"導電性被加工物の電解加工方法において、aアノードを含む被加工物、カソードを含む工具、および電解液を設けるステップであって、加工が前記被加工物上にベータ絶縁層を形成する非ガス状イオン溶解副産物を生成する前記加工のプロセス中に、前記カソードは、前記被加工物と間隔を空けた関係で配置され、前記電解液が両者間を連続して流れるように方向付けられているステップと、b前記被加工物およびカソード間に電圧を印加するステップであって、前記電圧は、前記電解液の実質的な加水分解を開始することなく最大化される前記被加工物および前記カソード間の電流を得るために選択されるステップと、c前記カソードおよび/または前記被加工物の一方を用いて、前記ベータ絶縁層に摂動を与えて前記電解液を有する溶液中へと除去するステップと、を含むことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記被加工物および前記工具は、約0~10.0μmの距離だけ間隔を空け、前記間隔は、前記加工プロセス中、実質的に一定に維持されることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記被加工物および前記工具は、約0~約7.0μmの距離だけ間隔を空け、前記間隔は、前記加工プロセス中、実質的に一定に維持されることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記被加工物および前記工具は、約0~約5.0μmの距離だけ間隔を空け、前記間隔は、前記加工プロセス中、実質的に一定に維持されることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記被加工物および前記工具は、約0~約1.0μmの距離だけ間隔を空け、前記間隔は、前記加工プロセス中、実質的に一定に維持されることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記工具を移動させることによって、前記ベータ絶縁層に摂動を与えるステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項6に記載の方法において、約0.1~約80メートル/秒以下MPSの速度で前記工具を移動させることによって、前記BILに摂動を与えることを特徴とする方法。請求項6に記載の方法において、約0.1~約40メートル/秒以下MPSの速度で前記工具を移動させることによって、前記BILに摂動を与えることを特徴とする方法。請求項6に記載の方法において、約0.1~約20MPSの速度で前記工具を移動させることによって、前記BILに摂動を与えることを特徴とする方法。請求項6に記載の方法において、約0.1~約1MPSの速度で前記工具を移動させることによって、前記BILに摂動を与えることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記被加工物を移動させることによって、前記ベータ絶縁層に摂動を与えるステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項11に記載の方法において、約0.1~約80MPSの速度で前記被加工物を移動させることによって、前記BILに摂動を与えることを特徴とする方法。請求項11に記載の方法において、約0.1~約40MPSの速度で前記被加工物を移動させることによって、前記BILに摂動を与えることを特徴とする方法。請求項11に記載の方法において、約0.1~約20MPSの速度で前記被加工物を移動させることによって、前記BILに摂動を与えることを特徴とする方法。請求項11に記載の方法において、約0.1~約1MPSの速度で前記被加工物を移動させることによって、前記BILに摂動を与えることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記被加工物の線形抵抗を低下させるために、前記被加工物にフュージティブ電極を塗布することをさらに含むことを特徴とする方法。請求項16に記載の方法において、前記線形抵抗は、約10~100オームの範囲に低減されることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、加工が行われない前記被加工物の領域に電気保護層を塗布するステップをさらに含むことを特徴とする方法。導電性被加工物の電解加工を、間隔を空け、前記被加工物との間に電極間ギャップIEGを規定する工具と、前記IEGを通るように方向付けられた電解液とを用いて行う方法において、前記加工は、前記被加工物上にベータ絶縁層を形成する非ガス状イオン溶解副産物を生成し、前記方法は、a実質的に0ボルトから開始して、前記被加工物および工具間に徐々に増加する電圧を印加するステップと、b前記被加工物および工具間に発生する電流を監視するステップと、c電流の発生を感知すると、前記電圧の第1の値を観測し、前記第1の値は、低加工電位電圧LMPVを規定するステップと、d連続的に前記電圧を徐々に増加させながら、前記電流の低下を感知した際に前記電圧の第2の値を観測し、前記第2の値は、前記電流低下の開始の直前に生じ、前記第2の値は、高加工電位電圧HMPVを規定するステップと、e前記LMPVおよびHMPV間に維持される電圧を用いて、前記被加工物を電解加工するステップと、を含むことを特徴とする方法。請求項19に記載の方法において、前記加工プロセス中に、前記被加工物の表面積の増大に応じて、前記電圧を低下させるステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項19に記載の方法において、前記加工プロセス中に、前記工具または被加工物を移動させることによって前記ベータ絶縁層に摂動を与えるステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項21に記載の方法において、被加工物表面積の増大に応じて、工具の動作速度を増加させるステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項19に記載の方法において、前記IEGを約0~10μmの範囲に維持するステップをさらに含むことを特徴とする方法。導電性被加工物の電解加工方法において、aアノードを含む被加工物、カソードを含む工具、および電解液を設けるステップであって、加工が前記被加工物上にベータ絶縁層を形成する非ガス状イオン溶解副産物を生成する前記加工のプロセス中に、前記カソードは、前記被加工物と間隔を空けた関係で配置され、それによって、電極間ギャップIEGが規定され、前記電解液が両者間を連続して流れるように方向付けられているステップと、b前記被加工物およびカソード間に電圧を印加するステップと、c前記カソードおよび/または前記被加工物の一方を移動させることによって、前記電解液を有する溶液中へと前記ベータ絶縁層に摂動を与えて除去するステップであって、前記摂動により、同時に、前記電解液が約0~10μmの範囲に維持されるIEG内へと押し入れられ、かつ前記IEGの外へと引き出されるステップと、を含むことを特徴とする方法。本発明の上記の特徴、利点、および目的を達成する方法が詳細に理解できるように、上記で簡潔に要約した本発明のより詳しい説明は、添付の図面に示されるその実施形態を参照することによって得られる。全ての図面において、同一の番号は、同一要素を表す。図1は、参照符号10で通常示される本発明の可能な一実施形態による本発明のECMシステムを示す。この実施形態では、工具12は、他の工具構成も可能であることは分かっているが、変速モータ14を介してそのスピンドル軸x-xの周りを回転可能な鋳鉄ホイールの形態で提供される。加工が行われる導電性被加工物16は、例えば真鍮等の導電性材料から形成されたホルダ18内に取り付けられる。図14を参照する下記の別の実施形態では、ホルダ18は、アクリル等の電気絶縁材料から作られ、被加工物16を被加工物ホルダ18に接続させる導電性ポリマー等の中間材料を用いて被加工物16に正電荷を運ぶ銅線等の内部導電体を備えていてもよい。被加工物ホルダ18自体は、X調整ノブ26およびY調整ノブ28を有するXYモーションコントローラ24上に取り付けられる電気絶縁板22上に取り付けられる導電性ホルダ20例えば、ステンレス鋼に取り付けられる。手動の調整ノブが図示されているが、所望であれば、XY移動かつ所望であればZ軸に沿うは、コンピュータ制御されてもよい。別の実施形態図14では、ホルダ18は、アクリル等の電気絶縁材料から作られ、ネジ等の機械的/電気的接続21を介して被加工物16をホルダ20に接続させる導電性ポリマー等の中間材料19を用いて被加工物16に正電荷を運ぶ銅線等の内部導電体17を備えていてもよい。選択された被加工物材料に基づいて、アノードおよびカソード間の設定電圧によって定められる電流を伝導させる目的で、電解液31を選択する。本発明では、この電解液は、例えば、無機または有機電解液または溶融塩の形態を取り得る。電解液排出管30は、選択された電解液31を電極間ギャップIEG32に届けるために設けられる。電解液31は、管34を介してポンプ36およびフローダンプナーflowdampener38に電解液を届けることにより排出管30に到達する電解液量の計量を可能にするリザーバタンク33から、排出管30へと届けられる。電解液は、回収された電解液が管42を介してリザーバ33へと戻されるサンプ40で回収される。110VACのプラグ46から電力を受け取る0~50VDCの変動出力を有するVAC-VDC変換器の形態でもよい電源44が設けられる。DC正端子48は、回路線50を介してホルダ20へとつながり、これは、正電荷を被加工物16へと届け、従って被加工物16は、ECMシステムにおける正のアノードを含み、工具12は、モータ14の接地への接続を介して負のカソードを含む。IRデータロガー出力を有するデジタルDC電流計52AgilentTechnologiesから入手可能は、回路線50に接続されることにより、0.1mAレベルの電流電荷を最大100mAおよび最小0mAで表示可能な動作中のECMシステムの時間/電流グラフを表示する出力スクリーン54を介した、被加工物16へと届けられた電流のリアルタイム監視が可能となる。電圧出力も同様に電源44に接続されたデジタルボルト計56上で監視される。図2a~2dは、ECMシステムで加工を行うための例示的被加工物16の準備を示す。この実施形態では、被加工物は、その開示内容全体が本明細書において援用される共有の米国特許第6,616,890号明細書の発明対象であるアルミニウムドープされた炭化ケイ素SiC等の導電性材料から作られる。もちろん、全ての金属、合金、およびそれらの複合材料を含むが、必ずしもそれらに限定されない任意の導電性材料の加工に本発明を用いることができることを理解されたい。この例では、被加工物16はまず、外科用ブレードへの加工を意図した高アスペクト比を持つ長方形のブランクに成形される。SiCは、非常に耐食性および耐久性があることで知られており、従って、上記の外科用ブレード等のこれらの特性の恩恵を受ける部品を製造するための材料として望ましい。しかしながら、高速かつ正確に加工を行うことが非常に難しいことでも知られており、この理由のために選択材料として用いられることがあまりない。第6,616,890号の特許は、SiCがアルミニウムまたはアルミナでドープされることにより、均質的に導電性となり、本発明のECMプロセスを用いた加工が可能となる方法を記載している。アルミニウムドープされたSiCは、実際に導電性であるが、本発明者は、被加工物の電気抵抗がアスペクト比の増加に伴って増加し、その結果、加工前に本明細書においてフュージティブ電極fugitiveelectrodeと称するものを塗布することによって、電解加工結果をさらに最適化することができることを発見した。本明細書の被加工物16の例は、後に説明されるようなフュージティブ電極60を含むが、他に選択された被加工物は、それらの材料組成および/または形状による十分な導電率を有し、フュージティブ電極を必要としない場合があることを理解されたい。図2aでは、この例ではブレードに加工することを意図した被加工物16の端部16aは、これに塗布された第1の除去可能コーティング58を有する。第1のコーティング58は、図2b~2dに見られるフュージティブ電極60の塗布を行う間に、端部16aを保護する任意の適切な材料から形成することができる。第1のコーティング58に適した材料には、例えば、シリコーン、ウレタン、またはシアノアクリレート等のポリマーが含まれるが、必ずしもそれらに限定されることはない。第1のコーティング58が端部16aに塗布されると、図2bに見られるように、被加工物16のコーティングされていない部分にフュージティブ電極60が塗布される。フュージティブ電極は、例えばニッケルめっきプロセスにおけるニッケル等の任意の導電性コーティング材料を用いて塗布することができる。図2cでは、加工端部16aの反対側の被加工物端部16bは、例えば真鍮から形成することができる適切な導電性ホルダ18内に取り付けられる。次に、少なくとも本発明のECMプロセスによる加工を意図していない領域を覆い、保護するために、例えばワックスまたはシリコーン等の第2の除去可能コーティング62を被加工物に塗布する。図2dでは、被加工物16は、第1のコーティング58、フュージティブ電極60、ホルダ18、および第2のコーティング62によって完全に覆われて見える。図2eは、回転ホイール12および必要であれば適切な潤滑剤59を用いて被加工物端部16aが露出するように、コーティング58および60を研磨により除去するステップを示している但し、端部16aにおいてコーティングを除去する任意の適切な方法を用いることもできることは理解されたい。最後に、図2fは、本明細書に記載される本発明のECMプロセスを用いて加工される被加工物端部16aを露出させるためのコーティング58および60の除去後の加工準備が整った被加工物16を示している。次に、被加工物16は、真鍮ホルダ18をステンレス鋼ホルダ20内に挿入することによって、本発明のECMシステム10に移される。真鍮ホルダ18は、外科用ブレードの意図された鋭いエッジを形成するための被加工物端部上に加工される所望の角度を反映した角度で、工具12の平側面12aの近くに被加工物16を位置決めする図1を参照。電源44が作動すると、正電圧の印加により、DC電流は、線50に沿ってホルダ20へと伝達され、これは、真鍮ホルダ18を通って伝導し、被加工物端部16bおよびフュージティブ電極60に到達する。図2fに見られるように、フュージティブ電極60は、この例ではブレードに加工される端部である端部16a付近の地点まで被加工物16の長さを伸びている。加工が意図されていない被加工物16の領域の保護、並びに、フュージティブ電極60の遠位端60aの保護を行うために、少量の第1のコーティング58が端部16aの周囲に残存する。フュージティブ電極60の助けにより、正電圧が印加され、その結果、電流が回路において被加工物16を通って被加工物端部16aまで流れ、その結果、これが本発明のECMシステムにおけるアノードを形成する。上記のように、本発明のECMシステムは、材料の種類および特性に応じて異なる、被加工物を加工するための最適な本発明のECM動作電圧および電流を算出するステップを含む。これは、参照電極が好ましくは飽和カロメル電極である図9に示すような実験によって行うことができる。ある特定の種類の被加工物材料に関するLMPVLowMachiningPotentialVoltage低加工電位電圧およびHMPVHighMachiningPotentialVoltage高加工電位電圧は、電圧がゼロまたはゼロに近いボルト数から徐々に増加する間の電流を能動的に監視することにより、図9のポテンショスタットシステムにおいて被加工物を使用して特定することができる。図3は、図9の装置設定を用いた、材料がはっきりと溶解し始めるおおよそ2VDCのDC電圧LMPVを点Aが表す典型的なポテンショスタットボルタンメトリー曲線単一のスイープの半分のみが表示されているを示している。点Aは、電圧がゆっくりと増加している時に、電流が急激に増加し始める曲線の点で特定される。約2.8VDCと読み取れる点Cは、加水分解および関連のガス生成が最小である、被加工物の溶解が最適に高い速度であるHMPV点を指定する。点Cは、曲線が横ばい状態すなわち、変化率の減少となり始める時に特定される。好ましい動作電圧POV図12aは、HMPVおよびLMPVの一方または両者間のどこかの点であり、この点では、被加工物材料の溶解は、電解液および被加工領域のアスペクト比に関して効率的に最大である。上記のように、本明細書に記載する実施形態の被加工物16は、高アスペクト比の部品である。低アスペクト比の被加工面加工場所におけるより大きな表面積を意味するは、以下にさらに説明を行う図12b高アスペクト比の被加工面と比較して、プロセスによって発生するガスによる妨害に対してより弱い。結果的に、表面積が大きくなるにつれてIEGにおいて発生するガスの合計量の増加を補償するために、POVは、表面積の増加に伴って低下する。POVへの減少は、表面積と直接相関されず、電流および出力パラメータの注意深い監視を必要とする。POVへの調整は、ガスの発生を制御し、ガスのエントロピーが加工プロセスを妨害することを防ぐために必要である。POVが適宜に調整されなければ、IEGにおいて発生するガスの総量これは、表面積が増大するにつれて増加するは、ガスエントロピー効果図12bをもたらす。図13に示すように、本実施形態では変速モータ14がホイール12を回転させる選択速度もまた、被加工物の表面積に左右される。好ましい摂動速度PPS、または工具12が直接BILに摂動を与える理想の速度は、同時に新たな電解液を狭いIEG内に導入しながら、ガス状および非ガス状の全ての溶解副産物を効率的かつ効果的に除去するためには、より大きな表面積を補償するために増加される必要がある。図12bに示すように、IEGにおいて発生するガスの総量は、表面積の増大に伴って増加する。成長する、および/またはより大きな表面積を加工する際にPPSが増加しなければ、無制御の成長するBILおよび過剰な加水分解によって、IEGは抑制されることとなる。この過剰な加水分解により、IEGにおいて過剰なガスが発生し、その結果、ガスエントロピー効果が生じる以下にさらに説明する。PPSへの調整は、ガスの発生を制御するため、およびガスエントロピーが加工プロセスを妨害し、それによって、被加工物の表面に穴を開ける無制御の空洞がBILに形成されることを防止するために必要である。さらに、より小さな表面積を加工する際には、PPSが高すぎると、電解液中でキャビテーションを生じさせるリスクがプロセスにはあり、これは、被加工物の表面上の加工ターゲット場所からBILを引き離し、BILが以前に存在した場所に真空を生じさせる。従って、加工電流フローは、この領域で止まる。PPSへの増加は、表面積と直接相関されず、電流および出力パラメータの注意深い監視を必要とする。図3を再び参照して、線Bによって示される点AおよびC間の範囲は、ボルタンメトリー曲線を得るために使用される特定の被加工物の電圧許容範囲を表す。この文脈では、点Aを越える電圧が高くなるにつれ、被加工物が高溶解となり、特定の被加工面およびアスペクト比に関する上記の機械的抑制ガスが高生成となる。この個々のボルタンメトリー曲線は、特定の被加工物材料と、電解液の選択およびその電解液材料の濃度と、システムに印加される電圧範囲との関数である。従って、この曲線は、全ての電解液、導電性被加工物、および電圧範囲に関するLMPVおよびHMPV加工変曲点の規定に広く適用可能である。従って、電圧が増加する間、電流を監視し、電流が急激に増加し始める点Aは、この特定の被加工物および対応する所定の1組の加工条件に関して、材料溶解の実際の開始が生じる電圧LMPVを規定する。次に、電解液の過剰な加水分解を開始することなく、被加工物に対する本発明のECMプロセス中に用いられるべき最大電圧HMPVを規定する点Cにおいて電流増加率の低下が検出されるまで、電圧を継続的に増加する。従って、この方法を用いることによって、被加工物の加工に用いられる概算の最低許容電圧LMPVおよび概算の最大許容電圧HMPVが共に決定される。最大加工速度を達成するためには、概算の最大許容電圧HMPVを用いることが好ましいが、溶解電圧の始まりとHMPVとの間のいずれの電圧も適している。より大きな表面積の加工場所の場合には、ガスの発生は、線Bによって示される範囲の下端付近のPOVで本発明のECMシステムを動作させることによって制限することができる図12aも参照。万一HMPVより高い電圧が使用される場合は、その結果生じる電流増加は、被加工物を効率的に加工することではなく、電解液の加水分解に充てられ、これは、加工速度を効率的に高めるのではなく、それを抑制することにのみ作用し、従って、ガス穴による損傷の発生により、望ましくない。HMPVの決定が済むと、アノード被加工物16およびカソード工具12に接続された負電極に接続される開始電圧としてHMVPを用いて本発明のECMシステムを開始することができる。被加工物16を、少なくとも約50ミクロンの第1の距離にある工具12の平側面12a付近に移動させる。システム10における全ての電源をオンにし、電解液を管30から外へ向かわせる。次に、オペレータは、IEG32を規定する工具面12aから約0~約10ミクロンのBIL領域内へと、被加工物16を工具面12aに向けて前進させる。スクリーン54の単純化したグラフ出力である図4に見られるように、観測される第1の曲線は、点E電源を入れてから最初の約100ミリ秒以内において最初のピークを有し、上記のBILの初期形成を表す曲線L1である。その後、電流ピークは、急激に低下し、約3mAの均衡状態電流Dレベルへと横ばい状態となる。これは、上記で説明したように加工プロセスから被加工物を電気的に絶縁するBILの形成によるものである。被加工物の加工を開始するためには、工具12の10ミクロン以下以内に被加工物16を移動させ、約0~約10ミクロンの間にIEGを設定する。約0~10ミクロン間に維持されるIEGの範囲により、均一で絶え間ない、被加工物にすぐ隣接したBILの明確なターゲット領域の制御された直接的摂動が可能となる本発明者によって定義され、以下にさらに説明を行う本明細書において被加工物の異方性加工と呼ばれる。直接的摂動工具および/または約10ミクロンを超えるIEGを使用しない加工は、望ましくない、ECM先行技術の多くの発明対象である被加工物の等方性加工をもたらす。図5aおよび5bに見られるように、加工端部16aは、工具12の回転する平側面12aに対向する。そのため、工具面12aは、絶えず均一に被加工物端部16aの側を通過し、これは、絶えず同時に電解液31をIEG32の内部へと引き入れ、かつIEG32の外へと押し出すように作用する。絶えず同時に電解液をIEG32の内部へと引き入れ、かつIEG32の外へと押し出すことに加えて、動作中の工具面12aは、絶えず均一にBILに摂動を与えるようにも作用し、これによって、BILは、電解液31と共に除去され、IEG32から一掃される。以下により詳細に説明するように、BILは、本発明のECMプロセス中に絶えず均一に形成および再形成されており、動作中の工具12によるBILの直接的な機械的摂動により、BILの形成および再形成とほぼ同じ速さで継続的にBILを除去し、それによって、先行技術で悩まされた問題であるIEGにおける被加工物にすぐ隣接したBILの堆積が防止される。従って、狭いIEGを通る電解液の絶え間ない強制的フラッシングと共に行われるこのBILの絶え間ない直接的な機械的摂動により、特に、BILの一掃、ガスの除去、およびIEGへの新鮮な電解液の供給を行うように作用する好ましい摂動速度PPS図13と、上記で説明したように加水分解による過剰なガス発生を抑制するように作用するHMPVに最初に設定される好ましい動作電圧POV図12aとを伴った場合に、本明細書に記載されるような本発明が提供する最適な加工結果がもたらされる。図6は、直接的な機械的摂動力ベクトルとして示されるによるBILの機械的除去によってより速度の増したプロセス中のSiC被加工物の電解加工を示している。SiO2の表面コーティングは、部分的に除去されて図示されており、この簡易化した概観では、ガスの化学作用は、COおよびCO2形態の炭素が除去されて図示されている。各Si原子は、中性SiOH相として除去され、被加工物表面にすぐ隣接して形成されるBILの一部となる。これと同じプロセスの説明が全ての導電性金属、半導体、およびレジスタに適用可能である。金属の場合、個々の金属原子は、図6のSiに取って代わる。炭素、窒化物、金属酸化物等の処理金属中の金属介在物は、上記と同じまたは類似の方法で除去される。本発明のこの実施形態では、材料除去の階層は以下の通りである。1.電解液溶液中でアノードおよびカソードに電圧を印加することにより、HおよびOH-へのH2Oの分解を増加させ、H分子は、カソード表面においてガスとしてIEGを離れる図6。ステップ1。2.ステップ1で生じたOH-イオンは、SiCアノードへとアニオンとして移動し図6。ステップ2、そこで、SiC被加工物の表面上に形成されたSiO2原層からSi原子を除去し図6。ステップ3、SiOH分子を形成し図6。ステップ4-A、O2分子を利用可能にする。電解液の溶液中のSiOH分子は、IEGを構成する電解液中で、被加工物にすぐ隣接してBILを形成する。摂動を受けなければ、このBILは、アノード表面から離れるにつれて減少する中性分子の密度分布から成る分子勾配として、被加工物にすぐ隣接して成長し続ける図10。IEGからBILを構成するこれらの分子を除去するために、先行技術では、電解液のフラッシング動作に依存している。しかしながら、BILを構成する分子アノード表面にすぐ隣接した分子の最も密度の高い分布は、本明細書においてさらに詳述される下層のSiCをより効果的に露出させて、より速く被加工物からSi材料を除去するために、本発明のECMシステムに示すBILの直接的摂動を必要とする。3.ステップ2からのO2は、a抜け出して、O2分子としてアノード表面から離れる、b自由Si分子に結合し、SiO2層に再結合する、またはcステップ5と同様にCO分子を除去するかのいずれかである。4.ステップ2においてSiO2層から除去されたSi分子は、Siが補充される必要のあるSiO2層においてSi空孔を生じさせる。SiO2層全体を通ってアノード材料内へ入る十分な深さの貫通の場合、Si空孔は、SiCマトリックスからのSi原子で満たされる。SiCマトリックスからSiを除去することにより、露出したC原子を残す。5.ステップ4からのC原子は、COまたはCO2として、利用可能な酸素と結合することによってアノード表面から離れる。上記では、現在理解されている基本的な化学作用を記載したが、SiCマトリックスを通って下に加工が進むにつれて生じる化学溶解の枠組み内で、他のより複雑な分子反応および一時的部分反応が存在し得ることに留意されたい。ステップ2においてBILの直接的摂動がなければ、溶解反応は、BILにおけるSiOHの非摂動堆積によって直面する電気抵抗によって制限を受ける拡散律速反応DLRにすぐに進む。1組の所定の条件以下の実施例1におけるようなアノード、カソード、および電解液濃度の選択を含むの下で本発明のECMシステムに電圧を印加すると、点E電源を入れてから最初の100ミリ秒以内においてピークを迎え、上記のBILの初期形成を表すヘルムホルツ層曲線L1の帯電を発端に、電流が最初に急上昇する。異方性加工は、電流のこの初期ピーク時に最も良く達成され、この電流は、BILの直接的摂動によって維持される。BILの直接的摂動がなければ、電流は、非常に遅い溶解速度で長期の等方性溶解図4の部分Dとして示される等方性加工曲線へと速やかに落ち着く。BILの直接的な機械的摂動がなければ、電解液界面における被加工物の溶解に利用可能な電圧を効果的に減少させるために、完全に成長した電気抵抗性BILが形成される。図4の曲線部分Fに見られるようにBILに直接的に摂動が与えられると、電流は、点Eにおける初期ピーク近くの値まで急激に上昇する。電流フローは、被加工物の加工対象領域全体に沿った連続的かつ均一な直接的摂動によってこの高い速度に維持される。この異方性材料除去は、IEGにおいて被加工物表面にすぐ隣接する約0~約10ミクロンのBIL領域に注目した場合、セルフレベリング性があり、迅速である。適切に制御された電気的シャットダウンプロセスを用いて加工が成功すれば、図7に見られるように、被加工物表面は色彩豊かで、穴がほとんどなく、粒子脱落が限られて粒界の目が詰まっており、SiO2表面は透明である。実施例1共有の米国特許第6,616,890号明細書に記載のドープされた炭化ケイ素から作られた被加工物を用いて、以下に記載するように約3mm×7mm×300ミクロンのセラミックブレードブランクの加工を行った。加工を意図した場所である上記のブレードブランク16の端部16aに対して、シリコーン材料を含む第1の除去可能な電気絶縁性コーティング58の塗布を行った。次に、ブランク16をニッケルめっき槽に浸して、被加工物の非コーティング領域を25~50μのめっき厚に金属化した。めっきはNiの連続的で光沢のあるコーティング60であった。次に、導電性エポキシ樹脂を用いて、めっきされた被加工物を真鍮ホルダ18内に取り付け、その後、めっき60並びに第1のコーティング58を覆うワックス62を含む第2の除去可能な電気絶縁性コーティング62でコーティングを行った。機械設定の準備次に、真鍮ホルダ18は、X-Y機械的マイクロメータ位置コントローラ24の導電性鋼製ホルダ内に取り付けられ、コントローラ自体は、回転ホイール12を含む工具に隣接して配置された工具プラットフォーム24に取り付けを行った。次に、加工対象の被加工物の端部16aをホイールの平側面12aに対して間隔を空けるように移動させ、次に、電解液供給管30を、管の出口が工具および被加工物間のIEG32に向けられた状態で、被加工物の上部および僅か後部に配置させた。電解液供給管30は、工具および被加工物間のIEG32の空間へと供給管30を通して電解液を届けるように動作可能なポンプ36およびダンプナー38を備えた電解液リザーバ33に接続した。X-Yコントローラ24に対する機械的マイクロメータ制御装置を用いて、被加工物16および工具12間のIEG32が10ミクロンを超えて観測された位置へと被加工物を移動させた。被加工物を回転工具12に向けて移動させた。次に、加工を行う予定の被加工物の端部16aから、第1のコーティング58および第2のコーティング62の除去を行った。これは、2fに示されるようにコーティングが研磨除去されるまで、被加工物端部16aを回転ホイール12この時点では、電源の負端子に未接続である上に通過させることによって行った。デジタルボルト計56およびデジタルアンペア電流計52データロギング機能を有するの接続を、電気的概略を表示した図1に示すように行った。データロギング機能は、直接的にDCA電流計52からのものであることに留意されたい。可変の電源を図1に示すが、この実施例1では、電源として12Vの鉛酸マルチセル電池を使用した。電池の正端子を被加工物ホルダ20に接続し、負端子-を工具12に接続した。次に、電気的概略図1に示すような極性およびデータ記録計との相互接続の確認を行った。ECMプロセスの開始例えば、脱イオン精密濾過水における2モル濃度のNaCIで電解液リザーバタンク33を満たし、次に、電解液ポンプ36をオンにした。次に、ホイール工具12の回転を開始させるスイッチ47を介して、ホイール工具への電力をオンにした。被加工物の端部上を流れる電解液31の小さな波が観測され、これにより、被加工物16および回転ホイール12の工具間に流れる電解液と被加工物16が接触していることを確認した。次に、被加工物端部16aを、回転ホイールカソード12の表面から10ミクロンを超えて離れるように移動させた。アノード16およびカソード12への電源44をHMPV約6.44Vでオンにし、電流計52のデータロギング表示の測定値をスクリーン54で観測し、限られた導電性の完全に成長した摂動を受けないBILを流れる基準電流を表す約0.001A~0.002A範囲図8を参照の測定値であるとの確認を行った。この完全に成長したBILは、ブレードブランク被加工物アノード16からホイール工具カソード12を電気的に絶縁する。マイクロメータ24上のXYコントローラ26、28を用いて、被加工物端部16aとは反対の位置において、電解液31がホイール工具表面12aを確実に濡らしながら、被加工物端部16aを回転ホイール12に向けてゆっくりと移動させた。回転するホイール表面12aに向けて被加工物端部16aを前進させながら、データロギング電流監視システム52の監視を行った。図8に見られるように、IEG32を約10ミクロン以内に近づけると、ブレードブランク端部16aにすぐ隣接したBILは、データロギングモニタ上の加工電流が0.006A~0.010Aの値まで飛躍的に増大することの観測により証明されるように、回転工具の表面12aによって摂動を受けた。BILの摂動は、一時的に、10ミクロンのさらなる最大値分だけブレードブランク端部16aを回転工具12から離れるように移動させ、0.001A~0.002Aの基準電流への電流低下を観測することによって確認した。この基準電流への復帰は、回転工具12からブレードブランク端部16aを電気的に絶縁するBILの再形成約100~2,000ミリ秒でによるものであった。ブレードブランク端部16aにすぐ隣接したBILのこの摂動がこの様に確認されると、ブレードブランク端部16aをホイール12に向けて元に戻すことによってIEGを狭くし、約0.006A~0.010Aの値で開始される加工電流で端部の加工を行った。ブレードブランク端部16aから離れて材料の加工を行うと約各々1~10秒、データロギングモニタ52上に示されるように、測定されたDC電流は、僅かに低下した。この時、マイクロメータ制御装置26、28を用いて、ブレードブランク端部16aを回転ホイール12に向けて約5ミクロン前進させることによって、IEG32をさらに狭くした。BILが継続的に確実に摂動を受けるように、狭いIEGを維持した。ブレードブランク端部16aを回転ホイール12により近付けて再配置させることによって、回転ホイール表面12aは、BILに摂動を与えることができ、その結果、完全な加工の回復を示す加工電流にまで電流が増大した。加工が進むにつれて、ブレードブランク端部16aの加工が成功した表面積の増大に伴って、基準電流および加工電流が共に徐々に増大した。図12bに示すように、ある電圧に関して、より大きな加工表面積は、より高い総計のガス生成を生む。効率的な加工を妨げるガスエントロピー効果過剰なガスの発生を防止するために、これらの大きな表面積の加工に、より低い電圧を用いる必要がある。この実施例で加工されるブレードブランク端部16aは非常に小さく、従って、回転ホイール表面12aを用いてBILを上手く摂動させるために、より高い電圧を用いることができる。ブレードブランク端部16aが所望の深さにまで加工されると、本発明のECMシステムの制御されたシャットダウンプロセスを開始した。最初に、DC電圧を直ちにオフにし、速やかに、ブレードブランク16を回転ホイール12から離した。回転ホイール12をオフにし、次に、電解液フローをオフにした。次に、ブレードブランク16を導電性被加工物ホルダ20から取り外し、以前に塗布されたコーティング62およびめっき材料60を除去するために清浄した。端部16aの清浄は、電解液、脱イオン水、溶剤、または特定の清浄目的用の様々な混合物および組み合わせの酸/塩基化合物を用いた清浄スプレーから構成可能である。次に、顕微鏡を用いて、加工されたブレードブランク16および加工された端部16aの検査を行った。図7に見られるように、その結果は、過酸化による影響を受けない、良好に加工されたSiC表面であった。この加工の成功は、本発明のECMシステムの適切に制御された狭いIEG約0~約10ミクロン、豊富な電解液、LMPV~HMPV範囲に制御された電圧、および制御されたシャットダウンプロセスによるものであった。図7の写真のようなランダムに配向したSiC粒子は、3~10ミクロン長さ範囲にある。粒子の色は、ランダムSiC粒子の配置角度に依存する。ガス穴はほとんどなく、粒子脱落が限られて、粒界の目が詰まっている。表面は、走査電子顕微鏡法SEMおよび機械的プロフィルメータを用いた表面平滑性の測定によって確認されるように平面である。その一部が図7に示されるブレードブランク端部16aの加工表面は、約100μ×約1,000μの測定値である。同様に色付けされた表面では、プロフィルメータデータは、3.01マイクロインチの値であった。加工表面の小さな表面積により、このプロフィルメータ測定は、被加工ブレードブランク端部16aのサンプリングサイズと、この実施例1において用いられる加工工具表面記録される工具表面の欠陥による影響を受けないブレードブランク端部16aの領域ブレードブランク端部の非影響部分にプロフィルメータスタイラスを配置させる能力の限りとによって制約を受けるので、精度が限られている。本発明のECMシステムの好適な実施形態では、反射型で完全に平面のブレードブランク端部表面16aを加工するために、完全に平面の工具表面12aを用いる。結果的に、0.2マイクロインチ未満の色彩豊かなブレードブランク端部の非影響部分その一部は、図7に示されるのより正確な表面平滑性測定を示す表面平滑性のより良い指標が、焦点を合わせたSEM顕微鏡写真図11に示される。好適な実施形態における本発明のECMシステムでは、/-0.2マイクロインチの加工表面積全体にわたって、平らな表面平滑性が可能である。例えばレーザ干渉計等の他の方法を用いて、表面平滑性の測定を行ってもよい。本発明の上記の開示および記載は、例示的かつ説明を行うためのものであり、大きさ、形状、および材料、並びに説明した構成の詳細において、本発明の精神から逸脱することなく、様々な変更を加えることができる。"