"符号に基づいて生成された電気信号である第1の変調信号に基づいて位相変調を行う第1の変調導波路と、前記第1の変調信号と差動信号の対をなす電気信号である第2の変調信号に基づいて位相変調を行う第2の変調導波路と、入力光を前記第1の変調導波路への入力光と前記第2の変調導波路への入力光とに分波する分波器と、前記第1の変調導波路により位相変調された光の位相を変化させる第1の位相調整導波路と、前記第2の変調導波路により位相変調された光の位相を変化させる第2の位相調整導波路と、前記第1の位相調整導波路からの出力光と前記第2の位相調整導波路からの出力光とを合波して位相変調光として出力する合波器と、前記第1の変調信号および前記第2の変調信号の電圧値を制御する印加電圧制御部と、前記第1の位相調整導波路および前記第2の位相調整導波路が変化させる位相量を制御する位相調整バイアス制御部と、を備え、前記印加電圧制御部は、前記第1の変調導波路および前記第2の変調導波路における入力電圧と出力光の振幅との関係を示す特性に基づいて、前記第1の変調導波路からの出力光と前記第2の変調導波路からの出力光が所定の位相値となる場合の前記第1の変調導波路からの出力光の振幅と前記第2の変調導波路からの出力光の振幅との加算結果と、前記第1の変調導波路からの出力光と前記第2の変調導波路からの出力光が前記と異なる所定の位相値となる場合の前記第1の変調導波路からの出力光の振幅と前記第2の変調導波路からの出力光の振幅との加算結果と、が等しくなるよう前記第1の変調信号および前記第2の変調信号の電圧値を制御し、前記位相調整バイアス制御部は、前記印加電圧制御部の制御により生じた所望の値からの位相誤差を打ち消すよう前記第1の位相調整導波路および前記第2の位相調整導波路が変化させる位相量を制御することを特徴とする光変調器。符号に基づいて生成された第1の電気信号と前記第1の電気信号と差動信号の対をなす電気信号である第2の電気信号とを増幅する増幅部と、前記第1の電気信号に印加するバイアス電圧を調整する第1のバイアス印加部と、前記第2の電気信号に印加するバイアス電圧を調整する第2のバイアス印加部と、を備え、前記第1の変調導波路に印加される前記第1の変調信号を、前記増幅部により増幅され、前記第1のバイアス印加部によりバイアス電圧が印加された前記第1の電気信号とし、前記第2の変調導波路に印加される前記第2の変調信号を、前記増幅部により増幅され、前記第2のバイアス印加部によりバイアス電圧が印加された前記第2の電気信号とし、前記印加電圧制御部は、前記増幅部における利得を制御する利得制御部と、前記第1のバイアス印加部および前記第2のバイアス印加部において印加する前記バイアス電圧を制御する変調バイアス制御部と、を備え、前記印加電圧制御部は、前記利得と前記バイアス電圧とのうち少なくとも一方を用いて前記第1の変調信号および前記第2の変調信号の電圧値を制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の光変調器。前記利得制御部は、前記第1の電気信号と前記第2の電気信号に対応する利得をそれぞれ独立に制御する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。前記利得制御部は、前記第1の電気信号に対応する利得と前記第2の電気信号に対応する利得とを同一とする、ことを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。前記符号を、多値変調信号を構成する符号とし、前記第1および第2の変調導波路と前記第1および第2の位相調整導波路とで構成される位相変調部を複数備え、前記分波器は、入力光を複数の前記位相変調部の前記第1および第2の変調導波路への入力光に分波し、前記合波器は、複数の前記位相変調部からの出力光を合波する、ことを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の光変調器。符号に基づいて生成された電気信号である第1の変調信号に基づいて位相変調を行う第1の変調導波路と、前記第1の変調信号と差動信号の対をなす電気信号である第2の変調信号に基づいて位相変調を行う第2の変調導波路と、を備える光変調器における光変調方法であって、入力光を前記第1の変調導波路への入力光と前記第2の変調導波路への入力光とに分波する分波ステップと、前記第1の変調導波路により位相変調された光の位相を変化させる第1の位相調整ステップと、前記第2の変調導波路により位相変調された光の位相を変化させる第2の位相調整ステップと、前記第1の位相調整ステップによる位相変化後の出力光と前記第2の位相調整ステップによる位相変化後の出力光とを合波して位相変調光として出力する合波ステップと、前記第1の変調信号および前記第2の変調信号の電圧値を制御する印加電圧制御ステップと、前記第1の位相調整ステップおよび前記第2の位相調整ステップで変化させる位相量を制御する位相調整バイアス制御ステップと、を含み、前記印加電圧制御ステップでは、前記第1の変調導波路および前記第2の変調導波路における入力電圧と出力光の振幅との関係を示す特性に基づいて、前記第1の変調導波路からの出力光と前記第2の変調導波路からの出力光が所定の位相値となる場合の前記第1の変調導波路からの出力光の振幅と前記第2の変調導波路からの出力光の振幅との加算結果と、前記第1の変調導波路からの出力光と前記第2の変調導波路からの出力光が前記と異なる所定の位相値となる場合の前記第1の変調導波路からの出力光の振幅と前記第2の変調導波路からの出力光の振幅との加算結果と、が等しくなるよう前記第1の変調信号および前記第2の変調信号の電圧値を制御し、前記位相調整バイアス制御ステップでは、前記印加電圧制御ステップの制御により生じた所望の値からの位相誤差を打ち消すよう前記第1の位相調整ステップおよび前記第2の位相調整ステップで変化させる位相量を制御することを特徴とする光変調方法。しかしながら、上記従来の半導体マッハツェンダ変調器では、量子閉じ込めシュタルク効果により位相変調を行うことにより、第1および第2の変調導波路において変調信号の電圧に応じて原理上屈折率の変化と同時に吸収量が変化する。このため、第1および第2の変調導波路を通過する光には位相変化と同時に振幅も変化することになり、出力光の振幅は符号[0]の場合と符号[1]の場合で大きさが異なる、という問題があった。この結果、位相変調時に強度が変動し、伝送特性を劣化させる課題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、位相変調時に符号の値によらず出力される光強度を一定とすることができる光変調器および光変調方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、符号に基づいて生成された電気信号である第1の変調信号に基づいて位相変調を行う第1の変調導波路と、前記第1の変調信号と差動信号の対をなす電気信号である第2の変調信号に基づいて位相変調を行う第2の変調導波路と、入力光を前記第1の変調導波路への入力光と前記第2の変調導波路への入力光とに分波する分波器と、前記第1の変調導波路により位相変調された光の位相を変化させる第1の位相調整導波路と、前記第2の変調導波路により位相変調された光の位相を変化させる第2の位相調整導波路と、前記第1の位相調整導波路からの出力光と前記第2の位相調整導波路からの出力光とを合波して位相変調光として出力する合波器と、前記第1の変調信号および前記第2の変調信号の電圧値を制御する印加電圧制御部と、前記第1の位相調整導波路および前記第2の位相調整導波路が変化させる位相量を制御する位相調整バイアス制御部と、を備え、前記印加電圧制御部は、前記第1の変調導波路および前記第2の変調導波路における入力電圧と出力光の振幅との関係を示す特性に基づいて、前記第1の変調導波路からの出力光と前記第2の変調導波路からの出力光が所定の位相値となる場合の前記第1の変調導波路からの出力光の振幅と前記第2の変調導波路からの出力光の振幅との加算結果と、前記第1の変調導波路からの出力光と前記第2の変調導波路からの出力光が前記と異なる所定の位相値となる場合の前記第1の変調導波路からの出力光の振幅と前記第2の変調導波路からの出力光の振幅との加算結果と、が等しくなるよう前記第1の変調信号および前記第2の変調信号の電圧値を制御し、前記位相調整バイアス制御部は、前記印加電圧制御部の制御により生じた所望の値からの位相誤差を打ち消すよう前記第1の位相調整導波路および前記第2の位相調整導波路が変化させる位相量を制御することを特徴とする。本発明によれば、位相変調時に符号の値によらず出力される光強度を一定とすることができるという効果を奏する。以下に、本発明にかかる光変調器および光変調方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は、本発明にかかる光変調器の実施の形態1の構成例を示す図である。図1に示すように、本実施の形態の光変調器は、半導体マッハツェンダ変調器であり、光源1と、分波器2と、変調導波路3,4第1の変調導波路,第2の変調導波路と、位相調整導波路5,6と、合波器7と、信号源8と、ドライバ増幅部9,10と、バイアスティーバイアス印加部11,12と、利得制御部13と、変調バイアス制御部14と、位相調整バイアス制御部15と、を備える。なお、ここでは、光変調器が半導体マッハツェンダ変調器である例について説明するが、本実施の形態は他の同様の構成を有する光変調器にも適用可能である。変調導波路3と位相調整導波路5は第1のアームを構成し、変調導波路4と位相調整導波路6は第2のアームを構成する。光源1から出力された光は分波器2により分波されて、第1アームと第2のアームにそれぞれ入力される。第1アームと第2のアームに入力された光は、それぞれ位相変調された後に合波器7に入力され、合波器7は第1アームから出力される光と第2のアームから出力される光とを合波して出力する。また、ドライバ9,10は、伝送する符号に基づいて信号源8が生成した差動変調信号Dataと、Dataの反転信号であるDataバーをそれぞれ個別の利得で増幅する。バイアスティー11は、増幅器9により増幅された信号にバイアス電圧を印加し、バイアス印加後の信号を変調導波路3へ電圧として印加する。また、バイアスティー12は、増幅器10により増幅された信号にバイアスを印加し、バイアス印加後の信号を変調導波路4へ電圧として入力する。変調導波路3と変調導波路4では、入力された電圧に応じて導波路屈折率が変化する。これにより、変調導波路3と変調導波路4は、入力された電圧に応じて通過する光の位相を変調する。ドライバ9およびドライバ10における利得は利得制御部により制御され、バイアスティー11およびバイアスティー12は、変調バイアス制御部14から印加される電圧に応じてバイアスを印加する。位相調整導波路5と位相調整導波路6には、それぞれ位相調整バイアス制御部15より電圧が印加される。バイアスティー11およびバイアスティー12が印加するバイアスは、変調導波路3,4における光変調の動作点を制御するために印加される電圧であり、変調バイアス制御部14は、変調導波路3,4における動作点が所望の動作点となるよう制御する。ここで、半導体マッハツェンダ変調器を用いた位相変調の基本動作について説明する。図2は、第1のアームにより変調された第1の変調光の振幅と位相の軌跡の一例を示す図であり、図3は、第2のアームにより変調された第2の変調光の振幅と位相の軌跡の一例を示す図である。また、図4は、合波器7から出力される光の振幅と位相の軌跡の一例を示す図である。図2~4では、原点からの距離が光の振幅の絶対値を示し、X軸横軸からの角度が、光の位相を示している。図2~4は、変調導波路3,4における吸収が無い場合の様子を示している。図2に示すように、第1の変調光の振幅および位相は、振幅が一定で、位相0の点18と位相πの点17との間を結ぶ図2に示した軌跡16を描く。ここでは、第1の変調光の位相変化の範囲すなわち軌跡16の位相変化の範囲を0からπまでであるとする。変調導波路3と変調導波路4には、差動変調信号が入力されるため、位相調整導波路5により変調された光と位相調整導波路6により変調された光とは逆位相となる。しかし、製造誤差や、後述の符号によらず合波器7からの出力光を一定とするための制御等により理想値とならない場合もある。このため、位相調整バイアス制御部15は、位相調整導波路5と位相調整導波路6に印加する電圧により第1の変調光と第2の変調光との位相誤差所望の位相からのずれの補正を行うよう調整する。このようにして、図3に示すように、第2の変調光の振幅および位相は、振幅が一定で、位相πの点20と位相2πの点21との間を結ぶ図3に示した軌跡19を描く。例えば、第1の変調光の位相が0のときは第2の変調光はπであり、第1の変調光の位相がπのときは第2の変調光は2π=0である。第1の変調光の位相が0からπへ軌跡16により変化するときには、第1の変調光の位相が2πからπへ軌跡19を描いて変化する。従って、図4に示すように合波器7からの出力光の位相および振幅の軌跡22は、位相πの点23と位相0の点24の間を結ぶ軌跡となり、位相πのときと位相0の場合以外では振幅が0となり、合波器7からの出力光は位相πと0の2種類の位相を有することになる。この位相の2種類の状態をそれぞれ伝送する符号[0]、[1]に対応させることで位相変調を行うことができる。一方、半導体マッハツェンダ変調器では量子閉じ込めシュタルク効果により変調導波路3,4の屈折率を変化させることにより変調を行っている。このため、変調信号の電圧に応じて原理上屈折率の変化と同時に吸収量が変化する。図5は、吸収を考慮した場合の第1のアームにより変調された第1の変調光の振幅と位相の軌跡の一例を示す図であり、図6は、吸収を考慮した場合の第2のアームにより変調された第2の変調光の振幅と位相の軌跡の一例を示す図である。また、図7は、吸収を考慮した場合の合波器7から出力される光の振幅と位相の軌跡の一例を示す図である。図5に示すように、第1の変調光の振幅と位相は、位相πの点26と位相0の点27を結ぶ軌跡25を描き、位相変化と同時に振幅の大きさも変化してしまう。同様に、図6に示すように、第2の変調光の振幅と位相は、位相πの点29と位相0の点30を結ぶ軌跡28を描き、位相変化と同時に振幅の大きさも変化する。従って、図7に示すように、合波器7からの出力光の位相および振幅の軌跡31は、位相πの点32と位相0の点33の間を結ぶ軌跡となり、符号が[0]の場合と[1]の場合とで合波器7からの出力光の振幅が異なってしまう。図8は変調導波路3に印加する変調信号の電圧値変調信号電圧と第1のアームにより変調され出力される光の振幅の絶対値との関係の一例を示す図である。変調導波路3,4における吸収を考慮した場合、変調信号電圧と出力される光の振幅の絶対値の関係は図8に例示したように、非線形となり、その関係も一般に導波路ごとに異なる形状となる。また、図9は変調導波路4に印加する変調信号の電圧値と第2のアームにより変調され出力される光の振幅の絶対値との関係の一例を示す図である。図8に示すように、変調導波路3に印加する変調信号電圧が、V3とV4の間で変化すると、第1のアームにより変調され出力される光の振幅の絶対値は、A3からA4まで変化する。A3は図5における位相0の場合点27の振幅の絶対値であり、A4は図5における位相πの場合点26の振幅の絶対値である。一方、変調導波路4に印加する変調信号電圧が図9のV5とV6の間で変化すると、第2のアームにより変調され出力される光の振幅の絶対値は、A5からA6まで変化する。A5は図6における位相π点29の振幅の絶対値、A6は図6における位相2π点30の振幅の絶対値である。この結果、符号[0]を出力する場合の振幅A[0]は以下の式1で表され、符号[1]を出力する場合の振幅A[1]は以下の式2で表される。A[0]=A3A6...1A[1]=A4A5...2上記の式1と式2で示されるA[0]とA[1]とで値が異なる場合、図7に示すように符号により強度が異なることになる。このように変調導波路3と変調導波路4とで吸収の特性に非対称性がある場合に、符号の値符号が[0]であるか[1]であるかによって合波器7からの出力光の強度が異なる。また、分波器2,合波器7において第1のアームと第2のアームで非対称があると、同様に合波器7からの出力光の強度が異なる。従来の位相変調方法では、このように、位相変調時に強度が変動し、伝送特性を劣化させるという問題があった。これに対し、本実施の形態では、以下の述べる動作を行うことにより、合波器78からの出力光の強度の変動を防ぐ。上述のように、上記式1および式2で示したA[0]とA[1]とで値が異なる場合、符号により強度が異なる。そこで、本実施の形態では、変調導波路3に印加する変調信号電圧が図8に示したV1とV2の間で変化するように、ドライバ9の利得と変調導波路3に印加する変調信号のバイアスとを調整する。これにより、第1のアームから出力される出力光の振幅の絶対値は、A1からA2まで変化する。変調信号電圧のバイアスを変化させると、変調導波路3での変調時の絶対的な位相が変化する。このため、本実施の形態では、位相調整導波路5により変調導波路3から出力される出力光の位相を調整することにより変調信号電圧のバイアスを変化させたことによる影響を打ち消すよう、位相調整バイアス制御部15が位相調整導波路5を制御する。図10は、上述の調整後に第1のアームにより変調された第1の変調光の振幅と位相の軌跡の一例を示す図であり、図11は、上述の調整後に第2のアームにより変調された第2の変調光の振幅と位相の軌跡の一例を示す図である。また、図12は、上述の調整後に合波器7から出力される光の振幅と位相の軌跡の一例を示す図である。図10に示すように、上述の調整後の第1の変調光の振幅と位相は、位相πの点35と位相0の点36を結ぶ軌跡34を描く。また、図11に示すように、第2の変調光の振幅と位相は、位相πの点38と位相0の点39を結ぶ軌跡37を描く。従って、図12に示すように、合波器7からの出力光の位相および振幅は、位相πの点40と位相0の点42の間を結ぶ軌跡41を描く。この場合、符号[0]を出力する時の振幅A[0] ́は以下の式3で表され、符号[1]を出力する時の振幅A[1] ́は以下の式4で表される。A[0] ́=A1A6...3A[1] ́=A2A5...4従って、上記式3および4に記載のA[0] ́とA[1] ́とが等しくなるよう、図8に示した変調信号の電圧値変調信号電圧と第1のアームにより変調され出力される光の振幅の絶対値との関係に基づいて、利得制御部13および変調バイアス制御部14により変調信号電圧の変化範囲V1,V2を決定すればよい。V1,V2の決定方法は、どのような方法でもよいが、例えば、変調バイアス制御部14が印加するバイアス電圧値を所定の値だけ変化させ、その後、A1A6=A2A5となるようA1、A2を決定し、図8に示した変調信号の電圧値変調信号電圧と第1のアームにより変調され出力される光の振幅の絶対値との関係に基づいて対応するV1,V2を求める。これに基づきドライバ9の利得を決定する。そして、位相調整バイアス制御部15が、変調信号電圧の変化範囲を変更したことによる位相ずれを調整するよう位相調整導波路5を制御する。なお、ここでは、変調導波路3に印加する変調信号電圧の変化範囲を変更してA[0] ́とA[1] ́とが等しくなるようにしたが、変調導波路3に印加する変調信号電圧の変化範囲は変えずに変調導波路4に印加する変調信号電圧の変化範囲を変更してA[0] ́とA[1] ́とが等しくなるようにしてもよい。さらに、変調導波路3に印加する変調信号電圧の変化範囲と変調導波路4に印加する変調信号電圧の変化範囲との両方を変更してA[0] ́とA[1] ́とが等しくなるようにしてもよい。また、ここでは、変調信号電圧の変化範囲すなわちドライバ9,10の利得とバイアス電圧との両方を変更してA[0] ́とA[1] ́とが等しくなるようにしたが、いずれか一方のみを変更してA[0] ́とA[1] ́とが等しくなるようにしてもよい。なお、本実施の形態では、符号が[0]または[1]の2値変調を行う場合を例に説明したが、第1のアームおよび第2のアームで構成される位相変調部を複数備え、分波器2が、これら複数の位相変調部の各アームに対して分波した光を入力し、信号源8が各アームに多値の差動変調信号を入力する多値変調を行う光変調器にも同様に本実施の形態の動作を適用することができる。図13は、多値変調を行う光変調器の構成例を示す図である。図13に示す光変調器は第1のアームおよび第2のアームで構成される位相変調部116、216を備える。この例において、多値変調信号は差動四相位相偏移変調信号であるとする。位相変調部116の変調導波路103、104にはI成分に対応する差動変調信号が入力される。位相変調部116は、変調導波路103と変調導波路104から出力される光の振幅の絶対値を加算した結果が符号0と符号1の場合で等しくなるように制御される。すなわち、図1における上記説明と同様に、利得制御部113と変調バイアス制御部114の少なくとも一方を用いて変調信号電圧の変化範囲およびバイアス電圧が決定される。位相変調部216の変調導波路203、204にはQ成分に対応する差動変調信号が入力される。制御方法は位相変調部116と同様である。分波器2と分波器202、または、合波器207と合波器7の間には図示していないπ/2位相シフタが設けられている。Q成分は位相シフタによりπ/2の位相差が与えられた後に、合波器7においてI成分と合波される。なお、入力される多値変調信号は差動四相位相偏移変調信号に限られず、他の変調方式でもよい。また、位相変調部の数を増やすことも可能である。後述する2値変調についての説明は、多値変調に対しても適用することができる。なお、本実施の形態では、利得制御部13および変調バイアス制御部14を独立した構成要素としているが、利得制御部13および変調バイアス制御部14により、変調導波路3と変調導波路4に印加する電圧を調整しているため、2つを統合して1つの印加電圧制御部として構成してもよい。以上のように、本実施の形態では、A[0] ́とA[1] ́とが等しくなるよう、変調導波路3,4の少なくとも一方に印加する変調信号電圧の変化範囲を変更し、変化範囲の変更に伴う位相の変化を補正するよう位相調整バイアス制御部15が位相調整導波路5を制御するようにした。このため、変調導波路3,4での吸収がある場合にも、符号の値に依存する強度の差をなくすことができる。従って、強度の変動のない変調を行うことができ、これにより変調導波路において吸収のある半導体マッハツェンダ変調器でも、吸収による伝送特性の劣化を防ぐことができる。実施の形態2.図14は、本発明にかかる光変調器の実施の形態2の構成例を示す図である。本実施の形態の光変調器は、ドライバ9,10の代わりにドライバ51を備え、利得制御部13の代わりに利得制御部52を備える以外は、実施の形態1の光変調器と同様である。実施の形態1では、変調導波路3と変調導波路4に対して印加する変調信号電圧の振幅を独立に調整したが、本実施の形態では、変調導波路3,4における単位印加電圧当たりの位相変化が一定であると見なせる場合を想定し、変調導波路3と変調導波路4に対して印加する変調信号電圧の振幅が同一となるよう調整する。ドライバ51は、伝送する符号に基づいて信号源8が生成した差動変調信号Dataと、Dataの反転信号であるDataバーを同一の利得で増幅する。一方、本実施の形態では、変調導波路3と変調導波路4に対してバイアス電圧については実施の形態1と同様に、A[0] ́とA[1] ́とが等しくなるよう、それぞれ独立に制御する。そして、実施の形態1と同様に、位相調整バイアス制御部15が、変調信号電圧の変化範囲を変更したことによる位相ずれを調整するよう位相調整導波路5を制御する。以上述べた以外の本実施の形態の動作は、実施の形態1と同様である。このように、本実施の形態は、調導波路3と変調導波路4に対して印加する変調信号の振幅を制御するドライバを1つとし、変調導波路3と変調導波路4に対してA[0] ́とA[1] ́とが等しくなるようバイアス電圧を調整するようにした。これにより、実施の形態1に比べ簡易な構成で、変調導波路3,4での吸収がある場合にも、符号の値に依存する強度の差をなくすことができる。従って、強度の変動のない変調を行うことができ、これにより変調導波路において吸収のある半導体マッハツェンダ変調器でも、吸収による伝送特性の劣化を防ぐことができる。"