"少なくとも、基体、第1電極、半導体及び増感色素を含有する光電変換層、固体の正孔輸送物質を含有する正孔輸送層、第2電極を有する光電変換素子であって、光が入射する表面から該表面側に位置する電極までに380nm以下の波長光を吸収する領域を有するとともに、前記正孔輸送層に含有される固体の正孔輸送物質が、下記一般式1~3のいずれかで表される構造の化合物を重合して形成される導電性高分子であることを特徴とする光電変換素子。式中、R1~R4は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、R1~R4は同じものであっても異なるものであってもよい。式中、R5は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、nは1または2の整数を、mは0~2n4の整数を表す。式中、R6~R9は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、R6~R9は同じものであっても異なるものであってもよい。前記一般式1で表される構造を有する化合物中のR1~R4の少なくとも1つが、炭素原子数6以上14個以下のアルキル基またはシクロアルキル基、炭素原子数6以上のアリール基、オキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかであり、前記一般式2で表される構造を有する化合物中のR5が炭素原子数6以上のアリール基またはオキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかで、かつ、前記nの値が1であり、前記一般式3で表される構造を有する化合物中のR6~R9の少なくとも1つが、炭素原子数6以上のアルキル基、炭素原子数6以上のアリール基、オキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。前記光電変換素子は、少なくとも、前記光電変換層と前記正孔輸送層を形成した後に加熱処理を施す工程を経て作製されるものであることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換素子。前記光電変換層と前記正孔輸送層を形成した後に行う前記加熱処理の処理温度が70°C以上150°C以下であることを特徴とする請求項3に記載の光電変換素子。前記380nm以下の波長光を吸収する領域は、前記基体に設けられているものであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記380nm以下の波長光を吸収する領域は、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾエート系化合物、トリアジン系化合物のいずれかを含有するものであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記380nm以下の波長光を吸収する領域は、酸化亜鉛または酸化チタンのいずれかを含有するものであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記光電変換層が、多孔質構造の酸化チタンを含有するものであることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の光電変換素子。少なくとも、第1電極、半導体及び増感色素を含有する光電変換層、固体の正孔輸送物質を含有する正孔輸送層、第2電極、及び、380nm以下の波長光を吸収する領域を基体上に有する光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換素子の製造方法は、少なくとも、光が入射する表面から該表面側に位置する電極までに前記380nm以下の波長光を吸収する領域を設けるとともに、下記一般式1~3のいずれかで表される構造の化合物を重合して正孔輸送層を形成する工程を有するものであることを特徴とする光電変換素子の製造方法。式中、R1~R4は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、R1~R4は同じものであっても異なるものであってもよい。式中、R5は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、nは1または2の整数を、mは0~2n4の整数を表す。式中、R6~R9は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、R6~R9は同じものであっても異なるものであってもよい。前記一般式1で表される構造を有する化合物中のR1~R4の少なくとも1つが、炭素原子数6以上14個以下のアルキル基またはシクロアルキル基、炭素原子数6以上のアリール基、オキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかであり、前記一般式2で表される構造を有する化合物中のR5が炭素原子数6以上のアリール基またはオキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかで、かつ、前記nの値が1であり、前記一般式3で表される構造を有する化合物中のR6~R9の少なくとも1つが、炭素原子数6以上のアルキル基、炭素原子数6以上のアリール基、オキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかであることを特徴とする請求項9に記載の光電変換素子の製造方法。前記光電変換素子の製造方法は、前記光電変換層と前記正孔輸送層を形成した後、加熱処理を施す工程を有するものであることを特徴とする請求項9または10に記載の光電変換素子の製造方法。前記光電変換層と前記正孔輸送層を形成した後に行う前記加熱処理の処理温度が70°C以上150°C以下であることを特徴とする請求項11に記載の光電変換素子の製造方法。請求項1~8のいずれか1項に記載の光電変換素子または請求項9~12のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法により製造された光電変換素子を有することを特徴とする太陽電池。上記の様に、導電性高分子を正孔輸送材料に用いた光電変換素子の開発が検討されていたが、検討を進めていくと、導電性高分子を用いても期待していた高いレベルの光電変換効率が必ずしも得られるものではないことが判明してきた。すなわち、導電性高分子を正孔輸送物質に用いると、正孔輸送層で電荷の再結合が発生し易くなり、光電変換効率の向上を阻害させる要因になっていたのである。また、初期段階では高い光電変換効率が得られていたものの経時で低下するものもあり、光電変換効率を長期にわたり安定維持することにも課題があることも分かってきた。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、正孔輸送材料に導電性高分子を使用し、高い光電変換効率が得られるとともに、当該光電変換効率を高レベルで安定維持させることが可能な色素増感型光電変換素子を提供することを目的とするものである。本発明者は、上記課題が下記に記載のいずれかの構成により解消されるものであることを見出した。すなわち、請求項1に記載の発明は、少なくとも、基体、第1電極、半導体及び増感色素を含有する光電変換層、固体の正孔輸送物質を含有する正孔輸送層、第2電極を有する光電変換素子であって、光が入射する表面から該表面側に位置する電極までに380nm以下の波長光を吸収する領域を有するとともに、前記正孔輸送層に含有される固体の正孔輸送物質が、下記一般式1~3のいずれかで表される構造の化合物を重合して形成される導電性高分子であることを特徴とする光電変換素子。式中、R1~R4は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、R1~R4は同じものであっても異なるものであってもよい。式中、R5は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、nは1または2の整数を、mは0~2n4の整数を表す。式中、R6~R9は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、R6~R9は同じものであっても異なるものであってもよい。というものである。請求項2に記載の発明は、前記一般式1で表される構造を有する化合物中のR1~R4の少なくとも1つが、炭素原子数6以上14個以下のアルキル基またはシクロアルキル基、炭素原子数6以上のアリール基、オキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかであり、前記一般式2で表される構造を有する化合物中のR5が炭素原子数6以上のアリール基またはオキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかで、かつ、前記nの値が1であり、前記一般式3で表される構造を有する化合物中のR6~R9の少なくとも1つが、炭素原子数6以上のアルキル基、炭素原子数6以上のアリール基、オキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。というものである。請求項3に記載の発明は、前記光電変換素子は、少なくとも、前記光電変換層と前記正孔輸送層を形成した後に加熱処理を施す工程を経て作製されるものであることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換素子。というものである。請求項4に記載の発明は、前記光電変換層と前記正孔輸送層を形成した後に行う前記加熱処理の処理温度が70°C以上150°C以下であることを特徴とする請求項3に記載の光電変換素子。というものである。請求項5に記載の発明は、前記380nm以下の波長光を吸収する領域は、前記基体に設けられているものであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の光電変換素子。というものである。請求項6に記載の発明は、前記380nm以下の波長光を吸収する領域は、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾエート系化合物、トリアジン系化合物のいずれかを含有するものであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。というものである。請求項7に記載の発明は、前記380nm以下の波長光を吸収する領域は、酸化亜鉛または酸化チタンのいずれかを含有するものであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。というものである。請求項8に記載の発明は、前記光電変換層が、多孔質構造の酸化チタンを含有するものであることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の光電変換素子。というものである。請求項9に記載の発明は、少なくとも、第1電極、半導体及び増感色素を含有する光電変換層、固体の正孔輸送物質を含有する正孔輸送層、第2電極、及び、380nm以下の波長光を吸収する領域を基体上に有する光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換素子の製造方法は、少なくとも、光が入射する表面から該表面側に位置する電極までに前記380nm以下の波長光を吸収する領域を設けるとともに、下記一般式1~3のいずれかで表される構造の化合物を重合して正孔輸送層を形成する工程を有するものであることを特徴とする光電変換素子の製造方法。式中、R1~R4は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、R1~R4は同じものであっても異なるものであってもよい。式中、R5は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、nは1または2の整数を、mは0~2n4の整数を表す。式中、R6~R9は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、R6~R9は同じものであっても異なるものであってもよい。というものである。請求項10に記載の発明は、前記一般式1で表される構造を有する化合物中のR1~R4の少なくとも1つが、炭素原子数6以上14個以下のアルキル基またはシクロアルキル基、炭素原子数6以上のアリール基、オキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかであり、前記一般式2で表される構造を有する化合物中のR5が炭素原子数6以上のアリール基またはオキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかで、かつ、前記nの値が1であり、前記一般式3で表される構造を有する化合物中のR6~R9の少なくとも1つが、炭素原子数6以上のアルキル基、炭素原子数6以上のアリール基、オキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかであることを特徴とする請求項9に記載の光電変換素子の製造方法。というものである。請求項11に記載の発明は、前記光電変換素子の製造方法は、前記光電変換層と前記正孔輸送層を形成した後、加熱処理を施す工程を有するものであることを特徴とする請求項9または10に記載の光電変換素子の製造方法。というものである。請求項12に記載の発明は、前記光電変換層と前記正孔輸送層を形成した後に行う前記加熱処理の処理温度が70°C以上150°C以下であることを特徴とする請求項11に記載の光電変換素子の製造方法。というものである。請求項13に記載の発明は、請求項1~8のいずれか1項に記載の光電変換素子または請求項9~12のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法により製造された光電変換素子を有することを特徴とする太陽電池。というものである。本発明では、正孔輸送層に導電性高分子を含有する光電変換素子に対して380nm以下の波長光を吸収する領域を設けることにより、導電性高分子を用いた際に生じ易い電荷再結合の発生を抑制して光電変換効率を高いレベルで安定維持することを可能にした。本発明は、半導体表面に有機増感色素を吸着させた色素増感型の光電変換素子に関し、特に、正孔輸送物質に導電性高分子を用いた色素増感型の光電変換素子に関する。以下、本発明について詳細に説明する。なお、本発明でいう一般式1~3のいずれかで表される構造を有する化合物を重合して形成される導電性高分子は、二重結合と単結合が交互に並んだポリエン構造と呼ばれる共役型の主鎖構造を有する重合体である。この重合体は、ドナーやアクセプターの添加により付与された電荷がπ共役構造の主鎖を移動することにより導電性を発現するものである。そして、一般式1~3のいずれかで表される構造を有する化合物を重合して形成される導電性高分子は、具体的には、主鎖中にイオウ原子を含有する複素環構造を有し、一般にポリチオフェン系高分子あるいはポリチオフェン類と呼ばれるものである。また、本発明に係る光電変換素子は、光が入射する表面から該表面側に位置する電極までに380nm以下の波長光を吸収する領域を有するものである。ここで、光が入射する表面から該表面側に位置する電極までとは、光電変換素子の光入射側表面より該表面側に位置する電極までの領域をいう。たとえば、後述する図1に示す光電変換素子1の様に、第1電極側表面より光が入射する場合は、基体1、第1電極2及び紫外線吸収層3が設けられている領域が光が入射する表面から該表面側に位置する電極までに該当するものである。また、光が第2電極側表面から入射する場合は、第2電極からその入射光側の表面に存在する層が設けられている領域が光が入射する表面から該表面側に位置する電極までに該当するものである。さらに、本発明の好ましい形態として380nm以下の波長光を吸収する領域が基体に設けられているものがある。この380nm以下の波長光を吸収する領域が基体に設けられているとは、380nm以下の波長光を吸収するものを含有する塗布液やフィルムを基体へ塗布あるいは貼付したものや基体そのものがこの性質を有するものである場合を意味するものである。最初に、本発明に係る光電変換素子の構造について図1を用いて説明する。図1は本発明に係る光電変換素子の構造の一例を模式的に示した断面図である。図1に示す光電変換素子10は、基板1、第1電極2、紫外線吸収層3、光電変換層6、正孔輸送層7及び第2電極8、隔壁9等より構成され、図の矢印で示す様に、光電変換層6に対して基板1や第1電極2が配置されている側より光を入射させるものである。また、光電変換層6は半導体5と増感色素4を含有するものであり、正孔輸送層7は後述する化合物に代表される導電性高分子を正孔輸送物質として含有するものである。さらに、基板1には本発明でいう380nm以下の波長光を吸収する領域に該当する紫外線吸収層3が設けられている。光電変換素子10は、以下の手順で光電変換が行われて、電池として機能するものである。すなわち、1第1電極2に光が照射されると、光電変換層6に含有される増感色素が光を吸収して電子を放出する。このとき、増感色素は酸化物となる。2増感色素により放出された電子は、光電変換層6内の半導体に移動し、さらに、半導体より第1電極2へ移動する。3第1電極2へ移動した電子は、対極である第2電極8へ回り、第2電極で正孔輸送物質を還元する。4前述の増感色素酸化物は、還元された正孔輸送物質より電子を受け取り、元の状態増感色素に戻る。5上記1~4を繰り返すことにより、第1電極2より第2電極8へ電子の移動が繰り返し行われて電気が流れる。この様に、図1の光電変換素子10では、光照射により増感色素が励起状態となり電子を放出し、放出された電子は半導体を経由して第1電極2へ達して外部へ流れる。一方、電子を放出して酸化物となった増感色素は、第2電極8より供給される電子を正孔輸送層より受け取り元の状態に戻る、という仕組みで電子が移動して電池として機能する。前述した様に、色素増感型光電変換素子の技術では、光電変換効率を向上させるために導電性高分子を正孔輸送物質に使用する技術が検討されていたが、光電変換効率を高いレベルで安定的に維持させることが困難であるという課題を有していた。本発明者は、導電性高分子を正孔輸送層に含有する光電変換素子が光電変換効率を高いレベルで安定維持することが困難な理由について以下の様に推測した。先ず、光電変換素子に正孔輸送物質として使用される導電性高分子はドーパントが高濃度に付与されていることにより、半導体で形成された電荷が正孔輸送層を移動し易くなっている状態になっているものと考えられる。光電変換層では、通常、多孔質酸化チタン等の半導体表面に吸着させた有機増感色素が光励起し、有機増感色素より半導体へ電子が注入されて色素カチオンが形成される。そして、この色素カチオンを外部回路と正孔輸送層経由で還元することにより光電流を取り出している。外部回路へ光電流を効率よく取り出すためには、半導体に注入された電子と正孔輸送層中の正孔とが結合する電荷再結合を発生させない様にすることが重要であり、そのためには半導体と正孔輸送層が電気的に絶縁状態になっていることが求められる。しかしながら、ドーパントが高濃度に付与された導電性高分子を用いた場合、半導体と正孔輸送層の間に電気的絶縁状態を形成、維持することは非常に難しくなるものと考えられた。また、熱の発生や酸化還元反応の繰り返しにより、半導体や正孔輸送層を構成する分子の変形が起こり易くなることも考えられ、この様な影響も両者間での電気的絶縁状態を維持する上で障壁になっていた。本発明者は、上記推測より半導体と正孔輸送層間での電荷再結合の発生を抑制することが光電変換効率を高いレベルで安定維持させる上で重要であると考えた。具体的には、半導体と正孔輸送層間で電気的絶縁状態を形成するために380nm以下の波長光を除去した光で照射すれば、半導体の光励起による導電性の向上が抑制され、光電変換効率を高いレベルで安定維持させることが可能になると考えたのである。また、熱の発生や酸化還元反応が繰り返されても、変形の小さな導電性高分子を用いて物理的な接触を抑制することで光電変換効率を高いレベルで安定維持することが可能になることも考えた。そして、検討を重ねた結果、上記構成の光電変換素子が前述の課題を解消するものであることを見出したのである。本発明に係る光電変換素子10は、380nm以下の波長光を吸収する領域を有するものであり、かつ、正孔輸送層7に正孔輸送物質として固体材料である導電性高分子を含有するものである。以下、本発明に係る光電変換素子を構成する固体の正孔輸送物質として導電性高分子を含有する正孔輸送層と380nm以下の波長光を吸収する領域について説明する。最初に、固体材料である導電性高分子を正孔輸送物質として含有する正孔輸送層について説明する。図1に示す光電変換素子10に設けられている正孔輸送層7は、光を吸収して電子を放出して励起状態になった増感色素より正孔を第2電極8へ向けて移動させることにより、増感色素を還元して安定化させるものである。言い換えると、前述した様に、正孔輸送層7は第2電極8より電子を受け取り、受け取った電子を励起状態になっている光電変換層6の増感色素へ渡して増感色素を光照射前の状態に戻すものである。本発明では、後述する導電性高分子を正孔輸送物質に使用することから、正孔輸送物質に電解液を使用する光電変換素子で懸念されていた液漏れの発生がないものである。また、構造的に電子が移動し易い導電性高分子を正孔輸送材料に用いているので、正孔輸送層では第2電極から励起状態の増感色素への電子の授受が安定的に行え、高い光電変換効率の発現に寄与している。特に、本発明では、後述する一般式1~3で表される化合物を重合して形成された導電性高分子を用いることで、分子間相互作用により正孔輸送効率が改善され、その結果、光電変換効率を改善させているものと考えられる。下記一般式1~3で表される構造を有する化合物を重合して形成される導電性高分子は、主鎖中にイオウ原子を含有する複素環構造含イオウ複素環構造を有するポリチオフェン類と呼ばれる重合体に属するものである。下記一般式1~3で表される構造を有する化合物を重合して形成される重合体は、ポリチオフェン類の中でも電荷移動に寄与する二重結合と単結合が交互に並んだ共役型の主鎖構造に加え、側鎖構造を有するものである。この側鎖構造の存在が、分子の結晶性を改善し、光電変換効率の向上に寄与しているものと考えられる。すなわち、分子構造中に分子間相互作用を発現することが可能な部位が存在することにより、形成された導電性高分子が規則的に配列し、熱によるセグメント運動を起こしにくくして安定した構造の正孔輸送層を形成するものと考えられる。また、分子間相互作用の発現により、半導体と正孔輸送層とが接近する機会も低減させているものと考えられる。このうち、上記一般式1で表される構造中のR1~R4は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表すものである。また、上記一般式2で表される構造中のR5は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表すものである。また、構造中のnは1または2の整数を表し、mは0~2n4の整数を表すものである。さらに、一般式3で表される構造中のR6~R9は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表すものである。上記一般式1で表される構造中のR1~R4、一般式2で表される構造中のR5、及び、一般式3で表される構造中のR6~R9で表されるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等が挙げられる。また、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等が挙げられる。また、一般式1で表される構造中のR1~R4で表されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられ、メトキシエトキシ基やメトキシエトキシエトキシ基等のオキシエチレン基を有するアルキル基もある。また、上記一般式1で表される構造中のR1~R4、一般式2で表される構造中のR5、及び、一般式3で表される構造中のR6~R9で表されるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。上記一般式1で表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明で使用可能な一般式1で表される化合物は以下のものに限定されるものではない。また、上記一般式2で表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明で使用可能な一般式2で表される化合物は以下のものに限定されるものではない。さらに、上記一般式3で表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明で使用可能な一般式3で表される化合物は以下のものに限定されるものではない。本発明では、ポリチオフェン類と呼ばれる導電性高分子を形成する上記一般式1~3で表される化合物の中でも、以下の官能基を有する化合物が好ましく用いられる。上記一般式1で表される構造を有する化合物中のR1~R4の少なくとも1つが、炭素原子数6以上14個以下のアルキル基またはシクロアルキル基、炭素原子数6以上のアリール基、オキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかであるもの上記一般式2で表される構造を有する化合物中のR5が炭素原子数6以上のアリール基またはオキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかで、かつ、nの値が1であるもの上記一般式3で表される構造を有する化合物中のR6~R9の少なくとも1つが、炭素原子数6以上のアルキル基、炭素原子数6以上のアリール基、オキシエチレン基を有するアルキル基のいずれかであるもの。これら好ましいとされる化合物を用いて形成された導電性高分子を正孔輸送材料に用いる光電変換素子は、後述する実施例の結果からも確認される様に、高い光電変換効率が得られる傾向を有している。これは、側鎖にとりわけ分子間相互作用を助長し得る官能基が存在することにより、形成された導電性高分子は規則的な分子配列を形成し易くなり、熱的に安定な分子構造をより得られ易くなるためと考えられる。したがって、熱等の影響を受けても分子間相互作用により分子鎖のセグメント運動はより強く抑制され、酸化チタン等に代表される半導体と正孔輸送層間の電荷再結合を抑制し得る環境が形成されて高い光電変換効率が確実に得られる様になるものと考えられる。上記一般式1~3で表される化合物を重合する方法は、たとえば、J.R.Reynolds他:Adv.Mater.,11,13791999に記載の方法等、公知の方法が挙げられる。また、上記一般式1~3で表される化合物を用いて形成した導電性高分子を固体の正孔輸送物質として含有する正孔輸送層は、公知の方法により作製が可能である。具体的には、重合体を含有する塗布液を調製し、当該塗布液を光電変換層上に公知の方法で塗布して形成する方法がある。正孔輸送層の形成に使用される塗布方法としては、たとえば、ディッピング法、滴下法、ドクターブレード法、スピンコート法、刷毛塗り法、スプレー塗布法、ロールコータ法等がある。また、塗布液用の溶媒としては、たとえば、以下の極性溶媒や非プロトン性溶媒に該当する有機溶媒を用いることができる。すなわち、極性溶媒には、たとえば、テトラヒドロフランTHF、ブチレンオキサイド、クロロホルム、シクロヘキサノン、クロロベンゼン、アセトン、各種アルコール等がある。また、非プロトン性溶媒には、たとえば、ジメチルホルムアミドDMF、アセトニトリル、ジメトキシエタン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等がある。また、重合体を含有する塗布液を用いて形成する方法の他に、一般式1~3で表される化合物、重合触媒や重合速度調整剤等を含有する溶液を光電変換層上に塗布あるいは浸漬させて重合反応を行って正孔輸送層を形成する方法もある。重合反応の条件は、一般式1~3で表される化合物や重合触媒、重合速度調整剤等の種類や比率、形成する層厚等により異なるが、空気中で加熱して行う場合、加熱温度を25°Cから120°C、加熱時間を1分から24時間に設定して行うことが好ましい。なお、本発明に係る光電変換素子の製造方法については後で詳細に説明する。次に、本発明に係る光電変換素子に設けられる380nm以下の波長光を吸収する領域について説明する。図1に示す光電変換素子10は、本発明でいう380nm以下の波長光を吸収する領域に該当する紫外線吸収層3を基板1上に有するものである。図1に示す光電変換素子10は、基板1や第1電極2が配置されている側から光電変換層6に向かって光を入射させるもので、基板1と光電変換層6の間に紫外線吸収層3が設けられている。すなわち、本発明では光電変換層6に対して光を入射させる側に380nm以下の波長光を吸収する領域紫外線吸収層3を設けるものである。380nm以下の波長光を吸収する領域紫外線吸収層3は、紫外線吸収剤として使用されるベンゾフェノン系化合物やベンゾトリアゾール系化合物等の公知の有機化合物や無機化合物を用いた市販の紫外線吸収フィルムや紫外線吸収塗料により形成することが可能である。紫外線吸収剤として使用される化合物は、紫外線を吸収するといったん励起状態となり、吸収した光エネルギーを熱として放出することによりもとの状態に戻る性質を示すものである。紫外線吸収層3を形成する際に紫外線吸収剤として使用可能な有機化合物には、たとえば、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾエート系化合物、トリアジン系化合物が挙げられる。ここでは、紫外線吸収剤として好ましく使用されるこれら化合物に対して系化合物という用語を用いているが、下記各構造を有することを総称して系化合物ということにした。また、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾエート系化合物、トリアジン系化合物の具体例を以下に示すが、これら化合物は以下のものに限定されるものではない。すなわち、1ベンゾフェノン系化合物2,4-ジヒドロキシベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-メトキシベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-n-オクトキシベンゾフェノン等2ベンゾトリアゾール系化合物2-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル-4-t-ブチルフェノール2-2′-ヒドロキシ-5′-メチルフェニルベンゾトリアゾール、2-2′-ヒドロキシ-5′-t-オクチルフェニルベンゾトリアゾール、2-3′-t-ブチル-2′-ヒドロキシ-5′-メチルフェニル-5-クロロベンゾトリアゾール2-2′-ヒドロキシ-3′,5′-ジ-t-アミルフェニルベンゾトリアゾール、2-2′-ヒドロキシ-3′,5′-ジ-t-ブチルフェニルベンゾトリアゾール2-2′-ヒドロキシ-3,5-ジ1,1-ジメチルベンジルフェニル-2H-ベンゾトリアゾール、2,2′-メチレンビス6-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル-4-1,1,3,3-テトラメチルブチルフェノール等3ベンゾエート系化合物2,4-ジ-t-ブチルフェニル-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンゾエート等4トリアジン系化合物2-4,6-ビス2,4-ジメチルフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル-5-オクチルオキシフェノール、2-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル-5-ヘキシルオキシフェノール等紫外線吸収剤として使用可能な上記有機化合物は、溶剤に完全に溶解するので透明度の高い紫外線吸収層を形成する上で有利である。また、紫外線吸収層3を形成する際に、紫外線吸収剤として使用可能な無機化合物としては、たとえば、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化鉄、酸化セシウム、酸化ジルコニウム等がある。これらの中でも、酸化亜鉛と酸化チタンが好ましく、酸化亜鉛は無機化合物の中でも高い透明度の紫外線吸収層を形成することが可能なので特に好ましい。また、酸化チタンは優れた紫外線カット性能を有するが、酸化亜鉛を用いたときの様な高い透明度の紫外線吸収層を形成することが困難になる傾向がある。上記有機化合物や無機化合物を用いて形成した紫外線吸収層は、400nm以上の可視光については90以上透過することが可能であり、その一方で400nm以下の波長光をよくカットすることが可能である。本発明でいう380nm以下の波長光を吸収する領域は、前述した様に、紫外線吸収フィルムの貼付や紫外線吸収塗料の塗布等の公知の方法で形成することが可能である。本発明で使用可能な市販の紫外線吸収フィルムには、たとえば、住友スリーエム株式会社製のスコッチテントウィンドフィルムRE87CLIS等がある。また、市販の紫外線吸収塗料としては、たとえば、AGCコーテック株式会社製のフッ素樹脂コーティング材オブリガード等がある。さらに、紫外線吸収性能を有する市販の樹脂板やガラス板を使用することも可能で、たとえば、旭硝子株式会社製の紫外線カットガラスUVベール等がある。本発明でいう380nm以下の波長光とは、いわゆる紫外線のことで波長範囲が10nmから380nmと可視光線よりも短くX線よりも長い電磁波で、光のスペクトルで紫よりも外側にあるので紫外線と呼ばれるものである。図1に示す光電変換素子10は、入射光を紫外線吸収層3に透過させることにより、380nm以下の波長光を除去した光を用いて光電変換を行うものである。紫外線吸収層3で吸収される紫外線は、主に波長領域が200nmから380nmのものである。紫外線は、波長により近紫外線、遠紫外線等に分類することができる。すなわち、波長領域が200nmから380nmのものを近紫外線、波長領域が10nmから200nmのものを遠紫外線、波長領域が1nmから10nmのものを極紫外線と分類することができる。また、人間の健康や環境への影響の観点から、波長領域が315nmから380nmのものをUVA、280nmから315nmのものをUVB、280nm未満のものをUVCと分類することもできる。光電変換素子10の紫外線吸収層3は、主に波長領域が200nmから380nmのものを吸収すると前述したが、これは地表に到達する太陽光線には200nm未満の紫外線をほとんど含んでいないことによる。すなわち、太陽光線に含まれる紫外線はもともとUVA、UVB、UVCを含んでいるが、UVCはオゾン層や大気中に著しく吸収され易く、地表に到達する紫外線は波長領域が200~380nmのものになる。図1に示す光電変換素子についてさらに説明する。基体1は、光電変換素子10の光入射方向側に設けられ、光電変換素子に強度を付与し、かつ、良好な光電変換効率を確保する観点から、ガラスや透明樹脂材料等の光透過性の材質で形成されるものである。また、本発明では基体1の近傍に380nm以下の波長光を吸収する領域3を設けることが好ましく、基体1の近傍に設けられた領域3を通過した光が光電変換層6に到達する様にしている。基体1の光透過率は、特に限定されるものではないが、10以上であることが好ましく、より好ましくは50以上、80から100が特に好ましいものである。ここで、光透過率とは、JISK7361-1ISO13468-1に対応のプラスチック-透明材料の全光線透過率の試験方法に準拠した方法で測定される可視光波長領域における全光線透過率のことをいうものである。本発明で使用可能な基体1は、公知のものから適宜選択が可能で、石英やガラス等の透明無機材料や以下に挙げる公知の透明樹脂材料が挙げられる。透明樹脂材料の具体例としては、たとえば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリフェニレンサルファイドPPS、ポリイミドPI、ポリカーボネートPC、ポリスチレンPS、ポリプロピレンPP、ポリブチレンテレフタレートPBT、トリメチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリアミドイミド、シクロオレフィン重合体、スチレンブタジエン共重合体等がある。上記透明樹脂材料の中でもポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリフェニレンサルファイドPPS、ポリイミドPI等は可撓性を有するものが市販され、フレキシブルな光電変換素子を作製する上で好ましい。また、基体1の厚さは材料や用途等により適宜設定が可能で、たとえば、ガラス等の透明無機材料の様な硬質材料で構成する場合、その平均厚さは0.1mm~1.5mmが好ましく、0.8mm~1.2mmがより好ましい。また、透明樹脂材料を使用する場合も前記透明無機材料と同じ平均厚さとしてもよいが、可撓性を有する透明樹脂材料を使用する場合は0.5~150μmが好ましく、10~75μmがより好ましい。次に、第1電極2は基板1と光電変換層6の間に配置され、光電変換層6へ光を効率よく供給するために、好ましくは80以上、より好ましくは90以上の光到達率を有するものが用いられる。第1電極2は、公知の金属材料や金属酸化物により形成され、金属材料の具体例には、たとえば、白金、金、銀、銅、アルミニウム等があり、光透過性を発現し易い形状に加工したものが多く供給されていることから銀が好ましい。たとえば、開口部を有するグリッドパターン膜、微粒子やナノワイヤを分散させた膜等が多く供給されている。また、金属酸化物の具体例としては、たとえば、SnO2、ZnO、CdO、CTO系、In2O3、CdIn2O4等があり、上記金属酸化物にSn、Sb、F、Alから選ばれる1種または2種以上の原子をドープしたものが好ましく用いられる。その中でも、ITOと呼ばれるIn2O3にSnをドープしたもの、SnO2にSbをドープしたもの、FTOと呼ばれるSnO2にFをドープした導電性金属酸化物が好ましく、耐熱性の観点からFTOが特に好ましい。なお、前記CTO系の金属酸化物には、たとえば、CdSnO3、Cd2SnO4、CdSnO4がある。また、第1電極2は前述の基板1上に設けることも可能であり、基板上に第1電極2を設けたものは導電性支持体と呼ばれ、導電性支持体の厚さは0.1mmから5mmとすることが好ましい。また、導電性支持体の表面抵抗は50Ω/cm2以下であることが好ましく、10Ω/cm2以下がより好ましい。次に、光電変換層6について説明する。図1に示す光電変換素子10は、前述した第1電極2に隣接させて太陽光等の光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換層6を有する。光電変換層6は、増感色素を吸着させた半導体を含有するものであり、前述した第1電極2を通過した光を受ける個所で、第1電極2との間で電子の授受が行われる。光電変換層6における光エネルギーの電気エネルギーへの変換は、以下の様な手順で行われるものである。先ず、第1電極2を通過した光が光電変換層6に進入し、進入した光が半導体と衝突する。半導体に衝突した光は、任意の方向に乱反射して光電変換層6内に拡散し、拡散した光が増感色素に接触することにより電子と正孔ホールを発生し、発生した電子は第1電極2に向かって移動する。この様な仕組みで、光電変換層6は光エネルギーを電気エネルギーに変換している。光電変換層6の厚さは、特に限定されるものではないが、具体的には0.1μm~50μm程度が好ましく、より好ましくは0.5μm~25μm程度、特に好ましくは1μm~10μm程度である。なお、光電変換層6の厚さは、含有される半導体の厚さにほぼ一致するものであり、素子の小型化や製造コストの低減化を実現する観点から層状の形態を有する半導体を用いることが好ましい。光電変換層6に使用される半導体5には、シリコンやゲルマニウム等の単体、元素周期表の第3族3A族~第5族5A族、第13族3B族~第15族5B族に属する原子を有する化合物、金属カルコケニド、金属窒化物等が使用可能である。ここで、金属カルコゲニドとは、カルコゲン元素と呼ばれる酸素原子や硫黄原子等の元素周期表の第16族6B族に属する原子と金属原子とで構成される化合物のことで、金属酸化物や金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物等が該当する。金属カルコゲニドの具体例としては、たとえば、以下のものがある。1金属酸化物TiO、TiO2、Ti2O3、SnO2、Fe2O3、WO3、ZnO、Nb2O5等2金属硫化物CdS、ZnS、PbS、Bi2S3、CuInS2等3金属セレン化物、金属テルル化物CdSe、PbSe、CuInSe2、CdTe上記金属カルケニドの中でも、TiO2、SnO2、Fe2O3、WO3、ZnO、Nb2O5、CdS、PbSが好ましく用いられ、その中でも、TiO2とNb2O5がより好ましく、二酸化チタンTiO2が特に好ましい。二酸化チタンは、良好な電子輸送性を有する他に、光に対して高い感受性を有しており、二酸化チタン自体が光を受けて直接電子を発生する等、高い光電変換効率が期待できることから特に好ましいとされる。また、二酸化チタンは、安定した結晶構造を有するので、過酷な環境下で光照射が行われても経時による劣化が起こりにくく、所定性能を長期にわたり安定して発現可能である。ところで、二酸化チタンの結晶構造には、アナターゼ型とルチル型があり、光電変換素子用の半導体材料は、アナターゼ型の結晶構造を主とするもの、ルチル型の結晶構造を主とするもの、両者の混合物を主とするもののいずれも使用が可能である。このうち、アナターゼ型の結晶構造を有する二酸化チタンは、効率のよい電子輸送を行うことができる。また、アナターゼ型とルチル型を混合して使用する場合、アナターゼ型のものとルチル型のものの混合比は特に限定されるものではなく、アナターゼ型:ルチル型=95:5~5:95とすることが可能で、80:20~20:80とすることが好ましい。また、半導体に使用可能な金属窒化物としては、たとえば、Ti3N4が代表的なものであり、さらに、GaPやInP等の金属リン化合物、GaAs等の化合物も半導体として使用可能なものである。光電変換層6に使用される半導体は、上記化合物を単独で使用するものの他に複数を併用することも可能である。複数の化合物を併用する具体例としては、たとえば、TiO2にTi3N4を20質量混合させた形態のものや、J.Chem.Soc.Chem.Commun.,151999に開示のZnOとSnO2の複合体等がある。また、金属酸化物もしくは金属硫化物と前記酸化物もしくは硫化物以外の化合物を併用する場合は、当該化合物の含有量を30質量以下にすることが好ましい。また、光電変換層6に使用される半導体には、有機塩基を用いて表面処理を施したものを使用することが可能である。半導体の表面処理は、有機塩基を含有する液槽に半導体を浸漬して行う方法が主に採られ、有機塩基が液体の場合にはそのまま使用し、固体の場合には有機溶媒に溶解させた溶液を使用する。表面処理に使用される有機塩基は、たとえば、ジアリールアミン、トリアリールアミン、ピリジン、4-t-ブチルピリジン、ポリビニルピリジン、キノリン、アミジン等があり、これらの中でも、ピリジン、4-t-ブチルピリジン、ポリビニルピリジンが好ましい。また、半導体材料は、衝突した光の乱反射と拡散を促進させて光電変換効率を向上させる観点から、その表面に複数の微細な孔細孔を有するものが好ましく、前述の二酸化チタンは表面に細孔を有するので高い光電変換効率を期待することができる。半導体材料の細孔は、たとえば、空孔率と呼ばれる半導体粒子表面の単位面積あたりに占める孔の面積の比率で規定することができる。すなわち、適度な空孔率を有する半導体材料は、光の乱反射と拡散を促進させる他に、細孔による表面積の増大に伴って半導体材料の外面及び細孔の内面に吸着している増感色素の吸着面積も増大しており光電変換効率のさらなる向上が行える。半導体材料の空孔率は、特に限定されるものではないが、たとえば、二酸化チタンの場合、5~90が好ましく、より好ましくは15~80、特に好ましくは25~70である。また、半導体5の平均粒径は、特に限定されるものではないが、通常、1nmから1μmのものが好ましく、5nmから50nmのものがより好ましい。半導体材料の平均粒径を上記範囲内にすると、ゾル液を形成したときに半導体材料の均一性を向上させ易くなり、均一性の向上により半導体材料の比表面積が揃い、各半導体材料へ増感色素が同等レベルに吸着するので発電効率の向上に寄与する。さらに、半導体5は光増感色素を吸着させた構造を有するものであるが、半導体材料と光増感色素との間で形成される吸着は、たとえば、分子間引力や静電引力等の物理的作用、あるいは、共有結合や配位結合等の化学結合により実現されるものである。光増感色素は、受光により電子と正孔ホールを発生するもので、光電変換層6内で光エネルギーを電気エネルギーに実際に変換するものである。すなわち、光電変換層6において、光増感色素が存在している領域が電子と正孔を発生する受光領域として機能する場であり、前述した様に、増感色素4は半導体5の外面や孔内面に沿って吸着している。そして、増感色素4により発生した電子は、増感色素4と結合している半導体5に移動し、半導体5より第1電極2に向かって移動する。増感色素4は、公知の方法による増感処理で半導体5へ担持されているもので、光照射に励起して電子を放出するものである。本発明では、光電変換素子に使用可能な公知の増感色素を使用することが可能である。光電変換素子に使用可能な増感色素には、公知の有機顔料や炭素系顔料、無機顔料、有機あるいは無機の染料がある。先ず、増感色素用の有機顔料には、たとえば、以下に示す様なフタロシアニン系顔料やアゾ系顔料、アントラキノン系顔料、キナクリドン系顔料、ペリレン系顔料がある。1フタロシアニン系顔料;フタロシアニングリーン、フタロシアニンブルー等2アゾ系顔料;ファストイエロー、ジスアゾイエロー、縮合アゾイエロー、ベンゾイミダゾロンイエロー、ジニトロアニリンオレンジ、ベンズイミダゾロンオレンジ、トルイジンレッド、パーマネントカーミン、パーマネントレッド、ナフトールレッド、縮合アゾレッド、ベンズイミダゾロンカーミン、ベンズイミダゾロンブラウン等3アントラキノン系顔料;アントラピリミジンイエロー、アントラキノニルレッド等4キナクリドン系顔料;キナクリドンマゼンタ、キナクリドンマルーン、キナクリドンスカーレット、キナクリドンレッド等5ペリレン系顔料;ペリレンレッド、ペリレンマルーン等。また、上記有機顔料の他に、以下に示す有機顔料も使用可能である。すなわち、銅アゾメチンイエロー等のアゾメチン系顔料、キノフタロンイエロー等のキノフタロン系顔料、イソインドリンイエロー等のイソインドリン系顔料、ニッケルジオキシムイエロー等のニトロソ系顔料ペリノンオレンジ等のペリノン系顔料、ジケトピロロピロールレッド等のピロロピロール系顔料、ジオキサジンバイオレット等のジオキサジン系顔料等。また、炭素系顔料には、たとえば、カーボンブラック、ランプブラック、ファーネスブラック、アイボリーブラック、黒鉛、フラーレン等がある。さらに、光増感色素に使用可能な染料の具体例としては、たとえば、RuL2Cl2、RuL2CN2、ルテニウム535-bisTBASolaronics社製、Ru2NCS22H2O等の金属錯体色素がある。ここで、RuL2Cl2とRuL2CN2のLは、2,2-bipyridine、または、その誘導体を表す。また、前記金属錯体色素の他に、シアン系色素、アゾ系色素等の有機色素や、ハイビスカス色素、ブラックベリー色素、ラズベリー色素、ザクロ果汁色素、クロロフィル色素等の天然物由来の有機色素を使用することも可能である。なお、増感色素4による半導体5への増感処理の具体的な説明は後述する光電変換層の作製の項で説明する。次に、第2電極8について説明する。第2電極8は、正孔輸送層7に隣接して層状平板状に形成され、その平均厚さは材料や用途等により適宜設定され、特に限定されるものではない。第2電極8は、公知の導電性材料や半導電性材料を用いて形成することが可能である。導電性材料としては、たとえば、各種イオン導電性材料や、アルミニウム、ニッケル、コバルト、白金、銀、金、銅、モリブデン、チタン、タンタル等の金属またはこれらを含む合金、あるいは、黒鉛等の各種炭素材料等が挙げられる。また、半導電性材料としては、たとえば、トリフェニルジアミンモノマー、ポリマー等、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、フタロシアニン化合物たとえば、銅フタロシアニン等等またはこれらの誘導体等のp型半導体材料が挙げられる。これら導電性材料や半導電性材料を1種または2種以上組み合わせて第2電極8を形成することが可能である。図1に示す光電変換素子10は、第1電極2と光電変換層6の間にバリア層11を有するもので、バリア層11は短絡の発生を防止するものである。バリア層11を設ける場合、その厚さは、たとえば、0.01μmから10μm程度であり、酸化亜鉛ZnO等の公知の金属酸化物等を用いて形成される。次に、本発明に係る光電変換素子の製造方法について一例を挙げて説明する。本発明に係る光電変換素子は、たとえば、以下に示す1~6の手順により作製が可能である。本発明に係る光電変換素子の作製方法は、以下に示す工程を経て作製されるものに限定されるものではなく、他の公知の方法で作製することも可能である。なお、本発明では、6で説明する加熱処理を経て光電変換素子を作製することが好ましいものである。1第1電極の形成均一な厚さを有し、かつ、光透過性を有するガラス製あるいは耐熱性に優れた樹脂製の基体を用意し、パルスレーザ蒸着法等の公知の製膜装置等を用いて当該基体上に第1電極2を形成する。なお、耐熱性に優れた有機材料としては、たとえば、ポリエチレンナフタレートPEN樹脂やポリイミド樹脂等がある。2光電変換層の形成次に、第1電極の上面に半導体材料を用いて光電変換層6を形成する。光電変換層6は、たとえば、半導体が粒子状の場合には第1電極を形成した基体へ半導体を塗布あるいは吹き付けることで形成が可能である。また、膜状の半導体の場合には第1電極を形成した基体へ半導体を貼り合せることで形成が可能である。光電変換層6を形成する際の好ましい態様の1つに半導体粒子を焼成して形成する方法が挙げられる。半導体粒子を焼成して光電変換層6を形成する場合、半導体へ行う増感処理は焼成の後に実施することが好ましく、特に、焼成実施後、半導体に水が吸着する前に行うことが好ましい。以下、半導体粒子を焼成して光電変換層6を形成する方法について説明する。半導体粒子を焼成して光電変換層6を形成する方法は、たとえば、以下の手順を経て行われるものである。すなわち、1半導体粒子を含有する塗布液の調製2半導体粒子を含有する塗布液の塗布と焼成処理3半導体への増感色素吸着処理以下、これらについて説明する。1半導体粒子を含有する塗布液の調製この工程は、半導体粒子を公知の溶媒中へ投入、分散させることにより、塗布液を調製するものである。塗布液中の半導体粒子の濃度は、たとえば、0.1質量から70質量が好ましく、0.1質量から30質量がより好ましい。半導体粒子は、粒径の小さなものが好ましく、たとえば、平均1次粒径が1nmから5000nmのものが好ましく用いられ、2nmから100nmのものがより好ましく使用される。また、半導体粒子を分散させる溶媒は、半導体粒子を凝集させずに分散させることが可能なものであれば特に限定されるものでなく、水や公知の有機溶媒、あるいは水と有機溶媒の混合液が挙げられる。有機溶媒の具体例としては、たとえば、メタノールやエタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン等のケトン類、n-ヘキサンやシクロヘキサン等の炭化水素類等がある。また、塗布液中には、必要に応じて公知の界面活性剤や粘度調整剤を添加することも可能で、粘度調整剤の具体例としては、ポリエチレングリコール等の多価アルコールが代表的なものとして挙げられる。2半導体粒子を含有する塗布液の塗布と焼成処理この工程は、前述の半導体粒子を溶媒中へ分散させて形成した塗布液を第1電極が形成されている基体へ塗布し乾燥させて半導体粒子の層を形成する。そして、空気中あるいは不活性ガス雰囲気下で焼成処理を行うことにより前記基体上へ層状に半導体5を固着させる。この層状に形成された半導体5は半導体層とも呼ばれるものである。塗布により基体上に形成された半導体粒子の層は、支持体との結合力や半導体粒子同士の結合力が弱いものであるが、焼成処理を行うことにより、基体との結合力あるいは半導体粒子同士の結合力が向上して耐久性のある強固な層になる。焼成処理により形成される半導体層の厚さは、少なくとも、10nm以上が好ましく、500nmから30μmがより好ましい。また、焼成処理により半導体層は強固な多孔質構造を形成し、多孔質構造を構成する空隙に正孔輸送物質を存在させることにより光電変換効率を向上させる。この様に、多孔質構造の半導体層は、見かけの表面積に対して実際の表面積が大きなものになっているので、光電変換効率をはじめとする各種性能を向上させる上で非常に有効なものである。半導体層の空隙率は、たとえば、1体積から90体積が好ましく、より好ましくは10体積から80体積、20体積から70体積が特に好ましい。半導体層内に形成される空隙は、層の厚み方向に対して貫通性を有しており、公知の方法による空隙率の測定が可能である。空隙率の代表的な測定手段としては、たとえば、市販の水銀ポロシメータ島津ポアサイザー9220型島津製作所社製等がある。また、焼成処理を行う際の温度は、上記空隙率の多孔質構造を形成させる観点から、1000°Cよりも低い温度範囲とすることが好ましく、200°Cから800°Cの温度範囲がより好ましく、さらに300°Cから800°Cの温度範囲が特に好ましいものである。ところで、樹脂製の基体上に焼成処理した半導体層を形成する場合は、あえて200°C以上で焼成処理を行う必要はなく、代わりに加圧処理を施すことにより半導体粒子同士の固着や基体への固着が可能である。また、マイクロ波を使用して、基体を加熱させることなく半導体層のみを加熱し、焼成処理を行うことも可能である。さらに、後述する増感色素による半導体層への電子注入を効率よく行える様にするため、焼成処理により形成された半導体層へ公知の化学的あるいは電気化学的方法でめっき処理を施すことも可能である。3半導体5への増感色素吸着半導体5への増感処理は、増感色素を溶解させた溶液へ半導体を層状に形成した光電変換層半導体層が設けられている基体を浸漬して行うものである。光電変換層6への増感色素4の総担持量は0.01~100ミリモル/m2が好ましく、0.1~50ミリモル/m2がより好ましく、0.5~20ミリモル/m2が特に好ましい。増感処理は、単独の種類の増感色素を使用する方法と複数種類の増感色素を併用する方法のいずれの方法も可能で、たとえば、太陽電池用の光電変換素子は光電変換可能な波長域を広く確保するため、吸収波長の異なる複数の色素を併用する方法が好ましい。増感色素を溶解させる溶媒は、増感色素を溶解する一方で、半導体を溶解させたり反応するものでなければよく、公知の有機溶媒の使用が可能である。この様な有機溶媒としては、たとえば、以下に挙げるニトリル系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒等がある。これらの溶媒を単独あるいは複数種類併用することが可能である。aニトリル系溶媒;アセトニトリル等bアルコール系溶媒;メタノール、エタノール、n-プロパノール等cケトン系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン等dエーテル系溶媒;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等eハロゲン化炭化水素系溶媒;塩化メチレン、1,1,2-トリクロロエタン等上記溶媒の中でも、アセトニトリル、アセトニトリル/メタノール混合溶媒、メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、塩化メチレンが好ましい。増感色素を含有する溶液への浸漬時間は、半導体層に溶液を深く進入させて半導体への吸着を十分に進行させて半導体を十分に増感させるため、たとえば、25°Cの温度下で3時間から48時間行うことが好ましく、4時間から24時間行うことがより好ましい。また、含有する増感色素が分解しない限り溶液を加熱することも可能で、たとえば、溶液の温度を25°Cから80°Cに設定して行うことも可能である。以上の手順により光電変換層6を作製することが可能である。3正孔輸送層の形成本発明では、前述した方法により、正孔輸送物質として導電性高分子を含有する正孔輸送層7を形成することが可能であり、形成された正孔輸送層7は、光電変換層6に浸透する様に形成されている。4第2電極の形成第2電極は、正孔輸送層の上面に形成される。第2電極は、たとえば、金等で構成される第2電極材料を、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等の公知の方法を用いて形成することが可能である。5紫外線吸収層の形成本発明では、光電変換層6に対して光を入射させる側に380nm以下の波長光を吸収させる紫外線吸収層3を設けるもので、ここでいう光が入射する側とは基体1や第1電極2が設けられている側のことである。紫外線吸収層3を設ける具体的な方法としては、たとえば、基体1に380nm以下の波長光を吸収する領域を設ける方法がある。すなわち、市販の紫外線吸収フィルムを基体1へ貼付する方法や基体1へ市販の紫外線吸収塗料を塗布する方法により形成が可能である。また、紫外線を吸収する性質を有するベンゾフェノン系化合物やベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾエート系化合物、トリアジン系化合物を含有させたセルロースアセテート樹脂等の透明性を有する樹脂溶液を基体1に塗布することで形成することも可能である。6加熱処理の実施本発明に係る光電変換素子を作製する際の好ましい形態として、少なくとも、光電変換層と正孔輸送層を形成した後に加熱処理を施して光電変換素子を作製する方法が挙げられる。この加熱処理を行って作製された光電変換素子は、光電変換効率の経時低下が発生せず、光電変換効率を長期にわたり安定維持することを可能にしている。上記加熱処理を施した光電変換素子が、初期の光電変換効率を長期にわたり安定維持する様になる理由は明らかではないが、以下の様に考えられる。すなわち、加熱処理時の熱エネルギーにより、正孔輸送層を形成する導電性高分子鎖同士はより一層緻密な配列状態を形成するものと考えられる。そして、導電性高分子鎖が高密度配列していることにより、太陽光を受ける機会が長くなっても導電性高分子鎖の分子運動抑制が維持されているので、初期の光電変換効率が長期にわたり安定維持されるものと考えられる。また、導電性高分子鎖の密度が高くなっていることにより正孔輸送層の強度も向上していることも、光電変換効率の長期安定維持に寄与しているものと考えられる。なお、当該加熱処理を行う際の処理温度は、70°C以上150°C以下にすることが好ましく、80°C以上120°C以下の温度範囲が特に好ましいものである。以上の工程を経て、本発明に係る光電変換素子を作製することが可能である。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。なお、下記文中に記載の部は質量部を表すものである。1.光電変換素子1~35、比較用光電変換素子1~7の作製1-1.光電変換素子1の作製以下の手順により、図1に示す構成を有する光電変換素子1を作製した。1基体の用意縦30mm、横35mm、厚さ2.5mmの市販のソーダガラス基体を用意し、当該基体を硫酸と過酸化水素水の混合液よりなる85°Cの洗浄液に浸漬して洗浄処理を行うことにより、その表面を清浄化した。2第1電極とバリア層の形成公知の蒸着法の製膜装置を用い、前記ソーダガラス基体上に、縦30mm、横35mm、厚さ1μm、シート抵抗20Ω/□のFTOフッ素ドープ酸化スズよりなる第1電極を形成した。第1電極を形成した基板上にテトラキスイソポロポキシチタン1.2ml及びアセチルアセトン0.8mlをエタノール18mlに溶解した溶液を滴下し、スピンコート法により製膜後、450°Cで8分間加熱して、第1電極上に厚さ40nmの酸化チタン製のバリア層を形成した。3光電変換層の形成次に、前記バリア層とFTO薄膜の第1電極の上面に以下の手順で酸化チタンからなる光電変換層を形成した。すなわち、先ず、アナターゼ型二酸化チタンペースト平均1次粒径18nm顕微鏡観察平均、エチルセルロース分散を、上記バリア層と第1電極を形成した前記ソーダガラス基体上へ塗布面積が25mm2となる様にスクリーン印刷法により塗布した。塗布後、200°Cで10分間及び500°Cで15分間焼成処理を行い、厚さ2.5μmの二酸化チタン薄膜を形成した。当該二酸化チタン薄膜は空隙を有する多孔質構造のものであった。次に、増感色素として、下記構造を有するD149色素三菱製紙株製をアセトニトリル:t-ブチルアルコール=1:1の混合溶媒に溶解させて5×10-4モル/リットルの溶液を調製した。上記二酸化チタンを塗布、焼結した前記ガラス基体を上記溶液に室温で3時間浸漬して上記色素を吸着させて増感処理を行った。この様にして光電変換層を形成した。4正孔輸送層の形成前記光電変換層を形成したガラス基体を、M1-10.01モル/リットルLiCF3SO22N0.1モル/リットルのアセトニトリル溶液に浸漬し、電解重合を行うことにより、前記光電変換層上に溶媒に不溶の導電性高分子を含有する正孔輸送層を形成した。上記電解重合は、作用極に前記第1電極、対極に白金線、参照電極にAg/AgAgNO30.01モルを使用し、保持電圧を-0.16Vとした。そして、光電変換層方向より光照射光源にキセノンランプ使用、光強度22mW/cm2、430nm以下の波長光をカットを行いながら、30分間電圧を保持するものである。上記手順で正孔輸送層を形成後、前記ガラス基体をアセトニトリルで洗浄、乾燥処理した。その後、LiCF3SO22N1.5×10-2モル/リットルt-ブチルピリジン5×10-2モル/リットルを含有するアセトニトリル溶液に10分間浸漬処理した後、自然乾燥させて正孔輸送層を作製した。5第2電極と紫外線吸収層の形成次に、前記正孔輸送層上へ真空蒸着法により金を厚さ60nmとなる様に蒸着させて第2電極を形成した。さらに、前記ガラス基体の第1電極を形成していない側の面に市販の紫外線吸収フィルムスコッチテントウィンドフィルムRE87CLIS住友スリーエム株式会社製JISA5759測定による紫外線透過率0を貼付して紫外線吸収層を形成した。以上の手順により、図1に示す構造を有する光電変換素子1を作製した。1-2.光電変換素子2~35の作製1光電変換素子2~27の作製前記光電変換素子1の作製で、正孔輸送層を形成する際に使用した化合物M1-1に代えて、下記表1に示す化合物を使用して正孔輸送層を形成した他は同じ手順で光電変換素子2~27を作製した。2光電変換素子28、29の作製また、前記光電変換素子3の作製で、前記ガラス基体へ紫外線吸収フィルムを貼付せず、紫外線カット機能を有する市販のフッ素樹脂コーティング材オブリガードAGCコーテック株製を塗布して紫外線吸収層を形成した。その他は同じ手順を採り光電変換素子28を作製した。また、前記光電変換素子1の作製で、前述のソーダガラス製の基体に代えて市販の紫外線カットガラスUVベール旭硝子株製を用い、その他は同じ手順を採り光電変換素子29を作製した。3光電変換素子30~35の作製また、前記光電変換素子3の作製で、前記ガラス基体へ紫外線吸収フィルムを貼付せず、当該個所へ下記化合物を含有する塗布液を塗布、乾燥させて、前記紫外線吸収フィルムと同じ厚さの紫外線吸収層を設けた。その他は同じ手順を採り、アセテートフィルム中にベンゾフェノン系化合物の1つである2-ヒドロキシ-4-メトキシベンゾフェノンを含有する紫外線吸収層を有する光電変換素子30を作製した。塗布液組成セルローストリアセテート酸化度61.0100質量部トリフェニルホスフェート12質量部2-ヒドロキシ-4-メトキシベンゾフェノン1質量部メチレンクロライド430質量部メタノール90質量部上記塗布液は上記組成物を密閉容器に投入し、加圧下で80°Cに保温し、撹伴しながら完全に溶解させた後、ろ過処理を行って形成したものである。また、前記光電変換素子30の作製で、上記塗布液の作製で使用した2-ヒドロキシ-4-メトキシベンゾフェノンを2-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル-4-t-ブチルフェノールに変更して塗布液を作製した。その他は同じ手順を採り、アセテートフィルム中にベンゾトリアゾール系化合物の1つである2-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル-4-t-ブチルフェノールを含有する紫外線吸収層を設けた光電変換素子31を作製した。また、前記光電変換素子30の作製で、上記塗布液の作製で使用した2-ヒドロキシ-4-メトキシベンゾフェノンを2,4-ジ-t-ブチルフェニル-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンゾエートに変更して塗布液を作製した。その他は同じ手順を採り、アセテートフィルム中にベンゾエート系化合物の1つである2,4-ジ-t-ブチルフェニル-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンゾエートを含有する紫外線吸収層を設けた光電変換素子32を作製した。また、前記光電変換素子30の作製で、上記塗布液の作製で使用した2-ヒドロキシ-4-メトキシベンゾフェノンを2-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル-5-ヘキシルオキシフェノールに変更して塗布液を作製した。その他は同じ手順を採り、アセテートフィルム中にトリアジン系化合物の1つである2-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル-5-ヘキシルオキシフェノールを含有する紫外線吸収層を設けた光電変換素子33を作製した。また、前記光電変換素子30の作製で、上記塗布液の作製で使用した2-ヒドロキシ-4-メトキシベンゾフェノンに代えて、市販の酸化亜鉛粒子FINEX-30S-LP2堺化学工業株製を用いて塗布液を作製した。その他は同じ手順を採り、アセテートフィルム中に酸化亜鉛を含有する紫外線吸収層を設けた光電変換素子34を作製した。さらに、前記光電変換素子30の作製で、上記塗布液の作製で使用した2-ヒドロキシ-4-メトキシベンゾフェノンに代えて、市販の酸化チタン粒子STR-60C-LP堺化学工業株製を用いて塗布液を作製した。その他は同じ手順を採り、アセテートフィルム中に酸化チタンを含有する紫外線吸収層を設けた光電変換素子35を作製した。1-3.比較用光電変換素子1~7の作製1比較用光電変換素子1~3の作製前記光電変換素子1の作製で、正孔輸送層の形成を以下の手順で行った他は同じ手順を採り、比較用光電変換素子1を作製した。すなわち、正孔輸送物質に下記に示す芳香族アミン化合物A2を用い、これをテトラヒドロフランに溶解させて正孔輸送層形成用塗布液を調製しておく。次に、当該正孔輸送層形成用塗布液を、前述した光電変換層の上面にスピンコート法により塗布し、10分間真空乾燥処理を行うことにより、テトラヒドロフランを除去して正孔輸送層を形成する。なお、前記正孔輸送層形成用塗布液の塗布はスピンコートの回転数を500rpmに設定して行った。また、上記比較用光電変換素子1の作製で、正孔輸送層形成用塗布液を調製する際に使用する芳香族アミン化合物A2を下記に示す芳香族アミン化合物A22に変更した他は同じ手順を採り比較用光電変換素子2を作製した。さらに、正孔輸送層形成用塗布液を調製する際に使用する芳香族アミン化合物A2を下記に示す芳香族アミン化合物A26に変更した他は同じ手順を採り比較用光電変換素子3を作製した。なお化合物A26は2,2′,7,7′-テトラキスN,N-ジ-p-メトキシフェニルアミン9,9′-スピロビフルオレンと呼ばれるものである。2比較用光電変換素子4の作製前記光電変換素子1の作製で、正孔輸送層を形成する際に使用した化合物M1-1に代えて下記に示す化合物T1を使用して正孔輸送層を形成した他は同じ手順で比較用光電変換素子4を作製した。なお、比較用光電変換素子4の正孔輸送層は化合物T1を重合して下記構造の重合体を含有するものである。3比較用光電変換素子5~7の作製前記光電変換素子1、10、19を作製する際、前記ガラス基体への前記紫外線吸収フィルムを貼付しない他は同じ手順で比較用光電変換素子5~7を作製した。以上の手順により、光電変換素子1~35と比較用光電変換素子1~7を作製した。なお。上記各光電変換素子と比較用光電変換素子を作製する際に使用した正孔輸送材料用化合物と紫外線吸収層形成方法を下記表1に示す。2.評価実験上記手順で作製した光電変換素子1~35と比較用光電変換素子1~7について、光電変換効率の安定維持性能を以下の様に評価した。すなわち、上記各光電変換素子の光電変換効率ηを下記方法により測定、算出する。次に、当該各光電変換素子を85°Cに加熱しオーブン内へ投入し、5時間放置して加熱処理を施す。そして、加熱処理実施後の各光電変換素子の光電変換効率η′を測定、算出し、前記加熱処理前後における光電変換効率ηの低下率を算出して評価する。ここで、上記手順により加熱処理前後に光電変換効率ηを測定し、光電変換効率ηの低下率を算出したものを実施例1~33及び比較例1~7とした。また、光電変換素子2を用い、加熱処理温度を70°C、120°C、150°C、170°Cの加熱処理温度で処理を行ったものを実施例34~37とした。各光電変換素子の光電変換効率η及びη′は以下の手順で測定、算出する。すなわち、市販のソーラシミュレータWXS-85-H株ワコム電創製により形成される照射強度100mW/cm2の擬似太陽光を室温環境温度20°C下で各光電変換素子に照射する。前記擬似太陽光は、前記ソーラシミュレータによりキセノンランプ光をAMフィルタAM1.5に通過させて形成されるものである。ここで、前記擬似太陽光照射時における各光電変換素子の電流-電圧特性を市販のI-Vテスタを用いて測定し、短絡電流値Iscと開放電圧Voc、及び、電流-電圧特性グラフより形状係数FFを算出する。これらの値を後述する計算式に代入することにより光電変換効率ηが算出される。なお、前記加熱処理はオーブン内を暗所にして行う。なお、上記開放電圧Vocとは、光電変換素子に電圧負荷をかけて電流が流れなくなるときの電圧値のことであり、上記短絡電流値Iscとは、光電変換素子に電圧負荷をかけていない状態の時に流れる電流値のことである。また、上記形状係数FFは、後述する光電変換効率を測定する際に得られる電圧-電流特性グラフに示される軌跡を数値で示したもので、照射強度Pmaxを短絡電流値Iscと開放電圧Vocの積で除して得られる値である。図2に形状係数FFの算出式、形状係数FFが1.00のとき及び1.00未満のときの電圧-電流特性グラフの軌跡の例を示す。また、光電変換効率ηは、下記式より算出されるものである。すなわち、照射強度Pmax、各光電変換素子の短絡電流をIscmA/cm2、開放電圧をVocV、形状係数をFFとすると、光電変換効率ηは下記式より算出される。すなわち、η=Isc×Voc×FF/Pmax×100となる。加熱処理後の光電変換効率η′も同様に上記式より算出される。なお、本評価では、前記ソーラシミュレータより照射強度Pmaxが100mW/cm2の疑似太陽光を照射している。そして、加熱処理前後での光電変換効率の低下率Δηは下記式より算出される。すなわち、Δη=η-η′/η×100本評価では、加熱処理前の光電変換効率η及び加熱処理後の光電変換効率η′がいずれも4.00以上であり、かつ、光電変換効率の低下率Δηが0.50以下であるものを合格とした。以上の結果を下記表2に示す。表2に示す様に、正孔輸送材料に導電性高分子を用いるとともに380nm以下の波長光吸収領域を有する光電変換素子を評価した実施例1~35は、いずれも高い光電変換効率を有するものであることが確認された。特に、嵩高な側鎖を有する化合物を重合して形成したポリチオフェン類を正孔輸送物質として用いているものは特に高い光電変換効率を発現するものであることが確認された。また、85°Cの加熱処理を実施した後も高い光電変換効率を発現し、光電変換効率を高レベルで安定維持するものであることが確認された。さらに、実施例36~39からも加熱処理の実施により光電変換効率を高レベルで安定維持するものであることが確認された。一方、本発明で規定する正孔輸送物質よりも分子量の小さな固体の正孔輸送物質を用いた比較例1~3は、初期は良好な光電変換効率が得られるが加熱処理後は光電変換効率が大幅に低下した。また、本発明で規定する構造を有さないポリチオフェンを正孔輸送物質に用いた比較例4は、実施例1~39に比べて光電変換効率が大幅に低いものになった。さらに、紫外線吸収層を有さない比較例5~7は、同じ正孔輸送物質を使用した実施例1、10、19で得られるレベルの光電変換効率を得ることができなかった。"