"積層状態で互いを接合することで、両者間に電子部品が収納されたキャビティを有するパッケージを多数個形成するためのウエハであって、ウエハ本体は、前記キャビティ用の凹部が多数個形成された製品領域と、前記製品領域において、前記製品領域を径方向に沿って延在する直線状に設定された前記凹部の非形成領域と、を有していることを特徴とするウエハ。複数の前記非形成領域が、前記凹部の一辺に沿って設定されていることを特徴とする請求項1記載のウエハ。二本の前記非形成領域が、前記ウエハ本体の中心部で直交するように設定されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載のウエハ。二枚のウエハを積層させた状態で互いに接合することで、両者間に電子部品が収納されたキャビティを有するパッケージを多数個形成するパッケージの製造方法であって、前記二枚のウエハのうち、第1ウエハの製品領域に前記キャビティ用の凹部を多数個形成する凹部形成工程を有し、前記凹部形成工程では、前記第1ウエハの製品領域において、前記製品領域を径方向に沿って延在する直線状に前記凹部の非形成領域を設定し、前記非形成領域を回避した位置に前記多数個の凹部を形成することを特徴とするパッケージの製造方法。前記凹部形成工程の後、前記第1ウエハに対してウェットエッチングを行うエッチング工程を有していることを特徴とする請求項4記載のパッケージの製造方法。請求項4または請求項5記載のパッケージの製造方法を用いて製造されたことを特徴とする圧電振動子。ところで、上述したリッド基板用ウエハでは、凹部の形成後、第1面ベース基板用ウエハとの接合面と、この第1面とは反対側の第2面と、での表面積の差に起因して、リッド基板用ウエハが反るという問題がある。具体的に、リッド基板用ウエハの第1面には、複数の凹部が全域に亘って形成されているため、第1面は第2面よりも表面積が大きくなる。そのため、リッド基板用ウエハが、第1面を凸にして反ってしまうという問題がある。リッド基板用ウエハに反りが発生すると、後工程において、不良品が発生する確率が高くなり、歩留まりが低下するという問題がある。具体的には、凹部形成後において、リッド基板用ウエハが反った状態で研磨することで、面内での研磨レートにばらつきが生じ、反り量が増大してしまう。また、ベース基板用ウエハと反りが発生しているリッド基板用ウエハとを陽極接合することで、リッド基板用ウエハの反りに追従してウエハ接合体にも反りが発生する虞がある。この場合、切断時にウエハ接合体の切断予定線と実際の切断位置とがずれてしまうという問題がある。その結果、ウエハ接合体を所定サイズに切断できない可能性がある。さらに、ベース基板用ウエハと、反りが発生しているリッド基板用ウエハとを接合することで、ウエハ接合体の内部に残留応力が発生し、切断された圧電振動子における機械的強度の低下に繋がるという問題がある。そこで本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、ウエハ本体の反りを低減して、歩留まりを向上させることができるウエハ、パッケージの製造方法、及び圧電振動子を提供することを目的とする。本発明のウエハは、積層状態で互いを接合することで、両者間に電子部品が収納されたキャビティを有するパッケージを多数個形成するためのウエハであって、ウエハ本体は、前記キャビティ用の凹部が多数個形成された製品領域と、前記製品領域において、前記製品領域を径方向に沿って延在する直線状に設定された前記凹部の非形成領域と、を有していることを特徴としている。この構成によれば、ウエハ本体の製品領域において、凹部を形成しない非形成領域を形成しているため、ウエハ本体の全域に凹部を形成する場合に比べて両面での表面積の差を低減できる。この際、製品領域において、非形成領域は凹部の形成領域に比べて表面積が小さいため、凹部の形成領域から非形成領域に向けてウエハ本体の反りが減少する方向に向けて引っ張り応力が作用することになる。そのため、凹部の形成後に生じるウエハ本体の反り量を低減できる。その結果、後工程において、不良品が発生する確率を低減できる。例えば、後工程においてウエハを研磨する際に、研磨レートのばらつきを抑制できるため、片減りの発生等を抑制し、ウエハの仕上がり厚みを均一にできる。また、複数のウエハを接合した際に複数のウエハの接合体に反りが発生するのを抑制できるので、接合体を所望の切断予定線切断線に沿って切断できる。これにより、歩留まりを向上させ、所望のサイズのパッケージを製造できる。さらに、ウエハ本体の反りを低減できるので、複数のウエハを接合してパッケージとした際に、パッケージでの残留応力の発生を抑制できる。これにより、パッケージの機械的強度を向上できる。また、複数の前記非形成領域が、前記凹部の一辺に沿って設定されていることを特徴としている。この構成によれば、隣り合う凹部間のスペースが大きくなることを抑制しつつ、非形成領域を確保できる。このため、凹部の形成領域を効率よくウエハ本体上に設定でき、1つのウエハから形成可能なパッケージ製品群の歩留まりを維持できる。その結果、非形成領域を設定した場合であっても1つのウエハからのパッケージの取り個数を確保できる。また、二本の前記非形成領域が、前記ウエハ本体の中心部で直交するように設定されていることを特徴としている。この構成によれば、非形成領域を十字状に設定することで、ウエハの全域に亘って均一に反りを抑制できるので、ウエハにゆがみ等が発生するのを抑制できる。また、本発明に係るパッケージの製造方法は、二枚のウエハを積層させた状態で互いに接合することで、両者間に電子部品が収納されたキャビティを有するパッケージを多数個形成するパッケージの製造方法であって、前記二枚のウエハのうち、第1ウエハの製品領域に前記キャビティ用の凹部を多数個形成する凹部形成工程を有し、前記凹部形成工程では、前記第1ウエハの製品領域において、前記製品領域を径方向に沿って延在する直線状に前記凹部の非形成領域を設定し、前記非形成領域を回避した位置に前記多数個の凹部を形成することを特徴としている。この構成によれば、凹部形成工程において、製品領域を径方向に沿って延在する直線状に凹部の非形成領域を設定し、非形成領域を回避した位置に多数個の凹部を形成することで、ウエハ本体の全域に凹部を形成する場合に比べて両面での表面積の差を低減できる。この際、製品領域において、非形成領域は凹部の形成領域に比べて表面積が小さいため、凹部の形成領域から非形成領域に向けてウエハ本体の反りが減少する方向に向けて引っ張り応力が作用することになる。そのため、凹部の形成後に生じるウエハ本体の反り量を低減できる。その結果、後工程において、不良品が発生する確率を低減できる。例えば、後工程においてウエハを研磨する際に、研磨レートのばらつきを抑制できるため、片減りの発生を抑制して、ウエハの仕上がり厚みを均一にできる。また、複数のウエハを接合した際に複数のウエハの接合体に反りが発生するのを抑制できるので、接合体を所望の切断予定線切断線に沿って切断できる。これにより、歩留まりを向上させ、所望のサイズのパッケージを製造できる。さらに、ウエハ本体の反りを低減できるので、複数のウエハを接合してパッケージとした際に、パッケージでの残留応力の発生を抑制できる。これにより、パッケージの機械的強度を向上できる。また、前記凹部形成工程の後、前記第1ウエハに対してウェットエッチングを行うエッチング工程を有していることを特徴としている。この構成によれば、ウエハの加工ひずみを除去できるため、ウエハに発生する反りをより一層低減できる。また、本発明に係る圧電振動子は、上記本発明のパッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴としている。この構成によれば、上記本発明のパッケージの製造方法を用いて製造しているため、歩留まりを向上させるとともに、パッケージ内部での残留応力の発生を抑制して、機械的強度が確保された高品質で信頼性の高い圧電振動子を提供できる。本発明のウエハ及びパッケージの製造方法によれば、ウエハ本体の反りを低減して、歩留まりを向上させることができるまた、本発明に係る圧電振動子によれば、歩留まりを向上させるとともに、パッケージ内部での残留応力の発生を抑制して、機械的強度が確保された高品質で信頼性の高い圧電振動子を提供できる。以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。圧電振動子図1は、本実施形態における圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図である。また図2は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図3は図2に示すA-A線に沿った圧電振動子の断面図であり、図4は圧電振動子の分解斜視図である。図1~図4に示すように、本実施形態の圧電振動子1は、ベース基板第1基板2及びリッド基板3が接合材23を介して陽極接合された箱状のパッケージ10と、パッケージ10のキャビティC内に収納された圧電振動片電子部品5と、を備えた表面実装型の圧電振動子1である。そして、圧電振動片5とベース基板2の第1面2a図3中下面に設置された外部電極6,7とが、ベース基板2を貫通する一対の貫通電極8,9によって電気的に接続されている。ベース基板2は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。ベース基板2には、一対の貫通電極8,9が形成される一対の貫通孔21,22が形成されている。貫通孔21,22は、ベース基板2の第1面2aから第2面2b図3中上面に向かって漸次径が縮径したテーパ形状をなしている。リッド基板3は、ベース基板2と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板2に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。そして、リッド基板3の内面3b図3中下面側には、圧電振動片5が収容される矩形状の凹部3aが形成されている。この凹部3aは、ベース基板2及びリッド基板3が重ね合わされたときに、圧電振動片5を収容するキャビティCを形成する。そして、リッド基板3は、凹部3aをベース基板2側に対向させた状態でベース基板2に対して接合材23を介して陽極接合されている。すなわち、リッド基板3の内面3b側は、中央部に形成された凹部3aと、凹部3aの周囲に形成され、ベース基板2との接合面となる額縁領域3cとを構成している。圧電振動片5は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。この圧電振動片5は、平行に配置された一対の振動腕部24,25と、一対の振動腕部24,25の基端側を一体的に固定する基部26とからなる音叉型で、一対の振動腕部24,25の外表面上には、振動腕部24,25を振動させる図示しない一対の第1の励振電極と第2の励振電極とからなる励振電極と、第1の励振電極及び第2の励振電極と後述する引き回し電極27,28とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している何れも不図示。このように構成された圧電振動片5は、図2,図3に示すように、金等のバンプBを利用して、ベース基板2の第2面2bに形成された引き回し電極27,28上にバンプ接合されている。より具体的には、圧電振動片5の第1の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプBを介して一方の引き回し電極27上にバンプ接合され、第2の励振電極が他方のマウント電極及びバンプBを介して他方の引き回し電極28上にバンプ接合されている。これにより、圧電振動片5は、ベース基板2の第2面2bから浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極27,28とがそれぞれ電気的に接続された状態となる。外部電極6,7は、ベース基板2の第1面2aにおける長手方向の両側に設置されており、各貫通電極8,9及び各引き回し電極27,28を介して圧電振動片5に電気的に接続されている。より具体的には、一方の外部電極6は、一方の貫通電極8及び一方の引き回し電極27を介して圧電振動片5の一方のマウント電極に電気的に接続されている。また、他方の外部電極7は、他方の貫通電極9及び他方の引き回し電極28を介して、圧電振動片5の他方のマウント電極に電気的に接続されている。貫通電極8,9は、焼成によって貫通孔21,22に対して一体的に固定された筒体32、及び芯材部31によって形成されたものである。各貫通電極8,9は、貫通孔21,22を完全に塞いでキャビティC内の気密を維持しているとともに、外部電極6,7と引き回し電極27,28とを導通させる役割を担っている。具体的に、一方の貫通電極8は、外部電極6と基部26との間で引き回し電極27の下方に位置しており、他方の貫通電極9は、外部電極7と振動腕部25との間で引き回し電極28の下方に位置している。筒体32は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体32は、両端が平坦で、かつベース基板2と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体32の中心には、芯材部31が筒体32を貫通するように配されている。また、本実施形態では貫通孔21,22の形状に合わせて、筒体32の外形が円錐状断面テーパ状となるように形成されている。そして、この筒体32は、貫通孔21,22内に埋め込まれた状態で焼成されており、これら貫通孔21,22に対して強固に固着されている。芯材部31は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体32と同様に両端が平坦で、かつベース基板2の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。そして、芯材部31を通して貫通電極8,9の電気導通性が確保されている。リッド基板3の内面3b全体には、陽極接合用の接合材23が形成されている。具体的に、接合材23は、額縁領域3c及び凹部3aの内面全体に亘って形成されている。本実施形態の接合材23はSi膜で形成されているが、接合材23をAlで形成することも可能である。なお接合材23として、ドーピング等により低抵抗化したSiバルク材で形成することも可能である。そして後述するように、この接合材23とベース基板2とが陽極接合され、キャビティCが真空封止されている。このように構成された圧電振動子1を作動させる場合には、ベース基板2に形成された外部電極6,7に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片5の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部24,25を接近離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部24,25の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。圧電振動子の製造方法次に、上述した圧電振動子の製造方法について説明する。図5は、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法のフローチャートである。図6は、ウエハ接合体の分解斜視図である。以下には、複数のベース基板2が連なるベース基板用ウエハ40と、複数のリッド基板3が連なるリッド基板用ウエハ50との間に複数の圧電振動片5を封入してウエハ接合体60を形成し、ウエハ接合体60を切断することにより複数の圧電振動子1を同時に製造する方法について説明する。なお、図6に示す破線Mは、切断工程で切断する切断線を図示したものである。図5に示すように、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程S10と、リッド基板用ウエハ作製工程S20と、ベース基板用ウエハ作製工程S30と、組立工程S40以下と、を有している。そのうち、圧電振動片作製工程S10、リッド基板用ウエハ作製工程S20及びベース基板用ウエハ作製工程S30は、並行して実施することが可能である。初めに、圧電振動片作製工程を行って図1~図4に示す圧電振動片5を作製するS10。また、圧電振動片5を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。リッド基板用ウエハ作成工程図7はリッド基板用ウエハを第1面側から見た平面図である。次に、図5~7に示すように、後にリッド基板3となるリッド基板用ウエハ50を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するリッド基板用ウエハ作製工程を行うS20。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ50を形成するS21。次に、ベース基板用ウエハ40との接合面となるリッド基板用ウエハ50の第1面50a側に、加熱プレス成形やエッチング加工等により、キャビティC用の凹部3aを多数形成する凹部形成工程を行うS22。具体的には、リッド基板用ウエハ50の第1面50aにおける外周部分50bよりも径方向内側に位置する領域以下、製品領域50cというに、行列方向に沿って間隔を空けて凹部3aを多数数形成する。ここで、本実施形態の凹部形成工程S21では、製品領域50cが、凹部3aを形成する凹部形成領域N1と、凹部3aを形成しない非形成領域N2と、に区画されるように凹部3aを形成する。具体的に、非形成領域N2は、リッド基板用ウエハ50における径方向全域に沿って延在する2本の直線状の領域が、中央部を含んだ十字状に交差するように設定されている。凹部形成領域N1は、製品領域50cにおける非形成領域N2以外の領域に設定され、2本の非形成領域N2により扇状に4分割されている。そして、この凹部形成領域N1において、凹部3aは、短辺方向が一方の非形成領域N2と平行に、長辺方向が他方の非形成領域N2と平行に延在する矩形状に形成する。ところで、上述したようにリッド基板用ウエハ50では、第1面50aに凹部3aを形成することで、第1面50aと第1面50aと反対側の面以下、第2面50dというとの間で、表面積に差が生じる。具体的には、凹部3aが形成された第1面50aが、第2面50dに比べて表面積が大きくなる。この際、リッド基板用ウエハ50には、両面での表面積の差に起因して、表面積が大きい面側第1面50a側を凸にして反りが発生する。これに対して、本実施形態では、リッド基板用ウエハ50の製品領域50cにおいて、凹部3aを形成しない非形成領域N2を形成しているため、第1面50aの全域に凹部3aを形成する場合に比べて両面での表面積の差を低減できる。この際、製品領域50cにおいて、非形成領域N2は凹部形成領域N1に比べて表面積が小さいため、凹部形成領域N1から非形成領域N2に向けてリッド基板用ウエハ50の反りが減少する方向に向けて引っ張り応力が作用することになる。そのため、凹部3aの形成後に生じるリッド基板用ウエハ50の反り量を低減できる。その後、リッド基板用ウエハ50の少なくとも第1面50aをラッピング荒削りするラッピング工程S23を行う。ラッピング工程S23では、まず図示しない両面ラッピング装置を用い、リッド基板用ウエハ50の両面50a,50dをラッピングする。具体的には、リッド基板用ウエハ50を鋳鉄等からなるラップによってラップ剤を介して挟持し、これらラップとリッド基板用ウエハ50とを相対移動させる。これにより、リッド基板用ウエハ50の両面50a,50bを粗削りすることができる。次に、リッド基板用ウエハ50の両面50a,50bに対してウェットエッチングを行うS24:エッチング工程。本実施形態のエッチング工程S24では、例えばフッ化アンモニウム、及びフッ酸に純水を加えたエッチング液を利用してウェットエッチングを行う。なお、本実施形態では、エッチング液の温度を30°C~45°C程度、エッチング時間は1sec~5sec程度に設定することが好ましい。これにより、ラッピング工程S23までに生じたリッド基板用ウエハ50の加工ひずみを除去する。続いて、リッド基板用ウエハ50の少なくとも第1面50aを鏡面仕上げするために、ポリッシュ工程を行うS25。具体的には、例えば不織布やスエード状の研磨布であるセリウムパッド等からなる研磨パッドと、リッド基板用ウエハ50と、の間に、酸化セリウム等の研磨剤を供給しながら研磨パッドを回転させることにより行う。これにより、リッド基板用ウエハ50の両面50a,50dが鏡面加工される。次に、リッド基板用ウエハ50の第1面50a全体ベース基板用ウエハ40との接合面及び凹部3aの内面に接合材23を形成する接合材形成工程S26を行う。このように、接合材23をリッド基板用ウエハ50の第1面50a全体に形成することで、接合材23のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。なお、接合材23の形成は、スパッタやCVD等の成膜方法によって行うことができる。また、接合材形成工程S26の前に第1面50aを鏡面仕上げしているので、接合材23の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ40との安定した接合を実現することができる。以上により、リッド基板用ウエハ作成工程S20が終了する。ベース基板用ウエハ作成工程次に、上述した工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板2となるベース基板用ウエハ40を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するベース基板用ウエハ作製工程を行うS30。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ40を形成するS31。次いで、例えばプレス加工等により、ベース基板用ウエハ40に一対の貫通電極8,9を配置するための貫通孔21,22を複数形成する貫通孔形成工程を行うS32。具体的には、プレス加工によりベース基板用ウエハ40第1面40aに凹部を形成した後、ベース基板用ウエハ40の第2面40d側から研磨することで、凹部を貫通させ、貫通孔21,22を形成することができる。ここで、一対の貫通孔21,22は、後に両ウエハ40,50を重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハ50に形成した凹部3a内に各別に収まる位置で、かつ一方の貫通孔21が後にマウントする圧電振動片5の基部26側に配置されるとともに、他方の貫通孔22が振動腕部24,25の先端側に配置される位置に形成する。さらに、一対の貫通孔21,22は、ベース基板用ウエハ40における第2面40dにおいて、外周部分40bよりも径方向内側に位置する領域以下、製品領域40cというに形成されている。また、本実施形態では、製品領域40cにおいて、リッド基板用ウエハ50の非形成領域N2に面する領域には、一対の貫通孔25を形成しない。したがって、一対の貫通孔21,22は、ベース基板用ウエハ40の第2面40dにおいて、非形成領域N2と外周部分40bとを除く部分に形成されている。続いて、貫通孔形成工程S32で形成された貫通孔21,22内に貫通電極8,9を形成する貫通電極形成工程S33を行う。これにより、貫通孔21,22内において、芯材部31がベース基板用ウエハ40の表面に対して面一な状態で保持される。以上により、貫通電極8,9を形成することができる。次に、ベース基板用ウエハ40の第2面40dに導電性材料をパターニングして、引き回し電極27,28を形成する引き回し電極形成工程を行うS34。このようにして、ベース基板用ウエハ製作工程S30が終了する。組立工程次に、ベース基板用ウエハ作成工程S30で作成されたベース基板用ウエハ40の各引き回し電極27,28上に、圧電振動片作成工程S10で作成された圧電振動片5を、それぞれ金等のバンプBを介してマウントするS40。そして、上述した各ウエハ40,50の作成工程で作成されたベース基板用ウエハ40及びリッド基板用ウエハ50を重ね合わせる、重ね合わせ工程を行うS50。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ40,50を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片5が、リッド基板用ウエハ50に形成された凹部3aとベース基板用ウエハ40とで囲まれるキャビティC内に収納された状態となる。重ね合わせ工程S50後、重ね合わせた2枚のウエハ40,50を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構によりウエハの外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行うS60。具体的には、接合材23とリッド基板用ウエハ50との間に所定の電圧を印加する。すると、接合材23とリッド基板用ウエハ50との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片5をキャビティC内に封止することができ、ベース基板用ウエハ40とリッド基板用ウエハ50とが接合されたウエハ接合体60を得ることができる。そして、本実施形態のように両ウエハ40,50同士を陽極接合することで、接着剤等で両ウエハ40,50を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃等によるずれ、ウエハ接合体60の反り等を防ぎ、両ウエハ40,50をより強固に接合することができる。その後、一対の貫通電極8,9にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極6,7を形成しS70、圧電振動子1の周波数を微調整するS80。そして、接合されたウエハ接合体60を切断線Mに沿って切断する個片化工程S90を行う。具体的には、まずウエハ接合体60のベース基板用ウエハ40の第2面40b側にUVテープを貼り付ける。次に、リッド基板用ウエハ50側から切断線Mに沿ってレーザーを照射し、切断線Mに沿ってスクライブラインを形成する。次に、UVテープの表面から切断線Mに沿って切断刃を押し当て、ウエハ接合体60を割断するブレーキング。その後、UVを照射してUVテープを剥離する。これにより、ウエハ接合体60を複数の圧電振動子1に分離することができる。なお、これ以外のダイシング等の方法によりウエハ接合体60を切断してもよい。そして、電気特性検査工程S100では、圧電振動子1の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等も併せてチェックする。最後に、圧電振動子1の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。以上により、圧電振動子1が完成する。このように、本実施形態では、リッド基板用ウエハ50の製品領域50cにおいて、製品領域50cを径方向に沿って延在する非形成領域N2を設定する構成とした。この構成によれば、第1面50aの全域に凹部3aを形成する場合に比べて両面50a,50bでの表面積の差を低減できる。これにより、表面積の差に起因するリッド基板用ウエハ50の反りを抑制できるため、後工程において、不良品が発生する確率を低減できる。例えば、後工程においてリッド基板用ウエハ50を研磨する際に、研磨レートのばらつきを抑制できるため、片減りの発生を抑制して、リッド基板用ウエハ50の仕上がり厚みを均一にできる。また、後工程において、両ウエハ40,50を接合した際にウエハ接合体60に反りが発生するのを抑制できるので、ウエハ接合体60を所望の切断予定線切断線Mに沿って切断できる。これにより、歩留まりを向上させ、所望のサイズのパッケージ10を製造できる。さらに、リッド基板用ウエハ50の反りを低減できるので、両ウエハ40,50をウエハ接合体60として接合した際に、ウエハ接合体60での残留応力の発生を抑制できる。これにより、歩留まりを向上させるとともに、パッケージ10内部での残留応力の発生を抑制して、機械的強度が確保された高品質で信頼性の高い圧電振動子1を提供できる。しかも、凹部3aは、短辺方向が一方の非形成領域N2と平行に、長辺方向が他方の非形成領域N2と平行に延在する矩形状に形成することで、隣り合うキャビティC凹部3a間のスペースが大きくなることを抑制しつつ、非形成領域N2を確保できる。このため、凹部形成領域N1を効率よくリッド基板用ウエハ50上に設定でき、1つのウエハ50から形成可能なパッケージ製品群の歩留まりを維持できる。その結果、非形成領域N2を設定した場合であっても1つのウエハ50からの圧電振動子1の取り個数を確保できる。しかも、非形成領域N2を十字状に設定することで、リッド基板用ウエハ50の第1面50aの全域に亘って均一に反りを抑制できるので、リッド基板用ウエハ50にゆがみ等が発生するのを抑制できる。また、本実施形態では、ラッピング工程S23後のエッチング工程S24において、凹部3aが形成されたリッド基板用ウエハ50に対してウェットエッチングを行うことで、ラッピング工程S23までに生じたリッド基板用ウエハ50の加工ひずみを除去できる。その結果、リッド基板用ウエハ50に発生する反りをより一層低減できる。実施例ここで、本発明を、実施例を挙げて説明する。本願発明者は、上述した本実施形態のリッド基板用ウエハ50と同様の構成からなるサンプルウエハを複数枚用意して、これらサンプルウエハA1~A6に対してラッピングとウェットエッチングとを順に施し、ラッピング後とウェットエッチング後とにおける各サンプルウエハA1~A6の反り量を測定する試験を行った。また、測定した反り量の差分に基づいて、ウェットエッチングによる反りの矯正量を算出した。なお、反り量の測定方法としては、サンプルウエハA1~A6の表裏面上を径方向に沿うX方向、及びX方向に直交するY方向、すなわち2本の非形成領域N2に沿って、触針式の粗さ測定機を走査し、粗さの最大値と最小値との差から算出した。ここで、ラッピング条件については、各サンプルウエハA1~A6で同じ条件に設定した。また、エッチング条件について、エッチング液フッ化アンモニウムフッ酸純水、及び温度30°C~45°Cは各サンプルウエハで同じ条件に設定した状態で、サンプルウエハA1~A3と、サンプルウエハA4~A6とでエッチング時間を変更した。具体的に、サンプルウエハA1~A3のエッチング時間を1secエッチング量は両面で5μm程度に設定し、サンプルウエハA4~A6を5secエッチング量は両面で10μm程度に設定した。図8はラッピング後、及びエッチング後におけるサンプルウエハの反り量を示すグラフであり、図9は反りの矯正量を示すグラフである。なお、図8,9において、cxは、凹部3aが形成された面のX方向を示しており、cyはY方向を示している。また、fxは凹部3aが形成されていない面のX方向を示しており、fyはY方向を示している。また、図8のcx~fyにおいて、左側がラッピング後の反り量μm、右側がエッチング後の反り量μmをそれぞれ示している。図8,9に示すように、ラッピング工程S23後にウェットエッチングを施すことで、ほぼ全ての各サンプルウエハA1~A6において、反りが全面に亘って矯正されることを確認できた。これは、上述したようにウェットエッチングにより、ラッピング工程S23までに生じたサンプルウエハA1~A6の加工ひずみを除去できたためと考えられる。特に、エッチング時間を長くすることで、ウェットエッチングによる矯正量をより一層向上できることが確認できた。なお、グラフ中に図示はしないが、非形成領域を設定していない従来のウエハでは、ラッピング後、及びウェットエッチング後でサンプルウエハの反りが改善されることはなかった。また、非形成領域を形成した場合であっても、ラッピング及びポリッシュを行った後にウェットエッチングを行った場合には、反りは殆ど改善されなかった。以上、本発明の技術範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上述した実施形態では、本発明に係るパッケージの製造方法を使用しつつ、パッケージの内部に圧電振動片を封入して圧電振動子を製造したが、パッケージの内部に圧電振動片以外の電子部品を封入して、圧電振動子以外のデバイスを製造することも可能である。また、上述した実施形態では、音叉型の圧電振動片を用いた圧電振動子を例に挙げて本発明のパッケージの製造方法を説明したが、これに限らず、例えばATカット型の圧電振動片厚み滑り振動片を用いた圧電振動子等に、本発明を適用しても構わない。また、上述した実施形態では、2本の非形成領域N2を十字状に形成する場合について説明したが、非形成領域N2の数は、単数でもよく、また3本以上の複数本でも構わない。"