"固体レーザ発振体、この固体レーザ発振体から発振されるレーザ光を透過して基本波を得る体積型位相回折格子、前記基本波を反射し、この基本波に対応する高調波を透過する選択的透過部材、前記選択的透過部材によって反射された前記基本波の波長を変換して前記高調波を発生する周期分極反転構造、前記基本波が入射し、かつ前記高調波が出射する一方の端面、および前記一方の端面に対して反対側に設けられた他方の端面を備えている波長変換素子、および前記他方の端面に設けられており、前記基本波および前記高調波を反射する反射膜を備えていることを特徴とする、高調波発生装置。前記波長変換素子に対して接着されている支持基板を備えていることを特徴とする、請求項1記載の装置。前記体積型位相回折格子と前記選択的透過部材との間に設けられ、前記基本波を反射する反射部材を備えていることを特徴とする、請求項1または2記載の装置。前記周期分極反転構造の前記反射膜側の最末端のドメインの幅が、前記周期分極反転構造の周期の3割以上、半分以下であり、この最末端のドメインが前記反射膜に接していることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一つの請求項に記載の装置。しかし、特許文献1のように、レーザ共振器構造の光源を用いた高調波発生装置の場合は、光源の部品点数が多く、光学系が複雑になる。本発明の課題は、固体レーザ発振体から発振された基本波の波長を、周期分極反転構造によって変換して高調波を発生する装置において、高調波の発振効率を高くできるようにし、かつ光源装置を小型化できるようにすることである。本発明に係る高調波発生装置は、固体レーザ発振体、この固体レーザ発振体から発振されるレーザ光を透過して基本波を得る体積型位相回折格子、基本波を反射し、この基本波に対応する高調波を透過する選択的透過部材、選択的透過部材によって反射された基本波の波長を変換して高調波を発生する周期分極反転構造、基本波が入射し、かつ高調波が出射する一方の端面、および一方の端面に対して反対側に設けられた他方の端面を備えている波長変換素子、および他方の端面に設けられており、基本波および高調波を反射する反射膜を備えていることを特徴とする。本発明によれば、周期分極反転構造の形成された素子の一方の端面から基本波を入射させ、他方の端面に反射膜を設けて基本波および高調波を反射させているので、周期分極反転構造内で基本波の往路と復路との双方で高調波を発生させることができる。実質、半分の素子の長さで、2倍相当の素子の長さの場合の高調波を発生させることができる。その上で、レーザ光源からのレーザ光を体積型位相回折格子に透過させ、高調波を選択的に透過させる選択的透過部材によって反射させることで素子に入射させている。これによって基本波波長を変換効率の高い波長にセットでき、変換効率を高めることができる。しかも、体積型位相回折格子を用いてレーザ光の波長を選択し、また選択的反射部材によって基本波の反射と、発生した高調波の透過とを選択しているので、基本波を除去した機能を有し、かつ、小型の光源を実現することが可能である。図1は、本発明の一実施形態に係る高調波発生装置を模式的に示すブロック図である。レーザ光源1からレーザ光Aを発振させる。レーザ光Aは、コリメータレンズ2によって平行光Bとなり、平行光Bが、体積型位相回折格子3に入射し、透過する。このとき、レーザ光は波長選択を受け、コヒーレント性の極めて高い基本波Cが出射する。基本波Cは反射部材4によって反射されて矢印Dのように進み、選択的透過部材5によって再び反射され、矢印Eのように進み、集光レンズ6によって集光され、矢印Fのように波長変換素子11の一方の端面11aに入射する。図3に示すように、素子11は強誘電体基板からなっており、基板内に周期分極反転構造9が形成されている。本例では、素子11の一方の端面11aから他方の端面11bまで周期分極反転構造9が形成されている。素子11の端面11aに入射した基本波Fは、周期分極反転構造9内を矢印Gのように進行しながら高調波を発生させる。そして、基本波および高調波は、素子11の他方の端面11b上に設けられた反射膜10によって反射され、周期分極反転構造9内を逆向きに矢印Hのように進行し、更に高調波を発生させる。基本波および発生した高調波は、図1に矢印Iで示すように出射し、集光レンズ6によってコリメートされて平行光Jとなる。そして、平行光Jに含まれる基本波は、選択的透過手段5によって反射され、高調波は矢印Kのように選択的透過手段5を透過し、光源の外部へと出力される。図2の例は、図1の例と同様のものであるが、ただし基本波用の反射部材4を除いてある。すなわち、レーザ光Aは、コリメータレンズ2によって平行光Bとなり、平行光Bが、体積型位相回折格子3に入射し、透過する。このとき、レーザ光は波長選択を受け、コヒーレント性の極めて高い基本波Cが出射する。基本波Cは選択的透過部材5によって反射され、矢印Eのように進み、集光レンズ6によって集光され、矢印Fのように波長変換素子11の一方の端面11aに入射する。素子11の端面11aに入射した基本波Fは、周期分極反転構造9内を矢印Gのように進行しながら高調波を発生させる。そして、基本波および高調波は、素子11の他方の端面11b上に設けられた反射膜10によって反射され、周期分極反転構造9内を逆向きに矢印Hのように進行し、更に高調波を発生させる。基本波および発生した高調波は、矢印Iで示すように出射し、集光レンズ6によってコリメートされて平行光Jとなる。そして、平行光Jに含まれる基本波は、選択的透過手段5によって反射され、高調波は矢印Kのように選択的透過手段5を透過し、光源の外部へと出力される。本発明によれば、周期分極反転構造7の形成された素子の一方の端面11aから基本波を入射させ、他方の端面11bに反射膜10を設けて基本波および高調波を反射させているので、周期分極反転構造9内で基本波の往路と復路との双方で高調波を発生させることができる。実質、半分の素子の長さで、2倍相当の素子の長さの場合の高調波を発生させることができる。その上で、レーザ光源1からのレーザ光Aを体積型位相回折格子3に透過させ、高調波を選択的に透過させる選択的透過部材5によって反射させることで光導波路に入射させている。これによって基本波波長を変換効率の高い波長にセットでき、変換効率を高めることができる。しかも、体積型位相回折格子3を用いてレーザ光の波長を選択し、また選択的反射部材5によって、基本波の反射と、発生した高調波の透過とを選択しているので、基本波を除去した機能を有し、かつ、小型の光源を実現することが可能である。好適な実施形態においては、例えば図3に示すように、波長変換素子11に対して支持基板8を接着することで、複合素子7を形成する。また、好適な実施形態においては、例えば図1に示すように、体積型位相回折格子3と選択的透過部材5との間に、基本波Cを反射する反射部材4を設ける。好適な実施形態においては、周期分極反転構造9が、素子11内のチャンネル型光導波路内に設けられている。特に好適な実施形態においては、光導波路がリッジ型の光導波路であり、非線形光学結晶を加工、例えば機械加工やレーザ加工することによって物理的に加工し、成形することによって得られる。素子を構成する材質は、光の変調が可能であれば特に限定されないが、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム-タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウム、KTP、GaAs及び水晶などを例示することができる。強誘電体単結晶中には、光導波路の耐光損傷性を更に向上させるために、マグネシウムMg、亜鉛Zn、スカンジウムSc及びインジウムInからなる群より選ばれる1種以上の金属元素を含有させることができ、マグネシウムが特に好ましい。強誘電体単結晶中には、ドープ成分として、希土類元素を含有させることができる。この希土類元素は、レーザー発振用の添加元素として作用する。この希土類元素としては、特にNd、Er、Tm、Ho、Dy、Prが好ましい。図示しない接着層の材質は、無機接着剤であってよく、有機接着剤であってよく、無機接着剤と有機接着剤との組み合わせであってよい。支持基体8の具体的材質は特に限定されず,ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、石英ガラスなどのガラスや水晶、Siなどを例示することができる。反射部材4は、その表面に成膜する反射性能が得られれば、特に限定されないが、石英ガラスなどのガラスや水晶、Si、金属材料なども使用可能である。反射部材4に成膜する膜材としては、二酸化珪素、五酸化タンタルなどの酸化物で積層した膜や、金属類も使用可能である。選択的透過手段5は、基本波Dを高反射率で反射し、高調波Kを高透過率で透過する。材質は、石英ガラスなどのガラスや水晶などが例示され、その表面に二酸化珪素、五酸化タンタルなどの酸化物で積層することで、反射性能を引き出す。反射膜10は、基本波及び高調波を高効率で反射する多波長反射機能を有する。膜材としては、選択的透過手段5に使用される酸化物系の膜材が使用可能である。光源1としては、高い信頼性を有するGaAs系やInP系材料によるレーザが好適である。例えば、緑色レーザの場合は、波長1064nm付近で発振するGaAs系のレーザを用いることになる。GaAs系やInP系のレーザは信頼性が高いため、一次元状に配列したレーザアレイ等の光源も実現可能である。体積型位相回折格子3は、フォトリフラクティブといわれる光の強度分布に応じて、結晶内の屈折率変化が誘起されるガラス系の材料により形成したものである。屈折率変化をさせる周期や、形成領域の幅などの設計により、例えば、選択的にある波長を、ある反射率で反射させることが可能な光部品を実現することができる。図3に示すように、周期分極反転構造9は、互いに分極方向が反対のドメイン9aと9bとを交互に形成してなる。一組のドメイン9aと9bとの幅の合計が反転周期pである。ここで、好適な実施形態においては、周期分極反転構造9の反射膜10側の最末端のドメイン9cの幅tが、周期分極反転構造の周期pの略半分であり、最末端のドメインが反射膜に接している。ここで、最末端ドメインの幅tは、周期pの略半分が最も好ましいが、周期pの半分以下でよく、また3割以上が好ましい。また,最末端のドメインは、非分極反転部であってよく、分極反転部であってよい。特許文献1特開2008-140919記載のように、周期分極反転構造の末端ドメイン9cと反射膜10との間に、基本波および高調波の時間的可干渉距離の2分の1を超える光学的距離となるようにすると、両者の干渉は低減できるが、光エネルギーの内部損失が大きくなる。図1および図3を参照しつつ説明した発振装置を作製した。具体的には、厚さ0.5mmのMgO5ドープニオブ酸リチウム5度オフカットY基板上に、周期p6.6μmの櫛状周期電極をフォトリソグラフィ法によって形成した。基板裏面に全面にわたって電極膜を形成したのち、パルス電圧を印加して周期分極反転構造9を形成した。基板に周期分極反転構造9を形成した後、厚さ0.4μmのSiO2アンダークラッド39をスパッタ法によって成膜した。厚さ0.5mmのノンドープニオブ酸リチウム基板8に接着剤を塗布した後、前記のMgOドープニオブ酸リチウム基板と貼り合せ、MgOドープニオブ酸リチウム基板の表面を厚さ3.7μmとなるまで研削、研磨した。そして、レーザーアブレーション加工法により、リッジ型導波路を形成した。光導波路の形成後、ダイサーで長さ5mm、幅0.7mmで素子を切断し、図3に示す素子11を得た。この素子11を定盤および治具にセットし、両端面11a、11bを研磨し、研磨面を形成した。ここで、研磨面11bについては±1μmの精度で研磨位置を追い込む必要があるが、分極反転構造を形成した基板上に設けた位置決めマーク、あるいは分極反転を観察しながら、研磨位置を追い込んだ。このような加工で、周期6.6μmに対して、2μm位置に加工したものが得られた。周期に対してドメインの幅が、約3割30.3の位置で加工されたものが得られたことに対応する。次いで、端面11a上に反射防止膜を形成し、端面1b上に反射膜10を形成した。図1に示す各部品および複合素子7をパッケージ内に実装した後、光軸調整し、樹脂によって固定した。体積型位相回折格子3としては、1060nmの波長に対して5程度の反射特性を有するものを使用し、選択的透過手段5としては,1060nmで99以上反射し、530nmで99以上透過するものを使用した。半導体レーザ1の出力を400mW駆動させ、波長を温度によって可変させて位相整合する波長に調節した時に、最高100mWの第二高調波出力が得られた。最末端のドメインの幅は理想的には周期の半分の位置となるが、周期の3割でも100mWの出力が得られ、ディスプレイ用途の光源には十分使用可能な出力が得られた。基本光の波長は1060.5nmであった。第二高調波のビーム径は水平方向で5μm、垂直方向で4μm1/e2が得られた。また、出射した第二高調波のM2値をビームプロファイラで測定したところ、1.15であり、良好なビーム品質が得られた。M2値は、理想的なガウシアンビームの場合は1.0になる。ビームのプロファイルが崩れる程、大きな値になる。"