"少なくとも一方が半田バンプから成る基板および電子部品の電極端子同士を当接させて、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込みつつ、基板および電子部品の少なくとも一方に超音波振動を印加して電極端子同士を仮接合し、前記半田バンプをリフローすることで、前記基板と前記電子部品との電極端子を接合することを特徴とする電子部品の実装方法。前記基板と前記電子部品との間に、ほぼ基板および電子部品の加熱温度と等しい温度に加熱した不活性ガスを吹き込むことを特徴とする請求項1記載の電子部品の実装方法。基板を載置するステージと、該ステージに載置された基板上に電子部品を運搬し、基板および電子部品の電極端子同士を当接させる電子部品運搬手段と、前記ステージに載置された基板と該基板上に運搬された電子部品との間に不活性ガスを吹き込むブロワと、前記ステージに載置された基板、および基板上に運搬された電子部品の少なくとも一方に、超音波振動を印加する超音波振動印加手段とを備えることを特徴とする電子部品の実装装置。前記不活性ガスを加熱するガス加熱手段を備えることを特徴とする請求項3記載の電子部品の実装装置。前記ブロワの不活性ガスの吹き出し口は、前記超音波振動を印加中に、電子部品の周りの複数箇所から、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むよう、複数配設されていることを特徴とする請求項3または4記載の電子部品の実装装置。前記不活性ガスが拡散しないよう、前記基板および前記電子部品を囲う囲い壁を備えることを特徴とする請求項3~5のうちのいずれか一項記載の電子部品の実装装置。前記電子部品の、電極端子の形成面の反対面に当接するボンディングヘッドを備え、前記超音波振動印加手段は、前記ボンディングヘッドを超音波振動させることで、該ボンディングヘッドを介して電子部品に超音波振動を印加することを特徴とする請求項3~6のうちのいずれか一項記載の電子部品の実装装置。前記電子部品運搬手段は、前記ボンディングヘッドに電子部品を保持して、該ボンディングヘッドを駆動することで、該電子部品を前記基板上に運搬することを特徴とする請求項7記載の電子部品の実装装置。特許文献1~3に記載された技術には、以下のような課題がある。特許文献1には、半導体チップに超音波振動を印加することで、半田バンプをパッドに摩擦して、半田バンプの表面の半田酸化膜を除去するものと記載されている。しかしながら、本願発明者は、半導体チップに超音波振動を印加することで半田バンプをパッドに摩擦させると、半田バンプの酸化膜がかえって増加してしまうという課題を見出した。これは、超音波振動の摩擦によって半田バンプの新生面が露出した際に、すぐにその新生面が大気中の酸素によって酸化され、さらなる超音波振動によって露出した新生面がさらに酸化されるといった現象が、超音波振動を印加している間中に繰り返される現象フレッティング腐食により、半田バンプの酸化膜が急激に増加してしまうためと考えられる。また、特許文献2には、超音波振動の印加を含む接合工程を、不活性ガス雰囲気中で行うことが記載されている。従来、不活性ガス雰囲気を構成するためには、フリップチップ接合を行う実装装置ボンダ全体を、チャンバ内に設けて、チャンバ内に不活性ガスを充満させるといった設備および工程が必要となり、設備コストや工数の大幅な増加が避けられないという課題がある。また、特許文献3に記載の技術では、図5aに示すように基板12のパッド電極14上にフラックスフィル30を塗布した状態で、図5bのように半田バンプ20をパッド14に当接させるから、パッド14と半田バンプ20との間にフラックスフィル30の剤液が残留して、パッド14と半田バンプ20との接合性に悪影響を与える恐れがあるという課題がある。なお、パッド14は、製造工程上の都合により、図6に示すように、中央部が凹状に形成されることがある。特にパッド14の中央部が凹状に形成されている場合、特許文献3記載の技術では、凹状の部分にフラックスフィル30が溜まって、パッド14と半田バンプ20との接合性が悪くなる恐れがある。本願発明は、上記課題を解決すべく成され、その目的とするところは、半田バンプのリフローに先立って電極端子同士の仮接合のために超音波振動を印加した際に、半田バンプの酸化膜を増大させることなく、なおかつ、設備コストや工数の増加を小さく抑えることができ、さらに、フラックスフィルの影響でパッドと半田バンプとの接合性が悪くなる恐れのない、電子部品の実装方法および実装装置を提供することにある。本発明に係る電子部品の実装方法は、少なくとも一方が半田バンプから成る基板および電子部品の電極端子同士を当接させて、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込みつつ、基板および電子部品の少なくとも一方に超音波振動を印加して電極端子同士を仮接合し、前記半田バンプをリフローすることで、前記基板と前記電子部品との電極端子を接合することを特徴とする。これによれば、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むことによって、電極端子部分に局所的な不活性ガス雰囲気を作るため、チャンバ等の大掛かりな設備や大きな工程の追加が不要であり、不活性ガス雰囲気を作るための設備コストや工数を小さく抑えることができる。また、従来技術特許文献3のようにフラックスフィルの影響でパッドと半田バンプとの接合性が悪くなることがない。さらに、前記基板と前記電子部品との間に、ほぼ基板および電子部品の加熱温度と等しい温度に加熱した不活性ガスを吹き込むことを特徴とする。これによれば、基板と電子部品との熱膨張量を一定に保つことができる。また、前記電子部品の周りの複数箇所から、前記基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むことを特徴とする。また、前記不活性ガスが拡散しないよう、前記基板および前記電子部品を囲い壁で囲うことを特徴とする。これによれば、基板と電子部品との間の不活性ガスの濃度を高くすることができる。また、前記基板および前記電子部品の一方の電極端子は半田バンプであり、他方の電極端子は半田から成る表層を有するパッドであることを特徴とする。これによれば、超音波振動を印加した際に、ともに柔らかい半田同士が摩擦されるため、摩擦力が低下して、前記フレッティング腐食の発生量を抑えることができる。また、本発明に係る電子部品の実装装置は、上記課題を解決するために以下の構成を備える。すなわち、基板を載置するステージと、該ステージに載置された基板上に電子部品を運搬し、基板および電子部品の電極端子同士を当接させる電子部品運搬手段と、前記ステージに載置された基板と該基板上に運搬された電子部品との間に不活性ガスを吹き込むブロワと、前記ステージに載置された基板、および基板上に運搬された電子部品の少なくとも一方に、超音波振動を印加する超音波振動印加手段とを備えることを特徴とする。これによれば、ブロワで基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むことによって、電極端子部分に局所的な不活性ガス雰囲気を作るため、チャンバ等の大掛かりな設備や大きな工程の追加が不要であり、不活性ガス雰囲気を作るための設備コストや工数を小さく抑えることができる。また、従来技術特許文献3のようにフラックスフィルの影響でパッドと半田バンプとの接合性が悪くなることがない。さらに、前記不活性ガスを加熱するガス加熱手段を備えることを特徴とする。これによれば、ガス加熱手段で不活性ガスの温度をほぼ基板および電子部品の加熱温度と等しくすることができ、基板と電子部品との熱膨張量を一定に保つことができる。また、前記ブロワの不活性ガスの吹き出し口は、前記超音波振動を印加中に、電子部品の周りの複数箇所から、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むよう、複数配設されていることを特徴とする。また、前記不活性ガスが拡散しないよう、前記基板および前記電子部品を囲う囲い壁を備えることを特徴とする。これによれば、基板と電子部品との間の不活性ガスの濃度を高くすることができる。また、前記電子部品の、電極端子の形成面の反対面に当接するボンディングヘッドを備え、前記超音波振動印加手段は、前記ボンディングヘッドを超音波振動させることで、該ボンディングヘッドを介して電子部品に超音波振動を印加することを特徴とする。これによれば、超音波振動印加手段を簡単な構成とすることができる。さらに、前記電子部品運搬手段は、前記ボンディングヘッドに電子部品を保持して、該ボンディングヘッドを駆動することで、該電子部品を前記基板上に運搬することを特徴とする。これによれば、共通のボンディングヘッドで、電子部品運搬手段や超音波振動印加手段を構成でき、装置の構成を簡単にすることができる。本発明に係る電子部品の実装方法および実装装置によれば、半田バンプのリフローに先立って電極端子同士の仮接合のために超音波振動を印加した際に、半田バンプの酸化膜を増大させることなく、なおかつ、設備コストや工数の増加を小さく抑えることができ、さらに、フラックスフィルの影響でパッドと半田バンプとの接合性が悪くなる恐れがない。以下、本発明に係る電子部品の実装方法および実装装置を実施するための最良の形態を、添付図面に基づいて説明する。なお、図4,図5に示したものと同一の部材については、以下、同一の符号を付して説明を省略することがある。図1は、電子部品の実装装置の第一の実施の形態としての、半導体チップの実装装置Aの構成を示す説明図である。図1に示すように、半導体チップの実装装置Aは、基板12を載置するステージ40と、半導体チップ10を下面に吸着保持可能なボンディングヘッド42とを備える。また、半導体チップの実装装置Aは、さらに、電子部品運搬手段48、超音波振動印加手段50、ブロワ56、および囲い壁62を備える。以下、これらについて説明する。電子部品運搬手段48ボンディングヘッド42、駆動装置44、および吸引装置46により、電子部品運搬手段48が構成される。ボンディングヘッド42は、その下面に形成された吸引穴から、吸引装置46により空気を吸引することで、半導体チップ10の、半田バンプ20の形成面の反対面を下面に吸着して、半導体チップ10を保持することができる。また、ボンディングヘッド42は、駆動装置44に連繋されて、水平面内および鉛直方向に移動駆動可能に設けられる。駆動装置44および吸引装置46は、図示しないトレイ上に載置された半導体チップ10をボンディングヘッド42に吸引保持し、保持された半導体チップ10をステージ40に載置された基板12上に運搬し、基板12および半導体チップ10の電極端子パッド14および半田バンプ20同士を当接させるよう、制御部43コンピュータに駆動制御される。超音波振動印加手段50超音波振動印加手段50は、ボンディングヘッド42を超音波振動させることで、ボンディングヘッド42を介して半導体チップ10に超音波振動を印加する。超音波振動印加手段50は、ボンディングヘッド42の側面に一端が当接するよう設けられた超音波ホーンと、超音波ホーンの他端に当接して設けられた超音波振動子と、超音波振動子に電流を印加して超音波振動させる振動制御部とを有する。振動制御部は、制御部43に連繋され、制御部43により超音波振動を印加するタイミング等を制御される。なお、本発明において、超音波振動印加手段は、必ずしも電子部品半導体チップに超音波振動を印加するものに限定されず、基板に超音波振動を印加する構成や、基板と電子部品との両方に超音波振動を印加する構成としてもよい。ブロワ56ブロワ56は、ノズル56aを介して、ステージ40に載置された基板12と基板12上に運搬された半導体チップ10との間に不活性ガスとしての窒素ガスを吹き込む。ブロワ56は、窒素ガスタンク58から窒素ガスを吸い込んで、ノズル56aから窒素ガスを吹き出す。ブロワ56のノズル56aの吹き出し口先端は、半導体チップ10の外縁の外周側から、半導体チップ10に向かうよう設けられる。なお、図1ではノズル56aは一本のみ設けているが、半導体チップ10の周りの複数箇所から、窒素ガスを吹き込むよう、ノズル56a吹き出し口を複数設けてもよい。ブロワ56の窒素ガスの吹き出しおよびその停止等の制御は、制御部43により行われる。なお、本発明において、不活性ガスは必ずしも窒素ガスに限定されるものではなく、例えばアルゴンガス等を採用してもよい。また、半導体チップの実装装置Aにはさらに、ブロワ56から吹き出す窒素ガスを加熱する加熱手段60が設けられている。囲い壁62また、半導体チップの実装装置Aにはさらに、ブロワ56のノズル56aから吹き出した窒素ガスが拡散しないよう、基板12および半導体チップ10の外周を囲う、筒状の囲い壁62を備える。なお、図1において囲い壁62は軸線に平行な断面を示している。囲い壁62には、ノズル56aを避ける切り欠き部または開口部が設けられる。囲い壁62は、例えば、ステージ40に固定して設けてもよいし、または、ボンディングヘッド42の下面に設けてもよい。次に、電子部品の実装方法の第一の実施の形態としての、図1の半導体チップの実装装置Aを用いた半導体チップの実装方法を説明する。図2は、基板12に電子部品としての半導体チップ10を実装する方法を示す説明図であり、半導体チップ10の電極端子としての半田バンプ20と、基板12に形成されている電極端子としてのパッド14との接合部分を拡大して示している。まず、制御部43が駆動装置44を駆動制御して、ボンディングヘッド42を図示しないトレイ上に載置された半導体チップ10の上方に移動させる。続いて、制御部43は、吸引装置46を制御して半導体チップ10をボンディングヘッド42の下面に吸引保持させる。さらに、制御部43は駆動装置44を駆動制御して、ボンディングヘッド42に保持された半導体チップ10をステージ40に載置された基板12上に運搬し、図2aに示すように、基板12および半導体チップ10の電極端子パッド14および半田バンプ20同士を当接させる。このとき、図1に示すように、ステージ40またはボンディングヘッド42に取り付けられた囲い壁62により、基板12および半導体チップ10の外周が囲われる。続いて、制御部43はブロワ56を制御して、基板12と半導体チップ10との間に窒素ガスを吹き込む。この際、基板12と半導体チップ10との間の窒素ガスの温度が、ほぼ基板12および半導体チップ10の加熱温度通常約100°Cと等しい温度となるよう、窒素ガスを加熱手段60により加熱する。続いて、制御部43は、ブロワ56により基板12と半導体チップ10との間に窒素ガスを吹き込んでいる状態で、超音波振動印加手段50を駆動制御して、ボンディングヘッド42を介して半導体チップ10に超音波振動を印加して、半田バンプ20とパッド14とを仮接合する。制御部43は、この超音波振動の印加の停止後、ブロワ56による窒素ガスの吹き出しを停止するよう制御する。この仮接合により、後述するリフロー工程で半田バンプ20とパッド14とを本接合するまでの間に、パッド14と半田バンプ20と基板12と半導体チップ10とが位置ずれしてしまうことを防ぐことができる。続いて、図2bに示すように、基板12と半導体チップ10との隙間部分にアンダーフィル樹脂22を充填する。続いて、制御部43は、駆動装置44を駆動制御して、ボンディングヘッド42を図示しない別のトレイの上方に移動させ、吸引装置46を制御して吸引を止め、半導体チップ10をそのトレイ上に載置する。その後、そのトレイをリフロー炉内に搬送し、リフロー炉によって半田バンプ20をリフローして、図2cに示すように、基板12のパッド14に半田バンプ20を接合する。本第一の実施の形態に係る半導体チップの実装装置Aおよび半導体チップの実装方法によれば、ブロワ56で基板12と半導体チップ10との間に窒素ガスを吹き込むことによって、電極端子部分に局所的な窒素ガス雰囲気を作るため、従来技術のようなチャンバ等の大掛かりな設備や大きな工程の追加が不要であり、不活性ガス雰囲気を作るための設備コストや工数を小さく抑えることができる。また、従来技術特許文献3のようにフラックスフィルの影響でパッドと半田バンプとの接合性が悪くなることがない。また、吹き込む窒素ガスの温度が、基板12および半導体チップ10の加熱温度とほぼ等しい温度に設定されているから、基板12と半導体チップ10との熱膨張量を一定に保つことができ、両者の熱膨張率の違いから生じる電極端子の接合破断等の問題が生じることがない。また、囲い壁62により、窒素ガスが拡散せず、基板12と半導体チップ10との間の窒素ガスの濃度を高くすることができる。なお、囲い壁62は必ずしも設けなくともよい。さらに、半導体チップ10の周りの複数箇所から窒素ガスを吹き込むよう、半導体チップ10の周りの複数箇所にノズル56a吹き出し口を設ける構成を採用すれば、基板12と半導体チップ10との間の窒素ガスの濃度をより高くすることができる。また、本第一の実施の形態において、パッド14を、図3に示すように、例えば金等からなる基部14aと、半田から成る表層14bとから構成するとより好適である。これによれば、超音波振動を印加した際に、パッド14の表層14bと半田バンプ20との、ともに柔らかい半田同士が摩擦されるため、摩擦力が低下して、フレッティング腐食の発生量を抑えることができる。付記1少なくとも一方が半田バンプから成る基板および電子部品の電極端子同士を当接させて、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込みつつ、基板および電子部品の少なくとも一方に超音波振動を印加して電極端子同士を仮接合し、前記半田バンプをリフローすることで、前記基板と前記電子部品との電極端子を接合することを特徴とする電子部品の実装方法。付記2前記基板と前記電子部品との間に、ほぼ基板および電子部品の加熱温度と等しい温度に加熱した不活性ガスを吹き込むことを特徴とする付記1記載の電子部品の実装方法。付記3前記電子部品の周りの複数箇所から、前記基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むことを特徴とする付記1または2記載の電子部品の実装方法。付記4前記不活性ガスが拡散しないよう、前記基板および前記電子部品を囲い壁で囲うことを特徴とする付記1~3のうちのいずれか一項記載の電子部品の実装方法。付記5前記基板および前記電子部品の一方の電極端子は半田バンプであり、他方の電極端子は半田から成る表層を有するパッドであることを特徴とする付記1~4のうちのいずれか一項記載の電子部品の実装方法。付記6基板を載置するステージと、該ステージに載置された基板上に電子部品を運搬し、基板および電子部品の電極端子同士を当接させる電子部品運搬手段と、前記ステージに載置された基板と該基板上に運搬された電子部品との間に不活性ガスを吹き込むブロワと、前記ステージに載置された基板、および基板上に運搬された電子部品の少なくとも一方に、超音波振動を印加する超音波振動印加手段とを備えることを特徴とする電子部品の実装装置。付記7前記不活性ガスを加熱するガス加熱手段を備えることを特徴とする付記6記載の電子部品の実装装置。付記8前記ブロワの不活性ガスの吹き出し口は、前記超音波振動を印加中に、電子部品の周りの複数箇所から、基板と電子部品との間に不活性ガスを吹き込むよう、複数配設されていることを特徴とする付記6または7記載の電子部品の実装装置。付記9前記不活性ガスが拡散しないよう、前記基板および前記電子部品を囲う囲い壁を備えることを特徴とする付記6~8のうちのいずれか一項記載の電子部品の実装装置。付記10前記電子部品の、電極端子の形成面の反対面に当接するボンディングヘッドを備え、前記超音波振動印加手段は、前記ボンディングヘッドを超音波振動させることで、該ボンディングヘッドを介して電子部品に超音波振動を印加することを特徴とする付記6~9のうちのいずれか一項記載の電子部品の実装装置。付記11前記電子部品運搬手段は、前記ボンディングヘッドに電子部品を保持して、該ボンディングヘッドを駆動することで、該電子部品を前記基板上に運搬することを特徴とする付記10記載の電子部品の実装装置。"