"モルホリンギ酸塩を含むことを特徴とするレジスト剥離剤。レジスト剥離剤中のモルホリンギ酸塩の量が0.1重量以上10重量以下であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト剥離剤。さらに水及び/又は水溶性有機溶媒を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のレジスト剥離剤。水溶性有機溶媒が、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジエチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、N-エチル-2-ピロリドン、N-プロピル-2-ピロリドン、N-ヒドロキシエチル-2-ピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、及びジプロピレングリコールモノブチルエーテルからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項3に記載のレジスト剥離剤。さらにアミン類を含むことを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のレジスト剥離剤。アミン類が、モノエタノールアミン、N-メチルエタノールアミン、N,N-ジメチルエタノールアミンなどのモノエタノールアミンのN-メチル化体、モノエタノールアミンのN-エチル化体、2-アミノエトキシエタノール、2-アミノエトキシエタノールのN-メチル化体、N-エチル化体、N-2-アミノエチルエタノールアミン、N-2-アミノエチルエタノールアミンのメチル化体、N-2-アミノエチルエタノールアミンのエチル化体、N-2-ヒドロキシエチルピペラジン、N-2-ヒドロキシエチルピペラジンのメチル化体、N-2-ヒドロキシエチルピペラジンのエチル化体、エチレンジアミン、エチレンジアミンのメチル化体、ジエチレントリアミン、ジエチレントリアミンのメチル化体、トリエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミンのメチル化体、テトラエチレンペンタミン、テトラエチレンペンタミンのメチル化体、ピペラジン、ピペラジンのメチル化体、N-2-アミノエチルピペラジン、N-2-アミノエチルピペラジンのメチル化体、N-2-ヒドロキシエチルモルホリン及びモルホリンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項5に記載のレジスト剥離剤。レジスト剥離剤の水溶液がアルカリ性を示すことを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載のレジスト剥離剤。請求項1~7のいずれかに記載のレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離することを特徴とするレジスト剥離方法。本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、優れたレジスト剥離性及び銅、アルミに対し低腐食性を示すレジスト剥離剤を提供することにある。本発明者らは、レジスト剥離剤について鋭意検討した結果、モルホリンギ酸塩を含むレジスト剥離剤が、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至ったものである。すなわち、本発明は、以下に示すとおりのレジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法である。[1]モルホリンギ酸塩を含むことを特徴とするレジスト剥離剤。[2]レジスト剥離剤中のモルホリンギ酸塩の量が0.1重量以上10重量以下であることを特徴とする上記[1]に記載のレジスト剥離剤。[3]さらに水及び/又は水溶性有機溶媒を含むことを特徴とする上記[1]又は[2]に記載のレジスト剥離剤。[4]水溶性有機溶媒が、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジエチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、N-エチル-2-ピロリドン、N-プロピル-2-ピロリドン、N-ヒドロキシエチル-2-ピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、及びジプロピレングリコールモノブチルエーテルからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする上記[3]に記載のレジスト剥離剤。[5]さらにアミン類を含むことを特徴とする上記[1]~[4]のいずれかに記載のレジスト剥離剤。[6]アミン類が、モノエタノールアミン、N-メチルエタノールアミン、N,N-ジメチルエタノールアミンなどのモノエタノールアミンのN-メチル化体、モノエタノールアミンのN-エチル化体、2-アミノエトキシエタノール、2-アミノエトキシエタノールのN-メチル化体、N-エチル化体、N-2-アミノエチルエタノールアミン、N-2-アミノエチルエタノールアミンのメチル化体、N-2-アミノエチルエタノールアミンのエチル化体、N-2-ヒドロキシエチルピペラジン、N-2-ヒドロキシエチルピペラジンのメチル化体、N-2-ヒドロキシエチルピペラジンのエチル化体、エチレンジアミン、エチレンジアミンのメチル化体、ジエチレントリアミン、ジエチレントリアミンのメチル化体、トリエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミンのメチル化体、テトラエチレンペンタミン、テトラエチレンペンタミンのメチル化体、ピペラジン、ピペラジンのメチル化体、N-2-アミノエチルピペラジン、N-2-アミノエチルピペラジンのメチル化体、N-2-ヒドロキシエチルモルホリン及びモルホリンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする上記[5]に記載のレジスト剥離剤。[7]レジスト剥離剤の水溶液がアルカリ性を示すことを特徴とする上記[1]~[6]のいずれかに記載のレジスト剥離剤。[8]上記[1]~[7]のいずれかに記載のレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離することを特徴とするレジスト剥離方法。本発明のレジスト剥離剤は、優れたレジスト剥離性を示すとともに、銅、アルミに対し低腐食性を示す安価なレジスト剥離剤として、工業的に極めて有用である。本発明のレジスト剥離剤は、モルホリンギ酸塩を含む。本発明において、モルホリンギ酸塩とは、モルホリン、またはその塩並びにギ酸、又はその塩がレジスト剥離剤中に存在していることを意味し、モルホリンとギ酸が必ずしも1:1である必要はなく、どちらかが過剰でも一向に差し支えない。本発明のレジスト剥離剤の水溶液がアルカリ性を示すことが重要である。水溶液が中性、又は酸性であるとレジスト剥離力が低下してしまう。本発明のレジスト剥離剤の水溶液をアルカリ性にするためには、モルホリンをギ酸より過剰に使用するか、モルホリンがギ酸より少量の場合は、モルホリン以外の塩基性物質、例えばアミン類をレジスト剥離剤に添加することができる。本発明のレジスト剥離剤はモルホリンギ酸塩を含み、更に、水及び/又は水溶性有機溶媒を含んでも良い。水溶性有機溶媒としては、レジスト剥離剤として一般に使用しているものを用いることができ、特に制限はない。具体的には、例えばジメチルスルホキシド等のスルホキシド類;ジメチルスルホン、ジエチルスルホン等のスルホン類;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジエチルアセトアミド等のアミド類;N-メチル-2-ピロリドン、N-エチル-2-ピロリドン、N-プロピル-2-ピロリドン、N-ヒドロキシエチル-2-ピロリドン等のラクタム類;1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール等のグリコール類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類が例示され、N-メチルホルムアミド、N-メチル-2-ピロリドン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、N,N-ジメチルホルムアミド等が好ましい。これら水溶性有機溶媒は単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。また、本発明のレジスト剥離剤には、アミン類を添加することができる。アミン類は一般的なものを使用することができ、レジスト剥離力を有するアミン類を添加することが好ましい。レジスト剥離力を有するアミン類は一般に知られているものを使用することができ、例えばモノエタノールアミン、N-メチルエタノールアミン、N,N-ジメチルエタノールアミンなどのモノエタノールアミンのN-メチル化体、モノエタノールアミンのN-エチル化体、2-アミノエトキシエタノール、2-アミノエトキシエタノールのN-メチル化体、N-エチル化体、N-2-アミノエチルエタノールアミン、N-2-アミノエチルエタノールアミンのメチル化体、N-2-アミノエチルエタノールアミンのエチル化体、N-2-ヒドロキシエチルピペラジン、N-2-ヒドロキシエチルピペラジンのメチル化体、N-2-ヒドロキシエチルピペラジンのエチル化体、エチレンジアミン、エチレンジアミンのメチル化体、ジエチレントリアミン、ジエチレントリアミンのメチル化体、トリエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミンのメチル化体、テトラエチレンペンタミン、テトラエチレンペンタミンのメチル化体、ピペラジン、ピペラジンのメチル化体、N-2-アミノエチルピペラジン、N-2-アミノエチルピペラジンのメチル化体、N-2-ヒドロキシエチルモルホリン及びモルホリン等が挙げられ、その中でも特にモノエタノールアミン、モルホリン、エチレンジアミンのメチル体、N-2-ヒドロキシエチルモルホリン等が好ましい。これらのアミン類は一種類を使用しても良いし、二種類以上を混合して使用しても良い。さらに、本発明のレジスト剥離剤には、ベンゾトリアゾール類等の一般に使用されている防食剤も使用することができる。本発明のレジスト剥離剤中の各成分の含有量としては、レジスト剥離性、材料へのダメージを考慮するとモルホリンギ酸塩が0.1~15重量が好ましく、特に好ましくは0.1~10重量である。水及び/又は水溶性有機溶媒を用いる場合、水及び/又は水溶性有機溶媒の含有量としては、レジスト剥離能の観点から10~99.5重量が好ましい。アミン類を用いる場合、アミン類の含有量としては、レジスト剥離性能の観点から1~40重量が好ましい。レジスト剥離剤中の各成分の含有量が上記した範囲にあれば、レジストの剥離性、安定性、各種金属への耐腐食性が優れたものとなる。なお、上記したレジスト剥離剤中の各成分の含有量の合計が100重量を超えることがないことはいうまでもない。本発明のレジスト剥離剤は上記した成分及び含有量から構成され、これらの各成分はレジストを剥離する際に各成分を添加して使用してもよいし、予め混合したものを使用してもよい。本発明のレジスト剥離方法は、上記した本発明のレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離することをその特徴とする。本発明のレジスト剥離剤を使用して、レジストを剥離する際の温度は、15~100°Cが好ましく、レジストの剥離性、配線材料へのアタックを考慮すると20~50°Cが特に好ましい。本発明のレジスト剥離剤は、無機質基体上に塗布されたレジスト膜、シリコン等の無機質基体上に塗布されたレジスト膜をドライエッチング後に残存するレジスト層、ドライエッチング後にアッシングを行い残存するレジスト残渣物等を剥離するのに用いられる。本発明のレジスト剥離剤は、銅、アルミ等の金属に対する腐食性が特に小さいため、微細化された銅配線用のレジストを剥離するのに好適に用いられる。また、本発明のレジスト剥離剤を使用する際には、加熱、超音波等で剥離を促進してもよい。本発明のレジスト剥離剤の使用方法としては、特に制限はなく、浸漬法、スプレー噴霧式、その他従来公知の方法を使用しても差し支えない。本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定して解釈されるものではない。なお、表記を簡潔にするため、以下の略記号を使用した。MEA:モノエタノールアミン、MO:モルホリン、PMEDA:エチレンジアミンのメチル化体、HEM:N-2-ヒドロキシエチルモルホリン、NMF:N-メチルホルムアミド、NMP:N-メチル-2-ピロリドン、MDG:ジエチレングリコールモノメチルエーテルDMAc:N,N-ジメチルアセトアミド。また、以下の実施例、比較例において、レジストの剥離性は以下のように評価した。◎:剥離性極めて良好90秒以内に除去可能、○:剥離性良好120秒以内に除去可能、×:120秒間処理後、大部分残存していた。実施例1~6、比較例1~2シリコン基板上に銅が成膜された基板、及びシリコン基板上にアルミが成膜された基板を用い、パターニングされたポジ型フォトレジストをマスクとして、その腐食評価を行った。すなわち、これらの基板を表1に示す剥離剤に60°Cで120秒間、若しくは90秒間浸漬し、その後、水洗いし、乾燥した。基板上のレジストの有無を光学顕微鏡及び走査型電子顕微鏡で観察して、レジストの剥離性を評価した。また、これらの基板を表1に示す剥離剤に50°Cで30分間浸漬し、腐食速度を測定して、銅、アルミの腐食を評価した。表1から明らかなとおり、本発明のレジスト剥離剤は、レジスト剥離性に優れるとともに銅及びアルミの腐食速度が小さかった低腐食性。一方、モルホリンギ酸塩を用いずアルカノールアミン水溶液を使用した比較例1は、レジスト剥離性に劣り、かつ銅、アルミの腐食速度が大きかった。"