"基板の欠陥を検出する検査装置において、前記基板に照明光を照明する照明光学系と、前記基板からの光を検出する第1の検出光学系と、前記第1の検出光学系により検出された光を光増幅するための第1の光増幅光学系と、前記光増幅のための第1の励起光を発生させる第1の励起用光学系と、前記光増幅光学系により増幅された光を光電変換するための第1の光電変換系と、前記第1の光電変換系からの信号を使って前記欠陥を検出する処理部と、を有し、さらに、前記励起光の波長は、前記照明光の波長より短いことを特徴とする検査装置。請求項1に記載の検査装置において、さらに、前記基板からの光を検出する第2の検出光学系と、前記第2の検出光学系により検出された光を光増幅するための第2の光増幅光学系と、前記第2の光増幅光学系による光増幅のための第2の励起光を発生させる第2の励起用光学系と、前記第2の光増幅光学系により増幅された光を光電変換するための第2の光電変換系と、第1の励起光の強度、および第2の励起光の強度の少なくとも1つを変える制御部と、を有し、さらに、前記処理部は、前記第1の光電変換系からの信号、及び前記第2の光電変換系からの信号を用いて重み付け加算を行うことを特徴とする検査装置。請求項1に記載の検査装置において、さらに、前記基板の位置に応じて前記第1の励起光の強度を変える制御部を有することを特徴とする検査装置。請求項1に記載の検査装置において、前記第1の検出光学系は、斜方検出光学系であり、前記第1の光増幅光学系は、複数の希土類添加光ファイバを束ねた希土類添加光ファイババンドルであり、前記希土類添加光ファイババンドルでの、前記第1の検出光学系により検出された光を検出する面は傾斜していることを特徴とする検査装置。請求項1に記載の検査装置において、前記第1の検出光学系は、斜方検出光学系であり、前記第1の検出光学系と前記第1の光増幅光学系との間にマイクロミラー及びマイクロレンズを有することを特徴とする検査装置。請求項1に記載の検査装置において、前記第1の検出光学系は、斜方検出光学系であり、前記第1の検出光学系と前記第1の光増幅光学系との間にマイクロプリズム及びマイクロレンズを有することを特徴とする検査装置。請求項1に記載の検査装置において、前記第1の検出光学系は、斜方検出光学系であり、前記第1の光増幅光学系は、複数の希土類添加光ファイバを束ねた希土類添加光ファイババンドルであり、前記複数の希土類添加光ファイバの長さはそれぞれ異なることを特徴とする検査装置。請求項1に記載の検査装置において、さらに、前記基板からの光と前記第1の励起光との前記第1の光増幅光学系内での時間的な同期を得る同期部を有することを特徴とする検査装置。ウェハ上の欠陥によって散乱される光は非常に弱く、その微弱光を高速かつ高感度に測定する検出方法としてはPMTPhotomultiplierTubeやMPPCMultiPixelPhotonCounterがある。上記検出方法では、微弱光を光電変換して、電子を増倍する機能があるが、光電変換の量子効率が50以下と低いため、信号光を損失し、S/N比signaltonoiseを低下させるという課題がある。そこで、本発明では、光電変換をする前に直接光を増幅する光増幅に着目した。光増幅とは、信号光と励起用光源の光とを希土類を添加したファイバに導入し、誘導放出を起こして信号光を増幅する増幅方法である。本発明は、この光増幅を利用することを特徴とする。また、本発明は、この増幅率を様々な条件により変えることを特徴とする。本発明によれば、S/N比の高い検査を行うことができる。以下、図面を用いて発明の実施例を説明する。図1は実施例1の検査装置の概略図である。図1に示すように、照明用光源1,ステージ101,散乱光を光増幅するための励起用光源2,干渉フィルタ7,希土類添加光ファイバ4,増幅した光を検出する検出器3,信号処理部105を備えている。ステージ駆動部102は、回転軸を中心にステージ101を回転させる回転駆動部111,垂直方向に移動する垂直駆動部112,試料の径方向に移動させるスライド駆動部113を備えている。また、制御部として、後述する様々な制御を行う全体制御部106,メカ制御部107を備え、さらに情報表示部108,入力操作部109,様々な情報を記憶する記憶部110等を備えている。ステージ101は、ウェハ等の試料100を支持しており、ステージ101を回転駆動部111により回転させつつスライド駆動部113によって水平に移動させることで、相対的に照明光が試料100上を渦巻状に走査する。したがって、試料表面の凹凸によって散乱される光は連続的に発生し、欠陥による散乱光はパルス的に発生することになる。ウェハ上の欠陥を検出する表面検査装置においては、連続的に発生する光のショットノイズがノイズ成分となる。また、本実施例では回転及び並進ステージを用いて説明しているが、2軸の並進ステージでもよい。本実施例における光増幅について説明する。照明用光源1からの光は試料100に照射される。試料表面上または表面近傍内部に存在する欠陥、及び試料表面で、散乱,回折、又は反射された光は検出光学系116により捕集され、希土類添加光ファイバ4に導入する。励起用光源2は、照明用光源1より短波長の光を発生させるものである。そして、励起用光源2の光がファイバカプラ5を介して希土類添加光ファイバ4に入射すると、添加されている希土類イオンの電子状態が基底状態から励起状態に励起し、反転分布状態を形成する。このとき信号光が入射すると、励起状態にある希土類イオンは誘導放出を起こし、信号光が増幅することになる。そして増幅光はカップリング用光学系6により光電変換を行う検出器3に入射する。一般的な光検出器は光電変換後に電子を増幅して検出するが、この方法では、光電変換面での量子効率の低さや、プリアンプなどで電気的に増幅する前の微弱電流は電場や磁場の影響を受けやすいという課題がある。一方、本実施例の光増幅では、光電変換を行う前に直接光を増幅するのでこのような問題はないという利点がある。また、照明用光源1が連続発振のレーザの場合、励起用光源2も連続的に発光しているランプやダイオードレーザが安価で適している。励起用光源2としてランプを用いるときは、希土類の励起に適した波長を取り出すために干渉フィルタ7のようなバンドパスフィルタを用いると良い。また、ダイオードレーザを用いるのは安定かつ長寿命であるという長所がある。次に照明光学系,検出光学系,希土類添加光ファイバ間の光学的な関係について図2を用いて説明する。本実施例では、照明光201からの光は試料100上に細長い楕円形状の照明スポット202を形成する。そして、レンズ等の光学素子を含む検出光学系116は、図2aに示すように照明スポット202の長手方向に対して方位角φ=90°、図2bに示すように試料100に対して仰角χで配置される。ここで、検出光学系116のNAは、照明スポット202の直径をR本実施例では長軸の長さがRとなる、希土類添加光ファイバの開口をNA′、希土類添加光ファイバのコア径をR′とすると、以下の関係を実質的に満たすようにするのが望ましい。ここで、本実施例では、図2aに示した検出光学系117のように、検出光学系を複数配置しても良い。すなわち、本実施例では、図2aのようにセンサの数に限定はなく、それぞれ照明スポット202からの方位角φ及び、仰角χの少なくとも一方が異なるように二つ以上の検出光学系を配置してもよい。欠陥からの散乱光が散乱する方位角,仰角は欠陥の種類や性状によって異なるため、このようにすれば様々な欠陥を高感度に検出することができる。また、照明光スポット202の形状は図のように楕円でも、円形でもよい。こうして増幅された光は図1のレンズ6を経由して検出器3に結像される。検出器3の検出結果は信号処理部105に送られ、閾値と比較される。閾値を超えた検出結果は欠陥と判断される。信号処理部105での判断された欠陥は試料100での試料上の座標と関連づけて全体制御部106へ送信され、さらに記憶部110に格納される。また、記憶部110に格納された欠陥に関する情報は、適宜読み出され、情報表示部108に作業者が閲覧しやすい形式で表示される。このように本実施例の検査装置では、従来よりもS/N比の高い検査を行うことができる。次に実施例2について図1,図2,図3を用いて説明する。実施例2では実施例1と異なる部分を中心に説明する。本実施例は、欠陥を検出する際のS/N比をさらに高くする方法である。前述したように、欠陥からの散乱光が散乱する方位角,仰角は欠陥の種類や性状によって異なる。また、照明用光源からの光の入射方向に対する検出方向によって、試料表面凹凸からの散乱光の大きさが異なる場合もある。すなわち、欠陥を検出する際のS/N比は、検出対象である欠陥,照明方向,検出方向等と関連して変化する。そこで本実施例では、図2aに示すように複数の検出光学系116,117、それらに対応した希土類添加光ファイバ4、及び206、それらに対応した検出器を有し、これらの検出結果を加算する。より具体的には、その加算方法は合計のS/N比がより大きくなるような例えば最大となるような重み付け加算である。さらに本実施例では、この重み付け加算にあたり、図1の励起用光源2を複検出光学系116,117ごとに備え、この励起用光源2の光の強度を変えることで、検出光学系116,117ごとの増幅率を変化させ重み付けを光学的に行う。このようにすることで、さらに欠陥を検出する際のS/N比をさらに高くすることが可能となる。次に実施例3について図3を用いて説明する。図3aは、S/N比と試料100の検査位置の関係を示した図である。S/N比は基板の表面状態により、異なることがある。また、試料を回転させる回転数が一定の場合、試料100の中心部と外周部では光が照射する時間が異なるため、S/N比は検査位置特に試料中心からの半径rに依存する。よって、増幅率は検査位置によって変化させるのが望ましい。本実施例は、光増幅の増幅率を検査位置例えば、試料中心からの半径rによって変えるものである。より具体的に、本実施例を説明する。図1のステージ101の回転数が一定の場合、試料100の中心部と外周部では光が照射される時間が異なるため、S/N比は検査位置に依存する。ここで、表面ラフネスによる散乱光をNとするとそのショットノイズはになるため、検査装置のS/N比は、と表せる。さらに、ある単位面積における照射時間は半径rに比例するため、S/N比は、と表せ、図3aのように変化する。そこで、本実施例では、S/N比の均一化のために、励起用光源2の光の強度を変えて、図3bのように、光増幅の増幅率をに依存して変化させる。このようにすることで、従来よりもS/Nを従来よりも高くした上で、検査位置に依存した感度ムラを無くすことが可能になる。次に実施例4を説明する。本実施例はその端面が傾斜した傾斜希土類添加光ファイババンドルを使用することを主な特徴とする。図4は、本実施例の概略図である。本実施例では、検査時間を短縮させるために、照明用光源1により、試料100上の広い領域を照明し、複数画素の検出器を使って検査する。そして、試料から発生した光反射光,回折光,散乱光等を含むを検出光学系116により捕集し、その端面が斜めに切断及び研磨された傾斜希土類添加光ファイババンドル505の表面で結像させ、結像された光をファイババンドルに導入する。ここで、ファイババンドルとは複数のファイバを束ねたものである。励起用光源502の光は、検出光学系116の途中例えば2枚のレンズの間でダイクロイックミラー501により反射され、傾斜希土類添加光ファイババンドル505に導入する。そして、傾斜希土類添加光ファイババンドル505内で増幅された光は複数画素検出器507で検出する。このとき、効率よく光を導入できるようにマイクロレンズ506を使ってもよい。また、複数画素検出器507のそれぞれの画素に対応してファイバを1本ずつ配置しても良いし、複数のファイバの光を複数画素検出器507の1画素に導入しても良い。次に傾斜希土類添加光ファイババンドル505を用いる利点を説明する。図5aは、試料100に対して散乱光を斜方で検出する場合の物体面508と像面509を示した図である。斜方検出すると、物体面508の傾き検出仰角χと同じだけ像面509は傾く。すなわち、像面の両端でボケが生じることとなる。一方、本実施例では、図5bに示すように、像面509の傾きχに合わせて例えば傾きχの傾斜を付けて切断及び研磨した傾斜希土類添加光ファイババンドル505を配置する。これにより、物体面508の傾きを無くした形で結像面のそれぞれの光を正しく収集することができる。さらに、また、傾斜希土類添加光ファイババンドル505の代わりに、図5cに示すような、ファイバ一本ずつを傾きχに合わせて階段状に並べた希土類添加光ファイババンドル510を用いても良い。すなわち、物体面508の傾きの影響を無くすためのファイババンドル端面の形状は厳密に傾斜していなくてもよく、実質的に傾斜面を形成していればよい。次に実施例5について説明する。実施例5は、断面が垂直に切断された希土類添加光ファイババンドルを使用して、実施例4と同じ効果を得る実施例である。図6は、垂直に切断した希土類添加光ファイババンドル602を設置した場合の概略図である。図6aは、実施例4と同様に物体面508に対して検出仰角χで斜方検出を行うものである。図6aでは、検出光学系116によって形成される結像面に検出光学系116の傾斜軸6000に対して傾斜してマイクロミラー603を配置する。マイクロミラー603は反射膜とガラスを交互に積層させたもので、その像面の光は、それぞれマイクロミラー603の反射膜により反射する。マイクロミラー603の出射側にはマイクロレンズ6031があり、光はマイクロレンズ6031によって希土類添加光ファイババンドル602へ効率よくカップリングする。なお、このマイクロレンズは端面をフォトリソグラフィーによって十分作成できる。図6bは検出光学系116によってできる結像面にマイクロプリズム604を配置する。こちらも出射面にマイクロレンズ6031を有している。像面の光は、それぞれマイクロプリズム604により反射し、マイクロレンズ6031によって希土類添加光ファイババンドル602へカップリングする。また、試料100上における1画素当たりの大きさdは、検出光学系のNA、希土類添加光ファイバの開口をNA′、希土類添加光ファイバのコア径をR′、画素数をnとするとで表せる。次に実施例6について説明する。実施例6は、実施例4において、さらに詳細に増幅率を制御するものである。実施例4について、傾斜希土類添加光ファイババンドル505の傾きによって光路差ΔLが生じ増幅率に若干の違いが出る可能性があるが、ファイバ長と比べるとΔLは十分小さく、増幅率の違いが無視できる。しかし、増幅率の違いは無い方が望ましい。そこで、本実施例は、図7に示すようにそれぞれのファイバの全長を光路差ΔLの影響を相殺するように調整した調整希土類添加光ファイババンドル704を用いる。より具体的に説明する。像面509の光はそれぞれ、固定具702によって固定された調整希土類添加光ファイババンドル704に入射する。ここで、ファイバ7031の長さは光路差ΔLの影響を無くす長さに調整されている。よって、ファイバ7031を通過した光には、光路差ΔLの影響は無い。他のファイバ7032-7035についても同様である。言い換えるなら、ファイバ7031-7035は、光路差ΔLの影響が無いような長さになったおり、それぞれ長さが異なっていると表現できる。そして、ファイバ7031-7035の端面は固定部701によって光路差が無いように揃えられている。そして、出射した出射光はマイクロレンズ506を介して、複数画素検出器507で検出される。ここで、複数画素をもつ検出器としては、暗電流の小さい多チャンネルPMT,画素数の多いCCDやEMCCDElectronMultiplyingCCD,EB-CCDElectronBombardmentCCDが適している。ここで、検出器の1画素当たりの大きさがCCDカメラなどに比べると大きい多チャンネルPMTを用いる場合は、拡大率が数十倍以上の拡大光学系が必要となり、大きなスペースを必要とする場合もある。さらに、拡大光学系を必要とする場合は、検出光学系が試料100に接近するため、仰角χによっては、検出レンズの開口を充分とることができない場合もある。本実施例によれば、1画素あたりの大きさが大きい検出器を用いる場合でも、ファイババンドル終端で各ファイバの光を自由な間隔でそれぞれ対応するチャンネルに導入することも可能であり、拡大光学系のような特別な光学系を必要としない利点もある。次に実施例7について説明する。前述した照明用光源1と励起用光源2とがパルス発振レーザの場合、照明用光源1の照射に起因する光反射光,回折光,散乱光等と励起用光源2の光との希土類添加光ファイバ内での時間的な同期を取らないと、励起用光源2の光による自然放射光が発生し、ノイズとなり、所望のS/Nを得られない場合もある。本実施例は、これを解決するものである。本実施例は、照明用光源1の照射に起因する散乱光と励起用光源2の光との希土類添加光ファイバ内での時間的な同期を取る同期部を有することを特徴とする。図8は、本実施例を説明する図である。試料100へは照明用光源1本実施例ではパルス発振レーザ光源からのパルス光が照明される。照明用光源1の照射に起因する光反射光,回折光,散乱光等は、レンズ等を含む検出光学系116によって捕集される。捕集された光は、希土類添加光ファイバ4に入射する。一方、励起用光源2本実施例ではパルス発振レーザ光源からのパルス光は、ミラー802にて反射した後、同期部808に入射する。同期部808は例えば2枚のミラー803,804及び、それらの位置光路長と言ってもよいを変更するステージ等の駆動機構810を有するものである。同期部808では、ミラー803,804を矢印806のように移動させることが可能であり、励起用光源2からのパルス光の光学的な距離を変えることが可能である。そして、光学的な距離が変更された経路を通過したパルス光はミラー805により反射し、希土類添加光ファイバ4へ入射する。このように励起用光源2からのパルス光の光学的な距離を変えることで、励起用光源2からのパルス光が希土類添加光ファイバ4に入射する時刻を変えることが可能となる。すなわち、照明用光源1の照射に起因する光反射光,回折光,散乱光等と励起用光源2の光との希土類添加光ファイバに入射する際の同期を得ることが可能となる。なお、検査の際には、事前に照明用光源1の照射に起因する光反射光,回折光,散乱光等と励起用光源2の光との希土類添加光ファイバに入射する際の時間差を得ておくことで同期を得ることは十分可能である。また、本実施例では、発振周波数は異なってもよいが、同じ発振周期で発光させた方がS/N比は良く好ましい。また、光路長調整用のステージを使わずに、電気的にどちらか一方の発振を遅延させてファイバ内で同時に光が導波するようにしても良い。次に実施例8について説明する。本実施例は、照明用光源1がパルス発振レーザ光源であり、励起用光源2が連続発光光源であり、さらに励起光光源の光を強度変調する光強度変調器901を有することを特徴とする。図9は本実施例を説明する図である。本実施例は、照明用光源1がパルス発振レーザ光源であり、励起用光源2が連続発光光源であり、さらに励起光光源の光を光学的に強度変調する光強度変調器901を有すること以外は、実施例7と同様の構成を有する。図10は光強度変調器を用いて、励起用光源2の光強度を調整した時のタイミング調整を説明する図である。照明用光源1は図10aのように時間間隔ΔTa,ピーク強度Iaのガウスプロファイルを有するパルス光を出射している。一方、励起用光源2は連続発光光源であるので、図10bに示すように、いずれの時刻においても一定の強度Ibである連続発振光を出射している。本実施例では、光強度変調器901は、図10bに示す波形を、図10cに示す波形へ変換する。より具体的には、光強度変調器901は、励起用光源2の波形を連続するパルス光へ変換する。そして、強度Ibを強度Ic希土類イオンの誘導放出が効率よく行われる強度であることが望ましいへ変える。また、希土類添加光ファイバ内でのピーク強度の発生時刻を一致させる。さらに、その時間間隔をΔTc=ΔTaとする。このようにすることで、照明用光源1がパルス発振レーザ光源であり、励起用光源2が連続発光光源である場合でも、希土類添加光ファイバ内での時間的な同期を得ることが可能となる。なお、変調器としてチョッパーを用いても良い。次に実施例9について説明する。本実施例は、照明用光源1がパルス発振レーザ光源であり、励起用光源2が連続発光光源であり、さらに、励起用光源2の連続発振光の発生時刻、及び時間の少なくとも1つを、照明用光源1のパルス信号の発生時刻、及び時間の少なくとも1つと電気的に同期させる処理部と、高速応答可能な検出器の一例であるMPPCと、を有することを特徴とする。他の構成は、実施例1と同様である。本実施例は他の検出器に比べて比較的高速応答可能な検出器例えばMPPCを使用する場合には、特に有効である。図11を用いて本実施例の概要を説明する。他の実施例と同様の説明は省略する。照明用光源1からパルス光P1が照明された際、その発生時刻T1を示す発生タイミング信号が照明用光源1から同期部103へ送られる矢印1101,1102。ここで、同期部103では、MPPC301がパルス光P1を検出した時刻を示す検出タイミング信号も検出することができる矢印1106。同期部103で検出されたT1は任意に変更可能な遅延信号,持続信号と共に信号処理部105へ送られる矢印1103。信号処理部105では、T1,遅延信号,持続信号を使って演算を行い、励起用光源2からの励起光が希土類添加光ファイバ4内で試料100からの散乱光と同期をとれるような時刻、及び時間を得る。そして、信号処理部105での演算された時刻、及び時間は全体制御部106を経由して、励起用光源2に送信される矢印1104,1105。そして、励起用光源2は、信号処理部105で演算された時刻、及び時間で連続発振光を発振する。さらに詳細に本実施例を図12を用いて説明する。図12は、本実施例での照明用光源1からのパルス光、及び励起用光源2からの光の発生タイミングを説明する図である。本実施例では、励起用光源からの連続発振光の発生時間を、照明用光源1からのパルス光の半値全幅とする。照明用光源2からのパルス光P1は図12aに示すように、ピーク強度Ia,発生時刻T1のガウスプロファイルとして表現される。図12bに示すように、P1の照明により試料100から発生した散乱光S1は、T1からΔT1だけ遅延して希土類添加光ファイバ4へ導波する。ここで、図12cに示すように、励起用光源2からの光が、希土類添加光ファイバ4へ導波するまでの間に、S1はさらにΔT2だけ導波する。そこで、本実施例は、図12dに示すように時刻T1ΔT1から、P1の半値半幅ΔTIa2/2だけ早い時刻に励起用光源2から連続発振光C1を発生させる。つまり連続発振光C1の発生時刻は、T1ΔT1-ΔTIa2/2となる。このようにすることで、図12eに示すように、C1は希土類ファイバ内でS1と同期を得ることができる。より具体的には、C1のプロファイルの中心はS1のピーク強度の導波時刻と一致しており、C1の発生時間は、照明用光源1からのパルス光の半値全幅ΔTIa2となる。なお、これらの演算は、同期部103,信号処理部105において行われるものであり、ΔT1,ΔT2等は前述した遅延時間となり、半値全幅ΔTIa2は持続時間となる。なお、前述して、P1,S1,C1の波形は光学的なシミュレーションやフォトダイオード等の光電変換素子を用いた事前の実測等により十分得ることができる。また、C1の発生時刻,時間は任意に変更可能であり、また半値全幅は、散乱光S1の半値全幅とすることも可能である。上述した実施例1-9は、試料は半導体ウェハを用いて説明したが、この検査方法及び検査装置の検査対象は、半導体ウェハには限定されない。検査対象は、ハードディスク,液晶パネル,太陽光発電パネルなどの基板の検査にも適用できる。"