"基板と、前記基板上に形成された遮光膜と、前記遮光膜上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に形成された前記多層反射膜を保護する保護膜と、前記保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜と、前記基板の多層反射膜とは反対面上に形成された裏面導電膜とを有した、波長5から15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであって、前記基板は石英を主成分とし酸化チタンTiO2を含む材料で形成され、前記遮光膜はカーボンCを主成分としたダイヤモンドライクカーボンDLCもしくは炭化珪素SiCで形成され、前記多層反射膜はモリブデンを材料とする層と珪素を材料とする層とが重ねられた層が複数重ねられることで構成された多層構造で形成され、前記保護膜は単層構造もしくは積層構造となっており、ルテニウムまたはシリコンSiのいずれかを含む材料で形成され、前記吸収膜は、単層構造もしくは積層構造となっており、前記保護膜上に形成され、タンタルTa及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、前記裏面導電膜は、クロムまたはタンタルTaのいずれかの金属もしくはその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成されることを特徴とする反射型マスクブランク。前記保護層が積層構造であり、前記保護層の最上層がルテニウムRuの酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成されている、ことを特徴とする請求項1記載の反射型マスクブランク。請求項1または2記載の反射型マスクブランクを用いた反射型マスクであって、前記吸収膜を選択的に除去することで回路パターンが形成され、前記回路パターンを除く前記回路パターンの周囲の部分に、前記吸収膜と前記保護膜と前記多層反射膜とを選択的に除去した枠状の領域が形成されている、ことを特徴とする反射型マスク。本発明の目的は、半導体基板で多重露光されるチップの境界領域に相応するマスク領域からEUVおよびDUVDeepUltraViolet:遠紫外線の反射を除去した反射型マスク及びそのような反射型マスクを作成するための反射型マスクブランクを提供することである。上記の課題を解決するために、請求項1記載の発明は、基板と、前記基板上に形成された遮光膜と、前記遮光膜上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に形成された前記多層反射膜を保護する保護膜と、前記保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜と、前記基板の多層反射膜とは反対面上に形成された裏面導電膜とを有した、波長5から15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであって、前記基板は石英を主成分とし酸化チタンTiO2を含む材料で形成され、前記遮光膜はカーボンCを主成分としたダイヤモンドライクカーボンDLCもしくは炭化珪素SiCで形成され、前記多層反射膜はモリブデンを材料とする層と珪素を材料とする層とが重ねられた層が複数重ねられることで構成された多層構造で形成され、前記保護膜は単層構造もしくは積層構造となっており、ルテニウムまたはシリコンSiのいずれかを含む材料で形成され、前記吸収膜は、単層構造もしくは積層構造となっており、前記保護膜上に形成され、タンタルTa及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、積層構造の場合はその最上層がタンタルTaの酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、前記裏面導電膜はクロムまたはタンタルTaのいずれかの金属もしくはその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成されることを特徴とする。請求項2記載の発明は、請求項1記載の反射型マスクブランクにおいて、前記保護層が積層構造であり、前記保護層の最上層がルテニウムRuの酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成されていることを特徴とする。請求項3記載の発明は、請求項1または2記載の反射型マスクブランクを用いた反射型マスクであって、前記吸収膜を選択的に除去することで回路パターンが形成され、前記回路パターンを除く前記回路パターンの周囲の部分に、前記吸収膜と前記保護膜と前記多層反射膜とを選択的に除去した枠状の領域が形成されていることを特徴とする反射型マスクである。本発明の反射型マスクブランクおよび反射マスクによれば、枠状の領域の部分において遮光膜を設けることによりマスクに入射した露光光が基板を一旦透過して裏面導電膜から反射して再度戻ってくる光成分が存在しない。これによりアウトオブバンド光が半導体基板側に導かれず、半導体基板上に塗布されたレジストの感光を避ける上で有利となる。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。図1は反射型マスクブランクス反射型マスクブランク10の断面図であり、より具体的には、EUV光を用いた露光に使用するマスク用のブランクスである。このEUV光の波長は、例えば13.5nmである。基板11の一面上に遮光膜12、多層反射膜13、保護膜14、吸収膜15をこの順番で積層して形成する。基板11の多層反射膜13とは反対面側には裏面導電膜16を形成する。遮光膜12は公知のプラズマCVDやスパッタリング法、イオンプレーティング法を用いて形成する。多層反射膜13、保護膜14、吸収膜15、裏面導電膜16は公知のスパッタリング法を用いて形成する。より具体的に説明する。反射型マスクブランクス10は、波長5から15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる。基板11は、石英を主成分とし酸化チタンTiO2を含む材料で形成されている。遮光膜12は、基板11上に形成されている。遮光膜12はカーボンCを主成分としたダイヤモンドライクカーボンDLCもしくは炭化珪素SiCで形成されている。多層反射膜13は、遮光膜12上に形成され露光光を反射するものである。多層反射膜13は、モリブデンを材料とする層と珪素を材料とする層とが重ねられた層が複数重ねられることで構成された多層構造で形成されている。保護膜14は、多層反射膜13上に形成され多層反射膜13を保護するものである。保護膜14は単層構造もしくは積層構造となっており、ルテニウムまたはシリコンSiのいずれかを含む材料で形成されている。保護層14が積層構造である場合、保護層14の最上層がルテニウムRuの酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成されている。吸収膜15は、保護膜14上に形成され露光光を吸収するものである。裏面導電膜16は、基板11の多層反射膜13とは反対面上に形成されている。裏面導電膜16は、クロムまたはタンタルし、所定の回路パターンAと遮光枠領域Bを描画する、その後アルカリ溶液などで現像を行い、形成したレジスト21のパターンをマスクにフッ素系ガスや塩素系ガスを用いたガスプラズマによるエッチングを行い、不要なレジスト21のパターンを酸素プラズマによる灰化や硫酸やオゾン水などの酸化薬液による分解、ないしは有機溶剤などで溶解除去する。その後必要に応じて酸アルカリ系薬品やオゾンガスや水素ガスなどを溶解した超純水や有機アルカリ系薬品、界面活性剤などによる洗浄処理と遠心力を利用したスピン乾燥を行う。以上で回路パターンAと遮光枠領域Bが形成された。次に保護膜14と多層反射膜13の部分に遮光枠領域Bを形成する。上記のマスクに紫外線または電子線に反応を示すレジスト21を塗布する。次に遮光枠領域Bを露光または電子線で描画する。前記と同じく現像、エッチング、レジストの除去、洗浄を行い領域Bを完成する。エッチング工程ではまず保護膜14の除去をフッ素系ガスプラズマを用い、多層反射膜13は保護膜14と同じくフッ素系ガスプラズマもしくは塩素ガス系プラズマを交互に用いる方法を行う。以上の工程により反射型マスク100が完成した。言い換えると、反射型マスク100は、吸収膜15a,15bを選択的に除去することで回路パターンAが形成され、回路パターンAを除く回路パターンAの周囲の部分に、吸収膜15a,15bと保護膜14と多層反射膜13とを選択的に除去した枠状の領域Bが形成されている。したがって、枠状の領域Bに遮光膜12が設けられることになる。本発明によれば、遮光枠部分において遮光膜12を設けることによりマスクに入射した露光光が基板11を一旦透過して裏面導電膜16から反射して再度戻ってくる光成分が存在しない。これによりアウトオブバンド光が半導体基板側に導かれず、半導体基板上に塗布されたレジストの感光を避けることが可能となった。"