"基板を加熱することができる波長の光を照射する複数の発光ダイオードを備える加熱源と、上記加熱源から照射された光により加熱され、その熱を基板に伝達する伝熱板と、を備え、上記伝熱板の上記加熱源と対向する面に、上記発光ダイオードから照射される光の反射を抑制する反射防止層を形成した、ことを特徴とする熱処理装置。請求項1に記載の熱処理装置において、上記伝熱板が、該伝熱板の表面に支持ピンを介して基板を載置する載置台である、ことを特徴とする熱処理装置。請求項1又は2に記載の熱処理装置において、上記伝熱板が、シリコン,炭化シリコン、銅、アルミニウム又は窒化アルミニウムのいずれかの材質の板部材である、ことを特徴とする熱処理装置。請求項1又は2に記載の熱処理装置において、上記伝熱板が、反射防止層を形成した伝熱板本体と、該伝熱板本体の基板側面に接合される伝熱表層板からなる、ことを特徴とする熱処理装置。請求項4に記載の熱処理装置において、上記伝熱板本体が、シリコン製板部材又は炭化シリコン製板部材であり、上記伝熱表層板が、銅製板部材,アルミニウム製板部材又は窒化アルミニウム製板部材のいずれかである、ことを特徴とする熱処理装置。請求項1ないし5のいずれかに記載の熱処理装置において、上記反射防止層は、上記発光ダイオードから照射される光の波長以上の深さを有する凹凸面にて形成されている、ことを特徴とする熱処理装置。請求項1ないし5のいずれかに記載の熱処理装置において、上記反射防止層は、上記伝熱板の上記加熱源と対向する面に成膜される反射防止膜にて形成されている、ことを特徴とする熱処理装置。請求項1ないし7のいずれかに記載の熱処理装置において、上記伝熱板と基板との間に空気より熱伝導率が高いガスを供給する、ことを特徴とする熱処理装置。請求項1ないし8のいずれかに記載の熱処理装置において、上記加熱源と上記伝熱板を基板の表裏面側に配設してなる、ことを特徴とする熱処理装置。請求項1ないし9のいずれかに記載の熱処理装置において、上記加熱源を構成する複数の発光ダイオードを複数に区画された領域に配設すると共に、区画された領域の発光ダイオード群の領域単位毎を制御手段によって制御可能に形成してなる、ことを特徴とする熱処理装置。しかしながら、熱板をヒータ線で常時加熱して設定温度90°C~300°C程度を保つことは、基板を熱処理しない場合も加熱していることとなり、エネルギの損失をきたす。エネルギの省力化を図る手段として、基板を熱処理しない時間帯はヒータ線の加熱を切ることが考えられる。しかし、一旦温度が下がった熱板を再度ヒータ線で加熱して90°C~300°C程度まで昇温するには時間がかかり、スループットの低下を招く。そこで、発明者は鋭意研究し、発光ダイオードLEDの光の波長を例えば880nmを用いてシリコンウエハの昇温との関係を調べた結果、真空中においては、図14に示すように、10秒で600°C以上まで昇温できることが判り、また、空気中においては、図15に示すように、LEDとシリコンウエハとの距離を36mm,17mmと変えた場合、3秒で250°C17mm,175°C36mm昇温でき、10秒で600°Cまで温度上昇できることを知見した。しかし、発光ダイオードの光を直接基板に照射すると、基板の光が当たる面が鏡面であると反射が起こり、光エネルギを効率的に基板に伝達できないという問題がある。この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、光エネルギを効率よく熱エネルギに変換して、基板の熱処理時のみ加熱し、処理しない時間帯の加熱を停止してエネルギの損失を抑制する熱処理装置を提供する。上記課題を解決するために、この発明に係る熱処理装置は、基板を加熱することができる波長の光を照射する複数の発光ダイオードを備える加熱源と、上記加熱源から照射された光により加熱され、その熱を基板に伝達する伝熱板と、を備え、上記伝熱板の上記加熱源と対向する面に、上記発光ダイオードから照射される光の反射を抑制する反射防止層を形成した、ことを特徴とする。ここで、基板を加熱することができる波長の光は、例えば100nm~1μmの波長の光であれば、基板を加熱することが可能である。このように構成することにより、加熱源を構成する複数の発光ダイオードから照射される光が反射防止層を形成した伝熱板に照射されるので、光を効率よく伝熱板に照射して伝熱板を加熱し、その熱を基板に伝熱して基板を加熱することができる。この発明において、上記伝熱板が、該伝熱板の表面に支持ピンを介して基板を載置する載置台である方が好ましい。このように構成することにより、基板を載置する載置台自体を伝熱板が兼用するので、加熱された伝熱板の熱を効率よく基板に伝熱することができる。また、この発明において、上記伝熱板は熱伝導率の高い材質である方がよく、例えば伝熱板を、シリコン,炭化シリコン,銅,アルミニウム又は窒化アルミニウムのいずれかの材質の板部材にて形成する方がよい。また、この発明において、上記伝熱板を、反射防止層を形成した伝熱板本体と、該伝熱板本体の基板側面に接合される伝熱表層板とで形成してもよい。この場合、上記伝熱板本体を、例えばシリコン製板部材又は炭化シリコン製板部材にて形成し、上記伝熱表層板を、例えば銅製板部材,アルミニウム製板部材又は窒化アルミニウム製板部材のいずれかで形成する方が好ましい。また、この発明において、上記反射防止層は、上記発光ダイオードから照射される光の波長以上の深さを有する凹凸面にて形成されるか、あるいは、上記伝熱板の加熱源と対向する面に成膜される反射防止膜にて形成される。このように構成することにより、発光ダイオードから照射される光の反射を抑制して伝熱板に光を照射することができる。また、この発明において、上記伝熱板と基板との間に空気より熱伝導率が高いガスを供給するようにしてもよい。このように構成することにより、伝熱板と基板との間に空気より熱伝導率が高いガスの層が形成されるので、伝熱板の熱を基板に効率よく伝熱して基板を加熱することができる。更に、この発明において、上記加熱源と上記伝熱板を基板の表裏面側に配設してもよい。このように構成することにより、基板の表裏面を同時に加熱することができるので、更に基板を効率よく加熱することができる。加えて、この発明において、上記加熱源を構成する複数の発光ダイオードを複数に区画された領域に配設すると共に、区画された領域の発光ダイオード群の領域単位毎を制御手段によって制御するようにしてもよい。このように構成することにより、基板の歪みや反りに応じて加熱温度を制御することができ、あるいは、基板に形成された回路パターンの形状等に応じて加熱温度を制御することができる。この発明によれば、加熱源を構成する複数の発光ダイオードから照射される光が反射防止層を形成した伝熱板に照射されることで、光を効率よく伝熱板に照射して伝熱板を加熱し、その熱を基板に伝熱して基板を加熱することができる。したがって、光エネルギを効率よく熱エネルギに変換して、短時間で伝熱板を加熱することができるので、基板の熱処理時のみ加熱し、処理しない時間帯の加熱を停止してエネルギの損失を抑制することができる。以下、この発明の実施形態について、添付図面に基づいて説明する。ここでは、この発明に係る熱処理装置を塗布現像処理装置に露光処理装置を接続した処理システムに適用した場合について説明する。上記処理システムは、被処理基板である半導体ウエハW以下にウエハWというを複数枚例えば25枚を密閉収納するキャリア10を搬出入するためのキャリアステーション1と、このキャリアステーション1から取り出されたウエハWにレジスト塗布,現像処理等を施す処理部2と、ウエハWの表面を露光する露光装置4と、処理部2と露光装置4との間に接続されて、ウエハWの受け渡しを行うインターフェイス部3とを具備している。キャリアステーション1は、キャリア10を複数個並べて載置可能な載置部11と、この載置部11から見て前方の壁面に設けられる開閉部12と、開閉部12を介してキャリア10からウエハWを取り出すための受け渡し手段A1とが設けられている。また、キャリアステーション1の奥側には筐体20にて周囲を囲まれる処理部2が接続されており、この処理部2にはキャリアステーション1から見て左手手前側から順に加熱冷却系のユニットを多段化した棚ユニットU1,U2,U3を配置し、右手に液処理ユニットU4,U5を配置する。棚ユニットU1,U2,U3の間に、各ユニット間のウエハWの受け渡しを行う主搬送手段A2,A3が棚ユニットU1,U2,U3と交互に配列して設けられている。また、主搬送手段A2,A3は、キャリアステーション1から見て前後方向に配置される棚ユニットU1,U2,U3側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットU4,U5側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁21により囲まれる空間内に置かれている。また、キャリアステーション1と処理部2との間、処理部2とインターフェイス部3との間には、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニット22が配置されている。インターフェイス部3は、処理部2と露光装置4との間に前後に設けられる第1の搬送室3A及び第2の搬送室3Bにて構成されており、それぞれに第1のウエハ搬送部5A及び第2のウエハ搬送部5Bが設けられている。棚ユニットU1,U2,U3は、液処理ユニットU4,U5にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば10段に積層した構成とされており、その組み合わせは、ウエハWを加熱ベークする、この発明に係る熱処理装置を備える加熱ユニットHP、ウエハWを冷却する冷却ユニットCPL等が含まれる。また、液処理ユニットU4,U5は、例えば図2に示すように、レジストや現像液などの薬液収納部の上に反射防止膜を塗布するボトム反射防止膜塗布ユニットBCT23、塗布ユニットCOT24、ウエハWに現像液を供給して現像処理する現像ユニットDEV25等を複数段例えば5段に積層して構成されている。次に、上記の処理システムにおけるウエハWの流れについて簡単に説明する。先ず外部からウエハWの収納されたキャリア10が載置部11に載置されると、開閉部12と共にキャリア10の蓋体が外されて受け渡し手段A1によりウエハWが取り出される。そしてウエハWは棚ユニットU1の一段をなす受け渡しユニットを介して主搬送手段A2へと受け渡され、棚ユニットU1~U3内の一つの棚にて、塗布処理の前処理として、反射防止膜の形成や冷却ユニットによる基板の温度調整などが行われる。その後、主搬送手段A2によりウエハWは塗布ユニットCOT24内に搬入され、ウエハWの表面にレジスト膜が成膜される。レジスト膜が成膜されたウエハWは主搬送手段A2により外部に搬出され、加熱ユニットに搬入されて所定の温度で加熱処理がなされる。加熱処理を終えたウエハWは、冷却ユニットにて冷却された後、棚ユニットU3の受け渡しユニットを経由してインターフェイス部3へと搬入され、このインターフェイス部3を介して露光装置4内に搬入される。なお、液浸露光用の保護膜をレジスト膜の上に塗布する場合には、上記冷却ユニットにて冷却された後、処理部2における図示しないユニットにて保護膜用の薬液の塗布が行われる。その後、ウエハWは露光装置4に搬入されて露光処理が行われる。露光処理を終えたウエハWは第2のウエハ搬送部30Bにより露光装置4から取り出され、棚ユニットU6の一段をなす加熱ユニットPEBに搬入されて所定の温度で加熱処理される。その後、ウエハWは第1のウエハ搬送部30Aによって加熱ユニットPEBから搬出され、主搬送手段A3に受け渡される。そしてこの主搬送手段A3により現像ユニット25内に搬入される。現像ユニット25で現像処理された後、ウエハWは主搬送手段A3により現像ユニット25から搬出され、主搬送手段A2、受け渡し手段A1を経由して載置部11上の元のキャリア10へと戻される。次に、この発明に係る熱処理装置について、図3ないし図13を参照して説明する。ここでは、露光処理後のウエハWを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットに備えられる熱処理装置を代表して説明する。<第1実施形態>第1実施形態の熱処理装置30は、図3に示すように、ウエハWを加熱することができる波長、例えば100nm~1μmの光を照射する複数の発光ダイオード53以下にLED53というを備える加熱源50と、この加熱源50から照射された光により加熱され、その熱をウエハWに伝達する伝熱板40と、を具備しており、伝熱板40の加熱源50と対向する面加熱源側面に、LED53から照射される光の反射を抑制する後述する反射防止処理が施されている。この場合、伝熱板40は、その表面の複数箇所、例えば3箇所図面では2箇所を示すにウエハWを水平状態に支持する支持ピンであるプロキシミティピン41を介してウエハWを載置する載置台42を構成している。図面では誇張して示しているが、載置台42すなわち伝熱板40の表面とウエハWの下面との距離S1は例えば100μmに設定されている。載置台42は上端が開口する箱状のケース43の開口縁部にブラケット44によって水平状態に設置されている。ケース43内における載置台42伝熱板40の下方に光照射による加熱源50が水平状態に配設されている。この場合、伝熱板40の下面と加熱源50との距離S2は1mm~1cmに設定されている。なお、ケース43の上方には、載置台42伝熱板40上のウエハWを被覆するカバー45が配設されている。カバー45は、ケース43の開口端部に図示しないシール部材を介して当接する側壁部45aと、側壁部45aの上端から内方側に向かって上り勾配の天板部45bとを有し、天板部45bの中央部に排気口45cが設けられている。排気口45cは図示しない排気管路を介して排気装置に接続されており、加熱処理によって生じた昇華物等が排気口45c、排気管路を介して外部に排出されるようになっている。このように構成されるカバー45は、例えば昇降シリンダ等の昇降機構46によって昇降可能に構成されている。なお、昇降機構46は制御手段であるコントローラ100に電気的に接続されており、コントローラ100からの制御信号に基づいて駆動してカバー45を昇降移動するようになっている。上記伝熱板40は、熱伝導率が高い材質例えばシリコン熱伝導率:148W/mK,炭化シリコン熱伝導率:270W/mK,銅熱伝導率:398W/mK,アルミニウム熱伝導率:237W/mK又は窒化アルミニウム熱伝導率:280W/mK製の厚さが1mm程度の板部材にて形成されている。このように形成される伝熱板40の加熱源側面すなわち加熱源50と対向する裏面には、LED53から照射される光の反射を抑制する反射防止層が形成されている。この場合、図4に示すように、伝熱板40の裏面に、LED53から照射される光Bの波長L以上の深さHを有する凹凸面47の処理を施すことによって反射防止層が形成される。例えば、光Bの波長Lを880nmとした場合、凹凸面47の深さHは1μmとする。このように伝熱板40の裏面に凹凸面47からなる反射防止層凹凸面47を形成することにより、LED53から伝熱板40に照射される光Bの反射を抑制することができる。例えば、LED53から照射される光Bの波長Lが880nmに対して反射率約30のシリコンにおいてLED53から伝熱板40に照射される光Bの反射を抑制することができる。また、波長Lが880nmに対して反射率約90の銅や反射率約70のアルミニウム又は反射率約70以下の窒化アルミニウムにおいてもLED53から伝熱板40に照射される光Bの反射を抑制することができる。一方、上記加熱源50は、図5ないし図8に示すように、同一平面上に配列される複数のLED53と、LED53への給電制御を行う制御電源54を具備する。この場合、LED53は、ウエハWを加熱することができる波長、例えば100nm~1μmの波長を出力するものであればよい。光照射加熱源55は、図5ないし図8に示すように、絶縁性を有する高熱伝導性材料、典型的にはAlNセラミックスからなる支持体56aと、支持体56aに電極56bを介して支持された多数のLED53と、支持体56aの裏面側に接合された高熱伝導性材料である銅または銅合金製の熱拡散部材56cとで構成された複数のLEDアレイ56を具備している。支持体56aには例えば銅に金メッキした導電性の高い電極56bがパターン形成されており、電極56bにLED53が導電性で高熱伝導性の接合材57aにより接合されている。また、支持体56aと熱拡散部材56cとは高熱伝導性の接合材57bにより接合される。高熱伝導性の接合材57a,57bとしては、信頼性の高いハンダや、より熱伝導率の高い銀ペーストを用いることが好ましい。LEDアレイ56の裏面側の熱拡散部材56cと冷却部材56dとは、これらの間に高熱伝導性の接合材57cが介在された状態でねじ止めされている。接合材57cとしては、シリコングリースを好適に用いることができる。このような構成により、LED53で発生した熱を、高熱伝導性の接合材57a、電極56b、支持体56a、高熱伝導性の接合材57b、熱拡散部材56c、高熱伝導性の接合材57cという熱伝導性の良好な経路を通って冷却部材4に極めて効果的に逃がすことができる。一つのLED53と隣接するLED53の電極56bとの間はワイヤ56eにて接続されている。また、支持体56aの表面の電極56bが設けられていない部分には例えばTiO2を含有する反射層56fが設けられており、LED53から支持体56a側に射出された光を反射させて有効に取り出すことができるようになっている。反射層56fの反射率は0.8以上であることが好ましい。隣接するLEDアレイ56の間には、例えばCu板に金メッキを施した反射板58が設けられており、これによりLEDアレイ56の全周が反射板58に囲まれた状態となっている。個々のLED53は例えば透明樹脂からなるレンズ層56gで覆われている。レンズ層56gはLED53から射出する光を取り出す機能を有するものであり、LED53の側面からの光も取り出すことができる。このレンズ層56gの形状はレンズ機能を有すれば特に限定されるものではないが、製造の容易性および効率を考慮すると、略半球状が好ましい。このレンズ層56gは、屈折率の高いLED53と屈折率が1の空気との間の屈折率を有しており、LED53から空気中に光が直接射出されることによる全反射を緩和するために設けられる。支持体56aと光透過部材59との間の空間は真空引きされており、光透過部材59の両側上面と下面が真空状態となる。したがって、光透過部材59が大気状態と真空状態との仕切りとして機能する場合よりも薄く構成することができる。冷却部材56dの上方には、LED53への給電制御を行うための制御電源54が設けられており、制御電源54は制御手段であるコントローラ100に電気的に接続されており、LED53への給電を制御するようになっている。例えば、コントローラ100による制御によってLED53の印加電流を300mA~400mAに設定することができる。LEDアレイ56は図7に示すように六角状をなし、その3辺に反射板58が設けられている。そして、複数のLEDアレイ56が例えば図8に示すように隙間無く配置される。このとき、一つのLEDアレイ56の反射板58が設けられていない辺に、隣接するLEDアレイ56の反射板58が設けられている辺が来るようにして全てのLEDアレイ56が反射板58に囲まれた状態となるようにされる。これにより、反射板58が重なることがなく、LEDアレイ56の配置個数を最大にすることができる。一つのLEDアレイ56には、1000~2000個程度のLED53が搭載される。LED53としては、射出される光の波長が近紫外光~近赤外光の範囲、例えば100nm~1.0μmの範囲のものが用いられる。このような100nm~1.0μmの範囲の光を射出する材料としてはGaN、GaAs、GaP等をベースとした化合物半導体が例示される。この中では、特に加熱対象として用いられるシリコン製又は炭化シリコン製の伝熱板40に対する吸収率の高い450~200nm付近の放射波長を有するGaAs系の材料からなるものが好ましい。上記のように構成される第1実施形態では、熱処理装置30にウエハWが搬送される直前に制御電源54を駆動することによって加熱源50のLED53から照射される光Bが伝熱板40の下面の反射防止層を形成する凹凸面47に照射され、照射された光Bは凹凸面47によって反射が阻止されて伝熱板40に吸収されて熱エネルギに変換し、伝熱板40を10秒程度で設定温度例えば110°Cに昇温する。図示しない搬送手段によって熱処理装置30内に搬入されたウエハWは、上昇したカバー45の下方から載置台42の上方に移動された状態で、図示しない受渡しピンの昇降動作によって載置台42伝熱板40表面のプロキシミティピン41にて支持される。その後カバー45が下降して、加熱時間を60秒とすることによってウエハWの加熱処理PEB処理を行う。加熱処理PEB処理されたウエハWは、図示しない受渡しピンの上昇動作によって載置台42の上方に移動され、第1のウエハ搬送部図示せずに受け渡されて、熱処理装置30から搬出され、主搬送手段A3に受け渡される。そしてこの主搬送手段A3により現像ユニット25内に搬入される。現像ユニット25で現像処理された後、ウエハWは主搬送手段A3により現像ユニット25から搬出され、主搬送手段A2、受け渡し手段A1を経由して載置部11上の元のキャリア10へと戻される。上記のように構成される第1実施形態によれば、加熱源50を構成する複数のLED53から照射される光が反射防止層を形成する凹凸面47を有する伝熱板40に照射されることで、光を効率よく伝熱板40に照射して伝熱板40を加熱し、その熱をウエハWに伝熱して効率的な加熱処理PEB処理を行うことができる。したがって、光エネルギを効率よく熱エネルギに変換して、短時間で伝熱板40を加熱することができるので、ウエハWの熱処理時のみ加熱し、処理しない時間帯の加熱を停止してエネルギの損失を抑制することができる。<第2実施形態>第2実施形態の熱処理装置30Aは、図9に示すように、伝熱板40Aを、下面に例えば凹凸面47にて形成される反射防止層を有する伝熱板本体48と、この伝熱板本体48のウエハ側面に例えば接着或いは蒸着等によって接合される伝熱表層板49とで構成した場合である。この場合、伝熱板本体48は、第1実施形態の伝熱板40と同様に熱伝導率の高い材質、例えばシリコン製板部材又は炭化シリコン製板部材にて形成されている。また、伝熱表層板49は、伝熱板本体48と同等以上の熱伝導率が高い材質、例えば銅熱伝導率:398W/mK,アルミニウム熱伝導率:237W/mK又は窒化アルミニウム熱伝導率:280W/mK製板部材のいずれかで形成されている。なおこの場合、伝熱板本体48と伝熱表層板49の厚さはそれぞれ0.5mmに形成されており、伝熱板本体48と伝熱表層板49を接合した伝熱板40Aの厚さは、第1実施形態の伝熱板40と同様に1mmに形成されている。なお、第2実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。上記のように構成される第2実施形態によれば、加熱源50を構成する複数のLED53から照射される光が反射防止層を形成する凹凸面47を有する伝熱板本体48に照射されることで、光を効率よく伝熱板本体48に照射して伝熱板本体48を加熱し、その熱が伝熱表層板49に伝熱されて伝熱表層板49を加熱し、その熱がウエハWに伝熱して効率的な加熱処理を行うことができる。したがって、光エネルギを効率よく熱エネルギに変換して、短時間で伝熱板40を加熱することができるので、ウエハWの熱処理時のみ加熱し、処理しない時間帯の加熱を停止してエネルギの損失を抑制することができる。<第3実施形態>第3実施形態の熱処理装置30Bは、図10に示すように、伝熱板40の加熱源側面下面に施される反射防止層を、伝熱板40の加熱源側面下面に成膜される反射防止膜47Aにて形成した場合である。この場合、反射防止膜47Aの成膜方法としては、例えば、熱酸化で表面を酸化する、スパッタ法でTiN,Ti,W,TiW等を成膜、蒸着で誘電体多層膜を成膜、あるいは色素含有の有機膜を塗布法で成膜する方法等がある。なお、第3実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。上記のように構成される第3実施形態によれば、加熱源50を構成する複数のLED53から照射される光が反射防止層を形成する反射防止膜47Aを有する伝熱板40に照射されることで、光を効率よく伝熱板40に照射して伝熱板40を加熱し、その熱がウエハWに伝熱して効率的な加熱処理を行うことができる。したがって、光エネルギを効率よく熱エネルギに変換して、短時間で伝熱板40を加熱することができるので、ウエハWの熱処理時のみ加熱し、処理しない時間帯の加熱を停止してエネルギの損失を抑制することができる。なお、上記説明では、伝熱板40の加熱源側面下面に反射防止膜47Aを成膜して反射防止層を形成したが、第2実施形態の伝熱板本体48の加熱源側面下面に反射防止膜47Aを成膜して反射防止層を形成してもよい。<第4実施形態>第4実施形態の熱処理装置30Cは、図11に示すように、伝熱板40とウエハWとの間S1に空気熱伝導率:0.023W/mKより熱伝導率が高いガス例えばヘリウムガス熱伝導率:0.14W/mKを供給充填して、伝熱板40からのウエハWへの伝熱を更に効率よく行えるようにした場合である。この場合、カバー45の側壁部45aにおける載置台42伝熱板40の上面の上方近傍部位にガス供給口60が設けられており、このガス供給口60に一端が接続するガス供給管61の他端をガス供給源であるヘリウムガスボンベ62に接続し、ガス供給管61に流量調整可能な開閉弁63が介設されて、ヘリウムガス供給機構64が形成されている。この場合、カバー45の側壁部45aにおけるガス供給口60の上方近傍部位には、ガス供給口60から供給されたヘリウムガスを載置台42伝熱板40とウエハWの間に案内する整流板65が取り付けられている。なお、開閉弁63は制御手段であるコントローラ100に電気的に接続されており、コントローラ100からの制御信号に基づいて流量調整及び開閉制御されるようになっている。なお、少なくともガス供給管61のガス供給口60との接続部は、カバー45の昇降移動に追従可能にフレキシブルに形成されている。なお、第4実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。上記のように構成される第4実施形態によれば、加熱源50を構成する複数のLED53から照射される光によって加熱された伝熱板40の熱を、空気より熱伝導率が高いガス例えばヘリウムガスの層を介してウエハWに伝熱して効率的な加熱処理を行うことができる。したがって、光エネルギを効率よく熱エネルギに変換して、短時間で伝熱板40を加熱し、伝熱板40の熱を効率よくウエハWに伝熱して加熱することができるので、ウエハWの熱処理時のみ加熱し、処理しない時間帯の加熱を停止してエネルギの損失を抑制することができる。<第5実施形態>第5実施形態の熱処理装置30Dは、図12に示すように、載置台42伝熱板40にて支持されたウエハWの上方側面を、第2の熱処理機構51によって加熱するようにした場合である。この場合、第2の熱処理機構51は、第1実施形態の熱処理装置30と同様の構造を有しており、ウエハWを加熱することができる波長の光を照射する複数のLED53を備える加熱源50と、この加熱源50から照射された光により加熱され、その熱をウエハWに伝達する伝熱板40と、を具備しており、伝熱板40の加熱源側面に、LED53から照射される光の反射を抑制する反射防止処理例えば凹凸面47が施されている。上記のように構成される第2の熱処理機構51は、ケース43に設置された載置台42伝熱板40の上方を覆う箱状のカバー45Aに取り付けられている。すなわち、伝熱板40はカバー45Aの対向する側壁部45aにブラケット44を介して横設され、加熱源50はカバー45Aの天板部45bの下面に装着されている。なお、カバー45の天板部45bには排気口45cが設けられており、排気口45cには排気管路52が接続されている。また、カバー45Aは、第1実施形態のカバー45と同様に例えば昇降シリンダ等の昇降機構46によって昇降可能に構成されている。なお、第5実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。なお、第5実施形態において、伝熱板40は必ずしも上記構造である必要はなく、第2実施形態と同様に、伝熱板本体48と伝熱表層板49とからなる伝熱板40Aであってもよく、また、反射防止層を、第3実施形態と同様な反射防止膜47Aにて形成してもよい。更には、第5実施形態において、第4実施形態と同様に、伝熱板40とウエハWとの間にヘリウムガスを供給充填することも可能である。上記のように構成される第5実施形態によれば、加熱源50を構成する複数のLED53から照射される光が反射防止層を形成する凹凸面47を有する伝熱板40に照射されることで、光を効率よく伝熱板40に照射して伝熱板40を加熱し、その熱をウエハWの下面側に伝熱する一方、第2の熱処理機構51の加熱源50のLED53から照射される光が反射防止層を形成する凹凸面47を有する伝熱板40に照射されることで、光を効率よく伝熱板40に照射して伝熱板40を加熱し、その熱をウエハWの上面側に伝熱することができる。したがって、更に光エネルギを効率よく熱エネルギに変換して、短時間で伝熱板40を加熱し、ウエハWを挟んで対向する伝熱板40からウエハWの表裏面を加熱することができるので、ウエハWの熱処理時のみ加熱し、処理しない時間帯の加熱を停止してエネルギの損失を抑制することができる。<第6実施形態>第6実施形態の熱処理装置30Eは、図13に示すように、加熱源50Aを構成する複数のLED53を複数例えば7に区画された領域Z0,Z1~Z6に配設すると共に、区画された領域Z0,Z1~Z6のLED53群の領域単位毎を制御手段であるコントローラ100によって制御可能に形成した場合である。この場合、区画される領域のうちのZ0は円形状の加熱源50Aの中心部に設けられ、残りの6つの領域Z1~Z6は、第1領域Z0の外周側に6等分されている。上記のように区画された領域Z0,Z1~Z6のLED53群は、夫々コントローラ100に電気的に接続されており、各領域Z0,Z1~Z6のLED53群はコントローラ100からの制御信号に基づいて制御されて、領域Z0,Z1~Z6毎に異なる温度に設定可能に構成されている。上記のように構成される加熱源50Aを、第1~第5実施形態の加熱源に用いることにより、例えばウエハWに反りがある場合や異なる回路パターンが形成されている場合において加熱温度を制御して温度分布の均一化を図ることができる。なお、第6実施形態において、加熱源50Aに形成される複数の領域は上記7つに限定されるものではなく、目的に応じて領域の数や面積すなわちLED53の数を変更するなどしてもよい。<その他の実施形態>なお、上記実施形態では、半導体ウエハの露光後の加熱処理について説明したが、この発明に係る熱処理装置は、露光後の加熱処理以外のレジスト塗布後の加熱処理や現像処理後の加熱処理にも適用できる。また、この発明に係る熱処理装置は、フラットパネルディスプレー基板FPD基板の加熱処理にも適用できることは勿論である。"