窒化アルミニウム原料を加熱して昇華させ、種結晶に窒化アルミニウムを再結晶させることにより窒化アルミニウム単結晶を製造する窒化アルミニウム単結晶の製造装置であって、前記窒化アルミニウム原料を収納し、前記窒化アルミニウム原料の昇華時に発生するアルミニウムガスに対して耐腐食性を有する材料からなる成長容器と、前記成長容器の外側に設けられ、前記成長容器を介して前記窒化アルミニウム原料を加熱する発熱体とを備え、前記成長容器が、前記窒化アルミニウムを収納する収納部を有する本体部と、前記本体部の前記収納部を密閉する蓋体とを有し、前記発熱体が、タングステンを含む金属材料で構成される窒化アルミニウム単結晶の製造装置。前記成長容器を構成する材料が、アルミニウムのイオン半径の1.37倍以上1.85倍以下のイオン半径を有する金属の炭化物または窒化物である請求項1に記載の窒化アルミニウム単結晶の製造装置。前記成長容器を構成する材料が、炭化タンタル、窒化ジルコニウム、窒化タングステン及び窒化タンタルからなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項1又は2に記載の窒化アルミニウム単結晶の製造装置。前記発熱体を構成する金属材料がタングステン単体である請求項1~3のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム単結晶の製造装置。前記発熱体と前記成長容器とが接触している請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム単結晶の製造装置。前記発熱体と前記成長容器とが離間している請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム単結晶の製造装置。請求項1~6のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム単結晶の製造装置を用いて窒化アルミニウム単結晶を製造する窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、前記成長容器の前記本体部における前記収納部に前記窒化アルミニウム原料を収納し、前記蓋体に種結晶を固定し、前記蓋体で前記収納部を密閉する第1工程と、前記発熱体を発熱させ、前記成長容器を介して前記窒化アルミニウム原料を加熱して昇華させ、前記蓋体に固定された前記種結晶に窒化アルミニウムを再結晶させることにより前記窒化アルミニウム単結晶を製造する第2工程とを含む、窒化アルミニウム単結晶の製造方法。しかし、上記非特許文献1及び特許文献1に記載のるつぼを使用した窒化アルミニウム結晶の製造方法は、以下の課題を有していた。即ち、非特許文献1に記載のるつぼを用いた場合、成長した窒化アルミニウムの中にカーボンが多く混入するという問題があった。このようにAlN結晶にカーボンのような不純物が混入すると、結晶品質が低下する。またカーボンが塊状に混入した場合には、このカーボンを基点としてAlNが成長してしまい、多結晶化してしまうことがあった。一方、特許文献1に記載のるつぼを用いた場合、2320°Cという高温では、タングステンるつぼがアルミニウムガスと反応する。その結果、るつぼ内におけるタングステンるつぼとアルミニウムガスとが反応した場所と反応しない場所との間で熱膨張係数差が生じ、降温時にるつぼが破損するおそれがあった。またるつぼが破損しないまでも、るつぼの体積が変化することにより成長前後でるつぼが変形し、るつぼの繰り返し利用が困難となる。特に、タングステンは一般的にるつぼ材として良く利用されているカーボンに比べると高価であるため、繰り返し利用できないことは工業的に用いる上で問題となる。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、窒化アルミニウムの結晶中へのカーボンの混入量を十分に低減でき、且つ、繰り返し利用が可能な窒化アルミニウム単結晶の製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは上記課題を解決するため、非特許文献1において窒化アルミニウムの単結晶にカーボンが混入する原因について検討した。即ち窒化アルミニウムの単結晶に混入しているカーボンが、成長容器であるTaCるつぼに由来するのか、Tacるつぼの外側に設けられたグラファイト製の発熱体に由来するのかを検討した。当初の予想では、TaCるつぼが密閉されているため、グラファイト製の発熱体からのカーボンが窒化アルミニウム単結晶に混入することは考えにくいものと本発明者らは考えた。従って、窒化アルミニウムの単結晶に混入したカーボンは、TaCるつぼに由来するものと本発明者らは考えた。しかし、意外なことに、窒化アルミニウムの単結晶に混入したカーボンは、主として、TaCるつぼではなくTaCるつぼの外側に設けられたグラファイト製の発熱体に由来するものであった。そこで、本発明者らは、発熱体に由来するカーボンの窒化アルミニウム単結晶への混入を防止するため、TaCるつぼの外側に設ける発熱体として、タングステンからなる発熱体を配置することを考えた。ここで、TaCるつぼの外側に設けられたグラファイト製発熱体のカーボンが単結晶に混入することから、TaCるつぼ内で発生したアルミニウムガスがTaCるつぼから漏出してタングステンの発熱体と反応し、その結果、タングステンの発熱体の破損を招くことが考えられた。しかし、意外にも、タングステンの発熱体の破損は見られなかった。こうして本発明者らは、本発明を完成するに至った。即ち本発明は、窒化アルミニウム原料を加熱して昇華させ、種結晶に窒化アルミニウムを再結晶させることにより窒化アルミニウム単結晶を製造する窒化アルミニウム単結晶の製造装置であって、前記窒化アルミニウム原料を収納し、前記窒化アルミニウム原料の昇華時に発生するアルミニウムガスに対して耐腐食性を有する材料からなる成長容器と、前記成長容器の外側に設けられ、前記成長容器を介して前記窒化アルミニウム原料を加熱する発熱体とを備え、前記成長容器が、前記窒化アルミニウムを収納する収納部を有する本体部と、前記本体部の前記収納部を密閉する蓋体とを有し、前記発熱体が、タングステンを含む金属材料で構成される窒化アルミニウム単結晶の製造装置である。この製造装置によれば、成長容器の本体部における収納部に窒化アルミニウム原料が収納され、蓋体に種結晶が固定され、蓋体によって収納部が密閉される。そして、発熱体が発熱し、成長容器を介して窒化アルミニウム原料が加熱されて昇華する。このとき、アルミニウムガス及び窒素ガスが発生する。そして、蓋体に固定された種結晶に窒化アルミニウムが再結晶されて、窒化アルミニウム単結晶が製造される。このとき、成長容器の外側に設けられる発熱体は、タングステンを含む金属材料で構成されている。このため、発熱体から、成長した窒化アルミニウム単結晶へのカーボンの混入がなくなる。その結果、窒化アルミニウム単結晶へのカーボンの混入を十分に低減することができる。また成長容器は、アルミニウムガスに対して耐腐食性を有する材料からなる。このため、成長容器がアルミニウムガスによって腐食されることが十分に抑制される。このため、成長容器からのアルミニウムガスの漏出が十分に抑制され、発熱体中にアルミニウムが混入することが十分に抑制される。その結果、発熱体において、熱膨張係数差を十分に小さくすることが可能となる。このため、発熱体の降温時において、発熱体の変形や、発熱体におけるクラックの発生を十分に抑制することができる。上記窒化アルミニウム単結晶の製造装置においては、前記成長容器を構成する材料が、アルミニウムのイオン半径の1.37倍以上1.85倍以下のイオン半径を有する金属の炭化物または窒化物であることが好ましい。この場合、上記金属の炭化物または窒化物中の金属が、上記のようにアルミニウムのイオン半径よりも大きいイオン半径を有するため、窒化アルミニウム原料の昇華により発生するアルミニウムガスの一部のアルミニウムと置換して固溶体が形成されるのを抑制できる。このため、上記金属の炭化物または窒化物は、よりアルミニウムガスに対する耐食性に優れる。従って、窒化アルミニウム単結晶に不純物がより混入しにくいという利点がある。上記窒化アルミニウム単結晶の製造装置においては、前記成長容器を構成する材料が、炭化タンタル、窒化ジルコニウム、窒化タングステン及び窒化タンタルからなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。これらの材料は、アルミニウムガスに対する耐食性により一層優れ、化学的により一層安定であるため、より一層窒化アルミニウム単結晶に不純物が混入しにくいという利点がある。上記窒化アルミニウム単結晶の製造装置においては、前記発熱体を構成する金属材料がタングステン単体であることが好ましい。この場合、発熱体の金属材料をタングステン単体とすることで、発熱体の耐熱性をより向上させることができ、窒化アルミニウム単結晶の製造装置の繰り返し利用をより容易にすることができる。上記窒化アルミニウム単結晶の製造装置においては、前記発熱体と前記成長容器とが接触していることが好ましい。この場合、発熱体から成長容器への伝熱が効率よく行われるため、窒化アルミニウム原料の昇華をより効率よく行うことができる。上記窒化アルミニウム単結晶の製造装置においては、前記発熱体と前記成長容器とが離間していてもよい。この場合でも、発熱体からの輻射熱によって成長容器を介して窒化アルミニウム原料を加熱することができる。また発熱体と成長容器とが離間していると、仮に成長容器からアルミニウムガスが漏出した場合でも、アルミニウムガスが希釈されてから発熱体に接触する。このため、タングステンとアルミニウムガスとの反応が、発熱体と成長容器とが接触している場合に比べてより十分に抑制され、発熱体の降温時における変形や、発熱体におけるクラックの発生をより十分に抑制することができる。また本発明は、上述した窒化アルミニウム単結晶の製造装置を用いて窒化アルミニウム単結晶を製造する窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、前記成長容器の前記本体部における前記収納部に前記窒化アルミニウム原料を収納し、前記蓋体に種結晶を固定し、前記蓋体で前記収納部を密閉する第1工程と、前記発熱体を発熱させ、前記成長容器を介して前記窒化アルミニウム原料を加熱して昇華させ、前記蓋体に固定された前記種結晶に窒化アルミニウムを再結晶させることにより前記窒化アルミニウム単結晶を製造する第2工程とを含む、窒化アルミニウム単結晶の製造方法である。この製造方法によれば、成長容器の外側に設けられる発熱体が、タングステンを含む金属材料で構成されているため、発熱体から、成長した窒化アルミニウム単結晶へのカーボンの混入がなくなる。その結果、窒化アルミニウム単結晶へのカーボンの混入を十分に低減することができる。また、成長容器は、アルミニウムガスに対して耐腐食性を有する材料からなるため、成長容器がアルミニウムガスによって腐食されることが十分に抑制される。このため、成長容器からのアルミニウムガスの漏出が十分に抑制され、発熱体中にアルミニウムが混入することが十分に抑制される。その結果、発熱体において、熱膨張係数差を十分に小さくすることが可能となり、発熱体の降温時において、発熱体におけるクラックの発生を十分に抑制することができる。本発明によれば、窒化アルミニウムの結晶中へのカーボンの混入量を十分に低減でき、且つ、繰り返し利用が可能な窒化アルミニウム単結晶の製造装置及び製造方法が提供される。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造装置の一実施形態を示す断面図である。図1に示すように、窒化アルミニウム単結晶の製造装置以下、単に製造装置と呼ぶ100は、窒化アルミニウム単結晶19の成長が行われる結晶成長部1と、結晶成長部1を収容する収容部2と、収容部2の周囲に巻回される高周波コイル3とから構成されている。収容部2には、ガス導入口4と、ガス排出口5とが形成されており、不活性ガス供給装置図示せずからガス導入口4を通して不活性ガスが導入され、収容部2内のガスが、減圧装置例えば真空ポンプによってガス排出口5を通して排出されるようになっている。ここで、不活性ガスとしては、窒素ガス、アルゴンガスなどが使用されるようになっている。また収容部2には、結晶成長部1を収容するための開口部図示せずも形成されている。結晶成長部1は、窒化アルミニウム原料6を収納する成長容器7と、成長容器7の外側に設けられる発熱体8と、発熱体8を覆う断熱材9とを備えている。成長容器7としては、例えばるつぼが用いられる。従って、成長容器7は、窒化アルミニウム原料6を収納する収納部10を有する本体部11と、本体部11の収納部10を密閉する蓋体12とを有している。蓋体12の収納部10側の面には種結晶13が固定されるようになっている。成長容器7は、アルミニウムガスに対して耐腐食性を有する材料からなる。このような材料としては、アルミニウムのイオン半径の1.37倍以上1.85倍以下のイオン半径を有する金属の炭化物または窒化物が好ましい。この場合、上記金属の炭化物または窒化物中の金属が、上記のようにアルミニウムのイオン半径よりも大きいイオン半径を有するため、窒化アルミニウム原料の昇華により発生するアルミニウムガスの一部のアルミニウムと置換して固溶体が形成されるのを抑制できる。このため、上記金属の炭化物または窒化物は、よりアルミニウムガスに対する耐食性に優れる。従って、窒化アルミニウム単結晶に不純物がより混入しにくくなる。上記のような金属の炭化物または窒化物としては、炭化タンタルTaC、窒化ジルコニウム、窒化タングステン及び窒化タンタルなどが挙げられる。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの材料は、アルミニウムガスに対する耐食性により一層優れ、化学的に特に安定であるため、より一層窒化アルミニウム単結晶に不純物が混入しにくいという利点がある。中でも、アルミニウムガスに対する耐腐食性に特に優れることから、炭化タンタルが好ましい。発熱体8としては、例えばるつぼが用いられる。従って、発熱体8は、成長容器7を収納する本体部14と、本体部14を密閉する蓋体15とを有している。発熱体8は、成長容器7を介して窒化アルミニウム原料6を加熱する発熱体として機能するものであり、成長容器7に接触している。発熱体8は、高周波コイル3によって高周波磁場を印加されることにより誘導電流が流され、発熱するようになっている。発熱体8は、窒化アルミニウム原料6の昇華時に発生するアルミニウムガスに対する耐腐食性が成長容器7よりも大きい材料、即ち、タングステンを含む金属材料で構成されている。このような金属材料としては、タングステン単体、タングステンとレニウム、鉄、ニッケル又は銅などの金属との合金が挙げられる。中でも、耐熱性に優れることから、タングステン単体が好ましい。断熱材9は、発熱体8を収納する本体部17と、本体部17を密閉する蓋体18とを有している。断熱材9は、発熱体8の熱を成長容器7に効率よく伝えるためのものであり、例えばカーボンなどで構成される。次に、上記製造装置100を用いた窒化アルミニウム単結晶の製造方法について説明する。まず結晶成長部1において、断熱材9の蓋体18を外し、発熱体8の蓋体15を外し、成長容器7の蓋体12を外した状態にする。次に、成長容器7の収納部10に窒化アルミニウム原料6を収納する。一方、蓋体12には、種結晶13を固定する。種結晶13としては通常、窒化アルミニウムAlNが用いられるが、炭化ケイ素SiCなどを使用することも可能である。そして、蓋体12によって、成長容器7の本体部11の収納部10を密閉する。このとき、蓋体12は、種結晶13を収納部10側に向ける。続いて、蓋体15により発熱体8の本体部14を密閉する。さらに続いて、蓋体18により本体部17を密閉する第1工程。そして、結晶成長部1を、収容部2の開口部から内部に収容する。次に、収容部2を減圧装置により真空引きする。その後、ガス導入口4から収容部2に不活性ガスを導入するとともにガス排出口5から収容部2内のガスを排出させる。こうして、結晶成長部1の周囲を不活性ガス雰囲気下に置く。ここで、不活性ガスとしては、例えば窒素ガス、アルゴンガスなどが挙げられる。またこのとき、収容部2の内部の圧力は、好ましくは1.3~101kPaとし、より好ましくは13.3~80.0kPaとする。次に、高周波コイル3に高周波電流を印加し、それにより発熱体8に高周波磁場を印加する。すると、発熱体8に誘導電流が流れ、発熱体8が発熱する。そして、発熱体8の蓋体15の熱が、成長容器7を介して窒化アルミニウム原料6に伝わり、窒化アルミニウム原料6が加熱され、昇華される。このとき、発熱体8と成長容器7とが接触しているため、発熱体8の熱は、成長容器7に効率よく伝わり、窒化アルミニウム原料6が効率よく加熱される。こうして窒化アルミニウム原料6が、昇華点以上の温度まで加熱されると、窒化アルミニウム原料6からアルミニウムガスと窒素ガスとが発生する。このとき、成長容器7においては、窒化アルミニウム原料6の温度以下、原料部温度と呼ぶが、窒化アルミニウム単結晶19の温度以下、成長部温度と呼ぶよりも高くなるように設定する。ここで、原料部温度とは、具体的には、本体部11の底部の温度を言い、成長部温度とは、具体的には、蓋体12の温度を言う。このように成長容器7の温度プロファイルを設定することで、アルミニウムガスと窒素ガスとが、蓋体12に固定された種結晶13に付着して再結晶し、窒化アルミニウム単結晶19が成長する。こうして窒化アルミニウム単結晶19が製造される第2工程。ここで、原料部温度は、1800°C以上の温度であることが好ましく、2000°C以上であることがより好ましい。この場合、原料部温度が、1800°C以下である場合に比べて、成長速度をより増大させることができる。但し、原料部温度は、好ましくは成長容器7の融点未満の温度にする。また成長部温度は、原料部温度よりも低い温度であればよいが、原料部温度よりも50°C~200°Cだけ低いことが好ましい。この場合、上記範囲を外れる場合に比べて、単結晶が得られやすい。即ち、上記範囲を外れる場合に比べて、多結晶の析出がより十分に抑制されたり、結晶が成長しやすくなったりする。原料部温度および成長部温度の制御は、例えば、発熱体8の本体部14の底部、及び蓋体15にそれぞれ設けた放射温度計で原料部温度および成長部温度を測定し、その測定結果に基づいて高周波コイル3に流れる高周波電流の出力を制御することにより行うことができる。また成長容器7の外側に設けられる発熱体8は、タングステンを含む金属材料で構成されている。このため、発熱体8中から成長した窒化アルミニウム単結晶19へのカーボンの混入がなくなる。その結果、窒化アルミニウム単結晶19へのカーボンの混入量を十分に低減することができる。また成長容器7は、アルミニウムガスに対して耐腐食性を有する材料からなるため、成長容器7がアルミニウムガスによって腐食されることが十分に抑制される。このため、成長容器7からのアルミニウムガスの漏出が十分に抑制され、発熱体8中にアルミニウムが混入することが十分に抑制される。その結果、発熱体8において、熱膨張係数差を十分に小さくすることが可能となり、発熱体8の降温時において、発熱体8の変形や、発熱体8におけるクラックの発生を十分に抑制することができる。よって、製造装置100を1回のみならず、繰り返し利用することが可能となる。本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、成長容器7と発熱体8とが接触しているが、成長容器7と発熱体8とは離間していてもよい。この場合でも、発熱体8からの輻射熱によって成長容器7を介して窒化アルミニウム原料6を加熱することができる。また発熱体8と成長容器7とが離間していると、仮に成長容器7からアルミニウムガスが漏出した場合でも、アルミニウムガスが希釈されてから発熱体8に接触することになる。このため、タングステンとアルミニウムガスとの反応が、発熱体8と成長容器7とが接触している場合に比べてより十分に抑制され、発熱体8の降温時における変形や、発熱体8におけるクラックの発生をより十分に抑制することができる。なお、本発明に用いる発熱体は、るつぼである必要はなく、板状、球状、棒状等、種々の形状を有していてもよい。また発熱体は、1つに限らず、複数の発熱部を有していてもよい。ここで、複数の発熱部は、互いに接触していても、離間していてもよい。また上記実施形態では、発熱体8は、高周波コイル3により誘導加熱によって発熱しているが、高周波コイル3は必ずしも必要ではない。この場合、抵抗加熱によって発熱体8を発熱させることが可能である。さらに上記実施形態では、製造装置100は、結晶成長部1のほか、収容部2、高周波コイル3を備えているが、結晶成長部1のみで構成されてもよい。以下、本発明の内容を、実施例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。実施例1図1に示す製造装置を用いて以下のようにして窒化アルミニウム単結晶を製造した。即ち、まずカーボンからなる断熱材9の蓋体18を外し、タングステン単体からなる発熱体8の蓋体15を外し、炭化タンタルTaCからなる成長容器7の蓋体12を外した状態にした。そして、成長容器7の収納部10に、原料である窒化アルミニウム粉末を収納した。一方、蓋体12には、接着剤によって、直径2インチ、厚さ0.5mmの種結晶13を担持させた。このとき、種結晶としては、6H-SiC0001を用いた。そして、蓋体12で、成長容器7の本体部11の収納部10を密閉した。続いて、蓋体15により発熱体8の本体部14を密閉し、最後に蓋体18により本体部17を密閉した。そして、結晶成長部1を収容部2内に設置した。次に、収容部2内を真空ポンプを用いて真空引きした。その後、ガス導入口4から収容部2に不活性ガスとして窒素ガスを500sccmの流量で導入するとともに、ガス排出口5から収容部2内のガスを排出させた。こうして収容部2内の圧力を100Torrに保持した。次に、高周波コイル3に高周波磁場を印加して発熱体8を発熱させ、成長容器7を介して窒化アルミニウム粉末を加熱した。このとき、成長容器7の原料部温度と、成長部温度はそれぞれ、1870°C及び1800°Cとなるようにした。そして、200hにわたって窒化アルミニウム単結晶を成長させた。実施例2表1に示すように、種結晶を、実施例1で作製した窒化アルミニウム結晶に変更し、収容部内の圧力を250Torrに変更し、成長部温度と原料部温度をそれぞれ2000°C、2100°Cに変更したこと以外は実施例1と同様にして窒化アルミニウム結晶を成長させた。実施例3表1に示すように、種結晶を、実施例1で作製した窒化アルミニウム単結晶に変更し、収容部内の圧力を500Torrに変更し、成長部温度と原料部温度をそれぞれ2200°C、2320°Cに変更したこと以外は実施例1と同様にして窒化アルミニウム単結晶を成長させた。比較例1表1に示すように、発熱体の構成材料を黒鉛に変更したこと以外は実施例1と同様にして窒化アルミニウム結晶を成長させた。比較例2表1に示すように、発熱体の構成材料を黒鉛に変更し、種結晶を窒化アルミニウムに変更したこと以外は実施例2と同様にして窒化アルミニウム結晶を成長させた。比較例3表1に示すように、成長容器の構成材料をタングステン単体に変更し、発熱体を使用しなかったこと以外は実施例3と同様にして窒化アルミニウム結晶を成長させた。実施例1~3及び比較例1~3で得られた窒化アルミニウムの単結晶について、成長速度、結晶性、カーボン濃度、及び成長容器におけるクラックの有無を以下のようにして調べた。成長速度窒化アルミニウム単結晶の厚さを測定し、下記式:成長速度μm/h=窒化アルミニウム単結晶の厚さ/200hに基づいて成長速度を算出した。結果を表1に示す。結晶性窒化アルミニウム単結晶について、X線回折装置を用いて窒化アルミニウム0002反射のロッキングカーブを得た。そして、このロッキングカーブの半値幅FWHM:FullWidthatHalfMaximumを測定した。結果を表1に示す。カーボン濃度窒化アルミニウム単結晶について、二次イオン質量分析計SIMS:SecondaryIonMassSpectrometryでカーボン濃度の定量分析を行った。結果を表1に示す。成長容器におけるクラックの有無成長容器におけるクラックの有無を目視にて観察した。結果を表1に示す。表1に示す結果より、実施例1~3の窒化アルミニウム単結晶においてはカーボン濃度が100ppmを下回っており、成長容器においてクラックの発生は見られないことが分かった。これに対し、比較例1~2の窒化アルミニウム単結晶においては、成長容器においてクラックの発生が見られなかったものの、カーボン濃度が150~15000ppmと非常に高く、カーボンの混入量が十分に低減されないことが分かった。また比較例3の窒化アルミニウム単結晶においてはカーボン濃度が10ppmと非常に小さかったものの、成長容器にクラックが発生することが分かった。クラックが発生したのは、成長容器のタングステンとアルミニウムとが反応して成長容器が体積膨張し、窒化アルミニウム単結晶に応力が印加され、窒化アルミニウム単結晶がひずんだためと考えられる。また成長容器は非常に脆くなっており、複数回の使用は困難であった。なお、実施例1~3の窒化アルミニウム単結晶はいずれも、小さいFWHMを有しており、良好な結晶性を有することが分かった。これに対し、比較例1の窒化アルミニウム単結晶では、カーボン濃度が高かったためか、FWHMが広く、結晶性が低かった。また比較例2の窒化アルミニウム単結晶も、FWHMが広く、結晶性が低いものであった。比較例3は、FWHMがかなり広くなっており、結晶性がかなり低いものであった。以上より、本発明の窒化物単結晶の製造装置及び製造方法によれば、窒化アルミニウムの結晶中へのカーボンの混入量を十分に低減でき、且つ、繰り返し利用が可能であることが確認された。