"第1の高分子鎖と、第2の高分子鎖とを含み、前記第1の高分子鎖は、第1の側鎖を備える第1のチオフェンユニットがレジオレギュラーのポリチオフェン構造を有し、前記第2の高分子鎖は、第2の側鎖を備える第2のチオフェンユニットがレジオランダムのポリチオフェン構造を有することを特徴とするブロック共重合体。前記第1の高分子鎖と前記第2の高分子鎖が、いずれも3-アルキルチオフェン重合体からなることを特徴とする請求項1記載のブロック共重合体。請求項1または請求項2に記載のブロック共重合体と、有機半導体材料とを含むことを特徴とする有機薄膜。前記有機半導体材料は、フラーレン誘導体であることを特徴とする請求項3に記載の有機薄膜。正極と、前記正極と対向して配置された負極と、前記正極と前記負極との間に設けられた機能層と、を備える有機薄膜光電変換素子であって、前記機能層は、有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層は、請求項3または請求項4に記載の有機薄膜を含むことを特徴とする有機薄膜光電変換素子。請求項5に記載の有機薄膜光電変換素子を用いた有機薄膜太陽電池。本発明の課題は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、キャリア移動効率を向上させることで、光電変換効率を高めることのできる有機薄膜光電変換素子に好適に用いられるブロック共重合体、そのブロック共重合体を用いた有機薄膜、その有機薄膜を用いた有機薄膜光電変換素子及びその有機薄膜光電変換素子を用いた有機薄膜太陽電池を提供することを目的とする。上記課題を解決するための本発明の一態様は、第1の高分子鎖と、第2の高分子鎖とを含み、前記第1の高分子鎖は、第1の側鎖を備える第1のチオフェンユニットがレジオレギュラーのポリチオフェン構造を有し、前記第2の高分子鎖は、第2の側鎖を備える第2のチオフェンユニットがレジオランダムのポリチオフェン構造を有することを特徴とするブロック共重合体である。上記態様によれば、ブロック共重合体は、配向秩序を有する規則的なナノ相分離構造を形成することができる。また、ブロック共重合体の高分子主鎖を共役性構造とすることができる。これにより、電荷分離したキャリアの移動経路を整備することができるので、従来技術と比較して、キャリア移動効率を高めることができる。また、本発明の別の態様は、前記第1の高分子鎖と前記第2の高分子鎖が、いずれも3-アルキルチオフェン重合体からなることとしても良い。上記態様によれば、上述したブロック共重合体として、3-アルキルチオフェン共重合体を含んでいるので、光電変換効率を高めることができる有機薄膜を提供することができる。上記態様によれば、ブロック共重合体は、第1の側鎖が第1のチオフェンユニットの3位に位置せず、第2の側鎖が第2のチオフェンユニットの2位または3位に位置しなかった場合と比較して、より高い配向秩序を有するナノ相分離構造を形成することができる。このため、キャリア移動効率をより高めることができる。また、本発明の別の態様は、上記態様のブロック共重合体と、有機半導体材料とを含むことを特徴とする有機薄膜である。上記態様によれば、上述したブロック共重合体を含んでいるので、光電変換効率を高めることができる有機薄膜を提供することができる。また、本発明の別の態様は、前記有機半導体材料は、フラーレン誘導体であることとしても良い。上記態様によれば、有機半導体材料がフラーレン誘導体でなかった場合と比較して、電荷分離の効率を向上させることができるので、光電変換効率をより高めることができる。また、本発明の別の態様は、正極と、前記正極と対向して配置された負極と、前記正極と前記負極との間に設けられた機能層と、を備える有機薄膜光電変換素子であって、前記機能層は、有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層は、上記態様の有機薄膜を含むことを特徴とする有機薄膜光電変換素子である。上記態様によれば、上記態様の有機薄膜を含んでいるので、光電変換効率を高めることができる有機薄膜光電変換素子を提供することができる。また、本発明の別の態様は、上記態様の有機薄膜光電変換素子を用いた有機薄膜太陽電池である。上記態様によれば、上記有機薄膜光電変換素子を用いているので、光電変換効率を高めることができる有機薄膜太陽電池を提供することができる。以上のように、本発明に係るブロック共重合体、有機薄膜、有機薄膜光電変換素子、有機薄膜太陽電池によれば、従来技術と比較して、キャリア移動効率を向上させることができ、光電変換効率を向上させることができる。下記化学式1は、本実施形態に係る有機薄膜光電変換素子の有機薄膜層に含まれるブロック共重合体を示す。このブロック共重合体は、側鎖Xを備えるチオフェン単量体が頭尾連結された立体規則性、いわゆるレジオレギュラーのポリチオフェン構造を有する高分子鎖と、側鎖Yを備えるチオフェン単量体がレジオランダムのポリチオフェン構造を有する高分子鎖とを含む構造をしている。なお、XとYとはそれぞれチオフェン環の置換基を示しており、XとYとは同じ置換基であっても良いし、異なる置換基であっても良い。化学式1中に示された、mとnはそれぞれ重合度を表す自然数であり、同じ数であっても良いし異なる数であっても良い。化学式1に示したブロック共重合体の分子量は、GPCで測定してポリスチレン換算分子量として、数平均分子量または重量平均分子量が3、000~100、000の範囲内、特に5,000~50,000の範囲内にあることが好ましい。なお、分子量が3、000以下になると、材料としての物性が十分発揮できない場合がある。また、分子量が100,000を超えると、溶解性が著しく低下してしまう場合がある。また、重量平均分子量と数量平均分子量の比で表す分散度が2.0以下であることが好ましい。特に1.5以下がより好ましい。下記化学式2は、本実施形態に係る有機薄膜光電変換素子の有機薄膜層に含まれるブロック共重合体の具体例であり、3-アルキルチオフェン単量体からなるブロック共重合体を示す。化学式2中に示された、R1とR2はそれぞれアルキル基を示しており、同じアルキル基であっても良いし異なるアルキル基であっても良い。また、R1とR2は、直鎖状アルキル基、分岐型アルキル基、環状アルキル基の何れであっても良い。アルキル基の炭素数は特に限定されないが、1から20が好ましい。これは、アルキル基の炭素数が20を超えると、ポリチオフェンブロック共重合体の導電特性が著しく低下する場合があるからである。化学式1で示したブロック共重合体と同様に、化学式2中に示された、mとnはポリチオフェンブロック共重合体の重合度を表す自然数である。mは3-アルキルチオフェン単量体が頭尾連結された立体規則性、いわゆるレジオレギュラーのポリチオフェン構造を有する高分子鎖以下、単にA鎖とも表記する。の重合度を表している。また、nは3-アルキルチオフェン単量体がレジオランダムのポリチオフェン構造を有する高分子鎖以下、単にB鎖とも表記する。の重合度を表している。mとnとは、ポリチオフェンブロック共重合体の平均分子量が上述した範囲内に収まるように設計することが好ましい。また、mとnとの比率は、3:2から2:3の範囲内が好ましい。この比率が3:2より大きい場合は、前記ポリチオフェンブロック共重合体の溶解性が低下することがある。また、この比率が2:3より小さい場合は、前記ポリチオフェンブロック共重合体の電荷移動度が低下することがある。ブロック共重合体の構造としては、A鎖とB鎖とから構成されるAB型のジブロック共重合体、ABA型或いはBAB型などのトリブロック共重合体、または、そのマルチブロック共重合体などの構造を取り得る。本実施形態に係るブロック共重合体によれば、ブロック共重合体の主鎖または側鎖に液晶性分子が結合しているため、この液晶性分子が自己組織化的に配向する。このため、ブロック共重合体は配向秩序を有する規則なナノ相分離構造を形成することができる。これにより、電子受容性分子のドメインと電子供与性分子のドメインとの界面の配向性を高めることができ、キャリア移動効率の高い光電変換能を有する有機薄膜層を形成することができる。なお、ブロック共重合体のブロック比率としては、ドナーdとアクセプターaのモル比が2:8~8:2であることが好ましい。ここで、電子受容性分子のドメインを形成する有機半導体材料としては、ピラジン、キノキサリン、フェナントロリン、チアゾール、フラーレン誘導体、ハロゲン基、シアノ基、アシル基などの電子吸引基の導入したチオフェン構造高分子鎖やピロール構造高分子鎖などが挙げられる。これらの中でもフラーレン誘導体は特に好ましく、下記化学式3~5はその例を示す。次に、本実施形態に係る有機薄膜光電変換素子に用いられる有機薄膜の形成方法について説明する。最初に、上述したブロック共重合体とフラーレン誘導体とを有機溶媒に溶かして塗布する。本発明のブロック共重合体はレジオレギュラーのポリチオフェン構造を備える第1の高分子鎖とレジオランダムのポリチオフェン構造を備える第2の高分子鎖を備える。本発明のブロック共重合体がレジオランダムのポリチオフェン構造を備える第2の高分子鎖を備えることにより、有機溶媒中でフラーレン誘導体と容易に分散溶解し塗液化することができ、塗工により有機薄膜を形成することを可能にしている。有機溶媒としては、クロロホルムなどの公知一般の有機溶媒を用いることができる。塗工方法としては、スピンコート、ドクターコート、スリットコート、或いはグラビア印刷、スクリーン印刷等の各種印刷法など公知一般の塗工方法を用いることができる。最後に、塗布したものを80~150°Cで加熱してアニールする。このようにして、前記有機薄膜を形成することができる。なお、加熱時間は1~20分程度が好ましい。また、加熱の方法は、特に限定されるものではない。例えば、オーブン、赤外線などを用いることができる。また、アニール後の膜厚を5~1000nm程度とすることが好ましく、10~100nmがさらに好ましい。こうすることで、本実施形態に係る有機薄膜光電変換素子に用いられる有機薄膜を形成することができる。次に、前記有機薄膜を用いた有機薄膜光電変換素子の構造について説明する。図1は、本実施形態に係る有機薄膜光電変換素子の構造を示す模式図である。図1に示すように、有機薄膜光電変換素子10は、基板11上に、正極12、正極バッファー層13、正孔移動層14、有機薄膜層15、負極バッファー層16、負極17の各層が順に積層されている。有機薄膜層15は、上記した有機薄膜を含んでいる。基板11としては、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN等のプラスチックフィルムやシート、又は、これらプラスチックフィルムにバリア層を設けたものを用いることができる。なお、基板11に近い側の電極を正極12とする場合には、正極12側から光を入射させるために透光性基板とすることが好ましい。正極12としては、ITOインジウムスズ複合酸化物やインジウム亜鉛複合酸化物等の透明電極を用いることができる。形成方法としてはスパッタ法や抵抗加熱法等の真空蒸着法など公知の成膜法で形成することができる。そして、正極12の膜厚は、50nm程度が好ましい。負極17としては、電子注入効率の高い、仕事関数の低い物質を用いることができる。具体的にはMg、Al、Ybなどを膜厚50~100nm積層して用いることができる。負極17の形成には、スパッタ法や抵抗加熱法等の真空蒸着法など公知の成膜方法を用いることができる。正孔移動層14としては、PEDOT:PSSを膜厚50~100nm積層して用いることができる。上述した各層は、用いる材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、スピンコートグラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いて形成することができる。以上のように、本実施形態に係る有機薄膜光電変換素子10であれば、有機薄膜層15に配向秩序を有する規則的なナノ相分離構造が形成されているので、従来技術と比較して、有機薄膜層15内におけるキャリア移動効率を向上させることができる。よって、光電変換効率を向上させた有機薄膜光電変換素子10を提供することができる。なお、有機薄膜光電変換素子10は、図1に示した構造に限定されず、少なくとも正極12と負極17の間に有機薄膜層15が設けられ、正極12と負極17との間でキャリア移動を生じる構造となっていれば良い。また、負極バッファー層16と負極17との間に電子移動層を設けても良い。この電子移動層としては、LiF、Liや酸化リチウムなどを膜厚数nm積層して用いることができる。さらに、本実施形態に係る有機薄膜光電変換素子10を用いて有機薄膜太陽電池を製造することもできる。この有機薄膜太陽電池であれば、有機薄膜光電変換素子10を用いているので、従来技術と比較して、キャリア移動効率を高めることができる。よって、光電変換効率を高めた有機薄膜太陽電池を提供することができる。"