"第1基板と、前記第1基板に対向するように配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とにより挟持された液晶層と、前記第1基板と前記液晶層との間に設けられた画素電極層と、前記第1基板と前記画素電極層との間に設けられ、前記画素電極層に対応したトランジスターと、前記トランジスターと前記画素電極層との間に設けられ、コンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、を備え、前記画素電極層は、前記層間絶縁膜側から順に形成された、導電性の第1透光性層と、前記第1透光性層よりも屈折率が小さい絶縁性の第2透光性層と、前記第2透光性層よりも屈折率が大きく導電性の第3透光性層とを含み、前記コンタクトホール内において前記第1透光性層と前記第3透光性層とが電気的に接続されていることを特徴とする液晶装置。前記コンタクトホール内には、前記第2透光性層が形成されていないことを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。前記第2基板と前記液晶層との間に形成された導電性の第4透光性層と、前記第4透光性層と前記液晶層との間に設けられ、前記第4透光性層よりも屈折率が小さい絶縁性の第5透光性層と、前記第5透光性層と前記液晶層との間に設けられ、前記第5透光性層よりも屈折率が大きく導電性の第6透光性層と、からなる共通電極層を有することを特徴とする請求項1または2に記載の液晶装置。前記コンタクトホールは前記画素電極層の隅部に形成され、前記第1基板および前記第2基板のうちの少なくとも一方に前記コンタクトホールと平面視で重なる遮光部を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の液晶装置。第1基板と第2基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第1基板上に形成されたトランジスターを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを被覆して前記トランジスターと電気的に接続するように導電性の第1透光性膜を前記層間絶縁膜上に形成する工程と、気相成長法を用い、前記コンタクトホールが形成された前記基板の法線方向に対して斜め方向から無機絶縁材料を成膜して、前記コンタクトホールの側面の一部を除く領域に前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜を前記第1透光性膜上に形成する工程と、前記コンタクトホールを被覆して前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜を前記第2透光性膜上に形成する工程と、少なくとも前記第1透光性膜と前記第3透光性膜とをパターニングして画素電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。前記コンタクトホールは、前記画素電極層の隅部に形成され、前記第2透光性膜の形成工程は、前記コンタクトホールを基準として前記画素電極層の外周までの長さが長い方から前記隅部に向かって斜め方向から無機絶縁材料を成膜して、前記第2透光性膜を形成することを特徴とする請求項5に記載の液晶装置の製造方法。第1基板と第2基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第1基板上に形成されたトランジスターを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを被覆して前記トランジスターと電気的に接続するように導電性の第1透光性膜を前記層間絶縁膜上に形成する工程と、前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい絶縁性の第2透光性膜を前記第1透光性膜上に形成する工程と、前記第2透光性膜の前記コンタクトホールを被覆した部分を除去する工程と、前記コンタクトホールを被覆して前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜を前記第2透光性膜上に形成する工程と、少なくとも前記第1透光性膜と前記第3透光性膜とをパターニングして画素電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。前記第2基板の前記液晶層に面する側に、導電性の第4透光性層を形成する工程と、前記第4透光性層よりも屈折率が小さい絶縁性の第5透光性層を前記第4透光性層上に形成する工程と、前記第5透光性層よりも屈折率が大きい導電性の第6透光性層を前記第5透光性層上に形成する工程と、をさらに備えたことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。請求項1乃至4のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。上記特許文献1の反射型液晶表示素子や上記特許文献2の液晶表示装置では、液晶層に対して光が入射する側の基板に上記反射防止膜を適用しているが、画素電極自体に上記反射防止膜の構造を適用して画素電極側の不要な光の反射を防止することが考えられる。その場合には、2つの透明導電膜のうちの一方を画素電極としてスイッチング素子に電気的に接続すればよい。しかしながら、スイッチング素子に電気的に接続された一方の透明導電膜と他方の透明導電膜との間に寄生容量が生じて、適正な駆動電位を液晶層に印加できないおそれがある。それゆえに、2つの透明導電膜を電気的に接続させて寄生容量の発生を防止する必要がある。上記特許文献2では、間に挟まれる透明膜よりも広い範囲で第1および第2透明導電膜を形成し、外周部分で第1透明導電膜と第2透明導電膜とを直接重ねることで電気的に接続させている。このような接続方法を適用すると、画素電極における外周部分とその内側とで光の透過率に差が生じてしまうので好ましくない。つまり、画素電極に上記反射防止膜の構造を適用する場合に、透明導電膜同士を電気的に接続させる適正且つ簡便な方法を確立する必要があるという課題がある。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る液晶装置は、第1基板と、前記第1基板に対向するように配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とにより挟持された液晶層と、前記第1基板と前記液晶層との間に設けられた画素電極層と、前記第1基板と前記画素電極層との間に設けられ、前記画素電極層に対応したトランジスターと、前記トランジスターと前記画素電極層との間に設けられ、コンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、を備え、前記画素電極層は、前記層間絶縁膜側から順に形成された、導電性の第1透光性層と、前記第1透光性層よりも屈折率が小さい絶縁性の第2透光性層と、前記第2透光性層よりも屈折率が大きく導電性の第3透光性層とを含み、前記コンタクトホール内において前記第1透光性層と前記第3透光性層とが電気的に接続されていることを特徴とする。この構成によれば、画素電極層に光反射防止構造が導入されると共に、トランジスターとの電気的な接続に用いるコンタクトホール内で互いに導電性を有する第1透光性層と第3透光性層とを電気的に接続させる。したがって、第1透光性層と第3透光性層とを電気的に接続させる専用のコンタクト部例えばコンタクトホールなどを新たに設ける必要がなく、入射光に対して高い透過率を有する画素電極層を備えた液晶装置を提供することができる。[適用例2]上記適用例に記載の液晶装置において、前記コンタクトホール内には、前記第2透光性層が形成されていないことを特徴とする。この構成によれば、コンタクトホール内に第2透光性層が形成されていないので、第1透光性層と第3透光性層とをそれぞれコンタクトホールを被覆するように形成すれば、確実に第1透光性層と第3透光性層とを電気的に接続させることができる。[適用例3]上記適用例に記載の液晶装置において、前記第2基板と前記液晶層との間に形成された導電性の第4透光性層と、前記第4透光性層と前記液晶層との間に設けられ、前記第4透光性層よりも屈折率が小さい絶縁性の第5透光性層と、前記第5透光性層と前記液晶層との間に設けられ、前記第5透光性層よりも屈折率が大きく導電性の第6透光性層と、からなる共通電極層を有するとしてもよい。この構成によれば、画素電極層だけでなく、画素電極層に対向する第2基板にも光反射防止構造が取り入れられた共通電極層を有するので、画素の透過率が高くより明るい表示が可能な液晶装置を実現できる。[適用例4]上記適用例に記載の液晶装置において、前記コンタクトホールは前記画素電極層の隅部に形成され、前記第1基板および前記第2基板のうちの少なくとも一方に前記コンタクトホールと平面視で重なる遮光部を有することが好ましい。この構成によれば、コンタクトホール部分に生じた凹凸に起因する液晶分子の配向ムラが遮光部によって隠されるので、見栄えのよい表示の液晶装置を実現できる。[適用例5]本適用例の液晶装置の製造方法は、第1基板と第2基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第1基板上に形成されたトランジスターを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを被覆して前記トランジスターと電気的に接続するように導電性の第1透光性膜を前記層間絶縁膜上に形成する工程と、気相成長法を用い、前記コンタクトホールが形成された前記基板の法線方向に対して斜め方向から無機絶縁材料を成膜して、前記コンタクトホールの側面の一部を除く領域に前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜を前記第1透光性膜上に形成する工程と、前記コンタクトホールを被覆して前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜を前記第2透光性膜上に形成する工程と、少なくとも前記第1透光性膜と前記第3透光性膜とをパターニングして画素電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。この方法によれば、第2透光性膜を形成する工程では、基板の法線方向に開口するコンタクトホールに対して斜め方向から無機絶縁材料を気相成長法により成膜するので、該斜め方向に対して影となるコンタクトホールの側面の一部に第2透光性膜が形成されない部分が生ずる。絶縁性の第2透光性層が形成されない部分に、導電性の第3透光性層を形成すれば、第1透光性層と第3透光性層とをコンタクトホール内で電気的に接続させることができる。すなわち、光反射防止構造が形成され入射光に対して高い透過率を有する画素電極層をトランジスターによってスイッチング制御可能な液晶装置を製造することができる。[適用例6]上記適用例に記載の液晶装置の製造方法は、前記コンタクトホールは、前記画素電極層の隅部に形成され、前記第2透光性膜の形成工程は、前記コンタクトホールを基準として前記画素電極層の外周までの長さが長い方から前記隅部に向かって斜め方向から無機絶縁材料を成膜して、前記第2透光性膜を形成することが好ましい。この方法によれば、コンタクトホールを基準として画素電極層の外周までの長さが長い方のコンタクトホールの側面の一部が無機絶縁材料を成膜する際に影となるので、後に導電性の第3透光性膜を成膜した際に、先に成膜された第2透光性膜の影響を受けずに、第1透光性膜と第3透光性膜とを確実に接触させ電気的に接続させることができる。[適用例7]本適用例の他の液晶装置の製造方法は、第1基板と第2基板とにより挟持された液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第1基板上に形成されたトランジスターを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを被覆して前記トランジスターと電気的に接続するように導電性の第1透光性膜を前記層間絶縁膜上に形成する工程と、前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい絶縁性の第2透光性膜を前記第1透光性膜上に形成する工程と、前記第2透光性膜の前記コンタクトホールを被覆した部分を除去する工程と、前記コンタクトホールを被覆して前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜を前記第2透光性膜上に形成する工程と、少なくとも前記第1透光性膜と前記第3透光性膜とをパターニングして画素電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。この方法によれば、コンタクトホール内に形成された絶縁性の第2透光性膜が除去されるので、より確実に第1透光性膜と第3透光性膜とをコンタクトホールにおいて電気的に接続させることができる。[適用例8]上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記第2基板の前記液晶層に面する側に、導電性の第4透光性層を形成する工程と、前記第4透光性層よりも屈折率が小さい絶縁性の第5透光性層を前記第4透光性層上に形成する工程と、前記第5透光性層よりも屈折率が大きい導電性の第6透光性層を前記第5透光性層上に形成する工程と、をさらに備えたことを特徴とする。この方法によれば、画素電極層だけでなく、画素電極層に対向する第2基板にも光反射防止構造が取り入れられるので、画素の透過率が高くより明るい表示が可能な液晶装置を製造することができる。[適用例9]本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、画素の高い透過率が実現され、明るい表示が可能な見栄えのよい電子機器を提供することができる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。なお、以下の形態において、例えば基板上にと記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。第1実施形態本実施形態では、薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置液晶プロジェクターの光変調素子液晶ライトバルブとして好適に用いることができるものである。<液晶装置>まず、本実施形態の液晶装置について図1~図3を参照して説明する。図1aは液晶装置の構成を示す概略平面図、同図bは同図aのH-H’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図、図2は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図、図3は液晶装置における画素の詳細構造を示す断面図である。図1aおよびbに示すように、本実施形態の液晶装置100は、対向配置された第1基板としての素子基板10および第2基板としての対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された液晶層50とを有する。素子基板10は、例えば透明な石英基板やガラス基板などを用いることができ、対向基板20よりも一回り大きく、切れ目なく額縁状に配置されたシール材40を介して対向基板20と接合されている。シール材40によって囲まれた領域に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層50を構成している。本実施形態における一対の基板間への液晶の封入充填は、一対の基板のうちの一方の基板の外周に沿ってシール材40を配置し、配置されたシール材40を土手として、その内側に所定量の液晶を滴下する。そして、減圧下で一方の基板と他方の基板と貼り合わせるODFOneDropFill方式が採用されている。シール材40は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材40には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー図示省略が混入されている。シール材40の内側には、画素領域Eを取り囲むように配置された見切り部21が設けられている。画素領域Eには、マトリックス状に画素Pが複数配置されている。画素領域Eは、表示に寄与する有効な複数の画素Pを囲むように配置された複数のダミー画素を含んでいるとしてもよい。なお、図1では図示省略したが、画素領域Eにおいても複数の画素Pを平面的に区分する遮光部ブラックマトリックス;BMが設けられている。素子基板10の1辺部に沿ったシール材40と該1辺部との間にデータ線駆動回路101が設けられている。また、該1辺部に対向する他の1辺部に沿ったシール材40の内側に検査回路103が設けられている。さらに、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿ったシール材40の内側に走査線駆動回路102が設けられている。該1辺部と対向する他の1辺部に沿ったシール材40の内側には、2つの走査線駆動回路102を繋ぐ複数の配線105が設けられている。これらデータ線駆動回路101、走査線駆動回路102に繋がる配線は、該1辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子104に接続されている。以降、該1辺部に沿った方向をX方向とし、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿った方向をY方向として説明する。図1bに示すように、素子基板10の液晶層50側の表面には、画素Pごとに設けられた画素電極層15およびスイッチング素子としての薄膜トランジスターThinFilmTransistor;以降、TFTと呼称する30と、信号配線と、複数の画素電極層15を覆う配向膜18とが形成されている。画素電極層15は、可視光波長範囲に亘って高い透過率言い換えれば、低い反射率で光が素子基板10を透過できるように、屈折率が異なる透光性層が積層された光反射防止構造が採用されており、詳しくは後述する。また、TFT30における半導体層に光が入射して光リーク電流が流れ、不適切なスイッチング動作となることを防ぐ遮光構造が採用されている。対向基板20は、透明な例えば石英基板やガラス基板などが用いられており、液晶層50側の表面には、見切り部21と、見切り部21を覆うように形成された平坦化層22と、少なくとも画素領域Eに亘って平坦化層22を覆うように設けられた共通電極層23と、共通電極層23を覆う配向膜24とが設けられている。見切り部21は、例えば遮光性の金属あるいは当該金属の酸化物や窒化物などからなり、図1aに示すように平面的に走査線駆動回路102、検査回路103と重なる位置に設けられている。これにより対向基板20側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Eに入射しないように遮蔽して、画素領域Eの表示における高いコントラストを確保している。平坦化層22は、例えば、透光性の無機絶縁材料である酸化シリコンをプラズマCVD法などを用いて形成することができる。対向基板20上に見切り部21が形成されることで生ずる表面の凹凸を緩和可能な例えばおよそ500nmの膜厚で成膜される。共通電極層23は、可視光波長範囲に亘って高い透過率言い換えれば、低い反射率で光が対向基板20を透過できるように、屈折率が異なる透光性層が積層された光反射防止構造が採用されており、詳しくは後述する。共通電極層23は、図1aに示すように対向基板20の四隅に設けられた上下導通部106により素子基板10側の配線に電気的に接続している。素子基板10側の配向膜18および対向基板20側の配向膜24は、液晶装置100の光学設計に基づいて設定されており、本実施形態では、SiOx酸化シリコンなどの無機材料を気相成長法斜め蒸着法や斜めスパッタ法を用いて成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子が配向膜面に対して所定の方向にプレチルトを有して略垂直配向する無機配向膜が採用されている。対向基板20は、シール材40と平面的に重なる部分が一定の深さで陥没するように形成された凹部20aを有している。凹部20aは対向基板20の見切り部21の外側から基板外周に至って形成されている。平坦化層22、共通電極層23、配向膜24は、それぞれ凹部20aにも形成されている。素子基板10と対向基板20とを液晶層50を挟んで対向配置したときの液晶層50の厚みをdとすると、シール材40には、凹部20aの深さを考慮して、液晶層50の厚みdよりも大きな径を有するスペーサーギャップ材が含まれている。このような対向基板20の断面構造によれば、液晶層50の厚みdよりも大きな径を有するスペーサーが含まれたシール材40を用いて素子基板10と対向基板20とを対向配置して接着することができるので、液晶層50の厚みばらつきを抑えることができる。図2に示すように、液晶装置100は、少なくとも画素領域Eにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線3aおよび複数のデータ線6aと、走査線3aに対して平行する容量線3bとを有する。なお、容量線3bの配置はこれに限定されず、データ線6aに対して平行するように配置してもよい。走査線3aとデータ線6aとにより区分された領域に、画素電極層15と、TFT30と、蓄積容量16とが設けられ、これらが画素Pの画素回路を構成している。走査線3aはTFT30のゲートに電気的に接続され、データ線6aはTFT30のソースに電気的に接続されている。画素電極層15はTFT30のドレインに電気的に接続されている。データ線6aはデータ線駆動回路101図1参照に接続されており、データ線駆動回路101から供給される画像信号D1,D2,...,Dnを画素Pに供給する。走査線3aは走査線駆動回路102図1参照に接続されており、走査線駆動回路102から供給される走査信号SC1,SC2,...,SCmを各画素Pに供給する。データ線駆動回路101からデータ線6aに供給される画像信号D1~Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6a同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路102は、走査線3aに対して、走査信号SC1~SCmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。液晶装置100は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号SC1~SCmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号D1~Dnが所定のタイミングで画素電極層15に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極層15を介して液晶層50に書き込まれた所定レベルの画像信号D1~Dnは、画素電極層15と液晶層50を介して対向配置された共通電極層23との間で一定期間保持される。保持された画像信号D1~Dnがリークするのを防止するため、画素電極層15と共通電極層23との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量16が接続されている。蓄積容量16は、TFT30のドレインと容量線3bとの間に設けられている。なお、図1aに示した検査回路103には、データ線6aが接続されており、液晶装置100の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置100の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図2の等価回路では省略している。また、検査回路103は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線6aに供給するサンプリング回路、データ線6aに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。このような液晶装置100は透過型であって、画素Pが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とに偏光素子が配置されて用いられる。図3に示すように、素子基板10上には、走査線3aと、走査線3aを覆う第1層間絶縁膜11と、TFT30と、TFT30を覆う第2層間絶縁膜12と、画素電極層15と、画素電極層15を覆う配向膜18とが順に形成されている。走査線3aは、TFT30の半導体層30aを遮光する遮光膜を兼ねており、例えばAl、Ti、Cr、W、Ta、Moなどの金属のうちの少なくとも1つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができる。TFT30の半導体層30aは、例えばポリシリコンにリンなどの不純物が導入されて形成されたLDDLightDopedDrain構造を有しており、第1層間絶縁膜11上に形成されている。半導体層30aを覆うゲート絶縁膜図示省略を挟んだチャネル領域に対向する位置にゲート電極30gが形成されている。ゲート電極30gと走査線3aとは第1層間絶縁膜11を貫通するコンタクトホール図示省略を介して電気的に接続されている。半導体層30aの第1ソースドレイン領域とデータ線6aとが第2層間絶縁膜12に形成されたコンタクトホールCNT1を介して電気的に接続されている。コンタクトホールCNT1内に形成された導電層がソース電極31として機能している。半導体層30aの第2ソースドレイン領域と画素電極層15とが第2層間絶縁膜12に形成されたコンタクトホールCNT2を介して電気的に接続されている。画素電極層15は、導電性の第1透光性層15aと、第1透光性層15aよりも屈折率が小さい絶縁性の第2透光性層15bと、第2透光性層15bよりも屈折率が大きい導電性の第3透光性層15cとが順に積層されたものである。第1透光性層15aおよび第3透光性層15cは、例えばITOIndiumTinOxideなどの透明導電膜を用いて形成することができる。第2透光性層15bは例えば透光性を有する酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて形成することができ、隣り合う画素Pの第1透光性層15aを覆って形成されている。つまり、第2透光性層15bは、画素電極層15の間の領域にも延設され、第1透光性層15a上と隣接する画素の第1透光性層15a上とに連続的に形成されている。このように屈折率が異なる透光性層を積層することにより光反射防止構造が構成されている。配向膜18は、気相成長法を用いてSiOx酸化シリコンなどの無機材料を成膜することにより形成することができる。配向膜18の厚みはおよそ750nmである。素子基板10に対向配置された対向基板20の液晶層50側には、平坦化層22と、導電性の第4透光性層23aと、第4透光性層23aよりも屈折率が小さい絶縁性の第5透光性層23bと、第5透光性層23bよりも屈折率が大きい導電性の第6透光性層23cと、配向膜24とが順に形成されている。積層形成された第4透光性層23aと第5透光性層23bと第6透光性層23cとによって、画素電極層15と同様に光反射防止構造が採用された共通電極層23が構成されている。第4透光性層23aおよび第6透光性層23cは、例えばITOなどの透明導電膜を用いて形成することができる。第5透光性層23bは、例えば酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて形成することができる。最も液晶層50に近い第6透光性層23cが所謂共通電極として機能し、前述した上下導通部106に電気的に接続されている。なお、画素領域Eよりも外側において、絶縁性の第5透光性層23bに例えばコンタクトホールを設けて導電性の第4透光性層23aと第6透光性層23cとを電気的に接続させ、共通電極として電気抵抗をさらに低下させてもよい。配向膜24は、素子基板10側の配向膜18と同様に気相成長法を用いてSiOx酸化シリコンなどの無機材料を成膜することにより形成することができる。配向膜24の厚みはおよそ750nmである。このような透過型の液晶装置100において、例えば対向基板20側から入射した光Lは、共通電極層23、液晶層50、画素電極層15を透過して素子基板10側から射出される。光Lは屈折率が異なる透光性の材料層の界面においてその一部が反射する。対向基板20側では、例えば平坦化層22と第4透光性層23aとの界面や第5透光性層23bと第6透光性層23cとの界面で反射して反射光L1となる。同様に、素子基板10側では、例えば第1透光性層15aと第2透光性層15bとの界面や第3透光性層15cと配向膜18との界面で反射して反射光L2となる。これらの反射光L1,L2はそれぞれ異なった光路を経て反射していることから、それぞれの光路長に応じた光の位相を有している。素子基板10から射出される光Lの強度は、反射光L1,L2の強度に依存する。画素電極層15および共通電極層23にそれぞれ光反射防止構造を取り入れて上記光路長に応じた光の位相が互いに打消し合う状態として、反射光L1,L2の強度をそれぞれ小さくしている。これにより、液晶装置100を透過する光Lにおいて、可視光波長領域に亘る高い透過率を実現している。画素電極層15や共通電極層23に導入された光反射防止構造は、異なる屈折率を有する透光性層の界面で反射した反射光の位相が互いに打ち消し合うように光路長を設定することにより実現できる。光路長は、透光性層の屈折率と膜厚の積で与えられる。したがって、以下の数式1および2を満たすように各透光性層の屈折率と膜厚とを設定することで、反射光L1,L2の強度を最も小さくできる。n1×d1n2×d2=λ/41n2×d2n3×d3=λ/42画素電極層15では、n1は第1透光性層15aの屈折率、d1は第1透光性層15aの膜厚、n2は第2透光性層15bの屈折率、d2は第2透光性層15bの膜厚、n3は第3透光性層15cの屈折率、d3は第3透光性層15cの膜厚である。共通電極層23では、n1は第4透光性層23aの屈折率、d1は第4透光性層23aの膜厚、n2は第5透光性層23bの屈折率、d2は第5透光性層23bの膜厚、n3は第6透光性層23cの屈折率、d3は第6透光性層23cの膜厚である。λは光の波長である。各透光性層の屈折率n1,n2,n3は、光の波長λに依存する。例えば、光の波長λを550nmとすると、ITOを用いて第1透光性層15aと第3透光性層15cを形成すれば、屈折率n1および屈折率n3はおよそ2.0となる。同様に、酸化シリコンを用いて第2透光性層15bを形成すれば、屈折率n2はおよそ1.46となる。ゆえに、上記数式1および2を満たすには、例えば第1透光性層15aと第3透光性層15cの膜厚をおよそ30nmとすると、第2透光性層15bの膜厚はおよそ50nmとなる。なお、可視光波長領域光の波長が400nm~700nmにおいて万遍なく高い透過率を確保するには、短波長域での光の干渉による透過率の低下を考慮して、導電性の第1透光性層15aと第3透光性層15cの膜厚を30nmよりも薄くすることが望ましい。このような屈折率n1,n2,n3と膜厚の設定は、もちろん共通電極層23側にも適用できる。つまり、導電性の第4透光性層23aと第6透光性層23cをITOを用いて形成し、膜厚を30nm未満とする。第5透光性層23bを酸化シリコンを用いて形成し、膜厚をおよそ50nmとする。このような画素電極層15と共通電極層23を備えた液晶装置100は、可視光波長領域400nm~700nmに亘って96以上の光の透過率が確保される。液晶装置100を適正に駆動する観点では、光反射防止構造を取り入れた共通電極層23は、液晶層50に最も近い側の第6透光性層23cが共通電極として機能している。これに対して、光反射防止構造を取り入れた画素電極層15では、TFT30に近い側、言い換えれば液晶層50から遠い側の第1透光性層15aを画素電極としてTFT30のドレイン電極32に接続すると、導電性を有する第3透光性層15cが電気的にフローティング状態となる。絶縁性の第2透光性層15bを介して対向する第1透光性層15aと第3透光性層15cとの間で寄生容量が生ずると、液晶層50に適正な駆動電位が与えられなくなる。そこで、本実施形態では、コンタクトホールCNT2において第1透光性層15aと第3透光性層15cとを電気的に接続させている。詳しい接続方法については、以下の液晶装置の製造方法において説明する。<液晶装置の製造方法>本実施形態の液晶装置の製造方法について、図4および図5を参照して説明する。図4a~eは液晶装置の製造方法を示す概略断面図、図5aおよびbは画素電極層におけるコンタクトホールの配置を示す概略平面図である。液晶装置100における素子基板10側のTFT30やこれに接続される信号配線などの形成方法は、前述したように公知の方法を用いることができる。また、対向基板20側における見切り部21や平坦化層22などの形成方法も前述したように公知の方法を用いることができる。以下、本実施形態の液晶装置の製造方法として、本発明の特徴部分である素子基板10におけるTFT30と画素電極層15との電気的な接続方法について説明する。なお、図4a~eでは、素子基板10におけるTFT30を含む配線構造の表示を省略している。図4aに示すように、素子基板10上においてドレイン電極32TFT30を覆って本発明の層間絶縁膜としての第2層間絶縁膜12を形成する層間絶縁膜形成工程。第2層間絶縁膜12の形成方法としては、例えばTEBTriethylBorateガスなどを用いた常圧または減圧CVD法などにより、BSGBoronSilicateGrassを3000nm~5000nmの膜厚で形成する。次にCMPにより平坦化処理を施し、膜厚が700nm~1000nmとなるように研磨し、平坦な表面の第2層間絶縁膜12を形成する。なお、第2層間絶縁膜12は単一な材料層で形成されることに限定されず、例えばTEOSTetraEthylOrthoSilicateを用いて常圧または減圧CVD法で形成されたNSGNonedopedSilicateGlassと組み合わせた複層構造としてもよい。次に、図4bに示すように、ドレイン電極32と平面的に重なる位置において第2層間絶縁膜12を貫通するコンタクトホールCNT2を形成するコンタクトホール形成工程。コンタクトホールCNT2の形成方法としては、例えば、CF4やC2F6などのフッ素系の処理ガスを用いてドレイン電極32の表面が露出するように第2層間絶縁膜12をドライエッチングする方法などを挙げることができる。後に導電性の透光性層によりコンタクトホールCNT2の底面や内壁を被覆することを考慮して、開口部の断面がテーパー状となるようにコンタクトホールCNT2を形成することが望ましい。また、第2層間絶縁膜12を貫通する開口部の深さ概ね第2層間絶縁膜12の膜厚に相当と開口径とのアスペクト比深さ/開口径が概ね0.8以上~1.2以下1.0±0.2となるようにコンタクトホールCNT2を形成することが望ましい。開口径に対して深さが大きすぎる深すぎると、開口部の底面まで第1透光性層15aが行き渡り難くなり、開口径に対して深さが小さすぎる浅すぎると、後述する第2透光性層15bの形成方法では、第1透光性層15aと第3透光性層15cとをコンタクトホールCNT2内で電気的に接続させることが難しくなる。次に、図4cに示すように、コンタクトホールCNT2を被覆するように第2層間絶縁膜12の表面を覆って例えば真空蒸着法やスパッタ法によりITO膜第1透光性膜を成膜する。膜厚がおよそ20nm~30nmとなるようにITO膜を成膜する。成膜されたITO膜をパターニングして第1透光性層15aを形成する第1透光性層形成工程。次に、図4dに示すように、第1透光性層15aが形成された素子基板10の法線方向に対して例えば酸化シリコンを斜め蒸着あるいは斜めスパッタして第2透光性層15bを形成する第2透光性層形成工程。膜厚がおよそ50nmとなるように第2透光性層15bを形成する。上記法線方向に対して斜め方向から酸化シリコンを成膜することにより、上記法線方向に開口したコンタクトホールCNT2内では斜め蒸着あるいは斜めスパッタに対して影となる部分コンタクトホールCNT2の側面の一部には、第2透光性層第2透光性膜15bは形成されない。また、絶縁性の第2透光性層15bは、隣り合う第1透光層15aの間を埋めるようにして、複数の画素Pに跨って形成される。このように形成すれば、第2透光性層15bを画素Pごとにパターニング形成する場合に比べて画素P間における段差が小さくなる。よって、画素P間の段差に起因する液晶分子の配向むらを低減できる。次に、図4eに示すように、再びコンタクトホールCNT2を被覆するように第2透光性層15bの表面を覆って例えば真空蒸着法やスパッタ法によりITO膜第3透光性膜を成膜する。膜厚がおよそ20nm~30nmとなるようにITO膜を成膜する。成膜されたITO膜をパターニングして第3透光性層15cを形成する第3透光性層形成工程。すると、コンタクトホールCNT2内において絶縁性の第2透光性層15bが形成されていない部分コンタクトホールCNT2の側面の一部において、導電性の第1透光性層15aと第3透光性層15cとが接触し電気的に接続されると共に、TFT30のドレイン電極32と電気的に接続される。なお、図4a~eに示されたドレイン電極32は、TFT30の半導体層30aにおける第2ソースドレイン領域に接続された中継電極を示すものであるが、第2ソースドレイン領域そのものでもよい。また、図5aに示すように、コンタクトホールCNT2は、画素電極層15の隅部としての例えば角部に形成され、コンタクトホールCNT2と平面視で重なるように配置される遮光部としての走査線3aによって遮光される。前述した第2透光性層形成工程では、図5aに示すように、コンタクトホールCNT2を基準として第1透光性層15a画素電極層15の外周までの長さが長い方図中の→で示した方向から角部に向かって斜め蒸着または斜めスパッタして酸化シリコンを成膜する。このようにすれば、コンタクトホールCNT2において斜め蒸着または斜めスパッタにおける影の部分すなわち第2透光性層15bが形成されない部分が→で示した位置になる。したがって、第1透光性層15aや第3透光性層15cのパターニングにおいてその外形位置がX方向またはY方向に多少ずれたとしても、コンタクトホールCNT2において第1透光性層15aと第3透光性層15cとを確実に接触させ電気的に接続させることができる。また、コンタクトホールCNT2が形成される隅部は図5aに示した角部に限定されず、例えば図5bに示すように、遮光部としての走査線3aが延在するX方向に沿った画素電極層15の辺部のほぼ中央近傍としてもよい。この場合もコンタクトホールCNT2を基準として第1透光性層15aの外周までの長さが長い方図中の→で示した方向から上記辺部に向かって斜め蒸着または斜めスパッタして第2透光性層15bを形成することが好ましい。上記第1実施形態によれば、以下の効果が得られる。1液晶装置100において、光反射防止構造が取り入れられた画素電極層15の導電性を有する第1透光性層15aと第3透光性層15cは、画素電極層15のスイッチング素子であるTFT30のコンタクトホールCNT2内において電気的に接続されている。したがって、第1透光性層15aと第3透光性層15cとを電気的に接続させるために例えばコンタクトホールを別途専用に形成しなくてもよい。ゆえに、画素Pにおいて高い光の透過率を実現できる画素電極層15がTFT30によってスイッチング制御される液晶装置100を提供することができる。言い換えれば、明るい表示が可能な液晶装置100を簡素な構成で提供できる。2液晶装置100およびその製造方法において、光反射防止構造を構成する絶縁性の第2透光性層15bは、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を斜め蒸着または斜めスパッタすることによって形成される。したがって、斜め蒸着時または斜めスパッタ時に影となる部分がコンタクトホールCNT2の開口部における側面の一部に生じ、該影となった部分には第2透光性層15bが形成されないので、コンタクトホールCNT2内において第1透光性層15aと第3透光性層15cとを確実に接触させ、電気的に接続させることができる。言い換えれば、第1透光性層15aと第3透光性層15cとを電気的に接続させるために例えばコンタクトホールを別途専用に形成しなくてもよいので、生産性を低下させずに、明るい表示が可能な液晶装置100を製造することができる。3透過型の液晶装置100およびその製造方法において、素子基板10側の画素電極層15に加えて、対向基板20側にも光反射防止構造が取り入れられた共通電極層23が形成されている。したがって、より明るい表示が可能な液晶装置100を提供または製造することができる。4光反射防止構造における導電性の第1透光性層15aと第3透光性層15cとが電気的に接続されたコンタクトホールCNT2は、平面視で遮光部としての走査線3aと重なる位置に形成されている。したがって、コンタクトホールCNT2を覆う配向膜18の部分に凹凸が生じて液晶分子の配向が乱れたとしても、配向の乱れに起因する表示ムラが遮光されて目立ち難くなる。また、例えばコンタクトホールCNT2以外に第1透光性層15aと第3透光性層15cとを電気的に接続させるコンタクトホールを別途形成した場合には、当該コンタクトホールと平面的に重なるように遮光部を配置する必要があり、画素Pにおける遮光部の面積が大きくなって開口率が低下するという課題が生ずる。本実施形態によればこのような課題を解決できる。第2実施形態次に、第2実施形態の液晶装置の製造方法について、図6を参照して説明する。図6a~dは第2実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図である。第2実施形態は、第1実施形態の液晶装置100の製造方法に対して、第2透光性層15bの形成方法を異ならせたものである。したがって、第1実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明を省略するものとする。第2実施形態の液晶装置の製造方法は、まず、図6aに示すように、コンタクトホールCNT2を被覆するように第2層間絶縁膜12の表面を覆ってITO膜からなる第1透光性層15aを形成する。第1透光性層15aの形成方法は、前述した第1実施形態と同じである。次に図6bに示すように、第1透光性層15aを覆うように例えば真空蒸着法やスパッタ法で酸化シリコンにて第2透光性層15bを成膜する。このとき、素子基板10の法線方向から成膜するので、コンタクトホールCNT2の内部まで絶縁性の第2透光性層15bが形成される。次に、図6cに示すように、第2透光性層15bを覆って感光性レジスト60を形成し、コンタクトホールCNT2に相当する部分が開口するように露光現像を行って開口部60aを形成する。続いて、アルカリ性溶液あるいはHFフッ酸を含む溶液を用いてウェットエッチングする、あるいはフッ素系の処理ガスを用いてドライエッチングすることにより、コンタクトホールCNT2内の第2透光性層15bを除去する第2透光性膜除去工程。そして、感光性レジスト60を剥離する。次に、図6dに示すように、再びコンタクトホールCNT2を被覆するように第2透光性層15bの表面を覆ってITO膜からなる第3透光性層15cを形成する。第3透光性層15cの形成方法は、第1実施形態と同じである。上記第2実施形態の液晶装置の製造方法によれば、コンタクトホールCNT2内に形成された絶縁性の第2透光性層15bを除去してからコンタクトホールCNT2を被覆するように第3透光性層15cを形成するので、コンタクトホールCNT2内で第1透光性層15aと第3透光性層15cとを確実に接触させて、電気的に接続させることができる。第3実施形態<電子機器>次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図7を参照して説明する。図7は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。図7に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投射レンズ1207とを備えている。偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から射出された偏光光束のうち、赤色光Rを反射させ、緑色光Gと青色光Bとを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光Gを反射させ、青色光Bを透過させる。ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光Rは、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光Gは、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。ダイクロイックミラー1105を透過した青色光Bは、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報映像信号に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて射出される。このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ1207によってスクリーン1300上に投射され、画像が拡大されて表示される。液晶ライトバルブ1210は、上述した第1実施形態の液晶装置100が適用されたものである。液晶装置100は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。このような投射型表示装置1000によれば、画素Pの開口領域において、赤、緑、青の色光に対してそれぞれ高い透過率が得られる液晶装置100を液晶ライトバルブ1210,1220,1230として用いているので、偏光照明装置1100から発する光を有効に利用して明るい表示品位が実現されている。また、画素Pの開口領域において高い透過率が得られるということは、開口領域を透過する光の反射率が低下することを意味している。そうすると、反射した光が再び液晶層50を透過する確率が減るので、液晶装置100を液晶ライトバルブ1210,1220,1230として用いたときの耐光性寿命例えば液晶層50や配向膜18,24の光劣化が改善される。本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置および該液晶装置の製造方法ならびに該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。変形例1上記実施形態の液晶装置100は、素子基板10側の画素電極層15と対向基板20側の共通電極層23とに光反射防止構造を取り入れたが、画素電極層15だけに光反射防止構造を取り入れた構造としてもよい。より簡素な構成で明るい表示が可能な透過型の液晶装置を提供できる。変形例2光反射防止構造が取り入れられた画素電極層15を有する構成は、透過型の液晶装置100に限定されない。図8は変形例の液晶装置の画素の構造を示す概略断面図である。なお、上記実施形態の液晶装置100と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略するものとする。図8に示すように、変形例2の液晶装置150は、素子基板10において光反射防止構造が取り入れられた画素電極層15と素子基板10との間に、反射層13を有している。反射層13は、光反射性を有する例えばAlアルミニウムやAg銀あるいはこれらの金属の合金からなり、第2層間絶縁膜12中において第1透光性層15aと絶縁された状態で形成されている。なお、導電性の第1透光性層15aと第3透光性層15cとはTFT30のコンタクトホールCNT2内において電気的に接続されている。対向基板20側から入射した光L3は、光反射防止構造が取り入れられた共通電極層23、液晶層50、同じく光反射防止構造が取り入れられた画素電極層15を透過し、反射層13で反射する。そして、入射経路を反対に透過して対向基板20側から射出される。異なる屈折率を有する透光性層の界面で反射した反射光L4,L5はそれぞれその強度が小さくなるように各透光性層の屈折率と膜厚とが設定されている。なお、この場合の液晶層50の厚みdは、入射光が液晶層50を少なくとも2度透過することになるため、上記実施形態の液晶装置100における液晶層50の厚みよりも小さく設定されている。このような液晶装置150によれば、反射光L4,L5の強度が小さく、入射する光L3との間での干渉も低減され、明るい表示が可能な反射型の液晶装置150を提供することができる。変形例3画素電極層15における第1透光性層15aと第3透光性層15cとを電気的に接続させるコンタクトホールCNT2の平面形状は円形に限定されない。例えば楕円形状であってもよい、その場合のコンタクトホールCNT2のアスペクト比は、開口部の深さ/開口部の最小径として定義することができる。絶縁性の第2透光性層15bはコンタクトホールCNT2の上記最小径に沿った方向から無機絶縁材料を斜め蒸着または斜めスパッタして形成することが好ましい。変形例4上記実施形態の液晶装置100を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置1000に限定されない。例えば、投射型のHUDヘッドアップディスプレイや直視型のHMDヘッドマウントディスプレイ、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、POSなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。"