絶縁樹脂製の基材の表面に導体パターン及びレジストを形成し、前記基材に電子部品を実装する前に、前記電子部品が実装される前記基材の部分において予めレジストを除去して前記基材の前記部分にアンダーフィルを塗布する工程を含む、配線基板の製造方法において、前記導体パターンを形成するパターンエッチング工程後であって前記基材の前記部分が露出されているときに、前記基材の前記部分の表面を平滑化する工程をさらに含む、製造方法。前記基材の前記部分の表面を平滑化する工程は、前記パターンエッチング工程後かつ前記レジストを形成する工程前に行われるデスミヤ処理、バフ研磨及びジェットスクラブの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の製造方法。前記基材の前記部分の表面を平滑化する工程は、前記配線基板の表面が金めっき処理される場合において、前記金めっき処理の前に行われるソフトエッチング工程後かつ前記金めっき処理前に行われるバフ研磨及びジェットスクラブの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の製造方法。絶縁樹脂製の基材の表面に導体パターン及びレジストを形成し、前記基材に電子部品を実装する前に、前記電子部品が実装される前記基材の部分において予めレジストを除去して前記基材の前記部分にアンダーフィルを塗布する工程を含む、配線基板の製造方法において、前記導体パターンを形成するために前記基材の表面に予め取り付けられる電導性材料としてロープロファイル銅箔を使用する工程をさらに含む、製造方法。請求項1~4のいずれか1項に記載の製造方法により製造される配線基板。アンダーフィルを塗布する部分の配線基板構造としては、大別して2通り存在し、1つは樹脂製の基材上にレジストを形成し該レジスト上にアンダーフィルを塗布する形態であり、もう1つはアンダーフィルを塗布する前に、ICの下方においてレジストを開口除去した形態である。前者の形態では、基材表面が比較的平滑なレジスト上にアンダーフィルが塗布されるので該アンダーフィルの濡れ広がり性は良好であるが、ICの下方にレジストが存在しているので該レジストと該ICとの隙間が狭く、該隙間にアンダーフィルが進入しにくくなり、該隙間内がアンダーフィルによって完全には埋められずボイドや気泡が生じる虞がある。また、該ICの周辺部品にアンダーフィルが付着しないようにするために、該ICの外形よりいくらか大きい寸法のダム状部分やレジスト抜きを基材に設ける必要があり、配線基板の実装可能領域が縮小される。一方、後者の形態では、ICの下方にレジストが無いので該ICと基材表面との隙間を比較的大きくすることができ、アンダーフィルの進入し易さという点では優れている。しかし、レジストが存在しない基材表面は、レジスト表面と比較すると粗い凹凸が大きいため、アンダーフィルの濡れ広がり性が低下する。これは、樹脂性の基材と銅箔等の電導性材料との密着性を高めるために該電導性材料の表面には多数の微小な突起を設ける処理いわゆるアンカー処理が施されており、例えば図8に示すように、エッチング工程にて該電導性材料が除去された部分における基材表面には多数の孔凹凸が形成された状態となっていることに起因する。そこで本発明は、配線基板に実装されるIC等の電子部品の下方においてレジストを開口した形態において、アンダーフィルの濡れ広がり性を高めるべく、アンダーフィルを塗布する前に基材表面を平滑にする工程を含む、配線基板の製造方法、及び該製造方法により製造される配線基板を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一態様は、絶縁樹脂製の基材の表面に導体パターン及びレジストを形成し、前記基材に電子部品を実装する前に、前記電子部品が実装される前記基材の部分において予めレジストを除去して前記基材の前記部分にアンダーフィルを塗布する工程を含む、配線基板の製造方法において、前記導体パターンを形成するパターンエッチング工程後であって前記基材の前記部分が露出されているときに、前記基材の前記部分の表面を平滑化する工程をさらに含む、製造方法を提供する。具体的形態としては、前記基材の前記部分の表面を平滑化する工程は、前記パターンエッチング工程後かつ前記レジストを形成する工程前に行われるデスミヤ処理、バフ研磨及びジェットスクラブの少なくとも1つを含む。他の具体的形態としては、前記基材の前記部分の表面を平滑化する工程は、前記配線基板の表面が金めっき処理される場合において、前記金めっき処理の前に行われるソフトエッチング工程後かつ前記金めっき処理前に行われるバフ研磨及びジェットスクラブの少なくとも1つを含む。また本発明の他の態様は、絶縁樹脂製の基材の表面に導体パターン及びレジストを形成し、前記基材に電子部品を実装する前に、前記電子部品が実装される前記基材の部分において予めレジストを除去して前記基材の前記部分にアンダーフィルを塗布する工程を含む、配線基板の製造方法において、前記導体パターンを形成するために前記基材の表面に予め取り付けられる電導性材料としてロープロファイル銅箔を使用する工程をさらに含む、製造方法を提供する。さらに本発明は、上記製造方法により製造される配線基板を提供する。本発明の一態様によれば、基材の表面が露出している間に簡易な処理で該表面を平滑化することができるので、アンダーフィルの濡れ広がり性の良い表面を効率よく得ることができる。基材表面を平滑化する具体的処理としては、パターンエッチング工程後かつレジスト形成工程前に行われるデスミヤ処理、バフ研磨及びジェットスクラブ、或いはソフトエッチング工程後かつ金めっき工程前に行われるバフ研磨及びジェットスクラブが挙げられ、いずれも特殊な設備は必要ない。特にデスミヤ処理は、従来の製造工程において他の目的で行われる場合が多く、設備を利用できるので有利である。また本発明の他の態様によれば、導体パターンを形成するための電導性材料としてロープロファイル銅箔を使用することにより、平滑化された基材表面を容易に得ることができる。図1は、本発明に係る製造方法によって製造され、アンダーフィルが塗布される配線基板10の概略構成を示す断面図である。配線基板以降、単に基板と称する10は、絶縁樹脂製の内層12と、内層12の両面に積層される絶縁樹脂製の外層14、16を有し、外層14、16の少なくとも一方の表面には銅箔等の電導性材料18が取り付けられる。本実施形態では、内層12及び外層14、16が配線基板10の基材を構成する。外層14、16の少なくとも一方図示例では外層14には、レーザ加工によって多数の貫通穴20が形成され、該貫通穴20の内周面には導体層22が形成される。貫通穴20が形成された外層14の表面には、銅箔等をパターンエッチングして得られた導体パターンが形成され、さらに種々のIC図示せず等の電子部品が実装される。なお基板10は、後述する処理によって外層表面が平滑化されている点を除けば、従来の配線基板と同様のものでよい。図2は、基板10の製造工程を示すフロー図である。先ず、図2に記載の各工程のうち、従来技術に係る工程S1~S10について簡単に説明する。先ず工程S1において、上述の内層12を作製する。次に工程S2において、内層12に外層14、16及び銅箔18を積層する積層プレスを行う。次に工程S3において、外層図示例では外層14に貫通穴20を形成するためのレーザ穴あけ加工を行う。次の工程S4では、工程S3で形成された各貫通穴20に対してデスミヤ処理を施す。ここでのデスミヤ処理とは、外層の基材である樹脂に作用する薬品を使用して、レーザによる穴あけ加工によって生じた溶融樹脂を該貫通穴から除去したり、該貫通穴の内周面の平滑化したりするために行われる処理である。次の工程S5では、パターンエッチングを行う。具体的には、貫通穴20が形成された外層14の表面内層12とは反対側の面に全面的に取り付けられた銅箔18に対して、パターンエッチングによって不要な銅箔部分を除去して所望の導体パターンを得る。次の工程S6は、工程S5にて形成された導体パターンに対してCZ処理商標等の薬品処理を施し、導体パターンの表面を粗面化する工程である。この処理は、次のレジスト塗布工程S7の前処理として、導体パターンとレジストとの密着性を高めるために行われる。工程S7におけるレジスト塗布が完了したら、フラックスの塗布S8を行って導体パターンの酸化を防止する。或いは、基板10の表面処理が金めっき仕様である場合は、工程S8の代わりに、前処理としてソフトエッチングS9を行い、次に金めっき処理S10を行う。工程S8又はS10の後、電子部品を実装すべき基材表面の部分のレジストを除去し、アンダーフィルを塗布して電子部品を実装するS11-S13。以降、本発明に係る各工程実施形態について説明する。第1の実施形態では、上述のパターンエッチングS5の後に、工程S21にて示すデスミヤ処理を行う。デスミヤ処理は従来、工程S4について説明したように、パターンエッチングの前すなわち外層14の表面が銅箔18で全面的に覆われている状態で実施されるため、S4でのデスミヤ処理では外層14の基材絶縁性樹脂に薬品がかかることはない。そこで第1の実施形態では、外層14の基材が露出するパターンエッチング工程後にデスミヤ処理を行うことにより、アンカー処理された銅箔によって多数の凹凸が形成された外層14の基材表面に薬品を付与し、該基材の表面を平滑化することができる。なおデスミヤ処理で使用される薬品が導体パターンに与える影響は小さいので、導体パターンがさらにエッチングされることもない。またデスミヤ処理は通常の工程S4として基板の製造工程に含まれていることが多いので、工程S11でのデスミヤ処理のために新たにデスミヤ処理用の設備を用意する必要もない。図3は、工程S21でのデスミヤ処理によって平滑化された外層表面の状態を示す拡大写真である。図8に示す平滑化処理を行っていない場合に比べ、外層表面が平滑化されていることがわかる。第2の実施形態では、上述のレジスト塗布工程S7の前に、工程S22にて示すバフ研磨を行う。レジスト工程の前も外層14の基材が露出した状態なので、ここで外層表面にバフ研磨を施すことにより、外層の基材を平滑化することができる。なお図2では、バフ研磨は導体パターンの粗面化処理S6とレジスト塗布工程S7との間に行われるように示されているが、バフ研磨を粗面化処理S6の代わりに行ってもよい。図4は、上述のバフ研磨によって平滑化された外層表面の状態を示す拡大写真である。図8に示す平滑化処理を行っていない場合に比べ、外層表面が大きく平滑化されていることがわかる。第3の実施形態では、上述の工程S22におけるバフ研磨の代わりに、ジェットスクラブを行う。レジスト工程の前も外層14の基材が露出した状態なので、ここで外層表面にジェットスクラブを施すことにより、外層の基材をさらに平滑化することができる。なお図2では、ジェットスクラブは導体パターンの粗面化処理S6とレジスト塗布工程S7との間に行われるように示されているが、ジェットスクラブを粗面化処理S6の代わりに行ってもよい。なお該ジェットスクラブ処理を、寸法5mm×4mm、83ピンピッチ0.3mmのIC600pcsに対して行い、ジェットスクラブを行わない場合と比較した。その結果、アンダーフィル塗布に要する時間が、ジェットスクラブを行わない場合は1pcsあたり約42秒であったのに対し、ジェットスクラブを行った場合は1pcsあたり約9秒であった。図5は、上述のジェットスクラブによって平滑化された外層表面の状態を示す拡大写真である。図8に示す平滑化処理を行っていない場合に比べ、外層表面が著しく平滑化されていることがわかる。なお工程S22におけるバフ研磨及びジェットスクラブは、上述のようにいずれか一方のみ行ってもよいし、両方とも行ってもよい。図6は、工程S22においてバフ研磨及びジェットスクラブの両方を行った場合の外層表面の状態を示す拡大写真である。図8に示す平滑化処理を行っていない場合に比べ、外層表面が著しく平滑化されていることがわかる。第4の実施形態では、配線基板10が金めっき処理を施されるものである場合に、ソフトエッチングS9と金めっき処理S10との間に、工程S22にて説明したものと同様のバフ研磨及びジェットスクラブの一方又は両方が行われる。ソフトエッチング工程後も外層14の基材が露出した状態なので、ここで外層表面にバフ研磨及びジェットスクラブの少なくとも一方を施すことにより、外層の基材をさらに平滑化することができる。なお上述のデスミヤ処理S21、レジスト塗布前のバフ研磨又はジェットスクラブS22、及び金めっき処理前のバフ研磨又はジェットスクラブS23は、いずれか1つ行えば十分な効果が得られるものであるが、S21、S22及びS23のうちいずれか2つ又は3つ全てを行うことももちろん可能である。また上述のデスミヤ処理、バフ研磨及びジェットスクラブは平滑化処理の一例であり、外層の基材が露出している状態において該基材の表面を平滑化できる処理であればどのような処理でもよい。以上述べてきたデスミヤ処理、バフ研磨及びジェットスクラブはいずれも、アンカー処理された銅箔によって多数の凹凸が形成された基材表面が露出しているときに、該基材表面を平滑化するために行われるものである。そこで基材表面に取り付けられる銅箔として、いわゆるロープロファイル銅箔と呼ばれるアンカー量の少ない銅箔を使用することにより、基材表面の凹凸を少なくすることもできる。そもそもアンカー量の少ない銅箔を使用すれば、上述のような平滑化処理を行わずとも、凹凸の少ない基材表面が得られる。図7は、上述のロープロファイル銅箔を使用した場合の外層表面の状態を示す拡大写真である。図8に示す通常の銅箔を使用した場合に比べ、表面が平滑化されていることがわかる。