"酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分を有する樹脂成分Aと活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物Bとを含有し、樹脂成分Aのアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分の脱保護がβ-脱離反応に依らないポジ型レジスト材料であって、上記樹脂成分Aが、下記一般式1-3で示される単位の1種以上と、更に下記一般式2、3、4及び5から選ばれる1種以上の繰り返し単位を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。式中、R1は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。R2、R3はそれぞれ独立に水素原子又はCR7R8R9を示す。R7、R8、R9はそれぞれ独立にヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示し、同一又は異なる炭素原子上のR7、R8、R9のうちの2つ又は3つが結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合は結合した2つ又は3つでヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の二価又は三価の炭化水素基を示す。R11、R12、R13はそれぞれ独立にヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示し、n個のR13は環上のどの位置に結合してもよく、またR11、R12、R13のうちの2つが、又は任意の2個のR13が結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合は結合した2つでヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の二価の炭化水素基を示す。Xは-CH2-、-CH2CH2-、-O-、又は-S-を示す。nは0~4の整数である。式中、R1はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。R14は水素原子、又は炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシ基、水酸基から選ばれる少なくとも1種の基を含有する一価の炭化水素基を示す。R15は炭素数3~15の-CO2-部分構造を含有する一価の炭化水素基を示す。R16は炭素数7~15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示す。R17は酸不安定基を示す。A成分が、下記式で示されるいずれかの繰り返し単位と、下記式で示されるいずれかの繰り返し単位と、下記式で示されるいずれかの繰り返し単位とを含有する樹脂成分である請求項1記載のポジ型レジスト材料。A成分が、下記式で示される繰り返し単位と、下記式で示される繰り返し単位と、下記式で示されるいずれかの繰り返し単位と式中、Rは水素原子又はメチル基を示す。を含有するものである請求項2記載のポジ型レジスト材料。請求項1乃至3のいずれか1項記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。請求項1乃至3のいずれか1項記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法において、屈折率1.0以上の高屈折率液体をレジスト塗布膜と投影レンズとの間に介在させて液浸露光を行うことを特徴とするパターン形成方法。請求項1乃至3のいずれか1項記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法において、レジスト塗布膜の上に更に保護膜を塗布し、屈折率1.0以上の高屈折率液体を該保護膜と投影レンズとの間に介在させて液浸露光を行うことを特徴とするパターン形成方法。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、ArFエキシマレーザー光等の高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、解像性を大きく改善したレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明者らは上記目的を達成するため、鋭意検討を重ねた結果、高い反応性を有するアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分を有し、かつその脱保護がβ-脱離反応に依らないことを特徴とする高分子化合物をベース樹脂とするポジ型レジスト材料が、極めて高い解像性能を有するものであり、精密な微細加工に極めて有用なレジスト材料であることを知見するに至った。即ち、本発明は、下記のレジスト材料及びパターン形成方法を提供する。請求項1:酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分を有する樹脂成分Aと活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物Bとを含有し、樹脂成分Aのアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分の脱保護がβ-脱離反応に依らないポジ型レジスト材料であって、上記樹脂成分Aが、下記一般式1-3で示される単位の1種以上と、更に下記一般式2、3、4及び5から選ばれる1種以上の繰り返し単位を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。式中、R1は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。R2、R3はそれぞれ独立に水素原子又はCR7R8R9を示す。R7、R8、R9はそれぞれ独立にヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示し、同一又は異なる炭素原子上のR7、R8、R9のうちの2つ又は3つが結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合は結合した2つ又は3つでヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の二価又は三価の炭化水素基を示す。R11、R12、R13はそれぞれ独立にヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示し、n個のR13は環上のどの位置に結合してもよく、またR11、R12、R13のうちの2つが、又は任意の2個のR13が結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合は結合した2つでヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の二価の炭化水素基を示す。Xは-CH2-、-CH2CH2-、-O-、又は-S-を示す。nは0~4の整数である。式中、R1はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。R14は水素原子、又は炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシ基、水酸基から選ばれる少なくとも1種の基を含有する一価の炭化水素基を示す。R15は炭素数3~15の-CO2-部分構造を含有する一価の炭化水素基を示す。R16は炭素数7~15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示す。R17は酸不安定基を示す。請求項2:A成分が、下記式で示されるいずれかの繰り返し単位と、下記式で示されるいずれかの繰り返し単位と、下記式で示されるいずれかの繰り返し単位とを含有する樹脂成分である請求項1記載のポジ型レジスト材料。請求項3:A成分が、下記式で示される繰り返し単位と、下記式で示される繰り返し単位と、下記式で示されるいずれかの繰り返し単位と式中、Rは水素原子又はメチル基を示す。を含有するものである請求項2記載のポジ型レジスト材料。請求項4:請求項1乃至3のいずれか1項記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。請求項5:請求項1乃至3のいずれか1項記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法において、屈折率1.0以上の高屈折率液体をレジスト塗布膜と投影レンズとの間に介在させて液浸露光を行うことを特徴とするパターン形成方法。請求項6:請求項1乃至3のいずれか1項記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法において、レジスト塗布膜の上に更に保護膜を塗布し、屈折率1.0以上の高屈折率液体を該保護膜と投影レンズとの間に介在させて液浸露光を行うことを特徴とするパターン形成方法。本発明のレジスト材料は、微細加工技術、特にArFリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有しており、精密な微細加工に極めて有用である。本発明のレジスト材料は、酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分を有する樹脂成分Aと活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物Bとを含有し、樹脂成分Aのアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分の脱保護がβ-脱離反応に依らないことを特徴とする、ポジ型レジスト材料である。以下、本発明のレジスト材料について詳述する。なお、以下の説明中、化学式で表される構造によっては不斉炭素が存在し、エナンチオ異性体enantiomerやジアステレオ異性体diastereomerが存在しえるものがあるが、その場合は一つの式でそれらの異性体を代表して表す。それらの異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。樹脂成分Aのアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分の一つの好ましい形態としては、I酸素原子が置換するα位の炭素原子に結合するβ位の炭素原子が存在しない構造、及び/又は、II酸素原子が置換するα位の炭素原子に隣接するβ位の炭素原子を有し、かつ該β位の炭素原子上に水素原子を有さない構造である。なお、α位の炭素原子以下、Cαとする及びβ位の炭素原子以下、Cβとするの定義は、下図の通りである。また、Cα、Cβ上に置換する水素原子を、それぞれHα、Hβと呼称する。式中、破線は結合手を表す。Cβ上に水素原子Hβが存在する場合、下記式Aに示す機構により、脱保護がβ-脱離反応により進行し、カルボン酸と対応するオレフィン化合物を生成する。このβ-脱離反応は、原理的には酸触媒の存在のみで反応が進行するため、基質である保護化カルボン酸が存在する限り反応が起こり続ける。一方、本発明の場合、ICβが存在しない構造か、又は、IICβ上に水素原子Hβが存在しない構造をとることにより、中間体と考えられるカルボカチオンの炭素骨格の転移等によりHβが存在する構造に変化しない限り、脱保護はβ-脱離反応によって進むことはないと考えられる。レジスト系内に求核剤Nucleophileが存在する場合には分解反応が進行すると考えられ、例えば求核剤として水やアルコールを例として示すと、下記式Bに示す機構による分解が考えられる。Bの反応は水やアルコールといった求核剤の共存により進行するため、酸触媒が潤沢に存在したとしても、その反応は求核剤の存在量を超えて進行することはない。従って、本発明のアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分を有する樹脂成分をベース樹脂として用いたレジスト材料は、アセタール保護基の極めて高い反応性による迅速な脱保護反応に裏打ちされた高い解像性能を実現する一方で、求核剤の限られた共存量が適度に反応の広がりを抑制するために極端な化学増幅が起こらない、即ち、疎密依存性やマスク忠実性といった要求特性に極めて優れた性能を発揮すると考えられるのである。式中、破線は結合手を表す。Rは水素原子又は一価の置換基を示す。本発明で用いる脱保護がβ-脱離反応に依らないアセタール保護基は、上記の理由により、単に高反応性を特徴とする他のアセタール保護基とは一線を画する。脱保護がβ-脱離反応に依らないアセタール保護基は、広義ではアセタール保護基という範疇に含まれるが、その化学的性質の違いからレジスト材料に用いた際の効果が全く異なるため、本来は区別して扱われるべきものである。アセタール保護基という概念そのものは既に広く一般に認知され、アセタール保護基であること自体には何ら新規性、進歩性を見出すことはできないが、脱保護がβ-脱離反応に依らないアセタール保護基という概念は従来の理解から大きく逸脱したものであるため、仮に過去の特許文献や非特許文献に記された一般式の定義が本発明のアセタール保護基を意図せずその範疇に含んでいたとしても、本発明の優位性をいささかも否定するものではないことを、本発明者らは強く主張する。上記I及び/又はIIの形態をとる脱保護がβ-脱離反応に依らないアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分を有する繰り返し単位としては、好ましくは、下記一般式1-1で示される単位とすることができる。ここで、R1は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。R2、R3、R4、R5、R6はそれぞれ独立に水素原子又はCR7R8R9を示す。R7、R8、R9はそれぞれ独立にヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシクロペンチル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、エチルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基、及びこれらの基の任意の炭素-炭素結合間に-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-NH-、-C=O-、-C=OO-、-C=ONH-等のヘテロ原子団が挿入された基や、任意の水素原子が-OH、-NH2、-CHO、-CO2H等の官能基に置換された基を例示することができる。同一又は異なる炭素原子上のR7、R8、R9のうちの2つ又は3つが結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合は結合した2つ又は3つでヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の二価又は三価の炭化水素基を示し、具体的には上記例示の基から水素原子を1個又は2個除いた二価又は三価の基を例示することができる。上記I及び/又はIIの形態をとる脱保護がβ-脱離反応に依らないアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分を有する繰り返し単位としては、より好ましくは、下記一般式1-2で示される単位とすることができる。ここで、R1は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。R2、R3はそれぞれ独立に水素原子又はCR7R8R9を示す。R7、R8、R9はそれぞれ独立にヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示し、同一又は異なる炭素原子上のR7、R8、R9のうちの2つ又は3つが結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合は結合した2つ又は3つでヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の二価又は三価の炭化水素基を示す。R7、R8、R9の具体例としては、上記式1-1で例示したものと同様のものが挙げられる。R10はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示し、具体的にはR7、R8、R9の一価の場合に例示したものと同様のものが挙げられる。Zは結合する炭素原子と共に炭素数3~20の脂環構造を形成する二価の炭化水素基を示し、形成する環として具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、オキサノルボルナン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.026]デカン、テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン、及びこれらの環上の任意の水素原子がメチル基、エチル基等のアルキル基等に置換されたものを例示することができる。上記一般式1-1及び1-2で示される繰り返し単位として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。樹脂成分Aのアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分のもう一つの好ましい形態としては、IIICαを橋頭とする縮合環構造を有し、橋頭位に二重結合を生じさせられないがためにCβ上の水素原子が脱離できない構造、及び/又は、IVCαを含む縮合環を有し、かつ1個乃至3個のCβを橋頭とし、残りのCβ上に水素原子を有さない構造であり、橋頭位に二重結合を生じさせられないがためにβ位の炭素原子上の水素原子が脱離できない構造である。上記IIIの場合、下記式Cに示すように、平面式上ではCβ上の水素原子が脱離できるように見えるが、転移等により炭素骨格が変化しない限り、実際には立体的要因により橋頭位に二重結合を入れることができず、β-脱離反応に依る脱保護が起こりえない。上記IVの場合も同様であり、下記式Dに示すように、Cβ上の水素原子が脱離することはなく、β-脱離反応に依る脱保護は起こらない。III、IVのいずれの場合も脱保護は求核剤の共存により進行し、高反応性であるために反応自体は迅速に進むもののそれが無秩序に広がることはなく、レジスト材料に応用した際には高い解像性能と優れた疎密依存性、マスク忠実性を実現するものとなる。なお、下記式において、縮合環としてノルボルナンビシクロ[2.2.1]ヘプタンを例示したが、その他の好ましい縮合環としては、ビシクロ[2.2.2]オクタン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.026]デカン、テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン等が例示できる。式中、破線は結合手を表す。Rは水素原子又は一価の置換基を示す。Rsは一価の置換基を示す。上記III及び/又はIVの形態をとる脱保護がβ-脱離反応に依らないアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分を有する繰り返し単位としては、好ましくは、下記一般式1-3で示される単位とすることができる。ここで、R1は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。R2、R3はそれぞれ独立に水素原子又はCR7R8R9を示す。R7、R8、R9はそれぞれ独立にヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシクロペンチル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、エチルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基、及びこれらの基の任意の炭素-炭素結合間に-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-NH-、-C=O-、-C=OO-、-C=ONH-等のヘテロ原子団が挿入された基や、任意の水素原子が-OH、-NH2、-CHO、CO2H等の官能基に置換された基を例示することができる。同一又は異なる炭素原子上のR7、R8、R9のうちの2つ又は3つが結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合は結合した2つ又は3つでヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の二価又は三価の炭化水素基を示し、具体的には上記例示の基から水素原子を1個又は2個除いた二価又は三価の基を例示することができる。R11、R12、R13はそれぞれ独立にヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示し、具体的にはR7、R8、R9の一価の場合に例示したものと同様のものが挙げられる。n個のR13は環上のどの位置に結合してもよい。R11、R12、R13のうちの2つが、又は任意の2個のR13が結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、その場合は結合した2つでヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20の二価の炭化水素基を示し、具体的にはR7、R8、R9の二価の場合に例示したものと同様のものが挙げられる。Xは-CH2-、-CH2CH2-、-O-、又は-S-を示す。nは0~4の整数である。上記一般式1-3で示される繰り返し単位を含む、上記III及び/又はIVの形態をとる脱保護がβ-脱離反応に依らないアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分を有する繰り返し単位として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。樹脂成分Aは、脱保護がβ-脱離反応に依らないアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分を有する繰り返し単位の他に、下記一般式2、3、4及び5から選ばれる1種以上を繰り返し単位として含有することができる。ここで、R1はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。R14は水素原子、又は炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシ基、水酸基から選ばれる少なくとも1種の基を含有する一価の炭化水素基を示し、具体的には水素原子、カルボキシエチル、カルボキシブチル、カルボキシシクロペンチル、カルボキシシクロヘキシル、カルボキシノルボルニル、カルボキシアダマンチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシシクロペンチル、ヒドロキシシクロヘキシル、ヒドロキシノルボルニル、ヒドロキシアダマンチル、[2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシ-1-トリフルオロメチルエチル]シクロヘキシル、ビス[2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシ-1-トリフルオロメチルエチル]シクロヘキシル等が例示できる。R15は炭素数3~15の-CO2-部分構造を含有する一価の炭化水素基を示し、具体的には2-オキソオキソラン-3-イル、4,4-ジメチル-2-オキソオキソラン-3-イル、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル、2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-イルメチル、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル等を例示できる。R16は炭素数7~15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示し、具体的にはノルボルニル、ビシクロ[3.3.1]ノニル、トリシクロ[5.2.1.026]デシル、アダマンチル、エチルアダマンチル、ブチルアダマンチル、ノルボルニルメチル、アダマンチルメチル等を例示できる。R17は酸不安定基を示す。酸不安定基としては、種々用いることができ、後述する光酸発生剤から発生する酸によって脱保護される基であり、従来からレジスト材料、特に化学増幅レジスト材料において使用される公知のいずれの酸不安定基であってもよいが、具体的には下記一般式L1~L4で示される基、炭素数4~20、好ましくは4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基等を挙げることができる。ここで、破線は結合手を示す。式中、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的には水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、アダマンチル基等が例示できる。RL03は炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい一価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては上記RL01、RL02と同様のものが例示でき、置換アルキル基としては下記の基等が例示できる。RL01とRL02、RL01とRL03、RL02とRL03とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合には、RL01、RL02、RL03のうち環を形成する基はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。RL04は炭素数4~20、好ましくは炭素数4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基又は上記一般式L1で示される基を示し、三級アルキル基としては、具体的にはtert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、2-シクロペンチルプロパン-2-イル基、2-シクロヘキシルプロパン-2-イル基、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルプロパン-2-イル基、2-アダマンタン-1-イルプロパン-2-イル基、2-トリシクロ[5.2.1.026]デカン-8-イルプロパン-2-イル基、2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン-3-イルプロパン-2-イル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、8-メチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル、8-エチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル、3-メチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデシル、3-エチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデシル等が例示でき、トリアルキルシリル基としては、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル-tert-ブチルシリル基等が例示でき、オキソアルキル基としては、具体的には3-オキソシクロヘキシル基、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル基、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル基等が例示できる。yは0~6の整数である。RL05は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、置換されていてもよいアルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの、又はこれらのメチレン基の一部が酸素原子又は硫黄原子に置換されたもの等が例示でき、置換されていてもよいアリール基としては、具体的にはフェニル基、メチルフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基等が例示できる。式L3において、mは0又は1、nは0,1,2,3のいずれかであり、2mn=2又は3を満足する数である。RL06は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL05と同様のもの等が例示できる。RL07~RL16はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の一価の炭化水素基を示し、具体的には水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等が例示できる。RL07~RL16は互いに結合して環を形成していてもよく例えば、RL07とRL08、RL07とRL09、RL08とRL10、RL09とRL10、RL11とRL12、RL13とRL14等、その場合には炭素数1~15の二価の炭化水素基を示し、具体的には上記一価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等が例示できる。また、RL07~RL16は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい例えば、RL07とRL09、RL09とRL15、RL13とRL15等。上記式L1で示される酸不安定基のうち直鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の基が例示できる。上記式L1で示される酸不安定基のうち環状のものとしては、具体的にはテトラヒドロフラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロフラン-2-イル基、テトラヒドロピラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロピラン-2-イル基等が例示できる。上記式L2の酸不安定基としては、具体的にはtert-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、tert-アミロキシカルボニル基、tert-アミロキシカルボニルメチル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、1-エトキシエトキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。上記式L3の酸不安定基としては、具体的には1-メチルシクロペンチル、1-エチルシクロペンチル、1-n-プロピルシクロペンチル、1-イソプロピルシクロペンチル、1-n-ブチルシクロペンチル、1-sec-ブチルシクロペンチル、1-シクロヘキシルシクロペンチル、1-4-メトキシブチルシクロペンチル、1-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルシクロペンチル、1-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルシクロペンチル、1-メチルシクロヘキシル、1-エチルシクロヘキシル、1-メチル-2-シクロペンテニル、1-エチル-2-シクロペンテニル、1-メチル-2-シクロヘキセニル、1-エチル-2-シクロヘキセニル等が例示できる。上記式L4の酸不安定基としては、下記式L4-1~L4-4で示される基が特に好ましい。前記一般式L4-1~L4-4中、破線は結合位置及び結合方向を示す。RL41はそれぞれ独立に炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等の一価炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。前記一般式L4-1~L4-4には、エナンチオ異性体enantiomerやジアステレオ異性体diastereomerが存在しえるが、前記一般式L4-1~L4-4は、これらの立体異性体の全てを代表して表す。これらの立体異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。例えば、前記一般式L4-3は下記一般式L4-3-1、L4-3-2で示される基から選ばれる1種又は2種の混合物を代表して表すものとする。また、上記一般式L4-4は下記一般式L4-4-1~L4-4-4で示される基から選ばれる1種又は2種以上の混合物を代表して表すものとする。上記一般式L4-1~L4-4、L4-3-1、L4-3-2、及び式L4-4-1~L4-4-4は、それらのエナンチオ異性体及びエナンチオ異性体混合物をも代表して示すものとする。なお、式L4-1~L4-4、L4-3-1、L4-3-2、及び式L4-4-1~L4-4-4の結合方向がそれぞれビシクロ[2.2.1]ヘプタン環に対してexo側であることによって、酸触媒脱離反応における高反応性が実現される特開2000-336121号公報参照。これらビシクロ[2.2.1]ヘプタン骨格を有する三級exo-アルキル基を置換基とする単量体の製造において、下記一般式L4-1-endo~L4-4-endoで示されるendo-アルキル基で置換された単量体を含む場合があるが、良好な反応性の実現のためにはexo比率が50モル以上であることが好ましく、exo比率が80モル以上であることが更に好ましい。上記式L4の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。また、炭素数4~20の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基としては、具体的にはRL04で挙げたものと同様のもの等が例示できる。各繰り返し単位は、2種類以上を同時に導入してもよい。各繰り返し単位として複数の単位を用いることにより、レジスト材料とした際の性能を調整することができる。上記一般式2で示される繰り返し単位として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記一般式3で示される繰り返し単位として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記一般式5で示される繰り返し単位として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。ここで、上記式1-1で示される繰り返し単位の割合をa、上記式1-2で示される繰り返し単位の割合をb、上記式1-3で示される繰り返し単位の割合をc、上記式2で示される繰り返し単位の割合をd、上記式3で示される繰り返し単位の割合をe、上記式4で示される繰り返し単位の割合をf、上記式5で示される繰り返し単位の割合をgとし、abcdefg=1とした場合、a、b、c、d、e、f、gの各割合は以下の通りであることが好ましい。0≦a≦0.8、より好ましくは0.05≦a≦0.7、更に好ましくは0.1≦a≦0.6。0≦b≦0.8、より好ましくは0.05≦b≦0.7、更に好ましくは0.1≦b≦0.6。0≦c≦0.8、より好ましくは0.05≦c≦0.7、更に好ましくは0.1≦c≦0.6。0<abc≦0.8、より好ましくは0.05≦abc≦0.7、更に好ましくは0.1≦abc≦0.6。0≦d≦0.6、より好ましくは0≦d≦0.5、更に好ましくは0≦d≦0.4。0≦e≦0.8、より好ましくは0.05≦e≦0.7、更に好ましくは0.1≦e≦0.6。0≦f≦0.6、より好ましくは0≦f≦0.5、更に好ましくは0≦f≦0.4。0≦g≦0.6、より好ましくは0≦g≦0.5、更に好ましくは0≦g≦0.4。なお、ここで、abcdefg=1とは、繰り返し単位a、b、c、d、e、f、gを含む高分子化合物において、繰り返し単位a、b、c、d、e、f、gの合計量が全繰り返し単位の合計量に対して100モルであることを示す。本発明に係る樹脂成分Aの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算値で1,000~50,000、特に2,000~30,000であることが好ましい。本発明のレジスト材料には、脱保護がβ-脱離反応に依らないアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分を有する樹脂成分Aに加え、別の樹脂成分を添加してもよい。ここで樹脂成分Aとは別の樹脂成分としては、下記式R1及び/又は下記式R2で示される重量平均分子量1,000~100,000、好ましくは3,000~30,000の高分子化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算値を示す。ここで、R001は、水素原子、メチル基又はCH2CO2R003を示す。R002は、水素原子、メチル基又はCO2R003を示す。R003は、炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシクロペンチル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、エチルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基等を例示できる。R004は、水素原子、又は炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシ基、水酸基から選ばれる少なくとも1種の基を含有する一価の炭化水素基を示し、具体的には水素原子、カルボキシエチル、カルボキシブチル、カルボキシシクロペンチル、カルボキシシクロヘキシル、カルボキシノルボルニル、カルボキシアダマンチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシシクロペンチル、ヒドロキシシクロヘキシル、ヒドロキシノルボルニル、ヒドロキシアダマンチル、[2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシ-1-トリフルオロメチルエチル]シクロヘキシル、ビス[2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシ-1-トリフルオロメチルエチル]シクロヘキシル等が例示できる。R005~R008の少なくとも1個はカルボキシ基又は炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシ基、水酸基から選ばれる少なくとも1種の基を含有する一価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子、又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシ基、水酸基から選ばれる少なくとも1種の基を含有する一価の炭化水素基としては、具体的にはカルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチル、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシブチル、2-カルボキシエトキシカルボニル、4-カルボキシブトキシカルボニル、2-ヒドロキシエトキシカルボニル、4-ヒドロキシブトキシカルボニル、カルボキシシクロペンチルオキシカルボニル、カルボキシシクロヘキシルオキシカルボニル、カルボキシノルボルニルオキシカルボニル、カルボキシアダマンチルオキシカルボニル、ヒドロキシシクロペンチルオキシカルボニル、ヒドロキシシクロヘキシルオキシカルボニル、ヒドロキシノルボルニルオキシカルボニル、ヒドロキシアダマンチルオキシカルボニル、[2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシ-1-トリフルオロメチルエチル]シクロヘキシルオキシカルボニル、ビス[2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシ-1-トリフルオロメチルエチル]シクロヘキシルオキシカルボニル等が例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、具体的にはR003で例示したものと同様のものが例示できる。R005~R008のうち2個例えば、R005とR006、R006とR007、R007とR008は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく、その場合にはR005~R008の少なくとも1個は炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシ基、水酸基から選ばれる少なくとも1種の基を含有する二価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合、水素原子又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシ基、水酸基から選ばれる少なくとも1種の基を含有する二価の炭化水素基としては、具体的には上記含フッ素置換基、カルボキシ基、水酸基から選ばれる少なくとも1種の基を含有する一価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、具体的にはR003で例示したものが挙げられる。R009は、炭素数3~15の-CO2-部分構造を含有する一価の炭化水素基を示し、具体的には2-オキソオキソラン-3-イル、4,4-ジメチル-2-オキソオキソラン-3-イル、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル、2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-イルメチル、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル等を例示できる。R010~R013の少なくとも1個は炭素数2~15の-CO2-部分構造を含有する一価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。炭素数2~15の-CO2-部分構造を含有する一価の炭化水素基としては、具体的には2-オキソオキソラン-3-イルオキシカルボニル、4,4-ジメチル-2-オキソオキソラン-3-イルオキシカルボニル、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イルオキシカルボニル、2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-イルメチルオキシカルボニル、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イルオキシカルボニル等を例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、具体的にはR003で例示したものと同様のものが例示できる。R010~R013のうち2個例えば、R010とR011、R011とR012、R012とR013は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく、その場合にはR010~R013の少なくとも1個は炭素数1~15の-CO2-部分構造を含有する二価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合、水素原子又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。炭素数1~15の-CO2-部分構造を含有する二価の炭化水素基としては、具体的には1-オキソ-2-オキサプロパン-1,3-ジイル、1,3-ジオキソ-2-オキサプロパン-1,3-ジイル、1-オキソ-2-オキサブタン-1,4-ジイル、1,3-ジオキソ-2-オキサブタン-1,4-ジイル等の他、上記-CO2-部分構造を含有する一価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、具体的にはR003で例示したものが挙げられる。R014は、炭素数7~15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示し、具体的にはノルボルニル、ビシクロ[3.3.1]ノニル、トリシクロ[5.2.1.026]デシル、アダマンチル、エチルアダマンチル、ブチルアダマンチル、ノルボルニルメチル、アダマンチルメチル等を例示できる。R015は、酸不安定基を示し、具体例については後述する。R016は、水素原子又はメチル基を示す。R017は、炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。Xは、CH2又は酸素原子を示す。kは、0又は1である。R015の酸不安定基としては、種々用いることができるが、上述したように、公知のいずれの酸不安定基でもよく、具体的には下記一般式L1~L4で示される基、炭素数4~20、好ましくは4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基等を挙げることができる。ここで、破線は結合手を示す。式中、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的には水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、アダマンチル基等が例示できる。RL03は炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい一価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては上記RL01、RL02と同様のものが例示でき、置換アルキル基としては下記の基等が例示できる。RL01とRL02、RL01とRL03、RL02とRL03とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはRL01、RL02、RL03のうち環を形成する基はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。RL04は炭素数4~20、好ましくは炭素数4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基又は上記一般式L1で示される基を示し、三級アルキル基としては、具体的にはtert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、2-シクロペンチルプロパン-2-イル基、2-シクロヘキシルプロパン-2-イル基、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルプロパン-2-イル基、2-アダマンタン-1-イルプロパン-2-イル基、2-トリシクロ[5.2.1.026]デカン-8-イルプロパン-2-イル基、2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン-3-イルプロパン-2-イル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、8-メチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル、8-エチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル、3-メチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデシル、3-エチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデシル等が例示でき、トリアルキルシリル基としては、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル-tert-ブチルシリル基等が例示でき、オキソアルキル基としては、具体的には3-オキソシクロヘキシル基、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル基、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル基等が例示できる。yは0~6の整数である。RL05は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、置換されていてもよいアルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの、又はこれらのメチレン基の一部が酸素原子又は硫黄原子に置換されたもの等が例示でき、置換されていてもよいアリール基としては、具体的にはフェニル基、メチルフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基等が例示できる。式L3において、mは0又は1、nは0,1,2,3のいずれかであり、2mn=2又は3を満足する数である。RL06は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL05と同様のもの等が例示できる。RL07~RL16はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の一価の炭化水素基を示し、具体的には水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等が例示できる。RL07~RL16は互いに結合して環を形成していてもよく例えば、RL07とRL08、RL07とRL09、RL08とRL10、RL09とRL10、RL11とRL12、RL13とRL14等、その場合には炭素数1~15の二価の炭化水素基を示し、具体的には上記一価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等が例示できる。また、RL07~RL16は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい例えば、RL07とRL09、RL09とRL15、RL13とRL15等。上記式L1で示される酸不安定基のうち直鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の基が例示できる。上記式L1で示される酸不安定基のうち環状のものとしては、具体的にはテトラヒドロフラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロフラン-2-イル基、テトラヒドロピラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロピラン-2-イル基等が例示できる。上記式L2の酸不安定基としては、具体的にはtert-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、tert-アミロキシカルボニル基、tert-アミロキシカルボニルメチル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、1-エトキシエトキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。上記式L3の酸不安定基としては、具体的には1-メチルシクロペンチル、1-エチルシクロペンチル、1-n-プロピルシクロペンチル、1-イソプロピルシクロペンチル、1-n-ブチルシクロペンチル、1-sec-ブチルシクロペンチル、1-シクロヘキシルシクロペンチル、1-4-メトキシブチルシクロペンチル、1-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルシクロペンチル、1-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルシクロペンチル、1-メチルシクロヘキシル、1-エチルシクロヘキシル、1-メチル-2-シクロペンテニル、1-エチル-2-シクロペンテニル、1-メチル-2-シクロヘキセニル、1-エチル-2-シクロヘキセニル等が例示できる。上記式L4の酸不安定基としては、下記式L4-1~L4-4で示される基が特に好ましい。前記一般式L4-1~L4-4中、破線は結合位置及び結合方向を示す。RL41はそれぞれ独立に炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等の一価炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。前記一般式L4-1~L4-4には、エナンチオ異性体enantiomerやジアステレオ異性体diastereomerが存在しえるが、前記一般式L4-1~L4-4は、これらの立体異性体の全てを代表して表す。これらの立体異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。例えば、前記一般式L4-3は下記一般式L4-3-1、L4-3-2で示される基から選ばれる1種又は2種の混合物を代表して表すものとする。また、上記一般式L4-4は下記一般式L4-4-1~L4-4-4で示される基から選ばれる1種又は2種以上の混合物を代表して表すものとする。上記一般式L4-1~L4-4、L4-3-1、L4-3-2、及び式L4-4-1~L4-4-4は、それらのエナンチオ異性体及びエナンチオ異性体混合物をも代表して示すものとする。なお、式L4-1~L4-4、L4-3-1、L4-3-2、及び式L4-4-1~L4-4-4の結合方向がそれぞれビシクロ[2.2.1]ヘプタン環に対してexo側であることによって、酸触媒脱離反応における高反応性が実現される特開2000-336121号公報参照。これらビシクロ[2.2.1]ヘプタン骨格を有する三級exo-アルキル基を置換基とする単量体の製造において、下記一般式L4-1-endo~L4-4-endoで示されるendo-アルキル基で置換された単量体を含む場合があるが、良好な反応性の実現のためにはexo比率が50モル以上であることが好ましく、exo比率が80モル以上であることが更に好ましい。上記式L4の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。また、炭素数4~20の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基としては、具体的にはRL04で挙げたものと同様のもの等が例示できる。R016は水素原子又はメチル基を示す。R017は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。a1’、a2’、a3’、b1’、b2’、b3’、c1’、c2’、c3’、d1’、d2’、d3’、e’は0以上1未満の数であり、a1’a2’a3’b1’b2’b3’c1’c2’c3’d1’d2’d3’e’=1を満足する。f’、g’、h’、i’、j’、o’、p’は0以上1未満の数であり、f’g’h’i’j’o’p’=1を満足する。x’、y’、z’は0~3の整数であり、1≦x’y’z’≦5、1≦y’z’≦3を満足する。式R1、R2の各繰り返し単位は、2種類以上を同時に導入してもよい。各繰り返し単位として複数の単位を用いることにより、レジスト材料とした際の性能を調整することができる。なお、ここで、上記各単位の和が1とは、各繰り返し単位を含む高分子化合物において、これら繰り返し単位の合計量が全繰り返し単位の合計量に対して100モルであることを示す。上記式R1において組成比a1’、及び式R2において組成比f’で導入される繰り返し単位として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記式R1において、組成比b1’で導入される繰り返し単位として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記式R1において組成比d1’、及び式R2において組成比g’で導入される繰り返し単位として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記式R1において、組成比a1’、b1’、c1’、d1’の繰り返し単位で構成される高分子化合物として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記式R1において、組成比a2’、b2’、c2’、d2’の繰り返し単位で構成される高分子化合物として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記式R1において、組成比a3’、b3’、c3’、d3’の繰り返し単位で構成される高分子化合物として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記式R2の高分子化合物として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記他の高分子化合物の配合量は、本発明の上記樹脂成分Aとの合計量を100質量部とした際に、好ましくは0~80質量部、より好ましくは0~60質量部、更に好ましくは0~50質量部であるが、配合する場合は、20質量部以上、特に30質量部以上とすることが好ましい。上記他の高分子化合物の配合量が多すぎる場合には、本発明の樹脂成分Aの特徴が発揮されず、解像性の低下やパターン形状の劣化を招くことがある。また、上記他の高分子化合物は1種に限らず2種以上を添加することができる。複数種の高分子化合物を用いることにより、レジスト材料の性能を調整することができる。本発明のレジスト材料は、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物Bを含有する。Bの成分としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでもよく、従来からレジスト材料、特に化学増幅レジスト材料で用いられている公知のいずれの光酸発生剤であってもよい。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネート型酸発生剤等がある。以下に詳述するがこれらは単独であるいは2種以上混合して用いることができる。スルホニウム塩は、スルホニウムカチオンとスルホネートあるいはビス置換アルキルスルホニルイミド、トリス置換アルキルスルホニルメチドの塩であり、スルホニウムカチオンとしてトリフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3,4-ジtert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3,4-ジtert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3,4-ジtert-ブトキシフェニルスルホニウム、ジフェニル4-チオフェノキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルビス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、トリス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、2-ナフチルジフェニルスルホニウム、ジメチル2-ナフチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、4-メトキシフェニルジメチルスルホニウム、トリメチルスルホニウム、2-オキソシクロヘキシルシクロヘキシルメチルスルホニウム、トリナフチルスルホニウム、トリベンジルスルホニウム、ジフェニルメチルスルホニウム、ジメチルフェニルスルホニウム、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム、4-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、2-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム等が挙げられ、スルホネートとしては、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ドデカフルオロヘキサンスルホネート、ペンタフルオロエチルパーフルオロシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-4’-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチル-エタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート等が挙げられ、ビス置換アルキルスルホニルイミドとしてはビストリフルオロメチルスルホニルイミド、ビスペンタフルオロエチルスルホニルイミド、ビスヘプタフルオロプロピルスルホニルイミド、1,3-プロピレンビススルホニルイミド等が挙げられ、トリス置換アルキルスルホニルメチドとしてはトリストリフルオロメチルスルホニルメチドが挙げられ、これらの組み合わせのスルホニウム塩が挙げられる。ヨードニウム塩は、ヨードニウムカチオンとスルホネートあるいはビス置換アルキルスルホニルイミド、トリス置換アルキルスルホニルメチドの塩であり、ジフェニルヨードニウム、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム、4-tert-ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウム等のアリールヨードニウムカチオンとスルホネートとしてトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ドデカフルオロヘキサンスルホネート、ペンタフルオロエチルパーフルオロシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-4-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチル-エタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート等が挙げられ、ビス置換アルキルスルホニルイミドとしてはビストリフルオロメチルスルホニルイミド、ビスペンタフルオロエチルスルホニルイミド、ビスヘプタフルオロプロピルスルホニルイミド、1,3-プロピレンビススルホニルイミド等が挙げられ、トリス置換アルキルスルホニルメチドとしてはトリストリフルオロメチルスルホニルメチドが挙げられ、これらの組み合わせのヨードニウム塩が挙げられる。スルホニルジアゾメタンとしては、ビスエチルスルホニルジアゾメタン、ビス1-メチルプロピルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチルプロピルスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスパーフルオロイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-ナフチルスルホニルジアゾメタン、ビス4-アセチルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-メタンスルホニルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-4-トルエンスルホニルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス3,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-5-イソプロピル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン4-メチルフェニルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、tert-ブチルカルボニル-4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、2-ナフチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、4-メチルフェニルスルホニル2-ナフトイルジアゾメタン、メチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、tertブトキシカルボニル-4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタンとスルホニル-カルボニルジアゾメタンが挙げられる。N-スルホニルオキシイミド型光酸発生剤としては、コハク酸イミド、ナフタレンジカルボン酸イミド、フタル酸イミド、シクロヘキシルジカルボン酸イミド、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸イミド、7-オキサビシクロ[2.2.1]-5-ヘプテン-2,3-ジカルボン酸イミド等のイミド骨格とトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ドデカフルオロヘキサンスルホネート、ペンタフルオロエチルパーフルオロシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチル-エタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート等の組み合わせの化合物が挙げられる。ベンゾインスルホネート型光酸発生剤としては、ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレートベンゾインブタンスルホネート等が挙げられる。ピロガロールトリスルホネート型光酸発生剤としては、ピロガロール、フロログリシノール、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノンのヒドロキシル基の全てをトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ドデカフルオロヘキサンスルホネート、ペンタフルオロエチルパーフルオロシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチル-エタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート等で置換した化合物が挙げられる。ニトロベンジルスルホネート型光酸発生剤としては、2,4-ジニトロベンジルスルホネート、2-ニトロベンジルスルホネート、2,6-ジニトロベンジルスルホネートが挙げられ、スルホネートとしては、具体的にトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ドデカフルオロヘキサンスルホネート、ペンタフルオロエチルパーフルオロシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチル-エタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート等が挙げられる。またベンジル側のニトロ基をトリフルオロメチル基で置き換えた化合物も同様に用いることができる。スルホン型光酸発生剤の例としては、ビスフェニルスルホニルメタン、ビス4-メチルフェニルスルホニルメタン、ビス2-ナフチルスルホニルメタン、2,2-ビスフェニルスルホニルプロパン、2,2-ビス4-メチルフェニルスルホニルプロパン、2,2-ビス2-ナフチルスルホニルプロパン、2-メチル-2-p-トルエンスルホニルプロピオフェノン、2-シクロヘキシルカルボニル-2-p-トルエンスルホニルプロパン、2,4-ジメチル-2-p-トルエンスルホニルペンタン-3-オン等が挙げられる。グリオキシム誘導体型の光酸発生剤は、特許第2906999号公報や特開平9-301948号公報に記載の化合物を挙げることができ、具体的にはビス-O-p-トルエンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-p-トルエンスルホニル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-O-p-トルエンスルホニル-α-ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス-O-p-トルエンスルホニル-2,3-ペンタンジオングリオキシム、ビス-O-n-ブタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-n-ブタンスルホニル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-O-n-ブタンスルホニル-α-ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス-O-メタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-トリフルオロメタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-2,2,2-トリフルオロエタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-10-カンファースルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-ベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-p-フルオロベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-p-トリフルオロメチルベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-キシレンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-トリフルオロメタンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-2,2,2-トリフルオロエタンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-10-カンファースルホニル-ニオキシム、ビス-O-ベンゼンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-p-フルオロベンゼンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-p-トリフルオロメチルベンゼンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-キシレンスルホニル-ニオキシム等が挙げられる。また、米国特許第6004724号明細書記載のオキシムスルホネート、特に5-4-トルエンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-10-カンファースルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-n-オクタンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-4-トルエンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-10-カンファースルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-n-オクタンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル等が挙げられ、更に米国特許第6916591号明細書記載の5-4-4-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-2,5-ビス4-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル等が挙げられる。米国特許第6261738号明細書、特開2000-314956号公報記載のオキシムスルホネート、特に2,2,2-トリフルオロ-1-フェニル-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニル-エタノンオキシム-O-10-カンホリルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニル-エタノンオキシム-O-4-メトキシフェニルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニル-エタノンオキシム-O-1-ナフチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニル-エタノンオキシム-O-2-ナフチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニル-エタノンオキシム-O-2,4,6-トリメチルフェニルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニル-エタノンオキシム-O-10-カンホリルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニル-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2-メチルフェニル-エタノンオキシム-O-10-カンホリルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニル-エタノンオキシム-O-10-カンホリルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニル-エタノンオキシム-O-1-ナフチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニル-エタノンオキシム-O-2-ナフチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニル-エタノンオキシム-O-10-カンホリルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニル-エタノンオキシム-O-1-ナフチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニル-エタノンオキシム-O-2-ナフチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニル-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルチオフェニル-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-3,4-ジメトキシフェニル-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロ-1-フェニル-ブタノンオキシム-O-10-カンホリルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニル-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニル-エタノンオキシム-O-10-カンホリルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニル-エタノンオキシム-O-4-メトキシフェニルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニル-エタノンオキシム-O-1-ナフチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニル-エタノンオキシム-O-2-ナフチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニル-エタノンオキシム-O-2,4,6-トリメチルフェニルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニル-エタノンオキシム-O-10-カンホリルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニル-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2-メチルフェニル-エタノンオキシム-O-10-カンホリルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニル-エタノンオキシム-O-1-ナフチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニル-エタノンオキシム-O-2-ナフチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニル-エタノンオキシム-O-10-カンホリルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニル-エタノンオキシム-O-1-ナフチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニル-エタノンオキシム-O-2-ナフチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニル-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニル-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-3,4-ジメトキシフェニル-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニル-エタノンオキシム-O-4-メチルフェニルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニル-エタノンオキシム-O-4-メトキシフェニルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニル-エタノンオキシム-O-4-ドデシルフェニルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニル-エタノンオキシム-O-オクチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニル-エタノンオキシム-O-4-メトキシフェニルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニル-エタノンオキシム-O-4-ドデシルフェニルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニル-エタノンオキシム-O-オクチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニル-エタノンオキシム-O-2-ナフチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-2-メチルフェニル-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニル-エタノンオキシム-O-フェニルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-クロロフェニル-エタノンオキシム-O-フェニルスルホナート、2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロ-1-フェニル-ブタノンオキシム-O-10-カンホリルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-ナフチル-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-2-ナフチル-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-[4-ベンジルフェニル]-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-[4-フェニル-1,4-ジオキサ-ブト-1-イルフェニル]-エタノンオキシム-O-メチルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-ナフチル-エタノンオキシム-O-プロピルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-2-ナフチル-エタノンオキシム-O-プロピルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-[4-ベンジルフェニル]-エタノンオキシム-O-プロピルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-[4-メチルスルホニルフェニル]-エタノンオキシム-O-プロピルスルホナート、1,3-ビス[1-4-フェノキシフェニル-2,2,2-トリフルオロエタノンオキシム-O-スルホニル]フェニル、2,2,2-トリフルオロ-1-[4-メチルスルホニルオキシフェニル]-エタノンオキシム-O-プロピルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-[4-メチルカルボニルオキシフェニル]-エタノンオキシム-O-プロピルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-[6H,7H-5,8-ジオキソナフト-2-イル]-エタノンオキシム-O-プロピルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-[4-メトキシカルボニルメトキシフェニル]-エタノンオキシム-O-プロピルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-[4-メトキシカルボニル-4-アミノ-1-オキサ-ペンタ-1-イル-フェニル]-エタノンオキシム-O-プロピルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-[3,5-ジメチル-4-エトキシフェニル]-エタノンオキシム-O-プロピルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-[4-ベンジルオキシフェニル]-エタノンオキシム-O-プロピルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-[2-チオフェニル]-エタノンオキシム-O-プロピルスルホナート、及び2,2,2-トリフルオロ-1-[1-ジオキサ-チオフェン-2-イル]]-エタノンオキシム-O-プロピルスルホナート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメタンスルホニルオキシイミノ-エチル-フェノキシ-プロポキシ-フェニルエタノンオキシムトリフルオロメタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-1-プロパンスルホニルオキシイミノ-エチル-フェノキシ-プロポキシ-フェニルエタノンオキシム1-プロパンスルホネート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-1-ブタンスルホニルオキシイミノ-エチル-フェノキシ-プロポキシ-フェニルエタノンオキシム1-ブタンスルホネート等が挙げられ、更に米国特許第6916591号明細書記載の2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-4-4-メチルフェニルスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシイミノ-エチル-フェノキシ-プロポキシ-フェニルエタノンオキシム4-4-メチルフェニルスルホニルオキシフェニルスルホネート、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-2,5-ビス4-メチルフェニルスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシイミノ-エチル-フェノキシ-プロポキシ-フェニルエタノンオキシム2,5-ビス4-メチルフェニルスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシフェニルスルホネート等が挙げられる。特開平9-95479号公報、特開平9-230588号公報あるいは文中の従来技術として記載のオキシムスルホネートα-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-p-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-4-ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-4-ニトロ-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-クロロフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,4-ジクロロフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,6-ジクロロフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-2-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2-チエニルアセトニトリル、α-4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-[4-トルエンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-[ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-トシルオキシイミノ-3-チエニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル等が挙げられる。下記式で示されるオキシムスルホネート例えばWO2004/074242に具体例記載が挙げられる。式中、RS1は置換又は非置換の炭素数1~10のハロアルキルスルホニル又はハロベンゼンスルホニル基を表す。RS2は炭素数1~11のハロアルキル基を表す。ArS1は置換又は非置換の芳香族基又はヘテロ芳香族基を表す。具体的には、2-[2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ-ペンチル]-フルオレン、2-[2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ-ブチル]-フルオレン、2-[2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ-ヘキシル]-フルオレン、2-[2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ-ペンチル]-4-ビフェニル、2-[2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ-ブチル]-4-ビフェニル、2-[2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ-ヘキシル]-4-ビフェニル等が挙げられる。また、ビスオキシムスルホネートとして特開平9-208554号公報記載の化合物、特にビスα-4-トルエンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-メタンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリルビスα-ブタンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-10-カンファースルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-4-トルエンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-トリフルオロメタンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-4-メトキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-4-トルエンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-メタンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリルビスα-ブタンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-10-カンファースルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-4-トルエンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-トリフルオロメタンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-4-メトキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル等が挙げられる。中でも好ましく用いられる光酸発生剤としては、スルホニウム塩、ビススルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネート、グリオキシム誘導体である。より好ましく用いられる光酸発生剤としては、スルホニウム塩、ビススルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネートである。具体的にはトリフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム4-4’-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム-2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネート、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム4-4’-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、トリス4-メチルフェニルスルホニウム、カンファースルホネート、トリス4-tertブチルフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-1-ブタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムペンタフルオロエチルパーフルオロシクロヘキサンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-1-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1-ジフルオロ-2-ナフチル-エタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、ビスtert-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロへキシルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス3,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-5-イソプロピル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-tert-ブチルフェニルスルホニルジアゾメタン、N-カンファースルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸イミド、N-p-トルエンスルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸イミド、2-[2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ-ペンチル]-フルオレン、2-[2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ-ブチル]-フルオレン、2-[2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ-ヘキシル]-フルオレン等が挙げられる。本発明のレジスト材料における光酸発生剤Bの添加量はいずれでもよいが、レジスト材料中のベースポリマー本発明の樹脂成分A及び必要に応じてその他の樹脂成分100質量部に対して0.1~20質量部、好ましくは0.1~10質量部である。光酸発生剤の割合が多すぎる場合には解像性の劣化や、現像/レジスト剥離時の異物の問題が起きる可能性がある。上記光酸発生剤は、単独でも2種以上混合して用いることもできる。更に露光波長における透過率が低い光酸発生剤を用い、その添加量でレジスト膜中の透過率を制御することもできる。また、本発明のレジスト材料に、酸により分解し、酸を発生する化合物酸増殖化合物を添加してもよい。これらの化合物についてはJ.Photopolym.Sci.andTech.,8.43-44,45-461995、J.Photopolym.Sci.andTech.,9.29-301996において記載されている。酸増殖化合物の例としては、tert-ブチル2-メチル2-トシロキシメチルアセトアセテート、2-フェニル2-2-トシロキシエチル1,3-ジオキソラン等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。公知の光酸発生剤の中で安定性、特に熱安定性に劣る化合物は酸増殖化合物的な性質を示す場合が多い。本発明のレジスト材料における酸増殖化合物の添加量としては、レジスト材料中のベースポリマー100質量部に対して2質量部以下、好ましくは1質量部以下である。添加量が多すぎる場合は拡散の制御が難しく解像性の劣化、パターン形状の劣化が起こる。本発明のレジスト材料は、上記A及びB成分に加え、C有機溶剤を含有し、また、必要に応じ、D含窒素有機化合物、E界面活性剤、Fその他の成分を含有することができる。本発明で使用されるC成分の有機溶剤としては、ベース樹脂、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジメチルエーテルや1-エトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく使用される。有機溶剤の使用量は、ベースポリマー100質量部に対して200~3,000質量部、特に400~2,500質量部が好適である。更に、本発明のレジスト材料には、D成分として含窒素有機化合物を1種又は2種以上配合することができる。含窒素有機化合物としては、光酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適している。含窒素有機化合物の配合により、レジスト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向上することができる。このような含窒素有機化合物としては、レジスト材料、特に化学増幅レジスト材料において従来から用いられている公知のいずれの含窒素有機化合物であってもよく、例示すると、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド類、イミド類、カーバメート類等が挙げられる。具体的には、第一級の脂肪族アミン類として、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、n-プロピルアミン、イソプロピルアミン、n-ブチルアミン、イソブチルアミン、sec-ブチルアミン、tert-ブチルアミン、ペンチルアミン、tert-アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示され、第二級の脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ-n-ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ-sec-ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N-ジメチルメチレンジアミン、N,N-ジメチルエチレンジアミン、N,N-ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示され、第三級の脂肪族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ-sec-ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。また、混成アミン類としては、例えばジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体例えばアニリン、N-メチルアニリン、N-エチルアニリン、N-プロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、2-ニトロアニリン、3-ニトロアニリン、4-ニトロアニリン、2,4-ジニトロアニリン、2,6-ジニトロアニリン、3,5-ジニトロアニリン、N,N-ジメチルトルイジン等、ジフェニルp-トリルアミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体例えばピロール、2H-ピロール、1-メチルピロール、2,4-ジメチルピロール、2,5-ジメチルピロール、N-メチルピロール等、オキサゾール誘導体例えばオキサゾール、イソオキサゾール等、チアゾール誘導体例えばチアゾール、イソチアゾール等、イミダゾール誘導体例えばイミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール等、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体例えばピロリン、2-メチル-1-ピロリン等、ピロリジン誘導体例えばピロリジン、N-メチルピロリジン、ピロリジノン、N-メチルピロリドン等、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、4-1-ブチルペンチルピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、3-メチル-2-フェニルピリジン、4-tert-ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、4-ピロリジノピリジン、2-1-エチルプロピルピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、1H-インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体例えばキノリン、3-キノリンカルボニトリル等、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,10-フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体例えばニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、3-アミノピラジン-2-カルボン酸、メトキシアラニン等が例示され、スルホニル基を有する含窒素化合物として3-ピリジンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示され、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物としては、2-ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、2,4-キノリンジオール、3-インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、2,2’-イミノジエタノール、2-アミノエタノ-ル、3-アミノ-1-プロパノール、4-アミノ-1-ブタノール、4-2-ヒドロキシエチルモルホリン、2-2-ヒドロキシエチルピリジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン、1-[2-2-ヒドロキシエトキシエチル]ピペラジン、ピペリジンエタノール、1-2-ヒドロキシエチルピロリジン、1-2-ヒドロキシエチル-2-ピロリジノン、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、3-ピロリジノ-1,2-プロパンジオール、8-ヒドロキシユロリジン、3-クイヌクリジノール、3-トロパノール、1-メチル-2-ピロリジンエタノール、1-アジリジンエタノール、N-2-ヒドロキシエチルフタルイミド、N-2-ヒドロキシエチルイソニコチンアミド等が例示される。アミド類としては、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、1-シクロヘキシルピロリドン等が例示される。イミド類としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。カーバメート類としては、N-t-ブトキシカルボニル-N,N-ジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、オキサゾリジノン等が例示される。更に、下記一般式B-1で示される含窒素有機化合物が例示される。NXnY3nB-1上式中、n=1、2又は3である。側鎖Xは同一でも異なっていてもよく、下記一般式X1~X3で表すことができる。側鎖Yは同一又は異種の、水素原子又は直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1~20のアルキル基を示し、エーテル基もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、X同士が結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。ここで、R300、R302、R305は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R301、R304は水素原子、又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、ラクトン環のいずれかを1あるいは複数含んでいてもよい。R303は単結合、又は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R306は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、ラクトン環を1あるいは複数含んでいてもよい。上記一般式B-1で表される化合物として具体的には、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチル]アミン、4,7,13,16,21,24-ヘキサオキサ-1,10-ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサン、4,7,13,18-テトラオキサ-1,10-ジアザビシクロ[8.5.5]エイコサン、1,4,10,13-テトラオキサ-7,16-ジアザビシクロオクタデカン、1-アザ-12-クラウン-4、1-アザ-15-クラウン-5、1-アザ-18-クラウン-6、トリス2-ホルミルオキシエチルアミン、トリス2-アセトキシエチルアミン、トリス2-プロピオニルオキシエチルアミン、トリス2-ブチリルオキシエチルアミン、トリス2-イソブチリルオキシエチルアミン、トリス2-バレリルオキシエチルアミン、トリス2-ピバロイルオキシエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-アセトキシアセトキシエチルアミン、トリス2-メトキシカルボニルオキシエチルアミン、トリス2-tert-ブトキシカルボニルオキシエチルアミン、トリス[2-2-オキソプロポキシエチル]アミン、トリス[2-メトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス2-メトキシカルボニルエチルアミン、トリス2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-メトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-メトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-ヒドロキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-アセトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-[メトキシカルボニルメトキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-[メトキシカルボニルメトキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-オキソプロポキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-オキソプロポキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-[2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルオキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-[2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルオキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-4-ヒドロキシブトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル2-4-ホルミルオキシブトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル2-2-ホルミルオキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-メトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N-2-ヒドロキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-アセトキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-ヒドロキシエチルビス[2-エトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-アセトキシエチルビス[2-エトキシカルボニルエチル]アミン、N-3-ヒドロキシ-1-プロピルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-3-アセトキシ-1-プロピルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-メトキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-ブチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-ブチルビス[2-2-メトキシエトキシカルボニルエチル]アミン、N-メチルビス2-アセトキシエチルアミン、N-エチルビス2-アセトキシエチルアミン、N-メチルビス2-ピバロイルオキシエチルアミン、N-エチルビス[2-メトキシカルボニルオキシエチル]アミン、N-エチルビス[2-tert-ブトキシカルボニルオキシエチル]アミン、トリスメトキシカルボニルメチルアミン、トリスエトキシカルボニルメチルアミン、N-ブチルビスメトキシカルボニルメチルアミン、N-ヘキシルビスメトキシカルボニルメチルアミン、β-ジエチルアミノ-δ-バレロラクトンが例示される。更に、下記一般式B-2に示される環状構造を持つ含窒素有機化合物が例示される。上式中、Xは前述の通り、R307は炭素数2~20の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、カルボニル基、エーテル基、エステル基、スルフィドを1個あるいは複数個含んでいてもよい。上記一般式B-2として具体的には、1-[2-メトキシメトキシエチル]ピロリジン、1-[2-メトキシメトキシエチル]ピペリジン、4-[2-メトキシメトキシエチル]モルホリン、1-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピロリジン、1-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピペリジン、4-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]モルホリン、酢酸2-1-ピロリジニルエチル、酢酸2-ピペリジノエチル、酢酸2-モルホリノエチル、ギ酸2-1-ピロリジニルエチル、プロピオン酸2-ピペリジノエチル、アセトキシ酢酸2-モルホリノエチル、メトキシ酢酸2-1-ピロリジニルエチル、4-[2-メトキシカルボニルオキシエチル]モルホリン、1-[2-t-ブトキシカルボニルオキシエチル]ピペリジン、4-[2-2-メトキシエトキシカルボニルオキシエチル]モルホリン、3-1-ピロリジニルプロピオン酸メチル、3-ピペリジノプロピオン酸メチル、3-モルホリノプロピオン酸メチル、3-チオモルホリノプロピオン酸メチル、2-メチル-3-1-ピロリジニルプロピオン酸メチル、3-モルホリノプロピオン酸エチル、3-ピペリジノプロピオン酸メトキシカルボニルメチル、3-1-ピロリジニルプロピオン酸2-ヒドロキシエチル、3-モルホリノプロピオン酸2-アセトキシエチル、3-1-ピロリジニルプロピオン酸2-オキソテトラヒドロフラン-3-イル、3-モルホリノプロピオン酸テトラヒドロフルフリル、3-ピペリジノプロピオン酸グリシジル、3-モルホリノプロピオン酸2-メトキシエチル、3-1-ピロリジニルプロピオン酸2-2-メトキシエトキシエチル、3-モルホリノプロピオン酸ブチル、3-ピペリジノプロピオン酸シクロヘキシル、α-1-ピロリジニルメチル-γ-ブチロラクトン、β-ピペリジノ-γ-ブチロラクトン、β-モルホリノ-δ-バレロラクトン、1-ピロリジニル酢酸メチル、ピペリジノ酢酸メチル、モルホリノ酢酸メチル、チオモルホリノ酢酸メチル、1-ピロリジニル酢酸エチル、モルホリノ酢酸2-メトキシエチル、2-メトキシ酢酸2-モルホリノエチル、2-2-メトキシエトキシ酢酸2-モルホリノエチル、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]酢酸2-モルホリノエチル、ヘキサン酸2-モルホリノエチル、オクタン酸2-モルホリノエチル、デカン酸2-モルホリノエチル、ラウリン酸2-モルホリノエチル、ミリスチン酸2-モルホリノエチル、パルミチン酸2-モルホリノエチル、ステアリン酸2-モルホリノエチルが例示される。更に、下記一般式B-3~B-6で表されるシアノ基を含む含窒素有機化合物が例示される。上式中、X、R307、nは前述の通り、R308、R309は同一又は異種の炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。上記一般式B-3~B-6で表されるシアノ基を含む含窒素有機化合物として具体的には3-ジエチルアミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-アセトキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-メトキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-シアノエチル-N-2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-アセトキシエチル-N-2-シアノエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-シアノエチル-N-エチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-アセトキシエチル-N-2-シアノエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-メトキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-3-ヒドロキシ-1-プロピル-3-アミノプロピオノニトリル、N-3-アセトキシ-1-プロピル-N-2-シアノエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-3-ホルミルオキシ-1-プロピル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-テトラヒドロフルフリル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-シアノエチル-3-アミノプロピオノニトリル、ジエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-アセトキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-メトキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]アミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-シアノメチル-N-2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-アセトキシエチル-N-シアノメチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-シアノメチル-N-2-ヒドロキシエチルアミノアセトニトリル、N-2-アセトキシエチル-N-シアノメチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-2-ホルミルオキシエチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-2-メトキシエチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-[2-メトキシメトキシエチル]アミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-3-ヒドロキシ-1-プロピルアミノアセトニトリル、N-3-アセトキシ-1-プロピル-N-シアノメチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-3-ホルミルオキシ-1-プロピルアミノアセトニトリル、N,N-ビスシアノメチルアミノアセトニトリル、1-ピロリジンプロピオノニトリル、1-ピペリジンプロピオノニトリル、4-モルホリンプロピオノニトリル、1-ピロリジンアセトニトリル、1-ピペリジンアセトニトリル、4-モルホリンアセトニトリル、3-ジエチルアミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-アセトキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、3-ジエチルアミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-アセトキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、1-ピロリジンプロピオン酸シアノメチル、1-ピペリジンプロピオン酸シアノメチル、4-モルホリンプロピオン酸シアノメチル、1-ピロリジンプロピオン酸2-シアノエチル、1-ピペリジンプロピオン酸2-シアノエチル、4-モルホリンプロピオン酸2-シアノエチルが例示される。更に、下記一般式B-7で表されるイミダゾール骨格及び極性官能基を有する含窒素有機化合物が例示される。上式中、R310は炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としては水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基、シアノ基、アセタール基のいずれかを1個あるいは複数個含む。R311、R312、R313は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。更に、下記一般式B-8で示されるベンズイミダゾール骨格及び極性官能基を有する含窒素有機化合物が例示される。上式中、R314は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基、又はアラルキル基である。R315は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としてエステル基、アセタール基、シアノ基のいずれかを一つ以上含み、その他に水酸基、カルボニル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基のいずれかを一つ以上含んでいてもよい。更に、下記一般式B-9及びB-10で示される極性官能基を有する含窒素複素環化合物が例示される。上式中、Aは窒素原子又は≡C-R322である。Bは窒素原子又は≡C-R323である。R316は炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としては水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基、シアノ基又はアセタール基を一つ以上含む。R317、R318、R319、R320は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はアリール基であるか、又はR317とR318、R319とR320はそれぞれ結合してベンゼン環、ナフタレン環あるいはピリジン環を形成してもよい。R321は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はアリール基である。R322、R323は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はアリール基である。R321とR323は結合してベンゼン環又はナフタレン環を形成してもよい。更に、下記一般式B-11~B-14で示される芳香族カルボン酸エステル構造を有する含窒素有機化合物が例示される。上式中、R324は炭素数6~20のアリール基又は炭素数4~20のヘテロ芳香族基であって、水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、炭素数1~10のアシルオキシ基、又は、炭素数1~10のアルキルチオ基で置換されていてもよい。R325はCO2R326、OR327又はシアノ基である。R326は一部のメチレン基が酸素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルキル基である。R327は一部のメチレン基が酸素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルキル基又はアシル基である。R328は単結合、メチレン基、エチレン基、硫黄原子又は-OCH2CH2On-基である。n=0,1,2,3又は4である。R329は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基である。Xは窒素原子又はCR330である。Yは窒素原子又はCR331である。Zは窒素原子又はCR332である。R330、R331、R332はそれぞれ独立に水素原子、メチル基又はフェニル基であるか、あるいはR330とR331又はR331とR332が結合して、炭素数6~20の芳香環又は炭素数2~20のヘテロ芳香環を形成してもよい。更に、下記一般式B-15で示される7-オキサノルボルナン-2-カルボン酸エステル構造を有する含窒素有機化合物が例示される。上式中、R333は水素、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基である。R334及びR335はそれぞれ独立に、エーテル、カルボニル、エステル、アルコール、スルフィド、ニトリル、アミン、イミン、アミドなどの極性官能基を一つ又は複数含んでいてもよい炭素数1~20のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、又は炭素数7~20のアラルキル基であって、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されていてもよい。R334とR335は互いに結合して、炭素数2~20のヘテロ環又はヘテロ芳香環を形成してもよい。なお、含窒素有機化合物の配合量は、ベースポリマー100質量部に対して0.001~4質量部、特に0.01~2質量部が好適である。配合量が0.001質量部より少ないと配合効果がなく、4質量部を超えると感度が低下しすぎる場合がある。本発明のレジスト材料には、上記成分以外に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤を添加することができる。なお、任意成分の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量とすることができる。ここで、界面活性剤としては非イオン性のものが好ましく、パーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイド、パーフルオロアルキルEO付加物、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が挙げられる。例えばフロラードFC-430、FC-431いずれも住友スリーエム株製、サーフロンS-141、S-145、KH-10、KH-20、KH-30、KH-40いずれも旭硝子株製、ユニダインDS-401、DS-403、DS-451いずれもダイキン工業株製、メガファックF-8151大日本インキ工業株製、X-70-092、X-70-093いずれも信越化学工業株製等を挙げることができる。好ましくは、フロラードFC-430住友スリーエム株製、KH-20、KH-30いずれも旭硝子株製、X-70-093信越化学工業株製が挙げられる。本発明のレジスト材料には、上記成分以外に任意成分として、塗布膜上部に偏在し、表面の親水性疎水性バランスを調整したり、撥水性を高めたり、あるいは塗布膜が水やその他の液体と触れた際に低分子成分の流出や流入を妨げる機能を有する高分子化合物を添加してもよい。なお、該高分子化合物の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量とすることができるが、ベースポリマー100質量部に対し0~10質量部、特に0~5質量部であるが、配合する場合は1質量部以上とすることが好ましい。ここで、塗布膜上部に偏在する高分子化合物としては、1種又は2種以上のフッ素含有単位からなる重合体、共重合体、及びフッ素含有単位とその他の単位からなる共重合体が好ましい。フッ素含有単位及びその他の単位としては具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記塗布膜上部に偏在する高分子化合物の重量平均分子量は、好ましくは1,000~50,000、より好ましくは2,000~20,000である。この範囲から外れる場合は、表面改質効果が十分でなかったり、現像欠陥を生じたりすることがある。なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算値を示す。本発明のレジスト材料には、必要に応じ任意成分として、更に、溶解制御剤、カルボン酸化合物、アセチレンアルコール誘導体などの他の成分を添加してもよい。なお、任意成分の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量とすることができる。本発明のレジスト材料に添加することができる溶解制御剤としては、重量平均分子量が100~1,000、好ましくは150~800で、かつ分子内にフェノール性水酸基を2つ以上有する化合物の該フェノール性水酸基の水素原子を酸不安定基により全体として平均0~100モルの割合で置換した化合物又は分子内にカルボキシ基を有する化合物の該カルボキシ基の水素原子を酸不安定基により全体として平均50~100モルの割合で置換した化合物を配合することができる。なお、フェノール性水酸基の水素原子の酸不安定基による置換率は、平均でフェノール性水酸基全体の0モル以上、好ましくは30モル以上であり、その上限は100モル、より好ましくは80モルである。カルボキシ基の水素原子の酸不安定基による置換率は、平均でカルボキシ基全体の50モル以上、好ましくは70モル以上であり、その上限は100モルである。この場合、かかるフェノール性水酸基を2つ以上有する化合物又はカルボキシ基を有する化合物としては、下記式D1~D14で示されるものが好ましい。上式中、R201とR202は、それぞれ水素原子、又は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基を示し、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、ブチル基、プロピル基、エチニル基、シクロヘキシル基が挙げられる。R203は、水素原子、又は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基、あるいは-R207hCOOH式中、R207は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。を示し、例えば、R201、R202と同様なもの、あるいは-COOH、-CH2COOHが挙げられる。R204は、-CH2i-i=2~10、炭素数6~10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示し、例えば、エチレン基、フェニレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。R205は、炭素数1~10のアルキレン基、炭素数6~10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示し、例えば、メチレン基、あるいはR204と同様なものが挙げられる。R206は、水素原子、炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、又はそれぞれの水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換されたフェニル基又はナフチル基を示し、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、ブチル基、プロピル基、エチニル基、シクロヘキシル基、それぞれの水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換されたフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。R208は、水素原子又は水酸基を示す。jは0~5の整数である。u、hは0又は1である。s、t、s’、t’、s’’、t’’はそれぞれst=8、s’t’=5、s’’t’’=4を満足し、かつ各フェニル骨格中に少なくとも1つの水酸基を有するような数である。αは式D8、D9の化合物の重量平均分子量を100~1,000とする数である。溶解制御剤の酸不安定基としては、種々用いることができるが、具体的には前記一般式L1~L4で示される基、炭素数4~20の三級アルキル基、各アルキル基の炭素数がそれぞれ1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基等を挙げることができる。なお、それぞれの基の具体例については、先の説明と同様である。上記溶解制御剤の配合量は、レジスト材料中のベースポリマー100質量部に対し、0~50質量部、好ましくは0~40質量部、より好ましくは0~30質量部であり、単独又は2種以上を混合して使用できる。配合量が50質量部を超えるとパターンの膜減りが生じ、解像度が低下する場合がある。なお、上記のような溶解制御剤は、フェノール性水酸基又はカルボキシ基を有する化合物に対し、有機化学的処方を用いて酸不安定基を導入することにより合成される。本発明のレジスト材料に添加することができるカルボン酸化合物としては、例えば下記[I群]及び[II群]から選ばれる1種又は2種以上の化合物を使用することができるが、これらに限定されるものではない。本成分の配合により、レジストのPED安定性が向上し、窒化膜基板上でのエッジラフネスが改善されるものである。[I群]下記一般式A1~A10で示される化合物のフェノール性水酸基の水素原子の一部又は全部を-R401-COOHR401は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基により置換してなり、かつ分子中のフェノール性水酸基Cと≡C-COOHで示される基Dとのモル比率がC/CD=0.1~1.0である化合物。[II群]下記一般式A11~A15で示される化合物。上式中、R402、R403はそれぞれ水素原子又は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基を示す。R404は水素原子又は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基、あるいは-R409h-COOR’基R’は水素原子又は-R409-COOHを示す。R405は-CH2i-i=2~10、炭素数6~10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示す。R406は炭素数1~10のアルキレン基、炭素数6~10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示す。R407は水素原子又は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、それぞれ水酸基で置換されたフェニル基又はナフチル基を示す。R408は水素原子又はメチル基を示す。R409は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R410は水素原子又は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基又は-R411-COOH基式中、R411は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。を示す。R412は水素原子又は水酸基を示す。jは0~3の数であり、s1,t1,s2,t2,s3,t3,s4,t4は、それぞれs1t1=8、s2t2=5、s3t3=4、s4t4=6を満足し、かつ各フェニル骨格中に少なくとも1つの水酸基を有するような数である。s5、t5は、s5≧0、t5≧0で、s5t5=5を満足する数である。uは、1≦u≦4を満足する数であり、hは、0≦h≦4を満足する数である。κは式A6の化合物を重量平均分子量1,000~5,000とする数である。λは式A7の化合物を重量平均分子量1,000~10,000とする数である。本成分として、具体的には下記一般式AI-1~AI-14及びAII-1~AII-10で示される化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。上式中、R’’は水素原子又はCH2COOH基を示し、各化合物においてR’’の10~100モルはCH2COOH基である。κとλは上記と同様の意味を示す。なお、上記分子内に≡C-COOHで示される基を有する化合物の添加量は、ベースポリマー100質量部に対して0~5質量部、好ましくは0.1~5質量部、より好ましくは0.1~3質量部、更に好ましくは0.1~2質量部である。5質量部より多いとレジスト材料の解像度が低下する場合がある。本発明のレジスト材料に添加することができるアセチレンアルコール誘導体としては、下記一般式S1、S2で示されるものを好適に使用することができる。上式中、R501、R502、R503、R504、R505はそれぞれ水素原子、又は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、X、Yは0又は正数を示し、下記値を満足する。0≦X≦30、0≦Y≦30、0≦XY≦40である。アセチレンアルコール誘導体として好ましくは、サーフィノール61、サーフィノール82、サーフィノール104、サーフィノール104E、サーフィノール104H、サーフィノール104A、サーフィノールTG、サーフィノールPC、サーフィノール440、サーフィノール465、サーフィノール485AirProductsandChemicalsInc.製、サーフィノールE1004日信化学工業株製等が挙げられる。上記アセチレンアルコール誘導体の添加量は、レジスト材料のベースポリマー100質量部に対し0~2質量部、より好ましくは0.01~2質量部、更に好ましくは0.02~1質量部である。2質量部より多いとレジスト材料の解像性が低下する場合がある。本発明のレジスト材料を使用したパターン形成は公知のリソグラフィー技術を利用して行うことができ、塗布、加熱処理プリベーク、露光、加熱処理ポストエクスポージャーベーク、PEB、現像の各工程を経て達成される。必要に応じて、更にいくつかの工程を追加してもよい。パターン形成を行う際には、先ず本発明のレジスト材料を集積回路製造用の基板Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜、Cr、CrO、CrON、MoSi等上にスピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により塗布膜厚が0.01~2.0μmとなるように塗布し、ホットプレート上で60~150°C、1~10分間、好ましくは80~140°C、1~5分間プリベークする。レジスト膜の薄膜化と共に被加工基板のエッチング選択比の関係から加工が厳しくなっており、レジスト膜の下層に珪素含有中間膜、その下に炭素密度が高くエッチング耐性が高い下層膜、その下に被加工基板を積層する3層プロセスが検討されている。酸素ガスや水素ガス、アンモニアガスなどを用いる珪素含有中間膜と下層膜とのエッチング選択比は高く、珪素含有中間膜は薄膜化が可能である。単層レジスト膜と珪素含有中間層のエッチング選択比も比較的高く、単層レジスト膜の薄膜化が可能となるのである。この場合、下層膜の形成方法としては塗布とベークによる方法とCVDによる方法とが挙げられる。塗布型の場合は、ノボラック樹脂や縮合環などを有するオレフィンを重合した樹脂が用いられ、CVD膜作製にはブタン、エタン、プロパン、エチレン、アセチレン等のガスが用いられる。珪素含有中間層の場合も塗布型とCVD型が挙げられ、塗布型としてはシルセスキオキサン、かご状オリゴシルセスキオキサンPOSS等が挙げられ、CVD用としては各種シランガスが原料として挙げられる。珪素含有中間層は光吸収を持った反射防止機能を有していても良く、フェニル基などの吸光基や、SiON膜であってもよい。珪素含有中間膜とフォトレジスト膜の間に有機膜を形成しても良く、この場合の有機膜は有機反射防止膜であってもよい。フォトレジスト膜形成後に、純水リンスポストソークを行うことによって膜表面からの酸発生剤などの抽出、あるいはパーティクルの洗い流しを行ってもよいし、保護膜を塗布してもよい。次いで、紫外線、遠紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線等から選ばれる光源を用い、目的のパターンを形成するための所定のマスクを通して露光を行う。露光量は1~200mJ/cm2程度が好ましく、特に10~100mJ/cm2程度がより好ましい。次に、ホットプレート上で60~150°C、1~5分間、好ましくは80~120°C、1~3分間ポストエクスポージャーベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは2~3質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法を用いて現像することにより、基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明のレジスト材料は、好ましくは波長254~193nmの遠紫外線、波長157nmの真空紫外線、電子線、軟X線、X線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線、より好ましくは波長180~200nmの範囲の高エネルギー線による微細パターンニングに最適である。また、本発明のレジスト材料は、液浸リソグラフィーに適用することも可能である。ArF液浸リソグラフィーにおいては液浸溶媒として純水、又はアルカンなどの屈折率が1以上で露光波長に高透明の液体が用いられる。液浸リソグラフィーでは、プリベーク後のレジスト膜と投影レンズの間に、純水やその他の液体を挿入する。これによってNAが1.0以上のレンズ設計が可能となり、より微細なパターン形成が可能になる。液浸リソグラフィーはArFリソグラフィーを45nmノードまで延命させるための重要な技術であり、開発が加速されている。液浸露光の場合は、レジスト膜上に残った水滴残りを除去するための露光後の純水リンスポストソークを行ってもよいし、レジストからの溶出物を防ぎ、膜表面の滑水性を上げるために、プリベーク後のレジスト膜上に保護膜を形成させてもよい。液浸リソグラフィーに用いられるレジスト保護膜としては、例えば、水に不溶でアルカリ現像液に溶解する1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する高分子化合物をベースとし、炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8~12のエーテル系溶剤、及びこれらの混合溶媒に溶解させた材料が好ましい。更に、ArFリソグラフィーの32nmまでの延命技術として、ダブルパターニング法が挙げられる。ダブルパターニング法としては、1回目の露光とエッチングで1:3トレンチパターンの下地を加工し、位置をずらして2回目の露光によって1:3トレンチパターンを形成して1:1のパターンを形成するトレンチ法、1回目の露光とエッチングで1:3孤立残しパターンの第1の下地を加工し、位置をずらして2回目の露光によって1:3孤立残しパターンを第1の下地の下に形成された第2の下地を加工してピッチが半分の1:1のパターンを形成するライン法が挙げられる。以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。レジスト材料の調製[実施例]下記表1に示した組成で、高分子化合物、酸発生剤、塩基性化合物、及び溶剤を混合、溶解後にそれらをテフロン登録商標製フィルター孔径0.2μmで濾過し、レジスト材料とした。なお、溶剤は全て界面活性剤としてKH-20旭硝子株製を0.01質量含むものを用いた。括弧内は配合量質量部を示す。[比較例]下記表2に示した組成で、実施例と同様の手順に従い、比較用のレジスト材料を調製した。括弧内は配合量質量部を示す。表1,2中、括弧内の数値は質量部を表す。略号で示した酸発生剤、塩基及び溶剤は、それぞれ下記の通りである。PAG-1:ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウムPAG-2:ノナフルオロブタンスルホン酸4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムPAG-3:1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-シクロへキシルカルボニルオキシプロパンスルホン酸トリフェニルスルホニウムBase-1:トリ2-メトキシメトキシエチルアミンBase-2:2-2-メトキシエトキシメトキシエチルモルホリンPGMEA:酢酸1-メトキシイソプロピルCyHO:シクロヘキサノン略号で示した樹脂は、それぞれ表3~6で示される高分子化合物である。導入比はモル比を示す。解像性の評価[実施例1~57及び比較例1~6]本発明のレジスト材料R-01~57及び比較用のレジスト材料R-58~63を、反射防止膜日産化学工業株製、ARC29A、78nmを塗布したシリコンウエハー上へ回転塗布し、110°C、60秒間の熱処理を施して、厚さ170nmのレジスト膜を形成した。これをArFエキシマレーザーステッパー株ニコン製、NA=0.85を用いて露光し、60秒間の熱処理PEBを施した後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて30秒間パドル現像を行い、1:1のラインアンドスペースパターン及び1:10の孤立ラインパターンを形成した。PEBにおいては、各レジスト材料に最適化した温度を適用した。作製したパターン付きウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡で観察し、90nmの1:1のラインアンドスペースを1:1で解像する露光量を最適露光量mJ/cm2とし、該最適露光量において分離解像している1:1のラインアンドスペースパターンの最小寸法を限界解像性マスク上寸法、5nm刻み、寸法が小さいほど良好とした。また、該最適露光量において1:10の孤立ラインパターンも観察し、マスク上寸法140nmの孤立ラインパターンのウエハー上実寸法を測定し、マスク忠実性ウエハー上寸法、寸法が大きいほど良好とした。本発明のレジスト材料の評価結果限界解像性及びマスク忠実性を表7に、比較用のレジスト材料の評価結果限界解像性及びマスク忠実性を表8にそれぞれ示す。表7の結果より、本発明のレジスト材料が高い限界解像性を有すると共に、マスク忠実性にも優れることが確認できた。一方、表8中、比較例01~03及び06では、カルボン酸の保護基としてβ-脱離反応に依って脱保護されるアセタール保護基を用いているが、本発明の保護基を用いた実施例と比較して、マスク忠実性に劣ることが示されている。以上より、脱保護がβ-脱離反応に依らないアセタール保護基を用いた本発明のレジスト材料が、一般的なアセタール保護基を用いたものや、その他の従来の技術で構築されたものに比して、解像性、マスク忠実性に優れることが確認できた。"