外部共振器を含むモードロックレーザ部と当該モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する半導体光増幅器とを有して構成されるMOPAMasterOscillatorPowerAmplifierによる光源装置であって、上記半導体光増幅器の入射側導波路の横方向幅が、当該半導体光増幅器の入射側導波路の水平横モードがマルチモードとなるように設定されていると共に、上記半導体光増幅器の入射側光結合において基本モードが選択励起されるように、上記モードロックレーザ部から上記半導体光増幅器への入射光についての倍率変換を行う倍率変換部を備える光源装置。上記倍率変換部は、アナモルフィックプリズム、シリンドリカルレンズ、トーリックレンズの何れかを有して上記倍率変換を行うように構成されている請求項1に記載の光源装置。上記半導体光増幅器の出力光の波面を補償するための収差を上記モードロックレーザ部から上記半導体光増幅器への入射光に与えるように構成されている請求項1に記載の光源装置。上記半導体光増幅器がGaN系半導体光増幅器とされる請求項1に記載の光源装置。外部共振器を含むモードロックレーザ部と当該モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する半導体光増幅器とを有して構成されるMOPAMasterOscillatorPowerAmplifierによる光源部と、上記光源部から出射されたレーザ光を光記録媒体に対して照射する対物レンズとを備えると共に、上記光源部が、上記半導体光増幅器の入射側導波路の横方向幅が、当該半導体光増幅器の入射側導波路の水平横モードがマルチモードとなるように設定されていると共に、上記半導体光増幅器の入射側光結合において基本モードが選択励起されるように、上記モードロックレーザ部から上記半導体光増幅器への入射光についての倍率変換を行う倍率変換部を備えている光学ピックアップ。外部共振器を含むモードロックレーザ部と当該モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する半導体光増幅器とを有して構成されるMOPAMasterOscillatorPowerAmplifierによる光源部と、上記光源部を駆動して光記録媒体に対する情報記録を実行させる記録制御部とを備え、上記光源部が、上記半導体光増幅器の入射側導波路の横方向幅が、当該半導体光増幅器の入射側導波路の水平横モードがマルチモードとなるように設定されていると共に、上記半導体光増幅器の入射側光結合において基本モードが選択励起されるように、上記モードロックレーザ部から上記半導体光増幅器への入射光についての倍率変換を行う倍率変換部を備えている記録装置。しかしながら、上記非特許文献1に記載されるMOPAのように比較的高パワーの光出力を実現する場合には特に、シングルモード結合のためMLLD101の出力導波路とSOA107の入力導波路とを同一幅とすると、SOA107の出力光の水平横方向における光強度分布が単峰ではなく複数のピークを持つものとなってしまうことが明らかとなった。図21は、非特許文献1に記載のMOPAにおけるSOA107の出射側ビームプロファイルの近視野像を示し、図22は、SOA107の出力光の水平横方向における光強度分布図22Aと、SOA107の出射側導波路の断面構造図22Bとの対応関係を示している。これら図21及び図22を参照して分かるように、非特許文献1に記載のMOPAの場合、SOA107の出力光の水平横方向における光強度分布としては、中心ピークに加えその外側に2つのピークが現れる3つ山ピークの形態となる。このように単峰特性とならないのは、SOA107内の導波路から光が染み出していることに起因する。これは、図22において、外側2つのピークの位置がSOA107の出射側導波路の外側の部分で生じていることからも理解できる。また、さらに詳細に調べたところ、導波路の中心に存在するピークは、時間と共にその位置が不安定に変化するということも判明した。ここで、光記録システムにおいては、そのスポット内の光量分布が少ないことが良好な記録性能を得る上で望まれる。この意味で、SOA107の出力光については、その強度分布は単峰特性となることが望ましい。また、上記のようにピーク位置が変動するという点についても、安定した記録性能を維持する面で望ましくなく、その抑制が要請されるものとなる。本技術はかかる問題点に鑑み為されたものであり、MOPAの出射ビームを単峰化し、且つそのピーク位置の変動を抑制することで、光学装置として良好且つ安定な性能を得ることができるようにすることをその課題とする。上記課題の解決のため、本技術では光源装置として以下のように構成することとした。つまり、本技術の光源装置は、外部共振器を含むモードロックレーザ部と当該モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する半導体光増幅器とを有して構成されるMOPAMasterOscillatorPowerAmplifierによる光源装置であって、上記半導体光増幅器の入射側導波路の横方向幅が、当該半導体光増幅器の入射側導波路の水平横モードがマルチモードとなるように設定されている。またこれと共に、上記半導体光増幅器の入射側光結合において基本モードが選択励起されるように、上記モードロックレーザ部から上記半導体光増幅器への入射光についての倍率変換を行う倍率変換部を備えるものである。上記のように本技術では、半導体光増幅器の入射側導波路の横方向幅が当該半導体光増幅器の入射側導波路の水平横モードがマルチモードとなるように設定している。換言すれば、半導体光増幅器の入射側導波路の横方向幅を、モードロックレーザの出射側導波路の横方向幅よりも大となるように設定しているものである。このことで、半導体光増幅器の入射側導波路幅で規定される基本モードの光閉じ込めをより大とすることができ、半導体光増幅器の単体発光時での出力光強度分布を単峰化することができる。その上で本技術では、上記倍率変換部により、半導体光増幅器の入射側光結合において基本モードシングルモードが選択励起されるようにしている。これにより、最終的にMOPA全体として出力される光、すなわちモードロックレーザ部との光結合後の半導体光増幅器の出射光について、その光強度分布が単峰特性となるようにすることができる。また、上記のようにモードロックレーザ部からの入射光の倍率を変換するということは、モードロックレーザ部から半導体光増幅器への入射光のスポットサイズを拡大しているということになるが、このことによると、半導体光増幅器の導波路における光密度が低減されることになる。この結果、例えば後述するようにして半導体光増幅器の非線形光学効果自己位相変調に起因して生じるものとされる出射ビームのピークの揺らぎの抑制も図られることとなる。上記のように本技術によれば、MOPAによる光源装置に関して、その出射ビームを単峰化し、且つそのピーク位置の変動を抑制することができる。このことで、光学装置、特に光記録を行う記録装置として、良好且つ安定な性能を得ることができる。以下、本技術に係る実施の形態について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。<1.記録装置の全体構成><2.MOPAの構成><3.単峰化について><4.ピーク位置の揺らぎについて><5.波面補償について><6.まとめ><7.変形例><1.記録装置の全体構成>図1は、本技術に係る実施の形態としての記録装置以下、記録装置1とするの内部構成を示している。図1において、実施の形態の記録装置1は、スピンドルモータSPM2、対物レンズ3、コリメーションレンズ4、MOPAMasterOscillatorPowerAmplifier5、駆動部6、記録処理部7、及びコントローラ8を少なくとも備える。記録装置1は、図中の光ディスクDについて少なくとも記録を行うことが可能に構成される。ここで、光ディスクDは、円盤状の光記録媒体である。光記録媒体とは、光の照射に応じて情報記録、及び記録情報の再生が行われる記録媒体を指す。光ディスクDは、記録装置1に装填されると、スピンドルモータ2により例えば線速度一定制御等の所定の回転制御方式に従って回転駆動される。このように回転駆動される光ディスクDに対して記録を行うための光学系及び光源として、対物レンズ3、コリメーションレンズ4、及びMOPA5が少なくとも備えられる。ここで、対物レンズ3とコリメーションレンズ4とを含む光学系は、光学ピックアップ内に搭載される。MOPA5については、上記光学ピックアップ内に搭載してもよいし、或いはMOPA5内の後述するSOASemiconductorOpticalAmp14のみを光学ピックアップ内に搭載するように構成することもできる。MOPA5は、駆動部6からの駆動信号に基づきレーザ光を発光する。MOPA5より出射されたレーザ光は、コリメーションレンズ4によってコリメートされ、対物レンズ3に導かれる。対物レンズ3は、このように導かれたレーザ光を光ディスクDの記録面に集光する。記録処理部7に対しては、記録データが入力される。記録処理部7は、記録データに対して所定の記録変調符号化処理を施して、変調データを得る。駆動部6は、記録処理部7が生成した変調データを入力し、当該変調データに従って生成した駆動信号により、MOPA5を駆動する。MOPA5の駆動信号としては、後述するMLLDModeLockedLaserDiode:モードロックレーザとも称する15を発光させるための駆動信号と、SOA14に変調データ列に応じた光増幅変調を実行させるための駆動信号とをそれぞれ供給することになる。コントローラ8は、例えばCPUCentralProcessingUnit、ROMReadOnlyMemory、RAMRandomAccessMemory等を備えたマイクロコンピュータで構成され、記録装置1の全体制御を行う。例えば記録処理部7に対する記録開始の指示を行ったり、スピンドルモータ2の回転開始/停止/加速/減速等の指示を行う。また、駆動部6に対する制御も可能とされる。<2.MOPAの構成>図2は、実施の形態の記録装置1が備えるMOPA5の内部構成について説明するための図である。なお、この図2においては上視図によりMOPA5の内部構成を表している。すなわち、ストライプ方向の断面の様子を示すものである。また図2では、図1に示したコリメーションレンズ4も併せて示している。図示するようにMOPA5には、MLLD部10、コリメーションレンズ11、アナモプリズムアナモルフィックプリズム12、集光レンズ13、及びSOA14が設けられる。MLLD部10は、半導体レーザとしてのMLLD15と、集光レンズ16、バンドパスフィルタBPF17、及び共振用ミラー18を具備した外部共振器とを有して成る。図示するように集光レンズ16によっては、MLLD10からの出射光が、共振用ミラー18の反射面に集光するようにされている。本例の場合、MLLD10の出射光の波長=403nm程度とされる。MLLD部10からの出射光は共振用ミラー18を透過して得られ、当該出射光は、発散光の状態でコリメーションレンズ11に入射してコリメートされる。コリメーションレンズ11によりコリメートされたMLLD部10からの出射光は、アナモプリズム12を介した後、集光レンズ13によりSOA14の入射端入射口に集光される。なお、アナモプリズム12については後に改めて説明を行う。SOA14は、図1に示した駆動部6からの駆動信号に基づき、集光レンズ13を介して入射したレーザ光を増幅変調して出力する。本例の場合、SOA14としてはGaNGalliumNitride:窒化ガリウム系のSOAが用いられ、出射光の波長MLLD入射光との結合なしの単体出射の場合は402nm程度とされる。また本例の場合、MLLD部10からの入射光との結合後におけるSOA14の出力光のピークパワーは100W程度とされる。図示するようにSOA14からの出射光が、MOPA5の出射光としてコリメーションレンズ4に入力されるものとなる。<3.単峰化について>図3は、従来のMOPAにおけるSOA107の各部の寸法図3Aと、その寸法に応じたSOA107の導波路の基本モード図3Bとの関係を示している。なお、図3Aでは先の図2と同様にSOA107を上視図により示している。また図3Bに示す基本モードのシミュレーションは、等価屈折率法により行った。図3Aに示すように、従来のSOA107は、その導波路長光の進行方向の長さ=2mm、入射側ストライプ幅入射側水平横方向幅=1.5μm、出射側ストライプ幅=15μmとされる。図のように導波路は、テーパ状に形成されており、具体的にこの場合はSOA107端面に対して5°の傾きを有するように形成されている。ここで、導波路の有効屈折率等価屈折率は2.518、屈折率差は0.01である。このように導波路寸法が設定された従来のSOA107では、図3Bに示すように、その水平横方向の基本モードはわずかに導波路から染み出していることになる。図4は、外部からの光の入力がない場合、すなわちマスターレーザとしてのMLLD部10との光結合を行っていない状態でのSOA107の出射側の横方向ビームプロファイルを示している。換言すれば、SOA107を単体で発光させた際のその出力光についての横方向ビームプロファイルである。この図4を参照して明らかなように、従来のSOA107では、水平横モードが単峰ではなく3つ山となる。この図4の結果と、先の図3Bのシミュレーション結果とを考慮すれば、従来のSOA107で出射側光強度分布が単峰特性とならないのは、基本モードの染み出しが起因しているということが分かる。このことより、単峰化を図るためには、SOAの入射側導波路で規定される基本モードの光閉じ込めを大きくすればよいということが分かる。つまりは、SOAの入射側導波路の横方向幅を拡大すればよい。図5Aは、入射側導波路の横方向幅を拡大した実施の形態のSOA14の各部の寸法を示している。この図5Aに示すように、本例においては、SOA14の入射側導波路の横方向幅は、従来のSOA107の場合の1.5μmに対して9.0μmに拡大するものとしている。なお、導波路長=2mmや出射側導波路の水平横方向幅=15μm、及びテーパー角度についてはSOA107と同様である。この場合、導波路の有効屈折率等価屈折率は2.5199となり、また屈折率差は0.01である。図5Bは、図5Aに示す本例のSOA14における導波路の基本モードを示している。なお、この場合もシミュレーションは等価屈折率法により行った。この図5Bの結果より、水平横モードの導波路への染み出しが十分に抑えられていることが確認できる。図6は、マスターレーザMLLD部10との光結合を行っていない状態における、本例のSOA14の出射側横方向ビームプロファイルを示している。この図6を参照して明らかなように、入射側導波路幅を従来よりも広げた本例のSOA14によれば、SOA14単体発光時におけるその出射光の横方向光強度分布を単峰化することができる。ところで、水平横方向の光閉じ込めには、導波路内外の屈折率差が関与するものとなるが、この屈折率差の作りこみは、リッジ外部のエッチング深さ、正確には、活性層から絶縁膜までの半導体層の残り厚で制御されるものである。図7は、図3Aに示した従来のSOA107の入射側端面のSEM像図7Aと、図5Aに示した本例のSOA14の入射側端面のSEM像図7Bとを対比して示している。また、図8には参考して、これらSEM像の模式図を示している。これら図7及び図8を参照すると、上記残り厚としては共に50nm程度であることから、両者で大きく屈折率差が変わっていないことが分かる。従って、単峰化には入射側導波路幅が起因であると判断できる。図9は、本例のSOA14の導波路における全導波モードを示す。なお、図示の都合から、図中では基本モード~4次モードと、5次モード~10次モードとを分けて示している。この図9を参照して明らかなように、本例のSOA14では、従来よりも入射側導波路幅を広げたことでマルチモード化していることが分かる。従ってこのことより、本例のSOA14については、マスターレーザとしてのMLLD部10からの光を入力した場合において、光結合が得られたとしても、基本モード以外のモード、すなわち高次モードと結合してしまうことになる。図10は、SOA入射端幅のみを変更した際のSOA出射側の近視野像マスターレーザとの光結合後を示している。具体的には、先の図20に示した従来のMOPAの構成において、単にSOA107に代えて本例のSOA14を配置した場合における出射側近視像を示しているものである。この図10より、単にSOA入射端幅を拡大したのみでは、高次モードで結合されてしまうことが分かる。これは、外部から入力される光ビームのサイズとSOA14の入射側導波路の基本モードサイズとが不一致のため、先の[式1]で示されるように高次モード2次モードが支配的の内積が大きくなることによる。そこで、本実施の形態では、MLLD部10からの出射光を倍率変換してSOA14に入射するように、MOPA5を構成する。具体的に本例においては、図2に示すアナモプリズム12を挿入することで、MLLD部10からの出射光を倍率変換してSOA14に入射するようにしている。ここで、本例の場合、SOA14の入射側導波路幅は従来の1.5μmから9.0μmに拡大したので、倍率は6倍に設定する。このとき注意すべきは、このようなアナモプリズム12による倍率変換は、横方向ストライプ方向において行われるべきものであり、縦方向ジャンクション方向については行う必要性がないという点である。これは、図2上視図において示したアナモプリズム12の配置を参照しても明らかである。このような倍率変換を行うことで、マスターレーザとしてのMLLD部10からの入射光が、SOA14の基本モードを選択励起するようにできる。図11は、倍率変換を行った場合におけるSOA14の出射側近視像のビームプロファイルを示している。なお、図11Aが横方向プロファイルを示し、図11Bは参考として縦方向プロファイルを示している。実線が実際のプロファイル、破線はガウシアンフィッティングである。この図11の結果より、上記の倍率変換によってSOA14の基本モードが選択的に励起されていることが理解できる。このように、SOA14の基本モードが選択的に励起されることで、MLLD部10からの入射光を結合して得られるSOA14の出力光すなわちMOPA5全体としての出力光についても、その光強度分布が単峰化されるものとなる。<4.ピーク位置の揺らぎについて>ここで、上記のようにSOA14の入射側導波路幅を拡大し、これと共にマスターレーザからの入射光の倍率を変換した本実施の形態によれば、SOA出射側近視野像の揺らぎも抑えることができる。この揺らぎの抑制については、その作用の直接的な図示は困難であるが、以下のように説明することができる。図12は、先の図3Aに示した従来のSOA107を用いた場合のマスターレーザの入力光強度に対するSOA107の増幅割合を示している。具体的には、入射平均光量横軸に対するパルス割合図中■及びSOA平均光出力図中◆を示している。この図12を参照すると、図3Aに示した従来のSOA107の導波路寸法では、増幅率の飽和、いわゆる利得飽和が起きていることが確認できる。一方、図13は、マスターレーザの光スペクトル図13AとSOA107の出射側光スペクトル図13Bとの関係を示している。この図13より、ピーク波長の長波長化と、線幅の増大を読み取ることができる。これは、いわゆる自己位相変調という非線形光学効果が表れているものである齋藤冨士郎著超高速光デバイス共立出版を参照。ここで、図5Aに示した本例のSOA14のように入射側導波路の幅を大きくし、且つ、倍率変換部を設けてマスターレーザからの入射光の倍率を拡大する言い換えるとマスターレーザからの入力光のスポットサイズを大きくすることによると、SOA14への入力光密度の低減が図られることになる。このことで、SOA14の導波路内の光密度が下げられるものとなり、非線形光学効果が低減され、その結果、ビームのピーク位置の安定性が向上することになる。<5.波面補償について>ここで、本例においては、SOA14の出力光ピークパワー=100Wと比較的高いピーク光強度まで増幅を行うものとしている。このような場合には、SOA14において、前述の非線形光学効果や、熱的な屈折率の変調いわゆる熱レンズ効果、以下単に熱効果とも表記によって、SOA14の出力光に波面収差が生じ易い傾向となる。上記により説明した本実施の形態としてのMOPA5の構成によれば、このような非線形効果や熱効果に伴う波面収差が生じるような場合にも、これらの補正を容易に行うことができる。この点について、図14、及び図15を参照して説明する。図14は、非線形効果熱効果に伴う波面収差について説明するための図である。図14Aは波面収差が無い状態、図14Bが波面収差が生じた場合について示している。従来のSOA107においては、入力端のストライプ幅で決まる基本モードが選択されるように光学系が設計される。この基本モードは、理想的には等位相で伝搬されるべきものであるが図14A、図14Bに示すように伝搬途中に非線形効果や熱効果による収束効果がある場合には、上記のように基本モードを選択する従来の場合には、その補正は非常に困難となる。一方、本実施の形態のように入射側導波路幅を拡大する構成を採る場合には、SOA14の前段の光学系の構成により、収束効果をキャンセルすることが可能となる。図15は、波面補償を実現するための構成例について説明するための図であり、図15Aは横視図ジャンクション方向、図15Bは上視図ストライプ方向である。例えばこの図15に示すように集光レンズ13とSOA14との間にシリンダーレンズ19を挿入することで、SOA14への入射光に非点収差を与えることができる。すなわち、ストライプ方向について意図的に集光点のズレを生じさせることができる。これにより、SOA14内での非線形効果や熱効果による収束があった場合にその波面の補償を行うことができ、結果、MOPA5の出力ビーム波面を所望のものとすることができる。なお、シリンダーレンズ19の代わりにホログラム素子等を使用しても同様の効果を得ることは可能である。このようにして、従来のMOPAのように入射端を基本モードサイズに限定しないことで、MOPA出力光の波面の制御を行うことが可能となり、つまりは波面補償を実現することができる。なお、同様のことは、集光レンズ13に入射するレーザ光を平行光の状態からわずかに発散光の状態にずらすことでも実現が可能である。また非点収差に限らずホログラム素子や任意の非球面形状の光学素子による任意の波面を発生する素子をSOA14の入射側に挿入することにより、任意の補償が可能となる。或いは、SOA14内の導波路形状をテーパー角や曲線状、又はレンズ形状にし、さらにそれに応じてマスターレーザ側からの入射光の波面をアナモプリズム12やレンズの組み合わせで補償を行い、その結果、MOPA5の出力ビームの波面を所望のものとすることも可能である。<6.まとめ>上記のように本実施の形態では、SOA14の入射側導波路の横方向幅を、当該SOA14の入射側導波路の水平横モードがマルチモードとなるように拡大するものとしている。このことで、SOA14の入射側導波路幅で規定される基本モードの光閉じ込めをより大とすることができ、SOA14の単体発光時での出力光強度分布を単峰化することができる。その上で本実施の形態では、アナモプリズム12としての倍率変換部を設けることにより、SOA14の入射側光結合において基本モードが選択励起されるようにしている。これにより、最終的なMOPA5の出力光MLLD部10との光結合後のSOA14の出射光について、その光強度分布が単峰特性となるようにすることができる。また、上記のようにMLLD部10からの入射光の倍率を変換するということは、当該入射光のスポットサイズを拡大しているということになるが、このことによると、SOA14の導波路における光密度が低減されることとなり、この結果、SOA14の非線形光学効果自己位相変調に起因して生じるものとされる出射ビームのピークの揺らぎの抑制も図られる。このように本実施の形態によれば、MOPAとしての光源装置に関して、その出射ビームを単峰化し且つそのピーク位置の変動を抑制することができる。この結果、光学装置、特に光記録を行う記録装置として良好且つ安定な性能を得ることができる。また、従来のようにSOA14の入射端を基本モードサイズに限定しない本実施の形態によれば、SOA14の熱レンズ効果等により生じるMOPA5の出射光波面制御を容易に行うことが可能となり、結果、波面補償をより適切に行うことができる。なお、出射ビーム強度分布が単峰とならない問題やピーク位置の揺らぎの問題は、少なくとも、MOPAの出射レーザパワー=50W以上、繰り返し周波数=数百MHz以上かつパルス幅=数十ピコ秒以下、レーザ波長=550nm以下の条件において顕著となることが確認されている。従って本技術は、かかる条件に合致するシステムにおいて特に好適なものとなる。<7.変形例>以上、本技術に係る実施の形態について説明したが、本技術はこれまでで説明した具体例に限定されるべきものではない。例えばこれまでの説明では、SOA14の入射側導波路幅を9μmに設定する例を挙げたが、これはあくまで一例を示したものに過ぎず、SOA14の入射側導波路幅は当該入射側導波路の水平横モードがマルチモード化される範囲内において適宜、設計できるものである。同様に、マスターレーザMLLD部10からの入射ビームサイズ変換の倍率は、マスターレーザのビームサイズと、SOA14の入射側導波路幅で規定される基本モードのビームサイズとから適宜選択されるべきものである。また、MOPAの内部構成光学系についても、例示したものに限定されるべきものではなく、例えば偏光方向の調整のため1/2波長板を追加する等、実際の実施形態に応じて適宜最適とされる構成が採られればよい。また、例示したパルスレーザの波長についても一例を示したものに過ぎず、これに限定されるべきものではない。また倍率変換については、アナモプリズム12以外にも、シリンダーレンズ、或いはトーリックレンズ等を用いることもできる。以下では一例として、これらシリンダーレンズ、トーリックレンズを用いた場合の倍率変換部の構成例について、図16~図19を参照して説明する。図16~図18は、シリンダーレンズを用いた構成例である。図16は構成例1、図17は構成例2、図18は構成例3である。なおこれら図16~図18、及び図19において、A図は上視図ストライプ方向、B図は横視図ジャンクション方向である。先ず、図16に示す構成例1においては、コリメーションレンズ11と集光レンズ13との間にシリンダーレンズ20とシリンダーレンズ21と有して成る倍率変換部を挿入している。図のようにコリメーションレンズ11寄りに配置されるシリンダーレンズ20の焦点距離をfx1、集光レンズ13寄りに配置されるシリンダーレンズ21の焦点距離をfx2とすると、この場合の倍率変換部で設定される横方向の倍率mはm=fx1/fx2となる。続いて、図17に示す構成例2においては、コリメーションレンズ11と集光レンズ13との間にシリンダーレンズ20凸レンズとシリンダーレンズ21凹レンズと有して成る倍率変換部を挿入している。図示するようにコリメーションレンズ11寄りに配置されるシリンダーレンズ20の焦点距離をfx1、集光レンズ13寄りに配置されるシリンダーレンズ22の焦点距離をfx2とすると、当該構成例2の倍率変換部で設定される横方向の倍率mはm=fx1/-fx2となる。また、図18に示す構成例3は、集光レンズ13を省略した構成である。この構成例3では、コリメーションレンズ11とSOA14との間にシリンダーレンズ20、及びシリンダーレンズ23を配置している。このとき、コリメーションレンズ11寄りに配置されるシリンダーレンズ20としては図16や図17の場合と同様にストライプ方向に対してのみ凸レンズとして機能するように配置され、SOA14寄りに配置されるシリンダーレンズ23は逆にジャンクション方向においてのみ凸レンズとして機能するように配置されている。図のようにシリンダーレンズ20の焦点距離をfx、シリンダーレンズ23の焦点距離をfyとすると、この場合の倍率変換部による倍率mはm=fx/fyと表記できる。つまり、縦方向の倍率は従来と同様に1であり、このため倍率変換部による倍率mはfx/fyとなる。図19は、トーリックレンズを用いた構成例である。この場合、図18と同様に集光レンズ13は省略される。またこの場合、コリメーションレンズ11寄りとなる位置には、図18の場合と同様のシリンダーレンズ23ジャンクション方向においてのみ凸レンズとして機能が設けられる。その上で、SOA14寄りとなる位置に対して、トーリックレンズ24が設けられる。ここで、シリンダーレンズ23のジャンクション方向での焦点距離をfy1、トーリックレンズ24のストライプ方向での焦点距離をfx2、ジャンクション方向での焦点距離をfy2とおく。このとき、fy1とfy2の合成焦点距離をfyとすると、この場合における倍率mは、図のようにm=fx2/fyとなる。また、これまでの説明では、本技術が光記録媒体の記録システム光記録システムに適用される場合を例示したが、本技術の適用は光記録システムに限定されるべきものではない。例えばバイオイメージングの分野では、パルスレーザを光源に用いる光学顕微鏡システムが存在する。本技術は、例えばこのような光学顕微鏡システムなどの他の光学システムに対しても好適に適用できる。光学顕微鏡システムの場合、SOA出射光の複数ピーク化やピーク位置の変動に伴い光記録システムの場合と同様に光学性能の悪化を来すため、その改善にあたり本技術の適用が有効となる。また、本技術は、以下の1~4に示す構成とすることも可能である。1外部共振器を含むモードロックレーザ部と当該モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する半導体光増幅器とを有して構成されるMOPAMasterOscillatorPowerAmplifierによる光源装置であって、上記半導体光増幅器の入射側導波路の横方向幅が、当該半導体光増幅器の入射側導波路の水平横モードがマルチモードとなるように設定されていると共に、上記半導体光増幅器の入射側光結合において基本モードが選択励起されるように、上記モードロックレーザ部から上記半導体光増幅器への入射光についての倍率変換を行う倍率変換部を備える光源装置。2上記倍率変換部は、アナモルフィックプリズム、シリンドリカルレンズ、トーリックレンズの何れかを有して上記倍率変換を行うように構成されている上記1に記載の光源装置。3上記半導体光増幅器の出力光の波面を補償するための収差を上記モードロックレーザ部から上記半導体光増幅器への入射光に与えるように構成されている上記1又は2に記載の光源装置。4上記半導体光増幅器がGaN系半導体光増幅器とされる上記1~3に記載の光源装置。