべきでない。本明細書で使用する場合、他に別段の定めがない限り、用語エッチングストップは、エッチング溶液によるエッチングに対して、エッチング対象の材料よりも強い耐性異なるエッチング特定に起因してを特徴付ける材料からなる層に関する。エッチングストップ材料からなる層は、通常、エッチングする材料の下に配置され、エッチング処理を停止させる。本発明の実施形態では、それは、金属層はエッチング可能であるがその材料からなる層はエッチング不可能であるエッチング溶液が存在するような材料、からなる層である。第1の態様の特定の実施形態は、パターニングされた金属層と、そのパターニングされた金属層を覆うパターニングされた誘電体層とを含み、そのパターニングされた誘電体層はパターニングされた金属層の一表面及び側面で、その周囲からパターニングされた金属層を絶縁するようにした構造を製造するための方法に関する。第1の態様の一実施形態に係る方法は、基板上に連続する金属層を設ける工程と、その連続する金属層上に誘電体層を設けることにより、連続する金属層の上に連続する誘電体層を形成する工程と、金属層及び誘電体層をパターニングする工程であって、誘電体層よりも金属層を充分に速く即ち充分に大きいエッチング速度でエッチングするエッチング液を用いたウェットエッチング工程を含む工程とを含む。一実施形態に係る方法では、ウェットエッチング工程を実施した後、パターニングされた誘電体層はパターニングされた金属層の下位のエッジを超えて延び、誘電体層の張り出し部は、基板と接触するように崩壊し、これにより、下位の充分に分離した金属パターンが得られる。一実施形態では、連続する金属層上に誘電体層を設ける工程は、陽極酸化工程を実施することにより金属酸化物層を設けることを含む。この好ましい実施形態について、さらに説明することになる。しかしながら、本発明はそれに限定されない。一実施形態では、方法は、好都合なことに、トランジスタを製造するのに使用することができ、このときゲート電極は高品質、例えば良好な厚さの均一性及び平滑な表面を有するゲート誘電体層を形成するのに使用する。一実施形態では、さらに方法により、ゲート電極と、陽極酸化により形成したソース電極及び/又はドレイン電極との間の良好な電気的分離が得られるようにすることができる。一実施形態に係る方法の利点は、陽極酸化処理を清浄でかつ連続する金属層上で実施し、その結果、均一な厚さを有するとともに平滑な表面を有する金属酸化物層を得ることができることである。例えばゲート電極を形成するための金属層のパターニングは、陽極酸化工程の後に実施する。一実施形態に係る方法の利点は、パターニングを陽極酸化の後に実施するが、ゲート電極の良好な電気的分離を得ることができることである。一実施形態に係る方法の利点は、ゲート電極材料の陽極酸化で形成したゲート誘電体層で覆われている複数の分離したゲート電極、を含む電子回路を製造することを可能にすることである。ゲート金属層をまずパターニングする先行技術の方法では、陽極酸化工程中に各ゲート電極に定電流及び定電圧を付与して、分離した複数のゲート電極について安定した陽極酸化を達成する必要がある。しかし、分離した各ゲート電極を接触させることは、回路に存在し得る、小さいサイズのゲート電極及び多数のゲート電極により、非常に難しい可能性がある。さらに、ワイヤをゲート電極に接続する領域は陽極酸化しない。一実施形態に係る方法では、陽極酸化は連続する金属層上で実施し、パターニング例えば分離したゲート電極を形成するは陽極酸化の後に実施し、その結果、先行技術の方法に関連する問題を回避することができる。連続する金属層上で陽極酸化工程を実施する利点は、金属層に対して無視できる電圧降下が存在し、電流は均一に分布し、所望のエッジ効果が回避されることである。ゲート誘電体層を形成するために陽極酸化処理を使用する利点は、低い処理温度での高い誘電率を有する、高品質の誘電体層を形成することを可能にすることである。低い処理温度は、例えばPETポリエチレンテレフタレート、PEポリエチレン、BOPP二軸延伸ポリプロピレン及びアルミ箔のようなフレキシブル基板を含む広範囲の基板上での処理を可能にする。例えばALD原子層堆積のような他の低温技術と比較して、陽極酸化の利点は、そのコストが大幅に低く、大面積処理にて使用可能なことである。一実施形態では、方法はまた、陽極酸化以外の他の方法により設けた誘電体層、例えば蒸着、原子層堆積、スパッタリング又は化学気相蒸着により設けた誘電体層と併せて使用することができる。この場合、提示したプロセスフローは、金属堆積の直後の誘電体層の堆積を可能にし、これによりパターニング及びエッチングが生み出す汚染が避けられるので、興味深い。特に、酸化物半導体を有するデバイスの場合、一実施形態に係る方法は、金属-誘電体界面及び誘電体-半導体界面の両方のクリーンネスと品質の向上につながる。一実施形態に係る方法を図1に示す。第1の工程では、図1aに示すように、連続する金属層20を絶縁基板10上に設ける。次に、陽極酸化工程を実施する。このとき、金属層20の上部は、金属酸化物に変質する。その結果、図1bに示すように、陽極酸化された金属層21の上に均一な金属酸化物層30を備え、その陽極酸化された金属層21は、当初の金属層20と比較して低下した厚さを有する構造図1bが得られる。金属酸化物層を形成した後、金属層21及び金属酸化物層30を含む層スタックをパターニングし、そのパターニングする工程は、下位の金属に対してのエッチング速度と比較して、金属酸化物に対して充分に小さいエッチング速度を有するエッチング液を使用したウェットエッチング工程を含む。例えば、リン酸H3PO4、硝酸HNO3及び酢酸CH3COOHの混合物をエッチングに使用することができる。しかし、本発明はそれに限定されることはなく、当業者に既知の、金属酸化物よりも金属に対して充分に大きいエッチング速度を有する他のいずれかのエッチング液を使用することができる。金属層のエッチング速度と金属酸化物層のエッチング速度との比は、好ましくは約10より大きく、好ましくは約20より大きく、例えば約25である。このエッチング速度の差は、金属酸化物層のアンダーエッチングにつながり、張り出し部32を有するパターニングされた金属酸化物層31、即ち、金属層22の周縁で、下位の金属層22を超えて延びるパターニングされた金属酸化物層31に覆われたパターニングされた金属層22につながる。これを図1cに概略的に示す。好ましくは、アンダーエッチングの量図1cのuは、金属層22の厚さ図1cのdmの少なくとも約2倍より大きく、好ましくは少なくとも約4倍より大きく、より好ましくは少なくとも約10倍より大きく、例えば約50倍以上100倍以下である。このような条件で、金属酸化物層31の張り出し部32は崩壊することができ、これにより図1dに示す構造が得られる。崩壊後、金属酸化物層31は、パターニングされた金属層22の全側面で基板10と物理的に接触する。崩壊により、密閉キャビティ40が形成され、好ましくはパターニングされた金属層22を完全に包囲し、その結果、パターニングされた金属層22は周囲から充分電気的に分離する絶縁基板10及びパターニングされた金属酸化物層31によって。例えばトランジスタ製造プロセスにてこの手順を使用する場合、その後で金属酸化物層31の上にソースコンタクト及びドレインコンタクトを設ける。金属酸化物層の崩壊、及び、ゲート電極層を包囲する密閉キャビティの形成により、ソースコンタクト及びドレインコンタクトはボトムゲートから有効に電気的に分離されたままであり、これによりパターニングされたゲートを有する回路の製造が可能になる。ゲート層の良好な分離を得るために、次の連続的な工程に対する良好な制御を有することが好都合である。即ち、金属層の堆積工程、金属層の陽極酸化工程、及び金属層と金属酸化物層とを含むスタックのエッチング工程である。金属層の堆積工程に関しては、金属層の厚さは、ゲート電極層を形成するための好適な厚さを有する金属層が陽極酸化後に残るようにすることが好ましい。例えば金属層は、当初の厚さ陽極酸化前の約100nmを有するAl層が可能であり、Al層の陽極酸化により、厚さ約50nmを有するAlOx層への上層の変性を得ることができる。ただし、さらに厚い層、又はさらに薄い層を用いることもできる。金属層表面のラフネスは、陽極酸化により平滑な酸化物層を形成できるように、できるだけ小さいことが好ましい。例えばRMSラフネスは、約3nm未満、例えば約2nmと3nmの間であることが好ましい。金属層の陽極酸化により金属酸化物層が生じ、金属酸化物層は、例えば数nmから数百nmの範囲の均一な厚さを有する。金属層及び金属酸化物層を含むスタックのエッチングにより、充分なアンダーエッチング、例えば下位の金属層の厚さより例えば少なくとも約2倍大きく、好ましくは少なくとも約4倍大きく、さらに好ましくは少なくとも約10倍大きく、例えば約50倍以上100倍以下であるアンダーエッチングが生じることが好ましい。アンダーエッチングが張り出し部の崩壊を引き起こすのに充分な規模になるとすぐ、アンダーエッチングは自動的に停止する。更なる説明では、有機電界効果トランジスタ及びアモルファス酸化物電界効果トランジスタのような電界効果トランジスタを製造するのに使用することができるプロセスフローの例、及び、有機半導体又はアモルファス酸化物半導体をベースとした回路を製造するのに使用することができるプロセスフローの例を提供する。これらのプロセスフローでは、本発明の特定の実施形態に係る陽極酸化によりゲート酸化物を形成する。しかし本発明は、説明したプロセスフローに限定されることはない。本発明の方法は、当業者に既知の他のプロセスフローにおいても使用することができる。図2A及び図2Bは、一実施形態に係る方法を使用してゲート誘電体層を形成する、有機電界効果トランジスタを製造するためのプロセスフローを示す。処理シーケンスは、次の工程を含む。-基板10上、例えばガラス基板上に、陽極酸化可能な、連続する金属層20を堆積する工程a。金属の酸化電位が水の酸化電位より低く、かつ、水との反応が起こらない場合には、金属を陽極酸化することができる。-金属層を陽極酸化し、これにより陽極酸化された金属層21の上に金属酸化物層30を含むスタックを形成する工程b。このとき、陽極酸化された金属層21は、当初の金属層20と比較して低下した厚さを有する。-パターニングされたフォトレジスト層50を例えばリソグラフィによって設け、これによりゲートマスクを形成する工程c。-パターニングされたフォトレジスト層50をマスクとして使用し、かつ、金属酸化物よりも金属に対して充分大きいエッチング速度を有するウェットエッチング液を使用して、金属酸化物層30と金属層21とをエッチングする。これにより、工程dに示すように金属酸化物層のアンダーエッチングが生じる。フォトレジスト層50及びアンダーエッチングされた金属酸化物層31の重量は、金属酸化物層の張り出し部の崩壊につながり、工程eに示すように、金属酸化物層31が基板と接触することにつながる。崩壊により、好ましくはパターニングされた金属層22を完全に包囲する密閉キャビティ40が形成される。-フォトレジスト層50を除去する工程f。-パターニングされたフォトレジスト層51を設け、これによりソースマスク及びドレインマスクを形成する工程g。-ソースコンタクト及びドレインコンタクトを形成するために、金属層25例えば金を堆積する工程hとともにリフトオフし、工程iに示すような、ソースコンタクト26及びドレインコンタクト27を有する構造を得る。-金属表面及び/又は誘電体層表面を任意に表面処理する。-工程jに示すように、パターニングされた有機半導体層60を堆積する。実験を実施したところ、図2A及び図2Bに示すプロセスフローに従って有機電界効果トランジスタを製造した。基板上で、厚さ100nmのAl層を真空蒸着によって形成した。次に、K2クエン酸HK2O4P3H2O溶液及びK3クエン酸C6H5K3O7H2Oを含む0.05Mの溶液、即ちリン酸カリウム二塩基性三水和物とクエン酸カリウム三塩基性一水和物とを含有するクエン酸塩の混合物である溶液を含む電解液中で陽極酸化した。C6H5K3O7に対するHK2O4Pの割合は、1/1であった。陽極酸化処理は2段階で実施した。第1段階では、0.07mA/cm2の定電流を使用し、電圧は30Vまで直線的に増加させた。第2段階では、電圧を30Vに維持し、電流を0.06mA/cm2まで指数的に減少させた。第2段階は、金属酸化物層の密度の増加及び品質のピンホールの充填向上につながる。この2段階プロセスにより、Al2O3層におけるAl層上部の変性が生じた。このとき、Al2O3層の厚さは50nmであった。次に、パターニングされたフォトレジスト層をフォトリソグラフィによりAl2O3層上に設けた。続いて、リン酸H3PO4、硝酸HNO3及び酢酸CH3COOHを77:19:4で混合した混合物を含むウェットエッチング液VWR社のPES77-19-04リン酸エッチング液を使用してウェットエッチング工程を実施した。エッチングは、50°Cで210秒間実施した。フォトレジスト層の除去後、ソースマスク及びドレインマスクを形成するために、別のパターニングされたフォトレジスト層をフォトリソグラフィにより設けた。ソースコンタクト及びドレインコンタクトフィンガを形成するために、蒸着により、厚さ30nmのAu層を設け、リフトオフ工程を実施した。次に、その構造を、エタノール中のペンタフルオロベンゼンチオールの0.01M溶液に少なくとも30分浸漬することと、60μlのフェネチルトリクロロシランPETSと一緒に、60°Cの真空オーブン中で30分間ベーキングすることとを含む、表面処理工程を実施した。最後に、温度68°Cの基板での熱蒸着により、厚さ30nmのペンタセン有機半導体層を設けた。図3は、本構造の上面図を示す光学顕微鏡写真である。本構造は、上側に陽極酸化されたAl2O3層を有し、かつ、その陽極酸化されたAl2O3層の上にソースコンタクト及びドレインコンタクトを有するような、パターニングされたAl層を含む。当該構造の概略を図4に示す。Al層はAl2O3層より小さいパターンを有することが判るが、これは金属酸化物層のアンダーエッチングを明示している。図3に基づいて、この例ではアンダーエッチングの量が約2.3マイクロメータと4.7マイクロメータの間の範囲にあると結論付けることができる。このアンダーエッチングのスケールは、酸化物層の厚さより充分に大きく約46倍以上94倍以下、これにより、クラック無しに酸化物層の僅かな屈曲が得られる。これは、図5の断面TEM画像で見ることができる。図6は、図3に示すトランジスタの伝達特性を示す。このトランジスタは、半導体層としてペンタセンを含む。実線はドレインソース間の電流に対応する。破線は、ゲートソース間の電流に対応する。X軸は、ゲート電圧を与える。このトランジスタは、低電圧動作、高い電荷キャリア移動度並びに0V付近のオンセット電圧及び閾値電圧を与える。トランジスタのチャネルの幅Wと長さLの比W/Lは、5000/10μm/μmである。絶縁体tinsの厚さは50nmである。絶縁体の誘電率εr又はerは9である。ドレインとソースとの間の電圧は2Vである。その上方でチャネルが作成されるような領域の電圧VTは0.5Vである。電荷キャリア移動度μは9.42×10-2cm2/V.sである。ターンオン電流IONは1.0×10-8Aである。ターンオン電圧VONは0.7Vである。サブスレッショルド勾配S-1は0.23V/decadeである。さらに重要であるのは、図6の破線はゲートソース電流であり、ゲートとソース-ドレインフィンガとの間に全く電流が流れないことを示している。これは、i陽極酸化により形成される金属酸化物が優れた誘電体品質を与えることと、ii一実施形態に係る崩壊した金属酸化物により、ゲート電極がソースコンタクト及びドレインコンタクトから有効に電気的に分離することとを裏付けている。図7A及び図7Bは、アモルファス酸化物電界効果トランジスタを製造するためのプロセスフローを示す。その中で、ゲート誘電体層は、一実施形態に係る方法を使用して形成している。アモルファス酸化物半導体を使用した場合、アモルファス酸化物半導体層、金属酸化物層及び金属層を単一のパターニング工程でパターニングすることにより、プロセスをさらに単純化することができる。かかるアプローチの利点は、さまざまな層の界面を非常に清浄にできることである。そのプロセスのシーケンスは、次の工程を含む。-基板10、例えばガラス基板を準備する工程a。-基板10上に陽極酸化可能な連続する金属層20を堆積する工程b。-金属層を陽極酸化し、これにより陽極酸化された金属層21の上に金属酸化物層30を含むスタックを形成する工程c。このとき、陽極酸化された金属層21は、当初の金属層20の厚さと比較して低下した厚さを有する。-工程dに示すように、金属酸化物層30上にアモルファス酸化物半導体層を堆積する。-パターニングされたフォトレジスト層50を例えばリソグラフィによって設け、これによりゲートマスクを形成する工程e。-パターニングされたフォトレジスト層50をマスクとして使用し、かつ、金属酸化物よりも金属に対して大きいエッチング速度を有するウェットエッチング液を使用して、アモルファス酸化物半導体層、金属酸化物層30及び金属層21をエッチングし、その結果、工程fに示すような金属酸化物層のアンダーエッチングが生じる。フォトレジスト層50、パターニングされたアンダーエッチングされた金属酸化物層31、及びパターニングされた酸化物半導体層71の重量は、金属酸化物層の張り出し部及び酸化物半導体層の崩壊につながり、工程gに示すように、金属酸化物層31が基板10と接触することにつながる。-フォトレジスト層50を除去する工程h。-パターニングされたフォトレジスト層51を設け、これによりソースマスク及びドレインマスクを形成する工程i。-ソースコンタクト及びドレインコンタクトを形成するために、金属層25を堆積する工程jとともにリフトオフし、工程kに示すような、ソースコンタクト26及びドレインコンタクト27を有する構造を得る。図8、図11、図12及び図13は、一実施形態の方法に従って製造したゲート誘電体層を有するトランジスタを備えた電子回路を製造するためのプロセスフローを示す。かかるプロセスは、下位のゲート電極に向かって金属酸化物を貫通するビアの形成を含み、その結果、ソース電極又はドレイン電極とゲート電極との間に、電気的コンタクトを設けることができる。先行技術のプロセスでは、ビアを形成することは、下位のゲート電極に接触させることができるように、選択的エッチング液即ち、ゲート誘電体層はエッチングするがゲート電極をエッチングしないエッチング液を使用してゲート誘電体層の一部を除去することを含む。しかし、本発明の実施形態において、ゲート誘電体層を形成するためにゲート電極層の陽極酸化を使用する場合、下位のゲート電極に対してゲート誘電体層を選択的にエッチングすることは非常に難しい可能性がある。本発明の実施形態では、ビアの形成は、エッチングストップ層の使用をベースとすることができ図8及び図11に示すように、或いはそれは、例えば米国特許に記載されたようなエッチング液を使用した選択的エッチングプロセス図12及び図13をベースとすることができる。図8Aから図8Cは、一実施形態の方法に従って、かつビアを形成するためにエッチングストップ層を使用して製造したゲート誘電体層を有するトランジスタを備えた有機電子回路を製造するためのプロセスフローを示す。プロセスフローは、次の工程を含む。-基板10、例えばガラス基板を準備する工程a。-基板10上に、エッチングストップ層を設ける必要がある位置が除去された、パターニングされたフォトレジスト層52を設ける工程b。-工程cに示すように、エッチングストップ層80を堆積する。エッチングストップ層80として、例えばCr層を使用することができる。-工程dに示すように、リフトオフ工程を実施し、基板10上にパターニングされたエッチングストップ層81を含む構造を得る。-陽極酸化可能な連続する金属層20を堆積する工程e。-金属層を陽極酸化し、これにより陽極酸化された金属層21の上に金属酸化物層30を含むスタックを形成する工程c。このとき、陽極酸化された金属層21は、当初の金属層20の厚さと比較して低下した厚さを有する工程f。-パターニングされたフォトレジスト層50を設け、これによりゲートマスクを形成する工程g。-パターニングされたフォトレジスト層50をマスクとして使用し、かつ、金属酸化物よりも金属に対して大きいエッチング速度を有するウェットエッチング液を使用して、金属酸化物層30と金属層21とをエッチングし、その結果、工程hに示すような金属酸化物層のアンダーエッチングが生じる。フォトレジスト層50及びパターニングされたアンダーエッチングされた金属酸化物層31の重量は、金属酸化物層の張り出し部の崩壊につながり、金属酸化物層31が基板10と接触することにつながる。これは、フォトレジスト層の除去後の構造を示す工程iに示している。-パターニングされたフォトレジスト層53を例えばフォトリソグラフィにより設け、これにより工程jに示すようにビアマスクを形成する。ビアマスクは、下位のパターニングされたエッチングストップ層81が存在する開口部を含む。-パターニングされたフォトレジスト層53をマスクとして使用し、かつ、パターニングされた層81をエッチングストップ層として使用し、かつ、金属酸化物よりも金属に対して大きいエッチング速度を有するウェットエッチング液を使用して、パターニングされた金属酸化物層31とパターニングされた金属層22とをエッチングするアンダーエッチングに続く張り出し部の崩壊につながる。フォトレジスト層53の除去後に得られる構造を、工程kに示す。-パターニングされたフォトレジスト層51を設け、これによりソース-ドレインマスクを形成する工程l。-ソースコンタクト及びドレインコンタクトを形成するために、金属層25例えば金層を設けるとともにリフトオフし、工程mに示すような構造を得る。-金属表面及び/又は誘電体層表面を任意に表面処理する。-工程nに示すように、パターニングされた有機半導体層60を設ける。実験を実施したところ、図8Aから図8Cに示すプロセスフローに従って、複数のトランジスタを備えた電子回路を製造した。エッチングストップ層81として、厚さ10nmのCr層を、蒸着及びリフトオフにより設けた。次に、厚さ100nmのAl層を真空蒸着により形成し、K2クエン酸HK2O4P3H2O溶液及びK3クエン酸C6H5K3O7H2O溶液を含む0.05Mの溶液、即ちリン酸カリウム二塩基性三水和物とクエン酸カリウム三塩基性一水和物とを含有するクエン酸塩の混合物である溶液を含む電解液中でAl層を陽極酸化し、厚さ50nmのAl2O3層を形成した。C6H5K3O7に対するHK2O4Pのモル比は、1/1であった。陽極酸化処理は2段階で実施した。第1段階では、0.07mA/cm2の定電流を使用し、電圧は30Vまで直線的に増加させた。第2段階では、電圧を30Vに維持し、電流を0.06mA/cm2まで指数的に減少させた。このプロセスにより、Al2O3層におけるAl層上部の変性が生じた。このとき、Al2O3層の厚さは50nmであった。次に、パターニングされたフォトレジスト層をフォトリソグラフィによりAl2O3層上に設けた。続いて、リン酸H3PO4、硝酸HNO3及び酢酸CH3COOHを77:19:4で混合した混合物を含むウェットエッチング液VWR社のPES77-19-04リン酸エッチング液を使用したウェットエッチング工程を実施した。エッチングは、50°Cで210秒間実施した。フォトレジスト層ビアマスクの除去後、ソースマスク及びドレインマスクを形成するために、フォトリソグラフィにより、別のパターニングされたフォトレジスト層を設けた。ソースコンタクト及びドレインコンタクトを形成するために、蒸着により、厚さ30nmのAu層を設け、リフトオフ工程を実施した。次に、その構造を、エタノール中のペンタフルオロベンゼンチオールの0.01M溶液に少なくとも30分浸漬することと、60μlのフェネチルトリクロロシランPETSと一緒に、60°Cの真空オーブン中で30分間ベーキングすることとを含む、表面処理工程を実施した。最後に、温度68°Cの基板での熱蒸着により、厚さ30nmのペンタセン有機半導体層を設けた。図9は、いくつかのトランジスタと、これらのトランジスタに接続されたビアとを備え、このプロセスに従って製造されたインバータL=3μmを有するBigZeroVgsインバータについて測定した特性を示す。これらの結果は、良好に動作するインバータを示しており、一実施形態におけるプロセスフローがトランジスタ回路を製造するのに適しているということを示している。図10は、このプロセスに従って製造した19段発信器について測定した特性を示す。これは、インバータと比較して、数十個のトランジスタ及びそのトランジスタを接続するためのビアを組み合わせた、より複雑な回路である。これらの結果は、良好に動作する発信器を示し、一実施形態におけるプロセスフローが、良好なトランジスタ出力を有する、より複雑な回路を製造することにも適していることを示す。一実施形態における方法に従って、かつ、ビアを形成するためのエッチングストップ層を使用して形成したゲート誘電体層を有するトランジスタを備え、アモルファス酸化物半導体をベースとした電子回路を製造するためのプロセスフローは、図11に示すように、次の工程を含むことができる。-図8aから図8fに示すような処理工程を実施する。-アモルファス酸化物半導体層70を設ける図11a。-パターニングされたフォトレジスト層50を設け、これによりゲートマスクを形成する図11b。-パターニングされたフォトレジスト層50をマスクとして使用し、かつ、金属酸化物よりも金属に対して大きいエッチング速度を有するウェットエッチング液を使用して、アモルファス酸化物半導体層70、金属酸化物層30及び金属層21をエッチングし、金属酸化物層のアンダーエッチングが生じるようにする。フォトレジスト層50、パターニングされたアモルファス酸化物半導体層71、及びパターニングされた金属酸化物層31の重量は、金属酸化物層の張り出し部の崩壊につながり、金属酸化物層31が基板10と接触することにつながる。フォトレジスト層50の除去後に得られる構造を図11cに示す。-パターニングされたフォトレジスト層53を、例えばフォトリソグラフィによって設け、これにより、図11dに示すように、ビアマスクを形成する。ビアマスクは、下位のパターニングされたエッチングストップ層81が存在する開口部を含む。-パターニングされたフォトレジスト層53をマスクとして使用し、かつ、金属酸化物よりも金属に対して大きいエッチング速度を有するウェットエッチング液を使用して、パターニングされた酸化物半導体層71、パターニングされた金属酸化物層31及びパターニングされた金属層22をエッチングするアンダーエッチングに続いての張り出し部の崩壊につながる。フォトレジスト層の除去後に得られる構造を図11eに示す。-パターニングされたフォトレジスト層を設け、これにより、ソース-ドレインマスク図示せずを形成する。-ソースコンタクト26とドレインコンタクト27とを形成するために、金属層を設け、リフトオフする。得られる構造を図11fに示す。図12は、一実施形態の方法に従って、かつ、ビアを形成するための選択的エッチングを使用して製造したゲート誘電体層を有するトランジスタを備えた有機電子回路を製造するためのプロセスフローを示す。このプロセスフローは次の工程を含む。-図2aから図2fに示すような処理工程を実施する。-ビアを形成する必要がある位置に、開口部を有するフォトレジスト層図示せずを設け、パターニングされた金属酸化物層31はエッチングするがパターニングされた金属層22はエッチングしない選択的エッチング液を使用したエッチング工程を実施する。-パターニングされたフォトレジスト層51を設け、これによりソース-ドレインマスクを形成する図12b。-図12cに示すように、ソースコンタクト及びドレインコンタクトを形成するための金属層51例えば金層を設ける。その金属層はまた、ビアを充填する。-リフトオフ工程を実施し、これによりソースコンタクト26及びドレインコンタクト27を形成し、図12dに示すような構造を得る。このとき、電気的コンタクトは、ビアを介してゲート22とドレインコンタクト27との間に作成する。-金属表面及び/又は誘電体層表面を任意に表面処理する。-図12eに示すように、パターニングされた有機半導体層60を設ける。図13に示すように、一実施形態の方法に従って、かつ、ビアを形成するための選択的エッチングを使用して製造したゲート誘電体層を有するトランジスタを備えたアモルファス酸化物半導体電子回路を製造するためのプロセスフローは、次の工程を含むことができる。-図7aから図7hに示すような処理工程を実施する。-図13aに示すように、パターニングされたフォトレジスト層53を設け、これによりビアマスクを形成する。-パターニングされた酸化物半導体層71及びパターニングされた金属酸化物層31をエッチングする選択的エッチング液を使用するエッチング工程を実施する。これにより、図13bに示すような構造につながる。-パターニングされたフォトレジスト層を設け、これによりソース-ドレインマスク図示せずを形成する。-図12cに示すように、ソースコンタクト及びドレインコンタクトを形成するための金属層例えば金層を設ける。その金属層はまた、ビアを充填する。また、リフトオフ工程を実施し、これによりソースコンタクト26及びドレインコンタクト27を形成し、図13cに示すような構造が得られる。本発明の実施形態に係る方法はまた、低温処理した無機材料にも適用することができる。図14で特徴付けられるトランジスタにおいて、図6で特徴付けられるトランジスタに対する処理工程と同じ処理工程を使用することができる。実線はドレインソース間の電流であり、破線はゲートソース間の電流を表す。X軸はゲート電圧である。図14のトランジスタに対して使用する活性材料は、蒸着したペンタセンから室温でスパッタリングしたGa-In-ZnOまで変化させ、基板は、ガラス基板からプラスチック箔まで変化させた。その結果は図14で見ることができる。Ga-In-ZnOトランジスタは、低電圧動作、かなり大きい電荷キャリア移動度並びに0V付近のオンセット電圧及び閾値電圧を有する優れた電気的特性を示した。プラスチック箔上のGa-In-ZnOトランジスタに対する電荷キャリア移動度は0.91cm2/Vsであり、閾値電圧は0.04Vであった。さらに重要なことには、図14の破線はゲートソース間電流であり、ゲートフィンガとソース-ドレインフィンガとの間を電流が流れないことを示す。これは、i陽極酸化により形成された金属酸化物は優れた誘電体特性を与えること、及びiiゲート電極は、崩壊した金属酸化物によりソースコンタクト及びドレインコンタクトから横方向に有効に分離していることを裏付けている。先の説明は、本発明の特定の実施形態を詳述する。しかしながら、先の説明が文章でいかに詳細になされようと、本発明は多くの方法で実施できると理解されることになる。本発明の特定の特徴又は態様を説明する際の特定の用語の使用は、その用語が関連する本発明の特徴又は態様のいずれかの特定の特性を含むように用語が本明細書で再定義される、ということを暗に意味するとは解釈すべきでないことに留意すべきである。上記の詳細な説明は、種々の実施形態に適用されるように、本発明の新規な特徴について示し、説明し、指摘してきたが、本発明の精神から逸脱することなく、図示したデバイス又はプロセスの形態及び詳細の点で、種々の省略、置換及び変更を当業者が行うことができることが理解されるであろう。"