"硬化性樹脂材料を被処理基板に滴下して、前記被処理基板に滴下された前記硬化性樹脂材料に、テンプレートを接触させて凹凸で作成されたパターンを転写するインプリント装置であって、前記被処理基板に向けて前記硬化性樹脂材料を吐出して滴下させる吐出部と、前記被処理基板が載置されるステージと、所望の位置に前記硬化性樹脂材料を滴下させるために前記ステージと前記吐出部とを相対的に移動させる移動部と、滴下された前記硬化性樹脂材料と前記パターンとが平面的に重なる状態で、前記テンプレートを接触させる前に前記パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料とを観察する観察部と、を備えるインプリント装置。前記硬化性樹脂材料に所望の凹凸を転写するための第1パターンと、前記硬化性樹脂材料の滴下位置を観察するための第2パターンとを有して構成され、前記観察部は、前記第2パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料とを観察する請求項1に記載のインプリント装置。前記第2パターンの凹部の幅に対する凹部の深さの比が、第1パターンの凹部の幅に対する凹部の深さの比よりも小さい請求項2に記載のインプリント装置。前記吐出部には、略一定のピッチで前記硬化性樹脂材料を吐出する吐出口が形成され、前記第2パターンの凹部同士の間隔は、前記吐出口のピッチと略等しい請求項2または3に記載のインプリント装置。前記第2パターンの凹部同士の間隔は、前記移動部の最小稼動ピッチと略等しい請求項2~4のいずれか1項に記載のインプリント装置。前記第2パターンの凸部が格子状に形成されていることを特徴とする請求項2~5のいずれか1項に記載のインプリント装置。前記観察部による観察結果に基づいて、前記硬化性樹脂材料が適切な位置に滴下されているかを判別する判別部と、前記判別部により滴下位置が不適と判別された場合に、硬化性樹脂材料に転写されたパターンを検査する検査部をさらに備える請求項1~6のいずれか1項に記載のインプリント装置。前記観察部による観察結果に基づいて、前記硬化性樹脂材料の滴下位置のずれ量を検出するずれ検出部と、前記ずれ量を前記移動部にフィードバックして、前記ステージと前記吐出部とを相対的に移動させる制御部と、をさらに備える請求項1~7のいずれか1項に記載のインプリント装置。硬化性樹脂材料を被処理基板に滴下して、前記被処理基板に滴下された前記硬化性樹脂材料に、テンプレートに凹凸で作成されたパターンを転写するインプリント方法であって、前記硬化性樹脂材料を吐出部から吐出して前記被処理基板に向けて滴下させ、所望の位置に前記硬化性樹脂材料を滴下させるために、前記被処理基板が載置されるステージと、前記ステージと前記吐出部とを相対的に移動させ、滴下された前記硬化性樹脂材料と前記パターンとが平面的に重なる状態で、前記テンプレートを接触させる前に前記パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料とを観察するインプリント方法。硬化性樹脂材料を被処理基板に滴下して、前記被処理基板に滴下された前記硬化性樹脂材料に、テンプレートに凹凸で作成されたパターンを転写する凹凸板の製造方法であって、前記硬化性樹脂材料を吐出部から吐出して前記被処理基板に向けて滴下させ、所望の位置に前記硬化性樹脂材料を滴下させるために、前記被処理基板が載置されるステージと、前記ステージと前記吐出部とを相対的に移動させ、滴下された前記硬化性樹脂材料と前記パターンとが平面的に重なる状態で、前記テンプレートを接触させる前に前記パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料とを観察する凹凸板の製造方法。本発明は、硬化性樹脂材量の滴下位置のずれをなるべく早く検知することのできるインプリント装置、インプリント方法および凹凸基板の製造方法を提供することを目的とする。本願発明の一態様によれば、インプリント装置は、硬化性樹脂材料を被処理基板に滴下して、被処理基板に滴下された硬化性樹脂材料に、テンプレートを接触させて凹凸で作成されたパターンを転写するインプリント装置である。インプリント装置は、吐出部と、ステージと、移動部と、観察部と、を備える。吐出部は、被処理基板に向けて硬化性樹脂材料を吐出して滴下させる。ステージには、被処理基板が載置される。移動部は、所望の位置に硬化性樹脂材料を滴下させるためにステージと吐出部とを相対的に移動させる。観察部は、滴下された硬化性樹脂材料とパターンとが平面的に重なる状態で、テンプレートを接触させる前にパターンと滴下された硬化性樹脂材料とを観察する。以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態にかかるインプリント装置、インプリント方法および凹凸板の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施の形態まず、ナノインプリンティングによる一般的な転写工程について説明する。図1-1~図1-3は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。図2は、インプリント装置の概略構成を示すブロック図である。なお、ここでは一例として、紫外線照射によりレジスト光硬化性樹脂材料を硬化させる光ナノインプリントについて説明するが、本実施形態は加熱によりレジスト熱硬化性樹脂材料を硬化させる熱ナノインプリンティングにも適用できる。転写工程では、まず、図1-1に示すように、加工対象のウェハ100被処理基板の一例にレジスト材料101硬化性樹脂材料の一例が塗布される。インプリント装置1は、ウェハ100に対してレジスト材料101を吐出する吐出部163を有する。テンプレート102に凹凸で形成されたパターンに基づいて、レジスト材料101の滴下位置が定められる。例えば、パターンの密度が高い部分では滴下密度を大きくし、パターンの密度が低い部では滴下密度を小さくする。続いて、レジスト材料101が塗布されたウェハ100にテンプレート102が接触される。すると、毛細管現象によりテンプレート102に形成されているパターンの凹部にレジスト材料101が入り込む。レジスト材料101が凹部に十分に入り込んだ後、図1-2に示すようにテンプレート102の上方から紫外線が照射される。なお、ウェハ100にテンプレート102をプレスしてもよい。テンプレート102は、紫外線UV光を透過する石英などの材質で構成されており、テンプレート102の上方から照射されたUV光はテンプレート102を透過してレジスト材料101に照射される。レジスト材料101はUV光照射により硬化する。レジスト材料101の硬化後、テンプレート102が離型される。これにより、図1-3に示すように、ウェハ100上のレジスト材料101に、テンプレート102に形成されたパターンが転写される。次に、インプリント装置1について詳細に説明する。インプリント装置1は、インプリント部2とインプリント制御部3とを備えて構成される。インプリント制御部3は、インプリント部2の制御を行う。インプリント部2においては、ステージ166、テンプレート102、移動部165、吐出部163、UV光源167、撮像装置181などが同一チャンバー162内に配置されている。さらに、チャンバー162をステージ定盤168及び除振台170が支えている。ウェハ100は、チャンバー162内のステージ166上に載置される。ステージ166は、移動部165が駆動することでチャンバー162内を移動可能とされている。ステージ166は、チャンバー162内を移動することで、吐出部163の下や、テンプレート102の下や、撮像装置181の下にウェハ100を移動させる。また、レジスト材料101が吐出部163から滴下される際には、所望の位置にレジスト材料101が滴下されるように、ウェハ100を移動させる。なお、移動部165は、例えばモータである。吐出部163は、レジスト材料101をインクジェット方式でウェハ100上に塗布する。図3は、吐出部163の概略構成を示す図であって、吐出口163a側から見た図である。吐出部163には、レジスト材料101を液滴として吐出する複数の吐出口163aが二列に配列されている。吐出部163は、複数の吐出口163aを有することで、一度に複数の液滴を吐出することができる。図4は、ウェハ100の平面図であって、ショット配置を説明するための図である。インプリント部2のインプリント機構はステップリピート方式、すなわち、図4に示す1つのショット領域Aごとにインプリントを行う。具体的には、1つのショット領域Aへのレジスト材料101の塗布、パターンの転写が行われると、ウェハ100が移動されて、例えば隣接する他のショット領域Aへのレジスト材料101の塗布、パターンの転写が行われる。すなわち、吐出部163は、1度に1ショット分のレジスト材料101をウェハ100に向けて滴下させる。テンプレート102には、凹凸で作成されたパターンが形成されている。インプリント部2のインプリント機構はステップリピート方式であるため、テンプレート102には、1ショット分の凹凸が形成されている。テンプレート102に形成されるパターンには、ウェハ100から個片化された最終製品を半導体集積回路として機能させるために必要となるデバイス用パターン第1パターンと、レジスト材料101がウェハ100上の適切な位置に滴下されているか否かを観察するためのモニタ用パターン第2パターンとが含まれる。モニタ用パターンは、ショット領域のうち、デバイス用パターンが形成されていない領域に形成される。すなわち、モニタ用パターンによって転写されるパターンは、半導体集積回路としての機能には略無関係に形成されるものである。図5-1は、テンプレート102のモニタ用パターン106が形成された部分を拡大した部分拡大平面図である。図5-2は、図5-1に示すA-A線に沿った矢視断面図である。図5-3は、テンプレート102に形成されたデバイス用パターン105とモニタ用パターン106の断面構成を示す図である。図5-1,5-2に示すように、モニタ用パターン106は、凸部106aと凹部106bとがライン状に交互に形成されて構成される。なお、図5-1では、明確化のために凸部106aを黒く塗りつぶして示しているが、実際に塗料などを塗布しているわけではない他の図でも同様。モニタ用パターン106の凸部106aが形成されるピッチL2は、吐出部163に吐出口163aが形成されるピッチL1図3を参照と略等しくなっている。また、図5-3に示すように、モニタ用パターン106の凹部106bの幅L3に対する深さL4の比が、デバイス用パターン105の凹部105bの幅L5に対する深さL6の比に比べて小さくなっているすなわち、L4/L3<L6/L5となる。これは、モニタ用パターン106の凹部105bは、後に詳説するが、レジスト材料101の滴下位置を観察するために、デバイス用パターン105の凹部106bに比べて幅が広く形成される。そのため、毛細管現象によって凹部106bにレジスト材料101が入り込もうとする力が弱くなる。そこで、凹部106bを浅く形成して、凹部106bにレジスト材料101がより確実に入り込むようにしているため、上述したように、L4/L3<L6/L5となる。撮像装置181は、第1撮像装置観察部181aと第2撮像装置181bとを有して構成される。第1撮像装置181aは、ウェハ100へのレジスト材料101の滴下位置を観察するためのものである。第1撮像装置181aは、例えば、CCDカメラである。撮像装置181は、テンプレート102に形成されたモニタ用パターン106と、ウェハ100に滴下されたレジスト材料101とを平面的に重ねた状態で撮像する。なお、図2では、第1撮像装置181aがUV光源167からのUV光の照射の邪魔になる位置に配置されているが、UV光の照射を行う間はUV光の照射の邪魔にならない位置に移動するように構成すればよい。図6は、第1撮像装置181aによる観察結果の例を示す図である。テンプレート102は、石英などで構成されているため、テンプレート102とレジスト材料101を重ねて、テンプレート102側から撮像した場合であっても、テンプレート102を通してレジスト材料101を観察することができる。モニタ用パターン106の凸部106aは、吐出部163に吐出口163aが形成されるピッチL1と略等しいピッチで形成されているので、凸部106a同士の間、すなわち凹部106bの略中央部分にレジスト材料101が重なる。しかし、吐出部163への吐出口163aを形成する精度が低い場合や、ウェハ100を移動させる精度が低い場合などには、レジスト材料101の滴下位置が凹部106bの中央部分からずれてしまう場合がある。ここで、凸部106a同士の間隔、すなわち凹部106bの幅L2-1を、ウェハ100上に規定量で滴下されたレジスト材料101の平面的な外径L2-2と略等しくすれば、滴下位置が僅かにずれた場合でも、レジスト材料101と凸部106aが重なるので、滴下位置のずれを判別しやすくなる。次に、レジスト材料101の滴下位置のずれの観察についてより詳細に説明する。図7は、インプリント制御部3の概略構成を示すブロック図である。インプリント制御部3は、観察制御部5と、判別部6と、第1記憶部7と、検査部8と、検出部10と、第2記憶部11と、フィードバック制御部12と、を有して構成される。観察制御部5は、第1撮像装置181aを制御して、レジスト材料101の滴下位置を観察させる。観察制御部5は、ウェハ100とテンプレート102とが平面的に重なる状態で、ウェハ100上のレジスト材料101とテンプレート102とを第1撮像装置181aに撮像させる。特に、モニタ用パターン106とレジスト材料101とを撮像させる。観察制御部5は、適切な位置にレジスト材料101が滴下され、かつ、移動部165によってステージ166が誤差なく移動されると仮定した場合に、滴下されたレジスト材料101がモニタ用パターン106の凹部106bと重なるように、移動部165に対して位置指令を生成し、ウェハ100を移動させる。また、ウェハ100にテンプレート102が接触される前に第1撮像装置181aによる撮像が行われる。テンプレート102がウェハ100に接触される前であれば、テンプレート102とウェハ100との間には隙間があるため、凹部105b,106bに入り込んでいない状態でレジスト材料101が撮像される。撮像された情報は、第1撮像装置181aから判別部6および検出部10に送信される。判別部6は、第1撮像装置181aに撮像された情報に基づいて、レジスト材料101がウェハ100上の適切な位置に滴下されているか否かを判別する。図8-1は、レジスト材料101が適切な位置に滴下されていると判別部6が判断する場合の観察結果を説明する図である。図8-2は、図8-1に示すB-B線に沿った矢視断面図である。図9-1は、レジスト材料101が不適切な位置に滴下されていると判別部6が判断する場合の観察結果を説明する図である。図9-2は、図9-1に示すC-C線に沿った矢視断面図である。本実施の形態ではモニタ用パターン106の凸部106aが形成されるピッチL2図6を参照は、吐出部163に吐出口163aが形成されるピッチL1図3を参照と略等しくなっているので、レジスト材料101は、図8-1に示すように、凸部106aの間に位置することとなる。また、凹部106bの幅L2-1を、ウェハ100上に規定量で滴下されたレジスト材料101の平面的な外径L2-2と略等しくすることで、凸部106aとレジスト材料101との隙間を無くすことができる。判別部6は、図8-1,8-2に示すように、モニタ用パターン106の凹部106bとレジスト材料101が重なっていない場合に、そのレジスト材料101が適切な位置に滴下されたと判別する。また、図9-1,9-2に示すように、レジスト材料101と凸部106aが重なっている場合に、判別部6は、レジスト材料101が適切な位置に滴下されていないと判別する。そして、図4に示すような複数のショット領域Aに対して、レジスト材料101の塗布が行われるたびに、テンプレート102を接触させる前に、滴下位置の判別が判別部6によって繰り返される。モニタ用パターン106が形成された領域でレジスト材料101の滴下位置にずれがあれば、デバイス用パターン105が形成された領域でもレジスト材料101の滴下位置にずれが生じていると考えられる。レジスト材料101は、デバイス用パターン105の密度などに応じて、塗布量や滴下位置が制御されているため、レジスト材料101の滴下位置がずれるとパターンの転写に不具合が生じる場合がある。そこで、検査部8は、第1記憶部7に記憶された判別結果を用いた所定の基準に基づいて、レジスト材料101が適切な位置に滴下されなかったために、デバイス用パターン105が適切に転写されなかったおそれのあるショット領域A不具合の可能性のあるショット領域Aを抽出する。例えば、図6に示す複数のレジスト材料101のうち、所定の割合例えば、3割以上のレジスト材料101が適切な位置に滴下されていない場合には、そのときのショット領域Aを不具合の可能性があるショット領域Aとして抽出しておく。例えば、インプリント部2のチャンバー162内では、ウェハ100に対してヘリウムガスの吹き付けなどが行われている。このヘリウムガスの吹き付けが強すぎる場合には、多くのレジスト材料101で滴下位置がずれてしまい、転写されたパターンに不具合が生じる場合がある。なお、上記所定の基準は、さまざまに変更可能である。また、ショット領域Aの抽出は、各ショット領域Aへのパターンの転写が終了するたびに実行されてもよいし、ウェハ100全体へのパターンの転写図4に示すすべてのショット領域Aへの転写が終了してから実行されてもよい。検査部8は、不具合の可能性があるショット領域Aに対して、デバイス用パターン105によってレジスト材料101に転写されたパターンを検査する。例えば、転写されたパターンの欠けの有無などを検査する。具体的には、不具合の可能性があるショット領域Aを、第2撮像装置181bを用いて検査する。ここで、第2撮像装置181bには、第1撮像装置181aよりも高精細に撮像可能な撮像装置が用いられる。例えば、第2撮像装置181bとして顕微鏡を用いることができる。デバイス用パターン105は、モニタ用パターン106よりも細かく形成されるので、第1撮像装置181aよりも高精細に撮像可能な第2撮像装置181bを用いる。図10は、インプリント装置1によるレジスト材料101の塗布から転写されたパターンの検査の流れを説明するためのフローチャートである。まず、ウェハ100上にレジスト材料101が塗布されるステップS1。次に、ウェハ100と、吐出部163と、テンプレート102との相対的な位置関係を検知しステップS2、ウェハ100をテンプレート102と重なる位置に移動させるステップS3。次に、テンプレート102とレジスト材料101とが撮像されステップS4、レジスト材料101の滴下位置が適切であるか否かが判別され、不具合の可能性があるショット領域Aが抽出されるステップS5。次に、不具合の可能性があるショット領域Aが抽出されていればステップS6,Yes、そのショット領域Aでレジスト材料101に転写されたパターンの検査が行われるステップS7。不具合の可能性があるショット領域Aが抽出されていなければステップS6,No、レジスト材料101に転写されたパターンの検査は行われない。また、不具合の可能性があるショット領域Aが抽出されていた場合でも、抽出されたショット領域A以外のショット領域Aにはパターンの検査は行われない。検出部10は、第1撮像装置181aに撮像された情報に基づいて、レジスト材料101の滴下位置のずれ量を算出する。図8-1に示すように、適切な位置に滴下された場合には、レジスト材料101と凸部106aとの間に隙間がほとんど形成されない。そのため、ずれ量は0となる。一方、図9-1に示すようにレジスト材料101の滴下位置にずれがある場合には、レジスト材料101と凸部106aとの重なりがずれ量L7となる。検出部10は、算出したずれ量を第2記憶部11に記憶させる。フィードバック制御部12は、第2記憶部11に記憶されたずれ量を、次回以降のステージ166の移動にフィードバックする。例えば、図6に示す複数のレジスト材料101のほとんどでずれ量が算出された場合には、移動部165によるステージ166の移動制御になんらかの誤差が生じているものと考えられる。そこで、例えば、算出されたずれ量の平均を誤差量として、移動部165に対する位置指令に加減するフィードバックを行うことで、誤差の影響を抑えてレジスト材料101を滴下させることができる。このような誤差は、移動部165やステージ166を構成する部材の撓みや、吐出部163への吐出口163aの形成精度など、インプリント装置1に固有の要因によって生じる場合がある。図11は、インプリント装置1がずれ量をフィードバックする流れを説明するためのフローチャートである。ステップS4までは、図10と同様であるので詳細な説明を省略する。ステップS4の後に、検出部10によってずれ量が算出されステップS11、ずれ量が算出された場合にはステップS12,Yes、次回のインプリントでのステージ166の移動量にずれ量がフィードバックされステップS13、インプリントが順次ステップリピート方式で繰り返されるステップS14。ずれ量が算出されない場合にはステップS12,No、ステージ166の移動量に対するフィードバックがなされずに、インプリントが順次繰り返されるステップS14。以上説明したように、テンプレート102をウェハ100に接触させる前に、レジスト材料101の滴下位置に基づいて不具合の可能性があるショット領域Aを抽出することができる。また、不具合の可能性があるショット領域Aに対してのみ転写されたパターンの検査を行うので、すべてのショット領域Aに対して検査する場合に比べて、工数の削減を図ることができ、インプリントの効率の向上を図ることができる。また、算出されたずれ量をステージ166の移動にフィードバックするので、インプリント装置1の固有の要因によって生じる滴下位置のずれについて、次回以降のインプリント工程において補正することができるので、転写されたパターンへの不具合の発生を抑えることができる。なお、本実施の形態では、インプリントによって半導体集積回路半導体基板を製造する工程を例に挙げて説明したが、これに限られない。例えば、コンパクトディスクCDなどの、表面に細かな凹凸が形成された凹凸板の製造にも適用することができる。すなわち、凹凸板の表面に形成される細かな凹凸を、インプリントによって形成する場合にも、本実施の形態を適用することができる。また、本実施の形態では、インプリント制御部3が、不具合の可能性があるショット領域Aを抽出して検査するための構成判別部6、第1記憶部7、検査部8、第2撮像装置181bと、ずれ量をフィードバックするための構成検出部10、第2記憶部11、フィードバック制御部12とを両方有しているが、いずれか一方のみを有する構成であっても構わない。図12-1は、第1の実施の形態の変形例1におけるモニタ用パターン106での観察結果を示す図である。図12-2は、変形例1にかかるテンプレート102の断面構成を示す図であって、図12-1に示すD-D線に沿った矢視断面図である。本変形例では、矢印Xに沿ってウェハステージを移動させる移動部165図7も参照の最小稼動ピッチと略等しいピッチL8でモニタ用パターン106の凸部106aが形成されている。ステージ166が最小稼動ピッチの1ピッチを移動するタイミングでレジスト材料101を滴下することで、凹部106bと重なる位置にレジスト材料101を滴下することができる。この場合に、レジスト材料101と凸部106aとが重なる場合には、移動部165の最小稼動ピッチに誤差が生じていると考えられる。そこで、その誤差をフィードバックした位置指令が生成されるように構成すれば、適切な位置にレジスト材料101を滴下させることができ、転写されるパターンでの不具合の発生を抑えることができる。図13-1は、第1の実施の形態の変形例2におけるモニタ用パターン106での観察結果を示す図である。図13-2は、変形例2にかかるテンプレート102の断面構成を示す図であって、図13-1に示すE-E線に沿った矢視断面図である。本変形例では、モニタ用パターン106の凸部106aを格子状に形成している。例えば、凸部106aのピッチを縦横それぞれ上述したL2とL8にし、ステージ166が最小稼動ピッチの1ピッチを移動するタイミングでレジスト材料101を滴下すれば、図13-1に示すように凸部106aに形成された凹部106bにレジスト材料101が重なるようになる。このように、凸部106aを格子状に形成すれば、レジスト材料101の滴下位置のずれを二次元的に検出できるようになり、不具合の可能性があるショット領域Aの抽出や、ずれ量のフィードバックの精度の向上を図ることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"