"感光膜が形成された被処理基板を保持すると共に、走査方向に移動可能な基板ステージと、所定の回路パターンが形成された原版を保持すると共に、前記基板ステージと同期して移動可能な原版ステージと、前記原版に光を照射する照明光学系と、前記照明光学系により照射された前記原版のパターンを前記基板上に投影する投影光学系とを備え、前記基板ステージ上の基板と前記原版ステージ上の原版とを同期移動させながら前記原版のパターンを前記基板上に露光する露光装置であって、前記基板ステージの上方に設けられ、前記基板に対し局所的に光を照射する局所露光部を備えることを特徴とする露光装置。前記局所露光部は、基板幅方向にライン状に配列され、前記基板ステージによって移動される前記基板に対し光照射可能な複数の発光素子と、前記複数の発光素子のうち、1つまたは複数の発光素子を発光制御単位として選択的に発光駆動可能な発光駆動部とを有することを特徴とする請求項1に記載された露光装置。前記局所露光部の発光駆動部を制御する制御部を備え、前記制御部は、前記発光駆動部を制御し、前記複数の発光素子のうち、1つまたは複数の発光素子を発光制御単位として選択的に発光させることを特徴とする請求項2に記載された露光装置。前記制御部は、前記基板上に照射される照度と前記発光素子の駆動電流値との関係を相関テーブルとして記憶し、前記基板に形成された感光膜の所定領域に対し、その膜厚に基づいて照射すべき必要照度を求めると共に、前記所定領域に照射可能な前記発光素子に対して、前記相関テーブルに基づき前記必要照度から駆動電流値を決定し、前記駆動電流値により前記発光素子を発光させるよう前記発光駆動部を制御することを特徴とする請求項3に記載された露光装置。前記被処理基板と同じ高さ位置において基板幅方向に進退移動可能に設けられ、前記局所露光部により照射された光の照度を検出する照度検出手段を備え、前記制御部は、前記照度検出手段により検出された照度と、発光駆動された前記発光素子の駆動電流値との関係を前記相関テーブルとして保持することを特徴とする請求項4に記載された露光装置。前記制御部は、前記複数の発光素子を基板幅方向に沿って複数の発光制御グループに分けると共に、前記発光制御グループ毎に、所定範囲内の複数の駆動電流値と、その駆動電流値による照度とを前記相関テーブルに記憶することを特徴とする請求項4または請求項5に記載された露光装置。前記制御部は、前記被処理基板に形成された感光膜の所定領域に対する照射及び現像処理により増減した膜厚の変動値と、前記所定領域に照射した発光素子の駆動電流値との関係を相関テーブルに蓄積し、前記相関テーブルに基づき前記膜厚変動値から駆動電流値を決定し、前記駆動電流値により前記発光素子を発光させるよう前記発光駆動部を制御することを特徴とする請求項3に記載された露光装置。前記局所露光部は、前記基板ステージにより移動される前記被処理基板の上方に配置され、前記被処理基板に形成された感光膜に対し直接的に光を照射することを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載された露光装置。前記局所露光部は、前記原版の上方に配置されると共に前記原版を照射し、前記原版を透過した回折光が前記投影光学系を通過して前記被処理基板に形成された感光膜に照射されることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載された露光装置。前記局所露光部が有する複数の発光素子の下方には光拡散板が設けられ、前記発光素子から発光された光は、前記光拡散板を介して前記被処理基板に対し放射されることを特徴とする請求項2乃至請求項9のいずれかに記載された露光装置。感光膜が形成された被処理基板を保持すると共に、走査方向に移動可能な基板ステージと、所定の回路パターンが形成された原版を保持すると共に、前記基板ステージと同期して移動可能な原版ステージと、前記原版に光を照射する照明光学系と、前記照明光学系により照射された前記原版のパターンを前記基板上に投影する投影光学系とを備える露光装置において、前記原版のパターンを前記基板上に露光する露光方法であって、前記基板ステージ上の基板と前記原版ステージ上の原版とを同期移動させながら前記原版のパターンを前記基板上に露光すると共に、前記基板ステージの上方に設けられた局所露光部により、前記基板に対し局所的に光を照射することを特徴とする露光方法。前記局所露光部において、基板幅方向にライン状に配列された複数の発光素子に対して、1つまたは複数の発光素子を発光制御単位として選択的に発光駆動し、前記基板ステージによって移動される前記基板に対し局所的に光を照射することを特徴とする請求項11に記載された露光方法。前記基板上に照射される照度と前記発光素子の駆動電流値との関係を相関テーブルとして記憶し、前記基板に形成された感光膜の所定領域に対し、その膜厚に基づいて照射すべき必要照度を求めると共に、前記所定領域に照射可能な前記発光素子に対して、前記相関テーブルに基づき前記必要照度から駆動電流値を決定し、前記駆動電流値により前記発光素子を発光させることを特徴とする請求項12に記載された露光方法。前記被処理基板と同じ高さ位置において基板幅方向に進退移動可能に設けられた照度検出手段により、前記局所露光部において発光制御単位となる全ての発光素子に対して照度の測定を行い、その駆動電流値と照度との関係を前記相関テーブルとして保持することを特徴とする請求項13に記載された露光方法。前記複数の発光素子を基板幅方向に沿って複数の発光制御グループに分けると共に、前記発光制御グループ毎に、所定範囲内の複数の駆動電流値と、その駆動電流値による照度とを前記相関テーブルに記憶することを特徴とする請求項13または請求項14に記載された露光方法。前記被処理基板に形成された感光膜の所定領域に対する照射及び現像処理により増減した膜厚の変動値と、前記所定領域に照射した発光素子の駆動電流値との関係を相関テーブルに蓄積し、前記相関テーブルに基づき前記膜厚変動値から駆動電流値を決定し、前記駆動電流値により前記発光素子を発光させることを特徴とする請求項12に記載された露光方法。前記被処理基板に形成された感光膜に対し、前記局所露光部により直接的に光を照射することを特徴とする請求項11乃至請求項16のいずれかに記載された露光方法。前記局所露光部により前記原版の上方から前記原版を照射し、前記原版を透過した回折光が前記投影光学系を通過して前記被処理基板に形成された感光膜に照射されることを特徴とする請求項11乃至請求項16のいずれかに記載された露光方法。前記局所露光部において、前記発光素子から発光された光を、前記複数の発光素子の下方に設けられた光拡散板を介して前記被処理基板に対し放射することを特徴とする請求項12乃至請求項18のいずれかに記載された露光方法。しかしながら、前記のようにプリベークによる加熱処理によって残膜厚の調整を行う場合、分割されたヒータ面積は、ハードウエアの制約上、ある程度の大きさを確保する必要があるため、細かなエリアの加熱調整が出来ないという課題があった。また、プロキシミティピンの高さによる加熱調整にあっては、ピン高さを変更する作業工数を要するため、生産効率が低下するという課題があった。本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、基板面内で細かく設定したエリア毎の露光量を容易に調整することができ、現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制することのできる露光装置及び露光方法を提供する。前記した課題を解決するために、本発明に係る露光装置は、感光膜が形成された被処理基板を保持すると共に、走査方向に移動可能な基板ステージと、所定の回路パターンが形成された原版を保持すると共に、前記基板ステージと同期して移動可能な原版ステージと、前記原版に光を照射する照明光学系と、前記照明光学系により照射された前記原版のパターンを前記基板上に投影する投影光学系とを備え、前記基板ステージ上の基板と前記原版ステージ上の原版とを同期移動させながら前記原版のパターンを前記基板上に露光する露光装置であって、前記基板ステージの上方に設けられ、前記基板に対し局所的に光を照射する局所露光部を備えることに特徴を有する。尚、前記局所露光部は、基板幅方向にライン状に配列され、前記基板ステージによって移動される前記基板に対し光照射可能な複数の発光素子と、前記複数の発光素子のうち、1つまたは複数の発光素子を発光制御単位として選択的に発光駆動可能な発光駆動部とを有することが望ましい。また、前記局所露光部の発光駆動部を制御する制御部を備え、前記制御部は、前記発光駆動部を制御し、前記複数の発光素子のうち、1つまたは複数の発光素子を発光制御単位として選択的に発光させることが望ましい。また、前記局所露光部は、前記基板ステージにより移動される前記被処理基板の上方に配置され、前記被処理基板に形成された感光膜に対し直接的に光を照射することが望ましい。或いは、前記局所露光部は、前記原版の上方に配置されると共に前記原版を照射し、前記原版を透過した回折光が前記投影光学系を通過して前記被処理基板に形成された感光膜に照射される構成としてもよい。このように構成することにより、膜厚をより薄くしたい或いは厚くしたい任意の部位に対する局所的な露光処理を容易に行うことができ、予め設定された露光量照度により所望の膜厚に減膜することができる。したがって、例えばハーフ露光処理においてレジスト膜に異なる膜厚厚膜部と薄膜部を持たせる場合であっても即ち薄膜部のように薄い膜厚であっても、現像処理後のレジスト膜厚を均一にし、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制することができる。また、前記制御部は、前記基板上に照射される照度と前記発光素子の駆動電流値との関係を相関テーブルとして記憶し、前記基板に形成された感光膜の所定領域に対し、その膜厚に基づいて照射すべき必要照度を求めると共に、前記所定領域に照射可能な前記発光素子に対して、前記相関テーブルに基づき前記必要照度から駆動電流値を決定し、前記駆動電流値により前記発光素子を発光させるよう前記発光駆動部を制御することが望ましい。また、前記被処理基板と同じ高さ位置において基板幅方向に進退移動可能に設けられ、前記局所露光部により照射された光の照度を検出する照度検出手段を備え、前記制御部は、前記照度検出手段により検出された照度と、発光駆動された前記発光素子の駆動電流値との関係を前記相関テーブルとして保持することが望ましい。また、前記制御部は、前記複数の発光素子を基板幅方向に沿って複数の発光制御グループに分けると共に、前記発光制御グループ毎に、所定範囲内の複数の駆動電流値と、その駆動電流値による照度とを前記相関テーブルに記憶することが望ましい。このように発光素子の駆動電流値と照度との関係を示す相関テーブルを用いることにより、発光素子の照度を最適なものとすることができる。また、相関テーブルに記録された値は、予め照度検出手段を用いて、発光制御単位となる全ての発光素子に対して照度測定を行い、その駆動電流値を記録したものとすることで、高精度に露光量を調整することができる。また、複数の発光素子を複数の発光制御グループに分けることにより、発光素子間の発光照度のばらつきを抑制することができる。或いは、前記制御部は、前記被処理基板に形成された感光膜の所定領域に対する照射及び現像処理により増減した膜厚の変動値と、前記所定領域に照射した発光素子の駆動電流値との関係を相関テーブルに蓄積し、前記相関テーブルに基づき前記膜厚変動値から駆動電流値を決定し、前記駆動電流値により前記発光素子を発光させるよう前記発光駆動部を制御する構成としてもよい。そのように膜厚変動値と駆動電流値との相関データを用いる場合には、パラメータとして照度を省くことができるため即ち照度と駆動電流値との相関データを利用しなくてよいため、照度と駆動電流値との相関データの更新作業を省くことができる。また、前記局所露光部が有する複数の発光素子の下方には光拡散板が設けられ、前記発光素子から発光された光は、前記光拡散板を介して前記被処理基板に対し放射されることが望ましい。このように光拡散板を設けることによって、複数の発光素子から放射された光は、光拡散板によって適度に拡散されるため、隣接する発光素子の光をライン状に繋げて下方に照射することができる。また、前記した課題を解決するために、本発明に係る露光方法は、感光膜が形成された被処理基板を保持すると共に、走査方向に移動可能な基板ステージと、所定の回路パターンが形成された原版を保持すると共に、前記基板ステージと同期して移動可能な原版ステージと、前記原版に光を照射する照明光学系と、前記照明光学系により照射された前記原版のパターンを前記基板上に投影する投影光学系とを備える露光装置において、前記原版のパターンを前記基板上に露光する露光方法であって、前記基板ステージ上の基板と前記原版ステージ上の原版とを同期移動させながら前記原版のパターンを前記基板上に露光すると共に、前記基板ステージの上方に設けられた局所露光部により、前記基板に対し局所的に光を照射することに特徴を有する。尚、前記局所露光部において、基板幅方向にライン状に配列された複数の発光素子に対して、1つまたは複数の発光素子を発光制御単位として選択的に発光駆動し、前記基板ステージによって移動される前記基板に対し局所的に光を照射することが望ましい。また、前記被処理基板に形成された感光膜に対し、前記局所露光部により直接的に光を照射することが望ましい。或いは、前記局所露光部により前記原版の上方から前記原版を照射し、前記原版を透過した回折光が前記投影光学系を通過して前記被処理基板に形成された感光膜に照射されるようにしてもよい。このような方法によれば、膜厚をより薄くしたい或いは厚くしたい任意の部位に対する局所的な露光処理を容易に行うことができ、予め設定された露光量照度により所望の膜厚に減膜することができる。したがって、例えばハーフ露光処理においてレジスト膜に異なる膜厚厚膜部と薄膜部を持たせる場合であっても即ち薄膜部のように薄い膜厚であっても、現像処理後のレジスト膜厚を均一にし、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制することができる。また、前記基板上に照射される照度と前記発光素子の駆動電流値との関係を相関テーブルとして記憶し、前記基板に形成された感光膜の所定領域に対し、その膜厚に基づいて照射すべき必要照度を求めると共に、前記所定領域に照射可能な前記発光素子に対して、前記相関テーブルに基づき前記必要照度から駆動電流値を決定し、前記駆動電流値により前記発光素子を発光させることが望ましい。また、前記被処理基板と同じ高さ位置において基板幅方向に進退移動可能に設けられた照度検出手段により、前記局所露光部において発光制御単位となる全ての発光素子に対して照度の測定を行い、その駆動電流値と照度との関係を前記相関テーブルとして保持することが望ましい。また、前記複数の発光素子を基板幅方向に沿って複数の発光制御グループに分けると共に、前記発光制御グループ毎に、所定範囲内の複数の駆動電流値と、その駆動電流値による照度とを前記相関テーブルに記憶することが望ましい。このように発光素子の駆動電流値と照度との関係を示す相関テーブルを用いることにより、発光素子の照度を最適なものとすることができる。また、相関テーブルに記録された値は、予め照度検出手段を用いて、発光制御単位となる全ての発光素子に対して照度測定を行い、その駆動電流値を記録したものとすることで、高精度に露光量を調整することができる。また、複数の発光素子を複数の発光制御グループに分けることにより、発光素子間の発光照度のばらつきを抑制することができる。或いは、前記被処理基板に形成された感光膜の所定領域に対する照射及び現像処理により増減した膜厚の変動値と、前記所定領域に照射した発光素子の駆動電流値との関係を相関テーブルに蓄積し、前記相関テーブルに基づき前記膜厚変動値から駆動電流値を決定し、前記駆動電流値により前記発光素子を発光させるようにしてもよい。そのように膜厚変動値と駆動電流値との相関データを用いる場合には、パラメータとして照度を省くことができるため即ち照度と駆動電流値との相関データを利用しなくてよいため、照度と駆動電流値との相関データの更新作業を省くことができる。また、前記局所露光部において、前記発光素子から発光された光を、前記複数の発光素子の下方に設けられた光拡散板を介して前記被処理基板に対し放射することが望ましい。このように複数の発光素子から放射された光を、光拡散板により拡散させることによって、隣接する発光素子の光をライン状に繋げて下方に照射することができる。本発明によれば、基板面内で細かく設定したエリア毎の露光量を容易に調整することができ、現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制することのできる露光装置及び露光方法を得ることができる。以下、本発明の露光装置及び露光方法にかかる一実施形態を、図面に基づき説明する。図1は、本発明に係る露光装置1の内部の概略構成を示す断面図である。この露光装置1は、例えば、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置であって、それぞれ矩形状のマスクM原版とガラス基板G被処理基板とを同期走査させ、マスクMが有する回路パターンの像をガラス基板G上のレジスト膜感光膜に投影し露光するものである。図示するように露光装置1は、レジスト液が塗布されたガラス基板Gが載置される基板ステージ2と、この基板ステージ2の上方に配置される投影光学系10とを備える。また、投影光学系10の上方には、マスクMを保持するマスクステージ3を備えている。さらに、露光装置1は、マスクMの上方に配置された照明部5照明光学系と、基板幅方向に長く形成され、局所的に基板Gに向けて光を照射するための局所露光部20とを備えている。前記基板ステージ2は、基板Gを支持し、これをXYZの各軸方向に移動させるものである。基板ステージ2は、前記各方向にステージを移動させる駆動機構図示せずを有している。一方、マスクステージ3は、マスクMを支持すると共に、マスクMが下方の投影光学系10に臨むよう開口部図示せずを有する枠体である。また、マスクステージ3は、マスクMを走査方向であるY方向に移動させる駆動機構図示せずを有している。基板ステージ2とマスクステージ3は、投影光学系10の結像倍率に応じた速度比で互いにY方向に同期走査され、それにより広い領域での露光が可能となっている。また、走査露光終了後には、X方向へ所定量だけ基板ステージ2をステップ移動させ、Y方向に走査露光を繰り返すことによりガラス基板Gを複数のショット露光領域に露光することが可能となされている。尚、本実施の形態においては、図2基板ステージ2の平面図に示すように、一例としてガラス基板G上に4つのショット領域SA1~SA4が設けられているものとする。また、前記投影光学系10は、マスクMとガラス基板Gとを光学的に共役な関係に維持し、マスクMのパターンの像をガラス基板Gに投影する。本実施の形態にあっては、投影光学系10は、軸外良像域を使用する反射屈折型光学系として構成され、台形ミラー11と、凹面ミラー12と、凸面ミラー13とを有している。尚、本発明に係る露光装置にあっては、投影光学系10の構成は前記構成に限定されるものではなく、投影光学系10として屈折系または反射系を代わりに用いてもよい。また、照明部5は、高圧水銀ランプやエキシマレーザからなる光源図示せずから放射した露光光としての光束を、照明光学系図示せずにより円弧状の光束とし、マスクMに対し均一に照明するものである。図2に示すように、マスクMを透過した円弧状の回折光LT1は、台形ミラー11、凹面ミラー12、凸面ミラー13、凹面ミラー12、台形ミラー11を順番に通過し、基板ステージ2ガラス基板Gに到達するようになっている。また、局所露光部20は、ガラス基板Gに塗布形成されたレジスト膜の所定領域に対して光LT2を直接的に照射し、局所的な露光を行うものであり、レジストとして例えばポジ型レジストが使用されている場合、次ぎのように駆動される。即ち、複数枚の基板Gを連続的に処理する際、全ての基板Gの所定領域において他の領域よりも配線パターン幅が広くパターン間ピッチが狭くなる場合に、前記所定領域に対する減膜厚のための局所露光が施される。尚、以下の実施形態にあっては、ポジ型レジストの場合を例に説明するが、本発明に係る露光装置にあっては、ネガ型レジストの場合にも適用することができ、その場合には、レジスト残膜をより厚く残したい所定領域に対して局所露光が施される。続いて局所露光部20の構成についてより詳しく説明する。図3は、この局所露光部20の断面図である。図4は、局所露光部20の主要部を基板幅方向から見た正面図である。局所露光部20は、基板Gに対し局所的な露光UV光放射を行うために設けられ、図1に示すように基板ステージ2の上方、且つ投影光学系10に影響を与えない場所に配置される。また、図3、図4に示すように局所露光部20は、基板幅方向Y方向に延びるライン状の光源21を備え、この光源21の下方を基板ステージ2上の基板Gが走査方向X方向移動されることとなる。前記ライン状の光源21は、所定波長例えば、g線436nm、h線405nm、i線364nmのいずれかに近い波長のUV光を発光する複数のUV-LED素子Lが回路基板22上に配列されて構成されている。例えば、図5aは、光源21の回路基板22を下方から見た平面図である。図5aに示すように、回路基板22上には複数のUV-LED素子Lが3列に配列される。ここで、図5aに示すように複数個図では9個のUV-LED素子Lが、一つの発光制御単位発光制御グループGR1~GRnとするとなされる。このように複数個のLED素子Lを発光制御単位とすることにより、発光素子間の発光照度のばらつきを抑制することができる。また、1つの発光制御グループGRによる基板Gへの照射範囲は、投影光学系10から基板Gに照射される円弧状の回折光LT1の照射範囲よりも大幅に小さいものとなされている。このため、前記円弧状の回折光LT1の照射範囲内において複数の発光制御グループGRの発光制御により局所的に露光量を調整することが可能となっている。尚、より少ないUV-LED素子Lで光源21を構成する場合には、図5bのように走査方向X方向、及び基板幅方向Y方向に素子Lが重なるように千鳥配置することが望ましい。また、図3,図4に示すように、光源21の下方には、光拡散板からなる光放射窓23が設けられている。即ち、光源21と被照射体である基板Gとの間に光放射窓23が配置されている。このように光拡散板からなる光放射窓23が設けられることによって、光源21から放射された光は、光放射窓23によって適度に拡散されるため、隣接するUV-LED素子Lの光はライン状に繋がって下方に照射される。また、図3に示すようにUV-LED素子Lの前後には、基板幅方向Y方向に延びる光反射壁24が設けられ、UV-LED素子Lによる発光が効率よく光放射窓23から下方に放射されるように構成されている。また、光源21を構成する各発光制御グループGRは、それぞれ発光駆動部25図3参照により、独立してその発光駆動が制御される。更には、各発光制御グループGRのUV-LED素子Lに対し供給される順電流値はそれぞれ制御可能となされている。即ち、各発光制御グループGRのUV-LED素子Lは、発光駆動部25によって、その供給電流に応じた発光の放射照度が可変となされている。尚、前記発光駆動部25は、コンピュータからなる制御部40によって、その駆動が制御される。また、図1に示すように基板ステージ2上の縁部には、光源21から放射され、光放射窓23を通過した光の照度放射束を検出するための照度センサ30が設けられている。この照度センサ30は、信号の検出部が上方に臨む状態で配置され、その検出部の高さ位置が、基板Gレジスト膜の上面の高さに一致するように調整されている。ここで、基板ステージ2は、XYの各軸方向に移動可能に設けられているため、照度センサ30は、基板ステージ2の移動によって各発光制御グループGRのUV-LED素子Lの直下に移動することができる。そのため、照度センサ30は、各発光制御グループGRのUV-LED素子Lから放射された光LT2を受光可能となされている。このように構成された照度センサ30にあっては、各発光制御グループGRの発光照度を測定し、その発光制御グループGRのLED素子Lに供給された電流値と発光照度との関係を得るために用いられる。また、制御部40は、光源21を構成する各発光制御グループGRの輝度、即ち、各発光制御グループGRを構成するUV-LED素子Lに供給する電流値を所定のタイミングにおいて制御するための発光制御プログラムPを所定の記録領域に有する。この発光制御プログラムPは、その実行時に用いるレシピのパラメータとして、基板Gの所定位置に対して放射すべき必要照度発光制御グループGRに供給する電流値、前記基板Gの所定位置に対し発光制御する発光制御グループGRを特定するための情報等が予め設定されている。ここで、局所露光部20を用いた準備工程について図6乃至図9を用いて説明する。この準備工程は、露光処理時に光を透過させるマスクパターン毎に、露光処理にかかるパラメータレシピと呼ぶを決定するために実施される。具体的には、図8に示すようなレシピテーブルT1における各パラメータを埋めるために実施される。尚、このレシピテーブルT1は、制御部40に記憶され保持される。また、この準備工程には、2種類のサンプリング基板サンプリング対象1,2と呼ぶのうち、いずれかを用いる。先ず、サンプリング対象1は、レジスト塗布後にハーフ露光、及び現像処理が施された被処理基板である。一方、サンプリング対象2は、通常のフォトリソグラフィ工程により配線パターンが形成された被処理基板である。図6に示すようにサンプリング対象1の場合、レジスト塗布後にハーフ露光及び現像処理が施された複数の被処理基板をサンプリングする図6のステップSt1。次いで、サンプリングした基板Gの面内におけるレジスト残膜厚を測定し図6のステップSt2、図7に模式的に示すように減膜すべき所定エリアARを複数の二次元座標値x、yにより特定する図6のステップSt5。一方、図6に示すようにサンプリング対象2の場合、通常のフォトリソグラフィ工程により配線パターン形成された複数の被処理基板をサンプリングする図6のステップSt3。次いで、サンプリングした基板Gの面内における配線パターンの線幅、パターン間ピッチを測定し図6のステップSt4、図7に模式的に示すように減膜すべき所定エリアARを複数の二次元座標値x、yにより特定する図6のステップSt5。所定エリアARが特定されると、制御部40は、図8のレシピテーブルT1に示すように、所定エリアARにおける各座標値に対して必要な減膜厚例えば、座標x1,y1の場合は1000Åを算出する図6のステップSt6。更に、その減膜厚の値、及びレジスト種類等の諸条件に基づき、減膜のために照射すべき照度座標x1,y1の場合は0.2mJ/cm2を算出する図6のステップSt7。また、制御部40は、図8のレシピテーブルT1に示すように、所定エリアARの各座標値に対して照射可能な発光制御グループGRをそれぞれ特定し図6のステップSt8、その発光制御グループGRを所望の照度で発光させるために必要な順電流値を図9に示す相関テーブルT2から求める図6のステップSt9。この相関テーブルT2は、発光制御グループGRごとに測定された照度値と電流値との相関関係を示しており、制御部40の記録エリアに記憶されている。前記相関テーブルT2は、例えば、次のようにして定期的に更新される。先ず、光源21光放射窓23が所定高さに設定された状態で、制御部40からの制御信号により基板ステージ2が駆動され照度センサ30が光放射窓23の下方に移動される。ここで、光放射窓23と照度センサ30との距離は、光放射窓23と基板G上面との距離に等しいため、照度センサ30によって検出された照度が、基板Gに照射される照度となる。そして、発光制御グループGR毎に、定格電流範囲内で、光源21の発光制御グループGRに供給する順電流値が増減され、その発光照度が照度センサ30により検出され、照度と電流値との関係が図9の相関テーブルT2に記憶される。このように図6のフローに沿って全てのパラメータが求められて図8のレシピテーブルT1に設定され、準備工程が完了する図6のステップSt10。続いて、露光装置1による露光処理の一連の動作について、図10フローに沿って説明する。尚、本実施形態にあっては、X方向の走査往路走査と呼ぶにおいて図2に示すショット領域SA1,SA2の露光処理を行い、その後、基板ステージ2をY方向へ1ステップ移動させ、X方向の戻りの走査復路走査と呼ぶにおいてショット領域SA3,SA4の露光処理を行うものとする。先ず、露光装置1の基板ステージ2上にレジスト膜が形成された基板Gが載置されると図10のステップS1、照明部5が露光光としての円弧状の光束をマスクMに対し均一に照明開始する。マスクMを透過した円弧状の回折光LT1は、台形ミラー11、凹面ミラー12、凸面ミラー13、凹面ミラー12、台形ミラー11を順番に通過し、図2に示すように基板ステージ2上基板Gの側方に投影される図10のステップS2。また、基板ステージ2は、マスクステージ3と同期しながらX方向図2の紙面左方向に移動開始され即ち往路走査が開始され、それによりマスクMに形成された回路パターンの形状に基板G上のレジスト膜ショット領域SA1,SA2が露光開始される図10のステップS3。また、制御部40は、この往路走査において、局所的に露光をすべき基板G上の所定エリアが局所露光部20の下方を通過するタイミングで図10のステップS4、図11に模式的に示すように光源21を構成する発光制御グループGR1~GRnの発光制御を行う図10のステップS5。ここで、例えば、基板Gの所定エリアARに発光照射する場合には、その上方に配置された発光制御グループGRn-1,GRn-2の発光制御がなされ、所定エリアARに対して直接的に光LT2が照射される。より具体的には、図12のグラフ発光制御グループGRn-1,GRn-2ごとの時間経過に対する放射束ワットの大きさに示すように、光源下を基板Gの所定エリアARが通過する間、放射束Wの大きさが変化するよう供給される順電流の制御が行われる。このように、基板Gの所定エリアARに単に照射されるだけでなく、エリアAR内の局所において任意の照度での照射がなされる。また、基板Gにおいて、他に局所的に露光すべきエリアが有る場合図10のステップS6、そのエリアにおいて発光制御グループGRの発光制御がなされ、他にない場合は図10のステップS6、その基板Gに対する局所露光処理が終了する。また、マスクM及び投影光学系10を通過した円弧状の回折光LT1による往路走査が終了すると図10のステップS7、制御部40は基板ステージ2をY方向にステップ移動させ、マスクステージ3と基板ステージ2とをX方向に同期しながらX方向図2の紙面右方向に移動開始させる。これにより復路走査が開始され、残るショット領域SA3,SA4の露光が順に開始される図10のステップS8。そして、前記復路走査が終了すると、制御部40は、照明部5からの光束の投影を停止し、露光装置1における局所露光を含む露光処理が完了する図10のステップS9。以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、露光装置1において、基板Gに形成されたレジスト膜に対し露光処理を行う際、マスクMを介した回折光LT1による各ショット領域SA1~SA4への露光処理に加え、局所露光部20により任意の部位に対し局所的な露光処理が行われる。即ち、基板上方に配置された局所露光部20において、基板幅方向X方向にライン状に配置された複数のUV-LED素子Lにより複数の発光制御グループGRが形成され、その下方を移動される基板Gに対し、選択された発光制御グループGRが発光制御される。これにより、膜厚をより薄くしたい任意の部位に対する局所的な露光処理を容易に行うことができ、予め設定された露光量照度により所望の膜厚に減膜することができる。したがって、例えばハーフ露光処理においてレジスト膜に異なる膜厚厚膜部と薄膜部を持たせる場合であっても即ち薄膜部のように薄い膜厚であっても、現像処理後のレジスト膜厚を均一にし、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制することができる。また、露光量照度の設定にあっては、予め照度センサ30を用いて全ての発光制御グループGRに対して測定を行い、その駆動電流値と照度との関係を相関テーブルとして保持することによって、高精度に露光量を調整することができる。尚、前記実施の形態にあっては、図1に示すように、局所露光部20を、走査方向X軸方向に沿って投影光学系10の後方図1の紙面左側に配置した例を示したが、それに限らず、投影光学系10における回折光の通過に影響しない位置であればよい。例えば、投影光学系10の前方凸面ミラー13の直下付近に配置した構成でも可能である。或いは、投影光学系10の前後にそれぞれ局所露光部20を配置し、往路走査時と復路走査時とで、それぞれ駆動する局所露光部20を切り替えるように制御してもよい。また或いは、前記のように、局所露光部20を、投影光学系10に影響しないように配置するのではなく、局所露光部20から放射された光をマスクMに照射し、投影光学系10を通過する回折光LT1に重畳させた上で露光する構成としてもよい。その場合、例えば、図13に示すように照明部5の後方図1の紙面左側に局所露光部20を配置する構成が考えられる。図13に示す構成によれば、局所露光部20から放射された光は、マスクMを通過して投影光学系10を介し基板Gを露光する。このため、マスクMのパターン領域内で局所露光を行うことができ、露光の必要がない領域の化学反応を抑制し、局所露光の精度をより向上させることができる。また、露光装置1において、図1のように局所露光部20により基板Gに対し直接的に光照射する構成と、図13のようにマスクMに光照射して投影光学系10を介し基板Gを照射する構成のいずれの場合であっても、局所露光部20は一つに限らず複数配置してよい。例えば、図1のように局所露光部20により基板Gに対し直接的に光照射する構成の場合、前記のように局所露光部20を投影光学系10の前後にそれぞれ配置してもよく、図13のようにマスクMに光照射して投影光学系10を介し基板Gを照射する構成の場合、局所露光部20を照明部5の前後にそれぞれ配置してもよい。また、露光装置1内において局所露光部20を配置する位置、及びその数は限定されるものではなく、各位置において1つ又は複数の局所露光部20を配置してよい例えば、各位置において複数の局所露光部20を走査方向に沿って並列に連結するように配置する等。また、前記実施の形態においては、複数個のUV-LED素子Lからなる発光制御グループを発光制御単位とした例を示したが、それに限らず、各UV-LED素子Lを発光制御単位として、より細かく局所露光を行うようにしてもよい。また、前記実施形態においては、ハーフ露光処理後のレジスト残膜厚を均一にする場合を例に説明したが、本発明に係る局所露光方法にあっては、ハーフ露光処理に限らず適用することができる。例えば、ハーフ露光処理ではなく通常の露光処理を行う場合であっても、発明に係る局所露光方法を適用することによって、レジスト残膜厚を面内均一とすることができる。また、図6のステップSt6、St7のように、必要な残膜厚に基づき必要な照度を求めることに限らず、現像処理後のパターン線幅を測定してパターン線幅と照度との相関データを求め、その相関データに基づきレシピテーブルを作成してもよい。また、前記実施の形態においては、基板Gに形成されたレジスト膜の所定領域の膜厚から照射すべき照度を決定し、相関テーブルに基づき前記照度から駆動電流値を求めるものとした。しかしながら、そのような形態のみに限定するのではなく、前記所定領域における膜厚変動値減膜厚値と、その所定領域に照射した発光制御グループGRの駆動電流値との関係を図14に示すような相関テーブルT3にデータベースとして蓄積しておき、それを利用してもよい。即ち、前記相関テーブルT3に基づき前記所定領域の膜厚変動値から直接、駆動電流値を決定し、前記駆動電流値により発光制御グループGRを発光させるようしてもよい。そのように相関テーブルT3を用いる場合には、パラメータとして照度を省くことができるため即ち照度と駆動電流値との相関テーブルT2を利用しなくてよいため、照度センサ31を用いた照度測定による定期的な相関テーブルT2の更新作業を省くことができる。また、前記実施の形態においては、原版としてマスクMを用いるものとしたが、それに限らず原版としてレクチルなどを用いることもできる。"