被検出電流経路に被検出電流が流れることによって生じる第1磁界と垂直方向に第2磁界を生成する磁界発生手段と、磁化方向が所定方向に固定されたピン層、絶縁体で構成されるトンネル層、外部磁化に応じて磁化方向が変化するフリー層が順に積層されてなる磁気抵抗素子を有し、前記第2磁界と、前記第1、第2磁界で構成される合成磁界との成す角度θに応じた正弦値を含む信号および余弦値を含む信号の少なくともいずれか一方を出力する磁気センサと、前記磁気センサから前記正弦値を含む信号および余弦値を含む信号の少なくともいずれか一方が入力され、入力された信号に対して所定の演算を行って演算結果に対応するセンサ信号を出力する演算回路を有する信号処理部と、を備え、前記演算回路は、入力された信号を用いて前記成す角度θにおける正接値を演算し、前記正接値に対応する信号を前記センサ信号として出力することを特徴とする電流センサ。前記磁気センサは、前記ピン層の磁化方向が所定方向に固定され、前記成す角度θに応じた正弦値を含む信号を出力する前記磁気抵抗素子が形成された第1検出部と、前記ピン層の磁化方向が前記所定方向と垂直方向に固定され、前記成す角度θに応じた余弦値を含む信号を出力する前記磁気抵抗素子が形成された第2検出部と、を有し、前記演算回路は、前記第1検出部から入力される正弦値を含む信号を前記第2検出部から入力される余弦値を含む信号で除算して前記正接値を演算することを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。前記第2検出部を構成する前記ピン層の磁化方向と平行となる前記第2磁界を理想第2磁界とし、前記第1検出部を構成する前記ピン層の磁化方向と平行となる前記第1磁界を理想第1磁界とすると、前記信号処理部は、前記理想第2磁界と前記第2磁界との成す角度をαとし、前記理想第1磁界と前記第1磁界との成す角度をβとしたとき、前記角度α、βを記憶する記憶手段を有し、前記演算回路は、前記理想第2磁界と前記合成磁界との成す角度をθ ́とし、前記第1検出部から入力される正弦値を含む信号を前記第2検出部から入力される余弦値を含む信号で除算した値をtanθ ́としたとき、前記記憶手段に記憶されている前記角度α、βを用いて次式から前記正接値を演算することを特徴とする請求項2に記載の電流センサ。前記第2検出部を構成する前記ピン層の磁化方向と平行となる前記第2磁界を理想第2磁界とすると、前記信号処理部は、前記理想第2磁界と前記第2磁界との成す角度をαとしたとき、前記角度αを記憶する記憶手段を有し、前記演算回路は、前記理想第2磁界と前記合成磁界との成す角度をθ ́とし、前記第1検出部から入力される正弦値を含む信号を前記第2検出部から入力される余弦値を含む信号で除算した値をtanθ ́としたとき、前記記憶手段に記憶されている前記角度αを用いて次式から前記正接値を演算することを特徴とする請求項2に記載の電流センサ。前記第1検出部を構成する前記ピン層の磁化方向と平行となる前記第1磁界を理想第1磁界とすると、前記信号処理部は、前記理想第1磁界と前記第1磁界との成す角度をβとしたとき、前記角度βを記憶する記憶手段を有し、前記演算回路は、前記理想第2磁界と前記合成磁界との成す角度をθ ́とし、前記第1検出部から入力される正弦値を含む信号を前記第2検出部から入力される余弦値を含む信号で除算した値をtanθ ́としたとき、前記記憶手段に記憶されている前記角度βを用いて次式から前記正接値を演算することを特徴とする請求項2に記載の電流センサ。前記演算回路は、前記磁気センサから正弦値を含む信号または余弦値を含む信号が入力されると、前記正弦値を含む信号の正弦値から余弦値を演算し、または前記余弦値を含む信号の余弦値から正弦値を演算し、この演算値と入力された信号から前記正接値を演算することを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。前記磁界発生手段は、磁石であり、前記磁気センサは、前記磁石上に配置されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の電流センサ。前記磁界発生手段は、所定方向に延設された第1部位と、前記第1部位の両端に前記所定方向と垂直方向に延設された第2部位とを備えたコの字状の磁石であり、前記磁気センサは、前記第2部位の間に配置されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の電流センサ。前記磁界発生手段は、電流が流れると前記第2磁界を生成するコイルであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の電流センサ。前記磁界発生手段は、前記磁気センサ内に形成され、電流が流れると前記第2磁界を生成する薄膜コイルであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の電流センサ。前記第2磁界の大きさは、所定時毎に前記コイルに流れる電流の大きさが変化させられることによって変化することを特徴とする請求項9または10に記載の電流センサ。前記磁界発生手段は、前記フリー層上に積層された強磁性膜であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の電流センサ。前記磁界発生手段は、前記ピン層を構成する強磁性膜であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の電流センサ。前記磁気センサは複数備えられ、それぞれの前記磁気センサに前記磁界発生手段から印加される前記第2磁界の大きさが互いに異なっていることを特徴とする請求項1ないし13のいずれか1つに記載の電流センサ。複数の前記磁気センサは、それぞれ前記磁界発生手段との距離が互いに異なっていることを特徴とする請求項14に記載の電流センサ。前記磁界発生手段は、複数備えられて大きさが互いに異なる前記第2磁界を生成していることを特徴とする請求項14に記載の電流センサ。前記磁気センサは2つ備えられており、前記演算回路は、2つの前記磁気センサから入力された信号からそれぞれ前記成す角度θにおける正接値を演算し、2つの前記磁気センサのうち印加される前記第2磁界が小さい一方の前記磁気センサの信号から演算した正接値に対して所定のオフセットを付加し、付加した演算値と他方の磁気センサの信号から演算した正接値とを比較して絶対値の小さい値を出力することを特徴とする請求項14ないし16のいずれか1つに記載の電流センサ。前記信号処理部は、回路チップに形成されており、前記磁気センサおよび前記回路チップは一体的にモールド樹脂によって封止されていることを特徴とする請求項1ないし17のいずれか1つに記載の電流センサ。前記磁気センサはモールド樹脂に封止されており、前記信号処理回路は、前記モールド樹脂の内部から外部に突出して備えられているリードを介して前記磁気センサの信号が入力されることを特徴とする請求項1ないし17のいずれか1つに記載の電流センサ。前記被検出電流経路を囲むと共に一部にギャップが形成され、前記第1磁界を集磁する磁気コアを備え、前記ギャップに前記磁気センサが配置されていることを特徴とする請求項1ないし19のいずれか1つに記載の電流センサ。前記磁気センサには、前記第1磁界を集磁する磁気コアが形成されていることを特徴とする請求項1ないし19のいずれか1つに記載の電流センサ。請求項1ないし21のいずれか1つに記載の電流センサを、前記第2磁界と前記被検出電流経路に流れる電流方向とが平行となるように前記被検出電流経路に組み付けてなる電流センサの組み付け構造。しかしながら、上記電流センサは、合成磁界に応じた正弦値を含む信号または余弦値を含む信号をセンサ信号して出力するため、センサ信号が被検出電流に対してリニアな出力とならず、被検出電流に対して検出精度が異なるという問題がある。すなわち、出力される信号が直線性の高い領域では検出精度が高くなるが、直線性の低い領域では検出精度が低くなる。なお、リニアな出力とは、被検出電流に流れる電流とセンサ信号電圧とが比例関係となる出力のことである。本発明は上記点に鑑みて、被検出電流経路に流れる被検出電流に対してリニアなセンサ信号を出力することができ、検出精度の異なりを抑制することができる電流センサおよび電流センサの組付け構造を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った。そして、巨大磁気抵抗素子GMRやトンネル磁器抵抗素子TMRであれば抵抗値が正弦波波形または余弦波波形のように変化することに着目し、正接値を演算することによって被検出電流に対してリニアに変化する信号が得られることを見出した。このため、請求項1に記載の発明では、被検出電流経路に被検出電流が流れることによって生じる第1磁界と垂直方向に第2磁界を生成する磁界発生手段と、磁化方向が所定方向に固定されたピン層、絶縁体で構成されるトンネル層、外部磁化に応じて磁化方向が変化するフリー層が順に積層されてなる磁気抵抗素子を有し、第2磁界と、第1、第2磁界で構成される合成磁界との成す角度θに応じた正弦値を含む信号および余弦値を含む信号の少なくともいずれか一方を出力する磁気センサと、磁気センサから正弦値を含む信号および余弦値を含む信号の少なくともいずれか一方が入力され、入力された信号に対して所定の演算を行って演算結果に対応するセンサ信号を出力する演算回路を有する信号処理部と、を備え、演算回路は、入力された信号を用いて成す角度θにおける正接値を演算し、正接値に対応する信号をセンサ信号として出力することを特徴としている。このような電流センサでは、演算回路は、第2磁界と合成磁界との成す角度θにおける正接値を演算し、この正接値に対応する信号をセンサ信号として出力する。すなわち、第1磁界/第2磁界を演算し、第1磁界に比例するセンサ信号を出力する。このため、センサ信号が被検出電流にリニアに対応する信号となり、検出精度を向上させることができる。例えば、請求項2に記載の発明のように、磁気センサは、ピン層の磁化方向が所定方向に固定され、成す角度θに応じた正弦値を含む信号を出力する磁気抵抗素子が形成された第1検出部と、ピン層の磁化方向が第1検出部の磁気抵抗素子におけるピン層の磁化方向と垂直方向に固定され、成す角度θに応じた余弦値を含む信号を出力する磁気抵抗素子が形成された第2検出部とを有するものとすることができる。そして、演算回路は、第1検出部から入力される正弦値を含む信号を第2検出部から入力される余弦値を含む信号で除算して正接値を演算するものとすることができる。この場合、請求項3に記載の発明のように、第2検出部を構成するピン層の磁化方向と平行となる第2磁界を理想第2磁界とし、第1検出部を構成するピン層の磁化方向と平行となる第1磁界を理想第1磁界とすると、信号処理部は、理想第2磁界と第2磁界との成す角度をαとし、理想第1磁界と第1磁界との成す角度をβとしたとき、角度α、βを記憶する記憶手段を有するものとすることができる。そして、演算回路は、理想第2磁界と合成磁界との成す角度をθ ́とし、第1検出部から入力される正弦値を含む信号を第2検出部から入力される余弦値を含む信号で除算した値をtanθ ́としたとき、記憶手段に記憶されている角度α、βを用いて次式から正接値を演算するものとすることができる図9参照。このように、演算回路で角度α、βを用いて正接値を演算補正することにより、検出精度が低下することを抑制することができる。また、請求項4に記載の発明のように、第2検出部を構成するピン層の磁化方向と平行となる第2磁界を理想第2磁界とすると、信号処理部は、理想第2磁界と第2磁界との成す角度をαとしたとき、角度αを記憶する記憶手段を有するものとすることができる。そして、演算回路は、理想第2磁界と合成磁界との成す角度をθ ́とし、第1検出部から入力される正弦値を含む信号を第2検出部から入力される余弦値を含む信号で除算した値をtanθ ́としたとき、記憶手段に記憶されている角度αを用いて次式から正接値を演算するものとすることができる図9参照。さらに、請求項5に記載の発明のように、第1検出部を構成するピン層の磁化方向と平行となる第1磁界を理想第1磁界とすると、信号処理部は、理想第1磁界と第1磁界との成す角度をβとしたとき、角度βを記憶する記憶手段を有するものとすることができる。そして、演算回路は、理想第2磁界と合成磁界との成す角度をθ ́とし、第1検出部から入力される正弦値を含む信号を第2検出部から入力される余弦値を含む信号で除算した値をtanθ ́としたとき、記憶手段に記憶されている角度βを用いて次式から正接値を演算するものとすることができる図9参照。そして、請求項6に記載の発明のように、演算回路は、磁気センサから正弦値を含む信号または余弦値を含む信号が入力されると、正弦値を含む信号の正弦値から余弦値を演算し、または余弦値を含む信号の余弦値から正弦値を演算し、この演算値と入力された信号から正接値を演算するものとすることができる。このように、磁気センサから正弦値を含む信号または余弦値を含む信号のいずれか一方のみが入力されるような電流センサにおいても本発明を適用することができる。さらに、請求項7に記載の発明のように、磁界発生手段を磁石とし、磁気センサを磁石上に配置することができる。また、請求項8に記載の発明のように、磁界発生手段を所定方向に延設された第1部位と、第1部位の両端に所定方向と垂直方向に延設された第2部位とを備えたコの字状の磁石とし、磁気センサを第2部位の間に配置することができる。これら請求項7および8に記載の発明によれば、磁気センサに印加される第2磁界が部分的にばらつくことを抑制することができる。そして、請求項9に記載の発明のように、磁界発生手段を電流が流れると第2磁界を生成するコイルとすることができる。また、請求項10に記載の発明のように、磁界発生手段を磁気センサ内に形成され、電流が流れると第2磁界を生成する薄膜コイルとすることができる。この場合、請求項11に記載の発明のように、請求項9または10に記載の発明において、第2磁界の大きさを所定時毎にコイルに流れる電流の大きさを変化させることによって変化させることができる。これら請求項9ないし11に記載の発明によれば、磁界発生手段をコイルで形成しており、流れる電流によって第2磁界の大きさを任意に変更することができるため、検出感度や検出レンジを適宜変更することができる。また、請求項12に記載の発明のように、磁界発生手段をフリー層上に強磁性膜を積層して構成することができる。さらに、請求項13に記載の発明のように、磁界発生手段をピン層を構成する強磁性膜で構成することができる。これら請求項12および13に記載の発明によれば、磁界発生手段を磁気センサ内に形成するため、磁界発生手段を磁石等で構成する場合と比較して、小型化を図ることができる。そして、請求項14に記載の発明のように、磁気センサは複数備えられ、それぞれの磁気センサに磁界発生手段から印加される第2磁界の大きさが互いに異なるものとすることができる。このように、磁気センサを複数備えてそれぞれの磁気センサに印加される第2磁界の大きさを互いに異なるものとすることにより、各磁気センサに印加される合成磁界と第2磁界との成す角度も互いに異なることになる。このため、各磁気センサから異なる信号が出力されることになる。したがって、第2磁界の大きさを適宜選択することにより、高感度の検出を行いつつ、広レンジの検出を行うことができる。例えば、請求項15に記載の発明のように、複数の磁気センサはそれぞれ磁界発生手段との距離が互いに異なるものとすることができる。また、請求項16に記載の発明のように、磁界発生手段は、複数備えられて大きさが互いに異なる第2磁界を生成するものとすることができる。さらに、請求項17に記載の発明のように、磁気センサを2つ備えることができる。そして、演算回路は、2つの磁気センサから入力された信号からそれぞれ成す角度θにおける正接値を演算し、2つの磁気センサのうち印加される第2磁界が小さい一方の磁気センサの信号から演算した正接値に対して所定のオフセットを付加し、付加した演算値と他方の磁気センサの信号から演算した正接値とを比較して絶対値の小さい値を出力するものとすることができる。そして、請求項18に記載の発明のように、信号処理部を回路チップに形成し、磁気センサおよび回路チップを一体的にモールド樹脂によって封止することができる。また、請求項19に記載の発明のように、磁気センサをモールド樹脂に封止することができる。そして、信号処理回路をモールド樹脂の内部から外部に突出して備えられているリードを介して磁気センサの信号が入力されるものとすることができる。さらに、請求項20に記載の発明のように、被検出電流経路を囲むと共に一部にギャップが形成され、第1磁界を集磁する磁気コアを備え、磁気コアのギャップに磁気センサを配置することができる。また、請求項21に記載の発明のように、磁気センサ内に第1磁界を集磁する磁気コアを備えることができる。これら請求項20および21に記載の発明によれば、磁気コアによって第1磁界が集磁され、集磁された第1磁界が磁気センサに印加されるため、微小な被検出電流を検出することができ、検出感度を向上させることができる。以上では、本発明を電流センサとして把握した場合について説明したが、本発明を電流センサの組み付け構造として把握することも可能である。すなわち、請求項22に記載の発明では、請求項1ないし21のいずれか1つに電流センサを、第2磁界と被検出電流経路に流れる電流方向とが平行となるように、被検出電流経路に組み付けることを特徴としている。第1実施形態本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。図1は、本実施形態における電流センサを被検出電流経路としてのバスバーに取り付けたときの模式図、図2は図1に示す電流センサの断面構成を示す図である。なお、本実施形態における電流センサは、例えば、車載バッテリ等に接続されるバスバーに流れる被検出電流を検出するものに用いられると好適である。図1および図2に示されるように、電流センサ1は、一面10aおよび他面10bを有する基板10を備えている。そして、この基板10の一面10a上に、磁気抵抗素子を有して構成される外形が矩形状の磁気センサ20、磁気センサ20にバイアス磁界Bbを印加する外形が矩形状のバイアス磁石30、磁気センサ20から出力される信号を演算する回路チップ40が搭載されて構成されている。なお、本実施形態では、バイアス磁石30が本発明の磁界発生手段に相当しており、回路チップ40が本発明の信号処理部に相当しており、バイアス磁界Bbが本発明の第2磁界に相当している。磁気センサ20は、本実施形態では、基板10の一面10a上にバイアス磁石30を介して搭載されている。これにより、例えば、磁気センサ20が矩形状のバイアス磁石30の角部近傍等に配置される場合と比較して、磁気センサ20に印加されるバイアス磁界Bbが部分的にばらつくことを抑制することができる。つまり、具体的には後述するが、磁気センサ20は複数の磁気抵抗素子を有して構成されるため、各磁気抵抗素子に影響するバイアス磁界Bbの角度がばらつくことを抑制することができる。また、電流センサ1は、回路チップ40と図示しないワイヤを介して電気的に接続されるリード50を備えている。そして、リード50のうち基板10側と反対側の部分アウターリード部が露出するように、各部材10~40がモールド樹脂60に封止され、モールドIC化されている。このような電流センサ1は、図1に示されるように、本発明の被検出電流経路に相当するバスバー70に組みつけられて用いられる。具体的には、電流センサ1は、バスバー70に流れる電流方向図1中紙面左右方向とバイアス磁界Bbとが平行となるように、バスバー70に組み付けられる。言い換えると、電流センサ1は、バスバー70に流れる被検出電流によって生成される電流磁界Biとバイアス磁界Bbとが垂直となるように、バスバー70に組み付けられる。そして、磁気センサ20には、バイアス磁界Bbと電流磁界Biとによって構成される合成磁界Bsが印加されるようになっている。なお、本実施形態では、電流磁界Biが本発明の第1磁界に相当している。次に、上記電流センサ1の回路構成について説明する。図3は、電流センサ1の回路構成を示す図である。図3に示されるように、磁気センサ20は、4つの磁気抵抗素子21a~21dがブリッジ回路を構成するように形成された第1検出部21と、4つの磁気抵抗素子22a~22dがブリッジ回路を形成するように形成された第2検出部22とを有している。図4は、磁気抵抗素子21aの断面構成を示す図である。図4に示されるように、磁気抵抗素子21aは、磁化方向が所定方向に固定されたピン層23、絶縁体で構成されるトンネル層24、外部磁化に応じて磁化方向が変化するフリー層25が順に積層され、図示しない下部電極および上部電極を備えた一般的なものである。なお、図4では、ピン層23の磁化方向を矢印で示している。また、磁気抵抗素子21b~22dも磁気抵抗素子21aと同様の構成であり、磁気抵抗素子22a~22dはピン層23の磁化方向が磁気抵抗素子21aの磁化方向と垂直とされている。つまり、第1検出部21を構成する各磁気抵抗素子21a~22dはそれぞれピン層の磁化方向が互いに平行とされ、第2検出部22を構成する各磁気抵抗素子22a~22dのピン層の磁化方向は、それぞれ第1検出部21を構成する各磁気抵抗素子21a~21dのピン層の磁化方向と垂直とされている。なお、図3中の磁気センサ20内に示してある矢印は、各磁気抵抗素子21a~21d、22a~22dのピン層の磁化方向を示している。このような磁気センサ20は、例えば、第1検出部21の磁化方向がバイアス磁界Bbと垂直となると共に第2検出部22の磁化方向がバイアス磁界Bbと平行となるように基板10の一面10aに搭載される。このため、図1に示されるように、バイアス磁界Bbと合成磁界Bsとの成す角度をθとすると、第1検出部21から出力される信号Va1、Va2は、sinθを含む信号となり、第2検出部22から出力される信号Vb1、Vb2はcosθを含む信号となる。なお、sinθを含む信号は、本発明の成す角度θに応じた正弦値を含む信号に相当し、cosθを含む信号は、本発明の成す角度θに応じた余弦値を含む信号に相当している。回路チップ40は、電源回路41、第1、第2差動増幅回路42、43、演算回路44を有している。電源回路41は、定電圧回路等を備えて構成されており、第1検出部21の磁気抵抗素子21a、21dの中点に接続されていると共に第2検出部22の磁気抵抗素子22a、22dの中点に接続されている。そして、端子45を介して電源から入力される電圧を定電圧Vccに変換し、この定電圧Vccを第1検出部21の磁気抵抗素子21a、21dの中点、第2検出部22の磁気抵抗素子22a、22dの中点に印加する。なお、第1検出部21の磁気抵抗素子21b、21cの中点、第2検出部22の磁気抵抗素子22b、22cの中点は端子46を介してグランドに接続されている。第1差動増幅回路42は、反転入力端子が第1検出部21の磁気抵抗素子21c、21dの中点に接続されてこの中点の電圧Va1が入力されると共に、非反転入力端子が磁気抵抗素子21a、21bの中点に接続されてこの中点の電圧Va2が入力され、入力された電圧を差動増幅して演算回路44に信号Vaを出力する。この信号Vaは、上記のように、第1検出部21からVa1、Va2としてsinθを含む信号が入力されるため、次式となる。なお、Gは第1差動増幅回路42の増幅率、Vccは第1検出部21に印加される電圧、ktは第1検出部21の温度特性である。第2差動増幅回路43は、第1差動増幅回路42と同様のものであり、反転入力端子が第2検出部22の磁気抵抗素子22c、22dの中点に接続されてこの中点の電圧Vb1が入力されると共に、非反転入力端子が磁気抵抗素子22a、22bの中点に接続されてこの中点の電圧Vb2が入力され、入力された電圧を差動増幅して演算回路44に信号Vbを出力する。この信号Vbは、上記のように、第2検出部22からVb1、Vb2としてcosθを含む信号が入力されるため、次式となる。なお、数式4と同様に、Gは第2差動増幅回路43の増幅率、Vccは第2検出部22に印加される電圧、ktは第2検出部22の温度特性である。ここで、第1、第2差動増幅回路42、43は同じ構成とされているため、増幅率Gは同じ値となる。また、第1、第2検出部21、22は、ピン層の磁化方向以外は同じ構成とされている磁気抵抗素子21a~21d、22a~22dにて構成されているため、温度特性ktは同じ値となる。演算回路44は、第1、第2差動増幅回路42、43から入力された信号Va、Vbを用いてバイアス磁界Bbと合成磁界Bsとの成す角度θにおける正接値を演算し、この正接値に対応する信号をセンサ信号として端子47から出力する。具体的には、本実施形態では、演算回路44には、第1差動増幅回路42から上記数式4に示すVaが入力されると共に第2差動増幅回路43から上記数式5に示すVbが入力されるため、VaをVbで除算して正接値tanθを演算し、この演算結果に対応する信号をセンサ信号として出力する。言い換えると、図1に示されるように、tanθ=電流磁界Bi/バイアス磁界Bbとなるため、電流磁界Bi/バイアス磁界Bbに対応する信号をセンサ信号として出力する。すなわち、バイアス磁界Bbはバイアス磁石30により構成されるもので一定であるため、バスバー70に流れる被検出電流が生成する電流磁界Biに比例する信号をセンサ信号として出力する。つまり、センサ信号はバスバー70に流れる被検出電流にリニアに変化する信号となる。図5は、バスバー70に流れる被検出電流とセンサ信号との関係である。図5に示されるように、演算回路44から出力されるセンサ信号は、バイアス磁界Bbと合成磁界Bsとの成す角度θがバスバー70に流れる被検出電流に比例して大きくなるため、バスバー70に流れる被検出電流にリニアに対応する信号となる。なお、正接値に対応する信号をセンサ信号として出力するとは、演算した正接値に対して所定のオフセットを付加した値をセンサ信号として出力したり、演算した正接値をそのままセンサ信号として出力したりすることであり、本実施形態では演算した正接値をそのまま出力している。以上説明したように、本実施形態の電流センサ1では、演算回路44は、第1、第2検出部21、22から第1、第2差動増幅回路42、43を介して入力される信号Va、Vbを用いてバイアス磁界Bbと合成磁界Bsとの成す角度θにおける正接値を演算し、この正接値に対応する信号をセンサ信号として出力している。すなわち、電流磁界Bi/バイアス磁界Bbを演算し、電流磁界Biに比例するセンサ信号を出力している。このため、上記図5のように、センサ信号が被検出電流にリニアに対応する比例する信号となり、被検出電流に対する検出精度の異なりを抑制することができる。また、このような電流センサ1は、従来の電流センサ1に対して特別な部品等を新たに備える必要もなく、コストを大幅に上昇させることもない。さらに、演算回路44では、上記数式4に示す信号Vaを上記数式5で示す信号Vbで除算するため、信号Va、Vbに含まれる温度特性をキャンセルすることができ、温度特性を有しないセンサ信号を出力することができる。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、上記第1実施形態に対して、バイアス磁石30の形状を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図6は、本実施形態における電流センサ1の平面図である。図6に示されるように、本実施形態では、バイアス磁石30が、所定方向に延設された第1部位と、当該第1部位の両端に延設方向と垂直方向に突出した第2部位とを有するコの字状とされている。そして、磁気センサ20は、バイアス磁石30の内側ギャップ、つまり第2部位の間に配置されている。これによれば、バイアス磁界BbがN極を構成する第2部位からS極を構成する第2部位に向かう方向となる。そして、磁気センサ20が第2部位の間に配置されている。このため、例えば、磁気センサ20を矩形状のバイアス磁石30の角部近傍に配置する場合と比較して、磁気センサ20に印加されるバイアス磁界Bbが部分的にばらつくことを抑制することができる。第3実施形態本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、磁界発生手段を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図7は、本実施形態における電流センサ1の平面図である。図7に示されるように、本実施形態では、基板10に、バイアス磁石30が搭載されておらず、コアコイル31が搭載されている。そして、当該コアコイル31もモールド樹脂60に被覆されている。コアコイル31は、一方向に延設された第1部位と、第1部位の延設方向と垂直方向に突出した第2部位とを有するコの字状の鉄心の第1部位に巻線が巻かれて構成されている。巻線は回路チップ40と電気的に接続されており、回路チップ40から所定の電流が流されるようになっている。つまり、本実施形態では、コアコイル31に電流を流すことによってバイアス磁界Bbが生成されるようになっており、このバイアス磁界Bbが磁気センサ20に印加されるようになっている。すなわち、本実施形態では、このコアコイル31が本発明の磁界発生手段に相当している。なお、このようなコアコイル31に電流を流した場合には、紙面左右方向にバイアス磁界Bbが形成される。また、磁気センサ20は、上記第2実施形態と同様に、コアコイル31の内側に配置されている。つまり、コの字状の鉄心の内側ギャップに配置されている。これによれば、コアコイル31に電流を流すことによってバイアス磁界Bbを形成しているため、バイアス磁界Bbの大きさをコアコイル31に流す電流によって任意に変更することができる。したがって、検出感度や検出レンジを自由に変更することができ、適用性を向上させることができる。なお、鉄心は、コの字状に限定されるものではなく、例えば、第1部位のみを有する形状であってもよい。また、上記では、鉄心に巻線を巻いたコアコイル31に電流を流すことによってバイアス磁界Bbを生成する例について説明したが、鉄心を備えない空芯コイルに電流を流すことによってバイアス磁界Bbを生成するようにしてもよい。これによれば、鉄心を備えないため、バイアス磁界Bbの温度特性を無くすことができ、検出精度を向上させることができる。また、鉄心を備えない空芯コイルの場合には、磁気センサ20を空芯コイルの内部に配置することができ、電流センサ1を小型化することができる。←空芯コイルと磁気センサ20との配置関係について知財部様より指摘されておりますので、他にある場合には追加をお願い致します。第4実施形態本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第3実施形態に対して、磁界発生手段を変更したものであり、その他に関しては第3実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図8は、本実施形態における電流センサ1の平面図である。図8に示されるように、本実施形態では、基板10にバイアス磁石30が搭載されておらず、モールド樹脂60の外側に巻線が巻き回されて構成されるコイル32が備えられている。このコイル32は、回路チップ40と電気的に接続されており、回路チップ40から電流が流されるようになっている。つまり、本実施形態では、コイル32に電流を流すことによってバイアス磁界Bbが生成されるようになっており、このバイアス磁界Bbが磁気センサ20に印加されるようになっている。すなわち、本実施形態では、このコイル32が本発明の磁界発生手段に相当している。なお、このようなコイル32に電流を流した場合には、紙面左右方向にバイアス磁界Bbが形成される。また、コイル32は絶縁体で被覆されており、バスバー70に組み付けられた際に、バスバー70と電気的に接続されないようになっている。このように、モールド樹脂60の外側にコイル32を備えるようにしても上記第3実施形態と同様の効果を得ることができる。第5実施形態本発明の第5実施形態について説明する。上記各実施形態では、第1検出部21第2検出部22の磁化方向とバイアス磁界Bbとが垂直平行となるように電流センサ1を構成し、第1検出部21第2検出部22の磁化方向と電流磁界Biとが平行垂直となるように電流センサ1をバスバー70に組み付けたものを説明した。しかしながら、実際には、磁気センサ20は配置予定領域に対してずれて配置されることがあり、電流センサ1は配置予定領域に対してずれて配置されることがある。つまり、磁気センサ20とバイアス磁石30との角度ずれによって第1検出部21第2検出部22の磁化方向とバイアス磁界Bbとが非垂直非平行となったり、電流センサ1磁気センサ20とバスバー70との角度ずれによって第1検出部21第2検出部22の磁化方向と電流磁界Biとが非平行非垂直になったりすることがある。この場合、第1、第2検出部21、22から出力される信号Va1、Va2、Vb1、Vb2にはこれらの角度ずれが含まれることになる。このため、演算回路44で第1、第2差動増幅回路42、43から入力される信号Va、Vbを除算した値をそのままセンサ信号として出力すると、このセンサ信号は角度ずれを含む信号となり検出精度が低下することになる。したがって、本実施形態の電流センサ1は、上記各実施形態に対して、演算回路44で角度ずれを補正するようにしたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図9は本実施形態における電流センサ1の回路構成を示す図である。図9に示されるように、本実施形態では、回路チップ40は演算回路44と接続される記憶部48を有している。この記憶部48は、EPROM等で構成され、端子49を介して磁気センサ20とバイアス磁石30との角度ずれおよび電流センサ1磁気センサ20とバスバー70との角度ずれが書き込まれてこれらの角度ずれを記憶するものである。なお、本実施形態では、記憶部48が本発明の記憶手段に相当している。演算回路44は、本実施形態では、第1、第2差動増幅回路42、43から入力された信号Va、Vbを用いてセンサ信号を演算する際に、記憶部48に記憶されている角度ずれを読み出し、当該角度ずれを用いて補正演算をしてこの演算結果をセンサ信号として出力する。以下に、磁気センサ20とバイアス磁石30との角度ずれおよび電流センサ1磁気センサ20とバスバー70との角度ずれを用いて補正演算する際の演算式について説明する。図10は、角度ずれを説明するための図である。図10では、Bbを磁気センサ20に印加される理想バイアス磁界、Biを磁気センサ20に印加される理想電流磁界、Bsを理想バイアス磁界Bbと理想電流磁界Biとにより構成される理想合成磁界、Bb ́を磁気センサ20に印加される実際のバイアス磁界、Bi ́を磁気センサ20に印加される実際の電流磁界、Bs ́を実際のバイアス磁界Bb ́と実際の電流磁界Bi ́とにより構成される実際の合成磁界、αを磁気センサ20とバイアス磁石30との角度ずれ理想バイアス磁界Bbと実際のバイアス磁界Bb ́との成す角度、βを磁気センサ20とバスバー70との角度ずれ理想電流磁界Biと実際の電流磁界Bi ́との成す角度、θを理想バイアス磁界Bbと理想合成磁界Bsとの成す角度、θ ́を理想バイアス磁界Bbと実際の合成磁界Bs ́との成す角度をとして示している。なお、理想バイアス磁界Bbとは、第2検出部22の磁化方向と平行となるバイアス磁界のことであり、言い換えると磁気センサ20とバイアス磁石30とに角度ずれがない場合に磁気センサ20に印加されるバイアス磁界のことである。つまり、理想バイアス磁界Bbと実際のバイアス磁界Bb ́との成す角度αとは、言い換えると第2検出部22の磁化方向と実際のバイアス磁界Bb ́との成す角度のことである。また、理想電流磁界Biとは、第1検出部21の磁化方向と平行となる電流磁界のことであり、言い換えると磁気センサ20とバスバー70とに角度ずれがない場合に磁気センサ20に印加される電流磁界のことである。つまり、理想電流磁界Biと実際の電流磁界Bi ́との成す角度βとは、言い換えると第1検出部21の磁化方向と実際の電流磁界Bi ́のことである。本実施形態では、理想電流磁界が本発明の理想第1磁界に相当し、理想バイアス磁界が本発明の理想第2磁界に相当している。図10に示されるように、理想バイアス磁界Bbと実際のバイアス磁界Bb ́との成す角度がαであり以下では、単に角度ずれαという、理想電流磁界Biと実際の電流磁界Bi ́との成す角度βである以下では、単に角度ずれβという場合には、理想バイアス磁界Bbと実際の合成磁界Bs ́との成す角度がθ ́になるため、演算回路44にて信号Vaを信号Vbで除算すると、tanθ ́を演算することになり、次式となる。なお、数式6におけるBbは理想バイアス磁界の大きさ、Bsは理想合成磁界の大きさである。ここで、tanθ=Bs/Bbと示されるため、これを数式6に代入して変形すると、次式となるこのため、演算回路44は、第1、第2差動増幅回路42、43から入力される信号Va、Vbを除算して角度ずれを含む信号tanθ ́を演算し、上記数式7にtanθ ́および角度ずれα、βを代入して演算することにより、角度ずれを補正した正接値tanθを演算することができる。したがって、演算回路44は、記憶部48に記憶されている角度ずれα、βを読み出し、第1、第2差動増幅回路42、43から入力される信号Va、Vbおよび角度ずれα、βを用い、上記数式7を演算してこの演算値をセンサ信号として出力する。次に、記憶部48に角度ずれα、βを書き込む工程について説明する。図11は、角度ずれα、βを記憶部48に書き込む工程を示すフローチャートであり、本実施形態では電流センサ1をバスバー70に組み付けた後に行われる。なお、この状態で電流センサ1はリード50を介して外部回路と電気的に接続されている。まず、ステップ100にて、バスバー70に被検出電流を流さない状態で電流センサ1からの出力V1を計測する。このとき、角度ずれαがある場合、図10に示されるように、理想バイアス磁界Bbと実際のバイアス磁界Bb ́とが非平行となる。つまり、第1検出部21の磁化方向とバイアス磁界Bb ́とが非垂直となり、第2検出部22の磁化方向とバイアス磁界Bb ́とが非平行となる。このため、バスバー70に被検出電流を流さない場合であっても第1、第2検出部21、22から角度ずれαに応じた信号Va1、Va2、Vb1、Vb2が出力される。すなわち、電流センサ1から出力される信号V1は、tanαに対応するものであり、tanα=V1となる。したがって、ステップ110にて、外部回路でarctanV1を演算して角度ずれαを算出する。続いて、ステップ120にて、バスバー70に所定の被検出電流を流し、電流センサ1からの出力V2を計測する。このとき、角度ずれα、βがある場合、演算回路44から出力される信号V2は、tanθ ́に対応するものであり、tanθ ́=V2となる。したがって、ステップ130にて、上記数式6に出力V2、角度ずれαを代入してβを算出する。なお、外部回路には、理想バイアス磁界Bbの大きさ、バスバー70に所定の被検出電流を流したときに構成される理想合成磁界Bsの大きさが予め記憶されている。その後、ステップ140にて、外部回路から端子49を介して角度ずれα、βを記憶部48に書き込む。このようにして、記憶部48に角度ずれα、βが書き込まれ、記憶部48は角度ずれα、βを記憶する。以上説明したように、本実施形態の電流センサ1では、演算回路44は、記憶部48に記憶された角度ずれα、βを用い、上記数式7に角度ずれα、βを代入して演算し、演算した値をセンサ信号として出力するようにしている。このため、角度ずれα、βを補正することができ、検出精度が低下することを抑制することができる。第6実施形態本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して2つの磁気センサ20と2つのバイアス磁石30を備えたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。図12は、電流センサ1の平面図である。図12に示されるように、本実施形態では、図示しない基板10の一面10a上に第1、第2バイアス磁石30a、30bが搭載されている。図13aは第1バイアス磁石30aのバイアス磁界Bb1と電流磁界Biとで構成される第1合成磁界Bs1を示す図、図13bは第2バイアス磁石30bのバイアス磁界Bb2と電流磁界Biとで構成される第2合成磁界Bs2を示す図である。図13に示されるように、第1バイアス磁石30aは第2バイアス磁石30bより強磁性体で構成されており、第1バイアス磁石30aで生成される第1バイアス磁界Bb1の大きさが第2バイアス磁石30bで生成される第2バイアス磁界Bb2の大きさより大きくなるようにされている。そして、図12に示されるように、これら第1、第2バイアス磁石30a、30b上にそれぞれ磁気センサ20が搭載されている。各磁気センサ20は、上記第1実施形態で説明したものと同様のものであり、それぞれ第1、第2検出部21、22を有して構成されている。演算回路44は、特に図示しないが、本実施形態では、2つの端子47と接続されている。そして、第1バイアス磁石30a上に搭載されている磁気センサ20から入力された信号を演算して一方の端子47から第1センサ信号を出力し、第2バイアス磁石30b上に搭載されている磁気センサ20から入力された信号を演算して他方の端子47から第2センサ信号を出力する。このような電流センサ1では、バスバー70に被検出電流が流れたとき、第1、第2バイアス磁石30a、30bのバイアス磁界Bb1、Bb2の大きさが互いに異なるため、図13に示されるように、第1バイアス磁石30a上に搭載されている磁気センサ20に印加される合成磁界Bs1と、第2バイアス磁石30b上に搭載されている磁気センサ20に印加される合成磁界Bs2とが異なる。具体的には、第1バイアス磁界Bb1が第2バイアス磁界Bb2より大きくされているため、バスバー70に被検出電流が流れたとき、第1バイアス磁界Bb1と第1合成磁界Bs1の成す角度θ1より第2バイアス磁界Bb2と第2合成磁界Bs2の成す角度θ2の方が大きくなる。このため、演算回路44が第1、第2センサ信号を演算すると、これら第1、第2センサ信号は異なる信号となる。図14は、バスバー70に流れる被検出電流とセンサ信号との関係を示す図である。図14に示されるように、演算回路44から出力される第1センサ信号は、第2センサ信号より被検出電流に対して出力電圧の傾きが小さくなる。すなわち、第1センサ信号は広レンジ出力となり、第2センサ信号は高感度出力となる。以上より、本実施形態の電流センサ1は、第1バイアス磁石30a上に搭載されている磁気センサ20を用いて広レンジの電流検出を行うことができ、第2バイアス磁石30b上に搭載されている磁気センサ20を用いて高感度の電流検出を行うことができる。第7実施形態本発明の第7実施形態について説明する。本実施形態は、第6実施形態に対してバイアス磁石30を一つにしたものであり、その他に関しては第6実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図15は、本実施形態における電流センサ1の断面構成を示す図である。図15に示されるように、本実施形態の電流センサ1では、基板10の一面10a上にバイアス磁石30を介して磁気センサ20が搭載され、基板10の他面10b上に磁気センサ20が直接搭載されている。すなわち、2つの磁気センサ20は、バイアス磁石30との距離が互いに異なるように基板10に配置されている。詳述すると、本実施形態では、各磁気センサ20は、基板10の平面方向における同じ位置に搭載されており、バイアス磁石30、基板10を挟んで対向して搭載されている。つまり、他面10b側に搭載された磁気センサ20の方が一面10a側に搭載された磁気センサ20よりも基板10の厚さの分だけバイアス磁石30からの距離が遠くなるように、各磁気センサ20が搭載されている。そして、バイアス磁石30上に搭載される磁気センサ20に印加されるバイアス磁界Bbが基板10の他面10b上に搭載される磁気センサ20に印加されるバイアス磁界Bbより大きくなるようにされている。なお、各磁気センサ20は、上記第6実施形態と同様に、同じものとされている。このように、バイアス磁石30との距離を互いに異ならせるように2つの磁気センサ20を基板10に搭載し、各磁気センサ20に印加されるバイアス磁界Bbの大きさが互いに異なるようにしても上記第6実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、ここでは、基板10を挟んで2つの磁気センサ20を搭載する例について説明したが、次のようにしてもよい。すなわち、基板10の一面10a上にバイアス磁石30を搭載し、当該バイアス磁石30の近傍に一方の磁気センサ20を搭載すると共にこの磁気センサ20を挟んでバイアス磁石30と反対側に他方の磁気センサ20を搭載するようにして各磁気センサ20とバイアス磁石30との距離が互いに異なるようにしてもよい。第8実施形態本発明の第8実施形態について説明する。本実施形態は、上記第1実施形態に対して、磁気センサ20に第1検出部21のみを備えたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図16は、電流センサ1の回路構成を示す図である。図16に示されるように、本実施形態では、磁気センサ20は第1検出部21のみを有しており、第2検出部22を有していない。また、回路チップ40には上記第5実施形態のように記憶部48が備えられている。本実施形態の記憶部48には、第1差動増幅回路42の増幅率G、第1検出部21に印加される電圧Vcc、第1検出部21の温度特性ktが記憶されている。演算回路44は、第1差動増幅回路42から上記数式4に示す信号Vaが入力されるため、記憶部48に記憶されている増幅率G、電圧Vcc、温度特性ktを用いて信号Vaからsinθを演算する。そして、cosθ=1-sinθ21/2であるため、sinθからcosθを演算し、記憶部に記憶されている増幅率G、電圧Vcc、温度特性ktを用いて次式に示す演算値Vcを生成する。そして、演算回路44は、信号Vaを演算値Vcで除算して正接値を演算し、正接値に対応する信号をセンサ信号として出力する。このように、磁気センサ20が第1検出部21のみを有する場合であっても、演算回路44でcosθを用いて演算値Vcを演算し、VaをVcで除算して正接値を演算しても、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、ここでは磁気センサ20が第1検出部21のみを有する場合について説明したが、磁気センサ20が第2検出部22のみを有する場合についても同様である。この場合は、演算回路44に上記数式5に示す信号Vbが入力されるため、演算回路44は、入力された信号Vbからsinθを演算すると共にこのsinθを用いた演算値とVbとから正接値を演算するものとすればよい。第9実施形態本発明の第9実施形態について説明する。本実施形態は、上記第1実施形態に対して、バイアス磁石30をモールド樹脂60の外側に配置したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図17は、本実施形態における電流センサ1の断面構成を示す図である。図17に示されるように、本実施形態の電流センサ1では、基板10、磁気センサ20、回路チップ40がモールド樹脂60に封止されており、バイアス磁石30がモールド樹脂60の外側に配置されている。これによれば、モールド樹脂60に封止されてなるモールドICを小型化することができる。第10実施形態本発明の第10実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、磁気コアを備えたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図18は、本実施形態における電流センサをバスバー70に取り付けたときの模式図である。図18に示されるように、本実施形態の電流センサ1は、バスバー70の外周を取り囲むと共に一部がギャップ80aとされており、電流磁界Biを集磁する磁気コア80を備えている。この磁気コア80は、鉄-ニッケル合金のパーマロイが成形、鍛造等によって形成されるものである。そして、図示しないケース等の筐体に備えられて保持されている。また、磁気コア80のギャップ80aには、図示しない筐体の搭載部が配置されており、この搭載部に磁気センサ20等がモールドされたモールドIC90が配置されている。これによれば、モールドIC90磁気センサ20には、磁気コア80で集磁された電流磁界Biが印加されるため、バスバー70に流れる微小な電流も検出することができ、検出感度を向上させることができる。なお、図18に示す電流センサ1では、モールドIC90に紙面左右方向に電流磁界Biが印加されるため、バイアス磁界Bbが紙面上下方向となるようにバイアス磁石30が配置されている。第11実施形態本発明の第11実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、磁気センサ20に磁気コアを備えたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図19は、本実施形態における磁気センサ20の平面図である。図19に示されるように、本実施形態では、磁気センサ20は、磁気抵抗素子21a~22dが形成されている磁気抵抗素子形成領域26と、軟磁性薄膜等によって構成される磁気コア27とを有している。この磁気コアは、例えば、蒸着等によって形成されるものである。これによれば、上記第10実施形態と同様に、磁気抵抗素子21a~22dには、磁気コア27で集磁された電流磁界Biが印加されるため、検出感度を向上させることができる。第12実施形態本発明の第12実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、磁界発生手段を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図20は、本実施形態における磁気抵抗素子の断面構成を示す図である。図20に示されるように、本実施形態では、フリー層25上に、絶縁体等で構成される保護膜28、フリー層25にバイアス磁界Bbを印加する強磁性膜29が順に積層されて構成されている。つまり、本実施形態では、強磁性膜29が本発明の磁界発生手段に相当している。これによれば、バイアス磁石30等を備える必要がないため、基板10の平面方向の大きさを小さくすることができる。なお、上記では、強磁性膜29によってフリー層25にバイアス磁界Bbを印加する例を説明したが、強磁性膜29を備えずに、ピン層23の材料等を適宜選択してピン層23によってフリー層25にバイアス磁界Bbが印加されるようにしてもよい。この場合は、ピン層23が本発明の磁界発生手段に相当する。他の実施形態上記第1~第7実施形態では、第1検出部21から正弦値を含む信号を出力すると共に第2検出部22から余弦値を含む信号を出力するものを説明したが、磁気センサ20とバイアス磁石30との配置方法を変更して第1検出部21から余弦値を含む信号を出力すると共に第2検出部22から正弦値を含む信号を出力するようにしてもよい。また、上記第1~第7実施形態では、第1、第2検出部21、22は磁気抵抗素子21a~21d、22a~22dがブリッジ回路を構成するように形成されたものを説明したが、第1、第2検出部21、22は、例えば、1つの磁気抵抗素子21a、22aのみで構成されていてもよい。同様に、上記第8実施形態においても、第1検出部21を1つの磁気抵抗素子21aのみで構成してもよい。さらに、上記各実施形態では、磁気センサ20と共に回路チップ40をモールド樹脂60にて封止してなるものを説明したが、次のようにしてもよい。すなわち、磁気センサ20から出力される信号を処理する信号処理回路部を外部に備えてもよい。つまり、磁気センサ20から出力される信号がリード50を介して信号処理部に入力されるようにしてもよい。例えば、上記電流センサ1は、車両に取り付けられて用いられるため、車両ECUで磁気センサ20から出力される信号に対して上記演算を行うようにしてもよい。この場合は、車両ECUが本発明の信号処理部に相当する。そして、上記第3、第4実施形態では、コイル31、32によってバイアス磁界Bbを生成する例について説明したが、次のようにしてもよい。すなわち、磁気センサ20内に薄膜コイルを形成することによってバイアス磁界Bbが生成されるようにしてもよい。この場合、薄膜コイルは、磁気センサ20内において、各磁気抵抗素子21a~22dの内部に形成されていてもよいし、各磁気抵抗素子21a~22dにおけるフリー層25の上部に形成されていてもよいし、各磁気抵抗素子21a~22dと異なる場所に形成されていてもよい。これによれば、上記第3、第4実施形態と比較して、モールドICを小型化することができる。そして、上記第5実施形態では、角度ずれα、βを演算して算出する例について説明したが、例えば、角度ずれα、βを目視等によって計測するようにしてもよい。また、上記第5実施形態では、電流センサ1をバスバー70に組み付けた後に角度ずれα、βを演算して記憶部48に角度ずれα、βを書き込む方法について説明したが、次のようにしてもよい。すなわち、電流センサ1をバスバー70に組み付ける前に角度ずれαを演算して当該角度ずれαを記憶部48に書き込み、その後、電流センサ1をバスバー70に組み付けて角度ずれβを演算し、当該角度ずれβを記憶部48に書き込むようにしてもよい。さらに、上記第5実施形態では、角度ずれα、βを補正する方法について説明したが、いずれか一方の角度ずれのみを補正するようにしてもよい。すなわち、演算回路44は、第1、第2差動増幅回路42、43から入力される信号Va、Vbを除算して角度ずれを含む信号tanθ ́を演算し、次式にtanθ ́および角度ずれαを代入して演算することにより、角度ずれαを補正した正接値tanθを演算することができる。また、演算回路44は、角度ずれを含む信号tanθ ́を演算し、次式に角度ずれβを代入して演算することにより、角度ずれβを補正した正接値tanθを演算することができる。このように、演算回路44にていずれか一方の角度ずれのみを補正するようにしてもよい。そして、上記第6、7実施形態では、演算回路44から第1、第2センサ信号を出力するものを説明したが、いずれか一方のセンサ信号を出力するようにしてもよい。図21は、他の実施形態における演算回路44から出力されるセンサ信号を示す図である。例えば、図21に示されるように、演算回路44において、広レンジの検出を行う磁気センサ20から入力された信号に対して所定のオフセットを付加して第1センサ信号を生成し、この第1センサ信号と第2センサ信号とを比較して第1、第2センサ信号のうちの絶対値の小さい方を出力するようにすることができる。また、演算回路44からセンサ信号を次のように出力することもできる。図22は、他の実施形態における演算回路44から出力されるセンサ信号を示す図であり、aは車両エンジンがオフされているときのセンサ信号を示す図、bは車両エンジンがオンされているときのセンサ信号を示す図である。すなわち、図22は、電流センサ1が車両に搭載されているときのセンサ信号を示す図である。電流センサ1が車両に搭載されて車両バッテリの充放電電流を検出するのに用いられる場合には、車両エンジンがオフされているときには暗電流を検出するために高感度の検出が必要であり、車両エンジンがオンされているときは充放電電流を検出するために広レンジの検出が必要である。このため、図22に示されるように、演算回路44は、車両エンジンがオフされているときには高感度である第2センサ信号を出力するようにし、車両エンジンがオンされているときには広レンジである第1センサ信号を出力するようにしてもよい。さらに、上記第3、第4実施形態においても高感度の検出を行うことができると共に広レンジの検出を行うようにすることができる。すなわち、上記第3実施形態においてコアコイル31に流す電流を所定時に変化させたり、上記第4実施形態においてコイル32に流す電流を所定時に変化させることによって、高感度な検出を行うことができると共に広レンジの検出を行うことができるようにすることができる。例えば、上記のように車両エンジンのオン、オフによって検出感度や検出レンジを変更する場合には、車両エンジンのオン、オフによってコイル31、32に流す電流を変更することにより、車両エンジンがオンされているときには広レンジの検出を行うことができるようにし、車両エンジンがオフされているときには高感度の検出を行うことができるようにすることができる。なお、本発明の所定時とは、例えば、車両エンジンのオン、オフの切り替えのタイミングのことである。また、上記各実施形態を適宜組み合わせてもよい。例えば、上記第6、第7実施形態において、バイアス磁石30を上記第2実施形態のようにコの字状としてもよいし、バイアス磁石30を上記第3実施形態のようにコイル31に変更してもよい。さらに、上記第8実施形態において、上記第2~第4実施形態のようにバイアス磁石30を変更してもよい。