円形薄板状をなす基材と、前記基材の外周縁部に形成された切れ刃と、前記基材内に分散された砥粒と、を備える切断ブレードであって、前記基材の厚さ方向の外側には、該基材より静摩擦係数が小さい滑り層が形成されていることを特徴とする切断ブレード。請求項1に記載の切断ブレードであって、前記滑り層が、前記基材の厚さ方向を向く外面を被覆する被覆率が、50以上であることを特徴とする切断ブレード。請求項1又は2に記載の切断ブレードであって、前記滑り層の厚さが、0.5μm~10μmであることを特徴とする切断ブレード。請求項1~3のいずれか一項に記載の切断ブレードであって、前記滑り層の静摩擦係数が、0.3以下であることを特徴とする切断ブレード。請求項1~4のいずれか一項に記載の切断ブレードであって、前記基材が、レジンボンドからなることを特徴とする切断ブレード。しかしながら、前述した従来の切断ブレードでは、下記の課題があった。すなわち、メタルボンドブレードや電鋳ブレードを用いた場合は、被切断材の切断面にチッピングや電極バリが生じやすくなり、加工品位を確保できなかった。また、加工品位を重視してレジンボンドブレードやビトリファイドボンドブレードを用いた場合であっても、生産性を向上させる目的で切断速度を上げると、チッピングや電極バリが生じることがあった。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、加工品位を十分に確保しつつ、生産性を向上できる切断ブレードを提供することを目的としている。このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。すなわち、本発明は、円形薄板状をなす基材と、前記基材の外周縁部に形成された切れ刃と、前記基材内に分散された砥粒と、を備える切断ブレードであって、前記基材の厚さ方向の外側には、該基材より静摩擦係数が小さい滑り層が形成されていることを特徴とする。この切断ブレードを用いて被切断材を切断加工する際には、基材をその中心軸回りに回転させつつ、基材の外周縁部をなす切れ刃を被切断材に接触させる。本発明の切断ブレードによれば、基材の厚さ方向の外側に、該基材よりも静摩擦係数の小さな滑り層が形成されており、切れ刃が被切断材を切断する際、該被切断材の切断面に対して、滑り層が接触するようになっている。これにより、回転する切断ブレードから被切断材に伝わる衝撃や摩擦抵抗が抑制されて、チッピングや電極バリの発生が防止される。また、このようにチッピングや電極バリの発生が防止されるので、基材の回転速度を上げて、切断速度を高めることができる。よって、この切断ブレードによれば、被切断材を切断加工してなる切断片等の加工品位を十分に確保しつつ、生産性を向上することができる。また、本発明の切断ブレードにおいて、前記滑り層が、前記基材の厚さ方向を向く外面を被覆する被覆率が、50以上であることとしてもよい。この場合、被切断材の切断面に対して滑り層が確実に接触して、切断ブレードから被切断材へ伝わる衝撃や摩擦抵抗が小さくなる。また、本発明の切断ブレードにおいて、前記滑り層の厚さが、0.5μm~10μmであることとしてもよい。この場合、滑り層の厚さが十分に確保されて前述の効果を確実に奏しつつ、該滑り層の厚さが全体に均一に形成されて、被切断材の加工品位が確保される。詳しくは、滑り層の厚さが0.5μm未満である場合は、被切断材の切断面に対して該滑り層の摩擦抵抗を低減させる効果が十分に得られずに、チッピングや電極バリが生じるおそれがある。また、滑り層の厚さが10μmを超えた場合は、該滑り層の厚さが全体に不均一となり、使用に適さなくなることがある。また、本発明の切断ブレードにおいて、前記滑り層の静摩擦係数が、0.3以下であることとしてもよい。この場合、被切断材の切断面に対する滑り層の摩擦抵抗が十分に小さくなり、前述の効果が確実に得られる。すなわち、滑り層の静摩擦係数が0.3を超えた場合は、前記切断面に対する摩擦抵抗が十分に低められているとは言えず、チッピングや電極バリが生じるおそれがある。また、本発明の切断ブレードにおいて、前記基材が、レジンボンドからなることとしてもよい。この場合、基材が弾性のあるレジンボンドからなるので、切断時に切断ブレードから被切断材に及ぼされる加工負荷の衝撃が十分に緩和されて、加工品位がより高められる。すなわち、被切断材として、例えば水晶等のようにチッピングの生じやすい硬脆材料を精密切断加工するような場合であっても、切断面のチッピングが防止されて、高品質の切断片が得られる。本発明の切断ブレードによれば、加工品位を十分に確保しつつ、生産性を向上することができる。以下、本発明の一実施形態に係る切断ブレード1について、図1~図3を参照して説明する。本実施形態の切断ブレード1は、半導体デバイスの切断加工に用いられるものであり、具体的には、SiC、水晶及び石英等の硬脆材料やQFNなどの被切断材を精密切断加工するものである。図1~図3に示されるように、切断ブレード1は、円形薄板状をなす基材2と、基材2の外周縁部に形成された切れ刃3と、基材2内に分散された砥粒4と、を備えている。また、基材2の中央には、円形状の取付孔5が形成されている。切断ブレード1は、取付孔5を用いて不図示の切断加工装置の主軸に装着され、その中心軸以下軸O回りに回転されつつ軸Oに垂直な方向に送り出されることにより、基材2外周の環状をなす切れ刃3を被切断材に切り込んで被切断材を切断加工し、例えば矩形状の切断片チップを複数形成する。本実施形態の切断ブレード1は、外径が58mm程度、取付孔5の内径が40mm程度となっている。基材2は、レジンボンド樹脂結合剤からなる。すなわち、基材2は、弾性のある樹脂相からなり、この樹脂相としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂或いはポリ尿素樹脂等が用いられる。尚、基材2をエポキシ樹脂で作製した場合は、硬化収縮が小さいことから製造時における反りや割れ等が生じにくくなり、寸法精度に優れた切断ブレード1を得ることができる。また、フェノール樹脂で作製した場合は、他の樹脂に比べて耐摩耗性が高められる。本実施形態の切断ブレード1は、基材2がフェノール樹脂からなり、該フェノール樹脂の静摩擦係数は、0.7~0.9となっている。尚、前記静摩擦係数は、例えばJISK7125に準拠して求められるものである。図3において、基材2の厚さ軸O方向に沿う大きさT1は、切断する被切断材の種類によって種々に設定される。具体的に、この切断ブレード1が、硬脆材料の切断加工に用いられる場合は、基材2の厚さT1は80μm~300μmの範囲内に設定される。また、切断ブレード1が、QFNの切断加工に用いられる場合は、基材2の厚さT1は200μm~500μmの範囲内に設定される。砥粒4は、ダイヤモンド砥粒やcBN砥粒等からなり、本実施形態においては、ダイヤモンド砥粒が用いられている。尚、基材2内には、前記砥粒4以外に、フィラーが分散配置されていてもよい。そして、この切断ブレード1には、基材2の厚さ方向図3における左右方向の外側に、該基材2より静摩擦係数が小さい滑り層6が形成されている。詳しくは、本実施形態では、滑り層6が、基材2の厚さ方向の両外側にそれぞれ形成されている。滑り層6は、フッ素樹脂PTFEやグラファイト等からなり、本実施形態においては、フッ素樹脂が用いられている。滑り層6の静摩擦係数は、0.3以下である。本実施形態のように、滑り層6がフッ素樹脂からなる場合、該滑り層6の静摩擦係数は、0.02~0.1である。また、滑り層6がグラファイトからなる場合、該滑り層6の静摩擦係数は、0.2~0.3である。また、滑り層6の厚さT2は、0.5μm~10μmである。また、滑り層6が、基材2の厚さ方向を向く外面2aを被覆する被覆率は、50以上である。図3に示す例では、前記被覆率が100となっている。尚、前記被覆率を100未満に設定する場合は、滑り層6を、例えば基材2の外面2aの外周端縁後述する切り込み領域である切れ刃3近傍において周方向に短い間隔をあけて分散配置したり、基材2の外面2a上に軸Oを中心とした放射状に形成したりして、滑り層6が外面2a上に周方向に大きく間隔をあけることなく形成されることが好ましい。また、滑り層6は、基材2の外面2aのうち、少なくとも切れ刃3から径方向内方へ向かって被切断材に切り込まれる領域切り込み領域に形成されていればよく、被切断材に接触しない領域例えば取付孔5回りには形成されていなくてもよい。詳しくは、滑り層6は、基材2の半径Rに対して、基材2の外周縁部切れ刃3から径方向内方に向かって1/3×Rの切り込み領域に形成されていればよく、この領域における前記被覆率が50以上となっている。具体的に、このような滑り層6は、まずドクターブレード法により成形、焼結してなる基材2を用意し、この基材2の外面2aに、粉状又は液状のフッ素樹脂材料やグラファイト材料をスプレー塗布し、150°C~200°C程度にて低温加熱硬化させることで形成できる。尚、基材2を焼結する前に、外面2aに滑り層6を塗付した後、これら基材2及び滑り層6をともに焼結しても構わない。滑り層6のスプレー塗布には、例えば、フッ素樹脂材料の場合は、商品名:ファイン耐熱TFEコートファインケミカルジャパン株式会社製等を用いることができる。また、グラファイト材料の場合は、商品名:ファインスプレーブラッセンファインケミカルジャパン株式会社製等を用いることができる。また、滑り層6をパターン形成する場合には、基材2の外面2aにマスキング等を施して、スプレー塗布すればよい。また、それ以外の公知のエッチング等を用いてパターン形成しても構わない。以上説明した本実施形態の切断ブレード1を用いて被切断材を切断加工する際には、基材2をその中心軸O回りに回転させつつ、基材2の外周縁部をなす切れ刃3を被切断材に接触させる。本実施形態の切断ブレード1によれば、基材2の厚さ方向の外側に、該基材2よりも静摩擦係数の小さな滑り層6が形成されており、切れ刃3が被切断材を切断する際、該被切断材の切断面に対して、滑り層6が接触するようになっている。これにより、回転する切断ブレード1から被切断材に伝わる衝撃や摩擦抵抗が抑制されて、チッピングや電極バリの発生が防止される。また、このようにチッピングや電極バリの発生が防止されるので、基材2の回転速度を上げて、切断速度を高めることができる。よって、この切断ブレード1によれば、被切断材を切断加工してなる切断片等の加工品位を十分に確保しつつ、生産性を向上することができる。また、滑り層6が、基材2の厚さ方向を向く外面2aを被覆する被覆率が、50以上であるので、被切断材の切断面に対して滑り層6が確実に接触して、切断ブレード1から被切断材へ伝わる衝撃や摩擦抵抗が小さくなる。また、滑り層6の厚さT2が、0.5μm~10μmであるので、滑り層6の厚さT2が十分に確保されて前述の効果を確実に奏しつつ、該滑り層6が全体に均一厚さに形成されて、被切断材の加工品位が確保される。詳しくは、滑り層6の厚さT2が0.5μm未満である場合は、被切断材の切断面に対して該滑り層6の摩擦抵抗を低減させる効果が十分に得られずに、チッピングや電極バリが生じるおそれがある。また、滑り層6の厚さT2が10μmを超えた場合は、該滑り層6の厚さT2が全体に不均一となり、使用に適さなくなることがある。また、滑り層6の静摩擦係数が、0.3以下であるので、被切断材の切断面に対する滑り層6の摩擦抵抗が十分に小さくなり、前述の効果が確実に得られる。すなわち、滑り層6の静摩擦係数が0.3を超えた場合は、前記切断面に対する摩擦抵抗が十分に低められているとは言えず、チッピングや電極バリが生じるおそれがある。特に、本実施形態のように、滑り層6がフッ素樹脂からなる場合には、静摩擦係数が0.1以下と十分に低められて、大きな効果を得ることができる。また、本実施形態の切断ブレード1は、基材2が弾性のあるレジンボンドからなるので、切断時に切断ブレード1から被切断材に及ぼされる加工負荷の衝撃が十分に緩和されて、加工品位がより高められる。すなわち、被切断材として、例えば水晶等のようにチッピングの生じやすい硬脆材料を精密切断加工するような場合であっても、切断面のチッピングが防止されて、高品質の切断片が得られる。尚、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、例えば下記に示すように、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。前述の実施形態では、切断ブレード1は、基材2がレジンボンドからなるとしたが、これに限定されるものではなく、それ以外のメタルボンド金属結合剤やビトリファイドボンドガラス結合剤からなることとしてもよい。また、切断ブレード1は、基材2が無電解めっき等により形成された電鋳ブレードであってもよい。前述の実施形態では、滑り層6が、基材2の厚さ方向の両外側にそれぞれ形成されているとしたが、これに限定されるものではなく、滑り層6は、基材2の厚さ方向の両外側のうち少なくとも一方に形成されていても構わない。前述の実施形態では、砥粒4及びフィラーが、基材2内に分散されているとしたが、これら砥粒4及びフィラーは、基材4以外に、滑り層6内に分散されていても構わない。その他、本発明の前述の実施形態で説明した構成要素を、適宜組み合わせても構わない。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、前述の構成要素を周知の構成要素に置き換えることも可能である。以下、本発明を実施例により具体的に説明する。ただし本発明はこの実施例に限定されるものではない。チッピング量確認試験A実施例1本発明の実施例1として、フェノール樹脂からなる基材2内に、ダイヤモンド砥粒砥粒4及びWCからなるフィラーを含み、基材2の外面2aにグラファイトからなる滑り層6を被覆した切断ブレード1を用意した。この切断ブレード1の組成基材2内の組成は、体積比で、フェノール樹脂:61.25、ダイヤモンド砥粒:12.5、WCフィラー:26.25とした。切断ブレード1は、ドクターブレード法により作製して、その仕様をSDC600-50、58D/XT/40HX=0.08とした。すなわち、基材2の寸法を、外径:58mm、内径取付孔5の直径:40mm、厚さT1:80μmとした。また、ダイヤモンド砥粒4には、合成ダイヤモンド粒子にNiコーティングしてなり、粒度が600であるものを用いた。また、砥粒4は、基材2内の集中度が50となるように分散配置した。そして、滑り層6を次のように設定した。すなわち、滑り層6が基材2の外面2aを被覆する被覆率については、被覆率:40、50、80、100とし、また滑り層6の厚さT2については、T2:0.2μm、0.5μm、1μm、5μm、10μm、15μmとして、これら被覆率と厚さT2とを組み合わせてなるすべての切断ブレード1を用意した。尚、滑り層6は、基材2の外面2aに、商品名:ファインスプレーブラッセンファインケミカルジャパン株式会社製をスプレー塗布し、1時間ほど放置乾燥させ、低温150~200°C、5~10分で加熱硬化させることにより形成した。また、滑り層6の被覆率が100未満のものについては、マスキングを用い、滑り層6が、基材2の外面2aの外周端縁切り込み領域である切れ刃3近傍において周方向に短い間隔をあけて分散配置されるようにパターン形成した。詳しくは、前記切り込み領域において、周方向に隣り合う滑り層6部分同士の間隔、すなわち滑り層6の形成されていない部位の周方向に沿う長さが、1mm以下となるように、滑り層6を形成した。次いで、この切断ブレード1を切断加工装置に装着し、被切断材としてアルミナAl2O396からなる硬脆材料を用いて切断加工を行い、作製されたチップ切断片のチッピング量を測定した。尚、試験の条件は、主軸回転数:21000min-1、送り速度:6mm/s、切り込み量:0.055mm、ワーク厚さ:0.5mmとし、図4に示されるように、切断加工によって、チップC内へ向けて意図せずカーフ端面から切り欠かれたチッピング深さDを前記チッピング量とした。試験の結果を、表1に示す。比較例1一方、比較例1として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例1と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行ったすなわち、比較例1における被覆率は0である。結果を表1に示す。実施例2また、実施例2として、切断ブレード1の仕様を、SDC600-50、58D/XT/40HX=0.1とした。すなわち、基材2の厚さT1を、T1:100μmとし、それ以外は実施例1と同じ条件として、試験を行った。結果を表2に示す。比較例2一方、比較例2として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例2と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表2に示す。実施例3また、実施例3として、切断ブレード1の仕様を、SDC600-50、58D/XT/40HX=0.3とした。すなわち、基材2の厚さT1を、T1:300μmとし、それ以外は実施例1と同じ条件として、試験を行った。結果を表3に示す。比較例3一方、比較例3として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例3と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表3に示す。実施例4また、実施例4として、切断ブレード1の仕様を、SDC600-50、58D/XT/40HX=0.35とした。すなわち、基材2の厚さT1を、T1:350μmとし、それ以外は実施例1と同じ条件として、試験を行った。結果を表4に示す。比較例4一方、比較例4として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例4と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表4に示す。評価表1~表4に示す通り、基材2の外面2aに滑り層6が形成された実施例1~4については、チッピング量Dがすべて39μm以下となり、チッピングが抑制されることが確認された。また、実施例1~4のうち、滑り層6の被覆率が50以上であるものは、チッピング量Dがすべて30μm以下となり、そのうちさらに、滑り層6の厚さT2が0.5μm~10μmであるものは、チッピング量Dが23μm以下となっていた。また、実施例1~4のうち、滑り層6の被覆率が50以上であり、滑り層6の厚さT2が0.5μm~10μmであり、かつ、基材2の厚さT1が80μm~300μmであるものは、チッピング量Dが20μmとなり、優れたチッピング抑制効果が得られることがわかった。尚、実施例1~4のうち、滑り層6の厚さT2:15μm10μmを超えるものについては、被覆厚さにバラつきが生じて、使用に適さなかった。一方、比較例1~4においては、それぞれが対応する実施例1~4に比較して、チッピング量Dが大きくなり、チッピングを抑制する効果は得られなかった。尚、表には示していないが、切断ブレード1の仕様を、SDC600-50、58D/XT/40HX=0.07としたものすなわち基材2の厚さT1を、T1:70μmとしたものを作製し試験したところ、滑り層6の有無に関わらず、基材2の剛性が確保できず切断加工時に蛇行が生じて、使用には適さなかった。チッピング量確認試験B実施例5本発明の実施例5として、基材2の外面2aにフッ素樹脂からなる滑り層6を被覆した切断ブレード1を用意した。滑り層6は、基材2の外面2aに、商品名:ファイン耐熱TFEコートファインケミカルジャパン株式会社製をスプレー塗布し、1時間ほど放置乾燥させ、低温200°C、20分で加熱硬化させることにより形成した。それ以外は実施例1と同じ条件として、切断ブレード1を作製し試験を行った。結果を表5に示す。比較例5一方、比較例5として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例5と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表5に示す。実施例6また、実施例6として、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:100μmとしたものを用意した。それ以外は実施例5と同じ条件として、試験を行った。結果を表6に示す。比較例6一方、比較例6として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例6と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表6に示す。実施例7また、実施例7として、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:300μmとしたものを用意した。それ以外は実施例5と同じ条件として、試験を行った。結果を表7に示す。比較例7一方、比較例7として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例7と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表7に示す。実施例8また、実施例8として、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:350μmとしたものを用意した。それ以外は実施例5と同じ条件として、試験を行った。結果を表8に示す。比較例8一方、比較例8として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例8と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表8に示す。評価表5~表8に示す通り、基材2の外面2aに滑り層6が形成された実施例5~8については、チッピング量Dがすべて37μm以下となり、チッピングが抑制されることが確認された。また、実施例5~8のうち、滑り層6の被覆率が50以上であるものは、チッピング量Dがすべて32μm以下となり、そのうちさらに、滑り層6の厚さT2が0.5μm~10μmであるものは、チッピング量Dが23μm以下となっていた。また、実施例5~8のうち、滑り層6の被覆率が50以上であり、滑り層6の厚さT2が0.5μm~10μmであり、かつ、基材2の厚さT1が80μm~300μmであるものは、チッピング量Dが20μmとなり、優れたチッピング抑制効果が得られることがわかった。尚、実施例5~8のうち、滑り層6の厚さT2:15μm10μmを超えるものについては、被覆厚さにバラつきが生じて、使用に適さなかった。一方、比較例5~8においては、それぞれが対応する実施例5~8に比較して、チッピング量Dが大きくなり、チッピングを抑制する効果は得られなかった。尚、表には示していないが、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:70μmとしたものを用意し試験したところ、滑り層6の有無に関わらず、基材2の剛性が確保できず切断加工時に蛇行が生じて、使用には適さなかった。横方向バリ量確認試験A実施例9本発明の実施例9として、基材2の外面2aにグラファイトからなる滑り層6を被覆した切断ブレード1を用意した。滑り層6の形成には、前述した商品名:ファインスプレーブラッセンファインケミカルジャパン株式会社製を用いた。また、切断ブレード1の仕様は、SDC230-75、58D/XT/40HX=0.2とした。すなわち、基材2の寸法を、外径:58mm、内径取付孔5の直径:40mm、厚さT1:200μmとした。また、ダイヤモンド砥粒4には、合成ダイヤモンド粒子にNiコーティングしてなり、粒度が230であるものを用いた。また、砥粒4は、基材2内の集中度が75となるように分散配置した。それ以外は実施例1と同じ条件として、切断ブレード1を作製した。次いで、この切断ブレード1を切断加工装置に装着し、被切断材として銅電極が配列されたQFN基板を用いて切断加工を行い、横方向バリ量を測定した。尚、試験の条件は、主軸回転数:30000min-1、送り速度:60mm/s、切り込み量:1.1mm、ワーク厚さ:1.0mmとした。また、図5に示されるように、切断加工によって、QFN基板Pにおいて電極Eから隣り合う他の電極Eに向けて意図せず突出して形成された横方向バリの突出長さ大きさL1を前記横方向バリ量とした。詳しくは、前記横方向バリ量とは、QFN基板Pの厚さ方向に垂直な電極間方向横方向に向けて延びる電極バリの大きさであり、互いに隣り合う電極E同士の間において、一方又は両方の電極Eから突出する横方向バリの突出長さの和L1を言う。試験の結果を、表9に示す。比較例9一方、比較例9として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例9と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表9に示す。実施例10また、実施例10として、切断ブレード1の仕様を、SDC230-75、58D/XT/40HX=0.3とした。すなわち、基材2の厚さT1を、T1:300μmとし、それ以外は実施例9と同じ条件として、試験を行った。結果を表10に示す。比較例10一方、比較例10として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例10と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表10に示す。実施例11また、実施例11として、切断ブレード1の仕様を、SDC230-75、58D/XT/40HX=0.4とした。すなわち、基材2の厚さT1を、T1:400μmとし、それ以外は実施例9と同じ条件として、試験を行った。結果を表11に示す。比較例11一方、比較例11として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例11と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表11に示す。実施例12また、実施例12として、切断ブレード1の仕様を、SDC230-75、58D/XT/40HX=0.5とした。すなわち、基材2の厚さT1を、T1:500μmとし、それ以外は実施例9と同じ条件として、試験を行った。結果を表12に示す。比較例12一方、比較例12として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例12と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表12に示す。評価表9~表12に示す通り、基材2の外面2aに滑り層6が形成された実施例9~12については、横方向バリ量L1がすべて66μm以下となり、横方向への電極バリが抑制されることが確認された。また、実施例9~12のうち、滑り層6の被覆率が50以上であるものは、横方向バリ量L1がすべて61μm以下となり、そのうちさらに、滑り層6の厚さT2が0.5μm~10μmであるものは、横方向バリ量L1が38μm以下となり、優れた横方向バリ抑制効果が得られることがわかった。尚、実施例9~12のうち、滑り層6の厚さT2:15μm10μmを超えるものについては、被覆厚さにバラつきが生じて、使用に適さなかった。一方、比較例9~12においては、それぞれが対応する実施例9~12に比較して、横方向バリ量L1が大きくなり、電極バリを抑制する効果は得られなかった。尚、表には示していないが、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:550μmとしたものについて作製を試みたが、前述したドクターブレード法によっては、滑り層6の有無に関わらず製作不可であった。横方向バリ量確認試験B実施例13本発明の実施例13として、基材2の外面2aにフッ素樹脂からなる滑り層6を被覆した切断ブレード1を用意した。滑り層6の形成には、前述した商品名:ファイン耐熱TFEコートファインケミカルジャパン株式会社製を用いた。それ以外は実施例9と同じ条件として、切断ブレード1を作製し試験を行った。結果を表13に示す。比較例13一方、比較例13として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例13と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表13に示す。実施例14また、実施例14として、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:300μmとし、それ以外は実施例13と同じ条件として、試験を行った。結果を表14に示す。比較例14一方、比較例14として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例14と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表14に示す。実施例15また、実施例15として、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:400μmとし、それ以外は実施例13と同じ条件として、試験を行った。結果を表15に示す。比較例15一方、比較例15として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例15と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表15に示す。実施例16また、実施例16として、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:500μmとし、それ以外は実施例13と同じ条件として、試験を行った。結果を表16に示す。比較例16一方、比較例16として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例16と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表16に示す。評価表13~表16に示す通り、基材2の外面2aに滑り層6が形成された実施例13~16については、横方向バリ量L1がすべて67μm以下となり、横方向への電極バリが抑制されることが確認された。また、実施例13~16のうち、滑り層6の被覆率が50以上であるものは、横方向バリ量L1がすべて66μm以下となり、そのうちさらに、滑り層6の厚さT2が0.5μm~10μmであるものは、横方向バリ量L1が39μm以下となり、優れた横方向バリ抑制効果が得られることがわかった。尚、実施例13~16のうち、滑り層6の厚さT2:15μm10μmを超えるものについては、被覆厚さにバラつきが生じて、使用に適さなかった。一方、比較例13~16においては、それぞれが対応する実施例13~16に比較して、横方向バリ量L1が大きくなり、電極バリを抑制する効果は得られなかった。尚、表には示していないが、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:550μmとしたものについて作製を試みたが、前述したドクターブレード法によっては、滑り層6の有無に関わらず製作不可であった。縦方向バリ量確認試験A実施例17本発明の実施例17として、実施例9で説明した切断ブレード1基材2の外面2aにグラファイトからなる滑り層6を被覆したものを用意した。次いで、この切断ブレード1を切断加工装置に装着し、被切断材として銅電極が配列されたQFN基板を用いて切断加工を行い、縦方向バリ量を測定した。詳しくは、図5に示されるように、切断加工によって、QFN基板Pの外面から厚さ方向縦方向に向けて意図せず突出して形成された電極バリの突出長さ大きさL2を前記縦方向バリ量とした。試験の結果を、表17に示す。比較例17一方、比較例17として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例17と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表17に示す。実施例18また、実施例18として、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:300μmとし、それ以外は実施例17と同じ条件として、試験を行った。結果を表18に示す。比較例18一方、比較例18として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例18と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表18に示す。実施例19また、実施例19として、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:400μmとし、それ以外は実施例17と同じ条件として、試験を行った。結果を表19に示す。比較例19一方、比較例19として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例19と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表19に示す。実施例20また、実施例20として、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:500μmとし、それ以外は実施例17と同じ条件として、試験を行った。結果を表20に示す。比較例20一方、比較例20として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例20と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表20に示す。評価表17~表20に示す通り、基材2の外面2aに滑り層6が形成された実施例17~20については、縦方向バリ量L2がすべて44μm以下となり、縦方向への電極バリが抑制されることが確認された。また、実施例17~20のうち、滑り層6の被覆率が50以上であるものは、縦方向バリ量L2がすべて42μm以下となり、そのうちさらに、滑り層6の厚さT2が0.5μm~10μmであるものは、縦方向バリ量L2が29μm以下となり、優れた縦方向バリ抑制効果が得られることがわかった。尚、実施例17~20のうち、滑り層6の厚さT2:15μm10μmを超えるものについては、被覆厚さにバラつきが生じて、使用に適さなかった。一方、比較例17~20においては、それぞれが対応する実施例17~20に比較して、縦方向バリ量L2が大きくなり、電極バリを抑制する効果は得られなかった。尚、表には示していないが、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:550μmとしたものについて作製を試みたが、前述したドクターブレード法によっては、滑り層6の有無に関わらず製作不可であった。縦方向バリ量確認試験B実施例21本発明の実施例21として、実施例13で説明した切断ブレード1基材2の外面2aにフッ素樹脂からなる滑り層6を被覆したものを用意し、実施例17と同じ条件として試験を行った。結果を表21に示す。比較例21一方、比較例21として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例21と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表21に示す。実施例22また、実施例22として、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:300μmとし、それ以外は実施例21と同じ条件として、試験を行った。結果を表22に示す。比較例22一方、比較例22として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例22と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表22に示す。実施例23また、実施例23として、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:400μmとし、それ以外は実施例21と同じ条件として、試験を行った。結果を表23に示す。比較例23一方、比較例23として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例23と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表23に示す。実施例24また、実施例24として、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:500μmとし、それ以外は実施例21と同じ条件として、試験を行った。結果を表24に示す。比較例24一方、比較例24として、基材2の外面2aに滑り層6を形成しない以外は、実施例24と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表24に示す。評価表21~表24に示す通り、基材2の外面2aに滑り層6が形成された実施例21~24については、縦方向バリ量L2がすべて45μm以下となり、縦方向への電極バリが抑制されることが確認された。また、実施例21~24のうち、滑り層6の被覆率が50以上であるものは、縦方向バリ量L2がすべて43μm以下となり、そのうちさらに、滑り層6の厚さT2が0.5μm~10μmであるものは、縦方向バリ量L2が29μm以下となり、優れた縦方向バリ抑制効果が得られることがわかった。尚、実施例21~24のうち、滑り層6の厚さT2:15μm10μmを超えるものについては、被覆厚さにバラつきが生じて、使用に適さなかった。一方、比較例21~24においては、それぞれが対応する実施例21~24に比較して、縦方向バリ量L2が大きくなり、電極バリを抑制する効果は得られなかった。尚、表には示していないが、切断ブレード1の基材2の厚さT1を、T1:550μmとしたものについて作製を試みたが、前述したドクターブレード法によっては、滑り層6の有無に関わらず製作不可であった。