真空チャンバ1内に少なくとも1種のガスを導入するための少なくとも1つの入口3と、プラズマを発生させるための、ターゲット5;9を備えた少なくとも1つのマグネトロン4とを有する、プラズマ化学蒸着によって真空チャンバ1内で基板2に層を析出させる装置であって、前記ターゲット5;9は層の析出の間、少なくとも1つの所定の範囲で少なくとも300°Cの温度を有することを特徴とする、真空チャンバ内で基板に層を析出させる装置。前記ターゲット5;9は層の析出の間、少なくとも1つの所定の範囲で少なくとも500°Cの温度を有する、請求項1記載の装置。前記ターゲット9は複数の部分ターゲット10;11;12;13;14;15;16から成っている、請求項1または2記載の装置。前記部分ターゲット10;11;12;13;14;15;16を冷却する冷却装置19が設けられており、少なくとも1つの部分ターゲット11;12;13;14;15;16において、前記冷却装置19に対する熱伝達が、別の1つの部分ターゲット10におけるよりも悪く形成されている、請求項3記載の装置。少なくとも1つの部分ターゲットは、別の1つの部分ターゲットに比べて悪い熱伝導率を有する、請求項3または4記載の装置。少なくとも1つの部分ターゲットは、ターゲットベースボディ10として形成されており、該ターゲットベースボディ10のスパッタリング可能な表面に少なくとも1つの所定の範囲で別の部分ターゲット11;12;13;14;15;16が挿入されている、請求項3から5までのいずれか1項記載の装置。前記ターゲットベースボディ10から前記部分ターゲット11;12;13;14;15;16への熱伝達が調節可能である、請求項6記載の装置。前記ターゲットベースボディ10と前記部分ターゲット11;12;13;14;15;16との間に、少なくとも1つの機械的なばねエレメントが配置されている、請求項6記載の装置。