基板上の金属接点を得るための方法であって、a金属粉末を溶剤と混合することから形成されるペーストの形態の金属パターンを堆積させるステップと、b前記溶剤を蒸発させるために、このようにステップaにおいて形成された集合体を加熱するステップと、c前記金属パターンと前記基板との間に金属接点を形成するためにアニールを実行するステップとを含み、d前記金属接点が0.5J/cm2~15J/cm2のエネルギー密度を有するレーザを使用して加熱されるステップをさらに含むことを特徴とする、方法。ステップaはスクリーン印刷のステップである、請求項1に記載の方法。前記金属パターンは少なくとも1μm厚である、請求項1または2に記載の方法。前記金属接点はメッシュの形態をとる、請求項1~3のいずれかに記載の方法。前記金属接点は層の形態をとる、請求項1~3のいずれかに記載の方法。前記金属接点は銀、アルミニウム、または銀-アルミニウム合金を含む、請求項1~5のいずれかに記載の方法。ステップaの前に、前記基板上に誘電体層を堆積させるステップに関して準備がなされる、請求項1~6のいずれかに記載の方法。前記レーザは赤外線範囲内、例えば1064nmの波長において放射する、請求項1~7のいずれかに記載の方法。前記レーザはレーザダイオード励起レーザであり、前記レーザダイオードによって引き込まれるピーク電流は20A~30A、好ましくは25A~28Aである、請求項1~8のいずれかに記載の方法。前記レーザは30kHz~60kHz、好ましくは40kHz~60kHzの周波数においてパルスを放射する、請求項1~9のいずれかに記載の方法。2つのパルス間の前記金属接点の面積のカバー率は少なくとも95であり、好ましくは少なくとも97である、請求項1~10のいずれかに記載の方法。前記レーザの走査速度は10m/sより低く、例えば1m/s~10m/sである、請求項1~11のいずれかに記載の方法。前記レーザはその長さが1ns~1μs、例えば100ns~1μsであるパルスを放射する、請求項1~12のいずれかに記載の方法。前記レーザは赤外線範囲内で放射するパルス状のレーザダイオード励起レーザであり、該レーザは以下の:-前記パルスの周波数は40kHz~60kHzにあり;-2つのパルス間の前記金属接点の面積のカバー率は97以上であり;-前記金属接点の面積にわたる前記レーザの走査速度は1m/s~10m/sであり、好ましくは1m/s~5m/sであり;かつ-前記レーザダイオードは25A~28Aのピーク電流を引き込む、という条件下で利用される、請求項1~13のいずれかに記載の方法。従って、本発明の1つの目的は、基板上に生成される金属接点の導電性を向上させることであり、場合によっては基板と金属パターンとの間に誘電体層が提供される。本発明のもう一つの目的は、金属接点が酸化作用に耐える能力を向上させることであり、その接点の金属部分は、金属粉末を溶剤と混合することによって形成されるペーストを用いて得られる。これらの目的のうちの少なくとも1つを達成するために、本発明は、基板上の金属接点を得るための方法であって、a金属粉末を溶剤と混合することから形成されるペーストの形態の金属パターンを堆積させるステップと、b溶剤を蒸発させるために、このようにステップaにおいて形成された集合体を加熱するステップと、c金属パターンと基板との間に金属接点を形成するためにアニールを実行するステップとを含み、d金属接点が0.5J/cm2~15J/cm2のエネルギー密度を有するレーザを使用して加熱されるステップをさらに含むことを特徴とする、方法を提供する。本発明による方法は場合によっては、単独または組み合わせのいずれかで本発明による他の技術的特徴を有する、すなわち:-ステップaはスクリーン印刷のステップである;-金属パターンは少なくとも1μm厚である;-金属接点はメッシュの形態をとる;-金属接点は層の形態をとる;-金属接点は銀、アルミニウム、または銀-アルミニウム合金を含む;-方法はステップaの前に基板上に誘電体層を堆積させるステップを含む;-レーザは赤外線範囲内、例えば1064nmの波長において放射する;-レーザはレーザダイオード励起レーザであり、レーザダイオードによって引き込まれるピーク電流は20A~30A、好ましくは25A~28Aである;-レーザは30kHz~60kHz、好ましくは40kHz~60kHzの周波数においてパルスを放射する;-2つのパルス間の金属接点の面積のカバー率は少なくとも95であり、好ましくは少なくとも97である;-レーザの走査速度は10m/sより低く、例えば1m/s~10m/sである;-レーザはその長さが1ns~1μs、例えば100ns~1μsであるパルスを放射する;および-レーザは赤外線範囲内で放射するパルス状のレーザダイオード励起レーザであり、上記レーザは以下の条件下で利用される:パルスの周波数は40kHz~60kHzにあり;2つのパルス間の金属接点の面積のカバー率は97以上であり;金属接点の面積にわたるレーザの走査速度は1m/s~10m/sであり、好ましくは1m/s~5m/sであり;かつレーザダイオードは25A~28Aのピーク電流を引き込む。本発明の他の特徴、目的および利点は、以下の図面を参照して下記に与えられる詳細な説明によって明らかになる。本発明は、基板上に生成される金属接点を処理するための方法に関し、接点は以下のステップa、bおよびcを使用して得られたものである:a金属粉末を溶剤と混合することによって形成されるペーストの形態の金属パターンを堆積させるステップ;b溶剤を蒸発させるために、このようにステップaにおいて形成された集合体を加熱するステップ;およびc金属パターンと基板との間に金属接点を形成するためにアニールを実行するステップ。ステップaはスクリーン印刷のステップであってもよい。ステップaにおいて堆積される金属パターンは少なくとも1μm厚であることができる。ステップa~cの後に得られる金属パターンが、図1に示されるような粒子の凝集体である。金属粒子間には空間があるため、この金属パターンは、多孔質ともみなされ得る。金属パターンはメッシュの形態または層の形態をとってもよい。金属パターンは特に、銀、アルミニウム、または銀-アルミニウム合金を含むことができる。ペーストに使用される金属の性質は、所望の金属接点のタイプに応じて選択される。従って、光電池セルのためには、背面銀-アルミニウム合金金属接点が想定され得る。金属パターンと基板との間に誘電体層が提供されることができる。方法は、金属接点が0.5J/cm2~15J/cm2のエネルギー密度を有するレーザによって加熱されるステップdをさらに含む。従って、金属接点または基板に損傷を与えることなく、かつ接点が基板から剥離することなく、この接点の電気抵抗が低減される。本明細書の残りの部分において説明されるように、多くのパラメータが金属接点の表面において得られるエネルギー密度の値に影響を与え得る。図2は、本方法のステップdを実施するための装置の概略図を示す。この装置において金属接点を加熱するために使用されるレーザ1は赤外線範囲内、例えば1064nmの波長において放射することができる。このレーザ1は、1064nmにおいて放射するとともに、レーザダイオードによって808nmにおいて励起されるNd:YAGレーザのようなダイオード励起レーザであることができる。上記のレーザ1は、赤外線範囲内で放射するレーザである。特に、シリコンは赤外線放射を吸収し、この放射によって損傷を受ける体積の増大によって誘発される伸張危険性があるため、この波長範囲はシリコン基板上で生成される金属接点にとっては最も重大なものである。変型例として、使用されるレーザは、紫外線範囲においてまたは可視範囲例えば約438nmの波長における緑色において放射するレーザであり得る。レーザ1がレーザダイオード励起レーザである場合、レーザダイオードによって引き込まれるピーク電流は20A~30A、好ましくは25A~28Aであり得る。30Aを超えると、接点および基板が損傷を受ける危険性がある。一般的に、この事例では、部分的な摩耗およびその後の接点の剥離が観察されており、接点が下にある基板から切り離されている。この範囲のピークダイオード電流値では、金属接点の表面において0.5~15J/cm2のエネルギー密度が得られ得る。それゆえ、損傷を受けることなく金属接点の電気抵抗がほぼ減少する。加えて、基板に耐久性をもって固定される金属接点が得られる、すなわち、接点と基板とが剥離する膨れ作用危険性がない。その上、レーザ1はパルス状レーザであり得る。この事例では、レーザ1は30kHz~60kHz、好ましくは40kHz~60kHzの繰り返し周波数においてパルスを放射することができる。繰り返し周波数に関するこの範囲の値は、金属接点、基板またはその2つの間の接続に悪影響を及ぼすことなく金属接点の電気抵抗の低減を促進する。その上、2つのパルス間の金属接点の面積のカバー率は少なくとも95であり、好ましくは少なくとも97である。以下のカバー率、すなわち97、98または99のうちの1つが特に想定され得る。カバー率という表現は、接点の面積の、走査方向におけるレーザの連続した2回の通過を受ける割合を意味するものと理解される。それゆえ、これらの2回の通過はレーザの走査方向に対して垂直にわずかにずれていることが理解されよう。カバー率が高いと、最小エネルギー密度を得るのがより容易になるという利点があり、金属接点の電気抵抗が低減される。レーザの走査速度は10m/sより低く、好ましくは1m/s~10m/sであることができる。この速度範囲は、金属接点および基板を維持しながら、産業的な観点から許容可能な生産性を得ることを可能にする。その上、各パルスのパルス長は1ns~1μsであることができる。図2に示される装置は、焦点距離fを有するレンズ2も備える。背面接点10の裏側12はレンズから距離fに置かれ、それによって、レンズ2はレーザビームをこの裏側12に合焦させる。図3~図5に関連して、他の可能な設計も着想されることができる。図3~図5はすべて、Y軸上に金属接点のシート抵抗を、X軸上にパルスの繰り返し周波数を示す。当業者に既知であるように、この接点のシート抵抗Rcは、その電気抵抗率ρおよびその厚さeに、下記においてmΩ/carre単位で表されるRc=ρ/eの関係によって関連することが想起されよう。加えて、図3~図5において提示されているデータは、当業者に既知である四点またはVanderPauw法と呼ばれるものを使用して実行される測定から得られたものであり、金属接点は薄膜を形成する。無論、金属接点の厚さeは、レーザ処理の有無にかかわらず、実行されたすべての試験について同じであった。図3において、金属接点の表面にわたるレーザの走査速度は1m/sに設定され、ダイオードのピーク電流は25Aに設定された。この図では、2つのパルスによるさまざまなカバー率、すなわち97、98および99について、レーザ処理後に金属接点について得られるシート抵抗の変動をパルスの周波数の関数として示す3つの曲線が描かれている。図3内で基準は破線として示されている。この基準は、金属接点が従来技術の方法を使用して生成された後に測定されたものであり、上記接点の金属はシリコン基板に接触するアルミニウムであり、誘電体層がその2つの間に提供されている。それゆえ、基準金属接点はレーザ処理を受けなかった。換言すれば、基準金属接点は、実行された他の試験とは対照的に、特にステップa~cを受けたが、ステップdは受けなかった。この特定の事例では、基準シート抵抗は10.5mΩ/carreであるものとして測定された。実行されたすべての試験について、接点の電気抵抗は試験されたパルス周波数の範囲全体、すなわち30kHz~60kHzにわたって、その上、カバー率の値が97、98または99であったかにかかわらず、基準と比較して減少した。より正確には、得られた電気抵抗の値は5.1~8.7mΩ/carreであり、すなわち基準値と比較して-51.4~-17.1の減少であった。特に、30kHzの周波数において、かつ99のカバー率について、最低抵抗が得られた。図4において、金属接点の表面にわたるレーザの走査速度は5m/sに増大され、一方でピーク電流は25Aに保持された。2つのパルスによるさまざまなカバー率、すなわち97、98および99について、レーザ処理後の金属接点の電気抵抗シート抵抗の変動をパルスの周波数の関数として示す3つの曲線が描かれている。図4において基準レーザ処理を受けない金属接点が依然として破線によって示されており、その値は10.5mΩ/carreである。実行されたすべての試験について、接点の電気抵抗は試験されたパルス周波数の範囲全体、すなわち30kHz~60kHzにわたって、その上、カバー率の値が97、98または99であったかにかかわらず、基準と比較して減少した。より正確には、電気抵抗について得られた値は8.1~10.3mΩ/carreであり、すなわち基準値と比較して約-22.9~-2の減少であった。一般的に、図4に示される試験によって金属接点について得られた抵抗は図3に示される試験によって得られたものよりも高かった。これは、走査速度の増大によって金属接点に衝突するエネルギー密度が低減するという事実に関連している。この5m/sの走査速度に対して、好ましくは99のカバー率が選択されることになり、これは、試験された周波数の範囲全体において最低抵抗が得られることを可能にした。図5において、金属接点の表面にわたるレーザの走査速度は5m/sに保持され、ピーク電流は28Aに増大した。2つのパルスによるさまざまなカバー率について、レーザ処理後の金属接点の電気抵抗シート抵抗の変動を、40kHz~60kHzのパルスの繰り返し周波数の関数として示す3つの曲線が描かれている。図5において基準レーザ処理を受けない金属接点が依然として破線によって示されており、その値は10.5mΩ/carreである。図4に示されている試験と比較してダイオード電流値が高くなっていることによって、基準破線と比較して接点抵抗を低減させるためにパルスの繰り返し周波数を増大させることが好適であった。要約として、レーザが赤外線範囲内で放射するパルス状レーザダイオード励起レーザである場合、当業者は、以下の条件を使用して0.5J/cm2~15J/cm2のエネルギー密度を得ることができることになる:-パルスの周波数は40kHz~60kHzにあり;-2つの連続するパルス間の金属接点の面積のカバー率は97以上であり;-金属接点の面積にわたるレーザの走査速度は1m/s~10m/sであり、好ましくは1m/s~5m/sであり;かつ-レーザダイオードは25A~28Aのピーク電流を引き込む。図3~図5に示されるデータについて、使用される装置は100ns~1μsパルス長位置にセットされた。図3~図5に示される試験が実行された後、出願人は、従来の方法によって得られる粒子の凝集体から成ると考えられる構造が、本発明によるレーザステップによって変更されたことを観察することができた。従って、レーザ処理には粒子凝集体構造を、この粒子凝集体構造よりも連続的であることが観察された構造に変更する効果があった。これを添付の図6および図7に見ることができる。図6aおよび図6bを含む図6は、本発明の利益の第1の例示を提供する。図6aは、本方法のステップa~cを実施した後に得られるアルミニウムから成る金属パターン10の断面図を示している。この金属パターンは粒子の多孔質凝集体によって形成された。換言すれば、金属粒子間には空き空間があり、これらの空間は金属粒子の表面の酸化を促進する。図6bは本発明によるレーザ処理ステップdが実行された後の、この同じパターン10の同じ断面図を示す。この特定の場合において、95のカバー率および26Aのダイオード電流を用いてステップdが実行された。そのように得られた金属パターン10は、金属パターンの中心部に気体が貫入することを可能にするいかなる空間ももはや存在しないため連続しているとみなされる、高密度化された表面層101を有していた。それゆえ、この表面層は粒子の凝集体によっては形成されなかった。その上、この連続する表面層の直下の粒子のサイズは図6aにおけるものよりも一般的に大きいことが観察されよう。これは、図3~図5において示されている結果に関連していることになる。具体的には、金属接点の導電性の増大と、金属パターン上の、連続であるとみなされ得るこの高密度化表面層の存在との間には関連性があることが理解されよう。加えて、この連続する表面層は、外気に対する障壁を形成し、それによって、経時的な酸化作用が限定され、それゆれ、使用時に良好な導電性が保持されることが可能になる。図7a~図7cを含む図7は、本発明の利益のもう一つの例示を提供する。これらの図はすべて、同じ条件下で、ダイオード電流のみが異なっている、本方法のステップa~dを実施することによって得られた金属パターン10の断面図を示している。カバー率は特に95に維持された。具体的には、図7aについて、使用されたダイオード電流は25Aであった。図7bおよび図7cについてはそれぞれ26Aおよび27Aであった。連続であるとみなされ得る表面層の厚さがダイオード電流が増大するにつれて増大していることが観察されよう。従って、ダイオード電流が増大するほど、レーザビームのエネルギー密度がより高くなり、高密度化領域の厚さがより増大することが理解されよう。上記の金属接点の処理は有利には、光電池セルの製造に適用されることになる。上記のレーザは、赤外線範囲内で放射するパルス状レーザである。一方、変型例として、赤外線、可視または紫外線範囲にあるかにかかわらず、連続して光を放射するレーザを使用することが想定され得る。