"基板上にエッチング防止層を形成するステップと、前記エッチング防止層上に第1窒化ガリウム層を形成するステップと、シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップと、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層上に第2窒化ガリウム層を形成するステップと、前記第2窒化ガリウム層上に第3窒化ガリウム層を形成するステップと、を含む窒化ガリウム基板の製造方法。前記エッチング防止層は、非晶質層amorphousを含む請求項1に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。前記エッチング防止層は、LTlowtemperatureのAlNまたはSiNのうち少なくとも一つを含む請求項2に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップにおいて、前記シランエッチングによって前記エッチング防止層が一部露出され、前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップにおいて、エッチングマスクなしでエッチング工程が進行される請求項1に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップにおいて、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層にトレンチが形成される請求項4に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。前記エッチングされた第1窒化ガリウム層上に第2窒化ガリウム層を形成するステップは、ボイドを含めて第2窒化ガリウム層を形成する請求項5に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップにおいて、前記シランはSinH2n2の化学式を有し、キャリアガスとしてH2、N2を使用する請求項6に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップにおいて、NH3はシランガスを利用したエッチング工程の際に排出される請求項7に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップにおいて、シリコン窒化膜ランダムマスクを利用してエッチング工程が進行される請求項1に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。前記第1窒化ガリウム層の形成工程と前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップは、in-situで進行する請求項1に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。基板上にエッチング防止層を形成するステップと、前記エッチング防止層上に第1窒化ガリウム層を形成するステップと、所定の角度を有する溝が形成されるようにシランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップと、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層上に第2窒化ガリウム層を形成するステップと、を含む窒化ガリウム基板の製造方法。前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップにおいて、エッチングマスクなしでエッチング工程が進行される請求項11に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。前記エッチングされた第1窒化ガリウム層にピラミッド状のダメージ領域が形成される請求項11に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。前記エッチングされた第1窒化ガリウム層上に第2窒化ガリウム層を形成するステップは、前記第1窒化ガリウム層と前記第2窒化ガリウム層との間にピラミッド状のプロファイルを含めて第2窒化ガリウム層を形成する請求項13に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。基板上に第1窒化ガリウム層を形成するステップと、シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップと、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層上にボイドを含めて第2窒化ガリウム層を形成するステップと、前記第2窒化ガリウム層上に第3窒化ガリウム層を形成するステップと、を含む窒化ガリウム基板の製造方法。前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップにおいて、キャリアガスとしてH2、N2を使用し、NH3はシランガスを利用したエッチング工程の際に排出される請求項15に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。前記基板上にエッチング防止層を形成するステップをさらに含む請求項15に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。基板上に第1窒化ガリウム層を形成するステップと、シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップと、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層上にピラミッド状のプロファイルを含めて第2窒化ガリウム層を形成するステップと、を含む窒化ガリウム基板の製造方法。前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップにおいて、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層に所定の角度を有する溝が形成される請求項18に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。前記エッチングされた第1窒化ガリウム層にピラミッド状のダメージ領域が形成される請求項19に記載の窒化ガリウム基板の製造方法。実施例は、エッチング状及びエッチング密度などの調整が容易な窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。また、実施例は、結晶性を向上させることができる窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。実施例による窒化ガリウム基板の製造方法は、基板上にエッチング防止層を形成するステップと、前記エッチング防止層上に第1窒化ガリウム層を形成するステップと、シランsilaneガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップと、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層上に第2窒化ガリウム層を形成するステップと、前記第2窒化ガリウム層上に第3窒化ガリウム層を形成するステップと、を含む。また、実施例による窒化ガリウム基板の製造方法は、基板上にエッチング防止層を形成するステップと、前記エッチング防止層上に第1窒化ガリウム層を形成するステップと、所定の角度を有する溝が形成されるようにシランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップと、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層上に第2窒化ガリウム層を形成するステップと、を含む。実施例による窒化ガリウム基板の製造方法は、基板上に第1窒化ガリウム層を形成するステップと、シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップと、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層上にボイドvoidを含めて第2窒化ガリウム層を形成するステップと、前記第2窒化ガリウム層上に第3窒化ガリウム層を形成するステップと、を含む。また、実施例による窒化ガリウム基板の製造方法は、基板上に第1窒化ガリウム層を形成するステップと、シランガスで前記第1窒化ガリウム層を一部エッチングするステップと、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層上にピラミッド状のプロファイルを含めて第2窒化ガリウム層を形成するステップと、を含む。実施例による窒化ガリウム基板の製造方法によると、シランを利用してin-situエッチングを可能にすることと同時にエッチング時間及び混入されるガス、例えば、水素H2の流量、シランの流量などを調節することによってエッチング形状及びエッチング密度などの調整が容易である。また、実施例によるとシランを利用したエッチングを通じてダメージ層Damagelayerを形成し、ダメージ層上にボイドを含めて窒化ガリウム層を形成することによって結晶性を向上させることができる。また、実施例によるとシランガスを利用した窒化ガリウム層の垂直エッチング方法で窒化ガリウム層の内部に均一で密度が高いボイドを形成することができ、このようなボイドは発光素子具現の際、輝度向上の効果がある。また、実施例によると窒化ガリウム層内に均一に全領域にボイドを形成し得るので、ボイドを利用して自己分離SelfSplitを容易に進行することができて容易に厚膜窒化ガリウム基板を製造することができる。また、実施例によるとシランを利用して表面にピラミッド状を形成させて再成長を通じて結晶性を向上させることができる。実施例の説明に当たって、各層膜、領域、パターン又は構造物が基板、各層膜、領域、パッド又はパターンの上/の上on/overに又はの下underに形成されると記載される場合、上/の上on/overとの下underは、直接directly又は他の層を介在してindirectly形成されることをすべて含む。また、各層の上/の上又はの下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、又は概略的に示された。また、各構成要素の大きさは、実際の大きさを全的に反映するのではない。実施例図1ないし図3は、第1実施例による窒化ガリウム基板の製造方法の工程断面図及び写真の例示である。第1実施例による窒化ガリウム基板の製造方法は、基板110上にエッチング防止層130を形成するステップと、前記エッチング防止層130上に第1窒化ガリウム層140を形成するステップと、シランsilaneガスで前記第1窒化ガリウム層140を一部エッチングするステップと、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層140上にボイドVを含めて第2窒化ガリウム層150を形成するステップと、前記第2窒化ガリウム層150上に第3窒化ガリウム層160を形成するステップと、を含むことができる。第1実施例は、エッチング状及びエッチング密度などの調整が容易な窒化ガリウム基板の製造方法を提供することと、また、結晶性を向上させ得る窒化ガリウム基板の製造方法を提供することにその目的がある。そのため、第1実施例による窒化ガリウム基板の製造方法によると、シランを利用してin-situエッチングを可能にすることと同時にエッチング時間etchtime及び混入されるガス、例えば、水素H2の流量、シランの流量などを調節することによってエッチング状及びエッチング密度などの調整が容易であり、また、シランを利用したエッチングを通じてダメージ層Dameagelayerを形成し、ダメージ層上にボイドを含む窒化ガリウム層を形成することによって結晶性を向上させることができる。以下、図1ないし図3を参照して第1実施例による窒化ガリウム基板の製造方法を説明する。先ず、基板110上にエッチング防止層130を形成する。前記基板110は、サファイアAl2O3基板、シリコンカーバイドSiC基板、ガリウム砒素GaAs基板、シリコンSi基板などが採用され得るが、これに限定されるものではない。実施例は前記基板110上にバッファ層120を形成してよく、これに限定されるものではない。以後、前記基板110またはバッファ層120上にエッチング防止層130を形成する。前記エッチング防止層130は、非晶質層amorphousを含めてもよく、前記エッチング防止層130は後に形成される第1窒化ガリウム層140を選択的にエッチングすることに対するエッチング防止層の役割を果たし得る。例えば、前記エッチング防止層130はLTlowtemperatureのAlNまたはSiNのうち少なくとも一つを含めてもよい。前記LTlowtemperatureのAlNは900°C以下で形成されることができる。例えば、約500°C~約600°CでLTのAlNが非晶質層で形成され得るが、温度がこれに限定されるものではない。前記SiNは、約600°C~約1200°Cで非晶質層で形成されてもよく、これに限定されるものではない。以後、前記エッチング防止層130上に第1窒化ガリウム層140を形成する。例えば、化学蒸着法CVDもしくは分子線エピタキシー法MBEもしくはスパッタリングもしくは水酸化物気相エピタキシー法HVPEなどを使用して第1窒化ガリウム層140を形成してもよい。例えば、チャンバーにトリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3などを使用して第1窒化ガリウム層140を形成し得るが、これに限定されるものではない。続いて、図2に示すようにシランガスで前記第1窒化ガリウム層140を一部エッチングする。このようなエッチング工程は、前記第1窒化ガリウム層140形成工程とin-situで進行し得る。前記シランガスは、SinH2n2の化学式を有し、モノシラン、ジシラン、トリシラン、テトラシランなどであってもよく、これに限定されるものではない。実施例は、前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層140を一部エッチングすることによって前記エッチング防止層130が一部露出され得るし、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層140にトレンチTが形成されることがある。例えば、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層140に垂直したプロファイルまたは垂直したプルファイルに近接したトレンチが形成されてもよい。実施例において、トレンチTは図2に示すように溝状が上部幅と下部幅とが同じであることの他に上部幅と下部幅とが異なる溝も含め得る。実施例において、前記第1窒化ガリウム層140の一部を選択的にエッチングする場合、エッチングマスクなしでエッチング工程が進行されることができる。例えば、実施例でシランガスで第1窒化ガリウム層140をエッチングする際にSiNなどのようなエッチングマスクなしでもトレンチ状が形成され得る。これは、GaN構造は、ウルツ鉱Wurtzite結晶構造であってエッチングを進行する際、a‐軸axisとc-軸との間に異方性が存在し、これによってエッチング時間を長くする場合、c-軸方向に深く掘れることになってエッチング防止層130まで到達する場合、エッチングマスクなしでもトレンチを形成することができる。従来技術でHClを利用したエッチングの場合には、結晶方向に対する依存度が高くて、欠陥部位、例えば、転位が存在する領域に対するエッチングが主に行われるので均一な溝の形成が困難であり、さらに垂直したプロファイルのトレンチ状の溝を形成することができなかった。例えば、従来技術でHClを利用したエッチングの場合には、主に{11-21}面または{1-102}面に対するエッチングが主に行われ、{0001}面に対してはエッチングが殆ど行われなかった。また、従来技術でHClを利用したエッチングの場合には、転位などが存在する領域に対するエッチングが主に行われて不均一な分布を有するピラミッド状の溝を形成し得たが、均一な分布を有するピラミッド状の溝を形成することはできなかった。また、従来技術でHClを利用したエッチングの場合、エッチング停止ポイントを時間で調節することが多くて基板などにダメージを与える一方、実施例でシランガスで窒化ガリウム層を一部エッチングする場合窒化ガリウム層に対してエッチングが行われ、エッチング防止層により基板などにはエッチングが行われないので安定的な工程が可能である。実施例で前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層140を一部エッチングするステップにおいて、キャリアガスとしてはH2、N2を使用してもよく、従来技術とは異なってNH3はシランガスを利用したエッチング工程の際に排出され得る。実施例でシランガスと水素H2ガスの相対的な比率において、水素ガスの比率を上げる場合、垂直なプロファイルよりは不規則なプロファイルのエッチングが進行されてもよい。また、実施例で前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層140を一部エッチングするステップにおいて、エッチング時間は約5分乃至約30分であってもよく、約10分程度のエッチング工程を行う際に垂直なトレンチプロファイルが形成されてもよく、これに限定されるものではない。また、前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層140を一部エッチングするステップにおいて、シランガスがジシランSi2H6である場合、約0.01μmol以上乃至約1μmol以下であってもよく、ジシランが0.01μmol未満の場合、垂直なプロファイルのエッチングが進行されなくてもよく、ジシランが1μmol超えの場合過度なエッチングが進行される恐れがある。また、実施例でシランガスで前記第1窒化ガリウム層140を一部エッチングするステップにおいて、エッチング温度は約800°C乃至約1200°Cで進行されてもよく、これに限定されるものではない。一方、実施例は前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層140を一部エッチングするステップにおいて、シリコン窒化膜ランダムマスクSixNyRandommask図示せずを利用してエッチング工程が進行されることもある。例えば、シランガスでエッチングする前にジシランSi2H6とアンモニアNH3ガスを混合してシリコン窒化膜ランダムマスクを約30秒ないし5分程度の工程を経て形成した後、エッチング工程を進行するとランダムマスクがない部分がエッチングされてトレンチが形成され得る。続いて、図3に示すように、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層140上に第2窒化ガリウム層150を形成してボイドVを含めた第2窒化ガリウム層150を形成する。以後、第2窒化ガリウム層150上に第3窒化ガリウム層160、第4窒化ガリウム層170などを形成することができる。実施例によると、トレンチの深さdepthが深い下部では、ボイドが形成されて窒化ガリウム層の表面では側面成長が行われてエッチングされたトレンチの入口が塞がれるようになってボイドの形成がin-situ状態で容易に形成されてボイドの生成密度も高くて均一度も高いボイドを含む窒化ガリウム基板を得ることができる。実施例によるとシランガスを利用した窒化ガリウム層の垂直エッチング法で窒化ガリウム層の内部に均一で密度が高いボイドを容易に形成することができ、ボイドの位置調整が可能で及びに多重にボイドを形成することができて発光素子の具現の際に輝度向上効果がある。また、実施例によると窒化ガリウム層内に均一に全領域にボイドを形成し得るので、ボイドを利用して自己分離を容易に進行することができる。即ち、実施例によるとシランガスでエッチングを利用してダメージ層を適用すると後続工程の化学的エッチング及びLLOLaserliftoff工程なしで厚膜を製造することができる。これを利用して厚膜窒化ガリウム基板を製造する収率向上及び大口径化まで可能であり、またシランガスのエッチングはin-situ工程が可能で追加的な費用が発生しなくて短い時間内に高品質の厚膜窒化ガリウム基板を構成できるという長所がある。例えば、高い3/5族の比率HighV/IIIratioで1次成長して第2窒化ガリウム層150を形成することができる。例えば、TMG、NH3ガスを使用して約1000°C以上の温度と約200mbar以下の圧力でボイドVを含めた第2窒化ガリウム層150を形成し得るが、これに限定するものではなく、圧力は200mbar以上であってもよい。以後、低い3/5族の比率LowV/IIIratioで2次成長して第3窒化ガリウム層160を形成することができる。例えば、TMG、NH3ガスを使用して約1000°C以上の温度と約200mbar以下の圧力で第3窒化ガリウム層160を形成し得るが、これに限定するものではなく、圧力は200mbar以上であってもよい。続いて、一般並みの3/5族の比率NormalV/IIIratioで3次成長して高品質の第4窒化ガリウム層170を形成することができる。例えば、TMG、NH3ガスを使用して約1000°C以上の温度で高品質の第4窒化ガリウム層170を形成してもよい。以後、レーザリフトオフ工程または機械的研磨を行い基板110を除去することによって高品質の窒化ガリウム基板を完成することができる。実施例による窒化ガリウム基板の製造方法によると、シランを利用してin-situエッチングを可能にすることと同時にエッチング時間及び混入されるガス、例えば、水素H2の流量、シランの流量などを調節することによってエッチング状及びエッチング密度などの調整が容易である。また、実施例によるとシランを利用したエッチングを通じてダメージ層を形成し、ダメージ層上にボイドを含めて窒化ガリウム層を形成することによって結晶性を向上させることができる。図4ないし図6は、第2実施例による窒化ガリウム基板の製造方法の工程断面図及び写真を示している。第2実施例は、前記第1実施例の技術的な特徴を採用することができる。第2実施例は、第1窒化ガリウム層240と第2窒化ガリウム層250との間にピラミッド状のプロファイルを含めて窒化ガリウム基板を製造することができる。第2実施例による窒化ガリウム基板の製造方法は、基板210上に第1窒化ガリウム層240を形成するステップと、シランガスで前記第1窒化ガリウム層240を一部エッチングするステップと、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層240上に第2窒化ガリウム層250を形成するステップと、を含むことができる。先ず、図4に示すように基板210上にバッファ層220とエッチング防止層230を形成し得るが、これに限定されるものではない。前記基板210は、サファイアAl2O3基板、シリコンカーバイドSiC基板、ガリウム砒素GaAs基板、シリコンSiなどが採用され得るが、これに限定されるものではない。前記エッチング防止層230は、非晶質層amorphousを含めてもよく、前記エッチング防止層230は以後に形成される第1窒化ガリウム層240を選択的にエッチングすることに対するエッチング防止層の役割を果たすことができる。例えば、前記エッチング防止層230はLTlowtemperatureのAlNまたはSiNのうち少なくとも一つを含めてもよい。続いて、基板210またはエッチング防止層230上に第1窒化ガリウム層240を形成する。例えば、化学蒸着法CVDもしくは分子線エピタキシー法MBEもしくはスパッタリングもしくは水酸化物気相エピタキシー法HVPEなどを使用して第1窒化ガリウム層240を形成してもよい。続いて、図5に示すようにシランガスで前記第1窒化ガリウム層240を一部エッチングする。このようなエッチング工程は、前記第1窒化ガリウム層240の形成工程とin-situに進行することができる。前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層240を一部エッチングするステップにおいて、エッチングマスクなしでエッチング工程が進行されることがある。また、前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層240を一部エッチングするステップにおいて、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層240に所定の角度を有する溝が形成されることができる。例えば、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層240にピラミッド状のダメージ領域が形成され得る。従来技術によるELO工程は、SiNまたはSiO2を形成させた後、パターニングを通じてオープンされた領域で再成長regrowthを行って転位を遮断bendingさせる方法であって、ELO工程は再成長条件に応じてピラミッド状が形成され、実施例はエッチング条件に応じてピラミッド状を均一であると同時に容易に結晶することができる。また、従来技術でHClを使用して窒化ガリウムをエッチングする技術の場合、上述のように0001面に対するエッチング効果が少なくて、11-21または1-102面に対するエッチングが行われるため、正常的に成長された面ではエッチングが行われることなく転位位置で主にエッチングが行なわれる限界がある。また、従来技術でHClを使用して窒化ガリウムをエッチングする場合、反応面によるエッチングされる角が40°~60°範囲で形成される限界があるが、実施例によるとシランガスを利用する場合、結晶面によらず幅広い範囲でエッチングが行われ、シランガス及び混入ガスの流量を利用してエッチング比率及びピラミッド状を容易に制御することができる。第2実施例によるとシランガスで第1窒化ガリウム層240を一部エッチングした場合、第1窒化ガリウム層240上にピラミッド状のダメージ領域が形成されることがわかる。前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層240を一部エッチングするステップにおいて、前記しランはSinH2n2の化学式を有し、シランガスはモノシラン、ジシラン、トリシラン、テトラシランなどであってもよく、これに限定されるものではない。実施例で、前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層240を一部エッチングするステップにおいて、キャリアガスとしてH2、N2を使用してもよく、NH3はシランガスを利用したエッチング工程の際に排出され得る。前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層240を一部エッチングするステップにおいて、エッチング時間は約3分乃至約10分で進行し得るし、例えば、約5分程度のエッチング工程が進行される場合、約60°近くの角度でピラミッド状が観察されたがエッチング時間がこれに限定されるものではない。前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層240を一部エッチングするステップにおいて、シランガスがジシランSi2H6である場合、0.01μmol以上1μmol以下であってもよく、ジシランが0.01μmol未満の場合、ピラミッド状のエッチングが進行されなくてもよく、ジシランが1μmol超えの場合過度なエッチングが進行される恐れがある。前記シランガスで前記第1窒化ガリウム層240を一部エッチングするステップにおいて、エッチング温度は800°C乃至1200°Cで進行され得るが、これに限定されるものではない。続いて、図6に示すように、前記エッチングされた第1窒化ガリウム層240上に第2窒化ガリウム層250を形成することができる。前記エッチングされた第1窒化ガリウム層240上に第2窒化ガリウム層250を形成するステップは、前記第1窒化ガリウム層240と前記第2窒化ガリウム層250との間にピラミッド状のプロファイルを含めて第2窒化ガリウム層250を形成することができる。以後、第2窒化ガリウム層250上に第3窒化ガリウム層260、第4窒化ガリウム層270などを形成することができる。例えば、高い3/5族の比率5,000~110,000で1次成長して、第2窒化ガリウム層250を形成することができる。例えば、TMG、NH3ガスを使用して約1000°C以上の温度と約200mbar以下の圧力で第1窒化ガリウム層240と前記第2窒化ガリウム層250との間にピラミッド状のプロファイルを含めて第2窒化ガリウム層250を形成することができる。以後、低い3/5族の比率300~1300で2次成長して、第3窒化ガリウム層260を形成することができる。例えば、TMG、NH3ガスを使用して約1000°C以上の温度と約200mbar以下の圧力で第3窒化ガリウム層260を形成し得るが、これに限定するものではなく、圧力は200mbar以上であってもよい。続いて、一般並みの3/5族の比率1,300~2,500で3次成長して、高品質の第4窒化ガリウム層270を形成することができる。例えば、TMG、NH3ガスを使用して約1000°C以上の温度で高品質の第4窒化ガリウム層270を形成してもよい。一方、第2実施例は、第2窒化ガリウム層250、第3窒化ガリウム層260の工程を略し、第4窒化ガリウム層270を形成することによって第1窒化ガリウム層240と前記第4窒化ガリウム層270との間にピラミッド状のプロファイルを含めて窒化ガリウム層を形成することができる。また、第2実施例は第2窒化ガリウム層250、第3窒化ガリウム層260の工程を含めて進行する場合、第1実施例よりは工程時間を短縮して進行することができる。以後、レーザリフトオフ工程または機械的研磨を行い基板210を除去することによって高品質の窒化ガリウム基板を完成することができる。実施例による窒化ガリウム基板の製造方法によると、シランを利用してin-situエッチングを可能にすると同時にエッチング時間及び混入されるガス、例えば、水素の流量、シランの流量などを調節することによってエッチング状及びエッチング密度などの調整が容易である。また、実施例によるとシランを利用して表面に全体的に均一なピラミッド状を形成させて再成長を通じて結晶性を向上させることができる。以上、実施例に説明された特徴、構造、効果などは、少なくとも一つの実施例に含まれ、必ず一つの実施例にのみ限定されることではない。なお、各実施例にて例示された特徴、構造、効果などは、実施例が属する分野の通常の知識を有する者により、他の実施例に対しても組合又は変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関係された内容は、実施例の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。また、上述の実施例を中心として説明したがこれは単に例示に過ぎなく実施例を限定するものでなく、実施例が属する分野の通常の知識を有する者であれば本実施例の本質的な特性を外さない範囲で以上に例示されていない多様な変形と応用が可能であることがわかる。例えば、実施例に具体的に示した各の構成要素は変形して実施することができる。そしてこのような変形と応用にかかる差異点は添付の請求範囲で規定する実施例の範囲に含まれることと解釈されるべきである。"