"基板を処理するための方法であって、前記基板を、硫酸と過ハロゲン酸の混合物と接触させることを含み、前記混合物が、15分以下、110°C~145°Cの範囲内の温度にある方法。請求項1に記載の方法であって、過ハロゲン酸が、過ヨウ素酸H5IO6である、方法。請求項1に記載の方法であって、H5IO6およびH2SO4として計算して、前記混合物中に、前記硫酸が50~99.5wtの範囲で存在し、過ハロゲン酸が0.1~10wtの範囲で存在する、方法。請求項3に記載の方法であって、H5IO6およびH2SO4として計算して、前記混合物中に、前記硫酸が70~99.5wtの範囲で存在し、過ハロゲン酸が0.2~2wtの範囲で存在する、方法。請求項1に記載の方法であって、前記基板が、単一ウェハウェット処理用の装置内の半導体ウェハである、方法。請求項5に記載の方法であって、前記半導体ウェハが、イオン注入フォトレジストを備える、方法。請求項6に記載の方法であって、前記半導体ウェハが、ヒ素イオン注入フォトレジストを備える、方法。請求項6に記載の方法であって、前記半導体ウェハが、ホウ素イオン注入フォトレジストを備える、方法。請求項1に記載の方法であって、前記基板が、10分以下、硫酸と過ハロゲン酸の混合物と接触される、方法。請求項1に記載の方法であって、前記基板が、4分以下、硫酸と過ハロゲン酸の混合物と接触される、方法。請求項1に記載の方法であって、0.5~2wtの水の濃度の方法。基板を処理するための組成物であって、硫酸と過ハロゲン酸の安定な混合物を含み、前記混合物の温度が、110°C~145°Cの範囲内である組成物。請求項12に記載の組成物であって、前記過ハロゲン酸が、H5IO6として計算して45~65重量の過ヨウ素酸の水溶液である、組成物。請求項12に記載の組成物であって、硫酸と過ハロゲン酸が、H5IO6およびH2SO4として計算して、過ハロゲン酸と硫酸の重量/重量比で表現して1/100~1/5の相対比で前記混合物中に存在する、組成物。請求項14に記載の組成物であって、硫酸と過ハロゲン酸が、H5IO6およびH2SO4として計算して、硫酸と過ハロゲン酸の重量/重量比で表現して1/10の相対比で前記混合物中に存在する、組成物。本発明者は、意外にも、組成物の分解または爆発を伴わずに、110°C~145°Cの範囲内のプロセス温度で、過ハロゲン酸の水溶液を濃硫酸さらには発煙硫酸とさえ安全に混合して利用することができることを発見した。したがって、本発明の一態様は、フォトレジストをストリップする方法であって、硫酸と過ハロゲン酸の混合物を用いて、混合物を110°C~145°Cの範囲内の温度まで加熱して、フォトレジストを処理するステップを含む方法である。本方法に関連付けられる別の意外な発見は、上述した温度で使用するときの硫酸と過ハロゲン酸の混合物が、従来技術で述べられるよりもはるかに短い処理時間で、高ドープのレジスト層でさえストリップすることができることであり、その処理時間は、15分以下、好ましくは10分以下、より好ましくは5分以下、最も好ましくは4分以下である。処理時間の好ましい範囲は、30秒~15分、好ましくは1~10分、より好ましくは1~5分、最も好ましくは90秒~4分である。本発明の別の態様は、硫酸と過ハロゲン酸の安定な混合物であり、ここで、混合物の温度は、110°C~145°Cの範囲内である。本発明のさらなる態様は、フォトレジストをストリップするための組成物を生成する方法であって、過ハロゲン酸を水中に溶解して、過ハロゲン酸の水溶液を生成するステップと、過ハロゲン酸の水溶液を硫酸と混合して、処理液体を生成するステップと、処理液体を、110°C~145°Cの範囲内の温度に加熱するステップとを含む方法である。実施形態の以下の詳細な説明は、本発明をさらに例示するが、添付の特許請求の範囲で採用される表現を超えた限定を与えるものとみなすべきではない。特に指示しない限り、すべてのパーセンテージが重量パーセンテージである。強酸化剤H5IO6、HClO4などが、超酸性であり無機の酸化安定溶媒として働く96硫酸またはより高濃度では100発煙硫酸に添加される。意外にも、混合物から水がなくなることが予想される温度でさえ、爆発または過剰な放熱を伴わずに、過ハロゲン酸を濃硫酸さらには発煙硫酸とさえ安全に混合することができることが発見された。水の存在は、従来は、例えばHClO4またはH5IO6の爆発性を弱めると考えられている。上述した米国特許出願公開第2009/0281016号特許文献1で行われた実験に合致して、爆発/分解を回避するために、そのような高濃度の混合物を加熱することは賢明でないと従来考えられている。過ハロゲン酸は、好ましくは過ヨウ素酸であり、これは、HIO4またはH5IO6の形を取ることがある。過ヨウ素酸は、強酸化剤である。希釈溶液中では、過ヨウ素酸は、HおよびIO4イオンとして存在する。より高濃度になると、オルト過ヨウ素酸H5IO6が生成される。これは、結晶性固体として得ることもできる。さらなる加熱により、式Iに従って五酸化二ヨウ素I2O5と酸素が生じる。式I:2H5IO6=I2O55H2OO2無水七酸化二ヨウ素は、天然には存在しないが、合成して生成することができる。本明細書で使用するとき、用語過ヨウ素酸は、HIO4とH5IO6の両方を包含する。原料のうち、硫酸は、技術グレード78~93および他のグレード96、98~99、および100を含めた様々な濃度で販売または商業的に使用されている。不純物は、鉄、銅、亜鉛、ヒ素、鉛、水銀、およびセレンなどの金属、亜硫酸SO2など、硝酸塩、ならびに塩化物を含む。しかし、半導体産業用に、高純度の硫酸が生成されている。例えば、米国特許第6,740,302号Hostalek等特許文献2が、10ppm未満のSO2含有量を有する硫酸を生成するためのプロセスを教示している。市販の半導体グレード硫酸としては、HoneywellからのPURANALがある。過ヨウ素酸は、50溶液として、または99.99の純度で入手可能である。また、過ヨウ素酸は、白色の結晶性固体の形態を取ることもあり得る。本発明では、H5IO6として計算して45~65wtの過ヨウ素酸の水溶液が好ましい。試薬グレードの過ヨウ素酸は、半導体グレードH2SO4よりも高レベルの不純物を含む。例えば、99.99のH5IO6は、0.01の他のハロゲン、0.003のFe、およびppmレベルの金属不純物を有し、これらの金属不純物は、3ppmのAl、3ppmのCu、3ppmのLi、3ppmのK、3ppmのNa、3ppmのCa、3ppmのAu、3ppmのMg、3ppmのZn、3ppmのCr、3ppmのPb、3ppmのNi、および3ppmのAgを含むことがある。硫酸と過ハロゲン酸との相対比率は、好ましくは、1/100~1/5の範囲内であり、この比率は、H5IO6とH2SO4として計算した過ハロゲン酸と硫酸の重量/重量比である。H2SO4とH5IO6の安定な混合物を得ることができるようにする緩和因子は、H5IO6が強酸化試薬であり、したがって混合物中の不純物が完全に酸化されることに起因することがある。高純度の硫酸と結合させるとき、酸化還元対Fe/Feなどを誘発する不安定性を生じる可能性がある有意な量の材料は存在しない例えば、Feが160ppt以下である。したがって、2つの酸の混合物は、110°C~145°Cの範囲内の高温で予想外に安定である。同様に、高純度のH2SO4中の10ppm以下のSO2は、SO2/SO4S4/S6酸化還元対を緩和または抑制することがある。酸化剤過ハロゲン酸の分子濃度は比較的低く、したがって、ストリッピング組成物を再循環させるために、オゾンによる再酸化を使用することが企図される。また、金属腐食の減少など、改良された特性を有するように、混合物をさらに改質することもできる。さらに、含水量の制御により金属腐食を減少させることができる。比率で表現すると、硫酸と過ハロゲン酸は、H5IO6およびH2SO4として計算して、過ハロゲン酸と硫酸の重量/重量比で表現して1/100~1/5の相対比で混合物中に存在することがある。また、硫酸と過ハロゲン酸は、H5IO6およびH2SO4として計算して、過ハロゲン酸と硫酸の重量/重量比で表現して1/10の相対比で混合物中に存在することがある。処理時間、すなわちストリッピング組成物が洗浄対象の表面と接触して維持される時間は、例えば単一ウェハウェット処理用の装置において30秒~15分でよい。処理時間は、好ましくは1~10分、より好ましくは1~5分、最も好ましくは90秒~4分である。半導体ウェハは、イオン注入フォトレジストを用いて処理することができる。処理混合物は、過ハロゲン酸の水溶液を濃硫酸と混合して初期混合物を生成し、110°C~145°Cの範囲内の温度まで初期混合物を加熱することによって製造することができる。使用時、過ヨウ素酸を水中に溶解して約60wtの過ヨウ素酸とし、得られた水溶液を約96重量の濃硫酸に添加する。得られた混合物を、110°C~145°Cの範囲の対応するプロセス温度まで加熱する。より具体的には、SP305における混合タンクシステムに約15リットルの硫酸を充填し、その後、DI脱イオン化水中で約60wtのH5IO6を約2.5リットル添加する。プロセス温度を110°Cに上昇させ、次いで130°Cに上昇させる。分解は観察されない。この液体を、被加工物半導体ウェハが取り付けられているスピンチャック上に、0.5~5.0l/分の範囲内、好ましくは1.0~3.0l/分の範囲内、最も好ましくは1.5l/分の流量で、ノズルを通して供給、例えば噴霧する。好ましくは、この方法は、半導体ウェハの単一ウェハウェット処理用の装置内で行う。処理液体を145°Cに加熱した後、分解は生じず、性能は変わらなかった。しかし、150°Cで、強い脱ガスが生じた。この理由は、証明はされていないが、格子からの水の損失、すなわち過ヨウ素酸の分解によるものと考えられる。追加の酸化剤も混合物中に含めることができる。これらの酸化剤は、酸素またはオゾンの気体注入物を含むことができる。過マンガン酸塩、硝酸塩、セリウム系例えば硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸塩、次亜塩素酸塩、四酸化オスミウム、および/またはそれらの酸等の酸化剤を添加することができる。110°C~145°Cの範囲内の温度で本発明による処理流体を使用するとき、直径300mmの半導体ウェハ上での処理流体の滞留時間は、好ましくは30秒~15分、好ましくは1~10分、より好ましくは1~5分、最も好ましくは90秒~4分であり、したがって、上述した米国特許出願公開第2009/0281016号特許文献1に記載されているよりもはるかに短い。実験単一ウェハ処理装置LamSP305で試験を行った。まず、ツールを、手作業で硫酸ですすぎ、空にして、15リットルの96重量の硫酸を再び充填した。固体H5IO6を脱イオン化水と混合して60重量の濃度2.5リットルにし、硫酸に添加した。混合物は約60~70°Cの温度に達し、さらに110°Cまで加熱した。この温度で複数のピースについて実行した。他の試験に関しては、プロセス温度を130°Cに設定した。また、タングステンおよび窒化チタンに関して、エッチング速度を決定した。第2の試行において、この混合物を除去し、システムに、15リットルの96の硫酸と15リットルの60の過ヨウ素酸を再び充填した。この混合物は、そのシステム内に6リットルの死容積=水が残っているときに、計算されたパーセンテージにより良く対応する。この配合物を用いたエッチング速度は、優れた性能を示した。145°Cで、発泡式IによればO2の発生と考えられるが始まったが、黄色沈殿物の生成または変色はなく、混合物は処理可能であった。150°Cで、混合物は、循環の問題により、もはや処理可能でなかった。利用したウェハは、以下の特性を備えるフォトレジスト層を有するものとした。a25keVの注入エネルギーで1×1014原子/cm2のAsb40keVの注入エネルギーで4×1015原子/cm2のBF3LAMSP305試験に関する結果を表1に記載する。濃度括弧内は、混合物から計算したものであり、ここで、遊離水が遊離SO3発煙硫酸に由来すると十分に反応してH2SO4になると仮定した。以下の表中の濃度は、計算した濃度を反映しており、生じ得る解離は反映していない。また、試験クーポンを使用してスクリーニング試験を行った。ビーカー試験に関して、同等の混合物を生成するために、脱イオン水中で50のH5IO6溶液と、96のH2SO4を、1:5の比で混合した。具体的には、ビーカー内で、100mlの96硫酸を20mlの50H5IO6に添加した。溶媒和による温度上昇が続いて起こり、そこで、試験クーポンを2分間、溶液中に浸漬した。2分は、単一ウェハ処理装置の性能を予測するのに適当なスクリーニング時間と考えた。30keVの注入エネルギー、注入線量3×1015でヒ素Asを注入したタイプのウェハに関して試験を行った。クーポン試験に関する処理条件を表2に記載する。また、30KeVで3×1015原子/cm2のヒ素ドープを施したタイプのウェハに関しても試験を行った。処理条件を表3に示す。走査型電子顕微鏡SEMを使用して結果を評価した。結果を表4に記載する。これらの結果は、25keVで1×1014原子/cm2のAsを注入した試料が、120°Cで120秒でフォトレジストを除去され、25keVで1×1014原子/cm2のAsを注入した試料が、130°Cで60秒でフォトレジストを除去されたことを示した。40keVで4×1015原子/cm2のBF3を注入した試料は、110°Cでは360秒でフォトレジストを除去され、130°Cでは300秒でフォトレジストを除去された。145°Cでは、40keVで4×1015原子/cm2のBF3を注入した試料は、240秒ではフォトレジストを除去されなかった。ここで、フォトレジストを除去できなかったのは、150°Cで脱ガスが観察されたので、化学組成の破壊が原因である可能性がある。図1は、ストリッピングの効果および完全性を実証する電子顕微鏡写真を示し、ここで、この処理は、実質的に残渣を残していない。窒化チタン層およびタングステン層に施したエッチングの速度から、水の濃度が低くなるにつれて腐食も低くなることが示された混合物中の水濃度と水を含まない媒質との比較。水の減少は、腐食を制限する。プロセス時間に関して、約4分を超える時間は、腐食に関して悪影響をもたらす。また、SEMおよび顕微鏡写真は、単一ウェハ処理装置内での高温およびせん断流量約1.5l/分が、ストリッピング溶液によって解放されたクラストおよびデブリを水から除去するのに大きな助けとなったことを示した。すべてのデブリが溶解されるわけではないので、混合物は、再循環して、フィルタによって不純物/残渣を除去することができる。これは、バッチプロセスにわたって長い浴寿命を提供すると予想される。比較例の結果は、米国特許出願公開第2009/0281016号特許文献1の実施例1~6から得られる。比較実施例1は、高濃度注入レジストを除去するために、注入物の種類、線量、およびエネルギーに応じて、60~95°Cの温度および30~60分の反応時間で、過ヨウ素酸の濃度を5~15とした硫酸と過ヨウ素酸の混合物を使用した。例えば、濃硫酸中の4.75wtおよび9.1wt過ヨウ素酸溶液で、60°Cで30分間、注入レジスト2×1015原子/cm2のAs、20keVの試験パターンを洗浄した。このプロセスは、少量の水を許容し、例えば2gの過ヨウ素酸、1gの水、および19gの約96の濃硫酸である。比較実施例2は、濃硫酸溶液中での10過ヨウ素酸の大きなバッチを使用し、22個の異なる容器に分け、80°Cに加熱した。20keVで2×1015原子/cm2のAsを注入したウェハを使用して、これらの溶液を、洗浄能力に関して様々な処理時間で試験した。比較実施例3は、マスクを使用し、UV110Gポジ型248nmレジストと複合イオン注入物を含むウェハに対して行った。幅225nmおよびピッチ400nmまで、典型的には90nmおよびそれをわずかに超えるノードパターンのレジストラインを評価した。より高濃度の注入物例えば4×1015原子/cm2のBF2および3.5×1015原子/cm2のAsの場合には、かなりのレジスト残渣がウェハ上に再堆積した。比較実施例4は、反応の速度を上げるために、5過ヨウ素酸-濃硫酸の混合物への過マンガン酸カリウムの添加を伴った。添加したKMnO4の濃度は、49ppm、220ppm、および1000ppmであり、試験試料には、20keVで1×1016原子/cm2のAsを注入した。比較実施例5は、過ヨウ素酸およびKMnO4がウェハ汚損の危険を引き起こすかどうかを判断するためのものであった。ブランケットシリコンウェハを、90°Cで30分間、a5過ヨウ素酸-濃硫酸の混合物中、またはbaに220ppmのKMnO4を添加した配合物中で処理した。次いで、ウェハを、水中または水性洗浄溶液中ですすぎ、全反射蛍光X線分光法TXRFによって検査した。比較実施例6は、独自のマスクを使用して現像されたウェハのバッチを使用した一連の実験であり、ここで、ウェハは、ポジ型248nmレジストと複合イオン注入物15KeVで3×1014原子/cm2のGeと15KeVで3.5×1015原子/cm2のAsを含むものであった。ウェハを、60°Cで30分間、以下に述べる配合物A~C中に浸漬して、すすぎ、光学顕微鏡写真を得た。配合物A:1wtの過硫酸アンモニウムと、4:1のv/v比を有する99wtのSPM硫酸/過酸化水素の混合物。配合物B:5wtの過硫酸アンモニウムと、4:1のv/v比を有する95wtのSPM。配合物C:15wtの過硫酸アンモニウムと、4:1のv/v比を有する85wtのSPM。結果を以下の表5に示す。表に見ることができるように、比較技術のより低い温度範囲では、不完全な除去、再堆積、沈殿、およびウェハ汚損があった。対照的に、本出願の技術の高温は、短縮された処理時間で、完全なレジスト除去を実現する。本明細書で示される前述の説明および具体的な実施形態は、本技術およびその原理を単に例示するにすぎず、本発明の精神および範囲から逸脱することなく当業者が容易に修正および追加を行うことができることを理解されたい。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲によってのみ限定されるものと理解される。"