複数の画素を含む画素部と、プリチャージ回路とを有し、前記プリチャージ回路は、第1のトランジスタを複数有し、前記複数の画素のそれぞれは、第2のトランジスタと液晶素子とを有し、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、酸化物半導体を有することを特徴とすることを特徴とする液晶表示装置。複数の画素を含む画素部と、検査回路とを有し、前記検査回路は、第1のトランジスタを複数有し、前記複数の画素のそれぞれは、第2のトランジスタと液晶素子とを有し、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、酸化物半導体を有することを特徴とすることを特徴とする液晶表示装置。複数の画素を含む画素部と、回路とを有し、前記回路は、第1のトランジスタを複数有し、前記複数の画素のそれぞれは、第2のトランジスタと液晶素子とを有し、前記複数の第1のトランジスタのゲートは、互いに電気的に接続され、前記複数の第1のトランジスタの第1の端子は、互いに電気的に接続され、前記複数の第1のトランジスタの第2の端子の全ては、画素部に電気的に接続され、前記複数の第1のトランジスタのゲートは、フローティング状態になっており、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、酸化物半導体を有することを特徴とすることを特徴とする液晶表示装置。複数の画素を含む画素部と、回路とを有し、前記回路は、第1のトランジスタを複数有し、前記複数の画素のそれぞれは、第2のトランジスタと液晶素子とを有し、前記複数の第1のトランジスタのゲートは、互いに電気的に接続され、前記複数の第1のトランジスタの第1の端子は、互いに電気的に接続され、前記複数の第1のトランジスタの第2の端子の全ては、画素部に電気的に接続され、前記複数の第1のトランジスタの第1の端子は、フローティング状態になっており、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、酸化物半導体を有することを特徴とすることを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタが有する酸化物半導体は、真性半導体であることを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至請求項5に記載の液晶表示装置と、操作スイッチとを具備する電子機器。本発明の一態様は、ノイズの小さい半導体装置などを提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、絶縁耐圧の高い半導体装置などを提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、消費電力の低い半導体装置などを提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、正しい表示を行う表示装置などを提供することを課題とする。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、上記の課題の全てを解決する必要はないものとする。上記課題を解決するために、酸化物半導体OS:オキサイドセミコンダクターを有するトランジスタ、特に、酸化物半導体を有するMOSトランジスタを用いて、回路を構成する。その酸化物半導体は、実質的に真性な半導体である。そのため、オフ電流が非常に低い。本発明の実施形態の一態様は、複数の画素を含む画素部と、プリチャージ回路とを有し、プリチャージ回路は、第1のトランジスタを複数有し、複数の画素のそれぞれは、第2のトランジスタと液晶素子とを有し、第1のトランジスタと第2のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする液晶表示装置が提供される。または、本発明の実施形態の一態様は、複数の画素を含む画素部と、検査回路とを有し、検査回路は、第1のトランジスタを複数有し、複数の画素のそれぞれは、第2のトランジスタと液晶素子とを有し、第1のトランジスタと第2のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする液晶表示装置が提供される。または、本発明の実施形態の一態様は、複数の画素を含む画素部と、回路とを有し、回路は、第1のトランジスタを複数有し、複数の画素のそれぞれは、第2のトランジスタと液晶素子とを有し、複数の第1のトランジスタのゲートは、互いに電気的に接続され、複数の第1のトランジスタの第1の端子は、互いに電気的に接続され、複数の第1のトランジスタの第2の端子の全ては、画素部に電気的に接続され、複数の第1のトランジスタのゲートは、フローティング状態になっており、第1のトランジスタと第2のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする液晶表示装置が提供される。または、本発明の実施形態の一態様は、複数の画素を含む画素部と、回路とを有し、回路は、第1のトランジスタを複数有し、複数の画素のそれぞれは、第2のトランジスタと液晶素子とを有し、複数の第1のトランジスタのゲートは、互いに電気的に接続され、複数の第1のトランジスタの第1の端子は、互いに電気的に接続され、複数の第1のトランジスタの第2の端子の全ては、画素部に電気的に接続され、複数の第1のトランジスタの第1の端子は、フローティング状態になっており、第1のトランジスタと第2のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする液晶表示装置が提供される。上記構成において、第1のトランジスタおよび第2のトランジスタが有する酸化物半導体は、真性半導体であることを特徴とする液晶表示装置が提供される。開示する発明において、オフ電流の低い酸化物半導体を有するトランジスタを用いて、回路を構成する。そのため、回路に不要な電流が漏れて入ってきてしまうことを防ぐことが出来る。よって、回路が正常に動作しやすくなる。そのため、酸化物半導体を有するトランジスタを備えた回路を有する表示装置において、正確な表示を行うことが出来る。以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する構成において、同様のものを指す符号は異なる図面間で共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、酸化物半導体を有するトランジスタ、特に、活性層に酸化物半導体を有するトランジスタを用いて構成された装置半導体装置、表示装置、または、発光装置の一例について、図面を参照して説明する。酸化物半導体を有するトランジスタはオフ電流が低いため、酸化物半導体を有する半導体装置などにおいて、オフ電流に起因して生じる不具合を低減することが出来る。または、酸化物半導体を有するトランジスタは、絶縁耐圧が高い。よって、高い電圧が加えられても正常に動作し、高い電圧が加えられている時のオフ電流も低くすることができるため、オフ電流に起因して生じる不具合を低減することが出来る。図1に、本実施の形態で示す装置の一構成例を示す。本実施の形態の一態様は、画素部101および回路111を有している。画素部101には、複数の画素がマトリクス状に配置されている。ここで、画素がマトリクスに配置配列されているとは、縦方向もしくは横方向において、画素が直線上に並んで配置されている場合、又はギザギザな線上に配置されている場合を含むものとする。例えば、画素102aおよび画素102bは、横方向に並んで配置されている。同様に、画素102cおよび画素102dは、横方向に並んで配置されている。さらに、画素102aおよび画素102cは、縦方向に並んで配置されている。同様に、画素102bおよび画素102dは、縦方向に並んで配置されている。そして、各々の画素は、配線によって、互いに接続されている。縦方向に配置された画素は、上下方向に伸びる配線によって接続され、横方向に配置された画素は、左右方向に伸びる配線によって接続されている。例えば、画素102aおよび画素102bは、配線104aによって接続されている。同様に、画素102cおよび画素102dは、配線104bによって接続されている。さらに、画素102aおよび画素102cは、配線103aによって接続されている。同様に、画素102bおよび画素102dは、配線103bによって接続されている。なお、さらに別の配線、例えば、全画素が接続されるような配線共通配線、電源線などなどによって、画素が接続されることが可能である。なお、これら以外の画素についても、同様に配置され、同様に接続されている。ここで、配線104a、配線104bのように、左右方向に伸びて配置された配線は、各画素が有するトランジスタのゲートと接続される場合がある。したがって、配線104a、配線104bのように、左右方向に伸びて配置された配線は、ゲート信号線ゲート配線、ゲート線などの機能を有することが出来る。または、配線104a、配線104bのように、左右方向に伸びて配置された配線には、1行ずつ選択する信号が供給され、その信号がスキャンされていく場合がある。したがって、配線104a、配線104bのように、左右方向に伸びて配置された配線は、スキャン信号線スキャン配線、スキャン線などの機能を有することが出来る。または、配線103a、配線103b、配線103c、配線103d、配線103e、配線103f、配線103g、配線103h、配線103i、配線103j、配線103k、配線103L配線103a乃至配線103Lのように、上下方向に伸びて配置された配線は、各画素が有するトランジスタのソースまたはドレインと接続される場合がある。したがって、配線103a乃至配線103Lのように、上下方向に伸びて配置された配線は、ソース信号線ソース配線、ソース線などの機能を有することが出来る。または、配線103a乃至配線103Lのように、上下方向に伸びて配置された配線には、データ信号、ビデオ信号、ソース信号などが供給される場合がある。したがって、配線103a乃至配線103Lのように、上下方向に伸びて配置された配線は、データ信号線データ配線、データ線などの機能を有することが出来る。次に、回路111は、配線103a乃至配線103Lのように、上下方向に伸びて配置された配線を介して、画素部101または各々の画素と接続されている。回路111は、様々な機能を持つ回路として構成させることが出来る。回路111の詳細について示した回路構成の一例を、図2に示す。回路111は、一例としては、プリチャージ回路の機能を有することが可能であり、または、検査回路の機能を有することが可能である。または、回路111は、プリチャージ回路の機能と検査回路の機能の両方の機能を有することが可能である。ただし、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。回路111は、トランジスタ201a、トランジスタ201b、トランジスタ201c、トランジスタ201d、トランジスタ201e、トランジスタ201f、トランジスタ201g、トランジスタ201h、トランジスタ201i、トランジスタ201j、トランジスタ201k、トランジスタ201Lトランジスタ201a乃至トランジスタ201Lを有している。配線103a乃至配線103Lは、配線202と、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lを各々介して、接続されている。したがって、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのソース又はドレインの一方は、配線202に接続され、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのソース又はドレインの他方の各々は、それぞれ、配線103a乃至配線103Lに接続されている。そして、配線203は、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのゲートと接続されている。したがって、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのゲートは、互いに接続されている。なお、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレインドレイン端子、ドレイン領域またはドレイン電極とソースソース端子、ソース領域またはソース電極の間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことが出来るものである。なお、本明細書等において、トランジスタの一例としては、ゲート電極が2個以上のマルチゲート構造のトランジスタを用いることができる。マルチゲート構造にすると、チャネル領域が直列に接続されるため、複数のトランジスタが直列に接続された構造となる。よって、マルチゲート構造により、オフ電流の低減、トランジスタの耐圧向上信頼性の向上を図ることができる。または、マルチゲート構造により、飽和領域で動作する時に、ドレインとソースとの間の電圧が変化しても、ドレインとソースとの間の電流があまり変化せず、傾きがフラットである電圧電流特性を得ることができる。傾きがフラットである電圧電流特性を利用すると、理想的な電流源回路、又は非常に高い抵抗値をもつ能動負荷を実現することが出来る。その結果、特性のよい差動回路又はカレントミラー回路などを実現することが出来る。なお、トランジスタの一例としては、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造のトランジスタを適用することができる。チャネルの上下にゲート電極が配置される構造にすることにより、複数のトランジスタが並列に接続されたような回路構成となる。よって、チャネル領域が増えるため、電流値の増加を図ることができる。または、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、空乏層ができやすくなるため、サブスレッショルドスイング値S値の改善を図ることができる。なお、回路111の回路構成は、図2の回路構成に限定されず、様々な回路構成をとることが可能である。その場合の回路111の一例を図3に示す。したがって、図1及び図2に関して述べた内容は、図3にも適用させることが可能である。図3では、図2における配線202を複数設ける場合の例を示す。なお、図3では、配線202が3本の場合について示したが、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されず、2本、または、4本以上にすることが可能である。配線103a乃至配線103Lは、配線202a、配線202bまたは配線202cのいずれか1つと、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lを各々介して、接続されている。したがって、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのソース又はドレインの一方は、配線202a、配線202bまたは配線202cのいずれか1つに接続され、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのソース又はドレインの他方の各々は、それぞれ、配線103a乃至配線103Lに接続されている。そして、配線203は、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのゲートと接続されている。したがって、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのゲートは、互いに接続されている。なお、カラー表示を行う場合、表示を行う画素の各色と、配線202a、配線202b、または配線202cに関して、各色と、配線202a、配線202b、または配線202cのいずれか1つとを対応させることが可能である。例えば、配線202aにトランジスタを介して接続される配線は、赤色の画素に接続されている。したがって、配線202aは、各々トランジスタを介して、配線103a、配線103d、配線103g、配線103jに接続されている。同様に、配線202bにトランジスタを介して接続される配線は、青色の画素に接続されている。したがって、配線202bは、各々トランジスタを介して、配線103b、配線103e、配線103h、配線103kに接続されている。同様に、配線202cにトランジスタを介して接続される配線は、緑色の画素に接続されている。したがって、配線202cは、各々トランジスタを介して、配線103c、配線103f、配線103i、配線103Lに接続されている。なお、色は、赤青緑に限定されず、例えば、白を追加して4色を用いることや、少し異なる赤または青または緑を複数用いることも可能である。それにより、色の制御を行うことが出来る。次に、回路111の回路構成の別の例を図4に示す。したがって、図1、図2および図3に関して述べた内容は、図4にも適用させることが可能である。図4では、図2における配線203を複数設ける場合の例を示す。なお、図4では、配線203が3本の場合について示したが、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されず、2本、または、4本以上にすることが可能である。配線103a乃至配線103Lは、配線202と、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lを各々介して、接続されている。したがって、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのソース又はドレインの一方は、配線202に接続され、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのソース又はドレインの他方の各々は、それぞれ、配線103a乃至配線103Lに接続されている。そして、配線203a、配線203b、または配線203cのいずれか1つは、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのゲートと接続されている。したがって、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのうちの一部例えば、トランジスタ201a、201d、201g、201jについては、ゲートは、互いに接続され、配線203aに接続されている。同様に、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのうちの別の一部例えば、トランジスタ201b、201e、201h、201kについては、ゲートは、互いに接続され、配線203bに接続されている。同様に、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのうちのさらに別の一部例えば、トランジスタ201c、201f、201i、201Lについては、ゲートは、互いに接続され、配線203cに接続されている。なお、カラー表示を行う場合、表示を行う画素の各色と、配線203a、配線203b、または配線203cに関して、各色と、配線203a、配線203b、または配線203cのいずれか1つとを対応させることが可能である。例えば、配線203aとゲートが接続されているトランジスタを介して配線202と接続される配線は、赤色の画素に接続されている。したがって、配線202は、配線203aとゲートが接続されている各々のトランジスタを介して、配線103a、配線103d、配線103g、配線103jに接続されている。同様に、配線203bとゲートが接続されているトランジスタを介して配線202と接続される配線は、青色の画素に接続されている。したがって、配線202は、配線203bとゲートが接続されている各々のトランジスタを介して、配線103b、配線103e、配線103h、配線103kに接続されている。同様に、配線203cとゲートが接続されているトランジスタを介して配線202と接続される配線は、緑色の画素に接続されている。したがって、配線202は、配線203cとゲートが接続されている各々のトランジスタを介して、配線103c、配線103f、配線103i、配線103Lに接続されている。なお、色は、赤青緑に限定されず、例えば、白を追加して4つの色を用いることも可能であり、少し異なる赤または青または緑を複数用いることも可能である。それにより、色の制御を行うことが出来る。次に、回路111の回路構成の別の例を図5に示す。したがって、図1、図2、図3、および図4に関して述べた内容は、図5にも適用させることが可能である。図5では、図2における配線202および配線203を複数設ける場合の例を示す。したがって、図5は、図3における配線203が複数になった場合、または、図4における配線202を複数設ける場合にも相当する。なお、図5では、配線202および配線203をそれぞれ3本の場合について示したが、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されず、2本、または、4本以上にすることが可能である。配線103a乃至配線103Lは、配線202a、配線202b、または配線202cのいずれか1つと、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lを各々介して、接続されている。したがって、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのソース又はドレインの一方は、配線202a、配線202b、または、配線202cのいずれか1つに接続され、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのソース又はドレインの他方の各々は、それぞれ、配線103a乃至配線103Lに接続されている。そして、配線203a、配線203b、または配線203cのいずれか1つは、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのゲートと接続されている。したがって、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのうちの一部例えば、トランジスタ201a、201d、201g、201jについては、ゲートは、互いに接続され、配線203aに接続されている。同様に、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのうちの別の一部例えば、トランジスタ201b、201e、201h、201kについては、ゲートは、互いに接続され、配線203bに接続されている。同様に、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのうちのさらに別の一部例えば、トランジスタ201c、201f、201i、201Lについては、ゲートは、互いに接続され、配線203cに接続されている。なお、カラー表示を行う場合、図2乃至図4と同様、表示を行う画素の各色と、配線203a、配線203b、または、配線203cや配線202a、配線202b、または配線202cに関して、各色と、配線203a、配線203b、または、配線203cのいずれか1つとを対応させることや、配線202a、配線202b、または、配線202cのいずれか1つとを対応させることが可能である。それにより、色の制御を行うことが出来る。実施の形態2本実施の形態では、図2乃至図5で述べた回路111の動作の一例について述べる。回路111は、動作方法に応じて、様々な機能を有することが出来る。一例としては、回路111は、検査回路及び/又はプリチャージ回路の機能を有することが出来る。ただし、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されず、さらに別の機能を有することも可能である。まず、回路111をプリチャージ回路として動作させる場合の動作方法について述べる。プリチャージを行った場合の波形を図6に示す。ある行の配線、例えば、配線104aに供給される信号波形を図6Aに示す。信号901は、周期902を有する波形である。周期902は、一例としては、1フレーム期間または1サブフレーム期間に相当する場合が多い。信号901は、周期902の中では、期間903の間のみ、H信号となっており、それ以外の期間では、L信号となっている。期間903は、一例としては、1ゲート選択期間または1H期間に相当する場合が多い。図6Bは、1ゲート選択期間を詳細に示した場合の波形を示す。1ゲート選択期間は、前半の期間904と後半の期間905に分けて考えることが可能である。前半の期間904において、予め、所定の電圧を、配線103a乃至配線103Lに供給することが出来る。このように、予め所定の電圧を供給する動作が、プリチャージに相当する。したがって、前半の期間904は、プリチャージ期間であると言うことも可能である。後半の期間905においては、映像信号が供給される。したがって、後半の期間905は、信号入力期間であると言うことも可能である。信号908は、一例として、配線103a乃至配線103Lのいずれか1つに供給される信号を示している。信号908は、前半の期間904において、電位906と概ね等しい電位となる。ここで、電位906は、基準の電位であるということが可能であり、一例としては、表示素子、例えば、液晶素子に供給する共通電位または対向電位と概ね等しい電位であることが可能である。または、映像信号の電位の振幅の中間程度の電位であることが望ましい。そして、信号908は、後半の期間905において、映像信号に応じた電位となる。したがって、後半の期間905における信号908の電位は、ビデオ信号または液晶素子に供給する信号の極性などにより、適宜異なる値となる。このように、予め、所定の電圧を、配線103a乃至配線103Lに供給することにより、信号の供給をすばやく行うことが可能となる。よって、信号の書き込み速度が速くなり、信号の書き込み時間が短くて済むようになる。図2の回路の場合は、信号907のような信号を、配線203に供給する。信号907は、前半の期間904には、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lが導通状態になるオンとなる電圧となっている。そして、配線202には、電位906を供給する。その結果、前半の期間904において、配線103a乃至配線103Lに、プリチャージを行うことが出来る。このとき、酸化物半導体を有するトランジスタを用いて、各配線の電位を制御することにより、トランジスタのオフ電流の影響を低減できるため、電圧やノイズの漏れを低減することができ、正確な電圧を配線に供給することができる。そのため、酸化物半導体を有するトランジスタを用いることにより、正確な表示を行うことが出来る。このように、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lは、ゲート信号によってオンとオフに制御する機能を有している。したがって、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lは、スイッチ機能を有することが可能である。なお、図3の回路の場合、配線202a乃至配線202cのように、複数の配線を有している。そのため、前半の期間904において、配線103a乃至配線103Lに、異なる電位を供給することが可能となる。したがって、例えば、前半の期間904において、色に応じて異なる電位を配線103a乃至配線103Lに供給することが可能となる。そのため、様々な色を表現する上で最適な動作を行うことが出来る。または、図4の回路の場合、配線203a乃至配線203cのような複数の配線を有している。そのため、前半の期間904を、さらに、複数期間に分けることによって、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのいずれか一つのみを導通状態にするオンにすることが可能となる。この場合配線203a乃至配線203cに供給される信号波形を図7に示す。信号907aは配線203aに供給される信号を示し、信号907bは配線203bに供給される信号を示し、信号907cは配線203cに供給される信号を示す。信号907aは、前半の期間904中のさらに前半の期間にのみH信号となる。信号907bは、前半の期間904中の中間の期間にのみH信号となる。信号907cは、前半の期間904中の後半の期間にのみH信号となる。このように、前半の期間904を、さらに複数の期間に分けることにより、複数の期間中の各々の期間において、配線202に供給する電位を異なるようにすることにより、配線103a乃至配線103Lに供給する電位が異なるようにすることが出来る。したがって、前半の期間904において、色に応じて、異なる電位を配線103a乃至配線103Lにそれぞれ供給することが可能となる。そのため、色に応じた最適な動作を行うことが出来る。または、図5の回路の場合、配線202a乃至配線202cのような複数の配線を有している。そのため、前半の期間904において、配線103a乃至配線103Lに、異なる電位を供給することが可能となる。さらに、配線203a乃至配線203cのような複数の配線を有している。そのため、前半の期間904を、図7に示すように、複数期間に分けることによって、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのいずれか一つのみを導通状態にするオンにすることが可能となる。このように、前半の期間904を、さらに複数の期間に分けることにより、複数の期間中の各々の期間において、配線202a乃至配線202cに供給する電位を異なるようにすることにより、配線103a乃至配線103Lに供給する電位が異なるようにすることが出来る。したがって、前半の期間904において、色に応じて、異なる電位を配線103a乃至配線103Lにそれぞれ供給することが可能となる。そのため、色に応じた最適な動作を行うことが出来る。次に、回路111を検査回路として動作させる場合の動作方法について述べる。まず、図2の場合について述べる。まず、何らかの手段によって、画素に信号を供給する。例えば、配線103a乃至配線103Lに接続された信号線駆動回路から、配線103a乃至配線103Lに信号を供給する。より望ましくは、配線103a乃至配線103Lのうちの1つに信号を供給する。または、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lをオンにして、配線202を介して、配線103a乃至配線103Lに、より望ましくは、配線103a乃至配線103Lのうちの1つに、信号を供給する。または、配線103a乃至配線103Lに、より望ましくは、配線103a乃至配線103Lのうちの1つに、信号を供給するための針を接触させて、信号を供給する。そして、配線104aまたは配線104bなどのゲート線のいずれか1つにH信号を供給する。すると、画素内のトランジスタが正常に動作している場合は、画素内に信号が供給される。その後、そのゲート線にL信号を供給する。その結果、画素内に信号が保持される。次に、そのゲート線にH信号を供給する。すると、画素内に保持されていた信号が、配線103a乃至配線103Lに供給される。そのとき、配線203にH信号を供給して、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lを導通状態にする。その結果、画素内に保持されていた信号を、配線202を介して読み出すことが出来る。このとき、画素内のトランジスタに不良があれば、きちんと信号を読み出すことが出来ない。よって、その良否によって、トランジスタが正常かどうかの検査を行うことが出来る。そして、配線103a乃至配線103Lのうちの1つに信号を供給していた場合は、別の1つに信号を供給し、同様の動作を繰り返す。そしてさらに、この動作を全ゲート線に渡って行う。これにより、全画素を検査することが出来る。なお、1本のゲート線が選択されている状況において、そのゲート線に接続された複数の画素のうち、1つの画素のみに信号の供給と読み出しを行うことにより、1画素ずつ正確に検査を行うことが出来る。あるいは、複数の画素のうち、一部または全部の画素に信号の供給と読み出しを行うことにより、大まかに画素を検査することが出来る。なお、図3の場合、配線202a乃至配線202cのような複数の配線が配置されている。したがって、複数の画素内に保持されていた信号を、配線202a乃至配線202cを介して、同時に読み出すことが出来る。そのため、図3の場合は3本の配線が配置されているので、最初に画素に信号を供給するときには、同時に3つの画素に信号を供給し、読み出すときには、3画素を同時に読み出すことが出来る。したがって、すばやく検査を行うことが出来る。そのため、半導体装置などを製造する工程期間が短くでき、コストを低減することが出来る。なお、図4の場合、配線203a乃至配線203cのような複数の配線が配置されている。したがって、画素内に保持されていた信号を、配線202を介して読み出すときには、配線203a乃至配線203cに供給する信号を順次H信号にしていくことにより、順次信号を読みだすことが出来る。そのため、最初に画素に信号を供給するときには、同時に複数の画素に信号を供給し、読み出すときには、1画素ずつ順次読み出すことが出来る。したがって、すばやく検査を行うことが出来る。そのため、半導体装置などを製造する工程期間が短くでき、コストを低減することが出来る。なお、図5の場合、配線202a乃至配線202cのような複数の配線が配置されている。したがって、複数の画素内に保持されていた信号を、配線202a乃至配線202cを介して、同時に読み出すことが出来る。さらに、配線203a乃至配線203cのような複数の配線が配置されている。したがって、画素内に保持されていた信号を、配線202を介して読み出すときには、配線203a乃至配線203cに供給する信号を順次H信号にしていくことにより、順次信号を読みだすことが出来る。したがって、すばやく検査を行うことが出来る。そのため、半導体装置などを製造する工程期間が短くすることができ、コストを低減することが出来る。このような検査は、半導体装置などを製造している工程の一環として行われる。したがって、半導体装置などが組み立てられて、出荷された後は、検査回路が動作することはない。また、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lのオフ電流が大きい場合は、電流が漏れてしまう。その結果、配線103a乃至配線103Lにノイズが入ってしまう。そこで、酸化物半導体を有するトランジスタを、トランジスタ201a乃至トランジスタ201Lとして使用することにより、オフ電流が低減でき、ノイズを低減することが出来る。このように、回路111は、動作方法を変えることにより、様々な機能を実現することが可能である。したがって、回路111は、プリチャージ回路としての機能と、検査回路としての機能を両方持つことも可能である。両方の機能を持つことにより、少ない回路で多くの機能を実現できるため、低コスト化、低消費電力化などを実現することが出来る。実施の形態3本実施の形態では、回路111の周辺の回路の一例について述べる。図8に、回路111、画素部101、およびそれらの周辺の回路の一例を示す。基板511上に、回路111および画素部101が配置されている。したがって、回路111が有するトランジスタおよび配線は、画素部101が有するトランジスタおよび配線と、同時に成膜され、同時にエッチングされ、同時にパターンが形成されている。つまり、回路111と画素部101とは、同じプロセス工程を経て、同時に形成され、同じ基板上に形成されている。そのため、トランジスタおよび配線が有する材料は、回路111と画素部101とでは、同じになる。よって、画素部101のトランジスタが酸化物半導体を有している場合は、回路111のトランジスタも酸化物半導体を有していることとなる。なお、本明細書等において、様々な基板を用いて、トランジスタを形成することが出来る。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基板例えば単結晶基板又はシリコン基板、SOI基板、ガラス基板、石英基板、可撓性基板などがある。可撓性基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPENに代表されるプラスチック、又はアクリル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。なお、ある基板を用いてトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを転置し、別の基板上にトランジスタを配置してもよい。なお、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てを、同一の基板に形成することが可能である。こうして、部品点数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減による信頼性の向上を図ることができる。図8Aでは、回路501、回路502、回路503、および回路504は、基板511とは別の基板に設けられている。したがって、一例としては、回路501、回路502、回路503、または、回路504は、単結晶基板またはSOI基板を用いたICチップを有して構成されている。ただし、回路501、回路502、回路503、及び/又は回路504が、COGチップオングラス実装を用いて、基板511の上に設けられている場合がある。ここで、回路501は、回路111の制御、回路111への信号や電圧の供給、または、回路111からの信号の読み出しなどを行う機能を有している。回路501は、回路111が有する機能に応じて、それに対応した機能を有している。例えば、回路111がプリチャージ回路の機能を有する場合には、回路501はプリチャージの動作を制御する機能を有している。同様に、回路111が検査回路の機能を有する場合には、回路501は検査の動作を制御する機能を有している。同様に、回路111がプリチャージ回路及び検査回路の機能を有する場合には、回路501はプリチャージ及び検査の動作を制御する機能を有している。回路502は、配線104a、配線104bなどに信号を供給する機能を有している。したがって、回路502は、ゲート線駆動回路スキャンドライバとしての機能を有することが出来る。回路503は、配線103a乃至配線103Lに信号を供給する機能を有している。したがって、回路503は、信号線駆動回路データドライバとしての機能を有することが出来る。回路504は、回路502、または回路503の制御を行う機能を有している。したがって、回路504は、コントローラ、パルス生成回路、クロック信号生成回路、コモン電圧生成回路、タイミングジェネレータ回路、画像処理回路、または電源回路などの機能を有することが出来る。図8Bでは、図8Aの構成が回路501を有しない場合に相当する。回路111が検査回路として機能する場合は、検査を行っているときには、回路501が必要であるが、検査が終了したあとは、回路501は不要である。従って、検査時には、図8Aのように回路501を設け、検査終了時以降は、回路501を取り外すことが出来る。図8Bのように回路501が取り外された場合には、配線202と配線203はフローティング状態となる。なお、図8では、回路501、回路502、回路503、および回路504は、基板511とは別の基板に設けられていたが、本発明の実施の形態の一態様は、これに限定されない。例えば、それらの回路の一部が基板511に設けられていることが可能である。一例として、回路502が基板511上に設けられている場合の例を図9に示す。図9Aは、図8Aと同様、回路501を有する構成を示し、図9Bは、図8Bと同様、回路501を有さない構成を示す。したがって、図9では、回路111と画素部101と回路502とは、同じプロセス工程を経て、同じ基板上に形成されている。よって、画素部101のトランジスタが酸化物半導体を有している場合は、回路111のトランジスタおよび回路502のトランジスタも酸化物半導体を有していることとなる。図9Bのように回路501が取り外された場合には、配線202と配線203はフローティング状態となる。このように、回路502を画素部101と同一基板上に形成することにより、コストを低くすることが出来る。なお、図9とは別の場合の例として、回路503または回路503の一部も基板511に設けることも可能である。回路503の一部の回路の一例としては、配線103a乃至配線103Lに、アナログスイッチトランスファーゲートを接続することが可能である。同様に、回路504または回路504の一部も基板511に設けることも可能である。実施の形態4本実施の形態では、画素部101が有する画素の一例を示す。図10Aに、画素102aの回路の一例を示す。配線104aに、トランジスタ801のゲートが接続されている。トランジスタ801の第1端子は、配線103aに接続され、トランジスタ801の第2端子は、表示素子802の第1端子に接続されている。表示素子802の第2端子は、配線803に接続されている。容量素子804の第1端子は、トランジスタ801の第2端子と接続され、容量素子804の第2端子は、配線805と接続されている。ここで、配線803は、全ての画素において、互いに接続されていることが可能である。そして、所定の電圧が供給されている。よって、配線803は、共通配線コモン配線、対向電極などの機能を有することが可能である。ここで、配線805は、他の画素、例えば、左右の画素において、互いに接続されていることが可能である。そして、所定の電圧が供給されている。よって、配線805は、共通配線、容量配線などの機能を有することが可能である。なお、トランジスタ801は、表示素子802または容量素子804に信号を供給するかどうかを選択する機能を有することが可能である。したがって、トランジスタ801は、スイッチ機能を有することが出来る。または、トランジスタ801は、スイッチングトランジスタスイッチ用トランジスタ、選択用トランジスタとしての機能を有することが可能である。なお、容量素子804を省き、開口率を向上させることも可能である。その場合の回路図を図10Bに示す。トランジスタ801として、オフ電流の低いトランジスタ、例えば、酸化物半導体を有するトランジスタを用いることにより、容量素子804を省いても、表示素子802に加わる電圧を保持することが出来る。なお、画素回路の例は、図10の回路に限定されない。図11Aに別の画素回路の一例を示す。配線104aに、トランジスタ1301のゲートが接続されている。トランジスタ1301の第1端子は、配線103aに接続され、トランジスタ1301の第2端子は、トランジスタ1311のゲートと接続されている。トランジスタ1311の第1端子は、配線1305に接続され、トランジスタ1311の第2端子は、表示素子802の第1端子に接続されている。表示素子802の第2端子は、配線1303に接続されている。容量素子1304の第1端子は、トランジスタ1301の第2端子と接続され、容量素子1304の第2端子は、トランジスタ1311の第2端子と接続されている。なお、容量素子1304の第2端子が接続される配線または端子は、図11Aに限定されず、別の配線、例えば、配線1305に接続されることが可能である。ここで、配線1303は、全ての画素において、互いに接続されていることが可能である。そして、所定の電圧が供給されている。よって、配線1303は、共通配線、対向電極、陰極配線、カソード線などの機能を有することが可能である。ここで、配線1305は、他の画素、例えば、左右の画素または上下の画素において、互いに接続されていることが可能である。そして、所定の電圧が供給されている。よって、配線1305は、共通配線、容量配線、電源線、電流供給線、アノード線などの機能を有することが可能である。なお、トランジスタ1301は、トランジスタ1311または容量素子1304に信号を供給するかどうかを選択する機能を有することが可能である。したがって、トランジスタ1301は、スイッチ機能を有することが出来る。または、トランジスタ1301は、スイッチングトランジスタ、選択用トランジスタとしての機能を有することが可能である。なお、トランジスタ1311は、表示素子802に信号、電圧、または、電流を供給するかどうかを選択するスイッチ機能や、それらの大きさを制御する電流源としての機能を有することが可能である。または、トランジスタ1311は、ドライブ用トランジスタとしての機能を有することが可能である。なお、容量素子1304を省き、開口率を向上させることも可能である。その場合の回路図を図11Bに示す。トランジスタ1301、1311として、オフ電流の低いトランジスタ、例えば、酸化物半導体を有するトランジスタを用いることにより、容量素子1304を省いても、表示素子802に加わる電圧を保持することが出来る。なお、表示素子802は、様々な素子を適用させることが可能であり、発光素子として機能させることも可能である。表示素子として、発光素子802aを適用した場合の回路図を図11Bに示す。なお、表示素子の一例としては、ELエレクトロルミネッセンス素子有機物及び無機物を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子、LED白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイなどがある。電子インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。EL素子の一例としては、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に挟まれたEL層と、を有する素子などがある。EL層の一例としては、1重項励起子からの発光蛍光を利用するもの、3重項励起子からの発光燐光を利用するもの、1重項励起子からの発光蛍光を利用するものと3重項励起子からの発光燐光を利用するものとを含むもの、有機物によって形成されたもの、無機物によって形成されたもの、有機物によって形成されたものと無機物によって形成されたものとを含むもの、高分子の材料を含むもの、低分子の材料を含むもの、又は高分子の材料と低分子の材料とを含むもの、などがある。ただし、これに限定されず、EL素子として様々なものを用いることができる。液晶素子の一例としては、液晶の光学的変調作用によって光の透過又は非透過を制御する素子がある。その素子は一対の電極と液晶層により構造されることが可能である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含むによって制御される。また液晶の駆動方法としては、TNTwistedNematicモード、STNSuperTwistedNematicモード、IPSIn-Plane-Switchingモード、FFSFringeFieldSwitchingモード、MVAMulti-domainVerticalAlignmentモード、PVAPatternedVerticalAlignmentモード、ASVAdvancedSuperViewモード、ASMAxiallySymmetricalignedMicro-cellモード、OCBOpticallyCompensatedBirefringenceモード、ECBElectricallyControlledBirefringenceモード、FLCFerroelectricLiquidCrystalモード、AFLCAntiFerroelectricLiquidCrystalモード、PDLCPolymerDispersedLiquidCrystalモード、PNLCPolymerNetworkLiquidCrystalモード、ゲストホストモード、ブルー相BluePhaseモードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子及びその駆動方式として様々なものを用いることができる。回路111が有するトランジスタは、トランジスタのレイアウトへの制限が少ない。そのため、回路111が有するトランジスタトランジスタ201a乃至トランジスタ201Lなどのチャネル幅もしくはゲート幅Wは、画素が有するトランジスタトランジスタ801、トランジスタ1301、トランジスタ1311などのチャネル幅もしくはゲート幅Wよりも大きくすることが出来る。特に、酸化物半導体を有するトランジスタは、オフ電流が小さいため、チャネル幅もしくはゲート幅Wを大きくしても、悪影響が少ない。そして、回路111が有するトランジスタのチャネル幅もしくはゲート幅Wを大きくすることによって、プリチャージや検査をすばやく行うことが出来る。同様に、回路111が有するトランジスタトランジスタ201a乃至トランジスタ201Lなどのチャネル長もしくはゲート長Lは、画素が有するトランジスタトランジスタ801、トランジスタ1301、トランジスタ1311などのチャネル長もしくはゲート長Lよりも大きくすることが出来る。実施の形態5本実施の形態においては、トランジスタ201a乃至トランジスタ201L、トランジスタ801、トランジスタ1301、トランジスタ1311などとして、チャネル形成領域が酸化物半導体によって構成されるトランジスタを適用する。酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、In-Sn-Zn-O系酸化物半導体、In-Al-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、Al-Ga-Zn-O系酸化物半導体、若しくはSn-Al-Zn-O系酸化物半導体、又は二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Zn-O系酸化物半導体、Al-Zn-O系酸化物半導体、Zn-Mg-O系酸化物半導体、Sn-Mg-O系酸化物半導体、In-Mg-O系酸化物半導体、In-O系酸化物半導体、Sn-O系酸化物半導体、若しくはZn-O系酸化物半導体などの酸化物半導体を用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を添加した酸化物半導体でもよい。また、酸化物半導体は、InMO3ZnOmm>0で表記される物質を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。InMO3ZnOmm>0で表記される構造の酸化物半導体のうち、MとしてGaを含む構造の酸化物半導体を、上記したIn-Ga-Zn-O酸化物半導体とよび、その薄膜をIn-Ga-Zn-O系膜ともよぶこととする。チャネル形成領域が酸化物半導体によって構成されるトランジスタの作製方法の一形態を、図12を参照して説明する。図12A乃至Dは、トランジスタの断面構造の一例を示す図である。図12A乃至Dに示すトランジスタ410は、チャネルエッチ型と呼ばれるボトムゲート構造の一つである。また、図12A乃至Dには、シングルゲート構造のトランジスタを示すが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとすることができる。以下、図12A乃至Dを用い、基板400上にトランジスタ410を作製する工程を説明する。まず、絶縁表面を有する基板400上に導電膜を形成した後、第1のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極層411を形成する。絶縁表面を有する基板400に使用することができる基板に大きな制限はないが、少なくとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。例えば、バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。また、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が730°C以上のガラス基板を用いると良い。下地膜となる絶縁膜を基板400とゲート電極層411の間に設けてもよい。下地膜は、基板400からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。また、ゲート電極層411の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。次いで、ゲート電極層411上にゲート絶縁層402を形成する。ゲート絶縁層402は、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、若しくは酸化アルミニウム層を単層で又は積層して形成することができる。また、ゲート絶縁層として酸化ハフニウムHfOx、酸化タンタルTaOx等のHigh-k材料を用いることもできる。ゲート絶縁層402の膜厚は、100nm以上500nm以下とし、積層の場合は、例えば、膜厚50nm以上200nm以下の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶縁層上に膜厚5nm以上300nm以下の第2のゲート絶縁層の積層とする。本実施の形態では、ゲート絶縁層402としてプラズマCVD法により膜厚100nm以下の酸化窒化シリコン層を形成する。また、ゲート絶縁層402として、高密度プラズマ装置を用い、酸化窒化珪素膜の形成を行ってもよい。ここで高密度プラズマ装置は、1×1011/cm3以上のプラズマ密度を達成できる装置を指している。例えば、3kW~6kWのマイクロ波電力を印加してプラズマを発生させて、絶縁膜の成膜を行う。高密度プラズマ装置により得られた絶縁膜は、一定した厚さの膜形成ができるため段差被覆性に優れている。また、高密度プラズマ装置により得られる絶縁膜は、薄い膜の厚みを精密に制御することができる。高密度プラズマ装置により得られる絶縁膜は、従来の平行平板型のPCVD装置で得られる絶縁膜とは大きく異なっており、同じエッチャントを用いてエッチング速度を比較した場合において、平行平板型のPCVD装置で得られる絶縁膜の10以上または20以上遅く、高密度プラズマ装置で得られる絶縁膜は緻密な膜と言える。なお、後の工程でi型化又は実質的にi型化される酸化物半導体高純度化された酸化物半導体は界面準位、界面電荷に対して極めて敏感であるため、ゲート絶縁層との界面は重要である。そのため高純度化された酸化物半導体に接するゲート絶縁層GIは、高品質化が要求される。従ってμ波2.45GHzを用いた高密度プラズマCVDは、緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁膜を形成できるので好ましい。高純度化された酸化物半導体と高品質ゲート絶縁層が密接することにより、界面準位を低減して界面特性を良好なものとすることができるからである。ゲート絶縁層としての膜質が良好であることは勿論のこと、酸化物半導体との界面準位密度を低減し、良好な界面を形成できることが重要である。次いで、ゲート絶縁層402上に、膜厚2nm以上200nm以下の酸化物半導体膜430を形成する。酸化物半導体膜430は、In-Ga-Zn-O系やIn-Zn-O系などの酸化物半導体膜を用いる。本実施の形態では、酸化物半導体膜430として、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタ法により成膜する。この段階での断面図が図12Aに相当する。また、酸化物半導体膜430は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガス代表的にはアルゴン及び酸素の混合雰囲気下においてスパッタ法により形成することができる。ここでは、In、Ga、及びZnを含む金属酸化物ターゲットIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]を用いて、基板とターゲットの間との距離を100mm、圧力0.2Pa、直流DC電源0.5kW、アルゴン及び酸素アルゴン:酸素=30sccm:20sccm、酸素流量比率40雰囲気下で成膜する。なお、パルス直流DC電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。In-Ga-Zn-O系膜の膜厚は、5nm以上200nm以下とする。本実施の形態では、酸化物半導体膜として、In-Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットを用いてスパッタ法により膜厚20nmのIn-Ga-Zn-O系膜を成膜する。次いで、酸化物半導体膜430を第2のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。次いで、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行う。脱水化または脱水素化を行う第1の加熱処理の温度は、400°C以上750°C以下、好ましくは400°C以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の加熱処理を行った後、大気に触れることなく、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層431を得る図12B参照。なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体には、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。例えば、第1の加熱処理として、650°C~700°Cの高温に加熱した不活性ガス中に基板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中から出すGRTAを行ってもよい。GRTAを用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。なお、第1の加熱処理の雰囲気においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガス、乾燥空気に、水、水素などが含まれないことが好ましい。例えば、加熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上、即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。また、酸化物半導体層の第1の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜430に対して行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から基板を取り出し、第2のフォトリソグラフィ工程を行う。また、ゲート絶縁層402に開口部を形成する場合、その工程は酸化物半導体膜430に脱水化または脱水素化処理を行う前でも行った後に行ってもよい。なお、ここでの酸化物半導体膜430のエッチングは、ウェットエッチングに限定されずドライエッチングを用いてもよい。ドライエッチングに用いる酸化物半導体膜430のエッチングガスとしては、塩素を含むガス例えば塩素Cl2、塩化硼素BCl3などが好ましい。ウェットエッチングに用いる酸化物半導体膜430のエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液や、ITO07N関東化学社製などを用いることができる。次いで、ゲート絶縁層402、及び酸化物半導体層431上に、金属導電膜を形成する。金属導電膜をスパッタ法や真空蒸着法で形成すればよい。金属導電膜の材料としては、アルミニウムAl、クロムCr、銅Cu、タンタルTa、チタンTi、モリブデンMo、タングステンW、ネオジムNd、スカンジウムScから選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、又は上述した元素を組み合わせた合金等が挙げられる。また、上述した元素の窒化膜を用いてもよい。また、マンガンMn、マグネシウムMg、ジルコニウムZr、ベリリウムBe、イットリウムYのいずれか一または複数から選択された材料を用いてもよい。また、金属導電膜は、単層構造でも、2層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する2層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにアルミニウム膜上にチタン膜を積層する3層構造などが挙げられる。金属導電膜後に加熱処理を行う場合には、この加熱処理に耐える耐熱性を金属導電膜に持たせることが好ましい。第3のフォトリソグラフィ工程により金属導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層415a、ドレイン電極層415bを形成した後、レジストマスクを除去する図12C参照。本実施の形態では、金属導電膜としてチタン膜を用いて、酸化物半導体層431にはIn-Ga-Zn-O系酸化物を用いて、チタン膜のエッチャントとしてアンモニア過水31重量過酸化水素水:28重量アンモニア水:水=5:2:2を用いる。なお、第3のフォトリソグラフィ工程では、酸化物半導体層431は一部のみがエッチングされ、溝部凹部を有する酸化物半導体層となることもある。また、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスク数及び工程数を削減するため、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成したレジストマスクは複数の膜厚を有する形状となり、アッシングを行うことでさらに形状を変形することができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができる。よって、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。よって露光マスク数を削減することができ、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。次いで、亜酸化窒素N2O、窒素N2、またはアルゴンArなどのガスを用いたプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によって露出している酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去する。また、酸素とアルゴンの混合ガスを用いてプラズマ処理を行ってもよい。プラズマ処理を行った後、大気に触れることなく、酸化物半導体層の一部に接する保護絶縁膜となる酸化物絶縁層416を形成する。酸化物絶縁層416は、少なくとも1nm以上の膜厚とし、スパッタ法など、酸化物絶縁層416に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。酸化物絶縁層416に水素が含まれると、その水素の酸化物半導体層への侵入が生じ酸化物半導体層431のバックチャネルが低抵抗化N型化してしまい、寄生チャネルが形成される。よって、酸化物絶縁層416はできるだけ水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いないことが重要である。本実施の形態では、酸化物絶縁層416として膜厚200nmの酸化シリコン膜をスパッタ法を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300°C以下とすればよく、本実施の形態では100°Cとする。酸化珪素膜のスパッタ法による成膜は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガス代表的にはアルゴン及び酸素雰囲気下において行うことができる。また、ターゲットとして酸化シリコンターゲットまたはシリコンターゲットを用いることができる。例えば、シリコンターゲットを用いて、酸素、及び窒素雰囲気下でスパッタ法により酸化シリコン膜を形成することができる。次いで、不活性ガス雰囲気下、乾燥空気雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で第2の加熱処理好ましくは200°C以上400°C以下、例えば250°C以上350°C以下を行う。例えば、窒素雰囲気下で250°C、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導体層の一部チャネル形成領域が酸化物絶縁層416と接した状態で加熱される。これにより、酸化物半導体層の一部チャネル形成領域に酸素が供給される。また、ソース電極層415a又はドレイン電極層415bと酸化物半導体層の界面近傍においては、酸素がソース電極層415a又はドレイン電極層415bへと拡散する。これにより、ソース領域414a及びドレイン領域414bが形成される。以上の工程を経ることによって、酸化物半導体層に対して脱水化または脱水素化のための加熱処理を行った後、酸化物半導体層の一部チャネル形成領域を選択的に酸素過剰な状態とする。なお、酸素過剰な状態の酸化物半導体層の一部を図中の領域413として示す。以上の工程でトランジスタ410が形成される。さらに大気中、100°C以上200°C以下、1時間以上30時間以下での加熱処理を行ってもよい。本実施の形態では150°Cで10時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定の加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、100°C以上200°Cの加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回くりかえして行ってもよい。酸化物絶縁層416上にさらに保護絶縁層を形成してもよい。例えば、RFスパッタ法を用いて窒化珪素膜を形成する。RFスパッタ法は、量産性がよいため、保護絶縁層の成膜方法として好ましい。保護絶縁層は、水分や、水素イオンや、OH-などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、窒化珪素膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化珪素膜、酸化窒化アルミニウムなどを用いる。本実施の形態では、保護絶縁層として保護絶縁層403を、窒化珪素膜を用いて形成する図12D参照。本実施の形態においてトランジスタ410の酸化物半導体層は、n型不純物である水素を酸化物半導体から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することにより真性i型とし、又は実質的に真性型としたものである。すなわち、不純物を添加してi型化するのでなく、水素や水等の不純物を極力除去したことにより、高純度化されたi型真性半導体又はそれに近づけることを特徴としている。そうすることにより、フェルミ準位Efを真性フェルミ準位Eiと同じレベルにまですることができる。酸化物半導体のバンドギャップEgが3.15eVであり、電子親和力χは4.3eVであると言われている。ソース電極層及びドレイン電極層を構成するチタンTiの仕事関数は、酸化物半導体の電子親和力χとほぼ等しい。この場合、金属-酸化物半導体界面において、電子に対してショットキー型の障壁は形成されない。例えば、トランジスタのチャネル幅Wが1×104μmでチャネル長Lが3μmの素子であっても、室温において、オフ電流が10-13A以下であり、S値が0.1V/decadeゲート絶縁層膜厚100nmであることが可能である。このように、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することにより、トランジスタ410の動作を良好なものとすることができる。上述した酸化物半導体は、電気的特性変動を抑止するため、変動要因となる水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を意図的に排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することから高純度化及び電気的にI型真性化された酸化物半導体である。よって酸化物半導体中の水素は少なければ少ないほどよい。また、高純度化された酸化物半導体中にはキャリアが極めて少なくゼロに近い、キャリア密度は1×1012/cm3未満、好ましくは1×1011/cm3未満である。即ち、酸化物半導体層のキャリア密度は、限りなくゼロに近くする。酸化物半導体層中にキャリアが極めて少ないため、トランジスタのオフ電流を少なくすることができる。オフ電流は少なければ少ないほど好ましい。トランジスタは、チャネル幅w1μmあたりの電流値が100aA/μm以下、好ましくは10zAゼプトアンペア/μm以下、更に好ましくは1zA/μm以下である。さらに、pn接合がなく、ホットキャリア劣化がないため、これらにトランジスタの電気的特性が影響を受けない。このように酸化物半導体層に含まれる水素を徹底的に除去することにより高純度化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、オフ電流を極めて小さくすることができる。つまり、トランジスタの非導通状態において、酸化物半導体層は絶縁体とみなせて回路設計を行うことができる。一方で、酸化物半導体層は、トランジスタの導通状態においては、非晶質シリコンで形成される半導体層よりも高い電流供給能力を見込むことができる。また、低温ポリシリコンを具備する薄膜トランジスタでは、酸化物半導体を用いて作製されたトランジスタと比べて、オフ電流が10000倍程度大きい値であると見積もって設計を行っている。そのため、酸化物半導体を有するトランジスタでは、低温ポリシリコンを具備する薄膜トランジスタに比べて、保持容量が同等0.1pF程度である際、電圧の保持期間を10000倍程度に引き延ばすことができる。一例として、動画表示を毎秒60フレームで行う場合、1回の信号書き込みによる保持期間を10000倍の160秒程度とすることができる。そして、少ない画像信号の書き込み回数でも、表示部での静止画の表示を行うことができる。実施の形態6本実施の形態では、画素の一例及びその画素の駆動方法について説明する。特に、メモリ性を有する表示素子を含む画素の一例及びその画素の駆動方法の一例について説明する。図13Aは、画素の回路図の一例を示す。画素5450は、トランジスタ5451、容量素子5452及び表示素子5453を有する。トランジスタ5451の第1の端子は、配線5461と接続される。トランジスタ5451の第2の端子は、容量素子5452の一方の電極及び表示素子5453の一方の電極画素電極ともいうと接続される。トランジスタ5451のゲートは、配線5462と接続される。容量素子5452の他方の電極は、配線5463と接続される。表示素子5453の他方の電極は、電極5454コモン電極共通電極、対向電極、カソード電極などと接続される。なお、表示素子5453の一方の電極を、電極5455と示す。ここで、図13Aと図10Aとを対応させると、トランジスタ5451はトランジスタ801に対応し、表示素子5453は表示素子802に対応し、容量素子5452は容量素子804に対応し、配線5462は配線104aに対応し、配線5461は配線103aに対応する。なお、表示素子5453は、メモリ性を有することが好ましい。表示素子5453又は表示素子5453の駆動方式としては、マイクロカプセル型電気泳動方式、マイクロカップ型電気泳動方式、水平移動型電気泳動方式、垂直移動型電気泳動方式、ツイストボール方式、粉体移動方式、電子粉流体登録商標方式、コレステリック液晶素子、カイラルネマチック液晶、反強誘電性液晶、高分子分散型液晶などがある。このような表示素子5453に加える電圧は、非常に高い。そのため、表示素子5453を駆動するトランジスタには、高い耐圧が必要とされる。さらに、そのような高い電圧が加わったときにでも、オフ電流が低いことが必要となる。そこで、そのような場合のトランジスタとして、酸化物半導体を有するトランジスタを用いることにより、耐圧が高く、オフ電流の小さいトランジスタを実現することが出来る。図13Bは、マイクロカプセル型の電気泳動方式を用いた画素の断面図を示す。電極5454と電極5455との間に、複数のマイクロカプセル5480が配置される。複数のマイクロカプセル5480は、樹脂5481により固定される。樹脂5481は、バインダとしての機能を有する。樹脂5481は、透光性を有するとよい。ただし、電極5454と電極5455とマイクロカプセル5480とによって形成される空間には、空気又は不活性ガスなどの気体が充填されることが可能である。このような場合、電極5454と電極5455との一方又は両方に、粘着剤又は接着剤等を含む層を形成して、マイクロカプセル5480を固定するとよい。マイクロカプセル5480は、膜5482と、液体5483と、粒子5484と、粒子5485とを有する。液体5483と、粒子5484と、粒子5485とは、膜5482の中に封入されている。膜5482は、透光性を有する。液体5483は、分散液としての機能を有する。液体5483により、粒子5484及び粒子5485を膜5482内に分散させることができる。なお、液体5483は、透光性を有し、無着色であるとよい。粒子5484と粒子5485とは、互いに異なる色とする。例えば、粒子5484と粒子5485との一方は、黒色であり、粒子5484と粒子5485との他方は、白色であるとよい。なお、粒子5484と粒子5485とは、互いの電荷密度や極性が異なるように、帯電されているとする。例えば、粒子5484と粒子5485との一方は、正に帯電され、粒子5484と粒子5485との他方は、負に帯電されるとよい。これにより、電極5454と電極5455との間に電位差が生じると、粒子5484と粒子5485とは、電界方向に応じて移動する。こうして、表示素子5453の反射率が変化することにより、階調を制御することができる。ただし、マイクロカプセル5480の構造は、前述したものに限定されない。例えば、液体5483は、着色されることが可能である。別の例として、膜5482の中に封入される粒子は、1種類であることが可能である。または、3種類以上であることが可能である。別の例として、粒子5484及び粒子5485は、白色及び黒色だけでなく、赤色、緑色、青色、シアン、マゼンダ、イエロー、エメラルドグリーン、朱色などの中から選択することが可能である。膜5482としては、透光性を有する材料例えばアクリル樹脂例えばポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチルなど、ユリア樹脂又はアラビアゴムなどの高分子樹脂などがある。なお、膜5482は、ゼラチン状であるとよい。これにより、柔軟性、曲げ強度及び機械的強度などの向上を図ることができるため、フレキシビリティの向上を図ることができる。または、マイクロカプセル5480を隙間なく且つ均一に、フィルムなどの基板に配置することができる。液体5483としては、透光性を有する油性の液体を用いるとよい。具体的には、液体5483としては、アルコール系溶媒例えばメタノール、エタノールなど、エステル例えば酢酸エチル又は酢酸ブチルなど、脂肪族炭化水素例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ぺンタン、ヘキサン又はオクタンなど、脂環式炭化水素例えばシクロへキサン又はメチルシクロへキサンなど、長鎖アルキル基を有するベンゼン類等の芳香族炭化水素例えばベンゼン、トルエン、キシレン、など、ハロゲン化炭化水素例えば塩化メチレン、クロロホルムなど、カルボン酸塩、水、若しくはその他の油類などがある。または、これらの材料の中の少なくとも2つ以上の混合物がある。または、これらの材料又はこれらの材料の中の少なくとも2つ以上の混合物に、界面活性剤などを配合したものなどがある。粒子5484及び粒子5485は、各々、顔料により構成される。粒子5484及び粒子5485を構成する顔料は、お互いに異なる色であることが好ましい。例えば、粒子5484は、黒色の顔料により構成され、粒子5485は、白色の顔料により構成されるとよい。黒色の顔料としては、アニリンブラック又はカーボンブラックなどがある。白色の顔料としては、二酸化チタン、亜鉛華酸化亜鉛又は三酸化アンチモンなどがある。なお、これらの顔料には、荷電制御剤例えば電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス又はコンパウンドなど、分散剤例えばチタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤又はシラン系カップリング剤など、潤滑剤又は安定化剤などを添加することが可能である。図14Aは、表示素子5453の方式として、ツイストボール方式を用いる場合の画素の断面図を示す。ツイストボール方式は、表示素子の回転により、反射率を変化させ、階調を制御するものである。図13Bとの違いは、電極5454と電極5455との間に、マイクロカプセル5480の代わりに、ツイストボール5486が配置されているところである。ツイストボール5486は、粒子5487と、粒子5487の周りに形成されるキャビティ5488とにより構成される。粒子5487は、半球面をそれぞれある色と該ある色とは異なる色とに塗り分けた球状粒子である。ここでは、粒子5487は、半球面をそれぞれ白色と黒色とに塗り分けられているとする。なお、2つの半球面には電荷密度や極性差が設けられている。そのため、電極5454と電極5455との間に電位差を生じさせることにより、粒子5487を電界方向に応じて回転させることができる。キャビティ5488は、液体で満たされている。該液体は、液体5483と同様なものを用いることができる。ただし、ツイストボール5486は、図14Aに示す構造に限定されない。例えば、ツイストボール5486の構造は、円柱又は楕円などとすることが可能である。図14Bは、表示素子5453の方式として、マイクロカップ型の電気泳動方式を用いる場合の画素の断面図を示す。マイクロカップアレイは、UV硬化樹脂等からなり複数の凹部を有するマイクロカップ5491に、誘電性溶媒5492に分散させた帯電色素粒子5493を充填し、封止層5494で封止することにより作製できる。封止層5494と電極5455との間には、粘着層5495を形成するとよい。誘電性溶媒5492としては、無着色溶媒を用いることが可能であるし、赤や青などの着色溶媒を用いることも可能である。ここでは、帯電色素粒子を1種類有する場合を図示したが、帯電色素粒子を2種類以上有していてもよい。マイクロカップはセルを区切る壁構造を有するため、衝撃や圧力にも十分な耐久性がある。または、マイクロカップの内容物は密閉されているため、環境変化の影響を低減することができる。図14Cは、表示素子5453の方式として、電子粉流体登録商標方式を用いる場合の画素の断面図を示す。電子粉流体登録商標は流動性を示し、流体と粒子の特性を兼ね備えた物質である。この方式では、隔壁5504でセルを区切り、セル内に電子粉流体登録商標5502及び電子粉流体登録商標5503を配置する。電子粉流体登録商標5502及び電子粉流体登録商標5503として、白色粒子と黒色粒子とを用いるとよい。ただし、電子粉流体登録商標5502及び電子粉流体登録商標5503の種類は、これに限定されない。例えば、電子粉流体登録商標5502及び電子粉流体登録商標5503としては、白及び黒以外の2色の有色粒子を用いることが可能である。別の例として、電子粉流体登録商標5502と電子粉流体登録商標5503との一方を省略することが可能である。図13Aに示すように、配線5461には、信号が入力されるものとする。特に、配線5461には、表示素子5453の階調を制御するための信号例えばビデオ信号が入力されるものとする。このように、配線5461は、信号線又はソース信号線ビデオ信号線又はソース線ともいうとしての機能を有するものとする。配線5462には、信号が入力されるものとする。特に、配線5462には、トランジスタ5451の導通状態を制御するための信号例えばゲート信号、走査信号、選択信号などが入力されるものとする。このように、配線5462は、信号線又はゲート信号線走査信号線又はゲート線ともいうとしての機能を有するものとする。配線5463には、所定の電圧が供給されるものとする。配線5463は、容量素子5452と接続されている。そのため、配線5463は、電源線又は容量線としての機能を有するものとする。電極5454には、所定の電圧が供給されているものとする。電極5454は、複数の画素又は全ての画素間において、共通である場合が多い。そのため、電極5454は、コモン電極共通電極、対向電極又はカソード電極などとしての機能を有するものとする。なお、配線5461、配線5462、配線5463及び電極5454に入力される信号又は電圧は、上述したものに限定されず、他にも様々な信号又は様々な電圧などを入力することが可能である。例えば、配線5463に、信号を入力することが可能である。これにより、電極5455の電位を制御することができるので、配線5461に入力される信号の振幅電圧を小さくすることができる。そのため、配線5463は、信号線としての機能を有することが可能である。別の例として、電極5454に供給する電圧を変化させることにより、表示素子5453に印加される電圧を調整することができる。これにより、配線5461に入力される信号の振幅電圧を小さくすることができる。トランジスタ5451は、配線5461と電極5455との間の導通状態を制御する機能を有する。または、トランジスタ5451は、配線5461の電位を、電極5455に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ5451は、画素5450を選択するタイミングを制御する機能を有する。このように、トランジスタ5451は、スイッチ又は選択用トランジスタとしての機能を有するものとする。なお、トランジスタ5451は、Nチャネル型とする。そのため、トランジスタ5451は、配線5462にH信号が入力されるとオンになり、配線5462にL信号が入力されるとオフになるものとする。ただし、トランジスタ5451の極性は、Nチャネル型に限定されず、トランジスタ5451は、Pチャネル型であることが可能である。この場合、トランジスタ5451は、配線5462にL信号が入力されるとオンになり、配線5462にH信号が入力されるとオフになるものとする。容量素子5452は、電極5455と、配線5463との間の電位差を保持する機能を有する。または、容量素子5452は、電極5455の電位を所定の値に維持する機能を有する。これにより、トランジスタ5451がオフになっても、表示素子5453に電圧が印加し続けることができる。このように、容量素子5452は、保持容量としての機能を有するものとする。ただし、トランジスタ5451及び容量素子5452が有する機能は、前述したものに限定されず、他にも様々な機能を有することが可能である。次に、本実施の形態の画素の動作の概略について説明する。表示素子5453の階調の制御は、表示素子5453に電圧を印加し、表示素子5453に電界を発生させることにより行われる。表示素子5453に印加される電圧の制御は、電極5454の電位及び電極5455の電位を制御することにより行われる。具体的には、電極5454の電位の制御は、電極5454に供給する電圧を制御することにより行われる。電極5455の電位の制御は、配線5461に入力される信号を制御することにより行われる。なお、配線5461に入力される信号は、トランジスタ5451がオンになることにより、電極5455に供給される。なお、表示素子5453にかかる電界の強度、表示素子5453にかかる電界の向き、及び表示素子5453に電界をかける時間などの中の1つ以上を制御するにより、表示素子5453の階調を制御することができる。なお、電極5454と電極5455との間に、電位差を生じさせないことにより、表示素子5453の階調を保持することができる。次に、本実施の形態の画素の動作の一例について説明する。図15Aに示すタイミングチャートは、選択期間と非選択期間とを有する期間Tについて示す。期間Tは、選択期間の開始時刻から、次の選択期間の開始時刻までの間の期間のことをいう。選択期間では、配線5462にH信号が入力されるので、配線5462の電位電位V5462と示すは、Hレベルとなる。そのため、トランジスタ5451はオンになるので、配線5461と電極5455とは導通状態になる。これにより、配線5461に入力される信号は、トランジスタ5451を介して、電極5455に供給される。そして、電極5455の電位電位V5455と示すは、配線5461に入力される信号と等しい値となる。このとき、容量素子5452は、電極5455と、配線5463との間の電位差を保持する。非選択期間では、配線5462にL信号が入力されるため、配線5462の電位は、Lレベルになる。そのため、トランジスタ5451はオフになるので、配線5461と電極5455とは非導通状態になる。すると、電極5455は浮遊状態になる。このとき、容量素子5452は、選択期間における、電極5455と配線5463との間の電位差を保持している。そのため、電極5455の電位は、選択期間における配線5461に入力される信号と等しい値のままとなる。こうして、非選択期間において、トランジスタ5451がオフになっても、表示素子5453に電圧を印加し続けることができる。以上のように、選択期間における配線5461に入力される信号を制御することにより、表示素子5453に印加される電圧を制御することができる。つまり、表示素子5453の階調の制御は、選択期間における配線5461に入力される信号を制御することにより行うことができる。なお、非選択期間における電極5455の電位は、トランジスタ5451のオフ電流、トランジスタ5451のフィードスルー及びトランジスタ5451のチャージインジェクションなどの中の1つ以上の影響により、選択期間における配線5461に入力される信号と異なることがある。なお、図15Bに示すように、選択期間の一部において、電極5455の電位を、電極5454と等しい値とすることが可能である。これにより、画素5450が選択される毎に、同じ信号が画素5450に入力され続けても、選択期間の一部において電極5455の電位を変化させることにより、表示素子5453の電界強度を変化させることができる。そのため、残像を低減することができる。または、応答速度を早くすることができる。または、画素間の応答速度のばらつきを小さくすることができ、ムラ又は残像を防止することができる。このような駆動方法を実現するためには、選択期間を、期間T1と期間T2とに分割するとよい。そして、期間T1において、配線5461に入力される信号を、電極5454と等しい値とするとよい。なお、期間T2においては、配線5461に入力される信号は、表示素子5453の階調を制御するために様々な値とするよい。なお、期間T1の時間が長すぎると、表示素子5453の階調を制御するための信号を、画素5450に書き込む時間が短くなってしまう。したがって、期間T1は、期間T2よりも短いことが好ましい。特に、期間T1は、選択期間の1以上20以下であることが好ましい。より好ましくは、3以上15以下である。さらに好ましくは5以上10以下である。次に、表示素子5453に電圧を印加する時間により、表示素子5453の階調を制御する、本実施の形態の画素の動作の一例について説明する。図15Cに示すタイミングチャートは、期間Taと期間Tbとを有する。そして、期間Taは、NNは自然数個の期間Tを有する。N個の期間Tは、各々、図15A~Bに示す期間Tと同様である。期間Taは、表示素子5453の階調を変化させるための期間例えば、アドレス期間、書込期間、画像書き換え期間などである。期間Tbは、期間Taにおける表示素子5453の階調を保持する期間保持期間である。電極5454には、電圧V0が供給されるものとする。そのため、電極5454は、電位V0である。配線5461には、少なくとも3つの値を有する信号が入力されるものとする。該信号の3つの値の電位は、各々、電位VHVH>V0と、電位V0と、電位VLVL<V0とする。そのため、電極5455には、電位VHと電位V0と電位VLとが与えられるものとする。期間Taが有するN個の期間Tにおいて、各々、電極5455に与える電位を制御することにより、表示素子5453に印加される電圧を制御することができる。例えば、電極5455に電位VHが与えられることにより、電極5454と電極5455との電位差は、VH-VLとなる。これにより、表示素子5453に、正の電圧を印加することができる。電極5455に電位V0が与えられることにより、電極5454と電極5455との電位差は、ゼロとなる。これにより、表示素子5453に、電圧ゼロを印加することができる。電極5455に電位VLが与えられることにより、電極5454と電極5455との電位差は、VL-VHとなる。これにより、表示素子5453に、負の電圧を印加することができる。以上のように、期間Taでは、表示素子5453に、正の電圧VH-VLと負の電圧VL-VHとゼロとを様々な順番で印加することができる。これにより、表示素子5453の階調を細かく制御することができる。または、残像を低減することができる。または、応答速度を速くすることができる。なお、本実施の形態では、表示素子5453に正の電圧が印加されると、表示素子5453の階調は、黒第1の階調ともいうに近づくものとする。表示素子5453に負の電圧が印加されると、表示素子5453の階調は、白第2の階調ともいうに近づくものとする。表示素子5453に電圧ゼロが印加されると、表示素子5453の階調は、保持されるものとする。期間Tbでは、配線5461に入力される信号は、画素5450に書き込まれないものとする。そのため、期間Tbでは、期間TaのN番目の期間Tにおいて電極5455に与えられる電位が、電極5455に与えられ続ける。特に、期間Tbでは、表示素子5453に電界を生じさせないことにより、表示素子5453の階調を保持することが好ましい。そのために、期間TaのN番目の期間Tにおいて、電極5455に電位V0が与えられることが好ましい。これにより、期間Tbにおいても、電極5455には電位V0が与えられるので、表示素子5453には電圧ゼロが印加される。そのため、表示素子5453の階調を保持することができる。なお、表示素子5453が次に表示する階調が、第1の階調に近いほど、期間Taのうち、電位VHが電極5455に与えられる時間を長くするとよい。または、N個の期間Tのうち、電位VHが電極5455に与えられる回数を多くするとよい。または、期間Taのうち、電位VHが電極5455に与えられる時間から電位VLが電極5455に与えられる時間を引いた時間を長くするとよい。または、N個の期間Tのうち、電位VHが電極5455に与えられる回数から電位VLが電極5455に与えられる回数を引いた回数を、多くするとよい。なお、表示素子5453が次に表示する階調が、第2の階調に近いほど、期間Taのうち、電位VLが電極5455に与えられる時間を長くするとよい。または、N個の期間Tのうち、電位VLが電極5455に与えられる回数を多くするとよい。または、期間Taのうち、電位VLが電極5455に与えられる時間から電位VHが電極5455に与えられる時間を引いた時間を長くするとよい。または、N個の期間Tのうち、電位VLが電極5455に与えられる回数から電位VHが電極5455に与えられる回数を引いた回数を、多くするとよい。なお、期間Taにおいて、電極5455に与えられる電位電位VH、電位V0、電位VLの組み合わせは、表示素子5453が次に表示する階調に依存するだけでなく、表示素子5453が既に表示している階調に依存することが可能である。そのため、次に表示素子5453が表示する階調が同じ場合でも、既に表示素子5453が表示している階調が異なると、電極5455に与えられる電位の組み合わせが異なることがある。例えば、表示素子5453が既に表示している階調を、表示するための期間Taにおいて、電位VHが電極5455に与えられる時間が長いほど、電位VHが電極5455に与えられる時間から電位VLが電極5455に与えられる時間を引いた時間が長いほど、N個の期間Tのうち、電位VHが電極5455に与えられる回数が多いほど、又はN個の期間Tのうち、電位VHが電極5455に与えられる回数から電位VLが電極5455に与えられる回数を引いた値が多いほど、期間Taのうち、電位VLが電極5455に与えられる時間を長くするとよい。または、N個の期間Tのうち、電位VLが電極5455に与えられる回数を多くするとよい。または、期間Taのうち、電位VLが電極5455に与えられる時間から電位VHが電極5455に与えられる時間を引いた時間を長くするとよい。または、N個の期間Tのうち、電位VLが電極5455に与えられる回数から電位VHが電極5455に与えられる回数を引いた回数を、多くするとよい。これにより、残像を低減することができる。別の例として、表示素子5453が既に表示している階調を、表示するための期間Taにおいて、電位VLが電極5455に与えられる時間が長いほど、電位VLが電極5455に与えられる時間から電位VHが電極5455に与えられる時間を引いた時間が長いほど、N個の期間Tのうち、電位VLが電極5455に与えられる回数が多いほど、又はN個の期間Tのち、電位VLが電極5455に与えられる回数から電位VHが電極5455に与えられる回数を引いた値が多いほど、期間Taのうち、電位VHが電極5455に与えられる時間を長くするとよい。または、N個の期間Tのうち、電位VHが電極5455に与えられる回数を多くするとよい。または、期間Taのうち、電位VHが電極5455に与えられる時間から電位VLが電極5455に与えられる時間を引いた時間を長くするとよい。または、N個の期間Tのうち、電位VHが電極5455に与えられる回数から電位VLが電極5455に与えられる回数を引いた回数を、多くするとよい。これにより、残像を低減することができる。なお、N個の期間Tは、各々、等しい長さであるものとする。ただし、N個の期間Tの長さは、これに限定されない。例えば、N個の期間Tのうちの少なくとも2つは、互いに異なる長さであることが可能である。特に、N個の期間Tの長さを重み付けするとよい。例えば、N=4である場合、1番目の期間Tの長さを時間hとすると、2番目の期間Tの長さを時間h×2とするとよい。3番目の期間Tの長さを時間h×4とするとよい。4番目の期間Tの長さを時間h×8とするとよい。このように、N個の期間Tの長さに重み付けを行うことにより、画素5450を選択する回数を減らすことができ、且つ表示素子5453に電圧を印加する時間を細かく制御することができる。よって、消費電力の削減を図ることができる。なお、電極5454には、電位VHと電位VLと選択的に与えることが可能である。この場合、電極5455にも、電位VHと電位VLとを選択的に与えることが好ましい。例えば、電極5454に電位VHが与えられる場合、電極5455に電位VHが与えられると、表示素子5453には電圧ゼロが印加される。電極5455に電位VLが与えられると、表示素子5453には負の電圧が印加される。一方で、電極5454に電位VLが与えられる場合、電極5455に電位VHが与えられると、表示素子5453には正の電圧が印加される。電極5455に電位VLが与えられると、表示素子5453には電圧ゼロが印加される。このようにして、配線5461に入力される信号を2値デジタル信号とすることができる。そのため、配線5461に信号を出力する回路を簡単にすることができる。なお、期間Tb又は期間Tbの一部において、配線5461及び配線5462には、信号を入力しないことが可能である。つまり、配線5461及び配線5462を浮遊状態にすることが可能である。なお、期間Tb又は期間Tbの一部において、配線5463には、信号を入力しないことが可能である。つまり、配線5463を浮遊状態にすることが可能である。なお、期間Tb又は期間Tbの一部において、電極5454には、電圧を供給しないことが可能である。つまり、電極5454を浮遊状態にすることが可能である。実施の形態7本実施の形態においては、電子機器の例について説明する。図16A乃至図16H、図17A乃至図17Dは、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体5000、表示部5001、スピーカ5003、LEDランプ5004、操作キー5005電源スイッチ、又は操作スイッチを含む、接続端子5006、センサ5007力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの、マイクロフォン5008、等を有することができる。図16Aはモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ5009、赤外線ポート5010、等を有することができる。図16Bは記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置たとえば、DVD再生装置であり、上述したものの他に、第2表示部5002、記録媒体読込部5011、等を有することができる。図16Cはゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第2表示部5002、支持部5012、イヤホン5013、等を有することができる。図16Dは携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部5011、等を有することができる。図16Eはプロジェクタであり、上述したものの他に、光源5033、投射レンズ5034、等を有することができる。図16Fは携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第2表示部5002、記録媒体読込部5011、等を有することができる。図16Gはテレビ受像器であり、上述したものの他に、チューナ、画像処理部、等を有することができる。図16Hは持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器5017、等を有することができる。図17Aはディスプレイであり、上述したものの他に、支持台5018、等を有することができる。図17Bはカメラであり、上述したものの他に、外部接続ポート5019、シャッターボタン5015、受像部5016、等を有することができる。図17Cはコンピュータであり、上述したものの他に、ポインティングデバイス5020、外部接続ポート5019、リーダ/ライタ5021、等を有することができる。図17Dは携帯電話機であり、上述したものの他に、アンテナ5014、携帯電話移動端末向けの1セグメント部分受信サービス用チューナ、等を有することができる。図16A乃至図16H、図17A乃至図17Dに示す電子機器は、様々な機能を有することができる。本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。次に、半導体装置の応用例を説明する。図17Eに、半導体装置を、建造物と一体にして設けた例について示す。図17Eは、筐体5022、表示部5023、操作部であるリモコン装置5024、スピーカ5025等を含む。半導体装置は、壁かけ型として建物と一体となっており、設置するスペースを広く必要とすることなく設置可能である。図17Fに、建造物内に半導体装置を、建造物と一体にして設けた別の例について示す。表示パネル5026は、ユニットバス5027と一体に取り付けられており、入浴者は表示パネル5026の視聴が可能になる。なお、本実施の形態において、建造物として壁、ユニットバスを例としたが、本実施の形態はこれに限定されず、様々な建造物に半導体装置を設置することができる。次に、半導体装置を、移動体と一体にして設けた例について示す。図17Gは、半導体装置を、自動車に設けた例について示した図である。表示パネル5028は、自動車の車体5029に取り付けられており、車体の動作又は車体内外から入力される情報をオンデマンドに表示することができる。なお、ナビゲーション機能を有していてもよい。図17Hは、半導体装置を、旅客用飛行機と一体にして設けた例について示した図である。図17Hは、旅客用飛行機の座席上部の天井5030に表示パネル5031を設けたときの、使用時の形状について示した図である。表示パネル5031は、天井5030とヒンジ部5032を介して一体に取り付けられており、ヒンジ部5032の伸縮により乗客は表示パネル5031の視聴が可能になる。表示パネル5031は乗客が操作することで情報を表示する機能を有する。なお、本実施の形態において、移動体としては自動車車体、飛行機機体について例示したがこれに限定されず、自動二輪車、自動四輪車自動車、バス等を含む、電車モノレール、鉄道等を含む、船舶等、様々なものに設置することができる。このような電子機器において、オフ電流の低い酸化物半導体を有するトランジスタを用いて、回路を構成することにより、不要な電流が漏れて入ってきてしまうことを防ぐことが出来る。よって、回路が正常に動作しやすくなる。そのため、正確な表示を行うことが出来る。