画像を生成するための信号を生成する受光素子を備える画像生成画素と、位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子を備える位相差検出画素と、前記画像生成画素における前記受光素子において生成された信号を保持する保持部であって、前記位相差検出画素における遮光層により被写体光が遮光される領域に配置される保持部とを具備する撮像素子。前記画像生成画素に隣接する各画素のうちの少なくとも1つの画素は前記位相差検出画素であり、かつ、当該画像生成画素における前記受光素子と当該位相差検出画素における前記受光素子との間に前記保持部が配置される請求項1記載の撮像素子。前記画像生成画素に隣接する各画素のうちの少なくとも1つの画素は前記位相差検出画素であり、かつ、当該位相差検出画素における前記保持部の長手方向の一方の端部と前記画像生成画素における前記受光素子とが近接する請求項1記載の撮像素子。前記画像生成画素および前記位相差検出画素は、前記画像生成画素が特定方向に並べて構成される第1ラインと、前記位相差検出画素が前記特定方向に並べて構成される第2ラインとが前記特定方向とは直交する直交方向に交互に配置される請求項1記載の撮像素子。前記画像生成画素および前記位相差検出画素は、前記第1ラインを構成する画像生成画素と前記第1ラインに隣接する前記第2ラインを構成する位相差検出画素とが前記直交方向においてそれらの一部が重複するように当該画像生成画素と当該位相差検出画素とが交互に配置される請求項4記載の撮像素子。前記画像生成画素および前記位相差検出画素は、斜め画素配列により配置される請求項5記載の撮像素子。前記位相差検出画素は、前記特定方向に対して斜め方向に瞳分割する位相差検出画素である請求項6記載の撮像素子。前記画像生成画素および前記位相差検出画素は、各画素の一辺が前記特定方向に対して平行な略正方形の画素であり、正方格子配置される請求項4記載の撮像素子。前記画像生成画素に隣接する各画素のうちの少なくとも1つの画素は前記位相差検出画素であり、前記保持部は、当該位相差検出画素における前記受光素子において生成された信号と、当該画像生成画素における前記受光素子において生成された信号とをフレーム単位で交互に保持する請求項1記載の撮像素子。画像を生成するための信号を生成する受光素子を備える画像生成画素と、位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子を備える位相差検出画素と、前記画像生成画素における前記受光素子において生成された信号を保持する保持部であって、前記位相差検出画素における遮光層により被写体光が遮光される領域に配置される保持部とを備える撮像素子と、前記位相差検出画素が生成する信号に基づいて位相差検出による合焦判定を行う合焦判定部と、前記合焦判定部による合焦判定結果に基づいて、レンズの駆動を制御する制御部とを具備する撮像装置。上述の従来技術では、露光の終了タイミングにおいて、各画素の受光素子が蓄積した電荷画像信号を各画素の保持部に同時に読み出すことにより、全画素の露光タイミングを同一にするグローバルシャッタ機能を実現している。これにより、上述の従来技術では、フォーカルプレーン現象を軽減することができる。しかしながら、各画素において受光素子と保持部とを同一平面上に配置するため、保持部を設けないグローバルシャッタ機能を備えない撮像装置と比較して、撮像素子における各画素の受光素子の面積が減少する。これにより、集光面積の減少による受光光量の減少や蓄積可能な電荷の総量の減少によるダイナミックレンジの減少などにより、画像の画質が劣化するおそれがある。また、位相差検出を行うための位相差検出画素を、1つの撮像素子に備える場合には、画像信号を生成するための画素が減少することにより、さらに画質が劣化するおそれがある。そこで、例えば、位相差検出機能およびグローバルシャッタ機能を備える撮像装置により生成される画像の画質の劣化を低減させることが重要となる。本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、画質の劣化を低減させることを目的とする。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その第1の側面は、画像を生成するための信号を生成する受光素子を備える画像生成画素と、位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子を備える位相差検出画素と、上記画像生成画素における上記受光素子において生成された信号を保持する保持部であって、上記位相差検出画素における遮光層により被写体光が遮光される領域に配置される保持部とを具備する撮像素子である。これにより、画像生成画素のグローバルシャッタ機能のための保持部を位相差検出画素の遮光層により被写体光が遮光される領域に配置させるという作用をもたらす。また、この第1の側面において、上記画像生成画素に隣接する各画素のうちの少なくとも1つの画素は上記位相差検出画素であり、かつ、当該画像生成画素における上記受光素子と当該位相差検出画素における上記受光素子との間に上記保持部が配置されるようにしてもよい。これにより、画像生成画素における受光素子と位相差検出画素における受光素子との間に保持部が配置されるという作用をもたらす。また、この第1の側面において、上記画像生成画素に隣接する各画素のうちの少なくとも1つの画素は上記位相差検出画素であり、かつ、当該位相差検出画素における上記保持部の長手方向の一方の端部と上記画像生成画素における上記受光素子とが近接するようにしてもよい。これにより、位相差検出画素における保持部の長手方向の一方の端部と画像生成画素における受光素子とが近接するように画素が配置されるという作用をもたらす。また、この第1の側面において、上記画像生成画素および上記位相差検出画素は、上記画像生成画素が特定方向に並べて構成される第1ラインと、上記位相差検出画素が上記特定方向に並べて構成される第2ラインとが上記特定方向とは直交する直交方向に交互に配置されるようにしてもよい。これにより、画像生成画素の行と位相差検出画素の行とが交互に配置されるという作用をもたらす。また、この場合において、上記画像生成画素および上記位相差検出画素は、上記第1ラインを構成する画像生成画素と上記第1ラインに隣接する上記第2ラインを構成する位相差検出画素とが上記直交方向においてそれらの一部が重複するように当該画像生成画素と当該位相差検出画素とが交互に配置されるようにしてもよい。これにより、画像生成画素と位相差検出画素とが略半画素ずつ重複するように交互に配置されるという作用をもたらす。また、この場合において、上記画像生成画素および上記位相差検出画素は、斜め画素配列により配置されるようにしてもよい。これにより、画像生成画素および位相差検出画素が斜め画素配列により配置されるという作用をもたらす。また、この場合において、上記位相差検出画素は、上記特定方向に対して斜め方向に瞳分割する位相差検出画素であるようにしてもよい。これにより、特定方向に対して斜め方向に瞳分割する位相差検出画素に保持部が配置されるという作用をもたらす。また、この第1の側面において、上記画像生成画素および上記位相差検出画素は、各画素の一辺が上記特定方向に対して平行な略正方形の画素であり、正方格子配置されるようにしてもよい。これにより、各画素の一辺が特定方向に対して平行な略正方形の画素が正方格子配置により配置されるという作用をもたらす。また、この第1の側面において、上記画像生成画素に隣接する各画素のうちの少なくとも1つの画素は上記位相差検出画素であり、上記保持部は、当該位相差検出画素における上記受光素子において生成された信号と、当該画像生成画素における上記受光素子において生成された信号とをフレーム単位で交互に保持するようにしてもよい。これにより、保持部に、当該保持部が配置される位相差検出画素における受光素子において生成された信号と、画像生成画素における受光素子において生成された信号とを交互に保持させるという作用をもたらす。また、本発明の第2の側面は、画像を生成するための信号を生成する受光素子を備える画像生成画素と、位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子を備える位相差検出画素と、上記画像生成画素における上記受光素子において生成された信号を保持する保持部であって、上記位相差検出画素における遮光層により被写体光が遮光される領域に配置される保持部とを備える撮像素子と、上記位相差検出画素が生成する信号に基づいて位相差検出による合焦判定を行う合焦判定部と、上記合焦判定部による合焦判定結果に基づいて、レンズの駆動を制御する制御部とを具備する撮像装置である。これにより、画像生成画素のグローバルシャッタ機能のための保持部が位相差検出画素の遮光層により被写体光が遮光される領域に配置された撮像素子を用いて合焦判定を行わせるという作用をもたらす。本発明によれば、画質の劣化を低減させることができるという優れた効果を奏し得る。以下、本発明を実施するための形態以下、実施の形態と称するについて説明する。説明は以下の順序により行う。1.第1の実施の形態撮像制御:斜め画素配列の例2.第2の実施の形態撮像制御:正方格子配列の例3.変形例<1.第1の実施の形態>[撮像装置の機能構成例]図1は、本発明の第1の実施の形態における撮像装置100の機能構成の一例を示すブロック図である。撮像装置100は、被写体を撮像して画像データ撮像画像を生成し、生成された画像データを画像コンテンツ静止画コンテンツまたは動画コンテンツとして記録する撮像装置である。なお、以下では、画像コンテンツ画像ファイルとして静止画コンテンツ静止画ファイルを記録する例を主に示す。撮像装置100は、レンズ部110と、操作受付部120と、制御部130と、撮像素子200と、信号処理部140と、表示部151と、記憶部152とを備える。また、撮像装置100は、位相差検出部160と、駆動部170とを備える。レンズ部110は、被写体からの光被写体光を集光するためのものである。このレンズ部110は、ズームレンズ111と、絞り112と、フォーカスレンズ113とを備える。ズームレンズ111は、駆動部170の駆動により光軸方向に移動することにより焦点距離を変動させて、撮像画像に含まれる被写体の倍率を調整するものである。絞り112は、駆動部170の駆動により開口の度合いを変化させて、撮像素子200に入射する被写体光の光量を調整するための遮蔽物である。フォーカスレンズ113は、駆動部170の駆動により光軸方向に移動することによりフォーカスを調整するものである。操作受付部120は、ユーザからの操作を受け付けるものである。この操作受付部120は、例えば、シャッターボタン図示せずが押下された場合には、その押下に関する信号を、操作信号として制御部130に供給する。制御部130は、撮像装置100における各部動作を制御するものである。なお、図1では、主要な信号線のみを示し、他は省略する。例えば、この制御部130は、シャッターボタンが押下されて、静止画像の記録を開始するための操作信号を受け付けた場合には、静止画像の記録実行に関する信号を、信号処理部140に供給する。撮像素子200は、受光した被写体光を電気信号に光電変換するイメージセンサである。この撮像素子200は、例えば、CMOSComplementaryMetalOxideSemiconductorセンサなどのx-yアドレス型のセンサにより実現される。撮像素子200には、受光した被写体光に基づいて撮像画像を生成するための信号を生成する画素画像生成画素と、位相差検出を行うための信号を生成する画素位相差検出画素とが配置される。ここで、位相差検出とは、撮像レンズを通過した光を瞳分割して1対の像を形成し、その形成された像の間隔像の間のズレ量を計測位相差を検出することによって合焦の度合いを検出する焦点検出の方法である。また、撮像素子200には、画像生成画素として、赤色Rの光を透過するカラーフィルタにより赤色の光を受光する画素R画素と、緑色Gの光を透過するカラーフィルタにより緑色の光を受光する画素G画素とが配置される。また、撮像素子200には、R画素およびG画素の他に、画像生成画素として、青色Bの光を透過するカラーフィルタにより青色の光を受光する画素B画素が配置される。さらに、各画像生成画素には、撮像素子200に備えられている画像生成画素に対して、露光タイミングズレを発生させることなく同時に露光させるためのメモリ保持部が接続されている。すなわち、撮像素子200は、画像生成画素に関して、グローバルシャッタ機能を備える。なお、撮像素子200については、図2を参照して説明する。撮像素子200は、光電変換により発生した電気信号画像信号を、フレーム画像データごとに信号処理部140に供給する。信号処理部140は、撮像素子200から供給された電気信号に所定の信号処理を施して画像信号を補正するものである。この信号処理部140は、例えば、撮像素子200から供給された電気信号をデジタルの電気信号画素値に変換した後に、黒レベル補正、欠陥補正、シェーディング補正、混色補正等を行う。信号処理部140は、これらの補正処理を施した画素値のうち位相差検出画素により生成された画素値を位相差検出部160に供給する。また、信号処理部140は、これらの補正処理を施した画素値のうち画像生成画素により生成された画素値について、所定の信号処理を施して、表示部151に表示させる画像データまたは記憶部152に記憶させる画像データを生成する。例えば、信号処理部140は、ホワイトバランス補正、γ補正、デモザイク処理、画像圧縮処理等を行う。信号処理部140は、表示部151に表示させる画像データを表示部151に供給し、表示部151に表示させる。また、信号処理部140は、記憶部152に記憶させる画像データを記憶部152に供給し、記憶部152に記憶させる。表示部151は、信号処理部140から供給された画像データに基づいて、画像を表示するものである。この表示部151は、例えば、カラー液晶パネルにより実現される。記憶部152は、信号処理部140から供給された画像データを画像コンテンツ画像ファイルとして記録するものである。例えば、この記憶部152として、DVDDigitalVersatileDisk等のディスクやメモリカード等の半導体メモリ等のリムーバブルな記録媒体1または複数の記録媒体を用いることができる。また、これらの記録媒体は、撮像装置100に内蔵するようにしてもよく、撮像装置100から着脱可能とするようにしてもよい。位相差検出部160は、信号処理部140から供給された位相差検出画素の画素値に基づいて、フォーカスを合わせる対象の物体合焦対象物に対してフォーカスが合っているか否かを位相差検出により判定するものである。そして位相差検出部160は、合焦している場合には、合焦していることを示す情報合焦判定結果情報を駆動部170に供給する。また、合焦対象物にフォーカスが合っていない場合には、フォーカスのズレ量デフォーカス量を算出し、その算出したデフォーカス量を示す情報例えば、ズレの画素数を示す値を合焦判定結果情報として、駆動部170に供給する。なお、位相差検出部160は、特許請求の範囲に記載の合焦判定部の一例である。駆動部170は、ズームレンズ111、絞り112およびフォーカスレンズ113を駆動させるものである。例えば、駆動部170は、位相差検出部160から出力された合焦判定結果情報に基づいて、フォーカスレンズ113の駆動量を算出し、その算出した駆動量に応じてフォーカスレンズ113を移動させる。この駆動部170は、フォーカスが合っている場合には、フォーカスレンズ113の現在の位置を維持させる。また、駆動部170は、フォーカスがズレている場合には、デフォーカス量を示す合焦判定結果情報およびフォーカスレンズ113の位置情報に基づいて駆動量移動距離を算出し、その駆動量に応じてフォーカスレンズ113を移動させる。なお、駆動部170は、特許請求の範囲に記載の制御部の一例である。[撮像素子における画素の配置例]図2は、本発明の第1の実施の形態における撮像素子200に備えられる画素の配置の一例を示す模式図である。同図では、上下方向をY軸とし、左右方向をX軸とするXY軸を想定して説明する。また、同図において、左下隅をXY軸における原点とし、下から上へ向かう方向をY軸の側とし、左から右へ向かう方向をX軸の側とする。なお、同図では、撮像素子200における特定方向撮像画像の水平方向左右方向に対応する方向をX軸方向とし、特定方向と直交する直交方向撮像画像の垂直方向上下方向に対応する方向をY軸方向とする。また、この撮像素子200における信号の読み出し方向は、X軸方向行単位で読み出されるであるものとする。同図では、説明の便宜上、撮像素子200を構成する各画素のうちの一部の画素の領域領域210を用いて説明する。なお、撮像素子200における画素の配置は、領域210において示す画素配置を1つの単位として、この単位に対応する画素配置領域210に対応する画素配置が、X軸方向およびY軸方向に繰り返される配置である。同図では、1つの画素を、X軸方向に対して45°回転した形状の1つの正方形斜め正方形で示す。画像生成画素については、備えられるカラーフィルタを表す符号R、G、Bを内に示した斜め正方形により示す。すなわち、画像生成画素のR画素は同図におけるR画素211として示され、画像生成画素のB画素は、同図におけるB画素214として示されている。また、G画素については、R画素R画素211を含む行ラインにおけるG画素がGr画素Gr画素212として示され、B画素B画素214を含む行ラインにおけるG画素がGb画素Gb画素213として示されている。また、位相差検出画素については、白色の長方形が付加された灰色の斜め正方形により示す。なお、位相差検出画素における白色の長方形については、入射光が遮光層に遮光されないで受光素子により受光される側遮光層に開口部分がある側を示す。ここで、同図において示す位相差検出画素位相差検出画素221乃至224について説明する。位相差検出画素221は、位相差検出画素221のマイクロレンズに入射する被写体光のうち射出瞳の右上半分y=-xの線で分割した領域の上側を通過した被写体光を遮光するように遮光層が形成される位相差検出画素である。すなわち、この位相差検出画素221は、射出瞳の右上半分を通過した被写体光を遮光し、左下半分を通過した被写体光を受光する。位相差検出画素222は、位相差検出画素222のマイクロレンズに入射する被写体光のうち射出瞳の左下半分y=-xの線で分割した領域の下側を通過した被写体光を遮光するように遮光層が形成される位相差検出画素である。すなわち、この位相差検出画素222は、射出瞳の左下半分を通過した被写体光を遮光し、右上半分を通過した被写体光を受光する。また、位相差検出画素222は、位相差検出画素221と対に用いられることで、一対の像を形成する。位相差検出画素223は、位相差検出画素223のマイクロレンズに入射する被写体光のうち射出瞳の左上半分y=xの線で分割した領域の上側を通過した被写体光を遮光するように遮光層が形成される位相差検出画素である。すなわち、この位相差検出画素223は、射出瞳の左上半分を通過した被写体光を遮光し、右下半分を通過した被写体光を受光する。位相差検出画素224は、位相差検出画素224のマイクロレンズに入射する被写体光のうち射出瞳の右下半分y=xの線で分割した領域の下側を通過した被写体光を遮光するように遮光層が形成される位相差検出画素である。すなわち、この位相差検出画素224は、射出瞳の右下半分を通過した被写体光を遮光し、左上半分を通過した被写体光を受光する。また、位相差検出画素224は、位相差検出画素223と対に用いられることで、一対の像を形成する。ここで、撮像素子200における画素の配置について説明する。撮像素子200では、画像生成画素および位相差検出画素が格子状に斜め方向斜め格子に配置本発明の実施の形態では、斜め画素配列と称するされている。また、撮像素子200では、読み出し方向に対して直行する方向本発明の第1の実施では列方向とするに、画像生成画素が配置される行ラインと位相差検出画素が配置される行ラインとが交互に配置される。すなわち、図2に示すように、Y軸方向に、画像生成画素のライン、位相差検出画素のライン、画像生成画素のライン、位相差検出画素のライン...と交互に配置される。さらに、画像生成画素と位相差検出画素とがそれらの一部ずつ略半画素ずつ重複するように交互に配置される。なお、撮像素子200における画素の配置は斜め画素配列であるため、列方向X軸方向に関しても、画像生成画素と位相差検出画素とが半画素ずつ重複するように、画像生成画素が配置される列と位相差検出画素が配置される列とが交互に配置される。また、撮像素子200では、位相差検出画素221および位相差検出画素224が配置されるラインと、位相差検出画素222および位相差検出画素223が配置されるラインとが、画像生成画素の行を挟んで交互になるように配置される。そして、位相差検出画素221と位相差検出画素222とが左下から右上に向かう1つのラインy=xの線上に配置されるとともに、位相差検出画素223と位相差検出画素224とが右下から左上に向かう1つのラインy=-xの線上に配置される。すなわち、対となる位相差検出画素同士が斜めの1ライン上に配置される。また、撮像素子200では、位相差検出画素が配置されるラインを除外して画像生成画素のみで配置をみると、ベイヤー配列となる。さらに、画像生成画素のみにおける配置において、行方向X軸方向および列方向Y軸方向における画像生成画素同士の間隔をみると、行方向の間隔と列方向の間隔とが同一になる。すなわち、撮像素子200は、位相差検出画素および画像生成画素が両方とも配置されるにもかかわらず、行方向および列方向における画像生成画素同士の距離が均一になるとともに、画像生成画素の配置がベイヤー配列となる。これにより、位相差検出画素の位置に対応する画像データを補完する必要が無くなる。なお、撮像素子200において、画像生成画素におけるグローバルシャッタ機能のためのメモリが位相差検出画素の遮光領域の下被写体光が遮光される領域に配置される。そこで、位相差検出画素の遮光領域の下に配置されるメモリ保持部について、同図において示す領域240に含まれる画素に着目し、図3を参照して説明する。[画像生成画素および位相差検出画素の配置例]図3は、本発明の第1の実施の形態の撮像素子200の領域240における画像生成画素および位相差検出画素の配置を示す上面図である。なお、同図では、左右方向をX軸とし、上下方向をY軸とするXY軸を想定する。同図には、図2の領域210に示されている領域240における画像生成画素および位相差検出画素の配置が、各画素の受光素子受光素子251および272と画像生成画素に配置されるメモリメモリ271とともに示されている。また、同図には、画像生成画素の受光素子受光素子251と、その受光素子251が接続されるメモリメモリ271との間の接続関係が、電気信号電荷の流れを示す矢印矢印261により示されている。受光素子251および272は、受けた光を電気信号に変換光の量に応じて電荷を蓄積することによって、受けた光の量に応じた強さの電気信号を生成するものである。この受光素子251および272は、例えば、フォトダイオードPD:PhotoDiodeにより構成される。なお、受光素子251は画像生成画素の受光素子であり、受光素子272は位相差検出画素の受光素子である。また、受光素子251は、各画像生成画素のマイクロレンズにより集光された光を無駄なく受光するため、できる限り受光面の面積が広いものが配置される。一方、受光素子272は、遮光層により遮光されない被写体光を受光できればよいため、その遮光されない被写体光が照射する領域に対応する大きさのものが配置される。メモリ271は、露光期間露光タイミングにおいて受光素子251が蓄積した電荷を一時的に保持するものである。このメモリ271は、位相差検出画素における遮光層により被写体光が遮光される領域遮光領域に配置される。また、メモリ271は、このメモリ271が配置される位相差検出画素に隣接する画像生成画素のうちの1つの画像生成画素の受光素子と接続され、受光素子において蓄積された電荷を露光期間の終了の際に受け取り一時的に保持する。そして、撮像素子200における信号の読み出しの際には、各画像生成画素に接続されているメモリ271が保持する電荷が順次読み出しされる。なお、露光期間の終了の際における受光素子から保持部への電荷の転送動作は、撮像素子200における全ての画像生成画素で同時に行われる。すなわち、全ての画像生成画素で電荷がメモリ271に同時に転送されることにより、グローバルシャッタ機能が実現される。なお、矢印261により示すように、位相差検出画素は、位相差検出が行える配置対の像が形成可能な配置であるとともに、メモリ271に接続されない画像生成画素がないように配置される。[画像生成画素および位相差検出画素の断面構成例]図4は、本発明の第1の実施における画像生成画素および位相差検出画素の断面構成を示す模式図である。なお、同図では、同図aにおいて示すように、遮光される側が右であり開口部分が左である位相差検出画素と、B画素とが左右位相差検出画素が右でB画素が左に隣接する配置を想定して説明する。また、この位相差検出画素のメモリとB画素の受光素子とは接続されていることとする。同図bには、同図aにおいて示した線L1における断面構成が示されている。同図bでは、B画素320および位相差検出画素310のマイクロレンズマイクロレンズ321および311と、B画素320および位相差検出画素310の受光素子受光素子323および受光素子313とが示されている。また、同図bでは、B画素320の受光素子受光素子323に接続されるメモリメモリ324と、B画素320および位相差検出画素310の縁に配置される配線配線331、332および333とが示されている。なお、位相差検出画素310は、カラーフィルタを備えていないことを想定する。マイクロレンズ321は、被写体光を受光素子323に集光するためのレンズである。また、マイクロレンズ311は、被写体光を受光素子313に集光するためのレンズである。受光素子323および313は、受けた光を電気信号に変換光電変換することによって、受けた光の量に応じた強さの電気信号を生成するものである。なお、受光素子323は図3において示した受光素子251の断面構成であり、受光素子313は図3において示した受光素子272の断面構成であるため、ここでの説明を省略する。配線331、332および333は、画像生成画素および位相差検出画素における各回路を接続するための配線である。また、配線331、332および333は、メタルであるため、被写体光を遮光する遮光層としても機能する。同図bにおいて、配線331、332および333は、3本の配線が光軸に対して層状に配置されていることを示している。また、配線332には、位相差検出画素310の中心付近まで突出する配線が一本備えられている。この突出は、受光素子313とマイクロレンズ311との間において、射出瞳の右半分を通過した被写体光を遮光する。一方、射出瞳の左半分を通過した被写体光は、この突出と配線333との間の部分遮光層の開口部分を通過し、受光素子313に受光される。メモリ324は、露光期間において受光素子323が蓄積した電荷を一時的に保持するものである。なおメモリ324は、図3において示したメモリ271の断面構成であるため、ここでの説明を省略する。同図bに示すように、メモリ324は、配線332における突出により被写体光が遮光される領域遮光領域に配置される。また、メモリ324は、このメモリ324が接続されている受光素子受光素子323と近接する接続を容易にするため。同図に示すように、画像生成画素におけるグローバルシャッタ機能のためのメモリメモリ324が位相差検出画素310における遮光領域に配置されるため、画像生成画素の受光素子受光素子323の受光面積を大きくすることができる。ここで、撮像素子200において配置される位相差検出画素221乃至224について説明する。位相差検出画素221および223については、断面構成における断面の方向が異なるものの、図4bにおいて示した断面構成と略同じである。すなわち、メモリが接続される画像生成画素の受光素子と、位相差検出画素221および223の受光素子との間にメモリが配置される。また、位相差検出画素222および224については、メモリに接続される画像生成画素と位相差検出画素との間の位置関係が同図bとは異なる。位相差検出画素222および224については、メモリに接続される画像生成画素の受光素子と、メモリの長手方向の一端とが隣接する。しかしながら、大きい突出がある配線332の下にメモリが配置されること、および、メモリに接続される受光素子がメモリに隣接することは、同図bと同様である。これらのため、位相差検出画素221乃至224の個々の断面構成は省略する。[メモリを備える一般的な画像生成画素の断面構成例]図5は、グローバルシャッタ機能のためのメモリを備える一般的な画像生成画素と一般的な位相差検出画素との上面構成および断面構成を示す模式図である。同図aには、グローバルシャッタ機能のためのメモリを備える一般的な画像生成画素と一般的な位相差検出画素とを示す上面図が示されている。なお、同図aでは、説明の便宜上、画像生成画素および位相差検出画素はX軸に対して一辺が平行な正方形の画素であることとする。同図aでは、グローバルシャッタ機能のためのメモリを備える一般的な画像生成画素画像生成画素380と、一般的な位相差検出画素位相差検出画素390とが示されている。画像生成画素380には、画像生成画素380の受光素子を白い領域で示す点線の枠受光素子383と、画像生成画素380のメモリを示す網目模様の領域メモリ384とが示されている。さらに、画像生成画素380では、受光素子383とメモリ384との接続関係が、電荷の流れを示す矢印矢印371により示されている。また、位相差検出画素390には、位相差検出画素390の受光素子が、点線の枠受光素子393により示されている。同図aに示すように、メモリを備える一般的な画像生成画素において、受光素子383およびメモリ384は、各画像生成画素の領域を分け合っている。すなわち、グローバルシャッタ機能のために画像生成画素にメモリを備えることにより、受光素子383の受光面の面積が減少してしまう。これにより、受光素子に受光される光の量の減少や受光素子383が蓄積できる電荷の量の減少が生じ、撮像した像の画質が劣化してしまう。続いて、グローバルシャッタ機能のためのメモリを備える一般的な画像生成画素と一般的な位相差検出画素との断面構成について、同図bを参照して説明する。なお、同図bでは、画像生成画素380についてはx軸方向の線線L11における断面構成を示し、また、位相差検出画素390についても、x軸方向の線線L12における断面構成を示す。同図bでは、画像生成画素380の断面構成として、マイクロレンズ381、カラーフィルタ382、受光素子383、メモリ384、配線386および387が示されている。また、同図bでは、位相差検出画素390の断面構成として、マイクロレンズ391、受光素子393、配線396および397が示されている。なお、位相差検出画素390は、カラーフィルタを備えていないことを想定する。マイクロレンズ381、391および受光素子383、393は、図4において示したマイクロレンズおよび受光素子と同様のものであるため、ここでの説明を省略する。配線386、387、396および397は、図4において示した配線と同様に、画像生成画素および位相差検出画素における各回路を接続するための配線である。配線387には、画像生成画素380のメモリ384に照射する光を妨げるように画像生成画素380の中央付近まで突出した配線が一本備えられている。メモリ384に被写体光が当たるとメモリ384で光電変換が発生し電荷が蓄積されてしまうため、この突出した配線は、メモリ384への被写体光の照射を妨げるようにメモリ384を遮光する。メモリ384は、図4において示したメモリ324と同様に、露光期間において受光素子383が蓄積した電荷を一時的に保持するものである。また、このメモリ384は、画像生成画素380の領域のうちの配線387により遮光された遮光領域に、受光素子383と同一の面上に形成される。また、位相差検出画素390における受光素子受光素子393は、半分が遮光層により覆われている。すなわち、グローバルシャッタ機能のためのメモリを備えない一般的な画像生成画素と同様の大きさの受光素子が、一般的な位相差検出画素390に配置される。同図bに示すように、グローバルシャッタ機能のためのメモリを備える一般的な画像生成画素においては、受光素子383の受光面の面積が、メモリを備えない場合と比較して大幅に減少する。一方、図4bにおいて示したように、本発明の第1の実施の形態の画像生成画素においては、画像生成画素のグローバルシャッタ機能のためのメモリが位相差検出画素の遮光層の下に配置される。このため、本発明の第1の実施の形態の画像生成画素においては、画像生成画素の受光素子の面積を、メモリを設けない場合と同様にすることができる。[画像生成画素と位相差検出画素に配置されるメモリとの間の接続例]図6は、本発明の第1の実施の形態の撮像素子200における画像生成画素と、位相差検出画素に配置されるメモリとの間の接続を図2において示した画素の配置を用いて示す模式図である。なお、同図は、図3において示した領域240において示した図面において図2において示した領域210を表したものであるため、ここでの詳細な説明を省略する。同図に示すように、画像生成画素が配置される行ラインと位相差検出画素が配置される行ラインとが交互に配置されることにより、画像生成画素に複数の位相差検出画素が隣接し、画像生成画素の受光素子と接続されるメモリの配置が容易になる。また、斜め方向に瞳分割を行う位相差検出画素を設け、位相差検出画素において矩形のメモリおよび受光素子を一辺が斜めになるように配置することにより、位相差検出画素の領域を効率良く使用することができる。さらに、斜め方向に瞳分割を行う位相差検出画素を設け、矩形のメモリを配置することにより、画像生成画素の受光素子とこの受光素子に接続されるメモリとの間の距離を短くすることができる。このように本発明の第1の実施によれば、画像生成画素のグローバルシャッタ機能のための保持部を位相差検出画素の遮光領域に設けることにより、画像生成画素における受光素子の面積の減少を軽減させることができる。すなわち、本発明の第1の実施によれば、グローバルシャッタ機能を備える撮像素子が生成する画像の画質の劣化を低減させることができる。<2.本発明の第2の実施の形態>本発明の第1の実施の形態では、位相差検出画素の遮光領域に配置されるメモリには、画像生成画素のみが接続される例について説明した。これにより、画像生成画素が生成する画像信号については、動体を撮像する際に動体の像が歪んでしまう現象フォーカルプレーン現象が軽減される。しかしながら、位相差検出画素については、メモリに接続されないため、動体を撮像する際に像がゆがんでしまう。この位相差検出画素の画像信号から生成される像における歪みにより、位相差検出部160における合焦判定の精度が悪くなることが想定される。そこで、本発明の第2の実施の形態では、位相差検出画素の受光素子もメモリに接続される撮像素子の例について図7を参照して説明する。[画像生成画素および位相差検出画素の配置例]図7は、本発明の第2の実施の形態の撮像素子の領域領域540における画像生成画素および位相差検出画素の配置を示す上面図である。なお、同図は、図3の変形例であり、位相差検出画素の受光素子からメモリへの電荷の転送がある点のみが異なる。そのため、同一のものについては同一の符号を付してここでの説明を省略する。図7では、位相差検出画素からメモリへの電荷の転送を示す矢印矢印541が示されている。矢印541において示すように、位相差検出画素の受光素子受光素子272は、それぞれの位相差検出画素の遮光層の位置に配置されるメモリメモリ271に接続される。すなわち、メモリ271には、メモリ271が配置される位相差検出画素に隣接する4つの画像生成画素のうちの1つの画素の受光素子と、メモリ271が配置される位相差検出画素の受光素子とが接続される。ここで、画像生成画素の受光素子と位相差検出画素の受光素子とが両方ともメモリ271に接続される場合における撮像装置の動作について説明する。本発明の第2の実施の形態の撮像素子では、画像生成画素の受光素子と位相差検出画素の受光素子とが1つのメモリに接続される。すなわち、メモリを介して信号を読み出す際にはグローバルシャッタを実行する際、1つのフレームの読み出し期間において、画像生成画素の信号または位相差検出画素の信号のうちいずれかの一方の信号しか読み出すことができない。このため、本発明の第2の実施の形態では、画像生成画素の信号のみを読み出すフレームの期間と、位相差検出画素の信号のみを読み出すフレームの期間とが交互に繰り返される。このように、本発明の第2の実施の形態によれば、位相差検出画素の信号の読み出しにおいてもグローバルシャッタ機能を実現することにより、合焦判定の精度を向上させることができる。<3.変形例>本発明の第1および第2の実施の形態では、X軸方向に対して45°回転した正方形の画素が格子状に配置され斜め格子配置、さらに、画像生成画素のラインと位相差検出画素のラインとが交互に配置される例について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な形状および様々な配置の画素に対しても適用することができる。そこで、画素の形状が正方形で回転していない場合正方格子配置の例について、図8を参照して説明する。また、本発明の第1および第2の実施の形態とは異なる斜め格子配置の例について、図9乃至図11を参照して説明する。[撮像素子における画素配置例]図8は、本発明の第1の実施の形態の第1の変形例として、正方形の画素が格子状に配置される撮像素子における画素配置の一例を示す模式図である。同図では、説明の便宜上、撮像素子を構成する各画素のうちの一部の画素8行×8列の画素の領域領域610を用いて説明する。なお、撮像素子における画素の配置は、領域610において示す画素配置を1つの単位として、この単位に対応する画素配置領域610に対応する画素配置が、X軸方向およびY軸方向に繰り返される配置である。領域610は、本発明の第1の実施の形態と同様に、画像生成画素が配置される行と位相差検出画素が配置される行とが交互に配置される。画像生成画素R画素611、Gr画素612、Gb画素613、B画素614は、位相差検出画素が配置される行を除外して配置をみると、B画素およびG画素が配置される行と、R画素およびG画素が配置される行とが交互になり、ベイヤー配列となる。また、位相差検出画素位相差検出画素621乃至624には、受光素子を示す白色の領域受光素子642と、メモリを示す網目模様の領域メモリ641とが示されている。位相差検出画素621は、位相差検出画素621のマイクロレンズに入射する被写体光のうち射出瞳の右半分を通過した被写体光を遮光するように遮光層が形成される位相差検出画素である。すなわち、この位相差検出画素621は、射出瞳の左右X軸方向の-側に瞳分割された光のうちの右半分の光を遮光し、左半分の瞳分割された光を受光する。位相差検出画素622は、位相差検出画素622のマイクロレンズに入射する被写体光のうち射出瞳の左半分を通過した被写体光を遮光するように遮光層が形成される位相差検出画素である。すなわち、この位相差検出画素622は、射出瞳の左右X軸方向の-側に瞳分割された光のうちの左半分の光を遮光し、右半分の瞳分割された光を受光する。また、位相差検出画素622は、位相差検出画素621と対に用いられることで、一対の像を形成する。位相差検出画素623は、位相差検出画素623のマイクロレンズに入射する被写体光のうち射出瞳の上半分を通過した被写体光を遮光するように遮光層が形成される位相差検出画素である。すなわち、この位相差検出画素623は、射出瞳の上下Y軸方向の-側に瞳分割された光のうちの上半分の光を遮光し、下半分の瞳分割された光を受光する。位相差検出画素624は、位相差検出画素624のマイクロレンズに入射する被写体光のうち射出瞳の下半分を通過した被写体光を遮光するように遮光層が形成される位相差検出画素である。すなわち、この位相差検出画素624は、射出瞳の上下Y軸方向の-側に瞳分割された光のうちの下半分の光を遮光し、上半分の瞳分割された光を受光する。また、位相差検出画素624は、位相差検出画素623と対に用いられることで、一対の像を形成する。また、同図には、各画像生成画素の受光素子受光素子671と、受光素子671それぞれが接続されるメモリメモリ641との間の接続関係が、電荷画像信号の流れを示す矢印矢印661により示されている。同図に示すように、領域610では、正方形の画素が格子状に配置正方格子配置され、画像生成画素が配置される行と位相差検出画素が配置される行とが交互に配置される。そして、画像生成画素および位相差検出画素は、画像生成画素の上に接する位相差検出画素のメモリに接続される列と、画像生成画素の下に接する位相差検出画素のメモリに接続される列とが交互になるように配置される。同図に示すように、正方形の画素が格子状に配置される撮像素子においても、画像生成画素のグローバルシャッタ機能のための保持部を位相差検出画素の遮光領域に設けることができる。図9は、本発明の第1の実施の形態の第2の変形例として、画像生成画素の受光素子がメモリの長辺短手方向の一端とのみ接続される画素の配置の一例を示す模式図である。同図aには、画像生成画素の受光素子がメモリの長辺短手方向の一端とのみ接続される撮像素子のうちの一部の画素の領域領域710における画像生成画素および位相差検出画素の配置を示す上面図である。なお、同図aは、図3に対応する図であり、画素の個数、位相差検出画素の配置パターン、および、画像生成画素の受光素子の接続先のメモリの配置位置などが異なるものの、図3と同様に画素の配置を示している。このため、同一のものについては同一の符号を付してここでの説明を省略する。同図aでは、位相差検出画素222が連続して配置される斜めのラインを示す破線の矢印矢印721と、位相差検出画素221が連続して配置される斜めのラインを示す破線の矢印矢印722とが示されている。ここで、この変形例における画素の配置について説明する。領域710に示す配置では、全ての画像生成画素の受光素子が、それぞれの接続対象のメモリの長辺短手方向の一端と隣接される領域710における各矢印261を参照。すなわち、接続対象のメモリが備えられる位相差検出画素の受光素子と、画層生成画素の受光素子との間にメモリが配置される。これにより、この変形例では、画像生成画素の受光素子とメモリとの接続面の広さが、全ての画像生成画素で均一になる。すなわち、この変形例の配置領域710によれば、メモリの長辺に接続される画像生成画素と、短辺に接続される画像生成画素とが混在する本発明の第1の実施の形態と比較して、画像生成画素の構造を均一にすることができる。これにより、画像生成画素の構造がばらつくことに起因するノイズを軽減することができ、撮像画像の画質を向上させることができる。図9bには、同図aにおいて示した領域710が縦横2つずつ並んだ場合の配置が示されている。同図bに示すように、全ての画像生成画素の受光素子が接続対象のメモリの長辺短手方向の一端と接続される場合においても、位相差検出画素の配置を、一対の像を形成できる配置にすることができる。図10は、本発明の第1の実施の形態の第3の変形例として、画像生成画素の受光素子がメモリの長辺短手方向の一端とのみ接続される画素の配置の図9とは異なる一例を示す模式図である。なお、同図で示す領域領域810は、図9aに対応する図であり、画素の個数、位相差検出画素の配置パターン、および、画像生成画素の受光素子の接続先のメモリの配置位置などが異なるものの、図3と同様に画素の配置を示している。このため、同一のものについては同一の符号を付してここでの説明を省略する。同図では、位相差検出画素221が連続して配置される斜めのラインを示す矢印矢印821と、位相差検出画素222が連続して配置される斜めのラインを示す矢印矢印822とが示されている。さらに、同図では、位相差検出画素224が連続して配置される斜めのラインを示す矢印矢印823および矢印824と、位相差検出画素223が連続して配置される斜めのラインを示す矢印矢印825および矢印826とが示されている。図11は、図9において示した領域810が縦横2つずつ並んだ場合の画素の配置を示す模式図である。図11には、図9において示した領域810が縦横2つずつ並んだ場合の画素の配置領域840が示されている。同図に示すように、領域810を縦横に複数並べると、右上左下に瞳分割を行う位相差検出画素が7つ連続するライン矢印841および842と、左上右下に瞳分割を行う位相差検出画素が7つ連続するライン矢印843および844とが複数形成される。すなわち、図10および図11に示すように、画像生成画素の受光素子がメモリの長辺に接続される場合においても、左上右下への瞳分割による一対の像と、右上左下への瞳分割による一対の像とを両方とも生成できるように画素を配置することができる。なお、図9および図10では、画像生成画素の受光素子がメモリの長辺短手方向の一端とのみ接続される場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、画像生成画素の受光素子がメモリの短辺長手方向の一端とのみ接続されるにおいても、接続面の広さが狭くなるものの、画像生成画素の構造がばらつくことに起因するノイズを軽減することができ、撮像画像の画質を向上させることができる。このように、本発明の実施の形態によれば、画像生成画素のグローバルシャッタ機能のためのメモリを位相差検出画素の遮光領域に配置することにより、グローバルシャッタ機能を備える撮像素子における受光素子の面積の減少を軽減させることができる。これにより、集光面積の減少による受光光量の減少や、蓄積可能な電荷の総量の減少によるダイナミックレンジの減少などによる画質の劣化を軽減することができる。また、本発明の第1の実施の形態に示すように、斜め画素配列にすることで、位相差検出画素と画像生成画素とが受光素子に配置されるにもかかわらず画像生成画素間の間隔が均一になることにより画質が向上する。また、本発明の実施の形態によれば、従来の位相差検出画素と画像生成画素とを両方とも備える受光素子と比較して、位相差検出画素の画素数が多くなる。このため、位相差の検出の精度を向上させることができる。また、本発明の実施の形態によれば、位相差検出画素の大きさと画像生成画素の大きさとを同じ大きさにすることができるため、撮像素子の設計および製造を容易にすることができる。なお、本発明の実施の形態では、画像生成画素に備えられるカラーフィルタが3原色RGBのカラーフィルタであることを想定して説明したが、これに限定されるものではない。例えば、画像生成画素に補色のカラーフィルタが備えられる場合においても、同様に適用できる。また、本発明の実施の形態では、配線の層が受光素子の表側光の入射面の側に設けられる表面照射型のイメージセンサを想定して説明したが、これに限定されるものではない。配線の層が受光素子の裏側光の入射面と反対側に設けられる裏面型のイメージセンサである場合においても、位相差検出画素の遮光層により被写体光が遮光される領域にメモリを配置することにより、本発明の実施の形態と同様に実施することができる。また、本発明の実施の形態では、画像生成画素の受光素子の形状が正方形であり、位相差検出画素の受光素子およびメモリの形状が正方形を2つに分割したような形状矩形であることを想定して説明したが、これに限定されるものではない。画像生成画素の受光素子の形状が多角形や円形である場合においても、本発明の実施の形態と同様に実施することができる。なお、本発明の実施の形態は本発明を具現化するための一例を示したものであり、本発明の実施の形態において明示したように、本発明の実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本発明の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本発明は実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。また、本発明の実施の形態において説明した処理手順は、これら一連の手順を有する方法として捉えてもよく、また、これら一連の手順をコンピュータに実行させるためのプログラム乃至そのプログラムを記憶する記録媒体として捉えてもよい。この記録媒体として、例えば、CDCompactDisc、MDMiniDisc、DVDDigitalVersatileDisk、メモリカード、ブルーレイディスクBlurayDisc登録商標等を用いることができる。