"ソース、第1のドレイン、および第2のドレインと、第1の真空と第2の真空との間の第1のトンネル経路と、前記第1の真空と第3の真空との間の第2のトンネル経路と、前記第2の真空と前記第3の真空との間の第3のトンネル経路と、を備え、電流が前記第1の真空、前記第2の真空、および前記第3の真空のエッジ周辺を流れるように、電圧バイアスが前記ソースと前記第1のドレインおよび前記第2のドレインとの間で維持される、捩れ型干渉計。前記第1の真空、前記第2の真空、および前記第3の真空の各々は、X状態の流体が存在しないか、または非アーベル性を有さない変形流体であり、前記真空が電気的または磁気的なトップゲーティングにより生成される、請求項1に記載の干渉計。前記第1のトンネル経路および前記第3のトンネル経路を通る、前記第1の真空のエッジ上の第1の点と前記第3の真空のエッジ上の第3の点との間の第1の距離が、前記第2のトンネル経路を通る、前記第1の点と前記第3の点との間の第2の距離の約1/5である、請求項1に記載の干渉計。前記トンネル経路の各々において、波束が前記第2の真空周囲を群速度で1回伝播する時間に比例した時間だけトンネリングが可能である、請求項1に記載の干渉計。第1のトンネル接合、第2のトンネル接合、および第3のトンネル接合が開いている間、全ての電流が前記第1のドレインに流れる、請求項1に記載の干渉計。σ粒子の波束が前記第1の距離に関して少ないサポートで、第1の振幅で前記第2の真空に移動できる、請求項1に記載の干渉計。前記波束が、前記第1の振幅より小さい第2の振幅で前記第1の真空に移動できる、請求項6に記載の干渉計。第2の波束が第3の振幅で送られるように、前記第2の波束が前記第2のトンネル接合に到着する、請求項7に記載の干渉計。前記第2の波束が前記第3のトンネル接合にちょうど到着したときに、前記第1の波束が前記第3のトンネル接合に到着する、請求項8に記載の干渉計。スピン軌道結合型半導体、通常の超伝導体、フェロ磁性絶縁体、またはフェリ磁性絶縁体を含む低移動性電子構造を備える、不斉トポロジカル超伝導体における平面π/8ゲート。前記電子構造が、万能でトポロジカルな、耐障害性のある量子計算をサポートできる、請求項10に記載のゲート。不斉トポロジカル超伝導体CTS、Isingサンドイッチヘテロ構造ISH装置におけるπ/8ゲートを実装するためのトポロジカルに保護された方法であって、CTS-ISH装置内部でトポロジカルに保護された、耐障害性のある仕方で万能な量子計算を実現するステップを含む、方法。前記CTS-ISH装置が、万能でトポロジカルな、耐障害性のある量子計算をサポートできる低移動性電子構造を備える、請求項12に記載の方法。前記低移動性電子構造がスピン軌道結合型半導体を備える、請求項13に記載の方法。前記低移動性電子構造が通常の超伝導体を備える、請求項14に記載の方法。CTSとは、単一薄板のDirac風のFermi面を有する包括的な特殊対称性のない2次元のトポロジカル超伝導フィルムをもたらす任意の半導体/超伝導システムである。我々の用語では、出顧人の同時係属の特許文献1および特許文献2と同様に、かかる状態Xと呼ぶを、それを包含するISHと同一とみなすこともある。これらの特許文献は参照により本明細書に取り込まれる。本明細書で開示するように、3つのトンネリング振幅t1、t2、およびt3をギガヘルツの時間スケールで明確に制限本質的には、オンおよびオフにするしてもよい。これを、1高速電子トップゲートおよび/または高速磁気トップゲート、2任意にレーザパルスを用いてトンネル接合付近のXの基底状態を撹乱し、効果的にこの領域におけるバルクギャップΔを削減し、振幅をトンネルまで増大させることであることに留意されたい。ここで、Mは有効質量、Δはバルクギャップ、Lは集約したトンネル接合の長さである、または3他の任意の電子的、光学的、または磁気的な干渉、の何れかにより実施してもよい。参照し比較するために、図6AはCTS-ISHの文脈における非特許文献4式の干渉計の略図を示す。点線は、それぞれ振幅t1およびt2を有するトンネル接合である。一重矢印はエッジに沿ったMajoranaモードを表し、二重矢印はDiracモードを表す。図6Bは、捩れ型干渉計を示す。干渉ループにはラベルlを付してある。本明細書で使用する際、真空とは、X状態の流体が存在しないこと、または、非アーベル性のない変形流体transformedfluidの何れかである。真空は、電子的および/または磁気的なトップゲーティングにより生成される。図6Bでは、アイランドに沿ったトンネル接合1および3を通るaからbへの距離L1は、当該アイランドを迂回してトンネル接合2を通過するaからbへの距離L2のほぼ1/5であるべきである。トンネリングは、t1、t2、t3において約t0/10の時間だけ可能である。ここで、t0は波束がアイランド周囲を群速度で1回伝播する時間である。ソースSとドレインDおよびD’との間で電圧バイアスを維持してもよい。トンネル接合1、2、および3が開いている間、全電流がD’に流れ込む。時刻t=0で、t1が約t0/10の短時間だけ1010-109秒のオーダ支配的substantialとなり、σ粒子の波束がL1に関して少ないサポートで、アイランドに振幅t1で移動することができ、振幅で波束が左のエッジに沿って継続する。エッジモードの形状および速度を知ると、t2は短時間に、即ち、再び約t0/10の時間だけ、まさにこの後者の波束が第2のトンネル接合に到達し振幅t2で送られた際に、ゼロから増大する。最後に、2.5回アイランドを周回した後、第1の波束分岐が到着し、ちょうどそのときに第2の波束分岐も第3のトンネル接合に到着する。この瞬間に、t3が短時間支配的となり>0、2つの分岐が干渉する。この干渉の性質は、建設的であれ破壊的であれ、ドレインDで検出される。条件L2/L1=5により、2つの分岐が同期して到着することができる。自明なトポロジカル電荷およびσトポロジカル電荷の重ね合せを真空アイランドのエッジに沿って維持するために、捩れ型干渉計の実行中に、これらの2つの状態のエネルギを均一化するために調節された磁束を真空アイランドに通すべきである。この調節は、指数関数的に正確である必要はない。その目的は、計算状態の正確性ではなく、干渉計の2.5回の周回中において重ね合せを維持することである。この調節においてエラーが発生すると、捩れ型干渉計の可視性が代数的に低下するかもしれない。アイランドに対して許されるIsingσ粒子の数の誤差が指数関数的に小さくなるまで、捩れ型干渉計は、またはの何れかにより、|1または|Ψが観測されたか否かに従いロンジチュード{|1,|Ψ}基底で、干渉ループ内に包含されたトポロジカル電荷に作用する。ここで、である。捩れのないBeenakkerの文脈では、測定は、捩れのない干渉ループl内に閉じられたトポロジカル電荷{|1,|Ψ}の基底で行われる図6A。演算子Oは、測定結果とテンソル化された2つの基底射影器basisprojectorの和であり、より非形式的には、|1が観測された場合はで、|Ψが観測された場合はである。捩れの文脈では、P1、P2の共役に影響が及ぼされ、捩れのない干渉ループから捩れ干渉ループへの基底変化が説明されると期待されるかもしれない。しかし、捩れ型干渉計に出入りする電荷ラインがない可動電荷が存在しないと常に仮定場合、がトポロジカル電荷の基底{|1,|Ψ}において対角行列でなければならないことはすぐに分かる。上述のように、自明な結果で電荷測定を行うことは、捩れ干渉ループγを純粋なトポロジカル基底状態媒体のトーラス体S1×D2でトポロジカルにDehn埋めこみを行うことと等価であり、結果|Ψは、γに沿ってトーラス体を、中心円S1×0⊂S1×D2に沿ったΨ電荷ループWilson線ループでDehn埋め込みを行うことと等価である。捩れ環状{1,Ψ}基底twistedannularbasisにおける演算子の観点からは、|1が観潮された場合はであり、|Ψが観測された場合はである。図7Aでは、アイランドをさらに2回周回することは、トポロジカルに捩れた1、-2ループメリディアン、ロンジチュードの基底を使用に沿って測定が影響を受けることを意味する。当該ループは、図6Aおよび図6Bの干渉計lの空間的外周、即ち、AS1T2Sで座標変換した通常の干渉ループに関係する。図7Aおよび図7Bを参照すると、上で与えた計算によりOtが計算されることが分かる。捩れ干渉では、波束を形成するn個の共伝播プローブ粒子Ising理論CTSにおけるσの単一バーストを使用する。干渉計を収束させ、かつ、真空アイランドに1010秒でトンネルするのに十分な大きさのnの合理的な推定値は10≦n≦l00である。σプローブは、真空アイランドの周りに2つの時計回りの回路を形成するときに相互に-4π捩れ、互いを接続する接続数=-2軌跡を辿る。ドレインDへの電流の測定結果を標準的な干渉計算と比較して、-2、1の干渉ループに沿った|1または|Ψの何れかのトポロジカル電荷を生成することができる。ISHのMajoranaエッジモード速度の概算見積値は104m/sである。L1=5μmであり、波束の振幅の大部分を、1μmの長さの指数関数的に減衰する波尾に沿ってサポートしなければならない場合、トンネル接合は1010秒間開いているべきである。合理的なトンネル電流に対しては、これにより10から100個の間のσがトンネルできるはずであり、干渉計を効果的に収束させるには十分である。図8は、捩れ干渉を用いてトポロジカルに保護されたπ/8ゲートを生成する手順を要約する。図8は、時間内に発生した1個またはΨ個の量子ビットを示す。最初のイベントは、新たな真空ドット極小値を生成することである。鞍点において、当該真空ドットが2つの真空ドットに分離し、各々がトポロジカル電荷σを有する。第3に、捩れ干渉がγに沿って行われる。γを図8のWilsonループとして捉えるのではなく、捩れ干渉に対する我々の記法として捉えるべきであることに留意されたい。第4のイベントは、元の量子ビットのσ電荷ドットを融合することである。第5かつ最後のイベントは、αに沿った電荷測定である。頂上にある電荷αは、通常の前述したBeenakker疑似粒子干渉により1またはΨと測定することができる。捩れ干渉を用いて、γ周囲の電荷以前の記法では、l’と等価を、図6Bの真空のアイランド周囲の2つのループに対応するγ内の2つのキンクにより記録した捩れで測定する。これにより、射影測定を介して状態A1またはAΨの何れかが生成される。量子トポロジの技法を用いて、初期のα|1β|Ψが4つの測定ケースの結果に従う行列で変換されたことを検証する。4つのケース全てにおいて、上の最も右の列に列挙した上述の可能な変形により、図8で実行したゲートを無関係な全位相まで所望のπ/8ゲートに変換する。非特許文献5ならびに特許文献1および特許文献2では、α=1かつα=Ψの場合はその逆数である場合は、図9Aのβに沿って切断することでπ/8ゲートが得られることが示されている。図9Aの面を厚くすると図9Bが得られる。ここで、図9Aの囲み曲線γはまさに、図9Bでラベルを付したメリディアンμにβを送るのに必要な処置である。γに沿って1を測定すると通常の囲み処置framedsurgeryに影響を及ぼし、Ψを測定すると容易に計算される変形、即ち不完全処置に影響を及ぼす。不完全処置は、1つまたは2つのブレイド生成器の動作により上の通常の処置に修正可能である。上の表の行列は、2つの測定に従う正確な結果をもたらす。元の量子ビットはその内部孔にσ電荷を有するので、βにσ電荷が存在するが、時点t=0の元の量子ビットと比較すると、2つの融合チャネルである1とΨとの間の相対位相はこの時点でe2πi8だけ変化する。図9Bのループβ’は、単に製品構成間で移植されたβのコピーである。ループγ’上の-1Dehn捩れによりβ’がメリディアンμに射影される。したがって、γ’に並行なバルク上のDehn埋め込みでは、当該バルクの境界から継承した通常の囲みγ’と比較して自己の囲みに-1の捩れが追加され、シリンダによりβがμに接続された新たな製品構成を効果的にバルクに提供する。γは、図8に示したように、この-1の囲みバルクループでありγ’と同位体である。したがって、結果が|1を伴う捩れ干渉は、点線の円内部で図9Aの面をβに沿って切断することで決定される捩れ非時分割量子ビットを図9Bの頂上にある捩れのない時分割量子ビットにテレポートする。結果が|Ψである場合には、捩れ干渉の影響を計算することが残っている。γ=l’=1,2に沿った電荷が、行列Aを適用することでlに沿った電荷から得られるので、|σは可能な結果ではない。Aは|σと{|1,|Ψ}のセクタとl=α|1β|Ψ.に沿った電荷とを混合しない。結果|Ψの影響は、バルク内のγ’に並行な電荷|ΨのWilsonループであり、その囲みにはさらなる捩れがない。モジュラテンソル圏modulartensorcategories、MTCという計算ツールを用い、図10Aでは状態|1の元の量子ビットに対応する電荷ラインに関連してWilsonループγを示し、図10Bは状態|Ψの元の量子ビットによる構成を示す。|Ψを測定することはの作用と等価であり、当該作用は全位相までブレイド生成器の二乗であることは明らかである。例示的なコンピューティング環境図11は、例示的な諸実施形態および諸態様を実装できる例示的なコンピューティング環境を示す。コンピューティングシステム環境100は適切なコンピューティング環境の1例にすぎず、使用範囲または機能範囲に関して何ら限定を示唆しようとするものではない。また、コンピューティング環境100が、例示的な動作環境100で示したコンポーネントのどの1つまたは組合せに関しても、どのような依存性または要件を有するとも解釈すべきではない。多数の他の汎用目的または特殊目的のコンピューティングシステム環境または構成を使用してもよい。使用に適しうる公知なコンピューティングシステム、環境、および/または構成の例には、パーソナルコンピュータ、サーバコンピュータ、ハンドヘルド装置またはラップトップ装置、マルチプロセッサシステム、マイクロプロセッサベースのシステム、セットトップボックス、プログラム可能家庭用電化製品、ネットワークPC、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータ、組込みシステム、上記のシステムまたは装置のうち任意のものを含む分散コンピューティング環境、等が含まれるがこれらに限らない。プログラムモジュールのような、コンピュータにより実行されるコンピュータ実行可能命令を使用してもよい。一般に、プログラムモジュールには、特定のタスクを実施するかまたは特定の抽象データ型を実装する、ルーチン、プログラム、オブジェクト、コンポーネント、データ構造、等を含む。通信ネットワークまたは他のデータ送信媒体を介して接続されるリモート処理装置によりタスクが実施される、分散コンピューティング環境を使用してもよい。分散コンピューティング環境では、プログラムモジュールおよび他のデータを、メモリ記憶装置を含むローカルのコンピュータ記憶媒体およびリモートのコンピュータ記憶媒体の両方に配置してもよい。図11を参照すると、例示的なシステムが、汎用目的のコンピューティング装置をコンピュータ110の形で備える。コンピュータ110のコンポーネントには、演算装置120、システムメモリ130、およびシステムメモリを含む様々なシステムコンポーネントを演算装置120に接続するシステムバス121を含めてもよいがこれらに限らない。演算装置120が、マルチスレッドのプロセッサでサポートされるもののような複数の論理演算装置を表してもよい。システムバス121は、メモリバスまたはメモリコントローラ、周辺バス、および様々なバスアーキテクチャのうち何れかを用いたローカルバスを含む、数種のバス構造のうち何れかであってもよい。限定ではなく例として、かかるアーキテクチャには、ISAIndustryStandardArchitectureバス、MCAMicroChannelArchitectureバス、EISAEnhancedISAバス、VESAVideoElectronicsStandardAssociationローカルバス、およびメザニンバスとしても知られるPCIPeripheralComponentInterconnectバスが含まれる。システムバス121を、通信装置の間での、拠点間接続、スイッチングファブリック、等として実装してもよい。コンピュータ110は一般に、様々なコンピュータ読取可能媒体を備える。コンピュータ読取可能媒体は、コンピュータ110がアクセス可能な任意の利用可能媒体であることができ、揮発性および不揮発性の媒体、取外し可能および取外し不能な媒体の両方を含む。限定ではなく例として、コンピュータ読取可能媒体がコンピュータ記憶媒体および通信媒体を備えてもよい。コンピュータ記憶媒体には、コンピュータ読取可能命令、データ構造、プログラムモジュール、または他のデータのような情報を格納するための任意の方法または技術で実装した、揮発性および不揮発性の媒体、取外し可能および取外し不能な媒体が含まれる。コンピュータ記憶媒体には、RAM、ROM、EEPROM、フラッシュメモリまたは他のメモリ技術、CDROM、DVDdigitalversatilediskもしくは他の光ディスク記憶装置、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスク記憶装置もしくは他の磁気記憶装置、または所望の情報の格納に使用できコンピュータ110がアクセス可能な他の任意の媒体が含まれるがこれらに限らない。通信媒体は一般に、コンピュータ読取可能命令、データ構造、プログラムモジュール、または他のデータを、搬送波または他の伝送機構のような変調データ信号で具現化し、任意の情報伝送媒体を含む。変調データ信号という用語は、1つまたは複数のその特性集合を有するかまたはその信号内の情報をエンコードするように変化した信号を意味する。限定ではなく例として、通信媒体には、有線ネットワークまたは直接配線接続のような有線媒体、音響、RF、赤外線、および他の無線媒体のような無線媒体が含まれる。上記の任意の組合せもコンピュータ読取可能媒体の範囲に含まれるべきである。システムメモリ130は、コンピュータ記憶媒体を、ROMreadonlymemory131およびRAMrandomaccessmemory132のような揮発性および/または不揮発性のメモリの形で備える。BIOSbasicinput/outputsystem133は、例えば起動中にコンピュータ110内の要素の間で情報を転送することを支援する基本ルーチンを含み、一般にROM131に格納される。RAM132は一般に、演算装置120が即座にアクセス可能なデータおよび/または演算装置120で現在動作しているプログラムモジュールを含む。限定ではなく例として、図11ではオペレーティングシステム134、アプリケーションプログラム135、他のプログラムモジュール136、およびプログラムデータ137を示している。コンピュータ110はまた、他の取外し可能/取外し不能、揮発性/不揮発性のコンピュータ記憶媒体を備えてもよい。例としてのみ、図11では、取外し不能で不揮発性の磁気媒体を読書きするハードディスクドライブ140、取外し可能で不揮発性の磁気ディスク152を読書きする磁気ディスクドライブ151、および、CDROMまたは他の光媒体のような取外し可能で不揮発性の光ディスク156を読書きする光ディスクドライブ155を示している。例示的な動作環境で使用できる他の取外し可能/取外し不能、揮発性/不揮発性のコンピュータ記憶媒体には、磁気テープカセット、フラッシュメモリカード、デジタル多用途ディスク、デジタルビデオテープ、固体RAM、固体ROM、等が含まれるがこれらに限らない。ハードディスクドライブ141は一般に、インタフェース140のような取外し不能なメモリインタフェースを介してシステムバス121に接続され、磁気ディスクドライブ151および光ディスクドライブ155は一般に、インタフェース150のような取外し可能メモリインタフェースによりシステムバス121に接続される。上で論じ図11に示したドライブおよびその関連コンピュータ記憶媒体は、コンピュータ読取可能命令、データ構造、プログラムモジュール、および他のデータをコンピュータ110のために格納する。図11では、例えば、ハードディスクドライブ141は、オペレーティングシステム144、アプリケーションプログラム145、他のプログラムモジュール146、およびプログラムデータ147を格納するとして示されている。これらのコンポーネントは、オペレーティングシステム134、アプリケーションプログラム135、他のプログラムモジュール136、およびプログラムデータ137と同一であるかまたは異なるかの何れかでありうることに留意されたい。オペレーティングシステム144、アプリケーションプログラム145、他のプログラムモジュール146、およびプログラムデータ147には、少なくともそれらが異なるコピーであることを示すためにここでは異なる番号を付している。ユーザは、キーボード162および、一般にマウス、トラックボール、またはタッチパッドと呼ばれるポインティングデバイス161のような入力装置を介してコンピュータ110にコマンドおよび情報を入力してもよい。他の入力装置図示せずには、マイクロフォン、ジョイスティック、ゲームパッド、パラボラアンテナ、スキャナ、等を含めてもよい。これらおよび他の入力装置はしばしば、システムバスに接続されたユーザ入力インタフェース160を介して演算装置120に接続されるが、パラレルポート、ゲームポート、またはUSBuniversalserialbusのような他のインタフェースおよびバス構造により接続してもよい。モニタ191または他種のディスプレイ装置も、ビデオインタフェース190のようなインタフェースを介してシステムバス121に接続される。モニタに加えて、コンピュータはスピーカ197およびプリンタ196のような他の周辺出力装置を備えてもよく、これらを、出力周辺インタフェース195を介して接続してもよい。コンピュータ110が、リモートコンピュータ180のような1つまたは複数のリモートコンピュータに対する論理接続を用いてネットワーク環境で動作してもよい。リモートコンピュータ180は、パーソナルコンピュータ、サーバ、ルータ、ネットワークPC、ピアデバイス、または他の共通ネットワークノードであってもよく、一般に、コンピュータ110に関して上述した要素のうち多数または全部を含むが、図11ではメモリ記憶装置181のみ示してある。図11に示す論理接続には、LANlocalareanetwork171およびWANwideareanetwork173が含まれるが、他のネットワークを含んでもよい。かかるネットワーク環境は職場、企業規模のコンピュータネットワーク、イントラネット、およびインターネットで一般的である。LANネットワーク環境で使用するとき、コンピュータ110はネットワークインタフェースまたはアダプタ170を介してLAN171に接続される。WANネットワーク環境で使用するとき、コンピュータ110は一般に、モデム172、またはインターネットのようなWAN173上で通信を確立するための他の手段を備える。モデム172は、内部または外部にあってもよく、ユーザ入力インタフェース160または他の適切な機構を介してシステムバス121に接続してもよい。ネットワーク環境では、コンピュータ110に関して説明したプログラムモジュールまたはその一部を、リモートのメモリ記憶装置に格納してもよい。限定ではなく例として、図11では、リモートのアプリケーションプログラム185がメモリ装置181に存在するとして示している。図示したネットワーク接続は例であって、コンピュータ間の通信リンクを確立する他の手段を使用してもよいことは理解されよう。付録A我々の計算手順を独立に検証するために、ブレイドテンソル圏braidedtensorcategoryの技法を用いて手順演算子から成る2つの対角要素を計算する。捩れの干渉および通常の干渉の両方が自明な粒子|1を生成する場合を示す。当該手順は、|1および|Ψの基底でに影響を及ぼす。ここで、であり、である。かつという事実を用いると、が得られる。さらに、である。次に、を3回用い、を2回用いると、となる。Ψをσに通すと、さらに-1が得られるので、となる。ここで、ユニタリ性のため、であるので、となる。同様に、であり、上の計算によれば、中間項がとなる。なぜならば、単一の電荷ラインが交差する領域点線が存在するからである。およびを用いると、第1項および第2項が等しいことが分かる。すると、である。2という因子は、S3でなくR3の計算から生じ、量子次元をω0の諸要素に関連付ける。一般に、2は全量子次元により置換される。したがって、我々の手順は、主張したように、双方の干渉測定により自明なトポロジカル電荷が生成される場合に、π/8ゲートをもたらす。1.捩れ干渉のダイアグラム分析本節では、Isingエニオンにのみ着目する。Isingエニオンでは、1、σ、およびΨのトポロジカル電荷が存在しうる。これらの電荷のトポロジカル捩れ因子は、それぞれ、θ1=1、θσ=eiπ8、およびθψ=-1である。モノドロミー行列は、となる。先ず、エニオン電荷b=σ、即ち、ρσ=|σ,σ→;1σ,σ→;1|を有する単一プローブの影響を考える。ターゲットエニオンの密度行列の特定要素に対して、単一プローブの測定に関し評価しなければならない関連ダイアグラムはである。ここで、UはエニオンAおよびエニオンCを分離する干渉計の足に捩れを加える。結果s=→に対して、これはとなる。ここで、と定義し、このダイアグラム規則を用いてbループを削除した。σエニオンに対するトポロジカル捩れ因子はθσ=eiπ8である。s=↑の結果に対して同様な計算を行うと、となる。これから、適切な係数および正規化因子を導入すると、単一プローブの測定を行って結果sが得られた後のターゲットエニオンの還元密度行列が得られる。ここで、測定結果sの確率は、ターゲットシステムの量子トレースをさらに取り込むことで得られる。当該量子トレースは、e=1の要素に射影され、となる。ここで、により良く定義された確率分布即ち、かつが得られることに留意されたい。量により、本実験における量子干渉の可視性が決まる。ここで、θを変化させることにより、干渉項の変調を観測することができる。振幅T=|t1r1t2r2|は、で最大になる。現実的な実験においては、実験パラメータtj、rj、θI、およびθIIは、単一プローブに対しても幾分変化し、位相非干渉性の程度を幾分上昇させる。θの何らかの分布で平均を取ることにより、干渉項のeiθをで効果的に置換すべきことが分かる。この式では、は結果の有効位相であり、Q∈0,1は干渉計の干渉性不存在を反映する抑制因子であり、量子干渉の可視性を低下させる。以降では、この問題を無視しQ=1であると仮定するが、何れの干渉実験が成功するかは、可能な限り大きくされているQに極めて依存することを常に念頭に置くべきである。複数のプローブを一つずつ捩れ型干渉計に通したならば、N個のプローブに対する結果最初は、全く同一であるは、単に単一プローブの計算を繰り返すことにより得られたはずである。一連の測定結果s1,...,sNは確率で発生し、測定されたターゲットエニオンの還元密度行列が得られる。測定結果の具体的な順序は結果においては重要ではなく、各タイプの結果の総数のみが重要であり、したがって二項分布につながることは明らかである。一連の測定結果におけるsj=→の総数をnで表し、全ての結果を同一のnで集約する。任意のpおよびqに対してと定義すると、水平検出器におけるN個のプローブのうちn個が測定される確率は、となり、これらの測定によりターゲットエニオンの還元密度行列が得られる。これは、捩れのないケースと、干渉項の位相だけ相違し、したがって、同一の漸近測定結果、即ち、電荷基底への射影および干渉計の内部と外部との間の任意の非自明なエンタングルメントのデコヒーレンスを明確に生じさせる。しかし、干渉計の捩れた脚部を通過するプローブの全てが共に捩れている即ち、最初のプローブが最初に完全に捩れる前に、全のプローブが捩れアイランド上にあるように、全てのプローブを一度に干渉計に通す場合、プローブエニオンは、捩れ干渉の非常に異なる結果となりうる非常に特殊なエンタングル動作を受ける。この場合、図XXに示すように、m個のプローブが干渉計の捩れた脚部を通過すると、これらのプローブは互いの周りを2回ブレイドする。Isingエニオンに対しては、このような、各々がトポロジカル電荷b=σを保持するm個のプローブの二重捩れを、より直接的に評価することができる。単位の分割partitionofunityをm個のプローブに適用することによって、m個の線の二重捩れがfm×m個の捩れのない線と等しいことが分かる。ここで、である。ここで、捩れのない干渉計の定義を思い出し、4つの可能な仕方に対応して指数1、Mab、、およびMebにおけるの拡張を考えると、プローブ線は密度行列の基底要素を接続することができる。即ち、である。ここで、は多項式係数である。Isingエニオンを有する捩れ型干渉計に対しては、密度行列への超演算子の作用におけるを、で置き換える。捩れのケースと捩れのないケースとの違いは、ダイアグラムのケット部における干渉計の捩れた脚部を通過するm個のプローブの場合の因子fm、およびダイアグラムのブラ部における干渉計の捩れた脚部を通過するm’個のプローブの場合のfm’が挿入されることである。上の拡張では、m=mame、およびm’=mameである。この式を、フーリエ分解を利用することによる二項式の和の観点から書き換えることができる。これにより、が得られる。これを用いると、となる。ここで、pは前と同様に定義され、追加の量をと定義した。したがって、内n個が結果s=→で測定されているN個のプローブを捩れ型干渉計に通して得られる密度行列は、である。ここで、N個のプローブのうちn個が水平検出器で測定される確率は、である。ここで、N→∞の極限を考えることができる。r=n/Nと定義し、1.37と定義すると、となる。ここで、a=1,σ,Ψに対してそれぞれである。また、であることに気づく。したがって、N→∞の極限では、となる。トポロジカル量子ビットの状態を測定するケースに限定する場合、即ち、量子ビットを含む4つのσエニオンのうち、a=1,Ψである2つを測定するケースに限定する場合、確率でr→p1であり、密度行列に作用する結果の超演算子がであることが分かる。同様に、確率でr→pψであり、密度行列に作用する結果の超演算子がである。Cliffordゲート、即ち、|Ψ=P1H|1を適用することで|1から得られる初期量子ビット状態から開始すると、Prp1=Prpψ=1/2であり、2つの結果がマジック状態を与える。また、確率でr→pσであり、結果の密度行列が捩れのないケースと同じであることに留意する。即ち、である。干渉計の捩れた脚部をプローブが通過するという説明には個々のプローブエニオンの捩れ因子が盛り込まれていないのではと思うかもしれないが、寧ろこれは、全てのプローブが互いの周りを2回ブレイドすることによって簡潔に説明されている。この代替的な説明が正しければ、結果が実際に全く同じであり、捩れ型干渉計に極めて重要な要素は集合的なプローブのブレイディングであり、捩れではないことが示されるとみるのが分かりやすい。これを理解するために、全ての捩れ因子を除去し、代わりにとしたはずであることに気づくことができる。この場合、であることを除いて、正確に同じ分析をしたはずである。これらには、から生ずる干渉項に対する追加の位相因子がある。となる。トポロジカル量子ビットの状態を測定するケースに限定する場合、即ち、量子ビットを含む4つのσエニオンのうち、a=1,Ψである2つを測定するケースに限定する場合、確率でr→p1であり、密度行列に作用する結果の超演算子がであることが分かる。同様に、確率でr→pψであり、密度行列に作用する結果の超演算子がである。Cliffordゲート、即ち、|Ψ=P1H|1を適用することで|1から得られる初期量子ビット状態から開始すると、Prp1=Prpψ=1/2であり、2つの結果がマジック状態を与える。また、確率でr→pσであり、結果の密度行列が捩れのないケースと同じであることに留意する。即ち、である。干渉計の捩れた脚部をプローブが通過するという説明には個々のプローブエニオンの捩れ因子が盛り込まれていないのではと思うかもしれないが、寧ろこれは、全てのプローブが互いの周りを2回ブレイドすることによって簡潔に説明されている。この代替的な説明が正しければ、結果が実際に全く同じであり、捩れ型干渉計に極めて重要な要素は集合的なプローブのブレイディングであり、捩れではないことが示されるとみるのが分かりやすい。これを理解するために、全ての捩れ因子を除去し、代わりにとしたはずであることに気づくことができる。この場合、であることを除いて、正確に同じ分析をしたはずである。これらには、から生ずる干渉項に対する追加の位相因子がある。"