"圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されている複数のIDT電極とを含む縦結合共振子型弾性波フィルタ部を有する弾性波フィルタチップと、ダイアタッチ面と裏面とを有し、前記ダイアタッチ面の上に前記弾性波フィルタチップが実装されており、前記ダイアタッチ面の上に形成されており前記弾性波フィルタチップに接続されている複数のランド電極を含むランド電極層と、前記裏面の上に形成されている複数の端子を含む裏面端子層と、前記複数のランド電極と前記複数の端子とを接続している複数の配線電極を含む複数の中間電極層と、少なくとも3層の誘電体層とを有する配線基板と、を備え、前記誘電体層は、前記ランド電極層と前記複数の中間電極層と前記裏面端子層とのうち、いずれか2つの間に配置され、かつ、前記複数のランド電極と前記複数の配線電極と前記複数の端子とのうち、いずれかを接続する複数のビアホール電極を有し、前記複数の端子には、グラウンドに接続されるグラウンド端子が含まれ、前記複数のランド電極には、前記グラウンド端子に接続されているグラウンドランド電極が含まれ、前記複数の配線電極には、前記グラウンド端子と前記グラウンドランド電極とを接続している複数のグラウンド配線電極が含まれ、前記複数のビアホール電極には、前記グラウンド配線電極間を接続している第1のグラウンドビアホール電極と、前記グラウンド配線電極と前記グラウンドランド電極とを接続している第2のグラウンドビアホール電極と、前記グラウンド配線電極と前記グラウンド端子とを接続している第3のグラウンドビアホール電極とを含み、前記第1のグラウンドビアホール電極が、前記第2及び第3のグラウンドビアホール電極のそれぞれよりも多く設けられている、弾性波分波器。送信フィルタと受信フィルタとを備え、前記受信フィルタが前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部により構成されている、請求項1に記載の弾性波分波器。前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、平衡-不平衡変換機能を有するバランス型の縦結合共振子型弾性波フィルタ部である、請求項1または2に記載の弾性波分波器。前記誘電体層は、樹脂からなる、請求項1~3のいずれか一項に記載の弾性波分波器。ところで、携帯電話機などの通信機では、RF回路を小型化するために、デュプレクサなどの分波器の小型化が求められている。小型な分波器としては、配線基板に弾性波フィルタチップがフリップチップ実装されており、弾性波フィルタチップが封止樹脂により封止されている、CSPChipSizePackage型の弾性波分波器が知られている。CSP型の弾性波分波器においては、送信フィルタや受信フィルタのフィルタ特性を改善するために、送信フィルタや受信フィルタに用いられるインダクタや、整合回路を構成するインダクタや遅延線などが、配線基板に形成されることがある。すなわち、配線基板の表面や内部に設けられた配線により、上記のインダクタや遅延線が形成されることがある。しかしながら、配線基板にインダクタや遅延線を形成した場合、配線基板内で電気的な結合などが生じたり、送信フィルタ及び受信フィルタのグラウンドが弱くなったりする場合がある。送信フィルタ及び受信フィルタのグラウンドが弱くなると、グラウンドに流れるべき通過帯域外の信号がグラウンドに流れにくくなる。このため、送信フィルタ及び受信フィルタにおける通過帯域外の減衰量が悪化することになる。その結果、弾性波分波器のアイソレーション特性が悪化することになる。特に、縦結合共振子型弾性表面波フィルタでは、ラダー型弾性表面波フィルタに比べて、グラウンドが弱いときに、通過帯域外の減衰量が悪化しやすい。そのため、受信フィルタとして縦結合共振子型弾性表面波フィルタを用いた弾性表面波デュプレクサは、特にアイソレーションが悪化しやすい。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、優れたアイソレーション特性を有する弾性波分波器を提供することにある。本発明に係る弾性波分波器は、弾性波フィルタチップと、配線基板とを備えている。弾性波フィルタチップは、縦結合共振子型弾性波フィルタ部を有する。縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、圧電基板と、複数のIDT電極とを含む。複数のIDT電極は、圧電基板の上に形成されている。配線基板は、ダイアタッチ面と裏面とを有する。ダイアタッチ面の上に弾性波フィルタチップが実装されている。配線基板は、複数のランド電極を含むランド電極層と、複数の端子を含む裏面端子層と、複数の配線電極を含む複数の中間電極層と、少なくとも3層の誘電体層とを有する。複数のランド電極は、ダイアタッチ面の上に形成されている。複数のランド電極は、弾性波フィルタチップに接続されている。複数の端子は、裏面の上に形成されている。複数の配線電極は、複数のランド電極と複数の端子とを接続している。誘電体層は、ランド電極層と複数の中間電極層と裏面端子層とのうち、いずれか2つの間に配置されている。誘電体層は、複数のランド電極と複数の配線電極と複数の端子とのうち、いずれかを接続する複数のビアホール電極を有する。複数の端子には、グラウンドに接続されるグラウンド端子が含まれている。複数のランド電極には、グラウンド端子に接続されているグラウンドランド電極が含まれている。複数の配線電極には、グラウンド端子とグラウンドランド電極とを接続している複数のグラウンド配線電極が含まれている。複数のビアホール電極は、第1のグラウンドビアホール電極と、第2のグラウンドビアホール電極と、第3のグラウンドビアホール電極とを含む。第1のグラウンドビアホール電極は、グラウンド配線電極間を接続している。第2のグラウンドビアホール電極は、グラウンド配線電極とグラウンドランド電極とを接続している。第3のグラウンドビアホール電極は、グラウンド配線電極とグラウンド端子とを接続している。第1のグラウンドビアホール電極が、第2及び第3のグラウンドビアホール電極のそれぞれよりも多く設けられている。本発明に係る弾性波分波器のある特定の局面では、弾性波分波器は、送信フィルタと受信フィルタとを備えている。受信フィルタは、縦結合共振子型弾性波フィルタ部により構成されている。本発明に係る弾性波分波器の他の特定の局面では、縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、平衡-不平衡変換機能を有するバランス型の縦結合共振子型弾性波フィルタ部である。本発明に係る弾性波分波器の別の特定の局面では、誘電体層は、樹脂からなる。なお、本発明において、樹脂には、フィラーや繊維状部材を含む樹脂が含まれるものとする。例えば、ガラスエポキシ樹脂も樹脂に含まれるものとする。本発明では、第1のグラウンドビアホール電極が、第2及び第3のグラウンドビアホール電極のそれぞれよりも多く設けられている、このため、弾性波分波器のアイソレーション特性を改善することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態について、弾性表面波分波器の一種である図1及び図2に示すデュプレクサ1を例に挙げて説明する。但し、デュプレクサ1は、単なる例示である。本発明に係る弾性波分波器は、デュプレクサ1に何ら限定されない。本発明に係る弾性波分波器は、例えばトリプレクサなどの、デュプレクサ以外の分波器であってもよい。また、本発明に係る弾性波分波器は、弾性境界波を利用した弾性境界波分波器であってもよい。本実施形態のデュプレクサ1は、例えば、UMTSのようなCDMA方式に対応する携帯電話機などのRF回路に搭載されるものである。具体的には、デュプレクサ1は、UMTS-BAND2に対応するデュプレクサである。なお、UMTS-BAND2の送信周波数帯は、1850MHz~1910MHzであり、受信周波数帯は、1930MHz~1990MHzである。図1は、本実施形態に係るデュプレクサ1の略図的回路図である。まず、図1を参照しながら、デュプレクサ1の回路構成について説明する。図1に示すように、デュプレクサ1は、アンテナに接続されるアンテナ端子21と、送信端子24と、第1及び第2の受信端子22a,22bとを有する。アンテナ端子21と送信端子24との間に、送信フィルタ14が接続されている。アンテナ端子21と第1及び第2の受信端子22a,22bとの間に、受信フィルタ15が接続されている。送信フィルタ14及び受信フィルタ15の接続点とアンテナ端子21との間の接続点と、グラウンドとの間には、インダクタL1からなる整合回路が接続されている。送信フィルタ14は、出力端子14aと、入力端子14bと、ラダー型弾性表面波フィルタ部14Aとを有する。出力端子14aは、アンテナ端子21と接続されている。入力端子14bは、送信端子24と接続されている。ラダー型弾性表面波フィルタ部14Aは、出力端子14aと入力端子14bとの間に接続されている。ラダー型弾性表面波フィルタ部14Aは、出力端子14aと入力端子14bとを接続している直列腕33を有する。直列腕33において、直列腕共振子S1,S2,S3が直列に接続されている。直列腕共振子S1,S2,S3のそれぞれは、ひとつの共振子として機能する複数の弾性表面波共振子により構成されている。このように、直列腕共振子S1,S2,S3のそれぞれが、複数の弾性表面波共振子によって構成されていることにより、送信フィルタ14の耐電力性を向上させることができる。なお、直列腕共振子S1,S2,S3のそれぞれは、1つの弾性表面波共振子により構成されていてもよい。ラダー型弾性表面波フィルタ部14Aは、直列腕33とグラウンドとの間に接続されている並列腕37~39を有する。並列腕37~39のそれぞれには、並列腕共振子P1,P2,P3が設けられている。並列腕共振子P1,P2,P3のそれぞれは、ひとつの共振子として機能する複数の弾性表面波共振子により構成されている。このように、並列腕共振子P1,P2,P3のそれぞれが、複数の弾性表面波共振子によって構成されていることにより、送信フィルタ14の耐電力性を向上させることができる。なお、並列腕共振子P1,P2,P3のそれぞれは、1つの弾性表面波共振子により構成されていてもよい。並列腕共振子P1,P2とグラウンドとの間には、インダクタL2が接続されている。並列腕共振子P3とグラウンドとの間には、インダクタL3が接続されている。送信フィルタ14は、キャパシタC1とインダクタL4とにより構成されているLC共振回路を有する。キャパシタC1とインダクタL4とは、入力端子14bと送信端子24との間に直列に接続されている。また、キャパシタC1とインダクタL4とは、互いに並列に接続されている。このLC共振回路により、送信フィルタ14の通過帯域よりも高域側に減衰極が形成される。また、キャパシタC1とインダクタL4とにより、送信端子24におけるインピーダンスが整合されている。直列腕共振子S1~S3及び並列腕共振子P1~P3のそれぞれを構成している各弾性表面波共振子は、1つのIDT電極と、当該IDT電極の弾性表面波伝搬方向両側に配置された1組の反射器とを有する。すなわち、直列腕共振子S1~S3及び並列腕共振子P1~P3のそれぞれを構成している弾性表面波共振子は、1ポート型弾性表面波共振子である。キャパシタC1は、互いに間挿し合っている一対の櫛歯状電極により構成されている。受信フィルタ15は、不平衡信号端子15aと、第1及び第2の平衡信号端子15b,15cとを有する。不平衡信号端子15aは、アンテナ端子21と接続されている。第1の平衡信号端子15bは、第1の受信端子22aと接続されている。第2の平衡信号端子15cは、第2の受信端子22bと接続されている。受信フィルタ15は、不平衡信号端子15aと、第1及び第2の平衡信号端子15b,15cとの間に接続されている、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15Aを有する。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15Aは、平衡-不平衡変換機能を有するバランス型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部である。なお、本実施形態において、不平衡信号端子15aのインピーダンスは50Ωである。第1及び第2の平衡信号端子15b,15cのインピーダンスは100Ωである。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15Aは、第1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1と、第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A2と、第3の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A3と、第4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A4と、弾性表面波共振子17a~17eとを有する。第1,第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1,15A2は、不平衡信号端子15aと第1の平衡信号端子15bとの間に接続されている。一方、第3,第4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A3,15A4は、不平衡信号端子15aと第2の平衡信号端子15cとの間に接続されている。第1~第4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1~15A4のそれぞれは、弾性表面波伝搬方向に沿って配置された3つのIDT電極と、それら3つのIDT電極が設けられている領域の弾性表面波伝搬方向両側に配置された一対の反射器とを有する。すなわち、第1~第4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1~15A4のそれぞれは、3IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部である。なお、第1~第4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1~15A4では、位相を反転するために、第1,第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1,15A2の弾性表面波伝搬方向両側に位置するIDT電極に対して、第3,第4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A3,15A4の弾性表面波伝搬方向両側に位置するIDT電極が反転されている。それ以外の構成は、第1,第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1,15A2と第3,第4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A3,15A4とで同じである。弾性表面波共振子17a~17cは、不平衡信号端子15aと第1~第4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1~15A4との間に直列に接続されている。弾性表面波共振子17a~17cのそれぞれは、1つのIDT電極と、当該IDT電極の弾性表面波伝搬方向両側に配置された1組の反射器とを有する。すなわち、弾性表面波共振子17a~17cのそれぞれは、1ポート型弾性表面波共振子である。弾性表面波共振子17a~17cは、送信フィルタ14との位相を調整するために設けられている。そのため、弾性表面波共振子17a~17cは、共振周波数が受信フィルタ15の通過帯域内に位置し、かつ反共振周波数が受信フィルタ15の通過帯域よりも高域側であって、通過帯域外に位置するように構成されている。弾性表面波共振子17dは、第1,第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1,15A2と第1の平衡信号端子15bとの間の接続点と、グラウンドとの間に接続されている。一方、弾性表面波共振子17eは、第3,第4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A3,15A4と第2の平衡信号端子15cとの間の接続点と、グラウンドとの間に接続されている。弾性表面波共振子17d,17eのそれぞれは、1つのIDT電極と、当該IDT電極の弾性表面波伝搬方向両側に配置された1組の反射器とを有する。すなわち、弾性表面波共振子17d,17eのそれぞれは、1ポート型弾性表面波共振子である。弾性表面波共振子17d,17eは、受信フィルタ15の帯域外減衰量を大きくするために設けられている。そのため、弾性表面波共振子17d,17eは、共振周波数が受信フィルタ15の通過帯域よりも低域側であって、通過帯域外に位置し、反共振周波数が通過帯域内に位置するように構成されている。なお、本実施形態では、第1~第4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1~15A4において、IDT電極同士が隣り合う部分には、IDT電極の端部に狭ピッチ電極指部が設けられている。狭ピッチ電極指部とは、IDT電極を構成する電極指の周期が、狭ピッチ電極指部が形成されている当該IDT電極の他の部分の電極指の周期よりも小さい部分である。図2は、本実施形態に係るデュプレクサ1の模式的断面図である。次に、図2を主として参照しながら、本実施形態のデュプレクサ1の具体的構成について説明する。図2に示すように、デュプレクサ1は、配線基板10と、送信側弾性表面波フィルタチップ18と、受信側弾性表面波フィルタチップ19とを備えている。図1に示すように、送信側弾性表面波フィルタチップ18には、送信フィルタ14のインダクタL2~L4を除く部分が形成されている。送信側弾性表面波フィルタチップ18には、端子14cが形成されている。端子14cは、キャパシタC1に接続されている。送信側弾性表面波フィルタチップ18は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されており、弾性表面波共振子を構成しているIDT電極及び反射器、キャパシタC1を構成している一対の櫛歯状電極、配線などを含む電極とを有する。一方、受信側弾性表面波フィルタチップ19には、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15Aを有する受信フィルタ15が形成されている。受信側弾性表面波フィルタチップ19は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されており、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15Aを構成しているIDT電極及び反射器、配線などを含む電極とを有する。デュプレクサ1の送信側弾性表面波フィルタチップ18及び受信側弾性表面波フィルタチップ19に用いられる圧電基板の具体例としては、例えば、LiNbO3基板やLiTaO3基板などの圧電単結晶基板が挙げられる。送信側弾性表面波フィルタチップ18及び受信側弾性表面波フィルタチップ19の電極は、例えば、アルミニウムなどの金属や合金により形成することができる。電極は、例えば、複数の金属層の積層体によって構成することもできる。図2に示すように、配線基板10は、ダイアタッチ面10aと、裏面10bとを有する。図2に示すように、上記送信側弾性表面波フィルタチップ18及び受信側弾性表面波フィルタチップ19は、ダイアタッチ面10aの上に、バンプ26によりフリップチップ実装されている。ダイアタッチ面10aの上には、送信側弾性表面波フィルタチップ18及び受信側弾性表面波フィルタチップ19を覆うように、封止樹脂層16が形成されている。すなわち、本実施形態のデュプレクサ1は、CSP型の弾性表面波フィルタ装置である。図2に示すように、配線基板10は、第1~第3の誘電体層41~43と第1~第4の電極層44~47との積層体により構成されている。第1の電極層44は、第1の誘電体層41の下に配置されている。第2の電極層45は、第1の誘電体層41と第2の誘電体層42の間に配置されている。第3の電極層46は、第2の誘電体層42と第3の誘電体層43の間に配置されている。第4の電極層47は、第3の誘電体層43の上に配置されている。第1~第3の誘電体層41~43には、それぞれ、複数のビアホール電極が形成されている。配線基板10は、電極層と誘電体層とが交互に積層されて形成されている積層基板である。なお、第1~第3の誘電体層41~43のそれぞれは、例えば、樹脂や、アルミナなどのセラミックスなどにより構成することができる。すなわち、配線基板10は、樹脂からなるプリント配線多層基板や、セラミック多層基板であってもよい。なお、本実施形態では、配線基板が3つの誘電体層と4つの電極層との積層体により構成されている例について説明する。但し、本発明は、この構成に限定されない。本発明においては、配線基板は、4層以上の誘電体層を有していてもよい。図3は、本実施形態に係るデュプレクサ1における、配線基板10の第4の電極層47と第3の誘電体層43との模式的透視平面図である。図4は、本実施形態に係るデュプレクサ1における、配線基板10の第3の電極層46と第2の誘電体層42との模式的透視平面図である。図5は、本実施形態に係るデュプレクサ1における、配線基板10の第2の電極層45と第1の誘電体層41との模式的透視平面図である。図6は、本実施形態に係るデュプレクサ1における、配線基板10の第1の電極層44の模式的透視平面図である。図3~図6は、送信側弾性表面波フィルタチップ18及び受信側弾性表面波フィルタチップ19側からデュプレクサ1を透視した状態を示している。図3に示すように、第4の電極層47は、ランド電極47a~47lにより構成されている。第4の電極層47は、ランド電極層である。ランド電極47a~47lは、配線基板10のダイアタッチ面10aの上に形成されており、送信側弾性表面波フィルタチップ18及び受信側弾性表面波フィルタチップ19に接続されている。図4に示すように、第3の電極層46は、電極46a~46c,46e,46g~46jにより構成されている。第3の電極層46は、中間電極層である。電極46a~46c,46e,46g~46jは、ランド電極47a~47lを、アンテナ端子21と、第1及び第2の受信端子22a,22bと、送信端子24と、グラウンド端子25とのいずれかに接続する配線電極である。図5に示すように、第2の電極層45は、電極45a~45c,45e,45g,45jにより構成されている。第2の電極層45は、中間電極層である。電極45a~45c,45e,45g,45jは、ランド電極47a~47lを、アンテナ端子21と、第1及び第2の受信端子22a,22bと、送信端子24と、グラウンド端子25とのいずれかに接続する配線電極である。図6に示すように、第1の電極層44は、アンテナ端子21と、第1及び第2の受信端子22a,22bと、送信端子24と、グラウンド端子25とにより構成されている。第1の電極層44は、裏面端子層である。アンテナ端子21と、第1及び第2の受信端子22a,22bと、送信端子24と、グラウンド端子25とは、配線基板10の裏面10bの上に形成されている。第1の電極層44のアンテナ端子21は、第1の誘電体層41のビアホール電極53aによって、第2の電極層45の電極45aに接続されている。第2の電極層45の電極45aは、第2の誘電体層42のビアホール電極52aによって、第3の電極層46の電極46aに接続されている。第3の電極層46の電極46aは、第3の誘電体層43のビアホール電極51a,51dによって、第4の電極層47のランド電極47a,47dに接続されている。第4の電極層47のランド電極47aは、受信側弾性表面波フィルタチップ19の不平衡信号端子15aに接続されている。第4の電極層47のランド電極47dは、送信側弾性表面波フィルタチップ18の出力端子14aに接続されている。第1の電極層44の第1の受信端子22aは、第1の誘電体層41のビアホール電極53bによって、第2の電極層45の電極45bに接続されている。第2の電極層45の電極45bは、第2の誘電体層42のビアホール電極52bによって、第3の電極層46の電極46bに接続されている。第3の電極層46の電極46bは、第3の誘電体層43のビアホール電極51bによって、第4の電極層47のランド電極47bに接続されている。第4の電極層47のランド電極47bは、受信側弾性表面波フィルタチップ19の第1の平衡信号端子15bに接続されている。第1の電極層44の第2の受信端子22bは、第1の誘電体層41のビアホール電極53cによって、第2の電極層45の電極45cに接続されている。第2の電極層45の電極45cは、第2の誘電体層42のビアホール電極52cによって、第3の電極層46の電極46cに接続されている。第3の電極層46の電極46cは、第3の誘電体層43のビアホール電極51cによって、第4の電極層47のランド電極47cに接続されている。第4の電極層47のランド電極47cは、受信側弾性表面波フィルタチップ19の第2の平衡信号端子15cに接続されている。第1の電極層44の送信端子24は、第1の誘電体層41のビアホール電極53eによって、第2の電極層45の電極45eに接続されている。第2の電極層45の電極45eは、電極部45e1,45e2とを有する。電極部45e1は、第2の電極層45の電極45eの一方の端部から、第1の誘電体層41のビアホール電極53eとの接続点までの部分である。電極部45e2は、第2の電極層45の電極45eの他方の端部から、第1の誘電体層41のビアホール電極53eとの接続点までの部分である。電極部45e1は、インダクタL4を構成している。第2の電極層45の電極45eは、第2の誘電体層42のビアホール電極52e,52hによって、第3の電極層46の電極46e,46hに接続されている。第3の電極層46の電極46eは、インダクタL4を構成している。第3の電極層46の電極46eは、第3の誘電体層43のビアホール電極51eによって、第4の電極層47のランド電極47eに接続されている。第4の電極層47のランド電極47eは、送信側弾性表面波フィルタチップ18の入力端子14bに接続されている。第3の電極層46の電極46hは、第3の誘電体層43のビアホール電極51hによって、第4の電極層47のランド電極47hに接続されている。第4の電極層47のランド電極47hは、送信側弾性表面波フィルタチップ18の端子14cに接続されている。第1の電極層44のグラウンド端子25は、第1の誘電体層41のビアホール電極53gによって、第2の電極層45の電極45gに接続されている。第2の電極層45の電極45gは、インダクタL2を構成している。第2の電極層45の電極45gは、第2の誘電体層42のビアホール電極52gによって、第3の電極層46の電極46gに接続されている。第3の電極層46の電極46gは、インダクタL2を構成している。第3の電極層46の電極46gは、第3の誘電体層43のビアホール電極51f,51gによって、第4の電極層47のランド電極47f,47gに接続されている。第4の電極層47のランド電極47fは、送信側弾性表面波フィルタチップ18の並列腕共振子P2に接続されている。第4の電極層47のランド電極47gは、送信側弾性表面波フィルタチップ18の並列腕共振子P1に接続されている。また、第1の電極層44のグラウンド端子25は、第1の誘電体層41の複数のビアホール電極53jによって、第2の電極層45の電極45jに接続されている。第2の電極層45の電極45jは、第2の誘電体層42の複数のビアホール電極52i,52jによって、第3の電極層46の電極46i,46jに接続されている。第3の電極層46の電極46iは、インダクタL3を構成している。第3の電極層46の電極46iは、第3の誘電体層43のビアホール電極51iによって、第4の電極層47のランド電極47iに接続されている。第4の電極層47のランド電極47iは、送信側弾性表面波フィルタチップ18の並列腕共振子P3に接続されている。第3の電極層46の電極46jは、第3の誘電体層43のビアホール電極51j,51k,51lによって、第4の電極層47のランド電極47j,47k,47lに接続されている。第4の電極層47のランド電極47j,47k,47lは、受信側弾性表面波フィルタチップ19の第1~第4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1~15A4及び弾性表面波共振子17d,17eに接続されている。配線基板10において、グラウンド端子25は、送信フィルタ14と受信フィルタ15とをグラウンドに接続するグラウンド電極である。また、ランド電極47j,47k,47lと、ビアホール電極51j,51k,51lと、電極46jと、複数のビアホール電極52jと、電極45jと、複数のビアホール電極53jとは、受信フィルタ15をグラウンドに接続するグラウンド電極である。このため、ランド電極47j,47k,47lは、グラウンドランド電極である。電極46jと電極45jとは、グラウンド端子25とランド電極47j,47k,47lとを接続している、グラウンド配線電極55である。複数のビアホール電極52jは、グラウンド配線電極55である電極46jと、グラウンド配線電極55である電極45jとを接続している、第1のグラウンドビアホール電極である。ビアホール電極51j,51k,51lは、グラウンド配線電極55である電極46jと、グラウンドランド電極であるランド電極47j,47k,47lとを接続している、第2のグラウンドビアホール電極である。複数のビアホール電極53jは、グラウンド配線電極55である電極45jと、グラウンド端子25とを接続している、第3のグラウンドビアホール電極である。本実施形態では、配線基板10において、第1のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極52jが、第2のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極51j,51k,51l及び第3のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極53jのいずれよりも多く設けられている。具体的には、本実施形態では、ビアホール電極52jは、14個設けられている。ビアホール電極51j,51k,51lは、合計3個設けられている。ビアホール電極53jは、4個設けられている。従って、デュプレクサ1のアイソレーション特性を改善することができる。例えば、第3のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極53jの数を多くし、第1及び第2のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極52j,51j,51k,51lの数を少なくした場合は、受信側弾性表面波フィルタチップ19に近い位置でのグラウンドが弱くなってしまう。このため、受信側弾性表面波フィルタチップ19において、グラウンドに流れるべき通過帯域外の信号がグラウンドに流れにくくなってしまう。従って、アイソレーション特性が悪化する。また、例えば、第2のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極51j,51k,51lの数を多くし、第1及び第3のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極52j,53jの数を少なくすることも考えられる。この場合は、受信側弾性表面波フィルタチップ19に近い位置でのグラウンドは強化される。しかしながら、このような構成では、受信側弾性表面波フィルタチップ19の圧電基板上に形成された電極と、配線基板10の第4の電極層47との容量結合が大きくなってしまう。従って、アイソレーション特性が悪化する。第2のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極51j,51k,51lに加えて、第1及び第3のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極52j,53jの少なくとも一方の数を多くした場合も同様である。また、ビアホール電極51j,51k,51lと、ビアホール電極52jと、ビアホール電極53jのすべての数を多くすると、配線基板が樹脂からなるプリント配線基板である場合、レーザの照射によるビアホール電極の形成に要する時間が長くなってしまい、デュプレクサの生産性が低下してしまう。それに対して、本実施形態のように、第1のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極52jを、第2のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極51j,51k,51l及び第3のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極53jのいずれよりも多く設けた場合は、受信側弾性表面波フィルタチップ19に近い位置でのグラウンドを強化しつつ、受信側弾性表面波フィルタチップ19の圧電基板上に形成された電極と、配線基板10の第4の電極層47との容量結合を小さくすることができる。従って、デュプレクサ1のアイソレーション特性を向上させることができる。以下、この効果について、具体例を参照しつつ、さらに詳細に説明する。なお、以下の実施例並びに第1及び第2の比較例の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。実施例まず、実施例として、下記の設計パラメータで、上記実施形態に係るデュプレクサ1を作製した。なお、IDT電極の電極指の周期で定まる弾性表面波の波長をλIとする。実施例の設計パラメータ受信側弾性表面波フィルタチップ19の圧電基板:40°±5°YカットX伝搬LiTaO3基板受信側弾性表面波フィルタチップ19の電極:Al,Ti第1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1:IDT電極の交叉幅:30.4λI両側のIDT電極の電極指の本数:39本うち、狭ピッチ電極指の本数:5本中央のIDT電極の電極指の本数:43本うち、一方側端部の狭ピッチ電極指の本数:3本、他方側端部の狭ピッチ電極指の本数:7本反射器の電極指の本数:65本IDT電極及び反射器のメタライゼーションレシオ:0.68IDT電極及び反射器の電極膜厚:0.091λI両側のIDT電極のうちの一方側のIDT電極の狭ピッチ電極指の周期を、他方側のIDT電極の狭ピッチ電極指の周期より0.09μm小さく設計している。第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A2:第1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1と同じ設計パラメータ第3,第4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A3,15A4:第1,第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部15A1,15A2と、両側のIDT電極が反転されている点のみが異なる。弾性表面波共振子17a~17c:IDT電極の交叉幅:11.0λIIDT電極の電極指の本数:71本反射器の電極指の本数:18本IDT電極及び反射器のメタライゼーションレシオ:0.60IDT電極及び反射器の電極膜厚:0.095λI弾性表面波共振子17d,17e:IDT電極の交叉幅:30.0λIIDT電極には、IDT電極の中央部分の交差幅が最も大きくなるように交差幅重み付けが施されており、上記の値は交差幅が最も大きい部分の値である。IDT電極の電極指の本数:111本反射器の電極指の本数:18本IDT電極及び反射器のメタライゼーションレシオ:0.60IDT電極及び反射器の電極膜厚:0.091λI第1及び第2の比較例第1及び第2の比較例では、配線基板10の構成が異なる以外は、上記実施例と同様の構成を有するデュプレクサを作製した。図7は、第1の比較例のデュプレクサにおける、配線基板10の第4の電極層47と第3の誘電体層43との模式的透視平面図である。図8は、第1の比較例のデュプレクサにおける、配線基板10の第3の電極層46と第2の誘電体層42との模式的透視平面図である。図9は、第1の比較例のデュプレクサにおける、配線基板10の第2の電極層45と第1の誘電体層41との模式的透視平面図である。図10は、第1の比較例のデュプレクサにおける、配線基板10の第1の電極層44の模式的透視平面図である。図7~図10は、送信側弾性表面波フィルタチップ18及び受信側弾性表面波フィルタチップ19側から第1の比較例のデュプレクサを透視した状態を示している。図7~図10に示すように、第1の比較例のデュプレクサでは、ビアホール電極52jは、4個設けられている。ビアホール電極51j,51k,51lは、合計3個設けられている。ビアホール電極53jは、21個設けられている。従って、第1の比較例のデュプレクサでは、ビアホール電極52jは、ビアホール電極51j,51k,51lよりは多く設けられているものの、ビアホール電極53jよりは少なく設けられている。図11は、第2の比較例のデュプレクサにおける、配線基板10の第4の電極層47と第3の誘電体層43との模式的透視平面図である。図12は、第2の比較例のデュプレクサにおける、配線基板10の第3の電極層46と第2の誘電体層42との模式的透視平面図である。図13は、第2の比較例のデュプレクサにおける、配線基板10の第2の電極層45と第1の誘電体層41との模式的透視平面図である。図14は、第2の比較例のデュプレクサにおける、配線基板10の第1の電極層44の模式的透視平面図である。図11~図14は、送信側弾性表面波フィルタチップ18及び受信側弾性表面波フィルタチップ19側から第2の比較例のデュプレクサを透視した状態を示している。図11~図14に示すように、第2の比較例のデュプレクサでは、ビアホール電極52jは、4個設けられている。ビアホール電極51j,51k,51lは、合計10個設けられている。ビアホール電極53jは、4個設けられている。従って、第2の比較例のデュプレクサでは、ビアホール電極52jは、ビアホール電極53jと同数であって、ビアホール電極51j,51k,51lよりも少ない数だけ設けられている。実施例及び第1及び第2の比較例のデュプレクサのアイソレーション特性次に、実施例のデュプレクサ1並びに第1及び第2の比較例のデュプレクサのアイソレーション特性を測定した。具体的には、アイソレーション特性として、送信端子24と第1及び第2の受信端子22a,22bとの間の差動状態でのアイソレーション特性である差動特性と、送信端子24と第1の受信端子22aとの間のアンバランスモードでのアイソレーション特性である第1のアンバランスモードと、送信端子24と第2の受信端子22bとの間のアンバランスモードでのアイソレーション特性である第2のアンバランスモードとを測定した。図15に、実施例のデュプレクサ1の差動特性と、第1の比較例のデュプレクサの差動特性とを示す。図16に、実施例のデュプレクサ1の第1のアンバランスモードと、第1の比較例のデュプレクサの第1のアンバランスモードとを示す。図17に、実施例のデュプレクサ1の第2のアンバランスモードと、第1の比較例のデュプレクサの第2のアンバランスモードとを示す。図15に示すように、差動特性での送信周波数帯1850~1910MHzにおける減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ1では57.7dBであり、第1の比較例のデュプレクサでは56.2dBであった。実施例のデュプレクサ1は、差動特性が第1の比較例のデュプレクサよりも1.5dB優れていた。図16に示すように、第1のアンバランスモードでの送信周波数帯1850~1910MHzにおける減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ1では56.0dBであり、第1の比較例のデュプレクサでは55.0dBであった。実施例のデュプレクサ1は、第1のアンバランスモードが第1の比較例のデュプレクサよりも1.0dB優れていた。図17に示すように、第2のアンバランスモードでの送信周波数帯1850~1910MHzにおける減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ1では52.7dBであり、第1の比較例のデュプレクサでは50.7dBであった。実施例のデュプレクサ1は、第2のアンバランスモードが第1の比較例のデュプレクサよりも2.0dB優れていた。図18に、実施例のデュプレクサ1の差動特性と、第2の比較例のデュプレクサの差動特性とを示す。図19に、実施例のデュプレクサ1の第1のアンバランスモードと、第2の比較例のデュプレクサの第1のアンバランスモードとを示す。図20に、実施例のデュプレクサ1の第2のアンバランスモードと、第2の比較例のデュプレクサの第2のアンバランスモードとを示す。図18に示すように、差動特性での送信周波数帯1850~1910MHzにおける減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ1では57.7dBであり、第2の比較例のデュプレクサでは56.0dBであった。実施例のデュプレクサ1は、差動特性が第2の比較例のデュプレクサよりも1.7dB優れていた。図19に示すように、第1のアンバランスモードでの送信周波数帯1850~1910MHzにおける減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ1では56.0dBであり、第2の比較例のデュプレクサでは56.0dBであった。実施例のデュプレクサ1は、第2の比較例のデュプレクサと第1のアンバランスモードが同等であった。図20に示すように、第2のアンバランスモードでの送信周波数帯1850~1910MHzにおける減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ1では52.7dBであり、第2の比較例のデュプレクサでは51.0dBであった。実施例のデュプレクサ1は、第2のアンバランスモードが第2の比較例のデュプレクサよりも1.7dB優れていた。以上の結果から、第1のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極52jを、第2のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極51j,51k,51l及び第3のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極53jのいずれよりも多く設けることにより、デュプレクサ1のアイソレーション特性を改善できることが分かる。"