絶縁基材と、前記絶縁基材の上面側に設けられた第1配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の下面側に設けられた第2配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の前記上面から前記下面にまで貫通する複数のビアと、を有する回路基板が前記回路基板の主面に対して平行な方向に複数連続して設けられた基板を準備する工程と、前記複数の回路基板のそれぞれの上面側に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子および前記第1配線層を構成する複数の配線を封止する封止樹脂層を、前記基板の上面側に形成する工程と、前記基板の下面側を下地に接触させる工程と、前記封止樹脂層および前記回路基板のそれぞれを個片化し、前記第1配線層を構成する複数の配線のいずれか、または前記複数のビアのいずれかを、前記回路基板の側面において露出させるとともに、個片化された前記回路基板のそれぞれの間の前記下地に溝を形成する工程と、個片化されたそれぞれの前記封止樹脂層の上面を導電性シールド層により被覆するとともに、それぞれの前記封止樹脂層の側面、および、それぞれの前記回路基板の側面の少なくとも一部を前記導電性シールド層により被覆する工程と、を備え、前記封止樹脂層の前記側面および前記回路基板の前記側面の少なくとも一部を前記導電性シールド層により被覆する際には、互いに隣接する前記封止樹脂層のあいだに形成された隙間の上から下に前記導電性シールド層を浸入させ、さらに、前記導電性シールド層が前記第1配線層または前記ビアに接するまで前記導電性シールド層を前記溝に向かって浸入させることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記下地は、ダイシングシートを含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記下地は、さらに前記ダイシングシートの上に設けられたシート部材を含むことを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。前記導電性シールド層を前記回路基板の下面の位置から下方に突出させることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。絶縁基材と、前記絶縁基材の上面側に設けられた第1配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の下面側に設けられた第2配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の前記上面から前記下面にまで貫通する複数のビアと、を有する回路基板と、前記回路基板の前記上面側に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止し、前記回路基板の前記上面に設けられた封止樹脂層と、前記封止樹脂層の上面および側面と、前記回路基板の側面と、を覆う導電性シールド層と、を備え、前記第1配線層を構成する複数の配線のいずれか、または前記複数のビアのいずれかは、前記回路基板の側面において露出し、前記導電性シールド層は、前記第1配線層を構成する複数の配線のいずれか、または前記複数のビアのいずれかに電気的に接続され、さらに前記回路基板の下面の位置から下方に突出していることを特徴とする半導体装置。本発明が解決しようとする課題は、より信頼性の高い半導体装置を製造する製造方法および半導体装置を提供することである。実施形態の半導体装置の製造方法は、絶縁基材と、前記絶縁基材の上面側に設けられた第1配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の下面側に設けられた第2配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の前記上面から前記下面にまで貫通する複数のビアと、を有する回路基板が前記回路基板の主面に対して平行な方向に複数連続して設けられた基板を準備する工程と、前記複数の回路基板のそれぞれの上面側に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子および前記第1配線層を構成する複数の配線を封止する封止樹脂層を、前記基板の上面側に形成する工程と、前記基板の下面側を下地に接触させる工程と、前記封止樹脂層および前記回路基板のそれぞれを個片化し、前記第1配線層を構成する複数の配線のいずれか、または前記複数のビアのいずれかを、前記回路基板の側面において露出させるとともに、個片化された前記回路基板のそれぞれの間の前記下地に溝を形成する工程と、個片化されたそれぞれの前記封止樹脂層の上面を導電性シールド層により被覆するとともに、それぞれの前記封止樹脂層の側面、および、それぞれの前記回路基板の側面の少なくとも一部を前記導電性シールド層により被覆する工程と、を備える。前記封止樹脂層の前記側面および前記回路基板の前記側面の少なくとも一部を前記導電性シールド層により被覆する際には、互いに隣接する前記封止樹脂層のあいだに形成された隙間の上から下に前記導電性シールド層を浸入させ、さらに、前記導電性シールド層が前記第1配線層または前記ビアに接するまで前記導電性シールド層を前記溝に向かって浸入させる。実施形態の半導体装置は、絶縁基材と、前記絶縁基材の上面側に設けられた第1配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の下面側に設けられた第2配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の前記上面から前記下面にまで貫通する複数のビアと、を有する回路基板と、前記回路基板の前記上面側に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止し、前記回路基板の前記上面に設けられた封止樹脂層と、前記封止樹脂層の上面および側面と、前記回路基板の側面と、を覆う導電性シールド層と、を備える。前記第1配線層を構成する複数の配線のいずれか、または前記複数のビアのいずれかは、前記回路基板の側面において露出し、前記導電性シールド層は、前記第1配線層を構成する複数の配線のいずれか、または前記複数のビアのいずれかに電気的に接続され、さらに前記回路基板の下面の位置から下方に突出している。以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。また、以下に説明する各実施形態は、適宜複合させることができる。第1実施形態最初に、実施形態に係る半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置の概要について説明する。図1は、第1実施形態に係る半導体装置の断面模式図である。図2は、第1実施形態に係る半導体装置の平面模式図である。図1には、図2のX-X’断面が示されている。第1実施形態に係る半導体装置1は、FBGAFinepitchBallGridArray型の半導体パッケージである。半導体装置1は、回路基板10を有する。回路基板10は、インターポーザ基板とも称される。回路基板10は、基体である絶縁基材11と、絶縁基材11の上面側の外周に設けられた複数の配線層12と、配線層12の内側に設けられた複数の配線層15と、絶縁基材11の下面側に設けられた複数の配線層13と、を有する。配線層12の側面は、回路基板10の側面10wにおいて回路基板10から露出している。配線層12の電位については、グランドGND電位にすることができる。また、回路基板10の上面および下面には、各配線層の一部を被覆するためのソルダレジスト層16が形成されている。実施形態において、第1配線層は、複数の配線層12または複数の配線層15によって構成される。第2配線層は、複数の配線層13によって構成される。回路基板10は、さらに絶縁基材11の上面第1主面から下面第2主面にまで貫通する複数のビア14を有する。ビア14については、図示する数に限らず、回路基板10に複数設けられている。配線層12のいずれかは、回路基板10内のビアを介して外部接続端子17のいずれかに接続されている。複数の配線層13のそれぞれは、ランド状の電極である。複数の配線層13のそれぞれには、半田ボールである外部接続端子17が接続されている。半導体装置1においては、外部接続端子17を取り除いたLGALandGridArray構造としてもよい。回路基板10の上面側には、半導体素子20が搭載されている。半導体素子20の上面には、ワイヤボンディングワイヤ21の一方の端が接続されている。ワイヤ21の他方の端は、配線層15に接続されている。ワイヤ21は、配線層15の少なくとも1つと、半導体素子の表面に設けられた電極図示しないと、を電気的に接続する。半導体素子20の外周およびワイヤ21は、回路基板10の上面側に設けられた封止樹脂層30によって封止されている。半導体素子20と回路基板10との間隙には、マウントダイボンディング材材22が形成されている。封止樹脂層30の上面および側面は、導電性シールド層40によって覆われている。導電性シールド層40は、配線層12に接触している。配線層12の電位がグランド電位になると、配線層12を通じて導電性シールド層40の電位をグランド電位にすることができる。配線層12と導電性シールド層40との接点は、半導体装置1の各辺において複数設けられている図2参照。グランド電位と導電性シールド層40との接点の数、位置は上述した例に限られない。また、グランド電位にある配線層12と導電性シールド層40との接点間の距離は、半導体素子20等から放出される不要電磁波電磁ノイズ、またはノイズ電波とも称するの波長の半分以下に調整されている。これにより、導電性シールド層40は、半導体素子20等から放出される不要電磁波を効率よく遮蔽する。半導体素子20は、フラッシュメモリ、DRAM等の記憶素子、マイクロプロセッサ等の演算素子である。ワイヤ21は、例えば、金Au、アルミニウムAl、銅Cu等の金属線である。配線層12、配線層13、および配線層15は、銅Cu箔、銀Agまたは銅Cuを含む導電性ペースト等である、配線層12、配線層13、および配線層15には、必要に応じて表面にニッケルNi、金Au等のめっき処理が施される。ビア14は、例えば、柱状電極である。ビア14は、全ての材が導電材で構成された柱状電極でもよく、この柱状電極のほか、筒状の円筒電極と、この円筒電極内の中空に埋設された樹脂等と、を含む形態でもよい。ビア14の材質は、銅Cu、タングステンW等である。導電性シールド層40は、半導体素子20から放出される高周波ノイズを遮断するために、なるべく抵抗率が低い材料が選択される。導電性シールド層40の材質としては、例えば、銀Ag、銅Cu、ニッケルNi等が挙げられる。より具体的には、導電性シールド層40は、銀Agペーストを硬化させた銀Ag含有層であり、そのシート抵抗が0.1Ω/□以下に調整されている。導電性シールド層40の厚さは、数10μm~100μmである。次に、半導体装置1の製造過程について説明する。図3および図4は、第1実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。まず、図3aに示すように、回路基板10が回路基板10の主面に対して平行な方向に複数連続して設けられた基板10Aを準備する。続いて、複数の回路基板10のそれぞれの上面側に半導体素子20を搭載する。そして、複数の配線層15の少なくとも1つと、半導体素子20と、をワイヤ21を介して電気的に接続する。この段階では、回路基板10は、切断前の状態にあり、基板10A上には、複数の半導体素子20が搭載される。次に、図3bに示すように、複数の半導体素子20、配線層12およびワイヤ21等を封止樹脂層30によって封止する。これにより、基板10Aの上面側に封止樹脂層30が形成される。続いて、基板10Aの下面側を下地に接触させる。下地は、ダイシングシートダイシングテープ100を含む。ダイシングシート100は、例えば、樹脂シートであり、その主面に対して略平行な方向に伸縮可能である。ダイシングシート100の表面には、必要に応じて粘着層を設けてもよい。次に、図3cに示すように、隣接する回路基板10のそれぞれの間の封止樹脂層30および基板10Aを分割し、さらに、ダイシングシート100の上面に溝100tを形成する。すなわち、封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれを個片化するとともに、個片化された回路基板10のそれぞれの間のダイシングシート100に、溝100tを形成する。なお、個片化された回路基板10のそれぞれの間の距離は、例えば、250μmである。封止樹脂層30の厚みは、例えば、600μmである。回路基板10の厚みは、例えば、100μmである。封止樹脂層30および回路基板10の個片化、溝100tの形成は、ダイシングブレード図示しないを用いたダイシング加工により形成する。個片化により、配線層12のいずれかが回路基板10の側面10wにおいて露出する。また、個片化により、封止樹脂層30および配線層12のそれぞれの側面が面一になる。この後、封止樹脂層30を、必要に応じて硬化させる。次に、図4aに示すように、それぞれの封止樹脂層30の上面を、導電性シールド層40により被覆するとともに、それぞれの封止樹脂層30の側面、およびそれぞれの回路基板10の側面の少なくとも一部を導電性シールド層40により被覆する。導電性シールド層40の形成は、例えば、転写法、スクリーン印刷法、スプレー塗布法、ジェットディスペンス法、インクジェット法、エアロゾル法、無電解めっき法、電解めっき法、または真空処理法等で行われる。図4aには、スキージ板200を用いたスクリーン印刷法が例示されている。スクリーン印刷法は、大気圧下で実施してもよく、減圧下で実施してもよい。個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間においては、導電性シールド層40を封止樹脂層30から溝100tに向かう方向に侵入させる。この際、ダイシングシート100には、溝100tが設けられているので、溝100tが空気の逃げ道として機能する。これにより、導電性シールド層40が個片化された回路基板10のそれぞれの間に円滑に侵入する。すなわち、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間の空気は、上から来る導電性シールド層40によって下方に押し出され、溝100tと導電性シールド層40とによって取り囲まれた空間100sに収められる。そして、導電性シールド層40は、回路基板10の側面10wにおいて露出した配線層12に確実に接触する。これにより、導電性シールド層40と配線層12とが電気的に接続される。仮に、溝100tが形成されていない場合は、次のような不具合をもたらす。例えば、個片化された回路基板10のそれぞれの間においては、導電性シールド層40が封止樹脂層30から回路基板10に向かう方向に侵入する際には、個片化された回路基板10のそれぞれの間に存在する空気の逃げ道がない。従って、個片化された回路基板10のそれぞれの間の空気は、上から来る導電性シールド層40によって下方に充分に押し出すことができずに、封止樹脂層30の側面近傍や回路基板10の側面10w近傍で、ボイドとなって残存する。特に、導電性シールド層40と配線層12との間にボイドが形成された場合は、配線層12と導電性シールド層40とが充分に接触しない場合がある。つまり、導電性シールド層40と配線層12とが電気的に接続されない可能性がある。その結果、導電性シールド層40を設けても、不要電磁波を充分に遮蔽できなくなる可能性がある。これに対し、実施形態では、空気を配線層12の下方の溝100tに収めるので、封止樹脂層30の側面近傍や回路基板10の側面10w近傍にボイドが形成しない。これにより、配線層12と導電性シールド層40とが確実に接触する。このように、実施形態では、封止樹脂層30の側面および回路基板10の側面の少なくとも一部を導電性シールド層40により被覆する際には、互いに隣接する封止樹脂層30の間に形成された隙間30sの上から下に導電性シールド層40を侵入させる。さらに、導電性シールド層40が配線層12または、後述するビア14に接するまで導電性シールド層40を溝100tに向かって侵入させる。次に、ダイシングシート100を取り除き、回路基板10の下面側に外部接続端子17を形成した後、図4bに示すように、封止樹脂層30の上面側を別のダイシングシート150に接触させる。続いて、導電性シールド層40をダイシングにより分断する。すなわち、連続した導電性シールド層40は個片化されて、半導体装置1が形成される。なお、導電性シールド層40は、必要に応じて耐食性や耐マイグレーション性に優れる保護膜で覆ってもよい。保護膜としては、ポリイミド樹脂等が用いられる。導電性シールド層40、保護膜については、必要に応じて、焼成または紫外線照射で硬化させる。このように、第1実施形態によれば、導電性シールド層40は、回路基板10の側面10wにおいて配線層12に確実に接触する。これにより、半導体装置1においては、不要電磁波の漏洩が効率よく抑制される。従って、半導体装置1の信頼性がより向上する。第2実施形態図5および図6は、第2実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。まず、図5aに示す状態は、図3aに示す状態と同じである。次に、図5bに示すように、複数の半導体素子20、配線層12およびワイヤ21等を封止樹脂層30によって封止する。これにより、基板10Aの上面側に封止樹脂層30が形成される。続いて、基板10Aの下面側を下地に接触させる。下地は、ダイシングシート100と、ダイシングシート100の上に設けられたシート部材101と、を含む。シート部材101は、例えば、樹脂製の板状体である。シート部材101の主面には、必要に応じて粘着層を設けてもよい。次に、図5cに示すように、隣接する回路基板10のそれぞれの間の封止樹脂層30および基板10Aを分割し、さらに、シート部材101の上面に溝101tを形成する。すなわち、封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれを個片化するとともに、個片化された回路基板10のそれぞれの間のシート部材101に溝101tを形成する。封止樹脂層30および回路基板10の個片化、溝101tの形成は、ダイシング加工により形成する。個片化により、配線層12のいずれかが回路基板10の側面10wにおいて露出する。また、個片化により、封止樹脂層30および配線層12のそれぞれの側面が面一になっている。この後、封止樹脂層30を、必要に応じて硬化させる。次に、図6aに示すように、それぞれの封止樹脂層30の上面を、導電性シールド層40により被覆するとともに、それぞれの封止樹脂層30の側面、およびそれぞれの回路基板10の側面の少なくとも一部を、例えば、スクリーン印刷法で導電性シールド層40により被覆する。スクリーン印刷法は、大気圧下で実施してもよく、減圧下で実施してもよい。個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間においては、導電性シールド層40を封止樹脂層30から溝101tに向かう方向に侵入させる。この際、シート部材101には、溝101tが設けられているので。溝101tが空気の逃げ道として機能する。これにより、導電性シールド層40が個片化された回路基板10のそれぞれの間に円滑に侵入する。すなわち、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間の空気は、上から来る導電性シールド層40によって下方に押し出され、溝101tと導電性シールド層40とによって取り囲まれた空間101sに収められる。そして、導電性シールド層40は、回路基板10の側面10wにおいて露出した配線層12に確実に接触する。これにより、導電性シールド層40と配線層12とが電気的に接続される。次に、ダイシングシート100およびシート部材101を取り除き、回路基板10の下面側に外部接続端子17を形成した後、図6bに示すように、封止樹脂層30の上面側を別のダイシングシート150に接触させる。続いて、導電性シールド層40をダイシングにより分断する。すなわち、連続した導電性シールド層40は、個片化されて、半導体装置1が形成される。このように、第2実施形態によれば、導電性シールド層40は、回路基板10の側面10wにおいて配線層12に確実に接触する。これにより、半導体装置1においては、不要電磁波の漏洩が効率よく抑制される。従って、半導体装置1の信頼性がより向上する。第3実施形態図7は、第3実施形態に係る半導体装置を説明する模式図であり、aは、断面模式図、bは平面模式図である。図7aには、図8のX-X’断面が示されている。第3実施形態に係る半導体装置2の回路基板10は、絶縁基材11と、複数の配線層12と、複数の配線層15と、複数の配線層13と、を有する。回路基板10は、さらに絶縁基材11の上面から下面にまで貫通する複数のビア14を有する。第3実施形態においては、回路基板10の側面10wにおいて、ビア14が露出している。回路基板10の側面10wにおいて露出したビア14の電位については、グランド電位にすることができる。封止樹脂層30の上面および側面は、導電性シールド層40によって覆われている。導電性シールド層40は、回路基板10の側面10wにおいて露出したビア14に接触している。回路基板10の側面10wにおいて露出したビア14の電位がグランド電位になると、グランド電位にあるビア14を通じて導電性シールド層40の電位をグランド電位にすることができる。グランド電位にあるビア14と導電性シールド層40との接点は、半導体装置2の各辺において複数設けられている図7b参照。グランド電位にあるビア14と導電性シールド層40との接点間の距離は、半導体素子20等から放出される不要電磁波の波長の半分以下に調整されている。回路基板10の側面10wにおいて露出したビア14の露出面は、例えば、ダイシングによって形成される。ビア14が回路基板10の厚さ方向において切断された切断面を回路基板10の側面10wにおいて露出させる。ビア14の切断面は必ずしもビア14の中心である必要はなく、切断面にビア14の一部が含まれている。ビア14と、導電性シールド層40と、の接触面積を増加させるには、ビア14の切断面はビア14の中心に近いほうが望ましい。次に、半導体装置2の製造過程について説明する。図8および図9は、第3実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。まず、図8aに示すように、回路基板10が回路基板10の主面に対して平行な方向に複数連続して設けられた基板10Aを準備する。続いて、複数の回路基板10のそれぞれに半導体素子20を搭載する。そして、複数の配線層15の少なくとも1つと、半導体素子20と、をワイヤ21を介して電気的に接続する。この段階では、回路基板10は、切断前の状態にあり、基板10A上には、複数の半導体素子20が搭載される。次に、図8bに示すように、複数の半導体素子20、配線層12およびワイヤ21等を封止樹脂層30によって封止する。これにより、基板10Aの上面側に封止樹脂層30が形成される。続いて、基板10Aの下面側を下地に接触させる。下地は、ダイシングシート100を含む。下地については、ダイシングシート100のほか、ダイシングシート100と、シート部材101と、を含む構成であってもよい。次に、図8cに示すように、隣接する回路基板10のそれぞれの間の封止樹脂層30および基板10Aを分割し、さらに、ダイシングシート100の上面に溝100tを形成する。すなわち、封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれを個片化するとともに、個片化された回路基板10のそれぞれの間のダイシングシート100に溝100tを形成する。封止樹脂層30および回路基板10の個片化、溝100tの形成は、ダイシング加工により形成する。個片化により、ビア14のいずれかが回路基板10の側面10wにおいて露出する。また、個片化により、封止樹脂層30およびビア14のそれぞれの側面が面一になっている。この後、封止樹脂層30を、必要に応じて硬化させる。次に、図9aに示すように、それぞれの封止樹脂層30の上面を、導電性シールド層40により被覆するとともに、それぞれの封止樹脂層30の側面、およびそれぞれの回路基板10の側面の少なくとも一部を導電性シールド層40により被覆する。図9aには、スキージ板200を用いたスクリーン印刷法が例示されている。スクリーン印刷法は、大気圧下で実施してもよく、減圧下で実施してもよい。個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間においては、導電性シールド層40を封止樹脂層30から溝100tに向かう方向に侵入させる。この際、ダイシングシート100には、溝100tが設けられているので、溝100tが空気の逃げ道として機能する。これにより、導電性シールド層40が個片化された回路基板10のそれぞれの間に円滑に侵入する。すなわち、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間の空気は、上から来る導電性シールド層40によって下方に押し出され、溝100tと導電性シールド層40とによって取り囲まれた空間100sに収められる。そして、導電性シールド層40は、回路基板10の側面10wにおいて露出したビア14に確実に接触する。これにより、導電性シールド層40とビア14とが電気的に接続される。次に、ダイシングシート100を取り除き、回路基板10の下面側に外部接続端子17を形成した後、図9bに示すように、封止樹脂層30の上面側を別のダイシングシート150に接触させる。続いて、導電性シールド層40をダイシングにより分断する。すなわち、連続した導電性シールド層40は、個片化されて、半導体装置2が形成される。このように、第3実施形態によれば、導電性シールド層40は、回路基板10の側面10wにおいてビア14に確実に接触する。これにより、半導体装置2においては、不要電磁波の漏洩が効率よく抑制される。従って、半導体装置2の信頼性がより向上する。第4実施形態図10は、第4実施形態に係る半導体装置の製造過程で用いられる半導体装置の下地を説明するための模式図であり、aは、下地の表面模式図、bは、aのX-X’位置の断面模式図であり、cは、aのY-Y’位置の断面模式図である。図10aには、個片化された封止樹脂層30または、回路基板10の位置が併せて表示されている。第4実施形態においては、封止樹脂層30および回路基板10をダイシングにより個片化する過程で、ダイシングシート100と、シート部材102と、を含む下地を用いる。シート部材102は、ダイシングシート100の上に設けられている。シート部材102は、例えば、樹脂製の板状体である。シート部材102の上面と下面には、必要に応じて粘着層を設けてもよい。さらに、シート部材102は、シート基材102bと、シート基材102bの上に設けられた層102aと、を有する。層102aには、空気の逃げ道となる溝が複数設けられている。例えば、隣接する封止樹脂層30の間に形成された隙間30sが延在する方向に対して略平行に延びる溝102xと、隙間30sが延びる方向に対して略垂直に延びる102yと、がシート部材102に設けられている。図11は、第4実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。このようなシート部材102を含む下地をダイシング工程で用いれば、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間において、上から下に導電性シールド層40を侵入させても、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間に存在する空気は、層102a中の溝102x、102yを通じて効率よく排気される図11bの矢印参照。これにより、導電性シールド層40が個片化された回路基板10のそれぞれの間に円滑に侵入する。すなわち、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間の空気は、上から来る導電性シールド層40によって下方に押し出され、さらに層102aの溝102x、102yに排気される。そして、導電性シールド層40は、回路基板10の側面10wにおいて露出した配線層12に確実に接触する。これにより、導電性シールド層40と配線層12とが電気的に接続される。このような製造過程も実施形態に含まれる。また、ダイシングシート100の上に設けるシート部材には、上述した形態に限らず、ドット状の凸部を周期的に設けてもよい。図12は、第4実施形態に係る半導体装置の製造過程で用いられる半導体装置の別の下地を説明するための模式図であり、aは、下地の表面模式図、bは、aのX-X’位置の断面模式図であり、cは、aのY-Y’位置の断面模式図である。図12aには、個片化された封止樹脂層30または、回路基板10の位置が併せて表示されている。実施形態においては、封止樹脂層30および回路基板10をダイシングにより個片化する過程で、ダイシングシート100と、シート部材103と、を含む下地を用いることができる。シート部材103は、ダイシングシート100の上に設けられている。シート部材103は、例えば、樹脂製の板状体である。シート部材103の上面と下面には、必要に応じて粘着層を設けてもよい。シート部材103は、シート基材103bと、シート基材103bの上に設けられた層102aと、を有する。層103aには、ドッド状に凸部103dが周期的に設けられている。このようなシート部材103を用いれば、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間において、上から下に導電性シールド層40を侵入させても、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間に存在する空気は、凸部103dの間の隙間を通じてに効率よく排気することができる。このような下地も実施形態に含まれる。なお、層102a、103aについては、溝102x、102yや凸部103dを設けず、多孔質体としてもよい。第5実施形態図13は、第5実施形態に係る半導体装置の製造過程で用いられる半導体装置の下地を説明するための模式図であり、aは、下地の下面模式図、bは、aのX-X’位置の断面模式図であり、cは、aのY-Y’位置の断面模式図である。図13aには、個片化された封止樹脂層30または、回路基板10の位置が併せて表示されている。第5実施形態においては、封止樹脂層30および回路基板10をダイシングにより個片化する過程で、ダイシングシート100と、シート部材104と、を含む下地を用いる。シート部材104は、ダイシングシート100の上に設けられている。シート部材104は、例えば、樹脂製の板状体である。シート部材104の上面と下面主面には、必要に応じて粘着層を設けてもよい。さらに、シート部材104は、シート基材104aと、シート基材104aの下に設けられた層104bと、を有する。層104bには、空気の逃げ道となる溝が複数設けられている。例えば、隣接する封止樹脂層30の間に形成された隙間30sが延在する方向に対して略平行に延びる溝104xと、隙間30sが延びる方向に対して略垂直に延びる104yと、がシート部材104に設けられている。図14は、第5実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。このようなシート部材102を含む下地をダイシング工程で用いる場合には、図14aに示すように、シート基材104aにダイシングブレード図示しないで溝104tを形成する。溝104tを形成することにより、層104bの表面を露出させる。層104bの表面が露出されると、ダイシングブレードで形成した溝104tと、層104b中の溝104x、104yとが連通する。すなわち、隙間30sから溝104tへ、さらに層104b中の溝104x、104yへ通じる通路が形成する。これにより、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間において、上から下に導電性シールド層40を侵入させても、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間に存在する空気は、層104b中の溝104x、104yを通じて効率よく排気される図14bの矢印参照。これにより、導電性シールド層40が個片化された回路基板10のそれぞれの間に円滑に侵入する。すなわち、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間の空気は、上から来る導電性シールド層40によって下方に押し出され、さらに層104bの溝104x、104yに排気される。そして、導電性シールド層40は、回路基板10の側面10wにおいて露出した配線層12に確実に接触する。これにより、導電性シールド層40と配線層12とが電気的に接続される。また、ダイシングシート100の上に設けるシート部材は、上述した形態に限らず、ドット状の凸部を周期的に設けてもよい。図15は、第5実施形態に係る半導体装置の製造過程で用いられる半導体装置の別の下地を説明するための模式図であり、aは、下地の下面模式図、bは、aのX-X’位置の断面模式図であり、cは、aのY-Y’位置の断面模式図である。図15aには、個片化された封止樹脂層30または、回路基板10の位置が併せて表示されている。第5実施形態においては、封止樹脂層30および回路基板10をダイシングにより個片化する過程で、ダイシングシート100と、シート部材105と、を含む下地を用いることができる。シート部材105は、ダイシングシート100の上に設けられている。シート部材105は、例えば、樹脂製の板状体である。シート部材105の上面と下面には、必要に応じて粘着層を設けてもよい。さらに、シート部材105は、シート基材105aと、シート基材105aの下に設けられた層105bと、を有する。層105bには、ドッド状に凸部105dが周期的に設けられている。このようなシート部材105を用いても、上述した溝104tを形成して、層105bの表面を露出させれば、溝104tと、層105b中の凸部105d間の隙間とが連通する。従って、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間において、上から下に導電性シールド層40を侵入させても、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間に存在する空気は、凸部105dの間の隙間を通じてに効率よく排気することができる。このような下地も実施形態に含まれる。すなわち、このようなシート部材105を用いれば、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間において、上から下に導電性シールド層40を侵入させても、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間に存在する空気は、層105bに効率よく排気される図15b参照。これにより、導電性シールド層40が個片化された回路基板10のそれぞれの間に円滑に侵入する。すなわち、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間の空気は、上から来る導電性シールド層40によって下方に押し出され、さらに層105bに排気される。そして、導電性シールド層40は、回路基板10の側面10wにおいて露出した配線層12に確実に接触する。これにより、導電性シールド層40と配線層12とが電気的に接続される。このような製造過程も実施形態に含まれる。なお、層104b、105bについては、溝104x、104yや凸部105dを設けず、多孔質体としてもよい。第6実施形態図16は、第6実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。図16aに示す下地は、ダイシングシート100のほか、シート部材101を含む。シート部材101には、上述したように、溝101tが形成されている。第6実施形態においては、大気圧もしくは減圧1Torr~760Torr雰囲気で、導電性シールド層40を形成する。以下に、減圧雰囲気における半導体装置の製造過程を説明する。例えば、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間において、上から下に導電性シールド層40を侵入させる。このとき、個片化された封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間は、減圧状態にある。従って、導電性シールド層40は、封止樹脂層30および回路基板10のそれぞれの間のほか、溝101t内にも埋設される。実施形態では、導電性シールド層40を回路基板10の下面の位置から下方に突出させる。次に、図16bに示すように、導電性シールド層40を個片化して半導体装置3を形成する。図17は、第6実施形態に係る半導体装置の断面模式図である。半導体装置3においては、複数の配線層12のいずれかが回路基板10の側面10wにおいて露出している。導電性シールド層40は、第1配線層を構成する複数の配線のいずれかに電気的に接続されている。導電性シールド層40は、回路基板10の下面の位置から下方に突出している。この突出した部分を図では、突出部40pで表示している。このような構造であれば、外部接続端子17から放出される不要電磁波が突出部40pによって効率よく遮蔽される。すなわち、半導体装置3においては、半導体装置1、2に比べより効率よく不要電磁波が遮蔽される。なお、突出部40pを有する導電性シールド層40は、半導体装置2に設けてもよい。この場合、突出部40pを有する導電性シールド層40は、複数のビア14のいずれかに電気的に接続される。以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。