"フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する分子量400~2500のフェノール性化合物Aを含有するネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物Aの含有量が70重量以上である、ネガ型レジスト組成物。波長248nm以下の活性エネルギー線を照射することで直接又は間接的に酸を発生する酸発生剤Bを更に含有し、化学増幅型である、請求の範囲第1項に記載のネガ型レジスト組成物。有機塩基性化合物Cを更に含有する、請求の範囲第2項に記載のネガ型レジスト組成物。前記フェノール性化合物Aがフェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に2個以上有し、酸発生剤を実質的に含有しない、非化学増幅型である、請求の範囲第1項~第3項のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。前記フェノール性化合物Aのガラス転移温度Tgが60°C以上である、請求の範囲第1項~第4項のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。前記フェノール性化合物Aは、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に3個以上有する、請求の範囲第1項~第5項のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。前記フェノール性化合物Aが、沸点が80~180°Cの有機溶剤に対して23°Cで5重量以上の溶解性を有しているものである、請求の範囲第1項~第6項のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。i請求の範囲第1項~第7項のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物を基板上に塗布した後、加熱処理し、レジスト膜を形成する工程、及びii前記レジスト膜を電子線、イオンビーム、EUV、又はX線で露光し、現像する工程、を含むレリーフパターンの製造方法。露光後、現像前に、加熱する工程を含む、請求の範囲第8項に記載のレリーフパターンの製造方法。請求の範囲第1項~第7項のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物又はその硬化物により少なくとも一部分が形成されている、電子部品。上記実情に鑑み、本発明の目的は、半導体素子の微細加工における性能向上及び技術の課題を解決することであり、アルカリ現像が可能で、高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができるネガ型レジスト組成物、及び当該ネガ型レジスト組成物を用いたレリーフパターンの製造方法及び電子部品を提供することである。より詳細には、本発明の第一の目的は、電子線、イオンビーム、又はEUVの照射によるパターン形成において、アルカリ現像が可能で、高感度且つ高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる化学増幅型ネガ型レジスト組成物、及び当該ネガ型レジスト組成物を用いたレリーフパターンの製造方法及び電子部品を提供することである。また、本発明の第二の目的は、電子線、イオンビーム、又はEUVの照射によるパターン形成において、アルカリ現像が可能で、真空中の露光後線幅安定性が高く、高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる非化学増幅型ネガ型レジスト組成物、及び当該ネガ型レジスト組成物を用いたレリーフパターンの製造方法及び電子部品を提供することである。本発明者らは、鋭意検討の結果、高解像力でラインエッジラフネスを低減させるためには、より均一なレジスト膜を形成することが重要であると考えた。そのために、1つの分子に複数の機能を有するように設計すれば、組成物中の成分数を減らすことが可能になり、各成分の相分離によるレジスト膜の不均一性を改善することができる。このような考えの下、本発明者らは、レジスト基質となる特定のフェノール性化合物に特定の架橋性基を導入して、架橋性及びアルカリ現像性を有するレジスト基質を用いることにより、同様のフェノール性化合物と架橋剤の2成分を混合して用いた場合に比べて高解像力でラインエッジラフネスが低減、向上するという知見を見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明に係るネガ型レジスト組成物は、フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する分子量400~2500のフェノール性化合物Aを含有するネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物Aの含有量が70重量以上であることを特徴とする。本発明によれば、ネガ型レジスト組成物中に含まれるレジスト基質として、アルカリ現像性を有するレジスト基質及び架橋剤として機能する、特定の構造を有するフェノール性化合物を用い、当該フェノール性化合物の含有量を高くすることにより、高解像力で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる。本発明に係るネガ型レジスト組成物においては、下記の2つの態様がある。本発明に係るネガ型レジスト組成物の第一の態様は、フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する分子量400~2500のフェノール性化合物A、及び波長248nm以下の活性エネルギー線を照射することで直接又は間接的に酸を発生する酸発生剤Bを含有するネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物Aの含有量が70重量以上であり、化学増幅型であることを特徴とする。本発明に係るネガ型レジスト組成物の第二の態様は、フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に2個以上有する分子量400~2500のフェノール性化合物Aを含有するネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物Aの含有量が70重量以上であり、酸発生剤を実質的に含有しない、非化学増幅型であることを特徴とする。本発明に係るネガ型レジスト組成物においては、前記フェノール性化合物Aはガラス転移温度Tgが60°C以上であることが、高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から好ましい。本発明に係るネガ型レジスト組成物においては、前記フェノール性化合物Aはフェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に3個以上有することが、架橋性が高くなり、高感度、且つ高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から好ましい。本発明に係るネガ型レジスト組成物においては、前記フェノール性化合物Aが、沸点が80~180°Cの有機溶剤に対して23°Cで5重量以上の溶解性を有しているものであることが、均一性に優れたなレジスト膜が得られるという点から好ましい。本発明に係るネガ型レジスト組成物において、第一の態様である化学増幅型の場合には、有機塩基性化合物Cを更に含有することが、レジストパタ-ン形状を良好とし、保管状態での経時安定性などを向上させる点から好ましい。本発明に係るレリーフパターンの製造方法は、i本発明に係るネガ型レジスト組成物を基板上に塗布した後、加熱処理し、レジスト膜を形成する工程、及びii前記レジスト膜を電子線、イオンビーム、EUV、又はX線で露光し、現像する工程、を含むことを特徴とする。本発明によれば、高感度且つ高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを形成することができる。本発明に係るレリーフパターンの製造方法において、化学増幅型レジスト組成物を用いる場合には、露光後、現像前に、加熱する工程を含むことが、高感度且つ高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを形成する点から好ましい。本発明は、前記本発明に係るネガ型レジスト組成物又はその硬化物により少なくとも一部分が形成されている、電子部品も提供する。本発明によれば、ネガ型レジスト組成物中に含まれるレジスト基質として、アルカリ現像性を有するレジスト基質及び架橋剤として機能する、特定の構造を有するフェノール性化合物を用い、当該フェノール性化合物の含有量を高くすることにより、アルカリ現像が可能で、高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる。中でも、化学増幅型レジスト組成物とした時は、アルカリ現像が可能で、高感度且つ高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる。また、前記特定の構造を有するフェノール性化合物は、光酸発生剤を実質的に含有しない非化学増幅型レジスト組成物に用いられるレジスト基質としても機能し、当該非化学増幅型レジスト組成物とした時は、アルカリ現像可能で、真空中の露光後線幅安定性が高く、高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる。以下において本発明を詳しく説明する。Iネガ型レジスト組成物本発明のネガ型レジスト組成物は、フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する分子量400~2500のフェノール性化合物Aを含有するネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物Aの含有量が70重量以上であることを特徴とする。ネガ型レジスト組成物中に多数の成分を用いると、各成分の相溶性の問題から膜内で各成分が相分離しやすい場合がある。このような場合には、均一なレジスト膜を作製することはできず、ラインエッジラフネスは悪化する。また、例えば、ポリフェノール化合物に架橋剤を混合してレジスト組成物とする場合、相溶性の点から架橋剤の含有量には限界があるため、感度を向上し難いという問題がある。また、レジスト基質としてポリマーを用いる場合、現像時に膨潤が生じ易いため、その膨潤により解像力の低下やラインエッジラフネスの悪化が起こる。そこで、本発明者らは、高解像で、低ラインエッジラフネスのパターンを得るために、ポリマーと比較して現像時の膨潤を抑制する効果のある低分子量のレジスト基質を用いて、均一性の高いレジスト膜を形成することが重要であると考えた。そのために、1つの分子に複数の機能を有するように設計すれば、組成物中の成分数を減らすことが可能になり、各成分の相分離によるレジスト膜の不均一性を改善することができる。このような考えの下、本発明者らは、レジスト基質となる比較的低分子の特定のフェノール性化合物に、架橋性基として、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を導入した。このような架橋性及びアルカリ現像性を有する特定のレジスト基質を用い、当該レジスト基質のレジスト組成物の固形分中含有量を高くすることにより、作製されるレジスト膜の均一性が向上し、高解像力で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができると考えられる。本発明に係るネガ型レジスト組成物においては、以下の化学増幅型と、非化学増幅型の2つの態様がある。本発明に係るネガ型レジスト組成物の第一の態様は、フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する分子量400~2500のフェノール性化合物A、及び波長248nm以下の活性エネルギー線を照射することで直接又は間接的に酸を発生する酸発生剤Bを含有するネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物Aの含有量が70重量以上であり、化学増幅型であることを特徴とする。上記化学増幅型のネガ型レジスト組成物は、レジストパターン形成時に露光光の照射により酸発生剤Bから酸が発生すると、当該酸が作用して、上記フェノール化合物A同士で、フェノール性水酸基のオルト位に存在するヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基の存在により架橋結合が形成され、アルカリ不溶性となる。そのため、レジストパターン形成において、当該ネガ型レジスト組成物からなるレジスト膜を選択的に露光すると、或いは露光に加えて露光後加熱すると、露光部はアルカリ不溶性となる一方、未露光部はアルカリ可溶性のまま変化しないので、アルカリ現像することによりネガ型のレジストパターンを形成することができる。このような化学増幅型レジスト組成物は、酸の作用により、高感度を達成できる。また、比較的低分子のレジスト基質をレジスト組成物の固形分含有量が高い状態で用いるため、解像力も高くなる。また、本発明に係るネガ型レジスト組成物の第二の態様は、フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に2個以上有する分子量400~2500のフェノール性化合物Aを含有するネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物Aの含有量が70重量以上であり、酸発生剤を実質的に含有しない、非化学増幅型であることを特徴とする。化学増幅型レジストは、酸の拡散を利用して高感度を達成しているが、その酸の拡散長は数nmから数十nmあるといわれており、20nm以下の超高解像パターンを低ラインエッジラフネスで得ることは困難である。そこで、本発明者らは、酸を介さず架橋反応が進行する非化学増幅型のレジスト材料に着目した。本発明に用いられる、架橋性基を1分子中に2個以上有し、アルカリ現像性を有する特定の低分子ポリフェノール性化合物Aは、水酸基に対する架橋性基の割合が高いため、レジスト組成物の固形分中含有量を高くすることにより、反応性が向上し、酸を介さなくても十分な感度で架橋反応を進行し得る。また、架橋性基として導入されているヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基は化学的安定性に優れるため、レジスト塗布後の引き置きや真空中の露光後線幅の安定性を改善することができる。上記ネガ型レジスト組成物は、フェノール性水酸基を有するのでアルカリ可溶性であるが、レジストパターン形成時に電子線等の露光光の照射により、上記フェノール化合物A同士で、フェノール性水酸基のオルト位に存在するヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基の存在により架橋結合が形成され、アルカリ不溶性となる。そのため、レジストパターン形成において、当該ネガ型レジスト組成物からなるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ不溶性となる一方、未露光部はアルカリ可溶性のまま変化しないので、アルカリ現像することによりネガ型のレジストパターンを形成することができる。また、本発明の非化学増幅型のネガ型レジスト組成物は、像形成時に酸の拡散を利用しないので、化学増幅型より解像力が高く、低ラインエッジラフネスを達成でき、寸法幅20nm以下のパターンを形成可能になる。以下、このような本発明のネガ型レジスト組成物の各構成について順に詳細に説明する。尚、本発明において活性エネルギー線とは、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、及びF2エキシマレーザー等の遠紫外線、電子線、イオンビーム、EUV、X線等を意味する。尚、本発明における基原子団の表記において、置換及び非置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含する。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含する。アルキレン基の2価の結合は、異なる炭素原子からの場合例えば、-CH2CH2-の他、同一の炭素原子からの2価の結合も含む例えば、-CH2-。また、アルキル基、シクロアルキル基は、飽和炭化水素の他、二重結合、三重結合等を有する不飽和炭化水素を含む。シクロアルキル基は、単環式の他、2環性、3環性等の多環性炭化水素も含む。<フェノール性化合物A>本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する、分子量400~2500の化合物である。当該フェノール性化合物Aの分子量を上記範囲内とすることにより、高解像で低ラインエッジラフネスが図れる。なお、本発明において、フェノール性水酸基とは、ベンゼン等の芳香環に直接結合された水酸基を意味する。本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有すればよく、1分子中のフェノール性水酸基の数は特に限定されない。本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、下記を基準としたアルカリ可溶性を有するように、適宜選択されることが好ましい。化学増幅型レジスト組成物として用いる場合には、フェノール性化合物Aは、濃度2.38重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液23°Cに対する現像速度が0.5nm/sec以上であるものを選択して用いることが好ましく、更に1.0nm/sec以上であるものを選択して用いることが好ましい。当該アルカリ可溶性樹脂のアルカリ現像速度を上記範囲内とすることにより、パターン形状の向上及び高感度化が図れる。一方、非化学増幅型レジスト組成物として用いる場合には、フェノール性化合物Aは、濃度25重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液23°Cに対する現像速度が0.5nm/sec以上であるものを選択して用いることが好ましく、更に1.0nm/sec以上であるものを選択して用いることが好ましい。当該アルカリ可溶性樹脂のアルカリ現像速度を上記範囲内とすることにより、パターン形状の向上が図れる。例えば、濃度2.38重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液23°Cに対する現像速度は、例えば、上記フェノール性化合物Aを単独で用いて、例えば5重量の溶液とし、シリコンウエハ上に乾燥後の膜厚が300nmとなるように塗膜を形成後、濃度2.38重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液23°Cに浸漬し、塗膜が完全に溶解するまでの時間を測定し、算出することができる。本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有すれば良い。非化学増幅型レジスト組成物として用いる場合には、フェノール性化合物Aは、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に2個以上有すれば良い。フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基は、フェノール性化合物の架橋性基として機能する。本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を、1分子中に2個以上有することが、更に1分子中に3個以上有することが、より更に1分子中に4個以上有することが、架橋性を高くする点から好ましい。アルコキシメチル基としては、アルコキシ基の炭素数が1~6であるものが好ましく、具体的には、メトキシメチル基、エトキシメチル基、n-プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、n-ブトキシメチル基、sec-ブトキシメチル基、t-ブトキシメチル基、各種ペンチルオキシメチル基等が挙げられる。アルコキシメチル基としては、中でも、メトキシメチル基、エトキシメチル基が、感度が良好になる点から好ましい。架橋性基としては、中でも、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、メトキシメチル基、及びエトキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基であることが、反応性が高く、感度が良好になる点から好ましい。本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、分子量が400~2500である化合物を選択して用いる。分子量が下限値未満だと、レジスト膜を形成する能力やパターンを形成する能力が劣ってしまう。一方、分子量が上限値を超えると、レジスト組成物に用いられる溶剤によって膨潤しやすくなり、パターン倒れが起こりやすく、また、パターンの形状が悪くなる恐れがある。ここでの分子量は、その分子を構成する原子の原子量の和をいう。また、分子量分布を有するオリゴマーである場合には、GPCポリスチレン換算を用いた重量平均分子量で表される。本発明において用いられるフェノール性化合物Aの分子量としては、中でも、500~2500であることが好ましく、更に600~2000であることが、成膜性および解像性の点から好ましい。本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、ガラス転移温度Tgが60°C以上、更に90°C以上であることが好ましい。ガラス転移温度が60°C以上であると、塗膜を形成する際に、脱濡れ現象dewettingが起こり難くなり、均一な膜が得られやすくなる。なお、脱濡れ現象とは、塗り広げた塗膜がプリベーク時に溶解して、はじきが生じ、均一に膜が形成されない現象をいう。通常、レジスト組成物用の溶剤としては、低沸点の溶剤を用いるとレジスト膜が急激に乾燥して均一な膜が得られないことから、スピンコート法などで塗布する際に均一なレジスト膜を得るために、沸点が90~180°Cの溶剤が使用される。スピンコート法で形成されたレジスト膜は多くの残留溶媒を含んでいるため、この溶剤を除き安定なレジスト膜を形成するため、レジスト基板をホットプレートで90°C以上の温度で加熱するプリベーク。ところが、ガラス転移温度が60°C未満のフェノール性化合物を用いると、プリベーク工程においてレジスト膜の脱濡れ現象が起こり、均一な膜が得られなくなる恐れがある。それに対し、ガラス転移温度が60°C以上のフェノール性化合物を用いる場合には、高温でのプリベークが可能となり、均一な膜が得られるほか、環境耐性ポストコーティングディレイ:PCDに優れたレジスト膜が得られる。更に、電子線によるパターン形成時に生じるパターンの粗密依存を抑制することができる。また、レジストパターン形成後のドライエッチング工程において、エッチング耐性エッチング中の高温によるパターンの溶融を防止可能に優れたパターンが得られる。なお、ここでのガラス転移温度は、示差走査熱量計DSCにより測定したものである。また、本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、沸点が80~180°Cの有機溶剤に対して、23°Cで5重量以上の溶解性を有していることが好ましい。このような場合には、スピンコート時に急激なレジスト膜の乾燥を防ぐことが可能となり、均一なレジスト膜が得られるというメリットがある。沸点が80~180°Cの有機溶剤の代表例としては、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、2-ヘプタノン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1-エトキシ-2-プロパノール等が挙げられる。中でも、本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、ガラス転移温度Tgが60°C以上であり、且つ、沸点が80~180°Cの有機溶剤に対して、23°Cで5重量以上の溶解性を有していることが好ましい。上記フェノール性化合物Aとしては、特に限定されず、適宜選択して用いることができる。例えば、下記化学式1及び化学式3で表される化合物が挙げられる。[化学式1中、R1は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及び下記化学式2に示す基からなる群より選ばれる基であり、R1に含まれるアリール基は、水酸基及びヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を含んでいても良い。化学式2中、R4及びR5は、各々独立に、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基であり、Qは、アリール基又はシクロアルキル基であり、mは1又は2を表す。R2は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基であり、複数あるR2のうち、1分子中少なくとも2個は水素原子である。R3は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選ばれる基である。n1は1~3の整数、n2は0~2の整数を表す。但し、n1n2≦4となる組み合わせをn1及びn2の数値範囲から選択するものとする。x1は3~12の整数を表す。但し、R1及び/又はR3において、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する。また、化学式1に含まれる同一符号で表される基は、互いに同じでも異なっていてもよい。]化学式3中、R6、R7、R8及びR9は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヒドロキシメチル基、又はアルコキシメチル基、或いは、これらの組み合わせからなる基を表す。複数のR6が結合して環を形成してもよい。複数のR7が結合して環を形成してもよい。複数のR8が結合して環を形成してもよい。複数のR9が結合して環を形成してもよい。また、複数あるR6、R7、R8及びR9は互いに同じであっても異なっていても良い。R10及びR11は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表し、複数あるR10及びR11は互いに同じであっても異なっていても良い。また、複数あるR10及びR11のうち少なくとも2つは水素原子である。更に、R6、R7、及び/又はR9において、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する。Wは単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、又は、ヘテロ原子を含んでいてもよい、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はアリーレン基、或いは、これらの任意の組み合わせからなる基を表す。複数あるWは互いに同じであっても異なっていても良い。x2は正の整数を表す。y1は0以上の整数を表し、Wが単結合の場合、y1は0である。y2は0以上の整数を表し、y3は正の整数を表す。zは0以上の整数を表す。vは0以上の整数を表す。k1及びk4は正の整数を表す。k2、k3、及びk5は各々独立して0以上の整数を表す。但し、k1k2z=5、k3v=3、k4k5=5、k2k5≧2を満たす。上記化学式1で表される化合物において、R1のアルキル基としては、特に制限はないが、炭素数1~18のアルキル基が好ましい。当該アルキル基は、直鎖でも、分岐状でも良い。例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基、ヘキサデシル基等が挙げられる。また、二重結合、三重結合等の不飽和結合を有していても良い。アルキル基が有する置換基としては、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等が挙げられる。R1のシクロアルキル基としては、特に制限はなく、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられる。また、二重結合、三重結合等の不飽和結合を有していてもよく、単環性、多環性のどちらでもよい。シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が好ましい。シクロアルキル基が有する置換基としては、特に制限はないが、例えば、炭素数1~5のアルキル基、水酸基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等が挙げられる。炭素数1~5のアルキル基としては、直鎖又は分岐状のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基等が挙げられる。分岐状アルキル基としては、例えば、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基等が挙げられる。また、アルコキシ基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基等が挙げられる。アルコキシアルキル基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のアルコキシアルキル基が好ましく、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、メトキシプロピル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲノアルキル基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のハロゲノアルキル基が好ましく、例えば、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、トリブロモメチル基、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1-クロロエチル基、1-ブロモエチル基、1-フルオロエチル基、1,2-ジクロロエチル基、1,1,2,2-テトラクロロエチル基等が挙げられる。R1のアリール基としては、特に制限はないが、好ましくは炭素数6~14、更に好ましくは炭素数6~10であり、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられる。また、アリール基が有する置換基としては、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基、シクロアルキル基、炭素数1~5のアルキル基、水酸基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等が挙げられる。アリール基が有する置換基としてのシクロアルキル基は、上記のシクロアルキル基と同様のものが挙げられる。また、当該シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、水酸基、アルコキシ基等が挙げられる。炭素数1~5のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、i-プロピル基等が挙げられる。アルコキシ基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基等が挙げられる。アリール基が有する置換基としての炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基、及びアルコキシメチル基は、上記で示したとおりである。上記化学式2中、R4及びR5は、各々独立に、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基である。炭素数1~3のアルキル基としては、直鎖又は分岐状のいずれでもよいが、中でもメチル基、エチル基が、エッチング耐性の点から好ましい。mが2の場合、2つのR4及びR5はそれぞれ、同一であっても異なっていても良い。上記化学式2中、R4及びR5のいずれも水素原子である場合が好適に用いられる。上記化学式2中のQのアリール基としては、上記アリール基と同様のものが挙げられる。Qのアリール基が有する置換基は、上記アリール基が有する置換基と同様のものが挙げられ、水酸基及びヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を含んでいても良い。また、上記化学式2中のQのシクロアルキル基としては、上記シクロアルキル基と同様のものが挙げられる。Qのシクロアルキル基が有する置換基は、上記シクロアルキル基が有する置換基と同様のものが挙げられる。R2の1価の有機基としては、特に制限はないが、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基が挙げられる。R2のアルキル基としては、上記R1と同様のものが挙げられる。R2のアルキル基の有する置換基としては、上記R1のものと同様のものが挙げられる。また、R2のシクロアルキル基、及びシクロアルキル基の有する置換基としては、上記R1のものと同様のものとすることができる。更に、R2のアリール基、及びアリール基が有する置換基としては、上記R1のものと同様のものとすることができる。R3のアルコキシメチル基は、上記で示したとおりである。R3のハロゲン原子、アルキル基としては、上記R1と同様のものが挙げられる。R3としてのアルキル基が有する置換基は、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、水酸基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。R3のシクロアルキル基、及びシクロアルキル基の有する置換基としては、上記R1のものと同様のものとすることができる。R3のアリール基、及びアリール基が有する置換基としては、上記R1のものと同様のものとすることができる。また、R3のアルコキシ基としては、上記R1と同様のものが挙げられる。R3のアシル基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のアシル基が好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。x1は3~12の整数、好ましくは4~12の整数、より好ましくは4~8の整数である。前記化学式1で表される化合物は、1分子中に、フェノール性水酸基を2つ以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1個以上有すれば、各繰り返し単位の同一符号で示される置換基はそれぞれ、同じであっても異なっていても良い。各繰り返し単位におけるOR2及びR3の位置が同じであっても異なっていても良い。上記化学式1で表される化合物においては、高感度、且つ、高解像力で形状が良好なパターンを得る点から、中でも、x1が4で、n1が2であることが好ましく、更にx1が4で、n1が2の、8個のR2のうち水素原子が4~8個のカリックスレゾルシンアレン誘導体であって、且つ、R2が水素原子であるオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有することが好ましい。また、上記化学式1で表される化合物においては、高感度、且つ、高解像力で形状が良好なパターンを得る点から、中でも、x1が4で、n1が2であることが好ましく、更にx1が4で、n1が2の、8個のR2のうち水素原子が0~8個のカリックスレゾルシンアレン誘導体であって、且つ、R1に、フェノール性水酸基と、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を含むアリール基を有することが好ましい。一方、上記化学式3で表される化合物において、R6、R7、R8及びR9におけるアルキル基は、直鎖でも分岐状でもよく、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘキシル基、オクチル基等の炭素数1~10個のものが挙げられる。R6、R7、R8及びR9におけるシクロアルキル基としては、単環、多環どちらでもよい。例えば、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6~30個が好ましく、特に炭素数7~25個が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基等を挙げることができる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していてもよい。R6、R7、R8及びR9におけるアリール基としては、上記R1と同様であって良い。また、R6、R7、R8及びR9におけるヒドロキシメチル基、又はアルコキシメチル基としては、上記と同様であって良い。なお、上記化学式3で表される化合物において、R6はx2が2以上の整数の場合はx2価の基となる。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基が有してよい置換基としては、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等、ヒドロキシメチル基、又はアルコキシメチル基等を挙げることができる。R10及びR11における1価の有機基とは、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミド基、シアノ基等を挙げることができる。アルキル基は、炭素数1~10個のアルキル基又はシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等を挙げることができる。アリール基は、炭素数6~14のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等を挙げることができる。アラルキル基は、炭素数6~12個のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等を挙げることができる。アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基に於けるアルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基等を挙げることができる。Wにおけるアルキレン基は、直鎖でも分岐状でもよく、炭素数1~10のものが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基等が挙げられる。Wにおけるシクロアルキレン基は、単環、多環どちらでもよく、環を形成するアルキレン基としては、例えば炭素数3~8個のシクロアルキレン基例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基を挙げることができる。Wにおけるアルキレン基及びシクロアルキレン基は、さらに置換基を有していてよく、置換基としては、アルキル基好ましくは炭素数1~10、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等、アルコキシ基好ましくは炭素数1~4、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。また、アルキレン鎖又はシクロアルキレン鎖は、アルキレン鎖中に-O-、-OC=O-、-OC=OO-、-NR-C=O-、-NR-C=OO-、-S-、-SO-、-SO2-を含んでいても良い。ここでRは水素原子又はアルキル基好ましくは炭素数1~10、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等である。Wにおける環状のアリーレン基としては、好ましくはフェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等の炭素数6~15個のものが挙げられる。以下にフェノール性化合物Aの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。1分子中のフェノール性水酸基が2個以上存在し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有すれば、以下の具体例のフェノール性水酸基は、有機基で保護されているものであっても良い。また、下記式中、Lは、各々独立に、水素原子、又は、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基であり、1分子中少なくとも1つのLは、フェノール性水酸基のオルト位に存在するヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基である。また、分子量は、400~2500を満たすものとする。本発明に用いられるフェノール性化合物Aは、フェノール性化合物の母核化合物において、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を導入することに得ることができる。上記架橋性基として機能する置換基をフェノール性化合物の母核化合物に導入する方法としては、例えば、対応するヒドロキシメチル基を有さないフェノール化合物と、ホルムアルデヒドを塩基触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、ゲル化などの副反応を防ぐために、反応温度を50°C以下で行うことが好ましい。また、アルコキシメチル基を有する各種ビスフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有するビスフェノール誘導体とアルコールを酸触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、ゲル化などの副反応を防ぐために、反応温度を100°C以下で行うことが好ましい。前記フェノール性化合物Aの母核化合物は、例えば本州化学工業株、旭有機材工業株式会社などから市販されており、これを用いることができる。また、各種フェノール化合物と各種アルデヒド、ケトンの縮合により合成することもできる。本発明に係るネガ型レジスト組成物において、フェノール性化合物Aは、上述した化合物のうち、1種単独で用いても良いし、2種以上を混合して用いても良い。しかしながら、本発明に係るネガ型レジスト組成物において、フェノール性化合物Aは、構造式が同じ化合物の純度が70重量以上であることが、低ラインエッジラフネスを向上する点から好ましい。フェノール性化合物Aは、構造式が同じ化合物の純度が80重量以上であることが更に好ましく、90重量以上であることが更に好ましい。フェノール性化合物Aとして、構造式が同じ化合物の純度が高いものを用いると、現像の進行が均一となるため、ラインエッジラフネスが低減されると推定される。但し、フェノール性化合物Aは、構造式が同じ化合物の純度が上記の値未満であっても、不純物の構造がフェノール性化合物Aに類似しており、相溶性が良好な場合には好適に用いることができる。従って、本発明で用いられるフェノール性化合物としては、分子量分布を有しない方が好ましい。本発明で用いられるフェノール性化合物としては、分子量分布を有するものであっても、分子量分布が小さいものが好ましく、分子量分布重量平均分子量<Mw>と数平均分子量<Mn>の比<Mw>/<Mn>が1.0~1.1であることが好ましい。当該フェノール性化合物Aの含有量は、化学増幅型レジストの場合には、レジスト組成物の全固形分に対して、70重量以上であり、75重量以上であることが好ましく、更に80重量以上であることが好ましい。また、少なくとも後述する酸発生剤Bを含有することから、上限は、レジスト組成物の全固形分に対して、98重量以下であることが好ましい。当該フェノール性化合物Aの含有量は、非化学増幅型レジストの場合には、レジスト組成物の全固形分に対して、70重量以上であり、80重量以上であることが好ましく、更に90重量以上であることが好ましい。なお、本発明において、固形分とは、ネガ型レジスト組成物中に含まれる成分のうち有機溶剤以外のものを意味する。<波長248nm以下の活性エネルギー線を照射することで直接又は間接的に酸を発生する酸発生剤B>本発明において、化学増幅型レジスト組成物に用いられる波長248nm以下の活性エネルギー線を照射することで直接又は間接的に酸を発生する酸発生剤Bは、従来の化学増幅型レジスト組成物において使用されている公知の酸発生剤から特に限定せずに用いることができる。上記酸発生剤Bとしては、下記化学式4~9で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種類であることが好ましい。化学式4中、R12は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~12の直鎖状アルキル基、炭素数3~12の分枝状アルキル基、炭素数3~12の環状アルキル基、炭素数1~12の直鎖状アルコキシ基、炭素数3~12の分枝状アルコキシ基、炭素数3~12の環状アルコキシ基、炭素数5~10の分岐アルコキシカルボニルアルコキシ基、水酸基、又はハロゲン原子であり、X-は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数1~12のハロゲン置換アルキル基、若しくは炭素数6~12のハロゲン置換アリール基を有するスルホン酸イオン、又はハロゲン化物イオンである。nは0~5の整数である。上記化学式4で表される化合物としては、例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメチルスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムシクロヘキサフルオロプロパン-1,3-ビススルホニルイミド、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニル-4-メチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウムp-トルエンスルホナート、ジフェニル-4-t-ブトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-4-t-ブトキシフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-フルオロフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-ヒドロキシフェニル-フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-ヒドロキシフェニル-t-ペンチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス4-フルオロフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム-p-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニル-p-トルエンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム-24-ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルナフチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウム-p-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、4-t-ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、2,4-ジt-ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-t-ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム-2,4,6-トリストリフルオロメチルベンゼンスルホネート、2,4-ジt-ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム-2,4,6-トリストリフルオロメチルベンゼンスルホネート等が挙げられる。化学式5中、X-、R13、及びnは、化学式4のX-、R12、及びnと同様である。上記化学式5で表される化合物としては、例えば、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム-2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート等が挙げられる。化学式6中、Aは炭素数1~12のアルキレン基、炭素数6~12のアリーレン基、又は炭素数1~12のアルキレンオキシ基-R’-O-、但し、R’は炭素数1~12のアルキレン基であり、R14は炭素数1~12のアルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数1~12のハロゲン置換アルキル基、又は炭素数6~12のハロゲン置換アリール基である。上記化学式6で表される化合物としては、例えば、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシフタルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシスクシンイミド、N-10-カンファースルホニルオキシフタルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-10-カンファースルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシナフチルイミド、N-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-n-オクタンスルホニルオキシナフチルイミド、N-p-トルエンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-p-トルエンスルホニルオキシナフチルイミド、N-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-パーフルオロベンゼンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-1-ナフタレンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-ナフタレンスルホニルオキシナフチルイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシナフチルイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシナフチルイミド等が挙げられる。化学式7中、R15は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、炭素数1~12の直鎖状アルキル基、炭素数3~12の分枝状アルキル基、炭素数3~12の環状アルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数3~12のヘテロアリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基である。前記各置換基は、炭素数1~12のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子、炭素数1~12のハロアルキル基で置換されていてもよい。上記化学式7で表される化合物としては、例えば、ジフェニルジスルフォン、ジ4-メチルフェニルジスルフォン、ジナフチルジスルフォン、ジ4-t-ブチルフェニルジスルフォン、ジ4-ヒドロキシフェニルジスルフォン、ジ3-ヒドロキシナフチルジスルフォン、ジ4-フルオロフェニルジスルフォン、ジ2-フルオロフェニルジスルフォン、ジ4-トリフルオロメチルフェニルジスルフォン等が挙げられる。化学式8中、R16は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、炭素数1~12の直鎖状アルキル基、炭素数3~12の分枝状アルキル基、炭素数3~12の環状アルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数3~12のヘテロアリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基である。前記各置換基は、炭素数1~12のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。上記化学式8で表される化合物としては、例えば、α-メチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-4-メチルフェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-4-ブロモフェニルアセトニトリル等が挙げられる。化学式9中、R17は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、1以上の塩素原子及び1以上の臭素原子を有するハロゲン化アルキル基である。ハロゲン化アルキル基の炭素数は1~5が好ましい。上記化学式9で表される化合物としては、例えば、モノクロロイソシアヌール酸、モノブロモイソシアヌール酸、ジクロロイソシアヌール酸、ジブロモイソシアヌール酸、トリクロロイソシアヌール酸、トリブロモイソシアヌール酸等が挙げられる。その他の酸発生剤Bとしては、例えば、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビスt-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスn-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスイソブチルスルホニルジアゾメタン、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスn-プロピルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン類、2-4-メトキシフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-メトキシナフチル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、トリス23-ジブロモプロピル-1,3,5-トリアジン、トリス23-ジブロモプロピルイソシアヌレート等のハロゲン含有トリアジン誘導体が挙げられる。これらの酸発生剤Bは1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。化学増幅型レジスト組成物の場合、酸発生剤Bの含有量は、前記フェノール性化合物A100重量部に対し、好ましくは1~30重量部、さらに好ましくは1~25重量部、よりさらに好ましくは5~20重量部である。この範囲よりも少なくなると像形成ができず、多くなると、均一な溶液とならず、保存安定性が低下する恐れがある。従って、当該酸発生剤Bの含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、2~30重量であることが好ましく、更に4~20重量であることが好ましい。一方、本発明のネガ型レジスト組成物は、非化学増幅型として用いられる場合には、実質的に光酸発生剤を含有しない。ここで、実質的に含有しないとは、化学増幅型として実質的に機能する程度に含有しないことをいう。非化学増幅型レジスト組成物の場合、光酸発生剤の含有量は、フェノール性化合物A100重量部に対し、1重量部未満であり、レジスト組成物の全固形分に対して、2重量未満であることを目安とする。<有機塩基性化合物C>本発明のネガ型レジスト組成物が化学増幅型である場合には、前記酸発生剤Bを含むため、レジストパターン形状、保管状態での経時安定性などを向上させるために、更に有機塩基性化合物Cを用いることが好ましい。有機塩基性化合物Cは、公知の有機塩基性化合物の中から任意のものを選択して使用することができる。上記有機塩基性化合物Cとしては、含窒素有機化合物が挙げられ、例えば、窒素原子を有する含窒素化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、及び含窒素複素環式化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの含窒素有機化合物に、エーテル結合、カルボニル結合、エステル結合、カーボネート結合、スルフィド結合、スルホン結合、等の極性基を鎖中に含む化合物や、エステル基、アセタール基、シアノ基、アルコキシ基、水酸基、等の極性基を置換基として含む化合物も好適に用いられる。含窒素有機化合物としては、例えば、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン、n-ドデシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノシクロアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニルアミン、ジ-n-デシルアミン、メチル-n-ドデシルアミン、ジ-n-ドデシルメチルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジシクロアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、ジメチル-n-ドデシルアミン、ジ-n-ドデシルメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、1-ナフチルアミン等の芳香族アミン類;エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ポリエチレンイミン、2,2-フェニルイミノジエタノール、ポリアリルアミン、N-2-ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体、トリス2-アセトキシエチルアミン、トリス2-ピバロイルオキシエチルアミン、トリス2-t-ブトキシカルボニルオキシエチルアミン、トリス[2-2-オキソプロポキシエチル]アミン、トリス[2-メトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-t-ブトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-2-メトキシエトキシエチル]アミン、N-[2-メチルスルホニルエチル]ジエタノールアミン、N-[2-メチルスルホニルエチル]ビス2-アセトキシエチルアミン、N-[2-メチルスルホニルエチル]ビス2-ホルミルオキシエチルアミン、N-[2-メチルスルホニルエチル]ビス2-メトキシエチルアミン、3,3’-[2-メチルスルホニルエチル]イミノジプロピオン酸ジメチル、N-テトラヒドロフルフリルビス[2-メチルスルホニルエチル]アミン、3-[ビス2-メトキシエチルアミノ]プロピオン酸t-ブチル、3-[ビス2-アセトキシエチルアミノ]プロピオン酸t-ブチル等が挙げられる。アミド基含有化合物としては、例えば、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン等が挙げられる。ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。含窒素複素環式化合物としては、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、4,5-ジフェニルイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8-オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類;及び、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、4-メチルモルホリン、ピペラジン、14-ジメチルピペラジン、14-ジアザビシクロ2.2.2オクタン、1-[2-メトキシメトキシエチル]ピロリジン、1-[2-2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピロリジン、1-[2-2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピペリジン、4-[2-メトキシメトキシエチル]モルホリン、4-[2-2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]モルホリン1-2’,3’-ジヒドロキシルプロピル-2-メチルイミダゾール、1,3-ジ2’-メチル-1’-イミダゾイルメチルベンゼン、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジルイミダゾール、酢酸2-1H-ベンズイミダゾール-1-イルエチル、酢酸2-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾール-1-イルエチル、3-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾール-1-イルプロピオン酸メチル、1-[2-1,3-ジオキソラン-2-イルエチル]1H-ベンズイミダゾール、4-1H-ベンズイミダゾール-1-イルブチロニトリル、3-モルホリノプロピオン酸t-ブチル、3-ピペリジノプロピオン酸t-ブチル、3-ピペリジノプロピオン酸1-エチルシクロペンチル、3-ピペリジノプロピオン酸1-エチル2-ノルボルニル等が挙げられる。これらの有機塩基性化合物Cは、単独であるいは2種以上組み合わせて用いることができる。有機塩基性化合物Cの配合量は、前記フェノール性化合物A100重量部に対し、0.01~10重量部、好ましくは0.1~5重量部である。0.01重量部未満ではその添加の効果が得られない。一方、10重量部を超えると感度の低下や未露光部の現像性が悪化する傾向がある。<その他の成分>本発明のネガ型レジスト組成物は、上記特定のフェノール性化合物Aを用いるため、ヒドロキシメチル基、又はアルコキシメチル基を有しないフェノール性化合物を含む必要がない。ヒドロキシメチル基、又はアルコキシメチル基を有しないフェノール性化合物等、本願の上記フェノール性化合物Aに該当しないフェノール性化合物は、本発明の効果を損なわない範囲で含んでも良いが、低ラインエッジラフネスの点から含まないことが好ましい。また、本発明のネガ型レジスト組成物は、上記特定のフェノール性化合物Aを用いるため、従来用いられていた架橋剤を別途含む必要がない。しかしながら、本発明の効果が損なわれない範囲内で少量添加して、高感度化やパターン強度の向上に伴う解像力の改善を行っても良い。このような架橋剤の含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、10重量以下、より好ましくは5重量以下を目安にすることができる。このような架橋剤は、低ラインエッジラフネスの点からは含まないことが好ましい。上記特定のフェノール性化合物Aに該当しない架橋剤としては、特に限定されず、従来の化学増幅型のネガ型レジスト組成物において使用されている公知の架橋剤の中から任意に選択して用いることができる。例えば、4,4’-メチレンビス2,6-ビスヒドロキシメチルフェノールMBHP、4,4’-メチレンビス2,6-ビスメトキシメチルフェノールMBMP、2,3-ジヒドロキシ-5-ヒドロキシメチルノルボルナン、2-ヒドロキシ-5,6-ビスヒドロキシメチルノルボルナン、シクロヘキサンジメタノール、3,4,8又は9-トリヒドロキシトリシクロデカン、2-メチル-2-アダマンタノール、1,4-ジオキサン-2,3-ジオール、1,3,5-トリヒドロキシシクロヘキサン等のヒドロキシル基又はヒドロキシアルキル基あるいはその両方を有する脂肪族環状炭化水素又はその含酸素誘導体が挙げられる。また、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、アルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリルを用いたものをグリコールウリル系架橋剤であっても良い。また、本発明のネガ型レジスト組成物には、本発明の効果が損なわれない範囲内で、レジスト膜の性能を改良するためのオリゴマー又はポリマー成分を添加しても良い。オリゴマー又はポリマー成分を添加することにより、レジスト膜中に網目構造を導入することにより、パターン強度の向上による解像性の改善、パターン形状ラインエッジラフネスの改善ができる場合がある。このようなオリゴマー又はポリマー成分の含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、5重量以下、より好ましくは3重量以下であることが好ましい。オリゴマー又はポリマー成分としては、i線、KrFやArF用のネガ型レジスト組成物に従来用いられてきたアルカリ現像可能な樹脂である、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン誘導体、アクリル酸やメタクリル酸から誘導されるアクリル系共重合体が挙げられる。これらのオリゴマー又はポリマー成分は反応性官能基を有していても良い。オリゴマー又はポリマー成分の重量平均分子量は、2000~30000であることが好ましく、更に2000~20000であることが好ましい。ここでの重量平均分子量は、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定されたポリスチレン換算値をいう。本発明のネガ型レジスト組成物には、本発明の効果を損なわない限り、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤などを適宜、添加含有させることができる。<ネガ型レジスト組成物の調製>本発明に係るネガ型レジスト組成物は、通常、有機溶剤に上記のフェノール性化合物A、及び必要に応じてその他の添加剤を均一に混合することにより調製される。有機溶剤としては、レジストの溶剤として一般に用いられているものが使用できる。例えば、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2-メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して使用することができる。さらにイソプロピルアルコール、エチルアルコール、メチルアルコール、n-ブチルアルコール、s-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、2-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール、1-エトキシ-2-プロパノール、1-メトキシ-2-プロパノールなどのアルコールや、トルエン、キシレンなどの芳香族溶媒が含有されていても構わない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもジエチレングリコールジメチルエーテルやシクロヘキサノン、シクロペンタノン、1-エトキシ-2-プロパノール、乳酸エチルの他、安全溶剤であるプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく使用される。レジスト組成分中の溶剤量は特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。一般的には、溶剤は、レジスト組成物の固形分濃度が好ましくは0.5~20重量、より好ましくは0.5~15重量の範囲内となる様に用いられる。本発明に係るネガ型レジスト組成物は、水分含有量を0.5重量以下、更に0.01~0.5重量、より更に0.15~0.30重量に調整することが好ましい。水分含有量は、例えば、使用される材料を適宜乾燥することや、調製雰囲気を乾燥させる例えば、湿度50以下ことによって調整することができる。また、本発明に係るネガ型レジスト組成物は、酸成分含有量を1×10-3ミリ当量/g以下、更に5×10-4ミリ当量/g以下に調整することが好ましい。酸成分含有量は、例えば、使用される材料の溶液や組成物溶液をイオン交換樹脂で処理したり、使用される材料の溶液を純水で洗浄することによって調整することができる。酸成分含有量は、非水系の電位差測定によって求めることができる。本発明に係るネガ型レジスト組成物は、調製されたのち、ろ過して使用されることが好ましい。本発明のネガ型レジスト組成物は、半導体集積回路のゲート層作成用、ガラス基板上に形成されるマスクパターン加工用などの微細化された電子部品を製造するためのマイクロリソグラフィプロセスに好適に使用することができる。本発明は、上記本発明に係るネガ型レジスト組成物又はその硬化物により少なくとも一部分が形成されている、電子部品をも提供する。本発明に係る電子部品は、レジスト組成物又はその硬化物が含まれる構成のいずれかに、上記本発明に係るネガ型レジスト組成物又はその硬化物を含めば、他の構成は、従来公知と同様のものとすることができる。本発明に係る電子部品としては、例えば、MEMSマイクロ電気機械装置部品、マイクロ機械部品、マイクロ流体工学部品、μ-TASマイクロ全分析装置部品、インクジェットプリンター部品、マイクロ反応器部品、電気伝導性層、金属バンプ接続部、LIGAリソグラフィー電鋳成形部品、マイクロ射出成形及びマイクロ圧印加工のための鋳型及び押型、精密印刷用スクリーン又はステンシル、MEMS及び半導体パッケージ用部品、及び紫外線UVリトグラフにより処理することができるプリント配線基板等が挙げられる。II.レリーフパターンの製造方法本発明に係るレリーフパターンの製造方法は、i本発明に係るネガ型レジスト組成物を基板上に塗布した後、加熱処理し、レジスト膜を形成する工程、及びii前記レジスト膜を電子線、イオンビーム、EUV、又はX線で露光し、現像する工程、を含むことを特徴とする。本発明に係るレリーフパターンの製造方法によれば、アルカリ現像が可能で、高解像力で形状が良好なパターンを形成することができる。前記本発明に係る化学増幅型ネガ型レジスト組成物を用いた場合には、更に高感度を達成でき、前記本発明に係る非化学増幅型ネガ型レジスト組成物を用いた場合には、更に、真空中の露光後線幅安定性が高いパターンを形成することができる。以下、各工程についてそれぞれ説明する。i本発明に係るネガ型レジスト組成物を基板上に塗布した後、加熱処理し、レジスト膜を形成する工程本工程においては、まず、上記のネガ型レジスト組成物を基板上に塗布する。塗布方法は、基板表面に当該ネガ型レジスト組成物を均一に塗布することができる方法であれば特に限定されるものではなく、スプレー法、ロールコート法、スリットコート法、回転塗布等の各種方法を用いることができる。次に、当該基板上に塗布した当該ネガ型レジスト組成物にプリベークPABを行い、有機溶剤を除去して、レジスト膜を形成する。プリベークの温度は、当該組成物の成分、使用割合、有機溶剤の種類等により適宜決めればよく、通常、80~160°C、好ましくは90~150°Cである。また、プリベーク時間は、通常、30秒~15分程度である。ii前記レジスト膜を電子線、イオンビーム、EUV、又はX線で露光し、現像する工程本工程においては、まず、前記レジスト膜を、例えば、電子線描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターン形状を有するマスクを介した露光、又は当該マスクを介さない電子線の直接照射による描画等により、選択的に露光を行う。露光光源は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUVExtremeUltraviolet:極紫外線、電子線、X線、ヘリウムや水素等のイオンビーム等を用いて行うことができる。次いで、化学増幅型レジスト組成物を用いる場合には、露光後に、露光後加熱PostExposureBake、PEBを行う。非化学増幅型レジスト組成物を用いる場合には、露光後に、露光後加熱PostExposureBake、PEBを行ってもよい。非化学増幅型レジスト組成物は、光酸発生剤を実質的に含まないので、酸を拡散するための露光後加熱を行う必要性はない。しかしながら、露光後加熱をすることにより、感度が向上する場合があるので、適宜、露光後加熱を行うことが好ましい。PEB処理の条件は、通常、50~160°Cの温度で、0.1~15分程度の時間である。次に、上記でPEB処理された基板をアルカリ現像液を用いて現像処理し、露光光の未照射部分を除去する。現像方法としては、スプレー法、スリット法、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法等が挙げられる。また、本発明のネガ型レジスト組成物のアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n‐プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ‐n‐ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジメチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらのアルカリ現像液の中で、好ましくは第四級アンモニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンの水溶液である。また、アルカリ現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液を用いる場合、当該テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の濃度は、0.1~25であることが好ましく、更に好ましくは0.2~5であり、特に好ましくは0.2~2.38である。2.38濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液は、一般に半導体産業において最も入手しやすい。また、当該テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の濃度が0.1より薄い場合、空気中の二酸化炭素により現像液が中和されてしまい、感度が変動して安定的に製品を得る事が困難となる。現像処理した後、リンス処理を行い、基板上のアルカリ現像液及び当該アルカリ現像液によって溶解したレジスト組成物を洗い流し、乾燥させて、レジストパターンを得る。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。以下、本発明について実施例を示して具体的に説明する。これらの記載により本発明を制限するものではない。なお、製造例における、構造及び物性の確認は以下の装置を用いて行った。MALDI-TOFMS:BRUKER製、REFLEXII1H‐NMR:日本電子製、JEOLJNM-LA400WB純度:高速液体クロマトグラフィーHPLC島津製作所製LC-10ADvpを用いて、以下の条件温度:40°C、流速:1.0mL/分、カラム:VP-ODS47mm×150mm、検出器SPD-M10Avp、移動相:アセトニトリル/水により測定した。ガラス転移温度Tg:示差熱分析装置島津製作所製DSC-60を用い、パターン形成材料約4mgを10°C/分の速度で200°Cまで昇温し室温まで冷却した後、再度、10°C/分の速度で200°Cまで昇温したときのDTA曲線の変曲温度部の前後の滑らかな曲線の両接線の交点をもってガラス転移温度とした。200°Cまでにガラス転移温度に相当するDTA曲線の変曲点が観察されない場合に、Tgは200°C以上と判断した。<合成例1>10重量水酸化カリウム水溶液20mLとエタノール20mLからなる溶液に、下記化学式10で表されるフェノール性化合物母核化合物:Pre-1TEP-BOCP:旭有機材工業株式会社5.8g10mmolを加え、室温で攪拌、溶解した。この溶液に37ホルマリン水溶液14.0mL160mmoLを室温下でゆっくりと加えた。更に、窒素雰囲気下、40°Cで24時間攪拌した後、ビーカー中の水200mLに投入した。これを氷浴にて冷却しながら2.0wt酢酸水溶液をpH5.0になるまでゆっくりと加えた。析出物をろ別し、十分に水洗浄した後、乾燥し、ヒドロキシメチル基の数が4~8個導入されたフェノール性化合物の混合物A-01Mを得た。精製は、高速液体クロマトグラフィーにて行い、下記化学式11で表されるフェノール性化合物1A-01を4.8g得た。得られたフェノール性化合物1A-01の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表1に示す。<合成例2>前記合成例1において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、下記化学式12で表されるフェノール性化合物Pre-2TEOC-DF:旭有機材工業株式会社4.5g10mmolを用いた以外は、合成例1と同様にして、下記化学式13で表されるフェノール性化合物2A-02を合成した。その結果、白色の化合物を4.3g得た。得られたフェノール性化合物2A-02の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表1に示す。<合成例3>窒素雰囲気下、300mL三口フラスコ中、1,3-ジエトキシベンゼン16.6g0.1molをエタノール400mLに溶解した。これを氷浴下で冷却しながら4-ヒドロキシベンズアルデヒド12.2g0.1molを加え、次いで、濃塩酸20mLをゆっくりと滴下し、75°Cで12時間反応させた。反応後、反応溶液を氷浴にて冷却し、析出した結晶をろ別後、中性になるまで蒸留水で洗浄、乾燥した。N,N-ジメチルホルムアミドを溶剤とした再結晶により精製を行い、淡黄色の下記化学式14で表されるフェノール性化合物Pre-3を9.6g得た。前記合成例1において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、下記化学式14で表されるフェノール性化合物Pre-31.1g1mmolを用いた以外は、合成例1と同様にして、下記化学式15で表されるフェノール性化合物3A-03を合成した。その結果、白色の化合物を0.8g得た。得られたフェノール性化合物3A-03の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表1に示す。<合成例4>前記合成例1において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、9,9-ビス4-ヒドロキシフェニルフルオレン3.5g10mmolを用いた以外は、合成例1と同様にして、下記化学式16で表されるフェノール性化合物4A-04を合成した。その結果、白色の化合物を3.9g得た。得られたフェノール性化合物4A-04の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表1に示す。<合成例5>前記合成例1において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、1,3-ビス[2--2-プロピル]ベンゼン3.5g10mmolを用いた以外は、合成例1と同様にして、下記化学式17で表されるフェノール性化合物5A-05を合成した。その結果、白色の化合物を4.6g得た。得られたフェノール性化合物5A-05の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表1に示す。<合成例6~8>前記合成例2において、37ホルマリン水溶液の添加量を3.5mL40mmoLに変更した以外は、合成例2と同様にして、ヒドロキシメチル基の数が1~4個導入されたフェノール性化合物の混合物A-02Mを得た。この混合物から高速液体クロマトグラフィーを用いて、下記化学式18で表され、4個のLのうち、ヒドロキシメチル基が1個導入されたフェノール性化合物6A-06、ヒドロキシメチル基が2個導入されたフェノール性化合物7A-07、及び、ヒドロキシメチル基が3個導入されたフェノール性化合物8A-08を得た。得られたフェノール性化合物6~8A-06、A-07、A-08の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表1に示す。式中、Lは、ヒドロキシメチル基又は水素原子を表す。<合成例9>前記合成例1において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、下記化学式19で表されるフェノール性化合物Pre-9TEOCHP-DF:旭有機材工業株式会社7.3g10mmolを用い、37ホルマリン水溶液の添加量を7.0mL80mmoLに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記化学式20で表されるフェノール性化合物9A-09を合成した。その結果、白色の化合物を6.9g得た。得られたフェノール性化合物9A-09の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表2に示す。<合成例10>窒素雰囲気下、300mL三口フラスコ中、レゾルシノール11.0g0.1molをエタノール400mLに溶解した。これにベンズアルデヒド10.2mL0.1molを加え、次いで、濃塩酸20mLをゆっくりと滴下し、75°Cで12時間反応させた。反応後、反応溶液を氷浴にて冷却し、析出した結晶をろ別後、中性になるまで蒸留水で洗浄、乾燥し、淡黄色の下記化学式21で表されるフェノール性化合物Pre-10を9.2g得た。前記合成例1において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、下記化学式21で表されるフェノール性化合物Pre-100.8g1mmolを用い、37ホルマリン水溶液の添加量を0.7mL8mmoL、反応温度を5°Cに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記化学式22で表されるフェノール性化合物10A-10を合成した。その結果、薄黄色の化合物を0.7g得た。得られたフェノール性化合物10A-10の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表2に示す。<合成例11>窒素雰囲気下、300mL三口フラスコ中、レゾルシノール11.0g0.1molをエタノール400mLに溶解した。これに3-フェニルプロピオンアルデヒド14.8g1.1mmolを加え、次いで、濃塩酸20mLをゆっくりと滴下し、75°Cで12時間反応させた。反応終了後、反応溶液を水に投入し、析出した固体をろ別した後、中性になるまで蒸留水で洗浄、乾燥した。得られた固体にアセトニトリルを加え攪拌し、アセトニトリルに不溶の固体をろ別、乾燥することで薄黄色の下記化学式23で表されるフェノール性化合物Pre-11を12.3g得た。前記合成例10において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、下記化学式23で表されるフェノール性化合物Pre-110.9g1mmolを用いた以外は、合成例10と同様にして、下記化学式24で表されるフェノール性化合物11A-11を合成した。その結果、薄黄色の化合物を0.8g得た。得られたフェノール性化合物11A-11の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表2に示す。<合成例12>上記化学式13で表わされるフェノール性化合物2A-025.7g1.0mmolをメタノール250mLに加え、加熱攪拌して、溶解した。この溶液に濃硫酸0.25mLを加え、15時間加熱還流した。反応終了後、反応液を冷却し、炭酸カリウム1.0gを加えた。この溶液を濃縮した後、酢酸エチルを300mL加えた。この溶液を3回水洗した後、濃縮することにより、下記化学式25で表されるフェノール性化合物12A-12の白色化合物を4.9g得た。得られたフェノール性化合物12A-12の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表2に示す。<合成例13>前記合成例1において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、下記化学式26で表されるフェノール性化合物Pre-13TekOC-4HBPA:本州化学工業株式会社6.3g10mmolを用い、37ホルマリン水溶液の添加量を7.0mL80mmoLに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記化学式27で表されるフェノール性化合物13A-13を合成した。その結果、白色の化合物を5.8g得た。得られたフェノール性化合物13A-13の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表2に示す。<合成例14>下記化学式28で表されるフェノール性化合物Pre-14は、論文J.Mater.Chem.,18,35882008に記載の合成方法に従い合成した。その結果、白色の固体を5.4g得た。前記合成例1において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、下記化学式28で表されるフェノール性化合物Pre-142.1g1mmolを用い、37ホルマリン水溶液の添加量を2.1mL24mmoL、反応温度を5°Cに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記化学式29で表されるフェノール性化合物14A-14を合成した。その結果、薄黄色の化合物を2.0g得た。得られたフェノール性化合物14A-14の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表2に示す。<合成例15>前記合成例1において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、下記化学式30で表されるフェノール性化合物Pre-15TEIPP-BOCP:旭有機材工業株式会社7.5g10mmolを用い、37ホルマリン水溶液の添加量を7.0mL80mmoLに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記化学式31で表されるフェノール性化合物15A-15を合成した。その結果、白色の化合物を7.3g得た。得られたフェノール性化合物15A-15の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表2に示す。<比較合成例1>前記合成例1において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、フェノール化合物としてポリヒドロキシスチレン化合物VP-3500:日本曹達株式会社3.0gを用いた以外は、合成例1と同様にして、下記化学式32で表される比較フェノール性化合物CA-02を合成した。得られた比較フェノール性化合物CA-02の構造確認は、1H‐NMRスペクトルより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表2に示す。重量平均分子量および分子量分布は、THFを溶離液としたゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定した。後述する比較例で用いられる、化学式33で表される2,2-ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジヒドロキシメチルフェニルプロパン:比較フェノール性化合物CA-01は、旭有機材工業株式会社から入手した。<フェノール性化合物の溶剤溶解性の評価>上記合成例1~15で得られたフェノール性化合物A-01~A-15と、比較フェノール性化合物CA-01、CA-02を代表的な下記レジスト用溶剤に23°Cで1wtの濃度、又は5wtの濃度になるよう加え、攪拌を行った。23°Cで5wtの濃度でパターン形成材料が溶解したものを◎、1wtの濃度でパターン形成材料が溶解したものを○、不溶であったものを×として評価した。なお、結果を表3に示す。D-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルD-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートD-3:シクロペンタノン表3に示されるように、本発明で用いられるフェノール性化合物A-01~A-15は、レジスト用溶剤に対する溶解性に優れていることが明らかにされた。一方、比較フェノール性化合物CA-01、CA-02は、特定の溶剤にしか溶けないことが明らかにされた。[実施例Iシリーズ:化学増幅型ネガ型レジスト組成物]実施例I-1~I-40及び比較例I-1~I-4フェノール性化合物A、酸発生剤B、塩基性化合物C、及び有機溶剤D、並びに実施例I-33においては本発明に係るフェノール性化合物Aに加えて、フェノール性化合物Aとは異なるフェノール性化合物Pre-1を、表4に記載の配合量で均一溶液にし、各試料溶液を0.1μmのテフロン登録商標フィルターでろ過して、実施例I-1~I-40のネガ型レジスト組成物を調製した。実施例I-9においては、合成例1で得られたフェノール性化合物の混合物A-01Mを用いた。比較例I-1では、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基を有しないフェノール性化合物Pre-1をフェノール性化合物として用い、架橋剤としてフェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基を有する比較フェノール性化合物CA-01を用いた。当該、フェノール性化合物Pre-1、比較フェノール性化合物CA-01、酸発生剤B、塩基性化合物C、及び有機溶剤Dを、表4に記載の配合量で均一溶液にし、各試料溶液を0.1μmのテフロン登録商標フィルターでろ過して、比較例I-1のネガ型レジスト組成物を調製した。比較例I-2では、実施例I-1において、フェノール性化合物Aを用いる代わりに、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基を有するが、分子量が348である比較フェノール性化合物CA-01を用いた以外は実施例I-1と同様にして比較例I-2のネガ型レジスト組成物を調製した。比較例I-3では、実施例I-1において、フェノール性化合物Aを用いる代わりに、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基を有するが、重量平均分子量が2860である比較フェノール性化合物CA-02を用いた以外は実施例I-1と同様にして比較例I-3のネガ型レジスト組成物を調製した。比較例I-4では、比較例I-1と同様に、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基を有しないフェノール性化合物Pre-1をフェノール性化合物として用い、架橋剤として本発明に係るフェノール性化合物Aを少量用いて、表4に記載の配合量で比較例I-1と同様にしてネガ型レジスト組成物を調製した。なお、表4中の略号は以下の意味を有する。B-1:トリフェニルスルホニウムトリフルオロメチルスルホネートB-2:ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウムp-トルエンスルホナートB-3:トリフェニルスルホニウムシクロヘキサフルオロプロパン-1,3-ビススルホニルイミドB-4:ジフェニルヨードニウムp-トルエンスルホナートC-1:トリ-n-オクチルアミンC-2:トリベンジルアミンC-3:2,4,5‐トリフェニルイミダゾールD-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルD-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートD-3:シクロペンタノン現像液:テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液<レジストパターンの作成及び評価方法>上記実施例I-1~I-40及び比較例I-1~I-4で得られたレジスト組成物を用いて、以下に示す方法でレジストパターンを作成し、評価を行った。なお、結果を表5に示す。1レジストの塗布各レジスト組成物を、6インチシリコン基板上にスピンナーを用いて、均一に塗布し、100°Cで60秒間プリベーク処理PABを行い、膜厚50nmのレジスト膜を形成した。良好なレジスト膜が形成されたものを○、はじきなどにより良好な膜形成が困難であったものを×とした。2レジストパターンの作成上記の各レジスト膜に対し、電子線描画装置加速電圧100KeVを用いて描画を行った。描画終了後、100°Cで60秒間ベーク処理PEBを施した後、TMAH水溶液23°Cで60秒間現像処理し、純水にて60秒間リンス処理を行い、ラインアンドスペースL/Sパターンを形成した。3評価方法感度、解像力、ラインエッジラフネス感度及びラインエッジラフネスLERは、走査型電子顕微鏡SEMホロン社製により測定した。感度は100nmのL/Sパターンが1:1に形成される最少照射量を感度としてμC/cm2単位で測定した。また、その照射量における限界解像力ライン及びスペースが分離解像を解像力とした。LERは、100nmのL/Sパターンの長手方向のエッジ0.7μmの範囲について、ライン幅を500ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。<結果のまとめ>レジスト基質に架橋性基を導入した、レジスト基質兼架橋剤のフェノール性化合物Aを70重量以上用いた実施例I-1~I-40のレジスト組成物では、従来のように、レジスト基質と架橋剤を混合した比較例I-1や比較例I-4と比較して、レジスト膜が均一となりラインエッジラフネスLERが低下改善することが明らかにされた。また、分子量が400未満の架橋性基を有するフェノール性化合物CA-01を用いた、比較例I-2のレジスト組成物は、アモルファス状の膜が得られなかったためパターンを得られなかった。一方、分子量約3000の高分子ポリヒドロキシスチレン誘導体CA-02を用いた、比較例I-3のレジスト組成物は、現像時に膨潤が生じ100nm以下のパターンが得られなかった。また、実施例I-1とI-9を比較すると、純度が高い実施例I-1は、混合物の実施例I-9と比較して解像力が高く、且つLERもより低くなることが明らかにされた。更に、実施例I-8とI-10を比較すると、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性が2のA-01を用いた実施例I-8と比較して、溶解性が5のA-02をレジスト基質に用いた実施例I-10は、LERがより低くなることが明らかにされた。また、実施例I-23及びI-24、並びに、実施例I-26及びI-27を比較すると、溶解性の高い溶媒プロピレングリコールモノメチルエーテルで調製した実施例I-23、実施例I-26の方が、それぞれLERがより低くなることが明らかにされた。実施例I-16と実施例I-18、I-19、I-20を比較すると、架橋性基となるヒドロキシメチル基が1分子中に3個以上の方が、架橋性が高くなり、高感度、且つ高解像力で、LERもより低いパターンを得ることができることが明らかにされた。実施例I-26と実施例I-16を比較すると、架橋性基としてメチロール基を有する実施例I-16の方が、反応性が高く、感度、解像力に優れ、LERもより低くなることが明らかにされた。[実施例IIシリーズ:非化学増幅型ネガ型レジスト組成物]実施例II-1~II-11及び比較例II-1~II-4フェノール性化合物A、及び有機溶剤、並びに比較例においては架橋剤を、表6に記載の配合量で均一溶液にし、各試料溶液を0.1μmのテフロン登録商標フィルターでろ過して、実施例II-1~II-11及び比較例II-1~II-4のネガ型レジスト組成物を調製した。なお、表6中の略号は以下の意味を有する。PAB:露光前加熱温度°CPEB:露光後加熱温度°CD-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルD-3:シクロペンタノンD-4:アニソールD-5:オルトジクロロベンゼン現像液:テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液<レジストパターンの作成及び評価方法>上記実施例II-1~II-11及び比較例II-1~II-4で得られたレジスト組成物を用いて、以下に示す方法でレジストパターンを作成し、評価を行った。なお、結果を表7に示す。1レジストの塗布各レジスト組成物を、6インチシリコン基板上にスピンナーを用いて、均一に塗布し、100°Cで60秒間プリベーク処理PABを行い、膜厚40nmのレジスト膜を形成した。良好なレジスト膜が形成されたものを○、はじきなどにより良好な膜形成が困難であったものを×とした。2レジストパターンの作成上記の各レジスト膜に対し、電子線描画装置加速電圧100KeVを用いて描画を行った。描画終了後、場合により100°Cで60秒間ベーク処理PEBを施した後、TMAH水溶液23°Cで60秒間現像処理し、純水にて60秒間リンス処理を行い、ラインアンドスペースL/Sパターンを形成した。3評価方法感度、解像力、ラインエッジラフネス感度、解像力、及びラインエッジラフネスLERは、走査型電子顕微鏡SEMホロン社製により測定した。感度は100nmのL/Sパターンが1:1に形成される最少照射量を感度としてμC/cm2単位で測定した。また、その照射量における限界解像力ライン及びスペースが分離解像を解像力とした。LERは、100nmのL/Sパターンの長手方向のエッジ0.7μmの範囲について、ライン幅を500ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。LERは、5nm未満のものを◎、5~7nmのものを○、7nm超過のものを×として評価した。4真空中の露光後線幅安定性レジストパターンを形成する際に、電子線描画装置内で高真空下5.0×10-6Pa5時間、各レジスト組成物を放置した後、描画する工程を加える以外は上記2レジストパターンの作成と同様の方法でレジストパターンを形成した。高真空下で5時間放置する前の各レジスト組成物を用いて上記感度及び解像力の方法により求めた最小照射量と同一の照射量で、設計線幅が100nmのL/Sパターンの線幅を測定した。高真空下で5時間放置する前の各レジスト組成物で得られたパターン線幅に対し、高真空下5時間放置後の各レジスト組成物で得られたパターン線幅の変化が、5以内であるものを○、5を超えるものを×とした。<結果のまとめ>レジスト基質に架橋性基を導入した、レジスト基質兼架橋剤のフェノール性化合物Aをパターン形成材料として用いた実施例II-1~II-11の非化学増幅型レジスト組成物では、アルカリ現像が可能で、真空中の露光後線幅安定性が高く、高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができることが明らかにされた。特に、フェノール性化合物13A-13を用いた実施例II-4~II-9では、高感度であることが明らかにされた。一方、架橋性基を導入していないフェノール性化合物Pre-1を用いた比較例II-1では、3000μc/cm2までの照射量でパターンを得ることはできなかった。また、架橋性基を導入していないフェノール性化合物Pre-1に架橋剤CA-01を組み合わせた比較例II-2では、3000μc/cm2までの照射量でパターンを得ることはできなかった。また、分子量が400以下の架橋性基を有するフェノール性化合物CA-01を用いた、比較例II-3のレジスト組成物は、プリベーク処理中に溶解脱濡れが起こり、均一なレジスト膜を形成できず、その後の評価ができなかった。一方、分子量約3000の高分子ポリヒドロキシスチレン誘導体CA-02を用いた、比較例II-4のレジスト組成物は、現像時に膨潤が生じ100nm以下のパターンが得られなかった。参考例1及び2非特許文献3で開示された下記化学式34で表されるパターン形成材料TEP-Gを旭有機材工業株式会社から入手し、高速液体クロマトグラフィーで純度99以上に精製した。なお、下記化学式34で表されるパターン形成材料TEP-Gのガラス転移温度は47°Cであった。化学式34で表されるパターン形成材料TEP-G0.2gと、酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート0.02gとを、シクロペンタノン15gに均一に溶解したレジスト組成物を調製した。参考例1では、上記レジスト組成物を、6インチシリコン基板上にスピンナーを用いて、均一に塗布し、90°Cで60秒間プリベーク処理PABを行い、膜厚50nmのレジスト膜を形成した。しかしながら、プリベーク処理中に溶解脱濡れが起こり、均一なレジスト膜を形成できず、その後の評価ができなかった。そこで、参考例2では、プリベーク温度を60°Cと低温にしてレジスト膜を形成した。そして、レジスト膜に対し、電子線描画装置加速電圧100KeVを用いて描画を行った。描画終了後、60°Cで60秒間露光後ベーク処理PEBを施した。その後、有機溶剤23°Cで60秒間現像処理し、イソプロピルアルコールIPAにて60秒間リンス処理を行い、ラインアンドスペースL/Sパターンを形成した。パターン寸法安定性の評価として、レジストパターンを形成する際に、電子線描画装置内で高真空下5時間、上記レジスト組成物を放置した後、描画する工程を加える以外は上記と同様の方法でレジストパターンを形成した。高真空下で5時間放置する前のレジスト組成物を用いて上記実施例の感度の方法により求めた最小照射量と同一の照射量で、設計線幅が100nmのL/Sパターンの線幅を測定した。高真空下で5時間放置する前のレジスト組成物で得られたパターン線幅に対し、高真空下5時間放置後のレジスト組成物で得られたパターン線幅の変化は5を超え、参考例2で形成されたレジスト膜は、真空安定性が悪いことが明らかにされた。以上のことから、ガラス転移温度Tgが低いパターン形成化合物を使用するとレジスト膜形成時のプリベーク処理中にはじきが生じるためパターン形成が困難となるとわかった。また、Tg以下の低温でプリベーク処理を行うとレジスト膜中の残留溶媒量が多くなるためレジストの安定性線幅安定性や真空安定性、引き置き安定性が低下するという問題が生じることも明らかにされた。"