"表示装置もしくは半導体装置に用いられるAl合金膜であって、前記Al合金膜は、Geを0.01~2.0原子と、Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re、およびOsよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素とを含み、前記Al合金膜に450~600°Cの加熱処理を行なったとき、下記1の要件を満足することを特徴とする表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。1Alと、前記X群から選択される少なくとも一種の元素と、Geとを含む第1の析出物について、円相当直径50nm以上の析出物が200,000個/mm2以上の密度で存在する。前記Al合金膜は、450~600°Cの加熱処理を行なったとき、更に下記2の要件を満足するものである請求項1に記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。2Alと、前記X群から選択される少なくとも二種の元素を含む第2の析出物について、円相当直径50nm以上の析出物が100,000個/mm2以上の密度で存在する。前記Al合金膜は、更に、希土類元素の少なくとも一種とを含み、前記Al合金膜に450~600°Cの加熱処理を行なったとき、更に下記3の要件を満足するものである請求項1または2に記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。3Alと、前記X群から選択される少なくとも一種の元素と、前記希土類元素の少なくとも一種とを含む第3の析出物について、円相当直径10nm以上の析出物が1,000,000個/mm2以上の密度で存在する。前記Al合金膜は、450~600°Cの加熱処理を行なったとき、更に下記4の要件を満足するものである請求項3記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。4Alと、Geと前記X群から選択される少なくとも一種の元素と、前記希土類元素の少なくとも一種とを含む第4の析出物について、円相当直径10nm以上の析出物が1,000,000個/mm2以上の密度で存在する。前記Al合金膜は、更にNi、Co、Feから選ばれる少なくとも1種の元素とを含み、前記Al合金膜に450~600°Cの加熱処理を行なったとき、更に下記5の要件を満足するものである請求項1~4のいずれかに記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。5Alと、Ni、Co、Feから選ばれる少なくとも一種の元素と、Geと、前記X群から選択される少なくとも一種の元素とを含む第5の析出物について、円相当直径250nm以上の析出物が2,000個/mm2以上の密度で存在する。前記第1の析出物の円相当直径は、1μm以下である請求項1に記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。前記第2の析出物の円相当直径は、1μm以下である請求項2に記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。前記第3の析出物の円相当直径は、1μm以下である請求項3に記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。前記第4の析出物の円相当直径は、1μm以下である請求項4に記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。前記第5の析出物の円相当直径は、3μm以下である請求項5に記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。前記X群の元素の含有量は0.1~5原子である請求項1~10のいずれかに記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。前記希土類元素の含有量は0.1~0.45原子である請求項3~11のいずれかに記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。前記Ni、Co、Feから選ばれる少なくとも1種の元素の含有量は0.1~0.35原子である請求項5~12のいずれかに記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。前記加熱処理は、500~600°Cである請求項1~13のいずれかに記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。前記加熱処理は、少なくとも2回実施されるものである請求項1~14のいずれかに記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。前記Al合金膜は、透明導電膜と直接接続されるものである請求項5に記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。前記Al合金膜は、Mo、Ti、W、およびCrよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む膜を介して透明導電膜と接続されるものである請求項1~15のいずれかに記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜。Geを0.01~2.0原子と、Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re、Osよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素を0.1~5原子を含み、残部:Alおよび不可避的不純物であることを特徴とするスパッタリングターゲット。更に希土類元素の少なくとも一種を0.1~0.45原子含むものである請求項18に記載のスパッタリングターゲット。更にNi、Co、Feから選ばれる少なくとも一種の元素を0.1~0.35原子含むものである請求項18または19に記載のスパッタリングターゲット。請求項1~17のいずれかに記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜を、ハロゲンガス、ハロゲン含有化合物を含むガスでエッチングしたことを特徴とする、Al合金配線。請求項1~17のいずれかに記載の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜を、pH3以下の酸性溶液でエッチングしたことを特徴とする、Al合金配線。請求項1~17のいずれかに記載の表示装置用Al合金膜を備えた表示装置。請求項1~17のいずれかに記載の表示装置用Al合金膜を備えた液晶ディスプレイ。請求項1~17のいずれかに記載の表示装置用Al合金膜を備えた有機ELディスプレイ。請求項1~17のいずれかに記載の表示装置用Al合金膜を備えたフィールドエミッションディスプレイ。請求項1~17のいずれかに記載の表示装置用Al合金膜を備えた蛍光真空管。請求項1~17のいずれかに記載の表示装置用Al合金膜を備えたプラズマディスプレイ。請求項1~17のいずれかに記載の表示装置用Al合金膜を備えた無機ELディスプレイ。請求項1~17のいずれかに記載の半導体装置用Al合金膜を備えた半導体装置。請求項1~17のいずれかに記載の半導体装置用Al合金膜を備えた半導体素子。請求項1~17のいずれかに記載の半導体装置用Al合金膜を備えた半導体素子の電極。請求項1~17のいずれかに記載の半導体装置用Al合金膜を備えた半導体素子の配線。最近では、高温加熱処理を行なっても耐熱性に優れたAl合金膜の提供が望まれている。これは、TFTの性能を大きく左右する半導体シリコン層のキャリア移動度を出来るだけ高めて、結果的に液晶ディスプレイの省エネと高性能化高速動画対応などを進めるというニーズが強まっているからである。そのためには、半導体シリコン層の構成材料である水素化アモルファスシリコンを結晶化させることが必要である。シリコンは電子の移動度が正孔の移動度より約3倍程度高いが、電子の移動度は連続粒界結晶シリコンでは約300cm2/Vs、多結晶シリコンでは約100cm2/Vs、水素化アモルファスシリコンでは約1cm2/Vs以下である。水素化アモルファスシリコンを蒸着した後に熱処理を行えば、水素化アモルファスシリコンが微結晶化してキャリア移動度が向上する。この熱処理について、加熱温度が高く、加熱時間が長い方が、水素化アモルファスシリコンの微結晶化は進み、キャリアの移動度は向上する。しかし、熱処理温度を高くすると、熱応力によりAl合金配線薄膜に突起状の形状異常ヒロックが発生するなどの問題が生じるため、従来は、Al合金薄膜を用いた場合の熱処理温度の上限を、せいぜい350°C程度にしていた。そのため、これよりも高温で熱処理するときは、Moなどの高融点金属薄膜が一般に用いられているが、配線抵抗が高く表示ディスプレイの大型化に対応できないという問題があった。上述した高温耐熱性のほか、表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜には、様々な特性が要求される。まず、Al合金膜に含まれる合金元素の添加量が多くなると、配線自体の電気抵抗が増加してしまうため、450~600°C程度の高い熱処理温度を適用した場合でも、電気抵抗を十分に低減できることが求められている。また、表示装置においては、透明画素電極と直接接続させた場合に低い接触抵抗コンタクト抵抗を示すことも求められる場合もある。更には、優れた耐食性の兼備も求められている。特に、TFT基板の製造工程では複数のウェットプロセスを通るが、Alよりも貴な金属を添加すると、ガルバニック腐食の問題が表れ、耐食性が劣化してしまう。例えばフォトリソグラフィー工程では、TMAHを含むアルカリ性の現像液を使用するが、ダイレクトコンタクト構造の場合、バリアメタル層を省略しているためAl合金膜がむき出しとなり、現像液によるダメージを受けやすくなる。そこで、アルカリ現像液耐性などの耐アルカリ腐食性に優れていることが求められる。また、フォトリソグラフィーの工程で形成したフォトレジスト感光性樹脂を剥離する洗浄工程では、アミン類を含む有機剥離液を用いて連続的に水洗が行なわれている。ところがアミンと水が混合するとアルカリ性溶液になるため、短時間でAlを腐食させてしまうという別の問題が生じる。ところでAl合金は、剥離洗浄工程を通るより以前にCVD工程を経ることによって熱履歴を受けている。この熱履歴の過程でAlマトリクス中には合金成分が析出物を形成する。しかるに、この析出物とAlの間には大きな電位差があるので、剥離液であるアミンが水と接触した瞬間に前記ガルバニック腐食によってアルカリ腐食が進行し、電気化学的に卑であるAlがイオン化して溶出し、ピット状の孔食黒点が形成されてしまう、といった問題がある。そこで、好ましくは感光性樹脂の剥離に用いる剥離液耐性に優れていることが求められる。また、配線形成の方法には、ウェットエッチング法と、ドライエッチング法の2種類が一般的に用いられており、これら双方の方法で加工性に優れていることが求められる。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、450~600°C程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗配線抵抗も低く抑えられており、また、アルカリ現像液耐性などの耐アルカリ腐食性にも優れ、更にウェットエッチング法とドライエッチング法の双方で加工可能な表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜を提供することにある。更に本発明の目的は、感光性樹脂の剥離液剥離液耐性にも優れた表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜を提供することにある。また更に本発明の目的は、透明画素電極透明導電膜と直接接続させたときに低い接触抵抗を有し、透明導電膜との直接接続ダイレクトコンタクトが可能な表示装置用Al合金膜を提供することにある。上記課題を解決し得た本発明の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜は、表示装置に用いられるAl合金膜であって、前記Al合金膜は、Geを0.01~2.0原子と、Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re、Osよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素とを含み、前記Al合金膜に450~600°Cの加熱処理を行なったとき、下記1の要件を満足するところに要旨を有する。1Alと、前記X群から選択される少なくとも一種の元素と、Geとを含む第1の析出物について、円相当直径50nm以上の析出物が200,000個/mm2以上の密度で存在する。本発明の好ましい実施形態において、前記Al合金膜は、更に下記2の要件を満足するものである。2Alと、前記X群から選択される少なくとも二種の元素を含む第2の析出物について、円相当直径50nm以上の析出物が100,000個/mm2以上の密度で存在する。本発明の好ましい実施形態において、前記Al合金膜は、更に、希土類元素の少なくとも一種とを含み、前記Al合金膜に450~600°Cの加熱処理を行なったとき、更に下記3の要件を満足するものである。3Alと、前記X群から選択される少なくとも一種の元素と、前記希土類元素の少なくとも一種とを含む第3の析出物について、円相当直径10nm以上の析出物が1,000,000個/mm2以上の密度で存在する。本発明の好ましい実施形態において、前記Al合金膜は、450~600°Cの加熱処理を行なったとき、更に下記4の要件を満足するものである。4Alと、Geと前記X群から選択される少なくとも一種の元素と、前記希土類元素の少なくとも一種とを含む第4の析出物について、円相当直径10nm以上の析出物が1,000,000個/mm2以上の密度で存在する。本発明の好ましい実施形態において、前記Al合金膜は、更にNi、Co、Feから選ばれる少なくとも1種の元素とを含み、前記Al合金膜に450~600°Cの加熱処理を行なったとき、更に下記5の要件を満足するものである。5Alと、Ni、Co、Feから選ばれる少なくとも一種の元素と、Geと、前記X群から選択される少なくとも一種の元素とを含む第5の析出物について、円相当直径250nm以上の析出物が2,000個/mm2以上の密度で存在する。本発明の好ましい実施形態において、前記第1の析出物の円相当直径は、1μm以下である。本発明の好ましい実施形態において、前記第2の析出物の円相当直径は、1μm以下である。本発明の好ましい実施形態において、前記第3の析出物の円相当直径は、1μm以下である。本発明の好ましい実施形態において、前記第4の析出物の円相当直径は、1μm以下である。本発明の好ましい実施形態において、前記第5の析出物の円相当直径は、3μm以下である。本発明の好ましい実施形態において、前記X群の元素の含有量は0.1~5原子である。本発明の好ましい実施形態において、前記希土類元素の含有量は0.1~0.45原子である。本発明の好ましい実施形態において、前記Ni、Co、Feから選ばれる少なくとも1種の元素の含有量は0.1~0.35原子である。本発明の好ましい実施形態において、前記加熱処理は、500~600°Cである。本発明の好ましい実施形態において、前記加熱処理は、少なくとも2回実施されるものである。本発明の好ましい実施形態において、前記Al合金膜は、透明導電膜と直接接続されるものである。本発明の好ましい実施形態において、前記Al合金膜は、Mo、Ti、W、およびCrよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む膜を介して透明導電膜と接続されるものである。本発明には、Geを0.01~2.0原子と、Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re、Osよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素を0.1~5原子を含み、残部:Alおよび不可避的不純物であるスパッタリングターゲットも包含される。本発明の好ましい実施形態において、上記スパッタリングターゲットは、更に希土類元素の少なくとも一種を0.1~0.45原子含むものである。本発明の好ましい実施形態において、上記スパッタリングターゲットは、更にNi、Co、Feから選ばれる少なくとも一種の元素を0.1~0.35原子含むものである。本発明には、上記の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜をハロゲンガス、ハロゲン含有化合物を含むガスでエッチングしたAl合金配線も包含される。本発明には、上記の表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜をpH3以下の酸性溶液でエッチングしたAl合金配線も包含される。本発明には、上記の表示装置用Al合金膜を備えた表示装置も包含される。本発明には、上記の表示装置用Al合金膜を備えた液晶ディスプレイも包含される。本発明には、上記の表示装置用Al合金膜を備えた有機ELディスプレイも包含される。本発明には、上記の表示装置用Al合金膜を備えたフィールドエミッションディスプレイも包含される。本発明には、上記の表示装置用Al合金膜を備えた蛍光真空管も包含される。本発明には、上記の表示装置用Al合金膜を備えたプラズマディスプレイも包含される。本発明には、上記の表示装置用Al合金膜を備えた無機ELディスプレイも包含される。本発明には、上記の半導体装置用Al合金膜を備えた半導体装置も包含される。本発明には、上記の半導体装置用Al合金膜を備えた半導体素子も包含される。本発明には、上記の半導体装置用Al合金膜を備えた半導体素子の電極も包含される。本発明には、上記の半導体装置用Al合金膜を備えた半導体素子の配線も包含される。本発明に係る第1のAl合金膜Al-Ge-X群元素は、所定の合金元素と第1の析出物好ましくは第1の析出物と第2の析出物から構成されているため、約450~600°C程度の高温下に曝されたときの耐熱性に優れており、且つ、高温処理後の膜自体の電気抵抗配線抵抗も低く抑えることができ、また耐食性、エッチング加工性、および剥離液耐性も兼備している。好ましい実施形態である本発明に係る第2のAl合金膜Al-Ge-X群元素-希土類元素は、所定の合金元素と第1の析出物好ましくは第1の析出物と第2の析出物、第3の析出物好ましくは第3の析出物と第4の析出物とから構成されているため、より高い耐熱性を示し、且つ耐アルカリ腐食性も一層良好である。より好ましい実施形態である本発明に係る第3のAl合金膜Al-Ge-X群元素-希土類元素-[Ni、Co、Fe]合金は、所定の合金元素と第1の析出物好ましくは第1の析出物と第2の析出物、より好ましくは第1の析出物、第2の析出物と第3の析出物、更に好ましくは第1の析出物、第2の析出物、第3の析出物と第4の析出物、第5の析出物とから構成されているため、上記特性のみならず、透明導電膜との低い接触抵抗も達成できるため、透明導電膜との直接接続が可能である。本発明によれば、特に、多結晶シリコンや連続粒界結晶シリコンを半導体層に用いる薄膜トランジスタ基板を製造するプロセスにおいて、450~600°C程度の高温加熱処理、更には上記高温加熱処理が少なくとも2回行なわれる苛酷な高温環境下に曝された場合でも、半導体シリコン層のキャリア移動度が高められるため、TFTの応答速度が向上し、省エネや高速動画などに対応可能な高性能の表示装置を提供できる。また、配線加工においては、ウェットエッチング法、ドライエッチング法の双方が適応可能である。本発明によれば、Al合金膜の耐熱性特に高温耐熱性に優れているため、これを例えば半導体素子の電極電気配線として備えた、例えばIGBTの製造プロセスにおいて、コレクタ層のイオン活性化等のための熱処理を高温で行うことができる。その結果、上記Al合金膜を備えて特性の向上した半導体素子、またこの半導体素子を備えて優れた特性を発揮する上記半導体装置を実現することができる。また、配線加工においては、ウェットエッチング法、ドライエッチング法の双方が適応可能である。本発明者らは、約450~600°Cの高温下に複数回曝されても、ヒロックが生じず高温耐熱性に優れ、且つ、ドライエッチング特性とウェットエッチング特性以下、エッチング特性ということがあるに優れ、膜自体の電気抵抗配線抵抗も低く抑えられており、また、アルカリ現像液などの耐アルカリ腐食性や剥離液耐性も高い表示装置用Al合金膜第1のAl合金膜と呼ぶ場合がある。;更に、好ましくはより高い高温耐熱性に優れている表示装置用Al合金膜第2のAl合金膜と呼ぶ場合がある。;また更に、好ましくは高温下での剥離液耐性にもより優れており、透明導電膜と直接接続しても接触抵抗が低く抑えられるため透明導電膜との直接接続ダイレクトコンタクトが可能な表示装置用Al合金膜第3のAl合金膜と呼ぶ場合がある。を提供するため、検討を重ねてきた。その結果、Geを0.01~2.0原子と、Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re、Osよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素とを含むAl合金膜Al-Ge-X群元素合金膜であって、450~600°Cの加熱処理を行なったとき、下記1の要件を満足する第1のAl合金膜は、上記課題高温処理時の高い耐熱性およびエッチング特性、低い電気抵抗、更には高いアルカリ現像液耐性と剥離液耐性を解決できることが分かった。1Alと、前記X群から選択される少なくとも一種の元素と、Geとを含む第1の析出物について、円相当直径50nm以上の析出物が200,000個/mm2以上の密度で存在する。更に、前記Al合金膜は、450~600°Cの加熱処理を行なったとき、上記1の要件を満足し、且つ、下記2の要件を満足する第1のAl合金膜は、より高い耐熱性を示すことがわかった。2Alと、前記X群から選択される少なくとも二種の元素を含む第2の析出物について、円相当直径50nm以上の析出物が100,000個/mm2以上の密度で存在する。更に、希土類元素の少なくとも一種とを含むAl合金膜Al-Ge-X群元素-REM合金膜であって、450~600°Cの加熱処理を行なったとき、上記1、好ましくは更に上記2の要件を満足し、且つ、下記3の要件を満足する第2のAl合金膜は、第1のAl合金膜より優れた耐熱性を示すことが分かった。3Alと、前記X群から選択される少なくとも一種の元素と、前記希土類元素の少なくとも一種とを含む第3の析出物について、円相当直径10nm以上の析出物が1,000,000個/mm2以上の密度で存在する。更に、前記第2のAl合金膜は、450~600°Cの加熱処理を行なったとき、上記1、好ましくは更に上記2および/または上記3の要件を満足し、且つ、下記4の要件を満足する第2のAl合金膜は、より一層優れた耐熱性を示すことが分かった。4Alと、Geと前記X群から選択される少なくとも一種の元素と、前記希土類元素の少なくとも一種とを含む第4の析出物について、円相当直径10nm以上の析出物が1,000,000個/mm2以上の密度で存在する。更に、Ni、Co、Feから選ばれる少なくとも1種の元素とを含むAl合金膜Al-Ge-X群元素-REM-[Ni、Co、Fe]合金膜であって、450~600°Cの加熱処理を行なったとき、上記1、好ましくは更に上記2、3、4のいずれか1以上の要件を満足し、且つ、下記5の要件を満足する第3のAl合金膜は、ITOなど透明導電膜と直接接触しても低いコンタクト抵抗を示し、高温下での剥離液耐性にもより優れていることが分かった。5Alと、Ni、Co、Feから選ばれる少なくとも一種の元素と、Geと、前記X群から選択される少なくとも一種の元素とを含む第5の析出物について、円相当直径250nm以上の析出物が2,000個/mm2以上の密度で存在する。上記第1のAl合金膜は、Al合金中に、Geと高融点金属のX群元素高温耐熱性向上元素を含み、単一のX群元素の場合は所定の第1の析出物Al-Ge-Xを有し、複数のX群元素の場合は所定の第1の析出物Al-Ge-X1、Al-Ge-X2など:X1とX2は異なるX群元素を意味するや第2の析出物Al-X1-X2、Al-X1-X3、Al-X2-X3など:X群元素が3種類の場合を有しているため、高温下の耐熱性高温耐熱性およびエッチング特性に優れ、且つ、耐アルカリ腐食性や剥離液耐性も高く、膜自体の電気抵抗配線抵抗に優れているため、表示装置用の走査線や信号線などの配線;ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などの電極の材料として好適に用いられる。特に、高温熱履歴の影響を受け易い薄膜トランジスタ基板のゲート電極および関連の配線膜材料として好適に用いられる。また、パワー半導体の電極;IGBTのエミッタ電極など電極の材料として好適に用いられる。また上記第2のAl合金膜は、Al合金中に、上記のGeと高融点金属のX群元素高温耐熱性向上元素に加え、更に希土類元素を含むことで、単一のX群元素の場合は所定の第1の析出物Al-Ge-X、第3の析出物Al-X-REM:REMは希土類元素、および/または第4の析出物Al-Ge-X-REMを有し、複数のX群元素の場合は更に第2の析出物Al-X1-X2などを有しているため第1、3、4の析出物についてもX群元素の数に応じて複数の組み合わせがあり得る。以下同じ、上記第1のAl合金膜の有する効果のうち、特に高温下の耐熱性高温耐熱性が一段と高くなり、走査線や信号線などの配線;ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などの電極の材料として好適に用いられる。特に、高温熱履歴の影響を受け易い薄膜トランジスタ基板のゲート電極および関連の配線膜材料として好適に用いられる。また、パワー半導体の電極;IGBTのエミッタ電極など電極の材料として好適に用いられる。上記第3のAl合金膜は、Al合金中に、上記のX群元素、Geと好ましくは希土類元素に加え、更に透明導電膜との接触抵抗低減化元素であるNi、Co、およびFeよりなる群から選択される少なくとも一種を含み、上記第1や第2のAl合金膜に含まれる析出物に加えて、所定の第5の析出物Al-X-Ge-[Ni、Co、Fe]を有しているため、上記第1、第2のAl合金膜の有する効果に加えて、バリアメタル層を介在させずに透明導電膜との直接接続が可能となり、ダイレクトコンタクト用の電極配線の材料として好適に用いられる。本明細書において、高温耐熱性とは、少なくとも450~600°C程度の高温下に曝されたときにヒロックが生じないことを意味し、好ましくは、上記の高温下に少なくとも2回以上繰り返し曝されたときにもヒロックが生じないことを意味する。本発明では、高温耐熱性のほか、表示装置や半導体装置の製造過程で必要となるエッチング特性、製造過程で使用される薬液アルカリ現像液、剥離液に対する高い耐性耐食性、透明導電膜との低い接触抵抗、Al合金膜自体の低い電気抵抗といった特性が得られるが、450°C未満の低温域のみならず、上記の高温域でも有効に発揮されるところに特徴がある。なお、TFT製造過程においてアルカリ環境下に曝されるのは、熱履歴を受ける前の段階であるため、後記する実施例では、加熱前のAl合金膜についてアルカリ現像液耐性を調べたが、本発明によれば、高温加熱処理後のAl合金膜においても、良好なアルカリ現像液耐性が得られることを実験により確認している。なお、アルカリ現像液に対する耐性アルカリ現像液耐性は、広義には耐アルカリ腐食性と呼ぶ場合がある。以下、本発明に用いられるAl合金膜について詳しく説明する。第1のAl合金膜上記第1のAl合金膜は、Geに加え、Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、ReおよびOsよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素とを含有するAl-Ge-X群元素合金膜である。ここで、上記X群の元素X群元素は、融点が概ね1600°C以上の高融点金属から構成されており、単独で高温下の耐熱性向上に寄与する元素である。これらの元素は、単独で添加しても良いし、2種以上を併用しても良い。上記X群元素のうち好ましいのは、Ta、Ti、Zr、Hfであり、より好ましくはTa、Zr、Hfである。上記X群元素の含有量単独で含有する場合は単独の量であり、2種以上を併用するときは合計量である。は、0.1~5原子であることが好ましい。X群元素の含有量が0.1原子未満では、上記作用が有効に発揮されない。一方、X群元素の含有量が5原子を超えると、Al合金膜の電気抵抗が高くなり過ぎるほか、配線加工時に残渣が発生し易くなるなどの問題が生じる。X群元素のより好ましい含有量は、0.3原子以上3.0原子以下であり、更に好ましくは、2.0原子以下である。また、Geは、高温耐熱性向上に寄与し、高温プロセス下でのヒロックの発生を防止する作用を有している。第1のAl合金膜は、少なくとも上記X群元素とGeとを含有していれば良く、これら添加元素による作用を阻害しない限り、他の元素を含有していても良い。このような作用を有効に発揮させるためには、Geの含有量を0.01~2.0原子とすることが好ましい。Geの含有量が0.01原子未満の場合、所望の効果が得られず、更なる耐熱性向上に寄与する第1の析出物の密度を確保できない。一方、Geの含有量が2.0原子を超えると、電気抵抗率が上昇するようになる。上記元素のより好ましい含有量は、0.1原子以上1.0原子以下であり、更に好ましくは、0.2原子以上0.6原子以下である。更に上記第1のAl合金膜は、450~600°Cの高温加熱処理により、上記1に規定する所定サイズと所定密度の第1の析出物を必須的に含み、好ましくは更に2に規定する所定サイズと所定密度の第2の析出物を含むものであり、これにより、高温下での高い耐熱性と剥離液耐性を実現できる。第1の析出物は、少なくともGeおよびX群から選択される少なくとも一種の元素を含有していれば良く、当該析出物による作用を阻害しない限り、他の元素を含有していても良い。また第2の析出物は、X群元素から選択される少なくとも二種の元素を含有していれば良く、当該析出物による作用を阻害しない限り、他の元素を含有していても良い。上記第1のAl合金膜は、上記元素を含有し、残部:Alおよび不可避的不純物である。ここで上記不可避的不純物としては、例えばSi、Bなどが例示される。不可避的不純物の合計量は特に限定されないが、概ね0.5原子以下程度含有してもよく、各不可避的不純物元素は、Bは0.012原子以下、Siは0.12原子以下含有していてもよい。上記第1、第2の析出物の円相当直径サイズは、50nm以上である。本発明者らの検討結果によれば、50nm未満の析出物は、たとえ析出物の組成がAl-Ge-X群元素含有析出物第1の析出物、或いはAl-X1-X2含有析出物第2の析出物であっても、所望の効果が発揮されないことがわかった。なお、高温耐熱性向上作用を有効に発揮させるためには、上記円相当直径の下限が50nmであれば良く、その上限は、上記作用との関係では特に限定されないが、析出物のサイズが大きくなって巨大析出物になると、光学顕微鏡による検査で視認される可能性があり、外観不良を招くため、その上限は1μmであることが好ましい。第1の析出物、および第2の析出物の好ましい円相当直径は、50nm以上800nm以下である。更に本発明では、第1の析出物が上記円相当直径50nm以上の析出物が200,000個/mm2以上の密度で存在することが必要である。本発明者らの検討結果によれば、第1の析出物のサイズが50nm以上であっても、200,000個/mm2未満の場合は、所望の効果が発揮されないことがわかった。高温耐熱性向上作用を有効に発揮させるためには、上記析出物の密度は高い程よく、2,000,000個/mm2以上であることが好ましい。また、本発明では、第2の析出物が上記円相当直径50nm以上の析出物が100,000個/mm2以上の密度で存在することが必要である。本発明者らの検討結果によれば、第2の析出物のサイズが50nm以上であっても、100,000個/mm2未満の場合は、所望の効果が発揮されないことがわかった。高温耐熱性向上作用を有効に発揮させるためには、上記析出物の密度は高い程よく、1,000,000個/mm2以上であることが好ましい。第2のAl合金膜上記第2のAl合金膜は、上述したGeおよびX群元素に加えて、希土類元素REMを含有するAl-Ge-X群元素-REM合金膜である。上記希土類元素REMは、上記GeおよびX群元素と複合添加することによって高温耐熱性向上に寄与する元素である。更に、単独でアルカリ環境下での耐食性向上作用という上記GeおよびX群元素にはない作用も有している。ここで、希土類元素とは、ランタノイド元素周期表において、原子番号57のLaから原子番号71のLuまでの合計15元素に、ScスカンジウムとYイットリウムとを加えた元素群を意味する。本発明では、上記希土類元素を単独で用いても良いし、2種以上を併用しても良い。希土類元素のうち好ましいのは、Nd、La、Gd、Ceであり、より好ましいのは、Nd、Laである。希土類元素による上記作用を有効に発揮させるためには、希土類元素の含有量単独で含有する場合は単独の量であり、2種以上を併用するときは合計量である。は0.1~0.45原子であることが好ましい。希土類元素の含有量が0.1原子未満であると、耐熱性、耐アルカリ腐食性向上効果が有効に発揮されず、一方、0.45原子を超えると、ドライエッチング速度が遅くなるとともに、残渣などの問題がある。希土類元素のより好ましい含有量は、0.15原子以上0.4原子以下であり、更に好ましい含有量は、0.15原子以上0.3原子以下である。上記第2のAl合金膜は、上記元素を含有し、残部:Alおよび不可避的不純物である。ここで上記不可避的不純物としては、例えばSi、Bなどが例示される。不可避的不純物の合計量は特に限定されないが、概ね0.5原子以下程度含有してもよく、各不可避的不純物元素は、Bは0.012原子以下、Siは0.12原子以下含有していてもよい。更に上記第2のAl合金膜は、450~600°Cの高温加熱処理により、上記1~4に規定する所定サイズと所定密度の第1の析出物、好ましくは更に上記第2の析出物、且つ第3の析出物および/または第4の析出物を含むものであり、これにより、高温耐熱性が向上し、高温プロセス下でもヒロックの発生を防止できる。第3の析出物は、少なくともX群元素、REMを含有していれば良く、また第4の析出物は、少なくともX群元素、Ge、REMを含有していれば良く、当該析出物による作用を阻害しない限り、他の元素を含有していても良い。上記第3、第4の析出物の円相当直径サイズは、10nm以上である。本発明者らの検討結果によれば、10nm未満の析出物は、たとえ析出物の組成がAl-X群元素-REM含有析出物第3の析出物、Al-Ge-X群元素-REM含有析出物第4の析出物であっても、所望の効果が発揮されないことがわかった。なお、高温耐熱性向上作用を有効に発揮させるためには、上記円相当直径の下限が10nmであれば良く、その上限は、上記作用との関係では特に限定されないが、析出物のサイズが大きくなって巨大析出物になると、光学顕微鏡による検査で視認される可能性があり、外観不良を招くため、その上限は1μmであることが好ましい。第3、第4の析出物の好ましい円相当直径は、10nm以上800nm以下である。更に本発明では、上記円相当直径10nm以上の析出物が1,000,000個/mm2以上の密度で存在することが必要である。本発明者らの検討結果によれば、第1の析出物のサイズが10nm以上であっても、1,000,000個/mm2未満の場合は、所望の効果が発揮されないことがわかった。高温耐熱性向上作用を有効に発揮させるためには、上記析出物の密度は高い程よく、3,000,000個/mm2以上であることが好ましい。第3のAl合金膜上記第3のAl合金膜は、上述したGe、X群元素および希土類元素REMの他、更にNi、Co、およびFeよりなる群から選択される少なくとも一種を含有するAl-Ge-X群元素-REM-[Ni、Co、Fe]合金膜である。ここで、Ni、CoおよびFeは、透明導電膜との直接接続ダイレクトコンタクトを可能にする元素である。これは、TFTの製造過程における熱履歴により形成される導電性の高い[Ni、Co、Fe]含有Al系析出物を介して、透明導電膜との電気的な導通が可能となるためである。これらは単独で添加しても良いし、両方を添加しても良い。このような作用を有効に発揮させるためには、[Ni、Co、Fe]の含有量単独の場合は単独の含有量であり、両方を含有する場合は合計量であるを0.1~0.35原子とすることが好ましい。[Ni、Co、Fe]の含有量が0.1原子未満の場合、所望の効果が得られず、透明導電膜との接触抵抗低減に寄与する第5の析出物の密度を確保できない。すなわち、第5の析出物のサイズが小さく、密度も減少するため、透明導電膜との低い接触抵抗を安定して維持することが困難になる。一方、[Ni、Co、Fe]の含有量が0.35原子を超えると、エッチング速度が遅くなるとともに、残渣などの問題がある。[Ni、Co、Fe]のより好ましい含有量は、0.1原子以上0.25原子以下であり、更に好ましくは、0.1原子以上0.2原子以下である。また、第5の析出物は、Geと、X群から選ばれる少なくとも1種の元素と[Ni、Co、Feよりなる群から選択される少なくとも1種]とを含有していれば良く、当該析出物による作用を阻害しない限り、他の元素を含有していても良い。上記第3のAl合金膜は、上記元素を含有し、残部:Alおよび不可避的不純物である。ここで上記不可避的不純物としては、例えばSi、Bなどが例示される。不可避的不純物の合計量は特に限定されないが、概ね0.5原子以下程度含有してもよく、各不可避的不純物元素は、Bは0.012原子以下、Siは0.12原子以下含有していてもよい。更に上記第3のAl合金膜は、450~600°Cの高温加熱処理により、上記5に規定する所定サイズと所定密度の第5の析出物Al-Ge-X群元素-[Ni、Co、Fe]を含むものであり、これにより、高温下での高い剥離液耐性および透明導電膜との低い接触抵抗を実現できる。第5の析出物は、少なくともGeとX群元素と、Ni、Co、Feよりなる群から選択される少なくとも一種とを含有していれば良く、当該析出物による作用を阻害しない限り、他の元素を含有していても良い。上記第5の析出物の円相当直径サイズは、250nm以上である。本発明者らの検討結果によれば、250nm未満の析出物は、たとえ析出物の組成が上記組成を満足するものであっても、所望の効果が発揮されないことがわかった。なお、上記作用を有効に発揮させるためには、上記円相当直径の下限が250nmであれば良く、その上限は、上記作用との関係では特に限定されないが、析出物のサイズが大きくなって巨大析出物になると、光学顕微鏡による検査で視認される可能性があり、外観不良を招くため、その上限は3μmであることが好ましい。第5の析出物のより好ましい円相当直径は、250nm以上2μm以下である。更に本発明では、上記円相当直径250nm以上の析出物が2,000個/mm2以上の密度で存在することが必要である。本発明者らの検討結果によれば、第5の析出物のサイズが250nm以上であっても、2,000個/mm2未満の場合は、所望の効果が発揮されないことがわかった。剥離液耐性向上および透明導電膜との接触抵抗低減化の両作用を有効に発揮させるためには、上記析出物の密度は高い程よく、5,000個/mm2以上であることが好ましい。尚、上記第1~第5の析出物おける上記所定の元素を含有または含む析出物とは、好ましくは上記所定の元素を含有し、残部Alおよび不可避的不純物である。不可避的不純物とは各析出物の所定の元素以外の意味である。以上、本発明のAl合金膜について説明した。本発明において、上記の第1~第5の析出物が形成されるための熱処理は、450~600°Cであり、好ましくは500~600°Cである。この熱処理は、真空または窒素および/または不活性ガス雰囲気中で行われることが好ましく、処理時間は、1分以上60分以下であることが好ましい。本発明によれば、上記の熱処理高温熱処理を2回以上行なっても、ヒロックなどが生じないことがわかった。このような高温加熱処理に対応するTFT製造プロセスとしては、例えば、アモルファスシリコンの結晶化のためのレーザーなどによるアニール、各種薄膜形成のためのCVD化学気相蒸着による成膜、不純物拡散や保護膜を熱硬化させる際の熱処理炉の温度などが挙げられる。特にアモルファスシリコンの結晶化のための熱処理や不純物拡散で、上記のような高温下に曝されることが多い。上記Al合金の膜厚は、特に高温耐熱性、エッチング特性と配線抵抗の低減化を確保するため、50nm以上であることが好ましく、100nm以上であることがより好ましい。なお、その上限は、上記観点からは特に限定されないが、配線テーパ形状などを考慮すると、2μm以下であることが好ましく、より好ましくは600nm以下である。上記Al合金膜は、表示装置においてはソース-ドレイン電極やゲート電極などの各種配線材料に好ましく用いられるが、特に、高温耐熱性が要求されるゲート電極の配線材料として、より好ましく用いられる。上記Al合金膜は、半導体装置においてはエミッタ電極やコレクタ電極などの各種電極材料に好ましく用いられるが、特に、高温耐熱性が要求されるエミッタ電極の配線材料として、より好ましく用いられる。上記Al合金膜は、スパッタリング法にてスパッタリングターゲット以下ターゲットということがあるを用いて形成することが望ましい。イオンプレーティング法や電子ビーム蒸着法、真空蒸着法で形成された薄膜よりも、成分や膜厚の膜面内均一性に優れた薄膜を容易に形成できるからである。また、上記スパッタリング法で上記Al合金膜を形成するには、上記ターゲットとして、前述した元素を含むものであって、所望のAl合金膜と同一組成のAl合金スパッタリングターゲットを用いれば、組成ズレの恐れがなく、所望の成分組成のAl合金膜を形成することができるのでよい。従って、本発明には、前述した第1、第2または第3のAl合金膜と同じ組成のスパッタリングターゲットも本発明の範囲内に包含される。詳細には、上記ターゲットとして、iGeを0.01~2.0原子と、Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re、およびOsよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素を0.1~5原子を含み、残部:Alおよび不可避的不純物であるターゲット第1のAl合金膜用ターゲット、iに更に希土類元素の少なくとも一種を0.1~0.45原子含むターゲット第2のAl合金膜用ターゲット、iまたはiiに更にNi、Co、およびFeよりなる群から選択される少なくとも一種を0.1~0.35原子含むターゲット第3のAl合金膜用ターゲットが挙げられる。上記ターゲットの形状は、スパッタリング装置の形状や構造に応じて任意の形状角型プレート状、円形プレート状、ドーナツプレート状などに加工したものが含まれる。上記ターゲットの製造方法としては、溶解鋳造法や粉末焼結法、スプレイフォーミング法で、Al基合金からなるインゴットを製造して得る方法や、Al基合金からなるプリフォーム最終的な緻密体を得る前の中間体を製造した後、該プリフォームを緻密化手段により緻密化して得られる方法が挙げられる。本発明は、上記Al合金膜が、薄膜トランジスタに用いられていることを特徴とする表示装置も含むものである。その態様として、前記Al合金膜が、薄膜トランジスタのソース電極および/またはドレイン電極並びに信号線に用いられ、ドレイン電極が透明導電膜に直接接続されているものや、ゲート電極および走査線に用いられているものなどが挙げられる。第1、第2のAl合金膜を用いる場合は、Mo、Ti、W、およびCrよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む高融点金属膜または高融点合金膜バリアメタルを介して透明導電膜と接続される。一方、第3のAl合金膜を用いる場合は、上記のバリアメタルを介しても良いし、介さずに透明導電膜と直接接続することも可能である。また前記ゲート電極および走査線と、前記ソース電極および/またはドレイン電極ならびに信号線が、同一組成のAl合金膜であるものが態様として含まれる。本発明に用いられる透明画素電極は特に限定されず、例えば、酸化インジウム錫ITO、酸化インジウム亜鉛IZOなどが挙げられる。また、本発明に用いられる半導体層も特に限定されず、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、連続粒界結晶シリコン、酸化物半導体材料などが挙げられる。本発明のAl合金膜を備えた表示装置を製造するにあたっては、表示装置の一般的な工程を採用することができ、例えば、前述した特許文献1~5に記載の製造方法を参照すれば良い。以上、液晶表示装置として液晶ディスプレイを代表的に取り上げ、説明したが、上記説明した本発明の表示装置用Al合金膜は主に電極および配線材料として各種液晶表示装置に用いることができ、例えば図3に例示される液晶ディスプレイLDCにおける薄膜トランジスタ用のゲート、ソースおよびドレイン電極並びに配線材料、例えば図4に例示される有機ELOLEDにおける薄膜トランジスタ用のゲート、ソースおよびドレイン電極並びに配線材料、例えば図5に例示されるフィールドエミッションディスプレイFEDにおけるカソードおよびゲート電極並びに配線材料、例えば図6に例示される蛍光真空管VFDにおけるアノード電極および配線材料、例えば図7に例示されるプラズマディスプレイPDPにおけるアドレス電極および配線材料、例えば図8に例示される無機ELにおける背面電極などが挙げられる。また、上記説明した本発明の半導体装置用Al合金膜は、主に電極および配線材料として各種半導体装置に用いることができ、例えば図9に例示されるIGBTにおけるエミッタおよびコレクタ電極並びに配線材料などが挙げられる。これら液晶表示装置や半導体装置に本発明の表示装置および半導体装置用Al合金膜を用いた場合に、上記所定の効果が得られることは実験により確認済である。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例によって制限されず、前後記の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。実施例1表1に示す種々の合金組成のAl合金膜膜厚=300nmを、DCマグネトロンスパッタ法基板=ガラス基板コーニング社製Eagle2000、雰囲気ガス=アルゴン、圧力=2mTorr、基板温度=25°C室温によって成膜した。尚、上記種々の合金組成のAl合金膜の形成には、真空溶解法で作製した種々の組成のAl合金ターゲットをスパッタリングターゲットとして用いた。また実施例で用いた種々のAl合金膜における各合金元素の含有量は、ICP発光分析誘導結合プラズマ発光分析法によって求めた。上記のようにして成膜したAl合金膜に対し、450~600°Cの高温加熱処理を2回行い、高温加熱処理後のAl合金膜について、耐熱性、当該Al合金膜自体の電気抵抗配抵抵抗、ドライエッチング特性、アルカリ現像液耐性、剥離液耐性、およびITOとの接触抵抗の各特性、並びに析出物のサイズおよび密度を、それぞれ下記に示す方法で測定した。参考のため、耐熱性については、350°Cの実験も行なった。なお、アルカリ現像液耐性については、成膜後のAl合金膜を用いて実験を行い、加熱処理は行わなかった。TFT製造過程においてアルカリ環境下に曝されるのはAl合金配線を形成するフォトリソグラフィ工程であり、熱履歴を受ける前の段階だからである。1加熱処理後の耐熱性成膜後のAl合金膜に対し、不活性雰囲気ガスN2雰囲気下にて、表1に示す各温度にて10分間の加熱処理を2回行ない、その表面性状を光学顕微鏡倍率:500倍を用いて観察し、ヒロックの密度個/m2を測定した。表2に記載の判断基準により耐熱性を評価し、本実施例では◎または○を合格とした。2ドライエッチング特性具体的には、直径4インチ、厚さ0.7mmのシリコン基板上に、厚さ200nmの酸化シリコンSiOx膜を成膜した後、Al合金膜を前述した条件で500nmの厚さに成膜した。次いで、g線のフォトリソグラフィーによってポジ型フォトレジストノボラック系樹脂;東京応化工業株製のTSMR8900、厚さは1.0μmを線幅10μmのストライプ状に形成した。次に、前述した図10に示すドライエッチング装置を用い、下記のエッチング条件でドライエッチングを行なった。エッチング条件Ar/Cl2:300sccm/180sccmアンテナに印加した電力ソースRF:500W基板バイアス:60Wプロセス圧力ガス圧:14mTorr基板温度:サセプタの温度20°Cエッチングは、エッチング深さが100~300nmとなる範囲において、エッチング時間を変えて行い、エッチング深さの異なるサンプルを作製した。次いで、酸素プラズマによるアッシング工程を経た後、アミン系の剥離液などを用いてフォトレジストを剥離した後、触針式膜厚計Vecco社製のDektakIIを用いて、純AlまたはAl合金膜のエッチング厚さを測定した。表2に記載の判断基準によりドライエッチング特性を評価し、本実施例では◎または○を合格とした。3加熱処理後のAl合金膜自体の配線抵抗成膜後のAl合金膜に10μm幅のラインアンドスペースパターンを形成したものに、不活性雰囲気ガスN2雰囲気下にて、450°C、550°Cまたは600°Cの各温度にて10分間の加熱処理を2回行ない、4端子法で電気抵抗率を測定した。表2に記載の判断基準により各温度の配線抵抗を評価し、本実施例では◎または○を合格とした。4透明画素電極とのダイレクト接触抵抗成膜後のAl合金膜に対し、不活性雰囲気ガスN2雰囲気下にて、600°Cで10分間の加熱処理を2回行なったものを用意した。このAl合金膜と透明画素電極を直接接触したときの接触抵抗は、透明画素電極ITO;酸化インジウムに10質量の酸化スズを加えた酸化インジウムスズを、下記条件でスパッタリングすることによって図2に示すケルビンパターンコンタクトホールサイズ:10μm角を作製し、4端子測定ITO-Al合金膜に電流を流し、別の端子でITO-Al合金間の電圧降下を測定する方法を行なった。具体的には、図2のI1-I2間に電流Iを流し、V1-V2間の電圧Vをモニターすることにより、コンタクト部Cのダイレクト接触抵抗Rを[R=V2-V1/I2]として求めた。表2に記載の判断基準によりITOとのダイレクト接触抵抗ITOとのコンタクト抵抗を評価し、本実施例では◎または○を合格とした。透明画素電極の成膜条件雰囲気ガス=アルゴン圧力=0.8mTorr基板温度=25°C室温5剥離液耐性フォトレジスト剥離液の洗浄工程を模擬し、アミン系フォトレジストと水を混合したアルカリ性水溶液による腐食実験を行った。詳細には、成膜後のAl合金膜に対し、不活性ガス雰囲気N2中、600°Cで20分間の加熱処理を2回行った後、東京応化工業株製のアミン系レジスト剥離液TOK106水溶液をpH10.5および9.5の各pHに調整したもの液温25°Cに浸漬させた。具体的には、まず、pH10.5の溶液に1分間浸漬後、連続してpH9.5の溶液に5分間浸漬させた。そして、浸漬後の膜表面にみられるクレータ状の腐食孔食痕円相当直径が150nm以上のものの個数を調べた観察倍率は1000倍。表2に記載の判断基準により剥離液耐性を評価し、本実施例では◎または○を合格とした。6アルカリ現像液耐性現像液エッチングレートの測定基板上に成膜したAl合金膜にマスクを施した後、現像液TMAH2.38質量を含む水溶液中に25°Cで1分間および2分間浸漬し、そのエッチング量を触診式段差計を用いて測定し、1分間および2分間浸漬した際のエッチング量の差からエッチングレートを算出した。表2に記載の判断基準によりアルカリ現像液耐性を評価し、本実施例では◎または○を合格とした。7析出物の測定成膜後のAl合金膜に対し、不活性ガス雰囲気N2中、550°Cまたは600°Cで10分間の加熱処理を2回行い、析出した析出物を、平面TEM透過電子顕微鏡、倍率30万倍で観察した。析出物のサイズ円相当直径および密度個/mm2は、走査電子顕微鏡の反射電子像を用いて求めた。具体的には、1視野mm2内に観察される析出物の円相当直径および個数を測定し、3視野の平均値を求めた。析出物に含まれる元素はTEM-EDX分析により判断した。そして表2に記載の判断基準により各析出物のサイズおよび密度を分類した。析出物について、サイズが◎、○、または△であり、且つ、密度が◎または○を満足するものが、本発明の要件を満足するものである。これらの結果を表1に記載する。まず、表1について考察する。これらの表において、析出物サイズ550°C/600°Cおよび析出物密度550°C/600°Cが◎×◎◎◎とは、左側から順に第1~第5の析出物の評価が記載されており、この例では、第1、第3~第5の析出物のいずれも、サイズおよび密度が共に◎、第2の析出物のサイズおよび密度が共に×を意味する。表1AのNo.1-1~1-32に記載の各Al合金膜は、本発明に係る第3のAl合金膜に対応しており、本発明で規定する合金組成を満足し、且つ、第1~第5の析出物の要件サイズおよび密度も満足しているため、低温350°Cの耐熱性に優れているだけでなく450~600°Cの高温耐熱性にも優れている。また、ドライエッチング特性も良好である。更に、高温加熱処理後の電気抵抗について、高融点金属よりも低い電気抵抗を有しており、高温加熱処理前のアルカリ現像液および高温加熱処理後の剥離液に対する耐性も良好であり、ITO透明画素電極とのダイレクト接触抵抗も大幅に低減することができた。次に、表1BのNo.2-1~2-24に記載の各Al合金膜は、本発明に係る第3のAl合金膜に対応しており、本発明で規定する合金組成を満足し、且つ、第1、第3~第5の析出物の要件サイズおよび密度も満足しているため、低温350°Cの耐熱性に優れているだけでなく450~600°Cの高温耐熱性にも優れている。また、ドライエッチング特性も良好である。更に、高温加熱処理後の電気抵抗について、高融点金属よりも低い電気抵抗を有しており、高温加熱処理前のアルカリ現像液および高温加熱処理後の剥離液に対する耐性も良好であり、ITO透明画素電極とのダイレクト接触抵抗も大幅に低減することができた。次に、表1CのNo.3-1~3-30に記載の各Al合金膜は、本発明に係る第2のAl合金膜に対応しており、本発明で規定する合金組成を満足し、且つ、第1~第4の析出物の要件サイズおよび密度も満足しているため、低温350°Cの耐熱性に優れているだけでなく450~600°Cの高温耐熱性にも優れている。また、ドライエッチング特性も良好である。更に、高温加熱処理後の電気抵抗について、高融点金属よりも低い電気抵抗を有しており、アルカリ現像液および剥離液に対する耐性も良好である。ITO透明画素電極とのダイレクト接触抵抗に関しては、Ni、Co、Feのいずれも含んでいないことから高抵抗となり、ITOと直接接触することはできなかった。次に、表1DのNo.4-1~4-24に記載の各Al合金膜は、本発明に係る第2のAl合金膜に対応しており、本発明で規定する合金組成を満足し、且つ、第1、第3、第4の析出物の要件サイズおよび密度も満足しているため、低温350°Cの耐熱性に優れているだけでなく450~600°Cの高温耐熱性にも優れている。また、ドライエッチング特性も良好である。更に、高温加熱処理後の電気抵抗について、高融点金属よりも低い電気抵抗を有しており、アルカリ現像液および剥離液に対する耐性も良好である。ITO透明画素電極とのダイレクト接触抵抗に関しては、Ni、Co、Feのいずれも含んでいないことからITOとの接触抵抗は高くなった。次に、表1EのNo.5-1~5-3に記載の各Al合金膜は、本発明に係る第1のAl合金膜に対応しており、本発明で規定する合金組成を満足し、且つ、第1の析出物の要件サイズおよび密度も満足しているため、低温350°Cの耐熱性に優れているだけでなく450~600°Cの高温耐熱性にも優れている。また、ドライエッチング特性も良好である。更に、高温加熱処理後の電気抵抗について、高融点金属よりも低い電気抵抗を有しており、アルカリ現像液および剥離液に対する耐性も良好である。ITO透明画素電極とのダイレクト接触抵抗に関しては、Ni、Co、Feのいずれも含んでいないことからITOとの接触抵抗は高くなった。次に、表1EのNo.5-4~5-5に記載の各Al合金膜は、本発明に係る第1のAl合金膜に対応しており、本発明で規定する合金組成を満足し、且つ、第1、第2の析出物の要件サイズおよび密度も満足しているため、低温350°Cの耐熱性に優れているだけでなく450~600°Cの高温耐熱性にも優れている。また、ドライエッチング特性も良好である。更に、高温加熱処理後の電気抵抗について、高融点金属よりも低い電気抵抗を有しており、アルカリ現像液および剥離液に対する耐性も良好である。ITO透明画素電極とのダイレクト接触抵抗に関しては、Ni、Co、Feのいずれも含んでいないことからITOとの接触抵抗は高くなった。次に、表1FのNo.6-1~6-7に記載の各Al合金膜は、本発明で規定する上記第1~第3のAl合金膜の要件を満たさない例である。No.6-1~6-3では、合金組成および析出物要件を満足しない例である。配線抵抗は比較的良好な値を示しているが、これは配線の耐熱性が悪く表面が荒れた状態となっているためである。またNo.6-4~6-7では合金組成を満足せず、ドライエッチング特性が悪かった。"