性能を改善し、イオン注入装置内のイオンソースの有効期間を延長させるイオン注入システムであって、ドーパントガスコントローラと、複合ガスコントローラと、イオンソース室とを備えるイオンソースアセンブリであって、上記ドーパントガスコントローラが上記イオンソース室に入るフッ素含有ドーパントガスソースの割合および流量を有効に制御し、複合ガスコントローラが上記イオンソース室に入る複合ガスであって、フッ素含有ドーパントガスと作用する上記複合ガスの割合および流量を有効に制御するイオンソースアセンブリと、上記イオンソースからイオンビームを受け、上記イオンビームを処理するビームラインアセンブリと、上記ビームラインアセンブリから上記イオンビームを受ける目標位置と、を備えることを特徴とするイオン注入システム。上記複合ガスコントローラは、1以上の複合ガスソースから上記イオンソース室に上記複合ガスを放出することを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。上記複合ガスおよび上記ドーパントガスは、上記イオンソース室に同時に放出されることを特徴とする請求項2に記載のイオン注入システム。上記複合ガスおよび上記ドーパントガスは上記イオンソース室に連続して放出されることを特徴とする請求項2に記載のイオン注入システム。上記イオンソース室に入る上記複合ガスの割合および流量の機能的な制御は予め定められていることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。上記イオンソース室に入る上記複合ガスの割合および流量の機能的な制御は上記イオン注入システムの動作期間中に調整されることを特徴とする請求項2に記載のイオン注入システム。上記フッ素含有ドーパントガスソースは、三フッ化ホウ素、四フッ化ゲルマニウム、三フッ化リン、および、四フッ化シリコンのうち1以上を備えることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。上記複合ガスは水素を備えることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。上記複合ガスは上記フッ素含有ドーパントガスと作用して、フッ化水素を作ることを特徴とする請求項9に記載のイオン注入システム。上記複合ガスはさらにクリプトンを備えることを特徴とする請求項9に記載のイオン注入システム。イオン注入装置内のイオンソースの性能を改善する装置であって、フッ素含有ガスを備えるドーパントガスをイオンソース室に注入するドーパントガスコントローラと、少なくとも1つの複合ガスをイオンソース室に注入する複合ガスコントローラと、を備え、上記複合ガスは、上記ドーパントガス内の上記フッ素と作用して、上記イオンソースの性能を改善することを特徴とする装置。上記少なくとも1つの複合ガスは、上記フッ素含有ドーパントガスと作用して、フッ化水素を生成することを特徴とする請求項11に記載の装置。上記複合ガスは水素を備えることを特徴とする請求項11に記載の装置。上記複合ガスはさらにクリプトンを備えることを特徴とする請求項13に記載の装置。イオンソース室を含むイオンソースの生産性を改善する方法であって、フッ素含有ドーパントガスをイオンソース室に注入して、プラズマを発生させるステップと、少なくとも1つの複合ガスを上記イオンソース室に注入し、上記複合ガスが上記プラズマ内のフッ素イオンと有効に作用し、上記イオンソース室内の汚染物質の構造を縮小するステップと、上記イオンソース室内の上記フッ素含有ドーパントガスを励起させて、分離されかつイオン化されたドーパントおよびフッ素ラジカル成分のプラズマを生成するステップと、上記少なくとも1つの複合ガスと、上記ガスソースの上記分離されかつイオン化されたフッ素成分を作用させて、上記イオンソース室の汚染を減少させて、イオンソースの有効期間を増加させるステップと、を含むことを特徴とする方法。上記ガスソースは、三フッ化ホウ素、四フッ化ゲルマニウム、三フッ化リン、および、四フッ化シリコンのうち1以上を備えることを特徴とする請求項15に記載の方法。上記複合ガスは水素を備えることを特徴とする請求項16に記載の方法。上記複合ガスはさらにクリプトンを備えることを特徴とする請求項17に記載の方法。上記少なくとも1つの複合ガスと、上記ガスソースの上記分離されかつイオン化されたフッ素成分を作用させるステップは、フッ化水素を作るステップを含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。さらに、上記イオンソース室に予め定められた量の複合ガスを放出するステップを含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。