Ga2O3基板と、前記Ga2O3基板上のAlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶からなるバッファ層と、前記バッファ層上の、酸素を不純物として含むAlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶からなる窒化物半導体層と、を含み、前記窒化物半導体層の前記Ga2O3基板側の200nm以上の厚さの領域の酸素濃度が1.0×1018/cm3以上である、結晶積層構造体。前記窒化物半導体層の前記Ga2O3基板の反対側の表面における転位密度が1.0×109/cm2未満である、請求項1に記載の結晶積層構造体。前記窒化物半導体層の前記Ga2O3基板側の500nm以上の厚さの領域の酸素濃度が1.0×1018/cm3以上である、請求項1又は2に記載の結晶積層構造体。前記領域の酸素濃度が5.0×1018/cm3以上である、請求項1~3のいずれか1つに記載の結晶積層構造体。前記バッファ層の前記AlxGayInzN結晶はAlN結晶である、請求項1~4のいずれか1つに記載の結晶積層構造体。前記窒化物半導体層の前記AlxGayInzN結晶はGaN結晶である、請求項1~5のいずれか1つに記載の結晶積層構造体。Ga2O3基板上に第1のAlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶を成長させてバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に第2のAlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶を成長させて窒化物半導体層を形成する工程と、を含み、前記窒化物半導体層を形成する工程において、初めに1000°C以下の第1の温度で前記第2のAlxGayInzN結晶を成長させ、その後、前記第1の温度よりも高い第2の温度で前記第2のAlxGayInzN結晶を成長させ、前記第1の温度で成長する前記第2のAlxGayInzN結晶の厚さが200nm以上である、結晶積層構造体の製造方法。前記第1の温度で成長する前記第2のAlxGayInzN結晶の厚さが500nm以上である、請求項7に記載の結晶積層構造体の製造方法。前記第1のAlxGayInzN結晶はAlN結晶である、請求項7又は8に記載の結晶積層構造体の製造方法。前記第2のAlxGayInzN結晶はGaN結晶である、請求項7~9のいずれか1つに記載の結晶積層構造体の製造方法。しかし、特許文献1に記載された方法によれば、GaN結晶を1050°Cという高温の条件で成長させるため、GaN層の酸素濃度が低くなる。そのため、GaN層の上面AlNバッファ層と反対側の面の転位密度が高くなり、結晶積層構造体を含む素子に縦方向の電圧を印加したときに低電圧領域でのリーク電流が発生する。したがって、本発明の目的は、Ga2O3基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供することにある。本発明の一態様は、上記目的を達成するために、[1]~[6]の結晶積層構造体、及び[7]~[10]の結晶積層構造体の製造方法を提供する。[1]Ga2O3基板と、前記Ga2O3基板上のAlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶からなるバッファ層と、前記バッファ層上の、酸素を不純物として含むAlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶からなる窒化物半導体層と、を含み、前記窒化物半導体層の前記Ga2O3基板側の200nm以上の厚さの領域の酸素濃度が1.0×1018/cm3以上である、結晶積層構造体。[2]前記窒化物半導体層の前記Ga2O3基板の反対側の表面における転位密度が1.0×109/cm2未満である、前記[1]に記載の結晶積層構造体[3]前記窒化物半導体層の前記Ga2O3基板側の500nm以上の厚さの領域の酸素濃度が1.0×1018/cm3以上である、前記[1]又は[2]に記載の結晶積層構造体。[4]前記領域の酸素濃度が5.0×1018/cm3以上である、前記[1]~[3]のいずれか1つに記載の結晶積層構造体。[5]前記バッファ層の前記AlxGayInzN結晶はAlN結晶である、前記[1]~[4]のいずれか1つに記載の結晶積層構造体。[6]前記窒化物半導体層の前記AlxGayInzN結晶はGaN結晶である、前記[1]~[5]のいずれか1つに記載の結晶積層構造体。[7]Ga2O3基板上に第1のAlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶を成長させてバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に第2のAlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶を成長させて窒化物半導体層を形成する工程と、を含み、前記窒化物半導体層を形成する工程において、初めに1000°C以下の第1の温度で前記第2のAlxGayInzN結晶を成長させ、その後、前記第1の温度よりも高い第2の温度で前記第2のAlxGayInzN結晶を成長させ、前記第1の温度で成長する前記第2のAlxGayInzN結晶の厚さが200nm以上である、結晶積層構造体の製造方法。[8]前記第1の温度で成長する前記第2のAlxGayInzN結晶の厚さが500nm以上である、前記[7]に記載の結晶積層構造体の製造方法。[9]前記第1のAlxGayInzN結晶はAlN結晶である、前記[7]又は[8]に記載の結晶積層構造体の製造方法。[10]前記第2のAlxGayInzN結晶はGaN結晶である、前記[7]~[9]のいずれか1つに記載の結晶積層構造体の製造方法。本発明によれば、Ga2O3基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供することができる。実施の形態結晶積層構造体の構造図1は、実施の形態に係る結晶積層構造体1の断面図である。結晶積層構造体1は、Ga2O3基板2と、Ga2O3基板2上のバッファ層3と、バッファ層3上の窒化物半導体層4を含む。Ga2O3基板2は、β-Ga2O3単結晶からなる。バッファ層3は、AlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶からなる。また、後述する窒化物半導体層4の高酸素濃度層4aを首尾よく形成するために、バッファ層3のGa2O3基板2の上面の被覆率は、10~90であることが好ましく、例えば、バッファ層3は、図1に示されるように、アイランド状に形成される。また、バッファ層3は、AlxGayInzN結晶の中でも、特にAlN結晶x=1、y=z=0からなることが好ましい。バッファ層3がAlN結晶からなる場合、Ga2O3基板2と窒化物半導体層4との密着性がより高まる。窒化物半導体層4は、バッファ層3に接触する高酸素濃度層4aと、高酸素濃度層4a上の低酸素濃度層4bを含む。窒化物半導体層4高酸素濃度層4a及び低酸素濃度層4bは、酸素を不純物として含むAlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1結晶からなり、特に、結晶品質のよいGaN結晶y=1、x=z=0からなることが好ましい。窒化物半導体層4の厚さは、例えば、3μmである。窒化物半導体層4の上面Ga2O3基板2の反対側の表面、すなわち低酸素濃度層4bの上面における転位密度は低く、結晶積層構造体1を含む素子に縦方向の電圧を印加したときに、低電圧領域におけるリーク電流の発生が抑えられる。特に、低酸素濃度層4bの上面における転位密度が1.0×109/cm2未満である場合に、上記のリーク電流を実用可能なレベルに抑えることができる。高酸素濃度層4aは、低酸素濃度層4bよりも酸素濃度が高く、1.0×1018/cm3以上の酸素濃度を有する。また、高酸素濃度層4aの厚さは200nm以上である。高酸素濃度層4aを設けることにより、窒化物半導体層4の上面の転位密度が低減される。また、窒化物半導体層4の上面の転位密度をより低減するためには、高酸素濃度層4aの酸素濃度は5.0×1018/cm3以上であることが好ましく、高酸素濃度層4aの厚さは500nm以上であることが好ましい。なお、窒化物半導体層4の表面にピット穴を形成しないように、半導体結晶を最後に高温で成長させる必要があるため、酸素濃度が比較的低い低酸素濃度層4bが形成される。Ga2O3基板2及び窒化物半導体層4高酸素濃度層4a及び低酸素濃度層4bは、Si等の導電型不純物を含んでもよい。結晶積層構造体の製造方法図2は、本実施の形態の結晶積層構造体の製造工程順序の一例を表すグラフである。図2の折れ線は時間の経過に伴う温度条件の変化を表す。まず、150°Cに加熱した濃度98wtのリン酸を用いて、Ga2O3基板2に120分間の前処理を施す。この前処理により、Ga2O3基板2の表面が約1000nmエッチングされる。次に、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition装置のチャンバー内にGa2O3基板2を搬送した後、チャンバー内の温度をT1まで上げるステップS1。ここで、T1は350~600°Cであり、例えば、450°Cである。次に、チャンバー内の温度をT1に保持した状態で、Nの原料としてのNH3ガス、Gaの原料としてのトリメチルガリウムTMG、Alの原料としてのトリメチルアルミニウムTMA、及びInの原料としてのトリメチルインジウムTMIをチャンバー内に供給して、AlxGayInzN結晶をGa2O3基板2上に成長させ、バッファ層3を形成するステップS2。次に、チャンバー内の温度をT2まで上げるステップS3。ここで、T2は1000°C以下であり、例えば、950°Cである。T2が1000°Cを超えた場合、高酸素濃度層4aの酸素濃度が低下するおそれが高い。次に、チャンバー内の温度をT2に保持した状態で、NH3、TMG、TMA、及びTMIをチャンバー内に供給して、AlxGayInzN結晶をバッファ層3上に成長させ、窒化物半導体層4の高酸素濃度層4aを形成するステップS4。次に、各原料ガスの供給を続けたまま、チャンバー内の温度をT3まで上げるステップS5。ここで、T3はT2より高く、また、1000°Cより高いことが好ましく、例えば、1050°Cである。次に、チャンバー内の温度をT3に保持した状態でAlxGayInzN結晶の成長を続け、窒化物半導体層4の低酸素濃度層4bを形成するステップS6。これにより、結晶積層構造体1が得られる。その後、チャンバー内の温度を下げステップS7、結晶積層構造体1をチャンバー内から取り出す。実施の形態の効果本実施の形態によれば、窒化物半導体層のGa2O3基板側に酸素濃度の高い領域を設けることにより、窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体を形成することができる。このため、結晶積層構造体を用いてLED素子等の素子を形成する場合、低電圧領域におけるリーク電流の発生を抑えることができる。実施例1において、実施の形態の結晶積層構造体1における高酸素濃度層4aの厚さと窒化物半導体層4の上面の転位密度との関係、及び高酸素濃度層4aの酸素濃度と窒化物半導体層4の上面の転位密度との関係を評価した。高酸素濃度層4aに対応する高酸素濃度層の酸素濃度及び厚さの異なる12個の結晶積層構造体を用意して評価を行った。ここで、高酸素濃度層の酸素濃度は、1.0×1017/cm3、1.0×1018/cm3、又は5.0×1018/cm3であり、厚さは、100nm、200nm、500nm、又は1000nmである。このうち、酸素濃度が1.0×1018/cm3以上であり、かつ厚さが200nm以上である高酸素濃度層が、本発明の実施の形態の高酸素濃度層4aに相当する。なお、酸素濃度が1.0×1017/cm3、1.0×1018/cm3、及び5.0×1018/cm3の高酸素濃度層は、それぞれT2=1050°C、1000°C、及びT2=950°Cの温度条件で形成されたものである。なお、本実施例のいずれの結晶積層構造体においても、バッファ層3に対応するバッファ層はT1=450°Cの温度条件で形成された厚さ5nmのAlN結晶膜であり、高酸素濃度層と低酸素濃度層4bに対応する低酸素濃度層はSiを含むGaN結晶膜であり、窒化物半導体層4に対応する窒化物半導体層の厚さ高酸素濃度層の厚さと低酸素濃度層の厚さの合計は3μmであり、低酸素濃度層はT3=1050°Cの温度条件で形成された。図3は、高酸素濃度層の厚さと窒化物半導体層の上面の転位密度との関係、及び高酸素濃度層の酸素濃度と窒化物半導体層の上面の転位密度との関係を示すグラフである。図3の縦軸は窒化物半導体層の上面の転位密度[/cm]を表し、横軸は高酸素濃度層の厚さ[nm]を表す。図3中の○は、高酸素濃度層の酸素濃度が1.0×1017/cm3である結晶積層構造体の測定値を表し、◇は高酸素濃度層の酸素濃度が1.0×1018/cm3である結晶積層構造体の測定値を表し、◆は高酸素濃度層の酸素濃度が5.0×1018/cm3である結晶積層構造体の測定値を表す。図3に示されるように、高酸素濃度層の酸素濃度が高いほど窒化物半導体層の上面の転位密度が低い。また、高酸素濃度層の厚さが大きいほど窒化物半導体層の上面の転位密度が低い。特に、高酸素濃度層の酸素濃度が1.0×1018/cm3以上、かつ厚さが200nm以上である場合、すなわち高酸素濃度層が高酸素濃度層4aに相当する場合に、窒化物半導体層の上面の転位密度が1.0×109/cm2未満になり、その結晶積層構造体を含む素子に縦方向の電圧を印加したときにの低電圧領域におけるリーク電流の発生を効果的に抑えることができる。実施例2においては、実施の形態の結晶積層構造体1を用いて形成したLED素子に縦方向の電圧を印加したときの、低電圧領域におけるリーク電流の大きさを評価した。LED素子の構造図4は、実施の形態の結晶積層構造体を用いて形成したLED素子の断面図である。LED素子100は、Ga2O3基板12と、Ga2O3基板12上のバッファ層13と、バッファ層13上のn-GaN層14と、n-GaN層14上の発光層15と、発光層15上のp-GaN層16と、p-GaN層16上のコンタクト層17と、コンタクト層17上のp型電極18と、Ga2O3基板12のバッファ層13と反対側の面上のn型電極19とを有する。LED素子100は、Ga2O3基板12側を光取り出し面とする発光素子である。n-GaN層14、発光層15、p-GaN層16、及びコンタクト層17から構成される積層体はメサ形状を有し、その側面はSiO2膜20に覆われる。ここで、Ga2O3基板12、バッファ層13、及びn-GaN層14は、実施の形態のGa2O3基板2、バッファ層3、及び窒化物半導体層4に相当し、Ga2O3基板2、バッファ層13、及びn-GaN層14の積層体が実施の形態の結晶積層構造体1に相当する。n-GaN層14は、高酸素濃度層14aと低酸素濃度層14bを含む。高酸素濃度層14a及び低酸素濃度層14bは、それぞれ実施の形態の高酸素濃度層4a及び低酸素濃度層4bに相当する。Ga2O3基板12は、Siを含むn型のβ-Ga2O3基板である。また、Ga2O3基板12の厚さは400μmであり、主面の面方位は101である。バッファ層13は、成長温度450°Cで形成された厚さ5nmのAlN結晶膜である。高酸素濃度層14aは、成長温度950°Cで形成されたSiを含むn型のGaN結晶膜である。高酸素濃度層14aは、Si濃度が2.0×1019/cm3の厚さ10nmの下部領域と、Si濃度が5.0×1018/cm3の厚さ1000nmの上部領域を含む。なお、Siの原料として、モノメチルシランガスガスを用いた。低酸素濃度層14bは、成長温度1050°Cで形成された厚さ3μmのn型のGaN結晶膜である。低酸素濃度層14bは、濃度1.0×1018/cm3のSiを含む。発光層15は、成長温度750°Cで形成された3層の多重量子井戸構造と、その上の厚さ10nmのGaN結晶膜からなる。各多重量子井戸構造は、8nmのGaN結晶膜と厚さ2nmのInGaN結晶膜からなる。p-GaN層16は、成長温度1000°Cで形成された厚さ150nmのp型のGaN結晶膜である。p-GaN層16は、濃度5.0×1019/cm3のMgを含む。なお、Mgの原料として、シクロペンタジエニルマグネシウムガスを用いた。コンタクト層17は、成長温度1000°Cで形成された厚さ10nmのp型のGaN結晶膜である。コンタクト層17は、濃度1.5×1020/cm3のMgを含む。また、比較例として、高酸素濃度層14aの代わりに成長温度1050°Cで形成された厚さ3μmのn型のGaN結晶膜を用いたLED素子を用意した。なお、このGaN結晶膜は、LED素子100の高酸素濃度層14aと同じ濃度のSiを含む。LED素子の評価LED素子100及び比較例のLEDをキャンタイプのステムにAgペーストを用いてそれぞれ実装し、電極間に2.0Vの電圧を印加したときの電流値を測定した。その結果、比較例のLEDにおける電流値が20μAであったのに対して、LED素子100における電流値は0.35μAであった。この結果から、LED素子100において、低電圧領域におけるリーク電流の発生が抑えられていることが確認された。以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明したが、上記に記載した実施の形態及び実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び実施例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。