"非反転入力端子を増幅基準電圧に接続し、反転入力端子に50KHzの周波数信号が入力するとともに、その出力端子は並列接続された帰還抵抗及び帰還容量を介して反転入力端子に接続したチャージアンプであって、前記帰還抵抗の寄生容量における前記反転入力端子側の基板電極を前記反転入力端子に接続してなることを特徴とするチャージアンプ。前記寄生容量の基板電極の前記反転入力端子への接続は、前記帰還抵抗の寄生容量における前記反転入力端子側ほぼ半分に対応する基板電極を接続してなることを特徴とする請求項1記載のチャージアンプ。しかしながら、上述の提案によると、比抵抗、帰還抵抗、寄生容量をそれぞれ所定の値に設定しなければならず、一つでも所定の値から外れると、所望の効果を得られないため、製造が容易ではないという不都合があった。本発明は、この不都合を解消して、半導体基板上での実用化が可能な出力ノイズを小さくしたチャージアンプを提供することを目的とする。一般に、角速度センサに使用される水晶振動子は、高い周波数の検出出力信号を得ようとする場合には、動作が不安定となって、信頼性の面で大きな問題が生じるため、検出出力信号は50KHz付近で使用することが望ましい。本発明者らは、上記目的を達成するために、この点を考慮して、周波数が50KHz付近の検出出力信号が入力するチャージアンプで好適な帰還抵抗及びその寄生容量について考察し、シミュレーション及び実験を重ねた結果、次のような知見を得た。図3に示す従来のチャージアンプでは、帰還抵抗Rf1,Rf2の寄生容量Cp1,CP2の基板電極がVssに接続された状態となるため零点が発生し、これによって熱雑音帯域が上がり、50KHz付近でのノイズ密度が増加し、ノイズ出力Vnoise2は、図4の細い実線で示すものとなる。一方、図2に示すチャージアンプのように、帰還抵抗Rf1の寄生容量Cp1の基板電極を反転入力端子に接続すると、前記零点の発生を抑制することができ、熱雑音帯域が下がってノイズ密度を減少させることができるため、ノイズ出力Vnoise1は、図4の太い実線で示すものとなり、50KHz付近で、図4に鎖線で示す熱雑音の理想特性に近づくものとなる。すなわち、帰還抵抗Rf1の寄生容量Cp1の悪影響をなくすには、寄生容量Cp1の基板電極を反転入力端子に接続することが有効である。なお、図2~図4において、Rfは帰還抵抗、Cfは帰還容量、Cl1は保護素子容量、Cl2はアンプ入力容量、Vmはアンプ入力換算雑音であり、また、図4中、Kはボルツマン定数、Tは絶対温度である。さらに本発明者らは、寄生容量Cpの反転入力端子への接続についてより詳細に考察するため、帰還抵抗Rf、寄生容量Cpをn分割したモデルを考えた。nは帰還抵抗Rf全体に対してどの部分に対応位置する寄生容量Cpであるかを示し、0以上1以下の係数0≦n≦1であって、0に近いとオペアンプの入力端子側であり、1に近いとオペアンプの出力端子側であることを意味する。図5は従来の回路構成であり、ΔCpはn分割した寄生容量の一つであり、A点は寄生容量ΔCpの基板電極の接続先で、GND、電源、基準電圧、その他の信号線のいずれかである。周波数が50KHzの場合、図7に細い実線で示すように、nが小さいほど、換言するとオペアンプの入力側に近い寄生容量ほどノイズ悪化の影響が大きいことがわかる。なお、n=0の場合は、オペアンプの仮想接地効果により、寄生容量への充放電が発生しないため、寄生容量の存在を無視できる。また、n=1の場合は、オペアンプの出力負荷となるだけで、帰還回路の一部にはならない。図6は、図5のA点に換えて、寄生容量ΔCpの基板電極をオペアンプの反転入力端子に接続した回路構成である。周波数が50KHzの場合、図7に太い実線で示すように、nが大きいほど、換言するとオペアンプの出力側に近い寄生容量ほどノイズ悪化の影響が大きいことがわかる。なお、n=0の場合は、寄生容量の両電極が短絡であるので、電気回路素子としての動作を無視できる。また、n=1の場合は、ノイズ係数は小さくなるものの、寄生容量が帰還容量と並列になり、帰還利得自体が変化することになる。そして、図7で理解できるように、図5の回路構成と図6の回路構成のノイズ特性は、同一周波数50KHzにおいてn=0.5の付近で交差し、nの大小に関し逆の関係を有している。すなわち、図5の回路構成では0.5<n<1の範囲で出力ノイズが低い一方、図6の回路構成では0<n≦0.5の範囲で出力ノイズが低いものである。したがって、図8に示すように、帰還抵抗Rfの寄生容量Cpのうちオペアンプの入力端子側ほぼ半分前述の0<n≦0.5に対応の基板電極をオペアンプの反転入力端子に接続し、オペアンプの出力端子側ほぼ半分前述の0.5<n<1に対応の基板電極を従来同様にGNDなどのA点に接続することによって、図7に鎖線で示す寄生容量が存在しない状態の理想特性に近いものとなる。上述のノイズ低減は、寄生静電容量の両電極間の電圧変化を小さくすることで、寄生静電容量の充放電電荷量を小さくし、寄生静電容量値が小さい場合とほぼ等価な電気特性を得ているものと考えられる。そして、上述のオペアンプの反転入力端子に接続するオペアンプの入力端子側ほぼ半分に対応する基板電極の一部を、帰還抵抗の途中に接続することによってもほぼ同様のノイズ特性が得られることを確認した。また、上述の回路を半導体基板上で実現するには、例えば、図9~図11に示すように寄生容量Cpの接続関係を構成すればよい。この際、寄生容量Cpは極力低減化しておくことが望ましい。図9は、ポリシリコンなどからなる帰還抵抗RfとN型半導体層との間に生じる寄生容量Cpについて、オペアンプの入力端子側の帰還抵抗nRfの寄生容量nCpは、N型半導体層を介して帰還抵抗Rfのオペアンプ入力側の電極である前記帰還抵抗nRfの電極側に接続し、オペアンプの出力端子側の帰還抵抗1-nRfの寄生容量1―nCpは、N型半導体層を介してGND、電源、基準電圧のいずれかに接続するA点に接続したものである。なお、この図9に示す構成に対応する従来の構成を図12に示す。図12においては、帰還抵抗Rfの寄生容量CpのすべてがA点に接続されたものとなる。図10は、オペアンプの入力端子側の帰還抵抗nRfの寄生容量nCpについては図9と同じであるが、オペアンプの出力端子側の帰還抵抗1-nRfの寄生容量1―nCpは、P型半導体層を介してGNDに接続したものである。図11は、帰還抵抗RfをN型半導体層中に形成したP型半導体層で形成したもので、前記P型半導体層と前記N型半導体層との間に生じる寄生容量Cpについて、オペアンプの入力端子側の帰還抵抗nRfの寄生容量nCpは、N型半導体層を介して前記帰還抵抗nRfの電極側に接続し、オペアンプの出力端子側の帰還抵抗1-nRfの寄生容量1―nCpは、N型半導体層を介してGND、電源、基準電圧のいずれかに接続するA点に接続したものである。なお、図9~図12において、N型半導体層とP型半導体層との位置関係が逆の場合には、GNDと電源とを逆にして構成すればよい。本発明は上述した知見に基づいてなされたもので、請求項1に係るチャージアンプは、オペアンプの非反転入力端子を増幅基準電圧に接続し、その反転入力端子に50KHz付近の周波数信号が入力するとともに、その出力端子は並列接続された帰還抵抗及び帰還容量を介して反転入力端子に接続したチャージアンプであって、前記帰還抵抗の寄生容量における前記オペアンプの入力端子側に対応する基板電極を前記反転入力端子に接続してなるものである。前記帰還抵抗の寄生容量における前記オペアンプの入力端子側の基板電極を前記反転入力端子に接続することによって、前記寄生容量の悪影響をなくして、零点の発生を抑制し、熱雑音帯域を下げることにより、ノイズ密度が減少する。また、本発明の請求項2に係るチャージアンプは、前記寄生容量の前記反転入力端子への接続は、前記帰還抵抗の寄生容量における前記オペアンプの前記反転入力端子側ほぼ半分に対応する基板電極を接続してなるものである。前記反転入力端子側のほぼ半分の前記寄生容量の基板電極を前記反転入力端子へ接続することで、ノイズ密度の減少はより勝れたものとなる。本発明によれば、半導体基板上で実用化が可能な、出力ノイズの小さいチャージアンプを提供することができる。以下、本発明の好適な実施形態を添付図面の図1に示す回路図に基づいて説明する。チャージアンプ1は、オペアンプ2に帰還容量3と帰還抵抗4,5とを並列的に接続してなり、その非反転入力端子には増幅基準電圧6を接続する一方、反転入力端子には水晶振動子を有する振動型角速度センサ7の出力端を接続して、50KHzの周波数信号が入力するように構成している。また、前記帰還抵抗4,5の各寄生容量8,9のうち、前記オペアンプ2の反転入力端子側のほぼ半分に対応する寄生容量8の基板電極を前記反転入力端子に接続している。また、前記オペアンプ2の出力端子側のほぼ半分に対応する寄生容量9の基板電極はGNDに接続している。なお、図中、10は保護素子容量、11はアンプ入力容量である。帰還抵抗4,5は多結晶シリコン層からなるもので、前記帰還抵抗4の寄生容量8の基板電極の反転入力端子との接続は、アルミ配線によって行なうものである。そして、前記帰還抵抗4における前記反転入力端子との接続端からほぼ半分に対応する部分の寄生容量8の基板電極を、前記反転入力端子と接続すればよいものである。本実施形態のチャージアンプ1は、従来と同様に、水晶振動子を有する振動型角速度センサ7の振動検出用容量図示せずの電荷量を電圧変換することにより、角速度検出電圧波形として出力するものである。そして、出力ノイズは実用化レベルである約35Vrms/Hz1/2を超えることはないので、前記出力に悪影響を与えることはなく、安定した動作が実現できる。"