"第一の電極、第二の電極、前記第一の電極と前記第二の電極との間に配置される発電層、及び前記発電層と前記第一の電極との間に配置される電子取り出し層を備え、前記電子取り出し層がn型半導体を含むと共に前記電子取り出し層の厚みが0.1nm以上10nm以下の範囲である有機発電素子。前記電子取り出し層が、n型半導体として酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム、硫化インジウム、セレン化カドミウム、セレン化インジウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛から選ばれる少なくとも一つを含む請求項1に記載の有機発電素子。前記電子取り出し層が前記発電層に接するように配置され、前記電子取り出し層の前記発電層側の表面の算術平均粗さRaが3nm以下である請求項1又は2に記載の有機発電素子。前記電子取り出し層の前記発電層側の表面の算術平均粗さRaが1nm以下である請求項3に記載の有機発電素子。第二の電極、第一の電極、前記第二の電極と前記第一の電極との間に配置される発電層、及び前記発電層と前記第一の電極との間に前記発電層に接するように配置される電子取り出し層を備え、前記電子取り出し層の前記発電層側の表面の表面粗さRaが3nm以下である有機発電素子。前記電子取り出し層の前記発電層側の表面の表面粗さRaが1nm以下である請求項5に記載の有機発電素子。本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、電子取り出し層を備えると共に光電変換効率の高い有機発電素子を提供することを目的とする。本発明に係る第一の有機発電素子は、第一の電極、第二の電極、前記第一の電極と前記第二の電極との間に配置される発電層、及び前記発電層と前記第一の電極との間に配置される電子取り出し層を備え、前記電子取り出し層がn型半導体を含むと共に前記電子取り出し層の厚みが0.1nm以上10nm以下の範囲である。本発明において、前記電子取り出し層が、n型半導体として酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム、硫化インジウム、セレン化カドミウム、セレン化インジウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛から選ばれる少なくとも一つを含むことが好ましい。本発明において、前記電子取り出し層が前記発電層に接するように配置され、前記電子取り出し層の前記発電層側の表面の算術平均粗さRaが3nm以下であることが好ましい。本発明において、前記電子取り出し層の前記発電層側の表面の算術平均粗さRaが1nm以下であることが好ましい。本発明に係る第二の有機発電素子は、第二の電極、第一の電極、前記第二の電極と前記第一の電極との間に配置される発電層、及び前記発電層と前記第一の電極との間に前記発電層に接するように配置される電子取り出し層を備え、前記電子取り出し層の前記発電層側の表面の表面粗さRaが3nm以下である。本発明において、前記電子取り出し層の前記発電層側の表面の表面粗さRaが1nm以下であることが好ましい。本発明によれば、電子取り出し層を備えると共に光電変換効率の高い有機発電素子が得られる。図1に本実施形態による有機発電素子の構成を示す。この有機発電素子は基材1、第一の電極2、電子取り出し層3、発電層4、正孔取り出し層5、第二の電極6、及び表面保護層7を備え、これらの要素が前記の順番に積層している。本実施形態では、第二の電極6は光透過性を有する透明電極である。また、表面保護層7は光透過性を有する物質から構成されている。このため有機発電素子の第二の電極6側から入射する外来光が表面保護層7及び第二の電極6を透過して発電層4に到達する。尚、本発明に係る有機発電素子の構成は本実施形態に限るものではなく、例えば基材1の上に第二の電極6、正孔取り出し層5、発電層4、電子取り出し層3、第一の電極2、表面保護層7がこの順番に積層した構造本実施形態とは逆順の積層構造を有してもよい。また、有機発電素子が正孔取り出し層5を備えなくてもよい。また、表面保護層7は有機発電素子の劣化を防ぐために必要に応じて形成する層であり、有機発電素子が表面保護層7を備えなくてもよい。本実施形態において、基材1の材質は、この基材1によって電極、発電層等の有機発電素子の要素が支持され得るならば特に制限されないが、例えばソーダライムガラスや無アルカリガラスなどの透明ガラス;ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂などの樹脂材料などが挙げられる。基材1の形状としては、特に制限されないが、板状、シート状などが挙げられる。この基材1の発電層側の面の平滑性が高いことが好ましい。特にこの面の算術平均粗さRaが3nm以下であることが好ましく、1nm以下であれば更に好ましい。本実施形態において、第一の電極2は有機発電素子による発電時に陰極として機能する。陰極は発電層4中で発生する電流を収集するための電極である。第一の電極2の材料としては、導電性を有するのであれば特に制限されないが、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、並びにこれらのうちの二以上の混合物などが挙げられる。第一の電極2の材料の仕事関数は特に5eV以下であることが好ましい。第一の電極2の材料の例としては、アルカリ金属、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属、希土類、並びに前記材料を含む合金、混合物などが挙げられ、例えばナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、リチウム、マグネシウム、マグネシウム-銀混合物、マグネシウム-インジウム混合物、アルミニウム-リチウム合金、Al/LiF混合物などが挙げられる。第一の電極2の材料として、アルミニウム、Al/Al2O3混合物なども使用可能である。第一の電極2の材料として、酸化スズや酸化亜鉛にドーピングをしてなる導電性材料なども使用可能であり、この導電性材料の具体例としてはインジウム-スズ酸化物ITO、フッ素ドープ酸化スズFTO、アンチモンドープ酸化スズATO、リンドープ酸化スズPTO、ニオブドープ酸化スズNbTO、タンタルドープ酸化スズTaTO、アルミニウムドープ酸化亜鉛AZO、ガリウムドープ酸化亜鉛GZO、インジウムドープ酸化亜鉛IZOなどが挙げられる。第一の電極2が複数の層から構成されてもよい。例えば第一の電極2が、アルカリ金属/Al、アルカリ金属のハロゲン化物/アルカリ土類金属/Al、Al2O3/Alなどの積層構造を有していてもよい第一の電極2は例えば上記のような材料が真空蒸着法やスパッタリング法等の方法により成膜されることで形成される。本実施形態において、電子取り出し層3は第一の電極2と発電層4との間に介在する。本実施形態において、電子取り出し層3は第一の電極2に接している。また本実施形態において、電子取り出し層3は発電層4にも接している。電子取り出し層3は、発電層4から第一の電極2への電子の移動性を向上し得る材料から形成されることが好ましい。また電子取り出し層3は正孔の移動を阻害する特性を有する材料から形成されることが好ましい。また電子取り出し層3は薄膜形成能に優れた材料から形成されることが好ましい。電子取り出し層3を形成するための材料としては、特にn型半導体が好ましい。特に電子取り出し層3の素材が、n型半導体である酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム、硫化インジウム、セレン化カドミウム、セレン化インジウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛から選択される少なくとも一種であることが好ましい。これらのn型半導体は、いずれも可視光域における広い波長域において良好な光透過性を有する。このため発電層4が可視光吸収性の高い材料から形成される場合において、更に基材1及び第一の電極2が光透過性を有する場合には、外来光が基材1側から有機発電素子へ入射することで光電変換が生じるようになされることも可能となる。また、基材1及び第一の電極2が光透過性を有する場合ににおいて、外来光が第二の電極6側から入射する場合には、基材1に光反射板が設けられることが好ましい。この場合、発電層4で吸収されずに第一の電極2及び基材1を透過する光が、光反射板で反射されることで再び発電層4に到達して吸収され、これにより発電層4における光の吸収量が増加して光電変換効率が向上する。このような光反射板の例としては、金属板や白色樹脂などが挙げられるが、発電層を構成する材料が吸収する波長の光を反射する機能を有する材料であれば、特にこれに限定されるものではない。本実施形態においては、電子取り出し層3の厚みが0.1nm以上10nm以下であることと、電子取り出し層3の発電層側の面の算術平均粗さRaが3nm以下であることのうち、少なくとも一方の条件が満たされる。これにより、有機発電素子の光電変換効率が向上する。特に電子取り出し層3の厚みが0.1nm以上10nm以下であり、且つ電子取り出し層3の発電層4側の面の算術平均粗さRaが3nm以下であることが好ましい。上記のとおり、電子取り出し層3の厚みは0.1nm以上10nm以下であることが好ましい。電子取り出し層3の厚みが0.1nm以上であれば電子取り出し層3の機能が十分に発現する。またこの厚みが10nm以下であれば電子取り出し層3の電気抵抗値が抑制され、このため有機発電素子内で電子取り出し層3の電気抵抗がほぼ無視され得るようになる。この場合、電子取り出し層3による直列抵抗に起因する有機発電素子の曲線因子FillFactorの損失を排除することが可能となり、このため有機発電素子の光電変換効率が向上する。上記のとおり、電子取り出し層3の発電層4側の面の算術平均粗さRaは小さいほど好ましく、3nm以下であることが好ましい。電子取り出し層3の発電層4側の面の算術平均粗さRaが1nm以下であれば更に好ましい。このように電子取り出し層3の算術平均粗さRaが小さいほど、電子取り出し層3と発電層4との間の密着性が高くなり、このため界面抵抗が減少して有機発電素子の短絡電流密度Jscが増大する。これにより、有機発電素子の光電変換効率が向上する。この電子取り出し層3を形成するための手法として、真空蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長CVD法、化学析出CBD法、電解析出法、ゾルゲル法、スプレー熱分解法などが挙げられる。特にn型半導体が真空蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長CVD法などの蒸着法により成膜されることで電子取り出し層3が形成されると、電子取り出し層3の厚み制御並びに平滑化が容易となる。このため厚みが0.1nm以上10nm以下であることと、発電層4側の面の算術平均粗さRaが3nm以下であることのうち、少なくとも一方の条件を満たす電子取り出し層3が形成され得る。本実施形態において、発電層4の材料である有機化合物は、溶媒可溶性であることが好ましい。発電層4の材料である有機化合物のうち、電子供与性半導体としては、特に限定されないが、フタロシアニン系顔料、インジゴ、チオインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、メロシアニン化合物、シアニン化合物、スクアリウム化合物、多環芳香族化合物などが挙げられる。また、有機電子写真感光体に用いられる電荷移動剤、電気伝導性有機電荷移動錯体、更には導電性高分子なども挙げられる。フタロシアニン系顔料としては、特に限定されないが、Cu、Zn、Co、Ni、Pb、Pt、Fe、Mg等の2価の中心金属を有するフタロシアニン;無金属フタロシアニン;アルミニウムクロロフタロシアニン、インジウムクロロフタロシアニン、ガリウムクロロフタロシアニン等のハロゲン原子が配位した3価金属のフタロシアニン;その他バアナジルフタロシアニン、チタニルフタロシアニン等の酸素が配位したフタロシアニン等が挙げられる。多環芳香族化合物としては、特に限定されないが、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、またそれらの誘導体などが挙げられる。電荷移動剤としては、特に限定されないが、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、トリフェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物等が挙げられる。電気伝導性有機電荷移動錯体としては、特に限定されないが、テトラチオフルバレン、テトラフェニルテトラチオフラバレン等が挙げられる。電子を供与する導電性高分子としては、特に限定されないが、ポリ3-アルキルチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、チオフェン系ポリマー、導電性高分子のオリゴマー等の、有機溶媒に可溶なものが挙げられる。発電層4の材料である有機化合物のうち、電子受容性半導体としては、特に限定されないが、フラーレン誘導体、炭素ナノチューブ、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、これらの誘導体、これらの共重合体、CN基またはCF3基を含むポリマーなどが挙げられる。発電層4が形成されるにあたっては、例えば発電層4の材料である有機化合物が溶媒に溶解されて溶液が調製され、この溶液が電子取り出し層3の上に塗布、成膜されることで発電層4が形成される。溶媒としては、特に限定されないが、1,2-ジクロロベンゼン、1,2,4-トリクロロベンゼン、クロロベンゼン、クロロホルム、キシレン、トルエン、1-クロロナフタレン、アセトン、イソプロピルアルコール、エタノール、メタノール、シクロヘキサンなどの有機溶媒が挙げられる。溶媒として、互いに蒸気圧の異なる主溶媒と添加溶媒とが用いられてもよい。例えば主溶媒として1,2-ジクロロベンゼン蒸気圧:160Pa20°Cが用いられると共に添加溶媒としてクロロホルム蒸気圧:21.2kPa20°Cが用いられてもよい。溶媒の組み合わせはこれに限定されない。主溶媒と添加溶媒とは蒸気圧に二桁以上の相違があり、且つ全溶媒中の容積比が主溶媒>添加溶媒の関係にあることが好ましい。主溶媒として複数種の溶媒が用いられ、あるいは添加溶媒として複数種の溶媒が用いられても、蒸気圧の関係、混合の容積比の関係が前記のようになっていれば特に構わない。発電層4の厚みは、特に限定されないが、80~240nmの範囲が好ましい。発電層4を塗布法により形成する場合、発電層4の材料である有機化合物を含有する溶液を塗布する方法としては、特に限定されないが、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、グラビア印刷法など溶液を対象物に直接接触させる方法や、インクジェット、スプレーコート法など溶液を対象物へ向けて気相中に噴霧する方法などが挙げられる。本実施形態において、正孔取り出し層5は、正孔を輸送する能力を有し、正孔取り出し層5から第二の電極6への正孔の移動性を向上し得る材料から形成されることが好ましい。また正孔取り出し層5は電子の移動を阻害する材料から形成されることが好ましい。また電子取り出し層3は薄膜形成能に優れた材料から形成されることが好ましい。正孔取り出し層5を形成するための材料としては、特に限定されないが、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、N,N’-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンTPDや4,4’-ビス[N-ナフチル-N-フェニル-アミノ]ビフェニルα-NPD等の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、4,4’,4-トリスN-3-メチルフェニルN-フェニルアミノトリフェニルアミンm-MTDATA、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、アミノピリジン誘導体、ポリエチレンジオキサイドチオフェンPEDOT、スルホン化ポリチオフェン等の導電性高分子等の高分子材料が挙げられる。また、無機材料であっても正孔輸送性を有するのであれば正孔取り出し層5を形成するための材料として使用され得る。このような無機材料としては、特に限定されないが、正孔を輸送する能力を有する三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、三酸化タングステン、酸化レニウムなどの無機酸化物や、p型半導体である酸化ニッケル、酸化銅などの無機酸化物などが挙げられる。正孔取り出し層5を形成する方法としては、特に限定されないが、正孔取り出し層5を形成するための材料が無機材料や低分子材料である場合には真空蒸着法やスパッタリング法などが挙げられ、正孔取り出し層5を形成するための材料が高分子材料である場合にはスピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、グラビア印刷法などの塗布法が挙げられる。正孔取り出し層5の厚みは、特に限定されないが、有機発電素子の直列抵抗の低減のためには、無機材料から形成される場合には200nm以下であることが好ましく、有機材料から形成される場合には20nm以下であることが好ましい。尚、本実施形態において、正孔取り出し層5が無くても有機発電素子が高い光電変換機能を発揮する場合には、有機発電素子が正孔取り出し層5を備えなくてもよい。本実施形態において、第二の電極6は有機発電素子による発電時に陽極として機能する。陽極は、発電層4中で発生した正孔を収集するための電極である。第二の電極6を形成するための材料としては、導電性を有するのであれば特に限定されないが、仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物が好ましい。特に第二の電極6を形成するための材料の仕事関数が4eV以上であることが好ましい。このような第二の電極6の材料としては、特に限定されないが、金などの金属;CuI、ITOインジウム-スズ酸化物、SnO2、ZnO、IZOインジウム-亜鉛酸化物等;PEDOT、ポリアニリン等の導電性高分子;任意のアクセプタ等でドープした導電性高分子;カーボンナノチューブなどの、導電性と光透過性とを併せ持つ材料が挙げられる。また、第二の電極6の仕事関数は第一の電極2の仕事関数よりも大きいことが好ましい。第二の電極6は、例えば正孔取り出し層5上、あるいは正孔取り出し層5が不要な場合には発電層4上に、真空蒸着法やスパッタリング法、塗布等の方法により形成される。外来光が第二の電極6を透過して発電層4に入射する場合には、第二の電極6の光透過率が70以上でることが好ましい。ただし、外来光が第一の電極2を透過して発電層4に入射する場合には、これに限ったものではない。第二の電極6のシート抵抗は数百Ω/□以下であることが好ましく、特に100Ω/□以下であれば更に好ましい。第二の電極6の膜厚は、第二の電極6の光透過率、シート抵抗等の特性が前記のように制御されるためには、材料によって異なるが、500nm以下であることが好ましく、10~200nmの範囲であれば更に好ましい。有機発電素子の低コスト化を図る観点からは、正孔取り出し層5および第二の電極6は塗布法により形成されることが好ましい。塗布法に用いられる溶媒に関しては、発電層4を溶解させず、かつ発電層4に対してぬれ性が良いことが好ましい。溶媒としては、特に限定されないが、水、エタノール、2-プロパノールなどが挙げられる。また発電層4に対するぬれ性の向上のために、溶媒に界面活性剤が添加されてもよい。溶媒に対する界面活性剤の添加量は、体積比で0.01~5の範囲であることが好ましい。本実施形態において、第二の電極6の上に表面保護層7が形成されていてもよい。表面保護層7は、図1に示されるように、基材1に積層されている第一の電極2、電子取り出し層3、発電層4、正孔取り出し層5、及び第二の電極6を全て覆うように形成されてもよい。表面保護層7は、電極、発電層などを外界から保護するために設けられる。表面保護層7はガスバリア性を有することが好ましい。また表面保護層7は光透過性を有することが好ましい。また表面保護層7はフィルム状や板状の構造体であることが好ましい。表面保護層7の光透過率は高いほど好ましいが、特にこの光透過率が70以上であることが好ましい。このような表面保護層7は、特に限定されないが、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリカーボネートなどのフィルム上に、ガスバリア性を高めるために酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化セリウム、酸化ジルコニウムなどの無機酸化物蒸着薄膜層を形成することで構成され得る。第二の電極6と表面保護層7の間に、両者を接着するための接着層が介在してもよい。接着層は、特に限定されないが、第二の電極6および表面保護層7の劣化を引き起こさない材料から形成されることが好ましい。また、表面保護層7と接着層との積層体の光透過性が70以上であることが好ましい。このような接着層の材料としては、接着性があれば特に制限されないが、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化樹脂等を用いることができる。このような接着層の材料の好ましい具体例としては、エチレン-酢酸ビニル共重合体樹脂、変性ポリエチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エチレンアクリル酸エステル共重合体樹脂などが挙げられる。なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々に変更できることは勿論である。[実施例1]ガラス基板の上にAlを真空蒸着により成膜することで、厚み80nmの第一の電極を形成した。この第一の電極の上に二酸化チタンTiO2をスパッタ法により成膜することで厚み8nmの電子取り出し層を形成した。この電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFM株式会社島津製作所製、型番SFT-3500で測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは0.5nmであった。電子供与材料としてポリ3-ヘキシルチオフェンP3HTと略す;メルク社製、レジオレギュラータイプを、電子受容材料としてフラーレン誘導体である[6,6]-フェニルC61酪酸メチルエステルPCBMと略す;Solenne社製を準備した。主溶媒として1,2-ジクロロベンゼン蒸気圧;160Pa20°Cを、添加溶媒としてクロロホルム蒸気圧;21.2kPa20°Cを準備した。1,2-ジクロロベンゼンにクロロホルムを容積比6:4で混合して混合溶媒を調製し、この混合溶媒中にP3HTとPCBMを質量比1:0.7の割合で混合した材料を、固形分濃度が51mg/mLとなるように溶解することで混合溶液を調製した。露点-76°C以下、酸素1ppm以下のドライ窒素雰囲気のグローブボックス内で、電子取り出し層の上に混合溶液をスピンコート法により塗布することで、厚み200nmの発電層を形成した。ここまでで得られたガラス基板、第一の電極、電子取り出し層、及び発電層を備える積層物を、大気に曝露することなく露点-76°C以下のドライ窒素雰囲気のグローブボックス内に配置し、110°Cで10分間加熱することでアニール処理を施した。次に、発電層上にPlexcoreOC1200溶液Plextronics社製をスピンコート法により塗布することで、厚み50nmの正孔取り出し層を形成した。次に、PEDOT/PSSCLEVIOSFE-Tにイソプロパノールを体積比で50、界面活性剤のTergitol15-S-9ダウケミカル社製を体積比で0.05の割合で混合することで溶液を調製し、この溶液を正孔取り出し層上にスピンコート法により塗布することで、厚み100nmの第二の電極を形成した。ここまでで得られたガラス基板、第一の電極、電子取り出し層、発電層、正孔取り出し層、及び第二の電極を備える積層物を窒素フロー下で十分に乾燥した後に、窒素雰囲気下において130°Cで5分間加熱することでアニール処理を施した。続いて、この積層物を露点-76°C以下のドライ窒素雰囲気のグローブボックス内に搬送した。ガラス製の封止板を用意した。この封止板の一面の外周部には全周に亘って紫外線硬化樹脂製のシール材を貼り合わせた。更にこの封止板のシール材が張り合わされている面におけるシール材の内側に、酸化カルシウムが練り込まれている吸水材ゲッターを粘着剤を介して貼り付けた。この封止板を上記の積層物と共にグローブボックス内に搬送し、グローブボックス内で積層物第二の電極に封止板のシール剤が張り合わされている側の面を対向させると共にシール剤を基板上に重ねた。この状態でシール剤に紫外線を照射することでシール剤を硬化させた。これにより封止板からなる表面保護層を形成した。これにより、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[比較例1]実施例1において、電子取り出し層を形成する際、第一の電極上に二酸化チタンTiO2をスパッタ法により厚み15nmに成膜した。この電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFMで測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは0.6nmであった。それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[実施例2]実施例1において、電子取り出し層を形成する際、第一の電極上に酸化亜鉛ZnOをスパッタ法により厚み8nmに成膜した。この電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFM株式会社島津製作所製、型番SFT-3500で測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは0.5nmであった。それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[実施例3]実施例1において、電子取り出し層を形成する際、第一の電極上に硫化カドミウムCdSをスパッタ法により厚み8nmに成膜した。この電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFMで測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは0.5nmであった。それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[実施例4]実施例1において、電子取り出し層を形成する際、第一の電極上に二酸化チタンナノ粒子分散液平均粒径3nm;TAYCA社製をスピンコート法により塗布して塗膜を形成した。ここまでで得られたガラス基板、第一の電極、及び塗膜を備える積層物を、大気中で150°Cで10分間加熱することでアニール処理を施した。これにより塗膜が乾燥することで厚み15nmの電子取り出し層が形成された。この電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFMで測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは1.5nmであった。それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[比較例2]実施例1において、電子取り出し層を形成する際、第一の電極上に二酸化チタンナノ粒子分散液平均粒径5nm;TAYCA社製をスピンコート法により塗布して塗膜を形成した。ここまでで得られたガラス基板、第一の電極、及び塗膜を備える積層物を、大気中で150°Cで10分間加熱することでアニール処理を施した。これにより塗膜が乾燥することで厚み15nmの電子取り出し層が形成された。この電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFMで測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは3.2nmであった。それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[実施例5]実施例1において、電子取り出し層を形成する際、第一の電極上に二酸化チタンTiO2をスパッタ法により厚み0.5nmに成膜した。この電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFMで測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは0.4nmであった。それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[比較例3]実施例1において、電子取り出し層を形成せず、それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[実施例6]実施例1において、発電層を形成する際、発電層に用いる電子供与材料としてポリ2-メトキシ-5-3’-7’-ジメチルオクチルオキシ-1,4-フェニレンビニレンMDMO-PPVと略す;メルク社製を準備した。2-ジクロロベンゼンにクロロホルムを容積比6:4で混合して混合溶媒を調製し、この混合溶媒中にMDMO-PPVとPCBMとを質量比1:4の割合で混合した材料を、固形分濃度が40mg/mLとなるように溶解することで混合溶液を調製した。この混合溶液を、同様に露点-76°C以下、酸素1ppm以下のドライ窒素雰囲気のグローブボックス内で、電子取り出し層の上にスピンコート法により塗布することで、厚み150nmの発電層を形成した。それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。尚、本実施例では電子取り出し層を実施例1と同じ方法で形成したものであり、電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFMで測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは0.5nmであった。[比較例4]実施例6において、電子取り出し層を形成する際、第一の電極上に二酸化チタンTiO2をスパッタ法により厚み15nmに成膜した。この電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFMで測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは1.5nmであった。それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[実施例7]実施例1において、電子取り出し層を形成する際、第一の電極上に硫化インジウムIn2S3をスパッタ法により厚み8nmに成膜した。この電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFMで測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは0.5nmであった。それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[実施例8]実施例1において、電子取り出し層を形成する際、第一の電極上にセレンカドミウムCdSeをスパッタ法により厚み8nmに成膜した。この電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFMで測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは0.5nmであった。それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[実施例9]実施例1において、電子取り出し層を形成する際、第一の電極上にセレン化インジウムIn2Se3をスパッタ法により厚み8nmに成膜した。この電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFMで測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは0.5nmであった。それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[実施例10]実施例1において、電子取り出し層を形成する際、第一の電極上に硫化亜鉛ZnSをスパッタ法により厚み8nmに成膜した。この電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFMで測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは0.5nmであった。それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[実施例11]実施例1において、電子取り出し層を形成する際、第一の電極上にセレン化亜鉛ZnSeをスパッタ法により厚み8nmに成膜した。この電子取り出し層の表面の算術平均粗さをAFMで測定したところ、10μm角の範囲を測定することで求められた算術平均粗さRaは0.5nmであった。それ以外は実施例1の場合と同じ方法で、素子面積0.10cm2の有機発電素子を得た。[評価]上記実施例及び比較例で得られた有機発電素子の光電変換効率を、ソーラーシミュレータ山下電装株式会社製により擬似太陽光AM1.5、1sunを照射する条件で測定した。結果を表1に示す。実施例1のように電子取り出し層が二酸化チタンから形成されてその厚みが8nmである場合、並びに実施例5のように電子取り出し層が二酸化チタンから形成されてその厚みが0.5nmである場合には、比較例1のように電子取り出し層の厚みが15nmの場合よりも光電変換効率が良好であった。発電層の組成を実施例6及び比較例4のように変更した場合にも、実施例6のように電子取り出し層が二酸化チタンから形成されてその厚みが8nmである場合には、比較例4のように電子取り出し層の厚みが15nmの場合よりも光電変換効率が良好であった。また電子取り出し層が設けられていない比較例3では変換効率が極端に低下した。また実施例2、3、7~11のように電子取り出し層が種々のn型半導体で形成されてその厚みが8nmであるである場合も、光電変換効率が良好であった。これより電子取り出し層が二酸化チタン以外のn型半導体で形成される場合も、その厚みが10nm以下である場合において光電変換効率が良好であることが確認できた。また、実施例4、比較例1および比較例2を比べると、電子取り出し層の表面粗さRaの値が小さいほど光電変換効率は良好になった。"