"半導体素子を収容するための半導体用パッケージの製造方法であって、前記半導体素子が搭載される搭載面と前記搭載面の側方に立設する側壁部とを有するパット部を、第1の金型と前記第1の金型と対向する第2の金型とで挟まれた空間に収容し、前記空間に充填樹脂を注入することで、前記パット部の前記搭載面及び前記側壁部の前記搭載面側の主面以外の部分を前記充填樹脂で覆う充填樹脂注入工程を含み、前記充填樹脂注入工程では、前記第1の金型として、前記搭載面と対向する第1面、前記側壁部の前記主面と対向する第2面及び前記側壁部の前記主面と隣接する側端面と対向する第3面を有する突起部を有する金型を用い、前記突起部の前記第1面を前記搭載面に密着させ、前記突起部の前記第2面を前記側壁部の前記主面に密着させ、前記突起部の前記第3面を前記側壁部の前記側端面に密着させた状態で、前記空間に前記充填樹脂を注入する半導体用パッケージの製造方法。前記パット部の前記搭載面とは反対側の面が前記充填樹脂から露出するよう前記搭載面に絞り加工を施す請求項1に記載の半導体用パッケージの製造方法。半導体素子を収容するための半導体用パッケージであって、前記半導体素子が搭載される搭載面と前記搭載面の側方に立設する側壁部とを有するパット部と、前記パット部の前記搭載面、前記側壁部の前記搭載面側の主面及び前記主面に隣接する前記側壁部の側端面を露出させた状態で、前記パット部の周囲に形成された充填樹脂と、を含む半導体用パッケージ。前記側壁部の前記主面は、前記搭載面に搭載される前記半導体素子から射出される光を前記搭載面の上方に向けて反射する反射面である請求項3に記載の半導体用パッケージ。前記パット部の前記搭載面とは反対側の面が前記充填樹脂から露出している請求項3または4に記載の半導体用パッケージ。前記充填樹脂が、ナイロン、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも1種以上である請求項3ないし5のいずれか一項に記載の半導体用パッケージ。請求項3ないし6のいずれか一項に記載の半導体用パッケージと、前記搭載面に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を含む半導体発光装置。ところで、半導体用パッケージを製造する際には、リードフレームを一対の金型で挟まれた空間に収容し、前記空間に充填樹脂を注入することで、リードフレームの一部を充填樹脂により埋設する。例えば、一対の金型のうち一方の金型としてリードフレームの形状に対応した形状の突起部を有する金型を用い、他方の金型として前記空間に充填樹脂を注入するための注入穴を有する金型を用いる。そして、一方の金型の突起部とリードフレームとを所定の箇所で密着させた状態で、他方の金型の注入穴から前記空間に充填樹脂を注入する。前記空間に充填樹脂を注入する際には、リードフレームを埋設する充填樹脂に空孔などの欠陥が生じないよう前記空間を充填樹脂で満たすことが重要である。そのため、前記空間に充填樹脂が満遍なく流れ込むよう前記空間に充填樹脂を注入する際の圧力は高い値に設定される。しかしながら、このように高い圧力で前記空間に充填樹脂を注入すると、前記空間に充填樹脂が勢いよく流れ込み、一方の金型の突起部とリードフレームの合わせ部分に大きな圧力がかかる。これにより、当該合わせ部分に充填樹脂が流れ込み、得られるリードフレームの表面に充填樹脂が付着してしまう。リードフレームの表面に充填樹脂が付着すると、外観不良になる。また、リードフレームにおいてリフレクターとなる面に充填樹脂が付着した場合には、所望の反射率が得られず、半導体素子から射出される光を効率良く取り出すことができなくなる。その結果、半導体用パッケージの歩留まりが低下する。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、半導体用パッケージの歩留まり低下を抑制することが可能な半導体用パッケージの製造方法、半導体用パッケージ及び半導体発光装置を提供することを目的とする。前記の目的を達成するために、本発明の半導体用パッケージの製造方法は、半導体素子を収容するための半導体用パッケージの製造方法であって、前記半導体素子が搭載される搭載面と前記搭載面の側方に立設する側壁部とを有するパット部を、第1の金型と前記第1の金型と対向する第2の金型とで挟まれた空間に収容し、前記空間に充填樹脂を注入することで、前記パット部の前記搭載面及び前記側壁部の前記搭載面側の主面以外の部分を前記充填樹脂で覆う充填樹脂注入工程を含み、前記充填樹脂注入工程では、前記第1の金型として、前記搭載面と対向する第1面、前記側壁部の前記主面と対向する第2面及び前記側壁部の前記主面と隣接する側端面と対向する第3面を有する突起部を有する金型を用い、前記突起部の前記第1面を前記搭載面に密着させ、前記突起部の前記第2面を前記側壁部の前記主面に密着させ、前記突起部の前記第3面を前記側壁部の前記側端面に密着させた状態で、前記空間に前記充填樹脂を注入することを特徴とする。本発明においては、前記パット部の前記搭載面とは反対側の面が前記充填樹脂から露出するよう前記搭載面に絞り加工を施すことを特徴とする。本発明の半導体用パッケージは、半導体素子を収容するための半導体用パッケージであって、前記半導体素子が搭載される搭載面と前記搭載面の側方に立設する側壁部とを有するパット部と、前記パット部の前記搭載面、前記側壁部の前記搭載面側の主面及び前記主面に隣接する前記側壁部の側端面を露出させた状態で、前記パット部の周囲に形成された充填樹脂と、を含むことを特徴とする。本発明においては、前記側壁部の前記主面は、前記搭載面に搭載される前記半導体素子から射出される光を前記搭載面の上方に向けて反射する反射面であることを特徴とする。本発明においては、前記パット部の前記搭載面とは反対側の面が前記充填樹脂から露出していることを特徴とする。本発明においては、前記充填樹脂が、ナイロン、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも1種以上であることを特徴とする。本発明の半導体発光装置は、前記半導体用パッケージと、前記搭載面に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、半導体用パッケージの歩留まり低下を抑制することが可能な半導体用パッケージの製造方法、半導体用パッケージ及び半導体発光装置を提供することができる。以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。また、以下の説明及び図面中、同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。第1実施形態図1は、本発明の第1実施形態の半導体発光装置1を示す模式図である。図1aは半導体発光装置1の斜視図であり、図1bは半導体発光装置1の平面図であり、図1cは半導体発光装置1の底面図である。なお、以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向すなわち鉛直方向をZ軸方向とする。図では、水平面内において直方体形状の半導体発光装置1の短手方向をX方向、半導体発光装置1の長手方向をY方向、半導体素子20の搭載面11aの法線方向をZ方向、として図示している図1a~図1cに示すように、半導体発光装置1は、半導体用パッケージ10と、半導体素子20と、封止樹脂30と、を備えて構成されている。半導体発光装置1は、直方体形状であり、上方に光を射出するように構成されている。例えば、半導体発光装置1は、液晶表示装置のバックライト光源、照明分野等のライトユニットに適用される。なお、半導体発光装置1の形状は、直方体形状に限らず、コーナー部にRをつけたり、平面視楕円形状にしたりする等、種々の形状を採用することができる。半導体用パッケージ10は、半導体素子20を収容するものである。半導体用パッケージ10は、パット部11と、電極部12と、充填樹脂13と、を備えて構成されている。例えば、半導体素子20としては、LED等の発光素子、照度センサー、CMOSやCCD等のイメージセンサー素子等の種々の半導体素子が用いられる。パット部11は、半導体素子20を搭載する搭載面11aを有する。パット部11は、半導体素子20が搭載される基台となるものである。例えば、パット部11は、鉄Fe、スズSn、クロムCr、亜鉛Zn、ニッケルNi、アルミニウムAl、銀Ag、金Au、銅Cu等の金属、またはこれらの金属のうち少なくとも1つを含む合金からなる。図2は、本発明の第1実施形態の半導体用パッケージ10を示す模式図である。図2aは半導体用パッケージ10の平面図であり、図2bは図2aのA-A線に沿った断面図であり、図2cは図2aのB-B線に沿った断面図である。図2aに示すように、電極部12は、搭載面11aの法線方向Z方向から見て、パット部11と隙間40を空けて並んで配置されている。電極部12は、半導体用パッケージ10の長手方向においてパット部11の両側Y方向側、-Y方向側に1つずつ配置されており、計2つ配置されている。電極部12は、半導体素子20と電気的に接続する接続面12aを有する。本実施形態において、パット部11には、2つのパット部側突出部111が形成されている。2つのパット部側突出部111のうち、一方のパット部側突出部111図中上側のパット部側突出部111は、パット部11が電極部12と対向する部分の一端部-X方向側の端部に形成されている。他方のパット部側突出部111図中下側のパット部側突出部111は、パット部11が電極部12と対向する部分の他端部X方向側の端部に形成されている。電極部12には、パット部11に向けて突出する1つの電極部側突出部121が形成されている。電極部側突出部121は、電極部12がパット部11と対向する部分の中央部に形成されている。電極部側突出部121は、全体が2つのパット部側突出部111の間に配置されている。2つのパット部側突出部111の電極部12に向けて突出する方向の長さパット部側突出部111がパット部11から電極部12に向けて突出するY方向に平行な長さは、電極部側突出部121のパット部11に向けて突出する方向の長さ電極部側突出部121が電極部12からパット部11に向けて突出するY方向に平行な長さよりも長くなっている。電極部12の電極部側突出部121が形成された側とは反対側には、電極部12本体からY方向に延び出た脚部122が形成されている。パット部側突出部111の先端部と脚部122とは、充填樹脂13の一部を貫通して外部に露出している。例えば、脚部122は、半導体発光装置1を半導体基板に搭載する際の接続端子として機能する。図1に戻り、Y方向側に配置された電極部12の接続面12aには、半導体素子20に接続されたワイヤー21の一端が接続される。一方、-Y方向側に配置された電極部12の接続面12aには、半導体素子20に接続されたワイヤー22の一端が接続される。図2b、図2cに示すように、パット部11の搭載面11aの側方には側壁部11Rが立設している。側壁部11Rは、パット部11の周囲において斜め上方に突出した部分である。パット部11の側壁部11Rの搭載面11a側の主面11Raは、半導体素子20から射出される光を搭載面11aの上方に向けて反射する反射面である。なお、当該反射面に金、銀、アルミニウム、ニッケル等の金属材料によるメッキ処理を施してもよい。パット部11の搭載面11aと電極部12の接続面12aとは互いに異なる高さに配置されている。本実施形態において、搭載面11aは接続面12aよりも低い位置に配置されている。パット部11のパット部側突出部111が形成された側の部分は、接続面12aの高さまで張り出している。パット部11は、搭載面11aの周囲を囲む側壁部11bと、側壁部11bの外縁部に形成された水平縁部11cと、を有する。側壁部11bは、搭載面11aの全周縁に環状に形成されている。例えば、側壁部11bの表面には、金、銀、アルミニウム、ニッケル等の金属材料によるメッキ処理が施されている。これにより、側壁部11bの表面は、半導体素子20から射出される光を搭載面11aの上方に向けて反射する反射面として機能する。水平縁部11cは接続面12aと同じ高さに配置されている。パット部11の形状は、搭載面11aと側壁部11bとにより凹状をなしている。このように、パット部11は半導体素子20を搭載する部分が凹状に形成されている。例えば、パット部11を凹状にする方法としては、パット部11の搭載面11aとなる部分に絞り加工を施す方法が挙げられる。パット部11の搭載面11aと反対側の面11d以下、パット部11の裏面11dというは、充填樹脂13から露出している。パット部11の裏面11dは、充填樹脂13の裏面13aと面一に表出されている。充填樹脂13は、搭載面11a、接続面12a、側壁部11Rの主面11Ra、側壁部11Rの主面11Raに隣接する側壁部11Rの側端面11Rbを露出させた状態で、パット部11と電極部12とを固定する。充填樹脂13は、パット部11と電極部12とが導通しないようパット部11と電極部12とを所定間隔だけ離間させた状態で絶縁して固定するものである。充填樹脂13は直方体形状であり、搭載面11aと接続面12aとを露出する部分にY方向に長手を有する長穴が開いている。充填樹脂13には、パット部11の側壁部11Rの側端面11Rbに沿って溝13Sが形成されている。充填樹脂13の形成材料としては、耐熱性に優れた樹脂材料を用いる。例えば、充填樹脂13の形成材料としては、ナイロン脂肪族骨格を含むポリアミド、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも1種以上の樹脂材料を用いる。なお、充填樹脂13の形状は、直方体形状に限らず、コーナー部にRをつけたり、平面視楕円形状にしたりする等、種々の形状を採用することができる。以下、図3~図5を用いて本発明の第1実施形態の半導体用パッケージ10の製造方法について一例を挙げて説明する。半導体用パッケージの製造方法図3~図5は、本発明の第1実施形態の半導体用パッケージの製造工程を示す模式図である。図3は、本実施形態のパット部11を一対の金型50,60に収容する際の分解斜視図である。図4は、本発明の第1実施形態のパット部11の側壁部11Rの収容状態を示す平面図である。図5は、本発明の第1実施形態のパット部11の収容空間70に充填樹脂13を注入する様子を示す平面図である。本実施形態の半導体用パッケージ10の製造方法は、パット部11及び電極部12を、第1の金型50と第2の金型60とで挟まれた空間70図4参照に収容し、当該空間70に充填樹脂13充填樹脂13の形成材料を注入することで、パット部11の搭載面11a、接続面12a、側壁部11Rの主面11Ra、側壁部11Rの主面11Raに隣接する側壁部11Rの側端面11Rb以外の部分を充填樹脂13で覆う工程充填樹脂注入工程を含む。本実施形態においては、半導体用パッケージ10を製造する前に、予めパット部11と電極部12とを用意する。パット部11には、パット部11の搭載面11aとは反対側の面11dが充填樹脂13から露出するよう搭載面11aに絞り加工を施す。図3に示すように、充填樹脂注入工程では、第1の金型50として、パット部11の搭載面11aと対向する第1面510a、パット部11の側壁部11Rの主面11Raと対向する第2面510b及び側壁部11Rの主面11Raと隣接する側端面11Rbと対向する第3面511aを有する突起部51を有する金型を用いる。そして、突起部51の第1面510aを搭載面11aに密着させ、突起部51の第2面510bを側壁部11Rの主面11Raに密着させ、突起部51の第3面511aを側壁部11Rの側端面11Rbに密着させる。このようにパット部11と突起部51とを密着させた状態で、空間70に充填樹脂13を注入する。なお、第1の金型50には、電極部12の接続面12aに対応した形状の突起部52が設けられている。電極部12と突起部52とを密着させた状態で、空間70に充填樹脂を注入する。本実施形態においては、突起部51として、突起部本体510と、当該突起部本体510の第2面510bに形成された4つの凸部511と、を有する突起部を用いる。凸部511は、突起部本体510のX方向側の第2面510b、-X方向側の第2面510bにそれぞれ所定の間隔を空けて2つずつ配置されている。ここで、所定の間隔は、パット部11の側壁部11RのY方向の長さパット部11の側壁部11RのY方向側の側端面11Rbと-Y方向側の側端面11Rbとの間の距離である。凸部511は、側壁部11Rの側端面11Rbと対向する第3面511aと、当該第3面511aとは反対側に形成された第4面511bと、を有する。本実施形態においては、第2の金型60として、空間70に充填樹脂13を注入するための注入穴61を有する金型を用いる。第2の金型60の注入穴61は、不図示の射出機に接続されており、所定の条件下圧力、温度で充填樹脂が空間70に注入されるようになっている。図4に示すように、充填樹脂注入工程では、突起部本体510の第1面510aを搭載面11aに密着させる。また、突起部本体510の第2面510bを側壁部11Rの主面11Raに密着させる。また、各凸部511の第3面511aを側壁部11Rの側端面11Rbに密着させる。次いで、図5に示すように、空間70に第2の金型60の注入穴61から充填樹脂13を注入する。このとき、空間70に充填樹脂13が満遍なく流れ込むよう充填樹脂13を注入する際の圧力を所定の値例えば、充填樹脂13に欠陥が生じないような高い値に設定する。空間70に充填樹脂13を注入すると、空間70に充填樹脂13が勢いよく流れ込む。空間70に注入された充填樹脂13の一部は、第1の金型50の突起部51突起部本体510の平面視曲線形状の部分-Y方向側の部分に向けて流れ、突起部51の曲線形状に沿って第1の金型50の突起部51とパット部11の側壁部11Rとの合わせ部分に向かう。突起部51の曲線形状に沿って突起部51のX方向側の合わせ部分に向かってY方向に流れる充填樹脂13の一部は、突起部本体510のX方向側の第2面510bの-Y方向側の部分に配置された凸部511の第4面511bにより流れが阻害され、流れ方向が横X方向に反れる。凸部511の第4面511bにより流れ方向が横X方向に反れた充填樹脂13の一部は、第1の金型50の突起部51のX方向側の部分パット部11の側壁部11Rの主面11Raとは反対側の部分に回り込んでY方向に反って流れ、第2の金型60の注入穴61が形成された部分とは反対側の部分に流れる。同様に、突起部51の曲線形状に沿って突起部51の-X方向側の合わせ部分に向かってY方向に流れる充填樹脂13の一部は、突起部本体510の-X方向側の第2面510bの-Y方向側の部分に配置された凸部511の第4面511bにより流れが阻害され、流れ方向が横-X方向に反れる。凸部511の第4面511bにより流れ方向が横-X方向に反れた充填樹脂13の一部は、第1の金型50の突起部51の-X方向側の部分パット部11の側壁部11Rの主面11Raとは反対側の部分に回り込んでY方向に反って流れ、第2の金型60の注入穴61が形成された部分とは反対側の部分に流れる。このようにして、空間70に注入された充填樹脂13は、空間70全体に万遍なく流れ込む。そして、充填樹脂13を固化または硬化させることにより、本実施形態の半導体用パッケージ10が得られる。また、半導体用パッケージ10の搭載面11aに半導体素子20を搭載し、封止樹脂30で半導体素子20を封止することで、本実施形態の半導体発光装置1が得られる。なお、上述した製造方法により得られた半導体用パッケージ10、半導体発光装置1において、充填樹脂13には、第1の金型50における突起部本体510の第2面510bに形成された4つの凸部511に対応する部分に溝13Sが形成される。図17は、比較例の半導体発光装置1001を示す斜視図である。図17に示すように、比較例の半導体発光装置1001は、半導体用パッケージ1010と、半導体素子1020と、封止樹脂1030と、を備えて構成されている。図18は、比較例の半導体用パッケージ1010を示す平面図である。図18に示すように、比較例の半導体用パッケージ1010は、パット部1011と、電極部1012と、充填樹脂1013と、を備えて構成されている。パット部1011は、半導体素子20が搭載される搭載面1011aと搭載面1011aの側方に立設する側壁部1011Rとを有する。側壁部1011Rは、パット部1011の一部を切り起こして形成され、半導体素子1020から射出される光を搭載面1011aの上方に向けて反射するリフレクターとして機能する。比較例の半導体用パッケージ1010の製造方法は、パット部1011及び電極部1012を一対の金型で挟まれた空間1070図6参照に収容し、当該空間1070に充填樹脂1013充填樹脂1013の形成材料を注入することで、パット部1011の搭載面1011a、電極部1012の接続面1012a以外の部分を充填樹脂1013で覆う工程を含む。図6は、比較例のパット部1011の側壁部1011Rの収容状態を示す平面図である。図7は、比較例のパット部1011の収容空間1070に充填樹脂1013を注入する様子を示す平面図である。図8は、比較例の樹脂注入工程後のパット部1011の側壁部1011Rの主面1011Raの状態を示す図である。例えば、図6に示すように、一対の金型のうち一方の金型1050としてパット部1011の形状に対応した形状の突起部1051を有する金型を用い、突起部1051の側面1051bを側壁部1011Rの主面1011Raに密着させた状態で、他方の金型の注入穴1061から空間1070に充填樹脂1013を注入する。空間1070に充填樹脂1013を注入する際には、パット部1011及び電極部1012を埋設する充填樹脂1013に空孔などの欠陥が生じないよう空間1070を充填樹脂1013で満たすことが重要である。そのため、空間1070に樹脂が満遍なく流れ込むよう空間1070に充填樹脂1013を注入する際の圧力は高い値に設定される。しかしながら、このように高い圧力で空間1070に充填樹脂1013を注入すると、図7に示すように、空間1070に充填樹脂1013が勢いよく流れ込む。空間1070に注入された充填樹脂1013の一部は、一方の金型1050の突起部1051の平面視曲線形状の部分-Y方向側の部分に向けて流れ、突起部1051の曲線形状に沿って突起部1051とパット部1011の側壁部1011Rとの合わせ部分に向かう。充填樹脂1013の流入圧が大きいと、一方の金型1050の突起部1051とパット部1011の側壁部1011Rとの合わせ部分にも大きな圧力がかかる。これにより、当該合わせ部分に樹脂が流れ込み、図8に示すように、得られる半導体用パッケージ1010の側壁部1011Rの主面1011Raに充填樹脂1013が付着してしまう。このように充填樹脂1013が付着すると、外観不良になる。また、リフレクターとして機能する側壁部1011Rの主面1011Raに充填樹脂1013が付着した場合には、所望の反射率が得られず、半導体素子1020から射出される光を効率良く取り出すことができなくなる。これに対し、本実施形態の半導体用パッケージ10の製造方法のように、第1の金型50として、突起部本体510と、当該突起部本体510の第2面510bに形成された4つの凸部511と、を有する突起部51を有する金型を用いている。このような金型を用いると、空間70に注入された充填樹脂13の一部は、突起部51の曲線形状に沿って第1の金型50の突起部51とパット部11の側壁部11Rとの合わせ部分に向かい、突起部51に形成された凸部511の第4面511bに流れが阻害され、流れ方向が横に反れる。つまり、凸部511の第4面511bが充填樹脂13の流れを阻害する邪魔板として作用し、第1の金型50の突起部51とパット部11の側壁部11Rとの合わせ部分に充填樹脂13の流入圧がかかることを回避することができる。また、本実施形態の半導体用パッケージ10の製造方法では、凸部511の第3面511aを側壁部11Rの側端面11Rbに密着させている。このため、凸部511の第4面511bに流れが阻害され流れ方向が横に反れた充填樹脂13の一部が、第1の金型50の突起部51とパット部11の側壁部11Rとの合わせ部分に向かう方向に流れても、凸部511の第3面511aと側壁部11Rの側端面11Rbとが密着しているため、充填樹脂13の流れが阻害され、当該合わせ部分に充填樹脂13が流れ込むことが抑制される。このように、本実施形態の半導体用パッケージ10の製造方法によれば、充填樹脂注入工程において第1の金型50の突起部51とパット部11の側壁部11Rとの合わせ部分に充填樹脂13が流れ込むことが抑制され、得られる半導体用パッケージ10の側壁部11Rの主面11Raに充填樹脂13が付着しにくい。そのため、半導体用パッケージ10の外観不良が発生しにくい。よって、歩留まりの高い半導体用パッケージ10が提供される。また、本実施形態の半導体用パッケージ10の製造方法によれば、次のような効果も得られる。本実施形態の半導体用パッケージ10の製造方法においては、側壁部11Rの主面11Raが反射面であるため、半導体素子20から斜め方向に射出される光を搭載面11aの上方に向けて反射させることができる。よって、半導体素子20から射出される光を効率良く取り出すことができる。仮に、反射面に充填樹脂13が付着した場合には、所望の反射率が得られず、半導体素子20から射出される光を効率良く取り出すことができなくなる。本実施形態においては、前記製造方法を採用するため、反射面に充填樹脂13が付着しにくい。よって、側壁部11Rの主面11Raを反射面とすることで、半導体素子20から射出される光を効率良く取り出すことができ、所望の反射率が得られるという実益がある。また、パット部11の裏面11dを充填樹脂13から露出しているため、半導体素子20の駆動中に発生する熱がパット部11を介して外部に放熱される。このため、半導体素子20に発生する熱が充填樹脂13内にこもることを抑制することができる。よって、半導体素子20に生じる熱を外部に効率良く放熱することができる。本実施形態においては、パット部11の裏面11dが充填樹脂13から露出するよう搭載面11aに絞り加工を施している。絞り加工によれば、パット部11が小型の場合でも容易に凹形状を形成することができる。また、充填樹脂13として、ナイロン、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも1種以上の樹脂材料を用いるため、耐熱性に優れた半導体用パッケージ10を提供することができる。また、充填樹脂13には、パット部11の側壁部11Rの側端面11Rbに沿って溝13Sが形成されている。このため、封止樹脂30を充填樹脂13に囲まれた領域に配置する場合、充填樹脂13と封止樹脂30との接合面積が大きくなる。よって、充填樹脂13と封止樹脂30との接合強度を高めることができる。また、本実施形態の半導体発光装置1によれば、前記製造方法で得られた半導体用パッケージ10を備えるため、歩留まりの高い半導体発光装置1が提供される。第2実施形態図9は、図1aに対応した、本発明の第2実施形態の半導体発光装置2を示す斜視図である。本実施形態の半導体発光装置2は、半導体用パッケージ10に替えて半導体用パッケージ10Aを備えている点が上述の第1実施形態に係る半導体発光装置1と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図1aと同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図9に示すように、半導体発光装置2は、半導体用パッケージ10Aと、半導体素子20と、封止樹脂30と、を備えて構成されている。図10は、図2aに対応した、本実施形態の半導体用パッケージ10Aを示す平面図である。図10に示すように、半導体用パッケージ10Aは、パット部11と、電極部12と、充填樹脂13Aと、を備えて構成されている。上述の第1実施形態に係る半導体用パッケージ10においては、充填樹脂13にはパット部11の側壁部11Rの側端面11Rbに沿って溝13Sが形成されていた。これに対し、本実施形態に係る半導体用パッケージ10Aにおいては、充填樹脂13Aに溝が形成されていない。以下、図11、図12を用いて本発明の第2実施形態の半導体用パッケージ10Aの製造方法について一例を挙げて説明する。なお、上述の第1実施形態の半導体用パッケージ10の製造方法と同様の工程については説明を省略する。半導体用パッケージの製造方法図11、図12は、本発明の第2実施形態の半導体用パッケージ10Aの製造工程を示す模式図である。図11は、図4に対応した、本発明の第2実施形態のパット部11の側壁部11Rの収容状態を示す平面図である。図12は、図5に対応した、本発明の第2実施形態のパット部11の収容空間70Aに充填樹脂13Aを注入する様子を示す平面図である。本実施形態の半導体用パッケージ10Aの製造方法は、パット部11及び電極部12を、第1の金型50Aと第2の金型60Aとで挟まれた収容空間70A図11参照に収容し、当該収容空間70Aに充填樹脂13A充填樹脂13Aの形成材料を注入することで、パット部11の搭載面11a、接続面12a、側壁部11Rの主面11Ra、側壁部11Rの主面11Raに隣接する側壁部11Rの側端面11Rb以外の部分を充填樹脂13Aで覆う工程充填樹脂注入工程を含む。図11に示すように、充填樹脂注入工程では、第1の金型50Aとして、パット部11の搭載面11aと対向する第1面51Aa、パット部11の側壁部11Rの主面11Raと対向する第2面511Aa及び側壁部11Rの主面11Raと隣接する側端面11Rbと対向する第3面511Abを有する突起部51Aを有する金型を用いる。そして、突起部51Aの第1面51Aaを搭載面11aに密着させ、突起部51の第2面511Aaを側壁部11Rの主面11Raに密着させ、突起部51の第3面511Abを側壁部11Rの側端面11Rbに密着させる。このようにパット部11と突起部51Aとを密着させた状態で、収容空間70Aに充填樹脂13Aを注入する。第1の金型50Aとしては、突起部51Aに2つの凹部511Aを有する金型を用いる。凹部511Aは、突起部51AのX方向側の側面、-X方向側の側面にそれぞれY方向に所定の幅を有して1つずつ配置されている。ここで、凹部511Aの所定の幅は、パット部11の側壁部11RのY方向の長さパット部11の側壁部11RのY方向側の側端面11Rbと-Y方向側の側端面11Rbとの間の距離と同じ長さである。凹部511Aは、パット部11の側壁部11Rの主面11Raと対向する第2面511Aaと、側壁部11Rの側端面11Rbと対向する第3面511Abと、を有する。図11に示すように、充填樹脂注入工程では、突起部51Aの第1面51Aaを搭載面11aに密着させる。また、各凹部511Aの第2面511Aaを側壁部11Rの主面11Raに密着させる。また、各凹部511Aの第3面511Abを側壁部11Rの側端面11Rbに密着させる。次いで、図12に示すように、収容空間70Aに第2の金型60Aの注入穴61から充填樹脂13Aを注入する。このとき、収容空間70Aに充填樹脂13Aが満遍なく流れ込むよう充填樹脂13Aを注入する際の圧力を所定の値例えば、充填樹脂13Aに欠陥が生じないような高い値に設定する。収容空間70Aに充填樹脂13Aを注入すると、収容空間70Aに充填樹脂13Aが勢いよく流れ込む。収容空間70Aに注入された充填樹脂13Aの一部は、第1の金型50Aの突起部51Aの平面視曲線形状の部分-Y方向側の部分に向けて流れ、突起部51Aの曲線形状に沿って第1の金型50Aの突起部51Aとパット部11の側壁部11Rとの合わせ部分に向かう。突起部51Aの曲線形状に沿って突起部51AのX方向側の合わせ部分に向かってY方向に流れる充填樹脂13Aの一部は、第1の金型50Aの突起部51AのX方向側の部分パット部11のX方向側の側壁部11Rの主面11Raとは反対側の部分に回り込んでY方向に反って流れ、第2の金型60Aの注入穴61が形成された部分とは反対側の部分に流れる。同様に、突起部51Aの曲線形状に沿って突起部51Aの-X方向側の合わせ部分に向かってY方向に流れる充填樹脂13Aの一部は、第1の金型50Aの突起部51Aの-X方向側の部分パット部11の-X方向側の側壁部11Rの主面11Raとは反対側の部分に回り込んでY方向に反って流れ、第2の金型60Aの注入穴61が形成された部分とは反対側の部分に流れる。このようにして、収容空間70Aに注入された充填樹脂13Aは、収容空間70A全体に万遍なく流れ込む。そして、充填樹脂13Aを固化または硬化させることにより、本実施形態の半導体用パッケージ10Aが得られる。また、半導体用パッケージ10Aの搭載面11aに半導体素子20を搭載し、封止樹脂30で半導体素子20を封止することで、本実施形態の半導体発光装置2が得られる。なお、上述した製造方法により得られた半導体用パッケージ10A、半導体発光装置2において、充填樹脂13Aは、パット部11の側壁部11Rの側端面11Rbを露出させた状態で形成される。本実施形態の半導体用パッケージ10Aの製造方法によれば、第1の金型50Aとして、突起部51Aに2つの凹部511Aが形成された金型を用い、凹部511Aの第3面511Abを側壁部11Rの側端面11Rbに密着させている。このため、収容空間70Aに注入された充填樹脂13Aの一部が、第1の金型50Aの突起部51Aとパット部11の側壁部11Rとの合わせ部分に向かう方向に流れても、凹部511Aの第3面511Abと側壁部11Rの側端面11Rbとが密着しているため、充填樹脂13Aの流れが阻害され、当該合わせ部分に充填樹脂13Aが流れ込むことが抑制される。このように、本実施形態の半導体用パッケージ10Aの製造方法によれば、当該合わせ部分に充填樹脂13Aが流れ込むことが抑制され、得られる半導体用パッケージ10Aの側壁部11Rの主面11Raに充填樹脂13が付着しにくい。そのため、歩留まりの高い半導体用パッケージ10Aが提供される。さらに、本実施形態の半導体用パッケージ10Aの製造方法によれば、充填樹脂13Aに溝が形成されないため、充填樹脂に溝が形成される構成に比べて見栄えの観点において優れる。第3実施形態図13は、図1aに対応した、本発明の第3実施形態の半導体発光装置3を示す斜視図である。本実施形態の半導体発光装置3は、半導体用パッケージ10に替えて半導体用パッケージ10Bを備えている点が上述の第1実施形態に係る半導体発光装置1と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図1aと同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図13に示すように、半導体発光装置3は、半導体用パッケージ10Bと、半導体素子20と、封止樹脂30と、を備えて構成されている。図14は、図2aに対応した、本実施形態の半導体用パッケージ10Bを示す平面図である。図14に示すように、半導体用パッケージ10Bは、パット部11Bと、電極部12Bと、充填樹脂13Bと、を備えて構成されている。上述の第1実施形態に係る半導体用パッケージ10においては、電極部12が半導体用パッケージ10の長手方向においてパット部11の両側Y方向側、-Y方向側に1つずつ配置されており、計2つ配置されていた。これに対し、本実施形態に係る半導体用パッケージ10Bにおいては、電極部12Bが半導体用パッケージ10Bの長手方向においてパット部11の方側Y方向側に1つのみ配置されている。また、本実施形態に係る半導体用パッケージ10Bにおいては、パット部11Bの電極部12Bと対向する部分の形状は平面視直線状になっている。また、電極部12Bのパット部11Bと対向する部分の形状も平面視直線状になっている。電極部12Bのパット部11Bと対向する部分とは反対側には、電極部12B本体からY方向に延び出た脚部122Bが形成されている。脚部122Bは、充填樹脂13Bの一部を貫通して外部に露出している。例えば、脚部122Bは、半導体発光装置3を半導体基板に搭載する際の接続端子として機能する。充填樹脂13Bは、搭載面11Ba、接続面12Ba、側壁部11BRの主面11BRa、側壁部11BRの主面11BRaに隣接する側壁部11BRの側端面11BRbを露出させた状態で、パット部11Bと電極部12Bとを固定する。充填樹脂13Bは直方体形状であり、搭載面11Baと接続面12Baとを露出する部分にY方向に長手を有する長穴が開いている。充填樹脂13Bには、パット部11Bの側壁部11BRの側端面11BRbに沿って溝13BSが形成されている。本実施形態の半導体用パッケージ10Bの製造方法においても、歩留まりの高い半導体用パッケージ10Bが提供される。第4実施形態図15は、図13に対応した、本発明の第4実施形態の半導体発光装置4を示す斜視図である。本実施形態の半導体発光装置4は、半導体用パッケージ10Bに替えて半導体用パッケージ10Cを備えている点が上述の第3実施形態に係る半導体発光装置3と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図13と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図15に示すように、半導体発光装置4は、半導体用パッケージ10Cと、半導体素子20と、封止樹脂30と、を備えて構成されている。図16は、図14に対応した、本実施形態の半導体用パッケージ10Cを示す平面図である。図16に示すように、半導体用パッケージ10Cは、パット部11Bと、電極部12Bと、充填樹脂13Cと、を備えて構成されている。上述の第3実施形態に係る半導体用パッケージ10Bにおいては、充填樹脂13Bにはパット部11Bの側壁部11BRの側端面11BRbに沿って溝13BSが形成されていた。これに対し、本実施形態に係る半導体用パッケージ10Cにおいては、充填樹脂13Cには溝が形成されていない。本実施形態の半導体用パッケージ10Cの製造方法においても、歩留まりの高い半導体用パッケージ10Cが提供される。以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。"