"金属ベース板上に樹脂絶縁層および導体層が形成され前記導体層同士が対向して配置される一対の絶縁金属基板と、前記両絶縁金属基板の前記導体層に接続された半導体チップと、前記両絶縁金属基板の前記導体層に接続されたリードと、を備える半導体装置。前記一対の絶縁金属基板間の隙間に充填され、前記導体層、前記半導体チップ、および前記リードを封止する樹脂層を備える請求項1に記載の半導体装置。前記両絶縁基板に形成された前記導体層の面積がほぼ等しくされる請求項1又は2に記載の半導体装置。本発明は、上記の課題に鑑みて、放熱性に優れるとともに、機械的強度の高い半導体装置を提供することを目的とする。この発明の半導体装置は、金属ベース板上に樹脂絶縁層および導体層が形成され前記導体層同士が対向して配置される一対の絶縁金属基板と、前記両絶縁金属基板の前記導体層に接続された半導体チップと、前記両絶縁金属基板の前記導体層に接続されたリードと、を備える。この構成によると、放熱部材として機能する金属ベース板が半導体装置の表裏両側に存在するため、有効な放熱面積を稼げ、樹脂の変形を抑制出来る。また、絶縁金属基板に強度を与える基材として、じん性を有する厚みの大きな金属ベース板を使用している。したがって、一対の絶縁金属基板が割れにくくなる。これにより、半導体装置の機械的強度が向上する。また、本発明の半導体装置では、前記一対の絶縁金属基板間の隙間に充填され、前記導体層、前記半導体チップ、および前記リードを封止する樹脂層を備える。この構成によると、十分な厚みがある金属ベース板の樹脂層以外の面全体が空気に露出されているので、金属ベース板自体がヒートシンクとして機能する。このため、別途ヒートシンクを設ける必要がなく、半導体装置をプリント基板に搭載する際の搭載スペースを縮小でき、半導体装置をヒートシンクに取り付けるためのビス穴などが不要になり、半導体装置を小型化することに寄与する。また、本発明の半導体装置では、前記両絶縁基板に形成された前記導体層の面積がほぼ等しくされる。この構成によると、半導体チップの熱が両方の導体層に均一に伝達されるため、半導体装置の表裏両面から均等に放熱することが出来る。この発明によれば、放熱性に優れるとともに、機械的強度の高い半導体装置を提供することが出来る。この発明の一実施形態に係る半導体装置を添付図面を参照しながら説明する。半導体装置1は、図1に断面図を示すように、半導体チップ2、第1,第2の絶縁金属基板3,7、およびリード11~13を有している。半導体チップ2としては、例えば、IGBTInsulatedGateBipolarTransistorやスーパージャンクション型のMOSが好適に使用されるが、これらに限定されない。図2は、IGBTの一例を示しており、ウエハ21の表面には、一隅部を残してほぼ全面にエミッタ22が、一隅部にゲート23が形成されている。ウエハ21の裏面には、全面にコレクタ24が形成されている。図1に示すように、第1の絶縁金属基板3は、金属ベース板4上に樹脂絶縁層5および導体層6が順に積層される。第2の絶縁金属基板7も同様に、金属ベース板8上に樹脂絶縁層9および導体層10が順に積層される。このような絶縁金属基板は、IMSInsulatedMetalSubstrateとして一般に入手可能なものである。金属ベース板は、アルミ等の高熱伝導性の金属材料から形成され、熱拡散層として機能する。また金属ベース板は材料自体に靭性があり、しかも図示のごとく樹脂絶縁層や導体層よりも厚みが大きく形成されているため、絶縁金属基板に十分な強度を与えている。樹脂絶縁層5,9は、エポキシ樹脂などの樹脂材料から形成され、絶縁層として機能する。導体層6,10は、銅箔などの導体材料から形成される。導体層6,10は、半導体チップ2のエミッタ22、ゲート23、コレクタ24と導通を取るためのパターンがエッチングにより形成される。図3に、第1の絶縁金属基板3の導体層6のパターン形状を示す。樹脂絶縁層5上に、半導体チップ2のコレクタ24図2参照。に面するコレクタパターン61Aとこのコレクタパターン61Aに連続して設けられたチップリードパターン61Bとから成る、凸字を上下反転させた形状の裏面側パターン61が形成され、その裏面側パターン61のチップリードパターン61Bの左右に、リードパターン62,63が形成されている。図5、図6に、第2の絶縁金属基板7の導体層10のパターン形状を示す。樹脂絶縁層9上に、第1の表面側パターン101および第2の表面側パターン102が形成される。第1の表面側パターン101は、半導体チップ2の表面のエミッタ22と面するエミッタパターン101Aとこのエミッタパターン101Aに連続して設けられたリードパターン101Bとから構成される。第1の表面側パターン101は、半導体チップ2のゲート23に接しないような切欠が設けられた、階段形状を呈している。第2の表面側パターン102は、第1の表面側パターン101の切欠に位置するゲートパターン102Aとこのゲートパターン102Aに連続して設けられたリードパターン102Bとから構成される。第2の表面側パターン102は、まずL字状のパターンを形成し、その後途中に絶縁部14を形成し、2つの絶縁されたゲートパターン102Aとリードパターン102Bから構成される。これらゲートパターン102Aとリードパターン102B間の絶縁層14により、半導体チップ2のゲート23とリードパターン102Bに接続されるリード13とを絶縁している。このように、導体層6,9のパターンは非常に類似した形状をしており、面積もほぼ等しい。そのため、半導体チップ2の熱は何れか一方に早く伝達することがなく、両方に均一に伝達するため、絶縁金属基板3,7の両方から均等に放熱することが出来る。従って、表裏で温度差が生じることがないため、半導体装置1の変形を抑制し、高い放熱効果を得ることが出来る。上記のようなパターンが形成された第1および第2の絶縁金属基板3,7上に半導体チップ2およびリード11~13がマウントされる。図3~図6に基づいて、各絶縁金属基板3,7のパターンと半導体チップ2との配置関係を説明する。図4は、半導体装置1を図1の上側から見て絶縁金属基板7を省略した状態を示す。図のように、第1の絶縁金属基板3の導体層6のコレクタパターン61A上に、半導体チップ2の裏面のコレクタ24が位置している。図6は、半導体装置1を図1の下側から見て絶縁基板3、及び半導体チップ2のコレクタ24とウエハ21を省略した状態を示す。図のように、第2の絶縁金属基板7の導体層10のエミッタパターン101Aおよびゲートパターン102A上に半導体チップ2の表面のエミッタ22およびゲート23がそれぞれ位置している。そして、チップリードパターン61B,103にリード11の一端部が位置し、リードパターン62、101Bにリード12の一端部が位置し,リードパターン63,102Bに、リード13の一端部がそれぞれ位置している。リード11~13の一端部を除く部分は絶縁金属基板3,7の外部に導出されている。次に、上記のように構成される半導体装置1の製造手順を図3~図7を参照して説明する。まず、金属基板4の絶縁層5上に、図3に示すパターン形状に導体層6を形成して製造された第1の絶縁金属基板3に、図4に示す配置のように、コレクタパターン61A上に、半導体チップ2のコレクタ24側を半田付けする。その後、同図に示すように、チップリードパターン61B、リードパターン62,63に、リード11,12,13の一端部を配置して半田付けする。なお、半田の代わりに、導電性の接着剤を使用しても構わない。次に、金属基板8の絶縁層8上に、図5に示すパターン形状に導体層10を形成して製造された第2の絶縁金属基板7を、図7のように、第1の絶縁金属基板3の角部A1,A2,B1,B2図3参照。と、第2の絶縁金属基板7の角部A1’,A2’,B1’,B2’図5参照。を対向させて、半導体チップ2とリード11~13とを第1、第2の絶縁金属基板3,7で挟み込んで、図6の配置に第2の絶縁金属基板7のエミッタパターン101A、ゲートパターン102Aに半導体チップ2のエミッタ22、ゲート23をそれぞれ半田付けするとともに、チップリードパターン103、リードパターン101B,102Bにそれぞれリード11~13を半田付けする。なお、半田の代わりに、導電性の接着剤を使用しても構わない。最後に、第1、第2の絶縁金属基板3,7間の隙間に樹脂15を充填し、全体を一体的に固定する。これにより、導体層6,10、半導体チップ2、およびリード11~13の一部が封止される。本実施の形態によると、放熱部材として機能する金属ベース板4,8が半導体装置200の表裏両側に存在するため、有効な放熱面積を稼げ、放熱効果を高めることが出来る。また、半導体装置1は表裏両側で対称な構造なので、何れか一方のみ樹脂の変形量が大きくなることがなく、樹脂の変形を抑制出来、半導体チップ2が導体層6,9から剥離したり破損したりすることが防止出来る。また、金属ベース板4,8は厚みが十分あり、また金属ベース板4,8の内側以外の面が全て空気に露出されているので、金属ベース板4,8自体がヒートシンクとして機能する。このため、別途ヒートシンクを設ける必要がなく、半導体装置1をプリント基板に搭載する際の搭載スペースを縮小することに寄与する。このように、ヒートシンクを省略することができるため、半導体装置をヒートシンクに取り付けるためのビス穴などを形成するスペースを設ける必要がく、半導体装置を小型化することが出来る。本実施の形態に係る半導体装置1では、絶縁金属基板3,7に強度を与える基材として、じん性を有する厚みの大きな金属ベース板4,8を使用している。したがって、第1,第2の絶縁金属基板3,7が割れにくくなる。これにより、半導体装置1の機械的強度が向上する。また、樹脂を大量に充填する場合、気泡が混入することで熱伝導が妨げられたり、樹脂が破損しやすくなるなどの問題が発生することがあるが、本実施例に拠れば、絶縁金属基板3,7間にできる隙間にのみ樹脂を充填して半導体装置1を一体化しているため、充填する樹脂量が少ないので、気泡の混入を抑制することが出来る。そのため、割れにくく、高い放熱効果を持つ半導体装置を得ることが出来る。更に、本実施の形態によれば、絶縁金属基板3,7に類似した形状のほぼ等しい面積の導体層6,9を形成しているため、半導体チップの熱が両方の導体層に均一に伝達され、半導体装置の表裏両面から均等に放熱することが出来る。そのため、熱の偏りがなく、半導体装置の変形を抑制する効果がある。上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、この発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"