複数種の原料ガスを混合することなく同等の流量で減圧下の反応室内に夫々導入する真空処理装置用のガス供給装置であって、反応室内を臨むガス導入部を備え、このガス導入部は複数の隔絶空間を有し、各隔絶空間に、原料ガスを供給する、流量制御手段を介設したガス供給管が夫々接続されると共に、各隔絶空間から夫々反応室に通じるガス導入口が設けられ、各ガス供給管に、他の流量制御手段を介設した1本のガス管を分岐した分岐管が夫々接続され、このガス管を流れるガスの流量を、ガス供給管を流れる原料ガスの流量差より多くなるように制御することを特徴とする真空処理装置用のガス供給装置。前記分岐管の接続箇所から各隔絶空間までのガス供給管の長さを揃えることを特徴とする請求項1記載の真空処理装置用のガス供給装置。前記各隔絶空間から反応室に夫々通じるガス導入口のコンダクタンスを一致させることを特徴とする請求項1または請求項2記載の真空処理装置用のガス供給装置。前記隔絶空間の夫々は、一方向に列設した複数枚の隔板のうち向かい合う2枚の隔板で画成され、各隔板の列設方向で反応室に向かう方向を下とし、最下側に位置する隔板に前記ガス導入口が開設されており、これらのガス導入口は、最下側の隔絶空間に直接連通すると共に、隔絶空間または隔板を上下方向に貫通する連通路を介して他の各隔絶空間に夫々連通することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の真空処理装置用のガス供給装置。本発明は、以上の点に鑑み、複数種の原料ガスを、複数の隔絶空間に同等のガス供給量で導入できて、同等のガス流量で基板に供給できるようにした簡単な構成の真空処理装置用のガス供給装置を提供することをその課題とするものである。上記課題を解決するために、本発明は、複数種の原料ガスを混合することなく同等の流量で減圧下の反応室内に夫々導入する真空処理装置用のガス供給装置であって、反応室内を臨むガス導入部を備え、このガス導入部は複数の隔絶空間を有し、各隔絶空間に、原料ガスを供給する、流量制御手段を介設したガス供給管が夫々接続されると共に、各隔絶空間から夫々反応室に通じるガス導入口が設けられ、各ガス供給管に、他の流量制御手段を介設した1本のガス管を分岐した分岐管が夫々接続され、このガス管を流れるガスの流量を、ガス供給管を流れる原料ガスの流量差より多くなるように制御することを特徴とする。本発明によれば、1本のガス管を分岐した分岐管を、原料ガスを導入するガス供給管に夫々接続した構成を採用したため、2本のガス供給管で2種類の原料ガスを反応室内に夫々導入する場合を例に説明すると、減圧下の反応室に互いに連通する、流量制御手段の下流側における両ガス供給管内の圧力が同等となる。そして、両ガス供給管のうちいずれか一方のガス流量が低下すると、この低下したガス供給管に分岐管から不活性ガスが優先的に流入することで、簡単な構成により両隔絶空間にガス供給管を介して導入されるガス流量を互いに一致させる構成が実現できる。また、分岐管内のガス流量を、ガス供給管内を流れる原料ガスの流量差より多くなるように制御することで、ガス供給口から吐出されるガスの流量を同一にできて両ガスを円滑に基板に供給することができ、しかも、不活性ガスがガス供給管内を逆流する等の不具合の発生を確実に抑制することができる。なお、本発明において、ガス流量の一致とは、厳密にガス流量即ち、原料ガスと流量調整用の不活性ガスとの合計のガス流量が一致している場合だけでなく、シャワープレート41の両ガス供給口42a、42bから吐出されるガス流量の差が小さく、基板に対して原料ガスが円滑に供給されて、膜厚や膜質の基板面内均一性よく成膜できる場合を含む。本発明においては、前記分岐管の接続箇所から各隔絶空間までのガス供給管の長さを揃えておけば、より確実に複数種の原料ガスを同等の流量で基板に供給することができる。また、本発明においては、前記各隔絶空間から反応室に夫々通じるガス導入口のコンダクタンスを一致させることが好ましい。これによれば、隔絶空間へのガス流量を互いに一致させることができることと相俟って、基板に対して、複数種の原料ガス即ち、原料ガス及び不活性ガスを同等の流量で確実に供給することができる。なお、本発明においては、前記隔絶空間の夫々は、一方向に列設した複数枚の隔板のうち向かい合う2枚の隔板で画成され、各隔板の列設方向で反応室に向かう方向を下とし、最下側に位置する隔板に前記ガス導入口が開設されており、これらのガス導入口は、最下側の隔絶空間に直接連通すると共に、隔絶空間または隔板を上下方向に貫通する連通路を介して他の各隔絶空間に夫々連通するようにすればよい。以下、図面を参照して、真空処理装置をMOCVD装置とし、2種の原料が液相状態で収納された両容器から原料ガスを2本のガス供給管を介して反応室内にポストミックス式で導入する場合を例に、本発明の実施形態の真空処理装置用のガス供給装置を説明する。以下においては、上記従来例と同一の部材、要素には同一の符号を用いることとする。図1を参照して、ガス供給装置GSは、反応室の天井部に設けたガス導入部4と、両原料ガスを供給する、マスフローコントローラ51流量制御手段が介設されたガス供給管51、52と、原料ガスをガス供給管51、52へと送り出す図示省略のガス源とを備える。ガス源としては、公知のものが利用でき、特に図示して説明しないが、例えば、各原料を液相状態で夫々収納する容器を備える。原料としては、基板W表面に形成しようする有機金属化合物膜の組成に応じて選択され、例えば、発光ダイオードの製造工程にて所定の有機金属化合物膜を成膜する場合、In、Ga、N2、Mgが用いられる。この場合、同種の原料を複数個の容器に収納することもできる。各容器には、図外のヒータが設けられ、原料が、その蒸気圧に応じた所定温度に加熱保持されるようになっている。各容器には、不活性ガスからなるプッシングガスバブリングガスを供給するプッシングガスラインが夫々接続されている。そして、流量制御されたプッシングガスが容器内に導入され、当該プッシングガスのバブリング作用により、原料ガスが、第1及び第2の両ガス供給管51、52へと送り出される。ところで、ガス供給管51、52を介して両隔絶空間4a、4bに夫々ガス即ち、原料ガス及び不活性ガスを導入し、両隔絶空間4a、4bで一旦拡散されたガスをシャワープレート41の両ガス供給口42a、42bから反応室1a内に原料ガスを夫々供給し、基板W表面で反応させて成膜する場合、シャワープレート41の両ガス供給口42a、42bから吐出されるガス流量流速に差があると、例えばシャワープレート41と基板Wとの間の空間でうずが発生して基板Wへの原料ガスの円滑な流れが阻害され、膜厚や膜質の基板面内均一性よく成膜できない。本実施形態では、両隔絶空間4a、4bへの原料ガスのガス供給量を互いに一致させるために、ガス供給管51、52として同一径のものを用いると共に、マスフローコントローラ51から両隔絶空間4a、4bまでの長さを同一とした。また、上記の如く、原料ガスを希釈し、または、原料ガスを反応室1aへと送る等のための不活性ガス供給管61、62とは別に図1中、図示せず、各ガス供給管51、52に、アルゴン等の不活性ガスを導入する、マスフローコントローラ71他の流量制御手段を介設した1本のガス管7を分岐した分岐管71、72を夫々接続し、ガス供給管51、52を介して原料ガスを供給する際、マスフローコントローラ51の下流側でガス供給管51、52に分岐管71、72から流量調整用の不活性ガスを流すこととした。この場合、両分岐管71、72の長さを揃えると共に、ガス管7を流れるガスの流量を、ガス供給管51、52を流れる原料ガスの流量差より多くなるように制御することとした。なお、流量制御は、例えば、MOCVD装置の作動を統括制御する制御部により、マスフローコントローラ71を制御して行えばよい。上記によれば、減圧下の反応室1aに互いに連通する、マスフローコントローラ51の下流側における両ガス供給管内51、52の圧力が同等となる。そして、両ガス供給管51、52のうちいずれか一方のガス流量が低下すると、この低下したガス供給管51、52に分岐管71、72から不活性ガスが優先的に流入することで、簡単な構成により両隔絶空間4a、4bにガス供給管51、52を介して導入されるガス流量原料ガスと不活性ガスとの合計のガス流量を互いに一致させる構成が実現できる。また、不活性ガスの流量を、ガス供給管51、52を流れる原料ガスの流量差より多くなるように制御することで、ガス供給口42a、42bから吐出されるガスの流量を同一にできて両ガスを円滑に基板に供給することができ、しかも、不活性ガスがガス供給管51、52内を逆流する等の不具合の発生を確実に抑制することができる。次に、両隔絶空間4a、4bから各ガス導入口42a、42bを介して反応室1a内に同等の流量で原料ガスを吐出するために、図2に示すように、ガス導入口42aと、ガス導入口42bとの形成個数を一致させると共に、互い違いとなるようにシャワープレート41に等間隔で形成した。そして、ガス導入口42bにその先端部が挿設されたストロー管43の内径を、ガス導入口42aより小さくし内径に差をつける、下側の隔絶空間4aから反応室1aに通じる一のガス導入口42aと、上側の隔絶空間4bからストロー管43を経て反応室1aに通じる他のガス導入口42bとのコンダクタンスを互いに一致させるようにした。この場合、MOCVDによる成膜時の反応室1a内の圧力範囲隔絶空間4a、4b内の圧力は同等となるでは、通常、粘性流領域となるため、この粘性流のコンダクタンスの一般式と、ガス導入口42aの長さ隔板41の板厚及びストロー管43の長さとから夫々のコンダクタンスを算出し、このコンダクタンスを考慮して径を決定すればよい。上記によれば、下側の隔絶空間4aから直接ガス供給口42aを介して反応室1aに吐出されるまでと、上側の隔絶空間4bからストロー管43を経てその端部つまり、ガス供給口42bから反応室1aに吐出されるまでとのコンダクタンスを揃えることと、両隔絶空間4a、4bへのガス流量を互いに一致させることができることとが相俟って、基板Wに対して、原料ガスと不活性ガスとからなるガスを同等の流量で確実に供給することができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記に限定されるものではない。上記実施形態では、2種類の原料ガスを反応室内に供給するものを例に説明したが、3種以上の原料ガスの供給にも本発明のガス供給装置は適用することができる。また、上記実施形態においては、処理装置としてMOCVD装置を例としたが、処理装置はこれに限定されるものではなく、複数種の原料ガスを反応室内の基板に供給して混合するものであれば、本発明のガス供給システムは広く適用できる。また、上記実施形態では、3枚の隔板41~43を上下方向に等間隔で列設し、向かい合う2枚の隔板41~43により、同一容積の下側の隔絶空間4aと上側の隔絶空間4bとを画成したものを例に説明したが、隔絶空間が複数形成されたものであれば、ガス導入部の形態は上記のものに限定されるものではない。例えば、同一輪郭を有する複数枚の所定の厚さの板材を用い、各板材の上面や下面にガス通路等を構成する窪み部を凹設し、これらを上下方向で重ね合わせて接合することで、相互に隔絶された隔絶空間を形成し、各隔絶空間から、板材を上下方向に貫通して最下部の板材に通じるガス導入口を穿設してガス導入部を構成することができる。更に、本実施形態では、流量制御手段をマスフローコントローラとから構成したものを例に説明したが、これに限定されるものではない。更に、上記実施形態では、コンダクタンスを揃えるためにガス導入口の径に差をつけるものを例に説明したが、これに限定されるものはなく、他の方法でもよい。また、上記実施形態では、ガス供給管51、52を介して原料ガスを供給する際、マスフローコントローラ51の下流側でガス供給管51、52に分岐管71、72から流量調節用の不活性ガスを流すこととしたが、これに限定されるものではなく、場合によっては、流量調整用に原料ガスを使用することもできる。