基板が搭載される搭載面を有する基板ホルダーが搬入されるチャンバーと、前記チャンバー内で上下方向に延伸して配置される前記搭載面と対向するように配置されたカソード電極と、前記チャンバー内の前記基板ホルダーと前記カソード電極間にプロセスガスを導入するガス供給装置と、前記基板ホルダーと前記カソード電極間に交流電力を供給して、基板ホルダーと前記カソード電極間において前記プロセスガスをプラズマ状態にする交流電源とを備え、前記プロセスガスに含まれる原料を主成分とする薄膜を前記基板上に形成することを特徴とするプラズマ成膜装置。前記ガス供給装置が、下方から上方に向かって前記チャンバー内にプロセスガスを導入することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ成膜装置。前記ガス供給装置が、前記カソード電極の底面に沿って配置されたガス供給ノズルから前記カソード電極の底部に向けて前記プロセスガスを噴き出すことを特徴とする請求項2に記載のプラズマ成膜装置。前記基板ホルダーが、前記搭載面が主面にそれぞれ定義され、互いに離間し且つ平行に配置された複数の基板取り付け板を有することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ成膜装置。前記複数の基板取り付け板が、前記複数のカソード電極と交互に、且つ最外側が前記基板取り付け板であるように配列され、前記基板取り付け板の前記カソード電極に対向する面に前記搭載面がそれぞれ定義されていることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ成膜装置。前記基板ホルダーが、前記複数の基板取り付け板のそれぞれの底部を固定し、上下方向に貫通するガス導入孔が前記複数の基板取り付け板間に形成された固定板を有し、前記ガス導入孔を介して前記基板取り付け板と前記カソード電極間に前記プロセスガスが導入されることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ成膜装置。前記カソード電極が、前記搭載面に対向する面に開口部が設けられた貫通孔を有することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ成膜装置。前記チャンバーが円筒形状であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ成膜装置。前記薄膜を前記基板上に形成する前に前記基板ホルダーが格納される加熱室を更に備え、前記加熱室が、前記複数の基板取り付け板の間に配置されて、前記基板ホルダー及び前記搭載面に搭載された前記基板を加熱するスロットヒータを備えることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ成膜装置。前記基板ホルダー及び前記カソード電極の少なくともいずれかがカーボンからなることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ成膜装置。前記カソード電極の表面粗さについて最大高さが6.3S以下であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ成膜装置。前記基板ホルダーの表面粗さにおける最大高さが25S以下であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ成膜装置。チャンバー内のすべての基板に、均一且つ高い成膜効率で膜を形成するために、電極内部からプロセスガスを供給するシャワー電極を用いる方法が採用されている。しかし、シャワー電極から均一にプロセスガスを噴き出させるためには、電極内部でプロセスガスが均一に分散されている必要がある。特に複数の電極に基板がそれぞれ搭載された場合には、均一分散のためにはシャワー電極を大型にする必要がある。その結果、プラズマ成膜装置が大型化するという問題があった。上記問題点に鑑み、本発明は、基板に均一な膜を効率よく形成可能で、且つ大型化が抑制されたプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、イ基板が搭載される搭載面を有する基板ホルダーが搬入されるチャンバーと、ロチャンバー内で上下方向に延伸して配置される搭載面と対向するように配置されたカソード電極と、ハチャンバー内の基板ホルダーとカソード電極間にプロセスガスを導入するガス供給装置と、ニ基板ホルダーとカソード電極間に交流電力を供給して、基板ホルダーとカソード電極間においてプロセスガスをプラズマ状態にする交流電源とを備え、プロセスガスに含まれる原料を主成分とする薄膜を基板上に形成するプラズマ成膜装置が提供される。本発明によれば、基板に均一な膜を効率よく形成可能で、且つ大型化が抑制されたプラズマ成膜装置を提供できる。次に、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。本発明の実施形態に係るプラズマ成膜装置10は、図1に示すように、基板1が搭載される搭載面110を有する基板ホルダー11が搬入されるチャンバー20と、チャンバー20内に配置されたカソード電極12と、チャンバー20内の基板ホルダー11とカソード電極12間にプロセスガス100を導入するガス供給装置13と、基板ホルダー11とカソード電極12間に交流電力を供給して、基板ホルダー11とカソード電極12間においてプロセスガス100をプラズマ状態にする交流電源14とを備える。チャンバー20内で上下方向に延伸して配置される搭載面110と対向するように、カソード電極12が配置されている。プラズマ成膜装置10によれば、プロセスガス100に含まれる原料を主成分とする薄膜が基板1上に形成される。プラズマ成膜装置10では、基板ホルダー11がアノード電極として使用されている。図1に示した例では、基板ホルダー11は接地されている。基板ホルダー11は、例えば搭載面110と垂直な断面が櫛形形状をなす構造を採用可能である。即ち、図2に示すような、搭載面110が主面にそれぞれ定義され、互いに離間し且つ平行に配置された複数の基板取り付け板111と、基板取り付け板111のそれぞれの底部を固定する固定板112とを有する基板ホルダー11を採用可能である。図2では基板取り付け板111が5枚である例を示したが、基板取り付け板111の枚数は5枚に限られない。このとき、図1に示すように、複数の基板取り付け板111が複数のカソード電極12と交互に、且つ最外側が基板取り付け板111であるように配列される。基板取り付け板111のカソード電極12に対向する面には、搭載面110がそれぞれ定義されている。プラズマ成膜装置10では、基板1が搭載された状態の基板ホルダー11がチャンバー20に搬入される。その後、ガス供給装置13からチャンバー20内に成膜用の原料ガスを含むプロセスガス100が導入される。プロセスガス100を導入後、排気装置15によってチャンバー20内の圧力が調整される。チャンバー20内のプロセスガス100の圧力が所定のガス圧に調整された後、交流電源14によって所定の交流電力がカソード電極12と基板ホルダー11間に供給される。これにより、チャンバー20内のプロセスガス100がプラズマ化される。形成されたプラズマに基板1を曝すことにより、原料ガスに含まれる原料を主成分とする所望の薄膜が基板1の露出した表面に形成される。なお、図示を省略した基板加熱ヒータによって、成膜処理中の基板1の温度を設定してもよい。成膜処理中の基板1の温度を所定の温度に設定することにより、成膜速度を速めたり、膜質を向上させたりすることができる。プラズマ成膜装置10において原料ガスを適宜選択することによって、所望の薄膜を形成できる。例えば、シリコン半導体薄膜、シリコン窒化薄膜、シリコン酸化薄膜、シリコン酸窒化薄膜、カーボン薄膜などを基板1上に形成することができる。具体的には、アンモニアNH3ガスとシランSiH4ガスの混合ガスを用いて、基板1上に窒化シリコンSiN膜が形成される。或いは、シランSiH4ガスとN2Oガスの混合ガスを用いて、基板1上に酸化シリコンSiOx膜が形成される。カソード電極12には、例えば図3に示すようにカソード電極12を厚さ方向に貫通する貫通孔120が形成されていることが好ましい。貫通孔120の開口部は、基板取り付け板111の搭載面110と対向するようにカソード電極12の表面に形成されている。図3には、基板ホルダー11の基板取り付け板111が3枚であり、カソード電極12が2枚である場合を例示した。表面に開口部が設けられたカソード電極12は、ホローカソード放電を発生させるホローカソード電極として機能する。ホローカソード放電では、カソード電極12の表面へのイオン入射によりカソード電極12から放出される電子が電界の無いカソード電極12内部に閉じ込められることで、高密度電子の空間が形成される。高電子密度領域に侵入したガス分子は電離と再結合を繰り返し、再結合時には高輝度の発光として観測される。高密度プラズマ中で生成された前駆体はラジカル種であり、電極電位に関係なく貫通孔120の外側へ拡散し、基板取り付け板111の搭載面110に配置された基板1の表面に薄膜を形成する。一方、内部からプロセスガス100が供給されるシャワー電極構造を採用し、且つ、表面に凹部401が形成された図4に示すカソード電極12Aでは、ホローカソード放電による高密度プラズマが生成される凹部401からプロセスガス100が均一に放出される。これにより、カソード電極12Aの全面でプラズマの均一性を得ることができる。しかしながら、図4に示したカソード電極12Aにおいて、多数の凹部401にプロセスガス100を均一に供給することは困難であり、ガス噴き出し口402の開口径や長さ、プロセスガス100の流量や圧力などに、種々の制約がある。更に、ガス噴き出し口402は直径が0.3mm~0.4mm程度の極微小径であるため、目詰まりを起こしやすい。目詰まりのためにプロセスガス100を導入できない場合には、目詰まりを起こした凹部401ではホローカソード放電が生じないため、カソード電極12Aの全面での放電の均一性が維持できない。これに対し、図3に示したカソード電極12では、カソード電極12を介さずにプロセスガス100が導入される。貫通孔120の直径はシャワー電極に必要な孔の直径よりもかなり大きいため、目詰まりの心配が無く、更に、メンテナンスも容易である。貫通孔120の直径は3.8mm~8.0mm程度であり、例えば5mmである。また、図3に示したカソード電極12の両面にそれぞれ励起されるプラズマは、貫通孔120によって連結する。このため、カソード電極12の両面におけるプラズマ濃度の濃淡の差は自然に補正され、カソード電極12の両面に密度が均一なプラズマ空間を生成できる。上記のように、カソード電極12に多数の貫通孔120を形成したマルチホローカソード構造を採用することによって、カソード電極12の両面に均一なマルチホロー放電を得ることができる。マルチホロー放電とは、各貫通孔120にそれぞれ生じたホローカソード放電が合わさってカソード電極12の表面に生じる放電である。これにより、カソード電極12の表面に均一な高密度プラズマを実現することができる。その結果、原料ガスが効率よく分解され、高速で大面積に均一に薄膜が基板1上に形成される。貫通孔120は、カソード電極12の表面に最密に配置することが好ましい。貫通孔120をできるだけ高い密度で配置することにより、カソード電極12の両面で均一な高電子密度電界を容易に形成することができる。図5に、貫通孔120の開口部が形成されたカソード電極12の表面の例を示す。なお、カソード電極12の貫通孔120の内面は2次電子放出率の良好な材料を採用し、表面処理をすることが好ましい。例えば、安価且つ加工が容易で、洗浄などのメンテナンスが容易なカーボン材などがカソード電極12の材料に好適である。例えばフッ酸処理によって、カーボン材のカソード電極12を洗浄できる。また、カーボン材を使用することにより、プラズマ処理工程における高温による変形が生じない。或いは、金属酸化膜が容易に形成されるアルミニウム合金なども、ホローカソード電極に適した材料である。他に、カーボン繊維入りカーボン、ステンレス合金、銅、銅合金、ガラス、セラミックスなどをカソード電極12に使用できる。または、上記の材料にアルマイト処理、めっき、溶射でコーティングを施してもよい。アノード電極として使用される基板ホルダー11についても、カーボン材が好適に用いられる。また、カーボン繊維入りカーボン、アルミニウム合金、ステンレス合金、銅、銅合金、ガラス、セラミックスなどを基板ホルダー11に使用できる。または、これらの材料にアルマイト処理、めっき、溶射でコーティングを施してもよい。チャンバー20内では、基板ホルダー11とカソード電極12間に、下方から上方に向かってプロセスガス100を導入することが好ましい。下方からプロセスガス100を導入することにより、比重の軽いプラズマ化したガス分子、ラジカル粒子は上方流としてカソード電極12の表面を自然に流れ上がる。したがって、シャワー電極のような複雑な構造を用いなくても、カソード電極12の表面に均一にプロセスガスが供給される。なお、カソード電極12の表面は、プロセスガス100がスムーズに流れるように、仕上げ記号が▽▽▽で表される程度に平坦であることが好ましい。つまり、最大高さRyが6.3S、十点平均粗さRzが6.3Z、算術平均粗さRaが1.6aよりも小さいことが好ましい。カソード電極12の表面粗さを小さくすることによって、基板1に形成される薄膜の成長速度を上げることができる。同様に、基板ホルダー11の表面も、仕上げ記号が▽▽で表される程度に平坦であることが好ましい。つまり、最大高さRyが25S、十点平均粗さRzが25Z、算術平均粗さRaが6.3aよりも小さいことが好ましい。下方から上方に向かってプロセスガス100を導入するために、図6に示したように、ガス供給装置13のプロセスガス100を噴き出すガス供給ノズル130は、カソード電極12の底面に沿ってカソード電極12の直下に配置されている。ガス供給ノズル130からカソード電極12の底部に向けてプロセスガス100を噴き出すことにより、カソード電極12の両面にほぼ均等にプロセスガス100を供給することができる。このとき、図2に示すように基板ホルダー11が固定板112を有する形状である場合は、図6に示すように、固定板112を上下方向に貫通するガス導入孔113が基板取り付け板111間で固定板112に形成される。ガス導入孔113を介してチャンバー20の下方から基板取り付け板111とカソード電極12間にプロセスガス100が導入される。なお、図6に示すように基板ホルダー11が支持台30によってチャンバー20内で支持されている場合には、支持台30のガス導入孔113の対応する位置に、支持台30を上下方向に貫通する導入孔31が形成される。ガス供給ノズル130が複数ある場合には、図7に示すようにカソード電極12の底面に沿ってガス供給ノズル130が配列される。カソード電極12を透過して基板取り付け板111を図示した図8のように、基板取り付け板111のカソード電極12に対向する面に搭載面110がそれぞれ定義されている。これにより、基板1はカソード電極12に対向して配置される。ガス供給ノズル130の噴き出し口の形状例を図9a~図9cに示す。図9aは、円筒形状のガス供給ノズル130の先端に直径に沿って溝を形成し、溝の中心部分に噴き出し口を配置した例である。図9bは、円筒形状のガス供給ノズル130の先端に凹部を設け、凹部の底面の中心部分に噴き出し口を配置した例である。図9cは、円筒形状のガス供給ノズル130の先端の中心部分に噴き出し口を配置した例である。プロセスガス100が複数の種類のガスを混合したガスである場合に、すべてのガスを混合したプロセスガス100をガス供給ノズル130から供給してもよいし、ガスの種類毎に異なるガス供給ノズル130からガスをそれぞれ供給してもよい。排気装置15の構成例を図10に示す。図10に示した排気装置15は、図示を省略したチャンバー20の上部に配置される。排気装置15は、基板ホルダー11及びカソード電極12の上方に配置された第1の排気調整板151と、第1の排気調整板151の外縁部の下方に位置するように配置された枠形状の第2の排気調整板152とを有する。基板ホルダー11及びカソード電極12の上方に流れ込んだプロセスガス100は、図10に示すように、第1の排気調整板151と第2の排気調整板152との隙間を通過して、第1の排気調整板151の外縁部からチャンバー20の外部に排出される。排気装置15は第1の排気調整板151と第2の排気調整板152との隙間の広さを制御することで、排気量を調整する。図11に排気装置15の他の構成例を示す。図11に示した排気装置15は、図示を省略したチャンバー20の上部に配置され、上下方向に貫通する多数の排気孔150を有する。プロセスガス100は、排気孔150を介してチャンバー20の外部に排気される。排気装置15は排気孔150の開口度を制御することで、排気量を調整する。本発明の実施形態に係るプラズマ成膜装置10によれば、基板ホルダー11をアノード電極として使用することにより、基板1の成膜面を垂直にしてチャンバー20内に基板1を配置できる。このため、複数のカソード電極12がチャンバー20内に配置される。したがって、成膜面を上下方向に向けた基板1を平板の基板プレートなどに搭載して成膜処理するプラズマ成膜装置に比べて、図1に示したプラズマ成膜装置10では数多くの基板1をチャンバー20内に同時に収納することが可能であり、処理能力を格段に向上することができる。更に、貫通孔120が形成されたカソード電極12を採用することにより、カソード電極12の両面において均一で高密度のプラズマを安定して生成することができる。このとき、交流電源14の供給する交流電力の周波数に関係なく、大面積で均一な高密度プラズマの生成が可能である。交流電源14が供給する交流電力の周波数を、例えば60Hz~27MHz程度に設定しても、均一で高密度のプラズマを生成できる。つまり、高価なVHF帯の交流電力を供給する交流電源を使用する必要がない。プラズマ成膜装置10では、例えば250KHzのような低周波RF帯であっても、VHF帯の交流電源を使用する従来のプラズマ成膜装置と同等以上の高密度プラズマを得ることができる。その結果、高速で均一に大面積の薄膜を基板1上に形成することができる。つまり、プラズマ成膜装置10によれば、形成される膜の膜厚、膜質の均一性が向上すると共に、成膜速度が向上する。また、プラズマ成膜装置10では、構造が複雑で、微細孔を形成する必要のあるシャワー電極を使用する必要がない。このため、シャワー電極のような頻繁なメンテナンスが不要である。更に、シャワー電極ではプロセスガス100を均一に分散させるために大型化する必要があるのに対し、プラズマ成膜装置10では大型化が不要である。したがって、プラズマ成膜装置10によれば、チャンバー20内のすべての基板に均一な膜を効率よく形成可能で、且つ大型化が抑制されたプラズマ成膜装置を提供できる。更に、数千個以上の微細孔加工が必要なシャワー電極を用いたプラズマ成膜装置と比較して、プラズマ成膜装置10の製造期間は短く、且つ製造歩留まりが向上する。このため、プラズマ成膜装置10の製造コストが抑制される。図12に、交流電源14が出力する交流電力を、パルスジェネレータ16を介して基板ホルダー11とカソード電極12間に供給する例を示す。図12に示した例では、パルスジェネレータ16の出力がカソード電極12に供給され、基板ホルダー11は接地されている。交流電力の供給を一定の周期で停止することにより、チャンバー20内においてプラズマが安定して形成される。これは、交流電力の供給に停止期間を設けることによって電子の温度が下がり、放電の安定性が向上するためである。ただし、オフ時間を長く設定しすぎるとパワー効率が低下するため、注意が必要である。例えば、交流電力を供給するオン時間を600μ秒、交流電力の供給を停止するオフ時間を50μ秒として、オン時間とオフ時間を交互に繰り返すように基板ホルダー11とカソード電極12間に交流電力が供給される。なお、オン時間は100μ秒~1000μ秒程度、オフ時間は10μ秒~100μ秒程度の範囲で設定されることが好ましい。上記のように基板ホルダー11とカソード電極12間への交流電力の供給をパルス制御して、交流電力の供給を周期的にオンオフさせることより、異常放電の発生を抑制できる。図13に、カソード電極12に装着された交流電源14とは別に、アノード電極である基板ホルダー11に交流電源17を装着した例を示す。アノード電極に交流電力を供給することによって、基板1に形成される薄膜の膜質を向上できる。交流電源17の供給する交流電力の周波数は、交流電源14の供給する交流電力の周波数と同等か、或いは低くともよい。例えば、交流電源17が供給する交流電力の周波数は60Hz~27MHz程度に設定される。なお、交流電源14からは交流電力を供給せず、交流電源17のみから交流電力を供給することにより、基板1のプラズマクリーニングを実施できる。例えば、スパッタ用のガスをチャンバー20内に導入し、交流電源17から交流電力を供給しながらのスパッタエッチングによって、基板1をクリーニングする。なお、図14に示すように、交流電源14の出力をパワースプリッタ18によって分割して、分割された交流電力をカソード電極12と基板ホルダー11にそれぞれ供給してもよい。これにより、図13に比べて交流電源の数を減らすことができる。基板ホルダー11に供給する電力はカソード電極12に供給する電力に比べて小さくてよい。例えば、カソード電極12に90~100の交流電力を供給し、基板ホルダー11に10~0の交流電力を供給する。図1に示したプラズマ成膜装置10は、例えばインライン式成膜装置の成膜室として使用可能である。図15に、取込/加熱室210、成膜室220、取出し室230の3室からなるインライン式成膜装置200の例を示す。インライン式成膜装置200では、基板1が搭載された基板ホルダー11が取込/加熱室210に取り込まれる。基板1が取込/加熱室210で所定の温度まで予備加熱された後、開閉式のゲート240Aを介して基板ホルダー11が取込/加熱室210から成膜室220に搬送される。成膜室220において基板1に薄膜が形成された後、開閉式のゲート240Bを介して基板ホルダー11は成膜室220から取出し室230に搬送される。その後、取出し室230から基板ホルダー11が取り出される。基板ホルダー11は、図示を省略した搬送装置によって、インライン式成膜装置200の各室間を搬送される。なお、図16に示すように、チャンバー20は円筒形状であることが好ましい。円筒形状とすることにより、チャンバー20は真空容器として十分な強度を有することができる。このため、チャンバー20の厚みを薄くしても、加熱時を含めて十分な強度を安価で簡単な構造で実現できる。図17に、取込/加熱室210の構成例を示す。取込/加熱室210は、基板ホルダー11の上下に配置されたヒータ211Aと、基板取り付け板111間に基板取り付け板111と平行に配置されたスロットヒータ211Bとを備える。基板ホルダー11は支持台212によって取込/加熱室210内で支持されている。なお、支持台212とスロットヒータ211Bとの間には防熱板213が配置されている。スロットヒータ211Bが基板ホルダー11及び搭載面110に搭載された基板1を加熱することにより、基板1と基板ホルダー11間に温度差が生じることを防止できる。例えば基板ホルダー11の温度をモニタしながら予備加熱する場合などに、基板1の温度を精度良く調整できる。ヒータ211A、スロットヒータ211Bには、ランプヒータ、セラミックスヒータ、シーズヒータ、或いは誘導加熱ヒータなどが採用可能である。上記では、3室からなるインライン式成膜装置200の例を示したが、図1に示したプラズマ成膜装置10を、図18に示すような2室からなるインライン式成膜装置200に適用してもよい。加熱室211と成膜室220の2室からなるインライン式成膜装置200では、加熱室211において基板ホルダー11の取り込みと取り出しが行われる。加熱室211に取り込まれた基板1が加熱室211で所定の温度まで予備加熱された後、開閉式のゲート241を介して基板ホルダー11が成膜室220に搬送される。成膜室220において基板1に薄膜が形成された後、ゲート241を介して基板ホルダー11は加熱室211に搬送される。その後、加熱室211から基板ホルダー11が取り出される。なお、図17に示した取込/加熱室210と同様に、図18に示した加熱室211においても、基板取り付け板111の間にスロットヒータ211Bを配置することが好ましい。上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば、基板ホルダー11が複数の基板取り付け板111と固定板112とで構成される例を示したが、基板ホルダー11の形状はこれに限られない。例えば、基板ホルダー11が単体の板であってもよい。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。