"固定板と、ギャップ空間を介して前記固定板と対向する可動板と、前記ギャップ空間に露出して設けられる誘電体膜と、前記ギャップ空間および前記誘電体膜を介して対向する電極対からなり、駆動電圧が印加される駆動電圧印加部と、隣接するストッパとの間に前記駆動電圧印加部を挟むように前記ギャップ空間に配置される複数のストッパと、を備え、前記ストッパの間隔をl単位:μm、前記ストッパの高さをz単位:μm、前記可動板の厚みをh単位:μm、前記可動板のヤング率をe単位:GPa、前記駆動電圧の最大値をvdr単位:Vとして、を満足する構造である、MEMSアクチュエータ。固定板と、梁構造であって長手方向に垂直な撓み方向に、ギャップ空間を介して前記固定板と対向する可動板と、前記ギャップ空間に露出して設けられる誘電体膜と、前記ギャップ空間および前記誘電体膜を介して対向し、前記長手方向に沿って設けられる電極対からなり、駆動電圧が印加される駆動電圧印加部と、前記ギャップ空間および前記誘電体膜を介して対向し、前記長手方向に沿って設けられる電極対からなり、RF信号が印加されるRF信号印加部と、隣接するストッパとの間に前記駆動電圧印加部を挟むように前記ギャップ空間に配置される複数のストッパと、を備え、前記ストッパの間隔をl単位:μm、前記ストッパの高さをz単位:μm、前記可動板の厚みをh単位:μm、前記可動板のヤング率をe単位:GPa、前記駆動電圧の最大値をvdr単位:Vとして、を満足する構造である、可変容量素子。を満足する構造である、請求項2に記載の可変容量素子。前記ストッパに対向する位置に配置され、前記ストッパを介して対向する電極と同電位に接続される、同電位電極を備える、請求項2または3に記載の可変容量素子。MEMSアクチュエータにおいては、可動板が極めて薄く剛性が低いため、可動板がストッパを介して固定板に接触した状態で作用する静電引力により、2つのストッパを両支点にして可動板に撓みが生じる。また、その際、ストッパ高さが極めて低いため、撓みが過大であれば誘電体膜と駆動電極とが接触することがある。すると、その接触により誘電体膜に帯電が引き起こされ、スティッキングなどが生じる恐れがある。また、MEMSアクチュエータを用いた可変容量素子が開発されている。可変容量素子においてストッパ構造を採用する場合も、2つのストッパ間での撓みにより誘電体膜と駆動電極との接触が起きることがある。すると、その接触により誘電体膜に帯電が引き起こされ、可変容量素子のC-V特性に素子ごとのばらつきが引き起こされる恐れがある。そこで本発明の目的は、可動板と固定板とがストッパを介して対向する場合に、対向する誘電体膜と電極とが接触することを抑制できるMEMSアクチュエータ、および、可変容量素子を提供することにある。MEMSアクチュエータは、固定板と可動板と誘電体膜と駆動電圧印加部と複数のストッパとを備える。可動板は、ギャップ空間を介して固定板と対向する。誘電体膜は固定板と可動板との間のギャップ空間に露出して設けられる。駆動電圧印加部は、ギャップ空間および誘電体膜を介して対向する電極対からなる。複数のストッパは、隣接するストッパとの間に駆動電圧印加部を挟むように配置される。また、可変容量素子は、固定板と可動板と誘電体膜と駆動電圧印加部とRF信号印加部と複数のストッパとを備える。可動板は、梁構造であって長手方向に垂直な撓み方向に、ギャップ空間を介して固定板と対向する。誘電体膜は固定板と可動板との間のギャップ空間に露出して設けられる。駆動電圧印加部およびRF信号印加部は、ギャップ空間および誘電体膜を介して対向する電極対からなり、可動板の長手方向に沿って設けられる。複数のストッパは、隣接するストッパとの間に駆動電圧印加部を挟むように配置される。本発明は、これらMEMSアクチュエータおよび可変容量素子において次式を満足する構造であることを特徴とする。ただし、ストッパの間隔はl単位:μm、ストッパの高さはz単位:μm、可動板の厚みはh単位:μm、可動板のヤング率はe単位:GPa、駆動電圧の最大値はvdr単位:vである。なお、駆動電圧は50V以下で制御されると好ましく、さらには30V以下で制御されるとより好ましい。駆動電圧の最大値が低いほど、昇圧回路などを小型化や省略することが可能になり、駆動用ICのコストを抑制することができる。このような構成では、可動板が接触する2つのストッパ間に撓みが生じても、そのストッパ間で対向する誘電体膜と電極が接触することが殆ど無くなる。上述のMEMSアクチュエータおよび可変容量素子は次式も満足すると、更に好適である。上述のMEMSアクチュエータおよび可変容量素子は、同電位電極を備えると好適である。同電位電極は、ストッパに対向する位置に配置され、ストッパを介して対向する電極と同電位に接続される電極である。この構成では、ストッパ自体が帯電してスティッキングが生じることが無くなる。この発明によれば、2つのストッパに接触する状態の可動板が、静電引力の作用でストッパとの接触位置を支点として撓んでも、そのストッパ間で対向する誘電体膜と電極が接触することが殆ど無くなる。これにより、スティッキングの発生や可変容量素子における特性ばらつきの発生を殆ど無くすことができる。以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。なお、図に付記する直交座標形は、可動板の厚み方向をZ軸方向、長手方向をX軸方向、幅方向をY軸方向としている。《第1の実施形態》図2Aは、第1の実施形態に係るMEMSアクチュエータを利用する可変容量素子1の平面図X-Y面図である。図2Bは可変容量素子1の横断面図X-Z面図である。図2Cは可変容量素子1の縦断面図Y-Z面図である。可変容量素子1は、固定板2と可動板3とを備える。可動板3は約30μm厚の片持ち梁構成で固定板2に対して平行に支持される。固定板2は、下容量電極4A,4B、下駆動電極5A,5B、同電位電極9A,9B、および誘電体膜8を備える。下容量電極4A,4Bおよび下駆動電極5A,5Bは、約2μm厚で、それぞれX軸に沿って長尺に形成される。下駆動電極5A,5Bは、下容量電極4A,4Bの両脇に配置される。同電位電極9A,9Bは、約2μm厚で、両端部がX軸に沿って長尺なコの字状に形成され、両端部間に下駆動電極5A,5Bを挟むように配置される。なお同電位電極9A,9Bは、上駆動電極7A,7Bと同電位に接続される。誘電体膜8は、電極5A,4A,4B,5B,9A,9Bを約160nm厚で覆うように設けられる。なお、下容量電極4A,4Bや下駆動電極5A,5Bはアルミニウム、銅、金といった低抵抗な金属を主材料に用いると良い。また、誘電体膜8はシリコン酸化膜、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化ランタン、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウムなどを主材料に用いると良い。可動板3は、下容量電極4A,4Bに対向する上容量電極6と、下駆動電極5A,5Bおよび同電位電極9A,9Bに対向する上駆動電極7A,7Bとを備える。上駆動電極7A,7Bと下駆動電極5A,5Bとはギャップ空間および誘電体膜8を介して対向し、両電極間には駆動電圧が印加される。これにより、上駆動電極7A,7Bと下駆動電極5A,5Bとの間には駆動容量が形成され、静電引力が作用することになる。上容量電極6と下容量電極4A,4Bとはギャップ空間および誘電体膜8を介して対向し、これらの電極間にはRF容量が形成される。このRF容量は可動板3の変形により変化することになる。なお、上駆動電極はアルミニウム、銅、金といった低抵抗な金属を主材料に用いるとよく、その場合、厚みは200nm程度が好適である、または、タングステンやモリブデンといった線膨脹係数の小さい金属を主材料に用いてもよく、その場合、厚みは500nm程度が好適である。図3は、可動板3の変形について説明する図である。図中のハッチングは、可動板3の誘電体膜8に近接する領域を示している。駆動電圧を昇圧させることにより前述の駆動容量は大きくなり、静電引力も大きくなる。すると、静電引力の作用で可動板3は先端側から誘電体膜8に近接し、静電引力に応じて近接面積が増大する。そして、近接面積に応じてRF容量も連続的に増加することになる。図4Aは、誘電体膜8の詳細構成を説明する平面図である。図4Bは、可動板3が固定板2に近接する状態を示す横断面図である。可変容量素子1では、誘電体膜8が駆動電圧により帯電してスティッキングが発生することがあるため、誘電体膜8にストッパ構造を採用する。そのため誘電体膜8は、同電位電極9A,9Bに重なる領域が、表面が周囲から突出する約40nmの高さのストッパ8Aとなるように構成する。また、下容量電極4A,4Bと重なる領域8Bを、ストッパ8Aと同じ高さまで肉厚に形成し、下駆動電極5A,5Bに重なる領域8Cを薄肉に形成している。また、下駆動電極5A,5Bと同電位電極9A,9Bとが隣接する境界に沿って微細な分割溝8Dを設けて、誘電体膜8は分割されている。可動板3が固定板2に近接する状態では、ストッパ8Aに挟まれる領域8Cは上駆動電極7A,7Bに接触することがなく、駆動電圧に起因する帯電の発生を防ぐことができる。ストッパ8Aは、上駆動電極7A,7Bと同電位に接続される同電位電極9A,9Bに重なるため、ストッパ8Aにおいても駆動電圧に起因する帯電の発生を防ぐことができる。また、RF容量を形成する領域8Bは、肉厚に構成されることでストッパ8Aがあっても上容量電極6に接触し、接触面積を確保することができる。これにより、可変容量素子1はRF容量の最大値が大きなものになる。このような構成により、スティッキングの発生をより確実に防ぎながら、可変容量素子1のRF容量最大値を大きく確保することができる。また、この可変容量素子1の構成では、図4Bに示すように可動板3が固定板2に近接する状態で、駆動電圧により、ストッパ8Aに挟まれる領域8Cに対向する可動板3のストッパ間にZ軸方向の撓みが生じる。図4Cは、可動板3のZ軸方向の撓みを説明する変形モデルを示す図である。なお、同モデルは下駆動電極5Aの近傍の可動板3を、ストッパ8Aに両端が固定される両持ち梁として表示している。また、可動板3の下面に形成される上駆動電極7Aの図示を省いている。両持ち梁構造の可動板3の中央に静電引力が作用すると、可動板3の中央の撓み量Δzは、奥行き方向の単位長さ当たりの静電引力f、可動板3のヤング率e、可動板3の厚みh、およびストッパ間隔lをパラメータとした次式で表される。また、奥行き方向の単位長さ当たりの静電引力fは、ストッパ高さzおよび駆動電圧vdrをパラメータとした次式で表される。なお、真空の誘電率はε0、ギャップ空間の比誘電率はεrである。なお、上式のストッパ高さzには本来、誘電体膜8の厚みとストッパ高さとの和を代入すべきである。しかし、誘電体膜8の比誘電率はギャップ空間の比誘電率より著しく大きいため、静電引力fはストッパ高さの影響が支配的になり、誘電体膜の厚みは無視して上式のように近似することができる。具体的には、誘電体膜8が比誘電率約25のTa2O5で厚み160nmとし、ギャップ空間を比誘電率約1の空気とすると、誘電体膜8の静電引力に対する寄与を空気に換算すると約61nmとなる。なお、誘電体膜の比誘電率がこれよりも高い場合や、誘電体膜の厚みがより薄い場合、あるいはストッパがより高い場合、近似誤差を小さくして上式をより正確なものにすることができる。数3に数4を代入すると、次式が得られる。この可動板3の撓みΔzが過大であれば、図示しない上駆動電極7Aが誘電体膜8に接触し、誘電体膜8が帯電するおそれがある。すると、その帯電により可動板3の変形が影響を受け、可変容量素子1に特性ばらつきが生じてしまう。そのため、可動板3の撓み量Δzは所定値よりも小さくする必要がある。上式によれば、ストッパ間隔lや駆動電圧vdrを小さく、または、ストッパ高さzや可動板3のヤング率e、可動板3の厚みhを大きくすれば、可動板3が撓みにくくなることがわかる。則ち、ストッパ8Aの間隔は狭く、可動板3のヤング率は高く、可動板3の厚みは厚く、駆動電圧は低く、ストッパ高さは高いことが望ましいといえる。ここで、上駆動電極7Aが誘電体膜8にほぼ確実に接触しない可動板3の撓み量をΔZとし、それを実現するストッパ間隔L、駆動電圧Vdr、ストッパ高さZ、可動板3のヤング率E、および可動板3の厚みHが確認できたとする。すると、次式が成り立つ場合に、可動板3が撓んでも上駆動電極が誘電体膜に接触せず、誘電体膜の帯電や特性ばらつきが生じないことになる。なお、数4の数式で説明した誘電体膜の厚みに関する近似誤差は、上式の右辺と左辺とでほとんど相殺されることになる。上式を変形すると、次式が得られる。ここで、ストッパ間隔の変更による可変容量素子の特性変化をサンプル試験により確認した実験について説明する。実験は、設定毎にストッパ間隔Lを異ならせ、複数サンプルに対して駆動容量とRF容量との関係を確認した。なお、全サンプルともに、駆動電圧Vdrの制御可能範囲10V~50V、可動板の材質Siヤング率E≒130GPa、可動板の厚みH30μm、ストッパ高さZ40nmの条件とした。図5Aは、ストッパ間隔L1155μmで実施したサンプル試験の結果を示す図である。この場合、RF容量が約30pFよりも低い範囲駆動容量が約100pFより低い範囲では、複数サンプルそれぞれが線形の特性変化を示すが、その範囲外では、サンプル毎に相違する非線形の特性変化を示した。図5Bは、ストッパ間隔L2145μmで実施したサンプル試験の結果を示す図である。この場合、RF容量が約25pFよりも低い範囲駆動容量が約150pFよりも低い範囲では、複数サンプルそれぞれが線形の特性変化を示したが、その範囲外では、サンプル毎に相違する非線形の特性変化を示した。図5Cは、ストッパ間隔L3140μmで実施したサンプル試験の結果を示す図である。この場合、RF容量が約40pFよりも低い範囲駆動容量が約150pFよりも低い範囲では、複数サンプルそれぞれが線形の特性変化を示したが、その範囲外では、サンプル毎に相違する非線形の特性変化を示した。図5Dは、ストッパ間隔L4125μmで実施したサンプル試験の結果を示す図である。この場合、1つのサンプルを除き、RF容量の約50pFまで駆動容量の約200pFpFまで、線形で傾きがほぼ等しい特性変化を示した。図5Eは、ストッパ間隔L5115μmで実施したサンプル試験の結果を示す図である。この場合、全てのサンプルで、RF容量の約50pFまで駆動容量の約125pFまで、線形で傾きがほぼ等しい特性変化を示した。図5Fは、ストッパ間隔L6105μmで実施したサンプル試験の結果を示す図である。この場合、全てのサンプルが、RF容量の約50pFまで駆動容量の約125pFまで、線形で傾きがほぼ等しい特性変化を示した。則ち、ストッパ間隔L1,L2,L3155μm,145μm,140μmでは、可動板3の撓み量ΔZが過大で、上駆動電極7A,7Bと誘電体膜8との接触および誘電体膜8の帯電が生じ、その結果、サンプル毎に相違する非線形の特性変化となったものと思われる。一方、ストッパ間隔L4,L5,L6125μm,115μm,105μmでは、可動板3の撓み量ΔZが適切な範囲に収まり、上駆動電極7A,7Bと誘電体膜8との接触および誘電体膜8の帯電が無く、サンプル間で同様な線形の特性変化が得られたものと思われる。したがって、上述の数式には、ストッパ間隔L4でのパラメータを代入することができ、その場合には次式が得られる。また、より特性ばらつきを抑えられたストッパ間隔L5でのパラメータを、上述の数式に代入すれば、次式が得られる。したがって、本実施形態の可変容量素子1は、上記数7または数8の式を満足する構造パラメータの設定を採用することにより特性ばらつきを低減し、駆動容量とRF容量の相関関係を一定にすることができる。なお、このような可変容量素子1は、RF容量値を連続的に制御するため、駆動容量などを外部ICでモニタし、その値を元にして駆動電圧をフィードバック制御する駆動回路と組み合わせると好適である。その場合、駆動容量とRF容量の相関関係が一定であることが容量精度を良くするために非常に重要であり、図5A,5B,5Cに示したように特性ばらつきが大きく駆動容量とRF容量の相関関係にずれが生じることは好ましくなく、図5D,5E,5Fに示したように駆動容量とRF容量の相関関係が一定で特性ばらつきも小さいことが好ましい。したがって、本実施形態の可変容量素子であれば、特性ばらつきが低減し駆動容量とRF容量の相関関係が一定であるため、駆動回路と組み合わせる際に容量制御精度を格段に良化することができる。《第2の実施形態》次に、本発明の第2の実施形態に係る可変容量素子について説明する。図6は、本実施形態に係る可変容量素子11の平面図である。可変容量素子11は、前述の同電位電極を設けず、下駆動電極15A,15Bを幅広に構成してストッパ8Dに重ねて配置し、誘電体膜18を分割溝を設けずに構成している。この構成でも、前述の数8または数9の式を満足する構造パラメータの設定を採用することによりは、特性ばらつきを低減することができる。《第3の実施形態》次に、本発明の第3の実施形態に係る可変容量素子について説明する。図7は、本実施形態に係る可変容量素子の断面図である。本実施形態の可変容量素子は、誘電体層と金属層との積層構造の可動板を採用するものである。可変容量素子21は、積層構造の可動板23をそなえる。可動板23は、3層の誘電体層23Aと2層の金属層23Bとを積層した構造である。可動板23をこのような上下対称の積層構造とすることにより、可動梁23に熱が作用しても、各層の線膨張係数差に基づく熱応力が内部応力として作用することになり、可動梁23が反りにくくなり温度特性に優れた可変容量素子を構成することができる。また、可変容量素子31は、積層構造の可動板33をそなえる。可動板33は、1層の誘電体層33Aを2層の金属層33Bでサンドした構成である。この可変容量素子31では、可動板33の下面から上駆動電極や上容量電極を除いて、下層の金属層33Bを上駆動電極と上容量電極との共通電極として利用している。この場合、上駆動電極と上容量電極と可動板との線膨張係数差が無くなるため、さらに可動梁33を反りにくくすることができ、温度特性がより優れた可変容量素子を構成することができる。この構成でも、前述の数8または数9の式を満足する構造パラメータの設定を採用することによりは、特性ばらつきを低減することができる。本発明は上述の実施形態の記載に制限されるものではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図されるものである。"