"半導体材料からなる基板上に、素子分離用酸化膜を介して、ソースとドレインが形成され、該ソースとドレインの同層以上に被評価絶縁膜が形成され、該被評価絶縁膜の同層以上にゲート電極が設けられたテスト素子を用いた絶縁膜評価方法であって、前記ゲート電極に印加する電圧を変化させ、ソースドレイン間に流れる電流が所定値以上になる電圧を閾値として測定する閾値測定ステップと、前記閾値測定ステップの前に、所定時間、前記ゲート電極に一定電圧を印加するストレス電圧印加ステップと、前記ストレス電圧印加ステップにおける電圧印加が閾値に及ぼす影響を被評価絶縁膜の特性として評価する評価ステップとを備えることを特徴とする絶縁膜評価方法。前記ストレス電圧印加ステップと前記閾値測定ステップとを交互に繰り返し、前記閾値の時間変化を取得する時間変化特性取得ステップをさらに備え、前記評価ステップにおいて、前記時間変化特性に基づいて評価することを特徴とする請求項1記載の絶縁膜評価方法。前記被評価絶縁膜の材料が異なる複数のテスト素子を製作するテスト素子製作ステップと、をさらに備え、前記評価ステップにおいて、材料ごとの特性を比較することを特徴とする請求項1および2記載の絶縁膜評価方法。請求項1乃至3記載の絶縁膜評価方法に用いるテスト素子。非特許文献1記載の従来技術は、受動素子にかかるものであり、その構造にトランジスタやダイオードの様な能動素子を有していないので、絶縁膜を構成する材料が半導体素子の電気的特性に与える影響を評価することは出来ない。なお、上述の通り、評価材料毎に実際に半導体装置を試作する事は、費用や時間の点で実行が困難である。本発明は上記課題を解決しようとするものであり、ダイオードやトランジスタのような能動素子において、被評価絶縁膜が半導体素子に与える影響を容易に評価する方法および評価に用いるテスト素子を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明にかかる絶縁膜評価方法は、半導体材料からなる基板上に、素子分離用酸化膜を介して、ソースとドレインが形成され、該ソースとドレインの同層以上に被評価絶縁膜が形成され、該被評価絶縁膜の同層以上にゲート電極が設けられたテスト素子を用いた絶縁膜評価方法であって、前記ゲート電極に印加する電圧を変化させ、ソースドレイン間に流れる電流が所定値以上になる電圧を閾値として測定する閾値測定ステップと、前記閾値測定ステップの前に、所定時間、前記ゲート電極に一定電圧を印加するストレス電圧印加ステップと、前記ストレス電圧印加ステップにおける電圧印加が閾値に及ぼす影響を被評価絶縁膜の特性として評価する評価ステップとを備える。本願発明のテスト素子は、意図的に寄生MOSトランジスタを製作するものである。通常の素子に比べ、被評価絶縁膜の厚さを厚くして、被評価絶縁膜の影響が大きくなるようにしている。ゲート電極に高電圧のストレスを印加することにより、ストレス電圧印加が解除されても影響は残り、閾値は低下する。閾値低下具合を被評価絶縁膜の特性として評価する。一般に、影響が少ないほど、安定的な優れた材料であると評価できる。このように、テスト素子により容易に安定した精度の良い測定ができる。テスト素子は容易に製作できる。さらに好ましくは、前記ストレス電圧印加ステップと前記閾値測定ステップとを交互に繰り返し、前記閾値の時間変化を取得する時間変化特性取得ステップをさらに備え、前記評価ステップにおいて、前記時間変化特性に基づいて評価する。ストレス電圧印加ステップと閾値測定ステップとを交互に繰り返すことにより、印加累積時間による閾値変化を得ることができる。これにより、より詳細にストレス電圧印加が閾値に及ぼす影響を得ることができる。さらに好ましくは、前記被評価絶縁膜の材料が異なる複数のテスト素子を製作するテスト素子製作ステップと、をさらに備え、前記評価ステップにおいて、材料ごとの特性を比較する。例えば、既知材料で絶縁膜を形成したテスト素子と、新規材料で絶縁膜を形成したテスト素子とを製作し、両者の電気的特性時間変化特性を比較し、新規材料が既知材料より安定的な優れた材料であるかを評価できる。能動素子において、被評価絶縁膜が半導体素子に与える影響を容易に評価できる。本発明の実施形態に関して図に基づいて説明する。<第1実施形態>~構成~図1は第1実施形態にかかるテスト素子の断面図である。テスト素子は、P型Si基板11と、P‐well領域12と、N型拡散層13,14と、シリサイド層17,18と、金属配線21,22,40と、酸化膜31,32と、保護膜33と、絶縁膜34,35,36とを備えている。P型Si基板11にはP‐well領域12が形成され、その上にN型拡散層13,14が形成される。N型拡散層13,14の表面は高濃度不純物を含むN層15,16となっており、シリサイド層17,18NiSiとの間にオーミック接触を形成している。P型Si基板11の表面には素子分離用の厚い酸化膜31,32SiO2とが形成されている。酸化膜31,32の上に保護膜33P-SiOが形成され、保護膜33にはコンタクト孔25,26が形成され、コンタクト孔25,26には高融点金属Wが埋め込まれ、下層のシリサイド層17,18と上層の金属配線21,22をそれぞれ電気的に接続している。これにより、ソースとドレインが形成される。保護膜33の上には多層配線構造が形成される。金属配線21,22Cuが配置される絶縁膜34と、金属配線40Cuが配置される絶縁膜36の2層配線となっており、絶縁膜34と絶縁膜36との間に絶縁膜35が設けられ、3層の層間膜が形成されている。通常の素子に比べ、絶縁膜34,35,36の厚さを厚くして、絶縁膜の影響が大きくなるようにしている。本実施形態においては、ゲート電極40の電極幅Lmと酸化膜31の幅Lgの関係が、Lm<Lgとなっている。~動作~図2および図3は、本実施形態に係るテスト素子の動作を説明する図である。テスト素子の動作として、主に動作閾値測定図2参照とストレス電圧印加図3参照がある。動作閾値測定にかかる動作の一例について説明する。ソースとドレインの間に電圧を印加する例えば3V。ゲート電極40に電圧を印加しなければ、ソースとドレインの間に電流は流れない。SMUソースメジャーユニットを用いて、ゲート電極40に印加する電圧を変化させるたとえば、0~100V。ゲート電圧が低いときは、ソースとドレインの間に電流は流れないが、ゲート電圧がある値を超えると、チャネルが形成されソースとドレインの間に電流が流れ始める。さらにゲート電圧が高くなるとソースとドレインの間に流れる電流も増加する。電流値はSMUを用いて測定する。このようにI‐V特性を測定する。この時、微小な電流値例えば10nAを設定しておき、設定電流値を超えたときの印加電圧を動作閾値Vtとして取得する。ストレス電圧印加にかかる動作の一例について説明する。ソースとドレインの間に電圧を印加しない状態で、ゲート電極40に高電圧例えば160Vを印加し、この状態を所定時間継続する。一般に、ストレス電圧印加した時間に応じて、テスト素子に電荷が注入される。その後、ストレス電圧印加が解除されても、その影響は残るものと推測される。本実施形態においては、動作閾値測定およびストレス電圧印加とも周囲温度30°Cにておこなう。より短時間で結果を得たい場合には、周囲温度をより高くしてもよい。高温下では、ストレス電圧印加による影響が加速される。動作閾値測定およびストレス電圧印加とも高温下で行う場合と、ストレス電圧印加のみ高温下で行う場合があり、状況に応じて選択する。トランジスタの温度特性が余り変化しない100°C~150°C程度の周囲温度下では、動作閾値測定およびストレス電圧印加とも高温下で行うのが適している。測定のために室温に戻すのに時間を要するためである。一方、200°C以上の高温下あるいは数10時間以上の長時間のストレス電圧を印加する場合には、ストレス電圧印加のみ高温下で行う。~評価方法~本実施形態に係るテスト素子を用いた絶縁膜評価方法の一例ついて説明する。ここでは、保護膜33の材料特性は既知なものとし、絶縁膜34,35,36を同じ材料で形成する。図4は、ストレス評価テストの手順を示すフロー図である。ストレス評価は、動作閾値測定とストレス電圧印加を交互に繰り返し、動作閾値の時間変化を取得することによりおこなう。まず、ストレス電圧を印加しない状態で動作閾値Vt0を測定するステップ1。その後、所定時間例えば1000秒間ストレス電圧を印加しステップ2、ストレス電圧印加を解除し、動作閾値Vt1を測定するステップ3。ついで、所定時間例えば2000秒間ストレス電圧を印加しステップ4、ストレス電圧印加を解除し、動作閾値Vt2を測定しステップ5、所定時間例えば5000秒間ストレス電圧を印加しステップ6、ストレス電圧印加を解除し、動作閾値Vt3を測定しステップ7、所定時間例えば10000秒間ストレス電圧を印加しステップ8、ストレス電圧印加を解除し、動作閾値Vt4を測定するステップ9。これにより累積時間18000秒間における動作閾値の時間変化特性Vt0→Vt1→Vt2→Vt3→Vt4が得られる図5参照。本実施形態の絶縁膜評価方法では、材料ごとの時間変化特性を比較する。まず、新材料Aで絶縁膜34,35,36を形成したテスト素子以下、材料Aと、新材料Bで絶縁膜34,35,36を形成したテスト素子以下、材料Bと、既知な材料Cで絶縁膜34,35,36を形成したテスト素子以下、材料Cを製作する。材料A,B,Cごとにストレス評価テストを行って時間変化特性を取得し、これらを比較する図5参照。全ての材料において、ストレス電圧印加した時間経過累積時間tに従って、動作閾値Vtは低下する。この現象は、ストレス電圧印加によりテスト素子に電荷が注入され、ストレス電圧印加が解除されても影響は残り、低いゲート電圧でも電流が流れやすくなるものであると推測される。一般に、時間経過による影響が少ないほど、安定的な優れた材料であると評価できる。材料Cにおいては、Vt0=100VからVt4=50Vに大きく低下している。一方、材料Aにおいては、Vt0=110VからVt4=75Vに低下し、材料Bにおいては、Vt0=100VからVt4=70Vに低下しているが、材料Cに比べれば変化が少ない。これにより、新規材料AおよびBは、既知材料Cより安定的な材料であり、既知材料Cより優れていると評価できる。また、新規材料Aと新規材料Bとを比較すると、若干であるが新規材料Bの方がVtの変化が少ない安定的な材料であり優れていると評価できる。~効果~従来技術と比較することにより、本実施形態の効果について説明する。図6は、従来技術の一例に係るテスト素子の断面図である。従来技術のテスト素子は、P型Si基板11と、金属配線51,52,53,54,55,56と、保護膜33,37と、絶縁膜34,35,36とを備えている。保護膜33の上には多層配線構造金属配線51,52および金属配線54,55の2層配線、たとえばCuが形成されていて、金属配線51,52間は配線接続孔57を介して電気的に接続されて、金属配線54,55間は配線接続孔58を介して電気的に接続されている。また、金属配線51,54、配線接続孔57,58、金属配線52,55に対応して、3層の層間絶縁膜34,35,36が形成されている。絶縁膜34,35,36の上には保護膜37とパッド引き出し用の金属配線53,56が形成されている。従来技術のテスト素子を用いた絶縁膜評価方法について説明する。金属配線53,56間に電圧を印加する。金属配線51,54間は絶縁膜34により絶縁されており、電流は流れない。しかし、金属配線53,56間の電圧印加が増すと、金属配線51,54間にリーク電流が発生する。印加電圧とリーク電流の関係を測定することで、絶縁膜34の材料特性を評価する。しかし、従来技術のテスト素子は受動素子であり、能動素子における材料評価はできない。本実施形態におけるテスト素子は能動素子であり、能動素子における材料評価ができる。本実施形態における絶縁膜評価方法では、テスト素子の電気的特性を取得し比較するものであり、新規材料を用いた半導体装置の評価に比べ、簡単な測定で評価ができる。本実施形態におけるテスト素子は、マスクパターンを変えるだけで通常の半導体集積回路製造プロセスで製作することができ、特殊な半導体素子を用いる必要はない。したがって、集積回路の製造プロセスで本体の回路と同時に製作することができる。その結果、集積回路の製造と並行して、集積回路への適合性を評価することができる。また、新規材料を用いた半導体装置を試作するのに比べ、簡単に製作できる。~変形例~図7は、本実施形態の変形例に係るテスト素子の断面図である。ゲート電極40の電極幅Lmと酸化膜31の幅Lgの関係が、Lm>Lgとなっている。ただし、ゲート電極40が金属配線21,22と重ならないようにする。Lm<Lgの場合、テスト素子のサイズをより小型化できる長所がある。一方、サイズの制約が厳しくない場合は、変形例の様に、Lm>Lgとしてもよい。ゲート電極40が実効的なゲートである酸化膜31の上部を覆うことになり、ゲート電極40に印加した電圧による電界がチャネルの全面に及ぶため、閾値Vtが低くなり、感度が良くなる長所がある。このように、ゲート電極40と酸化膜31との位置関係を検討することで、最適な素子サイズや感度を選択できる。その他の変形例について説明する。本実施形態においては、P型基板とN型拡散層を用いているが、N型基板とP型拡散層を用いてもよい。本実施形態においては、絶縁膜34,35,36の材料を同じとし、既知な材料Cで絶縁膜34,35,36を形成したテスト素子と、新材料AおよびBで絶縁膜34,35,36を形成したテスト素子とを製作し、比較したが、たとえば、既知な材料Cで絶縁膜34,35,36を形成したテスト素子と、新材料Aで絶縁膜34を既知な材料Cで絶縁膜35,36を形成したテスト素子および新材料Bで絶縁膜34を既知な材料Cで絶縁膜35,36を形成したテスト素子を製作し、これらを比較してもよい。この場合、絶縁膜34が被評価絶縁膜となる。本実施形態においては、保護膜33の材料特性は既知なものとし評価対象としていないが、保護膜33の材料特性も含めて評価してもよい。本実施形態においては、動作閾値測定とストレス電圧印加を交互に繰り返し、時間変化特性を取得したが、ストレス電圧印加前後の閾値変化例えばVt0→Vt1に基づいて、絶縁膜評価を行ってもよい。<第2実施形態>図8は第2実施形態にかかるテスト素子の断面図である。第1実施形態の絶縁膜35,36がない点、ゲート電極41が絶縁膜34に配置されている点で相違する。すなわち、ゲート電極41は、金属配線21,22と同じ層に設けられる。それ以外の構成や動作は同じであり、第1実施形態と同様な絶縁膜評価ができる。絶縁膜35,36がないことにより、テスト素子の製作プロセスがさらに簡単になり、テスト素子のさらなる小型化を図ることができる。また、生産工程における材料やプロセスの品質管理などには有効な方法である。ただし、被評価対象である絶縁膜がゲート電極41の下部でなく、側面にしか存在しないため、測定感度は低下する。すなわち、第2実施形態に係るテスト素子は、第1実施形態に係るテスト素子ほどの測定精度を要求しないような簡便な評価に適している。図9は、第2実施形態の変形例に係るテスト素子の断面図である。ゲート電極41の幅を大きくすることにより、測定感度は向上する。なお、本発明は上記各実施形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、適宜変形できる。"