式AE3TaGa3XAlXSi2O141、及び式AE3NbGa3XAlXSi2O142、からなる群に含まれる組成を有し、且つ添加元素としてIr、Pt、Au、及びRhの内の少なくとも一つを含有するランガサイト型構造を有する酸化物材料。融点が1470°C未満であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物材料。前記式1及び2においてXが0<X≦3の範囲であることを特徴とする請求項1又は2に記載の酸化物材料。Ca3TaGa3XAlXSi2O14、Ca3NbGa3XAlXSi2O14、Sr3TaGa3XAlXSi2O14、及びSr3NbGa3XAlXSi2O140≦X≦3からなる群に含まれる組成を有し、且つ添加元素としてIr、Pt、Au、及びRhの内の少なくとも一つを含有する酸化物材料。融点が1470°C未満であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の酸化物材料。前記Xが0<X≦3の範囲であることを特徴とする請求項4又は5に記載の酸化物材料。請求項1乃至6の何れか一項に記載の酸化物材料からなる単結晶。式AE3TaGa3XAlXSi2O141、及び式AE3NbGa3XAlXSi2O142からなる群に含まれるランガサイト型構造を有する酸化物材料を製造するための組成物からなる原材料であって、更に添加元素としてIr、Pt、Au、及びRhの内の少なくとも一つを含有する原材料。融点が1470°C未満であることを特徴とする請求項8に記載の原材料。前記式1及び2においてXが0<X≦3の範囲であることを特徴とする請求項8又は9に記載の原材料。Ca3TaGa3XAlXSi2O14、Ca3NbGa3XAlXSi2O14、Sr3TaGa3XAlXSi2O14、及びSr3NbGa3XAlXSi2O140≦X≦3からなる群に含まれる酸化物材料を製造するための組成物からなる原材料であって、更に添加元素としてIr、Pt、Au、及びRhの内の少なくとも一つを含有する原材料。融点が1470°C未満であることを特徴とする請求項11に記載の原材料。前記Xが0<X≦3の範囲であることを特徴とする請求項11又は12に記載の原材料。請求項8乃至13の何れか一項に記載される原材料を坩堝に充填し、充填された前記原材料を融解し、前記坩堝のダイ部に設けられた孔より融解した前記原材料の融液を漏出させて前記ダイ部に広がらせ、前記ダイ部に漏出した前記原材料の融液にシードを接触させて接触部分より固体である所望の酸化物材料を生じさせ、前記シードを所定の上下軸に沿って前記坩堝における前記ダイ部の側から相対的に引き離される方向に移動させることによって前記酸化物材料を育成することを特徴とする酸化物材料の製造方法。固体である所望の酸化物材料の組成を構成する組成物からなる原材料を坩堝に充填し、充填された前記原材料を融解し、前記坩堝のダイ部に設けられた孔より融解した前記原材料の融液を漏出させて前記ダイ部に広がらせ、前記ダイ部に漏出した前記原材料の融液にシードを接触させて接触部分より前記酸化物材料を生じさせ、前記シードを所定の上下軸に沿って前記坩堝の前記ダイ部の側から相対的に引き離される方向に移動させることによって前記酸化物材料を製造する酸化物材料の製造方法であって、前記原材料を坩堝に充填する際、及び前記充填された前記原材料を融解する際の少なくとも何れかのタイミングにおいて、前記原材料に対して添加元素としてIr、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つを添加する工程を更に有することを特徴とする酸化物材料の製造方法。特許文献1に開示される構造を有した坩堝を用いることにより、所望の表面状態を有するランガサイト型酸化物材料の単結晶を安定的に得ることが可能となる。しかしながら、該特許文献に開示される坩堝は形状が特殊であることから、坩堝作成に多くのコストが必要となる。また、該特許文献に規定される条件を満たす必要上、坩堝形状を種々変形する上で難点が多く、例えば融液の引下げ軸に垂直な断面の形状が一義的に決定してしまい、限られた形状の単結晶しか育成できないという問題が存在していた。また、特許文献2に開示される方法では、原材料の融液との所謂濡れ角が適当となる材料からなる坩堝を用いている。しかしながら、当該方法では、好適な濡れ角を呈する材料からなる坩堝を、得ようとする単結晶の組成に応じて調査、選定する必要がある。このため、例えば多品種少量生産が求められる場合には、材料に応じた坩堝を常に準備する必要があるといった汎用性の点での問題がある。本発明は以上の状況に鑑みて為されたものであって、ランガサイト型構造を有する酸化物材料であって、坩堝形状或いは坩堝材質によらず安定的に所望の形状を得ることが可能な酸化物材料、汎用性の高い該酸化物材料の製造方法、及び該酸化物材料を製造するために必要な原材料となる組成物、の提供を目的とする。上記課題を解決するために、本発明に係る酸化物材料は、式AE3TaGa3XAlXSi2O141、及び式AE3NbGa3XAlXSi2O142からなる群に含まれる組成を有し、且つ添加元素としてIr、Pt、Au、及びRhの内の少なくとも一つを含有するランガサイト型構造を有する酸化物材料からなることを特徴としている。尚、当該酸化物材料において、融点が1470°C未満であることが好ましく、更には式1及び2においてXが0<X≦3の範囲であることがより好ましい。或いは、上記課題を解決するために、本発明に係る酸化物材料は、Ca3TaGa3XAlXSi2O14、Ca3NbGa3XAlXSi2O14、Sr3TaGa3XAlXSi2O14、及びSr3NbGa3XAlXSi2O140≦X≦3からなる群に含まれる組成を有し、且つ添加元素としてIr、Pt、Au、及びRhの内の少なくとも一つを含有する酸化物材料からなることを特徴としている。なお、ここで融点が1470°C未満であることが好ましく、更にはXが0<X≦3の範囲であることがより好ましい。なお、上述した酸化物材料は、更に単結晶であることがより好ましい。また、当該酸化物材料には、粉末、セラミックス、多結晶体及び単結晶体といった形態が含まれる。また、上記課題を解決するために、本発明に係る酸化物材料製造用の原材料は、式AE3TaGa3XAlXSi2O141、及び式AE3NbGa3XAlXSi2O142からなる群に含まれるランガサイト型構造を有する酸化物材料を製造するための組成物からなる原材料であって、更に添加元素としてIr、Pt、Au、及びRhの内の少なくとも一つを含有する原材料からなることを特徴としている。なお、該原材料において、融点が1470°C未満であることがより好ましく、更には式1及び2においてXが0<X≦3の範囲であることが好ましい。或いは、上記課題を解決するために、本発明に係る酸化物材料製造用の原材料は、Ca3TaGa3XAlXSi2O14、Ca3NbGa3XAlXSi2O14、Sr3TaGa3XAlXSi2O14、及びSr3NbGa3XAlXSi2O140≦X≦3からなる群に含まれる酸化物材料を製造するための組成物からなる原材料であって、更に添加元素としてIr、Pt、Au、及びRhの内の少なくとも一つを含有する原材料からなることを特徴としている。なお、該原材料において、融点が1470°C未満であることが好ましく、更にはXが0<X≦3の範囲であることがより好ましい。また、上記課題を解決するために、本発明に係る酸化物材料育成のための形状制御成長方法は、前述した原材料を坩堝に充填し、充填された原材料を融解し、坩堝のダイ部に設けられた孔より融解した原材料の融液を漏出させてダイ部に広がらせ、ダイ部に漏出した原材料の融液にシードを接触させて接触部分より固体である所望の酸化物材料を生じさせ、シードを所定の上下軸に沿って坩堝におけるダイ部の側から相対的に引き離される方向に移動させることによって酸化物材料を育成することを特徴としている。また、上記課題を解決するために、本発明に係る酸化物材料育成のための形状制御成長方法は、固体である所望の酸化物材料の組成を構成する組成物からなる原材料を坩堝に充填し、充填された原材料を溶解し、坩堝のダイ部に設けられた孔より融解した原材料の融液を漏出させてダイ部に広がらせ、ダイ部に漏出した原材料の融液にシードを接触させて接触部分より酸化物材料を生じさせ、シードを所定の上下軸に沿って坩堝のダイ部の側から相対的に引き離される方向に移動させることによって酸化物材料を製造する酸化物材料の製造方法であって、原材料を坩堝に充填する際、及び充填された原材料を融解する際の少なくとも何れかのタイミングにおいて、原材料に対して添加元素としてIr、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つを添加する工程を更に有することを特徴としている。本発明によれば、育成しようとする酸化物材料、特にその単結晶の形状に最適となる、ダイ部の形状を有する坩堝を用いて結晶育成を行うことが可能となり、所望の形状、表面状態を有した酸化物材料を容易且つ安定的に育成、供給することが可能となる。より詳細には、ダイ部における結晶育成方向に直行する断面の形状に対応した、酸化物材料、更には単結晶の形状が得られる。また、本発明によれば、従来公知の材料を用い且つ形状的にも複雑な加工を要しない坩堝を使用することが可能であることから、例えば特許文献1に示される坩堝のような高コストの加工が必要ではなくなり、結果として圧電素子等の製造に要するコストの削減が可能となる。また、例えば特許文献2のように用いる原材料に応じて坩堝を準備する必要がなくなることから、多品種少量生産等の要望にも容易に対応することが可能となる。以下に本発明の一実施形態に係るランガサイト型酸化物の単結晶の育成方法について、図1に示すフローチャート及び図2A~2Eの所謂引下げ装置の概略図を用いて説明する。なお、以下に詳述する製造工程において、坩堝に充填される種々の物質をまとめてこれを原材料として説明する。また、図2A~2Eに示す引下げ装置は、坩堝1、ステージ3、アフターヒータ5、保温チューブ7、ワークコイル9、及びシード保持具11を主たる構成物として有する。坩堝1は下部に設けられた孔から内部に保持される液体即ち原材料の融液が漏出可能となっており、この漏出部分には該融液が濡れ広がる範囲を規制する作用を有するダイ部と称呼される構造部分1aが配置される。ワークコイル9は高周波を発し、坩堝1を高周波誘導によって発熱させる。筒状のアフターヒータ5は坩堝1と同軸で坩堝1の下部に配置され、坩堝1と同様に高周波誘導によって発熱する。保温チューブ7は、石英管及び或いは断熱材からなる筒状部材からなり、坩堝1の熱の坩堝外部への放射と発散とを抑制する。以上の坩堝1、アフターヒータ5、及び保温チューブ7は、ステージ3によりコイル形状を有したワークコイル9のコイル内部の適当な位置に支持される。次に、実際の育成方法について述べる。なお、本発明の一実施形態に係る製造方法はセラミック等の形態を含む酸化物材料を対象とするが、本実施例では酸化物材料の単結晶を製造する場合を例示する。図1に示す育成方法では、Step1にて原材料の調製を行う。例えば、ランガサイト型の酸化物材料、本実施形態ではその単結晶としてCa3NbGa3Si2O14として示される組成物を得ようとしている。この場合、原材料である純度9999wt以上の組成物としてCaCO3、Nb2O5、βGa2O3、SiO2の粉末を用意する。これら粉末を化学式のとおりに秤量し、十分に混合する。その際、更にこれら組成物の粉末の混合物に対して、更に所定量のIr、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つ、本形態ではAuの粉末を添加元素として添加し、混合する。この添加元素が加えられたものが、本発明における原材料となる。Step2では、Step1にて調製された混合物である原材料を圧粉し、所定の形状を有した圧粉体状の形態とした後にこれを白金ロジウム合金坩堝内に充填する。該原材料の圧粉体13が坩堝1に充填された状態を図2Aに示している。Step2にて原材料を充填した坩堝1に対してワークコイル9から高周波を加え、Step3に示すように高周波誘導によって坩堝1を発熱させ、圧粉体13の融解を行う。この、坩堝1の発熱とそれによる圧粉体13の融解が始まった状態を図2Bに示している。その後、圧粉体13の融解により生じた原材料の融液15は、坩堝1の下部に設けられた例えば内径05mmの孔からその一部が漏出する。その際、坩堝1の孔の開口周辺部と該融液15との所謂濡れ性に順じて、該融液15は該開口周辺部に配置されるダイ部1a上に濡れ広がるStep4。この状態を図2Cに示す。原材料の融液15はこのダイ部1aの表面上の所定領域に濡れ広がり、その状態にてシード保持具11に保持されるシード17と該融液15の下端部との接触が為される。また、本形態では坩堝1の下部の孔を単に孔として述べているが、当該孔はスリット等、結晶の外形を規定可能な種々の形状とすることが可能であり、また複数とすることも可能であるが、本明細書ではこれら形態の全ての総称として孔として定義する。本実施形態では、得ようとする酸化物材料を成長させる際の種結晶、即ちシード17としてCa3NbGa3Si2O14の組成からなる結晶を用いている。所定の結晶軸を有した当該シード17の上部をダイ部1a上に漏出している原材料の融液15に接触させるStep5のシードタッチ。なお、本実施形態では、坩堝1の下に発生する酸化物材料19の成長部分、即ち原材料の融液15と固体となった酸化物材料19との界面19aをアフターヒータ5によって覆うこととしている。また酸化物材料19の成長部分となる当該界面19aをCCDカメラ等によって観察し、引下げ速度等の引下げ条件を適宜変更可能としている。前述したシードタッチ後、適切な温度勾配に到達させて融液15の固体化、即ち酸化物材料19の生成が始まった後、Step6のシードの引下げを開始する。シード引下げの速度を適切な速度に維持することにより、シード17の上部からの酸化物材料19の一方向性凝固が進行する。この引下げ速度等の条件を適切に制御することにより、所望の結晶方位を有した単結晶となった該酸化物材料19が得られる。ここで述べた引下げの操作がある程度為された状態を、図2Dに示す。シードの引下げは図2Dに示される所定の上下軸Aに沿って行われる。しかし、実際の工程では当該様式に限定されず、坩堝1におけるダイ部1aが存在する側より、該シード17が相対的に引き離される方向に移動されれば良い。即ち、シード17を固定して坩堝1を移動させる、或いは両者を移動させる形態とすることが可能である。その後、得られた酸化物材料19を取り出しStep7及び図2E、表面加工、所定寸法への切り出し等の後加工が施され、種々の用途に供せられる。なお、ここで述べた実施形態において、ダイ部1aの形状と原材料の融液15が該ダイ部1aに濡れ広がることを利用して酸化物材料19の外形を制御する所謂形状制御結晶成長方法を用いている。本発明は当該形状制御結晶成長方法において、より好適な結果、即ち形状制御効果が得られる。図3に、上述した本発明の実施形態における引下げ操作時の坩堝1の下端、酸化物材料19、及びその成長部分を写した写真、及びこれを説明する図を共に示す。同図に示す様に、ダイ部1aに対して融液15は所望の広さに濡れ広がり、ほぼ均一な幅を有するメニスカス上述した界面19aを形成した状態から酸化物材料19の成長が進んでいることが理解される。図4は上述したIr、Pt、Au或いはRh、の何れも添加しなかった場合について、図3の場合と同様の様式で坩堝1の下端部等を写したものである。ダイ部1aのみならず坩堝1の下部からかなり上方にまで融液15が昇っており、酸化物材料19と融液15との境目も不明瞭となっている。その結果として、酸化物材料19の形状等も全く安定していない。以上より、本発明の実施によって、所望の形状を有する酸化物材料19が得られるという格別の効果が得られることが理解できる。以下に本発明の実施例である種々の酸化物材料について、その単結晶の写真を図示する。図5Aは、Ca3NbGa3Si2O14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5BはCa3NbGa15Al15Si2O14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5CはCa3TaGa3Si2O14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5DはCa3TaGa15Al15Si2O14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5EはSr3NbGa3Si2O14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5FはSr3NbGa15Al15Si2O14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5GはSr3TaGa3Si2O14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5HはSr3TaGa15Al15Si2O14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5IはLa3Ta05Ga55O14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5JはLa3Ta05Ga5Al05O14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5KはLa3Nb05Ga55O14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5Lは、上段がLa3Nb05Ga53Al02O14に対してAuを添加して得られた単結晶を示し、下段がLa3Nb05Ga54Al01O14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5MはLa3Ga5SiO14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5NはLa3Ga48Al02SiO14に対してAuを添加して得られた単結晶を示す。図5OはLa3Ta05Ga55O14に対してPtを添加して得られた単結晶を示す。図5PはLa3Ta05Ga55O14に対してRhを添加して得られた単結晶を示す。また、図5QはLa3Ta05Ga55O14に対してIrを添加して得られた単結晶を示す。これら図から明らかなように、本発明に係る酸化物材料が、表面状態及び形状性に優れたたものであること、或いは本発明の実施によってこのような酸化物材料、特に単結晶が容易に得られることが理解される。本出願人は、特に圧電素子等の用途から好適な形状での育成が望まれるランガサイト型構造を有する酸化物材料に関して、従来工法による単結晶の育成をこれまで検討していた。しかし、原材料の融液と坩堝の孔開口周辺部ダイ部との濡れ性より原材料の融液がダイ部上更には坩堝側面に対して過剰に濡れ広がり濡れ角過小の状態、育成された結晶について好適な表面状態、均等な結晶径等が得られなかった。特に、RE3Ga5XAlXSiO14、RE3Nb05Ga55XAlXO14、AE3TaGa3XAlXSi2O14、及びAE3NbGa3XAlXSi2O14からなる群に含まれる酸化物材料、特に単結晶についてその傾向が顕著に見られた。また、中でも圧電材料として有望な、La3Ga5XAlXSiO140≦X≦5、La3Ta05Ga55XAlXO14、La3Nb05Ga55XAlXO14、Ca3TaGa3XAlXSi2O14、Ca3NbGa3XAlXSi2O14、Sr3TaGa3XAlXSi2O14、及びSr3NbGa3XAlXSi2O140≦X≦3からなる群に含まれる酸化物材料、特に単結晶についても同様であった。このような状況に鑑みて、本出願人は、材料育成のために原材料に対してIr、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つを添加することによって、原材料の融液のダイ部に対する濡れ広がりを好適に抑制することが可能となること、特にこれら酸化物系の材料に対してその効果が有意であることを見出した。またその際、Ir、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つを添加する際の添加量を適切な値とすることにより、結晶或いは材料の成長が進行する融液と固体との間に生じる所謂メニスカスの形状、大きさ等を制御することも可能であることも確認している。なお、上述した濡れ性を変化させる材料はIr、Pt、Au或いはRh以外にも種々存在するが、実際の酸化物材料の圧電材料としての特性を維持すると言う観点から、添加材料としてはこれらIr、Pt、Au或いはRhが尤も好ましいことも見出されている。なお、酸化物材料の育成に用いる坩堝の材質としては、イリジウム、白金、白金ロジウム合金、レニウム、モリブデン等が存在する。Ir、Pt、Au或いはRhの添加はこれら何れの材料からなる坩堝に対しても同様の濡れ性抑制の効果が得られる。これら添加元素であるIr、Pt、Au及びRhが原材料中に含まれる場合、ダイ部と接触する融液表面に存在する添加元素の中には例えば酸化物等を形成するものもあると考えられる。これら酸化物等は坩堝の素材に対し濡れ性に劣っており濡れ角が大となり、従って該酸化物等が適度に融液とダイ部との間に存在することによって濡れ性の制御が可能となると考えられる。同時に、過剰な添加元素の存在、添加元素の偏在等は、部分的に極度の濡れ性の低下を生じさせる恐れもあり、濡れ性の制御上問題を生じさせることも推測される。本発明の如く予め原材料中にこれを含ませることによって、適切な量の添加元素を偏在させること無くダイ部近辺に存在させることが可能となり、濡れ性を好適に且つ安定的に制御することが可能となる。本発明の如く、濡れ性の制御を為す添加元素を融解前の原材料となる組成物に添加しておく様式とすることにより、どのような坩堝を用いる場合であっても、ダイ部と融液との濡れ広がりを再現性良く得ることが可能となる。従って、多品種少量生産が求められる場合であっても、同一の坩堝を用いてこれに対応することが可能となる。また、融液中に存在する添加元素の添加量を正確に把握することが可能となり、濡れ広がりの程度に関しても正確に制御することが可能となる。従って、同じ表面状態、表面形状を有する酸化物材料を再現性良く連続的に提供することも可能となる。なお、本出願人によれば、Auは濡れ性抑制の効果が最も大きく、他のIr、Pt、及びRhの抑制効果は、本発明が対象とする酸化物材料においてはAuに劣ることが確認されている。従って、Auに加えてIr、Pt、或いはRhの何れかを添加することによって、濡れ広がりの程度をより細かく制御し、再現性の程度を高めることも可能となる。また、このようなAuに他の元素を加えてこれを主たる原材料の構成物に添加する添加様式とすることによって、例えば酸化物材料としての物性上の添加元素の総量を適切な量としつつ、且つ濡れ広がりの程度も好適なレベルに制御するという効果も期待できる。ここで、原材料の融液とダイ部との濡れ性の程度を制御する上で、Ir、Pt、Au或いはRh、更にはこれらの混合物の添加量、更にはメニスカスにおけるこれらIr、Pt、Au或いはRh等の存在比率を好適に維持することが必要となる。本形態ではStep1の段階にて、適当な量のIr、Pt、Au或いはRh等を秤量し、これを添加して酸化物材料製造のための原材料を生成することとしている。これにより、原材料の融液とダイ部との濡れ性を適切に制御することが可能となる。当該材料を原材料とし、以降の結晶育成の工程を実施することによって、好適なランガサイト型の酸化物材料、更には単結晶が得られる。また、特に一部Al置換が為されたランガサイト型の酸化物材料においては、Ir、Pt、Au或いはRhは、そのAlを部分的に置換する様式にて含まれることにより、単結晶としての好適な物理特性、例えば圧電特性の維持を可能としていると考えられる。また、一部Ga置換が為されたランガサイト型構造においては、これらIr、Pt、Au或いはRhは、そのGaを部分的に置換する様式にて含まれることで、Al置換の場合と同様にこれに準じた効果が得られると考えられる。なお、上述した各酸化物材料においては、ここで述べたようにIr、Pt、Au或いはRhはAlを部分的に置換する様式にて該酸化物材料中に含まれることが好適と考えられる。しかし、Alが組成中に存在しない場合であっても、もしAlが添加された場合に存在すべき領域にIr、Pt、Au或いはRhが侵入することにより、これら元素の添加効果は維持されると考えられる。従って、これら元素の添加の効果は、Alの添加量がある量、例えば上限値の5を超えない範囲である場合にはAlの添加量に依存せずに或る程度有為に得られると考えられる。また、Al等が上限値を超えた場合には、これら元素の添加効果とトレードオフの関係で酸化物材料としての物性に有為な変化が生じる可能性がある。よって、これらIr、Pt、Au或いはRhの添加が為されるためには酸化物材料の組成が上述した範囲に存在することが必須となると考えられる。以上述べたように、本発明は、その一態様として、ランガサイト型構造を有する酸化物材料、特に単結晶を育成するための組成物であって、引下げ方法に供せされる原材料として、RE3Ga5XAlXSiO14、RE3Nb05Ga55XAlXO14、AE3TaGa3XAlXSi2O14、AE3NbGa3XAlXSi2O14からなる群に含まれる何れかを製造するための組成物からなる原材料であって、更に添加元素としてIr、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つを含有する、原材料を含む。また、同様に、La3Ga5XAlXSiO140≦X≦5、La3Ta05Ga55XAlXO14、La3Nb05Ga55XAlXO14、Ca3TaGa3XAlXSi2O14、Ca3NbGa3XAlXSi2O14、Sr3TaGa3XAlXSi2O14、及びSr3NbGa3XAlXSi2O140≦X≦3からなる群に含まれる何れかを製造するための組成物からなる原材料であって、更に添加元素としてIr、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つを含有する原材料も同様にその態様として含む。また、本発明の酸化物材料に関しては、好適な材料或いは結晶外形を得るという効果を目的とすることにより、その一態様として、RE3Ga5XAlXSiO14、RE3Ta05Ga55XAlXO14、RE3Nb05Ga55XAlXO14、AE3TaGa3XAlXSi2O14、AE3NbGa3XAlXSi2O14からなる群に含まれる組成を有し、且つ添加元素としてIr、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つを含有するランガサイト型構造を有する酸化物材料更にはその単結晶を含む。また、更なる態様として、La3Ga5XAlXSiO140≦X≦5、La3Ta05Ga55XAlXO14、La3Nb05Ga55XAlXO14、Ca3TaGa3XAlXSi2O14、Ca3NbGa3XAlXSi2O14、Sr3TaGa3XAlXSi2O14、及びSr3NbGa3XAlXSi2O140≦X≦3からなる群に含まれる何れかを構成するための組成を有し、且つ添加元素としてIr、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つを含有する酸化物材料更にはその単結晶を含む。更にこれら材料に関しては、添加されたIr、Pt、Au或いはRhは一部置換の様式にて該結晶に含まれるAl或いはGaを更に置換する様式にて、最終的な酸化物材料に包含されることで、より好適な物理的特性が得られる。従って、本発明の更なる態様として、先述したランガサイト型構造を有する酸化物材料において、置換Alを更に置換する様式のIr、Pt、Au或いはRhを含む酸化物材料を含む。更には、上述した酸化物材料からなる単結晶も、本発明の態様に包含する。Laを含有する酸化物材料を得ようとする場合、La2O3は常温での吸湿性が高いことから上述したStep1の作業時等において吸湿する恐れがある。実際のLa2O3の吸湿性を確認した結果について以下に述べる。図6は、原料粉末となるLa2O3の吸湿性に関して、当該粉末を大気中に放置した状態での時間の経過に対する重量の増加の割合を測定した結果を示す図である。時間の経過と共に重量が増加しており、大気中の水分を吸収している可能性が高いことが考えられる。図7は、原材料としてのCaCO3、La2O3、及びSrCO3の粉末について、大気中に一定時間放置した後に保持温度を上昇させた際の重量変化を示す図である。CaCO3及びSrCO3に関しては保持温度を上昇させても大幅な重量変化は生じていない。これに対してLa2O3は保持温度の上昇に伴って重量が減少している。図6に示した結果と併せて考えることにより、大気中に保持されたLa2O3は所謂吸湿状態にあり、保持温度の上昇に伴って吸湿されていた水分が蒸発し重量の減少が生じていると考えられる。吸湿された水分等は、最終的に得られる酸化物材料の組成を所定の比率からずらし、得られる結晶の脆化をもたらす。実際に吸湿した状態にあると考えられるLa2O3を用いてLa3Ta05Ga55O14の原材料粉末を調整した場合における該粉末の含有元素をX線回折装置XRDにより測定した結果を図8に示す。同図において黒丸にて示したピークは本来のLa3Ta05Ga55O14には存在しない化合物を示すピークであり、大気中に保持されていたLa2O3の使用によってLa2O3の秤量に有意な誤差が生じLa2O3の有意な不足が生じていることがわかる。従って、この様な原材料粉末を用いた場合には、酸化物材料の組成の比率が目標値からずれる可能性のあることが理解できる。このため、Laを含有する酸化物材料の場合には、調整充填の工程に更に水分の除去のための所謂仮焼き等の工程が必須となる。また、Laを含むランガサイト型酸化物材料は坩堝に対する濡れ性が高く、前述したAu等を添加した場合の濡れ性の変化の感度が大きい。従って、好適な結晶材料を得る際の添加量を厳密に制御する必要がある。これに対して、前述したCa、Sr等アルカリ土類金属元素を含有する酸化物材料の場合には、例えば炭酸塩等をもちいることで、吸湿という事象は考慮する必要が無く、またLa等の希土類金属を含有する酸化物材料の場合と比較して濡れ性の制御性が高くなる。また、本来アルカリ土類金属元素を含有する酸化物材料はそもそもGaの含有量が小さく、本来該Gaの揮発の影響も抑制しやすい系であると言える。Gaは前述した材料融液の坩堝に対する濡れ性を大きくする傾向を有するので、Gaの含有量が小さいことは、濡れ性の抑制、更には濡れ性の制御性の向上に寄与する。また、高価であるβGa2O3の必要量の低減は、希土類金属元素の代わりにアルカリ土類金属元素を主成分とすることと同様に、酸化物材料の原料コストを低減させ、製造コストの低減にも寄与する。以上の観点から、本発明においては、その一態様として、ランガサイト型構造を有する酸化物材料、特に単結晶を育成するための組成物であって、引下げ方法に供せされる原材料として、式AE3TaGa3XAlXSi2O141、式AE3NbGa3XAlXSi2O142からなる群に含まれる何れかを製造するための組成物からなる原材料であることがより好ましく、更に添加元素としてIr、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つを含有する、原材料を含む。また、Ca3TaGa3XAlXSi2O14、Ca3NbGa3XAlXSi2O14、Sr3TaGa3XAlXSi2O14、及びSr3NbGa3XAlXSi2O140≦X≦3からなる群に含まれる何れかを製造するための組成物からなる原材料であることがより好ましく、更に添加元素としてIr、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つを含有する原材料も同様にその態様として含むことがより好ましい。ここで、本発明では、原材料融液に対する溶出等の影響を無くす観点からPt製の坩堝の使用が現状最も好適と考えられている。しかし、Pt製の坩堝は1500°C近辺に軟化点を有し、シードの引下げを当該温度以上の高温で行う必要がある場合には、坩堝の変形に伴う酸化物材料の形状変化も考慮する必要がある。以上の観点から、酸化物材料或いはその単結晶には、1500°C以下、より好適には坩堝軟化点を確実に避け得る1470°C未満、更には1450°C未満の融点を有した、Sr3NbGa3XAlXSi2O140≦X≦3、Ca3TaGa3XAlXSi2O14、及びCa3NbGa3XAlXSi2O14、からなる群に含まれる何れかを構成するための組成を有することがより好ましく、且つ添加元素としてIr、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つを含有する酸化物材料更にはその単結晶を含むことがより好ましいと考えられる。前述したようにβGa2O3は揮発性が高く、含有量を低減することが好ましいと考えられる。該Ga元素をAl元素により置換したAl置換型の酸化物材料の場合、所謂オーダー型結晶であるアルカリ土類材料からなる系は、ディスオーダー型結晶の希土類材料からなる系よりも置換量を多くすることが可能である。また、AlはGaのように揮発することが無いことから、製造コストの低減と共に材料製造時の組成変動も抑制できる。また、Gaは前述した源材料融液の坩堝に対する濡れ性を大きくする傾向を有するが、Al置換を行うことによって濡れ性を抑制して濡れ性の制御性を向上させる効果も得られる。以上より、本発明ではGaの一部若しくは全量がAlにより置換された材料がより好適であると考える。即ち、本発明の酸化物材料に関しては、好適な材料或いは結晶外形を得るという効果を目的とすることにより、その一態様として、式AE3TaGa3XAlXSi2O141、式AE3NbGa3XAlXSi2O142からなる群に含まれる組成を有することがより好ましく、且つ添加元素としてIr、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つを含有するランガサイト型構造を有する酸化物材料更にはその単結晶を含むことがより好ましい。換言すれば、前述した材料の組成式においてX0の範囲を除外した0<X≦3の範囲でXの値が定められることがより好適である。また、同様の理由より、更なる態様として、Ca3TaGa3XAlXSi2O14、Ca3NbGa3XAlXSi2O14、Sr3TaGa3XAlXSi2O14、及びSr3NbGa3XAlXSi2O140<X≦3からなる群に含まれる何れかを構成するための組成を有することがより好ましく、且つ添加元素としてIr、Pt、Au或いはRhの内の少なくとも一つを含有する酸化物材料更にはその単結晶を含むことが好ましい。これら添加元素として用いられる材料に関しては、添加されたIr、Pt、Au或いはRhは一部置換の様式にて該結晶に含まれるAl或いはGaを更に置換する様式にて、最終的な酸化物材料に包含されることで、より好適な物理的特性が得られる。従って、本発明の更なる態様として、先述したランガサイト型構造を有する酸化物材料において、置換Alを更に置換する様式のIr、Pt、Au或いはRhを含む酸化物材料を含む。更には、上述した酸化物材料からなる単結晶も、本発明の態様に包含する。なお、上述した製造方法についての一形態では、Step1にてIr、Pt、Au及びRhの内の少なくとも一つを添加する場合を示した。しかし、上述したように、これら添加元素は複数を同時に用いても良い。また、更なる形態として、Step3、或いはStep4における坩堝孔から原材料の融液が漏出する直前即ち原材料の融解の際の適当なタイミングにて、適量のこれら元素が圧粉体或いは融液に添加される様式としても良い。具体的には、溶融状態にある原材料に対して細線等の状態のこれら元素或いはその混合物を接触させ、この接触部分から原材料の融液に対するこれら元素の拡散を図っても良い。なお、これら元素の添加方式は当該例に限定されず、溶融或いは気化状態のこれら元素の添加等、種々の様式が考えられる。当該様式によれば、原材料の融液に対するこれら元素の添加量の制御は難しくなる反面、例えば漏出部分近傍にてこれら元素を接触させることによって坩堝内に存在する原材料の融液でのIr、Pt、Au或いはRh原子の拡散等の挙動を考慮しなくても良くなる。また、例えば坩堝の開口部近傍にこれら元素を付着させる等によって存在させることとしても良い。当該方法によればIr、Pt、Au或いはRhの添加量の制御が困難となる反面、これら元素の添加の工程自体を削減して工程数を減らす効果が得られる。上述した酸化物材料の製造方法は、ここで示した以外の酸化物材料の製造方法に対しても適用可能である。本発明に係る製造方法を用いることで、原材料の融液とダイ部との濡れ性を好適に制御することによってこのような酸化物材料の外形を制御することが可能となる。従って、本発明においては種々の酸化物材料の製造方法も考慮して、シードとダイ部とが相対的に引き離される方向にシードが移動されるとして定義されることが好ましい。又この場合、この移動は所定の軸、本発明の例では引下げ軸に沿って為されることがより好ましい。また、本発明は、本発明におけるダイ部に相当する構成が存在しない、例えばチョクラルスキー法等に用いても良い。チョクラルスキー法等、坩堝を使用する結晶育成方法にあっては、坩堝を繰り返し使用することから、結晶育成終了後に坩堝内部に残存する原材料の確実な除去を行う必要がある。ところが、坩堝内壁面と原材料の融液との間の濡れ性が制御されておらず原材料の融液が広範に濡れ広がってしまった状態の場合、残存物の除去が非常に困難となる。本発明の如くAu等の添加を為した原材料を用いる、或いはAu等を含有した酸化物材料を育成する、ことにより、この濡れ性を制御することが可能となり、残存物の除去も従来と比して格段に容易となる。本発明は、ランガサイト型の構造を有する酸化物材料を対象とする。しかしながら、本発明の概念は当該酸化物材料に限定されず、その他の材料からなる結晶体であって、特に原材料の融液とダイ部との濡れ性に起因して結晶の表面等外形の変化が生じる引下げ方法において得られる材料、及びその製造方法に適用可能である。この出願は2010年10月13日に出願された日本国特許出願第2010-230705号からの優先権を主張するものであり、その内容を引用してこの出願の一部とするものである。