測定試料に光を照射し、これにより前記測定試料から生じる近接場光を採光するため、前記測定試料の近傍に設置する近接場光プローブであって、平行線路の間隔が、測定試料から生じる近接場光の波長の1100以下であり、前記測定試料に近接させる前記平行線路の一端は揃えられ、他端はダイポールアンテナであることを特徴とする近接場光プローブ。前記ダイポールアンテナ長が、前記測定試料から生じる近接場光の波長の略12であることを特徴とする請求項1に記載の近接場光プローブ。前記平行線路の材料が、金属、カーボンナノチューブのいずれかであることを特徴とする請求項1又は2に記載の近接場光プローブ。前記平行線路の間隔が、前記測定試料の電気双極子の直径と略同サイズであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の近接場光プローブ。測定試料の近傍に設けられ、前記測定試料から生じる近接場光を採光する近接場光プローブに用いられる平行線路の製造方法であって、基板上に第一の金属材料を蒸着し、前記第一の金属が蒸着された表面上に前記基板と同じ又は異なる材料で第一のスパッタリングを行い、前記スパッタリングされた表面上に第2の金属材料を蒸着し、前記第二の金属材料が蒸着された表面上に前記基板と同じ材料又は異なる材料で第二のスパッタリングを行うことで5層構造物を形成し、前記5層構造物の片側を全切断し、前記全切断された面側に前記基板と同じ材料又は異なる材料で第3のスパッタリングを行い、前記5層構造物を切断した側と反対側の5層構造物を、5層構造物の幅を数ナノメートル残して全切断し、前記全切断された面側に前記基板と同じ材料又は異なる材料で第4のスパッタリングを行うことで作製する近接場光プローブに用いられる平行線路の製造方法。第一のスパッタリングの厚さが、前記測定試料の電気双極子の直径と略同サイズであることを特徴とする請求項5に記載の近接場光プローブに用いられる平行線路の製造方法。前記金属材料の蒸着に代えて、カーボンを塗布することを特徴とする請求項5又は6に記載の近接場光プローブに用いられる平行線路の製造方法。測定試料の近傍に設けられ、前記測定試料から生じる近接場光を採光する近接場光プローブに用いられる平行線路の製造方法であって、基板上にレジストを塗布し、前記レジスト上に電子描画により前記平行線路のパターンを描画し、前記電子描画されたレジストを除去した後、その上面に金属を蒸着し、前記基板上のレジストをすべて除去することを特徴とする近接場光プローブに用いられる平行線路の製造方法。前記平行線路の間隔が、前記測定試料の電気双極子の直径と略同サイズであることを特徴とする請求項8に記載の近接場光プローブに用いられる平行線路の製造方法。本発明の課題は、分解能を高めることと、それに伴う採光量の低下すなわち検出感度の低下を回避して高感度を保つという、二つの相反する課題を同時に解決する近接場光プローブ、そのプローブの製造方法、及び近接場光顕微鏡を提供することにある。すなわち、開口型近接場光プローブの利点である高感度と散乱型近接場光プローブの利点である高分解能を同時に実現し、非常に微細な試料の観察も可能にする近接場光プローブ、そのプローブの製造方法、及び近接場光顕微鏡を提供することにある。本発明は、以下の手段によって上述の課題を解決するものである。請求項1に記載の近接場プローブは、測定試料に光を照射し、これにより前記測定試料から生じる近接場光を採光するために前記測定試料の近傍に設置する近接場光プローブであって、平行線路の間隔が測定試料から生じる近接場光の波長の1100以下であり、前記測定試料に近接させる前記平行線路の一端は揃えられ、他端はダイポールアンテナであることを特徴とする。本発明による近接場プローブの前記平行線路の一端であるダイポールアンテナは、長さが前記測定試料から生じる近接場光の波長の略12であることを特徴とする。本発明の前記平行線路の材料は、金属、カーボンナノチューブのいずれかを用いることができる。また、本発明の前記平行線路の間隔は、前記測定試料の電気双極子の直径と略同サイズであることを特徴とする。これによって、微視的な大きさの無機物や有機物生体物質の場合には、一般にこの電気双極子の大きさは分子の大きさ程度であるため、細胞内部の微小組織のような試料についても測定が可能となる。本発明の近接場光プローブに用いられる平行線路は、基板上に第一の金属材料を蒸着し、前記第一の金属が蒸着された表面上に前記基板と同じ又は異なる材料で第一のスパッタリングを行い、前記スパッタリングされた表面上に第2の金属材料を蒸着し、前記第二の金属材料が蒸着された表面上に前記基板と同じ材料又は異なる材料で第二のスパッタリングを行うことで5層構造物を形成し、前記5層構造物の片側を全切断し、前記全切断された面側に前記基板と同じ材料又は異なる材料で第3のスパッタリングを行い、前記5層構造物を切断した側と反対側の5層構造物を、5層構造物の幅を数ナノメートル残して全切断し、前記全切断された面側に前記基板と同じ材料又は異なる材料で第4のスパッタリングを行うことで作製されることを特徴とする。前記第一のスパッタリングの厚さは、前記測定試料の電気双極子の直径と略同サイズとすることを特徴とする。本発明の平行線路の材料として、金属材料ではなくカーボンを用いる場合には、前記金属材料の蒸着に代えて、カーボンを塗布することで、平行線路を製造する。また、本発明の近接場光プローブに用いられる平行線路は、基板上にレジストを塗布し、前記レジスト上に電子描画により前記平行線路のパターンを描画し、前記電子描画されたレジストを除去した後、その上面に金属を蒸着し、前記基板上のレジストをすべて除去することで製造されることを特徴とする。前記平行線路の間隔は、前記測定試料の電気双極子の直径と略同サイズとすることを特徴とする。本発明の近接場光プローブは、開口型近接場光プローブの利点である高感度と散乱型近接場光プローブの利点である高分解能の機能を兼ね備えている。また、構造が単純であることから平行線路型プローブを細く且つ長く作製することが可能であり、例えば、細胞内部の微小組織のような奥まったところにある試料についても測定することができる。本発明によれば近接場光プローブを形成する平行線路によって、その間隔と同程度の広がりを持つ分極が自身に付随して作る近接場光を電気力線として採光することが可能であり、係る間隔をナノメートルのレベルで制御した平行線路を作製することによって、従来の開口型近接場光プローブよりはるかに高い分解能を得ることができる。また、従来の散乱型近接場光プローブとは異なり、光を外部へ放射させることなく数ナノメートルの線路間に光を閉じ込めて伝搬させることが可能であることから、高い検出感度を得ることができる。以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図1は本発明の一実施の形態である二本の金属細線を平行に並べた平行線路112を用いた近接場光プローブ10の概要を示した図である。図1に示すように、この近接場光プローブ10は、平行線路112と、平行線路112の端部と接続されたダイポールアンテナ111と、ダイポールアンテナ111と密着した光ファイバー110とを含んでいる。載置台115に設置された測定試料113に対し光が照射されると、測定試料113の内部では試料に固有の振動数で振動する分極が生じ、その分極に付随して振動する電気力線114が作られる。この分極に付随して振動する電気力線とは、分極から光の波長の長さよりも充分に近い領域に存在し、且つ分極から放出される光の振動数で振動している近接場光を説明するための、一つの表現である。さて、測定試料113内部の分極に付随して振動する電気力線114に対し端部が揃えられた平行線路112を近接させると、電気力線114が平行線路112の線路間に導入される。このとき、電気力線114の振動は平行線路112において電子の振動に変換され、閉じ込められたまま平行線路112を伝わる。平行線路112を伝わった電子の振動は、平行線路112の他端において伝搬する光に変換され、光ファイバー110を伝わり光検出器図外へと届く。ここで、平行線路112に用いられる金属細線としては、例えば、金Au、銀Ag等の金属材料、あるいはカーボンナノチューブ、有機伝導体、またはそれらを組み合わせたものが好適である。ここで、平行線路112の間隔は測定試料から生じる光の波長の1/100程度以下であることが望ましい。さらに、平行線路112に用いられる材料における自由電子のプラズマ振動数は、観測する光の振動数と同じ、あるいはそれ以上であることが好適である。また、平行線路112は、光ファイバー110が接続する端部においてダイポールアンテナ状に開かれていることが好ましい。このような形状とすることで、平行線路112を伝わってきた電子の振動を、光ファイバー110を伝搬する光に変換しやすくなる。また、平行線路112の端部をダイポールアンテナ状に開く角度は、光ファイバー110を伝搬する光が横波であることから、直角またはそれに近い角度が好ましい。さらに、ダイポールアンテナ111の全体の長さは、ダイポールアンテナ111において変換されて光ファイバー中を伝搬する光の波長の12程度が好ましい。光ファイバー110へ導入された光は、光ファイバー110を伝搬して光検出器図外へと導かれる。なお、光ファイバー110に代えて、光導波路を用いてもよい。本実施の形態においては、平行線路112の間隔を可視光から近赤外光の波長である350~1000nmの1/1003.5nm~10nmとした。また、本実施の形態では、平行線路112の材料として、銀Agを用いた。また、ダイポールアンテナ111の角度は直角、ダイポールアンテナの部分の長さは、光ファイバー110を伝搬する光の波長の1/2とした。このように、近接場光に相当する電気力線から変換された伝搬する光の真空中における波長の1/100以下の間隔を持つ二本の金属細線からなる平行線路に、近接場光の電気力線を導入し変換された電子の振動を通すことで、平行線路外への放射による損失がほとんどないまま振動のエネルギーを平行線路によって伝搬させることが出来ることが明らかとなり、またダイポールアンテナを用いることで、平行線路を伝搬してきた電子の振動を、光ファイバー中を伝搬する光に高効率に変換出来ることが明らかになった。このように、本発明の特徴とするところは、測定試料への光の照射によって発生した振動する分極の状態を検出するために、測定試料に対して、分極の広がりと同程度の間隔を持つ平行線路を近接させることで、その分極に付随して振動する電気力線114を平行線路へ直接導入することによって、最終的に光として取り出す、というものである。本発明では、分極から伝搬する光としてではなく電気力線として採光するという構造上、分解能を決定する平行線路の間隔は分極の広がり程度であり、数ナノメートルという高分解能を実現する。図2は、平行線路112の先端から導入された電気力線が、平行線路112を電子の振動として伝わった後に伝搬する光に変換されて光ファイバー110を通って光検出器230へ届く、近接場光顕微鏡内の光の伝搬機構を示した図である。図2に示す通り、平行線路112から導入された光を伝搬させる光ファイバー110は、支持棒210により支持されている。また、支持棒210は、微動ステージ220に接続している。これにより、例えば微動ステージ220を水平垂直方向に駆動させれば、測定試料113とその近傍をスキャンすることができる。なお、図2は、測定試料113を固定し、プローブ側をスキャンさせる構造となっているが、プローブを固定し、測定試料113をスキャンさせる構造としてもよい。図3は、平行線路112の製造方法の一例を説明した図である。図3においては、まず、例えば石英SiO2基板の上に例えば真空蒸着装置により金Auを積層する。次に、その上に例えば石英をターゲットとしてスパッタ装置により石英を積層する。ここで石英の厚さは数ナノメートルとする。そして、その上に金を再度積層し、最後に石英を積層する。このようにして得られた5層構造物に対して、例えばイオンビーム装置により、片側を切断する。次に、その切断面に対して石英を積層し、再びイオンビーム装置により、残っている5層構造を切断する。二度目の切断の際に残す5層構造の部分の幅は数ナノメートルとする。そして、その二度目の切断面にも石英を積層する。このようなプロセスにより、図3に示すように、幅数ナノメートルの平行線路112を作製することができる。なお、本実施の形態においては、基板材料やスパッタのターゲットとして石英SiO2を用いたが、酸化チタンTiO2、酸化ジルコニウムZrO2、ニオブ酸リチウム等を基板の材料やスパッタのターゲットとして用いてもよい。また、本実施の形態では、金属材料として金を用いたが、例えば、アルミニウムAl、プラチナPt、銀、などを蒸着でき、金属または金属に類する材質であればその種類は問わない。図4は、端部がダイポールアンテナである平行線路の製造方法の一例を示した図である。例えば、石英の基板上に、日本ゼオン株式会社のZEP520A等のレジストを塗布し、そこに電子線露光描画装置により平行線路とダイポールアンテナの形状を描写する。そして、電子線により描写した部分のレジストを選択的に除去した後、例えば金を蒸着する。最後にすべてのレジストを除去することで端部がダイポールアンテナである平行線路を作製することができる。