"光検出装置であり、その検出面に入射する光を検出する光検出装置;入射X線を光に変換するシンチレータ層;前記シンチレータ層内で生成された光を前記光検出装置に向けて反射する反射層;及び前記シンチレータ層と前記反射層との間に介在する発光層;を有するX線検出器。前記シンチレータ層と前記反射層との間の距離は50μmより小さい、請求項1に記載のX線検出器。前記発光層はOLEDを有する、請求項1又は2に記載のX線検出器。前記OLEDは頂面発光型OLED薄膜を備える、請求項3に記載のX線検出器。前記頂面発光型OLED薄膜はその頂面の表面で前記シンチレータ層に取り付けられている、請求項4に記載のX線検出器。前記頂面発光型OLED薄膜は、機械的安定化のための非金属基板と、該基板上にコーティングされた金属層とを有する、請求項4又は5に記載のX線検出器。前記OLEDは底面発光型OLED薄膜を備える、請求項3に記載のX線検出器。前記底面発光型OLED薄膜は、その底面側の表面で前記シンチレータ層に取り付けられ、且つその底面側に、50μm未満の厚さを有する支持層を有する、請求項7に記載のX線検出器。前記発光層は複数のサブタイルに分割されている、請求項1乃至8の何れか一項に記載のX線検出器。前記発光層は金属の分路配線を有する、請求項1乃至9の何れか一項に記載のX線検出器。X線検出器を製造する方法であって:光検出装置を配設する工程であり、該光検出装置はその検出面に入射する光を検出するものである、工程;入射X線を光に変換するシンチレータ層を配設する工程;前記シンチレータ層内で生成された光を前記光検出装置に向けて反射する反射層を配設する工程;及び前記シンチレータ層と前記反射層との間に介在する発光層を配設する工程;を有する方法。前記発光層はOLEDを備えており、該OLEDを形成する層が前記シンチレータ層の表面に直接的に堆積される、請求項11に記載の方法。前記シンチレータ層は前記発光層の表面に直接的に成長される、請求項11に記載の方法。改善された空間利得均一性及び分解能を有するX線検出器を提供することが有利となり得る。特に、高くて均一な分解能を有し且つ幻像を防止するX線検出器を提供することが有利となり得る。また、容易且つ安価に製造され得るX線検出器を提供することが有利となり得る。さらに、そのようなX線検出器を製造する方法を提供することが有利となり得る。本発明の第1の態様によれば、光検出装置と、シンチレータ層と、反射層と、発光層とを有するX線検出器が開示される。光検出装置は、その検出面に入射する光を検出するように適応され、例えばCMOS又はCCDを用いて実装され得る。シンチレータ層は、入射X線を光に変換するように適応される。シンチレータ層は、光検出装置の検出面の上に配置され得る。反射層は、シンチレータ層内で生成された光を、光検出装置に向かう方向に反射するように適応される。例えば、反射層は、例えば金属コーティングを用いた、ミラー層とし得る。発光層は、シンチレータ層と反射層との間に置かれる。本発明の第1の態様の骨子は、シンチレータ層の頂部に発光層と反射層との組み合わせを有するX線検出器は、幻像の防止を可能にするのと同時に、高められた応答速度を示し得ることであり得る。X線の入射を受けてシンチレータ層内で生成される光は、反射層によって、光検出装置の検出面に向けて反射され得る。それにより、検出器の応答速度が高められ得る。また、発光層によって放射された光は、それに隣接配置されたシンチレータ層に到達し得る。例えば、そのような補助的な光は、シンチレータ層がX線照射されていない期間中に放射され得る。そのような補助的な光照射を用いると、幻像の形成が抑制され得る。シンチレータ層と、反射層と、中間の発光層とを有する積層体は、例えば層堆積又は層成長などの十分に確立された方法を用いて、容易且つコスト効率良く製造され得る。一実施形態によれば、シンチレータ層と反射層との間の距離は、50μm未満、好ましくは20μm未満である。換言すれば、発光層が一方の表面でシンチレータ層に直接的に接触し且つ反対側の表面で反射層に直接的に接触する場合、発光層の厚さが50μm未満、又は好ましくは20μm未満であるべきである。シンチレータ層の頂面と反射層の底面との間の距離が大きいと、検出器の変調伝達関数modulationtransferfunction;MTF性能又は分解能性能の劣化がもたらされ得ることが見出されている。従って、この距離は可能な限り小さくされるべきであり、実用途で許容可能なMTF性能又は分解能性能を得るには、この距離に関して50μm又は好ましくは20μmが上限であることが観測されている。本発明の一実施形態によれば、発光層はOLED有機発光ダイオードを有する。OLEDは低コストで容易に製造されることができる。また、OLEDの厚さを50μm未満に低減し、それにより、先述の実施形態に関して説明した要件を満たすように、従来のOLED構造を変更し得る。OLEDは、ルミネセント層と、電極層と、保護層と、必要に応じての支持層とを含む積層体を有する頂面発光型OLED薄膜又は底面発光型OLED薄膜を備え得る。更に詳細に後述するように、積層体の厚さを50μm未満に維持するために、積層体の構成及び製造に関して対策が為され得る。本発明の一実施形態によれば、発光層は複数のサブタイルに分割される。換言すれば、シンチレータ層と同じ表面積を実質的に有する1つの大面積の発光層をシンチレータ層と反射層との間に介在させる代わりに、発光層は、シンチレータ層の面積のほんの一部である面積を各サブタイルが有する複数のサブタイルに分割されてもよい。複数のサブタイルを結合したものがシンチレータ層の領域全体を覆い得る。シンチレータ層の全面積と比較して縮小された単一のサブタイルの面積は、活性化時の発光層の迅速な応答を可能にし得る。何故なら、そのようなOLEDサブタイルのキャパシタンスC、ひいては、RC時間が小さく保たれるからである。従って、このようなサブタイル状にされたOLED発光層は、例えばX線検出器上にX線が入射しない時間間隔中にのみ発光層が活性化されるときなど、パルス動作に適したものとなり得る。より低い動作電流の恩恵を受け、ひいては、抵抗損を低減させるように、様々なサブタイルを直列に接続することができる。他の例では、サブタイルを個別にアドレス指定してもよい。更なる一実施形態によれば、発光層は金属シャントラインを有する。シャントラインは、抵抗損を低減し、OLED発光層からの放射の均一性を向上させ得る。そのようなシャントラインは、例えば長方形又は六角形の幾何学形状を有する格子状の金属配線として実現され得る。金属配線は、1μm未満の厚さを有することができ、故に、X線検出性能への測定可能な悪影響を有しないようにし得る。本発明の第2の態様によれば、X線検出器を製造する方法が提案される。当該方法は、光検出装置を配設することと、シンチレータ層を配設することと、反射層を配設することと、シンチレータ層と反射層との間に介在する発光層を配設することとを有する。X線検出器の構成要素は、本発明の第1の態様に関して上述したような特徴を有し得る。光検出装置は、例えばCMOS光検出器又はCCD光検出器などの2次元分解能を有する半導体光検出器として設けられることができ、従来の半導体技術を用いて製造され得る。シンチレータ層と、反射層と、中間の発光層とを含む積層体は、例えばCVD、PVD、エピタキシなどの技術を含む例えば層堆積又は層成長などの様々な層生成方法を用いて製造され得る。更に詳細に後述するように、レイヤ群の配置、レイヤ群の準備、及びレイヤ群の相互間あるいは光検出装置への取り付けは、X線検出器の有利な特性を達成するように明確に適応され得る。具体的には、介在する発光層、及び隣接するシンチレータ層及び反射層への発光層の取り付けを明確に適応させることによって、シンチレータ層と反射層との間の距離を小さく保ち得る。発光層、反射層及びシンチレータ層は、先ず別々に作り出され、その後に互いに取り付けられてもよいが、これらの層の組み合わせを一体化することが有利となり得る。例えば、発光層は、その中に一体化された反射層を有し得る。一実施形態によれば、発光層はOLEDを備え、該OLEDを形成する層がシンチレータ層の表面に直接的に堆積される。このような技術は、OLED処理の全体がシンチレータの典型的な処理温度より低い温度で行われ得るという事実を有利に活用し得る。従って、OLEDスタックは、シンチレータの頂部に直接的に堆積されることができ、例えばプロセスの単純化、製造工程及びハンドリング工程の削減、並びにOLED発光層の厚さの低減などの利点を得ることができる。本発明の他の一実施形態によれば、シンチレータ層が発光層の表面に直接的に成長される。この場合も、発光層及びシンチレータ層の双方と、好ましくは反射層とを含む積層体が、有利なハンドリング特性及び厚さ特性で容易に製造され得る。なお、ここでは、異なる複数の主題を参照して本発明の実施形態を説明している。具体的には、一部の実施形態は装置タイプの請求項を参照して説明され、他の一部の実施形態は方法タイプの請求項を参照して説明される。しかしながら、以上及び以下の説明から当業者が察することには、特に断らない限り、1つのタイプの主題に属する複数の特徴の組み合わせに加えて、異なる主題に関する複数の特徴間の組み合わせ、特に、X線検出器の特徴とX線検出器の製造方法の特徴との組み合わせも、本出願で開示されていると見なされる。以下にて説明する典型的な実施形態から、本発明の上述の態様及び実施形態並びに更なる態様が明らかになるが、本発明はそれらの限定されるものではない。図1は、一実施形態に係るX線検出器1の断面図を示している。X線検出器1は、光検出装置3、シンチレータ層5、反射層9、及び発光層7を有している。光検出装置3は、その検出面12に感光素子13のアレイを有するシリコンウェハベースのCMOS光検出器である。感光素子13は、その上への光の入射を検出し、且つ該検出を受けて電気信号を生成するように適応される。ここで、光は、X線より実質的に長い波長を有する電磁放射線を意味し得る。特に、光は、可視波長域と、紫外及び/又は赤外の波長域の一部とを含み得る。例えば、350nmから1050nmまでの範囲内での感光性が提供され得る。検出面12の頂部に、それに隣接して、シンチレータ層5が設けられている。シンチレータ層は、例えばタリウムでドープされたヨウ化セシウムCsI:Tlなど、ドープされた結晶を有し得る。例えば、シンチレータ層5は200μmから700μmの厚さを有し得る。シンチレータ層5の頂部に、検出面12とは反対側の表面に、OLED有機発光ダイオード薄膜フォイル8が設けられている。OLED薄膜8は、それへの電圧印加を受けて光例えば、300-500nmの波長域内を放出するように適応された発光層7を有している。OLED薄膜8は、発光層7とシンチレータ層5との間に、薄い封止層14を有している。封止層14は1μmから50μmの厚さを有し得る。発光層7の反対側の表面には、反射層9として作用する薄い金属層が設けられている。この金属層は光に対してミラーとして作用する平滑なアルミニウム層とし得る。この金属層は、入射X線図1において矢印Xで指し示すが該金属層を実質的に透過し得るように、非常に薄くすることができ、例えば、10μm未満、好ましくは1μm未満、好ましくは50-500nmの範囲内とし得る。OLED薄膜8の外表面に、支持基板層11が設けられている。支持基板層11は、例えば0.05-3mmの厚さを有し、ハンドリング中にOLED薄膜を機械的に安定化させ得る。支持基板層11は、X線に対して実質的に透過性であるべきであり、例えばガラス又はプラスチックからなり得る。図1に矢印Xで指し示したように、X線は、X線検出器1上に照射されてOLED薄膜8を透過し得る。これは、OLED薄膜8が、X線に対して実質的に非吸収性の材料からなる例えば発光層7、支持基板層11又は封止層14などの層と、X線吸収材料からなるが非常に小さい厚さを有する例えば金属反射層9などの層とを有することによる。シンチレータ層5内で、X線は吸収されて光に変換される。光の一部は、矢印Bで指し示すように、検出面12から離れてOLED薄膜8に向かう方向に放射され得る。この光は、矢印Rで指し示すように、ミラーとなる反射層9で反射され、ひいては検出面12に到達し得る。従って、X線検出器1の感度が高められ得る。OLED薄膜8は、発光層7、及び反射層9とシンチレータ層5との間に介在する例えば封止層14などのその他の層が、非常に小さい厚さ例えば50μm未満、好ましくは20μm未満の積層体で実現され得るように準備配設されるべきである。それにより、反射層9の下面とシンチレータ層5の上面との間の距離が小さく、例えば50μm未満に維持され得る。この小さい距離により、介在する発光層7は、検出器のMTF性能又は分解能に有意な悪影響を有しないものとなる。X線照射は、シンチレータ層5内でX線を光に変換した後に光検出装置3で光を検出することによってX線検出器で効率的に検出され得るが、シンチレータに基づく同様の従来のX線検出器では、後続X線照射パルスでの照射時に、いわゆる幻像の問題が観測されている。換言すれば、先行するX線照射パルス画像の遺物が、後続のX線照射パルス画像内で視認され得る。この効果は先出の特許文献1でも説明されている。そのような幻像を防止するために、シンチレータ層5は、後続のX線照射パルス同士の間の期間に、発光層7によって放射される光で照射され得る。矢印Vで指し示すように、発光層7は、X線照射パルス群の間の発光パルス群として、300-500nmの波長域内の光を放射し得る。これらの発光パルスはシンチレータ層5をリセットし、それによって幻像を防止し得る。発光層7のこのようなパルス動作を可能にするために、発光層は短い応答時間を有するべきである。例えば20×30cm2といった大きい検出器面積の場合、そのような大面積を有する発光層7は大きいキャパシタンスCを有し得る。そのような大きいキャパシタンスCは、検出器領域の均一な照射のための発光層7のRC時間を増大させてしまい得る。故に、図2及び3に示すように、発光層7を複数のサブタイルタイル状の部分領域15に分割することが有利となり得る。各サブタイル15は、例えば4×4cm2といった小さい面積を有し、故に、より速いRC時間をもたらす低減されたキャパシタンスを有し得る。各サブタイル15は、発光領域21を包囲する正電極19及び負電極17を有し得る。より低い動作電流の恩恵を受け、ひいては抵抗損を低減するために、様々なサブタイル15を直列に接続することができる。他の例では、サブタイル15を個別にアドレス指定することができる。図3に示すように、サブタイル15’は、全てのサブタイル15’に対して共通の正電極19’を設け得るように構成され得る。図4は、サブタイル15の細部を示している。抵抗損を更に低減し、且つサブタイル15の発光領域21の放射均一性を向上させるため、追加の金属シャントライン分路配線23が使用され得る。シャントライン23は、例えば1μm未満の厚さを有し、例えばアルミニウムからなり得る。シャントライン23は長方形又は六角形の格子を形成し得る。それらの小さい厚さにより、シャントラインは、特に局所的なオフセット及び利得の校正の後に、X線検出性能に測定可能な悪影響を有しない。図5及び6は、本発明の実施形態に係るX線検出器に使用され得るようなOLED薄膜8’、8を示している。OLED発光層の発光面上に非常に薄い透明保護層を有する専用のOLED薄膜が製造され得る。この保護層は、優れた防湿特性を有するべきであり、且つ50μm未満、好ましくは20μm未満又は更に薄い厚さであるべきである。組立における次の工程は、例えばCMOS検出アレイなどの光検出装置3にシンチレータ層5を例えば接着によって取り付ける前又は後の何れかに、シンチレータ層5の頂部に薄膜8をラミネートあるいは接着することであり得る。異なる複数のタイプのOLED薄膜が区別されてもよい。図5は、頂面発光型OLED薄膜8’を示している。名前が指し示すように、光は、矢印Vで指し示されるように、透明なカソードを通って薄膜8’の頂部から放射される。OLED薄膜8’の頂部発光面が、ラミネーション又は接着によって、シンチレータ層5の頂面に、すなわち、裏返して、取り付けられ得る。以下、OLED薄膜8’の積層体レイヤスタックについて、底部から頂部の順に、すなわち、レイヤ群の可能な堆積順序にて説明する。-従来のOLEDスタックにおいては、薄膜を機械的に安定化させる基板として作用することと、隣り合うレイヤ群を電気的に接続する電極として作用することとの2つの目的を満足するために、一般的に金属箔が使用されている。しかしながら、そのような金属箔は典型的に、10μmより大きい厚さ、しばしば50μmより大きい厚さを有する。X線検出器の検出面の前に配置されると、そのような金属箔は、入射X線を実質的に吸収し、それにより、下に位置するシンチレータ層5に入射X線が到達することを妨げることになる。従って、基板45として作用し且つOLED薄膜8’を機械的に安定化させるよう、例えば50-150μmの厚さを有するプラスチック薄膜などの非金属基板45を使用することを提案する。非金属基板45の頂部に、数μmの厚さを有するバリア層47と、例えば100nmから数μmの厚さを有し且つ例えばアルミニウムを用いてなる金属層43とが堆積され得る。他の例では、0.1-3mmの厚さを有する薄いガラス基板が、機械的安定化の役割を果たすとともに、マイクロメートルの厚さ域の金属層でコーティングされ得る。-金属層43の表面の一部が、絶縁体層41とその頂部上の導電体層39とでコーティングされ得る。層41、39は何れもおよそ100nmの厚さを有し得る。-絶縁体層41に横方向で隣接する領域において、金属層43の頂部に、例えばITOインジウム錫酸化物などの透明導電体を有するPEDOT層37ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン、しばしばPSSポリスチレンスルホン酸と混合されるが堆積され得る。PEDOT層37は30-60nmの厚さを有し得る。-PEDOT層37の頂部に、発光ポリマーlightemittingpolymer;LEP層35又はオリゴマーの多層スタックが堆積され得る。LEP層35はおよそ80nmの厚さを有し得る。導電体層39及び金属層43はLEP層35への電極として作用し得る。-LEP層35の頂部に、導電体層39に電気的に接触されて透明なカソード33が堆積される。透明カソード33は、5nm厚のバリウム層と15nm厚の銀層と30nm厚の硫化亜鉛層とを含む積層体5nmBa/15nmAg/30nmZnSを有し得る。-薄い高性能膜封止31が、下に位置するレイヤ群33、35、39、41、37を包囲する。封止層31は、例えばSiNx/SiOx5-8/SiNxからなることができ、例えば20μm未満である数μmの総厚を有し得る。-必要に応じて、更なる保護コーティング図5には図示せずが、例えば3-30μmの厚さで設けられ得る。上記の封止は、約20mmの半径への制御された曲げに対して劣化なく堅牢であり得るものの、機械的なハンドリングの影響を受けやすく、シンチレータ層5上への薄膜8’のラミネーションの前及び最中に何らかの保護を必要とすることがあり得る。この機能はまた、ラミネーションのための接着剤によっても部分的に提供され得る。なお、図5は、明瞭化のために、カソード又はアノードのシャントライン又はブスバーを示していない。図5に示した頂面発光型OLED薄膜8’の一代替例として、図6に示すような底面発光型OLED薄膜8が使用されてもよい。そのレイヤ構造は、電極及び封止に関する限り、ガラス基板上に製造されることが可能なものと基本的に同じとし得るので、より標準的なレイアウトである。従来のOLED構造と比較してこのOLED構造が決定的に異なるのは、シンチレータ層5に取り付けられ、且つ矢印Vで示されるようにそれを介して光が放射される、薄膜8の底面にある非常に薄い支持層である。図6に示すOLED層8の積層体は、頂部から底部の順に:-例えば25-100μmの厚さを有するPENポリエチレンナフタレート又はPETポリエチレンテレフタレートのカバー薄膜又はコーティング図示せず;-SiNx/SiOx5-8/SiNxを有し且つ数μmの総厚を有するTFE薄膜封止層51;-およそ100nmの厚さを有するアルミニウムのカソード53;-およそ80nmの厚さを有するLEP層又は小分子スタック55;-およそ80-100nmの厚さを有するITO層及び/又はPEDOT層57;-およそ100nmの厚さを有するシャントライン及び/又はブスバー図示せず;-数μmの総厚を有するSiNx/SiOx5-8/SiNxを有するバリア層59;-好ましくは透明であり、且つおよそ10μmの厚さを有するポリイミド膜61;-積層体の総厚を低減するために、積層体の製造中に一時的に、後に積層体の完成後に除去され得るガラスキャリア基板が設けられてもよい;を有し得る。上述の薄膜スタックを準備するため、例えばガラス基板などの標準的なキャリア基板が用いられてもよい。これは、やはり、薄膜8の製造後に例えばUVレーザによるリリースによって除去される。この基板の頂部に、リリース層及びOLED薄膜の支持層の双方として作用し得る薄いポリイミド層が堆積されてもよい。ポリイミドは、湿気に対してハーメチックシールされないので、図5に示した例における封止層31と同様の薄いバリア層が必要とされることがある。製造プロセスの残りの部分は標準的なものとし得る。封止後、更なる保護カバー薄膜又はコーティング51が設けられてもよく、そのとき、この封止層に厚さ要件は適用されない。本発明の実施形態に係るX線検出器を製造するため、図5に示したような頂面発光型薄膜8’、又は図6に示したような底面発光型薄膜8が、シンチレータ層5の頂面にラミネートされ得る。他の一製造方法として、完全なるOLEDスタックがシンチレータ層5又はそのバリアコーティングの頂部に直接的に堆積されてもよい。この方法は、シンチレータ層5、及び光検出装置3をして使用される例えばCMOSアレイ、の処理温度より有意に低い例えば150°C未満の温度でOLED処理の全体が行われ得るという事実を用い得る。これは幾つかの利点をもたらし得る。例えば、製造プロセスを単純且つ互換性あるものに維持することができる。別個の薄膜のハンドリング及びラミネーションが必要とされない。OLEDに一体化された反射体9とシンチレータ層5との間の層間距離が短縮され、MTF性能が向上され得る。OLEDスタックの堆積は、光検出装置3へのシンチレータ層5の取り付けの前又は後の何れに行われてもよい。OLEDレイヤスタックは、頂部から底部の順に:-バリア及びカバーの薄膜。更なる保護及び/又はシンチレータに対する緩和されたバリア仕様のため、シンチレータを含めてOLEDスタック全体を封止することが魅力的である場合がある;-コンタクトと、必要に応じてのシャントラインとを有するOLED層;-バリア層;-必要に応じてのシンチレータバリアコーティング;を有していてもよい。これらの層の全てが、CMOS光検出装置に取り付けられ得るシンチレータ層上に直接的に堆積され得る。このような手法においてはOLEDスタックがシンチレータ層上に直接的に堆積されるので、シンチレータ層若しくはそのコーティングとOLEDスタックとの間に接着剤又は接着材を設けなくてもよい。従って、OLEDスタック全体の厚さが、典型的に10-25μmを有するそのような接着剤層の厚さだけ低減され得る。故に、シンチレータ層5の上面とOLEDの頂部の反射層9との間の距離が有意に短縮され得る。同じことが、OLEDは例えばガラス、プラスチック又は金属箔からなる基板を必ず有するわけではなく、また更に、例えばポリイミドからなる支持層を必ず有するわけではないときにも言える。更なる他の一製造方法として、例えばOLEDスタックなどの発光層7の表面に直接的にシンチレータ層5を成長させてもよい。この手法は、OLEDに許容される温度安定性に依存し、それはおよそ200°Cで2時間とすべきである。利点は、シンチレータ層上へのOLED堆積を用いる上述の製造手法で得られる利点と同様であり得る。やはり、シンチレータ層又はそのコーティングとOLED層との間に接着剤又は接着材を必要としないようにし得る。このようなOLED層上へのシンチレータ層の成長の結果として、従来の製造手法と比較してシンチレータ構造が異なるものとなり得る。典型的に、シンチレータ層の成長は、薄い固体層から始まり、密に詰められた縦方向のピラーの形態で成長し続ける。従って、この製造手法を用いると、従来のX線検出器において典型的にそうであるように、開始時の基部となる層は、ピラー端部の代わりにOLEDの面する。なお、用語有するはその他の要素又は工程を排除するものではなく、用語a又はanは要素が複数であることを排除するものではない。また、請求項中の参照符号は、請求項の範囲を限定するものとして解されるべきでない。"