シス-2-ペンテンニトリルを3-ペンテンニトリルへと異性体化するための方法において、シス-2-ペンテンニトリルを触媒としてのアミジン、第三級アミンまたはこれらの混合物を用いて80~200°Cの温度および0.01~50バールの圧力で異性体化することを特徴とする、シス-2-ペンテンニトリルを3-ペンテンニトリルへと異性体化するための方法。触媒として第三級アルキルアミン、第三級シクロアルキルアミン、第三級アルキルシクロアルキルアミン、アミノピリジン、イミダゾール、二環式アミジンIVまたはこれらの混合物を使用する、請求項1記載の、シス-2-ペンテンニトリルを3-ペンテンニトリルへと異性体化するための方法。触媒としてトリエチルアミンを使用する、請求項1または2記載の、シス-2-ペンテンニトリルを3-ペンテンニトリルへと異性体化するための方法。沸点がシス-2-ペンテンニトリルと等温であるかまたはシス-2-ペンテンニトリルよりも低温、即ち0~50°C低く、かつシス-3-ペンテンニトリルよりも高温、即ち1~50°C高い触媒を使用する、請求項1から3までのいずれか1項に記載の、シス-2-ペンテンニトリルを3-ペンテンニトリルへと異性体化するための方法。シス-2-ペンテンニトリルから3-ペンテンニトリルへの異性体化を1つの反応塔内で実施する、請求項1から4までのいずれか1項に記載の、シス-2-ペンテンニトリルを3-ペンテンニトリルへと異性体化するための方法。シス-2-ペンテンニトリルを3-ペンテンニトリルへと連続的に異性体化する方法であって、a3-ペンテンニトリル、または3-ペンテンニトリルを含有する混合物を、触媒としてのニッケル0-燐配位子錯体の存在下でアジポジニトリルへとヒドロシアン化し、bヒドロシアン化排出物からアジポジニトリル、2-メチルグルタルニトリルおよびニッケル0-燐配位子錯体を分離し、cシス-2-ペンテンニトリルを、こうして得られた、本質的に不飽和のC5モノニトリル、例えばシス-3-ペンテンニトリルおよびトランス-3-ペンテンニトリル、4-ペンテンニトリル、トランス-2-ペンテンニトリル、シス-2-メチル-2-ブテンニトリル、トランス-2-メチル-2-ブテンニトリル、2-メチル-3-ブテンニトリルを含有する有機相中で、常圧でシス-2-ペンテンニトリルと等温で沸騰するかまたはシス-2-ペンテンニトリルよりも低温で沸騰する、触媒としての式Iの窒素塩基を用いて異性体化し、3-ペンテンニトリルに変える、シス-2-ペンテンニトリルを3-ペンテンニトリルへと連続的に異性体化する方法において、dcで得られた、本質的に不飽和のC5モノニトリルを含有する有機相を蒸留塔K1に供給し、蒸留塔K1から塔頂部を介して、シス-2-ペンテンニトリル、シス-2-メチル-2-ブテンニトリルおよびトランス-2-メチル-2-ブテンニトリルを分離し、塔底部を介して3-ペンテンニトリルおよびトランス-2-ペンテンニトリルを分離し、および3-ペンテンニトリルのヒドロシアン化の反応工程に返送し、e塔K1の塔頂生成物を蒸留塔K2に供給し、塔K2の塔底生成物としてトランス-2-メチル-2-ブテンニトリルを分離し、および排出し、f塔K2の塔頂生成物および常圧でシス-2-ペンテンニトリルと等温で沸騰するかまたはシス-2-ペンテンニトリルよりも低温で沸騰する窒素塩基を反応器R1に供給し、反応器R1の反応生成物およびシス-2-ペンテンニトリルと等温で沸騰するかまたはシス-2-ペンテンニトリルよりも低温で沸騰する第三級アミンを蒸留塔K3に供給し、g主に第三級アミンからなる、蒸留塔K3の塔頂生成物を反応器R1中に返送し、シス-2-メチル-2-ブテンニトリル、第三級アミンおよびシス-2-ペンテンニトリルを含有する塔頂生成物の1つの部分流を排出し、側面取出し口からシス-2-ペンテンニトリル、トランス-3-ペンテンニトリル、トランス-2-ペンテンニトリルおよび第三級塩基からなる混合物を蒸留塔K1中に返送し、および塔底生成物として高沸点物を排出することを特徴とする、シス-2-ペンテンニトリルを3-ペンテンニトリルへと連続的に異性体化する方法。シス-2-ペンテンニトリルから3-ペンテンニトリルへの異性体化を1つの反応塔内で実施する、請求項6記載の、シス-2-ペンテンニトリルを3-ペンテンニトリルへと連続的に異性体化するための方法。シス-2-ペンテンニトリルから3-ペンテンニトリルへの異性体化のための触媒としてのアミジン、第三級アミンまたはこれらの混合物の使用。例1触媒としてのトリエチルアミンを用いてのシス-2-ペンテンニトリルの異性体化原料として使用されるC5モノニトリルを、WO-A-05/73172、実施例1の記載により、トリm/p-トリルホスファイト60モルおよびキレートホスホナイト140モルから出発して合成されたNi0錯体の存在下で3-ペンテンニトリルおよび塩化亜鉛をヒドロシアン化することによって製造した。アジポジニトリル、他のジニトリルおよびNi0触媒の分離後、トランス-3-ペンテンニトリルトランス-3PN、シス-3-ペンテンニトリルシス-3PNおよび4-ペンテンニトリル4PNと共にさらにシス-2-メチル-2-ブテンニトリルシス-2M2BN5、トランス-2-メチル-2-ブテンニトリルトランス-2M2BN2、シス-2-ペンテンニトリルシス-2PN5およびトランス-2-ペンテンニトリルトランス-2PNを含有するC5ニトリル混合物を得た。百分率の記載は、記載された飽和ニトリルの総和に対するものである。C5混合物を、30段の理論段theoretischeTrennstufenを有しかつ79°Cの塔底温度および100ミリバールの圧力で運転される塔K1に供給した。シス-2-ペンテンニトリル、シス-2-メチル-2-ブテンニトリルおよびトランス-2-メチル-2-ブテンニトリル、および塔3から返送されたトリエチルアミンは、塔から留出した。塔底生成物として3-ペンテンニトリルおよびトランス-2-ペンテンニトリルを取出し、3-ペンテンニトリルのヒドロシアン化の工程aに返送した。シス-2-ペンテンニトリル79質量および2-メチル-2-ブテンニトリル10質量を含有する、塔K1の塔頂生成物を、33段の理論段を有しかつ72°Cの塔底温度および100ミリバールの圧力で運転される塔2に返送した。塔K2の塔頂生成物は、シス-2-ペンテンニトリル86質量およびトランス-2-メチル-2-ブテンニトリル3質量を含有していた。塔K2の塔底生成物として、トランス-2-メチル-2-ブテンニトリル61質量を含有する流れを排出した。塔K2の塔頂生成物を、3つの攪拌釜のカスケードからなる反応器システムRS-1に供給した。RS-1中で、2時間の滞留時間でシス-2-ペンテンニトリルの異性体化の主要部分が行なわれた。例えば、排出によるトリエチルアミンの損失は、トリエチルアミンの供給により補うことができた。異性体化温度は、125°Cであり、圧力は、2バールであった。シス-2-ペンテンニトリル対トリエチルアミンのモル比は、1:0.5であり、シス-2-ペンテンニトリルの変換率は、13であった。反応器システムRS-1の反応排出物を、15段の理論段を有しかつ110°Cの塔底温度および250ミリバールの圧力で運転される塔K3に供給した。95質量がトリエチルアミンからなる、塔K3の塔頂生成物を前記反応システム中に返送した。塔頂生成物6質量である部分流を排出した。79質量がシス-2-ペンテンニトリルからなる側面取出し口からの生成物を塔K2に返送した。高沸点物を塔底部を介して排出した。