設置面に対して垂直に高さを持ち適当な幅を持つ角状導電体を誘電体基板上、又は誘電体板内又は一部誘電体板上で一部誘電体内に配置して出来る分布定数線路を含んだマイクロ波受動回路請求項1に於ける分布定数線路は直線のみならず曲線を含む回路。請求項1及び請求項2で記した回路が設置板に平行な遮蔽板中に形成された構造を持つ回路。第1は、分岐点の影響を避けるために線幅dの小さい分布定数線路を用いる事、第2は、第1の目的を維持して低いインピーダンス20~30Ωから高いインピーダンス100~200Ωを同一誘電体基板で実現できる事、第3は、最近のトランジスタの高電力化に伴い許容電力を増すことを可能にする事である。幅が狭く高さを有する導電体棒を誘電体基板内に埋め込む分布定数線路を用い埋め込む長さを調整する事により広範囲なインピーダンスを同一基板上で実現した。又この棒の断面が従来のマイクロストリツプ線路より遙かに大である事により許用電力も増す事が出来る。周波数が数GHz帯以上でも広範囲の特性インピーダンスが必要になる回路、例えば広帯域方向性結合器[文献5のp.63]や広帯域阻止フィルタ[5]を用いた低域通過フィルタなどに広く応用できる。又、数GHz帯以下の周波数で高電力用としてあらゆるRF回路に用いられる。又、本発明による導体及び埋め込まれる誘電体に掘る溝は、CAD-CAMシステムで短期間に製作されるので数多くの回路も同様に製作できる。低域通過フィルタこの例題として低域通過フィルタの構造を図3に示す。このように高いインピーダンスの主線路は基板上に配置されこれに並列に接合される低いインピーダンスの分岐線路は基板内に一部埋め込まれて、この分岐点の一部基板上にある部分が主線路と機械的に接合されている。広帯域3dB方向性結合器この例を図4aに示す。この場合、端子1と4間及び端子2と3間に接合される分布定数線路の特性インピーダンスは100オームで高い値を有するので基板上に配置され、他の線路は30~40Ωの低いインピーダンスであるので基板内に一部埋め込まれ、他の部分は基板上にはみ出し先述の100Ω以上の高いインピーダンスの線路と基板上で接合されている。比誘電率が2.17の誘電体をもつ厚み1mmの誘電体基板で図4aの構造を用いて中心周波数4.5Ghzのものを設計し、その特性をシュミレーションで求めると図4bの如く設計した値の特性が得られた。同じ特性を平面回路で得るには0.25mmの基板を用いる必要がある。