複数の荷電粒子線を生成し、該複数の荷電粒子線の各々に微小フィールドを走査させる荷電粒子線装置であって、前記走査の方向において、前記微小フィールド内のピクセルサイズの偶数倍にならないように、前記微小フィールドのサイズを設定する設定手段を有する、ことを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1に記載の荷電粒子線装置を用いて基板を露光する工程と、前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。ところで、上記従来例においては、期待した解像度や描画精度が得られない場合がある。それは、本発明者の知見によると、次の理由による。すなわち、上記従来例において、複数のビームが個々の微小フィールドを走査し、個々のビームをオンオフ制御することによって描画がなされる。ここで、あるパターンを描画する経過を考えると、個々のビームは偏向走査によって描画パターン位置に来るとビームオンとなり、描画パターン位置で無い場合にはビームオフとなる。この動作を全てのビームについて考えると、ウエハに到達する全ビーム電流は時系列に変動している。つまり全てのビームが描画に関わる時刻にはビーム電流最大となり、反対に全てのビームが描画を行わない場合にはビーム電流最小ゼロとなる。従ってビーム電流は常に0から最大値の間を変動しながら描画が進行する。一方、試料上に収束されるビームの解像度はクーロン効果の影響により劣化し、ビーム電流とクーロン効果による解像度はほぼ比例関係にある。以上の2点を考慮すると、描画中のビーム走査及び個々のビームのオンオフに伴いビーム電流が変動し、ひいては解像度の変動を招くこととなる。個々のビームがランダムにオンオフを繰り返す場合、ビーム電流の変動はそれほど大きくはならないが、以下に示す特定の状況には非常に大きな電流変動を伴う。例えば、ラインアンドスペースパターンを描画する場合を考える。偏向走査が行われる微小フィールドサイズがパターン寸法の偶数倍であると、あるピクセル描画では全てのビームが一斉にオン状態になり、また次のピクセルでは一斉にオフ状態となる。そしてオン状態のビーム電流は最大ビーム電流であり、解像度は最も悪い状態である。同様に一般のデバイスパターンを描画する場合を考えるとデザインルールの偶数倍に微小フィールドサイズが設定されると、上記とほぼ同様の現象が生じ、非常に大きなビーム電流変動を生ずる。つまりある時刻にはほぼ全てのビームが同時にオン状態となり、またある時刻にはほぼ全てのビームが同時にオフ状態となる。そしてほぼ全てのビームがオン状態の際に描画されたパターンと、ほぼ全てのビームが同時にオフ状態となった際に描画されたパターンの解像度は大きく異なる。これは解像度のみならず描画精度に大きな影響を及ぼす。本発明は、上述の従来例における問題点を解消することを課題とする。本発明は、複数の荷電粒子線を生成し、該複数の荷電粒子線の各々に微小フィールドを走査させる荷電粒子線装置であって、前記走査の方向において、前記微小フィールド内のピクセルサイズの偶数倍にならないように、前記微小フィールドのサイズを設定する設定手段を有する、ことを特徴とする荷電粒子線装置である。本発明によれば、クーロン効果の影響の低減に有利な荷電粒子線装置を実現することができる。以下、実施例を挙げて本発明の好ましい実施の形態を説明する。以下においては、荷電粒子線の一例としてマルチ電子ビーム露光装置の例を示す。なお、以下の実施例は、電子ビームに限らずイオンビームを用いた露光装置にも同様に適用でき、また露光装置に限らず他のマルチビーム荷電粒子線装置についても同様の効果を得ることができる。[第1の実施例]以下、第1の実施例を説明する。図1は本発明の一実施例に係る電子ビーム露光装置の要部概略図である。図1において、電子源1より放射状に放出される電子ビームはコリメータレンズ2によって所望の大きさを持った面積ビームに成形された後、マスク3にほぼ垂直入射される。マスク3は複数の開孔を持つマスクである。マスク3を通して複数個に分割され成形された電子ビーム10はレンズ4によってそれぞれブランキングアレイ6に収束される。ブランキングアレイ6は偏向板アレイであり、個々のビームを偏向することが出来る。ブランキングアレイ6によって偏向されたビームはブランキング絞り9によって遮蔽される。一方、偏向されなかったビームはレンズ7により収束され、ブランキング絞り9を通過する。さらに、レンズ8により収束され、偏向器5によって試料上への照射位置を調整された後、試料11上に照射される。偏向器5はラスタースキャンを行っており、偏向器5のスキャンタイミングとブランキングアレイ6の動作のタイミングによって所望の位置にビームが照射される。各レンズ2、4、7、8はレンズ制御回路13によって制御され、偏向器5は偏向信号発生回路18により発生されるラスター偏向信号を偏向アンプ19に送信することによって制御される。ブランキングアレイ6はブランキング制御回路17によって制御される。ブランキング制御回路17は描画パターン発生回路14、ビットマップ変換回路15、露光時間制御回路16によって生成されるブランキング信号により制御される。次に試料上のビームの動きを図2及び図3を用いて説明する。図2は試料上に到達する全てのビームの動きを説明している。各々のビーム10は各々に割り当てられた微小フィールド20内をラスタースキャンし、パターンを描画していく。また全てのビームが同時に同様のラスタースキャンを行い、パターンに応じて個々にビームのオンオフを行いフィールド22内のパターンを描画する。図3は一つの微小フィールド内のビームの動き及びピクセル構造を示している。一つのビーム10は上述したように微小フィールド20内をラスタースキャンするが、微小フィールド内はさらにピクセル21に分割されており、ピクセル毎にビームのオンオフを行うことによってパターンを描画していく。次に従来例における複数のビームの動きを2つの微小フィールドに関してのみ説明したものが図4である。図4aは図3にて説明した微小フィールドが2つ配置された例を示している。それぞれのビーム10はそれぞれの微小フィールド20をラスタースキャンしている。このとき図4bに示すラインアンドスペースパターンの描画を行うことを考えると、各々のビームは個々にブランキングによってオンオフされるが、そのオンオフのタイミングは全く等しい。つまり同時にビームオンされ、同時にビームオフされる。この際の試料上へのビーム電流変動を示したものが図4cである。ビーム電流はビームオン時に最大となり、ビームオフ時に0となる。一方、ビーム電流とビーム解像度はクーロン効果によって関連付けられ、ビーム電流が大きいほどビーム解像度は悪化する。つまり、図4を用いて説明した例を全てのビームについて考えると、図4の如くラインアンドスペースパターンを描画した場合には試料上には最大電流が照射されることとなり、ビームの解像度は最も悪い状態にて描画されることとなる。また、上述ではラインアンドスペースパターンの描画のみにて説明したが、ラインアンドスペースパターン以外に別パターンが存在する場合には次の如くなる。つまり、ラインアンドスペースパターンは解像度が悪く、他のパターンは解像度良く描画されることとなる。これは解像度のみならず描画精度に大きな影響を及ぼす。上記問題の原因はパターン寸法の偶数倍に微小フィールドサイズが設定されていることが大きな原因である。次に、本実施例に係る描画方法を図5に示す。図5では上記問題を避ける為、描画パターン寸法の奇数倍に微小フィールドパターンサイズを設定している。一つの微小フィールドと隣接する微小フィールドを考えると、一方のビームがオン状態の際にはもう一方のビームがオフ状態となり、常にビームのオンオフ状態が反転している。つまり、試料上には常時一定のビームが照射されていることとなる。本説明は全てのビームに拡張した場合においても同様であり、パターン寸法の奇数倍に微小フィールドパターンサイズを設定することによって、試料上に常時一定のビームが照射される状態にて描画が行われる。ビームの解像性を考えた場合にも、全ビーム電流が前記方法に対して半減する為、解像度が向上する。また、パターン毎の解像度のばらつきも無く、精度の良い描画が可能となる。本実施例では、上記方法を実現する為に描画パターン寸法の奇数倍に微小フィールドサイズを自動設定する為の制御手段をコントローラ12に導入した。本実施例は描画パターンのパターン寸法を評価し、その奇数倍に微小フィールドサイズを設定する手段を設けている。また描画パターンが大きい場合には一部の代表パターンを抽出する手段を設けている。上に説明した方法を用いて実際に露光を行った。第一の実験ではピクセルサイズは50ナノメートル、微小フィールドサイズは2ミクロンにて100ナノメートルピッチのラインアンドスペースパターンを描画した。第二の実験ではピクセルサイズは50ナノメートル、微小フィールドサイズは2.05ミクロンにて100ナノメートルピッチのラインアンドスペースパターンを描画した。その結果、第一の実験ではパターン解像度70ナノメートルであった描画結果が第二の方法では50ナノメートルと解像度を向上させることができた。なお、本実施例においては描画パターン寸法の奇数倍に微小フィールドサイズを設定することによって解像度を向上させることができた。しかし、描画パターン寸法の奇数倍に限らず、偶数倍でなければ上記と同様の効果を得ることができる。同様に、微小フィールドサイズをピクセルサイズの偶数倍にならないように設定することによっても同様の効果を得ることができる。さらに描画パターンに基づく微小フィールドサイズを、描画パターンより計算される試料上へのビーム電流の時間変動が最小となるように計算、設定することによってさらに良好な効果を得ることができる。また、上述において、電子源は1個の例を示したが、2個以上であってもよい。[第2の実施例]次に第2の実施例について説明する。第1の実施例においてはデータ制御によって微小フィールドサイズの変更を行ったが、本実施例においては光学パラメータの変更によって同様の効果を実現する。第1の実施例において微小フィールドサイズの変更を行い、従来の微小フィールドサイズに対して1ピクセル大きい微小フィールドサイズを設定することを考える。すると、図2に示す如く微小フィールド20は8×8配列されているため、最外周微小フィールドでは3ピクセル分のシフトが必要となり、フィールドサイズ22は6ピクセルだけ大きくなる。さらに微小フィールドサイズの拡大を行っていくことを考えると、最外周微小フィールドのシフト量は拡大に従って大きくなり、最後には最外周微小フィールドのスキャン可能領域を越えてしまう。従って、微小フィールドサイズの変更量が大きい場合には第1の実施例では不十分である。そこで、第2の実施例では微小フィールドサイズの変更に伴い、光学系の縮小率を変更する。つまり、レンズ7、8の励磁を変更する。光学系の縮小率の変更は、微小フィールドのピッチの変更を意味する。したがって、光学系の縮小率をx拡大すれば微小フィールドをシフトすることなく微小フィールドサイズをx拡大することができる。各ビームのラスタースキャン及びオンオフ制御を第1の実施例と同様に行うことにより、第1の実施例と同様の描画を行うことができる。上記縮小率の変更のために本実施例では、微小フィールドサイズ変更量を第1の実施例と同様に計算した後に、コントローラ12によってレンズの変更量を計算し、レンズデータをレンズ制御回路13に転送する。さらに光学系の微小な調整にはビーム校正手段を用いて微調整を行う。上に説明した方法を用いて実際に露光を行った。第一の実験ではピクセルサイズは50ナノメートル、微小フィールドサイズは2ミクロンにて100ナノメートルピッチのラインアンドスペースパターンを描画した。第二の実験ではピクセルサイズは50ナノメートル、微小フィールドサイズは2.15ミクロンにて100ナノメートルピッチのラインアンドスペースパターンを描画した。微小フィールドサイズ変更の際には上に説明した通りレンズ7、8の励磁を変更させた。その結果、第1の実施例と同様に第一の実験ではパターン解像度70ナノメートルであった描画結果が第二の方法では50ナノメートルと解像度を向上させることができた。[第3の実施例]次に、上記の露光装置を利用した微小デバイスICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等の製造プロセスを説明する。図6は半導体デバイスの製造のフローを示す。ステップ1回路設計では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2EBデータ変換では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップ3ウエハ製造ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4ウエハプロセスは前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5組み立ては後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程である。後工程は、アッセンブリ工程ダイシング、ボンディング、パッケージング工程チップ封入等の組み立て工程を含む。ステップ6検査ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。上記ステップ4のウエハプロセスは、ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するCVDステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップステップを有する。また、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付露光する露光ステップを有する。さらに、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップを有する。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。