"被検光学系の波面収差を計測する波面収差計測装置において、第1回折格子パターンを有し、前記被検光学系の物体面に配置される第1回折部材と、第2回折格子パターンを有し、前記被検光学系の像面に配置される第2回折部材と、前記第1回折格子パターン、前記被検光学系、および前記第2回折格子パターンを経た光に基づいて、前記被検光学系の波面収差を計測する計測部とを備え、前記被検光学系の倍率をβとするとき、前記第1回折格子パターンのパターン周期が前記第2回折格子パターンのパターン周期の3β倍であることを特徴とする波面収差計測装置。前記第1回折格子パターンは、3次回折光を互いに強め合う2種類のパターンの組み合わせにより構成されていることを特徴とする請求項1に記載の波面収差計測装置。前記2種類のパターンは、線幅又はピッチが互いに異なることを特徴とする請求項2に記載の波面収差計測装置。前記第1回折格子パターンは、1次回折光の回折効率よりも3次回折光の回折効率の方が高いパターン構造を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の波面収差計測装置。前記第1回折格子パターンおよび前記第2回折格子パターンは、二次元構造を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の波面収差計測装置。前記第1回折格子パターンは、互いに直交する二方向に沿って間隔を隔てて配置された帯状の光透過部または遮光部を有することを特徴とする請求項5に記載の波面収差計測装置。前記第1回折格子パターンは、二次元的に配置された菱形状または三角形状の光透過部または遮光部を有することを特徴とする請求項5に記載の波面収差計測装置。被検光学系の波面収差を計測する波面収差計測方法において、前記被検光学系の物体面に第1回折格子パターンを配置することと、前記被検光学系の倍率をβとするとき、前記第1回折格子パターンのパターン周期の1/3β倍のパターン周期を有する第2回折格子パターンを、前記被検光学系の像面に配置することと、前記第1回折格子パターン、前記被検光学系、および前記第2回折格子パターンを経た光に基づいて、前記被検光学系の波面収差を計測することとを含むことを特徴とする波面収差計測方法。前記第1回折格子パターンとして、3次回折光を互いに強め合う2種類のパターンの組み合わせにより構成された回折格子パターンを用いることを特徴とする請求項8に記載の波面収差計測方法。前記第1回折格子パターンとして、1次回折光の回折効率よりも3次回折光の回折効率の方が高いパターン構造を有する回折格子パターンを用いることを特徴とする請求項8または9に記載の波面収差計測方法。前記第1回折格子パターンおよび前記第2回折格子パターンとして、二次元構造を有する回折格子パターンを用いることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の波面収差計測方法。前記第1回折格子パターンとして、互いに直交する二方向に沿って間隔を隔てて配置された帯状の光透過部または遮光部を有する回折格子パターンを用いることを特徴とする請求項11に記載の波面収差計測方法。前記第1回折格子パターンとして、二次元的に配置された菱形状または三角形状の光透過部または遮光部を有する回折格子パターンを用いることを特徴とする請求項11に記載の波面収差計測方法。請求項1乃至7のいずれか1項に記載の波面収差計測装置を備え、前記被検光学系の物体面に設置された所定のパターンを、前記被検光学系の像面に設置された感光性基板に露光することを特徴とする露光装置。請求項8乃至13のいずれか1項に記載の波面収差計測方法により得られた波面収差情報を用いて前記被検光学系を調整し、前記被検光学系の物体面に設置された所定のパターンを、前記被検光学系の像面に設置された感光性基板に露光することを特徴とする露光方法。請求項14に記載の露光装置または請求項15に記載の露光方法を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光することと、前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成することと、前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。従来のシアリング干渉計方式の波面収差計測装置では、被検光学系の倍率をβとした場合に、物体側回折格子のパターン周期P1を、像側回折格子のパターン周期P2の1/2β倍にすることにより、像側回折格子を経て干渉する回折光をコントロールしている。その結果、計測光による干渉縞に対してノイズ光による干渉縞の発生が比較的大きくなり、ひいては被検光学系の波面収差を高精度に計測することが困難である。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、ノイズ光による干渉縞の影響を抑えて被検光学系の波面収差を高精度に計測することのできる波面収差計測装置を提供することを目的とする。また、本発明は、被検光学系の波面収差を高精度に計測する波面収差計測装置を用いて波面収差の調整された投影光学系を介して、パターンを感光性基板に正確に転写することのできる露光装置を提供することを目的とする。前記課題を解決するために、第1形態では、被検光学系の波面収差を計測する波面収差計測装置において、第1回折格子パターンを有し、前記被検光学系の物体面に配置される第1回折部材と、第2回折格子パターンを有し、前記被検光学系の像面に配置される第2回折部材と、前記第1回折格子パターン、前記被検光学系、および前記第2回折格子パターンを経た光に基づいて、前記被検光学系の波面収差を計測する計測部とを備え、前記被検光学系の倍率をβとするとき、前記第1回折格子パターンのパターン周期が前記第2回折格子パターンのパターン周期の3β倍であることを特徴とする波面収差計測装置を提供する。第2形態では、被検光学系の波面収差を計測する波面収差計測方法において、前記被検光学系の物体面に第1回折格子パターンを配置することと、前記被検光学系の倍率をβとするとき、前記第1回折格子パターンのパターン周期の1/3β倍のパターン周期を有する第2回折格子パターンを、前記被検光学系の像面に配置することと、前記第1回折格子パターン、前記被検光学系、および前記第2回折格子パターンを経た光に基づいて、前記被検光学系の波面収差を計測することとを含むことを特徴とする波面収差計測方法を提供する。第3形態では、第1形態の波面収差計測装置を備え、前記被検光学系の物体面に設置された所定のパターンを、前記被検光学系の像面に設置された感光性基板に露光することを特徴とする露光装置を提供する。第4形態では、第2形態の波面収差計測方法により得られた波面収差情報を用いて前記被検光学系を調整し、前記被検光学系の物体面に設置された所定のパターンを、前記被検光学系の像面に設置された感光性基板に露光することを特徴とする露光方法を提供する。第5形態では、第3形態の露光装置または第4形態の露光方法を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光することと、前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成することと、前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。実施形態にかかる波面収差計測装置では、ノイズ光による干渉縞の影響を抑えて、被検光学系の波面収差を高精度に計測することができる。実施形態にかかる露光装置では、被検光学系の波面収差を高精度に計測する波面収差計測装置を用いて波面収差の調整された投影光学系を介して、パターンを感光性基板に正確に転写することができる。以下、実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図1は、実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図1では、X軸およびY軸が感光性基板としてのウェハWの転写面露光面に対して平行な方向に設定され、Z軸がウェハWに対して直交する方向に設定されている。さらに具体的には、XY平面が水平面に平行に設定され、Z軸が鉛直方向に沿って上向きに設定されている。図1を参照すると、本実施形態の露光装置には、光源LSから露光光照明光ELが供給される。光源LSとして、例えば193nmの波長の光を供給するArFエキシマレーザ光源を用いることができる。本実施形態の露光装置は、オプティカルインテグレータホモジナイザー、視野絞り、コンデンサレンズ等から構成される照明光学系ILを備えている。光源LSから射出された紫外パルス光からなる露光光ELは、照明光学系ILを通過し、マスクレチクルMを照明する。マスクMには転写すべきパターンが形成されており、X方向に沿って長辺を有し且つY方向に沿って短辺を有する矩形形状のパターン領域が照明される。マスクMを通過した光は、投影光学系PLを介して、フォトレジストが塗布されたウェハ感光性基板W上の露光領域ショット領域に所定の投影倍率でマスクパターンを形成する。すなわち、マスクM上での矩形形状の照明領域に光学的に対応するように、ウェハW上ではX方向に沿って長辺を有し且つY方向に沿って短辺を有する矩形形状の露光領域または静止露光領域にパターン像が形成される。マスクMは、マスクステージMS上においてXY平面に平行に保持されている。マスクステージMSには、マスクMをX方向、Y方向および回転方向に移動させる機構が組み込まれている。マスクステージMSは、マスクレーザ干渉計不図示によってX方向、Y方向および回転方向の位置がリアルタイムに計測され、且つ制御される。ウェハWは、ウェハホルダ不図示を介してウェハステージWS上においてXY平面に平行に固定されている。具体的に、ウェハステージWSは、ウェハWをZ方向に移動させるZステージ不図示と、Zステージを保持してXY平面に沿って移動するXYステージ不図示とを有する。Zステージは、ウェハWのフォーカス位置Z方向の位置および傾斜角を制御する。Zステージは、ウェハレーザ干渉計不図示によってX方向、Y方向および回転方向の位置がリアルタイムに計測され、且つ制御される。XYステージは、ウェハWのX方向、Y方向および回転方向を制御する。本実施形態の露光装置に設けられた主制御系CRは、マスクレーザ干渉計により計測された計測値に基づいてマスクMのX方向、Y方向および回転方向の位置の調整を行う。即ち、主制御系CRは、マスクステージMSに組み込まれている機構に制御信号を送信し、マスクステージMSを移動させることによりマスクMの位置調整を行う。また、主制御系CRは、オートフォーカス方式およびオートレベリング方式によりウェハW上の表面を投影光学系PLの像面に合わせ込むため、ウェハWのフォーカス位置Z方向の位置および傾斜角の調整を行う。即ち、主制御系CRは、駆動系DRに制御信号を送信し、駆動系DRによりZステージを駆動することによりウェハWのフォーカス位置および傾斜角の調整を行う。更に、主制御系CRは、ウェハレーザ干渉計により計測された計測値に基づいてウェハWのX方向、Y方向および回転方向の位置の調整を行う。即ち、主制御系CRは、駆動系DRに制御信号を送信し、駆動系DRによりXYステージを駆動することによりウェハWのX方向、Y方向および回転方向の位置調整を行う。露光時には、マスクMのパターン像が、ウェハW上の所定のショット領域内に一括的に投影露光される。その後、主制御系CRは、駆動系DRに制御信号を送信し、駆動系DRによりウェハステージWSのXYステージをXY平面に沿って駆動することによりウェハW上の別のショット領域を露光位置にステップ移動させる。このように、ステップアンドリピート方式により、マスクMのパターン像をウェハW上に一括露光する動作を繰り返す。あるいは、主制御系CRは、マスクステージMSに組み込まれている機構に制御信号を送信すると共に、駆動系DRに制御信号を送信し、投影光学系PLの投影倍率に応じた速度比でマスクステージMSおよびウェハステージWSのXYステージを駆動しつつ、マスクMのパターン像をウェハW上の所定のショット領域内に走査露光する。その後、主制御系CRは、駆動系DRに制御信号を送信し、駆動系DRによりウェハステージWSのXYステージをXY平面に沿って駆動することによりウェハW上の別のショット領域を露光位置にステップ移動させる。このように、ステップアンドスキャン方式によりマスクMのパターン像をウェハW上に走査露光する動作を繰り返す。すなわち、駆動系DRおよびウェハレーザ干渉計などを用いてマスクMおよびウェハWの位置制御を行いながら、矩形状の静止露光領域および照明領域の短辺方向すなわちY方向に沿ってマスクステージMSとウェハステージWSとを、ひいてはマスクMとウェハWとを同期的に移動走査させることにより、ウェハW上には静止露光領域の長辺に等しい幅を有し且つウェハWの走査量移動量に応じた長さを有する領域に対してマスクパターンが走査露光される。ウェハステージWSには、投影光学系PLの波面収差を計測するための波面収差計測装置1が装着されている。波面収差計測装置1は、図2に示すように、被検光学系である投影光学系PLの波面収差の計測に際してマスクステージMS上に配置されるテストマスクTMを備えている。テストマスクTMには、例えば図3に部分的に示すように、パターン周期ピッチがP1の回折格子パターン21が設けられている。回折格子パターン21は、ピッチ方向図3中水平方向:計測方向に沿って交互に配置された複数の帯状の光透過部21aと遮光部21bとを有する。ピッチ方向に沿った光透過部21aの幅と遮光部21bとは互いに等しく、それぞれP1/2である。物体側回折部材としてのテストマスクTMは、例えば石英または蛍石により形成された光透過性の基板に、クロムのような遮光性材料からなる帯状の遮光部21bを設けることにより形成されている。テストマスクTMは、露光用のマスクMと同様に、投影光学系PLの物体面またはその近傍に配置される。以下、パターンを示す図において、黒塗りの部分は遮光部を示し、白抜きの部分は光透過部を示している。また、波面収差計測装置1は、投影光学系PLの波面収差の計測に際して投影光学系PLの像面またはその近傍に配置される回折部材MDを備えている。回折部材MDには、回折格子パターン2121a,21bと相似なパターン形態を有する回折格子パターン2222a,22bと、回折格子パターン22を包囲する遮光領域40とが設けられている。すなわち、回折部材MDには、例えば図4に部分的に示すように、パターン周期ピッチがP2の回折格子パターン22が設けられている。回折格子パターン22は、ピッチ方向図4中水平方向:計測方向に沿って交互に配置された複数の帯状の光透過部22aと遮光部22bとを有する。ピッチ方向に沿った光透過部22aの幅と遮光部22bとは互いに等しく、それぞれP2/2である。像側回折部材としての回折部材MDは、テストマスクTMと同様に、例えば石英または蛍石により形成された光透過性の基板に、クロムのような遮光性材料からなる帯状の遮光部22bおよび遮光領域40を設けることにより形成されている。さらに、波面収差計測装置1は、回折部材MDを経た光を検出する光検出器11と、光検出器11の出力信号が供給される計測部12とを備えている。光検出器11は、例えばCCD型またはCMOS型の二次元撮像素子を有し、回折部材MDを経て形成された干渉縞を検出する。計測部12は、光検出部11が検出した干渉光干渉縞に基づいて、投影光学系PLの波面収差を計測する。計測部12の出力、すなわち波面収差計測装置1の計測結果は、主制御系CRへ供給される。主制御系CRは、投影光学系PLの波面収差の計測に際して、ウェハステージWSを駆動し、波面収差計測装置1を投影光学系PLに対して位置決めする。具体的には、主制御系CRは、投影光学系PLの直下の所要位置に回折部材MDの回折格子パターン22が位置するように、波面収差計測装置1を位置決めする。また、主制御系CRは、マスクステージMS上の露光用のマスクMをテストマスクTMと交換し、照明光学系ILが投影光学系PLの物体面上に形成する照明領域に対してテストマスクTMに設けられた回折格子パターン21を位置決めする。図2は、一例として、回折部材MDの回折格子パターン22が、投影光学系PLの光軸AX上に位置決めされた状態を示している。このとき、テストマスクTMおよび回折部材MDは、回折格子パターン21および22のピッチ方向とX方向またはY方向とが一致するように位置決めされる。この状態において、照明光学系ILからの照明光ELが、テストマスクTMの回折格子パターン21を経て回折され、投影光学系PLを介して、回折部材MDの回折格子パターン22に入射する。回折格子パターン22を経て発生した回折光は、光検出部11の受光面11aにシアリング干渉の干渉縞フーリエ像を形成する。光検出部11の受光面11aに形成された干渉縞の強度分布の情報は、計測部12に供給される。計測部12は、その強度分布をフーリエ変換することにより、シアリング波面の位相分布フーリエ像の縞の歪みを求め、その位相分布から投影光学系PLの波面収差を求める。あるいは、テストマスクTMの回折格子パターン21または回折部材MDの回折格子パターン22を光軸に垂直な方向にステップするフリンジスキャンを行い、複数枚得た干渉縞の強度分布の情報から、シアリング波面の位相分布を求め、その位相分布から投影光学系PLの波面収差を求めてもよい。また、必要に応じて、ウェハステージWSの作用により回折部材MDをX方向またはY方向に沿ってステップ移動させつつ、投影光学系PLの有効結像領域内のX方向またはY方向に沿った複数の点に関する波面収差を順次計測する。さらに、必要に応じて、テストマスクTMおよび回折部材MDをZ軸廻りに90度回転させた後、回折部材MDをY方向またはX方向に沿ってステップ移動させつつ、投影光学系PLの有効結像領域内のY方向またはX方向に沿った複数の点に関する波面収差を順次計測する。前述したように、従来のシアリング干渉計方式の波面収差計測装置では、被検光学系の倍率をβとした場合に、物体側の回折格子のパターン周期P1を、像側の回折格子のパターン周期P2の1/2β倍に設定することにより、すなわちP1=P2/2βに設定することにより、像側の回折格子を経て干渉する回折光をコントロールしている。この場合、物体側回折格子により決まる可干渉性γと、像側回折格子によるn次回折光の回折効率anおよびm次回折光の回折効率amとの組み合わせにより、干渉縞を形成する信号がコントロールされる。従来技術では、P1=P2/2βの関係を満たすように設定しているため、2次離れた回折光成分同士のみが干渉する。具体的には、1次光と1次光との干渉縞、1次光と3次光との干渉縞、-1次光と-3次光との干渉縞、3次光と5次光との干渉縞、-3次光と-5次光との干渉縞のように、2次離れた回折光同士の干渉縞が形成される。被検光学系の収差を計測するのに必要な信号は、±1次光計測光による干渉縞である。それ以外の干渉縞、すなわち1次光と3次光との干渉縞、-1次光と-3次光との干渉縞、3次光と5次光との干渉縞、-3次光と-5次光との干渉縞のような高次光による干渉縞はノイズである。像側回折格子による回折光においてN次離れた光の可干渉性をγNで表すと、2次離れた次数の回折光による可干渉性は全てγ2で同じである。その結果、計測光である±1次光による干渉縞に対して、ノイズ光である高次光による干渉縞の発生が比較的大きくなり、ひいては被検光学系の波面収差を高精度に計測することが困難である。本実施形態では、投影光学系PLの倍率をβとするとき、テストマスクTMの回折格子パターン21のパターン周期ピッチP1および回折部材MDの回折格子パターン22のパターン周期P2が、次の式1に示す関係を満たしている。すなわち、回折格子パターン21のパターン周期P1例えば数μm程度が回折格子パターン22のパターン周期P2の3β倍になるように設定されている。P1=P2×3β1この場合、回折部材MDを経て形成されるシアリング干渉縞は、0次光と1次光との干渉縞、0次光と-1次光との干渉縞、0次光と3次光との干渉縞、0次光と-3次光との干渉縞、0次光と5次光との干渉縞、0次光と-5次光との干渉縞のように、0次光と奇数次数の回折光との干渉縞である。そのうち、投影光学系PLの収差を計測するのに必要な信号は、0次光と1次光との干渉縞および0次光と1次光との干渉縞である。それ以外の干渉縞、すなわち0次光と3次光との干渉縞、0次光と-3次光との干渉縞、0次光と5次光との干渉縞、0次光と-5次光との干渉縞のように、0次光と高次光との干渉縞はノイズである。本実施形態では、上述の式1に示す関係を満たしているので、ノイズ光である0次光と3次光との可干渉性γ3、およびノイズ光である0次光と-3次光との可干渉性γ3は、計測光である0次光と1次光との可干渉性γ1、および計測光である0次光と-1次光との可干渉性γ1の3分の1である。また、ノイズ光である0次光と5次光との可干渉性γ5、および0次光と-5次光との可干渉性γ5は、計測光の可干渉性γ1の5分の1である。こうして、本実施形態の波面収差計測装置1では、ノイズ光による干渉縞の影響を抑え、コントラストの高い干渉縞に基づいて、投影光学系PLの波面収差を高精度に計測することができる。本実施形態の露光装置では、波面収差計測装置1を用いて投影光学系PLの波面収差を随時高精度に計測し、必要に応じて投影光学系PLを光学調整して波面収差を許容範囲内に抑えることができる。その結果、波面収差の調整された投影光学系PLを介して、マスクMのパターンをウェハWに正確に転写することができる。なお、上述の実施形態では、テストマスクTMの回折格子パターン21が、一方向に沿って交互に配置された複数の帯状の光透過部21aと遮光部21bとからなる1種類のパターンにより構成されている。しかしながら、これに限定されることなく、例えば図5に部分的に示すような回折格子パターン23を有するテストマスクTMと、図4に部分的に示す回折格子パターン22を有する回折部材MDとを用いる変形例も可能である。回折格子パターン23は、線幅またはピッチが互いに異なる2種類のパターンの組み合わせにより構成されている。具体的に、回折格子パターン23は、パターン周期P1の1個分に対応する単位パターンA1を一方向図5中水平方向に沿って繰り返すことにより形成されている。単位パターンA1は、図6に示すように、中央に単一の幅の広い光透過部を有する中央パターンC1と、周辺に一対の幅の狭い光透過部を有する周辺パターンS1との組み合わせである。各パターンA1、C1およびS1は、図6中鉛直方向に延びる中心線に関して線対称である。回折格子パターン23において、各パターンC1およびS1は、パターン周期P1にしたがって一方向に沿って繰り返されている。各パターンA1、C1およびS1における回折光の振幅を図7に示す。図7において、縦軸は回折光の振幅であり、横軸は回折次数である。図7を参照すると、中央パターンC1における3次回折光の振幅と周辺パターンS1における3次回折光の振幅とは互いに同じ符号であり、かつ周辺パターンS1における3次回折光の振幅は1次回折光の振幅より高くなっている。その結果として単位パターンA1における3次回折光の振幅が高くなっていることが分かる。また、中央パターンC1における1次回折光の振幅と周辺パターンS1における1次回折光の振幅とは互いに異なる符号であり、その結果として単位パターンA1における1次回折光の振幅が低くなっていることが分かる。すなわち、単位パターンA1の繰り返しからなる回折格子パターン23は、1次回折光を互いに弱め合い且つ3次回折光を互いに強め合う2種類のパターンの組み合わせにより構成されている。別の表現をすれば、回折格子パターン23は、1次回折光の回折効率よりも3次回折光の回折効率の方が高いパターン構造を有する。上述の実施形態および図5の変形例では、回折格子パターン21,23を経て形成される3次回折光による可干渉性が計測光の可干渉性となる。図5の変形例では、回折格子パターン21よりも3次回折光の回折効率の高い回折格子パターン23を用いているので、上述の実施形態よりも計測光の可干渉性を大きくすることができる。すなわち、図5の変形例では、ノイズ光による干渉縞の影響を上述の実施形態よりも小さく抑えて、投影光学系PLの波面収差をさらに高精度に計測することができる。なお、上述の実施形態および図5の変形例では、一方向に沿って単位パターンが繰り返される一次元構造を有する回折格子パターン21~23を用いている。しかしながら、これに限定されることなく、例えば互いに直交する二方向に沿って単位パターンが二次元的に繰り返される二次元構造を有する回折格子パターンを用いることも可能である。二次元構造を有する回折格子パターンを用いる構成では、回折部材MDをZ軸廻りに回転させることなくXY平面に沿ってステップ移動させるだけで、一次元構造を有する回折格子パターンを用いる構成よりも迅速に波面収差の計測を行うことができる。具体的に、例えば図8に部分的に示すような二次元構造を有する回折格子パターン31が設けられたテストマスクTMと、同じく図8に部分的に示すような二次元構造を有する回折格子パターン32が設けられた回折部材MDとを用いる構成が可能である。回折格子パターン31,32は、上述の実施形態における回折格子パターン21,22を二次元化することにより得られる。すなわち、回折格子パターン31,32は、互いに直交する二方向に沿って間隔を隔てて配置された帯状の遮光部を有する。また、例えば図9に部分的に示すような二次元構造を有する回折格子パターン33が設けられたテストマスクTMと、図8に部分的に示す回折格子パターン32が設けられた回折部材MDとを用いることも可能である。回折格子パターン33は、図5の変形例における回折格子パターン23を二次元化することにより得られる。回折格子パターン33は、パターン周期P1の1個分に対応する単位パターンA2を互いに直交する二方向に沿って繰り返すことにより形成されている。単位パターンA2は、図10に示すように、中央に単一の正方形状の光透過部を有する中央パターンC2と、周辺に4つの長方形状の光透過部を有する周辺パターンS2と、四隅に4つの正方形状の光透過部を有する四隅パターンF2との組み合わせである。各パターンA2、C2、S2およびF2は、中心点に関して点対称である。回折格子パターン33において、各パターンC2、S2およびF2は、パターン周期P1にしたがって互いに直交する二方向に沿って繰り返されている。各パターンA2、C2、S2およびF2における回折光の振幅を図11に示す。図11において、縦軸は回折光の振幅であり、横軸は回折次数である。図11を参照すると、中央パターンC2における3次回折光の振幅と周辺パターンS2における3次回折光の振幅と四隅パターンF2における3次回折光の振幅とは互いに同じ符号であり、かつ周辺パターンS2、四隅パターンF2における3次回折光の振幅は1次回折光の振幅より高くなっている。その結果として単位パターンA2における3次回折光の振幅が高くなっていることが分かる。また、中央パターンC2における1次回折光の振幅および周辺パターンS2における1次回折光の振幅と四隅パターンF2における1次回折光の振幅とは互いに異なる符号であり、その結果として単位パターンA2における1次回折光の振幅が低くなっていることが分かる。すなわち、単位パターンA2の繰り返しからなる回折格子パターン33は、1次回折光の回折効率よりも3次回折光の回折効率の方が高いパターン構造を有する。その結果、図9の変形例においても、図5の変形例と同様に、投影光学系PLの波面収差をさらに高精度に計測することができる。なお、図12に示すような単位パターンA2’を互いに直交する二方向に繰り返すことにより形成された回折格子パターンを有するテストマスクTMと、図8に部分的に示す回折格子パターン32が設けられた回折部材MDとを用いて、図9の変形例と同様の効果を得ることができる。単位パターンA2’は、図10の中央パターンC2と同じ形態の中央パターンC2’と、正方形の辺に沿って細長く延びる形態の光透過部を有する周辺パターンS2’との組み合わせである。各パターンA2’、C2’およびS2’は、中心点に関して点対称である。図9の変形例では、単位パターンA2が互いに直交する二方向に沿って間隔を隔てて配置された帯状の遮光部からなり、その透過率は25である。その結果、図9の変形例では、二次元構造の回折格子パターンを用いて波面収差の高速計測を実現することができるが、回折格子パターンにおける光量損失は計測光の信号強度の向上を図る上で、ひいては波面収差の高精度計測を図る上で不利である。例えば、二次元的に配置された菱形状または三角形状の光透過部を有する単位パターンからなる回折格子パターンを用いることにより、光量の確保と可干渉性の確保との両立を図ることができる。この場合、二次元構造を有する回折格子パターンを用いても光量の損失を抑えることができ、ひいては光量の確保による波面収差の高速計測と、計測光の可干渉性の向上による高精度計測とを両立させることが可能になる。具体的には、図13に示すような単位パターンA3を互いに直交する二方向に沿って繰り返すことにより形成された回折格子パターンを有するテストマスクTMと、図8に部分的に示す回折格子パターン32が設けられた回折部材MDとを用いて、光量の確保と可干渉性の確保との両立を図ることができる。単位パターンA3は、二次元的に配置された複数の菱形状正方形を含むの光透過部を有し、その透過率は50である。単位パターンA3は、中央に単一の正方形状の光透過部を有する中央パターンC3と、周辺に4つの菱形状の光透過部を有する周辺パターンS3と、四隅に4つの正方形状の光透過部を有する四隅パターンF3との組み合わせである。各パターンA3、C3、S3およびF3は、中心点に関して点対称である。各パターンA3、C3、S3およびF3における回折光の振幅を図14に示す。図14において、縦軸は回折光の振幅であり、横軸は回折次数である。図14を参照すると、中央パターンC3における3次回折光の振幅と周辺パターンS3における3次回折光の振幅と四隅パターンF3における3次回折光の振幅とは互いに同じ符号であり、かつ周辺パターンS3における3次回折光の振幅は1次回折光の振幅より高くなっている。その結果として単位パターンA3における3次回折光の振幅が高くなっていることが分かる。すなわち、単位パターンA3の繰り返しからなる回折格子パターンは、1次回折光の回折効率よりも3次回折光の回折効率の方が高いパターン構造を有する。更に図15に示したパターンは45度方向に回折光を発生しないため、45度方向のノイズも消すことができる。同様に、図15に示すような単位パターンA4を互いに直交する二方向に繰り返すことにより形成された回折格子パターンを有するテストマスクTMと、図8に部分的に示す回折格子パターン32が設けられた回折部材MDとを用いて、光量の確保と可干渉性の確保との両立を図ることができる。単位パターンA4は、二次元的に配置された複数の三角形状の光透過部を有し、その透過率は50である。単位パターンA4は、中央に単一の正方形状の光透過部を有する中央パターンC4と、周辺に4つの三角形状の光透過部を有する周辺パターンS4と、四隅に4つの三角形状の光透過部を有する四隅パターンF4との組み合わせである。各パターンA4、C4、S4およびF4は、中心点に関して点対称である。各パターンA4、C4、S4およびF4における回折光の振幅を図16に示す。図16において、縦軸は回折光の振幅であり、横軸は回折次数である。図16を参照すると、中央パターンC4における3次回折光の振幅と周辺パターンS4における3次回折光の振幅と四隅パターンF4における3次回折光の振幅とは互いに同じ符号であり、その結果として単位パターンA4における3次回折光の振幅が高くなっていることが分かる。すなわち、単位パターンA4の繰り返しからなる回折格子パターンは、1次回折光の回折効率よりも3次回折光の回折効率の方が高いパターン構造を有する。上述の説明では、パターンを示す各図において、黒塗りの部分が遮光部を示し、白抜きの部分が光透過部を示している。しかしながら、これに限定されることなく、黒塗りの部分を光透過部とし且つ白抜きの部分を遮光部とした回折格子パターン、すなわち各図の遮光部と光透過部とを入れ替えた回折格子パターンを用いても、上述の実施形態および各変形例と同様の効果を得ることができる。上述の実施形態では、波面収差計測装置1がウェハステージWSに装着されている。しかしながら、これに限定されることなく、ウェハステージWSの外部に波面収差計測装置1の全体を設けても良い。また、波面収差計測装置1をウェハステージWSとは異なる別のステージに設けても良い。上述の実施形態では、露光装置に搭載された投影光学系の波面収差の計測に対して本発明を適用している。しかしながら、これに限定されることなく、例えば露光装置に搭載される前の単体の投影光学系、露光装置から取り外された単体の投影光学系、さらに露光装置に用途が限定されない一般の被検光学系屈折光学系、反射屈折光学系、反射光学系に対しても同様に本発明を適用することができる。上述の実施形態では、マスクの代わりに、所定の電子データに基づいて所定パターンを形成する可変パターン形成装置を用いることができる。なお、可変パターン形成装置としては、たとえば所定の電子データに基づいて駆動される複数の反射素子を含む空間光変調素子を用いることができる。空間光変調素子を用いた露光装置は、たとえば米国特許公開第2007/0296936号公報に開示されている。また、上述のような非発光型の反射型空間光変調器以外に、透過型空間光変調器を用いても良く、自発光型の画像表示素子を用いても良い。上述の実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行っても良い。次に、上述の実施形態にかかる露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。図17は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図17に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハWに金属膜を蒸着しステップS40、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布するステップS42。つづいて、上述の実施形態の投影露光装置を用い、マスクレチクルMに形成されたパターンをウェハW上の各ショット領域に転写しステップS44:露光工程、この転写が終了したウェハWの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行うステップS46:現像工程。その後、ステップS46によってウェハWの表面に生成されたレジストパターンをマスクとし、ウェハWの表面に対してエッチング等の加工を行うステップS48:加工工程。ここで、レジストパターンとは、上述の実施形態の投影露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップS48では、このレジストパターンを介してウェハWの表面の加工を行う。ステップS48で行われる加工には、例えばウェハWの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップS44では、上述の実施形態の投影露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハWを感光性基板としてパターンの転写を行う。図18は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図18に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程ステップS50、カラーフィルタ形成工程ステップS52、セル組立工程ステップS54およびモジュール組立工程ステップS56を順次行う。ステップS50のパターン形成工程では、プレートPとしてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、上述の実施形態の投影露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、上述の実施形態の投影露光装置を用いてフォトレジスト層にパターンを転写する露光工程と、パターンが転写されたプレートPの現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンに対応する形状のフォトレジスト層を生成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板の表面を加工する加工工程とが含まれている。ステップS52のカラーフィルタ形成工程では、RRed、GGreen、BBlueに対応する3つのドットの組をマトリックス状に多数配列するか、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。ステップS54のセル組立工程では、ステップS50によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップS52によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル液晶セルを組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップS56のモジュール組立工程では、ステップS54によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子CCD等、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスクフォトマスク、レチクル等をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程露光装置にも適用することができる。なお、上述の実施形態では、露光光としてArFエキシマレーザ光波長:193nmを用いているが、これに限定されることなく、他の適当なレーザ光源、たとえばKrFエキシマレーザ光波長:248nmや波長157nmのレーザ光を供給するF2レーザ光源などに対して本発明を適用することもできる。また、上述の実施形態において、投影光学系と感光性基板との間の光路中を1.1よりも大きな屈折率を有する媒体典型的には液体で満たす手法、所謂液浸法を適用しても良い。この場合、投影光学系と感光性基板との間の光路中に液体を満たす手法としては、国際公開第WO99/49504号パンプレットに開示されているような局所的に液体を満たす手法や、特開平6-124873号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる手法や、特開平10-303114号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する手法などを採用することができる。ここでは、国際公開第WO99/49504号パンフレット、特開平6-124873号公報および特開平10-303114号公報の教示を参照として援用する。"