半導体素子に設けられた素子電極端子と、配線基板に設けられて前記素子電極端子と向かい合わせに配置された配線電極端子と、前記素子電極端子と前記配線電極端子との間に形成され、前記素子電極端子と前記配線電極端子とを電気的に接続する接続材料とを備え、前記素子電極端子と前記配線電極端子との少なくとも一方に前記素子電極端子と前記配線電極端子とを接続する突起電極を2個以上設けたことを特徴とする半導体装置。前記配線電極端子に設けられた突起電極は、前記配線電極端子と同じ材料により形成され、前記素子電極端子に設けられた突起電極は、前記素子電極端子と同じ材料により形成されている請求項1記載の半導体装置。前記接続材料は、ハンダ、導電性ペースト、樹脂、異方性導電フィルム、及びペーストのうちの少なくとも1つを含む請求項1記載の半導体装置。前記半導体素子は、固体撮像素子を有している請求項1記載の半導体装置。図5及び図6に示す従来の技術では、はんだ90によって覆われた核91となる樹脂ボールを介して半導体素子6と配線基板5とを接続する構造であるため、リフロー炉を用いた実装方法では、位置ズレの許容度を増大させるに有効であるが、押圧しながら加熱する実装方法では、位置ズレの許容度を増大させる効果が得られにくいという問題があった。また、樹脂ボールを核91とし、その周囲をはんだ90で覆うことにより突起電極を形成する構造のため、突起電極を形成するコストが増大してしまったり、また、半導体素子6と配線基板5とを接続する接続材料してのハンダの初期量が不足するおそれがあった。特許文献2及び3に開示された構成では、半導体素子と配線基板とを接続する接続材料してのハンダの初期量が不足するおそれがあった。本発明は上記問題点を解決するものであり、その目的は、半導体素子と配線基板とを接続する接続材料を十分に保持することができる半導体装置を提供することにある。上記の課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、半導体素子に設けられた素子電極端子と、配線基板に設けられて前記素子電極端子と向かい合わせに配置された配線電極端子と、前記素子電極端子と前記配線電極端子との間に形成され、前記素子電極端子と前記配線電極端子とを電気的に接続する接続材料とを備え、前記素子電極端子と前記配線電極端子との少なくとも一方に前記素子電極端子と前記配線電極端子とを接続する突起電極を2個以上設けたことを特徴とする。この特徴により、素子電極端子と配線電極端子との少なくとも一方に突起電極を2個以上備えるので、突起電極を1個備える構成よりも両端子間の接触面積が増大するので、半導体素子と配線基板との接続強度が向上する。そして、向かい合わせに配置された相手側の電極端子を支える突起電極を2個以上備えるので、素子電極端子と配線電極端子との間のスタンドオフ空間を傾くことなく保持することができるようになる。このため、半導体素子と回路基板とをはんだ付けで接続する場合、はんだを半導体素子と回路基板との間の空間にプール保持できるようになり、この結果、狭ピッチであっても隣接する電極端子とショートすることなく接続する事ができる。さらに、電極端子上に突起電極を2個以上設けるので、ゲル状の接着剤を半導体素子と配線基板との間に塗布した場合に、2個の突起電極の間にゲル状の接着剤を保持できるようになり、その結果、安定した接着剤の量を確保できるようになり、半導体素子と配線基板とを接続する接続材料を十分に保持することができる半導体装置を提供することができる。本発明に係る半導体装置では、前記配線電極端子に設けられた突起電極は、前記配線電極端子と同じ材料により形成され、前記素子電極端子に設けられた突起電極は、前記素子電極端子と同じ材料により形成されていることが好ましい。上記構成により、電極端子と突起電極とを同じ材料により形成するので、突起電極付電極端子を容易に製造することができる。本発明に係る半導体装置では、前記接続材料は、ハンダ、導電性ペースト、樹脂、異方性導電フィルム、及びペーストのうちの少なくとも1つを含むことが好ましい。上記構成により、半導体装置と回路基板との電気的接続をより確実にすることができる。本発明に係る半導体装置では、前記半導体素子は、固体撮像素子を有していることが好ましい。上記構成により、固体撮像素子を有する半導体素子を備えた半導体装置の実装構造の接続信頼性を高めることができる。本発明に係る半導体装置は、素子電極端子と配線電極端子との少なくとも一方に素子電極端子と配線電極端子とを接続する突起電極を2個以上設けたので、半導体素子と配線基板とを接続する接続材料を十分に保持することができる半導体装置を提供することができる。本発明の半導体装置に関する実施の一形態について図1~図4に基づいて説明すれば以下のとおりである。実施の形態1半導体装置1の構成図1aは実施の形態1に係る半導体装置1の構成を示す分解斜視図であり、bは半導体装置1の構成を示す断面図であり、cは半導体装置1に設けられる配線電極端子3及び突起電極22aを説明するための斜視図である。半導体装置1は、直方体形状をした半導体素子6を備えている。半導体素子6は、固体撮像素子を表面に有している。半導体素子6の裏面には、板状をした複数の素子電極端子4が形成されている。半導体装置1には、配線基板5が設けられている。配線基板5には、各素子電極端子4と向かい合わせに配置された複数の配線電極端子3が形成されている。各配線電極端子3には、素子電極端子4と配線電極端子3とを接続する一対の突起電極2が形成されている。半導体素子6と配線基板5との間には、素子電極端子4と配線電極端子3とを電気的に接続するための接続材料7が、素子電極端子4と配線電極端子3と突起電極2とを覆うように形成されている。接続材料7は、ハンダ、導電性ペースト、樹脂、異方性導電フィルム、及びペーストのうちの少なくとも1つを含む。突起電極2は、配線電極端子3と同じ材料により形成されている。図1cに示すように、従来は、配線電極端子3の上に突起電極22aを1個形成していたが、本実施の形態では、配線電極端子3の上に2個の突起電極22aを形成する。突起電極は、突起電極2のように直方体状に形成してもよいし、突起電極2aのように円柱状に形成してもよい。本実施の形態では、配線電極端子3の上に2個の突起電極22aを形成する例を示すが、本発明はこれに限定されない。3個以上の突起電極を配線電極端子3の上に形成してもよい。図2aは3個の突起電極2aを配線電極端子3の上に形成した例の斜視図であり、bはその平面図であり、cはその正面図である。円柱形状をした突起電極2aを配線電極端子3の上に3個一列に配置するように構成してもよい。図3aは3個の突起電極2を配線電極端子3の上に形成した他の例の斜視図であり、bはその平面図であり、cはその正面図である。四角柱形状をした突起電極2を配線電極端子3の上に3個一列に配置するように構成してもよい。このように、3個までであれば、同一形状の突起電極を配置してもよい。図4は、3個の突起電極2b2cを配線電極端子3の上に形成したさらに他の例の斜視図である。断面が二等辺三角形をした三角柱状の突起電極2bと、断面が直角三角形状の2個の突起電極2cとを図4に示すように配線電極端子3の上に形成してもよい。このように、形状の異なる突起電極を配置してもよい。図5aは6個の突起電極2a2dを配線電極端子3の上に形成した例の斜視図であり、bはその平面図であり、cはその正面図である。円柱状の2個の突起電極2aと、断面半径が突起電極2aよりも小さい円柱状の4個の突起電極2dとを、突起電極2aの間に4個の突起電極2dが挟まれるように配線電極端子3の上に形成してもよい。図6aは4個の突起電極2a2dを配線電極端子3の上に形成した例の斜視図であり、bは5個の突起電極2a2dを配線電極端子3の上に形成した例の斜視図であり、cは4個の突起電極22eを配線電極端子3の上に形成した他の例の斜視図であり、dは5個の突起電極22fを配線電極端子3の上に形成した他の例の斜視図であり、eは6個の突起電極22gを配線電極端子3の上に形成した他の例の斜視図であり、fは4個の突起電極2hを配線電極端子3の上に形成したさらに他の例の斜視図であり、gは5個の突起電極2i2jを配線電極端子3の上に形成したさらに他の例の斜視図であり、hは6個の突起電極2i2kを配線電極端子3の上に形成したさらに他の例の斜視図である。配置する突起電極が4個以上になると、突起電極の形状を変更して、接続材料をプールし易い形状の配置にすることが好ましい。図6aに示すように、突起電極2aの間に2個の突起電極2dが挟まれるように配線電極端子3の上に形成してもよいし、図6bに示すように、突起電極2aの間に3個の突起電極2dが挟まれるように配線電極端子3の上に形成してもよい。図6cに示すように、突起電極2の間に2個の四角柱状の突起電極2eが挟まれるように配線電極端子3の上に形成してもよいし、図6dに示すように、突起電極2の間に3個の四角柱状の突起電極2fが挟まれるように配線電極端子3の上に形成してもよいし、図6eに示すように、突起電極2の間に2行2列の4個の四角柱状の突起電極2gが挟まれるように配線電極端子3の上に形成してもよい。そして、図6fに示すように、三角柱状の4個の突起電極2hを配線電極端子3の上に形成してもよく、図6gに示すように、断面菱形の四角柱状の突起電極2jの周りに4個の三角柱状の突起電極2iを設けてもよい。また、図6hに示すように、三角柱状の6個の突起電極2i2kを配線電極端子3の周縁に沿って形成してもよい。このように、向かい合わせになる相手の突起電極との間に空間ができるように配置することが好ましい。図7aは3個の突起電極2a2aaを配線電極端子3の上に形成したさらに他の例の平面図であり、bはその正面図である。突起電極2aの間に、突起電極2aの高さを低くした突起電極2aaを形成してもよい。図8aは3個の突起電極22 ́を配線電極端子3の上に形成したさらに他の例の平面図であり、bはその正面図である。突起電極2の間に、突起電極2の高さを低くした突起電極2 ́を形成してもよい。図9aは6個の突起電極2a2ddを配線電極端子3の上に形成したさらに他の例の平面図であり、bはその正面図である。突起電極2aの間に、突起電極2aの高さを低くして直径も小さくした4個の突起電極2ddを形成してもよい。このように、3個以上の突起電極を有する構造の場合、内側の突起電極を低くすることにより、接続材料を、より豊富にプールすることができるようになる。図10は、図7に示す3個の突起電極2a2aaを配線電極端子3の上に形成したさらに他の例の効果を説明するための図である。前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。半導体装置は、半導体素子6を備えている。半導体素子6の裏面には、板状をした素子電極端子4が形成されている。半導体装置には、配線基板5が設けられている。配線基板5には、素子電極端子4と向かい合わせに配置された配線電極端子3が形成されている。素子電極端子4には、素子電極端子4と配線電極端子3とを接続する一対の突起電極2a及び1個の突起電極2aaが形成されている。半導体素子6と配線基板5との間には、素子電極端子4と配線電極端子3とを電気的に接続するための接続材料7が、素子電極端子4と配線電極端子3と突起電極22aaとを覆うように形成されている。3個の突起電極2a、2aaを有する構造の場合、内側の突起電極2aaの高さを外側の突起電極2aの高さよりも低くすることにより、接続材料7をより豊富にプールすることができるようになる。このように、配線電極端子3の上に複数の突起電極を形成すると、突起電極を1個備える構成よりも両端子間の接触面積が増大するので、半導体素子6と配線基板5との接続強度が向上する。そして、向かい合わせに配置された相手側の電極端子を支える突起電極を2個以上備えるので、素子電極端子4と配線電極端子3との間のスタンドオフ空間を傾くことなく保持することができるようになる。このため、半導体素子6と回路基板5とをはんだ付けで接続する場合、はんだを半導体素子6と回路基板5との間の空間にプール保持できるようになり、この結果、狭ピッチであっても隣接する電極端子とショートすることなく接続する事ができる。さらに、電極端子上に突起電極を2個以上設けるので、ゲル状の接着剤を半導体素子6と配線基板5との間に塗布した場合に、2個の突起電極2の間にゲル状の接着剤を保持できるようになり、その結果、安定した接着剤の量を確保できるようになり、半導体素子6と配線基板5とを接続する接続材料7を十分に保持することができる半導体装置を提供することができる。なお、2個以上の突起電極2を配線電極端子3に形成する例を示したが、本発明はこれに限定されない。2個以上の突起電極2は、素子電極端子4に形成してもよいし、2個以上の突起電極2の一部を配線電極端子3に形成し、残りの一部を素子電極端子4に形成するように構成してもよい。このように、電極端子上に2個以上の突起電極2を設置する事により、安定した実装性を得るとともに、半導体素子6と配線基板5との電極端子43間に適度な空間を作りその空間に接続材料7を充填することにより接続強度を向上させ、安価でより接続信頼性の高い固体撮像装置を含む半導体装置の実装構造を提供することができる。よって、益々小型薄型化する通信機器をはじめとする携帯端末用に用いられる固体撮像装置を含む半導体装置の実装構造を高品質で安価に提供することができる。実施の形態2突起電極付配線電極端子の製造方法図2a~dは、実施の形態2に係る半導体装置に設けられた突起電極付配線電極端子の製造方法を説明するための断面図である。前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。まず、図2aに示す電極材料8を形成済みの配線基板5を用意する。そして、図2bに示すように、マスク9により、電極材料8を突起電極の形状にマスキングする。次に、図2cに示すように、エッチングにより、マスク9に沿って電極材料8に凹部10を形成して突起を形成する。その後、図2dに示すように、マスク9を除去すると、2個の突起電極2を有する配線電極端子3を備えた配線基板5が完成する。突起電極付配線電極端子の他の製造方法図3a~dは、実施の形態2に係る半導体装置に設けられた突起電極付配線電極端子の他の製造方法を説明するための断面図である。まず、図3aに示す電極材料11を形成済みの配線基板5を用意する。そして、図3bに示すように、突起電極の形状をしたマスク12を電極材料11に載せる。次に、図3cに示すように、印刷によりマスク12に沿って突起電極2を形成する。その後、図3dに示すように、印刷で形成した突起電極2を硬化させると、2個の突起電極2を有する配線電極端子3を備えた配線基板5が完成する。半導体装置の製造方法図4a~fは、実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。まず、図4aに示すように、2個の突起電極2を有する配線電極端子3を備えた配線基板5を用意する。そして、図4bに示すように、突起電極2を有する配線電極端子3に、接続材料7を塗布する。接続材料7は、ハンダ、導電性ペースト、樹脂、異方性導電フィルム、及びペーストのうちの少なくとも1つを含む。次に、図4cに示すように、接続材料7を塗布した突起電極2を有する配線電極端子3を形成した配線基板5に、半導体素子6に形成した素子電極端子4を向かい合わせて押圧する。その後、図4dに示すように、半導体素子6と配線基板5とを加熱して半導体素子6と配線基板5とを接続する。図4eに示すように、突起電極2により、半導体素子6と配線基板5との間に適度な空間が生まれる。このため、図4fに示すように、素子電極端子4と配線電極端子3との位置ズレを吸収することができる。また、突起電極2を複数個設けることにより素子電極端子4との接続面積が増大するので、半導体素子6と配線基板5との接続強度を増大させることができる。本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。