溝14を備えるチップ素子10の製造方法であって、インターコネクト基板22上に導電トラック26を設けて、チップ20の活性表面のコンタクト領域を溝の第1の壁に対応する領域に接続するよう当該導電トラック26を配置する工程と、電着によってコンタクトバンプ16を溝の第1の壁に対応する領域の高さで導電トラック上に成長させる工程と、チップの側壁が溝の底面を形成するように、活性表面を介してチップを基板上に取り付ける工程と、チップの裏面とコンタクトバンプとの距離を測定しながら、基板に平行になるよう裏面からチップを加工する工程と、計測した距離が所要値に達したら加工を中止する工程と、溝の第2の壁を形成するようにプレート24をチップの裏面に接合させることによって取り付ける工程、とを含んでなる方法。前記取り付けステージが、若干の重合可能な接着剤を、接着剤の液化温度でチップの裏面に塗布する工程と、不要な接着剤を除去した後のプレートとチップとの間の厚さが最小となるような圧力で、プレートをチップ上に取り付ける工程と、当該圧力を保ちながら接着剤を重合温度まで加熱する工程と、を含んでなる、請求項1に記載の方法。前記プレートまたは前記チップの裏面には、圧力印加によって除去された余剰の接着剤を集めるための空隙が設けられている、請求項2に記載の方法。電着を促進させる連続導電底面34を堆積させて、前記基板と前記導電トラックとを覆う工程と、前記チップの活性表面のコンタクト領域に対応する導電トラックの高さまで電着によってマイクロインサート36を成長させる工程と、余分の連続底面を除去する工程と、前記コンタクト領域がマイクロインサートを押圧するように、前記チップを前記基板上に取り付ける工程と、を含んでなる、請求項1に記載の方法。したがって、再現可能で正確な溝の側壁間の離間距離を保証するような手段が求められている。この要件を満たすために、溝14を備えるチップ素子10の製造方法であって、インターコネクト基板22上に導電トラック26を設けて、チップ20の活性表面のコンタクト領域を溝の第1の壁に対応する領域に接続するよう当該導電トラック26を配置する工程と、電着によってコンタクトバンプ16を溝の第1の壁に対応する領域の高さで導電トラック上に成長させる工程と、チップの側壁が溝の底面を形成するように、活性表面を介してチップを基板上に取り付ける工程と、チップの裏面とコンタクトバンプとの距離を測定しながら、基板に平行になるよう裏面からチップを加工する工程と、計測した距離が所要値に達したら加工を中止する工程と、溝の第2の壁を形成するようにプレート24をチップの裏面に接合させることによって取り付ける工程と、を含む。本発明の一実施形態によれば、取り付けステージは、若干の重合可能な接着剤を接着剤の液化温度でチップの裏面に塗布する工程と、不要な接着剤を除去した後のプレートとチップの間の厚さが最小となるような圧力で、プレートをチップ上に取り付ける工程と、当該圧力を保ちながら接着剤を重合温度まで加熱する工程とを含む。本発明の一実施形態によれば、プレートまたはチップの裏面には、圧力印加によって除去した余剰の接着剤を集めるための空隙が設けられている。本発明の一実施形態によれば、電着を促進させる連続導電底面34を堆積して、基板と導電トラックを覆う工程と、チップの活性表面のコンタクト領域に対応する導電トラックの高さまで電着によってマイクロインサート36を成長させる工程と、余分の連続底面を除去する工程と、コンタクト領域がマイクロインサートを押圧するようにチップを基板上に取り付ける工程と、を含む。その他の効果および特徴は、発明を限定するものではなく一例としてのみの目的で記載され、添付の図面に例示されている特定の実施形態でより明確に理解されるものである。図2は、溝幅の精度を向上させるための、ある特定のタイプのチップ素子の一実施形態を示したものである。このチップ素子において、チップ20はフリップチップと一般的に称される技術に従い、活性表面、すなわち回路が形成される表面を介して、インターコネクト基板22に直接接続される。よって、チップ20の側壁が溝14aと14bの底面を形成し、基板22のチップから突出した部分が溝の第1の壁を形成する。溝の対向する第2の壁は、チップ20の裏面に付着して固定されるプレート24の突出部分によって形成される。基板22の上面には導電トラック26が設けられ、導電トラック26はチップ20のコンタクト領域をそれぞれ溝14の第1の壁に配置されるバンプ16に接続させるためのものである。チップ20のコンタクト領域は、はんだビーズまたはフリップチップ技術に好適なその他任意の手段でトラック26に接続される。これらのはんだビーズは、チップを固定させる役割も同時に果たしている。塗料30がチップ20と基板22の間の空間に充填され、ビーズ28が埋め込まれる。図示したように、ワイヤ12aと12bとは、バンプ16と、溝14のバンプに対向する壁、すなわちプレート24によって規定される壁との間に挟持されるのが好ましい。上述のように、バンプとそれに対向する壁の離間距離が広すぎると、ワイヤ12を挟み込むことができない。離間距離が狭すぎると、素子を破壊しなくてはワイヤを溝に挿入することができない。したがって、チップ素子の取り付け方法はこの離間距離の精度を十分に保持できるものでなければならない。バンプ16と溝のバンプ16に対向する壁との間の一連の範囲には、多くの素子、特にバンプ16、はんだビーズ28、チップ20およびチップ20とプレート24間の接着層とが含まれる。これらすべての素子の寸法不確実性が重なると所要精度を再現可能に達成することができないため、常に注意が必要となる。所要精度を再現可能に達成できるようにするための製造方法において、特に選択すべきことをここで提案する。特に、コンタクトバンプ16を電着によって製造する。この方法では高精度を得られないが、バンプの高さは処理ウェハ全体にわたって均一であるという特性がある。基板に取り付けた後、チップをバンプと裏面との間の高さを計測しながら裏面から研磨する。計測値が所要寸法に等しくなったとき研磨を中止する。測定は、コンパレータまたはプロファイルメータを用いた従来の方法で行う。その後、プレート24を接着層の厚さが最小になるような方法でチップ20の裏面に接合する。図3a~3eは、図2に示すタイプのチップ素子の製造方法の様々な工程を示したものである。この方法は、チップ素子のインターコネクト基板22を形成するためのシリコンウェハ上にいくつかのチップ素子を製造する場合にも適用可能である。図3aにおいて、たとえばシリコンからなる基板22は、たとえばアルミニウムからなる導電トラック26が形成された、酸化ケイ素からなるフルウェハ絶縁層32に覆われている。電着を促進させるためのたとえばチタン-銅合金からなるフルウェハ連続底面34が導電トラックを覆っている。チップと接続させるためのマイクロインサート36は、導電トラック26の好適な部分の高さで連続底面34上に電着によって形成されている。これによって、はんだビーズの代わりとなってチップを基板に接続するという効果が生まれる。この方法を用いることにより、界面をより薄く2μmから10μmすることができ、したがって感湿性がより低くなる側方交換表面がより小さくなる。図3bにおいて、バンプ16を電着によって形成する。このために、架橋性樹脂38を連続底面34に堆積したのち、露出、エッチングしてバンプの位置にある樹脂を除去する。バンプを連続底面34上のこれらの位置で電着により成長させる。バンプの高さは電着時間によって変わる。樹脂の厚さはバンプに影響を与えないが、バンプ16の所要高さより大きくなくてはならない。電着は2種類の材料で行うのが好ましい。まず、ニッケル層をたとえば15μmより厚く堆積したのち、金層をたとえば3μmより厚く堆積して、ワイヤ12とのコンタクトを促進させる図2。図3cにおいて、余分な樹脂と連続底面34を除去する。その後、バンプ16とマイクロインサート36を連続底面からなる島状部に残して、トラック26と電気接続させる。所要精度でバンプ16の高さを得られないが、後者は処理ウェハ全体にわたって均一の高さとなる。図3dにおいて、チップ20が基板22に取り付けられ、活性表面のコンタクト領域がマイクロインサート36に貼付けられる。コンタクトは、十分な圧力をチップに付加し、マイクロインサートが部分的にチップのコンタクト領域に入るようにすることによって達成される。塗料30をチップ20と基板22の間の空間に加える。この塗料は、ここではチップを基板上に固定させる役割も果たすもので、重合性接着剤または樹脂であることが好ましい。その後、チップ20の高さを、研磨または任意の好適な加工方法によって裏面から減らす。チップの初期高さを破線で示す。研磨フェーズ時、チップの裏面とバンプ16の頂上との距離を計測する。距離が所要距離dになったら研磨を中止する。この距離は溝に挿入するワイヤの直径に対応する。既存の加工ツールを用いてそのような距離をモニタリングして、上記の要件を十分満足するだけの精度でその距離を保つことができる。図3eにおいて、たとえばガラスからなるプレート24を接合によってチップ20の裏面に加える。接着シール40の分散がバンプ16とプレート24の間で最終的に得られる距離に影響を及ぼさないように、接着シール40の厚さは最小であるのが望ましい。このために、熱圧着が行われる。好適な量の接着剤たとえばエポキシE505-EPOTECNYをチップ20の裏面に滴下して堆積させるか、均一層をプレート24にスピンコーティングで塗布する。接着剤の量は、チップ20の上面全体を覆い、しかし接着後あふれてバンプ16に到達することのない量であるのが好ましい。プレート24を、接着剤の大部分をチップのへりに追いやるだけの圧力でチップ20に貼付ける。この圧力を接着剤の好ましくは2つの温度安定期からなる硬化フェーズ時にも保つようにする。第1の安定期は、E505樹脂の場合であれば、10分から30分間、温度を50°Cから90°Cに保ち、接着剤を液化して液体移動を容易にするためのものである。第2の安定期は、10分から60分間、温度を90°Cより高く保ち、接着剤を重合するためのものである。図示したように、この接着シールの厚さをさらに容易に減らすために、プレート24の底面に空隙を形成する。こうした空隙はたとえばのこぎりを用いて作られる溝の形状をなし、チップ20の裏面にも設けることができる。こうした空隙は、不要な接着剤を蓄積することによって、へりに追いやられた接着剤の移動経路を縮小することができる。このような様々な手段によって、接着シールの厚さを約1μmにすることができ、その厚さがバンプ16とプレート24との離間距離の場合に求められるよりはるかに低い寸法許容差で再現可能となる。図3a~3eの様々な工程を単一のチップ素子について述べてきたが、基板20を形成するウェハからなるマトリックス状にしたチップ素子に適応することも可能である。研磨動作はその一連の取り付けられたチップ20に対して行う。マトリックスと同一サイズのプレート24を一連のチップ20に取り付ける。最終的に、チップ素子はダイシングによって分割される。