"基板サポート領域上に基板をサポートするように構成された基板テーブルであって、前記基板サポート領域の中央部分に隣接する複数のヒータおよび/または温度センサを備えており、前記複数のヒータおよび/またはセンサが細長いものである、基板テーブルを備えるリソグラフィ装置。前記複数のヒータおよび/またはセンサが、実質的に平行な方向に細長くなっている請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記複数のヒータおよび/またはセンサが、1つの縁端部から反対側の縁端部まで、前記基板サポート領域にわたって延在する請求項1または請求項2に記載のリソグラフィ装置。前記複数のヒータが、所与のヒータおよび/または温度センサが基板の結像の期間中投影システムの下にある時間が、前記ヒータおよび/またはセンサのその細長い方向が第1の方向に対して垂直に配向された場合より短くなるような第1の方向に細長くなっている請求項1から3のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記第1の方向が、時間が最短になる方向である請求項4に記載のリソグラフィ装置。前記複数のヒータおよび/または温度センサが薄膜から成る請求項1から5のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記基板をサポートするための節プレートをさらに備え、前記複数のヒータおよび/または温度センサが前記節プレートの表面上に形成される請求項1から6のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記複数のヒータおよび/または温度センサが、前記節プレート上で節の間に形成される請求項7に記載のリソグラフィ装置。前記複数のヒータおよび/または温度センサが、前記節プレートの上部および/または下部に配置される請求項7または請求項8に記載のリソグラフィ装置。前記複数のヒータおよび/または温度センサが、上面図において材料のラインから成り、これが上面図において屈折した経路の中で蛇行する請求項7から9のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記基板テーブルは、基板サポート領域の縁端部の様々な部分に隣接した複数の縁端部ヒータ、および/または気相および液相の両方の流体を含む基板テーブル内のチャンバ、および/または基板サポート領域に隣接した、熱調節流体を通すための通路をさらに備える請求項1から10のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記基板テーブルは、基板上の1つのダイにつき1つのヒータおよび/または温度センサを備える請求項1から11のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。複数のヒータおよび複数の温度センサを備える請求項1から12のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記複数のヒータおよび複数の温度センサは、面内において、2次元のグリッドにレイアウトされる請求項13に記載のリソグラフィ装置。各ヒータは、対応する温度センサと一体化される請求項13または14に記載のリソグラフィ装置。複数のヒータのそれぞれは、複数の温度センサのうちの対応する1つに関連付けられる請求項13から15のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記ヒータおよび関連するセンサは、自動調整の熱システムを形成する請求項16に記載のリソグラフィ装置。前記自動調整の熱システムは、温度の局部変化によってヒータを作動させるかまたは停止させるように構成される請求項17に記載のリソグラフィ装置。前記ヒータおよび関連するセンサは、微小電気機械システムを形成する請求項17または18に記載のリソグラフィ装置。前記関連するセンサは、熱的に作動するスイッチを備える請求項19に記載のリソグラフィ装置。前記ヒータおよび関連するセンサは、一定の印加電圧において温度の変化が熱出力の変化をもたらすように、温度の関数として変化する電磁特性を有する自動調整のヒータである請求項17に記載のリソグラフィ装置。基板サポート領域上に基板を支持し、基板サポート領域に隣接する表面上にヒータおよび/または温度センサを支持するように構成された基板テーブルを備えるリソグラフィ装置。0049図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、0050-放射ビームB例えばUV放射またはDUV放射を条件付けるように構成された照明システムイルミネータILと、0051-パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構築されたサポート構造例えばマスクテーブルMTであって、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに接続されたサポート構造例えばマスクテーブルMTと、0052-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構築された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTであって、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、0053-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つまたは複数のダイが含まれているに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSとを備えている。0054この照明システムは、放射を導くか、整形するか、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプの光学コンポーネント、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでよい。0055サポート構造MTはパターニングデバイスを保持する。サポート構造MTは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されるか否かなど他の条件によって決まる形でパターニングデバイスを保持する。サポート構造MTは、パターニングデバイスを保持するために、機械クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法、または他のクランプ技法を用いることができる。サポート構造MTは、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。サポート構造MTは、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書における用語レチクルまたはマスクのいかなる使用も、より一般的な用語パターニングデバイスと同義と見なされてよい。0056本明細書に使用される用語パターニングデバイスは、基板のターゲット部分にパターンを生み出すなどためにパターンを放射ビームの断面に与えるように使用することができる任意のデバイスを意味するものと広義に解釈されたい。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含むと、放射ビームに与えられたパターンが、基板のターゲット部分内の所望のパターンと正確に一致しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイス内の特定の機能の層に相当することになる。0057パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型alternating位相シフト、ハーフトーン型attenuated位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。0058本明細書に用いられる用語投影システムは、屈折システム、反射システム、反射屈折システム、磁気システム、電磁気システム、および静電気光学システムあるいはそれらの任意の組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含し、使用される露光放射あるいは液浸液の使用または真空の使用など他の要因に適切なものとして、広義に解釈されたい。本明細書における用語投影レンズのいかなる使用も、より一般的な用語投影システムと同義と見なされてよい。0059本明細書で記述されるように、装置は透過タイプ例えば透過性マスクを使用するタイプである。あるいは、装置は反射タイプ例えば上記で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプでよい。0060リソグラフィ装置は、2つデュアルステージまたはそれより多い基板テーブルおよび/または2以上のパターニングデバイステーブルを有したタイプのものとすることができる。そのようなマルチステージの機械では、追加のテーブルを同時に使用することができる、あるいは1つまたは複数のテーブルを露光のために使用しながら、1つまたは複数の他のテーブル上で準備ステップを実施することができる。0061図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受け取る。放射源が例えばエキシマレーザである場合、放射源およびリソグラフィ装置は、個別の構成要素とすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムBDを使用して放射源SOからイルミネータILへ渡される。それ以外の、例えば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィ装置の一体部品とすることができる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDと共に放射システムと呼ぶことができる。0062イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタADを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲一般にそれぞれσouterおよびσinnerと呼ばれているは調節が可能である。また、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなど様々な他のコンポーネントを備えることができる。このイルミネータを使用して、所望の均一性および強度分布をその断面に有するように放射ビームを調節することができる。放射源SOと同様に、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一部分を形成するものと、見なされても見なさなくてもよい。例えば、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一体部品でよく、もしくはリソグラフィ装置から別個の構成要素でもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、その上にイルミネータILが実装され得るように構成することができる。任意選択で、イルミネータILは取り外し可能であって、例えばリソグラフィ装置製造業者または別の供給者によって別個に設けることができる。0063放射ビームBは、サポート構造例えばマスクテーブルMTに保持されるパターニングデバイス例えばマスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターン付けされる。放射ビームBはパターニングデバイスMAを通過した後、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦する。第2のポジショナPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサを用いて、例えば放射ビームBの経路中に様々なターゲット部分Cを位置決めするように基板テーブルWTを正確に移動することができる。同様に、第1のポジショナPMおよび別の位置センサ図1に明確には示されていないを使用して、例えばマスクライブラリからの機械的に取り出した後にまたはスキャン中に、パターニングデバイスMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、サポート構造MTの移動は、第1のポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使用して実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、サポート構造MTはショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2および基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分間の空間に配置することができるこれらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている。同様に、複数のダイがパターニングデバイスMA上に設けられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。0064図示された装置は、以下のモードのうちの少なくとも1つで使用され得る。00651.ステップモードでは、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを本質的に静止したままにしながら、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分C上に一度に投影されるすなわち単一静的露光。次に、基板テーブルWTは、異なるターゲット部分Cを露光することができるようにXおよび/またはY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光で結像されたターゲット部分Cのサイズを制限する。00662.スキャンモードでは、サポート構造MTと基板テーブルWTとが同期してスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分C上に投影されるすなわち単一動的露光。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大縮小および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分の幅非スキャン方向にを制限するが、スキャン運動の長さがターゲット部分の高さスキャン方向にを決定する。00673.別のモードでは、サポート構造MTは本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルWTが移動またはスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分C上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルWTの各移動の後に、またはスキャン中の連続する放射パルス間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この操作モードは、上述したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0068前述の使用モードまたはまったく異なった使用モードの組合せおよび/または変形形態も用いられてよい。0069投影システムPSの最終エレメントと基板との間に液体を供給するための機構は、2つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは、基板Wの全体および任意選択で基板テーブルWTの一部分が液体の槽に沈められる槽タイプの機構、ならびに基板の局部領域にのみ液体が供給される液体供給システムを使用するいわゆる局部液浸システムである。後者のカテゴリでは、液体で満たされた空間が、上面図では基板の上面より小さく、液体で満たされた領域は、この領域の下で基板Wが移動している間中、投影システムPSに対して実質的に静止したままである。本発明の一実施形態が対象とするさらなる機構に、液体が閉じ込められないオールウェットの解決策がある。この機構では、基板上面の実質的な全体および基板テーブルの全体または一部分が液浸液で覆われている。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜でよい。図2~図5の給液デバイスのうち任意のものも、そのようなシステムで使用することができるが、シーリング機構が存在しないもの、作動しないもの、液体を局部領域だけに封止するのに通常ほど効率的でないもの、またはその他、液体を局部領域だけに封止するのに効果がないものである。図2~図5に、4つの様々なタイプの局部液体供給システムが示されている。図2~図4に開示されている液体供給システムは前述のものである。0070提案されている別の機構に、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部分に沿って広がる液体閉じ込め部材を、液体供給システムに設けるものがある。そのような機構が図5に示されている。液体閉じ込め部材は、Z方向光学軸の方向のいくらかの相対運動はあり得るが、XY平面では投影システムに対して実質的に静止している。液体閉じ込め部と基板の表面との間にシールが形成される。一実施形態では、シールは、液体閉じ込め構造体と基板の表面との間に形成され、ガスシールなどの非接触シールでよい。そのようなシステムが、米国特許出願第US2004-0207824号に開示されている。0071図5は、障壁部材12、IHを備えた局部液体供給システムを概略的に示したものである。障壁部材は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルWTまたは基板Wとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在している。以下のテキストにおける基板Wの表面の参照は、特に明確に言及されていない限り、追加または別法として基板テーブルの表面を同じく意味していることにどうか留意されたい。障壁部材12は、Z方向光軸の方向の若干の相対移動が存在する可能性はあるが、投影システムに対してXY平面内に実質的に静止している。一実施形態では、障壁部材と基板Wの表面との間に、流体シール、望ましくはガスシールなどの非接触シールであってもよいシールが形成される。0072障壁部材12の少なくとも一部は、投影システムPSの最終エレメントと基板Wとの間の空間11に液体を含有している。基板Wの表面と投影システムPSの最終エレメントとの間の空間に液体が閉じ込められるよう、投影システムのイメージフィールドの周りに基板Wに対する非接触シール16を形成することができる。この空間は、少なくとも部分的に、投影システムPSの最終エレメント下方に、投影システムPSの最終エレメントを取り囲んで配置された障壁部材12によって形成されている。液体は、障壁部材12の内側の投影システムの下方の空間に、液体入口13によってもたらされる。この液体は、液体出口13によって除去することができる。障壁部材12は、投影システムの最終エレメントの少し上まで延在させることができる。液体のレベルは、液体のバッファが提供されるよう、最終エレメントの上まで上昇している。一実施形態では、障壁部材12は、その上端部分の形状が投影システムまたは投影システムの最終エレメントの形状と緊密に合致する、例えば丸い形状であってもよい内側周囲を有している。内側周囲の底部は、イメージフィールドの形状と緊密に合致しており、必ずしもそうである必要はないが、例えば長方形である。0073一実施形態では、液体は、使用中、障壁部材12の底部と基板Wの表面との間に形成されるガスシール16によって空間11の中に含有される。このガスシールは、ガス、例えば空気または合成空気によって形成されるが、一実施形態ではN2または別の不活性ガスである。ガスシール中のガスは、入口15を介して加圧下で障壁部材12と基板Wとの間の隙間に供給される。このガスは、出口14を介して抽出される。ガス入口15部分の超過圧力、出口14部分の真空レベルおよび隙間の幾何構造は、液体を閉じ込める内側に向かう高速ガス流16が存在するようになされている。障壁部材12と基板Wとの間の液体に対するガスの力によって、空間11の中に液体が含有される。入口/出口は、空間11を取り囲む環状の溝であってもよい。この環状の溝は、連続していても、あるいは不連続であってもよい。ガスの流れ16は、液体を空間11の中に含有するのに有効である。米国特許出願第US2004-0207824号に、このようなシステムが開示されている。0074他の諸機構が可能であり、また、以下の説明から明らかになるように、本発明の一実施形態は任意のタイプの局部液体供給システムを使用することができる。本発明の一実施形態は、液体供給システムとして任意の局部液体供給システムとともに使用するのに特に適切である。0075図6は、液体供給システムの一部分である障壁部材12を示す。障壁部材12は、障壁部材シール部材と称されることがあるの全体的な形状が例えば実質的に環状となるように、投影システムPSの最終エレメントの周辺のまわり例えば周囲に延在する。投影システムPSは円形でなくてよく、また、障壁部材12の外側縁端部も円形でなくてよく、その結果、障壁部材が輪状である必要はない。障壁は開口を有し、これによって、投影システムPSの最終エレメントから投影ビームが外へ通過することができる。したがって、露光の期間中、投影ビームが、障壁部材の開口に含まれている液体を基板W上へと通過することができる。0076障壁部材12の機能は、投影ビームが液体を通過することができるように、少なくとも部分的に投影システムPSと基板Wとの間の空間に液体を維持するかまたは閉じ込めることである。液体の最高レベルは、障壁部材12が存在することによって、そのまま閉じ込められている。0077液浸液は、障壁部材12によって空間11に供給されるしたがって、障壁部材は流体ハンドリング構造体であると考えることができる。液浸液に対する通路すなわち流路は、障壁部材12を通過する。流路の一部分は、チャンバ26によって構成される。チャンバ26は、2つの側壁28、22を有する。液体は、チャンバまたは出口24からチャンバ26の中へ第1の側壁28を通過し、次いで空間11内へと第2の側壁22通過する。複数の出口20が、空間11に液体を供給する。液体は、側壁28、22のそれぞれの貫通孔29、20を通過して空間11に入る。貫通孔20、29の位置は無作為なものでよい。0078障壁部材12の底部と基板Wとの間にシールが設けられる。図6で、シールデバイスは、非接触シールをもたらすように構成され、いくつかのコンポーネントで構成されている。投影システムPSの光学軸から半径方向外側に、空間内へしかし投影ビームの経路には入らずに延在する任意選択の流量制御プレート50が設けられ、これが、出口20からの液浸液の空間にわたって実質的に平行な流れを維持するのを支援する。流量制御プレート50は、投影システムPSおよび/または基板Wに対して障壁部材12の光学軸方向の移動に対する抵抗を低減するために貫通孔55を有する。0079障壁部材12の底面上の流量制御プレート50の半径方向外側に、障壁部材12と基板Wおよび/または基板テーブルWTとの間から液体を抽出するための抽出器アセンブリ70があってよい。この抽出器は、単相または2相の抽出器として動作することができる。0080抽出器アセンブリ70の半径方向外側に、凹部80があってよい。この凹部は、入口82を介して大気に接続される。この凹部は、出口84を介して低圧源に接続される。凹部80の半径方向外側に、ガスナイフ90があってよい。抽出器、凹部およびガスナイフの機構は、米国特許出願第US2006/0158627号に詳細に開示されている。0081抽出器アセンブリ70は、米国特許出願第2006-0038968号に開示されているものなどの液体除去デバイスすなわち抽出器または入口を備える。任意のタイプの液体抽出器を使用することができる。一実施形態では、抽出器アセンブリすなわち液体除去デバイス70は、ガスから液体を分離して単一液相の液体抽出法を可能にするのに用いられる多孔性材料75で覆われた入口を備える。多孔性材料75の下流のチャンバ78は、わずかな負圧に保たれ、液体で満たされている。チャンバ78内の負圧は、多孔性材料の穴の中に形成されたメニスカスが、周囲のガスが抽出器アセンブリ70のチャンバ78内へ引き込まれるのを防止するようなものである。しかし、多孔性の表面75が液体と接触するとき、流れを制限するメニスカスはなく、液体は、抽出器アセンブリ70のチャンバ78へ自由に流れ込むことができる。0082使用中例えば基板が障壁部材12および投影システムPSの下を移動する間、基板Wと障壁部材12との間に延在するメニスカス320がもたらされる。0083図6には具体的に示されていないが、液体供給システムは、液体のレベルの変動に対処する機構を有する。これは、投影システムPSと障壁部材12との間に蓄積する液体を扱うことができてこぼれないようにするためである。0084基板Wは、通常、基板テーブルWTの凹部例えば基板サポート領域に位置決めされる。基板Wの幅例えば直径のばらつきを計上するために、凹部は、通常、基板Wの見込まれる最大サイズより少し大きく作製され、したがって、基板の縁端部と基板テーブルWとの間に隙間が存在する。液体を設けるためのすべての機構に関して、基板と基板テーブルとの間の隙間5の手当てが困難である可能性がある。これは、この隙間5に液体が入る可能性があるためである。液体が基板の下に入り込むのを防止するために、隙間5から液体を除去するのが望ましい。ガスの気泡が隙間5から液浸液に入るのを防止することも望ましい。このために、基板と基板テーブルの縁端部との間の隙間の下に、入口が設けられてよい。入口は負圧源に接続され、その結果、隙間5から液体および/またはガスを除去することができる。0085図7は、基板テーブルWTおよび基板Wを通る概略断面図である。基板Wの縁端部と基板テーブルWTの縁端部との間に隙間5が存在する。隙間5は、結像の期間中基板が配置される凹部の外側領域または縁端部に存在する。基板Wは、基板テーブルWTの基板サポート領域上に支持され得る。0086隙間への液体の侵入に対処するために基板Wの縁端部に少なくとも1つのドレイン10、17を設けてよく、隙間5に侵入するあらゆる液体を除去する。図7の実施形態では2つのドレイン10、17が示されているが、ドレインは、1つだけでも、2つより多くてもよい。0087第1のドレイン10の主要な役割は、ガスの気泡が液体供給システム12の液体11に入るのを防止することである。いかなるこのような気泡も、基板Wの結像に悪影響を及ぼす可能性がある。何らかの液体が隙間5から基板Wの下へ通って、結像後に基板テーブルWTから基板Wを効率的に解放するのを妨げるのを防止するために、第2のドレイン17が設けられてよい。通常、基板Wは、節と称される複数の突出部32を備える突起テーブルすなわち節プレート30によって保持される。突起テーブル30によって基板Wと基板テーブルWTとの間に与えられる負圧が、基板Wをしっかりと所定の位置に保持することを保証する。突起テーブル30の下の第2のドレイン17の備えは、基板Wの下を通る液体によって生じる可能性がある問題を低減するかまたは解消する。0088第1のドレイン10は、負圧によって液体を除去する。すなわち、第1のドレイン10は、出口142を介して負圧源に接続される。この負圧源が、ドレインに入るあらゆる液体を効果的に除去する。0089第1のドレイン10の正確な寸法形状は重要ではない。一般に、第1のドレイン10は入口110を備え、これによってチャンバ140が隙間5と流体連絡する。チャンバ140は、例えば環状でよい。諸出口142は、チャンバ140と流体連絡する。0090次に、第2のドレイン17を説明する。第2のドレイン17の出口95は、突起テーブル30の負圧例えば0.5バールより少し高い負圧例えば0.6バールに保たれる。これは、隙間5ならびに突起テーブル30から出口95へのガスの流れの存在を保証する。代替実施形態では、第2のドレイン17は正圧に保つことができる。この場合、出口95から隙間5へガスの流れがある。これは、毛管圧と組み合わせて、突起テーブル30に液浸液が入るのを低減するかまたは防止するために用いることができる。0091わかるように、基板Wの下に2つの突出部91および92が設けられる。半径方向外側の突出部91は、いわゆるウェットシールであり、これと基板Wの底面との間を液浸液が通過しやすい。半径方向内側の突出部92はドライシールであり、これと基板Wとの間を通過しやすいのはガスだけである。00922つの突出部91と92との間に流路93があり、チャンバ94に通じている。チャンバ94は、負圧源に接続された出口95と流体連絡している。この第2のドレイン17および第1のドレイン10のより詳しい内容は、米国特許出願第US2008-0297744号に見いだすことができる。0093ガスが隙間を通って除去されると、次いでこれは隙間5内の何らかの液体の望ましくない蒸発をもたらす可能性がある。これは、その結果として局部冷却をもたらす可能性がある。局部冷却は、基板テーブルの熱収縮をもたらし、それによってオーバーレイエラーをもたらす可能性があるので望ましくない。0094この現象に対処することができるやり方の1つに、基板テーブルWTに熱伝導流体用の流路を設けるものがある。このようにして、基板テーブルの温度を一定に維持することができる。さらに、米国特許第US2008-0137055号に開示されているように、入口の近傍で加熱するためにさらなるヒータが使用されてよい。したがって、その箇所で生成される追加の熱負荷を、そのさらなるヒータを使用することによって補償することができる。0095図8は、このような機構の1つを示す。図8は、基板テーブルWTの基板サポート領域の上面図である。入口110が示されている。熱伝導流体用の中央流路200が設けられている。中央流路200は、基板Wの位置の下の経路をたどる。中央流路200の経路は、加熱流体が流路200を通ることにより均一な加熱を与えることができるようなものである。流路200に入る熱伝導流体の温度は、第1の温度センサ210によって検出される。流路200を出る熱伝導流体の温度は、第2の温度センサ220によって検出されることになる。局部箇所における温度を検出するために、流路200に第3の温度センサ230が設けられてもよい。コントローラには、温度センサ210、220、230からデータが供給され得て、熱伝導流体が流路200に入るのに先立って熱伝導流体を加熱するのに使用されるヒータ240を使用して熱伝導流体の温度を制御することができる。0096ドレイン10によって起こり得る過度の冷却に対処するために、加熱エレメント250を設けることができる。加熱エレメント250は入口110に隣接する単独加熱エレメントであり、入口110の周辺のまわり例えば周囲に延在する。0097図7に示されるように、加熱エレメント250は、チャンバ140の下またはチャンバ140の両側に配置することができる。ヒータ250のための他の適切な位置がある可能性がある。0098第4の温度センサ260が設けられる。第4の温度センサ260は、入口110の近傍に設けられる。コントローラは、加熱エレメント250に与えられる電力を制御するのに、第4の温度センサ260から得られた情報を用いることができる。0099図8に示されたシステムは、特に局部領域の液体供給システムが使用されるときのいくつかの問題を緩和するが、入口110の周辺のまわりの冷却は必ずしも均一にならない。したがって、第4の温度センサ260の位置は重要である。第4の温度センサ260が大量の局部冷却を経験した位置にある場合、次いでその冷却は補償され得るが、入口110の他の領域が過熱するおそれがある。センサ260に関する問題は、加熱エレメント250を、第2の温度センサ220と第3の温度センサ230との間の温度差に基づいて制御した方がよいことを意味する。コントローラは、この差を、基板テーブルの縁端部に対する熱負荷の測度として用いる。基板テーブルの周辺全体の一部分に熱負荷が与えられる場合、周辺全体にわたって平衡を保つ熱負荷が与えられる。その結果、加熱エレメントが負荷を与える領域は補償不足であり、負荷を与えられない領域は乱れる。例えば、基板テーブル縁端部の1/3にわたって1Wであると、これは、縁端部全体にわたって1Wで補償される。このため、その局部負荷が補償されるのはわずかに0.33Wであり、その他の0.66Wは縁端部の残りを乱している。入口110のまわりにさらなる温度センサを備えてさえ、この問題は緩和されない可能性がある。00100図8の解決策には以下の欠点がある。1ヒータとセンサとの組合せの反応時間が非常に遅い時定数が大きい。ヒータおよびセンサが基板テーブルWTに貼り付けられており、比較的高い接触抵抗をもたらす。2ヒータおよびセンサは、基板テーブルの縁端部に与えられるのみであってその中心部中央部分には与えられず、もたらされるのは部分的解決である。3水の調節は、不均一な温度分布をもたらす最大の流れに限定されている。水路の断面が小さく、しかもかなり長いので、流れ抵抗が大きい。大流量に関しては、圧力降下が大きくなりすぎて、ウェーハテーブル自体の不均一な機械的変形がもたらされる。大流量は、高速度および大きな動的力をもたらし、また、これが回復できない擾乱力をもたらす。最大流だけでなくあらゆる流れが不均一な温度分布をもたらす。水は入口から出口へと冷たくなる。この温度差が不均一性をもたらす。より流量が大きければ大きいほど、当然dTが低下する。4水の調節は、圧力パルスのために、回復できない動的擾乱をもたらすことがある。5水の調節は、厚い10mmの、それ故に重い基板テーブルWTを含んでおり、したがってスキャンアップ-スキャンダウン問題の原因となる。00101一実施形態では、ヒータ400および/または温度センサ500が基板テーブルWTの表面上にある。ヒータ400および/または温度センサ500は、基板サポート領域に隣接した例えば同領域の下の表面上にあってよい。このような表面の1つは節プレート600の表面である。00102一実施形態の節プレート600が図9に示されている。節プレート600は、上部面および下部面に突出部があるプレートから成る。上部面上の突出部は節32であり、使用するとき、この上に基板Wが支持される。下側の節34は、基板テーブルWTの表面上に節プレート600を支持するためのものである。00103図7で、節プレート30は、基板テーブルWTの一体部品として示されており、節34または図9と同等な節は存在しない。00104図9では、ヒータ400および/または温度センサ500が、節プレート600の表面上で節32と節34との間に形成されている。ヒータ400および/または温度センサ500は、節プレート600の上向きの表面および/または下向きの表面にあってよい。00105一実施形態では、ヒータ400および/または温度センサ500は薄膜として形成される。したがって、ヒータ400および/または温度センサ500は、のりまたははんだなどの接着剤を使用せずに、表面に直接取り付けられる。したがって、ヒータ400および/または温度センサ500は、例えば表面上に堆積されて表面に直接結合される。一実施形態では、ヒータ400および/または温度センサ500は白金から形成される。節プレート600が導電材料SiSiCなどで作製される場合、白金ヒータ400および/または温度センサ500が堆積される前に、絶縁層および/または結合層が堆積されてよい。一旦ヒータ400および/または温度センサ500が堆積されてから、ヒータ400および/または温度センサ500の電気的絶縁を保証し、かつ湿ったガスから保護するために別の誘電体層でさらにコーティングする必要があり得て、そうしないと湿ったガスで短絡が生じることになる。一実施形態では、ヒータ400および/または温度センサ500の上にさらなる絶縁層が設けられ、このため熱が表面に入る。これは、本体例えば節プレート600の中へ、なおいっそうの熱を導くことになる。00106通常、薄膜は合計で4つの層を有する。基板テーブルの頂部例えば節プレート600には結合層があり、次いで絶縁誘電体層、次いで白金層、そして短絡を防止するために再び誘電体層が頂部にある。白金ラインの電磁障害を防止するために、2つの追加のシールド層があってもよい。ヒータおよび/または温度センサの厚さは、例えば100μm未満、好ましくは10μm未満、さらには1μm未満の薄いものである。00107ヒータ400および/または温度センサ500は、基板サポート領域に隣接して配置される。これらが表面に直接結合されるので、表面の背後の材料とヒータ400および/または温度センサ500との間で、熱が迅速に伝導される。ヒータ400および/または温度センサ500が与えられる表面が節プレートであると、それらが基板Wに近いので、基板Wとの間の熱の伝導が非常に迅速である。00108図10は、複数のヒータ400および/または温度センサ500の機構の一実施形態を示す上面図である。複数のヒータ400A~400Fおよび/または温度センサ500A~500Fは、細長いものである。これらは、細長くなっている方向で実質的に平行であり、1つの縁端部から反対側の縁端部まで、基板サポート領域にわたって延在する。この機構の利益は、図11を参照しながら以下で説明される。00109複数の縁端部ヒータ410A~410Lおよび/または温度センサ510A~510Lが、ヒータ400A~400Fおよび/または温度センサ500A~500Fが配置されている基板サポート領域の中央部分を取り囲む。縁端部ヒータ410A~410Lおよび/または温度センサ510A~510Lは、基板サポート領域の縁端部のまわりの、様々なサイズのものである。これらのサイズは、中央部分のヒータ400A~400Fおよび/または温度センサ500A~500Fの、この方向における寸法と一致するようになっている。00110複数の縁端部ヒータは、図8の加熱エレメント250の役目をするように設計されている。すなわち、これらは、図7に関連して説明されたような基板Wの縁端部のまわりの大きな気化熱負荷を補償するように設計されている。縁端部ヒータ410A~410Lおよび/または温度センサ510A~510Lは、節プレート600の表面上または異なる表面上に配置される。00111本発明の一実施形態は、それ自体で、あるいは、図8に示されるような縁端部ヒータ250および/または図8に示されるような、熱調節流体を通過させるための、基板サポート領域に隣接した通路230と組み合わせて用いることができる。さらに、本発明の一実施形態のヒータおよび/または温度センサは、2相流体によって調節された基板テーブルWTと組み合わせて使用することができる。このような実施形態では、チャンバが、基板テーブルWTの本体の中に設けられ、気相および液相の両方の流体で満たされる。このような基板テーブル調節システムは、参照によってそれらの全体が本明細書に組み込まれる、2009年9月28日出願の米国特許出願第US61/246,276号、および2009年9月28日出願の米国特許出願第US61/246,268号に説明されている。00112本発明の一実施形態の利点は、ヒータおよび温度センサの両方に関して存在する。基板テーブルWTは、一方または他方あるいは両方を備えることができる。ヒータおよび温度センサの両方が、薄膜のヒータおよび/または温度センサの高速の熱応答を利用する。00113具体的には、図10および図11に示されたヒータおよび/またはセンサの機構は、必ずしも薄膜でない他のタイプのヒータおよび/または温度センサにも適切である。00114一実施形態では、ヒータおよび/または温度センサは、表面上ではなく基板テーブルWTのコンポーネントの中に密封される。ヒータおよび/または温度センサは、基板テーブルWTの天板例えば水晶板に組み込まれてよい。天板は、2つの部分を備えることができ、その間にヒータおよび/またはセンサが組み込まれる。00115図11は、一実施形態を示す上面図である。図11で、縁端部ヒータ410A~410Lおよび/または温度センサ510A~510Lは存在しない。基板テーブルWTの設計次第で、基板Wの縁端部に縁端部ヒータを含む必要がないことがある。このような実施形態が図11に示されている。00116図11には、投影システムPSの下における基板テーブルWTの蛇行経路700も示されている。蛇行経路の一般的な全体的移動が、ライン800によって示されている。00117ライン700とライン800とを比較することによって理解することができるように、全体的経路800をたどる間に、X方向の前後運動が起こる。Y方向のスキャンは非常に高速である。その結果、基板テーブルWTは、図示の基板の頂部から基板の底部まで、Y方向に沿ってかなりゆっくり移動することが理解され得る。このために、ヒータ400A~400Fおよび/または温度センサ500A~500Fならびに縁端部ヒータおよび/または温度センサはX方向に細長くなっている。ヒータおよび/または温度センサは、第1の方向に細長い。第1の方向は、所与のヒータ400および/または温度センサ500が基板Wの結像の期間中投影システムの下にとどまる期間が、ヒータおよび/またはセンサのその細長い方向が第1の方向に対して垂直に配向された場合その場合には、基板全体の結像を通じて何回かに分けてヒータおよび/またはセンサを通ることになるより長くなるように配向される。具体的には、所与のヒータおよび/または温度センサが基板の結像の期間中投影システムの下にある時間が、実質的に最小化される。一実施形態では、これは、ヒータおよび/または温度センサの細長い方向がスキャン方向と平行になるのを保証することにより行われる。しかし、様々なスキャンパターンに対して、他の幾何形状の方がより適切なことがある。したがって、結像の期間中、基板は、Y方向にスキャンしながら、1番目のヒータ400A/温度センサ500Aに沿ってX方向へステップして進む。これによって、基板の1番目の領域が熱負荷を受け、これが、1番目のヒータ400A/温度センサ500Aの組合せによって検知され、かつ補償される。次いで、基板は、第2のヒータ400B/温度センサ500Bの組合せを投影システムの下へ移動するようにY方向に移動し、かつY方向にスキャンする。そのY位置に熱負荷が集中し、したがってセンサ400B/ヒータ500Bの組合せによって補償される。X方向にステップして進むとき、あらゆる熱負荷がそのX方向に集中する。投影システムからY軸に沿って遠ざかった位置では、熱負荷は小さい。00118細長いヒータおよび/または温度センサを有することの利点は、ヒータおよび/または温度センサの縦横比が実質的に1すなわちXおよびYの両方向で同一の寸法に作製されている場合より、ヒータおよび/または温度センサの数を減少できることである。数が減少すると制御が容易になり、システムの複雑さが低下し、とりわけヒータおよび/または温度センサを接続する困難さが緩和する。図12を参照しながら説明されるように、図10および図11の実施形態に関して、ヒータおよび/または温度センサは、節プレート600の縁端部にあるコントローラに比較的容易に接続することができる。00119複数のヒータおよび/または温度センサは実質的に平行な方向に細長くなっている。00120図12は、単一の一体化されたヒータおよび対応する温度センサを示す上面図である。類似の方式が、ヒータまたは温度センサのいずれか一方だけに用いられてもよい。ヒータおよび温度センサは、同一領域の温度を加熱しかつ検知するという意味で一体化されている。00121図12に示されるように、ヒータおよび温度センサは、ラインまたはワイヤのように形成される。ラインまたはワイヤは、全体的なヒータおよび/または温度センサの領域を覆う。これは、ラインが、屈折した経路をたどることにより行われる。図示の実施形態では、ラインは、節32の間の屈折した経路をたどるが、必ずしもそうである必要はない。図12に示されるように、ヒータのラインは、温度センサのラインと実質的に平行な経路をたどる。2つのラインは、交差せず、ヒータ全体のできるだけ大きな領域を覆うように、節から節へと縫うように進む。ラインは電極で終結し、制御システムへの接続が可能になる。00122コントローラが設けられる。コントローラは、測定される温度を所与の設定値に維持しようとする。応答が高速であればあるほど、期待される性能は、より優れたものになる。熱時定数が小さければ小さいほど、熱負荷の印加によって生じることになる正味の最大の温度変化は、より小さいものになる。コントローラは、センサからのフィードバックに基づいてヒータを制御することができる。基板テーブルWTに対する液体ハンドリングシステム12の位置に基づいて、フィードフォワード制御が可能である。00123図26に示されるように、本発明の一実施形態は、基板テーブルWTの頂部または底部に1つまたは複数の薄膜白金のセンサおよび/またはヒータを与えるものである。一実施形態では、基板テーブルWTと基板Wとの間に節プレート600が配置される。一実施形態では、節プレート600の頂部に薄膜のヒータ400および/または温度センサ500が与えられる。一実施形態では、節プレート600の底面に薄膜のヒータ400および/または温度センサ500が与えられる。一実施形態では、基板テーブルWTの底面に薄膜のヒータ400および/または温度センサ500が与えられる。00124薄膜のヒータ400および/または温度センサ500は、基板テーブルWT上に配置されたセンサの上部面または下部面に与えられてもよい。図26は、基板テーブルWTの表面上のセンサ261を示す。センサ261は、例えば、露光量センサ、収差センサ、照度センサ、均一性センサまたはエアリアル画像センサでよい。センサ261は、基板テーブルWTの位置を制御するためにエンコーダ格子プレートを備えることができる。センサ261は、上部面に保護プレート262を備えることができる。保護プレート262は、ガラスから形成されてよい。保護プレート262の上部面および/または下部面に、1つまたは複数の薄膜のヒータ400および/または温度センサ500を与えることができる。00125図29は、基板テーブルWT、基準フレームRF、格子50およびセンサ20を備えたリソグラフィ装置を示す。格子50は、基板テーブルWTまたは基準フレームRFに取り付けられる。センサ20は、基板テーブルWTおよび基準フレームRFの他方に取り付けられる。図29は、格子50が基板テーブルWTに取り付けられ、センサ20が基準フレームRFに取り付けられる場合を示す。00126センサ20は、格子50によって回折され、および/または反射された放射を検出し、それによって基板テーブルWTと基準フレームRFとの間の相対位置を測定するためのものである。これはリソグラフィ装置で用いられる一種の位置測定デバイスであり、互いに対して移動可能であってその相対位置の測定が望まれる様々な対象物上に格子50およびセンサ20が実装される。00127格子50および/またはセンサ20の上部面または下部面に、薄膜のヒータ400および/または温度センサ500を与えることができる。格子50は、例えば水晶またはガラスセラミックなどの光学的透明材料のプレート上に形成されてよい。このプレートは、エンコーダ格子プレートと称することができる。この説明では、格子50という用語は、その上に格子パターンが形成されているエンコーダ格子プレートを意味するものと理解される。00128薄膜のヒータ400および/または温度センサ500は、エンコーダ格子プレートの表面に直接与えられてよい。一実施形態では、薄膜のヒータ400および/または温度センサ500は、液浸液に露出されるエンコーダ格子プレートの表面に直接与えられる。これは、水晶またはガラスセラミックなどのプレートの材料が、比較的低い熱伝導率を有し得るからである。したがって、熱負荷による局部温度変化は、格子50の後面上に薄膜のヒータ400および/または温度センサ500を配置するよりも、格子50の露出した表面上に薄膜のヒータ400および/または温度センサ500を配置することにより、より迅速に補正することができる。00129これは、格子50および/またはセンサ20の温度を制御する。格子50および/またはセンサ20の温度の制御は、そうしなければオーバーレイエラーをもたらす位置誤差を低減するのに役立つ。位置誤差は、格子50および/またはセンサ20の表面の熱変形によってもたらされる。このような熱変形は、表面上の熱負荷によって引き起こされる。表面と同一の温度ではない液体が表面と接触すると、表面に熱負荷が与えられる可能性がある。例えば、液体が、蒸発するかまたは熱的に表面と平衡する可能性がある。これは、格子50が基板テーブルWTの上部面上に配置され、その上に流体閉じ込め構造体12が配置されるので、図29に示されたような格子50に対して問題になることがある。流体閉じ込め構造体12は、リソグラフィ装置の通常動作の期間中、格子50の一部分またはすべての上に配置されるようになり得る。流体閉じ込め構造体12から液浸液が漏れて、小滴として格子50の上にふりかかるかまたは残ることがある。もちろん、センサ20が基板テーブルWTの上面上に配置され、格子50が基準フレームRF上に配置される場合、同じ問題が生じるおそれがある。00130格子50は、グリッドプレートならびにグリッドプレートの上および下側に形成された格子表面を備えることができる。この目的は、格子表面自体が液浸液と接触するのを防止することである。00131上記では、本発明の一実施形態が格子50に関して説明されてきたが、同じ利点およびメカニズムをセンサ20の温度制御に適用することができる。例えば、図30は、格子50が基準フレームRFに取り付けられ、センサ20が基板テーブルWTに取り付けられる実施形態を示す。薄膜のヒータ400および/または温度センサ500が、センサ20の上部面または下部面に与えられてよい。00132図31は、リソグラフィ装置が、薄膜温度センサ500に加えて、もしくはその代わりに、非接触温度センサ311を備えることができる実施形態を示す。非接触温度センサ311は、赤外線温度センサを備えることができる。一実施形態では、非接触温度センサ311は、赤外線センサの配列を備える。センサは、格子50に対面してよい。例えば、格子50が基板テーブルWTの上部面上に配置される一実施形態では、非接触温度センサ311は、下方へ格子50と対面してよい。00133非接触温度センサ311は、図29および図30に示されるように、基準フレームRFに取り付けられてよく、あるいは、接触型温度センサ311は、基準フレームRFとは別の測定フレームに取り付けられてもよい。00134非接触温度センサ311は、基板テーブルWTの上に配置された赤外線センサのラインを備えることができる。非接触温度センサ311は、基板テーブルが非接触温度センサ311の下を通過するとき格子50の温度を測定する。この測定は、例えば、アライメント/焦点の測定段階、露光段階または基板/基板テーブルの交換段階の期間中に実行することができる。00135一実施形態では、薄膜のヒータ400および/または温度センサ500は測定テーブルの表面に与えられる。00136薄膜のヒータ400および/または温度センサ500が節プレート600、基板テーブルWTまたはセンサ261の表面に与えられる場合、ヒータ400および/または温度センサ500は複数の様々な方法によって与えることができる。00137ヒータ400および/または温度センサ500は、適切な表面上に貼り付けることができる。ヒータ400および/または温度センサ500の間の、のりの層は、接触抵抗を低減するためにできるだけ薄くするべきである。のりはポリマーを含んでよい。のりは、少なくとも1つの金属および/またはカーボンファイバをさらに含んでよい。この目的は、のりを、導電性にすることおよび/またはより熱伝導性にすることである。のりは、圧力感応性接着剤でもよい。これは、のりに圧力が印加されたとき、のりの層がより薄くなることを意味する。のりは接着剤と称されてもよい。00138薄膜のヒータ400および/または温度センサ500を表面に与える代わりのやり方に、表面上にコーティングとして網状のヒータ400および/またはセンサ50を形成するものがある。コーティングは、ポジ型フォトレジストまたはネガ型フォトレジストのいずれかを用いることにより形成することができる。00139ポジ型フォトレジストを用いる場合には、ポジ型フォトレジストのコーティングが表面上に与えられる例えば噴霧される。ポジ型フォトレジストのコーティングと表面との間に絶縁層があるように、ポジ型フォトレジストのコーティングに先立ってSiO2で作製され得る絶縁層が与えられてよい。00140一旦、ポジ型フォトレジストのコーティングが表面に与えられると、網状のヒータ400および/または温度センサ500が与えられないことになっている位置ではコーティングが露光され、それによってそれらの位置でポジ型フォトレジストが硬化する。フォトレジストの残りの部分が除去され、それによって、薄膜が与えられることになっている場所の隙間が開く。例えば白金あるいはチタンと白金との合金で作製され得る薄膜が、表面およびフォトレジストに与えられる。薄膜の望ましくない部分を除去するために、表面上に残っているフォトレジストが、例えば超音波ストリッピング技法によって取り除かれる。結果として、所望の場所に網状の薄膜が得られる。00141フォトレジストの2つの層が与えられる2段階フォトレジスト法が用いられてもよい。フォトレジストの最上層は、薄膜が与えられないことになっている位置では硬化するように露光される。硬化していないフォトレジストの部分を除去することによりフォトレジストが成長するとき、フォトレジストの上部層は、フォトレジストの最上層が基板Wの表面に接触しないようにフォトレジストの下部層の上に覆いかぶさる。これによって、フォトレジストの欠陥が低減する。00142ネガ型フォトレジストが用いられる場合、ネガ型フォトレジストの層は表面上にコーティングされる。これは噴霧することによって行われてよい。ネガ型フォトレジスト層より先に絶縁層を与えてもよい。フォトレジストは、薄膜が与えられることになっている領域では露光される。次いで、フォトレジストのこれらの部分が除去される。薄膜材料が表面上に配置される。フォトレジストの残りの部分が取り除かれ、それによって所望のパターンの薄膜材料が残る。00143表面に薄膜を与えるさらなるやり方に、薄膜材料の片側面にあらかじめ接着剤を与えるものがある。1つの表面にあらかじめ接着剤が与えられた薄膜は、ステッカーと称されてもよい。次いで、ステッカーが表面に与えられてよい。ステッカーの場合には、薄膜材料がポリイミドなどの絶縁材料の中に収容されてよい。具体的には、絶縁材料としてKapton登録商標をステッカーに用いることができる。00144薄膜と表面との間の熱抵抗を低減するために、薄膜が表面に直接結合されるのが望ましい。しかし、表面に薄膜を与えるために、望ましくは熱伝導性の接着剤が用いられてもよい。00145薄膜のヒータ400および/または温度センサ500の材料は、白金または白金合金でよい。薄膜材料は、銅、アルミニウム、銀、金、ならびに金属酸化物および/またはシリコンを含み得る半導体材料のうち少なくとも1つを含んでよい。ステッカーすなわち、絶縁ハウジングの内部のあらかじめ接着剤を与えられた薄膜の場合には、とりわけ銅が用いられ得る。薄膜用の材料は、時間が経つにつれて安定するものにするべきである。00146コーティングとして薄膜が表面に与えられる場合、薄膜材料を表面の所望の部分に与える準備をするためにマスクを使用することができる。具体的には、1つまたは複数の薄膜のヒータ400および/または温度センサ500が節プレート600の表面に与えられるとき、マスクが使用され得る。図28は、使用され得るマスクを示す。図28では、太い線が薄膜ヒータ400の位置を示し、細い線が温度センサ500の位置を示す。節32上に薄膜材料が望ましからず堆積するのを防止するためにマスクが使用される。00147図27は、1つまたは複数の薄膜のヒータ400および/またはセンサ500を使用することの有効性を示すグラフである。このグラフは、フィンガープリントサイズが、システムの温度を制御するのに使用される調節のタイプに依存して時間の関数として変化する様子を示す4本の線を含んでいる。長い破線のラインは、温度調節が適用されない状況を示す。実線は、温度調節を実行するために図8に示されるように熱伝導流体の流路200が使用される状況を示す。一点鎖線は、図9に示されたような構成を使用した薄膜調節を示す。短い破線のラインは、理想的調節を示す。00148基板テーブルWTの基板サポート領域の下の熱伝導流体の流路200に流れる熱伝導流体による調節より、薄膜調節の結果の方が、理論的な理想調節にはるかに近いことが明らかである。00149薄膜技術を使用することの利点は、検知および加熱のラインが表面にうまく接続されることであり、非常に低い接触熱抵抗にもたらす。別の利点に、センサおよびヒータの両方が同一材料から作製され、複数のセンサおよびヒータのまとまったレイアウトを1つのプロセスステップで取り付けることができることがある。00150熱抵抗が非常に低いので、薄膜センサおよびヒータを有する基板テーブルの熱的シミュレーションは、基板テーブル温度が数ミリケルビンにとどまり得ることを示しており、ほぼ理想的なテーブル調節の概念になっている。熱負荷に対処するために、一実施形態では、基板テーブルは、図10および図11に関連して前述されたように上部にヒータおよびセンサを有し、中央に水調節を有する。一実施形態では、基板テーブルWTに水調節がない。液浸マシンは冷却負荷が支配的であるため、これが可能である。制御されるセンサおよびヒータの数を最小限にするために、それぞれが1つのセンサとヒータとの組合せから成る18または22の領域を有する図10の以下のレイアウトが適切である。00151もちろん、領域がより多い、もしくはより少ない他のレイアウトが用いられてもよい。1つの行に対するX方向のスキャンにかかるのが一般に2秒未満であるので、基板Wの全幅にわたって1つのヒータとセンサとの組合せで十分である。Y方向では、一般に10~20秒のより長い時間スケールに対処するのに、より多くの組合せが必要とされる可能性がある。蛇行は、Y方向に動くのに、より長く時間がかかる。センサとヒータとの組合せが反応することができるのは0.5秒以内であり、このため、Y方向のフィールドサイズが制限されることになる。追加の隙間5の蒸発負荷に対処するために、複数の縁端部のヒータとセンサとの組合せそれぞれ12または16の領域が設けられる。これらの隙間5の気化熱負荷が大幅に低減すれば、縁端部の組合せを省略することができる。次いで、レイアウトは、図11のようになる。001521つの領域内のヒータおよびセンサは、例えば図12に示されるように、その領域の表面全体にわたって均一に分配されるべきである。00153熱的冷却負荷が、局部的に、かつ短い時間スケールで測定して補正されるので、オーバーレイ性能が向上する。00154水調節を廃止すると、このとき水ホースおよび流体力学上の圧力パルスが存在しないので有利であり、これによって、より薄い基板テーブルが可能になり、スキャンアップ-スキャンダウン問題がより低減される。001551つまたは複数の薄膜のヒータ400および/または温度センサ400を用いることのさらなる利点に、それらが他のタイプのヒータまたは温度センサより質量が小さいことがある。これは、そうでない場合より小さい質量を有する基板テーブルWTをもたらす。00156本発明の一実施形態は、直径300mmの基板Wおよび直径450mmの基板Wのどちらにも適用可能である。直径450mmの基板については、センサ400/ヒータ500の数が増加することになる。中央のセンサ400/ヒータ500は、Xが450mmであってYが引き続き50mmということになり、Y方向で9組のセンサ400/ヒータ500が存在することになり、一方、直径300mmの基板については、Y方向で6組のセンサ400/ヒータ400が存在する。縁端部のセンサ410/ヒータ510は、直径300mmの基板と類似のパターンを有することになり、21組または25組のセンサ410/ヒータ510になるすなわち、直径300mmの基板は18組または22組のセンサ/ヒータを有する可能性がある。00157基板サポート領域の中央部分内のヒータおよび/または温度センサの数は、一実施形態では、全体的な温度補正に対して例えば多くの領域を対象にして1つだけでよい。別の実施形態では、ヒータおよび/または温度センサである多くのセンサ400/ヒータ500例えばダイサイズ26mm×32mmにつき1組のセンサ400/ヒータ500を有するチェックボードが、局部補正のために存在し得る。001581つのダイ内の温度センサおよびヒータのラインは、必ずしもダイの方向と整列しない。ラインの長さ、ラインの幅、節パターンおよびワイヤ接続ポイントが、レイアウトを決定することになる。00159縁端部のヒータおよび/またはセンサは、節プレート600の節内もしくは節外、または側縁部上、または基板テーブルリング上にあってよい。00160以下は本発明の諸態様である。00161a一体型のヒータおよび/または温度センサの帯が最適化されており、標準的な液浸フードの経路が変化する場合、ヒータおよび/または温度センサの最適な機構を変えることができる。00162bテーブル表面の端から端までヒータを有する。00163cテーブル表面の端から端までセンサを有する。00164dテーブルの表面にわたって、互いに一体化されたセンサおよびヒータを有する。00165e節と一体化されたセンサおよび/またはヒータを有する。00166fセンサおよび/またはヒータを薄膜として有する。00167g既存のウェーハ縁端部ヒータ、2相テーブル制御、および/または内部流体調節システムを有する一体化されたセンサ/ヒータを使用する。00168i基板サポートの片側または両側にシステムが存在する。00169jセンサおよびヒータを一体化するための最適な機構である。00170ヒータ400および/または温度センサ500は、上面図において任意の形状であり得る。図13は、ヒータ400および/またはセンサ500が、蛇行した経路を形成するラインを備える一実施例を示す。ヒータ400およびセンサ500は、例えば図12のように互いに関連付けられ得る。ヒータ400およびセンサ500の上面図における形状は、実質的に同一であっても同一でなくてもよい。00171図14は、センサ500および/またはヒータ400のさらなる形状を示す上面図である。図14の場合、上面図におけるセンサ500および/またはヒータ400の全体的形状は、回路を形成するために互いに結合された同心円の形状になっている。00172図13および図14のヒータ400/センサ500の実施形態は、特に図19を参照しながら以下で説明されるような、あるいは図16および図17を参照しながら以下で説明される微小電気機械的システムMEMSとしての、自動調整の熱システムの形式で、ヒータ400および関連するセンサ500を形成する1つのラインから形成することができる。00173図15の実施形態は、ヒータ400およびセンサ500が分離したラインであって、両方が同心の混ざり合った円板として形成される実施形態である。00174自動調整システムは、温度の局部変化によってヒータを作動させるかまたは停止させるデバイスである。このヒータは、温度の局部変化から離れたところにはいかなる外部入力もなく、適切な場所へ、適切な時間に所望の熱補償をもたらす。一般に、自動調整のデバイスを作製するのに、iMEMSスイッチを有するヒータと、iiその電磁EM特性と温度との間に強い非線形の関係を有する自動調整材料で作製されたヒータとの2つのやり方がある。00175これらのデバイスはわずか数マイクロメートルの厚さであり、その製造は、とりわけ、高度な直接描画あるいは金属および誘導体の堆積、フォトリソグラフィ、湿式エッチングおよび乾式エッチング、電気めっきおよび非電着性めっき、拡散およびイオン注入などの薄膜技術によって行うことができる。自動調整デバイスの寸法が縮小したために、自動調整デバイスを、任意の構成、数数千程度、幾何形状、または任意の表面に対して容易に配置することができる。00176このシステムは、とりわけ、レーザ調節を用いて材料を除去する、アクチュエータを作り変える、あるいは可能であればその材料の結晶度を変化させることにより調節することができる。複雑な表面の場合には、自動調整システムは、最初に薄いフラットフィルム上で組み立て、次いで最終面に転写することができる。00177ヒータ400および/または温度センサ500は、自動調整の熱システムを形成することができる。すなわち、遠隔制御器によって、ヒータ400に制御信号を供給する必要はなく、温度センサ500から信号を受け取る必要もない。代わりに、ヒータ400および/または温度センサ500に電圧が印加され、次いで個別のコントローラを必要とすることなく局部温度変化を補償する。00178自動調整熱システムの形式の1つに、図16および図17を参照しながら以下で説明されるMEMSベースの自動調整ヒータがある。さらなる形式の1つに、図18、図19および図20を参照しながら説明されるEM温度ベースの自動調整ヒータがある。00179MEMSヒータ400は、MEMSセンサ500によって作動および/または停止するヒータである。一実施形態では、センサ500はスイッチである。スイッチは、正の熱膨張率の材料、または負の熱膨張率の材料、またはバイメタル材料で作製することができる。図16は、MEMSベースの自動調整ヒータ400およびセンサ500を示す断面図である。図17は、図16の温度センサ500の詳細を示す。00180図16で、ヒータ400は温度センサ500と直列に接続される。温度センサ500は、自動調整スイッチの形式である。正もしくは負の熱膨張率の材料600またはバイメタル材料が、スイッチを作動させる。センサを構成するのに有用な材料は、シリコン、ポリシリコンまたは窒化シリコンなどのシリコン化合物または金などの金属を含む。材料600の熱膨張および/または熱収縮によって、特定の温度より高いかまたは低いとスイッチが開き図17の上部の図、あるいはその特定の温度より低いかまたは高いと、反対にスイッチが閉じる。スイッチが閉じると、電流がヒータ400を通って流れる。一実施形態では、例えば冷却の期間中、ヒータ400が電源に接続され、温度の変化が生じるとき、MEMSスイッチは回路を閉じる。次いで、電流がヒータ400を通って流れ、ヒータ400が形成されている表面を暖める。温度が上昇すると、スイッチの材料600は、スイッチが開いて電流がヒータ400を流れなくなり加熱が停止するまで、変形膨張、収縮または選択された材料に左右される曲げし始める。00181MEMS構造体の寸法形状は、機能例えば過熱保護およびスイッチの生産性の改善を含む次第で変化し得る。望ましくは、MEMSスイッチは、ヒータ400によってもたらされた温度変化に迅速に反応するために、ヒータ400のレイアウトに隣接するかまたはその内部にある。図14の実施形態は、図14の実施形態がMEMSベースの自動調整ヒータであるとき、MEMSのセンサ/スイッチを配置するのに適切であり得る位置700を示す。00182一実施形態では、自動調整ヒータはEM温度ベースの自動調整ヒータでよい。この実施形態には、表面上にラインを1つだけ配置すればよいという利点があるMEMSの実施形態にもこの利点がある。00183自動調整材料例えば半導電性ポリマーで作製されたヒータ400は、周囲温度に応答してそのEM特性が変化するとき停止するかまたは作動するので、センサ500およびスイッチとしても働くことができる。図18は、自動調整ヒータの抵抗Y軸がX軸に沿った温度の関数として変化する一実施例を示す。したがって、電気的EM温度ベースの自動調整ヒータが電源例えば一定電圧のものに接続される場合、次いで、例えば冷却の期間中、温度変化の下で自動調整材料の電気抵抗はかなり低下する。このプロセスによって電流がヒータを通って流れることが可能になり、表面を暖める。熱によってヒータおよびその周囲の温度が上昇し、それによって、所与の温度で電流が完全に停止するまで電気抵抗が増加する。この状況は、加熱プロセスを停止させる。00184図19に示されるように、表面上に熱伝導性かつ導電性の層800を配置し、次いで自動調整材料の膜810および最上部の導電性であるが同様に絶縁する層820を配置することにより、EM温度ベースの自動調整ヒータを構成することができる。00185EM温度ベースの自動調整ヒータは、上面図において任意の形状を有することができる。実際、ヒータは、ライン形式である必要性はなく、図20の斜視図に示されるようにブロック形式であり得る。図20に、EM温度ベースの自動調整ヒータ420から成るヒータ/温度センサが示されている。中央の電気的接続450は、すべてのEM温度自動調整ヒータ420に共通であり、また、電気回路を完成するために、EM温度ベースの自動調整ヒータ420の両側の2つの電極460を使用することができる。00186自動調整の基板テーブルWTにより、液体の蒸発による基板W上の不均一な温度を補正することができる。節プレート600の上部面または下部面に、自己加熱デバイスを配置することができる。例えば小滴であるコールドスポットの存在下で、それらの区域により近い電気的ヒータ400は、節を介した熱伝導によって基板を熱的に補償するために自己作動する。基板テーブルWTに電力を供給するのに必要とされるのは2本のワイヤだけである。このシステムは、基板テーブルWTの重さをかなり低減することができ、一方、複数の自動調整ヒータ400がその上に配置されていることにより信頼性が向上する。00187ヒータ400および/または温度センサ500は、上記では、基板テーブルWTの表面に、基板Wのサポート領域に隣接して与えられるものと説明されている。しかし、本発明の一実施形態は、リソグラフィ装置、詳細には投影装置、より詳細には液浸リソグラフィ投影装置の任意の表面に対して適用することができる。図21および図22は、ヒータ400および/または温度センサ500がリソグラフィ装置内に配置され得る様々な異なる位置を示す。00188図21は、基板テーブルWTの上面図である。基板サポート領域に隣接したヒータ400および温度センサ500の位置は、すでに論じられている。他の場所には、任意のセンサ1000のまわり、特に任意のセンサ1000の縁端部のまわりがあり得る。これは、センサ1000の縁端部と基板テーブルWTの縁端部との間に隙間があり得て、この隙間が、ここから液体を除去するために負圧に保たれ、それによって大きな蒸発損失があり得るからである。例えば、センサ100は、透過画像センサTISまたはILIASセンサでよい。別の領域は、ダミー基板1100のまわりのドレインであり得る。ダミー基板1100は、例えば基板交換の期間中、投影システムPSの下にダミー基板1100を配置することにより、流体ハンドリングシステム12の底を閉じるように使用される。それによって、流体ハンドリングシステム12を、例えば基板交換の期間中オン状態に維持することができ、このことは、投影システムPSの最終エレメント上の汚れを乾燥させないようにする点で有利である。例えば基板交換の期間中、流体ハンドリングシステム12を稼動状態に維持することが可能な別のやり方に、基板テーブルWT上に交換ブリッジ1200を設けるものがある。交換ブリッジ1200は、例えば、新規の第2の基板テーブルWTが第1の基板テーブルWTに取って代わる期間中、基板テーブルWTから任意選択で伸縮自在に延びて流体ハンドリングシステム12の下に移動することができる表面をもたらす表面である。基板テーブルWTの上面と交換ブリッジ1200の上面との間の隙間には、隙間に入ってくるいかなる液体も除去する負圧源が備わっていてよい。この領域には、本明細書で説明したヒータおよび/またはセンサ、ならびに基板テーブルWT自体の上面が交換ブリッジ1200に隣接して備わっていてよい。例えば基板交換の期間中、交換ブリッジ1200は、第2の基板テーブルWTと係合する。交換ブリッジ1200が基板テーブルWTと係合することになるさらなる領域1300にも、交換ブリッジ1200と基板テーブルWTとの間の隙間の間にある液体を除去するための負圧源が備わっている。この領域1300には、本明細書で説明されたヒータおよび/または温度センサが備わっていてよい。00189図22は、前述のそれらの領域ならびに流体ハンドリングシステム12および投影システムPS示す。本明細書で説明されたヒータおよび/または温度センサを利用することができる流体ハンドリングシステム12の表面は、使用中に液浸液と接触する任意の表面を含む。これらは、流体ハンドリングシステム12の下面40、使用するとき投影システムPSの最終端と基板Wとの間に液体が保持される空間を画定する内側の面42、ならびに上面44を含む。上面44は、液浸液および具体的には流体ハンドリングシステム12と投影システムPSの最終エレメントとの間に延在する液体のメニスカスに接触することができる。上面44上のメニスカスの位置が移動するとき、気化熱負荷が上面44に加えられることがあり、その結果、ヒータおよび/または温度センサが有用にそこに配置され得る。類似の理由で、投影システムPSと流体ハンドリングシステム12との間にメニスカスが配置され得る投影システムPSの縁端部のまわり、あるいは、はねが生じる可能性がある場所にヒータおよび/または温度センサを設置してよい。例えば、ヒータおよび/または温度センサは、投影システムPSの最終エレメントの外側縁端部のまわりに配置することができる。00190前述の薄膜ヒータ400は、表面上の一部分にわたって温度の平均をとるのではなく表面上の単一ポイントの温度を測定する温度センサと組み合わせることができる。例えば、図23、図24および図25は、本発明の一実施形態によって使用することができる、表面上の単一ポイントの温度を測定するように構成された温度センサを示す。00191図23は、本発明の一実施形態を示す。図23は、温度センサ500が、流路200または基板テーブルWTに取り付けられ得る様子を示す。温度センサ500が取り付けられている部分には、参照数字131が与えられている。温度センサ500は、部分131の温度を測定するように構成されている。部分131は、例えば流路200または基板テーブルWTでもよい。しかし、部分131は、リソグラフィ装置の任意の表面でよい。温度センサ500は、部分131の表面上にある。温度センサ500は、熱伝導性ペースト132によって表面に取り付けられている。00192温度センサ500は、サーミスタまたは他の温度計機器を備えてよい。図23に示された構成によれば、温度センサ500は、部分131に対して直接押しつけられる。温度センサ500と部分131との中間に熱伝導性ペースト132を与えることができる。このペーストは熱伝導性のりでよい。温度センサ500は、少なくとも1つのリード133によって電気アセンブリ134に接続される。電気アセンブリ134は、温度センサ500から温度の読取値を得る。電気アセンブリ134はPCBでよい。一実施形態では、温度センサ500は、リード133を必要とすることなく電気アセンブリ134上に直接実装される。00193図23に示された構成の欠点は、温度の測定が望まれる正確な位置に温度センサ500を位置決めするのが困難であり得ることである。これは、部分的には、温度センサ500が実装される電気アセンブリ134の存在、または温度センサ500を電気アセンブリ134に接続するリード133の存在のためである。リード133が温度センサ500に対して圧力をかけるといった、さらなる欠点がある。これは、温度センサによって行われる温度測定に悪影響を及ぼすおそれがある。00194温度センサ500は、半導体材料で作製することができる。温度センサ500は、1つの位置の温度を測定するように構成される。00195図24および図25は、部分131に温度センサ500を取り付けるための図23の構成の代替案を示す。図24は、この構成の側面図である。図25は、この構成の上面図である。00196サーミスタであり得る温度センサ500が、温度が測定されることになっている位置で部分131に取り付けられている。この位置では、部分131は、導電性コーティング141でコーティングされている。温度センサ500は、コーティング141を介して電気アセンブリ134に接続される。温度センサ500は、部分131の表面上にある。温度センサ500は、コーティング141を介して表面に接続される。一実施形態では、温度センサ500は、コーティング141およびのりの層132を介して表面に接続される。00197望ましくは、導電性コーティングは熱伝導性である。図25で最も明白に見られるように、導電性コーティング141はパターンの形をとる。コーティング141のパターンの目的は、導電性コーティング141が適切な位置で電気アセンブリ134に接続されるのを可能にすることである。例えば、適切な位置は、電気アセンブリ134または電気アセンブリ134に接続するべきリード133のために、より大きな空間がある場所であり得る。このために、コーティング141は、少なくとも1つの細長い部分を備えることができる。00198導電性コーティング141は、部分131および/または温度センサ500に対して電気的シールドをもたらす。このようにして、さらなる製造ステップなしで電気的シールドを設けることができる。温度センサ500からの測定信号は、電気アセンブリ134によって読み取られ、同アセンブリは、コーティング141に直接接続されるかまたはリード133を介して間接的に接続されてよい。00199温度センサ500は、コーティング141に直接取り付けることができる。温度センサ500は、コーティング141の中に埋め込まれてもよい。一実施形態では、温度センサ500は、結合層132を介してコーティング141に接続される。結合層132は、熱伝導性接着剤すなわちのりで形成することができる。結合層132は、はんだ付け用の材料で形成することができる。望ましくは、結合層132の厚さは10μm未満である。00200温度センサ500とコーティング141との間に隙間142を設けることができる。隙間142の目的は、短絡を防止することである。コーティング141は、2つのコーティング部分で形成される。それぞれの部分が、温度センサ500に電力を供給し、および/または温度センサ500から信号を受け取るための電極として働く。隙間142は、2つのコーティング部分を互いに分離する。隙間142は、電気的絶縁材料を充填されてよい。00201コーティングの厚さは、10μm未満、5μm未満、3μm未満、または0.2μmと2.0μmとの間である。00202導電性コーティング141は、白金、もしくはより優位には、例えば白金合金で作製することができる。コーティング141は、銅、アルミニウム、銀および金のうち少なくとも1つを含んでよい。00203電気アセンブリ134と温度センサ500との間の仲介物としてコーティング141を使用する同じ方式を、温度センサ500の代わりにヒータ400がある状況で用いることができる。00204一実施形態では、結合層132が存在しない。温度センサ500は、コーティングとして堆積されてよい。一実施形態では、コーティング141と温度センサ500とは、前述の位置から位置を交替され得る。温度センサ500は、部分131に直接取り付けられてよい。00205本発明の一実施形態が液浸リソグラフィ装置を参照しながら説明されてきたが、必ずしもそうである必要はない。他のタイプのリソグラフィ装置は、基板の縁端部のまわりのな冷却または加熱が不均一となるおそれがある。例えば、EUV装置極端紫外線装置では、投影ビームの衝突による加熱が起こる可能性がある。これは、どちらかと言えば、局部的液体供給システムの下の基板の縁端部の通路が冷却効果を与えることがあるのと同様に、基板に局部的加熱を与えることがある。流路200内の熱伝導流体が正常運転条件における所望の温度に対して小さなマイナスの温度オフセットを与えられた場合、すべてのヒータが、所望の温度を得るためにオンになり得る。次いで、ヒータのスイッチを切ることにより局部冷却負荷を与えることができる。この状況では、基板の縁端部にある諸ヒータのみの局部化も限定されてよく、諸ヒータは、それに加えて、もしくはその代わりに、基板サポート領域の中心から様々な半径方向距離に配置されてもよい。しかし、この場合にも前述の同じ方式が適用される。00206したがって、理解され得るように、本発明の一実施形態は多くのタイプの液浸リソグラフィ装置において実施することができる。例えば、本発明の一実施形態は、Iラインのリソグラフィ装置において実施することができる。00207一態様では、表面上にヒータおよび/または温度センサを備えたリソグラフィ装置が提供される。00208一実施形態では、該表面は、基板サポート領域上に基板を支持するように構成された基板テーブル、流体ハンドリングシステム、投影システム、位置測定デバイスの格子もしくはセンサの表面、および/または交換ブリッジから選択された少なくとも1つのものの表面である。00209一実施形態では、該表面は、基板サポート領域、センサ、または交換ブリッジに隣接する、基板サポート領域上に基板を支持するように構成された基板テーブル上の表面である。00210一実施形態では、リソグラフィ装置は、基板を支持するための節プレートをさらに備え、ヒータおよび/または温度センサが形成される該表面が節プレートの表面である。00211一実施形態では、ヒータおよび/または温度センサは、節プレート上で節間に形成される。00212一実施形態では、該表面は、投影システムの最終エレメントの表面である。00213一実施形態では、ヒータおよび/または温度センサは、薄膜のヒータおよび/または温度センサである。00214一実施形態では、ヒータおよび/または温度センサは、接着剤を使用せずに表面へ直接結合される。00215一実施形態では、ヒータおよび/または温度センサは、上面図において屈折した経路をたどるラインとして形成される。00216一実施形態では、ヒータおよび/または温度センサは白金で形成される。00217一実施形態では、温度センサは、温度センサが与えられているコンポーネント上の導電性コーティングを介して流路の温度センサからの測定値を間接的に読み取るための電気アセンブリに接続される。00218一態様では、基板サポート領域上に基板を支持するように構成された基板テーブルを備えるリソグラフィ投影装置が提供され、この基板テーブルは、基板サポート領域の中央部分に隣接する複数のヒータおよび/または温度センサを備え、これら複数のヒータおよび/またはセンサは細長いものである。00219一実施形態では、複数のヒータおよび/またはセンサは、実質的に平行な方向に細長くなっている。00220一実施形態では、複数のヒータおよび/またはセンサは、1つの縁端部から反対側の縁端部まで、基板サポート領域にわたって延在する。00221一実施形態では、複数のヒータは、所与のヒータおよび/または温度センサが基板の結像の期間中投影システムの下にある時間が、ヒータおよび/またはセンサのその細長い方向が第1の方向に対して垂直に配向された場合より短くなるような第1の方向に細長くなっている。00222一実施形態では、第1の方向は、時間が最短になる方向である。00223一実施形態では、複数のヒータおよび/または温度センサは薄膜から成る。00224一実施形態では、リソグラフィ装置は、基板を支持するための節プレートをさらに備え、節プレートの表面上に複数のヒータおよび/または温度センサが形成される。00225一実施形態では、複数のヒータおよび/または温度センサは、節プレート上で節間に形成される。00226一実施形態では、複数のヒータおよび/または温度センサは、節プレートの上部および/または下部に配置される。00227一実施形態では、複数のヒータおよび/または温度センサは、上面図において材料のラインから成り、これは上面図において屈折した経路の中で蛇行する。00228一実施形態では、基板テーブルは、基板サポート領域の縁端部の様々な部分に隣接した複数の縁端部ヒータ、および/または気相および液相の両方の流体を含む基板テーブル内のチャンバ、および/または基板サポート領域に隣接した、熱調節流体を通すための通路をさらに備える。00229一実施形態では、基板テーブルは、基板上の1つのダイにつき1つのヒータおよび/または温度センサを備える。00230一実施形態では、リソグラフィ装置は、複数のヒータおよび複数の温度センサを備える。00231一実施形態では、複数のヒータおよび複数の温度センサは、上面図において、2次元のグリッドにレイアウトされる。00232一実施形態では、各ヒータは、対応する温度センサと一体化される。00233一実施形態では、複数のヒータのそれぞれは、複数の温度センサのうちの対応する1つに関連付けられる。00234一実施形態では、ヒータおよび関連するセンサは、自動調整の熱システムを形成する。00235一実施形態では、自動調整の熱システムは、温度の局部変化によってヒータを作動させるかまたは停止させるように構成される。00236一実施形態では、ヒータおよび関連するセンサは、微小電気機械システムを形成する。00237一実施形態では、関連するセンサは、熱的に作動するスイッチを備える。00238一実施形態では、ヒータおよび関連するセンサは、一定の印加電圧において温度の変化が熱出力の変化をもたらすように、温度の関数として変化する電磁特性を有する自動調整のヒータである。00239一態様では、基板サポート領域上に基板を支持するように構成され、ヒータおよび/または1つの縁端部から反対側の縁端部まで基板サポート領域にわたって延在する温度センサを備えた基板テーブルを備えるリソグラフィ装置が提供される。00240一態様では、互いに一体化されたヒータおよび温度センサを備えるリソグラフィ装置が提供される。00241一実施形態では、ヒータおよび温度センサは表面上に形成される。00242一実施形態では、リソグラフィ装置は、基板を支持するための節プレートをさらに備える、ヒータおよび温度センサが形成される該表面が節プレートの表面である。00243一態様では、基板サポート領域上に基板を支持し、基板サポート領域に隣接する表面上にヒータおよび/または温度センサを支持するように構成された基板テーブルが提供される。00244一態様では、液浸リソグラフィ投影装置における局部的熱負荷を補償する方法が提供され、この方法は、局部的熱負荷を補償するための、ヒータを制御するかまたは温度センサからの信号を用いる工程であって、ヒータおよび/または温度センサが表面上に存在する工程を含む。00245一実施形態では、ヒータおよび関連するセンサが、自動調整の熱システムを形成する。00246一態様では、表面上の導電性コーティング、ならびに同コーティングに接続されたヒータおよび/または温度センサを備えるリソグラフィ装置が提供される。00247一実施形態では、電気アセンブリが、コーティングを介してヒータおよび/または温度センサに電気的に接続される。00248一実施形態では、ヒータおよび/または温度センサは、結合層によってコーティングに接続される。00249一実施形態では、結合層は接着剤を含む。00250一実施形態では、結合層は、はんだ付け用の材料を含む。00251一実施形態では、表面とヒータおよび/または温度センサとの間に電気的絶縁の隙間が設けられる。00252一実施形態では、ヒータおよび/または温度センサはコーティングに埋め込まれている。00253一実施形態では、コーティングは、白金、銅、アルミニウム、銀、金および半導体材料の少なくとも1つを含む。00254一実施形態では、ヒータおよび/または温度センサは、上面図では全体として実質的にコーティングの中にある。00255一実施形態では、コーティングはパターニングされる。00256一実施形態では、コーティングは少なくとも1つの細長い部分を含む。00257一実施形態では、コーティングは、少なくとも2つの別個のコーティング部分から形成される。00258一実施形態では、コーティングは電極である。00259一実施形態では、コーティングは、ヒータおよび/または温度センサに電力を供給するか、もしくはヒータおよび/または温度センサから電気信号を受け取るように構成される。00260一実施形態では、コーティングの厚さは、10μm未満、5μm未満、3μm未満、または1μm未満である。00261本文中では、ICの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、マイクロスケールのフィーチャ、またはナノスケールのフィーチャさえ、コンポーネントの製造における他の応用分野があり得ることを理解されたい。そのような代替の応用分野の文脈において、本明細書におけるウェーハまたはダイという用語を使用することがあれば、それは、それぞれより一般的な用語である基板またはターゲット部分と同義と見なすことができることを当業者なら理解するであろう。本明細書で参照されている基板は、露光の前後に、例えば、トラック一般に、レジストの層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そのような、また他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを作成するために複数回処理することができ、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理済みの層をすでに含む基板を指すこともある。00262本明細書において使用されている放射およびビームという用語には、紫外線UV放射例えば365nm、248nm、193nm、157nmまたは126nmの波長を有する放射またはその近辺の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。00263用語レンズは、背景が許す場合、屈折および反射光学コンポーネントを含めて様々な型の光学コンポーネントのいずれか1つまたは組合せを意味することができる。00264以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、本発明は、説明されている方法以外の方法で実践することも可能であることが理解されよう。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示した方法を記述した1つまたは複数の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体例えば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスクの形態を取ることができる。さらに、機械読取可能命令は、複数のコンピュータプログラムの中で具体化することができる。これらの複数のコンピュータプログラムは、1つまたは複数の異なるメモリおよび/またはデータ記憶媒体上に記憶することができる。00265前述の諸コントローラは、信号を受け取り、処理し、かつ、送信するのに適した任意の構成を有している。例えば、コントローラの各々は、前述の方法のための機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための1つまたは複数のプロセッサを含むことができる。これらのコントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するためのデータ記憶媒体、および/またはこのような媒体を受け入れるためのハードウェアも含むことができる。00266本発明の1つまたは複数の実施形態は、液浸液が槽の形態で提供されるものであれ、基板の局部表面領域にのみ提供されるものであれ、あるいは液浸液が基板および/または基板テーブル上に閉じ込められないものであれ、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができ、詳細には、それには限定されないが、上で言及したタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構造の場合、液浸液は、基板および/または基板テーブルの表面を流れることができ、したがって覆われていない基板テーブルおよび/または基板の表面の実質的に全体を濡らすことができる。このような非閉じ込め液浸システムの場合、液体供給システムは、液浸流体を閉じ込めることができないか、あるいは一部分の液浸液閉じ込めを実現することができるが、液浸液を実質的に完全に閉じ込めることはできない。00267本明細書において企図されている液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板および/または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構であっても、あるいはそのような構造体の組合せであってもよい。液体供給システムは、1つまたは複数の構造体、1つまたは複数の液体入口、1つまたは複数のガス入口、1つまたは複数のガス出口および/または1つまたは複数の液体出口の組合せを含むことができ、この空間に液体を供給する。一実施形態では、この空間の表面は、基板および/または基板テーブルの一部であってもよく、あるいはこの空間の表面は、基板および/または基板テーブルの表面を完全に覆うことも可能であり、あるいはこの空間は、基板および/または基板テーブルを包絡することも可能である。液体供給システムは、任意選択で、さらに、位置、量、品質、形状、流量または他の任意の液体の特徴を制御するための1つまたは複数のエレメントを含むことも可能である。00268前述の説明は、例示であり、限定しないように意図されている。したがって、当業者には明らかなことであろうが、以下で明らかにされる特許請求の範囲から逸脱することなしに、説明された本発明に修正が加えることができる。"