基板処理機構において処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を生成する前段ステップと、該前段ステップにて生成された前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合して活性種含有処理液を生成する第1ステップと、該第1ステップにて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する第2ステップとを有し、前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理する基板処理方法。前記基板処理機構において前記基板を処理した後の活性種含有処理液を回収する処理液回収ステップと、該処理液回収ステップにより回収された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として戻す処理液戻しステップと、前記基板処理機構において使用される活性種含有処理液が前記基板を処理する処理液として有効であるか否かを判定する判定ステップと、該判定ステップにより前記活性種含有処理液が前記基板を処理する処理液として有効でないと判定されたときに、前記基板処理機構にて使用されていた前記活性種含有処理液を新たな活性種含有溶液として新たな処理液と混合し、新たな活性種含有処理液を生成する第3ステップと、該第3ステップにて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する第4ステップとを有する請求項1記載の基板処理方法。前記前段ステップは、前記基板処理機構において前記基板と同種の所定基板に前記処理液を与え、該処理液と前記所定基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該所定基板を処理した後の当該処理液を前記活性種含有溶液として生成する請求項1または2記載の基板処理方法。前記基板処理機構が、前記基板としてのシリコン製基板のエッチング処理を行う請求項1記載の基板処理方法であって、前記前段ステップは、前記活性種としての亜硝酸HNO2を含む亜硝酸含有溶液を生成し、前記第1ステップは、前記亜硝酸含有溶液と、フッ酸HF及び硝酸HNO3を含むエッチング処理液とを混合して活性種含有エッチング処理液を生成し、前記第2ステップは、前記第1ステップにて生成された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給し、前記基板処理機構において、前記活性種含有エッチング処理液と前記シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸HNO2を生じさせつつ当該シリコン製基板をエッチング処理する基板処理方法。前記基板処理機構において前記シリコン製基板を処理した後の前記活性種含有エッチング処理液を回収するエッチング処理液回収ステップと、該エッチング処理液回収ステップにより回収された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記エッチング処理液として戻すエッチング処理液戻しステップと、前記基板処理機構において使用される活性種含有エッチング処理液が前記シリコン製基板を処理する前記エッチング処理液として有効であるか否かを判定する判定ステップと、該判定ステップにより前記活性種含有エッチング処理液が前記シリコン製基板を処理する前記エッチング処理液として有効でないと判定されたときに、前記基板処理機構において使用されていた前記活性種含有エッチング処理液を新たな活性種含有溶液として新たなエッチング処理液とを混合し、新たな活性種含有エッチング処理液を生成する第3ステップと、該第3ステップにて生成された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記エッチング処理液として供給する第4ステップとを有する請求項4記載の基板処理方法。前記前段ステップは、前記基板処理機構において所定シリコン製基板に前記エッチング処理液を与え、該エッチング処理液と前記所定シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸HNO2を生じさせつつ当該所定シリコン製基板を処理した後の当該エッチング処理液を前記活性種含有エッチング処理液として生成する請求項4または5記載の基板処理方法。前記所定シリコン製基板は、表面が粗面化されたシリコン製基板または表面が酸化膜で覆われたシリコン製基板である請求項6記載の基板処理方法。処理液を用いて基板を処理する基板処理機構と、基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を貯めおく貯液機構と、前記貯液機構に貯めおかれた前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合して前記活性種処理液を生成する処理液生成機構と、該処理液生成機構にて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する処理液供給機構とを有し、前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理する基板処理システム。前記基板処理機構において前記基板を処理した後の活性種含有処理液を回収する処理液回収機構と、前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有処理液を、前記基板処理機構に供給すべき活性種含有処理液として、前記処理液供給機構に戻す処理液戻し機構と、前記基板処理機構において使用される活性種含有処理液が前記基板を処理する処理液として有効であるか否かを判定する判定手段と、該判定手段により前記活性種含有処理液が前記基板を処理する処理液として有効でないと判定されたときに、前記処理液供給機構から前記基板処理機構に供給すべきであった前記活性種含有処理液を前記貯液機構に送る移送機構とを有し、前記活性種含有処理液が活性種含有溶液として前記貯液機構に貯めおかれる請求項8記載の基板処理システム。前記処理液生成機構は、前記貯液機構に貯めおかれた前記活性種含有処理液と前記基板を処理する処理液とを混合してなる前記活性種処理液を貯めおく供給タンクを有し、前記処理液供給機構は、前記供給タンクに貯めおかれた前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に供給する機構を有し、前記処理液戻し機構は、回収された前記活性種含有溶液を前記供給タンクに戻す機構を有し、前記移送機構は、前記供給タンクから前記活性種含有処理液を前記貯液機構に送る機構を有する請求項9記載の基板処理システム。前記貯液機構は、前記基板処理機構において前記基板と同種の所定基板に前記処理液を与え、該処理液と前記所定基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該処理基板を処理した後の当該処理液を予め前記活性種含有溶液として貯めておく請求項8乃至10のいずれかに記載の基板処理システム。前記基板処理機構が、前記基板としてのシリコン製基板のエッチング処理を行う請求項8記載の基板処理システムであって、前記貯液機構は、前記活性種としての亜硝酸HNO2を含む亜硝酸含有溶液を貯めおき、前記処理液生成機構は、前記貯液機構に貯めおかれた前記亜硝酸含有溶液と、フッ酸HF及び硝酸HNO3を含むエッチング処理液とを混合して活性種含有エッチング処理液を生成し、前記処理液供給機構は、前記処理液生成機構により生成された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給し、前記基板処理機構において、前記活性種含有エッチング処理液と前記シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸HNO2を生じさせつつ当該シリコン製基板をエッチング処理する基板処理システム。前記基板処理機構において前記シリコン製基板を処理した後の前記活性種含有エッチング処理液を回収する処理液回収機構と、該処理液回収機構により回収された前記活性種含有エッチング処理液を、前記基板処理機構に供給すべき活性種含有エッチング処理液として、前記処理液供給機構に戻す処理液戻し機構と、前記基板処理機構において使用される活性種含有エッチング処理液が前記シリコン製基板を処理するエッチング処理液として有効であるか否かを判定する判定手段と、該判定手段により前記活性種含有エッチング処理液が前記シリコン製基板を処理するエッチング処理液として有効でないと判定されたときに、前記処理液供給機構から前記基板処理機構に供給すべきであった前記活性種含有エッチング処理液を前記貯液機構に送る移送機構とを有し、前記活性種含有エッチング処理液が前記亜硝酸含有溶液として前記貯液機構に貯めおかれる請求項12記載の基板処理システム。前記処理液生成機構は、前記貯液機構に貯めおかれた前記亜硝酸含有溶液と前記基板を処理するエッチング処理液とを混合してなる前記活性種含有エッチング処理液を貯めおく供給タンクを有し、前記処理液供給機構は、前記供給タンクに貯めおかれた前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に供給する機構を有し、前記処理液戻し機構は、回収された前記活性種含有エッチング処理液を前記供給タンクに戻す機構を有し、前記移送機構は、前記供給タンクから前記活性種含有処理液を前記貯液機構に送る機構を有する請求項13記載の基板処理システム。前記貯液機構は、前記基板処理機構において所定シリコン製基板に前記エッチング処理液を与え、該エッチング処理液と前記所定シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸HNO2を生じさせつつ当該所定シリコン製基板を処理した後の当該エッチング処理液を予め前記亜硝酸含有溶液として貯めおく請求項12乃至14のいずれかに記載の基板処理システム。前記所定シリコン製基板は、表面が粗面化されたシリコン製基板または表面が酸化膜で覆われたシリコン製基板である請求項15記載の基板処理システム。基板処理機構において処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、前記基板の処理の活性化に寄与する活性種と前記基板を処理する処理液とが混合されてなる活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給するステップを有し、前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理する基板処理方法。処理液を用いて基板を処理する基板処理機構と、前記基板の処理の活性化に寄与する活性種と前記基板を処理する処理液とが混合されてなる活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する処理液供給機構とを有し、前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理する基板処理システム。ところで、前述した従来の基板表面処理装置のように処理液を利用して基板を処理する際には、処理効率が高いことが望まれる。一般に、処理液における基板処理に直接寄与する成分の濃度を高くすると、より効率的な基板処理を行い得る。しかし、高濃度の処理液を用いる分、その高濃度の処理液の性質を維持するために、新たな処理液の原液補給を繰り返すことが多くなってしまう。このため、処理液原液の利用効率が必ずしも良好なものとはいえず、また、コストの高騰も招いてしまう。本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、特に高濃度の処理液を用いなくても効率よく基板の処理を行いうる基板処理方法及び基板処理システムを提供するものである。本発明に係る基板処理方法は、基板処理機構において処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を生成する前段ステップと、該前段ステップにて生成された前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合して活性種含有処理液を生成する第1ステップと、該第1ステップにて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する第2ステップとを有し、前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理する構成となる。このような構成により、基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液が生成され、その活性種含有溶液と基板の処理液とが混合してなる活性種含有処理液が基板処理機構での基板を処理する処理液として供給されるので、基板処理機構においては、基板が当初から活性種の存在のもとで処理液により処理されるようになる。特に、前記基板処理機構が、前記基板としてのシリコン製基板のエッチング処理を行うものである場合、前記前段ステップは、前記活性種としての亜硝酸HNO2を含む亜硝酸含有溶液を生成し、前記第1ステップは、前記亜硝酸含有溶液と、フッ酸HF及び硝酸HNO3を含むエッチング処理液とを混合して活性種含有エッチング処理液を生成し、前記第2ステップは、前記第1ステップにて生成された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給し、前記基板処理機構において、前記活性種含有エッチング処理液と前記シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸HNO2を生じさせつつ当該シリコン製基板をエッチング処理する構成とすることができる。このような構成により、シリコン製基板のエッチング処理の活性化に寄与する活性種としての亜硝酸HNO2を含有する亜硝酸含有溶液が生成され、その亜硝酸含有液とフッ酸HF及び硝酸HNO3を含むエッチング処理液とが混合してなる活性種混合エッチング処理液が基板処理機構でのシリコン製基板をエッチング処理する処理液として供給されるので、基板処理機構においては、シリコン製基板が当初から活性種である亜硝酸HHO2の存在のもとでエッチング処理液により処理されるようになる。また、本発明に係る基板処理システムは、処理液を用いて基板を処理する基板処理機構と、基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を貯めおく貯液機構と、前記貯液機構に貯めおかれた前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合して前記活性種処理液を生成する処理液生成機構と、該処理液生成機構にて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する処理液供給機構とを有し、前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理する構成となる。特に、前記基板処理機構が、前記基板としてのシリコン製基板のエッチング処理を行うものである場合、前記貯液機構は、前記活性種としての亜硝酸HNO2を含む亜硝酸含有溶液を貯めおき、前記処理液生成機構は、前記貯液機構に貯めおかれた前記亜硝酸含有溶液と、フッ酸HF及び硝酸HNO3を含むエッチング処理液とを混合して活性種含有エッチング処理液を生成し、前記処理液供給機構は、前記処理液生成機構により生成された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給し、前記基板処理機構において、前記活性種含有エッチング処理液と前記シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸HNO2を生じさせつつ当該シリコン製基板をエッチング処理する構成となる。本発明に係る基板処理方法及び基板処理システムによれば、基板処理機構においては、基板が当初から活性種の存在のもとで処理液により処理されるようになるので、特に高濃度の処理液を使わずに当該処理液の利用効率の低下を防止しつつ、活性種の作用によって、処理液により効率よく基板を処理することができる。本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。本発明の実施の一形態に係る基板処理システムは、図1に示すように構成される。この基板処理システムは、シリコン製半導体ウェーハシリコン製基板のエッチング処理を行う。図1において、この基板処理システムは、スピン処理装置10基板処理機構、処理液供給ユニット20、処理液回収機構30及び制御ユニット40を有している。スピン処理装置10は、カップ体11内でシリコン製半導体ウェーハ以下、単にシリコンウェーハというWを支持するウェーハチャック13がモータ12によって回転する構造となっている。そして、後述するように処理液供給ユニット20から供給されるエッチング処理液がシリコンウェーハWの上方に配置されたノズル14から当該シリコンウェーハWに吹きかけられる。このエッチング処理液によってウェーハチャック13の回転により回転するシリコンウェーハWの表面のエッチング処理がなされる。処理液回収機構30は、スピン処理装置10から排出される使用後のエッチング処理液廃液を回収して処理液供給ユニット20に供給する機構であって、スピン処理装置10のカップ体11から排出される使用後のエッチング処理液を貯めるドレインタンク31と、ドレインタンク31に溜まった使用後のエッチング処理液を処理液供給ユニット20に供給するポンプ32とを有している。制御ユニット40は、スピン処理装置10のモータ12、処理液回収機構30のポンプ32及び処理液供給ユニット20における各種弁及びポンプ詳細な構成については後述するの駆動制御を行う。処理液供給ユニット20は、図2に示すように構成される。図2において、処理液供給ユニット20は、回収タンク21、溶液貯留タンク22貯液機構、第1供給タンク23及び第2供給タンク24を有している。回収タンク21には前述した処理液回収機構30図1参照によってスピン処理装置10から回収された使用後のエッチング処理液が流入しIN、その使用後のエッチング処理液が回収タンク21に貯められる。回収タンク21と溶液貯留タンク22とが送通管で結合されており、ポンプP1の動作によって、回収タンク21に貯められた使用後のエッチング処理液を、開閉弁V1を通して溶液貯留タンク22に供給することができる。回収タンク21は、第1供給タンク23及び第2供給タンク24にも送通管によって並列的に結合されており、ポンプP1の動作によって、回収タンク21に貯められた使用後のエッチング処理液を、調節弁Vc7を通して第1供給タンク23に、調節弁Vc8を通して第2供給タンク24にそれぞれ供給することができる。溶液貯留タンク22には循環用の送通管が設けられており、ポンプP2の動作により、溶液貯留タンク22から流出する溶液を、調節弁Vc1を通して溶液貯留タンク22に戻すことができる。また、液体貯留タンク22は、第1供給タンク23及び第2供給タンク24に送通管によって並列的に結合されており、ポンプP2の動作によって、溶液貯留タンク22に貯められた溶液を、調節弁Vc2、流量計25、逆止弁Vch及び調節弁Vc3を通して第1供給タンク23に、調節弁Vc2、流量計25、逆止弁Vch及び調節弁Vc4を通して第2供給タンク24にそれぞれ供給することができる。第1供給タンク23には、薬液供給ユニット図示略が送通管群によって結合されており、薬液供給ユニットから調節弁群SVc1を通して、エッチング処理液を調合するための各薬液であるフッ酸HF、硝酸HNO3、酢酸CH3COOH及び純水H2Oのそれぞれを第1供給タンク23に供給することができる。第2供給タンク24にもまた、前記薬液供給ユニットが送通管群によって結合されており、前記薬液供給ユニットから調節弁群SVc2を通して前記各薬液を第2供給タンク24に供給することができる。第1供給タンク23は、送通管によってスピン処理装置10図1参照に結合しており、ポンプP3の動作により、第1供給タンク23内のエッチング処理液を、調節弁Vc5を通してスピン処理装置10ノズル14に供給することOUTができる。また、第2供給タンク24も、送通管によってスピン処理装置10図1参照に結合しており、ポンプP3の動作により、第2供給タンク24内のエッチング処理液を、調節弁Vc6を通してスピン処理装置10ノズル14に供給することOUTができる。更に、第1供給タンク23は、送通管によって溶液供給タンク22に結合しており、ポンプP4の動作によって、第1供給タンク23内のエッチング処理液を、開閉弁V3及びV2を通して溶液供給タンク22に移送することができる。また、第2供給タンク24も、送通管によって溶液供給タンク22に結合しており、ポンプP4の動作によって、第2供給タンク24内のエッチング処理液を、開閉弁V4及びV2を通して溶液供給タンク22に移送することができる。なお、回収タンク21には調節弁Vc9を通して希釈用の水純水を供給することができ、回収タンク21に貯められた使用後のエッチング処理液を、開閉弁V7を通して排出Drainすることができる。溶液貯留タンク22に貯められた溶液を、開閉弁V6を通して排出Drainすることができる。また、第1供給タンク23に貯められたエッチング処理液を、ポンプP4の動作によって、開閉弁V3及びV5を通して排出Drainすることができ、第2供給タンク24に貯められたエッチング処理液も、ポンプP4の動作によって、開閉弁V4及びV5を通して排出Drainすることができる。制御ユニット40は、流量計25からの情報に基づいて溶液貯留タンク22から第1供給タンク23及び第2供給タンク24のそれぞれに供給される溶液の流量情報を取得することができる。回収タンク21、溶液貯留タンク22、第1供給タンク23及び第2供給タンク24のそれぞれには上限の液量を検出する上限センサH及び下限の液量を検出する下限センサLが設けられているなお、第1供給タンク23及び第2供給タンク24については図示略。制御ユニット40は、タンク21、22、23、24それぞれの上限センサH及び下限センサLからの検出信号に基づいて、各タンク21~24内の液量に係る情報を得ることができる。制御ユニット40は、上記取得される各情報や、スピン処理装置10での処理時間及びエッチング処理されたシリコンウェーハWの枚数等の処理に係る情報に基づいて、スピン処理装置10における駆動モータ12及び処理液回収機構30におけるポンプ32の駆動制御、更に、処理液供給ユニット20における各ポンプP1~P4の駆動制御、各開閉弁V1~V7の開閉制御、及び各調節弁Vc1~Vc9の開度調整制御を行う。以下、前述した構造の基板処理システムにおいてなされるシリコンウェーハWのエッチング処理について説明する。制御ユニット40の制御のもと、処理液供給ユニット20は、図3及び図4A~図4Dに示す手順に従って動作する。ます、スピン処理装置10のウェーハチャック13に、本来エッチング処理すべきシリコンウェーハWと同種であって、その表面が粗面化されたシリコンウェーハW以下、粗面化シリコンウェーハというがセットされた状態で、図3に示す手順に従って、シリコンウェーハWのエッチング処理の活性化に寄与する活性種である亜硝酸HNO2を含有する亜硝酸含有溶液が生成される前段ステップ。薬液供給ユニットから、フッ酸HF、硝酸HNO3、酢酸CH3COOH及び純水H2Oの各薬液が、図5の太線で示すように、調節弁群SVc1を通して流量が調節されつつ第1供給タンク23に供給される。そして、第1供給タンク23において、フッ酸HF及び硝酸HNO3が酢酸CH3COOH及び純水H2Oにより希釈され、フッ酸HF及び酢酸HNO3の濃度が所定値に調整された新たなエッチング処理液が生成されるS011。次いで、図6に示すように、調節弁群SVc1が閉鎖され、第1供給タンク23において、新たなエッチング処理液が、所定温度に調整されつつ循環されS012、エッチング処理液の濃度の均一化が図られる。また、薬液供給ユニットから、上記各薬液が、図7の太線で示すように、調節弁群SVc2を通して流量が調節されつつ第2供給タンク24に供給される。そして、第2供給タンク24において、第1供給タンク23の場合と同様に、新たなエッチング処理液が生成されるS013。次いで、図8に示すように、調節弁群SVc2が閉鎖され、第2供給タンク24において、新たなエッチング処理液が、所定温度に調整されつつ循環されS014、エッチング処理液の濃度の均一化が図られる。このようにして、第1供給タンク23及び第2供給タンク24において、新たなエッチング処理液の調合がなされると、調節弁Vc5が所定の開度に制御された状態でポンプP3が動作し、図9の太線で示すように、第1供給タンク23から調節弁Vc5の開度に応じた流量にてエッチング処理液がスピン処理装置10SPMに供給されるS015。スピン処理装置10SPMにおいて、処理液供給ユニット20第1供給タンク23から供給されるエッチング処理液がノズル14から回転する粗面化シリコンウェーハWに吹きかけられる。そして、その粗面化ウェーハWSiとエッチング処理液HF、HNO3との反応によって活性種である亜硝酸HNO2が生じつつ当該粗面化シリコンウェーハWのエッチング処理がなされるS016。特に、粗面化されて凹凸のある表面の凹部にエッチング処理液が溜まることにより反応が一層進んで、活性種である亜硝酸HNO2がより多く発生しつつ、その亜硝酸HNO2活性種の存在により反応が更に促進される。このスピン処理装置10でのエッチング処理後のエッチング処理液は、シリコンSiが溶解しておりH2SiF6の状態、また、その処理の過程で生成された活性種である亜硝酸HNO2を含んでいる。上記のようにしてスピン処理装置10において粗面化シリコンウェーハWのエッチング処理がなされている過程で排出されるエッチング処理液が、シリコンSiの溶解した亜硝酸HNO2含有溶液として、回収タンク21に貯められる。そして、図10の太線で示すように、回収タンク21からそのシリコンSiが溶解した亜硝酸含有液使用後のエッチング処理液がポンプP1の動作により、開放された開閉弁V1通して溶液貯留タンク22に供給されるS017。その後、溶液貯留タンク22での上眼の液量が上限センサHにて検出されると、図11に示すように、開閉弁V1が閉じられ、回収タンク21から溶液貯留タンク22への亜硝酸含有液の供給が停止されるS018。なお、適当なタイミングにおいて、調節弁Vc5が閉じられて第1供給タンク23からのエッチング処理液の供給が停止されるとともに、調節弁Vc6が所定の開度に調整されて、図11の太線で示すように、第2供給タンク24から調節弁Vc6の開度に応じた流量にてエッチング処理液がスピン処理液10SPMに供給されるS015。この状況において、スピン処理装置10から排出されるエッチング処理液の回収タンク21への貯留が継続されるS019。そして、回収タンク21の上限の液量が上限センサHにて検出されると、図12に示すように、ポンプP3が停止されてスピン処理装置10SPMへのエッチング処理液の供給が停止される。これにより、スピン処理装置10でのエッチング処理が止められ、回収タンク21へのエッチング処理液の貯留が停止するS020。その後、図12の太線で示すように、開閉弁V3、V4、V5が開放された状態でのポンプP4の動作により、第1供給タンク23及び第2供給タンク24に残ったエッチング処理液が排出DrainされるS021。このようにして、粗面化シリコンウェーハWをエッチング処理した後のエッチング処理液が、亜硝酸含有溶液使用後のエッチング処理液:活性種含有溶液として溶液貯留タンク22に貯められる。次に、図4A~図4Dの手順に従って、活性種含有エッチング処理液が、本来のシリコンウェーハWのエッチング処理を行うスピン処理装置10に供給される。図4Aにおいて、薬液供給ユニットから、フッ酸HF、硝酸HNO3、酢酸CH3COOH及び純水H2Oの各薬液が、図13の太線で示すように、調節弁群SVc1を通して流量が調節されつつ第1供給タンク23に供給される。そして、第1供給タンク23において、フッ酸HF及び硝酸HNO3が酢酸CH3COOH及び純水H2Oにより希釈され、フッ酸HF及び硝酸HNO3の濃度が所定値に調整された新たなエッチング処理液が生成されるS21。このとき、図13に示すように、ポンプP2の動作により、調節弁Vc1の開度に応じた流量にて、溶液貯留タンク22に貯めおかれた亜硝酸含有溶液使用後のエッチング処理液が循環するS22。その後、調節弁群SVc1が閉鎖されて、調節弁Vc2、Vc3の開度が調整された状態でのポンプP2の動作により、図14の太線で示すように、溶液貯留タンク22から調節弁Vc2、流量計25、逆止弁Vch及び調節弁Vc3を通して亜硝酸含有溶液が第1供給タンク23に供給されるS23。このとき、流量計25にて得られる流量情報に基づいて、既に第1供給タンク23に貯められたエッチング処理液に対して所定配合比となる量の亜硝酸含有溶液が第1供給タンク23に供給される。これにより、第1供給タンク23内において、活性種である亜硝酸HNO2とエッチング処理液フッ酸HF及び硝酸HNO3を含むとが混合してなる活性種含有エッチング処理液が生成される処理液生成機構、第1ステップ。このようにして第1供給タンク23内に活性種含有エッチング処理液が生成されると、図15に示すように、調節弁群SVc1が閉鎖され、第1供給タンク23において、活性種含有エッチング処理液が、所定温度に調整されつつ循環されS24、活性種含有エッチング処理液の濃度の均一化が図られる。なお、このとき、溶液貯留タンク22から第1供給タンク23への亜硝酸含有溶液の供給が止められており調節弁Vc2、Vc3が閉鎖、図15の太線で示すように、ポンプP2の動作により、調節弁Vc1の開度に応じた流量にて、溶液貯留タンク22に貯めおかれた亜硝酸含有溶液が循環している。次いで、薬液供給ユニットから、前述した各薬液HF、HNO3、CH3COOH、H2Oが、図16の太線で示すように、調節弁群SVc2を通して流量が調節されつつ第2供給タンク24に供給される。そして、第2供給タンク24において、第1供給タンク23の場合と同様に、新たなエッチング処理液フッ酸HF及び硝酸HNO3を含むが生成されるS25。この状態で、溶液貯液タンク22に貯めおかれた亜硝酸含有溶液の循環動作は継続されているS26。その後、調節弁Vc2が閉鎖されて、調節弁Vc2、Vc4の開度が調整された状態でのポンプP2の動作により、図17の太線で示すように、溶液貯留タンク22から調節弁Vc2、流量計25、逆止弁Vch及び調節弁Vc4を通して亜硝酸含有溶液使用後のエッチング処理液が第2供給タンク24に供給されるS27。このとき、流量計25にて得られる流量情報に基づいて、既に第2供給タンク24に貯められたエッチング処理液に対して所定配合比となる量の亜硝酸含有溶液が第2供給タンク24に供給される。これにより、第2供給タンク24内にも、第1供給タンク23と同様に、活性種である亜硝酸HNO2とエッチング処理液フッ酸HF及び硝酸HNO3を含むとが混合してなる活性種含有エッチング処理液が生成される処理液生成機構、第1ステップ。そして、図18に示すように、第2供給タンク24において、活性種含有エッチング処理液が、所定温度に調整されつつ循環されS28、活性種含有エッチング処理液の濃度の均一化が図られる。なお、このとき、溶液貯留タンク22から第2供給タンク24への亜硝酸含有溶液の供給が止められており調節弁Vc2、Vc4が閉鎖、図18の太線で示すように、ポンプP2の動作により、調節弁Vc1の開度に応じた流量にて、溶液貯留タンク22に貯めおかれた亜硝酸含有溶液が循環している以後、溶液貯留タンク22が利用される期間を除きこの状態が維持される。上記のようにして、第1供給タンク23及び第2供給タンク24の双方に活性種亜硝酸:HNO2含有エッチング処理液が貯められると、処理液供給ユニット20からスピン処理装置10に活性種含有エッチング処理液が供給されてS29:第2ステップ、スピン処理装置10では、供給される活性種含有エッチング処理装置によってシリコンウェーハWのエッチング処理がなされる。前記活性種含有エッチング処理液のスピン処理装置10への供給は、具体的に、次のようになされる。調節弁Vc5が所定の開度に制御された状態でポンプP3が動作し、図19の太線で示すように、第1供給タンク23から調節弁Vc5の開度に応じた流量にて活性種含有エッチング処理液がスピン処理装置10SPMに供給されるS291。スピン処理装置10SPMでは、処理液供給ユニット20第1供給タンク23から供給される活性種含有エッチング処理液がノズル14から回転するシリコンウェーハWに吹きかけられ、活性種亜硝酸HNO2の存在のもと、エッチング処理液フッ酸HF、硝酸HNO3を含むとシリコンウェーハWSiとが反応し、シリコンウェーハWのエッチング処理がなされる。前記エッチング処理液とシリコンウェーハWとの反応は、活性種亜硝酸HNO2の存在によって促進され、更に、その反応によって新たな活性種亜硝酸HNO2が生じて、その反応の促進される状態が維持されつつ当該反応エッチング処理がなされる。スピン処理装置10でのエッチング処理後の活性種含有エッチング処理液は、シリコンSiが溶解しておりH2SiF6の状態、また、活性種である亜硝酸HNO2を含んでいる。スピン処理装置10においてシリコンウェーハWのエッチング処理がなされている過程で排出されるシリコンSiが溶解した活性種含有エッチング処理液は、処理液回収機構30図1参照によって回収されて処理液供給ユニット20における回収タンク21に貯められる処理液回収ステップ。そして、図20の太線で示すように、回収タンク21から活性種含有エッチング処理液が、ポンプP1の動作により、調節弁Vc7の開度に応じた流量にて第1供給タンク23に供給されるS292:処理液戻し機構。そして、更に、第1供給タンク23からポンプP3の動作によって調節弁Vc5の開度に応じた流量にてスピン処理装置10に戻される処理液戻しステップ。以後、ステップ29ステップ291及びステップ292での動作が継続して行われることにより図20に示す状態参照、第1供給タンク23から活性種含有エッチング処理液がスピン処理装置10に供給されつつ、スピン処理装置10から回収される使用後の活性種含有エッチング処理液が回収タンク21を介して第1供給タンク23に戻される状態が継続される。前述したようにスピン処理装置10と処理液供給ユニット20とを活性種含有エッチング液が循環している状態で、スピン処理装置10においてシリコンウェーハWのエッチング処理がなされている間、制御ユニット40は、処理液供給ユニット20におけるポンプP1、P3及び調節弁Vc5、Vc7の駆動制御図20参照等を行いつつ、それに並行して、図4Bに示す手順に従って処理を行う。図4Bにおいて、制御ユニット40は、スピン処理装置10でのエッチング処理が終了したか否かS31、スピン処理装置10での処理時間に基づいて前述したように循環して利用される活性種含有エッチング処理液のライフタイムが満了したか否か、即ち、利用される活性種含有エッチング処理液がシリコンウェーハWを処理するエッチング処理液として有効であるか否かS32:判定手段、判定ステップ、また、スピン処理装置10でのシリコンウェーハWの処理枚数及び処理時間等に基づいて利用される活性種含有エッチング処理液のエッチングレートの低下を補正すべきタイミングであるか否かS33を繰り返し判定している。その過程で、エッチングレートの低下を補正すべきタイミングであると判定するとS33でYES、制御ユニット40は、更に、現在、活性種含有エッチング処理液を供給しているのが第1供給タンク23及び第2供給タンク24のいずれかであるかを判定するS34。ここで、第1供給タンク23から活性種含有エッチング処理液が供給されていると判定すると、制御ユニット40は、エッチングレートの低下を補正するために所定量のフッ酸HF及び硝酸HNO3と、エッチング処理液の回収率が100より低いことに起因したエッチング処理液の目減り分を補正するための所定量のエッチング処理液HF、HNO3、CH3COOH、H2Oとを第1供給タンク24に追加するように、処理液供給ユニット20における調節弁群SVc1の開度及び駆動制御を行うS35。これにより、処理液供給ユニット20では、図21の太線で示すように、上述したようにスピン処理装置10から回収された活性種含有エッチング処理液が回収タンク21から第1供給タンク23に供給されつつ、第1供給タンク23から活性種含有エッチング処理液がスピン処理装置10に供給される状態において、薬液供給ユニットからの各薬液HS、HNO3、CH3COOH、H2Oが、制御される調節弁群SVc1を通して、前記エッチングレート低下を補正し、また、前記エッチング処理液の目減り分を補正する量だけ第1供給タンク23に供給される。以後、スピン処理装置10と処理液供給ユニット20とを活性種含有エッチング処理液が循環している状態で、スピン処理装置10において当該活性種含有エッチング処理液によるシリコンウェーハWのエッチング処理がなされる。その過程で、制御ユニット40は、スピン処理装置10でのエッチング処理が終了したか否かS31、当該活性種含有エッチング処理液のライフタイムが満了したか否かS32、また、当該活性種含有エッチング処理液のエッチングレートの低下を補正すべきタイミングであるか否かS33を繰り返し判定する。そして、前記循環する活性種含有エッチング処理液のライフタイムが満了したと判定されるとS32でYES、図22図21と対比してに示すように、ポンプP1及びポンプP3が停止されるとともに、調節弁Vc5、Vc7が閉じられ、前述した活性種含有エッチング処理液の循環が停止して、スピン処理装置10でのエッチング処理も中断される。そして、第1供給タンク23から活性種含有エッチング処理液が供給されていた場合、制御ユニット40は、図4Cに示す手順に従って処理を継続させる。図4Cにおいて、開閉弁V3、V2が開放された状態でのポンプP4移送機構の動作により、図23の太線で示すように、第1供給タンク23からライフタイムの満了した活性種含有エッチング処理液が溶液貯留タンク22に移送されS41、その活性種含有エッチング処理液が活性種亜硝酸HNO2含有溶液として溶液貯留タンク22に貯められる。そして、溶液貯留タンク22の上限の液量が上限センサHにて検出されると、図24の太線で示すように、ポンプP4動作している状態で、開閉弁V2が閉じられて、開閉弁V5が開放されることにより、第1供給タンク23からの活性種含有エッチング処理液活性種含有溶液が、溶液貯留タンク22に移送されることなく、排出DrainされるS42。第1供給タンク23からライフタイムの満了した上記活性種含有エッチング処理液の全てが排出されると、薬液供給ユニットからの各薬液HF、HNO3、CH3COOH、H2Oが、図25の太線で示すように、調節弁群SVc1を通して流量が調整されつつ第1供給タンク23に供給され、第1供給タンク23において新たなエッチング処理液が調合されるS43。このとき、図25に示すように、ポンプP2の動作により、調節弁Vc1の開度に応じた流量にて、溶液貯留タンク22に前述したように移送された活性種含有エッチング処理液亜硝酸含有溶液が循環するS44。その後、調節弁群SVc1が閉鎖されて、調節弁Vc2、Vc3の開度が調整された状態でのポンプP2の動作により、図26の太線で示すように、溶液貯留タンク22から調節弁Vc2、流量計25、逆止弁Vch及び調節弁Vc3を通して亜硝酸含有溶液活性種混合エッチング処理液が第1供給タンク23に供給されるS45。このとき、流量計25にて得られる流量情報に基づいて、既に第1供給タンク23に貯められたエッチング処理液に対して所定配合比となる量の亜硝酸含有溶液が第1供給タンク23に供給される。これにより、第1供給タンク23内において、活性種である亜硝酸HNO2とエッチング処理液フッ酸HF及び硝酸HNO3を含むとが混合してなる新たな活性種含有エッチング処理液が生成される処理液生成機構、第3ステップ。このようにして第1供給タンク23内に新たな活性種含有エッチング処理液が生成されると、図27に示すように、調節弁群SVc1が閉鎖され、第1供給タンク23において、その新たな活性種含有エッチング処理液が、所定温度に調整されつつ循環されS46、活性種含有エッチング処理液の濃度の均一化が図られる。なお、このとき、図27の太線で示すように、ポンプP2の動作により、調節弁Vc1の開度に応じた流量にて、溶液貯留タンク22に貯めおかれた亜硝酸含有溶液が循環している。上記のようにしてライフタイムの満了した活性種エッチング処理液が排出された第1供給タンク23内において新たな活性種含有エッチング処理液が生成されると、処理液供給ユニット20からスピン処理装置10への活性種含有エッチング処理液の供給S47が開始される。具体的には、調節弁Vc6が所定の開度に制御された状態でポンプP3が動作し、図28の太線で示すように、第2供給タンク24から調節弁Vc6の開度に応じた流量にて活性種含有エッチング処理液がスピン処理装置10SPMに供給されるS471。スピン処理装置10SPMでは、前述したのと同様に、活性種である亜硝酸HNO2の存在のもとに、エッチング処理液HF、HNO3、CH3COOH、H2OとシリコンウェーハWSiとの反応によって新たな活性種亜硝酸HNO2が生じつつシリコンウェーハWのエッチング処理がなされる。そして、シリコンウェーハWのエッチング処理がなされている過程でスピン処理装置10から回収されて回収タンク21に貯められるシリコンSiが溶解した活性種含有エッチング処理液が、図29の太線で示すように、回収タンク21から、ポンプP1の動作により、調節弁Vc8の開度に応じた流量にて第2供給タンク24に供給されるS472。そして、更に、第2供給タンク24からポンプP3の動作によって調節弁Vc6の開度に応じた流量にてスピン処理装置10に戻される。以後、ステップ47ステップ471及びステップ472での動作が継続して行われることにより図29に示す状態参照、第2供給タンク24から活性種含有エッチング処理液がスピン処理装置10に供給されつつ、スピン処理装置10から回収される使用後の活性種含有エッチング処理液が回収タンク21を介して第2供給タンク24に戻される状態が継続される。前述したのと同様に、スピン処理装置10と処理液供給ユニット20とを活性種含有エッチング液が循環している状態で、スピン処理装置10においてシリコンウェーハWのエッチング処理がなされている間、制御ユニット40は、処理液供給ユニット20におけるポンプP1、P3及び調節弁Vc6、Vc8の駆動制御図29参照等を行いつつ、それに並行して、図4Bに示す手順に従って処理を行う。即ち、制御ユニット40は、スピン処理装置10でのエッチング処理が終了したか否かS31、循環して利用される活性種含有エッチング処理液のライフタイムが満了したか否かS32、また、前記活性種含有エッチング処理液のエッチングレートの低下を補正すべきタイミングであるか否かS33を繰り返し判定している。その過程で、エッチングレートの低下を補正すべきタイミングであると判定するとS33でYES、制御ユニット40は、更に、現在、活性種含有エッチング処理液を供給しているのが第1供給タンク23及び第2供給タンク24のいずれかであるかを判定するS34。ここで、第2供給タンク24から活性種含有エッチング処理液が供給されていると判定すると、前述したのと同様に、制御ユニット40は、エッチングレート低下の補正、及びエッチング処理液の目減り分の補正のため、所定量のエッチング処理液HF、HNO3、CH3COOH、H2Oを第2供給タンク24に追加するように、処理液供給ユニット20における調節弁群SVc2の開度及び駆動制御を行うS36。これにより、処理液供給ユニット20では、図30の太線で示すように、上述したようにスピン処理装置10から回収される活性種含有エッチング処理液が回収タンク21から第2供給タンク24に供給されつつ、第2供給タンク24から活性種含有エッチング処理液がスピン処理装置10に供給される状態において、薬液供給ユニットからの各薬液HF、HNO3、CH3COOH、H2Oが、制御される調節弁群SVc2を通して、前記エッチングレート低下を補償し、また、前記エッチング処理液の目減り分を補正する量だけ第2供給タンク24に供給される。以後、スピン処理装置10と処理液供給ユニット20とを活性種含有エッチング処理液が循環している状態で、スピン処理装置10において当該活性種含有エッチング処理液によるシリコンウェーハWのエッチング処理がなされる。その過程で、制御ユニット40は、スピン処理装置10でのエッチング処理が終了したか否かS31、当該活性種含有エッチング処理液のライフタイムが満了したか否かS32、また、当該活性種含有エッチング処理液のエッチングレートの低下を補正すべきタイミングであるか否かS33を繰り返し判定する。そして、前記循環する活性種含有エッチング処理液のライフタイムが満了したと判定されるとS32でYES、図31図30と対比してに示すように、ポンプP1及びポンプP3が停止されるとともに、調節弁Vc6、Vc8が閉じられ、前述した活性種含有エッチング処理液の循環が停止して、スピン処理装置10でのエッチング処理も中断される。そして、第2供給タンク23から活性種含有エッチング処理液が供給されていた場合、制御ユニット40は、図4Dに示す手順に従って処理を継続させる。図4Dにおいて、開閉弁V4、V2が開放された状態でのポンプP4移送機構の動作により、図32の太線で示すように、第1供給タンク23からライフタイムの満了した活性種含有エッチング処理液が溶液貯留タンク22に移送されS51、その活性種含有エッチング処理液が活性種亜硝酸HNO2含有溶液として溶液貯留タンク22に貯められる。そして、溶液貯留タンク22の上限の液量が上限センサHにて検出されると、図33の太線で示すように、ポンプP4が動作している状態で、開閉弁V2が閉じられて、開閉弁V5が開放されることにより、第2供給タンク24からの活性種含有エッチング処理液活性種含有溶液が、溶液貯留タンク22に移送されることなく、排出DrainされるS52。第2供給タンク24からライフタイムの満了した上記活性種含有エッチング処理液の全てが排出されると、前述した第1供給タンクの場合図4CにおけるS43~S46参照と同様に、第2供給タンク24において、薬液供給ユニットからの各薬液HF、HNO3、CH3COOH、H2Oにより調合された新たなエッチング処理液と、溶液貯留タン22からの活性種含有溶液ライフタイムの満了した活性種含有エッチング処理液とが混合されて新たな活性種含有処理液が生成されるS53~S55。そして、第2供給タンク24において、その新たな活性種含有エッチング処理液が、所定温度に調整されつつ循環されS56、活性種含有エッチング処理液の濃度の均一化が図られる。その後、図4Aに示すステップS29の処理に移行して、第1供給タンク23から活性種含有エッチング処理液がスピン処理装置10に供給されつつS291、スピン供給処理装置10から回収される使用後の活性種含有エッチング処理液が第1供給タンク23に戻される。この状態で、スピン処理装置10において、活性種含有エッチング処理液とシリコンウェーハWとの反応によって活性種としての亜硝酸HNO2を生じさせつつ当該シリコンウェーハWのエッチング処理がなされる。以後、活性種含有エッチング処理液のライフタイムが満了する毎に図4BにおけるS32でYES、第1供給タンク23と第2供給タンク24とが切り換えられながら、スピン処理装置10と供給タンク第1供給タンク23または第2供給タンク24との間で活性種含有エッチング処理液が循環する。そして、その状態で、スピン処理装置10においてシリコンウェーハWのエッチング処理がなされる。なお、制御ユニット40は、図4Bに示す手順S31、S32、S33に従って処理を行っている過程で、例えば、スピン処理装置10からの終了信号を入力するとS31でYES、処理を終了させる。上述したような基板処理システムでは、シリコンウェーハWの処理の活性化に寄与する活性種である亜硝酸HNO2を含有する亜硝酸含油溶液が生成され、その亜硝酸含有溶液とエッチング処理液HF、HNO3、CH3COOH、H2Oとが混合してなる活性種含有処理液がスピン処理装置10に供給されるので、スピン処理装置10においては、シリコンウェーハWが当初から活性種である亜硝酸HNO2の存在のもとでエッチング処理液により処理されるようになる。このため、特に高濃度のフッ酸HFや硝酸HNO3を含むエッチング処理液を使わずに当該エッチング処理液の利用効率の低下を防止しつつ、活性種亜硝酸HNO2の作用によって、エッチング処理液により効率よくシリコンウェーハWをエッチング処理することができる。また、活性種含有エッチング処理液を循環させてスピン処理装置10で用いる際に、その活性含有エッチング処理液のライフタイムが満了して、当該活性種含有エッチング処理液がシリコンウェーハWのエッチング処理液として有効でなくなった場合、循環させてエッチング処理に用いられていた活性種含有エッチング処理液を溶液貯留タンク22に移送して活性種亜硝酸HNO2溶液として利用するようにしたので、エッチング処理液を更に有効に利用することができる。更に、スピン処理装置10でのシリコンウェーハWの処理枚数及び処理時間等に基づいて、循環利用される活性種含有エッチング処理液のエッチングレートの低下を補正すべきタイミングであると判定されたときに、エッチングレート低下の補正用のフッ酸HF及び硝酸HNO3とともに、活性種含有エッチング処理液の目減り分に対応するエッチング処理液HF、HNO3、CH3COOH、H2Oを追加するようにしているので図4BにおけるS35、S36参照、スピン処理装置10において、例えば、図34に示す特性のように、安定したエッチングレートにてより多くの枚数のシリコンウェーハWのエッチング処理が可能になる。また、本来のシリコンウェーハWのエッチング処理の前において、粗面化シリコンウェーハWをエッチング処理液HF、HNO3、CH3COOH、H2Oにて処理しているので、粗面化シリコンウェーハの凹凸のある表面の凹部に溜まったエッチング処理液とシリコンSiとの反応が促進されて、効率的に活性種亜硝酸HNO2含有溶液を生成することができる。なお、粗面化シリコンウェーハに限られず、本来処理すべき基板シリコンウェーハWと同種の基板シリコンウェーハW、例えば、酸化膜熱酸化膜で覆われた基板であって、エッチング処理液によりより効率的に活性種亜硝酸HNO2を生じさせ得るものであればよい。従来、基板例えば、シリコンウェーハWの表面にエッチング液を供給しながら処理エッチング処理を行う場合、処理液と基板とが反応しながら処理エッチングがなされている。つまり、酸化種を発生させることで、基板をエッチングしている。しかし、酸化種が発生して実際にエッチング削るが始まるまでに時間がかかることから、処理液の供給当初からスムーズなエッチング処理を進行させるのが難しい。また、基板表面において、エッチングが始まる時間やエッチングの処理速度が局所で違うため、均一な膜厚でのエッチングをすることが難しい。これに対して、前述した本願発明の実施の形態に係る基板処理システムでは、基板シリコンウェーハWに対して活性種亜硝酸HNO2を含有するエッチング処理液が供給され、基板表面では当初から活性種の存在のもとでエッチング処理液と基板シリコンSiとの反応が効率的に進行するようになる。従って、エッチング処理が効率的になされるとともに、その基板表面にむらなく活性種含有処理液を供給することにより均一な膜厚でのエッチング処理がなされ得る。なお、前述した基板処理システムにおいて活性種含有溶液亜硝酸含有溶液を生成している図3参照が、当該基板処理システム以外の装置を用いて活性種含有溶液を生成するようにしてもよい。この場合、他の装置にて生成された活性種含有溶液亜硝酸含有溶が別途溶液貯留タンク22に供給されて、貯められる。更に、基板処理システムにおいて活性種含有液亜硝酸含有液と処理液とを混合して活性種含有処理液を生成するのではなく、既に生成されている活性種含有処理液を用いて基板シリコンウェーハWを処理するようにしてもよい。また、処理の対象は、シリコンウェーハWに限定されず、表面を処理すべき基板であれば特に限定されない。また、その処理についてもエッチング処理に限られず、レジスト剥離等の他の処理であってもよい。この場合、その処理の活性化に寄与する活性種が選ばれる。