"第1の面と、その反対側に形成された第2の面と、発光層とを含む半導体層と、前記第2の面における前記発光層を有する領域に設けられたp側電極と、前記第2の面における前記発光層を含まない領域に設けられたn側電極と、前記第2の面側に設けられ、前記p側電極と電気的に接続されたp側金属ピラーと、前記第2の面側で前記p側金属ピラーに対して離間して設けられ、前記n側電極と電気的に接続されたn側金属ピラーと、少なくとも前記p側金属ピラーと前記n側金属ピラーとの間に設けられた絶縁材と、を備え、前記p側金属ピラーは、前記p側電極と接続された面とは異なる面で前記絶縁材から露出されたp側外部端子を有し、前記n側金属ピラーは、前記n側電極と接続された面とは異なる面であって、前記p側外部端子が露出する面と同一面で前記絶縁材から露出されたn側外部端子を有し、前記p側外部端子と前記n側外部端子とは、面積及び平面形状の少なくともいずれかが互いに異なることを特徴とする半導体発光装置。第1の面と、その反対側に形成された第2の面と、発光層とを含む半導体層と、前記第2の面における前記発光層を有する領域に設けられたp側電極と、前記第2の面における前記発光層を含まない領域に設けられたn側電極と、前記第2の面側に設けられ、前記p側電極と電気的に接続されたp側金属ピラーと、前記第2の面側で前記p側金属ピラーに対して離間して設けられ、前記n側電極と電気的に接続されたn側金属ピラーと、少なくとも前記p側金属ピラーと前記n側金属ピラーとの間に設けられた絶縁材と、を備え、前記p側金属ピラーは、前記p側電極と接続された面とは異なる面で前記絶縁材から露出されたp側外部端子を有し、前記n側金属ピラーは、前記n側電極と接続された面とは異なる面で前記絶縁材から露出されたn側外部端子を有し、前記p側外部端子と前記n側外部端子とは、面積及び平面形状の少なくともいずれかが互いに異なることを特徴とする半導体発光装置。前記p側外部端子の面積は、前記n側外部端子の面積よりも広いことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。前記p側外部端子及び前記n側外部端子の一方は第1の形状に形成され、他方は前記第1の形状の一部を欠損した第2の形状に形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記p側外部端子が前記第1の形状に形成され、前記n側外部端子が前記第2の形状に形成されていることを特徴とする請求項4記載の半導体発光装置。前記第1の形状は四角形であることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体発光装置。前記第2の形状は、前記四角形の一部の角を欠いた形状であることを特徴とする請求項6記載の半導体発光装置。前記p側外部端子及び前記n側外部端子は、同じ外形形状及び外形サイズを有し、前記p側外部端子及び前記n側外部端子の一方にスリットが形成されていることを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記p側外部端子と前記n側外部端子とは数が異なることを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記絶縁材は、前記p側金属ピラー及び前記n側金属ピラーのすべての側面を覆っていることを特徴とする請求項1~9のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記p側外部端子及び前記n側外部端子を含む実装面の外形は矩形状に形成され、その長手方向を2等分する中心線に対して対称に前記p側外部端子及び前記n側外部端子が配置されていることを特徴とする請求項1~10のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記第2の面側に設けられ、前記第p側電極に通じる第1のビアと、前記n側電極に通じる第2のビアとを有する絶縁層と、少なくとも前記第1のビア内に設けられ、前記p側電極と電気的に接続されたp側配線層と、前記p側配線層に対して離間して、前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側に形成された配線面に設けられ、且つ前記第2のビア内に設けられ、前記n側電極と電気的に接続されたn側配線層と、をさらに備え、前記p側金属ピラーは、前記p側配線層における前記第1のビアとの接触部に対して反対側の面に設けられ、前記n側金属ピラーは、前記n側配線層における前記第2のビアとの接触部に対して反対側の面に設けられたことを特徴とする請求項1~11のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記p側配線層の面積は、前記p側外部端子の面積よりも広いことを特徴とする請求項12記載の半導体発光装置。前記n側配線層の面積は、前記n側電極の面積よりも広いことを特徴とする請求項12または13に記載の半導体発光装置。前記p側配線層は、複数の前記第1のビアを介して、前記p側電極と接続されていることを特徴とする請求項12~14のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記p側金属ピラーは、前記p側配線層よりも厚いことを特徴とする請求項12~15のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記n側金属ピラーは、前記n側配線層よりも厚いことを特徴とする請求項12~16のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記p側外部端子と前記n側外部端子との間の距離は、前記p側配線層と前記n側配線層との間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項12~17のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記第1の面上に設けられ、前記発光層からの放出光に対して透明な透明体をさらに備えたことを特徴とする請求項1~18のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記透明体は、透明樹脂と、前記透明樹脂に分散された蛍光体とを含むことを特徴とする請求項19記載の半導体発光装置。実施形態によれば、外部端子の極性を識別可能な半導体発光装置を提供する。実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、p側電極と、n側電極と、p側金属ピラーと、n側金属ピラーと、絶縁材と、を備えている。前記半導体層は、第1の面と、その反対側に形成された第2の面と、発光層とを含む。前記p側電極は、前記第2の面における前記発光層を有する領域に設けられている。前記n側電極は、前記第2の面における前記発光層を含まない領域に設けられている。前記p側金属ピラーは、前記第2の面側に設けられ、前記p側電極と電気的に接続されている。前記n側金属ピラーは、前記第2の面側で前記p側金属ピラーに対して離間して設けられ、前記n側電極と電気的に接続されている。前記絶縁材は、少なくとも前記p側金属ピラーと前記n側金属ピラーとの間に設けられている。前記p側金属ピラーは、前記p側電極と接続された面とは異なる面で前記絶縁材から露出されたp側外部端子を有する。前記n側金属ピラーは、前記n側電極と接続された面とは異なる面で前記絶縁材から露出されたn側外部端子を有する。前記p側外部端子と前記n側外部端子とは、面積及び平面形状の少なくともいずれかが互いに異なる。以下、図面を参照し、実施形態について説明する。各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。なお、製造工程を表す図面においては、複数の半導体層15チップを含むウェーハの一部の領域を表している。図1aは、実施形態の半導体発光装置10の模式断面図である。図1bは、同半導体発光装置10におけるp側外部端子23a及びn側外部端子24aを含む実装面の模式平面図である。半導体発光装置10は半導体層15を有する。半導体層15は、第1の面15aと、その反対側に形成された第2の面を有する。第2の面側に電極及び配線層が設けられ、その反対側の第1の面15aから主として光が外部に放出される。半導体層15は、第1の半導体層11と第2の半導体層12を有する。第1の半導体層11及び第2の半導体層12は、いずれも例えば窒化物半導体を含む。第1の半導体層11は、例えば下地バッファ層、n型層などを含み、n型層は電流の横方向経路として機能する。第2の半導体層12は、発光層活性層13を、n型層とp型層とで挟んだ積層構造を有する。半導体層15の第2の面側は凹凸形状に加工されている。その第2の面側に形成された凸部は発光層13を含む。その凸部の表面である第2の半導体層12の表面には、p側電極16が設けられている。p側電極16は、発光層13を有する領域に設けられている。半導体層15の第2の面側において凸部の横には、第2の半導体層12がない領域が設けられ、その領域の第1の半導体層11の表面に、n側電極17が設けられている。n側電極17は、発光層13を含まない領域に設けられている。図5bに示すように、半導体層15の第2の面側において、発光層13を含む第2の半導体層12の面積は、発光層13を含まない第1の半導体層11の面積よりも広い。また、図6bに示すように、ひとつの半導体層15において、発光層13を含む領域に設けられたp側電極16の方が、発光層13を含まないn側電極17よりも面積が広い。これにより、広い発光領域が得られる。なお、図6bに示すp側電極16及びn側電極17のレイアウトは一例であって、これに限らない。半導体層15の第2の面側には、絶縁層18が設けられている。絶縁層18は、半導体層15、p側電極16及びn側電極17を覆っている。また、絶縁層18と半導体層15との間に別の絶縁膜例えばシリコン酸化膜が設けられることもある。絶縁層18は、例えば、微細開口のパターニング性に優れたポリイミド等の樹脂である。あるいは、絶縁層18としてシリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機物を用いてもよい。絶縁層18は、半導体層15に対する反対側に配線面18cを有する。その配線面18cには、p側配線層21とn側配線層22とが互いに離間して設けられている。p側配線層21は、p側電極16に達して絶縁層18に形成された第1のビア18a内にも設けられ、p側電極16と電気的に接続されている。なお、p側配線層21は必ずしも絶縁層18上に形成されなくてもよい。例えば、p側電極16上にだけp側配線層21が設けられた構造であってもよい。n側配線層22は、n側電極17に達して絶縁層18に形成された第2のビア18b内にも設けられ、n側電極17と電気的に接続されている。p側配線層21においてp側電極16に対する反対側の面には、p側金属ピラー23が設けられている。n側配線層22においてn側電極17に対する反対側の面には、n側金属ピラー24が設けられている。絶縁層18の配線面18c上には、絶縁材として樹脂層25が設けられている。樹脂層25は、p側配線層21及びn側配線層22を覆っている。樹脂層25は、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24のすべての側面を覆っている。p側金属ピラー23とn側金属ピラー24との間に、樹脂層25が充填されている。p側金属ピラー23におけるp側配線層21に対する反対側の面はp側外部端子23aとして機能する。n側金属ピラー24におけるn側配線層22に対する反対側の面はn側外部端子24aとして機能する。p側外部端子23a及びn側外部端子24aは、樹脂層25から露出され、実装基板に形成されたパッドに、はんだ、その他の金属、導電性材料等の接合材を介して接合される。実装面に露出するp側外部端子23aとn側外部端子24aとの間の距離は、絶縁層18の配線面18c上でのp側配線層21とn側配線層22との間の距離よりも大きい。すなわち、p側外部端子23aとn側外部端子24aとは、実装基板への実装時にはんだ等によって相互に短絡しない距離を隔てて離れている。p側配線層21の平面サイズは、p側外部端子23aの平面サイズよりも大きい。p側配線層21は、例えば銅などの低抵抗金属を用いて形成することができる。このため、p側配線層21の面積が広いほど第2の半導体層12に対して、より均一な分布で電流を供給することが可能となる。さらに、p側配線層21の熱伝導率も高くすることができ、第2の半導体層12で発生した熱を効率的に逃がすことも可能となる。p側電極16は、発光層13を含む領域に広がっている。したがって、複数の第1のビア18aを介してp側配線層21とp側電極16とを接続することで、発光層13への電流分布が向上し、且つ発光層13で発生した熱の放熱性も向上できる。n側配線層22とn側金属ピラー24とが接触する面積は、n側配線層22とn側電極17とが接触する面積より大きい。また、n側配線層22の一部は、絶縁層18の配線面18c上を、発光層13の下に重なる位置まで延在している。これにより、広い領域にわたって形成された発光層13によって高い光出力を得つつ、発光層13を含まない狭い領域に設けられたn側電極17から、n側配線層22を介して、より広い引き出し電極を形成できる。なお、p側配線層21とp側金属ピラー23とが接触する面積は、p側配線層21とp側電極16とが接触する面積より大きい場合もあるし、小さい場合もある。第1の半導体層11は、n側電極17及びn側配線層22を介してn側金属ピラー24と電気的に接続されている。発光層13を含む第2の半導体層12は、p側電極16及びp側配線層21を介してp側金属ピラー23と電気的に接続されている。p側金属ピラー23はp側配線層21よりも厚く、n側金属ピラー24はn側配線層22よりも厚い。このため、半導体層15を支持する基板がなくても、p側金属ピラー23、n側金属ピラー24およびそれらの間を充填した樹脂層25によって、半導体発光装置10の機械的強度を高めることができる。p側配線層21、n側配線層22、p側金属ピラー23およびn側金属ピラー24の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材料との優れた密着性が得られる。樹脂層25は、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24を補強する。樹脂層25は、実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂層25として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24のそれぞれの厚み図1aにおいて上下方向の厚みは、半導体層15、p側電極16、n側電極17および絶縁層18を含む積層体の厚みよりも厚い。各金属ピラー23、24のアスペクト比平面サイズに対する厚みの比は1以上であることに限らず、その比は1よりも小さくてもよい。すなわち、金属ピラー23、24は、その平面サイズよりも厚みが小さくてもよい。本実施形態によれば、半導体層15が薄く、なおかつ半導体層15を支持する基板がなくても、p側金属ピラー23、n側金属ピラー24および樹脂層25を厚くすることで機械的強度を保つことが可能となる。また、半導体発光装置10を実装基板に実装した状態で、はんだ等を介して半導体層15に加わる応力を、p側金属ピラー23とn側金属ピラー24が吸収することで緩和することができる。半導体層15の第1の面15a上には、発光層13からの放出光に対して透明な透明体として、レンズ26及び蛍光体層27が設けられている。レンズ26は第1の面15a上に設けられ、そのレンズ26を覆うように蛍光体層27が設けられている。蛍光体層27は、透明樹脂と、透明樹脂に分散された蛍光体とを含む。蛍光体層27は、発光層13からの放出光を吸収し波長変換光を放出可能である。このため、半導体発光装置10は、発光層13からの光と、蛍光体層27における波長変換光との混合光を放出可能である。例えば、発光層13が窒化物半導体、蛍光体が黄色光を発光する黄色蛍光体とすると、発光層13からの青色光と、蛍光体層27における波長変換光である黄色光との混合色として、白色または電球色などを得ることができる。なお、蛍光体層27は、複数種の蛍光体例えば、赤色光を発光する赤色蛍光体と、緑色光を発光する緑色蛍光体を含む構成であってもよい。発光層13から発光された光は、主に、第1の半導体層11、第1の面15a、レンズ26および蛍光体層27を進んで、外部に放出される。なお、蛍光体層27の上にレンズ26を設けてもよい。また、図15aに示すように、レンズを設けなくてもよい。実装時、半導体発光装置10のアノードとカソードの識別が要求される。本実施形態の半導体発光装置10は、後述するように、前述した各要素をウェーハ状態で一括して形成する。そのウェーハにおける一方の面が光放出面であり、その反対側の他方の面が実装面となる。特に、光放出面に蛍光体層27を設けた構造においては、その下の要素の視認性が悪い。したがって、光放出面側からp側電極16とn側電極17を識別することは難しい。また、光放出面側に、識別マークを設けることは、発光特性への影響が懸念される。また、実装面側には樹脂層25、p側外部端子23aおよびn側外部端子24aが設けられているため、実装面側からp側電極16とn側電極17を識別することも難しい。また、半導体発光装置の側面に識別マークを設けることも考えられる。しかし、この場合、ウェーハ状態から個片化した後に、個々の半導体発光装置の側面に対して加工することになるので、製造効率が非常に悪い。そこで、本実施形態では、p側外部端子23aとn側外部端子24aとの間で、面積及び平面形状の少なくともいずれかが互いに異なるようにしている。p側外部端子23a及びn側外部端子24aは、ウェーハの他方の面側に設けられる。そのため、ウェーハ状態で複数の半導体発光装置に対して一括してp側外部端子23aとn側外部端子24aの面積や平面形状を任意にデザインすることが可能となる。したがって、生産性の低下をまねかない。具体的には、p側外部端子23a及びn側外部端子24aの一方は第1の形状に形成され、他方はその第1の形状の一部を欠損した第2の形状に形成されている。さらに具体的には、図1bに示すように、p側外部端子23aが四角形に形成され、n側外部端子24aがその四角形の一部の角を欠いた形状に形成されている。これにより、実装工程において、アノード端子であるp側外部端子23aと、カソード端子であるn側外部端子24aとを、画像認識もしくは目視にて瞬時に判別することができる。また、発光層13に接続されたp側外部端子23aの方が、n側外部端子24aよりも高い放熱性が要求される。したがって、p側外部端子23aの面積はn側外部端子24aの面積よりも広いほうが望ましい。すなわち、n側外部端子24aのほうを、一部を欠いた形状にするのが望ましい。また、図1bに示すように矩形の実装面では、実装時に短辺方向に半導体発光装置が傾く懸念がある。p側外部端子23a及びn側外部端子24aのデザインには、実装時の安定性も要求される。そのため、図1bに示すように、矩形状の実装面の長手方向を2等分する中心線cに対して対称に、p側外部端子23a及びn側外部端子24aをレイアウトすることが望ましい。さらに、p側外部端子23aとn側外部端子24aとの外形形状及び面積差はなるべく小さい方が実装時の安定性に優れる。図1bに示すように、p側外部端子23a及びn側外部端子24aの一方を四角形にし、他方をその四角形の一部の角を欠いた形状にすることで、p側外部端子23aとn側外部端子24a間で外形形状および面積をそれほど変えることなく、p側外部端子23aとn側外部端子24aとの識別性を高めたデザインを実現できる。一部の角を欠いた部分を除いて、n側外部端子24aはp側外部端子23aと、外形形状、外形サイズおよび面積が同じである。p側外部端子23a及びn側外部端子24aの平面形状は、円形や楕円形でもよい。ただし、同じ実装面で比較した場合、四角形の方が円形や楕円形よりもp側外部端子23a及びn側外部端子24aの面積を大きくできる。次に、図3a~図14bを参照して、実施形態の半導体発光装置10の製造方法について説明する。工程を表す図面においては、ウェーハ状態における一部の領域を表す。図3aは、基板5の主面上に、第1の半導体層11及び第2の半導体層12を形成した積層体を示す。図3bは、図3aにおける下面図に対応する。基板5の主面上に第1の半導体層11が形成され、その上に発光層13を含む第2の半導体層12が形成される。第1の半導体層11及び第2の半導体層12が例えば窒化物系半導体の場合、それらは例えばサファイア基板上にMOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition法で結晶成長させることができる。例えば、第1の半導体層11は、下地バッファ層、n型GaN層を含む。第2の半導体層12は、発光層活性層13、p型GaN層を含む。発光層13は、青、紫、青紫、紫外光などを発光するものを用いることができる。第1の半導体層11における基板5に接する面が、半導体層15の第1の面15aであり、第2の半導体層12の表面が半導体層15の第2の面15bである。次に、図示しないレジストを用いた例えばRIEReactiveIonEtching法で、図4a及びその下面図である図4bに示すように、ダイシング領域d1、d2に、半導体層15を貫通して基板5に達する溝を形成する。ダイシング領域d1、d2は、ウェーハ状態の基板5上で例えば格子状に形成される。ダイシング領域d1、d2に形成された溝も格子状に形成され、半導体層15を複数のチップに分離する。なお、半導体層15を複数に分離する工程は、後述する第2の半導体層12の選択的除去後、あるいは電極の形成後に行ってもよい。次に、図示しないレジストを用いた例えばRIE法で、図5a及びその下面図である図5bに示すように、第2の半導体層12の一部を除去して、第1の半導体層11の一部を露出させる。第1の半導体層11が露出された領域は、発光層13を含まない。次に、図6a及びその下面図である図6bに示すように、第2の面にp側電極16とn側電極17を形成する。p側電極16は、第2の半導体層12の表面に形成される。n側電極17は、第1の半導体層11の露出面に形成される。p側電極16及びn側電極17は、例えば、スパッタ法、蒸着法等で形成される。p側電極16とn側電極17は、どちらを先に形成してもよいし、同じ材料で同時に形成してもよい。p側電極16は、発光層13からの放出光に対して反射性を有する、例えば、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等を含む。また、p側電極16の硫化、酸化防止のため、金属保護膜を含む構成であってもよい。また、p側電極16とn側電極17との間や、発光層13の端面側面にパッシベーション膜として、例えばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜をCVDchemicalvapordeposition法で形成してもよい。また、各電極と半導体層とのオーミックコンタクトをとるための活性化アニールなどは必要に応じて実施される。次に、図7aに示すように、基板5の主面上の露出している部分すべてを絶縁層18で覆った後、例えばウェットエッチングにより絶縁層18をパターニングし、絶縁層18に選択的に第1のビア18aと第2のビア18bを形成する。第1のビア18aは複数形成される。各々の第1のビア18aはp側電極16に達する。第2のビア18bはn側電極17に達する。絶縁層18としては、例えば、感光性ポリイミド、ベンゾシクロブテンBenzocyclobuteneなどの有機材料を用いることができる。この場合、レジストを使わずに、絶縁層18に対して直接露光及び現像が可能である。あるいは、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜などの無機膜を絶縁層18として使用してもよい。無機膜の場合、レジストをパターニングした後のエッチングによって所望の形状が得られる。次に、絶縁層18における半導体層15に対する反対側の面である配線面18cに、図7bに示すように、シードメタル19を形成する。シードメタル19は、第1のビア18aの内壁及び底部と、第2のビア18bの内壁及び底部にも形成される。シードメタル19は、例えばスパッタ法で形成される。シードメタル19は、例えば、絶縁層18側から順に積層されたチタンTiと銅Cuとの積層膜を含む。次に、図7cに示すように、シードメタル19上に選択的にレジスト41を形成し、シードメタル19を電流経路としたCu電解メッキを行う。これにより、図8a及びその下面図である図8bに示すように、絶縁層18の配線面18c上に、選択的にp側配線層21とn側配線層22が形成される。p側配線層21及びn側配線層22はメッキ法により同時に形成される例えば銅材料からなる。p側配線層21は、第1のビア18a内にも形成され、シードメタル19を介してp側電極16と電気的に接続される。n側配線層22は、第2のビア18b内にも形成され、シードメタル19を介してn側電極17と電気的に接続される。p側配線層21は、プロセス上の限界まで、n側再配線層22に近づけることができ、p側配線層21の面積を広くできる。この結果、p側配線層21とp側電極16とを複数の第1のビア18aを通じて接続させることができ、電流分布及び放熱性を向上できる。p側配線層21及びn側配線層22のメッキに使ったレジスト41は、溶剤もしくは酸素プラズマを使って、除去される。次に、図9a及びその下面図である図9bに示すように、金属ピラー形成用のレジスト42を形成する。レジスト42は、前述のレジスト41よりも厚い。なお、前の工程でレジスト41は除去せずに残し、そのレジスト41にレジスト42を重ねて形成してもよい。レジスト42には、第1の開口42aと第2の開口42bが形成されている。図9bに示すように、例えば、第1の開口42aの平面形状は四角形であり、第2の開口42bの平面形状は、第1の開口42aの四角形の一部の角を欠いた形状である。そして、レジスト42をマスクに用いて、シードメタル19を電流経路としたCu電解メッキを行う。これにより、図10a及びその下面図である図10bに示すように、p側金属ピラー23とn側金属ピラー24が形成される。p側金属ピラー23は、レジスト42に形成された第1の開口42a内であって、p側配線層21の表面に形成される。n側金属ピラー24は、レジスト42に形成された第2の開口42b内であって、n側配線層22の表面に形成される。p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24は、メッキ法により同時に形成される例えば銅材料からなる。レジスト42の第1の開口42aの平面形状にしたがって、p側外部端子23aの平面形状は四角形になる。レジスト42の第2の開口42bの平面形状にしたがって、n側外部端子24aの平面形状は、p側外部端子23aの四角形の一部の角を欠いた形状になる。すなわち、レジスト42のパターニングによって、ウェーハ状態で複数のp側外部端子23a及びn側外部端子24aを一括して適切なデザインに形成できる。個片化された個々のデバイスごとに、アノードとカソードとを識別するためのマークを設ける必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。次に、レジスト42は、例えば溶剤もしくは酸素プラズマを用いて除去される図11a。この後、p側金属ピラー23、n側金属ピラー24、およびp側金属ピラー23からはみ出しているp側配線層21の一部をマスクにして、シードメタル19の露出している部分をウェットエッチングにより除去する。これにより、図11bに示すように、p側配線層21とn側配線層22とのシードメタル19を介した電気的接続が分断される。次に、図12aに示すように、絶縁層18に対して樹脂層25を積層させる。樹脂層25は、p側配線層21、n側配線層22、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24を覆う。樹脂層25は、絶縁性を有する。また、樹脂層25に、例えばカーボンブラックを含有させて、発光層からの放出光に対して遮光性を付与させてもよい。また、樹脂層25に、発光層からの放出光に対する反射性を有する粉末を含有させてもよい。次に、図12bに示すように、基板5を除去する。基板5は、例えばレーザーリフトオフ法によって除去される。具体的には、基板5の裏面側から第1の半導体層11に向けてレーザ光が照射される。レーザ光は、基板5に対して透過性を有し、第1の半導体層11に対しては吸収領域となる波長を有する。レーザ光が基板5と第1の半導体層11との界面に到達すると、その界面付近の第1の半導体層11はレーザ光のエネルギーを吸収して分解する。例えば、第1の半導体層11がGaNの場合、ガリウムGaと窒素ガスに分解する。この分解反応により、基板5と第1の半導体層11との間に微小な隙間が形成され、基板5と第1の半導体層11とが分離する。レーザ光の照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板5を除去する。第1の面15a上から基板5が除去されることで、光取り出し効率の向上を図れる。基板5の主面上に形成された前述した積層体は、厚い樹脂層25によって補強されているため、基板5がなくなっても、ウェーハ状態を保つことが可能である。また、樹脂層25も、配線層及び金属ピラーを構成する金属も、半導体層15に比べて柔軟な材料である。そのため、基板5上に半導体層15を形成するエピタキシャル工程で発生した大きな内部応力が、基板5の剥離時に一気に開放されても、デバイスが破壊されることを回避できる。基板5が除去された半導体層15の第1の面15aは洗浄される。例えば、塩酸等で、第1の面15aに付着したガリウムGaを除去する。また、例えば、KOH水酸化カリウム水溶液やTMAH水酸化テトラメチルアンモニウム等で、第1の面15aをエッチングする。これにより、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いによって、第1の面15aに凹凸が形成される図13a。あるいは、レジストでパターニングした後にエッチングを行って、第1の面15aに凹凸を形成してもよい。第1の面15aに凹凸が形成されることで、光取り出し効率を向上できる。次に、図13bに示すように、第1の面15a上にレンズ26を形成する。レンズ26は、発光層からの放出光に対して透明であり、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ガラスなどを用いることができる。レンズ26は、例えば、グレースケールマスクを用いたエッチングや、インプリント法によって形成することができる。次に、レンズ26を覆うように、第1の面15a上および隣り合う半導体層15間で露出している絶縁層18上に、蛍光体層27を形成する。例えば、蛍光体粒子が分散された液状の透明樹脂を、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法によって供給した後、熱硬化させる。透明樹脂は、発光層からの放出光及び蛍光体が発する光に対する透過性を有し、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、液状ガラスなどの材料を用いることができる。次に、樹脂層25の表面を研削し、p側外部端子23a及びn側外部端子24aを露出させる。そして、図14a及びbに示すように、格子状に形成されたダイシング領域d1、d2の位置で、蛍光体層27、絶縁層18及び樹脂層25を切断し、複数の半導体発光装置10に個片化する。例えば、ダイシングブレードを用いて切断する。あるいは、レーザ照射によって、切断してもよい。ダイシング時、基板5はすでに除去されている。さらに、ダイシング領域d1、d2には、半導体層15は存在しないため、ダイシング時に半導体層15が受けるダメージを回避することができる。また、個片化後に、半導体層15の端部側面が樹脂で覆われて保護された構造が得られる。なお、個片化された半導体発光装置10は、ひとつの半導体層15を含むシングルチップ構造でも、複数の半導体層15を含むマルチチップ構造であってもよい。ダイシングされる前までの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線及びパッケージングが済んでいる。このため、生産性を高めることができ、その結果として価格低減が容易となる。また、図15bに示すように、第1の面15aに基板5を薄く残してもよい。例えば、半導体ウェーハ裏面研削用のグラインダーなどを用いて基板5を研削することができる。基板5は、例えばサファイア基板であり、窒化物半導体系の発光層から放出される光に対して透過性を有する。この場合、蛍光体層がないため、発光層からの放出光と同じ波長の光が、半導体発光装置から外部へと放出される。もちろん、基板5上に蛍光体層を形成してもかまわない。基板5を残すことで、機械的強度を高めることができ、信頼性の高い構造とすることができる。ダイシングする際には、樹脂層25側からダイシングブレードでハーフカットした後、基板5をレーザ照射によって分割することができる。あるいは、すべての部分をレーザ照射によって切断してもよい。図2a~図2dは、p側外部端子23aとn側外部端子24aの他のデザイン例を示す。図2aに示すように、n側外部端子24aは、四角形における2箇所の角を欠いた形状であってもよい。この場合でも、p側外部端子23aとn側外部端子24a間で外形形状および面積をそれほど変えることなく、p側外部端子23aとn側外部端子24aとの識別性を高めたデザインを実現できる。また、図2bに示すように、p側外部端子23a及びn側外部端子24aは、同じ外形形状及び外形サイズを有し、p側外部端子23a及びn側外部端子24aの一方にスリットsを形成したデザインであってもよい。図2bでは、n側外部端子24aがスリットsによって実装面の短辺方向に2等分されている。スリットsによって分割された2つのn側外部端子24aの外形形状及び面積を同じにすることで、実装時における実装面の短辺方向の応力をバランスさせ、安定して実装できる。図2bの形態でも、p側外部端子23aとn側外部端子24a間で外形形状および面積をそれほど変えることなく、p側外部端子23aとn側外部端子24aとの識別性を高めたデザインを実現できる。また、p側外部端子23aとn側外部端子24aとは、数も異なるため、識別性がより高まる。また、図2cに示すように、p側外部端子23aもスリットsによって実装面の短辺方向に2等分してもよい。この場合、p側外部端子23aとn側外部端子24aとを識別するため、例えば2つあるn側外部端子24aのうちの1つのn側外部端子24aの角を欠いている。また、図2dに示すように、p側外部端子23aとn側外部端子24aとで数を変え、なおかつ個々のp側外部端子23aと個々のn側外部端子24aとで面積を変えてもよい。図2dの場合、1つのn側外部端子24aと、2つのp側外部端子23aが設けられている。さらに、個々のp側外部端子23aはn側外部端子24aよりも面積が大きい。このため、発光層13に接続されるp側外部端子23aの放熱性をより高めることができる。前述した蛍光体層としては、以下に例示する赤色蛍光体層、黄色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色蛍光体層を用いることができる。赤色蛍光体層は、例えば、窒化物系蛍光体CaAlSiN3:Euやサイアロン系蛍光体を含有することができる。サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、M1-x,Rxa1AlSib1Oc1Nd1組成式1MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7を用いることができる。組成式1で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。黄色蛍光体層は、例えば、シリケート系蛍光体Sr,Ca,Ba2SiO4:Euを含有することができる。緑色蛍光体層は、例えば、ハロ燐酸系蛍光体Ba,Ca,Mg10PO46Cl2:Euやサイアロン系蛍光体を含有することができる。サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、M1-x,Rxa2AlSib2Oc2Nd2組成式2MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11を用いることができる。組成式2で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。青色蛍光体層は、例えば、酸化物系蛍光体BaMgAl10O17:Euを含有することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"