"Aエポキシ樹脂と、B無機充填材と、CSi-H結合またはSi-O結合を少なくとも2つ有する環状シロキサン化合物と、を含有する、回路基板用エポキシ樹脂組成物。請求項1に記載の回路基板用エポキシ樹脂組成物において、前記CSi-H結合またはSi-O結合を少なくとも2つ有する環状シロキサン化合物は、下記一般式1で表される、請求項1に記載の回路基板用エポキシ樹脂組成物。式中、xは2以上10以下の整数を表し、R1は同一でも異なっていてもよく、酸素原子、ホウ素原子または窒素原子から選択される原子を含む基を表し、R2は、水素原子、炭素数1~20の飽和または不飽和炭化水素基を示す。但し、R1およびR2の少なくとも2つは水素原子または水酸基である。請求項1または2に記載の回路基板用エポキシ樹脂組成物においてシアネート樹脂組成物をさらに含む、回路基板用エポキシ樹脂組成物。回路基板用エポキシ樹脂組成物を基材に含浸してなり、前記回路基板用エポキシ樹脂組成物は、請求項1から3のいずれか1項に記載の回路基板用エポキシ樹脂組成物である、プリプレグ。請求項4に記載のプリプレグの少なくとも片面に金属箔を有する、又は当該プリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の少なくとも片面に金属箔を有する、金属張積層板。支持基材と、前記支持基材上に形成された、回路基板用エポキシ樹脂組成物よりなる絶縁層と、を備え、前記支持基材はフィルム又は金属箔であり、前記回路基板用エポキシ樹脂組成物は、請求項1から3のいずれか1項に記載の回路基板用エポキシ樹脂組成物である、樹脂シート。請求項5に記載の金属張積層板を内層回路基板に用いてなるプリント配線板。内層回路基板の回路上に、請求項4に記載のプリプレグを積層してなるプリント配線板。内層回路基板の回路上に、請求項4に記載のプリプレグ、または請求項6に記載の樹脂シートを積層してなるプリント配線板。プリント配線板上に半導体素子を搭載してなり、前記プリント配線板は、請求項7から9のいずれか1項に記載のプリント配線板である、半導体装置。支持基材と、前記支持基材上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された樹脂層と、を備え、前記樹脂層は、Aエポキシ樹脂、B無機充填材、およびCSi-H結合、及びSi-OH結合からなる群より選ばれる少なくとも2つの結合を有する環状またはかご型シロキサン化合物を含有する、プリント配線板用積層基材。請求項11に記載のプリント配線板用積層基材において、前記CSi-H結合、及びSi-OH結合からなる群より選ばれる少なくとも2つの結合を有する環状またはかご型シロキサン化合物は、下記一般式1で表される、プリント配線板用積層基材。式中、xは2以上10以下の整数を表し、nは、0以上、2以下の整数を表し、R1は同一でも異なっていてもよく、酸素原子、ホウ素原子または窒素原子から選択される原子を含む置換基を表し、R2は同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1~20の飽和または不飽和炭化水素基を示す。但し、R1およびR2の少なくとも2つは水素原子または水酸基である。請求項11または12に記載のプリント配線板用積層基材において、前記樹脂層は、前記樹脂層の合計値100重量に対して、B無機充填材を40~75重量含む、プリント配線板用積層基材。請求項11から13のいずれか1項に記載のプリント配線板用積層基材において、前記樹脂層は、Dシアネート樹脂組成物を1含む、プリント配線板用積層基材。請求項14に記載のプリント配線板用積層基材において、前記接着層は、X水酸基を少なくとも一つ含有する芳香族ポリアミド樹脂を含む、プリント配線板用積層基材。請求項15に記載のプリント配線板用積層基材において、前記X水酸基を少なくとも一つ含有する芳香族ポリアミド樹脂は、ジエン骨格を有する4つ以上の炭素鎖が繋がったセグメントを含む、プリント配線板用積層基材。請求項15又は16に記載のプリント配線板用積層基材において、前記X水酸基を少なくとも一つ含有する芳香族ポリアミド樹脂は、ブタジエンゴム成分のセグメントを含む、プリント配線板用積層基材。請求項11から17のいずれか1項に記載のプリント配線板用積層基材において、前記接着層は、Y平均粒径100nm以下の無機充填材を含む、プリント配線板用積層基材。請求項11から18のいずれか1項に記載のプリント配線板用積層基材において、前記樹脂層に含まれるB無機充填材の比表面積の総和が、1.8m2以上4.5m2以下である、プリント配線板用積層基材。プリント配線板用積層基材を基材の両面に張り合わせてなり、前記プリント配線板用積層基材が、請求項11から19のいずれか1項に記載のプリント配線板用積層基材である、プリント配線板用積層体。請求項11から19のいずれか1項に記載のプリント配線板用積層基材を内層回路基板に用いてなる、プリント配線板。請求項21に記載のプリント配線板において、前記内層回路基板は、請求項20に記載のプリント配線板用積層体を硬化させ、当該プリント配線板用積層体上に導体回路を形成したものである、プリント配線板。請求項21または22に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなる、半導体装置。前述のプリント配線板においては、未だに接続信頼性において改善の余地を有していた。本発明は以下のものを含む。[1]Aエポキシ樹脂と、B無機充填材と、CSi-H結合またはSi-O結合を少なくとも2つ有する環状シロキサン化合物と、を含有する、回路基板用エポキシ樹脂組成物。[2][1]に記載の回路基板用エポキシ樹脂組成物において、前記CSi-H結合またはSi-O結合を少なくとも2つ有する環状シロキサン化合物は、下記一般式1で表される、[1]に記載の回路基板用エポキシ樹脂組成物。式中、xは2以上10以下の整数を表し、R1は同一でも異なっていてもよく、酸素原子、ホウ素原子または窒素原子から選択される原子を含む基を表し、R2は、水素原子、炭素数1~20の飽和または不飽和炭化水素基を示す。但し、R1およびR2の少なくとも2つは水素原子または水酸基である。[3][1]または[2]に記載の回路基板用エポキシ樹脂組成物においてシアネート樹脂組成物をさらに含む、回路基板用エポキシ樹脂組成物。[4]回路基板用エポキシ樹脂組成物を基材に含浸してなり、前記回路基板用エポキシ樹脂組成物は、[1]から[3]のいずれか1項に記載の回路基板用エポキシ樹脂組成物である、プリプレグ。[5][4]に記載のプリプレグの少なくとも片面に金属箔を有する、又は当該プリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の少なくとも片面に金属箔を有する、金属張積層板。[6]支持基材と、前記支持基材上に形成された、回路基板用エポキシ樹脂組成物よりなる絶縁層と、を備え、前記支持基材はフィルム又は金属箔であり、前記回路基板用エポキシ樹脂組成物は、[1]から[3]のいずれか1項に記載の回路基板用エポキシ樹脂組成物である、樹脂シート。[7][5]に記載の金属張積層板を内層回路基板に用いてなるプリント配線板。[8]内層回路基板の回路上に、[4]に記載のプリプレグを積層してなるプリント配線板。[9]内層回路基板の回路上に、[4]に記載のプリプレグ、または[6]に記載の樹脂シートを積層してなるプリント配線板。[10]プリント配線板上に半導体素子を搭載してなり、前記プリント配線板は、[7]から[9]のいずれか1項に記載のプリント配線板である、半導体装置。[11]支持基材と、前記支持基材上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された樹脂層と、を備え、前記樹脂層は、Aエポキシ樹脂、B無機充填材、およびCSi-H結合、及びSi-OH結合からなる群より選ばれる少なくとも2つの結合を有する環状またはかご型シロキサン化合物を含有する、プリント配線板用積層基材。[12][11]に記載のプリント配線板用積層基材において、前記CSi-H結合、及びSi-OH結合からなる群より選ばれる少なくとも2つの結合を有する環状またはかご型シロキサン化合物は、下記一般式1で表される、プリント配線板用積層基材。式中、xは2以上10以下の整数を表し、nは、0以上、2以下の整数を表し、R1は同一でも異なっていてもよく、酸素原子、ホウ素原子または窒素原子から選択される原子を含む置換基を表し、R2は同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1~20の飽和または不飽和炭化水素基を示す。但し、R1およびR2の少なくとも2つは水素原子または水酸基である。[13][11]または[12]に記載のプリント配線板用積層基材において、前記樹脂層は、前記樹脂層の合計値100重量に対して、B無機充填材を40~75重量含む、プリント配線板用積層基材。[14][11]から[13]のいずれか1項に記載のプリント配線板用積層基材において、前記樹脂層は、Dシアネート樹脂組成物を1含む、プリント配線板用積層基材。[15][14]に記載のプリント配線板用積層基材において、前記接着層は、X水酸基を少なくとも一つ含有する芳香族ポリアミド樹脂を含む、プリント配線板用積層基材。[16][15]に記載のプリント配線板用積層基材において、前記X水酸基を少なくとも一つ含有する芳香族ポリアミド樹脂は、ジエン骨格を有する4つ以上の炭素鎖が繋がったセグメントを含む、プリント配線板用積層基材。[17][15]又は[16]に記載のプリント配線板用積層基材において、前記X水酸基を少なくとも一つ含有する芳香族ポリアミド樹脂は、ブタジエンゴム成分のセグメントを含む、プリント配線板用積層基材。[18][11]から[17]のいずれか1項に記載のプリント配線板用積層基材において、前記接着層は、Y平均粒径100nm以下の無機充填材を含む、プリント配線板用積層基材。[19][11]から[18]のいずれか1項に記載のプリント配線板用積層基材において、前記樹脂層に含まれるB無機充填材の比表面積の総和が、1.8m2以上4.5m2以下である、プリント配線板用積層基材。[20]プリント配線板用積層基材を基材の両面に張り合わせてなり、前記プリント配線板用積層基材が、[11]から[19]のいずれか1項に記載のプリント配線板用積層基材である、プリント配線板用積層体。[21][11]から[19]のいずれか1項に記載のプリント配線板用積層基材を内層回路基板に用いてなる、プリント配線板。[22][21]に記載のプリント配線板において、前記内層回路基板は、請求項10に記載のプリント配線板用積層体を硬化させ、当該プリント配線板用積層体上に導体回路を形成したものである、プリント配線板。[23][21]または[22]に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなる、半導体装置。本発明によれば、接続信頼性に優れたプリント配線板及び半導体装置が実現されるとともに、これらに用いられる回路基板用エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板用積層基材が実現される。以下に、本発明の回路基板用エポキシ樹脂組成物以下、樹脂組成物と称すことがある、及びこの樹脂組成物を用いたプリプレグ、積層板プリント配線板用積層体及び金属張積層板を含む、樹脂シート、プリント配線板、プリント配線板用積層基材、及び半導体装置について詳細に説明する。本実施の形態では、回路基板とは、例えば、導電パターン、配線層、及び電子部品を少なくとも含む電子部材で構成された回路が基板上に形成されたプリント配線板を意味する。回路は、基板の片面、両面のいずれに形成されてもよい。また、基板は多層ビルドアップ層を含む又は単層コア層を含むでもよく、多層の場合には、回路は内層に形成されてもよく、外層に形成されてもよい。また、基板は、フレキシブル基板又はリジット基板いずれでもよく、両方を有していてもよい。また、本実施の形態では、プリプレグ、積層板、樹脂シート、及びプリント配線板用積層基材は、前述のプリント配線板に用いるものである。本実施の形態では、半導体装置は、このプリント配線板と、当該プリント配線板上に実装された電子素子とを少なくとも備えるものである。なお、本実施の形態では、樹脂組成物を用いたプリプレグ、積層板、樹脂シート、及びプリント配線板用積層基材を、プリント配線板用基材と呼称する。本発明の樹脂組成物は、Aエポキシ樹脂、B無機充填材、およびCSi-H結合またはSi-OH結合を少なくとも2つ有する環状またはかご型シロキサン化合物以下、C環状シロキサン化合物と略称することがあるを含有する。本発明によれば、C環状シロキサン化合物は、Si-H結合またはSi-OH結合と介してAエポキシ樹脂、及び/又はB無機充填材と反応することができる。これらの成分が強固に結びつくとともに、C環状シロキサン化合物同士が結合することができる。これにより、以下の第1の効果又は及び第2の効果を得ることができる。すなわち、第1に、成分間の結合により、本発明の樹脂組成物を用いたプリント配線板用基材に低熱膨張性を付与することができる。また、C環状シロキサン化合物のSi-H結合またはSi-OH結合は、樹脂表面とパラジウム触媒等のめっき用触媒との親和性を弱めることができる。その結果、非めっき領域である樹脂表面上のメッキ特性を低下させることにより、樹脂表面上に形成された金属部分例えば、銅などの金属パターンで構成されるめっき領域のメッキ特性を相対的に向上させることができる。これらにより、樹脂表面上のめっき領域におけるメッキ特性を相対的に向上させて、微細配線加工後の導通不良の発生を抑制できる。従って、信頼性に優れたプリント配線板等を実現できる。また、第2に、成分間の結合により、本発明の樹脂組成物を用いたプリント配線板用積層基材の表面に強度を付与し、疎水化することができる。このため、プリント配線板の製造過程において、その樹脂層の低吸水化を図ることができる。このような樹脂層の表面上に形成された接着層は、デスミア加工時の膨潤液、粗化液の浸透を抑制でき、表面が荒らされにくくなる。従って、本発明によれば、接着層の表面において、過剰な粗化を抑制することができるので、接着層と導電膜との密着性が高まり、信頼性に優れたプリント配線板等を実現できる。以下、第1の効果を実現する樹脂組成物以下、第1樹脂組成物というを説明し、次いで、第2の効果を実現する樹脂組成物以下、第2樹脂組成物というを説明する。また、第1樹脂組成物又は第2樹脂組成物と特に明記しない樹脂組成物の構成は、両樹脂組成物に共通する構成であることを意味する。また、第1樹脂組成物と第2樹脂組成物とを合わせて、単に樹脂組成物と呼称する。第1樹脂組成物以下、第1樹脂組成物について説明する。通常のプリント配線板においては、例えば、特許文献1に示すように次の手法により形成されていた。まず、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂組成物を溶剤に溶解させて樹脂ワニスを作製する。この樹脂ワニスに無機充填材を添加し、この樹脂ワニスを基材に含浸させて加熱乾燥させることにより、プリプレグが作製される。また、特許文献2には、このようなプリプレグを用いて、次のようなめっき方法により回路を形成して、プリント配線板が得られる。すなわち、例えば、金めっきにより、プリント配線板の回路端子部とワイヤボンディング等とを電気的に接続する。金めっきの代表的な方法として、DIGDirectImmersionGold:直接置換金、ENIGElectrolessNickelImmersionGold:無電解ニッケル/置換金、ENEPIGElectrolessNickelElectrolessPalladiumImmersionGold:無電解ニッケル/無電解パラジウム/置換金などの方法が挙げられる。しかしながら、近年の微細配線化、またプリント配線板の薄型化に伴い、要求される電気的信頼性のレベルが高水準のものとなる。例えば、プリント配線板の製造工程において、端子部を金属メッキ処理する場合には、従来よりもメッキ後の金属の拡散防止が要求される。そして微細配線形成した場合であっても、電気的信頼性のさらなる向上が求められる。また、従来よりも、素子、ワイヤー等との接合面積が小さくなるため、鉛フリー半田接合信頼性のさらなる向上が求められている。このような技術環境を把握した本発明者らは、検討した結果、樹脂組成物から得られた樹脂層において、めっき領域のめっき特性を相対的に向上させ、非めっき領域のめっき特性を相対的に低下させることにより、非めっき領域における樹脂層の表面に、めっき層が形成されにくくなるので、メッキ後の金属の拡散防止を高めることができる、と考えた。本実施の形態では、めっき領域とは、例えば、樹脂層の表面に銅箔等の金属箔を張り付け、この金属箔を所定のパターンに形成することで得られた、金属パターン形成領域を意味する。そこで、各種の実験を行った結果、樹脂層を構成する樹脂組成物は、Aエポキシ樹脂、B無機充填材、およびCSi-H結合またはSi-OH結合を少なくとも2つ有する環状またはかご型シロキサン化合物以下、C環状シロキサン化合物と略称することがあるを含有することが好適であることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、第1樹脂組成物によれば、Aエポキシ樹脂とB無機充填材とを併用することによって、回路基板用エポキシ樹脂組成物を硬化させて積層板やプリント配線板としたときに、低熱膨張率性を付与することができる。例えば、ENEPIG工程ElectrolessNickelImmersionGold:無電解ニッケル/置換金、ENEPIGElectrolessNickelElectrolessPalladiumImmersionGold:無電解ニッケル/無電解パラジウム/置換金よるメッキ処理を行う場合に、CSi-H結合またはSi-OH結合を少なくとも2つ有する環状またはかご型シロキサン化合物を添加することによって、樹脂層表面とパラジウム触媒の親和性を弱めることができる。このため、非めっき領域ではめっき特性が低下し、一方、めっき領域では、非めっき領域に対して相対的にめっき特性が高まる。これにより、めっき領域において、良好にメッキ処理を行うことができるため、微細配線加工を行っても導通不良等の発生を抑制することができる。従って、本発明の第1樹脂組成物によれば、低熱線膨性に優れ、微細配線に対応し高度な電気的信頼性を有する回路基板用エポキシ樹脂組成物、及び当該回路基板用エポキシ樹脂組成物を用いたメッキ処理後においても電気的信頼性に優れるプリプレグ、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を提供することができる。また、回路基板用エポキシ樹脂組成物を用いてなるプリプレグ、樹脂シートは、プリント配線板の製造に用いた場合、ENEPIG法等のメッキ処理を行っても、メッキ工程後にメッキに用いた金属の拡散を防止でき、導通不良の発生を抑制することができる。以下、各成分について詳述する。Aエポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用することもできる。Aエポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の固形分基準固形分とは、実質的に樹脂層を形成する成分であり、溶剤は除くが、液状エポキシ等の成分は含むで5重量以上、30重量以下とすることが好ましい。Aエポキシ樹脂の含有量を下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂の硬化性が低下したり、樹脂組成物より得られるプリプレグ、又はプリント配線板の耐湿性が低下したりすることを抑制することができる。また、Aエポキシ樹脂の含有量を上限値以下とすることにより、プリプレグ又はプリント配線板の線熱膨張率が大きくなったり、耐熱性が低下したりすることを抑制することができる。B無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。無機充填材として、これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも特に、シリカが好ましく、溶融シリカ特に球状溶融シリカが低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使う等、その目的にあわせた使用方法が採用される。B無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、0.1~5.0μmが好ましく、特に0.5~2.0μmが好ましい以下、~は、特に明示しない限り、上限値と下限値を含むことを表す。B無機充填材の粒径が下限値以上とすることにより、ワニスが高粘度となり、プリプレグ作製時の作業性に与える影響を低減できる。また、粒径を上限値以下とすることにより、ワニス中で無機充填材の沈降等の現象の発生を抑制できる。平均粒子径は、例えば、超音波振動電流法ゼータ電位、超音波減衰分光法粒度分布およびレーザー回折散乱法により測定することができる。無機充填材を水中で超音波により分散させ、レーザー回折式粒度分布測定装置HORIBA製、LB-550により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径D50を平均粒子径とする。B無機充填材の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の10~80重量が好ましく、さら30~75重量が好ましい。最も好ましくは40~70重量である。B無機充填材の含有量を下限値以上とすることにより、難燃性や低熱膨張性を向上させることができる。また、B無機充填材の含有量を上限値以下とすることにより、樹脂中への分散が困難になり、粒子が凝集して不具合は発生することを抑制できる。さらにB無機充填材は、平均粒子径が10~100nmの無機充填材以下、微粒子と称する場合がある。を併用することが好ましい。これにより、B無機充填材が不定形の第無機充填材を使用したとしても、微粒子を添加しているので、樹脂組成物の流動性の低下を抑制することができる。また、樹脂ワニスの粘度が高くとも、樹脂ワニスに微粒子を添加することにより、基材に良好に樹脂ワニスを含浸することができる。微粒子を含有する樹脂組成物を更にプリント配線板の絶縁層に用いることにより、絶縁層表面に微細な粗度を形成することができ、微細配線加工性に優れたプリント配線板が得られる。微粒子の平均粒子径は、15~90nmが好ましく、25~75nmがさらに好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、高充填性、および高流動性を向上させることができる。微粒子の平均粒子径は、例えば、超音波振動電流法ゼータ電位、超音波減衰分光法粒度分布およびレーザー回折散乱法により測定することができる。具体的には、微粒子の平均粒子径はD50で規定できる。微粒子の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の0.5~20重量が好ましく、1~10重量が好ましい。微粒子の含有量が前記範囲内であると、特にプリプレグの含浸性、および成形性に優れる。B無機充填材の含有量w1と、微粒子の含有量w2との重量比w2/w1は、特に限定されないが、0.02~0.5であることが好ましく、特に0.06~0.4であることが好ましい。重量比が前記範囲内であると、特に成形性を向上することができる。C環状シロキサン化合物は、Si-H結合またはSi-OH結合を少なくとも2つ有することにより、Aエポキシ樹脂、及びB無機充填材と反応してこれらの成分を強固に結びつくことができるとともに、互いに結合することもできる。このため、C環状シロキサン化合物を樹脂組成物に添加することにより、この樹脂組成物から得られたシート、積層板、プリント配線板等の強度を向上させることができる。C環状シロキサン化合物は、下記一般式1で表される化合物を用いることができる。式中、xは2以上10以下の整数を表し、nは、0以上、2以下の整数を表し、R1は同一でも異なっていてもよく、酸素原子、ホウ素原子または窒素原子から選択される原子を含む置換基を表し、R2は同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1~20の飽和または不飽和炭化水素基を示す。但し、R1およびR2の少なくとも2つは水素原子または水酸基である。C環状シロキサン化合物は、特に限定されないが、分子量が50~1000であることが好ましい。炭素数1~20の飽和または不飽和炭化水素基としては、メチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、シクロプロピル、n-ブチル、i-ブチル、sec-ブチル、tert.-ブチル、シクロブチル、n-ペンチル、tert.-アミル、シクロペンチル、n-ヘキシル、シクロヘキシル、2-エチルヘキシル等のアルキル基;フェニル、ジフェニル、ナフチル等のアリール基;ベンジル、メチルベンジル等のアリールアルキル基;o-トルイル、m-トルイル、p-トルイル、2,3-ジメチルフェニル、2,4-ジメチルフェニル、2,5-ジメチルフェニル、2,6-ジメチルフェニル、3,4-ジメチルフェニル、3,5-ジメチルフェニル、2,4,6-トリメチルフェニル、o-エチルフェニル、m-エチルフェニル、p-エチルフェニル等のアルキルアリール基;ビニル、アリル、1-プロペニル、1-ブテニル、1,3-ブタジエニル、1-ペンテニル、1-シクロペンテニル、2-シクロペンテニル、シクロペンタジエニル、メチルシクロペンタジエニル、エチルシクロペンタジエニル、1-ヘキセニル、1-シクロヘキセニル、2,4-シクロヘキサジエニル、2,5-シクロヘキサジエニル、2,4,6-シクロヘプタトリエニル、5-ノルボルネン-2-イル等のアルケニル基;2-フェニル-1-エテニル等のアリールアルケニル基;o-スチリル,m-スチリル,p-スチリル等のアルケニルアリール基;エチニル、1-プロピニル、2-プロピニル、1-ブチニル,2-ブチニル,3-ブチニル、1-ペンチニル、2-ペンチニル、3-ペンチニル、4-ペンチニル、1-ヘキシニル、3-ヘキシニル、5-ヘキシニル等のアルキニル基;2-フェニル-1-エチニル等のアリールアルキニル基;2-エチニル-2フェニル等のアルキニルアリール基等を挙げることができる。C環状シロキサン化合物は、例えば、1,3,5-トリメチルシクロトリシロキサン、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、1,3,5-トリエチルシクロトリシロキサン、1,3,5,7-テトラエチルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9-ペンタエチルシクロペンタシロキサンなどが挙げられる。特に好ましくは1,3,5-トリメチルシクロトリシロキサン、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9-ペンタメチルシクロペンタシロキサンなどが挙げられる。C環状シロキサン化合物は、Si-H結合又はSi-OH結合の反応性を少なくとも2以上有することで自己重合し、かつ無機充填材と化学結合又は物理結合することが可能となる。例えば、無機充填材がシリカの場合、C環状シロキサン化合物は、シリカのシラノール基等と反応することができ、無機充填材を疎水化させることができる。疎水化することにより、無機充填材を高充填化した際においても、デスミア等の薬液に対して耐性の強い樹脂組成物とすることができる。これにより、スルーホールやビアホールにおいては樹脂の脱落によるガラスクロスの突出が少なくなるため絶縁信頼性が向上し、セミアディティブ法を行う場合にはめっき銅の剥離強度が向上する。かご型シロキサン化合物とは、1つのSiは少なくとも2つ以上の0酸素原子と結合した3次元空間が形成された枠型の構造を有する化合物であり、例えば、下記一般式2で表される。式中、Xは、水素原子、水酸基、炭素数1~20の飽和または不飽和炭化水素基または酸素原子、ホウ素原子、窒素原子、ケイ素原子から選択される原子を含む置換基を示す。但し、少なくとも2つのXは水素原子または水酸基である。かご型シロキサン化合物は、特に限定されないが、分子量が50~1000が好ましい。かご型シロキサン化合物は、例えば、ポリシルセスキオキサンT8、ポリシルセスキオキサン-ヒドロキシ置換体、ポリシルセスキオキサン-オクタヒドロキシ置換体、ポリシルセスキオキサン-3-グリシジルプロポキシ-ヘプタヒドロキシ置換体、ポリシルセスキオキサン-2,3-プロパンジオールポロポキシ-ヘプタヒドロキシ置換体などが挙げられる。C環状シロキサン化合物の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物中0.01~10重量が好ましく、さらに0.1~5重量が好ましく、最も好ましくは0.2~2重量である。C環状シロキサン化合物の含有量を下限値以上とすることにより、有機シロキサン化合物の効果が充分に得られる。また、C環状シロキサン化合物の含有量を上限値以下とすることにより、プリント配線板の特性低下を抑制することができる。樹脂組成物は、さらにシアネート樹脂を含有してもよい、エポキシ樹脂のみでは達成することのできない耐熱性及び低熱膨張性を付与させることができる。ここで、シアネート樹脂は、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的には、フェノールノボラック型シアネート樹脂、クレゾールノボラック型シアネート樹脂等のノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂、およびジシクロペンタジエン型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらのシアネート樹脂を使用した樹脂組成物よりなるプリント配線板は、特に加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性に優れる。シアネート樹脂の分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量5.0×102~4.5×103が好ましく、特に6.0×102~3.0×103が好ましい。重量平均分子量を下限値以上とすることにより、プリプレグを作製した場合にタック性が生じ、プリプレグ同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりすることを抑制できる。また、重量平均分子量を上限値以下とすることにより、反応が速くなりすぎ、特に積層板に用いた場合、成形不良が生じることを抑制できる。シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算で測定することができる。なお、シアネート樹脂としては、プレポリマー化したものも用いることができる。シアネート樹脂を単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なるシアネート樹脂を併用したり、シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。ここでプレポリマーとは、通常、シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば3量化することで得られるものであり、回路基板用樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。プレポリマーは、特に限定されないが、例えば、3量化率が20~50重量であるものを用いることが好ましい。この3量化率は、例えば赤外分光分析装置を用いて求めることができる。また、前記シアネート樹脂は、特に限定されないが、1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上のシアネート樹脂と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。シアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の3~70重量が好ましく、なかでも、5~50重量が好ましく、プリプレグを作製する場合等においては、さらに10~30重量が好ましい。シアネート樹脂の含有量を下限値以下とすることにより、シアネート樹脂を添加したことによる耐熱性向上の効果が充分得られる。また、シアネート樹脂の含有量を上限値以下とすることにより、プリプレグ等の成型品の強度が低下することを抑制することができる。樹脂組成物は、さらに熱硬化性樹脂実質的にハロゲンを含まないを併用することができる。熱硬化性樹脂は、例えば、ユリア尿素樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂等が挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用したりすることもできる。樹脂組成物は、必要に応じて、フェノール樹脂、または硬化促進剤を用いることができる。またフェノール樹脂と硬化促進剤とを併用してもよい。フェノール樹脂は、特に限定されないが、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂が挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上の前述した樹脂と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも特に、アリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに吸湿半田耐熱性を向上させることができる。硬化促進剤は、特に限定されないが、例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルトII、トリスアセチルアセトナートコバルトIII等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン等の3級アミン類、イミダゾール化合物、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。これらの中の誘導体も含めて1種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて2種類以上を併用したりすることもできる。これらの硬化促進剤のなかでも、特にイミダゾール化合物が好ましい。これにより、樹脂組成物をプリプレグとし、半導体装置に使用した場合の絶縁性、半田耐熱性を高めることができる。前記イミダゾール化合物としては、例えば、2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-エチル-4-エチルイミダゾール、2,4-ジアミノ-6-2-メチルイミダゾリル-1-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-2-ウンデシルイミダゾリル-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-2-エチル-4-メチルイミダゾリル-1-エチル-s-トリアジン、2-フェニルー4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルー5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチルー2-エチルー4-メチルイミダゾール、1-シアノエチルー2-ウンデシルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシイミダゾール、2,3-ジヒドロー1H-ピロロ1,2-aベンズイミダゾールなどを挙げることができる。これらの中でも、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、及び、2-エチル-4-メチルイミダゾールが好ましい。これらのイミダゾール化合物は、樹脂成分に対し特に優れた相溶性を有することで、均一性の高い硬化物が得られる。樹脂組成物は、さらに樹脂組成物と導体層との密着性が向上するような樹脂成分を添加しても良い。例えば、フェノキシ樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂等が挙げられる。これらの中でも特に金属との密着性に優れ、硬化反応速度に与える影響が少ないと言う点でフェノキシ樹脂を添加することが好ましい。フェノキシ樹脂は、例えばビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種類有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いることができる。カップリング剤は、エポキシ樹脂と、無機充填材との界面の濡れ性を向上させる。そして繊維基材に対して熱硬化性樹脂等および無機充填材を均一に定着させ、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。カップリング剤は、特に限定されないが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる1種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。カップリング剤の添加量は、特に限定されないが、B無機充填材100重量部に対して0.05~3重量部が好ましく、特に0.1~2重量部が好ましい。カップリング剤の含有量を下限値以上とすることにより、無機充填材を十分に被覆し、耐熱性を向上させることができる。カップリング剤の含有量を上限値以下とすることにより、反応に影響を与え、曲げ強度等が低下することを抑制することができる。樹脂組成物には、さらに必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の上記成分以外の添加物を添加しても良い。次に、第1樹脂組成物を用いたプリプレグについて説明する。プリプレグは、第1樹脂組成物を基材に含浸させてなるものである。これにより、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れたプリント配線板を製造するのに好適なプリプレグを得ることができる。基材は、特に限定されないが、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグの強度が向上し、吸水率を下げることができ、また熱膨張係数を小さくすることができる。ガラス繊維基材を構成するガラスは、特に限定されないが、例えばEガラス、Cガラス、Aガラス、Sガラス、Dガラス、NEガラス、Tガラス、Hガラス等が挙げられる。これらの中でもEガラス、Tガラス、または、Sガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の高弾性化を達成することができ、熱膨張係数も小さくすることができる。プリプレグを製造する方法は、特に限定されないが、例えば、前述した第1樹脂組成物を用いて樹脂ワニスを調製し、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより塗布する方法、スプレーにより吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上することができる。なお、基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。樹脂ワニスに用いられる溶媒は、第1樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒は、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。樹脂ワニスの固形分は、特に限定されないが、樹脂組成物の固形分50~90重量が好ましく、特に60~80重量が好ましい。これにより、樹脂ワニスの基材への含浸性を更に向上できる。基材に樹脂組成物を含浸させる所定温度、特に限定されないが、例えば90~220°C等で乾燥させることによりプリプレグを得ることが出来る。次に、前述のプリプレグを用いた積層板について説明する。積層板は、前述のプリプレグを少なくとも1枚、若しくは複数枚積層した積層体、積層体の両面、若しくは片面に、金属箔を重ねた積層体、または内層回路基板の両面、若しくは片面にプリプレグ、若しくは樹脂シートを積層した積層体をいう。ここで内層回路基板とは、プリント配線板に用いる、一般にコア基板と呼ばれるものであり、積層板に導体回路を形成したものである。内層回路基板は、特に限定されないが、前記本発明の積層板に導体回路形成を行い作製することができ、また従来のプリント配線板に用いる積層板に回路形成を行うことにより作製することもできる。本願発明の積層板を用いた場合は、微細配線加工に優れ、微細配線を形成しても電気的信頼性に優れる。積層板の製造方法は、特に限定されないが、例えば、プリプレグ等所望の構成に積層後、加熱、加圧することで得ることができる。加熱する温度は、特に限定されないが、120~230°Cが好ましく、特に150~210°Cが好ましい。また、圧力は、特に限定されないが、1~5MPaが好ましく、特に2~4MPaが好ましい。これにより、誘電特性、高温多湿化での機械的、電気的接続信頼性に優れた積層板を得ることができる。金属箔は、特に限定されないが、例えば銅及び銅系合金、アルミ及びアルミ系合金、銀及び銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金、鉄および鉄系合金等の金属箔が挙げられる。金属箔の厚さは、特に限定されないが、0.1μm以上70μm以下であることが好ましい。さらには1μm以上35μ以下が好ましく、さらに好ましくは1.5μm以上18μm以下が好ましい。金属箔の厚さを下限値以上とすることにより、ピンホールの発生を抑制し、金属箔をエッチングし導体回路として用いた場合、回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどの発生を抑制することができる。金属箔の厚さを上限値以下とすることにより、金属箔の厚みバラツキが大きくなったり、金属箔粗化面の表面粗さバラツキが大きくなることを抑制できる。また、前記箔は、キャリア箔付き極薄金属箔を用いることもできる。キャリア箔付き極薄金属箔とは、剥離可能なキャリア箔と極薄金属箔とを張り合わせた金属箔である。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることで前記絶縁層の両面に極薄金属箔層を形成できることから、例えば、セミアディティブ法などで回路を形成する場合、無電解メッキを行うことなく、極薄金属箔を直接給電層として電解メッキすることで、回路を形成後、極薄銅箔をフラッシュエッチングすることができる。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることによって、厚さ10μm以下の極薄金属箔でも、例えばプレス工程での極薄金属箔のハンドリング性の低下や、極薄銅箔の割れや切れを防ぐことができる。第1樹脂組成物として、特に、Aエポキシ樹脂、B無機充填材、およびC環状シロキサン化合物に、微粒子を添加したものを用いた場合は、キャリア箔付き極薄金属箔のうち極薄金属箔が10μm以下であっても、作業性に優れ、かつ、内層回路形成後に絶縁層を形成した際の、内層回路と絶縁層との密着性を向上させることができる。また、第1樹脂組成物を用いて得られた積層板は、樹脂表面と純水との接触角が、85°以下であることが好ましい。なお、積層板が最外層に金属箔を有する場合は、金属箔をエッチング後、金属メッキ処理を行った後、樹脂層表面と純水との接触角が、85°以下であることが好ましい。本実施の形態では、積層板の樹脂層表面が純水の濡れ性が高いということは、その表面に付着した金属を、例えば、水などの洗浄液で除去しやすいことを示す。従って、このような積層板を用いることにより、プリント配線板の製造過程において、ENEPIG工程等のメッキ処理後、樹脂層の表面に付着した金属を容易に洗浄することが可能となる。すなわち、非めっき領域上の洗浄特性を向上させることができる。これにより、樹脂層上の非めっき領域に、めっき液に含まれる金属が拡散することを抑制できる。従って、めっき領域と非めっき領域との境界が明確となるめっき層を形成することができるので、めっき層間の短絡を防止して、電気的信頼性に優れるプリント配線板を得ることができる。積層板の接触角を金属メッキ処理後に85°以下とするには、例えば、C環状シロキサン化合物を添加すること又は、平均粒子径が10~100nmである微粒子と平均粒径が0.1~5.0μmのB無機充填材とを併用すること等が挙げられる。さらに好ましくは、第1樹脂組成物が、C環状シロキサン化合物、微粒子、及びB無機充填材を含む場合である。この場合、接触角は80°以下とすることも可能となる。これにより、細配線のプリント配線板を製造した場合においても、電気的信頼性に優れるプリント配線板を得ることができる。微粒子の含有量は、特に限定されないが、第1樹脂組成物全体の0.5~10重量が好ましい。微粒子の含有量が範囲内であると、特に、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等の室温において固形のエポキシ樹脂を用いた場合においても、プリプレグの含浸性、および成形性に優れ、さらに金属メッキ処理後の接触角が85°以下とすることができる。これにより、電気的信頼性に優れるプリント配線板を得ることができる。B無機充填材の含有量w1と、前記微粒子の含有量w2との重量比w2/w1は、特に限定されないが、0.02~0.12であることが好ましく、特に0.06~0.10であることが好ましい。重量比w1/w2が、上記範囲であると、特に、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等の室温において固形のエポキシ樹脂を用いた場合においても、プリプレグの含浸性、および成形性に優れ、さらに金属メッキ処理後の接触角を85°以下とすることができる。これにより、電気的信頼性に優れるプリント配線板を得ることができる。次に、樹脂シートについて説明する。第1樹脂組成物を用いた樹脂シートは、第1樹脂組成物からなる絶縁層をキャリアフィルム、又は金属箔上に形成することにより得られる。まず、第1樹脂組成物を、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンシクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール等の有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニスを作製する。樹脂ワニス中の第1樹脂組成物の含有量は、特に限定されないが、45~85重量が好ましく、特に55~75重量が好ましい。次に、樹脂ワニスを、各種塗工装置を用いて、キャリアフィルム上または金属箔上に塗工した後、これを乾燥する。または、樹脂ワニスをスプレー装置によりキャリアフィルムまたは金属箔に噴霧塗工した後、これを乾燥する。これらの方法により樹脂シートを作製することができる。塗工装置は、特に限定されないが、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、コンマコーターおよびカーテンコーターなどを用いることができる。これらの中でも、ダイコーター、ナイフコーター、およびコンマコーターを用いる方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な絶縁層の厚みを有する樹脂シートを効率よく製造することができる。キャリアフィルムは、キャリアフィルムに絶縁層を形成するため、取扱いが容易であるものを選択することが好ましい。また、キャリアフィルムとしては、樹脂シートの絶縁層を内層回路基板面に積層後、キャリアフィルムを剥離することから、内層回路基板に積層後、剥離が容易であるものであることが好ましい。したがって、前記キャリアフィルムは、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルムなどを用いることが好ましい。これらキャリアフィルムの中でも、ポリエステルで構成されるフィルムが最も好ましい。これにより、絶縁層から適度な強度で剥離することが容易となる。キャリアフィルムの厚さは、特に限定されないが、1~100μmが好ましく、特に10~50μmが好ましい。キャリアフィルムの厚さが前記範囲内であると、取扱いが容易で、また絶縁層表面の平坦性に優れる。金属箔は、キャリアフィルム同様、内層回路基板に樹脂シートを積層後、剥離して用いても良いし、また、金属箔をエッチングし導体回路として用いても良い。前記金属箔は、特に限定されないが、例えば、上記積層板に用いる金属箔を用いることができる。また、金属箔は、積層板同様、キャリア箔付き極薄金属箔であって、極薄金属箔が10μm以下であってもよい。いずれの金属箔を用いても、第1樹脂組成物から得られた樹脂シートは、作業性に優れ、かつ、微細回路形成に優れ、回路の導通不良等の発生を抑制することができる。金属箔の厚さは、特に限定されないが、0.1μm以上70μm以下であることが好ましい。さらには1μm以上35μ以下が好ましく、さらに好ましくは1.5μm以上18μm以下が好ましい。金属箔の厚さが上記下限値以上とすることにより、ピンホールが発生しにくくなり、金属箔をエッチングし導体回路として用いた場合、回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどの発生を抑制することができる。金属箔の膜さを上限値以下とすることにより、金属箔の厚みバラツキが小さくなり、金属箔粗化面の表面粗さバラツキが小さくなる。次に、多層プリント配線板について説明する。多層プリント配線板は、前述のプリプレグを絶縁層に用いてなる。また、多層プリント配線板は、上記に記載の積層板を内層回路基板に用いてなる。積層板を内層回路基板として用いる場合について説明する。内層回路基板となる積層板の片面又は両面に回路形成する。場合によっては、ドリル加工、レーザー加工によりスルーホールを形成し、めっき等で両面の電気的接続をとることもできる。この内層回路基板に市販の樹脂シート、または前記本発明のプリプレグを重ね合わせて加熱加圧成形し、多層プリント配線板を得ることができる。具体的には、前述の樹脂シートの絶縁層側と内層回路板とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置等で絶縁層を加熱硬化させることにより得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件としては、特に限定されないが、一例を挙げると、温度60~160°C、圧力0.2~3MPaで実施することができる。また、加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度140~240°C、時間30~120分間で実施することができる。また、多層プリント配線板は、プリプレグを内層回路板に重ね合わせ、これを平板プレス装置等で加熱加圧成形することにより得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度140~240°C、圧力1~4MPaで実施することができる。このような平板プレス装置等による加熱加圧成形では、加熱加圧成形と同時に絶縁層の加熱硬化が行われる。多層プリント配線板の製造方法は、前記樹脂シートまたはプリプレグを、内層回路基板の内層回路パターンが形成された面に重ね合わせて連続積層する工程および導体回路層をセミアディティブ法で形成する工程を含む。樹脂シートまたはプリプレグより形成された絶縁層は、完全硬化させた後、レーザー照射および樹脂残渣の除去することもできるが、デスミア性を向上させるため、半硬化状態にして、レーザー照射および樹脂残渣の除去する場合もある。また、一層目の絶縁層を通常の加熱温度より低い温度で加熱することにより一部硬化半硬化させ、絶縁層上に、一層ないし複数の絶縁層をさらに形成し半硬化の絶縁層を実用上問題ない程度に再度加熱硬化させることにより絶縁層間および絶縁層と回路との密着力を向上させることができる。この場合の半硬化の温度は、80°C~200°Cが好ましく、100°C~180°Cがより好ましい。尚、次工程においてレーザーを照射し、絶縁層に開口部を形成するが、その前に基材を剥離する。樹脂シートを用いた場合において、キャリアフィルムの剥離は、絶縁層を形成後、加熱硬化の前、または加熱硬化後のいずれに行っても特に問題はない。なお、前記多層プリント配線板を得る際に用いられる内層回路板は、例えば、銅張積層板の両面に、エッチング等により所定の導体回路を形成し、導体回路部分を黒化処理したものを好適に用いることができる。ここで、導体回路幅Lと導体回路間幅S以下、L/Sと称す場合がある。は、従来は、広く、L/Sが、50μm/50μm程度であった。しかし、現在は25μm/25μm程度の検討がなされており、近年の微細配線化に伴い、今後は更に狭くなる傾向にある。積層板をプリント配線板に用いる場合、L/Sが、15μm/15μm以下の微細配線の形成も可能となり、また、L/Sが、15μm/15μm以下であっても、例えば、ENEPIG工程等のメッキ処理後において金属の拡散が抑制でき、導通不良が生じることが抑制される。次に、絶縁層に、レーザーを照射して、開孔部を形成する。レーザーとしては、エキシマレーザー、UVレーザーおよび炭酸ガスレーザー等が使用できる。レーザー照射後の樹脂残渣等は過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより除去することが好ましい。また、平滑な絶縁層の表面を同時に粗化することができ、続く金属メッキにより形成する導電配線回路の密着性を上げることができる。次に、外層回路を形成する。外層回路の形成方法は、金属メッキにより絶縁樹脂層間の接続を図り、エッチングにより外層回路パターン形成を行う。樹脂シート、またはプリプレグを用いたときと同様にして、多層プリント配線板を得ることができる。尚、金属箔を有する樹脂シート、またはプリプレグを用いた場合は、金属箔を剥離することなく、導体回路として用いるためにエッチングにより回路形成を行ってもよい。その場合、厚い銅箔を使用した基材付き絶縁樹脂シートを使うと、その後の回路パターン形成においてファインピッチ化が困難になるため、1~5μmの極薄銅箔を使うか、または12~18μmの銅箔をエッチングにより1~5μmに薄くするハーフエッチングする場合もある。さらに絶縁層を積層し、前述と同様にして、回路形成を行っても良い。その後、最外層にソルダーレジストを形成し、露光現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ENEPIG法などによって金メッキ処理を施し、所定の大きさに切断し、多層プリント配線板を得ることができる。尚、以上、ENEPIG法を用いた例について説明したが、他の金属メッキ法を用いてもよい。他のメッキ法であっても、積層板において、樹脂表面最外層に金属箔を有する場合は、金属箔をエッチングした樹脂表面を金属メッキ処理後、純水との接触角が、85°以下である積層板を用いた場合は、当該積層板を用い、プリント板を製造した場合、金属メッキ後の金属拡散が抑制でき微細配線形成した場合であっても電気的信頼性に優れたプリント配線板を得ることができる。他のメッキ法を用いる場合であっても、積層板の接触角を80°以下とすることが好ましい。この場合、L/Sが、10μm/10μmであっても電気的信頼性に優れる。次に、半導体装置について説明する。以上にして得られた多層プリント配線板に半田バンプを有する半導体素子を実装し、半田バンプを介して、多層プリント配線板との接続を図る。そして、多層プリント配線板と半導体素子との間には液状封止樹脂等を充填し、半導体装置を形成する。半田バンプは、錫、鉛、銀、銅、ビスマスなどからなる合金で構成されることが好ましい。半導体素子と多層プリント配線板との接続方法は、フリップチップボンダーなどを用いて基板上の接続用電極部と半導体素子の半田バンプとの位置合わせを行ったあと、IRリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、多層プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。尚、接続信頼性を良くするため、予め多層プリント配線板上の接続用電極部に半田ペースト等、比較的融点の低い金属の層を形成しておいても良い。この接合工程に先んじて、半田バンプおよび、または多層プリント配線板上の接続用電極部の表層にフラックスを塗布することで接続信頼性を向上させることもできる。第2樹脂組成物以下、第2樹脂組成物について説明する。通常、基板を構成する樹脂層と金属箔と間に接着層を形成することにより、樹脂層基板と金属箔と接着特性を向上させる技術が利用されている。しかしながら、例えばデスミア処理などの製造プロセスにおいて、接着層の表面が過剰に粗化以下、過粗化と称することもあるすることがあった。このため、接着層を用いる一般的な技術においては、未だに、基板と金属箔との接着特性を改善する余地があった。このような改善点を見出した本発明者らは、検討した結果、下地である樹脂層の表面が過粗化すると、その上の接着層の表面も過粗化することを見出した。そこで、本発明者らは、下地の樹脂層の表面の過粗化を抑制することで、その上の接着層の過粗化も抑制できると考えた。各種実験の結果、本発明者らは、第2樹脂組成物は、Aエポキシ樹脂、B無機充填材、およびCSi-H結合またはSi-OH結合を少なくとも2つ有する環状またはかご型シロキサン化合物以下、C環状シロキサン化合物と略称することがあるを含有することが好ましいことを見出し、本発明を完成させた。すなわち、C環状シロキサン化合は、Si-H結合またはSi-OH結合を少なくとも2の反応基を有することにより、Aエポキシ樹脂、及びB無機充填剤と反応してこれらの成分を強固に結びつける。さらには、C環状シロキサン化合物同士が、結合することが可能となる。このため、第2樹脂組成物で構成された樹脂層の表面は高い強度となり、疎水化することになる。このため、プリント配線板の製造過程において、その樹脂層の低吸水化を図ることができる。このような樹脂層の表面上に形成された接着層は、デスミア加工時の膨潤液、粗化液の浸透を抑制でき、表面が荒らされにくくなる。従って、本発明によれば、接着層の表面において、過剰な粗化を抑制することができるので、接着層と導電膜との密着性が高まり、信頼性に優れたプリント配線板等を実現できる。また、本発明によれば、低熱膨張率であり、加工性に優れ、デスミア工程後においても絶縁層表面が必要以上に荒らされることなく、導体回路との密着強度ピール強度に優れるプリント配線板用積層基材、当該プリント配線板材料を基材に張りあわせた積層体、当該積層体を用いたプリント配線板、及び半導体装置を実現することができる。第2樹脂組成物は、プリント配線板用積層基材に用いることができる。第2樹脂組成物は、大別して、図1に示すプリント配線板用積層基材10に用いる場合第1の実施形態、および図2に示すプリント配線板用積層基材11を用いる場合第2の実施形態がある。第1の実施の形態において、プリント配線板用積層基材10は、剥離シート12、接着層14及び樹脂層16が積層した積層体からなる。また、プリント配線板用積層基材11は、金属箔13、接着層14及び樹脂層16が積層した積層体からなる。これらの積層体のうち樹脂層16が、第2樹脂組成物から得られる。樹脂層16は、例えば、Aエポキシ樹脂、B無機充填材、およびC環状シロキサン化合物を含有する。本実施の形態では、3層体の場合について説明するが、この態様に限定されるものではない。以下、第2樹脂組成物について、第1樹脂組成物と異なる点を説明する。すなわち、第2樹脂組成物が含有するAエポキシ樹脂、B無機充填材、C環状シロキサン化合物は基本的には第1樹脂組成物と同様であるが、以下の点が異なる。B無機充填材は、単位重量あたりの樹脂層16に含まれる無機充填材の表面積の総和が、特に限定されないが、好ましくは1.8m2/g以上4.5m2/g以下であり、さらに好ましくは2.0m2/g以上4.3m2/g以下であることにより、特定されることが好ましい。これにより、樹脂層16の吸水率を低くすることができる。B無機充填材の表面積の総和は、以下の式により算出することができる。式:単位重量あたりの樹脂層16に含まれる無機充填材の表面積の総和m2/g=X/100×Ym2/gX:樹脂層16中の無機充填材割合Y:無機充填材の比表面積m2/gB無機充填材の含有量としては、特に限定されないが、樹脂組成物全体の10~85重量が好ましく、さらに30~80重量が好ましく、最も好ましくは40~75重量である。B無機充填材の含有量を下限値以上とすることにより、難燃性や低熱膨張性を向上させることができる。また、B無機充填材の含有量を上限値以下とすることにより、樹脂中への分散が困難になり、粒子が凝集して不具合が発生することを抑制できる。C環状シロキサン化合物は、特に限定されないが、分子量が5.0×10~1.0×103であること好ましい。かご型シロキサン化合物は、特に限定されないが、分子量が5.0×10~1.0×103であることが好ましい。樹脂層16全体の吸水率は、樹脂当たりの吸水率樹脂層からB無機充填材を除いた成分の吸水率が2.5以下であることが好ましい。樹脂層16の樹脂あたりの吸水率は、好ましくは1~2.3、さらに好ましくは1~2.0とすることができる。下限値は、上記数値範囲において1.3以上とすることが好ましい。この範囲であれば、メッキピール強度、及び絶縁信頼性が優れたものとなる。特に、プリント配線板を製造した際のビア間の絶縁信頼性が優れたものとなる。なお、樹脂層の吸水率が下限値以上とすることにより、無機充填材の含有量を上記範囲内となる第2樹脂組成物を得ることができる。このような第2樹脂組成物から得られた積層板は、低熱膨張率となり、かつ接着層とめっき層等との間の接着性を改善することができ、さらには、レーザビア加工後のスミア除去が容易となる。樹脂層16は、樹脂あたりの吸水率が1~2.5であり、かつ無機充填材を55~75重量含むことが好ましい。これにより、メッキピール強度、絶縁信頼性が従来よりも優れたものとなる。特に、プリント配線板を製造した際のビア間の絶縁信頼性が更に向上し、微細配線加工性も向上する。具体的には、導体回路幅Lと導体回路間幅Sが、L/S=15μm/15μmと微細な場合であっても信頼性に優れるプリント配線板を得ることができる。接着層14を構成する第3樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含むことが好ましく、さらに、X水酸基を少なくとも一つ含有する芳香族ポリアミド樹脂以下、X芳香族ポリアミド樹脂と称すことがある。、B無機充填材及び又は微粒子、シアネートエステル樹脂、イミダゾール化合物、及びカップリング剤からなる群から選択される少なくとも一種の成分を含むことがさらに好ましい。接着層14は、X芳香族ポリアミド樹脂を含むことが好ましい。これにより、接着層は、導体回路との密着強度が高くなる。また、さらに好ましくは、X芳香族ポリアミド樹脂として、ジエン骨格を有する少なくとも4つ以上の炭素鎖が繋がったセグメントを含むことが好ましい。これにより、樹脂シートやプリプレグを多層プリント配線板の製造に用いた際のデスミア処理工程で、X芳香族ポリアミド樹脂が、選択的に粗化されることで微細な粗化形状を形成することができる。また、絶縁層に適度な柔軟性を持たせることにより、導体回路との密着性を高めることができる。実施の形態では、炭素鎖が繋がったセグメントとは、炭素-炭素結合により結合された所定の骨格を有する構造体を意味する。また、X水酸基を少なくとも一つ含有する芳香族ポリアミド樹脂は、ブタジエンゴム成分のセグメントを有してもよい。X芳香族ポリアミド樹脂としては、例えば、KAYAFLEXBPAM01日本化薬社製、KAYAFLEXBPAM155日本化薬社製などが挙げられる。X芳香族ポリアミド樹脂の重量平均分子量Mwは、2.0×105以下であることが好ましい。これにより、銅等との密着性を得ることができる。重量平均分子量Mwが2.0×105以下とすることにより、第3樹脂組成物を用い接着層を製造した際、接着層の流動性が低下することを抑制することができる。また、プレス成形特性や回路埋め込み特性が低下することを抑制でき、溶剤溶解性が低下することを抑制することができる。接着層14は、微粒子を含むことが好ましい。微粒子は、樹脂層に用いることができるものとする。すなわち、微粒子としては、第2樹脂層と同様に、平均粒子径が10~100nmの無機充填材を用いることができる。接着層14がこのような微粒子を含むことにより、デスミア処理において表面が容易に微細な凹凸が形成され、めっき金属との接着性が向上する。さらに、デスミア処理後の接着層14の表面の凹凸が微細であるので、接着層14の表面に形成されるめっき金属層の表面が平滑となり、めっき金属層に微細な加工を容易に施すことができる。したがって、めっき金属層に細線を形成することができる。接着層に用いられる微粒子の平均粒子径は、特に15~90nmが好ましく、最も25~75nmが好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、接着層に充填材を高い割合で含有することができ高充填性に優れる。、接着層の線膨張係数を小さくすることができる。微粒子の含有量は、特に限定されないが、接着層14を構成する第3樹脂組成物全体の0.5~25重量が好ましく、5~15重量が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特にプリプレグの含浸性、および成形性に優れる。接着層14は、エポキシ樹脂を含むことができる。エポキシ樹脂は、特に限定されない。樹脂層16に含まれるAエポキシ樹脂と同様の樹脂を用いることができる。この中でも、低吸水率の観点から、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂は、無機充填材B無機充填材及び微粒子を除く、接着層14全体を100重量とする場合において、10~90重量、好ましくは25~75重量の量で含むことができる。エポキシ樹脂の含有量を下限値以上とすることにより、第3樹脂組成物の硬化性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりすることを抑制することができる。エポキシ樹脂の含有量を上限値以下とすることにより、低熱膨張性、耐熱性が低下することを抑制することができる。すなわち、エポキシ樹脂の含有量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスを向上させることができる。エポキシ樹脂のエポキシ当量に対するX芳香族ポリアミド樹脂の活性水素当量の当量比は、0.02以上0.2以下であることが好ましい。上限値以下とすることにより、X芳香族ポリアミド樹脂が、十分にエポキシ樹脂と架橋でき、耐熱性を向上させることができる。下限値以上とすることにより、硬化反応性が高くなりすぎるために、接着層14の流動性、またはプレス成形性が低下することを抑制することができる。接着層14は、シアネートエステル樹脂を含むことができる。シアネートエステル樹脂としては、樹脂層16に含まれるシアネートエステル樹脂と同様の樹脂を用いることができる。シアネートエステル樹脂の含有量は、無機充填材B無機充填材及び微粒子を除く、接着層14全体の10~90重量が好ましく、特に25~75重量が好ましい。含有量を下限値以上とすることにより、接着層14の形成性の低下をよくせいすることができる。含有量を上限値以下とすることにより、接着層14の強度の低下を抑制することができる。接着層14は、必要に応じて硬化促進剤を含んでいても良い。硬化促進剤としては、例えばイミダゾール化合物、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルトII、トリスアセチルアセトナートコバルトIII等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン等の3級アミン類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。これらの中の誘導体も含めて1種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて2種類以上を併用したりすることもできる。硬化促進剤の中でも特にイミダゾール化合物が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性を向上させることができる。イミダゾール化合物は、シアネートエステル樹脂とエポキシ樹脂と、共に有機溶剤に溶解したさいに、実質的に分子レベルまで溶解、または、それに近い状態まで分散することができるような性状を指すものである。イミダゾール化合物を用いることにより、シアネートエステル樹脂とエポキシ樹脂の反応を効果的に促進させることができる。また、イミダゾール化合物の配合量を少なくしても同等の特性を付与することができる。さらに、イミダゾール化合物を用いた第3樹脂組成物は、樹脂成分との間で微小なマトリックス単位から高い均一性で硬化させることができる。これにより、多層プリント配線板に形成された接着層14の絶縁性、耐熱性を高めることができる。そして、接着層14は、例えば過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤を用いて表面の粗化処理を行うと、粗化処理後の絶縁層表面に均一性の高い微小な凹凸形状を多数形成することができる。このような粗化処理後の絶縁樹脂層表面に金属メッキ処理を行うと、粗化処理面の平滑性が高いため、微細な導体回路を精度よく形成することができる。また、微小な凹凸形状によりアンカー効果を高め、絶縁樹脂層とメッキ金属との間に高い密着性を付与することができる。イミダゾール化合物は、例えば、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2,4-ジアミノ-6-2-メチルイミダゾリル-1-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-2-ウンデシルイミダゾリル-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-2-エチル-4-メチルイミダゾリル-1-エチル-s-トリアジン、2-フェニルー4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルー5-ヒドロキシメチルイミダゾールなどを挙げることができる。これらの中でも、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、及び、2-エチル-4-メチルイミダゾールから選ばれるイミダゾール化合物であることが好ましい。これらのイミダゾール化合物は、特に優れた相溶性を有することで、均一性の高い硬化物が得られるとともに、微細かつ均一な粗化面を形成することができるので、微細な導体回路を容易に形成することができるとともに、多層プリント配線板に高い耐熱性を発現させることができる。イミダゾール化合物の含有量は、特に限定されないが、シアネートエステル樹脂とエポキシ樹脂との合計に対して、0.01~5.00重量が好ましく、特に0.05~3.00重量が好ましい。これにより、特に耐熱性を向上させることができる。接着層14は、さらにカップリング剤を含んでなることが好ましい。カップリング剤は、特に限定されないが、シラン系、チタネート系、アルミニウム系カップリング剤などが挙げられる。例えば、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-2-アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-2-アミノエチルアミノプロピルトリエトキシシラン、3-アニリノプロピルトリメトキシシラン、3-アニリノプロピルトリエトキシシラン、N-β-N-ビニルベンジルアミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシランおよびN-β-N-ビニルベンジルアミノエチル-3-アミノプロピルトリエトキシシランなどのアミノシラン化合物、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシランおよび2-3、4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシランなどのエポキシシラン化合物、その他として、3-メルカトプロピルトリメトキシシラン、3-メルカトプロピルトリエトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、及び3-メタクロキシプロピルトリメトキシシランなどを挙げることができる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用することもできる。カップリング剤を用いることで、シアネートエステル樹脂とエポキシ樹脂と、無機充填材との界面の濡れ性を向上させることができる。そのことにより、耐熱性、特に吸湿半田耐熱性を向上させることができる。カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、無機充填材B無機充填材及び微粒子100重量に対して0.05~5.00重量であることが好ましい。特に0.01~2.5重量がより好ましい。カップリング剤の含有量を下限値以上とすることにより、無機充填材を被覆して耐熱性を向上させる効果が充分得られる。一方、含有量を上限値以下とすることにより、絶縁層16の曲げ強度が低下することを抑制することができる。カップリング剤の含有量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。また、第3樹脂組成物には、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤、例えば、レベリング剤、消泡剤、酸化防止剤、顔料、染料、消泡剤、難燃剤、紫外線吸収剤、イオン捕捉剤、非反応性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付与剤、増粘剤等を適宜添加しても良い。以下、本実施の形態のプリント配線板用積層基材10の変形例について説明する。本実施の形態のプリント配線板用積層基材10は、支持基材剥離シート12上に、接着層14と、プリント配線板の絶縁層を構成する樹脂層16とが順に積層されてなる。樹脂層16は、無機充填材B無機充填材及び微粒子を除く硬化物の吸水率が1~2.5であり、かつ樹脂層16を100重量とした場合において無機充填材を55~75重量含むことが好ましい。樹脂層16の硬化物の吸水率は、好ましくは1~2.3、さらに好ましくは1~2.0とすることができる。下限値は、上記数値範囲において1.3以上とすることが好ましい。本願発明者らは、樹脂層全体の吸水率ではなく、絶縁層を構成する無機充填材を除く硬化物の吸水率が接着性と相関があることを見出した。このような知見に基づきさらに鋭意研究したところ、絶縁層が低熱膨張率を維持することが可能な量の無機充填材を含んでいても、絶縁層の硬化物の吸水率を所定の範囲とすることにより、接着層とめっき金属層等との間の接着性が改善されることを見出し、本発明を完成するに至った。なお、樹脂層16の硬化物の吸水率が下限値以上であると、無機充填材の含有量が上記範囲内となるため、絶縁層の低熱膨張率および接着層とめっき層等との間の接着性を改善することができる。さらにレーザビア加工後のスミア除去が容易となる。樹脂層16の硬化物の吸水率は、樹脂層16全体の吸水率を測定し、無機充填材割合から換算して、無機充填材を除く硬化物の吸水率を算出することができる。具体的には、樹脂層16の硬化物の吸水率は以下のようにして測定することができる。90μmの接着層14からなる硬化樹脂板を50mm角に切り出してサンプルとし、120°Cの乾燥機内に2時間放置した後のサンプル重量、および121°C、湿度100の槽内に2時間放置した後のサンプル重量を各々測定し、下記式より樹脂層16を構成する硬化物の吸水率を算出する。式:樹脂層16を構成する硬化物の吸水率=B-A/A×100×100/100-XA:120°Cの乾燥機内に2時間放置した後の重量mgB:121°C、湿度100の槽内に2時間放置した後の重量mgX:樹脂層16100重量中の無機充填材の重量さらに、樹脂層16は、樹脂層16を100重量とした場合において、無機充填材を好ましくは60~75重量、さらに好ましくは60~70重量含むことができる。本実施形態において、吸水率と無機充填材の含有量は、上記数値範囲を適宜組み合わせることができる。つまり、樹脂層16が、上記のような吸水率と無機充填材の含有量とを何れも満たすことにより、樹脂層16の熱膨張率を低くすることができ、さらに接着層14上に形成されるめっき金属層等との接着性にも優れる。したがって、本実施形態のプリント配線板用積層基材10によれば、実装信頼性や接続信頼性に優れるとともに、金属パターン等との間の接着性にも優れた金属張積層板、プリント配線板、このプリント配線板に半導体素子を実装してなる半導体装置を提供することができる。樹脂層16は、上記したように、硬化物の吸水率の吸水率が1~2.5であり、B無機充填材を55~75重量含むものである。なお、樹脂層16の低熱膨張率化、さらに接着層14上に形成されるめっき金属層等との接着性向上のバランスの観点から、樹脂層16は、B無機充填材、Aエポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂Dを含むことが好ましく、さらにC環状シロキサン化合物、硬化促進剤Eを含むことがより好ましい。以下、各成分について説明する。B無機充填材B無機充填材は、前述のものを用いられるこれらの中でも特に、シリカが好ましく、溶融シリカが低熱膨張性に優れる点で好ましい。また、破砕状、球状のシリカが存在するが、樹脂組成物の溶融粘度を下げる点において、球状シリカが好ましい。球状シリカは、さらに予め表面処理する処理剤で処理されたものであることが好ましい。前記処理剤は、官能基含有シラン類、環状オリゴシロキサン類、オルガノハロシラン類、およびアルキルシラザン類からなる群から選ばれる少なくとも1種類以上の化合物であることが好ましい。また、処理剤の中でも、オルガノハロシラン類およびアルキルシラザン類を用いて球状シリカの表面処理をすることは、シリカ表面を疎水化するのに好適であり、前記樹脂組成物中における球状シリカの分散性に優れる点において好ましい。通常の官能基含有シラン類と、前記オルガノハロシラン類またはアルキルシラザン類の組合せで使用する場合、いずれを先に表面処理に用いても良いが、オルガノハロシラン類またはアルキルシラザン類を先に分散させる方が、球状シリカ表面に有機物親和性を与え、次の官能基含有シラン類の表面処理を効果的にすることができるので好ましい。ここで用いる通常の官能基含有シラン類と、前記オルガノハロシラン類またはアルキルシラザン類の使用量の比は、500/1~50/1重量比であることが好ましい。前記範囲を外れると機械的強度が低下する場合がある。官能基含有シラン類は、例えば3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、および2-3、4-エポキシシクロヘキシルエチルジメトキシシランなどのエポキシシラン化合物、3-メタクロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メタクロキシプロピルトリエトキシシラン、および3-メタクロキシプロピルメチルジエトキシシランなどのメタアクリルシラン、3-メルカトプロピルトリメトキシシラン、3-メルカトプロピルトリエトキシシラン、および3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシランなどのメルカプトシラン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-2アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2アミノエチル-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-2アミノエチル-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3-トリエトキシシリル-N-1,3-ジメチル-ブチリデンプロピルアミン、およびN-ビニルベンジル-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、およびビニルトリクロロシランなどのビニルシラン、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどのイソシアネートシラン、3-ウレイドプロピルトリメトキシシラン、および3-ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのウレイドシラン、5ノルボルネン2イルトリメトキシシラン、5ノルボルネン2イルトリエトキシシラン、および5ノルボルネン2イルエチルトリメトキシシランなどの5ノルボルネン2イルアルキルシラン、およびフェニルトリメトキシシランなどのフェニルシランなどを挙げることができる。これらの官能基含有シラン類は、A無機充填材の分散性向上および樹脂組成物の最低動的粘度を4000Pas以下に維持するために好適に選択される。環状オリゴシロキサン類は、例えばヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサンなどを挙げることができる。オルガノハロシラン類は、例えばトリメチルクロロシラン、ジメチルジクロロシランおよびメチルトリクロロシランなどを挙げることができる。これらの中で、ジメチルジクロロシランがより好ましい。アルキルシラザン類は、例えばヘキサメチルジシラザン、13-ジビニル1133-テトラメチルジシラザン、オクタメチルトリシラザンおよびへキサメチルシクロトリシラザンなどを挙げることができる。これらの中でヘキサメチルジシラザンがより好ましい。球状シリカを予め表面処理剤を用い処理する方法は、公知の方法により行うことができる。例えば、球状シリカをミキサーに入れ、窒素雰囲気下で、撹拌しながら前記処理剤を噴霧し、所定温度で一定時間保持することにより行うことができる。前記噴霧する処理剤は予め溶剤に溶かしておいても良い。また、球状シリカと処理剤とをミキサーに入れ、さらに溶剤を添加し撹拌したり、シリカ表面のシラノールとカップリング剤の反応を促進するために、加温したり、少量の水を添加したり、酸やアルカリを用いることもできる。処理時の温度は、処理剤の種類によるが、処理剤の分解温度以下で行うことが必要である。また、処理温度が低すぎると処理剤と球状シリカの結合力が低く、処理の効果が得られない。よって処理剤にあわせた適切な温度で処理を行う必要がある。更に、保持時間は、処理剤の種類または処理温度により適宜調製できる。B無機充填材の平均粒子径は、0.01~5μmであることが好ましい。さらに好ましくは0.1~2μmである。B無機充填材の平均粒子径が前記下限値以上であると、第2樹脂組成物を用いて樹脂ワニスを調製する際に、樹脂ワニスの粘度が低くなるため、プリント配線板用積層基材を作製する際の作業性に与える影響を少なくすることができる。一方、上限値以下とすることにより、樹脂ワニス中でB無機充填材の沈降等の現象が起こることを抑制することができる。B無機充填材の平均粒子径を前記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。またB無機充填材は、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いることもできるし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いることができる。さらに平均粒子径が単分散及び/または、多分散の無機充填材を1種類または2種類以上を併用したりすることもできる。B無機充填材の含有量は樹脂層16全体100重量の55~75重量であり、樹脂層16の熱膨張係数を、10ppm~35ppmに調整することができる。B無機充填材は、単位重量あたりの樹脂層16に含まれるB無機充填材の表面積の総和が、1.8~4.5m2/g、好ましくは2.0~4.3m2/gとなるように含むことができる。B無機充填材の表面積の総和は、以下の式により算出することができる。式:単位重量あたりの樹脂層16に含まれるB無機充填材の表面積の総和m2/g=X/100×Ym2/gX:樹脂層16中の無機充填材割合Y:無機充填材の比表面積m2/g本実施形態においては、絶縁層16の硬化物の吸水率を所定の範囲とすることにより、接着層14とめっき金属層等の接着性が改善される。さらに、上記B無機充填材の表面積の総和が上記範囲であることにより、接着層14とめっき金属層等の接着性、接着層14の成形性、さらに絶縁信頼性のバランスに優れる。Aエポキシ樹脂Aエポキシ樹脂として、前述のものを用いることができる。この中でも、樹脂層16の吸水率を低下させ、硬化物の吸水率を所定の範囲に設定する観点から、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を含むことが好ましく、さらに好ましくはジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を含むことが好ましい。Aエポキシ樹脂は、B無機充填材を除く樹脂層16全体を100重量とする場合において、10~90重量、好ましくは25~75重量の量で含むことができる。含有量が下限値以上であると第2樹脂組成物の硬化性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりすることが抑制される。一方、上限値以下とすることにより、低熱膨張性、耐熱性が低下することが抑制される。したがって、これらの特性のバランスの観点から上記範囲であることが好ましい。シアネートエステル樹脂Dシアネートエステル樹脂Dとしては、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる樹脂を挙げることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、耐熱性を向上させることができる。さらにシアネートエステル樹脂Dとしては、これらの樹脂をプレポリマー化したものも用いることができる。すなわち、前記シアネート樹脂を単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なるシアネート樹脂を併用したり、前記シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。プレポリマーは、通常、前記シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば3量化することで得られるものであり、樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。前記プレポリマーは、例えば3量化率が20~50重量のプレポリマーを用いた場合、良好な成形性、流動性を発現できる。さらにシアネートエステル樹脂Dは、80°Cにおける粘度が15~550mPasであることが好ましい。これは真空下で加熱加圧積層ラミネートした時に内層回路パターン上に平坦性よく絶縁樹脂層を形成するため、またエポキシ樹脂等の他成分との相溶性を保つためである。前記上限値を超えると、絶縁樹脂層表面の平坦性を損ねる恐れがある。また、前記下限値未満であると、相溶性が悪化して、ラミネート時に分離してブリードする恐れがある。シアネートエステル樹脂Dの含有量は、B無機充填材を除く樹脂層16全体の10~90重量が好ましく、特に25~75重量が好ましい。含有量が前記下限値未満であると絶縁樹脂層を形成するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えると絶縁樹脂層の強度が低下する場合がある。したがって、これらの特性のバランスの観点から上記範囲であることが好ましい。C環状シロキサン化合物C環状シロキサン化合物としては、前述のSi-H結合またはSi-OH結合を少なくとも2つ有する環状またはかご型のシロキサン化合物を用いることができる。Si-H結合またはSi-OH結合を少なくとも2つ有することにより、環状シロキサン化合物同士を結合し、さらにフィラーもしくはフィラーと樹脂界面を被覆することによりプリント配線板用積層基材の強度を向上させることができ、さらに疎水化による低吸水化を実現させることができる。環状シロキサン化合物としては、前述のものを用いることができる。かご型シロキサン化合物は、前述のものを用いることができるが、例えば、ポリシルセスキオキサンT8、ポリシルセスキオキサン-ヒドロキシ置換体、ポリシルセスキオキサン-オクタヒドロキシ置換体、ポリシルセスキオキサン-3-グリシジルプロポキシ-ヘプタヒドロキシ置換体、ポリシルセスキオキサン-2,3-プロパンジオールプロポキシ-ヘプタヒドロキシ置換体などが挙げられる。本実施形態においては、上記の環状またはかご型のシロキサン化合物以外のカップリング剤を用いることもできる。このようなカップリング剤は、特に限定されないが、シラン系、チタネート系、アルミニウム系カップリング剤などが挙げられる。例えば、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-2-アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-2-アミノエチルアミノプロピルトリエトキシシラン、3-アニリノプロピルトリメトキシシラン、3-アニリノプロピルトリエトキシシラン、N-β-N-ビニルベンジルアミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシランおよびN-β-N-ビニルベンジルアミノエチル-3-アミノプロピルトリエトキシシランなどのアミノシラン化合物、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシランおよび2-3、4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシランなどのエポキシシラン化合物、その他として、3-メルカトプロピルトリメトキシシラン、3-メルカトプロピルトリエトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、及び3-メタクロキシプロピルトリメトキシシランなどを挙げることができる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用することもできる。カップリング剤を用いることで、Aエポキシ樹脂およびシアネートエステル樹脂Dと、前記無機充填材との界面の濡れ性を向上させることができる。そのことにより、耐熱性、特に吸湿半田耐熱性を向上させることができる。C環状シロキサン化合物の含有量は、特に限定されないが、B無機充填材100重量部に対して0.05~5.00重量部であることが好ましい。特に0.1~2.5重量部がより好ましい。C環状シロキサン化合物の含有量が前記下限値未満であると、無機充填材を被覆して耐熱性を向上させる効果が充分でないことがある。一方、前記上限値を超えると、絶縁層の曲げ強度が低下することがある。カップリング剤の含有量を前記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。硬化促進剤E硬化促進剤Eの具体例としては、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物;1,8-ジアザビシクロ5,4,0ウンデセン-7、ベンジルジメチルアミン、2-メチルイミダゾール等の窒素原子含有化合物が挙げられる。これらのうち、硬化性の観点からはリン原子含有化合物が好ましく、流動性と硬化性のバランスの観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有する触媒がより好ましい。流動性という点を考慮するとテトラ置換ホスホニウム化合物が特に好ましく、また耐半田性の観点では、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物が特に好ましく、また潜伏的硬化性という点を考慮すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が特に好ましい。また、成形性の観点では、テトラ置換ホスホニウム化合物が好ましい。有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第1ホスフィン;ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第2ホスフィン;トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第3ホスフィンが挙げられる。テトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式3で表される化合物等が挙げられる。一般式3において、Pはリン原子を表し、R17、R18、R19及びR20は、それぞれ独立して芳香族基又はアルキル基を表し、Aはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも1つ有する芳香族有機酸のアニオンを表し、AHはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも1つ有する芳香族有機酸を表し、x及びyは1~3の整数であり、zは0~3の整数であり、かつx=yである。一般式3で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるが、これに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで、水を加えると、一般式3で表される化合物を沈殿させることができる。一般式3で表される化合物において、合成時の収得率と硬化促進効果のバランスに優れるという観点では、リン原子に結合するR17、R18、R19及びR20がフェニル基であり、かつAHはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール化合物であり、かつAは該フェノール化合物のアニオンであるのが好ましい。ホスホベタイン化合物としては、例えば下記一般式4で表される化合物等が挙げられる。一般式4において、X1は炭素数1~3のアルキル基を表し、Y1はヒドロキシル基を表し、fは0~5の整数であり、gは0~4の整数である。一般式4で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば下記一般式5で表される化合物等が挙げられる。一般式5において、Pはリン原子を表し、R21、R22及びR23は、互いに独立して、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数6~12のアリール基を表し、R24、R25及びR26は、互いに独立して、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、R24とR25は互いに結合して環を形成していてもよい。ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリスアルキルフェニルホスフィン、トリスアルコキシフェニルホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリスベンジルホスフィン等の芳香環に無置換又はアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては1~6の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。またホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、o-ベンゾキノン、p-ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもp-ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。一般式5で表される化合物において、リン原子に結合するR21、R22及びR23がフェニル基であり、かつR24、R25及びR26が水素原子である化合物、すなわち1,4-ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が半導体封止用樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低下させる点で好ましい。ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記式6で表される化合物等が挙げられる。一般式6において、Pはリン原子を表し、Siは珪素原子を表す。R27、R28、R29及びR30は、互いに独立して、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、X2は、基Y2及びY3と結合する有機基である。X3は、基Y4及びY5と結合する有機基である。Y2及びY3は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Y2及びY3が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Y4及びY5はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Y4及びY5が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。X2、及びX3は互いに同一であっても異なっていてもよく、Y2、Y3、Y4、及びY5は互いに同一であっても異なっていてもよい。Z1は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。一般式6において、R27、R28、R29及びR30としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、n-ブチル基、n-オクチル基及びシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等の置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。また、一般式6において、X2は、Y2及びY3と結合する有機基である。同様に、X3は、基Y4及びY5と結合する有機基である。Y2及びY3はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Y2及びY3が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にY4及びY5はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Y4及びY5が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基X2及びX3は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Y2、Y3、Y4、及びY5は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式6中の-Y2-X2-Y3-、及び-Y4-X3-Y5-で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを2個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、1,2-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレン、2,2-ビフェノール、1,1-ビ-2-ナフトール、サリチル酸、1-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、3-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、2-ヒドロキシベンジルアルコール、1,2-シクロヘキサンジオール、1,2-プロパンジオール及びグリセリン等が挙げられる。これらの中でも、原料入手の容易さと硬化促進効果のバランスという観点では、カテコール、1,2-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。また、一般式6中のZ1は、芳香環又は複素環を有する有機基又は脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基及びビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基及びビニル基等の反応性置換基などが挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基及びビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、2,3-ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド-メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。硬化促進剤Eの含有量の下限値は、樹脂層100重量に対して、0.1重量以上であることが好ましい。硬化促進剤Eの含有量の下限値が、上記範囲内であると、充分な硬化性を得ることができる。また、硬化促進剤Eの含有量の上限値は、樹脂層100重量に対して、1重量以下であることが好ましい。硬化促進剤Eの含有量の上限値が上記範囲内であると、樹脂組成物において充分な流動性を得ることができる。本実施形態において、樹脂層16は、B無機充填材を55~75重量、好ましくは60~75重量、Aエポキシ樹脂を5~35重量、好ましくは5~25重量、シアネートエステル樹脂Dを5~30重量、好ましくは5~20重量の量で含んでなる。これにより、樹脂層16の低熱膨張率化、さらに接着層14上に形成されるめっき金属層等との接着性向上のバランスにより優れる。その他の成分樹脂層16は、さらに熱可塑性樹脂を含むことができる。これにより、樹脂組成物から得られる硬化物の機械強度を向上させることができる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ系樹脂、オレフィン系樹脂などを挙げることができる。単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも、フェノキシ系樹脂が好ましい。これにより、樹脂層16の耐熱性および難燃性を向上させることができる。フェノキシ樹脂は、特に限定はされないが、例えば、ビスフェノールA骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールF骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールS骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールM4,4ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールP4,4フェニレンジイソプリジエンビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールZ4,4シクロヘキシィジエンビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂等ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、フルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノキシ樹脂、ノルボルネン骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂、アダマンタン骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。またフェノキシ樹脂として、これら中の骨格を複数種類有した構造を用いることもできるし、それぞれの骨格の比率が異なるフェノキシ樹脂を用いることができる。さらに異なる骨格のフェノキシ樹脂を複数種類用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有するフェノキシ樹脂を複数種類用いたり、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。樹脂層16は、さらにフェノール樹脂を含むことができる。フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂と硬化反応し、架橋構造を形成できるフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、フェノールノボラック樹脂、アラルキルフェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、ビスフェノールA、トリフェノールメタン等が挙げられる。これらのフェノール樹脂は、単独もしくは混合して用いることができる。樹脂層16は、必要に応じて他の硬化促進剤を含んでいても良い。他の硬化促進剤としては、例えばイミダゾール化合物、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルトII、トリスアセチルアセトナートコバルトIII等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン等の3級アミン類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。これらの中の誘導体も含めて1種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて2種類以上を併用したりすることもできる。前記他の硬化促進剤の中でも特にイミダゾール化合物が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性を向上させることができる。イミダゾール化合物は、Aエポキシ樹脂とシアネートエステル樹脂Dと、共に有機溶剤に溶解した際に、実質的に分子レベルまで溶解、または、それに近い状態まで分散することができるような性状を指すものである。樹脂層16は、このようなイミダゾール化合物を用いることにより、Aエポキシ樹脂とシアネートエステル樹脂Dとの反応を効果的に促進させることができ、また、イミダゾール化合物の配合量を少なくしても同等の特性を付与することができる。さらに、このようなイミダゾール化合物を用いた樹脂組成物は、樹脂成分との間で微小なマトリックス単位から高い均一性で硬化させることができる。これにより、プリント配線板に形成された絶縁樹脂層の絶縁性、耐熱性を高めることができる。イミダゾール化合物としては、例えば、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2,4-ジアミノ-6-2-メチルイミダゾリル-1-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-2-ウンデシルイミダゾリル-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-2-エチル-4-メチルイミダゾリル-1-エチル-s-トリアジン、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールなどを挙げることができる。これらの中でも、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、及び、2-エチル-4-メチルイミダゾールから選ばれるイミダゾール化合物であることが好ましい。これらのイミダゾール化合物は、特に優れた相溶性を有することで、均一性の高い硬化物が得られるとともに、微細かつ均一な粗化面を形成することができるので、微細な導体回路を容易に形成することができるとともに、プリント配線板に高い耐熱性を発現させることができる。前記イミダゾール化合物の含有量は、特に限定されないが、Aエポキシ樹脂とシアネートエステル樹脂Dの合計100重量に対して、0.01~5.00重量が好ましく、特に0.05~3.00重量が好ましい。これにより、特に耐熱性を向上させることができる。また、樹脂層16を調製する際に用いられる樹脂組成物には、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤、例えば、レベリング剤、消泡剤、酸化防止剤、顔料、染料、消泡剤、難燃剤、紫外線吸収剤、イオン捕捉剤、非反応性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付与剤、増粘剤等を適宜添加しても良い。<プリント配線板用積層基材の製造方法>プリント配線板用積層基材第1の実施形態10、およびプリント配線板用積層基材第2の実施形態11は以下のようにして製造することができる。まず、接着層14または樹脂層16を作製するため用いる樹脂組成物を調整する。接着層14用の第3樹脂組成物は、接着層14に含まれる各成分を、また、樹脂層16用の第2樹脂組成物は、樹脂層16に含まれる各成分を、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール等の有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニスA接着層14用、および樹脂ワニスB樹脂層16用として得ることができる。そして、樹脂ワニスAを、各種塗工装置を用いて、剥離シート12、または金属箔13上に塗工した後、これを乾燥する。または、樹脂ワニスAをスプレー装置により剥離シート12上に噴霧塗工した後、これを乾燥する。これにより、剥離シート12上に接着層14を形成することができる。さらに、樹脂ワニスBを、各種塗工装置を用いて、接着層14上に塗工した後、これを乾燥する。または、樹脂ワニスBをスプレー装置により接着層14上に噴霧塗工した後、これを乾燥する。これにより、接着層14上に樹脂層16を形成することができる。塗工装置は、特に限定されないが、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、コンマコーターおよびカーテンコーターなどを用いることができる。これらの中でも、ダイコーター、ナイフコーター、およびコンマコーターを用いる方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な絶縁樹脂層の厚みを有するプリント配線板用積層基材を効率よく製造することができる剥離シート12は、接着層14を介して樹脂層16が積層されるため、積層時の取扱いが容易であるものを選択することが好ましい。また、プリント配線板用積層基材10の樹脂層16側を内層回路に当接させた状態で積層した後、剥離シート12を除去することから、積層後、剥離が容易であるものであることが好ましい。剥離シート12としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルムなどを挙げることができる。これらフィルムの中でも、接着層14との接着性および剥離性のバランスの観点から、ポリエステルで構成されるフィルムが好ましい。剥離シート12の厚さは、特に限定されないが、通常10~200μm、好ましくは20~75μmである。剥離シート12の厚さが前記範囲内であると、取扱いが容易で、また樹脂層16の平坦性に優れる。金属箔13は、剥離シート12と同様に、内層回路にプリント配線板用積層基材10を積層後、剥離して用いても良いし、また、金属箔13をエッチングし導体回路として用いても良い。導体回路として用いる場合、金属箔13は銅やアルミニウムから構成されていることが好ましい。金属箔13の厚さは、特に限定されないが、通常1~100μm、好ましくは2~35μmである。金属箔13の厚さが前記範囲内であると、取扱いが容易で、また樹脂層16の平坦性に優れる。また、金属箔13は、キャリア箔付き極薄金属箔を用いることもできる。キャリア箔付き極薄金属箔とは、剥離可能なキャリア箔と極薄金属箔とを張り合わせた金属箔である。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることで前記絶縁層の両面に極薄金属箔層を形成できることから、例えば、セミアディティブ法などで回路を形成する場合、無電解メッキを行うことなく、極薄金属箔を直接給電層として電解メッキすることで、回路を形成後、極薄銅箔をフラッシュエッチングすることができる。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることによって、厚さ10μm以下の極薄金属箔でも、例えばプレス工程での極薄金属箔のハンドリング性の低下や、極薄銅箔の割れや切れを防ぐことができる。このようにして得られるプリント配線板用積層基材10、または11において、接着層14の層厚は、特に限定されないが、通常0.5~10μm、好ましくは2~10μmとすることができ、樹脂層16の層厚は通常1~60μm、好ましくは5~40μmとすることができる。一方、樹脂層16の層厚は、絶縁信頼性を向上させる上で前記下限値以上が好ましく、多層配線板における目的の一つである薄膜化を達成する上で前記上限値以下が好ましい。これより、多層プリント配線板を製造する際に、内層回路の凹凸を充填して成形することができるとともに、好適な絶縁樹脂層厚みを確保することができる。<プリプレグの製造>プリント配線板用積層基材は、樹脂層16を構成する樹脂が繊維基材に含浸した、剥離シート12、または金属箔13を備えるキャリア付きプリプレグとして得ることもできる。なお、本実施形態においては、剥離シート12、または金属箔13の少なくともいずれか1つを備えるキャリア付きプリプレグおよび繊維基材に樹脂ワニスBを含浸、乾燥させて得られるプリプレグのいずれも、単にプリプレグと呼ぶこともある。繊維基材の材質としては特に限定されないが、例えば、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグの強度が向上し、吸水率を下げることができ、また熱膨張係数を小さくすることができる。ガラス繊維基材を構成するガラスは、特に限定されないが、例えばEガラス、Cガラス、Aガラス、Sガラス、Dガラス、NEガラス、Tガラス、Hガラス等が挙げられる。これらの中でもEガラス、Tガラス、または、Sガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の高弾性化を達成することができ、熱膨張係数も小さくすることができる。キャリア付きプリプレグの製造方法としては、例えば、予め樹脂層16を構成する樹脂ワニスBを繊維基材に含浸させ、加熱乾燥により溶剤を揮発させたプリプレグを準備し、さらに接着層14を構成する樹脂ワニスAを前記プリプレグに塗工し、その後、加熱乾燥により溶剤を揮発させ、そして剥離シート12、または金属箔13を接着層14に貼り合わせキャリア付きプリプレグとする方法、または樹脂層16を構成する樹脂ワニスBを繊維基材に含浸させた後、直ぐに接着層14を構成する樹脂ワニスAを塗工し、その後加熱乾燥により溶剤を揮発させ、そして剥離シート12、または金属箔13を接着層14に貼り合わせキャリア付きプリプレグとする方法などが挙げられる。また、上記のように、プリント配線板用積層基材10を準備する。さらに、剥離シート12上に、樹脂層16が積層された樹脂シートを準備する。そして、シート状の繊維基材40の両面に、フィルム付き絶縁樹脂シートの絶縁樹脂層16が対向するように配置する図5a。そして、真空中で、例えば加熱60~130°C、加圧0.1~5MPaで、フィルム付き絶縁樹脂シートの両側からラミネートし、樹脂層16を構成する樹脂を繊維基材40に含浸させる。これにより、両面にフィルムを有するプリプレグ42を得ることができる図5b。なお、プリント配線板用積層基材10の代わりにプリント配線板用積層基材11を用いても良い。また剥離シート12上に、樹脂層16が積層された樹脂シートの代わりに従来から用いられている樹脂シート例えば、特開2010-31263号公報を用いることもできる。樹脂ワニスBを繊維基材に含浸させる方法としては、例えば繊維基材を樹脂ワニスBに浸漬する方法、各種コーターによる塗布する方法、スプレーによる吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、繊維基材を樹脂ワニスBに浸漬する方法が好ましい。これにより、繊維基材に対する樹脂ワニスBエポキシ樹脂組成物の含浸性を向上させることができる。なお、繊維基材を樹脂ワニスBに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。例えば、図3に示すように、ロール状の繊維基材1を巻き出すとともに、含浸槽2の樹脂ワニス3中に浸漬させる。含浸槽2は、ディップロール4図1では3本を備えており、ディップロール4によって繊維基材1が樹脂ワニス3中を連続的に通過し、繊維基材1にエポキシ樹脂ワニス3が含浸する。次いで、エポキシ樹脂ワニス3を含浸した繊維基材1を、垂直方向に引き上げて、水平方向に並設させ、対向している1対のスクイズロール5、5の間を通過させ、繊維基材1へのエポキシ樹脂ワニス3の含浸量を調整する。なお、スクイズロールに代えてコンマロールを用いることもできる。その後、エポキシ樹脂ワニス3が含浸している繊維基材1を、乾燥機6で所定の温度で加熱して、塗布されたワニス中の溶剤を揮発させると共に樹脂ワニスBを半硬化させてプリプレグ7を製造する。なお、図3中の上部ロール8はプリプレグ7を進行方向に移動させるために、プリプレグ7の進行方向と同方向に回転している。また、エポキシ樹脂ワニスの溶剤を、例えば温度90~180°C、時間1~10分の条件で乾燥させることにより半硬化のプリプレグ7を得ることができる。また、キャリア付きプリプレグは、以下の工程を含む製造方法によっても製造することができる。まず、プリント配線板用積層基材10、または11の樹脂層16側の面を、繊維基材の片面または両面に重ね合わせ、減圧条件下でこれらを接合する工程a。次いで、接合後に、樹脂層16を構成する絶縁樹脂成分のガラス転移温度以上の温度で加熱処理しキャリア付きプリプレグを作製する工程b。まず、a工程について説明する。a工程においては、減圧条件下でプリント配線板用積層基材10、または11と繊維基材を接合する。プリント配線板用積層基材10と、繊維基材とを接合する方法としては特に限定されないが、例えば、繊維基材とプリント配線板用積層基材10とを連続的に供給して重ね合わせながら接合する方法が挙げられる。a工程において、プリント配線板用積層基材10,11の樹脂層16側と繊維基材とを接合する際には、絶縁樹脂層16の樹脂成分の流動性が向上する温度に加温することが好ましい。これにより、繊維基材と絶縁樹脂層16とを容易に接合することができる。また、絶縁樹脂層16の少なくとも一部が溶融して繊維基材内部に含浸することにより、含浸性の良好なキャリア付きプリプレグを得やすくなる。ここで加温する方法としては特に限定されないが、例えば、接合する際に所定温度に加熱したラミネートロールを用いる方法などを好適に用いることができる。ここで加温する温度としては、絶縁樹脂層を形成する樹脂の種類や配合により異なるが、例えば60~100°Cで実施することができる。次に、b工程について説明する。b工程は、a工程における接合後に、絶縁樹脂層16を構成する絶縁樹脂成分のガラス転移温度以上の温度で加熱処理し、プリプレグを作製するものである。これにより、a工程において、絶縁樹脂層付きキャリアと繊維基材とが接合した時点で残存していた、減圧ボイドあるいは実質的な真空ボイドを消失させることができ、非充填部分が非常に少ない、あるいは、非充填部分が実質的に存在しない両面キャリア付きプリプレグを製造することができる。加熱処理する方法としては特に限定されないが、例えば、熱風乾燥装置、赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤プレス装置などを用いて実施することができる。<積層板の製造>プリント配線板用積層基材10,11を用いた金属張積層板を製造する方法の例を以下に示す。まず、上記のように、図2で示すプリント配線板用積層基材11を準備する。次に、シート状の繊維基材40の両面に、絶縁樹脂層16が対向するように配置する図4a。そして、真空中で、例えば、加熱60~130°C、加圧0.1~5MPaで、プリント配線板用積層基材11の樹脂層16を構成する樹脂を繊維基材40に含浸させる図4b。次いで両面に金属箔を有するプリプレグ52を直接加熱加圧成形することで、両面に金属箔を有する積層板54を得ることができる図4c。また、プリント配線板用積層基材10と12を用いることで片方に金属箔を有する積層板、プリント配線板用積層基材10のみを用いることで金属箔を有しない積層板を前記同様の方法により得ることができる。さらに従来のプリント配線板に用いられる樹脂シート例えば、例えば、特開2010-31263号公報を用い、繊維基材とプリント配線板用積層基材10,11により積層板を製造しても良い。例えば、キャリア付きプリプレグ42の剥離シート12を剥離しプリプレグを得る図5c。そして、2つのプリプレグの樹脂層16同士を対向するように配置するとともに、接着層14と金属箔44とを対向するように配置する図5d。そして、両側から加熱加圧成形することで繊維基材を2枚有し、両面に金属箔を有する積層板50を得ることができる図5e。なお、繊維基材40としては、上記プリプレグに用いた繊維基材を用いることができる。<プリント配線板の製造方法>図6に、プリント配線板用積層基材10を用いた多層プリント配線板を製造する方法を例示する。図6aは、コア基板例えば、FR-4の両面銅箔に回路パターン形成を行った内層回路基板18を示す。まず、ドリル機を用いてコア基板に開孔し、開口部21が形成されている。開口後の樹脂残渣等は、過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより除去するデスミア処理が行われるが、本実施形態の金属張積層板をコア基板として用いることにより、デスミア処理後においても接着層14と金属層16との接着性は維持される。そして、無電解めっきにより、開口部21にメッキ処理を行い、内層回路基板18の両面の導通を図る。そして、コア基板の銅箔をエッチングすることにより内層回路17を形成する。なお、前記多層プリント配線板を得る際に用いられる内層回路板は、例えば、内層回路部分を黒化処理等の粗化処理したものを好適に用いることができる。また開口部21は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。内層回路17の材質は、内層回路の形成においてエッチングや剥離などの方法により除去可能であることが好ましい。エッチングにおいては、これに使用される薬液などに対し、耐薬品性を有するものが好ましい。そのような内層回路17の材質は、例えば、銅箔、銅板、銅合金板、42合金およびニッケル等が挙げられる。特に、銅箔、銅板および銅合金板は、電解めっき品や圧延品を選択できるだけでなく、様々な厚みのものを容易に入手できるため、内層回路17として使用するのに最も好ましい。次に、プリント配線板用積層基材10を用い、樹脂層16を内層回路基板18側として内層回路17を覆うように積層する図6b。プリント配線板用積層基材の積層ラミネート方法は、特に限定されないが、真空プレス、常圧ラミネーター、および真空下で加熱加圧するラミネーターを用いて積層する方法が好ましく、更に好ましくは、真空下で加熱加圧するラミネーターを用いる方法である。次に、形成した樹脂層16を加熱することにより硬化させる。硬化させる温度は、特に限定されないが、100°C~250°Cの範囲が好ましい。特に、150°C~200°Cが好ましい。また、次のレーザー照射および樹脂残渣の除去を容易にするため半硬化状態にしておく場合もある。また、一層目の樹脂層16を通常の加熱温度より低い温度で加熱により一部硬化半硬化させ、接着層14上に、一層ないし複数の樹脂層16をさらに形成し半硬化の樹脂層16を実用上問題ない程度に再度加熱硬化させることにより樹脂層16間および樹脂層16と回路との密着力を向上させることができる。この場合の半硬化の温度は、80°C~200°Cが好ましく、100°C~180°Cがより好ましい。尚、次工程においてレーザーを照射し、樹脂にビア開口部22を形成するが、その前に剥離フィルム12を剥離する必要がある。剥離フィルム12の剥離は、絶縁樹脂層を形成後、加熱硬化の前、または加熱硬化後のいずれに行っても特に問題はない。次に、接着層14および樹脂層16に、レーザーを照射して、ビア開口部22を形成する図6c。レーザーは、エキシマレーザー、UVレーザーおよび炭酸ガスレーザー等が使用できる。レーザーによるビア開口部22の形成は、樹脂層16の材質が、感光性非感光性に関係なく、微細なビア開口部22を容易に形成することができる。したがって、樹脂層16に微細な開口部を形成することが必要とされる場合に、特に好ましい。なお、レーザー照射後の樹脂残渣等は、過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより除去するデスミア処理が行われる。デスミア処理により、平滑な樹脂層16の表面を同時に粗化することができ、続く金属メッキにより形成する導電配線回路の密着性を上げることができる。本実施形態のプリント配線板用積層基材10によれば、デスミア処理後において接着層14と外層回路20との接着性は維持される。接着層14の表面には、デスミア工程において微細な凹凸形状が均一に施されるため、外層回路20との密着性が向上する。また、樹脂層表面の平滑性が高いため微細な配線回路を精度よく形成することができる。次に、外層回路20を形成する図6d。外層回路20の形成方法は、例えば、公知の方法であるセミアディティブ法などで形成することができるが、本発明は何らこれらに限定されない。次に、導体ポスト23を形成する図6e。導体ポスト23の形成方法としては、公知の方法である電解メッキ等で形成することができる。例えば、外層回路20を電解メッキ用リードとして、銅電解メッキを行い、ビア開口部22内を銅で充填し銅ポストを形成することができる。さらに、図6b~図6eで示した工程を繰り返すことにより、多層にすることができる。尚、絶縁樹脂層を半硬化状態にした場合は、後硬化ポストキュアを行う場合もある。次に、ソルダーレジスト24を形成する図6f。なお、図6fにおいては、図6b~図6eで示した工程を再度繰り返すことにより、樹脂層16を2層備える多層構造となっている。ソルダーレジスト24の形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストをラミネートし、露光、および現像により形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像により形成する方法によりなされる。なお、接続用電極部は、金めっき、ニッケルメッキおよび半田めっき等の金属皮膜で適宜被覆することができる。このような方法により多層プリント配線板を製造することができる。図7に、プリント配線板用積層基材11を用いた多層プリント配線板を製造する方法を例示する。図7aに示すように、プリント配線板用積層基材の樹脂層16を内層回路基板18側とし、内層回路17を覆うように積層する。プリント配線板用積層基材の積層ラミネート方法は、第1の実施形態と同様、特に限定されないが、真空プレス、常圧ラミネーター、および真空下で加熱加圧するラミネーターを用いて積層する方法が好ましく、更に好ましくは、真空下で加熱加圧するラミネーターを用い積層する方法である。次に、プリント配線板用積層基材にビア開口部を設ける。まず、所定のエッチング法により、金属箔13をエッチングし、開口部を形成する図7b。そして、この開口部の底部に露出した樹脂層16にレーザー照射してビア開口部を形成する図7c。レーザー照射後、ビア開口部内の樹脂残渣等を除去するため、過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などによりデスミア処理が行われる。デスミア処理により、続く金属メッキにより形成する導電配線回路の密着性を上げることができる。本実施形態のプリント配線板用積層基材11によれば、デスミア処理後においても接着層14と金属層16との接着性は維持される。そして、金属メッキにより絶縁樹脂層間の接続を図り、エッチングにより外層回路パターン形成を行う図7d。その後は、プリント配線板用積層基材10を用いたと場合と同様にして、多層プリント配線板を得ることができる。なお、図7bにおいて、金属箔を全部エッチング除去し、図6b~fの工程によりプリント配線板を得ることもできる。<半導体装置の製造方法>次に、本実施形態のプリント配線板に半導体素子を実装してなる半導体装置について説明する。図8は、半導体装置25の一例を示す断面図である。図8に示すように、プリント配線板26の片面には、複数の接続用電極部27が設けられている。この多層プリント配線板の接続用電極部27に対応して設けられた半田バンプ29を有する半導体素子28は、半田バンプ29を介して、プリント配線板26と接続される。そして、プリント配線板26と半導体素子28との間には液状封止樹脂30が充填され、半導体装置25を形成する。尚、プリント配線板26は、内層回路基板18上に内層回路17、絶縁層16、接着層14および外層回路20を備えている。内層回路17と外層回路20は、導体ポスト23介して接続されている。また、絶縁層16はソルダーレジスト24で覆われている。半田バンプ29は、錫、鉛、銀、銅、ビスマスなどからなる合金で構成されることが好ましい。半導体素子28とプリント配線板26の接続方法は、フリップチップボンダーなどを用いて基板上の接続用電極部と半導体素子の金属バンプの位置合わせを行ったあと、IRリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプ29を融点以上に加熱し、基板上の多層プリント配線板26と半田バンプ29とを溶融接合することにより接続する。尚、接続信頼性を良くするため、あらかじめ多層プリント配線板26上の接続用電極部に半田ペースト等、比較的融点の低い金属の層を形成しておいても良い。この接合工程に先んじて、半田バンプおよび、またはプリント配線板上の接続用電極部の表層にフラックスを塗布することで接続性を向上させることもできる。また、回路基板用エポキシ樹脂組成物は、小型化、高密度配線化、高信頼性が要求されるシステムインパッケージSiP等に用いられる高い信頼性が要求されるプリント配線板等に好適に用いることができる。以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、表中の配合量の単位は重量部である。第1樹脂組成物に関して実施例及び比較例において用いた原材料は以下の通りである。1無機充填材A/球状シリカ;アドマテックス社製SO-25R、平均粒子径0.5μm2無機充填材B/ベーマイト;大名化学社製C-20平均粒子径2.0μmBET比表面積4.0m2/g3エポキシ樹脂A/メトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂;DIC社製HP-5000、エポキシ当量2504エポキシ樹脂B/ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂:日本化薬社製NC-3000、エポキシ当量2755シアネート樹脂A/ノボラック型シアネート樹脂:ロンザジャパン社製プリマセットPT-30、シアネート当量1246シアネート樹脂B/ビスフェノールA型シアネート樹脂:ロンザジャパン社製プリマセットBA-200、シアネート当量1397フェノキシ樹脂/ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂との共重合体:ジャパンエポキシレジン社製jER4275、重量平均分子量600008フェノール系硬化剤/ビフェニルアルキレン型ノボラック樹脂:明和化成社製MEH-7851-3H、水酸基当量2209硬化促進剤/イミダゾール化合物:四国化成工業社製キュアゾール1B2PZ1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール10C環状シロキサン化合物ATMCTS/1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン:アズマックス株式会社製11C環状シロキサン化合物BPMCTS/1,3,5,7,9-ペンタメチルシクロペンタシロキサン:アズマックス株式会社製<実施例1-1>1樹脂ワニスの調製エポキシ樹脂A25.0重量部、フェノール硬化剤24.0重量部、環状シロキサン化合物A1.0重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材A50.0重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分間攪拌して、固形分60重量の樹脂ワニスを調製した。2プリプレグの作製上記の樹脂ワニスをガラス織布厚さ92μm、日東紡績社製、WEA-116Eに含浸し、150°Cの加熱炉で2分間乾燥して、プリプレグ中のワニス固形分が約50重量のプリプレグを得た。3積層板の作製上記のプリプレグを2枚重ね、両面に3μmのキャリア付銅箔三井金属社製、MTExを重ねて、圧力4MPa、温度200°Cで2時間加熱加圧成形することによって、両面に銅箔を有する厚さ0.2mmの積層板を得た。4樹脂シートの作製上記の樹脂ワニスを、PETフィルム厚さ38μm、三菱樹脂ポリエステル社製、SFB38上に、コンマコーター装置を用いて、乾燥後のエポキシ樹脂層の厚さが40μmとなるように塗工し、これを150°Cの乾燥装置で5分間乾燥して、樹脂シートを製造した。5プリント配線板両面回路基板の作製上記の積層板に0.1mmのドリルビットを用いてスルーホール加工を行った後、メッキによりスルーホールを充填した。さらに銅箔表面にセミアディティブ用ドライフィルム旭化成製UFG-255をロールラミネーターによりラミネートし、所定パターン状に露光、現像した後、パターン状の露出部に電解銅めっき処理を行って20μm厚の電解銅めっき皮膜を形成した。さらに、ドライフィルムを剥離した後、フラッシュエッチング処理により、3μm銅箔シード層を除去した。その後、回路粗化処理メック製CZ8101を実施し、L/S=15μm/15μmの櫛歯パターン状銅回路を有するプリント配線板両面回路基板を作製した。6多層プリント配線板の作製前記で得られた両面回路基板に、上記で得られた樹脂シートのエポキシ樹脂面を内側にして重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度100°C、圧力1MPaにて真空加熱加圧成形させた。樹脂シートから基材のPETフィルムを剥離後、熱風乾燥装置にて170°Cで60分間加熱し硬化させた。さらに、絶縁層に炭酸レーザー装置を用いて開口部を設け、電解銅めっきにより絶縁層表面にL/S=25μm/25μmの外層回路形成を行い、外層回路と内層回路との導通を図った。なお、外層回路は、半導体素子を実装するための接続用電極部を設けた。その後、最外層にソルダーレジスト太陽インキ社製、PSR4000/AUS308を形成し、露光現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ENEPIG処理を施し、50mm×50mmの大きさに切断し、パッケージ用多層プリント配線板を得た。7半導体装置の作製半導体素子TEGチップ、サイズ15mm×15mm、厚み0.8mmは、半田バンプがSn/Pb組成の共晶で形成され、回路保護膜がポジ型感光性樹脂住友ベークライト社製CRC-8300で形成されたものを使用した。半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、上記パッケージ用多層プリント配線板上に加熱圧着により搭載した。次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂住友ベークライト社製、CRP-415Sを充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂は、温度150°C、120分の条件で硬化させた。<実施例1-2~1-5、および比較例1-1~1-3>表1の配合量で、実施例1と同様にプリプレグ、積層板、プリント配線板、多層プリント配線板、および半導体装置を得た。前記で得られたプリプレグ、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置について、以下の評価項目の評価を行った。また、実施例及び比較例の樹脂組成物の配合組成、各物性値、評価結果を表1、及び2に示す。尚、表中において、各配合量は重量部を示す。1熱膨張係数厚さ0.2mmの積層板の銅箔を全面エッチングし、得られた積層板から4mm×20mmのテストピースを切り出し、TMAを用いて10°C/分の条件で、50°C~150°Cでの面方向の線膨張係数平均線膨張係数を測定した。各符号は以下のとおりである。◎:線膨張係数10ppm未満○:線膨張係数10ppm以上15ppm未満×:線膨張係数15ppm以上2吸湿半田耐熱性得られた積層板から50mm角にテストピースを切り出し、3/4エッチングし、プレッシャークッカーを用いて121°C2時間吸湿処理後、260°Cの半田に30秒浸漬させ、膨れの有無を観察した。各符号は以下のとおりである。○:異常なし×:膨れが発生3ENEPIGプロセス適応性テストピースとして50mm角に切り出した両面回路基板を用い、次の手順で、ENEPIGプロセス適応性の評価を行った。上記テストピースを液温50°Cのクリーナー液上村工業製ACL-007に5分間浸漬し、十分に水洗した後、液温25°Cのソフトエッチング液過硫酸ソーダと硫酸の混液に1分間浸漬し、十分に水洗した。次に酸洗処理として液温25°Cの硫酸に1分間浸漬し、十分に水洗した。さらに液温25°Cの硫酸に1分間浸漬し、続けて液温25°Cのパラジウム触媒付与液上村工業製KAT-450に2分間浸漬した後、十分に水洗した。このテストピースを液温80°Cの無電解Niめっき浴上村工業製NPR-4に35分間浸漬した後、十分に水洗し、液温50°Cの無電解Pdめっき浴上村工業製TPD-30に5分間浸漬した後、十分に水洗した。最後に80°Cの無電解Auめっき浴上村工業製TWX-40に30分間浸漬した後、十分に水洗した。このテストピースの配線間を電子顕微鏡倍率2000倍で観察し、配線間へのめっき異常析出の有無を確認した。異常析出があると配線間のショートの原因になり好ましくない。各符号は以下のとおりである。○:50mm角のテストピースの範囲内で金属析出部の割合が面積で5以下×:5以上4熱衝撃性試験得られた半導体装置をフロリナート中で-55°C10分、125°C10分、-55°C10分を1サイクルとして、1000サイクル処理し、テストピースにクラックが発生していないか目視で確認した。各符号は以下の通りである。○:クラック発生なし×:クラック発生実施例1-1~1-5は、本発明の回路基板用樹脂組成物を用いたものである。評価全般にわたり良好であり、ENEPIGプロセス適応性も良好であった。一方、比較例1-1は、環状シロキサン化合物を用いていないため、ENEPIGプロセスで不具合が発生した。比較例1-2は、無機充填材を用いていないため、低熱膨張性に劣り、半導体装置の耐熱衝撃性も満足なものではなかった。比較例1-3はエポキシ樹脂を用いていないため、吸湿耐熱性及び耐熱衝撃性に劣るものであった。低熱膨張性、耐熱性、ENEPIGプロセス適応性、耐熱衝撃性をすべて満足させるためには、本発明の回路基板用樹脂組成物が有効であることがわかった。参考例実験例実施例及び比較例において用いた原材料以外の原料として以下、原料を用い参考実験を行った。12無機充填材C/球状ナノシリカ;トクヤマ社製NSS-5N、平均粒子径70nm13無機充填材D/球状ナノシリカ;扶桑化学工業社製PL-1、平均粒子径15nm14エポキシ樹脂C/ビスフェノールA型エポキシ樹脂:DIC社製840-S、エポキシ当量185参考例1-1~1-5表2に従い配合した以外は、実施例1-1と同様に実施例1-1と同様にして、プリプレグ、積層板、樹脂シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。5接触角測定上記積層板の銅箔をエッチングにより除去し、以下の手順の後、接触角を測定した。上記積層板をa液温50°Cのクリーナー液上村工業製ACL-007に5分間浸漬し、十分に水洗した後、b液温25°Cのソフトエッチング液過硫酸ソーダと硫酸の混液に1分間浸漬し、十分に水洗した。次にc酸洗処理として液温25°Cの硫酸に1分間浸漬し、十分に水洗した。さらにd液温25°Cの硫酸に1分間浸漬し、続けて液温25°Cのパラジウム触媒付与液上村工業製KAT-450に2分間浸漬した後、十分に水洗した。このテストピースをe液温80°Cの無電解Niめっき浴上村工業製NPR-4に35分間浸漬した後、十分に水洗し、f液温50°Cの無電解Pdめっき浴上村工業製TPD-30に5分間浸漬した後、十分に水洗した。最後にg80°Cの無電解Auめっき浴上村工業製TWX-40に30分間浸漬した後、十分に水洗した。その後で、協和界面化学社製の接触角測定装置DM-301によって、樹脂表面配線のない部分と純水との接触角を測定した。接触角測定の結果を表3に示す。参考例1-1~1-3はいずれも積層板は、接触角が85°以下であることが確認できた。また参考例の積層板を用いたプリント配線板は、ENEPIG特性が良好であった。なお、実施例と比較例の積層板についても接触角とENEPIG特性との関係を表4にまとめた。表中の数値は、前記a~gにおける各工程の接触角°である。結果、特にe液温80°Cの無電解Niめっき浴後に接触角が100°の比較例1は、ENEPIG工程後に、金属の異常析出が発生した。一方、その他は、接触角が85°以下であり、良好なENEPIG特性であった。なお、参考例4及び5は、接触角が85°より大きいものであった。参考例5及び5の積層板を用いたプリント配線板は、ENEPIG工程後、金属の異常析出が発生した。さらに、参考例1-1及び1-2のC環状シロキサン化合物と微粒子との両方を含む場合積層板を用いL/S=10μm/10μmのプリント配線板両面回路基板を作製し、ENEPIG特性を評価した。結果、金属の異常析出は現れず、良好であった。第2樹脂組成物に関して実施例2-11.ワニスの作製1.1.接着層形成用樹脂ワニス1Aの作製水酸基を含有するポリアミド樹脂日本化薬社製、BPAM0130重量部、平均粒径100nm以下のシリカとして球状シリカスラリーアドマテックス社製、SX009、平均粒径50nm15重量部、エポキシ樹脂としてHP-5000DIC社製35重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3019.4重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.1重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.5重量部を高速攪拌装置を用いてジメチルアセトアミドとメチルエチルケトンの混合溶媒で60分攪拌し、固形分30の基材と接する絶縁層用樹脂ワニス1Aを調製した。1.2.樹脂層形成用樹脂ワニス1Bの作製無機充填材として球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-25R、平均粒径0.5μm65重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてTMCTS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720020重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3010重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.8重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70の樹脂ワニス1Bを調製した。2.樹脂シートプリント配線板用積層基材の作製前記で得られた、樹脂ワニス1Aを、厚さ36μmのPETポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の接着層の厚さが5μmとなるように塗工し、これを160°Cの乾燥装置で3分間乾燥し、接着層を形成した。次に、接着層の上面に、さらにコンマコーター装置を用いて乾燥後の樹脂層の厚みの総和が30μmとなるように、樹脂ワニス1Bを塗工し、これを160°Cの乾燥装置で3分間乾燥して、PETフィルム上に、接着層および樹脂層が積層された樹脂シートを得た。3.硬化樹脂板の作製各実施例、及び比較例で用いた樹脂層用のワニスを厚さ90μmとなるようPETフィルム上に塗工し、真空下、温度200°C、圧力1.5MPaで加熱加圧成形して硬化樹脂板を得た。4.プリント配線板の作製後述する表面粗さRa、めっきピール強度を測定するため、まず多層プリント配線板を製造した。多層プリント配線板は、所定の内層回路パターンが両面に形成された内層回路基板の表裏に、前記で得られた樹脂シートの絶縁層面を内側にして重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度100°C、圧力1MPaで真空加熱加圧成形し、その後、熱風乾燥装置にて170°Cで60分間加熱硬化を行い、多層プリント配線板を製造した。なお、内層回路基板は、下記の銅張積層板を使用した。絶縁層:ハロゲンフリーFR-4材、厚さ0.4mm導体層:銅箔厚み18μm、L/S=120/180μm、クリアランスホール1mmφ、3mmφ、スリット2mm5.半導体装置の作製前記で得られた多層プリント配線板から基材を剥離して炭酸レーザー装置を用いてφ60μmの開口部ブラインドビアホールを形成し、60°Cの膨潤液アトテックジャパン株式会社製、スウェリングディップセキュリガントPに10分間浸漬し、さらに80°Cの過マンガン酸カリウム水溶液アトテックジャパン株式会社製、コンセントレートコンパクトCPに20分浸漬後、中和して粗化処理を行った。これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅メッキ皮膜を約1μm、電気メッキ銅膜30μm形成させ、熱風乾燥装置にて200°Cで60分間アニール処理を行った。次に、ソルダーレジスト太陽インキ製造株製、PSR-4000AUS703を印刷し、半導体素子搭載パッド等が露出するように、所定のマスクで露光し、現像、キュアを行い、回路上のソルダーレジスト層厚さが12μmとなるように形成した。最後に、ソルダーレジスト層から露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層3μmと、さらにその上へ、無電解金めっき層0.1μmとからなるめっき層を形成し、得られた基板を50mm×50mmサイズに切断し、半導体装置用の多層プリント配線板を得た。半導体装置は、前記前記半導体装置用の多層プリント配線板上に半田バンプを有する半導体素子TEGチップ、サイズ15mm×15mm、厚み0.8mmを、フリップチップボンダー装置により、加熱圧着により搭載し、次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂住友ベークライト社製、CRP-4152Sを充填し、液状封止樹脂を硬化させることで得た。尚、液状封止樹脂は、温度150°C、120分の条件で硬化させた。尚、前記半導体素子の半田バンプは、Sn/Pb組成の共晶で形成されたものを用いた。実施例2-2樹脂ワニス1Aに代えて、以下の樹脂ワニス2Aを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。接着層形成用樹脂ワニス2Aの作製水酸基を含有するポリアミド樹脂日本化薬社製、BPAM0135重量部、エポキシ樹脂としてHP-5000DIC社製40重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3024.5重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.5重量部を高速攪拌装置を用いてジメチルアセトアミドとメチルエチルケトンの混合溶媒で60分攪拌し、固形分30の基材と接する絶縁層用ワニス2Aを調製した。実施例2-3樹脂ワニス1Aに代えて、以下の樹脂ワニス3Aを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。接着層形成用樹脂ワニス3Aの作製水酸基を含有するポリアミド樹脂日本化薬社製、BPAM0130重量部、球状シリカスラリーアドマテックス社製、SC1030、平均粒径300nm15重量部、エポキシ樹脂としてHP-5000DIC社製35重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3019.4重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.1重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.5重量部を高速攪拌装置を用いてジメチルアセトアミドとメチルエチルケトンの混合溶媒で60分攪拌し、固形分30の基材と接する絶縁層用ワニス3Aを調製した。実施例2-4樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス4Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス4Bの作製無機充填材として球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-25R、平均粒径0.5μm65重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてPMCPS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720020重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3010重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.8重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70のワニス4Bを調製した。実施例2-5樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス5Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス5Bの作製無機充填材として球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-25R、平均粒径0.5μm65重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてPMCPS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂DIC社製、HP-500020重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3010重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.8重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70のワニス5Bを調製した。実施例2-6樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス6Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス6Bの作製無機充填材として球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-25R、平均粒径0.5μm65重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてTMCTS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720020重量部、シアネートエステル樹脂としてジシクロペンタジエン型シアネート樹脂LONZA社製、DT-400010重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.8重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70のワニス6Bを調製した。実施例2-7樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス7Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス7Bの作製無機充填材として球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-25R、平均粒径0.5μm65重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてTMCTS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720020重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.8重量部、フェノール樹脂日本化薬社製、GPH-10310重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70のワニス7Bを調製した。実施例2-8樹脂ワニス1Aに代えて、以下の樹脂ワニス8Aを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。接着層形成用樹脂ワニス8Aの作製水酸基を含有するポリアミド樹脂日本化薬社製、BPAM0140重量部、エポキシ樹脂としてHP-5000DIC社製58重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ2重量部を高速攪拌装置を用いてジメチルアセトアミドとメチルエチルケトンの混合溶媒で60分攪拌し、固形分30の基材と接する絶縁層用ワニス8Aを調製した。実施例2-9樹脂ワニス1Aに代えて、以下の樹脂ワニス9Aを用いた以外は実施例6と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。接着層形成用樹脂ワニス9Aの作製エポキシ樹脂としてHP-5000DIC社製45重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3029.6重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.4重量部を高速攪拌装置を用いてジメチルアセトアミドとメチルエチルケトンの混合溶媒で60分攪拌し、固形分30の基材と接する絶縁層用ワニス9Aを調製した。実施例2-10樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス10Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス10Bの作製無機充填材として球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-25R、平均粒径0.5μm65重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてTMCTS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720020重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3010重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.5重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウムとビスナフタレン-2,3-ジオキシフェニルシリケートの付加物住友ベークライト社製、C05-MB0.5重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70のワニス10Bを調製した。実施例2-11樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス11Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス11Bの作製無機充填材として球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-31R、平均粒径1.0μm65重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてTMCTS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720020重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3010重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.8重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70の樹脂ワニス11Bを調製した。実施例2-12樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス12Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス12Bの作製無機充填材として、球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-25R、平均粒径0.5μm50重量部および球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-22R、平均粒径0.3μm15重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてTMCTS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720020重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3010重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.8重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70の樹脂ワニス12Bを調製した。実施例2-14樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス14Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス14Bの作製無機充填材として球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-31R、平均粒径1.0μm55重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてTMCTS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720043重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウムとビスナフタレン-2,3-ジオキシフェニルシリケートの付加物住友ベークライト製、C05-MB1重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70のワニス14Bを調製した。実施例2-15樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス15Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス15Bの作製無機充填材として球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-25R、平均粒径0.5μm60重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてTMCTS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720023重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3012重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.8重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70の樹脂ワニス15Bを調製した。実施例2-16樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス16Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス16Bの作製無機充填材として球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-25R、平均粒径0.5μm70重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてTMCTS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720018重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-307重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.8重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70の樹脂ワニス16Bを調製した。実施例2-17樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス17Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス17Bの作製無機充填材として、球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-25R、平均粒径0.5μm10重量部および球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-C6、平均粒径2.0μm55重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてTMCTS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720020重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3010重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.8重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70の樹脂ワニス17Bを調製した。実施例2-18樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス18Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス18Bの作製無機充填材として、球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-31R、平均粒径1.0μm35重量部および球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-C6、平均粒径2.2μm25重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてTMCTS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720028重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3012重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.8重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70の樹脂ワニス18Bを調製した。実施例2-19樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス19Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス19Bの作製無機充填材として球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-25R、平均粒径0.5μm72重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてTMCTS試薬0.7重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720020重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-303重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.6重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70の樹脂ワニス19Bを調製した。実施例2-20樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス20Bを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス20Bの作製無機充填材として、球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-25R、平均粒径0.5μm59重量部および球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-22R、平均粒径0.3μm6重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、環状シロキサン化合物としてTMCTS試薬0.5重量部、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-720020重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3010重量部、フェノキシ樹脂三菱化学社製、jER-42753.8重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化触媒としてイミダゾール四国化成社製、キュアゾール1B2PZ0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70の樹脂ワニス12Bを調製した。比較例2-1樹脂ワニス1Bに代えて、以下の樹脂ワニス3Cを用いた以外は実施例1と同様にし、樹脂シート、硬化樹脂板、多層プリント配線板、及び半導体装置を得た。樹脂層形成用樹脂ワニス3Cの作製無機充填材として球状溶融シリカアドマテックス社製、SO-25R、平均粒径0.5μm70重量部、溶剤としてメチルエチルケトン、エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、HP-72003重量部、シアネートエステル樹脂としてフェノールノボラック型シアネート樹脂LONZA社製、PrimasetPT-3026重量部、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤日本ユニカー社製、A1870.5重量部、硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウムとビスナフタレン-2,3-ジオキシフェニルシリケートの付加物住友ベークライト製、C05-MB0.5重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて60分攪拌し、固形分70の樹脂ワニス3Cを調製した。各実施例、比較例で用いた樹脂ワニスの配合表および各実施例、比較例で得られた樹脂シート、プリプレグ、多層プリント配線板、半導体装置について得られた評価結果を表5~7に示す。各評価項目は、以下の方法で行った。1樹脂層における樹脂あたりの吸水率得られた両面銅張積層板を50mm角に切り出し、120°Cの乾燥機内に2時間放置した後のサンプル重量、および121°C、湿度100の槽内に2時間放置した後のサンプル重量を各々測定し、下記式より樹脂あたりの吸水率を算出した。樹脂あたりの吸水率=B-A/A×100×100/100-XA:120°Cの乾燥機内に2時間放置した後の重量mgB:121°C、湿度100の槽内に2時間放置した後の重量mgX:樹脂層100重量中の無機充填材の重量2熱膨張係数得られた樹脂硬化物から4mm×20mmの評価用試料を採取し、TMA熱機械的分析装置TAインスツルメント社製を用いて、10°C/分で0°Cから260°Cまで昇降温して測定し、50°Cから100°Cまでの膨張係数を算出した。3加工性ラミネート性線幅/線間/厚み=20μm/20μm/10μmである回路層を有する回路基板上に、前記で得たフィルム付き絶縁樹脂シートを温度120°C、圧力1.0MPaの条件で真空積層装置により積層ラミネート後、フィルムを剥離し、乾燥機により温度170°Cで1時間加熱処理し、樹脂組成物を硬化させて絶縁樹脂層を形成した。得られた絶縁樹脂層を有する回路基板の断面を観察し、線間の樹脂の埋め込み性を評価した。各符号は、以下の通りである。◎:良好樹脂が隙間なく、埋め込まれている○:実質上問題なし2μm以下の微小な円形ボイド△:実質上使用不可2μm以上のボイド×:使用不可埋め込み不良4デスミア処理後の表面粗さデスミア性前記で得られた多層プリント配線板を粗化処理後、レーザー顕微鏡KEYENCE社製、VK-8510、条件;PITCH0.02μm、RUNmodeカラー超深度にて表面粗さRaを測定した。Raは、10点測定し、10点の平均値とした。5めっきピール多層プリント配線板より、めっき銅膜の引き剥がし強度をJISC-6481に基づいて測定した。6via間絶縁信頼性via壁間50μm、および100μmの多層プリント配線板を作製し、PCT-130°C/85の条件下で20Vの電圧を印加し、200時間後の絶縁性を確認した。◎:via壁間50μm、100μmどちらにおいても200時間処理後に1E08Ω以上を保持○:via壁間100μmにおいて200時間処理後に1E08Ω以上を保持△:via壁間50μm、100μmどちらかおいて、短絡はしないが、1E08Ωを保持できない。×:via壁間50μm、100μmどちらかにおいて短絡発生。7熱衝撃試験前記で得られた半導体装置をフロリナート中で-55°C30分、125°C30分を1サイクルとして、1000サイクル処理し、基板又は半導体素子等にクラックが発生していないか確認した。尚、各符号は以下のとおりである。○:異常なし×:クラック発生8耐熱性前記で得られた半導体装置を260°Cリフロー炉に通し、膨れの有無を断面観察にて確認した。半導体装置はリフロー炉に30回通した。リフロー条件は、室温25°Cから160°Cまで徐々に昇温する50~60秒。次に、160°C~200°Cまで、50~60秒かけて昇温する。その後、200°Cから260°Cまで65~75秒で昇温し、さらに、260~262°Cの温度で5~10秒加熱リフローする。その後、15分かけて30°Cまで冷却する放冷条件である。○:異常なし×:断面観察にて銅-樹脂間で膨れ有り実施例2-1~2-12、2-14~2-20は、成形性等すべての評価において良好な結果であった。しかし、樹脂層にC環状シロキサン化合物を配合しなかった比較例1は、めっきピール強度が低く、耐熱性が劣る結果となった。この出願は、2010年5月7日に出願された日本出願特願2010-107694号及び2010年5月12日に出願された日本出願特願2010-110645号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。"