"リレー装置302において、A磁界生成用の第1コイル306を有する第1基板502と、B電気スイッチを含む第2基板と、を有し、前記第1コイルは、第1面に平面状に配置され、前記第1コイルと前記第1基板とはモノリシックに集積形成され、前記電気スイッチは、第1電気接点と第2電気接点とを含み、前記第1電気接点は、磁界により駆動され、前記電気スイッチと前記第2基板とは、モノリシックに集積形成され、前記第1電気接点は、前記第1面と平行な第2面を選択的に移動可能であることを特徴とするリレー装置。前記第1基板は、磁界強化用の第2コイルを更に有し、前記第2コイルは、前記第1面に平面状に配置され、前記第2コイルと前記第1基板とはモノリシックに集積形成されることを特徴とする請求項1記載のリレー装置。前記第1基板は、磁界強化用の第2コイルを更に有し、前記第2コイルは、前記第1面に平行な第3面に平面状に配置され、前記第1コイルと第2コイルとは同軸に配置され、前記第2コイルと前記第1基板とはモノリシックに集積形成されることを特徴とする請求項1記載のリレー装置。前記第1基板は、第3の電気接点と第4の電気接点とを含み、前記第1基板は、第1表面と第2表面とを有し、前記第1コイルは、前記第1表面側の近傍で且つ前記第2表面とは離れた側に配置され、前記第3電気接点と第4電気接点は、前記第2表面の近傍で且つ前記第1表面とは離れた側に配置され、前記第1コイルは、前記第3電気接点と第4電気接点との間を流れる第1電流に基づいて磁界を生成することを特徴とする請求項1記載のリレー装置。前記第1基板は、第5電気接点と第6電気接点とを更に有し、前記第1電気接点と第5電気接点は、電気的に結合され、前記第2電気接点と第6電気接点は、電気的に結合され、前記第5電気接点と第6電気接点は、前記第2表面の近傍で第1表面とは離れた側に配置され、前記磁界は、前記第1電気接点を動かし前記第2電気接点を物理的に接触させ、これにより、前記第5電気接点と第6電気接点の間に第2電流が流れることを特徴とする請求項4記載のリレー装置。前記磁界を、前記電気スイッチを介して前記磁界をチャネリングする閉鎖磁気回路を更に有し、前記閉鎖磁気回路は、第1磁気コアと第2磁気コアを有し、前記第1磁気コアは、前記第1電気接点を含み、前記第2磁気コアは、前記第2電気接点を含むことを特徴とする請求項5記載のリレー装置。リレー装置において、A磁界を生成する第1コイルと、前記第1コイルは、第1面に平面状に配置され、B前記磁界をチャネリングする第1磁気コアと、前記第1磁気コアは、第1電気端子と可動な第1電気接点とを含み、前記第1コイルは、前記第1面で第1磁気コアを包囲し、C前記磁界を強化する第2コイルと、前記第2コイルは、平面状に第2面に配置され、D前記磁界をチャネリングする第2磁気コアと、前記第2磁気コアは、第2電気端子と第2電気接点とを含み、前記第2コイルは、前記第2面で第2磁気コアを包囲し、を有し、前記第1電気接点と第2電気接点とは、一体になって、磁気駆動スイッチを形成し、これにより、前記第1電気接点と第2電気接点との間の電流の流れを制御することを特徴とする装置。前記第1面と第2面は、同一面であることを特徴とする請求項7記載のリレー装置。前記第1コイルと第2コイルは、電気的に直列接続されていることを特徴とする請求項7記載のリレー装置。前記第1電気接点は、前記第1面と平行な第3面で移動可能であることを特徴とする請求項7記載のリレー装置。第1基板と第2基板とを更に有し、前記第1基板と第1コイルと第2コイルは、モノリシックに集積形成され、前記第2基板と第1電気接点と第2電気接点とは、モノリシックに集積形成されることを特徴とする請求項7記載のリレー装置。A第1面を規定する第1基板502と、B電気スイッチを含む第2基板と、を有する装置において、前記第1基板は、磁界を生成する複数のコイルを有し、前記各コイルは、前記第1面に平面状に配置され、前記第1基板と複数のコイルはモノリシックに集積形成され、前記電気スイッチは、第1電気接点と第2電気接点とを有し、前記第1電気接点は、前記第1面に平行な前記第2面上を選択的に移動可能なような寸法で配置され、前記第2基板と第1電気接点と第2電気接点とは、モノリシックに集積形成され、前記磁界により、前記第2面の第1電気接点が移動して、前記電気スイッチを駆動することを特徴とする装置。前記磁界を電気スイッチを介してチャネリングする閉鎖磁気回路を更に有し、前記閉鎖磁気回路は、C第1磁気コアとD第2磁気コアとを有し、前記第1磁気コアCは、C1前記第1基板を貫通する第1バイアスと、前記第1バイアスと複数のコイルの内の第1コイルは、同心状に配置され、C2前記第2基板を貫通する第2バイアスと、C3前記第2面を移動可能な第1部材を含む第1アンカーと、を有し、前記第1部材は、前記第1電気接点を含み、前記第2基板と第1アンカーと第1部材は、モノリシックに集積形成され、前記第1バイアスと第2バイアスと第1アンカーは、強磁性材料製であり、を含み、前記第2磁気コアDは、D1前記第1基板を貫通する第3バイアスと、前記第3バイアスと複数のコイルの内の第2コイルは、同心状に配置され、D2前記第2基板を貫通する第4バイアスと、D3前記第2電気接点を含む第2アンカーと、を有し、前記第2基板と第2アンカーとは、モノリシックに集積形成され、前記第3バイアスと第4バイアスと第2アンカーは、強磁性材料製であり、を含むことを特徴とする請求項12記載のリレー装置。前記第1基板は、第3電気接点と第4電気接点と第5電気接点と第6電気接点を含み、前記各複数のコイルと第3電気接点と第4電気接点とは、電気的に結合され、前記第1電気接点と第5電気接点は、電気的に結合され、前記第2電気接点と第6電気接点は、電気的に結合され、前記第1基板は、第1表面と第2表面とを有し、前記各複数のコイルは、前記第1表面側の近傍で且つ前記第2表面とは離れた側に配置され、前記第3電気接点と第4電気接点と第5電気接点と第6電気接点は、前記第2表面の近傍で且つ前記第1表面とは離れた側に配置され、前記磁界は、前記第1電気接点と第2電気接点とを電気的に結合し、前記第5電気接点と第6電気接点の間に第2電流が流れるようにすることを特徴とする請求項13記載のリレー装置。A磁界生成用の第1コイルを有する第1基板を用意するステップと、前記第1コイルは、第1面に平面状に配置され、B磁気駆動されるスイッチである電気スイッチを含む第2基板を用意するステップと、前記電気スイッチは、第1電気接点と第2電気接点とを含み、前記第1電気接点は、前記第1面に平行な第2面を選択的に移動し、C前記第1基板と第2基板とを第1構成体に配置するステップと、D前記磁界と電気スイッチとの結合を形成するステップとを有することを特徴とする方法。前記Dステップは、D1第1磁気コアを用意するステップと、D2第2磁気コアを用意するステップと、を有し、前記第1コイルは、前記第1面で、前記第1磁気コアを包囲し、前記第1磁気コアと前記第2磁気コアは、一体となって、閉鎖磁気回路を形成し、前記第1磁気コアと前記第2磁気コアは、前記電気スイッチを介して、前記磁界のチャネリングを構成するよう配置されることを特徴とする請求項15記載の方法。前記D1ステップは、D11前記第1基板を貫通する第1バイアスを形成するステップと、D12前記第2基板を貫通する第2バイアスを形成するステップと、D13前記第2基板上に第1アンカーを形成するステップと、を有し、前記第1アンカーは、前記第2面を移動可能な第1部材を含み、前記第1部材は、前記第1電気接点を含み、前記第1バイアスと第2バイアスと第1アンカーは、強磁性材料製であり、前記D2ステップは、D21前記第1基板を貫通する第3バイアスと、D22前記第2基板を貫通する第4バイアスと、D23前記第2基板上に第2アンカーを形成するステップと、を有し、前記第2アンカーは、前記第2電気接点を含み、前記第3バイアスと第4バイアスと第2アンカーは、強磁性材料製であり、前記第1配列により、前記第1バイアスと第2バイアスとの間に磁気結合が形成され、前記第3バイアスと第4バイアスとの間に磁気結合が形成されることを特徴とする請求項16記載の方法。E第3電気接点を用意するステップと、F第4電気接点を用意するステップと、G第5電気接点を用意するステップと、H第6電気接点を用意するステップとを更に有し、前記第3電気接点と第4電気接点と第1コイルは、電気的に結合され、前記第1電気接点と第5電気接点は、電気的に結合され、前記第2電気接点と第6電気接点は、電気的に結合され、前記第1基板は、第3電気接点と第4電気接点と第5電気接点と第6電気接点を含み、前記第1基板は、第1表面と第2表面とを有し、前記第1コイルは、前記第1表面側の近傍で且つ前記第2表面とは離れた側に配置され、前記第3電気接点と第4電気接点と第5電気接点と第6電気接点は、前記第2表面の近傍で且つ前記第1表面とは離れた側に配置されることを特徴とする請求項17記載の方法。I磁界強化用の第2コイルを用意するステップを更に有し、前記第1基板は、前記第2コイルを有し、前記第2コイルは、前記第1面に平面状に配置されることを特徴とする請求項15記載の方法。J磁界強化用の第2コイルを用意するステップを更に有し、前記第1基板は、前記第2コイルを有し、前記第2コイルは、前記第1面に平行な第3面に平面状に配置され、前記第1コイルと第2コイルとは同軸に配置されることを特徴とする請求項15記載の方法。横方向に駆動されるマイクロリレーは、その動きが下の基板に平行となるような磁気要素を含む。この磁気要素は、基板の上方に同一面横方向の動きに対しては柔軟性があるが、面から離れる方向垂直方向の動きに対しては剛性のあるようなテザー連結品で保持されている。このテザーと磁気要素は光リソグラフ技術とエッチングにより規定されてそれらを所望の形状にsculptする。この様なマイクロリレーは、垂直方向に駆動されるマイクロリレーの問題点の一部を解決できる。特に横方向に駆動されるマイクロリレーの動作特性柔軟性、駆動力、動作速度は、それらが形成される層の薄いフィルムの特性ではなく、テザーの構造体により多く依存する。その結果、動作特性は、フィルムの応力、厚さ変動等起因する悪影響から切り離すことができる。電磁コイルを使用してマイクロリレーを駆動する磁界を制御するのが好ましい。磁界は、永久磁石あるいは電磁コイルそのものにより生成されるか否かを問わない。電磁コイルをバッジ処理のウエハーレベルのプロセスで得ることは、極めて挑戦的事項である。その理由は、この様なコイルの三次元の特性及びコイルを可動磁気要素に磁気的に合理的に結合することの必要性があるからである。かくしてこれらの切替要素を信頼性高く駆動することのできる集積コイルを生成することは難しい。その結果、従来のマイクロリレーは、結合したコイル、外部コイルあるいは集積化されていないコイルを利用する。結合状態の悪いコイルでは、大きな電力がリレーを活性化するのに必要である。これは大きな欠点である。外的に構成されたコイルの使用は、組み込みコストやサイズの点のみならず、組立の許容差を小さくしなければならない欠点があり、これにより同一設計のマイクロリレーの動作特性の大幅な変動を引き起こす。本発明は、従来のマイクロリレーの欠点を解決するような微細製造技術で製造したマイクロリレーを提供することである。本発明のマイクロリレーは、以下の構成を含む。1その可動接点が基板に平行な面に選択的に移動できるような磁気駆動される電気スイッチと、2前記電気スイッチを駆動する磁界を生成する集積した平面状コイルと、3電気スイッチを介して磁界を効率的にチャネリングする閉鎖磁気回路と、である。平面状コイルは、磁気回路の第1部分を含む第1基板上にモノリシックに集積して形成される。この電気スイッチは、磁気回路の第2部分を含む第2基板上にモノリシックに集積形成される。第1基板と第2基板とは整合して結合されて、閉鎖磁気回路を構成し、マイクロリレー内にコイルとスイッチを集積形成する。この様にして完成された磁気回路は、スイッチを介して生成された磁界を効率的に切替え、平面状コイルにより生成しなければならない磁界の大きさを減らすことができる。一実施例においては、閉鎖磁気回路は、2つの磁気コアを有する。各磁気コアは、第1基板と第2基板内に形成された強磁性要素を含む。更に磁気コアの一部が電気スイッチを規定する。一実施例においては、複数のコイルを有する。この複数のコイルは、1つのコイルにより生成された磁界を残りのコイルで増強するよう配置される。その結果、複数のコイルは、一体となって、強力な磁界を生成することができる。一実施例においては、それぞれが平面状コイルを有する複数の電磁モジュールは、この様なコイルが磁界を生成するよう配置される。各電磁モジュールは、磁気バイアス磁気的結合媒体と電気バイアス電気的結合媒体とを有し、これらが、基板を磁気的かつ電気的に結合する。本発明の一実施例は、請求項1に記載したとおりである。本発明のリレー装置は、A磁界生成用の第1コイルを有する第1基板と、B電気スイッチを含む第2基板とを有する。前記第1コイルは、第1面に平面状に配置され、前記第1コイルと前記第1基板とはモノリシックに集積形成される。前記電気スイッチは、第1電気接点と第2電気接点とを含み、前記第1電気接点は、磁界により駆動される。前記電気スイッチと前記第2基板とは、モノリシックに集積形成される。前記第1電気接点は、前記第1面と平行な第2面を選択的に移動可能である。以下に、本明細書と特許請求の範囲で使用される用語について定義する。電気的に接続されるelectricallyconnectedとは、2つのポイントがあらゆる電流で同一電圧となるように接続された状態として定義する。これは、直接的な物理的接触電気バイアスに物理的に接合された接点パッド、電気的接続可能な中間媒体導電性ワイヤ又はトレースにより相互に接続された回路のノードを介して、行われる。電気的に結合されるelectricallycoupledとは、2つのポイントが導電状態にある状態として定義する。これは、直接的な物理的接触コンセントへの接続、導電性中間媒体電気バイアスに物理的に接合された電気装置、中間装置抵抗体、インダクタを介して接続された電気装置を介して、行われる。翻訳上、基板上onasubstrateとは基板に直接接触している状態のみならず、基板から離れた上にある状態をも意味する場合がある。これに対し基板上方aboveasubstrateとは基板から接触していない状態を意味する。従来技術を示す図1において、リレー100は、磁気要素102,104と、コイル108と、片持ち梁110と、電気接点116,118と、基板120とを有する。リレー100の実施例は、特許文献2に開示されている。磁気要素102は、基板120の上に形成された強磁性材料の層である。強磁性材料とは、中間透磁率以上あるいはより高い透磁率を有する材料磁界をチャネリングできる材料である。強磁性材料の一例は、永久磁石、ニッケル、ニッケル鉄合金、鉄、パーマロイ、スーパーマロイ、Sendust登録商標等を含む。磁気要素104も、基板120の上に形成された強磁性材料の層であり、領域106で磁気要素102の上に重なる。磁気要素104は、従来の平面化技術、例えばMEMS製造技術を用いて製造される。磁気要素104は片持ち梁110を有し、その自由端112は領域114で磁気要素102の上に懸垂しており、エアギャップを形成する。自由端112は、又電気接点116,118の上にも懸垂してる。コイル108は導電材料製の平面状コイルであり、これは磁気要素102に電気的に接続される。第1電流がコイル108に流れると、磁界を生成する。コイル108は領域106の回りに巻かれて、その結果、磁気が磁気要素102,104に結合する。更に磁気要素102,104とコイル108は、一体となって、磁気回路を規定する。磁気回路は、領域114近傍のエアギャップを介して磁界をチャネリングすることができる。この磁界に応答して、磁力が片持ち梁110上で発生し、自由端112を垂直下方向即ちコイル108と基板120の面に直交する方向に即ち磁気要素102の方向を引っ張る。その結果、自由端112は基板120に接触し、電気接点116,118を電気的に短絡して電流120を図で上から下に流す。上記の構成のリレー100には幾つかの欠点がある。第1の欠点は、リレー100が、平面状コイルと切替要素とが近接して配置されている点と、切替要素がコイルの面に直交する方向に移動することに依存していることである。このことは、特許文献2に磁気材料の2つの層1,4は、コイル3が巻かれているポイント5で、互いにオーバーラップしており、これにより、磁力を発生する点で極めて効率的な平面状ソレノイドが形成されると記載されている。更に磁気要素102,104が薄い為に、リターン磁気回路の磁気リラクタンスが高くなる。その結果、コイル108により生成される磁界と、領域114のエアギャップに誘導される磁気フラックスとの間の結合効率が低くなる。コイルからのより大きな磁気駆動力magnetomotiveforceが、エアギャップ内の磁気フラックス密度をリターン磁気回路材料の飽和フラックス密度近傍で生成するのに、必要とされる。この磁気駆動力は、コイル108を流れる電流を増加させるか、あるいはコイル108の巻き数を増加させるかのいずれかによってしか大きくすることができない。より多くの電流が流されると、リレーはより多くの電力を消費する。より多くの巻き数のコイルが使用されると、磁気回路の平面状のレイアウトは、磁気リターンパスがより大きくなることが必要となる。これにより磁気リラクタンスが増加し、結合効率が低下する。片持ち梁の自由端112は、コイル108と基板120の面に直交する方向に動くので、片持ち梁が形成される層の材料の厚さと特性が、片持ち梁の機械的挙動を決定することになる。例えば、必要とされる駆動力、回復力、共振周波数は、片持ち梁に使用される材料の厚さと、密度、残留ストレスの変化量に基づく。これらの材料特性は、堆積プロセス毎に通常代わる。その結果、片持ち梁の自由端112が、基板120に直交する方向に移動することにより、以下の現象が現れる。iリレー100の動作特性の変動、ii同一の設計ではあるが様々なリレーの間の動作特性の不一致、iii再現性と信頼性、iv電気接点116,118と自由端112の間の接触抵抗の変動は、リレー毎に異なる、v上記の変動の組み合わせ。更に、片持ち梁の自由端112の厚さは、片持ち梁の層を形成するのに用いられる堆積プロセスに特有の最大堆積厚さに制限される。この様な片持ち梁110の設計の自由度は、その為に限られている。従来技術を示す図2において、リレー200は、磁気要素202,204,206と、スプリング208,220と、アンカー210,222と、電気接点212と、テザー214と、電線216,218と、基板224を含む。この様なリレー200の一例は特許文献3に開示されている。磁気要素202,204は、基板224の表面上に形成された強磁性体材料の層である。磁気要素202,204は、総称して磁気フラックスパスと定義し、これらは、外部から加えられた磁界をチャネリングする。磁気要素206は強磁性材料を含む要素である。磁気要素206は、基板224の上に、スプリング208で吊り下げられている。スプリング208は、例えばシリコン、ポリシリコン等の構造材料のループである。スプリング208は、従来のMEMS例、deepreactiveionetching製造技術を用いて、楕円状に形成される。スプリング208は、基板224の上方でアンカー210により支持されている。スプリング208は第1面に平面状に配置されている。この第1面は、基板224に規定された第2面に平行でかつその上方にある面である。この形状の為に、スプリング208は第1面では柔軟性があるが、第1面から外れる方向に曲げるのは難しい。磁気要素206はスプリング208に取り付けられ、磁気要素206は基板224の上方に懸垂される。その結果、磁気要素206の第1面における動きが可能となるが、磁気要素206の第1面から外れる動きは阻止される。磁気要素202,204は、磁気要素206とギャップを介して、磁界をチャネリングする。このギャップは3個の磁気要素202,204、206を切り離す。動作時には、磁界は、磁気要素をリレー200近傍に動かすことにより、外部から形成できる。スプリング220は、湾曲した構造要素であり、基板224上方にアンカー222により懸垂されており。第1面に配置されている。スプリング208と同様にスプリング220は、第1面では柔軟性があるが、この第1面から外れる方向に曲げるのは難しい。電気接点212は、スプリング220に取り付けられた導電要素であり、電気接点212は、基板224の上方に懸垂される。その結果第1面における電気接点212の動きが可能となるが、第1面から外れる電気接点212の動きは制限される。テザー結合体214は、磁気要素206と電気接点212に強固に結合され、その結果それらは第2面で一体に動く。特許文献3に開示したように、磁気フラックスが磁気フラックスパスに沿って加えられると、磁気要素を一列に整合させる力を発生し、磁気要素を一列に並べる。テザー214は、磁気要素206と電気接点212に強固に結合されているために、磁気要素206の動きは、電気接点212を、テザー214を介して、電線216,218に物理的に接触させる。この物理的接触が、電線216,218を短絡して、電流120を流す。電気接点212の動きは、基板224に平行な面で行われるので、リレー200はリレー100で議論した不都合の一部を解消できる。具体的にはリレー200の動作特性は、光リソグラフ技術により主に決定される。しかし、上記のリレー200も幾つかの欠点がある。第1の欠点は、特許文献3に開示されたように、外部からの磁界と磁気要素202,204との間の効率的な結合を行うために、磁気要素202,204で形成される磁気フラックスパスは、外部から加えられる磁界に整合する必要がある。良好な整合が必要なのは、磁気要素202,204の断面積が小さいためである。これにより、加えられた磁界に磁気要素を効率よく結合するのを制限してしまう。その結果、十分な磁力をアクチュエータが発生するのを確保するためには、大きな磁界が必要となる。そして高い磁界を提供する必要があるため、リレー200の構造と適宜の平面状コイルを集積するのが困難となる。この様な挑戦的事項は、十分に高いQ係数を有する大きな磁界を発生させる電磁石コイルは、広いチップ領域を必要とすることから生じる。特許文献3に開示されたこれらの実施例においては、コイルはリレーの外部に配置されている。更に又磁極をとうり基板に直交する方向に向いた磁界は、多層基板の積層構造の上部表面と底部表面に形成されている。これらの磁極は、基板の積層体に直交する外部から発生した磁界を、直接貫通し、前記基板に直交する方向に、磁気駆動電気接点要素の動きを誘導してしまう。このことは当然の事ながら、上記のリレー100で説明したのと同様な不都合な点を有する。従来のマイクロリレーとは対称的に、本発明のリレーは、1磁界を生成する集積コイルと、2前記コイルに磁気的に結合される磁気回路と、3基板と平行な方向に可動部分を有する電気スイッチと、を含む。この磁気回路は、磁気駆動電気スイッチを介して生成した磁界を効率的にチャネリングする。その結果、本発明の実施例は、可動要素が基板に直交する方向に動くスイッチに固有の不利な点を回避できる。スイッチを駆動するのに適した集積平面状コイルを含む。微細製造技術の進歩により平面処理技術の進展が見られ、これにより横方向の寸法に対し厚い構造物の製造が可能となった。この様な製造技術はhighaspectratio製造処理と称し、基板の表面に直交する方向に大きな寸法を有するもの製造が可能となった。この高アスペクト比の構造物の製造が可能となったことにより、横方向に駆動されるマイクロリレーの開発が可能となった。更に高いアスペクト比の製造技術の出現により、可動磁気要素は、磁気回路の長さ方向に対し十分な断面積を有するようになり、磁界の生成源と動作ギャップとの間の結合ロスが小さくなる。垂直方向に集積された高アスペクト比の装置は、リレーのアレイを含むようなアプリケーションで特に魅力的であり、極小化は更に重要となる。自動テスト装置、通信のアプリケーションでのリレーの使用は、特に回路基板上でリレーが専有面積と高さに関連しているからである。バッチ処理あるいはウエハーベースの製造コストは、装置の面積に直接関係し、垂直方向に集積した小さな専有面積のリレーは、コスト的に有利である。図3において、リレー300は、電磁モジュール302と、アクチュエータモジュール304と、コイル306と、磁気コア308,310と、キャップ314と、スイッチ316とを含む。磁気回路312は、磁気コア308,310を有する。各磁気コアは、強磁性要素を含み、これらは電磁モジュール302とアクチュエータモジュール304内に形成される。これらの強磁性要素は、リレー300内に収納され、磁気的に結合されて磁気コア308,310と磁気回路312を形成する。更に磁気コア308,310の各部分は、スイッチ316を形成する。図7A,7Bに示すように、スイッチ316は可動接点を有する。この可動接点はその下の基板に平行な面に対してのみ動く。磁気回路312により、弱い磁界を用いたスイッチ動作が可能になる。その結果と、集積された平面状コイルは巻回数が少なくて良く、コイルはチップ領域内に形成できる。更に本発明の実施例は複数の平面状コイルを含む。これらは、磁界を生成するよう一体となって働く。平面状コイルは、1個のコイルにより生成された磁界が残りのコイルにより増強されるよう配置される。その結果複数のコイルは、1個のコイルよりもより強力な磁場を生成することができる。複数のコイルを用いて、各コイルの設計パラメータ例えばコイルの巻き数、電流搬送能力等の要件を緩和させ、これによりリレー300に容易に組み込むことができるようになる。本発明の一態様では、コイルは、磁気駆動スイッチとは別の基板上に形成される。複数の基板は形成されると、結合されて完全に一体化した装置を構成する。一実施例においては、4個のコイル306が電磁モジュール302上に形成される。コイルは2つのコイルの対として配置され、各コイルの対が磁気コア308,310の内の1つを包囲する。その結果各コイルにより生成される磁界は、それぞれのコアに効率よく結合される。同様にスイッチ316は、別のアクチュエータモジュール304上に形成される。リレー300に組み込むために、各基板の磁気バイアス磁性連結体と電気バイアス導電体は、共通のインターフェース上に形成配置され、その結果、基板が取り付けられたときに、適正な結合が確保される。電磁気モジュールの磁気バイアスと電気バイアスの共通のインターフェースが、本発明に適用され、様々な利点を提供できる。例えばデザイン、製造、在庫等に対する便宜を与える。例えば一般的な電磁気モジュールは低コストで大量生産される。更に一般的な電磁気モジュールを用いて、共通のインターフェースを介してアクチュエータモジュール群のいずれかを駆動することができる。共通のインターフェースにより、複数の積層可能な電磁気モジュールの形成が可能となり、あらゆる大きさの磁界強度の装置を提供できる。結果として、本発明の一実施例は、設計のフレキシビリティを提供でき、製造コストを下げることができる。図4において、本発明の方法方法400は、ステップ401で開始する。これにより電磁モジュール302が提供できる。図5A,5Bにおいて、電磁モジュール302は、電界を生成する要素と、生成された磁界を強化する要素と、生成された磁界をアクチュエータモジュールに効率的にチャネリングする要素を含む。電磁モジュール302は、更に複数の接点パッドを含み、これにより、基板の電気的接続と基板の表面への搭載を可能とする。電磁モジュール302は、基板502と、コイル306-1からコイル306-4と、接点パッド506,508,510,512と、磁気バイアス514,516と、電気バイアス518,520,522,524と、シールド526と、磁気パッド530,532とを含む。図6において、電磁モジュール302は、本発明の一実施例に従って形成される。ステップ401は、サブステップサブ601で始まる。基板502ウエハーを電気バイアス518,520,522,524が形成される。基板502は、導電性コイルの製造をサポートする適宜の基板である。一実施例においては、基板502はアルミナ製の基板である。しかし本明細書を参照することにより基板502は、あらゆる適宜の基板でも良い。更に本明細書において基板は平面製造プロセスに適した基板として定義され、これらは、通常のMEMS製造ナノテクノロジーの製造技術、集積回路の製造技術等の操作等に適した基板である。この様な基板の材料は、シリコン、ゲルマニウム、化合物半導体、semiconductoroninsulator層構造、ガラスセラミック、アルミナ、あるいはそれらの組み合わせを含む。電気バイアス518,520,522,524は、従来の方法で形成される。ホール孔が、基板502を貫通して形成され、導電性材料例えば金、アルミ、ドープしたポリシリコン、タングステン等で充填される。ホールは、適宜の製造技術例えばDRIE、サンドブラスティング、ウォータードリル、レーザーエッチング等を用いて形成される。一実施例においては、基板502は、キャストセラミック基板であり、ホールは、基板の形成時に形成することもできる。ホールは、導電性材料で、従来の技術例えばメッキ、CVD等の技術を持って充填される。一実施例においては、基板502は、導電性材料あるいは半導体材料を含む。ある実施例においては、絶縁層を最初にホールの側壁に堆積して、各電気バイアスを基板502から絶縁する。電気バイアス518,520,522,524の製造方法は、当業者には公知である。サブステップ602において、基板502を貫通する磁気バイアス514,516が形成される。磁気バイアス514,516の形成は、上記した電気バイアスの形成と類似する。但し磁気バイアス514は強磁性材料で形成され、その為、磁気回路312の一部として、基板502の表面540,542の間の磁気フラックスをチャネリングすることができる。これに関しては図9を参照して更に説明する。サブステップ603において、コイル306-1ないしコイル306-4と、コイル間バイアス546,548と、インターコネクト528が形成される。この実施例においては、基板502は、導電性又は半導体性の基板である。表面540は、絶縁層を含み、その上にコイルが配置される。コイル306-1ないしコイル306-4これらはコイルコイル306と総称するは、導電性材料を平面状に螺旋形状に配置して形成され、電流を流すことにより磁界を生成する。各コイル306は面534と平行な面に配置される。この面534は、基板502に規定される。具体的にはコイル306-1とコイル306-4は、同一平面で面536上にあり、コイル306-2とコイル306-3は、同一平面で面538上にある。一実施例においては、各コイル306は、互いに平行な異なる面上にあってもよい。一実施例では、4個のコイル306を開示しているが、その数は4個に限定されない。電流が流れると各コイル306は磁界を生成する。この磁界は、コイルを流れる電流の方向に基づいて決まる方向を向いている。この実施例においては、コイル306-1とコイル306-2は、同心状に配置されて、それらにより生成された磁気フラックスがそれぞれ面536,538でz方向を向くように配置される。その結果コイル306-1により生成される磁界は、コイル306-2により生成される磁界により強化される逆も言える。コイル306-3とコイル306-4は、同心状に配置され、それらにより生成される磁気フラックスは、それぞれ面538,536において-z方向を向いている。その結果、コイル306-3により生成された磁界は、コイル306-4に生成された磁界により強化されるその逆も言える。更に、コイル306-3とコイル306-4により生成された磁界は、コイル306-1とコイル306-2により生成された合成磁界を、磁気回路312を介して強化する。これに関しては、図9を参照して以下説明する。コイルを流れる電流方向とコイルの相対方向は設計的選択事項である。更にコイル306の物理的なレイアウト、例えば巻き数、コイルトレースの断面積、導電性材料の種類等も、設計的選択事項であり、当業者は本明細書を参照して、コイル306を生成し使用することができる。コイル306-1ないしコイル306-4と、コイル間バイアス546,548と、インターコネクト528とは、一連の誘電体層の堆積ステップ、誘電体層エッチングステップ、金属層堆積ステップ、電気メッキステップ等の技術を用いて形成される。コイル306-1ないしコイル306-4は、基板502の表面540の上に以下のステップを含むプロセスで製造される。1表面540上に第1導電層を堆積するステップ、2前記第1導電層の上にマスク層を形成するステップ、このマスク層は、コイル306-1とコイル306-4の所望の形状の開口を有する、3基板をメッキ浴に浸すステップ、ここで導電性材料が、選択的に前記マスク層の開口領域に堆積される、4マスク層と、前記第1層のメッキされていない領域を除去するステップ。これらが形成された後、コイル306-1は電気バイアス518に電気的に接続され、コイル306-4は電気バイアス520に電気的に接続される。但しコイル306-1とコイル306-4は、互いに電気的には接続されていない。電気メッキは、コイル306を形成する適宜の方法を開示しただけで、本明細書を参照することにより、コイル306を形成する別の技術も採用できる。コイル306-1とコイル306-4の形成後、それらは、誘電体層504を堆積することによりカプセル化される。誘電体層504は、例えば化学機械研磨技術を用いて平面化される。コイル間バイアス546と548は、誘電体層504を貫通して形成され、その結果、それらは、それぞれ、コイル306-1とコイル306-2に電気的に接続される。その後、コイル306-2とコイル306-3とインターコネクト528は、誘電体層504の上に形成され、コイル306-2とコイル306-3は、コイル間バイアス546と548に電気的に接続され、コイル306-2とコイル306-3はインターコネクト528を介して電気的に接続される。上記のステップの完了後、電気バイアス518と、コイル306と、コイル間バイアス546,548と、インターコネクト528と、電気バイアス520は、一体となって、導電性の連続パスを形成する。サブステップ604において、磁気バイアス514,516は垂直方向に伸びる。シールド526が、従来の光リソグラフ技術と電気メッキ技術を用いて形成される。リレー300が完全に組立形成されると、シールド526は、リレー300を浮遊磁界の影響から守るためのバリアーの一部を構成する。コイル306-1とコイル306-2は、同心状に形成され、面536と538で磁気バイアス514をそれぞれ包囲する。コイル306-3とコイル306-4は、同心状に形成され、面536,538の磁気バイアス516をそれぞれ包囲する。磁気バイアス514,516が垂直方向の伸びることにより、磁気回路312の一部として、アクチュエータモジュール304に含まれる磁気バイアスと物理的に接触する。サブステップ605において、電気バイアス522,524は、誘電体層504をパターン化し、導電性材料を電気メッキすることにより、垂直方向に伸びる。電気バイアス522,524が垂直方向に伸びることにより、アクチュエータモジュール304の電気バイアス708,710とそれらの間と電気的接触が可能となる。サブステップ606において、電気メッキを用いて、面542上に接点パッド506,508,510,512を形成する。接点パッド506は電気バイアス518に電気的に接続される。接点パッド508は電気バイアス520に電気的に接続される。接点パッド510は電気バイアス522に電気的に接続される。接点パッド512は電気バイアス524に電気的に接続される。その結果、電磁モジュール302は表面搭載取付物として適したものになる。サブステップ607において、磁気パッド530,532は、電気メッキで面542上に形成される。磁気パッド530,532は、強磁性体材料製で、磁界をチャネリングすることができる。ステップ607の完了後、磁気バイアス514は磁気パッド530に物理的に接続される。磁気バイアス516は磁気パッド532に物理的に接続される。磁気パッド530,532は、互いにアマーチャーギャップg1で、物理的に分離されている。アマーチャーギャップg1は磁気パッド530,532を互いに絶縁し、リレー300の動作中、電流がシャント好ましくない現象するのを回避している。アマーチャーギャップg1はできるだけ小さいのが好ましく、これにより、磁気パッド530,532の間の低リラクタンスパスを達成できる。一実施例においては。電気メッキを用いて、電磁モジュール302に含まれる要素を形成したが、当業者は本明細書を参照することにより、コイルあるいは他の要素を、例えば光リソグラフ技術、電気メッキ、金属リフトオフ技術、サブトラクティブレイヤパターニング例、エッチング、アブレーション、サンドブラスト等を用いて形成することもできる。ステップ402において、アクチュエータモジュール304が形成される。図7A,7Bにおいて、アクチュエータモジュール304は、基板702と、スイッチ316と、アンカー712,714と、磁気バイアス704,706と、電気バイアス708,710と、シールリング718と、シールド716とを有する。図8は、ステップ402のサブステップを示す。同図のフローチャートにおいて、アクチュエータモジュール304が、本発明の一実施例により形成される。ステップ402はサブステップ801で始まり、サブステップ802で、磁気バイアス704,706が基板502に形成される。基板702はスイッチ316の形成をサポートするのに適した基板である。基板702は面732を規定する。基板702は基板502と類似する。磁気バイアス704,706は、スルーウエハーの磁気バイアスであり、これらは磁気バイアス514,516に類似する。磁気バイアス704はアンカー712に物理的かつ磁気的に結合される。磁気バイアス706は、アンカー714に物理的かつ磁気的に結合される。サブステップ801において、電気バイアス708,710が基板702に形成される。電気バイアス708,710は、スルーウエハーの電気バイアスであり、これらは、電気バイアス514,電気バイアス518,520,524に類似する。磁気バイアス704,706と電気バイアス708,710は、磁気バイアス514,516と電気バイアス522,524と同様に配置される。このマッチング配置により、電磁モジュール302とアクチュエータモジュール304との間の共通インターフェースを提供できる。その為、基板が整合し結合されると、磁気バイアス704,706と磁気バイアス514,516は、磁気的に結合される。電気バイアス708,710と電気バイアス522,524は、電気的に結合される。この実施例において、磁気バイアス704,706と磁気バイアス514,516は、電磁モジュール302とアクチュエータモジュール304が整合し結合された時に、物理的に接触する。サブステップ803において、電気メッキを再び用いて、アンカー712,714を基板702の表面720の上に配置する。アンカー712,714は、それぞれ強磁性でかつ導電性の材料製である。アンカー712と電気バイアス708は電気的に接続される。アンカー712も磁気バイアス704に物理的かつ磁気的に結合される。同様にアンカー714と電気バイアス710は電気的に結合され、アンカー714と磁気バイアス706が磁気的に結合される。要素724も、アンカー712の形成過程の間、形成される。リレー300の動作を行わせるために、犠牲層740が、それが要素724と表面720の間に入るように形成される。犠牲層740は、アクチュエータモジュール304から選択的に除去される材料を含む。犠牲層740として使用される材料の選択は、アンカー712,714,要素724が形成される材料に依存する。本明細書を参照することにより、犠牲層740の製造方法、使用方法は明らかとなる。要素724は、アンカー712から伸びる片持ち梁である。要素724を基板から切り離した後、片持ち梁である要素724の表面730は、アンカー712に固定される。要素724のエンド728は、面734内で選択的に動けるような自由端である。面734は面732と平行である。エンド728は電気接点722を含む。言い換えると、片持ち梁724は、電気接点722が面734内では動けるが、面734から外れては動けないような寸法でかつその様に配置されている。他の実施例においては、要素724は片持ち梁以外の機械的要素でもよく、かつ電気接点722が面734内で動ければよい。要素724は、強磁性でかつ導電性の材料から形成される。その結果、1電気バイアス708と、アンカー712と、要素724、電気接点722が、一体となって、連続する導電性パスを形成する。2磁気バイアス704と、アンカー712と、要素724、電気要素722が、一体となって、連続する強磁性パスを形成する。アンカー714は電気接点726を含む。電気接点722と片持ち梁である要素724と電気接点726が、一体となって、磁気的に駆動されるスイッチ316を規定する。最初は、電気接点722と電気接点726は、スイッチ316が非活性状態の時は、作動ギャップg2で切り離されている。一実施例においては、電気接点722,726の一方又は両方は、接触力を集中させ、それらの間の電気抵抗を減らすような突起部を有する。一実施例においては、電気接点722と726の一方又は両方は、低抵抗性材料、例えば金を含み、それらの間の接触抵抗を減らしている。サブステップ804において、シールド716が表面720の上に形成される。シールド716は、シールド526に類似する。シールド716は、リレー300が組み立てられた時に、キャップ314に機械的に結合するような寸法及び配置である。リレー300が完全に組み立てられた時に、シールド716は、リレー300を浮遊磁界の影響から保護する為のバリアーの一部を構成する。サブステップ805において、シールリング718が表面736の上に形成される。シールリング718は、薄い金属層であり、この金属層が、電磁モジュール302とアクチュエータモジュール304の組立中に、シールド526の適宜な結合表面を提供する。サブステップ806において、片持ち梁である要素724は、表面720から犠牲層740の選択的除去により解放される。要素724は、面734上で選択的に移動できるために、その機械的挙動はz方向の寸法ではなくy方向の幅に依存する。その結果、要素724の機械的挙動は、電気メッキプロセスの間要素を規定するのに用いられるマスク層の形成のステップの間のリソグラフ技術で決定される。このリソグラフ技術は、十分制御可能でかつ再現性の高いプロセスである。かくして動作特性は、同一設計の全てのリレーに対し確実に制御でき、かつ一定となる。更にこのリソグラフ技術により、要素724は極めて高い寸法許容差でもって形成できる。極めて小さな動作ギャップg2を具備したリレーの設計により、駆動磁界の要件が極めて低くなる。ステップ403において、キャップ314が形成される。キャップ314は、スイッチ316とコイル306を、浮遊磁界の影響から保護するシールドの一部を形成する。キャップ314は、リレー300が完全に組み立てられたときに、シールド716と機械的に結合するような寸法で配置される。ステップ404において、電磁モジュール302とアクチュエータモジュール304とキャップ314が、組み立てられてリレー300を形成する。リレー300の形成ステップの間、電磁モジュール302とアクチュエータモジュール304は、整合し、磁気バイアス514は磁気バイアス704に、磁気バイアス516は磁気バイアス706に、物理的に接触する。更に基板が整合して配置され、その結果電気バイアス522は電気バイアス708に電気的に接触し、電気バイアス524は電気バイアス710に電気的に接触する。それらが整合して配置されると、電磁モジュール302とアクチュエータモジュール304とキャップ314は、従来のボンディング技術を用いて、互いに結合される。図9は、本発明の一実施例のリレー300の断面図である。リレー300が組み立てられた後、磁気パッド530と、磁気バイアス514,磁気バイアス704と、アンカー712と、要素724が、一体となって、磁気コア308を規定する。磁気コア308は、面536でコイル306-1に、面538でコイル306-2により包囲される。その結果、コイル306-1とコイル306-2により生成された磁界は、効率よく磁気コア308に結合する。同様に、磁気パッド532と、磁気バイアス516,磁気バイアス706と、アンカー714とは、一体となって、磁気コア310を形成する。磁気コア310は、面536でコイル306-4に、面538でコイル306-3により包囲される。その結果、コイル306-3とコイル306-4により生成された磁界は、効率よく磁気コア310に結合される。図10に示すように、磁気コア308,310が、一体となって、磁気回路312を形成する。磁気回路312は閉鎖磁気回路とも称する。本明細書と特許請求の範囲において、閉鎖磁気回路とは、閉鎖パスを介して、磁界の巡回が可能となるような強磁性材料の回路として定義される。言い換えると、閉鎖磁気回路は、強磁性リターンパスを有し、磁界をそのソースにチャネリングすることができる。閉鎖磁気回路は、エアギャップを含む。このエアギャップは、それらの間の効率的な磁気結合が可能なように十分小さなものである。磁気回路312は、コイル306により生成された磁界を動作ギャップg2を含むスイッチ316でチャネリングする。図5A,5Bで上記したように、コイル306-1とコイル306-2により生成された磁界は、それぞれ面536,538でz方向を向き、コイル306-3とコイル306-4により生成された磁界は、それぞれ面538,536で-z方向を向く。これらの磁界は、時計回り図10で磁気回路312により切り替えられる。リレー300が組み立てられると、電気バイアス708と電気バイアス522と接点パッド510が、一体となって、端子738を規定する。この端子738は、磁気コア308に電気的に接続される。同様に、電気バイアス710と電気バイアス524と接点パッド512が、一体となって、端末を規定する。この端末は、磁気コア310に電気的に接続される。一実施例においては、スイッチ316は、アクチュエータモジュール304の表面736上に配置される。この実施例においては、磁気バイアス704,706と、電気バイアス708,電気バイアス710と、キャップ314は、必要ではない。更に一実施例においては、磁気バイアス514,516は、磁気バイアス704,706の近くに配置されるが、物理的に接触してはいない。動作する場合、第1電流が、接点パッド506に入り、接点パッド506から接点パッド508に、電気バイアス518,520と、コイル306を介して流れる。第1電流が、磁気コア308を活性化する。第1電流が流れることに応答して、コイル306-1が、磁界を生成し、この磁界がコイル306-2ないしコイル306-4により強化され、磁気回路312により、電気接点722,726と動作ギャップg2を介してチャネリングされる。その結果、スイッチ316の自由端728は、電気接点726の方向に引かれて、電気接点722と726を物理的かつ電気的に接触させる。要素724の機械設計と動作ギャップg2のサイズが、スイッチ316を動かすのに必要な力を決定する。電気接点726と722の電気的に接続により、接点パッド510と512との間電気バイアス522,電気バイアス708,710,電気バイアス524を介してに第2電流が流れる。一実施例においては、電気接点722と726は、最初は物理的かつ電気的に接触しており、第1電流が流れることにより、電気接点722と726が、切り離されて第2電流が流れなくなる。図11において、リレー1100は、電磁モジュール1102,1104,1106と,アクチュエータモジュール304と,キャップ314とを含む。各電磁モジュール1102,1104,1106は、電磁モジュール302に類似する。但し各モジュールは、磁界を生成するために2個のコイルのみを有する。電磁モジュール1102は、基板502-1と、接点パッド506,508,510,512と、コイル306-1,コイル306-2と、電気バイアス522と、磁気バイアス514とを有する。電磁モジュール1104は、基板502-2と、コイル306-3,コイル306-4と、電気バイアス522と、磁気バイアス514とを有する。一実施例においては、電磁モジュール1104は、x軸の回りに、コイル306-3,コイル306-4が基板502-2の底部表面上に配置されるように、引っくり返してもよい。電磁モジュール1106は、基板502-3と、コイル306-5,コイル306-6と、電気バイアス522と、磁気バイアス514とを有する。一実施例においては、電磁モジュール1106は、x軸の回りに、コイル306-5,コイル306-6が基板502-3の底部表面上に配置されるように、引っくり返してもよい。電磁モジュール1102,1104,1106は、整合して結合され、その結果、磁気バイアスが磁気的に結合されて、閉鎖磁気回路を形成する。この閉鎖磁気回路は磁気回路312に類似する。更にコイル306は、直列に電気バイアス518,1108と、インターコネクト528を介して、電気的に接続され、その結果コイル306-3,コイル306-4が、連続する電流パスを形成する。本発明の第1実施例は3個の電磁気モジュールを含むが、この数は如何なるものでもよい。電磁気モジュールの積層数は、アクチュエータデザイン、在庫管理、製造コストの低減等を考慮して、広く選択される。以上の説明は、本発明の一実施例に関するもので、この技術分野の当業者であれば、本発明の種々の変形例を考え得るが、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。特許請求の範囲の構成要素の後に記載した括弧内の番号は、図面の部品番号に対応し、発明の容易なる理解の為に付したものであり、発明を限定的に解釈するために用いてはならない。また、同一番号でも明細書と特許請求の範囲の部品名は必ずしも同一ではない。これは上記した理由による。用語又はに関して、例えばA又はBは、Aのみ、Bのみならず、AとBの両方を選択することも含む。特に記載のない限り、装置又は手段の数は、単数か複数かを問わない。"