"物体Oを検出及び/又はスキャンするための超音波センサであって、基板1と、前記基板上に若しくは前記基板に配置及び/又は前記基板に接続した圧電センサユニット2とを含み、前記圧電センサユニット2から離れた側の前記基板1の裏面3が、複数の隆起部と凹部を含む表面構造4を有し、前記センサユニット2の方向から前記裏面3に入射する超音波を散漫散乱するように、及び/又は、前記隆起部及び/又は前記凹部の平均横方向範囲Lが0.05μmから1mm、好ましくは0.1μmから200μm、好ましくは0.2μmから20μmであり、及び/又は平均横方向範囲Lが、前記圧電センサユニット2により生じ得る超音波の波長以下となるように、前記表面構造4を構成すること、を特徴とする超音波センサ。20kHzから1GHzの範囲の周波数の超音波を送信及び/又は受信するように前記圧電センサユニット2を構成し、及び/又は、20kHzから1GHzの範囲の周波数の超音波を散漫散乱するように前記表面構造4を構成すること、を特徴とする先行する請求項に記載の超音波センサ。前記基板1がシリコン、特に結晶シリコンを含み、及び/又はシリコンウエハであり;又は前記基板がサファイヤ若しくは窒化ガリウムを含み、及び/又は、前記裏面3及び/又はその表面構造4が、ブラックシリコンを含み、及び/又は、前記基板1の前記裏面3のレーザ照射、イオン照射、特に反応性イオンエッチング若しくは深堀反応性イオンエッチング、及び/又は機械的材料除去によって、前記表面構造4の前記隆起部及び凹部を形成し、前記隆起部を好適には針形状に形成すること、を特徴とする先行する請求項のうちの一項に記載の超音波センサ。前記隆起部の平均高さA、前記凹部の平均深さ、及び/又は前記隆起部及び/又は前記凹部の前記センサ面に垂直な方向の平均範囲が、0.05μmから1mmの範囲、好ましくは0.1μmから200μm、好ましくは0.2μmから20μmであり、及び/又は、前記隆起部及び/又は凹部の前記高さA、深さ、及び/又は範囲と、前記平均横方向範囲Lとのアスペクト比a=A/Lが、0.2から50、好適には0.5から10であること、を特徴とする先行する請求項のうちの一項に記載の超音波センサ。前記圧電センサユニット2が、少なくとも1つの圧電素子5を含み、好適には前記圧電素子5が、1μmから100μmの範囲、好ましくは10μmから25μmの範囲の層厚を有し、及び/又は好適にはAlN又はZnOを含むこと、を特徴とする先行する請求項のうちの一項に記載の超音波センサ。前記圧電センサユニット2が、少なくとも1つの圧電素子5と、前記圧電素子5に対する外部からの圧力によって及び/又は前記圧電素子5に電圧を印加することによって前記圧電素子5に生じた電圧を検出するよう前記圧電素子5に接続した少なくとも2つの電気接点9、6とを含み、好適には前記圧電素子5に接続する少なくとも2つの電気接点9、6の間に前記圧電素子5のうちの少なくとも1つを配置すること、を特徴とする先行する請求項のうちの一項に記載の超音波センサ。超音波を送信する送信ユニットとして、超音波を受信する受信ユニットとして、又は超音波を送受信する送受信ユニットとして、圧電センサユニット2を構成し、及び/又は、前記基板1と共に前記圧電センサユニット2を少なくとも部分的に皮膜として形成すること、を特徴とする先行する請求項のうちの一項に記載の超音波センサ。複数の圧電センサユニット2を含み、これら複数の圧電センサユニット2の複数又は全てを、請求項5から7のうちの一項によって構成し、及び/又は、前記超音波センサを超音波テストヘッドとして構成すること、を特徴とする先行する請求項のうちの一項に記載の超音波センサ。特にまずレーザ照射、イオン照射、特に反応性イオンエッチング又は深堀反応性イオンエッチング、及び/又は機械的材料除去加工によって、前記基板1の前記裏面3に、特に結晶シリコンウエハの前記裏面に、前記表面構造4の前記隆起部及び前記凹部を形成し、その後コーティングプロセスによって、好適には陰極スパッタリングによって、PVDプロセスによって、及び/又はパルスマグネトロンスパッタリングによって、少なくとも1つの圧電層5と少なくとも2つの電気接点9、6を、前記裏面の反対側に位置する前記基板1の前面7上に層状に設けること、を特徴とする先行する請求項のうちの一項に記載の超音波センサを製造する方法。従来技術に鑑み、本発明は、キャリアの裏面と隣接媒体との間のバリア層による前述の妨害エコーを可能な限り最善且つ完全に抑圧できるものでありながら、形状が可能な限りシンプル且つコンパクトであり、また特に動的圧電薄膜の使用にも適し、応用の可能性の面でも可能な限り柔軟性を有する超音波センサを提供することを目的とする。以下、本発明をまず概説し、その後実施形態によって具体的に説明する。この点に関し、実施形態における組み合わせで実現される本発明の個々の、そして任意の有利な特徴は、実施形態で示す組み合わせのみで実現されるのではなく、本発明又は特許請求の範囲内の様々な組み合わせによって実現できる。また、実施形態の個々の特徴は省略してもよい。本発明の基本的な概念は、キャリア基板の裏面と隣接媒体との間のバリア層の妨害エコーが圧電センサ層又は圧電センサのセンサユニットまで戻らないように、超音波センサのキャリア基板以下、単に基板とも称するの前記裏面を設計することに基づく。これは、前記裏面に隆起部及び凹部を複数設けるように、即ち基板裏面が対応する表面構造を有するように、基板の裏面を形成することによって行う。当然のことながら、基板は複数の層を含む可能性があるため、この場合にはセンサユニットからもっとも離れた基板層の裏面を表面構造化することになる。しかし、選択した材料による必要性に応じて、複数層基板の複数の面又はバリア層に表面構造化又は深さ構造化を施すこともできる。このように構造化した基板の面又は裏面は、特にブラックシリコンの形態で構成することができる。ただし、サファイヤ又は窒化ガリウムを基板材料として使用する場合にも、基板の裏面に対応する深さ構造化を適用することが可能である。ある要素例えば圧電センサユニットを別の要素例えば基板上に又は別の要素に配置する、及び/又はその他の要素に接続することを本発明の範囲内及び以下の記載で述べる際には、1つ以上の更なる要素例えば不動態化層、保護層等を2つの要素の間に配置することを除外するものではない。本発明の範囲においては、散漫散乱に関して、散乱が起こった後に好適な方向における超音波の指向的伝播が生じず、超音波エネルギーがありとあらゆる方向へとさらに伝播し、超音波の散乱によってセンサユニットがエコーを全く又はわずかにしか検出できない状態と解釈する。横方向とは、超音波センサ及び/又はそのセンサユニットの層の面における方向と解釈する。これに垂直な方向、即ちセンサの面及び/又は基板例えばウエハの面に垂直な方向について、以下では代替的に深さ方向又は縦方向と称する。以下において、平均範囲例えば横方向、即ちセンサの層の面方向の平均範囲、又は層の面に垂直な方向における隆起部分の平均縦方向範囲についてふれた場合には、対応する平均は、複数の個々の値例えば個々の針形状隆起部の縦方向範囲の個々の値からの算術平均と理解されたい。本発明による超音波センサは基板と、該基板上に又は該基板に配置及び/又は該基板に接続した圧電センサユニットを含む。圧電センサユニットから離れた基板裏面に複数の隆起部及び凹部を設ける;これにより基板裏面に表面構造が導入される。表面を構造化する又は表面構造が備わることで、センサユニットの方向から即ちセンサの前面から、構造化した裏面に入射する超音波が散漫散乱することになる。隆起部及び/又は凹部は、0.05μmから1mmの範囲、好適には0.1μmから200μmの範囲、特に好適には0.2μmから20μmの範囲の平均横方向範囲を有する。この平均横方向範囲は、圧電センサユニットが基板の前面に生じ得る超音波の波長以下であり得る。基板の前面に取り付けた圧電センサユニットは、20kHzから1GHzの範囲の周波数の超音波を送信及び/又は受信するよう構成できる。ここで圧電センサユニットは、超音波を受信又は送信するよう構成した複数のサブユニットを含むようにしてもよい。送信及び/又は受信した超音波信号を評価する実施形態並びに評価アルゴリズムは、当業者には周知である例えば、対応する実施形態は特許文献1に記載されている。基板の裏面に構造化する表面構造は、前述の周波数範囲の超音波を散漫散乱するよう構成することができる。基板はシリコン、特に結晶シリコンが好適である。基板はシリコンウエハであり得る。ただし、サファイヤ又は窒化ガリウムを基板として使用してもよい。シリコンを基板として使用する場合、裏面及び/又はその表面構造は、ブラックシリコンの形態で構成することが好ましい。結晶シリコンの表面改質は、本発明の範囲内ではブラックシリコンとして以下のように理解される:例えば、超短レーザパルスによって又は基板裏面のシリコン表面を高エネルギーイオンにより照射することによって結晶シリコンが構造化され、好適に光学効果を有すると共に針形状を有する構造隆起部及び凹部が表面に生成される。シリコンにおける針形状の凹部及び隆起部は、当業者には公知の深堀反応性イオンエッチングによって形成できる。深堀イオンエッチングプロセスは、エッチングステップと不動態化ステップを交互に行う2段階交互ドライエッチングプロセスである。できる限り異方的にエッチングを行う、即ちウエハ表面に垂直な方向にエッチングを行うことが目的である。シリコン上の保護すべき領域を、例えばアルミニウム等でマスキングした後、中に基板を入れた原子炉に六フッ化硫黄SF6とキャリアガス通常はアルゴンを導入する。電気エネルギー例えば、誘導結合プラズマICP、又はマイクロ波の電子サイクロトロン共鳴によってを供給した後に、高エネルギーの高周波プラズマが形成され、SF6から反応ガスが生じるSF6イオン、フッ素ラジカルと酸素ラジカルを含むラジカルとして活性化したSF6分子がプラズマ中に生じる。電界におけるアルゴンイオンの加速と共に、基板上で等方性の化学エッチング反応を付加し、アルゴンイオンによる物理的な異方的な材料除去を行う。プラントのタイプによって、プロセスは50Paから1Paの低圧力で、好ましくは13.65MHzのRFプラズマ中で圧力範囲10Paから50Paで行う。エッチングプロセスを短時間で停止し、オクタフルオロシクロブタンC4F8とアルゴンのガス混合物を導入する。オクタフルオロシクロブタンが原子炉内でプラズマガスとして活性化され、フッ素を含む発生ラジカルと分子が基板全体、即ちマスクとシリコン及び縦方向のシリコン側壁の両方にポリマ状の不動態化層を形成する。水平面溝部底の不動態化層は、その後SF6によるエッチングステップを反復して行うことにより、エッチング反応の指向性物理要素イオンにより側壁の層よりかなり速く除去される。本発明による方法を用いれば、上からの堆積と側部からのポリマによって長尺状のシリコン柱を適所に残すことができる。このプロセスでは、1平方ミリメートルに数何百万の針を形成できるよう、プロセスを設定することができる。ハロゲンガスを充填した真空受容体内のシリコンが高エネルギー入力によってその空間的構造を変化させ、極めて高エネルギーのパルス化フェムト秒レーザ[フェムト秒1フェムト秒=10-15秒域で持続し、ギガワット又はテラワット域のピークエネルギーで光パルスを発するレーザ]でシリコン表面を照射することによりブラックシリコンが生じることは、当業者には周知である。本発明では、レーザ照射数百パルスにより針形状の表面を生成することができる。シリコンに生成されるブラック構造は、単結晶シリコン上に好適には10μmをわずかに上回る長さ基板面に対して垂直方向の長さと約1μm以下の直径を有し、シリコンガラス又はRIEガラスとも称する。DRIEdeepreactiveionetching深堀反応性イオンエッチング。基板裏面のかかるブラックシリコン層の1つの主な特徴は、入射する可視光線の吸収が増すことであり、これは前述の深堀構造又は表面構造の形成によってもたらされる深堀構造は、有効媒体の反射率を一定に推移させ、光が反射できる場所に鋭角な光境界面がなく、光は材料に緩やかに入射してほとんど反射されないため、シリコンが黒く見えることになる。表層構造の隆起部及び凹部その他の基板もは、レーザ照射、イオン照射、特に反応性イオンエッチング又は深堀反応性イオンエッチング、及び/又は基板裏面の微小機械による材料除去により、形成することができる。上述のように、隆起部は針形状に形成することが好ましい。隆起部の平均高さ、凹部の平均深さ、及び/又はセンサ面に垂直な隆起部及び/又は凹部の平均範囲以下では変数Aで示すは、0.05μmから1mmの範囲であることが好ましく、また0.1μmから200μmの範囲であることが好ましく、また特に好ましくは0.1μmから20μmの範囲である即ち、センサ面における隆起部及び/又は凹部の横方向範囲と同程度である。隆起部及び/又は凹部の前述の高さ、深さ、及び/又は範囲と平均横方向範囲以下では変数Lで示すのアスペクト比a=A/Lは、0.2から50、好ましくは0.5から10である。圧電センサユニットの圧電素子は圧電薄膜の形態で構成するのが好ましい。この層はAlN又はZnOからなるか、又はこの材料を含むことができる。センサユニットは1μmから100μm、好ましくは10μmから25μmの層厚を有する。センサユニットは前述のように、層面上に分布し各々が対応する薄膜素子を有する複数のサブユニットを含んでもよい。圧電素子又は圧電薄膜を励起して振動させる、及び/又は機械的圧力によって圧電素子又は圧電薄膜中に生じた電圧を測定するために、圧電センサユニット又は複数のサブユニットが存在する場合には前記サブユニットの各々は、圧電素子に接続する2つの電気接点を有し、電圧を検知及び/又は印加する。この際、これら2つの電気接点の間に圧電薄膜を挟持する形で、これら電気接点に直接隣接させて配置することが好ましい。電気接点は、例えば銅で製造することができる。圧電センサユニット又は対応するサブセンサユニットは、超音波を送信するように、又は超音波を受信するように、又は送信と受信を組み合わせて行う送受信ユニットように、構成することができる。例えば、センサユニット及び/又はサブユニットを自由発振させるべく、1つ以上のセンサユニットを形成した基板を薄膜として構成することができる。超音波センサは超音波テストヘッドの形態で構成してもよく、又はかかるテストヘッドに一体化してもよい。本発明によれば、適当なキャリア材料特にシリコン上に堆積した動的圧電薄膜に対して、音波散乱性の高い基板裏面が実現される。これは、イオンエッチングによって、又はレーザ加工による構造化によって、又はウエハ切断等の材料除去プロセスによって、ブラックシリコン技術を用いて実現できる。個々の加工プロセスにおける手順については、一般的に当業者には周知であり、以下に例をあげる:シリコンエッチング:1.FLarmer、ASchilp著:Methodofanisotropicetchingofsilicon、独国特許DE4241045号、1992年12月5日出願、1994年5月26日特許付与。2.WMenz、JMohr著:Microsystemtechnologyforengineers、VCHVerlag、ワインハイム、1997年、ISBN352730536X。3.GarySMay、SimonMSze著:FundamentalsofSemiconductorFabrication、WileySons、2003年、ISBN0-47145238-6。4.KanechikaM、SugimotoN、MitsushimaY著:Controlofshapeofsiliconneedlesfabricatedbyhighlyselectiveanisotropicdryetching、JourofVacuumScienceTechnologyB:MicroelectronicsandNanometerStructures、2002年7月、第20巻、I.4、1298から1302頁。5.HVJansenら著、theblacksiliconmethodauniversalmethodfordeterminingtheparametersettingofafluorinebasedreactiveionetcherindeepsilicontrenchetchingwithprofilecontrol、JournalofMicromechanicalMicroengineering51995、115頁から120頁。レーザ加工6.FritzKurtKneubuhl、MarkusWernerSigrist著:Laser、第6版、トイブナー、ウィースバーデン、2005年、ISBN3-8351-0032-7。7.JEichlerHJEichler著:LasersConstructionformsJetguidanceApplications、第5版、SpringerVerlag、ISBN3-540-00376-2。シリコンマイクロエンジニアリングマイクロメカニクス8.UlrichHilleringmann著:MicrosystemengineeringProcessstepsTechnologiesApplications、第1版、ViewegTeubner、2006年、ISBN3-835-10003-3。9.BruckRainer[編]BauerHansDieter:Appliedmicroengineering;LIGALasersPrecisionengineeringMunichViennaHanser、2001年、ISBN3-446-21471-2。超音波を散乱する裏面基板吸収層を有する基板を圧電薄膜センサに対して製造する際には、コーティングプロセス薄い圧電層及び対応する電気接点のコーティングの前に、対応する表面構造例えばブラックシリコンの表面を基板例えばシリコンウエハの裏面にまず供給する。これは前述のようにレーザパルス又は反応性イオンエッチングによって行うことができる。圧電センサ層と電極のコーティングは一般的に当業者には周知であり、例えばコーティングプロセスとして陰極スパッタリングプロセスを使用することができる。理論的には、RFスパッタリング等の全てのPVDプロセスを使用することができ、パルスマグネトロンスパッタリングプロセスが好適且つ適当である。この点に関しては、例えば以下を参照されたい:10.LeyensChristoph著:Interactionbetweenmanufacturingparametersandlayerpropertiesofselectedmetalandceramicsystemsinmagnetroncathodesputtering、デュッセルドルフ、VDIVerl、1998年。ProgressreportsVDISeries5Basicmaterialsworkmaterialsplastics534、ISBN3-18-353405-3。11.UKrause著:Thebehavioroftheelectricparametersinbipolarpulsemagnetronsputteringfortheexampleoftinoxideandzincoxide、2002年、HochschulschriftMagdeburgUnivDiss2001年。12.DGloss著:InfluenceofcoatingparametersontheparticleandenergyflowtothesubstrateandeffectsonselectedpropertiesoftitaniumoxidelayersinreactivepulsemagnetronsputteringDissFacultyforNaturalSciencesofChemnitzTechnicalUniversity,2006年。13.DDepla著:ReactivesputterdepositionBerlinHeidelberginteraliaSpringer,2008年Springerseriesainmaterialsscience109、ISBN978-3-540-76662-9。本発明によれば、例えば反応性イオンエッチングによって、隆起部及び凹部として溝、凹部、穴等を基板の裏面に形成することができる。例えば、凹部は数100μmの深さを有し、高いアスペクト比例えば2から50の範囲を有するよう形成することができる。これは基板裏面のエッチングと不動態化を交互に繰り返すことにより達成できる。ただし、エッチング中に底部に不動態化層をわずかに堆積させたまま、これをマスキングすることができる。プロセスが不動態化に移行した際に、形成した構造は以下のエッチングステップにおいて除去しない。基板面に対して垂直な表面は、ポリマ層を堆積できる所に生じる。例えば、長尺状のシリコン柱の形態で隆起部を残し、上からの堆積によりマスキングしたり、側部をポリマでマスキングしたりすることができる。1mm2に数百万の小さい針を形成できるよう、反応性イオンエッチングを行うことができる。極めて高エネルギーのパルス化フェムト秒レーザで照射することにより基板の裏面の空間構造を変更することで、針状の深堀構造化した面が生じる例えば針の平均長は300nm。プロセスは比較的容易に、そして一様に繰り返すことができる。以下、本発明を一実施形態に基づいて説明する。図1は、本発明による超音波センサの断面を示す図である。前述のように、単結晶シリコンウエハ1の裏面3には、深堀イオンエッチングによって針形状の隆起部及び凹部図2参照を複数含む表面構造4が備わる。ウエハ1の厚さは500μm、基板1の裏面3における個々の針形状の凹部の深さ又は隆起部の高さA、即ちウエハ1の裏面3のブラックシリコンにおける構造の深さは2μmから5μm、これら隆起部図2参照の横方向範囲は200nmから800nmである。その後マグネトロンスパッタリングプロセスにより、裏面3に対向するウエハの前面7に電子センサユニット2の個々の要素を配置する。ただし、ここではまず1μmから2μmの厚さの酸化ケイ素の絶縁層8をウエハ1の前面7上に堆積する。第1の電極金属化層又は電極層6ここでは150μm厚のアルミニウム層をこの電気絶縁層8に塗布する。この第1電極金属化層6上にAlNの圧電動的薄膜圧電層5をコーティングする。代替的に、例えばZnOを層材料として使用してもよい。ここでの圧電薄膜は5μmから25μmの層厚を有する。最後に、圧電層5の第1金属化層6とは反対側に、圧電薄膜5の第2の電気接点9をコーティングする。この接点は、第1金属接点6の厚さに対応した厚さを有するアルミニウム層接点である。このセンサユニット2は、要素5、6、及び9をそして、認識によっては層8を含む。以下の層構造は、超音波センサの表面構造4を有する裏面3から前面電気接点9の方を見て、表面構造4を有する裏面3と、シリコンウエハ1と、絶縁層8と、第1金属接点6と、圧電動的薄膜5と、第2金属接点9を有する。図示するセンサ1から9を、スキャン又は測定すべき外部の物体Oにセットすることができる。伝送/受信を組み合わせたユニットとして示す超音波センサの圧電センサユニット2において超音波を生成し、これを物体Oにカップリングすることができる前記超音波センサの詳細な構造については、例えば特許文献1により、当業者には周知である。物体の境界面において超音波が反射され、対応するエコー信号をセンサユニット2が検出して評価する。物体Oへの超音波又は超音波エネルギーのカップリングと同時に、超音波エネルギー又は超音波が基板キャリア1へとカップリングしても、キャリア基板1の深堀構造4を有する裏面3においてこれら超音波が散漫反射することにより、エコーは測定されない裏面3で反射された超音波の無指向性後方散乱。よって、図示する超音波センサ1から9により妨害エコー信号が回避され、物体Oのスキャンにおける測定精度も向上する。図2は、図1に示す超音波センサの裏面3又はその表面構造4の一例を電子顕微鏡画像で示した図である:図2の左図は10,000倍率の電子顕微鏡画像を示し、図2の右図は高倍率拡大係数50,000の画像を示す。シリコンウエハ1の裏面3に形成した個々の針形状の隆起部とブラックシリコンの個々のシリコン針が容易に確認できる。2つのシリコン針の平均横方向離間Lは、約2μmから5μm、平均高さAは10μmから20μmであり、これは1平方ミリメートルあたり約2百万本の針が存在することに相当する。圧電センサユニット2又は2、8絶縁層8はセンサユニット2の一部と考えることができるに対するシリコン吸収層1、3、4の構造において、前述のプロセスによりブラックシリコンの層を下面又は裏面3においてシリコン基板1に塗布する。圧電薄膜センサユニット2、8の製造プロセスは、シリコンウエハ1の上面又は前面7において行う:酸化ケイ素の絶縁層8を塗布した後、第1薄膜電極金属化層6を塗布し、その後動的圧電材料5を塗布する。最後に、第2の薄膜電極金属化層9を塗布する。本発明によれば、層状センサ素子2に対するキャリア基板1からの妨害超音波エコーを散乱させることができるため、動的面超音波センサの前面に連結した媒体若しくは物体Oから戻ってくるエコーに妨害超音波エコーが大きな影響を及ぼすことがない。圧電超音波薄膜センサの応用分野を各段に広げることが可能である。測定する物体にセンサを直接適用する必要がないこと、そして裏面境界層として空気を用いる必要がないこと、そして非常に薄いキャリア基板を使用する必要がないことから、本発明を用いて高周波超音波テストヘッドを容易に製造することができる。本発明の実質的な核となるのは、例えば1μm未満の構造幅と、例えば数100nmの構造深さを有する凹凸を多く含む面によりキャリア基板の裏面に電子音響的吸収層を形成し、この裏面に対向する前側又は前面に薄膜技術による圧電センサユニットを設けることである。本発明による超音波センサ又は薄膜超音波センサは、薄膜の破壊フリー材質試験において、又はプロセス監視において、又は極一般的には任意の所望の超音波センサ機能に対して、その品質の確かさを実現できる。特に、本発明によれば高周波超音波テストヘッドも実現できる。"