素地をめっきする水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴であって、約1~15g/Lの範囲内で与えられる少なくとも1種のニッケルイオン供給源、約10~50g/Lの範囲内で与えられる、還元剤としての次亜リン酸塩、約1~65g/Lの範囲内で与えられる少なくとも1種のキレート化剤、≦1g/Lの範囲内で与えられる浴安定助剤、および約0.001から約0.1g/Lまでの範囲内で与えられる少なくとも1種のスズイオン供給源を含み、4~5の間のpHに保持される、水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴。少なくとも1種のニッケルイオン供給源が、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、および酢酸ニッケルからなる群から選択される、請求項1に記載の浴。少なくとも1種のニッケルイオン供給源が、約3~8g/Lの範囲内で与えられる、請求項1に記載の浴。次亜リン酸塩が次亜リン酸ナトリウムである、請求項1に記載の浴。次亜リン酸塩が約15~40g/Lの範囲内で与えられる、請求項1に記載の浴。少なくとも1種のキレート化剤を、クエン酸、乳酸、酒石酸、コハク酸、リンゴ酸、マレイン酸、およびエチレンジアミン四酢酸からなる群から選択してもよい、請求項1に記載の浴。浴安定助剤が酢酸鉛三水和物である、請求項1に記載の浴。少なくとも1種のスズイオン供給源を、硫酸第一スズ、塩化第一スズ、およびメタンスルホン酸スズからなる群から選択してもよい、請求項1に記載の浴。少なくとも1種のスズイオン供給源がメタンスルホン酸スズである、請求項8に記載の浴。水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴が、チオ尿素を含めた硫黄系の促進剤および安定剤を含まない、請求項1に記載の浴。水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴が、ジボロンエステル、ボロ-グルコン酸錯体、およびスズ酸塩-グルコン酸塩錯体からなる群から選択される成分を含まない、請求項1に記載の浴。素地が、鋼鉄、アルミニウム、熱可塑性ポリマー、および熱硬化性ポリマーからなる群から選択される材料である、請求項1に記載の浴。素地の表面を三元合金で無電解めっきする方法であって、めっきする素地を提供するステップ、約96°C約205°F未満の温度に加熱され4~5の間のpHに保持される水性ニッケルリン合金めっき浴中に該素地を浸漬するステップ、およびニッケルリンスズ合金を約4マイクロインチ/分の速度で素地の表面上にめっきしてめっき素地を形成するステップを含み、該めっき浴が、約1~15g/Lの範囲内で与えられる少なくとも1種のニッケルイオン供給源、約10~50g/Lの範囲内で与えられる、還元剤としての次亜リン酸塩、約1~65g/Lの範囲内で与えられる少なくとも1種のキレート化剤、≦1g/Lの範囲内で与えられる浴安定助剤、および約0.001から約0.1g/Lまでの範囲内で与えられる少なくとも1種のスズイオン供給源を含み、該めっき素地が、少なくとも40マイクロインチの厚さを有し、該ニッケルリンスズ合金が、3~9の間のスズと7~12の間のリンとを含む、方法。素地を前処理プロセスにかけるステップであって、該前処理が、ニッケルリンスズ合金を素地上にめっきする前に素地の表面を活性化するステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。少なくとも1種のニッケルイオン供給源、次亜リン酸塩、少なくとも1種のキレート化剤、浴安定助剤、および少なくとも1種のスズイオン供給源が、めっきプロセスの間にめっき浴中に補給される、請求項13に記載の方法。少なくとも1種のニッケルイオン供給源が、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、および酢酸ニッケルからなる群から選択される、請求項13に記載の方法。少なくとも1種のニッケルイオン供給源が、約3~8g/Lの範囲内で与えられる、請求項13に記載の方法。次亜リン酸塩が次亜リン酸ナトリウムである、請求項13に記載の方法。次亜リン酸塩が約15~40g/Lの範囲内で与えられる、請求項13に記載の方法。少なくとも1種のキレート化剤を、クエン酸、乳酸、酒石酸、コハク酸、リンゴ酸、マレイン酸、またはおよびエチレンジアミン四酢酸からなる群から選択してもよい、請求項13に記載の方法。浴安定助剤が酢酸鉛三水和物である、請求項13に記載の方法。少なくとも1種のスズイオン供給源を、硫酸第一スズ、塩化第一スズ、およびメタンスルホン酸スズからなる群から選択してもよい、請求項13に記載の方法。少なくとも1種のスズイオン供給源がメタンスルホン酸スズである、請求項22に記載の方法。水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴が、チオ尿素を含めた硫黄系の促進剤および安定剤を含まない、請求項13に記載の方法。水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴が、ジボロンエステル、ボロ-グルコン酸錯体、およびスズ酸塩-グルコン酸塩錯体からなる群から選択される成分を含まない、請求項13に記載の方法。素地が、鋼鉄、アルミニウム、熱可塑性ポリマー、および熱硬化性ポリマーからなる群から選択される材料である、請求項13に記載の方法。少なくとも1種のニッケルイオン供給源、次亜リン酸塩、少なくとも1種のキレート化剤、および浴安定助剤が、三元合金のめっきの間に補給される、請求項13に記載の方法。10°C/分の走査速度を使用する示差走査熱量測定によって測定したときに、三元合金が少なくとも390°Cの結晶化温度Tcを示すようにスズが共析する、請求項13に記載の方法。本発明は、メモリディスク用途に適したニッケルリンスズ合金析出物を生成する無電解めっき浴の開発に関する。本明細書で言及される、この水性無電解ニッケルリンスズめっき浴の配合は、メモリディスク産業によってニッケル下層を析出させるのに使用される現行の方法と適合性がある。本明細書に記述するNiPSnを析出させる配合および方法は、メモリディスク用途のもの以外の素地にも適用することができる。本発明の一実施形態は、メモリディスク素地をめっきする水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴であって、少なくとも1種のニッケル塩、還元剤としての次亜リン酸塩、少なくとも1種のキレート化成分、浴安定助剤、および少なくとも1種のスズイオン供給源を含有し、典型的な無電解ニッケル析出物と比較すると向上した熱安定性を有する無電解ニッケルリンスズ合金を生成する、水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴を提供することである。本発明の別の実施形態は、アルミニウムもしくは鉄鋼のような金属、またはプラスチックのような非金属のものなどの、適切に活性化された素地表面をめっきする水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴であって、少なくとも1種のニッケル塩、還元剤としての次亜リン酸塩、少なくとも1種のキレート化成分、浴安定助剤、および少なくとも1種のスズイオン供給源を含有する、水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴を提供することである。一実施形態では、水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴の少なくとも1種のニッケル塩には、約1から最大約15g/Lまでの範囲内のニッケルイオン濃度、好ましくは約3から約8g/Lまでの範囲内の濃度をもたらすための、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、酢酸ニッケルなどのニッケル塩が含まれるが、それだけには限らない。別の実施形態では、還元剤として作用する次亜リン酸塩は、次亜リン酸ナトリウムが好ましいであろう。めっき液中の次亜リン酸塩の濃度は、約10から約50g/Lまでの範囲内であるが、好ましくは約15から約40g/Lまでの範囲内である。使用されるニッケルイオンおよび次亜リン酸イオンの濃度は、浴中のこれら2つの構成成分の相対濃度、浴の具体的な操作条件、ならびに存在する他の浴成分の種類および濃度に応じて上述の範囲内で変動するであろう。適切な寿命および作動性能を有する実用的なめっき浴を提供するために、浴中に存在するニッケルイオンを錯化し、さらに浴を使用する間に形成される次亜リン酸塩劣化生成物を可溶化するのに十分な量の、少なくとも1種のキレート化剤を組み込んでもよい。浴中に存在するニッケルイオンを錯化すると、オルト亜リン酸ニッケルnickelorthophosphiteの形成を遅らせる。オルト亜リン酸ニッケルは、相対的に溶解性が低く、不溶性の懸濁液を形成しやすく、それは浴分解を促進する触媒核として作用するだけでなく、粗いまたはでこぼこした望ましくないニッケル析出物の形成をもたらす。本発明の一実施形態では、少なくとも1種のキレート化成分には、クエン酸、乳酸、酒石酸、コハク酸、リンゴ酸、マレイン酸、またはエチレンジアミン四酢酸EDTAのような有機酸などの様々な多座配位子が含まれてもよい。一般に、キレート化成分の総濃度は、一般にニッケルイオン濃度に対してわずかから中程度に化学量論的に過剰であるべきである。一実施形態では、少なくとも1種のキレート化成分の濃度は、約1から約65g/Lまでの範囲内で与えられてもよい。さらにまた別の実施形態では、浴安定助剤には、重金属塩および/または有機安定剤が含まれる。一例として、該安定剤は酢酸鉛三水和物であってもよい。浴安定助剤の濃度は、≦1g/Lであってもよい。別の実施形態では、少なくとも1種のスズイオン供給源には、硫酸第一スズ、塩化第一スズ、およびメタンスルホン酸スズが含まれてもよい。スズイオンの濃度は、約0.001から約0.1g/Lまでの範囲内で与えられてもよい。前記に加えて、該組成物は、界面活性剤、緩衝剤および他の同様の添加剤も含有してもよい。界面活性剤を様々な機能のために添加してもよく、それにはニッケル析出物の結晶粒を微細化するのに役立つ材料が含まれる。酸、塩基、またはその組み合わせを含めた適切な緩衝剤も、めっき浴のpHを安定させるために使用してもよい。本発明のニッケルリンスズ合金の無電解めっきを行う際に使用される条件は、合金中にニッケルとともに共析する金属の所望の最終濃度、使用される還元剤はもとより合金中に所望されるかかる還元剤の量、および本明細書に記述する他のめっき浴成分に応じて決まるであろう。また、合金の最終組成物、および特にニッケルとともに共析するスズの量は、pHの範囲、金属カチオンの濃度、スズを浴に組み込む方式、および浴の温度に依存するであろう。したがって、以下に記述する通りの条件は、様々な異なる合金組成物全体を実現するために変動することがあり、示した範囲内に本発明の範囲を限定することを意図するものではない。効率的にニッケル合金をめっきするために、水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴を約96°C約205°F未満、好ましくは約87~91°C約188~196°Fの間に加熱する。前記範囲より温度が低いと、著しく低いめっき速度2μin/分未満を生じる。次いで、それだけには限らないが典型的にはアルミニウム素地である、素地を浴中に浸漬してめっきする。任意選択により、めっき前に該素地を適切な前処理プロセスにかけてもよい。めっき浴のpHを、約<5のpHに、好ましくは約4~5の間のpHに保持してもよい。さらに、めっきを続けるにつれて浴のpHは低下するが、浴をその最適な範囲内に保持するために、酸および/または塩基を含めた適切な緩衝剤を添加して浴のpHを絶えず調節しなければならない。pHを保持するために、典型的には硫酸、水酸化ナトリウムまたは水酸化アンモニウムを使用する。また、めっきプロセスの間に水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴の成分が消耗したときに、必要に応じてそれを補給してもよい。本発明のある実施形態では、無電解めっき浴のニッケルリンスズ合金のめっきは、2.5から6μin/分の間、好ましくは約4μin/分のめっき速度をもたらす。本発明の方法に由来するニッケルリンスズ合金の組成物は、析出物中に3~9の間のSnと7~12の間のPとを保持する。この合金組成物は、典型的には40マイクロインチ約1um超の厚さまでで構築され、それより厚く保持される。メモリディスク用途には、析出物の典型的な厚さは300~600マイクロインチ7.5~15μmの間である。本発明の利点を示すために試験を実施し、その結果を以下の記述に報告する。これらの試験は、様々な組成で得られたニッケルリン合金析出物の、組成、磁性測定値、結晶化度、および硬さを考慮に入れた。熱安定性は、本明細書では高温暴露後にアモルファスのままである材料の能力によって特性決定される。暴露時間は、焼なまし用に選択した温度に応じて決まる。選択した条件下で析出物が熱的に安定でなければ、薄膜のすべてまたは一部が結晶化することがある。アモルファスのNi合金が典型的に非磁性であるのに対し、結晶性のNi合金は典型的に磁性である。Ni合金の結晶化の程度を監視する一方法は、その材料の磁性を測定し、それを参照と比較することによる。同一の焼なまし条件にかけたときに、典型的なNiP合金の磁性測定値と比較して析出物の磁性測定値の方が低ければ、熱安定性が向上していることを示している。熱的に安定化した代替物としての本発明のニッケルリンスズ合金析出物の有効性を従来のNiP析出物に対して比較するために、市販の無電解ニッケルめっき浴由来のニッケル析出物について磁性測定を行った。メモリディスクのアルミニウム素地を前処理プロセスにかけてその表面を活性化し、次いで、約87~91°C約188~196°Fの間に加熱し、4~5の間のpHに保持した市販の無電解ニッケル浴中に浸漬した。めっきの間に無電解めっき浴の成分が消耗したときは、それを補給した。被覆したメモリディスク素地を約350°C約660°Fの温度のオーブンに15分間入れ、次いでその試料の磁性を、LakeShore振動試料磁力計VSMを使用し、±5000Oeの循環磁場cyclingfieldで測定することによって、熱安定性を試験した。アルミニウム素地からの磁化の寄与を差し引き、析出物の飽和磁化をガウスで報告する。市販の無電解ニッケルめっき浴由来のニッケル析出物の試験結果を表1に示す。表1の磁性測定からわかるように、市販の無電解ニッケル合金めっき浴由来の析出物の各値は、約350°Cの温度での15分間の焼なまし時間の後に、100ガウスを優に上回る。比較のために、次いで、本発明の水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴および方法によるスズイオン供給源を含む浴由来のニッケルリンスズ合金析出物について、磁性測定を行った。具体的には、メタンスルホン酸スズを、スズが共析するような方法で基準の無電解ニッケル合金めっき浴に添加した。メモリディスクのアルミニウム素地を前処理プロセスにかけてその表面を活性化し、次いで、約87~91°C約188~196°Fの間に加熱し、4~5の間のpHに保持した本発明の水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴中に浸漬した。めっきの間に水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴の成分が消耗したときは、約400マイクロインチのニッケルリンスズ合金が素地の表面に析出するまで該成分を補給した。一例では、水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴の組成物は、以下の成分を含んでいた。ニッケルイオン3~8g/L浴安定助剤0~1g/L次亜リン酸塩15~40g/Lスズイオンスズ供給源由来0.001~0.1g/Lキレート化成分複数1~65g/LNiPSn合金析出物についての磁性測定を、約350°Cでの15分間の焼なまし時間後に、表1の市販の化学品由来の試料についての方法と同じように行った。図1からわかるように、本発明の水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴由来のニッケルリンスズ析出物の焼なまし後の磁性測定値は、各々100ガウス未満であり、ほとんどの場合10ガウス未満である。ニッケルリンスズ合金析出物は、スズイオン供給源を含有しない基準化学品めっき浴に由来する、同一条件下で焼なました析出物と比較すると焼なまし後に磁性が低く、それは、スズを含むと熱的に安定化した析出物が生じることを示している。時間の関数としての磁性を測定し、磁化結晶化に由来するが増大する速度を比較することによって、NiP析出物と比較して向上した本発明由来のNiPSn析出物の熱安定性も観察される。図2からわかるように、350°C約660°Fに維持したときに、NiPSn合金はNiP合金より磁化が増大する速度が遅く、それは、NiPSn析出物では結晶化が抑制されていることを示している。熱安定性の向上の別の指標は、より高温でもアモルファスのままである材料の能力である。結晶化の抑制は、アモルファス材料の結晶化温度の上昇として現れるであろう。熱安定性の追加的試験は、アモルファス材料についての示差走査熱量測定DSCを使用する結晶化温度Tcの測定である。結果を図3に示す。比較のために、本発明のNiPSn析出物および典型的なNiP析出物について、N2ガスパージ下で周囲温度から高温までランプ速度10°C/分におけるDSCQ2000TAInstrumentsで、DSC走査した。この手法を使用して測定した結晶化温度は、次の通りである。aNiPSn、Tc=393.42°C、b市販浴1NiP、Tc=364.45°C、およびc市販浴2NiP、Tc=359.33°C。図3からわかるように、本発明で説明した浴および方法により生成したNiPSn析出物aの結晶化温度は、典型的な無電解ニッケル合金浴由来のNiP析出物bおよびcの結晶化温度より約30°C高く、それは、Snを合金に添加するとより高い温度まで結晶化が抑制されることを示しており、NiPSn合金の方が熱的に安定していることを実証している。合金化元素を添加すると、相変化をもたらすことがある。Niに富む領域とSnに富む領域とが分離しないように、NiPSn合金中に共析するスズのレベルを制御することが重要である。図4は、本発明の実施形態由来の無電解析出NiPSnaがアモルファスであることを図示するX線回折図diffractogramを示し、それは、典型的な無電解析出NiPbと酷似した幅広いピークが回折図に観察されることにより示される。次いで、FEIQuanta2002DSEMを利用してエネルギー分散X線分光EDX測定を行った。表2からわかるように、NiPSn試料を測定するとSn=3~9とP=7~12とをいずれも含有していた。材料の熱安定性の向上は、無電解ニッケル合金皮膜の他の望ましい性質、例えば硬さまたは耐食性などに悪影響を及ぼすことなく実現されるべきである。本発明由来の無電解析出NiPSn薄膜の硬さは、典型的なNiP薄膜の硬さと機械的に同等であるべきである。硬さ測定を、無電解被覆アルミニウム素地についてBuehlerMicromet2100で0.01kgfを使用して行い、ビッカース硬さ数VHNで提示した。表3に示すように、本発明の実施形態によるニッケルリンスズ合金析出物の硬さ測定値は、市販無電解ニッケル合金析出物について測定されたものと同様である。耐食性は、腐食環境に暴露されたときの析出物の腐食減量によって定義することができる。本発明の実施形態によるニッケルリンスズ合金析出物の耐食性を、腐食減量法を使用して特性決定する。50/50体積の硝酸に20分間暴露した後に、ThermonoranLXHRを使用してX線蛍光XRF測定を行い、析出物の厚さの変化を測定した。表4からわかるように、この分析の結果により、本発明の実施形態によるニッケルリンスズ合金析出物は、該試料の方が厚さの減少が少ないことから明らかなように、市販のニッケルめっき浴から得られるニッケル析出物より耐食性があることが示された。以上の開示に基づけば、本明細書に記載した通りの水性無電解ニッケルリンスズ合金めっき浴およびこのニッケル合金を素地上に析出させる方法が、前述の目的を果たすこととなることは今や明らかなはずである。したがって、いかなる明白な変形形態も特許請求する本発明の範囲内に包含され、よって、特定の構成要素の選択を、本明細書で開示し記述した発明の趣旨から逸脱することなく決定することができることが理解されよう。