"共通のカソードを有するレーザダイオード及び電界吸収型光変調器が一体に集積された光半導体素子であって、前記共通のカソードはグランド電位に接続されており、前記レーザダイオード及び前記電界吸収型光変調器は前記グランド電位を基準として互いに逆方向のバイアス電位で駆動される、当該光半導体素子と、一方の出力がキャパシタを介して前記電界吸収型光変調器のアノードに接続されており、他方の出力がキャパシタを介して前記電界吸収型光変調器のカソードに接続されている差動型の駆動回路と、を備える、光送信回路。共通のカソードを有するレーザダイオード及び電界吸収型光変調器が一体に集積された光半導体素子であって、前記共通のカソードはグランド電位に接続されており、前記レーザダイオード及び前記電界吸収型光変調器は前記グランド電位を基準として互いに逆方向のバイアス電位で駆動される、当該光半導体素子と、一方の出力がキャパシタを介して前記電界吸収型光変調器のアノードに接続されており、他方の出力がキャパシタを介して前記レーザダイオードのアノードに接続されている差動型の駆動回路と、を備える、光送信回路。前記光半導体素子は、前記レーザダイオードに並列に接続されたキャパシタを更に有する、請求項1又は2に記載の光送信回路。近年、更なる低消費電力化の要求がある。しかしながら、様々な理由により、更なる低消費電力化が困難である。第1の理由は、LD11及びLD駆動用電流源35を安定して動作させるために、LD用電源電位6を2Vより下げることができないことである。第2の理由は、十分な消光特性を得るために、EA変調器12では変調信号として2Vp-p程度の大振幅が必要であり、差動型の駆動回路20では電源電位7を3.3Vより下げることができないことである。そこで、本発明は、従来に比して更なる低消費電力化が可能な光送信回路を提供することを目的としている。本発明の光送信回路は、共通のカソードを有するレーザダイオード及び電界吸収型光変調器が一体に集積された光半導体素子であって、共通のカソードはグランド電位に接続されており、レーザダイオード及び電界吸収型光変調器はグランド電位を基準として互いに逆方向のバイアス電位で駆動される、当該光半導体素子と、一方の出力がキャパシタを介して電界吸収型光変調器のアノードに接続されており、他方の出力がキャパシタを介して電界吸収型光変調器のカソードに接続されている差動型の駆動回路と、を備える。この光送信回路によれば、電界吸収型光変調器を差動駆動するので、駆動回路の差動出力における片相の出力電圧振幅を、電界吸収型光変調器を駆動するために必要な変調電圧振幅の半分とすることができ、その結果、駆動回路の消費電力を低減することができる。ところで、従来、2Vp-p程度の大振幅を得るために、GaAsやInP等の半導体材料を用いた高価な駆動回路を採用する必要があった。しかしながら、この光送信回路によれば、駆動回路の出力電圧振幅を半分の1Vp-p程度に低減できるので、安価なSiやSiGe等の半導体材料を用いる駆動回路を使用することが可能となる。その結果、低価格化も実現可能である。本発明の別の光送信回路は、共通のカソードを有するレーザダイオード及び電界吸収型光変調器が一体に集積された光半導体素子であって、共通のカソードはグランド電位に接続されており、レーザダイオード及び電界吸収型光変調器はグランド電位を基準として互いに逆方向のバイアス電位で駆動される、当該光半導体素子と、一方の出力がキャパシタを介して電界吸収型光変調器のアノードに接続されており、他方の出力がキャパシタを介してレーザダイオードのアノードに接続されている差動型の駆動回路と、を備える。この別の光送信回路でも、電界吸収型光変調器を差動駆動するので、駆動回路の差動出力における出力電圧振幅を、電界吸収型光変調器を駆動するために必要な変調電圧振幅の半分とすることができ、その結果、駆動回路の消費電力を低減することができる。また、安価なSiやSiGe等の半導体材料を用いる駆動回路を使用することが可能となり、低価格化も実現可能である。上記した光半導体素子は、レーザダイオードに並列に接続されたキャパシタを更に有することが好ましい。この構成によれば、レーザダイオードに並列に接続されたキャパシタによって、レーザダイオードの直接変調によるチャープの増加を抑え、伝送特性の劣化を防ぐことができる。本発明によれば、光送信回路において、従来に比して更なる低消費電力化が可能である。以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。[第1の実施形態]図1は、本発明の第1の実施形態に係る光送信回路の構成を示す回路図である。図1に示す光送信回路1は、光半導体素子10と、当該光半導体素子10を駆動する駆動回路20とを備える。光半導体素子10は、レーザダイオード以下、LDという。11と電界吸収型光変調器以下、EA変調器という。12とを有する。LD11は、ある一定の強度のレーザ光を生成し、EA変調器12に供給する。EA変調器12は、駆動回路20からの変調信号に応じてそのレーザ光を変調し、出力レーザ光を生成する。この光半導体素子10では、LD11とEA変調器12とが単一の半導体基板上に集積され、一体化されている。基板の下面には、LD11とEA変調器12に共通のカソードが設けられており、そのカソードはインダクタ31を介してグランド電位5に接続されている。LD11とEA変調器12は、共通電位であるグランド電位を基準として互いに逆方向にバイアス駆動される。すなわち、LD11のアノードには、LD用の正のバイアス電源電位6に接続された電流源35からのバイアス電流がインダクタ32を介して供給される。一方、EA変調器12のアノードには、負バイアス回路36によって生成される負のバイアス電位がインダクタ33を介して供給される。なお、EA変調器12のアノード-カソード間には、駆動回路20に対する終端抵抗13が接続されている。駆動回路20は、EA変調器12に変調信号を供給する。駆動回路20は、差動型の駆動回路であり、EA変調器12を差動駆動する。駆動回路20の一方の出力は、EA変調器12のアノードにキャパシタ41を介して交流的に接続されており、他方の出力は、EA変調器12のカソードにキャパシタ42を介して交流的に接続されている。すなわち、駆動回路20は、EA変調器12にAC結合されており、かつ、EA変調器12を差動駆動する。この第1の実施形態の光送信回路1によれば、LD11とEA変調器12に共通のカソードをグランド電位5に接続し、グランド電位5を基準として互いに逆方向のバイアス電位でLD11とEA変調器12を駆動するので、LD用電源電位6を例えば2Vまで低減することができる。更に、駆動回路20がEA変調器12に交流的に接続されているので、駆動回路用電源電位7を例えば3.3Vまで低減することができる。その結果、これらの電源電位6、7を生成するための昇圧回路の消費電力を低減することができる。更に、第1の実施形態の光送信回路1によれば、EA変調器12を差動駆動するので、駆動回路20の差動出力における片相の出力電圧振幅を、EA変調器12を駆動するために必要な変調電圧振幅2Vp-pの半分にすることができ、その結果、駆動回路20の消費電力を低減することができる。この利点について、図2を参照して詳細に説明する。図2aは、図1に示す光送信回路1における各ノードの電位の関係LD11のアノードの電位a、LD11とEA変調器12に共通のカソードの電位b、及び、EA変調器12のアノードの電位cを示す図であり、図2bは、ノード電位bを基準として、図2aの各ノードの電位a,b,cをそれぞれ変換したノード電位a’,b’,c’を示す図である。図2に示すように、第1の実施形態の光送信回路1によれば、EA変調器12を差動駆動するので、駆動回路20の差動出力における片相の出力電圧振幅を、EA変調器12を駆動するために必要な変調電圧振幅2Vp-pの半分の1Vp-pとすることができる。ところで、従来、2Vp-p程度の大振幅を得るためには、GaAsやInP等の半導体材料を用いた高価な駆動回路を採用する必要があった。しかしながら、この第1の実施形態の光送信回路1によれば、駆動回路20の出力電圧振幅を1Vp-p程度に低減できるので、安価なSiやSiGe等の半導体材料を用いる駆動回路を使用することが可能となる。その結果、低価格化も実現可能である。また、駆動回路20の片相の出力電圧振幅を1Vp-pに低減することにより、図9に示す駆動回路20の出力のプルアップ素子43、44を省くことができ、その結果、実装密度を抑えることも可能である。あるいは、プルアップ素子43、44を設ける場合、駆動回路用電源電位7を3.3V以下、例えば2.5Vや1.8Vに下げることが可能となる。その結果、安価なCMOSデバイスや、SiGe等の半導体材料を用いる駆動回路を使用することが可能となり、低価格化も実現可能である。[第2の実施形態]図3は、本発明の第2の実施形態に係る光送信回路の構成を示す回路図である。図3に示す光送信回路1Aは、光送信回路1において光半導体素子10に代えて光半導体素子10Aを備える構成で第1の実施形態と異なる。光送信回路1Aのその他の構成要素は、光送信回路1と同一である。光半導体素子10Aは、光半導体素子10においてキャパシタ14を更に備える。キャパシタ14は、LD11のアノード-カソード間に接続されている。この第2の実施形態の光送信回路1Aでも、第1の実施形態の光送信回路1と同一の利点を得ることができる。更に、第2の実施形態の光送信回路1Aによれば、キャパシタ14がLD11に並列に接続されているので、LD11の直接変調によるチャープの増加を抑え、伝送特性の劣化を防ぐことができる。この利点について、図2、4を参照して詳細に説明する。図4aは、図3に示す光送信回路1Aにおける各ノードの電位の関係LD11のアノードの電位a、LD11とEA変調器12に共通のカソードの電位b、及び、EA変調器12のアノードの電位cを示す図であり、図4bは、ノード電位bを基準として、図4aの各ノードの電位a,b,cをそれぞれ変換したノード電位a’,b’,c’を示す図である。まず、図2bを参照すると、第1の実施形態の光送信回路1では、LD11とEA変調器12に共通のカソードに変調信号を供給するために、LD11のアノード-カソード間の電圧a’-b’に変調成分が加わり、LDを直接変調してしまう可能性がある。しかしながら、図4bに示すように、第2の実施形態の光送信回路1Bによれば、キャパシタ14によってLD11のアノード-カソード間の電圧a’-b’の変調成分を低減し、LD11の直接変調を低減することができる。[第3の実施形態]図5は、本発明の第3の実施形態に係る光送信回路の構成を示す回路図である。図5に示す光送信回路1Bは、光送信回路1Aにおいて光半導体素子10Aと駆動回路20との接続関係が異なる点で第2の実施形態と異なる。すなわち、駆動回路20の一方の出力は、EA変調器12のアノードにキャパシタ41を介して交流的に接続されており、他方の出力は、EA変調器12のカソードに代えて、LD11のアノードにキャパシタ42を介して交流的に接続されている。また、光送信回路1Bは、光半導体素子10Aの外部に、LD11のアノード-カソード間に接続される大容量のキャパシタ37を更に備える点で第2の実施形態と異なる。光送信回路1Bのその他の構成は、光送信回路1Aと同一である。なお、図6aに、図5に示す光送信回路1Bにおける各ノードの電位の関係LD11のアノードの電位a、LD11とEA変調器12に共通のカソードの電位b、及び、EA変調器12のアノードの電位cを示し、図6bに、ノード電位bを基準として、図6aの各ノードの電位a,b,cをそれぞれ変換したノード電位a’,b’,c’を示す。この第3の実施形態の光送信回路1Bでも、EA変調器12を差動駆動することとなるので、駆動回路20の差動出力における片相の出力電圧振幅を、EA変調器12を駆動するために必要な変調電圧振幅の半分とすることができ、その結果、駆動回路20の消費電力を低減することができる。また、安価なSiやSiGe等の半導体材料を用いる駆動回路を使用することが可能となり、低価格化も実現可能である。また、第3の実施形態の光送信回路1Bでも、キャパシタ14がLD11に並列に接続されているので、LD11の直接変調によるチャープの増加を抑え、伝送特性の劣化を防ぐことができる。ところで、LD11を介してEA変調器12を駆動すると、LD11の直接変調によるチャープの増加が顕著である可能性がある。しかしながら、第3の実施形態の光送信回路1Bによれば、光半導体素子10Aの外部に設けられた大容量のキャパシタ37によって、LD11の直接変調によるチャープの増加をより抑制することができる。なお、この場合、大容量のキャパシタ37を考慮したインピーダンスマッチングを行うことが好ましい。以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。"