"樹脂ケースと、前記樹脂ケースに固定支持された絶縁性の蓋と、前記樹脂ケース内に収納された、複数の導電パターンを有する絶縁基板と、前記導電パターンの少なくとも一つに固着する半導体素子と、前記導電パターン同士、および前記半導体素子の表面電極と前記導電パターンとを接続する複数の接続導体と、前記導電パターンに接続された端子台と、前記端子台に接続された外部接続用端子と、を備え、前記蓋が、前記外部接続用端子と、当該外部接続用端子を固定支持する蓋板と、からなることを特徴とする半導体装置。樹脂ケースと、前記樹脂ケースに固定支持された絶縁性の蓋と、前記樹脂ケース内に収納された、複数の導電パターンを有する絶縁基板と、前記導電パターンの少なくとも一つに固着する半導体素子と、前記導電パターン同士、および前記半導体素子の表面電極と前記導電パターンとを接続する複数の接続導体と、前記樹脂ケースの開口部を架橋し、当該樹脂ケースの内壁に固定される樹脂板と、前記樹脂板上に配置される導電体と、前記導電体に接続された端子台と、前記端子台に接続された外部接続用端子と、を備え、前記蓋が、前記外部接続用端子と、当該外部接続用端子を固定支持する蓋板と、からなることを特徴とする半導体装置。前記蓋板が開口部を有し、前記開口部が前記蓋板の中央部に設けられており、前記開口部から露出した前記外部接続用端子と前記端子台とが接続されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。前記端子台が前記導電体の一部であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記導電パターンが、第1導電パターン、第2導電パターンおよび第3導電パターンからなり、前記半導体素子が、第1IGBT素子、第2IGBT素子、第1FWD素子および第2FWD素子からなり、前記端子台が、第1端子台、第2端子台および第3端子台からなり、前記第1導電パターンに、前記第1IGBT素子のコレクタ電極および前記第1FWD素子のカソード電極が固着され、前記第2導電パターンに、前記第2IGBT素子のコレクタ電極および前記第2FWD素子のカソード電極が固着され、前記第2導電パターンに、前記第1IGBT素子のエミッタ電極および前記第1FWD素子のアノード電極が電気的に接続され、前記第3導電パターンに、前記第2IGBT素子のエミッタ電極および前記第2FWD素子のアノード電極が電気的に接続され、前記第1導電パターンに前記第1端子台が接続され、前記第2導電パターンに前記第2端子台が接続され、前記第3導電パターンに前記第3端子台が接続され、前記第1端子台、前記第2端子台および前記第3端子台にそれぞれ少なくとも1個の前記外部接続用端子が接続されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記導電パターンが、第1導電パターン、第2導電パターンおよび第3導電パターンからなり、前記半導体素子が、第1IGBT素子、第2IGBT素子、第1FWD素子および第2FWD素子からなり、前記端子台が、第1端子台、第2端子台および第3端子台からなり、前記導電体が、第1導電体、第2導電体および第3導電体からなり、前記第1導電パターンに、前記第1IGBT素子のコレクタ電極および前記第1FWD素子のカソード電極が固着され、前記第2導電パターンに、前記第2IGBT素子のコレクタ電極および前記第2FWD素子のカソード電極が固着され、前記第1導電パターンと前記第1導電体とが電気的に接続され、前記第2導電体に、前記第1IGBT素子のエミッタ電極、前記第1FWD素子のアノード電極および前記第2導電パターンが電気的に接続され、前記第3導電体に、前記第2IGBT素子のエミッタ電極および前記第2FWD素子のアノード電極が電気的に接続され、前記第1導電体に前記第1端子台が接続され、前記第2導電体に前記第2端子台が接続され、前記第3導電体に前記第3端子台が接続され、前記第1端子台、前記第2端子台および前記第3端子台にそれぞれ少なくとも1個の前記外部接続用端子が接続されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記端子台と前記外部接続用端子とが、超音波接合、レーザー溶接または半田付けで固着されることを特徴とする請求項1、2、5、6のいずれか一つに記載の半導体装置。第1導電パターン、第2導電パターンおよび第3導電パターンの3個で1組の前記導電パターンと、前記第1導電パターンに固着された第1半導体素子および前記第2導電パターンに固着された第2半導体素子からなる前記半導体素子と、前記第1導電パターンおよび前記第2導電パターンの間に形成された前記第3導電パターンと、前記第1導電パターン、前記第2導電パターンおよび前記第3導電パターンにそれぞれ接続された第1端子台、第2端子台および第3端子台からなる前記端子台と、前記第1端子台、前記第2端子台および前記第3端子台にそれぞれ接続され、その端部が前記樹脂ケースの外方へ突出している前記外部接続用端子と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。第1導電パターンおよび第2導電パターンからなる前記導電パターンと、前記第1導電パターンを有する第1絶縁基板および前記第2導電パターンを有する第2絶縁基板からなる前記絶縁基板と、前記第1導電パターンに固着された第1半導体素子および前記第2導電パターンに固着された第2半導体素子からなる前記半導体素子と、前記第1絶縁基板および前記第2絶縁基板の間に配置された樹脂板と、前記樹脂板上に配置された、第1導電体、第2導電体および第3導電体の3個で1組の前記導電体と、前記第1導電体、前記第2導電体および前記第3導電体にそれぞれ接続された第1端子台、第2端子台および第3端子台からなる前記端子台と、前記第1端子台、前記第2端子台および前記第3端子台にそれぞれ接続され、その端部が前記樹脂ケースの外方へ突出している前記外部接続用端子と、を備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。しかしながら、上述した特許文献1~4に示す技術では、次のような問題が生じる。上述した特許文献1に示す半導体装置500では、配線用端子59は樹脂ケース63の中央部に配置された端子台61に接続される。端子台61は例えばインバータ回路の構成では交流出力される箇所となる。このため、例えば交流出力端子となる主端子の外部接続用端子56,58の位置は、端子ブロック60の変更で簡便に変更することができる。それに対して、インバータ回路の構成で主端子であるP端子やN端子となる外部接続用端子54,57は、樹脂ケース63内の絶縁基板64に接続用端子65を介して固着されているので、外部接続用端子54,57の位置を変更するには樹脂ケース63ごと変更しなければならず、その変更は簡便に行うことができない。また、上述した特許文献2~4に示す技術では、いずれの半導体装置においても、主端子の位置は中央部に配置されているが、その主端子は直接半導体素子に固定されている。このため、主端子である外部接続用端子の位置を簡便に変更することはできない。この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、外部接続用端子の位置を簡便に変更することができる半導体装置を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、樹脂ケースと、前記樹脂ケースに固定支持された絶縁性の蓋と、前記樹脂ケース内に収納された、複数の導電パターンを有する絶縁基板と、前記導電パターンの少なくとも一つに固着する半導体素子と、前記導電パターン同士、および前記半導体素子の表面電極と前記導電パターンとを接続する複数の接続導体と、前記導電パターンに接続された端子台と、前記端子台に接続された外部接続用端子と、を備え、前記蓋が、前記外部接続用端子と、当該外部接続用端子を固定支持する蓋板と、からなることを特徴とする。この発明によれば、蓋を変更することで、外部接続用端子の位置を簡便に変更することができる。また、この発明にかかる半導体装置は、樹脂ケースと、前記樹脂ケースに固定支持された絶縁性の蓋と、前記樹脂ケース内に収納された、複数の導電パターンを有する絶縁基板と、前記導電パターンの少なくとも一つに固着する半導体素子と、前記導電パターン同士、および前記半導体素子の表面電極と前記導電パターンとを接続する複数の接続導体と、前記樹脂ケースの開口部を架橋し、当該樹脂ケースの内壁に固定される樹脂板と、前記樹脂板上に配置される導電体と、前記導電体に接続された端子台と、前記端子台に接続された外部接続用端子と、を備え、前記蓋が、前記外部接続用端子と、当該外部接続用端子を固定支持する蓋板と、からなることを特徴とする。この発明によれば、蓋を変更することで外部接続用端子の位置を簡便に変更することができる。また、絶縁基板の面積を減じることができるので、製造コストの低減を図ることができる。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記蓋板が開口部を有し、前記開口部が前記蓋板の中央部に設けられており、前記開口部から露出した前記外部接続用端子と前記端子台とが接続されることを特徴とする。この発明によれば、蓋板の開口部からレーザー光を照射することで外部接続用端子と端子台とをレーザー溶接で固着することができる。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記端子台が前記導電体の一部であることを特徴とする。この発明によれば、端子台と導電体とを半田などで接合する必要がなく、製造コストを低減できる。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記導電パターンが、第1導電パターン、第2導電パターンおよび第3導電パターンからなり、前記半導体素子が、第1IGBT素子、第2IGBT素子、第1FWD素子および第2FWD素子からなり、前記端子台が、第1端子台、第2端子台および第3端子台からなり、前記第1導電パターンに、前記第1IGBT素子のコレクタ電極および前記第1FWD素子のカソード電極が固着し、前記第2導電パターンに、前記第2IGBT素子のコレクタ電極および前記第2FWD素子のカソード電極が固着し、前記第2導電パターンに、前記第1IGBT素子のエミッタ電極および前記第1FWD素子のアノード電極が電気的に接続され、前記第3導電パターンに、前記第2IGBT素子のエミッタ電極および前記第2FWD素子のアノード電極が電気的に接続され、前記第1導電パターンに前記第1端子台が接続され、前記第2導電パターンに前記第2端子台が接続され、前記第3導電パターンに前記第3端子台が接続され、前記第1端子台、前記第2端子台および前記第3端子台にそれぞれ少なくとも1個の前記外部接続用端子が接続されることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記導電パターンが、第1導電パターン、第2導電パターンおよび第3導電パターンからなり、前記半導体素子が、第1IGBT素子、第2IGBT素子、第1FWD素子および第2FWD素子からなり、前記端子台が、第1端子台、第2端子台および第3端子台からなり、前記導電体が、第1導電体、第2導電体および第3導電体からなり、前記第1導電パターンに、前記第1IGBT素子のコレクタ電極および前記第1FWD素子のカソード電極が固着し、前記第2導電パターンに、前記第2IGBT素子のコレクタ電極および前記第2FWD素子のカソード電極が固着し、前記第1導電パターンと前記第1導電体とが電気的に接続され、前記第2導電体に、前記第1IGBT素子のエミッタ電極、前記第1FWD素子のアノード電極および前記第2導電パターンが電気的に接続され、前記第3導電体に、前記第2IGBT素子のエミッタ電極および前記第2FWD素子のアノード電極が電気的に接続され、前記第1導電体に前記第1端子台が接続され、前記第2導電体に前記第2端子台が接続され、前記第3導電体に前記第3端子台が接続され、前記第1端子台、前記第2端子台および前記第3端子台にそれぞれ少なくとも1個の前記外部接続用端子が接続されることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記端子台と前記外部接続用端子とが、超音波接合、レーザー溶接または半田付けで固着されることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、第1導電パターン、第2導電パターンおよび第3導電パターンの3個で1組の前記導電パターンと、前記第1導電パターンに固着された第1半導体素子および前記第2導電パターンに固着された第2半導体素子からなる前記半導体素子と、前記第1導電パターンおよび前記第2導電パターンの間に形成された前記第3導電パターンと、前記第1導電パターン、前記第2導電パターンおよび前記第3導電パターンにそれぞれ接続された第1端子台、第2端子台および第3端子台からなる前記端子台と、前記第1端子台、前記第2端子台および前記第3端子台にそれぞれ接続され、その端部が前記樹脂ケースの外方へ突出している前記外部接続用端子と、を備えることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、第1導電パターンおよび第2導電パターンからなる前記導電パターンと、前記第1導電パターンを有する第1絶縁基板および前記第2導電パターンを有する第2絶縁基板からなる前記絶縁基板と、前記第1導電パターンに固着された第1半導体素子および前記第2導電パターンに固着された第2半導体素子からなる前記半導体素子と、前記第1絶縁基板および前記第2絶縁基板の間に配置された樹脂板と、前記樹脂板上に配置された、第1導電体、第2導電体および第3導電体の3個で1組の前記導電体と、前記第1導電体、前記第2導電体および前記第3導電体にそれぞれ接続された第1端子台、第2端子台および第3端子台からなる前記端子台と、前記第1端子台、前記第2端子台および前記第3端子台にそれぞれ接続され、その端部が前記樹脂ケースの外方へ突出している前記外部接続用端子と、を備えることを特徴とする。上述した発明によれば、主電流が流れる主端子である外部接続用端子の全てを蓋に配置し、これらの外部接続用端子を樹脂ケース内の端子台に接続する構成の、外部接続用端子の配置が異なる複数の蓋を用意し、この蓋を交換することによって外部接続用端子の位置を簡便に変更することができる。また、端子台の位置を樹脂ケースの中央部にすることで、樹脂ケース内の配線インダクタンスを小さくすることができる。また、蓋板の中央部に開口部が設けられているので、この開口部からレーザー光を照射することで、外部接続用端子と端子台とを容易にレーザー溶接することができる。また、例えば、P端子とN端子となる外部接続用端子を平行平板に配置することで、配線インダクタンスを小さくすることができる。本発明にかかる半導体装置によれば、外部接続用端子の位置を簡便に変更することができるという効果を奏する。以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置を示す構成図である。また、図2~5は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置を構成する部材を示す構成図である。図1は、半導体装置100の組立後の全体の構成図である。図2は、半導体素子が固着した絶縁基板2の構成図である。図3は、樹脂ケース11の構成図である。図4は、金属ベース板1に固着された絶縁基板2および樹脂ケース11の構成図である。図5は、外部接続用端子18~20が蓋板16にインサートされた蓋21の構成図である。図1~5において、aは要部平面図であり、bは同図aの切断線X-Xにおける断面を矢印の方向に矢視する要部断面図である。また、図1aは、蓋21を透視したときの樹脂ケース11内の要部配置図である。ここでは、インバータ回路一相分の半導体モジュールの一例を例示する。図1に示す半導体装置100は、板厚が数ミリの金属ベース板1を基体とし、この金属ベース板1上に、錫Sn-銀Ag系の鉛フリー半田層不図示を介して絶縁基板2が固着されている。絶縁基板2は、金属ベース板1側の面に対して反対側の面以下、上面とするに、導電パターンを備える。絶縁基板2の上面側には、パワー半導体素子であるIGBT素子5a,5b、およびFWD素子6a,6bがそれぞれ逆並列接続して実装されている図2。そして、半導体装置100は、上記半導体素子等を樹脂ケース11にパッケージングした汎用IGBT素子モジュールパワーモジュールとして機能する図4。絶縁基板2は、絶縁板3と、絶縁板3の下面金属ベース板1側の面にDCBDirectCopperBonding法で形成された金属箔3aと、絶縁板3の上面に同じくDCB法で形成された導電パターンである金属箔44a,4b,4cと、を備える。さらに、絶縁基板2の金属箔4a,4b上には、それぞれ半田層不図示を介してIGBT素子5a,5bのコレクタ電極が固着されている。IGBT素子5a,5bのコレクタ電極とは反対側の主面、すなわち、IGBT素子5a,5bの上面側には、エミッタ電極が設けられている。また、IGBT素子5a,5bの上面側の一部には、ワイヤ13を介して制御端子12に接続する制御電極12aが配置されている。制御端子12は樹脂ケース11に固定支持されている。また、絶縁基板2の金属箔4a,4b上には、それぞれ半田層不図示を介してFWD素子6a,6bのカソード電極が固着されている。FWD素子6aは、IGBT素子5aと離れて配置されている。FWD素子6bは、IGBT素子5bと離れて配置されている。FWD素子6a,6bのカソード電極側とは反対側の主面、すなわち、FWD素子6a,6bの上面側には、アノード電極が設けられている。また、IGBT素子5a,5bのエミッタ電極IGBT素子5a,5bの上面側とFWD素子6a,6bのアノード側FWD素子6a,6bの上面側は、接続用端子接続導体7a,7bで接続されている。具体的には、接続用端子7aは、IGBT素子5aおよびFWD素子6aに接する。接続用端子7bは、IGBT素子5bおよびFWD素子6bに接する。これにより、IGBT素子5aのエミッタ電極とFWD素子6aのアノード電極、およびIGBT素子5bのエミッタ電極とFWD素子6bのアノード電極との導通が確保されている。さらに、接続用端子7a,7bは、樹脂ケース11内にパターン形成された金属箔4b,4cにそれぞれ接続されている。また、IGBT素子5aのコレクタ電極およびFWD素子6aのカソード電極は、IGBT素子5aおよびFWD素子6aの下地である金属箔4aを介して導通している。IGBT素子5bのコレクタ電極およびFWD素子6bのカソード電極は、IGBT素子5bおよびFWD素子6bの下地である金属箔4bを介して導通している。IGBT素子5aのエミッタ電極、IGBT素子5bのコレクタ電極、FWD素子6aのアノード電極およびFWD素子6bのカソード電極は、接続用端子7a、金属箔4bを介して導通している。また、絶縁板3は、例えば、アルミナAl2O3焼結体からなるセラミックスで構成されている。金属箔4a,4b,4cは、銅Cuを主成分とする金属で構成されている。接続用端子7a,7bは、例えば、銅Cu、アルミニウムAlまたはこれらの合金を主成分とした材質により構成されている。接続用端子7a,7bの代わりにボンディングワイヤを用いてもよい。金属箔4a,4bに搭載する半導体素子においては、上述したIGBT素子5a,5bに限らず、パワーMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorを用いてもよい。また、半導体装置100にあっては、金属ベース板1の上端縁に、例えば、図3に示すようなPPSポリフェニレンサルファイド製の樹脂ケース11が設置されている。また、金属ベース板1の上方には、樹脂ケース11に固定支持された絶縁性の蓋21が配置されている。図5に示すように、蓋21の一部には、例えば、IGBT素子5a,5bの主電極に導通する外部接続用端子18,19,20が蓋板16にインサート成形されている。外部接続用端子18,19,20は、蓋板16の側面から引き出されている。外部接続用端子18,19,20は、蓋板16の上面から引き出してもよい。また、外部接続用端子18,19,20は、蓋21が樹脂ケース11に配置されたときに、例えば、樹脂ケース11の中心よりもIGBT素子5a側に配置される。蓋板16は、たとえば、略矩形状の平面形状を有する。そして、半導体装置100にあっては、外部接続用端子18が、例えば、インバータ回路の正極入力端子P端子であり、外部接続用端子19が、インバータ回路の負極入力端子N端子となるように配置されている。そして、外部接続用端子18,19は、半導体装置100の外部に設置された直流電源の正極、負極にそれぞれ電気的に接続される。これらの外部接続用端子18,19,20を平行平板で配置することで、配線インダクタンスや配線抵抗を小さくできる。また、外部接続用端子20は、インバータ回路の交流出力端子例えばU相となるように配置されている。外部接続用端子18,19,20それぞれの、外部機器接続用に孔が形成された端部は、図1に示すように、樹脂ケース11の外方へ突出している。例えば、蓋21の向かい合う一対の側壁のうち、一方の側壁からは、外部接続用端子18,19の外部機器接続用に孔が形成された端部が外側へ突出し、他方の側壁からは、外部接続用端子20の外部機器接続用に孔が形成された端部が外側へ突出している。外部接続用端子18,19および外部接続用端子20の外部機器接続用に孔が形成された端部は、蓋21の隣り合う一対の側壁の、一方の側壁および他方の側壁からそれぞれ突出していてもよい。上記はインバータ回路の例で説明したが、この回路構成は、インバータ回路に限るものではなく、チョッパ回路など他の電力変換回路にも用いることができる。例えば、蓋板16の開口部17a,17b,17cから露出した外部接続用端子18,19,20の端部の接続箇所18a,19a,20aは、半田付け等によりそれぞれ端子台8a,8b,8cの一端図1の紙面上側に固着されている。端子台8a,8b,8cの他端図1の紙面下側は、半田付け等によりそれぞれ金属箔4a,4b,4cに接合されている。図1に示した端子台において、端子台8aおよび端子台8cの高さは同じであり、端子台8bの高さは端子台8a,8cよりも高い。3個の端子台8a,8b,8cの高さはそれぞれ異なっていてもよい。また、端子台8a,8b,8cは、たとえば、樹脂ケース11の中央部に配置されるのがよい。蓋板16の開口部17a,17b,17cは、例えば、蓋板16の中央部に設けられるのがよい。蓋板16に形成された開口部17a,17b,17cは、端子台8a,8b,8cをそれぞれ外部接続用端子18,19,20に半田付けするときの熱源の挿入口となる。端子台8a,8b,8cをそれぞれ外部接続用端子18,19,20に接合する方法は、超音波接合やレーザー溶接で行ってもよい。この場合、蓋板16の開口部17a,17b,17cは、端子台8a,8b,8cと外部接続用端子18,19,20とを超音波接合するときの振動子の挿入口やレーザー溶接するときのレーザー光の照射口となる。開口部17a,17b,17cは、端子台8a,8b,8cと外部接続用端子18,19,20とがそれぞれ接合された後、たとえばエポキシ樹脂などによって埋められてもよい。このように、半導体装置100においては、蓋21に固着された外部接続用端子18,19,20と金属箔4a,4b,4cとが、端子台8a,8b,8cを介してそれぞれ電気的に接続されている。すなわち、外部接続用端子18,19,20は、IGBT素子5a,5bのコレクタ電極、エミッタ電極およびFWD素子6a,6bのカソード電極、アノード電極のいずれかに導通している。具体的には、外部接続用端子18は、端子台8aおよび金属箔4aを介して、IGBT素子5aのコレクタ電極およびFWD素子6aのカソード電極に導通している。さらに、外部接続用端子18は、IGBT素子5a、IGBT素子5aのエミッタ電極、FWD素子6a、FWD素子6aのアノード電極、接続用端子7aおよび金属箔4bを介して、IGBT素子5bのコレクタ電極およびFWD素子6bのカソード電極に接続している。外部接続用端子19は、端子台8b、金属箔4cおよび接続用端子7bを介して、IGBT素子5bのエミッタ電極およびFWD素子6bのアノード電極に導通している。さらに、外部接続用端子19は、IGBT素子5b、IGBT素子5bのコレクタ電極、FWD素子6b、FWD素子6bのカソード電極、金属箔4b、接続用端子7aを介して、IGBT素子5aのエミッタ電極およびFWD素子6aのアノード電極に接続している。外部接続用端子20は、端子台8c、金属箔4bおよび接続用端子7aを介して、IGBT素子5aのエミッタ電極およびFWD素子6aのアノード電極に導通している。また、外部接続用端子20は、端子台8cおよび金属箔4bを介して、IGBT素子5bのコレクタ電極およびFWD素子6bのカソード電極に導通している。樹脂ケース11および金属ベース板1で囲まれた空間には、半導体素子、接続用端子7a,7b等やワイヤ13の保護を目的として、封止用樹脂図示しないが充填されている。ここで、封止用樹脂の材質は、例えば、ゲルまたはエポキシ樹脂を主成分とする樹脂により構成されている。また、外部接続用端子18,19,20および端子台8a,8b,8cは、例えば、銅Cu、アルミニウムAlまたはこれらの合金を主成分とした材質により構成されている。外部接続用端子18,19,20は、蓋板16内にインサート成形される。このように、この半導体装置100では、蓋板16およびこの蓋板16内に設置された複数の外部接続用端子18,19,20で構成される蓋21と、樹脂ケース11と、この樹脂ケース11内に包容された、少なくとも一つの半導体素子例えば、IGBT素子等と、この半導体素子および外部接続用端子18,19,20を電気的に接続する端子台8a,8b,8cと、を備えている。図1では端子台8a,8b,8cにそれぞれ1個の外部接続用端子18,19,20が接続しているが、それぞれの端子台8a,8b,8cに2個以上の外部接続用端子を接続して複数の負荷に対応させてもよい。これにより、樹脂ケース11内の配線の配置を変更せずに、外部接続用端子18,19,20の位置を変更した蓋21を樹脂ケース11に被せて、樹脂ケース11内の端子台8a,8b,8cと外部接続用端子18,19,20とを固着することで、半導体装置100に使用する外部接続用端子18,19,20の位置を自由に、かつ、簡便に変更することができる。また、端子台8a,8b,8cの位置を樹脂ケース11の中央部にすることで、樹脂ケース11内の配線インダクタンスを小さくすることができる。例えば、図2aに示すように、略L字状もしくは略C字状の平面形状を有する金属箔4aおよび金属箔4bと、これらの間に形成された矩形状の平面形状を有する金属箔4cとからなる3個で1組の導電パターンを絶縁板3上に配置し、各々の金属箔上に端子台8a,8b,8cを接続することが好ましい。また、外部接続用端子例えば、外部接続用端子18,19を平行平板で配置することで、配線インダクタンスを小さくすることができる。図示省略するが、蓋21上にシールド板を敷いてもよい。蓋21上にシールド板を敷くことによって、スイッチング時に発生する高周波ノイズを低減することができる。図6は、実施の形態1にかかる半導体装置を構成する部材の別の一例を示す平面図である。図6には、外部接続用端子18,19,20の配置が図5に示す蓋21と異なる蓋22~25の要部平面図を示す。図6aに示す蓋22は、樹脂ケース11に配置されたときに、外部接続用端子18,19,20の配置を蓋22の中央部よりもIGBT素子5b側紙面下半分に配置した場合である。外部接続用端子18,19,20の外部機器接続用に孔が形成された端部が突出する方向は、図5に示す蓋21と同様である。図6bに示す蓋23は、図6aに示す蓋22の外部接続用端子18,19,20の配置を左右反対にした場合である。つまり、外部接続用端子18,19および外部接続用端子20の外部機器接続用に孔が形成された端部が突出する方向は、それぞれ図6aに示す蓋22と反対方向となっている。図6cに示す蓋24は、3本の外部接続用端子18,19,20の配置を蓋24の一方の側壁近傍に集めた場合である。外部接続用端子18,19,20の外部機器接続用に孔が形成された端部は、外部接続用端子18,19,20が配置された側の、蓋24の側壁から外側へ突出している。図6dに示す蓋25は、図6cに示す蓋24の外部接続用端子18,19,20の配置を左右反対にした場合である。つまり、外部接続用端子18,19,20の外部機器接続用に孔が形成された端部が突出する方向は、図6cに示す蓋24と反対方向となっている。図6a~6dに示す蓋22~25のその他の構成は、図5に示す蓋21と同様である。このように、半導体装置100の蓋を交換することで、同じ樹脂ケース11であっても外部接続用端子18,19,20の位置を自由に変えることができる。また、このように、外部接続用端子18,19,20が固着された蓋のみを交換することで半導体装置100の外部接続用端子18,19,20の位置を簡便に変更することができる。実施の形態1では、インバータ回路の1相分を例に挙げたが、3相のインバータ回路を構成する場合には、図1の半導体装置100を3個並べて用いてもよい。図7は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の別の一例を示す構成図である。図7aは、要部平面図であり、図7bは、図7aの切断線X-Xにおける断面を矢印の方向に矢視する側面図である。図7に示すように、一つの樹脂ケース11aに3相分U相、V相、W相の半導体素子を包容した半導体装置100aとしてもよい。この場合、各相で設けられる外部接続用端子18,19,20は、それぞれ連結される。以上、説明したように、実施の形態1によれば、主電流が流れる主端子である外部接続用端子18,19,20の全てを蓋に配置し、外部接続用端子18,19,20を樹脂ケース11内の端子台8a,8b,8cにそれぞれ接続する構成の、外部接続用端子18,19,20の配置が異なる複数の蓋21~25を用意し、この蓋21~25を交換することによって主端子である外部接続用端子18,19,20の位置を全て簡便に変更することができる。また、端子台8a,8b,8cの位置を樹脂ケース11の中央部にすることで、樹脂ケース11内の配線インダクタンスを小さくすることができる。また、樹脂ケース11に蓋21~25を配置したときに、蓋板16の中央部に開口部17a,17b,17cが設けられているので、開口部17a,17b,17cからレーザー光を照射することで、外部接続用端子18,19,20をそれぞれ端子台8a,8b,8cに容易にレーザー溶接することができる。また、例えば、P端子とN端子となる外部接続用端子18,19を平行平板に配置することで、配線インダクタンスを小さくすることができる。実施の形態2図8は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置を示す構成図である。また、図9,10は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置を構成する部材を示す構成図である。図8は、半導体装置200の組立後の全体の構成図である。図8では、蓋は図示省略する。図9は、半導体素子を固着した絶縁基板32の構成図である。図10は、樹脂ケース41の構成図である。図8に示す半導体装置200と実施の形態1の半導体装置100図1参照との違いは、端子台38a,38b,38cが樹脂ケース41の一部である樹脂板41aに固着した導電箔34c,34d,34e例えば、金属箔に固定支持されている点である。図8に示す半導体装置200では、金属ベース板31上に、半田層不図示を介して2つの絶縁基板32が離れて固着されている。2つの絶縁基板32のうちの、一方の絶縁基板32は、絶縁板33の上面に導電パターンである金属箔34aを備え、他方の絶縁基板32は、絶縁板33の上面に導電パターンである金属箔34bを備える。樹脂ケース41には、この樹脂ケース41の一部である樹脂板41aに3個で1組の導電箔導電体34c,34d,34eが固着している。さらに、この導電箔34c,34d,34eに端子台38a,38b,38cがそれぞれ固着している。樹脂板41aは、樹脂ケース41の開口部の中央部を架橋し樹脂ケース41の内壁に固定されている。また、樹脂板41aは、金属ベース板31に樹脂ケース41が設置されたときに、例えば、2つの絶縁基板32の間に配置される。図示省略する蓋は、実施の形態1に示す蓋21~25と同様である図5,6参照。半導体装置200を組み立てるには、半導体素子等を樹脂ケース41にパッケージングした後、樹脂ケース41上に蓋21~25を被せて、蓋板16に固定支持された外部接続用端子18,19,20を端子台38a,38b,38cにそれぞれ固着することで半導体装置200が完成する。導電箔34c等の代わりに導電板を用いて、この導電板の一部を用いて端子台38a,38b,38cを一体形成し、この端子台付き導電板を樹脂ケース41に固着してもよい。導電箔34c等の代わりに端子台付き導電板を樹脂ケース41とすることで製造コストの低減を図ることができる。図中の33aは絶縁板33下面の金属箔、35a,35bはIGBT素子、36a,36bはFWD素子、37a,37b,37c,37d,37e,37fは接続用端子、42は制御端子、43はワイヤである。金属箔33aは、実施の形態1図1参照の金属箔3aに相当する。金属箔34a,34bは、それぞれ実施の形態1の金属箔4a,4bに相当する。IGBT素子35a,35bおよびFWD素子36a,36bは、それぞれ実施の形態1のIGBT素子5a,5bおよびFWD素子6a,6bに相当する。接続用端子37a,37bは、それぞれ実施の形態1の接続用端子7a,7bに相当する。接続用端子37cは、FWD素子36aおよび導電箔34eに接する。接続用端子37dは、FWD素子36bおよび導電箔34dに接する。接続用端子37eは、金属箔34aおよび導電箔34cに接する。接続用端子37fは、金属箔34bおよび導電箔34eに接する。制御端子42およびワイヤ43は、それぞれ実施の形態1の制御端子12およびワイヤ13に相当する。それ以外の構成は、実施の形態1と同様である。以上、説明したように、実施の形態2によれば、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。また、端子台38a,38b,38cを樹脂ケース41の架橋部分樹脂板41aに設置することで、外部接続用端子18,19,20を端子台38a,38b,38cに固着するときに大きな応力が発生した場合も、樹脂ケース41の開口部を架橋する樹脂板41aおよび金属ベース板31を介してその応力がIGBT素子35a,35bおよびFWD素子36a,36bに伝わる。このため、応力が大幅に緩和され、IGBT素子35a,35bおよびFWD素子36a,36bが応力により特性劣化を起こすことを防止できる。また、絶縁基板32は端子台が固着する導電箔34c,34d,34eの占める面積を節約することができる。このため、実施の形態1に比べて製造コストを低く抑えることができる。以上において本発明では、インバータ回路を例に説明しているが、上述した実施の形態に限らず、さまざまな構成の回路に適用することが可能である。"