統合された光電池及びバッテリデバイスであって、前記光電池内に配置されたn型層及びp型層への分離した電気的コンタクトを有する第1の側をもった光電池と、前記バッテリ内に配置されたカソード及び電子のコレクタへの分離した電気的コンタクトを有する第1の側をもったバッテリであって、前記光電池の前記第1の側は前記バッテリの前記第1の側に結合される、バッテリと、前記光電池及び前記バッテリを3次元統合して、太陽エネルギーを捕獲し蓄えるための統合デバイスをもたらす少なくとも1つの相互接続部と、を含むデバイス。前記カソードはカソード層であり、前記コレクタは基板を含む、請求項1に記載のデバイス。前記バッテリは、電解質層と、アノード層と、障壁層と、をさらに含み、前記少なくとも1つの相互接続部は、前記カソード層、前記電解質層、前記アノード層及び前記障壁層を貫通して、前記バッテリの前記第1の側から前記基板への電気的コンタクトをもたらす、請求項2に記載のデバイス。前記光電池は、誘電体層をさらに含み、前記少なくとも1つの相互接続部は、前記p型層及び前記誘電体層を貫通して、前記光電池の前記第1の側から前記n型層への電気的コンタクトをもたらす、請求項1に記載のデバイス。前記光電池は薄膜セルである、請求項1に記載のデバイス。前記薄膜セルは、アモルファスシリコン、テルル化カドミウム、銅インジウムガリウムジセレニド、銅インジウムスルフィドセレニド、銅ガリウムセレニドスルフィド、銅亜鉛スズセレニドスルフィド、銅ビスマス黄銅鉱化合物、及びケステライト化合物から成る群から選択される材料を含む、請求項5に記載のデバイス。前記バッテリは固体リチウムバッテリである、請求項1に記載のデバイス。前記バッテリは、垂直バッテリセル構造体を含むように3次元統合される、請求項7に記載のデバイス。統合された光電池及びバッテリデバイスを製造する方法であって、光電池を準備するステップであって、前記光電池の第1の側はn型層及びp型層の両方への分離した電気的コンタクトを含む、準備するステップと、バッテリを準備するステップであって、前記バッテリの第1の側はカソード及びコレクタの両方への分離した電気的コンタクトを含む、準備するステップと、前記光電池及び前記バッテリを結合して、太陽エネルギーを捕獲し蓄えるための3次元統合デバイスを生成するステップと、を含む方法。前記光電池を準備するステップは、前記光電池を少なくとも部分的に貫通する相互接続部を形成して、前記光電池の前記第1の側上に前記n型層への電気的コンタクトをもたらすステップを含む、請求項9に記載の方法。前記バッテリを準備するステップは、前記バッテリを少なくとも部分的に貫通する相互接続部を形成して、前記バッテリの前記第1の側上に前記コレクタへの電気的コンタクトをもたらすステップを含む、請求項9に記載の方法。前記光電池及び前記バッテリを結合させるステップは、圧縮結合を用いて、前記光電池の前記第1の側を前記バッテリの前記第1の側に結合させるステップを含む、請求項9に記載の方法。前記光電池を準備するステップは、p型層及び誘電体層を有するウェハを形成するステップと、前記ウェハを貫通する貫通孔を開口するステップと、前記ウェハの前記p型層の露出面内にn型ドープ層を形成するステップと、前記ウェハの前記誘電体層の部分を除去して、前記貫通孔の周りに分離した誘電体層の領域を形成するステップと、前記分離した誘電体領域を有する前記ウェハの1つの側をメタライズしてコンタクト層を形成するステップであって、前記貫通孔は少なくとも部分的に充填されて相互接続部を形成する、メタライズするステップと、前記コンタクト層の部分を除去して、前記相互接続部を前記コンタクト層の残り部分から分離する、前記相互接続部の周りの分離コンタクト領域を形成するステップと、を含む、請求項9に記載の方法。前記バッテリを準備するステップは、基板を形成するステップと、前記基板内に少なくとも1つの垂直トレンチをエッチングするステップと、前記基板上に障壁層を形成するステップと、前記障壁層上にアノード層を形成するステップと、前記アノード層上に電解質層を形成するステップと、前記電解質層上にカソード層を形成するステップと、前記基板内に前記層を貫通する孔を開口するステップと、前記カソード上に、同じく前記孔を前記層の全てから電気的に絶縁する誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層の領域を除去して前記カソード層を露出させるステップと、前記孔及び前記露出したカソード層を有する前記バッテリの1つの側をメタライズしてコンタクト層を生成するステップであって、前記孔が充填されて相互接続部を生成する、メタライズするステップと、前記コンタクト層の部分を除去して、前記相互接続部を前記コンタクト層の残り部分から分離させる、分離したコンタクト領域を前記相互接続部の周りに生成するステップと、を含む、請求項9に記載の方法。前記光電池を準備するステップは、薄膜光電池を形成するステップを含む、請求項9に記載の方法。前記薄膜光電池を形成するステップは、アモルファスシリコン、テルル化カドミウム、銅インジウムガリウムジセレニド、銅インジウムスルフィドセレニド、銅ガリウムセレニドスルフィド、銅亜鉛スズセレニドスルフィド、銅ビスマス黄銅鉱化合物、及びケステライト化合物から成る群から選択される材料を含むp型層を堆積させるステップを含む、請求項15に記載の方法。前記バッテリを準備するステップは、垂直バッテリセル構造体を有する3次元統合された固体バッテリを形成するステップを含む、請求項9に記載の方法。エネルギー変換のための太陽光発電システムであって、請求項1に記載の、複数の3次元統合された光電池及びバッテリデバイスと、前記エネルギー変換を最適化するための論理回路と、を含むシステム。前記複数の3次元統合された光電池及びバッテリデバイスは並列接続される、請求項18に記載のシステム。請求項1に記載の前記統合された光電池及びバッテリデバイスをシミュレートし、設計し又は製造するための機械可読の設計構造体。現在の太陽光発電システムにおいて知られている太陽電池及びバッテリは、有線接続された別個のコンポーネントである。その結果、現在の太陽光発電システムは、損失が大きく、さらに、エネルギーを管理するのに効果的ではない。従って、本発明の一態様は、統合された光電池及びバッテリデバイスを提供する。このデバイスは、光電池内に配置されたn型層及びp型層への分離した電気的コンタクトを有する第1の側をもつ光電池と、バッテリ内に配置されたカソード及び電子のコレクタへの分離した電気的コンタクトを有する第1の側をもつバッテリであって、光電池の第1の側はバッテリの第1の側に結合されるバッテリと、光電池及びバッテリを3次元統合して、太陽エネルギーを捕獲し蓄えるための統合デバイスをもたらす少なくとも1つの相互接続部とを含む。本発明の別の態様は、光電池及びバッテリ統合デバイスを製造する方法を提供する。光電池が準備され、光電池の第1の側がn型層及びp型層の両方への分離した電気的コンタクトを含む。バッテリが準備される。バッテリの第1の側は、カソード及びコレクタの両方への分離した電気的コンタクトを含む。光電池とバッテリを結合して、太陽エネルギーを捕獲し蓄えるための統合デバイスを生成する。本発明の別の態様は、複数の3次元統合された光電池及びバッテリデバイスと、エネルギー変換を最適化するための論理回路とを含む太陽光発電システムを提供する。図1は、本発明の好ましい実施形態による統合された光電池及びバッテリデバイス100を示す。デバイス100は、単一のデバイスに統合された光電池110及びバッテリ120を含む。光電池110は、太陽放射を電気エネルギーに変換し、これがバッテリ120内に蓄えられる。光電池110及びバッテリ120を別個に製造して各々の効率を最大にし、次に、それら2つを一緒に結合して単一の統合デバイス100にすることができる。示される例において、光電池110は結晶シリコンをベースとするが、本発明の範囲から逸脱することなく、薄膜型太陽電池を含む他のタイプの太陽電池を用いることができる。例えば、光電池110は、アモルファスシリコン、テルル化カドミウム、又は銅インジウムガリウムセレニドをベースとすることができる。薄膜型太陽電池技術の概要については、本明細書に組み入れられる非特許文献1を参照されたい。同様に、示される例において、バッテリ120は、再充電可能な固体リチウムイオンバッテリをベースとする。しかしながら、バッテリ120はまた、本発明の範囲から逸脱することなく、他のタイプのバッテリとすることもできる。例えば、バッテリ120は、他のタイプの湿電池若しくは乾電池又はスーパーキャパシタとすることができる。図1に示される好ましい実施形態において、バッテリ120は、複数の3次元バッテリセル130a及び130bを含む。これらの3次元バッテリセル130a及び130bは、バッテリ120の表面積を拡大し、従って、エネルギー密度を増大させる。バッテリセル130a及び130bを並列接続することにより、バッテリ電圧は一定のままであり、バッテリ容量が拡張される。バッテリセル130a及び130bの数は、図1に示す数に限定されない。既述のような3次元バッテリセルを有する再充電可能な固体バッテリのより詳しい説明のために、本明細書に組み入れられる非特許文献2を参照されたい。図1に示される好ましい実施形態において、光電池110は、光電池の第1の導電性コンタクト層111、パッシベーションpassivation層112、高濃度ドープn型シリコン層113、p型シリコン層114、高濃度ドープp型シリコン層115、ライナ層116、誘電体層117及び光電池の第2の導電性コンタクト層118を含む。上記の層の各々は、結晶シリコン光電池技術に共通するものである。本発明の範囲は、上述の層に限定されるものではなく、付加的な層又はより少ない層を含むこともできる。図1は層の表面を平坦線として示すが、当業者であれば、単結晶シリコンについて、表面は、滑らかではなくテクスチャ加工されることを理解するであろう。さらに、当業者であれば、各層の目的及び各層を構成することができる材料、並びに各層の適切な厚さを理解するであろう。ここでは簡単な説明だけが含まれる。光電池の第1の導電性コンタクト層111は、金属のような良導体で作製されたコンタクトグリッドであり、電子のコレクタとして機能する。グリッドの間には、典型的には、保護透明カプセル化層が配置される。他の実施形態においては、第1の導電性コンタクト層111は、透明な導電性酸化物で作製することもできる。パッシベーション層112は、表面パッシベーションのために役立ち、一般的に入射光の反射防止ももたらすための材料の層である。高濃度ドープn型シリコン層113は、追加の伝導電子を供給して負電子電荷キャリアを生成できる材料で高濃度ドープされたシリコンである。他の実施形態において、n型層は、アモルファスシリコン、硫化カドミウム、硫化亜鉛、又は酸化亜鉛とすることができる。p型シリコン層114は、シリコン格子内に電子の欠乏を生じさせて正電荷キャリアを生成する材料でドープされたシリコンである。他の実施形態において、p型層は、アモルファスシリコン、テルル化カドミウム、銅インジウムガリウムジセレニド、銅インジウムスルフィドセレニド、銅ガリウムセレニドスルフィド、銅亜鉛スズセレニドスルフィド、銅ビスマス黄銅鉱化合物、又はケステライトkesterite型化合物とすることができる。図1は層の表面を平坦線として示すが、当業者であれば、単結晶シリコンの場合、表面は、滑らかではなくテクスチャ加工されることを理解するであろう。高濃度ドープp型シリコン層115は、電極への良好な電気的コンタクトを形成するように高濃度ドープされる。ライナ層116は、シリコン層をライニングしてシリコン層の内側を覆って第2の導電性コンタクト層118からの拡散を防止するように機能する。例示的な材料として、パラジウム、ニッケル、ニッケルタングステン、及び窒化タンタルが挙げられる。誘電体層117は、ドープシリコンを第2の導電性コンタクト層118から電気的に絶縁するように機能する。誘電体層は、例えば酸化シリコンのような、任意の誘電体材料から構成され得る。光電池の第2の導電性コンタクト層118は、金属のような良導体で作製される。図1に示す好ましい実施形態において、第2の導電性コンタクト層は銅で作製され、これをバッテリに結合することができる。図1に示す好ましい実施形態において、バッテリ120は、バッテリの第1の導電性コンタクト層121、ライナ層122、誘電体層123、カソード層124、電解質層125、アノード層126、障壁層127、ドープシリコン基板層128及びバッテリの第2の導電性コンタクト層129を含む。上記の層の各々は、固体リチウムイオンバッテリ技術に共通するものである。本発明の範囲は、上述の層に限定されるものではなく、付加的な層又はより少ない層を含むこともできる。当業者であれば、各層の目的及び各層を構成することができる材料、並びに各層の適切な厚さを理解するであろう。ここでは簡単な説明だけが含まれる。バッテリの第1の導電性コンタクト層121は、金属のような良導体で作製される。バッテリの第1の導電性コンタクト層121は、光電池の第2の導電性コンタクト層118に結合することができる材料で作製される必要がある。図1に示す好ましい実施形態において、第1の導電性コンタクト層は銅で作製される。ライナ層122は、シリコン層をライニングして第1の導電性コンタクト層121からの拡散を防止するように機能する。例示的な材料として、パラジウム、ニッケル、ニッケルタングステン、及び窒化タンタルが挙げられる。誘電体層123は、ドープシリコンを第1の導電性コンタクト層121から電気的に絶縁するように機能する。誘電体層は、例えば酸化シリコンのような、任意の誘電体材料から構成され得る。カソード層124は、これとの間でリチウムがマイグレートすることができる材料で作製される。好ましい実施形態において、カソード層124はリチウムコバルト酸化物で作製される。電解質層125は、リチウムイオンのマイグレーションを可能にするのに十分に導電性の材料で作製される。好ましい実施形態において、電解質層125は固体電解質層である。アノード層126は、これとの間でリチウムがマイグレートすることができる材料で作製される。好ましい実施形態において、アノード層126はシリコンで作製される。障壁層127は、ドープシリコン基板層128をリチウムイオンの拡散から保護するための材料で作製される。好ましい実施形態において、障壁層127は窒化チタンで作製される。ドープシリコン基板層128は、垂直構造体におけるエッチングのための基板として機能し、導電性になるようにドープされる。バッテリの第2の導電性コンタクト層129は、金属のような良導体で作製され、電子のコレクタとして機能する。垂直相互接続部140及び150は、光電池110とバッテリ120との間の電気的接続をもたらす。具体的には、垂直相互接続部140は、光電池の第1の導電性コンタクト層111とバッテリの第1の導電性コンタクト層121との間の電気的接続をもたらす。垂直相互接続部150は、光電池の第2の導電性コンタクト層118とバッテリの第2の導電性コンタクト層129との間の電気的接続をもたらす。基板が導電性になるようにドープされているので、垂直相互接続部150は、ドープシリコン基板層128を完全に貫通して延びる必要はない。分離トレンチ160a-160dは、垂直相互接続部140によってなされる電気的接続を、垂直相互接続部150によってなされる電気的接続から分離するように機能する。図2は、本発明の実施形態による統合された光電池及びバッテリデバイスを製造するためのフローチャートを示す。図2に示すステップは本発明の範囲を限定することを意図するものではなく、単に好ましい実施形態を示すためのものである。本発明の範囲から逸脱することなく、行われる特定のステップ、ステップの数、及びステップの順序を変更することができる。図2において、フローチャートの左側には、光電池製造ステップ200が示される。製造ステップ200によって、図1に示す光電池110が製造される。フローチャートの右側には、バッテリ製造ステップ210が示される。製造ステップ210によって、図1に示すバッテリ120が製造される。光電池110及びバッテリ120が製造された後、最終ステップ230は、光電池110及びバッテリ120を積み重ね、圧着結合を用いてコンタクト層118及び121を結合し、単一の統合デバイスを生成するためのものである。図2及び光電池製造ステップ200を参照すると、第1のステップ201は、p型層114、115及び誘電体層117を有するウェハを形成するものである。第2のステップ202は、ウェハを貫通する貫通孔を開口するものである。第3のステップ203は、ウェハのp型層114の露出面内にn型ドープ層113を形成するものである。第4のステップ204は、誘電体層117の部分を除去して、貫通孔の周りに誘電体層の分離領域を生成するものである。第5のステップ205は、ライナ層116を堆積させて、垂直相互接続部140及びコンタクト層118の金属が拡散しないように保護するものである。第6のステップ206は、分離した誘電体領域を有するウェハの側をメタライズmetallizeして光電池の第2のコンタクト層118を生成し、かつ、貫通孔を充填して垂直相互接続部140を生成するものである。第7のステップ207は、n型層113の上にパッシベーション層112を堆積させ、パッシベーション層112の部分を除去して下の垂直相互接続部140を露出させ、パッシベーション層112上に第1のコンタクト層111を堆積させるものである。第8のステップは、分離トレンチ160a及び160bを生成して、相互接続部の周りのコンタクト領域を電気的に絶縁し、これにより相互接続部をコンタクト層118の残り部分から分離するものである。これらのステップの結果が、図1に示す光電池110である。図2及びバッテリ製造ステップ210を参照すると、第1のステップ211は、基板128を形成するものである。第2のステップ212は、基板内に垂直トレンチをエッチングするものである。第3のステップ213は、基板上及びトレンチ内に障壁層127、アノード層126、電解質層125及びカソード層124を堆積させるものである。トレンチ内に堆積された層はバッテリセル130を形成する。第4のステップ214は、基板内に層124-127を貫通する孔を開口するものである。第5のステップ215は、カソード層上及び孔内に誘電体層123を形成して、孔を層から電気的に絶縁させるものである。第6のステップ216は、誘電体層123の領域を除去して、下のカソード層124を露出させるものである。第7のステップ217は、ライナ層122を堆積させて下の層を保護するものである。第8のステップ218は、層を有するバッテリ120の側をメタライズしてコンタクト層121を生成し、かつ、孔を充填して垂直相互接続部150を生成するものである。第9のステップ219は、分離トレンチ160c及び160dを生成して相互接続部の周りのコンタクト領域を分離し、それにより相互接続部をコンタクト層121の残り部分から分離するものである。これらのステップの結果が、図1に示すバッテリ120である。図3-図22は、製造プロセスの種々異なる段階における、本発明の好ましい実施形態による統合された光電池及びバッテリデバイスの断面図である。図3は、光電池の第1の製造ステップについての光電池の断面図である。ウェハは、ドープp型シリコン層114及び高濃度ドープp型シリコン層115を含む。図4は、光電池についての第2の製造ステップにおける光電池の断面図である。誘電体層117がウェハの上に堆積される。誘電体は、酸化物又は窒化物とすることができる。次に、貫通孔401がウェハを貫通して開口される。貫通孔401は、誘電体層117へのレーザスクライビングビーム、並びに、シリコン層114及び115を貫通して貫通孔を開口するためのボッシュ法を用いて開口することができる。図5は、光電池についての第2の製造ステップにおける光電池の上面図である。貫通孔401が、統合デバイスの光に向いた側としても機能する上面から示される。図6は、光電池についての第3の製造ステップにおける光電池の断面図である。高濃度ドープn型シリコン層113が、ドープシリコン層114及び115の露出面内への拡散によって生成される。これにより、ウェハの上部から誘電体層117まで延びる貫通孔401の壁上にn型領域が生成される。図7は、光電池についての第4の製造ステップにおける光電池の断面図である。貫通孔401の周りに分離した誘電体領域601が生成され、これはレーザスクライビングビームを用いて行うことができる。図8は、光電池についての第5の製造ステップにおける光電池の断面図である。ライナ層116及びコンタクト層118がウェハの上に堆積される。ライナ層116は、シリコン層113、114及び115をコンタクト層118の拡散から保護する。ライナ層116及びコンタクト層118の両方とも図7における貫通孔401を充填して、導電性垂直相互接続部140を生成する。図9は、光電池についての第5の製造ステップにおける光電池の上面図である。垂直相互接続部401が上面図から示される。図10は、光電池についての第6の製造ステップにおける光電池の断面図である。パッシベーション層112がウェハの上に堆積される。パッシベーション層112は表面パッシベーションのために役立ち、一般的に入射光の反射防止ももたらす。図11は、光電池についての第6の製造ステップにおける光電池の上面図である。上面図から示されるように、パッシベーション層はウェハの光に向いた側を覆い、かつ、垂直相互接続部140を覆う。図12は、光電池についての第7の製造ステップにおける光電池の断面図である。パッシベーション層112の部分901が除去され、コンタクト層111がパッシベーション層112の上に堆積される。図13は、光電池についての第7の製造ステップにおける光電池の上面図である。コンタクト層111はグリッドで構成され、従って、パッシベーション層112全体を覆ってはいない。コンタクト層111は、下の垂直相互接続部140と電気的接続がなされるように配置する必要がある。図14は、光電池についての第8の製造ステップにおける光電池の断面図である。分離トレンチ160a及び160bが、ウェハの底部内に生成される。分離トレンチ160a及び160bは、レーザスクライビングビームを用いて生成することができる。図15は、光電池についての第8の製造ステップにおける光電池の底面図である。分離トレンチ160a及び160bは、垂直相互接続部140を第2のコンタクト層の残り部分1001から電気的に絶縁する。図16は、バッテリについての第1の製造ステップにおけるバッテリの断面図である。バッテリ1100は、カソード層124、電解質層125、アノード層126、障壁層127、ドープシリコン基板層128及び第2の導電性コンタクト層129を含む。バッテリ1100はまた、バッテリ1100の表面積を拡大し、従って、エネルギー密度を増大させるための複数のバッテリセル130a及び130bも含む。バッテリセル130aと130bを並列接続することにより、バッテリ電圧は一定のままであり、バッテリ容量が拡張される。図17は、バッテリについての第2の製造ステップにおけるバッテリの断面図である。孔1201が、層124-127を貫通して下の基板層128内に開口される。図18は、バッテリについての第3の製造ステップにおけるバッテリの断面図である。誘電体層123が孔1201を層124-127から電気的に絶縁するのに十分なほど少なくとも部分的に孔1201内に堆積されるように、誘電体層123が堆積される。従って、典型的には、誘電体層123の厚さは、少なくとも層124-127の全厚と同じである。誘電体層123は孔1201を基板層128から電気的に絶縁すべきではない。図19は、バッテリについての第4の製造ステップにおけるバッテリの断面図である。誘電体層123の部分1401が除去され、下のカソード層124を露出させる。レーザスクライビングビームを用いて、誘電体層123の部分1401を除去することができる。図20は、バッテリについての第5の製造ステップにおけるバッテリの断面図である。ライナ層122をバッテリ上に堆積させ、該層が、誘電体層123から除去された部分1401及び孔1201を充填するようにする。次に、バッテリの上部をメタライズして、第1のコンタクト層121及び垂直相互接続部150を生成する。基板が導電性になるようにドープされているので、垂直相互接続部150は、ドープシリコン基板層128を完全に貫通して延びる必要はない。図21は、バッテリについての第6の製造ステップにおけるバッテリの断面図である。分離トレンチ160c及び160dが、バッテリの上部内に生成される。分離トレンチ160c及び160dは、レーザスクライビングビームを用いて生成することができる。分離トレンチ160c及び160dは、垂直相互接続部150を第2のコンタクト層の残り部分1601から電気的に絶縁する。図22は、本発明の実施形態による統合デバイスについての統合製造ステップにおける光電池及びバッテリデバイスの断面図である。光電池110及びバッテリ120が別個に製造された後、図22に示すように、これらの2つが互いに結合される。光電池100の第2の導電性コンタクト層118が、バッテリ120の第1の導電性コンタクト層121に熱圧縮結合される。銅と銅との熱圧縮結合プロセスは、3次元統合の技術分野において周知である。図23は、本発明の実施形態による太陽光発電システム1800のシステム図である。太陽光発電システム1800は、光電池及びバッテリ統合デバイス100のパネル1810を含む。パネル1810は、任意の数の光電池及びバッテリ統合デバイス100を含むことができる。パネル1810は、インバータ1821及びコントローラ1822を含む論理回路1820に接続される。論理回路1820は、パネル1810内に組み込むことができ、又はCMOS技術を用いて光電池及びバッテリ統合デバイス100と直接統合することができる。論理回路1820は、光電池及びバッテリ統合デバイス100のパネル1810によって生成される電気を動力源とする負荷1830に接続される。図24は、例えば、半導体IC論理の設計、シミュレーション、試験、レイアウト及び製造に用いられる例示的な設計フロー1900のブロック図である。設計フロー1900は、上記に説明され、図1又は図3-図22に示される設計構造体及び/又はデバイスの論理的又は他の方法で機能的に等価な表現を作成するために、設計構造体又はデバイスを処理するためのプロセス、機械、及び/又は機構を含む。設計フロー1900によって処理及び/又は作成される設計構造体を機械可読伝送又はストレージ媒体上でコード化して、データ処理システム上で実行又は他の方法で処理されたときに、ハードウェアコンポーネント、回路、デバイス又はシステムの論理的、構造的、機械的又は他の機能的に等価な表現を生成するデータ及び/又は命令を含むようにすることができる。機械は、これらに限定されるものではないが、回路、コンポーネント、デバイス、又はシステムを設計、製造又はシミュレートするといった、IC設計プロセスに用いられるどのような機械も含む。例えば、機械は、リソグラフィ機械、マスクを生成するための機械及び/又は機器例えば、eビームライタ、設計構造体をシミュレートするためのコンピュータ又は機器、製造プロセス又は試験プロセスの製造に用いられるいずれかの装置、又は設計構造体の機能的に等価な表現をいずれかの媒体にプログラミングするためのいずれかの機械例えば、プログラマブルゲートアレイをプログラミングするための機械を含むことができる。設計フロー1900は、設計される表現のタイプに応じて変わり得る。例えば、特定用途向けICASICを構築するための設計フロー1900は、標準的なコンポーネントを設計するための設計フロー1900、又はプログラマブルアレイ、例えば、AlteraInc.又はXilinxInc.から提供されているプログラマブルゲートアレイPGA又はフィールドプログラマブルゲートアレイFPGAに設計をインスタンス化するための設計フロー1900とは異なることがある。図24は、好ましくは設計プロセス1910によって処理される入力設計構造体1920を含む、複数のこのような設計構造体を示す。設計構造体1920は、設計プロセス1910によって生成及び処理され、ハードウェアデバイスの論理的に等価な機能表現を生じる、論理的シミュレーション設計構造体とすることができる。設計構造体1920はさらに、又は代替的に、設計プロセス1910によって処理されたときに、ハードウェアデバイスの物理的構造の機能的表現を生成するデータ及び/又はプログラム命令を含むこともできる。機能的及び/又は構造的設計特徴のどちらを表現するのであれ、設計構造体1920は、コア開発者/設計者によって実施されるような、電子的コンピュータ支援設計ECADを使用して生成することができる。機械可読データ伝送、ゲートアレイ、又はストレージ媒体上でコード化された場合、設計構造体1920を設計プロセス1910内の1つ又は複数のハードウェア及び/又はソフトウェアモジュールによってアクセス及び処理して、図1又は図3-図22に示されるもののような電子コンポーネント、回路、電子若しくは論理モジュール、装置、デバイス、又はシステムをシミュレートするか、又は他の方法で機能的に表現することができる。そのため、設計構造体1920は、設計又はシミュレーションデータ処理システムによって処理されたときに回路又は他のレベルのハードウェア論理設計を機能的にシミュレートするか、又は他の方法で表現する、人間及び/又は機械可読のソースコード、コンパイルされた構造体、及びコンピュータ実行可能コード構造体を含む、ファイル又は他のデータ構造体を含むことができる。このようなデータ構造体は、ハードウェア記述言語HDL設計エンティティ、又は、Verilog及びVHDLのような低レベルHDL設計言語、及び/又はC若しくはCのような高レベル設計言語に適合する及び/又はそれと互換性のある他のデータ構造体を含むことができる。設計プロセス1910は、設計構造体1920のような設計構造体を含むことができるネットリスト1980を生成するために、図1又は図3-図22に示されるコンポーネント、回路、デバイス又は論理構造体の設計/シミュレーションの機能的等価物を合成、翻訳又はその他の方法で処理するためのハードウェア及び/又はソフトウェアモジュールを使用し、組み込むことが好ましい。ネットリスト1980は、例えば、集積回路設計内の他の素子及び回路への接続を記述する配線、個別部品、論理ゲート、制御回路、I/Oデバイス、モデル等のリストを表す、コンパイルされた又は他の方法で処理されたデータ構造体を含むことができる。ネットリスト1980は繰り返しプロセスを用いて合成することができ、このプロセスにおいて、ネットリスト1980は、デバイスの設計仕様及びパラメータに応じて1回又は複数回再合成される。ここで説明された他の設計構造体のタイプと同様に、ネットリスト1980を機械可読データストレージ媒体上に記録し、又はプロブラマブルゲートアレイにプログラムすることができる。媒体は、磁気又は光ディスクドライブのような不揮発性ストレージ媒体、プロブラマブルゲートアレイ、コンパクトフラッシュ、又は他のフラッシュメモリとすることができる。それに加えて、又は代替的に、媒体は、インターネット又は他のネットワーキングに適した手段を介してデータパケットを伝送し、中間的に格納することができる、システム又はキャッシュメモリ、バッファ領域、又は電気的若しくは光学的に伝導性のデバイス及び材料とすることができる。設計プロセス1910は、ネットリスト1980を含む様々な入力データ構造体のタイプを処理するためのハードウェア及びソフトウェアモジュールを含むことができる。このようなデータ構造体のタイプは、例えば、ライブラリ要素1930内に常駐し、所与の製造技術例えば、異なる技術ノード32nm、45nm、90nm等についての、モデル、レイアウト及び符号表示を含む、一般的に用いられる要素、回路及びデバイスの組を含むことができる。データ構造体のタイプは、設計仕様1940と、特性データ1950と、検証データ1960と、設計規則1970と、入力試験パターン、出力試験結果及び他の試験情報を含むことができるテストデータファイル1985とをさらに含むことができる。設計プロセス1910は、例えば、応力分析、熱分析、機械イベントシミュレーション、鋳造、成形、ダイプレス形成等のような動作のためのプロセスシミュレーションのような標準的な機械設計プロセスをさらに含むことができる。機械設計の当業者であれば、本発明の範囲及び思想から逸脱することなく、設計プロセス1910に用いられる可能な機械設計ツール及びアプリケーションの範囲を認識することができる。設計プロセス1910はまた、タイミング分析、検証、設計規則照合、場所及びルート動作等のような標準的な回路設計プロセスを実行するためのモジュールを含むこともできる。設計プロセス1910は、第2の設計構造体1990を作成するために、HDLコンパイラ及びシミュレーションモデル構築ツールのような論理的及び物理的設計ツールを使用し、組み込んで、設計構造体1920を、図示された支持データ構造体のうちの幾つか又は全てと共に、いずれかの付加的な機械設計又はデータ該当する場合と併せて処理する。設計構造体1990は、機械的なデバイス及び構造体のデータの交換に用いられるデータ形式例えば、IGES、DXF、ParasolidXT、JT、DRG、又はこのような機械的設計構造体を格納又はレンダリングするのに適したその他のいずれかの形式で格納される情報でストレージ媒体又はプログラマブルゲートアレイ上に存在する。設計構造体1920と同様に、設計構造体1990は、好ましくは、1つ又は複数のファイル、データ構造体、又は他のコンピュータコード化データ又は命令を含み、これは、伝送又はデータストレージ媒体上に存在し、かつ、ECADシステムによって処理されると図1又は図3-図22に示される本発明の実施形態の1つ又は複数の論理的又はその他の方式で機能的に等価な形態を生成する。1つの実施形態において、設計構造体1990は、例えば、図1又は図3-図22に示されるデバイスを機能的にシミュレートする、コンパイルされた実行可能なHDLシミュレーションモデルを含むことができる。設計構造体1990はまた、集積回路のレイアウトデータの交換に用いられるデータ形式、及び/又は記号データ形式例えば、GDSIIGDS2、GL1、OASIS、マップファイル、又はこのような設計データ構造体を格納するためのその他のいずれかの適切な形式で格納される情報を使用することもできる。データ構造体1990は、例えば、記号データ、マップファイル、試験データファイル、設計コンテンツファイル、製造データ、レイアウトパラメータ、配線、金属のレベル、ビア、形状、製造ラインを通じた経路指定のためのデータ、並びに、上記に説明され、図1又は図3-図22に示されるようなデバイス又は構造体を製造するために製造者又は他の設計者/開発者により要求される他のいずれかのデータといった情報を含むことができる。次に、設計構造体1990はステージ1995に進むことができ、そこで、例えば、設計構造体1990は、テープに読み出されたり、製造のためにリリースされたり、マスク会社にリリースされたり、別の設計会社に送られたり、顧客に返送されたりする。本明細書で用いられる用語は、特定の実施形態を説明する目的のためのものにすぎず、本発明を限定することを意図するものではない。本明細書で用いられるとき、単数形1つのa、1つのan及びそのtheは、文脈が明らかにそうでないことを示していない限り、複数形も含むことが意図されている。本明細書で用いられるとき、含むcomprise及び/又は含んでいるcomprisingという用語は、提示された特徴、整数、ステップ、動作、要素、及び/又は構成要素が存在することを特定するものであるが、1つ又は複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、及び/又はそれらのグループの存在又は追加を排除するものではないことがさらに理解されるであろう。特許請求の範囲における全ての手段又はステップと機能との組み合わせミーンズ又はステッププラスファンクション要素の対応する構造、材料、行為及び均等物は、該当する場合、その機能を、明確に特許請求されているように他の特許請求された要素と組み合わせて実行するための、いかなる構造、材料又は行為をも含むことが意図される。本発明の説明は、例示及び説明の目的で提示されたものであるが、網羅的であることを意図するものではなく、本発明を開示された形態に限定することを意図するものでもない。本発明の範囲から逸脱することのない多くの変更及び変形が、当業者には明らかであろう。実施形態は、本発明の原理及び実際の用途を最も良く説明するため、及び、当業者が本発明を種々の変更を有する種々の実施形態について企図される特定の使用に適したものとして理解することを可能にするために、選択及び記載された。従って、本発明に関する実施形態を説明してきたが、当業者であれば、本発明は、変更を伴って、かつ、添付の特許請求の範囲の思想及び範囲内で実施できることを理解するであろう。