電極層と、金属酸化物半導体からなるガス感応膜層とが交互に複数回積層された積層体を有する半導体ガスセンサであって、少なくとも1つのガス感応膜層の両面を挟む2つの電極層が、当該ガス感応膜層の各面の略全域にわたって、金属からなる電極部と、厚さ方向に貫通する空隙部とが交互に形成されたものであることを特徴とする半導体ガスセンサ。前記電極部が所定幅を有した線状に形成されたものであり、前記ガス感応膜層の各面に沿って、当該電極体が複数並列に並べて配置されることにより、各電極体間に前記空隙部が形成されている請求項1記載の半導体ガスセンサ。前記電極部が、前記ガス感応膜層の各面に沿って2方向に複数並列に並べて配置されることにより網状をなしている請求項2記載の半導体ガスセンサ。前記ガス感応膜の両面を挟む2つの電極層の各電極部と各空隙部が、当該ガス感応膜層の面に対して垂直な方向から視た場合に略合致するように配置されている請求項1、2又は3記載の半導体ガスセンサ。ダイヤフラム構造を有する基板を更に備え、前記積層体が、最下層が電極層となるように前記基板上に形成されており、前記最下層の電極層が、電極部のみで一様に形成されている請求項1、2、3又は4記載の半導体ガスセンサ。本発明は上述したような問題点を鑑みてなされたものであり、ガス感応膜を挟む電極間のギャップを容易に非常に小さく形成することができるとともに、ガス感応膜が外気と接触できる面積及び電極がガス感応膜に対して接触できる面積を両方とも大きくとることができ、製造が容易でセンサ感度の優れた半導体ガスセンサを提供することを目的とする。すなわち、本発明の半導体ガスセンサは、電極層と、金属酸化物半導体からなるガス感応膜層とが交互に複数回積層された積層体を有する半導体ガスセンサであって、少なくとも1つのガス感応膜層の両面を挟む2つの電極層が、当該ガス感応膜層の各面の略全域にわたって、金属からなる電極部と、厚さ方向に貫通する空隙部とが交互に形成されたものであることを特徴とする。このようなものであれば、前記電極層と、前記ガス感応膜層を積層して半導体ガスセンサを構成してあるので、前記ガス感応膜層の厚さを電極間のギャップとすることができ、かつ、前記ガス感応膜層の厚さは、例えばスパッタ等の成膜技術により数十~数百nmといった厚さで容易に製造することができる。従って、電極間のギャップを前述したオーダで簡単に形成して、センサ感度を用意に高めることができる。言い換えると、電極層とガス感応膜層を交互に積層することで、櫛歯型の電極で電極間のギャップを前述したオーダで形成しようとする場合に比べて、製造のし易さやコスト等点で有利であるとともに、センサ感度を容易に高めることができる。また、多層に積み重ねることによりさらにセンサ感度を向上させることもたやすい。さらに、少なくとも1つのガス感応膜層の両面を挟む2つの電極層が、当該ガス感応膜層の各面の略全域にわたって、金属からなる電極部と、厚さ方向に貫通する空隙部とが交互に形成されたものであるので、前記ガス感応膜層の各面の全体にわたって形成された空隙部を通過させて、当該ガス感応膜層とガスとを接触させることができる。従って、前記ガス感応膜層とガスとの接触面積を大きくしやすく、わずかな量のガスであっても前記ガス感応膜層に吸着させその電気抵抗率を変化させやすくなる。加えて、前記電極部も前記ガス感応膜層の各面の全体にわたって形成されているので、前記電極部と前記ガス感応膜層との接触面積である電極接触面積も大きくとることができる。つまり、本発明の半導体ガスセンサは、上述した構成によりガス接触面積と電極接触面積の両方を大きくしやすいので、容易にセンサ感度を向上させることができる。加えて、前記ガス感応膜層は、スパッタ等の成膜条件を適切にすることで多孔質性にする事が可能であるのでガスを通過させることができる。従って、一方の面に形成された電極層の空隙部を通過したガスの一部が、ガス感応膜層を通過して、もう一方の面に形成された電極層の空隙部を更に通過し、別のガス感応膜層へと到達するガス通路が形成されるので、全てのガス感応膜層にガスを行き渡らせることができる。このため、各電極層の空隙部を通過させて全てのガス感応膜層でガスを吸着させ、各電極間で抵抗率の変化を測定できるので、センサ感度を向上させやすい。前記電極層の上にスパッタ等の成膜技術でガス感応膜層を形成しやすくするとともに、ガス接触面積、電極接触面積を大きくしやすくするための具体的な配置や形状としては、前記電極部が所定幅を有した線状に形成されたものであり、前記ガス感応膜層の各面に沿って、当該電極体が複数並列に並べて配置されることにより、各電極体間に前記空隙部が形成されているものが挙げられる。さらに、電極接触面積を大きくしやすくするとともに、ある程度の強度を持たせることが容易な具体的な形状としては、前記電極部が、前記ガス感応膜層の各面に沿って2方向に複数並列に並べて配置されることにより網状をなしているものが挙げられる。積層された各ガス感応膜層に対してガスが行き渡りやすいようにし、センサ感度を向上するには、前記ガス感応膜の両面を挟む2つの電極層の各電極部と各空隙部が、当該ガス感応膜の面に対して垂直な方向から視た場合に略合致するように配置されていればよい。このように各電極層を配置すれば、ある電極層の空隙部が他の電極層の電極部により塞がれることがなく、各空隙部が連結されたガス通路とすることができ、好適にガスをガス感応膜層に行き渡らせることができる。積層された各電極層及び各ガス感応膜層を効率よくヒータ等により暖められるようにするには、ダイヤフラム構造を有する基板を更に備え、前記積層体が、最下層が電極層となるように前記基板上に形成されており、前記最下層の電極層が、電極部のみで一様に形成されているものであればよい。このように本発明の半導体ガスセンサによれば、前記電極層と前記ガス感応膜層を交互に複数積層させて積層体としているので、電極間のギャップをスパッタ等の成膜技術で容易に数十~数百nmで形成することができ、また、少なくとも1つのガス感応膜層の両面に設けられた電極層が、各面の略全域にわたって、金属からなる電極部と、厚さ方向に貫通する空隙部とが交互に形成されているので、ガス接触面積及び電極接触面積をそれぞれ大きくとることができる。従って、センサ感度の高い半導体ガスセンサを既存の製造技術を用いて容易に製造する事が可能となる。本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。本実施形態の半導体ガスセンサ100は、例えば低濃度のNO2等を測定するために用いられるものであり、図1の斜視図に示すように、ダイヤフラム構造を有したセンサ基板8と、前記センサ基板8の中央部に積層された積層体9と、から構成してある。前記センサ基板8は、MEMS技術により製造されるものであり、その内部にヒータ機能が形成してある。そして、図2に示すように前記センサ基板8のダイヤフラム構造における薄肉部の上に、前記積層体9がスパッタ等の成膜技術により積層してある。なお、図2においては図1、図3等では記載を省略している各電極層の結線部分Cについても図示している。前記積層体9は、電極層3、5と、金属酸化物半導体からなるガス感応膜層2、4とが交互に複数回積層したものであり、本実施形態では、合計で5層形成してある。より具体的には、この積層体9は図3の分解斜視図に示すように前記センサ基板8側から、第1電極層1、第1ガス感応膜層2、第2電極層3、第2ガス感応膜層4、第3電極層5の順で厚み方向に積層してある。前記第1電極層1は、概略正方形状にAu又はPt等の電極となる金属をスパッタ等の成膜技術で一様に形成してある。後述する前記第2電極層3及び第3電極層5とは形状が異なっており、空隙部を設けずに電極部だけで形成している。前記第1ガス感応膜層2、第2ガス感応膜層4は、同じものであり、WO3、SnO2、ZnO等の金属酸化物半導体であり、多孔質性のものを前記第1電極層1と同様にスパッタ等の成膜技術で膜状に形成してあり、その厚さは、数十~数百nmで形成してある。従って、前記第1電極層1と前記第2電極層3との間のギャップ、及び前記第2電極層3及び前記第3電極層5との間のギャップである電極間距離も数十~数百nmのオーダで形成されることになる。また、前記金属酸化物半導体は、ガスが吸着することによりその抵抗率が変化するものである。この抵抗率の変化を各電極層3、5で検出することによりガスの測定が行われる。前記第2電極層3、前記第3電極層5は、前記第2ガス感応膜層4の両面をそれぞれ挟むものであり、AuやPtの金属からなる電極部31、51と、厚さ方向に貫通する空隙部32、52とによって、概略格子状に形成してある。そして、この電極部31、51と空隙部32、52は、前記第2ガス感応膜層4の各面に沿って、それぞれ略全面にわたって交互に均等に形成してある。これらの第2電極層3、第3電極層5もスパッタ等の成膜技術により形成してある。前記第2電極層3及び第3電極層5の形状及び構成についてより具体的に説明すると、前記電極部31、51は、所定幅を有した線状に形成してあり、前記第2ガス感応膜層4の各面に沿って、線状の電極部31、51を2方向に複数並列に並べて網状格子状をなすように形成してある。言い換えると、一群の線状の電極部31、51は、幅方向に所定距離ずつ間隔をあけて複数並列に配置するとともに、もう一群の線状の電極部31、51は、前記一群の電極部31、51が並ぶのとは異なる方向、すなわち、直交する方向に所定距離ずつ間隔をあけて並列に配置してあり、全ての電極部31、51により格子が形成されるようにしてある。そして、各線状の電極部31、51以外にはスパッタにより何の構造物も形成しないので、並列に並べられた各電極部31、51間に空隙部32、52が形成されることになる。さらに、前記第2電極層3及び前記第3電極層5の位置関係について説明すると、各電極部31、51と各空隙部32、52が、第2ガス感応膜層4の面に対して垂直な方向から視た場合に略合致するように各電極層3、5は配置してある。言い換えると、前記第2ガス感応膜層4を上面から視た場合、前記第2電極層3がなす格子と、前記第3電極層5がなす格子とが重なりあうように形成してある。従って、前記第3電極層5の空隙部52から入ったガスが、多孔質の第2ガス感応膜層4を通過し、第2電極層3の空隙部32を抜けて、第1ガス感応膜層2に至るガス通路が各空隙部32、52で形成されることになる。つまり、ガス通路の形状としては、空隙部32、52を上下方向に押し出した形状である概略直方体形状の通路が複数形成されることになる。さらに各電極層1、3、5は極と-極が交互に積層されており、かつ、同じ極同士が結線されているように構成してある。より具体的には、本実施形態では前記第1電極層1と第3電極層5が極であり、各電極層1、5は図2に示すように結線してあるとともに、前記第1電極層1は、ダイヤフラム構造上に形成された端子図示しないとも結線してある。前記第2電極層は-極として構成してあり、ダイヤフラム構造上に形成された-端子図示しないと結線してある。次に、この積層体9の成型方法について簡単に説明する。最初に前記第1電極層1を形成する際は、センサ基板8の所定領域に一様なAu又はPtからなる電極を成膜するステップ1。次に第1電極層1の上面に、金属酸化物半導体により数十~数百nmの厚さで成膜を行い、第1ガス感応膜層2を形成するステップ2。さらに、第1ガス感応膜層2の上面に、格子状にAu又はPtからなる電極を形成し、第2電極層3とするステップ3。あとは、ステップ2及びステップ3と同じ成膜手順を繰り返すことにより、第2ガス感応膜層4、第3電極層5を形成する。このように電極層3、5及びガス感応膜層2、4を交互に積層して形成した半導体ガスセンサ100であれば、現在のスパッタ成膜技術であっても、ガス感応膜層2、4の厚さを数十~数百nmのオーダで形成する事は容易であり、電極間距離をそのような短い距離に容易に設定する事が可能である。言い換えると、リソグラフィー等により、櫛型電極を用いた表面実装型の半導体ガスセンサ100Aで同等の電極間距離を形成しようとする場合に比べて、本実施形態の積層型の半導体ガスセンサ100は非常に製造し易い。さらに、前記第2ガス感応膜層4の両面を挟む第2電極層3と第3電極層5は、第2ガス感応膜層4と接触する各面にわたって、均一に格子状に形成してあるので、前記電極部31、51を第2ガス感応膜層4の略全面と接触させることができ、電極接触面積を大きくとることができる。さらに、前記第2電極層3と第3電極層5は、格子状に形成されていることから空隙部32、52も前記第2ガス感応膜層4の全面に亘って形成されることになり、第2ガス感応膜層4とガスが接触するガス接触面積も大きくとることができる。従って、電極間距離を小さくするとともに、電極接触面積、ガス接触面積を大きくとることができるので、この半導体ガスセンサ100の構造であれば容易にセンサ感度を向上させることができる。さらに、必要に応じて前述したステップ2及びステップ3の成膜を繰り返すことにより積層数を多くすることでよりセンサ感度を向上させることもできる。このように本実施形態の半導体ガスセンサ100は、センサ感度に優れるとともに製造もしやすい。その他の実施形態について説明する。前記実施形態では、第2電極層3及び第3電極層5は格子状網状に形成されていたが、例えば図4aに示すように一方向にのみ電極部31を並列に並べたものであっても構わない。また、図4bのように電極部31を櫛歯状となるように配置しても構わない。別の観点から詳述すると、前記実施形態では、空隙部32は独立した空間として複数形成されていたが、図4bのように一つながりの空隙部32として形成されるものであっても構わない。さらに、図4cに示すように更に格子を細かく形成しても構わない。要するに積層体9において最下層以外に形成される電極層においては、面状に一様に形成された電極部が存在せず、下層側にあるガス感応膜層に対してガスが通り抜けるのを大きく阻害する形状でなければよい。前記金属酸化物半導体は、例示したものに限られず多孔質性を有し、ガスがある程度通過できるものであればよい。また、下層にあるガス感応膜層までガスが到達できるのであれば、上面から視た際に各電極層が合致するように配置されていなくても構わない。その他、本発明の趣旨に反しない限りにおいて様々な変形や実施形態の組み合わせを行っても構わない。