"帯状の基材が所定の走行方向に沿って走行するように、基材を走行させる工程と、気化材料を蒸着源から吐出することにより、前記基材の所定部位に前記気化材料を蒸着させる工程と、前記気化材料を蒸着する際に、前記気化材料が前記所定部位を除く部位に蒸着するのを防止するように、前記基材を遮蔽するための遮蔽部を前記蒸着源及び前記基材間に配置させる工程と、を有し、前記遮蔽部は、前記蒸着源及び前記基材間に配置されることで前記基材を遮蔽する遮蔽位置と、前記蒸着源及び前記基材間から退避されることで前記基材を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置とに切り替え可能に構成され、前記遮蔽部は、前記遮蔽位置に位置した状態で、前記基材と同じ速度で前記走行方向に移動すると共に、前記遮蔽解除位置に位置した状態で、前記走行方向と反対方向に移動することを特徴とする有機EL素子の製造方法。前記遮蔽部は、前記遮蔽位置に位置した状態で前記基材の幅方向に亘って配置されるべく、基材の幅寸法よりも大きく形成される請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。前記遮蔽部は、フリップ式遮蔽板である請求項1又は2に記載の有機ELの製造方法。帯状の基材を所定の走行方向に沿って走行させる走行装置と、気化材料を前記基材に蒸着すべく、前記基材の所定部位に向けて前記気化材料を吐出する蒸着源と、前記気化材料が前記所定部位を除く部位に蒸着するのを防止するように、前記基材を遮蔽するための遮蔽部を有する遮蔽装置と、前記遮蔽部を移動させる移動装置と、を備え、前記遮蔽装置は、前記遮蔽部を、前記蒸着源及び前記基材間に配置されることで前記基材を遮蔽する遮蔽位置と、前記蒸着源及び前記基材間から退避されることで前記基材を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置とに切り替え可能な切替機構、を備え、前記移動装置は、前記遮蔽位置に位置した前記遮蔽部を、前記基材と同じ速度で走行方向に移動させると共に、前記遮蔽解除位置に位置した前記遮蔽部を、前記走行方向と反対方向に移動させることを特徴とする有機EL素子の製造装置。ところで、特許文献1に係る製造方法においては、シャドーマスクを送り出す送り出しローラや、シャドーマスクを巻き取る巻き取りローラや、シャドーマスクを支持する複数の支持ローラが設けられており、一般的に、装置が大型になるという問題を生じさせている。また、異なるパターンで気化材料を基材に蒸着させたい場合には、所定のシャドーマスクに交換型替えするために、複雑な作業が必要となるという問題を生じさせている。よって、本発明は、斯かる事情に鑑み、従来のような帯状のシャドーマスクを不要にしつつも、蒸着源からの気化材料を所望のパターンで基材に蒸着することができる有機EL素子の製造方法及び製造装置を提供することを課題とする。本発明に係る有機EL素子の製造方法は、帯状の基材が所定の走行方向に沿って走行するように、基材を走行させる工程と、気化材料を蒸着源から吐出することにより、前記基材の所定部位に前記気化材料を蒸着させる工程と、前記気化材料を蒸着する際に、前記気化材料が前記所定部位を除く部位に蒸着するのを防止するように、前記基材を遮蔽するための遮蔽部を前記蒸着源及び前記基材間に配置させる工程と、を有し、前記遮蔽部は、前記蒸着源及び前記基材間に配置されることで前記基材を遮蔽する遮蔽位置と、前記蒸着源及び前記基材間から退避されることで前記基材を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置とに切り替え可能に構成され、前記遮蔽部は、前記遮蔽位置に位置した状態で、前記基材と同じ速度で前記走行方向に移動すると共に、前記遮蔽解除位置に位置した状態で、前記走行方向と反対方向に移動することを特徴とする。本発明に係る有機EL素子の製造方法によれば、遮蔽部が蒸着源及び基材間に配置されることで、遮蔽部が基材を遮蔽する遮蔽位置に位置する。そして、遮蔽部が遮蔽位置に位置した状態で、遮蔽部が基材と同じ速度で走行方向に移動する。これにより、気化材料を所定部位に蒸着できる一方、所定部位を除く部位に気化材料が蒸着するのを防止できる。その後、遮蔽部が蒸着源及び基材間から退避されることで、遮蔽部が基材を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置に切り替えられる。そして、遮蔽部が遮蔽解除位置に位置した状態で、遮蔽部が走行方向と反対方向に移動する。これにより、蒸着源から吐出される気化材料が走行する基材に蒸着するのを阻害することなく、遮蔽部を元の位置に戻すことができる。したがって、斯かる動作を繰り返すことにより、連続して有機EL素子を製造することができる。また、本発明に係る有機EL素子の製造方法においては、前記遮蔽部は、前記遮蔽位置に位置した状態で前記基材の幅方向に亘って配置されるべく、基材の幅寸法よりも大きく形成されてもよい。斯かる有機EL素子の製造方法によれば、気化材料が蒸着されていない部位を、基材の幅方向に亘って形成することができるため、後に、斯かる部位で有機EL素子を切断することができる。また、本発明に係る有機EL素子の製造方法においては、前記遮蔽部は、フリップ式遮蔽板であることが望ましい。斯かる有機EL素子の製造方法によれば、遮蔽部にフリップ式遮蔽板を採用することにより、遮蔽位置と遮蔽解除位置との位置変更を確実に行うことができるようになる。また、本発明に係る有機EL素子の製造装置は、帯状の基材を所定の走行方向に沿って走行させる走行装置と、気化材料を前記基材に蒸着すべく、前記基材の所定部位に向けて前記気化材料を吐出する蒸着源と、前記気化材料が前記所定部位を除く部位に蒸着するのを防止するように、前記基材を遮蔽するための遮蔽部を有する遮蔽装置と、前記遮蔽部を移動させる移動装置と、を備え、前記遮蔽装置は、前記遮蔽部を、前記蒸着源及び前記基材間に配置されることで前記基材を遮蔽する遮蔽位置と、前記蒸着源及び前記基材間から退避されることで前記基材を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置とに切り替え可能な切替機構、を備え、前記移動装置は、前記遮蔽位置に位置した前記遮蔽部を、前記基材と同じ速度で走行方向に移動させると共に、前記遮蔽解除位置に位置した前記遮蔽部を、前記走行方向と反対方向に移動させることを特徴とする。斯かる有機EL素子の製造装置によれば、遮蔽部が蒸着源及び基材間に配置されることで、遮蔽部が基材を遮蔽する遮蔽位置に位置する。そして、遮蔽部が遮蔽位置に位置した状態で、移動装置が基材と同じ速度で走行方向に遮蔽部を移動させる。これにより、気化材料を所定部位に蒸着できる一方、所定部位を除く部位に気化材料が蒸着するのを防止できる。その後、遮蔽部が蒸着源及び基材間から退避されることで、遮蔽部が基材を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置に切り替えられる。そして、遮蔽部が遮蔽解除位置に位置した状態で、移動装置が走行方向と反対方向に遮蔽部を移動させる。これにより、遮蔽部を元の位置に戻すことができる。したがって、斯かる動作を繰り返すことにより、連続して有機EL素子を製造することができる。以上の如く、本発明によれば、従来のような帯状のシャドーマスクを不要にしつつも、蒸着源からの気化材料を所望のパターンで基材に蒸着することができるという優れた効果を奏する。以下、本発明に係る有機EL素子の製造装置以下、単に製造装置ともいうにおける一実施形態について、図1~図14を参酌して説明する。本実施形態に係る製造装置は、図1~図7に示すように、内部が真空である複数の真空室1と、帯状の基材81が真空室1の内部を通過するように、基材81を水平方向以下、走行方向ともいうXに沿って走行させる走行装置2と、気化材料が基材81に蒸着すべく、基材81に向けて気化材料を吐出する複数の蒸着源3とを備える。また、製造装置は、基材81を遮蔽する遮蔽部41を有する複数の遮蔽装置4と、各遮蔽部41を走行方向Xに沿って往復移動させる複数の移動装置5とを備える。真空室1は、三つ設けられている。そして、複数の真空室1は、走行方向Xに沿って連設されている。また、各真空室1の内部が真空となるように、各真空室1には、真空ポンプ等の真空発生装置図示及び採番していないが接続されている。走行装置2は、基材81を送る送り出しローラ21と、基材81詳しくは、気化材料を基材81に蒸着して形成された有機EL素子8を巻き取る巻き取りローラ22と、送り出しローラ21及び巻き取りローラ22間に配置され、基材81を支持する複数の支持ローラ23とを備える。そして、走行装置2は、基材81が走行方向Xに沿う直線状になる部分を有するようにして、基材81を走行させている。送り出しローラ21は、真空室1の外部で且つ上流側に配置されていると共に、巻き取りローラ22は、真空室1の外部で且つ下流側に配置されている。また、複数の支持ローラ23は、真空室1の内部に配置されていると共に、走行方向Xに並設されている。そして、複数の支持ローラ23は、基材81に掛け渡されていると共に、基材81の上面を支持している。各蒸着源3は、真空室1の内部に配置されていると共に、基材81と上下方向鉛直方向で対面するように配置されている。具体的には、各蒸着源3は、基材81の下方側に配置され、基材81の下面と対面するように配置されている。そして、上流側及び下流側の真空室1には、蒸着源3がそれぞれ一つ設けられていると共に、中間の真空室1には、三つの蒸着源3が走行方向Xに沿って並設されている。また、各蒸着源3は、加熱により気化させた気化材料を、基材81に向けて吐出している。具体的には、各蒸着源3は、気化材料を、上方向図3~図7におけるY矢印方向に向けて吐出している。各遮蔽装置4は、遮蔽部41を回転移動させることにより、遮蔽部41の位置を切り替える切替機構42を備える。そして、各遮蔽装置4は、切替機構42により、遮蔽部41が蒸着源3及び基材間81に配置されることで基材81を遮蔽させる遮蔽位置と、遮蔽部41が蒸着源3及び基材81間から退避されることで基材81を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置とに切り替え可能に構成されている。また、遮蔽装置4は、各真空室1の内部に、それぞれ一対設けられている。そして、一対の遮蔽装置4,4は、基材81の各側方に配置されている。具体的には、一対の遮蔽装置4,4は、基材81を幅方向で挟むように、基材81を介在し且つ互いに対面するようにして配置されている。各遮蔽部41は、所定の蒸着源3から吐出される所定の気化材料が、有機EL素子を形成すべき所定の部位へ蒸着されることを許容するとともに、この所定部位を除く部位に気化材料が付着しないように遮蔽するためのものである。ここで、所定の部位を除く部位とは、遮蔽部41が遮蔽のために基材81に重ねられたとき、蒸着源3と対面する方向で遮蔽部41と重なる基材81の部位をいう。各遮蔽部41は、帯状又は矩形状で且つ板状に形成されている。より具体的には、本実施形態において、遮蔽部41には、いわゆるフリップ式遮蔽板が採用されている。斯かるフリップ式遮蔽板とは、特に基材81の直近位置において、遮蔽部41の上面が基材81の下面と接近離反するように、走行方向X水平方向を中心に遮蔽部41を回転させるタイプのものをいう。なお、遮蔽部41としては、このフリップ式遮蔽板の他、特に基材81の直近位置において、遮蔽部41の上面が基材81の下面に沿って移動するように、走行方向Xと直交方向鉛直方向を中心に遮蔽部41を回転させる、いわゆるスライド式遮蔽板を採用できる。そして、各遮蔽部41は、遮蔽位置に位置した状態で基材81の幅方向に亘って配置されるべく、長手方向の寸法が基材41の幅寸法よりも大きく形成されている。また、各遮蔽部41は、遮蔽位置に位置した状態において、基材81から離間されて配置される。そして、遮蔽部41と基材81との離間の間隔は、例えば、1mm以下であることが望ましい。なお、各遮蔽部41は、遮蔽位置に位置した状態において、上面が基材81の下面と当接するように配置することも可能である。各切替機構42は、移動装置5に接続されて移動される本体部42aを備える。また、各切替機構42は、基材81の幅方向走行方向Xと直交する方向に沿って配置される軸で回転するように本体部42aに固定される第1回転体42bと、走行方向Xに沿って配置される軸で回転するように本体部42aに固定され、第1回転体42bの駆動を受ける第2回転体42cとを備える。そして、各切替機構42は、一端部が第1回転体42bの軸に連結される第1リンク体42dと、一端部が第2回転体42cの軸に連結され且つ他端部が遮蔽部41の端部に連結される第2リンク体42eとを備える。さらに、各切替機構42は、第1リンク体42dの他端部に回転可能に取り付けられるカムフォロワ42fと、カムフォロワ42fに摺接されるカム42gとを備える。各第1回転体42b及び各第2回転体42cの内部には、磁性体がそれぞれ設けられている。これにより、各第1回転体42bが回転するのに伴って、各第2回転体42cの磁性体が各第1回転体42bの磁性体から磁力を受けるため、各第2回転体42cが回転する。なお、各第1回転体42bと各第2回転体42cとは、離間して配置されている。各カム42gは、走行方向Xに沿って長尺に形成されている。そして、各カム42gは、下面がカムフォロワ42fの外周面に摺接される。また、各カム42gは、上下方向鉛直方向に変位可能に構成されている。なお、各切替機構42においては、付勢装置図示及び採番していないにより、カムフォロワ42fが上方へ変位するように付勢されている。したがって、各切替機構42は、カム42gを上方に位置させること図4及び図5参照で、遮蔽部41を遮蔽解除位置に位置させると共に、カム42gを下方に位置させること図6及び図7参照で、遮蔽部41を遮蔽位置に位置させるように構成されている。各移動装置5は、真空室1の内部に配置されていると共に、各遮蔽装置4の上方に配置されている。そして、各移動装置5は、本体部42aの上部を接続し、本体部42aを走行方向Xに沿って往復移動させることにより、遮蔽部41を走行方向Xに沿って往復移動させる。具体的には、各移動装置5は、遮蔽位置に位置した遮蔽部41を、基材81と同じ速度で走行方向Xに移動させると共に、遮蔽解除位置に位置した遮蔽部41を、走行方向Xと反対方向に移動させる。本実施形態に係る有機EL素子の製造装置における構成については以上の通りであり、次に、本実施形態に係る有機EL素子の製造方法について説明する。走行装置2が基材81を走行させることで、基材81が走行方向Xに沿って走行している。そして、走行している基材81に向けて各蒸着源3が気化材料を吐出することで、気化材料が基材81に蒸着する。このとき、遮蔽部41が遮蔽位置に位置した状態を維持している。これにより、遮蔽部41に遮蔽された基材81において、気化材料が蒸着される所定部位を除く部位に、気化材料が蒸着するのを防止している。斯かる動作について、図8~図11を参酌し、以下に詳述する。一対の遮蔽装置4,4のうち、一方側図8~図11において上方側の遮蔽装置4について説明する。まず、カム42gが下方に位置していることで、図8に示すように、遮蔽部41が基材81の下面を遮蔽する遮蔽位置に位置している。そして、本体部42aが移動装置5により基材81と同じ速度で走行方向Xに移動することで、遮蔽部41が基材81と同じ速度で走行方向Xに移動する。このとき、下方に位置しているカム42gにカムフォロワ42fが摺接しているため、図9に示すように、遮蔽部41が走行方向Xに移動する際には、遮蔽部41が蒸着源3及び基材81間に配置され、遮蔽部41が遮蔽位置に位置した状態を維持している。これにより、遮蔽部41に遮蔽された基材81において、気化材料が蒸着される所定部位を除く部位に、気化材料が蒸着するのを防止している。そして、本体部42aが移動範囲における下流端まで移動すると、カム42gが変位して上方に位置するため、図10に示すように、遮蔽部41が蒸着源3及び基材81間から退避されることで、遮蔽部41が基材81を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置に切り替えられる。その後、本体部42aが移動装置5により走行方向Xと反対方向に移動することで、遮蔽部41が走行方向Xと反対方向に移動する。このとき、上方に位置しているカム42gにカムフォロワ42fが摺接しているため、図11に示すように、遮蔽部41が走行方向Xと反対方向に移動する際には、遮蔽部41が遮蔽解除位置に位置した状態を維持している。これにより、蒸着源3から吐出される気化材料が基材81に蒸着するのを阻害することなく、遮蔽部41を移動範囲における上流端に戻すことができる。そして、カム42gが変位して下方に位置することで、図8に示すように、遮蔽部41が基材81の下面を遮蔽する遮蔽位置に位置すると共に、本体部42aが移動装置5により基材81と同じ速度で走行方向Xに移動することで、遮蔽部41が基材81と同じ速度で走行方向Xに移動する。また、図8~図11に示すように、一方側の遮蔽装置4が遮蔽部41を遮蔽位置に位置し且つ走行方向Xに移動している際には、他方側図8~図11において下方側の遮蔽装置4は、遮蔽部41を遮蔽解除位置に位置すると共に、走行方向Xと反対方向に移動している。そして、一方側の遮蔽装置4が遮蔽部41を遮蔽解除位置に位置し且つ走行方向Xと反対方向に移動している際には、他方側の遮蔽装置4は、遮蔽部41を遮蔽位置に位置すると共に、走行方向Xに移動している。このようにして、各遮蔽装置4の往復動作を繰り返すことにより、有機EL素子8を連続的に製造することができる。斯かる有機EL素子8について、図12~図14を参酌して、以下に詳述する。有機EL素子8は、図12~図14に示すように、基材81の一方側の面に蒸着源4からの気化材料が蒸着されて形成される下部電極層82と、下部電極層82の上から気化材料が蒸着されて形成される有機層83と、有機層83の上から気化材料が蒸着されて形成される上部電極層84とを備える。そして、有機EL素子8は、基材81の幅方向に亘って気化材料が蒸着されていない部位、即ち、各層82,83,84が設けられていない部位を備えている。基材81は、導電性を有する導電層81aと、絶縁性を有する絶縁層81bとを備える。そして、導電層81aは、金属基板で構成されており、例えば、ステンレス、銅、ニッケル等の金属で形成されている。また、絶縁層81bは、導電層81aの一方側の面全体を覆うように配置され、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂等の光硬化性樹脂や、薄ガラス等で形成されている。下部電極層82は、少なくとも一部が有機層83及び上部電極層84に覆われておらず露出するように配置されている。そして、下部電極層82は、本実施形態において、陽極層としており、例えば、インジウム-亜鉛酸化物IZO、インジウム-錫酸化物ITO等の透明導電材や、金、銀、アルミニウム等の金属で形成されている。有機層83は、下部電極層82の上に配置される正孔注入層83aと、正孔注入層83aの上に配置される有機EL層83bと、有機EL層83bの上に配置される電子注入層83cとを備える。そして、有機層83は、下部電極層82と上部電極層84とが接触するのを防止するように、下部電極層82及び上部電極層84間に配置されている。正孔注入層83aは、例えば、銅フタロシアニンCuPc、4,4’-ビス[N-4-N,N-ジ-m-トリルアミノフェニル]-N-フェニルアミノ]ビフェニルDNTPD等で形成されている。また、有機EL層83bは、例えば、トリス8-ハイドロキシキノリンアルミニウムAlq3、イリジウム錯体Irppy3をドープした4,4’-N,N’-ジカルバゾニルビフェニルCBP等で形成されている。さらに、電子注入層83cは、例えば、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、酸化リチウムLi2O等で形成されている。上部電極層84は、本実施形態において、陰極層としている。そして、上部電極層84は、例えば、アルミニウム、銀、マグネシウム銀の合金、アルカリ金属、アルカリ土類金属を含む合金等で形成されている。したがって、上流側の真空室1に配置される蒸着源3は、下部電極層82を形成する気化材料を吐出し、中間の真空室1に配置される蒸着源3,3,3は、上流側から、正孔注入層83aを形成する気化材料、有機EL層83bを形成する気化材料、電子注入層83cを形成する気化材料をそれぞれ吐出し、さらに、下流側の真空室1に配置される蒸着源3は、上部電極層84を形成する気化材料を吐出している。以上より、本実施形態に係る有機EL素子の製造方法及び製造装置によれば、遮蔽部41が蒸着源3及び基材81間に配置されることで、遮蔽部41が基材81を遮蔽する遮蔽位置に位置する。そして、遮蔽部41が遮蔽位置に位置した状態で、蒸着源3の上流側から、遮蔽部41が基材81と同じ速度で走行方向Xに移動する。これにより、気化材料を所定部位に蒸着できる一方、所定部位を除く部位に気化材料が蒸着するのを防止できる。また、遮蔽部41が蒸着源3の下流側に移動し移動範囲の下流端終点まで移動した後、遮蔽部41が蒸着源3及び基材81間から退避されることで、遮蔽部41が基材81を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置に切り替えられる。そして、遮蔽部41が遮蔽解除位置に位置した状態で、遮蔽部41が走行方向Xと反対方向に移動する。これにより、蒸着源3から吐出される気化材料が走行する基材Xに蒸着するのを阻害することなく、遮蔽部41を移動範囲の上流端始点に戻すことができる。そして、斯かる動作を繰り返すことにより、連続して有機EL素子8を製造することができる。したがって、従来のような帯状のシャドーマスクを不要にしつつも、蒸着源3からの気化材料を所望のパターンで基材81に蒸着することができる。また、本実施形態に係る有機EL素子の製造方法及び製造装置によれば、遮蔽部41が基材81の幅寸法よりも大きく形成されているため、遮蔽部41が遮蔽位置に位置した状態において、遮蔽部41が基材81の幅方向に亘って配置される。これにより、気化材料が蒸着されていない部位を、基材81の幅方向に亘って形成することができるため、後に、斯かる部位で有機EL素子8を切断することができる。また、本実施形態に係る有機EL素子の製造方法及び製造装置によれば、遮蔽部41にフリップ式遮蔽板を採用することにより、遮蔽位置と遮蔽解除位置との位置変更を確実に行うことができるようになる。なお、本発明に係る有機EL素子の製造方法及び製造装置は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態に係る有機EL素子の製造方法及び製造装置においては、遮蔽部41が帯状又は矩形状に形成される構成を説明したが、斯かる構成に限られない。具体的には、遮蔽部41は、図15に示すように、基材81の長手方向にほぼ直交するように設けられる第1遮蔽部41aと、この第1遮蔽部41aにほぼ直交するように設けられる1つの第2遮蔽部41bとを有する構成でもよい。図15に示すように、第1遮蔽部41aは、帯状又は矩形状に構成される。そして、第1遮蔽部41aは、その一端部が切替機構42の第2リンク体42eに連結され、その他端部が第2遮蔽部41bと一体に形成されている。また、第2遮蔽部41bは、帯状又は矩形状に構成される。そして、第2遮蔽部41bは、基材81の幅方向における一端部と重なって、基材81の長手方向に沿って設けられている。また、遮蔽部41は、図16に示すように、図15の第1遮蔽部41a及び第2遮蔽部41bに加えて、第3遮蔽部41cを有する構成でもよい。斯かる第3遮蔽部41cは、帯状又は矩形状に構成される。また、第3遮蔽部41cは、第1遮蔽部41aの中途部から、この第1遮蔽部41aとほぼ直交するように突出して形成される。そして、第2遮蔽部41bが基材81の幅方向の一端部と重なるように設けられる一方で、第3遮蔽部41cは、基材81の幅方向における反対側の他端部と重なるように設けられる。さらに、第3遮蔽部41cは、第2遮蔽部41bとほぼ平行になっている。加えて、第3遮蔽部41cは、基材81の長手方向に沿って設けられる。また、遮蔽部41は、図17に示すように、図16の第1遮蔽部41a、第2遮蔽部41b及び第3遮蔽部41cに加えて、第4遮蔽部41dを有する構成でもよい。斯かる第4遮蔽部41dは、帯状又は矩形状に構成される。そして、第4遮蔽部41dは、第2遮蔽部41bの端部と第3遮蔽部41cの端部とを連結している。さらに、第4遮蔽部41dは、第1遮蔽部41aとほぼ平行になっている。加えて、第4遮蔽部41dは、基材81の幅方向に沿うように設けられる。斯かる構成により、図17に示す遮蔽部41は、第1遮蔽部41a、第2遮蔽部41b、第3遮蔽部41c及び第4遮蔽部41dによって、四角形状に構成される。また、この遮蔽部41は、第1遮蔽部41a~第4遮蔽部41dによって囲まれる1つの開口部を有する。また、遮蔽部41は、図18に示すように、図17の第1遮蔽部41a~第4遮蔽部41dに加えて、第5遮蔽部41eを有する構成でもよい。斯かる第5遮蔽部41eは、帯状に構成され、その中途部が屈曲して構成される。また、第5遮蔽部41eは、第2遮蔽部41bと第3遮蔽部41cとの間に設けられる。そして、第5遮蔽部41eは、第1遮蔽部41aの中途部と第4遮蔽部41dの中途部とを連結する。さらに、第5遮蔽部41eは、第1遮蔽部41a及び第4遮蔽部41dとほぼ直交するように設けられる。加えて、第5遮蔽部41eは、基材81の長手方向に沿うように設けられる。斯かる構成により、図18に示す遮蔽部41は、第1遮蔽部41a~第5遮蔽部41eによって区切られる2つの開口部を有する。また、本発明に係る有機EL素子の製造方法及び製造装置においては、切替機構42は、上記実施形態に係る構成に限られず、遮蔽部41を遮蔽位置と遮蔽解除位置とに切り替える構成であればよい。また、本発明に係る有機EL素子の製造方法及び製造装置においては、移動装置5は、上記実施形態に係る構成に限られず、遮蔽部41を走行方向Xに沿って往復移動させる構成であればよい。次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1以下の条件による製造装置によって、基材上に陽極層、有機EL層、および陰極層を形成し、有機EL素子を製造した。遮蔽部には、その厚さが0.1mm、材質としてSUS304のものを採用した。真空室の真空度は5.0×105Paに設定した。基材の幅寸法は、50mmである。また、基材の搬送速度は1m/minである。基材は、その厚さが50μm、その材質がSUS304である。基材の素子側には、厚さ4μmの絶縁層が形成される。上記の条件で製造された有機EL素子を、鋏を用いて、基材における長手方向の隣接した有機EL素子間の中央部で基材幅方向に沿って切断することにより、各有機EL素子を切り離し、陽極層及び陰極層に電圧を印加した結果、いずれの有機EL素子についても、基材長手方向長さ314mm、基材幅方向長さ38mmの領域を有する緑色の発光が認められた。また、該領域内における発光は均一であった。また、有機EL素子には、ショート等の不具合の発生は認められなかった。実施例1では、10ユニットの有機EL素子を製造したが、その全てについて所望の発光を行うことができた。比較例実施例1における遮蔽装置を使用する代わりに、帯状のシャドーマスクを用いる製造装置によって、有機EL素子の比較例を製造した。帯状のシャドーマスクは、シャドーマスク繰り出しローラにそれぞれ巻き付けられており、該シャドーマスク繰り出しローラから繰り出された帯状のシャドーマスクが、基材と蒸着源との間に供給された後、シャドーマスク巻き取りローラによってそれぞれ巻き取られるようになっている。シャドーマスクには所定のピッチで開口部が形成されている。さらに、繰り出されたシャドーマスクは、押さえロールによって基材に密着させられる。そして、このような帯状のシャドーマスクを備えた製造装置を用いて、実施例1と同様に、基材上に形成された陽極層に有機EL層と陰極層を形成したところ、シャドーマスクと基材上に形成された陽極層とが擦れて、陽極層に傷がついた。より具体的には、製造された10ユニットの有機EL素子のうち、1つのユニットにおいて陽極層に傷がついた。また、連続した成膜の途中から、帯状のシャドーマスクの開口部と陽極層との間に位置ずれが生じたため、それ以降は所望の品質を満足するような有機EL素子を製造することができなかった。本願の発明者は、上記のような実施例1と、陽極層に傷のついた比較例とに係る有機EL素子について、性能試験を行った。試験結果として、図19を参照すると、実施例1に係る有機EL素子は、印加電圧が約7Vを越えてから発光輝度が徐々に増加していき、印加電圧が12Vの場合に、発光輝度が40000cd/m2を越え、所望の発光輝度に到達することが確認された。これに対し、動作不良が生じた比較例に係る有機EL素子では、印加電圧が約7Vを越えた時点から徐々に発光輝度が増加していくが、印加電圧が12Vになっても所望の発光輝度まで到達しないことが判明した。この結果から、比較例は、陽極層に傷がついたため、所望の性能を発揮できなかったものと考えられる。また、図20及び図21に示すように、実施例1と比較例について、レーザ顕微鏡株式会社キーエンス製:VK-9700を使用し、基材に陽極層が形成された状態におけるその境界部の平面の画像を取得し、これらの画像の対比を行っている。また、図22に示すように、実施例1と比較例における陽極層のパターンエッジ部分の断面プロファイルをグラフにし、対比を行っている。この実施例1では、遮蔽装置の遮蔽部を、基材から離れた遮蔽位置に配置し、蒸着源からの気化材料を基材に蒸着することにより、陽極層を形成している。一方、比較例では、シャドーマスクを基材に接触させた状態で遮蔽し、蒸着源からの気化材料を基材に蒸着することにより、陽極層を形成している。図22に示すように、比較例の陽極層のエッジ部分は、その側面がほぼ鉛直方向に沿うように直線的に形成されていることが判る。これに対し、実施例1の陽極層のエッジ部分は、その側面が鉛直方向に対して傾斜して曲線状に形成されていることが判る。上記の点について、さらに図21を参照すると、比較例に係る平面画像では、上述のように陽極層の側面がほぼ鉛直に形成されることから、基材と陽極層との境界が色線上に鮮明に写っている。これに対し、実施例1における平面画像図20では、陽極層の側面が傾斜して形成されていることから、基材と陽極層との間の境界が鮮明ではなく、ややぼやけたように写っている。上記のように、比較例においては、シャドーマスクが基材に接触した状態で、陽極層に係る気化材料の蒸着が行われた結果、陽極層のエッジが非常に尖鋭な状態図21及び図22に示す状態になったことが判る。このような比較例においては、いわゆるエッジリークが発生しやすくなり、好ましいものではない。このことから、実施例1に係る有機EL素子の製造方法及び製造装置は、基材に陽極層を形成する場合に、遮蔽部を基材から離間させて蒸着を行うことにより、エッジリークの発生を防止する点において顕著な効果を奏することが判った。"