"窒化物半導体基板の上に、2次元フォトニック結晶を備えたフォトニック結晶面発光レーザの製造方法であって、前記窒化物半導体基板として、該窒化物半導体基板のC軸が該窒化物半導体基板の法線と該窒化物半導体基板の主面との双方から傾いた構造を有する窒化物半導体基板を用い、前記窒化物半導体基板の上に、活性層を含む窒化物半導体層を成長させる成長工程と、前記窒化物半導体層に、エッチングマスクを用いて前記2次元フォトニック結晶を形成するための細孔をエッチングにより形成するエッチング工程と、前記細孔が形成された窒化物半導体層を、窒素を含む原料雰囲気下で該窒化物半導体層を構成する原子を輸送させる熱処理を行い、該熱処理によって該細孔の深さ方向の形状を上下非対称に変化させる熱処理工程と、を有することを特徴とするフォトニック結晶面発光レーザの製造方法。前記C軸と前記法線のなす角度が、前記C軸と前記法線で形成される平面で断面視したときの、{1_101}面と000_1面がなす角度に等しいことを特徴とする請求項1に記載のフォトニック結晶面発光レーザの製造方法。前記C軸と前記法線のなす角度が、58度以上、62度以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のフォトニック結晶面発光レーザの製造方法。前記窒化物半導体基板のA軸が、前記C軸と前記法線とで形成される平面上にあることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のフォトニック結晶面発光レーザの製造方法。前記熱処理工程において、エピタキシャル成長温度で熱処理を行うことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のフォトニック結晶面発光レーザの製造方法。前記窒化物半導体層を構成する窒化物半導体がGaNであって、前記熱処理工程において1000°C以上、1200°C以下の範囲で熱処理を行うことを特徴とする請求項5に記載のフォトニック結晶面発光レーザの製造方法。前記エッチング工程において、前記エッチングマスクの開口部が、前記窒化物半導体基板のC軸を前記窒化物半導体の主面に射影した方向に向かって広くなる形状を有することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のフォトニック結晶面発光レーザの製造方法。前記エッチング工程において、前記エッチングマスクの開口部の少なくとも1辺が、前記窒化物半導体層の000_1面または{1_101}面を前記主面で断面視したときの方向と平行であることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のフォトニック結晶面発光レーザの製造方法。前記2次元フォトニック結晶が正方格子または直交格子であって、前記2次元フォトニック結晶の単位格子ベクトルが、前記C軸を前記主面に射影した方向と平行であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載のフォトニック結晶面発光レーザの製造方法。前記C軸と前記法線のなす角度が、前記C軸と前記法線で形成される平面で断面視したときの、{1_101}面と000_1面がなす角度の半分よりも大きいことを特徴とする請求項9に記載のフォトニック結晶面発光レーザの製造方法。前記活性層の物性利得の支配的な偏光方向が、前記C軸を前記主面に射影した方向と前記法線に垂直な方向であることを特徴とする請求項9または請求項10に記載のフォトニック結晶面発光レーザの製造方法。前記フォトニック結晶面発光レーザの発光波長が、緑帯域であることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載のフォトニック結晶面発光レーザの製造方法。しかしながら、上記従来例の特許文献2のようなフォトニック結晶面発光レーザにおいて、上下非対称な大きさを持つ構造体を精度良く製造することは困難であるという課題を有している。すなわち、特許文献2では、上下非対称な大きさを持つ構造体を、パターニング工程とエッチング工程を複数回繰り返す、いわゆる多段エッチングの方法を用いて製造する方法が開示されている。しかし、多段エッチングを用いた場合、複数回のパターニング工程間の位置あわせが必要になる。特に、フォトニック結晶面発光レーザを形成する周期構造体の場合は、構造体の大きさが小さいため、位置合わせへの要求精度が高い。従って、このような特許文献2に開示されている手法を用いて、フォトニック結晶面発光レーザにおける上下非対称な周期構造体を精度良く製造することは困難である。本発明は、上記課題に鑑み、上下方向へのビームの射出割合を制御する、上下非対称な大きさを持つ構造体を製造する際に、このような構造体を精度良く容易に製造することが可能となるフォトニック結晶面発光レーザの製造方法の提供を目的とする。本発明のフォトニック結晶面発光レーザの製造方法は、窒化物半導体基板の上に、2次元フォトニック結晶を備えたフォトニック結晶面発光レーザの製造方法であって、前記窒化物半導体基板として、該窒化物半導体基板のC軸が該窒化物半導体基板の法線と該窒化物半導体基板の主面との双方から傾いた構造を有する窒化物半導体基板を用い、前記窒化物半導体基板の上に、活性層を含む窒化物半導体層を成長させる成長工程と、前記窒化物半導体層に、エッチングマスクを用いて前記2次元フォトニック結晶を形成するための細孔をエッチングにより形成するエッチング工程と、前記細孔が形成された窒化物半導体層を、窒素を含む原料雰囲気下で該窒化物半導体層を構成する原子を輸送させる熱処理を行い、該熱処理によって該細孔の深さ方向の形状を上下非対称に変化させる熱処理工程と、を有することを特徴とする。本発明によれば、上下方向へのビームの射出割合を制御する、上下非対称な大きさを持つ構造体を製造する際に、このような構造体を精度良く容易に製造することが可能となるフォトニック結晶面発光レーザの製造方法を実現することができる。以下に、本発明の実施形態におけるフォトニック結晶面発光レーザの製造方法について説明する。なお、以下の各実施形態の間での説明において、同一の構成要素については同一の符号を付して説明する。[実施形態1]実施形態1として、本発明を適用したフォトニック結晶面発光レーザの製造方法におけるフォトニック結晶面発光レーザ100の製造工程を、図1及び図2を用いて各工程毎に順次説明する。まず、前処理工程を行う。図1aに示す成長工程について説明する。窒化物半導体基板101に、n型窒化物半導体層102、活性層103、p型窒化物半導体層104を、例えばMOCVD法等によって、順次、エピタキシャル成長させる。窒化物半導体基板101のC軸[0001]方向は、窒化物半導体基板101の法線111から、0度と90度でない角度θだけ傾いている。即ち、C軸は窒化物半導体基板101の法線111、主面112の双方から傾いている。窒化物半導体とは、AlN、InN、GaNまたは、これらの混晶を意味する。活性層103は、n型窒化物半導体層102およびp型窒化物半導体層104のバンドギャップよりも狭いバンドギャップを持つ窒化物半導体から形成される。活性層103は例えば多重量子井戸を用いる。次に、図1b、図1cに示すエッチング工程を行う。p型窒化物半導体層104上に、プラズマCVDやスパッタ等によって、エッチングマスク105を成膜する。エッチングマスク105の材料は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンを用いる。その後、電子線リソグラフィ等によってレジストからなるフォトニック結晶パターンを作製する。続いて、レジストをマスクとしたドライエッチングにより、2次元フォトニック結晶を有するエッチングマスク105を形成する図1b。ここでのドライエッチングに用いるガスとしては、例えば、CF4やCHF3を用いることができる。その後、エッチングマスク105をマスクとしたドライエッチングにより、p型窒化物半導体層104に、2次元フォトニック結晶を有する細孔106を形成する。ここで細孔106を形成する際に用いるガスとしては、例えば、Cl2、HCl、CCl3、HBr、HIのいずれかのガスと、He、Ar、Xe、N2のいずれかのガスとの混合ガスを用いることができる。続いて、エッチングマスク105を、例えばフッ酸に浸すことによって除去する図1c。エッチングマスク105の2次元フォトニック結晶は、正方格子、直交格子、三角格子、斜方格子のいずれかを用いる。格子点形状は円や三角形や四角形などの多角形とする。続いて、図1dに示す熱処理工程を行う。この熱処理工程では、細孔106でマストランスポートを生じさせ、細孔106の表面に、p型窒化物半導体層104を構成する窒化物半導体の結晶面107を形成する。同時に、窒化物半導体を成長させ、細孔106をp型窒化物半導体層104中に埋め込む。この際、窒化物半導体基板101のC軸が、窒化物半導体基板101の法線111および主面112から傾いているために、細孔106の深さ方向の形状が上下非対称に変化する。以下に、上記熱処理工程について、図3~図8を用いて詳細に説明する。まず、マストランスポートにおける結晶面107形成について説明する。マストランスポートとは、熱エネルギーによって原子が表面から脱離して輸送された後、表面エネルギーが小さくなる位置で再吸着する現象である。即ち、マストランスポートによって形成される面107は結晶構造によって決定される。窒化物半導体の場合、マストランスポートで形成される面は000_1面と{1_101}面、あるいはより高指数の斜めの面が形成され易い。中でも、低指数の000_1面と{1_101}面が特に形成され易い。従って、C軸と法線111とのなす角度θによらず、000_1面と、{1_101}面が細孔106の表面に形成されることになる。図3~図8は、窒化物半導体基板101のC軸と法線111とのなす角度と、熱処理工程後に形成される細孔106の形状について示した図面である。図3~図5は窒化物半導体基板101のA軸[11_20]がC軸と法線111とで形成される平面上にあるときを示す図である。また、図6~図8は窒化物半導体基板101のM軸[1_100]がC軸と法線111とで形成される平面上にあるときを示す図である。各図の上半分はB-B ́面から矢印の方向を見た時の細孔106の平面図、下半分は細孔106をA-A ́面で切断した断面図である。図5f、図8fのように、θ=0、即ちC軸が法線111と平行な場合、上側にも下側にも結晶面{1_101}が形成されるため、深さ方向に上下対称な細孔が形成される。図3aや図6aのようにθ=90度、即ちC軸が主面112と平行な場合、主面112内に平行なC軸に対して、結晶面{1_101}が線対称であるため、深さ方向に上下対称な細孔が形成される。しかし、θ=0度、90度以外の場合、法線111からも主面112からも傾いたC軸に対して、結晶面{1_101}が線対称となっている。そのため、図3b~図5e、図6b~図8eに示すように、深さ方向に上下非対称な孔が形成される。即ち、C軸が法線111および主面112から傾いている窒化物半導体基板101を用いることで、熱処理工程にて細孔106の深さ方向の形状が上下非対称に変化する。C軸と法線111がなす角度θは、C軸と法線111で形成される平面で断面視したときの、{1_101}面と000_1面がなす角度αに近いほど、細孔106の上下非対称性が大きくなるため好ましい。例えば、GaNの場合、C軸を法線111からA軸方向に傾けた場合は角度α=58度、C軸を法線111からM軸方向に傾けた場合は角度α=62度である。C軸を法線111からA軸とM軸の間に傾けた場合は、角度αは58度と62度の中間の値を取る。即ち、角度αは58度以上、62度以下である。図4cはθ=58度=角度α、図7cはθ=62度=角度αの時の、細孔106の形状である。この時、孔の下側の{1_101}面は主面112に対して平行になる。一方、孔の上側の{1_101}面と0001面は、立面図において左右対称に上に凸となる。従って、角度θが上記した角度αに近いほど、細孔106の上下非対称性が大きくなるため好ましい。また、法線111はC軸からA軸方向に傾けた方が、細孔106の上下非対称性が大きくなるため、好ましい。すなわち、A軸がC軸と法線111とで形成される平面上にある方が好ましい。図9は、法線111をC軸から傾ける方向をA軸からM軸に向かって変えた時の、熱処理工程後に形成される細孔106の断面図である。図9よりわかるように、傾ける方向をM軸からA軸に傾けるにつれて、断面視したときの000_1面と、{1_101}面のなす角度βが小さくなる。従って、M軸からA軸に傾けるにつれて細孔106はより上に凸になり、細孔106の上下非対称性が大きくなるため、好ましい。次に、熱処理工程を行う条件について説明する。熱処理工程では、p型窒化物半導体層104からの窒素の脱離を抑えるために、V族である窒素の原料雰囲気下中で行う。V族の供給源は、例えばN2やNH3を用いる。熱処理工程を行う温度は、p型窒化物半導体層104を形成する窒化物半導体がマストランスポートを生じ、結晶面107が形成される条件であれば良い。具体的には、エピタキシャル成長温度まで基板を加熱すれば十分である。エピタキシャル成長温度とは、半導体結晶を結晶性良く成長するための温度であり、例えばGaNでは1000°C以上、1200°C以下の範囲である。エピタキシャル成長温度より高い温度で熱処理を行った場合、表面の原子の一部が蒸発してしまうため、エピタキシャル成長温度以下で熱処理を行った方が良い。一方、エピタキシャル成長温度より小さい温度でも、原子の拡散がわずかに生じて結晶面107が形成されるため、エピタキシャル成長温度より小さい温度で熱処理を行っても良い。例えば,GaNの場合、800°Cでも原子の拡散が生じる。但し、熱処理の温度がエピタキシャル成長温度である方が、原子の輸送に十分な熱エネルギーが与えられ、結晶面107が形成されやすいため好ましい。次に、上記図1a~図1dの前処理工程に続く工程として、図2e~図2gに示す後処理工程を行う。まず、熱処理工程にて、上下非対称な細孔106を形成した後、電極とオーミックコンタクトを取るためのp型コンタクト層108を、エピタキシャル成長させる図2e。その後、p型コンタクト層108上に、p型電極109を電子線蒸着やスパッタ等によって作製する。p型電極109の材料は、例えばNi/Auを用いればよい。更に、n型電極110を窒化物半導体基板101の下部に、電子線蒸着やスパッタ等によって作製する図2f。n型電極110の材料は、例えばTi/Alを用いればよい。また、図2gに示すように、n型電極110をn型窒化物半導体層102の上部に設けても良い。この場合、p型コンタクト層108、p型窒化物半導体層104、活性層103の一部をパターニングとエッチング等によって除去してから、n型電極110を作製すれば良い。このようにして、図1及び図2に示す工程によって、フォトニック結晶面発光レーザ100が完成する。なお、実施形態1ではp型窒化物半導体層104中に細孔106を設けたが、細孔106は別の層に設けても良い。例えば、n型窒化物半導体層102を成長させた後にエッチング工程、熱処理工程を行い、その後に活性層103とp型窒化物半導体層104を成長させることで、細孔106をn型窒化物半導体層102に設けても良い。同様に、細孔106を活性層103に設けても良いし、複数の層に細孔106がまたがっていても良い。但し、活性層103に細孔106を形成した場合、後の熱処理工程でダメージを受けるため、細孔106はp型半導体層103またはn型半導体層104に設けたほうが良い。[実施形態2]実施形態2におけるフォトニック結晶面発光レーザ200の製造方法は、実施形態1におけるフォトニック結晶面発光レーザ100の製造方法に対し、エッチング工程時のエッチングマスクに限定を加えたものである。図10は、実施形態1、2における熱処理工程において用いるエッチングマスク105、205の開口部の形状と、エッチング工程において形成される細孔106、206の平面視形状を示した図面である。実施形態2で用いるエッチングマスク205の開口部は、C軸を窒化物半導体110の主面112に射影したX1方向に向かって広くなる形状である。エッチングマスク205を用いた方が、エッチングマスク105を用いるよりも、熱処理工程にて所望の結晶面207が得られやすいため好ましい。なぜなら、エッチングマスク205の開口部形状の方が、エッチングマスク105の開口部形状よりも、熱処理工程にて形成される結晶面000_1と{1_101}の平面視形状に近いからである。図10cのように、エッチングマスク205の開口部の少なくとも1辺が、結晶面000_1面または{1_101}面を主面112で断面視したときの方向と平行であると、更に所望の結晶面207が得やすくなり、好ましい。[実施形態3]実施形態3におけるフォトニック結晶面発光レーザ300の製造方法は、実施形態1におけるフォトニック結晶面発光レーザ100の製造方法に対し、エッチング工程時のエッチングマスクに実施形態2とは異なる限定を加えたものである。実施形態3では、熱処理工程にて形成される細孔の平面視形状に注目する。特開2004-296538号公報には、正方格子または直交格子状のフォトニック結晶の格子点形状を180度の回転対称性を持たない形状にすることで、射出ビームの形状を偏光の揃った単峰性にできることが開示されている。このような形状においては、非対称性が大きいほど、偏光の揃った単峰の射出ビームを得るのが容易である。図5f、図8fに示すように、C軸が法線111と一致する窒化物半導体基板101を用いた場合、熱処理工程後の細孔106を平面視した時の形状は、{1_101}面を反映して正六角形になる。即ち、格子点形状が180度の回転対称性を有する。一方、C軸が法線111から傾いている場合、細孔106を平面視した時の形状が180度の回転対称性を有さない多角形となる図11。この時、図12に示すように、C軸の主面112への射影方向をフォトニック結晶パターンの単位格子ベクトルの方向とすれば、180度の回転対称性を持たない格子点形状が得られる。以上より、正方格子または直交格子状のフォトニック結晶パターンを有するエッチングマスク305を用い、C軸の主面112への射影方向と単位格子ベクトルの方向と一致させた場合、偏光の揃った単峰状の射出ビームが得られるため、好ましい。具体的には、図12のように、C軸の主面112への射影であるX1方向と基板の法線111に垂直なX2方向に沿った直線偏光の射出ビームが得られる。なぜなら、格子点形状がX1方向に対して線対称であって、X2方向に沿って線対称でないためである。射出ビーム制御の観点からは、細孔106を平面視したときの形状の非対称性が大きい方が好ましい。図3~図8からわかるように、法線111とC軸がなす角度θが大きい方が好ましい。特に、C軸と法線111のなす角度θが、角度αの半分よりも大きく傾けた方が好ましい。図4d、図7dに、角度θと角度αの半分が一致するときの細孔106の形状を示した。図よりわかるように、角度θが角度αの半分より小さければ、細孔106の平面視形状の輪郭が回転対称性を有する六角形となる。一方、角度θが角度αの半分より大きければ、細孔106の平面視形状の輪郭も、180度の回転対称性を有さない多角形となる。従って、角度θが角度αの半分より大きい方が、孔の非対称性が大きく、好ましい。[実施形態4]実施形態4におけるフォトニック結晶面発光レーザ400の製造方法は、実施形態3におけるフォトニック結晶面発光レーザ300の製造方法に対し、活性層に限定を加えたものである。実施形態4では、C軸が傾いた基板の法線から傾いた窒化物半導体基板を用いた場合、エピタキシャル成長される活性層の利得が、結晶構造の異方性を反映して面内で偏光の異方性を有することに注目する。窒化物半導体基板の結晶構造はC軸に対して回転対称な六方晶であるため、C軸と基板の法線が一致した窒化物半導体基板を用いた場合、結晶構造は面内で異方性を有さない。一方、C軸が基板の法線111から傾いている場合、C軸を基板の主面112に射影したX1方向と、X1方向と基板の法線111とにともに垂直なX2方向とでは、結晶構造が異なる。従って、C軸が基板の法線111から傾いた基板上に成長された活性層403は、結晶構造の異方性を反映して、X1方向の偏光とX2方向の偏光間で物性利得の大きさが異なる。一方、実施形態3で述べたように、エッチングマスク305を用い、C軸の主面112への射影方向と単位格子ベクトルの方向と一致させた場合、X2方向偏光の単峰状の射出ビームが得られる。即ち、フォトニック結晶面発光レーザ300、400のフォトニック結晶ではX2偏光のモードが支配的である。そこで、フォトニック結晶面発光レーザ400では、活性層403の物性利得の支配的な偏光方向を、C軸の主面112への射影であるX1方向と基板の法線111に垂直なX2方向に一致させる。その結果、活性層403から得られる誘導放出光の支配的な偏光方向と、フォトニック結晶で支配的なモードの偏光方向が一致し、フォトニック結晶面発光レーザ400の閾値が下がるため、好ましい。例えば、活性層403をIn03Ga07N5nm/GaN10nmの量子井戸を用い、C軸と窒化物半導体基板の法線111のなす角度θを85度とした場合、フォトニック結晶の支配的な偏光モードと、量子井戸の持つ物性利得の支配的な偏光方向が一致する。一般に、窒化物半導体を用いた半導体レーザでは、発光波長が長波長であるほど、活性層の物性利得が低下することが知られている。この原因の一つとして、基板を構成する窒化物半導体の格子定数と、活性層を構成する窒化物半導体基板の格子定数の相違に起因した歪によって生じる内部電界が挙げられる。発光波長が長い半導体レーザほど、内部電界による物性利得の低下が大きい。この内部電界による物性利得の低下を防止するために、特に緑帯域の発光波長500~530nmの半導体レーザでは、C軸が傾いた基板を用いる手法が知られている。C軸が傾いた基板を用いる事で、格子定数の相違を緩和し、内部電界を低減して、物性利得の低下を防ぐ手法である。以上より、特に本発明を発光波長が緑帯域である活性層をもつフォトニック結晶面発光レーザに適用すれば、内部電界の低減も同時に実現できるため好ましい。本発明の実施例として、実施形態1におけるフォトニック結晶面発光レーザ100の製造方法を適用した構成例について説明する。他の実施形態におけるフォトニック結晶面発光レーザの製造方法を適用した例については、上記実施形態1のフォトニック結晶面発光レーザ100の製造方法との差分について説明する。まず、基板の法線111がC軸からA軸方向に58度傾いたGaN基板上に、MOCVD法を用いて、窒化物半導体を図13に示す層構成になるように、p-GaN層104まで順次積層する。ドーパントはドナーとしてSi、アクセプタとしてMgを用いる。次に、CVDによってSiO2からなる膜を150nm成膜する。次に、電子線リソグラフィによってレジストにフォトニック結晶パターンを作製する。フォトニック結晶は、直径64nmの円孔を周期160nmで周期的に並べた正方格子からなる。続いてレジストをマスクとし、CF4ガスを用いてSiO2をドライエッチングする。その後、残ったSiO2をマスクとし、Cl2ガスを用いてGaN、Al008Ga092Nをエッチングし250nmの孔を形成する。最後にフッ酸でSiO2を除去する。このようにして、2次元フォトニック結晶状に配列された細孔が形成される。次に、NH3ガス雰囲気中で、基板を1100°Cまで加熱する。この時、ガスの流量は、N2ガスを5slm、NH3ガスを10slmとした。基板温度が1100°Cに到達したら温度を1100°Cに保ち10分間熱処理する。エピタキシャル成長温度で熱処理を行うことで、結晶面000_1と{1_101}が形成され、上下非対称な細孔が形成される。その後、MOCVD法を用いてMgドープ濃度1×1020cm3のGaNからなるp型コンタクト層108を50nm成長させる。そして、p側にNi10nm/Au40nmからなるp型電極108、n側にTi20nm/Al100nmからなるn型電極109を蒸着することで、フォトニック結晶面発光レーザ100が完成する。つぎに、上記実施形態1以外の他の実施形態におけるフォトニック結晶面発光レーザの製造方法を適用した例について説明する。実施形態2におけるフォトニック結晶面発光レーザ200の製造方法を適用した例では、レジストに作製するフォトニック結晶パターンを、図10cに示すような五角形を周期160nmで周期的に並べたパターンに変更する。フォトニック結晶パターンの格子点形状が、結晶面000_1面および{1_101}面を主面112で断面視した形状となっているため、熱処理工程において所望の結晶面が得られ易い。また、実施形態3におけるフォトニック結晶面発光レーザ300の製造方法を適用した例では、レジストからなるフォトニック結晶パターンに限定を加える。具体的には、直径64nmの円孔を周期160nmで周期的に並べた正方格子を、片方の単位格子ベクトルがC軸を主面112に射影した方向と平行になるようにする図12。熱処理工程後、フォトニック結晶パターンの格子点形状が、180度の回転対称性を持たない形状となり、偏光のそろった単峰性の射出ビームを得るフォトニック結晶面発光レーザを製造することが可能となる。また、実施形態4におけるフォトニック結晶面発光レーザ400の製造方法を適用した例では、フォトニック結晶面発光レーザ300の製造方法に対し、MOCVD法で成長する量子井戸と、窒化物半導体基板に限定を加える。具体的には、In03Ga07N5nm/GaN10nmの量子井戸を用い、C軸と窒化物半導体基板の法線111のなす角度を85度とする。フォトニック結晶の支配的な偏光モードと、量子井戸の持つ物性利得の支配的な偏光方向が一致するため、閾値の小さいフォトニック結晶面発光レーザを製造することが可能となる。"