"レジスト剥離物とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドとを含有する現像廃液の再生装置において、該現像廃液に酸を添加してpH8~9.5に調整するpH調整手段と、pH調整された現像廃液を膜分離処理する第1の膜分離手段と、該膜分離手段の透過液が通液される活性炭塔とを備えることを特徴とする現像廃液の再生装置。請求項1において、前記膜分離手段が、前記pH調整された現像廃液を膜分離処理する第1の膜分離手段と、該第1の膜分離手段の透過液を膜分離処理する第2の膜分離手段とを備え、該第2の膜分離手段の透過液が前記活性炭塔に通液されることを特徴とする現像廃液の再生装置。請求項1又は2において、前記第2の膜分離手段の分離膜が分画分子量200~900のナノフィルトレーション膜であり、通液温度40~80°Cで膜分離処理が行われることを特徴とする現像廃液再生装置。請求項2又は3において、前記第1の膜分離手段の分離膜が孔径1μm以下の精密濾過膜であることを特徴とする現像廃液の再生装置。請求項2又は3において、前記第1の膜分離手段の分離膜が、分画分子量10万以下の限外濾過膜であることを特徴とする現像廃液の再生装置。請求項1ないし5のいずれか1項において、前記活性炭塔が非再生型の活性炭塔であることを特徴とする現像廃液の再生装置。請求項2ないし6のいずれか1項において、前記第1の膜分離手段の透過液の吸光度の測定手段と、測定された吸光度に基いて前記第2の膜分離手段の洗浄時期を決定する洗浄制御手段とを備えることを特徴とする現像廃液の再生装置。レジスト剥離物とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドとを含有する現像廃液の再生方法において、該現像廃液に酸を添加してpH8~9.5に調整するpH調整工程と、pH調整された現像廃液を膜分離処理する膜分離工程と、該膜分離工程の透過液を処理する活性炭処理工程とを備えることを特徴とする現像廃液の再生方法。請求項8において、前記膜分離工程が、前記pH調整された現像廃液を膜分離処理する第1の膜分離工程と、該第1の膜分離工程の透過液を膜分離処理する第2の膜分離工程とを備え、該第2の膜分離工程の透過液が前記活性炭処理工程で処理されることを特徴とする現像廃液の再生方法。請求項8又は9において、前記第2の膜分離工程の分離膜が、分画分子量200~900のナノフィルトレーション膜であり、通液温度40~80°Cで膜分離処理が行われることを特徴とする現像廃液の再生方法。請求項9又は10において、前記第1の膜分離工程の分離膜が孔径1μm以下の精密濾過膜であることを特徴とする現像廃液の再生方法。請求項9又は10において、前記第1の膜分離工程の分離膜が、分画分子量10万以下の限外濾過膜であることを特徴とする現像廃液の再生方法。請求項8ないし12のいずれか1項において、前記活性炭処理工程において、非再生型の活性炭塔を用いることを特徴とする現像廃液の再生方法。請求項9ないし13のいずれか1項において、前記第1の膜分離工程の透過液の吸光度を測定し、測定された吸光度に基いて前記第2の膜分離工程における分離膜の洗浄時期を決定することを特徴とする現像廃液の再生方法。本発明は、上記従来の問題点を解決し、レジスト剥離物とTAAHとを含む現像廃液を長期に亘り安定かつ効率的に再生処理する装置及び方法を提供することを課題とする。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、現像廃液を膜分離処理して得られた透過液を活性炭処理することにより、好ましくは、活性炭処理に先立ち、所定の分画分子量のNF膜を後段の分離膜として用いた2段膜分離処理を行うことにより、更に好ましくは、このNF膜の通液温度を上げることにより、上記課題を解決することができることを見出した。本発明はこのような知見に基いて達成されたものであり、以下を要旨とする。[1]レジスト剥離物とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドとを含有する現像廃液の再生装置において、該現像廃液に酸を添加してpH8~9.5に調整するpH調整手段と、pH調整された現像廃液を膜分離処理する第1の膜分離手段と、該膜分離手段の透過液が通液される活性炭塔とを備えることを特徴とする現像廃液の再生装置。[2][1]において、前記膜分離手段が、前記pH調整された現像廃液を膜分離処理する第1の膜分離手段と、該第1の膜分離手段の透過液を膜分離処理する第2の膜分離手段とを備え、該第2の膜分離手段の透過液が前記活性炭塔に通液されることを特徴とする現像廃液の再生装置。[3][1]又は[2]において、前記第2の膜分離手段の分離膜が分画分子量200~900のナノフィルトレーション膜であり、通液温度40~80°Cで膜分離処理が行われることを特徴とする現像廃液再生装置。[4][2]又は[3]において、前記第1の膜分離手段の分離膜が孔径1μm以下の精密濾過膜であることを特徴とする現像廃液の再生装置。[5][2]又は[3]において、前記第1の膜分離手段の分離膜が、分画分子量10万以下の限外濾過膜であることを特徴とする現像廃液の再生装置。[6][1]ないし[5]のいずれかにおいて、前記活性炭塔が非再生型の活性炭塔であることを特徴とする現像廃液の再生装置。[7][2]ないし[6]のいずれかにおいて、前記第1の膜分離手段の透過液の吸光度の測定手段と、測定された吸光度に基いて前記第2の膜分離手段の洗浄時期を決定する洗浄制御手段とを備えることを特徴とする現像廃液の再生装置。[8]レジスト剥離物とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドとを含有する現像廃液の再生方法において、該現像廃液に酸を添加してpH8~9.5に調整するpH調整工程と、pH調整された現像廃液を膜分離処理する膜分離工程と、該膜分離工程の透過液を処理する活性炭処理工程とを備えることを特徴とする現像廃液の再生方法。[9][8]において、前記膜分離工程が、前記pH調整された現像廃液を膜分離処理する第1の膜分離工程と、該第1の膜分離工程の透過液を膜分離処理する第2の膜分離工程とを備え、該第2の膜分離工程の透過液が前記活性炭処理工程で処理されることを特徴とする現像廃液の再生方法。[10][8]又は[9]において、前記第2の膜分離工程の分離膜が、分画分子量200~900のナノフィルトレーション膜であり、通液温度40~80°Cで膜分離処理が行われることを特徴とする現像廃液の再生方法。[11][9]又は[10]において、前記第1の膜分離工程の分離膜が孔径1μm以下の精密濾過膜であることを特徴とする現像廃液の再生方法。[12][9]又は[10]において、前記第1の膜分離工程の分離膜が、分画分子量10万以下の限外濾過膜であることを特徴とする現像廃液の再生方法。[13][8]ないし[12]のいずれかにおいて、前記活性炭処理工程において、非再生型の活性炭塔を用いることを特徴とする現像廃液の再生方法。[14][9]ないし[13]のいずれかにおいて、前記第1の膜分離工程の透過液の吸光度を測定し、測定された吸光度に基いて前記第2の膜分離工程における分離膜の洗浄時期を決定することを特徴とする現像廃液の再生方法。本発明によれば、活性炭処理に先立ち膜分離処理を行うことにより、活性炭の寿命を延長することができる。また、膜分離処理においては、後段に活性炭処理があることにより、高度な膜分離を行う必要がなくなり、透過液を確保することが容易となる。特に、本発明の好適な態様においては、以下のような作用効果のもとに、現像廃液を長期に亘り安定かつ効率的に処理して再生することができる。現像廃液をpH8~9.5に調整することにより、現像廃液中のレジスト剥離物を析出させて、これを膜分離除去することができる。NF膜として分画分子量200~900のものを用いることにより、TAAHを除去することなく、レジスト剥離物を効率的に除去することができる。このNF膜の通液温度を40~80°Cとすることにより、被処理液の粘性を下げ、操作圧力を過度に高めることなく、透過液量を高めることができる。NF膜の通液温度を40~80°Cとして透過液量を高めると、NF膜の透過液側にレジスト剥離物がリークするが、このレジスト剥離物は後段の活性炭処理で除去することができ、TAAH純度の高い再生液を得ることができる。この活性炭処理に供されるNF膜透過液は、既にレジスト剥離物が十分に除去されたものであるため、活性炭が早期に破過に到ることはない。以下に図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は本発明の現像廃液の再生装置の実施の形態を示す系統図であり、図1において、1は精密濾過MF膜モジュール、2はNF膜モジュール、3は活性炭塔を示し、4は回収原水槽、5は透過液槽であり、P1,P2はポンプを示す。図1の再生装置では、現像廃液は、酸が添加されて所定のpHに調整された後、回収原水槽4を経てポンプP1によりMF膜モジュール1第1の膜分離手段第1の膜分離工程に導入されて膜分離処理される。このMF膜モジュール1の濃縮液の一部は濃縮廃液として系外へ排出され、残部は回収原水槽4に戻されて循環処理される。このMF膜モジュール1の透過液は、透過液槽5を経てポンプP2によりNF膜モジュール第2の膜分離手段第2の膜分離工程2に導入されて膜分離処理される。このNF膜モジュール2の濃縮液の一部は濃縮廃液として系外へ排出され、残部は透過液槽5に戻されて循環処理される。NF膜モジュール2の透過液は、活性炭塔3に導入されて活性炭処理され、流出液は処理液再生液として回収される。本発明において処理する現像廃液は、半導体、液晶、プリント基板等の電子部品製造過程で発生するTAAHとレジスト剥離物を含むものである。なお、この現像廃液には、現像時の現像廃液のみならず、その後の洗浄処理で排出される洗浄廃液も含まれる。現像廃液中に含まれるTAAHとしては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド以下、TMAHという。、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド以下、TEAHという。、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、ジエチルジメチルアンモニウムハイドロオキサイド、トリメチル2-ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド、トリエチル2-ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド、ジメチルジ2-ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド、ジエチルジ2-ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド、メチルトリ2-ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド、エチルトリ2-ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラ2-ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイドなどの1種又は2種以上が挙げられるが、通常、TMAH、又はTEAHが用いられる。通常、本発明で処理対象とする現像廃液は、これらのTAAH濃度が1~20重量程度で、レジスト剥離物を0.01~10g/L程度含むpH12~14程度の強アルカリ性である。なお、現像工程から排出された現像廃液や洗浄廃液中のTAAH濃度が上記範囲よりも低い場合、エバポレーター等により濃縮して本発明に従って処理するようにしてもよい。本発明においては、このような現像廃液に酸を添加してpH8~9.5に調整することにより、現像廃液中に溶解しているレジスト剥離物を不溶化して析出させる。この調整pH値が9.5より高いと、レジスト剥離物の析出が十分でなく、8.5未満の低pHとしてもそれ以上のレジスト剥離物の析出効果は得られず、pH調整に用いる酸の添加量が過大となり好ましくない。pH調整に用いる酸としては、二酸化炭素及び/又は炭酸が好ましい。塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸では、塩素イオン、硫酸イオン、硝酸イオン等の無機アニオンが残留し、再生液を再利用する際、半導体装置等に悪影響を及ぼし、好ましくない。pH調整した現像廃液を膜分離処理するMF膜モジュール1のMF膜の材質としては、ポリスルホン、ポリフッ化ビニリデンPVDF、ポリエチレンPE、ポリ塩化ビニルPVC、セラミック等が挙げられるが、膜の透過液量が低下したときには、pH13以上の強アルカリ性の洗浄液で洗浄することから、耐アルカリ性のポリスルホンやポリエチレンが好ましい。また、析出したレジスト剥離物は、通常粒径0.5~10μm程度の粒子であるため、MF膜の孔径は1μm以下、特に0.02~0.1μmであることが、透過液量を維持した上でこのようなレジスト剥離物の析出粒子を効率的に除去する上で好ましい。なお、第1の膜分離手段としては、図1に示すMF膜モジュールの他、限外濾過UF膜モジュールを用いてもよい。この場合、現像廃液をpH9.5以下に調整しても析出しない溶解性のレジスト剥離物が多く残留し、また、現像廃液中にはレジスト剥離物以外にも界面活性剤等の有機物も含まれているため、これらを効率的に除去するために、分画分子量10万以下、好ましくは13000以下、例えば1000~13000程度のUF膜を用いると、後段のNF膜の負荷を軽減してNF膜モジュールの安定運転を図ることができ、好ましい。MF膜モジュール1等の第1の膜分離手段における通液条件としては特に制限はないが、次のような条件とすることが好ましい。操作圧力:0.01~0.15MPa回収率:85~95循環水量:処理水に対して2~5倍温度:20~40°CMF膜モジュール1の透過液を膜分離処理するNF膜モジュール2のNF膜の材質についてもpH13以上の強アルカリ性の洗浄液で洗浄する必要があることから、ポリスルホンやポリエーテルスルホン等の耐アルカリ性のものが好ましい。このNF膜モジュール2ではTAAHを透過させ、TAAH以外の不純物を除去するために、分画分子量200~1200、特に200~800程度のNF膜を用いることが好ましい。NF膜の分画分子量が200未満では、TAAHを透過させることができず、900より大きいとレジスト剥離物等の不純物を十分に除去し得ない。このような分画分子量を有する耐アルカリ性のNF膜としては、例えばKoch社製MPS-34、Nadia社製NPO30等を用いることができる。前述の如く、10重量以上のTAAHを含有する現像廃液を処理する場合、その液性状から浸透圧、粘性が高く、一定の透過液量を確保しようとした場合、操作圧力は少なくとも2.0MPa以上とする必要があり、また、操作圧力を上げた場合でも濾過抵抗が高く、大きな膜面積を必要とする場合がある。従って、本発明においては、好ましくはNF膜モジュール2の通液温度を40~80°C、好ましくは50~60°Cとして膜分離処理を行う。このように通液温度を高めることにより、被処理液の粘性が下がり、透過液量を十分に確保することができる。なお、透過液量が増大することにより、少量のレジスト剥離物の透過液側へのリークが見られるが、本発明においては、後段の活性炭塔3で、リークしたレジスト剥離物を除去することができるため、リークしたレジスト剥離物が問題になることはない。このNF膜モジュール2における通液条件としては特に制限はないが、次のような条件とすることが好ましく、特に、通液温度を上げることにより、操作圧力を下げることができ、安定性、設備コストの面で好ましい。操作圧力:2.8~3.8MPa回収率:75~85循環水量:処理水に対して1~100倍温度:40~70°CNF膜モジュール2の透過液を処理する活性炭塔3の活性炭は、ヤシガラ系、コール系のいずれでもよく、その形状についても粒状、シート状、その他、どのような形状でもよい。活性炭塔3への通液SVは過度に高いと残留レジスト剥離物の除去効果が低く、過度に低いと処理効率が低下するため、5~40h-1、特に10~20h-1とすることが好ましい。処理に用いた活性炭は、現場にて蒸気やアルカリ薬剤によって再生することも可能であるが、再生による不純物の混入の懸念もあるため、一定期間の通液後に交換する非再生型のものを用いることが好ましい。本発明においては、非再生型の活性炭塔を用いた場合であっても、この活性炭塔の前段の膜分離処理で、現像廃液中のレジスト剥離物を十分に除去してあるため、活性炭塔の交換頻度が問題となることはない。本発明において、現像廃液の膜分離処理に用いた分離膜は、定期的に或いは透過液量が減少した場合に必要に応じて洗浄する必要がある。特に、後段のNF膜は、分画分子量が比較的小さく、透過液量が低下し易いが、膜の目詰りが進行してからの洗浄では膜性能の回復に時間を要し、また、一定期間毎の定期的な洗浄では、被処理液の液性状の変化や処理条件の変動による膜汚染の進行に対応し得ない。従って、NF膜の適切な洗浄時期を検知して、膜の目詰りが進行する前に、また、洗浄頻度を過度に増やすことなく、適切な洗浄頻度で洗浄を行うことが望まれる。従って、図1のような現像廃液の再生装置においては、第1の膜分離手段であるMF膜モジュール1の透過液の吸光度を吸光分光分析器吸光光度計で測定し、この測定結果に基いて、第2の膜分離手段であるNF膜モジュール2の洗浄時期又は洗浄頻度を設定することが好ましい。即ち、第2の膜分離手段であるNF膜モジュール2に導入される第1の膜分離手段のMF膜モジュール1の透過液の性状が、NF膜モジュール2の膜汚染の進行に影響を及ぼすが、このMF膜モジュール1の透過液の性状は吸光度に十分に反映され、吸光度の低い透過水はNF膜を汚染し難く、吸光度の高い透過水はNF膜を汚染し易い。従って、この吸光度の測定結果に基いて洗浄頻度を制御することが好ましい。即ち、例えば透過液槽5の透過液をNF膜モジュール2に送給する配管に吸光分光分析器吸光光度計を設け、波長290~500nm、具体的には波長450nmの吸光度を測定し、次のようにしてNF膜モジュール2の洗浄時期又は洗浄頻度を設定する方法が挙げられる。1予め吸光度と洗浄頻度との関係をプログラミングしておき、測定された吸光度に応じた洗浄頻度を採用する。2吸光度の測定値が増大する傾向にある場合は洗浄頻度を上げ、低下する傾向にある場合は洗浄頻度を下げる。3吸光度の測定値が設定値を超える場合は直ちに或いはその後所定期間内に洗浄を行う。膜洗浄に当っては、現像廃液の通液を停止し、NF膜モジュールに洗浄液を一定期間注入して洗浄を行い、洗浄後は再び現像廃液の処理を開始する。この洗浄液のpHとしてはpH12.5以上、特にpH13.5以上であることが好ましい。上述の吸光度の測定及び洗浄は、人手を要することなく、自動的に行うことができ、NF膜モジュールを最適な洗浄頻度で洗浄して安定に自動運転することが可能となる。以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。なお、以下において、試料液としては、半導体製造工程から排出され、約6倍濃縮されたTMAH含有現像廃液pH14以上、TMAH濃度12重量、レジスト剥離物含有量3g/Lを用いた。また、以下において、分離膜の濃縮液量、透過液量は、分離膜エレメント1本当たりの液量を示す。液の吸光度は、日立製作所社製吸光光度計U-2810により、波長450nmの吸光度を測定した。また、濁度は、HACH社製濁度計2100Pにより測定し、TMAH濃度はブロモクレゾールグリーン/メチルレッド指示薬を用いた中和滴定により測定した。[比較例1]1試験方法炭酸を用いて試料液のpHを9.0に調整し、NF膜Koch社製4インチエレメントMPS34-4040、分画分子量200、材質ポリエーテルスルホンに、以下の条件で通液してと膜分離処理を行った。<通液条件>液温:30°C操作圧力:3.0MPa濃縮液循環量:1.5m3/h透過液量:膜分離開始時の3L/hから徐々に減少回収率:502試験結果通液初期の段階で、透過液量は3L/hであり、通液時間12時間後で透過液は全くでなくなり、期待値15L/h以上には全く到達しなかった。[比較例2]1試験方法炭酸を用いて試料液のpHを9.0に調整し、NF膜Koch社製4インチエレメントMPS36-4040、分画分子量1000、材質ポリエーテルスルホンに、比較例1と同じ通液条件で通液した。なお、pH調整後の試料液の吸光度は0.4であった。2試験結果透過液量は70L/hと十分であったが、NF膜の入口吸光度0.4に対して、透過液の吸光度は0.35と、レジスト残渣物を殆ど除去することができなかった。[比較例3]1試験方法炭酸を用いて試料液のpHを12.0に調整し吸光度0.4、以下の活性炭塔に以下の通液条件で通液した。<活性炭塔>栗田工業株製カーボナーCF50活性炭量:50L活性炭:ヤシガラ系10-32<通液条件>通水SV:5h-1通水量:0.25m3/h2試験結果図1に通液日数と処理液活性炭塔の流出液の吸光度との関係を示す。図1より明らかなように、通液開始から3日後までは、処理液の吸光度0.1以下を維持したが、その後、吸光度が上昇し、破過に到った。[比較例4]1試験方法炭酸を用いて試料液のpHを9.0に調整し、以下のMF膜とNF膜を用い、MF膜→NF膜の順で以下の条件で通液を行った即ち、MF膜の透過液をNF膜に通液する。。通液温度は30°Cとした。<MF膜>旭化成製内圧式中空糸膜PSP-303材質:ポリエチレン公称孔径:0.1μmサイズ:89×1129mm膜面積:6.0m2操作圧力:0.05MPa回収率:90<NF膜>Koch社製4インチエレメントMPS34-4040材質:ポリエーテルスルホン分画分子量:200濃縮液循環量:1.5m3/h操作圧力:3.0MPa回収率:752試験結果pH調整後の試料液、MF膜透過液及びNF膜透過液の水質分析結果を表1に示す。表1より明らかなように、NF膜透過液は目標濃度を満足したが、12時間通液後のNF膜の透過液量は10L/hであり、期待値には到達しなかった。[実施例1]1試験方法比較例4において、通液温度を50°Cとし、図1に示すように、NF膜透過液を更に以下の活性炭塔に以下の条件で通液したこと以外は同様にして処理を行った。<活性炭塔>栗田工業株製カーボナーCF50活性炭量:100L活性炭:ヤシガラ系10-32<通液条件>通水SV:10h-1通水量:1.0m3/h2試験結果pH調整後の試料液、MF膜透過液、NF膜透過液及び活性炭塔流出液の水質分析結果を表2に示す。表2により明らかなように、NF膜透過液は目標吸光度<0.1に到達しなかったが、活性炭塔を設置することにより、安定して吸光度<0.1を満足した。また、12時間通液後のNF膜の透過液量は17L/hであり、期待値を満足した。この条件で3ヶ月間連続して通液処理を行ったが、活性炭塔流出液の吸光度は安定して<0.1を達成した。"