n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が20mAのときの順方向電圧が4.0V以下である、GaN系発光ダイオード素子。n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が60mAのときの順方向電圧が4.5V以下である、GaN系発光ダイオード素子。n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が120mAのときの順方向電圧が5.0V以下である、GaN系発光ダイオード素子。n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が200mAのときの順方向電圧が5.5V以下である、GaN系発光ダイオード素子。n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が350mAのときの順方向電圧が6.0V以下である、GaN系発光ダイオード素子。前記発光ダイオード構造が、GaN系半導体からなる活性層と、該活性層と前記m面GaN基板との間に配置されたn型GaN系半導体層と、該n型GaN系半導体層とで該活性層を挟むp型GaN系半導体層と、を含む、請求項1~5のいずれか一項に記載のGaN系発光ダイオード素子。前記m面GaN基板の裏面の面積が0.0012cm2以上である、請求項1~6のいずれか一項に記載のGaN系発光ダイオード素子。前記n側オーミック電極の面積が0.0012cm2以上、前記m面GaN基板の裏面の面積以下である、請求項7に記載のGaN系発光ダイオード素子。前記m面GaN基板のキャリア濃度が1×1017cm-3である、請求項1~8のいずれか一項に記載のGaN系発光ダイオード素子。m面GaN基板上に発光構造を形成したGaN系発光ダイオード素子は、QCSE効果が生じないので、印加電流の増加に伴う発光波長の変動が小さいことが要求される白色LED用の励起光源に適している。しかし、発光ダイオード素子の発熱量が大きかったり、その放熱性が良好でない場合には、該発光ダイオード素子が放出する熱で蛍光体の温度が大きく変動することとなり、期待通りの効果が得られなくなる。また、発熱量が大きく放熱性が良好でない発光ダイオード素子は、印加電流を増やすにつれてそれ自体の温度も大きく上昇するので、発光効率の低いものとなる。本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、白色LED用の励起光源に適したGaN系発光ダイオード素子を提供することを主たる目的とする。本発明の一実施形態に係るGaN系発光ダイオード素子は、n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が20mAのときの順方向電圧が4.0V以下である。本発明の一実施形態に係るGaN系発光ダイオード素子は、n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が60mAのときの順方向電圧が4.5V以下である。本発明の一実施形態に係るGaN系発光ダイオード素子は、n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が120mAのときの順方向電圧が5.0V以下である。本発明の一実施形態に係るGaN系発光ダイオード素子は、n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が200mAのときの順方向電圧が5.5V以下である。本発明の一実施形態に係るGaN系発光ダイオード素子は、n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が350mAのときの順方向電圧が6.0V以下である。上記の各実施形態に係るGaN系発光ダイオード素子は、m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極を有するので、金属電極上にハンダを用いて固定することができる。つまり、放熱性が良好となる形態で実装することができる。また、上記の各実施形態に係るGaN系発光ダイオード素子は、順方向電圧が低く抑えられているので、発熱量が小さい。従って、白色LED用の励起光源に極めて適している。本発明者等によるGaN系発光ダイオード素子以下ではLED素子ともいうの試作および評価の結果を以下に記す。1.試作したLED素子の基本構造図1に、試作したLED素子の基本構造を模式的に示す。図1aは上面図、図1bは図1aのX-X線の位置における断面図である。図1aに示すように、LED素子1の平面形状は矩形であり、サイズは350μm×340μmである。図1bに示すように、LED素子1は、基板10の上にGaN系半導体からなる半導体積層体20を有している。基板10はm面GaN基板であり、半導体積層体20は該基板10のおもて面11上に配置されている。半導体積層体20は基板10側から順に、第1のアンドープGaN層21、Siドープされたn型GaNコンタクト層22、第2のアンドープGaN層23、Siドープされたn型GaNクラッド層24、MQW活性層25、Mgドープされたp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層26、Mgドープされたp型Al0.03Ga0.97Nコンタクト層27を有している。MQW活性層25は、交互に積層されたアンドープIn0.04Ga0.96Nバリア層とアンドープIn0.16Ga0.84Nウェル層とを有している。アンドープInGaNバリア層の数は4層、アンドープInGaNウェル層の数は3層であり、ゆえに、MQW活性層25の最下層と最上層はいずれもバリア層である。ウェル層の組成は発光ピーク波長が445~465nmの範囲内に入るように調整されたものである。LED素子1は2つのn側電極と1つのp側電極を有している。n側電極のひとつは第1のn側メタルパッドE11であり、基板10の裏面12全体を覆うように設けられている。もうひとつは第2のn側メタルパッドE12であり、半導体積層体20を一部除去することにより露出したn型GaNコンタクト層22の表面上に形成されている。第1のn側メタルパッドE11と第2のn側メタルパッドE12は、どちらもオーミック電極を兼用している。p側電極を構成するのは、p型AlGaNコンタクト層27の上面に形成されたオーミック性の透光性電極E21と、該透光性電極E21上の一部に形成されたp側メタルパッドE22である。MQW活性層25への電流印加は、第1のn側メタルパッドE11とp側メタルパッドE22を通して行うこともできるし、第2のn側メタルパッドE12とp側メタルパッドE22を通して行うこともできる。第1のn側メタルパッドE11は多層膜であり、基板10側から順にTiW層、Au層、Pt層、Au層、Pt層、Au層、Pt層、Au層を有している。第2のn側メタルパッドE12も同様の積層構造を備える多層膜であり、n型GaNコンタクト層22側から順にTiW層、Au層、Pt層、Au層、Pt層、Au層、Pt層、Au層を有している。透光性電極E21はITOインジウム錫酸化物膜である。p側メタルパッドE12は第1のn側メタルパッドE11および第2のn側メタルパッドE12と同様の積層構造を備える多層膜であり、透光性電極E21側から順にTiW層、Au層、Pt層、Au層、Pt層、Au層、Pt層、Au層を有している。2.LED素子の試作LED素子1を次の手順により作製した。2-1.エピタキシャル成長サイズが7mmc軸方向×15mma軸方向×330μm厚さ、おもて面半導体積層体を設ける側の主面のオフ角が0±0.5°の範囲内で、n型不純物としてSiが添加されたn型導電性のm面GaN基板を準備した。ホール測定により調べた該m面GaN基板のキャリア濃度は1.3×1017cm-3であった。このm面GaN基板のおもて面上に、常圧MOVPE法を用いて複数のGaN系半導体層をエピタキシャル成長させて半導体積層体を形成した。III族原料にはTMGトリメチルガリウム、TMIトリメチルインジウムおよびTMAトリメチルアルミニウム、V族原料にはアンモニア、Si原料にはシラン、Mg原料にはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウムEtCp2Mgを用いた。各層の成長温度および膜厚を表1に示す。n型GaNコンタクト層、n型GaNクラッド層、p型AlGaNクラッド層およびp型AlGaNコンタクト層に添加した不純物の濃度は表2に示す通りである。p型AlGaNクラッド層およびp型AlGaNコンタクト層に添加したMgの活性化は、p型AlGaNコンタクト層を所定時間成長させた後、MOVPE装置の成長炉内で基板温度が室温まで降下する間に、該成長炉内に流す窒素ガスおよびアンモニアガスの流量を制御する方法を用いて行った。2-2.p側電極および第2のn側メタルパッドの形成上記エピタキシャル成長により形成した半導体積層体の表面p型AlGaNコンタクト層の表面に、電子ビーム蒸着法によりITO膜を210nmの厚さに形成した。続いて、フォトリソグラフィとエッチングの技法を用いて、このITO膜を所定の形状にパターニングして、透光性電極を形成した。パターニング後、反応性イオンエッチングRIE加工により半導体積層体の一部を除去して、第2のn側メタルパッドを形成すべき部位にn型GaNコンタクト層を露出させるとともに、メサ形成を行った。RIE加工においては、エッチングガスとしてCl2を用い、アンテナ/バイアスを100W/20W、チャンバー内圧力を0.3Paと設定した。RIE加工に続いて、上記作製したITO膜に対し、大気雰囲気中、520°Cで20分間の熱処理を施した。更に続けて、RTARapidThermalAnnealing装置を用いて、このITO膜に対し、窒素ガス雰囲気中、500°Cで1分間の熱処理を施した。ITO膜の熱処理後、リフトオフ法を用いて、第2のn側メタルパッドとp側メタルパッドを同時に所定のパターンに形成した。第2のn側メタルパッドとp側メタルパッドを構成するメタル多層膜に含まれる全ての層TiW層、Au層およびPt層は、スパッタリング法で形成した。TiW膜を形成する際は、ターゲットにTi含有量が10wtのTi-Wターゲット、スパッタガスにArアルゴンを使用し、スパッタ条件はRF電力800W、Ar流量50sccm、スパッタガス圧2.2×10-1Paとした。最下層であるTiW層とその直上に積層するAu層の厚さは108nmとし、それ以外のPt層およびAu層の厚さはいずれも89nmとした。第2のn側メタルパッドとp側メタルパッドを形成した後、露出した半導体積層体の表面および透光性電極の表面に、SiO2からなるパッシベーション膜を230nmの厚さに形成した。2-3.m面GaN基板の裏面の加工上記パッシベーション膜の形成後、m面GaN基板の裏面に対し、以下に加工a~加工fとして記す6通りの異なる加工を行った。加工a:m面GaN基板の裏面にラッピングおよびポリッシングをこの順に施すことにより、該基板の厚さを200μmに減じた。ラッピング工程では、定法に従い、使用するダイヤモンド砥粒の粒径を段階的に小さくしていった。ポリッシング工程では、酸性コロイダルシリカ粒径70~100nmに酸を添加してpHを2未満に調整したCMPスラリーを用い、ポリッシングレートが0.5μm/hとなるように荷重を調整し、ポリッシング加工時間は約14時間とした。この条件でポリッシュされたm面GaN基板の表面は、AFM例えばDIGITALINSTRUMENTS社製DIMENSION5000を用いて測定される10μm角の範囲の算術平均粗さRaが0.1nm以下となる。ポリッシングされた面m面GaN基板の裏面は水で洗った後、更に室温のIPAおよびアセトンを用いて洗浄し、乾燥後に5分間の紫外線オゾン洗浄110°C、酸素流量5L/分を施した。加工b:加工aを行った後、更に、RIEによってm面GaN基板の裏面から表層部分を削り取った。RIE条件は上記2-2.で半導体積層体に対してRIE加工を施したときの条件と同じとし、エッチング深さが0.1μmとなるよう、エッチング時間を60秒に設定した。RIE加工後の表面の粗さを触針式段差計株式会社小坂研究所製ET3000で測定したところ、算術平均粗さRaは0.02μm、最大高さRzは0.04μmであった。加工c:加工aを行った後、更に、RIEによってm面GaN基板の裏面から表層部分を削り取った。RIE条件は上記2-2.で半導体積層体に対してRIE加工を施したときの条件と同じとし、エッチング深さが1.0μmとなるよう、エッチング時間を610秒に設定した。RIE加工後の表面の粗さを触針式段差計で測定したところ、算術平均粗さRaは0.06μm、最大高さRzは0.55μmであった。加工d:加工aを行った後、更に、RIEによってm面GaN基板の裏面から表層部分を削り取った。RIE条件は上記2-2.で半導体積層体に対してRIE加工を施したときの条件と同じとし、エッチング深さが2.0μmとなるよう、エッチング時間を1220秒に設定した。RIE加工後の表面の粗さを触針式段差計で測定したところ、算術平均粗さRaは0.07~0.12μm、最大高さRzは1.30μmであった。加工e:加工aを行った後のm面GaN基板の裏面に、ノボラック樹脂を用いたポジ型フォトレジスト住友化学株式会社製スミレジストPFI-34ALを1.6μmの厚さにコーティングし、フォトリソグラフィ技法を用いて該フォトレジストをパターニングすることによって、図2に示すマスクパターンを形成した。すなわち、複数の円形エッチングマスクが三角格子の格子位置に配置されたマスクパターンである。各円形マスクの直径図2中のRは2μm、隣り合う円形マスク間のスペース図2中のSは2.5μmとした。マスクパターンの方向は、図3に示すように、三角格子の6つの格子位置を頂点とする正六角形ABCDEFの2つの辺BC、EFが、m面GaN基板のc軸と直交するように定めた。上記のように形成したマスクパターンをエッチングマスクに用いてRIEを行うことにより、m面GaN基板の裏面を凹凸状に加工した。エッチングガスとしてCl2を用い、アンテナ/バイアスを100W/20W、チャンバー内圧力を0.3Paと設定して、エッチング選択比が約1となるようにした。なお、ここでいうエッチング選択比は、エッチング時間が約800秒以下であるときの、GaNのエッチングレート/マスクのエッチングレートである。この条件で、1500秒間、RIE加工を行った。マスクパターンは、エッチング時間が約800秒に達したところで殆ど消失した。RIE加工後、有機溶剤を用いてウェハを洗浄し、続けて、RIE加工された面に5分間の紫外線オゾン洗浄110°C、酸素流量5L/分を施した。加工eを施したm面GaN基板の裏面のSEM像を図4に示す。図4においてaは平面図、bは断面方向から見た図、cは斜視図である。図4a~cのいずれにおいても紙面内で右から左に向かう方向が、GaNの[0001]方向c方向であり、左から右に向かう方向がGaNの[000-1]方向c-方向である。m面GaN基板の裏面に形成された突起の高さは1.5μmであった。加工f:加工aを行った後のm面GaN基板の裏面に、加工eと同じ手順でマスクパターンを形成したが、RIEチャンバー内に設置した後、薄いサファイア板でm面GaN基板の裏面を覆うことにより、該裏面がRIE加工を受けないように保護した。このことを除いて、加工fで行った処理は、加工eと同じである。すなわち、加工fを施したm面GaN基板の裏面には、フォトレジストを用いてマスクパターンを形成する処理、該マスクパターンを有機溶剤を用いて取り除く処理、及び、該マスクパターン除去後の紫外線オゾン洗浄処理が行われている。2-4.第1のn側メタルパッドの形成上記加工a~fのいずれかを行ったm面GaN基板の裏面に、第1のn側メタルパッドとなるメタル多層膜を形成した。このメタル多層膜に含まれる全ての層TiW層、Au層およびPt層は、スパッタリング法で形成した。TiW膜を形成する際は、ターゲットにTi含有量が10wtのTi-Wターゲット、スパッタガスにArアルゴンを使用し、スパッタ条件はRF電力800W、Ar流量50sccm、スパッタガス圧2.2×10-1Paとした。最下層であるTiW層とその直上に積層するAu層の厚さは108nmとし、それ以外のPt層およびAu層の厚さはいずれも89nmとした。上記メタル多層膜の形成後、スクライブおよびブレーキングを行うことによりウェハを分断し、LED素子をチップにした。上記メタル多層膜はこの工程でGaN基板と共に分断した。従って、第1のn側メタルパッドの平面形状はm面GaN基板の裏面の形状と同じとなった。また、第1のn側メタルパッドのサイズはチップサイズと略同じ350μm×340μmとなった。2-5.順方向電圧の評価上記手順にて得たLEDチップに対して、第1のn側メタルパッドとp側メタルパッドを通して電流を印加したときの順方向電圧Vf1と、第2のn側メタルパッドとp側メタルパッドを通して電流を印加したときの順方向電圧Vf2を比較した。印加電流はパルス幅1msec、パルス周期1msecのパルス電流とし、電流値は20mAおよび60mAの2通りとした。結果を表3に示す。表3に示すように、m面GaN基板の裏面に加工aのみを行ったLEDチップではVf1とVf2は一致したのに対し、加工b~fを行ったLEDチップではいずれもVf1がVf2よりも大きくなった。特に、RIE加工を含む加工b~eを行ったLEDチップでは、その差は数V以上にもなった。また、m面GaN基板の裏面に加工aのみを行ったLEDチップに、パルス幅1msec、パルス周期1msecの順方向電流を20mA、60mA、100mA、120mA、180mA、240mAおよび350mA印加したときのVf1を表4に示す。表4には、それに加えて、第1のn側メタルパッドにおける平均電流密度を示している。この平均電流密度は順方向電流をn側メタルパッドの面積350μm×340μmで除した値であり、n側メタルパッドとm面GaN基板の裏面との界面を横切って流れる電流の平均的な密度を表している。本発明は、以上に記したLED素子の試作および評価から得られた知見に基づき完成されたものである。ただし、いうまでもないことであるが、本発明は、試作されたLED素子や、試作で用いられた方法に限定されるものではない。本発明の実施形態には以下に記載する半導体発光素子が含まれる。1n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該素子に印加される順方向電流が20mAのときの順方向電圧が4.0V以下である半導体発光素子。2n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該素子に印加される順方向電流が60mAのときの順方向電圧が4.5V以下である半導体発光素子。3n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該素子に印加される順方向電流が120mAのときの順方向電圧が5.0V以下である半導体発光素子。4n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該素子に印加される順方向電流が200mAのときの順方向電圧が5.5V以下である半導体発光素子。5n型導電性のm面GaN基板と、該m面GaN基板のおもて面上にGaN系半導体を用いて形成された発光構造と、該m面GaN基板の裏面に形成されたn側オーミック電極とを有し、当該素子に印加される順方向電流が350mAのときの順方向電圧が6.0V以下である半導体発光素子。6前記発光構造が、GaN系半導体からなる活性層と、該活性層と前記m面GaN基板との間に配置されたn型GaN系半導体層と、該n型GaN系半導体層とで該活性層を挟むp型GaN系半導体層と、を含む、前記1~5のいずれかに記載の半導体発光素子。7発光ダイオード素子である、前記1~6のいずれかに記載の半導体発光素子。8前記m面GaN基板の裏面の面積が0.0012cm2以上である、前記1~7のいずれかに記載の半導体発光素子。9前記n側オーミック電極の面積が0.0012cm2以上、前記m面GaN基板の裏面の面積以下である、前記8に記載の半導体発光素子。10前記m面GaN基板のキャリア濃度が1×1017cm-3である、前記1~11のいずれかに記載の半導体発光素子。また、当業者であれば、以下に記載するm面GaN基板の表面処理方法または半導体素子の製造方法が、本明細書に開示されていることを理解するであろう。a1m面GaN基板の表面を、酸性のCMPスラリーを用いて0.5μm/h以下のポリッシングレートでポリッシングする第1工程と、該第1工程に続いて該m面GaN基板の該表面を水洗する第2工程と、を有するm面GaN基板の表面処理方法。a2前記CMPスラリーのpHが2未満である、前記a1に記載の表面処理方法。a3前記第1工程では前記m面GaN基板の表面をポリッシュ後の算術平均粗さRaが0.1nm以下となるようにポリッシングする、前記a1またはa2に記載の表面処理方法。a4n型導電性を有するm面GaN基板の表面にオーミック電極を形成する電極形成工程を有するとともに、該電極工程の前に、該表面の仕上げ工程として前記a1~a3のいずれかに記載の表面処理方法を用いた表面処理を該表面に施す表面処理工程を有する、半導体素子の製造方法。a5前記n型導電性を有するm面GaN基板のキャリア濃度が1×1017cm-3である、半導体素子の製造方法。