第1の導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の一方の主面に一定の間隔において複数配設され、この第1の半導体領域とは逆の第2の導電型の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の主面に互いに離間して複数配設された前記第1の導電型の第3の半導体領域と、少なくとも前記第2の半導体領域に隣接するゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、前記第2の半導体領域及び前記第3の半導体領域の主面に電気的に接続された第1の主電極と、前記第1の半導体領域の前記一方の主面に対向する他方の主面に相互に離間された複数のトレンチと、前記第1の半導体領域内の前記トレンチの底部に配設された前記第2の導電型の第4の半導体領域と、前記第1の半導体領域内の前記トレンチの底部に前記第4の半導体領域を介して配設され、隣り合う同士において相互に離間され、前記第1の半導体領域よりも高い不純物密度を有する前記第1の導電型の第5の半導体領域と、前記トレンチ内に埋め込まれた第2の主電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。前記第5の半導体領域は、前記第4の半導体領域のすべての周囲を取り囲み、前記第4の半導体領域と前記第1の半導体領域との間を離間させていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第5の半導体領域は、前記トレンチの側面に沿って配設されていないことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。前記第4の半導体領域は、前記トレンチの底面及び側面に沿って配設されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第5の半導体領域は、前記第4の半導体領域を介して、前記トレンチの前記底面及び前記側面に沿って配設されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第5の半導体領域の前記トレンチの前記底面に沿った部分の不純物密度は前記第1の半導体領域の不純物密度に比べて高く、前記第5の半導体領域の前記トレンチの前記側面に沿った部分の不純物密度は、前記底面に沿った部分の不純物密度に比べて低くかつ前記第1の半導体領域の不純物密度に比べて高いことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。前記第1の半導体領域の前記他方の主面から前記トレンチの前記底面に満たない範囲内において、前記第5の半導体領域の隣り合う前記トレンチの前記側面に沿って配設された部分が相互に接続されていることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の半導体装置。前記第2の主電極は、前記第1の半導体領域の機械的強度に比べて機械的強度が高い導電性材料により構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の半導体装置。しかしながら、特許文献1に開示された半導体装置においては、以下の点について配慮がなされていなかった。p型半導体領域、n型半導体領域は、いずれもトレンチを通してその底部に不純物を注入し、この不純物の横方向拡散を利用して相互に接続している構造を採用しているので、不純物の横方向拡散量に依存しトレンチの幅寸法、トレンチの配列間隔に制約が生じ、トレンチの設計自由度が大きく損なわれる。また、不純物の注入条件、拡散条件等、高精度のプロセス条件が要求される。これらはIGBTの電気的特性を向上する妨げになってしまう。本発明は上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、トレンチの設計自由度が損なわれることなく、プロセス条件に制約されることなく、電気的特性を向上することができる半導体装置を提供することである。上記課題を解決するために、本発明の実施例に係る特徴は、半導体装置において、第1の導電型の第1の半導体領域と、第1の半導体領域の一方の主面に一定の間隔において複数配設され、この第1の半導体領域とは逆の第2の導電型の第2の半導体領域と、第2の半導体領域の主面に互いに離間して複数配設された第1の導電型の第3の半導体領域と、少なくとも第2の半導体領域に隣接したゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、第2の半導体領域及び第3の半導体領域の主面に電気的に接続された第1の主電極と、第1の半導体領域の一方の主面に対向する他方の主面に相互に離間された複数のトレンチと、第1の半導体領域内のトレンチの底部に配設された第2の導電型の第4の半導体領域と、第1の半導体領域内のトレンチの底部に第4の半導体領域を介して配設され、隣り合う同士において相互に離間され、第1の半導体領域よりも高い不純物密度を有する第1の導電型の第5の半導体領域と、トレンチ内に埋め込まれた第2の主電極とを備える。本発明によれば、トレンチの設計自由度が損なわれることなく、プロセス条件に制約されることなく、電気的特性を向上することができる半導体装置を提供することができる。次に、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。また、以下に示す実施例はこの発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。実施例1本発明の実施例1は、プレーナ構造を有するIGBTを搭載した半導体装置及びその製造方法に本発明を適用した例を説明するものである。[半導体装置IGBTのデバイス構造]図1に示すように、実施例1に係る半導体装置半導体チップ10はパンチスルー型IGBTである。この半導体装置10は、第1の導電型の第1の半導体領域1を有する半導体基体50と、半導体基体50の一方の主面1Aにおいて第1の半導体領域1の主面に一定間隔を持って複数配設された第1の導電型とは逆の第2の導電型の第2の半導体領域2と、第2の半導体領域2の主面一方の主面1Aと同一主面に互いに離間して複数配設された第1の導電型の第3の半導体領域3と、少なくとも第2の半導体領域2上にゲート絶縁膜11を介して配設されたゲート電極12と、第3の半導体領域3の主面一方の主面1Aと同一主面及び第2の半導体領域2の主面に電気的に接続された第1の主電極ここではソース電極又はエミッタ電極14と、半導体基体50の一方の主面1Aに対向する他方の主面1Bに配設され半導体基体50内に相互に離間された複数のトレンチ15と、半導体基体50内のトレンチ15の底部に配設され、隣り合う同士が相互に離間された第2の導電型の第4の半導体領域4と、半導体基体50内のトレンチ15の底部に第4の半導体領域4を介して配設され、隣り合う同士が相互に離間され、第1の半導体領域1の不純物密度に比べて高い不純物密度を有する第1の導電型の第5の半導体領域5と、トレンチ15内に埋め込まれた第2の主電極ここではドレイン電極又はコレクタ電極16とを備えている。第1の半導体領域1は、実施例1において、n-型のシリコン単結晶からなる半導体基板である。この第1の半導体領域1は半導体製造プロセスの前処理段階において半導体ウエーハであり、例えば150μm-725μmの厚さの比較的厚い半導体ウエーハが使用される。第1の半導体領域1は、IGBTのn型ベース領域として使用され、例えば1015atomscm3-1016atomscm3の不純物密度に設定されている。第2の半導体領域2はIGBTのp型ベース領域として使用されている。この第2の半導体領域2は例えば1017atomscm3-1018atomscm3の不純物密度に設定されている。第3の半導体領域3はここではIGBTのn型ソース領域又はエミッタ領域として使用されている。この第3の半導体領域3は、例えば1019atomscm3-1020atomscm3の不純物密度に設定され、第1の半導体領域1の不純物密度並びに第5の半導体領域5の不純物密度に比べて高い不純物密度に設定されている。ゲート絶縁膜11は、第1の半導体領域1の一方の主面1A上及び第2の半導体領域2の主面上に配設されている。実施例1において、ゲート絶縁膜11は少なくとも第2の半導体領域2に隣接して配設されている。ゲート絶縁膜11には例えばシリコン酸化膜を実用的に使用することができる。ゲート電極12はゲート絶縁膜11上に配設されている。このゲート電極12には例えばシリコン多結晶膜を実用的に使用することができる。ゲート電極12上には層間絶縁膜13が配設されている。層間絶縁膜13には例えばPSG膜を使用することができる。層間絶縁膜13上には第1の主電極14が配設され、この第1の主電極14はゲート電極12間において露出する第2の半導体領域2の主面及び第3の半導体領域3の主面に電気的に接続されている。第1の主電極14には例えばアルミニウム合金を使用することができる。トレンチ15は、半導体基体50第1の半導体領域1の他の主面1Bから一方の主面1Aに向かって掘り下げられた溝若しくは穴である。このトレンチ15は、後述するがリアクティブイオンエッチングRIE等の異方性エッチングにより構成され、トレンチ幅に比べてトレンチ深さを大きくアスペクト比を大きく設定している。トレンチ15のトレンチ幅は例えば10μm-50μmに設定され、トレンチ深さは半導体基体50の厚みバックグラインド処理前であって薄膜化前の厚みが150μm-725μmのとき例えば50μm-675μmに設定されている。トレンチ15は、半導体基体50の他の主面1Bからこのトレンチ15の底面に向かって不純物を導入し、この不純物の導入において第1の半導体領域1の厚さ方向の中央部に第4の半導体領域4及び第5の半導体領域5を形成するための不純物導入通路として機能する。ここで、不純物の導入とは、イオン注入法を用いた不純物の注入、固相拡散法や熱拡散法を用いた不純物の拡散等を含む意味において使用されている。また、実施例1において、イオン注入法を用いて導入された不純物には熱処理が行われ、不純物の拡散が行われ、不純物の活性化がなされる。固相拡散法や熱拡散法はそれ自体に熱処理を伴う場合があるので、その熱処理を用いて或いは別途活性化のための熱処理を用いて不純物の拡散が行われ、不純物の活性化がなされる。また、トレンチ15の内部には第2の主電極16が埋め込まれ、後述するがこの第2の主電極16の熱抵抗、電気抵抗は、第1の半導体領域1のそれらに比べて低く、機械的強度は高い。従って、トレンチ15並びにその内部に埋設された第2の主電極16によって、IGBTのスイッチング動作において発生する熱は、第1の半導体領域1の厚さ方向の中央部からトレンチ15内部に埋設された熱抵抗の小さい第2の主電極16を通じて放熱することができるので、半導体基体50の他方の主面1Bからの放熱効果を向上することができる。また、IGBTの第1の主電極14から第2の主電極16に流れる電流は、第1の半導体領域1の厚さ方向の中央部からトレンチ15内部に埋設された電気抵抗の小さい第2の主電極16を通じて流すことができるので、IGBTのオン抵抗を減少することができる。更に、半導体基体50の半導体ウエーハの機械的強度は、トレンチ15内部に埋設された機械的強度が高い第2の主電極16によって補強することができるので、半導体基体50自体の剛性を高めることができる。第4の半導体領域4は、実施例1において、第5の半導体領域5との間に高い不純物密度同士のpn接合ダイオードを生成し、アノード電極として機能する。このpn接合ダイオードは第2の主電極16からn型ベース領域主に第1の半導体領域1にキャリアここではホールを注入し、この注入されたキャリアはn型ベース領域の電導度変調を行う。この結果、オン抵抗を無視することができる程度に低減することができる。第4の半導体領域4はトレンチ15を通してこのトレンチ15の底部に導入されたp型不純物を拡散し活性化することにより構成されている。第4の半導体領域4は、実効的にトレンチ15の底面に沿って第1の半導体領域1内半導体基体50内に配設され、不純物の縦方向拡散によってトレンチ15の底面から僅かにトレンチ15の側面に沿って形成されているが、トレンチ15の側面の大半には配設されていない。更に、実施例1に係る半導体装置10において、1つのトレンチ15の底部に配設された1つの第4の半導体領域4はそれに隣り合う他の1つのトレンチ15の底部に配設された他の1つの第4の半導体領域4に対して離れて配設されており、隣り合う双方の第4の半導体領域4は接続されていない。第4の半導体領域4は、p型ベース領域として機能する第2の半導体領域2の不純物密度よりも高い、例えば1018atomscm3-1019atomscm3の不純物密度に設定されている。第5の半導体領域5はn型ドレイン領域又はn型コレクタ領域として機能する。この第5の半導体領域5と第4の半導体領域4との間には高不純物密度を有する半導体領域同士のpn接合が構成され、pn接合から拡がる空乏層の延びを抑えて、パンチスルー型のIGBTが構築されている。つまり、第5の半導体領域5はIGBTの素子耐圧を高める機能を有する。第5の半導体領域5は、第4の半導体領域4と同様にトレンチ15を通してこのトレンチ15の底部に導入されたn型不純物を拡散し活性化することにより構成されている。つまり、第5の半導体領域5は、第1の半導体領域1内のトレンチ15の底部に第4の半導体領域4を介して配設され、隣り合う同士において相互に離間され、第1の半導体領域1よりも高い不純物密度を有する。実施例1に係る半導体装置10において、第5の半導体領域5は、第4の半導体領域4のすべての周囲を取り囲みすべての接合面においてpn接合ダイオードを生成し、第4の半導体領域4と第1の半導体領域1とを直接接触させていない。このような構造を採用することによって、第4の半導体領域4からn型ベース領域主に第1の半導体領域1へのキャリアの注入を抑えることができ、速やかにキャリアを消去することができるので、半導体装置10IGBTのターンオフ時間の高速化を実現することができる。また、図2に示す隣り合う第5の半導体領域5間の離間寸法Lの制御を行うことよって、n型ベース領域へのキャリアの注入量の制御を行うことができる。第5の半導体領域5は、例えば不純物導入の際のエネルギ量を制御し、第1の半導体領域1と第4の半導体領域4との間に不純物密度のピークを設定している。第5の半導体領域5は、実効的にトレンチ15の底面に沿い第4の半導体領域4を介在し第1の半導体領域1内半導体基体50内に配設され、不純物の縦方向拡散によってトレンチ15の底面から僅かにトレンチ15の側面に沿って形成されているが、トレンチ15の側面の大半にはここでは配設されていない。実施例1において、図2に示すように、第4の半導体領域4のトレンチ15の底面からの縦方向半導体基体50の厚さ方向の厚さt4に対して、第5の半導体領域5のトレンチ15の底面上の同一縦方向の厚さt51は厚く設定されている。この厚さt51は第4の半導体領域4から第1の半導体領域1までの距離と等価である。また、第5の半導体領域5のトレンチ15の側面に沿った厚さt52は厚さt51よりも薄い。この厚さt52はn型ベース領域へのキャリアの注入量を抑えてターンオフ時間の高速化を実現するためにはある程度確保される。また、キャリアの注入量を増やしてオン抵抗の低減化を図るときには、厚さt52はゼロに設定し、第4の半導体領域4のトレンチ15の側面に沿った一部と第1の半導体領域1とを直接接触させる。第5の半導体領域5は、n型ベース領域として機能する第1の半導体領域1の不純物密度よりも高く、ソース領域として機能する第3の半導体領域3の不純物密度よりも低い、例えば1018atomscm3-1019atomscm3の不純物密度に設定されている。第2の主電極16は、前述のようにトレンチ15内部を埋設するとともに、第1の半導体領域1の他の主面1B上に配設される。第2の主電極16には、熱抵抗が小さく、電気抵抗が小さく、更に機械的強度が高い導電性材料、例えばニッケルNiを実用的に使用することができる。[半導体装置の製造方法]前述の実施例1に係る半導体装置10の製造方法は以下の通りである。最初に、第1導電型つまりn型の第1の半導体領域1が準備される図3参照。。第1の半導体領域1は、この時点では半導体製造プロセスの前処理段階であり、半導体ウエーハである。次に、第1の半導体領域1の一方の主面1Aに第2の導電型つまりp型の第2の半導体領域2が形成され、引き続き第2の半導体領域2の主面に第1の導電型つまりn型の第3の半導体領域3が形成される図3参照。。第2の半導体領域2、第3の半導体領域3のそれぞれは、例えばイオン注入法、熱拡散法、固相拡散法等を用いて不純物を導入し、この不純物を活性化することにより形成される。次に、ゲート絶縁膜11、ゲート電極12、層間絶縁膜13のそれぞれが順次形成される図3参照。。図3に示すように、層間絶縁膜13上に第2の半導体領域2及び第3の半導体領域3に接続される第1の主電極14が形成される。次に、第1の半導体領域1の一方の主面1A側が例えば図示しないフォトレジスト膜によって保護される。そして、第1の半導体領域1の他方の主面1B側においてバックグラインド処理が行われ、第1の半導体領域1が薄型化される図4参照。。図4に示すように、第1の半導体領域1の他方の主面1Bから第1の半導体領域1の厚さ方向の中央部まで掘り下げられたトレンチ15が形成される。トレンチ15は、例えば、図4中、破線を付け符号20を付した、フォトリソグラフィ技術により形成されたマスクを用い、RIE等の異方性エッチングを用いて第1の半導体領域1を部分的に取り除くことにより形成される。実施例1に係る半導体装置10においては、後の工程においてトレンチ15の底部に形成される第4の半導体領域4、第5の半導体領域5が隣り合うもの同士で相互に接続される必要がないので、不純物の横方向拡散量に制約されず、トレンチ15の幅寸法、トレンチ15の配列間隔等、トレンチ15の設計を自由に行うことができる。図5に示すように、前述のマスク20をそのまま耐不純物導入マスクとして使用し、前記トレンチ15の底部において第1の半導体領域1の厚さ方向の中央部に第1導電型の不純物5n及び第2の導電型の不純物4pのそれぞれが導入される。この不純物の導入順序は特に限定されない。実施例1において、この不純物5n、4pのそれぞれの導入にはイオン注入法が使用される。不純物4pはトレンチ15の底面に近い側に不純物密度のピークを有し、不純物5nはトレンチ15の底面から遠い側に不純物密度のピークを有するように、イオン注入の際のエネルギ量の制御が行われる。この後、マスク20は除去される。図6に示すように、アニール処理が行われ、不純物4pを拡散し活性化することにより第2の導電型の第4の半導体領域4が形成され、不純物5nを拡散し活性化することにより第1の導電型の第5の半導体領域5が形成される。活性化の際、隣り合うトレンチ15のそれぞれの底部において形成された第4の半導体領域4同士、第5の半導体領域5同士は相互に離間されている。次に、第1の半導体領域1の他方の主面1B上に第2の主電極16が形成される前述の図1参照。。この第2の主電極16は、トレンチ15の内部に埋め込まれ、トレンチ15の底面に露出する第4の半導体領域4に電気的に接続される。第2の主電極16は例えばスパッタリング法により成膜されたNi膜により形成される。これら一連の製造工程が終了すると、実施例1に係る半導体装置10が完成する。[実施例1の特徴]以上説明したように、実施例1に係る半導体装置10においては、トレンチ15の底部に第5の半導体領域5を配設し、この第5の半導体領域5は隣り合うもの同士を接続しないので、不純物の横方向拡散量に制約されることがない。従って、トレンチ15の設計自由度を改善することができ、プロセス条件に制約されることもなく、半導体装置10の電気的特性を向上することができる。また、実施例1に係る半導体装置10においては、第4の半導体領域4の周囲のすべてが第5の半導体領域5に覆われ、第4の半導体領域4からn型ベース領域第1の半導体領域1へのキャリアの注入量を抑えることができるので、ターンオフ時間の高速化を実現することができる。また、実施例1に係る半導体装置10においては、第1の半導体領域1の他方の主面1Bにトレンチ15を形成し、このトレンチ15の底部において第1の半導体領域1の厚さ方向の中央部に第4の半導体領域4及び第5の半導体領域5を形成したので、第1の半導体領域1の他方の主面1Bのバックグラインド処理量を減少することができ、半導体製造プロセスの製造時間を短縮することができる。更に、実施例1に係る半導体装置10においては、第1の半導体領域1の厚さ方向の中央部にトレンチ15を通して不純物4p及び5nを導入し、第4の半導体領域4及び第5の半導体領域5を形成することができるので、エピタキシャル成長層を成長させる高価な半導体ウエーハを使用することがなくなり、半導体製造プロセスの製造コストを減少することができる。また、実施例1に係る半導体装置10においては、第1の半導体領域1の他方の主面1Bに配設したトレンチ15の内部に熱抵抗の小さな第2の主電極16を埋設したので、放熱効果を向上することができる。更に、実施例1に係る半導体装置10においては、同様に第1の半導体領域1の他方の主面1Bに配設したトレンチ15の内部に電気抵抗の小さな第2の主電極16を埋設したので、オン抵抗を減少することができる。また、実施例1に係る半導体装置10においては、第1の半導体領域1の他方の主面1Bに配設したトレンチ15の内部に機械的強度が高い第2の主電極16を埋設したので、第1の半導体領域1半導体基体50自体の機械的強度を向上することができる。実施例2本発明の実施例2は、前述の実施例1に係る半導体装置10の第4の半導体領域4の断面構造を変えた例を説明するものである。[半導体装置のデバイス構造]図7に示すように、実施例2に係る半導体装置10は、基本的には前述の実施例1に係るプレーナ構造を有するIGBTが形成された半導体装置10と同様であるが、トレンチ15の底面及び側面の全域に沿って第2の導電型の第4の半導体領域4を配設している。第5の半導体領域5は、実施例1に係る半導体装置10の第5の半導体領域5と同様にトレンチ15の底部に配設され、隣り合うもの同士を離間させている。第4の半導体領域4がトレンチ15の側面に沿って配設されることによって、第4の半導体領域4と第1の半導体領域1とが直接接触しpn接合ダイオードが生成され、n型ベース領域へのキャリアの注入量は増えるので、低オン抵抗化を実現することができる。但し、キャリアの注入量は隣り合う第5の半導体領域5の離間寸法Lによって制御可能である。[半導体装置の製造方法]実施例2に係る半導体装置10の製造方法は、前述の実施例1に係る半導体装置10の製造方法と基本的には同様であるが、前述の図4に示すトレンチ15を形成した後に、図8に示すように、第2の導電型の不純物4pがトレンチ15の底面及び側面において第1の半導体領域1内部に導入される。実施例2において、不純物4pの導入には例えば斜めイオン注入法が使用される。以上説明したように、実施例2に係る半導体装置10においては、前述の実施例1に係る半導体装置10により得られる作用効果と同様の作用効果を奏することができる。実施例3本発明の実施例3は、前述の実施例2に係る半導体装置10の第5の半導体領域5の断面構造を変えた例を説明するものである。[半導体装置のデバイス構造]図9に示すように、実施例3に係る半導体装置10は、基本的には前述の実施例2に係るプレーナ構造を有するIGBTが形成された半導体装置10と同様であるが、トレンチ15の底面及び側面の全域に沿って第2の導電型の第4の半導体領域4を配設するとともに第1の導電型の第5の半導体領域5を配設している。第5の半導体領域5は、トレンチ15の側面に沿って配設されてはいるが、実施例1に係る半導体装置10の第5の半導体領域5と同様に隣り合うもの同士を離間させている。実施例1に係る半導体装置10と同様に、第5の半導体領域5は第4の半導体領域4の周囲のすべてを取り囲んでいるので、第4の半導体領域4からn型ベース領域へのキャリアの注入量は抑えられ、ターンオン時間の高速化を実現することができる。[半導体装置の製造方法]実施例3に係る半導体装置10の製造方法は、前述の実施例2に係る半導体装置10の製造方法と基本的には同様であるが、前述の図8に示す第2の導電型の不純物4pを導入する工程に代えて、図10に示すように、第2の導電型の不純物4p及び第1の導電型の不純物5nをトレンチ15の底面及び側面において第1の半導体領域1内部に導入する。実施例3において、不純物4p並びに5nの導入には例えば斜めイオン注入法が使用される。また、不純物5nの導入角度によって、第5の半導体領域5のトレンチ15の底面に沿った部分の不純物密度は、第5の半導体領域5のトレンチ15の側面に沿った部分の不純物密度に対して高くなる。第4の半導体領域4についても同様の不純物密度の関係がある。以上説明したように、実施例3に係る半導体装置10においては、前述の実施例1に係る半導体装置10により得られる作用効果と同様の作用効果を奏することができる。実施例4本発明の実施例4は、前述の実施例3に係る半導体装置10の第5の半導体領域5の断面構造を変えた例を説明するものである。[半導体装置のデバイス構造]図11に示すように、実施例4に係る半導体装置10は、基本的には前述の実施例3に係るプレーナ構造を有するIGBTが形成された半導体装置10と同様であるが、隣り合うトレンチ15の側面に配設された第5の半導体領域5同士を接続している。但し、第1の半導体領域1の他方の主面1Bからトレンチ15の底面に満たない範囲内、つまり図11中、トレンチ15の底面よりも下側において、隣り合う第5の半導体領域5同士が相互に接続されている。トレンチ15の底面よりも上側においては、隣り合う第5の半導体領域5同士は相互に離間されている。以上説明したように、実施例4に係る半導体装置10においては、前述の実施例1に係る半導体装置10により得られる作用効果と同様の作用効果を奏することができる。実施例5本発明の実施例5は、前述の実施例2乃至実施例4のいずれかに係る半導体装置10の変形例を説明するものである。[半導体装置のデバイス構造]実施例5に係る半導体装置10は、前述の図7に示す実施例2に係る半導体装置10、図9に示す実施例3に係る半導体装置10、図11に示す実施例4に係る半導体装置10のいずれかの第1の半導体領域1の他の主面1Bのトレンチ15以外の領域に、第2の導電型p型の半導体領域を備えている図示しない。。すなわち、半導体基体50の裏面のトレンチ15の全面にp型半導体領域が配設されている。また、図9に示す実施例3に係る半導体装置10、図11に示す実施例4に係る半導体装置10のいずれかの第1の半導体領域1の他の主面1Bのトレンチ15以外の領域に、第1の導電型n型の半導体領域を備えている図示しない。。すなわち、半導体基体50の裏面のトレンチ15の全面にn型半導体領域が配設されている。この場合、n型半導体領域は、第2の主電極16との間にダイオードを構築する実施例6本発明の実施例6は、前述の実施例1に係る半導体装置10を、トレンチゲート構造を有するIGBTからなる半導体装置に置き換えた例を説明するものである。[半導体装置のデバイス構造]図12に示すように、実施例6に係る半導体装置10はトレンチゲート構造を有するIGBTである。すなわち、半導体装置10は、半導体基体50の一方の主面1Aにおいて隣り合う第2の半導体領域2の間に配設されたトレンチ17を更に備え、トレンチ17の底面及び側面に沿って配設されたゲート絶縁膜11と、この絶縁膜11上に配設され、トレンチ17の内部に埋設されたゲート電極12とを備えている。実施例6に係る半導体装置10においては、前述の実施例1に係る半導体装置10により得られる作用効果と同様の作用効果を奏することができる。実施例7本発明の実施例7は、前述の実施例2に係る半導体装置10を、トレンチゲート構造を有するIGBTからなる半導体装置に置き換えた例を説明するものである。[半導体装置のデバイス構造]図13に示すように、実施例7に係る半導体装置10はトレンチゲート構造を有するIGBTである。すなわち、実施例7に係る半導体装置10は、前述の実施例2に係る半導体装置10と前述の実施例6に係る半導体装置10とを組み合わせたものである。実施例7に係る半導体装置10においては、前述の実施例1に係る半導体装置10により得られる作用効果と同様の作用効果を奏することができる。なお、前述の実施例3又は実施例4に係る半導体装置10と実施例6に係る半導体装置10とを組み合わせてもよい。その他の実施例上記のように、本発明を実施例1乃至実施例7によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。本発明は様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術に適用することができる。例えば、前述の実施例においては、IGBTからなる半導体装置10を例に説明したが、本発明は、IGBTと縦型パワートランジスタとが混在する半導体装置に適用することができる。また、上記実施例は半導体基体50の第1の半導体領域1にSi基板を使用した例を説明したが、本発明は第1の半導体領域1に代えてSiC等の化合物半導体基板を使用してもよい。つまり、本発明は、前述の実施例において説明した第4の半導体領域4、第5の半導体領域5を化合物半導体基板に配設する。