"第1電極上に少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含むペロブスカイト型酸化物を有する圧電体層を形成する圧電体層形成工程と、200°C以上かつ350°C以下で前記圧電体層を保持する加温保持工程と、該加温保持工程の後に前記圧電体層上に第2電極を形成する工程と、を備えた、圧電素子の製造方法。前記圧電体層形成工程では、少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む酸化物を形成し、該酸化物をペロブスカイト構造となる結晶化温度以上で加熱して前記圧電体層を形成する、請求項1に記載の圧電素子の製造方法。前記圧電体層形成工程において前記酸化物を前記結晶化温度以上で加熱して前記圧電体層を形成した後、少なくとも前記結晶化温度から350°C以下となるまでの間、毎秒1°C以上の平均温度低下速度で前記圧電体層を温度低下させた後に、前記加温保持工程において200°C以上かつ350°C以下で前記圧電体層を保持する、請求項2に記載の圧電素子の製造方法。前記圧電体層形成工程では、少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む前駆体溶液を塗布し、該塗布した前駆体溶液を前記結晶化温度未満で加熱して前記酸化物を形成する、請求項2又は請求項3に記載の圧電素子の製造方法。前記ペロブスカイト型酸化物にMnが含まれている、請求項1~請求項4のいずれか一項に記載の圧電素子の製造方法。請求項1~請求項5のいずれか一項に記載の圧電素子の製造方法を含む、液体噴射ヘッドの製造方法。請求項6に記載の液体噴射ヘッドの製造方法を含む、液体噴射装置の製造方法。しかしながら、BiFeO3-BaTiO3系圧電材料を用いて圧電素子を作製したところ、PZTとは異なり、耐電圧性が低いことが分かった。なお、このような問題は、液体噴射ヘッド等に用いられる圧電アクチュエーターだけではなく、センサー等の他の圧電素子においても同様に存在する。以上を鑑み、本発明の目的の一つは、非鉛又は低鉛化した圧電材料を用いた圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させることにある。上記目的の一つを達成するため、本発明は、第1電極上に少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含むペロブスカイト型酸化物を有する圧電体層を形成する圧電体層形成工程と、200°C以上かつ350°C以下で前記圧電体層を保持する加温保持工程と、該加温保持工程の後に前記圧電体層上に第2電極を形成する工程と、を備えた、圧電素子の製造方法の態様を有する。また、本発明は、上記圧電素子の製造方法を含む液体噴射ヘッドの製造方法の態様を有する。さらに、本発明は、上記液体噴射ヘッドの製造方法を含む液体噴射装置の製造方法の態様を有する。本製造方法により形成される圧電体層は、少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含むペロブスカイト型酸化物を有し、200°C以上かつ350°C以下で保持され、この加温保持工程の後に圧電体層上に第2電極を形成される。このような圧電体層を有する圧電素子は、200°C以上かつ350°C以下で保持されずに第2電極が形成された圧電素子と比べて耐電圧性が向上する。ここで、上記ペロブスカイト型酸化物には、リーク電流を抑制する等の特性改善も目的としてMnマンガン等、Bi、Ba、Fe及びTi以外の添加金属が含まれてもよいし、ペロブスカイト構造を取りえる限り、その他不純物が含まれていてもよい。上記圧電体層形成工程では、少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む酸化物を形成し、該酸化物をペロブスカイト構造となる結晶化温度以上で加熱して前記圧電体層を形成してもよい。また、前記圧電体層形成工程において前記酸化物を前記結晶化温度以上で加熱して前記圧電体層を形成した後、少なくとも前記結晶化温度から350°C以下となるまでの間、毎秒1°C以上の平均温度低下速度で前記圧電体層を温度低下させた後に、前記加温保持工程において200°C以上かつ350°C以下で前記圧電体層を保持してもよい。これらの態様は、少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む圧電体層を有する好ましい圧電素子及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供することができる。上記圧電体層形成工程による圧電体層の形成法には、スピンコート法といった液相法、スパッタ法といった気相法、等が含まれる。液相法の一例として、前記圧電体層形成工程では、少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む前駆体溶液を塗布し、該塗布した前駆体溶液を前記結晶化温度未満で加熱して前記酸化物を形成してもよい。本態様も、少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む圧電体層を有する好ましい圧電素子及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供することができる。上記前駆体溶液は、ゾル等の状態が含まれる。前駆体溶液は、Mn等、Bi、Ba、Fe及びTi以外の金属が含まれてもよいし、不純物が含まれていてもよい。前駆体溶液に含まれる金属は、当然ながら、イオンの状態が含まれる。前記ペロブスカイト型酸化物にMnが含まれていると、圧電体層の絶縁性を高くリーク特性を改善する効果が得られる。以下、本発明の実施形態を説明する。むろん、以下に説明する実施形態は、本発明を例示するものに過ぎない。1圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の製造方法の概要:まず、図1~5を参照して、本製造方法の例を説明する。図2及び図4cに例示する記録ヘッド液体噴射ヘッド1は、圧電体層圧電セラミックス30、第1電極20及び第2電極40を有する圧電素子3と、ノズル開口71に連通し圧電素子3により圧力変化が生じる圧力発生室12とを備えている。従って、液体噴射ヘッドの製造方法は、圧電素子を形成する工程と、圧力発生室を形成する工程と、を備えることになる。圧力発生室12は、流路形成基板10のシリコン基板15に形成されている。ノズル開口71は、ノズルプレート70に形成されている。流路形成基板10の弾性膜振動板16上に下電極第1電極20、圧電体層30及び上電極第2電極40が順に積層され、圧力発生室12が形成されたシリコン基板15にノズルプレート70が固着されている。なお、本明細書で説明する位置関係は、発明を説明するための例示に過ぎず、発明を限定するものではない。従って、第1電極の上以外の位置、例えば、下、左、右、等に第2電極が配置されることも、本発明に含まれる。図1aに例示する本製造方法は、工程S1~S3を備えている。圧電体層形成工程S1では、第1電極20上に少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含むペロブスカイト型酸化物を有する圧電体層30を形成する。得られるペロブスカイト型酸化物は、少なくともBi、Ba、Fe及びTiが含まれ、Bi、Ba、Fe及びTiを主要成分としてモル比で少ない別の金属例えばMnが含まれてもよい。ここで、主要成分は、モル比合計が他の含有成分のモル比よりも多いような一以上の対象成分とする。圧電体層30には、ペロブスカイト型酸化物以外の物質例えば金属酸化物が含まれてもよい。圧電体層30は、スピンコート法といった液相法、スパッタ法やパルスレーザデポジションPLD法や有機金属気相成長MOCVD法といった気相法、等により形成することができる。液相法による圧電体層形成工程S1の一例として、図1bに示す工程S11~S13を採用することができる。図1bに示す塗布工程S11では、少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む前駆体溶液31を第1電極20の表面に対して膜状に塗布している。前駆体溶液には、Bi、Ba、Fe及びTiを主要成分としてモル比で少ない別の金属例えばMnが含まれてもよい。前駆体溶液の塗布は、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法、等の液相法で行うことができる。図1bに示す乾燥及び脱脂工程S12では、塗布した前駆体溶液31の乾燥及び脱脂を結晶化温度未満で行い、第1電極20上に酸化物32を形成する。結晶化温度は、酸化物32がペロブスカイト構造となる温度である。乾燥及び脱脂により、結晶化前に塗布膜31が乾燥し、脱脂温度以上では塗布膜31が脱脂されるので、圧電体層30を形成するための酸化物32を良好に形成することができる。乾燥及び脱脂工程S12では、乾燥温度<脱脂温度<結晶化温度として、第1電極20の表面の塗布膜31を乾燥温度で加熱した後、乾燥処理後に第1電極20の表面の塗布膜31を脱脂温度で加熱してもよい。なお、塗布膜31を結晶化温度未満で加熱して酸化物を形成した後、該酸化物上に前駆体溶液を塗布し、該塗布した前駆体溶液の乾燥及び脱脂を行って酸化物を積層してもよい。図1bに示す焼成工程S13では、酸化物32をペロブスカイト構造となる結晶化温度以上で加熱して結晶化させる。この焼成により、ペロブスカイト型酸化物を有する圧電体層30を良好に形成することができる。加熱には種々の装置を用いることができるが、RTARapidThermalAnnealing法を使用することのできる赤外線ランプアニール装置を結晶化温度以上の加熱に用いると、圧電体層30を良好に形成することができる。なお、酸化物32を結晶化させた後、形成されたペロブスカイト型酸化物を有する層の表面に前駆体溶液を塗布し、該塗布した前駆体溶液の乾燥及び脱脂を行って酸化物を形成し、該酸化物を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を有する層を積層した圧電体層を形成してもよい。前駆体溶液といった圧電体層の前駆体に含まれる金属は、ペロブスカイト構造の中で原子半径に応じたサイトに配置される。得られるペロブスカイト型酸化物は、AサイトにBiとBaを少なくとも含み、BサイトにFeとTiを少なくとも含む。このようなペロブスカイト型酸化物には、下記一般式で表される組成の非鉛系ペロブスカイト型酸化物が含まれる。Bi,BaFe,TiOz...1Bi,Ba,MAFe,TiOz...2Bi,BaFe,Ti,MBOz...3Bi,Ba,MAFe,Ti,MBOz...4ここで、MAはBi、Ba及びPbを除く1種以上の金属元素であり、MBはFe、Ti及びPbを除く1種以上の金属元素である。zは、3が標準であるが、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内で3からずれてもよい。Aサイト元素とBサイト元素との比は、1:1が標準であるが、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内で1:1からずれてもよい。Bi,Ba,MAのモル数合計に対するBiのモル数比は、例えば50~99.9程度とすることができる。Bi,Ba,MAのモル数合計に対するBaのモル数比は、例えば0.1~50程度とすることができる。Bi,Ba,MAのモル数合計に対するMAのモル数比は、例えば0.1~33程度とすることができる。Fe,Ti,MBのモル数合計に対するFeのモル数比は、例えば50~99.9程度とすることができる。Fe,Ti,MBのモル数合計に対するTiのモル数比は、例えば0.1~50程度とすることができる。Fe,Ti,MBのモル数合計に対するMBのモル数比は、例えば0.1~33程度とすることができる。前駆体溶液に添加可能なMB元素には、Mn等が含まれる。Bサイト構成金属中のMnのモル濃度比は、Bサイト構成金属の全モル濃度比を100として、例えば、0.1~10程度とすることができる。Mnを添加すると圧電体層の絶縁性を高くリーク特性を改善する効果が期待されるが、Mnが無くても圧電性能を有する圧電素子を形成することができる。塗布膜の厚みは、特に限定されないが、例えば0.1μm程度とすることができる。少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含むペロブスカイト型酸化物を有する圧電体層30の結晶化温度は、例えば、400°Cよりも高く550°Cよりも低くなる。上記圧電体層形成工程S1の後、図1aに示す加温保持工程S2では、200°C以上かつ350°C以下で圧電体層30を保持する。加温保持の温度が結晶化温度よりも低いので、加温保持工程で圧電体層の結晶化に影響を及ぼさず、圧電素子の特性変化が抑制される。また、加熱保持温度は、脱脂温度以下とするので、脱脂に影響を及ぼさない。加温保持工程を行うための加熱装置は、赤外線ランプアニール装置等でもよいが、オーブン等が好適である。オーブンを用いると、容易に200~350°Cに保持することができる。加温保持工程S2の後、第2電極形成工程S3では、圧電体層30上に第2電極40を形成する。図6,7にヒステリシス特性の測定結果、図8~11に薄膜表面の画像、図12,13に薄膜表面のSEM走査型電子顕微鏡画像を例示するように、第2電極形成前に圧電体層を加温保持していない場合、圧電素子の耐電圧性が比較的低く、第2電極形成前の薄膜の表面に細かいクラックが生じ、結晶粒の周りに輝点状の異物が生成することが分かった。一方、第2電極形成前に200°C以上かつ350°C以下で圧電体層を保持した場合、圧電素子の耐電圧性が比較的高く、第2電極形成前の薄膜表面の細かいクラックが見られず、結晶粒周りの輝点状異物も見られないことが分かった。第2電極形成前に加温保持していない薄膜表面に輝点状異物が生成する理由として、焼成時に揮発した比較的低融点の金属酸化物が焼成後の温度低下の過程で薄膜表面に付着して輝点状異物となることが考えられる。この比較的低融点の金属酸化物は、導電成分と推測される。少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含むペロブスカイト型酸化物を有する圧電体層は、PZTとは異なり、表面モフォロジーが粗くなる傾向がある。粗い薄膜表面に導電性の輝点状異物が存在することにより、圧電体層にリーク電流が発生する部分が生じ、圧電素子の耐電圧性が低下すると推測される。一方、第2電極形成前に200°C以上かつ350°C以下で圧電体層を保持する場合、比較的低融点の金属酸化物が揮発し、薄膜表面に輝点状異物が見られなくなると推測される。薄膜表面に導電性の輝点状異物が存在しないことにより、圧電体層の絶縁性が向上し、圧電素子の耐電圧性が向上し、信頼性が向上すると推測される。以上より、圧電素子の耐電圧性を向上させるためには、第2電極形成前に、少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含むペロブスカイト型酸化物を有する圧電体層を200~350°Cで保持すればよい。また、第2電極形成前に圧電体層を加温保持しない場合に圧電素子の耐電圧性が比較的低い理由として、第2電極形成前の薄膜表面に細かいクラックが生じることが考えられる。一方、第2電極形成前に200°C以上かつ350°C以下で圧電体層を保持する場合、第2電極形成前の薄膜表面の細かいクラックの進展が抑制され、圧電体層の絶縁性が向上し、圧電素子の耐電圧性が向上し、信頼性が向上すると推測される。以上より、圧電体層表面の細かいクラックを抑制するためには、第2電極形成前に、少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含むペロブスカイト型酸化物を有する圧電体層を200~350°Cで保持すればよい。圧電素子の製造の際、第1電極上に圧電体層を形成した半製品を長期間保管するためには、該半製品を200~350°Cで保持すればよい。該半製品の圧電体層の表面に対して速やかに第2電極を形成する必要が無いので、該半製品の作り溜めが可能となり、休暇等を挟んだ圧電素子の製造も容易となる。従って、本製造方法は、圧電素子の製造工程の自由度を向上させることができる。なお、上述した効果は、スパッタ法等の気相法により圧電体層を形成した場合にも同様に言える。ところで、圧電体層形成工程S1において酸化物32を結晶化温度Tc°Cとする。以上で加熱して圧電体層30を形成した後、少なくとも結晶化温度Tcから350°C以下となるまでの間、毎秒1°C以上の平均温度低下速度で圧電体層30を温度低下させた後に、加温保持工程S2において200°C以上かつ350°C以下で圧電体層30を保持してもよい。Tcから350°Cに低下するときの平均温度低下速度は、例えば、圧電体層の温度が焼成温度から低下してTcとなった時点を起点0秒として、さらに温度低下して350°Cとなった時間をt350としたときにTc-350/t350で表すことができる。便宜上、例えば、圧電体層の温度が焼成温度Tb°Cとする。から低下し始めた時点を起点として200~350°Cの所定温度Th°Cとする。となった時間をtThとしたときにTb-Th/tThで表したり、圧電体層の温度が低下して550°C以上焼成温度未満の所定温度T1°Cとする。となった時点を起点として200~350°Cの所定温度Thとなった時間をtThとしたときにT1-Th/tThで表したりしてもよい。例えば、毎秒1°Cの速度で温度低下する場合、800°Cから350°Cまで低下する時間は7分30秒となる。このように、毎秒1°C以上の平均温度低下速度は、急速な温度低下である。圧電体層形成工程の後に圧電体層がゆっくりと温度低下すると、圧電体層が結晶化温度に近い温度に置かれる時間が長くなり、結晶化が進展しすぎることになる。結晶化が進展しすぎると、圧電素子として意図した特性が得られなくなることがある。圧電体層を薄膜にする場合、バルク状の圧電体とは異なり、圧電素子としての好ましい特性を得るために結晶化を制御する必要がある。圧電体層形成工程の後に圧電体層が1°C/秒以上、より好ましくは1~5°C/秒の平均温度低下速度で急速に温度低下すると、圧電体層が結晶化温度に近い温度に置かれる時間が短くなり、結晶成長が好ましく制御される。以上説明したように、圧電体層形成工程S1の後、加温保持工程S2の前に毎秒1°C以上の平均温度低下速度で圧電体層30を温度低下させることにより、少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む圧電体層を有する圧電素子及び液体噴射ヘッドの製造方法をより好ましいものとすることができる。2圧電素子及び液体噴射ヘッドの製造方法の例:図2は、液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッド1を便宜上、分解した分解斜視図である。図3,4は、記録ヘッドの製造方法を例示するための断面図であり、圧力発生室12の長手方向D2に沿った垂直断面図である。記録ヘッド1を構成する各層は、接合されて積層されてもよいし、分離されない材料の表面を変性する等して一体に形成されてもよい。流路形成基板10は、シリコン単結晶基板等から形成することができる。弾性膜16は、例えば、膜厚が約625μmと比較的厚く剛性の高いシリコン基板15の一方の面を約1100°Cの拡散炉で熱酸化する等によってシリコン基板15と一体に形成することができ、二酸化シリコンSiO2等で構成することができる。弾性膜16の厚みは、弾性を示す限り特に限定されないが、例えば0.5~2μm程度とすることができる。次いで、図3aに示すように、スパッタ法等によって弾性膜16上に下電極20を形成する。図3bに示す例では、下電極20を形成した後にパターニングしている。下電極20の構成金属には、Pt、Au、Ir、Ti、等の1種以上の金属を用いることができる。下電極20の厚みは、特に限定されないが、例えば50~500nm程度とすることができる。なお、密着層又は拡散防止層として、TiAlN窒化チタンアルミ膜、Ir膜、IrO酸化イリジウム膜、ZrO2酸化ジルコニウム膜、等の層を弾性膜16上に形成したうえで、当該層上に下電極20を形成してもよい。次いで、図1bに示すように、上述した少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む前駆体溶液31を下電極20の表面に塗布する塗布工程S11。前駆体溶液中の金属のモル濃度比は、形成されるペロブスカイト型酸化物の組成に応じて決めることができる。上述した式1~4におけるAサイト構成金属及びBサイト構成金属のモル濃度比は、1:1が標準であるが、ペロブスカイト型酸化物が形成される範囲内で1:1からずれていてもよい。次いで、塗布した前駆体溶液31を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電体層30を形成する。前駆体溶液31の膜をペロブスカイト型酸化物の結晶化温度以上で加熱すると、ペロブスカイト型酸化物を含む薄膜状の圧電体層30が形成される。好ましくは、例えば140~190°C程度に加熱して乾燥し乾燥工程、その後、例えば300~400°C程度に加熱して脱脂し脱脂工程、その後、例えば550~850°C程度に加熱して結晶化させる焼成工程S13。圧電体層30を厚くするため、塗布工程と乾燥工程と脱脂工程と焼成工程の組合せを複数回行ってもよい。焼成工程を減らすために、塗布工程と乾燥工程と脱脂工程の組合せを複数回行った後に焼成工程を行ってもよい。さらに、これらの工程の組合せを複数回行ってもよい。形成される圧電体層30の厚みは、電気機械変換作用を示す範囲で特に限定されないが、例えば0.2~5μm程度とすることができる。好ましくは、製造工程でクラックが発生しない程度に圧電体層30の厚さを抑え、十分な変位特性を示す程度に圧電体層30を厚くするとよい。上述した乾燥工程及び脱脂工程を行うための加熱装置には、ホットプレート、赤外線ランプの照射により加熱する赤外線ランプアニール装置、等を用いることができる。上記焼成工程を行うための加熱装置には、赤外線ランプアニール装置等を用いることができる。好ましくは、RTARapidThermalAnnealing法等を用いて昇温レートを比較的速くするとよい。圧電体層30を形成した後、図1aに示すように、200~350°Cで圧電体層30を保持する。上述したように、オーブン等で200~350°Cの加温保持を実現することができる。200~350°Cの加温保持の後、図3bに示すように、スパッタ法等によって上電極40を圧電体層30上に形成する。上電極40を構成する金属には、Ir、Au、Pt、等の1種以上の金属を用いることができる。上電極40の厚みは、特に限定されないが、例えば50~200nm程度とすることができる。なお、図3cに示す例では、上電極40を形成した後に、圧電体層30及び上電極40を各圧力発生室12に対向する領域にパターニングして圧電素子3を形成している。一般的には、圧電素子3の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層30を圧力発生室12毎にパターニングして圧電素子3を構成する。図2,4に示す圧電素子3は、下電極20を共通電極とし、上電極40を個別電極としている。以上により、圧電体層30及び電極20,40を有する圧電素子3が形成され、この圧電素子3及び弾性膜16を備えた圧電アクチュエーター2が形成される。次いで、図3cに示すように、リード電極45を形成する。例えば、流路形成基板10の全面に亘って金層を形成した後にレジスト等からなるマスクパターンを介して圧電素子3毎にパターニングすることにより、リード電極45が設けられる。図2に示す各上電極40には、インク供給路14側の端部近傍から弾性膜16上に延びたリード電極45が接続されている。なお、下電極20や上電極40やリード電極45は、DC直流マグネトロンスパッタリング法といったスパッタ法等によって形成することができる。各層の厚みは、スパッタ装置の印加電圧やスパッタ処理時間を変えることにより調整することができる。次いで、図4aに示すように、圧電素子保持部52等を予め形成した保護基板50を流路形成基板10上に例えば接着剤によって接合する。保護基板50には、例えば、シリコン単結晶基板、ガラス、セラミックス材料、等を用いることができる。保護基板50の厚みは、特に限定されないが、例えば400μm程度とすることができる。保護基板50の厚み方向に貫通したリザーバ部51は、連通部13とともに、共通のインク室液体室となるリザーバ9を構成する。圧電素子3に対向する領域に設けられた圧電素子保持部52は、圧電素子3の運動を阻害しない程度の空間を有する。保護基板50の貫通孔53内には、各圧電素子3から引き出されたリード電極45の端部近傍が露出する。次いで、シリコン基板15をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ硝酸によってウェットエッチングすることによりシリコン基板15を所定の厚み例えば70μm程度にする。次いで、図4bに示すように、シリコン基板15上にマスク膜17を新たに形成し、所定形状にパターニングする。マスク膜17には、窒化シリコンSiN等を用いることができる。次いで、KOH等のアルカリ溶液を用いてシリコン基板15を異方性エッチングウェットエッチングする。これにより、複数の隔壁11によって区画された圧力発生室12と細幅のインク供給路14を備えた複数の液体流路と、各インク供給路14に繋がる共通の液体流路である連通部13とが形成される。液体流路12,14は、圧力発生室12の短手方向である幅方向D1へ並べられている。なお、圧力発生室12は、圧電素子3の形成前に形成されてもよい。次いで、流路形成基板10及び保護基板50の周縁部の不要部分を例えばダイシングにより切断して除去する。次いで、図4cに示すように、シリコン基板15の保護基板50とは反対側の面にノズルプレート70を接合する。ノズルプレート70は、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼、等を用いることができ、流路形成基板10の開口面側に固着される。この固着には、接着剤、熱溶着フィルム、等を用いることができる。ノズルプレート70には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口71が穿設されている。従って、圧力発生室12は、液体を吐出するノズル開口71に連通している。次いで、封止膜61及び固定板62を有するコンプライアンス基板60を保護基板50上に接合し、所定のチップサイズに分割する。封止膜61は、例えば厚み6μm程度のポリフェニレンサルファイドPPSフィルムといった剛性が低く可撓性を有する材料等が用いられ、リザーバ部51の一方の面を封止する。固定板62は、例えば厚み30μm程度のステンレス鋼SUSといった金属等の硬質の材料が用いられ、リザーバ9に対向する領域が開口部63とされている。また、保護基板50上には、並設された圧電素子3を駆動するための駆動回路65が固定される。駆動回路65には、回路基板、半導体集積回路IC、等を用いることができる。駆動回路65とリード電極45とは、接続配線66を介して電気的に接続される。接続配線66には、ボンディングワイヤといった導電性ワイヤ等を用いることができる。以上により、記録ヘッド1が製造される。本記録ヘッド1は、図示しない外部インク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、リザーバ9からノズル開口71に至るまで内部をインクで満たす。駆動回路65からの記録信号に従い、圧力発生室12毎に下電極20と上電極40との間に電圧を印加すると、圧電体層30、下電極20及び弾性膜16の変形によりノズル開口71からインク滴が吐出する。なお、記録ヘッドは、下電極を共通電極とし上電極を個別電極とした共通下電極構造とされてもよいし、上電極を共通電極とし下電極を個別電極とした共通上電極構造とされてもよいし、下電極及び上電極を共通電極とし両電極間に個別電極を設けた構造とされてもよい。3液体噴射装置:図5は、上述した記録ヘッド1を有する記録装置液体噴射装置200の外観を示している。記録ヘッド1を記録ヘッドユニット211,212に組み込むと、記録装置200を製造することができる。図5に示す記録装置200は、記録ヘッドユニット211,212のそれぞれに、記録ヘッド1が設けられ、外部インク供給手段であるインクカートリッジ221,222が着脱可能に設けられている。記録ヘッドユニット211,212を搭載したキャリッジ203は、装置本体204に取り付けられたキャリッジ軸205に沿って往復移動可能に設けられている。駆動モーター206の駆動力が図示しない複数の歯車及びタイミングベルト207を介してキャリッジ203に伝達されると、キャリッジ203がキャリッジ軸205に沿って移動する。図示しない給紙ローラー等により給紙される記録シート290は、プラテン208上に搬送され、インクカートリッジ221,222から供給され記録ヘッド1から吐出するインクにより印刷がなされる。4実施例:以下、実施例を示すが、本発明は以下の例により限定されるものではない。[下電極を積層した基板の作製]Pt/TiOx酸化チタン/SiO2/Siの各層を有する基板を次のようにして作製した。まず、Si基板を拡散炉中で1100°Cの熱酸化を行い、膜厚1.3μmのSiO2膜をSi基板表面に形成した。次に、SiO2膜表面にDCスパッタ法により膜厚20nmのTi膜を成膜して、ランプ熱処理装置RTA法で酸素中700°C5分間の熱処理を行い、TiOx薄膜を形成した。さらに、TiOx膜表面に330°C300WのDCスパッタ法により膜厚130nmのPt薄膜を形成した。[実施例1~3及び比較例1]BFM-BT前駆体溶液作製Bi,Fe,Mn,Ba,Ti各金属元素の前駆体材料として2-エチルヘキサン酸塩を用いた。溶解する金属のモル比は、Bi:Fe:Mn=100:95:5、Ba:Ti=100:100、且つ、BFM:BT=75:25にした。ここでBFM-BTは、一般式Bi,BaFe,Ti,MnOzで表され、Bi:Fe:Mn:Ba:Ti=75:71.25:3.75:25:25となる。また、BFMはBiのモル数、すなわち、FeとMnのモル数の合計、BTはBaのモル数、すなわち、Tiのモル数、を表している。溶媒には、オクタンとキシレンの混合物を用い、安定化剤として全量の10volの2-ジメチルアミノエタノールを添加した。BFM-BT薄膜作製前駆体溶液をPt/TiOx/SiO2/Si基板上に2500rpmでスピンコートし塗布工程、加熱して乾燥し乾燥工程、さらに加熱して脱脂した脱脂工程。これらの工程を2回繰り返し、ランプ熱処理装置RTA法で825°C5分間の熱処理により結晶化させた焼成工程。塗布工程と乾燥工程と脱脂工程の組合せ2回と焼成工程の組合せを6回繰り返すことにより、スピンコートプロセスの層数を12としたBFM-BT薄膜を基板上に形成した。最後の焼成工程におけるRTA熱処理の直後、上述したように急速に温度低下させてBFM-BT薄膜を分割し、一部のBFM-BT薄膜を200°Cのオーブンで1日間保持した後、室温で6日間保持して、実施例1のBFM-BT薄膜とした。また、別の部分のBFM-BT薄膜を200°Cのオーブンで3日間保持した後に室温で4日間保持して実施例2のBFM-BT薄膜とし、さらに別の部分のBFM-BT薄膜を200°Cのオーブンで7日間保持して実施例3のBFM-BT薄膜とし、さらに別の部分のBFM-BT薄膜を加温保持せず室温で7日間保持して比較例1のBFM-BT薄膜とした。BFM-BTキャパシタの耐電圧各BFM-BT薄膜について、DCスパッタ法により膜厚100nmのPt薄膜を成膜してランプ熱処理装置RTA法により酸素中775°C5分間の熱処理を行い、BFM-BTキャパシタを作製した。各BFM-BTキャパシタについて、東陽テクニカ社製FCEを用い、室温大気中で5~100V、周波数1kHzの三角波を印加して、分極量PμC/cm2と電圧Vの関係を求めた。図6aに比較例1のヒステリシス曲線を示し、図6bに実施例1のヒステリシス曲線を示し、図7aに実施例2のヒステリシス曲線を示し、図7bに実施例3のヒステリシス曲線を示している。また、これらのヒステリシス曲線から求めた各キャパシタの耐電圧を表1に示す。図6,7及び表1に示すように、圧電体層形成後、第2電極形成前に加温保持する日数が増えるほど耐電圧が増大することが分かる。耐電圧以外の各ヒステリシス特性に大きな差は無かった。BFM-BT薄膜の評価各BFM-BT薄膜の外観を金属顕微鏡で確認したところ、薄膜表面の細かいクラックについて、実施例1~3の薄膜は比較例1の薄膜よりも抑制されていた。特に、7日間オーブン保持を行った実施例3の薄膜が最も割れが抑制されていた。RTA熱処理の直後のBFM-BT薄膜についてX線回折広角法XRDによりX線回折チャートを求めたところ、BFM-BTペロブスカイト酸化物単相であった。また、バルク材料の面積比と比較して求めた、100配向成分による回折ピークの面積比と110配向成分による回折ピークの面積比との和に占める110配向成分の割合は75であり、110方向に優先配向していることが分かった。さらに、110回折ピークの半値幅は0.22°であり、結晶性は良好であった。以上説明したように、圧電体層形成後、第2電極形成前に圧電体層を加温保持することにより、膜割れが抑制されてキャパシタの電圧ストレスへの耐性が向上することが分かる。[実施例4~6及び比較例2~4]BFM-BT前駆体溶液作製Bi,Fe,Mn,Ba各金属元素の前駆体材料として2-エチルヘキサン酸塩を用い、Tiの前駆体材料としてチタンジオクチロキシビスオクチレングリコレートを用いた。溶解する金属のモル比、及び、溶媒は、実施例1~3と同じにした。BFM-BT薄膜作製実施例1~3と同様の塗布工程、乾燥工程、脱脂工程、及び、焼成工程を行い、スピンコートプロセスの層数を8層、10層、及び、12層としたBFM-BT薄膜をそれぞれ基板上に形成した。各層数のBFM-BT薄膜について、最後の焼成工程におけるRTA熱処理の直後、上述したように急速に温度低下させてBFM-BT薄膜を分割し、一部のBFM-BT薄膜を350°Cのオーブンで15日間保持して実施例4~6のBFM-BT薄膜とした。また、別の部分のBFM-BT薄膜を室温で2日間保持して比較例2~4のBFM-BT薄膜とした。BFM-BT薄膜の評価各BFM-BT薄膜について、金属顕微鏡を用いて表面の画像を撮影した。図8にスピンコートプロセス10層とした比較例3の薄膜表面の画像、図9にスピンコートプロセス10層とした実施例5の薄膜表面の画像、図10にスピンコートプロセス12層とした比較例4の薄膜表面の画像、図11にスピンコートプロセス12層とした実施例6の薄膜表面の画像、を示している。図8,10に示すように、比較例の場合は細かいクラックが発生していることが分かる。一方、図9,11に示すように、圧電体層形成後、第2電極形成前に加温保持した薄膜は細かいクラックが発生していないことが分かる。また、各BFM-BT薄膜について、表面をSEM走査型電子顕微鏡で撮影した。図12に比較例4の薄膜表面をSEM走査型電子顕微鏡で撮影した画像、図13に実施例6の薄膜表面をSEMで撮影した画像、を示している。図12に示すように、比較例の場合は結晶粒の周りに輝点状の異物が付着していることが分かる。一方、図13に示すように、圧電体層形成後、第2電極形成前に加温保持した薄膜は輝点状の異物が見られないことが分かる。さらに、各BFM-BT薄膜について、XRDによりX線回折チャートを得たところ、いずれもBFM-BTペロブスカイト酸化物単相であった。また、X線回折チャートから100配向成分と110配向成分の和に占める110配向成分の割合を求めたところ、表2に示すように、65~69であった。従って、いずれの薄膜も、110方向に優先配向していることが分かる。さらに、X線回折チャートから得られる110回折ピークの半値幅は、表3に示すように、いずれも0.26°以下であり、結晶性は良好であった。BFM-BTキャパシタの評価各BFM-BT薄膜について、実施例1~3と同様にして、BFM-BTキャパシタを作製し、分極量と電圧の関係を求めた。図14aに比較例2のヒステリシス曲線を示し、図14bに実施例4のヒステリシス曲線を示している。また、これらのヒステリシス曲線から求めた各キャパシタの耐電圧を表4に示す。図14及び表4に示すように、圧電体層形成後、第2電極形成前に加温保持すると耐電圧が向上することが分かる。耐電圧以外の各ヒステリシス特性に大きな差は無かった。また、各BFM-BTキャパシタについて、アグザクト社製の変位測定装置DBLIを用い、室温大気中で5~30V、周波数1kHzの三角波を印加して、電界誘起歪mmと電圧Vの関係を求めた。表5に30Vの電圧を印加したときの変位量を示している。表5に示すように、圧電体層形成後、第2電極形成前に加温保持すると変位量が若干増大することが分かる。以上説明したように、圧電体層形成後、第2電極形成前に圧電体層を200~350°Cで保持することにより、オーブン保持期間中の膜割れが抑制され、結晶粒周りの輝点状の異物を取り除くことができ、キャパシタの電圧ストレスへの耐性が向上し、圧電変位量が若干増大することが分かる。[実施例7及び比較例5]BFM-BT薄膜作製焼成工程の焼成温度を775°Cに変更した以外は、実施例5と同様にして層数を10層としたBFM-BT薄膜を基板上に形成した。最後の焼成工程におけるRTA熱処理の直後、上述したように急速に温度低下させてBFM-BT薄膜を分割し、一部のBFM-BT薄膜を350°Cのオーブンで15日間保持して実施例7のBFM-BT薄膜とした。また、別の部分のBFM-BT薄膜を室温で2日間保持して比較例5のBFM-BT薄膜とした。BFM-BT薄膜の評価各BFM-BT薄膜の外観を金属顕微鏡で確認したところ、薄膜表面の細かいクラックについて、実施例7の薄膜は比較例5の薄膜よりも抑制されていた。また、各BFM-BT薄膜について表面をSEMで撮影したところ、比較例5の場合は結晶粒の周りに輝点状の異物が付着していたが、実施例7の場合は輝点状の異物がほとんど見られなかった。さらに、RTA熱処理の直後のBFM-BT薄膜についてXRDによりX線回折チャートを得たところ、BFM-BTペロブスカイト酸化物単相であった。また、100配向成分と110配向成分の和に占める110配向成分の割合は64であり、110方向に優先配向していることが分かった。さらに、110回折ピークの半値幅は0.26°であり、結晶性は良好であった。BFM-BTキャパシタの評価各BFM-BT薄膜について、実施例4~6と同様にして、BFM-BTキャパシタを作製し、分極量と電圧の関係を求めた。図15aに比較例5のヒステリシス曲線を示し、図15bに実施例7のヒステリシス曲線を示している。また、これらのヒステリシス曲線から求めた各キャパシタの耐電圧を表6に示す。図15及び表6に示すように、焼成温度を変えても、圧電体層形成後、第2電極形成前に加温保持すると耐電圧が向上することが分かる。耐電圧以外の各ヒステリシス特性に大きな差は無かった。また、各BFM-BTキャパシタについて、実施例4~6と同様にして電界誘起歪と電圧の関係を求めた。表7に30Vの電圧を印加したときの変位量を示している。表7に示すように、焼成温度を変えても、圧電体層形成後、第2電極形成前に加温保持すると変位量が若干増大することが分かる。以上説明したように、焼成温度を変えても、圧電体層形成後、第2電極形成前に圧電体層を200~350°Cで保持することにより、膜割れが抑制され、結晶粒周りの輝点状の異物を取り除くことができ、キャパシタの電圧ストレスへの耐性が向上し、圧電変位量が若干増大することが分かる。5応用、その他:本発明は、種々の変形例が考えられる。上述した実施形態では圧力発生室毎に個別の圧電体を設けているが、複数の圧力発生室に共通の圧電体を設け圧力発生室毎に個別電極を設けることも可能である。上述した実施形態では流路形成基板にリザーバの一部を形成しているが、流路形成基板とは別の部材にリザーバを形成することも可能である。上述した実施形態では圧電素子の上側を圧電素子保持部で覆っているが、圧電素子の上側を大気に開放することも可能である。上述した実施形態では振動板を隔てて圧電素子の反対側に圧力発生室を設けたが、圧電素子側に圧力発生室を設けることも可能である。例えば、固定した板間及び圧電素子間で囲まれた空間を形成すれば、この空間を圧力発生室とすることができる。流体噴射ヘッドから吐出される液体は、液体噴射ヘッドから吐出可能な材料であればよく、染料等が溶媒に溶解した溶液、顔料や金属粒子といった固形粒子が分散媒に分散したゾル、等の流体が含まれる。このような流体には、インク、液晶、等が含まれる。液体噴射ヘッドには、粉体や気体を吐出するものも含まれる。液体噴射ヘッドは、プリンターといった画像記録装置の他、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造装置、有機ELディスプレー等の電極の製造装置、バイオチップ製造装置、等に搭載可能である。上述した製造方法により製造される積層セラミックスは、強誘電体デバイス、焦電体デバイス、圧電体デバイス、及び光学フィルターの強誘電体薄膜を形成するのに好適に用いることができる。強誘電体デバイスとしては、強誘電体メモリーFeRAM、強誘電体トランジスタFeFET等が挙げられ、焦電体デバイスとしては、温度センサー、赤外線検出器、温度-電気変換器等が挙げられ、圧電体デバイスとしては、流体吐出装置、超音波モーター、加速度センサー、圧力-電気変換器等が挙げられ、光学フィルターとしては、赤外線等の有害光線の遮断フィルター、量子ドット形成によるフォトニック結晶効果を使用した光学フィルター、薄膜の光干渉を利用した光学フィルターが挙げられる。以上説明したように、本発明によると、種々の態様により、少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む圧電体層を有する圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させる技術等を提供することができる。また、上述した実施形態及び変形例の中で開示した各構成を相互に置換したり組み合わせを変更したりした構成、公知技術並びに上述した実施形態及び変形例の中で開示した各構成を相互に置換したり組み合わせを変更したりした構成、等も実施可能である。本発明は、これらの構成等も含まれる。"