環状のデポジションリング本体を備えるプロセスキットであって、該デポジションリング本体は、内壁と、外壁と、少なくともリング本体の上面の一部を規定して外壁に向って上向きに傾斜する傾斜上部壁と、前記傾斜上部壁と前記外壁との間に配置される上部壁と、前記上部壁から所定距離だけ離間した下部壁と、前記傾斜上部壁と前記内壁との間の前記リング本体の上面に陥凹したトラフ部と、を含み、前記トラフ部の最も低い位置が、前記上部壁と前記下部壁との間の距離の少なくとも半分まで延びている、プロセスキット。前記リング本体が、前記外壁と前記上部壁との間で、前記本体中に前記下部壁に向って延びる少なくとも1つのノッチ部と、少なくともリング本体の少なくとも上面の一部を規定して、前記内壁から半径方向外側に向かうと共に前記内壁に直交して配置される内縁と、外壁から半径方向内側に向って配置され、下部壁に対して平行であるランド部と、を更に備える、請求項1に記載のプロセスキット。前記内壁及び前記外壁は平行であり、前記上部壁及び前記下部壁は、前記内側及び外壁に対して直交する、請求項1に記載のプロセスキット。前記リング本体は、前記内壁から半径方向外側に配置され、前記内壁と平行である上部内壁を更に備える、請求項1に記載のプロセスキット。前記リング本体は、前記下部壁に陥凹され、前記下部壁に平行である凹部を更に備える、請求項1に記載のプロセスキット。前記リング本体の前記外壁は、該リング本体の上面に隣接するテーパー部を備える、請求項1に記載のプロセスキット。前記リング本体は、前記下部壁内に該リング本体の上面に向って延びるスロットを備える、請求項1に記載のプロセスキット。環状のデポジションリング本体を備えるプロセスキットであって、該デポジションリング本体は、内壁と、前記内壁から所定距離だけ離間した外壁と、少なくともリング本体の上面の一部を規定して外壁に向って上向きに傾斜し、頂点が前記内壁から、該内壁と前記外壁との間の距離の少なく半分の位置まで延びる、傾斜上部壁と、前記傾斜上部壁と前記外壁との間に配置される上部壁と、下部壁と、前記傾斜上部壁と前記内壁との間の前記リング本体の上面に陥凹したトラフ部と、を含む、プロセスキット。前記リング本体が、前記外壁と前記上部壁との間で、前記本体中に前記下部壁に向って延びる少なくとも1つのノッチ部と、少なくともリング本体の少なくとも上面の一部を規定して、前記内壁から半径方向外側に向かうと共に前記内壁に直交して配置される内縁と、外壁から半径方向内側に向って配置され、下部壁に対して平行であるランド部と、を更に備える、請求項8に記載のプロセスキット。前記内壁及び前記外壁は平行であり、前記上部壁及び前記下部壁は、前記内側及び外壁に対して直交する、請求項8に記載のプロセスキット。前記リング本体は、前記内壁から半径方向外側に配置され、前記内壁と平行である上部内壁を更に備える、請求項8に記載のプロセスキット。前記リング本体は、前記下部壁に陥凹され、前記下部壁に平行である凹部を更に備える、請求項8に記載のプロセスキット。前記リング本体の前記外壁は、該リング本体の上面に隣接するテーパー部を備える、請求項8に記載のプロセスキット。前記リング本体は、前記下部壁内に該リング本体の上面に向って延びる、スロットを備える、請求項8に記載のプロセスキット。環状のデポジションリング本体を備えるプロセスキットであって、該デポジションリング本体は、内壁と、前記内壁から所定距離だけ離間した外壁と、少なくともリング本体の上面の一部を規定して外壁に向って上向きに傾斜し、頂点が前記内壁から、該内壁と前記外壁との間の第1の距離の少なく半分の位置まで延びる、傾斜上部壁と、前記傾斜上部壁と前記外壁との間に配置される上部壁と、下部壁と、前記傾斜上部壁と前記内壁との間の前記リング本体の上面に陥凹し、最も低い位置が前記上部壁と前記下部壁との間の第2の距離の少なくとも半分まで延びているトラフ部と、前記外壁の半径方向内側に配置され、前記下部壁と平行であるランド部と、前記リング本体の前記ランド部と接合するように配置されるリッジ部を有するカバーリングと、を含み、前記カバーリングは、該カバーリングの前記リッジ部が前記リング本体のランド部と接合する場合に、前記リング本体の前記上部壁と共にラビリンスギャップを形成するように配置されるリップを備える、プロセスキット。従って、改善されたプロセスキットが望まれている。1つの実施形態において、環状デポジションリング本体を備えるプロセスキットが提供され、該本体は、内壁と、外壁と、少なくともリング本体の上面の一部を規定する傾斜上部壁と、上部壁と、下部壁と、傾斜上部壁と内壁との間のリング本体の上面に陥凹したトラフ部とを含み、トラフ部の最も低い位置が、上部壁と下部壁との間の距離の少なくとも半分まで延びている。他の実施形態において、環状デポジションリング本体を備えるプロセスキットが提供され、該本体は、内壁と、外壁と、少なくともリング本体の上面の一部を規定する傾斜上部壁と、上部壁と、下部壁と、傾斜上部壁と内壁との間のリング本体の上面に陥凹したトラフ部とを含み、傾斜上部壁の頂点が、前記内壁から、該内壁と前記外壁との間の距離の少なく半分の位置まで延びる、プロセスキット。さらに、他の実施例として、本体が、内壁、外壁、少なくとも本体の上側表面の一部と定義されている傾斜した上側の壁、上部壁、下部壁、上部壁と内壁の間の、本体上側表面を引っ込ませた窪み、そして外壁からリングの半径方向の内側に向い、かつ、下部壁に平行に立ち上がったランド部から構成されている環状のデポジションリング、そして、リング本体のランド部と一致するように配置された、リッジ部を持ち、このリッジ部が、リング本体のランド部と接触した時、リング本体の上部壁との間にラビリンスギャップという狭い隙間を形成するよう配置された縁部を設けてあるカバーリング、を含んだプロセスキットが提供されている。他の実施形態において、環状デポジションリング本体を備えるプロセスキットが提供され、該本体は、内壁と、外壁と、少なくともリング本体の上面の一部を規定する傾斜上部壁と、上部壁と、下部壁と、傾斜上部壁と内壁との間のリング本体の上面に陥凹するトラフ部と、外壁の半径方向内側に配置され下部壁と平行であるランド部と、リング本体のランド部と接合するように配置されるリッジ部を有するカバーリングとを含み、カバーリングは、該カバーリングのリッジ部がリング本体のランド部と接合する場合に、リング本体の上部壁と共にラビリンスギャップを形成するように配置されるリップを備える。本発明の上記の特徴が詳細に理解され得るように、上で概略的に要約した本発明の実施形態に関するより詳細な説明は、実施形態によって参照することができ、その一部は、添付図面に示されている。しかしながら、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態を示すのみであり本発明の範囲を限定するものではなく、本発明は、他の同等に有効な実施形態を認めることができる。本発明の実施形態は、全体的には半導体処理チャンバで使用されるプロセスキットを提供する。プロセスキットは、好都合には、長時間の表面寿命及び/又はプロセス均一性を助長する少なくとも1つの特徴部を有するデポジションリングを含む。本発明の実施形態は、特に、化学蒸着チャンバ及び物理蒸着チャンバを含む、いくつかの半導体処理チャンバに有用である。図1は、プロセスキット100と接する基板支持部101の部分断面図である。プロセスキット100は、1つ又はそれ以上のデポジションリング102、カバーリング103、及びシールド104を含むことができる。基板支持部101は、図示されていない処理チャンバ内に配置されている。シールド104は、基板支持部101の周りに配置され、処理チャンバと結合することができる。カバーリング103は、全体的には環状の本体105を有する。本体105は、ステンレス鋼、酸化アルミニウム、チタニウム、又は他の適切な材料で作ることができる。本体105は、全体的にはリングの半径方向内側に延び、デポジションリング102とカバーリング103との間に形成されるラビリンスギャップ132の上方境界をもたらすリップ106を含む。また、カバーリング103の本体105は、内側リング107及び外側リング108を含む。内側リング107及び外側リング108は、本体105から離間した関係で下方に延びており、スロット112を形成するようになっている。スロット112の開口端は下方を向いており、シールド104の端部と係合するようになっている。テーパー部110は、内側リング107の内壁109の上方部に形成されている。テーパー部110は、内壁109から内側に向けて徐々に延びて、本体105の下面に形成されたリッジ部111で終端している。テーパー部110によって、デポジションリング102及びカバーリング103は、相互に接触状態になると自動位置合わせ可能になる。リッジ部111は略水平であり、カバーリング103の中心軸に対して直交する。リッジ部111は、デポジションリング102で支持されるカバーリング103の支持面をもたらす。リッジ部111は実質的に滑らかな平面であり、リッジ部111とデポジションリング102との間で繰り返し可能かつ安定した接合が可能になる。このことは、ラビリンスギャップ132の許容誤差の理由から重要である。リッジ部111は、所望であれば、微粒子発生を最小限にした状態で、デポジションリング102に沿って摺動するように構成される。リッジ部111の内側端部は、壁113で終端している。壁113は、略垂直であり、リッジ部111とリップ106との間に延びている。壁113は、内側リング107の半径方向内側にあり、リップ106の半径方向外側にある。壁113は、ラビリンスギャップ132の境界の一部を形成している。デポジションリング102は、全体的には環状の本体114を備える。本体114は、石英等のセラミック材、酸化アルミニウム、又は他の適切な材料で作ることができる。本体114は、全体的には、内壁115、外壁116、下部壁117、及び上部壁118を備える。内壁115及び外壁116は、それぞれ本体114の最も内側及び最も外側の直径を規定する。上部壁118及び下部壁117は、それぞれ本体114の最上面133及び最下面134を規定する。下部壁117は、基板支持部101のフランジ119上でデポジションリング102を支持するように構成されている。下部壁117は、デポジションリング102の中心軸に対し略直交しており、基板支持部101のフランジ119との平行関係、及び基板支持部101上に配置された基板131との平行関係を維持するようになっている。下部壁117は滑らかな平面であり、下部壁117とフランジ119との間の繰り返し可能かつ安定した接合が助長される。このことは、デポジションリング102の内縁125と基板131との間のギャップの許容誤差の理由から重要である。インナーエッジ125が、基板131の真下で接触することなくできるだけ最小の物理的ギャップをもって配置されることは非常に重要である。ギャップが広すぎる場合は基板支持部101の上に堆積物が付着し、ギャップが狭すぎる場合、又はデポジションリング102が基板131と接触する場合は、各構成部品の電位差により基板裏面にプラズマアークが発生する可能性がある。所望であれば、下部壁117は、デポジションリング102の基板支持部101に対する熱膨張及び/又は収縮に起因して、フランジ119に沿って更に摺動するように構成される。また、本体114の最下面134は、下部壁117と内壁115との間に形成された凹部120を含む。凹部120は、基板支持部101のフランジ119とデポジションリング102との間の接触面積を最小にする。デポジションリング102と基板支持部101との間の接触面積が小さくなると、デポジションリング102が基板支持部101のフランジ119上を移動する際に、微粒子発生を最小限にしながら摩擦が少なくなる。また、上部内壁121は、内壁115から陥凹している。上部内壁121は、本体114と基板支持部101の壁122との間の接触面積を最小にする。また、本体114の最上面133は、内縁125と、上部壁118の半径方向内側に向って形成されたトラフ部123とを含む。トラフ部123は、外側及び上側に向って傾斜する上部外壁124と、内側及び上側に向って傾斜する上部内壁126とを含む。本体114の最上面133の、内側及び上側に向って傾斜する上部内壁126は内縁125に向って上側に傾斜しているので、本体114の厚さは、トラフ部123の中心の半径方向内側に向って大きくなっている。内縁125は、下部壁117に対してトラフ部123よりも高さが高く、上部壁118に対して高さが低い。トラフ部123は、デポジションリング102上に堆積した物質が基板131と接触しないように又はデポジションリング102とカバーリング103の動きを抑制しないように、基板131及びカバーリング103から離間した集積エリアを備える。更に、内縁125とトラフ部123との間に形成される、本体114の内側及び上側に向って傾斜する上部内壁126は、内縁125と基板131との間に形成されるギャップの中に微粒子及び堆積物が移動するのを防ぐ方向を有している。本体114の外壁116は、デポジションリング102及びカバーリング103が広範な処理温度にわたって係合し続けるように選択された直径を有している。図1に示す実施形態に、外壁116の直径は、カバーリング103の壁113の内径よりも大きく、カバーリング103のテーパー部110の内径よりも小さい。ランド部127は、外壁116と上部壁118の間に形成され、カバーリング103を保持するようになっている。ランド部127は略水平であり、デポジションリング102の中心軸に対して直交する。ランド部127は、カバーリング103のリッジ部111を保持するよう構成されている。ランド部127は、実質的に滑らかな平面であり、デポジションリング102とカバーリング103とが自動的に位置合わせする場合に、リッジ部111がランド部127に沿って摺動できる。ランド部127は、ランド部127と外壁116との間に形成され、カバーリング103のテーパー部110と同じ角度で形成されるテーパー部128を有することができ、デポジションリング102とカバーリング103の位置合わせを助長するようになっている。本体114は、ランド部127及び上部壁118に連結する上部外壁129を含む。上部壁118及び上部外壁129は、デポジションリング102とカバーリング103のリップ106がその間にラビリンスギャップ132を形成するように離間した関係で配置されるように選択された寸法を有している。図1に示す実施形態において、上部外壁129の直径は、カバーリング103のリップ106の内径よりも大きく、カバーリング103の壁113の直径よりも小さい。デポジションリング102の上部外壁129とカバーリング103の壁113との間の空間は、基板成膜処理の間に、デポジションリング102及びカバーリング103が最大約1000マイクロメーターの材料で被覆されたとしても、デポジションリング102とカバーリング103との間の離間した関係が維持されるように選択される。ノッチ部130は、外壁116と上部外壁129との間のランド部127の中に形成される。ノッチ部130は、ランド部127上に付着した材料を受け入れる領域を提供するが、付着した材料は、カバーリング103のリッジ部111がランド部127全域を横断する際に、カバーリング103によって上部外壁129に向って押される。ランド部127上に付着した材料は、カバーリング103がデポジションリング102に対して動く際にノッチ部130中へ移動することができ、ランド部127上に付着した材料がランド部127とリッジ部111との間に押し込まれる可能性が低くなり、結果的に、多数の基板を処理の間にデポジションリング102とカバーリング103の平行関係の維持が強化される。更に、付着した材料を受け入れる領域を有することで、カバーリング103がデポジションリング102に対して動く際に、ランド部127上に付着した材料が、デポジションリング102とカバーリング103の相対的な移動を妨げる及び/又は制限する可能性が低くなる。更に、ノッチ部130を配置することで、従来よりも堆積物がデポジションリング102とカバーリング103との間に堆積する及びその間を埋める可能性が低くなる。従って、ノッチ部130の方向及び位置は、デポジションリング102の耐用期間を延ばす。図2は、少なくとも1つのタブ201を示すデポジションリング102の上面斜視図である。例えば、図2には3つのタブが示されているが、少なくとも1つのタブ201は、内縁125とデポジションリング102の凹部120との間の内壁115及び上部内壁121から延びている。タブ201は、基板支持部101の壁122とデポジションリング102との間の接触面積を低減するが、同時にデポジションリング102を基板支持部101の略中心に保持する。更に、タブ210は、基板131の1つ又はそれ以上のノッチ部図示せずと位置が合うように構成される。堆積材料が基板131のノッチ部を貫通して到来するので、タブ201は基板支持部101に関する追加的な堆積保護をもたらす。図3は、図2のライン3-3で切り取ったデポジションリング102の断面図である。図4及び図5は、図3に示すデポジションリング102の部分拡大図である。図4を参照すると、デポジションリング102の厚さ403は、上部壁118と下部壁117との間で規定することができる。デポジションリング102の半分の厚さは、センターライン402で示される。トラフ部123は、上部壁118から、最も低い位置がリングの半分の厚さの位置又はそれよりも下方の位置まで延びることができる。例えば、図4に示すように、トラフ部123の最も低い位置は、センターライン402を超えて深さ401の位置まで延びることができる。トラフ部123を本体114の中に深く延ばすと、基板131と堆積した堆積材料との間の接触が起こる前に、追加の外部からの堆積材料がトラフ部123に保持される場合があるので、デポジションリング102の寿命を延ばすことができる。図5を参照すると、デポジションリング102の幅504は、内壁115と外壁116との間で規定される。デポジションリング102の半分の幅は、図5のセンターライン503で示される。外側及び上側に向かって傾斜する上部外壁124の頂点距離502は、内壁115からデポジションリング102の半分の厚さまで、又はそれを超えて延びることができる。例えば、図5に示すように、外側及び上側に向かって傾斜する上部外壁124は、センターライン503を超えて延びている。外側及び上側に向かって傾斜する上部外壁124の頂点は、外側及び上側に向かって傾斜する上部外壁124の傾斜が、上向き傾斜から水平又は下向き傾斜へ移行する場所と規定することができる。外側及び上側に向かって傾斜する上部外壁124が高い割合でデポジションリング102の最上面133を備えると、基板131又はカバーリング103と堆積した堆積材料との間の接触が起こる前に、追加の外部からの堆積材料が保持される場合があるので、デポジションリング102の寿命を延ばすことができる。処理チャンバ内にデポジションリング102の方向の基準をもたらすために、図5に示すように1つ又はそれ以上のスロット501を備けることができる。スロット501は、少なくとも1つの基板支持部101及び/又はシールド104から延びた特徴部図示せずと係合することができる。スロット501は、デポジションリング102及びタブ201を既知の方向に維持することを助長するので、基板131は相補的な方向に設けることができる。従って、リングと基板との間の電気的短絡又は材料ブリッジに起因する処理上の欠陥を低減した状態で基板への成膜処理を助長するデポジションリング102が提供される。前記は本発明の好適な実施形態を示すが、本発明の他の更なる実施形態は、本発明の基本的範囲から逸脱することなく考案することができ、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によって決定される。