"活性Si層がボンディング酸化膜を介して支持Si基板上に結合されたSOI基板と、前記活性Si層から形成され、1端部又は両端部がボンディング酸化膜を介して前記支持Si基板に支持され、可動部を有する可撓梁構造と、前記可撓梁構造の可動部下方のボンディング酸化膜を除去することにより、前記可撓梁構造と前記支持Si基板との間に形成されたキャビティと、前記可撓梁構造上に形成された可動駆動電極と、前記可撓梁構造上に形成された可動コンタクト接点を有する可動コンタクト電極と、前記可撓梁構造の両側の前記活性Si層を除去することによって形成された窓領域と、前記窓領域内で前記可撓梁領域両側に残された、前記ボンディング酸化膜と前記活性Si層の積層を含む第1組及び第2組の固定部と、前記第1組の固定部に支持され、前記可動駆動電極上方に延在する固定駆動電極と、前記第2組の固定部に支持され、前記可動コンタクト接点上方に固定コンタクト接点を有する固定コンタクト電極と、を有し、前記固定駆動電極と前記固定コンタクト電極とは、前記第1組及び第2組の固定部上方においては、MoまたはMo合金の密着金属層、前記密着金属層の上に形成されたAuまたはAu合金のシード層、前記シード層の上に形成されたAuまたはAu合金のメッキ層を含み、前記可動駆動電極、前記可動コンタクト接点と空隙を介して対向する自由下面においては、MoまたMo合金の前記密着金属層が存在せず、前記シード層の上に、前記メッキ層が存在する、MEMSスイッチ。前記窓領域が、前記可撓梁構造及び前記第1組及び第2組の固定部の各全周を取り囲む請求項1記載のMEMSスイッチ。前記窓領域において、前記ボンディング酸化膜も除去されている請求項1または2に記載のMEMSスイッチ。前記可撓梁構造が、両端部でボンディング酸化膜を介して前記支持Si基板に支持された両持ち梁構造である請求項1~3のいずれか1項に記載のMEMSスイッチ。前記可撓梁構造が、1端側が自由端であり、他端側でボンディング酸化膜を介して前記支持Si基板に支持された片持ち梁構造である請求項1~3のいずれか1項に記載のMEMSスイッチ。前記1端側が矩形可動部であり、前記他端側で前記矩形可動部の対向辺から可撓梁が延在しボンディング酸化膜を介して前記支持Si基板に支持されている請求項5に記載のMEMSスイッチ。支持Si基板上に活性Si層がボンディング酸化膜を介して結合されたSOI基板の活性Si層内に両持ち梁型又は片持ち梁型の可撓梁領域および立体的な固定駆動電極と固定コンタクト電極を支持する第1組、第2組の電極支持領域を画定し、前記可撓梁領域の可動部に前記活性Si層を貫通する貫通孔群を形成し、前記貫通孔を介して、前記可撓梁領域の可動部下の前記ボンディング酸化膜をエッチング除去して、キャビティを形成し、前記可撓梁領域上に、可動駆動電極、可動コンタクト接点を有する可動コンタクト電極を形成し、前記可撓梁領域および前記電極支持領域周囲に、前記活性Si層を貫通するスリット群を形成し、メッキ金属層の底面構造を画定する犠牲膜構造を形成し、前記犠牲膜構造上にMoまたはMo合金の密着金属層、AuまたはAu合金のシード層を形成し、前記シード層上にメッキ領域を画定するパターンを形成し、露出している前記シド層上にAuまたはAu合金のメッキ層を形成して固定駆動電極、固定コンタクト電極を形成し、前記パターン、露出した前記シード層と前記密着金属層、前記犠牲膜構造を除去し、前記スリット群間の活性Si層をエッチング除去して窓部を形成し、前記犠牲膜の除去により露出する前記密着金属層をウェットエッチングする、MEMSスイッチの製造方法。前記貫通孔群の形成、前記スリット群の形成はディープRIEで行い、前記密着金属層のウェットエッチングは燐酸酢酸硝酸溶液で行なう請求項7に記載のMEMSスイッチの製造方法。前記スリット群は一定ピッチの平行スリットを含む請求項7または8に記載のMEMSスイッチの製造方法。前記窓部は、前記可撓梁領域、前記第1組及び第2組の電極支持領域の各全周を取り囲む請求項7~9のいずれか1項に記載のMEMSスイッチの製造方法。スイッチの駆動電圧を低減化するため、接点間距離を減少させたMEMSスイッチを試作したところ、駆動電極間短絡、接点間抵抗増大等の問題が生じた。1実施例によれば、MEMSスイッチは、活性Si層がボンディング酸化膜を介して支持Si基板上に結合されたSOI基板と、活性Si層から形成され、1端部又は両端部がボンディング酸化膜を介して支持Si基板に支持され、可動部を有する可撓梁構造と、可撓梁構造の可動部下方のボンディング酸化膜を除去することにより、可撓梁構造と支持Si基板との間に形成されたキャビティと、可撓梁構造上に形成された可動駆動電極と、可撓梁構造上に形成された可動コンタクト接点を有する可動コンタクト電極と、可撓梁構造の両側の活性Si層を除去することによって形成された窓領域と、窓領域内で可撓梁領域両側に残された、ボンディング酸化膜と活性Si層の積層を含む第1組及び第2組の固定部と、第1組の固定部に支持され、可動駆動電極上方に延在する固定駆動電極と、第2組の固定部に支持され、可動コンタクト接点上方に固定コンタクト接点を有する固定コンタクト電極と、を有し、固定駆動電極と固定コンタクト電極とは、第1組及び第2組の固定部上方においては、MoまたはMo合金の密着金属層、密着金属層の上に形成されたAuまたはAu合金のシード層、シード層の上に形成されたAuまたはAu合金のメッキ層を含み、可動駆動電極、可動コンタクト接点と空隙を介して対向する自由下面においては、MoまたMo合金の密着金属層が存在せず、シード層の上に、メッキ層が存在する。以下、図面を参照して説明する。図1Aは、SOI基板の構成を示す断面図である。SOI基板は、例えば抵抗率1000Ωcm以上、厚さ10μm~20μm、例えば厚さ15μmの100活性Si層ALが、厚さ2μm~30μm、例えば厚さ4μmのボンディング酸化膜熱酸化膜BOXを介して、厚さ300μm~700μm、例えば厚さ525μmのSi支持基板SS上に結合されたものである。MEMSスイッチを形成するSOIチップの寸法は、例えば500~800μm×600~900μm程度である。図1Bに示すように、活性Si層ALに、例えば幅2μm、長さ6μm程度の貫通孔THをSF6ガスを用いたディープRIE反応性イオンエッチングを用いて所定ピッチで形成し、貫通孔TH底面に熱酸化膜BOXを露出する。図1Cに示すように、希フッ酸エッチング液にSOI基板を浸漬すると、活性Si層に形成した貫通孔THからエッチング液が侵入し、熱酸化膜BOXをエッチング除去する。このようにして所望領域の熱酸化膜を除去することができる。貫通孔の寸法は、活性Si層AL上に形成する構造が所定の機能を果たせるように選択する。例えば幅50μmの配線中に幅2μmの開口が複数分布しても、配線機能を果たすことは容易である。図1Dは、活性Si層AL上に立体構造を形成するための犠牲層SFの機能を示す。犠牲層SFは例えば化学気相堆積CVDで堆積した酸化シリコン膜で形成する。必要に応じて犠牲層SF表面を化学機械研磨CMPで平坦化し、その表面上に所定形状の開口を有するレジストパターンを形成し、開口内に露出した犠牲層SFを所定深さ、時間制御によるコントロールエッチングで、掘り下げる。レジストパターンを取り換えて、浅いリセスから深いリセスへと加工を続ける。犠牲膜SFの全厚さを除去した部分が下地と結合する支持部になる。電解メッキを行うには、給電層が必要である。酸化シリコン等の絶縁材料の犠牲層SF上に、例えば金Auのメッキ層を形成する場合、通常Cr、Mo等絶縁層との密着性の高い密着金属層AM、金メッキの下地となるAuシード層SDをスパッタリングなどで成膜する。メッキ層下の密着金属層AMはMoで形成した。シード層SDを形成した後、作成するメッキ層より厚く、メッキする領域を画定するレジストパターンRPを形成する。下地金属層AM,SDを給電層としてAuまたはAu合金の電解メッキを行い、レジストパターンで画定されたメッキ領域内にメッキ層PLを形成する。作成するメッキ層の厚さは、例えば約20μmである。立体的構造を有するメッキ層PLを形成できる。その後、レジストパターンRP,露出する下地金属層SD,AM,犠牲層SFはそれぞれ除去する。スイッチ機構の固定電極を例示したが、ブリッジ状の梁部から下方に突出する接点部を平坦な下面を有する板部に置き換えれば、静電駆動機構の固定電極となる。図1E、1Fは、両持ち梁構造の可撓梁とその周辺部を示す断面図及び平面図である。図1Gは、固定駆動電極FDE,固定コンタクト電極FCEの支持部、駆動機構DR、スイッチ機構SWを示す断面図である。可撓梁FBは、活性Si層ALをパターニングして形成され、その両端部は酸化シリコン層BOXを介して支持シリコン基板SSに支持されたアンカ構造ANCを形成している。両端のアンカANCの間の領域では酸化シリコン膜BOXが除去され、キャビティCVが形成されている。両持ち梁構造の活性Si層は全周において隣接する活性Si層が除去されており、完全絶縁状態にある。固定電極FDE,FCEの支持部も同様の構造であり、完全絶縁状態である。活性Si層ALの上に、下部配線用として、例えば厚さ50nmのTi密着金属層AM1,例えば厚さ500nmのAu下層配線層WM1がスパッタリングで積層される。下層配線層WM1上にレジストパターンを形成し、イオンミリングで露出部を除去することでパターニングし、可動コンタクト電極MCE,可動駆動電極MDE,配線W1,W2等を形成する。固定駆動電極FDE,固定コンタクト電極FCEを形成するメッキ工程において、配線端部上にパッドPDスイッチパッドSPD,駆動パッドDPDが形成され、チップ周辺部にはループ状の接地電極GNDが形成される。可撓梁FBと接地電極GNDの間の領域では、活性Si層ALが除去されて窓部WDを形成している。Auメッキ層PL下方のMo接着金属層AM2をエッチング除去する際、下層配線層下方の密着金属層AM1はダメージを受けないよう、密着金属層AM1はMoウェットエッチにおける選択性が高いTiとした。図1Gにおいて、左側に示す支持部においては、活性Si層AL上にTi密着金属層AM1,Au下部配線層WM1,Mo密着金属層AM2,Auシード層SD,Auメッキ金属層PLが積層されている。右側に示すスイッチ機構SWの接点部においては、Au下部配線層WM1の上方にスペースが形成され、メッキ金属層PL下方の密着金属層AM2が除去されて、Auシード金属層が露出している。Auのコンタクト電極を作成するため、接触抵抗の高いMo接着金属層AM2は除去されている。中央に示す駆動機構DRにおいても、Au下部配線層WM1の上方にスペースが形成され、メッキ金属層PL下方の密着金属層AM2は除去されている。同一工程で形成される構造である。可撓梁の長さ方向に沿う断面図では、ブリッジ状の固定電極は中空部のみが示される。図1Hは、MEMSスイッチチップの平面図である。可撓梁FBとその両端のパッド部SPD,DPDを有する固定部の活性Si層がパターニングされている。可撓梁FBと交差するように固定駆動電極FDE,固定コンタクト電極FCEが形成され、可動梁FB両側上下で、活性Si層AL、ボンディング酸化膜BOXを介して,Si支持基板SSに支持されている。チップ周辺部には、接地配線GNDが形成されている。接地配線GNDの内側では可撓梁FB、固定電極支持部以外の活性Si層ALは除去され、窓部WDが形成されている。図1I,1J,1Kは、図1HのX1-X1線、X2-X2線、X3-X3線に沿う断面図である。図1I,1Jに示すように、固定電極FCE,FDEは、可撓梁FBと交差して、可撓梁FB上方に延在する部分を有する。ギャップと対向する固定電極FCE,FDE下面からは、Mo密着金属層AM2がウェットエッチングで除去されている。エッチャントは、林純薬工業製、燐酸酢酸硝酸溶液からなるSLAエッチャントを用いた。図1Kに示すように、接地配線GND内側では、可撓梁FB,固定電極FCE,FDE以外の領域の活性Si層ALが除去されている。活性Si層の除去は、後に説明するように、例えばSF6ガスを用いたディープRIEによるスリット群のエッチングと、SF6ガスを用いたRIEによる幅の狭いSi層のエッチングの組み合わせで行なうことができる。以上説明した第1の実施例によるMEMSスイッチの製造プロセスを説明する。図2XA~2XNは、図1H,1Kに示すX3-X3線に沿う断面図であり、図2YA~2YDは、可撓梁の長さ方向Y-Y方向に沿う断面図であり、図2ZA~2ZDは平面図である。図2XAに示すように、支持Si層SS上にボンディング酸化膜BOXを介して活性Si層ALが貼りあわされたSOI基板を準備する。例えば、活性Si層の厚さは15μm、酸化膜BOXの厚さは4μm、支持Si基板の厚さは525μmである。図2XBに示すように、酸化膜エッチング用の幅約2μm、長さ約6μmの貫通孔THを、対象領域内に所定ピッチで分布させ、SF6を用いたディープRIEボッシュプロセスで活性Si層ALを貫通して形成する。酸化膜BOX表面が露出する。図2ZAは、貫通孔THの配置例を示す。左側部分の幅が右側部分の幅より広い可撓部を作成するため、可撓部の形状に合わせて貫通孔THを配置する。図2XCに示すように、希フッ酸水溶液等に基板を浸漬し、酸化膜をエッチングする。貫通孔THから入り込んだ希フッ酸水溶液により、酸化膜が徐々にエッチされ、互いに連続して所定領域のキャビティCVを形成する。図2ZBに示すように、所定形状のキャビティCVが形成される。図2XDに示すように、厚さ50nmのTi密着金属層AM1、厚さ500nmのAu層WM1をスパッタリングして、下部電極層を形成する。下部電極層上にレジストパターンを形成し、イオンミリングを行なって、所定パターンの下部電極LEを形成する。図2ZCは、形成される下部電極LEの形状例を示す。可撓梁上に駆動電極MDE、スイッチ電極MCE、可撓梁の上下に固定電極支持部のアンカANCが形成される。図2XEに示すように、可撓梁を画定するスリットSL、及び窓部WDの活性Si層を除去するためのスリット群SLを、SF6を用いたディープRIEで形成する。図2ZDはスリット群SLの分布を示す平面図である。例えば幅2μmのスリット群を1μmのスペースを介して形成する。図2XFに示すように、下部電極LEを覆って、活性Si層AL上に犠牲膜SFを成膜する。例えばCVDにより、TEOSテトラエトキシシラン酸化膜を厚さ5μm堆積する。図2XGに示すように、犠牲膜SFに所定形状のリセスを所定深さエッチングして、メッキ層の下面形状を画定するリセスを形成する。例えば、深さ4μmのエッチング、その底面の選択された領域に深さ0.5μmのエッチング、その底面の選択された領域に深さ0.5μm残存厚全てのエッチングを行なう。この図には、下部電極を露出する1番深い孔と固定駆動電極を収容する1番浅いリセスが示されている。図2YAを参照すると、犠牲膜SFに固定駆動電極を画定する1番浅いリセスRC1、固定コンタクト接点を画定する中間深さのリセスRC2,下部電極LE表面を露出する1番深いリセスRC3が形成されている。図2XHに示すように、深さの異なるリセスRCを形成した犠牲膜SF上に、厚さ50nmのMo第2密着金属層AM2,厚さ500nmのAuシード層SDをスパッタリングで形成する。絶縁性犠牲膜SFの上にも導電性給電層が形成され、密着金属層AM2によって密着性が確保される。図2XIに示すように、Auシード層SDの上に、メッキ領域を画定するレジストパターンRPを形成する。Mo密着金属層AM2,Auシード層SDを給電層とし、Auの電解メッキを行って、例えば厚さ20μmのAuメッキ層PLを形成する。図2YBは、この状態を可撓梁長さ方向の断面で示す。図2XJに示すように、レジストパターンRPをアッシング、レジストリムーバ等で除去し、露出するシード層SD,Mo密着金属層AM2をイオンミリングなどで除去する。図2XKに示すように、露出する犠牲膜SFをフッ酸蒸気等のエッチャントで除去する。固定電極の自由下面が露出する。Au電極の接点がMo層で覆われており、このままでは電気特性が悪い。図2XLに示すように、SF6ガスを用いたRIEを行い、幅1μmの活性Si層ALをエッチングする。金属電極で覆われた領域はエッチングされない。図2YCはこの状態を可撓梁長さ方向断面で示す。スリット群が形成されている領域は、スリット間の幅1μmの活性Si層ALが両側からのエッチングで除去される。スリット群が形成されていない領域では、活性Si層AL表面がエッチングされるが、その厚さの大部分は残る。活性Si層ALと共に、酸化シリコン層BOXもエッチされる。酸化シリコン層BOXは全てエッチされても、一部残ってもかまわない。図2XMは、活性Si層ALエッチング後の状態を示す。可撓梁FB両側の活性Si層ALが除去され、窓部WDが形成されている。図2XNは、林純薬工業製、燐酸酢酸硝酸溶液からなるSLAエッチャントを用い、Moの第2密着金属層AM2をエッチング除去する工程を示す。可撓梁の両側に広く窓部WDが形成されている。固定電極と可動電極の間隔を狭くしてもその近傍に広い窓部WDが形成されているので、粘性の高い液体であっても移動させることが容易になる。図2YDはこの状態を可撓梁長さ方向断面で示す。図2YDの状態では、活性Si層上の下部電極上方に僅かな間隙を置いて、可動上部電極が配置されている。しかし図面の前後においては、図2XNに示すように、活性Si層ALが除去されている。図3A,3B,3Cは、比較例によるMEMSスイッチの平面図、X-X線に沿う断面図、Y-Y線可撓梁長さ方向に沿う断面図である。第1の実施例の図1Hに示す平面図、図1Kに示すX3-X3線に沿う断面図、図1Eに示す可撓梁長さ方向Y-Y線に層断面図に対応する。第1の実施例と比較例の相違点は、比較例では窓部WDが形成されていないことである。図4XA-4XDは、比較例の製造プロセスを示す、図3AのX-X線に沿う断面図である。第1の実施例と異なる点を主に説明する。図2XA-2XDに示す工程を同様に行なう。活性Si層下のキャビティCV,活性Si層上の下部電極LEが形成される。図4XAは、図2XEに対応する、可撓梁の輪郭を画定するスリットSLのエッチング工程を示す。一定間隔のスリット群は形成されず、可撓梁の形状を画定する片側1本のスリットSLが形成される。図4XBは、図2XGに対応し、犠牲膜SFを堆積し、リセスをエッチングした状態を示す。図4XCは、図2XKに対応し、犠牲膜SF上に密着金属層AM2,Auシード層SDを形成し、レジストパターンを形成し、Auメッキ層PLを形成し、レジストパターンを除去し、露出したAuシード層、Mo密着金属層をミリングで除去した状態を示す。図4XDは、図2XNに対応し、犠牲膜SFをエッチング除去し、露出した固定電極自由下面のMo密着金属層AM2を林純薬工業製、燐酸酢酸硝酸溶液からなるSLAエッチャントを用い、エッチング除去した状態を示す。可撓梁FB両側には、片側1本のスリットSLを介して、活性Si層ALが残存している。以前は、接点ギャップが0.5μm、アクチュエータギャップが1.2μmであった。駆動電圧の低減を図り、接点ギャップ0.3μm、アクチュエータギャップ0.6μmになるように設計変更した。設計変更したMEMSスイッチは、駆動電圧印加時にアクチュエータの上下電極が接触してショートする不良が73生じ、オン状態の接点間抵抗が2Ωを超える素子が17生じた。残った良品は10であった。これに対して、第1の実施例により作成したサンプルは、アクチュエータのショート不良は生じず、接点抵抗が2Ωを超える素子は7であった。良品率93が得られた。可撓梁FB両側の活性Si層を除去した窓部WDを形成することにより、予期せざる大きな効果が得られた。可撓梁構造両側の活性Si層が除去されたことにより、MoまたMo合金の密着金属層除去のウェットエッチングが好適に行なえ、残渣が残らず、歩留まりが向上したと思料される。両持ち梁型の第1の実施例を説明した。片持ち梁型のMEMSスイッチを作成することもできる。図5はコの字形片持ち梁形状のMEMSスイッチの例を示す。活性Si層にスリット群SLを形成した状態で示す。スリット群SLにより、矩形形状の可動部MPが左右両側に配置された2本の可撓梁FB1,FB2を介し、パッド部SPD,DPDにおいて、ボンディング酸化膜を介して支持シリコン基板に支持される。可動部MP,可撓梁FB1,FB2下のボンディング酸化膜は除去されてキャビティを形成し、可動部MPは可撓梁FB1,FB2を介して弾性変形可能に支持されている。可動部MP,可撓梁FB1,FB2の外側では、スリット群SL間の活性Si層をエッチング除去することにより、広い窓部が形成される。可撓梁の形状は以上に説明したものに限られない。図6で示したカンチレバー形状においてカンチレバー外側の活性Si層を除去することもできる。例示した材料、数値は、制限的意味を有さない。Mo,Auの代わりにMo合金、Au合金を用いることもできる。その他、種々の変形、置換、改良、組み合わせ等が可能なことは、当業者に自明であろう。"