"表面にグラフェン酸化物層が積層された導電性基材を、有機溶媒及び支持電解質を含有する電解液中に浸漬し、前記導電性基材の電位を負側に印加して、グラフェン酸化物を電気化学還元する、ことを特徴とするグラフェンの製造方法。導電性基材が、酸化インジウム錫又はフッ素ドープされた酸化インジウム錫からなる金属酸化物電極或いは金、銀、銅又はアルミニウムからなる導電性金属である、ことを特徴とする請求項1記載のグラフェンの製造方法。有機溶媒が、炭酸プロピレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アニリン又はこれらの混合溶媒である、ことを特徴とする請求項1又は2記載のグラフェンの製造方法。前記支持電解質が、テトラフルオロ硼酸テトラエチルアンモニウム、テトラフルオロ硼酸テトラブチルアンモニウム、過塩素酸テトラエチルアンモニウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム又はこれらの混合物である、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のグラフェンの製造方法。グラフェン酸化物の水分散液に導電性微粒子を分散させ、前記水分散液を基材上に被覆させた後に水分を除去してグラフェン酸化物層が形成された前記導電性基材を用いる、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のグラフェンの製造方法。しかしながら、特許文献1の化学還元法では、還元性の高いヒドラジン等の還元剤を使用するため安全性に難がある。また、グラフェンを製造した後に、残存する還元剤を処理する必要があり、後処理が困難で製造コストが高くなる。また、特許文献2の熱還元法では、水分散液を200°Cと高温に加熱する必要があり、オートクレーブ、高圧チャンバー等の装置が必要となる。したがって、製造が困難であるとともに、製造コストが高くなる。本発明は上記事項に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、安全に、容易に且つ安価に製造できるグラフェンの製造方法を提供することにある。本発明に係るグラフェンの製造方法は、表面にグラフェン酸化物層が積層された導電性基材を、有機溶媒及び支持電解質を含有する電解液中に浸漬し、前記導電性基材の電位を負側に印加して、グラフェン酸化物を電気化学還元する、ことを特徴とする。また、導電性基材が、酸化インジウム錫又はフッ素ドープされた酸化インジウム錫からなる金属酸化物電極或いは金、銀、銅又はアルミニウムからなる導電性金属であることが好ましい。また、有機溶媒が、炭酸プロピレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アニリン又はこれらの混合溶媒であることが好ましい。また、前記支持電解質が、テトラフルオロ硼酸テトラエチルアンモニウム、テトラフルオロ硼酸テトラブチルアンモニウム、過塩素酸テトラエチルアンモニウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム又はこれらの混合物であることが好ましい。また、グラフェン酸化物の水分散液に導電性微粒子を分散させ、前記水分散液を基材上に被覆させた後に水分を除去してグラフェン酸化物層が形成された前記導電性基材を用いてもよい。本発明に係るグラフェンの製造方法では、グラフェン酸化物を低電圧で容易に還元することができ、グラフェンを安全、容易且つ安価に製造できる。また、得られたグラフェンは優れた導電性を有し、且つ、比表面積が大きいので、表面に積層されている導電性基材を電極として好適に使用でき、特に、EDLCの電極として好適に使用できる。本実施の形態に係るグラフェンの製造方法は、表面にグラフェン酸化物GrapheneOxide、以下、GOとも記す層が積層された導電性基材を、有機溶媒及び支持電解質を含有する電解液中に浸漬する。そして、導電性基材の電位を負側に印加して、グラフェン酸化物を電気化学還元することにより、グラフェンを得る。グラフェン酸化物とは、グラファイトの酸化物である。GOの製造方法は特に限定されず、一般に、グラファイトに水中で過マンガン酸カリウム、硫酸等の強力な酸化剤を作用させると、グラファイトの各層の表面の炭素が酸化され、表面に酸素を含む置換基カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシド等を有するGOが得られる。GOはこれらの置換基の存在によって親水性を示し、水中で剥離されて分散し、単層のGOの水分散液が得られる。更に、酸化処理と同時又は酸化処理後に超音波処理することにより、GOはより均一に単層のGOに剥離し、水分散液中にて長期間、安定に分散する。導電性基材は、導電性を有する基材であればよく、例えば、酸化インジウム錫ITO電極、フッ素ドープされた酸化インジウム錫FTO電極等の金属酸化物電極や金、銀、銅、アルミニウム等の導電性金属の箔状物、板状物、棒状物、管状物等があげられる。上記導電性基材の表面にGO層が積層されているが、導電性基材表面にGO層を積層する方法は、従来公知の任意の方法が採用されればよく、例えば、上記GOの水分散液を導電性基材に塗布して導電性基材表面にGOの水分散液層を形成した後、水を蒸発させてGO層を積層する方法があげられる。なお、GO層にGOを製造する際に使用した酸化剤等が残存していると、GOの電気化学還元が困難になったり、得られた還元物グラフェンの導電性が小さくなったりするおそれがある。このため、酸化剤等は除去されていることが好ましい。従って、GOの水分散液を濾過し、濾過物濾過されたGOを過剰の水や塩酸で洗浄するのが好ましく、洗浄された濾過物を再度水に分散し、得られた水分散液を用いて、上述の通り、導電性基材表面にGO層を積層するのが好ましい。上記GO層はGOの単層でもよいし、複数のGOが積層された、例えば2~200層のGOが積層された層であってもよい。上記電解液は有機溶媒と支持電解質よりなり、支持電解質は有機溶媒に溶解され、有機溶媒に導電性を付与している。有機溶媒は、GOが再分散せず、電気化学的に還元されにくく、室温において大気中で安定な有機溶媒が好ましく、例えば、炭酸プロピレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル及びこれらの混合溶媒等が挙げられる。上記支持電解質は、有機溶媒に溶解しうる電解質であって、電気化学的に還元されにくい電解質が好ましく、例えば、テトラフルオロ硼酸テトラエチルアンモニウム、テトラフルオロ硼酸テトラブチルアンモニウム、過塩素酸テトラエチルアンモニウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム及びこれらの混合物が好ましい。又、支持電解質の濃度は特に限定されないが、一般に、有機溶媒に対し、1mM~1Mである。本実施の形態においては、上記表面にGO層が積層された導電性基材を電解液中に浸漬し、該導電性基材の電位を負側に印加して、GOを電気化学還元することにより、グラフェンを製造する。電気化学還元は二電極系で行なってもよいし、三電極系で行なってもよい。この際、導電性基材を作用電極とし、二電極系の場合は対極との間に、三電極系の場合は基準電極との間に電位を負側に印加する。印加条件は、特に限定されないが、一般に0~-10Vの電位を1分~24時間印加することにより、GOは容易に還元されグラフェンになる。導電性基材の表面に積層されたGOが還元されてグラフェンになるので、導電性基材から剥離することによりグラフェンの層状物シートが得られる。また、得られた表面にグラフェン層が積層された導電性基材はそのまま電極として使用することができる。特に、グラフェン層は比表面積が大きく、電気伝導性が高く、且つ、電解液に対して電気化学的に安定なのでEDLCの電極として好適に使用することができる。また、上記でGOの水分散液を用い、導電性基材表面にGO層を積層する方法について説明したが、この水分散液に導電性微粒子を加えて互いに十分に分散させたGOの水分散液を調製して用いてもよい。この導電性微粒子が分散した水分散液を導電性基板上に塗布等により被覆して、水を蒸発等により除去することでGOが積層された導電性基板が得られる。用いる導電性微粒子は、50~500nmの粒径であることが好ましい。導電性微粒子が分散した水分散液を用いると、GO同士の間に導電性微粒子が介在することになるので、この導電性基板を還元して得られるグラフェン層では、グラフェン同士の当接が抑制され、一層ずつ離間した形態をとりやすい。したがって、グラフェン層におけるグラフェンの比表面積がより大きくなる。このため、EDLCの電極として使用する場合、蓄電容量が高くなり、好適に使用できる。次に、本発明の実施例を説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。グラフェン酸化物水分散液の調製磁気攪拌子が挿入されている200mlナスフラスコに天然グラファイトSECカーボン社製、SNO-102gと硫酸50mlを供給し、水冷下で攪拌しながら過マンガン酸カリウム7gを1時間かけて少しずつ添加した。添加後、35°Cに保ち、2時間攪拌した。その後、氷冷し、イオン交換水110mlを添加して希釈し、更に、反応液から気体が発生しなくなるまで過酸化水素水30wtを添加して、明るい茶色の反応液を得た。得られた反応液をブフナー漏斗で濾取し、濾過物を過剰の塩酸水イオン交換水/塩酸=9、体積比で3回洗浄し、更に、過剰のイオン交換水で1回洗浄した。その後、濾過物を濾紙から剥離し、60°Cの真空乾燥機で2日間乾燥してGOを得た。イオン交換水100mlに得られたGO0.2gを攪拌しながら添加した後、1時間超音波洗浄処理して茶色のGO水分散液を得た。GO水分散液のpHは3.5であった。基材へのグラフェン酸化物層の積層得られたGO水分散液0.05mlをFTOガラス上にキャストし、40°Cで3時間乾燥して、FTOガラス上に0.1mgのGO層を積層した。GO層の面積は1.5cm2であり、茶色であった。電位走査法による電流-電位曲線の測定図1に示した三電極系で電流-電位曲線を測定した。図中1は反応槽であり、ガラスフィルター2,2’により三槽に区切られ、各槽に基準電極3、作用電極4及び対極5が設置されている。基準電極3、作用電極4及び対極5はポテンショスタット6に電気的に接続され、ポテンショスタット6はX-Yレコーダ理研電子社製、商品名F-577に電気的に接続されている。又、反応槽1には電解液8が注入されている。基準電極3として銀/銀イオン電極10mM過塩素酸銀、作用電極4としてGO層が積層されたFTOガラス及び対極5として白金ワイヤーを使用し、電解液8としては有機溶媒である炭酸プロピレンと支持電解質であるテトラフルオロ硼酸テトラエチルアンモニウム濃度;1Mの混合液を使用した。作用電極4であるFTOガラスをGO層が電解液に漬かるように設置し、基準電極3に対して作用電極4の電位を負側に50mVs-1で掃引した電位走査法。得られた電流-電位曲線を図2に示した。又、比較のために、作用電極4としてGO層が積層されていないFTOガラスを使用し、上記と同様にして基準電極3に対して作用電極4の電位を負側に50mVs-1で掃引した。得られた電流-電位曲線を図2に示した。図2中、21がGOを塗布したFTO電極の電流-電位曲線、22がGOを塗布していないFTO電極の電流-電位曲線である。電流-電位曲線21の場合は、電流-電位曲線22に比べて、より正の位置で還元電流が観察されることから、GOが電気化学的に還元されていることがわかる。又、GOが積層されたFTOガラスでは、電位が負になるにつれてGO層の色が茶色から黒色へ変化するのが観察された。電位ステップ法によるグラフェン酸化物の電気化学還元上記測定装置において、基準電極3に対してGO層を積層したFTOガラスを作用電極4に用いて、作用電極4の電位を0Vから-2.8Vにステップさせ、-2.8Vの定電位条件下で電気化学還元を約100分間行った。得られた還元時間と電流の関係を図3に示した。時間の経過と共にGOの還元による電流は増加しその後減少した。GO層は還元の前後で茶色から黒色に色変化が観測された。得られた還元層還元されたGO層と比較のために天然グラファイトSECカーボン社製、SNO-10及びGOの赤外吸収スペクトルを測定し、結果を図4に示した。図4中、41が還元されたGO層の、42が天然グラファイトの、43がGOの赤外吸収スペクトルである。還元層は天然グラファイトと同様に顕著な赤外吸収はなく、GOの還元物であるグラフェンであることが証明される。また、還元前のGO層及び還元層の走査電子顕微鏡写真を図5に示した。図5Aが還元前のGO層であり、図5Bが還元層である。電気化学還元前後で表面形状に大差ないことがわかる。更に、還元前のGO層及び還元層のX線光電子分光スペクトルを測定し、結果を図6に示した。図6Aが還元前のGO層のX線光電子分光スペクトルであり、図6Bが還元層のX線光電子分光スペクトルである。287eV付近のピークは酸素原子と結合した炭素原子に由来するものであるが図6A参照、還元層においては287eV付近のピークが大きく減少していることがわかり図6B参照、GOがグラフェンに還元されていることが証明されている。上記グラフェン酸化物の電気化学還元の終了後、そのままの状態で作用電極に積層されている得られた還元層還元されたGO層の電流-電位特性を、電位走査速度を1mVs-1、5mVs-1、50mVs-1、100mVs-1、200mVs-1及び500mVs-1と変えて測定した。電位走査速度が500mVs-1の際の電流-電位特性を図7に示した。又、得られた電流-電位特性から計算した、還元層還元されたGO層の比静電容量の値を電位走査速度の関数として図8に示した。図8中、81が還元層還元されたGO層の比静電容量であり、82がGOを化学還元することにより得られたグラフェンを使用して測定した比静電容量である。いずれの電位走査速度においても、化学還元により得られたグラフェンの方が高い比静電容量を示した。なお、上記化学還元により得られたグラフェンを使用して比静電容量を測定する際のグラフェンの製造方法及び電流-電位特性の測定方法は以下の通りである。上記のようにして得られたGO水分散液100mlにヒドラジン一水和物1mlを添加し100°Cで24時間加熱処理した。その後、吸引濾過を行い、濾過物を過剰の蒸留水及びエタノールで充分に洗浄した。得られたGOの還元体を60°Cで1時間乾燥し、グラフェンの粉末を得た。得られた粉末を加圧成型機で加圧して厚さ数十μm、直径5mmの円盤状の成形体を得た。得られた成形体を作用電極として使用し、上記と同様にして電流-電位特性を測定した。"