イオン注入システムにおいて微粒子の混入を低減する方法であって、イオン源と、質量分析器の流出口に近接して配置された分解口と、上記分解口の下流に配置された減速抑制板と、被加工物にイオンが注入される間、上記被加工物を支持するよう設計されたエンドステーションとを備えたイオン注入システムを用意する工程と、上記イオン源を用いてイオンビームを形成する工程と、上記イオンビームから電子を選択的に分離して上記イオンビームを集束させるために、上記減速抑制板に減速抑制電圧を印加する工程と、上記エンドステーションと外部環境との間で上記被加工物を移動させる工程と、上記イオンビームの高さ、および/または幅を拡張および収縮させて、上記分解口の1つ以上の表面に上記拡張および収縮させたイオンビームを照射し、上記1つ以上の表面に残留した、すでに堆積された材料が後に被加工物に混入することを概ね緩和するために、上記被加工物の移動と概ね同時に、上記減速抑制電圧を調整する工程とを含むことを特徴とする方法。上記減速抑制電圧は、上記イオンビームからの電子の除去および上記イオンビームの集束の両方に影響を及ぼし、上記イオンビームに印加された上記減速抑制電圧を調整することにより、様々な減速抑制電圧において、上記イオンビームの正味の高さ、および/または幅の調整がなされることを特徴とする、請求項1に記載の方法。上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記減速抑制電圧を0ボルトから動作抑制電圧までの間で変化させる工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記減速抑制電圧を1つ以上の周期にて、周期的に変化させる工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記分解口の上流の上記イオンビームには概ね影響を及ぼさないことを特徴とする、請求項1に記載の方法。少なくとも上記分解口の上記1つ以上の表面は、選択可能な分解口の少なくとも前面および側面を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。上記被加工物を上記エンドステーションと外部環境との間で移動させる工程が要する時間は、約3秒未満であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。上記イオン注入システムは、さらにプラズマ電子フラッド容器を備えており、上記プラズマ電子フラッド容器の少なくとも1つ以上の表面に、上記拡張および収縮されたイオンビームを照射することで、該表面に残留した、すでに堆積された材料を概ね除去することを特徴とする、請求項1に記載の方法。上記すでに堆積された材料は、上記プラズマ電子フラッド容器にある1つ以上の開口から落下することを特徴とする、請求項8に記載の方法。上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記1つ以上の表面から、上記すでに堆積された材料を概ね除去することを特徴とする、請求項1に記載の方法。上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記1つ以上の表面に対する、上記すでに堆積された材料の付着力を概ね増加させることを特徴とする、請求項1に記載の方法。イオン注入システムにおいて微粒子の混入を低減する方法であって、イオン源と、質量分析器と、上記質量分析器の流出口に近接して配置された分解口と、上記分解口の下流に配置された減速抑制板と、エンドステーションとを備えたイオン注入システムを用意する工程と、上記イオン源を用いてイオンビームを形成する工程と、外部環境から上記エンドステーションへ被加工物を移動させる工程と、上記イオンビームが上記被加工物に照射される前に、上記イオンビームから電子を概ね分離させるために、上記減速抑制板に減速抑制電圧を印加する工程と、上記イオンビームから減速されたイオンを上記被加工物に注入する工程と、上記被加工物を上記エンドステーションから上記外部環境へ移動させる工程と、上記イオンビームを拡張および収縮させて、上記分解口の1つ以上の表面、および/または上記分解口の下流に位置する1つ以上の部材に、上記拡張および収縮させたイオンビームを照射し、上記1つ以上の表面に残留した、すでに堆積された材料が後に被加工物に混入することを概ね緩和するために、上記被加工物の上記エンドステーション内外への移動と同時に、上記減速抑制電圧を調整する工程とを含むことを特徴とする方法。上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記減速抑制電圧を0ボルトから動作抑制電圧までの間で変化させる工程を含むことを特徴とする、請求項12に記載の方法。上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記減速抑制電圧を1つ以上の周期にて、周期的に変化させる工程を含むことを特徴とする、請求項12に記載の方法。上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記1つ以上の表面から、上記すでに堆積された材料を概ね除去することを特徴とする、請求項12に記載の方法。上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記1つ以上の表面に対する、上記すでに堆積された材料の付着力を概ね増加させることを特徴とする、請求項12に記載の方法。上記被加工物を上記エンドステーションと上記外部環境との間で移動させる工程が要する時間は、約3秒未満であることを特徴とする、請求項12に記載の方法。上記分解口の下流に位置する1つ以上の部材は、さらにプラズマ電子フラッド容器を備えており、上記プラズマ電子フラッド容器の少なくとも1つ以上の表面に、上記拡張および収縮されたイオンビームを照射することで、該表面に残留した、すでに堆積された材料を概ね除去することを特徴とする、請求項12に記載の方法。被加工物にイオンを注入する間における微粒子の混入を低減するシステムであって、イオンビームを形成するよう設計されたイオン注入システムと、減速抑制板に連結された操作可能な減速抑制電圧源と、上記被加工物をエンドステーションと外部環境との間で移動させるよう設計された移動機構と、制御部とを備えており、上記イオン注入システムは、イオン源と、質量分析器の流出口に近接して配置された分解口と、上記分解口の下流に配置された減速抑制板と、減速抑制電圧源と、上記イオンビームによって上記被加工物にイオンが注入される間、被加工物を支持するよう設計されたエンドステーションとを有しており、上記減速抑制板に印可された所定の減速抑制電圧は、上記減速抑制電圧に基づき上記イオンビームから電子を分離するために操作可能であり、上記制御部は、上記被加工物の移動と概ね同時に、上記減速抑制電圧を所定の低電圧から上記所定の減速抑制電圧までの間で調整するよう設計されており、これにより、上記イオンビームを拡張および収縮させ、少なくとも上記分解口の1つ以上の表面に、上記拡張および収縮させたイオンビームを照射し、上記1つ以上の表面に残留した、すでに堆積された材料が被加工物に混入することを概ね緩和することを特徴とするシステム。上記制御部は、上記エンドステーションと上記外部環境との間の上記被加工物の移動と概ね同時に、上記減速抑制電圧を0ボルトから上記所定の減速抑制電圧までの間で選択的に調整することを特徴とする、請求項19に記載のシステム。