第1の金属元素を含む集電体上に、前記第1の金属元素とは異なる第2の金属元素を含む金属層を形成し、前記金属層をエッチングして、前記金属層のパターンを形成し、エッチング後の前記金属層上に、シリコンを含む堆積性ガスを原料に用い、低圧化学蒸着法によりシリコンウィスカを含む活物質層を形成する蓄電装置の作製方法。第1の金属元素を含む集電体上に、前記第1の金属元素とは異なる第2の金属元素を含む金属層を形成し、前記金属層をエッチングして、互いに離間して配置された複数の矩形状の金属層とし、エッチング後の前記金属層上に、シリコンを含む堆積性ガスを原料に用い、低圧化学蒸着法によりシリコンウィスカを含む活物質層を形成する蓄電装置の作製方法。前記第2の金属元素として、シリサイドを形成する金属元素を用いる請求項1または2に記載の蓄電装置の作製方法。前記第2の金属元素は、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、またはニッケルから選択される一以上の金属元素である請求項1または2に記載の蓄電装置の作製方法。第1の金属元素を含む集電体と、前記集電体上に形成され、前記第1の金属元素とは異なる第2の金属元素を含む矩形状の金属層と、前記金属層及び前記集電体上に設けられた、シリコンウィスカを含む活物質層と、を有する蓄電装置。前記シリコンウィスカは、前記金属層の辺縁部と重畳する領域において、高密度に配置される請求項5に記載の蓄電装置。前記活物質層と前記金属層との間に、シリコンと前記第1の金属元素を含む第1の混合領域を有し、前記活物質層と前記集電体との間に、シリコンと前記第2の金属元素とを含む第2の混合領域を有する請求項5または6に記載の蓄電装置。しかしながら、シリコンを負極活物質に用いても、理論容量ほど高い放電容量を得ることは困難である。そこで、本発明の一態様では、放電容量を高めることが可能な蓄電装置及びその作製方法を提供することを課題とする。本発明の一形態は、第1の金属を含む集電体上に、第1の金属とは異なる第2の金属を含む金属層を形成し、その金属層をエッチングして金属層のパターンを形成し、エッチング後の金属層上に、シリコンを含む堆積性ガスを用いて加熱する低圧化学蒸着LPCVD:LowPressureChemicalvapordeposition法により、シリコンウィスカを含む活物質層を形成する蓄電装置の作製方法である。また、本発明の別の一形態は、第1の金属元素を含む集電体と、集電体上に形成され、第1の金属元素とは異なる第2の金属元素を含む矩形状の金属層と、金属層及び集電体上に設けられた、シリコンウィスカを含む活物質層と、を有する蓄電装置である。シリコンウィスカは突起髭状の結晶性シリコンであり、複数のシリコンウィスカにおいて、各々の突起の伸長方向すなわち、軸の方向は、不揃いであってもよい。または、複数のシリコンウィスカにおける突起の伸長方向すなわち、軸の方向は、集電体の法線方向であってもよい。活物質層がシリコンウィスカを含むことで、表面積が増大し、放電容量を高めることができる。集電体は、白金、アルミニウム、銅に代表される金属元素等の導電性の高い材料を用いることができる。また、集電体は、シリサイドを形成する金属元素で形成してもよい。金属層は、シリサイドを形成する金属元素、例えば、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、コバルト、タングステンまたはニッケルから選択される一以上の金属元素を用いるのが好ましい。また、集電体と活物質層との間、または、金属層と活物質層との間には、金属元素とシリコンとの混合領域が形成されることがある。金属元素とシリコンとの混合領域を有することで、集電体と活物質層との間、または、金属層と活物質層との間に低密度な領域粗な領域が形成されず、活物質層と活物質層に接する層との界面特性を向上させることができる。また、混合領域と活物質層の間に、金属酸化物層を有してもよい。金属酸化物層は、集電体または金属層を形成する金属元素の金属酸化物で形成される。金属酸化物層を酸化物半導体または酸化物導電体で形成することで、金属酸化物層が絶縁物の場合と比較して、集電体と活物質層との間、または、金属層と活物質層との間の抵抗を低減することが可能であり、放電容量をさらに高めることができる。本発明の一形態により、放電容量の高い蓄電装置を作製することができる。本発明の実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではないとする。なお、説明中に図面を参照するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる場合がある。また、同様のものを指す際には同じハッチパターンを使用し、特に符号を付さない場合がある。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である蓄電装置の電極及びその作製方法について、図1及び図2を用いて説明する。図1Aで示す蓄電装置の電極は、集電体101上に金属層を形成し、該金属層を選択的にエッチングして、金属層102を形成した後、金属層102上に熱CVD法、好ましくはLPCVD法により、結晶性シリコン層を活物質層103として形成する。集電体101は、電極の集電体として機能する。このため、箔状、板状、または網状の導電性部材を用いる。集電体101は、特に限定されないが、白金、アルミニウム、銅、チタン等に代表される導電性の高い金属元素を用いることができる。なお、集電体として、シリコン、チタン、ネオジム、スカンジウム、モリブデンなどの耐熱性を向上させる元素が添加されたアルミニウム合金を用いることが好ましい。または、集電体101としてシリコンウェハを用いてもよい。また、集電体101を、活物質層103に用いるシリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成してもよい。シリサイドを形成する金属元素としては、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、ニッケル等がある。金属層102は、活物質層の結晶成長を促進する金属元素を含む層である。金属層に用いる金属元素としては、活物質層103の結晶成長を促進する触媒として機能する金属元素を用いることができる。本実施の形態においては、シリサイドを形成する金属元素を用いるものとする。シリサイドを形成する金属元素としては、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、ニッケル等がある。上述のとおり、金属層102は活物質層の結晶成長を促進する機能を有するため、集電体101上に金属層を形成後、該金属層をエッチングによりパターン形成することで、集電体101上における活物質層103の結晶核の発生領域を制御することができる。金属層102は、100nm乃至1000nmの膜厚で形成するのが好ましい。また、結晶核の発生領域を増加させるために、金属層102は、互いに離間させて複数配置するのがより好ましい。なお、集電体101と金属層とを積層した状態で金属層のエッチングを行うため、集電体101と金属層とは、エッチングの選択比がとれる金属元素を用いる必要がある。したがって、集電体101と、金属層102とは、異なる金属元素を含む。金属層102は、異なる金属元素を含む薄膜の積層を用いてもよい。この場合、少なくとも集電体101と接する層に含まれる金属元素は、集電体101に含まれる金属元素とは異なる金属元素を用いるものとする。活物質層103は、結晶性のシリコン層である。当該結晶性シリコン層は、例えば、LPCVD法により形成することができる。結晶性シリコン層は、例えば、550°Cより高い温度で、且つ、LPCVD装置及び集電体101が耐えうる温度以下、好ましくは580°C以上650°C未満の加熱をしつつ、原料ガスとしてシリコンを含む堆積性ガスを用いることで形成することができる。シリコンを含む堆積性ガスとしては、水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンがあり、代表的には、SiH4、Si2H6、SiF4、SiCl4、Si2Cl6等がある。なお、原料ガスに、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガス、及び水素の一以上を混合させてもよい。なお、活物質層103には、不純物として、LPCVD装置のチャンバーに起因する酸素などが含まれている場合がある。なお、活物質層103として設けられる結晶性シリコン層には、リン、ボロン等の一導電型を付与する不純物元素が添加されていてもよい。リン、ボロン等の一導電型を付与する不純物元素が添加された結晶性シリコン層は、導電性が高くなるため、電極の導電率を高めることができる。このため、該結晶性シリコン層を活物質層として用いることで放電容量をさらに高めることができる。活物質層103として、LPCVD法を用いて結晶性シリコン層を形成すると、集電体101と活物質層103の間、または、金属層102と活物質層103との間に低密度な領域が形成されにくく、活物質層103及びそれに接する層との界面における電子の移動が容易となると共に、集電体101と活物質層103、または、金属層102と活物質層103の密着性を高めることができる。これは、結晶性シリコン層の堆積工程において、常に原料ガスの活性種が堆積中の結晶性シリコン層に供給されるため、結晶性シリコン層から集電体101及び金属層102にシリコンが拡散し、シリコン不足領域粗な領域が形成されても、当該領域に原料ガスの活性種が常に供給され、結晶性シリコン層中に低密度領域が形成されにくくなるためである。また、気相成長により集電体101上及び金属層102上に結晶性シリコン層を形成するため、スループットを向上させることができる。ここで、集電体101、金属層102及び活物質層103の破線で示される領域105の拡大図を図1Bに示す。図1Bに示すように、集電体101の活物質層103形成表面近傍には、集電体101に含まれる金属元素とシリコンとの第1の混合領域107aが形成されることがある。また、金属層102の活物質層103形成表面近傍には、金属層102に含まれる金属元素とシリコンとの第2の混合領域107bが形成されることがある。シリコンと金属元素との第1の混合領域107aまたは第2の混合領域107bは、活物質層103としてLPCVD法で結晶性シリコン層を形成する際の加熱により、結晶性シリコン層に含まれるシリコンが集電体101または金属層102に拡散することで形成される。なお、第1の混合領域107aと第2の混合領域107bとの界面は明確ではなく、集電体101に含まれる金属元素と、金属層102に含まれる金属元素と、シリコンとの混合領域となる場合がある。金属層102は、シリサイドを形成する金属元素で形成されるため、第2の混合領域107bには、該金属元素のシリサイド、代表的には、ジルコニウムシリサイド、チタンシリサイド、ハフニウムシリサイド、バナジウムシリサイド、ニオブシリサイド、タンタルシリサイド、クロムシリサイド、モリブデンシリサイド、タングステンシリサイド、コバルトシリサイド、及びニッケルシリサイドの一以上が形成される。また、集電体101にシリサイドを形成する金属元素を用いる場合、第1の混合領域107aには、上述のシリサイドを形成する金属元素及びシリコンのシリサイドの一以上が形成される。または、シリサイドを形成する金属元素及びシリコンの合金層が形成される。なお、第1の混合領域107aまたは第2の混合領域107bには、LPCVD装置のチャンバーに起因する酸素などが不純物として含まれる場合がある。集電体101または金属層102と、活物質層103との間に、金属元素とシリコンとの混合領域を有することで、集電体101または金属層102と、活物質層103との界面における抵抗を低減させることができるため、電極の導電率を高めることができる。また、集電体101または金属層102と、活物質層103との密着性を高めることが可能であり、蓄電装置の劣化を低減することができる。第1の混合領域107a上には、集電体101を形成する金属元素の酸化物で形成される第1の金属酸化物層109aが形成されてもよい。また、第2の混合領域107b上には、金属層102を形成する金属元素の酸化物で形成される第2の金属酸化物層109bが形成されていても良い。これらの金属酸化物層は、活物質層103として、LPCVD法で結晶性シリコン層を形成する際の加熱により、LPCVD装置の石英製のチャンバーから酸素が脱離し、集電体101または金属層102が酸化されるために形成される場合がある。なお、第1の金属酸化物層109a及び第2の金属酸化物層109bが形成される場合、第1の金属酸化物層109aと第2の金属酸化物層109bの界面は明確ではなく、集電体101に含まれる第1の金属元素と、金属層102に含まれる第2の金属元素の酸化物の双方を含有する金属酸化物層が形成されることがある。また、LPCVD法で結晶性シリコン層を形成する際、チャンバー内に、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガスを充填することで、当該金属酸化物層の形成を抑制することができる。第2の金属酸化物層109bとしては、シリサイドを形成する金属元素の酸化物で形成される金属酸化物層が形成される。また、集電体101をシリサイドを形成する金属元素で形成する場合には、第1の金属酸化物層109aとして、シリサイドを形成する金属元素の酸化物で形成される金属酸化物層が形成される。このような金属酸化物層の代表例としては、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化コバルト、酸化ニッケル等がある。なお、集電体101または金属層102を、チタン、ジルコニウム、ニオブ等で形成すると、第1の金属酸化物層109aまたは第2の金属酸化物層109bとして、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ等の酸化物導電体が形成されるため、集電体101と活物質層103との間、または、金属層102と活物質層103との間の抵抗を低減することが可能であり、電極の導電率を高めることができる。このため、放電容量をさらに高めることができる。活物質層103は、集電体101及び金属層102を覆うように設けられており、シリコンウィスカ113を有する。シリコンウィスカ113は、突起髭状の結晶性シリコンであり、複数のシリコンウィスカ113において、突起の頂点方向は分散している。なお、シリコンウィスカ113の形状は、髭状に限られず、円柱状、角柱状等の柱状、円錐状または角錐状の針状でもよい。また、シリコンウィスカ113は、頂部が湾曲していてもよい。シリコンウィスカ113の径は、50nm以上10μm以下、好ましくは500nm以上3μm以下である。また、シリコンウィスカ113の長さhは、0.5μm以上1000μm以下、好ましくは1μm以上100μm以下である。ここで、シリコンウィスカ113の長さhとは、シリコンウィスカ113の成長方向長手方向の大きさをいう。例えば、シリコンウィスカ113を柱状と仮定する場合には、底面と底面との距離をいい、錐状と仮定する場合には、頭頂点と底面との距離をいうものとする。複数のシリコンウィスカ113において、各々の長さhは、必ずしも同一ではない。なお、シリコンウィスカ113の成長方向を長手方向といい、長手方向に沿った断面の形状を長手断面形状という場合がある。また、長手方向が法線方向となる断面の形状を輪切り断面形状という場合がある。図1Bには、シリコンウィスカ113の長手方向が、不揃いの場合を示す。例えば、長手方向が、集電体101表面に対する法線方向と、該法線方向とは異なる第2の方向と、に伸張している。このため、図1Bにおいて、シリコンウィスカ113の長手断面形状と共に、シリコンウィスカ113の輪切り断面形状が混在する。図1Bでは、円柱状または円錐状の突起の横断面形状であるため、輪切り断面形状は円形であるが、突起が角柱状または角錐状であれば、輪切り断面形状は、多角形状となる。シリコンウィスカ113の長手方向が不揃いであると、突起同士が絡む場合があるため、蓄電装置の充放電において突起が脱離しにくい。なお、シリコンウィスカ113の成長方向は、図1Bの場合に限られず、長手方向が一方向、例えば、集電体101表面に対する法線方向に伸張していてもよい。なお、シリコンウィスカ113の長手方向が一方向とは、各々のシリコンウィスカ113における長手方向が集電体101表面に対する法線方向と、略一致していればよく、各々の方向の差は代表的には5度以内であることが好ましい。シリコンウィスカ113は金属層102に含まれる金属元素を触媒として成長するため、図1Bに示すように、金属層102と重畳する領域、特に、金属層102の辺縁部エッジ部と重畳する領域において高密度に形成される。このように、金属層102を選択的に設けることで、集電体101上においてシリコンウィスカ113の発生領域結晶性シリコンの核発生領域と言い換えることもできるを効果的に制御することができる。また、シリコンウィスカ113は、金属層102の辺縁部と重畳する領域において高密度で配置されるため、金属層102は辺縁部を有する形状、例えば、矩形状に形成するのが好ましい。金属層102の大きさ、及び金属層102の一と他の金属層102との距離は、適宜設定することができるが、金属層102を微細に形成することで、核発生領域を増加させることができるため、好ましい。なお、金属層102は、辺縁部を有しているのが好ましく、その形状は図1に示したものに限られない。例えば、図2Aに示すように、集電体101上に金属層を形成後、該金属層をハーフエッチングすることで、凹凸を有する金属層102aとしてもよい。または、集電体101上に金属層を形成後、該金属層にサンドブラスト等による処理を施すことで表面に凹凸形状を形成しても良い。または、これらを組み合わせて金属層を形成しても良い。本実施の形態に示す蓄電装置の電極は、集電体及び活物質層として機能する結晶性シリコン層の間に、少なくとも金属層を有する。このため、活物質層においてシリコンウィスカを効果的に発生させることができ、また、その発生領域を制御することが可能となる。これによって、電極の放電容量を高めることができる。また、集電体、または金属層と、活物質層として機能する結晶性シリコン層との間に、混合領域を有するのが好ましい。混合領域を有することで、集電体または金属層と、結晶性シリコン層との間の界面抵抗を低減し、且つ、密着性を高めることが可能であるため、蓄電装置の劣化を低減することができる。なお、図1においては、集電体101は、箔状、板状、または網状の導電性部材で形成される形態を示したが、図2Bに示すように、基板115上に、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、インクジェット法、CVD法等を適宜用いて、集電体111を形成することができる。実験例1シリコンウィスカを含む結晶性シリコン層を、蓄電装置の電極の一部に用いる場合の効果を確認した。具体的には、陰極の活物質層としてシリコンウィスカを含む結晶性シリコン層を用いた蓄電装置実験例1と、陰極の活物質層として平坦な結晶性シリコン層を用いた蓄電装置比較例とを用意して、これらの特性を比較した。なお、実験例1に係る蓄電装置の構成と、比較例に係る蓄電装置の構成は、陰極の活物質層を除いて同様とした。つまり、本実験例において示す結果は、陰極の活物質層の相違に起因するものである。実験例1に係る蓄電装置の陰極の活物質層には、多数のシリコンウィスカが含まれていた。このため、活物質層の表面積は、活物質層が平坦である場合と比較して大きくなっている。シリコンウィスカの長さは、長いもので15~20μm程度であった。また、シリコンウィスカの根本付近における径は、1μm~2μm程度であった。また、シリコンウィスカの向きは不揃いであった。比較例に係る蓄電装置の陰極の活物質層には、平坦な結晶性シリコン層を用いた。当該結晶性シリコン層は、プラズマCVD法により形成された、リンが添加された非晶質シリコン層を熱処理して得られたものである。なお、熱処理の雰囲気はAr雰囲気、熱処理の温度は700°C、熱処理の時間は6時間とした。上述のような陰極の活物質層が相違する2種類の蓄電装置について、充放電測定器を用いて放電容量を測定した。当該測定は、2.0mAの電流を約0.2Cのレートで充放電する定電流方式で行った。上限電圧は1.0V、下限電圧は0.03Vとした。また、すべての測定は室温約25°Cで行った。このようにして求めた蓄電装置の初期特性活物質層の単位体積あたりの放電容量mAh/cm3の初期特性は、実験例1に係る蓄電装置で7300mAh/cm3、比較例に係る蓄電装置で4050mAh/cm3であった。実験例1に係る蓄電装置では、比較例に係る蓄電装置の1.8倍程度と大きいことが分かる。なお、ここでは、実験例1に係る蓄電装置の活物質層の厚さを3.5μm、比較例に係る蓄電装置の活物質層の厚さを3.0μmとして放電容量mAh/cm3を算出した。このように、本実験例に係る蓄電装置の実容量は、その理論容量9800mAh/cm3に近い値を有しており、シリコンウィスカを含む結晶性シリコン層を蓄電装置の電極の一部として用いることは極めて有効であることが理解できる。実験例2本実験例においては、互いに離間して配置された複数の矩形状の金属層上に、LPCVD法を用いてシリコン層を成膜した場合の、シリコンウィスカの成長について示す。本実験例においては、ガラス基板上にスパッタ法によって、金属層として、膜厚1μmのチタン層を形成した後、該チタン層をエッチングして、複数の矩形状のチタン層を形成した。その後、チタン層上にLPCVD法により結晶性シリコン層を形成した。LPCVD法による結晶性シリコン層の形成は、材料ガスとしてシランを用い、シランの流量を300sccmとして反応室内に材料ガスを導入し、反応室内の圧力を20Paとし、反応室内の温度を600°Cとして行った。成膜時間は2時間15分とした。形成された結晶性シリコン層のSEMScanningElectronMicroscope写真を図7A及び図7Bに示す。なお、図7Aは、倍率400倍のSEM写真であり、図7Bは、倍率3000倍のSEM写真である。図7に示すように、結晶性シリコン層においてシリコンウィスカは、金属層として設けられたチタン層上に選択的に成長していることがわかる。また、シリコンウィスカの成長の向きは不揃いであり、シリコンウィスカの長さは、長いもので15~20μm程度であった。また、シリコンウィスカの根本付近における径は、1μm~2μm程度であった。さらに、シリコンウィスカは、チタン層上に均一に発生せずに、チタン層の辺縁部エッジ部において、その他の平面部よりも高密度に配置されていることが確認された。以上より、金属層本実験例ではチタン層を設けることで、結晶性シリコン層においてシリコンウィスカを効果的に発生させることができることが示された。また、金属層の配置及びその形状によって、シリコンウィスカの発生領域を制御することが可能となることが示された。なお、本実験例では、金属層および結晶性シリコン層の被形成部材としてガラス基板を用いているが、集電体を用いる場合も当然に、シリコンウィスカの発生を制御可能である。以上、本実施の形態により、放電容量の高い蓄電装置の電極が実現される。本実施の形態は、他の実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、蓄電装置の構造について、図3を用いて説明する。はじめに、蓄電装置の一例である二次電池の構造について説明する。二次電池の中でも、LiCoO2等のリチウム含有金属酸化物を用いたリチウムイオン電池は、放電容量が高く、安全性が高い。よって、ここでは、二次電池の代表例であるリチウムイオン電池の構造について説明する。図3Aは、蓄電装置151の平面図であり、図3Aの一点鎖線A-Bの断面図を図3Bに示す。図3Aに示す蓄電装置151は、外装部材153の内部に蓄電セル155を有する。また、蓄電セル155に接続する端子部157、159を有する。外装部材153には、ラミネートフィルム、高分子フィルム、金属フィルム、金属ケース、プラスチックケース等を用いることができる。図3Bに示すように、蓄電セル155は、負極163と、正極165と、負極163及び正極165の間に設けられるセパレータ167と、外装部材153中に満たされる電解質169とで構成される。負極163は、負極集電体171及び負極活物質層173を含んで構成される。正極165は、正極集電体175及び正極活物質層177を含んで構成される。負極活物質層173は、負極集電体171の一方または両方の面に形成される。正極活物質層177は、正極集電体175の一方または両方の面に形成される。また、負極集電体171は、端子部159と接続する。また、正極集電体175は、端子部157と接続する。また、端子部157、159は、それぞれ一部が外装部材153の外側に導出されている。なお、本実施の形態では、蓄電装置151として、パウチされた薄型蓄電装置を示したが、ボタン型蓄電装置、円筒型蓄電装置、角型蓄電装置等、様々な構造の蓄電装置を実現しうる。また、本実施の形態では、正極、負極、及びセパレータが積層された構造を示したが、正極、負極、及びセパレータが捲回された構造であってもよい。負極集電体171には、実施の形態1に示す集電体101、111を用いることができる。負極活物質層173には、実施の形態1に示す結晶性シリコン層で形成される活物質層103を用いることができる。なお、結晶シリコン層にリチウムをプリドープしてもよい。また、LPCVD装置において、負極集電体171を枠状のサセプターで保持しながら結晶性シリコン層で形成される活物質層103を形成することで、負極集電体171の両面に同時に活物質層103を形成することが可能であるため、工程数を削減することができる。正極集電体175には、アルミニウム、ステンレス等を用いる。正極集電体175には、箔状、板状、網状等の形状を適用することができる。正極活物質層177には、LiFeO2、LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、LiFePO4、LiCoPO4、LiNiPO4、LiMn2PO4、その他のリチウム化合物、または、V2O5、Cr2O5、MnO2を材料として用いることができる。なお、キャリアイオンを、リチウム以外のアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンとする場合には、正極活物質層177の上記リチウム化合物において、リチウムの代わりに、アルカリ金属例えば、ナトリウムやカリウム等やアルカリ土類金属例えば、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等、ベリリウム、マグネシウムを用いることもできる。電解質169の溶質は、キャリアイオンであるリチウムイオンを移送可能で、且つリチウムイオンが安定に存在する材料を用いる。電解質の溶質の代表例としては、LiClO4、LiAsF6、LiBF4、LiPF6、LiC2F5SO22N等のリチウム塩がある。なお、キャリアイオンを、リチウム以外のアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンとする場合には、電解質169の溶質として、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩や、カルシウム塩、ストロンチウム塩、バリウム塩等のアルカリ土類金属塩、ベリリウム塩、マグネシウム塩等を適宜用いることができる。また、電解質169の溶媒としては、キャリアイオンであるリチウムイオンの移送が可能な材料を用いる。電解質169の溶媒としては、非プロトン性有機溶媒が好ましい。非プロトン性有機溶媒の代表例としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、γーブチロラクトン、アセトニトリル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等があり、これらの一つまたは複数を用いることができる。また、電解質169の溶媒としてゲル化される高分子材料を用いることで、漏液性を含めた安全性が高まる。また、蓄電装置151の薄型化及び軽量化が可能である。ゲル化される高分子材料の代表例としては、シリコンゲル、アクリルゲル、アクリロニトリルゲル、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、フッ素系ポリマー等がある。また、電解質169として、Li3PO4等の固体電解質を用いることができる。セパレータ167には、絶縁性の多孔体を用いる。セパレータ167の代表例としては、セルロース紙、ポリエチレン、ポリプロピレン等がある。リチウムイオン電池は、メモリー効果が小さく、エネルギー密度が高く、放電容量が大きい。また、動作電圧が高い。そして、これらによって、小型化及び軽量化が可能である。また、充放電の繰り返しによる劣化が少なく、長期間の使用が可能であり、コスト削減が可能である。次に、蓄電装置の別の例であるキャパシタの構造について説明する。キャパシタの代表例としては、二重層キャパシタ、リチウムイオンキャパシタ等がある。キャパシタの場合は、図3Aに示す二次電池の正極活物質層177の代わりに、リチウムイオン及び/またはアニオンを可逆的に吸蔵できる材料を用いればよい。正極活物質層177の代表例としては、活性炭、導電性高分子、ポリアセン有機半導体PASがある。リチウムイオンキャパシタは、充放電の効率が高く、急速充放電が可能であり、繰り返し利用による寿命も長い。これらのキャパシタにおいても、負極として実施の形態1に示す集電体及び活物質層を含む電極を用いることで、放電容量の高い蓄電装置を作製することができる。なお、開示する発明の一形態である電極を用いる蓄電装置は、上述のものに限られない。例えば、蓄電装置の別の一形態である空気電池の負極として実施の形態1に示す集電体及び活物質層を含む電極を用いることも可能である。この場合にも、放電容量の高い蓄電装置を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態2で説明した蓄電装置の応用形態について図4を用いて説明する。実施の形態2で説明した蓄電装置は、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置等の電子機器に用いることができる。また、電気自動車、ハイブリッド自動車、鉄道用電気車両、作業車、カート、車椅子等の電気推進車両に用いることができる。ここでは、電気推進車両の代表例として車椅子を用いて説明する。図4は電動式の車椅子501の斜視図である。電動式の車椅子501は、使用者が座る座部503、座部503の後方に設けられた背もたれ505、座部503の前下方に設けられたフットレスト507、座部503の左右に設けられたアームレスト509、背もたれ505の上部後方に設けられたハンドル511を有する。アームレスト509の一方には、車椅子の動作を制御するコントローラ513が設けられる。座部503の下方のフレーム515を介して、座部503前下方には一対の前輪517が設けられ、座部503の後下方には一対の後輪519が設けられる。後輪519は、モータ、ブレーキ、ギア等を有する駆動部521に接続される。座部503の下方には、バッテリー、電力制御部、制御手段等を有する制御部523が設けられる。制御部523は、コントローラ513及び駆動部521と接続しており、使用者によるコントローラ513の操作により、制御部523を介して駆動部521が駆動し、電動式の車椅子501の前進、後進、旋回等の動作及び速度を制御する。実施の形態2で説明した蓄電装置を制御部523の電源として用いることができる。制御部523の電源は、プラグイン技術や非接触給電による外部からの電力供給により充電をすることができる。なお、電気推進車両が鉄道用電気車両の場合、架線や導電軌条からの電力供給により充電をすることもできる。本実施の形態は、他の実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。実施の形態4本実施の形態では、本発明の一態様に係る二次電池を、無線給電システム以下、RF給電システムと呼ぶ。に用いた場合の一例を、図5及び図6のブロック図を用いて説明する。なお、各ブロック図では、受電装置および給電装置内の構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとして示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが困難であり、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。はじめに、図5を用いてRF給電システムについて説明する。受電装置600は、給電装置700から供給された電力で駆動する電子機器または電気推進車両であるが、この他電力で駆動する装置に適宜適用することができる。電子機器の代表例としては、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、表示装置、コンピュータ等がある。また、電気推進車両の代表例としては、電気自動車、ハイブリッド自動車、鉄道用電気車両、作業車、カート、車椅子等がある。また、給電装置700は、受電装置600に電力を供給する機能を有する。図5において、受電装置600は、受電装置部601と、電源負荷部610とを有する。受電装置部601は、受電装置用アンテナ回路602と、信号処理回路603と、二次電池604とを少なくとも有する。また、給電装置700は、給電装置用アンテナ回路701と、信号処理回路702とを少なくとも有する。受電装置用アンテナ回路602は、給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る、あるいは、給電装置用アンテナ回路701に信号を発信する役割を有する。信号処理回路603は、受電装置用アンテナ回路602が受信した信号を処理し、二次電池604の充電、二次電池604から電源負荷部610への電力の供給を制御する。また、信号処理回路603は、受電装置用アンテナ回路602の動作を制御する。すなわち、受電装置用アンテナ回路602から発信する信号の強度、周波数などを制御することができる。電源負荷部610は、二次電池604から電力を受け取り、受電装置600を駆動する駆動部である。電源負荷部610の代表例としては、モータ、駆動回路等があるが、その他の電力を受け取って受電装置を駆動する装置を適宜用いることができる。また、給電装置用アンテナ回路701は、受電装置用アンテナ回路602に信号を送る、あるいは、受電装置用アンテナ回路602からの信号を受け取る役割を有する。信号処理回路702は、給電装置用アンテナ回路701が受信した信号を処理する。また、信号処理回路702は、給電装置用アンテナ回路701の動作を制御する。すなわち、給電装置用アンテナ回路701から発信する信号の強度、周波数などを制御することができる。本発明の一態様に係る二次電池は、図5で説明したRF給電システムにおける受電装置600が有する二次電池604として利用される。RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、従来の二次電池に比べて蓄電量を増やすことができる。よって、無線給電の時間間隔を延ばすことができる何度も給電する手間を省くことができる。また、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、電源負荷部610を駆動することができる蓄電量が従来と同じであれば、受電装置600の小型化及び軽量化が可能である。従って、トータルコストを減らすことができる。次に、RF給電システムの他の例について図6を用いて説明する。図6において、受電装置600は、受電装置部601と、電源負荷部610とを有する。受電装置部601は、受電装置用アンテナ回路602と、信号処理回路603と、二次電池604と、整流回路605と、変調回路606と、電源回路607とを、少なくとも有する。また、給電装置700は、給電装置用アンテナ回路701と、信号処理回路702と、整流回路703と、変調回路704と、復調回路705と、発振回路706とを、少なくとも有する。受電装置用アンテナ回路602は、給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る、あるいは、給電装置用アンテナ回路701に信号を発信する役割を有する。給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る場合、整流回路605は受電装置用アンテナ回路602が受信した信号から直流電圧を生成する役割を有する。信号処理回路603は受電装置用アンテナ回路602が受信した信号を処理し、二次電池604の充電、二次電池604から電源回路607への電力の供給を制御する役割を有する。電源回路607は、二次電池604が蓄電している電圧を電源負荷部610に必要な電圧に変換する役割を有する。変調回路606は受電装置600から給電装置700へ何らかの応答信号を送信する場合に使用される。電源回路607を有することで、電源負荷部610に供給する電力を制御することができる。このため、電源負荷部610に過電圧が印加されることを低減することが可能であり、受電装置600の劣化や破壊を低減することができる。また、変調回路606を有することで、受電装置600から給電装置700へ信号を送信することが可能である。このため、受電装置600の充電量を判断し、一定量の充電が行われた場合に、受電装置600から給電装置700に信号を送信し、給電装置700から受電装置600への給電を停止させることができる。この結果、二次電池604の充電量を100としないことで、二次電池604の充電回数を増加させることが可能である。また、給電装置用アンテナ回路701は、受電装置用アンテナ回路602に信号を送る、あるいは、受電装置用アンテナ回路602から信号を受け取る役割を有する。受電装置用アンテナ回路602に信号を送る場合、信号処理回路702は、受電装置に送信する信号を生成する。発振回路706は一定の周波数の信号を生成する。変調回路704は、信号処理回路702が生成した信号と発振回路706で生成された一定の周波数の信号に従って、給電装置用アンテナ回路701に電圧を印加する役割を有する。このようにすることで、給電装置用アンテナ回路701から信号が出力される。一方、受電装置用アンテナ回路602から信号を受け取る場合、整流回路703は受け取った信号を整流する役割を有する。復調回路705は、整流回路703が整流した信号から受電装置600が給電装置700に送った信号を抽出する。信号処理回路702は復調回路705によって抽出された信号を解析する役割を有する。なお、RF給電を行うことができれば、各回路の間に他のどのような回路を設けてもよい。例えば、受電装置600が信号を受信し整流回路605で直流電圧を生成したあとに、後段に設けられたDC-DCコンバータやレギュレータといった回路によって、定電圧を生成してもよい。このようにすることで、受電装置600内部に過電圧が印加されることを抑制することができる。本発明の一態様に係る二次電池は、図6で説明したRF給電システムにおける受電装置600が有する二次電池604として利用される。RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、従来の二次電池に比べて蓄電量を増やすことができるので、無線給電の間隔を延ばすことができる何度も給電する手間を省くことができる。また、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、電源負荷部610を駆動することができる蓄電量が従来と同じであれば、受電装置600の小型化及び軽量化が可能である。従って、トータルコストを減らすことができる。なお、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用し、受電装置用アンテナ回路602と二次電池604を重ねる場合は、二次電池604の充放電による二次電池604の形状の変化と、当該変形に伴うアンテナの形状の変化によって、受電装置用アンテナ回路602のインピーダンスが変化しないようにすることが好ましい。アンテナのインピーダンスが変化してしまうと、十分な電力供給がなされない可能性があるためである。例えば、二次電池604を金属製あるいはセラミックス製の電池パックに装填するようにすればよい。なお、その際、受電装置用アンテナ回路602と電池パックは数十μm以上離れていることが望ましい。また、充電用の信号の周波数に特に限定はなく、電力が伝送できる周波数であればどの帯域であっても構わない。充電用の信号は、例えば、135kHzのLF帯長波でも良いし、13.56MHzのHF帯でも良いし、900MHz~1GHzのUHF帯でも良いし、2.45GHzのマイクロ波帯でもよい。また、信号の伝送方式として電磁結合方式、電磁誘導方式、共鳴方式、マイクロ波方式など様々な種類があるが、適宜選択すればよい。ただし、雨や泥などの、水分を含んだ異物によるエネルギーの損失を抑えるためには、周波数が低い帯域、具体的には、短波である3MHz~30MHz、中波である300kHz~3MHz、長波である30kHz~300kHz、及び超長波である3kHz~30kHzの周波数を利用した電磁誘導方式や共鳴方式を用いることが望ましい。本実施の形態は、他の実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。