複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記複数の荷電粒子線をブランキングするためのブランキング偏向器アレイと、前記ブランキングのために前記ブランキング偏向器アレイにより偏向された荷電粒子線を遮断するアパーチャアレイと、前記ブランキング偏向器アレイまたは前記アパーチャアレイの開口を、荷電粒子線を遮蔽する遮蔽物で封止する封止機構と、を有することを特徴とする描画装置。前記基板を保持して可動の基板保持部と、ブランキングできない荷電粒子線に対応した前記開口を前記遮蔽物で封止するように前記封止機構の動作を制御し、かつ、前記遮蔽物で遮蔽された荷電粒子線の替わりに、ブランキングできる荷電粒子線で描画を行うように、前記基板保持部の駆動を制御する制御部と、を有することを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記遮蔽物は、球状の物体である、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記遮蔽物は、接着剤である、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記封止機構は、マニピュレータを含む、ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の描画装置。前記マニピュレータは、摩擦力、静電気力、または毛管力の少なくとも1つにより前記遮蔽物を保持するエンドエフェクタを有する、ことを特徴とする請求項5に記載の描画装置。前記封止機構は、接着剤により前記遮蔽物を前記開口に接着する、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記封止機構は、前記遮蔽物を溶融して前記開口を封止する、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記開口は、鉛直下方に荷電粒子線を通過させ、その上方の内径は、その下方の内径より大きく、前記封止機構は、前記開口の上方から前記遮蔽物を前記開口に載置する、ことを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載の描画装置。複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画方法であって、前記複数の荷電粒子線をブランキングするためのブランキング偏向器アレイ、または、前記ブランキングのために前記ブランキング偏向器アレイにより偏向された荷電粒子線を遮断するアパーチャアレイの、ブランキングできない荷電粒子線に対応した開口を、荷電粒子線を遮蔽する遮蔽物で封止し、前記遮蔽物で遮蔽された荷電粒子線の替わりに、ブランキングできる荷電粒子線で描画を行うように、前記基板を移動させる、ことを特徴とする描画方法。請求項1ないし9のいずれか1項に記載の描画装置または請求項10に記載の描画方法を用いて基板に描画を行う工程と、前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。ここで、常時遮蔽状態となるビームに対する特許文献1の構成によれば、スループットへの影響はあるものの、装置の停止を回避することができる。他方、常時通過状態となる電子ビームに対する特許文献2にの構成は、シャッタ機構の追加により装置構成が複雑化するとともに、常時通過状態となる電子ビームの周囲に位置する正常な電子ビームも遮断されてしまうため、好ましくない。よって、近年の線幅の微細化に伴って高密度マルチビーム化が進行するほど、常時通過状態となるブランキングできない電子ビームへの対策が特に要求される。本発明は、例えば、ブランキングできない荷電粒子線の遮蔽に有利な描画装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、複数の荷電粒子線をブランキングするためのブランキング偏向器アレイと、ブランキングのためにブランキング偏向器アレイにより偏向された荷電粒子線を遮断するアパーチャアレイと、ブランキング偏向器アレイまたはアパーチャアレイの開口を、荷電粒子線を遮蔽する遮蔽物で封止する封止機構と、を有することを特徴とする。本発明によれば、例えば、ブランキングできない荷電粒子線の遮蔽に有利な描画装置を提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。まず、本発明の一実施形態に係る荷電粒子線描画装置以下描画装置というについて説明する。特に、本実施形態の描画装置は、複数の電子ビーム荷電粒子線を偏向走査させ、かつ、各電子ビームのブランキング照射のOFFを個別に制御することで、所定の描画データを被処理基板の所定の位置に描画するマルチ方式を採用した描画装置である。ここで、荷電粒子線は、本実施形態のような電子線に限定されず、イオン線イオンビームなどの他の荷電粒子線であってもよい。図1は、本実施形態に係る描画装置1の構成を示す概略図である。なお、以下の各図では、被処理基板基板に対する電子ビームの放射方向にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取っている。この描画装置1は、電子源2と、電子光学系4と、基板3を保持する基板ステージ5と、封止機構6と、制御部7とを備える。なお、基板3は、例えば単結晶シリコンからなるウエハであり、表面上には感光性のレジストが塗布される。電子源荷電粒子線源2は、熱や電界の印加により電子ビーム8を放出する。なお、電子源2は、単一の荷電粒子線源として、後述する分割アパーチャアレイ9により複数の電子ビームに分割するものでもよいし、または複数の荷電粒子線源を含むものでもよい。電子光学系4は、電子源2から放出された電子ビーム8を適宜、偏向および結像させて基板3上に導く。この電子光学系4は、主構成として、分割アパーチャアレイ9と、ブランキング偏向器アレイ10と、ストッピングアパーチャアレイ11とを含む。分割アパーチャアレイ9は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有する開口部材であり、その上流側に設置されるコリメーターレンズ不図示を介してほぼ垂直に入射した電子ビームを複数の電子ビーム8に分割する。ブランキング偏向器アレイ10は、マトリクス状に配置された複数のブランキング偏向器を含み、各電子ビーム8の照射のON通過状態/OFF遮蔽状態動作を個別に実施する。ストッピングアパーチャアレイ以下アパーチャアレイという11は、ブランキング偏向器を通過して静電レンズ不図示により集束された電子ビーム8のうち、偏向されたもの8bを遮断し、偏向されないもの8aを基板3に向かい通過させる。その他、電子光学系4は、電子ビーム8のビーム径を収束させる数種類の静電レンズアレイや、所望の電子ビーム8を走査させて位置を補正する偏向器アレイなども含み得る。なお、以下の説明では、アパーチャを、上記のようなそれぞれ機能の異なるアレイ部に構成された、電子ビーム8が通過し得る開口貫通孔の総称として使用する。この場合、アパーチャは、複数の電子ビーム8を1つの単位としたビームレットに対して一括して作用するものであってもよい。基板ステージ基板保持部5は、基板3を例えば静電吸着により載置および保持しつつ、少なくともXY軸の2軸方向に可動とする。さらに、電子ビーム8は、大気圧雰囲気ではすぐに減衰する。また、高電圧による放電の防止も必要である。そこで、制御部7を除く上記構成要素は、真空排気系により内部圧力真空圧が調整される2つの真空容器第1真空容器12または第2真空容器13の内部に収容される。封止機構6は、電子光学系4が設置された第1真空容器12に連設され、ONビーム欠陥の対策として、例えばアパーチャアレイ11の複数のアパーチャ11aのうちのいずれかに対して遮蔽物20を供給載置する。ここで、ビーム欠陥とは、例えばブランキング偏向器アレイ10またはアパーチャアレイ11のいずれかの動作不良に起因して、電子ビーム8の制御が不能ブランキングができないとなる部分が生じることをいう。特に、ONビーム欠陥とは、各ブランキング偏向器への動作指令にかかわらず、ある電子ビーム8が常時通過状態となるビーム欠陥をいい、一方、OFFビーム欠陥とは、ある電子ビーム8が常時遮蔽状態となるビーム欠陥をいう。また、遮蔽物20は、ONビーム欠陥が発生している部分のアパーチャ11aを電子ビーム8が通過しないように封止する物体である。したがって、遮蔽物20の材質や大きさなどは、アパーチャ11aの形状により決定されることになるが、この遮蔽物20の詳細については、後述する。図2は、封止機構6として採用し得るマニピュレータ装置30の構成を示す概略図である。このマニピュレータ装置30は、遮蔽物20を保持するエンドエフェクタ31と、このエンドエフェクタ31をアパーチャアレイ11の所望のアパーチャ11aの近傍に位置決め搬送可能な自由度を有するアーム32とを有する。ここで、エンドエフェクタ31の位置決め精度は、アパーチャアレイ11に設置されている複数のアパーチャ11aの配置間隔アレイピッチの1/10以下とすることが望ましい。例えば、本実施形態では、アレイピッチを数百μm以下と想定しているので、位置決め精度は、数十μm以下とすることが望ましい。これは、エンコーダ、レーザ干渉計、レーザ変位計、または静電容量センサなど既存の位置計測センサによる計測値とそのフィードバック制御で十分対応可能な値である。なお、図2に示すマニピュレータ装置30では、アーム32は、一例としてアパーチャアレイ11の側方からターゲットとなるアパーチャ11aに向けて延び、2つの回転アクチュエータ2自由度関節で駆動されるものとしている。ただし、アーム32の構成は、これに限定されるものではなく、より冗長な自由度を有する構成としてもよいし、または直動アクチュエータにより自由度を生成する構成してもよい。この構成によれば、例えば、遮蔽物20を載置するときに電子光学系4の真空度の変更および描画時間の停止に要する時間を最小化することができるため、装置稼働率の向上に有利となる。図3は、エンドエフェクタ31による遮蔽物20の保持方式の例を示す概略図である。電子光学系4と封止機構6とは、上述のとおり真空中に設置されているため、エンドエフェクタ31は、図3aから図3cにそれぞれ示すような摩擦力、静電気力、毛管力の少なくとも1つにより遮蔽物20を保持し得る。エンドエフェクタ31が、図3aに示す摩擦力により遮蔽物20を保持する場合には、アーム32の駆動によりターゲットとなるアパーチャ11aの上部に十分近接した状態で摩擦力を解放させることで遮蔽物20を載置できる。または、このときアパーチャ11aに遮蔽物20を接触させた状態で摩擦力を解放してもよい。また、エンドエフェクタ31が、図3bに示す静電気力により遮蔽物20を保持する場合には、電位の印加により遮蔽物20を吸着しつつ搬送し、アパーチャ11aの上部に十分近接した状態で吸着を解除することで遮蔽物20を載置できる。さらに、エンドエフェクタ31が、図3cに示す液体33による毛管力により遮蔽物20を保持する場合には、アパーチャ11aに遮蔽物20が接触した状態で保持位置をずらし、液体33との界面を分離させることで遮蔽物20を載置できる。または、このとき液体33を加熱して気化させることで遮蔽物20を分離させてもよい。なお、上記の保持方式の説明では、保持する遮蔽物20を1つとしているが、エンドエフェクタ31は、複数の遮蔽物20を同時に保持するような構成を有していてもよい。さらに、制御部7は、例えばコンピュータなどで構成され、描画装置1の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどに従って各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部7は、少なくともONビーム欠陥の判定と、その補修に伴う封止機構6の動作とを制御する。なお、制御部7は、描画装置1の他の部分と一体で共通の筐体内に構成してもよいし、描画装置1の他の部分とは別体で別の筐体内に構成してもよい。次に、ビーム欠陥が発生した場合の描画装置1の動作について説明する。正常動作であれば、電子源2から放出され、基板3に対して照射する電子ビーム8は、ブランキング偏向器アレイ10のブランキング偏向器のOFFによりその間を直進し、下流側のアパーチャアレイ11のアパーチャ11aをそのまま通過して基板3上に到達する。一方、電子源2から放出され、基板3に対して照射しない電子ビーム8は、ブランキング偏向器のONにより偏向され、アパーチャアレイ11上のアパーチャ11aの周囲で遮蔽されるため、基板3上には到達しない。しかしながら、上記のとおり動作不良に起因して、ある電子ビーム8のON/OFF制御が不能となるビーム欠陥が発生する場合があり、特に、常時通過状態となるONビーム欠陥の対策が必要である。そこで、本実施形態の描画装置1は、以下のような工程を実施する。図4は、描画装置1によるビーム欠陥の修復の流れを説明図とともに示すフローチャートである。まず、制御部7は、ONビーム欠陥が発生している場合には、その発生場所がアパーチャアレイ11におけるどのアパーチャ11aに対応している部分かを特定する欠陥部特定工程:ステップS100。ここでの特定方法としては、まず、制御部7は、電子源2から電子ビーム8を放出させた状態で、ブランキング偏向器アレイ10にある全てのブランキング偏向器に対して照射のOFF指令を送信するステップS100a。このとき、各ブランキング偏向器は、全てOFF指令を受信しているので、全ての電子ビーム8は、正常動作をしていれば描画面上基板3上に照射されない図1中のOFFビーム8bとなっている。これに対して、ある電子ビーム8が描画面上にて検出されればステップS100b、制御部7は、それに対応した場所でONビーム欠陥が発生していると特定できるステップS100c。ここで、制御部7は、ONビーム欠陥の発生場所を特定したら、次のステップS101に移行する。なお、制御部7によるONビーム欠陥が発生しているかどうかの判断自体は、例えば、通常の描画処理とは別に上記工程を実施することで判断してもよいし、基板3に対する通常描画と合わせ、常時、ONビーム欠陥が発生しているかどうかを判断してもよい。次に、制御部7は、封止機構6により、ステップS100にて特定したONビーム欠陥が発生している場所に対応したアパーチャ11aに、遮蔽物20を載置するステップS101。ここで、遮蔽物20は、電子荷電粒子を表面または内部で吸収することが望ましい。例えば、遮蔽物20内に電子が蓄積すると、その電子により形成された電場が、隣設する電子ビーム8の光学特性に影響を及ぼす可能性がある。したがって、遮蔽物20の材質は、電子を蓄積することなく外部へ放出しやすいように、導電性を有することが望ましい。この遮蔽物20の材質としては、例えば、高融点金属であり、アパーチャアレイ11の材質としても一般的なモリブデンが好適である。または、遮蔽物20は、複数の材質から構成される物体や、絶縁性物質の表面に導電性物質をコーティングした物体でもよい。この遮蔽物20が載置されるアパーチャ11aの形状は、電子光学設計により決定されるべきものである。しかしながら、アパーチャ11aの開口サイズが小さいほど、対応する遮蔽物20のサイズも小さくなり、遮蔽物20のノミナル形状に対する寸法交差が厳しくなる。そこで、アパーチャ11aの任意形状および遮蔽物20の外形形状交差によることなく、載置の容易性や接触性を維持するために、遮蔽物20のノミナル外形形状は、図5に示すように球状略球状が望ましい。さらに、電子光学設計上、アパーチャ11aの開口サイズに余裕がある場合には、鉛直下方に電子ビーム8を通過させるとすると、その上方の内径は、下方の内径よりも大きくなるように形成しておくことが望ましい。これにより、遮蔽物20の載置の容易性や載置後の位置安定性を高めることができる。図6は、アパーチャアレイ11におけるアパーチャ11aの封止領域遮蔽物載置領域の形状アパーチャピット形状の形成例を示す概略断面図である。図6aから図6eまでの各図に示すように、アパーチャ11aの側面形状としては、曲面状、テーパ状、段差状、あるいはそれらの組み合わせとすることができる。なお、アパーチャ11aをこのような形状に形成する方法としては、本発明では特に限定しないが、例えば単結晶シリコン基板やSOISilicononInsulator基板の異方性エッチングで製作することができる。一方、アパーチャ11aの開口サイズは、上記のとおり限定しないものの、高密度マルチビーム化の実現のためには、必然的に数百μm以下の大きさとなり、より高解像力を得る上では、数μm以下の大きさを要する場合もある。そこで、このようにアパーチャ11aの開口サイズが小さい場合には、上記遮蔽物20に換えて、液体からなる第2の遮蔽物21を採用することもあり得る。図7は、第2の遮蔽物21とその滴下状態とを示す概略図である。この図7に示すように、塗布機構液滴吐出ノズル34からターゲットであるアパーチャ11aに対して、第2の遮蔽物21である液体例えば接着剤の液滴を滴下し硬化させることで、遮蔽を実施してもよい。この液体の滴下は、既存のインクジェット装置などで実施可能である。ここまで、遮蔽物20の載置について説明したが、この遮蔽物20は、アパーチャ11aに載置された後、アパーチャ11aとの電気的接触性、熱的接触性、または位置安定性のために、アパーチャ11aに対して固定することがより望ましい。この固定する方法としては、例えば、図8に示すように、遮蔽物20の載置の前に、封止機構6を構成する塗布機構35により予め遮蔽物20の表面または載置したいアパーチャ11aの縁に接着剤36を塗布しておき、載置後に硬化させる方法がある。このとき適用し得る接着剤36としては、例えば、銀を含有するエポキシ系接着剤が好適である。一方、遮蔽物20を固定するもう一つの方法として、封止機構6を構成する加熱機構により載置後の遮蔽物20を加熱、溶融させる、すなわちリフローにより、ターゲットとなるアパーチャ11aを遮蔽してもよい。例えば、一般に電子デバイスの裏面にボールグリッドアレイを配置してフリップチップボンディングにより給電する方法が存在する。この方法に用いられる直径数百μm以下のはんだボールを遮蔽物20として採用することは、十分に可能である。このとき、遮蔽物20としてのはんだボールの加熱には、照射エネルギを増加させた電子ビーム8を用いたり、またはアパーチャ11aを直接加熱する機構を設置して実施したりすることができる。ただし、電子光学系4を構成する静電レンズアレイなどにおける、絶対値で数kV以上の高電圧を印加するアパーチャに対しては、はんだのような低融点の材料は、放電を誘発する可能性もあるため、その対策は必要となる。ステップS101の終了後、封止機構6により補修されたアパーチャ11aは、常時遮蔽状態となる。そこで、制御部7は、このアパーチャ11aで本来描画すべき領域に対しては、基板ステージ5の移動と、別の正常に動作する電子ビーム8の制御とを連動させることで、替わりの描画代替描画を実施させるステップS102。なお、このアパーチャ11aでの状態は、OFFビーム欠陥が発生している状態と同一である。すなわち、上記説明では、ONビーム欠陥への対策としてきたが、当初からOFFビーム欠陥が発生している場合には、制御部7は、このステップS102での処理を実行すればよい。このように、描画装置1は、特にONビーム欠陥が発生した場合に、そのビーム欠陥に対応する部分のみを、簡単な機構で、かつ短時間で修復させることができる。さらに、上記のような遮蔽物を用いる方法は、載置対象となるアパーチャ11aの形状やサイズを限定しないため、装置への適応性に優れている。なお、上記の説明では、遮蔽物20による修復の対象をアパーチャアレイ11としたが、これは、アパーチャを有し、電子光学系4を構成するアレイ部の中でも機能が簡素な機構であるため最も適しているためである。ただし、遮蔽物20による修復の対象は、アパーチャアレイ11におけるアパーチャ11aに限らず、他のアレイ部に存在するアパーチャとしてもよい。以上のように、本実施形態によれば、例えば、ブランキングできない電子ビーム8の遮蔽に有利な描画装置1を提供することができる。なお、上記描画装置1による修復は、修復時の装置の停止時間を最小化するなどの観点から好適であるが、例えば、修復の容易性の観点からすれば、以下のような方法もあり得る。まず、第1の方法としては、ONビーム欠陥の修復の際に、上記のような特定のアパーチャ11aへの遮蔽物20の載置を、一旦描画装置1の外部にアパーチャアレイ11を搬出したのち、専用の装置により実施させる方法である。また、第2の方法としては、アパーチャアレイ11と同等品で、特定のアパーチャ11aにすでに遮蔽物20を載置したものを準備し、現状描画装置1内にあるアパーチャアレイ11と交換する方法である。これらの方法によれば、描画装置1の内部から一旦アパーチャアレイ11を取り出す時間を要するが、取り出した後の修復の容易性については、従来よりも向上する。物品の製造方法本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程基板に描画を行う工程と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなどを含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。