"半導体素子の電極部と基板の電極部とを導通させるコンタクトプローブと、前記コンタクトプローブを収容する収容孔が形成されたプローブ収容ブロックと、を備えた半導体素子用ソケットであって、前記コンタクトプローブは、前記半導体素子の電極部が接触される接点部を有するプランジャと、前記プランジャを前記半導体素子の電極部に向けて付勢する弾性部材とを備え、前記接点部は、前記プランジャに設けられ前記収容孔の軸方向に延びた片持形状の接触片の先端に設けられ、前記接触片は、前記収容孔より前記接点部側の位置に前記軸方向と直交する方向に突出した突起部を有し、前記突起部の頂点の位置が、前記軸方向で見て前記収容孔より外側にあり、前記プランジャが前記弾性部材の付勢力に対抗して前記軸方向に変位すると、前記突起部が前記収容孔の縁部に対して接触して摺動することにより、前記接触片が前記軸方向と直交する方向に変位されることを特徴とする半導体素子用ソケット。請求項1に記載の半導体素子用ソケットであって、前記突起部は、前記接点部側から前記収容孔側に向かって前記突出した長さが短くなる傾斜部を備えていることを特徴とする半導体素子用ソケット。請求項1または2に記載の半導体素子用ソケットであって、前記プランジャには、前記接触片が一対並設され、各前記突起部の突出方向が逆であることを特徴とする半導体素子用ソケット。請求項1または2に記載の半導体素子用ソケットであって、前記プランジャには、前記接触片より短い補助片が前記接触片と並んで設けられていることを特徴とする半導体素子用ソケット。請求項4に記載の半導体素子用ソケットであって、前記補助片は、前記収容孔より前記接点部側の位置に前記軸方向と直交する方向に突出した補助片突起部を有し、前記補助片突起部の突出方向は、前記接触片の前記突起部の突出方向と逆であることを特徴とする半導体素子用ソケット。ところで、半導体素子の電極部は、略球状の半田ボールからなるバンプであったり、平板状のパッドであったりとその形態は様々である。特に、バンプとなる略球状の半田ボールは、その形状も真の球形とは限らず、また、位置精度や大きさのばらつきもある。このため、特許文献1,2に記載の技術のように、プランジャの接触子を電極部に点接触させて突き刺す構造では、プランジャの接触子に設けられた複数の接点部が半田ボールに均一に接触することは稀であり、接触にばらつきが生じ易く不安定となる傾向がある。また、電極部の表面は、酸化被膜で覆われているだけでなく、異物が付着していることもあるため、電極部に接触子を安定的に接触させるためには、大きな圧力を付与して電極部に接触子を食い込ませなければならず、電極部を損傷させてしまうおそれもある。また、コンタクト時の圧力により電極部の半田ボールにプランジャの鋭利な接触子を食い込ませると、プランジャの接触子に電極部の半田や異物が転写されることがあるが、これらの付着した半田や異物は除去が困難であった。特に、コンタクト動作を繰り返した場合、プランジャの接触子に転写された半田の表面にも酸化被膜が形成されることがある。そのため、酸化被膜による接触抵抗が増大し、良好な電気的接続が維持できなくなるおそれがある。また、特許文献3に記載の技術におけるプローブピンは、組み立てが複雑であり、近年のプローブピンの小型化により複雑さが顕著になる。また、一対の接点部が下プランジャの接点拡大部を挟む力により、一対の接点部と接点拡大部との間に摩擦力が生じる。すると、その摩擦力が、上プランジャを上方に戻すスプリングコイルの付勢力より強くなって、上プランジャが下プランジャに引っ掛かり、初期位置に戻らなくなるおそれがある。本発明の目的は、組み立てが容易で、半導体素子の電極部との安定した接触および半導体素子の電極部をワイピングすることが可能な半導体素子用ソケットを提供することにある。上記課題を解決することのできる本発明の半導体素子用ソケットは、半導体素子の電極部と基板の電極部とを導通させるコンタクトプローブと、前記コンタクトプローブを収容する収容孔が形成されたプローブ収容ブロックと、を備えた半導体素子用ソケットであって、前記コンタクトプローブは、前記半導体素子の電極部が接触される接点部を有するプランジャと、前記プランジャを前記半導体素子の電極部に向けて付勢する弾性部材とを備え、前記接点部は、前記プランジャに設けられ前記収容孔の軸方向に延びた片持形状の接触片の先端に設けられ、前記接触片は、前記収容孔より前記接点部側の位置に前記軸方向と直交する方向に突出した突起部を有し、前記突起部の頂点の位置が、前記軸方向で見て前記収容孔より外側にあり、前記プランジャが前記弾性部材の付勢力に対抗して前記軸方向に変位すると、前記突起部が前記収容孔の縁部に対して接触して摺動することにより、前記接触片が前記軸方向と直交する方向に変位されることを特徴とする。本発明の半導体素子用ソケットにおいて、前記突起部は、前記接点部側から前記収容孔側に向かって前記突出した長さが短くなる傾斜部を備えていることが好ましい。本発明の半導体素子用ソケットにおいて、前記プランジャには、前記接触片が一対並設され、各前記突起部の突出方向が逆であることが好ましい。本発明の半導体素子用ソケットにおいて、前記プランジャには、前記接触片より短い補助片が前記接触片と並んで設けられていることが好ましい。本発明の半導体素子用ソケットにおいて、前記補助片は、前記収容孔より前記接点部側の位置に前記軸方向と直交する方向に突出した補助片突起部を有し、前記補助片突起部の突出方向は、前記接触片の前記突起部の突出方向と逆であることが好ましい。本発明のコンタクトプローブによれば、プランジャの接触片に突起部が設けられていることで、半導体素子の電極部と接触したプランジャが下降すると、突起部が収容孔に対して摺動して接触片が孔内方軸に接近する方向に変位する。それにより、接点部が半導体素子の電極部の表面をワイピングするので、電極部の表面または接点部の表面が酸化被膜で覆われていたり、電極部の表面または接点部の表面に異物が付着したりしていたとしても、酸化被膜や異物を確実に除去することができる。これにより、電極部とコンタクトプローブの接点部とを確実かつ安定的に導通させることができる。また、収容孔に収容されたコンタクトプローブは、弾性部材にプランジャを重ねて配置するだけの構造とすることができ、これにより、組み立てを容易にすることができる。また、プランジャの接触片の突起部が収容孔の縁部に対して接触して摺動する構成であり、突起部の頂点が収容孔より外側にあるのでプランジャが下降しても収容孔内に完全に入ってしまうことがなく、突起部が収容孔内に挟まれてロックされてしまうような不具合を防止することができ、これにより、プランジャを確実に初期位置に戻すことができる。以下、本発明に係る半導体素子用ソケットの実施の形態の例を、図面を参照して説明する。図1に示すように、半導体素子用ソケット41は、複数のコンタクトプローブ11を収容したプローブ収容ブロック43を有し、検査装置の検査回路基板や、電子機器の回路基板などの基板42上に、位置決めピン図示省略によって位置決めされて締結ボルト45によって固定されている。プローブ収容ブロック43は、それぞれ絶縁性を有する整列板51とハウジング52とから構成されている。ハウジング52には、その下面側に、整列板収容凹部53が形成されており、この整列板収容凹部53に整列板51が嵌め込まれ、位置決めピン54で位置決めされてビス55で締結固定されている。ハウジング52には、複数のプローブ収容孔61が形成されており、これらのプローブ収容孔61には、下方側からコンタクトプローブ11が挿し込まれて収容されている。ハウジング52には、その上面側に、ビス55によって、上下方向へ移動可能に支持された位置決め板65が設けられている。この位置決め板65とハウジング52の上面との間には、複数のスプリング66が設けられており、位置決め板65が上方へ付勢されている。位置決め板65には、プローブ収容孔61と同軸の複数の電極部収容孔67が形成されており、これらの電極部収容孔67には、コンタクトプローブ11の先端部が収容されている。また、電極部収容孔67は、その上方側が大径部67a図2参照とされている。位置決め板65には、その上面側に、ソケット凹部68が形成されており、このソケット凹部68には、半田ボール71を有する複数の電極部72が下面側に設けられた半導体素子73が上方側から収容可能とされている。このソケット凹部68に半導体素子73を収容すると、半導体素子73の球状に形成された半田ボール71からなる電極部72が電極部収容孔67の大径部67a内に収容される。なお、半田ボール71は、球状のボールタイプに限らず、ランドタイプやリードタイプなどもある。また、整列板51には、各プローブ収容孔61と連通する複数の接触子保持孔75が形成されている。これらの接触子保持孔75には、各プローブ収容孔61に収容されたコンタクトプローブ11の下端部が挿入されている。これにより、コンタクトプローブ11の下端部が、接触子保持孔75によって保持されて基板42の所定位置に配置されている。基板42には、コンタクトプローブ11の下方位置に、電極部図示省略が設けられており、それぞれのコンタクトプローブ11が導通接触されている。図2及び図3に示すように、コンタクトプローブ11は、導電性を有する金属板に対してプレス加工及び曲げ加工を施すことにより形成されたプランジャ12を備えている。このプランジャ12には、その上端である先端側に上部接触子13を有している。上部接触子13は、プローブ収容孔61の軸方向に延びた片持形状の一対の接触片15を有している。これらの接触片15の先端部には、電極部収容孔67の大径部67aに収容された半田ボール71に接触する接点部16が形成されている。これらの接点部16は、先端へ向かって次第に電極部収容孔67の径方向外方へ傾斜する摺接面17を有している。また、接触片15は、プローブ収容孔61より接点部16側の位置に軸方向と直交する方向に突出した突起部18を有している。この突起部18は、接触片15における接点部16の先端部16aと反対側、つまり、摺接面17側に形成されている。これらの突起部18は、その突出方向が互いに逆方向とされており、それぞれの突起部18の頂点18aの位置が、軸方向で見てプローブ収容孔61より外側に配置されている。また、突起部18は、接点部16側からプローブ収容孔61側に向かって、突出した長さが短くなる傾斜部19を備えている。また、プランジャ12は、その中間部よりも下方側に、一対のガイド棒部21が形成されており、これらのガイド棒部21が下方へ延在されている。また、プランジャ12は、その中間部に、外方へ突出するフランジ部22を有している。コンタクトプローブ11は、プランジャ12の下方側に、バネ鋼から形成されたコイルスプリング弾性部材25を備えている。このコイルスプリング25は、その下端部に、巻き径を小さくしつつ軸方向へ密着させて棒状にした下部接触子26を有している。コイルスプリング25は、その上端部分が、プランジャ12のフランジ部22に係止されている。また、このコイルスプリング25内には、プランジャ12のガイド棒部21が挿入されている。プローブ収容孔61は、その軸方向の中間部に段部62を有しており、この段部62を境として、上方側がプランジャ12のフランジ部22よりも小径に形成され、下方側がプランジャ12のフランジ部22よりも僅かに大径に形成されている。これにより、プローブ収容孔61へ、その下方側から挿し込まれたコンタクトプローブ11は、プランジャ12のフランジ部22が段部62に係合し、上方側への移動が規制されている。上記構造の半導体素子用ソケット41で半導体素子73を検査する場合は、ハウジング52に設けられた位置決め板65のソケット凹部68へ半導体素子73を収容させる。すると、図2aに示すように、半導体素子73の電極部72を構成する各半田ボール71が、位置決め板65の電極部収容孔67の大径部67aに収容された状態となる。この状態で、押圧体74で半導体素子73を下方へ押圧すると、半導体素子73とともに位置決め板65がスプリング66の付勢力に抗して押し込まれる。これにより、図2bに示すように、電極部72を構成する各半田ボール71が、対応するコンタクトプローブ11の上部接触子13に近接し、これらの上部接触子13を構成する接触片15の接点部16に接触する。さらに、半導体素子73が下方へ押圧されると、コンタクトプローブ11には、軸方向に沿う圧縮力が付与され、コイルスプリング25が圧縮され、プランジャ12が押し下げられてプローブ収容孔61に押し込められる。すると、上部接触子13の各接触片15の突起部18がプローブ収容孔61の縁部に接触して摺動する。これにより、各接触片15がプローブ収容孔61の内方にある軸に接近する方向へ変位され、各接触片15が、その基端部分を中心として軸方向と直交する方向へ円弧状に変位される。すると、接点部16も基端部分を中心として軸方向と直交する径方向外方へ円弧状に変位することとなり、接点部16の摺接面17が、半導体素子73の電極部72を構成する各半田ボール71の表面に摺接し、半田ボール71の表面がワイピングされる。したがって、半田ボール71の表面または接点部16の表面が酸化被膜で覆われていたり、半田ボール71の表面または接点部16の表面に異物が付着したりしていたとしても、半田ボール71と接点部16とが互いに摺動することで、酸化被膜や異物が除去される。よって、半田ボール71と接点部16とが確実かつ安定的に導通される。これにより、半導体素子73の電極部72と基板42の電極部とがコンタクトプローブ11を介して確実に導通され、半導体素子73の検査が可能となる。検査終了後、半導体素子73を半導体素子用ソケット41から取り外すと、押し込まれていたコンタクトプローブ11のプランジャ12が、スプリング25の付勢力によって上昇する。プランジャ12の各接触片15の突起部18は、プローブ収容孔61の縁部に対して接触して摺動する構成であり、また、頂点18aがプローブ収容孔61より外側にあるので、プランジャ12が下降してもプローブ収容孔61内に突起部18が完全に入ってしまうことがない。また、突起部18がプローブ収容孔61内に挟まれてロックされてしまうようなことがない。したがって、半導体素子73が半導体素子用ソケット41から取り外されると、各コンタクトプローブ11では、そのプランジャ12がスプリング25の付勢力によって確実に初期の位置に戻る。以上説明したように、上記実施形態に係る半導体素子用ソケット41によれば、プランジャ12の接触片15に突起部18が設けられていることで、半導体素子73の電極部72を構成する半田ボール71と接触したプランジャ12が下降すると、突起部18がプローブ収容孔61に対して摺動し、接触片15が孔内方軸に接近する方向に変位する。それにより、接点部16が半導体素子73の半田ボール71の表面をワイピングするので、半田ボール71の表面または接点部16の表面が酸化被膜で覆われていたり、半田ボール71の表面または接点部16の表面に異物が付着したりしていたとしても、酸化被膜や異物を確実に除去することができる。したがって、半田ボール71と接点部16とを確実かつ安定的に導通させることができる。また、プローブ収容孔61に収容されたコンタクトプローブ11は、コイルスプリング25にプランジャ12を重ねて配置するだけの構造とすることができ、これにより、容易に組み立てを行うことができる。また、プランジャ12の接触片15の突起部18がプローブ収容孔61の縁部に対して接触して摺動する構成であり、突起部18の頂点18aがプローブ収容孔61より外側にあるので、プランジャ12が下降してもプローブ収容孔61内に完全に入ってしまうことがない。そのため、突起部18がプローブ収容孔61内に挟まれてロックされてしまうような不具合を防止することができる。これにより、プランジャ12を確実に初期位置に戻すことができる。また、突起部18が、接点部16側からプローブ収容孔61側に向かって突出した長さが短くなる傾斜部19を備えているので、傾斜部19によって突起部18がプローブ収容孔61の縁部に対して円滑に摺動する。これにより、コンタクトプローブ11のプランジャ12を円滑に昇降させることができ、プランジャ12を、より確実に初期位置に戻すことができる。さらに、コンタクトプローブ11のプランジャ12に形成された接触片15が一対で並設され、各接触片15の突起部18の突出方向が逆にされているので、プローブ収容孔61からバランス良く反力を受けることとなる。これにより、プローブ収容孔61に対するプランジャ12の傾きを抑制でき、電極部73に対する接点部16での安定した接触を図ることができる。また、プランジャ12の傾きを抑制することで、プランジャ12とプローブ収容孔61との間で過度な摩擦力が生じず、それにより、プランジャ12の安定した状態での円滑な昇降が可能となる。しかも、各接触片15にそれぞれ接点部16が設けられているので、電極部73に対してより確実に導通させることができる。次に、半導体素子用ソケット41に用いられるコンタクトプローブの他の形態例について説明する。図4aに示すものは、プランジャ12の接触片15の突出部18を、接点部16の先端部16a側、つまり、摺接面17と反対側に形成したコンタクトプローブ11Aである。図4bに示すように、このコンタクトプローブ11Aを備えた半導体素子用ソケット41の場合も、プランジャ12が押し下げられて突起部18がプローブ収容孔61の縁部に接触して摺動すると、各接触片15がプローブ収容孔61の内方にある軸に接近する方向へ変位され、各接触片15が、その基端部分を中心として軸方向と直交する方向へ円弧状に変位される。すると、接点部16は、基端部分を中心として軸方向と直交する径方向内方へ円弧状に変位することとなり、接点部16の摺接面17が、半導体素子73の電極部72を構成する各半田ボール71の表面に摺接し、半田ボール71の表面がワイピングされて酸化被膜が除去される。よって、半田ボール71と接点部16とが確実かつ安定的に導通される。図5aに示すものは、プランジャ12の接触片15に、側面視台形状の突起部30が設けられたコンタクトプローブ11Bである。そして、この突起部30は、その台形状の上底部分が頂点30aとされ、プローブ収容孔61側の側辺部分が傾斜部30bとされている。突起部30は、接点部16の先端部16a側、つまり、摺接面17と反対側に形成されている。また、このコンタクトプローブ11Bを備えた半導体用ソケット41では、プローブ収容孔61の開口縁に、内周側へ突出する突出部61aを有している。図5bに示すように、このコンタクトプローブ11Bを備えた半導体素子用ソケット41の場合、プランジャ12が押し下げられると、突起部30がプローブ収容孔61の縁部に形成された突出部61aに接触して摺動する。これにより、各接触片15がプローブ収容孔61の内方にある軸に接近する方向へ変位され、各接触片15が、その基端部分を中心として軸方向と直交する方向へ円弧状に変位される。すると、接点部16は、基端部分を中心として軸方向と直交する径方向内方へ円弧状に変位することとなり、接点部16の摺接面17が、半導体素子73の電極部72を構成する各半田ボール71の表面に摺接し、半田ボール71の表面がワイピングされて酸化被膜が除去される。よって、半田ボール71と接点部16とが確実かつ安定的に導通される。また、このコンタクトプローブ11Bでは、プランジャ12の突起部30を側面視台形状としているので、接触片15の形状の簡素化によるコストダウンを図ることができる。また、プローブ収容孔61の縁部に突出部61aをすることにより、突起部30の高さを小さくすることができ、接触片15の形状のさらなる簡素化を図ることができる。図6aに示すものは、プランジャ12に、一つの接触片15が形成され、さらに、この接触片15よりも短い補助片31が接触片15と並んで設けられたコンタクトプローブ11Cである。図6bに示すように、このコンタクトプローブ11Cを備えた半導体素子用ソケット41の場合、プランジャ12が押し下げられると、一つの接触片15に形成された突起部18がプローブ収容孔61の縁部に接触して摺動する。すると、接触片15がプローブ収容孔61の内方にある軸に接近する方向へ変位され、接触片15が、その基端部分を中心として軸方向と直交する方向へ円弧状に変位される。すると、接点部16は、基端部分を中心として軸方向と直交する径方向内方へ円弧状に変位することとなり、接点部16の摺接面17が、半導体素子73の電極部72を構成する各半田ボール71の表面に摺接し、半田ボール71の表面がワイピングされて酸化被膜が除去される。よって、半田ボール71と接点部16とが確実かつ安定的に導通される。また、このコンタクトプローブ11Cでは、プランジャ12が傾こうとしたときに補助片31がプローブ収容孔61に接触するので、プランジャ12がプローブ収容孔61内で大きく傾くことを防止できる。これにより、プランジャ12を安定して昇降させることができ、プランジャ12を確実に初期位置に戻すことができる。図7aに示すものは、プランジャ12に、一つの接触片15が形成され、さらに、この接触片15よりも短い補助片31が接触片15と並んで設けられたコンタクトプローブ11Dである。また、補助片31は、プローブ収容孔61より先端側の位置に軸方向と直交する方向に突出した補助片突起部32を有し、補助片突起部32の突出方向が、接触片15の突起部18の突出方向と逆とされている。また、この補助片突起部32も、その頂点32aがプローブ収容孔61の外側に配置され、プローブ収容孔61側に向かって、突出した長さが短くなる傾斜部33を有している。図7bに示すように、このコンタクトプローブ11Dを備えた半導体素子用ソケット41の場合、プランジャ12が押し下げられると、接触片15及び補助片31に形成された突起部18及び補助片突起部32がプローブ収容孔61の縁部に接触して摺動する。すると、接触片15及び補助片31がプローブ収容孔61の内方にある軸に接近する方向へ変位され、接触片15及び補助片31が、その基端部分を中心として軸方向と直交する方向へ円弧状に変位される。すると、接触片15では、接点部16が、基端部分を中心として軸方向と直交する径方向内方へ円弧状に変位することとなり、接点部16の摺接面17が、半導体素子73の電極部72を構成する各半田ボール71の表面に摺接し、半田ボール71の表面がワイピングされて酸化被膜が除去される。よって、半田ボール71と接点部16とが確実かつ安定的に導通される。また、このコンタクトプローブ11Dでは、プランジャ12が傾こうとしたときに補助片31がプローブ収容孔61に接触するので、プランジャ12が大きく傾くことを防止できる。特に、補助片31は、接触片15の突起部18の突出方向と逆へ突出した補助片突起部32を有しているので、プローブ収容孔61からバランス良く反力を受けることとなり、プランジャ12の傾きをより確実に防止できる。これにより、プランジャ12を安定して昇降させることができ、プランジャ12を確実に初期位置に戻すことができる。次に、異なる構造の半導体素子用ソケットについて説明する。図8に示すように、この半導体素子用ソケット81では、複数のコンタクトプローブ11を収容したプローブ収容ブロック83を有している。このプローブ収容ブロック83は、検査装置の検査回路基板や、電子機器の回路基板などの基板82上に、位置決めピン84を位置決め穴85へ嵌合させることによって位置決めされて固定される。プローブ収容ブロック83は、それぞれ絶縁性を有する第1ハウジング86と第2ハウジング87とから構成されている。第1ハウジング86には、その上面に、保持凹部88が形成されており、この保持凹部88に、第2ハウジング87が嵌め込まれて保持されている。第1ハウジング86と第2ハウジング87とは、位置決めピン90で位置決めされてビス89で締結固定されている。第2ハウジング87には、複数のプローブ収容孔91が形成されており、これらのプローブ収容孔91には、下方側からコンタクトプローブ11が挿し込まれて収容されている。第2ハウジング87には、その上面側に、ソケット凹部92が形成されており、このソケット凹部92には、半田ボール71を有する複数の電極部72が下面側に設けられた半導体素子73が上方側から収容可能とされている。このソケット凹部92に半導体素子73を収容すると、半導体素子73の半田ボール71からなる電極部72がプローブ収容孔91から突出したコンタクトプローブ11の接点部16上に配置される。また、第1ハウジング86には、各プローブ収容孔91と連通する複数の接触子保持孔93が形成されている。これらの接触子保持孔93には、各プローブ収容孔91に収容されたコンタクトプローブ11の下端部が挿入されている。これにより、コンタクトプローブ11の下端部が、接触子保持孔93によって保持されて基板82の所定位置に配置されている。基板82には、コンタクトプローブ11の下方位置に、電極部図示省略が設けられており、それぞれのコンタクトプローブ11が導通接触されている。上記構造の半導体素子用ソケット81で半導体素子73を検査する場合は、第2ハウジング87のソケット凹部92へ半導体素子73を収容させる。すると、半導体素子73の各半田ボール71が、プローブ収容孔91から突出されたコンタクトプローブ11の接点部16上に配置された状態となる。この状態で、押圧体74で半導体素子73を下方へ押圧すると、コンタクトプローブ11には、軸方向に沿う圧縮力が付与され、コイルスプリング25が圧縮され、プランジャ12が押し下げられてプローブ収容孔91に押し込められる。すると、上部接触子13の各接触片15の突起部18がプローブ収容孔91の縁部に接触して摺動する。これにより、各接触片15がプローブ収容孔91の内方にある軸に接近する方向へ変位され、各接触片15が、その基端部分を中心として軸方向と直交する方向へ円弧状に変位される。すると、接点部16も基端部分を中心として軸方向と直交する径方向外方へ円弧状に変位することとなり、接点部16の摺接面17が、半導体素子73の電極部72を構成する各半田ボール71の表面に摺接し、半田ボール71の表面がワイピングされる。したがって、半田ボール71の表面または接点部16の表面が酸化被膜で覆われていたり、半田ボール71の表面または接点部16の表面に異物が付着したりしていたとしても、半田ボール71と接点部16とが互いに摺動することで、酸化被膜や異物が除去される。よって、半田ボール71と接点部16とが確実かつ安定的に導通される。これにより、半導体素子73の電極部72と基板82の電極部とがコンタクトプローブ11を介して確実に導通され、半導体素子73の検査が可能となる。検査終了後、半導体素子73を半導体素子用ソケット81から取り外すと、押し込まれていたコンタクトプローブ11のプランジャ12が、スプリング25の付勢力によって上昇する。ここで、プランジャ12の各接触片15の突起部18は、プローブ収容孔91の縁部に対して接触して摺動する構成であり、頂点18aがプローブ収容孔91より外側にあるのでプランジャ12が下降してもプローブ収容孔91内に突起部18が完全に入ってしまうことがなく、突起部18がプローブ収容孔91内に挟まれてロックされてしまうようなことがない。したがって、半導体素子73が半導体素子用ソケット81から取り外されると、各コンタクトプローブ11は、そのプランジャ12がスプリング25の付勢力によって確実に初期の位置に戻る。なお、上記の半導体素子用ソケット81では、コンタクトプローブ11を備えたものを例示したが、この半導体素子用ソケット81においても、他のコンタクトプローブ11A~11Dを用いることができる。また、上記実施形態では、半導体素子73を検査する場合を例示して説明したが、本発明の半導体素子用ソケット41,81は、各種の機器等への半導体素子73の実装時の実装用ソケットとしても用いることができる。その場合、半導体素子用ソケット41,81は、実装用基板からなる基板42,82に取り付けられる。"