"第1ゲートと、第1ソースと、第1ドレインと、を有し、窒化物半導体を含む、nチャンネル型の第1トランジスタと、第2ゲートと、前記第1ゲートと電気的に接続された第2ソースと、第2ドレインと、を有し、窒化物半導体を含む、nチャンネル型の第2トランジスタと、第3ゲートと、前記第1ソースと接続された第3ソースと、前記第1ゲート及び前記第2ソースと電気的に接続された第3ドレインと、を有し、窒化物半導体を含む、nチャンネル型の第3トランジスタと、前記第3ゲートと電気的に接続された第4ゲートと、前記第1ソース及び前記第3ソースと電気的に接続された第4ソースと、前記第2ゲートと電気的に接続された第4ドレインと、を有し、窒化物半導体を含む、nチャンネル型の第4トランジスタと、一端が前記第2ドレインと電気的に接続され、他端が前記第2ゲート及び前記第4ドレインと電気的に接続された抵抗と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。一端が前記第2ドレイン及び前記抵抗の前記一端と電気的に接続され、他端が前記第1ソース、前記第3ソース及び前記第4ソースと電気的に接続されたキャパシタをさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体装置。GaNの第1層と、前記第1層の上に設けられInxAlyGa1-x-yN0≦x<1、0<y<1の第2層と、を含む窒化物半導体層をさらに備え、前記キャパシタは、前記窒化物半導体層の一部を含むことを特徴とする請求項2記載の窒化物半導体装置。前記キャパシタは、2次元電子ガスを含むことを特徴とする請求項2または3に記載の窒化物半導体装置。前記第2トランジスタの活性部分の面積、前記第3トランジスタの活性部分の面積、前記第4トランジスタの活性部分の面積の、前記第1トランジスタの活性部分の面積に対する比は、5×10-5以上、5×10-1以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。前記第4トランジスタの前記活性部分の前記面積は、前記第2トランジスタの前記活性部分の前記面積以下であり、前記第3トランジスタの前記活性部分の前記面積以下であることを特徴とする請求項5記載の窒化物半導体装置。窒化物半導体層をさらに備え、前記第1、第2、第3及び第4トランジスタのそれぞれに含まれるチャネルのそれぞれは、前記窒化物半導体層の内部に設けられることを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。ヘテロジャンクションを有する基板をさらに備え、前記第1、第2、第3及び第4トランジスタは、前記基板上に設けられることを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。GaNの第1層と、前記第1層の上に設けられInxAlyGa1-x-yN0≦x<1、0<y<1の第2層と、を含む窒化物半導体層をさらに備え、前記抵抗は、前記窒化物半導体層の一部を含むことを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。前記抵抗は、2次元電子ガスを含むことを特徴とする請求項1~9のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。本発明の実施形態は、駆動回路への要求を緩和した使いやすい高速動作の窒化物半導体装置を提供する。本発明の実施形態によれば、第1トランジスタと、第2トランジスタと、第3トランジスタと、第4トランジスタと、抵抗と、を備えた窒化物半導体装置が提供される。前記第1トランジスタは、第1ゲートと、第1ソースと、第1ドレインと、を有し、窒化物半導体を含み、nチャンネル型である。前記第2トランジスタは、第2ゲートと、前記第1ゲートと電気的に接続された第2ソースと、第2ドレインと、を有し、窒化物半導体を含み、nチャンネル型である。前記第3トランジスタは、第3ゲートと、前記第1ソースと接続された第3ソースと、前記第1ゲート及び前記第2ソースと電気的に接続された第3ドレインと、を有し、窒化物半導体を含み、nチャンネル型である。前記第4トランジスタは、前記第3ゲートと電気的に接続された第4ゲートと、前記第1ソース及び前記第3ソースと電気的に接続された第4ソースと、前記第2ゲートと電気的に接続された第4ドレインと、を有し、窒化物半導体を含み、nチャンネル型である。前記抵抗の一端は、前記第2ドレインと電気的に接続され、前記抵抗の他端は、前記第2ゲート及び前記第4ドレインと電気的に接続される。以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を例示する模式図である。同図は、本実施形態に係る窒化物半導体装置111のパターンレイアウトの例を模式的に示している。図2は、第1の実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を例示する回路図である。図1及び図2に表したように、実施形態に係る窒化物半導体装置111は、第1~第4トランジスタ10、20、30及び40と、抵抗51と、を備える。第1~第4トランジスタ10、20、30及び40は、窒化物半導体を含み、nチャンネル型である。すなわち、窒化物半導体装置111においては、nチャネルを有するトランジスタで回路が形成されている。第1トランジスタ10は、第1ゲート10gと、第1ソース10sと、第1ドレイン10dと、を有する。第2トランジスタ20は、第2ゲート20gと、第2ソース20sと、第2ドレイン20dと、を有する。第2ソース10sは、第1ゲート10gと電気的に接続される。第3トランジスタ30は、第3ゲート30gと、第3ソース30sと、第3ドレイン30dと、を有する。第3ソース30sは、第1ソース10sと電気的に接続される。第3ドレイン30dは、第1ゲート10g及び第2ソース20sと電気的に接続される。第4トランジスタ40は、第4ゲート40gと、第4ソース40sと、第4ドレイン40dと、を有する。第4ゲート40gは、第3ゲート30gと電気的に接続される。第4ソース40sは、第1ソース10s及び第3ソース30sと電気的に接続される。第4ドレイン40dは、第2ゲート20gと電気的に接続される。抵抗51の一端は、第2ドレイン20dと電気的に接続される。抵抗51の他端は、第2ゲート20g及び第4ドレイン40dと電気的に接続される。この例では、窒化物半導体装置111は、ドレイン電極パッド61と、ソース電極パッド62と、ゲート電極パッド63と、電源電極パッド64と、導通部65と、をさらに備える。ドレイン電極パッド61は、第1ドレイン10dと電気的に接続される。ソース電極パッド62は、第1ソース10s、第3ソース30s及び第4ソース40sと電気的に接続される。ゲート電極パッド63は、第4ゲート40g及び第3ゲート30gと電気的に接続される。電源電極パッド64は、第2ドレイン20d、及び、抵抗51の上記の一端と電気的に接続される。導通部65は、第2ゲート30g、第4ドレイン40d、及び、抵抗51の上記の他端と、電気的に接続される。これにより、窒化物半導体装置111へのゲート信号が高速でない場合、ゲート駆動回路の出力インピーダンスが高い場合、及び、配線インダクタンスの影響が懸念される場合などにおいても、高速にスイッチングできる。すなわち、駆動回路への要求を緩和した使いやすい高速動作の窒化物半導体装置が提供できる。発明者の検討によると、高速スイッチング素子を実際に使用する際に、高速スイッチング素子を駆動する駆動回路の性能が高いことが望まれるが、そのような駆動回路が実際には得られない場合もあることが分かった。例えば、高速スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路や配線が高速化に対応しており、出力インピーダンスが低いことが望まれる。しかしながら、実際には、このような構成が得られない場合がある。そのため、配線インダクタや出力インピーダンスが高く、高速な信号が得られない場合でも、高速にスイッチングできるGaN素子が望まれる。実施形態によれば、このようなときにも、高速なスイッチングが確保できる。窒化物半導体装置111の具体的な構成の例についてさらに説明する。第1~第4トランジスタ10、20、30及び40の構成は、同様とすることができるので、以下では、第1トランジスタ10の例について説明する。図3は、第1の実施形態に係る窒化物半導体装置の一部の構成を例示する模式的断面図である。同図は、図1のA1-A2線断面図である。すなわち、同図は、第1トランジスタ10の構成の例を示している。図3に表したように、窒化物半導体装置111においては、窒化物半導体層70が設けられる。窒化物半導体層70は、GaNの第1層75と、InxAlyGa1-x-yN0≦x<1、0<y<1の第2層73と、を含む。第2層73は、例えば、AlGaN層である。第2層73は、第1層75の上に設けられる。第1層75は、例えば、キャリア走行層である。第2層73は、例えば、電子誘起層である。GaN系材料による第1層75と、AlGaN系材料による第2層73により、ヘテロ構造が形成される。図4は、第1の実施形態に係る窒化物半導体装置の特性を例示する模式図である。すなわち、同図は、窒化物半導体層70におけるエネルギー状態を例示している。第1層75例えばキャリア走行層と、第2層73例えば電子誘起層と、によるヘテロ接合において、第1層75と第2層73との界面にフェルミレベル70aよりもエネルギー準位が低い井戸70cが形成される。井戸70cは、例えば、平面状に分布する量子的な井戸である。この井戸70cは、フェルミレベル70aよりも低いエネルギー準位である。このため、電子によるチャネルが形成される。井戸70cの電子を、2次元電子ガス70bと言う。このチャネルにある電子2次元電子ガス70bの移動度は、非常に高い。ヘテロ接合を持つ窒化物半導体は、この2次元電子ガス70bをチャネルとして用いる。図3に表したように、窒化物半導体層70に形成される2次元電子ガスチャネル74を利用する。この2次元電子ガスチャネル74には、大量の電子が存在し、2次元電子ガスチャネル74は電流パスとなる。このヘテロ構造の上にソース電極71s例えば、第1~第4ソース10s、20s、30s及び40s、ゲート電極71g例えば、第1~第4ゲート10g、20g、30g及び40g、及び、ドレイン電極71d例えば、第1~第4ドレイン10d、20d、30d及び40dを設けることで、第1~第4トランジスタ10、20、30及び40が形成される。このように、窒化物半導体装置111は、窒化物半導体層70をさらに備え、第1、第2、第3及び第4トランジスタは、窒化物半導体層70の一部をチャネルとして利用する。すなわち、第1、第2、第3及び第4トランジスタ10、20、30及び40のそれぞれに含まれるチャネルのそれぞれは、窒化物半導体層70の内部具体的には、2次元電子ガスチャネル74に設けられる。例えば、窒化物半導体層70は、基板の上に設けられる。すなわち、窒化物半導体層111は、ヘテロジャンクションを有する基板をさらに備え、第1、第2、第3及び第4トランジスタ10、20、30及び40は、その基板上に設けられる。図1及び図2に例示した窒化物半導体装置111においては、第1~第4トランジスタ10、20、30及び40並びに抵抗51は、例えば、1つのウェーハ上に形成され、ワンチップの構成を有することができる。窒化物半導体装置111は、外部からみると、4端子の素子として扱うことが出来る。すなわち、ドレイン電極バッド61をドレイン端子として用い、ソース電極パッド62をソース端子として用い、ゲート電極パッド63をゲート端子として用い、電源電極パッド64を電源端子として用いることができる。すなわち、電源電極パッド64に電源電圧例えばシステムの電源の電圧が供給印加される。以下、窒化物半導体装置111の動作の例について、図2を参照しつつ説明する。電源電極パッド64に電源電圧を供給している状態において、ゲート端子ゲート電極パッド63にローレベルの信号が入力された時には、第3トランジスタ30及び第4トランジスタ40がオフする。このため、第2トランジスタ20の第2ゲート20gには抵抗51を介して、高電圧が印加される。そして、第2トランジスタ20はオン状態になる。その結果、第2トランジスタ20のオン抵抗程度の低インピーダンスで、電源と、第1トランジスタ10の第1ゲート10gと、が接続される。これにより、第1トランジスタ10の第1ゲート10gは急速に充電される。すなわち、第1トランジスタ10を高速にオン状態にすることができる。一方、ハイレベルの信号がゲート端子に入力された時は、第3トランジスタ30及び第4トランジスタ40はオン状態となり、第2トランジスタ20の第2ゲート20gと第2ソース20sとの間の電圧は0Vとなり、第2トランジスタ20はオフ状態になる。その結果、第1トランジスタ10の第1ゲート10gは、オン状態の第3トランジスタ30を介して急速に放電される。これにより、第1トランジスタ10は高速にオフ状態にできる。実施形態に係る窒化物半導体装置111の動作の特性について、参考例の窒化物半導体装置と比較して説明する。参考例の窒化物半導体装置においては、上記の第1トランジスタ10が設けられ、第2~第4トランジスタ20、30及び40並びに抵抗51が設けられていない。図5及び図6は、窒化物半導体装置の動作を例示する模式図である。これらの図は、実施形態に係る窒化物半導体装置及び参考例の窒化物半導体装置119の特性をシミュレーションした結果を例示している。図5は、これらの窒化物半導体装置への入力信号を例示している。図6は、シミュレーションにより得られた、これらの窒化物半導体装置の出力信号ドレイン電流の信号波形を例示している。これらの図の横軸は時間tを示す。図5の縦軸は、入力信号の電圧Vinを示す。図6の縦軸は、出力信号の電圧Voutを示す。図5に表したように、このシミュレーションでは、入力信号として、サイン波を用いた。これは、窒化物半導体装置111及び119のゲート端子に入力されるゲート信号が高速でない場合、ゲート駆動回路の出力インピーダンスが高い場合、及び、配線インダクタンスの影響が懸念される場合などを想定している。すなわち、窒化物半導体装置を駆動するための回路の高速性が著しく阻害されている状態を想定している。図6に表したように、参考例の窒化物半導体装置119においては、出力信号は台形である。窒化物半導体装置のスイッチングにおいて、出力信号ドレイン電流波形は矩形波であることが望ましいが、サイン波入力では、波形になまりが発生し、高速にスイッチングしていない。高速にスイッチングができていない場合には、素子の損失が増えてしまう。これに対し、図6に表したように、実施形態に係る窒化物半導体装置111においては、入力信号がサイン波である場合においても、出力信号ドレイン電流波形は、ほぼ矩形波である。すなわち、オンとオフとの差が明確である。このように、実施形態に係る窒化物半導体装置111においては、ゲート端子に入力されるゲート信号が高速でない場合、ゲート駆動回路の出力インピーダンスが高い場合、及び、配線インダクタンスの影響が懸念される場合などにおいても、高速にスイッチングできる。そして、実施形態においては、pチャンネルを使用せずに、nチャンネルのトランジスタにより、上記のように、高速に動作する回路が得られる。ゲート駆動回路には、通常、pチャンネルのトランジスタが用いられる。しかしながら、窒化物半導体装置において、pチャンネルのトランジスタを形成することが実用上、非常に困難である。本実施形態においては、上記の構成を用いることで、pチャンネルのトランジスタを用いず、nチャンネルのトランジスタにより駆動回路を形成しており、実用性が高い。窒化物半導体装置111において、第1トランジスタ10の駆動に必要な電力のほとんどは電源端子から供給される。このため、外部に設けられるゲート駆動回路の負荷は非常に小さくてよく、ゲート駆動回路の出力インピーダンスは高くても良い。さらに、実施形態においては、ゲート駆動回路からは小さな電力しか窒化物半導体装置111に加える必要が無い。このため、ゲート駆動回路と窒化物半導体装置111との間に流れる電流ゲート駆動電流を小さくできる。インダクタンスは、電流の大きさに依存するので、ゲート駆動電流を小さくすることにより、配線インダクタンスの影響を抑制できる。以下、実施形態において、各トランジスタのサイズの例について説明する。以下では、第1トランジスタ10のサイズについて説明する。図7は、窒化物半導体装置の構成を例示する模式的平面図である。図7に表したように、第1トランジスタ10の面積Sサイズは、活性部11の面積とする。活性部11は、トランジスタの動作が実質的に行われる部分である。図7に表したように、ソース第1ソース10sと、ドレイン第1ドレイン10dと、が、ゲート第1ゲート10gを介して互いに対向する部分の長さL1と、幅L2と、の積を、面積Sとする。この例のように、ソースが複数の部分を有し、ドレインが複数の部分を有し、これらが櫛歯状に組み合わされている場合は、一方の端のソースまたはドレインと、他方の端のソースまたはドレインと、を含む長さが、幅L2とされる。第2~第4トランジスタ20、30及び40の面積も同様に定義される。コストや歩留まりの観点からは、トランジスタのチップに占める面積は小さいほうが良い。しかし、トランジスタの面積を過度に小さくすると、オン抵抗が大きくなり駆動能力が低下する。例えば、第2~第4トランジスタ20、30及び40の面積が過度に小さい場合は、第1トランジスタ10を十分に速く駆動することが困難になる。第2~第4トランジスタ20、30及び40の面積を大きくしてオン抵抗を小さくすると、第1トランジスタ10を高速に駆動できるが、コストの増大と歩留まりの低下を招く。さらに、窒化物半導体装置111の入力容量が大きくなる。すなわち、窒化物半導体装置111を低インピーダンスの信号源で駆動することが困難にする。実施形態において、第2~第4トランジスタ20、30及び40には適切な面積サイズが存在する。まず、第1トランジスタ10を高速に駆動するために、ミラー期間を短くする必要がある。ミラー期間は、トランジスタのしきい値電圧におけるゲート入力容量の充電または放電の時間に相当する。図8は、窒化物半導体装置の動作を例示する模式図である。同図は、窒化物半導体のトランジスタの動作を例示している。横軸は時間tを示す。縦軸はゲート電圧Vgを示す。図8に表したように、初期の時刻t0から第1時刻t1までの期間、トランジスタのゲート電圧Vgを徐々に上昇させたとき、ゲート電圧Vgは上昇する。ゲート電圧Vgがトランジスタのしきい値電圧Vthに達すると、ゲート電圧Vgがある期間第1時刻t1から第2時刻t2までの期間上昇しなくなる。これは、トランジスタのゲート電圧Vgがしきい値Vthに達したため、ドレイン電流が流れ始めるのに同期してドレイン電圧が変化し、この電圧変化がトランジスタの寄生容量を介してゲート電圧Vgに回り込むためである。トランジスタを高速に動作させるためには、このミラー期間を短くする。このミラー期間を脱するのに必要な電荷量をQgdという。このQgdを早くゲートに与えることが、トランジスタの高速動作を可能にする。ミラー期間をΔt図8の例では、Δt=t2-t1とする。窒化物半導体装置111の電源電極パッド64に印加する電圧をVin1とする。第1トランジスタ10のしきい値電圧をVth1とする。さらに、ΔV=Vin1-Vth1とする。トランジスタの面積によらないトランジスタの性能の指標であるRonQgdΩCの次元を有するを用いる。そして、第1トランジスタ10を面積A10とし、第3トランジスタ30の面積をA30とする。これらのトランジスタの面積比R13は、R13=A30/A10=RonQgd/ΔVΔtで表される。RonQgdは、例えばトランジスタの耐圧などにより変化するが、約0.05nΩC以上0.5nΩC以下程度である。Vin1は使用者によって定められる電圧であるため、ΔVも使用者によって決まる。実用的な範囲としては、ΔVは、1V以上20V以下が適切である。一方、Δtは、1ns以上50ns以下が実用的に有用な値である。これらの適正な定数を用いると、R13=A30/A10=5×10-5~5×10-1となる。同様に、第2トランジスタ20及び第4トランジスタ40の面積比を設定できる。すなわち、第2トランジスタ20の活性部分の面積、第3トランジスタ30の活性部分の面積、第4トランジスタ40の活性部分の面積の、第1トランジスタ10の活性部分の面積に対する比は、5×10-5以上、5×10-1以下であることが望ましい。これにより、ミラー期間が短い、より適正な駆動が得られる。ただし、上記の値面積比は、第1トランジスタ10と同じ耐圧で第3トランジスタ30を形成した時の面積比である。第3トランジスタ30の耐圧は、Vin1の入力電圧に耐えられれば良いので、必ずしも第1トランジスタ10と同じ設計である必要は無い。つまり、第3トランジスタ30の面積は、上記の面積比の値よりも小さくても良い。さらに、第3トランジスタ30と第4トランジスタ40と第2トランジスタ20とは、互いに同じ面積である必要は無い。特に、第4トランジスタ40は、第3トランジスタ30及び第2トランジスタ20と同じか、それらよりも小さい面積でも良い。第4トランジスタ40の活性部分の面積は、第2トランジスタ20の活性部分の面積以下であり、第3トランジスタ30の活性部分の面積以下である。これにより、適正な駆動特性を維持しつつ、第4トランジスタ40の面積を適正に小さくでき、コストの増大、歩留まりの低下及び入力容量の増大を抑制できる。なお、トランジスタの面積は、例えば、窒化物半導体装置の電極などを顕微鏡により観察した像などに基づいて求めることができる。実施形態において、抵抗51には、金属薄膜などの導電薄膜を適切な形状に加工したものを用いることができる。また、抵抗51として、2次元電子ガス70b2次元電子ガスチャネル74を利用しても良い。図9は、第1の実施形態に係る窒化物半導体装置の一部の構成を例示する模式的断面図である。すなわち、同図は、抵抗51の構成を例示している。図9に表したように、窒化物半導体層70の第2層73の上に、電極51a及び電極51bが設けられる。これらの電極は、第2層73とオーミック性接触を形成する。すなわち、電極51a及び電極51bは、オーミック性接触によって、2次元電子ガスチャネル74に電気的に接続されている。図9に表したように、第2層73に凹部73dを設け、この凹部73dの深さリセス量を変えることで、2次元電子ガスチャネル24の抵抗を変えることができる。これを利用して、適切な抵抗値を有する抵抗51を形成することができる。このように、実施形態において、第1層75及び第2層73を含む窒化物半導体層70を設け、抵抗51は、窒化物半導体層70の一部具体的は、2次元電子ガスチャネル74を含むことができる。抵抗51として金属薄膜を用いた場合に比べ、2次元電子ガスチャネル74を用いた場合は、温度変化による抵抗値の変化が小さい。このため、抵抗51として、2次元電子ガス70bを用いことがより望ましい。本実施形態において、窒化物半導体装置111の構成の例として、図1を用いて説明したが、窒化物半導体装置111に含まれる各要素のレイアウトは、図1に示した例に限定されず、任意である。また、上記においては、窒化物半導体装置111として、図3に例示したGaN-HEMTの構成を用いる場合として説明したが、実施形態はこれに限らない。また、用いる半導体材料においても、組成比やドーパントなどを種々変形できる。窒化物半導体装置111において、電源端子に印加される電圧電源電圧は、例えば、3V以上20V以下程度が適切である。ただし、実施形態はこれに限らず、電源電圧は任意である。そして、窒化物半導体装置111を用いるシステム側の条件などに応じて、電源電圧は、適宜変更される。電源電圧が、20Vを超える場合には、各トランジスタの高耐圧化のために、トランジスタの面積が大きくなり、また、消費電力が大きくなる。一般に、高速回路は、出力インピーダンスが大きくなる傾向がある。高速回路においては、電界効果トランジスタFETの駆動のような容量性負荷を駆動することが難しくなる。出力インピーダンスが大きいと、容量性負荷の充放電が遅くなり、結局FETの駆動が遅くなる。また、FETのゲートとゲート駆動回路との間には、物理的に配線インダクタが存在する。この配線インダクタは、FETのゲートにリンギングをもたらし、FETを破壊することもある。また、インダクタンスにより、ゲート信号が遅延し、FETの駆動が遅くなる。このような現象は、信号が高速であればあるほど顕著となる。このため、高速スイッチング回路に応用が期待されるGaN素子を使用する際には、これらの問題が表面化してくる。これらの問題を解決する方法として、FETのゲートに接続される補助用の駆動回路を、FETと同じウェーハ上に形成することが考えられる。しかしながら、GaNにおいては、p形の半導体の制御が難しく、pチャンネルのFETを形成することが困難である。特に、GaN-HEMTにおいては、pチャンネルのFETを実現することは非常に困難である。一般に、FETの駆動回路には、pチャンネルのFETとnチャンネルのFETを組み合わせる方法が用いられるが、上記のように、この方法をGaNに適用することは困難である。本実施形態においては、pチャンネルのトランジスタを用いず、nチャンネルのトランジスタにより駆動回路を形成しており、実用性が高い。第2の実施形態図10は、第2の実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を例示する模式図である。同図は、本実施形態に係る窒化物半導体装置112のパターンレイアウトの例を模式的に示している。図11は、第2の実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を例示する回路図である。図10及び図11に表したように、実施形態に係る窒化物半導体装置112は、上記の第1~第4トランジスタ10、20、30及び40と、抵抗51と、に加え、キャパシタ52をさらに備える。これ以外の構成は、窒化物半導体装置111と同様とすることができるので説明を省略する。キャパシタ52の一端は、第2ドレイン20d、及び、抵抗51の上記の一端と電気的に接続される。キャパシタ52の他端は、第1ソース10s、第3ソース30s及び4ソース40sと電気的に接続される。第1トランジスタ10のゲート信号駆動に必要な電荷が、キャパシタ52から供給される。すなわち、キャパシタ52を設けることにより、第1トランジスタ10をより高速に駆動することが可能となる。また、窒化物半導体装置112に供給する電源から見た時の駆動負荷電流を、キャパシタ52は平準化する。このため、例えば、外部コンデンサを省略でき、また、配線インダクタンスの影響を抑制できる。キャパシタ52の容量を、第1トランジスタ10の入力容量以上に設定することで、より効果的に働く。より具体的には、キャパシタ52の容量は、第1トランジスタ10のしきい値電圧での入力容量以上に設定される。キャパシタ52の容量は大きくても良い。ただし、容量を過剰に設定すると、キャパシタ52の面積が増大しコストが増大する。また、歩留まりの低下、耐圧の低下を引き起こす。従って、キャパシタ52の容量は、第1トランジスタ10のしきい値電圧での入力容量の100倍程度以下とすることが望ましい。キャパシタ52は、例えば、金属または高電導ポリシリコンと、絶縁膜と、の積層構造によって形成される。また、キャパシタ52は、例えば、後述するように、2次元電子ガス70bを含んでも良い。キャパシタ52に含まれる絶縁膜には、例えば、SiO2、SiN、Al2O3、TiO2、BaTiO3、SrTiO3、Ba,SrTiO3、Ta2O5、LiTaO3、HfO2及びZrO2よりなる群から選択された少なくともいずれかを用いることができる。実施形態はこれに限らず、絶縁膜には任意の材料を用いることができる。図12は、第2の実施形態に係る窒化物半導体装置の一部の構成を例示する模式的断面図である。すなわち、同図は、キャパシタ52の構成を例示している。図12に表したように、窒化物半導体層70の第2層73の上に、絶縁膜76が設けられ、絶縁膜76の上に、キャパシタ電極52aが設けられている。2次元電子ガスチャネル74はオーミック性接触により、ソース電極パッド62または電源電極パッド64に電気的に接続されている。そして、キャパシタ電極52aは、ソース電極パッド62または電源電極パッド64に電気的に接続される。このような構造を用いることで、2次元電子ガスチャネル74とキャパシタ電極52aとによって、平行平板形のキャパシタが形成される。ただし、この構成は例であり、実施形態はこれに限定されない。キャパシタ52の構成は、任意である。本実施形態において、窒化物半導体装置112の構成の例として、図10を用いて説明したが、窒化物半導体装置112に含まれる各要素のレイアウトは、図10に示した例に限定されず、任意である。実施形態によれば、駆動回路への要求を緩和した使いやすい高速動作の窒化物半導体装置が提供される。以上、具体例を参照しつつ、本発明のいくつかの実施形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、窒化物半導体装置に含まれるトランジスタ、抵抗及びキャパシタなどの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。その他、本発明の実施の形態として上述した窒化物半導体装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての窒化物半導体装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"