"周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を取得する撮像部を有し、前記撮像部が取得した画像を用いて前記基板に対してレーザ光を照射して前記基板上の欠陥の修正処理を行う欠陥修正装置であって、前記基板を載置するとともに、該基板の板面に平行な平面上で前記撮像部に対して相対的に移動可能なステージと、前記ステージの移動を制御するとともに、前記修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを移動させるステージ制御部と、前記ステージ制御部によるステージ移動によって前記欠陥修正位置から移動した第1撮像位置において撮像された第1の撮像画像と参照画像とを比較するマッチング部と、前記マッチング部による判定に基づいて、前記基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、前記参照画像をもとに生成するマスク生成部と、レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状を前記マスク画像に応じた形状に整形する光束整形手段と、を備えたことを特徴とする欠陥修正装置。前記マッチング部は、前記ステージ制御部によるステージ移動によって移動した前記第1撮像位置において撮像された第1の撮像画像と前記参照画像とを比較して適合度を算出し、前記適合度が予め設定された閾値と比して小さいか否かを判断する制御部を備え、前記ステージ制御部は、前記制御部によって前記適合度が前記閾値以下であると判断された場合、所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを前記第1撮像位置から移動させ、前記マッチング部が、前記ステージ制御部によるステージ移動によって前記第1撮像位置から移動した第2撮像位置において撮像された第2の撮像画像と、前記参照画像とを比較することを特徴とする請求項1に記載の欠陥修正装置。前記ステージ制御部は、前記制御部によって前記適合度が前記閾値より大きいと判断された場合、前記ステージを前記欠陥修正位置に移動させ、前記マッチング部は、前記ステージ制御部によるステージ移動によって前記第1または第2撮像位置から移動した前記欠陥修正位置において撮像された第3の撮像画像と前記第1または第2の撮像画像とを比較して、前記第1または第2の撮像画像と前記第3の撮像画像との間の前記パターンのシフト量を算出し、前記マスク生成部は、生成したマスク画像に対して、前記シフト量をもとにマスク画像をシフトさせることを特徴とする請求項2に記載の欠陥修正装置。前記マスク生成部は、非レーザ照射領域の外縁間の距離より大きく前記マスク部を形成することによって、前記レーザ照射領域を縮小させるエロージョン処理を行うことを特徴とする請求項1に記載の欠陥修正装置。周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を撮像部によって取得し、前記撮像部が取得した画像を用いて前記基板に対してレーザ光を照射して前記基板上の欠陥の修正処理を行う欠陥修正方法であって、前記修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを移動させるステージ移動ステップと、前記ステージ移動ステップによるステージ移動によって前記欠陥修正位置から移動した第1撮像位置において撮像された第1の撮像画像と参照画像とを比較するマッチングステップと、前記マッチングステップによる判定に基づいて、前記基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、前記参照画像をもとに生成するマスク生成ステップと、レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状を前記マスク画像に応じた形状に整形する光束整形ステップと、を含むことを特徴とする欠陥修正方法。周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を撮像部によって取得し、前記撮像部が取得した画像を用いて前記基板に対してレーザ光を照射して前記基板上の欠陥の修正処理をコンピュータに実行させるための欠陥修正プログラムであって、前記修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを移動させるステージ移動手順と、前記ステージ移動手順によるステージ移動によって前記欠陥修正位置から移動した第1撮像位置において撮像された第1の撮像画像と参照画像とを比較するマッチング手順と、前記マッチング手順による判定に基づいて、前記基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、前記参照画像をもとに生成するマスク生成手順と、レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状を前記マスク画像に応じた形状に整形する光束整形ステップと、を含むことを特徴とする欠陥修正プログラム。ところで、特許文献1が開示する従来の欠陥修正方法では、パターニングプロセス後の基板表面を撮像し、これにより得られたパターン画像被検査画像と予め得られている正常のパターン画像とを画像処理によって比較することで、基板表面における欠陥の存在領域を特定する。しかしながら、撮像視野内の大部分を覆うような欠陥が存在すると、正常のパターン画像に対する被検査画像のパターンマッチングを行った際、このマッチングしている比率適合度を示すマッチングスコアが低下する。これにより、被検査画像のパターンと正常のパターン画像との整合が取れず、正確な位置合わせができなくなり、被検査画像における正常パターンの情報が得られないという問題があった。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、欠陥の大きさに関わらず、欠陥修正を正確に行うことが可能な欠陥修正装置、欠陥修正方法および欠陥修正プログラムを提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる欠陥修正装置は、周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を取得する撮像部を有し、前記撮像部が取得した画像を用いて前記基板に対してレーザ光を照射して前記基板上の欠陥の修正処理を行う欠陥修正装置であって、前記基板を載置するとともに、該基板の板面に平行な平面上で移動可能なステージと、前記ステージの移動を制御するとともに、前記修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを移動させるステージ制御部と、前記ステージ制御部によるステージ移動によって前記欠陥修正位置から移動した第1撮像位置において撮像された第1の撮像画像と参照画像とを比較するマッチング部と、前記マッチング部による比較結果に基づいて、前記基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、前記参照画像をもとに生成するマスク生成部と、レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状を前記マスク画像に応じた形状に整形する光束整形手段と、を備えたことを特徴とする。また、本発明にかかる欠陥修正装置は、上記の発明において、前記マッチング部は、前記ステージ制御部によるステージ移動によって移動した前記第1撮像位置において撮像された第1の撮像画像と前記参照画像とを比較して適合度を算出し、前記適合度が予め設定された閾値と比して小さいか否かを判断する制御部を備え、前記ステージ制御部は、前記制御部によって前記適合度が前記閾値以下であると判断された場合、所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを前記第1撮像位置から移動させ、前記マッチング部が、前記ステージ制御部によるステージ移動によって前記第1撮像位置から移動した第2撮像位置において撮像された第2の撮像画像と、前記参照画像とを比較することを特徴とする。また、本発明にかかる欠陥修正装置は、上記の発明において、前記ステージ制御部は、前記制御部によって前記適合度が前記閾値より大きいと判断された場合、前記ステージを前記欠陥修正位置に移動させ、前記マッチング部は、前記ステージ制御部によるステージ移動によって前記第1または第2撮像位置から移動した前記欠陥修正位置において撮像された第3の撮像画像と前記第1または第2の撮像画像とを比較して、前記第1または第2の撮像画像と前記第3の撮像画像との間の前記パターンのシフト量を算出し、前記マスク生成部は、生成したマスク画像に対して、前記シフト量をもとにマスク画像をシフトさせることを特徴とする。また、本発明にかかる欠陥修正装置は、上記の発明において、前記マスク生成部は、非レーザ照射領域の外縁間の距離より大きく前記マスク部を形成することによって、前記レーザ照射領域を縮小させるエロージョン処理を行うことを特徴とする。また、本発明にかかる欠陥修正方法は、周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を撮像部によって取得し、前記撮像部が取得した画像を用いて前記基板に対してレーザ光を照射して前記基板上の欠陥の修正処理を行う欠陥修正方法であって、前記修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを移動させるステージ移動ステップと、前記ステージ移動ステップによるステージ移動によって前記欠陥修正位置から移動した第1撮像位置において撮像された第1の撮像画像と参照画像とを比較するマッチングステップと、前記マッチングステップによる比較結果に基づいて、前記基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、前記参照画像をもとに生成するマスク生成ステップと、レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状を前記マスク画像に応じた形状に整形する光束整形ステップと、を含むことを特徴とする。また、本発明にかかる欠陥修正プログラムは、周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を撮像部によって取得し、前記撮像部が取得した画像を用いて前記基板に対してレーザ光を照射して前記基板上の欠陥の修正処理をコンピュータに実行させるための欠陥修正プログラムであって、前記修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に前記ステージを移動させるステージ移動手順と、前記ステージ移動手順によるステージ移動によって前記欠陥修正位置から移動した第1撮像位置において撮像された第1の撮像画像と参照画像とを比較するマッチング手順と、前記マッチング手順による比較結果に基づいて、前記基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、前記参照画像をもとに生成するマスク生成手順と、レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状を前記マスク画像に応じた形状に整形する光束整形ステップと、を含むことを特徴とする。本発明によれば、視野領域を覆うように欠陥が存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合、この欠陥修正位置から所定絵素離れた位置の撮像画像を用いてマッチング処理を行って、そのマッチング結果をもとにマスク画像を生成するようにしたので、欠陥の大きさに関わらず、欠陥修正を正確に行うことが可能となる。以下、本発明を実施するための形態を図面と共に詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の説明において参照する各図は、本発明の内容を理解し得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎない。すなわち、本発明は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1による欠陥修正装置、欠陥修正方法および欠陥修正プログラムを、図面を用いて詳細に説明する。図1は、本実施の形態1による欠陥修正装置100図2参照に組み込まれる欠陥追跡方法の概略を説明するための概念図である。本実施の形態1において、欠陥修正装置100には、たとえばAOIAutomatedOpticalInspectionシステムなどの外部の検査手段で特定された欠陥の座標が入力される。以下、本説明において、パターニングエラーや、基板表面に付着したパーティクルやレジストなどの異物を単に欠陥という。この座標を、他の座標と区別するため、欠陥座標という。欠陥座標は、1つの欠陥に1つずつ与えられる。なお、以下の説明において、座標とは、基板以下、ワークというが載置されるステージ上面もしくはステージを支持する筐体上に設けられた基準位置を原点としたワーク表面もしくはステージ上面における2次元座標をいう。本実施の形態1による欠陥修正装置100が実行する欠陥修正方法では、図1aに示すように、まず、リペア対象基板以下、ワークという表面における入力された欠陥座標に基づいてワークを移動し、欠陥修正装置100における顕微鏡部の視野領域R1内に欠陥が写るようステージ116を制御する。つづいて、顕微鏡部が対物レンズM15の視野領域R1を撮像することで得られた画像を解析することで、この画像に収められた欠陥Dの領域認識欠陥領域D1を特定する。ただし、解析する領域は、画像全体ではなく、画像全体に相当する視野領域R1よりも小さい特定の認識領域R2であってもよい。また、この認識領域R2を視野領域R1内に複数設定してもよい。なお、本実施の形態1にかかる顕微鏡部では、対物レンズM15として、たとえば1倍,2倍,5倍の比較的倍率の低い対物レンズ以下、低倍対物レンズというと、10倍,20倍,50倍の低倍対物レンズの倍率に対して高倍率である対物レンズ以下、高倍対物レンズというとが少なくとも一つずつレボルバに装着され、対物レンズの切り替えが可能である。低倍対物レンズおよび高倍対物レンズの倍率は一例であり、高倍対物レンズが低倍対物レンズに対して高ければよい。また、このとき視野領域R1の対物レンズM15は、低倍対物レンズである。また、この欠陥修正方法では、上記において特定した認識欠陥領域D1の重心C1の座標を特定し図1a参照、つづいて、欠陥Dの視野領域R1または認識領域R2外にまで延在する部分認識外欠陥領域D2を追跡する追跡処理S1を実行する。本実施の形態1では、この追跡処理S1として、図1bに示すような、図1aにおいて特定した重心C1を欠陥修正装置100の顕微鏡部による視野領域R1の中心に引き込む処理を行う場合を例に挙げる。この引き込みにより、図1bに示すように、欠陥Dのうち視野領域R1外であった認識外欠陥領域D2の少なくとも一部もしくは全体が視野領域R1内に引き込まれるため、この引き込まれた部分に対するレーザリペアが可能になる。ただし、この追跡処理S1は、たとえば算出した重心C1の座標が、認識領域R2の外端近く、すなわち認識領域R2内であって中心領域R3以外に含まれる場合のみ、実行されても良い。つづいて、この欠陥修正方法では、図1cに示すように、引き込んだ後の視野領域R1を撮像することで得られた画像に含まれる認識欠陥領域D1aを特定し、この認識欠陥領域D1aに対して割り振る1つ以上のショット領域修正領域p1~p5の中心座標リペア座標c1~c5をそれぞれ算出するリペア座標算出処理S2を実行する。つぎに、対物レンズM15を高倍対物レンズレーザ加工対物レンズに切り替え、ショット領域修正領域p1~p5の中心座標リペア座標c1~c5に順次ステージ116を移動させてセンタリングし、顕微鏡部がレーザ加工対物レンズの視野内の画像を撮像する。顕微鏡部は、撮像された被検査画像を、予めレシピとして記憶部107に記憶されている参照画像とマッチングさせて、マスク画像を作成する。その後、制御部101は、図1dに示すように、算出したリペア座標c1~c5に従い、順次、得られたマスク画像に基づいて二次元変調素子123DMD123を駆動して、欠陥Dにレーザ照射することで、ワーク表面における欠陥箇所を修復するリペア処理S3を実行する。以上のような動作により、本実施の形態1では、欠陥Dが、視野領域R1外であっても、欠陥Dにおける視野領域R1外の部分を視野領域R1内に引き込んだ上で欠陥Dに対してショット領域p1~p5リペア座標c1~c5を割り振ることが可能である。これにより、1回の撮像で欠陥D全体を写しきれなかった場合でも、この欠陥D全体に対して連続してレーザ照射することが可能となり、この結果、行程数の増加および作業時間の冗長を抑制しつつ欠陥D全体を修復することが可能となる。つぎに、本実施の形態1による欠陥修正装置100について、図面を参照して詳細に説明する。図2は、本実施の形態1による欠陥修正装置の概略構成を示すブロック図である。図2に示すように、欠陥修正装置100は、X-Y平面内を移動可能なステージ116と、ステージ116の水平移動を制御するステージ制御部104と、ステージ116上に載置されたワークW10を上方から観察する顕微鏡部110と、ワークW10に照射する欠陥修復用のレーザ光を出力するレーザリペアヘッド120と、顕微鏡部110で取得された画像データに対して各種画像処理を実行する画像処理部102と、本実施の形態1による欠陥修正方法を実現するプログラムである欠陥修正プログラムを含む各種プログラムや各種パラメータなどを格納する記憶部107と、記憶部107から読み出した各種プログラムおよびパラメータを実行することで本実施の形態1による欠陥追跡方法を実現するとともに欠陥修正装置100内の各部を制御する制御部101と、制御部101からの制御の下でレーザリペアヘッド120が出力する欠陥修復用のレーザ光の光束断面形状レーザ光の光軸と垂直な断面の形状を調整する領域設定部103と、顕微鏡部110で取得された画像や各種情報を表示する表示部105および欠陥修正装置100に対する各種操作や設定をユーザに入力させる入力部106を含むユーザインタフェースと、を備える。なお、ステージ116がX-Y平面内を移動可能な構成だけでなく、顕微鏡110がX-Y平面内を移動可能な構成としてもよく、ステージ116と顕微鏡110を相対的に移動させて顕微鏡部110がワークW10を走査できる構成であればどのような形態であっても構わない。上記構成において、リペア対象であるワークW10は、所定のパターンが形成されたFPD用のガラス基板や半導体基板やプリント基板などである。このワークW10は、ステージ116上に載置される。ステージ116の載置面には、無数の穴が設けられている。この無数の穴は不図示のポンプから供給される気体によってワークW10を浮上させた状態で不図示の固定部材によりステージ116上で保持する。或いは、この無数の穴を、不図示のバキュームポンプに連結し、この無数の穴からの吸気によって、ステージ116上に載置されたワークW10をステージ116対して吸着して固定することも可能である。また、上記のような、ステージ116上でワークW10を保持する保持手段として、上記以外にも回転する複数のローラーによって基板を移動可能に保持するローラーステージの構成としてもよい。さらに、支持ピンやクランプ機構など、機械的な手段を用いて基板を支持する構成としてもよい。なお、本実施の形態1にかかるワークW10は、周期的に同一のパターンが形成されているFPD用のガラス基板TFT基板として説明する。このワークW10には、スイッチング回路として機能するTFTの絵素画素を構成するサブピクセルや配線パターンなどが周期的に複数形成されている。顕微鏡部110は、ステージ116上のワークW10を照明する光源112と、照明されたワークW10を撮像するCCDセンサやCMOSセンサなどの撮像素子111と、を含み、対象基板であるワークW10の一部を拡大した画像を取得する撮像部として機能する。顕微鏡部110の光源112から出力された照明光は、リレーレンズM16を透過してハーフミラーM14で反射された後、ワークW10に対する観察光軸AXと同軸の光として対物レンズM15を介してワークW10を照明する。また、このように照明されたワークW10の像は、観察光軸AXに沿って配置された対物レンズM15、ハーフミラーM14、リレーレンズM13、および結像レンズM12を含む観察光学系によって、撮像素子111の受光面に、たとえば数倍~数十倍に拡大されて結像される。なお、この観察光学系を介した撮像素子111の視野領域は、図1に示す視野領域R1に相当する。この視野領域R1は、1つのショット領域よりも広範囲である。さらに、光源112によって照明される領域は、少なくとも視野領域R1よりも広範囲である。さらにまた、少なくとも視野領域R1内は、光源112からの照明光によって上方から略均一に照明される。撮像素子111で取得された画像データは、画像処理部102に入力される。画像処理部102は、入力された画像データに対して各種画像処理を実行した後、処理後の画像データを表示部105に入力する。これにより、表示部105に、顕微鏡部110で取得された視野領域R1の画像がたとえば略リアルタイムに表示される。また、画像処理部102は、撮像素子111によって取得された画像と記憶部107に記憶されている参照画像標本パターン画像とを用いてマッチング処理を行うマッチング部102aと、マッチング部102aによる比較結果に基づいて、ワークW10における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を、参照画像をもとに生成するマスク生成部102bとを有する。また、ステージ制御部104は、制御部101からの制御の下、制御部101から入力される座標欠陥座標、重心座標およびリペア座標等の所定の位置座標が顕微鏡部110の視野領域R1における中心に位置するように、ステージ116を水平移動する。これにより、制御部101から入力される座標欠陥座標、重心座標およびリペア座標等が顕微鏡部110の視野領域R1における中心に位置するように、顕微鏡部110とワークW10との相対位置が制御される。レーザリペアヘッド120は、ワークW10に照射されるレーザ光以下、リペアレーザ光というを出力するレーザ光源121と、レーザ光源121からのレーザ光の光束断面形状以下、レーザ断面形状というを所望の形状後述するマスク画像に応じた形状に整形する光束整形手段として空間光変調器である微小ミラーアレイ123と、レーザ光源121からのリペアレーザ光と観察光学系の視野を調整するための光以下、ガイド光というを出力するLED122と、を含み、顕微鏡部110が取得した画像に基づいてワークW10に欠陥修復用に空間変調したレーザ光を照射するレーザ照射部として機能する。LED122からのガイド光は、ハーフミラーM21で反射されることで、その光軸がレーザ光源121の光軸と一致する。また、レーザ光源121からのリペアレーザ光ならびにLED122からのガイド光の光軸は、高反射ミラーM22、微小ミラーアレイ123、および高反射ミラーM23を介した後、ハーフミラーM24で反射されることで、その光軸が観察光軸AXと一致する。したがって、ハーフミラーM24で反射されたリペアレーザ光およびガイド光は、リレーレンズM13、ハーフミラーM14および対物レンズM15を介してステージ116上のワークW10に上方から観察光軸AXに沿って照射される。尚、微小ミラーアレイ123には、例えばDMDDigitalMicromirrorDeviceを用いればよい。また、光束整形手段として他のMEMSデバイスや、液晶シャッターなどの透過型の空間変調素子など、他のデバイスで代用することも可能である。このような他のデバイスを採用する場合は、上記の光学系は当分野の技術常識に照らし合わせ、光学条件に応じた適切な配置や部材を用いた構成とする。尚、上記のLED122は、ガイド光によってリペアレーザ光の照射位置を確認したり調整したりするために用いるものであるので、必要に応じて省略しても構わない。なお、空間光変調器である微小ミラーアレイ123は、たとえば微小デバイスの1つである微小ミラーが2次元アレイ状に配列された構成を備える。各微小ミラーの反射角は、制御部101からの制御のもと、オン角度とオフ角度との少なくとも2つのうちのいずれかの角度に切り替え可能である。オン角度とは、この状態にある微小ミラーで反射されたリペアレーザ光がステージ116上のワークW10に投射される角度であり、オフ角度とは、この状態にある微小ミラーで反射されたリペアレーザ光が不必要な光として光路外に設けられる不図示の遮光部材や吸収部材などのレーザダンパーに照射される角度である。したがって、2次元アレイ状に配列された微小ミラーそれぞれの反射角をオン角度とオフ角度とのいずれかにスイッチングすることで、ワークW10に投射されるリペアレーザ光の断面形状を制御することが可能である。オン角度とオフ角度とのスイッチングは、後述するマスク画像に基づいて制御される。これにより、レーザ光源121からのリペアレーザ光の断面形状を修復パターンの形状に調整してワークW10に照射することが可能となる。この修復パターンは、正常な配線パターン以外にリペアレーザ光を照射する修復パターンであり、たとえばパターン除去不良などの欠陥を修復する場合には、ショット領域中の正常な配線等の領域に対応する微小ミラーをオフ角度とし、それ以外の領域に対応する微小ミラーをオン角度としたパターンとなる。修復パターンの設定は、上記のように正常な配線パターンに応じて設定する以外に、欠陥形状に合わせて設定するようにしても構わない。この場合、リペアレーザ光の断面形状を欠陥形状に合わせて、欠陥領域に対応する微小ミラーをオン角度とし、欠陥領域以外の領域に対応する微小ミラーをオフ角度とすればよい。領域設定部103は、制御部101から入力された修復箇所のパターンマスク画像にしたがって微小ミラーアレイ123の微小ミラーの反射角をそれぞれ制御することで、リペアレーザ光の断面形状を修復パターンの形状に制御する。また、制御部101は、上述のように、記憶部107から読み出した各種プログラムおよびパラメータを実行することで本実施の形態1による欠陥修正方法を実現するとともに欠陥修正装置100内の各部を制御する。ここで、制御部101が実行する欠陥修正方法におけるマスク生成処理を、図面を参照して詳細に説明する。図3は、本実施の形態1による欠陥修正方法におけるマスク生成処理の概略フローを示すフローチャートである。なお、以下の説明では、制御部101の制御のもと、各部が動作しているものとして説明する。まず、制御部101は、レーザ加工用対物レンズ高倍対物レンズとして対物レンズM15を用いてレーザ加工用対物レンズ視野内の画像第1画像をCCD111に撮像させるステップS101。その後、マッチング部102aは、第1画像と記憶部107に記憶されている参照画像標本パターン画像とを用いてマッチング処理第1マッチングを行うステップS102。マッチング処理では、画像中の白色の面積の比率などに基づいて、撮像された画像と標本パターン画像との合致度適合度、マッチングしている比率であるマッチングスコアを算出する。ここで、マッチング部102aが、第1画像と記憶部107に記憶されている参照画像とのマッチングスコアが閾値より大きいと判定した場合ステップS103:Yes、マスク生成部102bが、第1マッチングで用いた参照画像をもとにマスク画像を生成するステップS104。図4は、本実施の形態1にかかる欠陥修正装置100の記憶部107に記憶される参照画像の一例を示す模式図である。図5は、図4に示す参照画像をもとに生成されるマスク画像を示す模式図である。図4に示す参照画像において、レーザ照射領域であるショット領域Sh1および非照射領域である配線パターンのパターン部P1が形成されている場合、マスク生成部102bは、図5に示すように、レーザ光を透過させる透過部Tr1オン角度に制御される領域、およびショット領域Sh1に応じてレーザ光が透過しない領域オフ角度に制御される領域であるTFTや配線パターンなどを含む非透過部Sn1マスク部を形成することで、マスク画像Ms1を生成する。なお、本実施の形態1では、例えば、図4に示す破線Eで囲まれた領域内のパターンを1つの絵素として周期的に同一の絵素が配列されているものとする。図6は、本実施の形態1にかかる欠陥修正装置100のレーザ加工用対物レンズの視野領域R4の一例を示す模式図である。ステップS103において、図6に示すように、視野領域R4のパターンP2を覆うように欠陥Dが存在する場合、マッチングスコアが小さくなる、またはマッチング不可例えば、マッチングスコアが0となる。マッチング部102aが、第1画像と記憶部107に記憶されている参照画像とのマッチングスコアが閾値以下であると判定した場合ステップS103:No、制御部101は、ステージ制御部104に対して、ワークW上の周期的な絵素において所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に所定絵素分に応じた距離ステージ116を移動させる旨の指示を出すステップS105。ここで、上述した所定絵素分の距離は、所定の絵素数と絵素サイズとを乗じて決められる。ステージ116が所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に移動すると、周期的に同一の絵素が配列されるため、レーザ加工用対物レンズ対物レンズM15視野内には、第1画像と異なる絵素における第1画像と同一パターン部分が配置されることとなる。制御部101は、この異なる絵素における第1画像と略同一のパターン部分を第2画像第1の撮像画像としてCCD111に撮像するよう指示するステップS106。その後、マッチング部102aは、第2画像と記憶部107に記憶されている参照画像とを用いてマッチング処理第2マッチングを行うステップS107。ここで、マッチング部102aが、第2画像と記憶部107に記憶されている参照画像とのマッチングスコアが閾値より大きいと判定した場合ステップS108:Yes、ステージ制御部104は、対物レンズM15が元の座標欠陥修正位置に位置するようにステージ116を移動させるステップS109。ステージ116が欠陥修正位置に移動すると、制御部101は、この位置におけるレーザ加工用対物レンズ視野内の画像を第3画像第3の撮像画像としてCCD111に撮像するよう指示するステップS110。ここで、第3画像は、第1画像と略同一の位置で撮像された画像となる。ステップS110において第3画像を取得後、マッチング部102aは、第2画像と第3画像とを用いてマッチング処理第3マッチングを行うステップS111。第3マッチングでは、マスク画像を作成するための参照画像とマッチングした第2画像と、元の位置における第3画像とのずれシフト量を算出する。第3マッチングによって得られるシフト量は、理論的には第2画像におけるパターンと第3画像におけるパターンとが一致するため0となるが、ステージ116の移動精度等による画像間のパターンにずれが生じた場合に補正するためのものである。マッチング部102aによる第3マッチングが終了すると、マスク生成部102bは、第2マッチングで用いた参照画像をもとにマスク画像を生成するステップS112。ステップS112によってマスク画像が得られると、マスク生成部102bは、第3マッチングの結果をもとに、得られたシフト量分マスク画像をシフトさせるステップS113。一方、ステップS108において、マッチング部102aが、第2画像と記憶部107に記憶されている参照画像とのマッチングスコアが閾値以下であると判定した場合ステップS108:No、制御部101は、第2マッチングにかかるマッチング回数が、所定回数を越えているか否かを判断するステップS114。ここで、制御部101が第2マッチングにかかるマッチング回数が、所定回数を越えていないと判断した場合ステップS114:Yes、制御部101は、ステップS105に移行して、さらに所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置に所定絵素分に応じた距離ステージ116を移動させ、この移動位置における撮像画像第2の撮像画像を第2画像として、上述した処理を繰り返す。なお、このときの所定絵素は、元の絵素欠陥修正位置における絵素から所定値を順次付加するものであってもよいし、移動前の絵素に所定値として1以上の整数を付加するものであってもよい。一方で、制御部101が第2マッチングにかかるマッチング回数が、所定回数を越えていると判断した場合ステップS114:No、制御部101は、ステップS115に移行して、マッチングエラーである旨の報知処理を行う。この報知処理は、表示部105における表示画面上にマッチングエラーである旨の表示を行ってもよいし、音または光を用いて報知するものであってもよい。上述したマスク生成処理によって、視野領域を覆うように欠陥Dが存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合であっても、この欠陥修正位置に応じたマスク画像を生成することが可能となる。すなわち、本発明は、周期的に同一の絵素が配列されたパターンが形成された基板の一部を拡大した画像を撮像部によって取得し、撮像部が取得した画像を用いて基板に対してレーザ光を照射して基板上の欠陥の修正処理を行う欠陥修正方法であり、修正処理を行う欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置にステージを移動させステージ移動ステップ:S105、ステージ移動によって欠陥修正位置から移動した第1撮像位置において第1の撮像画像を取得しS106、次に第1の撮像画像と参照画像とを比較しマッチングステップ:S107、マッチングスコアの判定S108に基づいて、基板における非レーザ照射領域に応じたマスク部を有するマスク画像を参照画像をもとに生成しマスク生成ステップ:S112レーザ光源からのレーザ光の光束断面形状をマスク画像に応じた形状に整形して光束整形ステップ、欠陥修正対象にレーザ光を照射して欠陥修正を行うものであり、本発明の技術方案として図3における全てのステップが必要となるものではない。図7は、本実施の形態1にかかる欠陥修正装置100の記憶部107に記憶される参照画像Rf2の一例を示す模式図である。図8は、図7に示す参照画像をもとに生成されるマスク画像Ms2を示す模式図である。図7に示す参照画像Rf2のように、3絵素周期でコンタクトホールHが形成されている場合、図3のフローチャートにおけるステップS105の所定絵素の設定を3絵素に設定することによって、図8に示すマスク画像Ms2のように、絵素ずれを起こすことなく、コンタクトホールHに対応する非透過部Sn2マスク部を形成することができる。上述した実施の形態1によれば、視野領域を覆うように欠陥Dが存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合、この欠陥修正位置から所定の絵素数に応じた距離だけ移動した位置の撮像画像を用いてマッチング処理を行って、そのマッチング結果をもとにマスク画像を生成するようにしたので、欠陥の大きさに関わらず、正確な欠陥修正を行うことが可能である。実施の形態2図9は、本実施の形態2による欠陥修正方法におけるマスク生成処理の概略フローを示すフローチャートである。なお、以下の説明では、制御部101の制御のもと、各部が動作しているものとして説明する。本実施の形態2では、欠陥修正位置から予め欠陥がないと分かっている位置に移動してマスク画像を生成する。まず、ステージ制御部104は、欠陥修正位置から設定された絵素分に応じた位置にステージ116を移動させるステップS201。ステージ116の移動後、レーザ加工用対物レンズ高倍対物レンズとして対物レンズM15を用いてレーザ加工用対物レンズ視野内の画像第1画像をCCD111に撮像させるステップS202。ここで、ステップS201では、例えば、制御部101が、記憶部107で記憶される欠陥情報から、隣接する欠陥のない領域若しくは欠陥面積の小さい欠陥領域の存在する位置情報を取得し、その位置情報をもとに移動先の絵素を設定することで、ステージ制御部104が、設定された移動先の絵素の位置にステージ116を移動させる。なお、この移動先の絵素は、欠陥位置に対してそれぞれ最も近い絵素が移動先として設定されるものであってもよいし、ある欠陥のない絵素を移動先の絵素として設定し、毎回この設定された絵素に移動するものであってもよい。また、図7に示す参照画像Rf2のように、ワークW10において、数絵素周期でコンタクトホールHが形成される場合は、この周期が考慮されていることが好ましい。その後、マッチング部102aが、第1画像と記憶部107に記憶されている参照画像標本パターン画像とを用いてマッチング処理第1マッチングを行うステップS203。マッチング処理後、ステージ制御部104は、元の座標欠陥修正位置にステージ116を移動させるステップS204。ステップS204におけるステージ116の移動後、レーザ加工用対物レンズ高倍対物レンズとして対物レンズM15を用いてレーザ加工用対物レンズ視野内の画像第2画像をCCD111に撮像させるステップS205。ステップS205において第2画像を取得すると、マッチング部102aは、第1画像と第2画像とを用いてマッチング処理第2マッチングを行うステップS206。この第2マッチングは、上述した第3マッチングに対応し、マスク画像を作成するための参照画像とマッチングした第1画像と、元の位置における第2画像とのずれシフト量を算出する。マッチング部102aによる第2マッチングが終了すると、マスク生成部102bは、第1マッチングで用いた参照画像をもとにマスク画像を生成するステップS207。ステップS207によってマスク画像が得られると、マスク生成部102bは、第2マッチングの結果をもとに、得られたシフト量分マスク画像をシフトさせるステップS208。上述したマスク生成処理によって、視野領域を覆うように欠陥Dが存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合であっても、この欠陥修正位置に応じたマスク画像を生成することが可能となる。上述した実施の形態2によれば、実施の形態1と同様、視野領域を覆うように欠陥Dが存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合、この欠陥修正位置から所定の絵素数分離れた位置の撮像画像を用いてマッチング処理を行って、そのマッチング結果をもとにマスク画像を生成するようにしたので、欠陥の大きさに関わらず、正確な欠陥修正を行うことが可能である。また、実施の形態2によれば、欠陥修正位置から、隣接する欠陥のない領域若しくは欠陥面積の小さい欠陥領域の存在する位置に移動するようにしたので、上述した実施の形態1におけるステップS114のような繰り返し処理を行う必要がないため、処理を簡易化し、処理時間を短縮することができる。実施の形態3図10は、本実施の形態3による欠陥修正方法におけるマスク生成処理の概略フローを示すフローチャートである。なお、以下の説明では、制御部101の制御のもと、各部が動作しているものとして説明する。本実施の形態3では、欠陥修正位置から予め欠陥がないと分かっている位置に移動してマスク画像を生成する。まず、ステージ制御部104は、欠陥修正位置から設定された絵素分に応じた距離ステージ116を移動させるステップS301。ステージ116の移動後、レーザ加工用対物レンズ高倍対物レンズとして対物レンズM15を用いてレーザ加工用対物レンズ視野内の画像基板画像をCCD111に撮像させるステップS302。ここで、ステップS301では、上述したステップS201と同様、例えば、制御部101が、記憶部107で記憶される欠陥情報から、隣接する欠陥のない領域若しくは欠陥面積の小さい欠陥領域の存在する位置情報を取得し、その位置情報をもとに移動先の絵素を設定することで、ステージ制御部104が、設定された移動先の絵素の位置にステージ116を移動させる。なお、この移動先の絵素は、欠陥位置に対してそれぞれ最も近い絵素が移動先として設定されるものであってもよいし、ある欠陥のない絵素を移動先の絵素として設定し、毎回この設定された絵素に移動するものであってもよい。また、図7に示す参照画像Rf2のように、ワークW10において、数絵素周期でコンタクトホールHが形成される場合は、この周期が考慮されていることが好ましい。その後、マッチング部102aが、基板画像と記憶部107に記憶されている参照画像標本パターン画像とを用いてマッチング処理を行うステップS303。マッチング部102aによるマッチング処理が終了すると、マスク生成部102bは、ステップS303におけるマッチングで用いた参照画像をもとにマスク画像を生成するステップS304。ステップS304によってマスク画像が得られると、マスク生成部102bは、生成されたマスク画像に対するエロージョン処理を行うステップS305。このエロージョン処理では、図11に示すような参照画像Rf3において、レーザ照射領域であるショット領域Sh2および非照射領域であるパターン部P3が形成されている場合、マスク生成部102bは、図12に示すように、レーザ光が透過しない領域オフ角度に制御される領域である非透過部Sn3マスク部を、パターン部P3図12破線参照の幅より大きく形成し、レーザ光を透過させる透過部Tr2オン角度に制御される領域がショット領域Sh2より小さい面積となるように縮小することで、マスク画像Ms3を生成する。上述したマスク生成処理によって、視野領域を覆うように欠陥Dが存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合であっても、この欠陥修正位置に応じたマスク画像を生成することが可能となる。領域設定部103は、このマスク画像Ms3を用いて、上述した微小ミラーアレイ123の微小ミラーの反射角をそれぞれ制御することで、リペアレーザ光の断面形状を修復パターンの形状に制御して、ワークW10に対してリペアレーザ光を照射する。上述した実施の形態3によれば、実施の形態1と同様、視野領域を覆うように欠陥Dが存在し、欠陥修正位置における画像を用いたパターンマッチングが困難な場合、この欠陥修正位置から所定の絵素数分離れた位置の撮像画像を用いてマッチング処理を行って、そのマッチング結果をもとにマスク画像を生成するようにしたので、欠陥の大きさに関わらず、正確な欠陥修正を行うことが可能である。また、実施の形態3によれば、レーザ光が透過しない領域オフ角度に制御される領域である非透過部Sn3を、パターン部P3の幅より大きく形成し、レーザ光を透過させる透過部Tr2オン角度に制御される領域がショット領域Sh2より小さい面積となるように縮小するようにしたので、上述した実施の形態1におけるステップS112のようなシフト量算出や、ステップS114のような繰り返し処理を行う必要がないため、処理を簡易化し、処理時間を短縮することができる。以上のように、本発明にかかる欠陥修正装置、欠陥修正方法および欠陥修正プログラムは、欠陥の大きさに関わらず、欠陥修正を正確に行うことに有用である。"