"AN-置換ジアゼニウムジオキシド及びN’-ヒドロキシジアゼニウムオキシド塩からなる群から選択される少なくとも1種の水溶性又は水分散性化合物と、B少なくとも一種の研磨粒子と、を含む水性研磨剤組成物。N-置換ジアゼニウムジオキシドAが、一般式I:で表され、Rは、少なくとも一種の残基を含む部分を表し、該残基は、モノマーの、オリゴマーの、及びポリマーの、置換及び非置換の、飽和及び不飽和の脂肪族及び脂環式の基からなる群から選択され、該残基は、少なくとも1個のヘテロ原子及び/又は少なくとも1つの二官能性又は三官能性架橋基を含まないか又は含み、並びにモノマーの、オリゴマーの、及びポリマーの、置換及び非置換の、飽和及び不飽和の脂肪族及び脂環式の基は、少なくとも1個のヘテロ原子を含まないか又は含み、数nは1~1000であり、更に、N-置換N’-ヒドロキシジアゼニウムオキシド塩Aが、一般式II:で表され、式中、Rは、上記の意味であり、Mが、有機及び無機の、モノマーの、オリゴマーの、及びポリマーのカチオンからなる群から選択され、数n及びmが、ともに1~2000である請求項1に記載の水性研磨剤組成物。n及びmが、ともに1~10の整数である請求項2に記載の水性研磨剤組成物。研磨剤組成物の全質量を基準として、0.01~1000ppmの化合物Aを含む請求項3に記載の水性研磨剤組成物。研磨粒子Bが、アルミナ、シリカ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、チタニア、ジルコニア、セリア、酸化亜鉛、及びこれらの混合物からなる群から選択される請求項1~4の何れか1項に記載の水性研磨剤組成物。研磨粒子Bが、セリアを含有するか、又はセリアから成る請求項5に記載の水性研磨剤組成物。研磨粒子Bが、動的レーザ光散乱により測定して1~1000nmの平均粒径を有する請求項5又は6に記載の水性研磨剤組成物。研磨剤組成物の全質量を基準として、0.005~10質量の研磨粒子Bを含む請求項1~7の何れか1項に記載の水性研磨剤組成物。成分A及びBとは異なる少なくとも一種の官能性成分Cを含む請求項1~7の何れか1項に記載の水性研磨剤組成物。官能性成分Cが、有機、無機、及び有機-無機混合の研磨粒子、下限臨界溶液温度LCST及び上限臨界溶液温度UCSTを有する材料、酸化剤、不動態化剤、電荷反転剤、水性媒体中で解離しない少なくとも3つのヒドロキシ基を有する有機ポリオール、水性媒体中で解離しない少なくとも3つのヒドロキシ基を有する少なくとも一種のポリマーから構成されるオリゴマー及びポリマー、錯化剤又はキレート剤、摩擦調整剤、安定化剤、レオロジー調整剤、界面活性剤、金属カチオン、及び有機溶媒から成る群から選択される請求項9に記載の水性研磨剤組成物。電荷反転剤Cが、少なくとも1つのアニオン性基を含むモノマー、オリゴマー、及びポリマーの化合物から成る群から選択され、該化合物が、カルボン酸塩、スルフィン酸塩、硫酸塩、ホスホン酸塩、及びリン酸の基からなる群から選択され、水性媒体中で解離しない少なくとも3つのヒドロキシ基を有する有機ポリオールC、及び/又は水性媒体中で解離しない少なくとも3つのヒドロキシ基を有する少なくとも一種のモノマーから構成されるオリゴマー及びポリマーが、単糖類、二糖類、オリゴ糖類、多糖類、デオキシ糖、アミノ糖、アルドン酸、ケトアルドン酸、ウロン酸、アルダル酸、糖アルコール、及びシクリトールから成る群から選択される請求項10に記載の水性研磨剤組成物。成分A及びBとは異なる少なくとも一種のpH調節剤、又は緩衝剤Dを含有する請求項1~8の何れか1項に記載の水性研磨剤組成物。pH値が3~10である請求項12に記載の水性研磨剤組成物。電気、機械、及び光学デバイス用の基板材料を、水性研磨剤組成物に1回以上接触させ、所望の平面度が実現されるまで研磨する方法であって、請求項1~13の何れか1項に記載の水性研磨剤組成物を使用する方法。基板材料が、少なくとも一種の絶縁体材料を含むか、或いは該絶縁体材料から成る少なくとも一層の層を有する請求項14に記載の方法。N-置換ジアゼニウムジオキシド及びN’-ヒドロキシジアゼニウムオキシド塩を、機械、電気、光学デバイスの製造に使用する方法。電気デバイスが、集積回路装置、液晶パネル、有機エレクトロルミネッセンスパネル、プリント回路基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、及び磁気ヘッドであり、機械装置が高精度機械装置であり、及び光学デバイスが、フォトマスク等の光学ガラス、レンズ及びプリズム、インジウムスズ酸化物ITO等の無機材料の導電性フィルム、光集積回路、光スイッチング素子、光導波管、光ファイバ及びシンチレータの端面等の光学単結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザLED用のサファイア基板、半導体単結晶、及び磁気ディスク用のガラス基板である請求項16に記載の方法。集積回路装置が、50nm未満の大きさの構造を有し、大規模集積回路又は超大規模集積回路を有する集積回路を含む請求項17に記載の方法。従って、本発明の目的は、新規な水性研磨用組成物を提供すること、特に、新規な化学機械研磨CMP組成物、特に従来の研磨剤組成物の不利益及び欠点を示さない新規なセリア系CMPスラリーを提供することである。特に、新規な水性研磨剤組成物、より詳細には新規な化学機械研磨CMP組成物、より詳細には新規なセリア系CMPスラリーは、大幅に改善された窒化物に対する酸化物の選択度を示し、良好な全体的及び局所的平面度を有する研磨ウェーハが得られる。このウェーハの良好な全体的及び局所的平面度は、ウェーハ内の不均一性WIWNU及びウェーハ間の不均一性WTWNUにより例示されるものである。従って、ウェーハは、50nm以下のサイズを有する構造のICアーキテクチャ、特にLSI大規模集積回路又はVLSI超大規模集積回路を有するICsの製造において極めて好適である。また、新規な水性研磨剤組成物、より詳細には新規な化学機械研磨CMP組成物、より詳細には新規なセリア系CMPスラリーは、集積回路装置の分野において非常に有用であるだけでなく、他の電気デバイスの製造の分野においても最も効率的かつ有利となるべきである。なお、他の電気デバイスとは、例えば、液晶パネル、有機エレクトロルミネッセンスパネル、プリント回路基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、及び磁気ヘッドであり、並びに高精度機械デバイス及び光学デバイス、特に光学ガラスとして、フォトマスク、レンズ及びプリズム、インジウムスズ酸化物ITO等の無機材料の導電性フィルム、光集積回路、光スイッチング素子、光導波管、光ファイバ及びシンチレータの端面等の光学単結晶は、固体レーザ単結晶、青色LEDレーザ用のサファイア基板、半導体単結晶、並びに磁気ディスク用のガラス基板である。最も具体的には、新規なセリア系CMPスラリーは、微生物及び真菌による攻撃を受けるべきではなく、したがって、長期の保管の間に細菌及び真菌の増殖が生じず、研磨セリア粒子の粒度分布が不安定とならないべきである。この結果として、セリア粒子の不可逆凝集及び沈降が生じるべきではない。また、本発明の他の目的は、N-置換ジアゼニウムジオキシド及びN’-ヒドロキシジアゼニウムオキシド塩の新規な使用方法を提供することである。更に、本発明の目的は、機械デバイス、電気デバイス及び光学デバイスの基板材料を研磨するための新規な方法を提供することである。従って、新規な水性研磨剤組成物を発見した。この研磨用組成物は、AN-置換ジアゼニウムジオキシド及びN’-ヒドロキシジアゼニウムオキシド塩からなる群から選択される少なくとも1種の水溶性又は水分散性化合物と、B少なくとも一種の研磨粒子と、を含む。以下では、新規な水性研磨剤組成物は、本発明の組成物と記載する。更に、機械、電気、及び光学デバイスの基板材料を研磨するための新規な方法を発見した。この方法では、本発明の組成物を用いる。最後に、特に、機械デバイス、電気デバイス、及び光学デバイスを製造するためのN-置換ジアゼニウムジオキシド及びN’-ヒドロキシジアゼニウムオキシド塩の新規な使用方法を発見した。この使用方法を以下では本発明の使用方法と記載する。本発明の目的が、本発明の組成物、本発明の方法及び本発明の使用方法によって解決できることは、驚きべきことであり、当業者にとって従来技術から容易に予測できものではない。本発明の組成物は、驚くべきことに、窒化物に対する酸化物の選択度、並びにウェーハ面内の不均一性WIWNU及びウェーハ間の不均一性WTWNUによって例示される良好な全体的平面度及び局所的平面度を有する研磨ウェーハの収率について大幅な改善を示す。したがって、本発明の組成物は、50nm以下の大きさの構造を有するICアーキテクチャ、特にLSI大規模集積回路又はVLSI超大規模集積回路を備えるICsの製造に極めて適している。さらに、本発明の組成物は、集積回路装置の分野において非常に有用であるだけでなく、他の電気デバイスの製造の分野においても最も効率的かつ有利となる。なお、他の電気デバイスとは、例えば、液晶パネル、有機エレクトロルミネッセンスパネル、プリント回路基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、及び磁気ヘッドであり、並びに高精度機械デバイス及び光学デバイス、特に光学ガラスとして、フォトマスク、レンズ及びプリズム、インジウムスズ酸化物ITO等の無機材料の導電性フィルム、光集積回路、光スイッチング素子、光導波管、光ファイバ及びシンチレータの端面等の光学単結晶は、固体レーザ単結晶、青色LEDレーザ用のサファイア基板、半導体単結晶、並びに磁気ディスク用のガラス基板である。最も具体的には、本発明の組成物は、微生物及び真菌による攻撃を受けず、したがって、長期の保管の間に細菌及び真菌の増殖が生じず、研磨セリア粒子の粒度分布のが不安定とならない。この結果として、セリア粒子の不可逆凝集及び沈降が生じない。従って、本発明の組成物は、特に、本発明の方法にもっとも有用である。本発明の方法は、電気デバイス用の基板材料の研磨、特に化学的機械研磨に最も好適に用いられる。なお、電気デバイスは、例えば、液晶パネル、有機エレクトロルミネッセンスパネル、プリント回路基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、及び磁気ヘッドであり、並びに高精度機械デバイス及び光学デバイス、特に光学ガラスとして、フォトマスク、レンズ及びプリズム、インジウムスズ酸化物ITO等の無機材料の導電性フィルム、光集積回路、光スイッチング素子、光導波管、光ファイバ及びシンチレータの端面等の光学単結晶は、固体レーザ単結晶、青色LEDレーザ用のサファイア基板、半導体単結晶、並びに磁気ディスク用のガラス基板である。本発明の組成物は、水性組成物である。これは、組成物が主溶媒及び分散剤として水、特に超純水を含有することを意味する。それにもかかわらず、本発明の組成物は、本発明の組成物は、当該組成物の水性の性質を変えない程度の少量で少なくとも1種の水混和性有機溶媒を含有してもよい。本発明の組成物は、当該組成物の全質量を基準として、好ましくは、60~99.95質量、より好ましくは70~99.9質量、さらに好ましくは90~99.9質量の水を含む。本発明の組成物は、第一の必須成分又は要素の少なくとも一種として、好ましくは、一種の水溶性若しくは水分散性の化合物を含む。この化合物は、N-置換されたジアゼニウムジオキシドA、及びN’-ヒドロキシジアゼニウムオキシド塩からなる群から選択される。水溶性とは、関連する化合物Aが、水溶性媒体に分子レベルで分散することを意味する。一方で、水分散性とは、化合物Aが水性媒体中に微細に分散し、安定した状態の懸濁液又は乳濁液、好ましくは安定した懸濁液を形成することができることを意味する。最も好ましくは、化合物Aは水溶性である。好ましくは、N-置換ジアゼニウムジオキシドAは、一般式Iのものである。一般式Iにおいて、Rは、少なくとも一種の残基を含む部分を表す。当該残基は、モノマー、オリゴマー、及びポリマー、置換及び非置換、飽和及び不飽和の脂肪族及び脂環式の基からなる群から選択され、これらの基は、少なくとも1個のヘテロ原子及び/又は少なくとも1つの二官能性又は三官能性架橋基を含まないか或いは含んでおり、モノマー、オリゴマー、及びポリマー、置換及び非置換、飽和及び不飽和の脂肪族及び脂環式の基は、少なくとも1個のヘテロ原子を含まないか或いは含んでいる。一般式Iにおいて、nは1~1000、好ましくは1~500、より好ましくは1~100、及びより好ましくは、1~50、最も好ましくは、1~10の数である。残基Rがオリゴマー又はポリマー部分である場合には、数nは必ずしも整数である必要はなく、端数があっても良い。これは、オリゴマー及びポリマー部分の統計的性質によるものである。残基Rは、モノマー部分である場合には、数nは、通常、整数である。したがって、ジアゼニウムジオキシド基に関して、残基Rは、単官能又は多官能であっても良く、これは、残基Rが一種以上のジアゼニウムジオキシド基を含むことを意味する。残基Rは、少なくとも1個のヘテロ原子及び/又は少なくとも1つの二官能性又は三官能性の架橋基を含む場合には、ジアゼニウムジオキシド基が、残基Rの炭素原子と結合していることが好ましい。与えられた残基Rが、後により詳細に説明する上述の部分の一つからなっていても良く、また、残基Rは、後により詳細に説明する上述の部分を2種以上含んでいても良い。これら基が相互に異なっていても良く、少なくとも一つの共有結合により相互に連結されているか、及び/又は後に詳細に説明する上述の一種以上の架橋基により相互に結合されていても良い。本発明においてモノマーとは、関連する残基Rが、1つの特徴的な構造単位又は2つの特徴的な構造単位を含むか、これら構造単位から成るモノマー化合物R’から生じるものであることを意味する。モノマー化合物R’は、好ましくは40~1000ダルトンの範囲の分子量を有する。本発明においてオリゴマーとは、関連する残基Rが、3~約12個の特徴的な繰り返し構造単位を含むか、これら構造単位から成るオリゴマー化合物R’から生じるものであることを意味する。オリゴマー化合物R’は、好ましくは、100~2500ダルトンの範囲の重量平均分子量Mwを有する。本発明においてポリマーとは、関連する残基Rが、少なくとも12個の特徴的な繰り返し構造単位を含むか、これら構造単位から成るポリマー化合物R’から生じるものであることを意味する。ポリマー化合物R’は、好ましくは、500~2000000ダルトン、より好ましくは1000~1000000ダルトン、及び最も好ましくは5000~500000ダルトンの範囲の重量平均分子量Mwを有する。非置換とは、関連する残基Rが、下記のヘテロ原子を除き、炭素原子及び水素原子のみから成ることを意味する。置換とは、関連する残基Rが、不活性、すなわち、本発明の組成物における化合物Aの製造、処理、貯蔵、及び使用をする条件下で反応しない少なくとも一つの置換基を含むことを意味する。好適な不活性置換基の例としては、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボン酸基、スルホン酸基、ホスフィン酸基、ニトロ基、及びニトリル基、好ましくはフッ素原子及び塩素原子及びニトリル基である。飽和とは、関連する残基Rが、任意のオレフィン系又はアセチレン系不飽和基を含まないことを意味する。従って、不飽和とは、関連する残基Rが、少なくとも1つのオレフィン系及び/又はアセチレン系不飽和基を含有することを意味する。ヘテロ原子は、ホウ素、酸素、硫黄、窒素、リン、及びケイ素からなる群から選択されることが好ましく、最も好ましくは酸素及び窒素からなる群から選択される。二官能性及び三官能性の架橋基は、上記の意味で不活性であることが好ましい。好適な二官能性及び三官能性架橋基の例は、炭酸エステル、チオ炭酸エステル、炭酸塩、チオ炭酸塩、リン酸エステル、チオリン酸エステル、ホスフィン酸エステル、チオホスホン酸エステル、亜リン酸塩、チオホスホン酸エステル、スルホン酸エステル、アミド、アミン、チオアミド、リン酸アミド、チオリン酸アミド、ホスホン酸アミド、チオホスホン酸アミド、スルホン酸アミド、イミド、ヒドラジド、ウレタン、尿素、チオ尿素、カルボニル、チオカルボニル、スルホン、及びスルホキシド基であり、特に好ましくは、炭酸塩、ウレタン、カルボニル及びカルボン酸エステル基、最も好ましくは炭酸エステル基である。好ましくは、飽和、モノマー、脂肪族の部分Rが、直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素R’から派生するものであり、より好ましくは直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素R’は、1~20、より好ましくは1~16、さらに好ましくは1~12、最も好ましくは1~4個の炭素原子を分子中に有している。脂肪族炭化水素R’は、特に、メタン、エタン、プロパン、ブタン、イソブタン、ペンタン、イソペンタン、ネオペンタン、ヘキサン、イソヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、及びドデカン、特にメタン、エタン、プロパン、ブタン、及びイソブタンである。好ましくは、置換、飽和、モノマー、脂肪族の部分Rは、直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素R’から派生し、より好ましくは直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素R’は、1~20、より好ましくは1~16、さらに好ましくは1~12、最も好ましくは1~4個の炭素原子を分子中に有しており、フッ素及び塩素からなる群から選択される少なくとも1個のハロゲン原子を有している。好適には置換、飽和、モノマー、脂肪族の部分Rは、例えば、フルオロ、クロロ、ジフルオロ、ジクロロ、クロロフルオロ、トリフルオロ、トリクロロ、ジフルオロクロロ、及びフルオロジクロロメタン、並びに1,1-及び1,2-ジフルオロ、1,1-及び1,2-ジクロロ、1-クロロ-1-フルオロ、1-クロロ-2-フルオロ、1-ジフルオロ-2-フルオロ、2-トリフルオロ、1-ジクロロ-2-クロロ、2-トリクロロ、1-ジフルオロ-2-クロロ、2-ジフルオロクロロ、1-フルオロ-2-ジクロロ及び2-フルオロジクロロエタン、フルオロ、クロロ、ジフルオロ、ジクロロ、トリフルオロ、トリクロロ、テトラフルオロ、テトラクロロ、ペンタフルオロ、ペンタクロロ、ヘキサフルオロ、ヘキサクロロ、ヘプタフルオロ及びヘプタクロロプロパン、並びに混合フルオロクロロ置換プロパン、フルオロ、クロロ、ジフルオロ、ジクロロ、トリフルオロ、トリクロロ、テトラフルオロ、テトラクロロ、ペンタフルオロ、ペンタクロロ、ヘキサフルオロ、ヘキサクロロ、ヘプタフルオロ、ヘプタクロロ、オクタフルオロ、オクタクロロ、ノナフルオロ及びノナクロロブタン及びイソブタン、同様の混合フルオロクロロ置換ブタン及びイソブタンから派生するものである。好ましくは、非置換、置換、モノマー、脂肪族の部分R少なくとも1個のヘテロ原子を有するは、直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素R’から派生するものであり、より好ましくは直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素R’は、2~20、より好ましくは2~16、さらに好ましくは2~12、最も好ましくは2~6個の炭素原子を分子中に有しており、2個の炭素原子の間に、少なくとも1個の窒素原子及び/又は酸素原子を有している。特に好適な非置換、置換、モノマー、脂肪族の部分R少なくとも1個のヘテロ原子を有するは、例えば、ジメチルエーテル、メチルエチルエーテル、ジエチルエーテル、2,4-ジオキサペンタン、2,4-オキサヘキサン、3,6-ジオキサオクタン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジプロピルアミン、及び2-オキサ-4-アザ-ペンタンから生じる。好ましくは、置換、飽和、モノマー、脂肪族の部分R少なくとも1個のヘテロ原子を有するは、直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素R’から派生し、より好ましくは直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素R’は、2~20、より好ましくは2~16、さらに好ましくは2~12、最も好ましくは2~6個の炭素原子を分子中に有しており、2個の炭素原子の間に、少なくとも1個の窒素原子及び/又は酸素原子を有し、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は塩素原子を有している。例えば、置換、飽和、モノマー、脂肪族の部分R少なくとも1個のヘテロ原子を有するは、ジメチルエーテル、メチルエチルエーテル、ジエチルエーテル、2,4-ジオキサペンタン、2,4-オキサヘキサン、3,6-ジオキサオクタン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジプロピルアミン、及び2-オキサ-4-アザ-ペンタンから派生することが好適である。なお、これらは、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基で置換されてもよい。好ましくは、置換又は非置換、飽和、モノマー、脂肪族の部分Rは、少なくとも一つの二官能性又は三官能性架橋基を有し、直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素R’から派生し、より好ましくは直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素R’は、2~20、より好ましくは2~16、さらに好ましくは2~12、最も好ましくは2~6個の炭素原子を分子中に有しており、さらに少なくとも一つの二官能性又は三官能性の架橋基を有する。関連する炭化水素R’は、少なくとも1つの置換基を有していてもよい。置換又は非置換、飽和、モノマー、脂肪族の部分Rは、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルブチルケトン、エチルブチルケトン、アセチルアセトン、ギ酸メチル、エチル、プロピル、ブチル及びペンチルエステル、酢酸メチル、エチル、プロピル及びブチルエステル、プロピオン酸メチル、エチル及びプロピルエステル、並びに酪酸メチル及びエチルエステルから派生する。なお、これらは、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は塩素原子で置換されてもよい。好ましくは、置換又は非置換の、飽和の、オリゴマー又はポリマーの、脂肪族の部分Rは、直鎖状、分岐鎖状、超分岐鎖状、星型状、デンドリマー状、及び櫛歯状のホモポリマー及びコポリマーから派生する。このホモポリマー及びコポリマーは、エチレン、プロピレン、ブチレン、及びイソブチレンからなる。コポリマーは、ヘキセン及びオクテン等の共重合された高級オレフィンを少量含んでいても良い。上記ホモポリマー及びコポリマーは、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は塩素原子により置換されてもよい。置換又は非置換の、飽和の、オリゴマー又はポリマーの、脂肪族の部分R少なくとも1個のヘテロ原子、特に酸素原子を有するは、例えば、アルキレンイミン特にエチレンイミン、アルキレンオキシド特にエチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド、テトラヒドロフラン、並びにビニルエーテル及びエステル特にビニルメチル、エチル、プロピル及びブチルエーテル及びエステルの、直鎖状、分岐鎖状、超分岐鎖状、星型状、デンドリマー状、及び櫛歯状のホモポリマー及びコポリマーから派生する。上記ホモポリマー及びコポリマーは、二官能性又は三官能性の上述の架橋基を含んでいても良い。置換又は非置換の、飽和の、オリゴマー又はポリマーの、脂肪族の部分R少なくとも一つの二官能性又は三官能性、好ましくは二官能性の架橋基を含むは、直鎖状、分岐鎖状、超分岐鎖状、星型状、デンドリマー状、及び櫛歯状のポリカーボネート、ポリウレタン、及びメタアクリレートコポリマー、特にポリメチルアクリレート及びポリメチルメタアクリレートPMMAから派生することが好ましい。上記ホモポリマー及びコポリマーは、好ましくは少なくとも1個のフッ素及び/又は塩素原子により置換されてもよい。置換又は非置換の、飽和の、オリゴマー又はポリマーの、脂肪族の部分Rは、好ましくは、例えば、オレフィン、アセチレン、アクリレート、メタクリレート、ビニルエステル、ビニルエステル、アリルエーテル、アリルエステル等の慣用及び公知のオレフィン系又はアセチレン系不飽和モノマーから派生する。また、Rは、RoemppOnline2010,ThiemeChemistry,www.roempp.com,Terpene,Sesquiterpene,Diterpene,andTriterpeneに記載されているモノテルペン、セスキテルペン、ジテルペン、及びトリテルペンから派生しても良い。さらに、Rは、モノテルペン、セスキテルペン、ジテルペン、及びトリテルペンを少なくとも1個のフッ素及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基により置換したものから派生することが好ましい。置換又は非置換の、飽和の、オリゴマー又はポリマーの、脂肪族の部分Rは、例えば、エチレン、プロピレン、ブチレン、イソプレン、アセチレン、プロピン、メチル及びエチルアクリレート、メチルメタクリレート、ビニルエーテル及びエステルであり、特にビニルメチル、エチル、プロピル、及びブチルビニルエーテル及びエステル、並びにアリルメチル、エチル、プロピル、及びブチルエーテル及びエステル、並びにオシメン、ミルセン、シトラール、α-及びβ-イオノン及びプソイドイオノンである。上記モノマーは、少なくとも1個のフッ素及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基により置換されてもよい。好ましくは、置換又は非置換の、飽和の、脂環式の部分Rは、飽和の単環、二環、三環、四環の炭化水素から生じ、これら炭化水素は、少なくとも1個のフッ素及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基により置換されてもよい。特に好適な置換又は非置換の、飽和の、脂環式の部分Rの例は、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、o-、m-及びp-メンタン、メントン、カラン、ピナン、カロン、ボルニルクロリド、イソボルニルクロリド、樟脳、ボルナン、ノルボルナン、8.9.10-トリノルボルナン、スピロ[3.3]ヘプタン、スピロビシクロヘキサン、デカリン、ヒドリンダン、ノルカンファン、ビシクロ[2.2.1]オクタン、アダマンタン、ツイスタン、及びコングレサンである。これらは、少なくとも1個のフッ素及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基により置換されてもよい。好ましくは、置換又は非置換の、飽和の、脂環式の部分R少なくとも1個のヘテロ原子を含むは、少なくとも1個のヘテロ原子を含む飽和の単環、二環、四環の炭化水素から生じる。この炭化水素は、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基により置換されてもよい。置換又は非置換の、飽和の、脂環式の部分R少なくとも1個のヘテロ原子、特に少なくとも1つのフッ素原子及び/又は酸素原子を含むは、例えば、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、γ-ブチプラテンクトン、ε-カププラテンクタム、モルホリン、ウレチジン、イソオキサゾリジン、ピロリジン、イミダゾリン、ピラゾリジン、ピペリジン、ピペラジン、及びキヌクリジンから派生することが好ましい。なお、これらは、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は特定の塩素原子及び/又はニトリル基により置換されてもよい。好ましくは、置換又は非置換の、不飽和の、脂環式の部分Rは、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基により置換することが可能な、不飽和の単環、二環、三環、四環の炭化水素から派生する。置換又は非置換の、不飽和の、脂環式の部分Rは、例えば、シクロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、シクロヘキサ-1,3-1,2-ジエン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、α-及びγ-テルピネン、テルピネン、α-及びβ-フェランドレン、リモネン、ジペンテン、プレゴン、カルボン、カルベノン、α-及びβ-ピネン、ビサボレンカジネン、β-セリネン、カンフェン、及びスピロ[4.5]デカ-1,6-ジエンから派生し、これらは、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基により置換されてもよい。置換又は非置換の、飽和の、脂環式の部分R少なくとも1個のヘテロ原子を含むは、少なくとも1個のヘテロ原子を含む不飽和、単環、二環、三環、四環の炭化水素からから派生し、この炭化水素は、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基により置換されてもよい。置換又は非置換の、不飽和脂環式の部分R少なくとも1個のヘテロ原子、特に少なくとも1個の窒素原子及び/又は酸素原子を含むは、例えば、2H-ピラン、2H-ピロール、Δ2-イミダゾリン、Δ2-ピロリン、Δ3-ピラゾール、ピロレニンpyrrolenine、及びΔ4-イソオキサゾリンisoxazonineから生じる。なお、炭化水素を、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基により置換してもよい。好ましくは、置換及び非置換の、モノマーの、芳香族部分Rは、単環式及び多環式の芳香族化合物、特に、ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、ジフェニルエーテル、ジフェニルアミン、ジフェニルケトン、ジフェニルスルフィド、ジフェニルスルホキシド、ジフェニルスルホン、ナフタレン、インダン、フルオラン、フルオレノン、アントラセン、及びフェナントレンから派生する。なお、炭化水素を、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基により置換してもよい。好ましくは、置換及び非置換の、オリゴマー及びポリマーの、芳香族部分Rは、オリゴマー及びポリマーを含有する芳香族基から生じる。オリゴマー及びポリマーは、例えば、ポリエステル、特にポリエチレンテレフタレートPET、及びポリブチレンテレフタレートPBT、ポリエーテル、特にポリ2,6-ジメチルフェニレンオキシド等のポリフェニレンオキシド、並びにスチレンのホモポリマー及びコポリマーである。なお、オリゴマー及びポリマーを、好ましくは、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基により置換してもよい。好ましくは、置換及び非置換の、モノマーの、芳香族部分R少なくとも1個のヘテロ原子を含むは、単環式及び多環式の複素環式芳香族化合物から派生する。なお、単環式及び多環式の複素環式芳香族化合物は、特に酸素、硫黄及び/又は窒素を含む複素環式芳香族化合物であり、複素環式芳香族化合物は、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基により置換されたものでも良い。好ましくは置換及び非置換の、モノマーの、芳香族部分Rは、例えば、フラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、イソチアゾール、イソオキサゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ベンゾチオフェン、チアントレン、イソゼンゾフラン、フェノキサチイン、インドリジン、イソインドール、インドール、プリン、イソキノリン、キノリン、フタラジン、1,8-ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、カルバゾール、アクリジン、及びフェナントリジンから派生する。これらは、少なくとも1個のフッ素原子及び/又は塩素原子及び/又はニトリル基により置換されたものでも良い。上述のように、部分Rは、一般式IのRを構成するように相互に任意に組み合わせることができる。従って、例えば、ベンゼンから派生する部分Rは、N-置換ジアゼニウムジオキシドAがより水溶性を持つように、エチレンオキシドのコポリマーからエーテル基を介して派生する部分Rと組み合わせることができる。より好ましくは、部分Rは、モノマーの、飽和の、脂肪族及び脂環式及びモノマー芳香族化合物、さらに好ましくは、非置換の、モノマーの、飽和の、脂肪族及び脂環式及び無置換のモノマー芳香族化合物、特に、メタン、エタン、プロパン、ブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、及びベンゼンから派生するものである。最も好ましくは、N-置換ジアゼニウムジオキシド炭素Aが、N-メチル-、N-エチル-、N-プロピル-、N-ブチル、N-シクロヘキシル-、及びN-フェニル-ジアゼニウムジオキサイドからなる群から選択される。好ましくは、N-置換N’-ヒドロキシジアゼニウムオキシド塩Aは、一般式IIで表される。なお、式中、Rは、上述した部分であり、n及びmは、ともに1~1000であり、好ましくは1~500であり、より好ましくは1~100であり、さらにより好ましくは、1~50であり、最も好ましくは、1~10である。残基Rは、オリゴマー又はポリマー部分であり、数n及びmは、必ずしも整数である必要はなく、端数でも良い。これは、オリゴマー及びポリマー部分の統計的性質によるものである。残基Rは、モノマー部分である場合には、n及びmは通常は整数である。Mは、有機及び無機の、モノマー、オリゴマー及びポリマーのカチオンからなる群から選択されるカチオンである。好適なモノマー有機カチオンは、例えば、第一級、第二級、第三級及び第四級アンモニウムカチオン、第一級、第二級、第三級及び第四級ホスホニウムカチオン、並びに第一級及び第二級スルホニウムカチオン、特に、テトラメチルアンモニウムカチオンである。好適なオリゴマー及びポリマーカチオンは、例えば、第一級、第二級、第三級及び第四級アンモニウムカチオン、第一級、第二級、第三級及び第四級ホスホニウムカチオン、並びに第一級及び第二級スルホニウムカチオン、特に、カチオン性ポリエチレンイミンである。好適な無機カチオンは、例えば、アンモニア、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、スカンジウム、イットリウム、ランタン、希土類金属、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛、及びカドミウムのカチオン、好ましくは、アンモニア、リチウム、ナトリウム、及びカリウムのカチオンである。最も特に好ましく、N’-ヒドロキシ-ジアゼニウムジオキシド塩Aは、N-メチル-、N-エチル-、N-プロピル-、N-ブチル、N-シクロヘキシル-、及び-Nフェニル-N’-ヒドロキシ-ジアゼニウムジオキシドアンモニウム、リチウム、ナトリウム、及びカリウムの塩から成る群から選択される。本発明の組成物において、N-置換ジアゼニウムジオキシド塩Aの濃度及び/又はN’-ヒドロキシジアゼニウムオキシド塩Aの濃度は、大きく変更することができ、したがって、当該濃度は、本発明の特定の組成物、方法、及び使用方法に合わせて、有利に調整することができる。好ましくは、本発明の組成物は、その全質量を基準として、0.01~1000ppm、より好ましくは0.05~750ppm、さらに好ましくは0.075~500ppm、最も好ましくは0.1~500ppmの濃度で化合物Aを含む。本発明の組成物における第二の必須成分は、少なくとも一種の研磨粒子Bである。基本的に、研磨特に、化学的機械的な研磨又は平面化CMPの分野で従来使用される任意の天然又は合成研磨粒子材料を、構成要素Bとして用いることができる。研磨粒子Bは、好ましくは、アルミナ、シリカ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、チタニア、ジルコニア、セリア、酸化亜鉛、及びこれらの混合物からなる群から選択される。研磨粒子Bの平均粒径は大きく変更することができ、したがって、当該平均粒径は、本発明の特定の組成物、方法、及び使用方法に合わせて、有利に調整することができる。動的レーザ光散乱により測定される平均粒径は、好ましく、1~2000nm、好ましくは1~1000nm、より好ましくは1~750nm、最も好ましくは1~500nmである。最も好ましくは、研磨粒子Bがセリアを含有するか、セリアから成る。セリアを含有する研磨粒子Bは、他の希土類金属酸化物を少量含有していても良い。セリアを含有する研磨粒子Bは、好ましくは、少なくとも一種の他の研磨粒子を含む又は他の研磨粒子から成る複合粒子Bである。なお、この研磨粒子は、特にアルミナ、シリカチタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、及びこれらの混合物とは異なる材料である。上述の複合粒子Bは、例えば、WO2005/035688A1、US6110396、US6238469B1、US6645265B1、K.S.ChoiらによるMat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.671,2001MaterialsResearchSociety,M5.8.1toM5.8.10,、S.-H.LeeらによるJ.Mater.Res.,Vol.17,No.10,2002,pages2744to2749、A.JindalらによるJournaloftheElectrochemicalSociety,1505G314-G3182003、Z.LuによるJournalofMaterialsResearch,Vol.18,No.10,OctoBer2003,MaterialsResearchSociety、又はS.HedgeらによるElectrochemicalandSolid-StateLetters,712G316-G3182004により知られている。最も好ましくは、複合粒子Bが、アルミナ、シリカチタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、及びこれらの混合物から成る群から選択されるコアを含むラズベリー形の被覆粒子であり、コアの径は20~100nmである。コアは、10nm未満の粒子径を有するセリア粒子により被覆される。本発明の組成物における研磨粒子Bの量は大きく変更することができ、したがって、当該平均粒径は、本発明の組成物、方法、及び使用方法の特定の要求に合わせて、有利に調整することができる。本発明の組成物は、当該組成物の全質量を基準として、好ましく、0.005~10質量、より好ましくは0.01~8質量、最も好ましくは0.01~6質量の研磨粒子Bを含む。本発明の組成物は、構成要素又は成分A及びBとは異なる少なくとも一種の官能性成分Cを含んでいても良い。官能性成分Cは、好ましくは、通常、セリア系CMPスラリーに使用される化合物の群から選択される。このような化合物Cの例は、冒頭に記載されているように、例えば、Y.N.PrasadらによるElectrochemicalandSolid-StateLetters,912G337-G3392006、Hyun-GooKangらによるJournalofMaterialResearch,volume22,No.3,2007の777~787ページ、S.KimらによるJournalofColloidandInterfaceScience,3192008の48~52ページ、S.V.BabuらによるElectrochemicalandSolid-StateLetters,712G327-G3302004、Jae-DongLeeらによるJournaloftheElectrochemicalSociety,1498G477-G481,2002、US5738800、US6042741、US6132637、US6218305B、US5759917、US6689692B1、US6984588B2、US6299659B1、US6626968B2、US6436835B1、US6491843B1、US6544892B2、US6627107B2、US6616514B1、US7071105B2、US2002/0034875A1、US2006/0144824A1、US2006/0207188A1、US2006/0216935A1、US2007/0077865A1、US2007/0175104A1、US2007/0191244A1、US2007/0218811A1、及びJP2005-336400Aに開示されている。また、官能性成分Cは、粒子Bとは異なる有機、無機、及び有機-無機混合の研磨粒子、下限臨界溶液温度LCST及び上限臨界溶液温度UCSTを有する材料、酸化剤、不動態化剤、電荷反転剤、有機ポリオール、オリゴマー及びポリマー、錯化剤又はキレート剤、摩擦調整剤、安定化剤、レオロジー調整剤、界面活性剤、金属カチオン、並びに有機溶媒から成る群から選択される。また、上記有機ポリオールは、水性媒体中で解離しない少なくとも3つのヒドロキシ基を有する。更に、オリゴマー及びポリマーは、水性媒体中で解離しない少なくとも3つのヒドロキシ基を有する少なくとも一種のモノマーから形成される。好適な有機研磨粒子C及びその有効量は、例えば、US2008/0254628A1の4ページにおける段落[0054]に、又はWO2005/014753A1に記載されている。当該文献においては、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン及びジシアンジアミド等のメラミン及びメラミン誘導体から成る固体粒子が開示されている。好適な無機研磨粒子C及びその有効量は、例えばWO2005/014753A1の12ページにおける1~8行目、又はUS6068787Bの第6欄41行目~第7欄65行目において開示されている。好適な機-無機混合の研磨粒子C及びその有効量は、例えば、US2008/0254628A1の4ページの段落[0054]、又はUS2009/0013609A1の3ページの段落[0047]~6ページの段落[0087]に開示されている。好適な酸化剤C及びその有効量は、例えば、EP1036836A1の8ページの段落[0074]~[0075]、又はUS6068787Bの第4欄40行目~第7欄45行目、又はUS7300601B2の第4欄18行目~34行目において開示されている。好ましく、有機及び無機過酸化物、より好ましくは無機過酸化物が使用される。特に、過酸化水素が使用されている。好適な不動態化剤C及びその有効量は、例えば、US7300601B2の第3欄59行~第4欄9行目、又はUS2008/0254628A1の段落[0058]の4~5ページに亘って記載されている。摩擦調整剤US2008/0254628A1の5ページの段落[0061]参照、又はエッチング剤若しくはエッチャント剤US2008/0254628A1の4ページの段落[0054]として指定されることのある錯化剤又はキレート剤C及びその有効量は、例えば、US7300601B2の第4欄の35行目~48行目に記載されている。アミノ酸、特にグリシン、さらには、ジシアンジアミド及びトリアジンであり、少なくとも1つ、好ましくは2つ、さらに好ましくは3つの第1級アミン基を含むものが、最も好ましく使用される。この3つの第1級アミン基を含むものは、例えば、メラミン及び水溶性グアナミン、特にメラミン、ホルモグアナミン、アセトグアナミン、及び2,4-ジアミノ-6-エチル-1,3,5-トリアジンである。好適な安定化剤C及びその有効な量は、例えば、US6068787Bの第8欄の4行目~56行目に開示されている。好適なレオロジー調整剤C及びその有効な量は、例えば、US2008/0254628A1の5ページの段落[0065]~6ページの段落[0069]に開示されている。好適な界面活性剤C及びその有効な量は、例えば、WO2005/014753A1の8ページの23行目~10ページの17行目、又はUS7300601B2の第5欄の4行目~第6欄の8行目に開示されている。好適な多価金属イオンC及びその有効な量は、例えば、EP1036836A1の8ページの段落[0076]~9ページの段落[0078]に開示されている。好適な有機溶媒C及びその有効な量は、例えば、US7361603B2の第7欄の行32行目~48行目、又はUS2008/0254628A1の5ページの段落[0059]に開示されている。下限臨界溶液温度LCST又は上限臨界溶液温度UCSTを示す好適な材料Cは、例えば、H.Mori、H.Iwaya、A.Nagai、及びT.Endoによる論文ControlledsynthesisofthermoresponsivepolymersderivedfromL-prolineviaRAFTpolymerization,inChemicalCommunication,2005,4872-4874、若しくはD.Schmaljohannによる論文Thermo-andpH-responsivepolymersanddrugdelivery,AdvancedDrugDeliveryReviews,volume582006,1655-1670、US2002/0198328A1、US2004/0209095A1、US2004/0217009A1、US2006/0141254A1、US2007/0029198A1、US2007/0289875A1、US2008/0249210A1、US2008/0050435A1、若しくはUS2009/0013609A1、US5057560B、US578882B、及びUS6682642B2、WO01/60926A1、WO2004/029160A1、WO2004/0521946A1、WO2006/093242A2、若しくはWO2007/012763A1、EP0583814A1、EP1197587B1、及びEP1942179A1、若しくはDE2610705に記載されている。また、上記材料は、商標名PluronicTetronic、及びBasensolとして、BASF社及びBASFSEによって販売されている。この販売については、BASF社の会社パンフレットPluronicTMTetronicTMBlockCopolymerSurfactants,1996、又はUS2006/0213780A1に記載されている。第1の有利なかつ好ましい実施形態においては、本発明の組成物は、少なくとも1つの電荷反転剤Cを含む。原則として、従来においてCMPの分野で使用される任意の公知の電荷反転剤Cを用いることができる。電荷反転剤Cは、好ましくは、モノマーの、オリゴマーの及びポリマーの化合物から成る群から選択される。また、この化合物は、カルボン酸塩、スルフィン酸、硫酸塩、ホスホン酸塩、及びリン酸基からなる群から選択される少なくとも1つのアニオン性基を含む。特に好適な電荷反転剤Cは、例えば、US72065055B2、第4欄の24行目~は45行目、又はJP2005-336400A請求項1~6参照に記載されている。本発明の組成物における電荷反転剤Cの濃度は大きく変更することができ、したがって、当該濃度は、本発明の特定の組成物、方法、及び使用方法に合わせて、有利に調整することができる。好ましくは、電荷反転剤Cは、該電荷反転剤Cに対するセリアの質量比が、10~2000、及び20~1000となるような量で使用される。第2の有利なかつ好ましい実施形態においては、本発明の組成物は、少なくとも一種の有機ポリオールC、より好ましくは、水性媒体中で解離しない少なくとも3つのヒドロキシ基を有する少なくとも2種の有機ポリオールC、及び/又は水性媒体中で解離しない少なくとも3つのヒドロキシ基を有する少なくとも一種のモノマーから構成されるオリゴマー及びポリマーを含む。より好ましくは、有機ポリオール又はポリオールCは、単糖類、二糖類、オリゴ糖類、多糖類、デオキシ糖、アミノ糖、アルドン酸、ケトアルドン酸、ウロン酸、アルダル酸、糖アルコール、及びシクリトールから成る群から選択される。さらに好ましくは、有機ポリオール又はポリオールCは、単糖類、及びシクリトールから成る群から選択され、特に好ましくは、ガラクトース、並びにmyo-、scyllo-、muco-、chiro-、neo-、allo-、epi-、及びcis-イノシトールから成る群から選択される。最も好ましくは、ガラクトース及びmyo-イノシトールは、有機ポリオールCとして使用される。本発明の組成物における有機ポリオールCの濃度は、大きく変更することができ、したがって、当該濃度は、本発明の特定の組成物、方法、及び使用方法に合わせて、有利に調整することができる。好ましくは、本発明の組成物は、その全質量を基準として、0.001~5質量、より好ましくは0.005~4質量、さらに好ましくは0.01~2質量、及び最も好ましくは0.01~1質量の量で有機ポリオールCを含有する。第3の最も有利なかつ最も好ましい実施形態においては、本発明の組成物は、上述の電荷反転剤C及び有機ポリオールCを含有する。存在する場合には、官能性成分Cの含有量を様々に変更することができる。好ましくは、Cの合計量が、対応する組成物の全質量に対して10wt以下wtは質量を意味する、より好ましくは2質量以下、最も好ましくは、0.5質量以下、特に好ましくは0.1質量以下、例えば0.01質量以下である。本発明の組成物は、任意に、構成要素A及びBとは物質的に異なる少なくとも一種のpH調節剤、又は緩衝剤Dを含有していても良い。好適なpH調節剤又は緩衝剤D及びその有効な量は、例えば、EP1036836A1の8ページの段落[0080]、[0085]、及び[0086]、WO2005/014753A1の12ページの19行目~24行目、US2008/0254628A1の6ページの段落[0073]又はUS7300601B2の第5欄の33行目~63行目に記載されている。pH調整剤又は緩衝剤Dは、例えば、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH、硝酸、及び硫酸である。存在する場合には、pH調節剤又は緩衝剤Dの含有量を様々に変更することができる。好ましくは、Dの合計量が、対応する組成物の全質量に対して20質量以下、より好ましくは7質量以下、最も好ましくは2質量以下、特に0.5質量以下、例えば0.1質量以下である。好ましくは、Dの合計量は、対応する組成物の全質量に対して少なくとも0.001質量、より好ましくは少なくとも0.01質量、最も好ましくは少なくとも0.05質量、特に少なくとも0.1質量、例えば少なくとも0.5質量である。好ましくは、本発明の組成物のpHは、好ましくは上記pH調整剤Dを用いて、3~10、より好ましくは4~8、さらにより好ましくは4~7、最も好ましくは5~7に設定される。本発明の組成物の製造について詳細は示さないが、当該製造は、上述の成分A及びB並びにC及び/又はDを、水性媒体特に脱イオン水中で溶解又は分散させることで実行することができる。このために、撹拌槽、インライン溶解機、高剪断インペラ、超音波ミキサー、ホモジナイザーノズル又は向流ミキサー等の従来の標準的な混合方法及び混合装置を使用することができる。従って、好ましくは、得られた本発明の組成物は、固体の塊又は凝集体等の粗い粒子を除去して細かく分散された研磨粒子Bを得るために、適切なメッシュ開口のフィルターを通して濾過することができる。最も驚くべきことに、N-置換ジアゼニウムジオキシド及びN’-ヒドロキシジアゼニウムオキシド塩Aは、本発明の使用方法、すなわち、機械、電気、光学デバイスの製造に最も適している。特に、電気デバイスとしては、集積回路装置、液晶パネル、有機エレクトロルミネッセンスパネル、プリント回路基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、及び磁気ヘッドであり、機械装置としての高精度機械装置であり、及び光学デバイスが、フォトマスク等の光学ガラス、レンズ及びプリズム、インジウムスズ酸化物ITO等の無機材料の導電性フィルム、光集積回路、光スイッチング素子、光導波管、例えば光ファイバ及びシンチレータの端面における光学単結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザLED用のサファイア基板、半導体単結晶、及び磁気ディスク用のガラス基板である。より好ましくは、N-置換ジアゼニウムジオキシド、N’-ヒドロキシジアゼニウムオキシド塩A、及びこれらが含まれる本発明の組成物は、特に大規模集積回路又は超大規模集積回路をともなう集積回路50nm未満の大きさの構造を有するの製造に使用される。最も好ましくは、本発明の組成物は本発明の方法に極めて適している。本発明の方法においては、電気、機械、及び光学デバイス用、特に電気デバイス、最も好ましくは集積回路装置用の基板材料を、本発明の組成物に1回以上接触させて研磨特に機械及び化学研磨し、所望の平面度が実現される。本発明における方法は、low-k材料又はultra-low-k材料及び窒化ケイ素層及び/又はポリシリコン層から成る絶縁層を有するシリコン半導体ウェーハのCMPに対して特に有効である。好適なlow-k材料又はultra-low-k材料、及び好適な絶縁性絶縁体層を製造する方法は、例えば、US2005/0176259A1の2ページの段落[0025]~[0027]、US2005/0014667A1の1ページの段落[0003]、US2005/0266683A1の1ページの段落[0003]及び2ページの段落[0024]、US2008/0280452A1の段落[0024]~[0026]、US7250391B2の第1欄の49行目~54行目、又はEP1306415A2の4ページの段落[0031]に記載されている。本発明の方法は、特にパターン化されたウェーハ基板で二酸化ケイ素を選択的に除去して窒化ケイ素とするシャロートレンチアイソレーションSTIに適している。この方法においては、エッチングされたトレンチが、停止層としての窒化ケイ素バリア膜を用いて研磨される二酸化ケイ素等の絶縁体材料で過剰充填される。好ましい実施の形態において、本発明の方法が、さらされた窒化ケイ素及びトレンチの酸化ケイ素の除去を最小限に抑えつつ、バリア膜から二酸化ケイ素を除去して終了する。本発明における方法の詳細は示さないが、本発明の方法は、ICsとともに半導体ウェーハを製造する際におけるCMPに従来使用されていた方法及び設備を用いて行うことができる。当技術分野で知られているように、CMP用の典型的な装置は、研磨パッドで覆われて回転するプラテンから構成される。ウェーハは、その上面側が研磨パッドに対向するようにキャリア又はチャックに取付けられる。このキャリアは、ウェーハを水平に固定する。デバイスの研磨及び保持におけるこの特定の配置は、硬質プラテン設計として知られている。キャリアは、キャリアの保持面と研磨されていないウェーハの表面との間に位置するキャリアパッドを保持することができる。このパッドは、ウェーハ用のクッションとして機能させることができる。キャリアの下方には、より大きな直径のプラテンが概ね水平に配置され、研磨されるウェーハの面に対して平行な面を呈している。平面化プロセス中に、プラテンの研磨パッドにウェーハ表面が接触する。本発明のCMPプロセスの間に、本発明の組成物は、連続流又は滴下方式で研磨パッドに塗布される。キャリアとプラテンは双方とも、該キャリアとプラテンに対して直交して延びるそれぞれのシャフトの周りを回転するようになっている。回転キャリアのシャフトは、回転プラテンに対して固定されたままであるか、又はプラテンに対して水平に振動するようになっていても良い。キャリアの回転方向は、通常、プラテンの回転方向と同一であるが、必ずしもこれに限られない。キャリアとプラテンの回転速度は、通常、異なる値に設定されるが、必ずしもこれに限られない。慣例的には、プラテンの温度は10~70°Cの間の温度に設定される。さらなる詳細は、WO2004/063301A1において、図1とともに、特に16ページの段落[0036]~18ページの段落[0040]に記載されている。本発明の方法によれば、パターン化されたlow-k材料及びultra-low-k材料の層、特に二酸化ケイ素層を含み、極めて良好な平面度を有するICsの半導体ウェーハが得られる。従って、完成後のICに優れた平面度及び優れた電気的機能を与える銅のダマシン模様が得られる。実施例N-シクロヘキシル-N’-ヒドロキシジアゼニウムジオキシドカリウム塩を含む組成物1~3実施例1~3、並びに組成物C1及びC2比較実験C1及びC2の製造。実施例1~3及び比較実験C1及びC2のために、組成物1~3、C1、及びC2を、超純脱イオン水中に成分を溶解及び分散させることにより製造した。表1には、使用される成分の量を示す。表1:組成物1~3、C1、及びC2の製造のために使用される成分の量aポリリン酸:ポリリン酸対するセリアの質量比は200bN-シクロヘキシル-N’-ヒドロキシジアゼニウムオキシドカリウム塩実施例4~6、並びに比較実験C3及びC4N-シクロヘキシル-N’-ヒドロキシジアゼニウムジオキシドカリウム塩実施例4~6を含む組成物、及び塩を含まない組成物比較実験C3及びC4についての、窒化ケイ素における酸化ケイ素の選択度実施例1の組成物1を実施例4で使用し、実施例2の組成物2を実施例5で使用し、実施例3の組成物3を実施例6で使用した。比較実験C1の組成物C1を比較実験C3で使用し、比較実験C2の組成物C2を比較実験C4で使用した。窒化ケイ素における酸化ケイ素の選択度を測定するために、酸化物層又は窒化ケイ素物層を含むシリコンウェーハを、実施例4~6並びに比較実験C3及びC4に使用した。研磨速度すなわち、材料除去率、MRRの質量差によって測定した。これについては、SartoriusLA310Sscale又はFilmmetricsF50反射率計を用いてCMP前後のウェーハのMRRSを計算するために、熱二酸化シリコンの濃度として1.9kg/Lを使用し、の濃度として1.9kg/Lを使用し、窒化ケイ素の濃度として3.44kg/Lを使用した。研磨実験を、StrasbaughnSpireModel6EC、ViPRRフローティングリテーニングリングキャリアを用いて次のパラメータで行った:-下部圧力:3.5PSI240ミリバール;-背側圧力:0.5PSI34.5ミリバール;-リテーニングリング圧力:2.5PSI172ミリバール;-研磨テーブル/キャリア速度:95/85rpm;-スラリー流量:200ml/分;-研磨時間:60秒;-パッド調整:原位置9.2~9.0Ibs、41N;-研磨パッド:IC1000A2積み重ねパッド、xyk溝RH;-バッキングフィルム:ストラスボー、DF200136穴;-調整ディスク:ストラスボーサソール。すなわち、表2において、得られたMRRS及び計算された窒化ケイ素における酸化ケイ素の選択度の概要を示す。表2:材料除去率及び組成物1~3実施例4~6、並びにC1及びC2比較実験C3及びC4の窒化ケイ素における酸化ケイ素の選択度a材料除去率[オングストローム/分]bMRRTEOSオルトケイ酸テトラエチルの材料除去率[オングストローム/分]c選択度TEOS/Si3N4表2示されている結果により、特に単糖又は単糖及びシクリトールを組み合わせて、N-置換N’-ヒドロキシジアゼニウムジオキシド塩を使用することにより、窒化ケイ素における酸化ケイ素の選択度が顕著に増加していることがわかる。組成物C2は、N-置換N’-ヒドロキシジアゼニウムオキシド塩を含まないが、単糖が比較的高い窒化ケイ素における酸化ケイ素の選択度を示す。しかし、組成物C2は、保存中に、細菌及び真菌により攻撃を受けた。"