電気光学効果を有する材料からなる基板と、この基板の主面に形成された複数のマッハツエンダー型光導波路と、これら複数のマッハツエンダー型光導波路のそれぞれに対応して設けられ、前記複数のマッハツエンダー型光導波路を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具えた光導波路素子であって、各変調用電極の下面の形態が、対応する各マッハツエンダー型光導波路の分岐光導波路間の中心に対して左右対称であり、前記複数の変調用電極の下面の形態が、前記複数のマッハツエンダー型光導波路の配列方向の中心に対して左右対称であり、素子基板全体が左右対称であることを特徴とする、光導波路素子。前記複数の変調用電極は、それぞれほぼ同一の形態を有することを特徴とする、請求項1に記載の光導波路素子。電気光学効果を有する材料からなる基板と、この基板の主面に並列に形成された3個以上のマッハツエンダー型光導波路と、これら3個以上のマッハツエンダー型光導波路のそれぞれに対応して設けられ、各マッハツエンダー型光導波路を導波する光波を変調するための3個以上の変調用電極とを具えた光導波路素子であって、各変調用電極の下面の形態が、対応する各マッハツエンダー型光導波路を構成する2本の分岐光導波路の中心に対して左右対称であり、前記3個以上の変調用電極の下面の形態が、前記3個以上のマッハツエンダー型光導波路の配列方向の中心に対して左右対称であり、素子基板全体が左右対称であることを特徴とする、光導波路素子。電気光学効果を有する材料からなる基板と、この基板の主面に形成された主マッハツエンダー型光導波路と、前記基板の前記主面に形成され、前記主マッハツエンダー型光導波路の一方の分岐光導波路に連結した第1のマッハツエンダー型光導波路と、前記基板の前記主面に形成され、前記主マッハツエンダー型光導波路の他方の分岐光導波路に連結するとともに、前記第1のマッハツエンダー型光導波路と平行に配置された第2のマッハツエンダー型光導波路と、前記第1のマッハツエンダー型光導波路を導波する光波を変調するための第1の変調用電極と、前記第2のマッハツエンダー型光導波路を導波する光波を変調するための第2の変調用電極とを具えた光導波路素子であって、前記第1の変調用電極の下面の形態が、前記第1のマッハツエンダー型光導波路を構成する2本の分岐光導波路の中心に対して左右対称であるとともに、前記第2の変調用電極の下面の形態が、前記第2のマッハツエンダー型光導波路を構成する2本の分岐光導波路の中心に対して左右対称であり、前記第1の変調用電極の前記下面の形態及び前記第2の変調用電極の前記下面の形態が、前記第1のマッハツエンダー型光導波路及び前記第2のマッハツエンダー型光導波路間の中心に対して左右対称であり、素子基板全体が左右対称であることを特徴とする、光導波路素子。前記第1の変調用電極の形態が、前記第1のマッハツエンダー型光導波路を構成する2本の分岐光導波路の中心に対して左右対称であるとともに、前記第2の変調用電極の形態が、前記第2のマッハツエンダー型光導波路を構成する2本の分岐光導波路の中心に対して左右対称であり、前記第1の変調用電極の形態及び前記第2の変調用電極の形態が、前記第1のマッハツエンダー型光導波路及び前記第2のマッハツエンダー型光導波路間の中心に対して左右対称であることを特徴とする、請求項4に記載の光導波路素子。しかしながら、多段のマッハツエンダー型光導波路素子は、これを光変調器などとして長時間使用した場合において、上記動作点がシフトしてしまう場合があった。このため、当初の条件で光変調を行うと、所望する光の変調を良好に行うことができない場合があった。本発明は、上記のような多段のマッハツエンダー型光導波路素子、さらには複数のマッハツエンダー型光導波路が並列に配置されてなる多重のマッハツエンダー型光導波路素子において、動作点シフトを抑制し、高い信頼性を実現することを目的とする。上記目的を達成すべく、本発明は、電気光学効果を有する材料からなる基板と、この基板の主面に形成された複数のマッハツエンダー型光導波路と、これら複数のマッハツエンダー型光導波路のそれぞれに対応して設けられ、前記複数のマッハツエンダー型光導波路を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具えた光導波路素子であって、各変調用電極の下面の形態が、対応する各マッハツエンダー型光導波路の分岐光導波路間の中心に対して左右対称であり、前記複数の変調用電極の下面の形態が、前記複数のマッハツエンダー型光導波路の配列方向の中心に対して左右対称であり、素子基板全体が左右対称であることを特徴とする、いわゆる多重のマッハツエンダー型光導波路素子に関する。また、本発明は、電気光学効果を有する材料からなる基板と、この基板の主面に並列に形成された3個以上のマッハツエンダー型光導波路と、これら3個以上のマッハツエンダー型光導波路のそれぞれに対応して設けられ、各マッハツエンダー型光導波路を導波する光波を変調するための3個以上の変調用電極とを具えた光導波路素子であって、各変調用電極の下面の形態が、対応する各マッハツエンダー型光導波路を構成する2本の分岐光導波路の中心に対して左右対称であり、前記3個以上の変調用電極の下面の形態が、前記3個以上のマッハツエンダー型光導波路の配列方向の中心に対して左右対称であり、素子基板全体が左右対称であることを特徴とする。また、本発明は、電気光学効果を有する材料からなる基板と、この基板の主面に形成された主マッハツエンダー型光導波路と、前記基板の前記主面に形成され、前記主マッハツエンダー型光導波路の一方の分岐光導波路に連結した第1のマッハツエンダー型光導波路と、前記基板の前記主面に形成され、前記主マッハツエンダー型光導波路の他方の分岐光導波路に連結するとともに、前記第1のマッハツエンダー型光導波路と平行に配置された第2のマッハツエンダー型光導波路と、前記第1のマッハツエンダー型光導波路を導波する光波を変調するための第1の変調用電極と、前記第2のマッハツエンダー型光導波路を導波する光波を変調するための第2の変調用電極とを具えた光導波路素子であって、前記第1の変調用電極の下面の形態が、前記第1のマッハツエンダー型光導波路を構成する2本の分岐光導波路の中心に対して左右対称であるとともに、前記第2の変調用電極の下面の形態が、前記第2のマッハツエンダー型光導波路を構成する2本の分岐光導波路の中心に対して左右対称であり、前記第1の変調用電極の前記下面の形態及び前記第2の変調用電極の前記下面の形態が、前記第1のマッハツエンダー型光導波路及び前記第2のマッハツエンダー型光導波路間の中心に対して左右対称であり、素子基板全体が左右対称であることを特徴とする。本発明者らは、上記した動作点シフトの原因見出すべく鋭意検討を行った。そして、動作点のシフトを生じさせる主要因としてDCドリフトと温度ドリフトとの2種類が存在することに着目し、これらの観点から詳細な検討を行った。その結果、DCバイアスを印加しない場合においても、上記したような動作点シフトが生じることを発見し、上記動作点シフトにDCドリフトは関係しないことを見出した。そこで、本発明者らは温度ドリフトの観点からさらに詳細な検討を行った。そして、基板の主面に形成された複数のマッハツエンダー型光導波路に対応した変調用電極の形態、すなわち、大きさや形状を変化させたところ、動作点シフトが顕著に変化することを見出した。また、この傾向は、基板主面にマッハツエンダー型光導波路が3つ以上形成されている場合において特に顕著であることが判明した。そこで、本発明者らは、上記のように変調用電極の形態を変化させたときに、動作点シフトが生じる原因を探るべく鋭意検討を実施した。その結果、変調用電極の形態が変化することにより、光導波路素子の動作中における温度上昇によって、これら電極の基板に及ぼす応力が変化する。その結果、光導波路周辺の屈折率が変化し、この屈折率変化が光導波路へも影響するために、前記のような動作点シフトを生じさせるものであることを推定するに至った。かかる推定の下、複数、特に3つ以上のマッハツエンダー型光導波路が形成されている素子において、前記マッハツエンダー型光導波路のそれぞれに対応した変調用電極の、光導波路が形成された基板側に接触する下面の形態を、対応するマッハツエンダー型光導波路のそれぞれにおいて左右対称とするとともに、前記複数のマッハツエンダー型光導波路を含んでなる素子全体に対して左右対称とした。その結果、このような光導波路素子を長時間使用した場合においても、動作点シフトを生じることなく、長期的に高い信頼性を付与できることが判明した。同様の結果は、多重のマッハツエンダー型光導波路素子についても得られた。本発明は、上記のような膨大な研究の結果としてなされたものである。本発明の多重のマッハツエンダー型光導波路素子の好ましい態様においては、前記複数の変調用電極は、それぞれほぼ同一の形態を有する。本発明の好ましい態様によれば、変調用電極の形態自体に上記の対称性を付与する。したがって、マスキングによる通常の変調用電極の形成工程を経るのみで、変調用電極の下面の形態について上記本発明の要件を満足する変調用電極を得ることができる。本発明によれば、環境温度が変化した場合においても動作点シフトを抑制し、高い信頼性を有する多段のマッハツエンダー型光導波路素子を提供することができる。以下、本発明を発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の光導波路素子の好ましい態様の一例を示す平面図であり、図2は、図1に示す光導波路素子をA-A線に沿って切った場合の断面図である。なお、図1及び2においては、本発明の特徴を明確にすべく各部分の形状及び大きさについては実際のものとは異なるように描いている。また、図1及び2の対応する各部分についても、同様の理由から、例えば光導波路においてそれらの寸法を異なるようにして描いている。図1及び2に示す光導波路素子20は、電気光学効果を有する材料からなる基板1の主面1Aに、主マッハツエンダー型光導波路2が形成されており、同じく基板1の主面1Aに、主マッハツエンダー型光導波路の一方の分岐光導波路2-1に連結して第1のマッハツエンダー型光導波路3と、主マッハツエンダー型光導波路の他方の分岐光導波路2-2に連結して、第2のマッハツエンダー型光導波路4とが形成され、多段のマッハツエンダー型光導波路素子を構成している。そして、基板1の主面1上にバッファ層12が形成されている。第1のマッハツエンダー型光導波路3の2本の分岐光導波路3-1及び3-2間の中心II-II上には、第1の信号電極5が左右対称に形成され、第2のマッハツエンダー型光導波路4の2本の分岐光導波路4-1及び4-2間の中心III-III上には、第2の信号電極6が左右対称に形成されている。信号電極5及び6の形状及び大きさ、すなわち形態は互いに等しく、第1のマッハツエンダー型光導波路3及び第2のマッハツエンダー型光導波路4間の中心I-Iに対して左右対称に位置している。光導波路素子20の長さ方向の中心I―I線上には、第2の接地電極8が左右対称となるように位置している。そして、第1の信号電極5に対して第2の接地電極8と対称な位置に第1の接地電極7が形成され、第2の信号電極6に対して第2の接地電極8と対称な位置に第3の接地電極9が形成されている。また、第1の接地電極7、第2の接地電極8、及び第3の接地電極9は形状及び大きさ、すなわち形態が互いに同じになるように形成されている。第1の接地電極7、第1の信号電極5、及び第2の接地電極8は、第1のマッハツエンダー型光導波路3に対する変調用電極を構成し、第2の接地電極8、第2の信号電極6、及び第3の接地電極9は、第2のマッハツエンダー型光導波路4に対する変調用電極を構成する。以上のように構成された図1及び2に示す本発明の光導波路素子20は、第1のマッハツエンダー型光導波路3及び第2のマッハツエンダー型光導波路4に対して、信号電極5及び6、並びに第1の接地電極7、第2の接地電極8、及び第3の接地電極9が左右対称となっている。具体的には、第1のマッハツエンダー型光導波路3において、第1の接地電極7、第1の信号電極5、及び第2の接地電極8が、2本の分岐光導波路3-1及び3-2の中心II-IIに対して左右対称に形成されており、第2のマッハツエンダー型光導波路4において、第2の接地電極8、第2の信号電極6、及び第3の接地電極9が、2本の分岐光導波路4-1及び4-2の中心III-IIIに対して左右対称に形成されている。そして、第1のマッハツエンダー型光導波路3及び第2のマッハツエンダー型光導波路4においては、これらの中心I-Iに対して、第1の接地電極7、第1の信号電極5、第2の接地電極8、第2の信号電極6、及び第3の接地電極9が左右対称に形成されている。上記のような構成の光導波路素子によれば、変調用電極を構成する各信号電極並びに各接地電極の下面の形態、すなわち形状及び大きさが第1のマッハツエンダー型光導波路3及び第2のマッハツエンダー型光導波路4に対して、左右対称に形成されている。このため、環境温度が変化した場合においても、第1のマッハツエンダー型光導波路3及び第2のマッハツエンダー型光導波路4に負荷される応力変化が同一となるために、これら光導波路近傍の屈折率変化を均一に行うことができ、動作点シフトの発生を抑制することができる。従来においては、上述したような対称性は全く着目されていなかった。例えば、図1及び2に示す光導波路素子において、第2の接地電極8が第1のマッハツエンダー型光導波路3及び第2のマッハツエンダー型光導波路4の中心I-Iからずれていたり、第2の接地電極8の幅と比較して、第1の接地電極7の幅及び/又は第3の接地電極9の幅が大きくなるように形成されていた。このため、環境温度変化による変調用電極からの上記応力変化が不均一となり、動作点シフトを生じさせていた。これに対して本発明は、上述したような変調用電極とマッハツエンダー型光導波路との対称性に着目し、これを実現することによって、従来生じていたような問題を回避することができるものである。図3は、本発明の光導波路素子の好ましい態様の他の例を示す平面図である。図3に示す光導波路素子40は、電気光学効果を有する材料からなる基板21上に複数のマッハツエンダー型光導波路22、23及び24が並列に形成されている。そして、各光導波路に対して、信号電極25及び接地電極33、28、信号電極26及び接地電極29、30、信号電極27及び接地電極31、32が設けられている。信号電極25、26、及び27は、対応する各マッハツエンダー型光導波路22、23、及び24の分岐光導波路22-1及び22-2間、23-1及び23-2間、並びに24-1及び24-2間の中心IV、V及びVI上に位置している。そして、接地電極33及び28、29及び30、並びに31及び32は、中心IV、V及びVIに対して左右対称の位置に形成されている。また、信号電極26は、光導波路の配列方向の中心V上に位置するとともに、信号電極25及び27は、中心Vに対して左右対称の位置に形成されている。さらに、接地電極29及び30、28及び31、並びに33及び32は、中心Vに対して左右対称に位置している。すなわち、信号電極及び接地電極からなる各変調用電極は、各光導波路の分岐光導波路間の中心に対して左右対称に形成されるともに、全体としては、光導波路の配列方向の中心に対して左右対称となるように形成されている。したがって、上記同様に、環境温度が変化した場合においても、光導波路近傍の屈折率変化が均一となり、動作点シフトの発生が効果的に抑制される。また、上述したように、動作点シフト抑制の効果は、図3に示すような3つの光導波路及びこれらに対応する変調用電極が形成されてなる光導波路素子、並びに4つ以上の光導波路及びこれらに対応する変調用電極が形成されてなる光導波路素子に対して本発明を適用することによって、顕著に発現される。本発明の光導波路素子において、基板は、電気光学効果を有する材料から構成されることが必要であり、ニオブ酸リチウムLiNbO3、タンタル酸リチウムLiTaO3、ジルコン酸チタン酸鉛ランタンPLZTなどの強誘電体材料を例示することができる。そして、これら材料のXカット板、Yカット板及びZカット板のいずれをも用いることができる。また、光導波路はTi拡散法やプロトン交換法など公知の方法によって形成することができる。さらに、信号電極及び接地電極には、Au、Ag、Cuなどの導電性に富む材料から真空蒸着法及びスパッタリング法などの公知の成膜法とメッキ法などを併用することによって形成することができる。以下、実施例において本発明を具体的に説明する。実施例本実施例においては、図1及び2に示すような光導波路素子20を作製した。ニオブ酸リチウム単結晶のZカット板を基板1として用い、この基板上にフォトレジストによってマッハツエンダー型の光導波路パターンを作製した。次いで、このパターン上に蒸着法によってチタンを堆積させた。その後、基板全体を950~1050°Cで10~20時間加熱することによって、前記チタンを基板1内部へ拡散し、主マッハツエンダー型光導波路2、第1のマッハツエンダー型光導波路3、及び第2のマッハツエンダー型光導波路4を作製した。次いで、基板1上に酸化シリコンからなるバッファ層12を厚さ1.0μmに形成した。その後、所定のマスクを用い、蒸着法及びメッキ法を併用することによって金Auからなる第1の信号電極5及び第2の信号電極6を厚さ25μm、幅15μmに形成するとともに、第1の接地電極7、第2の接地電極8、及び第3の接地電極9を厚さ25μm、幅125μmに形成した。その後、このようにして作製した光導波路素子20の主マッハツエンダー型光導波路2の入出力口に光ファイバを接続し、温度を0~70°Cに変化させた時の動作点シフトを調べた。その結果、前記動作点シフトは1V以内であった。比較例本比較例においては、上記実施例において、第2の接地電極8の幅125μmに対して、第1の接地電極7の幅及び第3の接地電極9の幅をそれぞれ550μmとした。上記同様にして、このようにして得た光導波路素子の主マッハツエンダー型光導波路素子の入出力口に光ファイバを接続し、温度を0~70°Cに変化させたところ、動作点シフトは4Vであった。以上実施例及び比較例から明らかなように、本発明にしたがって得た光導波路素子は動作点シフトが小さく、高い信頼性を有することが分かる。以上、本発明について具体例を挙げながら発明の実施の形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない範囲においてあらゆる変形や変更が可能である。例えば、図1及び2に示す第1のマッハツエンダー型光導波路3及び/又は第2のマッハツエンダー型光導波路4の各分岐光導波路に連結させて、追加のマッハツエンダー型光導波路を設け、この光導波路に対する変調用電極に対して本発明の対称性を付与することもできる。すなわち、上述した2段のマッハツエンダー型光導波路素子のみでなく、3段以上のマッハツエンダー型光導波路素子に対しても適用することができる。