酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングしてパターニングする方法であって、前記酸化亜鉛系薄膜が、酸化亜鉛を主成分とし、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ti/ZnTiが0.02を超え0.1以下の薄膜であることを特徴とするパターニング方法。前記酸化亜鉛系薄膜が、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを膜形成材料として成膜されたものである、請求項1に記載のパターニング方法。前記チタンは、式TiO2XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタン由来のチタンである、請求項2に記載のパターニング方法。前記低原子価酸化チタンは、2価のチタンからなる酸化チタンTiOまたは3価のチタンからなる酸化チタンTi2O3である請求項3に記載のパターニング方法。前記酸化亜鉛系薄膜が真空成膜法により成膜された膜である、請求項1~4のいずれかに記載のパターニング方法。前記真空成膜法がスパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジション法PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法である、請求項5に記載のパターニング方法。しかしながら、特許文献1で開示されている酸化亜鉛系薄膜では、エッチングレートの抑制効果が不充分でエッチングレートを確実に制御することが困難になる場合があり、しかも、この薄膜をITO膜に代替する導電性膜として利用しようとする場合、その導電性は必ずしも満足しうるレベルではなかった。そこで、本発明の課題は、酸化亜鉛系薄膜をパターニングする際のエッチングレートが充分に低く、エッチングレートを容易かつ確実に制御することが可能であり、良好なパターン形状を有するとともに導電性も高い酸化亜鉛系薄膜を得ることができるパターニング方法を提供することにある。本発明者は、前記課題を解決するべく鋭意検討を行った結果、酸化亜鉛を主成分とする酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングしてパターニングするにあたり、この薄膜にチタンを原子数比でTi/ZnTi=0.02超0.1以下となるように含有させておくことにより、エッチングレートを大幅に低下させることができるとともに、膜の導電性も高まることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、以下の構成からなる。1酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングしてパターニングする方法であって、前記酸化亜鉛系薄膜が、酸化亜鉛を主成分とし、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ti/ZnTiが0.02を超え0.1以下の薄膜であることを特徴とするパターニング方法。2前記酸化亜鉛系薄膜が、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを膜形成材料として成膜されたものである、前記1に記載のパターニング方法。3前記チタンは、式TiO2XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタン由来のチタンである、前記2に記載のパターニング方法。4前記低原子価酸化チタンは、2価のチタンからなる酸化チタンTiOまたは3価のチタンからなる酸化チタンTi2O3である前記3に記載のパターニング方法。5前記酸化亜鉛系薄膜が真空成膜法により成膜された膜である、前記1~4のいずれかに記載のパターニング方法。6前記真空成膜法がスパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジション法PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法である、前記5に記載のパターニング方法。本発明によれば、良好なパターン形状を有するとともに導電性も高い酸化亜鉛系薄膜を得ることができる。詳しくは、本発明によれば、酸化亜鉛系薄膜をパターニングする際のエッチングレートが充分に低いので、エッチングレートを制御しやすく、その結果、所望の形状のパターンを容易かつ確実に形成することができる。また、本発明で得られるパターニングされた酸化亜鉛系薄膜は、高い導電性を有するものであり、希少金属であり毒性を有するインジウムを必須とするITO膜の代替導電性膜として好適に利用できる。本発明のパターニング方法は、特定組成の酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングしてパターニングする方法である。以下、この特定組成の酸化亜鉛系薄膜について、詳細に説明する。本発明における酸化亜鉛系薄膜は、酸化亜鉛を主成分とし、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ti/ZnTiが0.02を超え0.1以下の薄膜である。詳しくは、この酸化亜鉛系薄膜は、チタンが酸化亜鉛のウルツ鉱の結晶構造の亜鉛サイトに置換固溶したものある。ここで、主成分となる酸化亜鉛は、膜を構成する全原子の99以上を占めることが好ましい。具体的には、前記酸化亜鉛系薄膜は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工してなるターゲットを膜形成材料として成膜されるのが好ましい。ここで、実質的とは、酸化物焼結体を構成する全原子の99以上が亜鉛、チタンおよび酸素からなることを意味する。前記酸化亜鉛系薄膜中に含まれるチタンの含有量は、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ti/ZnTiは0.02を超え0.1以下である。Ti/ZnTiの値が0.02以下であると、チタンのドープ効果が不充分となり、エッチングレートを充分に低く抑えることができず、膜の導電性も不充分となる。一方、Ti/ZnTiの値が0.1を超えると、チタンが亜鉛サイトに固溶できずに結晶性が低下し、不純物散乱要因となって移動度が低下し、その結果、導電性が低下することになる。好ましくはTi/ZnTiは0.025~0.09であり、より好ましくはTi/ZnTiは0.03~0.08である。酸化物焼結体本発明における酸化物焼結体は、酸化亜鉛相とチタン酸亜鉛化合物相とから構成されるか、または、チタン酸亜鉛化合物相から構成されることが好ましい。このように酸化物焼結体中にチタン酸亜鉛化合物相が含まれていると、酸化物焼結体自体の強度が増すので、例えばターゲットとして過酷な条件高電力などで成膜してもクラックを生じることがない。なお、ここで、チタン酸亜鉛化合物相とは、具体的には、ZnTiO3、Zn2TiO4のほか、これらの亜鉛サイトにチタン元素が固溶されたものや、酸素欠損が導入されているものや、Zn/Ti比がこれらの化合物から僅かにずれた非化学量論組成のものも含むものとする。また、酸化亜鉛相とは、具体的には、ZnOのほか、これにチタン元素が固溶されたものや、酸素欠損が導入されているものや、亜鉛欠損により非化学量論組成となったものも含むものとする。なお、酸化亜鉛相は、通常、ウルツ鉱型構造をとる。本発明における酸化物焼結体は、実質的に酸化チタンの結晶相以下、酸化チタン相という場合があるを含有しないことが好ましい。酸化物焼結体に酸化チタンの結晶相が含まれていると、得られる膜が、比抵抗のなどの物性にムラがあり均一性に欠けるものとなるおそれがある。本発明における酸化物焼結体は、上述したTi/ZnTiの値が0.1以下であるので、通常、チタンが酸化亜鉛に完全に反応し、酸化物焼結体中に酸化チタン結晶相は生成されにくい。なお、酸化チタンの結晶相とは、具体的には、TiO2、Ti2O3、TiOのほか、これらの結晶にZnなど他の元素が固溶された物質も含むものとする。本発明における酸化物焼結体は、ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウム、ハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素以下、これらを添加元素と称することもあるをも含有することが好ましい。このような添加元素を含有することによって、この酸化物焼結体をターゲットとして形成される膜の比抵抗に加え、酸化物焼結体自体の比抵抗も低下させることができる。例えば直流スパッタリング時の成膜速度は、スパッタリングターゲットとする酸化物焼結体の比抵抗に依存し、酸化物焼結体自体の比抵抗を下げることにより、成膜時の生産性を向上させることができる。添加元素を含有する場合、その全含有量は、原子比で、酸化物焼結体を構成する全金属元素の総量に対して0.05以下であることが好ましい。添加元素の含有量が前記範囲よりも多いと、酸化物焼結体をターゲットとして形成される膜の比抵抗が増大するおそれがある。前記添加元素は、酸化物の形態で酸化物焼結体中に存在していてもよいし、前記酸化亜鉛相の亜鉛サイトに置換した固溶した形態で存在していてもよいし、前記チタン酸亜鉛化合物相のチタンサイトおよび/または亜鉛サイトに置換した固溶した形態で存在していてもよい。本発明における酸化物焼結体は、必須元素である亜鉛およびチタンや前記添加元素のほかに、例えば、インジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウムなどの他の元素を、不純物として含有していてもよい。不純物として含有される元素の合計含有量は、原子比で、酸化物焼結体を構成する全金属元素の総量に対して0.5以下であることが好ましい。本発明における酸化物焼結体の比抵抗は、5kΩcm以下であることが好ましい。例えば直流スパッタリング時の成膜速度は、スパッタリングターゲットとする酸化物焼結体の比抵抗に依存するので、酸化物焼結体の比抵抗が5kΩcmを超えると、直流スパッタで安定的な成膜を行えないおそれがある。成膜時の生産性を考慮すると、本発明における酸化物焼結体の比抵抗は低いほど好ましく、具体的には100Ωcm以下であるのがよい。以上のような本発明における酸化物焼結体は、後述する本発明における酸化物焼結体の製造方法によって好ましく得られるが、該製造方法により得られたものに限定されるわけではない。例えば、チタン金属と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉とを組み合わせたものや、酸化チタンと亜鉛金属とを組み合わせたものを原料粉末として得られたものであってもよい。通常、酸化物焼結体を還元雰囲気にて焼結した場合は、酸素欠損の導入により、酸化物焼結体の比抵抗は低くなり、酸化雰囲気にて焼結した場合は、比抵抗は高くなる。酸化物焼結体の製造方法本発明における酸化物焼結体の製造方法は、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉及び/またはチタン酸亜鉛化合物粉を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を焼結することにより、上述した本発明における酸化物焼結体を得る方法である。前記原料粉末としては、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉か、またはチタン酸亜鉛化合物粉を含むものであればよく、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、チタン酸亜鉛化合物粉との混合粉であってもよい。好ましくは、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を含むものがよい。上述したように、例えば、チタン金属と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉とを組み合わせたものや、酸化チタンと亜鉛金属とを組み合わせたものを原料粉末としても、本発明における酸化物焼結体は得られるが、その場合、酸化物焼結体中にチタンや亜鉛の金属粒が存在しやすくなり、これをターゲットとして成膜すると、成膜中にターゲット表面の金属粒が溶融してしまいターゲットから放出されず、得られる膜の組成とターゲットの組成とが大きく異なる傾向がある。前記酸化チタン粉としては、4価のチタンからなる酸化チタンTiO2、3価のチタンからなる酸化チタンTi2O3、2価のチタンからなる酸化チタンTiO等の粉末を用いることができ、なかでも、TiO2IVを含まない低原子価酸化チタンの粉末が好ましく、特にTi2O3の粉末を用いるのが好ましい。なぜなら、Ti2O3の結晶構造は三方晶であり、これと混合する酸化亜鉛は六方晶のウルツ鉱であるため、結晶構造の対称性が一致し、固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。低原子価酸化チタンとは、TiOII、Ti2O3IIIという整数の原子価を有するものばかりでなく、Ti3O5、Ti4O7、Ti6O11、Ti5O9、Ti8O15等も含む、式TiO2XX=0.1~1で表されるものである。この低原子価酸化チタンの構造は、X線回折装置X-raydiffraction、XRD、X線光電子分光装置X-rayPhotoelectronSpectroscopy、XPSなどの機器分析の結果によって確認することができる。前記式TiO2XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタンは、低原子価酸化チタンの混合物であってもよい。通常、酸化チタンTiO2を水素雰囲気等の還元雰囲気にて、還元剤としてカーボン等を用いて、加熱することにより作製することができる。水素濃度、還元剤としてカーボン量、加熱温度を調製することにより、低原子価酸化チタンの混合物の割合を制御することができる。前記酸化亜鉛粉としては、通常、ウルツ鉱構造のZnO等の粉末が用いられ、さらにこのZnOを予め還元雰囲気で焼成して酸素欠損を含有させたものを用いてもよい。前記水酸化亜鉛粉としては、アモルファスもしくは結晶構造のいずれであってもよい。前記チタン酸亜鉛化合物粉としては、例えば、ZnTiO3、Zn2TiO4等の粉末を用いることができ、特に、Zn2TiO4の粉末を用いるのが好ましい。原料粉末として各々用いる化合物粉の平均粒径は、それぞれ5μm以下であることが好ましい。前記原料粉末として酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を用いる場合、もしくは酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、チタン酸亜鉛化合物粉との混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物粉の種類に応じて、最終的に得られる酸化物焼結体において原子数比でTi/ZnTiの値が上述した範囲となるように適宜設定すればよい。その際、亜鉛はチタンに比べて蒸気圧が高く焼結した際に揮散しやすいことを考慮して、所望する酸化物焼結体の目的組成ZnとTiとの原子数比よりも、予め亜鉛の量が多くなるように混合割合を設定しておくことが好ましい。具体的には、亜鉛の揮散のしやすさは、焼結する際の雰囲気によって異なり、例えば、酸化亜鉛粉を用いた場合、大気雰囲気や酸化雰囲気では酸化亜鉛粉自体の揮散しか起こらないが、還元雰囲気で焼結すると、酸化亜鉛が還元されて、酸化亜鉛よりもさらに揮散しやすい金属亜鉛となるので、亜鉛の消失量が増すことになるのであるただし、後述のように、一旦焼結した後、還元雰囲気中でアニール処理を施す場合には、アニール処理を施す時点で既に複合酸化物となっているので、亜鉛が揮散しにくい。したがって、目的組成に対してどの程度亜鉛の量を増やしておくかについては、焼結の雰囲気などを考慮して設定すればよく、例えば、大気雰囲気や酸化雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の1.0~1.05倍程度、還元雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の1.1~1.3倍程度とすればよい。なお、原料粉末として各々用いる化合物粉は、それぞれ1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。前記原料粉末を成形する際の方法は、特に制限されるものではないが、例えば、原料粉末と水系溶媒とを混合し、得られたスラリーを充分に湿式混合により混合した後、固液分離乾燥造粒し、得られた造粒物を成形すればよい。湿式混合は、例えば、硬質ZrO2ボール等を用いた湿式ボールミルや振動ミルにより行なえばよく、湿式ボールミルや振動ミルを用いた場合の混合時間は、12~78時間程度が好ましい。なお、原料粉末をそのまま乾式混合してもよいが、湿式混合の方がより好ましい。固液分離乾燥造粒については、それぞれ公知の方法を採用すればよい。得られた造粒物を成形する際には、例えば、造粒物を型枠に入れ、冷間プレスや冷間静水圧プレスなどの冷間成形機を用いて1ton/cm2以上の圧力をかけて成形することができる。このとき、ホットプレスなどを用いて熱間で成形を行うと、製造コストの面で不利となるとともに、大型焼結体が得にくくなる。なお、成形体として造粒物を得る際には、乾燥後、公知の方法で造粒すればよいのであるが、その場合、原料粉末とともにバインダーも混合することが好ましい。バインダーとして、例えば、ポリビニルアルコール、酢酸ビニル等を用いることができる。得られた成形体の焼結は、不活性雰囲気窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン等、真空、還元雰囲気二酸化炭素、水素、アンモニア等、大気雰囲気および酸化雰囲気大気よりも酸素濃度が高い雰囲気のいずれかの雰囲気中、600~1500°Cで行なう。そして、大気雰囲気あるいは酸化雰囲気中で焼結した場合には、その後さらに不活性雰囲気、真空中または還元雰囲気中でアニール処理を施すようにする。この大気雰囲気中あるいは酸化雰囲気中で焼結した後に施す還元雰囲気中でのアニール処理は、酸化物焼結体に酸素欠損を生じさせ、比抵抗を低下させるために行なうものである。したがって、大気雰囲気中または還元雰囲気中で焼結した際にも、さらなる比抵抗の低下を所望する場合には、焼結後、前記アニール処理を施すのが好ましいことは言うまでもない。いずれの雰囲気中で焼結する際も、焼結温度は600~1500°C、好ましくは1000~1300°Cとする。焼結温度が600°C未満であると、焼結が充分に進行しないので、ターゲット密度が低くなり、一方、1500°Cを超えると、酸化亜鉛自体が分解して消失してしまうこととなる。なお、成形体を前記焼結温度まで昇温する際には、昇温速度を、600°Cまでは5~10°C/分とし、1000°Cを超え1500°Cまでは1~4°C/分とすることが、焼結密度を均一にするうえで好ましい。いずれの雰囲気中で焼結する際も、焼結時間すなわち、焼結温度での保持時間は、3~15時間とすることが好ましい。焼結時間が3時間未満であると、焼結密度が不充分となりやすく、得られる酸化物焼結体の強度が低下する傾向があり、一方、15時間を超えると、焼結体の結晶粒成長が著しくなるとともに、空孔の粗大化、ひいては最大空孔径の増大化を招く傾向があり、その結果、焼結密度が低下するおそれがある。焼結を行なう際の方法は、特に制限されるものではなく、常圧焼成法、ホットプレス法、熱間等方圧加圧法HIP法、冷間等方圧加圧法CIP法、ミリ波焼結法、マイクロ波焼結法など公知の方法を採用することができる。前記アニール処理を施す際の雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気ならびに真空が挙げられる。前記アニール処理の方法としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、水素などの非酸化性ガスを導入しながら常圧で加熱する方法や、真空好ましくは、2Pa以下下で加熱する方法等により行うことができるが、製造コストの観点からは、前者の常圧で行う方法が有利である。前記アニール処理を施すに際し、アニール温度加熱温度は、1000~1400°Cとするのが好ましく、より好ましくは1100~1300°Cとするのがよい。アニール時間加熱時間は、7~15時間とするのが好ましく、より好ましくは8~12時間とするのがよい。アニール温度が1000°C未満であると、アニール処理による酸素欠損の導入が不充分になるおそれがあり、一方、1400°Cを超えると、亜鉛が揮散しやすくなり、得られる酸化物焼結体の組成ZnとTiとの原子数比が所望の比率と異なってしまうおそれがある。酸化物混合体本発明における酸化物混合体は、酸化亜鉛粉末と酸化チタン粉末とからなる。すなわち、本発明における酸化物混合体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなるチタンドープ酸化亜鉛の混合体である。ここで、実質的とは、酸化物混合体を構成する全原子の99以上が亜鉛、チタンおよび酸素からなることを意味する。本発明における酸化物混合体においては、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ti/ZnTiは0.02を超え0.1以下である。このTi/ZnTiの値が0.02以下となるチタン含有量であると、この酸化物混合体をターゲットとして形成された膜の耐薬品性など化学的耐久性が不充分となる。好ましくはTi/ZnTiは0.03~0.09であり、より好ましくはTi/ZnTiは0.04~0.08である。酸化チタン粉末としては、TiO2IVを含まない低原子価酸化チタンの粉末、特に酸化チタンIIIが好ましい。酸化亜鉛粉末は、通常、ウルツ鉱型構造をとる。本発明における酸化物混合体は、酸化亜鉛粉末と酸化チタン粉末とを混合し、これを成形、例えば一軸プレス成形等したものである。酸化物混合体の機械的強度を増すために、成形した酸化物混合体を600°C以下で加熱してもよい。酸化亜鉛と酸化チタンは600°C未満であれば、焼結して複合酸化物が生成することはない。なお、低原子価酸化チタンは上述の通りであり、低原子価酸化チタンの混合物を用いてもよい。但し、酸化チタンIIIは酸素が存在する雰囲気中大気雰囲気、酸化雰囲気で、400°C以上に加熱されると酸化され、酸化チタンIVに変化してしまうが、酸素が存在しない還元雰囲気、不活性雰囲気で、加熱温度が600°C未満であれば、焼結せずに混合体として存在することができる。なお、酸素が存在する雰囲気酸化雰囲気、大気雰囲気であれば、400°C以下である必要がある。このように加熱することにより酸化物混合体の機械的強度を高くすることができる。混合体自体の強度が増すので、例えばターゲットとして過酷な条件高電力などで成膜してもクラックを生じることがない。本発明における酸化物混合体は、酸化亜鉛相と酸化チタン相とから構成されることが好ましい。酸化チタンが低原子価である、チタンIII、チタンIIを含む、前述した低原子価酸化チタンの状態で、あることが重要である。焼結してもよいが、チタン酸亜鉛化合物相との複合酸化物が生成しないことが重要である。ここで、チタン酸亜鉛化合物相、酸化亜鉛相および酸化チタン相とは、前記した酸化物焼結体で例示したものと同様のものが挙げられる。本発明における酸化物混合体は、前記した酸化物焼結体と同様に、ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウム、ハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の添加元素を、酸化物混合体を構成する全金属元素の総量に対して0.05以下で含有していてもよい。また、本発明における酸化物混合体は、前記した酸化物焼結体と同様に、インジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウムなどの他の元素を、不純物として、酸化物混合体を構成する全金属元素の総量に対して原子比で0.5以下含有していてもよい。酸化物混合体の製造方法本発明における酸化物混合体の製造方法は、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を成形することにより、上述した本発明における酸化物混合体を得る方法である。前記原料粉末としては、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉であればよく、好ましくは、該混合粉を含むものがよい。これらの酸化チタン粉、酸化亜鉛粉および水酸化亜鉛粉としては、前記した酸化物焼結体と同様のものを使用することができる。前記原料粉末として酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を用いる場合、もしくは酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物粉の種類に応じて、最終的に得られる酸化物混合体において原子数比でTi/ZnTiの値が上述した範囲となるように適宜設定すればよい。前記原料粉末を成形する際の方法は、特に制限されるものではないが、例えば、原料粉末と水系溶媒とを混合し、得られたスラリーを充分に湿式混合により混合した後、固液分離乾燥造粒し、得られた造粒物を成形すればよい。湿式混合は、例えば、硬質ZrO2ボール等を用いた湿式ボールミルや振動ミルにより行なえばよく、湿式ボールミルや振動ミルを用いた場合の混合時間は、12~78時間程度が好ましい。なお、原料粉末をそのまま乾式混合してもよいが、湿式混合の方がより好ましい。固液分離乾燥造粒については、それぞれ公知の方法を採用すればよい。得られた造粒物を成形する際には、例えば、造粒物を型枠に入れ、冷間プレスや冷間静水圧プレスなどの冷間成形機を用いて1ton/cm2以上の圧力をかけて成形することができる。このとき、ホットプレスなどを用いて熱間で成形を行うと、製造コストの面で不利となるとともに、大型成形体が得にくくなる。得られた成形体は、ついで加熱してアニール処理するのが酸化物混合体の機械的強度を高くするうえで好ましい。アニールは、不活性雰囲気窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン等、真空、還元雰囲気二酸化炭素、水素、アンモニア等、大気雰囲気および酸化雰囲気大気よりも酸素濃度が高い雰囲気のいずれかの雰囲気中、50°C以上600°C未満で行なう。そして、酸化雰囲気または大気雰囲気中でアニールした場合、400°C以下で行うことが望ましい。これは、TiO、Ti2O3がTiO2に酸化されてしまうからである。酸化チタンとしてTiO2を用いた場合、600°C以下であれば、大気雰囲気、還元雰囲気どちらでも構わない。アニールすることにより、混合成形体の機械的強度を高めることができる。いずれの雰囲気中でアニールする際も、アニール時間すなわち、アニール温度での保持時間は、1時間~15時間とすることが好ましい。アニール時間が1時間未満であると、機械的強度の向上が十分ではない。アニールを行なう際の方法は、特に制限されるものではなく、常圧アニール法、ホットプレス法、HIP法、CIP法など公知の方法を採用することができる。前記アニール処理を施す際の雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気ならびに真空が挙げられる。前記アニール処理の方法としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、水素などの非酸化性ガスを導入しながら常圧で加熱する方法や、真空好ましくは、2Pa以下下で加熱する方法等により行うことができるが、製造コストの観点からは、前者の常圧で行う方法が有利である。ターゲット本発明におけるターゲットは、例えば、真空成膜法による酸化亜鉛系薄膜の成膜に用いられる。真空成膜法としては、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法、EB蒸着法などの物理的蒸着法;ガスソース分子線エピタキシー法MBE、プラズマ化学気相成長、ミスト化学蒸着法、MOCVD法などの化学的蒸着法等が挙げられ、なかでもスパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法が好ましい。なお、このような成膜の際に用いる固形材料のことをタブレットと称する場合もあるが、本発明においてはこれらを含めターゲットと称することとする。なお、前述した真空蒸着法などの真空成膜法の他、ゾルゲル法等の一般的な成膜方法により成膜することも可能である。本発明におけるターゲットは、上述した本発明における酸化物焼結体または酸化物混合体を所定の形状および所定の寸法に加工してなる。加工方法は、特に制限されず、適宜公知の方法を採用すればよい。例えば、酸化物焼結体または酸化物混合体に平面研削等を施した後、所定の寸法に切断してから、支持台に貼着することにより、本発明におけるターゲットを得ることができる。また、必要に応じて、複数枚の酸化物焼結体または酸化物混合体を分割形状にならべて、大面積のターゲット複合ターゲットとしてもよい。本発明における酸化物焼結体または酸化物混合体もしくは本発明におけるターゲットを用いて形成された酸化亜鉛系薄膜は、優れた導電性と化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐薬品性耐アルカリ性、耐酸性などとを兼ね備えたものであるので、例えば、液晶ディスプレイプラズマディスプレイ無機ELエレクトロルミネセンスディスプレイ有機ELディスプレイ電子ペーパーなどの透明電極、太陽電池の光電変換素子の窓電極、透明タッチパネル等の入力装置の電極、電磁シールドの電磁遮蔽膜等の用途に好適に用いられる。さらに、本発明における酸化物焼結体または酸化物混合体もしくは本発明のターゲットを用いて形成された酸化亜鉛系薄膜は、透明電波吸収体、紫外線吸収体、さらには透明半導体デバイスとして、他の金属膜や金属酸化膜と組み合わせて活用することもできる。酸化亜鉛系薄膜前記酸化亜鉛系薄膜の膜厚は、用途に応じて適宜設定すればよく、特に制限されないが、本発明によりパターニングされた薄膜を酸化亜鉛系薄膜として利用する場合には、好ましくは50~600nm、より好ましくは100~500nmである。50nm未満であると、充分な比抵抗が確保できないおそれがあり、一方、600nmを超えると膜に着色が生じてしまうおそれがある。本発明によりパターニングされた薄膜を酸化亜鉛系薄膜として利用する場合、前記酸化亜鉛系薄膜は、通常、透明基材上に形成される。透明基材は、成膜時に形状を維持しうるものであれば、特に限定されない。例えば、各種ガラス等の無機材料、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂例えば、エポキシ樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、ポリイミドなどのプラスチック類等の樹脂などで形成された板状物、シート状物、フィルム状物等を用いることができるが、特に、ガラス板、樹脂フィルム又は樹脂シートのいずれかであるのが好ましい。透明基材の可視光透過率は、通常、90以上、好ましくは95以上であるのがよい。パターニング方法本発明のパターニング方法においては、以上のような酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングする。本発明において用いることのできるエッチング液は、酸を含むものであれば、特に制限されるものではなく、例えばITO膜など従来の酸化亜鉛系薄膜のパターニングに使用されるエッチング液を用いることができる。酸としては、具体的には、塩酸、硫酸、硝酸、ハロゲン化水素酸例えばヨウ化水素酸や臭化水素酸など、これらの混合物例えば王水など等の無機酸や、シュウ酸、酢酸、ギ酸、プロピオン酸、コハク酸、マロン酸、酪酸、クエン酸等の有機酸が挙げられ、これらを含むエッチング液は、通常、適当な溶媒に溶解させた水溶液として用いられるが、酸そのものであってもよい。また、エッチング液には、例えば、硫酸アンモニウム、塩化第二鉄などの各種塩を溶解させることもできる。エッチング液は、1種のみを用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。前記エッチング液の濃度は、特に制限されるものではなく、所望のエッチングレートになるように、エッチング液の液温や膜の硬化レベル等に応じて、適宜設定すればよい。前記エッチング液の液温は、10~150°Cとすることが好ましく、より好ましくは20~100°Cとするのがよい。エッチング液の液温が10°C未満であると、酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングできなくなるおそれがあり、一方、150°Cを超えると、水等の溶媒が揮発しやすくなり、エッチング液の濃度管理が困難となるおそれがある。前記エッチング液を用いてエッチングを行う際の処理方法には、特に制限はなく、例えば、前記酸化亜鉛系薄膜の上に所望のパターンを有するレジスト膜を形成し、該レジスト膜に覆われていない部分、すなわち該レジスト膜から露出した部分をエッチング液を用いて除去し、その後、レジスト膜を適当な溶剤例えばメチルセロソルブアセテート等を用いて剥離、除去することにより、所望のパターンを形成することができる。レジスト膜の形成や除去、エッチング液による露出部の除去を行う際の具体的な手法や条件については、特に制限はなく、例えば、ITO膜など従来の酸化亜鉛系薄膜に適用されるウェットエッチング処理における手法や条件に準じて適宜行えばよい。本発明によりパターニングされた薄膜は、高い導電性を有するものであり、例えば、前記酸化亜鉛系薄膜を前記透明基材上に形成してパターニングすることにより得られる透明導電性基板は、比抵抗が、通常2×103Ωcm以下、好ましくは8×104Ωcm以下である。また、その表面抵抗シート抵抗は、用途によって異なるが、通常5~10000Ω/□、好ましくは10~300Ω/□であるのが好ましい。本発明によりパターニングされた薄膜は、通常、透明性にも優れるものであり、例えば、前記酸化亜鉛系薄膜を前記透明基材上に形成してパターニングすることにより得られる透明導電性基板は、透過率が、可視光領域で、通常85以上、好ましくは90以上である。また、その全光線透過率は、好ましくは80以上、より好ましくは85以上であり、そのヘイズ値は、好ましくは10以下、より好ましくは5以下である。本発明によりパターニングされた薄膜は、エッチングレートを充分に制御して得られるものであるので、形成されたパターン形状が正確である。かかる薄膜は、例えば、パターン加工が必要な、液晶ディスプレイプラズマディスプレイ無機ELエレクトロルミネセンスディスプレイ有機ELディスプレイ電子ペーパーなどの透明電極、太陽電池の光電変換素子の窓電極、透明タッチパネル等の入力装置の電極、電磁シールドの電磁遮蔽膜、透明電波吸収体、紫外線吸収体として、さらには透明半導体デバイスとして他の金属膜/金属酸化膜と組み合わせて、活用することができる。以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は、かかる実施例により限定されるものではない。なお、得られた透明導電性基板の評価は以下の方法で行なった。<比抵抗>比抵抗は、抵抗率計三菱化学株製LORESTA-GP、MCP-T610を用いて、四端子四探針法により測定した。詳しくは、サンプルに4本の針状の電極を直線上に置き、外側の二探針間に一定の電流を流し、内側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定し、抵抗を求めた。<表面抵抗>表面抵抗は、比抵抗Ωcmを膜厚cmで除することにより算出した。<透過率>透過率は、紫外可視近赤外分光光度計日本分光株製V-670を用いて測定した。実施例1酸化亜鉛粉末ZnO;和光純薬工業株製、特級および酸化チタン粉末Ti2O3;株高純度化学品研究所製、純度99.99を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が92:8となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧500kg/cm2にて成形し、直径80mm、厚さ5mmの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧0.1013MPaのアルゴン雰囲気下、400°Cで3時間アニールして、酸化物混合体1を得た。得られた酸化物混合体1をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=92:8Ti/ZnTi=0.08であった。この酸化物混合体1の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOと酸化チタンTi2O3の結晶相の混合物であった。次に、得られた酸化物混合体1を50mmφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記ターゲットと透明基材石英ガラス基板とをそれぞれ設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの酸化亜鉛系薄膜を形成した。形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=92:8Ti/ZnTi=0.08であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は8.3×104Ωcmであり、表面抵抗は16.6Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均90、赤外領域780nm~2700nmで平均65であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。次に、形成された薄膜を30°Cの1質量クエン酸水溶液に60秒間浸漬させたときの膜厚の減少速度nm/秒を測定することにより、膜のエッチング速度を調べた。なお、膜厚は、触針式膜厚計Tencor社製Alpha-StepIQを用いて測定した。その結果、形成された薄膜のエッチング速度は0.27nm/秒であった。一般に、エッチング速度が0.5nm/秒以下であれば充分に制御可能なレベルであり、この薄膜に対し、前記クエン酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成が可能であった。そして、エッチングレートは容易に制御可能であり、導電性の酸化亜鉛系薄膜パターンが得られた。実施例2酸化亜鉛粉末ZnO;和光純薬工業株製、特級および酸化チタン粉末Ti2O3;株高純度化学研究所製、純度99.99を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が97:3となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧500kg/cm2にて成形し、直径80mm、厚さ5mmの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧1.01325×102kPaのアルゴン雰囲気下、800°Cで4時間焼結して、酸化物焼結体1を得た。得られた酸化物焼結体1をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=97:3Ti/ZnTi=0.03であった。この酸化物焼結体1の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体1を50mmφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記ターゲットと透明基材石英ガラス基板とをそれぞれ設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの酸化亜鉛系薄膜を形成した。形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=97:3Ti/ZnTi=0.04であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は4.4×104Ωcmであり、表面抵抗は8.8Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。次に、形成された薄膜を30°Cの1質量クエン酸水溶液に60秒間浸漬させたときの膜厚の減少速度nm/秒を測定することにより、膜のエッチング速度を調べた。なお、膜厚は、触針式膜厚計Tencor社製Alpha-StepIQを用いて測定した。その結果、形成された薄膜のエッチング速度は0.40nm/秒であった。一般に、エッチング速度が0.5nm/秒以下であれば充分に制御可能なレベルであり、この薄膜に対し、前記クエン酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成が可能であった。そして、エッチングレートは容易に制御可能であり、導電性の酸化亜鉛系薄膜パターンが得られた。比較例1酸化亜鉛粉末ZnO;和光純薬工業株製、特級および酸化チタン粉末Ti2O3;株高純度化学研究所製、純度99.99を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が99:1となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧500kg/cm2にて成形し、直径80mm、厚さ5mmの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧0.1013MPaのアルゴン雰囲気下、400°Cで3時間アニールして、酸化物混合体C1を得た。得られた酸化物混合体C1をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=99:1Ti/ZnTi=0.01であった。次に、得られた酸化物混合体C1を50mmφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記ターゲットと透明基材石英ガラス基板とをそれぞれ設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力100W、基板温度130°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚200nmの酸化亜鉛系薄膜を形成した。形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=99:1Ti/ZnTi=0.01であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は2.25×103Ωcmであり、表面抵抗は112.5Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均90、赤外領域780nm~2700nmで平均70であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。次に、実施例1と同様に、形成された薄膜のエッチング速度を調べたところ、1.2nm/秒であった。この膜の場合、エッチング速度が1.0nm/秒以上であるので制御が難しく、この薄膜に対し、実施例1と同様のクエン酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成は困難であった。比較例2酸化アルミニウムを2質量含有した酸化亜鉛スパッタリング用ターゲットを用い、直流マグネトロンスパッタリング法により、アルミニウム原子をドープした酸化亜鉛薄膜を、ソーダライムガラス厚さ0.7mm上に形成した。なお、スパッタリングは、成膜時の電力を75W、成膜圧力を0.5Pa、酸素分圧を0Pa、基板温度を室温、成膜時間を30分間として行った。次に、実施例1と同様に、形成された薄膜のエッチング速度を調べたところ、1.5nm/秒であった。この膜の場合、エッチング速度が1.0nm/秒以上であるので制御が難しく、この薄膜に対し、実施例1と同様のクエン酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成は困難であった。実施例3酸化亜鉛粉末ZnO;和光純薬工業株製、特級および酸化チタン粉末TiOII;株高純度化学研究所製、純度99.99を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が92:8となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧500kg/cm2にて成形し、直径80mm、厚さ5mmの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧0.1013MPaのアルゴン雰囲気下、400°Cで3時間アニールして、酸化物混合体2を得た。得られた酸化物混合体2をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=92:8Ti/ZnTi=0.08であった。この酸化物混合体2の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOと酸化チタンTi2O3の結晶相の混合物であった。次に、得られた酸化物混合体2を50mmφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記ターゲットと透明基材石英ガラス基板とをそれぞれ設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの酸化亜鉛系薄膜を形成した。形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=92:8Ti/ZnTi=0.08であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は7.6×104Ωcmであり、表面抵抗は15.2Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均90、赤外領域780nm~2700nmで平均65であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。次に、形成された薄膜を30°Cの1質量クエン酸水溶液に60秒間浸漬させたときの膜厚の減少速度nm/秒を測定することにより、膜のエッチング速度を調べた。なお、膜厚は、触針式膜厚計Tencor社製Alpha-StepIQを用いて測定した。その結果、形成された薄膜のエッチング速度は0.27nm/秒であった。一般に、エッチング速度が0.5nm/秒以下であれば充分に制御可能なレベルであり、この薄膜に対し、前記クエン酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成が可能であった。そして、エッチングレートは容易に制御可能であり、導電性の酸化亜鉛系薄膜パターンが得られた。実施例4酸化亜鉛粉末ZnO;和光純薬工業株製、特級および酸化チタン粉末TiOII;株高純度化学研究所製、純度99.99を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が97:3となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧500kg/cm2にて成形し、直径80mm、厚さ5mmの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧1.01325×102kPaのアルゴン雰囲気下、800°Cで4時間焼結して、酸化物焼結体2を得た。得られた酸化物焼結体2をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=97:3Ti/ZnTi=0.03であった。この酸化物焼結体2の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体2を50mmφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記ターゲットと透明基材石英ガラス基板とをそれぞれ設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの酸化亜鉛系薄膜を形成した。形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=97:3Ti/ZnTi=0.03であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は4.2×104Ωcmであり、表面抵抗は8.4Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。次に、形成された薄膜を30°Cの1質量クエン酸水溶液に60秒間浸漬させたときの膜厚の減少速度nm/秒を測定することにより、膜のエッチング速度を調べた。なお、膜厚は、触針式膜厚計Tencor社製Alpha-StepIQを用いて測定した。その結果、形成された薄膜のエッチング速度は0.40nm/秒であった。一般に、エッチング速度が0.5nm/秒以下であれば充分に制御可能なレベルであり、この薄膜に対し、前記クエン酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成が可能であった。そして、エッチングレートは容易に制御可能であり、導電性の酸化亜鉛系薄膜パターンが得られた。実施例5酸化亜鉛粉末ZnO;和光純薬工業株製、特級および酸化チタン粉末TiOII;株高純度化学研究所製、純度99.99を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が97:3となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型ダイスに入れ、黒鉛からなるパンチにて40MPaの圧力で真空加圧し、1000°C、4時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体3を得た。得られた酸化物焼結体3をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=97:3Ti/ZnTi=0.03であった。この酸化物焼結体3の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体3を50mmφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記ターゲットと透明基材石英ガラス基板とをそれぞれ設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの酸化亜鉛系薄膜を形成した。形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=97:3Ti/ZnTi=0.03であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は4.2×104Ωcmであり、表面抵抗は8.4Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。次に、形成された薄膜を30°Cの1質量クエン酸水溶液に60秒間浸漬させたときの膜厚の減少速度nm/秒を測定することにより、膜のエッチング速度を調べた。なお、膜厚は、触針式膜厚計Tencor社製Alpha-StepIQを用いて測定した。その結果、形成された薄膜のエッチング速度は0.40nm/秒であった。一般に、エッチング速度が0.5nm/秒以下であれば充分に制御可能なレベルであり、この薄膜に対し、前記クエン酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成が可能であった。そして、エッチングレートは容易に制御可能であり、導電性の酸化亜鉛系薄膜パターンが得られた。比較例3酸化亜鉛粉末ZnO;和光純薬工業株製、特級および酸化チタン粉末TiOII;株高純度化学研究所製、純度99.99を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が88:12となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型ダイスに入れ、黒鉛からなるパンチにて40MPaの圧力で真空加圧し、1000°C、4時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体C3を得た。得られた酸化物焼結体C3をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=88:12Ti/ZnTi=0.12であった。この酸化物焼結体C3の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体C3を50mmφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記ターゲットと透明基材石英ガラス基板とをそれぞれ設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの酸化亜鉛系薄膜を形成した。形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=88:12Ti/ZnTi=0.12であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は2.1×102Ωcmであり、表面抵抗は420.0Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。次に、形成された薄膜を30°Cの1質量クエン酸水溶液に60秒間浸漬させたときの膜厚の減少速度nm/秒を測定することにより、膜のエッチング速度を調べた。なお、膜厚は、触針式膜厚計Tencor社製Alpha-StepIQを用いて測定した。その結果、形成された薄膜のエッチング速度は0.16nm/秒であった。一般に、エッチング速度が0.5nm/秒以下であれば充分に制御可能なレベルであり、この薄膜に対し、前記クエン酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成が可能であった。そして、エッチングレートは容易に制御可能であり、導電性の酸化亜鉛系薄膜パターンが得られた。エッチングレートは十分制御可能であるが、抵抗が高かった。実施例6酸化亜鉛粉末ZnO;和光純薬工業株製、特級および酸化チタン粉末TiOII;株高純度化学研究所製、純度99.99を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が97:3となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型ダイスに入れ、黒鉛からなるパンチにて40MPaの圧力で真空加圧し、1000°C、4時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体4を得た。得られた酸化物焼結体4をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=97:3Ti/ZnTi=0.03であった。この酸化物焼結体4の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体4を50mmφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記ターゲットと透明基材石英ガラス基板とをそれぞれ設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの酸化亜鉛系薄膜を形成した。形成した酸化亜鉛系薄膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=97:3Ti/ZnTi=0.03であった。また、この酸化亜鉛系薄膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の酸化亜鉛系薄膜の比抵抗は4.2×104Ωcmであり、表面抵抗は8.4Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。次に、形成された薄膜を20°Cの1mol/lの酢酸水溶液に120秒間浸漬させたときの膜厚の減少速度nm/秒を測定することにより、膜のエッチング速度を調べた。なお、膜厚は、触針式膜厚計Tencor社製Alpha-StepIQを用いて測定した。その結果、形成された薄膜のエッチング速度は0.33nm/秒であった。一般に、エッチング速度が0.5nm/秒以下であれば充分に制御可能なレベルであり、この薄膜に対し、前記クエン酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成が可能であった。そして、エッチングレートは容易に制御可能であり、導電性の酸化亜鉛系薄膜パターンが得られた。比較例4酸化アルミニウムを2質量含有した酸化亜鉛スパッタリング用ターゲットを用い、直流マグネトロンスパッタリング法により、アルミニウム原子をドープした酸化亜鉛薄膜を、ソーダライムガラス厚さ0.7mm上に形成した。なお、スパッタリングは、成膜時の電力を75W、成膜圧力を0.5Pa、酸素分圧を0Pa、基板温度を室温、成膜時間を30分間として行った。次に、実施例1と同様に、形成された薄膜のエッチング速度を調べたところ、1.5nm/秒であった。次に、形成された薄膜を20°Cの1mol/lの酢酸水溶液に120秒間浸漬させたときの膜厚の減少速度nm/秒を測定することにより、膜のエッチング速度を調べた。なお、膜厚は、触針式膜厚計Tencor社製Alpha-StepIQを用いて測定した。その結果、形成された薄膜のエッチング速度は2.42nm/秒であった。この膜の場合、エッチング速度が1.0nm/秒以上であるので制御が難しく、この薄膜に対し、実施例6と同様の酢酸水溶液をエッチング液として所定パターンのマスクを用いてパターニングしたところ、良好なエッチングパターンの形成は困難であった。