半導体チップと、第1面と該第1面に対して反対側の第2面とを有し、前記半導体チップを前記第1面上に搭載するインナーリードと、前記第1面上において前記半導体チップを封止する第1の樹脂部と、前記第2面上に設けられた第2の樹脂部と、前記インナーリードに接続し、前記第1および前記第2の樹脂部から外部へ突出したアウターリードとを備え、前記アウターリードが突出している第1の方向における前記第2の樹脂部の幅は、該第1の方向における前記第1の樹脂部の幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置。前記インナーリードは、前記第1の面において前記第1の樹脂部によって被覆され、前記第2の面において前記第2の樹脂部から露出されている孔を備えていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記孔は、前記第1の面から前記第2の面に向かって広がるように開口しており、前記第1の樹脂部が前記孔内に埋め込まれていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記孔は、その内側面に突部を有し、前記第1の樹脂部は、前記孔内に埋め込まれていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置。前記第2の面の一部において前記第2の樹脂部が設けられておらず、あるいは、前記第2の樹脂部が周囲と比べて薄い窪みをさらに備えたことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置。前記インナーリードは、前記インナーリードと前記アウターリードとの境界部分において前記アウターリードが前記インナーリードよりも前記第2の面側へ張り出すように段差を備えることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体装置。前記段差は、前記孔と比べて前記インナーリード側に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。前記孔の前記第1の面側の開口と前記半導体チップとの間に前記樹脂が存在することを特徴とする請求項2から請求項7のいずれかに記載の半導体装置。前記インナーリードは、前記半導体チップのボンディングパッドと電気的に接続され、該ボンディングパッドが設けられた前記半導体チップの側辺とは異なる側辺へ向かって延伸していることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体装置。半導体チップを搭載しない非搭載面側の封止樹脂の厚みを可及的に薄くしつつ、封止樹脂の欠けおよび封止樹脂の充填不良を抑制した半導体装置を提供する。本実施形態による半導体装置は、半導体チップを備える。インナーリードは、第1面と該第1面に対して反対側の第2面とを有し、半導体チップを第1面上に搭載する。第1の樹脂部は、第1面上において半導体チップを封止する。第2の樹脂部は、第2面上に設けられている。アウターリードは、インナーリードに接続し、第1および第2の樹脂部から外部へ突出している。アウターリードが突出している第1の方向における第2の樹脂部の幅は、第1の方向における第1の樹脂部の幅よりも狭い。以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。第1の実施形態図1Aは、第1の実施形態に従った半導体装置10の平面図である。図1Bは、図1AのB-B線に沿った半導体装置10の断面図である。尚、図1Aは、図1Bに示す非搭載面F2の上方から見た平面図である。半導体装置10は、封止樹脂2と、半導体チップ3と、リード4と、金属ワイヤ5とを備えている。リード4は、インナーリード4aと、アウターリード4bとを含む。インナーリード4aは、リード4のうち封止樹脂2によって封止または被覆されたリード部分であり、アウターリード4bは、リード4のうち封止樹脂2から露出され、インナーリード4aから封止樹脂2の外部へ突出したリード部分である。1つの半導体装置10は、互いに電気的に絶縁された複数のリード4を備え、各リード4は、それぞれインナーリード4aおよびアウターリード4bを含む。インナーリード4aおよびアウターリード4bは、リード4として一体形成されている。リード4には、導電性材料例えば、金属が用いられる。インナーリード4aは、金属ワイヤ5を介して半導体チップ3のボンディングパッド30図3参照に電気的に接続されている。アウターリード4bは、インナーリード4a、金属ワイヤ5を介して半導体チップ3のボンディングパッドに電気的に接続されている。リード4によって、半導体装置10の外部からのデータまたはコマンドを半導体装置10の内部の半導体チップ3へ伝達することができ、逆に、半導体チップ3からのデータを半導体装置10の外部へ伝達することができる。インナーリード4aは、半導体チップ3を搭載する搭載部としての機能も備える。アウターリード4bは、半導体チップ3を搭載する搭載面第1の面F1側に向かって折曲するようにガルウィング型に成形されている。これにより、本実施形態による半導体装置10は、COL型のTSOPを構成している。封止樹脂2のうち第1の樹脂部2aは、半導体チップ3を搭載しているインナーリード4aの搭載面第1の面F1上およびインナーリード4a間に設けられている。第1の樹脂部2aは、半導体チップ3および金属ワイヤ5を封止し、これらを保護している。封止樹脂2のうち第2の樹脂部2bは、半導体チップ3を搭載していないインナーリード4aの非搭載面第2の面F2上に設けられている。第2の樹脂部2bは、半導体チップ3、金属ワイヤ5等を封止していないので、第1の樹脂部2aよりも薄く形成されている。リード4は、インナーリード4aとアウターリード4bとの境界部分18にアンカーホール9および段差13を備えている。アンカーホール9は、インナーリード4aの搭載面F1において第1の樹脂部2aによって被覆され、その非搭載面F2において第2の樹脂部2bから露出されている孔である。段差13は、金型によってリード4をデプレス加工して形成された段差である。アンカーホール9は、インナーリード4aを貫通するように設けられている。アンカーホール9は、インナーリード4aの搭載面F1から非搭載面F2に向かって広がるように開口しており、第1の樹脂部2aがその内部に埋め込まれている。即ち、アンカーホール9は、その内壁面にテーパーを有しており、インナーリード4aの非搭載面側の開口径が搭載面側の開口径よりも小さくなるように形成されている。これにより、インナーリード4aの搭載面F1から非搭載面F2に向かう方向D2への応力がアウターリード4bに印加された場合であっても、アウターリード4bが第1の樹脂部2aから離別することを抑制できる。即ち、アウターリード4bがD2方向へ押し上げられても、アンカーホール9が第1の樹脂部2aの抜け止めとして機能し、第1の樹脂部2aがアンカーホール9から抜けてしまうことを抑制することができる。段差13は、アウターリード4bとインナーリード4aとの境界部18においてアウターリード4bがインナーリード4aよりも非搭載面F2側へ張り出すように設けられている。以下、アウターリード4aとインナーリード4aとの境界部18を、張出し部18と呼ぶ。樹脂封止工程において、張出し部18が樹脂封止用の金型図示せずに接触することによって、第2の樹脂部2bは張出し部18を被覆しない。張出し部18に第2の樹脂部2bが設けられないので、万一、第1の樹脂部2aがアンカーホール9から抜けてしまったとしても、第2の樹脂部2bの端部が欠ける可能性が少ない。また、樹脂封止工程中に、充填速度の速い搭載面側の樹脂がインナーリードを非搭載面側へ押しても、張出し部18が樹脂封止用の金型に接触することによって、インナーリード4aの非搭載面F2とその金型との間に段差13の高さ分とインナーリード4aの張り出し部18からの金型のキャビティ深さ分だけ間隙を維持することができる。これにより、封止樹脂が非搭載面F2側の隙間に入り易くなり、インナーリード4aの非搭載面F2が第2の樹脂部2bによって充分に被覆され得る。その結果、インナーリード4aおよび半導体チップ3が露出せず、外観不良の発生を抑制することができる。このように、本実施形態による半導体装置は、インナーリード4aの非搭載面F2を第2の樹脂部2bで充分に被覆しつつ、アウターリード4aとインナーリード4aとの間の張出し部18に第2の樹脂部2bが付着することを抑制することができる。さらに、アンカーホール9は、リード4の張出し部18の部分に設けられている。尚且つ、図1Aおよび図1Bに示すように、アウターリード4bが突出している第1の方向D1において、第2の樹脂部2bの幅W2bは、第1の樹脂部2aの幅W2aよりも狭い。これにより、インナーリード4aの非搭載面F2側においてアンカーホール9は第2の樹脂部2bに被覆されず、かつ、インナーリード4aの搭載面F1側において第1の樹脂部2aによって被覆される。また、アンカーホール9の内部には、第1の樹脂部2aが搭載面F1側から充填される。その結果、上述の通り、アンカーホール9が張出し部18において第1の樹脂部2aの抜け止めとして機能し、かつ、万一、第1の樹脂部2aがアンカーホール9から抜けてしまったとしても、張出し部18に第2の樹脂部2bが無いので第2の樹脂部2bが欠ける可能性を少なくできる。さらに、段差13があることによって、インナーリード4aの搭載面F1側において、半導体チップ3がアンカーホール9を塞ぐことを抑制する。図1Bの破線で示すように半導体チップ3がアンカーホール9上に存在する場合、段差13が無いと、半導体チップ3がアンカーホール9の搭載面F1側の開口を塞いでしまう。この場合、樹脂2がアンカーホール9内に充填されず、アンカーホール9が抜け止めとしての役目を果たすことができない。本実施形態では、段差13が半導体チップ3とアンカーホール9の搭載面F1側の開口との間に間隙Gを備える。この間隙Gにより、樹脂2がアンカーホール9内に入り込むことができ、アンカーホール9はその役目を果たすことが可能となる。半導体装置10の完成後、この間隙Gには、樹脂2が存在する。窪み14は、インナーリード4aおよび吊りピン4cの第2樹脂部2bの一部分に設けられている。窪み14は、樹脂封止工程において金型に設けられた突起の跡として半導体装置10に残った窪みである。窪み14には第2の樹脂部2bが設けられていない。あるいは、窪み14に第2の樹脂部2bが存在していたとしても、窪み14の第2の樹脂部2bの厚みは窪み14以外の非搭載面F2の第2の樹脂部2bの厚みと比べて薄くなっている。窪み14が形成される理由は以下の通りである。トランスファモールド法を用いて樹脂封止する場合、樹脂封止用の金型と搭載面F1との間の間隙が金型と非搭載面F2との間の間隙よりも広いため、樹脂2は、非搭載面F2側よりも搭載面F1側に速く流入する。このとき、樹脂2が、インナーリード4aを非搭載面F2側へ押す力が働く場合ある。本実施形態では、金型と非搭載面F2との間の間隙を確保するために、金型が、インナーリード4aの非搭載面F2の少なくとも一部と接触する突起を備える。張出し部18が金型に接触するとともに、この金型の突起がインナーリード4aの非搭載面F2と接触することによって、金型と非搭載面F2との間の間隙を確保することができる。その結果、樹脂2がインナーリード4aを非搭載面F2側へ押しても、樹脂2を非搭載面F2側にも充分に流入させることができる。以上のような理由で、窪み14が形成される。金型の突起の位置に応じて窪み14の位置が決定される。窪み14の位置は、半導体装置10の中心部であってもよく、その中心からずれた位置に設けられていてもよい。ただし、第2の樹脂部2bの厚みをほぼ均一にするために、窪み14は、インナーリード4aまたは吊りピン4cの非搭載面F2の面内に均等に配置されていることが好ましい。尚、窪み14においてインナーリード4aまたは吊りピン4cが露出する。しかし、インナーリード4aまたは吊りピン4cの非搭載面は、第2の樹脂部2bの表面よりも低い位置搭載面F1側に存在する。従って、インナーリード4aが半導体装置10の周辺の導電体と接触する可能性は少ない。図1Bでは、半導体チップ3は1つだけ図示されている。しかし、1つの半導体装置10内に複数の半導体チップ3が積層されていてもよい。積層される半導体チップ3の個数は限定されない。半導体チップ3は、例えば、NAND型フラッシュメモリでもよい。勿論、半導体チップ3は、NAND型フラッシュメモリに限定されず、その他のICチップでよい。金属ワイヤ5には、例えば、金ワイヤが用いられる。図2は、図1Bの段差部13およびその周辺部分の拡大断面図である。図2を参照して、本実施形態による半導体装置の各要素の厚みあるいは間隙の具体例を説明する。樹脂2の材料にもよるが、一般に、樹脂2を流し込むためには、少なくとも0.06ミリメートルの間隙が必要である。従って、リード4の張出し部18の表面と非搭載面F2側の金型上金型の内壁との間の間隙が、例えば、0.05ミリメートルとすると、段差13の高さは、0.01ミリメートルでよい。これにより、樹脂2をインナーリード4aの非搭載面F2側へ流し込むことができる。製造マージンやモールド樹脂に含まれるフィラーの選択幅を考えた場合、代表的には、リード4の張出し部18の表面と非搭載面F2側の金型上金型の内壁との間の間隙は、例えば、0.05ミリメートルである。段差13の高さは、例えば、0.05ミリメートルである。金属ワイヤ5が第1の樹脂部2aから露出しないように、第1の樹脂部2aは、少なくとも半導体チップ3のボンディングパッド30が設けられた面から0.2ミリメートルの厚さが必要になる。半導体チップ3および半導体チップ3とインナーリード4aとを固定するための接着剤図示せずの厚さが0.4ミリメートルとした場合、第1の樹脂部2aの全体の厚さは合計0.6ミリメートルとなる。よって、インナーリード4aの厚みが0.1ミリメートル、リード4の張出し部18の表面と上金型の内壁との間の間隙が0.05ミリメートル、段差13の高さが0.05ミリメートル、並びに、第1の樹脂部2aの厚みが0.6ミリメートルとすると、本実施形態によるTSOPの厚みは、0.8ミリメートルとなる。図3は、インナーリード4aの構成の一例を示す平面図である。複数のインナーリード4aは、半導体チップ3のボンディングパッド30と電気的に接続されている。ボンディングパッド30は、半導体チップ3の一側辺31にまとめて形成されている。複数のインナーリード4aのうち一部のインナーリード4a_1は、ボンディングパッド30が設けられた半導体チップ3の側辺31とは異なる側辺32へ向かって延伸している。そして、インナーリード4a_1は、側辺32の側から樹脂2の外部へ突出しているアウターリード4bへ接続されている。複数のインナーリード4aのうち他のインナーリード4a_2は、ボンディングパッド30が設けられた半導体チップ3の側辺31から樹脂2の外部へ突出しているアウターリード4bへ接続されている。図4は、インナーリード4aの構成の他の例を示す平面図である。複数のインナーリード4aは、半導体チップ3のボンディングパッド30と電気的に接続されている。ボンディングパッド30は、半導体チップ3の一側辺35にまとめて形成されている。複数のインナーリード4aのうち一部のインナーリード4a_3は、ボンディングパッド30が設けられた半導体チップ3の側辺35とは異なる側辺36へ引き延ばされている。そして、インナーリード4a_3は、側辺36の側から樹脂2の外部へ突出しているアウターリード4bへ接続されている。複数のインナーリード4aのうち一部のインナーリード4a_4は、半導体チップ3の側辺35とは異なる側辺37へ引き延ばされている。そして、インナーリード4a_4は、側辺37の側から樹脂2の外部へ突出しているアウターリード4bへ接続されている。このように、本実施形態では、インナーリード4aは、ボンディングパッド30が設けられた半導体チップ3の側辺とは異なる側辺へ向かって引き延ばされている。樹脂封止工程において、上金型と下金型との間には、少なくともインナーリード4aの厚み分の間隙が存在する。例えば、インナーリード4aの厚みは、約0.1ミリメートルである。従って、半導体チップ3が段差13間の幅より大きい場合であっても、樹脂封止工程において、樹脂2は、この間隙を介して図3、図4の矢印Aのようにインナーリード4a間に流れ込むことができる。本実施形態による半導体装置は、以下のような効果を得ることができる。1インナーリード4aの非搭載面F2を第2の樹脂部2bで被覆しつつ、アウターリード4aとインナーリード4aとの間の張出し部18に第2の樹脂部2bが付着することを抑制することができる。1-a非搭載面F2を第2の樹脂部2bで被覆するので、半導体装置10の周囲の導電体と接触する可能性を抑制することができる。また、1-b張出し部18に第2の樹脂部2bが無いので、万一、第1の樹脂部2aがアンカーホール9から抜けてしまったとしても、第2の樹脂部2bの端部が欠ける可能性が少ない。これは、半導体装置10の外観不良やダストやパーティクルの発生の抑制に繋がる。1-cインナーリード4aの非搭載面F2が張出し部18よりも窪んでいるため、第2の樹脂部2aの厚みを或る程度確保しつつ、半導体装置10の全体の厚みを薄くすることができる。2段差13があることによって、インナーリード4aの搭載面F1側において、半導体チップ3がアンカーホール9を塞ぐことを抑制する。即ち、半導体チップ3とインナーリード4aとの間に間隙Gを維持することにより、樹脂2がアンカーホール9内へ流れ込むことを可能にする。3アンカーホール9が第1の樹脂部2aの抜け止めとして機能する。これにより、アウターリード4bがD2方向へ押し上げられても、第1の樹脂部2aがアンカーホール9から抜けてしまうことを抑制することができる。4金型の突起がインナーリード4aの非搭載面F2を支持することによって、金型と非搭載面F2との間の間隙を確保することができる。その結果、樹脂2を非搭載面F2側にも充分に流入させることができる。即ち、金型の突起が張出し部18と共に金型と非搭載面F2との間の間隙を確保することによって、樹脂2が非搭載面F2を充分に被覆することができる。非搭載面F2を第2の樹脂部2bで充分に被覆するので、半導体装置10の外観不良を抑制することができる。窪み14は、樹脂封止工程において金型に設けられた突起の跡として半導体装置10に残った窪みである。窪み14があることによって、金型に突起が設けられていることが分かる。以上により本実施形態は、第2の樹脂部2bの厚みを可及的に薄くしつつ、封止樹脂の欠けおよび封止樹脂の充填不良を抑制することができることが分かる。さらに、本実施形態は、TSOPに対し上型やTF金型を変更する必要はあるが、既存の下型についてはそのまま利用することができる。従って、金型のうち下型については作成する必要がないので、半導体装置10の製造コストの上昇を抑えることができる。変形例図5Aから図5Cは、アンカーホール9の形状の変形例を示す断面図である。アンカーホール9の形状は、第1の樹脂部2aの抜け止めとして機能する限りにおいて特に限定されない。第1の樹脂部2aの抜け止めとして機能するためには、アンカーホール9は、非搭載面F2側の開口径よりも狭い開口径を有する部分を備えればよい。例えば、図5Aに示すように、アンカーホール9の断面は、2つの釣鐘または半球を重ねた形状でもよい。この場合、搭載面F1と非搭載面F2との間のいずれかの部分のアンカーホール9の内側面に突部50が形成される。従って、搭載面F1と非搭載面F2との間の部分のアンカーホール9の直径R1が非搭載面F2側のアンカーホール9の開口径R2よりも狭い。これにより、アンカーホール9は、第1の樹脂部2aの抜け止めとして機能し得る。図5Aに示すアンカーホール9は、リードフレーム4を面F1、F2からウェットエッチング加工することによって形成され得る。例えば、図5Bに示すように、アンカーホール9の断面は、略T字形状でもよい。この場合、搭載面F1側の開口径R3は、非搭載面F2側の開口径R4よりも狭い。これにより、アンカーホール9は、第1の樹脂部2aの抜け止めとして機能し得る。図5Bに示すアンカーホール9は、プレス加工によって形成され得る。さらに、例えば、図5Cに示すように、アンカーホール9の断面は、略Y字形状でもよい。この場合、搭載面F1側の開口径R5は、非搭載面F2側の開口径R6よりも狭い。これにより、アンカーホール9は、第1の樹脂部2aの抜け止めとして機能し得る。図5Cに示すアンカーホール9も、プレス加工によって形成され得る。図6は、本実施形態による複数の半導体装置10を積層した構造PoPPackageonPackage構造を示す図である。接着フィルム60は、積層された複数の半導体装置10を接着している。本実施形態によれば、非搭載面F2側の第2の樹脂部2bの厚みを薄くしたので、複数の半導体装置10を積層したときに、積層後の装置全体の高さ厚みが従来よりも低く薄くなる。また、本実施形態では、第2の樹脂部2bの厚みを薄くすることによって、半導体装置10の厚みを従来よりも薄くしている。しかし、半導体装置10の全体の厚みを変更せずに、第2の樹脂部2bの厚みが薄くなった分だけ、第1の樹脂部2aの厚みを厚くしてもよい。この場合、第1の樹脂部2aの厚みが厚くなるので、各半導体装置10内に樹脂封止される半導体チップ3の積層数を増加させることができる。本実施形態とSON型パッケージとの比較リードフレーム4の片側のみを樹脂封止する半導体パッケージとしては、SONSmallOutlineNolead型パッケージがある。しかし、SON型パッケージでは、ガラスエポキシ基板に実装するために用いられる電極は、実装部分のみにおいて半導体装置の外に露出している。そして、この電極がガラスエポキシ基板に半田付けされている。従って、半導体装置の実装後、温度変化により半導体装置が熱膨張または熱収縮した場合に、半導体装置とガラスエポキシ基板との熱膨張係数の相違によって、電極および半田付け部分に応力がかかり、電極または半田付け部分が破断するおそれがある。一方、本実施形態のようなTSOP型の半導体パッケージは、ガルウィング形状のアウターリード4bを介してガラスエポキシ基板に半田付けされる。従って、半導体装置とガラスエポキシ基板との熱膨張係数の相違によって生じる応力は、アウターリード4bによって吸収される。従って、半田付け部分が破断する可能性が少ない。その結果、TSOP型の半導体パッケージは、SON型の半導体パッケージに比べてパッケージサイズを大きくすることができる。即ち、TSOP型の半導体パッケージは、SON型の半導体パッケージに比べてより大型の半導体チップを用いることができる。また、TSOP型の半導体パッケージは、ガルウィング形状のアウターリード4bを備えるので、SON型の半導体パッケージに比べて半導体チップを積層したPoP構造を構成し易い。