被写体を透過した放射線から前記被写体の画像を生成する放射線検出器であって、前記画像を生成するための複数の画素が上面に配列された絶縁基板と、前記絶縁基板の下面に密着して、前記放射線検出器の振動で生じるマイクロフォニックノイズを抑制するように形成された第1の導電性層と、を備え、前記第1の導電性層は通気性を有していることを特徴とする放射線検出器。前記第1の導電性層は、有機系材料の導電性シートから成り、複数の開口パターンを有して前記開口パターンを通して、前記絶縁基板の下面への前記第1の導電性層の貼着において取り込まれるガスが前記絶縁基板と前記第1の導電性層との界面から除去されるようになっていることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。前記第1の導電性層は、無機材料から成り、前記開口パターンを通して、前記絶縁基板から前記第1の導電性層に加わる応力歪みが緩和されるようになっていることを特徴とする放射線検出器。前記絶縁基板は、その下面から基台により支持され、前記第1の導電性層は、前記基台の振動で生じるマイクロフォニックノイズを抑制することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の放射線検出器。前記放射線を光に変換するシンチレータ層が前記絶縁基板の上面側に形成され、前記光を電気信号に変換する受光素子が前記画素に設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の放射線検出器。前記シンチレータ層を覆い防湿する保護カバー体が形成されていることを特徴とする請求項5に記載の放射線検出器。前記基台と該基台の縁端部で接着する保護カバー体とを有する筐体が、前記絶縁基板および前記シンチレータ層を収容していることを特徴とする請求項5に記載の放射線検出器。前記第1の導電性層は、前記シンチレータ層で生成され前記絶縁基板を透過する光を吸収することを特徴とする請求項5ないし7のいずれか一項に記載の放射線検出器。前記シンチレータ層の上面側に、前記放射線検出器の振動で生じるマイクロフォニックノイズを抑制する第2の導電性層が形成されていることを特徴とする請求項5ないし8のいずれか一項に記載の放射線検出器。前記放射線を電気信号に変換する光導電膜が前記絶縁基板の上面側に形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の放射線検出器。前記第1の導電性層あるいは前記第2の導電性層は一定電位に固定されることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか一項に記載の放射線検出器。前記第1の導電性層あるいは前記第2の導電性層は、前記マイクロフォニックノイズを低減する電圧信号が印加されることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか一項に記載の放射線検出器。マイクロフォニックノイズは、医療用診断装置や工業用非破壊検査装置の撮像装置において、上述したX線平面検出器における暗画像信号の空間的な揺らぎとなる場合には、X線画像の輝度ムラとして表示される。また、外部要因の振動に伴う時間的な揺らぎとなる場合には、リアルタイムに記録されるX線画像あるいはデジタル信号の時間変化は信頼できないものになる。そして、例えば医療診断において重大な危険を引き起こす虞がある。特に、車載、移動型、あるいは大型化したX線平面検出器の撮像装置の場合には、マイクロフォニックノイズは顕著になりその対策が急務になってきている。従来、放射線撮像装置において、外部からの振動の放射線検出器への伝達を低減する制振手段が種々に提示されている。しかし、これ等の制振手段は、通常、複雑化し大型化する。そして、上述したようなマイクロフォニックノイズを簡便に抑制できる手法は見当たらない。本発明が解決しようとする課題は、マイクロフォニックノイズを簡便に抑制できる放射線検出器を提供することである。上記課題を解決するために、一実施形態の放射線検出器は、被写体を透過した放射線から前記被写体の画像を生成する放射線検出器であって、前記画像を生成するための複数の画素が上面に配列された絶縁基板と、前記絶縁基板の下面に密着して、前記放射線検出器の振動で生じるマイクロフォニックノイズを抑制するように形成された第1の導電性層と、を備え、前記第1の導電性層は複数の開口パターンを有していることを特徴とする。以下実施形態のいくつかについて図面を参照して説明する。以下、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なる。また、図面においては、その要部に符号が付され、互いに同一または類似の部分には共通の符号を付して、重複説明は一部省略される。第1の実施形態第1の実施形態による放射線検出器について図1ないし図4を参照して説明する。放射線検出器であるX線平面検出器10は、X線検出器本体11が筐体12に内に密閉状態に収容された構造になっている。X線検出器本体11は、その基本構成として、従来技術と同様に互いに重ね合わされ接合したシンチレータ層13およびアクティブマトリクス基板14を備えている。ここで、シンチレータ層13の上面には反射層15が形成されている。そして、アクティブマトリクス基板14の表面側には所要数の画素16が二次元配列されている。また、アクティブマトリクス基板14の裏面側には第1の導電性層17が密着するように形成されている。そして、アクティブマトリクス基板14は、その裏面側の第1の導電性層17が筐体12の基台18上に載置あるいは固定するように支持されている。このようにして、X線検出器本体11は基台18および保護カバー体19の間に収容される。なお、保護カバー体19は、例えば樹脂製の接着層20を介して基台18の縁端部に接着している。X線検出器本体11において、シンチレータ層13およびアクティブマトリクス基板14は、例えば従来技術の場合と同様であり、具体的構造の一例については図3において後述する。第1の導電性層17は、筐体12と各画素16との間の浮遊容量の変動が同じになるように、それ等の浮遊容量に誘導される電荷が外部要因の振動に追随して移動できるようになっていればよい。あるいは、従来技術で説明したような振動に伴う摺接により不均一に帯電する静電気が第1の導電性層17中で均一に分布するようになればよい。そのためには、第1の導電性層17のシート抵抗は1012Ω/□以下になることが好ましい。このようなシート抵抗であれば、第1の導電性層17中の電荷は、医療用診断装置や工業用非破壊検査装置で通常に生じる振動の周波数に追随できる。更に106Ω/□以下が好ましく、1Ω/□以下になると最も好ましくなる。ここで、第1の導電性層17は、アクティブマトリクス基板14を透過したシンチレーション光Sを反射あるいは散乱しないものがよい。この散乱あるいは反射してアクティブマトリクス基板14に跳ね返ったシンチレーション光Sは画素16で受光されX画像の解像度特性の低下につながるからである。そして、第1の導電性層17は、アクティブマトリクス基板14の裏面側すなわち後述される絶縁基板21との密着における高い信頼性を示すものがよい。第1の導電性層17の密着の長期信頼性に優れ、しかもその厚膜化が容易な導体材料として、金属等の粉末状の導体材料と樹脂のような有機膜とが混練した素材、有機導体材料等がある。これ等は例えば導電性シートとして使用される。ここで、絶縁基板21の下面への導電性塗料の塗布、スクリーン印刷、ロールラミネート等により極めて簡便に上記導電性シートが密着して貼着される。そのような導電性シートとして、例えばシンチレーション光Sを吸収する黒色のエポキシ樹脂にAg系金属の粉体を混練した導電性ペーストが挙げられる。あるいは、上記絶縁基板21が例えば酸化珪素系のガラス板となる場合には、Si含有のポリイミド樹脂が好適である。上記樹脂としては熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂のいずれでもよい。そして、金属の粉体を混練した樹脂は、絶縁基板21との接着性がよくない場合には、絶縁基板21との接着性に優れた接着剤により貼着される。上記樹脂のような有機物を含んで成る第1の導電性層17は、その厚さが例えば10μm程度に容易にできる。そして、アクティブマトリクス基板14を透過するシンチレーション光Sは第1の導電性層17においてほぼ完全に吸収され、画素16への跳ね返りはなくなる。ここで、上記導電性シートのようなガス不透過性の有機系の第1の導電性層17を上記絶縁基板21の下面に形成する場合には、第1の導電性層17と絶縁基板21下面の界面領域に空気等の雰囲気ガスの残留する箇所ができ易い。上記第1の導電性層17の形成は、上述した塗布、スクリーン印刷、真空ロールラミネート、接着等による場合には、極めて簡便になるものの、その雰囲気ガスを取り込み易くなる。そこで、例えば図2に示すように、第1の導電性層17には、上記雰囲気ガスが外部に除去されるように、その所定の箇所に適宜に通気性のガスの開放部となる開口パターン34が形成される。ここで、図2aの例は、平面形状が正方形の開口パターン34を有する第1の導電性層17である。図2b、図2cは、それぞれ、短冊状およびスリット状の開口パターン34を有する場合である。そして、図2cの場合、開口パターン34は第1の導電性層17の縁辺まで延在し、あるいはこれ等の開口パターン34が互いにつながるようになっても構わない。そして、第1の導電性層17が多数の導電性の個片の集合体により構成されるようになっていてもよい。その他に、開口パターン34の平面形状は円形、楕円形、三角形、多角形、また糸状にものを布状にし、通気性を有する等の種々の形状にできる。そして、第1の導電性層17を上記絶縁基板21の下面に形成する場合に、空気等の雰囲気ガスは例えば開口パターン34のようなガスの開放部を通して外に容易に除去され、それ等の界面領域に残留することがなくなる。このために、第1の導電性層17は、絶縁基板21との密着における高い信頼性を呈し、その密着の長期信頼性が優れたものとなる。さらに上記した通気性層として多数の透孔を設けたシート、多孔性シート、網目状シートに導電物質を含浸させたシートなどを適用することができる。第1の導電性層17は、例えば有機系の導電性シートの他に無機系の導電体材料によっても形成できる。例えば、シンチレーション光Sを吸収しその反射率の低い素材となるアモルファスカーボンa-C、a-Si等が好適に使用できる。これ等は、例えばプラズマ励起の化学気相成長PECVD法等で簡便にしかも絶縁基板21の下面に密着するように成膜される。その他に、適用されるシンチレータ層13から発光するシンチレーション光Sに対し、その反射率が小さくなり吸収係数の大きくなる無機系の導体材料を適宜に使用することができる。そのような導体材料として、低級金属酸化物といわれる酸素量が化学量論的組成の値より小さくなる金属酸化物があり、例えばTi、Ta、Cr、Nb等の低級金属酸化物が挙げられる。また、窒素が含まれた低級金属酸窒化物になっていてもよい。これ等の金属酸化物あるいは金属酸窒化物は、例えば反応性スパッタリング法により絶縁基板21の下面に密着するように簡便に成膜できる。その他に、使用されるシンチレーション光Sの特定波長に対して反射がない金属材料を用いることも可能である。例えばAl、Cu、Ni等から選択される。この場合、第1の導電性層17は金属のスパッタリング等の成膜方法により形成される。通常、シンチレータ層13とアクティブマトリクス基板14とは1桁程度の大きな熱膨張率の差を有している。そして、X線平面検出器10の使用時、保管中等に起こりうる温度変化により、それ等の間で大きな熱応力が発生する。例えば、ガラス板からなる上記絶縁基板21の下面には引っ張り応力が生じる。それと共に、第1の導電性層17にも引っ張り応力が加わり、その部分的な剥離や亀裂が起こり易い。そこで、無機系の導電体材料により第1の導電性層17を形成する場合にも、例えば図2で説明したのと同様に、第1の導電性層17の所定の箇所に適宜に開口パターン34が形成される。この場合、開口パターン34は、絶縁基板21下面の引っ張り応力により生じる第1の導電性層17の応力歪みを一部解放し緩和する機能をもつ。すなわち、絶縁基板21からの応力歪みの開放部となる。そして、絶縁基板21の下面からの第1の導電性層17の上述したような剥離あるいは亀裂が防止される。このようにして、第1の導電性層17は、絶縁基板21との密着における高い信頼性を示し、その密着の長期信頼性に優れたものとなる。筐体12においては、基台18は例えば矩形板状、円板状であり、例えばセラミック等の絶縁体からなる。保護カバー体19は、樹脂、Al、グラファイトC等からなり、X線を透過する。そして、反射層15は、放射線透過性であり、所定波長の光を反射する金属薄膜からなる。例えばAl、Cu、Ni、Ti、Cr、Mg、Rh、Ag、Au、Pt等からなる群より選択された金属材料からなる。この反射層15は、従来技術で説明したように、シンチレーション光Sを反射しアクティブマトリクス基板14側に集光する。これにより、シンチレータ層13で発生するシンチレーション光Sの利用効率が向上する。次に、本実施形態の放射線検出器におけるX線検出器本体11の具体的構造の一例について図3を参照して説明する。二次元平面構造のX線検出器本体11は、上述したシンチレータ層13とアクティブマトリクス基板14が接合した状態に形成されている。アクティブマトリクス基板14は公知の構造であり、以下はその概略について説明する。絶縁基板21の上面に、TFTのスイッチング素子22および電荷蓄積用キャパシタ23が形成されている。そして、これ等の上層に層間絶縁層24を介して、シンチレーション光Sを電子あるいは正孔の電荷に変換するフォトダイオードからなる光電変換素子25が形成されている。例えばフォトダイオードはa-Siのpn接合ダイオード、pin接合ダイオードである。そして、上記絶縁基板21の下面に第1の導電性層17が取り付けられている。この絶縁基板21と第1の導電性層17は、シンチレーション光Sを反射しない素材からなるのが好ましい。絶縁基板21は、例えば光透過性をもつガラス板あるいは樹脂板プラスチック板がよい。あるいはシンチレーション光Sを反射しないで吸収できるガラス板あるいはプラスチック板であっても構わない。第1の導電性層17は、上述した素材からなる。スイッチング素子22は、ゲート電極22a、2層の絶縁層からなるゲート絶縁膜22b、ソース電極22cおよびドレイン電極22dを有する。ゲート電極22aおよびソース電極22cは、それぞれ走査線および信号線としてマトリクスの行列方向に配設されるものである。そして、TFTのドレイン電極22dは、光電変換素子25で生成した電荷を集める画素電極集電電極25aに電気接続している。ここで、集電電極25aはフォトダイオードの一電極であり、その上部に、例えばITOのように光透過性をもつ透光性電極25bが形成されている。更に、ドレイン電極22dは電荷蓄積用キャパシタ23の一電極23aに接続している。なお、この電荷蓄積用キャパシタ23は、ゲート絶縁膜22bを構成する上記2層の絶縁層のうちの1層をキャパシタ絶縁膜とし、それを挟むように形成されている対向電極23bを有する。なお、この対向電極23bは接地配線として絶縁基板21上に配設されるものである。上記アクティブマトリクス基板14上に、透光性の例えばホットメルト樹脂のような樹脂製の接合層26によりシンチレータ層13が接合される。この接合層26は、例えば樹脂フィルムをアクティブマトリクス基板14上に例えば熱ラミネート法により圧着あるいは熱圧着して形成したものでよい。そして、両面にそれぞれ第1の保護層27および第2の保護層28で被覆されたシンチレータ層13とアクティブマトリクス基板14が接合層26を介して貼着され接合する。ここで、第1の保護層27が接合層26に接着する。なお、第2の保護層28上には上述した反射層15が取り付けられる。上記接合層26と層間絶縁層24および光電変換素子25との間に無機材料からなるパッシベーション膜が介挿されてもよい。上記シンチレータ層13は、例えば矩形板状、円板状の支持基板図示せずに形成されていてもよい。このような支持基板は、Al製、Al合金製、グラファイトC製、SiC製、Be製、a-C製、ガラス製、ファイバオプティカルプレート等からなり、放射線を透過する板状の基板となる。なお、その支持基板では、その一主面が鏡面研磨され、シンチレーション光Sを反射する反射層15の機能をもつようになっていると好適である。シンチレータ層13は、高輝度蛍光物質である例えばCsI等のハロゲン化合物からなる。特に短冊状の柱状結晶構造を有するCsI:Na、CsI:Tlが好適である。その他のハロゲン化合物としては、例えば種々の賦活物質を有するLiI、NaI、KIが挙げられる。あるいは、GOSGd2O2S、GSOGd2SiO5、ZnS、ZnSe、Ca2MgSi2O7、Ca1-XMgXSiO3、CaF2、BaF2、BGOBi4Ge3O12、Bi12GeO20、YAPYAlO3、YAGY3Al5O12、YSOY2SiO5、LuAPLuAlO3、LSOLu2SiO5、LSPLu2Si2O7、LuYAP{Lu1-XYXAlO3}、LGSO{Lu1-XGdXSiO5}、LaCl3、CeCl3、RbGd2Br7、K2LaCl5、LiBaF3の少なくとも1つを含む蛍光体材料が用いられてもよい。第1の保護層27および第2の保護層28には、高い非透湿性があり防湿性および耐湿性を有する例えばポリパラキシリレン膜が好適である。この他に、ポリフルオロパラキシリレン、ポリクロロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレン等のキシリレン系の有機膜が用いられる。ここで、第1の保護層27および第2の保護層28は、上記キシリレン系の有機膜からなる群より選択された単層有機膜又は多層有機膜として形成されるとよい。筐体12内に収容されたX線検出器本体11のアクティブマトリクス基板14から筐体12外部へのリード配線図示せずの引き出しは、例えばアクティブマトリクス基板14の縁端部および基台18表面に設けた電極パッド図示せず間のワイヤボンディング等を通してなされる。なお、基台18表面に配設のリード配線図示せずは、例えば基台18の所定箇所に設けられた貫通孔を介して外部に取り出されるようになる。本実施形態のX線平面検出器10では、図4の等価回路図に示すように、走査線29および信号線30がマトリクス状に配設され、所要数の画素が二次元配列されている。各画素はスイッチング素子22、電荷蓄積用キャパシタ23および光電変換素子25を有する。ここで、走査線29がスイッチング素子22のゲート電極22aになり、信号線30がスイッチング素子22のソース電極22cとなる。そして、電荷蓄積用キャパシタ23および光電変換素子25がノード31において、スイッチング素子22のドレイン電極22dに接続する。また、ノード31において、図14の従来技術の場合に説明した不変寄生キャパシタに相当する浮遊容量である第1不変寄生キャパシタ32は、本実施形態の場合には、各画素16に共通した1つの第1共通変動キャパシタ33に直列接続するようになる。この第1共通変動キャパシタ33は、例えばX線検出器本体11と筐体12の基台18間に生じる変動寄生キャパシタを含んで接地電位に接続し、X線平面検出器10の振動により変動する浮遊容量値を示す。第1不変寄生キャパシタ32は、図3に示した具体的構造において、それぞれの画素16におけるドレイン電極22d、一電極23aおよび集電電極25aと第1の導電性層17とで構成される対向電極間でほぼ固定した浮遊容量値を示す。ここで、図2で説明した開口パターン34が第1の導電性層17に形成されても、第1不変寄生キャパシタ32の対向電極間に生じる電束は、開口パターン34の縁辺で生じるフリンジ効果により余り変わらないようにできる。そして、第1不変寄生キャパシタ32の浮遊容量値は開口パターン34の無い場合と同程度になる。そのために、例えば開口パターン34のパターン幅が絶縁基板21の板厚の1/40程度以下にすればよい。具体的には、例えば絶縁基板21の板厚が0.6mmの場合には、開口パターン34のパターン幅は15μm以下にすればよい。上記X線平面検出器10では、入射X線Rはシンチレータ層13でシンチレーション光Sとなり、そのX線からなる入力像はシンチレーション光Sからなる光学像に変換される。そして、この光学像が上述したアクティブマトリクス基板14において撮像され、画質性能や安定性に優れ、しかもリアルタイムに出力されるデジタル画像として利用される。本実施形態のX線平面検出器10では、X線平面検出器10の上記動作において外部要因の振動を受けると、1つの第1共通変動キャパシタ33を通したマイクロフォニックノイズが各画素16に共通して生じるようになる。例えば、X線検出器本体11と基台18の間隙が変化し、マイクロフォニック現象である第1共通変動キャパシタ33の容量値が変化しても、その容量値変動は、各画素16の電荷蓄積用キャパシタ23のノード31の信号電荷を同じように擾乱する。あるいは、上記外部要因の振動による例えば第1の導電性層17と基台18表面の摺接が起こり、結果として第1共通変動キャパシタ33に静電気帯電が生じても、各画素16の電荷蓄積用キャパシタ23のノード31の信号電荷を同じように擾乱する。また、アクティブマトリクス基板14に形成されている信号線30等の配線、電極と、筐体12との間の浮遊容量の変動によって生じるマイクロフォニックノイズも、各画素16に共通して生じるようになる。このように、第1の導電性層17は、X線検出器本体11における平面位置すなわち空間的に異なって生じるマイクロフォニックノイズを画素16間において均等化する機能を有する。この効果は、X線検出器本体11が例えばクッション部材等の弾性体の加圧により筐体12内で固定され支持された構造のX線平面検出器において、特に顕著に現れる。第1の導電性層17のX線検出器本体11におけるマイクロフォニックノイズの均等化の効果は、上述したようなパターン幅の開口パターン34であれば同程度に奏される。なお、開口パターン34のパターン幅が大きくなったとしても、第1の導電性層17の均等化の効果は、それが絶縁基板21に密着するように形成されている限り生じる。この第1の導電性層17は、絶縁基板21の下面であって、画素16が二次元配列されている所定箇所に対応する領域を被覆するように形成される。ここで、上述したように電極パッドが設けられているアクティブマトリクス基板14の縁端部より1mm以上内側になる領域を被覆するようにしてもよい。本実施形態では、X線平面検出器10を用いた医療用診断装置や工業用非破壊検査装置の撮像装置において、従来技術において生じていたX線画像の輝度ムラはきわめて簡便に抑制されるようになる。このX線平面検出器10における暗画像の空間的な揺らぎの抑制は、第1の導電性層17がアクティブマトリクス基板14において、その絶縁基板21の下面に高い信頼性で密着して形成されることにより、極めて安定したものになる。また、第1の導電性層17は、X線平面検出器の大型化においても簡便に形成でき、X線平面検出器10の生産性を低下させることなく適用でき、極めて有効な手段となる。第1の導電性層17は、絶縁基板21との界面領域における部分的なガスの残留、あるいは絶縁基板21からの部分的な剥離や亀裂があると、その箇所において、X線平面検出器10の外部要因による振動と共に局部振動するようになる。そして、第1の導電性層17は、逆に、その上記局部振動によりX線平面検出器10のマイクロフォニックノイズの要因になってしまう。そこで、上述したように、例えば開口パターン34のようなガスの開放部あるいは応力歪みを緩和する開放部が第1の導電性層17に形成されることにより、上記高信頼性の密着が容易に確保され、このような問題は解消される。第2の実施形態次に、第2の実施形態による放射線検出器について図5および図6を参照して説明する。この実施形態は、X線検出器本体11において、アクティブマトリクス基板14の裏面側と共にシンチレータ層13の上面側に導電性層が取り付けられる場合である。放射線検出器であるX線平面検出器40は、第1の実施形態と同様にして、X線検出器本体11が筐体12に内に収容された構造になっている。X線検出器本体11では、その基本構成において、シンチレータ層13はアクティブマトリクス基板14上に例えば真空蒸着等により堆積され成膜されている。ここで、シンチレータ層13は高輝度蛍光物質である例えばCsI等が柱状結晶構造に形成される。そして、このシンチレータ層13の凹凸形状になる表面に反射層15が形成されている。そして、アクティブマトリクス基板14の表面側に所要数の画素16が二次元配列されている。上記アクティブマトリクス基板14の裏面側には、第1の実施形態で説明したのと同様の第1の導電性層17が密着して形成されている。また、シンチレータ層13の表面側の反射層15に密着して第2の導電性層41が設けられている。そして、上記シンチレータ層13およびアクティブマトリクス基板14を有するX線検出器本体11は、基台18および保護カバー体19の間に収容されている。なお、保護カバー体19は、例えば樹脂製の接着層20を介して基台18の縁端部に接着している。第1の導電性層17は、第1の実施形態で説明したのと同様に、シンチレーション光Sを吸収し反射率の低い素材により形成されるのがよい。これに対し、第2の導電性層41は放射線に対する透過性を有するのがよい。第2の導電性層41はシンチレーション光Sを吸収しても反射しても構わないような素材からなる。そして、例えばAl、Cu、Ni、Ti、Cr、Mg、Rh、Ag、Au、Pt等からなる群より選択された金属素材により形成されてもよい。ここで、第1の導電性層17および第2の導電性層41のシート抵抗は、第1の実施形態で説明したように、1012Ω/□以下になることが好ましく、106Ω/□以下が更に好ましく、1Ω/□以下が最も好ましい。また、第2の導電性層41には、第1の導電性層17の場合と同じように、開口パターン34が適宜に形成されていてもよい。ここで、開口パターン34が形成される場合には、開口パターン34のパターン幅がシンチレータ層13の厚さの1/40程度以下であれば、上記第2不変寄生キャパシタ42に対する開口パターン34の影響はほぼ無くなる。具体的には、例えばシンチレータ層13厚さが200μmの場合には、開口パターン34のパターン幅は5μm以下にすればよい。反射層15は、放射線透過性であり、第1の実施形態の場合と異なり、金属薄膜以外の非導電性膜によっても形成される。例えば、上記シンチレータ層13の凹凸形状の表面を被覆し防湿性を有する有機膜に光反射材粒子がバインダにより結着するようなものが好適に使用できる。ここで、有機膜としてはパラキシリレンのような防湿性のある有機材料が好ましい。X線平面検出器40では、その二次元配列された画素の等価回路は図6に示すようになる。この場合、ノード31において、第2不変寄生キャパシタ42が、各画素16に共通した1つの第2共通変動キャパシタ43に直列接続する点が図3の場合と異なる。この第2共通変動キャパシタ43は、例えばX線検出器本体11と筐体12の保護カバー体19間に生じる変動寄生キャパシタを含んで接地電位に接続し、X線平面検出器40の振動により変動する浮遊容量値を示す。第2不変寄生キャパシタ42は、図3に示した具体的構造において、例えばそれぞれの画素16におけるドレイン電極22d、一電極23aおよび集電電極25aと第2の導電性層41との間のほぼ固定した浮遊容量値を示す。本実施形態のX線平面検出器40では、その動作において外部要因の振動を受けると、1つの第1共通変動キャパシタ33を通したマイクロフォニックノイズが各画素16に共通して生じるようになる。例えば、X線検出器本体11と基台18の間隙が変化し、マイクロフォニック現象である第1共通変動キャパシタ33の容量値が変化しても、その容量値変動は、それぞれの画素16の電荷蓄積用キャパシタ13のノード31の信号電荷を同じように擾乱する。あるいは、上記外部要因の振動による例えば第1の導電性層17と基台18表面の摺接が起こり、結果として第1共通変動キャパシタ33に静電気帯電が生じても、それぞれの画素16の電荷蓄積用キャパシタ13のノード31の信号電荷を同じように擾乱する。更に、X線平面検出器40の動作において外部要因の振動を受けると、1つの第2共通変動キャパシタ43を通したマイクロフォニックノイズが各画素16に共通して生じる。例えば、X線検出器本体11と保護カバー体19の間隙が変化し、マイクロフォニック現象である第2共通変動キャパシタ43の容量値が変化しても、その容量値変動は、それぞれの画素16の電荷蓄積用キャパシタ13のノード31の信号電荷を同じように擾乱する。また、アクティブマトリクス基板14に形成されている信号線30等の配線、電極と、筐体12との間の浮遊容量の変動によって生じるマイクロフォニックノイズも、各画素16に共通して生じるようになる。このように、第1の導電性層17および第2の導電性層41は、X線検出器本体11における平面位置すなわち空間的に異なって生じるマイクロフォニックノイズを画素16間において均等化する機能を有する。本実施形態では、X線平面検出器10を用いた医療用診断装置や工業用非破壊検査装置の撮像装置において、従来技術において生じていたX線画像の輝度ムラはきわめて簡便に安定的に抑制されるようになる。この効果は、第1の実施形態の場合よりも大きくなる。特に、シンチレータ層13の凹凸形状の表面において反射層15が非導電性膜により形成されている場合に顕著に現れる。第3の実施形態次に、第3の実施形態による放射線検出器について図7および図8を参照して説明する。第3の実施形態は、例えば第2の実施形態で説明したような導電性層が一定電位に固定される場合である。図7に示すX線平面検出器50では、第2の実施形態で説明したようなX線検出器本体11に取り付けられた第1の導電性層17および第2の導電性層41が、X線検出器本体11を収容している筐体12の保護カバー体19に第1の配線51および第2の配線52により接続する。この場合も、保護カバー体19は導電体を含んで成り、例えば接地されている。このようにして、第1の導電性層17および第2の導電性層41は接地電位に固定される。なお、第2の導電性層41はシンチレーション光Sを反射することができ、反射層15と兼用するようになっていてもよい。X線平面検出器50では、その二次元配列された画素の等価回路は図8に示すようになる。この等価回路では、第1共通変動キャパシタ33および第2共通変動キャパシタ43は、それ等の両電極端子が接地電位に固定されるようになる。この点が第2の実施形態の場合と大きく異なり、その他の回路構成は図6で説明したものと同様になる。なお、筐体12において、保護カバー体19は接地電位以外の一定の電位に固定されても構わない。ここで、第1の配線51および第2の配線52は、例えば、筐体12の基台18の表面にリード配線として配設されて保護カバー体19に接続している。あるいは、第1の実施形態で説明したように、基台18に設けられた貫通孔を通して筐体12の外部に引き出され一定電位に接続する。本実施形態のX線平面検出器50では、その動作において外部要因の振動を受けると、第1共通変動キャパシタ33および第2共通変動キャパシタ43を通したマイクロフォニックノイズはほぼ完全に消滅する。例えば、X線検出器本体11と基台18の間隙が変化し、マイクロフォニック現象である第1共通変動キャパシタ33の容量値が変化しても、その容量値変動は、各画素16の電荷蓄積用キャパシタ13のノード31の信号電荷を擾乱することがない。あるいは、上記外部要因の振動による例えば第1の導電性層17と基台18表面の摺接が起こっても、第1共通変動キャパシタ33に静電気帯電は生じない。同様に、筐体12の保護カバー体19が振動し、マイクロフォニック現象である第2共通変動キャパシタ43の容量値が変化しても、その容量値変動は、各画素16の電荷蓄積用キャパシタ13のノード31の信号電荷を擾乱することがない。また、アクティブマトリクス基板14に形成されている信号線30等の配線、電極と、筐体12との間の浮遊容量の変動によって生じるマイクロフォニックノイズもなくなる。上記第1の導電性層17あるいは第2の導電性層41のマイクロフォニックノイズ抑制の効果は、図2で説明したようなパターン幅の開口パターン34であれば開口パターン34がない場合と同程度に奏される。なお、開口パターン34のパターン幅が大きくなったとしても、これ等の導電性層の効果は、それが絶縁基板21の下面あるいはシンチレータ層13の上面側に密着するように形成されている限り生じる。このように、第1の導電性層17および第2の導電性層41は、X線平面検出器50を用いた医療用診断装置や工業用非破壊検査装置の撮像装置において、X線画像の空間的な暗画像の揺らぎと共に時間的な暗画像の揺らぎを抑制する。そして、輝度ムラは簡便に抑制され、リアルタイムに記録されるX線画像あるいはデジタル信号は極めて高い信頼性を有するようになる。なお、撮像装置におけるX線平面検出器の動作では、撮像前の暗状態で信号電荷を予め測定して、放射線測定時明状態で差し引きする方法が一般的に採用されている。本実施形態のように時間的に変化するマイクロフォニックノイズが抑制されることにより、上記差し引き量は振動の影響を受けることがなくなる。これによっても、上述したリアルタイムに記録されるX線画像あるいはデジタル信号は極めて高い信頼性を有する。上記第3の実施形態では、第2の実施形態で説明したような第1の導電性層17および第2の導電性層41が一定電位に固定される場合を説明したが、第1の導電性層17あるいは第2の導電性層41のどちらかが一定電位に固定される構造になっていてもよい。また、第1の実施形態で説明したようなX線平面検出器10において、第1の導電性層17が一定電位に固定される構造になっていてもよい。このように第1の導電性層17あるいは第2の導電性層41を一定電位にすることにより、空間的および時間的な暗画像の揺らぎが低減する。第4の実施形態次に、第4の実施形態による放射線検出器について図9および図10を参照して説明する。第4の実施形態は、例えば第3の実施形態で説明したような導電性層に、マイクロフォニックノイズを低減するように作用するノイズ打消し信号が付加される場合である。例えば図9に示すX線平面検出器60では、第3の実施形態において図7で説明したようなX線検出器本体11に取り付けられた第1の導電性層17は、筐体12の外に取り出される第1の配線71を通して、第1の電圧信号発生部62に接続している。同様にして、第2の導電性層41は、第2の配線63を通して第2の電圧信号発生部64に接続している。なお、第2の導電性層41はシンチレーション光Sを反射することができ、反射層15と兼用するようになっていてもよい。図9のX線平面検出器60は、その等価回路図は図10に示すようになる。この等価回路に示されるように、第1共通変動キャパシタ33に第1の電圧信号発生部62が接続し、第2共通変動キャパシタ43に第2の電圧信号発生部64が接続する。そして、第1の電圧信号発生部62は、X線検出器本体11と筐体12の基台18の間におけるマイクロフォニック現象により発生するマイクロフォニックノイズを低減する電圧信号すなわちノイズ打消し信号を第1共通変動キャパシタ33に付加する。同様に、第2の電圧信号発生部64は、X線検出器本体11と筐体12の保護カバー体19の間におけるマイクロフォニック現象により発生するマイクロフォニックノイズを低減する電圧信号すなわちノイズ打消し信号を第2共通変動キャパシタ43に付加する。ここで、第1の電圧信号発生部62および第2の電圧信号発生部64における電圧信号は、通常では互いに異なるものである。しかし、これ等の電圧信号は同一であっても構わない。この場合には、第1の電圧信号発生部62と第2の電圧信号発生部64のどちらか1つが共用される。なお、上記ノイズ打消しの電圧信号は、第1の導電性層17あるいは第2の導電性層41のどちらかに印加されるようになっていてもよい。上記マイクロフォニックノイズを低減する電圧信号は、車載、移動型のX線平面検出器のように、その外部要因の振動が例えばほぼ周期振動になる場合には、例えば逆振動発生手段スピーカを用い、予め測定したマイクロフォニックノイズの逆ノイズから容易に生成することができる。また、振動源の振動の検出に基づき生成するレファレンス信号を用い、逆振動発生手段をフィードバック制御してリアルタイムの逆ノイズを生成するようにしてもよい。本実施形態では、X線平面検出器60を用いた医療用診断装置や工業用非破壊検査装置の撮像装置において、第3の実施形態で説明したのと同様の効果が奏される。更に、外部要因の振動に高い周波数成分が多く含まれ、X線検出器本体11において、例えば第1不変寄生キャパシタ32あるいは第2不変寄生キャパシタ42にも浮遊容量変動が生じてマイクロフォニックノイズになる場合にも、本実施形態のようなX線平面検出器は対応できるようになる。次に、実施例により効果について具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。実施例、比較例実施例および比較例に用いたX線平面検出器は、それぞれ図1および図13に示したような断面構造になっている。ここで、実施例と比較例との相違点は導電性層の有無である。これ等のX線平面検出器の平面形状は同じ大きさの正方形であり、約17インチ□サイズである。その他のX線平面検出器の主要な構成の概略は以下の通りである。導電性層:図2aに示した10μm寸法の開口パターン34を有し、ガラス板表面に接着剤で圧着した樹脂製の導電性シートX線検出器本体:図3で説明したのと同様な構成筐体:基台はセラミック製、保護カバー体はAl製上記作製した実施例および比較例のX線平面検出器に対してマイクロフォニックノイズ耐性の試験を行った。その試験条件は、X線を照射しない状態で170gの錘を高さ4cmから、X線平面検出器上に落下させ振動を与えた。そして、その時の表示画像である暗画像を撮影した。実施例のX線平面検出器では、図11に示すように、その暗画像に大きなマイクロフォニックノイズは観察されなかった。これに対して、比較例のX線平面検出器では、図12に示すように、その暗画像において顕著なマイクロフォニックノイズが観察された。特に、上記錘が落下した領域において暗画像に輝度ムラが生じた。この結果から、本実施形態のX線平面検出器は、簡便な手法でもって、そのマイクロフォニックノイズ耐性を向上できることが確かめられた。なお、図1に示す反射層15は導電性を有し、図5で説明した第2の導電性層41と同様の作用効果を生じさせている。なお、便宜上、明細書においては上面および下面という文言を用いて説明した。上面と下面とは、互いに表裏の関係にあることを意味し、空間的な上下を意味するものではない。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、上記実施形態で説明した間接方式のX線平面検出器に替えて、X線を例えばa-Se等の光導電膜により直接電荷信号に変換する直接方式のX線平面検出器に、上述した導電性層が取り付けられる構造になってもよい。X線平面検出器には種々の構造のものがある。上記実施形態では、マイクロフォニックノイズを説明し易い構造のX線平面検出器が示されている。その他に、X線平面検出器は、そのX線検出器本体が筐体に収容されることのない構造になっていてもよい。また、X線平面検出器は、X線検出器本体が筐体に収容されることなく、基台に固定され支持される構造になっていてもよい。そして、基台は絶縁体以外に導体あるいは半導体からなっていても構わない。また、X線平面検出器は、X線検出器本体が筐体に収容されることなく、X線検出器本体のシンチレータ層を防湿するように覆う保護カバー体が取り付けられた構造になっていてもよい。また、X線平面検出器では、アクティブマトリクス基板において、その絶縁基板の下面に第1の導電性層17が形成されないで、シンチレータ層の上面側に第2の導電性層が形成される構造になっていてもよい。また、本実施形態における放射線検出器は、FPDのような二次元イメージセンサの他にいわゆる一次元イメージセンサのような構造になってもよい。この場合、イメージセンサの固体撮像素子としてCCD、CMOS等が用いられても構わない。そして、放射線検出器は、画像形成の他に被検体を検出し同定するためのものであってもよい。また、放射線検出器に入射する放射線は、電荷物質の加速度運動から放射する電磁波放射X線の他に、特性X線のように原子状態の変化から発生する電磁波、あるいは紫外線のような電磁波であってもよい。そして、例えばシンチレータ層13が別個のシンチレータパネルに設けられ、そのシンチレータパネルと固体撮像素子を有する基板が離間し配置される構造の放射線検出器にも同様に適用できることに言及しておく。