"反射電極と透光性を有する電極を含む第1の発光素子と、誘電体ミラーと、1対の透光性を有する電極を含む第2の発光素子とを有し、前記第1の発光素子は、前記反射電極を上側にして配置され、前記第1の発光素子の下に、前記誘電体ミラーが配置され、前記誘電体ミラーの下に、前記第2の発光素子が配置され、前記誘電体ミラーは前記第1の発光素子の発する光を透過し、前記第2の発光素子の発する光を反射することを特徴とする発光装置。請求項1において、前記第1の発光素子または前記第2の発光素子は、有機EL素子であることを特徴とする発光装置。請求項1または請求項2において、前記第1の発光素子の発する光は、前記第2の発光素子の発する光よりも長波長であることを特徴とする発光装置。ミラーと、1対の透光性を有する電極を含む第1の発光素子と、誘電体ミラーと、1対の透光性を有する電極を含む第2の発光素子とを有し、前記ミラーの下に、前記第1の発光素子が配置され、前記第1の発光素子の下に、前記誘電体ミラーが配置され、前記誘電体ミラーの下に、前記第2の発光素子が配置され、前記誘電体ミラーは前記第1の発光素子の発する光を透過し、前記第2の発光素子の発する光を反射することを特徴とする発光装置。請求項4において、前記第1の発光素子または前記第2の発光素子は、有機EL素子であることを特徴とする発光装置。請求項4または請求項5において、前記第1の発光素子の発する光は、前記第2の発光素子の発する光よりも長波長であることを特徴とする発光装置。発光ダイオードと、誘電体ミラーと、1対の透光性を有する電極を含む有機EL素子とを有し、前記発光ダイオードの下に、前記誘電体ミラーが配置され、前記誘電体ミラーの下に、前記有機EL素子が配置され、前記誘電体ミラーは前記発光ダイオードの発する光を透過し、前記有機EL素子の発する光を反射することを特徴とする発光装置。有機EL素子に用いられる透光性を有する電極は、可視光線に対する透過率が低いという欠点を有している。この欠点は特に短波長、この場合、青色から紫色にかけて顕著になる傾向がある。上記先行技術文献によれば、2色の混色のものは、3つの透光性を有する電極と1つの反射電極を有している。従って、反射電極で反射した光は、透光性を有する電極を最大で5回も透過し、外部に取り出される。これによる光量の減衰は、特にもともと発光特性の低い短波長の光には非常に顕著に現れる。有機EL素子の短波長の光である青色のものは、緑色や赤色のものと比較し、短命で輝度特性が低い。しかしながら、青色のものを利用しないと発光色に高演色性が得られないため、いかに青色の光を減衰させず発光装置を作製するかが大きな課題となっていた。本発明は、上記問題を鑑み、有機EL素子を用いた高効率で発光色の変調可能な発光装置を提供することを課題の一とする。本発明の一形態に係る発光装置は、反射電極と透光性を有する電極を含む第1の発光素子と、誘電体ミラーと、1対の透光性を有する電極を含む第2の発光素子と、を有し、第1の発光素子は、反射電極を上側にして配置され、第1の発光素子の下に、誘電体ミラーが配置され、誘電体ミラーの下に、第2の発光素子が配置され、誘電体ミラーは第1の発光素子の発する光を透過し、第2の発光素子の発する光を反射することを特徴とする。第1の発光素子の発する光は、第2の発光素子の発する光よりも長波長であると、より光の減衰が抑えられるため好ましい。当該発光素子には有機EL素子などを適用できる。また、無機EL素子は、有機EL素子と同様の積層構造を有するため、本発明の一形態に適用できる。本発明の一形態に係る他の発光装置は、ミラーと、1対の透光性を有する電極を含む第1の発光素子と、誘電体ミラーと、1対の透光性を有する電極を含む第2の発光素子と、を有し、ミラーと第1の発光素子と誘電体ミラーと第2の発光素子とはこの順に配置され、誘電体ミラーは第1の発光素子の発する光を透過し、第2の発光素子の発する光を反射することを特徴とする。本発明の一形態に係る他の発光装置は、発光ダイオードと、誘電体ミラーと、1対の透光性を有する電極を含む有機EL素子と、を有し、発光ダイオードと誘電体ミラーと有機EL素子とはこの順に配置され、誘電体ミラーは発光ダイオードの発する光を透過し、有機EL素子の発する光を反射することを特徴とする。発光ダイオードの発する光は、有機EL素子の発する光よりも長波長であると、より光の減衰が抑えられるため好ましい。なお、上述の発明において2つの発光素子の組み合わせによる発光装置を示したが、本発明はこれに限らず、3つ以上の発光素子を組み合わせた発光装置も包含する。また、反射電極の代わりに透光性を有する電極を用い、当該電極に隣接させて反射ミラーを配置してもよい。なお、本発明の一形態において、発光ダイオードは、無機ELに分類され、発光素子の1つであるものとする。また、透光性を有する、または反射とは、発光装置を構成する発光素子の発する光に対するものであるとする。発光素子の発する光を可視光線とすることにより、本発明の一形態に係る発光装置を照明装置や画像デバイスに適用できる。本発明の一形態に係る有機EL素子を含む発光装置は、発光色の変調を可能にするものであるにもかかわらず、非常に高効率のものである。とくに本発明は、青色の光を発する有機EL素子を含む発光装置において有効である。上述のとおり、短波長の光を発する有機EL素子は短命でかつ発光特性が低いため、複数の波長の光を発する発光装置において青色の光の減衰を抑えることのできる本発明の一形態により、高輝度で長寿命な、発光色の変調を可能にする発光装置を提供できる。また、当該発光装置は、各有機EL素子にかかる電圧を独立に制御することで、色調の変化を抑える機能を有している。この特徴は特に色再現性を重視する液晶パネルのバックライトや家庭用照明などに有効である。また、本発明の一形態は、透光性を有する自発光の発光素子を用いるため、3板式のフルカラー液晶プロジェクターに用いられるダイクロイックミラーのように立体的なモジュールを形成する必要がなく、板状の構成にて同様の混色を可能にする。この効果は、省資源化や発光装置の軽量化、省スペース化などである。本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の主旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更しうることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。なお、本明細書中において序数は順番を示すものではない。実施の形態1本発明の一実施形態に係る発光装置を、主に図1を用いて説明する。図1は、発光装置の基本的な構成を示す断面図である。図2には、当該発光装置の一部の構成を変更した例を示す。なお、本明細書中においては、1対の電極の間に発光領域となる有機EL層を有し、両電極間に電圧を印加することで発光を生じるものを有機EL素子といい、該有機EL素子を少なくとも1つ以上用いて混色の光を発するものを発光装置と称す。図1において、第1の有機EL素子101は、反射電極111と可視光線に対して透光性を有する電極113が用いられ、その間には、有機EL層112がある。また、第2の有機EL素子102は、1対の可視光線に対して透光性を有する電極131、133が用いられ、その間には、有機EL層132がある。2つの有機EL素子101、102は、有機EL素子101の反射電極111を上にして、その下に有機EL素子102が配置され、有機EL素子101、102の間には、誘電体ミラー121が配置される。なお、誘電体ミラー121は、第1の有機EL素子101の発する光を透過し、第2の有機EL素子102の発する光を反射する。第1の有機EL素子101、第2の有機EL素子102の土台となる基板114、134は、必要に応じて当該発光装置に用いる。これらの基板は有機EL素子の有する電極のどちらの側に位置していてもよい。また、光の視認側に位置する有機EL素子の基板には透光性を付与する必要がある。他方、光の視認側とは反対の、最後部に位置する有機EL素子の基板はその限りではなく、例えば反射電極111に隣接して基板を設ける場合は、可視光線に対し不透明な基板を用いることができる。そのような基板の材料の例として、セラミックス、プラスチック、ステンレスに代表される金属などがある。次に誘電体ミラー121について説明する。一般に波長選択性のあるミラーは、誘電体多層膜を形成することにより得られる。誘電体多層膜は透光性を有する基板上に設けてもよいし、有機EL素子の裏面または表面もしくは両面に直接形成してもよい。設計自由度が非常に高く、色々な光の波長を選択可能であり、例えば、1つ以上の波長域に対して透光性を持たせ、他の1つ以上の波長域に対しては、反射特性を持たせることもできる。誘電体ミラーは、このような高い設計自由度を有するため、本発明の一実施形態に係る発光装置は、3つ以上の有機EL素子を重ねて配置し、2つ以上の誘電体ミラーをそれらの間に挿入するものとしてもよい。また、波長選択性のあるミラーは、誘電体ミラーに限らず、同様の特性を有するものであれば、本発明の一実施形態に適用できる。そのようなものの1例として、フォトニック結晶などが挙げられる。次に、反射電極111について説明する。反射電極111は、複数の有機EL素子の発光波長に対し、反射率の高い材料から形成すると好ましい。具体的には、アルミニウムAl、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、若しくはパラジウムPd等の金属材料を用いることができる。また、これらの金属材料と合わせて、透光性材料であるインジウム錫酸化物ITO、IndiumTinOxide、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、2以上20以下の酸化亜鉛を含む酸化インジウムを積層した構造を用いてもよい。なお、反射電極111の材料は、これらに限定されない。これらの膜は、材料に応じ蒸着法やスパッタリング法などの方法で形成する。なお、図2に示すように、本発明の係る発光装置は、反射電極111の代わりに透光性を有する電極211を設け、その上に反射ミラー241を配置するものとしてもよい。当該反射ミラー241は、誘電体多層膜や金属やフォトニック結晶などを利用したものとする。次に、透光性を有する電極113、131、133について説明する。そのような電極材料の例として、インジウム錫酸化物ITO、IndiumTinOxide、アルミニウムドープ酸化亜鉛AZOなどがある。本明細書中において、ITOとはインジウム錫酸化物を指すものとする。これらの電極はスパッタリング法やスピンコート法などにより形成できる。なお、これらの材料は、特に短波長の光に対して、低い透光性を示すため、青や紫色を発する有機EL素子は、本発明の一実施形態に係る発光装置の光の出る側に配置する必要がある。これにより、青や紫色の光が透光性を有する電極を透過する回数が少なくなるため、光の減衰の非常に少ない発光装置を得ることが出来る。もちろん、透光性を有する電極の特性が改善され、短波長の光に対して高い透過特性を獲得しても、本発明の発光装置で、発光色の変調が可能であるという特徴は、既存の技術に比較して大変有用なものである。次に、基板114、134について説明する。基板134は、可視光線に対して透光性を有する必要がある。そのような基板の例として、石英基板、ガラス基板、プラスチック基板などがある。一般に、プラスチック基板は水分や空気を通しやすいといわれているが、特に有機EL素子においては劣化の原因となる外気の遮断が重要となるため、プラスチック基板に代表される樹脂系の基板には、高い遮断機能を有する層を基板上に形成するとよい。そのようなものの例として、厚さ100μm以下の極薄ガラス基板や、酸化アルミ膜や窒化珪素膜に代表される、金属窒化膜や金属酸化膜などが挙げられる。これらのものを積層させ、より高い遮断機能を持たせると好ましい。他方、反射電極111の上に基板114を設ける場合、基板114に透光性を付与する必要はないため、その材料の自由度は飛躍的にあがる。しかしながら、どのようなものであってもよいわけではなく、好ましくは、液晶パネルの基板に採用されているガラスのものに近い、熱膨張係数の低いものを採用するとよい。そのようなものの一例にポリエチレンナフタレートがある。なぜならば、熱膨張により有機EL素子を構成する発光層またはその周囲に亀裂の入る恐れがあるからである。なお、これまでは有機EL素子の片側の面のみに基板を配置した例を示したが、これに限らず、それの両側に基板を配置するものとしてもよい。また、有機EL素子の他の片側の面のみに基板を配置してもよい。本発明の一実施形態に係る発光装置に含まれる有機EL素子は、有機EL層にて発せられた光を効率よく外部に取り出す構造を有することが好ましい。積層構造を有する有機EL素子は、屈折率の互いに異なる層を有しており、これによる光の全反射の発生が光の取り出し効率を大きく下げる原因となっている。光の取り出し効率を上げる例として、基板に光学特性を付与するものがある。例えば、表面に凹凸構造を与える、屈折率分布を持たせる、あるいは、それに類似する機能を有するフィルムや膜を基板上に形成するなどすればよい。凹凸構造の大きさや屈折率分布の周期は、目的により実施者が適宜選択する。例えば、可視光線程度の波長に相当する長さ、具体的には0.5μm程度以上の周期を持たせると、光の全反射をよく抑制するため、有機EL素子を成す面に対し全反射角以上の入射角で入射する光を取り出すには有効である。他方、0.5μm程度以下の周期を持たせると、垂直入射に近い光に対して高い反射防止特性を持つため、このような光の取り出しには有効である。従って、さまざまな角度で発せられる光を取り出すには、両方の周期を併せ持つ凹凸構造や屈折率分布を基板に設けるとよい。このような構造は基板に限らず、有機EL素子を構成するあらゆる層に適用できる。また、これらの層は必ずしも一様なものでなくてよく、例えば溝や開口部を有するものであってもよい。これらの層の中で特に高い屈折率を有する透光性を有する電極は、全反射を発生させる大きな要因となっているため、この透光性を有する電極に溝や開口部を設けることにより光の取り出し効率を大きく上げることができる。また、溝や開口部などを使って回折格子構造としてもよい。ついで、有機EL層112、132について説明する。図1に示す構造の発光装置のように2色の混色を行う場合、例えば、有機EL層112に黄の発光色を持たせ、有機EL層132に青の発光色を持たせると、補色の関係から白色の光を得ることが出来る。このとき、誘電体ミラー121には、黄色の光を透過し、青色の光を反射する特性を与える。有機EL素子の発光色はさまざまなものとすることができる。補色の関係にある2色を混色する場合は、白色の発光装置を得ることが出来る。このとき、より短波長の光を発する有機EL素子を光の視認側に配置する。これは3色以上の色を混色する場合にも適用する。このとき、誘電体ミラーは、自身よりも光の視認側に配置される有機EL素子の発する光を反射し、その他の有機EL素子の発する光を透過するものとする。なお、有機EL層を構成する材料は非常に多岐にわたる。本実施の形態ではそれについては述べず、後述の実施の形態にていくつか例を示す。本発明を適用することで、発光色の変調を可能にするものであるにもかかわらず、非常に高効率な発光装置を得ることが出来る。とくに本発明は、青色の光を発する有機EL素子を含む発光装置において有効である。上述のとおり、短波長の光を発する有機EL素子は短命でかつ発光特性が低いため、複数の波長の光を発する発光装置において青色の光の減衰を抑えることのできる本発明の一実施形態により、高輝度で長寿命な、発光色の変調を可能にする発光装置を提供できる。また、発光装置を構成する複数の有機EL素子の分離が容易なため、寿命を迎えた有機EL素子のみ交換することで、より長期に渡り使用可能な発光装置とすることが出来る。また、本発明は、透光性を有する自発光の発光素子を用いるため、3板式のフルカラー液晶プロジェクターに用いられるダイクロイックミラーのように立体的なモジュールを形成する必要がなく、板状の構成にて同様の混色を可能にする。この効果は、省資源化や発光装置の軽量化、省スペース化などであり、具体的には、公共施設の照明などの交換頻度を大幅に抑えることによる、人件費や材料費の節約などである。もちろん個人用の各種発光装置にも同様のことが当てはまる。なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態2本発明の一実施形態に係る発光装置を、図3を用いて説明する。図3は、発光ダイオードと有機EL素子を含む当該発光装置の基本的な構成を示す断面図である。図3に示す発光装置は、図1に示した第1の有機EL素子101を発光ダイオード301に置き換えたものである。発光ダイオードには10万時間を越える長寿命のものがあるため、有機EL素子と組み合わせて用いることで、より長寿命の発光装置を得ることが出来る。発光ダイオードは有機EL素子とは異なり、点光源に近いものであるため、マトリクス状に配列することで、より高輝度の光を得ることが出来る。マトリクス状に配列された発光ダイオードは、単色に限らず、さまざまな発光色のものを用いることが出来る。発光ダイオードの発する光の波長は、有機EL素子が発する光の波長より短波長であってもよいし、長波長であってもよい。このとき発光ダイオード301の発する光に対して、誘電体ミラー121には透光性を持たせる。また、有機EL素子102に発する光に対して、誘電体ミラー121には反射特性を持たせる。なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態3本実施の形態では、本発明の一実施形態に利用できる有機EL素子を作製する方法について説明する。例えば、図4A、Bに示す有機EL素子を作製することができる。図4Aに示す有機EL素子は、基板300上に第1の電極層302、発光層304として機能するEL層308、第2の電極層306が順に積層して設けられている。第1の電極層302及び第2の電極層306のいずれか一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子が発光層304で再結合して、発光を得ることができる。本実施の形態において、第1の電極層302は陽極として機能する電極であり、第2の電極層306は陰極として機能する電極であるとする。また、図4Bに示す有機EL素子は、上述の図4Aに示す構成に加えて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層が設けられている。正孔輸送層は、陽極と発光層の間に設けられる。また、正孔注入層は陽極と発光層との間、或いは陽極と正孔輸送層との間に設けられる。一方、電子輸送層は、陰極と発光層との間に設けられ、電子注入層は陰極と発光層との間、或いは陰極と電子輸送層との間に設けられる。なお、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層の全てを設ける必要はなく、適宜求める機能等に応じて選択して設ければよい。図4Bでは、基板300上に、陽極として機能する第1の電極層302、正孔注入層322、正孔輸送層324、発光層304、電子輸送層326、電子注入層328、及び陰極として機能する第2の電極層306が順に積層して設けられているものとする。基板300は、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。第1の電極層302又は第2の電極層306は、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、インジウム錫酸化物ITO:IndiumTinOxide、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IZO:IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛IZOの膜は、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZOの膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、または金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。また、アルミニウムAl、銀Ag、アルミニウムを含む合金例えばAlSi等を用いることができる。また、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金例えばアルミニウム、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムの合金、ユーロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第1の電極層302および第2の電極層306は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。なお、発光層304で発光する光を外部に取り出すため、第1の電極層302又は第2の電極層306のいずれか一方或いは両方を、発光層における発光を通過させるように形成する。例えば、インジウム錫酸化物等の透光性を有する導電材料を用いて形成するか、或いは、銀、アルミニウム等を数nm乃至数十nmの厚さとなるように形成する。また、膜厚を薄くした銀、アルミニウムなどの金属薄膜と、ITO膜等の透光性を有する導電材料を用いた薄膜との積層構造とすることもできる。なお、第1の電極層302又は第2の電極層306は、種々の方法を用いて形成すればよい。本実施の形態において、発光層304、正孔注入層322、正孔輸送層324、電子輸送層326又は電子注入層328は、さまざまな方法により形成できる。例えば、乾式法として、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、湿式法として、インクジェット法またはスピンコート法などが挙げられる。発光層304としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。発光層に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIテトラキス1-ピラゾリルボラート略称:FIr6、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:FIrpic、ビス[2-3’,5’-ビストリフルオロメチルフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:IrCF3ppy2pic、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:FIracacなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、ビス1,2-ジフェニル-1H-ベンゾイミダゾラトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpbi2acac、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbzq2acacなどが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irdpo2acac、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irp-PF-ph2acac、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acacなどが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irpq3、ビス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpq2acacなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナートビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリスアセチルアセトナートモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phen、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phen等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光異なる多重度間の電子遷移による発光を生じるため、燐光性化合物として用いることができる。発光層に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPAなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhAなどが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPTなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFDなどが挙げられる。また、発光層304として、発光性の高い物質ドーパント材料を他の物質ホスト材料に分散させた構成を用いることもできる。発光性の高い物質ドーパント材料を他の物質ホスト材料に分散させた構成を用いることにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。発光性の高い物質を分散させる物質としては、発光性の高い物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光性の高い物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差が大きい物質を用いることが好ましい。発光層に用いるホスト材料としては、例えば4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPB、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq3、4,4’-ビス[N-9,9-ジメチルフルオレン-2-イル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DFLDPBi、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlqなどの他、4,4’-ジ9-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、9-[4-9-カルバゾリルフェニル]-10-フェニルアントラセン略称:CzPAなどが挙げられる。また、ドーパント材料としては、上述した燐光性化合物や蛍光性化合物を用いることができる。発光層304として、発光性の高い物質ドーパント材料を他の物質ホスト材料に分散させた構成を用いる場合には、共蒸着法を利用して発光層を形成すればよい。なお、発光層として、2種類以上のホスト材料と1種類以上のドーパント材料を用いてもよいし、2種類以上のドーパント材料と1種類以上のホスト材料を用いてもよい。また、2種類以上のホスト材料及び2種類以上のドーパント材料を用いてもよい。また、図4Bに示す各種機能層が積層した有機EL素子を形成する場合は、被成膜基板上に機能層を形成する手順を繰り返せばよい。ただし、積層膜の一部を塗布法にて形成する場合は、塗布される液体の溶媒が既設の層を溶かす可能性があるため、実施者が適宜、最適な成膜法を選択する必要がある。正孔注入層322、正孔輸送層324、電子輸送層326又は電子注入層328は、種々のEL材料を用いて形成すればよい。各層を形成する材料は1種類としてもよいし、複数種類による複合材料としてもよい。また、正孔注入層322、正孔輸送層324、電子輸送層326又は電子注入層328は、それぞれ単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。例えば、正孔輸送層324を、第1の正孔輸送層及び第2の正孔輸送層からなる積層構造としてもよい。また、電極層については先に示した成膜方法を適用することができる。例えば、正孔注入層322としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン略称:H2Pcや銅フタロシアニン略称:CuPc等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。また、正孔注入層322として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層は、例えば、正孔輸送性の高い物質を含む材料と電子受容性を示す物質を含む材料を共蒸着することにより形成できる。あるいはそれらの材料を積層して形成してもよい。正孔注入層に用いる電子受容性を示す物質としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入層に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。正孔注入層に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBやN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPB等を用いることができる。また、N,N’-ビス4-メチルフェニルp-トリル-N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン略称:DTDPPA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス{4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル}-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B等を挙げることができる。正孔注入層に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等を挙げることができる。また、正孔注入層に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。また、正孔注入層に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]-2-tert-ブチルアントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14~42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。なお、正孔注入層に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等が挙げられる。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層を正孔輸送層として用いてもよい。また、正孔輸送層324は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBまたはα-NPDやN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。電子輸送層326は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンズオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ01バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に1×10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、電子注入層328としては、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばAlq3中にマグネシウムMgを含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第2の電極層306からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。なお、有機EL層308は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質等を含む層と、発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。発光は、第1の電極層302または第2の電極層306のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極層302または第2の電極層306のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。第1の電極層302のみが透光性を有する電極である場合、光は第1の電極層302を通って基板300側から取り出される。また、第2の電極層306のみが透光性を有する電極である場合、光は第2の電極層306を通って基板300と逆側から取り出される。第1の電極層302および第2の電極層306がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第1の電極層302および第2の電極層306を通って、基板300側および基板300側と逆側の両方から取り出される。なお、図4では、陽極として機能する第1の電極層302を基板300側に設けた構成について示したが、図5Aに示すように、基板300上に、陰極として機能する第2の電極層306、有機EL層308、陽極として機能する第1の電極層302とが順に積層された構成としてもよい。また、図5Bに示すように、基板300上に、陰極として機能する第2の電極層306、電子注入層328、電子輸送層326、発光層304、正孔輸送層324、正孔注入層322、陽極として機能する第1の電極層302とが順に積層された構成としても良い。各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。乾式法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、湿式法としては、インクジェット法またはスピンコート法などが挙げられる。また、必要であれば、封止缶や封止のためのガラス基板などの封止材を用いて封止する。ここでは、封止基板としてガラス基板を用い、シール材などの接着材を用いて基板と封止基板とを貼り合わせ、シール材などの接着材で囲まれた空間を密閉なものとしている。密閉された空間には、充填材や、乾燥した不活性ガスを充填する。なお、シール材にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、発光装置の信頼性を向上させるために、基板と封止材との間に乾燥材などを封入してもよい。乾燥材によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。また、乾燥材としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。なお、他の乾燥材として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。ただし、有機EL素子を覆って接する封止材が設けられ、十分に外気と遮断されている場合には、乾燥材は、特に設けなくともよい。以上で、有機EL素子を作製することができる。本実施の形態に係る有機EL素子は、本発明の発光装置に適用できる。なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態4本実施の形態では、図1に示した有機EL素子101、102の作製方法の例について説明する。ここでは、有機EL素子101を黄色発光素子、有機EL素子102を青色発光素子とし、白色の発光装置を作製する例を示す。まず、有機EL素子101の作製方法の例を示す。ここでは、黄色下面発光素子の作製方法について説明を行う。はじめに、陽極として機能する電極113の形成されたガラス基板を用意する。電極113は、厚さ110nmのインジウム錫珪素酸化物ITSOの膜とする。電極113の表面は、2mm角の開口部を有するポリイミド膜で覆う。これにより、電極面積を2mm×2mmとする。その後、ガラス基板を水で洗浄し、200°Cで1時間加熱した後、370秒のUVオゾン処理を行う。その後、10-5Pa程度まで減圧された真空蒸着装置にガラス基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室で、170°C、30分加熱を行う。その後、ガラス基板を30分程度、放冷する。次に、電極113を下にして、ガラス基板を真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、まず電極113上に、4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、電子受容性化合物である酸化モリブデンがBPAFLPに添加された第1の層を厚さ50nmで形成する。蒸着は抵抗加熱を用いる。また、BPAFLPと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で1:0.5=BPAFLP:酸化モリブデンVIとなるように蒸着レートを調節する。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。引き続き、抵抗加熱を用いた蒸着法により、厚さ30nmのBPAFLPからなる第2の層を形成する。次に、2-[4-3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-3-フェニルキノキサリン略称:Cz1PQ-IIIと4-フェニル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBA1BPとアセチルアセトナートビス[5-イソプロピル-2,3-ビス4-フルオロフェニルピラジナト]イリジウムIII略称:IrFdppr-iPr2acacとを共蒸着することにより、Cz1PQ-IIIと、Cz1PQ-IIIよりもホール輸送性が高いPCBA1BPと黄色発光を示す第1の発光物質IrFdppr-iPr2acacとを含む第1の発光層を形成する。第1の発光層の膜厚は30nmとし、Cz1PQ-IIIとPCBA1BPとIrFdppr-iPr2acacの比率は、重量比で1:0.1:0.06=Cz1PQ-III:PCBA1BP:IrFdppr-iPr2acacとなるように蒸着レートを調節する。さらに、抵抗加熱を用いた蒸着法により、厚さ10nmのCz1PQ-IIIからなる第4の層を形成する。その後、厚さ15nmのバソフェナントロリン略称:BPhenにて電子輸送層を形成する。次いで、厚さ1nmのフッ化リチウムにて電子注入層を形成する。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、厚さ200nmのアルミニウムにて陰極である反射電極111を形成し、有機EL素子101を作製する。次いで、有機EL素子102の作製方法の例を示す。ここでは、青色両面発光素子の作製方法についての説明を行う。はじめに、陽極として機能する電極133の形成されたガラス基板を用意する。電極133は、厚さ110nmのインジウム錫珪素酸化物ITSOの膜とする。電極133の表面は、2mm角の開口部を有するポリイミド膜で覆う。これにより、電極面積を2mm×2mmとする。その後、ガラス基板を水で洗浄し、200°Cで1時間加熱した後、370秒のUVオゾン処理を行う。その後、10-5Pa程度まで減圧された真空蒸着装置にガラス基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室で、170°C、30分加熱を行う。その後、ガラス基板を30分程度、放冷する。次に、電極133を下にして、ガラス基板を真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、まず電極133上に、9-フェニル-3-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:PCzPAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、電子受容性化合物である酸化モリブデンがPCzPAに添加された第1の層を厚さ50nmで形成する。蒸着は抵抗加熱を用いる。また、PCzPAと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で1:0.5=PCzPA:酸化モリブデンVIとなるように蒸着レートを調節する。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。引き続き、抵抗加熱を用いた蒸着法により、厚さ30nmのPCzPAからなる第2の層を形成する。次に、PCzPAとN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニルピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnとを共蒸着することにより、PCzPAと、PCzPAに対して正孔トラップ性を示す第1の発光物質1,6FLPAPrnとを含む第1の発光層を厚さ20nmで形成する。PCzPAと1,6FLPAPrnの比率は、重量比で1:0.05=PCzPA:1,6FLPAPrnとなるように蒸着レートを調節する。さらに、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPAと1,6FLPAPrnとを共蒸着することにより、CzPAと、CzPAに対して正孔トラップ性を示す第2の発光物質である1,6FLPAPrnとを含む第2の発光層を厚さ25nmで形成する。CzPAと1,6FLPAPrnの比率は、重量比で1:0.05=CzPA:1,6FLPAPrnとなるように蒸着レートを調節する。その後、厚さ10nmのトリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3層を形成する。これに、共蒸着で得られるバソフェナントロリン略称:BPhenと金属リチウムLiとの混合膜を積層することにより、電子輸送層を形成する。電子輸送層の厚さは15nmとし、BPhenとLiの比率は、重量比で1:0.01=BPhen:Liとなるように蒸着レートを調節する。最後に、スパッタリング法を用い、厚さ70nmのITOにて陰極にあたる電極131を形成し、有機EL素子102を作製する。上記の方法にて作製した有機EL素子101と有機EL素子102との間に490nm以下の波長の光を50以上反射する誘電体ミラーを有する基板を樹脂にて固定し、発光装置の完成とする。なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態5本実施の形態では、本発明を適用して作製した発光装置を用いて完成させた様々な電子機器について、図6、図7を用いて説明する。本発明の一実施形態に係る発光装置を適用した電子機器として、テレビジョン、ビデオカメラやデジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、ノート型コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、スマートフォン、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはデジタルビデオディスクDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置、照明器具などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図6、図7に示す。図6Aは表示装置であり、筐体8001、支持台8002、表示部8003、スピーカー部8004、ビデオ入力端子8005等を含む。当該表示装置は、本発明を用いて形成される発光装置をその表示部8003のバックライトなどに用いることにより作製される。なお、表示装置は、パーソナルコンピュータ用、TV放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。本発明を適用することで、長期にわたり画質の落ちない表示装置を得ることができる。とくに本発明は、青色の光を発する有機EL素子を含む発光装置をバックライトとする表示装置において有効である。短波長の光を発する有機EL素子は短命でかつ発光特性が低いため、複数の波長の光を発する発光装置において青色の光の減衰を抑えることのできる本発明の一実施形態により、高輝度で長寿命な表示装置を提供できる。また、発光装置を構成する複数の有機EL素子の分離が容易なため、寿命を迎えた有機EL素子のみ交換することで、より長期に渡り使用可能な表示装置とすることが出来る。これにより、公共施設の表示装置などの交換頻度を大幅に下げることができ、人件費や材料費の節約につながる。もちろん個人用の表示装置にも同様のことが当てはまる。図6Bはコンピュータであり、本体8101、筐体8102、表示部8103、キーボード8104、外部接続ポート8105、ポインティングデバイス8106等を含む。当該コンピュータは、本発明の発光装置をその表示部8103のバックライトに用いることにより作製される。本発明を適用することで、上述の表示装置と同様の効果が得られる。これにより、長期にわたり画質の落ちないコンピュータの表示部を得ることができる。図6Cはビデオカメラであり、本体8201、表示部8202、筐体8203、外部接続ポート8204、リモコン受信部8205、受像部8206、バッテリー8207、音声入力部8208、操作キー8209、接眼部8210等を含む。当該ビデオカメラは、本発明の発光装置をその表示部8202のバックライトに用いることにより作製される。本発明を適用することで、長期にわたり画質の落ちないビデオカメラの表示部を得ることができる。この効果は、例えば、当該表示部の劣化を大幅に抑えることによる省資源化などである。図6Dは卓上照明器具であり、照明部8301、傘8302、可変アーム8303、支柱8304、台8305、電源8306を含む。当該卓上照明器具は、本発明の発光装置を照明部8301に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。本発明を適用することで、長期にわたり明るく色調の変わらない照明装置を得ることができる。この効果は、例えば、照明装置の交換頻度を大幅に抑えることによる、人件費の節約や省資源化などである。なお、本照明器具は色調を自在に変えることができるため、デザイン性の高い照明などにも利用できる。ここで、図6Eは携帯電話であり、本体8401、筐体8402、表示部8403、音声入力部8404、音声出力部8405、操作キー8406、外部接続ポート8407、アンテナ8408等を含む。当該携帯電話は、本発明の発光装置をその表示部8403のバックライトに用いることにより作製される。本発明を適用することで、長期にわたり画質の落ちない携帯電話の表示部を得ることができる。この効果は、例えば、当該表示部の劣化による携帯電話の交換頻度を大幅に抑えることによる、人件費の節約や省資源化などである。また、図7は本発明を適用した携帯電話8500の構成の別の一例であり、図7Aが正面図、図7Bが背面図、図7Cが展開図である。携帯電話8500は、電話と携帯情報端末の双方の機能を備えており、コンピュータを内蔵し、音声通話以外にも様々なデータ処理が可能な所謂スマートフォンである。携帯電話8500は、筐体8501及び筐体8502で構成されている。筐体8501には、表示部8511、スピーカー8512、マイクロフォン8513、操作キー8514、ポインティングデバイス8515、カメラ用レンズ8516、外部接続端子8517等を備え、筐体8502には、キーボード8521、外部メモリスロット8522、カメラ用レンズ8523、ライト8524、イヤホン端子8518等を備えている。また、アンテナは筐体8501内部に内蔵されている。携帯電話8500は、本発明の発光装置を表示部8511のバックライトに用いている。また、上記構成に加えて、非接触ICチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよい。表示部8511は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する機能を有している。表示部8511と同一面上にカメラ用レンズ8516を備えているため、テレビ電話が可能である。また、表示部8511をファインダーとしカメラ用レンズ8523及びライト8524で静止画及び動画の撮影が可能である。スピーカー8512及びマイクロフォン8513は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生等が可能である。操作キー8514では、電話の発着信、電子メール等の情報入力、画面のスクロール、カーソル移動等が可能である。更に、重なり合った筐体8501と筐体8502図7Aはスライド機構を有するため、図7Cのように展開して携帯情報端末として使用できる。この場合、キーボード8521、ポインティングデバイス8515を用い円滑な操作が可能である。外部接続端子8517はACアダプタ及びUSBケーブル等の各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータ等とのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット8522には記録媒体を挿入できる。また、上記機能に加えて、無線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。携帯電話8500に、本発明を適用することで、長期にわたり画質の落ちない携帯電話の表示部を得ることができる。この効果は、例えば、表示部の劣化による携帯電話の交換頻度を大幅に抑えることによる、人件費の節約や省資源化などである。以上のようにして、本発明の一実施形態に係る発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。本発明の一実施形態に係る発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。"