"明細書中に記載の発明。タキサンファミリーの有望な抗腫瘍活性に照らして、癌治療のために使用する新規でありかつ改良された、タキサンアナログならびにタキサン誘導体を研究することが、所望される。1つの特定の重要な領域は、改良された、MDRを覆す特性を有する薬物の開発である。従って、癌を処置するために使用する改良された生物学的活性を有する新規なタキサン化合物を提供する必要性が、存在する。このような化合物を形成するための方法を提供する必要性もまた、存在する。最後に、癌治療レジメンのために使用する、このような化合物によって患者を処置する方法の必要性が、存在する。本発明は、これらの必要性を満たすことを目的とする。発明の要旨本発明により、癌治療のために使用する新規でありかつ有用な化合物が、提供され、この化合物は、式:を有する。本開示全体にわたって化合物を参照する場合、本明細書によって企図される、可能なRX基およびPX基は、以下の表1に示される。表1.企図されるRX基およびPX基具体的に、R1は、Phでもtert-ブトキシでもチグリルtiglylでもよく、R2は、Phでもイソブチルでもよく、R6は、O-メチルチオメチルでも他のヘテロ置換エーテルでもよく、P1は、TBDMSまたはTESのようなシリル保護基であり得、そしてP2は、TESのようなシリル保護基であり得る。本発明の化合物は、C-10が、モノアシル化され得る例えば、R5およびR6が、ヒドロキシルであり、そしてR4が、R7COOであり、ここでR7COOが、以下の構造:から選択される式を有する場合。本発明の化合物は代替的に、7位、9位および/または10位が、モノ-アシル化されてもビス-アシル化されてもトリス-アシル化されてもよい。例えば、R4およびR5が、ヒドロキシルである場合に、R6は、R7COOであり得;R5が、ヒドロキシルである場合に、R4およびR6は、両方ともR7COOであり得;またはR4、R5およびR6の各々が、R7COOであり得;ここでR7COOは、以下:であり得る。さらに、本発明の化合物は、式:を有し得、ここでR1~R4は、上記の表1に定義される通りであり、そしてR8およびR9はそれぞれ、H、アルキル、オレフィンまたは芳香族である。本発明の化合物は、C10がモノアシル化され得る例えば、R4が、R7COOであり、ここでR7COOが、以下:である場合。具体的にR8は、Hでもメチルでもよく、そして具体的にR9は、以下:であり得る。本発明の化合物は、7位と9位とを連結するアクロリンacrolineアセタール基を有し得る。例えば、式:の化合物が、提供され、ここでR4は、ヒドロキシルまたはCH3COOである。企図される7,9-アセタール結合型化合物の別の例は、式:を有する。本発明はまた、癌治療に有用な化合物を形成するために使用する中間体を提供し、この中間体は、以下:を含み、ここでR2、R4、R8およびR9は、上記の表1に定義される通りであり、P3は、カルボベンジルオキシCBZのようなNH保護基であり、そしてR11およびR12は、それぞれ、R8およびR9について上記の表1に定義される通りである。本発明はまた、癌治療のために用いるタキサンアナログおよびその誘導体を生成するために使用する方法を提供する。本発明の1つの方法は、式:の出発化合物を提供する工程、およびこの出発化合物を、式:第1のタキサンアナログに変換する工程を包含し、ここで:R1およびR2はそれぞれ、H、アルキル基、オレフィン基、芳香族基、O-アルキル基、O-オレフィン基、またはO-芳香族基から選択され、R7は、アルキル基、オレフィン基、または芳香族基であり;そしてP1およびP2はそれぞれ、ヒドロキシル保護基である。この出発化合物は、酸化されて、式:の第1の中間体化合物を形成し得る。この方法はさらに、この第1のタキサンアナログの10位をアシル化して、式:の第2のタキサンアナログを形成し、その後、この第2のタキサンアナログを脱保護化し、それによって式:の第3のタキサンアナログを形成する工程を包含し得、ここでR1、R2、R7、P1およびP2は、上記の表1で定義される通りである。このアシル化工程は、カルボン酸R7COOH、酸塩化物のようなカルボン酸ハライドR7COX、または無水カルボン酸carboxylanhydrideR7COOCOR7を使用して達成され得る。P1およびP2が、TESまたはTBDMSのようなシリル保護基である場合に、上記第2のタキサンアナログを脱保護化する工程は、フッ化テトラブチルアンモニウムTBAFを使用して、単一工程で達成され得る。あるいは、この第2のタキサンアナログを脱保護化する工程は、この第2のタキサンアナログのC-7位を脱保護化し、それによって式:の第4のタキサンアナログを形成する第1の工程、次いでこの第4のタキサンアナログの2’O位を脱保護化して、式:の第5のタキサンアナログを形成する工程を包含し得る。この第1の工程は、HF-ACNを使用して達成され得、そしてこの第2の工程は、HF-ピリジンを使用して達成され得る。あるいは、上記第1のタキサンアナログをアシル化する工程に代えて、その第1のタキサンアナログは、7-O位が脱保護化されて、式:の第6のタキサンアナログを形成し得る。その後、この第6のタキサンアナログは、C-7位、C-9位、またはC-10位がアシル化されて、式:の第7のタキサンアナログを形成し得る。この第7のタキサンアナログは、2’O位が脱保護化されて、式:の第8のタキサンアナログを形成し得る。上記第6のタキサンアナログのアシル化工程は、カルボン酸R7COOH、酸塩化物のようなカルボン酸ハライドR7COX、または無水カルボン酸R7COOCOR7を使用して達成され得る。上記第7のタキサンアナログのC-2’位における脱保護化は、フッ化テトラブチルアンモニウムTBAFを使用して達成され得る。本発明の別の方法は、式:の出発化合物を提供する工程を包含し、ここで:R1およびR2はそれぞれ、H、アルキル基、オレフィン基、芳香族基、O-アルキル基、O-オレフィン基、またはO-芳香族基から選択され;R7は、アルキル基、オレフィン基、または芳香族基であり;そしてP1およびP2はそれぞれ、ヒドロキシル保護基である。この出発化合物は、式:の第1のタキサンアナログに変換され得、ここで:R1およびR2のそれぞれは、H、アルキル基、オレフィン基、芳香族基、O-アルキル基、O-オレフィン基、およびO-芳香族基から選択され;R3は、ヒドロキシルまたはOP1であり;R7は、アルキル基、オレフィン基、または芳香族基であり;P1は、ヒドロキシル保護基である。上記第1のタキサンアナログは、以下の構造:から選択される式を有し得る。その後、この第1のタキサンアナログは、7,9-アセタール結合型アナログとして保護され、式:の第2のタキサンアナログを形成し得、この第2のタキサンアナログは、具体的に、以下の式:の1つを有し得る。その後、上記第2のタキサンアナログの側鎖は、C-13位で切断され、この第2のタキサンアナログを、式:の第1の中間体化合物に変換し得る。その後、この第1の中間体化合物は、式:の第2の中間体化合物とエステル化され、それによって式:の第3のタキサンアナログを形成し得、ここで:R2は、H、アルキル基、オレフィン基、芳香族基、O-アルキル基、O-オレフィン基、およびO-芳香族基から選択され;R4は、ヒドロキシルまたはR7COOのいずれかであり;R7は、アルキル基、オレフィン基、または芳香族基であり;R8、R9、R11、およびR12はそれぞれ、H、アルキル基、オレフィン基、または芳香族基から選択され;そしてP3は、NH保護基である。特に、このR9部分およびR12部分は、具体的に、以下:であり得る。また、P3は、具体的に、ベンジルオキシカルボニルCBZであり得る。本発明のさらなる方法は、式:の第1の化合物を、式:の第2の化合物に変換し、この第2の化合物をN,O-アセタールとして保護して、式:の第3の化合物を形成する工程および、この第3の化合物を、式:の第4の化合物にケン化する工程を包含し、ここでR2、R11、R12およびP3は、上記の表1に定義される通りであり、そしてR10は、メチル基またはエチル基のようなアルキル基である。最後に、本発明は、患者において癌を処置する方法を企図し、この方法は、選択された濃度の、タキサンおよびそのための薬学的に受容可能なキャリアを含む薬学的処方物を、その患者に投与する工程を包含し、ここでこのタキサンは、式:および、そのC-2’S異性体を有し、ここでR1~R9は、上記の表1で定義される通りである。本発明は、例えば、以下を提供する。項目1式:を有する化合物であって、ここで:R1およびR2はそれぞれ、H、アルキル基、オレフィン基、芳香族基、O-アルキル基、O-オレフィン基、またはO-芳香族基から選択され;R3は、ヒドロキシルまたはOP1であり;R4およびR5はそれぞれ、ヒドロキシまたはR7COOであり;R6は、ヒドロキシ、OP2、R7COO、またはエーテル官能基であり;R7は、アルキル基、オレフィン基、または芳香族基であり;P1およびP2はそれぞれ、ヒドロキシル保護基であり;そしてここで、以下:R3は、OP1であり;R4は、ヒドロキシルであり;R5は、ヒドロキシルであり;そしてR6は、OP2である;場合に、R1およびR2は、両方ともPhではない、化合物。項目2R1は、イソブチル基またはtert-ブトキシル基である、項目1に記載の化合物。項目3R1は、チグリル基である、項目1に記載の化合物。項目4R1は、フェニル基である、項目1に記載の化合物。項目5R2は、イソブチル基である、項目1に記載の化合物。項目6R2は、フェニル基である、項目1に記載の化合物。項目7R6は、O-メチルチオメチルまたは他のヘテロ置換エーテルである、項目1に記載の化合物。項目8P1およびP2は、TBDMSおよびTESから選択される、項目1に記載の化合物。項目9前記化合物は、以下:の式から選択される、項目1に記載の化合物。項目10前記化合物は、以下の式:を有し、ここでR1は、t-BOCであり;R2は、イソプロピル基であり;R7は、CH3であり;そしてP1は、ヒドロキシル保護基である、項目1に記載の化合物。項目11式:を有する化合物であって、ここで:R1およびR2はそれぞれ、H、アルキル基、オレフィン基、芳香族基、O-アルキル基、O-オレフィン基、またはO-芳香族基から選択され;R3は、ヒドロキシルまたはOP1であり;R4は、ヒドロキシルまたはR7COOであり;R7は、アルキル基、オレフィン基、または芳香族基であり;R8およびR9はそれぞれ、H、アルキル基、オレフィン基、または芳香族基から選択され;そしてP1は、ヒドロキシル保護基である、化合物。項目12R4は、R7COOであり、そしてここで、R7COOは、以下の構造:から選択される、項目11に記載の化合物。項目13R3は、ヒドロキシル基であり、R8は、HまたはCH3のいずれかであり、そしてR9は、以下:から選択される、項目11に記載の化合物。項目14前記化合物は、以下:の式から選択される、項目11に記載の化合物。項目15前記化合物は、以下:の式を有し、ここでR4は、ヒドロキシルまたはCH3COOである、項目11に記載の化合物。項目16タキサンアナログおよびその誘導体を生成するために使用する方法であって:A式:の出発化合物を提供する工程であって、ここで:R1およびR2はそれぞれ、H、アルキル基、オレフィン基、芳香族基、O-アルキル基、O-オレフィン基、またはO-芳香族基から選択され;R7は、アルキル基、オレフィン基、または芳香族基であり;そしてP1およびP2はそれぞれ、ヒドロキシル保護基である、工程;B該出発化合物を、式:の第1のタキサンアナログに変換する工程;を包含する、方法。項目17前記出発化合物を酸化して、式:の第1の中間体化合物を形成する工程を包含する、項目16に記載の方法。項目18前記第1のタキサンアナログをC-10位にてアシル化して、式:の第2のタキサンアナログを形成する工程を包含する、項目16に記載の方法。項目19前記第2のタキサンアナログの、2’-O位および7-O位を脱保護化して、式:の第3のタキサンアナログを形成する工程を包含する、項目18に記載の方法。項目20前記第2のタキサンアナログの7-O位を脱保護化して、式:の第4のタキサンアナログを形成する工程を包含する、項目18に記載の方法。項目21前記第1のタキサンアナログの、2’-O位および7-O位を脱保護化して、式:の第5のタキサンアナログを形成する工程を包含する、項目16に記載の方法。項目22前記第1のタキサンアナログの7-O位を脱保護化して、式:の第6のタキサンアナログを形成する工程を包含する、項目16に記載の方法。項目23前記第6のタキサンアナログを、C-7位、C-9位、またはC10位にてアシル化して、式:の第7のタキサンアナログを形成する工程を包含する、項目22に記載の方法。項目24前記第7のタキサンアナログの2’-O位を脱保護化して、式:の第8のタキサンアナログを形成する工程を包含する、項目23に記載の方法。項目25タキサンアナログおよびその誘導体を生成するために使用する方法であって、該方法は:A式:の出発化合物を提供する工程であって、ここで:R1およびR2はそれぞれ、H、アルキル基、オレフィン基、芳香族基、O-アルキル基、O-オレフィン基、またはO-芳香族基から選択され;R7は、アルキル基、オレフィン基、または芳香族基であり;そしてP1およびP2はそれぞれ、ヒドロキシル保護基である、工程;B該出発化合物を、式:の第1のタキサンアナログに変換する工程であって、ここで:R1およびR2はそれぞれ、H、アルキル基、オレフィン基、芳香族基、O-アルキル基、O-オレフィン基、およびO-芳香族基から選択され;R3は、ヒドロキシルまたはOP1であり;R7は、アルキル基、オレフィン基、または芳香族基であり;P1は、ヒドロキシル保護基である、工程;を包含する、方法。項目26前記第1のタキサンアナログは、以下:から選択される式を有する、項目25に記載の方法。項目27前記第1のタキサンアナログを、7,9-アセタール結合型アナログとして保護して、式:の第2のタキサンアナログを形成する工程を包含する、項目25に記載の方法。項目28前記第2のタキサンアナログは、以下:から選択される式の該アナログである、項目27に記載の方法。項目29前記第2のタキサンアナログのC-13位における側鎖を切断して、前記第2のタキサンアナログを、式:の第1の中間体化合物に変換する工程を包含する、項目27に記載の方法。項目30前記第1の中間体化合物と、式:の第2の中間体化合物とをエステル化して、それによって、式:の第3のタキサンアナログを形成する工程を包含し、ここで:R2は、H、アルキル基、オレフィン基、芳香族基、O-アルキル基、O-オレフィン基、およびO-芳香族基から選択され;R4は、ヒドロキシルまたはR7COOのいずれかであり;R7は、アルキル基、オレフィン基、または芳香族基であり;R8、R9、R11、およびR12はそれぞれ、H、アルキル基、オレフィン基、または芳香族基から選択され;そしてP3は、NH保護基である、項目29に記載の方法。項目31R9およびR12はそれぞれ、以下:から選択される、項目30に記載の方法。項目32P3は、ベンジルオキシカルボニルCBZである、項目30に記載の方法。本発明の、これらおよび他の目的は、以下の本発明の例示的な実施例の詳細な記載を添付の図面と共に考慮することで、より容易に理解されかつ理解される。発明の詳細な説明パクリタキセルおよびドセタキセルは、以下:のような式を有する。注目すべきは、上記に示されるような分子の上端部分であり、その部分は、9-ケト構造、および10-βヒドロキシ立体化学または10-βアセチル立体化学を有することが見られ得る。本発明は、上記分子のC-9OH位およびC-10OH位に、α立体化学を有する新規なタキサンアナログを提供する。一般的に、これらの化合物は、MDR感受性の癌細胞株に対して、優れた細胞増殖阻害を示すことが見出されてきた。例えば、表2で議論されるこの9,10-α,αヒドロキシタキサン誘導体は、1種または数種の試験した細胞株において、好ましい細胞増殖阻害を示す。表2.選択されたタキサン類の生物学的活性データ表2上記は、化合物TPI287、化合物TPI285および化合物TPI251を同定する。これらの化合物は、MDR感受性癌細胞株に対する、優れた細胞増殖阻害を示すことが見出された。これらの化合物TPI287、化合物TPI285および化合物TPI251は、以下で、より詳細に議論され、そして以下のそれぞれの構造:を有する。以下の議論から明らかとなるように、TPI287は、式31および式33として同定された化合物の混合物であり、それは、以下の図35に関して議論される。上記TPI285の2’R異性体は、例えば、図1中の一般式Aによって示され、ここでR1は、tert-ブトキシル基であり、R2は、イソブチル基であり、そしてR7は、アセチルである。図1には示されないが、上記で示されるように、このTPI285の2’S異性体もまた、企図される。TPI251は、例えば、図9中の一般式Zによって示され、ここでR8は、Hであり、そしてR9は、エチレンである。化合物TPI287、化合物TPI285および化合物TPI251に加えて、種々の他の9,10-α,αヒドロキシタキサン誘導体もまた、種々の癌細胞株に対して、有効な阻害を示した。I.9,10-α,α-ヒドロキシタキサン類の合成このような化合物は、本発明の多くの手段によって形成され得る。例えば、図1スキーム1および図2スキーム2に示されるように、9,10-α,αヒドロキシタキサンFは、標準的なタキサンAまたは標準的なタキサンA’から種々の変換を介して直接形成され得、この変換は、10-ヒドロキシタキサンDから9,10-ジケトタキサンEへの酸化および上記9,10-α,α-ヒドロキシタキサンFへの還元を包含する。スキーム1およびスキーム2に示される化合物において、R1およびR2はそれぞれ、H、イソブチル基またはtert-ブチル基のようなアルキル、チグロイルtigloyl基のようなオレフィン、フェニル基のような芳香族、O-アルキル、O-オレフィン、またはO-芳香族であり得、R7は、メチル基のようなアルキル、オレフィンまたは芳香族であり得、そしてP1およびP2はそれぞれ、シリル保護基のようなヒドロキシル保護基TBDMSまたはTESが挙げられるであり得る。このようなプロセスは、図13~図17に例示される。例えば、図13に示されるように、式1のパクリタキセルここで、スキーム1の一般式AにおいてR1=R2=Ph;R7=CH3は最初に、tert-ブチルジメチルシリルTBDMSのようなヒドロキシル保護基によって2’-ヒドロキシルにて保護される。磁性攪拌子を備える500mLの丸底フラスコRBFに、50.0g58.55mmolのパクリタキセル式1、13.96g204.8mmol、3.5当量のイミダゾール、および26.47g175.7mmol、3.0当量のTBDMS-Clを入れた。このフラスコを窒素環境下に置き、そして350mL7mL/gパクリタキセルの無水N,N-ジメチルホルムアミドDMFを、このフラスコに入れた。この反応を、室温にて20時間攪拌し、その後、600mLの酢酸イソプロピルIPAc中に反応溶液を希釈し、そして水性洗浄液がpH7に達するまで水で洗浄し、その後、ブラインで洗浄することによって終了した。この有機区分を、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、次いで白色の泡状固体になるまでエバポレートして、66.9g93.0面積の未精製の式2の2’-O-TBDMSパクリタキセル生成物ここでスキーム1の一般式BにおいてR1=R2=Ph;R7=CH3;P1=TBDMSを得た。この反応は、ほぼ定量的である。微量の2’,7-ビス-TBDMSが存在するが、これは、大した量ではない。次に、図14に示されるように、10-アセチル基は、ヒドラジン分解によって除去される。磁性攪拌子を備える1LのRBFに、59.5gの式2の2’-O-TBDMSパクリタキセルおよび600mL10mL/gのIPAcを入れた。この溶液を、攪拌して2’-O-TBDMSパクリタキセルを溶解し、その後、60mL1mL/gのヒドラジン水和物を、このフラスコに入れ、そしてこの反応を、室温にて1時間攪拌した。この反応を、1.2LのIPAc中にその反応溶液を希釈し、そして最初に水、次いで塩化アンモニウム溶液、次いで再び水でその水性洗浄液がpH7になるまで洗浄し、そして最後にブラインで洗浄することによって終了した。この有機区分を、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、そしてエバポレートして55.8gの固体を得た。この固体を、3:1のIPAc1の水:ヘプタンに、溶解した固体全体TDSが濃度0.25g/mLになるまで、再度溶解し、そしてYMCシリカカラムで精製した;このカラム溶出液を、UV吸光度についてモニタリングした。この画分は、HPLC分析に基づいて貯め、そしてエバポレートして39.3g98.6面積の、式3の2’-O-TBDMS-10-脱アセチルパクリタキセルの固体ここでスキーム1の一般式CにおいてR1=R2=Ph;P1=TBDMSを得た。この反応が、長過ぎる2時間を越える場合、この生成物は、C-7位にてエピマー化をはじめる。7-エピ分解物の形成による収量の減少に加えて、この不純物は、その不純物を除去するためのクロマトグラフィー工程を追加することを要求する。図15に示されるように、ここで、7-ヒドロキシルは、トリエチルシリルTESのような保護基によって保護される。磁性攪拌子を備える500mLのRBFに、39.3g42.46mmolの式3の2’-O-TBDMS-10-脱アセチルパクリタキセルおよび15.6g127.4mmol、3当量のDMAPを入れた。このフラスコを、窒素下に置き、そして390mL10mL/gの無水ジクロロメタンDCMをそのフラスコに入れて、この固体を溶解し、その後、14mL84.92mmol、2当量のTES-Clを入れた。この反応を、室温にて3時間攪拌した。この反応を、その出発容量の約半分になるまでエバポレートし、そしてそれを300mLのEtOAc中に希釈し、そして水および希HCl溶液で、その水性洗浄液のpHが、約7になるまで洗浄し、その後、ブラインで洗浄することによって終了した。この有機区分を、硫酸マグネシウムで乾燥し、そしてエバポレートして42.0g97.7面積の式4の白色固体ここでスキーム1の一般式DにおいてR1=R2=Ph;P1=TBDMS;P2=TESを得た。この反応は、ほぼ定量的であり、上記の2’-TBDMS保護工程と同様に、上記反応が終了した固体中に、微量の7,10-ビス-TESおよび過剰なシリル化合物を含む。次に、図16に例示されるように、10-ヒドロキシルの酸化は、9,10-ジケト化合物を生じる。磁性攪拌子を備える1LのRBFに41.0g39.43mmolの、式4の2’-O-TBDMS-7-O-TES-10-脱アセチルパクリタキセル、2.1g5.92mmol、0.15当量のTPAP、13.9g118.3mmol、3当量のNMOを入れた。このフラスコを、窒素下に置き、そして720mL約20mL/gの無水DCMをそのフラスコに入れて、この固体を溶解した。この反応を、室温にて22時間攪拌した。この反応を、その容量の半分になるまで反応溶液を濃縮し、次いで、その反応内容物を175gのシリカゲルEMSciences40~63μで乾燥することによって終了した。このタキサン含有シリカを、30gのきれいなシリカゲルEMSciences40~63μ上に置き、そしてこの生成物を4LのMTBEによってそのシリカから溶出した。このMTBEを、エバポレートして37.3g93.2面積の、式5の2’-O-TBDMS-7-O-TES-9,10-ジケトパクリタキセルここでスキーム1の一般式EにおいてR1=R2=Ph;P1=TBDMS;P2=TESを得た。最後に、例えば図17に示されるように、9,10-ジケトタキサンの還元は、9,10-α,α-ヒドロキシタキサンを生じる。磁性攪拌子を備える2LのRBFに、37.3g35.9mmolの、式5の保護された9,10-ジケトパクリタキセルおよび900mL約30mL/gタキサンの3:1EtOH/MeOHを入れた。この溶液を、攪拌してその固体を溶解し、その後、このフラスコを、氷/水浴中に置き、そしてこの溶液を、30分間攪拌した。8.1g215.7mmol、6当量の水素化ホウ素ナトリウムNaBH4を、このフラスコに入れ、そしてこの反応を、氷/水浴中で5時間攪拌した。この反応を、1LのIPAc中にその反応溶液を希釈し、そして4×750mLの水、次いで200mLのブラインで洗浄することによって終了した。この有機区分を、硫酸マグネシウムで乾燥した。その水性洗浄液を、500LのIPAcを用いて再抽出した。この有機再抽出溶液を、100mLのブラインで洗浄し、次いで硫酸マグネシウムで乾燥し、そして最初の有機区分と合わせた。このIPAc溶液を、固体が析出し始めるまで濃縮し、その後、ヘプタンを、この溶液に添加して、式6の、保護された9,10-α,α-OH,9-デスオキソdesoxo,10-脱アセチルパクリタキセル生成物ここでスキーム1の一般式FにおいてR1=R2=Ph;P1=TBDMS;P2=TESを結晶化した。この結晶化溶液を、冷凍庫中に一晩置いた。3回の結晶化を、物質に対して行った第1に4.1g95.3面積の、保護された9,10-α,α-OH,9-デスオキソ,10-脱アセチルパクリタキセル生成物を得て、第2に18.3g90.9面積の生成物を得て、そして第3に2.9g81.7面積の生成物を得た。この反応に対する当初の研究では、この生成物を精製するためにフラッシュクロマトグラフィーを使用した。しかし、実施した結晶化により、HPLCによって、当初の研究からのクロマトグラフされた物質と同様の純度を得た。図2スキーム2に示されるように、出発物質が、図2中の一般式A’のような10-脱アセチルタキサンである場合、上記と同じ工程は、ヒドラジン分解工程の欠如を伴い得る。II.10-アセチル化および2’,7-脱保護化次に、図3スキーム3に示されるように一般式Fの生じたタキサンは、7-位にて脱保護化されて、一般式Hのタキサンを生成し得、次いで2’-位にて脱保護化されて、一般式Iのタキサンを生成し得る。この2’-位および7-位における脱保護化は、2工程プロセスであっても、単一工程で行われてもよい。あるいは、スキーム3に示されるように、一般式Fのタキサンは、7位および2’位における脱保護化の前に、最初に10位にてアシル化され得る。この経路によって、一般式Fのタキサンの10アシル化は、一般式Gのタキサンを生じ、その後、そのタキサンは、7位にて脱保護化されて一般式H’のタキサンを生成し得、そして2’-位にて脱保護化されて一般式I’のタキサンを生成し得る。ここで再び、7-位および2’-位における脱保護化は、2工程プロセスであっても、単一工程で行われてもよい。一般式Fのタキサンの10-アシル化は、図18に例示されるような、多くの様式で達成され得る。特に、本発明は、一般式R7COOHのカルボン酸、一般式R7COClの酸塩化物のようなカルボン酸ハライド、または一般式R7COOCOR7の無水カルボン酸のいずれかの使用を企図する。スキーム3に示される化合物において、R1、R2、R7、P1およびP2は、スキーム1およびスキーム2について上記で定義される通りであるが、スキーム3においてC-10に結合されるR7COO基は、スキーム1において除去されたR7COO基とは異なり得ることが、理解されるべきである。使用される試薬が、カルボン酸である場合に、例示的な手順図18に示されるようなは、以下のようなものである。磁性攪拌子を備えた25mLのRBFに、300mg0.288mmolの、式6の2’-O-TBDMS-7-O-TES-9,10-α,α-OH,9-デスオキソ,10脱アセチルパクリタキセルここでスキーム3の一般式FにおいてR1=R2=Ph;P1=TBDMS;P2=TES、0.720mmol、2.5当量のカルボン酸CH3COOH、178mg0.864mmol、3.0当量のDCC、および13mg0.086mmol、0.3当量の4-ピロリジノピリジン4-Ppを入れた。このフラスコの内容物を、窒素環境下に置き、そして10mLの無水DCMを、そのフラスコに添加した。この反応を、室温にて15時間以上攪拌した全ての反応を、TLCまたはHPLCによって、出発物質の消費についてモニタリングした;この反応を、ほぼ一晩行った。この反応を、20mLのEtOAc中にその反応溶液を希釈し、そして15分間攪拌してジシクロヘキシル尿素DCUを沈殿させることによって終了した。このDCUを、吸引濾過によってこの溶液から除去し、そしてその濾液を、水で、その水洗浄液のpHが約7になるまで洗浄した。その後、この有機溶液を、ブラインで洗浄し、そして硫酸ナトリウムで乾燥して、その後、乾燥するまでエバポレートした。使用される試薬が、カルボン酸ハライドである場合に、例示的な手順図18に示されるようなは、以下のようなものである。磁性攪拌子を備えかつ窒素環境下にある25mLのRBFに、300mg0.288mmolの、式6の2’-O-TBDMS-7-O-TES-9,10-α,α-OH,9-デスオキソ,10脱アセチルパクリタキセル、0.720mmol、2.5当量の酸塩化物CH3COCl、140μL1.008mmol、3.5当量のTEA、13mg0.086mmol、0.3当量の4Ppおよび10mLの無水DCMを入れた。この反応を、室温で15時間以上攪拌した;この反応を、ほぼ一晩行い、そして出発物質の消費についてTLCおよび/またはHPLCによってモニタリングした。この反応を、20mLのEtOAc中にその反応溶液を希釈し、そして水を用いて、この水洗浄液のpHが、約7になるまで洗浄することによって終了した。その後、この有機溶液を、ブラインで洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥して、その後、乾燥するまでエバポレートした。使用される試薬が、無水カルボン酸である場合に、例示的な手順図18に示されるようなは、以下のようなものである。磁性攪拌子を備えかつ窒素環境下にある25mLのRBFに、300mg0.288mmolの、式6の2’-O-TBDMS-7-O-TES-9,10-α,α-OH,9-デスオキソ,10脱アセチルパクリタキセル、2.880mmol、10当量の酸無水物CH3COOCOCH3、106mg0.864mmol、3当量のDMAP、および5mLの無水DCMを入れた。この反応を、室温で15時間以上攪拌した。この反応を、5mLの飽和炭酸水素ナトリウム溶液をその反応フラスコに添加し、そして5分間攪拌することによって終了した。その後、この溶液を、分液漏斗に移し、そしてその有機物を、20mLのEtOAcによって抽出した。その後、この有機抽出物を、飽和炭酸水素ナトリウムおよび水を用いて、水洗浄液のpHが、約7になるまで洗浄した。その後、この有機区分を、ブラインによって洗浄し、そして硫酸ナトリウムで乾燥して、その後、乾燥するまでエバポレートした。生じた生成物は、式7の2’-O-TBDMS-7-O-TES-9-α-OH,9-デスオキソ,10-エピパクリタキセルここでスキーム3の一般式GにおいてR1=R2=Ph;P1=TBDMS;P2=TES;R7=CH3である。図4は、一般式Gの10-α-位にてR7COO基に使用され得る、多くの別の基を示す。当業者にとって明らかであり得るように、これらのアシル化は、例えば、上の手順において、適切なカルボン酸R7COOH、適切なカルボン酸ハライドR7COXまたは適切な無水カルボン酸R7COOCOR7で置換することによって行われ得る。上で示されるように、そしてさらにスキーム3に示されるように、一般式Fのタキサンまたは一般式Gのタキサンは、2’-位および7-位にて、2工程プロセスまたは単一工程のいずれかで脱保護化され得る。図19~図21は、2’-位および7-位の例示的な脱保護化を示す。例えば、図19に示されるように、7-O-TES基は、それぞれ、式6から除去されて式8を与え得るここでスキーム3の一般式HにおいてR1=R2=Ph;P1=TBDMSか、または式7から除去されて式9を与え得ここでスキーム3の一般式H’においてR1=R2=Ph;P1=TBDMS;R7=CH3、これらは、アセトニトリルACNおよび水性HFを使用する。磁性攪拌子を備える500mLのテフロン登録商標ボトルに、2.50g2.40mmolの、式6の2’-O-TBDMS-7-O-TES-9,10-α,α-OH,9-デスオキソ,10脱アセチルパクリタキセルおよび100mLのACNをいれた。このボトルを、氷/水浴中に置き、そしてこの溶液を、30分間攪拌した。次に、0.8mLの48HF水溶液を、この反応溶液にゆっくりと添加し、そしてこの反応を、氷/水浴中で20分間攪拌した。この反応を、TLCにより、出発物質の消失についてモニタリングした。この反応を200mLのEtOAcを添加することによってその反応溶液を希釈してクエンチし、そして25mLの飽和炭酸水素ナトリウム溶液をこのボトルに添加してクエンチし、そして10分間攪拌することによって終了した。その後、この溶液を、分液漏斗に移し、そしてその有機区分を、水を用いて、その水洗浄液のpHが、約7になるまで洗浄し、その後、ブラインで洗浄した。この有機区分を、硫酸ナトリウムで乾燥し、次いでこれを、式8の固体にエバポレートした。10-α-ヒドロキシル上にアシル基が存在した場合すなわち、図19中の式7~式9またはスキーム3中の一般式G~一般式H’にも、この手順を行った。次に、図20に示されるように、2’-O-保護基は、それぞれ、式8から除去されて式10を与え得るここでスキーム3の一般式IにおいてR1=R2=Phか、または式9から除去されて式11を与え得るここでスキーム3の一般式I’においてR1=R2=Ph;R7=CH3。磁性攪拌子を備える50mLのテフロン登録商標ボトルに、500mgの、式8の2’-O-TBDMS-9,10-α,α-OH,9-デスオキソ,10脱アセチルパクリタキセルまたは式9の2’-O-TBDMS-9-α-OH,9-デスオキソ,10-エピパクリタキセルおよび5mLの無水THFを入れた。次に1mLのHF-ピリジン溶液を、この反応溶液にゆっくりと入れた。この反応を、室温にて1時間攪拌した;反応の進行を、出発物質の消失について、TLCおよび/またはHPLCによってモニタリングした。この反応を、10mLのEtOAcをこのボトルに添加してこの反応溶液を希釈することによって終了し、その後、飽和炭酸水素ナトリウムを、このボトルにゆっくりと添加してHFを中和した。その後、この溶液を、分液漏斗に移し、そしてその有機区分を10重量の炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し、次いで水を用いて、その水洗浄液のpHが、約7になるまで洗浄した。その後、この有機区分を、ブラインで洗浄し、次いで、硫酸ナトリウムで乾燥し、その後、式10または式11の固体までエバポレートした。当業者が、上記の脱保護化工程の順序が、逆転する例えば、2’ヒドロキシル保護基が、最初に除去され、そして7-ヒドロキシル保護基が2番目に除去されることを理解し得ることは、理解されるべきである。さらに、上記で示すように、一般式Fのタキサンまたは一般式Gのタキサンのいずれかの2’-位および7-位は、フッ化テトラブチルアンモニウムTBAFを使用する1工程手順において脱保護化され得る。ここで、例えば図21に示されるように、式6は、式10へと直接脱保護化され得、そして式7は、式11へと直接脱保護化され得る。磁性攪拌子を備える10mLのRBFに、100mgの、式6の2’-O-TBDMS-7-O-TES-9,10-α,α-OH,9-デスオキソ,10脱アセチルパクリタキセルまたは式7の2’-O-TBDMS-7-O-TES-9-α-OH-エピパクリタキセルを入れ、そして5mLのEtOAcまたはTHFを入れて、このタキサンを溶解した。次に、THF中の100μLの1MTBAFを、このフラスコにいれ、そしてこの反応を、室温にて1時間攪拌した;この反応を、出発物質の消失について、TLCおよび/またはHPLCによってモニタリングした。この反応を、その反応溶液を水、次いでブラインを用いて洗浄することによって終了した。この有機区分を、硫酸ナトリウムで乾燥し、そして式10または式11の固体になるまでエバポレートした。この方法は、2’-O-TBDMS保護基および7-O-TES保護基の両方を除去する。III.7,9,10-アシル化これから、図5スキーム4において示されるように7-位、9-位および/または10-位は、種々の基R7COO例えば、図6に示されるものによってアシル化され得る。図4に示される化合物において、R1、R2、R7、およびP1は、スキーム1およびスキーム2について上記で定義される通りであるが、スキーム4中のR7COO基は、スキーム1において除去されるR7COOとは異なり得ることが、理解されるべきである。例えば、図22に示されるように、式8の2’-O-TBDMS-9,10-α,α-OHで,9デスオキソ,10脱アセチルパクリタキセルここでスキーム4の一般式HにおいてR1=R2=Ph;P1=TBDMSは、7-ヒドロキシルに関して式12スキーム4の一般式Jに対応するのようにモノ-アシル化され得、7,10-ヒドロキシルに関して式13スキーム4の一般式J’に対応するのようにビス-アシル化され得、および/または7,9,10-ヒドロキシルに関して式14スキーム4の一般式J’’に対応するのようにトリス-アシル化され得る。上記所望されるR7COO基に対応する適切なカルボン酸R7COOH例えば、図6に由来するそれらの基または所望されるような他の基は、以下の手順おいて置換され得る。磁性攪拌子および窒素パージを備える5mLのRBFに、100mg0.108mmolの、式8の2’-O-TBDMS-9,10-α,α-OH,9デスオキソ,10脱アシルパクリタキセル、0.324mmol、3当量のカルボン酸、66.8mg0.324mmol、3当量のDCC、6.6mg0.054mmol、0.5当量のDMAP、および1.5mLの無水DCMを入れた。この反応を室温にて2.5時間攪拌した。この反応の進行を、TLCおよび/またはHPLCによってモニタリングした。アシル付加が、検出されない場合に、試薬のさらなる添加を行って反応を試み、そして反応を開始した。この反応は、モノアシル化生成物、ビスアシル化生成物、およびいくつかのトリスアシル化生成の混合物を生成する。この反応を、反応溶液を0.2μmのナイロンアクロディスクを通して濾過することによって終了した。その固形物のこの濾液と1mLのDCMとの洗浄液に、100mgのIRC-50イオン交換樹脂添加した。この混合物を、室温にて30分間攪拌した。この混合物を再び、第2の0.2μmのナイロンアクロディスクを通して濾過した。図22においてさらに示されるように、生じた濾過溶液を、直接反応に進ませ、TBAF法この方法は、式6および式7から、それぞれ、式10および式11を得ることで上記されたを使用して2’-ヒドロキシルからTBDMSを除去した、150μLの上記試薬を、上記濾液に直接添加し、そして室温にて4時間攪拌した。反応終了は、脱保護化方法について上記されたものと同じである。化合物を、逆相セミ分取スケールHPLCカラムで精製して式15スキーム4の一般式Kに対応する、式16スキーム4の一般式K’に対応するおよび式17スキーム4の式K’’に対応するを得た。IV.7-エーテル官能基図7スキーム5に示されるように、2’-ヒドロキシルは、保護され得、そして官能基は、C-7位に結合する例えば、図23~図25に示されるように。スキーム5に示される化合物において、R1、R2、R7、およびP1は、スキーム3について上記で定義される通りであり、そしてR6は、エーテル官能基例えば、O-メチルチオメチル基または他のヘテロ置換エーテル官能基である。2’-O-TBDMS-9-α-OH-10-エピパクリタキセルから7-O-メチルチオメチル化合物を合成する最初の試みは、メチルチオメチル基が、非常に不安定すぎて、上に記載されるHF-ピリジン法またはTBAF法のいずれかを使用する2’-ヒドロキシ脱保護化工程に耐えられないという点で困難を与えた。従って、TES保護基のような、あまり過酷ではない条件下で除去され得る2’-ヒドロキシル保護基を使用することが、望ましい。図23において、式11の9-α-OH-10-エピパクリタキセルは、スキーム3に関して上記される経路の1つで形成され得、これは、式18の2’-O-TESエーテルここでスキーム5の一般式LにおいてR1=R2=Ph;P1=TES;R7=CH3として、最初に保護される。磁性攪拌子および窒素パージを備える25mLのRBFに、1.2g1.415mmolの、式11の9-α-OH-10-エピパクリタキセル、6mLの無水DCM、および6mLの無水ピリジンを入れた。このフラスコを、氷/水浴中に置き、そしてこの溶液を、15分間攪拌した。この溶液を冷却した後、0.95mL5.659mmol、4.0当量のTES-Clを、このフラスコに入れた。この反応を、氷/水浴中で3時間攪拌した。この反応を、その反応溶液を30mLのEtOAc中に希釈し、そして水、次いでブラインによって洗浄することによって終了した。この有機区分を、硫酸ナトリウムで乾燥して、その後、固体になるまでエバポレートした。式18の2’-O-TES-9-α-OH-10-エピパクリタキセル生成物を、EtOAc/ヘプタン勾配を使用するフラッシュクロマトグラフィーによって精製した。例えば図24に示されるように、メチルチオメチル基は、7-O-位に結合されて、式19ここでスキーム5の一般式MにおいてR1=R2=Ph;P1=TES;R7=CH3;R6=OCH2SCH3を与え得る。C-9ヒドロキシルは、酸化に対して非常に敏感であるので、このメチルチオメチルエーテルを上記修飾タキサンに付加する反応において、酸化試薬が存在しないことが好ましい。100mLのRBFに、磁性攪拌子、窒素パージ、および冷却器を取り付け、そしてこれを、アルミ箔で包んだ。850mg0.877mmolの、式18の2’-O-TES-9-α-OH-10-エピパクリタキセル、894mg5.261mmol、6当量の硝酸銀、156mg1.052mmol、1.2当量の4-Pp、50mLの無水トルエン、および0.8mL5.701mmol、6.5当量のTEAを、このフラスコに入れた。この溶液を、攪拌してこの固体を溶解し、その後、441μL5.261mmol、6.0当量のクロロメチルメチル-硫化物を、このフラスコに入れた。この反応を、70°Cまで加熱した。この反応を、70°Cで24時間攪拌した。この反応を、この反応溶液を、セライトを通して濾過することによって終了した。この反応フラスコおよび固体を、80mLのEtOAcで洗浄した。合わせた濾液を分液漏斗に移し、水、次いで希塩化アンモニウム、次いで希炭酸水素ナトリウムで洗浄し、その後、水によってその水洗浄液のpHが約7になるまで洗浄した。次に、有機区分を、ブラインで洗浄し、その後、硫酸ナトリウムで乾燥し、その後、この有機区分を約5mLまで濃縮した。この溶液を、EtOAc/ヘプタン勾配を使用するフラッシュクロマトグラフィーによって精製した。この画分貯留液poolを、エバポレートして0.13gの、式19の2’-O-TES-7-O-メチルチオメチル-9-α-OH-10-エピパクリタキセルを得た。その後、2’-ヒドロキシルは、例えば図25に示されるように脱保護化され式20を与えるここでスキーム5の一般式NにおいてR1=R2=Ph;R7=CH3;R6=OCH2SCH3。磁性攪拌子を備える10mLのRBFに、0.12g0.117mmolの、式19の2’-O-TES-7-O-メチルチオメチル-9-α-OH-10-エピパクリタキセルおよび8mLのACNを入れた。このフラスコを、氷/水浴中に置き、そしてこの溶液を、30分間攪拌した。233μL0.233mmol、2当量の1NのHClを、このフラスコに入れ、そしてその反応を、氷/水浴中で45分間攪拌した。このメチルチオメチルエーテルは、酸に対して極めて不安定であり、そしてこのメチルチオメチル基は、ACN中の1NHClを使用するTES基を除去する反応を非常に長く行った場合、除去され得る。この反応を、その反応溶液を20mLのEtOAcおよび30mLの飽和炭酸水素ナトリウム溶液を含む分液漏斗に注ぐことによって終了した。攪拌agitation後、その水性区分を除去し、そしてその有機区分を、水によってその水洗浄液のpHが約7になるまで洗浄し、その後、ブラインで洗浄した。この有機区分を、硫酸ナトリウムで乾燥し、その後、黄色がかった油状物になるまでエバポレートした。この生成物を、逆相セミ分取スケールHPLCによって精製して、50mgの、式20の7-O-メチルチオメチル-9-α-OH-10-エピパクリタキセルを白色の固体として得た。V.7,9-アセタール結合型アナログ図8スキーム6に示されるように、本発明はまた、9,10-α,αOHタキサン類の7,9アセタール結合型アナログを提供する。特に、この7-位および9-位は、一般的な-OCR8R9O-構造を介して結合され得、そして2’-位は、脱保護化され得る。スキーム6に示される化合物において、R1、R2、R7およびP1は、スキーム3について上に定義される通りであり、そしてR8およびR9はそれぞれ、H、アルキル、オレフィンまたは芳香族であり得る。図9は、以下に記載される方法によって形成される、式Zの種々の7,9-アセタール結合型アナログを示す。図9においてR8=R9=Hである化合物についての細胞毒性の研究から得た最初のデータは、このアセタールについて、良好な活性が存在することを示唆した。本発明が、このような7,9-アセタール結合型アナログの置換基についての、さらなるバリエーションを企図することが、理解されるべきである。例えば、図9に示されるR8基およびR9基、またはその他は、スキーム6の一般式Oおよび一般式PにおけるR8およびR9について置換され得、そしてそのR1、R2、R7およびP1基はさらに、本明細書中に記載されるようにさらに改変され得る。例えば、図26に示されるように、式9の化合物式19に関して上に記載されるように形成され得るは、式21の7,9-アセタール結合型アナログここでスキーム6の一般式OにおいてR1=R2=Ph;P1=TBDMS;R7=CH3;R6=R9=Hとして保護され得る。磁性攪拌子および窒素パージを備える10mLのRBFに、100mg0.103mmolの、式9の2’-O-TBDMS-9-α-OH-10-エピパクリタキセル、2.5mg0.013mmol、0.13当量のp-トルエンスルホン酸、および5mLの無水DCMを添加した。この溶液を、攪拌してこの固体を溶解し、その後、CH2OCH320.515mmol、5当量を添加し、そしてこの反応を、室温にて1.5時間攪拌した。反応の進行を、TLCおよび/またはHPLCによってモニタリングした。この反応を、その反応溶液を10mLに希釈し、そして生じた溶液を、水、次いでブラインで洗浄することによって終了した。この有機区分を、硫酸ナトリウムで乾燥し、そして式21の固体になるまでエバポレートした。この保護された生成物を、逆相セミ分取スケールHPLCによって精製し、その後、図27に示されるようなTBAF脱保護化法を行い、TBDMS基を除去して、式22ここでスキーム6の一般式OにおいてR1=R2=Ph;R7=CH3;R8=R9=Hを得た。スキーム6から明らかなように、一般式R8R9COCH32の化合物は、上記の反応において置換されてR8およびR9を有する7,9-アセタール結合型アナログ例えば、図9またはその他に示されるを与え得ることが理解されるべきである。VI.タキサン側鎖の置換上記の議論および対応する図は、9,10-α,α-OHタキサン類ならびにそれらのタキサン類の形成に有用な中間体化合物を生成する種々の方法を示す。それらの方法によって生成された9,10-α,α-OHタキサン類に関して、その側鎖は、これらの示された側鎖かつ記載された側鎖とは異なる側鎖を有する別の側鎖を結合するために、そこから切断される。従って、図10は、本発明の9,10-α,α-OHタキサンアナログの側鎖の切断についての一般的スキーム7を与える。この側鎖は、例えば、図12に示される一般的スキーム9による式12の化合物に置き換えられ得る。より具体的には、スキーム7に示され、ならびに図28および図29に例示されるように、9,10-α,α-タキサンは、上に記載されるような7,9-アセタール結合型アナログとして保護され得、そしてその側鎖は、その後に切断されて13-ヒドロキシルタキサンを与え得る。スキーム7に示される化合物において、R3は、ヒドロキシルまたはOP1であり、R1、R2、R7およびP1は、スキーム3について上記で定義される通りであり、そしてR8およびR9は、スキーム6について上記で定義される通りである。例えば、式11の化合物を、以下のように、図18および図21に関して上で記載される手順によって、最初に調製した。200mLのRBFに、5.0g4.800mmolの2’-O-TBDMS-7-O-TES-9,10-α,α-OH,9デスオキソ10脱アセチルパクリタキセル式6、1.75g14,400mmol、3.0当量のDMAPをいれ、そして60mLの無水DCMを加えてこの固体を溶解した。このフラスコを密封し、そして窒素下に置き、その後、このフラスコを氷-水浴中に置いた。次に、このフラスコに4.5mL48.000mmol、10.0当量の無水酢酸を、ゆっくりと入れた。この反応を、0°Cにて、一晩室温になるまで攪拌した。この反応を、18時間後に、100mLの飽和炭酸水素ナトリウム溶液を添加することによってクエンチした。生成物をEtOAcで抽出し、そして炭酸水素ナトリウム溶液および水で洗浄した。この有機区分を、風乾して約5.5g5.075mmolの、式7の粗生成物を得た。この粗生成物を、窒素下で、110mLのTHFを含む250mLのRBF中に入れた。次に、THF中に14.2mLの1.0MTBAFを入れた。この反応を、室温にて2.5時間攪拌し、その後、この反応を、EtOAcで抽出し、そして水で洗浄することによって終了した。この有機区分を、エバポレートして約5.9gの粗製固体を得た。この粗製物質を、フラッシュクロマトグラフィーによって精製し、1.5gの、式11の精製化合物を得た。例えば図28に示されるように、式11の化合物は、アニスアルデヒドジメチルアセタールを用いるような7,9-アセタールとして保護され、式23ここでスキーム7の一般式QにおいてR1=R2=Ph;R3=OH;R7=CH3;R8=H;R9=PhOMeを形成し得る。50mLのRBFに、窒素下で、1.15g1.345mmolの、式11の9-α-OH-10-エピパクリタキセルおよび25mLの無水DCMを入れた。343μL2.017mmol、1.5当量のアニスアルデヒドジメチルアセタールを、このフラスコに入れ、その後、51mg0.269mmol、0.2当量のPTSAを入れた。この反応を、室温で45分間攪拌し、その後、この反応を、その生成物をEtOAcで抽出し、そして飽和炭酸水素ナトリウム溶液、次いで水で洗浄することによって終了した。この有機区分を、エバポレートして1.5gの粗生成物を得た。この粗生成物を、フラッシュクロマトグラフィーによって精製して、0.72gの、式23の純粋な生成物を得た。次に、この側鎖は、切断されて、図29に例示されるような、式24ここでスキーム7の一般式RにおいてR7=CH3;R8=H;R9=PhOMeの化合物を形成する。25mLのRBFに、窒素下で、720mg0.740mmolの、式23の7,9-アニスアルデヒドアセタール-10-エピパクリタキセルおよび15mLの無水THFを入れた。このフラスコを、氷/水/塩化アンモニウムの、-13°Cの浴中に置いた。固体の水素化ホウ素リチウム29.0mg、1.331mmol、1.8当量を、この反応フラスコに入れ、そしてこの反応を、-13°Cにて2時間攪拌し、その後、温度を0°Cに上昇させた。この反応を、5時間15分後に、EtOAcで希釈し、そして水および塩化アンモニウム溶液で洗浄することによって終了した。この有機区分を、エバポレートして650mgの粗製化合物を得たが、HPLCは、約20だけの生成物およびほとんど未反応の出発物質の存在を示した。従って、この反応を、上記の手順を繰り返し、そしてこの反応をさらに6時間行うことによって、再度開始した。この有機区分をエバポレートして約660mgの粗製生成物を得た。この化合物をYMCシリカカラム上で精製して式24の化合物を得た。次に、この置換側鎖は、例えば、図11スキーム8に図示され、そして図30~図32に示されるように形成され得る。スキーム8に示される化合物において、R2は、スキーム1およびスキーム2について上記に定義される通りであり、P3は、ベンジルオキシカルボニルCBZ基のようなヒドロキシル保護基であり、R10は、メチル基またはエチル基のようなアルキル基であり、R11およびR12はそれぞれ、上記で、スキーム6においてR8およびR9について定義される。スキーム8においてC-3に結合したR2基は、スキーム7において除去される側鎖上にあるR2とは、異なり得ることが、理解されるべきである。さらに、例示的な線図は、イソブチル側鎖を示すが、他の基は、スキーム8の式中の種々の置換基に置換され得ることが、理解されるべきである。図30に示されるように、式25ここでスキーム8の一般式SにおいてR2=CH2CHCH32のカルボン酸は、式26ここでスキーム8の一般式TにおいてR2=CH2CHCH32;P3=CBZ;R10=メチルのエステルに変換される。1LのRBFに、8.65g53.69mmolの、式25の2-R,S-ヒドロキシ-3-S-アミノ-5-メチルヘキサン酸を入れ、そして130mLのMeOHを入れてこの酸を懸濁した。その後、このフラスコを、氷-水浴中に置き、そして17.6mL241.62mmol、4.5当量の塩化チオニルSOCl2を、ゆっくりとこのフラスコに入れた。この反応を、0°Cにて4時間半攪拌し、その後、160mLのEtOAcおよび100mLの水を、このフラスコに入れ、そしてこの反応溶液のpHを、3MのNaOHを使用して約8に調整した。次に、16.9mL118.1mmol、2.2当量のCBZ-Clを、このフラスコに入れ、その後、この反応溶液のpHを、約8に調整した。この反応を、さらに3時間攪拌し、その後、その反応をEtOAcで希釈し、水性区分を除去し、そしてこの有機溶液を水で洗浄することによって終了し、その後、この有機溶液を、エバポレートして約22gの粗製の油状物を得た。この生成物を、順相クロマトグラフィーによって精製して8.4gの、式26の生成物を得た。図31に示されるように、式26の化合物は、式27ここでスキーム8の一般式UにおいてR2=CH2CHCH32;P3=CBZ;R10=メチル;R11=H;R12=PhOMeのN,O-アニスアルデヒドアセタールとして保護され得る。還流冷却器を備える10mLのRBFに、250mg0.809mmolの2-R,S-ヒドロキシ-3-S-N-Cbz-5-メチルヘキサノイルメチルエステルを入れ、そして6mLのトルエンを入れてこの固体を溶解した。次に、15mg0.081mmol、0.1当量のPTSAを入れ、その後、165μL0.970mmol、1.2当量のアニスアルデヒドジメチルアセタールを入れた。この反応を、2時間半還流し、その後、4mLの飽和炭酸水素ナトリウム溶液でその反応溶液を洗浄することによってクエンチした。この有機区分を、油状物になるまでエバポレートして、その後、フラッシュクロマトグラフィーによって精製して218mgの、式27の生成物を得た。側鎖のN,O-アセタール保護基は、その保護基の両方が、後に単一の化学的工程で除去され得るように、タキサン骨格の7,9-アセタール保護基と同じであることすなわち、R8=R11およびR9=R12が、好ましいが、異なるアセタール保護基が、使用され得、そして別々の分離工程が、必要であり得ることが、理解されるべきである。図32に示されるように、次に、式27のエステル化合物は、式28ここでスキーム8の一般式VにおいてR2=CH2CHCH32;P3=CBZ;R11=H;R12=PhOMeの、その対応するカルボン酸にケン化される。5mLのRBFに、280mg0.656mmolの、式27の3-N,2-O-アニスアルデヒドアセタール-3-N-Cbz-5-メチルヘキサノイルメチルエステルを入れ、そして2.8mLのEtOHを入れてこの固体を溶解した。次に、420μLの水中の51.3mgのLiOH一水和物溶液を入れた。この反応を、室温にて4時間15分間攪拌し、その後、希HClを用いてpH1にクエンチし、そして20mLのトルエン中にこの生成物を抽出することによって終了した。その後、この有機相を、水で洗浄し、そしてエバポレートして216mgの、式28の酸の生成物を得た。スキーム9に示されるように、次に、この置換側鎖は、上記タキサン骨格にカップリングされる。スキーム9に示される化合物において、R2、R11、R12およびP3は、スキーム8について上記に定義される通りであり、R7、R8、およびR9は、スキーム7について上記に定義される通りであり、R1は、スキーム1およびスキーム2について上記に定義される通りであり、そしてR13およびR14は、それぞれスキーム6のR8およびR9について上記に定義される通りである。スキーム9におけるR1基は、スキーム7において除去される側鎖上にあるR1基とは異なり得ることが理解されるべきである。例えば、図33は、式29ここでスキーム9の一般式WにおいてR2=CH2CHCH32;P3=CBZ;R11=H;R12=PhOMe;R7=CH3;R8=H;R12=PhOMeの化合物を与える式24図29由来と式28図32由来とのカップリング反応を、提供する。5mLのRBFに、180mg0.255mmolの7,9-アニスアルデヒドアセタール,9-デスオキソ10エピバッカチンBaccatinIII式24および105mg0.510mmol、2.0当量のDCCを入れた。その後、トルエン2mLを、添加してこの固体を溶解した。次に、158mg0.383mmol、1.5当量のイソ-ブチル側鎖の酸式28を、1.0mLのDCM中に溶解し、次いでこの溶液を、上記反応フラスコに入れ、その後、6mg0.038mmol、0.15当量の4-ppを入れた。この反応を、室温にて23時間攪拌し、その後、11.5μLの酢酸および4μLの水を添加しそして1時間攪拌することによってクエンチした。MTBEを、この反応フラスコに添加し、DCUを沈殿させ、そしてこの反応溶液を、濾過してこの沈殿を除去した。この濾液を、活性炭を用いてスラリー状にし、その後、シリカプラグに通過させて4Pp塩を除去した。この溶出物を、固体になるまでエバポレートして270.7mgの、式29の粗製カップリング生成物を得た。図34に例示されるように、その後、7,9-アセタール保護基およびN,O-アセタール保護基は、除去され得、そしてN-アシル基が付加されて、式30および式32ここでスキーム9の一般式XにおいてR1=t-ブトキシ;R2=CH2CHCH32;R7=CH3の化合物を形成し、この化合物は、次の工程のために、液体クロマトグラフィーによって互いから分離されても、一緒のままでもよい。同じアニスアルデヒド基は、式29の例示的な化合物中の7,9-アセタールおよびN,O-アセタールの両方にて使用され得、その結果、両方の基が、単一工程で除去され得る一方で、他のアセタール保護基が、企図され、その結果、複数の脱保護化工程が、必要とされ得ることが、理解されるべきである。10mLのRBFに、270mg0.245mmolの、式29の7,9-アニスアルデヒドアセタール-10-エピ-3’-イソブチル-3’,2’-N,O-アニスアルデヒドアセタールがカップリングしたエステル、220mg0.8g/gカップリングしたエステルの、Degussa型炭素担持パラジウム、および4.1mLのTHFを入れた。別々のバイアルにおいて、99μLの濃HClを、198μLの水中および1.0mLのTHF中に希釈した。この溶液を、上記反応フラスコに添加し、そしてこのフラスコを密封し、そして水素下に置いた。この水素化反応を、31時間攪拌し、その後、この水素を除去し、そしてこの反応溶液から結晶を濾過し、次いでこの反応溶液にモレキュラーシーブを加えて水を除去することによってクエンチし、その後、84.5μL0.368mmol、1.5当量の無水t-ブトキシカルボニルt-BOC、次いで684μLのTEAを添加した。この反応を、さらに21時間攪拌し、その後、この反応溶液から上記シーブを濾過し、EtOAcを用いてこの濾液を希釈し、そして水で洗浄することによって終了した。この有機区分を、約370mgの油状物になるまでエバポレートした。この油状物を、最初にフラッシュクロマトグラフィーによって、次いで分取TLCpTLCによって、次いでセミ分取逆相カラムによって精製して3.9gの、式30および式32の純粋な生成物を得た。最後に、図35に示されるように、別の7,9-アセタールは、式31または式33ここでスキーム9の一般式YにおいてR1=t-ブトキシ;R2=CH2CHCH32;R7=CH3;R13=H;R14=CH=CH2の化合物を提供することが望まれる場合に、形成され得る。図35において、アクロレインアセタールが、形成される一方で、他の基は、スキーム9のR13およびR14例えば、図9に例示されるR8基およびR9基について定義される通り、またはその他に置換され得ることは、理解されるべきである。HPLCバイアル挿入物中に、3.4mg4.13μmolの、式30および式32の9-α-ヒドロキシ,10-α-アセチル-2’-R,S-ヒドロキシ-3’-S-イソブチル-3’-N-t-ブトキシカルボニルタキサンを入れ、その後、70μLのDCMを入れた。次に、DCM中の、12.8μLの1~20倍希釈したアクロレインジメチルアセタール0.64μLのアセタール、5.37μmol、1.3当量を、この挿入物に入れ、その後、DCM中の0.05MのPTSA溶液を8.4μL0.413μmol、0.1当量入れた。この反応を、かるく攪拌し、その後、室温においた。この反応を、さらに上記アセタール溶液を添加して、完了するまでそれを促進し、その後、2~3日後に、この溶液を約80mgの塩基性の活性アルミナを通して濾過することによって終了した。このアルミナを、DCM、次いでEtOAcを用いて洗浄し、そしてこの画分をエバポレートして乾燥した。この粗製化合物を、順相の分析カラムで精製して605μgの、式31および式33の7,9-アクロレインアセタール-10-α-アセチル-2’-R,S-ヒドロキシ-3’-S-イソブチル-3’-N-t-ブトキシカルボニルタキサンである化合物この生成物は、異性体の混合物であるを得た。これは、液体クロマトグラフィーによって分離され得る。VII.7,9-アセタール結合型アナログを合成するための代替的方法9,10-ααOHタキサン類の7,9アセタール結合型アナログはまた、式:を有する。10-脱アセチルバッカチンIII10-DBAから直接形成され得、10-DABを使用することは、有利である。なぜなら、それは、天然にさらに多く存在し、従って、図1および図2に関して、上記で示されかつ議論される出発化合物Aまたは出発化合物A’のいずれかより、高価ではないからである。この代替的プロセスにおいて、10-DAB式34は、以下の反応:によってC-7位およびC-10位の両方にて最初に保護されてC7,C10ジ-CBZ10脱アセチルバッカチンIII式35を形成する。式34のC7,C10ジ-CBZ10脱アセチルバッカチンIII50g、91.8mmolを温かい水浴中で40°Cに加温することによって、THF2L、40ml/gに溶解した。この溶液を、Neslab冷却機中で-41°Cに冷却し、そしてベンジルクロロホルメート46mL、3.2当量、293.8mmolを添加して冷却した溶液を攪拌し、その後、さらに-44°Cまで冷却した。この溶液に、2.3Mのヘキシルリチウム溶液130mL、3.3当量、303mmolを、この反応混合物の温度を≦-39°Cに維持しつつ、45分かけて徐々に添加した。Neslab中で時間にして45分間攪拌を続けた場合のHPLCは、反応が完全に進んだことを示した。合計2時間の反応時間にて、この反応を、1NのHCl400mLおよびIPAc1Lの添加ならびにNeslab冷却機からの取り出しによってクエンチした。この反応を、10°Cまで加温しながら攪拌させた。この層を分離し、その後、そのIPAc層を、H2O500mL、飽和NaHCO3200mLおよびH2O4×500mLで連続的に洗浄し、次いでシリカゲルパッドを通して濾過した。この濾液を、固体が形成し始めるまで濃縮した。IPAc850mLを添加し、そしてこの混合物を、60°Cに加熱して固体のいくらかを溶解した。この温かい溶液に、ヘプタン800mLを添加し、そしてこの溶液を、冷蔵庫で冷却し、そして濾過した。濾過によって集めた固体を、ヘプタンによって洗浄し、そして45°Cにて真空下で乾燥して式35を得た。次に、以下の反応:によって、式35を、式36の側鎖とカップリングして式37を形成した。ここで、式36の側鎖38g、99.6mmolを、既知濃度0.09524g/mLまでトルエン中に溶解した。この溶液を、式3554.0g、66.4mmolに添加した。この溶液を、温かい水浴中で加熱し、そしてトルエン540mL中のDMAP8.13g、66.4mmolおよびDCC25.28g、119.6mmolを、この温かい反応混合物に添加した。温度を約51°Cに維持しながら、この反応を連続的に攪拌し、定期的にHPLCのためにサンプリングした3時間後に、トルエン140mL中のDCC13.3gを、さらに添加した。次の朝25.25時間、MTBE450mLを添加し、そしてこの反応混合物をシリカゲルのパッドを通して濾過し、MTBEで洗浄し、その後、EtOAcで洗浄し、そして濃縮して61.8gの油状物を得た。このシリカを、再度EtOAcによって洗浄し、そしてこの第2の貯留液を、50mLまで濃縮し、そして静置させた。次の日、この第2の貯留液は、結晶化し始めた。それを濾過し、そしてこの濾液を、1:1のヘプタン/IPAcで洗浄し、そして真空下で40°Cにて乾燥し、式37の固体を得た。次に、式37を、以下の反応:によって、C7位およびC10位の両方にて脱保護化し、式38を得た。THF300mLおよびHCl22mLの溶液を、THF15mL/g、920mL中の式3761.8、52.5mmolの溶液に添加した。生じた溶液を、窒素でフラッシュflushした。触媒50の水を含む10のPd/C、99.1gを添加し、そしてこのフラスコを窒素で3回、次いで水素で3回フラッシュした。この反応混合物を、水素バルーン下で21時間激しく攪拌した。このときに、その反応物を、試料採取し、そしてHPLCは、出発物質のうちの38面積が、残存することを示した。水10mLを添加し、そして攪拌を続けた。20時間後、HPLCは、同じ量の出発物質が、なお残存することを示した。この反応混合物を、セライトを通して濾過し、そしてTHFで洗浄した。その後、それを、濃縮して過剰なTHFを除去し、新鮮な触媒101gを添加し、そしてこの反応混合物を、前のように水素下に戻した。さらに24時間後、中間体化合物は、まだ存在し、そしてなおさらに触媒20gを添加した。さらに1時間後、HPLCは、この反応が、完了したことを示した。この反応混合物を、セライトを通して濾過し、そしてIPAcによって洗浄した。合わせた濾液をNH4Cl溶液500mL、水500mL、5NaHCO3500mL、H2O300mL、およびブライン300mLで洗浄した。この有機層を乾燥し、濾過し、そして濃縮して泡状の式38を得た。その後、式38を、以下の反応:によって、式39に変換した。式3841.37g、52.5mmolを、室温にてDCM500mL中に溶解した。この溶液は濁っており、これは、これまでの反応から得られる生成物における、DCUの存在によっておそらく生じた。この不純物が、水である場合に、Na2SO4を、この溶液に添加し、そしてこの溶液を、濾紙を通して2Lのフラスコ中に濾過した。この固体を、集め、そしてDCM250mLでこのフラスコ中に洗浄し、そしてこのフラスコを、隔壁およびN2バルーンで覆った。この溶液にTea35mLを、その後、DMAP1.284gTES-Cl約30mL、3.5当量添加し、そして攪拌した。さらなるTES-Cl15mLおよびTEA20mLを添加し、そして6時間後、HPLCは、この反応が、完全に進んだことを示した。その後、この反応を、EtOH25mLの添加によってクエンチした。この層を、分離し、そしてこの有機層を、飽和NH4Cl約500mLで洗浄し、そしてNa2SO4で乾燥し、そして濃縮した。フラッシュカラムを、シリカゲルを用いて充填し、そして8:2のヘプタン/IPAc1.5Lで潤した。この固体を、8:2のヘプタン/IPAc250mLに溶解し、そして濾過して溶解しない固体を除去した。この溶液を、約100mLまで濃縮し、そして上記カラムに適用した。このカラムを、8:2のヘプタン/IPAcを用いて溶出し、そして画分を集めた。生成物を含む画分を貯め、そして濃縮して泡状の式39を得た。その後、式39を、以下の反応:によって酸化して式40を形成した。ここで、固体のNa2SO4を、DCM340mL中の、式3924.45g、24.0mmolおよび4-メチルモルホリンN-オキシド10.1g、84mmolの溶液に添加して、この反応を確実に乾燥した。この混合物を、1時間攪拌し、次いで24cmのひだ付濾紙を通して2Lの3-N丸底フラスコ中に濾過した。このNa2SO4の固体を、DCM100mLを用いてこのフラスコ中に洗浄した。モレキュラーシーブ6.1g、15重量/gを、この溶液に添加し、そして攪拌を始めた。TPAP1.38gを添加し、そしてこの反応を、窒素ブランケット下で攪拌させた。試料を、HPLCのために定期的に採取した。2時間後にさらなるTPAP0.62gを添加し、そして再び15分後にTPAP0.8gを添加した。この反応混合物を、シリカゲル86gのパッドに適用し、8:2のヘプタン/IPAcで潤し、そしてIPAcを用いて溶出した。この画分を集め、貯め、そして油状物になるまで濃縮した。4-メチルモルホリンN-オキシド5.0gおよびDCM100mLを添加し、そして攪拌した。Na2SO413gを、この混合物に添加し、そしてそれを、濾紙を通して濾過した。Na2SO4の固体を、DCM45mLで洗浄し、そしてモレキュラーシーブ5gおよびTPAP1.03gを添加した。45分後、さらにTPAP1.05gを添加した。シリカゲルのパッドを調製し、80:20のヘプタン/IPAcで潤した。この反応混合物を、上記パッドに適用し、そしてIPAcによって溶出した。画分を集め、そして生成物を含むこれらの画分を貯め、そして濃縮して式40の油状生成物を得た。次に、式40を、以下の反応:によって還元して式41を形成した。NaBH4365mg、6当量を、氷-水浴中で冷却したEtOH19mLおよびMeOH6.5mL中の式401.6gの攪拌した溶液に添加した。1時間後、この反応混合物を、氷-水浴から取り出し、そして2時間にてこの反応を、HPLCのために試料採取した。このHPLCは、反応が、完全に進行したことを示した。この反応混合物を、氷-水浴中で冷却し、そしてMeOH15mL中のNH4OAcの溶液を添加し、その後、IPAc50mLおよびH2O20mLを添加した。それを混合し、そして分離した。この有機層を、水20mLおよびブライン10mL、2回目に、水15mLおよびブライン10mLによって洗浄し、次いで水2×15mLで2回洗浄した。それを、Na2SO4で乾燥し、そして冷凍庫に一晩置いた。次の朝、試料を、HPLCのために採取し、そしてこの反応を乾燥し、そしてこの有機層を、ロータリーエバポレーターrotovapで濃縮した。それを、真空乾燥器中に置いて式41の泡状生成物を得た。次に、式41を、以下の反応:によってアシル化して、式42を形成した。TEA5.8mL、41.5mmol、Ac2O2.62mL、27.7mmolおよびDMAP724mg、5.5mmolを、DCM50mL中の式4114.1g、13.84mmolの溶液に添加した。この反応を攪拌し、そしてHPLCのために定期的に試料採取した。18.5時間後、TEA1.5mLおよびAc2O1mLを、さらに添加した。19時間にて、HPLCは、反応が完全に進んだことを示した。この反応混合物をIPAc300mLで希釈し、そして5のHaHCO3100ml中に注いだ。その後、それを攪拌し、分離し、そしてこの有機層を、水100mL、飽和NH4Cl2×100mL、水3×50mLおよびブライン50mLで洗浄し、次いでNa2SO4を通して濾過した。この混合物を、濃縮して式42の泡状生成物を得た。次に、式42を、以下の反応:によって式43の化合物に変換した。式423.0g、2.829mmolの量を、100mLのフラスコ中に秤量した。次に、このフラスコに、室温にてDCM24mLを添加し、その後、MeOH6mLを添加した。N2下で混合物の攪拌をはじめ、そしてCSA0.0394g、0.17mmolを添加した。4時間後、LCMSは、生成物が形成したことを示した。5のNaHCO315mLを、この反応混合物に添加し、それを、激しく振盪し、次いで分液漏斗に加えた。この反応フラスコをリンスし、それを5のNaHCO325mLを含む分液漏斗中に入れ、その後、この反応混合物を振盪し、層を、分離した。この有機層を、ブラインで洗浄し、Na2SO4で乾燥し、そして濃縮した。MTBE3×25mLを添加し、そしてこの反応混合物を、それぞれの添加後に乾燥するまで濃縮して、最終的に3.7068gの泡を得た。この泡を、MTBE10mL中に溶解し、そして攪拌した。ヘプタン50mLを、この反応溶液にゆっくりと添加し、そして直ちに固体が形成し始めた。この固体を、吸引濾過し、そしてヘプタン720mLでリンスした。この固体を集めて、そして40°Cにて真空乾燥器中で乾燥して式43を得た。その後、式43を、以下の反応:によって式44に変換した。DCM10.5mL中の式432.1g、2.52mmolの溶液を、室温にて攪拌した。次に、この溶液に、3,3-ジメトキシ-1-プロペン2.03g、17.7mmolを添加し、その後、CSA0.035g、0.15mmolを添加した。この溶液を、3.5時間攪拌した後、LCMSは、この反応が完全に進んだことを示した。この反応を、DCM25mLで希釈し、そして55mLの5NaHCO3溶液を有する分液漏斗に添加した。この層を分離し、そしてこの水層を、DCM25mLで洗浄した。この2つの有機層を合わせて、ブラインで洗浄し、Na2SO4で乾燥し、そして濃縮した。フラッシュクロマトグラフィーカラムを、シリカゲルで充填し、そして50:50のMTBE/ヘプタン1000mLによって潤した。この反応混合物を、MTBE10mLに溶解し、このカラムに流し、そして50:50のMTBE/ヘプタンによって溶出した。この画分を集め、貯め、濃縮し、そして50°Cにて真空乾燥器中で乾燥して式44の生成物を得た。IX.代替的な側鎖カップリング反応上記で示されるように、9,10-ααOHタキサン類の7,9アセタール結合型アナログを形成する代替的プロセスの、第2の反応工程において式35のC7,C10ジ-CBZ10脱アセチルバッカチンIIIを、式36の側鎖とカップリングして式37を形成した。さらに、本発明は、式35の代替側鎖に対するカップリングを企図する。企図される式45の代替側鎖は、以下の構造:を有する。式45は、以下の反応:に従って、式36上記の構造から形成され得る。ここで、BOM-酸式363.8g、約10.0mmolを、DCM30mLに溶解し、攪拌し、そしてN2下において0°Cにて、氷-水浴中で冷却した。DCM2mLおよびジエチル硫黄の三フッ化物1.575g、20.0mmolを、この溶液に両方とも添加し、そしてこの反応を、4時間攪拌した。その温度を、約10°Cまで上昇させた。LCMSは、この反応が完全に進んだことを示した。H2O50mLおよびDCM50mLを添加し、そしてこの反応混合物を、分液漏斗に移した。この層を分離し、そしてこの有機層を、H2O50mLおよびブライン50mLによって洗浄し、Na2SO4で乾燥し、そして濃縮して式45の生成物を得た。次に、式35を、以下の反応:によって、式45の側鎖とカップリングして式46の生成物を生じた。ここで式350.2g、0.246mmolおよびDMAP0.5g、4.1mmolを秤量して、N2によってパージした、炎で乾燥したflame-dried洋ナシ形状のフラスコ中に入れた。N2によってパージした、乾燥器で乾燥したoven-dried還流冷却器を、このフラスコの上端に取り付け、そしてそれを油浴中に置いて、75°Cまで加熱した。トルエン1mL中のフッ化BOMアシル式450.5g、1.31mmolを、このフラスコに添加し、そしてこの温度を、85°Cまで上昇させた。N2下で5.5時間攪拌し続けて、式46の生成物を得た。従って、本発明は、本発明の例示的な実施形態を対象とする、任意の程度の特性と共に記載される。本発明は、先行技術に照らして解釈される添付の特許請求の範囲によって定義されるが、改変または変更は、本明細書中に含まれる本発明の概念から逸脱することなく、本発明の例示的な実施形態に対してなされ得ることが、理解されるべきである。"