"弁金属からなる金属板の一部に金属層を形成して前記弁金属が露出した露出部を有する複合金属板の前記露出部に、金属蒸着で形成された金属部分を含みかつ酸化皮膜を有する金属拡面化層、固体電解質層、及び陰極端子部が順次形成されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。前記陰極端子部の表面を前記金属層の表面と同一平面となるように前記陰極端子部を配置したことを特徴とする請求項1に記載の固体電解コンデンサ。弁金属からなる金属板の片面全面に金属層を形成した複合金属板上の少なくとも一部に保護層を形成する工程と、前記保護層が形成されていない前記複合金属板の部分に、前記金属層側より凹部を形成することにより、その凹部内面に前記弁金属を露出させる工程と、前記凹部の内面の弁金属の表面に、金属蒸着で形成された金属部分を含みかつ酸化皮膜を有する金属拡面化層を形成する工程と、前記金属拡面化層の上に固体電解質層を形成する工程と、前記固体電解質層の上に、陰極端子部を形成する工程と、前記保護層を除去して前記金属層を露出させる工程と、を有することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。弁金属からなる金属板の片面の一部に金属層を形成し、前記弁金属を露出させた露出部を有する複合金属板とする工程と、前記金属層上に保護層を形成する工程と、前記弁金属の露出部の表面に、金属蒸着で形成された金属部分を含みかつ酸化皮膜を有する金属拡面化層を形成する工程と、前記金属拡面化層の上に固体電解質層を形成する工程と、前記固体電解質層の上に、陰極端子部を形成する工程と、前記保護層を除去して前記金属層を露出させる工程と、を有することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。前記金属蒸着で形成された金属部分を含みかつ酸化皮膜を有する金属拡面化層を形成する工程は、金属を蒸着した後、当該金属に酸化皮膜処理を施すことを特徴とする請求項3又は4記載の固体電解コンデンサの製造方法。前記金属蒸着で形成された金属部分を含みかつ酸化皮膜を有する金属拡面化層を形成する工程は、酸化皮膜が予め形成された金属を蒸着することを特徴とする請求項3又は4記載の固体電解コンデンサの製造方法。近年、パーソナルコンピュータなどデジタル機器の分野においては、低ESL等価直列インダクタンスなど特性改善の点で多端子型の固体電解コンデンサが求められている。また、機器の小型化や、高速動作に対応した優れた過渡応答性の要請ともあいまって、より薄型で部品配置の自由度に優れた固体電解コンデンサが求められている。しかし、上述した固体電解コンデンサは、個片二つで陰極体をサンドイッチして陽極端子を取り付ける構造であるため、サイズ上の薄型化にも限界があった。また、従来の固体電解コンデンサでは、サイズや形状の制約から、電流供給対象となるLSIとは水平方向のずれた位置で基板へ実装することが必須となる。そのため、過渡応答性の改善に限界があり、この点からも、部品配置における自由度の増大が希求されていた。本発明は、上記のような従来の問題点を解決するもので、その目的は、薄型で部品配置の自由度に優れ、かつ高速動作に対応した優れた過渡応答性を有する固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。上記の目的を達成するため、本発明の固体電解コンデンサは、弁金属からなる金属板の一部に金属層を形成して前記弁金属が露出した露出部を有する複合金属板の前記露出部に、金属蒸着で形成された金属部分を含みかつ酸化皮膜を有する金属拡面化層、固体電解質層、及び陰極端子部が順次形成されていることを特徴とする。また、本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、前記固体電解コンデンサを製造方法の観点から捉えたものであり、弁金属からなる金属板の片面全面に金属層を形成した複合金属板上の少なくとも一部に保護層を形成する工程と、前記保護層が形成されていない前記複合金属板の部分に、前記金属層側より凹部を形成することにより、その凹部内面に前記弁金属を露出させる工程と、前記凹部の内面の弁金属の表面に、金属蒸着で形成された金属部分を含みかつ酸化皮膜を有する金属拡面化層を形成する工程と、前記金属拡面化層の上に固体電解質層を形成する工程と、前記固体電解質層の上に、陰極端子部を形成する工程と、前記保護層を除去して前記金属層を露出させる工程と、を有することを特徴とする。また、本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、弁金属からなる金属板の片面の一部に金属層を形成し、前記弁金属を露出させた露出部を有する複合金属板とする工程と、前記金属層上に保護層を形成する工程と、前記弁金属の露出部の表面に、金属蒸着で形成された金属部分を含みかつ酸化皮膜を有する金属拡面化層を形成する工程と、前記金属拡面化層の上に固体電解質層を形成する工程と、前記固体電解質層の上に、陰極端子部を形成する工程と、前記保護層を除去して前記金属層を露出させる工程と、を有することを特徴とする。本発明によれば、薄型で部品配置の自由度に優れ、かつ高速動作に対応した優れた過渡応答性を有する固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して具体的に説明する。第1の実施形態本実施形態の固体電解コンデンサは、図1及び図2に示すような工程1~8に従って製造される。工程1:複合金属板の用意まず、弁金属からなる金属板11の片面全面に金属層としての銅層12を形成した複合金属板1を用意する図1a。ここで、弁金属としてはアルミニウムが望ましいが、タンタル、ニオブ、チタン等を用いることもできる。また、金属板11の厚さは50から800μmを用いることができる。さらに、複合金属板1の製法としては、アルミニウム板に銅メッキを施して形成する方法の他、アルミニウム板と銅板を重ねて圧延したクラッド材を用いても良い。また、上記金属層としては、銅層12以外にもニッケル等の金属層を用いることができ、さらに表面に他のメッキ層を形成してもよい。工程2:保護層の形成次に、複合金属板1における銅層12が形成された面の一部に保護層2を形成する図1b。この保護層2については、複合金属板1の全面を覆う必要は無く、また、その後の加工のための窓部が形成されていても良い。工程3:凹部の形成続いて、複合金属板11における保護層2を形成していない部分に凹部3を形成し、凹部3の表面に弁金属からなる金属板11の地金を露出させるとともに、凹部3の側面に絶縁層4を形成する図1c。凹部3は、複合金属板1の長手方向及び幅方向に沿って所定間隔で形成する。凹部3を形成する手段としては、切削、プレス、エッチング等が挙げられる。工程4:拡面化処理その後、凹部3の内面に、金属蒸着によって拡面化層5を形成する。拡面化層5は、例えば、純度99.8アルミニウムを蒸着ソースとし、3×10-3トルの窒素と3×10-4トルの酸素との雰囲気内で、抵抗加熱式蒸着により、厚さ20μm程度のアルミニウム層として形成することができる。蒸着ソースとなるアルミニウムは、その表面に予め金属酸化皮膜層が形成されていてもよい。蒸着法としては、上記の抵抗加熱式蒸着以外にも他の蒸着法、例えば、イオンプレーティング法、スパッタリング法、イオンビームスパッタ法、イオンビームアシスト蒸着法などを用いることができる。ここで、拡面化処理を従来のようにエッチングで行う場合には、凹部3を形成した複合金属板11の残存する厚みによってそのエッチング深さが制限されてしまう。これに対し、金属蒸着を用いた場合は、複合金属板11の残存する厚みに拘わらず金属蒸着の蒸着量を制御することで、拡面化の程度を自由に調整できる。よって、拡面化の度合によって表面積を変化させることにより、容量を調整することができる。このため、複合金属板11の板厚に左右されずに所望の容量の製品を製造でき、製造ラインの汎用性を高めることができる。工程5:酸化皮膜の形成次に、その拡面処理した凹部の表面に化成処理を施して酸化皮膜層6を形成する図2e。この酸化皮膜層6は、拡面化層5がアルミニウムの場合は酸化アルミニウムとなり、誘電体層となる。化成処理は、通常実施されている条件にしたがって行う。例えば、ホウ酸5の水溶液にアンモニアを加え、6~7pHに調整したものに陽極体となる金属板11を浸漬するとともに、直流電圧を印加して行うことができる。工程6:固体電解質層の形成さらに、酸化皮膜層6の上に、固体電解質層7を形成する図2f。ここで、固体電解質層7としては、導電性高分子が好適であり、このような導電性高分子層は、チオフェン、ピロール等をもとに、化学重合、電解重合や導電性高分子を分散した分散水溶液の塗布乾燥などの公知の技術により形成することができる。工程7:陰極端子部の形成その後、固体電解質層7の上に、グラファイトGr層と銀ペースト層以下、グラファイト銀ペースト層と記す8を形成し図2g、これを介して陰極外部電極を設けることで、陰極端子部9を形成する図2h。このグラファイト銀ペースト層8は、固体電解コンデンサにおける公知技術と同様の方法で作成することができる。この陰極端子部9は、グラファイト銀ペースト層8の上に銅メッキを施して形成することができる。また、銅等の金属を素材とする平板状の板材を用いて、導電性接着剤でグラファイト銀ペースト層8と接続してもよい。さらには、グラファイト層の上に直接銅メッキを施してもよく、またグラファイト層の上に直接平板状の板材を接続してもよい。いずれの場合においても、陰極端子部9と周囲の複合金属板1との間に絶縁のためのギャップ10を設け、陰極端子部9の上面を複合金属板1の上面と同一の平坦面、もしくは略同一面を構成するように形成する。さらに、陽極を引き出す複合金属板1の表面上面地金と陰極端子部9とのギャップ10を、レジストや熱硬化性エポキシ樹脂に代表される絶縁樹脂で被覆してもよい。この絶縁樹脂がギャップ10に入り込むことで陽極と陰極の絶縁性を改善でき、陰極端子部9と周囲との接合強度も改善される。なお、この絶縁樹脂は保護層2に用いた絶縁樹脂と同様のものを用いることができる。工程8:保護層の除去次に、機械的研磨等により保護層2を除去して複合金属板1の銅層12を露出させる。最後に、陰極端子部9を中心とした所定領域でダイシングを行い、個片の固体電解コンデンサを得る。この個片とした固体電解コンデンサは、凹部を一個のみを含むように切断するもであってもよく、また凹部を二個以上含むように個片とすることもできる。なお、本実施形態において、凹部3を形成する際にエッチング処理を行った場合でも、このエッチング処理は工程4の拡面化処理を目的としていないため、凹部が形成される程度の侵食でよく、長時間のエッチング処理は不要である。作用効果1本実施形態では、複合金属板1の凹部3に拡面化層5、酸化皮膜層6、固体電解質層7、陰極端子部9といった固体電解コンデンサの各要素を複合金属板1の片面に集積構成することで、電流経路が短く過渡応答性に優れ、薄型で部品配置の自由度にも優れた多端子型の固体電解コンデンサを効率良く製造することができる。2従来のように拡面化処理をエッチングで行うとアルミニウム等の弁金属からなる金属板11の厚みによってそのエッチング深さが制限されてしまう。これに対して、拡面化処理を金属蒸着で行うことにより、弁金属からなる金属板11の厚みに左右されず、金属蒸着の蒸着量を制御することで、表面積を制御し、任意の容量のコンデンサを得ることができる。3弁金属からなる金属板11の板厚は変えずに、所望の容量の製品を製造でき、製造ラインの汎用性を高めることができる。例えば、弁金属からなる金属板11を薄い板厚で共通化し、金属蒸着の厚みを変更することで製品容量を変えることも可能である。4複合金属板1に予め形成されている銅層12を陽極端子として利用することができる。このため、金バンプや半田ボールなど時間のかかる端子形成が不要となり、陽極端子を形成する工程を省略することができ、工程の簡略化を図ることができる。また、構造も単純化でき、信頼性にも優れ、製造効率も一層改善される。5コンデンサとしての容量保持部である酸化皮膜層6と固体電解質層7の界面の近傍に陰極端子部9が形成される構造であり、酸化皮膜層6と陰極端子部9と接続する回路パターンやLSI等のデバイスまでの距離が短く、コンデンサ内部の電流引回し経路が短縮されるため、電源電圧の不安定化に対する過渡応答性が改善される。6従来のようなサンドイッチ構造が不要となるため薄型化が可能になると共に、上記のような単純合理的な端子構造を用いることによって小型化が実現され、実装面積が3mm四方程度まで縮小可能となる。7複合金属板1の厚さや陰極端子部9の厚さを制御し、各極外部端子部の高さを略同一平面位置に統一することで、全体を無駄のない同一平面形状とすることができる。固体電解コンデンサを、電流供給対象であるLSIに対して、基板との間や基板の裏面、垂直方向に積層配置するなど、配置や配線の自由度が一層増大し、過渡応答性が一層改善される。8LSIと近接して設置して電流経路が短縮されることと、実装される回路パターンやLSI等のデバイスの端子位置に合致するように、固体電解コンデンサの陽極端子や陰極端子の導出位置、サイズなどの条件を任意に設定することができる。このため、実装する回路パターンや接続されるLSI等のデバイスに対して最適な電極引き出し構造を実現できる。第2の実施形態本実施形態の固体電解コンデンサは、図3及び図4に示すような工程1~8に従って製造される。工程1:凹部を有する複合金属板の用意まず、予め凹部3が形成されて弁金属からなる金属板11が露出した、金属板11と金属層としての銅層12との複合金属板1を用意する図3a。ここで、弁金属としては第1の実施形態と同様に、アルミニウムが望ましいが、タンタル、ニオブ、チタン等を用いることもできる。また、金属板11の厚さは50から800μmを用いることができる。複合金属板1は、アルミニウム製金属板11に凹部3となる部分をマスキングした後、銅メッキを施して金属層としての銅層12を形成して作製できる。また、アルミニウム板と銅板を重ねて圧延したクラッド材を用いて製造することもできるが、この場合は、凹部3の部分を除いた、いわゆる井桁状の銅板を圧延してクラッド材とすれば良い。また、上記金属層としては、銅層12以外にもニッケル等の金属層を用いることができ、さらに表面に他のメッキ層を形成してもよい。工程2:保護層の形成次に、複合金属板1における銅層12の部分に保護層2を形成する図3b。以下、絶縁層4の形成図3cの工程3、拡面化層5の形成図3dの工程4、酸化皮膜層6の形成図4eの工程5、固体電解質層7の形成図4fの工程6、陰極端子部の形成図4g,hの工程7及び保護層の除去を第1の実施形態と同様に実施することによって、固体電解コンデンサを作製することができる。"