"置換オリゴ糖を含み、前記置換オリゴ糖が酸開裂性-OR基で置換されており、かつ前記置換オリゴ糖が2個から10個の単糖を有するレジスト組成物であって、前記置換オリゴ糖中の各単糖が少なくとも3個の炭素原子を有し、前記単糖同士がグリコシド結合で結合しており、前記置換オリゴ糖の1個の単糖由来の複数の残存水酸基が、エステル、-OXCOOR37、エーテル、-OR38、炭酸エステル、-OCOOR39、アセタール、-O-COR40R41H、ケタール、-O-COR42R43R44、オルトエステル、-OCOR45OR46R47、およびこれらの組合わせからなる群から選択される前記酸開裂性-OR基を有する保護基で置換されており、前記式中、Xは、1個から7個の炭素原子を有する直鎖または分岐アルキレン、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキレン、4個から20個の炭素原子を有するアルキルシクロアルキレン、4個から20個の炭素原子を有するシクロアルキルアルキレン、およびこれらの組合わせからなる群から選択される連結基であり;R37~R39は、それぞれ、第三級炭素結合点を有するヒドロカルビル置換基但し、R39はt-ブチル基ではないからなる群から選択され;かつR40~R47は、第一級、第二級または第三級炭素結合点を有し、1個から6個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有する分岐アルキル基、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化分岐アルキル基、および3個から17個の炭素原子を有するフッ化シクロアルキル基からなるヒドロカルビル置換基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、アルケニル基、アルカルケニル基、およびアルケニルアルキル基、アルキニル基、アルカルキニル基、アルキニルアルキル基、トリフルオロプロピル基、シアノプロピル基、アクリロイル基、アリールアクリロイル基、アクリロイルアリール基、アルキルアシル基、アリールアシル基、アルキレニルアシル基、およびアルキニルアシル基の群からそれぞれ独立に選択され;さらにR41およびR47は水素原子であってもよく;かつ同一分子中のR40~R47の任意の2つは結合して3員環基ないし8員環基を形成していてもよいレジスト組成物。前記酸開裂性-OR基が下記の構造式:から選択される、請求項1に記載のレジスト組成物。式中、R1~R36は、それぞれ独立に、水素、1個から6個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有する分岐アルキル基、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化分岐アルキル基、および3個から17個の炭素原子を有するフッ化シクロアルキル基からなる群から選択され、かつ同一分子中のR1~R36の任意の2つは結合して3員環基ないし8員環基を形成していてもよい。前記単糖が、それぞれ、ペントース、ヘキソースおよびこれらの組合わせからなる群から選択される、請求項1に記載のレジスト組成物。前記置換オリゴ糖の各単糖が同じ個数の炭素原子を有する、請求項1に記載のレジスト組成物。前記置換オリゴ糖が下記の環状の式:式中、nは1から9の正の整数であるによって表される、請求項1に記載のレジスト組成物。nが5から7の正の整数である、請求項5に記載のレジスト組成物。前記置換オリゴ糖が、前記少なくとも1個の酸開裂性-OR基を有するβ-シクロデキストリンである、請求項1に記載のレジスト組成物。前記置換オリゴ糖が下記の式:式中、mは2から10の正の整数であるによって表される、請求項1に記載のレジスト組成物。前記置換オリゴ糖が、前記少なくとも1個の酸開裂性-OR基を有するD-セロビオースである、請求項1に記載のレジスト組成物。前記少なくとも1個の-OR基が、下記構造式:の少なくとも1種を含む、請求項1に記載のレジスト組成物。前記レジストが初めは水に不溶であり、波長193nm以下の放射線と、ほぼ室温から約110°Cの露光後加熱温度とに暴露すると、前記水に可溶になる、請求項1に記載のレジスト組成物。前記レジストのガラス転移温度Tgが露光後加熱温度より高い、請求項1に記載のレジスト組成物。前記レジストが、波長193nmにおいて膜厚1ミクロンにおける吸光度が、0.21未満/ミクロン膜厚である、請求項1に記載のレジスト組成物。前記置換オリゴ糖の分子量が4,000ダルトン未満である、請求項1に記載のレジスト組成物。置換オリゴ糖を含むレジスト組成物であって、前記置換オリゴ糖が酸開裂性-OR基で置換されており、前記置換オリゴ糖が2個から10個の単糖を有し、前記レジストが、初めは本質的に水からなる現像液に不溶であるが、イメージング放射線および約30°Cから約110°Cの露光後加熱温度に暴露すると前記現像液に可溶になるレジスト組成物であって、前記置換オリゴ糖中の各単糖が少なくとも3個の炭素原子を有し、前記単糖同士がグリコシド結合で結合しており、前記置換オリゴ糖の1個の単糖由来の複数の残存水酸基が、エステル、-OXCOOR37、エーテル、-OR38、炭酸エステル、-OCOOR39、アセタール、-O-COR40R41H、ケタール、-O-COR42R43R44、オルトエステル、-OCOR45OR46R47、およびこれらの組合わせからなる群から選択される前記酸開裂性-OR基を有する保護基で置換されており、前記式中、Xは、1個から7個の炭素原子を有する直鎖または分岐アルキレン、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキレン、4個から20個の炭素原子を有するアルキルシクロアルキレン、4個から20個の炭素原子を有するシクロアルキルアルキレン、およびこれらの組合わせからなる群から選択される連結基であり;R37~R39は、それぞれ、第三級炭素結合点を有するヒドロカルビル置換基但し、R39はt-ブチル基ではないからなる群から選択され;かつR40~R47の1つは水素であるか、あるいはR40~R47は、第一級、第二級または第三級炭素結合点を有し、1個から6個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有する分岐アルキル基、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化分岐アルキル基、および3個から17個の炭素原子を有するフッ化シクロアルキル基からなるヒドロカルビル置換基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、アルケニル基、アルカルケニル基、およびアルケニルアルキル基、アルキニル基、アルカルキニル基、アルキニルアルキル基、トリフルオロプロピル基、シアノプロピル基、アクリロイル基、アリールアクリロイル基、アクリロイルアリール基、アルキルアシル基、アリールアシル基、アルキレニルアシル基、およびアルキニルアシル基の群からそれぞれ独立に選択され;かつ同一分子中のR40~R47の任意の2つは結合して3員環基ないし8員環基を形成してもよいレジスト組成物。基板上にパターンを形成する方法であって、A前記基板上にポジ型レジスト組成物を塗布してレジスト層を形成するステップであって、前記レジスト組成物が、イメージング放射線への露光前は現像液に不溶であるが、イメージング放射線への露光後は前記現像液に可溶であり、前記ポジ型レジスト組成物が、i放射線感受性酸発生剤と、ii請求項1ないし15のいずれか1つに記載の組成物とを含むステップと、B前記レジスト層の第2の部分がイメージング放射線に露光されないようにして、前記レジスト層の第1の部分を前記放射線に選択的に露光するステップであって、前記レジスト層の前記第1および第2の部分が前記レジスト層に潜像パターンを形成し、前記放射線により、酸発生剤が前記レジスト層の前記第1の部分に酸を発生し、前記酸が前記酸開裂性-OR基の除去を容易にして前記レジスト層の前記第1の部分に反応生成物を発生させ、前記反応生成物が前記現像液に可溶であるステップと、C前記レジスト層を前記現像液と接触させることにより前記レジスト層の前記第1の部分を現像して除去し、前記レジスト層の前記第1の部分を前記レジスト層におけるボイドによって置換するステップとを含む方法。D前記レジスト層内のボイドを通して材料層をエッチングすることによって、前記レジスト層の前記パターンを前記レジスト層の下にある前記材料層に転写するステップと、E前記パターンを転写した後、前記レジスト層を除去するステップとをさらに含む、請求項16に記載の方法。前記放射線が193nm以下の波長を有する、請求項16に記載の方法。前記現像液が水を含む、請求項16に記載の方法。一般に、ポリマー含有レジスト材料の一部の溶解度を変化させるためには、例えば、120°Cを超える高い露光後加熱温度が必要である。当業界においては集積レベルをさらに高くすることが必要になってきたため、レジスト組成物の解像度をより高くすること、即ち所定の面積により多数のラインとスペースを設けることの必要性が飛躍的に増大している。高い加熱温度では酸の拡散が顕著になり、画像の解像度に悪影響を及ぼす。したがって、露光したとき、低い露光後加熱温度で溶解度が変化するレジスト材料が求められている。したがって、本発明は、置換オリゴ糖を含み、前記置換オリゴ糖が酸開裂性acidcleavable-OR基で置換されており、かつ前記置換オリゴ糖が2個から10個の単糖を有するレジスト組成物であって、前記置換オリゴ糖中の各単糖が少なくとも3個の炭素原子を有し、前記単糖同士がグリコシド結合で結合しているレジスト組成物を提供する。前記置換オリゴ糖の1個の単糖由来の複数の残存水酸基は、エステル、-OXCOOR37、エーテル、-OR38、炭酸エステル、-OCOOR39、アセタール、-O-COR40R41H、ケタール、-O-COR42R43R44、オルトエステル、-OCOR45OR46R47、およびこれらの組合わせからなる群から選択される前記酸開裂性-OR基を有する保護基で置換されている。式中、Xは、それぞれ、1個から7個の炭素原子を有する直鎖または分岐アルキレン、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキレン、4個から20個の炭素原子を有するアルキルシクロアルキレン、4個から20個の炭素原子を有するシクロアルキルアルキレン、およびこれらの組合わせからなる群から選択される連結基であり;R37、R38、およびR39R37~R39は、それぞれ、第三級炭素結合点を有するヒドロカルビル置換基但し、R39はt-ブチル基ではないからなる群から選択され;かつR40、R41、R42、...R46、R47R40~R47は、それぞれ独立に、1個から6個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有する分岐アルキル基、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化分岐アルキル基、および3個から17個の炭素原子を有するフッ化シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、アルケニル基、アルカルケニル基、およびアルケニルアルキル基、アルキニル基、アルカルキニル基、アルキニルアルキル基、トリフルオロプロピル基、シアノプロピル基、アクリロイル基、アリールアクリロイル基、アクリロイルアリール基、アルキルアシル基、アリールアシル基、アルキレニルアシル基、およびアルキニルアシル基からなる第一級、第二級または第三級炭素結合点を有するヒドロカルビル置換基の群から選択され;さらにR41またはR47あるいはその両方は水素原子であってもよく;かつ同一分子中のR40~R47の任意の2つは結合して3員環基ないし8員環基を形成していてもよい。本発明の第2の態様は、置換オリゴ糖を含む組成物を含むレジストであって、前記置換オリゴ糖が少なくとも1つの酸開裂性-OR基で置換されており、前記置換オリゴ糖が2個から10個の単糖を有し、前記レジストが、初めは本質的に水からなる現像液に不溶であるが、イメージング放射線およびほぼ室温周囲温度から約110°Cの露光後加熱温度に暴露すると前記現像液に可溶になるレジストを提供する。このレジストは、ケイ素含有材料および高分子材料を含まないことが有利である。本発明の第3の態様は、基板上にパターンを形成する方法を提供する。前記方法は、A前記基板上にポジ型レジスト組成物を塗布してレジスト層を形成するステップであって、前記ポジ型レジスト組成物が、イメージング放射線への露光前は現像液に不溶であるが、イメージング放射線への露光後は前記現像液に可溶であり、前記ポジ型レジスト組成物が、i放射線感受性酸発生剤と、iiレジスト組成物とを含み、このレジスト組成物が、置換オリゴ糖を含み、前記置換オリゴ糖が酸開裂性-OR基で置換されており、かつ前記置換オリゴ糖が2個から10個の単糖を有するレジスト組成物であって、前記置換オリゴ糖中の各単糖が少なくとも3個の炭素原子を有し、前記単糖同士がグリコシド結合で結合しており、前記置換オリゴ糖の1個の単糖由来の複数の残存水酸基が、エステル、-OXCOOR37、エーテル、-OR38、炭酸エステル、-OCOOR39、アセタール、-O-COR40R41H、ケタール、-O-COR42R43R44、オルトエステル、-OCOR45OR46R47、およびこれらの組合わせからなる群から選択される前記酸開裂性-OR基を有する保護基式中、Xは、1個から7個の炭素原子を有する直鎖または分岐アルキレン、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキレン、4個から20個の炭素原子を有するアルキルシクロアルキレン、4個から20個の炭素原子を有するシクロアルキルアルキレン、およびこれらの組合わせからなる群から選択される連結基であり;R37~R39は、それぞれ、第三級炭素結合点を有するヒドロカルビル置換基但し、R39はt-ブチル基ではないからなる群から選択され;かつR40~R47は、第一級、第二級または第三級炭素結合点を有し、1個から6個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有する分岐アルキル基、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化分岐アルキル基、および3個から17個の炭素原子を有するフッ化シクロアルキル基からなるヒドロカルビル置換基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、アルケニル基、アルカルケニル基、およびアルケニルアルキル基、アルキニル基、アルカルキニル基、アルキニルアルキル基、トリフルオロプロピル基、シアノプロピル基、アクリロイル基、アリールアクリロイル基、アクリロイルアリール基、アルキルアシル基、アリールアシル基、アルキレニルアシル基、およびアルキニルアシル基の群からそれぞれ独立に選択され;さらにR41およびR47は水素原子であってもよく;かつ同一分子中のR40~R47の任意の2つは結合して3員環基ないし8員環基を形成していてもよいで置換されているステップと;B前記レジスト層の第2の部分がイメージング放射線に露光されないようにして、前記レジスト層の第1の部分をイメージング放射線に選択的に露光するステップであって、前記レジスト層の前記第1および第2の部分が前記レジスト層に潜像パターンを形成し、イメージング放射線により、酸発生剤が前記レジスト層の前記第1の部分に酸を発生し、前記酸が前記酸開裂性-OR基の除去を容易にして前記レジスト層の前記第1の部分に反応生成物を発生させ、前記反応生成物が前記現像液に可溶であるステップと;C前記レジスト層を前記現像液と接触させることにより前記レジスト層の前記第1の部分を現像し去り、前記レジスト層の前記第1の部分を前記レジスト層におけるボイドvoidによって置換するステップとを含む。上記ならびにその他の本発明の特徴および利点は、本発明の好ましい実施形態についての以下のより詳細な説明から明らかになるであろう。添付図面を参照して本発明の代表的な好ましい実施形態を以下に説明する。この場合、類似の符号は類似の要素を表している。本発明の実施形態の、ケイ素を含有せずポリマーを含有しないレジスト組成物は置換オリゴ糖を含む。この置換オリゴ糖は、より高い解像度のフォトリソグラフィを実現するために、少なくとも1個の、活性化エネルギーの低い酸開裂性-OR基で置換されている。分子レジストは、サイズが小さく特性が均一であるから、高分子レジストより解像度を高くすることができ、ライン縁部粗さLERを小さくすることができる。分子レジストはガラス転移温度Tgが低いことを特徴としているので、活性化エネルギーの高い保護基を用いた場合、レジストを脱保護するにはこのTgを超える加工温度が必要になる可能性があるが、これは画像の品質を低下させる恐れがある。さらに、活性化エネルギーの低い保護基を用いて分子レジストを保護した場合は、酸の拡散が低下するので、より品質の高い画像を得ることができる。したがって、分子レジストとしてにじみblurの少ないレジスト設計を適用すると、高解像度レジストが得られる筈である。基本的には、非高分子系材料を分子レジストとして使用することは、高分子系材料に伴う問題を回避するための有用な手法である可能性がある。単一分子に由来するレジストは様々な長さのポリマー鎖の混合物を含有しないので、溶解特性を含めた諸特性は均一な筈である。さらに、単一分子はサイズがはるかに小さく分子鎖の絡み合いも無いので、解像度の上昇およびライン縁部粗さの低下が可能である。本発明は、ケイ素含有材料および高分子材料を含まず、置換オリゴ糖を含む分子レジスト組成物を開示する。この置換オリゴ糖は少なくとも1個の酸開裂性-OR基で置換されており、かつこの置換オリゴ糖は2個から10個の単糖を有するレジスト組成物であって、この置換オリゴ糖中の各単糖は少なくとも3個の炭素原子を有し、この単糖はグリコシド結合で結合している。この分子レジストは、初めは水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHなどの塩基性現像液、または本質的に水からなる現像液に不溶であるが、イメージング照射およびほぼ室温周囲温度から約110°Cの露光後加熱温度に暴露すると、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHなどの塩基性現像液、または本質的に水からなる現像液に可溶になる。本発明の非高分子系でケイ素を含有しない分子レジスト組成物は、一般に、リソグラフィパターンにおいて良好な空間解像度を提供することができる。現像液が本質的にアルカリ性水溶液または水からなり、現像された分子レジスト組成物が、193nm以下例えば、157nmまたは超紫外EUV、13.5nmの波長を特徴とするイメージング放射線、あるいは約3MeVから約12MeV百万電子ボルトのエネルギーを特徴とするEビーム放射線に露光されている場合、現像された画像は120nm以下の線間隔を有することができる。本発明は、さらに、非高分子系でケイ素を含有しない分子レジスト組成物を使用して基板例えば、半導体ウェーハ上にパターンを形成する方法を開示する。この分子レジスト組成物は、一般に、i放射線感受性酸発生剤と、ii置換オリゴ糖とを含み、前記置換オリゴ糖が少なくとも1個の酸開裂性-OR基で置換されており、かつ前記置換オリゴ糖が2個から10個の単糖を有し、前記置換オリゴ糖中の各単糖が少なくとも3個の炭素原子を有し、前記単糖同士がグリコシド結合で結合しており、前記置換オリゴ糖の1個の単糖由来の少なくとも1個の残存水酸基が、エステル、-OXCOOR37、エーテル、-OR38、炭酸エステル、-OCOOR39、アセタール、-O-COR40R41H、ケタール、-O-COR42R43R44、オルトエステル、-OCOR45OR46R47、およびこれらの組合わせからなる群から選択される前記酸開裂性-OR基を有する保護基式中、Xは、1個から7個の炭素原子を有する直鎖または分岐アルキレン、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキレン、4個から20個の炭素原子を有するアルキルシクロアルキレン、4個から20個の炭素原子を有するシクロアルキルアルキレン、およびこれらの組合わせからなる群から選択される連結基であり;R37~R39は、それぞれ、第三級炭素結合点を有するヒドロカルビル置換基但し、R39はt-ブチル基ではないからなる群から選択され;かつR40~R47は、それぞれ独立に、水素、1個から6個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有する分岐アルキル基、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化分岐アルキル基、および3個から17個の炭素原子を有するフッ化シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、アルケニル基、アルカルケニル基、およびアルケニルアルキル基、アルキニル基、アルカルキニル基、アルキニルアルキル基、トリフルオロプロピル基、シアノプロピル基、アクリロイル基、アリールアクリロイル基、アクリロイルアリール基、アルキルアシル基、アリールアシル基、アルキレニルアシル基、およびアルキニルアシル基からなる群から選択され;かつ同一分子中のR40~R47の任意の2つは結合して3員環基ないし8員環基を形成していてもよいで置換されている。前記酸開裂性-OR基としては、構造式:を挙げることができ、式中、R1、R2、...R36R1~R36は、それぞれ独立に、水素、1個から6個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有する分岐アルキル基、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化分岐アルキル基、および3個から17個の炭素原子を有するフッ化シクロアルキル基からなる群から選択される。ある実施形態においては、R1~R36は、それぞれ独立に、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、アルキルシクロアルキル、シクロアルキルアルキル、ビシクロアルキル基、アルケニル基、アルカルケニル基、およびアルケニルアルキル基、アルキニル基、アルカルキニル基、アルキニルアルキル基、トリフルオロプロピル基、シアノプロピル基、アクリロイル基、アリールアクリロイル基、アクリロイルアリール基、アルキルアシル基、アリールアシル基、アルキレニルアシル基、およびアルキニルアシル基からなる群から選択され;かつ同一分子中のR1~R36の任意の2つは結合して3員環基ないし8員環基を形成していてもよい。酸開裂性-OR基の非限定的な例は、1-エトキシエチル基、1-プロポキシエチル基、1-n-ブトキシエチル基、1-イソブトキシ-エチル基、1-t-ブチルオキシエチル基、および1-t-アミロキシエチル基などの直鎖または分岐鎖アセタール基;ならびにテトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、および2-メトキシテトラヒドロ-ピラニル基などの環状アセタール基である。下記構造式IXからXIは、本発明の分子レジスト組成物において使用することができる、その他の酸開裂性-OR基の非限定的な例である。ある実施形態においては、単糖は、それぞれ、ペントース、ヘキソースおよびこれらの組合わせからなる群から選択される。ある実施形態においては、単糖の炭素原子数は同じであり、各単糖における炭素原子数は3以上である。ある実施形態においては、置換オリゴ糖の分子量は4000ダルトン未満であり、好ましくは2000ダルトン未満である。ある実施形態においては、置換オリゴ糖は、少なくとも1個の酸開裂性-OR基で置換されており、2個から10個の単糖を有し、下記の環状の式VII:によって表すことができる。式中、親鎖の炭素原子に番号を付けるIUPACナンバリングシステムに従って、1つの単糖の炭素原子C1、C2、C3、...C6は、1、2、3、...6と示され、別の単糖の炭素原子C1’、C2’、C3’、...C6’は、1’、2’、3’、...6’と示されている。また、式中、nは1から9の正の整数である。上記の式VIIは、酸開裂性-OR基を有する環状置換オリゴ糖のすべての立体異性体およびラセミ体を表す。上記の式VIIにおいては、単糖単位はグリコシド結合によって結合している。グリコシド結合は、1つの単糖のC1ともう1つの単糖のC2’、C3’、C4’、およびC6’のいずれか1つとの間に形成することができる、という点にも注意が必要である。下記の式VIIB:は上記の式VIIのn=2の場合の異性体を示す。ここではグリコシド結合は、第1の単糖のC6と第2の単糖のC1’との間に形成されている。この場合も、第1の単糖のC1と第2の単糖のC4’との間にグリコシド結合が形成されている。別法として、ある実施形態においては、少なくとも1個の酸開裂性-OR基で置換されており、かつ2個から10個の単糖を有する置換オリゴ糖は、下記の直鎖状の式VIII:式中、mは2から10の正の整数であるによって表すことができる。上記の式VIIIは、少なくとも1個の酸開裂性-OR基で置換されており、かつ2個から10個の単糖を有する直鎖置換オリゴ糖のすべての立体異性体およびラセミ体を表す。上記の式VIIIにおいては、単糖単位はグリコシド結合によって結合している。グリコシド結合は、上記の式VIIIによって表される単糖のC1ともう1つの単糖のC2、C3、C4、およびC6のいずれか1つとの間に形成することができる、という点にも注意が必要である。下記の式VIIIB:は上記の式VIIIのm=2の場合の異性体を示す。ここではグリコシド結合は、第1の単糖のC1と第2の単糖のC6’との間に形成されている。少なくとも1個の酸開裂性-OR基で置換されている置換オリゴ糖は、2個から10個の単糖を有する。ある実施形態においては、この2個から10個の単糖は、環状置換オリゴ糖例えば、β-シクロデキストリン、下記の式VIIAまたは直鎖置換オリゴ糖例えば、D-セロビオース、下記の式VIIIAとすることができる。別法として、2個から10個の単糖は、少なくとも3個の炭素原子を有する2個から10個のケトースまたはアルドースとすることができる。ある実施形態においては、2個から10個の単糖は、2個から10個のフラノース、ペントースまたはヘキソースとすることができる。にじみの少ない分子レジストの開発は、所定の分子量を有する置換オリゴ糖をベースとする。この置換オリゴ糖は、加水分解すると単糖分子を生じる炭水化物であってもよい。単糖は、さらに加水分解されることはなく、アルデヒド基アルドースまたはケト基ケトースを含有する。単糖は、炭素原子数に応じて、トリオース炭素3個、テトロース炭素4個、ペントース炭素5個、ヘキソース炭素6個などとして知られている。天然の単糖の大部分はペントースまたはヘキソースである。アルデヒド基を有するヘキソースはアルドヘキソースと呼ぶことができる。同様に、ケト基を有するペントースはケトペントースと呼ぶことができる。上記のVIIAおよびVIIIAなどのオリゴ糖は、市販されており、安価であり、生分解性であるから、分子レジストの開発には魅力的な出発材料でありうる。下記の反応1および2は、レジスト設計の実施形態を示す。下記の反応1は、酸開裂性-OR基を有する、保護されたオリゴ糖VIIIの形成を示す。反応1において、式XIで表されるオリゴ糖の水酸基は、下記の実施例1~3で説明する酸触媒合成法を用いて、酸開裂性-OR基で置換されている。この酸は、下記の実施例1~3に示すように、トルエンスルホン酸などのエーテル形成触媒となる任意の適当な酸とすることができる。反応1:保護されたオリゴ糖VIIIの形成反応2においては、下記の実施例5および6に示すように、2個から10個の単糖のアルコール基を容易に脱保護することができる。この脱保護は活性化エネルギーが低いからである。前記の低活性化エネルギーが得られるのは、少なくとも1つの酸開裂性-OR基で置換されており、2個から10個の単糖を有する置換オリゴ糖を、下記の実施例5および6に示すように、イメージング放射線およびほぼ室温から約110°Cの露光後加熱温度に暴露することによって生じる酸の存在下で容易に脱保護することができるからである。ある実施形態においては、前記容易に酸開裂しうる-OR基は、それぞれ、エステル、-OXCOOR37、エーテル、-OR38、炭酸エステル、-OCOOR39、アセタール、-O-COR40R41H、ケタール、-O-COR42R43R44、オルトエステル、-OCOR45OR46R47、およびこれらの組合わせからなる群から選択される。式中、Xは、それぞれ、1個から7個の炭素原子を有する直鎖または分岐アルキレン、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキレン、4個から20個の炭素原子を有するアルキルシクロアルキレン、4個から20個の炭素原子を有するシクロアルキルアルキレン、およびこれらの組合わせからなる群から選択される連結基であり;R37~R39は、それぞれ、第三級炭素結合点を有するヒドロカルビル置換基但し、R39はt-ブチル基ではないからなる群から選択され;かつR40~R47のいずれか1つは水素であるか、あるいはR40~R47はそれぞれ独立に、第一級、第二級または第三級炭素結合点を有し、1個から6個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有する分岐アルキル基、3個から17個の炭素原子を有するシクロアルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化直鎖アルキル基、2個から12個の炭素原子を有するフッ化分岐アルキル基、および3個から17個の炭素原子を有するフッ化シクロアルキル基からなるヒドロカルビル置換基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、アルケニル基、アルカルケニル基、およびアルケニルアルキル基、アルキニル基、アルカルキニル基、アルキニルアルキル基、トリフルオロプロピル基、シアノプロピル基、アクリロイル基、アリールアクリロイル基、アクリロイルアリール基、アルキルアシル基、アリールアシル基、アルキレニルアシル基、およびアルキニルアシル基の群から選択され;かつ同一分子中のR40~R47の任意の2つは結合して3員環基ないし8員環基を形成していてもよい。オリゴ糖のアルコール基は、ほぼ室温から約110°Cの露光後加熱によって容易に復元restoreすることができるので、下記の反応2に示すように、かつ下記の実施例5~6で例証するように、置換オリゴ糖の保護基は容易に脱保護することができ、前記脱保護の活性化エネルギーは低いことが見出されている。反応2:オリゴ糖IXの脱保護、溶解度変化について提案されたメカニズム2個から10個の単糖を有する上記の式Xで表される保護されていないオリゴ糖とは異なり、置換オリゴ糖は大部分の有機溶媒に容易に溶解する。光酸発生剤PAGと配合されると、少なくとも1個の酸開裂性-OR基を有する置換オリゴ糖はポジ型レジストとしての機能を果たす。露光および露光後加熱を行うと、露光した領域は水性塩基性現像液に可溶になり、本質的に水からなる現像液にも可溶になる。上記の反応2は、この溶解度変化について提案されたメカニズムを示すものである。この反応で酸開裂性-OR基は光酸の存在で脱保護され、同時に、グリコシド結合を介して結合されている置換オリゴ糖分子は、より小さなおそらく単糖単位に分解する。これが、水性塩基性現像液または水水が現像液である場合への露光領域の溶解をもたらす。この水現像は、これら非高分子系レジスト材料の魅力的な新規な属性である。さらに、現像液が本質的に水からなる場合、120nm以下のライン/間隔を有する像が現像されることが実証されている。これは高分子系レジストでは不可能であった。式VIIおよびVIIAによって表される実施形態においては、炭素原子6個を有する7個の単糖はグリコシド結合によって結合されている。式VIIIおよびVIIIAによって表される実施形態においては、炭素原子6個を有する2個の単糖はグリコシド結合によって結合されている。式VII、VIIA、VIII、およびVIIIAにおいては、グリコシド結合は、置換オリゴ糖の第1の単糖のC4と、もう1つの単糖のC1との間に形成されている。あるいは、グリコシド結合を、第1の単糖のC2、C3、またはC6と、もう1つの単糖のC1との間に形成することもできる。アルキル基という用語は、直鎖アルキル基および分岐アルキル基の両方を示すものである。直鎖アルキル基および分岐アルキル基には、約1個から約22個の炭素原子を有するものが含まれる。直鎖アルキル基および分岐アルキル基としては、とりわけ、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基が挙げられる。アリール基としては、とりわけ、フェニル基、アントリル基およびフェナントリル基が挙げられる。アラルキル基には、約7個から約14個の炭素原子を有するものが含まれる。アラルキル基としては、とりわけ、ベンジル基、フェニルブチル基、フェニルプロピル基、フェニルエチル基およびフェニルアリル基が挙げられる。アルカリル基としては、とりわけ、トリル基およびクミル基が挙げられる。シクロアルキル基およびビシクロアルキル基は、それぞれ、約3個から約12個の環になった炭素原子を含み、かつ合計約50個以下の炭素原子を含む。シクロアルキル基としては、とりわけ、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、およびシクロヘプチル基が挙げられる。ビシクロアルキル基としては、とりわけ、ノルボルニルが挙げられる。アルケニル基としては、とりわけ、エテニル基、ブテニル基およびプロパルギル基が挙げられる。アルケニルアルキル基としては、とりわけ、アリル基が挙げられる。アルキルアルケニル基としては、とりわけ、4-メチル-3-ブテニルが挙げられる。アルケニルフェニル基としては、とりわけ、ビニルフェニル基が挙げられる。アリールアルケニル基としては、とりわけ、スチリル基が挙げられる。アルキニル基としては、とりわけ、エチニル基が挙げられる。アルキニルアルキル基としては、とりわけ、プロパルギル基が挙げられる。アルキルアルキニル基としては、とりわけ、4-メチル-3-ブチニル基が挙げられる。アクリロイル基としては、とりわけ、アクリロイル基およびメタクリロイル基が挙げられる。アリールアクリロイル基としては、とりわけ、フェニルアクリロイル基が挙げられる。アクリロイルアリール基としては、とりわけ、アクリロイルフェニル基およびメタクリロイルフェニル基が挙げられる。アシル基およびアルキルアシル基としては、とりわけ、ホルミル、アセチル、プロパノイル、ブタノイル、ペンタノイル、ヘキサノイル、ヘプタノイル、オクタノイル、イソプロパノイル、イソブタノイル、イソペンタノイル、ネオペンタノイル、2-メチルペンタノイル、3-メチルペンタノイル、2-メチルヘキサノイル、3-メチルヘキサノイル、t-ブタノイルが挙げられる。アリールアシル基としては、とりわけ、フェニルアセチル、アントリルアセチル、フェナントリルアセチルが挙げられる。アルケニルアシル基としては、とりわけ、アクリロイルおよびメタクリロイルが挙げられる。アルキニルアシル基としては、とりわけ、プロピノイル、ブチノイル、ペンチノイルおよびヘキシノイルが挙げられる。所定の波長を特徴とするイメージング放射線に分子レジスト組成物を露光すると、酸発生剤によって酸が発生する。分子レジストをイメージング放射線に露光する前は、レジストポリマーは水性塩基性現像液または水に不溶である。発生した酸が、酸開裂性-OR基を有するオリゴ糖但し、この置換オリゴ糖は2個から10個の単糖を有し;この置換オリゴ糖における単糖は、それぞれ、少なくとも3個の炭素原子を有し;この単糖はグリコシド結合によって結合されており;かつ前記置換オリゴ糖の1個の単糖由来の少なくとも1個の残存水酸基からなる水酸基は、少なくとも1個の酸開裂性-OR基によって置換されており;このR基は、酸開裂性エステル、酸開裂性オリゴマーエステル、酸開裂性エーテル、酸開裂性炭酸エステル、酸開裂性アセタール、酸開裂性ケタール、および酸開裂性オルトエステルならびにこれらの組合わせからなる群から選択され;かつこれらの酸開裂性-OR基はt-ブチルカーボネートではないとの化学反応を促進し、現像液に可溶な反応生成物を発生させる。本発明の分子レジストは、ポジ型の作用を果たすことができ、いわゆる解像度のにじみを生じることがない。何故なら、これらの材料では酸開裂性-OR基を外す化学反応はほぼ室温周囲温度から約110°Cという著しく低い温度で行われ、その結果処理温度を下げることができるので光酸の拡散効果が回避できるからであるにじみの少ないレジスト設計。光酸の拡散は有害である。何故なら、光酸がレジストの非露光部分に拡散すると、このレジストの非露光部分の酸開裂性-OR基を取外してしまう。このレジストの非露光部分の酸開裂性-OR基が取外されると、解像度のにじみが生じる恐れがある。何故なら、このレジストの非露光部分の酸開裂性-OR基の取外しは、フォトリソグラフィ法の現像工程においてこれらの非露光部分を現像することになるからである。したがって、酸開裂性-OR基を外す化学反応が著しく低い温度で起るので光酸の拡散効果を回避することができ、本発明の分子レジストは、193nm以下例えば、157nmのイメージング放射線波長を用いたフォトリソグラフィ用途において優れた空間解像度を提供する。現像液が本質的に塩基性水溶液または水からなり、現像された分子レジスト組成物が、193nm以下例えば、157nmまたはEUV、13.5nmの波長を特徴とするイメージング放射線、あるいは約3MeVから約12MeV百万電子ボルトのエネルギーを特徴とするEビーム放射線に露光されている場合、分子レジストの吸光度は0.21/ミクロン未満193nmの波長でであり、現像された画像は120nm以下の線間隔を有することができる。本発明の分子レジストはまた、193nmを超える例えば、248nmのイメージング放射線波長を用いたフォトリソグラフィ用途においても優れた空間解像度を提供する。様々な代表的実施形態において、光酸発生剤としても知られている放射線感受性酸発生剤を、本発明の分子レジスト組成物で使用することができる。これらの光酸発生剤は、放射線に露光すると酸を発生する化合物である。様々な代表的実施形態において、上記の本発明の分子レジスト組成物と、選択された光酸発生剤との混合物が有機溶媒に十分溶解し、得られる溶液がスピンコーティングなどの成膜法によって均一な膜を形成する限り、任意の好適な光酸発生剤を使用することができる。当分野の技術者には明らかなように、本発明の様々な代表的実施形態において以下に実例を挙げた種類の光酸発生剤を使用することができる。本分子レジストに混ぜるどんなPAGも、露光前の処理時に劣化しないように、熱安定性が高い、即ち少なくとも140°Cまで安定であることが望ましい。本発明の分子レジスト組成物には、多くの好適な光酸発生剤の任意の1種または複数種を使用することができる。典型的な光酸発生剤として以下が挙げられるが、それだけに限らない:1トリフェニルスルホニウム=ペルフルオロメタンスルホナートトリフェニルスルホニウム=トリフラート、トリフェニルスルホニウム=ペルフルオロブタンスルホナート、トリフェニルスルホニウム=ペルフルオロペンタンスルホナート、トリフェニルスルホニウム=ペルフルオロオクタンスルホナート、トリフェニルスルホニウム=ヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウム=ヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウム=ヘキサフルオロホスフェート、臭化トリフェニルスルホニウム、塩化トリフェニルスルホニウム、ヨウ化トリフェニルスルホニウム、2,4,6-トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム=ペルフルオロブタンスルホナート、2,4,6-トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム=ベンゼンスルホナート、トリスt-ブチルフェニルスルホニウム=ペルフルオロオクタンスルホナート、塩化ジフェニルエチルスルホニウム、および塩化フェナシルジメチルスルホニウムなどのスルホニウム塩;2ハロニウム塩、特に、ジフェニルヨードニウム=ペルフルオロメタンスルホナートジフェニルヨードニウム=トリフラート、ジフェニルヨードニウム=ペルフルオロブタンスルホナート、ジフェニルヨードニウム=ペルフルオロペンタンスルホナート、ジフェニルヨードニウム=ペルフルオロオクタンスルホナート、ジフェニルヨードニウム=ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウム=ヘキサフルオロアルセナート、ジフェニルヨードニウム=ビス-t-ブチルフェニルヨードニウム=トリフラート、およびビス-ジ-t-ブチルフェニルヨードニウム=カンファニルスルホナートを含むヨードニウム塩;3ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、メチルスルホニルp-トルエンスルホニルジアゾメタン、1-シクロヘキシルスルホニル-1-1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、およびビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタンなどのα,α’-ビス-スルホニル-ジアゾメタン;4イミドおよびヒドロキシイミドのトリフルオロメタンスルホン酸エステル、例えば、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシ-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシミドMDT;52-ニトロベンジルp-トルエンスルホナート、2,6-ジニトロベンジルp-トルエンスルホナート、および2,4-ジニトロベンジルp-トリフルオロメチルベンゼンスルホネートなどのニトロベンジルスルホン酸エステル;6N-カンファスルホニルオキシナフタルイミドおよびN-ペンタフルオロフェニルスルホニルオキシナフタルイミドなどのスルホニルオキシナフタルイミド;7ピロガロール誘導体例えば、ピロガロールのトリメシラート;8ナフトキノン-4-ジアジド;9アルキルジスルホン;10s-トリアジン誘導体;ならびに11t-ブチルフェニル-α-p-トルエンスルホニルオキシ-アセタート、t-ブチル-α-p-トルエンスルホニルオキシアセタート、N-ヒドロキシ-ナフタルイミド=ドデカンスルホナートDDSN、およびベンゾイントシラートを含めたその他のスルホン酸発生剤。高解像度能のために酸拡散ができるだけ小さくなるように、光酸発生剤は、放射線への露光時に嵩高いbulky酸を発生することができる。こうした嵩高い酸は少なくとも4個の炭素原子を含む。本発明において使用することができる好ましい光酸発生剤は、ヨードニウム塩もしくはスルホニウム塩などのオニウム塩、またはスクシンイミド誘導体あるいはその両方である。本発明の様々な代表的実施形態において、本発明の好ましい光酸発生剤構造体の例としては、とりわけ、少なくとも以下の1種が挙げられる:4-1-ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウム=ペルフルオロブタンスルホナート、トリフェニルスルホニウム=ペルフルオロブタンスルホナート、t-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=ペルフルオロブタンスルホナート、4-1-ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウム=ペルフルオロオクタンスルホナート、トリフェニルスルホニウム=ペルフルオロオクタンスルホナート、t-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=ペルフルオロオクタンスルホナート、ジt-ブチルフェニルヨードニウム=ペルフルオロブタンスルホナート、ジt-ブチルフェニルヨードニウム=ペルフルオロヘキサンスルホナート、ジt-ブチルフェニルヨードニウム=ペルフルオロエチルシクロヘキサンスルホナート、ジt-ブチルフェニルヨードニウム=カンファスルホナート、およびペルフルオロブチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]-ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシミド。上記の光酸発生剤はどれも単独または2種以上の混合物で使用することができる。分子レジストのパターン化に用いられる放射線に応じて、特定の光酸発生剤を選択する。現在、光酸発生剤は可視領域からX線領域までの様々な波長の光に利用することができる。したがって、分子レジストのイメージングは、遠紫外、超紫外、Eビーム、レーザー、または有用と思われるその他任意の選択された放射線源を用いて行うことができる。本発明の分子レジスト組成物で用いられる失活剤は、ポジ型分子レジストの性能に過大な影響を及ぼさないようにして、微量の酸を捕捉する弱塩基を含むことができる。こうした失活剤の具体的な例としては、2-フェニルベンズイミダゾールなどの芳香族もしくは脂肪族アミン、またはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドTBAHなどのテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを挙げることができる。レジスト組成物の残りの成分は溶媒からなるが、必要に応じてまたは所望により、さらに、染料、増感剤、安定剤および酸拡散制御剤として用いられる添加剤、界面活性剤または消泡剤などのコーティング助剤、接着促進剤ならびに可塑剤などの一般的な添加剤を含むこともできる。溶媒の選択は、レジスト成分の溶解度および混和性、コーティング方法、ならびに安全性および環境規制に限らず、多くの要因で決められる。さらに、他のレジスト成分に対して不活性であることが望ましい。膜が均一に塗布され、かつ塗布後の加熱工程において残存溶媒が大幅に低下し、または完全に除去されるように、溶媒が適切な揮発性を有することも望ましい。本発明の様々な代表的実施形態の分子レジスト組成物において、当分野の技術者に周知の溶媒を使用することができる。こうした溶媒を用いて、レジストポリマー、添加剤、および分子レジスト組成物の他の成分を溶解することができる。こうした溶媒の具体的な例としては、それだけに限らないが、エーテル、グリコールエーテル、芳香族炭化水素、ケトン、エステルなどを挙げることができる。好ましい溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、乳酸エチル、γ-ブチロラクトン、およびシクロヘキサノンが挙げられる。これらの溶媒はどれも単独または2種以上の混合物で使用することができる。上記成分に加えて、一般に本明細書の分子レジスト組成物は、組成物全体を基板表面上に均一に塗布して欠陥のない塗膜が得られるように、他の成分を溶解するためのキャスティング溶媒を含む。多層イメージング法においてこの分子レジスト組成物を使用する場合は、イメージング層の分子レジストに使用される溶媒は、下層の材料に対する溶媒ではないことが好ましい。さもないと望ましくない混じり合いが起る可能性がある。本発明は、どんな特定の溶媒の選択にも限定されない。一般に好適なキャスティング溶媒は、エーテル-、エステル-、ヒドロキシル-、およびケトン-含有化合物、またはこれらの化合物の混合物から選択することができる。適切な溶媒の例としては、二酸化炭素、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-エトキシプロピオン酸エチルEEP、EEPとγ-ブチロラクトンGBLの組合わせ、乳酸エチルなどの乳酸エステル、PGMEAなどのアルキレングリコールアルキルエーテルエステル、メチルセロソルブなどのアルキレングリコールモノアルキルエステル、酢酸ブチル、および2-エトキシエタノールが挙げられる。好ましい溶媒としては、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセタート、3-エトキシプロピオン酸エチルおよびこれらの混合物が挙げられる。上記の溶媒リストは例示のみを目的としており、包括的なものと見なすべきではない。また、溶媒の選択は決して本発明を限定するものと見なすべきでない。当分野の技術者は、任意の数の溶媒もしくは溶媒混合物を使用することができることを理解するであろう。通常、レジスト配合物の質量全体の50パーセント超、好ましくは80パーセント超が溶媒から構成されている。その他の一般の添加剤としては、配合されたレジストの光学濃度を調整するために使用することができる染料と、放射線を吸収しこれを光酸発生剤に伝達することによって光酸発生剤の活性を高める増感剤とが挙げられる。例としては、官能化ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、ビフェニレン、インデン、ナフタレン、アントラセン、クマリン、アントラキノン、その他の芳香族ケトン、ならびに上記いずれかの誘導体および類似物などの芳香族が挙げられる。安定剤および酸拡散制御添加剤として、塩基度の異なる様々な化合物を使用することができる。これらの化合物としては、脂肪族第一級、第二級および第三級アミン、ピペリジン、ピリミジン、モルホリンなどの環状アミン、ピリジン、ピリミジン、プリンなどの芳香族複素環、ジアザビシクロウンデセンなどのイミン、グアニジン、イミド、アミド他などの窒素化合物を挙げることができる。ヒドロキシド、フェノラート、カルボキシレート、アリールおよびアルキルスルホナート、スルホンアミド他を含めたアルコキシドのアンモニウム、第一級、第二級、第三級および第四級アルキル-およびアリールアンモニウム塩を含め、アンモニウム塩も使用することができる。ヒドロキシドを含めたアルコキシド、フェノラート、カルボキシレート、アリールおよびアルキルスルホナート、スルホンアミド他などのアニオンと、ピリジニウムおよび他の複素環窒素化合物との塩を含めた、その他のカチオン性窒素化合物も使用することができる。界面活性剤を使用して塗膜の均一性を改良することができる。界面活性剤としては、様々なイオン性、非イオン性、モノマー、オリゴマーおよびポリマーの種が挙げられる。同様に、様々な消泡剤を使用して塗膜の欠陥を抑制することができる。接着促進剤も使用することができる。この場合も、様々な化合物を使用してこの機能を果たすことができる。所望により、オリゴ-およびポリエチレングリコールエーテル、脂環式エステルおよび非酸反応性ステロイド誘導物質などの様々なモノマー、オリゴマーおよびポリマー可塑剤を可塑剤として使用することができる。しかしながら、上述した化合物の種類も特定の化合物も、包括的であることまたは限定することあるいはその両方を意図するものではない。当分野の技術者は、この幅広い市販製品を使用して、これらの一般的な添加剤が果たす種々の機能が得られることを理解するであろう。通常、すべての一般的添加剤の合計は、レジスト配合物に含まれる固形分の20パーセント未満、好ましくは5パーセント未満を構成する。本発明のレジスト組成物は、通常の方法を用いて、酸開裂性-OR基を有するオリゴ糖と、放射線感受性酸発生剤と、その他任意の所望する成分とを組合わせることによって調製することができる。リソグラフィ法で使用されるレジスト組成物は、大量の溶媒を含むであろう。本発明のレジスト組成物は、半導体基板上に集積回路を製造するのに用いられるリソグラフィ法に特に有用である。このレジスト組成物は、193nm未満例えば、157nmの紫外UV線を用いたリソグラフィ法に特に有用である。他の放射線例えば、X線またはEビームの使用が望ましい場合は、適切な染料または増感剤を組成物に添加することによって本発明の組成物を必要に応じ調整することができる。基板例えば、半導体基板をパターン化するために、本発明のレジスト組成物をリソグラフィにおいて使用することについて以下に説明する。一般にリソグラフィ用途では、基板例えば、半導体基板、セラミック基板、有機基板など上の材料層へのパターンの転写を伴う。基板上の材料層は、半導体層例えば、ケイ素、ゲルマニウムなど、導電体層例えば、銅、誘電体層例えば、二酸化ケイ素、または製造方法の段階および最終製品用に定めた所望の材料に応じたその他の層とすることができる。用途によっては、レジスト層を塗布する前に、この材料層の上に反射防止コーティングARCを塗布する。このARC層は、本発明の分子レジストと適合しうる任意の通常のARCとすることができる。この溶媒含有分子レジスト組成物は、とりわけスピンコーティングまたはその他の技法を用いて所望の基板に塗布することができる。レジストコーティングを有する基板を加熱即ち、露光前加熱して溶媒を除去し、レジスト層の密着性を改良することができる。厚さが本質的に均一であり、下にある基板材料層にリソグラフィパターンを転写するためのその後の処理例えば、反応性イオンエッチングにレジスト層が持ちこたえるのに十分な厚さであれば、この塗布層の厚さを薄くすることができる。露光加熱工程は、約10秒から15分行うことが好ましく、約15秒から1分がより好ましい。溶媒を除去した後、次いでレジスト層を所望の放射線例えば、193nmまたは157nmの紫外線にパターン露光する。電子線などの走査粒子ビームを用いる場合、基板の端から端までビームを走査させ、所望のパターンでビームを選択的に当てることによってパターン露光を行うことができる。193nmまたは157nmの紫外線などの波動電磁放射線の形態を用いる場合は、レジスト層の上に置かれたマスクを通過させてパターン露光を行うことができる。マスクは、マスクの第1の部分が放射線に透明であり、マスクの第2の部分が放射線に不透明であるようにパターン化されている。したがって、放射線に露光された基板上の分子レジストコーティングは、マスクのパターンを反映した露光パターンを有する。193nmの紫外線では、総露光エネルギーは、約100ミリジュール/cm2以下であることが好ましく、約50ミリジュール/cm2以下例えば、15~30ミリジュール/cm2であることがより好ましい。所望のパターン露光の後、レジスト層を加熱して酸触媒反応をさらに完了させ、露光パターンのコントラストを高めることができる。ほぼ室温約30°Cから約110°Cの温度で露光後加熱を行うことができる。露光後加熱は、約15秒から約5分間行うことができる。露光後加熱の後、放射線に露光されたレジスト領域を選択的に溶解する水性塩基性現像液にレジスト層を接触させることによって、所望のパターンを有するレジスト構造が得られる。本発明のレジスト組成物は、通常の0.26N塩基性水溶液を用いて現像することができる。本発明のレジスト組成物は、0.14Nまたは0.21Nまたはその他の塩基性水溶液を用いて現像することもできる。別法として、本発明のレジスト組成物は、本質的に水からなる現像液で溶解することもできる。基板上に得られるレジスト構造を乾燥して残存現像液を除去することができる。一般に本発明のレジスト組成物は、そのレジスト構造生成物が高い耐エッチング性を有することを特徴とする。場合により、当技術分野で公知の方法を用いたシリル化後の技法を用いてレジスト構造の耐エッチング性をさらに高めることもできる。次いで、レジスト構造からのパターンを、下にある基板の材料例えば、誘電体、導電体、または半導体に転写することができる。この転写は、反応性イオンエッチングまたは他の何らかのエッチング技法例えば、化学エッチングによって行うことができる。反応性イオンエッチングという状況においては、レジスト層の耐エッチング性が重要になることがある。したがって、本発明の組成物および得られるレジスト構造を用いて、集積回路素子の設計において使用することができる金属配線ライン、接点またはバイア用の孔、絶縁部例えば、ダマシントレンチまたはシャロートレンチアイソレーション、キャパシタ構造用のトレンチなどのパターン化された材料層構造を作ることができる。一般に、これらセラミック、導体、または半導体の特徴を作製する方法は、パターン化すべき基板の材料層または部分を準備するステップと、この材料層または部分の上にレジスト層を塗布するステップと、このレジストを放射線にパターン露光するステップと、露光したレジストを溶媒と接触させることによってこのパターンを現像するステップと、レジスト層の下にある層のパターン内の空間をエッチングしてパターン化材料層または基板部分を形成するステップと、残存するレジストを基板から除去するステップとを含む。場合により、レジスト層の下にハードマスクを用いて、さらに下にある材料層または部分へのパターンの転写を促進させることもできる。本発明はどんな特定のリソグラフィ法または素子構造にも限定されないことを理解されたい。図1~6は、本発明の実施形態に従って、分子レジストを用いたフォトリソグラフィを使用して基板をパターン化する方法を示す図である。図1は、パターン化すべき材料層14と残りの層12とを含む基板10を示す。図2は、材料層14上に分子レジスト層16が形成された後の図1を示す。分子レジスト層16は、酸発生剤と酸開裂性-OR基を有するオリゴ糖とを含む、本発明の分子レジスト組成物を含む。この分子レジスト組成物は、図3に関連して以下に説明するイメージング放射線への露光前は、水性塩基性現像液または本質的に水からなる現像液に不溶である。図3は、図2において放射線源20がマスク8の透明部分8Bおよび8Dを通してイメージング放射線22を放出している様子を示す。放射線22は、とりわけ193nm以下例えば、157nmなどの波長が特徴である。放射線22は、マスク8の不透明部分8A、8Cおよび8Eを通過しない。マスク8の透明部分8Bおよび8Dを透過した放射線22は、マスク8の前記透明部分の直下にある分子レジスト層16の部分16Bおよび16Dに当たる。放射線22は分子レジスト層16の部分16Bおよび16Dの酸発生剤に酸を発生させる。次にこの酸が、分子レジスト組成物中のオリゴ糖の酸開裂性-OR基の脱保護を引き起こし、これにより現像液に可溶な反応生成物を発生させる。したがって、放射線22への露光後、分子レジスト層16の露光部分16Bおよび16Dは現像液に可溶であるが、分子レジスト層16の非露光部分16A、16Cおよび16Eは現像液に不溶である。図4は、分子レジスト層16に対して現像液が適用され、したがって分子レジスト層16の露光部分16Bおよび16Dが現像により除去されて、分子レジスト層16にそれぞれボイド30Bおよび30Dが生成した後の図3を示す。図5は、材料層14が、ボイド30Bおよび30Dを通して反応性イオンエッチングまたはケミカルエッチングなどによりエッチングされ、材料層14内にそれぞれブラインドバイア40Bおよび40Dが形成された後の図4を示す。材料層14の非エッチング部分14A、14Cおよび14Eは、材料層14内のブラインドバイア40Bおよび40Dと共に、材料層14にパターンを形成する。材料層14の前記パターンは、図3のマスク8の透明部分および不透明部分のパターンを反映している。図6は、分子レジスト層16が除去された後の図5を示す。α-アンゲリカラクトンで保護されたβ-シクロデキストリン式VII、但し、n=6および-OR=-OALの合成実施例1においては、本発明の式VII但し、n=6および-OR=-OALで表される分子レジスト組成物を合成した。β-シクロデキストリン水和物Aldrich6.6gを、磁気撹拌棒を備えた100ml丸底フラスコに仕込み、120°Cで24時間、真空炉内で加熱した。得られた無水物5.75g、0.005モルを窒素下に室温まで冷却し、α-アンゲリカラクトン19.50g、0.200モルおよび無水テトラヒドロフランTHF18mlを加えた。この混合物にp-トルエンスルホン酸一水和物200mgを加え、得られた混合物を加熱して、窒素下に撹拌しながら緩やかに還流させた。18時間後、この溶液を室温まで冷却し、濃水酸化アンモニウム0.2mlでクエンチした。焼結フィルター漏斗を通してこの溶液を濾過し、脱イオン水500mlと濃水酸化アンモニウム5mlとの混合物に滴下した。析出した物質を、微細焼結フィルターを介して濾過し、45°Cで48時間真空下に乾燥した。式VII但し、n=6および-OR=-OALで表される分子レジスト組成物の収量は4.4グラムであった。IRスペクトルの3000~3500cm-1に吸収が存在しないことによって、OHがORで完全に置換されていることが判明した。分子レジスト組成物VII但し、n=6および-OR=-OALのガラス転移温度Tgは88°Cであった。α-アンゲリカラクトンで保護されたD-セロビオース式VIII、但し、m=2および-OR=-OALの合成実施例2においては、本発明の式VIII但し、m=2および-OR=-OALで表される分子レジスト組成物を合成した。D-セロビオース、VIIIA3.42g、0.01モル、α-アンゲリカラクトン、XIII15.70g、0.16モルおよび無水テトラヒドロフランTHF30mlを、磁気撹拌棒を備えた100ml丸底フラスコに仕込んだ。この混合物にp-トルエンスルホン酸一水和物150mgを加え、得られた混合物を加熱して、窒素下に撹拌しながら緩やかに還流させた。10時間後、この溶液を室温まで冷却し、濃水酸化アンモニウム0.2mlでクエンチした。焼結フィルター漏斗を通してこの溶液を濾過し、脱イオン水800mlと濃水酸化アンモニウム8mlとの混合物に滴下した。析出した物質を、微細焼結フィルターを介して濾過し、45°Cで18時間真空下に乾燥した。式VIII但し、m=2および-OR=-OALで表される分子レジスト組成物の収量は5.4グラムであった。式VIII但し、m=2および-OR=-OALで表される分子レジスト組成物のガラス転移温度Tgは85°Cであった。3,4-ジヒドロ-2H-ピランで保護されたβ-シクロデキストリン式VII、但し-OR=-OPyrの合成実施例3においては、式VII但し、n=6および-OR=-OPyrで表される置換オリゴ糖を合成した。β-シクロデキストリン水和物、VIIAAldrich6.6gを、磁気撹拌棒を備えた100ml丸底フラスコに仕込み、120°Cで24時間、真空炉内で加熱した。得られた無水物質5.75g、0.005モルを窒素下に室温まで冷却し、3,4-ジヒドロ-2H-ピラン、XIV17.66g、0.210モルおよびジクロロメタン19mlを加えた。この混合物にp-トルエンスルホン酸ピリジニウム200mgを加え、得られた混合物を加熱して、窒素下に撹拌しながら緩やかに還流させた。24時間後、この溶液を室温まで冷却し、ジクロロメタン30mlで希釈した。この溶液を100mlの脱イオン水で2回、次いで100mlのブラインで1回洗い、無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。この溶液を濾過し、ロータリーエバポレータを用いて30°Cで溶媒を除去した。次いで白色の固体を、室温で24時間、高真空下で乾燥した。式VII但し、n=6および-OR=-OPyrで表される置換オリゴ糖の収量は9.2グラムであった。式VII但し、n=6および-OR=-OPyrで表される置換オリゴ糖のガラス転移温度Tgは55°Cであった。レジスト配合物と光酸発生剤のキャスティング溶媒式XVI溶液の調製実施例4においては、式VII但し、n=6および-OR=-OALで表される置換オリゴ糖1.0グラムと、スルホニウム光酸発生剤PAG40mgとをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタートPGMEA、6グラムに溶解した。式VII但し、n=6および-OR=-OALで表される置換オリゴ糖と、スルホニウム光酸発生剤PAGをPGMEA中に含むこの溶液を0.2μmのフィルターで濾過し、本発明の置換オリゴ糖と光酸発生剤のPGMEA式XVI溶液を得た。0.263NのTMAH現像液を60秒間用いた、193nmの露光ツールを使用したリソグラフィの評価193nmでのリソグラフィ評価実験の目的で、式VII但し、n=6および-OR=-OALで表される置換オリゴ糖と、スルホニウム光酸発生剤PAGとを、実施例4の式XVIのPGMEA中に含有する分子レジスト配合物を、重量パーセントで示した下記の材料を混ぜ合わせることによって調製した。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、PGMEA85.23α-アンゲリカラクトンで保護されたβ-シクロデキストリン14.20t-ブチルジフェニルスルホニウム=ペルフルオロブタンスルホナート0.57上記の材料リストにおいて、PGMEAは溶媒、α-アンゲリカラクトンで保護されたβ-シクロデキストリン式VII、但し、n=6および-OR=-OALは置換オリゴ糖、t-ブチルジフェニルスルホニウム=ペルフルオロブタンスルホナートは酸発生剤である。ケイ素基板を、2000Åのポジ型レジスト組成物上記の実施例4で被覆した。この分子レジスト層を真空ホットプレート上において120°Cで60秒間穏やかに加熱し、厚さ約0.2μmの膜を生成した。次いで、このウェーハを193nmの放射線に露光したASMLスキャナー、0.60NA。露光パターンは、様々な寸法のラインとスペースのアレイであり、最小寸法は0.09μmであった。この露光ウェーハを、真空ホットプレート上において70~90°Cで60秒間露光後加熱した。次いでこのウェーハを、0.263NのTMAH現像液を用いて60秒間パドル現像した。次いで、得られた分子レジストイメージング層のパターンを、走査型電子顕微鏡SEMを用いて入念に調べた。0.263NのTMAH現像液を60秒間用いた場合、現像された画像は120nm以下の線間隔を有する。本質的に水からなる現像液を用いた、193nmの露光ツールを使用したリソグラフィの評価現像液として0.263NのTMAHの代わりに本質的に水からなる現像液を用いたことを除いて、上記の実施例5に記載したものと同一の手法を用いた。次いで、得られた分子レジストイメージング層のパターンを、走査型電子顕微鏡SEMを用いて入念に調べた。現像液が本質的に水からなる場合、現像された画像は120nm以下の線間隔を有する。その好ましい代表的な実施形態に関して、本発明を詳細に提示しかつ説明してきたが、当分野の技術者は、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、形および詳細において上記および他の変化を行うことができることを理解するであろう。"