組成物の総重量に対して、50~80wtのリン酸と、0.5~10wtの硝酸と、5~30wtの酢酸と、0.01~5wtのイミダゾールとを含む多重膜のエッチング液組成物。前記イミダゾールが0.1~0.3wt含まれる請求項1に記載のエッチング液組成物。組成物の総重量に対して、前記リン酸が50~75wt、前期硝酸が1~9wt、前記酢酸が14~20wt、及び前記イミダゾールが0.1~0.3wt含まれることを特徴とする請求項1又は2に記載のエッチング液組成物。前記多重膜は、Cu/Mo積層金属膜、Cu/Mo合金積層金属膜、Cu合金/Mo合金積層金属膜を含む、銅又は銅合金の1層以上の銅層と、モリブデン又はモリブデン合金の1層以上のモリブデン層とを含むことを特徴とする請求項1に記載のエッチング液組成物。前記多重膜は、Cu/Moの二重膜であることを特徴とする請求項4に記載のエッチング液組成物。使用温度が30°C~60°Cであることを特徴とする請求項1に記載のエッチング液組成物。前記銅層とモリブデン層との厚さの比は、30:1以上であることを特徴とする請求項4に記載のエッチング液組成物。前記モリブデン膜又はモリブデン合金膜の残留応力は、引張応力であることを特徴とする請求項4に記載のエッチング液組成物。前記銅膜又は銅合金膜は、蒸着後に100°C~300°Cの温度で10分~1時間アニーリングされることを特徴とする請求項4に記載のエッチング液組成物。構成成分として過酸化水素及び/又はフッ素化合物を含まないことを特徴とする請求項1に記載のエッチング液組成物。フラットパネルディスプレイのTFT、アクティブマトリックスOLED又はタッチセンサパネルの製造に使われる請求項1に記載のエッチング液組成物。基板上に少なくともモリブデン又はモリブデン合金膜と、銅又は銅合金膜とを含む多重膜を蒸着するステップと、前記多重膜に所定のパターンを持つフォトレジスト膜を形成するステップと、前記フォトレジスト膜をマスクとして使い、組成物の総重量に対して、50~80wtのリン酸と、0.5~10wtの硝酸と、5~30wtの酢酸と、0.01~5wtのイミダゾールとを含むエッチング液組成物を使って前記多重膜をエッチングして金属配線を形成するステップと、前記フォトレジスト膜を除去するステップと、脱イオン水で金属配線を洗浄し乾燥するステップとを含む多重膜のエッチング方法。前記多重膜は、Cu/Mo積層金属膜、Cu/Mo合金積層金属膜、Cu合金/Mo合金積層金属膜を含む、銅又は銅合金の1層以上の銅層とモリブデン又はモリブデン合金の1層以上のモリブデン層とを含むことを特徴とする請求項12に記載のエッチング方法。モリブデン又はモリブデン合金膜を基板上に蒸着し、銅又は銅合金膜を前記モリブデン又はモリブデン合金膜上に蒸着し、フォトレジスト膜を前記銅又は銅合金膜上に形成することを特徴とする請求項12に記載のエッチング方法。前記モリブデン合金は、モリブデンと、タングステン、チタン、タンタル及びニオビウムから選択される少なくとも1種の元素とを含むことを特徴とする請求項13に記載のエッチング方法。前記銅合金は、銅と、マグネシウム、モリブデン及びマンガンから選択される少なくとも1種の元素とを含むことを特徴とする請求項13に記載のエッチング方法。前記モリブデン又はモリブデン合金膜は、100~500オングストロームの厚さを有し、銅又は銅合金膜は、1000~20000オングストロームの厚さを有することを特徴とする請求項13に記載のエッチング方法。前記エッチングは、30°C~60°Cの温度で行われることを特徴とする請求項12に記載のエッチング方法。前記エッチング液組成物が、30秒~150秒の間スプレー法噴霧法によって基板に噴霧されることを特徴とする請求項12に記載のエッチング方法。前記銅又は銅合金膜は、ソース/ドレイン電極であることを特徴とする請求項13に記載のエッチング方法。前記基板は、TFTLCD用ガラス基板、フレキシブルディスプレイ用金属薄膜基板又はプラスチック基板であり、前記基板は、TFTLCD、アクティブマトリックスOLED又はタッチセンサパネル用に使われることを特徴とする請求項12に記載のエッチング方法。前記のような従来技術の問題点を解決するために、本発明は、Cu/Mo積層金属膜、Cu/Mo合金積層金属膜、Cu合金/Mo合金積層金属膜を含む、銅又は銅合金の1層以上の銅層とモリブデン又はモリブデン合金の1層以上のモリブデン層を含む多重膜を同時に一括してエッチングして製造工程を簡素化し、これにより製造コストと時間を節減するだけでなく、優れたプロファイル及びエッチング特性を有し、工程上の薬液の安全性に優れたエッチング液組成物及びこれを用いた多重膜のエッチング方法を提供することを目的とする。前記の目的を達成するために、本発明に係る多重膜のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、50~80wtのリン酸と、0.5~10wtの硝酸と、5~30wtの酢酸と、0.01~5wtのイミダゾールとを含むことを特徴とする。また、本発明に係るエッチング方法は、基板上に少なくともモリブデン又はモリブデン合金膜と、銅又は銅合金膜とを含む多重膜を蒸着するステップと、前記多重膜に所定のパターンを持つフォトレジスト膜を形成するステップと、前記フォトレジスト膜をマスクとして使い、組成物の総重量に対して、50~80wtのリン酸と、0.5~10wtの硝酸と、5~30wtの酢酸と、0.01~5wtのイミダゾールとを含むエッチング液組成物を使って前記多重膜をエッチングして金属配線を形成するステップと、前記フォトレジスト膜を除去するステップと脱イオン水で金属配線を洗浄し乾燥するステップとを含むことを特徴とする。本発明は、Cu/Mo積層金属膜、Cu/Mo合金積層金属膜、Cu合金/Mo合金積層金属膜を含む、銅又は銅合金の1層以上の銅層とモリブデン又はモリブデン合金の1層以上のモリブデン層とを含む多重膜を、同時に一括してエッチングすることができる。このため、製造工程及びコストを最小化することができ、また、装備の損傷がないので優れた生産性を提供することができる。本発明の一実施の形態に係るエッチング液組成物以下、本エッチング液ともいう。は、非過酸化水素/非フッ素化合物のリン酸系エッチング液であって、エッチングプロファイルを改善ステップ長さsteplength及びCDcutdimensionSkewの減少するために、添加剤としてイミダゾールを含むものである。リン酸系エッチング液phosphoricacidbasedetchantは、過酸化水素系に比べて安定している。本発明者の研究によれば、リン酸系エッチング液は、過酸化水素系エッチング液とは異なり、Mo残渣の問題がほとんど発生しないので、本エッチング液は、Mo残渣の除去のために大部分のエッチング液に含まれる成分であるフッ素化合物も不要となる。また、本エッチング液は、安定したリン酸系エッチング液リン酸硝酸酢酸水にイミダゾールを添加したものである。すなわち、本エッチング液は、リン酸H3PO4、硝酸HNO3、酢酸CH3COOH、イミダゾールimidazoleC3H4N2及び水H2Oを含む。好ましくは、本エッチング液は、組成物の総重量に対して、リン酸H3PO4を50~80wt、硝酸HNO3を0.5~10wt、酢酸CH3COOHを5~30wt、添加剤としてイミダゾールC3H4N2を0.01~5wt、及び残量の水を含む。より好ましくは、エッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、リン酸を50~75wt、硝酸を1~9wt、酢酸を14~20wt、添加剤としてイミダゾールC3H4N2を0.1~0.3wt、及び残量の水を含む。本エッチング液は、銅又は銅合金の1層以上の銅層と、モリブデン又はモリブデン合金の1層以上のモリブデン層とを含む多重膜を湿式エッチングする場合に使用される。好ましくは、これらの多重膜を同時に一括してエッチングする場合に使用される。前記多重膜としては、例えばCu/Mo積層金属膜、Cu/Mo合金積層金属膜、Cu合金/Mo合金積層金属膜などが挙げられ、本エッチング液は、特にCu/Moの二重膜を一括してエッチングするためのエッチング液として使用することができる。また、本エッチング液は、特にCu/Moの二重膜のためのエッチング液であって、リン酸系リン酸、硝酸、酢酸を基本組成とし、ガルバニック効果を減少させるためにイミダゾールを添加剤としてさらに含む。すなわち、イミダゾールimidazoleは、銅/モリブデンガルバニック反応調節剤Cu/Mogalvanicreactioncontrollerとして機能する。また、本エッチング液は、非過酸化水素/非フッ素化合物溶液であって、構成成分として過酸化水素及び/又はフッ素化合物を含まないことを特徴とする。本エッチング液は、過酸化水素に比べて安定したリン酸を基本としているため、効率的に多重膜、特にCu又はCu合金/Mo又はMo合金多重膜を同時にエッチングすることができる。水は、銅酸化剤として機能し、好ましくは本エッチング液に残量として含まれる。一般に、エッチング液に過量の水が含まれる場合、銅のエッチング速度が促進し、銅とモリブデンのガルバニック現象が促進することにより、エッチングによる銅とモリブデン配線幅の差steplengthが大きくなる。リン酸H3PO4は、基本酸化剤として機能し、組成物の総重量に対して50~80wt含まれることが好ましい。リン酸が50wt未満の場合には、水の含量が多くなって過エッチング現象が発生し、80wt超過の場合にも過エッチング及び不均一エッチングが発生する。純リン酸の割合は、高いほど良い。硝酸HNO3は、銅酸化剤として機能し、組成物の総重量に対して0.5~10wt含まれることが好ましい。硝酸が0.5wt未満である場合には、銅のエッチング速度が遅くなり、硝酸が10wtを超える場合には、銅とモリブデンのガルバニック現象が促進されてステップ長さsteplengthが急激に増加し、銅のエッチング速度も急激に速くなる。酢酸CH3COOHは、銅とモリブデンのガルバニック現象の調節液として機能し、組成物の総重量に対して5~30wt含まれることが好ましい。酢酸が5wt未満である場合には、銅とモリブデンのガルバニック現象が発生し、ステップ長さsteplengthが大きくなり、銅エッチング速度が速くて過エッチングが発生する。また、酢酸が30wtを超過する場合には、パターンの直進性が低下する。酢酸を添加する場合、リン酸溶液内の銅表面に形成された酸化被膜CuO2が溶けるので、銅のエッチング速度は速くなる。本研究では、リン酸溶液内に酢酸を添加した場合、モリブデンの表面にモリブデン酸化膜MoO2が成長するため、モリブデンのエッチング速度が一層遅くなることを確認した。また、リン酸内の酢酸含有量が増加するほど、前述した作用によって全ガルバニック反応が変わり、ステップ長さsteplength及びCDcutdimensionSkewは減少する効果をもたらすことを確認した。本エッチング液においては、このようなガルバニック効果を減少させるために、リン酸、硝酸及び酢酸に、添加剤としてイミダゾールをさらに含む。リン酸におけるイミダゾールの正確な機構は知られていないが、イミダゾールのような添加剤は、銅やモリブデンの表面に吸着されるか、エッチングされた銅イオン及びモリブデンイオンと錯化物を形成して表面に積層することにより、後続の銅/モリブデンエッチング速度を調節するものと考えられる。イミダゾールが一定含量以上含有する場合は、銅のエッチング速度が抑制されるため、むしろエッチングの不均一性を引き起こす。したがって、本エッチング液においては、イミダゾールimidazoleは、銅/モリブデンガルバニックの反応調節剤Cu/Mogalvanicreactioncontrollerの機能をする添加剤であり、組成物の総重量に対して0.01~5wt含まれることが好ましい。より好ましくは、イミダゾールは、少なくとも0.1wt以上、特に好ましくは0.1~0.3wt含まれる。イミダゾールが0.01wt未満の場合には、銅とモリブデンのガルバニック現象の発生が多くなって、銅とモリブデンの配線幅の差であるステップ長さsteplengthエッチングの後、銅とモリブデン配線幅の差をsteplengthという。が大きくなり、5wtを超えて含まれる場合には、銅のエッチング速度が急激に遅くなる。本エッチング液を使用する際の溶液温度は、30°C~60°C、特に約40°Cが好ましい。溶液温度30°C未満では、CDcutdimensionSkew及びステップ長さsteplengthの不均一性が発生し、60°C超過では過エッチング現象が観察された。また、本エッチング液が適用される多重膜の銅層とモリブデン層の厚さ比は、30:1以上であることが好ましく、それ未満の場合は、ガルバニック反応が大きくなってステップ長さsteplengthが大きくなる。銅層とモリブデン層との厚さ比が30:1以上の場合、ガルバニック現象が減少してステップ長さsteplengthが減少することになる。Moの最適の厚さは100オングストローム、また、Cuの最適の厚さは3000オングストロームであることが好ましい。前記モリブデン膜又はモリブデン合金膜の残留応力residualstressは、引張応力tensilestressであることが好ましい。モリブデン蒸着膜の場合、アルゴン圧力が高い工程条件で蒸着すると、銅とのガルバニック現象が減少してテーパアングルtaperangleの形成に有利である。前記銅膜又は銅合金膜は、蒸着後、100°C~300°Cの温度で10分~1時間アニーリングすることが好ましい。本エッチング液は、フラットパネルディスプレイのTFT、アクティブマトリックスOLED又はタッチセンサパネルの製造に有利に使用可能である。また、本エッチング液組成物は、例えば界面活性剤、エッチング調節剤のような通常の添加剤をさらに含むことができ、目的とするエッチング特性と必要によって公知の他の添加剤をさらに添加することができる。モルリブデン膜の特性によって小粒子状の残渣residueが形成され、これがガラス基板又は下部膜に残るとピクセル不良を引き起こす原因となる。残渣を除去するために、大部分のエッチング液にはフッ素化合物が含まれる。フッ素化合物は、残渣除去の効果はあるが、ガラス基板に損傷を与える欠点を有する。一方、本エッチング液は、Moの残渣除去のために添加されるフッ素化合物を含まない。その理由は、過酸化水素系エッチング液とは異なり、本エッチング液のようなリン酸系エッチング液では、Mo残渣の問題がほとんど発生しないため、フッ素化合物をエッチング液に添加する必要がない。したがって、フッ素化合物添加剤によってガラス基板に損傷glassdamageを与える欠点を解消することができる。また、本エッチング液を用いるエッチング方法以下、本エッチング方法ともいう。は、基板上に少なくともモリブデン又はモリブデン合金膜と銅又は銅合金膜を含む多重膜を蒸着するステップと、前記多重膜に所定のパターンを有するフォトレジスト膜を形成するステップと、前記フォトレジスト膜をマスクとして使用し、組成物の総重量に対して、50~80wtのリン酸と、0.5~10wtの硝酸と、5~30wtの酢酸と、0.01~5wtのイミダゾールとを含むエッチング液を使って前記多重膜をエッチングすることで金属配線を形成するステップと、前記フォトレジスト膜を除去するステップと、脱イオン水で金属配線を洗浄して乾燥するステップとを含む。好ましくは、前記多重膜は、例えばCu/Mo積層金属膜、Cu/Mo合金積層金属膜、Cu合金/Mo合金積層金属膜などのような、銅又は銅合金の1層以上の銅層と、モリブデン又はモリブデン合金の1層以上のモリブデン層とを含む。本エッチング方法においては、モリブデン又はモリブデン合金膜が基板上に蒸着され、銅又は銅合金膜が前記モリブデン又はモリブデン合金膜上に蒸着され、そして、フォトレジスト膜が前記銅又は銅合金膜上に形成された積層体に好ましく適用される。前記モリブデン合金は、モリブデンと、好ましくはタングステン、チタン、タンタル及びニオビウムから選択される少なくとも1種の元素とを含む。また、前記銅合金は、銅と、好ましくはマグネシウム、モリブデン及びマンガンから選択される少なくとも1種の元素とを含む。好ましくは、前記モリブデン又はモリブデン合金膜は、100~500オングストロームの厚さを有し、銅又は銅合金膜は、1000~20000オングストロームの厚さを有し、この範囲で効率的なエッチングが可能である。また、本エッチング方法は、30°C~60°C、好ましくは約40°Cの温度で行うことができる。本エッチング液を使う場合、好ましくはスプレー法噴霧法spraymethodによって30秒~150秒間、エッチング液を基板上に噴霧することで金属配線を形成することができる。また、前記銅又は銅合金膜は、好ましくはソース/ドレイン電極として形成することができる。前記基板は、好ましくはTFTLCD用ガラス基板、フレキシブルディスプレイ用金属薄膜基板又はプラスチック基板であり、前記基板は、TFTLCD、アクティブマトリックスOLED又はタッチセンサパネル用に使うことができる。以下、実施例及び比較例に基づいて本発明を詳細に説明する。なお、以下に示す実施例は、本発明を詳細に説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。ここでは、実施例及び比較例のエッチング液組成物を製造し、そのエッチング特性を評価した。エッチング特性の評価は、次のような実験例によって行った。[実験例]基板上にCu/Moの二重膜が蒸着された試片を準備し、噴射式エッチング方式の実験装備FNSTech社製内に実施例又は比較例のエッチング液を入れ、温度を40°Cに設定して加温し、温度が40±0.1°Cに到逹したとき、前記基板のエッチング工程を実行した。総エッチング時間は、終末点探知機EPDEndPointDetectorによって検出された時間を基準として、50超過させたオーバエッチングを行った。エッチングの終了後、基板を取り出して脱イオン水で洗浄した後、熱風乾燥装置で乾燥させた。また、フォトレジストPR剥離器stripperでフォトレジストを除去した。電子走査顕微鏡SEM、TESCAN社製を用いて、フォトレジスト末端と銅末端との間の距離を示すCDskewCutdimensionskew、銅とモリブデン配線幅の差であるステップ長さsteplength、エッチング残留物などを観察し、評価した。[比較例1]背景技術で言及したように、リン酸、硝酸、酢酸及びその他の添加剤を含む銅エッチング液は、特許文献2及び3などで提案されているものの、Cu/Moの二重構造に対する具体的な適用結果は明かされていない。従来技術である特許文献3に記載の技術は、フラットパネルディスプレイの薄膜トランジスタ形成のための金属電極用エッチング液組成物であり、従来のアルミニウムエッチング液であるリン酸硝酸酢酸水の組成物にエッチング速度調整剤をさらに添加することにより、所望のパターンが形成できるようにしたものである。そこで、比較例1として特許文献3に記載された実施例1のエッチング液組成物を製造した。比較例1のエッチング液組成物の組成は、以下の通りである。H3PO455wtHNO38wtCH3COOH10wtNH42HPO42wtCH3COONH42wtH2O残量前記組成を有する比較例1のエッチング液組成物のエッチング特性について、前記実験例によって評価した。図1は、比較例として従来技術特許文献3に提案されたリン酸、硝酸、酢酸組成及び添加剤を含むエッチング液のCu/Moの二重膜に対する具体的な適用結果を示す平面写真である。図1に示すように、Cu/Moの二重構造にリン酸系のエッチング液を適用する場合、下部膜であるモリブデンはほとんど溶けないが、2種金属のエッチング速度差及びガルバニック腐食現象によって上部膜の銅が過エッチングされる現象が発生した。このときに発生する銅とモリブデン配線幅の差をステップ長さsteplengthとした図1参照。図1によれば、比較例1のエッチング液でCu/Moの二重膜をエッチングする場合、かなり大きいステップ長さが発生することから、エッチングプロファイルが不良であることが分かる。図2は、比較例1のエッチング液組成物でエッチングした断面SEM写真である。図2に示すように、フォトレジスト末端と銅末端との間の距離を示すCDskewCutdimensionskewが大きくなる問題点が発生したエッチング不良。段差がなく均一なテーパエッチングを行うためには、この距離CDskewは適切な範囲内でなければならない。[実施例1]H3PO470wtHNO32wtCH3COOH15wtC3H4N2imidazole0.1wtH2O12.9wt実施例1として、前記組成比を有するエッチング液組成物を製造し、そのエッチング特性を前記実験例によって評価した。図3は、実施例1によって製造されたリン酸、硝酸、酢酸、添加剤イミダゾールimidazole及び水を含むエッチング液を用いてCu/Moの二重膜をエッチングしたときの平面写真を示し、図4は、実施例1のエッチング液組成物でエッチングした断面SEM写真である。図3及び図4を参照すると、Cu/Moの二重膜のガルバニック現象が減少して、CDskew及びステップ長さsteplengthが大幅に改善されることから、パターンのプロファイルとエッチング特性が優れていることが分かる。つまり、図1と図3とを比較すると、本発明のエッチング液を使う場合、従来技術のエッチング液を使う場合よりステップ長さsteplengthが大幅に改善することが分かる。また、図2と図4とを比較すると、本発明のエッチング液を使う場合、従来技術のエッチング液を使う場合よりCDskewが大幅に改善することが分かる。本発明者は、他の組成比のエッチング液でもエッチング特性が改善することを確認した結果、下記実施例2~4の組成比を有するエッチング液組成物は、図2及び図3に示す実施例1の組成比のエッチング液によるエッチング特性とほぼ類似の改善効果を示した。[実施例2]H3PO470wtHNO32wtCH3COOH15wtC3H4N2imidazole0.1~0.3wt残りは蒸溜水[実施例3]H3PO458wtHNO32wtCH3COOH20wtC3H4N2imidazole0.1~0.3wt残りは蒸溜水[実施例4]H3PO452wtHNO38wtCH3COOH20wtC3H4N2imidazole0.1~0.3wt残りは蒸溜水[イミダゾールの添加量によるエッチング特性]図5は、本実施例によるエッチング液において、イミダゾールimidazoleC3H4N2の添加によるCu/Mo層のエッチング様相の変化を示す。イミダゾールは、銅/モリブデンガルバニック反応調節剤Cu/Mogalvanicreactioncontrollerとして機能する添加剤であることが分かる。効果的なCu/Moのエッチングのためには、CDSkewは、0.5μm以下、かつCuとMoの間のエッチング速度差によって発生するステップ長さsteplength=widthofcopper-widthofmolybdenumつまり、エッチング後の銅とモリブデン配線幅の差が最小にならなければならない。図5に示すように、リン酸、硝酸、酢酸溶液にイミダゾールを添加することによってステップ長さsteplengthが最小になる濃度が存在することが分かる。図5はイミダゾール濃度が0.02Mの場合に最良の効果を示すことが分かる。[他の添加剤によるエッチング特性]本発明者は、イミダゾールC3H4N2以外にもガルバニック反応を減少させる添加剤を見つけるために、イミダゾールのような複素環アミン化合物であるアミノテトラゾールAminotetrazoleCH3N5を添加剤として用いて実験した図6参照。また、アスコルビン酸AscorbicacidC6H8O6、リン酸二水素ナトリウムSodiumdihydrogenphosphateNaH2PO4、アミノアセト酢酸AminodiaceticacidC4H7NO4、リン酸一水素二ナトリウムDisodiumhydrogenphosphateNa2HPO4などの多くの添加剤を対象として実験を行ったが、イミダゾールよりガルバニック反応を減少させてCDskew及びステップ長さsteplengthを同時に著しく改善した添加剤は発見されなかった。例えば、図6に、イミダゾールのような複素環アミン化合物に属するアミノテトラゾールCH3N5の添加によるCu/Mo層のエッチング特性の変化を示す。図6に示すように、アミノテトラゾールは、イミダゾールよりステップ長さsteplengthを著しく改善することはできないことが分かる。また、図7に、図5に示すイミダゾールのステップ長さsteplengthの効果と、図6に示すアミノテトラゾールのステップ長さsteplengthの効果とを比較するために、両者のCu/Mo層のエッチング特性の変化を示す。以上、本発明者の研究によれば、イミダゾールは、過酸化水素系エッチング液においてはエッチング速度に大きく影響を及ぼすが、リン酸系エッチング液においてはエッチング速度にあまり影響を及ぼさないという事実を見出した。