導電材の表面の一部又は全部にSn系はんだが被覆された太陽電池用インターコネクタであって、前記はんだは、下記式で表される過冷度ΔTが25°Cより小さいことを特徴とする太陽電池用インターコネクタ。ΔT=T1-T2ここで、T1は示差走査熱量測定において昇温速度10°C/minの昇温過程での吸熱ピークの立ち上がりを表すオンセット温度であり、T2は前記測定において冷却速度10°C/minの冷却過程での発熱ピークのピーク温度である。前記はんだが、Zn、Mg、Ti、Co、Zr、及びBeのうちの少なくとも1種を含み、その合計が質量で0.001以上2以下であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池用インターコネクタ。前記はんだが、Snを60質量以上含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の太陽電池用インターコネクタ。前記はんだが、Agを質量で0.1以上4以下含有することを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の太陽電池用インターコネクタ。前記はんだが、Cuを質量で0.1以上1.5以下含有することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の太陽電池用インターコネクタ。前記はんだが、Fe、及びNiのうちの少なくとも1種を含み、その合計が質量で0.001以上0.2以下であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の太陽電池用インターコネクタ。前記はんだがPbフリーはんだであることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の太陽電池用インターコネクタ。前記はんだが、Pbを30~45質量含有することを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の太陽電池用インターコネクタ。導電材の表面の一部又は全部にSn系はんだが被覆された太陽電池用インターコネクタの製造方法であって、Snを60質量以上含有すると共に、Zn、Mg、Ti、Co、Zr、及びBeのうちの少なくとも1種を合計で0.001質量以上2質量以下含有した溶融めっきを用いて、導電材をSn系はんだで被覆することを特徴とする太陽電池用インターコネクタの製造方法。上述したように、太陽電池用インターコネクタの耐力を低下させたり、芯材の結晶方位を制御し、セルにかかる応力を低下させる手法が公開されている。しかし、近年シリコンセルは益々薄型化しているため、上述した手法のみでは十分にセルの反りや割れを防ぐことが難しく、薄型化したシリコンセルに対応してさらに効果的なセルの反り及び割れを防ぐ手法が求められている。そこで、本発明は、上記問題点を解決すべく、薄型化したシリコンセルを用いた太陽電池であっても、セルの反りや割れを防ぐことのできる太陽電池用インターコネクタを提供することを目的とする。本発明は、前述の問題点に鑑み鋭意検討した結果、以下の構成を要旨とする。1導電材の表面の一部又は全部にSn系はんだが被覆された太陽電池用インターコネクタであって、前記はんだは、下記式で表される過冷度ΔTが25°Cより小さいことを特徴とする太陽電池用インターコネクタ。ΔT=T1-T2ここで、T1は示差走査熱量測定において昇温速度10°C/minの昇温過程での吸熱ピークの立ち上がりを表すオンセット温度であり、T2は前記測定において冷却速度10°C/minの冷却過程での発熱ピークのピーク温度である。2前記はんだが、Zn、Mg、Ti、Co、Zr、及びBeのうちの少なくとも1種を含み、その合計が質量で0.001以上2以下であることを特徴とする1に記載の太陽電池用インターコネクタ。3前記はんだが、Snを60質量以上含有することを特徴とする1又は2に記載の太陽電池用インターコネクタ。4前記はんだが、Agを質量で0.1以上4以下含有することを特徴とする1~3のいずれかに記載の太陽電池用インターコネクタ。5前記はんだが、Cuを質量で0.1以上1.5以下含有することを特徴とする1~4のいずれかに記載の太陽電池用インターコネクタ。6前記はんだが、Fe、及びNiのうちの少なくとも1種を含み、その合計が質量で0.001以上0.2以下であることを特徴とする1~5のいずれかに記載の太陽電池用インターコネクタ。7前記はんだが、Pbフリーはんだであることを特徴とする1~6のいずれかに記載の太陽電池用インターコネクタ。8前記はんだが、Pbを質量で30以上45以下含有することを特徴とする1~6のいずれかに記載の太陽電池用インターコネクタ。9導電材の表面の一部又は全部にSn系はんだが被覆された太陽電池用インターコネクタの製造方法であって、Snを60質量以上含有すると共に、Zn、Mg、Ti、Co、Zr、及びBeのうちの少なくとも1種を合計で0.001質量以上2質量以下含有した溶融めっきを用いて、導電材をSn系はんだで被覆することを特徴とする太陽電池用インターコネクタの製造方法。本発明に係わる太陽電池用インターコネクタを用いれば、薄型化したシリコンセルを用いた太陽電池であってもセルの反りや割れを防ぐことができ、生産性が高く信頼性の高い太陽電池を提供することができる。本発明者らは、シリコンセルの反りや割れに対する因子を洗い出し、反り及び割れを低減する手法を鋭意検討したところ、はんだが凝固する際の温度がインターコネクタの各部において一定ではないことが、シリコンセルの反りや割れに対して非常に大きな影響があることを突き止めた。インターコネクタ接続部の凝固温度を極力ある一定温度にすることで、インターコネクタの各部間で凝固温度が異なることに起因する応力を低減することができ、セルの反りや割れを抑制することができる。また、この凝固温度を極力一定の温度に収束させるためには、はんだの過冷度を小さくすることが最も簡便でコントロール可能であることが分かった。一般的に、Sn系はんだの過冷度は30°C以上あり、さらに、そのようなはんだでは、はんだの部分部分によって、凝固温度が異なる。この凝固温度が異なることにより、シリコンセル上に存在するインターコネクタの各部において、インターコネクタを接続する際の凝固温度が異なり、この凝固温度のバラツキがシリコンセルの反りや割れを増長していることが分かった。このような凝固温度のバラツキをなくすためには、過冷度を25°Cよりも低くすることが効果的であり、さらに好ましくは過冷度が15°C以下であることが好ましい。ここで、過冷度を25°Cより小さくした理由は、過冷度が25°C以上となると、個々のはんだの凝固温度に10°Cより大きな差が表れ、この凝固温度差に起因した熱応力の差により、反りや割れが増長されるためである。従って、凝固温度のバラツキとは、具体的には個々のはんだの凝固温度が10°Cより大きく異なることを言う。しかし、これまで調査した限りでは、過冷度が25°Cよりも小さければ、凝固温度の差も10°C以内に収まり、この凝固温度に起因した熱応力の影響も小さくなることから、過冷度は25°Cより小さいことが必要である。過冷度とは、物質の熱平衡状態における凝固温度に対して、実際の冷却過程における凝固温度との差であり、通常、過冷度は冷却速度にある程度の依存性がある。一般的には、冷却速度が大きくなるほど過冷度も大きくなる。そこで、本発明における過冷度に対しては、一般的にはんだ材料の熱分析で行われる10°C/minの冷却速度における過冷度を用いることとする。また、過冷度の測定方法として、DSC曲線における昇温冷却測定示差走査熱量測定を行い、10°C/minでの昇温過程における吸熱ピークの立ち上がりを表わすオンセット温度T1と、10°C/minでの冷却過程における発熱ピークのピーク温度T2との差ΔT=T1-T2として定義することとする図1及び図2参照。なお、DSC曲線の測定は、はんだ単体でも銅芯材のような導電材にめっきしたインターコネクタの状態でもどちらでも問題なく、同じように測定することができる。上述した過冷度を低くするためには、Sn系はんだに、Zn、Mg、Ti、Co、Zr、Beのうちの少なくとも1種を含み、その合計が質量で0.001以上2以下であることが望ましい。これは、含有量が0.001質量未満では過冷度を下げる効果が十分には得られず、2質量より多いとはんだが硬くなってしまい、はんだ付け性が悪化する可能性が高くなるからである。さらに好ましくは0.01質量以上1質量以下である。なお、本発明におけるSn系はんだを10°C/minの昇温冷却過程で示差走査熱量測定を行った際には、完全な熱平衡状態を得る事は難しいため、凝固温度T2は溶融のオンセット温度T1より0.1°C以上低下することなどから、過冷度の下限は実質的に0.1°Cである。前述したはんだの組成としては、Snの質量が60以上であることが望ましい。これは、Snの質量が60未満であると、過冷度を25°C未満にしてもセルの反りや割れを抑制する効果が得られ難くなる可能性があるためである。これは、本発明の過冷度と凝固後の熱応力との相関が、Snを主体とする金属および合金において、特に効果的に得られることによる。前記はんだが、Agを質量で0.1以上4以下含有することが望ましい。これは、Agの添加により、はんだの融点を低下して実装時に生じる熱歪を低減させることができると共に、はんだの機械的特性も向上し、信頼性の高い接合が得られるためである。但し、0.1未満では上述した効果は得られ難くなり易く、また、4を超えると粗大なAg3Snが生成し易くなるため、信頼性が低下する恐れがあり、好ましくない。前記はんだが、Cuを質量で0.1以上1.5以下含有することが望ましい。Cuも、Agと同様に、Sn系のはんだに添加することで融点を下げることが出来、さらにぬれ性も向上する。但し、0.1未満では上述した効果は得られ難くなり易く、また、1.5を超えると粗大なSn-Cu系金属間化合物が生成し易いため、信頼性が低下する恐れがあり、好ましくない。前記はんだが、さらにFe及びNiのうちの少なくとも1種を質量で0.001以上0.2以下含むことで、過冷度を低下させると共に、はんだ自身の疲労特性を改善するため、太陽電池の信頼性を向上することができる。0.001未満であると上述した効果は得られ難くなり易く、0.2を超えるとはんだのぬれ性が低下し、十分な接続が得られなくなる可能性が高まる。さらに好ましくは0.01以上0.1以下である。本発明の効果は、前記はんだが、鉛入りはんだであっても、鉛フリーはんだであっても得ることができる。鉛フリーはんだであれば、Sn-Ag系、Sn-Cu系、Sn-Ag-Cu系の共晶組成近傍であれば、本発明の効果をさらに効果的に得ることができる。また、鉛入りはんだであれば、鉛濃度が質量で30以上40以下の共晶点近傍であることが望ましく、より望ましくは35質量以上40質量以下であるのがよい。これは、共晶点近傍であればはんだの融点を下げることができ、凝固後の残留応力を低下させることができることによる。本発明のインターコネクタは、導電材の表面の一部又は全部にSn系はんだを被覆したものであればよく、例えば線材のような導電材やテープ材のような導電材を芯材として用い、その表面の少なくとも一部に本発明で規定するSn系はんだが被覆されていればよい。このようなインターコネクタを製造するにあたり、上述したようなSn系はんだの組成を有しためっき浴を用いて、溶融めっきに芯材となる導電材を浸漬させるなどして、導電材の表面の少なくとも一部がSn系はんだで被覆された太陽電池用インターコネクタを得ることができる。導電材を被覆するSn系はんだの量については特に制限されないが、一般には、太陽電池シリコンセルとの接触面側に1μm以上100μm以下程度の厚さでSn系はんだが被覆されるようにするのが望ましい。インターコネクタの芯材となる導電材は、Cu系材料を用いることが一般的である。芯材のCu材料はいかなる種類の物でも、本発明効果を得ることができるが、芯材の長手方向に<100>方向が集積した方位制御した芯材を用いると、本発明効果と合わせてさらにセルの反りや割れを防ぐことができる。本発明に係る太陽電池用インターコネクタの実施例を以下に示す。実験例1芯材の導電材としてタフピッチ銅を用い、幅1.5mm、厚さ0.2mm、長さ50mの平角線状に圧延成形した後、表1に示すはんだ組成となる溶融めっきにより上記で得られた芯材を被覆し、太陽電池用インターコネクタを作製した。なお、得られた太陽電池用インターコネクタは、上記芯材の表面に厚さ20μm程度のSn系はんだがめっきされていた。まず、作製したインターコネクタについて、めっきしたはんだの過冷度を測定するため、インターコネクタを長さ方向に2mm程度切り出し、DSC示差走査熱量測定によるサイクル測定を行った。測定方法は、前述したように10°Cminの昇温、冷却速度とし、得られたDSC曲線から昇温過程のオンセット温度T1と冷却過程のピーク温度T2の差ΔT=T1-T2を過冷度として定義した。また、作製したインターコネクタは、長さ180mmに切り出し、縦150mm×横150mm、厚み200μmのシリコンセルに銀ペーストを介して、セルの幅を3等分するように2本接続し、インターコネクタ接続によるセルの反りを調べた。その際、接続されるインターコネクタは、芯材幅1.5mm×長さ150mmの面でセルに接合されるようにした。セルの反りはセルを平面上に置いた際の最高高さと最低高さの差として評価した。これらの結果を表1に示す。なお、表1におけるはんだ組成の表記については、例えば、実施例1ではBiが35質量添加されて、残部のSnが65質量であり、また、実施例2ではBiが35質量とZnが0.5質量添加されて、残部のSnが64.5質量であることを表す表2及び表3を含めて、他の実施例及び比較例についても同様である。一部で添加しているBiは、Sn系はんだにおいて融点を下げる働きがあると考えられる。過冷度が25°Cよりも小さい実施例1~20はセルの反りは4mm以下であり、割れは発生しなかった。しかし、過冷度が30°Cの比較例2のセルの反りは7.5mmであり、過冷度が35°Cの比較例1は、割れてしまった。これはセルの反りが大きくなって、反りによる応力にセルが耐えられずに割れたものと考える。また、Zn、Mg、Ti、Co、Zr、及びBeのうちの少なくとも1種を添加した実施例2~7のはんだの過冷度は、それぞれの金属を未添加の実施例1に比べて過冷度が低下し、さらにセルの反り量も低下した。また、Znの添加量が0.0008質量である実施例8は、Zn未添加の実施例1と同程度の過冷度、及びセルの反り量であった。また、Snの質量が60以上において過冷度が25°C未満が得られていることが分る。また、実施例8、9、12、18で示したサンプルは、作製した太陽電池の信頼性を評価する目的で、100°C500時間の高温放置試験を行い、高温放置試験前後での発電効率の低下割合を求めた。その結果、実施例8は14、実施例9は8、実施例12は5、実施例18は4となり、Ag、Cu、Niを含有するはんだの信頼性が高いことが分った。実験例2本実験例では、主にAg、Cu、Feの濃度範囲に関する評価を行った。導電材として無酸素銅を用い、幅2mm、厚さ0.25mm、長さ100mの平角線状に圧延形成した後、表2に示すはんだ組成となる溶融めっきで被覆し、太陽電池用インターコネクタを作製した。得られた太陽電池用インターコネクタは、上記芯材の表面に厚さ15μm程度のSn系はんだがめっきされていた。上記で得られた太陽電池用インターコネクタについて、過冷度の評価は実験例1と同じ方法で行った。また、作製したインターコネクタを長さ170mmに切り出し、縦150mm×横150mm、厚み150μmのシリコンセルに銀ペーストを介してセル幅を3等分するように2本接続し、インターコネクタ接続によるセルの反りを実験例1と同様に調べた。その際、接続されるインターコネクタは、芯材幅2mm×長さ150mmの面でセルに接合されるようにした。さらに、発電効率の低下割合も実験例1と同様に調査した。結果を表2に示す。この結果、いずれのはんだ組成においても過冷度が低下したことが分る。また、実施例21~24で示すように、Ag濃度が0.1質量以上4質量以下であると、高温放置試験後の発電効率の低下が抑制され、信頼性が高いことが分かる。また、実施例25~28で示すように、Cu濃度は0.1質量以上、1.5質量以下であるとやはり信頼性が高い。さらに、Fe濃度も0.001質量以上、0.2質量以下、さらに好ましくは0.01質量以上0.1質量以下で信頼性が高いことが分かった。実験例3本実験例では、芯材の影響について調査した。芯材の導電材としてワイヤ長手方向に<100>方向が集積した方位制御した芯材方位制御銅を用い、タフピッチ材タフピッチ銅を用いた時とで比較した。この方位制御した芯材とタフピッチ材をそれぞれ幅1.2mm、厚さ0.2mm、長さ25mの平角線状に圧延成形した後、表3に示すはんだ組成となる溶融めっきで被覆し、太陽電池用インターコネクタを作製した。ここで使用した<100>方向に集積した方位制御銅は、銅の<100>方位が、芯材の厚さ方向に対して方位差15°以内である<100>優先配向領域の面積率が80であると共に、芯材の面内の一方向に対して方位差15°以内である<100>優先配向領域の面積率が80のものを用いた。また、得られた太陽電池用インターコネクタは、いずれも芯材の表面に厚さ35μm程度のSn系はんだがめっきされていた。作製したインターコネクタを長さ200mmに切り出し、縦180mm×横180mm、厚み120μmのシリコンセルに銀ペーストを介して、セルの幅を4分割するように3本接続し、インターコネクタ接続によるセルの反りを調べた。その際、接続されるインターコネクタは、芯材幅1.2mm×長さ180mmの面でセルに接合されるようにした。セルの反りはセルを平面上に置いた際の最高高さと最低高さの差として評価した。また、実験例1と同様の手法ではんだの過冷度も評価した。これらの結果を表3に示す。はんだ組成として、Sn-1.2Ag-0.5Cu-0.05Ni-0.01Znを選択した場合、過冷度は芯材の種類に寄らず14°Cであったが、セルの反りに関しては、<100>方位制御した芯材方位制御銅では9mm、タプピッチ銅では、16mmであった。また、はんだ組成としてSn-3.0Ag-0.5Cu-0.01Coを用いた場合、過冷度は16°Cであり、セルの反りは方位制御銅で11mm、タフピッチ銅で18mmであった。同様に、過冷度38°Cを示すPb-5Snはんだをタフピッチ銅にめっきしたインターコネクタでは、セルの反りが大きく、サンプルが割れてしまい、反りを測ることができなかった。以上の実験結果から、過冷度25°C未満のはんだを用い、かつ芯材としてワイヤ長手方向に<100>方向が集積した方位制御した銅を用いることで、本発明の効果が更に得られることを確認した。