基材上に配置された少なくとも1つのシリコン層を製造する方法であって、該シリコン層の少なくとも1つがその表面に亜酸化物構造を有しているか又は全体で亜酸化物構造を有しており、該方法が、以下の工程:a基材を準備する工程、b少なくとも1種のシリコン化合物を含有する配合物を準備する工程、c該配合物を該基材に施与する工程、dコーティングされた該基材を照射及び/又は熱的処理する工程、e工程dに従って得られた層を、純粋な形態の又は液状若しくはガス状の混合物の形態の単体酸素及び/若しくはO3、二酸化炭素、1種以上の酸素含有化合物又はそれらの混合物の形態の酸素で処理する工程、及びf工程eに従って得られたコーティングされた基材を照射及び/又は熱的処理する工程を包含し、亜酸化物構造をその表面に有している、主としてシリコンから成り、かつ少なくとも部分的に多形の層を形成するか、又は、以下の工程:a基材を準備する工程、b少なくとも1種のシリコン化合物を含有し、かつ純粋な形態の又は液状若しくはガス状の混合物の形態の単体酸素及び/若しくはO3、二酸化炭素、1種以上の酸素含有化合物又はそれらの混合物の形態の酸素を含有する配合物を準備する工程、c該配合物を該基材に施与する工程、及びd工程cに従って得られたコーティングされた基材を照射及び/又は熱的処理する工程を包含し、全体で亜酸化物構造を有している、主としてシリコンから成り、かつ少なくとも部分的に多形の層を形成する、方法。工程eおける酸素を用いた前記処理を、i単体酸素及び/若しくはO3、二酸化炭素、ガス状にされた1種以上の酸素含有化合物又はそれらのガス混合物による前記層のガス処理、又はii溶解した単体酸素及び/若しくはO3、溶解した二酸化炭素、1種以上の酸素含有化合物又はそれらの混合物を含有する液状配合物の前記層への施与によって行うことを特徴とする、請求項1記載の方法。前記工程b~f及び/又はb~dを繰り返し実施することを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。前記酸素の形態が、H2O、アルコール、ジオール、トリオール、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、炭酸エステルであるか、又は一般式R1R2SiR3R4の酸素含有化合物であり、前記式中、R1基~R4基の少なくとも1つが-O-R構造を有し、R=H、アルキル基、アリール基又はアルキルアリール基であることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。前記基材が、導電性であるか又は導電性表面を有することを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。前記シリコン化合物が、好ましくは一般式SinH2n2n=3~10又は一般式SinH2nn=4~8のシリコン水素化合物;シリコンハロゲン化物;シリコンオルガニル;オリゴマーシリコン化合物SinR2n2又はSinR2nn=8~100及びR=H、ハロゲン、オルガニルであり、すべてのRは、互いに無関係に選択されていてよい;又は係るシリコン化合物の任意の混合物であることを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。前記シリコン含有配合物が液状配合物であり、該配合物が、場合により溶媒を包含し、かつ前記コーティング溶液の粘度が1~2000mPasであることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。前記基材のコーティングを、流し込み塗布若しくはブレード塗布、又は印刷法若しくはコーティング法、噴霧法、回転塗工法、浸漬法から選択された方法やメニスカスコーティング、スリットコーティング、スロットダイコーティング、及びカーテンコーティングから選択された方法によって行うことを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。前記工程d、d及びfの1つの工程、複数の工程又は全ての工程において、前記熱的処理を200~1000°C、好ましくは250~700°C、さらに有利には250~500°Cの温度で実施することを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。以下の層列:-基材//i-SiSubox、-基材//i-Si//i-SiSubox、-基材//n-Si//i-SiSubox//i-Si//i-SiSubox//p-Si、-基材//p-Si//i-SiSubox//i-Si//i-SiSubox//n-Si、-基材//i-SiSubox//n-Si//i-SiSubox//i-Si//i-SiSubox//p-Si//i-SiSubox、又は-基材//i-SiSubox//p-Si//i-SiSubox//i-SiSubox//n-Si//i-SiSubox、-基材//n-Si//p-Si//p-SiSubox//n-Si//i-Si//p-Si、-基材//p-Si//n-Si//n-SiSubox//p-Si//i-Si//n-Si、-基材//n-Si//i-Si//p-Si//p-SiSubox//n-Si//i-Si//p-Si、-基材//p-Si//i-Si//n-Si//n-SiSubox//p-Si//i-Si//n-Siの1つを包含するコーティングされた基材であって、該層列が、好ましくは、それぞれの該層列内部に更なる中間層を包含せず、ここで、i-SiSubox、p-SiSubox及びn-SiSuboxが、亜酸化物構造をその表面に有しているか又は全体で有している、主としてシリコンから成り、かつ少なくとも部分的に多形の層を意味する、コーティングされた基材。前記基材が、導電性であるか又は導電性表面を有することを特徴とする、請求項10記載のコーティングされた基材。請求項1から9までのいずれか1項記載の方法に従って製造された、光起電装置、特に太陽電池又は太陽電池の組合せ物。亜酸化物構造をその表面に有しているか又は全体で有している、主としてシリコンから成り、かつ少なくとも部分的に多形の層を製造する際の、シリコン亜酸化物構造のための、純粋な形態の又は液状若しくはガス状の混合物の形態の単体酸素、二酸化炭素、1種以上の酸素含有化合物又はそれらの混合物の形態の酸素の使用。