"電圧非直線特性を発現する半導体セラミックからなるバリスタ素体と、前記バリスタ素体の一部の領域を挟むように前記バリスタ素体内に配置された複数の内部電極と、前記バリスタ素体の表面に配置されると共に、対応する前記内部電極に接続された複数の外部電極と、を備えており、前記外部電極は、前記バリスタ素体の前記表面にアルカリ金属を含む導電性ペーストを付与して焼き付けることにより形成された焼付電極層を有し、前記バリスタ素体は、前記導電性ペーストに含まれるアルカリ金属が前記バリスタ素体の表面と前記焼付電極層との界面から前記バリスタ素体内に拡散することにより形成された高抵抗領域を有していることを特徴とするバリスタ。前記アルカリ金属が、Li、Na、及びKのうち少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載のバリスタ。前記バリスタ素体が、ZnOを主成分として含んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載のバリスタ。電圧非直線特性を発現する半導体セラミックからなるバリスタ素体と、前記バリスタ素体の一部の領域を挟むように前記バリスタ素体内に配置された複数の内部電極と、前記バリスタ素体の表面に配置されると共に対応する前記内部電極に接続された複数の外部電極と、を備えるバリスタの製造方法であって、前記複数の内部電極が配置された前記バリスタ素体を準備する準備工程と、前記バリスタ素体の表面に前記複数の外部電極を形成する外部電極形成工程と、を備えており、前記外部電極形成工程では、前記バリスタ素体の前記表面にアルカリ金属を含む導電性ペーストを付与して焼き付けて焼付電極層を形成すると共に、前記導電性ペーストに含まれるアルカリ金属を前記バリスタ素体の表面と前記焼付電極層との界面から前記バリスタ素体内に拡散させて高抵抗領域を形成することを特徴とするバリスタの製造方法。前記アルカリ金属が、Li、Na、及びKのうち少なくとも一種であることを特徴とする請求項4に記載のバリスタの製造方法。前記バリスタ素体が、ZnOを主成分として含んでいることを特徴とする請求項4又は5に記載のバリスタの製造方法。前記外部電極形成工程の前に、前記バリスタ素体の表面から前記バリスタ素体の内部にアルカリ金属を拡散させるアルカリ金属拡散工程を更に備えていることを特徴とする請求項4~6のいずれか一項に記載のバリスタの製造方法。近年のデジタル信号の高速化及び通信速度の高速化に伴い、信号に対する影響の少ない低静電容量のバリスタが望まれている。そこで、本発明は、電圧非直線特性を良好に維持しつつ、低静電容量化を確実に図ることが可能なバリスタ及びバリスタの製造方法を提供することを目的とする。本発明者等は、低静電容量化を確実に図り得るバリスタについて鋭意研究を行った結果、以下のような事実を新たに見出した。バリスタの静電容量には、内部電極間に形成される静電容量だけでなく、外部電極間に形成される静電容量も含まれている。内部電極間に形成される静電容量は、内部電極間の距離や重なり面積、バリスタ素体の比誘電率を調整することにより、低くすることはできるが、いずれもバリスタとしての電気的特性ESD耐量や電圧非直線特性などに影響を及ぼし、当該電気的特性が劣化してしまう懼れがある。したがって、外部電極間に形成される静電容量を低くすれば、バリスタの電気的特性を良好に維持しつつ、低静電容量化を図ることが可能となる。ところで、半導体セラミックは、アルカリ金属が拡散されると、当該アルカリ金属が拡散された領域は、電気伝導率が低くすなわち、電気抵抗が高く、比誘電率が低くなる。したがって、バリスタ素体における外部電極間の領域が、アルカリ金属が拡散された領域を含むことにより、バリスタ素体における外部電極間の領域の静電容量が低くなり、バリスタの低静電容量化を図ることができる。上記特許文献1に記載されたバリスタでは、バリスタ素体の表面から、Li、Na、及びKの少なくとも一種を熱拡散させることにより、バリスタ素体の表面に高抵抗領域高抵抗層が形成されている。しかしながら、特許文献1に記載されたバリスタでは、バリスタ素体の表面から、Li、Na、及びKの少なくとも一つを熱拡散させて高抵抗領域が形成された後に、バリスタ素体の表面に外部電極が形成されることとなるため、以下のような問題点を有していることが新たに判明した。外部電極は、導電性ペーストをバリスタ素体の表面に付与し焼き付けることにより形成される。この導電性ペーストは、一般に、金属粉末にガラス成分たとえば、ガラスフリットなど及び有機ビヒクルを混合したものが用いられるが、ガラス成分はアルカリ金属との反応性が高い。このため、導電性ペーストをバリスタ素体の表面に焼き付ける際に、バリスタ素体に拡散しているアルカリ金属が、焼き付ける際の熱により導電性ペースト外部電極側に拡散し、導電性ペーストに含まれるガラス成分と反応し、外部電極に取り込まれてしまう懼れがある。バリスタ素体に拡散されていたアルカリ金属が外部電極に取り込まれてしまうと、バリスタ素体における外部電極との界面近傍の領域でのアルカリ金属の濃度が低下することとなり、当該領域は、電気抵抗が低くなり、比誘電率が高くなってしまう。この結果、特許文献1に記載されたバリスタでは、バリスタの低静電容量化が阻害される。特許文献1に記載されたバリスタでは、バリスタ素体の表面における外部電極間の領域、すなわち、バリスタ素体の表面のうち外部電極から露出する部分の電気抵抗を高め、めっき伸びを防ぐものであり、本発明のように、低静電容量化を図るものではない。かかる研究結果を踏まえ、本発明に係るバリスタは、電圧非直線特性を発現する半導体セラミックからなるバリスタ素体と、バリスタ素体の一部の領域を挟むようにバリスタ素体内に配置された複数の内部電極と、バリスタ素体の表面に配置されると共に、対応する内部電極に接続された複数の外部電極と、を備えており、外部電極は、バリスタ素体の表面にアルカリ金属を含む導電性ペーストを付与して焼き付けることにより形成された焼付電極層を有し、バリスタ素体は、導電性ペーストに含まれるアルカリ金属がバリスタ素体の表面と焼付電極層との界面からバリスタ素体内に拡散することにより形成された高抵抗領域を有していることを特徴とする。本発明に係るバリスタでは、バリスタ素体が、導電性ペーストに含まれるアルカリ金属がバリスタ素体の表面と焼付電極層との界面からバリスタ素体内に拡散することにより形成された高抵抗領域を有している。このため、高抵抗領域は、外部電極の間に確実に挟まれるように位置することとなり、バリスタ素体における外部電極間の領域の静電容量が低くなり、バリスタの低静電容量化を図ることができる。アルカリ金属は、バリスタ素体の表面と焼付電極層との界面からバリスタ素体内に拡散することから、バリスタ素体における内部電極に挟まれる領域にまで拡散することはない。したがって、バリスタ素体に拡散したアルカリ金属がバリスタの電圧非直線特性に影響を及ぼすことはない。また、高抵抗領域は、導電性ペーストに含まれるアルカリ金属がバリスタ素体の表面と焼付電極層との界面からバリスタ素体内に拡散することにより形成されている。このため、特許文献1に記載されたバリスタのように、拡散されたアルカリ金属の濃度が低下することはなく、高抵抗領域の電気抵抗が所望の値に容易に調整されることとなる。特許文献1に記載されたバリスタでは、バリスタ素体の表面における外部電極間の領域周辺の電気抵抗が高くされるものの、当該領域は、外部電極の対向方向に伸びていることもあって、低静電容量化への寄与は極めて乏しい。アルカリ金属が、Li、Na、及びKのうち少なくとも一種であってもよい。バリスタ素体が、ZnOを主成分として含んでいてもよい。この場合、アルカリ金属、特に、Li、Na、及びKは、ZnOの結晶粒内に拡散してアクセプタを形成するため、高抵抗領域が良好に形成される。本発明に係るバリスタの製造方法は、電圧非直線特性を発現する半導体セラミックからなるバリスタ素体と、バリスタ素体の一部の領域を挟むようにバリスタ素体内に配置された複数の内部電極と、バリスタ素体の表面に配置されると共に対応する内部電極に接続された複数の外部電極と、を備えるバリスタの製造方法であって、複数の内部電極が配置されたバリスタ素体を準備する準備工程と、バリスタ素体の表面に複数の外部電極を形成する外部電極形成工程と、を備えており、外部電極形成工程では、バリスタ素体の表面にアルカリ金属を含む導電性ペーストを付与して焼き付けて焼付電極層を形成すると共に、導電性ペーストに含まれるアルカリ金属をバリスタ素体の表面と焼付電極層との界面からバリスタ素体内に拡散させて高抵抗領域を形成することを特徴とする。本発明に係るバリスタの製造方法では、バリスタ素体の表面に導電性ペーストを付与して焼き付けて焼付電極層を形成する際に、導電性ペーストに含まれるアルカリ金属をバリスタ素体の表面と焼付電極層との界面からバリスタ素体内に拡散させて高抵抗領域を形成することができる。したがって、上述したように、バリスタの低静電容量化を図ることができると共に、バリスタ素体に拡散したアルカリ金属がバリスタの電圧非直線特性に影響を及ぼすことはない。また、高抵抗領域の電気抵抗を所望の値に容易に調整することができる。上記外部電極形成工程の前に、バリスタ素体の表面からバリスタ素体の内部にアルカリ金属を拡散させるアルカリ金属拡散工程を更に備えていてもよい。この場合には、バリスタ素体の表面における外部電極から露出する領域にも、当該領域に沿って高抵抗領域が形成されることとなり、バリスタ素体の表面全体の高抵抗化を確実に図ることができる。本発明によれば、電圧非直線特性を良好に維持しつつ、低静電容量化を確実に図ることが可能なバリスタ及びバリスタの製造方法を提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。まず、図1~図3を参照して、本実施形態に係る積層チップバリスタ1の構成を説明する。図1は、本実施形態に係る積層チップバリスタを示す斜視図である。図2は、本実施形態に係る積層チップバリスタの断面構成を説明する図である。図3は、本実施形態に係る積層チップバリスタに含まれるバリスタ素体の分解斜視図である。本実施形態では、バリスタとして、積層チップバリスタ1を例に説明する。積層チップバリスタ1は、図1及び図2に示されるように、バリスタ素体3と、バリスタ素体3の表面に配置される複数本実施形態では、一対の外部電極4,5と、を備えている。バリスタ素体3は、直方体形状を呈しており、たとえば、長さが0.6mmに設定され、幅が0.3mmに設定され、高さが0.3mmに設定されている。本実施形態に係る積層チップバリスタ1は、いわゆる0603タイプの積層チップバリスタである。積層チップバリスタ1のサイズは、上述したサイズに限られることなく、たとえば、1001サイズの積層チップバリスタでもよい。バリスタ素体3は、図3に示されるように、電圧非直線特性以下、バリスタ特性と称するを有する複数のバリスタ層11が積層された積層体として構成されている。実際の積層チップバリスタ1では、複数のバリスタ層11は、互いの境界が視認できない程度に一体化されている。バリスタ素体3は、半導体セラミックにて構成されるセラミック層が複数積層されて構成されたセラミック素体である。セラミック層であるバリスタ層11バリスタ素体3は、ZnO酸化亜鉛を主成分として含むと共に、副成分としてCo、希土類金属元素、IIIb族元素B、Al、Ga、In、Si、Cr、Mo、アルカリ金属元素K、Rb、Cs及びアルカリ土類金属元素Mg、Ca、Sr、Baなどの金属単体やこれらの酸化物を含む。本実施形態において、バリスタ層11は、副成分としてCo、Pr、Cr、Ca、K、Si、及びAlを含んでいる。Coは、ZnOの結晶粒界にアクセプター準位を形成し、バリスタ特性を発現させる物質として作用する。希土類金属元素たとえば、Prなども、バリスタ特性を発現させるための材料となる。バリスタ層11におけるZnOの含有量は、特に限定されないが、バリスタ層11を構成する全体の材料を100質量とした場合に、通常、99.8~69.0質量である。外部電極4,5は、バリスタ素体3の端部に配置されており、バリスタ素体3の両端面を覆うように設けられている。一対の外部電極4,5は、第一電極層4a,5a及び第二電極層4b,5bをそれぞれ有している。第一電極層4a,5aは、バリスタ素体3の表面上に形成されている。第一電極層4a,5aは、後述するように導電性ペーストをバリスタ素体3の表面に付与して焼き付けることにより形成されている。すなわち、第一電極層4a,5aは、焼付電極層である。導電性ペーストには、金属粉末Ag粒子又はAg-Pd合金粒子などに、ガラス成分、アルカリ金属、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したものが用いられている。第二電極層4b,5bは、第一電極層4a,5a上にめっき法により形成されている。本実施形態において、第二電極層4b,5bは、第一電極層4a,5a上にNiめっきにより形成されたNiめっき層と、当該Niめっき層上にSnめっきにより形成されたSnめっき層とを含んでいる。第二電極層4b,5bは、主として積層チップバリスタ1をはんだリフローにより外部基板などに実装する際の、耐はんだ喰われ性及びはんだ付け性を向上することを目的として形成されるものである。第二電極層4b,5bは、耐はんだ喰われ性及びはんだ付け性を向上する目的が達成される限り、必ずしも上述した材料の組み合わせに限定されない。また、めっき層は、必ずしも2層構造に限定されるものではなく、1層又は3層以上の構造を有するものであってもよい。積層チップバリスタ1は、図2及び図3に示されるように、バリスタ素体3内に、複数本実施形態では、一対の内部電極21,23を備えている。複数の内部電極21,23は、バリスタ素体3バリスタ層11の一部の領域をバリスタ層11の積層方向で挟むように交互に配置されている。内部電極21,23は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料たとえば、AgやAg-Pd合金などからなる。内部電極21,23は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。内部電極21は、バリスタ素体3の表面に露出した端部において、外部電極4第一電極層4aと接続されている。内部電極23も、バリスタ素体3の表面に露出した端部において、外部電極5第一電極層5aと接続されている。続いて、図4を参照して、上述した構成を有する積層チップバリスタ1の製造過程について説明する。図4は、本実施形態に係る積層チップバリスタの製造過程を説明するためのフロー図である。図5は、アルカリ金属がバリスタ素体へ拡散している状態を説明するための模式図である。図5では、アルカリ金属が存在している様子がドットハッチングにより示されており、ドットの密度が高いほど、アルカリ金属の濃度が高いことを表している。また、図5では、バリスタ素体3内におけるドットハッチングを付した領域が、アルカリ金属が拡散された領域を示しているが、当該領域は説明ために模式的に示されたものであり、実際のバリスタ素体内におけるアルカリ金属が拡散された領域とは必ずしも一致しないことがある。まず、バリスタ層11を構成する主成分であるZnOと、Pr、Co、Cr、Ca、Si、K及びAlの金属又は酸化物などの微量添加物とを所定の割合となるように各々秤量した後、各成分を混合してバリスタ材料を調整するS101。その後、このバリスタ材料に有機バインダ、有機溶剤、有機可塑剤などを加えて、ボールミルなどを用いて20時間程度混合粉砕を行ってスラリーを得る。得られたスラリーを、ドクターブレード法などの公知の方法により、たとえばポリエチレンテレフタレートからなるフィルム上に塗布した後、乾燥して厚さ30μm程度の膜を形成する。こうして得られた膜をフィルムから剥離してグリーンシートを作製するS103。次に、グリーンシートに、内部電極21,23に対応する電極部分を複数後述する分割チップ数に対応する数形成するS105。内部電極21,23に対応する電極部分は、上述した導電性材料としての金属粉末、有機バインダ、及び有機溶剤を混合した導電性ペーストをスクリーン印刷などの印刷法にて印刷し、乾燥させることにより形成する。次に、電極部分が形成されたグリーンシートと、電極部分が形成されていないグリーンシートとを所定の順序で重ねてシート積層体を形成するS107。こうして得られたシート積層体をチップ単位に切断して、分割された複数のグリーンチップを得るS109。次に、このグリーンチップを脱バインダ処理及び焼成処理して、焼結体バリスタ素体3を得るS111。以上の工程により、バリスタ素体3が準備されることとなる準備工程。脱バインダ処理では、たとえば250~450°Cの温度で10分~8時間程度グリーンチップを加熱する。焼成処理は、たとえば1100~1350°Cの温度で10分~8時間程度グリーンチップを焼成する。この焼成により、グリーンシートがバリスタ層11となり、電極部分が対応するそれぞれ内部電極21,23となる。次に、図5のaに示されるように、バリスタ素体3の表面からバリスタ素体3の内部にアルカリ金属たとえば、Li、Na、又はKなどを拡散させるS113:アルカリ金属拡散工程。ここではまず、バリスタ素体3の表面にアルカリ金属化合物を付着させる。アルカリ金属化合物の付着には、密閉回転ポットを用いることができる。アルカリ金属化合物としては、特に限定されないが、熱処理することにより、アルカリ金属がバリスタ素体3の表面から所定の深さまで拡散できる化合物であり、アルカリ金属の酸化物、水酸化物、塩化物、硝酸塩、硼酸塩、炭酸塩及び蓚酸塩などが用いられる。続いて、このアルカリ金属化合物が付着しているバリスタ素体3を電気炉で、所定の温度及び時間で熱処理する。この結果、アルカリ金属化合物からアルカリ金属がバリスタ素体3の表面から熱拡散する。好ましい熱処理温度は、700~1000°Cであり、熱処理雰囲気は大気である。また、熱処理時間保持時間は、好ましくは10分~4時間である。次に、バリスタ素体3の表面に、外部電極4,5を形成する外部電極形成工程。まず、図5のb及びcに示されるように、バリスタ素体3の表面に、外部電極4,5第一電極層4a,5a用の導電性ペーストCP1を付与して焼き付けるS115:焼付電極層形成工程。これにより、焼付電極層としての第一電極層4a,5aが形成されることとなる。ここでは、バリスタ素体3の両端部に、内部電極21,23のそれぞれに接するように、導電性ペーストCP1を付与し、乾燥させる。その後、所定の温度たとえば、650~950°Cで熱処理を施し、導電性ペーストCP1をバリスタ素体3に焼き付ける。熱処理時間保持時間は、好ましくは10分~3時間である。外部電極4,5用の導電性ペーストCP1には、上述したように、金属粉末に、ガラス成分、アルカリ金属、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したものを用いる。金属粉末には、Ag-Pd合金粒子あるいはAg粒子を主成分とする金属粉を用いることができる。ガラス成分は、たとえば、B2O3-SiO-ZnO系ガラスなどを主成分としたガラスフリットを用いることができる。導電性ペースト中のガラス成分の含有量は、導電性ペースト全体を100質量とした場合に、たとえば、2~8質量程度である。なお、導電性ペースト中の金属粉末の含有量は、導電性ペースト全体を100質量とした場合に、たとえば、60~80質量程度である。アルカリ金属は、Li、Na、及びKのうち少なくとも一種が好ましい。そして、アルカリ金属は、S113と同様に、アルカリ金属化合物の状態で、導電性ペーストに含有される。アルカリ金属化合物としては、アルカリ金属の酸化物、水酸化物、塩化物、硝酸塩、硼酸塩、炭酸塩及び蓚酸塩などが用いられる。たとえば、Liの場合、Li2CO3を導電性ペーストに含有させる。導電性ペースト中のアルカリ金属化合物の含有量は、導電性ペースト全体を100質量とした場合に、たとえば、3~15質量程度である。本実施形態では、バリスタ素体3の表面からバリスタ素体3の内部にアルカリ金属が拡散された後に、金属粉末、ガラス成分、アルカリ金属、及び有機ビヒクル有機バインダ及び有機溶剤を含む導電性ペーストCP1をバリスタ素体3に付与し、焼き付けることにより、第一電極層4a,5aが形成されている。導電性ペーストCP1をバリスタ素体3に焼き付ける際に、導電性ペーストCP1に含まれるアルカリ金属が、バリスタ素体3の表面と第一電極層4a,5aとの界面からバリスタ素体3内に熱拡散する。このとき、バリスタ素体3の内部に既に拡散されているアルカリ金属は、導電性ペーストCP1がアルカリ金属を含んでいるため、導電性ペーストCP1第一電極層4a,5aへの拡散が抑制される。導電性ペーストCP1に含まれるアルカリ金属の一部は、導電性ペーストCP1に含まれるガラス成分と反応し、第一電極層4a,5a内に残存する。上述したように、バリスタ素体3には、図5のcに示されるように、第一電極層4a,5a用の導電性ペーストCP1に含まれるアルカリ金属がバリスタ素体3の表面と第一電極層4a,5aとの界面からバリスタ素体3内に拡散することにより形成された高抵抗領域31が形成されている。高抵抗領域31は、バリスタ素体3の端部に位置しており、主として、バリスタ素体3と第一電極層4a,5aとの界面に沿って、バリスタ素体3内に形成される。高抵抗領域31は、第一電極層4aと第一電極層5aとの対向方向において、第一電極層4aと第一電極層5aとの間に位置することとなる。本実施形態では、高抵抗領域31は、アルカリ金属拡散工程S113において拡散されたアルカリ金属も含んでいる。高抵抗領域31は、アルカリ金属拡散工程S113において拡散されたアルカリ金属に加えて、焼付電極層形成工程S115においてアルカリ金属が拡散される。このため、図5のcに示されるように、高抵抗領域31の厚みは、主として、バリスタ素体3の表面における第一電極層4a,5aの間の領域に沿って、バリスタ素体3内に形成された高抵抗領域33の厚みよりも厚い。高抵抗領域33は、主に、アルカリ金属拡散工程S113において拡散されたアルカリ金属により形成される。再び、図4を参照する。次に、外部電極4,5の第一電極層4a,5a上に、Niめっき層及びSnめっき層を順次積層して、第二電極層4b,5bを形成するS117:めっき電極層形成工程。こうして積層チップバリスタ1が得られる。Niめっきは、Niめっき浴例えば、ワット浴を用いたバレルめっき法にて行うことができる。Snめっきは、Snめっき浴例えば、中性Snめっき浴を用いたバレルめっき法にて行うことができる。以上のように、本実施形態では、バリスタ素体3が、外部電極4,5第一電極層4a,5a用の導電性ペーストに含まれるアルカリ金属がバリスタ素体3の表面と第一電極層4a,5aとの界面からバリスタ素体3内に拡散することにより形成された上記高抵抗領域31を有している。すなわち、バリスタ素体3の表面に導電性ペーストを付与して焼き付けて第一電極層4a,5aを形成する際に、導電性ペーストに含まれるアルカリ金属をバリスタ素体3の表面と第一電極層4a,5aとの界面からバリスタ素体3内に拡散させて高抵抗領域31を形成している。このため、高抵抗領域31は、外部電極4,5の間に確実に挟まれるように位置することとなり、バリスタ素体3における外部電極4,5間の領域の静電容量が低くなり、積層チップバリスタ1の低静電容量化を図ることができる。アルカリ金属の含有量を多くするほど、拡散されたアルカリ金属の濃度が高くなり、積層チップバリスタ1の静電容量が低下する傾向を示す。また、アルカリ金属を含有する導電性ペーストの加熱温度焼き付け温度が高いほど、拡散されたアルカリ金属の濃度が高くなり、積層チップバリスタ1の静電容量が低下する傾向を示す。アルカリ金属は、バリスタ素体3の表面と第一電極層4a,5aとの界面からバリスタ素体3内に拡散することから、バリスタ素体3における内部電極21,23に挟まれる領域にまで拡散することはない。したがって、バリスタ素体3に拡散したアルカリ金属が積層チップバリスタ1の電圧非直線特性に影響を及ぼすことはない。高抵抗領域31は、上記導電性ペーストに含まれるアルカリ金属がバリスタ素体3の表面と第一電極層4a,5aとの界面からバリスタ素体3内に拡散することにより形成されている。このため、特許文献1に記載されたバリスタのように、拡散されたアルカリ金属の濃度が低下することはなく、高抵抗領域31の電気抵抗が所望の値に容易に調整されることとなる。特許文献1に記載されたバリスタでは、図6のa~cに示されるように、バリスタ素体103の表面からバリスタ素体103の内部にアルカリ金属が拡散された後に、金属粉末、ガラス成分、及び有機ビヒクルを含む導電性ペーストCP2をバリスタ素体103に付与し、焼き付けることにより、焼付電極層104,105が形成されている。導電性ペーストCP2をバリスタ素体103に焼き付ける際に、バリスタ素体103に拡散しているアルカリ金属が、焼き付ける際の熱により導電性ペーストCP2焼付電極層104,105側に拡散し、導電性ペーストCP2に含まれるガラス成分と反応し、焼付電極層104,105内に取り込まれてしまう懼れがある。図6では、図5と同様に、アルカリ金属が存在している様子がドットハッチングにより示されており、ドットの密度が高いほど、アルカリ金属の濃度が高いことを表している。また、図6では、バリスタ素体103内におけるドットハッチングを付した領域が、アルカリ金属が拡散された領域を示しているが、当該領域は説明ために模式的に示されたものであり、実際のバリスタ素体内におけるアルカリ金属が拡散された領域とは必ずしも一致しないことがある。バリスタ素体103に拡散されていたアルカリ金属が焼付電極層104,105に取り込まれてしまうと、バリスタ素体103における焼付電極層104,105との界面近傍の領域107でのアルカリ金属の濃度が低下することとなり、当該領域107は、電気抵抗が低くなり、比誘電率が高くなってしまう。この結果、特許文献1に記載されたバリスタでは、バリスタの低静電容量化が阻害されてしまうこととなる。バリスタ素体3が、ZnOを主成分として含んでいる。アルカリ金属、特に、Li、Na、及びKは、ZnOの結晶粒内に拡散してアクセプタを形成するため、高抵抗領域31が良好に形成される。更に、Liは、イオン半径が比較的小さく、ZnOの結晶粒内に固溶し易く、拡散速度も速い。本実施形態では、外部電極4,5第一電極層4a,5aを形成する前に、バリスタ素体3の表面からバリスタ素体3の内部にアルカリ金属を拡散させている。これにより、バリスタ素体3の表面における外部電極4,5から露出する領域にも、当該領域に沿って高抵抗領域が形成されることとなり、バリスタ素体3の表面全体の高抵抗化を確実に図ることができる。以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。複数の内部電極21,23は、バリスタ素体3バリスタ層11の一部の領域をバリスタ層11の積層方向で挟むように交互に配置されているが、これに限られない。たとえば、図7に示されるように、複数の内部電極21,23は、バリスタ素体3の一部の領域をバリスタ層11の積層方向に交差する方向たとえば、直交する方向で挟むように配置されていてもよい。アルカリ金属拡散工程S113は、省略してもよい。この場合でも、図8のa及びbに示されるように、第一電極層4a,5a用の導電性ペーストCP1に含まれるアルカリ金属がバリスタ素体3の表面と第一電極層4a,5aとの界面からバリスタ素体3内に拡散することにより、高抵抗領域31が良好に形成される。図8でも、アルカリ金属が存在している様子がドットハッチングにより示されており、ドットの密度が高いほど、アルカリ金属の濃度が高いことを表している。また、図8では、バリスタ素体3内におけるドットハッチングを付した領域が、アルカリ金属が拡散された領域を示しているが、当該領域は説明ために模式的に示されたものであり、実際のバリスタ素体内におけるアルカリ金属が拡散された領域とは必ずしも一致しないことがある。アルカリ金属拡散工程S113が省略された場合の高抵抗領域31の厚みは、アルカリ金属拡散工程S113が存在する場合の高抵抗領域31の厚みに比して、薄い。また、アルカリ金属拡散工程が省略された場合でも、第一電極層4a,5a用の導電性ペーストCP1に含まれるアルカリ金属の濃度を調整することにより、バリスタ素体3の表面全体にわたって高抵抗領域31を良好に形成することが可能である。"