"紫外線透過性の基材上に、紫外線硬化性の粘着剤層及びダイボンド層を形成するダイシングダイボンドフィルムの製造方法であって、紫外線遮光剤としてのフィラーを含有するフィラー分散溶液と、ダイボンド層用ワニスとを混合して形成材料を調製し、前記形成材料をセパレータ上に塗布して乾燥し、これにより形成した塗布層を前記粘着剤層上に転写することにより、又は前記粘着剤層上に直接塗布した後乾燥することにより、前記ダイボンド層を形成し、前記ダイボンド層は紫外線に対し10以下の透過率を有するダイシングダイボンドフィルムの製造方法。前記フィラーの平均粒径が0.1~80μmの範囲内である請求項1に記載のダイシングダイボンドフィルム。前記フィラーの含有量は、前記ダイボンド層用ワニスの有機樹脂成分100重量部に対し、0重量部を超えて80重量部以下である請求項1又は2に記載のダイシングダイボンドフィルムの製造方法。前記フィラー分散溶液と前記ダイボンド層用ワニスとの混合後、前記形成材料を撹拌することにより前記フィラーを均一に分散させ、これによりフィラーが均一に分布した膜構造の前記ダイボンド層を形成する請求項1~3のいずれか1項に記載のダイシングダイボンドフィルムの製造方法。前記形成材料の撹拌は、上下左右の方向にフィラーを流動させて行う請求項4に記載のダイシングダイボンドフィルムの製造方法。本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、半導体チップに対する紫外線の影響を低減することが可能なダイシングダイボンドフィルムの製造方法を提供することにある。本願発明者等は、上記従来の問題点を解決すべく、ダイシングダイボンドフィルムの製造方法について検討した。その結果、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明は、前記の課題を解決する為に、紫外線透過性の基材上に、紫外線硬化性の粘着剤層及びダイボンド層を形成するダイシングダイボンドフィルムの製造方法であって、紫外線遮光剤としてのフィラーを含有するフィラー分散溶液と、ダイボンド層用ワニスとを混合して形成材料を調製し、前記形成材料をセパレータ上に塗布して乾燥し、これにより形成した塗布層を前記粘着剤層上に転写することにより、又は前記粘着剤層上に直接塗布した後乾燥することにより、前記ダイボンド層を形成し、前記ダイボンド層は紫外線に対し10以下の透過率を有する。前記フィラーの平均粒径は0.1~80μmの範囲内であることが好ましい。前記フィラーの含有量は、前記ダイボンド層用ワニスの有機樹脂成分100重量部に対し、0重量部を超えて80重量部以下であることが好ましい。前記フィラー分散溶液と前記ダイボンド層用ワニスとの混合後、前記形成材料を撹拌することにより前記フィラーを均一に分散させ、これによりフィラーが均一に分布した膜構造の前記ダイボンド層を形成することが好ましい。前記形成材料の撹拌は、上下左右の方向にフィラーを流動させて行うことが好ましい。本発明のダイシングダイボンドフィルムの製造方法によれば、ダイボンド層が紫外線遮光性を有するので、紫外線硬化型の粘着剤層に対して、基材側から紫外線を照射してこれを硬化させる際に、ダイボンド層が紫外線の大部分を遮光するダイシングダイボンドフィルムを製造することができる。これにより、ダイボンド層上に接着固定されている半導体チップが紫外線照射されるのを防止し、この紫外線照射に起因した不具合の発生を低減することができる。その結果、高信頼性の半導体装置を歩留まり良く製造することが可能になる。ダイシングダイボンドフィルム本発明の実施の形態について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、本実施の形態に係るダイシングダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図2は、本実施の形態に係る他のダイシングダイボンドフィルムを示す断面模式図である。但し、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にする為に拡大又は縮小等して図示した部分がある。図1に示すように、ダイシングダイボンドフィルム10は、基材1上に粘着剤層2を有し、該粘着剤層2上にダイボンド層3を有する構成である。また本発明は、図2に示すように、半導体ウェハ貼り付け部分にのみダイボンド層3’を形成した構成であってもよい。前記基材1は紫外線透過性を有し、かつダイシングダイボンドフィルム10、11の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン-メタアクリル酸共重合体、エチレン-メタアクリル酸エステルランダム、交互共重合体、エチレン-ブテン共重合体、エチレン-ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド紙、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属箔、紙等が挙げられる。また基材1の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材1を熱収縮させることにより粘着剤層2とダイボンド層3、3’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。基材1の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤例えば、後述する粘着物質によるコーティング処理を施すことができる。前記基材1は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材1には、帯電防止能を付与する為、前記の基材1上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが30~500Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材1は単層あるいは2種以上の複層でもよい。基材1の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には5~200μm程度である。前記粘着剤層2は紫外線硬化型粘着剤を含み構成されている。紫外線硬化型粘着剤は、紫外線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図2に示す粘着剤層2の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分2aのみを紫外線照射することにより他の部分2bとの粘着力の差を設けることができる。また、図2に示すダイボンド層3’に合わせて紫外線硬化型の粘着剤層2を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分2aを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分2aにダイボンド層3’が貼付けられる為、粘着剤層2の前記部分2aとダイボンド層3’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分2bを形成する。前述の通り、図1に示すダイシングダイボンドフィルム10の粘着剤層2に於いて、未硬化の紫外線硬化型粘着剤により形成されている前記部分2bはダイボンド層3と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に紫外線硬化型粘着剤は、半導体チップを基板等の被着体に固着する為のダイボンド層3を、接着剥離のバランスよく支持することができる。図2に示すダイシングダイボンドフィルム11の粘着剤層2に於いては、前記部分2bがウェハリング16を固定することができる。前記紫外線硬化型粘着剤は、炭素-炭素二重結合等の紫外線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の紫外線硬化型粘着剤を例示できる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、メタアクリル酸アルキルエステル例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s-ブチルエステル、t-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数1~30、特に炭素数4~18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等及びメタアクリル酸シクロアルキルエステル例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等の1種又は2種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、メタアクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び/又はメタクリル酸エステルをいい、本発明のメタとは全て同様の意味である。前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記メタアクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルメタアクリレート、カルボキシペンチルメタアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー;メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、メタアクリル酸8-ヒドロキシオクチル、メタアクリル酸10-ヒドロキシデシル、メタアクリル酸12-ヒドロキシラウリル、4-ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルメタアクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-メタアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、メタアクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピルメタアクリレート、メタアクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー;2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー;アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の40重量以下が好ましい。更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジメタアクリレート、ポリエチレングリコールジメタアクリレート、ポリプロピレングリコールジメタアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタアクリレート、ペンタエリスリトールジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタアクリレート、エポキシメタアクリレート、ポリエステルメタアクリレート、ウレタンメタアクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の30重量以下が好ましい。前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は2種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは30万以上、更に好ましくは40万~300万程度である。また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー100重量部に対して、5重量部程度以下、更には0.1~5重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。配合する前記紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタンメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、ペンタエリストールテトラメタアクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタメタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が100~30000程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば5~500重量部、好ましくは40~150重量部程度である。また、紫外線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の紫外線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素-炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の紫外線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。前記炭素-炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素-炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。前記アクリル系ポリマーへの炭素-炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素-炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素-炭素二重結合を有する化合物を、炭素-炭素二重結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素-炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素-炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや2-ヒドロキシエチルビニルエーテル、4-ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。前記内在型の紫外線硬化型粘着剤は、前記炭素-炭素二重結合を有するベースポリマー特にアクリル系ポリマーを単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー100重量部に対して30重量部の範囲内であり、好ましくは0~10重量部の範囲である。前記紫外線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、4-2-ヒドロキシエトキシフェニル2-ヒドロキシ-2-プロピルケトン、α-ヒドロキシ-α,α’-ジメチルアセトフェノン、2-メチル-2-ヒドロキシプロピオフェノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα-ケトール系化合物;メトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、2-メチル-1-[4-メチルチオ-フェニル]-2-モルホリノプロパン-1等のアセトフェノン系化合物;ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物;2-ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物;1-フェノン-1,1―プロパンジオン-2-o-エトキシカルボニルオキシム等の光活性オキシム系化合物;ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3’-ジメチル-4-メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物;チオキサンソン、2-クロロチオキサンソン、2-メチルチオキサンソン、2,4-ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4-ジクロロチオキサンソン、2,4-ジエチルチオキサンソン、2,4-ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシルホスフィノキシド;アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば0.05~20重量部程度である。また紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭60-196956号公報に開示されている、不飽和結合を2個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。前記粘着剤層2に前記部分2aを形成する方法としては、基材1に紫外線硬化型の粘着剤層2を形成した後、前記部分2aに部分的に紫外線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な紫外線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分3a以外の部分3b等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。紫外線硬化型の粘着剤層2の形成は、セパレータ上に設けたものを基材1上に転写することにより行うことができる。部分的な紫外線硬化はセパレータ上に設けた紫外線硬化型の粘着剤層2に行うこともできる。ダイシングダイボンドフィルム10の粘着剤層2に於いては、前記部分2aの粘着力<その他の部分2bの粘着力、となるように粘着剤層2の一部を紫外線照射してもよい。即ち、基材1の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分3aに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに紫外線硬化型の粘着剤層2を形成した後に紫外線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分3aに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分2aを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作製することができる。これにより、効率よく本発明のダイシングダイボンドフィルム10を製造可能である。尚、紫外線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、紫外線硬化型の粘着剤層2の表面から酸素空気を遮断するのが望ましい。その方法としては、例えば粘着剤層2の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の紫外線の照射を行う方法等が挙げられる。粘着剤層2の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、1~50μm程度であるのが好ましい。好ましくは2~30μm、更には5~25μmが好ましい。前記ダイボンド層3は紫外線遮光性を有するものであれば特に限定されない。紫外線遮光性は、粘着剤層2を紫外線硬化させる際に用いる紫外線に対し少なくとも遮光性を示せば足りる。より具体的には、約280~380nmの波長域に於いて紫外線透過率が10以下であることが好ましく、0~5であることがより好ましい。紫外線透過率が10を超えると、半導体ウェハに対する紫外線の照射量が多すぎるため、該半導体ウェハの悪影響を与える恐れがある。また、例えば不揮発性半導体メモリーEPROMに於いては、内部に記憶されている記憶データが紫外線の照射により損なわれる可能性がある。EPROMに於いては、メモリセルと呼ばれる記憶容器内に電子が存在する状態が記憶状態となる。従って、EPROMの記憶データの消去の原理は、この電子が紫外線の照射により励起され放出されることによる。また、EPROMの欠点としては、書き込み時電子注入時に高電荷を与える為、書き込み、消去を連続して行うと、デバイス特性が劣化することが挙げられる。この為、ダイボンド層3により紫外線を遮光することにより、EPROMのデバイス特性の劣化を防止することができる。ここで、紫外線照射は、例えば100~200mW程度の照度の紫外線を数秒間照射することにより行われる。従って、ダイボンド層3による紫外線の遮光を10以下にまで行えば、前記の影響は無視できるほど小さくなり、長時間の照射でない限り、紫外線の影響は無いと考えられる。また、粘着剤層2に対し、10~20mW程度の照射強度で1~2分間の紫外線照射をした場合、粘着剤層2の粘着力がほとんど変化しないという結果が得られている。これは、粘着剤の硬化メカニズムが前記EPROMの場合と似ていることに起因している。即ち、粘着剤の硬化は紫外線の照射により励起されて発生するラジカルを元にして硬化反応が進行する。従って、例えばダイボンド層3上に他の粘着剤層図示しないが設けられている場合に、粘着剤層2に対し基材1側から100~200mW程度の照度の紫外線を1~2分間の照射をした場合、ダイボンド層3は他の粘着剤層に到達する紫外線の照射強度を10以下に低減するので、その結果、他の粘着剤層の紫外線硬化を抑制し、粘着力をほぼ一定に維持することができる。尚、紫外線透過率は、次の通りにして求められる。即ち、先ず、市販の紫外線測定装置を用いて、光源から3cmだけ離れた位置での紫外線強度I0を測定する。次に、本発明のダイシングダイボンドフィルムを光源から3cm離れた距離に配置し、該ダイシングダイボンドフィルムを介して紫外線強度Iを測定する。得られた測定値から、次式紫外線透過率=I/I0×100により紫外線透過率を算出する。また、前記光源としては特に限定されず、従来公知のものを使用することができる。具体的には、高圧水銀灯、低圧水銀灯、エキシマUVランプ、メタルハライドランプ等が例示できる。ダイボンド層3に紫外線遮光性の機能を付与する手段として、例えば紫外線遮光剤を含有させる方法が挙げられる。前記紫外線遮光剤としては特に限定されず、紫外線吸収剤又は紫外線反射剤の少なくとも何れかを使用することができる。前記紫外線吸収剤としては、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化チタン、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、カーボン等のフィラーが挙げられる。また、紫外線反射剤としては、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類等のフィラーが挙げられる。これらの紫外線遮光剤の内、本発明に於いてはシリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。前記フィラーの含有量は、ダイボンド層3の有機樹脂成分100重量部に対し、0重量部を超えて80重量部以下であることが好ましく、0重量部を超えて70重量部以下であることがより好ましい。前記フィラーの平均粒径は、0.1~80μmの範囲内であることが好ましい。また、平均粒径が相互に異なるフィラー同士を組み合わせて使用してもよい。例えば、平均粒径0.1~1μmの第一フィラーと、平均粒径10~80μmの第二フィラーとを、それらの重量比が第一フィラー/第二フィラー=80/20~60/40となるようにして分散配合させることもできる。これにより、ダイボンド層3に含まれるフィラーを高密度に充填された膜構造にすることができ、紫外線遮光性を一層向上させることができる。特に、平均粒径が0.1μmの第一フィラーと平均粒径10μmの第二フィラーとを、重量比が約3:7となる様に配合して、前記数値範囲内の含有量でダイボンド層3を形成した場合、フィラーを最密充填にすることができる。尚、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計HORIBA製、装置名;LA-910により求めた値である。前記フィラーの形状は特に限定されず、例えば球状、楕円体状のものを使用することができる。ダイボンド層3は、ダイ接着剤を含み構成される。具体的なダイ接着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂及び/又は熱硬化性樹脂からなるダイ接着剤を好適に用いることができる。特に熱硬化性樹脂のダイ接着剤は、半導体ウェハへの接着温度を低くすることができ、硬化により耐熱性が優れる点で好ましい。ダイ接着剤は単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。また、ダイ接着剤としては、シート状にできるものが好ましい。更に、ダイボンド層3は70°C以下で半導体ウェハや、ダイシングリングに粘着可能なダイ接着剤により構成されるのが好ましい。また、常温で粘着可能なものが好ましい。ダイボンド層3は、例えば接着剤層の単層のみからなる構成とすることができる。また、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適宜に組み合わせて、2層以上の多層構造にしてもよい。尚、半導体ウェハのダイシング工程では切削水を使用することから、ダイボンド層3が吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率のまま、基板等に接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイ接着用接着剤としては、透湿性の高いコア材料をダイ接着剤で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階では、水蒸気がフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。かかる観点から、ダイボンド層3はコア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造にしてもよい。前記コア材料としては、フィルム例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。前記接着剤層は接着機能を有する層であり、その構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。又、熱可塑性樹脂単独でも使用可能である。前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン―酢酸ビニル共重合体、エチレン―アクリル酸共重合体、エチレン―アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6-ナイロンや6,6-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下、特に炭素数4~18の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、メタアクリル酸8-ヒドロキシオクチル、メタアクリル酸10-ヒドロキシデシル、メタアクリル酸12-ヒドロキシラウリル若しくは4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル-メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-メタアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、メタアクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピルメタアクリレート若しくはメタアクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が0.5~2.0当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、0.8~1.2当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。尚、本発明に於いては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を用いたダイボンド層3が特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分100重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が10~200重量部である。ダイボンド層3の接着剤層には、予めある程度架橋をさせておく為、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図る。前記架橋剤としては、特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、1,5-ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物が好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体100重量部に対し、通常0.05~7重量部とするのが好ましい。架橋剤の添加量が7重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、0.05重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、ポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じてエポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。尚、ダイボンド層3の接着剤層には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β-3、4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。ダイボンド層3の厚さは特に限定されないが、例えば、5~100μm程度、好ましくは5~50μm程度である。ダイシングダイボンドフィルム10、11には、帯電防止能を持たせることができる。これにより、その接着時及び剥離時等に於ける静電気の発生やそれによるワーク半導体ウェハ等の帯電で回路が破壊されること等を防止することができる。帯電防止能の付与は、基材1、粘着剤層2乃至ダイボンド層3へ帯電防止剤や導電性物質の添加する方法、基材1への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設等、適宜な方式で行うことができる。これらの方式としては、半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質導電フィラーとしては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。ただし、前記ダイボンド層3、3’は、非導電性であることが、電気的にリークしないようにできる点から好ましい。前記ダイシングダイボンドフィルム10、11のダイボンド層3、3’は、セパレータにより保護されていることが好ましい図示せず。セパレータは、実用に供するまでダイボンド層3、3’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層2にダイボンド層3、3’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシングダイボンドフィルムのダイボンド層3、3’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。ダイシングダイボンドフィルムの製造方法次に、本発明のダイシングダイボンドフィルムの製造方法について、ダイシングダイボンドフィルム10を例にして説明する。先ず、基材1は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。次に、基材1上に粘着剤を含む組成物を塗布し、乾燥させて必要に応じて加熱架橋させて粘着剤層2を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、塗布は直接基材1上に行ってもよく、表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布後、基材1に転写してもよい。ダイボンド層3を形成する為の形成材料は、例えば、紫外線遮光剤としてフィラーを用いる場合、次の様にして作製する。即ち、所定量のフィラーを接着剤組成物に添加して形成材料を調製した後、この形成材料を撹拌することによりフィラーを均一に分散させる。接着剤組成物やフィラーの添加量については、前述した通りである。形成材料の撹拌は、例えば上下左右の方向に流動させて撹拌することが可能な3次元回転撹拌翼を備えるミキサープライミクス株製、T.K.ハイビスミックスを用いて行う。これにより、形成材料中に於けるフィラーの分散性を向上させることができる。この様にして作製した形成材料を剥離紙上に所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して塗布層を形成する。次に、この塗布層を前記粘着剤層2上に転写することにより、ダイボンド層3を形成する。また、前記粘着剤層2上に形成材料を直接塗布した後、所定条件下で乾燥することによってもダイボンド層3を形成することができる。以上により、本発明に係るダイシングダイボンドフィルム10を得ることができる。半導体装置の製造方法本発明のダイシングダイボンドフィルム10、11は、ダイボンド層3、3’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図3を参照しながらダイシングダイボンドフィルム10を用いた場合を例にして説明する。先ず、ダイシングダイボンドフィルム10に於けるダイボンド層3の半導体ウェハ貼り付け部分3a上に半導体ウェハ4を圧着し、これを接着保持させて固定するマウント工程。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。次に、半導体ウェハ4のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ4を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ5を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ4の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングダイボンドフィルム10まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシングダイボンドフィルム10により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ4の破損も抑制できる。ダイシングダイボンドフィルム10に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ5のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ5をダイシングダイボンドフィルム10側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ5をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。ここでピックアップは、粘着剤層2は紫外線硬化型である為、該粘着剤層2に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層2のダイボンド層3aに対する粘着力が低下し、半導体チップ5の剥離が容易になる。その結果、半導体チップを損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。ピックアップした半導体チップ5は、ダイボンド層3aを介して被着体6に接着固定するダイボンド。被着体6としては、リードフレーム、TABフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体6は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体半導体ウェハ等であってもよい。前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Cuリードフレーム、42Alloyリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、BTビスマレイミド-トリアジン、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。ダイボンド層3が熱硬化型の場合には、加熱硬化により、半導体チップ5を被着体6に接着固定し、耐熱強度を向上させる。尚、半導体ウェハ貼り付け部分3aを介して半導体チップ5が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。また前記のダイボンドは、ダイボンド層3を硬化させず、単に被着体6に仮固着させてもよい。その後、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップを封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアすることもできる。この場合、ダイボンド層3としては、仮固着時の剪断接着力が、被着体6に対して0.2MPa以上のものを使用し、より好ましくは0.2~10MPaの範囲内のものを使用するのが好ましい。ダイボンド層3の剪断接着力が少なくとも0.2MPa以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンド層3と半導体チップ5又は被着体6との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。前記のワイヤーボンディングは、被着体6の端子部インナーリードの先端と半導体チップ上の電極パッド図示しないとをボンディングワイヤー7で電気的に接続する工程である図3参照。前記ボンディングワイヤー7としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、80~250°C、好ましくは80~220°Cの範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒~数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンド層3aによる固着を行うことなく実行することができる。また、本工程の過程でダイボンド層3aにより半導体チップ5と被着体6とが固着することはない。前記封止工程は、封止樹脂8により半導体チップ5を封止する工程である図3参照。本工程は、被着体6に搭載された半導体チップ5やボンディングワイヤー7を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂8としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常175°Cで60~90秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば165~185°Cで、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンド層3aを介して半導体チップ5と被着体6とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンド層3aによる固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂8を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンド層3aにより固着がされない場合でも、本工程に於いて封止樹脂8の硬化と共にダイボンド層3aによる固着が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば165~185°Cの範囲内であり、加熱時間は0.5~8時間程度である。また、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、図4に示すように、複数の半導体チップを積層して3次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図4は、ダイボンド層を介して半導体チップを3次元実装した例を示す断面模式図である。図4に示す3次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した少なくとも1つのダイボンド層3aを被着体6上に仮固着した後、ダイボンド層3aを介して半導体チップ5を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にして仮固着する。次に、ダイボンド層13を半導体チップ5の電極パッド部分を避けて仮固着する。更に、他の半導体チップ15をダイボンド層13上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にして仮固着する。次に、加熱工程を行うことなく、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ5及び他の半導体チップ15に於けるそれぞれの電極パッドと、被着体6とをボンディングワイヤー7で電気的に接続する。続いて、封止樹脂8により半導体チップ5等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。それと共に、ダイボンド層3aにより被着体6と半導体チップ5との間を固着する。また、ダイボンド層13により半導体チップ5と他の半導体チップ15との間も固着させる。尚、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。半導体チップの3次元実装の場合に於いても、ダイボンド層3a、13の加熱による加熱処理を行わないので、製造工程の簡素化及び歩留まりの向上が図れる。また、被着体6に反りが生じたり、半導体チップ5及び他の半導体チップ15にクラックが発生したりすることもないので、半導体素子の一層の薄型化が可能になる。また、図5に示すように、半導体チップ間にダイボンド層を介してスペーサを積層させた3次元実装としてもよい。図5は、2つの半導体チップをスペーサを介してダイボンド層により3次元実装した例を示す断面模式図である。図5に示す3次元実装の場合、先ず被着体6上にダイボンド層3a、半導体チップ5及びダイボンド層21を順次積層して仮固着する。更に、ダイボンド層21上に、スペーサ9、ダイボンド層21、ダイボンド層3a及び半導体チップ5を順次積層して仮固着する。次に、加熱工程を行うことなく、図5に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ5に於ける電極パッドと被着体6とをボンディングワイヤー7で電気的に接続する。続いて、封止樹脂8により半導体チップ5を封止する封止工程を行い、封止樹脂8を硬化させると共に、ダイボンド層3a、21により被着体6と半導体チップ5との間、及び半導体チップ5とスペーサ9との間を固着させる。尚、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。前記スペーサ9としては、特に限定されるものではなく、例えば従来公知のシリコンチップ、ポリイミドフィルム等を用いることができる。尚、前記スペーサとしてコア材料を用いることができる。コア材料としては特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。具体的には、フィルム例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス基板等を使用できる。その他の事項前記基板等上に半導体素子を3次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されている。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。また、半導体素子の3次元実装の際に、各段で使用されるダイボンド層は同一組成からなるものに限定されるものではなく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。また、前記実施の形態に於いて述べた積層方法は例示的に述べたものであって、必要に応じて適宜変更が可能である。更に、前記実施の形態に於いては、基板等に複数の半導体素子を積層させた後に、一括してワイヤーボンディング工程を行う態様について述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体素子を基板等の上に積層する度にワイヤーボンディング工程を行うことも可能である。以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。実施例1厚さが60μmのポリエチレンフィルムからなる支持基材上に、紫外線硬化可能なアクリル系粘着剤の溶液を塗布、乾燥して、厚さが20μmの粘着剤層を形成した。その後、粘着剤層に於ける、ウェハ貼り付け部分に対応する部分にのみ紫外線を500mJ/cm2照射して当該部分を紫外線硬化させた。これにより、粘着フィルムAを得た。尚、用いた紫外線硬化可能なアクリル系粘着剤の溶液は、次の様にして調製した。即ち、先ずアクリル酸ブチルとアクリル酸エチルと2-ヒドロキシアクリレートとアクリル酸とを重量比60/40/4/1の割合で共重合させ、重量平均分子量が800,000のアクリル系ポリマーを得た。次に、このアクリル系ポリマー100重量部に、架橋剤として多官能エポキシ系架橋剤を0.5重量部、光重合性化合物としてジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレートを90重量部、光重合開始剤としてα-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを5重量部配合し、これらを有機溶剤としてのトルエンに均一に溶解させた。これにより、前記アクリル系粘着剤の溶液を作成した。また、下記に示すアクリル酸エステル系ポリマーアクリルゴム、架橋剤、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリカ紫外線遮光剤、カップリング剤を用いて、ダイ接着用接着シートを作製した。即ち、アクリル酸エチル-メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマーナガセケムテック株式会社製、商品名;SG-70L100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤0.1部、エポキシ樹脂日本化薬株式会社製、商品名;EPPN-501HY0.2部、フェノール樹脂明和化成株式会社製、商品名:MEH-7800H0.2部、球状シリカが溶媒に分散された溶液A50重量、シランカップリング剤信越化学株式会社製、商品名;KBM-303をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量に対して3部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度13.6重量となる様に調製した。尚、前記シリカ分散溶液Aとしては、平均粒径0.5μm最大5μmの球状シリカと平均粒径5μm最大10μmの球状シリカとを7:3の割合でメチルエチルケトンに60重量部分散させたものを用いた。また、シリカフィラーのダイアタッチフィルム用ワニスへの分散は、3次元回転撹拌羽を備えるミキサープライミクス株製、T.K.ハイビスミックスを用いて撹拌することにより行った。この接着剤組成物の溶液Aを、剥離ライナーセパレータとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる雛型処理フィルム上に塗布した後、120°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ40μmのダイボンド層Aを備えたダイ接着用接着シートを作製した。更に、ダイボンド層Aを前述のアクリル系粘着剤からなる粘着フィルムA上の粘着剤層側に転写して、本実施例に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。実施例2アクリル酸エチル-メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマーナガセケムテック株式会社製、商品名;SG-70L100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤0.1部、エポキシ樹脂日本化薬株式会社製、商品名;EPPN-501HY0.2部、フェノール樹脂明和化成株式会社製、商品名:MEH-7800H0.2部、球状シリカが溶媒に分散された溶液B60重量、シランカップリング剤信越化学株式会社製、商品名;KBM-303をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量に対して3部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度13.6重量となる様に調製した。尚、前記シリカ分散溶液Bとしては、平均粒径0.5μm最大5μmの球状シリカをメチルエチルケトンに60重量部分散させたものを用いた。また、シリカフィラーのダイアタッチフィルム用ワニスへの分散は、3次元回転撹拌羽を備えるミキサープライミクス株製、T.K.ハイビスミックスを用いて撹拌することにより行った。この接着剤組成物の溶液Bを、剥離ライナーとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ40μmのダイボンド層Bを備えたダイ接着用接着シートを作製した。更に、ダイボンド層Bを実施例1と同様にして作製した粘着フィルムA上の粘着剤層側に転写し、本実施例に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。比較例1アクリル酸エチル-メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマーナガセケムテック株式会社製、商品名;SG-70L100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤0.1部、エポキシ樹脂日本化薬株式会社製、商品名;EPPN-501HY0.2部、フェノール樹脂明和化成株式会社製、商品名:MEH-7800H0.2部、球状シリカが溶媒に分散された溶液B40重量、シランカップリング剤信越化学株式会社製、商品名;KBM-303をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量に対して3部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度13.6重量となる様に調製した。尚、前記シリカ分散溶液Bとしては、平均粒径0.5μm最大5μmの球状シリカをメチルエチルケトンに60重量部分散させたものを用いた。また、シリカフィラーのダイアタッチフィルム用ワニスへの分散は、3次元回転撹拌羽を備えるミキサープライミクス株製、T.K.ハイビスミックスを用いて撹拌することにより行った。この接着剤組成物の溶液Cを、剥離ライナーとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ40μmのダイボンド層Cを備えたダイ接着用接着シートを作製した。更に、ダイボンド層Cを実施例1と同様にして作製した粘着フィルムA上の粘着剤層側に転写し、本実施例に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。実施例3アクリル酸エチル-メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマーナガセケムテック株式会社製、商品名;SG-70L100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤0.1部、エポキシ樹脂日本化薬株式会社製、商品名;EPPN-501HY0.2部、フェノール樹脂明和化成株式会社製、商品名:MEH-7800H0.2部、球状シリカが溶媒に分散された溶液A60重量、シランカップリング剤信越化学株式会社製、商品名;KBM-303をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量に対して3部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度13.6重量となる様に調製した。尚、前記シリカ分散溶液Aとしては、平均粒径0.5μm最大5μmの球状シリカと平均粒径5μm最大10μmの球状シリカとを7:3の割合でメチルエチルケトンに60重量部分散させたものを用いた。また、シリカフィラーのダイアタッチフィルム用ワニスへの分散は、3次元回転撹拌羽を備えるミキサープライミクス株製、T.K.ハイビスミックスを用いて撹拌することにより行った。この接着剤組成物の溶液Dを、剥離ライナーとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ40μmのダイボンド層Dを備えたダイ接着用接着シートを作製した。更に、ダイボンド層Dを実施例1と同様にして作製した粘着フィルムA上の粘着剤層側に転写し、本実施例に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。実施例4アクリル酸エチル-メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマーナガセケムテック株式会社製、商品名;SG-70L100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤0.1部、エポキシ樹脂日本化薬株式会社製、商品名;EPPN-501HY0.2部、フェノール樹脂明和化成株式会社製、商品名:MEH-7800H0.2部、球状シリカが溶媒に分散された溶液C50重量、シランカップリング剤信越化学株式会社製、商品名;KBM-303をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量に対して3部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度13.6重量となる様に調製した。尚、前記シリカ分散溶液Cとしては、平均粒径1μm最大10μmの球状シリカをメチルエチルケトンに60重量部分散させたものを用いた。また、シリカフィラーのダイアタッチフィルム用ワニスへの分散は、3次元回転撹拌羽を備えるミキサープライミクス株製、T.K.ハイビスミックスを用いて撹拌することにより行った。この接着剤組成物の溶液Eを、剥離ライナーとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ40μmのダイボンド層Eを備えたダイ接着用接着シートを作製した。更に、ダイボンド層Eを実施例1と同様にして作製した粘着フィルムA上の粘着剤層側に転写し、本実施例に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。比較例2アクリル酸エチル-メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマーナガセケムテック株式会社製、商品名;SG-70L100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤0.1部、エポキシ樹脂日本化薬株式会社製、商品名;EPPN-501HY0.2部、フェノール樹脂明和化成株式会社製、商品名:MEH-7800H0.2部、球状シリカが溶媒に分散された溶液C30重量、シランカップリング剤信越化学株式会社製、商品名;KBM-303をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量に対して3部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度13.6重量となる様に調製した。尚、前記シリカ分散溶液Cとしては、平均粒径1μm最大10μmの球状シリカをメチルエチルケトンに60重量部分散させたものを用いた。また、シリカフィラーのダイアタッチフィルム用ワニスへの分散は、3次元回転撹拌羽を備えるミキサープライミクス株製、T.K.ハイビスミックスを用いて撹拌することにより行った。この接着剤組成物の溶液Fを、剥離ライナーとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ40μmのダイボンド層Fを備えたダイ接着用接着シートを作製した。更に、ダイボンド層Fを実施例1と同様にして作製した粘着フィルムA上の粘着剤層側に転写し、本実施例に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。比較例3アクリル酸エチル-メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマーナガセケムテック株式会社製、商品名;SG-70L100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤0.1部、エポキシ樹脂日本化薬株式会社製、商品名;EPPN-501HY0.2部、フェノール樹脂明和化成株式会社製、商品名:MEH-7800H0.2部、シランカップリング剤信越化学株式会社製、商品名;KBM-303をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量に対して3部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度13.6重量となる様に調製した。この接着剤組成物の溶液Gを、剥離ライナーとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ40μmのダイボンド層Gを備えたダイ接着用接着シートを作製した。更に、ダイボンド層Gを実施例1と同様にして作製した粘着フィルムA上の粘着剤層側に転写し、本実施例に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。フィラーの平均粒径の測定フィラーの平均粒径の測定は、光度式の粒度分布計HORIBA製、装置名;LA-910を用いて行った。紫外線透過率の測定各実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムの紫外線透過率については、紫外線測定装置を用いて次の通り行った。即ち、先ず、紫外線を照射する光源から3cm離間した距離に於ける紫外線の強度を測定した。次に、光源から同一の距離にダイシングダイボンドフィルムを載置し、その基材側から再び紫外線を照射して粘着剤層及びダイボンド層を透過した紫外線の強度を再び測定した。尚、紫外線を照射する光源としては、UVランプ高圧水銀灯、ウシオ電機株製を用いた。また、紫外線の照射量は、1500mJとした。更に、照射した紫外線の波長域は、主に294、365nmを主波長として280~380nmに設定した。評価前記実施例及び比較例に於けるそれぞれのダイシングダイボンドフィルムのダイボンド層上に、不揮発性半導体メモリーEPROMを貼り合わせ、支持基材としてのポリエチレンフィルム側から紫外線を照射した。紫外線の照射条件は、紫外線透過率を測定した場合と同様にした。照射後、EPROMのデバイス特性に対する紫外線照射の影響を確認した。結果を下記表1に示す。EPROMのデバイス特性に対する影響の評価は、紫外線照射後のEPROMの記憶データが消去されていない場合を○、消去されている場合を×として行った。また、紫外線の照射後に於ける粘着剤層とダイボンド層との剥離性についても調べた。その結果を同表に示す。表1に於ける剥離性の評価は、剥離できた場合を○、剥離できなかった場合を×とした。"