"下記式1で表される単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。前記式1中、Ar1は、芳香族性アニオン性配位子、もしくは芳香族性配位子であるか、または存在せず、Ar2は、芳香族性を有する配位子であり、置換基を有していても有していなくても良く、置換基を有する場合、前記置換基は1でも複数でも良く、Mは、遷移金属の原子またはイオンであり、A1およびA2は、双方が炭素原子であるか、または、一方が炭素原子であり、且つ、他方が窒素原子であり、Yは、アニオン性基もしくはカチオン性基であるか、または存在せず、Lは、任意の配位子であるか、または存在せず、mは、正の整数、0、または負の整数である。前記式1中、Mが、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、コバルト、オスミウム、ニッケル、鉄、マンガン、クロム、コバルト、白金、またはパラジウムである請求項1記載の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。前記式1中、Yが、カルボキシ基、スルホ基、フェノール性水酸基、リン酸基、アミノ基、またはヒドロキシメチル基である請求項1記載の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。前記式1で表される単核金属錯体が、下記式2で表される単核金属錯体である請求項1記載の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。前記式2中、R1~R5は、それぞれ独立に、水素原子または任意の置換基であり、Ar2、M、A1、A2、Y、Lおよびmは、前記式1と同様である。前記式1で表される単核金属錯体が、下記式3で表される単核金属錯体である請求項1記載の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。前記式3中、R0~R5は、それぞれ独立に、水素原子または任意の置換基であり、Ar2、M、A1、A2、Y、Lおよびmは、前記式1と同様である。前記式2で表される単核金属錯体が、下記式4で表される単核金属錯体である請求項4記載の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。R6~R12は、それぞれ独立に、水素原子もしくは任意の置換基であり、または、R9およびR10は、一体となってCHCHを形成しても良く、前記CHCHにおけるHは、それぞれ独立に、任意の置換基で置換されていても良く、Q0は、CまたはNであり、Q6~Q12は、それぞれ独立に、CまたはNであり、または、同一のXXは、6~12のいずれかの整数を有するQXとRXのうち少なくとも一つが、一体となってNであっても良く、M、L、mおよびR1~R5は、前記式2と同様である。前記式4で表される単核金属錯体が、下記式10で表されるイリジウム単核金属錯体である請求項6記載の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。前記式10中、Irは、イリジウムの原子またはイオンであり、L、mおよびYは、前記式2と同じである。前記式10で表されるイリジウム単核金属錯体が、下記式11で表されるイリジウム単核金属錯体である請求項7記載の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。前記式11中、L、m、Irは、前記式10と同じである。前記式10で表されるイリジウム単核金属錯体が、下記式12で表されるイリジウム単核金属錯体である請求項7記載の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。前記式12中、L、m、Irは、前記式10と同じである。前記式11で表されるイリジウム単核金属錯体が、下記式13~15、15Aまたは15Bで表されるイリジウム単核金属錯体である請求項8記載の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。前記式12で表されるイリジウム単核金属錯体が、下記式16~18、18Aまたは18Bで表されるイリジウム単核金属錯体である請求項9記載の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。請求項1記載の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩を含むことを特徴する水素化還元触媒。請求項1記載の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩を含むことを特徴とする脱水素用触媒。被還元物質を水素化還元して水素化還元生成物を製造する方法であって、請求項12記載の水素化還元触媒と前記被還元物質と水素H2とを含む溶液または分散系中で、前記被還元物質と水素H2との反応により前記被還元物質を還元する工程を含むことを特徴とする水素化還元生成物の製造方法。水素H2および脱水素反応生成物の製造方法であって、請求項13記載の脱水素用触媒と水素源とを含む溶液または分散系中で、前記水素源を分解して水素H2および前記脱水素反応生成物を発生させる工程を含むことを特徴とする水素H2および脱水素反応生成物の製造方法。しかし、水素エネルギーの普及には、多くの技術的課題が残されている。例えば、前記非特許文献1に記載の金属錯体では、常温常圧下の水溶液中で水素によって二酸化炭素を還元してギ酸を生成することができるとされているが、その触媒活性は低い。水素と二酸化炭素からギ酸を効率的に製造することができれば、水素と二酸化炭素の両方の固定貯蔵に寄与し得ると考えられる。また、二酸化炭素に限らず、種々の被還元物質を水素化還元できれば、水素の貯蔵に寄与し得ると考えられる。さらに、ギ酸に限らず、水素源となり得る物質例えば、前記水素化還元の生成物を分解して水素H2を発生させることができれば、水素エネルギーの利用のさらなる効率化に寄与し得ると考えられる。したがって、本発明は、触媒活性が高く、被還元物質を効率良く水素化還元可能な水素化還元触媒に用いうる、単核金属錯体、水素化還元触媒、脱水素用触媒、水素化還元生成物の製造方法、水素H2の製造方法および脱水素反応生成物の製造方法の提供を目的とする。前記目的を達成するために、本発明の単核金属錯体は、下記式1で表される単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩である。前記式1中、Ar1は、芳香族性アニオン性配位子、もしくは芳香族性配位子であるか、または存在せず、Ar2は、芳香族性を有する配位子であり、置換基を有していても有していなくても良く、置換基を有する場合、前記置換基は1でも複数でも良く、Mは、遷移金属の原子またはイオンであり、A1およびA2は、双方が炭素原子であるか、または、一方が炭素原子であり、且つ、他方が窒素原子であり、Yは、アニオン性基もしくはカチオン性基であるか、または存在せず、Lは、任意の配位子であるか、または存在せず、mは、正の整数、0、または負の整数である。また、本発明の水素化還元触媒は、前記本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩を含むことを特徴とする。また、本発明の脱水素用触媒は、前記本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩を含むことを特徴とする。また、本発明の水素化還元生成物の製造方法は、被還元物質を水素化還元して水素化還元生成物を製造する方法であって、前記本発明の水素化還元触媒と前記被還元物質と水素H2とを含む溶液または分散系中で、前記被還元物質と水素H2との反応により前記被還元物質を還元する工程を含むことを特徴とする。また、本発明の水素H2の製造方法は、前記本発明の脱水素用触媒と水素源とを含む溶液または分散系中で、前記水素源を分解して水素H2を発生させる工程を含むことを特徴とする。さらに、本発明の脱水素反応生成物の製造方法は、前記本発明の脱水素用触媒と水素源とを含む溶液または分散系中で、前記水素源を分解して前記脱水素反応生成物を発生させる工程を含むことを特徴とする。本発明によれば、触媒活性が高く、被還元物質を効率良く水素化還元可能な水素化還元触媒に用いうる、単核金属錯体、水素化還元触媒、脱水素用触媒、水素化還元生成物の製造方法、水素H2の製造方法および脱水素反応生成物の製造方法を提供可能である。以下、本発明の実施形態について例を挙げて説明する。ただし、本発明は、以下の説明により限定されない。また、本発明において、数値限定により発明を特定する場合は、厳密にその数値でも良いし、約その数値でも良い。例えば、温度範囲を15~80°Cと特定する場合は、厳密に15~80°Cでも良いし、約15~80°Cでも良い。[単核金属錯体]本発明者らは、前述の課題を解決するために鋭意研究の結果、前記式1で表される単核金属錯体が有用であることを見出した。前記式1で表される単核金属錯体において、芳香族性アニオン性配位子、もしくは芳香族性配位子であるAr1は、例えば、シクロペンタジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル基、ヘキサメチルベンゼン基、テトラメチルシクロペンタジエニル基等が挙げられる。前記式1で表される単核金属錯体において、配位子Ar2は、芳香属性を有する配位子であればよい。芳香属性を有する配位子としては、例えば、21ピラゾリルフェニル基、1フェニルピラゾール、2フェニルピリジン、ベンゾhキノリン等が挙げられる。配位子Ar2がY以外の置換基を有する場合、前記置換基は、それぞれ独立に、アルキル基、フェニル基、シクロペンタジエニル基、カルボキシ基、スルホ基、水酸基、アルコキシ基、アミノ基、ヒドロキシメチル基、またはリン酸基であることが好ましい。前記式1中、Mが、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、コバルト、オスミウム、ニッケル、鉄、マンガン、クロム、コバルト、白金、レニウム、パラジウム、または白金であることが好ましく、イリジウムが特に好ましい。前記式1中、A1およびA2は、前述のとおり、双方が炭素原子であるか、または、一方が炭素原子であり、且つ、他方が窒素原子である。すなわち、A1およびA2は、双方が炭素原子であっても良いし、A1が炭素原子で、且つ、A2が窒素原子であっても良いし、A2が炭素原子で、且つ、A1が窒素原子であっても良い。本発明者らは、このように、A1およびA2の少なくとも一方が炭素原子である前記式1の錯体が、二酸化炭素固定用触媒に有用であることを見出し、本発明に到達した。前記式1中、Yは、アニオン性基もしくはカチオン性基であることが好ましい。これにより、水等の溶媒に対する溶解度をさらに向上させることができる。この点も、本発明者らが独自に見出したことである。前記式1中、Yが、カルボキシ基、スルホ基、フェノール性水酸基、リン酸基、アミノ基、またはヒドロキシメチル基であることが、より好ましい。前記式1中、Lが、水分子、水素原子、アルキコシドイオン、水酸化物イオン、ハロゲン化物イオン、重炭酸イオン、炭酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、ギ酸イオン、酢酸イオン、ヒドリドイオン、水酸化物イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、もしくはテトラフルオロボレートイオンであるか、または存在しないことが好ましい。アルコキシドイオンとしては、特に制限されないが、炭素数1~6の直鎖または分枝鎖状アルコールから誘導されるアルコキシドイオンが好ましく、例えば、メタノール、エタノール、nプロピルアルコール、イソプロピルアルコール、nブチルアルコール、secブチルアルコール、イソブチルアルコール、tertブチルアルコール、等から誘導されるアルコキシドイオンが挙げられる。なお、前記式1中の配位子Lは、その種類により、置換、脱離等が比較的容易な場合がある。一例として、前記配位子Lは、塩基性の水溶液中では水酸化物イオンとなり、中性、弱酸性あるいは強酸性の水溶液中では水分子となり、アルコール溶媒中ではアルコキシドイオンとなり、また、光や熱により脱離する場合があり得る。ただし、この記述は、可能な機構の例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。前記式1中、mは、遷移金属の原子またはイオンが有する電荷、および前記式1中の各配位子が有する電荷により決まるが、例えば-4~4であることが好ましく、-2~2であることがより好ましい。前記式1で表される単核金属錯体が、下記式2で表される単核金属錯体であることが好ましい。前記式2中、R1~R5は、それぞれ独立に、水素原子または任意の置換基であり、Ar2、M、A1、A2、Y、Lおよびmは、前記式1と同様である。前記式2中、R1~R5が、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基、シクロペンタジエニル基、アルコキシ基、アミノ基、カルボン酸基カルボキシ基、ヒドロキシ基、ヒドロキシメチル基、またはリン酸基であることが好ましい。前記アルキル基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、またはターシャリーブチル基がより好ましい。R1~R5は、全てメチル基であることが特に好ましい。その他、例えば、R1~R5が、全て水素原子であることも好ましい。また、前記式1で表される単核金属錯体が、下記式3で表される単核金属錯体であることが好ましい。前記式3中、R0~R5は、それぞれ独立に、水素原子または任意の置換基であり、Ar2、M、A1、A2、Y、Lおよびmは、前記式1と同様である。前記式3中、R0~R5が、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基、シクロペンタジエニル基、アルコキシ基、アミノ基、カルボン酸基カルボキシ基、ヒドロキシ基、ヒドロキシメチル基、またはリン酸基であることが好ましい。前記アルキル基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、またはターシャリーブチル基がより好ましい。R0~R5は、全てメチル基であることが特に好ましい。その他、例えば、R0~R5が、全て水素原子であることも好ましい。本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩において、前記式2で表される単核金属錯体が、下記式4で表される単核金属錯体であることがより好ましい。R6~R12は、それぞれ独立に、水素原子もしくは任意の置換基であり、または、R9およびR10は、一体となってCHCHを形成しても良く、前記CHCHにおけるHは、それぞれ独立に、任意の置換基で置換されていても良く、Q0は、CまたはNであり、Q6~Q12は、それぞれ独立に、CまたはNであり、または、同一のXXは、6~12のいずれかの整数を有するQXとRXのうち少なくとも一つが、一体となってNであっても良く、M、L、mおよびR1~R5は、前記式2と同様である。前記式4中、R6~R12が、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基、ベンジル基、ニトロ基、ハロゲン基、スルホン酸基スルホ基、アミノ基、カルボン酸基カルボキシ基、水酸基、アルコキシ基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ベンジル基、リン酸基、またはヒドロキシメチル基であることがより好ましい。前記アルキル基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、またはターシャリーブチル基がより好ましい。前記アルコキシ基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルコキシ基であることが好ましく、メトキシ基が特に好ましい。または、R9およびR10は、一体となってCHCHを形成しても良く、前記CHCHにおけるHは、それぞれ独立に、アルキル基、フェニル基、ベンジル基、ニトロ基、ハロゲン基、スルホン酸基スルホ基、アミノ基、カルボン酸基カルボキシ基、水酸基、アルコキシ基、リン酸基、またはヒドロキシメチル基で置換されていても良い。前記アルキル基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、またはターシャリーブチル基がより好ましい。前記アルコキシ基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルコキシ基であることが好ましく、メトキシ基が特に好ましい。前記式4中、R6~R12の少なくとも一つが、アニオン性基またはカチオン性基であることがより好ましく、R7が、アニオン性基またはカチオン性基であることが特に好ましい。また、R6~R12のうちアニオン性基またはカチオン性基であるものを除く全てが、水素原子であることが特に好ましい。例えば、R7が、アニオン性基またはカチオン性基である場合は、R6およびR8~R12が、全て水素原子であることが特に好ましい。アニオン性基またはカチオン性基は、前述のとおりである。また、Q6~Q12が、全てC炭素原子であることが特に好ましい。または、Q0およびQ6~Q9が全てCであり、Q10~Q12が全てN窒素原子であっても良い。また、本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩において、前記式2で表される単核金属錯体が、下記式5で表される単核金属錯体であることがより好ましい。R6~R8、R10~R11、R13~R15は、それぞれ独立に、水素原子もしくは任意の置換基であり、Q6~Q15は、それぞれ独立に、CまたはNであり、または、同一のXXは、6~15のいずれかの整数を有するQXとRXのうち少なくとも一つが、一体となってNであっても良く、M、L、mおよびR1~R5は、前記式2と同様である。前記式5中、R6~R8、R10~R11、R13~R15が、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基、ベンジル基、ニトロ基、ハロゲン基、スルホン酸基スルホ基、アミノ基、カルボン酸基カルボキシ基、水酸基、アルコキシ基、リン酸基、またはヒドロキシメチル基であることがより好ましい。前記アルキル基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、またはターシャリーブチル基がより好ましい。前記アルコキシ基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルコキシ基であることが好ましく、メトキシ基が特に好ましい。前記式5中、R6~R8、R10~R11、R13~R15の少なくとも一つが、アニオン性基またはカチオン性基であることがより好ましく、R7が、アニオン性基またはカチオン性基であることが特に好ましい。また、R6~R8、R10~R11、R13~R15のうちアニオン性基またはカチオン性基であるものを除く全てが、水素原子であることが特に好ましい。例えば、R7が、アニオン性基またはカチオン性基である場合は、R6、R8およびR10~R11、R13~R15が、全て水素原子であることが特に好ましい。アニオン性基またはカチオン性基は、前述のとおりである。また、Q6~Q15が、全てC炭素原子であることが特に好ましい。また、本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩において、前記式2で表される単核金属錯体が、下記式6で表される単核金属錯体であることがより好ましい。R6~R13は、それぞれ独立に、水素原子もしくは任意の置換基であり、または、R9およびR10は、一体となってCHCHを形成しても良く、前記CHCHにおけるHは、それぞれ独立に、任意の置換基で置換されていても良く、Q6~Q13は、それぞれ独立に、CまたはNであり、または、同一のXXは、6~13のいずれかの整数を有するQXとRXのうち少なくとも一つが、一体となってNであっても良く、M、L、mおよびR1~R5は、前記式2と同様である。前記式6中、R6~R13が、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基、ベンジル基、ニトロ基、ハロゲン基、スルホン酸基スルホ基、アミノ基、カルボン酸基カルボキシ基、水酸基、アルコキシ基、リン酸基、またはヒドロキシメチル基であることがより好ましい。前記アルキル基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、またはターシャリーブチル基がより好ましい。前記アルコキシ基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルコキシ基であることが好ましく、メトキシ基が特に好ましい。または、R9およびR10は、一体となってCHCHを形成しても良く、前記CHCHにおけるHは、それぞれ独立に、アルキル基、フェニル基、ベンジル基、ニトロ基、ハロゲン基、スルホン酸基スルホ基、アミノ基、カルボン酸基カルボキシ基、水酸基、アルコキシ基、またはリン酸基で置換されていても良い。前記アルキル基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、またはターシャリーブチル基がより好ましい。前記アルコキシ基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルコキシ基であることが好ましく、メトキシ基が特に好ましい。前記式6中、R6~R13の少なくとも一つが、アニオン性基またはカチオン性基であることがより好ましく、R7が、アニオン性基またはカチオン性基であることが特に好ましい。また、R6~R13のうちアニオン性基またはカチオン性基であるものを除く全てが、水素原子であることが特に好ましい。例えば、R7が、アニオン性基またはカチオン性基である場合は、R6、およびR8~R13が、全て水素原子であることが特に好ましい。アニオン性基またはカチオン性基は、前述のとおりである。また、Q6~Q13が、全てC炭素原子であることが特に好ましい。また、本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩において、前記式3で表される単核金属錯体が、下記式7で表される単核金属錯体であることがより好ましい。R6~R12は、それぞれ独立に、水素原子もしくは任意の置換基であり、または、R9およびR10は、一体となってCHCHを形成しても良く、前記CHCHにおけるHは、それぞれ独立に、任意の置換基で置換されていても良く、Q0は、CまたはNであり、Q6~Q12は、それぞれ独立に、CまたはNであり、または、同一のXXは、6~12のいずれかの整数を有するQXとRXのうち少なくとも一つが、一体となってNであっても良く、M、L、mおよびR0~R5は、前記式3と同様である。前記式7中、R6~R12が、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基、ベンジル基、ニトロ基、ハロゲン基、スルホン酸基スルホ基、アミノ基、カルボン酸基カルボキシ基、水酸基、アルコキシ基、リン酸基、またはヒドロキシメチル基であることがより好ましい。前記アルキル基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、またはターシャリーブチル基がより好ましい。前記アルコキシ基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルコキシ基であることが好ましく、メトキシ基が特に好ましい。または、R9およびR10は、一体となってCHCHを形成しても良く、前記CHCHにおけるHは、それぞれ独立に、アルキル基、フェニル基、ベンジル基、ニトロ基、ハロゲン基、スルホン酸基スルホ基、アミノ基、カルボン酸基カルボキシ基、水酸基、アルコキシ基、リン酸基、またはヒドロキシメチル基で置換されていても良い。前記アルキル基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、またはターシャリーブチル基がより好ましい。前記アルコキシ基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルコキシ基であることが好ましく、メトキシ基が特に好ましい。前記式7中、R6~R12の少なくとも一つが、アニオン性基またはカチオン性基であることがより好ましく、R7が、アニオン性基またはカチオン性基であることが特に好ましい。また、R6~R12のうちアニオン性基またはカチオン性基であるものを除く全てが、水素原子であることが特に好ましい。例えば、R7が、アニオン性基またはカチオン性基である場合は、R6、およびR8~R12が、全て水素原子であることが特に好ましい。アニオン性基またはカチオン性基は、前述のとおりである。また、Q6~Q12が、全てC炭素原子であることが特に好ましい。または、Q0およびQ6~Q9が全てCであり、Q10~Q12が全てN窒素原子であっても良い。また、本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩において、前記式3で表される単核金属錯体が、下記式8で表される単核金属錯体であることがより好ましい。R6~R8、R10~R11、R13~R15は、それぞれ独立に、水素原子もしくは任意の置換基であり、Q6~Q15は、それぞれ独立に、CまたはNであり、または、同一のXXは、6~15のいずれかの整数を有するQXとRXのうち少なくとも一つが、一体となってNであっても良く、M、L、mおよびR0~R5は、前記式3と同様である。前記式8中、R6~R8、R10~R11、R13~R15が、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基、ベンジル基、ニトロ基、ハロゲン基、スルホン酸基スルホ基、アミノ基、カルボン酸基カルボキシ基、水酸基、アルコキシ基、リン酸基、またはヒドロキシメチル基であることがより好ましい。前記アルキル基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、またはターシャリーブチル基がより好ましい。前記アルコキシ基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルコキシ基であることが好ましく、メトキシ基が特に好ましい。前記式8中、R6~R8、R10~R11、R13~R15の少なくとも一つが、アニオン性基またはカチオン性基であることがより好ましく、R7が、アニオン性基またはカチオン性基であることが特に好ましい。また、R6~R8、R10~R11、R13~R15のうちアニオン性基またはカチオン性基であるものを除く全てが、水素原子であることが特に好ましい。例えば、R7が、アニオン性基またはカチオン性基である場合は、R6、R8およびR10~R11、R13~R15が、全て水素原子であることが特に好ましい。アニオン性基またはカチオン性基は、前述のとおりである。また、Q6~Q15が、全てC炭素原子であることが特に好ましい。また、本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩において、前記式3で表される単核金属錯体が、下記式9で表される単核金属錯体であることがより好ましい。R6~R13は、それぞれ独立に、水素原子もしくは任意の置換基であり、または、R9およびR10は、一体となってCHCHを形成しても良く、前記CHCHにおけるHは、それぞれ独立に、任意の置換基で置換されていても良く、Q6~Q13は、それぞれ独立に、CまたはNであり、または、同一のXXは、6~13のいずれかの整数を有するQXとRXのうち少なくとも一つが、一体となってNであっても良く、M、L、mおよびR0~R5は、前記式3と同様である。前記式9中、R6~R13が、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基、ベンジル基、ニトロ基、ハロゲン基、スルホン酸基スルホ基、アミノ基、カルボン酸基カルボキシ基、水酸基、アルコキシ基、リン酸基、またはヒドロキシメチル基であることがより好ましい。前記アルキル基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、またはターシャリーブチル基がより好ましい。前記アルコキシ基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルコキシ基であることが好ましく、メトキシ基が特に好ましい。または、R9およびR10は、一体となってCHCHを形成しても良く、前記CHCHにおけるHは、前述のとおり、それぞれ独立に、アルキル基、フェニル基、ベンジル基、ニトロ基、ハロゲン基、スルホン酸基スルホ基、アミノ基、カルボン酸基カルボキシ基、水酸基、アルコキシ基、リン酸基、またはヒドロキシメチル基で置換されていても良い。前記アルキル基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、またはターシャリーブチル基がより好ましい。前記アルコキシ基は、炭素数1~6の直鎖または分枝アルコキシ基であることが好ましく、メトキシ基が特に好ましい。前記式9中、R6~R13の少なくとも一つが、アニオン性基またはカチオン性基であることがより好ましく、R7が、アニオン性基またはカチオン性基であることが特に好ましい。また、R6~R13のうちアニオン性基またはカチオン性基であるものを除く全てが、水素原子であることが特に好ましい。例えば、R7が、アニオン性基またはカチオン性基である場合は、R6、およびR8~R13が、全て水素原子であることが特に好ましい。アニオン性基またはカチオン性基は、前述のとおりである。また、Q6~Q13が、全てC炭素原子であることが特に好ましい。本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩において、前記式4で表されるイリジウム単核金属錯体が、下記式10で表されるイリジウム単核金属錯体であることがさらに好ましい。前記式10中、Irは、イリジウムの原子またはイオンであり、L、mおよびYは、前記式2と同じである。前記式10中、Yが、アニオン性基またはカチオン性基であることが特に好ましい。また、本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩において、前記式10で表されるイリジウム単核金属錯体が、下記式11で表されるイリジウム単核金属錯体であることが特に好ましい。前記式11中、L、m、Irは、前記式10と同じである。本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩において、前記式10で表されるイリジウム単核金属錯体が、下記式12で表されるイリジウム単核金属錯体であることが特に好ましい。前記式12中、L、m、Irは、前記式10と同じである。本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩において、前記式11で表されるイリジウム単核金属錯体が、下記式13~15、15Aまたは15Bで表されるイリジウム単核金属錯体であることが最も好ましい。すなわち、前記式11で表されるイリジウム単核金属錯体において、配位子Lが、水分子イリジウム単核金属錯体13および14、水酸化物イオンイリジウム単核金属錯体15またはヒドリドイオンイリジウム単核金属錯体15Aおよび15Bであることが好ましい。前記式11で表されるイリジウム単核金属錯体の配位子Lは、これらに限定されず、例えば、メトキシドイオン、または炭酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、ギ酸イオンであることも好ましく、その他、前述の各配位子等であっても良い。また、本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩において、前記式12で表されるイリジウム単核金属錯体が、下記式16~18、18Aまたは18Bで表されるイリジウム単核金属錯体であることが最も好ましい。すなわち、前記式12で表されるイリジウム単核金属錯体において、配位子Lが、水分子イリジウム単核金属錯体16および17、水酸化物イオンイリジウム単核金属錯体18またはヒドリドイオンイリジウム単核金属錯体18Aおよび18Bであることが好ましい。前記式12で表されるイリジウム単核金属錯体の配位子Lは、これらに限定されず、例えば、メトキシドイオン、または炭酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、ギ酸イオンであることも好ましく、その他、前述の各配位子等であっても良い。なお、前記式1で表される単核金属錯体のうち、前記式11および12以外に好ましいものとしては、例えば、下記表中の化合物番号401~457、501~516、601~616、701~758、801~816、901~916で表される単核金属錯体が挙げられる。これらの単核金属錯体の個々の構造は、前記式4~9中におけるM、QX、およびRXXは、前記式4~9におけるQまたはXに付した整数の組合せで表している。また、前記式2で表すことのできる化合物については、R1~R5についても表している。また、前記式4で表すことができる化合物については、R6~R12についても表している。なお、これらの単核金属錯体において、配位子Lは前記式4~9と同じであり、特に限定されないが、例えば、水分子、水素原子、ヒドリドイオン、メトキシドイオン、もしくは水酸化物イオンであるか、または存在しないことが好ましい。mは、Mの価数および各配位子の価数により決まるが、例えば、0~5が好ましい。また、下記表中の化合物は、全て、当業者であれば、本明細書の記載および本発明の属する技術分野の常識に基づいて過度の試行錯誤をすることなく容易に製造可能である。なお、前記式1で表される単核金属錯体に互変異性体または立体異性体例:幾何異性体、配座異性体および光学異性体等の異性体が存在する場合は、それら異性体も本発明に使用可能である。例えば、鏡像体が存在する場合は、R体およびS体のいずれも使用可能である。さらに、前記式1で表される単核金属錯体またはその異性体の塩も本発明に使用可能である。前記塩において、前記式1で表される単核金属錯体のカウンターイオンは、特に限定されないが、陰イオンとしては、例えば、六フッ化リン酸イオンPF6、テトラフルオロほう酸イオン、水酸化物イオンOH、酢酸イオン、炭酸イオン、リン酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、ハロゲン化物イオン例えばフッ化物イオンF、塩化物イオンCl、臭化物イオンBr、ヨウ化物イオンI等、次亜ハロゲン酸イオン例えば次亜フッ素酸イオン、次亜塩素酸イオン、次亜臭素酸イオン、次亜ヨウ素酸イオン等、亜ハロゲン酸イオン例えば亜フッ素酸イオン、亜塩素酸イオン、亜臭素酸イオン、亜ヨウ素酸イオン等、ハロゲン酸イオン例えばフッ素酸イオン、塩素酸イオン、臭素酸イオン、ヨウ素酸イオン等、過ハロゲン酸イオン例えば過フッ素酸イオン、過塩素酸イオン、過臭素酸イオン、過ヨウ素酸イオン等、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、テトラキスペンタフルオロフェニルボレートイオンB4等が挙げられる。陽イオンとしては、特に限定されないが、リチウムイオン、マグネシウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、カルシウムイオン、バリウムイオン、ストロンチウムイオン、イットリウムイオン、スカンジウムイオン、ランタノイドイオン、等の各種金属イオン、水素イオン等が挙げられる。また、これらカウンターイオンは、一種類でも良いが、二種類以上が併存していても良い。また、前記式1で表される単核金属錯体は、任意の原子を同位体で置換したものであっても良い。具体的には、例えば、配位子の水素原子Hを、重水素DまたはトリチウムTで置換したものでも良い。なお、本発明において、アルキル基としては、特に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、nプロピル基、イソプロピル基、nブチル基、イソブチル基、secブチル基およびtertブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等が挙げられる。アルキル基から誘導される基や原子団アルコキシ基等についても同様である。アルコールおよびアルコキシドイオンとしては、特に限定されないが、例えば、前記各アルキル基から誘導されるアルコールおよびアルキコキシドイオンが挙げられる。アルデヒドおよびケトンとしては、特に限定されないが、例えば、前記各アルキル基から誘導されるアルデヒドもしくはケトン、または前記各アルコールを酸化して得られるアルデヒドもしくはケトンが挙げられる。また、本発明において、ハロゲンとは、任意のハロゲン元素を指すが、例えば、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素が挙げられる。さらに、本発明において置換基等に異性体が存在する場合は、特に制限しない限り、どの異性体でも良い。例えば、単にプロピル基という場合はnプロピル基およびイソプロピル基のどちらでも良い。単にブチル基という場合は、nブチル基、イソブチル基、secブチル基およびtertブチル基のいずれでも良い。[単核金属錯体の製造方法]前記式1で表される単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩以下、単に化合物1という場合があるの製造方法は、特に限定されず、どのような方法により製造しても良い。化合物1は、例えば、下記スキーム1にしたがって合成製造することができる。前記スキーム1は、例えば、以下のようにして行うことができる。反応温度、反応時間、溶媒等の各種反応条件は、例示であって、これらに限定されず、適宜変更が可能である。工程1前記スキーム1中、工程1は、例えば、KenichiFujitaYoshinoriTakahashiMakiOwakiKazunariYamamotoandRyoheiYamaguchiOrganicLetters2004627852788等の文献を参考に、適宜反応条件を設定して行うことができる。具体的には、例えば以下のとおりである。すなわち、まず、アルコール溶媒メタノール、エタノール等にMX3化合物101、Xはハロゲンを溶かし、溶液とする。MX3は、例えば、水和物等であっても良い。濃度は特に制限されないが、例えば0.01~10mol/L、好ましくは0.01~5mol/L、より好ましくは0.1~1mol/Lである。この溶液に、不活性ガス窒素、アルゴン等雰囲気下で、Ar1化合物102、構造は、スキーム1中に示したとおりを加え、反応させて、目的の錯体[Ar1RMX2]2103を得る。Ar1の物質量モル数は特に制限されないが、MX3の物質量モル数に対し、例えば1~20倍、好ましくは1~10倍、より好ましくは1~5倍、である。反応温度は特に制限されないが、例えば30~64°C、好ましくは50~64°C、より好ましくは55~62°Cである。反応時間も特に制限されないが、例えば1~30時間、好ましくは10~24時間、より好ましくは15~24時間である。反応終了後、得られた錯体103は、必要に応じ単離、精製等をしても良いし、単離、精製等をせずにそのまま次の反応工程に用いても良い。単離、精製等の方法も特に制限されず、定法にしたがって行うことが可能であり、例えば、エバポレーション、ろ過、洗浄、カラムクロマトグラフィー、再結晶法等の方法を、単独で、または適宜組み合わせて用いることができる。工程2前記スキーム1中、前記工程2は、例えば、AndrewNuttonPamelaMBaileyandPeterMMaitlisJournaloftheChemicalSocietyDaltonTransactions1981919972002やMorisSEisenArielHaskelHongChenMarilynMOlmsteadDavidPSmithMarcosFMaestreandRichardHFishOrganometallics19951428062812等の文献を参考に、適宜反応条件を設定して行うことができる。具体的には、例えば以下のとおりである。すなわち、まず、銀塩例えば、Ag2SO4等の水溶液を調製する。濃度は特に制限されないが、例えば0.1~28mmol/L、好ましくは1~27mmol/L、より好ましくは10~27mmol/Lである。この水溶液に、不活性ガス窒素、アルゴン等雰囲気下、前記工程1で製造した錯体[Ar1MX2]2103を加え、反応させて目的の錯体[Ar1MOH23]m104を得る。この反応は、例えば、暗下で行うことが好ましいが、これに限定されない。反応温度は特に制限されず、適宜設定可能である。反応時間も特に制限されないが、例えば0.5~10時間、好ましくは0.5~5時間、より好ましくは2~5時間である。また、前記銀塩の物質量モル数は、特に制限されないが、錯体[Ar1MX2]2103の物質量モル数に対し、例えば1~2倍、好ましくは1~1.5倍、より好ましくは1~1.05倍である。反応終了後、得られた錯体104は、必要に応じ単離、精製等をしても良いし、単離、精製等をせずにそのまま次の反応工程に用いても良い。単離、精製等の方法も特に制限されず、定法にしたがって行うことが可能であり、例えば、エバポレーション、ろ過、洗浄、カラムクロマトグラフィー、再結晶法、対アニオン交換沈殿法等の方法を、単独で、または適宜組み合わせて用いることができる。前記スキーム1中、前記工程3は、例えば、SeijiOgoHidekiHayashiKeijiUeharaandShunichiFukuzumiAppliedOrganometallicChemistry200519639643やHChristineLoCarmenLeivaOlivierBuriezJohnBKerrMarilynMOlmsteadandRichardHFishInorganicChemistry20014067056716等の文献を参考に、適宜反応条件を設定して行うことができる。具体的には、例えば以下のとおりである。すなわち、まず、Ar2前記化学式1中の芳香族性を有する配位子の水溶液を調製する。濃度は特に制限されないが、例えば0.01~0.4mol/L、好ましくは0.1~0.4mol/L、より好ましくは0.1~0.3mol/Lである。この水溶液に、不活性ガス窒素、アルゴン等雰囲気下、前記工程2で製造した錯体[Ar1MOH23]m104の塩例えば、硫酸塩を加え、反応させて目的の単核金属錯体1Aを得る。この反応は、例えば、暗下で行うことが好ましいが、これに限定されない。反応温度は特に制限されず、適宜設定可能である。反応時間も特に制限されないが、例えば1~30時間、好ましくは3~25時間、より好ましくは5~20時間である。また、前記Arの物質量モル数は、特に制限されないが、錯体[Ar1MOH23]m104の物質量モル数に対し、例えば1~2倍、好ましくは1~1.5倍、より好ましくは1~1.05倍である。反応終了後、生成物1Aは、必要に応じ単離、精製等をしても良いし、単離、精製等をせずにそのまま用いても良い。単離、精製等の方法も特に制限されず、定法にしたがって行うことが可能であり、例えば、エバポレーション、ろ過、洗浄、カラムクロマトグラフィー、再結晶法、対アニオン交換沈殿法等の方法を、単独で、または適宜組み合わせて用いることができる。また、この単核金属錯体1Aは、前記単核金属錯体1のうち配位子Lが水分子である錯体である。したがって、この単核金属錯体1Aは、そのまま本発明に用いても良いし、必要に応じ、適宜配位子交換等をして用いても良い。配位子交換の方法も特に制限されず、適宜な方法で良い。以上のようにして、目的の化合物1または1Aを製造することができる。なお、錯体[Ar1MOH23]m104のカウンターイオンは特に限定されないが、例えば、単核金属錯体1のカウンターイオンについて前述した具体例と同様である。他のイオン性物質のカウンターイオンについても同様である。また、前記工程1~3の各工程において、反応溶媒は上記に限定されず、例えば水でも適宜な有機溶媒でも良いし、一種類のみ用いても二種類以上併用しても良い。ただし、水を反応溶媒とすることができる場合、例えば、反応物質原料がいずれも水に可溶な場合は、水を用いることが、経済性、反応の簡便性等の理由から特に好ましい。同様の理由から、メタノール、エタノール等のアルコール溶媒も、反応溶媒として好ましい。なお、前記有機溶媒としては特に限定されないが、反応物質原料の溶解度等の観点から高極性溶媒が好ましく、例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル、メタノール、エタノール、nプロピルアルコール、nブチルアルコール等の第1級アルコール、イソプロピルアルコール、sブチルアルコール等の第2級アルコール、tブチルアルコール等の第3級アルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール等の多価アルコール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、ジエチルエーテル等のエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド、酢酸エチル等のエステル等が挙げられる。また、単核金属錯体1のうち、例えば、前記化学式13で表されるイリジウム単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはその塩は、例えば、下記スキーム2にしたがって製造することができる。下記スキーム2は、反応物質を最終目的生成物化合物13の構造に合わせて選択する以外は、前記スキーム1と同様に行うことができる。また、単核金属錯体1のうち、例えば、前記化学式16で表されるイリジウム単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはその塩は、例えば、前記スキーム2における4-安息香酸4benzoicacidに代えて、pピラゾール1イルベンゼンスルホン酸ppyrazol1ylbenzenesulfonicacidを用いること以外は同様にして、前記スキーム2にしたがって製造することができる。従来、遷移金属と炭素とのσ結合を形成することは非常に困難であった。しかし、本発明者らは、例えば前記スキーム1または2における工程3のように、金属錯体と配位子とを溶媒中で混合して加熱するのみで、簡便に遷移金属と炭素とのσ結合を形成できることを見出した。なお、単核金属錯体1の構造等の理由により、前記工程3の反応が進行しにくい場合は、例えば、マイクロウェーブ反応装置等を適宜用いて反応を行っても良い。以上のようにして、本発明の化合物1を製造合成することができるが、本発明の化合物1は、これらの方法に限定されず、どのような方法により製造しても良い。例えば、本発明の化合物1は、前記の説明および公知の金属錯体の製造方法を参考にして適宜製造しても良い。[水素化還元触媒二酸化炭素固定用触媒および水素化還元生成物の製造方法ギ酸の製造方法]本発明の水素化還元触媒は、前述のとおり、前記本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩を含むことを特徴する。また、本発明による水素化還元生成物の製造方法は、前述のとおり、被還元物質を水素化して水素化還元生成物を製造する方法であって、前記本発明の水素化還元触媒と前記被還元物質と水素H2とを含む溶液または分散系中で、前記被還元物質と水素H2との反応により前記被還元物質を還元する工程を含むことを特徴とする。前記被還元物質は、特に限定されないが、例えば、二酸化炭素、アルデヒド、ケトン、酸化型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチドNAD、酸化型水溶性キノン類、酸化型フラビン補酵素類縁体例えば、酸化型リボフラビン、デヒドロアスコルビン酸、タンニン、酸化型グルタチオン、アルドン酸、アルダル酸、アラントイン等が挙げられる。前記アルデヒドは、特に限定されず、芳香族アルデヒドでも、脂肪族アルデヒドでも良い。脂肪族アルデヒドとしては、例えば、直鎖または分枝アルキル基から誘導されるアルデヒドが挙げられ、アルキル基としては、例えば前述のとおりである。前記脂肪族アルデヒドは、より具体的には、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、2-メチルプロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド等が挙げられる。前記ケトンは、特に限定されず、芳香族ケトンでも、脂肪族ケトンでも良い。脂肪族ケトンとしては、例えば、直鎖または分枝アルキル基から誘導されるケトンが挙げられ、アルキル基としては、例えば前述のとおりである。前記脂肪族ケトンは、より具体的には、例えば、アセトン、2-ブタノン等が挙げられる。前記水素化還元生成物は、特に限定されないが、例えば、ギ酸、アルコール、還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチドNADH、還元型水溶性ヒドロキノン類、ビタミンB2、ビタミンCアスコルビン酸ともいう、フラボノイド例えば、カテキン、クェルセチン等、グルタチオン、還元糖例えば、任意の単糖類、転化糖、マルトース型二糖、オリゴ糖類等、尿酸等が挙げられる。前記アルコールは、特に限定されず、芳香族アルコールでも、脂肪族アルコールでも良い。脂肪族アルコールとしては、例えば、直鎖または分枝アルキル基から誘導されるアルコールが挙げられ、アルキル基としては、例えば前述のとおりである。前記脂肪族アルコールは、より具体的には、例えば、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、2-メチル-1-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノール等が挙げられる。また、本発明における前記水素化還元生成物は、前記被還元物質が水素化された物質自体でも良いが、それが変化したものでも良い。例えば、前記被還元物質が二酸化炭素の場合、前記水素化還元生成物は、ギ酸でも良いが、ギ酸イオン等であっても良い。前記被還元物質は、二酸化炭素であることが好ましい。二酸化炭素を水素化還元すると、前記水素化還元生成物としてギ酸を得ることができる。このようなギ酸の製造方法は、二酸化炭素の固定方法であるということもできる。すなわち、本発明による前記水素化還元触媒は、二酸化炭素固定用触媒であることが好ましく、本発明による前記水素化還元生成物の製造方法は、ギ酸の製造方法二酸化炭素の固定方法であることが好ましい。以下、主に、本発明による二酸化炭素固定用触媒およびギ酸の製造方法二酸化炭素の固定方法について説明する。本発明の二酸化炭素固定用触媒は、前記式1で表される単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩化合物1を含む二酸化炭素固定用触媒である。例えば、化合物1をそのまま本発明の二酸化炭素固定触媒として用いても良いし、他の成分を適宜添加して用いても良い。本発明の二酸化炭素固定用触媒は、その作用により、二酸化炭素と水素H2とを反応させることで前記二酸化炭素を固定して、ギ酸を生成する製造する。すなわち、本発明の二酸化炭素固定用触媒は、ギ酸を製造するギ酸製造用触媒でもある。本発明のギ酸の製造方法は、前記本発明の二酸化炭素固定用触媒と二酸化炭素と水素H2とを含む溶液または分散系中で、二酸化炭素と水素H2とを反応させることで前記二酸化炭素を固定して、ギ酸を製造する工程を含む。なお、本発明において、前記二酸化炭素には、分子として存在する二酸化炭素CO2のみではなく、例えば、溶液または分散系中にイオンとして存在する炭酸イオンCO32または重炭酸イオンHCO3も含まれる。前記二酸化炭素固定工程ギ酸製造工程は、前記溶液または分散系中で、二酸化炭素と水素H2とを反応させることで前記二酸化炭素を固定して、ギ酸を製造することができれば、特に制限されない。例えば、前記二酸化炭素固定工程を、前記溶液をそのまま静置して行っても良いし、前記溶液を加熱して行っても良いし、前記溶液に光を照射して行っても良い。前記溶液または分散系中で、前記二酸化炭素と前記水素H2とを反応させる方法は、特に制限されないが、例えば、前記本発明の二酸化炭素固定用触媒を溶解した水溶液に、脱酸素条件下で、予め二酸化炭素を吹き込んでバブリングさせた後に、水素H2と二酸化炭素とを同時に吹き込んでバブリングさせて行っても良い。前記二酸化炭素固定工程により生成したギ酸の定性定量分析を行う方法としては、例えば、液体クロマトグラフィー、1HNMR等が挙げられる。ただし、高速液体クロマトグラフィーで定量分析を行う場合には、分析試料中の夾雑物により正確な分析が行えない可能性があるため、分析の信頼性の観点から、1HNMRにより定量分析を行うことが好ましい。前記生成したギ酸の定量には、例えば、TSP3トリメチルシリル3322プロピオン酸d4を内部標準として用いる。前記二酸化炭素固定工程を行うにあたり、その温度条件は特に限定されない。前記温度条件としては、例えば15~80°Cの範囲であり、好ましくは15~70°Cの範囲であり、より好ましくは15~60°Cの範囲であり、特に好ましくは室温15~30°Cの範囲である。前記二酸化炭素固定工程を室温で行えば、例えば、加熱等を必要としないため、ギ酸の製造に投入される熱等のエネルギーを少なくすることができる。この結果、例えば、ギ酸を省エネルギーで、かつ、低コストに製造することができる。前記二酸化炭素固定工程を行うにあたり、その圧力条件は特に限定されない。前記圧力条件としては、001~10MPaの範囲であり、好ましくは005~1MPaの範囲であり、より好ましくは01~02MPaの範囲であり、特に好ましくは大気圧下である。なお、前記大気圧下とは、01MPaおよびその近傍を含み、具体的には、例えば、009~012MPaの範囲である。前記二酸化炭素固定工程を大気圧下で行えば、例えば、加圧等を必要としないため、ギ酸の製造に投入される圧力を加えるためのエネルギーを少なくすることができる。この結果、例えば、ギ酸を省エネルギーで、かつ、低コストに製造することができる。本発明のギ酸の製造方法において、前記溶液または分散系の溶媒または分散媒は、特に限定されず、例えば、水でも有機溶媒でも良いし、水と有機溶媒との混合溶媒でも良い。有機溶媒を用いる場合は、一種類のみ用いても二種類以上併用しても良い。化合物1が水に可溶な場合は、水を用いる水溶液であることができ、有機溶媒を用いる必要がないため好ましい。ただし、本発明は、これに限定されるものではない。前記有機溶媒としては、特に限定されないが、化合物1の溶解度等の観点から高極性溶媒が好ましい。前記高極性溶媒としては、例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル、メタノール、エタノール、nプロピルアルコール、nブチルアルコール等の第1級アルコール、イソプロピルアルコール、sブチルアルコール等の第2級アルコール、tブチルアルコール等の第3級アルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール等の多価アルコール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、ジエチルエーテル等のエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド、酢酸エチル等のエステル等が挙げられる。本発明のギ酸の製造方法において、前記溶液が前記水溶液である場合、前記水溶液のpHは、特に限定されない。前記水溶液のpHは、好ましくは3~14の範囲であり、より好ましくは0~10の範囲であり、特に好ましくは75~99の範囲である。本発明のギ酸の製造方法において、前記溶液または分散系中における前記単核金属錯体1分子の濃度は特に限定されないが、例えば001~1molLM、好ましくは001~05molLM、より好ましくは001~025molLMである。前記単核金属錯体1分子とギ酸分子の物質量比分子数比も特に限定されないが、例えば1:1~1:5000000、好ましくは1:10~1:50000、より好ましくは1:100~1:10000である。本発明のギ酸の製造方法において、前記水溶液または分散系中における重炭酸イオンHCO3の濃度は特に限定されないが、例えば001~3molLM、好ましくは01~2molLM、より好ましくは1~2molLMである。前記単核金属錯体1分子と重炭酸イオンHCO3の物質量比分子数比も特に限定されないが、例えば1:1~1:5000000、好ましくは1:10~1:50000、より好ましくは1:100~1:10000である。前記非特許文献1に記載の二酸化炭素固定用触媒は、常温常圧下の水溶液中で水素によって二酸化炭素を還元してギ酸を生成することができるとされているが、その触媒活性が低い。また、本発明の二酸化炭素固定用触媒の触媒活性は、特に制限されないが、前記非特許文献1に記載の二酸化炭素固定用触媒よりもさらに活性が高いことが好ましい。例えば、本発明の二酸化炭素固定用触媒は、室温の水溶液中で、加熱を一切しなくても触媒として機能することが特に好ましい。ただし、本発明はこれに制限されない。例えば、本発明の二酸化炭素固定用触媒が十分に高活性な場合であっても、さらに反応効率を向上させる等の目的で、前述のように適宜加熱したり、水に代えて有機溶媒を用いたり、または水と有機溶媒を併用したりしても良い。本発明の単核金属触媒は、二酸化炭素固定用触媒として、二酸化炭素と水素H2とを反応させることで前記二酸化炭素を固定して、ギ酸を製造する。このように、本発明の二酸化炭素固定用触媒によれば、次世代エネルギー源と目されている水素を、安全な化合物であるギ酸の状態で貯蔵することができる。また、本発明の二酸化炭素固定用触媒によれば、化石燃料の燃焼等により排出された二酸化炭素を、水素と反応させてギ酸を製造するという、有意義な利用方法で貯蔵することができる。さらに、本発明の二酸化炭素固定用触媒の用途は上記に限定されず、例えば、ギ酸の供給を必要とするあらゆる技術分野に用いることができる。また、本発明の水素化還元生成物の製造方法において、前記水素化還元生成物が、ギ酸以外の物質である場合は、例えば、本発明のギ酸の製造方法において、二酸化炭素に代えてそれ以外の被還元物質を用いる以外は同様にして行うことができる。[脱水素用触媒ギ酸分解用触媒、水素H2の製造方法、脱水素反応生成物の製造方法]本発明の脱水素用触媒は、前述のとおり、前記本発明の単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩を含むことを特徴する。また、本発明による水素H2の製造方法は、前述のとおり、前記本発明の脱水素用触媒と水素源とを含む溶液または分散系中で、前記水素源を分解して水素H2を発生させる工程を含むことを特徴とする。さらに、本発明の脱水素反応生成物の製造方法は、前述のとおり、前記本発明の脱水素用触媒と水素源とを含む溶液または分散系中で、前記水素源を分解して前記脱水素反応生成物を発生させる工程を含むことを特徴とする。前記水素源は、特に限定されないが、例えば、本発明の還元物質の製造方法における前記還元物質と同様で良い。前記水素源は、具体的には、例えば、ギ酸、アルコール、還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチドNADH、還元型水溶性ヒドロキノン類、ビタミンB2、ビタミンCアスコルビン酸ともいう、フラボノイド例えば、カテキン、クェルセチン等、グルタチオン、還元糖例えば、任意の単糖類、転化糖、マルトース型二糖、オリゴ糖類等、尿酸等が挙げられる。前記アルコールは、特に限定されず、芳香族アルコールでも、脂肪族アルコールでも良い。脂肪族アルコールとしては、例えば、直鎖または分枝アルキル基から誘導されるアルコールが挙げられ、アルキル基としては、例えば前述のとおりである。前記脂肪族アルコールは、より具体的には、例えば、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、2-メチル-1-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノール等が挙げられる。前記水素源を分解して水素H2を発生させると、分解生成物前記水素源の脱水素反応生成物が副生する。したがって、本発明の水素製造方法は、前記水素源の酸化方法、または前記分解生成物前記水素源の脱水素反応生成物の製造方法であるということもできる。副生する前記分解生成物脱水素反応生成物は、特に限定されないが、例えば、本発明の水素化還元生成物の製造方法における前記被還元物質と同様である。前記分解生成物は、より具体的には、例えば、二酸化炭素、アルデヒド、ケトン、酸化型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチドNAD、酸化型水溶性キノン類、酸化型フラビン補酵素類縁体例えば、酸化型リボフラビン、デヒドロアスコルビン酸、タンニン、酸化型グルタチオン、アルドン酸、アルダル酸、アラントイン等が挙げられる。前記アルデヒドは、特に限定されず、芳香族アルデヒドでも、脂肪族アルデヒドでも良い。脂肪族アルデヒドとしては、例えば、直鎖または分枝アルキル基から誘導されるアルデヒドが挙げられ、アルキル基としては、例えば前述のとおりである。前記脂肪族アルデヒドは、より具体的には、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、2-メチルプロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド等が挙げられる。前記ケトンは、特に限定されず、芳香族ケトンでも、脂肪族ケトンでも良い。脂肪族ケトンとしては、例えば、直鎖または分枝アルキル基から誘導されるケトンが挙げられ、アルキル基としては、例えば前述のとおりである。前記脂肪族ケトンは、より具体的には、例えば、アセトン、2-ブタノン等が挙げられる。また、本発明における前記脱水素反応生成物は、前記水素源が脱水素された物質自体でも良いが、それが変化したものでも良い。例えば、前記水素源がギ酸の場合、前記脱水素反応生成物は、二酸化炭素でも良いが、炭酸イオンまたは重炭酸イオン等であっても良い。なお、本発明の水素製造方法または脱水素反応生成物製造方法においては、例えば、生成する水素および脱水素反応生成物の両方を回収して利用しても良いし、必要な方だけを回収して利用しても良い。前記水素源は、ギ酸であることが好ましい。この場合、本発明による前記脱水素用触媒は、ギ酸分解用触媒であるということもできる。以下、主に、前記水素源がギ酸である場合について説明する。本発明のギ酸分解用触媒は、前記式1で表される単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩化合物1を含むギ酸分解用触媒である。例えば、化合物1をそのまま本発明のギ酸分解用触媒として用いても良いし、他の成分を適宜添加して用いても良い。本発明のギ酸分解用触媒は、その作用により、ギ酸を分解して水素と二酸化炭素CO2とを発生させる製造する。すなわち、本発明のギ酸分解用触媒は、水素を製造する水素H2製造用触媒でもある。本発明の水素の製造方法は、前記本発明のギ酸分解用触媒とギ酸とを含む溶液または分散系中で、ギ酸を分解して水素を発生させる工程を含む。前記水素製造工程ギ酸分解工程は、前記溶液または分散系中で、ギ酸を分解して水素を発生させることができれば、特に制限されない。例えば、前記水素製造工程は、前記溶液または分散系をそのまま静置して行っても良いし、前記溶液または分散系を加熱して行っても良いし、前記溶液または分散系に光を照射して行っても良い。すなわち、例えば、化合物1の溶液または分散系にギ酸を加え、そのまま静置するか、必要に応じ加熱または光照射すれば良い。前記水素製造工程により発生した水素を捕集する方法も特に限定されず、例えば、水上置換、上方置換等、公知の方法を適宜用いることができる。また、前記水素製造工程により発生した水素を分析する方法には、例えば、ガスクロマトグラフィー等が挙げられる。前記水素製造工程を行うにあたり、その温度条件は特に限定されない。前記温度条件としては、例えば15~80°Cの範囲であり、好ましくは15~60°Cの範囲であり、より好ましくは15~50°Cの範囲であり、特に好ましくは室温15~30°Cの範囲である。前記水素製造工程を室温で行えば、例えば、加熱等を必要としないため、水素の製造に投入される熱等のエネルギーを少なくすることができる。この結果、例えば、水素を省エネルギーで、かつ、低コストに製造することができる。前記水素製造工程を行うにあたり、その圧力条件は特に限定されない。前記圧力条件としては、例えば001~10MPaの範囲であり、好ましくは005~1MPaの範囲であり、より好ましくは01~02MPaの範囲であり、特に好ましくは大気圧下である。なお、前記大気圧下とは、01MPaおよびその近傍を含み、具体的には、例えば、009~012MPaの範囲である。前記水素製造工程を大気圧下で行えば、例えば、加圧等を必要としないため、ギ酸の製造に投入される圧力を加えるためのエネルギーを少なくすることができる。この結果、例えば、水素を省エネルギーで、かつ、低コストに製造することができる。本発明の水素の製造方法において、前記溶液または分散系を構成する溶媒または分散媒は、特に限定されず、例えば、水でも有機溶媒でも良いし、一種類のみ用いても二種類以上併用しても良い。化合物1が水に可溶な場合は、水を用いる水溶液であることができ、有機溶媒を用いる必要がないため好ましい。ただし、本発明は、これに限定されるものではない。前記有機溶媒としては、特に限定されないが、前述のギ酸の製造方法で例示したものが挙げられる。なお、前記溶液に加えるギ酸は、例えば、溶液、塩等の形態であっても良い。本発明の水素の製造方法において、前記溶液が前記水溶液である場合、前記水溶液のpHは、特に限定されない。前記水溶液のpHは、好ましくは3~14の範囲であり、より好ましくは0~10の範囲であり、特に好ましくは1以上9未満の範囲である。本発明の水素の製造方法において、前記溶液または分散系中における前記単核金属錯体1分子の濃度は特に限定されないが、例えば、0001~50mmolL、好ましくは0005~20mmolL、より好ましくは0005~5mmolLである。前記単核金属錯体1分子とギ酸分子の物質量比分子数比も特に限定されないが、例えば1:1~1:5000000、好ましくは1:10~1:50000、より好ましくは1:100~1:10000である。本発明の水素の製造方法において、前記水溶液中におけるギ酸の濃度は特に限定されないが、例えば0001~5molLM、好ましくは0005~4molLM、より好ましくは001~33molLMである。前記単核金属錯体1分子とギ酸の物質量比分子数比も特に限定されないが、前記のとおり、例えば1:1~1:5000000、好ましくは1:10~1:50000、より好ましくは1:100~1:10000である。なお、本発明の水素製造方法または脱水素反応生成物製造方法は、例えば、ギ酸を他の水素源に変える以外は上記と同様にして行うこともできる。従来のギ酸分解用触媒は、活性が低く、例えば、有機溶媒中、強酸性もしくは強塩基性水溶液中、またはそれらの混合液中で、かつ加熱条件下でなければ触媒として機能しないという問題があった。本発明のギ酸分解用触媒の活性は、特に制限されないが、従来のギ酸分解用触媒よりもさらに活性が高いことが好ましい。例えば、本発明のギ酸分解用触媒は、室温の水溶液中で、加熱を一切しなくても触媒として機能することが特に好ましい。ただし、本発明はこれに制限されない。例えば、本発明のギ酸分解用触媒が十分に高活性な場合であっても、さらに反応効率を向上させる等の目的で、前述のように適宜加熱したり、水に代えて有機溶媒を用いたり、または水と有機溶媒を併用したりしても良い。また、本発明のギ酸分解用触媒は、安全な物質であるギ酸を原料として、例えば、室温における温和な条件で安定して水素を供給することも可能である。また、ギ酸分解による水素H2発生の際に、副生成物として二酸化炭素CO2を生成する。したがって、本発明の水素H2の製造方法を、二酸化炭素CO2の製造方法に利用することもできる。すなわち、この二酸化炭素CO2の製造方法は、本発明のギ酸分解用触媒によりギ酸を分解し、二酸化炭素CO2を発生させる工程を含む。なお、本発明の水素H2製造方法によれば、二酸化炭素CO2以外の副生成物を伴わず、有毒な副生成物なしに水素を得ることも可能である。本発明の単核金属触媒は、ギ酸分解用触媒として、例えば、ギ酸燃料電池等に用いることができる。燃料電池の場合は、例えば、電池内部に本発明のギ酸分解用触媒が含まれるとともに、上記方法によりギ酸を分解して水素を発生させる機構が含まれていれば良い。具体的な構造は特に限定されず、例えば公知の燃料電池の構造等を適宜応用することができる。さらに、本発明のギ酸分解用触媒の用途は上記に限定されず、例えば、水素H2の供給を必要とするあらゆる技術分野に用いることができる。以上のとおり、本発明の単核金属錯体は、水素化還元触媒例えば、二酸化炭素固定用触媒と脱水素用触媒例えば、ギ酸分解用触媒との両方の機能を有し得る。このような単核金属錯体は、本発明者等が初めて見出したものである。例えば、これまでに、常温常圧の水中でギ酸を分解して水素を製造するイリジウム-ルテニウム複核金属錯体が提案されている国際公開2008/059630号。また、常温常圧の水溶液中で水素H2を安全に、効率良く、かつ低コストで提供することが可能なギ酸分解用触媒とロジウム単核金属触媒が提案されている特開2009-78200号公報。しかし、二酸化炭素固定用触媒とギ酸分解用触媒との両方の機能を有し得る金属錯体は、本発明の単核金属錯体が初めてである。前記両機能の切り替えは、例えば、本発明の単核金属錯体の水溶液のpHを変化させることにより行っても良い。本発明の単核金属錯体は、前述のとおり、前記両機能を有し得るため、例えば、常温常圧室温大気圧で有機溶媒フリー有機溶媒を不使用の水溶液中で水素H2をギ酸として貯蔵することができる。一方、常温室温でギ酸を分解して、必要な時にオンサイトで、ギ酸を分解して水素H2を発生させることができる。すなわち、例えば、1つの触媒で、水素の製造、貯蔵、運搬、供給の問題および二酸化炭素削減という、現在、環境エネルギー問題に対処するために人類に課せられた最重要課題を一挙に解決することができる。ただし、本発明の単核金属錯体の用途は、上記の用途に限定ないし制限されない。例えば、前述のとおり、二酸化炭素を他の被還元物質に置き換えても良いし、ギ酸を、他の還元物質または水素源に置き換えても良い。さらに、本発明の単核錯体の用途は、水素化還元触媒および脱水素用触媒のみに限定されず、どのような用途に用いても良い。以下、本発明の実施例について説明する。しかし、本発明は、以下の実施例のみには限定されない。[測定条件等]下記実施例において、反応の追跡は紫外可視吸収スペクトル、ESIMass、GCおよび1HNMRにより行なった。全ての化学物質は試薬級である。ギ酸は、和光純薬工業株式会社から購入した。紫外可視吸収スペクトルUVVisスペクトル測定は、島津製作所の機器商品名UV3100PCを用いて行った。蛍光スペクトル測定には、島津製作所の機器商品名RF5300PCを用いた。ESIMSデータは、API150EXmassspectrometerを用い、イオンスプレーインターフェースを装備してpositivedetectionmodeで収集した。スプレー装置は、電圧を50kVに保ち、液体噴霧の補助には、加圧N2を用いた。1HNMR測定は、日本電子社の機器核磁気共鳴分光測定装置商品名JNMAL300、1HNMR測定時3004MHzを用いた。GC分析には、島津製作所の機器商品名GC14Bを用いた。元素分析には、柳本製作所の商品名CHNCorderを用いた。ギ酸分解反応における水素発生量は、発生した気体を5molL5MNaOH水に通して二酸化炭素を除き、残った水素のみを水上置換法でメスシリンダー内に捕集して測定した。[実施例1:イリジウム単核アクア錯体13の製造]前記スキーム2に従って、イリジウム単核アクア錯体13を製造合成した。詳細は、以下のとおりである。工程1:CpIrCl22錯体107の製造まず、メタノール6mLに、ヘキサクロロイリジウムH2IrCl6102g、387mmolを加えて溶液とした。これに、アルゴン雰囲気下で、η5-ペンタメチルシクロペンタジエン15mlを添加した。そして、そのままアルゴン雰囲気下で攪拌しながら加熱し、37時間還流させた。攪拌後、0°Cに冷却した。生じた沈殿物をガラスフィルターG4でろ別し、エーテルで洗浄して、真空乾燥することで、黄褐色粉末の目的とする錯体107すなわちCpIrCl22を得たH2IrCl6に基づいて計算した収率73。以下に、CpIrCl22の機器分析値を示す。1HNMR:δ160515H元素分析:CpIrCl22:C20H30Cl4Ir2:理論値:C3015H380観測値:C3014H372工程2:CpIr32錯体108の硫酸SO42塩の製造Ag2SO4を、水70mLに溶かし、水溶液とした。この水溶液に、アルゴンガス雰囲気下で、前記工程1において製造した錯体107すなわちCpIrCl22096g、132mmolを添加し、暗下において、室温25°Cで5時間攪拌した。攪拌後、沈殿物AgClをガラスフィルターG4でろ別し、ろ液をメンブレンフィルターを通してさらにろ過し、このろ液から、エバポレーションにより水分を除去し、真空乾燥して、橙色粉末の目的とする錯体108すなわちCpIr32の硫酸SO42塩を得たCpIrCl22に基づいて計算した収率86。以下に、CpIr32の硫酸SO42塩の機器分析値を示す。1HNMR:δ168515H3316H元素分析:CpIr32の硫酸SO42塩:C10H21O7SIr:理論値:C2515H443観測値:C2539H448工程3:IrCp安息香酸κC3イリジウム単核アクア錯体13の硫酸SO42塩の製造4安息香酸を、水50mLに加えて水溶液とした。この水溶液に、アルゴン雰囲気下で、前記工程2において製造した錯体108すなわちCpIr32の硫酸SO42塩020g、0423mmolを添加し、暗下において、12時間加熱還流した。還流後、この溶液をメンブレンフィルターでろ過した。このろ液からエバポレーションにより水分を除去し、真空乾燥して、黄色粉末の目的とするイリジウム単核アクア錯体13すなわちIrCp安息香酸κC3の硫酸SO42塩を得たCpIr32の硫酸SO42塩に基づいて計算した収率94。以下に、IrCp安息香酸κC3の硫酸SO42の機器分析値を示す。また、図22に、CVサイクリックボルタンメトリーの測定結果を示す。なお、元素分析値は、イリジウム単核アクア錯体13を、前記のゼロ価錯体14とし、結晶化により単離して測定した値である。元素分析値については、図17中にも併せて示している。1HNMR:δ175515H699784791819833903元素分析値:C20H23N2O3IrC4518H436N527FoundC4490H430N511図16aおよび図16bに、イリジウム単核アクア錯体13の1HNMRスペクトル図を示す。同図aは、1HNMRスペクトルの全体図であり、同図bは、一部の拡大図である。図16cに、メタノール中でのイリジウム単核アクア錯体13のESIMSスペクトル図を示す。このESIMSスペクトルでは、イリジウム単核アクア錯体13の配位子である水分子アクア配位子が解離したイリジウム錯体IrCp安息香酸κC3が、mzが最大mz515となる親イオンピークとして観測された。図17に、イリジウム単核アクア錯体14の結晶構造のORTEP図および分析値を示す。また、図18aに、イリジウム単核アクア錯体13水溶液012mM、2mLのpHを22、68および112に調整した時の紫外可視吸収スペクトル変化の測定結果を示す。同図において、横軸は、波長nmであり、縦軸は、吸光度である。pHの調整は、希硫酸を加えて行った。この測定は、298K、1cm光路長、脱気水中で行った。さらに、図18bに、図18a中の矢印で示した波長305nmおよび325nmにおける、pHの変化に対する吸光度変化を示す。同図において、横軸は、pHであり、縦軸は、吸光度である。前記pHの変化は、水酸化ナトリウムの添加により行った。図18bに示すとおり、イリジウム単核アクア錯体13は、2つの酸解離定数pKapKa40、95を示した。このことから、イリジウム単核アクア錯体13は、図19に示すように、前記錯体水溶液のpHに応じて、前記式13から15のいずれかの状態または前記式13と前記式14とが所定の割合で混在している状態、または前記式14と前記式15とが所定の割合で混在している状態で存在していると推測される。より具体的には、二酸化炭素の形態としてCO2の存在比が多い状態pH約6以下では、錯体13の存在比が多く、HCO3-の存在比が多い状態pH約6~約10では、錯体14の存在比が多く、CO32-の存在比が多い状態pH約10以上では、錯体15の存在比が多いと推測される。[実施例2:イリジウム単核アクア錯体16の製造]前記スキーム2に従って、イリジウム単核アクア錯体16を製造合成した。詳細は、以下のとおりである。工程1:4ベンゼンスルホン酸の製造1フェニルピラゾールを、濃硫酸2mLに加えて溶液とした。これに、発煙硫酸5mL、30SO3を、0°Cで5分以上かけて徐々に加えた。温度を35°Cに上げて、1時間このレベルを維持した。この混合物を、砕いた氷上に注いで0°Cに冷却し、硫酸塩を沈殿させ、この硫酸塩をろ過し、真空乾燥して白色固体の目的とする4ベンゼンスルホン酸を得た1フェニルピラゾールに基づいて計算した収率37。以下に、4ベンゼンスルホン酸の機器分析値を示す。1HNMR:δ655768775780852工程2:IrCpベンゼンスルホン酸κC3イリジウム単核アクア錯体16の硫酸SO42塩の製造CpIr32の硫酸SO42塩020g、045mmolを、水30mLに加えて水溶液とした。この水溶液に、アルゴン雰囲気下で、前記工程1において製造した4ベンゼンスルホン酸を添加し、暗下において、16時間加熱還流した。還流後、沈殿物をろ別し、減圧下で乾燥させて、黄色粉末の目的とするイリジウム単核アクア錯体16すなわちIrCpベンゼンスルホン酸κC3の硫酸SO42塩を得たCpIr32の硫酸SO42塩に基づいて計算した収率26。以下に、IrCpベンゼンスルホン酸κC3の硫酸SO42塩の機器分析値を示す。1HNMR:δ175515H695759776789826894元素分析:IrCpbenzensulfonicacidκC3の硫酸SO42塩:C19H22N2O4SIr:理論値:C4019H408N493観測値:C3976H410N495図20aおよび図20bに、イリジウム単核アクア錯体16の1HNMRスペクトル図を示す。同図aは、1HNMRスペクトルの全体図であり、同図bは、一部の拡大図である。次に、以下の通り、イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩およびイリジウム単核アクア錯体16硫酸塩の性能を評価した。[実施例3~4:二酸化炭素固定用触媒によるギ酸の製造および二酸化炭素の固定]1イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩によるギ酸の製造および二酸化炭素の固定実施例3前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩を、炭酸カリウム水溶液01mMに溶解した。この錯体水溶液026mMに、室温30°C303K、脱酸素条件下、常圧1atmの二酸化炭素を1時間吹き込んだ。このようにして、前記錯体水溶液に二酸化炭素を飽和させた。この時の前記錯体水溶液のpHは、75であった。この状態で、常圧1atmの二酸化炭素と常圧1atmの水素H2とを、毎分50ccで、前記錯体水溶液に同時に吹き込んでバブリングさせた。このようにして、二酸化炭素固定反応ギ酸製造反応を開始した。この反応溶液を一定時間ごとに分取して、図1bに示すように、生成したギ酸について、1HNMR測定を行った。同測定では、D2O含有キャピラリーをインターナルロックとして、水中H2Oで測定を行った。生成したギ酸の定量には、TSP3トリメチルシリル3322プロピオン酸d410mMを内部標準として用いた。この結果を、図1aのグラフに示す。同図において、横軸は、反応時間hであり、縦軸は、ギ酸イオン濃度mMである。図示のとおり、生成したギ酸量は、反応時間の経過に比例して増加した。触媒回転効率TOF:TurnOverFrequency、1時間当たりの触媒の回転数は、678h1であった。この数値は、室温の水中における二酸化炭素固定反応のTOFとしては、本願出願時までに知られている世界最高値である。また、ターンオーバー数TON:TurnOverNumber、触媒1モル当たり生成するギ酸のモル数が100を超えても触媒活性が維持されることが分かった。すなわち、実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩は、触媒活性が高く、常温常圧の水溶液中で、二酸化炭素と水素H2とを反応させることで二酸化炭素を固定して、ギ酸を効率良く製造することができる二酸化炭素固定用触媒として用いることができた。2イリジウム単核アクア錯体16硫酸塩によるギ酸の製造および二酸化炭素の固定実施例4前記実施例2で製造したイリジウム単核アクア錯体16硫酸塩を、炭酸カリウム水溶液01mMに溶解した。この錯体水溶液032mMに、室温30°C303K、脱酸素条件下、常圧1atmの二酸化炭素を1時間吹き込んだ。このようにして、前記錯体水溶液に二酸化炭素を飽和させた。この時の前記錯体水溶液のpHは、74であった。この状態で、常圧1atmの二酸化炭素と常圧1atmの水素H2とを、毎分50ccで、前記錯体水溶液に同時に吹き込んでバブリングさせた。このようにして、二酸化炭素固定反応ギ酸製造反応を開始した。この反応溶液を所定の経過時間ごとに分取して、実施例11と同様にして、生成したギ酸について、1HNMR測定を行った。この結果を、図2のグラフに示す。同図において、横軸は、反応時間hであり、縦軸は、TONである。図示のとおり、TONは、反応時間の経過に比例して増加した。すなわち、生成したギ酸量は、反応時間の経過に比例して増加した。触媒回転効率TOFは、22h1であった。以下の実施例においても、同様にして生成したギ酸について、1HNMR測定を行った。[実施例5:ギ酸の製造および二酸化炭素の固定のpH依存性1pH88以上]前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩を、炭酸水素カリウム/炭酸カリウム水溶液2Mに溶解した。ギ酸生成量と前記錯体水溶液のpHとの関係を調べるために、この錯体水溶液のpHを、88、94、または99に調整した。この状態で、この錯体水溶液018mMを60°C333K、水素H2雰囲気下に静置することで、二酸化炭素固定反応ギ酸製造反応を開始した。この結果を図3に示す。図3aのグラフは、前記錯体水溶液のpHをそれぞれ、88、94、99とした場合の、反応経過時間反応時間とTONとの関係を示すグラフである。同図において、横軸は、反応時間hであり、縦軸は、TONである。なお、pHの調整は、炭酸水素カリウムと炭酸カリウムとの物質量比の調整により行った。例えば、2M炭酸水素カリウム水溶液炭酸水素カリウムのみの場合、pHは88となり、2M炭酸カリウム水溶液炭酸カリウムのみの場合、pHは約104となる。イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩の濃度は、上記のとおり、炭酸水素カリウムおよび炭酸カリウムの合計濃度に対して低いため、pHに影響しない。図示のとおり、いずれのpHにおいても、TONは、反応時間の経過に比例して増加した。すなわち、生成したギ酸量は、反応時間の経過に比例して増加した。図3bのグラフに、前記錯体水溶液のpHとTOFとの関係を示す。また、同グラフでは、前記錯体反応溶液における炭酸イオンCO32と重炭酸イオンHCO3との割合同グラフの右側の軸を示す。図示のとおり、TOFは、pHの変化に依存して変化した。すなわち、前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩の触媒活性は、pHに依存し、前記錯体水溶液のpHが高くなるほど、触媒活性が小さくなった。一方、前記炭酸イオンと前記重炭酸イオンとの関係は、pHが大きくなるほど、前記炭酸イオンの存在比が大きくなり、前記重炭酸イオンの存在比が小さくなった。このことから、前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩では、重炭酸イオンHCO3が、ギ酸生成の基質であると推測される。また、ギ酸は、前記重炭酸イオンHCO3の水素化により生成していると推測される。また、図4右側のグラフに、図3bのグラフで示した前記錯体水溶液のpHとTOFの関係、および、実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13のpHに応じた存在比Ratioを示す。なお、図4左側のグラフは、図3aのグラフと同一である。図3および4に示すとおり、この錯体における二酸化炭素固定ギ酸製造の触媒活性TOFと、式14および15で表されるイリジウム単核アクア錯体の存在比Ratioとに相関関係が見られた。また、図5aに、実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13の錯体水溶液中への水素H2の吹き込みによるUVVisスペクトル変化を示す。同図において、横軸は、波長nmであり、縦軸は、吸光度である。同図の測定においては、以下のように条件を設定した。すなわち、まず、前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩を、炭酸カリウム水溶液2Mに溶解した。ついで、この錯体水溶液015mM、pH88に、室温25°C298K、脱酸素条件下、常圧1atmの水素H2を1分間吹き込んだ同図における2。ついで、60分間そのままにしておいた同図における3。ついで、再び常圧1atmの水素を1分間吹き込んだ同図における4これらの2~4の状態と、2で水素H2を吹き込む前同図における1の状態とでの、UVVisスペクトル変化を測定した。この測定は、298K、1cm光路長、脱気水中で行った。図5aに示すとおり、前記錯体水溶液への水素の吹き込みの前後において、UVVisスペクトルに変化が起きていた。この結果から、前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体は、錯体水溶液に吹き込まれた水素H2と反応してヒドリド錯体15Bを形成していると推測される。前記ヒドリド錯体15Bは、例えば、図6に示す1HNMR測定により検出測定可能である。以上の推測から、図5bのスキームに、前記実施例1で製造されたイリジウム単核アクア錯体における二酸化炭素固定の推測可能な反応機構を示す。なお、同図におけるM2は、前記式14で表されるイリジウム単核アクア錯体の構造のうち、前記式1における配位子Lに相当する配位子水分子を除いた部分を意味する。図示のとおり、この錯体水溶液pH88中に存在するイリジウム単核アクア錯体14は、この錯体水溶液を水素H2雰囲気下に静置することで、前記錯体水溶液に水素H2が存在することとなり、ヒドリド錯体となる。このヒドリド錯体が、重炭酸イオンを基質として水素化してギ酸錯体となる。このギ酸錯体が元の前記式14に戻る配位子LがH2Oとなる際に、ギ酸を製造生成する。このようにすることで、前記実施例1で製造されたイリジウム単核アクア錯体は、二酸化炭素を固定して、ギ酸を製造生成していると推測される。ただし、この反応機構は、推測可能な機構の一例を示すに過ぎず、本発明を何ら限定するものではない。[実施例6:ギ酸の製造および二酸化炭素の固定のpH依存性2pH78以下]前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩を、炭酸カリウム水溶液01mMに溶解した。この錯体水溶液018mMに、室温60°C333K、脱酸素条件下、常圧1atmの二酸化炭素を1時間吹き込んだ。このようにして、前記錯体水溶液に二酸化炭素を飽和させた。この時の前記錯体水溶液のpHは、78であった。この状態で、常圧1atmの二酸化炭素と常圧1atmの水素H2とを、毎分50ccで、前記錯体水溶液に同時に吹き込んでバブリングさせた。このようにして、二酸化炭素固定反応ギ酸製造反応を開始した。この反応溶液を1時間ごとに分取して、生成したギ酸について1HNMR測定を行った。この結果を、図7のグラフに示す。同図において、横軸は、反応時間hであり、縦軸は、TONである。図示のとおり、TONは、反応時間の経過に比例して増加した。すなわち、生成したギ酸量は、反応時間の経過に比例して増加した。TOFは、221h1であった。なお、前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩を、炭酸カリウム水溶液01mMに代えて、水に溶解した場合には、この錯体水溶液に二酸化炭素を飽和させたときのpHは60であった。この状態で、前述と同様に二酸化炭素と水素とを、前記錯体水溶液に同時に吹き込んでバブリングさせても、ギ酸の生成は確認できなかった。なお、このように、低いpHでギ酸の生成が確認できなかったのは、後述するギ酸分解の影響が推測されるが、この推測により本発明は何ら限定ないし制限されない。[実施例7:ギ酸の製造および二酸化炭素の固定の触媒濃度依存性]前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩を、ギ酸生成量と前記触媒濃度との関係を調べるために、その触媒濃度がそれぞれ、013mM、018mMおよび034mMとなるように、炭酸水素カリウム水溶液2Mに溶解した。これらの錯体水溶液のpHは、いずれも88であった。なお、イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩の濃度は、上記のとおり、炭酸水素カリウムの濃度に対して低いため、pHに影響しない。この状態で、これらの錯体水溶液を60°C333K、水素H2雰囲気下に静置することで、二酸化炭素固定反応ギ酸製造反応を開始した。この結果を図8に示す。図8aのグラフは、前記錯体水溶液における触媒濃度を、013mM、018mMおよび034mMとした場合の、反応時間の経過とギ酸生成量との関係を示す。同図において、横軸は、反応時間hであり、縦軸は、ギ酸イオン濃度mMである。図示のとおり、前記錯体水溶液における触媒濃度に応じて、ギ酸の生成量製造量が多くなった。図8bのグラフに、前記錯体水溶液における触媒濃度と単位時間あたりのギ酸生成量との関係を示す。同図において、横軸は、錯体13の濃度mMであり、縦軸は、単位時間当たりのギ酸生成量104molh1である。図示のとおり、前記触媒濃度に比例して、前記単位時間当たりのギ酸生成量も増加した。[実施例8:ギ酸の製造および二酸化炭素の固定の重炭酸イオン濃度依存性]前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩を、ギ酸生成量と重炭酸イオンHCO3濃度との関係を調べるために、その濃度が、075M、10M、15Mおよび20Mの炭酸水素カリウム水溶液に、それぞれ溶解した。これらの錯体水溶液のpHは、炭酸水素カリウム濃度が20Mのとき88であり、前記の範囲で炭酸水素カリウム濃度を変化させても、ほぼ一定で、さほど大きく変化しなかった。この状態で、これらの錯体水溶液018mMを、60°C333K、水素H2雰囲気下に静置することで、二酸化炭素固定反応ギ酸製造反応を開始した。この結果を図9に示す。図9aのグラフは、前記炭酸水素カリウムの濃度重炭酸イオンHCO3濃度を、075M、10M、15Mおよび20Mとした場合の、反応時間の経過とギ酸生成量との関係を示す。同図において、横軸は、反応時間hであり、縦軸は、TONである。図示のとおり、前記炭酸水素カリウムの濃度重炭酸イオンHCO3濃度に応じて、TONは、反応時間の経過に比例して増加した。すなわち、ギ酸の生成量製造量が多くなった。図9bのグラフは、前記炭酸水素カリウムの濃度重炭酸イオンHCO3濃度とTOFとの関係を示す。同図において、横軸は、炭酸水素カリウムの濃度Mであり、縦軸は、TOFである。図示のとおり、前記炭酸水素カリウムの濃度重炭酸イオンHCO3濃度に比例して、TOFが向上した。[実施例9:ギ酸の製造および二酸化炭素の固定の温度依存性]前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩を、炭酸水素カリウム水溶液2Mに溶解した。前記錯体水溶液のpHは、88であった。この錯体水溶液018mMを、その温度を、それぞれ30°C303K、40°C313K、50°C323Kおよび60°C333Kとして、水素H2雰囲気下に静置することで、二酸化炭素固定反応ギ酸製造反応を開始した。この結果を、図10に示す。図10aのグラフは、前記錯体水溶液の温度を、それぞれ30°C303K、40°C313K、50°C323Kおよび60°C333Kとした場合の、反応時間の経過とTONとの関係を示すグラフである。同図において、横軸は、反応時間hであり、縦軸は、TONである。図示のとおり、いずれの温度においても、TONは、反応時間の経過に比例して増加した。すなわち、生成したギ酸量製造量は、反応時間の経過に比例して増加した。図10bのグラフに、前記錯体水溶液の温度の逆数と、TOFの対数との関係を示す。同図において、横軸は、温度の逆数103T1、K1であり、縦軸は、TOFの自然対数lnTOFである。すなわち、同図は、アレニウスプロットである。図示のとおり、lnTOFは、温度の逆数に対して、負の傾きで低下した。すなわち、lnTOFは、温度の上昇とともに上昇した。[実施例10:ギ酸分解用触媒による水素H2の製造およびギ酸の分解]前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩を、水に溶解し、錯体水溶液02mMとした。この水溶液に、脱酸素、1atm条件下で、ギ酸33Mを添加した。この時の前記錯体水溶液の初期pHギ酸分解反応が起こる前すなわちギ酸添加直後のpHを測定したところ、11であった。この状態で、室温25°C298Kで静置すると、目視で明確に確認できる気体が発生した。この気体を、GCガスクロマトグラフィーで分析した結果、水素と二酸化炭素の1:1混合ガスであった。この気体を、水酸化ナトリウム5Mにバブリングさせて、二酸化炭素を分離除去した後に、GCガスクロマトグラフィーで定量分析した。また、前記初期pHを種々変化させた以外は同様の錯体水溶液を用いて同様に発生した水素を定量分析した。なお、初期pHの調整は、pH141の水溶液図11のグラフ参照については、5M水酸化ナトリウム水溶液の添加により行った。それ以外の水溶液の初期pHは、ギ酸33Mに代えて、ギ酸とギ酸カリウムとの混合物濃度33Mで一定を用い、ギ酸とギ酸カリウムとの混合比物質量比を調整することにより行った。図11のグラフに、前記錯体水溶液のpHと水素発生初期速度TOFとの関係を示す。同図において、横軸は、pHであり、縦軸は、TOFである。図示のとおり、前記錯体水溶液のpHが、1以上9未満の範囲で水素の発生が確認された。前記錯体水溶液のpHが28付近で、TOFが最大となることが確認された。このpHでのギ酸添加から10分後までの触媒回転数に基づき算出したTOFは、1880h1であった。この数値は、室温の水中におけるギ酸分解反応のTOFとしては、本願出願時までに知られている世界最高値である。すなわち、実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩は、触媒活性が高く、常温常圧のギ酸を含む水溶液中で、ギ酸を分解して水素H2を効率良く製造することができるギ酸分解触媒として用いることができた。また、図12aに、実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13の錯体水溶液中へのギ酸の添加によるUVVisスペクトル変化を示す。同図において、横軸は、波長nmであり、縦軸は、吸光度である。以下のように条件を設定した。すなわち、まず、前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩を、水に溶解し、錯体水溶液015mMとした2mL。この水溶液に、脱酸素、1atm条件下で、ギ酸/ギ酸カリウム水溶液026μmol026M、10μlを添加してから40秒後同図における2と、ギ酸を添加する前同図における1の状態とでの、UVVisスペクトル変化を測定した。この測定は、298K、1cm光路長、脱気水中で行った。図12aに示すとおり、前記錯体水溶液へのギ酸添加の前後において、UVVisスペクトルに変化が起きていた。この結果から、前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体は、錯体水溶液に添加されたギ酸と反応してギ酸錯体を形成していると推測される。以上の推測から、図12bのスキームに、前記実施例1で製造されたイリジウム単核アクア錯体におけるギ酸分解の推測可能な反応機構を示す。なお、同図におけるM1は、前記式13で表されるイリジウム単核アクア錯体の構造のうち、前記式1における配位子Lに相当する配位子水分子を除いた部分を意味する。図示のとおり、この錯体水溶液pH20中に存在するイリジウム単核アクア錯体13は、この錯体水溶液にギ酸が添加されると、ギ酸アニオンと反応してギ酸錯体を生成する。このギ酸錯体は、二酸化炭素の脱離を経てヒドリド錯体となる。このヒドリド錯体は、プロトンH3Oと反応して、水素H2を発生する。このようにすることで、前記実施例1で製造されたイリジウム単核アクア錯体は、ギ酸を分解して、水素H2を発生製造していると推測される。ただし、この反応機構は、推測可能な機構の一例を示すに過ぎず、本発明を何ら限定するものではない。[実施例11:水素H2の製造およびギ酸の分解の温度依存性]前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩を、水に溶解し、錯体水溶液02mMとした。この時の前記錯体水溶液の初期pHギ酸分解反応が起こる前のpHを測定したところ、278であった。この錯体水溶液の温度を、それぞれ15°C288K、20°C293K、25°C298Kおよび30°C303Kとして、この水溶液に、脱酸素、1atm条件下で、ギ酸/ギ酸カリウム水溶液33Mを添加した。目視で明確に確認できる気体が発生した。この結果を、図13に示す。図13aのグラフは、前記錯体水溶液の温度を、それぞれ30°C303K、40°C313K、50°C323Kおよび60°C333Kとした場合の、反応経過時間とTONとの関係を示す。同図において、横軸は、反応時間sであり、縦軸は、TONである。図示のとおり、いずれの温度においても、TONは、反応時間の経過に比例して増加した。すなわち、発生した水素H2量製造量は、反応時間の経過に比例して増加した。図13bのグラフに、前記錯体水溶液の温度の逆数とTOFの対数との関係を示す。同図において、横軸は、温度の逆数103T1、K1であり、縦軸は、TOFの対数lnTOFである。すなわち、同図は、アレニウスプロットである。図示のとおり、TOFの対数は、温度の逆数に対して、負の傾きで低下した。すなわち、TOFの対数は、温度の上昇とともに上昇した。[実施例12:水素H2の製造およびギ酸の分解の触媒濃度依存性]前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩を、水素H2発生量製造量と前記触媒濃度との関係を調べるために、その触媒濃度がそれぞれ、01mM、02mM、03mMおよび04mMとなるように、水に溶解し、錯体水溶液とした。この時の前記錯体水溶液の初期pHギ酸分解反応が起こる前のpHを測定したところ、278あった。この状態で、これらの錯体水溶液を25°C298Kとして、これらの水溶液に、脱酸素、1atm条件下で、ギ酸/ギ酸カリウム水溶液33Mを添加した。この結果を、図14に示す。図14のグラフは、前記錯体水溶液における触媒濃度を、01mM、02mM、03mMおよび04mMとした場合の、触媒濃度と単位時間あたりの水素H2発生量製造量との関係を示す。同図において、横軸は、触媒錯体13の濃度mMであり、縦軸は、単位時間当たりのH2発生量mmolh1である。図示のとおり、発生した水素H2量製造量は、触媒濃度に比例して増加した。[実施例13:水素H2の製造およびギ酸の分解のギ酸濃度依存性]前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩を、水に溶解し、錯体水溶液02mMとした。この時の前記錯体水溶液の初期pHギ酸分解反応が起こる前のpHを測定したところ、278であった。この状態で、これらの錯体水溶液を25°C298Kとして、これらの水溶液に、脱酸素、1atm条件下で、ギ酸/ギ酸カリウム水溶液を添加した。前記ギ酸/ギ酸カリウムの濃度を、約03Mから約5Mとした。この結果を、図15に示す。図15のグラフは、前記ギ酸/ギ酸カリウム水溶液の濃度を約03Mから約5Mまで変化させた場合の、ギ酸/ギ酸カリウム水溶液の濃度とTOFとの関係を示す。同図において、横軸は、前記ギ酸/ギ酸カリウム水溶液の濃度Mであり、縦軸は、TOFである。図示のとおり、ギ酸/ギ酸カリウム水溶液の濃度の増加に応じて、TOFが向上し、所定の制限値に達した。以上のように、実施例1および2で製造したイリジウム単核アクア錯体13および16は、常温常圧の水溶液中で、二酸化炭素と水素H2とを反応させることで二酸化炭素を固定して、ギ酸を効率良く製造することができる二酸化炭素固定用触媒として用いることができた。また、特に、実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13は、実施例10から13で示すように、常温常圧のギ酸を含む水溶液中で、ギ酸を分解して水素H2を効率良く製造することができるギ酸分解触媒として用いることができた。すなわち、実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13は、図21に示すように、二酸化炭素固定用触媒とギ酸分解用触媒との両方の機能を有する。このような単核金属錯体は、本発明者等が初めて見出したものである。前記両機能の切り替えは、実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13の水溶液のpHを変化させることにより行うことができる。以下に、本発明の単核金属錯体との比較として、前述の非特許文献1Himeda,Y.etal.Organometallics2007,26,702-712と同様のイリジウム錯体を製造合成し、触媒特性を評価した。ただし、以下の錯体製造比較例においては、同文献に記載されたイリジウム錯体の塩酸塩に代えて硫酸塩を製造し、触媒特性を評価した。[錯体製造比較例1:イリジウム錯体硫酸塩の製造]下記式21で表されるイリジウム錯体硫酸塩を製造合成した。詳細は、以下のとおりである。前記式21で表されるイリジウム錯体硫酸塩の製造方法は、前記実施例1に準じた。すなわち、まず、47ジヒドロキシ110フェナントロリンを、水20mLに加えて水溶液とした。この水溶液に、アルゴン雰囲気下で、前記工程2において製造した錯体108すなわちCpIr32の硫酸SO42塩200mg、0419mmolを添加し、暗下において、40°Cで12時間攪拌した。攪拌後、この溶液をメンブレンフィルターでろ過した。このろ液からエバポレーションにより水分を除去し、真空乾燥して、前記式21で表されるイリジウム錯体硫酸塩を得たCpIr32の硫酸SO42塩に基づいて計算した収率81。次に、以下の通り、このイリジウム錯体硫酸塩21の二酸化炭素固定用触媒としての性能を、実施例1と同様にして評価した。[比較例1:二酸化炭素固定用触媒としてのギ酸の製造および二酸化炭素の固定]前記錯体製造比較例1で製造したイリジウム錯体硫酸塩21を、実施例3と同様に、炭酸カリウム水溶液01mMに溶解させた。この錯体水溶液026mMに、室温30°C303K、脱酸素条件下、常圧1atmの二酸化炭素を1時間吹き込んだ。このようにして、前記錯体水溶液に二酸化炭素を飽和させた。この時の前記錯体水溶液のpHは、75であった。この状態で、常圧1atmの二酸化炭素と常圧1atmの水素H2とを、毎分10ccで、前記錯体水溶液に同時に吹き込んでバブリングさせた。このようにして、二酸化炭素固定反応ギ酸製造反応を開始した。この反応溶液を3時間ごとに分取して、実施例3と同様にして、1HNMR測定を行った。1HNMR測定の結果、ギ酸の生成が確認でき、ギ酸の生成量を決定できた。TONの時間変化をプロットすると、図23で示すように、TONは、反応開始からの時間に比例して増加した。しかし、その比例定数として求めたTOFは、15h1と低く、この値は、高速液体クロマトグラフィーによりギ酸の生成量を定量して決定した非特許文献1に記載のTOFの値よりも低いことがわかった。以上のとおり、本実施例比較例における条件では、前記錯体製造比較例1で製造したイリジウム錯体硫酸塩21は、常温常圧の水溶液中で、二酸化炭素と水素H2とを反応させることで二酸化炭素を固定して、ギ酸を製造する二酸化炭素固定用触媒としての機能を示すが、その触媒活性は低い。[実施例14:イリジウム単核ヒドリド錯体15Aの製造]前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩8mg、14μmolを、脱酸素した水に溶解した。この時の前記錯体水溶液のpHは、17であった。この状態で、常圧1atmの水素H2を、毎分50ccで、前記錯体水溶液に吹き込んで5分間バブリングさせた。これにより生じた沈殿を分離するため、遠心分離した後デカンテーションし、さらに真空乾燥して、オレンジ色粉末の目的とするイリジウム単核ヒドリド錯体15AすなわちIrCp安息香酸κC3H0を得た。以下に、イリジウム単核ヒドリド錯体15Aの機器分析値1HNMRを示す。また、上記反応のスキームおよびイリジウム単核ヒドリド錯体15Aの1HNMRチャートは、図6と同様である。1HNMR:δ187515H666749756779818862[実施例15:イリジウム単核ヒドリド錯体15Bの製造]NaOH06μg、0015μmolを水1mLに溶かし、NaOHの15μM水溶液とした。これに、同量のアセトニトリルを加え、水:アセトニトリル=1:1体積比の75μMNaOH溶液とした。そこに、前記実施例1で製造したイリジウム単核アクア錯体13硫酸塩016μg、000028μmolを溶かし、アルカリ中和されたイリジウム単核アクア錯体14の014μM溶液とした。ついで、この錯体溶液に、室温25°C298K、脱酸素条件下、常圧1atmの水素H2を吹き込んで30分間バブリングさせた。この溶液をESIMASSスペクトルの負イオンモードで測定すると、イリジウム単核ヒドリド錯体15BすなわちIrCp安息香酸κC3H1に帰属されるスペクトルが得られた。また、水素H2を重水素D2に変える以外は同様にして反応を行うと、重水素化されたイリジウム単核ヒドリド錯体15BすなわちIrCp安息香酸κC3D1に帰属されるスペクトルが得られた。以下に、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bの機器分析値MSを示す。また、図24に、上記反応のスキームおよびイリジウム単核ヒドリド錯体15Bのマススペクトル図を示す。なお、イリジウム単核ヒドリド錯体15BのUVVisスペクトル図は、図25および26の右下に示した。MS:IrCp安息香酸κC3H1mz5152IrCp安息香酸κC3D1mz5162以上のとおり、実施例14および15では、水素ガスとイリジウム単核アクア錯体13とから、イリジウム単核ヒドリド錯体15Aまたは15Bを製造できた。また、質量分析の結果、重水素ガスを用いた場合は分子量が1大きいヒドリド錯体が得られたことから、ヒドリドの水素源は水素ガスであることが確認された。さらに、前述のとおり、実施例5では、水素ガスとともに二酸化炭素を系中に吹き込んで、ギ酸の製造二酸化炭素の固定ができることを確認した。[実施例16:ヒドリド錯体を電子ヒドリド源として用いたイリジウム単核ヒドリド錯体15Bの製造]イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩58mg、001mmolおよび水素化ホウ素ナトリウムNaBH472mg、019mmolを、室温25°C298Kで脱酸素した重水D2O05mLに溶かし、イリジウム単核アクア錯体13を002Mおよび水素化ホウ素ナトリウムを038M含む水溶液pD140とした。なお、pHは、重水酸化ナトリウムを用いて調節した。これを、室温25°C298K、アルゴン雰囲気下で5分間撹拌して反応させた。反応は、1HNMRで追跡した。図25に、その結果を示す。同図上段の反応スキームにおいては、出発原料を、イリジウム単核ヒドロキシ錯体15として表記している。これは、実施例1および5で述べたとおり、イリジウム単核アクア錯体13は、塩基性条件下では多くがイリジウム単核ヒドロキシ錯体15に変化すると考えられるためである。同図の1HNMRにおいて、下段は、反応前のイリジウム単核ヒドロキシ錯体15のチャートであり、上段は、上記反応5分間後のチャートである。図示のとおり、反応後は、ヒドリド配位子のピーク等、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bの生成を示すピークが見られた。なお、図25右下のグラフは、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bナトリウム塩の014mM水溶液pH137のUVVisスペクトル図である。同図において、横軸は波長nmを表し、縦軸は吸光度を表す。以上のとおり、本実施例では、水素ガスに代えてヒドリド錯体NaBH4を電子ヒドリド源としてイリジウム単核ヒドリド錯体15Bナトリウム塩を製造合成できた。[実施例17:エタノールを電子ヒドリド源として用いたイリジウム単核ヒドリド錯体15Bの製造およびエタノールの酸化]イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩87mg、0015mmolおよびエタノール10μLを、室温25°C298Kで、脱酸素した重水D2O05mLに溶かし、イリジウム単核アクア錯体13を003Mおよびエタノールを含む水溶液pD143とした。なお、pHの調整は、重水酸化ナトリウムを加えて行った。これを、室温25°C298K、アルゴン雰囲気下で60分間撹拌して反応させた。反応は、1HNMRで追跡した。図26に、その結果を示す。同図上段の反応スキームにおいては、出発原料を、イリジウム単核ヒドロキシ錯体15として表記している。これは、実施例1および5で述べたとおり、イリジウム単核アクア錯体13は、塩基性条件下では多くがイリジウム単核ヒドロキシ錯体15に変化すると考えられるためである。同図の1HNMRにおいて、下段は、反応前のイリジウム単核ヒドロキシ錯体15のチャートであり、中段は、反応開始5分後のチャートであり、上段は、反応開始60分後のチャートである。図示のとおり、反応後は、ヒドリド配位子のピーク等、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bの生成を示すピークが見られた。なお、図26右下のグラフは、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bナトリウム塩の015mM水溶液pH137のUVVisスペクトル図である。同図において、横軸は波長nmを表し、縦軸は吸光度を表す。以上のとおり、本実施例では、水素ガスまたはヒドリド錯体に代えて、アルコールエタノールを電子ヒドリド源としてイリジウム単核ヒドリド錯体15Bを製造合成するとともに、エタノールを酸化してアセトアルデヒドを製造できた。[実施例18~19:2-プロパノールまたは2-ブタノールを電子ヒドリド源として用いたイリジウム単核ヒドリド錯体15Bの製造および2-プロパノールまたは2-ブタノールの酸化]イリジウム単核アクア錯体13および2-プロパノールを用いて、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bを製造した実施例18。すなわち、まず、イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩75mg、0013mmolおよび2-プロパノールイソプロピルアルコール10μLを、室温25°C298Kで脱酸素水05mLに溶かし、イリジウム単核アクア錯体13を0026Mおよび2-プロパノールを含む水溶液pH14とした。なお、pHの調整は、50M水酸化ナトリウム水溶液を加えて行った。これを、室温25°C298K、アルゴン雰囲気下で10分間撹拌して反応させた。反応は、1HNMRで追跡した。図27に、その結果を示す。同図上段の反応スキームにおいては、出発原料を、イリジウム単核ヒドロキシ錯体15として表記している。これは、実施例1および5で述べたとおり、イリジウム単核アクア錯体13は、塩基性条件下では多くがイリジウム単核ヒドロキシ錯体15に変化すると考えられるためである。同図左下aの1HNMRにおいて、下段は、反応前のイリジウム単核ヒドロキシ錯体15のチャートであり、上段は、反応開始10分後のチャートである。同図において、Cpofは、イリジウム単核ヒドロキシ錯体15のη5-ペンタメチルシクロペンタジエニル基におけるメチル水素のピークを表す。Cpofは、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bのη5-ペンタメチルシクロペンタジエニル基におけるメチル水素のピークを表す。ipropanolは、2-プロパノールのメチル水素のピークを表す。Acetonは、2-プロパノールが酸化されて生成したアセトンのメチル水素のピークを表す。TSPは、標準物質として加えたトリメチルシリルプロピオネートのピークを表す。また、各ピークに付した15Hまたは6Hの符号は、積分比プロトン数比を表す。図示のとおり、反応後は、イリジウム単核ヒドロキシ錯体15が還元されてイリジウム単核ヒドリド錯体15Bになるとともに、2-プロパノールが酸化されてアセトンが生成したことを示すピークが見られた。イリジウム単核アクア錯体13の濃度を23mMにすることと、2-プロパノール10μLに代えて2-ブタノール10μLを用いることと、反応時間を30分間にすること以外は実施例18と同様にして、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bを製造した実施例19。結果を、図27右下bの1HNMRチャートに示す。同図において、Cpof、CpofおよびTSPの意味は、左側のaのチャート実施例18と同じである。2butanolは、2-ブタノールのメチル水素のピークを表す。a、bおよびcは、それぞれ、図中の2-ブタノン分子において同じ符号で示したメチルまたはメチレン水素のピークを表す。また、各ピークに付した15H3Hまたは2Hの符号は、積分比プロトン数比を表す。図示のとおり、反応後は、イリジウム単核ヒドロキシ錯体15が還元されてイリジウム単核ヒドリド錯体15Bになるとともに、2-ブタノールが酸化されて2-ブタノンが生成したことを示すピークが見られた。以上のとおり、実施例18および19では、エタノールに代えて他のアルコール2-プロパノールまたは2-ブタノールを電子ヒドリド源としてイリジウム単核ヒドリド錯体15Bを製造合成するとともに、前記アルコールを酸化してアルデヒドを製造できた。[実施例20:エタノールを電子ヒドリド源として用いたイリジウム単核ヒドリド錯体15Bの製造およびエタノールの酸化2]イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩015mg、025μmolおよびエタノール100μLを、室温25°C298Kで脱酸素水20mLに溶かし、イリジウム単核アクア錯体13を012Mおよびエタノールを82mM含む水溶液pH137とした。なお、pHの調整は、05M水酸化ナトリウム水溶液を加えて行った。これを、室温25°C298K、アルゴン雰囲気下で300秒間撹拌して反応させた。反応は、UVVisスペクトルで追跡した。図28に、その結果を示す。図28において、左下のグラフは、前記反応追跡時のUVVisスペクトルを示すグラフであり、横軸は、波長nmを表し、縦軸は、吸光度を表す。図示のとおり、時間経過につれて、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bの生成を示す波長350nm付近の吸収帯の吸光度が増大した。また、図28における右下のグラフは、左下のグラフにおける波長350nmでの吸光度の経時変化を示すグラフであり、横軸は、反応時間秒を表し、縦軸は、波長350nmでの吸光度を表す。また、右下のグラフにおける挿入図は、前記波長350nmでの吸光度について、反応時間とlnとの相関関係を示すグラフであり、横軸は、反応時間秒を表し、縦軸は、lnを表す。なお、A0は、波長350nmにおける、反応開始前反応時間0秒における吸光度を表し、Aは、波長350nmにおける、任意の反応時間における吸光度を表す。lnは、自然対数を表す。図示のとおり、本実施例におけるイリジウム単核ヒドリド錯体15Bの生成反応または、アルコールの酸化反応、水素発生反応もしくはアルデヒド生成反応ということができるは、一次反応であり、反応開始後約100秒で、ほぼ反応が完結した。なお、図28上段のスキームは、本実施例におけるイリジウム単核ヒドリド錯体15Bの生成反応において推定されるメカニズムを示しているが、本発明は、これにより限定されない。[実施例21:種々のアルコールを電子ヒドリド源として用いたイリジウム単核ヒドリド錯体15Bの製造および前記アルコールの酸化]イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩015mg、025μmolおよびアルコール100μLを、室温25°C298Kで脱酸素水20mLに溶かし、イリジウム単核アクア錯体13を120μMおよび前記アルコールを含む水溶液pH137とした。なお、pHの調整は、50M水酸化ナトリウム水溶液を加えて行った。これを、室温25°C298K、アルゴン雰囲気下で300秒間撹拌して反応させた。前記アルコールとしては、メタノール、エタノール、1-プロパノールnpropanol、2-プロパノールipropanol、または1-ブタノールnbutanolを用いた。反応は、UVVisスペクトルで追跡した。図29に、その結果を示す。同図左側のグラフは、前記反応追跡時のUVVisスペクトルを示すグラフであり、横軸は、波長nmを表し、縦軸は、吸光度を表す。図示のとおり、時間経過につれて、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bの生成を示す波長350nm付近の吸収帯の吸光度が増大した。また、同図右側のグラフは、前記波長350nmでの吸光度について、反応時間とlnとの相関関係を示すグラフであり、横軸は、反応時間秒を表し、縦軸は、lnを表す。A0は、波長350nmにおける、反応開始前反応時間0秒における吸光度を表し、Aは、波長350nmにおける、任意の反応時間における吸光度を表す。lnは、自然対数を表す。図示のとおり、本実施例におけるイリジウム単核ヒドリド錯体15Bの生成反応または、アルコールの酸化反応、水素発生反応もしくはアルデヒド生成反応ということができるは、一次反応であった。各アルコールに対応する反応速度定数kは、図29下段に、各アルコールの化学構造式と共に示したとおりである。このように、実施例21によれば、種々のアルコール脂肪族アルコールを電子ヒドリド源としてイリジウム単核ヒドリド錯体15Bを製造合成するとともに、前記アルコールを酸化してアルデヒドを製造できた。[実施例22:エタノールを電子ヒドリド源として用いた水素の製造]イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩0348mg、06μmolおよびエタノールを、室温25°C298Kで脱酸素水20mLに溶かし、イリジウム単核アクア錯体13を03mMおよびエタノールを含む水溶液pH129とした。なお、pHの調整は、50M水酸化ナトリウム水溶液を加えて行った。これを、室温25°C298K、アルゴン雰囲気下で2時間撹拌して反応させた。その後、希硫酸を加えてpHを10に調整し、5分間撹拌すると、水素ガスH2が、原料のエタノールに対して60の収率で得られた。図30の上段のスキームに、この反応において推定される反応機構を示す。前述のように、イリジウム単核アクア錯体13は塩基性条件下ではイリジウム単核ヒドロキシ錯体15に変化すること、さらにエタノールを加えるとイリジウム単核ヒドリド錯体15Bに変化することから、このような反応機構であると推定される。ただし、この反応機構は例示であって、本発明を限定しない。さらに、この反応が、触媒的に進行することを確認した。すなわち、まず、イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩015mg、025μmolおよびエタノール100μL、82mMを、室温25°C298Kで脱酸素水20mLに溶かした。この水溶液に、5M水酸化ナトリウムNaOHaq水溶液および希硫酸H2SO4aqを適宜加えてpHを調整した。具体的には、まず、希硫酸を加えてpHを33に調整し、反応水素ガスの発生を開始させた。反応開始から5分後、水酸化ナトリウム水溶液を加えてpHを122に調整し、10分間撹拌してエタノールとイリジウム単核ヒドロキシ錯体15とを反応させ、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bを生成させた。そこに希硫酸を加えてpHを20に調整し、再度水素ガスの発生を開始させ、5分間反応を続けた後に、再度水酸化ナトリウム水溶液を加えた。このように、交互に酸性と塩基性とにpHを調整することを、反応開始から6回まで繰り返した。図30下段中央のグラフに、pHとUVVisスペクトルとの相関関係を示す。同図において、横軸は、波長nmを表し、縦軸は、吸光度を表す。また、pHの直前に添付された数字は、水酸化ナトリウムおよび希硫酸を加えてpHを調整した回数の合計を表し、pHの直後に添付された数字は、その時のpHを表す。図示のとおり、pHが塩基性側では、波長350nm付近の吸収帯の吸光度が増大し、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bの生成を示唆している。また、同図右側のグラフに、pH調整回数の合計と吸光度との関係を示す。同図において、横軸は、pH調整回数の合計を表し、縦軸は、波長350nmにおける吸光度を表す。これらのグラフから分かるとおり、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bおよび水素ガスの発生反応が、触媒イリジウム単核錯体の再生を繰り返しながら、複数回、触媒的に進行することが確認された。以上のとおり、実施例22では、エタノールを電子ヒドリド源すなわち水素源とし、本発明のイリジウム単核錯体を脱水素用触媒として、エタノールを分解して水素ガスH2を発生させる反応を、触媒的に行うことができた。この水素ガス発生反応において、実施例22では、電子ヒドリド源すなわち水素源として、実施例17および20と同様のエタノールを用いたが、他の水素源を用いても良い。例えば、水素源として、実施例16と同様のヒドリド錯体例えばNaBH4を用いても良いし、実施例18~19および21と同様の各種アルコールを用いても良い。また、実施例3~9ギ酸の製造および二酸化炭素の固定と同様の反応において、水素ガスに代えて前記各水素源を用いることで、二酸化炭素の固定反応ギ酸の製造を触媒的に行うこともできる。[実施例23:NADHの脱水素反応によるNADの製造]イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩015mg、026μmolおよびNADH還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチドを、室温25°C298Kで、脱酸素した005Mリン酸緩衝水溶液2mLに溶かし、イリジウム単核アクア錯体13を013mMおよびNADHを含む水溶液pH75とした。なお、実施例1および図19に示したように、中性に近いpHでは、イリジウム単核アクア錯体13は、多くがイリジウム単核ヒドロキシ錯体14に変化していると考えられる。また、比較対照のために、イリジウム単核アクア錯体13を加えない以外は同様のNADH水溶液を作製した。図31に、これらのUVVisスペクトル図を示す。同図下段左のグラフは、イリジウム単核アクア錯体13イリジウム単核ヒドロキシ錯体14を加えないNADH水溶液において、NADH添加量図示を種々変化させた場合のUVVisスペクトル図である。同図下段中央のグラフは、イリジウム単核アクア錯体13イリジウム単核ヒドロキシ錯体14を加えたNADH水溶液において、NADH添加量図示を種々変化させた場合のUVVisスペクトル図である。これらのグラフにおいて、それぞれ、横軸は、波長nmを表し、縦軸は、吸光度を表す。図示のとおり、イリジウム単核アクア錯体13イリジウム単核ヒドロキシ錯体14の存在下では、UVVisスペクトルが変化した。また、図31下段右のグラフに、下段中のグラフにおけるNADH添加量と、波長420nmの吸光度との相関関係を示す。下段右のグラフにおいて、横軸は、NADH添加量μmを表し、縦軸は、波長420nmの吸光度を表す。図示のとおり、NADH添加量が014μmイリジウム単核アクア錯体13の約2分の1の物質量で吸光度が飽和に達したことから、この反応では、図31上段のスキームに記載のように、脱水素反応生成物であるNAD酸化型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチドとイリジウム単核錯体とが、1:2付加物アダクトを形成していると推測される。ただし、この推測は例示であって、本発明を限定しない。一方、マススペクトル質量分析および1HNMRにより、上記反応の生成物を同定した。すなわち、まず、NaOH06μg、0015μmolを水10mLに溶かし、NaOHの15μM水溶液とした。これに、同量のアセトニトリルを加え、水:アセトニトリル=1:1体積比の75μMNaOH溶液とした。そこに、イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩016μg、000028μmolおよびNADH還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチドを、室温25°C298Kで溶かし、イリジウム単核アクア錯体13を014μMおよびNADHを2mM含む水溶液とした。図32に、この水溶液のマススペクトル図ESIMASSを示す。図示のとおり、イリジウム単核ヒドリド錯体15Bの存在を示唆するピークm/z=515.2、イリジウム単核ヒドロキシ錯体14の存在を示唆するピークm/z=531.1、およびNADHの存在を示唆するピークm/z=529.1664.2および686.1が観測された。さらに、イリジウム単核アクア錯体13硫酸塩57mg、99μmolを、室温25°C298Kで脱酸素した重水D2O05mLに溶かし、さらに、NADHを14μmol溶かし、pHの調整は、重水酸化ナトリウムを加えて行ったpD138。また、比較対象として、NADHを加えない以外は同様の重水溶液を作製した。図33に、これらの1HNMRチャートを示す。図示のとおり、NADHを加えない場合は、17ppm付近に、イリジウム単核ヒドロキシ錯体15のη5-ペンタメチルシクロペンタジエニル基におけるメチル水素のピークを示唆するピークが観測された。これに対し、NADHを加えると、15~2ppm付近に、NADまたはNADHとイリジウム単核錯体との付加物の存在を示唆するブロード幅広なピークが観測された。また、NADHを加えると、143ppm付近に、イリジウム単核アクア錯体ヒドリド配位子を示すピークが観測された。以上のように、実施例23では、本発明のイリジウム単核錯体により、NADHを脱水素酸化してNADを製造することができた。"