"チャンバ内に収容され基板上に配置された機械構造を備えた電気機械的装置の前記チャンバをシールする方法において、犠牲層を前記機械構造の少なくとも一部の上に付着する工程と、第1封緘層を前記犠牲層の上に付着する工程と、前記第1封緘層を貫通する少なくとも1つの開孔を形成し、前記犠牲層の少なくとも一部を除去可能とする工程と、前記犠牲層の少なくとも一部を除去し、チャンバを形成する工程と、半導体材料からなる第2封緘層を前記開孔上又は前記開孔内に付着し、前記チャンバをシールする工程とを含む方法。請求項1に記載の方法において、前記半導体材料は、多晶質シリコン、非晶質シリコン、シリコンカーバイド、シリコン/ゲルマニウム、ゲルマニウム、ガリウム砒素の1つからなる方法。請求項2に記載の方法において、前記第1封緘層は、多晶質シリコン、非晶質シリコン、ゲルマニウム、シリコン/ゲルマニウム、ガリウム砒素の1つからなる方法。請求項1に記載の方法において、前記第1封緘層は、第1の導電率を有する第1領域を形成するように第1の不純物でドーピングされた半導体材料からなり、前記第2封緘層は、前記第1の導電率と異なる第2の導電率を有する第2領域を形成するように第2の不純物でドーピングされている方法。請求項1に記載の方法において、前記第2封緘層の露呈された表面を平坦化する工程を更に含む方法。請求項1に記載の方法において、前記第2封緘層の露呈された表面を平坦化する工程と、前記第2封緘層の少なくとも一部を除去し前記第1封緘層を露呈する工程とを更に含む方法。請求項1に記載の方法において、前記第1及び第2の封緘層を付着する前記工程は、エピタキシャル又はCVD反応器を使用する工程を含む方法。請求項1に記載の方法において、前記第1封緘層は多孔質多晶質シリコン又は非晶質シリコンからなり、前記第2封緘層は多晶質シリコンからなる方法。請求項1に記載の方法において、前記第1封緘層は、単結晶シリコンからなる第1部分と、多晶質シリコンからなる第2部分とを備える方法。請求項9に記載の方法において、前記第2封緘層の表面を平坦化して前記第1封緘層の第1部分を露呈させる工程を更に含む方法。請求項10に記載の方法において、前記第1封緘層の前記第1部分において単結晶シリコンを成長させる工程を更に含む方法。チャンバ内に機械構造を有し、前記機械構造を機械的に制動する圧力を有する流体を前記チャンバ内に収容した電気機械的装置の製造方法において、半導体材料からなる第1封緘層を前記機械構造上に付着する工程と、前記第1封緘層に少なくとも1つの開孔を形成する工程と、前記チャンバを形成する工程と、前記開孔上又は前記開孔内に半導体材料からなる第2封緘層を付着し、前記チャンバをシールする工程とを含む方法。請求項12に記載の方法において、前記第1封緘層は、多晶質シリコン、シリコンカーバイド、シリコン/ゲルマニウム、ゲルマニウム、ガリウム砒素の1つからなる方法。請求項13に記載の方法において、前記第2封緘層は、多晶質シリコン、多孔質多晶質シリコン、非晶質シリコン、シリコンカーバイド、シリコン/ゲルマニウム、ゲルマニウム、ガリウム砒素の1つからなる方法。請求項12に記載の方法において、前記第1封緘層の前記半導体は、第1の導電率を持つ第1領域を形成するように第1不純物でドーピングされ、前記第2封緘層の前記半導体は、前記第1の導電率と異なる第2の導電性を持つ第2領域を形成するように第2不純物でドーピングされる方法。請求項12に記載の方法において、前記第2封緘層の露呈面を平坦化して前記第1封緘層を露呈させる工程を更に含む方法。請求項12に記載の方法において、前記第1封緘層は、単結晶シリコンからなる第1部分と、多晶質シリコンからなる第2部分とを備えた方法。請求項17に記載の方法において、前記第2封緘層の表面を平坦化して前記第1封緘層の前記第1部分を露呈させる工程を更に含む方法。請求項18に記載の方法において、前記第1封緘層の前記第1部分において単結晶シリコンを成長させる工程を更に含む方法。電気機械的装置において、少なくとも1つの開孔を有する第1封緘層を備えたチャンバと、少なくとも一部が前記チャンバ内に配置された機械構造と、前記開孔上又は前記開孔内に付着された半導体材料からなる第2封緘層とを備えた電気機械的装置。請求項20に記載の電気機械的装置において、前記第2封緘層は、多晶質シリコン、多孔質多晶質シリコン、非晶質シリコン、シリコンカーバイド、シリコン/ゲルマニウム、ゲルマニウム、ガリウム砒素の1つからなる電気機械的装置。請求項21に記載の電気機械的装置において、前記第1封緘層は、多晶質シリコン、多孔質多晶質シリコン、非晶質シリコン、ゲルマニウム、シリコン/ゲルマニウム、ガリウム砒素、シリコンナイトライド、シリコンカーバイドの1つからなる電気機械的装置。請求項20に記載の電気機械的装置において、前記第1封緘層は、第1の導電率を持つ第1領域を形成するように第1不純物でドーピングされた半導体材料からなり、前記第2封緘層の半導体材料は、前記第1の導電率と異なる第2の導電性を持つ第2領域を形成するように第2不純物でドーピングされている電気機械的装置。請求項20に記載の電気機械的装置において、前記チャンバの外側に配置されたコンタクトを更に備える電気機械的装置。請求項24に記載の電気機械的装置において、前記コンタクトは、その領域の導電性を高めるように不純物でドーピングされた半導体材料である電気機械的装置。請求項20に記載の電気機械的装置において、前記第1封緘層は、単結晶シリコンからなる第1部分と、多晶質シリコンからなる第2部分とを備える電気機械的装置。請求項20に記載の電気機械的装置において、前記第1封緘層は、単結晶シリコンからなる第1部分と、多孔質又は非晶質シリコンからなる第2部分とを備える電気機械的装置。請求項27に記載の電気機械的装置において、前記第1封緘層の前記第2部分と重ねられた前記第2封緘層は、多晶質シリコンからなる電気機械的装置。請求項28に記載の電気機械的装置において、前記チャンバの外側かつ上側に付着された単結晶シリコンからなるフィールド領域を備えた電気機械的装置。とりわけ、1従来の材料及び技術の欠点の1つ、幾つか、又は全てを解決し、及び/又は2高性能集積回路及び/又は追加のMEMSを共通の基板上で効率的に一体化できるMEMS例えば、ジャイロスコープ、共振器、温度センサ、及び/又は加速時計を提供する必要がある。本明細書中、多くの発明を説明し且つ例示する。第1の主要な特徴では、本発明は、機械構造がチャンバ内に配置された電気機械的装置のチャンバをシールする方法である。この方法は、犠牲層を機械構造の少なくとも一部の上に付着する工程、及び第1封緘層例えば、多晶質シリコン、非晶質シリコン、ゲルマニウム、シリコン/ゲルマニウム、又はガリウム砒素を犠牲層の上に付着する工程を含む。第1封緘層を通して少なくとも1つの開孔を形成し、犠牲層の少なくとも一部を除去してチャンバを形成する。その後、第2封緘層を開孔上に又は開孔内に付着し、チャンバをシールする。第2封緘層は半導体例えば、多晶質シリコン、非晶質シリコン、シリコンカーバイド、シリコン/ゲルマニウム、ゲルマニウム、又はガリウム砒素である。本発明のこの特徴の一実施形態では、第1封緘層は、第1不純物でドーピングしてあり、第1の種類の導電性を持つ第1領域を提供する半導体であり、第2封緘層は第2不純物でドーピングしてあり、第2の種類の導電性を持つ第2領域を提供する。第1の種類の導電性は第2の種類の導電性と逆である。一実施形態では、第1及び第2の封緘層は、エピタキシャル又はCVD反応器を使用して付着される。この方法は、更に、第2封緘層の露呈された表面を平坦化する工程、及び第2封緘層の十分な量を除去し、これによって第1封緘層を露呈し、ジャンクションを絶縁する工程を含む。一実施形態では、第1封緘層の第1部分は単結晶シリコンでできており、第2部分は多晶質シリコンでできている。この実施形態では、第2封緘層の表面を平坦化し、第1封緘層の第1部分を露呈してもよい。その後、第1封緘層の第1部分で単結晶シリコンを成長してもよい。別の原理的特徴では、本発明は、チャンバ内に機械構造を持つ電気機械的装置の製造方法である。チャンバは、機械構造を機械的に減衰する所定圧力の流体を含んでいてもよい。この方法は、第1封緘層例えば、多晶質シリコン、非晶質シリコン、シリコンカーバイド、シリコン/ゲルマニウム、ゲルマニウム、又はガリウム砒素等の半導体で形成されているを機械構造上に付着する工程を含む。次いで、第1封緘層に少なくとも1つの開孔を形成し、チャンバを形成する。その後、第2封緘層例えば、多晶質シリコン、多孔質多晶質シリコン、非晶質シリコン、シリコンカーバイド、シリコン/ゲルマニウム、ゲルマニウム、又はガリウム砒素等の半導体で形成されているを開孔上に又はこの開孔内に付着し、チャンバをシールする。本発明のこの特徴の一実施形態では、第1封緘層は、第1の種類の導電性を持つ第1領域を形成するように第1不純物でドーピングしてあり、第2封緘層は、第2の種類の導電性を持つ第2領域を形成するように第2不純物でドーピングしてある。第1の種類の導電性は第2の種類の導電性とは逆である。第1及び第2の封緘層は、エピタキシャル又はCVD反応器を使用して付着できる。一実施形態では、第1封緘層の第1部分は単結晶シリコンであり、第2部分は多晶質シリコンである。この実施形態では、第2封緘層の表面を平坦化し、第1封緘層の第1部分を露呈してもよい。その後、第1封緘層の第1部分で単結晶シリコンを成長してもよい。別の重要な特徴では、本発明は、少なくとも1つの開孔を持つ第1封緘層例えば、多晶質シリコン、多孔質多晶質シリコン、非晶質シリコン、ゲルマニウム、シリコン/ゲルマニウム、ガリウム砒素、シリコンナイトライド、又はシリコンカーバイドを含むチャンバ、及び少なくとも一部がチャンバ内に配置された機械構造を含む。電気機械的装置は、更に、開孔上又は開孔内に配置され、これによってチャンバをシールする半導体例えば、多晶質シリコン、多孔質多晶質シリコン、非晶質シリコン、シリコンカーバイド、シリコン/ゲルマニウム、ゲルマニウム、又はガリウム砒素でできた第2封緘層を含む。一実施形態では、第1封緘層は、第1の種類の導電性を持つ第1領域を形成するように第1不純物でドーピングした半導体である。第2封緘層は、第2の種類の導電性を持つ第2領域を形成するように第2不純物でドーピングしてある。第1の種類の導電性は第2の種類の導電性とは逆である。本装置は、チャンバの外側に配置されたコンタクト即ち、一部又は全部がチャンバの外側に配置されたコンタクト領域及び/又はコンタクトビアcontactviaを更に含む。コンタクトは、領域の導電性を高めるため、不純物でドーピングした半導体であってもよい。コンタクトは、第1の種類の導電性を持つ半導体で取り囲まれていてもよく、第1の種類の導電性を持つ半導体が、組み合わせられてジャンクションの絶縁体を形成する。本発明のこの特徴の装置は、単結晶シリコンで形成された第1封緘層の第1部分を含んでいてもよく、第2部分は、多晶質シリコンで形成されている。更に、本発明は、チャンバの外側に及び上側に付着したフィールド領域を含んでいてもよく、このフィールド領域は単結晶シリコンで形成されている。一実施形態では、第1封緘層の第1部分は単結晶シリコンで形成されていてもよく、第2部分は多孔質又は非晶質のシリコンで形成されていてもよい。この実施形態では、第1封緘層の第1部分と重なった第2封緘層は、多晶質シリコンである。以下の詳細な説明において添付図面を参照する。これらの図は本発明の様々な特徴を示し、適当である場合には、様々な図に亘って同じ参照番号が、同様の構造、構成要素、材料、及び/又はエレメントに付してある。特定的に図示した以外の様々な組み合わせ構造、構成要素、材料、及び/又はエレメントが考えられ、これらが本発明の範疇に含まれるということは理解されるべきである。多くの発明をここに説明し、例示する。1つの特徴では、本発明は、最終パッケージ及び/又は装置の完成前にMEMS装置、及び機械構造がチャンバに封緘されたMEMS装置の組み立て又は製造技術に関する。機械構造を封緘する材料は、以下に列挙する属性のうちの1つ又はそれ以上を含んでいてもよい。即ち、引張応力が低く、段部を良好に覆い、続いてプロセスが行われる場合に一体性を維持し、チャンバ内の機械構造の性能特性に大きな影響及び/又は悪影響を及ぼさず付着中、形成中、及び/又は成長中に材料でコーティングした場合、設計された、適当な、及び/又は適当な封緘属性を作動条件及び/又は時間に亘って維持し、及び/又は高性能集積回路との一体化を容易にする。一実施形態では、機械構造の封緘は、半導体、例えばシリコン例えば、ドーピングした又はドーピングしていない、単結晶シリコン、多晶質シリコン、非晶質シリコン、又は多孔質多晶質シリコン、ゲルマニウム、シリコン-ゲルマニウム、シリコンカーバイド、又はガリウム砒素、又はこれらの組み合わせによって行われる。このような材料は、MEMSの代表的な作動状態及び使用寿命に亘り、以下の属性のうちの1つ又はそれ以上を維持してもよい。図1を参照すると、1つの例示の実施形態では、MEMS10は、微小機械加工を施した機械構造12を含む。この構造は基板14、例えばドーピングがなされていない半導体等の材料、ガラス等の材料、又は絶縁体等の材料上に配置される。MEMS10は、更に、微小機械加工を施した機械構造12が発生した情報を演算処理し且つ分析し、及び/又は微小機械加工を施した機械構造12を制御し又は監視するデータ処理電子装置16を含む。更に、MEMS10は、微小機械加工を施した機械構造12及び/又はデータ処理電子装置16から、情報を、外部装置図示せず、例えばコンピュータ、インジケータ/ディスプレー及び/又はセンサに提供するインターフェース回路18を含む。データ処理電子装置16及び/又はインターフェース回路18は、基板14内又は基板上に一体化されていてもよい。これに関し、MEMS10は、機械構造12、データ処理電子装置16、及びインターフェース回路18を含むモノリシック構造であってもよい。データ処理電子装置16及び/又はインターフェース回路18は、更に、別体の別個の基板に設けられていてもよく、この基板を、製造後に基板14に結合してもよい。図2を参照すると、一実施形態において、微小機械加工を施した機械構造12は、基板14上に、基板14上方に、及び/又は基板14内に配置した機械構造20a-dを含む。これらの機械構造20a-dは、例えば、周期表のIV族の材料、例えばシリコン、ゲルマニウム、炭素;更に、これらの組み合わせ、例えばシリコン-ゲルマニウム又はシリコンカーバイド;更に、III-V族の化合物、例えばガリウム燐、アルミニウムガリウム燐、又は他のIII-V族の化合物;更に、III族、IV族、V族、又はVI族の材料の組み合わせ、例えばシリコンナイトライド、シリコン酸化物、アルミニウムカーバイド、又はアルミニウム酸化物;更に、金属のシリサイド、ゲルマニウム化合物、及びカーバイド、例えばニッケルシリサイド、コバルトシリサイド、タングステンカーバイド、又はプラチナゲルマニウムシリサイド;更に、燐、砒素、アンチモン、硼素、又はアルミニウムでドーピングしたシリコン、又はゲルマニウム、炭素を含む、ドーピングを施したもの、又はシリコンゲルマニウム等の組み合わせ;更に、単晶質、多晶質、ナノ結晶質、又は非晶質を含む様々な結晶構造を持つこれらの材料;更に、結晶構造の組み合わせ、例えば単晶質構造を持つ領域及び多晶質構造を持つ領域ドーピングした又はドーピングしていないの組み合わせで形成されていてもよい。更に、微小機械加工を施した機械構造12は、加速時計、ジャイロスコープ、又は他のトランスジューサー例えば、圧力センサ、歪みセンサ、触覚センサ、磁気センサ、及び/又は温度センサ又は共振器であってもよい。微小機械加工を施した機械構造12は、更に、加速時計、ジャイロスコープ、圧力センサ、触覚センサ、及び温度センサのうちの1つ又はそれ以上を含む複数のトランスジューサー又はセンサでできた機械構造を含んでいてもよい。微小機械加工を施した機械構造12が加速時計である場合には、機械構造20a-dは、加速時計の検出装置を構成するインターディジタル電極アレイ即ち櫛状フィンガ電極アレイの一部であってもよい例えば、米国特許第6,122,964号を参照されたい。図2を参照し続けると、フィールド領域22a及び22b、及びコンタクト領域24が、更に、基板14上に又は基板内に配置されている。フィールド領域22は、データ処理電子装置16及び/又はインターフェース回路18の電子部品、電気部品、又は集積回路例えばトランジスタ、抵抗器、コンデンサー、インダクター、及び他の受動素子又は能動素子用の基板材料を提供してもよい。コンタクト領域24は、微小機械加工を施した機械構造12、データ処理電子装置16、インターフェース回路18、及び/又は外部装置図示せずの間に電気的経路を提供してもよい。フィールド領域22及びコンタクト領域24は、例えば、シリコンドーピングされた、又はドーピングがなされていない、ゲルマニウム、シリコン/ゲルマニウム、シリコンカーバイド、及びガリウム砒素でできていてもよい。図3は、機械構造20a-dを含む、本発明の一実施形態による微小機械加工を施した機械構造12の破線a-a’に沿った断面図を示す。機械構造20a-dはチャンバ26内に配置されている。一実施形態では、チャンバ26は封緘層28a及び28bによってシールされており、即ち封緘されている。封緘層28a及び28bは、例えば半導体でできていてもよい。一実施形態では、封緘層28a及び28bは、シリコンドーピングした又はドーピングしていない、単結晶シリコン、多晶質シリコン、非晶質シリコン、又は多孔質多晶質シリコン、ゲルマニウム、シリコン/ゲルマニウム、シリコンカーバイド、及びガリウム砒素及びこれらの組み合わせでできていてもよい。封緘層28a及び28bは、同じ材料であってもよいし異なる材料であってもよい。封緘層28a及び28bは、同じ又は異なる技術を使用して付着させ、形成し、及び/又は成長してもよい。例えば、封緘層28aは、低圧LP化学蒸着CVDプロセスチューブ又はEPI反応器中で行う又はプラズマPEplasmaenhancedCVDプロセスを使用して付着した多晶質シリコンであってもよく、封緘層28bは、大気圧APCVDプロセスを使用して付着したドーピングした多晶質シリコンであってもよい。別の態様では、例えば、封緘層28aは、LPCVDプロセスを使用して付着したシリコンゲルマニウムであってもよく、封緘層28bは、PECVDプロセスを使用して付着したドーピングした多晶質シリコンであってもよい。確かに、チャンバ26を封緘するための全ての半導体及び付着技術及びその組み合わせは、現在周知であろうと後に開発されようと、本発明の範疇に含まれる。1つ又はそれ以上のトランスジューサー又はセンサ例えば、加速時計、ジャイロスコープ、圧力センサ、触覚センサ、及び/又は温度センサの機械構造は単一のチャンバ内に収容され即ち含まれていて、そのチャンバ内の環境に露呈されていてもよいということに着目されたい。こうした状況では、チャンバ26内の環境が、微小機械加工を施した1つ又はそれ以上の機械構造例えば、加速時計、圧力センサ、触覚センサ、及び/又は温度センサの機械構造に対して機械的減衰を提供する。更に、1つ又はそれ以上のトランスジューサー又はセンサの機械構造は、垂直方向及び/又は水平方向に積み重ねられた即ち相互連結された多数の層をそれ自体が含んでいてもよい。例えば、図11のAの微小機械加工を施した機械構造12b;図11のB及び図11のCの機械構造12;及び図11のDの機械構造20a及び20b、コンタクト領域24a及び24b、及び埋め込み接点24’及び24’’を参照されたい。かくして、この状況では、多数の層を垂直方向及び/又は水平方向で積み重ね及び/又は相互連結する1つ又はそれ以上の加工工程を使用して機械構造を製造する。図4のA及び図4のBを参照し、微小機械加工を施した機械構造12の例示の組み立て又は製造方法を説明する。この説明は、第1犠牲層30、例えば二酸化シリコン又はシリコンナイトライドに配置された機械構造20a-d及びコンタクト領域24を含む、部分的に組み立てられた状態から始める。機械構造20a-d及びコンタクト領域24は、周知の付着、リソグラフ、エッチング、及び/又はドーピング技術、並びに周知の材料例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコン-ゲルマニウム、又はガリウム砒素等の半導体を使用して形成されていてもよい。更に、フィールド領域22a及び22b及び第1犠牲層30は、絶縁体層上にシリコン層を形成する周知のSOI技術図4のA参照、又は標準的な又はオーバーサイズ厚いウェーハを使用する周知の形成、リソグラフ、エッチング、及び/又は付着技術図4のB参照を使用して形成されてもよい。特に、フィールド領域22a及び22b、機械構造20、及びコンタクト領域24は、図4のAに示すように単晶構造例えば単結晶シリコンを備えていてもよく、多晶質構造、又は図4のBに示すように単晶構造又は多晶質構造の両方を備えていてもよい即ち、フィールド領域22a及び22bは単晶構造、例えば単結晶シリコンでできていてもよく、機械構造20及びコンタクト領域24は多晶質構造、例えば多晶質シリコンでできていてもよい。確かに、第1犠牲層30上に配置された機械構造20a-d及びコンタクト領域24を含む部分的に形成された装置をつくり出すための全ての技術、材料、及び結晶構造は、現在周知であろうと後に開発されようと、本発明の範疇に含まれる。図4のCを参照すると、機械構造20a-d及びコンタクト領域24の形成後、第2犠牲層32、例えば二酸化シリコン又はシリコンナイトライドを付着し及び/又は形成し、機械構造20a-dを、封緘プロセスを含むこれに続いて行われるプロセス中に固定し、離間し、及び/又は保護する。更に、これに続いて電気接点を形成するため、第2犠牲層32に開口部34をエッチングし即ち形成する。開口部34は、第2犠牲層32の付着及び/又は形成の前又はその最中に例えば周知のマスキング技術ナイトライド窒化物マスクを使用して形成されてもよいし、第2犠牲層32の付着及び/又は形成後に周知のリソグラフ技術及びエッチング技術を使用して形成されてもよい。図4のD、図4のE、及び図4のFを参照すると、その後、第2犠牲層32上に第1封緘層28aを付着し、形成し、及び/又は成長させてもよい図4のD参照。一実施形態では、第2犠牲層32と重なる領域での第1封緘層28aの厚さは1μm乃至25μmであってもよい。第2犠牲層32のエッチング後に第1封緘層28aに作用する外部環境からの応力及び内部応力は、第1封緘層28aの厚さに影響を及ぼす。僅かな引張応力が加わったフィルムは、それ自体、圧縮力が加わったフィルムよりも良好に支持される。圧縮力が加わったフィルムは挫屈する場合がある。第1封緘層28aをエッチングし、通路又は開孔36を形成してもよい図4のE参照。1つの例示の実施形態では、開孔の直径即ち孔径は0.1μm乃至2μmである。開孔36は、第1及び第2の犠牲層30及び32の夫々の少なくとも選択された部分のエッチング及び/又は除去を行うことができる図4のF参照。例えば、一実施形態では、第1及び第2の犠牲層30及び32は、二酸化シリコンでできており、これらの層30及び32の選択された部分の除去/エッチングを周知の湿式エッチング技術及び緩衝HF混合物即ち緩衝酸化エッチング又はHF蒸気を使用する周知の蒸気エッチング技術を使用して行うことができる。機械構造20a-d及び犠牲層30及び32の適正な設計及びHFエッチングプロセスパラメータにより、機械エレメント20a-dの周囲の犠牲層30を全て又はほぼ全て除去し、これによってエレメント20a-dを解放し、これによってMEMS10を適正に作動できるようにするのに十分に犠牲層30をエッチングできる。別の実施形態では、第1及び第2の犠牲層30及び32はシリコンナイトライドでできており、層30及び32の選択された部分を燐酸を使用して除去/エッチングする。この場合も、機械構造20a-d及び犠牲層30及び32の適正な設計及び湿式エッチングプロセスの制御により、機械エレメント20a-dの周囲の犠牲層30を全て又はほぼ全て除去するのに十分に犠牲層30をエッチングできる。犠牲層30及び/又は32をなくし、除去し、及び/又はエッチングする上で、1層30及び/又は32用の多くの適当な材料例えば、二酸化シリコン、シリコンナイトライド、及びドーピングした又はドーピングしていないガラス状材料、例えばホスホシリケートPSG又はボロホスホシリケートBPSG及びスピンオンガラスSOG、2多くの適当な/関連したエッチング剤例えば、緩衝オキシドエッチ、燐酸及び例えばNaOH及びKOH等のアルカリ水酸化物、及び3多くの適当なエッチング又は除去技術例えば、湿式エッチング、プラズマエッチング、蒸気エッチング、又は乾式エッチングがあるということに着目されたい。確かに、層30及び/又は32は、ドーピングした又はドーピングしていない半導体例えば多晶質シリコン、シリコン/ゲルマニウム、又はゲルマニウムであってもよく、こうした場合には、機械構造20a-d及びコンタクト領域24は、エッチングプロセス又は除去プロセスによる悪影響が機械構造20a-d及びコンタクト領域24に作用しない場合例えば、構造20a-d及びコンタクト領域24がエッチングプロセス又は除去プロセス中に保護されている例えば酸化物層がシリコンを基材とした構造20a-dを保護している場合、又は構造20a-d及びコンタクト領域24が層30及び/又は32のエッチングプロセス又は除去プロセスによる悪影響を受ける材料で形成されている場合には、同じ又は同様の同様に加工された、エッチングが施された、又は除去された半導体である。従って、なくし、除去し、及び/又はエッチングを行うための全ての材料、エッチング剤及びエッチング技術、及びこれらの組み合わせは、現在周知であろうと後に開発されようと、本発明の範疇に含まれる。更に、特定の実施形態では、開孔の形成に加え、第1封緘層28aのエッチングプロセスにより、更に、コンタクトビア38を形成し、電気コンタクト領域24から第1封緘層28aのレベルまで又はその上方までの電気的連続性を促すということに着目されたい図4のF参照。このようにして、例えば、電気コンタクト領域24と重なる第1封緘層28aの部分の除去、及び適当な材料の付着、形成、及び/又は成長これによりMEMSの様々な層、例えば単結晶シリコン間に適切な電気コンタクトを提供すると関連した加工等の追加の加工をなくし及び/又は少なくすることができる。確かに、周知の不純物インプランテーション技術を使用してコンタクトビア38の抵抗又は導電性を調節例えば抵抗を下げ、及び/又は導電性を向上するしてもよい。更に、コンタクト24は、第1及び第2の犠牲層30及び/又は32によって一部が、実質的に、又は全体が取り囲まれたままであってもよい。例えば、図4のFを参照すると、機械構造20a-dは夫々の下側からオキシドコラムがなくならないけれども、電気コンタクト領域24の下の犠牲層30のコラム40が電気コンタクト領域24に追加の物理的支持並びに電気絶縁を提供する。図4のGを参照すると、機械エレメント20a-dの解放後、第2封緘層28bの付着、形成、及び/又は成長を行ってもよい。第2封緘層28bは、例えば、シリコンを基材とした材料例えば多晶質シリコン又はシリコン-ゲルマニウムであってもよく、これは、例えば、エピタキシャル、スパッタリング、又はCVDを用いる反応器例えばAPCVD、LPCVD、及びPECVDを使用して付着される。付着、形成、及び/又は成長は、形態一致プロセスによって行われてもよいし又は非形態一致プロセスによって行われてもよい。材料は、第1封緘層28aと同じであってもよいし異なっていてもよい。しかしながら、第1及び第2の封緘層28a及び28bの形成に同じ材料を使用するのが有利である。この場合、例えば、熱膨張率が同じであり、これらの層28aと28bとの間の境界がチャンバ26のシールを高める。一実施形態では、第2封緘層28bは、エピタキシャル反応器及び従来の選択的エピタキシャルシリコン成長と同様の条件を使用してエピタキシャル付着させてもよい。これは、シラン、ジクロロシラン、又はトリクロロシランプロセスでH2ガス及び/又はHClガスで行ってもよい。これらのプロセスは、代表的には、600°C乃至1400°Cで行われる。一実施形態では、第2封緘層28bの、第1封緘層及びエレメント20a-dと重なる領域の厚さは、1μm乃至10μmであってもよい。確かに、機械構造12を含むMEMS10が経時的にスケールを変え、そして様々な及び/又は異なる材料が使用されるため、第1封緘層28a、第2封緘層28b、及びその組み合わせの適当な又は必要な厚さが、同様に変化する。このように、第1封緘層28aの厚さと第2封緘層28bの厚さとの間で1:1乃至1:10の比が有利である。しかしながら、この他の比及び厚さが明瞭に適しているということに着目されたい図7のA、図7のB、及び図8のA乃至Eを参照されたい。第2封緘層28bは、第1封緘層28aの不純物に対して逆の導電性を持つ不純物でドーピングされていてもよい。例えば、第1封緘層28aは硼素でドーピングされていてもよく、第2封緘層28bは燐でドーピングされていてもよい。この方法では、シールプロセス即ち封緘プロセスが完了したとき、電気コンタクト領域24を取り囲むジャンクションが形成され、これらのジャンクションがコンタクト領域24を例えばフィールド領域22bから電気的に絶縁する。コンタクト領域24の近くにこの領域と隣接して及び/又はこの領域の周囲に配置された第2封緘層28bの部分にも、付着、形成、及び/又は成長の後にイオンインプランテーションが加えられてもよい。このようにして、電気絶縁性を低下させたり高めたりできる。第2封緘層28bが不純物ドーパントなしで付着及び/又は形成されている場合、イオンインプランテーションが、コンタクト領域24と例えばフィールド領域22bとの間の主要な電気絶縁の全て又はほぼ全てを提供する。確かに、こうした場合には、第2封緘層28bがフィールド領域に亘って延びている場合又はフィールド領域間を延びている場合これによってこれらの間を電気的に接続している場合、コンタクト領域24の近くにこの領域と隣接して及び/又はこの領域の周囲に配置された第2封緘層28bのイオンインプランテーションドーピングした第2封緘層28bのドーピング又はカウンタドーピングが、コンタクト領域24と例えばフィールド領域22bとの間の電気絶縁の全て又はほぼ全てを提供する。図5のAを参照すると、別の実施形態の組では、微小機械加工を施した機械構造12は、例えば研磨技術例えば、化学的機械的研磨CMPを使用して実質的に平坦化されていてもよい。これに関し、第2封緘層28bが第1封緘層28aを越えるレベルまで付着され、形成され、及び/又は成長した場所で、平坦化プロセスにより第2封緘層28bの一部を除去し、滑らかな表面層及び/又は実質的に平らな表面を形成する。コンタクトビア38が、逆にドーピングした半導体層28bによって、第1封緘層28aに対して電気的に絶縁される図5のA参照ように、十分な量の第2封緘層28bを除去するのが有利である。この露呈された平らな表面は、更に、良好に形成されたベースを例えばフィールド領域22に提供し、このベース上で集積回路例えばCMOSトランジスタ及び微小機械加工を施した機械構造12を周知の製造技術及び機器を使用して製造できる。MEMS10の高性能の集積回路の一体化を容易にするため、内部又は上側にこのような回路を製造できる単結晶シリコン製のフィールド領域22a及び/又は22bを含むのが有利である。これに関し、図5のBを参照すると、一実施形態では、フィールド領域22a1及び/又は22b1と重なった第1封緘層の一部即ち22a2及び22b2を再結晶し、これによって多晶質材料の結晶構造を単晶材料又は実質的単晶材料の構造に変換即ち転位する。このようにして、例えばMEMS10で一体化されたデータ演算処理電子装置16のトランジスタ又は他の構成要素を単晶フィールド領域に製造できる。別の実施形態では、フィールド領域22a1及び/又は22b1と重なった第1封緘層28aの部分を従来のエッチング技術を使用して除去し、フィールド領域22a1及び/又は22b1を露呈する。その後、単結晶シリコンがフィールド領域22a1及び/又は22b1上で成長し、これによってフィールド領域22a2及び22b2を提供する。更に別の実施形態では、フィールド領域22a1及び/又は22b1と重なった第1封緘層28aの部分をエッチングし、単結晶シリコンでできたフィールド領域22a1及び/又は22b1を露呈する。その後、トランジスタ又は他の能動素子を周知の製造技術を使用してフィールド領域22a及び/又は22b内に又はその上に一体化してもよい。図6のA乃至Fを参照すると、別の実施形態の組では、第1封緘層28aの付着、形成、及び/又は成長の前に、これと同時に、又は直後に、微小機械加工を施したフィールド領域22a2及び22b2が成長してもよい。例えば、図6のAを参照すると、第2犠牲層32の付着又は形成の前、又はその後に、エピタキシャルで付着した、単結晶シリコンフィールド領域22a2及び22b2の封緘層を第2犠牲層32よりも上の又はこれを越えるレベルまで成長させてもよい。別の態様では、単結晶シリコンフィールド領域22a2及び22b2は、第2犠牲層32よりも上の又はこれを越えるレベルまで成長しない。図6のBを参照すると、一実施形態では、単結晶シリコンフィールド領域22a2及び22b2及びコンタクト領域24の成長後、第1封緘層28aを付着し、形成し、及び/又は成長してもよい。第1封緘層28aは、例えば、シリコンを基材とした材料例えばドーピングした又はドーピングがなされていない、シリコン/ゲルマニウム、シリコンカーバイド、単結晶シリコン、多晶質シリコン、又は非晶質シリコン、ゲルマニウム、及びガリウム砒素及びその組み合わせであってもよく、例えばエピタキシャル、スパッタリング、又はCVDを用いる反応器例えばAPCVD、LPCVD、及びPECVDを使用して付着及び/又は形成される。付着、形成、及び/又は成長は、形態一致プロセスによって行われてもよいし又は非形態一致プロセスによって行われてもよい。材料は、第1単結晶シリコンフィールド領域22a2及び22b2と同じであってもよいし異なっていてもよい。例示の実施形態では、第1封緘層28aは多晶質シリコン材料で形成されている。微小機械加工を施した機械構造12の、これに続いて行われる加工は、図4のE-Gに関して上文中に説明したのと実質的に同じである。このように、微小機械加工を施した機械構造12に関する、図4のE-Gと関連した上文中の説明は、この実施形態の組に完全に適用できる。簡潔のため、説明を繰り返すのを控えるが、簡単に述べる。簡単に述べると、第1封緘層28aにエッチングを加え図6のC参照、第1及び第2の犠牲層30及び32の夫々の少なくとも選択された部分のエッチング及び/又は除去を行うための通路即ち開孔36を形成する図6のD参照。この場合も、機械構造20a-d及び犠牲層30及び32を適当に設計するため、エッチングプロセスのパラメータを制御することにより、機械エレメント20a-dの周囲の層30を全て又はほぼ全て除去するのに十分に犠牲層30をエッチングでき、これにより、機械エレメント20a-dを解放し、MEMS10が適正に作動できるようにする図6のD参照。機械エレメント20a-dの解放後、第2封緘層28bを付着し、形成し、及び/又は成長する図6のE参照。第2封緘層28bは、例えば、シリコンを基材とした材料例えば、単結晶シリコン、多晶質シリコン、及び/又はシリコン-ゲルマニウムであってもよく、これは、例えば、エピタキシャル、スパッタリング、又はCVDを用いる反応器例えばAPCVD、LPCVD、及びPECVDを使用して付着される。付着、形成、及び/又は成長は、形態一致プロセスによって行われてもよいし又は非形態一致プロセスによって行われてもよい。材料は、第1封緘層28aと同じであってもよいし異なっていてもよい。しかしながら、上文中に説明したように、チャンバ26のシールを高めるため、第1及び第2の封緘層28a及び28bを形成するのと同じ材料を使用するのが有利である。第2封緘層28bの下の材料及び/又は表面、並びに第1及び第2の封緘層28bの付着、形成、及び/又は成長に使用される技術は、先ず最初に、下側の材料の結晶構造を確認するということに着目されたい。例えば、所定のパラメータの組を持つエピタキシャル環境では、封緘層28a及び/又は28bの単晶構造を再処理的に付着、形成、及び/又は成長させてもよい図7のA参照。これとは対照的に、別の所定のパラメータ組では、封緘層28a及び/又は28bの単晶構造をアドバンシング的に付着、形成、及び/又は成長させてもよい図7のB参照。以上説明した構造及びエレメントは、これらの及び他の方法で付着、形成、及び/又は成長させてもよい。従って、単晶構造を持つ材料例えばフィールド領域22a1に付着、形成、及び/又は成長させた単晶構造例えばフィールド領域22a2を、使用される方法又はプロセスに拘わらず、垂直方向例えば図7のC参照に付着、形成、及び/又は成長するものとして概略に例示する。更に、チャンバをシール又は封緘するとき、第2封緘層28bを形成する材料をチャンバ26の表面例えば、機械構造20a-dの表面に付着、形成、及び/又は成長してもよいということに着目すべきである。第2封緘層28bを付着、形成、及び/又は成長するとき、構造及び/又はチャンバ26内の表面の所望の一体性を保存するように注意を払わなければならない。上述のように、特定の実施形態では、第2封緘層28bを第1封緘層28aの不純物に対して逆の導電性を持つ不純物でドーピングする。このようにして、シールプロセス即ち封緘プロセスの完了時に電気コンタクト領域24を取り囲むジャンクションが形成され、これらのジャンクションによりコンタクト領域24を例えばフィールド領域22bから電気的に絶縁する。更に、上述のように、別の実施形態の組では、第2封緘層28bを第1封緘層28aを越えるレベルまで付着、形成、及び/又は成長させる場合、露呈された表面を、例えば研磨技術例えばCMPを使用して実質的に平らにするのが有利である。平坦化プロセスは、第2封緘層28bの一部を除去し、滑らかな表面層及び/又は実質的に平らな表面を形成する。確かに、平坦化プロセスは、逆にドーピングされた半導体層28bのリングによってコンタクトビア38を電気的に絶縁するように、第2封緘層28bの十分な部分を除去する図6のF参照。この場合も、上述のように、この露呈された平らな表面は、更に、良好に形成されたベースを提供する。このベース上に、集積回路例えばCMOSトランジスタ及び/又は微小機械加工を施した機械構造12が、周知の製造技術及び機器を使用して製造される。図示のように、単結晶シリコンフィールド領域22b2がコンタクト領域24上に及びその上方に成長する。別の実施形態では、フィールド領域22b2はコンタクト領域24上に及びその上方に成長しない。この実施形態では、コンタクトビア38が、単結晶シリコンでなく、主として多晶質シリコンで形成されている。更に、上文中に説明したように、コンタクトビア38はこのコンタクトビア38を形成する材料の導電性を高めるために不純物でドーピングしてある。図8のA乃至Eを参照すると、別の実施形態の組では、第1封緘層28aは透過性であってもよいし、半透過性であってもよい例えば、スパッタリングした多晶質シリコン又は多孔質CVD及び/又はエピタキシャル付着した多晶質シリコン。この実施形態の組では、層28aを形成する透過性又は半透過性材料を通して層30及び32のエッチングプロセス又は除去プロセスを行うことができる。その後、第2封緘層28b例えば多晶質シリコンを第1封緘層28a上に付着、形成、及び/又は成長するとき、材料が第1封緘層28aの小孔内に移動し、これを充填し、及び/又は満たす。この状況で、第2封緘層28bの付着、形成、及び/又は成長中、比較的少量の材料がチャンバ26内の構造の表面に付着してもよい。このように、チャンバ26が第1封緘層28aの上面即ち、付着、形成、及び/又は成長プロセスに最初に露呈された表面-図8のDを参照されたいに向かってシールされ即ち封緘される。例えば、一実施形態では、透過性又は半透過性材料は、厚さが0.1μm乃至2μmのスパッタリングした多晶質シリコン又は多孔質CVD付着多晶質シリコンである。層30及び32のエッチング及び/又は除去を行った後、第2封緘層28bの厚さは5μm乃至25μmであってもよい。図8のCを参照すると、アニーリングプロセスを使用して第1封緘層28aを構成する材料を高密度化し、これによって閉鎖し、チャンバ26をシールしてもよい。即ち、この実施形態では、第1及び第2の犠牲層30及び32をエッチングした後、微小機械加工を施した機械構造12を熱処理することにより、層28aの材料を高密度化することによって、チャンバをシールし即ち封緘する。このように、第2封緘層28bはチャンバ26を最初にシールする上で必ずしも必要ではない。図8のEを参照すると、一実施形態では、チャンバ26の封緘プロセスに三つ又はそれ以上の封緘層が含まれていてもよい。第2封緘層28b及び第3封緘層28c又はこれに続く/追加の層の付着、形成、及び/又は成長を行い、チャンバ26をシールする。詳細には、第2封緘層28bは、例えば半導体例えばシリコン、シリコンカーバイド、シリコン-ゲルマニウム、又はゲルマニウム、又は金属支承材料例えばシリサイド又はTiWであってもよく、これは、例えば、エピタキシャル、スパッタリング、又はCVDを用いる反応器例えばAPCVD、LPCVD、及びPECVDを使用して付着される。付着、形成、及び/又は成長は、形態一致プロセスによって行われてもよいし又は非形態一致プロセスによって行われてもよい。封緘層28bを構成する材料は、第1封緘層28aと同じであってもよいし異なっていてもよい。その後、第3封緘層28cの付着、形成、及び/又は成長を行ってもよい図8のE参照。第3封緘層28cは、チャンバ26をシールし、又は閉鎖し、又は更に完全にシールする。第3封緘層28cの付着、形成、及び/又は成長は、封緘層28a及び/又は28bと同じであってもよく、実質的に同様であってもよく、又は異なっていてもよい。これに関し、第3封緘層28cは、例えば、半導体、絶縁体例えばシリコンナイトライド又はシリコン酸化物、プラスチック例えばフォトレジスト又は低K誘電体又は金属支承材料でできていてもよい。第3封緘層28cは、例えば、エピタキシャル、スパッタリング、又はCVDを用いる反応器例えばAPCVD、LPCVD、及びPECVDを使用して付着、形成、及び/又は成長が行われる。付着、形成、及び/又は成長は、形態一致プロセスによって行われてもよいし又は非形態一致プロセスによって行われてもよい。高性能集積回路をMEMS10に容易に一体化するための上文中に説明した技術は、図8のA乃至Eに示す実施形態で実施できるということに着目されたい。これに関し、このような回路が内部又は上側で製造される単結晶シリコンでできたフィールド領域22aを含むのが有利である。一実施形態では、フィールド領域22aと重なった第1封緘層の一部を再結晶することによって、スパッタリングした非晶質シリコン又は多孔質CVDO/又はエピタキシャルで付着した多晶質シリコンの結晶構造を、単晶材料又は実質的に単晶材料に変換し、又は転位する。このようにして、MEMS10と一体化した例えばデータ処理電子装置16のトランジスタ又は他の素子を単晶フィールド領域22a及び/又は22bに形成できる。別の実施形態では、フィールド領域22aと重なった第1封緘層28a及び/又は第2封緘層28bの部分を従来のエッチング技術を使用して除去し、フィールド領域22aを露呈する。その後、単結晶シリコンをフィールド領域22a上で成長させてもよい。別の態様では、フィールド領域22aと重なった第1封緘層28a及び第2封緘層28bの部分をエッチングし、単晶材料を露呈し、その後、トランジスタ又は他の能動素子を周知の製造技術を使用してフィールド領域22a内に又は上に一体化してもよい。更に、封緘層28c例えば図8のE及び図9のAを参照されたいを付着、形成、及び/又は成長し、例えば更に平らな表面、加工を続いて行うためのエッチング停止層、絶縁層、グラウンド平面、パワー平面を形成し、及び/又はチャンバ26のシールを高め、及びこれによって流体42の拡散に対するバリヤを高めてもよいということに着目されたい。例えば、図9のA乃至Cを参照すると、層28cは絶縁層であってもよく、この層は、これに加えて又はその代わりに、コンタクト領域24及びコンタクトビア又はプラグ38との適当な相互接続を例えば高度にドーピングしたポリシリコン又は金属層をして容易にする。その後又はこれと同時に、層28cにパターンを付け、コンタクト開口部44を形成する図9のBを参照されたい。次いで、高度に導電性低電気抵抗の材料例えば高度にドーピングした半導体及び/又はアルミニウム、クロム、金、銀、モリブデン、プラチナ、パラジウム、タングステン、チタニウム、及び/又は銅等の金属を付着し、相互接続を容易にする図9のC参照。絶縁層28c及び層46の付着、形成、及び/又は成長は、MEMS10の集積回路製造のバックエンドにおける最終プロセス工程のうちの二つであってもよいということに着目されたい。これに関し、このようなプロセスをMEMS10の集積回路製造のバックエンドの絶縁及びコンタクト形成工程と組み合わせる。この方法により、製造費用を抑えることができる。封緘層28cの目的又は機能に応じて、例えば、半導体例えば、多晶質シリコン、シリコンカーバイド、シリコン/ゲルマニウム、又はゲルマニウム、絶縁体例えば二酸化シリコン、シリコンナイトライド、BPSG、PSG、又はSOG、又は金属支承体例えばシリサイドであってもよい。封緘層28cは、例えば、エピタキシャル、スパッタリング、又はCVDを用いる反応器例えばAPCVD、LPCVD、及びPECVDを使用して付着、形成、及び/又は成長を行ってもよい。付着、形成、及び/又は成長は、形態一致プロセスによって行われてもよいし又は非形態一致プロセスによって行われてもよい。封緘層28cを形成する材料は、他の封緘層と同じであってもよいし異なっていてもよい。実施形態の別の組では、第2封緘層28bは、例えば、エピタキシャル、スパッタリング、又はCVDを用いる反応器例えばAPCVD、LPCVD、及びPECVDを使用して付着及び/又は形成した金属例えば、アルミニウム、クロム、金、銀、モリブデン、プラチナ、パラジウム、タングステン、チタニウム、及び/又は銅、金属酸化物例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、及び/又はインジウム酸化物、合金例えば、チタニウムナイトライド、チタニウムタングステン、及び/又はAl-Si-Cu、及び/又は金属-シリコン化合物例えば、タングステンシリサイド、チタニウムシリサイド、及び/又はニッケルシリサイド等のシリサイド下文において集合的に金属支承材料と呼ぶで形成されていてもよい。実施形態のこの組では、第1封緘層28aは、例えば、エピタキシャル、スパッタリング、又はCVDを用いる反応器例えばAPCVD、LPCVD、及びPECVDを使用して付着及び/又は形成した金属支承材料、半導体、又は絶縁体でできていてもよい。例えば、図10のAを参照すると、MEMS10の集積回路部分の形成後形成する場合、第1封緘層28aを第2犠牲層32上に付着、形成、及び/又は成長すると同時にフィールド領域22及びコンタクト領域24の選択された部分をマスクによって保護するか或いはエッチングによって再露呈する。第1封緘層28aは、例えば、絶縁体例えば、シリコンナイトライド、二酸化シリコン、PSG、又はBPSGであってもよく、これらは、例えば、エピタキシャル、スパッタリング、又はCVDを用いる反応器例えばAPCVD、LPCVD、及びPECVDを使用して付着される。付着、形成、及び/又は成長は、例えば形態一致プロセスによって行われてもよいし又は非形態一致プロセスによって行われてもよい。確かに、第1封緘層28aの付着、形成、及び/又は成長は、MEMS10の集積回路製造のバックエンドにおけるプロセス工程であってもよい。その後、第1封緘層28aをエッチングし、通路又は開孔36図10のB参照を形成してもよい。第1及び第2の犠牲層30及び32の夫々の少なくとも選択された部分が機械エレメント20a-dを解放すると、MEMS10の適正な作動を可能にする図10のC参照。機械エレメント20a-dの解放後、第2封緘層28bを付着、形成、及び/又は成長してもよい図10のD参照。この実施形態では、第2封緘層28bは、例えば、エピタキシャル、スパッタリング、又はCVDを用いる反応器例えばAPCVD、LPCVD、及びPECVDを使用して付着される金属支承材料である。付着及び/又は形成は、形態一致プロセスによって行われてもよいし又は非形態一致プロセスによって行われてもよい。第2封緘層28bの付着、形成、及び/又は成長もまた、MEMS10の集積回路製造のバックエンドのコンタクト形成工程と組み合わせることができる。このようにして、製造費を抑えることができる。その後、コンタクト領域24を例えばフィールド領域22から電気的に絶縁するのが有利である。一実施形態では、これは、平坦化技術を使用して行われる。これに関し、第2封緘層28bの露呈面は、例えば研磨技術例えばCMPを使用して実質的に平坦化される。平坦化プロセスは、コンタクト領域24を電気的に絶縁するために第2封緘層28bの十分な部分を除去する。別の実施形態では、第2封緘層28bの選択された部分をエッチングしてもよい図10のF参照。フィールド領域22と重なる第2封緘層28aの部分を従来のエッチング技術を使用して除去し、フィールド領域を露呈してもよいということは理解されるべきである図9のE参照。このようにして、単結晶シリコンをフィールド領域22で成長及び/又は形成してもよい。その後、トランジスタ又は他の能動素子を周知の製造技術を使用してMEMS内に又はその上に一体化してもよい。確かに、第1封緘層28aをフィールド領域22及び/又は24上でマスクなしで付着、形成、及び/又は成長した場合には、フィールド領域22及び/又は24と重なった第1封緘層28aの選択された部分をエッチングし、部分及び単結晶シリコンを露呈する。その後、単結晶シリコンを成長させ、トランジスタ又は他の能動素子を上文中に説明したように一体化できるようにする。更に、チャンバ26内の環境例えばガス又はガス蒸気圧により、機械構造20a-dについての機械的減衰の程度が程度決まるということに着目すべきである。これに関し、チャンバ26は、このチャンバ内に捕捉され、シールされ、及び/又は収容された流体42を含む。チャンバ26内の流体42の状態例えば圧力は、従来の技術を使用して、及び/又は2003年3月20日に出願され且つ譲渡された制御された雰囲気を持つ電気機械的装置及びその製造方法という表題の米国非仮特許出願第10/392,528号に記載されており且つ図示された技術を使用して決定される。以下、制御された雰囲気を持つ電気機械的装置特許出願と呼ぶ制御された雰囲気を持つ電気機械的装置特許出願に記載され且つ例示された発明は、本願に記載され且つ例示された任意の及び全ての発明で実施できる。例えば、上文中に説明した封緘技術は、制御された雰囲気を持つ電気機械的装置特許出願に記載された技術で、選択された、所望の、及び/又は所定の状態の流体をチャンバ内に捕捉し及び/又はシールするために実施できる。このようにして、流体は、チャンバ内の機械構造に対し、所望の、所定の、適当な、及び/又は選択された機械的減衰を提供する。別の例として、制御された雰囲気を持つ電気機械的装置特許出願には、モノリシックに一体化された、微小機械加工を施した、1つ又はそれ以上の電気機械的装置を持つ複数の機械構造例えばジャイロスコープ、共振器、温度センサ、及び/又は加速時計を含むMEMSが記載されている。図11のAを参照すると、一実施形態では、MEMS10は、微小機械加工を施した複数の機械構造12a-cを含む。これらの機械構造は、基板14上にモノリシックに一体化されているか或いは基板内に配置されている。微小機械加工を施した複数の機械構造12a-cの各々は、1つ又はそれ以上の機械構造20a-p明瞭化を図るため、それらの一部だけに番号が付してあるを含む。これらの機械構造は、チャンバ26a-dに配置されている。特定の実施形態では、チャンバ26a-dは、上文中に説明した技術を使用してシールされ又は封緘されている。チャンバ26a-dのシール又は封緘は、同じ又は実質的に同じ方法で、又は異なる技術を使用して行われていてもよい。このようにして、複数の構造12a-dは、機械構造20a-pに対し、同じ、実質的に同じ、異なる、又は実質的に異なる所望の、所定の、適当な、及び/又は選択された機械的減衰を提供するように形成されていてもよい。確かに、少なくとも1つの実施形態では、構造12cは複数のチャンバ、即ちチャンバ26c及び26dを含み、これらのチャンバは流体42c及び42dを夫々収容している。チャンバ22c及び22dは、流体42c及び42dの夫々が、同じ又は実質的に同じ選択された、所望の、及び/又は所定の状態に維持されるようにシールされ即ち封緘されていてもよい。このように、この実施形態では、流体42c及び42dは、機械構造20h-k及び20l-pの夫々に対し、同じ又は実質的に同じ選択された、所望の、所定の、適当な、及び/又は選択された機械的減衰を提供してもよい。別の態様では、少なくとも別の実施形態において、チャンバ26c及び26dは、流体42c及び42dが捕捉され、シールされ、維持され、及び/又はチャンバ26c及び26dの夫々に、異なる又は実質的に異なる選択された、所望の、及び/又は所定の状態で収容されるように、異なる又は異なった技術を使用してシール又は封緘されていてもよい。この実施形態では、チャンバ26c及び26dは、様々なプロセス技術、様々なプロセス条件、及び/又は様々な材料例えばガス、又はガス蒸気を使用してシールされていてもよい。このように、封緘後、流体42c及び42dは、機械構造20h-k及び20l-pの夫々に対し、異なる又は実質的に異なる機械的減衰特性を提供する。このようにして、微小機械加工を施した機械構造12cは、最適の、所定の、所望の作動に対して異なる又は実質的に異なる機械的減衰特性を必要とする様々な電気機械的装置例えばジャイロスコープ、共振器、温度センサ、及び/又は加速時計を含んでもよい。簡潔化を図るため、ここでは、制御された雰囲気を持つ電気機械的装置特許出願に記載された全ての発明を繰り返さない。しかしながら、例えば、全ての発明の特徴、寄与、変形例、材料、技術、及び利点を含む、制御された雰囲気を持つ電気機械的装置特許出願の全ての内容は本明細書中に含まれたものとする。上述のように、一組の実施形態では、モノリシック構造は、共通の基板上に又はこの基板内に一体化した機械構造12及びデータ処理電子装置16及び/又はインターフェース回路18を含んでいてもよい。図12のA乃至図12のCを参照すると、MEMS10は、構造20a乃至20d及びコンタクト領域24を持つ微小機械加工を施した機械構造12、並びにフィールド領域22b及び/又は領域22a図示せずに配置された集積回路50を含むデータ処理電子装置16を含む。上述のように、機械構造20a-20d及びコンタクト24は、例えば、単晶材料図12のA及びB又は多晶質材料図12Cから形成されていてもよい。更に、コンタクトビア又はプラグ38は、更に、例えば、主として、単晶材料図12のB及び多晶質材料図12のA及びCから形成されていてもよい。機械構造12は、低抵抗層46を介して集積回路50に電気的に接続されていてもよいということに着目すべきである。集積回路50は、従来技術を使用して形成されていてもよい。詳細には、集積回路50がコンタクト24に直接アクセスする場合には、低抵抗電路を提供するのが有利である。絶縁層48は、コンタクト領域24と相互接続するため、又は相互接続を容易にするため、付着、形成、及び/又は成長させ、パターン付けされていてもよい。その後、低抵抗層46例えば高度にドーピングした、ポリシリコン、又はアルミニウム、クロム、金、銀、モリブデン、プラチナ、パラジウム、タングステン、チタニウム、及び/又は銅等の金属を形成する。本明細書中に多くの発明を記載し且つ例示した。本発明の特定の実施形態、特徴、材料、形体、寄与、及び利点を説明し且つ例示したが、本発明の多くの他の並びに異なる及び/又は同様の実施形態、特徴、材料、形体、寄与、構造、及び利点は、説明、例示、及び特許請求の範囲から明らかであるということは理解されるべきである。このように、本明細書中に記載し且つ例示した本発明の特徴、材料、形体、寄与、構造、及び利点は、網羅的ではなく、本発明のこのような他の、同様の、並びに異なる実施形態、特徴、材料、形体、寄与、構造、及び利点は、本発明の範囲内にあるということは理解されるべきである。例えば、本明細書中に例示し且つ説明した任意の及び全ての実施形態には、垂直方向及び/又は横方向に積み重ねられ又は相互接続された例えば、図11のB、図11のC、及び図11のDの微小機械加工を施した機械構造12、機械構造の多数の層、コンタクト領域、及び剥き出しのコンタクトが含まれていてもよい。更に、機械構造の単一の及び多数の層自体は、垂直方向及び/又は横方向に積み重ねられ又は相互連結されていてもよい例えば、図11のAの微小機械加工を施した機械構造12bを参照されたい。更に、結果的に得られた微小機械加工を施した機械構造12は、共通の基板14上で集積回路50と一体化されていてもよい。集積回路50に対し、微小機械加工を施した機械構造12の任意の垂直方向及び/又は横方向位置が適している。更に、図13を参照すると、チャンバ26をシール即ち封緘するとき、第2の即ち続く封緘層例えば第2封緘層28bをチャンバ26の構造の選択された表面上に例えば機械構造20a-d及びフィールド領域22a及び22bに付着、形成、及び/又は成長する場合、追加の材料の付着、形成、及び/又は成長を考慮に入れて機械構造20a-dを設計し製造するのが有利である。機械構造20a-dの表面上の追加の材料28b’の厚さは、適切には、開孔36の幅又は直径とほぼ等しくてもよい。従って、一組の実施形態では、機械構造20a-dの設計例えば厚さ、高さ、幅、及び/又はチャンバ36内の他の構造に対する横方向及び/又は垂直方向関係には、このような追加の材料28b’が含まれ、最終構造を提供するための機械構造20a-dの製造には少なくとも二つの工程が含まれる。第1工程は、機械構造20a-dを初期寸法に従って例えば、図4のA及び図4のBに関して上文中に説明したように製造する工程であり、第2工程は、少なくとも1つの封緘層、例えば第2封緘層28b及び/又は続く封緘層の付着、形成、及び/又は成長により、材料28b’を付着、形成、及び/又は成長する工程である。特許請求の範囲中の付着及び他の形態の用語付着物、付着、及び付着したは、とりわけ、例えば反応器エピタキシャル、スパッタリング、又はCVDを用いる反応器例えばAPCVD、LPCVD、及びPECVDを使用して材料の層を付着、形成、及び/又は成長することを意味する。更に、特許請求の範囲では、コンタクトという用語は、一部又は全部がチャンバの外側に配置された導電性領域、例えばコンタクト領域及び/又はコンタクトビアを意味する。最後に、本発明をマイクロ機械構造又はエレメントを含むマイクロ電気機械システムに関して説明したが、本発明は、これに限定されないということに着目されるべきである。というよりはむしろ、本明細書中に説明した発明は、例えばナノ電気機械システムを含む他の電気機械システムに適用できる。かくして、本発明は、機械的構成要素を全体として電子装置に適したスケールまで小型化するリソグラフィー及び他の精密製造技術等の製造技術に従って形成された電気機械的装置、例えばジャイロスコープ、共振器、温度センサ、及び/又は加速時計に関する。"