"ガラス製のベース材の上下何れか一方の面に窪みを形成する工程と、前記窪みにビアフィルめっき処理を施すことにより、当該窪みをめっき層で充填する工程と、少なくとも前記窪みの底面が外部へ露出するように前記ベース材を研磨することにより、研磨後のベース材に前記めっき層からなる貫通電極を備えたベースを形成する工程と、前記ベースの上下何れか一方の面に、前記貫通電極の一端と当接するように内部配線を形成する工程と、前記内部配線と電気的に導通するように前記ベースに電子部品を実装する工程と、を備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。1つの前記ベース上に複数の電子デバイスを一括形成した後、前記電子デバイスを個片化する工程を備えることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスの製造方法。前記めっき層は銅であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子デバイスの製造方法。前記めっき層は合金の層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子デバイスの製造方法。前記合金は鉄―ニッケル系合金からなることを特徴とする請求項4に記載の電子デバイスの製造方法。前記ベースと接合可能であり、接合した状態で前記ベースとともに外気と遮断された空洞部を形成するカバーを、前記ベースに接合して前記電子部品を前記空洞部に密封するカバー接合工程と、前記ベースの前記内部配線が形成された面と対向する面に、前記貫通電極の他端と当接するように外部電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。しかしながら、図7を用いて説明した電子デバイス100の製造方法は、工程cにおいて、図8に示す課題がある。ここで、図8は、工程cの金属ピン部分の拡大図である。即ち、図8c-1に示すように、金属ピン120が短い場合や、または、押し込み量が少ない場合には、金属ピン120が低融点ガラス170に包まれてしまう。このため、工程dで形成する電極130と金属ピン120との電気的接続が確保できないという課題がある。また、図8c-2に示すように、仮に設計通りに金属ピン120を押し込めたとしても、ベース110が低融点ガラス170の軟化点以上の温度にさらされているため、低融点ガラス170が金属ピン120の先端をカバーする可能性がある。さらには、図8c-3に示すように、金属ピン120が約1000°Cの温度にさらされる結果、金属ピン120の周囲で酸化膜180が成長し、電極130と電子部品140とが導通しなくなるという課題がある。そこで、本発明は、これらの課題を解決することを目的とする。上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。請求項1に記載の発明は、電子デバイスの製造方法であって、ガラス製のベース材の上下何れか一方の面に窪みを形成する工程と、前記窪みにビアフィルめっき処理を施すことにより、当該窪みをめっき層で充填する工程と、少なくとも前記窪みの底面が外部へ露出するように前記ベース材を研磨することにより、研磨後のベース材に前記めっき層からなる貫通電極を備えたベースを形成する工程と、前記ベースの上下何れか一方の面に、前記貫通電極の一端と当接するように内部配線を形成する工程と、前記内部配線と電気的に導通するように前記ベースに電子部品を実装する工程と、を備えることを特徴とする。また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の電子デバイスの製造方法において、1つの前記ベース上に複数の電子デバイスを一括形成した後、前記電子デバイスを個片化する工程を備えることを特徴とする。また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の電子デバイスの製造方法において、前記めっき層は銅であることを特徴とする。また、請求項4に記載の発明は、請求項1又は2に記載の電子デバイスの製造方法において、前記めっき層は合金の層であることを特徴とする。また、請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の電子デバイスの製造方法において、前記合金は鉄―ニッケル系合金からなることを特徴とする。また、請求項6に記載の発明は、請求項1から5のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、前記ベースと接合可能であり、接合した状態で前記ベースとともに外気と遮断された空洞部を形成するカバーを、前記ベースに接合して前記電子部品を前記空洞部に密封するカバー接合工程と、前記ベースの前記内部配線が形成された面と対向する面に、前記貫通電極の他端と当接するように外部電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、貫通電極を形成する上で、ベース材に形成された窪みにビアフィルめっき処理を施す工程を用いており、金属ピンをはめ込む/押し込む工程を用いない。そのため、本発明では、金属ピンが低融点ガラスに包まれる事態や金属ピンの周囲に酸化膜が形成されるなどの事態を避けることができるので、電子部品と外部電極との電気的導通を安定して保つことができる。さらに、本発明では、窪みにビアフィルめっき処理を施して、ベース材を研磨するだけで容易に貫通電極を形成することができる。以上により、本発明は、電子部品と外部電極との導通を安定して保ち、且つ、容易に貫通電極を形成可能な電子デバイスの製造方法を提供できるという効果を奏する。以下、本発明に係る電子デバイス及びその製造方法の第1の実施形態を図に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る電子デバイスの断面図である。電子デバイス1は、ガラス製のベース10及びカバー60で囲まれた、外気と遮断された空洞部に電子部品50が搭載されている。そして、電子部品50は、実装部40、内部配線30、貫通電極20を介して、基板に実装される端子である外部電極70と電気的に接続されている。ここで、カバー60としては、ガラス製に限らず、例えば、電子デバイス1が圧力センサなどのMEMSデバイスの場合はシリコン製のもの等を用いることができる。また、カバー60はアルミ製のものを用いることもできる。図1に示す電子デバイス1は、電子部品50として音叉型の水晶振動子片を搭載した水晶振動子である。本願発明において、電子デバイス1は、これに限らず、圧電素子、ATカット水晶振動子、半導体回路、LED、各種センサなど、ベース10上に搭載可能な各種の電子部品を搭載したものを含む。また、電子デバイス1は、電子部品としてLEDなどを搭載する場合、カバー60を有しなくてもよい。貫通電極20は、銅で形成される。当該貫通電極20は、銅に限定されるものではなく、例えば、ベース10との熱膨張係数の差分量を考慮し、鉄-ニッケル合金、等を用いてもよい。そして、貫通電極20は、ベース10の高さ方向に亘って当該ベース10を上下に貫くように設けられ、両端部に連接された内部配線30と外部電極70とを電気的に接続する。内部配線30、外部電極70は、それぞれ金属膜で形成され、最表面が金、銀、白金等の貴金属を使用した層状からなる。ここで、貴金属は、イオン化傾向が小さく、耐腐食性があるため、内部配線30、外部電極70の長期的劣化を抑えることができるので、本願発明を用いた電子デバイス1の信頼性を向上させることができる。当該内部配線30、外部電極70は、各々ベース10及び貫通電極20の上下端部に配設される。なお、金属拡散を防ぐための拡散防止層として、貴金属で形成された表面層の下地にニッケル等の金属層を形成しても良い。また、内部配線30、外部電極70は、同一の材料を用いて形成することもできるが、異なる材料を用いて形成してもよい。ところで、内部配線30、外部電極70の形成方法には、スパッタ法が一般的である。ただし、内部配線30、外部電極70は、めっき法を用いて形成してもよい。また、内部配線30の上面に形成した、内部配線30と電子部品50とを接続する実装部40は、例えば銀ペースト等の導電接着剤を用いることができる。その場合、内部配線30と電子部品50とは、接続部である銀ペースト等の導電接着剤実装部40を焼成して接合される。しかし、電子部品50の構成によっては、接続部として導電接着剤を用いなくても良い。例えば、内部配線30の最表面に金の膜金膜を形成した場合、電子部品50上に形成した金バンプ図示しないを実装部40として用いることができる。その場合、電子部品50上に形成した金バンプと内部配線30の金膜とを熱圧着によって接合する金-金接合などを導電接着剤の代わりに用いて接合することができる。また、外部電極70は、基板実装時の応力を緩和する銀ペースト等の導電性接着剤で形成することもできる。電子デバイスの製造方法次に、本実施形態に係る電子デバイス1の製造方法を図2から図4を用いて説明する。図2から図4は、ウェハーレベルで作製され、最後にダイシング等で切断されて得られる電子デバイスの製造方法を示す図である。なお、本実施形態に係る電子デバイス1は、これに限定されず、はじめから個別パッケージで形成されてもよい。図2は、本実施形態に係る電子デバイス1の製造工程を示す図である。図2aは、ベース材9に凹形状の窪みを形成する工程を説明するための図である。当該窪みは、サンドブラスト、レーザー加工、ドリル加工、熱プレス加工等で製造する。図2bは、ビアフィルめっきにより、上記窪みを含むベース材9の上面にめっき層21を形成する工程を説明するための図である。このとき、ビアフィルめっきする直前にスパッタによる金属層を形成しておいてもよい。図2cは、ベース材9の研磨工程を説明するための図である。少なくとも窪みの底面が外部へ露出するように具体的には、ベース材9の上下の面とめっき層21の上下端面とが同じ高さ位置で且つ平行な面となるようにベース材9を研磨することにより、窪みに充填されためっき層21が、貫通電極20として機能する。また、貫通電極20を備えた研磨後のベース材9はベース10となる。ここで、図3、図4は、図2bの状態での貫通電極20となる部分を拡大した図である。具体的には、図3は、窪みに充填されためっき層21の一部がベース材9の上面よりも上方に突出した状態を示す図である。一方、図4は、窪みに充填されためっき層21の上端面がベース材9の上面に対して凹状に形成された状態を示す図である。そして、この図3又は図4に示す状態において、ベース材9の上下の面とめっき層21の上下端面とが同じ高さ位置で且つ平行な面となるように、図3又は図4に示す破線位置までベース材9を上下面から研磨することにより、ビアフィルめっきの施し方によらず、良好な貫通電極20を形成できる。図2dは、内部配線30を貫通電極20のベース10の一の面上下何れか一方の面であり、ここでは図2cに示すベース10を上下反転させた状態での上面側の端面上と、ベース10の一の面上とにスパッタ法を用いて形成し、電子部品50を設置し、内部配線30と電子部品50とを実装部40を介して、接続する電子部品接続工程を説明するための図である。ここで、内部配線30と電子部品50とを接続する実装部40は、例えば銀ペースト等の導電接着剤を用いることができる。その場合、内部配線30と電子部品50とは、接続部である銀ペースト等の導電接着剤を焼成して接合される。また、電子部品50の構成によっては、接続部として導電接着剤を用いなくても良い。例えば、内部配線30の最表面に金を使用した場合、電子部品50上に形成した金バンプを実装部40として用いることができる。その場合、電子部品40上に形成した金バンプと内部配線30の金膜とを熱圧着によって接合する金-金接合などを導電接着剤の代わりに用いて接合することができる。図2eは、ベース10に搭載された電子部品50を保護するため、凹状に加工したカバー60をベース10と接合するキャップ接合工程を説明するための図である。この工程において、ベース10の上述した一の面とカバー60の凹状箇所とで外気と遮断された空洞部を形成する。これにより、空洞部に電子部品を密封した状態で配設できる。また、カバー60の材質は、接合方法や、真空度やコスト等などの電子部品50に要求される仕様を考慮して、例えばシリコン、ガラス、アルミニウム等を、適宜に選択すればよい。例えば、電子部品50が水晶振動子片であり、ベース10とカバー60との接合後に周波数調整をする場合には、カバー60にはガラス製の部材を選択することが望ましい。また、カバー60とベース10との接合方法としては、例えば接着や陽極接合、金-金接合等を用いることができる。なお、ベース10が凹状に加工されている場合、カバー60は凹状に形成される必要はない。この場合、ベース10の凹状箇所とカバー60の一方の面下面とで空洞部が形成されるので、電子部品は当該空洞部に設けられていればよい。図2fは外部配線70を貫通電極21のベース10の上述した一の面側の端面と反対の端面上と、ベース10の一の面と反対の面下面上とにスパッタ法を用いて形成する工程を説明するための図である。ここで、内部配線30、外部電極70はそれぞれスパッタ法、蒸着法とフォトリソ法を組み合わせて形成してもよい。図2gは、パッケージを個片化する工程を説明するための図である。すなわち、図2gが示唆する工程は、1つのベース10上に複数の電子デバイスを一括形成した後、電子デバイスを個片化する工程である。この工程において、カバー60の材質によって.個片化する方法は変わるが、一例として、ダイシング、またはレーザーカットによって電子デバイスの個片化を行うことができる。ここで、図2dでは、窪みの開口部側図2a~cに示す窪みの上端側と逆側の端部下端部に内部配線30を形成したが、図9dに示すように、開口部側に内部配線30を形成してもよい。なお、図9に図示する電子デバイス1の製造方法のその他の工程は、図2と同様であるためその説明を省略する。以上、本実施形態に係る電子デバイス1の製造方法によれば、貫通電極20を形成する上で、ベース材9に形成された窪みにビアフィルめっき処理を施す工程を用いており、金属ピンをはめ込む/押し込む工程を用いない。そのため、電子デバイス1では、金属ピンが低融点ガラスに包まれる事態や金属ピンの周囲に酸化膜が形成されるなどの事態を避けることができるので、電子部品50と外部電極70との電気的導通を安定して保つことができる。さらに、電子デバイス1では、窪みにビアフィルめっき処理を施して、ベース材9を研磨するだけで容易に貫通電極20を形成することができる。したがって、本発明は、電子部品と外部電極との導通を安定して保ち、且つ、容易に貫通電極を形成可能な電子デバイスの製造方法といえる。また、本実施形態に係る電子デバイス1の製造方法によれば、図2gに示したように、1つのベース10上に複数の電子デバイス1を一括形成した後、電子デバイス1を個片化することができる。そのため、本発明に係る電子デバイスを一括で製造することができ、電子デバイスの大量生産における製造時間及び工程の短縮及び低コスト化が図れる。また、本実施形態に係る電子デバイス1の製造方法によれば、貫通電極20として銅を用いることが出来る。そのため、低抵抗値からなる貫通電極を作製できる。また、本実施形態に係る電子デバイス1の製造方法によれば、めっき層21は合金の層用いることが出来る。そのため、めっき層の堅さを変更することが可能なり、貫通電極一体型電極の構造を強くすることが可能となる。また、合金としては鉄―ニッケル系合金を用いることが出来る。そのため、ベース材の熱膨張係数と近づけることができ、より安定した製品となる。第2の実施形態次に、本発明に係る電子デバイスの製造方法の第2の実施形態を図5を用いて説明する。なお、第2の実施形態について、第1の実施形態に係る図2と同一の工程についてはその説明を省略し、図2と異なる工程のみを説明する。図5は、本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。ここで、図5e、図5f、図5g、図5hに示す工程は、それぞれ先に述べた図2d、図2e、図2f、図2gに示す工程と同一工程である。図5aは、ベース10に貫通孔を形成する工程を説明するための図である。当該貫通孔は、サンドブラスト、レーザー加工、ドリル加工、熱プレス加工等の各種の工法で製造する。図5bは、少なくとも貫通孔の下端を塞ぐように、ベース10の下面に犠牲材11を形成する工程を説明するための図である。犠牲材11には、例えば、接着層を有するフィルムや、ドライレジスト等を使用する。図5cは、ビアフィルめっきにより、めっき層21を形成する工程を説明するための図である。このとき、ビアフィルめっきする直前にスパッタによる金属層を形成しておいてもよい。図5dは、図2cに示した貫通電極20と図2dに示した内部配線30とを一体成形した内部配線一体貫通電極22を形成する工程を説明するための図である。内部配線一体貫通電極22はめっき層21をフォトリソグラフィー処理等により形成する。また、実装部40を考慮して、フォトリソグラフィー処理を施した後、内部配線一体貫通電極22に金等でめっきをしてもよい。その後、ベース10から犠牲材11を剥離することで、本工程は完了する。ここで、剥離方法としては、犠牲材11の構成にしたがって、接着層からの引き剥がしを行う方法や、犠牲材11そのものをエッチングにより除去する方法がある。以上、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法によると、第1の実施形態に係る電子デバイスの製造方法と同様の効果を発揮することは勿論、上述のように製造することで、貫通電極と内部配線を一体化することができるため、配線抵抗の小さい品質のよい製品を提供することができる。第3の実施形態次に、本発明に係る電子デバイスの製造方法の第3の実施形態を図6を用いて説明する。なお、第3の実施形態について、第1の実施形態に係る図2、及び第2の実施形態に係る図5と同一の工程についてはその説明を省略し、図2、図5と異なる工程のみを説明する。図6は、本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。ここで、図6a、図6b、図6c、図5e、図5f、図5hに示す工程は、それぞれ先に述べた図5a、図5b、図5c、図2d、図2e、図2gに示す工程と同一工程である。図6dは、ベース10から犠牲材11を剥離し、ベース10を図6cに示す状態から上下方向に反転させる工程を説明するための図である。ここで、剥離方法としては、犠牲材11の構成にしたがって、接着層からの引き剥がしを行う方法や、犠牲材11そのものをエッチングにより除去する方法がある。図6gは、図2cに示した貫通電極20と図2fに示した外部電極70とを一体成形した外部電極一体貫通電極23を形成する工程である。外部電極一体貫通電極23はめっき層21をフォトリソグラフィー処理等により形成する。また、フォトリソグラフィー処理を施した後、基板実装を考慮して、外部電極一体貫通電極23に金等のめっきをしてもよい。以上、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法によると、第1,第2の実施形態に係る電子デバイスの製造方法と同様の効果を発揮することは勿論、上述のように製造することで、貫通電極と外部電極を一体化することができるため、配線抵抗が小さく、外部電極の剥離が生じない品質のよい製品を提供することができる。本発明の電子デバイスは、例えば、本発明の電子デバイスを発振子として用いた発振器又は時計、本発明の電子デバイスを計時部に備えた携帯情報機器、本発明の電子デバイスを時刻情報などの電波を受信部に備えた電波時計等の電子機器に用いることができる。"