"一定方向に回転する磁気記録媒体の表面に対向配置されるスライダの延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させる記録磁界発生部と;前記磁気記録媒体側に向けて光束を伝播させる光導波路部と;前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生素子部と;を備え、前記記録磁界発生部の少なくとも一部と前記近接場光発生素子部とが、同一平面上に形成されていることを特徴とする近接場光ヘッド。前記記録磁界発生部が、補助磁極と;磁気回路を介して前記補助磁極に接続され、この補助磁極との間で前記磁気記録媒体に対して前記記録磁界を発生させる主磁極と;前記磁気回路を中心としてこの磁気回路の周囲に巻回されるコイルと;を備え、前記コイルと前記近接場光発生素子部とが、同一平面上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の近接場光ヘッド。前記近接場光発生素子部が、前記光束からプラズモンを発生させるプラズモン発生部と;前記プラズモンから前記近接場光を発生させる近接場光発生部と;を備えていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の近接場光ヘッド。一定方向に回転する磁気記録媒体の表面に対向配置されるスライダの延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させる記録磁界発生部と;前記磁気記録媒体側に向けて光束を伝播させる光導波路部と;前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生素子部と;を備えた近接場光ヘッドを製造する方法であって、前記スライダとなる基板上に、磁性材料からなる前記記録磁界発生部の補助磁極および磁気回路の一端を形成する工程と;前記基板上に、第1絶縁層を成膜する工程と;前記第1絶縁層上における前記光導波路部のコアおよび前記記録磁界発生部のコイルが設けられる箇所に凹部を形成する工程と;前記凹部の内、前記光導波路部のコアとして構成される領域に光導波路部材を配する工程と;前記光導波路部として構成される前記凹部における前記磁気記録媒体側端部に導電材料を成膜して前記近接場光発生素子部を形成すると同時に、前記凹部の内、前記コイルとして構成される領域に導電材料を成膜して前記コイルを形成する工程と;前記第1絶縁層上に、第2絶縁層を成膜する工程と;前記第1絶縁層および前記第2絶縁層に、前記磁気回路の一端と連通する貫通孔を形成する工程と;前記貫通孔内に前記磁性材料を配するとともに、前記第2絶縁層上における前記貫通孔に対応した位置に前記磁性材料からなる前記磁気回路の他端を形成するとともに、前記第2絶縁層上における前記補助磁極に対向する位置に前記記録磁界発生部の主磁極を形成する工程と;を備えていることを特徴とする近接場光ヘッドの製造方法。一定方向に回転する磁気記録媒体の表面に対向配置されるスライダの延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させる記録磁界発生部と;前記磁気記録媒体側に向けて光束を伝播させる光導波路部と;前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生素子部と;を備えた近接場光ヘッドを製造する方法であって、前記スライダとなる基板上に、磁性材料からなる前記記録磁界発生部の主磁極および磁気回路の一端を形成する工程と;前記基板上に、第1絶縁層を成膜する工程と;前記光導波路部における前記磁気記録媒体側端部に対応する位置に導電材料を成膜すると同時に、前記記録磁界発生部のコイルとして構成される領域に導電材料を成膜する工程と;前記第1絶縁層上における前記光導波路部のコアおよび前記コイルが設けられる箇所に、前記光導波路部のコアおよび前記コイルの形状をパターニングする工程と;前記パターニングを用いて前記導電材料をエッチングして、前記近接場光発生素子部および前記コイルを形成する工程と;前記第1絶縁層上に、第2絶縁層を成膜する工程と;前記第1絶縁層および前記第2絶縁層に、前記磁気回路の一端と連通する貫通孔を形成する工程と;前記貫通孔内に前記磁性材料を配するとともに、前記第2絶縁層上における前記貫通孔に対応した位置に前記磁性材料からなる前記磁気回路の他端を形成するとともに、前記第2絶縁層上における前記主磁極に対向する位置に前記記録磁界発生部の補助磁極を形成する工程と;を備えていることを特徴とする近接場光ヘッドの製造方法。請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の近接場光ヘッドと;前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能とされ、前記磁気記録媒体の表面に平行で且つ互いに直交する2軸回りに回動自在な状態で前記近接場光ヘッドを先端側で支持するビームと;前記光導波路部に対して前記光束を入射させる光源と;前記ビームの基端側を支持するとともに、前記ビームを前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと;前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と;前記記録磁界発生部及び前記光源の作動を制御する制御部と;を備えていることを特徴とする情報記録再生装置。ところで、従来の近接場光ヘッドの構造は、記録磁界発生部上に被覆層および近接場光発生層が積層配置される形状となっている。つまり、従来の近接場光ヘッドを製造する場合には、まずスライダの側面上に記録磁界発生部を形成した後に、被覆層光導波路部および近接場光発生層近接場光発生素子部を順次形成することとなる。したがって、従来の近接場光ヘッドは、既存の磁気記録ヘッドに比べて大型になるとともに、製造プロセスの工程数が増加し、生産効率が低下するという問題がある。また、近接場光ヘッドが大型化すると、近接場光ヘッドを備えたスライダを移動させる際にビームに生じる慣性モーメントが大きくなるとともに、記録媒体に対してスライダを浮上させつつこの記録媒体との距離を適正な距離に保持することが困難になる。つまり、スライダの位置制御が不安定になるという問題がある。そこで、本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、生産効率を向上することができ、かつ、小型化することができる、近接場光ヘッド、近接場光ヘッドの製造方法および情報記録再生装置を提供することを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。1本発明の一態様に係る近接場光ヘッドは、一定方向に回転する磁気記録媒体の表面に対向配置されるスライダの延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させる記録磁界発生部と、前記磁気記録媒体側に向けて光束を伝播させる光導波路部と、前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生素子部と、を備えた近接場光ヘッドにおいて、前記記録磁界発生部の少なくとも一部と前記近接場光発生素子部とが、同一平面上に形成されている。この構成によれば、近接場光ヘッドを製造する際に、記録磁界発生部の少なくとも一部と近接場光発生素子部とを同時に形成することができる。したがって、製造プロセスの簡略化を図ることができ、生産効率を向上することができる。また、記録磁界発生部の少なくとも一部と近接場光発生素子部とを同時に形成することにより、近接場光ヘッドを小型化することができる。結果として、近接場光ヘッドを備えたスライダの位置制御を安定化させることができ、大量かつ高密度情報の記録再生を行うことができる。さらに、同一平面上に形成される記録磁界発生部の少なくとも一部と近接場光発生素子部との位置決めが容易になるため、高精度で、かつ、歩留まりが向上した近接場光ヘッドを提供することができる。2上記1に記載の近接場光ヘッドでは、前記記録磁界発生部は、補助磁極と、磁気回路を介して前記補助磁極に接続され、この補助磁極との間で前記磁気記録媒体に対して前記記録磁界を発生させる主磁極と、前記磁気回路を中心としてこの磁気回路の周囲に巻回されるコイルと、を備え、このコイルと前記近接場光発生素子部とが、同一平面上に形成されている構成を採用してもよい。この構成によれば、コイルと近接場光発生素子部とを同時に形成することができるとともに、小型化することができる。また、コイルと近接場光発生素子部とを同一材料で形成すれば、製造プロセスの簡略化を図ることができ、生産効率を向上することができる。また、コイルと近接場光発生素子部とが同一平面上に配されているため、互いの位置決めが容易になり、高精度で、かつ、歩留まりが向上した近接場光ヘッドを提供することができる。3上記1または2に記載の近接場光ヘッドでは、前記近接場光発生素子部が、前記光束からプラズモンを発生させるプラズモン発生部と、前記プラズモンから前記近接場光を発生させる近接場光発生部と、を備えている構成を採用してもよい。この構成によれば、近接場光発生素子部において、高いエネルギー効率で近接場光を発生させることができる近接場光ヘッドを提供することができる。4また、本発明の他の態様に係る近接場光ヘッドの製造方法は、一定方向に回転する磁気記録媒体の表面に対向配置されるスライダの延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させる記録磁界発生部と、前記磁気記録媒体側に向けて光束を伝播させる光導波路部と、前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生素子部と、を備えた近接場光ヘッドの製造方法において、前記スライダとなる基板上に、磁性材料からなる前記記録磁界発生部の補助磁極および磁気回路の一端を形成する工程と、前記基板上に、第1絶縁層を成膜する工程と、この第1絶縁層上における前記光導波路部のコアおよび前記記録磁界発生部のコイルが設けられる箇所に凹部を形成する工程と、前記凹部の内、前記光導波路部のコアとして構成される領域に光導波路部材を配する工程と、前記光導波路部として構成される前記凹部における前記磁気記録媒体側端部に導電材料を成膜して前記近接場光発生素子部を形成すると同時に、前記凹部の内、前記コイルとして構成される領域に導電材料を成膜して前記コイルを形成する工程と、前記第1絶縁層上に、第2絶縁層を成膜する工程と、前記第1絶縁層および前記第2絶縁層に、前記磁気回路の一端と連通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内に前記磁性材料を配するとともに、前記第2絶縁層上における前記貫通孔に対応した位置に前記磁性材料からなる前記磁気回路の他端を形成するとともに、前記第2絶縁層上における前記補助磁極に対向する位置に前記記録磁界発生部の主磁極を形成する工程と、を備えていることを特徴としている。この構成によれば、近接場光ヘッドを製造する際に、記録磁界発生部のコイルと近接場光発生素子部とを同時に形成することができる。したがって、製造プロセスの簡略化を図ることができ、生産効率を向上することができる。また、コイルと近接場光発生素子部とを同時に形成することにより、近接場光ヘッドの積層方向の厚さを薄くすることができ、近接場光ヘッドを小型化することができる。結果として、近接場光ヘッドを備えたスライダの位置制御を安定化させることができ、大量かつ高密度情報の記録再生を行うことができる。さらに、同一平面上に形成されるコイルと近接場光発生素子部との位置決めが容易になるため、高精度で、かつ、歩留まりが向上した近接場光ヘッドを提供することができる。また、本発明に係る近接場光ヘッドの製造方法は、一定方向に回転する磁気記録媒体の表面に対向配置されるスライダの延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させる記録磁界発生部と、前記磁気記録媒体側に向けて光束を伝播させる光導波路部と、前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生素子部と、を備えた近接場光ヘッドの製造方法において、前記スライダとなる基板上に、磁性材料からなる前記記録磁界発生部の主磁極および磁気回路の一端を形成する工程と、前記基板上に、第1絶縁層を成膜する工程と、前記光導波路部における前記磁気記録媒体側端部に対応する位置に導電材料を成膜すると同時に、前記記録磁界発生部のコイルとして構成される領域に導電材料を成膜する工程と、前記第1絶縁層上における前記光導波路部のコアおよび前記コイルが設けられる箇所に、前記光導波路部のコアおよび前記コイルの形状をパターニングする工程と、前記パターニングを用いて前記導電材料をエッチングして、前記近接場光発生素子部および前記コイルを形成する工程と、前記第1絶縁層上に、第2絶縁層を成膜する工程と、前記第1絶縁層および前記第2絶縁層に、前記磁気回路の一端と連通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内に前記磁性材料を配するとともに、前記第2絶縁層上における前記貫通孔に対応した位置に前記磁性材料からなる前記磁気回路の他端を形成するとともに、前記第2絶縁層上における前記主磁極に対向する位置に前記記録磁界発生部の補助磁極を形成する工程と、を備えていることを特徴としている。この構成によれば、近接場光ヘッドを製造する際に、記録磁界発生部のコイルと近接場光発生素子部とを同時に形成することができる。したがって、製造プロセスの簡略化を図ることができ、生産効率を向上することができる。また、コイルと近接場光発生素子部とを同時に形成することにより、近接場光ヘッドの積層方向の厚さを薄くすることができ、近接場光ヘッドを小型化することができる。結果として、近接場光ヘッドを備えたスライダの位置制御を安定化させることができ、大量かつ高密度情報の記録再生を行うことができる。さらに、同一平面上に形成されるコイルと近接場光発生素子部との位置決めが容易になるため、高精度で、かつ、歩留まりが向上した近接場光ヘッドを提供することができる。また、本発明に係る情報記録再生装置は、上述の近接場光ヘッドと、前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能とされ、前記磁気記録媒体の表面に平行で且つ互いに直交する2軸回りに回動自在な状態で前記近接場光ヘッドを先端側で支持するビームと、前記光導波路部に対して前記光束を入射させる光源と、前記ビームの基端側を支持するとともに、前記ビームを前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと、前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と、前記記録磁界発生部及び前記光源の作動を制御する制御部と、を備えていることを特徴としている。この構成によれば、上述した近接場光ヘッドを備えているため、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化に対応することができる高品質な情報記録再生装置を提供することができる。本発明に上記1係る近接場光ヘッドによれば、近接場光ヘッドを製造する際に、記録磁界発生部の少なくとも一部と近接場光発生素子部とを同時に形成することができる。したがって、製造プロセスの簡略化を図ることができ、生産効率を向上することができる。また、記録磁界発生部の少なくとも一部と近接場光発生素子部とを同時に形成することにより、近接場光ヘッドを小型化することができる。結果として、近接場光ヘッドを備えたスライダの位置制御を安定化させることができ、大量かつ高密度情報の記録再生を行うことができる。さらに、同一平面上に形成される記録磁界発生部の少なくとも一部と近接場光発生素子部との位置決めが容易になるため、高精度で、かつ、歩留まりが向上した近接場光ヘッドを提供することができる。第1実施形態次に、本発明の第1実施形態を図面に基づいて説明する。なお、本実施形態の情報記録再生装置1は、垂直記録層d2を有するディスク磁気記録媒体Dに対して、近接場光と記録磁界とを協働させたハイブリッド磁気記録方式によりディスクDに記録再生を行う装置である図2参照。情報記録再生装置図1は情報記録再生装置の構成図である。図1に示すように、本実施形態の情報記録再生装置1は、近接場光ヘッド2と、近接場光ヘッド2を支持するビーム3と、近接場光ヘッド2にレーザ光光束L図2参照を入射させる光束入射機構4と、ビーム3を移動させるアクチュエータ5と、ディスクDを一定方向に回転させるスピンドルモータ6と、上述した各構成品を総合的に制御する制御部8と、各構成品を内部に収容するハウジング9と、を備えている。ハウジング9は、アルミニウムなどの金属材料により、平面視四角形状に形成されているとともに、内側に各構成品を収容する凹部9aが形成されている。また、このハウジング9には、凹部9aの開口を塞ぐように図示しない蓋が着脱可能に固定されるようになっている。凹部9aの略中心には、スピンドルモータ6が取り付けられており、スピンドルモータ6にディスクDが固定される。なお、本実施形態では、3枚のディスクDがスピンドルモータ6に固定されている場合を例に挙げて説明している。ただし、ディスクDの数は3枚に限定されるものではない。凹部9a内における一つの隅角部には、アクチュエータ5が取り付けられている。このアクチュエータ5には、軸受10を介してキャリッジ11が取り付けられている。キャリッジ11は、例えば金属材を切削加工によって形成されたものであり、軸受10を介してアクチュエータ5に固定される基端部11aから先端に向かう部分が3枚のディスクDの上面にそれぞれ配置されるように3層構造となっている。つまり、キャリッジ11を側面から見た時に、E型になるように形成されている。そして、3層に分かれたキャリッジ11の各先端には、ビーム3の基端側が固定されている。よって、アクチュエータ5は、キャリッジ11を介してビーム3の基端側を支持しており、ビーム3をディスク面磁気記録媒体の表面D1図2参照に平行な水平方向に向けてスキャン移動させることができるようになっている。ビーム3は、上述したようにアクチュエータ5によってキャリッジ11とともに水平方向に移動可能とされているとともに、ディスク面D1に平行で、かつ、互いに直交する2軸X軸、Y軸回りに回動自在な状態で近接場光ヘッド2を先端側で支持している。なお、ビーム3およびキャリッジ11は、ディスクDの回転停止時にアクチュエータ5の駆動によって、ディスクD上から退避するようになっている。近接場光ヘッド図2は近接場光ヘッドの拡大断面図であり、図3は図2のA-A線に沿う断面図一部透過図である。図2、図3に示すように、近接場光ヘッド2は、レーザ光Lから生成した近接場光を利用して、回転するディスクDに各種の情報を記録再生するヘッドである。近接場光ヘッド2は、ディスク面D1から所定距離Hだけ浮上した状態でディスクDに対向配置されたスライダ20の延在方向先端側に配置され、記録磁界を発生させてディスクDに情報を記録する記録磁界発生部21と、ディスクDに記録されている情報を再生する再生素子22と、導入されたレーザ光Lから近接場光を発生させる近接場光発生素子26と、を備えている。また、本実施形態の近接場光ヘッド2は、コア23とクラッド24とからなる光導波路部25を備えている。なお、図2以降において、スライダ20の延在方向をX軸方向に設定し、延在方向先端側をX方向とする。また、スライダ20の幅方向をY軸方向に設定し、図2における紙面手前側をY方向とする。さらに、鉛直方向をZ軸方向に設定し、鉛直上方側をZ方向とする。スライダ20は、石英ガラスなどの光透過性材料や、AlTiCアルチックなどのセラミックによって直方体状に形成されている。このスライダ20は、ディスクDに対向する対向面20aを有しており、ジンバル部30図2参照を介してビーム3の先端にぶら下がるように支持されている。このジンバル部30は、水平面内方向X軸回り及びY軸回りにのみ変位するように動きが規制された部品である。これによりスライダ20は、上述したようにディスク面D1に平行で、かつ、互いに直交する2軸X軸、Y軸回りに回動自在とされている。また対向面20aには、回転するディスクDによって生じた空気流の粘性から、浮上するための圧力を発生させる凸条部20bが形成されている。この凸条部20bは、スライダ20の長手方向X方向に沿って延びるように形成されており、レール状に並ぶように短手方向Y方向に間隔を空けて2つ形成されている。ただし、凸条部20bはこの場合に限定されるものではなく、スライダ20をディスク面D1から離そうとする正圧とスライダ20をディスク面D1に引き付けようとする負圧とを調整して、スライダ20を最適な状態で浮上させるように設計されていれば、どのような凹凸形状でも構わない。なお、この凸条部20bの表面20cはABSAIRBEARINGSURFACEと呼ばれている。そしてスライダ20は、この2つの凸条部20bによってディスク面D1から浮上する力を受けている。一方、ビーム3はディスク面D1に垂直なZ方向に撓むようになっており、スライダ20の浮上力を吸収している。つまり、スライダ20は、浮上した際にビーム3によってディスク面D1側に押さえ付けられる力を受けている。よってスライダ20は、この両者の力のバランスによって、上述したようにディスク面D1から所定距離H離間した状態で浮上するようになっている。しかもスライダ20は、ジンバル部30によってX軸回り及びY軸回りに回動するようになっているため、常に姿勢が安定した状態で浮上するようになっている。なお、ディスクDの回転に伴って生じる空気流は、スライダ20の流入端側ビーム3の-X方向端部から流入した後、凸条部20bの表面20cに沿って流れ、スライダ20の流出端側ビーム3のX方向端部から抜けている。記録磁界発生部21は、図3に示すように、ディスクDに記録磁界を作用させて情報を記録する素子であって、スライダ20の流出端側の側面先端面に固定された補助磁極31と、磁気回路32を介して補助磁極31に接続され、ディスクDに対して垂直な記録磁界を補助磁極31との間で発生させる主磁極33と、磁気回路32を中心として磁気回路32の周囲を螺旋状に巻回するコイル34と、を備えている。補助磁極31、主磁極33および磁気回路32は、磁束密度が高い高飽和磁束密度Bs材料例えば、CoNiFe合金、CoFe合金などにより形成されている。また、コイル34は、ショートしないように、隣り合うコイル線間、磁気回路32との間、両磁極31,33との間に隙間が空くように配置されており、この状態でクラッド24によってモールドされている。なお、クラッド24は、コア23とスライダ20との間に配される第1絶縁層35と、コア23を介して第1絶縁層35の反対側に配される第2絶縁層36と、で構成されている図4参照。そして、コイル34は、情報に応じて変調された電流が制御部8から供給されるようになっている。すなわち、磁気回路32およびコイル34は、全体として電磁石を構成している。なお、主磁極33および補助磁極31は、ディスクDに対向する端面-Z方向端面がスライダ20の凸条部20bの表面20cと面一となるように設計されている。また、図3に示すように、磁気回路32は、第1絶縁層35および第2絶縁層36を貫通するように形成されている。さらに、磁気回路32のX方向両端部は、両磁極31,33のそれぞれと同じ導電材料にて接続されている。このように構成することで、両磁極31,33間に記録磁界を発生させることができる。図4は図3のB-B線に沿う断面図、図5は図3のC-C線に沿う断面図である。図3~図5に示すように、光導波路部25は、レーザ光Lの入射側Z方向端部がスライダ20の上方を向くとともに、出射側-Z方向端部がディスクD側を向いた状態で固定されている。この光導波路部25は、入射側から導入されたレーザ光LをディスクDに対向する出射側に伝播させるコア23と、コア23に密着するクラッド24と、から構成されており、全体として略板状に形成されている。コア23は、入射側Z方向端面から出射側-Z方向端面にかけて漸次絞り成形されており、レーザ光Lを内部で徐々に集光させながら伝播させることができるようになっている。具体的に、コア23は入射側から反射面23aと、光束集光部23bと、近接場光生成部23cと、を有している。反射面23aは、後述する光導波路42から導入されたレーザ光Lを導入方向とは異なる方向に反射させる機能を有している。この反射面23aによって光導波路42から導入されたレーザ光Lは、コア23内で全反射を繰り返しながら出射側に向けて伝播する。光束集光部23bは、入射側から出射側に向かう長手方向Z方向に直交する断面積XY方向の断面積が漸次減少するように絞り成形された部分であり、導入されたレーザ光Lを集光させながら出射側に向けて伝播させている。つまり、光束集光部23bに導入されたレーザ光Lのスポットサイズを、徐々に小さいサイズに絞ることができるようになっている。この光束集光部23bにおける第1絶縁層35に当接する面が、Z方向出射側-Z方向に向かって前記断面積が減少するように傾斜している。近接場光生成部23cは、光束集光部23bの端部から出射側に向けてさらに絞り成形された部分である。具体的には、コア23の出射側の近傍において、内部を伝播するレーザ光Lの光軸Z軸に対して傾斜した傾斜面23dによって絞り成形されている。この傾斜面23dによって、コア23は出射側が尖形した状態となっている。なお、この傾斜面23dは、第1絶縁層35に当接する面に形成されている。なお、近接場光生成部23cは、3つの側面を有するように断面三角形状に形成されており、そのうちの1つの側面第2絶縁層36に面する平坦面が主磁極33に対向するように配置され、その側面に近接場光発生素子26が設けられている。また、近接場光生成部23cの出射側で外部に露出する端面23eは、凸条部20bの表面20cと面一となるように設計されている。第1絶縁層35および第2絶縁層36から構成されるクラッド24は、コア23よりも屈折率が低い材料で形成されており、コア23の入射側の端面および出射側の端面23eを外部に露出させた状態でコア23の側面に密着して、コア23を内部に封止している。具体的に、クラッド24は、コア23とスライダ20との間に配される第1絶縁層35と、コア23と主磁極33との間でコア23の平坦面23f側を覆うように形成された第2絶縁層36と、で構成されている。このように、第1絶縁層35および第2絶縁層36がコア23の各側面に密着しているため、コア23とクラッド24との間に隙間が生じないようになっている。なお、クラッド24およびコア23として使用される材料の組み合わせの一例を記載すると、例えば、石英SiO2でコア23を形成し、フッ素をドープした石英でクラッド24を形成する組み合わせが考えられる。この場合には、レーザ光Lの波長が400nmのときに、コア23の屈折率が1.47となり、クラッド24の屈折率が1.47未満となるので好ましい組み合わせである。また、ゲルマニウムをドープした石英でコア23を形成し、石英SiO2でクラッド24を形成する組み合わせも考えられる。この場合には、レーザ光Lの波長が400nmのときに、コア23の屈折率が1.47より大きくなり、クラッド24の屈折率が1.47となるのでやはり好ましい組み合わせである。特に、コア23とクラッド24との屈折率差が大きいほど、コア23内にレーザ光Lを閉じ込める力が大きくなるので、コア23に酸化タンタルTa2O5:波長が550nmのときに屈折率が2.16を用い、クラッド24に石英などを用いて、両者の屈折率差を大きくすることがより好ましい。また、赤外領域のレーザ光Lを利用する場合には、赤外光に対して透明な材料であるシリコンSi:屈折率が約4でコア23を形成することも有効である。さらに、クラッド24およびコア23として使用される材料は、後述するように熱膨張率の高い材料を用いることが好ましく、このような材料として以下に示すような樹脂材料が好適に用いられている。例えばPMMAメタクリル酸メチル樹脂により、厚さが3~10μmでコア23を形成し、フッ素含有重合体により、厚さが数十μmでクラッド24を形成する組み合わせが考えられる。また、コア23およびクラッド24をともにエポキシ樹脂例えば、コア屈折率1.522~1.523、クラッド屈折率1.518~1.519で構成したり、フッ素化ポリイミドで構成したりすることも可能である。この場合、コア23とクラッド24とを構成する樹脂材料の配合などを調整して、両者の屈折率差を大きくすることが好ましい。例えば、フッ素化ポリイミドの場合、フッ素含有量を調整したり、放射光などのエネルギー照射によって、屈折率を制御したりすることができる。そして、近接場光発生素子26は、例えば金Auや白金Pt、アルミニウムAlなどからなる金属膜であり、コア23の近接場光生成部23cに形成されている。近接場光発生素子26は、コア23内を伝播してきたレーザ光Lから近接場光を発生させ、近接場光を光導波路部25の端面23eとディスクDとの間に局在化させるものである。スライダ20の上面Z方向端面には光導波路42が固定されている。この光導波路42は、コア42aとクラッド42bとを備えた導波路であり、コア42a内をレーザ光Lが伝播するようになっている。光導波路42の先端X方向端部は、光導波路部25のコア23の入射側端部に接続されており、レーザ光Lを反射面23aに向けて出射させている。なお、コア42aおよびクラッド42bは、上述したコア23およびクラッド24とそれぞれ同様の材料により構成されている。また、光導波路42の基端側は、図1に示すように、ビーム3およびキャリッジ11に沿って引き出された後、レーザ光源43に接続されている。このレーザ光源43は、キャリッジ11の基端部11aの側面に取り付けられた制御基板44上に図示しないICチップなどの各種電子部品とともに実装されている。特にレーザ光源43は、レーザ光Lを直線偏光の状態で出射するようになっている。すなわち、レーザ光源43および光導波路42は、近接場光ヘッド2にレーザ光Lを直線偏光の状態で入射させる光束入射機構4として機能する。なお、レーザ光源43が実装されている制御基板44は、可撓性のフラットケーブルフレキシブル基板45によって制御部8に接続されている。これにより制御部8は、各構成品に電気的な信号を送って総合的な制御を行っている。特にレーザ光源43は、レーザ光Lを出射するタイミングが制御部8によって制御されている。再生素子22は、ディスクDの垂直記録層d2から漏れ出ている磁界の大きさに応じて電気抵抗が変換する磁気抵抗効果膜であり、第2絶縁層36の側面X方向側面に形成された第3絶縁層37の側面X方向側面に形成されている。この再生素子22には、図示しないリード膜などを介して制御部8からバイアス電流が供給されている。これにより制御部8は、ディスクDから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することでき、この電圧の変化から信号の再生を行うことができるようになっている。そして、再生素子22および第3絶縁層37を覆うように保護層38が形成されている。なお、本実施形態のディスクDは、図2に示すように、ディスク面D1に垂直な方向に磁化容易軸を有する垂直記録層d2と、高透磁率材料からなる軟磁性層d3との少なくとも2層で構成される垂直2層膜ディスクDを使用する。このようなディスクDとしては、例えば、基板d1上に、軟磁性層d3と、中間層d4と、垂直記録層d2と、保護層d5と、潤滑層d6とを順に成膜したものを使用する。基板d1としては、例えば、アルミ基板やガラス基板などが用いられる。軟磁性層d3は、高透磁率層である。中間層d4は、垂直記録層d2の結晶制御層である。垂直記録層d2は、垂直異方性磁性層となっており、例えばCoCrPt系合金が使用される。保護層d5は、垂直記録層d2を保護するためのもので、例えばDLCダイヤモンドライクカーボン膜が使用される。潤滑層d6は、例えば、フッ素系の液体潤滑材が使用される。近接場光ヘッドの製造方法次に、上述のように構成された近接場光ヘッド2の製造方法について説明する。なお、以降の近接場光ヘッド2の製造過程を示す図においては、各図の左側に図3のD-D線に沿う断面図を示し、右側に図3のE-E線に沿う断面図を示す。第1の製造方法図6に示すように、まずスライダ20となる基板例えば、AlTiCアルチックなど上に、磁性材料の補助磁極31とともに、磁気回路32の下部ヨーク32aをパターニングする。なお、補助磁極31と下部ヨーク32aとの間は磁性材料にて連結されている。続いて、光導波路部25のクラッド24の役割とともに、各磁極とコイル34との間の絶縁の役割をする第1絶縁層35を成膜する。続いて、図7に示すように、第1絶縁層35上にレジスト材47を塗布する。続いて、光導波路部25のコア23およびコイル34のパターニング用の凹型レジストパターン48を形成する。レジストパターニングには、例えば、図7に示す型49で押し付けるナノインプリントのような方法を用いれば、効率良く、低コストで加工ができる。続いて、図8に示すように、ドライエッチング法で、上述したレジストパターン48が第1絶縁層35上に転写され、光導波路部25のコア23形成用の溝50とコイル34形成用の溝51が加工されるまで、レジスト材47と第1絶縁層35をエッチングする。そうすることで、光導波路部25のコア23、近接場光発生素子26、およびコイル34を形成する場所となる溝50,51を第1絶縁層35上に加工することができる。なお、溝50,51の加工には、レジストをコートパターニングせずに、第1絶縁層35を型で直接押し付けるプレス法を用いてもよい。続いて、コア23用の溝50に光導波路部材52を形成する。形成方法としては、光導波路部材52として構成される所定量の樹脂などを溝50に直接注入する方法がある。また、コイル34用の溝51を保護材53で保護した上で、光導波路部材52を、スピンコート法を用いて溝50内に形成する方法でもよい。そうすることで、コア23を形成することができる。続いて、図9に示すように、近接場光発生素子26およびコイル34の材料例えば、Auなど54を所定膜厚となるように成膜する。続いて、近接場光発生素子26およびコイル34が形成される部分以外の膜をフォトリソとエッチング法で除去する。続いて、研磨などの手段で、溝50における近接場光発生素子26が配される箇所および溝51の中にある前記膜以外の膜を除去する。そうすることで、近接場光発生素子26とコイル34を同一平面上に同時に形成することができる。続いて、図10に示すように、第1絶縁層35、近接場光発生素子26、コイル34、およびコア23を覆うように、光導波路部25のクラッド24の役割とともに、各磁極とコイル34との間の絶縁の役割をする第2絶縁層36を成膜する。続いて、磁気回路32を形成するために、補助磁極31と主磁極33とを繋ぐための貫通孔55を形成する。具体的には、貫通孔55は、コイル34の中心部に相当する位置を通過させて、第1絶縁層35および第2絶縁層36を貫通し、下部ヨーク32aが露出するように形成する。続いて、図11に示すように、第2絶縁層36上に磁性材料からなる主磁極33および磁気回路32の上部ヨーク32bを形成するとともに、貫通ヨーク32cを形成貫通孔55を磁性材料で埋めるする。なお、主磁極33と上部ヨーク32bとの間は磁性材料にて連結されている。また、主磁極33と補助磁極31との位置を入れ替えて形成してもよい。このように構成することで、貫通ヨーク32cを介して上部ヨーク32bと下部ヨーク32aとの間が磁性材料にて連結され、補助磁極31と主磁極33との間が磁性材料にて連結されることとなる。これにより、磁気回路32が形成され、この磁気回路32およびコイル34により記録磁界発生部21が形成される。さらに、主磁極33および第2絶縁層36を覆うように第3絶縁層37を成膜し、この第3絶縁層37上に再生素子22を形成する。なお、再生素子22は、補助磁極31および主磁極33に対向する位置に形成する。また、再生素子22はその位置が比較的自由に設定され、例えば、補助磁極31を形成する前の基板上に配置されてもよい。続いて、再生素子22および第3絶縁層37を覆うように保護層38を形成する。このようにすることで、近接場光ヘッド2を製造することができる。第2の製造方法次に、上述のように構成された近接場光ヘッド2の上述とは別の製造方法について説明する。まず、上述の図6と同様に、まずスライダ20となる基板例えば、AlTiCアルチックなど上に、磁性材料の補助磁極31とともに、磁気回路32の下部ヨーク32aをパターニングする。なお、補助磁極31と下部ヨーク32aとの間は磁性材料にて連結されている。続いて、光導波路部25のクラッド24の役割とともに、各磁極とコイル34との間の絶縁の役割をする第1絶縁層35を成膜する。続いて、上述の図7と同様に、第1絶縁層35上にレジスト材47を塗布する。続いて、光導波路部25のコア23およびコイル34のパターニング用の凹型レジストパターン48を形成する。レジストパターニングには、例えば、図7に示す型49で押し付けるナノインプリントのような方法を用いれば、効率良く、低コストで加工ができる。続いて、ドライエッチング法で、上述したレジストパターン48が第1絶縁層35上に転写され、光導波路部25のコア23形成用の溝50とコイル34形成用の溝51が加工されるまで、レジスト材47と第1絶縁層35をエッチングする。そうすることで、光導波路部25のコア23、近接場光発生素子26、およびコイル34を形成する場所となる溝50,51を第1絶縁層35上に加工することができる。なお、溝50,51の加工には、レジストをコートパターニングせずに、第1絶縁層35を型で直接押し付けるプレス法を用いてもよい。続いて、図12に示すように、第1絶縁層35を覆うように、光導波路部材52を成膜する。続いて、図13に示すように、光導波路部材52に対して研磨などの手段を用い、各溝50,51の光導波路部材52が削れ無くなった時点で研磨を終了する。そうすることで、コア23を形成することができる。なお、この時点でコイル34が形成される溝51にも光導波路部材52が若干浸入している。続いて、図14に示すように、近接場光発生素子26とコイル34の材料54例えば、Auなどを所定膜厚となるように成膜する。続いて、近接場光発生素子26およびコイル34が形成される部分以外の膜をフォトリソとエッチング法で除去する。続いて、研磨などの手段で、溝50における近接場光発生素子26が配される箇所および溝51の中にある前記膜以外の膜を除去する。そうすることで、近接場光発生素子26およびコイル34を同一平面で同時に形成することができる。続いて、図15に示すように、第1絶縁層35、近接場光発生素子26、コイル34、およびコア23を覆うように、光導波路部25のクラッド24の役割とともに、各磁極とコイル34との間の絶縁の役割をする第2絶縁層36を成膜する。続いて、磁気回路32を形成するために、補助磁極31と主磁極33とを繋ぐための貫通孔55を形成する。具体的には、貫通孔55は、コイル34の中心部に相当する位置を通過させて、第1絶縁層35および第2絶縁層36を貫通し、下部ヨーク32aが露出するように形成する。続いて、図16に示すように、第2絶縁層36上に磁性材料からなる主磁極33および磁気回路32の上部ヨーク32bを形成するとともに、貫通ヨーク32cを形成貫通孔55を磁性材料で埋めるする。なお、主磁極33と上部ヨーク32bとの間は磁性材料にて連結されている。また、主磁極33と補助磁極31との位置を入れ替えて形成してもよい。このように構成することで、貫通ヨーク32cを介して上部ヨーク32bと下部ヨーク32aとの間が磁性材料にて連結され、補助磁極31と主磁極33との間が磁性材料にて連結されることとなる。これにより、磁気回路32が形成され、この磁気回路32およびコイル34により記録磁界発生部21が形成される。さらに、主磁極33および第2絶縁層36を覆うように第3絶縁層37を成膜し、この第3絶縁層37上に再生素子22を形成する。なお、再生素子22は、補助磁極31および主磁極33に対向する位置に形成する。また、再生素子22はその位置が比較的自由に設定され、例えば、補助磁極31を形成する前の基板上に配置されてもよい。続いて、再生素子22および第3絶縁層37を覆うように保護層38を形成する。このようにすることで、近接場光ヘッド2を製造することができる。なお、上述した近接場光ヘッド2の別の構造として、図17、図18のように構成してもよい。図17、図18においても、上述した近接場光ヘッド2の製造過程を示す図と同様に、各図の左側に図3のD-D線に相当する位置の断面図を示し、右側に図3のE-E線に相当する位置の断面図を示す。図17の近接場光ヘッドは、近接場光発生素子26、主磁極33およびコイル34が同一平面上に形成されている。このように構成することで、上述した近接場光ヘッド2よりも積層段数が少なくなるため、よりコンパクトな近接場光ヘッドを提供することが可能となる。図17のような近接場光ヘッドを製造するには、上述の図7において、主磁極33を形成するためのパターンを押し付け型に描きこむことで、コア23およびコイル34用の溝50,51とともに、主磁極33用の溝57を同時に形成することができる。また、溝57に主磁極33を形成する方法に関しては、例えば、図9において、主磁極33用の溝57以外の溝50,51は保護した上で、磁性材料を成膜した後、研磨などで主磁極33用の溝57以外の磁性材料を除去することで形成することができる。また、図10において貫通孔55を開ける時に、貫通孔58を同時に開けておくことで、図11で下部ヨーク32aと上部ヨーク32bとを繋ぐ工程と同時に、図17のように上部ヨーク32bと主磁極33とを繋ぐことができる。このようにして、図17の近接場光ヘッドを製造することができる。図18は、近接場光発生素子26、補助磁極31、主磁極33、およびコイル34が同一平面上に形成されている。このように構成することで、上述した近接場光ヘッド2よりも積層段数が更に少なくなるため、さらにコンパクトな近接場光ヘッドを提供することが可能となる。図18のような近接場光ヘッドを製造するには、上述の図6において、補助磁極31ではなく、下部ヨーク59を形成しておく。また、図7において、主磁極33および補助磁極31形成のためのパターンを押し付け型に描きこむことで、コア23およびコイル34用の溝50,51とともに、主磁極33および補助磁極31用の溝60,61を同時に形成することができる。また、溝60,61に主磁極33および補助磁極31を形成する方法に関しては、例えば、図9において、主磁極33および補助磁極31用の溝60,61以外の溝部は保護した上で、磁性材料を成膜した後、研磨などで主磁極33および補助磁極31用の溝60,61以外の磁性材料を除去することでできる。また、図10において貫通孔55を開ける時に、貫通孔62を開けておくことで、図11で下部ヨーク32aと上部ヨーク32bとを繋ぐ工程と同時に、図18のように上部ヨーク32bと主磁極33とを繋ぐことができる。このようにして、図18の近接場光ヘッドを製造することができる。なお、図17、図18の近接場光ヘッドにおいて、主磁極33と補助磁極31との位置が変わってもよいし、近接場光発生素子26の左側に主磁極33および補助磁極31が配置されてもよい。本実施形態によれば、近接場光ヘッド2を製造する際に、記録磁界発生部21のコイル34と近接場光発生素子26とを同時に形成することができる。したがって、製造プロセスの簡略化を図ることができ、生産効率を向上することができる。また、記録磁界発生部21のコイル34と近接場光発生素子26とを同時に形成することにより、近接場光ヘッド2の積層方向の厚さを薄くすることができ、近接場光ヘッド2を小型化することができる。結果として、近接場光ヘッド2を備えたスライダ20の位置制御を安定化させることができ、大量かつ高密度情報の記録再生を行うことができる。さらに、同一平面上に形成される記録磁界発生部21のコイル34と近接場光発生素子26との位置決めが容易になるため、高精度で、かつ、歩留まりが向上した近接場光ヘッド2を提供することができる。また、情報記録再生装置1は上述の近接場光ヘッド2を備えているため、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化に対応することができる高品質な情報記録再生装置1を提供することができる。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、本実施形態の情報記録再生装置は、第1実施形態の情報記録再生装置と近接場光ヘッドの構成が異なるのみで、その他の構成は略同一であるため、同一箇所には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、以降の近接場光ヘッド102の製造過程を示す図においては、各図の左側に図3のD-D線に沿う断面図を示し、右側に図3のE-E線に沿う断面図を示す。図19は本実施形態における図3のB-B線に沿う断面図であり、図20は図3のC-C線に沿う断面図である。図19、図20に示すように、近接場光ヘッド102は、補助磁極131と主磁極133とが第1実施形態とは反対の位置、つまり、主磁極133がコア123よりもスライダ20側-X側に配され、補助磁極131がコア123を介してスライダ20の反対側に配されている。また、近接場光発生素子126は、主磁極133に対向する位置に形成されており、コア123の光束集光部123bおよび傾斜面123dが第2絶縁層136に面する側に形成されている。近接場光ヘッドの製造方法次に、上述したように構成された近接場光ヘッド102の製造方法について説明する。図21に示すように、まずスライダ20となる基板例えば、AlTiCアルチック上に、磁性材料の主磁極133とともに、磁気回路132の下部ヨーク132aをパターニングする。なお、主磁極133と下部ヨーク132aとの間は磁性材料にて連結されている。続いて、光導波路部125のクラッド124の役割とともに、各磁極131,133とコイル134との間の絶縁の役割をする第1絶縁層135を成膜する。続いて、近接場光発生素子126およびコイル134の材料154例えば、Auなどを所定膜厚となるように成膜する。続いて、近接場光発生素子126およびコイル134が形成される部分以外の膜を例えばフォトリソとエッチング法で除去する。さらに、第1絶縁層135上に、光導波路部材152を成膜する。続いて、図22に示すように、光導波路部材152上にレジスト材147を塗布し、光導波路部125のコア123およびコイル134のパターニング用の凸型レジストパターン148を形成する。レジストパターニングには、例えば、図22に示す型149で押し付けるナノインプリントのような方法を用いれば、効率良く、低コストで加工ができる。続いて、図23に示すように、ドライエッチング法で、光導波路部材152にレジストパターンが転写され、光導波路部125のコア123およびコイル加工用出っ張り部165が加工され、近接場光発生素子126およびコイル134となる材料膜154が露出されるまで、レジスト材147および光導波路部材152をエッチングする。このようにすることで、光導波路部125のコア123とコイル加工用出っ張り部165を同一平面上に同時に形成することができる。なお、光導波路部125のコア123およびコイル加工用出っ張り部165の加工には、レジストをコートおよびパターニングせずに、光導波路部材152を型で直接押し付けるプレス法も用いることができる。また、光導波路部125のコア123およびコイル134のパターニング用の凸型レジストパターン148をドライエッチングすることでもできる。続いて、図24に示すように、近接場光発生素子126およびコイル134となる材料154を、光導波路部125のコア123およびコイル加工用出っ張り部165が損傷を受けないような方法で、コア123およびコイル加工用出っ張り部165の真下の膜のみが残るようにエッチングする。エッチング手段としては、例えば、ウエットエッチング法がある。そうすることで、近接場光発生素子126とコイル134を同一平面上に同時に形成することができる。続いて、図25に示すように、第1絶縁層135、近接場光発生素子126、コイル134、およびコア123を覆うように、光導波路部125のクラッド124の役割とともに、各磁極131,133とコイル134と間の絶縁の役割をする第2絶縁層136を成膜する。続いて、磁気回路132を形成するために、補助磁極131と主磁極133とを繋ぐための貫通孔155を形成する。具体的には、貫通孔155は、コイル134の中心部に相当する位置を通過させて、第1絶縁層135および第2絶縁層136を貫通し、下部ヨーク132aが露出するように形成する。続いて、第2絶縁層136上に磁性材料からなる補助磁極131および磁気回路132の上部ヨーク132bを形成するとともに、貫通ヨーク132cを形成貫通孔155を磁性材料で埋めるする。なお、補助磁極131と上部ヨーク132bとの間は磁性材料にて連結されている。また、主磁極133と補助磁極131との位置を入れ替えて形成してもよい。このように構成することで、貫通ヨーク132cを介して上部ヨーク132bと下部ヨーク132aとの間が磁性材料にて連結され、補助磁極131と主磁極133との間が磁性材料にて連結されることとなる。これにより、磁気回路132が形成され、この磁気回路132およびコイル134により記録磁界発生部121が形成される。そして、補助磁極131および第2絶縁層136を覆うように第3絶縁層137を成膜し、この第3絶縁層137上に再生素子122を形成する。なお、再生素子122は、補助磁極131および主磁極133に対向する位置に形成する。また、再生素子122はその位置が比較的自由に設定され、例えば、主磁極133を形成する前の基板上に配置されてもよい。続いて、再生素子122および第3絶縁層137を覆うように保護層138を形成する。このようにすることで、近接場光ヘッド102を製造することができる。なお、上述した近接場光ヘッド102の別の構造として、図26、図27のように構成してもよい。図26、図27においても、上述した近接場光ヘッド102の製造過程を示す図と同様に、各図の左側に図3のD-D線に相当する位置の断面図を示し、右側に図3のE-E線に相当する位置の断面図を示す。図26の近接場光ヘッドは、近接場光発生素子126、主磁極133およびコイル134が同一平面上に形成されている。このように構成することで、上述した近接場光ヘッド102よりも積層段数が少なくなるため、よりコンパクトな近接場光ヘッドを提供することが可能となる。図26のような近接場光ヘッドを製造するには、上述の図21において、主磁極133ではなく、下部ヨーク159を形成する。また、近接場光発生素子126およびコイル134の形成に必要な膜以外が除去された第1絶縁層135上の所定の場所近接場光発生素子126の近傍に磁性材料からなる主磁極133を、例えば、リフトオフなどの手段で、パターニングする工程が追加される。このようにすることによって、図26の近接場光ヘッドを製造することができる。図27は、近接場光発生素子126、補助磁極131、主磁極133、およびコイル134が同一平面上に形成されている。このように構成することで、上述した近接場光ヘッド102よりも積層段数が更に少なくなるため、さらにコンパクトな近接場光ヘッドを提供することが可能となる。図27のような近接場光ヘッドを製造するには、上述の図21において、主磁極133ではなく、下部ヨーク159を形成する。また、近接場光発生素子126およびコイル134の形成に必要な膜以外が除去された第1絶縁層135上の所定の場所近接場光発生素子126の近傍に磁性材料からなる主磁極133および補助磁極131を、例えば、リフトオフなどの手段で、パターニングする工程が追加される。また、図25において貫通孔155を開ける時に、貫通孔162を開けておくことで、その後、下部ヨーク132aと上部ヨーク132bとを繋ぐ工程と同時に、図27のように上部ヨーク132bと補助磁極131とを繋ぐことができる。このようにすることによって、図27の近接場光ヘッドを製造することができる。本実施形態においても、第1実施形態と略同一の作用効果を得ることができる。情報記録再生方法次に、このように構成された情報記録再生装置1により、ディスクDに各種の情報を記録再生する場合について以下に説明する。まず、図1に示すように、スピンドルモータ6を駆動させてディスクDを一定方向に回転させる。次いで、アクチュエータ5を作動させて、キャリッジ11を介してビーム3をXY方向にスキャンさせる。これにより、ディスクD上の所望する位置に近接場光ヘッド2を位置させることができる。この際、近接場光ヘッド2は、スライダ20の対向面20aに形成された2つの凸条部20bによって浮上する力を受けるとともに、ビーム3などによってディスクD側に所定の力で押さえ付けられる。近接場光ヘッド2は、この両者の力のバランスによって、図2に示すようにディスクD上から所定距離H離間した位置に浮上する。また、近接場光ヘッド2は、ディスクDのうねりに起因して発生する風圧を受けたとしても、ビーム3によってZ方向の変位が吸収されるとともに、ジンバル部30によってXY軸回りに変位することができるようになっているので、うねりに起因する風圧を吸収することができる。そのため、近接場光ヘッド2を安定した状態で浮上させることができる。ここで、本実施形態の近接場光ヘッド2は、小型化を図ることができるため、より安定した状態で浮上させることができる。ディスクDに情報を記録する場合、制御部8はレーザ光源43を作動させて直線偏光のレーザ光Lを出射させるとともに、情報に応じて変調した電流をコイル34に供給して記録磁界発生部21を作動させる。まず、レーザ光源43からレーザ光Lを光導波路42に入射させて、レーザ光Lをスライダ20側に導く。レーザ光源43から出射されたレーザ光Lは、光導波路42のコア42a内を先端流出端側に向かって進み、光導波路部25のコア23内に伝播する。コア23内に伝播したレーザ光Lは、光束集光部23b内を伝播する。光束集光部23bを伝播するレーザ光Lは、ディスクD側に位置する出射側-Z方向に向かってコア23とクラッド24との間で全反射を繰り返しながら伝播する。特に、コア23の側面にはクラッド24が密着しているので、コア23の外部に光が漏れることはない。よって、導入されたレーザ光Lを無駄にすることなく絞りながら出射側に伝播させて、近接場光発生素子26に入射させることができる。この際、コア23は、入射側から出射側に向かう長手方向Z方向に直交する断面積が漸次減少するように絞り成形されている。そのため、レーザ光Lは光束集光部23b内を伝播するにしたがって徐々に絞り込まれてスポットサイズが小さくなる。スポットサイズが小さくなったレーザ光Lは、続いて、近接場光生成部23cに入射する。すると、レーザ光Lは、近接場光発生素子26に入射する。これにより、近接場光発生素子26には表面プラズモンが励起される。励起された表面プラズモンは、共鳴効果によって増強されながら近接場光発生素子26とコア23近接場光生成部23cとの界面からコア23の出射側に向かって伝播する。そして、出射側に達した時点で、光強度の強い近接場光となって外部に漏れ出す。つまり、コア23の端面23eとディスクDとの間に近接場光を局在化させることができる。するとディスクDは、この近接場光によって局所的に加熱されて一時的に保磁力が低下する。一方、制御部8によってコイル34に電流が供給されると、電磁石の原理により電流磁界が磁気回路32内に磁界を発生させるので、主磁極33と補助磁極31との間にディスクDに対して垂直方向の記録磁界を発生させることができる。すると、主磁極33側から発生した磁束が、ディスクDの垂直記録層d2を真直ぐ通り抜けて軟磁性層d3に達する。これによって、垂直記録層d2の磁化をディスク面D1に対して垂直に向けた状態で記録を行うことができる。また、軟磁性層d3に達した磁束は、軟磁性層d3を経由して補助磁極31に戻る。この際、補助磁極31に戻るときには磁化の方向に影響を与えることはない。これは、ディスク面D1に対向する補助磁極31の面積が、主磁極33よりも大きいため磁束密度が大きく磁化を反転させるほどの力が生じないためである。つまり、主磁極33側でのみ記録を行うことができる。その結果、近接場光と両磁極31、33で発生した記録磁界とを協働させたハイブリッド磁気記録方式により情報の記録を行うことができる。しかも垂直記録方式で記録を行うため、熱揺らぎ現象などの影響を受け難く、安定した記録を行うことができる。よって、書き込みの信頼性を高めることができる。また、ディスクDに記録された情報を再生する場合には、ディスクDの保磁力が一時的に低下している時に、再生素子22がディスクDの垂直記録層d2から漏れ出ている磁界を受けて、その大きさに応じて電気抵抗が変化する。よって、再生素子22の電圧が変化する。これにより制御部8は、ディスクDから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することができる。そして制御部8は、この電圧の変化から信号の再生を行うことで、ディスクDに記録されている情報の再生を行うことができる。なお、記録再生を行わない場合には、レーザ光源43の作動を停止させる。なお、本発明は上記実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態では、近接場光ヘッドを浮上させた空気浮上タイプの情報記録再生装置を例に挙げて説明したが、この場合に限られず、ディスク面に対向配置されていればディスクと記録再生ヘッドとが接触していても構わない。つまり、本発明の近接場光ヘッドは、コンタクトスライダタイプの近接場光ヘッドであっても構わない。この場合であっても、略同一の作用効果を奏することができる。また、上記実施形態では、光導波路部25のコア23が一端側から他端側に向けて漸次絞り成形されている場合を例に挙げたが、この場合に限られず、図28に示すように、ストレートに形成されていても構わない。なお、コア23の形状を上記実施形態と異なる形状にする場合は、上記実施形態で説明したパターニング用の凹型レジストパターンの形状を代えればよい。また、上記実施形態では、本発明の近接場光ヘッド2をディスクDに対して垂直な記録磁界を与える垂直磁気記録方式に採用する場合について説明したが、これに限らず、ディスクDに対して水平な記録磁界を与える面内記録方式に採用しても構わない。また、上記実施形態における近接場光発生素子26126の形状については特に限定していないが、例えば、図29に示すように、円板部26aと棒状部26bとで構成される近接場光発生素子26Aであってもよい。この近接場光発生素子26Aは、円板部26aにレーザ光光束Lが照射されるとプラズモンが発生し、棒状部26bにおいてプラズモンから近接場光が発生するように構成されている。このように構成することで、高いエネルギー効率で近接場光を発生させることができる。なお、図29は図3のX方向から見た正面図である。また、図30に示すように、円板部26aの厚さを棒状部26bよりも厚くしてもよい。また、図31に示すように、円板部26aを矩形状の角板部26cで構成してもよい。また、上記実施形態では近接場光発生素子26126をコア23の平坦面23f側に形成したが、図32に示すように、コア23の端面23eに当接するように近接場光発生素子26Bを形成してもよい。このとき、近接場光発生素子26BはZ方向から見ると三角形状となっているが、三角形の-X側に位置する頂点が光のスポット中央部に相当する位置に配されていることが好ましい。さらに、図33に示すように、近接場光発生素子26Cをコア23の傾斜面23dに形成してもよい。また、図34は図33のコア23の形状が変形されたものであるが、傾斜面23dおよび先端部26gに近接場光発生素子26Cを形成するように構成してもよい。なお、図32、図33はY方向から見た図であり、図34はX方向から見た図である。また、図29~図34に示した近接場光発生素子26A~26Cは、いずれも上記実施形態で説明したフォトリソなどの方法を用いて形成することができる。"