基板を研削又は研磨するための定盤の主面に砥粒をブラストすることによって、前記定盤の主面に前記砥粒をチャージすることを特徴とする砥粒チャージ方法。前記砥粒がダイヤモンド、アルミナ、SiC、シリカ及びセリアからなる群より選ばれた1又は2以上の材料からなることを特徴とする請求項1に記載の砥粒チャージ方法。前記定盤の主面が銅、ニッケル、錫、鋳鉄、セラミック、ガラスからなる群より選ばれたいずれかの材料からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の砥粒チャージ方法。前記砥粒を0.5MPa以上、5MPa以下の圧力で前記ブラストを行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載に砥粒チャージ方法。前記定盤を回転させながら、前記砥粒を吐出するノズルを前記定盤の中心部と外周部との間でスキャンすることによって前記ブラストを行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載に砥粒チャージ方法。前記スキャンの速度を前記中心部から前記外周部に向かうにつれて遅くすることにより、前記定盤の主面に前記砥粒を均一にチャージすることを特徴とする請求項5に記載の砥粒チャージ方法。基板を研削又は研磨するための定盤の主面に砥粒をブラストすることによって、前記定盤の主面に前記砥粒をチャージする工程と、前記砥粒がチャージされた前記定盤を用いて、前記基板を研削又は研磨する工程と、を備えることを特徴とする硬脆性基板の製造方法。しかしながら、特許文献1~3に記載に記載された方法では、砥粒のチャージ作業に1時間以上かかるため、作業効率が低いという問題があった。しかも、砥粒のチャージ作業を行っている間は、当該装置を用いた研削作業又は研磨作業を行うことができないため、生産性も低下する。また、特許文献1~3に記載に記載された方法では、砥粒のチャージ作業時に消費する砥粒の量が多いため、材料コストが増加するという問題もあった。したがって、本発明の目的は、砥粒のチャージ作業を短時間で完了することが可能であり、且つ、消費する砥粒の量が少ない砥粒チャージ方法を提供することである。また、本発明の他の目的は、改良された砥粒チャージ方法によってチャージされた定盤を用いた硬脆性基板の製造方法を提供することである。本発明による砥粒チャージ方法は、基板を研削又は研磨するための定盤の主面に砥粒をブラストすることによって、前記定盤の主面に前記砥粒をチャージすることを特徴とする。本発明によれば、ブラスト処理によって砥粒のチャージを行っていることから、チャージ作業を短時間で完了することが可能となる。しかも、消費する砥粒の量も従来に比べて削減することが可能となる。本発明においては、前記砥粒がダイヤモンド、アルミナ、SiC、シリカ及びセリアからなる群より選ばれた1又は2以上の材料からなることが好ましい。これらの材料からなる砥粒を用いれば、ブラスト処理によって定盤に砥粒を容易にチャージすることが可能となる。実際に使用する砥粒の材料については、研削又は研磨の対象となる基板の材料に基づいて選択すればよい。例えば、研削又は研磨の対象となる基板がサファイア基板である場合には、ダイヤモンドの砥粒を用いることが最も好ましい。本発明においては、前記定盤の主面が銅、ニッケル、錫、鋳鉄、セラミック、ガラスからなる群より選ばれたいずれかの材料からなることが好ましい。これらの材料からなる定盤を用いれば、ブラスト処理によって砥粒を容易にチャージすることが可能となる。実際に使用する定盤の材料については、研削又は研磨の対象となる基板の材料に基づいて選択すればよい。例えば、研削又は研磨の対象となる基板がサファイア基板である場合には、銅からなる定盤を用いることが最も好ましい。本発明においては、前記砥粒を0.5MPa以上、5MPa以下の圧力で前記ブラストを行うことが好ましい。これにより、定盤に深刻なダメージを与えることなく、砥粒を確実にチャージすることが可能となる。実際の圧力については、定盤の材料及び砥粒の材料に基づいて定めればよい。本発明においては、前記定盤を回転させながら、前記砥粒を吐出するノズルを前記定盤の中心部と外周部との間でスキャンすることによって前記ブラストを行うことが好ましい。これによれば、簡単な方法で砥粒をチャージすることが可能となる。この場合、前記スキャンの速度を前記中心部から前記外周部に向かうにつれて遅くすることにより、前記定盤の主面に前記砥粒を均一にチャージすることが好ましい。これによれば、簡単な方法で砥粒を均一にチャージすることが可能となる。また、本発明による硬脆性基板の製造方法は、基板を研削又は研磨するための定盤の主面に砥粒をブラストすることによって、前記定盤の主面に前記砥粒をチャージする工程と、前記砥粒がチャージされた前記定盤を用いて、前記基板を研削又は研磨する工程と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、改良された砥粒チャージ方法によってチャージされた定盤を用いていることから、当該装置の稼働効率を高めることが可能となり、生産性が向上する。このように、本発明による砥粒チャージ方法によれば、チャージ作業を短時間で完了することが可能となるばかりでなく、消費する砥粒の量も従来に比べて削減することが可能となる。また、本発明による硬脆性基板の製造方法によれば、研削装置又は研磨装置の稼働効率を高めることが可能となり、生産性が向上する。以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発明の好ましい実施形態による砥粒チャージ方法の適用が可能な研磨装置10の構成を示す模式図である。図1に示す研磨装置10は、円盤状の定盤12及びこれを回転させる回転機構14を備えている。定盤12の材料は、研磨の対象となる基板の材料に基づいて、銅、ニッケル、錫、鋳鉄、セラミック、ガラスなどの材料の中から選択することができる。特に限定されるものではないが、本実施形態においては研磨の対象となる基板がサファイア基板であり、この場合には銅からなる定盤12を用いることが好ましい。尚、定盤12の全体を銅によって構成することは必須でなく、少なくともその主面12aにおいて銅が露出していれば足りる。定盤12の主面12aには、複数の溝が形成されていることが好ましい。回転機構14は回転軸16を介して定盤12の中心部に連結されており、これにより円盤状の定盤12を回転させることができる。定盤12の主面12a側には、サファイア基板20を保持する基板保持ジグ22が設けられている。基板保持ジグ22は、昇降回転軸24を介して回転昇降機構26に連結されている。これにより、サファイア基板20の研磨面20aを定盤12の主面12aに押し当てながら、サファイア基板20を回転させることができる。また、ロード時及びアンロード時においては、基板保持ジグ22を定盤12の主面12aから引き離し、この状態でサファイア基板20の装填や取り外しを行うことができる。さらに、研磨装置10は、定盤12の主面12a側に遊離砥粒32を供給するディスペンサ30を備えている。実際にサファイア基板20の研磨を行う際には、サファイア基板20の研磨面20aを定盤12の主面12aに押し当てた状態で、定盤12及び基板保持ジグ22を回転させながら、ディスペンサ30を用いて遊離砥粒32を供給する。これにより、サファイア基板20の研磨面20aと定盤12の主面12aとの間に遊離砥粒32が入り込み、これによりサファイア基板20の研磨面20aが研磨される。実際に研磨を行うためには、定盤12の主面12aにあらかじめ砥粒がチャージされている必要がある。かかるチャージ作業は、定盤12の主面12a側に設けられたブラスト機構40によって行われる。ブラスト機構40は、ダイヤモンド砥粒Dを供給する砥粒供給部42と、ダイヤモンド砥粒Dを搬送するアーム44と、アーム44の先端に設けられたノズル46とを備える。砥粒供給部42は、高圧の圧縮エアを用いてダイヤモンド砥粒Dをアーム44に供給し、これによりアーム44の先端に設けられたノズル46から圧縮エアとともにダイヤモンド砥粒Dが高速で吐出される。ノズル46から吐出されたダイヤモンド砥粒Dは、定盤12の主面12aに叩き付けられ、これによって定盤12の主面12aにダイヤモンド砥粒Dがチャージされる。チャージする砥粒の材料は、研磨の対象となる基板の材料に基づいて、ダイヤモンド、アルミナ、SiC、シリカ、セリアなどの材料の中から選択することができる。特に限定されるものではないが、本実施形態においては研磨の対象となる基板がサファイア基板20であり、この場合には上述の通りダイヤモンド砥粒Dを用いることが好ましい。砥粒のサイズについては、特に限定されるものではないが、サブミクロンサイズからサブミリサイズまでの範囲で適宜選択することができる。本実施形態のように銅の定盤12にダイヤモンド砥粒Dをチャージする場合には、平均粒径が1~5μm程度の砥粒を用いることが好ましい。圧縮エアの圧力についても、チャージする砥粒の材料及び定盤12の材料に基づいて設定すればよく、いずれの材料を用いる場合であっても0.5MPa以上、5MPa以下とすることが好ましい。これは、圧力が0.5MPa未満であるとノズル46から吐出される砥粒の速度が遅いために十分にチャージされないからであり、逆に、圧力が5MPaを超えると定盤12の主面12aに深刻なダメージを与える可能性があるからである。本実施形態のように銅の定盤12にダイヤモンド砥粒Dをチャージする場合には、圧力を1MPa程度に設定することが好ましい。図2は、ブラスト機構40を上方から見た模式図である。図2に示すように、ブラスト機構40に含まれるアーム44は、ノズル46が定盤12の中心部Aから外周部Bまでの区間をスキャンできるよう、スイング可能に構成されている。これにより、定盤12を回転させながら、ノズル46を定盤12の中心部Aと外周部Bとの間でスキャンすれば、定盤12の主面12aの全面にダイヤモンド砥粒Dをチャージすることが可能となる。チャージ作業時における定盤12の回転速度については特に限定されないが、1rpm以上、50rpm以下とすることが好ましい。これは、定盤12の回転速度が1rpm未満であるとチャージ作業に要する時間が必要以上に長くなるからであり、逆に、定盤12の回転速度が50rpmを超えると砥粒の飛散が顕著となり、作業効率が低下するからである。より好ましくは、5rpm以上、20rpm以下である。定盤12の回転速度を一定に保持する場合、定盤12の中心部Aから外周部Bに向かうにつれてノズル46のスキャン速度を遅くすることが好ましい。これによって単位面積当たりのブラスト量をほぼ一定とすれば、定盤12の主面12aにダイヤモンド砥粒Dを均一にチャージすることが可能となる。或いは、ノズル46のスキャン速度を一定とし、ノズル46の位置が中心部Aから外周部Bに向かうにつれて定盤12の回転速度を低下させても構わない。このように、本実施形態によれば、研磨装置10に備え付けられたブラスト機構40によってチャージ作業を行うことができる。これにより、特許文献1~3に記載された従来の方法に比べて砥粒のチャージ作業に必要な時間が大幅に短縮される。また、チャージ作業に際し、基板保持ジグ22にチャージ用のダミー基板などを装填する必要がないことから、作業量も少なくなる。しかも、使用するダイヤモンド砥粒Dの量も従来に比べて大幅に少なくなるため、材料コストを削減することが可能となる。尚、定盤12にチャージされずに飛散したダイヤモンド砥粒Dを回収し、再利用することも可能である。図3は、サファイア基板20の好ましい製造プロセスを示すフローチャートである。図3に示すように、まず単結晶インゴットをスライスするステップS1とともに、面取りを行うステップS2ことによってサファイア基板20を取り出す。次に、サファイア基板20の両面をラッピング研削することにより、スライスによって表面に生じている大きな傷を除去するステップS3。さらに、サファイア基板20の両面を粗くポリッシング研磨することにより、ラッピングによって生じた細かい研削傷を除去するステップS4。かかる工程はハードポリッシュ又はダイヤモンドラッピングと呼ばれ、研削と研磨の中間的な位置づけの工程である。次に、サファイア基板20の両面をやや細かくポリッシング研磨することにより、ダイヤモンドラッピングによって表面に生じている研磨傷を除去するステップS5。最後に、サファイア基板20の主面、すなわちデバイスが形成されるべき表面を細かくポリッシング研磨することにより、主面の仕上げを行うステップS6。これにより、サファイア基板20が完成する。このように、サファイア基板20の製造プロセスには複数の研削工程又は研磨工程が含まれておりステップS3~S6、これらの各工程において砥粒がチャージされた定盤が使用されることがある。特に、ダイヤモンドラッピングを行う工程ステップS4においては、ダイヤモンド砥粒がチャージされた銅の定盤を用いることが最も好ましいため、本実施形態の適用が非常に好適である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。例えば、上記実施形態では圧縮エアを用いてダイヤモンド砥粒をドライブラストしているが、本発明がこれに限定されるものではなく、液体を用いて砥粒をウェットブラストしても構わない。また、ブラストする砥粒の種類については一種類である必要はなく、2種類以上の混合砥粒をブラスト処理しても構わない。また、図1に示した研磨装置10は、サファイア基板20の片面のみを研磨する装置であるが、サファイア基板20の両面を同時に研磨又は研削する装置に対して本発明を適用することも可能である。さらに、図1に示した研磨装置10はそれ自体がブラスト機構40を備えているが、研磨装置又は研削装置とブラスト機構が一体的である必要はなく、互いに別の装置であっても構わない。[比較例]溝が形成された直径500mmの銅からなる定盤を用意し、回転する定盤の主面に平均粒径が3μmのダイヤモンド砥粒と潤滑剤を含む研磨液を供給しながら、基板保持ジグに装填したダミーのガラスウェハを押し当てた。この作業を1時間連続で行うことにより、定盤の主面にダイヤモンド砥粒をチャージした。使用した研磨液は550gであった。次に、ダミーのガラスウェハを基板保持ジグから取り外し、実際にサファイア基板の研磨を行った。具体的には、上記の工程によってダイヤモンド砥粒がチャージされた定盤を用い、平均粒径が3μmのダイヤモンド砥粒と潤滑剤を含む研磨液を供給しながら、直径100mmのサファイア基板をダイヤモンドラッピングした。ダイヤモンドラッピングは、20枚のサファイア基板を装填した基板保持ジグを用い、サファイア基板の表面の平均粗さRaが1nmとなるまで行った。その結果、3時間連続でダイヤモンドラッピングを行うことにより、所望の平均粗さRa=1nmが得られた。ダイヤモンドラッピングが完了した20枚のサファイア基板の表面を観察し、長さが1cm以上であるスクラッチの数をカウントした。その結果、サファイア基板1枚当たりに存在するスクラッチの数は、平均で0.1個であった。このように、比較例では作業の合計時間は4時間ダミーのガラスウェハをサファイア基板に交換する作業時間は含まずであった。また、ダイヤモンド砥粒のチャージ作業においては、550gの研磨液を消費した。550gの研磨液に含まれるダイヤモンド砥粒の量は約100gである。[実施例]溝が形成された直径500mmの銅からなる定盤を用意し、これを10rpmで回転させた状態で、ダイヤモンド砥粒のブラスト処理を行った。使用したダイヤモンド砥粒の平均粒径は3μmであり、ブラスト時の圧力は1MPaに設定した。そして、ダイヤモンド砥粒を吐出するノズルを定盤の中心部から外周部に向かってスイングさせることにより、定盤の主面全面にブラスト処理を行った。この際、定盤の中心部から外周部に向かうにしたがい、ノズルのスイング速度を低下させることによって、定盤の主面全面を均一にブラスト処理した。定盤の主面全面をブラスト処理するのに要した時間は2分であった。また、使用したダイヤモンド砥粒の量は20gであった。次に、上述した比較例と同じ方法によって20枚のサファイア基板の研磨を行った。その結果、比較例と同様、3時間連続でダイヤモンドラッピングを行うことにより、所望の平均粗さRa=1nmが得られた。ダイヤモンドラッピングが完了した20枚のサファイア基板の表面を観察し、長さが1cm以上であるスクラッチの数をカウントした。その結果、サファイア基板1枚当たりに存在するスクラッチの数は、平均で0.05個であり、比較例よりもスクラッチが少なかった。その他の品質については、比較例と実質的な差異は認められなかった。このように、実施例では作業の合計時間は約3時間であり、比較例よりも大幅に作業時間が短縮された。また、使用したダイヤモンド砥粒の量は20gであり、比較例よりも少なかった。