複数の光源を有する半導体発光デバイスを製造する方法であって:成長表面を有する基板を用意する工程;前記成長表面上にマスク層を配設する工程であり、該マスク層は、前記成長表面を露出させる複数の開口を有し、該複数の開口の各々の最大横方向寸法は0.3μmより小さく、該マスク層は、前記成長表面を露出させる複数の開口を各々が有する第1マスク層部分と第2マスク層部分とを有し、該第1マスク層部分は、前記成長表面の露出面積と前記成長表面の非露出面積との間に第1の比を示し、該第2マスク層部分は、前記成長表面の露出面積と前記成長表面の非露出面積との間に第2の比を示し、該第2の比は該第1の比と異なる、工程;前記マスク層の前記複数の開口の各々内で前記成長表面上に台座構造を成長させる工程;及び前記台座構造の各々の表面に少なくとも1つの光生成量子井戸層を成長させる工程;を有する方法。前記複数の開口は実質的に同じ大きさであり、隣接し合う開口間の距離は、前記第2マスク層部分において、前記第1マスク層部分においてより大きい、請求項1に記載の方法。前記複数の開口の各開口は多角形形状を有し、前記開口の少なくとも1つの辺が前記成長表面の結晶方向に実質的に平行に配向される、請求項1又は2に記載の方法。前記開口は六角形である、請求項1乃至3の何れか一項に記載の方法。前記台座構造の各々の前記光生成量子井戸層上の第1のコンタクト構造と、前記台座構造に電気的に接触する第2のコンタクト構造とを配設する工程、を更に有する請求項1乃至4の何れか一項に記載の方法。前記第1のコンタクト構造を配設する工程は:前記光生成量子井戸層の表面上に電荷キャリア閉じ込め層を成長させる工程;前記電荷キャリア閉じ込め層の表面上に導電層を配設する工程;及び前記導電層へのコンタクトを配設する工程を有する、請求項5に記載の方法。前記マスク層を配設する工程は:前記成長表面上にマスク層材料を堆積する工程;及び前記開口を形成するように前記マスク層材料を選択的に除去する工程を有する、請求項1乃至6の何れか一項に記載の方法。前記選択的に除去する工程は:ナノインプリンティングによって前記マスク層内に複数の窪みを作り出すことによって前記マスク層をパターニングする工程;及び前記成長表面の材料に対して前記マスク層材料を選択的にエッチングすることによって前記窪みの底の前記マスク層材料を除去して、前記成長表面を露出させる前記開口を形成する工程を有する、請求項7に記載の方法。成長表面を有する基板;前記成長表面上のマスク層であり、該マスク層は複数の開口を有し、該複数の開口の各々の最大横方向寸法は0.3μmより小さく、該マスク層は、複数の開口を各々が有する第1マスク層部分と第2マスク層部分とを有し、該第1マスク層部分は前記開口の面積と前記マスク層の面積との間に第1の比を示し、該第2マスク層部分は前記開口の面積と前記マスク層の面積との間に第2の比を示し、該第2の比は該第1の比と異なる、マスク層;前記マスク層の前記複数の開口の各々内で前記成長表面上に成長された、少なくとも部分的に結晶緩和された台座構造;及び前記台座構造の各々の表面上に成長された光生成量子井戸層;を有する半導体発光デバイス。前記複数の開口は実質的に同じ大きさであり、隣接し合う開口間の距離は、前記第2マスク層部分において、前記第1マスク層部分においてより大きい、請求項9に記載の半導体発光デバイス。前記台座構造の各々は多角形形状を有し、該多角形の少なくとも1つの辺が前記成長表面の結晶方向に実質的に平行に配向されている、請求項9又は10に記載の半導体発光デバイス。前記台座構造の各々の前記量子井戸層上に配置された第1のコンタクト構造と、前記台座構造に電気的に接触する第2のコンタクト構造と、を更に有する請求項9乃至11の何れか一項に記載の半導体発光デバイス。前記台座構造の各々は前記マスク層の上方に突出している、請求項9乃至12の何れか一項に記載の半導体発光デバイス。前記成長表面及び前記台座構造のうちの少なくとも一方はGaN又はInGaNを有する、請求項9乃至13の何れか一項に記載の半導体発光デバイス。前記量子井戸層はInGaNを有する、請求項9乃至14の何れか一項に記載の半導体発光デバイス。上述の従来技術に鑑み、本発明の1つの目的は、半導体発光デバイスの改善された製造方法、特に、可視スペクトルの緑から赤の部分の波長を放射するデバイスの製造を可能にするような半導体発光デバイスの改善された製造方法を提供することである。本発明の第1の態様によれば、故に、複数の光源を有する半導体発光デバイスを製造する方法が提供され、当該方法は、成長表面を有する基板を用意する工程と、前記成長表面上にマスク層を配設する工程であり、該マスク層は、前記成長表面を露出させる複数の開口を有し、該複数の開口の各々の最大横方向寸法は0.3μmより小さく、該マスク層は、同じ表面積を有し且つ複数の開口を有する第1マスク層部分と第2マスク層部分とを有し、該第1マスク層部分は、前記成長表面の露出面積と前記成長表面の非露出面積との間に第1の比を示し、該第2マスク層部分は、前記成長表面の露出面積と前記成長表面の非露出面積との間に第2の比を示し、該第2の比は該第1の比と異なる、工程と、前記マスク層の前記複数の開口の各々内で前記成長表面上に台座構造を成長させる工程と、前記台座構造の各々の表面に少なくとも1つの光生成量子井戸層を成長させる工程とを有する。用語半導体発光デバイスは、本願において、例えばフォトルミネッセントデバイス、LED、レーザダイオード又は垂直キャビティ面発光レーザVCSELなどの半導体ベースの発光デバイスとして理解されるべきである。光源は、本願において、電気駆動デバイスにおいて直接発行により、あるいは受動デバイスにおいて光励起に続くフォトルミネッセント反応により、の何れかで光を放射する個々の構造の各々として理解されるべきである。光生成量子井戸QW層は、周囲の材料より低いエネルギーバンドギャップを有することによってポテンシャル井戸を形成する材料の薄い層である。バンドギャップをまたいで電荷キャリアが再結合するときに光が生成され、バンドギャップの大きさが放射光の波長を決定する。電荷キャリアは、電気駆動デバイスにおける電気的な注入、又は受動デバイスにおける光励起、の何れかによって提供され得る。少なくとも部分的に緩和されたrelaxed台座構造上に光生成量子井戸層を成長させることにより、非緩和表面上では達成することができない材料組成、ひいては、バンドギャップエネルギーを量子井戸層内で達成することができる。故に、少なくとも部分的に緩和された台座構造を設けることは、非緩和表面上では達成不可能な所望の発光特性を有する量子井戸層の成長を促進する。具体的には、可視スペクトルの赤色部分内に放射ピークを有する量子井戸を成長させることが可能である。台座構造上に積層して複数の量子井戸を成長させて、例えばLED、レーザダイオード及びVCSELなどの発光デバイスを製造することも同様に可能である。また、緩和構造の成長を達成するように開口のサイズを制限することは、格子整合されていない基板の使用をも可能にする。格子整合されていない基板は、そうでなければ、より大きい構造又は連続膜を成長させるときに一般的に生じる応力関連の問題を生じさせるものである。本発明は、特定サイズの開口内で成長表面上にエピタキシャル成長された結晶緩和構造に基づく光源の特性は、複数の開口の相対的な大きさ及び離隔距離を制御することによって、そして特に、露出される成長表面の面積とマスク層の面積との間の比を制御することによって制御することができる、という認識に基づく。少なくとも部分的に緩和される台座構造は、その後の、歪み材料上に成長可能なものとは異なる特性を有する光生成量子井戸層の成長を可能にするので、そのような結晶緩和された台座構造を実現することは望ましいことである。各開口の最大横方向寸法が0.3μmより小さいとすると、局所的な表面緩和が、そうでなければ成長表面の格子定数と台座構造の格子定数との間の格子不整合から生じることになる応力を抑制あるいは排除する。例えば多角形の最大横方向寸法は、最大の対角線、すなわち、多角形の2つの異なる隣り合わない角を接続する線分のうち最大のものである。緩和された台座構造を実現するのに許容可能な各開口の最大サイズは、例えばヤング率及び格子定数などの材料パラメータによって決定される選択された材料の組合せに関してのものである。量子井戸から放射される光の波長は量子井戸の厚さに関係し、量子井戸の厚さは、量子井戸層を成長させるときに使用される成長条件の結果である。前駆体が供給される一般的に気体又は蒸気状態で供給されるとき、前駆体は一般的な回転ウェハ構成において堆積中にウェハの表面全体と均一に反応すると仮定することができる。成長は台座構造上でのみ起こり、マスク層の表面では起こらないので、マスク層表面に堆積される前駆物質は、台座構造を格納した開口に向かって移動し、そこで量子井戸成長に寄与する。故に、露出された成長表面の面積と露出されていない成長表面の面積との間の比が、量子井戸層を成長させるのに利用可能な前駆物質の量を決定する。結果として、より大きい割合の成長表面が露出されているウェハ部分は、より小さい割合の成長表面が露出されているウェハ部分より薄い量子井戸を生じさせる。従って、開口の大きさは、間隔と組み合わさって、相対的な成長速度、ひいては、特定の台座構造上に成長されるQWの厚さを決定することになる。故に、開口サイズと離隔距離との組合せは、QW厚さ、ひいては、特定の光源からの発光色を調整する強力な手段である。担体キャリアとして作用する基板が用意され得る。基板は有利には、基板の裏面コンタクトを可能にする導電性材料のウェハとし得る。より具体的には、基板は、GaN、サファイア、シリコン、SiC、ZnO、ScN、TiN、HfN、AlN、ZrB2、HfB2、NbB2、BP、GaAs、GaP、LiGaO2、NdGaO3、LiAlO2、ScMgAlO4、ガーネット及びスピネルから成る群から選択される材料を有し得る。基板の上面に成長表面が用意され、成長表面が所望の緩和台座構造の成長を促進する。本願において、成長表面は有利には、III-V族半導体ベースの材料のエピタキシャル成長に適した表面とすることができ、より具体的には、成長表面はGaNベースの材料のエピタキシャル成長に適したものとし得る。電気的に駆動されるデバイスの場合、GaNベースのnドープされた成長層が使用され得る。成長表面の頂部にマスク層が配置され、マスク層内に、成長表面を露出させる開口が作り出され得る。マスク層は有利には、SiO2ベースの材料の場合のように、絶縁性とし得る。マスク層はまた、例えばSiNx、TiO2、ZrO2、又は同様の酸化物、窒化物若しくは炭化物などの広範な絶縁材料から選択され得る。台座構造のエピタキシャル成長は、露出された成長表面で始まる。すなわち、マスク層の表面では成長が起こらない。従って、マスク層内の開口によって、台座構造が成長される場所が画成される。台座構造の主目的は、後に該台座構造の表面に連続膜として成長され得る光生成量子井戸層の成長の基部として機能することである。電気的に駆動される半導体発光デバイスの場合、台座構造は好ましくはnドープされる。なお、フォトルミネッセントデバイスの場合、量子井戸は厳密には要求されない。フォトルミネッセントデバイスにおいては台座構造を発光構造とし得るが、そのようなデバイスにおいても、発光特性の更なる制御のために量子井戸が使用されてもよい。本発明の一実施形態によれば、複数の開口は実質的に同じ大きさであり、隣接し合う開口間の距離は、第2マスク層部分において、第1マスク層部分においてより大きい。これにより、単一のウェハ上で、第1及び第2の部分で実質的に同じ開口サイズを用いながら、デバイスの異なる部分で異なるように量子井戸特性を調整することができる。言うまでもないが、互いに異なる開口間距離を有する3つ以上のマスク層部分が存在してもよい。これは、望ましい場合に全ての開口内に緩和台座構造が成長され得るように最適な開口サイズを用いることができながら、異なる波長を放射する複数の光源の組合せを同一表面上に作り出す高度に柔軟な手法を提供する。少し言い換えると、実質的に同じ大きさの開口の密度が、第1及び第2のマスク層部分で異なるようにされ得る。例えば、複数の開口が実質的に規則的に配列され、ピッチが2つの部分の間で異なるようにされ得る。開口間の距離は、例えば、第2マスク層部分において、第1マスク層部分においてより少なくとも10大きくされることができ、それにより、なおも緩和台座構造上に光生成量子井戸層を成長させながら実質的な色の差を達成することができる。局所的に開口の離隔距離及び/又は開口サイズを変化させることにより、放射波長を局所的に調整することができる。別々にコンタクトされるのに十分な大きさでデバイスの比較的大きい領域でこれを行うことにより、デバイスはセグメント化されたもの、ひいては、色調整可能なものとなる。一方、開口サイズ及び間隔の一方又は双方、ひいては、QW厚さをランダムあるいは擬似ランダムに変化させることにより、高度に均一に混ぜ合わされた異なる波長の光源を得ることができ、これは均一性の観点からの要求が非常に多い用途で有利となり得る。また、緩和台座構造を用いることの結果として、放射を調整することができることは、可視スペクトルをカバーする波長を放射することができることと組み合わさって、白色光を放射するLEDデバイスを作り出すことを可能にする。本発明の他の一実施形態によれば、複数の開口の各開口は多角形形状を有し、開口の少なくとも1つの辺が成長表面の結晶方向に実質的に平行に配向アライメントされる。開口の形状は、多角形形状の開口から成長される多面体を制約する結晶面の格子構造に影響を及ぼす。台座構造における異なる結晶面は異なる成長特性を有することがあり、それにより、異なる材料組成又は層厚の光生成量子井戸層の成長をもたらし得る。量子井戸の異なる材料組成又は厚さは、放射波長のシフトを生じさせ得る。台座構造の異なる結晶面に対応する量子井戸特性の相違は比較的小さいことがあり、その場合、主として、全体の放射ピークの明らかな拡幅をもたらす。より広い放射ピークは、より連続した放射スペクトルを生じさせ、故に、より良好な放射光の色知覚をもたらす。異なる特性を有する異なる結晶面の効果は、一例として、頂部が切断された四角錐のような形状の多面体で明らかとなり、頂面に成長される量子井戸は、四角錐の側壁に成長される量子井戸と比較して、異なる材料組成だけでなく、顕著に異なる成長速度を示す傾向にある。さらに、四角錐の場合、いったん四角錐形状が形成し始めると構造の成長領域全体当初はマスク内の開口が成長し、且つ四角錐がマスクより大きく成長するにつれてますますそうなる。すなわち、表面に垂直な方向の相対成長速度が低下し始める。これは、この効果は早期に発生し且つ比較的小さい離隔距離の小型の孔で一層大きく発生するので、活用することができる。異なる面での異なるQW成長速度は、それにより異なる厚さのQWがもたらされるので、放射光の色をより大きく調整することができる一手法である。量子井戸の厚さは、量子閉じ込めの程度を直接的に決定し、それにより材料組成、及び格子不整合によって誘起される歪みと組み合わさって放射光の波長を決定する。また、開口の配向は有利には、台座構造の全ての辺が成長表面に対して等価になり、それによりデバイス領域全体で一層高い均一度がもたらされるように選択され得る。さらに、開口の制御された形状及び配向は、有利なことに、より少ない結晶欠陥を有する台座構造をもたらし、それにより、デバイスの効率を低下させる非放射性の再結合中心の虞を低減し得る。開口の辺と下地の結晶構造との間に大きなミスアライメントがある場合、成長される構造は部分的に様々な結晶方向に揃うことになる。例えば、ミスアライメントされた二次開口は、ファセット小平面を有する成長構造をもたらし得る。すなわち、6又は8個の面を有する多面体が成長され得る。しかしながら、成長される構造は本質的には好適成長方向に揃うので、幾らかのミスアライメントは許容され得る。本発明の一実施形態において、開口の形状は有利には六角形とし得る。成長される台座構造の辺を所望の下地結晶方位に揃え、該構造の全ての辺を等価にすることによって、より高い均一性とそれによる一層良好に定められた放射波長とを実現することができる。これは、単色の放射が望まれるときに好ましいものとなり得る。開口の形状は同様に、成長表面の結晶構造に応じて、三角形、長方形、又はその他の多角形であってもよい。本発明の一実施形態によれば、半導体発光デバイスを製造する方法は更に、台座構造の各々の光生成量子井戸層上の第1のコンタクト構造と、台座構造に電気的に接触する第2のコンタクト構造とを配設する工程を有し得る。本発明の一実施形態によれば、第1のコンタクト構造は有利には、光生成量子井戸層の表面上に配置された電荷キャリア閉じ込め層と、それに続く該閉じ込め層の表面上の導電層とを有し得る。電荷キャリア閉じ込め層は、量子井戸を形成するヘテロ構造の一部であり、閉じ込め層の機能は、量子井戸の境界のうちの一方を画成し、量子井戸と隣接材料との間にエネルギー障壁を提供することである。反対側の量子井戸の境界は台座構造によって形成される。一例として、電荷キャリア閉じ込め層は電子阻止層とし、導電層は当該導電層上にコンタクトが配置されたpドープされた正孔伝導層とし得る。デバイスは、平面プレーナ成長されたLEDとして、すなわち、nドープされた成長層及びpドープされた頂部層のそれぞれに適切なコンタクト層を設けることによって、コンタクトを取られ得る。これらのコンタクトはデバイスの反対側に形成されてもよいし、これらの双方がデバイスの同じ側にあってもよい。双方のコンタクトが同じ側に配置されるとき、デバイスは、透明なコンタクトを用いて形成されて、コンタクトと同じ側で光が抽出されるようにマウントされ得る。他の例では、コンタクトが反射性にされてフリップチップとしてマウントされてもよく、この場合、コンタクトが配置された場所とは反対側から光が抽出される。本発明の一実施形態において、マスク層を配設する工程は、成長表面上にマスク層材料を堆積する工程と、上述の開口を形成するように所定のパターンに従ってマスク層材料を選択的に除去する工程とを有し得る。本発明の一実施形態によれば、マスク層のパターニングは有利にはナノインプリンティング法によって行われ得る。例えばサーフェスコンフォーマルナノインプリンティング法などのパターニング方法を用いることにより、単一のプロセス工程にてウェハスケールでパターニングを行うことができる。さらに、その他のリソグラフィ法に付随するウェハ曲げに伴う問題が低減あるいは回避をもされ得る。パターンは有利には、ゾルゲル生成SiO2の形態で提供される変形可能シリカ内にインプリントされ、所定のインプリント用テンプレートに一致する複数の窪みが形成される。ナノインプリンティングの後、窪みの底に薄いシリカの残存層が残り得る。この残存層は好ましくは、下地の成長層に対してマスク層材料を選択的にエッチングすることによって除去され得る。この除去は、例えば、反応性イオンエッチングRIEを用いて行われ得る。例えばステッパリソグラフィ、電子ビームリソグラフィ及びホログラフィック干渉リソグラフィなど、その他のパターニング方法も利用可能である。それぞれのリソグラフィ法に好適なマスク除去方法が使用されることになる。本発明の第2の態様によれば、成長表面を有する基板と、前記成長表面上のマスク層であり、該マスク層は複数の開口を有し、該複数の開口の各々の最大横方向寸法は0.3μmより小さく、該マスク層は、複数の開口を各々が有する第1マスク層部分と第2マスク層部分とを有し、該第1マスク層部分は前記開口の面積と前記マスク層の面積との間に第1の比を示し、該第2マスク層部分は前記開口の面積と前記マスク層の面積との間に第2の比を示し、該第2の比は該第1の比と異なる、マスク層と、前記マスク層の前記複数の開口の各々内で前記成長表面上に成長された、少なくとも部分的に結晶緩和された台座構造と、前記台座構造の各々の表面上に成長された光生成量子井戸層と、を有する半導体発光デバイスが提供される。この本発明の第2の態様の効果及び特徴は、第1の態様に関して上述したものと概して同様である。しかし、幾つかの更なる特徴を説明する。本発明に係る半導体発光デバイスの一実施形態によれば、台座構造は有利にはマスク層の上方に突出していてもよい。成長された台座構造は、必ずしもマスク層の厚さによって制限されず、むしろその代わりに、マスク層内の開口の上方に突出して該開口の外側まで延在し得る。構造がマスク層の上方に突出した後に引き続いて成長される場合、構造は横方向にも拡張し得る。拡張された成長を可能にすることにより、本発明の第1の態様に関して述べた開口の幾何学配置に加えて、台座構造及び量子井戸の大きさ及び幾何学形状を調整する別の可能性が提供される。本発明の一実施形態によれば、成長表面は有利には、キャリア基板上に配置されたGaN又はInGaNの成長層を有し得る。この成長層から、GaN又はInGaNの台座構造が成長され、InGaNの量子井戸層がそれに続き得る。好ましくはIII-V族の半導体ベースの材料からの、より好ましくは窒化物ベースのIII-N材料の部分集合からの、その他の材料の組合せを使用することも可能である。以下の詳細な説明においては、主として、発光ダイオードの台座としての緩和半導体構造の成長に基づく方法を参照して、本発明に係る半導体発光デバイスを製造する方法の様々な実施形態を議論する。これは、決して本発明の範囲を限定するものではなく、フォトルミネッセンスに基づく放射を介して発光する受動デバイスにも等しく適用可能である。以下に説明される処理工程の変形を用いる製造方法も可能である。一例として、例えばフォトリソグラフィ又は電子ビームリソグラフィなど、他のマスクパターニング方法も使用され得る。また、この方法は、主としてIII-V族の半導体ベース材料からの材料を有する他の材料の組合せにも等しく適用可能である。また、成長方法は、エピタキシャル成長を可能にする或る範囲の方法から選択されることができ、例えば、MOVPEの代わりにMBEが使用されてもよい。図1に示すフローチャートを、製造方法の様々な段階におけるデバイスを模式的に示す図2とともに参照して、本発明の一実施形態に従った例示的な方法を説明する。第1の工程101にて、図2aに示すように、成長表面201を有する基板201を用意する。好適な基板はサファイア又はドープされた炭化珪素シリコンカーバイド;SiCのウェハとし得る。一例として、サファイアウェハ202の表面にGaN層203が堆積されて、図2aに示すような成長表面204が形成される。一般的に使用される基板上でのGaNのヘテロエピタキシャル成長によって得られる緩和GaNの所謂バッファ層からなる成長表面は、十分に適したものである。このGaN層の少なくとも頂部が、エレクトロルミネッセントデバイスを製造するためにnドープされる。次の工程102にて、図2bに示すようにマスク層205が設けられる。GaN成長表面に、マスク層への変形可能前駆体デフォーマブルプリカーサ層が堆積される。この実施形態において、デフォーマブルプリカーサはゾルゲル生成SiO2である。続く工程103にて、マスク層205がパターニングされる。パターニングは、SCILサーフェスコンフォーマルナノインプリンティングリソグラフィを用いる単一工程で、ウェハの全領域上に前駆体層をインプリントすることによって行われ、図2cに示すように、シリカ層内に正方形の形態の複数の窪みが得られる。これらの窪みの各々の最大横方向寸法は0.3μm未満である。インプリントの結果として、窪みの底にシリカの薄い残存層が存在することがある。窪みの底の残存シリカは反応性イオンエッチングによって除去可能であり、GaN成長表面204を露出させる複数の開口206が形成される。シリカのエッチングは好ましくは、GaN成長表面204に対して選択性である。台座構造207を成長させる後続工程104にて、図2dに模式的に示すように、マスク層205の各開口206内の露出されたGaN成長表面204上に、InGaN台座構造207が成長される。InGaN成長は、例えば、有機金属気相エピタキシMOVPE炉内で行われることができ、In含有量は、トリエチルガリウムTEG前駆体に対するトリメチルインジウムTMIの比によって決定される。In含有量の変化は、成長中に温度を適応させることによっても達成され得る。エピタキシャル成長されるInGaN台座構造207は開口206内のGaN表面204でのみ核生成し、シリカマスク層の表面では成長が起こらない。開口206の有限の寸法により、得られるInGaN台座構造207は緩和結晶構造を有する。台座構造207の形状は、本実施形態において説明したように正方形の開口を用いて成長されるときには、四角錐である。成長時間に応じて、この角錐の頂部は平坦であり得る。頂部の形状は発光デバイスの機能にとって重要でなく、例えば通常の角錐などの形状も等しく可能である。台座構造207は、マスク層の厚さと台座構造207の成長時間とに応じて、マスク層205の上方に突出していることもあるし、突出していないこともある。本実施形態においては台座構造の成長は合体前に停止されているが、原理的に、台座構造が結晶学的に緩和されたままであれば、合体された構造から発光デバイスを製造することも等しく可能である。次の工程105にて、図2eに示すように、台座構造207の表面に、薄い光生成量子井戸層208が成長される。エピタキシャル成長される量子井戸層208は台座構造207上にのみ成長し、マスク層205の表面では成長が起こらない。この実施形態において、量子井戸層208は、台座構造207より高いIn含有量を有するInGaNを有する。台座構造207の緩和結晶構造は、同じ条件下で非緩和台座構造の上で組み込まれるものと比較して、高いIn含有量が量子井戸層208に組み込まれることにつながる。In含有量を増大させることにより、緑色から赤色の光の放射を可能にするのに十分なようにバンドギャップが低減される。他の一実施形態において、台座構造207は、青色光を放射する光源の製造のために、InGaN量子井戸を備えたGaNで製造され得る。図2fに示す次の工程106は、電荷キャリア閉じ込め層209の堆積である。本実施形態において、電荷キャリア閉じ込め層209は窒化アルミニウムガリウムAlGaN電子阻止層を有する。図2gに示す次の工程107にて、導電層210が堆積される。導電層210の堆積は、pドープされたInGaN層の堆積と、それに続くpドープされたInGaN層の堆積とを有する。本発明の一実施形態に従ったこの方法における最後の工程108が図2hに示されており、例えばITOインジウム錫酸化物又はPd/Auなどの導電性コンタクト材料の形態でコンタクト層211が堆積される。その後、従来からの処理を用いてpコンタクト及びnコンタクトを画成することができる。デバイスのnドープ側へのコンタクトは、頂部層内にエッチングされた孔を介して、又は基板除去及びnドープ側のコンタクトによっての何れかで達成され得る。得られる半導体発光デバイスはそれ自体、連続的であってもよいし、デバイス領域上の個々の台座構造への別々の接触を可能にするようにセグメント化分割されていてもよい。図3aは、マスク層内の複数の開口206の大きさ及び離隔距離がデバイス表面にわたって変化したパターン301を有するデバイスを例示している。図示のように開口206の大きさ及び離隔距離を変化させることによって、処理工程を追加することなく同一ウェハ上で、得られる光源が異なる複数の波長を放射するように調整することが可能である。一般に、図3aの上部302に示すように小さめの開口対マスク比を有することは、より大きい開口対マスク比を有する領域303と比較して、厚い量子井戸層をもたらし、それにより、長い波長での放射を与える。一例として、複数の波長を組み合わせることにより、白色光を放射するデバイスを製造することが可能である。他の一例として、異なる波長を放射する領域をセグメント化して別々にコンタクトを取ることによって、色調整可能なデバイスを製造することができる。図3bは、台座構造の成長前の、成長表面204を露出させるマスク層205内の開口206を示している。図3cは、同じ大きさの開口を有するが、デバイスの異なる領域で開口の離隔距離が異なったデバイスを模式的に示している。具体的には、第1の領域302において、第2の領域303においてより開口間の距離が大きく、それによって異なる密度の開口が生じている。図4aは、マスク層内の開口の取り得る形状を模式的に示しており、六角形の形状402が、下地の成長表面における特定の結晶方向に沿った配向を可能にしている。一例として、成長表面の2つの模式的な結晶方向c1及びc2が示されている。また、結晶方向に実質的に平行な辺を有するように六角形の開口が配向され得ることが示されている。成長される台座構造の辺を所望の下地結晶方位に揃えることにより、構造の全ての辺を等価にし、より高い均一性、ひいては、より制御された放射特性を達成することが可能である。図4bに示すように六角形の開口402を亀甲パターン403で詰め込むとき、隣接する六角形同士の間の距離も一定に選定することができるので、より高い均一度を得ることができる。一例として、六角形構成をした開口をGaN表面の低指数方位に沿うように配向することは、全ての開口の壁部が10-10方向又は11-20方向の何れかに沿うことを意味する。他の一例として、GaNのC面上の主低指数結晶軸に沿うように方向付けられた三角形の開口は、等価な結晶面の明確な結晶成長をもたらす。更なる他の一例として、全てが直角対称性を示すサファイアのM面、A面又はR面上に構造を成長させるとき、これらの面の少なくとも2つの異なる組が最初に成長され、それらの面の間の比は、開口の大きさ、形状及び向きを選定することによって調整されることができる。当業者が認識するように、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。むしろ、添付の請求項の範囲内で数多くの変更及び変形が可能である。例えば、本発明に係る方法は、垂直キャビティ面発光レーザVCSELやレーザダイオードLDを製造することにも使用され得る。さらに、上述とは異なる材料組成を用いながら上述の方法に従って製造されるLEDも等しく可能である。また、n型及びp型のドーピング並びにコンタクト層を省略することにより、得られる構造は、上述の波長の調整及び選択に関する特性の大部分を備えたフォトルミネッセントエミッタとして作用するのに十分に適したものとなる。そのような材料は、好適なUV又は青色放射光源によって直接的に、あるいは導波路構造を介して照明され得る。また、本発明の基本原理は、一般に、格子パラメータ及び歪みレベルに関して所望の特性を有する成長用表面を提供することによって、III-V族に基づく半導体ベースのデバイスの製造にも適用され得る。