試料を加熱してガスを発生させ、DARTを用いて、該ガスから生成したイオンを質量分析計に導入して質量分析することを特徴とする質量分析方法。電圧印加手段を用いて抵抗発熱線に電圧を印加することにより、前記試料を加熱することを特徴とする請求項1に記載の質量分析方法。前記試料を前記抵抗発熱線が巻き付けられているポットに入れ、前記電圧印加手段を用いて前記抵抗発熱線に電圧を印加することにより、前記試料を加熱することを特徴とする請求項2に記載の質量分析方法。前記試料を前記抵抗発熱線に付着させ、前記電圧印加手段を用いて前記抵抗発熱線に電圧を印加することにより、前記試料を加熱することを特徴とする請求項2に記載の質量分析方法。試料を加熱すると共に、DARTを用いて、該試料から生成したイオンを質量分析計に導入して質量分析することを特徴とする質量分析方法。前記試料を前記抵抗発熱線に付着させ、前記電圧印加手段を用いて前記抵抗発熱線に電圧を印加することにより、前記試料を加熱することを特徴とする請求項5に記載の質量分析方法。試料を加熱して発生したガスからイオンを生成させるイオン生成装置であって、前記試料を加熱してガスを発生させる加熱手段と、該ガスからイオンを生成させるDARTイオン源を有することを特徴とするイオン生成装置。前記加熱手段は、前記試料を入れるポットを有し、前記ポットは、抵抗発熱線が巻き付けられており、前記加熱手段は、前記抵抗発熱線に電圧を印加する電圧印加手段をさらに有することを特徴とする請求項7に記載のイオン生成装置。前記加熱手段は、前記試料を付着させる抵抗発熱線と、前記抵抗発熱線に電圧を印加する電圧印加手段を有することを特徴とする請求項7に記載のイオン生成装置。試料を加熱してイオンを生成させるイオン生成装置であって、前記試料を加熱する加熱手段と、該試料からイオンを生成させるDARTイオン源を有することを特徴とするイオン生成装置。前記加熱手段は、前記試料を付着させる抵抗発熱線と、前記抵抗発熱線に電圧を印加する電圧印加手段を有することを特徴とする請求項10に記載のイオン生成装置。請求項7乃至11のいずれか一項に記載のイオン生成装置と、質量分析計を有することを特徴とする質量分析システム。本発明は、上記の従来技術が有する問題に鑑み、高分子化合物を分析することが可能な質量分析方法及び質量分析システム並びに該質量分析方法及び質量分析システムに用いるイオン生成装置を提供することを目的とする。本発明の質量分析方法は、試料を加熱してガスを発生させ、DARTを用いて、該ガスから生成したイオンを質量分析計に導入して質量分析する。本発明の質量分析方法は、試料を加熱すると共に、DARTを用いて、該試料から生成したイオンを質量分析計に導入して質量分析する。本発明のイオン生成装置は、試料を加熱して発生したガスからイオンを生成させるイオン生成装置であって、前記試料を加熱してガスを発生させる加熱手段と、該ガスからイオンを生成させるDARTイオン源を有する。本発明のイオン生成装置は、試料を加熱してイオンを生成させるイオン生成装置であって、前記試料を加熱する加熱手段と、該試料からイオンを生成させるDARTイオン源を有する。本発明の質量分析システムは、本発明のイオン生成装置と、質量分析計を有する。本発明によれば、高分子化合物を分析することが可能な質量分析方法及び質量分析システム並びに該質量分析方法及び質量分析システムに用いるイオン生成装置を提供することができる。次に、本発明を実施するための形態を図面と共に説明する。図1に、本発明の質量分析方法の一例を示す。なお、図1中、加熱装置10のみを断面図として示す。まず、ポット11に試料Sを入れた後、ポット11をポット保持部材12に保持する。このとき、ポット保持部材12は、抵抗発熱線12aが巻き付けられているため、電源不図示を用いて抵抗発熱線12aに電圧を印加することにより、ポット保持部材12を加熱することができる。これにより、試料Sを加熱してガスを発生させることができる。また、ポット保持部材12の周囲には、断熱部材13が設置されている。次に、DARTイオン源20を用いて、準安定励起状態のヘリウムHe23Sを大気中の水に衝突させてペニングイオン化させて生成したプロトンを、試料Sを加熱して発生したガスに照射して生成したイオンを、質量分析計30のイオン導入管31から導入して質量分析する。このとき、イオン導入管31内は、コンプレッサー不図示により減圧されている。これにより、試料Sが高分子化合物を含む場合に、高分子化合物が熱分解して発生したガスから生成したイオンが質量分析計30に導入されるため、高分子化合物の構造を解析することができる。また、試料Sを加熱する温度を連続的又は段階的に変化させることにより、それぞれの温度で試料Sを加熱して発生したガスから生成したイオンを質量分析計20に導入することができる。試料Sを加熱するときのポット保持部材12の温度は、通常、50~1200°Cであり、200~1000°Cが好ましい。ポット保持部材12の温度が50°C未満であると、高分子化合物を熱分解させることが困難になることがあり、1200°Cを超えると、抵抗発熱線12aが切断することがある。ポット11を構成する材料としては、耐熱性を有していれば、特に限定されないが、ガラス、石英等が挙げられる。ポット保持部材12を構成する材料としては、耐熱性を有していれば、特に限定されないが、セラミックス、耐熱ガラス、ステンレス鋼、ニオブ鋼、タンタル鋼等が挙げられる。抵抗発熱線12aを構成する材料としては、特に限定されないが、鉄-クロム-アルミ系合金、ニッケル-クロム系合金等の金属発熱体;白金、モリブデン、タンタル、タングステン等の高融点金属発熱体;炭化ケイ素、モリブデン-シリサイト、カーボン等の非金属発熱体等が挙げられる。断熱部材13を構成する材料としては、耐熱性及び断熱性を有していれば、特に限定されないが、セラミックス、ガラス、ステンレス鋼、ニオブ鋼、タンタル鋼等が挙げられる。試料Sとしては、DARTイオン源20を用いてイオンを生成させることが可能であれば、特に限定されず、有機化合物、高分子化合物等が挙げられる。なお、ポット保持部材12に抵抗発熱線12aを巻き付ける代わりに、ポット11に抵抗発熱線11aを巻き付けてもよい図2参照。なお、図2中、加熱装置10のみを断面図として示す。また、ポット保持部材12に抵抗発熱線12aを巻き付けずに、ポット11の下方に熱源を設置してもよい。熱源としては、特に限定されないが、セラミックヒーター、カートリッジヒーターがプレートに埋め込まれているホットプレート等が挙げられる。プレートを構成する材料としては、熱伝導性が良好であれば、特に限定されないが、銅、アルミニウム等が挙げられる。図3に、本発明の質量分析方法の他の例を示す。まず、試料Sを抵抗発熱線支持部材41により支持されている抵抗発熱線41aに付着させた後、電源不図示を用いて抵抗発熱線41aに電圧を印加することにより、試料Sを加熱してガスを発生させることができる。次に、DARTイオン源20を用いて、準安定励起状態のヘリウムHe23Sを大気中の水に衝突させてペニングイオン化させて生成したプロトンを、試料Sを加熱して発生したガスに照射して生成したイオンを、質量分析計30のイオン導入管31から導入して質量分析する。このとき、イオン導入管31内は、コンプレッサー不図示により減圧されている。これにより、試料Sが高分子化合物を含む場合に、高分子化合物が熱分解して発生したガスから生成したイオンが質量分析計30に導入されるため、高分子化合物の構造を解析することができる。また、試料Sを加熱する温度を連続的又は段階的に変化させることにより、それぞれの温度で試料Sを加熱して発生したガスから生成したイオンを質量分析計30に導入することができる。試料Sを加熱するときの抵抗発熱線41aの温度は、通常、50~1200°Cであり、200~1000°Cが好ましい。抵抗発熱線41aの温度が50°C未満であると、高分子化合物を熱分解させることが困難になることがあり、1200°Cを超えると、抵抗発熱線41aが切断することがある。抵抗発熱線支持部材41としては、耐熱性及び絶縁性を有していれば、特に限定されないが、セラミックス、ガラス等が挙げられる。抵抗発熱線41aを構成する材料としては、特に限定されないが、鉄-クロム-アルミ系合金、ニッケル-クロム系合金等の金属発熱体;白金、モリブデン、タンタル、タングステン等の高融点金属発熱体;炭化ケイ素、モリブデン-シリサイト、カーボン等の非金属発熱体等が挙げられる。試料Sを加熱してガスを発生させる方法としては、抵抗発熱線に電流を流して試料Sを加熱してガスを発生させる方法に限定されず、セラミックファイバーヒーターを用いて試料Sを加熱してガスを発生させる方法、マイクロ波を試料Sに照射して加熱してガスを発生させる方法、熱風器を用いて試料Sを加熱してガスを発生させる方法等が挙げられる。図4に、本発明の質量分析方法の他の例を示す。試料Sを抵抗発熱線支持部材41により支持されている抵抗発熱線41aに付着させた後、電源不図示を用いて抵抗発熱線41aに電圧を印加することにより、試料Sを加熱することができる。このようにして試料Sを加熱すると共に、DARTイオン源20を用いて、準安定励起状態のヘリウムHe23Sを大気中の水に衝突させてペニングイオン化させて生成したプロトンを試料Sに照射して生成したイオンを、質量分析計30のイオン導入管31から導入して質量分析する。このとき、イオン導入管31内は、コンプレッサー不図示により減圧されている。これにより、試料Sが高分子化合物を含む場合に、高分子化合物が熱分解して発生したガスから生成したイオンが質量分析計30に導入されるため、高分子化合物の構造を解析することができる。試料Sを加熱するときの抵抗発熱線41aの温度は、通常、50~1200°Cであり、200~1000°Cが好ましい。抵抗発熱線41aの温度が50°C未満であると、高分子化合物を熱分解させることが困難になることがあり、1200°Cを超えると、抵抗発熱線41aが切断することがある。試料Sを加熱する方法としては、抵抗発熱線に電流を流して試料Sを加熱する方法に限定されず、セラミックファイバーヒーターを用いて試料Sを加熱する方法、マイクロ波を試料Sに照射して加熱する方法、熱風器を用いて試料Sを加熱する方法等が挙げられる。なお、準安定励起状態のヘリウムHe23Sの代わりに、準安定励起状態のネオン、準安定励起状態のアルゴン、準安定励起状態の窒素等を用いてもよい。[実施例1]試料Sとして、直鎖状低密度ポリエチレンを耐熱ガラス製のポット11に入れた後、ポット11をポット保持部材12に保持した。次に、図1の質量分析方法を用いて、直鎖状低密度ポリエチレンを加熱して発生したガスから生成したイオンを質量分析した。具体的には、まず、DARTイオン源20を用いて、準安定励起状態のヘリウムHe23Sを大気中の水に衝突させてペニングイオン化させて生成したプロトンを、直鎖状低密度ポリエチレンを加熱して発生したガスに照射して生成したイオンを、質量分析計30に導入して質量分析した。このとき、抵抗発熱線12aに4.5Aの電流を流すことにより、ポット保持部材12を570°Cに加熱した。なお、DARTイオン源20として、DARTSVPイオンセンス社製を用い、ガスヒーターの温度を300°Cとした。また、質量分析計30として、MicrOTOFQIIブルカーダルトニクス社製を用い、測定モードをpositiveionmodeとした。さらに、セラミックス製のポット保持部材12を用い、抵抗発熱線12aとして、直径が0.32mmのニクロム線を用い、セラミックス製の断熱部材13を用いた。図5に、直鎖状低密度ポリエチレンのマススペクトルを示す。図5から、m/zの差が14である直鎖状低密度ポリエチレンの熱分解生成物のパターンが見られた。このことから、直鎖状低密度ポリエチレンの構造を解析できることがわかる。[実施例2]試料Sとして、ポリプロピレンを用いた以外は、実施例1と同様にして、質量分析した。図6に、ポリプロピレンのマススペクトルを示す。図6から、m/zの差が42であるポリプロピレンの熱分解生成物のパターンが見られた。このことから、ポリプロピレンの構造を解析できることがわかる。[実施例3]平均分子量が1000のポリエチレングリコールの1mg/mLメタノール溶液に抵抗発熱線41aを浸し、試料Sとして、ポリエチレングリコールを抵抗発熱線41aに付着させた。次に、図3の質量分析方法を用いて、ポリエチレングリコールを加熱して発生したガスから生成したイオンを質量分析した。具体的には、まず、DARTイオン源20を用いて、準安定励起状態のヘリウムHe23Sを大気中の水に衝突させてペニングイオン化させて生成したプロトンを、ポリエチレングリコールを加熱して発生したガスに照射して生成したイオンを、質量分析計30に導入して質量分析した。このとき、抵抗発熱線41aに4.5Aの電流を流すことにより、ポリエチレングリコール抵抗発熱線41aを700°Cに加熱した。なお、DARTイオン源20として、DARTSVPイオンセンス社製を用い、ガスヒーターの温度を200°Cとした。また、質量分析計30として、MicrOTOFQIIブルカーダルトニクス社製を用い、測定モードをpositiveionmodeとした。さらに、セラミックス製の抵抗発熱線支持部材41を用い、抵抗発熱線41aとして、直径が0.32mmのニクロム線を用いた。図7に、ポリエチレングリコールのマススペクトルを示す。図7から、加熱により気化したポリエチレングリコール及びポリエチレングリコールの熱分解生成物のパターンが見られた。このことから、ポリエチレングリコールの構造を解析できることがわかる。[実施例4]平均分子量が1000のポリエチレングリコールの1mg/mLメタノール溶液に抵抗発熱線41aを浸し、試料Sとして、ポリエチレングリコールを抵抗発熱線41aに付着させた。次に、図4の質量分析方法を用いて、ポリエチレングリコールを加熱して発生したガスから生成したイオンを質量分析した。具体的には、まず、ポリエチレングリコールを加熱すると共に、DARTイオン源20を用いて、準安定励起状態のヘリウムHe23Sを大気中の水に衝突させてペニングイオン化させて生成したプロトンを、ポリエチレングリコールに照射して生成したイオンを、質量分析計30に導入して質量分析した。このとき、抵抗発熱線41aに4.5Aの電流を流すことにより、抵抗発熱線41aを700°Cに加熱した。なお、DARTイオン源20として、DARTSVPイオンセンス社製を用い、ガスヒーターの温度を200°Cとした。また、質量分析計30として、MicrOTOFQIIブルカーダルトニクス社製を用い、測定モードをpositiveionmodeとした。さらに、セラミックス製の抵抗発熱線支持部材41を用い、抵抗発熱線41aとして、直径が0.26mmのニクロム線を用いた。図8に、ポリエチレングリコールのマススペクトルを示す。図8から、加熱により気化したポリエチレングリコール及びポリエチレングリコールの熱分解生成物のパターンが見られた。このことから、ポリエチレングリコールの構造を解析できることがわかる。本国際出願は、2010年12月27日に出願された日本国特許出願2010-290744に基づく優先権を主張するものであり、日本国特許出願2010-290744の全内容を本国際出願に援用する。