"傾斜面の結晶成長面からの角度が40度以上90度以下である凸部を有する炭化珪素種基板の表面に炭化珪素単結晶層を成長させることで、前記炭化珪素種基板の貫通らせん転位を、前記炭化珪素単結晶層で、前記凸部を中心にして前記炭化珪素種基板の外側に延びる方向の欠陥に変換すると共に、貫通らせん転位を前記凸部の頂面に制限することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。請求項1に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記凸部の頂面に制限する貫通らせん転位は5個以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。請求項1又は請求項2に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記凸部の頂面に制限する貫通らせん転位は1、3又は5個の何れかであることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。請求項1~請求項3の何れか一項に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記凸部は、前記炭化珪素種基板の略中央部に設けられていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。請求項1~請求項4の何れか一項に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記凸部は、六角錐の上部に平面を設けた形状であることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。請求項1~請求項4の何れか一項に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記凸部は、多角柱、円柱、多角錐、円錐、又は多角錐若しくは円錐の上部に平面を設けた形状であることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。請求項1~請求項6の何れか一項に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記炭化珪素種基板上に形成された炭化珪素単結晶層の上に、さらに前記凸部を設けて炭化珪素単結晶層を形成する工程を複数回行うことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。請求項1~請求項7の何れか一項に記載する炭化珪素単結晶の製造方法により作製され、貫通らせん転位が低減した部位をスライスすることにより得られたことを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ。請求項1~請求項7の何れか一項に記載する炭化珪素単結晶の製造方法により作製されたことを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ。請求項8又は請求項9に記載する炭化珪素単結晶ウェハを用いて製造されることを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。請求項10に記載する炭化珪素半導体素子の製造方法により得られたことを特徴とする炭化珪素半導体素子。本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、貫通らせん転位が少ない、もしくは存在しない炭化珪素単結晶層を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素単結晶ウェハ、当該炭化珪素単結晶ウェハを用いた炭化珪素半導体素子の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素半導体素子を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の第1の態様は、傾斜面の結晶成長面からの角度が40度以上90度以下である凸部を有する炭化珪素種基板の表面に炭化珪素単結晶層を成長させることで、前記炭化珪素種基板の貫通らせん転位を、前記炭化珪素単結晶層で、前記凸部を中心にして前記炭化珪素種基板の外側に延びる方向の欠陥に変換すると共に、貫通らせん転位を前記凸部の頂面に制限することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法にある。かかる第1の態様では、炭化珪素種基板の貫通らせん転位は、凸部を中心にした放射方向に構造転換される。この放射方向に延びる欠陥、すなわち基底面内欠陥に変換させることで、種基板の貫通らせん転位を炭化珪素単結晶層の外側に排出し、表面を貫通する貫通らせん転位が低減した部位以下、低欠陥部位と称する。を有する炭化珪素単結晶層を得ることができる。そして、凸部の頂面に貫通らせん転位を制限することができる。これにより、当該貫通らせん転位を起点として、炭化珪素単結晶層を良好に成長させることができる。ここでいう、貫通らせん転位を凸部の頂面に制限するとは、種基板に炭化珪素単結晶層を成長させた結果、種基板の凸部の頂面、及び、炭化珪素単結晶層のうち当該頂面上の領域に、貫通らせん転位が現れることをいう。本発明の第2の態様は、第1の態様に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記凸部の頂面に制限する貫通らせん転位は5個以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法にある。かかる第2の態様では、らせんステップ成長同士の相互作用が小さくなり、良好ならせんステップ成長が行われる。本発明の第3の態様は、第1又は第2の態様に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記凸部の頂面に制限する貫通らせん転位は1、3又は5個の何れかであることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法にある。かかる第3の態様では、らせんステップ成長同士の相互作用が小さくなり、良好ならせんステップ成長が行われる。特に、炭化珪素単結晶層を成長させる過程で、2本の貫通らせん転位が相殺されたとしても、1、3、5の奇数本であれば、少なくとも一つの貫通らせん転位が凸部に現れる。本発明の第4の態様は、第1~第3の何れか一つの態様に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記凸部は、前記炭化珪素種基板の略中央部に設けられていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法にある。かかる第4の態様では、もっとも良好な低欠陥部位を有する炭化珪素単結晶層を製造することができる。本発明の第5の態様は、第1~第4の何れか一つの態様に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記凸部は、六角錐の上部に平面を設けた形状であることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法にある。かかる第5の態様では、六角錐状の凸部を設けることで、結晶欠陥の密度が少なく結晶性に優れた炭化珪素単結晶層を得ることができる。本発明の第6の態様は、第1~第4の何れか一つの態様に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記凸部は、多角柱、円柱、多角錐、円錐、又は多角錐若しくは円錐の上部に平面を設けた形状であることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法にある。かかる第6の態様では、凸部として種々の形状のものを用いることができる。本発明の第7の態様は、第1~第6の何れか一つの態様に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記炭化珪素種基板上に形成された炭化珪素単結晶層の上に、さらに前記凸部を設けて炭化珪素単結晶層を形成する工程を複数回行うことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法にある。かかる第7の態様では、貫通らせん転位がより確実に低減した炭化珪素単結晶層を得ることができる。本発明の第8の態様は、第1~第7の何れか一つの態様に記載する炭化珪素単結晶の製造方法により作製され、貫通らせん転位が生じない部位をスライスすることにより得られたことを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハにある。かかる第8の態様では、炭化珪素単結晶層の貫通らせん転位が低減した低欠陥部位に半導体素子を設けることができ、高い耐電圧性が求められる半導体素子を適用する場合であっても、通電の妨げになる等の不具合の発生を無くすことができる。本発明の第9の態様は、第1~第7の何れか一つの態様に記載するに炭化珪素単結晶の製造方法により作製されたことを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハにある。かかる第9の態様では、炭化珪素単結晶層の低欠陥部位に半導体素子を設けることができ、高い耐電圧性が求められる半導体素子を適用する場合であっても、通電の妨げになる等の不具合の発生を無くすことができる。本発明の第10の態様は、第8又は第9の態様に記載する炭化珪素単結晶ウェハを用いて製造されることを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法にある。かかる第10の態様では、炭化珪素の優れた物性を活かした高品質な半導体素子、例えば、高い耐電圧性を有する半導体素子を作製することができる。本発明の第11の態様は、第10の態様に記載する炭化珪素半導体素子の製造方法により得られたことを特徴とする炭化珪素半導体素子にある。かかる第11の態様では、炭化珪素の優れた物性を活かした高品質な半導体素子、例えば、高い耐電圧性を有する半導体素子が得られる。本発明によれば、貫通らせん転位が少ない、もしくは存在しない炭化珪素単結晶層を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素単結晶ウェハ、当該炭化珪素単結晶ウェハを用いた炭化珪素半導体素子の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素半導体素子が提供される。背景技術で述べたように、炭化珪素種基板以下、種基板と称する。の基底面0001より0°~8°の傾斜角オフ角を有する結晶成長面に対する炭化珪素気相エピタキシャル成長においては、種基板内の貫通らせん転位がエピタキシャル膜中にそのまま伝播することが報告されている。これに対し、炭化珪素結晶成長において、基底面0001より傾斜角の大きい例えば、50°以上場合には、貫通らせん転位が基底面内欠陥に構造転換し、種基板内あるいは種結晶内の貫通らせん転位の低減が可能なことが報告されている。本発明の炭化珪素単結晶ウェハは、結晶成長面からの傾斜面の角度が40度以上90度以下である凸部を一つ有する種基板上に、新たな炭化珪素単結晶層を気相成長法もしくは昇華法により成長させることにより製造される。図1を用いて、本実施形態に係る炭化珪素単結晶ウェハを詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例に係る炭化珪素単結晶ウェハの外観、断面及び要部の断面を示す図である。同図に示すように、炭化珪素単結晶ウェハ1は、炭化珪素単結晶基板又はエピタキシャル膜付炭化珪素単結晶基板からなる円盤状の種基板2の一方面5以下、結晶成長面5と称する。に、凸部3が設けられ、さらに炭化珪素単結晶層4が設けられたものである。凸部3は、種基板2の略中央部に一つ設けられ、六角錐の上部に平面を設けた形状に形成されている。すなわち、凸部3は、六角錐の各傾斜面6が結晶成長面5に対して40度以上90度以下の角度であり、頂面3Tが結晶成長面5に略平行になっている。凸部3の結晶成長面5からの高さは、10μm~1cmであることが好ましい。貫通らせん転位7が基底面内欠陥に変換され、かつ良好に結晶成長させるためである。なお、結晶成長面5は、基底面0001と0°~10°の傾斜角オフ角を有している。凸部3を有する種基板2上に新たな炭化珪素単結晶層4を成長させた場合、凸部3の傾斜面6における結晶成長方向は、傾斜面6に対し垂直方向となる。この傾斜面6に現れる貫通する貫通らせん転位7aは、凸部3を中心にして放射状に延びる方向以下、放射方向と称する。に延びる基底面内欠陥9に構造転換される。また、凸部3以外の結晶成長面5に現れた貫通らせん転位7bも、凸部3を設けて炭化珪素単結晶層4を成長させることで、基底面内欠陥9に構造転換される。炭化珪素単結晶層4は、凸部3を設けたことで、成長過程において40度以上90度以下の傾斜面4aを有する。この傾斜面4aにより貫通らせん転位7bは基底面内欠陥9に構造転換される。このように、凸部3の頂面3Tに現れない貫通らせん転位である貫通らせん転位7a、7bを、基底面内欠陥9に変換させることで、種基板2の貫通らせん転位7a、7bを炭化珪素単結晶層4に伝播させることを防ぎ、貫通らせん転位7a、7bが低減した低欠陥部位8を有する炭化珪素単結晶層4を得ることができる。低欠陥部位8とは、炭化珪素単結晶層4のうち凸部3を中心に放射方向側に広がり、貫通らせん転位の密度が小さい領域である。また、基底面内欠陥とは、積層欠陥、部分転位などの欠陥をいう。一方、凸部3の頂面3Tにおける結晶成長方向は、頂面3Tに対し垂直方向となる。凸部3の頂面3Tに現れる貫通らせん転位7cは、炭化珪素単結晶層4内にそのまま伝播する。本実施形態では、1個の貫通らせん転位7cが頂面3Tを貫き、炭化珪素単結晶層4内に伝播している。凸部3は、頂面3Tを有しており、この部位においては、貫通らせん転位7cが構造転換しない。すなわち、炭化珪素単結晶ウェハ1の全体では、凸部3の周囲には、貫通らせん転位7a、7bの密度が低くなっている一方で、貫通らせん転位7cは凸部3の頂面3T近傍に制限されている。この頂面3T上にある貫通らせん転位7cは、炭化珪素単結晶層4が結晶成長気相成長や昇華法による成長する際の起点となり、炭化珪素単結晶層4を良好に成長させることができる。このように、炭化珪素単結晶層4の成長に必要な貫通らせん転位7cの位置を凸部3の位置に制御することができる。また、凸部3は、切頭された六角錐状である。六角錐状とすることで、ポリタイプが2H、4H、6Hなどの六方晶系の炭化珪素単結晶層4を成長させる際に、結晶欠陥の密度が少なく結晶性に優れた炭化珪素単結晶層4を得ることができる。このような炭化珪素単結晶ウェハ1は、炭化珪素単結晶層4の貫通らせん転位が低減した低欠陥部位8に半導体素子を設けることができ、高い耐電圧性が求められる半導体素子を適用する場合であっても、通電の妨げになる等の不具合の発生を無くすことができる。以下、本実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法炭化珪素単結晶ウェハの製造方法を図面に基づいて詳細に説明する。図2は炭化珪素単結晶を製造する工程を示す平面図及び断面図であり、図3は、炭化珪素単結晶を製造する工程を示す断面図である。図2aに示すように、種基板2の略中央部にガラスマスク10を一つ配置する。ガラスマスク10は、種基板2上に形成する凸部3をエッチングにより形成するためのマスクである。具体的には、ガラスマスク10は、凸部3と同形状、本実施形態では、切頭六角錐状のガラスからなる。図2bに示すように、エッチングにより、ガラスマスク10と共に種基板2の炭化珪素をエッチングする。これにより、結晶成長面5の略中央部に切頭六角錐状の凸部3を作製できる。エッチングは、CF4もしくはSF6等のエッチングガスを用いた反応性プラズマによるドライエッチングであることが好ましい。なお、エッチングに際してはガラスマスク10を用いたがこれに限らない。例えば、ガラスマスク10の代わりに、炭化珪素からなるマスク、フォトレジスト、又はメタルマスクなどを作製し、当該マスクを用いてエッチングを行ってもよい。炭化珪素からなるマスクを用いる場合、当該マスクと種基板2とは同じ材質であるから、エッチングの選択比も同じとなる。したがって、当該マスクと同形状の凸部3を作製することができる。他にも、機械加工や放電加工、レーザー加工、電気化学エッチング等でガラスマスク10に相当するマスクを形成できる。また、種基板2に対し放電加工、レーザー加工等で凸部3を種基板2に直接的に形成してもよい。このようにエッチングされた種基板2の結晶成長面5や、凸部3の傾斜面6、頂面3Tには、種基板2に存在している貫通らせん転位77a,7b,7cが複数現れている。このとき、凸部3の頂面3Tには、1個の貫通らせん転位7cが現れるようになっている。1つの貫通らせん転位7cを頂面3Tに現れるようにすることで、らせんステップ成長が良好に行われる。なお、頂面3Tには、3又は5個の貫通らせん転位7cが現れていてもよい。ごく少数であれば、各貫通らせん転位7cを起点にらせんステップ成長が行われても、相互に成長を阻害する虞が少ないからである。なお、貫通らせん転位7cが偶数本である場合でも、方向が逆向きの2つの貫通らせん転位7c同士が相殺しない限り、各貫通らせん転位7cを起点にして、らせんステップ成長する。頂面3Tに現れる貫通らせん転位7cを、1、3又は5個とする具体的な方法としては、凸部3を形成した後、頂面3Tに貫通らせん転位7cが1、3又は5個現れるように凸部3をエッチングする方法が挙げられる。他にも、通常の種基板2における貫通らせん転位7cが存在する密度からすれば、任意の位置にガラスマスク10を配置すれば、凸部3の頂面3Tに1、3又は5個の貫通らせん転位7cが存在する場合がある。なお、1、3又は5個の貫通らせん転位7cというのは、方向の異なる二つの貫通らせん転位7cが相殺され最終的にその個数となった場合でもよいし、始めから1、3又は5個の貫通らせん転位7cが頂面3Tに現れていてもよい。次に、図3aに示すように、新たな炭化珪素単結晶層4を成長させる。成長の方法は、昇華法又は気相成長法により行う。この成長により、種基板2に生じた貫通らせん転位7の大半は、凸部3を設けたことにより炭化珪素単結晶層4で基底面内欠陥9に構造変換することができる。すなわち、炭化珪素単結晶層4は、凸部3を頂点に山型に成長していくが、凸部3の傾斜面6に現れた貫通らせん転位7aは傾斜面6で、結晶成長面5に現れた貫通らせん転位7bは山型に成長した炭化珪素単結晶層4の傾斜面4aで基底面内欠陥9に転換される。このように結晶成長させても、凸部3の頂面3Tに存在している1、3又は5個の貫通らせん転位7cは、傾斜面4aには現れないため、転換されない。したがって、1、3又は5個の貫通らせん転位7cを凸部3の頂面3Tにのみ制限することができる。そして、凸部3に現れた貫通らせん転位7cは、そのまま炭化珪素単結晶層4に伝播し、炭化珪素単結晶層4のらせんステップ成長を良好にさせる。気相成長法では、一般的に原料としてSiH4等のSiを含んだガスと、C3H8またはC2H2等のCを含んだガスとを用いて、種基板2上に新たな炭化珪素単結晶層4を得ることができる。また、昇華法では通常、坩堝内に原料の炭化珪素粉末を入れると共に、坩堝の内側上面に炭化珪素粉末と対面する形で種基板2を設置する。このとき、坩堝を2200°C以上まで加熱することで、炭化珪素粉末を昇華させる。昇華した炭化珪素粉末は、対面する種基板2上で再結晶化され、種結晶上に新たな炭化珪素単結晶層4が成長される。そして、図3bに示すように、所望の膜厚になるまで炭化珪素単結晶層4を成長させることで、貫通らせん転位が低減した低欠陥部位8を有する炭化珪素単結晶ウェハ1を作製することができる。なお、上述したように所定膜厚の炭化珪素単結晶層4を作製して炭化珪素単結晶ウェハ1としてもよいし、この他に、円柱形のバルク状の単結晶として炭化珪素単結晶層4を作製した後に、これを通常300μm~400μm程度の厚さにスライスすることにより炭化珪素単結晶ウェハ1としてもよい。また、種基板2上に、新たな炭化珪素単結晶層4を成長させる工程において、炭化珪素単結晶層4の品質が劣化しないために、結晶成長面5の基底面0001に対する傾斜角オフ角は10°以下0°~10°が望ましい。また、種基板2のオフアクシス方向としては、安定な結晶成長が得られることが知られている、方向もしくは方向が望ましい。さらに、凸部3の形成工程によって、凸部3の傾斜面6及び結晶成長面5の表面に結晶欠陥や汚染等のダメージが誘起されることがあるが、エッチング工程中におけるアルゴンガスを用いたドライエッチングによる表面平坦化処理、エッチング工程後に1000°C~1400°C程度の温度の酸素雰囲気中にて表面を酸化し、酸化膜をエッチングによって除去する処理、もしくは、新たな炭化珪素単結晶層を結晶させる工程において、1200°C以上の高温水素エッチングや高温塩化水素エッチング等の単結晶成長前処理を行うことによって、凸部3の傾斜面6及び結晶成長面5の表面の結晶欠陥や汚染等のダメージを除去することができる。また、炭化珪素単結晶層は複数層形成してもよい。すなわち、炭化珪素単結晶層4の上にガラスマスク10を設けて、凸部3を形成し、さらに結晶成長させて、炭化珪素単結晶層4を形成する。これにより、貫通らせん転位7a、7bを確実に基底面内欠陥9に確実に変換することができ、さらに、貫通らせん転位7cを凸部3の頂面3T部分に制限することができる。以上のようにして製造された炭化珪素単結晶ウェハ1を用いて炭化珪素半導体素子を製造することができる。炭化珪素単結晶ウェハ1を用いた本発明の炭化珪素半導体素子の製造方法によって製造可能な半導体素子には、ショットキーバリヤダイオードSBD、接合電界効果トランジスタJ-FET、金属/酸化膜/半導体電界効果トランジスタMOS-FET等のユニポーラ素子、及びpnダイオード、バイポーラ接合トランジスタBJT、サイリスタ、GTOサイリスタ、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBT等のバイポーラ素子が含まれる。貫通らせん転位が低減した低欠陥部位8に、これらの炭化珪素半導体素子を作製することで、炭化珪素の優れた物性を活かした高品質な半導体素子、例えば、高い耐電圧性を有する半導体素子を作製することができる。以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に何ら限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲内において各種の変形、変更が可能である。図4は、変形例に係る炭化珪素単結晶ウェハの種基板の外観を示す図である。図4aに示すように、凸部3Aは、四角錐などの頭部を切り取った切頭多角錐体であってもよい。この場合においても、種基板2の貫通らせん転位7a、7bは、炭化珪素単結晶層4で基底面内欠陥9に構造変換され、貫通らせん転位7cは、凸部3Aの頂面3Tに制限され、凸部3Aを中心とした領域に低欠陥部位8を有する炭化珪素単結晶層4を得ることができる。また、この場合も、1、3又は5個の貫通らせん転位7cの位置を頂面3Tに特定することができる。また、図4bに示すように凸部3Bは、円錐などの錐体であってもよい。この場合は、錐体の頂点に種基板2の貫通らせん転位7cが現れる。さらに、複数個の凸部3Bが設けられていてもよい。この場合、結晶の成長の度合いを均一にするため、凸部3Bの各高さを揃えておくことが望ましい。もちろん、錐体以外の形状の凸部を複数設けてもよい。凸部は必ずしも種基板2の略中央部ではなく任意の位置に作製してもよい。この場合においても、凸部が作製された場所を中心に、低欠陥部位8を有する炭化珪素単結晶層4を得ることができる。"