支持板の半導体チップ実装領域に、少なくとも外表面に金属を有する繊維状材料からなるシートを載せ、前記半導体チップ実装領域に、溶融金属を含む接合層を形成し、前記半導体チップ実装領域に、前記半導体チップを載せ、加熱することによって、前記溶融金属を含む接合層によって前記半導体チップを前記半導体チップ実装領域に接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記シートは、前記半導体チップの面積と同等の面積を有することを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記シートは、少なくとも外表面に前記溶融金属と合金化しうる金属を有する繊維状材料からなることを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。支持板と、前記支持板上に設けられた半導体チップと、溶融金属及び繊維状材料を含み、前記支持板と前記半導体チップとを接合している接合層とを備えることを特徴とする半導体装置。前記接合層は、前記溶融金属と金属との合金と、繊維状材料とを含むことを特徴とする、請求項4に記載の半導体装置。支持板と、前記支持板上に設けられた半導体チップと、溶融金属及び繊維状材料を含み、前記支持板と前記半導体チップとを接合している接合層とを備える半導体装置を備えることを特徴とする電源装置。ところで、半導体チップを支持板上に実装する場合、次のようにして、半導体チップの裏面を、ダイボンディング剤を用いて、支持板の半導体チップ実装領域に接合することが考えられる。つまり、まず、半導体チップ実装領域及び半導体チップの裏面の一方にダイボンディング剤を塗布する。次に、半導体チップを、支持板の半導体チップ実装領域に載せる。そして、これらを加熱して、半導体チップの裏面を、ダイボンディング剤によって、支持板の半導体チップ実装領域に接合する。しかしながら、例えば図11に示すように、リードフレームのステージ100上に半導体チップ101を実装する際の加熱接合時に、ダイボンディング剤102が不均一に分布する例えばはんだの濡れ広がりが不均一になるなどの要因によって、半導体チップ101が移動や回転等の位置ずれを生じてしまう。そこで、回路基板、リードフレームのステージなどの支持板上に半導体チップを実装する際に、半導体チップが移動や回転等の位置ずれを生じないようにしたい。本半導体装置及び電源装置は、支持板と、支持板上に設けられた半導体チップと、溶融金属及び繊維状材料を含み、支持板と半導体チップとを接合している接合層とを備えることを要件とする。本半導体装置の製造方法は、支持板の半導体チップ実装領域に、少なくとも外表面に金属を有する繊維状材料からなるシートを載せ、半導体チップ実装領域に、溶融金属を含む接合層を形成し、半導体チップ実装領域に、半導体チップを載せ、加熱することによって、溶融金属を含む接合層によって半導体チップを半導体チップ実装領域に接合することを要件とする。したがって、本半導体装置及びその製造方法、電源装置によれば、回路基板、リードフレームのステージなどの支持板上に半導体チップを実装する際に、半導体チップが移動や回転等の位置ずれを生じないようにすることができるという利点がある。以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる半導体装置及びその製造方法、電源装置について説明する。[第1実施形態]まず、第1実施形態にかかる半導体装置及びその製造方法について、図1~図7を参照しながら説明する。本実施形態にかかる半導体装置は、窒化物系例えばGaN系の化合物半導体を用いた化合物半導体装置であって、キャリア走行層及びキャリア供給層を含む窒化物半導体積層構造を備える半導体チップを樹脂封止した半導体パッケージである。なお、半導体チップを、半導体素子ともいう。以下、ディスクリートパッケージを例に挙げて説明する。本半導体装置は、図7に示すように、半導体チップ1と、半導体チップ1を搭載するステージ2と、接合層3と、ゲートリード21と、ソースリード22と、ドレインリード23と、ボンディングワイヤ4ここではAlワイヤと、封止樹脂7とを備える。なお、封止樹脂7を、モールド樹脂ともいう。また、ステージ2は、リードフレームのステージである。また、ステージ2を、支持板ともいう。なお、ワイヤ4は、AuワイヤやCuワイヤであっても良い。そして、ステージ2上に搭載された半導体チップ1のゲートパッド24、ソースパッド25及びドレインパッド26は、それぞれ、ゲートリード21、ソースリード22及びドレインリード23に、ワイヤ4によって接続されており、これらが封止樹脂7によって封止されている。ここでは、半導体チップ1の裏面基板裏面が固定されたステージ2は、ドレインリード23と一体になっており、これらは電気的に接続されている。このため、ドレインパッド26をワイヤ4によってステージ2に接続することで、ドレインパッド26をワイヤ4によってドレインリード23に接続することになる。なお、これに限られるものではなく、ステージ2がソースリード22と電気的に接続されるようにしても良い。ここでは、半導体チップ1は、GaN電子走行層及びAlGaN電子供給層を含むGaN系半導体積層構造を有するGaN-HEMTを備え、例えば電子機器や電源装置に備えられるスイッチング素子に用いられる電源向けのGaN-HEMTチップである。このGaN系HEMTチップ1は、GaN系半導体積層構造の上方にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備え、これらの電極の上方に絶縁膜及び配線を含む配線層を備え、ゲートパッド24、ソースパッド25、ドレインパッド26が表面に露出している。なお、GaN-HEMTを、GaN系HEMTともいう。また、GaN-HEMTチップを、GaN系HEMTチップともいう。次に、本実施形態にかかる半導体装置ディスクリートパッケージの製造方法について、図1A~図1Eを参照しながら説明する。なお、これを半導体チップの実装方法ともいう。まず、図1A~図1Cに示すように、キャリア走行層及びキャリア供給層を含む窒化物半導体積層構造を備える半導体チップ1を、リードフレームのステージ2上に固定する。なお、詳細は後述する。次に、図1Dに示すように、ワイヤボンディングを行なう。つまり、ワイヤ4によって、半導体チップ1のゲートパッド24をゲートリード21に接続し、ドレインパッド26をドレインリード23に接続し、ソースパッド25をソースリード22に接続する図7参照。これにより、半導体チップ1がリードフレームに電気的に接続される。なお、ワイヤ4を、金属線ともいう。そして、図1Eに示すように、リードフレームに搭載された半導体チップ1を、例えばトランスファーモールド法によって、樹脂封止する。つまり、半導体チップ1を封止する封止樹脂7を形成する。その後、図示していないが、ゲートリード21及びソースリード22をリードフレームから切り離して、半導体装置ディスクリートパッケージが得られる。ところで、リードフレームのステージ2上に半導体チップ1を固定するのに、例えばはんだや熱伝導性樹脂からなる接着剤などのダイボンディング剤を用いると、加熱接合する際に、半導体チップ1が移動や回転等の位置ずれを生じてしまう図11参照。そこで、本実施形態では、以下のようにして、半導体チップ1をリードフレームのステージ2上に固定するようにしている。つまり、まず、図1Aに示すように、リードフレームのステージ2上の半導体チップ実装領域2Aに、繊維状金属材料からなるシート、即ち、繊維状金属シート5を載せる。なお、半導体チップ実装領域2Aを、半導体チップ搭載位置あるいは半導体チップ搭載領域ともいう。ここでは、繊維状金属シート5は、半導体チップ1の面積と同等の面積を有する。ここで、同等の面積とは、完全に同一の面積だけでなく、ほぼ同一の面積あるいは同程度の面積を含むものとする。なお、半導体チップ実装領域2Aの面積は、半導体チップ1の面積と同一又はほぼ同一同等になっている。本実施形態では、リードフレームのステージ2に搭載する半導体チップ1のサイズは、約4.5mm×約7mmである。このため、約4.5mm×約7mmのサイズの繊維状金属シート5を用いている。特に、繊維状金属シート5は、リードフレームのステージ2と半導体チップ1の裏面とを接合するのに用いる溶融金属と合金化しうる繊維状金属材料からなるものとするのが好ましい。本実施形態では、繊維状金属シート5は、単一の金属材料からなるものとし、具体的には、銅製の繊維状金属シートを用いている。なお、繊維状金属シート5の材料は、これに限られるものではなく、後述の溶融金属に対して濡れ性を有する金属材料であれば良く、特に、溶融金属と合金形成可能な材料、例えば、Cu、Ni、Ag、Au等を用いるのが好ましい。なお、リードフレームは、例えばNi、Cu、Au、Pt、Ag、Pdなどの金属材料からなるが、溶融金属に対して濡れ性を有する材料であれば良い。また、繊維状金属シート5は、図2Aに示すように、繊維状金属材料5Aが網目状になっている網目形態であっても良いし、図2Bに示すように、繊維状金属材料5Aが不織状になっている不織形態であっても良い。さらに、ステージ2の半導体チップ実装領域2Aに載せた繊維状金属シート5の位置がずれないように、繊維状金属シート5を半導体チップ実装領域2Aに載せた後に、半導体チップ実装領域2Aに繊維状金属シート5を超音波によって仮接合するのが好ましい。次に、図1Bに示すように、リードフレームのステージ2上の半導体チップ実装領域2Aに、リードフレームのステージ2と半導体チップ1の裏面とを接合する接合材料からなる層として、溶融金属溶融金属材料を含む接合層3を形成する。ここでは、ステージ2の半導体チップ実装領域2Aに載せられている繊維状金属シート5の上に溶融金属を含む接合層3を形成する。ここで、溶融金属は、約300°C以下の温度で溶融しうる比較的低融点の金属であり、例えば、Sn-Ag-CuやSn-Cu等のはんだはんだ材料、インジウム、スズ等である。また、溶融金属を含む接合層3は、シート状の溶融金属からなる層、ペースト状の溶融金属からなる層、溶融金属と樹脂樹脂材料;熱硬化性樹脂材料とを含む熱伝導性接着剤からなる層のいずれかである。なお、ペースト状の溶融金属は、溶融金属とフラックスとが混合されたものである。また、熱伝導性接着剤は、粒子状の溶融金属と樹脂とが混合されたものである。例えば、熱伝導性接着剤は、有機酸等のフラックス成分をエポキシ樹脂に混合した接着剤成分に、はんだなどを金属フィラーとして混合したものである。ここで、シート状の溶融金属は、例えばSn-Ag-Cuはんだシートであり、これを繊維状金属シート5の上に載せることによって、繊維状金属シート5の上にシート状の溶融金属からなる層3が形成される。また、ペースト状の溶融金属は、例えばSn-Ag-Cuはんだペーストであり、これを繊維状金属シート5の上に載せることによって、繊維状金属シート5の上にペースト状の溶融金属からなる層3が形成される。なお、ペースト状の溶融金属としては、例えば、ナノサイズの金属粉末を用い、金属表面を活性化することによって、低温で焼結できるナノペーストを用いても良い。さらに、溶融金属と樹脂とを含む熱伝導性接着剤は、例えば平均粒径約22μmのSn-Ag-Cuはんだ粒子と樹脂とを含む熱伝導性接着剤であり、これを繊維状金属シート5の上に載せることによって、繊維状金属シート5の上に溶融金属と樹脂とを含む熱伝導性接着剤からなる層3が形成される。なお、ペースト状の溶融金属や熱伝導性接着剤は、例えばディスペンス法、スクリーン印刷法などの印刷法などによって、繊維状金属シート5の上に塗布又は印刷することで、繊維状金属シート5の上に載せることができ、これによって、繊維状金属シート5の上にペースト状の溶融金属や熱伝導性接着剤からなる層3を形成することができる。特に、シート状の溶融金属を用いる場合、ステージ2の半導体チップ実装領域2Aに、繊維状金属シート5を載せ、さらに、シート状の溶融金属からなる層3を形成した後、半導体チップ実装領域2Aに繊維状金属シート5及びシート状の溶融金属からなる層3を超音波によって仮接合するのが好ましい。この場合、半導体チップ実装領域2Aに繊維状金属シート5及びシート状の溶融金属からなる層3を同時に接合しても良いし、半導体チップ実装領域2Aに繊維状金属シート5を接合した後、半導体チップ実装領域2Aに接合された繊維状金属シート5にシート状の溶融金属からなる層3を接合しても良い。これにより、ステージ2の半導体チップ実装領域2Aに載せた繊維状金属シート5及びシート状の溶融金属からなる層3の位置がずれないようにすることができる。このようにして超音波による仮接合を行なった場合、後述の加熱接合工程において、不活性雰囲気又は還元雰囲気下で加熱して、シート状の溶融金属からなる層3を溶融させれば良い。また、シート状の溶融金属を用いる場合、繊維状金属シート5にフラックスフラックス材料を含浸させても良い。これにより、溶融金属による接合を確実にし、繊維状金属シート5の位置ずれを防止することができる。なお、本実施形態では、ステージ2の半導体チップ実装領域2Aに、繊維状金属シート5を載せ、その後、溶融金属を含む接合層3を形成するようにしているが、これに限られるものではなく、溶融金属を含む接合層3を形成した後、繊維状金属シート5を載せるようにしても良い。次に、図1Cに示すように、リードフレームのステージ2上の半導体チップ実装領域2Aに半導体チップ1を位置合わせし、半導体チップ1をステージ2の半導体チップ実装領域2Aに載せる。つまり、例えばチップボンダによって、ステージ2の半導体チップ実装領域2Aに半導体チップ1を位置合わせし、半導体チップ1を半導体チップ実装領域2Aにフェイスアップで搭載する。ここでは、ステージ2の半導体チップ実装領域2Aに載せられている繊維状金属シート5及び溶融金属を含む接合層3の上に半導体チップ1を載せる。なお、半導体チップ1の裏面は、例えばTi-Ni-Cu、Ti-Cu-Ni-Au、Ti-Auなどのメタライズ処理が施されており、最表面にAuが用いられているものが一般的であるが、溶融金属に対して濡れ性を有する材料になっていれば良い。そして、加熱することによって、溶融金属を含む接合層3によって半導体チップ1をリードフレームのステージ2上の半導体チップ実装領域2Aに接合する。特に、溶融金属と合金化しうる繊維状金属材料からなる繊維状金属シート5を用いる場合、この加熱接合時に、接合層3に含まれる溶融金属と繊維状金属シート5を構成する金属とが合金化し、接合層3によって半導体チップ1がステージ2の半導体チップ実装領域2Aに接合される。これにより、半導体チップ1が、リードフレームのステージ2上に固定される。例えば、シート状の溶融金属及びペースト状の溶融金属を用いる場合には、例えばリフロー炉で最大温度約250°Cで加熱することで、接合層3に含まれる溶融金属を溶融させ、溶融金属を繊維状金属材料からなるシート5に含浸させて、溶融金属を含む接合層3によって半導体チップ1をステージ2の半導体チップ実装領域2Aに接合する。特に、シート状の溶融金属を用いる場合であって、超音波による仮接合を行なった場合は、不活性雰囲気又は還元雰囲気下で加熱してシート状の溶融金属からなる層3を溶融させれば良い。例えば、Sn-Ag-Cuはんだシートを用いる場合、例えばN2雰囲気で最大温度約250°Cで加熱して、Sn-Ag-Cuはんだシートを溶融させれば良い。これにより、洗浄が必要なフラックスを用いなくても良くなる。また、例えば、溶融金属と樹脂とを含む熱伝導性接着剤を用いる場合には、約250°Cの恒温槽で約10分間加熱することで、接合層3に含まれる溶融金属を溶融させるとともに樹脂を硬化させ、熱伝導性接着剤からなる層3によって半導体チップ1をステージ2の半導体チップ実装領域2Aに接合する。このような熱伝導性接着剤を用いる場合も、この加熱接合時に、繊維状金属材料からなるシート5に含浸する。また、溶融金属と合金化しうる繊維状金属材料からなる繊維状金属シート5を用いる場合、この加熱接合時に、接合層3に含まれる溶融金属と繊維状金属シート5を構成する金属とが合金化し、加熱接合後は、その周囲が、硬化された樹脂によって覆われたものとなる。このようにして製造された半導体装置の構成、即ち、半導体チップの実装構造は、以下のようになる。つまり、本実施形態にかかる半導体装置は、図7に示すように、ステージ2と、ステージ2上に設けられた半導体チップ1と、溶融金属及び繊維状金属材料繊維状材料を含み、ステージ2と半導体チップ1とを接合している接合層3とを備える。特に、製造時に溶融金属と合金化しうる繊維状金属材料からなる繊維状金属シート5を用いた場合、製造される半導体装置の接合層3は、溶融金属と金属即ち、繊維状金属材料を構成する金属との合金と、繊維状金属材料繊維状材料とを含むものとなる。また、接合層3を熱伝導性接着剤によって形成する場合、製造される半導体装置の接合層3は、さらに樹脂を含むものとなる。したがって、本実施形態にかかる半導体装置及びその製造方法によれば、リードフレームのステージ2上に半導体チップ1を実装する際に、半導体チップ1が移動や回転等の位置ずれを生じないようにすることができるという利点がある。つまり、半導体チップ1をリードフレームのステージ2上の半導体チップ実装領域2Aに接合するための加熱時に、繊維状金属シート5によって、溶融金属を含む接合層3の流れ性が制御される。つまり、加熱接合時に、繊維状金属シート5によって、例えばはんだなどの溶融金属の濡れ広がる領域が制御され、溶融金属のセルフアライメント効果によって半導体チップ1の位置が制御される。このため、溶融金属を含む接合層3の高い表面張力の影響を受けても、図3に示すように、半導体チップ1を所望の位置に保持することができ、位置ずれを生じることなく、精度良く固定搭載することが可能となる。これに対し、単にダイボンディング剤を用いるだけでは、加熱接合時に、半導体チップ1が移動や回転等の位置ずれを生じてしまう図11参照。また、繊維状金属シート5を、溶融金属と合金化しうる繊維状金属材料からなるものとすることで、加熱接合時に、図4に示すように、接合層3に含まれる溶融金属と繊維状金属シート5を構成する金属とを合金化することができる。これにより、リードフレームのステージ2と半導体チップ1とを接合する接合層3の融点を上げることができる。例えば、高耐圧な電源デバイスに用いられる半導体チップ1のように、動作温度が高く、発熱量が大きい半導体チップ1を備える場合であっても、半導体チップ1の動作温度よりも接合層3の融点を高くすることができる。これにより、動作温度が高い半導体チップ1を備える場合であっても、半導体チップ動作時の発熱によって接合層3が溶融し、半導体チップ1が動いてしまい、モールド樹脂7にクラックが生じてしまうのを防止することができ、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。特に、繊維状金属シート5は、半導体チップ実装領域2Aの全域にわたって均一に存在するため、接合層3に含まれる溶融金属と繊維状金属シート5を構成する金属との合金も、半導体チップ実装領域2Aの全域にわたって均一に存在することになる。これにより、接合層3が部分的に合金化せず、この部分が溶融し、モールド樹脂7にクラックが生じてしまうのを防止することができる。なお、製造時の位置ずれを防止するためには、接合層3に含まれる溶融金属と合金化しうる繊維状金属材料からなるシート5を用いなくても良いし、接合層3が部分的に合金化しなくても良い。また、接合層3に含まれる溶融金属を溶融させたり、樹脂を硬化させたりするための温度は、半導体チップ1の耐熱温度よりも低い。つまり、加熱接合時の温度、即ち、半導体チップ1をステージ2の半導体チップ実装領域2Aに接合するために、溶融金属を含む接合層3を加熱する際の温度は、半導体チップ1の耐熱温度よりも低い。このため、半導体チップ1に不良が生じることがなく、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能である。なお、これに対し、一般的なダイボンディング剤ダイアタッチ剤102を用いた場合、図5に示すように、上述の発熱量が大きい半導体チップ1の動作温度がダイボンディング剤102の融点以上になってしまう。このため、ダイアボンディング剤102の接着力が失われ、半導体チップ1が動いて、モールド樹脂7にクラック103が生じてしまい、信頼性の高い半導体装置を実現するのは難しい。また、ダイアボンディング剤102による接合時の温度が高い場合には、半導体チップ1の耐熱温度を超え、半導体チップ1に不良が生じてしまう場合がある。さらに、図6A、図6Bに示すように、加熱接合後、即ち、接合層3に含まれる溶融金属と繊維状金属シート5を構成する金属とを合金化した後に、接合層3の中に繊維状金属材料5Aを残存させることで、半導体チップ1とリードフレームのステージ2との間の熱膨張差によって加わる応力を緩和することが可能となる。つまり、接合層3の中に残存する繊維状金属材料5Aによって、半導体チップ1とリードフレームのステージ2との間の熱膨張差によって加わる応力を低減させることができ、半導体装置の信頼性を向上させることが可能となる。ここで、接合層3の中に繊維状金属材料5Aを残存させるためには、例えば、繊維状金属シート5を構成する繊維状金属材料5Aを太くしたり、繊維状金属シート5を構成する繊維状金属材料5Aの量を増やしたりして、接合層3に含まれる溶融金属と合金化しうる金属の限界量よりも多くの量の繊維状金属材料5Aによって繊維状金属シート5を構成すれば良い。また、上述のようにして形成される接合層は、熱伝導率が高いため、高い放熱効果が得られることになる。実際に、上述の実施形態のように、繊維状金属シート5を用いて半導体パッケージを作製するとともに、比較例として、繊維状金属シート5を用いないで半導体パッケージを作製し、評価を行なったところ、以下のような結果になった。なお、繊維状金属シート5は、約4.5mm×約7mmの銅製の繊維状金属シートとした。また、Sn-Ag-Cuはんだペースト第1例、Sn-Ag-Cuはんだシート第2例、平均粒径約22μmのSn-Ag-Cuはんだ粒子を含む熱伝導性接着剤第3例のそれぞれを用いて、接合層3を形成した。また、Sn-Ag-Cuはんだペーストを用いた場合には、最大温度約250°Cでリフローを行なった。また、Sn-Ag-Cuはんだシートを用いた場合には、リードフレームのステージ2と繊維状金属シート5との位置合わせ、及び、繊維状金属シート5とSn-Ag-Cuはんだシートを用いた接合層3との位置合わせのために、超音波による仮接合を行ない、フラックスを使用せずに、N2雰囲気で最大温度約250°Cのリフローを行なった。ここで、超音波による仮接合は、FCB-2USパナソニックファクトリーソリューションズ製を用い、超音波出力約80、振幅約2.5μmとした。また、熱伝導性接着剤を用いた場合には、約250°Cの恒温槽で約10分間加熱した。まず、繊維状金属シート5を用いないで作製した半導体パッケージでは、100サンプル中、半導体チップ1の位置ずれによるワイヤボンディングの接続不良が8サンプル発生した。これに対し、繊維状金属シート5を用いて作製した半導体パッケージでは、100サンプル作製しても、半導体チップ1の位置ずれによるワイヤボンディングの接続不良は発生しなかった。また、模擬的にデバイス動作温度を再現するために、約200°Cの恒温槽を用いて、繊維状金属シート5を用いて作製した半導体パッケージ第1例~第3例と、これを用いないで作製した半導体パッケージ第1例~第3例について、高温放置試験を実施した。この結果、Sn-Ag-Cuはんだの融点に近い約200°Cでは、繊維状金属シート5を用いないで作製した半導体パッケージでは、モールド樹脂7が剥離する不良が発生したのに対して、繊維状金属シート5を用いて作製した半導体パッケージでは、剥離不良が生じなかった。また、繊維状金属シート5を用いて作製した半導体パッケージ第1例~第3例、繊維状金属シート5を用いないで作製した半導体パッケージ第1例~第3例のそれぞれの断面観察を実施し、接合層の元素分析を行なった。この結果、繊維状金属シート5を用いて作製した半導体パッケージでは、Sn-Cu合金の中で安定な合金種であるCu6Sn5が形成されており、繊維状金属シート5を構成するCuからなる繊維状材料5Aが未反応のまま約6μm残存していることが確認された。さらに、繊維状金属シート5を用いて作製した半導体パッケージ第1例~第3例、繊維状金属シート5を用いないで作製した半導体パッケージ第1例~第3例のそれぞれの信頼性評価を実施するために、温度サイクル試験を行なった。温度サイクル試験条件は、約-55°C及び約125°Cで約15分保持し、約25°Cで約5分保持する条件とした。この結果、繊維状金属シート5を用いないで作製した半導体パッケージは、500サイクル後に、200サンプル中16サンプルで不良が生じたのに対して、繊維状金属シート5を用いて作製した半導体パッケージでは、200サンプルで不良は発生しなかった。なお、上述の実施形態では、繊維状金属材料からなるシート5を用いて半導体装置を製造しているが、これに限られるものではなく、例えば図8に示すように、少なくとも外表面に金属5Cを有する繊維状材料5B5Xからなるシート5を用いて半導体装置を製造すれば良い。なお、図8では、網目形態の繊維状材料シート5を示しているが、これに限られるものではなく、不織形態の繊維状材料シートであっても良い[図2B参照]。例えば、外表面が金属5Cで覆われている繊維状樹脂材料5Bからなるシート5を用いても良い。つまり、中心部が樹脂材料5Bからなり、中心部の周囲を覆っている外周部が金属材料5Cからなる複合材料を繊維状材料5Xとして用いたシート5を用いても良い。また、例えば、外表面が金属5Cで覆われている繊維状ガラス材料5Bからなるシート5を用いても良い。つまり、中心部がガラス材料5Bからなり、中心部の周囲を覆っている外周部が金属材料5Cからなる複合材料を繊維状材料5Xとして用いたシート5を用いても良い。特に、少なくとも外表面に溶融金属と合金化しうる金属5Cを有する繊維状材料5Bからなるシート5を用いるのが好ましい。例えば、外表面が溶融金属と合金化しうる金属5Cで覆われている、溶融金属と反応しない繊維状金属材料5Bからなるシート5を用いても良い。つまり、中心部が溶融金属と合金形成しない金属材料5B例えばCrなどからなり、中心部の周囲を覆っている外周部が溶融金属と合金形成可能な金属材料5Cからなる複合材料を繊維状材料5Xとして用いたシート5を用いても良い。また、例えば、外表面が溶融金属と合金化しうる金属5Cで覆われている繊維状樹脂材料5Bからなるシート5を用いても良い。つまり、中心部が樹脂材料5Bからなり、中心部の周囲を覆っている外周部が溶融金属と合金形成可能な金属材料5Cからなる複合材料を繊維状材料5Xとして用いたシート5を用いても良い。また、例えば、外表面が溶融金属と合金化しうる金属5Cで覆われている繊維状ガラス材料5Bからなるシート5を用いても良い。つまり、中心部がガラス材料5Bからなり、中心部の周囲を覆っている外周部が溶融金属と合金形成可能な金属材料5Cからなる複合材料を繊維状材料5Xとして用いたシート5を用いても良い。要するに、中心部が溶融金属と合金形成しない材料5Bからなり、中心部の周囲を覆っている外周部が溶融金属と合金形成可能な金属材料5Cからなる複合材料を繊維状材料5Xとして用いたシート5を用いても良い。このような複合材料を用いた繊維状材料5Xからなるシート5は、例えば、シート5を構成する繊維状材料溶融金属と反応しない繊維状金属材料、繊維状樹脂材料、繊維状ガラス材料5Bの外周表面上に、無電解めっき法又は金属蒸着法によって、金属層5Cを形成することによって作製することができる。このように、少なくとも外表面に金属5Cを有する繊維状材料5B5Xからなるシート5を用いて半導体装置を製造した場合、製造される半導体装置は、ステージ2と、ステージ2上に設けられた半導体チップ1と、溶融金属及び少なくとも外表面に金属5Cを有する繊維状材料5B5Xを含み、ステージ2と半導体チップ1とを接合している接合層3とを備えるものとなる。例えば、外表面が金属5Cで覆われている繊維状樹脂材料5Bからなるシート5を用いた場合、接合層3は、溶融金属及び外表面が金属5Cで覆われている繊維状樹脂材料繊維状材料5Bを含むものとなる。また、例えば、外表面が金属5Cで覆われている繊維状ガラス材料5Bからなるシート5を用いた場合、接合層3は、溶融金属及び外表面が金属5Cで覆われている繊維状ガラス材料繊維状材料5Bを含むものとなる。特に、製造時に少なくとも外表面に溶融金属と合金化しうる金属5Cを有する繊維状材料5B5Xからなるシート5を用いた場合、接合層3は、溶融金属と金属5C即ち、繊維状材料を構成する金属との合金と、繊維状材料5Bとを含むものとなる。また、例えば、外表面が溶融金属と合金化しうる金属5Cで覆われている、溶融金属と反応しない繊維状金属材料5Bからなるシート5を用いた場合、接合層3は、溶融金属と金属5C即ち、繊維状材料を構成する金属との合金と、溶融金属と反応しない繊維状金属材料5B繊維状材料とを含むものとなる。また、例えば、外表面が溶融金属と合金化しうる金属5Cで覆われている繊維状樹脂材料5Bからなるシート5を用いた場合、接合層3は、溶融金属と金属5C即ち、繊維状材料を構成する金属との合金と、繊維状樹脂材料5B繊維状材料とを含むものとなる。また、例えば、外表面が溶融金属と合金化しうる金属5Cで覆われている繊維状ガラス材料5Bからなるシート5を用いた場合、接合層3は、溶融金属と金属5C即ち、繊維状材料を構成する金属との合金と、繊維状ガラス材料5B繊維状材料とを含むものとなる。また、接合層3を熱伝導性接着剤によって形成する場合、製造される半導体装置の接合層3は、さらに樹脂を含むものとなる。このように、繊維状材料5Bとして、溶融金属と反応しない繊維状金属材料例えばCrなど、繊維状樹脂材料、繊維状ガラス材料を用いる場合、図9に示すように、接合層3の中に繊維状材料5Bが残存することになる。そして、接合層3の中に残存する繊維状材料5Bによって、半導体チップ1とリードフレームのステージ2との間の熱膨張差によって加わる応力を緩和することができ、半導体装置の信頼性を向上させることが可能となる。つまり、溶融金属と反応しない繊維状金属材料例えばCrなどや繊維状樹脂材料を用いる場合、弾性率が低いため、半導体チップ1とリードフレームのステージ2との間の熱膨張差によって加わる応力を緩和することができる。また、繊維状ガラス材料を用いる場合、半導体チップ1の材料とリードフレームのステージ2の材料との中間の熱膨張率を有するものとすることで、半導体チップ1とリードフレームのステージ2との間の熱膨張差によって加わる応力を緩和することができ、また、半導体チップ1とリードフレームのステージ2との界面に加わる応力を低減することができる。実際に、このような複合材料を用いた繊維状材料シート5を用いて半導体パッケージを作製するとともに、比較例として、繊維状材料シート5を用いないで半導体パッケージを作製し、評価を行なったところ、以下のような結果になった。なお、複合材料を用いた繊維状材料シート5は、約4.5mm×約7mmのサイズとし、中心部がエポキシ樹脂5Bからなり、中心部の周囲を覆っている外周部が銅Cu5Cからなる複合材料を繊維状材料5Xとして用いたシートとした。また、実施例及び比較例の両方で、Sn-Ag-Cuはんだペーストを用いて接合層3を形成し、最大温度約250°Cでリフローを行なった。まず、繊維状材料シート5を用いないで作製した半導体パッケージでは、100サンプル中、半導体チップ1の位置ずれによるワイヤボンディングの接続不良が8サンプル発生した。これに対し、繊維状材料シート5を用いて作製した半導体パッケージでは、100サンプル作製しても、半導体チップ1の位置ずれによるワイヤボンディングの接続不良は発生しなかった。また、模擬的にデバイス動作温度を再現するために、約200°Cの恒温槽を用いて、繊維状材料シート5を用いて作製した半導体パッケージと、これを用いないで作製した半導体パッケージについて、高温放置試験を実施した。この結果、Sn-Ag-Cuはんだの融点に近い約200°Cでは、繊維状材料シート5を用いないで作製した半導体パッケージでは、モールド樹脂7が剥離する不良が発生したのに対して、繊維状材料シート5を用いて作製した半導体パッケージでは、剥離不良が生じなかった。また、繊維状材料シート5を用いて作製した半導体パッケージ、繊維状材料シート5を用いないで作製した半導体パッケージのそれぞれの断面観察を実施し、接合層3の元素分析を行なった。この結果、繊維状材料シート5を用いて作製した半導体パッケージでは、Sn-Cu合金の中で安定な合金種であるCu6Sn5が形成されており、繊維状材料シート5を構成するエポキシ樹脂からなる繊維状材料5Bが未反応のまま約6μm残存していることが確認された。さらに、繊維状材料シート5を用いて作製した半導体パッケージ、繊維状材料シート5を用いないで作製した半導体パッケージのそれぞれの信頼性評価を実施するために、温度サイクル試験を行なった。温度サイクル試験条件は、約-55°C及び約125°Cで約15分保持し、約25°Cで約5分保持する条件とした。この結果、繊維状材料シート5を用いないで作製した半導体パッケージは、500サイクル後に、200サンプル中16サンプルで不良が生じたのに対して、繊維状材料シート5を用いて作製した半導体パッケージでは、200サンプルで不良は発生しなかった。また、上述の実施形態では、ディスクリートパッケージを例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、他の半導体パッケージであっても良い。また、上述の実施形態では、リードフレームを用いて半導体装置を製造するため、製造された半導体装置は、リードフレームのステージ2上に半導体チップ1を備えるものとなっているが、これに限られるものではない。また、上述の実施形態では、半導体パッケージを例に挙げて説明しているが、これに限られるものではない。例えば、パッケージ基板やプリント基板配線基板などの回路基板上に半導体チップ1を備える半導体装置に本発明を適用することもできる。この場合、回路基板上の半導体チップ実装領域には、例えばCu-Ni-Au、Cu、Cu-Au、Cu-Ag、Cu-Ni-Pd-Auなどのメタライズ処理が施される。なお、パッケージ基板やプリント基板などの回路基板を、支持板ともいう。[第2実施形態]次に、第2実施形態にかかる電源装置について、図10を参照しながら説明する。本実施形態にかかる電源装置は、上述のGaN-HEMTを含む半導体パッケージを備える電源装置である。以下、サーバに用いられる電源装置に備えられるPFCpowerfactorcorrection回路に、上述の半導体パッケージに含まれるGaN-HEMTを用いる場合を例に挙げて説明する。本PFC回路は、図10に示すように、ダイオードブリッジ30と、チョークコイル31と、第1コンデンサ32と、上述の半導体パッケージに含まれるGaN-HEMT33と、ダイオード34と、第2コンデンサ35とを備える。ここでは、本PFC回路は、回路基板上に、ダイオードブリッジ30、チョークコイル31、第1コンデンサ32、上述の半導体パッケージに含まれるGaN-HEMT33、ダイオード34、及び、第2コンデンサ35が実装されて構成されている。本実施形態では、上述の半導体パッケージのドレインリード23、ソースリード22及びゲートリード21が、それぞれ、回路基板のドレインリード挿入部、ソースリード挿入部及びゲートリード挿入部に挿入され、例えばはんだなどによって固定されている。このようにして、回路基板に形成されたPFC回路に、上述の半導体パッケージに含まれるGaN-HEMT33が接続されている。そして、本PFC回路では、GaN-HEMT33のドレイン電極Dに、チョークコイル31の一方の端子及びダイオード34のアノード端子が接続されている。また、チョークコイル31の他方の端子には第1コンデンサ32の一方の端子が接続され、ダイオード34のカソード端子には第2コンデンサ35の一方の端子が接続されている。そして、第1コンデンサ32の他方の端子、GaN-HEMT33のソース電極S及び第2コンデンサ35の他方の端子が接地されている。また、第1コンデンサ32の両端子には、ダイオードブリッジ30の一対の端子が接続されており、ダイオードブリッジ30の他の一対の端子は、交流AC電圧が入力される入力端子に接続されている。また、第2コンデンサ35の両端子は、直流DC電圧が出力される出力端子に接続されている。また、GaN-HEMT33のゲート電極Gには、図示しないゲートドライバが接続されている。そして、本PFC回路では、ゲートドライバによってGaN-HEMT33を駆動することで、入力端子から入力されたAC電圧を、DC電圧に変換して、出力端子から出力するようになっている。したがって、本実施形態にかかる電源装置によれば、信頼性を向上させることができるという利点がある。つまり、上述の第1実施形態及び変形例における信頼性の高い半導体パッケージを備えるため、信頼性の高い電源装置を構築することができるという利点がある。なお、ここでは、上述の半導体装置GaN-HEMT又はGaN-HEMTを含む半導体パッケージを、サーバに用いられる電源装置に備えられるPFC回路に用いる場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではない。例えば、上述の半導体装置GaN-HEMT又はGaN-HEMTを含む半導体パッケージを、サーバ以外のコンピュータなどの電子機器電子装置に用いても良い。また、上述の半導体装置半導体パッケージを、電源装置に備えられる他の回路例えばDC-DCコンバータなどに用いても良い。[その他]なお、本発明は、上述した各実施形態及び変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。例えば、上述の各実施形態及び変形例では、GaN-HEMTを備える半導体チップを例に挙げて説明しているが、半導体チップはこれに限られるものではない。以下、上述の各実施形態及び変形例に関し、更に、付記を開示する。付記1支持板の半導体チップ実装領域に、少なくとも外表面に金属を有する繊維状材料からなるシートを載せ、前記半導体チップ実装領域に、溶融金属を含む接合層を形成し、前記半導体チップ実装領域に、前記半導体チップを載せ、加熱することによって、前記溶融金属を含む接合層によって前記半導体チップを前記半導体チップ実装領域に接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記2前記シートは、前記半導体チップの面積と同等の面積を有することを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。付記3前記シートは、少なくとも外表面に前記溶融金属と合金化しうる金属を有する繊維状材料からなることを特徴とする、付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。付記4前記シートは、繊維状金属材料からなることを特徴とする、付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。付記5前記シートは、前記溶融金属と合金化しうる繊維状金属材料からなることを特徴とする、付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。付記6前記シートは、外表面が前記溶融金属と合金化しうる金属で覆われている、前記溶融金属と反応しない繊維状金属材料からなることを特徴とする、付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。付記7前記シートは、外表面が金属で覆われている繊維状樹脂材料からなることを特徴とする、付記1~3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記8前記シートは、外表面が金属で覆われている繊維状ガラス材料からなることを特徴とする、付記1~3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記9前記溶融金属を含む接合層は、シート状の溶融金属からなる層であることを特徴とする、付記1~8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記10前記溶融金属を含む接合層は、ペースト状の溶融金属からなる層であることを特徴とする、付記1~8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記11前記溶融金属を含む接合層は、溶融金属と樹脂とを含む熱伝導性接着剤からなる層であることを特徴とする、付記1~8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記12前記半導体チップ実装領域に前記シートを載せた後、前記半導体チップ実装領域に前記シートを超音波によって仮接合することを特徴とする、付記1~11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記13前記半導体チップ実装領域に前記シートを載せ、前記シート状の溶融金属からなる層を形成した後、前記半導体チップ実装領域に前記シート及び前記シート状の溶融金属からなる層を超音波によって仮接合することを特徴とする、付記9に記載の半導体装置の製造方法。付記14前記溶融金属を含む接合層がシート状の溶融金属からなる層である場合、前記シートにフラックスを含浸させることを特徴とする、付記1~11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記15支持板と、前記支持板上に設けられた半導体チップと、溶融金属及び繊維状材料を含み、前記支持板と前記半導体チップとを接合している接合層とを備えることを特徴とする半導体装置。付記16前記接合層は、前記溶融金属と金属との合金と、繊維状材料とを含むことを特徴とする、付記15に記載の半導体装置。付記17前記接合層は、前記溶融金属と金属との合金と、繊維状金属材料とを含むことを特徴とする、付記15又は16に記載の半導体装置。付記18前記接合層は、前記溶融金属と金属との合金と、繊維状樹脂材料とを含むことを特徴とする、付記15又は16に記載の半導体装置。付記19前記接合層は、前記溶融金属と金属との合金と、繊維状ガラス材料とを含むことを特徴とする、付記15又は16に記載の半導体装置。付記20支持板と、前記支持板上に設けられた半導体チップと、溶融金属及び繊維状材料を含み、前記支持板と前記半導体チップとを接合している接合層とを備える半導体装置を備えることを特徴とする電源装置。