第1の面および前記第1の面に形成された第1の接続パッドを有する第1の半導体チップと、前記第1の接続パッドに接続され、少なくとも前記第1の面に略平行に延在した第1の領域を含む第1の配線リードと、前記第1の半導体チップおよび前記第1の配線リードの少なくとも一部を覆う第1の樹脂と、第2の面および前記第2の面に形成された第2の接続パッドを有し、前記第1の半導体チップ上に設けられた第2の半導体チップと、前記第2の接続パッドに接続され、前記第2の面に略平行に延在した第2の領域と、前記第2の面に略垂直に延在した第3の領域とを有する第2の配線リードと、前記第2の半導体チップおよび前記第2の配線リードの少なくとも第2の領域の一部を覆う第2の樹脂と、第3の面および前記第3の面に形成された接続端子を有し、前記第3の面上に前記第1および第2の半導体チップが配置されるとともに、前記接続端子に前記第1の配線リード及び前記第2の配線リードが接続された基板と、前記基板、前記第1および第2の半導体チップ、および前記第1および第2の配線リードを覆う第3樹脂と、を具備することを特徴とする半導体装置。前記第1の接続パッドが形成される前記第1の面および前記第2の接続パッドが形成される前記第2の面は、前記基板の前記第3の面に対向することを特徴する請求項1に記載の半導体装置。前記第1および第2の接続パッドは、前記第1および第2の半導体チップの各辺に沿って複数形成され、前記第1および第2の配線リードは、前記第1および第2の接続パッドに対応して複数形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積装置。前記第2の面に平行な方向における前記第2の樹脂のサイズが、前記第1の面に平行な方向における前記第1の樹脂のサイズより大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積装置。前記基板と前記第1の半導体チップの間に、チップオンチップモジュールが配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積装置。第1の基板上に、配線リードのパターンを形成する工程と、第1の半導体チップを前記第1の基板上に載置し、前記第1の半導体チップの第1の面に形成された接続パッドと前記第1の基板上に形成された配線リードのパターンとを接続する工程と、前記配線リードの一部及び前記第1の半導体チップを第1の樹脂で覆う工程と、前記配線リードを前記第1の基板から剥離し、前記第1の半導体チップ、前記配線リードおよび前記第1の樹脂を有する半導体チップ積層ユニットを形成する工程と、前記配線リードを折り曲げ、前記第1の面に略平行に延在する第1の領域と、前記第1の面に略垂直に延在する第2の領域とを有するように前記配線リードを成形する工程と、第2の基板上に載置された第2の半導体チップ上に前記半導体チップ積層ユニットを載置する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記接続パッドを前記第1の半導体チップの各辺に沿って複数形成し、前記配線リードを前記接続パッドに対応して複数形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体集積装置の製造方法。前記第2の基板上にチップオンチップモジュールを載置した後に、前記チップオンチップモジュール上に前記第2の半導体チップを載置することを特徴とする請求項6に記載の半導体集積装置の製造方法。本発明は、信頼性を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供する。一つの実施形態によれば、半導体装置では、第1の半導体チップは第1の面および前記第1の面に形成された第1の接続パッドを有している。第1の配線リードは前記第1の接続パッドに接続され、少なくとも前記第1の面に略平行に延在した第1の領域を含んでいる。第1の樹脂は前記第1の半導体チップおよび前記第1の配線リードの少なくとも一部を覆っている。第2の半導体チップは第2の面および前記第2の面に形成された第2の接続パッドを有し、前記第1の半導体チップ上に設けられている。第2の配線リードは前記第2の接続パッドに接続され、前記第2の面に略平行に延在した第2の領域と、前記第2の面に略垂直に延在した第3の領域とを有している。第2の樹脂は前記第2の半導体チップおよび前記第2の配線リードの少なくとも第2の領域の一部を覆っている。基板は第3の面および前記第3の面に形成された接続端子を有し、前記第3の面上に前記第1および第2の半導体チップが配置されるとともに、前記接続端子に前記第1の配線リード及び前記第2の配線リードが接続されている。第3樹脂は前記基板、前記第1および第2の半導体チップ、および前記第1および第2の配線リードを覆っている。以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。本発明の実施例について、図1を参照して説明する。図1は本実施例の半導体装置を示す断面図である。図1に示すように、本実施例の半導体装置10は、半導体チップ11、21、31がパッケージ基板41上に積層された3次元実装の半導体装置MCPである。半導体チップ11、21、31は、例えばNAND型の不揮発性半導体メモリである。半導体チップ第1の半導体チップ11は主面第1の面11aの各辺に沿って形成された接続パッド第1の接続パッド12を有している。配線リード第1の配線リード13は、ハンダ層図示せずを介して接続パッド12に接続され、少なくとも主面11aに略平行に延在した領域第1の領域13aを含んでいる。配線リード13は、例えば厚さ15μm、幅30μm乃至40μmの板状の銅箔である。層間樹脂第1の樹脂14は、半導体チップ11および配線リード13の領域13aの少なくとも一部を覆っている。層間樹脂14は、例えばエポキシ樹脂である。半導体チップ11と、半導体チップ11の主面11aの各辺に沿って形成された接続パッド12と、接続パッド12に接続され、主面11aに略平行に延在した領域13aを含む配線リード13と、半導体チップ11と配線リード13の一部を覆う層間樹脂14を総称して半導体チップ積層ユニット15と称する。後述する半導体チップ21、31についても同様である。半導体チップ第2の半導体チップ21は半導体チップ11上に設けられ、主面第2の面21aの各辺に沿って形成された接続パッド第2の接続パッド22を有している。配線リード第2の配線リード23は、ハンダ層を介して接続パッド22に接続され、主面21aに略平行に延在した領域第2の領域23aと、主面21aに略垂直に延在した領域第3の領域23bを有している。層間樹脂第2の樹脂24は、半導体チップ21および配線リード23の領域23aの少なくとも一部を覆っている。半導体チップ31についても同様であるが、以下に説明する。半導体チップ11と半導体チップ21の関係は、半導体チップ21と半導体チップ31の関係にも当てはまる。半導体チップ31は半導体チップ21上に設けられ、主面31aの各辺に沿って形成された接続パッド32を有している。配線リード33は、ハンダ層を介して接続パッド32に接続され、主面31aに略平行に延在した領域33aと、主面31aに略垂直に延在した領域33bを有している。層間樹脂34は、半導体チップ31および配線リード33の領域33aの少なくとも一部を覆っている。パッケージ基板41は、例えば内部に多層配線を含むガラスエポキシ基板である。パッケージ基板41の主面第3の面41aに接続端子図示せず形成され、主面41aと対向する面にハンダボール42が形成されている。接続端子は多層配線により引き出され、ハンダボール42に接続されている。パッケージ基板41の主面41aに半導体チップ積層ユニット15が載置され、半導体チップ積層ユニット15の上に半導体チップ積層ユニット25が載置され、半導体チップ積層ユニット25の上に半導体チップ積層ユニット35が載置されている。パッケージ基板41の接続端子に配線リード13、23、33が接続されている。半導体チップ積層ユニット15、25、35の間に接着剤を設けてもよい。モールド樹脂第3の樹脂43はパッケージ基板41、半導体チップ11、21、31および配線リード13、23、33を一体に覆っている。モールド樹脂43は、例えば層間樹脂14、24、34と同じエポキシ樹脂である。本実施例の半導体装置10は、半導体チップとパッケージ基板間の接続導体の剛性を高めて、組み立てに起因する不良の発生を防止し、信頼性を向上させるように構成されている。接続体として、銅箔をパターニングして形成した配線リードを用い、配線リードの一部を層間樹脂で覆うことにより、金ワイヤより高い剛性を得ている。後述するように、半導体チップ積層ユニットは複数の半導体チップを一括処理する方法で製造することができる。得られた半導体チップ積層ユニットをピックアップしてパッケージ基板にマウントし、その場で配線リードを一括して折り曲げてフォーミングし、パッケージ基板の接続パッドにボンディングすることができる。そのためには、配線リードを予め等間隔で並べておくことが望ましい。配線リードのフォーミングおよびボンディングは、辺毎に行うこともできる。これにより、配線リード同士の接触による短絡不良が発生しにくくなり、信頼性の高い半導体装置を製造することが可能になる。次に、半導体装置10の製造方法について説明する。図2乃至図8は半導体装置10の製造工程を順に示す図である。図2aに示すように、例えばガラスのような平滑で平坦な基板51を用意する。基板51は円形であるが、四角形でも構わない。次に、図2b-1および図2b-2に示すように、基板51上に紫外線照射により接着力が弱くなる性質を有する接着剤52を介して、例えば銅を主成分とする金属箔53以後、単に銅箔53というを貼り付ける。図2b-2は図2b-1のA-A線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図である。接着剤52は、UV剥離シートとも呼ばれている。銅箔53の厚さは、例えば15μm程度が適当である。次に、図3a-1に示すように、銅箔53上にレジストを塗布し、露光、現像、エッチングして、基板51上に格子状に複数の配線パターン54を形成する。図3a-2は配線パターン54を拡大して示す図である。図3a-3は配線パターン54の要部を示す図である。図3a-2および図3a-3に示すように、配線パターン54はボンディングパッド55と、ボンディングパッド55から引き出された配線リード56を有している。ボンディングパッド55は、接続される半導体チップの主面の各辺に沿って形成された複数の接続パッドに対応している。次に、図3b-1および図3b-2に示すように、スクリーン印刷法により基板51上のボンディングパッド55に一括処理でハンダペースト57を塗布する。図3b-3は図3b-2のB-B線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図である。次に、図4a-1および図4a-2に示すように、配線パターン54のボンディングパッド55と半導体チップ58の接続パッド59を位置合わせして、配線パターン54上に半導体チップ58を載置する。図4a-1は、基板51の配線パターン54上に半導体チップ58が途中まで載置された状態を示している。ボンディングパッド55と接続パッド59の位置合わせは、例えば基板51側から可視光カメラでボンディングパッド55と接続パッド59の位置をモニターしながら行うことができる。または、半導体チップ58側から赤外線カメラでモニターしながら行うことができる。次に、図4b-1および図4b-2に示すように、全ての配線パターン54上に半導体チップ58が載置された後に、リフロー処理を行う。ハンダペースト57が融解して、ボンディングパッド55と接続パッド59がハンダ57aで接続される。基板51上の半導体チップ58は全て一括で配線パターン54と接続されるため、ボンディング工程を短時間で行うことができる。次に、図5a-1および図5a-2に示すように、半導体チップ58より大きい開口60aを有するスクリーンマスク60を用意する。基板51の配線パターン54に接合された半導体チップ58と開口60aを位置合わせして、基板51上にスクリーンマスク60を載置する。図5a-2は、基板51上にスクリーンマスク60が載置された状態を示す断面図である。次に、図5b-1および図5b-2に示すように、スクリーンマスク60の開口60aに層間樹脂61を充填し、硬化させる。または、この後の工程での応力に十分な剛性を有する程度に半硬化させた状態にしても良い。図5b-2は、スクリーンマスク60の開口60aに層間接着剤61が充填、硬化された状態を示す断面図である。次に、図6a-1および図6a-2に示すように、基板51からスクリーンマスク60を除去する。これにより、一括して基板51上には半導体チップ58と、半導体チップ58の主面58aの各辺に沿って形成された接続パッド59と、接続パッド59に接続され、主面58aに略平行に延在した領域を含む配線リード56と、半導体チップ58と配線リード56の一部を覆う層間樹脂61を有する半導体チップ積層ユニット62が得られる。次に、基板51側から紫外線を照射して、基板51と配線パターン54間の接着剤52図示せずの接着力を弱める。これにより、基板51から配線パターン54を剥離することが容易になる。次に、図6b-1および図6b-2に示すように、吸着コレット63を用いて基板51から半導体ユニット62を取り出す。図6b-1は、基板51から半導体チップ積層ユニット62が途中まで取り出された状態を示している。次に、図7a-1および図7a-2に示すように、基板51から取り出された第1の半導体チップ積層ユニット62をパッケージ基板64上に格子状に載置し、配線リード56を一括して過熱加圧し、パッケージ基板64の接続端子図示せずにボンディングする。この段階で、第1の半導体チップ積層ユニット62は、図1に示す半導体チップ積層ユニット15に相当し、配線リード56は配線リード13に相当する。半導体ユニット62は、パッケージ基板64の一辺に平行なX方向にピッチP1で配列され、X方向に直行するY方向にピッチP2で配列されている。X方向に隣り合う半導体ユニット62の間が、X方向にピッチP1で配列されたダイシングライン64aである。同様に、Y方向に隣り合う半導体ユニット62の間が、Y方向にピッチP2で配列されたダイシングライン64bである。次に、図7a-2に示すように、第1の半導体チップ積層ユニット62上に第2の半導体チップ積層ユニット62を載置する。次に、図7bに示すように、ボンディングツール65を用いて配線リード56を辺毎に一括して折り曲げてフォーミングした後、過熱加圧してパッケージ基板64の接続端子にボンディングする。この段階で、第2の半導体チップ積層ユニット62は、図1に示す半導体チップ積層ユニット25に相当し、配線リード56は配線リード23に相当する。次に、図8aに示すように、第2の半導体チップ積層ユニット62上に第3の半導体チップ積層ユニット62を載置し、ボンディングツール65を用いて配線リード56を辺毎に一括して折り曲げてフォーミングした後、過熱加圧してパッケージ基板64の接続端子にボンディングする。この段階で、第3の半導体チップ積層ユニット62は、図1に示す半導体チップ積層ユニット35に相当し、配線リード56は配線リード33に相当する。これにより、図8bに示すように、3つの半導体チップ積層ユニット62がパッケージ基板64上に積層して載置される。次に、パッケージ基板64および3つの半導体チップ積層ユニット62をモールド樹脂で覆った後、パッケージ基板64にハンダボールを形成する。ハンダボールを形成したパッケージ基板64は、BGABallGridArrayパッケージとなるが、パッケージ基板64に予めランドが形成されているLGALandGridArrayパッケージとしても構わない。次に、ブレードを用いてダイシングライン64a、64bに沿ってモールド樹脂およびパッケージ基板64を切断する。これにより、図1に示す半導体装置10が得られる。以上説明したように、本実施例では、基板51上に格子状に複数の配線パターン54を形成し、各配線パターン54上に半導体チップ58を載置し、半導体チップ58および配線リード56の一部を層間樹脂61で覆うことにより、一括して複数の半導体チップ積層ユニット62を形成している。そして、パッケージ基板64上に格子状に複数の半導体チップ積層ユニット62を積層して載置し、樹脂でモールド覆した後、ブレードを用いて分割することにより、一括して複数の半導体装置10を形成している。その結果、配線リード56は十分な剛性を有するので、樹脂でモールドする際に配線リード56同士が接触する短絡不良が未然に防止され、組み立て不良の発生を低減することができる。従って、信頼性を向上させた半導体装置が得られる。ここでは、積層する半導体チップが3個の場合につて説明したが、その数には特に制限はなく、必要な数だけ積層することができる。半導体チップが不揮発性メモリ回路である場合について説明したが、その他の素子、例えばロジック回路でも構わない。また、半導体チップは互いに異なっていても構わない。接着剤52がUV剥離シートである場合について説明したが、加熱により接着力が低下する性質を有する接着剤熱剥離シートを用いることもできる。層間樹脂とパッケージ樹脂が同じである場合について説明したが、異なっていても構わない。異なる場合は、層間樹脂として、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などを使用することができる。各半導体チップ積層ユニットにおいて、各半導体チップの主面と略平行な方向の層間樹脂のサイズが等しい場合について説明したが、異なっていても構わない。図9は上側に積層される半導体チップ積層ユニットの層間樹脂のサイズが順に大きくなる半導体装置を示す図である。図9に示すように、半導体装置80では、半導体チップ積層ユニット81、82、83において、半導体チップ11、21、31の主面と略平行な方向の層間樹脂84、85、86のサイズが順に大きくなっている。層間樹脂84、85、86が織り成す形状は、逆三角形状である。半導体チップ11および配線リード13の領域13aの一部が層間樹脂84で覆われている。半導体チップ21および配線リード23の領域23aの一部が層間樹脂84より大きいサイズを有する層間樹脂85で覆われている。半導体チップ31および配線リード33の領域33aの一部が層間樹脂85より大きいサイズを有する層間樹脂86で覆われている。層間樹脂のサイズが等しい場合、上に積層されるほど配線リードが層間樹脂で覆われる比率が小さくなるので、配線リードが不安定になり、故障に至る恐れが生じる。層間樹脂のサイズを順に大きくすることにより、積層する位置に係らず配線リードが層間樹脂で覆われる比率をある値以上に保つことができる。これにより、配線リードが安定し、故障に至る恐れが低減される利点がある。半導体装置80は、積層される半導体チップの数が比較的多い場合に適した構造である。本発明の実施例2に係る半導体装置について図10を用いて説明する。図10は本実施例の半導体装置を示す断面図である。本実施例において、上記実施例1と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。本実施例が実施例1と異なる点は、パッケージ基板と半導体チップ積層ユニットの間にチップオンチップモジュールを実装したことにある。即ち、図10に示すように、本実施例の半導体装置90はパッケージ基板41上にチップオンチップChipOnChipモジュール91以後、COCモジュール91と記すが実装されている。COCモジュール91は、パッケージ基板41上に載置された半導体チップ92と、パンプ93を介して半導体チップ92上に積層された半導体チップ94を有している。半導体チップ92、94は、例えばNAND型の不揮発性半導体メモリのコントローラチップである。半導体チップ94はフリップチップで、バンプ93は半導体チップ94上に形成されている。半導体チップ92上に形成された接続パッド図示せず、あるいはバンプとバンプ93を位置合わせして、半導体チップ92上に半導体チップ94がフリップチップ接続されている。半導体チップ92の接続パッドとパッケージ基板41の接続端子図示せずの間がワイヤ95により、ワイヤボンディングされている。半導体チップ94上に接着剤96を介して半導体チップ積層ユニット97が載置されている。半導体チップ積層ユニット97上に半導体チップ積層ユニット98、99が順に載置されている。半導体チップ積層ユニット97、98、99の層間樹脂101、102、103のサイズを順に大きくしているのは、実施例1に示す層間樹脂84、85、86と同様であり、その説明は省略する。配線リード13、23、33は、少なくともCOCモジュール91の高さ分だけ長くなるが、配線リード13、23、33が層間樹脂101、102、103で覆われる比率をある値以上に維持することは可能である。これにより、組み立て時に配線リード13、23、33が不安定化して、故障に至る恐れは十分に低減されているので、更に集積度の高い半導体装置を得る事が可能である。以上説明したように、本実施例では、パッケージ基板41と半導体ユニットの間にCOCモジュール91が実装されている。少なくともCOCモジュール91の高さ分だけ配線リード13、23、33が長くなっても信頼性は十分に確保されている。更に集積度の高い半導体装置が得られる利点がある。ここでは、COCモジュールとして、半導体チップ92上に半導体チップ94がフリップチップ接続されている場合について説明したが、パッケージ基板41に直接フリップチップ接続された半導体チップでも構わない。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。