"積層配置された複数の被誘導加熱部材の端面に向う交流磁束を発生する誘導加熱装置において、誘導加熱コイル又は誘導加熱コイル用磁極における前記被誘導加熱部材に対向する端面の形状を矩形とし、前記誘導加熱コイルまたは前記誘導加熱コイル用磁極における前記端面の幅を前記被誘導加熱部材と前記磁極との間の距離よりも大きくしたことを特徴とする誘導加熱装置。矩形状を成す前記誘導加熱コイルまたは前記誘導加熱コイル用磁極の前記端面の高さを前記被誘導加熱部材と前記誘導加熱コイルまたは前記誘導加熱コイル用磁極との間の距離よりも大きくしたことを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。前記磁極は、平面形状を鍬型状としたコアの両端部に構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の誘導加熱装置。前記被誘導加熱部材は、平面形状を円形とし、前記磁極は、前記端面が前記被誘導加熱部材における半径方向延長線と直交する角度を成し、前記磁極の側面は前記半径方向延長線と平行に設けられることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。前記磁極の先端又は先端近傍に、前記誘導加熱コイルの1ターン目が巻回されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。特許文献1に開示されているような構成の誘導加熱装置によれば、確かに、基板表面に金属膜が被覆された半導体基板等であっても、誘導加熱により金属膜が直接加熱されてしまう虞が無くなる。しかし、上記のような構成の誘導加熱装置では、チャンバを構成する隔壁をアルミ等の耐熱性金属で構成するため、磁極から生ずる磁束を被誘導加熱部材であるサセプタに到達させるためには、チャンバの一部に開口部を形成する必要がある。しかし、チャンバに開口部を設けた場合にはチャンバ内部を真空引きすることが出来なくなってしまう。また、チャンバを密閉するために、開口部を磁極で封止した場合には、チャンバ内にコンタミが生ずる虞がある。このため、チャンバに設けた開口部には通常、真空耐力、磁束透過性、耐熱性、熱膨張率が低い、熱伝導率が低い、及び熱衝撃に強いといった特性を持ち、汚染の虞が無い石英が配置されることとなった。ここで、開口部に石英が配置されることによって、被誘導加熱部材であるサセプタと磁極との距離が離れた場合、サセプタへ到達する磁束の磁束密度が著しく減少するという問題がある。そこで本発明では、被誘導加熱部材と磁極との間の距離が大きくなった場合であっても、被誘導加熱部材への到達磁束の磁束密度の減少を抑制し、加熱効率の高い誘導加熱装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するための本発明に係る誘導加熱装置は、積層配置された複数の被誘導加熱部材の端面に向う交流磁束を発生する誘導加熱装置において、誘導加熱コイル又は誘導加熱コイル用磁極における前記被誘導加熱部材に対向する端面の形状を矩形とし、前記誘導加熱コイルまたは前記誘導加熱コイル用磁極における前記端面の幅を前記被誘導加熱部材と前記磁極との間の距離よりも大きくしたことを特徴とする。また、上記のような特徴を有する誘導加熱装置では、矩形状を成す前記誘導加熱コイルまたは前記誘導加熱コイル用磁極の前記端面の高さを前記被誘導加熱部材と前記誘導加熱コイルまたは前記誘導加熱コイル用磁極との間の距離よりも大きくすることが望ましい。また、上記のような特徴を有する誘導加熱装置では、前記磁極は、平面形状を鍬型状としたコアの両端部に構成するようにすると良い。また、上記のような特徴を有する誘導加熱装置において前記被誘導加熱部材は、平面形状を円形とし、前記磁極は、前記端面が前記被誘導加熱部材における半径方向延長線と直交する角度を成し、前記磁極の側面は前記半径方向延長線と平行に設けるようにすると良い。さらに、上記のような特徴を有する誘導加熱装置において、前記磁極の先端又は先端近傍に、前記誘導加熱コイルの1ターン目が巻回されていることが望ましい。上記のような特徴を有する誘導加熱装置によれば、被誘導加熱部材と磁極との間の距離が大きくなった場合であっても、被誘導加熱部材への到達磁束の磁束密度の減少を抑制し、加熱効率の高い誘導加熱装置を実現することができる。以下、本発明の誘導加熱装置に係る実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。まず、図1、図2を参照して、第1の実施形態に係る誘導加熱装置の概要構成について説明する。なお、図1は誘導加熱装置の平面構成を示す部分断面ブロック図であり、図2は図1におけるA-A断面を示すブロック図である。本実施形態に係る誘導加熱装置10は、被加熱物としてのウエハ60と被誘導加熱部材発熱体としてのサセプタ16を多段に重ねて熱処理を行うバッチ式のものとする。誘導加熱装置10は、チャンバ12と、チャンバ12の外部に配置された励磁部28、および電源部40を基本として構成される。チャンバ12は、ボート14と回転テーブル18、およびハウジング26を基本として構成されるプロセス室である。ボート14は、被加熱物であるウエハ60を載置するサセプタ16を複数、垂直方向に積層配置することで構成される。各サセプタ16間には、図示しない支持部材が配置され、ウエハ60を配置するための所定の間隔を保つように構成される。図示しない支持部材は、磁束の影響を受けることが無く、耐熱性が高く、かつ熱膨張率の小さい部材により構成すると良く、具体的には石英などを用いて構成すると良い。サセプタ16は、導電性部材で構成されれば良く、例えばグラファイト、SiC、SiCコートグラファイト、および耐熱金属等により構成すれば良い。回転テーブル18は、テーブル20と回転軸22、およびベース24を基本として構成される。テーブル20は、積層配置された複数のサセプタ16から成るボート14を支持するための台であり、図示しない支持部が設けられる。回転軸22は、テーブル20の回転中心に固定された軸であり、図示しない駆動源からの駆動力を受けて回転することで、テーブル20を回転させ、テーブル20に載置された複数のサセプタ16を回転させる。ベース24は、回転軸22を回転させるためのモータ等の駆動源を有する土台であり、テーブル20の安定状態を確保する。回転テーブル18によりボート14を回転させることにより、加熱源である励磁部28を誘導加熱装置10に対して偏らせて配置した場合であっても、サセプタ16の均一加熱が可能となる。また、励磁部28を偏らせて配置することによれば、誘導加熱装置10をボート14チャンバ12の外周に均等配置する場合に比べ、装置の小型化を図ることが可能となる。ハウジング26は、チャンバ12内部を真空に保つための隔壁である。実施形態におけるハウジング26は、平面形態を多角形図1に示す例では六角形とすることで、形状形成の容易化を図ることができる。ハウジング26の構成部材は、プロセス的な側面から、アルミニウムまたはステンレスが用いられる。ここで、アルミニウムは形状形成や、形状形成のための溶接面に不利があり、ステンレスに比べて耐熱性も低い。このため、ハウジング26の構成部材としては、ステンレスが用いられることが多い。ハウジング26の少なくとも一部には、図3から図5に示すように、開口部42が設けられ、開口部42には、磁気透過性遮蔽板46と、磁気透過性の冷却板48が密接または近接するように積層配置されている。磁気透過性遮蔽板46は、チャンバ12の内部領域と外部領域とを隔離するための部材であり、真空耐力、磁束透過性、耐熱性、低熱膨張性、低熱伝導性、および耐熱衝撃性を有する部材とすると良く、例えば石英などを挙げることができる。一方、冷却板48は、詳細を後述する冷却管50から伝達される冷媒の温度を伝導させることで磁気透過性遮蔽板46を冷却し、磁気透過性遮蔽板46の加熱に伴う磁極3232a~32c,3434a~34cの過加熱を防止する役割を担う被冷却板である。冷却板48の構成部材としては、例えば窒化アルミやSiC、アルミナなどのセラミック部材を挙げることができる。実施形態に係るハウジング26では、平面形状六角形の体を成す2辺に開口部42が設けられている。実施形態に係る磁気透過性遮蔽板46は、アルミニウム等により構成されたハウジング26の開口部42の外縁に設けられた段差部26bに押圧保持される。磁気透過性遮蔽板46の外側磁気透過性遮蔽板46と磁極32,34との間には、冷却板48が密接配置され、冷却板48の外縁部には、冷媒を挿通可能な冷却管50が密接配置される。このような配置構成とすることで、冷却管50に挿通された冷媒と冷却板48との間で熱交換が行われて冷却板48が冷却される。冷却板48は磁気透過性遮蔽板46に比べて熱伝導率が高いため、磁気透過性遮蔽板46と冷却板48との間での熱交換熱伝達が成される前あるいは熱鋼管が成されている最中に冷却板48全体が冷却されることとなる。その後、冷却された冷却板48と磁気透過性遮蔽板46との間での熱交換が成され、磁気透過性遮蔽板46が冷却される。これにより輻射熱の影響により磁極が過加熱されることを避けることができる。このような開口部42に対して磁気透過性遮蔽板46は、図5に示すように、Oリング52を介して段差部26bに押し付けられる。そして、冷却板48と冷却管50が配置される。このような構成とすることで、チャンバ12の内部領域と外部領域とを隔離することができ、チャンバ12内を真空引きすることが可能となる。励磁部28は、コア3030a~30cと、誘導加熱コイル3636a~36c,3838a~38cとより成る。コア30は、鍬型に形成された鉄芯である。コア30は、その両端に、詳細を後述する誘導加熱コイル36,38を巻回させることで構成される磁極3232a~32c,3434a~34cを有すると共に、両磁極間を接続するヨーク3535a~35cを有する。磁極32,34の端面は、円形サセプタ16の接線と平行、すなわちサセプタ16の半径方向延長線に対して直交する面を備えるように構成する。このような構成とすることで、磁極32,34の端面近くに誘導加熱コイル36,38を巻回させることができ、磁極先端以外からの磁束の漏洩を抑制することができる。よって、サセプタ16へ投入される磁束に無駄が無く、加熱効率を向上させることができる。コア30は、フェライトなどにより構成すると良い。このような構成によれば、粘土状の原料を形状形成した上で焼成することで所望形状の磁極32,34、およびヨーク35を得ることができる。このため、形状形成を自由に行うことが可能となる。誘導加熱コイル36,38は、磁極32,34を構成するコア30の両端部に巻回される導電線である。誘導加熱コイル36,38に電流を投入することで、コイルの巻回方向と交差する方向に位置する磁極先端から磁束が生ずることとなる。本実施形態では、磁極端面磁極先端がサセプタ16におけるウエハ載置面と直交する方向を向いているため、磁極端面からは、サセプタ16のウエハ載置面に平行な方向に交流磁束が発生することとなる。実施形態に係る誘導加熱コイル36,38は、冷媒を挿通可能な管状部材例えば、冷媒として水を使用する場合には銅管などにより誘導加熱コイル36,38が過加熱されることを防止する構造としているが、管状部材とリッツ線とを組み合わせることにより構成するようにしても良い。管状部材とリッツ線とを組み合わせて誘導加熱コイル36,38を構成する場合の具体的な構成は、磁極先端部や、磁極先端に近い部分には管状部材を用い、それよりも後端側にはリッツ線を用いるという構成である。サセプタ16のウエハ載置面に対して水平な方向に磁束を生じさせる加熱方法では、誘導加熱コイル36,38へ投入される電流の周波数は数十kHzである。管状部材に銅を使用した場合、肉厚を1mm程度とする銅管は誘導加熱されることとなり、サセプタ16の加熱効率が低下すると共に、電力損失が大きくなってしまう。一方、0.18φ程度の素線線条材を使用しているリッツ線であれば、磁束は透過することが考えられるが、磁極32,34の先端部分には鎖交磁束が多いため、誘導加熱されてしまう。冷却作用を持たないリッツ線は、誘導加熱によって発熱した場合には温度上昇し、使用温度限界を超えてしまうことがある。このため、磁極先端側に冷却作用を有する管状部材、後端側にリッツ線を配置することで、電力損失を抑制し、かつコイルの過加熱も防止することが可能となる。励磁部28は、上記のような構成のコア30と誘導加熱コイル36,38を、サセプタ16の積層方向に沿って複数図2に示す例では3つ配置することで構成されている。また、上記のような励磁部28において、実施形態のコア30は、図3に示すように、サセプタ16の中心点Oから各磁極端面の中心に向けて伸ばした線の成す角θが所定の角度ハウジング26の成す角に依存となるように構成されている。磁極32,34間に角度付けをした上で、一方の磁極32と他方の磁極34の極性を逆にすることで、発生磁束が磁極32,34間を行き来することとなる。これにより、単一の磁極3234によって生ずる磁束よりもサセプタ16の中心側を通る磁束を生じさせることが可能となる。また、実施形態に係る励磁部28では、コア30における磁極32,34の幅、および高さ寸法を大きくすることで、加熱効率の向上を図っている。例えば図6、図7に示すように、磁極からサセプタ16までの距離をxmmとした場合、前記距離を0とした場合に比べてサセプタ16に到達する磁束の密度は著しく減少する。磁極の幅、および高さをxmmとした場合、前記距離を0とした際の磁束の到達密度を1とすると、距離xmmの場合の磁束の到達密度比は0.3程度となる。これに対し、図6に示すように、磁極の幅を2xmm、高さをxmmとした場合には、距離xmmにおける磁束の到達密度比は0.5程度にまで向上する。これにより、誘導加熱コイルに対する投入電力を同じとした場合であっても、幅の狭い磁極を使用した場合に比べ、積層配置されたサセプタ16を側面方向から、効率良く加熱することが可能となるということができる。また、図7に示すように、磁極の幅を2xmm、高さを2xmmとした場合には、距離xmmにおける磁束の到達密度比は0.7程度にまで向上する。このことより、磁極の高さのみを大きくするよりも幅と高さ、すなわち磁極の断面積を増やすことで、磁束の到達密度比を向上させることができることが判る。すなわち、磁極の幅をxmmとし、高さを2xmmとした場合であっても、図6に示す例と同様な効果を得ることができる。また、実施形態に係るコア30は図8に示すように、磁極の端面がサセプタ16の半径方向延長線と直交し、かつ磁極側面が前記半径方向延長線と平行な関係となるように形成している。このような構成とすることで、磁極の先端、又は磁極の先端近傍に誘導加熱コイル36,38の1ターン目を巻回することができる。磁極側面が半径方向延長線と平行で無い場合、図9に示すように、磁極先端から磁極側面へ漏洩する磁束が増える。つまり、実施形態に係るコア30の形態、および誘導加熱コイル36,38の巻回形態によれば、磁極先端から磁極側面へ漏洩する磁束を減らすことができ、被誘導加熱部材であるサセプタ16への磁束の投入割合を増やすことができる。このため、加熱効率を向上させることができる。電源部40には、コア30単位で、各コア30の磁極32,34に巻回された誘導加熱コイル36,38に対応したインバータ不図示と、図示しない交流電源、および図示しない電力制御部等が設けられており、各コア30に設けられた誘導加熱コイル36,38単位で、供給する電流や電圧、および周波数等を調整することができるように構成されている。実施形態に係る誘導加熱装置10では、単一のコア30に巻回された誘導加熱コイル36,38例えば磁極32aに巻回される誘導加熱コイル36aと磁極34aに巻回される誘導加熱コイル38aは回路上並列あるいは直列な関係として巻回方向を同一とした上で、電流の投入方向を逆にする。これにより、各コア30における2つの磁極例えば磁極32aと磁極34aの極性を逆向きとすることができる。ここでインバータとして共振型のものを採用する場合には、周波数の切り替えを簡易に行うことができるように、各制御周波数に合わせた共振コンデンサを並列接続し、これを電力制御部からの信号に応じて切り替えることができるように構成することが望ましい。実施形態に係る電力制御部は、図示しないゾーンコントロール手段を有する。ゾーンコントロール手段は、隣接配置されたコア30に巻回された誘導加熱コイル36,38間に生ずる相互誘導の影響を回避しつつ、各誘導加熱コイル36,38に対する投入電力の制御を行う役割を担う。上記のように近接して積層配置されるコア30に巻回された誘導加熱コイル36,38は、各々が個別の誘導加熱コイルとして稼動されるため、上下に隣接する誘導加熱コイル間例えば誘導加熱コイル38aと誘導加熱コイル38bにおいて相互誘導が生じ、個別の電力制御に悪影響を与える事がある。このためゾーンコントロール手段は、検出された電流の周波数や波形電流波形に基づいて、隣接配置された誘導加熱コイルに投入する電流の周波数を一致させ、かつ電流波形の位相を同期位相差を0または位相差を0に近似させる事、あるいは所定の位相差を保つように制御することで、隣接配置した誘導加熱コイル間における相互誘導の影響を回避した電力制御ゾーンコントロール制御を可能としている。このような制御は、各誘導加熱コイル36,38に投入されている電流値や電流の周波数、および電圧値等を検出し、これをゾーンコントロール手段に入力する。ゾーンコントロール手段では、例えばコア30aに巻回された誘導加熱コイル36a,38aとコア30bに巻回された誘導加熱コイル36b,38b間の電流波形の位相をそれぞれ検出し、これを同期、あるいは所定の位相差を保つように制御する。このような制御は、電力制御部に対して各誘導加熱コイルに投入する電流の周波数を瞬時的に変化させる信号を出力することで成される。本実施形態に係る誘導加熱装置10のような構成の場合、電力制御に関しては、電力制御部に設けられた図示しない記憶手段メモリに記憶された制御マップ垂直温度分布制御マップに基づいて、熱処理開始からの経過時間単位に変化させる投入電力を出力するための信号を出力すれば良い。なお、制御マップは、熱処理開始から熱処理終了に至るまでの積層配置されたサセプタ間の温度変化を補正し、任意の温度分布例えば均一な温度分布を得るために各誘導加熱コイルに与える電力値を、熱処理開始からの経過時間と共に記録したものであれば良い。また、サセプタ16の温度を計測する計測手段不図示を備えている場合には、各ゾーンにおけるサセプタ温度をフィードバックして温度制御電力制御を行うようにすると良い。このような構成の電源部40では、電力制御部からの信号に基づいて、各誘導加熱コイル36,38に投入する電流の周波数を瞬時的に調整し、電流波形の位相制御を実施すると共に、各誘導加熱コイル36,38単位の電力制御を実施することで、ボート14内における垂直方向の温度分布を制御することができる。また、このような構成の誘導加熱装置10によれば、磁束がウエハ60に対して水平に働くため、ウエハ60の表面に金属膜等の導電性部材が形成されていた場合であっても、ウエハ60の温度分布が乱れる虞が無い。このような構成の誘導加熱装置によれば、チャンバ12の外部に配置した磁極32,34の加熱防止を実現しつつ、被誘導加熱部材であるサセプタ16を効率良く加熱することが可能となる。また、上記実施形態に係る誘導加熱装置10は、磁極32,34の中心を通る直線の成す角θが大きくても、小さくても良い。例えば、図10に示すように、中心線の成す角θが大きい場合であっても、上記実施形態と同様な効果を奏することができる。また、θを大きくした場合には、2つの磁極面を結ぶ直線lと、サセプタ16の中心点Oを結ぶ垂直距離l0が、θが小さい場合よりも短くなる。このため、2つの磁極間磁極32と磁極34を行き交う磁束がθが小さい場合よりもサセプタ16の中心付近に到達することとなる。"