"分光感度が互いに異なる複数の受光素子と、前記複数の受光素子による検出信号をそれぞれ増幅する複数の増幅部と、前記複数の増幅部によりそれぞれ増幅された検出信号の和又は差を演算する演算部と、を備え、前記増幅部は、前記検出信号に対する増幅率が調整可能であり、前記演算部は、演算内容が変更可能であることを特徴とする光センサ。前記増幅部及び前記演算部は、それぞれ、外部からの信号入力が可能な入力端子を有し、前記増幅部は、該増幅部の入力端子に入力される増幅率調整信号に基づいて、前記増幅率を調整し、前記演算部は、該演算部の入力端子に入力される演算変更信号に基づいて、演算内容を変更することを特徴とする請求項1に記載の光センサ。前記増幅部の入力端子に前記増幅率調整信号を出力すると共に、前記演算部の入力端子に前記演算変更信号を出力する制御部をさらに備え、前記制御部は、前記増幅率調整信号を用いて前記増幅部に前記増幅率を調整させると共に、前記演算変更信号を用いて前記演算部に演算内容を変更させて、前記複数の受光素子による検出対象の受光波長領域を順に切り替え、該演算部に、各受光波長領域についての検出信号をシリアル出力させることを特徴とする請求項2に記載の光センサ。前記演算部からの出力結果を基に、前記複数の受光素子による受光波長成分を解析し、該複数の受光素子に入射する光の光源の種類を判別可能な光源判別部をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の光センサ。入射光が遮断された暗電流検出用受光素子をさらに備え、前記受光素子による検出信号から前記暗電流検出用受光素子による出力信号を減じることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の光センサ。前記暗電流検出用受光素子は、前記複数の受光素子のうちの少なくとも1つと対になるように設けられ、その対となる受光素子と同じ材料で構成されており、前記受光素子による検出信号からは、その受光素子と対になる前記暗電流検出用受光素子による出力信号が減じられることを特徴とする請求項5に記載の光センサ。前記各素子及び前記各部は、1つのチップに設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の光センサ。しかしながら、特許文献1に記載の光センサにおいては、上記の問題を解決することが困難である。本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、複数種類の光センサを併用する場合と比べて、製造コストを低減でき、電気機器に取り付けた状態で電気機器のデザイン性を損ない難くすることができる光センサを提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明の光センサは、分光感度が互いに異なる複数の受光素子と、前記複数の受光素子による検出信号をそれぞれ増幅する複数の増幅部と、前記複数の増幅部によりそれぞれ増幅された検出信号の和又は差を演算する演算部と、を備え、前記増幅部は、前記検出信号に対する増幅率が調整可能であり、前記演算部は、演算内容が変更可能であることを特徴とする。この発明において、前記増幅部及び前記演算部は、それぞれ、外部からの信号入力が可能な入力端子を有し、前記増幅部は、該増幅部の入力端子に入力される増幅率調整信号に基づいて、前記増幅率を調整し、前記演算部は、該演算部の入力端子に入力される演算変更信号に基づいて、演算内容を変更することが望ましい。この発明において、前記増幅部の入力端子に前記増幅率調整信号を出力すると共に、前記演算部の入力端子に前記演算変更信号を出力する制御部をさらに備え、前記制御部は、前記増幅率調整信号を用いて前記増幅部に前記増幅率を調整させると共に、前記演算変更信号を用いて前記演算部に演算内容を変更させて、前記複数の受光素子による検出対象の受光波長領域を順に切り替え、該演算部に、各受光波長領域についての検出信号をシリアル出力させることが望ましい。この発明において、前記演算部からの出力結果を基に、前記複数の受光素子による受光波長成分を解析し、該複数の受光素子に入射する光の光源の種類を判別可能な光源判別部をさらに備えることが望ましい。この発明において、入射光が遮断された暗電流検出用受光素子をさらに備え、前記受光素子による検出信号から前記暗電流検出用受光素子による出力信号を減じることが望ましい。この発明において、前記暗電流検出用受光素子は、前記複数の受光素子のうちの少なくとも1つと対になるように設けられ、その対となる受光素子と同じ材料で構成されており、前記受光素子による検出信号からは、その受光素子と対になる前記暗電流検出用受光素子による出力信号が減じられることが望ましい。この発明において、前記各素子及び前記各部は、1つのチップに設けられていることが望ましい。本発明によれば、各増幅部における検出信号の増幅率と、演算部における検出信号の演算内容とを変更することにより、検出対象の光の波長領域を、複数の波長領域に切り替えることができる。従って、複数種類の光センサを併用する場合と比べて、光センサの数を減らし、各種構成部品を共通化することができる。そのため、製造コストを低減することができ、また、電気機器に取り付けた状態で、占有面積が少なくて済み、電気機器のデザイン性を損ない難くすることができる。本発明の一実施形態に係る光センサについて図1乃至図3を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る光センサの回路構成を示す。この光センサ1は、分光感度が互いに異なる受光素子2v、2iと、受光素子2v、2iによる検出信号をそれぞれ増幅する増幅回路3v、3i増幅部とを備える。また、光センサ1は、増幅回路3v、3iによりそれぞれ増幅された検出信号の和又は差を演算する演算回路4演算部と、赤外線発光素子5とを備える。受光素子2vは、人の視感度特性と一致又は近似する分光感度特性を有しており、受光感度のピーク波長が可視光波長領域内にある。受光素子2iは、赤外線発光素子5から発せられる近赤外光の波長領域内に受光感度のピーク波長を有する。増幅回路3v、3iは、それぞれ、受光素子2v、2iの検出信号に対する増幅率を調整することが可能である。演算回路4は、演算内容が変更可能である。光センサ1においては、増幅回路3v、3iによる増幅率がそれぞれ調整され、演算回路4の演算内容が変更される。それらの調整及び変更により、受光素子2v、2iによる受光波長領域、すなわち、受光素子2v、2iにより検出される対象の光の波長領域が、可視光波長領域と、近赤外光波長領域との間で切り替えられる。この切替えにより、周囲照度のみを検出する照度センサモードと、近赤外光のみを検出する近接センサモードとが切り替わる。この近接センサモードでは、赤外線発光素子5から近赤外光が発せられ、物体で反射した近赤外光が検出され、それにより、物体の接近が検知される。受光素子2v、2iは、フォトダイオード等により構成できる。受光素子2v、2iは、それぞれ、受光素子に含まれる不純物の濃度又はドーピングの深さ等が予め調整されることにより、分光感度特性が所望の特性に設定されている。増幅回路3v、3iと演算回路4とは、それぞれ、外部からの信号入力が可能な入力端子31、41を有する。入力端子31、41には、光センサ1の動作モードの切替え等を制御する制御回路6が接続され、その制御回路6から出力される増幅率調整信号、演算変更信号がそれぞれ入力される。増幅回路3v、3iは、入力端子31に入力される増幅率調整信号に基づいて、上記増幅率を調整し、演算回路4は、入力端子41に入力される演算変更信号に基づいて、演算内容を変更する。これらの調整及び変更による動作モードの切替えは、制御回路6に接続された不図示の操作部への操作に基づいてなされる。上記演算内容には、受光素子2v、2iによる検出信号について、それらの和を算出するか、又は一方の検出信号から他方の検出信号を減じるか、といった内容が含まれる。増幅回路3v、3iは、検出信号を増幅するオペアンプと、そのオペアンプによる増幅率を調整するマイクロプロセッサとにより構成できる。演算回路4は、マイクロプロセッサにより構成できる。赤外線発光素子5は、赤外線LEDにより構成できる。また、赤外線発光素子5は、制御回路6が接続される接続端子51を有し、接続端子51を介して制御回路6から入力される点灯制御信号に基づいて、点灯と消灯とを切り替える。図2は、光センサ1の構成を示す。同図では、増幅回路3v、3iの図示を省略する。受光素子2v、2i及び赤外線発光素子5は、互いに同一の基板7上に実装され、樹脂製の封止部材8により封止されており、1つのチップ9に設けられている。受光素子2iの受光面と赤外線発光素子5の発光面とは同一平面上に設けられるように、受光素子2i及び赤外線発光素子5は配置されている。不図示であるが、増幅回路3v、3iも、受光素子2v、2i及び赤外線発光素子5と同様に、チップ9に設けられている。制御回路6により制御された光センサ1の動作について、図1に加え、図3abを参照して説明する。図3abは、それぞれ、光センサ1の照度センサモード時の様子と、近接センサモード時の様子とを示す。照度センサモードでは、赤外線発光素子5は、消灯する。受光素子2vにおいて受光感度が閾値以上である波長領域が可視光領域を越えない場合、可視光のみを検出するには、受光素子2vによる検出信号だけを生かせばよい。そこで、増幅回路3vによる増幅率は例えば1以上の値とされ、増幅回路3iによる増幅率は略ゼロとされ、演算回路4は、増幅回路3v、3iにより増幅された検出信号の和を算出する。一方、受光素子2vの上記波長領域が可視光領域を超えて近赤外光領域にまで広がっている場合、実質的に可視光に対してのみ受光感度を持つようにするには、受光素子2vによる検出信号のうち、近赤外光成分を除去して、可視光成分だけを抜き出せばよい。そこで、増幅回路3vによる増幅率は、例えば1以上の値にされ、増幅回路3iによる増幅率は、ゼロではなく増幅回路3vの増幅率よりも低い所定値にされる。そして、演算回路4は、増幅回路3vにより増幅された検出信号から、増幅回路3iにより増幅された検出信号を減じる。このようにして、上記2つのいずれの場合においても、周囲の可視光照度の検出のみを示す検出信号が得られる。受光素子2vの分光感度については予め測定されており、その測定結果に基づいて、制御回路6が上記のように光センサ1を制御する。近接センサモードでは、赤外線発光素子5は、点灯する。受光素子2iにおいて受光感度が閾値以上である波長領域が近赤外光領域を越えない場合、近赤外光のみを検出するには、受光素子2iによる検出信号だけを生かせばよい。そこで、増幅回路3vによる増幅率は略ゼロとされ、増幅回路3iによる増幅率は例えば1以上の値とされ、演算回路4は、増幅回路3v、3iにより増幅された検出信号の和を算出する。一方、受光素子2iの上記波長領域が近赤外光領域を超えて可視光領域にまで広がっている場合、実質的に近赤外光に対してのみ受光感度を持つようにするには、受光素子2iによる検出信号のうち、可視光成分を除去して、近赤外光成分だけを抜き出せばよい。そこで、増幅回路3vによる増幅率は、ゼロではなく増幅回路3iの増幅率よりも低い所定値にされ、増幅回路3iによる増幅率は、例えば1以上の値にされる。そして、演算回路4は、増幅回路3iにより増幅された検出信号から、増幅回路3vにより増幅された検出信号を減じる。このようにして、上記2つのいずれの場合においても、物体10が接近したときに、赤外線発光素子5から発せられ物体10で反射した近赤外光の検出のみを示す検出信号が得られる。受光素子2iの分光感度については予め測定されており、その測定結果に基づいて、制御回路6が上記のように光センサ1を制御する。本実施形態においては、各増幅回路3v、3iにおける検出信号の増幅率と、演算回路4における検出信号の演算内容とを変更することにより、検出対象の光の波長領域を、複数の波長領域に切り替えることができる。従って、複数種類の光センサを併用する場合と比べて、光センサの数を減らし、受光素子、増幅回路又はマイクロプロセッサ等の周辺回路を含む各種構成部品を共通化することができる。そのため、製造コストを低減することができ、また、取付け対象の電気機器に設けた状態で、占有面積が少なくて済み、電気機器のデザイン性を損ない難くすることができる。また、制御回路6に接続された操作部を操作するだけで、増幅回路3v、3iに増幅調整信号が入力され、かつ演算回路4に演算変更信号が入力される。そして、それらの入力により、各増幅回路3v、3iによる増幅率が調整され、演算回路4による演算内容が変更され、検出対象の光の波長領域が切り替わる。従って、切替え作業が簡単になる。また、受光素子2v、2iは、不純物濃度等により分光感度特性が所望の特性とされているので、分光感度調整のための高価な光学フィルタを受光素子に蒸着することが不要になる。従って、部品点数を減らすことができ、また、製造過程における光学フィルタの蒸着工程をなくすことができる。そのため、製造コストの削減を図ることができる。次に、上記実施形態の各変形例を図4乃至図7を参照して説明する。第1の変形例図4は、第1の変形例に係る光センサ1の回路構成を示す。本変形例の光センサ1は、上記実施形態において、受光素子2r、2g、2bと、増幅回路3r、3g、3b増幅部とをさらに備え、動作モードとして、カラーセンサモードをさらに有し、制御回路6を含むものである。受光素子2r、2g、2bは、それぞれ、赤色光波長領域、緑色光波長領域、青色光波長領域内に、受光感度のピーク波長を有する。増幅回路3r、3g、3bは、それぞれ、受光素子2r、2g、2bによる検出信号を増幅するものであり、その他の構成については、増幅回路3v、3iと同等である。制御回路6は、光センサ1に含まれていなくてもよい。本変形例の光センサ1においても、光センサ1を構成する各素子及び各回路は、1つのチップに設けられている以下の各変形例ついても同様。制御回路6は、増幅率調整信号を用いて増幅回路3v、3i、3r、3g、3b以下、増幅回路3v等と総称に増幅率を調整させると共に、演算変更信号を用いて演算回路4に演算内容を変更させる。この演算内容には、所望の波長領域の光のみを検出するため、増幅回路3v等により増幅された検出信号の和を算出するか、又はそれらの検出信号のうち、一部の検出信号からその他の検出信号を減じるか、といった内容が含まれる。ここで、受光素子2v、2i、2r、2g、2bを、受光素子2v等と総称する。制御回路6は、光センサ1の動作モードをカラーセンサモードに切り替えるとき、上記の調整及び変更により、受光素子2v等による検出対象の受光波長領域を、赤色光領域、緑色光領域、青色光領域に、この順に又はその他の順に切り替える。この検出に使用される受光素子は、2r、2g、2bだけであってもよい。そして、制御回路6は、演算回路4に、各受光波長領域についての検出信号を外部へシリアル出力させる。本変形例においては、光センサ1をカラーセンサとして動作させることもできる。第2の変形例図5は、第2の変形例に係る光センサ1の回路構成を示す。本変形例の光センサ1は、上記第1の変形例において、光源判別回路11光源判別部をさらに備えるものである。光源判別回路11は、カラーセンサモード時に演算回路4からシリアル出力される、赤色光成分、緑色光成分、青色光成分の検出結果を基に、受光素子2v等による受光波長成分を解析し、受光素子2v等に入射する光の光源の種類を判別可能な構成を有する。本変形例の光センサ1においては、受光素子2v及び増幅回路3vの組み合わせと、受光素子2i、増幅回路3i及び赤外線発光素子5の組み合わせのいずれかだけが設けられていてもよい。光源判別回路11は、LED、蛍光ランプ、白熱ランプ又は太陽等の各種光源の光について、赤色光、緑色光、青色光の各成分の比率をメモリに予め記憶している。そして、光源判別回路11は、検出された各色光成分の比率と、予め記憶している各種光源の光の各色光成分の比率とを比較し、その比率が一致又は近似する光源を、入射する光の光源として判別し、その判別結果を示す光源情報信号を外部に出力する。本変形例においては、例えば、光センサ1をテレビジョン受像機に適用した場合、室内の光源の種類を光源判別回路11により判別でき、その判別結果に基づき、テレビジョン受像機のモニタの色合いを、映像が見易くなるように調整できる。また、光センサ1を携帯電話機に適用したとき、判別した光源の種類に基づき、携帯電話機が屋内に在るか、又は屋外にあるかを判断することができ、その判断結果に応じた各種の適当な処理を実行することができる。第3の変形例図6は、第3の変形例に係る光センサ1の回路構成を示す。同図では、接続端子51の図示を省略する。本変形例の光センサ1は、上記実施形態において、入射光が遮断された暗電流検出用受光素子12と、暗電流検出用受光素子12による出力信号を増幅する増幅回路3dとをさらに備えるものである。上記出力信号は、暗電流検出用受光素子12の暗電流により生じる信号である。この光センサ1においては、受光素子2v、2iによる検出信号から、暗電流検出用受光素子12による出力信号が減じられ、それにより、暗電流成分が除去される。詳しく述べると、演算回路4が、増幅回路3v、3iにより増幅された検出信号の和又は差から、増幅回路3dにより増幅された出力信号を減じる。増幅回路3dは、上記出力信号に対する増幅率が、制御回路6により調整可能とされている。制御回路6における上記増幅率の決め方について説明する。ここで、増幅回路3v、3i、3dによる増幅率をそれぞれ、Av、Ai、Adとする。演算回路4が上記の和を算出する場合、予め測定した受光素子2v、2iの平均暗電流が暗電流検出用受光素子12の暗電流と等しいとき、増幅率Adは、AvAiとされる。一方、上記の平均暗電流が暗電流検出用受光素子12の暗電流のnn>0倍であるとき、増幅率Adは、n×AvAiとされる。演算回路4が上記の差を算出する場合、増幅率Adについて、増幅率Av、Aiのうち、減じる検出信号の増幅率の符号が負に反転される。本変形例の暗電流検出用受光素子12及び増幅回路3dは、上記第1の変形例又は上記第2の変形例に設けられていてもよい。本変形例においては、検出対象の光の波長領域が可視光領域と近赤外光領域のいずれに切り替えられたとしても、受光素子2v、2iの検出信号の中から、暗電流成分を除去することができるので、検出精度を向上することができる。しかも、受光素子2v、2iの暗電流成分を除去するにあたって、その暗電流成分を測定するのに必要な暗電流検出用受光素子12は、1つで済み、製造コストの低減及び小型化を図ることができる。第4の変形例図7は、第4の変形例に係る光センサ1の回路構成を示す。同図では、接続端子51の図示を省略する。本変形例の光センサ1は、上記第3の変形例において、暗電流検出用受光素子12が、受光素子2v、2iとそれぞれ対になるように2つ設けられ、各暗電流検出用受光素子12は、それぞれ、対となる受光素子2v、2iと同じ材料で構成されたものである。受光素子2v、2iのうち、一方の受光素子の暗電流が無視できる程度に少なく、他方の受光素子の暗電流が多い場合、暗電流検出用受光素子12は、受光素子2v、2iのうち、少なくとも、暗電流の多いもの1つと対になるように設けられていればよい。ここで、受光素子2v,2iとそれぞれ対になる2つの暗電流検出用受光素子12を、暗電流検出用受光素子12v、12iと称する。暗電流検出用受光素子12v、12iは、それぞれ、受光素子2v、2iと同じタイプの受光素子で構成される。増幅回路3v、3iは、演算機能を有しており、増幅対象である受光素子2v、2iによる検出信号から、それぞれ、受光素子2v、2iの対となる暗電流検出用受光素子12v、12iによる出力信号を減じ、その結果として得られる検出信号を増幅する。その増幅率は、上記実施形態と同様に、調整可能である。暗電流検出用受光素子12v、12iによる出力信号は、それぞれ、暗電流用の増幅回路により適当な信号レベルに増幅されてから、増幅回路3v、3iに入力されてもよい。本変形例においては、上記第3の変形例と比べて、受光素子2v、2iによる検出信号から、それぞれ、同じ材料で形成された暗電流検出用受光素子12v、12iによる出力信号が減じられるので、受光素子毎に検出信号から暗電流成分を正確に除去できる。従って、検出精度をさらに高くすることができる。なお、本発明は、上記の実施形態及び各変形例の構成に限定されるものでなく、使用目的に応じ、様々な変形が可能である。例えば、増幅回路3及び演算回路4は、それぞれ、増幅率及び演算内容を、増幅回路3及び演算回路4に設けられたスイッチ等の操作部を操作することにより、変更可能であってもよい。また、受光素子は、受光素子2v等とは異なる波長領域に受光感度のピークを有するものであっても構わない。また、2v等で示した受光素子自体は、それぞれが複数の受光素子により構成され、それら受光素子による検出信号を用いた演算処理によって所望の波長領域に感度を持たせたものであってもよい。"