"熱電変換材料マトリックス中に、中空状のカーボンブラック粒子を含有することを特徴とする、熱電変換材料。前記熱電変換材料マトリックスは、BiおよびTeを含む半導体である、請求項1に記載の熱電変換材料。前記カーボンブラック粒子の粒子径が0.5~100nmの範囲にある、請求項1または請求項2に記載の熱電変換材料。前記熱電変換材料マトリックスはさらにSnを含む、請求項2または請求項3に記載の熱電変換材料。しかしながら、特許文献1では特殊形態のフォノン散乱粒子を分散させることによって熱電変換材料の熱伝導率を低下させているが、フォノン散乱粒子そのものの電気伝導率や熱伝導率については特に着目していないことから、熱電変換特性の向上には限界がある。すなわち、フォノン散乱粒子は熱電変換材料のマトリックス的には異物となるので、フォノン散乱粒子を含有することで電気伝導率が阻害され、熱電変換材料全体の電気伝導率は低下する傾向にある。したがって、室温付近の熱電変換において最も熱電変換性能に優れるBi-Te系の熱電変換材料であっても、無次元性能指数ZTを1.0以上とすることは難しい。また、特殊形態のフォノン散乱粒子を分散させるために複雑な製造工程を経ており、製造が煩雑である。そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、熱電変換材料マトリックス中に、良好な電気伝導率を有する一方、熱伝導率が低い粒子を含有させることで、良好な電気伝導率を担保しつつ、熱伝導率を低下させることができるため、優れた熱電変換性能を有する熱電変換材料を提供することを目的とする。そのための手段として、本発明の熱電変換材料は、熱電変換材料マトリックス中に、中空状のカーボンブラック粒子を含有することを特徴とする。これによれば、カーボンブラック粒子が導電性を有することで、熱電変換材料の電気伝導率σ低下が抑制され、カーボンブラック粒子を含有しない熱電変換材料と同等の良好な電気伝導率σを担保できる。その一方で、当該カーボンブラック粒子は中空状なので断熱効果があり、熱電変換材料の熱伝導率kが低下する。なお、上記Z=S2σ/kの関係式から、性能指数Zないし無次元性能指数ZTは電気伝導率σに比例し、熱伝導率kに反比例する。その結果、熱電変換材料の性能指数Zないし無次元性能指数ZTを向上することができる。しかも、熱電変換材料にカーボンブラック粒子を混合するだけでよいので、製造も容易である。カーボンブラック粒子を添加する熱電変換材料自体は特に限定されないが、中でも室温付近において最も優れた熱電変換性能を有するものとして実用化されている、BiおよびTeを必須成分として含む半導体に中空状のカーボンブラック粒子を添加すれば、ZTが1.2を超える熱電変換材料とすることも可能である。なお、BiおよびTeを必須成分として含む半導体には、さらにSnを含むことも好ましい。前記カーボンブラック粒子の粒子径は、0.5~100nmの範囲にあることが好ましい。この範囲であれば、カーボンブラック粒子によるフォノン散乱性も向上することでより熱伝導率kが低下して、熱電変換材料の性能指数Zないし無次元性能指数ZTをより向上することができる。なお、本発明において数値範囲を示す○○~××とは、その下限及び上限を含む範囲を意味する。したがって、正確に表せば○○以上××以下となる。本発明によれば、熱電変換材料マトリックス中に、中空シェル状の導電性カーボンブラック粒子を含有することで、電気伝導率σの低下を避けながら熱伝導率kを低下させることができ、優れた熱電変換性能を有する熱電変換材料とすることができる。以下に、本発明について詳細に説明する。本発明の熱電変換材料は、熱電変換材料マトリックス中に、中空状のカーボンブラック粒子以下、単にカーボンブラック粒子と称すを含有する。熱電変換材料のマトリックス母材を構成する材料自体は、従来から公知の熱電変換材料を特に制限無く使用することができる。具体的には、Bi-Te系、Mg-Si系、Fe-Si系、Si-Ge系、Pb-Te系、Fe-V-Al系、カルコゲナイド系、スクッテルダイト系、フィルドスクッテルダイト系、炭化ホウ素系などの金属や半導体を例示できる。中でも、BiおよびTeを必須成分として含むBi-Te系の半導体が好ましい。現在実用化されている熱電変換材料の中でも、室温約20°C~200°C程度の低温域において優れた熱電変換性能を本来的に有しており、高い性能指数Zないし無次元性能指数ZTを期待できるからである。具体的には、Bi-Te系の熱電変換材料であれば、無次元性能指数ZTを1.2以上とすることも可能である。Bi-Te系の熱電変換材料としては、Bi2Te3などのようにBiとTeのみから成るものや、BiとTeの他に、Sb,Al,Mn,Fe,Cr,Mo,Ga,Sn,Zn,P,Siなどが添加又は一部置換されたものが挙げられる。中でも、Bi-Sb-Teから成る熱電変換材料が好ましく、Bi2-XSbxTe3xは0より大きく2未満で表される組成の熱電変換材料がより好ましい。Bi-Sb-Teから成る熱電変換材料はペルチェ素子のP型半導体となる。一般的に、導電性を有する炭素材料としては、カーボンブラック、カーボンファイバー、カーボンナノチューブ、カーボンナノコイルなどがあるが、本発明においては、最も電気伝導率の高いカーボンブラックを使用する。しかも、中空状開口を有しない中空殻状のカーボンブラックを使用する。一般的にカーボンブラックといえば、製法に応じて分類されるファーネスブラック、チャンネルブラックガスブラック、アセチレンブラック、サーマルブラックがあるが、これらは全て中実であり、電気伝導率と共に熱伝導率も高い傾向にある。これに対し、中空状のカーボンブラック粒子であれば、良好な電気伝導率を有しながら、中空構造に起因する断熱効果によって熱伝導率が低くなるからである。なお、熱伝導率の低下のみに着目すれば、例えば中空シリカ粒子等によってもその効果は期待できる。しかし、中空シリカ粒子等はカーボンブラック粒子に比べて電気伝導性が劣るので、これを混合すると熱電変換材料の電気伝導率が低下してしまい、性能指数Zないし無次元性能指数ZTの向上は難しい。中空状のカーボンブラック粒子としては市販品を使用することができ、代表的にはライオン社製のケッチェンブラックが挙げられる。カーボンブラック粒子の粒子径は、フォノンの平均自由工程以下となる範囲、具体的には0.5~100nmの範囲にあることが好ましい。粒子径がこのような範囲のカーボンブラック粒子を用いることで、熱電変換材料中においてフォノンが散乱し、熱伝導率kを確実に低下させることができる。さらに、カーボンブラック粒子の粒子径には、サイズ分布があることが好ましい。その理由は次の通りである。熱伝導率kの低減の観点からは、結晶粒をなるべく小さくする方が有利で、究極的にはアモルファスのように結晶サイズがゼロになってしまったような物質が理想的である。その反面、電気伝導率σはできるだけ高いことが望まれる。そこで、熱伝導率k下げるために比較的小さい粒子を含みつつ、一方で良好な電気伝導率σを得るために相対的に大きな粒子も含んでいることが望まれる。すなわち、量子効果でサイズの減少と共にバンドギャップが大きくなると、小さい粒子はより絶縁体に近づき、キャリアを供給しなくなる。同時に、相対的にサイズの大きい粒子が混ざっていれば、この粒子を伝わって電流が流れる。結果として、熱電材料中において、小さい粒子によるフォノン散乱で熱伝導率kはそれを含まない場合に比べて小さくでき、その反面、電気伝導σは大きい粒子を通じて向上できるからである。また、粒子径に分布があれば、フォノンの散乱過程に不規則性が導入され、フォノンの平均自由行程引き下げにも有利となる。カーボンブラック粒子は、熱電変換材料マトリックス中に5~30vol程度含有させればよい。特に、全体に亘ってできるだけ均一に分散していることが好ましい。カーボンブラック粒子の含有量が5vol未満では、当該カーボンブラック粒子に起因する効果を的確に得られず、熱電変換材料の熱電変換性能の向上効果を得られ難い。一方、カーボンブラック粒子の含有量が30volを超えると、熱電材料マトリックスの含有量が相対的に低下してキャリア濃度が低下することで、電気伝導率が低下する傾向にある。本発明の熱電変換材料の製造方法は特に限定されることはなく、公知の熱電変換材料製造方法において、適宜のタイミングでカーボンブラック粒子を添加混合するだけでよい。例えば、熱電変換材料のマトリックスを構成する材料を所定の組成となるように混合してから、アーク溶解、ボールミル、又はメカニカルアロイングMAなどによってマトリックス合金を作成した後に粉砕し、当該粉砕物に適量のカーボンブラック粒子を混合したうえで、所定形状に焼結コンポジット化すればよい。または、マトリックス合金を粉砕する際にカーボンブラック粒子を混合して、マトリックス合金を粉砕しながらカーボンブラック粒子を混合することもできる。また、熱電変換材料のマトリックスを構成する各種材料粒子とカーボンブラック粒子とを混合したうえで、反応性焼結によって製造することもできる。いずれの方法においても、熱電変換材料マトリックス中にカーボンブラック粒子を均一に分散させることができる。なお、溶解等によって合金化した場合は、合金化した後にアニール処理を行うことが好ましい。アニール処理によってマトリックスの結晶組織が均一になるからである。反応性焼結の場合は、アニール処理は不要である。また、粉砕する際は、できるだけ細かく粉砕する。例えば100μm以下、好ましくは50μm以下に粉砕する。できるだけ細かく粉砕することで熱電変換材料が緻密となり、熱電変換性能が向上するからである。分級は必須ではないが、分級により粒径を整えておくと、熱電変換材料がより緻密となり熱電変換性能が向上する。また、焼結する前又は後に、必要に応じて押圧や振動等によって各微粒子を配向しておくことも好ましい。以下に、本発明の具体的な実施例について説明するが、これに限られることはない。試験用の熱電変換材料マトリックスには、Bi-Te系の半導体としてBi0.3Sb1.7Te3を用いた。これに、中空状のカーボンブラック粒子として、ライオン社製のケッチェンブラック粒子径の範囲0.5~100nmを10vol混合分散させたものを実施例1とした。具体的には、Bi,SbおよびTeを、Bi0.3Sb1.7Te3となるように調合し、溶解した。次に、粗粉砕機で100μmまで粉砕し、遊星型ボールミルSUJ2にBi0.3Sb1.7Te3、ケッチェンブラックおよびエタノールを投入した。遊星型ボールミルで、180rpm20分稼動、10分停止15h混ぜた後、エタノールを乾燥させ、sps焼結機で400°C、40MPaで焼結し、実施例1を得た。一方、実施例1と同様の方法で製造しながら、何も添加しないものを比較例1とし、アセチレンブラックを10vol添加したものを比較例2とし、カーボンナノチューブを10vol添加したものを比較例3とした。そのうえで、各実施例及び比較例の各物性を測定し、比較評価した。その結果を表1に示す。なお、各物性の測定には、次の装置を用いた。ゼーベック係数S、電気伝導率σ:ULVAC理工社製熱電評価装置ZEM熱伝導率k:ULVAC理工社製レーザーフラッシュTC-7000表1の結果から、導電性を有する中空なカーボンブラック粒子を分散させた実施例1では、添加剤を添加していない比較例1と同等の電気伝導率を担保しながら、熱伝導率が低下したことで、無次元性能指数ZTを向上することができていた。これに対し、中実なカーボンブラックを分散させた比較例2では、電気伝導率を向上できた反面、熱伝導率も上昇してしまったことから、実施例1ほどの無次元性能指数ZTは得られなかった。また、比較例3でも電気伝導率が向上したが、両面が開口する筒状の炭素材料なので断熱効果は得られず、熱伝導率も上昇したことで、比較例1に比して逆に無次元性能指数ZTが低下していた。"