"a-1:周波数ω0の励起光光源を座標xp,yp,zpにおき、光源から放射された光の測定試料構造中における強度分布を計算するステップと、a-2:試料内各点に、各点の励起光の強度に応じた強度の信号光を発する周波数ωsの光源を置くステップと、a-3:顕微分光システムの対物レンズがあると想定する領域で、試料構造中におかれた各光源から到達した光の強度を周波数毎に積分し、検出される信号光強度Ixp,yp,zp,ωsを求めるステップと、a-4:励起光源の位置を逐次移動し、励起光源の各位置に対して上記計算プロセスを繰り返すステップと、a-5:各励起光源の位置xp,yp,zpに対するIxp,yp,zp,ωsのマップデータを作成するステップと、からなる顕微分光測定シミュレーション法。b-1:励起光光源を座標xp,yp,zpに周波数ω0の光源をおき、光源から放射された光の、測定試料構造中の強度分布を計算するステップと、b-2:b-1で求めた試料中の励起光強度を用いて、試料の各点が放射する信号光、すなわちラマン散乱光強度を計算するステップと、ただし、この時、ラマン散乱光の周波数ωsは、偏光配置から決まるラマン散乱に関与するフォノンモードの値を予め与えておく、b-3:試料内の各点にb-2で求めた強度、周波数のラマン散乱光を放射する光源を置き、顕微ラマン測定システムの対物レンズがあると想定する領域で、各ラマン散乱光源から到達した光の強度を周波数毎に積分することにより、顕微ラマンシステムで検出されるラマン散乱光,ωsのスペクトルIxp,yp,zp,ωsを求めるステップと、b-4:励起光源の位置を逐次移動し、b-1からb-3までの手順を繰り返すステップと、b-5:各励起光光源の位置xp,yp,zpに対して検出されるラマン散乱スペクトルIxp,yp,zp,ωsを計算しマップデータを作成するステップと、からなる顕微分光測定シミュレーション法。上記b-2のステップで、さらに、試料の各点の歪みテンソルを計算し、試料のもつ歪みを反映したラマン散乱のシフト量を計算し、ラマン散乱光の波数を決めるようにしたことを特徴とする請求項2記載の顕微分光測定シミュレーション法。上記a-1のステップで、さらに、励起光光源の偏光方向を設定し、上記a-2のステップで、さらに、検出する信号光源の偏光方向を設定することにより、偏光方向を制御した光学配置で行う計測過程をシミュレートできるようにしたことを特徴とする請求項1記載の顕微分光測定シミュレーション法。上記b-1のステップで、さらに、励起光光源の偏光方向を設定し、上記b-2のステップで、さらに、検出するラマン散乱光光源の偏光方向を設定し、ラマンテンソルを用いて、各点が放射する散乱光の強度を計算することにより、偏光方向を制御した光学配置で行うラマン散乱計測過程をシミュレートできるようにしたことを特徴とする請求項2記載の顕微分光測定シミュレーション法。上記信号光の光源は、ωsをピークとし、スペクトル幅を持った光源を置くことを特徴とする請求項1又は2記載の顕微分光測定シミュレーション法。上記スペクトル幅は、ローレンツ関数又は、ガウス関数、又はフォークト関数に従って幅を持たせたスペクトルを与えることを特徴とする請求項6記載の顕微分光測定シミュレーション法。上記信号光の光源は、単色光を置き、かつ、上記対物レンズがあると想定する領域で積分する際に、各点から来た光にスペクトル幅を持たせてから積分するようにしたことを特徴とする請求項1又は2記載の顕微分光測定シミュレーション法。FDTD法を用いて上記光源から放射された光の測定試料構造中における強度分布を計算することを特徴とする請求項1又は2記載の顕微分光測定シミュレーション法。有限要素法を用いて上記歪みテンソルを計算することを特徴とする請求項3記載の顕微分光測定シミュレーション法。しかしながら、顕微ラマン散乱法を用いた応力分布計測法は、空間分解能が光の回折限界によって制限されており、その空間分解能は、ナノデバイスの評価に十分であるとは言えない。さらに、応力は、6つの独立な成分をもつテンソル量なので、ラマンシフトの計測だけからでは、定量的な応力分布解析、つまり、各テンソル成分の値を求めることは不可能であるという問題点があった。したがって、ラマン散乱の結果から応力テンソルを求めるためには、応力シミュレーションの結果とラマン散乱測定の結果を精密に比較、解析する必要がある。応力シミュレーションを用いたラマン散乱応力分布解析は、以下のようなプロセスで行われてきた。有限要素法等で、デバイス構造における応力分布を計算し、各位置における応力歪みテンソルの値から対応するラマンシフトの大きさを計算する。こうして得られたラマンシフトの分布をラマン散乱の実測データと比較することにより、実際の応力を推定するというものである。しかし、これは、単にデバイス構造における応力分布をラマンスペクトルの分布に置き換えただけのもので計測装置が有限の空間分解能を持つこと等、実際の測定システムの特性は、反映されておらず、ラマン計測の結果と応力計算の結果を精密に比較することは困難であった。また、微細な構造領域においては、測定試料中の励起光の強度分布は、偏光方向に大きく依存するため、その強度分布をきちんと反映させて計算しなければ、微細構造の顕微分光の測定過程を精密にシミュレートできない。さらに、ラマン散乱では、偏光配置によって検出するフォノンモードが異なることがあるが、そのような特性を反映させることも不可能であった。上記課題を解決するために、本発明で我々が提案するシステムの特徴は、顕微分光計測プロセスをシミュレートすることにより、測定されたデータを精密に再現し、ナノデバイスの定量的な応力分布解析を可能にするものである。具体的には、本発明は、a-1:周波数ω0の励起光光源を座標xp,yp,zpにおき、光源から放射された光の測定試料構造中における強度分布を計算するステップと、a-2:試料内各点に、各点の励起光の強度に応じた強度の信号光を発する周波数ωsの光源を置くステップと、a-3:顕微分光システムの対物レンズがあると想定する領域で、試料構造中におかれた各光源から到達した光の強度を周波数毎に積分し、検出される信号光強度Ixp,yp,zp,ωsを求めるステップと、a-4:励起光源の位置を逐次移動し、励起光源の各位置に対して上記計算プロセスを繰り返すステップと、a-5:各励起光源の位置xp,yp,zpに対するIxp,yp,zp,ωsのマップデータを作成するステップと、からなる顕微分光測定シミュレーションである。また、本発明は、b-1:励起光光源を座標xp,yp,zpに周波数ω0の光源をおき、光源から放射された光の、測定試料構造中の強度分布を計算するステップと、b-2:b-1で求めた試料中の励起光強度を用いて、試料の各点が放射する信号光、すなわちラマン散乱光強度を計算するステップと、ただし、この時、ラマン散乱光の周波数ωsは、偏光配置から決まるラマン散乱に関与するフォノンモードの値を予め与えておく、b-3:試料内の各点にb-2で求めた強度、周波数のラマン散乱光を放射する光源を置き、顕微ラマン測定システムの対物レンズがあると想定する領域で、各ラマン散乱光源から到達した光の強度を周波数毎に積分することにより、顕微ラマンシステムで検出されるラマン散乱光,ωsのスペクトルIxp,yp,zp,ωsを求めるステップと、b-4:励起光源の位置を逐次移動し、b-1からb-3までの手順を繰り返すステップと、b-5:各励起光光源の位置xp,yp,zpに対して検出されるラマン散乱スペクトルIxp,yp,zp,ωsを計算しマップデータを作成するステップと、からなる顕微分光測定シミュレーション法である。また、本発明は、上記顕微分光測定シミュレーション法において、上記b-2のステップで、さらに、試料の各点の歪みテンソルを計算し、試料のもつ歪みを反映したラマン散乱のシフト量を計算し、ラマン散乱光の波数を決めるようにしたことを特徴とする。また、本発明は、上記顕微分光シミュレーション法において、上記a-1のステップで、さらに、励起光光源の偏光方向を設定し、上記a-2のステップで、さらに、検出する信号光源の偏光方向を設定することにより、偏光方向を制御した光学配置で行う計測過程をシミュレートできるようにしたことを特徴とする。また、本発明は、上記顕微分光測定シミュレーション法において、上記b-1のステップで、さらに、励起光光源の偏光方向を設定し、上記b-2のステップで、さらに、検出するラマン散乱光光源の偏光方向を設定し、ラマンテンソルを用いて、各点が放射する散乱光の強度を計算することにより、偏光方向を制御した光学配置で行うラマン散乱計測過程をシミュレートできるようにしたことを特徴とする。また、本発明は、上記顕微分光測定シミュレーション法において、上記信号光の光源は、ωsをピークとし、スペクトル幅を持った光源を置くことを特徴とする。また、本発明は、上記顕微分光測定シミュレーション法において、上記スペクトル幅は、ローレンツ関数又は、ガウス関数、又はフォークト関数に従って幅を持たせたスペクトルを与えることを特徴とする。また、本発明は、上記顕微分光測定シミュレーション法において、上記信号光の光源は、単色光を置き、かつ、上記対物レンズがあると想定する領域で積分する際に、各点から来た光にスペクトル幅を持たせてから積分するようにしたことを特徴とする。また、本発明は、上記顕微分光測定シミュレーション法において、FDTD法を用いて上記光源から放射された光の測定試料構造中における強度分布を計算することを特徴とする。また、本発明は、上記顕微分光測定シミュレーション法において、有限要素法を用いて上記歪みテンソルを計算することを特徴とする。本発明の顕微分光測定シミュレーション法によれば、従来は不可能であった、顕微ラマン散乱測定などで、偏光方向の違いの効果等をシミュレートできるようになり、測定結果をより正確にシミュレートできるようになる。この結果、Siデバイス中の応力分布効果をより高い精度で評価することが可能となる。本発明では、一般的な顕微分光計測をシミュレートするために、以下のプロセスを行う。a-1:周波数ω0の励起光光源を座標xp,yp,zpにおき、光源から放射された光の測定試料構造中における強度分布を計算する。この時、光源はシステムの空間分解能に応じたサイズを持たせる。また、測定に使う励起光の偏光方向を光源に設定する。a-2:試料内各点に、各点の励起光の強度に応じた強度の信号光を発する周波数ωsの光源を置く。光源の偏光方向は、検出する偏光方向を同じ方向に設定する。a-3:試料構造中におかれた各光源から放射されて顕微分光システムの対物レンズがあると想定する領域に到達した光の強度を周波数毎に積分し、検出される信号光強度Ixp,yp,zp,ωsを求める。a-4:励起光源の位置を逐次移動し、励起光源の各位置に対して上記計算プロセスを繰り返す。a-5:各励起光源の位置xp,yp,zpに対するIxp,yp,zp,ωsのマップデータを作成する。上記は、一般的に顕微分光計測をシミュレートする手順であるが、顕微ラマン計測をシミュレートするときは、下記のようになる。b-1:励起光光源を座標xp,yp,zpに周波数ω0の光源をおき、光源から放射された光の、測定試料構造中の強度分布を計算する。この時、光源はシステムの空間分解能に応じた大きさを持たせる。また、測定に使う励起光の偏光方向と同じ方向に偏光方向を設定する。b-2:b-1で求めた試料中の励起光強度を用いて、試料の各点が放射する信号光、すなわちラマン散乱光強度を計算する。この時、ラマン散乱光の周波数ωsは、偏光配置から決まるラマン散乱に関与するフォノンモードの値を予め与えておく。歪みが入った試料の場合は、試料の各点の歪みテンソルを計算し、試料の歪み量から決まるラマン散乱光の周波数シフト量を計算し、ラマン散乱光の周波数を決める。光源の偏光方向は、検出する偏光方向を同じ方向に設定する。b-3:試料内の各点にb-2で求めた強度、周波数のラマン散乱光を放射する光源を置き、顕微ラマン測定システムの対物レンズがあると想定する領域に、各ラマン散乱光源から到達した光の強度を周波数毎に積分することにより、顕微ラマンシステムで検出されるラマン散乱光,ωs,のスペクトルIxp,yp,zp,ωsを求める。b-4:励起光源の位置を逐次移動していき、b-1からb-3までの手順を繰り返す。b-5:各励起光光源の位置xp,yp,zpに対して検出されるラマン散乱スペクトルIxp,yp,zp,ωsを計算しマップデータを作成する。これにより、計測装置が有限の空間分解能を持つことや、測定時の偏光配置を反映したシミュレーションが可能となる。ここで、ラマンスペクトル等の実際の光学信号はスペクトル幅を持つため、a-2や、b-2で、信号光の光源を与える時、単色光源ではなく、ローレンツ曲線、ガウス関数、フォークト関数等によるスペクトル幅を持たせた光源を設定する、或いは、a-3、b-3の信号光を検出する段階でローレンツ曲線、ガウス関数、フォークト関数等によるスペクトル幅を持たることにより、さらに正確に測定信号を再現できるようになる。図1のように、Si基板上に、高さ100nm、ゲート長150nm、ゲート幅4000nmのメタルゲートをシミュレートする構造を設定する。メタルゲートの材質はタングステンとする。この構造で、メタルゲートから受ける応力の影響を、顕微ラマン分光で測定する過程をシミュレートする。まず、タングステンゲートに初期応力2GPaを与え、その応力緩和を有限要素法で計算する。次に、図2に示すようなゲート中央部での断面で、FDTD法時間領域差分法による2次元の電磁場解析を用いたラマンシミュレーションを行う。ゲート側壁に垂直な方向をx、高さ方向をy、紙面に垂直な方向をzとする。x方向はSiの結晶方位の[110]、yは[001]、zは[1-10]の方向であるとする。x方向の偏光で励起し、x方向の偏光のラマン信号光を検出する過程xx偏光配置及び、z方向の偏光で励起し、z方向の偏光のラマン信号光を検出する過程zz偏光配置のシミュレートを行う。具体的な過程は、以下のようである。最初に、xx偏光配置の場合の例を示す。1:波長364nmで強度Pwxの励起光光源を、ゲート上方100nmのlineA上に置く。光源は、幅150nmの平面波光源で、中心のx座標はx=xpとする。励起光の偏光方向は、x方向とする。2:図2に示すように、Pwxpから発した励起光の、Si表面から2nm下のlineB上に20nm間隔で配置した点Psxiにおける強度Iexi,xpを、FDTD法を用いて計算する。3:各点Psxiにおいて、有限要素法によって計算した歪みテンソルを用いて、ラマン散乱に関与するSiの3つのフォノンモードの周波数を計算し、各モードに対応するラマン散乱光の周波数ωαα=1,2,3を計算する。また、応力がかかった状態での各点におけるSiのラマンテンソルを計算する。なお、ラマン散乱光の周波数、ラマンテンソルを求める方法は、非特許文献1,2,3に記載されている。4:Psxi各点での励起光強度Iexi,xpと、3で求めたラマンテンソルを用いて、周波数ωαで、x偏光のラマン散乱光強度Isxi,xp,ωαを計算する。ラマンテンソルを用いてラマン散乱光強度を求める方法は、非特許文献1,2,3に記載されている。5:4で求めた強度Isxi,xp,ωα、周波数ωα、偏光方向xの点光源を各Psxiの位置におく。6:図2に示すように、FDTD法を用い、各Psxiから発した光がSi表面から200nm上方の直線lineCの点Ptxkに到達した光の強度Itxk,xi,xp,ωαを求め、ω1,ω2,ω3の周波数毎に線上で積分した強度TLxp,ωαを求める。TLxp,ωα=Σi,kItxk,xi,xp,ωαi,kについて和をとる7:Siのラマンスペクトルは、通常ローレンツ曲線なので、最終的に検出されるラマンスペクトルを以下の式のように求める。Iω,xp=TLxp,ω1/[ω-ω12w12]TLxp,ω2/[ω-ω22w22]TLxp,ω3/[ω-ω12w32]ここで、w1,w2,w3は、各モードのラマンスペクトルの幅で、Siの場合、通常全半値幅が2cm-1程度なので、ここでは、w1=w2=w3=1cm-1とする。8:励起光光源の位置xpを移動させ、各位置において同様の計算を行い、Iω,xpを求める。これにより、顕微ラマン分光で、励起光のスポット位置を走査して、マッピングを行う過程をシミュレートすることになる。9:zz偏光配置をシミュレートするには、励起光とラマン散乱光の光源の偏光方向をzとして、1-8の計算を行えばよい。図3に上記のようにして求めたラマンスペクトルのマッピング図を示す。横軸は、励起光光源の位置のx座標、縦軸は、無応力時のラマンピークからのシフト量である。x=0nmがゲートエッジ、x=75nmがゲート中央の位置に対応する。図からわかるようにxx偏光配置の方が、zz偏光配置よりもゲートエッジ近傍の強度が強いことがわかる。これは、ゲート側壁に平行なz偏光で励起した時は、ゲート側壁近傍のSi領域の励起光強度が弱いことに起因する。図4にラマンスペクトルのピーク波数を励起光の位置の関数としてプロットしたグラフを示す。xx偏光配置、zz偏光配置および、比較のため、Si層の歪みテンソルのみを用いて計算したラマンピークシフトをプロットしたものも示す。タングステンゲートはその下のSi層に引っ張り応力を与えるため、歪みテンソルのみから計算したグラフでは、ゲートの下からエッジ近傍エッジから40nm程度にかけてラマンピークシフトは負になり、エッジから約40nmより外側は、ゲートの外側のSiが圧縮応力を受けることを反映して正となっている。xx偏光配置の測定をシミュレートした結果は、このことを反映して負の値になっている、一方、zz偏光配置の場合、エッジ近傍のSiを励起することができず、ゲートエッジから離れた領域しか励起できないため正の値となっている。このように、我々のシミュレーション手法を用いることにより、偏光方向の違いによる測定データの変化を再現することが可能となる。尚、本実施例では、計算時間を短縮するために、FDTDは、2次元モデルでの計算を行い、ラマン散乱の光源をline_B上にのみ置いて計算したが、十分な計算リソースがあれば、3次元モデルを用い、ラマン散乱光源も励起光が届く全てのFDTDシミュレーションで用いるメッシュ点上に置いて計算することにより、一層精度の高い計算が可能となる。また、本計算では、ラマン光源は単色光源で、最終的に検出されるラマンスペクトルを計算する時点、すなわち7でローレンツ曲線の幅を持たせたが、5の段階で光源としてローレンツ曲線のスペクトルを用いて計算しても、同じ結果が得られる。"