"配線基板と、前記配線基板上に実装された第1半導体チップと、前記配線基板上に実装され、前記第1半導体チップと比べて発熱量が小さい第2半導体チップと、前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップの上方に配置され、前記第1半導体チップに接続され、前記第2半導体チップと対向する位置に開口部が形成された放熱板と、を有し、前記第2半導体チップは、上面の全てが前記開口部から露出されていることを特徴とする半導体装置。前記第2半導体チップは、前記開口部内に突出するように形成され、前記第2半導体チップと前記開口部の内壁との間に断熱樹脂が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1半導体チップと前記第2半導体チップとを仕切るように前記配線基板に立設された断熱樹脂を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記放熱板上に配置され、前記放熱板及び前記第2半導体チップに接続された放熱手段を有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体装置。配線基板と、前記配線基板上に実装された第1半導体チップと、前記配線基板上に実装され、前記第1半導体チップと比べて発熱量が小さい第2半導体チップと、前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップの上方に配置され、前記第1半導体チップに接続され、前記第2半導体チップと対向する位置に開口部が形成された第1放熱板と、前記開口部内に配置され、前記第2半導体チップに接続された第2放熱板と、前記開口部の内壁と前記第2放熱板との間に形成された断熱樹脂と、を有することを特徴とする半導体装置。前記断熱樹脂は、前記第1半導体チップと前記第2半導体チップとを仕切るように前記配線基板に立設されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。ところで、上記半導体装置3において、第1チップ61にはロジック素子などの熱抵抗が大きく発熱量が大きい半導体素子が形成され、第2チップ62にはメモリなどの熱抵抗が小さく熱に弱い半導体素子が形成される場合がある。すなわち、半導体装置3では、発熱量の大きいロジックチップと熱に弱いメモリチップとが混載されることがある。ここで、上述したように、半導体装置3では、第1チップ61及び第2チップ62から発生する熱が共通の放熱板63に拡散されるようになっている。このため、発熱量の大きな半導体チップ第1チップ61から発生した熱が放熱板63を通じて熱に弱い半導体チップ第2チップ62に伝導してしまう。このように伝導された熱によって第2チップ62の温度が異常に上昇すると、第2チップ62が誤動作を起こすおそれがあり、半導体装置3の信頼性が低下するという問題がある。本発明の一観点によれば、配線基板と、前記配線基板上に実装された第1半導体チップと、前記配線基板上に実装され、前記第1半導体チップと比べて発熱量が小さい第2半導体チップと、前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップの上方に配置され、前記第1半導体チップに接続され、前記第2半導体チップと対向する位置に開口部が形成された放熱板と、を有し、前記第2半導体チップは、上面の全てが前記開口部から露出されている。本発明の一観点によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができるという効果を奏する。以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。第1実施形態以下、第1実施形態を図1~図3に従って説明する。図1に示すように、半導体装置1は、PGAPinGridArray型の配線基板10と、その配線基板10上に平面的水平方向に並んで実装される第1半導体チップ第1チップ21及び第2半導体チップ第2チップ22と、第1チップ21上に配置された放熱板30とを有している。ここで、第1チップ21は熱抵抗が高く発熱量の大きいロジックチップであり、第2チップ22は第1チップ21に比べて熱抵抗が低く熱に弱いメモリチップである。また、第2チップ22は、第1チップ21に比べて発熱量が小さい半導体チップである。ロジックチップとしては、例えばCPUCentralProcessingUnitチップやGPUGraphicsProcessingUnitチップなどを用いることができる。メモリチップとしては、例えばDRAMDynamicRandomAccessMemoryチップ、SRAMStaticRandomAccessMemoryチップやフラッシュメモリチップなどを用いることができる。配線基板10は、基板本体11と、基板本体11の上面に形成された接続用パッド12と、基板本体11の下面に形成されたピン13とを有している。基板本体11としては、接続用パッド12及びピン13が基板内部を通じて相互に電気的に接続された構造を有していれば十分である。このため、基板本体11の内部には配線層が形成されていてもよく、配線層が形成されていなくてもよい。なお、基板本体11の内部に配線層が形成される場合には、複数の配線層が層間絶縁層を介して積層され、各配線層と各樹脂層に形成されたビアとによって上記接続用パッド12及びピン13が電気的に接続されている。基板本体11としては、例えばコア基板を有するコア付きビルドアップ基板やコア基板を有さないコアレス基板等を用いることができる。接続用パッド12には、第1チップ21の回路形成面図1において下面に形成された電極バンプ21aがフリップチップ接合されている。接続用パッド12の材料としては、例えば銅を用いることができる。また、接続用パッド12は、銅層の表面に所要のめっき例えば、ニッケルめっきや金めっき等を施して形成するようにしてもよい。電極バンプ21aの材料としては、例えば金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛Pbを含む合金、錫Snと銅Cuの合金、Snと銀Agの合金、SnとAgとCuの合金等を用いることができる。第1チップ21の下面と配線基板10の上面との間にはアンダーフィル樹脂23が充填されている。アンダーフィル樹脂23の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁樹脂を用いることができる。第1チップ21から図中の横方向に離間した位置に設けられた接続用パッド12には、第2チップ22の回路形成面図1において下面に形成された電極バンプ22aがフリップチップ接合されている。電極バンプ22aの材料としては、例えば金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛Pbを含む合金、錫Snと銅Cuの合金、Snと銀Agの合金、SnとAgとCuの合金等を用いることができる。第2チップ22の下面と配線基板10の上面との間にはアンダーフィル樹脂24が充填されている。アンダーフィル樹脂24の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁樹脂を用いることができる。なお、第1チップ21の高さは、例えば0.5~1mm程度とすることができる。第2チップ22の高さは、第1チップ21よりも高くてもよいし、第1チップ21よりも低くてもよい。例えば第2チップ22の高さは、例えば0.3~5mm程度とすることができる。また、半導体装置1では、第1チップ21ロジックチップと第2チップ22メモリチップとの間の帯域幅を確保することが要求される。帯域幅を確保するためには、第2チップ22を第1チップ21に接近させた構造が好ましい。このため、第2チップ22は第1チップ21の近傍に配置され、例えば第1チップ21と第2チップ22との間の距離は2~3mm程度に設定される。第1チップ21及び第2チップ22の上方には、放熱板30が配置されている。放熱板30はヒートスプレッダとも呼ばれる。放熱板30の材料としては、例えば銅、銀、アルミニウム又はそれらの合金等を用いることができる。放熱板30は、配線基板10上に接合されている。具体的には、放熱板30は、第1チップ21及び第2チップ22を取り囲むように配線基板10上の周縁部に接合部材34によって接合されている。接合部材34の材料としては、例えばシリコンポリマー系の樹脂を用いることができる。放熱板30は、板状に形成された板状部31と、この板状部31の周囲に一体的に形成され、底面が接合部材34を介して配線基板10に接合された枠状の側壁部32とを有している。放熱板30には、これら板状部31と側壁部32とによって凹部33が形成されている。また、この凹部33と配線基板10とによって収容部H1が形成され、その収容部H1に第1チップ21及び第2チップ22が収容されている。そして、第1チップ21の回路形成面と反対側の面図1において上面が、熱伝導部材TIM25を介して放熱板30の凹部33の底面33Aに熱的に結合されている。このようにして、第1チップ21から発生する熱は、熱伝導部材25を介して放熱板30に放熱される。なお、放熱板30の板状部31の厚さは、例えば0.5~4mm程度とすることができる。また、上記熱伝導部材25としては、例えばインジウムIn、シリコーン又は炭化水素グリース、金属フィラー、グラファイトなどの高熱伝導性物質を樹脂バインダでシート状に成形したものを用いることができる。この熱伝導部材25の厚さは、例えば20~30μm程度とすることができる。さらに、図2の平面図を併せて参照すると、放熱板30には、第2チップ22と対向する位置に開口部30Xが形成されている。具体的には、開口部30Xは、その平面形状が第2チップ22の平面形状よりも大きく形成されている。より具体的には、開口部30Xの平面形状は、第2チップ22の平面形状四角形状よりも大きな面積を有する四角形状に形成されている。このため、第2チップ22は、その上面全面が放熱板30の開口部30Xから露出されている。換言すると、第2チップ22の上面には、開口部30Xと第2チップ22との間の空間A1空気と開口部30Xの空間A2空気とが形成されている。このようにして、第2チップ22から発生する熱は空間A1,A2を通じて外部に放熱される。また、第2チップ22は、上記空間A1,A2によって放熱板30と離間されており、放熱板30と熱的に結合されていない。すなわち、空間A1,A2は、第2チップ22から発生する熱の放熱経路として機能するとともに、放熱板30から第2チップ22側への熱伝導を抑制する断熱材としても機能する。なお、上記放熱板30の製造は、例えば鍛造加工や機械切削などにより行うことができる。作用上記半導体装置3では、発熱量の大きい第1チップ21から発生する熱が熱伝導部材25を介して放熱板30に放熱される。このとき、放熱板30には、第2チップ22と対向する位置に、第2チップ22の上面の全てを露出させる開口部30Xが形成されている。また、開口部30Xと第2チップ22との間にも空間A1隙間が形成されている。これにより、第2チップ22と放熱板30との間に断熱材として機能する空間A1,A2が形成されることになるため、第2チップ22と放熱板30とは熱的に結合されない。したがって、第1チップ21から発生する熱が放熱板30を通じて第2チップ22に伝導されることを抑制することができる。以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。1放熱板30の第2チップ22と対向する位置に、熱に弱い第2チップ22の上面の全てを露出させるように、平面形状が第2チップ22よりも大きい開口部30Xを形成するようにした。この開口部30Xの空間A2によって、第1チップ21から放熱板30を通じて第2チップ22側に伝導される熱を好適に遮断することができる。これにより、第1チップ21の熱から受ける第2チップ22の影響を低減することができる。したがって、第1チップ21の熱に起因した第2チップ22の温度上昇が抑えられるため、その温度上昇に伴う第2チップ22の誤動作等の問題の発生を好適に抑制することができる。この結果、半導体装置1の信頼性を向上させることができる。2開口部30Xには空間A2を形成するようにした。このため、例えば図3に示すように、第2チップ22が第1チップ21よりも高くなった場合であっても、その第2チップ22を開口部30X内に突出するように形成することができる。これにより、第1チップ21及び第2チップ22の高さが異なる場合であっても、それら第1チップ21及び第2チップ22の高さの違いに合わせて放熱板30の形状を変更する必要がない。例えば第1チップ21及び第2チップ22の形状の違いに合わせて放熱板30の凹部33の底面33Aに段差部を形成する必要がない。したがって、放熱板30の加工を容易に行うことができる。なお、図3に示すように第2チップ22の一部が開口部30X内に突出するように形成された場合であっても、その開口部30Xが第2チップ22の平面形状よりも大きく形成されているため、第2チップ22の側壁と放熱板30との間には空間A3隙間が形成される。このため、その空間A3によって、第1チップ21から発生する熱が放熱板30を通じて第2チップ22に伝導されることを抑制することができる。第1実施形態の変形例なお、上記第1実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。図4に示されるように、第2チップ22の一部が放熱板30の開口部30X内に突出するように形成される場合に、開口部30Xの内壁に断熱樹脂35を設けるようにしてもよい。具体的には、図4a、bに示すように、開口部30Xの内壁と第2チップ22との間に断熱樹脂35を設けるようにしてもよい。断熱樹脂35としては、例えばスポンジ状のウレタン樹脂などの内部に気泡が入った樹脂を用いることができる。また、断熱樹脂35としては、例えばペースト状やシート状の樹脂を用いることができる。この断熱樹脂35は、例えば接着剤などにより開口部30Xの内壁に接着される。このように開口部30Xの内壁と第2チップ22との間に断熱樹脂35を設けることにより、空間A3とする場合よりも放熱板30から第2チップ22側への熱伝導を好適に抑制することができる。図5に示されるように、第1チップ21と第2チップ22との間に、第1チップ21と第2チップ22とを仕切るように配線基板10上に立設された断熱樹脂36を形成するようにしてもよい。図5では、断熱樹脂36は、開口部30Xの内壁全面を覆うように形成されるとともに、第2チップ22及びアンダーフィル樹脂24を取り囲むように形成されている。断熱樹脂36としては、例えばスポンジ状のウレタン樹脂などの内部に気泡が入った樹脂を用いることができる。また、断熱樹脂36としては、例えば第2チップ22及びアンダーフィル樹脂24を取り囲むように四辺に配置された板状の樹脂や、四角筒状の樹脂を用いることができる。この断熱樹脂36は、例えば接着剤などにより配線基板10の上面に接着されるとともに、接着剤などにより開口部30Xの内壁に接着される。このように第1チップ21と第2チップ22とを仕切るように断熱樹脂36を設けることにより、発熱量の大きい第1チップ21から水平方向横方向に第2チップ22側に直接伝導される熱を好適に遮断することができる。なお、少なくとも第1チップ21と第2チップ22との間に断熱樹脂36を設けることにより上記効果と同様の効果を得ることができるため、第2チップ22を取り囲むように断熱樹脂36を設ける必要はない。第2実施形態以下、第2実施形態を図6に従って説明する。先の図1~図5に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。図6aに示すように、半導体装置2は、PGAPinGridArray型の配線基板10と、その配線基板10上に平面的に並んで実装される第1チップ21及び第2チップ22と、第1チップ21上に配置された放熱板30と、第2チップ22上に配置された放熱板40と、放熱板30,40間に設けられた断熱樹脂41とを有している。第1チップ21の上面は、熱伝導部材25を介して放熱板30第1放熱板の凹部33の底面33Aに熱的に結合されている。放熱板30には、第2チップ22と対向する位置に、平面形状が第2チップ22の平面形状よりも大きい開口部30Xが形成されている。第2チップ22の上面は、熱伝導部材26を介して放熱板40第2放熱板の下面に熱的に結合されている。この放熱板40は、放熱板30に形成された開口部30X内に設けられ、放熱板30と分離されている。放熱板40は、板状に形成されている。なお、放熱板40の材料としては、例えば銅、銀、アルミニウム又はそれらの合金等を用いることができる。また、熱伝導部材26としては、例えばインジウム、シリコーン又は炭化水素グリース、金属フィラー、グラファイトなどの高熱伝導性物質を樹脂バインダでシート状に成形したものを用いることができる。断熱樹脂41は、図6bに示すように、放熱板40と放熱板30の開口部30Xの内壁との間に設けられている。断熱樹脂41としては、例えばスポンジ状のウレタン樹脂などの内部に気泡が入った樹脂を用いることができる。また、断熱樹脂41としては、例えばペースト状やシート状の樹脂を用いることができる。この断熱樹脂41は、例えば接着剤などにより開口部30Xの内壁に接着されている。このように、本実施形態では、第1チップ21は放熱板30に独立して熱結合され、第2チップ22は放熱板30から分離された放熱板40に独立して熱結合されている。このため、第1チップ21から発生した熱は放熱板30に放熱される一方、第2チップ22から発生した熱は放熱板40に放熱される。すなわち、本実施形態の半導体装置2では、第1チップ21の放熱経路と第2チップ22の放熱経路とが分離されている。さらに、それら放熱経路となる放熱板30,40間に断熱樹脂41が形成されている。このため、その断熱樹脂41によって、第1チップ21から放熱板30を通じて第2チップ22側に伝導される熱を好適に遮断することができる。以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。1第1チップ21の放熱経路と第2チップ22の放熱経路とを分離し、それら放熱経路となる放熱板30,40間に断熱樹脂41を設けるようにした。これにより、第1チップ21から発生した熱が放熱板30を通じて第2チップ22側に伝導されることを好適に抑制することができる。したがって、第1チップ21の熱に起因した第2チップ22の温度上昇が抑えられるため、その温度上昇に伴う第2チップ22の誤動作等の問題の発生を好適に抑制することができる。この結果、半導体装置2の信頼性を向上させることができる。2第1チップ21は放熱板30に熱結合されているため、第1チップ21から発生した熱は放熱板30に放熱される。これにより、第1チップ21から発生した熱を効率良く放熱させることができ、第1チップ21の温度上昇を抑制することができる。また、第2チップ22は放熱板40に熱結合されているため、第2チップ22から発生した熱は放熱板40に放熱される。これにより、第2チップ22から発生した熱を効率良く放熱させることができ、第2チップ22の温度上昇を抑制することができる。第2実施形態の変形例図7に示されるように、放熱板40と放熱板30の開口部30Xの内壁との間に形成された断熱樹脂42を、第1チップ21と第2チップ22とを仕切るように配線基板10上に立設させるようにしてもよい。断熱樹脂42は、第2チップ22及びアンダーフィル樹脂24を取り囲むように形成されている。この断熱樹脂42は、例えば接着剤などにより配線基板10の上面に接着されるとともに、接着剤などにより開口部30Xの内壁に接着される。このように第1チップ21と第2チップ22とを仕切るように断熱樹脂42を設けることにより、発熱量の大きい第1チップ21から水平方向横方向に第2チップ22側に直接伝導される熱を好適に遮断することができる。他の実施形態なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。上記各実施形態において、放熱板30の上方に放熱フィンを設けるようにしてもよい。図8には、上記第1実施形態の変形例が示されている。図8に示すように、放熱フィン50は、例えば放熱板30の上面に設けられた熱伝導部材51の上面に設けられる。これにより、熱伝導部材51を介して放熱板30と放熱フィン50とが熱的に結合される。このため、第1チップ21から発生した熱は放熱板30に一旦拡散されてから、熱伝導部材51を介して放熱フィン50に伝導され、放熱フィン50から外部に放熱される。さらに、この場合に、第2チップ22の上面を、熱伝導部材52を介して放熱フィン50に熱的に結合させるようにしてもよい。これにより、第2チップ22から発生した熱は放熱フィン50から外部に放熱される。この場合には、第1チップ21の放熱経路と第2チップ22の放熱経路が放熱フィン50を介して接続される。但し、第1チップ21から発生した熱は放熱板30に一旦拡散されてから放熱フィン50に伝導されているため、その放熱フィン50から第2チップ22に伝導される熱量は、放熱板30と第2チップ22とが熱的に結合された場合と比べて小さい。このため、このような構造であっても、第1チップ21からの熱によって第2チップ22が温度上昇することを好適に抑制することができる。さらに、第2チップ22と放熱フィン50とを熱的に結合したことにより、第2チップ22から発生した熱を効率良く放熱することができる。同様に、第2実施形態の半導体装置2についても、放熱板30,40の上方に放熱フィン50を設けるようにしてもよい。なお、放熱フィン50の材料としては、例えば無酸素銅にニッケルめっきを施したものやアルミニウム等の熱伝導率の良い材料を用いることができる。また、放熱フィン50の代わりに、その他の冷却放熱手段例えば、ヒートパイプやベーパチャンバを設けるようにしてもよい。また、放熱板30と放熱フィン50との間に、ヒートパイプやベーパチャンバなどの各種の冷却放熱手段を設けるようにしてもよい。上記各実施形態では、凹部33を有する放熱板30を配線基板10上に接合し、それら配線基板10及び放熱板30によって第1チップ21及び第2チップ22が収容される収容部H1を形成するようにした。これに限らず、例えば図9に示されるように、第1チップ21及び第2チップ22が実装される実装面に凹部14Aが形成された基板本体14配線基板10Aの周縁部に板状の放熱板30Aを接合し、それら配線基板10A及び放熱板30Aによって第1チップ21及び第2チップ22が収容される収容部H2を形成するようにしてもよい。配線基板10Aと放熱板30Aとは接合部材37によって接合されている。接合部材37の材料としては、例えばシリコンポリマー系の樹脂を用いることができる。なお、図9では、第1実施形態の半導体装置1の変形例を示しているが、第2実施形態の半導体装置2も同様に変形することができる。上記各実施形態では、PGA型の配線基板10に具体化したが、例えばLGALandGridArray型の配線基板やBGABallGridArray型の配線基板に具体化してもよい。上記各実施形態では、配線基板10上に第1チップ21及び第2チップ22をフリップチップ実装するようにしたが、例えば第1チップ21及び第2チップ22をワイヤボンディング実装するようにしてもよい。また、フリップチップ実装とワイヤボンディング実装を併用するようにしてもよい。上記各実施形態では、配線基板10に2つの半導体チップを実装するようにしたが、例えば配線基板10に3つ以上の半導体チップを実装するようにしてもよい。"