"AlXGa1-XN0<x<1またはInyAl1-yN0≦y≦1からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の同一面上に、ノンドープ、n型又はp型のいずれかのGaNからなる第1の電子誘起領域、絶縁膜とアノード電極と、前記第1の電子誘起領域上にカソード電極を備え、前記第1の電子誘起領域、前記絶縁膜と前記アノード電極は前記第1の半導体層と接合し、前記絶縁膜は前記第1の半導体領域と前記アノード電極の間で、前記第1の半導体層と接合し、前記アノード電極と前記第1の半導体層との接合はオーミック接合であり、前記カソード電極と前記第1の電子誘起領域との接合はオーミック接合であることを特徴とする半導体装置。前記アノード電極は、第2の半導体領域を介して前記第1の半導体層と接合していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1の電子誘起領域が形成された反対側の前記キャリア走行層の面に、n型又はp型のGaN、又はAlαGa1-αN0<α<1又はInβAl1-βN0<β<1からなる第2の半導体層が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記アノード電極直下の前記第1の半導体層にn型の第3の半導体領域があることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の半導体領域上に前記絶縁膜が形成され、前記第1の半導体領域上の前記絶縁膜が形成された領域上に前記アノード電極を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置。そこで、実施形態は、リーク電流の少ないダイオードを提供することを目的とする。実施形態の半導体装置は、AlXGa1-XN0<x≦1またはInyAl1-yN0≦y≦1からなる第1の半導体層と、第1の半導体層の同一面上に、ノンドープ、n型又はp型のいずれかのGaNからなる第1の電子誘起領域、絶縁膜とアノード電極と、第1の電子誘起領域上にカソード電極を備え、第1の電子誘起領域、絶縁膜とアノード電極は第1の半導体層と接合し、絶縁膜は第1の半導体領域とアノード電極の間で、第1の半導体層と接合し、アノード電極と第1の半導体層との接合はオーミック接合であり、カソード電極と第1の電子誘起領域との接合はオーミック接合であることを特徴とする。次に、実施形態の半導体装置を、添付の図面を用いて説明する。第1の実施形態図1はヘテロ接合をもつ窒化物半導体のエネルギー状態を表した模式図である。電子誘起領域1とキャリア走行層2をヘテロ接合することにより、電子誘起領域1とキャリア走行層2の界面にフェルミレベルよりもエネルギー準位が低い平面状に分布する量子的な井戸ができる。この井戸はフェルミレベルよりも低いエネルギー準位であるために、電子によるチャネルが形成される。このチャネルを2次元電子ガスと言い、この二次元電子ガスにある電子は移動度が非常に高い。ヘテロ接合を持つ窒化物半導体はこの2次元電子ガスをチャネルとして用いる。図2は実施形態の半導体装置を模式的に表した模式図である。実施形態の半導体装置は、キャリア走行層2第1の半導体層上に第1の電子誘起領域1第1の半導体領域、アノード電極4と絶縁膜5が形成され、第1の電子誘起領域1上にはカソード電極7が形成されている。第1の電子誘起領域1を化学的、あるいは表面の幾何形状的に安定させるために、第1の電子誘起領域1上にはパッシベーション膜6が形成されていてもよい。第1の電子誘起領域1直下のキャリア走行層2の点線の近傍の領域には、二次元電子ガス3が存在する。絶縁膜5は、キャリア走行層2上のアノード電極と第1の電子誘起領域の間に形成されているため、半導体装置をオフすることができる。実施形態の半導体装置では、アノード電極4直下の第1の電子誘起領域1を完全に取り除かれている。絶縁膜5は、アノード電極4と第1の電子誘起領域1の間でキャリア走行層2と接合する領域に少なくとも形成されている。そのため、絶縁膜5がキャリア走行層2と接合する領域があるために2次元電子ガス3も存在せず、代わりに空乏層が存在する。アノード電極4直下の第1の電子誘起領域1を完全に取り除くことによって、キャリア走行層2上に形成される絶縁膜5の領域を形成することができることは、第1の電子誘起領域1をある設計値通りに一部だけ残す方法に比べ、リセスの掘り込み制御が容易となる特徴である。絶縁膜5にはSiO2、SiN、Al2O3、TiO2、BaTiO3、SrTiO3、Ba,SrTiO3、Ta2O5、LiTaO3、HfO2、ZrO2などを用いることができる。電子誘起領域1には典型的にはAlXGa1-XN0<x≦1またはInyAl1-yN0≦y≦1を用いる。キャリア走行層2には典型的にはノンドープのGaNを用いる。アノード電極4とカソード電極7はオーミック接合している。アノード電極4とカソード電極7は共にオーミック接合でよいので、どちらも同じ金属を用いることが出来るため、製造工程を削減できる。アノード電極にショットキー性の金属を形成する方法、すなわち一般的なショットキーバリアダイオードを形成する方法では、アノード電極とカソード電極に用いる金属が異なるため、製造工程が増えることとなる。ここで、アノード電極4にカソード電極7よりも小さな電位、すなわち逆バイアスを印加したとする。このとき、絶縁膜5とキャリア走行層2の界面に存在した空乏層がカソード電極7に伸びてゆく。このため、逆バイアスを印加しても空乏層と元々絶縁膜5の直下にチャネルが存在しないためにリーク電流は非常に小さくなる。次に、アノード電極4にカソード電極7よりも高い電位、すなわち順バイアスを印加したとする。アノード電極4に正バイアスが印加されると絶縁膜5の直下のエネルギー状態が押し下げられるため、反転層が形成され電子のチャネルが形成される。このため、アノード電極4が2次元電子ガスに電気的に接触するためにダイオードがオン状態になり、電流が流れる。窒化物半導体においては反転層が形成される電圧が0Vに近いために、オン電圧も0V付近となり低オン電圧のダイオードを提供できる。なお、図1の模式図のように、第1の電子誘起領域1上に前記絶縁膜が形成され、前記第1の電子誘起領域1上の前記絶縁膜5が形成された領域上に前記アノード電極を備える形態であれば、半導体装置の耐圧が高くなることが好ましい。また、実施形態においてはFETをダイオードとして用いる方法、すなわちFETのゲートとソースを短絡させることによりダイオード動作を実現する方法にくらべ、ゲートとソース間の物理的な寸法が無いため寄生容量を小さく出来る。第2の実施形態図3は第2の実施形態の半導体装置を示した模式図であり、アノード電極4は、第2の電子誘起領域8を介して前記キャリア走行層と接合している。アノード電極4が第2の電子誘起領域8第2の半導体領域を介してキャリア走行層3にオーミック接合している点が第1の実施形態と異なる点である。第2の電子誘起領域8は、第1の電子誘起領域1を一部取り除く際に、第2の電子誘起領域8が残るようにして形成してもよいし、第2の電子誘起領域8を新たな工程によって形成してもよい。製造プロセスの簡便化及びコストの観点から、前者の工程によって、第2の電子誘起領域8が形成されることが好ましい。第2の電子誘起領域8は、アノード電極4とキャリア走行層との間に形成されている。絶縁膜5とキャリア走行層2の界面に電子のチャネルがない点は第1の実施形態と同様であるが、アノード電極4と接触している第2の電子誘起領域8の直下の点線の近傍の領域には2次元電子ガスが存在している。この2次元電子ガス3がアノード電極4により良好なオーミック接合を可能にすることによりダイオードのオン抵抗を低減できる。第3の実施形態図4は第3の実施形態の半導体装置を示した模式図である。電子走行層2にp型のGaNを用いている点が第1の実施形態と異なる点である。p型のGaNを電子走行層2に用いることによってキャリア走行層2の絶縁膜5の直下のエネルギー状態が持ち上げられ、オン電圧が高くなる。p型とするためには、GaN層にCやMg等の不純物を例えば、1×1015以上1×1018以下含ませることが挙げられる。p型不純物のドープによりオン電圧を意図的に高くすることによって、順バイアスを印加することによりオン電圧相当の定電圧を得ることも出来る。これは、ツェナーダイオードと等価であり、ツェナーダイオードを提供すくことが難しい窒化物半導体で、ツェナーダイオードに相当するものを提供できる利点もある。第3の実施形態の変形例第3の実施形態の変形例の半導体装置は、キャリア走行層2にn型GaNを用いていることが、第3の実施形態と異なる点である。この形態であれば第3の実施形態とは逆にオン電圧は下げることができる。第3の実施形態及びこの変形例の構成を採用することで、ダイオードのオン電圧を容易に制御することが出来る。図5はn型不純物のドーピング濃度によってオン電圧を制御することを示した図である。n型の不純物としては、例えば、Si等を1×1015以上1×1018以下キャリア走行層2に含ませることができる。三角形のプロットは、n型不純物濃度が2×1016のデータであり、四角形のプロットは、n型不純物濃度が1×1016のデータである。図5は横軸にダイオードに印加する順方向の電圧Vをとり、縦軸に絶縁膜5の直下のキャリア走行層2に存在するシート電子密度cm-2をとったものである。この図5から順方向電圧を印加してゆけば、絶縁膜5の直下のキャリア走行層2の直下に電子が存在するようになることが分かる。これは反転層が形成されていることを意味し、ダイオードが導通状態になっていることを意味する。ある印加電圧における電子密度をシミュレーションし、その外挿線を引いたときの電子密度が0になる電圧はダイオードのオン電圧といえる。n型不純物の濃度が1×1016のときオン電圧は1.78Vであるが、n型不純物の濃度を2×1016とすればオン電圧は0.45Vと低くなり、不純物濃度によってオン電圧が制御できることが分かる。第4の実施形態図6は第4の実施形態の半導体装置を示した模式図であり、キャリア走行層2の第1の電子誘起領域1が形成された面とは反対側の面図6における、キャリア走行層の下側の面に、n型又はp型のGaNからなる第2の半導体層オン電圧制御層9が形成されている。模式図は電子走行層にp型GaNを用いている。このオン電圧制御層9によっても第3の実施形態のようにオン電圧を制御することが出来る。オン電圧制御層9にp型のGaNを用いれば、オン電圧は増えて、n型GaNを用いれば、オン電圧は下がる。オン電圧を意図的に高くすることによって、順バイアスを印加することによりオン電圧相当の低電圧を得ることも出来る。実施形態の半導体装置は、ツェナーダイオードと等価の機能を有することができる。ツェナーダイオードを提供することが難しいとされていた窒化物半導体で、ツェナーダイオードに相当するものを提供できる利点も実施形態の半導体装置にはある。第5の実施形態図7は第5の実施形態の半導体装置を示した模式図である。電子走行層3の下にオン電圧制御層9としてAlαGa1-αN0<α≦1又はInβAl1-βN0≦β≦1を用いたものである。オン電圧制御層9にAlαGa1-αN0<α≦1又はInβAl1-βN0≦β≦1を用いることにより、キャリア走行層2の絶縁膜5の直下のエネルギー状態が持ち上げられ、オン電圧が高くなる。このようにしてダイオードのオン電圧を制御することが出来る。オン電圧を意図的に高くすることによって、順バイアスを印加することによりオン電圧相当の低電圧を得ることも出来る。これは、ツェナーダイオードと等価であり、ツェナーダイオードを提供すくことが難しい窒化物半導体で、ツェナーダイオードに相当するものを提供できる利点もある。第6の実施形態図8は第6の実施形態の半導体装置を示した模式図である。絶縁膜5がカソード電極7まで形成されている点が第1の実施形態と異なる点である。製造上の都合等によっては第6の実施形態のように絶縁膜5がアノード電極4辺縁部のみでなくても良い。第7の実施形態図9は第7の実施形態を示した模式図であり、アノード電極4直下の前記キャリア走行層にn型の第3の半導体領域10が形成された点が実施形態1と異なる。第3の半導体領域10は例えば、イオン注入によって形成された領域である。イオン注入するドナーとしては、Si等が例えば挙げられる。アノード電極4がオーミック接合する部分にn型の電子走行層イオン注入領域10を設けることによりオーミック接合が良好になりダイオードのオン抵抗を低減することが出来る。ドナーとなる不純物は1×1017cm-3から1×1020cm-3とするとオーミック接合が良好である。以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態そのままに限定解釈されるものではない。実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。実施形態では半導体装置の例を示し、発明を説明したが、他の構成の炭化珪素半導体装置に本発明を適用することができる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成することができる。例えば、変形例の様に異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせても良い。"