太陽電池の基板の表面に酸化物層を設けるべく、前記基板の前記表面を湿式化学溶液に晒す工程と、前記酸化物層を前記太陽電池のトンネル誘電体層へと変換するべく、前記酸化物層を略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する工程とを備える太陽電池の製造方法。前記酸化物層が、前記製造中に1回だけ略摂氏900度以上の温度に晒される、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記湿式化学溶液が、オゾンO3及び過酸化水素H2O2からなる群から選択される酸化剤を含む、請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。前記湿式化学溶液及び前記基板の前記表面が、前記基板の前記表面を湿式化学溶液に晒す工程の間に、可視光放射に露出される請求項1から3の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。前記湿式化学溶液に晒す工程の後であって、前記加熱する工程の前に、前記酸化物層を、摂氏500度未満の温度から略摂氏565度の温度に加熱し、次いで摂氏500度未満の温度に戻すよう冷却する工程を更に備える請求項1から4の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。前記加熱する工程の前に、前記酸化物層の上に材料層を形成する工程を更に備える請求項1から5の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。前記材料層が、アモルファスシリコン層であって、前記アモルファスシリコン層が、前記加熱する工程の間に多結晶シリコン層へと結晶化される請求項6に記載の太陽電池の製造方法。前記多結晶シリコン層の上に金属接点を形成する工程を更に備える請求項7に記載の太陽電池の製造方法。前記基板がバルクシリコン基板であって、前記酸化物層が酸化シリコン層である、請求項1から8の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。熱酸化によって、摂氏600度未満の温度で、太陽電池の基板の表面上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層を前記太陽電池のトンネル誘電体層に変換するべく、前記酸化物層を略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する工程とを備える太陽電池の製造方法。前記酸化物層が、前記製造中に1回だけ略摂氏900度以上の温度に晒される請求項10に記載の太陽電池の製造方法。前記酸化物層が、低圧熱酸化処理によって形成される請求項10または11に記載の太陽電池の製造方法。前記低圧熱酸化処理が、酸素O2を含有する雰囲気中で、略摂氏500~580度の範囲の温度で実施される請求項12に記載の太陽電池の製造方法。前記加熱する工程の前に、前記酸化物層の上に材料層を形成する工程を更に備える請求項10から13の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。前記材料層が、アモルファスシリコン層であって、前記アモルファスシリコン層が、前記加熱する工程の間に多結晶シリコン層へと結晶化される請求項14に記載の太陽電池の製造方法。前記多結晶シリコン層の上に金属接点を形成することを更に含む請求項15に記載の太陽電池の製造方法。前記基板がバルクシリコン基板であって、前記酸化物層が酸化シリコン層である請求項10から16の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。前記酸化物層を形成する工程の後であって、前記加熱する工程の前に、前記酸化物層を摂氏500度未満の温度から略摂氏565度の温度に加熱し、次いで摂氏500度未満の温度に戻すよう冷却する工程を更に備える請求項10から17の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。基板と、基板上に配設されたトンネル誘電体層とを備え、前記トンネル誘電体層が、酸化物層を略摂氏900度以上で1回だけ加熱することによって形成される太陽電池。前記トンネル誘電体層の上に設けられた多結晶シリコン層を更に備える請求項19に記載の太陽電池。前記多結晶シリコン層の上に設けられた金属接点を更に備える請求項20に記載の太陽電池。前記基板がバルクシリコン基板であって、前記トンネル誘電体層が酸化シリコン層である請求項19から21の何れか一項に記載の太陽電池。トンネル誘電体層を伴う太陽電池の製造方法が本明細書で記載されている。以下の説明では、本発明の完全な理解を提供するために、特定の処理過程フロー操作などの数多くの特定の詳細が記載される。これらの特定の詳細を使用することなく、本発明の実施形態を実践することができる点が、当業者には明らかとなるであろう。また、本発明の実施形態を不必要に不明瞭にしないために、リソグラフィ及びエッチング技術などの周知の製造技術は詳細に説明されない。更には、図に示される様々な実施形態は、例示的な表示であって、必ずしも一定の尺度で描写されていない。本明細書に開示されるのは、トンネル誘電体層を伴う太陽電池の製造方法である。一実施形態では、太陽電池の製造方法は、太陽電池の基板の表面に酸化物層を設けるべく、基板の表面を湿式化学溶液に晒す工程を備える。次いで、太陽電池のトンネル誘電体層へと変換するべく、酸化物層を略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する。一実施形態では、太陽電池の製造方法は、熱酸化によって、摂氏600度未満の温度で、太陽電池の基板の表面上に酸化物層を形成する工程を含む。次いで、酸化物層を太陽電池のトンネル誘電体層に変換するべく、この酸化物層を略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する。更に、太陽電池が本明細書で開示される。一実施形態では、太陽電池は基板を含む。トンネル誘電体層は基板上に配設されるが、このトンネル誘電体層は、酸化物層を略摂氏900度以上で1回だけ加熱することによって形成される。本発明の一実施形態によると、多結晶シリコン/トンネル酸化物プロセスにおけるサーマルバジェット熱履歴が軽減される。例えば、従来のプロセスでは、トンネル酸化物は、比較的低い圧力で略摂氏900度で成長し得る。しかしながら、一実施形態では、このような方法は、サーマルバジェットが高く、効率を最適化するには不向きであることが見出された。サーマルバジェットが高いと、サイクル時間及び機器の摩耗を不利に増加させる可能性があり、いずれも総生産コストを増加させ得る因子となる。1つの特定の実施形態では、従来の方法は、多結晶シリコン堆積処理に関して高いサイクル時間をもたらすことが確認された。本発明の一実施形態によると、トンネル誘電体層は、少数キャリアをブロックするために太陽電池内に設けられる。一実施形態では、このトンネル誘電体層の厚さは、約15オングストロームである。しかしながら、このようなトンネル誘電体層を形成するために通常必要とされるサーマルバジェットは、例えば、バックコンタクト型太陽電池のバルク基板の基板のような太陽電池の他の部分における欠陥の形成を促進し得る。したがって、従来の方法を適用する場合、トンネル誘電体層を設ける利点と、トンネル誘電体層の製造によるサーマルバジェットの増加による損傷の影響との間のトレードオフが存在する。そこで、本発明の一実施形態では、本明細書で提供される方法は、高効率太陽電池設計で使用され、サーマルバジェットが軽減された状態でのトンネル誘電体層の製造を可能にする。一実施形態では、サーマルバジェットを軽減することによって、より熱に晒された場合に悪化する可能性のある欠陥が低減される又は緩和される。1つの特定の実施形態では、トンネル誘電体層を形成するのに用いられる製造プロセスは略摂氏700度未満の温度で実施されるものに限定され、略摂氏900度以上の温度での処理の適用はプロセス全体を通じて1回に限られる1つの特定の実施形態では、この方法によれば、全体のサイクル時間も減らすことができ、太陽電池のインライン製造の効率を増大させる。一実施形態では、太陽電池の製造において、多結晶シリコン接点を有する構造内のトンネルを構成する層の二酸化シリコンSiO2を含む薄い酸化シリコンの成長が改善される。例えば、改善とは、以下に列挙する膜の特性の1つ以上を挙げることができる:高性能且つ薄いトンネル誘電体膜、制御された厚さ、制御された品質、短い処理サイクル時間、及び、軽減された処理サーマルバジェットである。一実施形態では、本明細書に記載される方法の1つ以上を適用することによって、基板の広範な範囲にわたって良好な厚さ制御を備える非常に薄い酸化シリコン例えばSiO2トンネル酸化物が、比較的低温例えば軽減されたサーマルバジェット及び比較的短いサイクル時間で得られる。一実施形態では、略摂氏565度のピーク温度が用いられ、サイクル時間は、処理炉内で約1.5時間にまで低減される。一実施形態では、湿式の酸化物の形成により、ウェハは汚染しにくくなる。上記実施形態は、略500mTorrの圧力で、略摂氏900度での成長行う従来の方法と対比される。本発明の一実施形態によると、湿式及び熱酸化物成長の組み合わせが、薄いが高品質の酸化物膜を得るために用いられる。一実施形態では、酸化物膜の厚さは、略1~2ナノメートルの範囲である。一実施形態では、処理過程の湿式成長部分中に、酸化物の成長速度を増大させ且つ厚みの均一性を改善するために、酸化物質、溶液化学及び照射の組み合わせが用いられる。一実施形態では、次いで、形成された酸化物に、低温熱処理が行われて膜厚を更に大きくするが、この低温熱処理の間に酸化物の湿式成長部分の品質が改善される。一実施形態では、高品質トンネル誘電体層を提供するべく、湿式及び熱成長技術を組み合わせて低温熱酸化物成長処理例えば、サーマルバジェットの軽減が実施される。本発明の一態様によれば、トンネル誘電体層の製造における従来の方法と比較して、サーマルバジェットが軽減される。例えば、図1は、本発明の一実施形態に係る太陽電池のトンネル誘電体層を製造する際の低減されたサーマルバジェットと、従来のプロセスによるサーマルバジェットのモデルとを比較して示した図である。図1には、モデルサーマルバジェットのプロット100が、摂氏の単位の温度で分単位の経過時間の関数として示されており、また、従来のプロセス102及び本発明の一実施形態によるサーマルバジェットが軽減されたプロセス104についてついても示されている。一実施形態では、従来のプロセス102では、トンネル誘電体層の製造において、略摂氏900度以上とする加熱を一回以上行っている。これとは対照的に、一実施形態では、図1に示されるように、サーマルバジェットが軽減されたプロセス104は、トンネル誘電体層の製造において、略摂氏900度以上とする加熱を一回だけ伴う。太陽電池は、トンネル誘電体層を含むように製造され得る。例えば、図2は、本発明の一実施形態による、トンネル誘電体層を伴う太陽電池の製造方法における工程を表すフローチャート200を示す。図3A~3Cは、本発明の一実施形態による、フローチャート200の工程に対応する、トンネル誘電体層を含む太陽電池の製造における様々なステージの断面図を示す。図3Aを参照すると、太陽電池製造のための基板302が提供されている。本発明の一実施形態によると、基板302は、バルクシリコン基板からなる。一実施形態では、このバルクシリコン基板は、N型ドーパントでドープされている。一実施形態では、基板302は、図3Aに示されるように、テクスチャ化された表面を有する。フローチャート200の工程202及び対応する図3Bを参照すると、太陽電池の製造方法は、基板302の表面に酸化物層304を設けるべく、基板302の表面を湿式化学溶液に晒す工程を含む。本発明の一実施形態によると、湿式化学溶液としては、オゾンO3又は過酸化水素H2O2などの酸化剤が挙げられるが、これらに限定されない。一実施形態では、湿式化学溶液及び基板の表面は、酸化物成長の間に可視光放射に露出される。一実施形態では、基板302はバルクシリコン基板であり、酸化物層304は酸化シリコン層である。フローチャート200の工程204及び対応する図3Cを参照すると、太陽電池の製造方法は、酸化物層304を太陽電池のトンネル誘電体層306に変換するべく、略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で酸化物層304を加熱する工程を更に含む。本発明の一実施形態によると、酸化物層304は、製造中に1回だけ略摂氏900度以上の温度に晒される。一実施形態では、晒す工程202の後であって、加熱する工程204の前に、酸化物層304を、摂氏500度未満の温度から略摂氏565度の温度に加熱し、次いで摂氏500度未満の温度に戻すよう冷却する。本発明の一実施形態によると、太陽電池の製造方法は、加熱する工程204の前に、酸化物層304の上に材料層308を形成する工程を更に含む。一実施形態では、材料層308は、アモルファスシリコン層であって、このアモルファスシリコン層は、工程204の加熱する工程の間に多結晶シリコンへと結晶化される。1つの特定の実施形態では、太陽電池の製造方法は、図3Cに示されるように、多結晶シリコン層308の上に金属接点312を形成する工程を更に含む。図3Cを再び参照し、本発明の一実施形態によれば、太陽電池は、基板302を含む。トンネル誘電体層306が基板302上に設けられるが、このトンネル誘電体層は、酸化物層図3Bの304を、略摂氏900度以上で1回だけ加熱することによって形成される。一実施形態では、この太陽電池は、トンネル誘電体層306の上に設けられた多結晶シリコン層308を更に含む。1つの特定の実施形態では、この太陽電池は、多結晶シリコン層308の上に配設された金属接点312を更に含む。一実施形態では、基板302はバルクシリコン基板であり、トンネル誘電体層306は酸化シリコン層である。一実施形態では、この太陽電池は、バックコンタクト型太陽電池である。この実施形態では、バックコンタクト型太陽電池は、基板302内にP型及びN型活性領域を含む。接点312などの導電性接点は、活性領域と連結され、誘電性材料で形成される分離領域310などの分離領域によって互いに分離される。一実施形態では、この太陽電池はバックコンタクト型太陽電池であって、抗反射コート層が、図3A~3Cに示されるランダムにテクスチャ化された表面などの受光面上に設けられている。一実施形態では、この抗反射コート層は、略70~80ナノメートルの範囲の厚さの窒化シリコン層である。本発明の別の態様では、太陽電池は、水性処理を用いることなくトンネル誘電体層を含むことによって製造され得る。例えば、図4は、本発明の一実施形態による、トンネル誘電体層を伴う太陽電子の製造方法における工程を表すフローチャート400を示す。図3A~3Cは、本発明の一実施形態による、フローチャート400の操作に対応する、トンネル誘電体層を含む太陽電池の製造における様々な工程の断面図を示す。図3Aを参照すると、太陽電池製造用の基板302が提供されている。本発明の一実施形態によると、基板302は、バルクシリコン基板からなる。一実施形態では、このバルクシリコン基板は、N型ドーパントでドープされている。一実施形態では、基板302は、図3Aに示されているようにテクスチャ化された表面を有する。フローチャート400の工程402及び対応する図3Bを参照すると、太陽電池の製造方法は、熱酸化によって、摂氏600度未満の温度で、酸化物層304を太陽電池の基板の表面上に形成する工程を含む。本発明の一実施形態によると、酸化物層304は、低圧熱酸化処理によって形成される。一実施形態では、この低圧熱酸化処理は、酸素O2を含む雰囲気中で、略摂氏500~580度の範囲の温度で実施される。一実施形態では、基板302はバルクシリコン基板であり、酸化物層304は酸化シリコン層である。フローチャート400の工程404及び対応する図3Cを参照すると、太陽電池の製造方法は、酸化物層304を太陽電池のトンネル誘電体層306に変換するべく、略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で酸化物層304を加熱する工程を更に含む。本発明の一実施形態によると、酸化物層304は、製造中に1回だけ略摂氏900度以上の温度に晒される。一実施形態では、形成する工程402の後であって、加熱する工程404の前に、酸化物層304を、摂氏500度未満の温度から略摂氏565度の温度に加熱し、次いで摂氏500度未満の温度に戻すよう冷却する。本発明の一実施形態によると、太陽電池の製造方法は、加熱する工程404の前に、酸化物層304の上に材料層308を形成する工程を更に含む。一実施形態では、材料層308はアモルファスシリコン層であって、このアモルファスシリコン層は、加熱する工程404の間に多結晶シリコン層へと結晶化される。1つの特定の実施形態では、太陽電池の製造方法は、図3Cに示されるように、金属接点312を多結晶シリコン層308の上に形成する工程を更に含む。上述したように、本発明の一態様では、トンネル誘電体層例えば、トンネル酸化物層は、基板の湿式処理及び熱処理の組み合わせによって製造されてもよい。図5A~5Bは、本発明の一実施形態による、湿式処理及び熱成長処理の組み合わせ後の、トンネル酸化物厚さ及び酸化物厚さの標準偏差のプロット500A及び500Bをそれぞれ示す。プロット500A及び500Bを参照すると、湿式成長時間、溶液区域濃度及び温度が変化した。実施された熱酸化は、全ての場合で同一であった。図6Aは、本発明の一実施形態による、トンネル誘電体層の湿式薄膜成分の厚みの関数として表した少数キャリア寿命のプロット600Aを示す。図6Bは、本発明の一実施形態による、質式処理及び熱処理の組み合わせを使用して酸化物を形成したウェハの寿命の光ルミネセンス測定の結果を600Bを示す。上記プロットで示される製造された種々の薄膜のタイプから証明されるように、本発明の一実施形態により、成長プロセスの湿式処理部分を調整することによって、トンネル誘電体薄膜の特定の望ましい特性が調整され得る。上述したように、本発明の別の態様では、トンネル誘電体層例えば、トンネル酸化物層は、酸化物層を、製造中に1回だけ略摂氏900度を超える温度に晒すことによって製造され得る。一実施形態では、熱酸化は、次の製造工程に望ましい温度又はそれと実質的に同じ温度で実施される。そのような工程は、トンネル酸化物層の上にシリコン層を形成する工程であり得る。一実施形態では、熱酸化は、略摂氏575度のみで実施される。このように、トンネル誘電体層を伴う太陽電池の製造方法が開示されてきた。本発明の一実施形態によると、太陽電池の製造方法は、太陽電池の基板の表面に酸化物層を設けるべく、基板の表面を湿式化学溶液に晒す工程を含む。この方法はまた、酸化物層を太陽電池のトンネル誘電体層へ変換するべく、酸化物層を略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する工程も含む。一実施形態では、この酸化物層は、製造中に1回だけ略摂氏900度以上の温度に晒される。本発明の別の実施形態によると、太陽電池の製造方法は、熱酸化によって、摂氏600度未満の温度で、太陽電池の基板の表面上に酸化物層を形成する工程を含む。この方法はまた、酸化物層を太陽電池のトンネル誘電体層に変換するべく、酸化物層を略摂氏900度以上の温度で乾燥雰囲気中で加熱する工程も含む。一実施形態では、この酸化物層は、製造中に1回だけ略摂氏900度以上の温度に晒される。