青色の波長帯の第1の光と第1の光よりも長波長の第2の光とを射出可能な照明光学系と、第1液晶層を含んで構成され、前記照明光学系から射出された前記第1の光を変調する第1液晶パネルと、前記第1液晶層よりも液晶相から等方相への転移温度が高い第2液晶層を含んで構成され、前記照明光学系から射出された前記第2の光を変調する第2液晶パネルと、前記第1液晶パネルによって変調された前記第1の光及び前記第2液晶パネルによって変調された前記第2の光を投写する投写光学系と、前記第1液晶層の温度が前記第2液晶層の温度よりも低くなるように前記第1液晶層を冷却する冷却機構と、を備えるプロジェクター。プロジェクターは、さらなる高輝度化や装置の小型化がすすめられており、液晶層の耐光性をさらに高めることが期待されている。上記の従来の技術は、液晶層の耐光性をさらに高める上で改善の余地がある。本発明は、上記の事情に鑑み成されたものであって、耐光性を向上させることが可能なプロジェクターを提供することを目的とする。本発明のプロジェクターは、青色の波長帯の第1の光と第1の光よりも長波長の第2の光とを射出可能な照明光学系と、第1液晶層を含んで構成され、前記照明光学系から射出された前記第1の光を変調する第1液晶パネルと、前記第1液晶層よりも液晶相から等方相への転移温度が高い第2液晶層を含んで構成され、前記照明光学系から射出された前記第2の光を変調する第2液晶パネルと、前記第1液晶パネルによって変調された前記第1の光及び前記第2液晶パネルによって変調された前記第2の光を投写する投写光学系と、前記第1液晶層の温度が前記第2液晶層の温度よりも低くなるように前記第1液晶層を冷却する冷却機構と、を備える。このようにすれば、第1液晶層は、第2液晶層と同じ液晶材料で形成される場合と比較して、転移温度が低いので照明光学系から入射する光のうちで吸収する光の光量が少なくなる。したがって、第1液晶層の光吸収による液晶材料の分解が抑制され、第1液晶層が分解などにより劣化して短寿命になることが抑制される。また、冷却機構は、第1液晶層の温度が第2液晶層の温度よりも低くなるように第1液晶層を冷却するので、第1液晶層の分解反応が進行することを抑制することができ、しかも第1液晶層の転移温度が第2液晶層の転移温度よりも低いにも関らず第1液晶層が等方相になることが抑制される。以下、本発明の実施形態及び実施例について図面を参照しながら説明する。説明に用いる図面中の構造の寸法や縮尺は、実際と異なることがある。図1は、本実施形態のプロジェクターの概略構成を示す図である。図2は、液晶パネルの構成を模式的に示す図である。図1に示すプロジェクター1は、照明光学系2、青用の画像形成系3、緑用の画像形成系4、赤用の画像形成系5、色合成部6、投写光学系7、及び冷却機構8を備える。照明光学系2は、青色の波長帯の第1の光以下、青色光L1というと、第1の光よりも長波長の第2の光以下、緑色光L2というと、第2の光よりも長波長の第3の光以下、赤色光L3というとを個別に射出することができる。本実施形態の照明光学系2は、光源部10、インテグレーター光学系11、及び色分離光学系12を備える。光源部10は、波長が450nm以上495nm未満の青色光L1、波長が495nm以上570nm未満の緑色光L2、及び波長が620nm以上750nm未満の赤色光L3を含んだ白色光Lを射出することができる。インテグレーター光学系11は、光源部10から射出された白色光Lの照度を均一化し、また偏光状態を揃えることができる。色分離光学系12は、インテグレーター光学系11から射出された白色光Lを青色光L1、緑色光L2、及び赤色光L3に分離することができる。本実施形態の光源部10は、白色光を放射する光源ランプ13、及び回転放物面状の反射面を有するリフレクター14を備える。光源ランプ13から放射された白色光は、リフレクター14によって一方向に向って反射し、略平行な光線束となる。光源ランプ13は、例えばメタルハライドランプ、キセノンランプ、超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ等により構成される。リフレクター14は、インテグレーター光学系11へ入射する。リフレクター14は、反射面が回転楕円面状であってもよく、この場合には、リフレクターから射出された白色光を平行化する平行化レンズが用いられることがある。本実施形態のインテグレーター光学系11は、第1レンズアレイ15、第2レンズアレイ16、偏光変換素子17、及び重畳レンズ18を備える。第1レンズアレイ15及び第2レンズアレイ16は、それぞれ、光源部10の光軸と直交する平面に二次元的に配列された複数のマイクロレンズを有する。第1レンズアレイ15のマイクロレンズは、第2レンズアレイ16のマイクロレンズと1対1の対応で設けられている。複数のマイクロレンズは、光源部10の光軸に直交する平面での形状が、後述する第1液晶パネル32の被照明領域と相似形状ここでは、略矩形である。被照明領域は、第1液晶パネル32において複数の画素が配列された領域の全体を含む領域である。偏光変換素子17は、光源部10の光軸と直交する平面に二次元的に配列された複数のセルを有する。偏光変換素子17のセルは、第2レンズアレイ16のマイクロレンズと1対1の対応で設けられている。複数のセルは、それぞれ、偏光ビームスプリッター膜以下、PBS膜という、1/2位相板、及び反射ミラーを有する。光源部10から第1レンズアレイ15へ入射した白色光Lは、マイクロレンズごとに集光され、複数の部分光束に分かれる。第1レンズアレイ15の各マイクロレンズから射出された部分光束は、このマイクロレンズと対応する第2レンズアレイ16のマイクロレンズに結像して、マイクロレンズに二次光源を形成する。第2レンズアレイ16の各マイクロレンズから射出された部分光束は、このマイクロレンズと対応する偏光変換素子17のセルに入射する。偏光変換素子17は、第2レンズアレイ16と重畳レンズ18との間の光路に配置されている。偏光変換素子17の各セルへ入射した部分光束は、PBS膜に対するP偏光とS偏光とに分離される。分離された一方の偏光は、反射ミラーで反射した後に1/2位相板を通り、他方の偏光と偏光状態が揃えられる。本実施形態において、偏光変換素子17の各セルは、各セルへ入射した部分光束の偏光状態を、各画像形成系の偏光素子31後述するに対するP偏光に揃えることができる。偏光変換素子17の複数のセルから射出された複数の部分光束は、重畳レンズ18で屈折することによって、各画像形成系の第1液晶パネル32の被照明領域に重畳される。色分離光学系12は、第1ダイクロイックミラー20、第2ダイクロイックミラー21、第3ダイクロイックミラー22、第1反射ミラー23、及び第2反射ミラー24を備える。第1ダイクロイックミラー20は、赤色光L3が透過し、かつ緑色光L2及び青色光L1が反射する特性を有する。第2ダイクロイックミラー21は、赤色光L3が反射し、かつ緑色光L2及び青色光L1が透過する特性を有する。第3ダイクロイックミラー22は、緑色光L2が反射し、かつ青色光L1が透過する特性を有している。第1ダイクロイックミラー20及び第2ダイクロイックミラー21は、互いに略直交するように、かつインテグレーター光学系11の光軸と略45°の角度をなすように配置されている。色分離光学系12へ入射した白色光Lのうちの赤色光L3は、第2ダイクロイックミラー21で反射し、次いで第1反射ミラー23で反射して、赤用の画像形成系5へ入射する。色分離光学系12へ入射した白色光Lのうちの青色光L1及び緑色光L2は、第1ダイクロイックミラー20で反射し、次いで第2反射ミラー24で反射した後に、第3ダイクロイックミラー22へ入射する。第3ダイクロイックミラー22へ入射した緑色光L2は、第3ダイクロイックミラー22で反射して、緑用の画像形成系4へ入射する。第3ダイクロイックミラー22へ入射した青色光L1は、第3ダイクロイックミラー22を透過して、青用の画像形成系3へ入射する。青用の画像形成系3、緑用の画像形成系4、及び赤用の画像形成系5は、下記の液晶パネルの液晶層の特性を除くと、ほぼ同様の構成である。本実施形態では、各画像形成系の構成について、青用の画像形成系3を代表的に説明する。青用の画像形成系3は、入射側偏光板30、偏光素子31、第1液晶パネル32、及び射出側偏光板33を備える。色分離光学系12から射出された青色光L1は、入射側偏光板30へ入射した後に偏光素子31へ入射し、次いで第1液晶パネル32へ入射して変調されるとともに第1液晶パネル32で反射し、偏光素子31へ再度入射する。射出側偏光板33は、第1液晶パネル32で反射した後に偏光素子31で反射した青色光L1が入射する位置に配置されている。偏光素子31は、入射側偏光板30と第1液晶パネル32との間の光路に対して傾斜ここでは略45°して配置されている。偏光素子31は、入射する青色光L1のうちのP偏光が透過し、かつS偏光が反射する特性を有する。本実施形態の偏光素子31は、ワイヤーグリッド型の偏光素子であり、ガラス等からなる誘電体層と、偏光素子31に対するS偏光と平行な方向に延びる複数の金属線とを有する。なお、偏光素子31は、偏光ビームスプリッタープリズムであってもよい。入射側偏光板30及び射出側偏光板33は、それぞれ、透過軸に平行な直線偏光を通し、かつ透過軸と直交する吸収軸に平行な直線偏光を吸収する特性を有する。入射側偏光板30の透過軸は、偏光素子31に対するP偏光とほぼ平行に設定されている。射出側偏光板33の透過軸は、偏光素子31に対するS偏光とほぼ平行に設定されている。図2に示すように第1液晶パネル32は、素子基板40、対向基板41、第1液晶層42、及び補償板43を備える。素子基板40は、対向基板41と対向して設けられている。第1液晶層42は、素子基板40と対向基板41との間に封入されている。補償板43は、対向基板41に対して第1液晶層42と反対に設けられている。本実施形態の第1液晶パネル32は、反射型の液晶パネルである。入射側偏光板30から偏光素子31を通った青色光L1は、補償板43へ入射した後に対向基板41を通り、次いで第1液晶層42へ入射した後に素子基板40で反射して折り返される。青色光L1は、第1液晶層42を通る間に変調され、第1液晶層42から射出された後に対向基板41へ入射し、次いで補償板43を通って第1液晶パネル32から射出される。素子基板40は、シリコン基板やガラス基板を基体として構成される。シリコン基板を用いる場合には、いわゆるLCOSLiquidcrystalonsiliconになる。素子基板40は、複数のゲート線44、複数のソース線45、複数の薄膜トランジスター以下、TFT46という、及び画素電極47を備える。複数のゲート線44は、互いに平行に延在している。複数のソース線45は、互いに平行に延在している。ゲート線44の延在方向X方向は、ソース線45の延在方向Z方向と交差ここでは直交している。ゲート線44が、ソース線45と交差する部分ごとに、TFT46が設けられている。ゲート線44は、TFT46のゲート電極と電気的に接続されている。ソース線45は、TFT46のソース領域と電気的に接続されている。ゲート線44とソース線45とに囲まれる部分は、1つの画素Pに対応している。画素電極47は、各画素Pと1対1の対応で設けられている。本実施形態の画素電極47は、金属材料からなり、鏡面反射板を兼ねている。図2では、画素電極47を切欠いて、画素電極47の下地側を模式的に図示している。実際には、画素電極47は、平坦化層や絶縁層を介してゲート線44、ソース線45、TFT46を被覆しており、画素Pの開口率が高められている。画素電極47は、TFT46のドレイン領域と電気的に接続されている。画素電極47を覆って、図示略の配向膜が設けられている。対向基板41は、ガラス基板等の透光性を有する基板を基体として構成されている。対向基板41の第1液晶層42側には、例えばインジウム錫酸化物等の透明導電材料からなる共通電極が設けられている。共通電極の第1液晶層42側には、配向膜が設けられている。素子基板40や対向基板41に設けられる配向膜は、例えば斜方蒸着法等により形成された無機配向膜である。第1液晶層42は、例えばVAモードやTNモード等の液晶層により構成される。VAモードの液晶層を採用する場合に、素子基板40と対向基板41とのセルギャップは、例えば2.0μm程度であり、このセルギャップに液晶材料が封入されて第1液晶層42が構成されている。液晶材料は、誘電率異方性が負であり、複屈折性Δnが例えば0.12のものである。第1液晶層42に含まれる液晶分子48は、素子基板40の基板面に沿う方向を基準0°としたプレチルト角θが例えば87°程度である。補償板43は、例えばネガのCプレートにより構成される。補償板43は、液晶分子48のプレチルトにより生じる位相差を補償するように、素子基板40の基板面に沿う方向に対して略4.5°程度傾けて設けられている。以上のような構成の第1液晶パネル32において、ゲート線44に選択パルスが供給されると、このゲート線44に接続されたTFT46がオンになる。TFT46がオンになった状態で、画素Pごとの階調値に応じたソース信号がソース線45に供給され、ソース信号がTFT46を経て画素電極47に供給される。画素電極47にソース信号が供給されると、この画素電極47と共通電極との間に電界が印加され、この電界に応じて第1液晶層42の液晶分子48の方位角が画素Pごとに変化する。画素Pへ入射した青色光L1は、この画素Pにおける第1液晶層42の液晶分子48の方位角に応じて偏光状態が変化する。本実施形態では、任意の1画素Pにおける第1液晶層42に電界が印加されていない状態で、この画素Pへ入射した青色光L1は、ほぼ偏光状態が変化せずにP偏光のまま射出される。任意の1画素Pにおける第1液晶層42に電界が印加されている状態で、この画素Pへ入射した青色光L1は、画像データに規定された階調値に応じた比率で、偏光素子31に対するP偏光がS偏光へ変化する。すなわち、第1液晶層42を通った青色光L1のうち偏光素子31に対するS偏光は、画像を示す光である。第1液晶パネル32から射出された青色光L1のうち、偏光素子31に対するP偏光は、偏光素子31を透過する。第1液晶パネル32から射出された青色光L1のうち、偏光素子31に対するS偏光は、偏光素子31で反射して進行方向が変化し、射出側偏光板33へ入射する。射出側偏光板33へ入射した青色光L1のうち、偏光素子31に対するS偏光は、射出側偏光板33を透過して、色合成部6へ入射する。色合成部6は、ダイクロイックプリズム等により構成される。ダイクロイックプリズムは、4つの三角柱プリズムが互いに貼り合わされた構造である。各三角柱プリズムにおいて貼り合わされる面は、ダイクロイックプリズムの内面になる。ダイクロイックプリズムは、赤色光L3が反射し、かつ緑色光L2及び青色光L1が透過する特性の波長選択膜と、青色光L1が反射し、かつ緑色光L2及び赤色光L3が透過する特性の波長選択膜とが互いに直交して上記の内面に形成された構造である。ダイクロイックプリズムへ入射した緑色光L2は、波長選択面を通ってそのまま射出される。ダイクロイックプリズムへ入射した青色光L1及び赤色光L3は、波長選択面で選択的に反射あるいは透過して、緑色光L2の射出方向と同じ方向に射出される。このように、3つの色光は、重ね合わされて合成され、フルカラーの画像を示す合成光となり投写光学系7へ入射する。この合成光が投写光学系7によって投写面上で結像することにより、投写面にフルカラーの画像が表示される。本実施形態の冷却機構8は、第1放熱板50、第2放熱板51、第3放熱板52と、第1ないし第3放熱板50~52に接触するように空気等の冷媒を供給する冷媒供給部53とを備える。第1ないし第3放熱板50~52の各放熱板は、各画像形成系の液晶パネルに対して照明光学系からの光が入射する光入射側とは反対側に設けられている。第1放熱板50は、青用の画像形成系3の第1液晶パネル32に接触している。第1放熱板50は、第1液晶パネル32の一部であってもよいし、青用の画像形成系3のうちの第1液晶パネル32以外の構成要素であってもよい。第2放熱板51は、緑用の画像形成系4の第2液晶パネル54に接触している。第3放熱板52は、赤用の画像形成系5の第3液晶パネル55に接触している。第2放熱板51と第3放熱板52は、第1放熱板50と同様に、液晶パネルの一部であってもよいし、各画像形成系のうちの液晶パネル以外の構成要素であってもよい。第1ないし第3放熱板50~52は、それぞれ、アルミニウム合金等の熱伝導性に優れる金属材料からなり、多数の板状フィンを有している。第1ないし第3放熱板50~52は、それぞれ、接している液晶パネルの熱を受け取ることができる。本実施形態の冷媒供給部53は、供給した冷媒が第1ないし第3放熱板50~52のうちで最初に第1放熱板50に接触するように、構成されている。本実施形態の冷媒供給部53は、第1放熱板50に向けて冷媒を吹き付けることが可能なファン等で構成されている。冷媒供給部53から供給された冷媒は、第1放熱板50に接触することで、第1液晶パネル32の第1液晶層42から第1放熱板50へ伝わった熱を奪う。このようにして、冷媒供給部53は、第1液晶層42を冷却することができる。冷媒供給部53から供給された冷媒は、第1放熱板50に接触した後に、第2放熱板51や第3放熱板52に接触する。これにより、冷媒供給部53は、緑用の第2液晶パネル54の液晶層第2液晶層と、赤用の第3液晶パネル55の液晶層第3液晶層をそれぞれ冷却することができる。本実施形態において、冷媒供給部53から供給されて第1放熱板50に接触した冷媒は、次に第2放熱板51に接触した後に、第3放熱板52に接触する。冷媒の温度は、各放熱板に接触することで上昇する。すなわち、第1放熱板50に接触するときの冷媒の温度は、第2放熱板51に接触するときの冷媒の温度よりも高い。また、第2放熱板51に接触するときの冷媒の温度は、第3放熱板52に接触するときの冷媒の温度よりも高い。したがって、第2放熱板51に対応する緑用の第2液晶パネル54の第2液晶層は、第3放熱板52に対応する赤用の第3液晶パネル55の第3液晶層よりも低温に冷却され、さらに、第1放熱板50に対応する青用の第1液晶パネル32の第1液晶層42は、第2放熱板51に対応する緑用の第2液晶パネル54の第2液晶層よりも低温に冷却される。次に、具体的な数値例を挙げて、冷却機構8の機能と液晶層の特性について説明する。下記の[表1]は、プロジェクターの外気の温度と、画像を形成しているときの各色用の画像形成系における液晶パネルの液晶層の温度との関係を調べた実験結果を示す表である。なお、液晶層の温度は、その厚み方向に直交する面方向で分布を有しており、[表1]の各セルには、液晶層の最高温度液晶層の面方向の中央部の温度と、液晶層の最低温度液晶層の面方向の外周部の温度とを示している。[表1]に示すように、外気の温度が15°Cであるときに、第1液晶層の温度は外気の温度よりも11~24°C程度高く、第2液晶層の温度は外気の温度よりも15~29°C程度高く、第3液晶層の温度は外気の温度よりも18~32°C程度高い。また、外気の温度が25°Cであるときに、第1液晶層の温度は外気の温度よりも11~25°C程度高く、第2液晶層の温度は外気の温度よりも16~33°C程度高く、第3液晶層の温度は外気の温度よりも20~36°C程度高い。また、外気の温度が35°Cであるときに、第1液晶層の温度は外気の温度よりも11~29°C程度高く、第2液晶層の温度は外気の温度よりも17~38°C程度高く、第3液晶層の温度は外気の温度よりも21~42°C程度高い。このように、各液晶層の最高温度と外気の温度との差分に着目すると、緑用の第2液晶パネル54の第2液晶層は、赤用の第3液晶パネル55の第3液晶層よりも低温に冷却されており、さらに、青用の第1液晶パネル32の第1液晶層第1液晶層42は、緑用の第2液晶パネル54の第2液晶層よりも低温に冷却されている。図3は、液晶層の特性を説明するためのグラフである。図3に示すグラフにおいて、縦軸は、液晶層の異方性誘電異方性Δεあるいは複屈折性Δnを示す物性値であり、横軸は液晶層の温度を示す。また、図3中の符号TNIは、液晶相から等方相への転移温度を示す。図3に示すように、液晶層は、液晶層の温度が転移温度TNIになる近傍で異方性が急速に失われる。実際には、各画像形成系が画像を形成している間に液晶層が安定的に異方性を発現するように、液晶層は、各画像形成系が画像を形成している間の液晶層の最高温度TMAXに対して転移温度TNIが20°Cないし30°C程度高くなるように、構成される。通常の使用環境は、プロジェクター1の外気の温度が35°C以下であると想定され、上記の[表1]に示した例では、外気の温度が35°Cのときの第1液晶層の最高温度TMAXが64°C程度であることから、第1液晶層の転移温度TNIは、95°C程度でもよい。同様に、第2液晶層の転移温度TNIは105°C程度でもよく、第2液晶層の転移温度TNIは110°C程度でもよい。本実施形態において、青用の第1液晶パネル32の第1液晶層は、緑用の第2液晶パネル54の第2液晶層と比較して、転移温度TNIが低くなるように、構成されている。また、青用の第1液晶パネル32の第1液晶層は、赤用の第3液晶パネル55の第3液晶層と比較しても転移温度TNIが低くなるように、構成されている。本実施形態において、第1液晶層の転移温度TNIは96°C程度であり、第2液晶層の転移温度TNI及び第3液晶層の転移温度TNIは110°C程度である。本実施形態において、第1ないし第3液晶層は、いずれも、一般的に液晶材料に用いられる化合物から適宜選択される複数種類の化合物を含んでいる。下記の式1ないし4に、一般的にTNモードの液晶層の液晶材料に用いられる化合物の具体例を示す。式1に示すシアノビフェニル化合物は転移温度TNIが35.3°Cであり、式2に示すシアノターフェニル化合物は転移温度TNIが240°C、式3に示すシアノフェニルシクロヘキサン化合物は転移温度TNIが55°C、式4に示すシアノビフェニルシクロヘキサン化合物は転移温度TNIが219°Cである。式1と式2、式3と式4の転移温度TNIをそれぞれ比較すると、π電子共役系を構成するベンゼン環の数が多い化合物であるほど、転移温度TNIが高くなる傾向がある。本実施形態の第1液晶層は、液晶材料に含まれる化合物のうちで相対的に転移温度TNIが高い化合物の含有率が第2液晶層より高いことによって、第1液晶層全体としての転移温度TNIが第2液晶層全体としての転移温度TNIよりも高い。なお、本実施形態の第3液晶層は、第2液晶層と同じ液晶材料で形成されている。一般的に、π電子共役系を構成するベンゼン環の数が多い化合物であるほど、π-π遷移確率が高くなるので、紫外領域側の吸収波長が長波長側へシフトする。本実施形態の第1液晶層は、第2液晶層と同じ液晶材料で形成される場合と比較して、転移温度TNIが低い分だけ、ベンゼン環の数が多い化合物をより少なく含む。従って、照明光学系2から入射する光のうちで吸収する光の光量が少なくなり、光吸収による液晶材料の分解が抑制され、長寿命になる。下記の[表2]は、液晶材料の違いと液晶の最高温度の違いによる液晶層の寿命の変化を調べた実験結果を示す表である。[表2]において、液晶層の最高温度が64°Cである条件は、青用の第1液晶パネル32の液晶層を、他色用の画像形成系における液晶パネルの液晶層よりも低温に冷却した状態に相当する。液晶層の最高温度が77°Cである条件は、青用の第1液晶パネル32の液晶層を、他色用の画像形成系における液晶パネルの液晶層と同程度に冷却した状態に相当する。[表2]において、液晶層の転移温度TNIが96°Cである条件は、青用の第1液晶パネル32の液晶層の転移温度TNIを、他色用の画像形成系における液晶パネルの液晶層の転移温度TNIよりも低く設定した状態に相当する。液晶層の転移温度TNIが110°Cである条件は、青用の第1液晶パネル32の液晶層の転移温度TNIを、他色用の画像形成系における液晶パネルの液晶層の転移温度TNIと同じに設定した状態に相当する。実験では、外気の温度を35°Cに設定し、液晶層に青色光を照射しながら液晶層の光分解反応が発生する兆候が出るまでの時間耐光性寿命を測定した。[表2]に示す耐光性寿命は、各条件で測定した耐光性寿命を、液晶層の転移温度TNIが110°Cかつ液晶層の最高温度が77°Cである条件で測定した耐光性寿命を1として標準化した値である。[表2]から分かるように、液晶層の転移温度TNIが110°Cである条件で比較すると、液晶層の最高温度が64°Cである条件では、液晶層の最高温度が77°Cである条件よりも液晶層の寿命が1.5倍程度に長くなった。また、液晶層の最高温度が77°Cである条件で比較すると、液晶層の転移温度TNIが96°Cである条件では、液晶層の転移温度TNIが110°Cである条件よりも液晶層の寿命が1.4倍程度に長くなった。また、本実施形態のように、液晶層の最高温度が64°Cかつ液晶層の転移温度TNIが96°Cである条件では、液晶層の最高温度が77°Cかつ液晶層の転移温度TNIが110°Cである条件よりも液晶層の寿命が2.1倍程度に長くなった。なお、第1液晶層は、転移温度TNIが70°C以上の範囲で低く設定されているほど、長寿命になることが確認された。なお、第1液晶層の転移温度TNIが70°C未満であると、第1液晶層の寿命は転移温度TNIが70°Cである場合と同程度になる。これは、第1液晶層の転移温度TNIを70°C未満にする場合には、液晶材料に含まれる化合物において一連のπ電子共役系を構成するベンゼン環の数を2以上にする必要性が低いためと考えられる。すなわち、第1液晶層の転移温度TNIは、70°C以上であって、95°C以下でもよいし、85°C以下でもよく、80°C以下でもよい。以上のように、本実施形態のプロジェクター1は、青用の画像形成系における第1液晶パネル32の第1液晶層42の耐光性を格段に向上させることができる。結果として、複数の画像形成系3~5のうちで最も短寿命になりやすい青用の画像形成系における第1液晶パネル32の第1液晶層42を長寿命にすることができ、本実施形態のプロジェクター1を長寿命にすることができる。また、一般的に、液晶材料として用いられる化合物のうち転移温度TNIが低い化合物は、転移温度TNIが高い化合物よりも種類が多いので、材料選択の自由度を高めることもできる。なお、本発明の技術範囲は上記の実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態で説明した要件は、適宜組み合わせることができる。また、上記の実施形態で説明した要件の少なくとも1つは、省略されることある。本発明の主旨を逸脱しない範囲内で多様な変形が可能である。上記の実施形態において、冷却機構8は、空気を冷媒として冷媒との熱交換によって各液晶層を冷却しているが、冷媒は水等の液体でもよい。また、冷却機構8は、青用の第1液晶パネル32を他の液晶パネルとは独立して冷却する第1冷却部と、他の液晶パネルを青用の第1液晶パネル32とは独立して冷却する第2冷却部とを備えていてもよい。第1冷却部及び第2冷却部は、例えばペルチェ素子等で構成されていてもよいし、冷却ファン等で構成されていてもよい。また、冷却機構8は、第1ないし第3の液晶パネルを冷却ファンによって冷却し、青用の第1液晶パネル32についてはペルチェ素子等でさらに冷却する構成でもよい。また、冷却機構8は、少なくとも第1液晶層を冷却すればよく、第2液晶層と第3液晶層の少なくとも一方を冷却しなくてもよい。上記の実施形態において、第1ないし第3の液晶パネルは、反射型の液晶パネルで構成されているが、透過型の液晶パネルで構成されていてもよい。第1ないし第3の液晶パネルが透過型の液晶パネルで構成されていれば、画素電極に吸収される光の光量が減るので液晶層の最高温度が低くなり、冷却機構8の構成をシンプルにすることもできる。また、第1ないし第3の液晶パネルが透過型の液晶パネルで構成されており、各液晶パネルにおいて画素が配置されている領域全体である画素領域を通る光を遮らないように、画素領域の外側に例えば枠状の放熱板が設けられていてもよい。上記の実施形態において、照明光学系2は、光源ランプ13から射出された白色光を3色の光に色分離し、各色の光ごとに各色用の画像形成系を照明する構成であるが、青色光L1と青色光L1よりも長波長の第2の光L2とを射出可能であれば、その構成に限定はない。例えば、照明光学系は、各色の光を直接的に発光するレーザーダイオードや発光ダイオード等の固体光源を備え、各色用の固体光源から射出された各色の光により各色用の画像形成系を照明する構成でもよい。また、青色光又は紫外光を発光する固体光源と、この固体光源から射出された光源光を受けて光源光よりも長波長の光を射出する蛍光体とを備え、蛍光体から射出された光により画像形成系を照明する構成でもよい。この構成において、照明光学系は、固体光源から射出された光と蛍光体から射出された光とが合わさって白色光となり、この白色光を3色の光に色分離し、各色の光ごとに各色用の画像形成系を照明する構成でもよい。また、固体光源から射出された青色光をハーフミラーなどで複数の光線束に分離し、分離された1つの光線束により青用の画像形成系を照明するとともに、分離された他の光線束を蛍光体で色変換した光により他色用の画像形成を照明する構成でもよい。色分離光学系12は、ダイクロイックプリズムによって白色光を複数の色光に分離する構成でもよい。また、色合成部Aは複数のダイクロイックミラーを用いて、複数の色光を合成する構成でもよい。