"4級アンモニウム又は4級ホスホニウムの塩化物からなる熱潜在性開環重合触媒。4級アンモニウム塩化物は、その4級アンモニウムカチオンがR1R2R3R4Nただし、式中、R1、R2、R3、R4は、互いに同一であっても異なっていてもよく、かつ、iR1~R4がアルコキシル基、エーテル基、シリル基又はリン酸基を含有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基炭素数2以上の場合は飽和でも不飽和でもよい。であるか、又はiiR1~R4のうちの1つ若しくは2つがベンジル基若しくはフェニル基で残りの3つ若しくは2つがアルコキシル基、エーテル基、シリル基若しくはリン酸基を含有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基炭素数2以上の場合は飽和でも不飽和でもよい。である。で表されるものである請求項1記載の重合触媒。4級アンモニウム塩化物は、ジメチルジステアリルアンモニウムクロライド、トリメチルステアリルアンモニウムクロライド、メチルトリ-n-オクチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド、フェニルトリエチルアンモニウムクロライド、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムクロライド、アセチルコリンクロライド、ベンザルコニウムクロライド、ベンゼトニウムクロライド、ベンゾイルコリンクロライド、ベンジルセチルジメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルステアリルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、ベンジルトリブチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、1-ブチル-1-メチルピロリジウムクロライド、カルバミルコリンクロライド、クロロコリンクロライド、3-クロロ-2-ハイドロキシプロピルトリメチルアンモニウムクロライド、デシルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサメトニウムクロライド、ラウロイルコリンクロライド、メタコリンクロライド、2-メトキシエトキシメチルトリエチルアンモニウムクロライド、β-メチルコリンクロライド、n-オクチルトリメチルアンモニウムクロライド、ホスホコリンクロライドカルシウム塩、ホスホコリンクロライドナトリウム塩、スタキドリンハイドロクロライド、スクシニルコリンクロライド、テトラアミルアンモニウムクロライド、テトラブチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラプロピルアンモニウムクロライド、トリエチルメチルアンモニウムクロライド、トリメチル[2,3-ジオレイルオキシプロピル]アンモニウムクロライド、トリメチルフェニルアンモニウムクロライド、トリメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、及びトリメチル[3-トリエトキシシリルプロピル]アンモニウムクロライドからなる群から選択される少なくとも1種である請求項1記載の触媒。4級アンモニウム塩化物は、ジメチルジステアリルアンモニウムクロライド、トリメチルステアリルアンモニウムクロライド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド、フェニルトリエチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルステアリルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、ベンジルトリブチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、デシルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド、n-オクチルトリメチルアンモニウムクロライド、トリエチルメチルアンモニウムクロライド、トリメチルフェニルアンモニウムクロライド、トリメチルテトラデシルアンモニウムクロライドからなる群から選択される少なくとも1種である請求項2記載の触媒。4級アンモニウム塩化物は、ジメチルジステアリルアンモニウムクロライド、トリメチルステアリルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルステアリルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、デシルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド及びトリメチルテトラデシルアンモニウムクロライドからなる群から選択される少なくとも1種である請求項4記載の触媒。4級ホスホニウム塩化物は、その4級ホスホニウムカチオンがR1R2R3R4Pただし、式中、R1、R2、R3、R4は、互いに同一であっても異なっていてもよく、アルコキシル基、エーテル基又はシリル基を含有していてもよい炭素数1~18の炭化水素基炭素数2以上の脂肪族基の場合は飽和でも不飽和でもよい。であり、少なくとも1つは炭素数4~18のアルキル基又はフェニル基である。で表されるものである請求項1記載の触媒。4級ホスホニウム塩化物は、トリフェニルホスホニウムクロライド類、テトラブチルホスホニウムクロライド、テトラフェニルホスホニウムクロライド、及びトリブチルシアノメチルホスホニウムクロライドからなる群から選択される少なくとも1種である請求項6記載の触媒。トリフェニルホスホニウムクロライド類は、アセトニルトリフェニルホスホニウムクロライド、アリルトリフェニルホスホニウムクロライド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、trans-2-ブテン-1,4-ビストリフェニルホスホニウムクロライド、4-クロロベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、2-クロロベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、クロロメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、シアノメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、トリフェニルホスホニウムクロライド、ホルミルメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、1-ナフチルメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、及び2-トリメチルシリルエトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライドからなる群から選択される少なくとも1種である請求項7記載の触媒。4級アンモニウム又は4級ホスホニウムの塩化物からなる熱潜在性開環重合触媒を用いた、120°C以下では開環重合せず、一方、150°Cでは開環重合する、シルセスキオキサンの開環重合方法。4級アンモニウム塩化物は、ジメチルジステアリルアンモニウムクロライド、トリメチルステアリルアンモニウムクロライド、メチルトリ-n-オクチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムクロライド、アセチルコリンクロライド、ベンゼトニウムクロライド、ベンジルセチルジメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルステアリルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、ベンジルトリブチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、1-ブチル-1-メチルピロリジウムクロライド、カルバミルコリンクロライド、クロロコリンクロライド、3-クロロ-2-ハイドロキシプロピルトリメチルアンモニウムクロライド、デシルトリメチルアンモニウムクロライド、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサメトニウムクロライド、ラウロリルコリンクロライド、メタコリンクロライド、β―メタコリンクロライド、n-オクチルトリメチルアンモニウムクロライド、フェニルトリエチルアンモニウムクロライド、ホスホコリンクロライドカルシウム塩、ホスホコリンクロライドナトリウム塩、スタキドリンハイドロクロライド、スクシニルコリンクロライド、テトラアミルアンモニウムクロライド、テトラブチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラプロピルアンモニウムクロライド、トリエチルメチルアンモニウムクロライド、トリメチルフェニルアンモニウムクロライド、トリメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、及びトリメチル[3-トリエトキシシリルプロピル]アンモニウムクロライドからなる群から選択される少なくとも1種である請求項9記載の開環重合方法。4級ホスホニウム塩化物は、アセトニルトリフェニルホスホニウムクロライド、アリルトリフェニルホスホニウムクロライド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、trans-2-ブテン-1,4-ビストリフェニルホスホニウムクロライド、4-クロロベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、2-クロロベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、クロロメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、シアノメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、トリフェニルホスホニウムクロライド、ホルミルメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、1-ナフチルメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、2-トリメチルシリルエトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、テトラブチルホスホニウムクロライド、テトラフェニルホスホニウムクロライド、及びトリブチルシアノメチルホスホニウムクロライドからなる群から選択される少なくとも1種である請求項9記載の開環重合方法。従って本発明は、4級アンモニウム塩化物や4級ホスホニウム塩化物を用いた、シルセスキオキサンの開環重合に用いることができる新規熱潜在性開環重合触媒を提供することを目的とする。本発明は、4級アンモニウム又は4級ホスホニウムの塩化物からなる熱潜在性開環重合触媒である。本発明はまた、4級アンモニウム又は4級ホスホニウムの塩化物からなる熱潜在性開環重合触媒を用いた、120°C以下では開環重合せず、一方、150°Cでは開環重合する、シルセスキオキサンの開環重合方法でもある。1本発明の熱潜在性開環重合触媒は上述の構成により、シルセスキオキサンに配合すると、活性化温度未満においては未重合で安定な低粘度シルセスキオキサン組成物であり、活性化温度に加熱時にのみ重合反応を行わせることができ、例えば、120°C以下では開環重合せず、一方、150°Cでは開環重合する、シルセスキオキサンの開環重合方法に用いることができる。従って、加熱環境例えば120°Cの環境。であっても活性化温度未満にあっては組成物の低粘度を確保できる硬化性組成物において有利に使用可能である。2本発明の熱潜在性開環重合触媒は上述の構成により、開環重合反応という反応形式により環状シロキサンの重合を行うものであり、縮合反応のように硬化反応の副生物水、メタノール等が生じない。このため、副生物による硬化物への悪影響がないという利点がある。本発明の熱潜在性開環重合触媒は、4級アンモニウム又は4級ホスホニウムの塩化物からなる。上記触媒においては4級アンモニウム塩化物及び4級ホスホニウム塩化物の併用を排除するものではない。本発明の一態様において、上記4級アンモニウム塩化物は、その4級アンモニウムカチオンがR1R2R3R4Nただし、式中、R1、R2、R3、R4は、互いに同一であっても異なっていてもよく、かつ、iR1~R4がアルコキシル基、エーテル基、シリル基又はリン酸基を含有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基炭素数2以上の場合は飽和でも不飽和でもよい。であるか、又はiiR1~R4のうちの1つ若しくは2つがベンジル基若しくはフェニル基で残りの3つ若しくは2つがアルコキシル基、エーテル基、シリル基若しくはリン酸基を含有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基炭素数2以上の場合は飽和でも不飽和でもよい。である。で表されるものである。これらのうち、長鎖アルキル基炭素数4~18。以下同様。と短鎖アルキル基炭素数1~3。以下同様。の組み合わせを有するアンモニウム塩化物か、ベンジル基と長鎖アルキル基と短鎖アルキル基の組み合わせを有するアンモニウム塩化物がより好ましい。上記炭素数4~18のアルキル基、ベンジル基又はフェニル基のうち、炭素数4~18のアルキル基又はベンジル基がより好ましく、炭素数4~18のアルキル基がさらに好ましい。また、アルキル基は、炭素数8~18がより好ましい。このような4級アンモニウム塩化物の具体例は、下記例示に含まれている。また本発明の一態様は、上記4級アンモニウム塩化物は、ジメチルジステアリルアンモニウムクロライド、トリメチルステアリルアンモニウムクロライド、メチルトリ-n-オクチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド、フェニルトリエチルアンモニウムクロライド、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムクロライド、アセチルコリンクロライド、ベンザルコニウムクロライド、ベンゼトニウムクロライド、ベンゾイルコリンクロライド、ベンジルセチルジメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルステアリルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、ベンジルトリブチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、1-ブチル-1-メチルピロリジウムクロライド、カルバミルコリンクロライド、クロロコリンクロライド、3-クロロ-2-ハイドロキシプロピルトリメチルアンモニウムクロライド、デシルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサメトニウムクロライド、ラウロイルコリンクロライド、メタコリンクロライド、2-メトキシエトキシメチルトリエチルアンモニウムクロライド、β-メチルコリンクロライド、n-オクチルトリメチルアンモニウムクロライド、ホスホコリンクロライドカルシウム塩、ホスホコリンクロライドナトリウム塩、スタキドリンハイドロクロライド、スクシニルコリンクロライド、テトラアミルアンモニウムクロライド、テトラブチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラプロピルアンモニウムクロライド、トリエチルメチルアンモニウムクロライド、トリメチル[2,3-ジオレイルオキシプロピル]アンモニウムクロライド、トリメチルフェニルアンモニウムクロライド、トリメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、及びトリメチル[3-トリエトキシシリルプロピル]アンモニウムクロライドからなる群から選択される少なくとも1種である。これらのうち、好ましくは、ジメチルジステアリルアンモニウムクロライド、トリメチルステアリルアンモニウムクロライド、メチルトリ-n-オクチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド、フェニルトリエチルアンモニウムクロライド、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド、ベンザルコニウムクロライド、ベンジルセチルジメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルステアリルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、ベンジルトリブチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、デシルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド、n-オクチルトリメチルアンモニウムクロライド、テトラアミルアンモニウムクロライド、テトラブチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラプロピルアンモニウムクロライド、トリエチルメチルアンモニウムクロライド、トリメチルフェニルアンモニウムクロライド、トリメチルテトラデシルアンモニウムクロライドであり、より好ましくはジメチルジステアリルアンモニウムクロライド、トリメチルステアリルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルステアリルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、デシルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド、トリメチルテトラデシルアンモニウムクロライドである。4級ホスホニウム塩化物は、その4級ホスホニウムカチオンがR1R2R3R4Pただし、式中、R1、R2、R3、R4は、互いに同一であっても異なっていてもよく、アルコキシル基、エーテル基又はシリル基を含有していてもよい炭素数1~18の炭化水素基炭素数2以上の脂肪族基の場合は飽和でも不飽和でもよい。であり、少なくとも1つは炭素数4~18のアルキル基又はフェニル基である。で表されるものである。上記炭化水素基は、脂肪族であっても芳香族であってもよい。上記炭素数4~18のアルキル基又はフェニル基のうち、炭素数4~18のアルキル基がより好ましく、また、アルキル基は、炭素数4~10がより好ましい。上記4級ホスホニウム塩化物としては、例えば、アセトニルトリフェニルホスホニウムクロライド、アリルトリフェニルホスホニウムクロライド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、trans-2-ブテン-1,4-ビストリフェニルホスホニウムクロライド、4-クロロベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、2-クロロベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、クロロメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、シアノメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、トリフェニルホスホニウムクロライド、ホルミルメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、1-ナフチルメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、テトラブチルホスホニウムクロライド、テトラフェニルホスホニウムクロライド、トリブチルシアノメチルホスホニウムクロライド、及び2-トリメチルシリルエトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライドからなる群から選択される少なくとも1種が挙げられる。これらのうち、好ましくは、アセトニルトリフェニルホスホニウムクロライド、アリルトリフェニルホスホニウムクロライド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、テトラブチルホスホニウムクロライド、テトラフェニルホスホニウムクロライド、トリブチルシアノメチルホスホニウムクロライドであり、より好ましくはアセトニルトリフェニルホスホニウムクロライド、アリルトリフェニルホスホニウムクロライド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、テトラブチルホスホニウムクロライド、テトラフェニルホスホニウムクロライドである。本発明の熱潜在性開環重合触媒をシルセスキオキサンに用いて、活性化温度未満においては未重合の低粘度シルセスキオキサン組成物としての安定性を示すとともに、活性化温度に加熱時にのみ重合反応を行わせることができ、例えば、本発明の開環重合方法、すなわち、120°C以下では開環重合せず、一方、150°Cでは開環重合する、シルセスキオキサン同士の開環重合方法を構成することができる。4級アンモニウム塩化物や4級ホスホニウム塩化物がシルセスキオキサンのような環状ポリシロキサン類同士の開環重合反応を触媒することは新規な知見であり、また、この触媒が熱潜在性を示すこともまた新規な知見である。なお、熱潜在性を示すとは、活性化温度未満においては通常の反応時間で反応を進行させず、反応混合物の分子量が増加しないか、実質的に増加しないにもかかわらず、活性化温度以上においては通常の反応時間例えば数時間程度以内。で反応を進行させ、重合により分子量が増大してゲル化することをいう。すなわち、本発明の触媒は、例えば、120°C又はそれよれ低い温度では反応が起こらず、開環重合でゲル化するためには少なくとも120°Cよりも高い温度において反応させる必要があり、一方、150°Cでは開環重合反応が生じる、というような感熱的反応特性を持つものである。しかしながら、この場合、150°C未満であっても開環重合反応が生じる場合があることを含意することに留意すべきであり、従って、本発明の開環重合方法において、120°Cより高く150°C未満の温度、例えば、125°Cまたはそれ以上、例えば130°C、135°C、140°C、145°C等の温度で開環重合反応が生じる場合を含む。上記シルセスキオキサンは、例えばトリアルコキシシランの加水分解、縮合反応に代表されるような工程を経て生じる一般式RSiO3/2nの構造を有するもので、環状構造を含有するポリシロキサンである。上記シルセスキオキサンの構造としては、籠型、ラダー型、ランダム型構造のものが知られている。また、上記シルセスキオキサンとしては各種の変性シルセスキオキサンも知られている。上記シルセスキオキサンは、いずれも環状構造を含有するものであり、シルセスキオキサン同士が開環重合反応を行うことができる。上記シルセスキオキサンの環状構造は、典型的には例えば、以下のような構造である。1式は籠型構造、2式はラダー型構造を、それぞれ示す。上記シルセスキオキサンと上記触媒の配合割合としては、上記シルセスキオキサン100重量部に対して、上記触媒が0.1~10重量部であることが好ましく、0.5~3重量部がより好ましい。上記触媒が0.1~10重量部であると反応性が良好であり有利である。重合反応は、常圧下すなわち、大気圧下で、例えば、125~200°C、1~10時間の条件で反応させることが通常行われている。本発明の開環重合方法において、シルセスキオキサンと本発明の触媒を必須成分とするが、必要に応じて、本発明の目的を阻害しないかぎり、その他の各種の添加剤を反応系に配合することができ、例えば、溶剤、接着付与剤、安定化剤などが挙げられる。溶剤の使用により、シルセスキオキサンと本発明の触媒との反応系の均一化を向上することができる利点がある。上記溶剤としては、例えば、テトラヒドロフランTHF、ジメチルアセトアミド、酢酸エチル、トルエン、キシレンなどが挙げられる。これらは、単独で使用できるほか、2種以上を組み合わせて使用することが出来る。以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、以下の記載は専ら説明のためであって、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1~19、比較例1~4各実施例の化合物及び各比較例の化合物を用いて、それぞれについて、以下の反応系で、分子量の増加の有無を判定評価した。判定:試験後の分子量/試験前の分子量の比の値で分子量の変化の度合いを示した。また高分子量化による分子量測定不可能な場合ゲルと表記した。結果の比の値の数値を表1~3に示した。表1中の略号の意味は以下のとおり。化合物1:ジメチルジステアリルアンモニウムクロライド化合物2:トリメチルステアリルアンモニウムクロライド化合物3:ベンジルトリブチルアンモニウムクロライド化合物4:ジアリルジメチルアンモニウムクロライド化合物5:ベンジルジメチルフェニルアンモニウムクロライド化合物6:テトラメチルアンモニウムクロライド化合物7:テトラプロピルアンモニウムクロライド化合物8:ベンジルジメチルステアリルアンモニウムクロライド化合物9:ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド化合物10:デシルトリメチルアンモニウムクロライド化合物11:ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド化合物12:ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド化合物13:トリメチルテトラデシルアンモニウムクロライド化合物14:アセトニルトリフェニルホスホニウムクロライド化合物15:アリルトリフェニルホスホニウムクロライド化合物16:2-トリメチルシリルエトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライド化合物17:テトラブチルホスホニウムクロライド化合物18:テトラフェニルホスホニウムクロライド化合物19:トリブチル分子量1200シルセスキオキサン2:フェニルトリメトキシシラン10mol、エチルトリメトキシシラン60mol、ジメチルジメトキシシラン30molの加水分解重縮合物分子量4500反応系の詳細は以下のとおり。反応系1:冷却管を装着した100mlナスフラスコにシルセスキオキサン1が7重量となるようにジメチルアセトアミド溶液を調製した。そこへ化合物1~23を1重量部添加し、各温度条件下で撹拌を行った。また、40°Cの温度条件のものは一週間静置した。試験終了後、THFを展開溶媒としてGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより分子量を測定し、重合が進行したか否かを判定した。反応系2:50mlのスクリュー管にシルセスキオキサン2を1.0g量りとり、そこへ化合物1~23を溶解させたアセトン溶液ただし、実施例18のみTHF溶液を化合物1~23が1重量部になるように添加した。シルセスキオキサンと触媒が均一になるように撹拌を行った後、減圧することで溶媒を完全に留去した。スクリュー管の蓋を閉め、密閉してから40°C条件下にて一週間静置した。試験終了後、THFを展開溶媒としてGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより分子量を測定し、重合が進行したか否かを判定した。実施例の結果から、本発明の触媒である塩化物を使用すると、120°C以下では反応が実質的に進行せず、150°Cでは充分に反応が進行して高分子量化し、ゲル化することが確かめられた。実施例から、長鎖アルキル基と短鎖アルキル基の組み合わせを有する4級アンモニウム塩化物か、ベンジル基と長鎖アルキル基と短鎖アルキル基の組み合わせを有する4級アンモニウム塩化物がより好ましいこと、また、4級ホスホニウム塩化物のより好ましいものは、少なくとも3つのフェニル基を有するものトリフェニル又はテトラフェニルか、長鎖アルキル基のみを有するもの、であることが確かめられた。なお、120°C、6時間の反応条件において、試験後の分子量/試験前の分子量の比の値が2を超えているが、ゲルには達していない状態であり、反応が実質的に進行していないといえる。また、この状態から、120°C以下では反応が進行しないと判断できる。一方、ブロマイド、ハイドロオキサイド等は、低温でも反応をしてしまうか、または、加熱しても反応が進行しないことが明らかであり、熱潜在性は示されなかった。このことは、本発明の触媒の従来技術に対する技術的貢献を明らかにするものである。"