入射光が透過する光導波路を有する光走査装置であって、前記光導波路は、印加される電界に基づいて屈折率が変化する電気光学素子を含み、前記電気光学素子に所定の周波数の電圧を印加することにより、該電気光学素子の屈折率を変化させ、前記変化した屈折率に対応させて、前記入射光を点滅する、ことを特徴とする光走査装置。前記入射光を発する光源を有し、前記光源は前記入射光を点滅することを特徴とする請求項1に記載の光走査装置。前記光導波路を透過する前記入射光が所望の光走査位置に照射するときの前記屈折率に変化したタイミングで、前記光源は前記入射光を点滅することを特徴とする請求項2に記載の光走査装置。前記光導波路に対向する一対の電極を有し、前記電気光学素子は、前記一対の電極に対応する位置に配置され、前記一対の電極に、前記所定の周波数の電圧を印加することにより、前記屈折率を変化させる、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光走査装置。前記電圧は、該電圧の中間の電圧レベルがゼロであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光走査装置。前記所定の周波数は、1kHz以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光走査装置。強誘電体電気光学素子を用いた光走査装置は、強誘電体に連続して一方向に電圧を印加することで強誘電体内の電気光学結晶の屈折率を変化させ、電気光学結晶を透過する光を偏向する。このとき、大きな偏向角を得るためには、電気光学結晶に高い電界を印加する必要がある。具体的には、電気光学結晶として用いられているニオブ酸リチウム結晶では、分極反転によるプリズム構造プリズム幅D=2mm、プリズム長L=20mmにより光を偏向させる場合において、偏向角度を5°以上とするために、パルス波のパルス幅に対応する時間の間、電圧を一方向に印加し、ニオブ酸リチウム結晶に約10kV/mm以上の電界を印加する。特許文献1に開示されている技術において、電気光学結晶に高い電界を印加する場合では、空間電荷効果により、結晶内に注入された電子によって陽極からの電界が影響を受け、電極間の電界電荷分布が不均一になる場合があった。これにより、電気光学結晶の屈折率が不均一となり、偏向して出射される出射光に歪みが生じ、出射光の品質が保たれない場合があった。本発明は、高い電界を印加する場合でも、歪みが生じていない偏向した光束を得ることができる光走査装置を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明は、入射光が透過する光導波路を有する光走査装置であって、前記光導波路は、印加される電界に基づいて屈折率が変化する電気光学素子を含み、前記電気光学素子に所定の周波数の電圧を印加することにより、該電気光学素子の屈折率を変化させ、前記変化した屈折率に対応させて、前記入射光を点滅する、ことを特徴とする光走査装置を提供する。本発明によれば、光走査装置において、電気光学素子に印加する電界が高い場合でも、歪みが生じていない偏向した光束を得ることができる。電気光学効果により光束の進行方向を偏向する光偏向器を用いて、本発明を詳細に説明する。本発明は、光偏向器以外でも、プリンタ、スキャナ、車載用レーザレーダ、波長可変レーザ、及び、メディカル用レーザ等において用いられる入射光を電気光学効果を用いて偏向し、偏向した光束入射光を出射光として照射するものであれば、いずれのものにも用いることができる。光偏向器の構成図1は、本実施形態の光偏向器の例を示す概略構成図である。図1において、光偏向器10は、制御手段11、入射光手段12、光導波路13、電極14、及び、基板15を含む。光偏向器10は、本実施形態では、入射光手段12から入射された入射光を光導波路13で偏向し、偏向後の光束入射光を出射光として出射する。また、光偏向器10は、制御手段11により、電極14に印加する電圧を制御し、電気光学効果により、光導波路13の屈折率を変化させ、光導波路13内を透過する光束を偏向する。ここで、電気光学効果とは、電気光学結晶の屈折率が電界強度に依存して変化する効果をいう。制御手段11は、光偏向器10全体の制御を行う手段である。制御手段11は、入射光手段12等の動作を制御する。また、制御手段11は、電極14に印加する電圧を制御することにより、光導波路13の屈折率を制御する。入射光手段12は、光を発し、その光を入射光として、光導波路13に入射する手段である。入射光手段12は、本実施形態では、光源及び光学系を含む。入射手段12は、光源が射出する光束半導体レーザなどを光学系レンズ及びミラーなどにより集光し、光導波路13後述するコア層に入射する。光導波路13は、入射光手段12により入射された入射光の進行方向を偏向し、偏向後の光束入射光を出射光として出射するものである。光導波路13は、本実施形態では、コア層13c及びクラッド層13up及び13dwを含む。コア層13cは、電気光学素子として、本実施形態では、強誘電性体により構成される。また、コア層13cは、強誘電性体の一部に自発分極の方向電気光学結晶の分極軸の方向が反転した領域後述する分極反転領域を有する。クラッド層は、コア層13cから漏れる光を反射する被覆層である。クラッド層は、本実施形態では、上部クラッド層13up及び下部クラッド層13dwを有する。上部クラッド層13up及び下部クラッド層13dwは、コア層13cを被覆するため、入射光の入射方向と交差する方向側のコア層13cの表面上に形成される。電極14は、光導波路13コア層13cに、電圧を印加するものである。電極14は、本実施形態では、上部クラッド層13up及び下部クラッド層13dwのコア層13cと接する側の反対側以下、外側という。の表面に、一対の電極上部電極層及び下部電極層として形成される。詳細は後述の光導波路及び電極の構成で説明する。基板15は、光導波路13及び電極14を支持するものである。詳細は後述の光導波路及び電極の構成で説明する。光導波路及び電極の構成光偏向器の光導波路及び電極の構成を、図2aを用いて、説明する。図2aは、光偏向器の要部の側面図である。図2aにおいて、光偏向器は、光導波路として、光を透過する薄膜導波路であるコア層13cと、コア層から漏れた光を反射するクラッド層13up及び13dwと、を有する。コア層13cは、自発分極の方向が図中のz軸の正方向である正領域13cpと、光を偏向させるために自発分極の方向を反転z軸の負方向にした領域以下、分極反転領域という。13crと、を有する。クラッド層は、コア層13cの図中のz軸方向側の両端面に被覆された上部クラッド層13up及び下部クラッド層13dwを有する。クラッド層は、コア層13cから漏れた光を反射する。また、光偏向器は、光導波路に電界を印加するための電極として、上部クラッド層13up及び下部クラッド層13dwの外側に形成された上部電極層14up及び下部電極層14dwを有する。更に、光偏向器は、光導波路及び電極を支持する支持基板15sと、光導波路等と支持基板15sを接着する接着層15gと、を有する。ここで、コア層13cの材質は、本実施形態では、電気光学素子として、電気光学効果を有する強誘電体のニオブ酸リチウム材料LiNbO3を用いることができる。また、支持基板15sもニオブ酸リチウム材料を用いることができ、光偏向器の熱膨張による損傷を低減することができる。上部クラッド層13up及び下部クラッド層13dwは、膜厚約1μmのTa2O5膜またはSiO2膜を用いることができる。上部電極層14up及び下部電極層14dwは、膜厚約200nmのTi膜またはCr膜を用いることができる。コア層13cは、コア層13c上に下部クラッド層13dw及び下部電極層14dwを成膜後、コア層13cを上下反転z軸方向に反転し、コア層13cの成膜されていない表面を研磨することができる。これにより、コア層13cの膜厚を調整することができる。コア層13cの膜厚は、本実施形態では、約20μmとする。研磨後、コア層13cは、コア層13cの研磨した表面上に上部クラッド層13up等を成膜される。光束を偏向する動作光偏向器が光束の進行方向を偏向する動作を、図2a及び図2bを用いて、説明する。図2bは、図2aの光偏向器の要部の平面図である。図2bより、コア層13c内の分極反転領域13crの形状は、三角形の断面形状以下、プリズム形状という。である。また、分極反転領域13crは、入射光の進行方向図中のy軸方向に、複数、配置されている。プリズム形状は、本実施形態では、断面の三角形の高さ図中のx軸方向の長さを2mmとし、複数のプリズム形状を有する分極反転領域の全長図中のy軸方向の長さを20mmとする。次に、光偏向器が光束を偏向する動作について、具体的に説明する。図2a及び図2bにおいて、図示しない光源入射光手段から発せられた光は、図示しないレンズ等により集光され、入射光B1として、光導波路のコア層13cに入射される。このとき、入射光B1は、光束B2として、コア層13c内の正領域13cp及び分極反転領域13crを伝播する。ここで、コア層13cの上方及び下方の上部電極層14up及び下部電極層14dw間に電圧を印加すると、コア層13cに電界が印加され、コア層13cの電気光学効果により、コア層13c内の正領域13cp及び分極反転領域13crの屈折率が変化する。このとき、正領域13cpと分極反転領域13crとは自発分極の方向が180度異なるため、屈折率の変化量が異なる。この結果、コア層13c内の光束B2は、コア層13c内の正領域13cp及び分極反転領域13crを透過する際に、正領域13cpと分極反転領域13crとの界面屈折率の異なる界面で屈折し、図中のXY平面内で偏向する。その後、偏向された光束B2は、出射光B3として、コア層13cの端面から出射される。ここで、コア層13c内の正領域13cp及び分極反転領域13crの屈折率差Δnは、次式となる。Δn=-1/2×r×n3×V/d上記の式において、rは電気光学定数ポッケルス定数、nはコア層13cの屈折率、dはコア層13cの厚さ、Vはコア層13cに印加する電圧である。以上より、光偏向器は、コア層光導波路に印加する電圧を制御することによって、電気光学効果によりコア層の屈折率を制御し、コア層を透過する光束の進行方向を偏向することができる。なお、電圧を印加するコア層の領域を上記の分極反転領域のプリズム形状と同様の形状の領域とすることで、コア層内に電圧が印加された領域と印加されていない領域とを形成し、局所的に屈折率を変化させることができる。その結果、電圧が印加された領域と印加されていない領域との界面屈折率の異なる界面を透過する光束を屈折させ、光束の進行方向を偏向することもできる。光導波路に電圧を印加する動作光偏向器が、光導波路に電圧を印加する動作について、図3を用いて説明する。図3aは、光偏向器から出射される出射光の照射位置を示す。図3bは、光偏向器に印加する電圧の波形及び光源の点滅の動作を示す。図3aにおいて、光偏向器は、出射光を、任意の時間ごとに、任意の照射位置に照射することができる。具体的には、光偏向器の制御手段は、任意の時間帯図中のt=0、0~t1、t1~t2、t2~t3、及び、t3~において、任意の照射位置図中のx1、x2、0、-x3、及び、-x1に、出射光を出射することができる。ここで、図3aのx軸は、図2のx軸に対応する。次に、図3aの動作中に、光偏向器の制御手段が光導波路に印加する電圧を図3bに示す。図3bの横軸の経過時間tは、図3aの横軸の経過時間tに対応する。また、図3bの縦軸の印加電圧Vは光導波路コア層に印加する電圧である。図3bより、制御手段は、電圧を所定の周波数以上で変化させながら、光導波路に印加する。ここで、所定の周波数は、電界が印加された光導波路内において、空間電荷効果により、光導波路電気光学結晶内に注入された電子の分布電荷分布が不均一とならない周波数以上の値とすることができる。また、所定の周波数を、数値計算及び実験等により定められる値とすることができる。図3bにおいて、制御手段は、図3aの横軸の各時間帯t=0、t=0~t1、t1~t2、t2~t3、及び、t3~に対応する照射位置図3aのx1、x2、0、-x3、及び、-x1の位置に出射光を照射するため、光偏向器の光源を点滅点灯及び消灯する。具体的には、制御手段は、t=0において、偏向しない出射光を照射するために、印加電圧が0Vのタイミングで光源を点灯する。次に、制御手段は、t=0~t1の時間帯で、照射位置x1に出射光を照射するために、印加電圧がV1のタイミングのみで光源を点灯し、それ以外の電圧のときは光源を消灯する。以下、同様に、t=t1~t2等の時間帯で、照射位置-x1等に出射光を照射するため、印加電圧が-V1等のタイミングのみで光源を点灯する。この場合、印加する電圧を所定の周波数以上で変化させることにより、電気光学結晶内の電圧勾配の方向が交互に変更されるため、電子が電気光学結晶内に不均一に分布するのを防止し、空間電荷効果が発生するのを抑制することができる。このため、電荷分布が不均一にならず、印加する電界が不均一にならないため、屈折率が一様となり、歪みがない出射光を出射することができる。また、印加する電圧の周波数を高くすることにより、出射光を点灯できるタイミングが増加し、スムーズな光束の照射が可能となる。以上により、光導波路に所定の周波数以上で電圧を印加し、印加する電圧に対応して光源を点滅することにより、歪みがない出射光を出射し、任意の照射位置に出射光を照射することができる。次に、図4に、光偏向器に印加する電圧の比較例を示す。図4aは、任意のパルス幅の電圧を印加する場合の比較例を示す。図4bは、印加する電圧の中間値がプラスの電圧レベルの場合の比較例を示す。図4aにおいて、任意の照射位置に出射光を照射する場合、パルス幅に対応する時間において、連続して光導波路に電圧が印加される。このため、パルス幅に対応する時間において光導波路に一方向の電界が印加され、空間電荷効果により、電気光学結晶内で不均一な電荷分布が発生し、屈折率が不均一になる場合がある。このとき、出射光に歪みが生じる。膜厚20μmの光導波路の材料にマグネシウムが添加されたニオブ酸リチウム結晶を用いる場合、1kHz以上の三角波の波形で±250Vの電圧を印加するとき、偏向された出射光の形状に歪みは生じない。一方、周波数を1kHz未満にすると、偏向された出射光の形状に歪みが生じる。これは、周波数を小さくすると、電気光学結晶内の電子が滞留する時間が確保され、空間電荷効果が生じ易くなるためである。したがって、マグネシウムが添加されたニオブ酸リチウム結晶を用いる場合、光導波路に印加する電圧の波形の周波数は1kHz以上とすることが好ましい。図4bにおいて、印加する電圧の中間の電圧レベルがゼロでない場合図中のプラス側の電圧レベルVmの場合、図4aと同様に、電気光学結晶内で不均一な電荷分布が発生し、屈折率が不均一になり、出射光に歪みが生じる場合がある。これは、光導波路に電圧を印加することにより、電気光学結晶内に中間の電圧レベルに対応する電圧勾配が存在するため、電気光学結晶内に電子が不必要に滞留するためである。これにより、不均一な電荷分布が電気光学結晶内に形成され、屈折率が不均一になる。光導波路の材料にマグネシウムが添加されたニオブ酸リチウム結晶を用いる場合、印加する電圧の中間の電圧レベルがゼロでないとき、出射光の歪みが顕著となる。これは、マグネシウムの添加により、空間電荷効果が発生し易くなるからである。したがって、光偏向器の印加する電圧の波形は、図3bに示すように、中間の電圧レベルがゼロとなる波形が好ましい。実施例光走査装置の実施例を用いて、本発明を説明する。本発明は、光走査装置以外でも、プリンタ、スキャナ、車載用レーザレーダ、波長可変レーザ、及び、メディカル用レーザ等において、入射光を電気光学効果を用いて偏向し、偏向した光束入射光を出射光として対象物に照射するものであれば、いずれのものにも用いることができる。実施例1の光走査装置を用いて、本発明を説明する。光走査装置の構成本実施例の光走査装置100の構成を図5に示す。図5において、光走査装置100は、光偏向器110、制御回路121、光源駆動回路122、及び、光偏向器駆動回路123を含む。光走査装置100は、本実施例では、光源駆動回路122の制御により、光源111からの入射光を光導波路112に入射する。また、光走査装置100は、制御回路121等の制御により電極A113a等に印加する電圧を制御し、電気光学効果により光導波路112の屈折率を変化させる。このとき、光導波路112内を透過する光束入射光は、進行方向を偏向し、偏向後の光束を出射光として出射以下、光走査という。する。光偏向器110の構成は、光偏向器10図1と同様のため、説明を省略する。制御回路121は、光走査の動作を開始するための光走査信号に基づいて、光源111の点灯及び消灯のタイミングを制御するための信号以下、点灯信号という。を生成し、光源駆動回路122に出力する。また、制御回路121は、光走査信号に基づいて、電極A113a等に印加する電圧を制御するための信号以下、印加電圧信号という。を生成し、光偏向器駆動回路123に出力する。光源駆動回路122は、点灯信号に基づいて、光源111を点灯及び消灯するタイミングを制御する。光偏向器駆動回路123は、印加電圧信号に基づいて、電極A及び電極B113a及び113bに印加する電圧を制御する。光走査する動作光走査装置が、光走査する動作を、図6を用いて、説明する。図6aは、光走査装置から出射される出射光の照射位置以下、光走査位置という。を示す。図6bは、光導波路に印加する電圧の波形及び光源の点滅の動作を示す。図6aにおいて、光走査装置は、先ず、制御回路により、光走査信号に基づいて、光走査をする対象物に対応する印加電圧の所定の周波数を決定し、所定の周波数に関する印加電圧信号を光偏向器駆動回路に出力する。このとき、光偏向器駆動回路は、印加電圧信号に基づいて、電極A及び電極Bに電圧を印加する。また、光走査装置は、所定の周波数に関する点灯信号を光源駆動回路に出力する。このとき、光源駆動回路は、点灯信号に基づいて、出射光を任意の経過時間図中の横軸に任意の光走査位置図中の縦軸に照射するため、光源を点灯及び消灯する。ここで、所定の周波数とは、空間電荷効果により、光導波路内に注入された電子の分布電荷分布が不均一とならない周波数の値とすることができる。また、所定の周波数の値を、数値計算又は実験等により定められる光走査する対象物に対応する値とすることができる。次に、図6aの動作中に、光走査装置が光導波路に印加する電圧の波形及び光源を点灯及び消灯する動作を図6bに示す。ここで、図6bの横軸の経過時間tは、図6aの横軸の経過時間tに対応する。また、図6bの縦軸の印加電圧Vは光導波路コア層に印加する電圧である。図6bにおいて、光走査装置は、光走査位置を経過時間に対応して変化させる場合、先ず、光導波路に所定の周波数で電圧を印加する。次に、光走査装置は、経過時間に対応する光走査位置に出射光を照射するため、光偏向器の光源を点灯及び消灯する。具体的には、光走査装置は、光源駆動回路の制御により、経過時間t=0において、偏向しない出射光を照射するために、印加電圧が0Vのタイミングで光源を点灯する。次いで、光走査装置は、光走査位置X1図6aに出射光を照射するために、印加電圧がV1図6bのタイミングで光源を点灯する。以下、同様に、光走査位置に対応する印加電圧のときに、出射光を照射するため、光源を点灯する。この場合、印加する電圧を所定の周波数で変化させることによって、電気光学結晶内の電圧勾配の方向が交互に変更されるため、電子が電気光学結晶内に不均一に分布することを防止し、空間電荷効果が発生することを抑制することができる。このため、電荷分布が不均一にならず、印加する電界が不均一にならないため、屈折率が一様となり、歪みがない出射光を出射することができる。また、印加する電圧の周波数を高くすることにより、出射光を点灯できるタイミングが増加し、スムーズな光走査を可能とする。なお、光走査装置は、常時、高速かつ一定の周波数で光走査する場合においては、光導波路に一定の周波数で電圧を印加し、光源を常時点灯させることで、光走査を行うことも可能である。ここで、一定の周波数とは、100kHz以上の三角波とすることができる。以上より、光導波路に所定の周波数以上で電圧を印加し、印加する電圧に対応して光源を点灯及び消灯することにより、歪みがない出射光を出射し、任意の光走査位置に出射光を照射する光走査を行うことが可能となる。