第1金属から構成され、穴部を有する第1導電路形成板と、第2金属から構成され、前記穴部に圧入された圧入部を有する第2導電路形成板と、を備え、前記穴部の壁面と前記圧入部の側面とには、前記第1導電路形成板と前記第2導電路形成板との互いの重ね合わせ面の法線に対して傾斜した傾斜接合面が形成され、前記傾斜接合面の近傍領域には、金属流動による接合部が形成された導電路。請求項1において、前記第2導電路形成板には、前記傾斜接合面を除く領域に第3金属から構成されためっき膜が形成されており、前記第3金属の硬度は、前記第1金属及び第2金属の硬度よりも高い導電路。請求項2において、前記第1金属及び前記第2金属は、銅であり、前記第3金属は、ニッケルである導電路。請求項2又は3において、前記金属流動による接合部には、前記第3金属からなる複数の結晶粒が前記傾斜接合面に沿って離散して形成された導電路。請求項1~4のいずれか1項において、前記第1導電路形成板には、前記傾斜接合面を除く領域に金属酸化膜が形成された導電路。請求項1~5のいずれか1項において、前記重ね合わせ面の法線に対する前記傾斜接合面の傾斜角度は、20°以上且つ50°以下である導電路。請求項1~6のいずれか1項において、前記穴部は、貫通孔である導電路。請求項1~7のいずれか1項において、前記第2導電路形成板の厚さは、前記第1導電路形成板の厚さよりも薄い導電路。請求項1~8のいずれか1項に記載の導電路と、前記導電路と電気的に接続された半導体チップと、前記導電路及び前記半導体チップを封止する樹脂材から構成された外装体と、を備えた半導体装置。第1金属から構成され、穴部を有する第1導電路形成板と、第2金属から構成された第2導電路形成板とを互いに重ね合わせた状態で、前記第2導電路形成板において前記穴部と対向する部分を圧入工具により前記穴部に圧入して、前記第1導電路形成板と前記第2導電路形成板とを互いに接合させる導電路の製造方法。請求項10において、前記第2導電路形成板において前記穴部と対抗する部分を圧入工具により前記穴部に圧入することで、前記第1導電路形成板と前記第2導電路形成板とを擦り合わせ、前記第1導電路形成板と前記第2導電路形成板とを互いに接合させる導電路の製造方法。請求項10又は11において、前記圧入工具の先端部の側面は、前記第2導電路形成板の上面の法線に対して、30°以上且つ60°以下の角度であり、前記先端部の直径は、前記穴部の開口径の最小値の2分の1である導電路の製造方法。請求項10~12のいずれか1項において、前記第1導電路形成板に重ね合わされた前記第2導電路形成板に、硬度が前記第1金属及び第2金属の硬度よりも高い第3金属から構成されためっき膜が形成された導電路の製造方法。請求項13において、前記第1金属及び前記第2金属は、銅であり、前記第3金属は、ニッケルである導電路の製造方法。第1金属から構成され、穴部を有する第1導電路形成板、及び第2金属から構成され、第2導電路形成板の少なくとも一方の上に予め半導体チップを固着しておき、前記第1導電路形成板において前記穴部を有する領域と前記第2導電路形成板の一部とを互いに重ね合わせた状態で、前記第2導電路形成板において前記穴部と対向する部分を圧入工具により前記穴部に圧入して、前記第1導電路形成板と前記第2導電路形成板とを互いに接合させた後、前記半導体チップと、前記第1導電路形成板及び前記第2導電路形成板の接合部とを樹脂材から構成された外装体により封止する半導体装置の製造方法。請求項15において、前記第2導電路形成板において前記穴部と対抗する部分を圧入工具により前記穴部に圧入することで、前記第1導電路形成板と前記第2導電路形成板とを擦り合わせ、前記第1導電路形成板と前記第2導電路形成板とを互いに接合させる半導体装置の製造方法。請求項15又は16において、前記圧入工具の先端部の側面は、前記第2導電路形成板の上面の法線に対して、30°以上且つ60°以下の角度であり、前記先端部の直径は、前記穴部の開口径の最小値の2分の1である半導体装置の製造方法。請求項15~17のいずれか1項において、前記第1導電路形成板に重ね合わされた前記第2導電路形成板に、硬度が前記第1金属及び第2金属の硬度よりも高い第3金属から構成されためっき膜が形成された半導体装置の製造方法。請求項18において、前記第1金属及び前記第2金属は、銅であり、前記第3金属は、ニッケルである半導体装置の製造方法。導電路の形成に対し、特許文献2に記載された冷間圧接法を用いれば、接合部におけるめっき層及び金属酸化物が水平方向に破断されて、接合面には新生面が露出する。このため、新生面同士の接続が可能となり、接合部における電気的な抵抗は、ある程度は低くすることができる。しかしながら、特許文献2に記載された冷間圧接法では、大きな電流が流れる導電路において、接合部における電気抵抗は低くなっていないという問題がある。本発明は、前記の問題を解決し、大きな電流が流れる導電路形成板同士を接合する接合部において、電気抵抗を低くすることを目的とする。前記の目的を達成するため、本発明に係る導電路は、第1金属から構成され、穴部を有する第1導電路形成板と、第2金属から構成され、穴部に圧入された圧入部を有する第2導電路形成板とを備え、穴部の壁面と圧入部の側面とには、第1導電路形成板と第2導電路形成板との互いの重ね合わせ面の法線に対して傾斜した傾斜接合面が形成され、傾斜接合面の近傍領域には、金属流動による接合部が形成されている。本発明に係る半導体装置は、本発明の導電路と、該導電路と電気的に接続された半導体チップと、導電路及び半導体チップを封止する樹脂材から構成された外装体とを備えている。本発明に係る導電路の製造方法は、第1金属から構成され、穴部を有する第1導電路形成板と、第2金属から構成された第2導電路形成板とを互いに重ね合わせた状態で、第2導電路形成板において穴部と対向する部分を圧入工具により穴部に圧入して、第1導電路形成板と第2導電路形成板とを互いに接合させる。本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1金属から構成され、穴部を有する第1導電路形成板、及び第2金属から構成され、第2導電路形成板の少なくとも一方の上に予め半導体チップを固着しておき、第1導電路形成板において穴部を有する領域と第2導電路形成板の一部とを互いに重ね合わせた状態で、第2導電路形成板において穴部と対向する部分を圧入工具により穴部に圧入して、第1導電路形成板と第2導電路形成板とを互いに接合させた後、半導体チップと、第1導電路形成板及び第2導電路形成板の接合部とを樹脂材から構成された外装体により封止する。本発明に係る導電路、それを用いた半導体装置及びそれらの製造方法によると、導電路及び半導体装置における電気抵抗を低くすることができる。一実施形態本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装置及びそれを構成する導電路について図面を参照しながら説明する。[半導体装置]図1は一実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の断面構成を示している。図1に示すように、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置は、パワー素子T1を第1ダイパッド部1cの上に保持する第1リードフレーム1と、制御素子T2を第2ダイパッド部2cの上に保持する第2リードフレーム2と、第1リードフレーム1の下面に絶縁性シート5を介在して固着された放熱板3と、樹脂材の一例である封止樹脂材からなる外装体4とから構成されている。外装体4は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化型樹脂からなり、パワー素子T1を含む第1リードフレーム1の一方の端部と、制御素子T2を含む第2リードフレーム2の一方の端部とを覆っている。また、外装体は、放熱板3の下面を露出するように形成されている。ここで、第1ダイパッド部1cの少なくとも一部と第2ダイパッド部2cとは、樹脂封止型半導体装置の小型化を図るべく、平面視で互いに重なっている。さらに、パワー素子T1の少なくとも一部と制御素子T2とは、平面視で互いに重なるように配置されている。さらに、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置においては、第1リードフレーム1において、複数のリードのうちの1つを第1中継リード1bとしている。また、第2リードフレーム2においては、複数のリードのうちの1つを第2中継リード2bとしている。本発明に係る接合部25を含む領域30において、第1中継リード1b及び第2中継リード2bの端部同士が、接合部25により接合された導電路を形成している。以下、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を詳細に説明する。第1リードフレーム1は、第1金属の一例として、例えば銅Cu等の導電性が高い金属により構成される。第2リードフレーム2は、第2金属の一例として、例えば銅又は42アロイFe-42Ni等の導電性が高い金属により構成される。放熱板3は、例えば銅又はアルミニウムAl等の熱伝導性に優れた金属により構成される。第1リードフレーム1の第1ダイパット部1cと第1中継リード1bとは、絶縁性シート5を介在して放熱板3の上面に固着されている。絶縁性シート5は、例えば、熱伝導性を有する絶縁性材料からなり、電気絶縁層の両面を接着層で挟んだ3層構造を有している。パワー素子T1は、半導体チップであり、例えば絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBT又は金属酸化膜型電界効果トランジスタMOSFETを用いることができる。パワー素子T1は、第1リードフレーム1の第1ダイパッド部1cの上面にろう材6により予め固着されている。パワー素子T1におけるボンディングパッド図示せずと第1リードフレーム1の複数のリードとは、例えばアルミニウムから構成されるワイヤ7により電気的に接続されている。また、パワー素子T1のボンディングパッドと第1中継リード1bとの間も、アルミニウム等から構成されるワイヤ8により電気的に接続されている。なお、ワイヤ7、8には、アルミニウムから構成されるワイヤに代えて、アルミニウムから構成されるリボン、又は銅から構成されるクリップを用いてもよい。リボン又はクリップは、ワイヤと比べて断面積が大きく、配線抵抗の値が低くなるため、パワーの損失を減らすことができる。制御素子T2は、パワー素子T1を制御する制御回路を有する半導体チップであり、例えば駆動回路及び過電流防止回路等を含む。制御素子T2は、第2リードフレーム2の第2ダイパッド部2cの上面に、例えば銀Agペースト材9により予め固着されている。制御素子T2のボンディングパッド図示せずと第2リードフレーム2の複数のリードとは、金Au等から構成されるワイヤ10によって互いに電気的に接続されている。ここで、制御素子T2を保持する第2リードフレーム2の第2ダイパッド部2cは、パワー素子T1の上方に該パワー素子T1の上面とほぼ平行に配置されて、パワー素子T1のワイヤ7、8の少なくとも一部を覆っている。その結果、パワー素子T1と接続されるワイヤ7、8と制御素子T2との間には、第2リードフレーム2の第2ダイパッド部2cが配置される。このため、パワー素子T1の出力信号線であるワイヤ7、8に生じた電磁波ノイズの一部を第2ダイパッド部2cによって遮断し、制御素子T2へ電磁波ノイズの一部が伝播することを防ぐことができる。その結果、制御素子T2の誤動作の抑制が可能となる。同様に、本実施形態においては、第2リードフレーム2が第1リードフレーム1の少なくとも一部を覆うように配置されている。このため、パワー素子T1から発生する電磁波ノイズが、制御素子T2の下側に位置する第2リードフレーム2によって遮蔽される。その結果、制御素子T2に達する電磁波ノイズ量が減少して、制御素子T2の誤動作の発生が抑制される。その結果、本半導体装置の動作の信頼性を高めることができる。なお、第2リードフレーム2における第2ダイパッド部2cの少なくとも一部好ましくは第2ダイパッド部2cの下面に、ニッケルNi等の磁性材料からなるめっき層を形成してもよい。これにより、パワー素子T1から発生する電磁波ノイズを該めっき層で吸収することができるので、パワー素子T1から発生する電磁波ノイズの制御素子T2への影響を、より一層抑制することができる。[導電路]図2は図1に示した接合部25を含む領域30を拡大した断面構成を表している。以下、本実施形態においては、領域30を、本実施形態に係る導電路として説明する。領域30は、第1リードフレーム1の第1中継リード1bと第2リードフレーム2の第2中継リード2bとの接合部25を、含む。従って、図2において、第1中継リード1bを第1導電路形成板11とし、第2中継リード2bを第2導電路形成板15とする。第1導電路形成板11の上面の第1接続部12には、該第1導電路形成板11を表裏方向に貫通する貫通孔13が設けられている。また、第2導電路形成板15の下面の第2接続部14には、第1導電路形成板11の貫通孔13に圧入される圧入部17が形成されている。第1導電路形成板11及び第2導電路形成板15は、例えば銅Cuにより構成される。第2導電路形成板15の表面及び裏面には、ニッケルNiからなるめっき膜16が形成されている。なお、めっき膜16は、第2導電路形成板15に必ずしも形成する必要はないが、後述する理由から、めっき膜16を形成することが好ましい。また、めっき膜16は、第1導電路形成板11に形成してもよいが、少なくとも第2導電路形成板15に形成することが好ましい。一般的なパワー素子T1の場合は、第1リードフレーム1の一例である第1導電路形成板11の厚さは0.05mm以上且つ1.0mm以下が望ましい。また、第2リードフレーム2の一例である第2導電路形成板15の厚さも、第1導電路形成板11と同様に、0.05mm以上且つ1.0mm以下が望ましい。なお、各導電路形成板11、15の厚さは、パワー素子T1に流す電流値によって、適宜設定される。また、図2に示す構成においては、第1導電路形成板11の厚さは、第2導電路形成板15の厚さと同等かそれよりも大きいことが望ましい。これは、本実施形態に係る構成において、第1導電路形成板11と第2導電路形成板15との相互の加工性特に、第2導電路形成板15に対する良好な加工性を考慮する必要があるためである。めっき膜16の厚さは、第1導電路形成板11と第2導電路形成板15との接合時の破断性を考慮した場合、0.01μm以上且つ10μm以下であることが望ましい。圧入部17は、第1導電路形成板11の貫通孔13に圧入された第2導電路形成板15により構成される。この圧入部17の側面と貫通孔13の壁面とは、第1導電路形成板11及び第2導電路形成板15の重ね合わせ面第1導電路形成板11の平坦面と第2導電路形成板15の平坦面とが重ね合わされた面の法線に対して傾斜した傾斜接合面18を、形成している。第2導電路形成板15の圧入部17における傾斜接合面18と反対側の面を傾斜圧入面17aと呼ぶ。接合部25を構成する圧入部17の形成方法の詳細は後述する。第1導電路形成板11と第2導電路形成板15との導通特性と、傾斜接合面18における接合強度との適正を考慮し、本実施形態においては、傾斜接合面18の傾斜角度θ1を35°としている。なお、傾斜接合面18の傾斜角度θ1は、前述の導通特性と接合強度とのバランス兼ね合いから、20°以上且つ50°以下程度が望ましい。貫通孔13の平面形状が円形である場合、該貫通孔13の直径は、第1導電路形成板11の厚さ程度が好ましい。このため、本実施形態においては、貫通孔13の直径は、0.05mm以上且つ1.0mm以下としている。また、本実施形態においては、傾斜接合面18は、貫通孔13の壁面と圧入部17の側面とから構成され、傾斜角度がθ1である。この傾斜接合面18の傾斜角度θ1が0よりも大きいことで、第1導電路形成板11と第2導電路形成板15との接合面積が、傾斜角度が0の場合と比べて大きくなる。これにより、第1導電路形成板11と第2導電路形成板15との導電特性が向上する。しかしながら、傾斜角度θ1が大き過ぎると、貫通孔13と圧入部17との接合強度が低下するおそれがある。このため、本実施形態においては、傾斜角度θ1を20°以上且つ50°以下程度とし、より望ましくは35°としている。図3aに、図2に示す接合部25を含む導電路の平面構成を示す。図3aに示すように、貫通孔13の平面形状は円形状であり、この場合の圧入工具であるポンチの先端部による圧入痕17bの平面形状も円形状である。但し、傾斜接合面18の面積と接合強度との所望の条件を満たすことができれば、貫通孔13の平面形状は必ずしも円形状である必要はなく、楕円形状又は長円形状でもよい。また、図3b及び図3cに示すように、傾斜接合面18の面積と接合強度との所望の条件を満たすことができれば、変形例として、貫通孔13の平面形状は、正方形状、さらには四角形等の多角形状であってもよい。図3bにおいては、圧入痕17bの平面形状は円形状である。この場合は、第1導電路形成板11と第2導電路形成板15との傾斜接合面18は、貫通孔13の各辺の中央部に食い込むように形成される。また、図3cにおいては、圧入痕17bの平面形状は正方形状であり、その4辺は貫通孔13の各辺に対して45°回転されている。この場合も、第1導電路形成板11と第2導電路形成板15との傾斜接合面18は、貫通孔13の各辺の中央部に食い込むように形成される。また、図3dに示す変形例のように、貫通孔13の平面形状が長方形状で、且つポンチの押圧面が貫通孔13の内側に互いに間隔をおいて2箇所である場合は、第1導電路形成板11と第2導電路形成板15との傾斜接合面18は、貫通孔13における互いに対向する2辺に食い込むように形成される。なお、図3eに示す変形例は、第1導電路形成板11に貫通孔13を設ける代わりに、第1導電路形成板11の先端部に半円状の切り込みを設け、第2導電路形成板15における第1導電路形成板11の半円状の切り込み部分の近傍にポンチを押圧して傾斜接合面18を形成している。このように、傾斜接合面18の面積と接合強度との所望の条件を満たすことができれば、第2導電路形成板15における圧入部17の側面は、第1導電路形成板11における貫通孔13の壁面と金属流動塑性流動を起こし、互いの新生面同士で傾斜接合面18を形成できる平面形状であればよい。なお、第1導電路形成板11に設ける貫通孔13は、必ずしも貫通している必要はない。第1導電路形成板11の第1接続部12と第2導電路形成板15の第2接続部14との圧入部17に新生面から形成される傾斜接合面18が生じて、接合強度が維持されると共に電気抵抗を低くすることが可能であれば、貫通孔13に代えて、貫通しない穴部である凹部を用いてもよい。なお、本実施形態では、貫通孔と凹部を含むものを穴部としている。図4は本実施形態に係る導電路における傾斜接合面の断面であって、図2に示す領域31のSEM像である。本願発明者らが作製して観察したSEM像から、傾斜接合面18を構成する貫通孔13の壁面及び圧入部17の側面は、金属流動面塑性流動面である新生面から構成されていることが分かる。傾斜接合面18を新生面とすることにより、貫通孔13の壁面及び圧入部17の側面を擦り合わせて、単なる金属同士の接触状態ではなく、金属同士の一体化を達成することができる。このとき、貫通孔13の壁面及び圧入部17の側面では、ニッケルNiから構成されるめっき膜16が結晶粒16aとなって、ほぼ傾斜接合面18に沿って散在している。このように、銅から構成される金属同士が一体化された結果、第1導電路形成板11の第1接続部12と第2導電路形成板15の第2接続部14との間の電気的な抵抗は、極めて低くなる。従って、本実施形態に係る導電路における導電特性の向上は、同一の金属同士の一体化銅の一体化によっても促進されていると考察される。なお、めっき膜16は、必ずしもニッケルNiに限られず、条件が適合すれば、例えば、ニッケルパラジウムNiPd又は銀Ag等の金属を用いることができる。また、第1導電路形成板11及び第2導電路形成板15に、銅Cuに代えて、アルミニウムAlを用いる場合には、特にめっき膜を設ける必要はない。但し、本願発明者らは、各導電路形成板11、15を形成するアルミニウムにシリコンSi等を添加すると、添加されたシリコン原子がめっき膜を構成する金属原子の結晶粒としての機能を果たすことを確認している。[導電路の製造方法]以下、一実施形態に係る導電路の製造方法について図5a~図5dを参照しながら説明する。先ず、図5aに示すように、貫通孔13を設けた一端部である第1導電路形成板11の第1接続部12と、第2導電路形成板15の一端部である第2接続部14とを互いに重ね合わせた状態にする。次に、図5bに示すように、第2導電路形成板15の第2接続部14における貫通孔13と対向する位置の上方に、圧入工具として、例えばポンチ19を配置する。ポンチ19は、貫通孔13に向けて圧入する先端部20と、該先端部20の外周面である押圧面21とを有する。押圧面21は、ポンチ19の先端部20により第2接続部14を構成する平面部を貫通孔13の内部に圧入する際に、第2接続部14における貫通孔13の外側部分が第1導電路形成板11の上面から浮き上がることを、防止する。すなわち、押圧面21は、第2接続部14を構成する平面部を、第1導電路形成板11側に押圧するために設けられている。ここで、ポンチ19の構成材料は、第1導電路形成板11及び第2導電路形成板15が銅Cuである場合は、例えば、炭化タングステンWCを主成分とする、いわゆる超鋼合金であることが好ましい。また、ポンチ19の先端部20の下面の直径は、貫通孔13の直径の2分の1、すなわち、0.025mm以上且つ0.5mm以下が好ましい。なお、貫通孔13の平面形状が円形状でない場合は、先端部20の下面の直径は、開口径の最小値の2分の1が好ましい。ポンチ19の先端部20の押圧面21における傾斜角度テーパ角度θ2は、本願発明者らの種々の試行により、図2に示す傾斜接合面18の傾斜角度θ1=20°以上且つ50°以下を実現するために、θ2=30°以上且つ60°以下が望ましいことを突き止めた。すなわち、ポンチ19の先端部20の傾斜角度θ2は、第2導電路形成板15の上面の法線ポンチ19の移動方向に対して、30°以上且つ60°以下が望ましい。また、傾斜角度θ1=35°を実現するには、傾斜角度θ2=45°が望ましい。なお、本実施形態においては、ポンチ19の押圧面21の傾斜角度θ2は、図2に示す傾斜圧入面17aの傾斜角度θ3と等しい。次に、図5cに示すように、ポンチ19を、図示しない駆動手段によって下降させて、第2導電路形成板15における貫通孔13の上側部分を貫通孔13に圧入する。その結果、図5dに示すように、第2導電路形成板15の第2接続部14には、第1導電路形成板11の貫通孔13に圧入された圧入部17が形成される。さらに、貫通孔13の壁面と圧入部17の側面には、貫通孔13に第2導電路形成板15の第2接続部14を圧入して圧入部17を形成したことによる傾斜接合面18が形成される。さらに、傾斜接合面18である貫通孔13の壁面及び圧入部17の側面は、図4に示したように、塑性流動面金属流動面となるため、貫通孔13の壁面及び圧入部17の側面は、単なる接触状態でなく金属同士が一体化されている。傾斜接合面18を金属流動面塑性流動面とした結果、第1接続部12と第2接続部14との間の抵抗値を、10mΩ以下とすることができる。すなわち、傾斜接合面18を金属流動面塑性流動面とした結果、第1導電路形成板11と第2導電路形成板15とから構成される導電路の導電特性を極めて良好な値とすることができる。具体的には、本実施形態に係る導電路の電気抵抗値を、従来と比べて100分の1程度と、極めて小さい値とすることができる。前述した図4に基づいて、本願発明者らが考察した結果、本実施形態においては、第2導電路形成板15に形成されたニッケルNiから構成されるめっき膜16が、導電路の導電特性をさらに向上させていることが明らかとなった。この点に関して、以下に、さらに詳述する。第1導電路形成板11は銅により構成されているため、通常の保管状態では、第1導電路形成板11の表面に酸化膜酸化銅が形成される。また、表面と同様に貫通孔13の壁面にも、酸化膜が形成される。一方、第2導電路形成板15は銅により構成され、その表面には、ニッケルからなるめっき膜16が形成されている。このように、表面にめっき膜16が形成された第2導電路形成板15を第1導電路形成板11の貫通孔13に圧入する場合には、第2導電路形成板15の圧入部17において、表面のめっき膜16が、貫通孔13の壁面の酸化膜を削りながら貫通孔13に圧入される。これは、めっき膜16を構成するニッケルの硬度ビッカース硬度:150Hv~700Hvが、銅の酸化膜の硬度ビッカース硬度:約120Hvよりも大きいため、両者の摩擦時に、めっき膜16によって、貫通孔13の壁面の銅の酸化膜が削られるためである。これは、図4において説明したように、貫通孔13の壁面の銅の酸化膜を削ったニッケルが分散状態離散状態の結晶粒16aとして存在していることからも考察される。また、第2導電路形成板15の表面にめっき膜16を形成すると、通常、第2導電路形成板15の表面に形成される酸化膜の形成が抑制されて、第2導電路形成板15の表面に新生面が形成され易くなる。なお、第2導電路形成板15の厚さを第1導電路形成板11の厚さの80以下とすることにより、ポンチ19の先端部20によって貫通孔13へ第2導電路形成板15を容易に圧入することができる。以上説明したように、本実施形態に係る導電路によると、従来の導電路と比べて、電気的な抵抗値が低くなり、導電特性が大きく向上する。従って、本実施形態に係る通電路をリードフレーム同士の電気的な接合に用いた樹脂封止型半導体装置は、リードフレームからの発熱が抑えられると共に、装置自体からの放熱性を向上させることができる。