入射した光を光電変換するフォトダイオードと、前記フォトダイオードで生成された電荷を転送する転送トランジスタと、転送された前記電荷を蓄積するフローティングディフュージョンと、前記フローティングディフュージョンの電位をリセットするリセットトランジスタと、前記フローティングディフュージョンに蓄積された電荷の量に応じた電圧を出力する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタとシリアルに接続された選択トランジスタとを含む行列状に配置された複数の画素部と、前記画素部の列に対応して設けられ、対応する列の前記画素部の前記選択トランジスタに接続された垂直信号線とを備え、所定の前記画素部と接続された所定の前記垂直信号線の電位は、前記所定の画素部の前記転送トランジスタがオンされる電荷転送時において、前記所定の画素部の前記フローティングディフュージョンの電位をリセットした時の前記所定の垂直信号線の電位であるリセット電位より低い固体撮像装置。前記所定の画素部の選択トランジスタは、前記電荷転送時にオフされている請求項1に記載の固体撮像装置。さらに、前記所定の垂直信号線に接続されたクリップ回路を備え、前記クリップ回路は、前記電荷転送時に前記所定の垂直信号線の電位を前記リセット電位より低い所定の電位にしている請求項1に記載の固体撮像装置。前記所定の画素部の選択トランジスタは、前記電荷転送時にオフされている請求項3に記載の固体撮像装置。前記クリップ回路は、前記所定の画素部の選択トランジスタをオフした以降に、前記所定の垂直信号線の電位を前記所定の電位にする請求項4に記載の固体撮像装置。さらに、前記所定の垂直信号線に接続されたカラムアンプを備え、前記所定の電位は、前記カラムアンプのゲイン値と連動している請求項5に記載の固体撮像装置。前記選択トランジスタは、前記電荷転送時でオンされた前記転送トランジスタがオフされた以降にオンされる請求項1~6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。さらに、前記所定の垂直信号線に接続された負荷トランジスタを備え、前記負荷トランジスタは、前記所定の画素部の選択トランジスタがオフになる期間中、常にオンされている請求項7に記載の固体撮像装置。前記所定の画素部の増幅トランジスタのゲート酸化膜は、前記所定の画素部の前記転送トランジスタ及び前記リセットトランジスタのゲート酸化膜より薄い請求項1~8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記所定の画素部の選択トランジスタは、前記所定の画素部の前記リセットトランジスタ及び前記転送トランジスタがオフされているときにオフされ、前記電荷転送時まで常にオフされている請求項1~9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記所定の垂直信号線の電位は、前記リセットトランジスタがオフされた後で、前記転送トランジスタがオンされる以前に前記リセット電位より低い電位にされる請求項1~10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。以下、タイミングチャートを参照しながら、図10の固体撮像装置の回路の動作について簡単に説明する。図11は図10の固体撮像装置の画素信号の読出しのタイミングチャートを示す。図11の駆動では、垂直信号線253の電位状態を維持する制御回路190を用いて単位画素180から画素信号を読出す前に垂直信号線253の電位を低く保っているt1。また、時刻t2では、フローティングディフュージョン206の電位はリセットトランジスタ203をオンにすることでリセットトランジスタ203のドレイン電圧にほぼ近い電位にリセットしている。そして、時刻t3では、リセットトランジスタ203をオフにし、フローティングディフュージョ206の電位をフローティング状態とし、BIASトランジスタ301をオフにしている。時刻t4では、選択トランジスタ302とアドレストランジスタ205とをオンすることで、垂直信号線253の電位を上昇させている。この時、垂直信号線253とフローティングディフージョン206との間に形成される寄生容量によって、フローティングディフージョン206の電位も上昇させている。その後、時刻t5において、転送トランジスタ202をオンにし、画素信号の読出しを行っている。図10の固体撮像装置は、上記の回路の動作を行い、フローティングディフージョン206の電位がリセット電位より高い状態でフォトダイオード201から電荷を読出すことで、ダイナミックレンジを大きくし、画質の向上を実現できる。しかし、上記に示した図11の手法において、ダイナミックレンジを大きくする場合、フローティングディフージョンの電位を上昇させるために、垂直信号線の電位を上昇させる構成になっており、画素信号の読出し前に、垂直信号線の電位が上昇する。画素信号の読出し前に、垂直信号線の電位を上昇させることは、垂直信号線の応答に必要な時間を長くし、画素信号の読出し時間を長くする。これは、垂直信号線の電位変動を大きくするため、ストリーキング、シェーディング、及び線欠陥の原因となる。特に、フローティングディフージョンに入力された信号量が大きいと垂直信号線の応答がさらに悪くなる。また、垂直信号線の電位が高いことによって発生する画素の欠陥白キズが顕著に見られるようになり、画質劣化が起こる。特に大型のイメージセンサでは、その影響が顕著になる。また、上記に示した図11の手法では、垂直信号線の電位変動幅も大きくなるため、高輝度な光が入射した際に発生する横線、面内の出力レベルの不均一、及び線欠陥などが生じて画質が劣化してしまう課題も発生してしまう。そこで、本発明は、画質の劣化を抑え、かつ、高速に画素信号の読出しができる固体撮像装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る固体撮像装置は、入射した光を光電変換するフォトダイオードと、前記フォトダイオードで生成された電荷を転送する転送トランジスタと、転送された前記電荷を蓄積するフローティングディフュージョンと、前記フローティングディフュージョンの電位をリセットするリセットトランジスタと、前記フローティングディフュージョンに蓄積された電荷の量に応じた電圧を出力する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタとシリアルに接続された選択トランジスタとを含む行列状に配置された複数の画素部と、前記画素部の列に対応して設けられ、対応する列の前記画素部の前記選択トランジスタに接続された垂直信号線とを備え、所定の前記画素部と接続された所定の前記垂直信号線の電位は、前記所定の画素部の前記転送トランジスタがオンされる電荷転送時において、前記所定の画素部の前記フローティングディフュージョンの電位をリセットした時の前記所定の垂直信号線の電位であるリセット電位より低いことを特徴とする。この態様によれば、垂直信号線に接続された電流源等により垂直信号線の電位をリセット電位より低くすることができる。この状態で転送トランジスタをオンにした後、選択トランジスタをオンにすることで、垂直信号線の電位を高速に信号電位にすることができる。同時に、画素信号の読出しにおける垂直信号線の電位変動を小さくできるため、画質の劣化を抑えることができる。ここで、前記固体撮像装置は、さらに、前記所定の垂直信号線に接続されたクリップ回路を備え、前記クリップ回路は、前記電荷転送時に前記所定の垂直信号線の電位を前記リセット電位より低い所定の電位にしていてもよい。この態様によれば、垂直信号線の電位をリセット電位より低くする際に、垂直信号線に接続されたクリップ回路により、垂直信号線の電位を所定の電位にクリップすることができる。また、前記固体撮像装置は、さらに、前記所定の垂直信号線に接続されたカラムアンプを備え、前記所定の電位は、前記カラムアンプのゲイン値と連動していてもよい。この態様によれば、クリップ回路を用いて垂直信号線の電位を所定の電位に決定する際に、カラムアンプのゲイン値に応じて所定の電位を決定することで、信号電位の読出しにかかる時間をさらに短くすることができる。本発明によれば、信号電位の読出し時に垂直信号線の電位が高いことが原因で発生する高輝度な光が入射した際に発生する横線、面内の出力レベルの不均一、線欠陥及び画素の欠陥を減らすことができ、かつ、画素信号を高速に読出すことができる固体撮像装置を提供できる。以下、本発明の実施の形態における固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、タイミング、タイミングの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。本発明は、特許請求の範囲だけによって限定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。また、図面において、実質的に同一の構成、動作、および効果を表す要素については、同一の符号を付す。図1は、本実施の形態における固体撮像装置の全体構成を示すブロック図である。この固体撮像装置は、入射した光を光電変換するフォトダイオードPDと、フォトダイオードで生成された電荷信号電荷を転送する転送トランジスタと、転送された電荷を蓄積するフローティングディフュージョンFDと、フローティングディフュージョンの電位をリセット初期化するリセットトランジスタと、フローティングディフュージョンに蓄積された電荷の量に応じた電圧画素信号を出力する増幅トランジスタと、増幅トランジスタとシリアルに接続された選択トランジスタとを含む行列状に配置された複数の単位画素画素部3と、単位画素3の列に対応して設けられ、対応する列の単位画素3の選択トランジスタに接続された垂直信号線53とを備え、所定の単位画素3と接続された所定の垂直信号線53の電位は、所定の単位画素3の転送トランジスタがオンされる電荷転送時において、所定の単位画素3のフローティングディフュージョンの電位をリセットした時の所定の垂直信号線53の電位であるリセット電位より低い。また、所定の単位画素3の選択トランジスタは、電荷転送時にオフされている。また、所定の単位画素3の選択トランジスタは、電荷転送時でオンされた転送トランジスタがオフされた以降にオンされる。また、固体撮像装置は、所定の垂直信号線53に接続された負荷トランジスタをさらに備え、負荷トランジスタは、所定の単位画素3の選択トランジスタがオフになる期間中、常にオンされている。また、所定の単位画素3の増幅トランジスタのゲート酸化膜は、所定の単位画素3の転送トランジスタ及びリセットトランジスタのゲート酸化膜より薄い。また、所定の単位画素3の選択トランジスタは、所定の単位画素3のリセットトランジスタ及び転送トランジスタがオフされているときにオフされ、電荷転送時まで常にオフされている。また、所定の垂直信号線53の電位は、リセットトランジスタがオフされた後で、転送トランジスタがオンされる以前にリセット電位より低い電位にされる。以下、図1の固体撮像装置について詳細に説明する。同図の固体撮像装置は、撮像領域100、カラムアンプ回路101、列ADC回路アナログデジタル変換回路102、水平走査回路103、垂直走査回路104、及びタイミング発生回路105を備える。撮像領域100には、光電変換するフォトダイオードを含む単位画素3がアレイ状行列状に配置されている。タイミング発生回路105は、カラムアンプ回路101、列ADC回路102、水平走査回路103、及び垂直走査回路104に接続されている。垂直走査回路104は、横1行毎単位画素3の行毎に、リセット信号線、転送ゲート信号線及び選択信号線の3本の制御線を備え、複数の単位画素3に対して、行単位で単位画素3のリセット、単位画素3の画素信号の読出し、及び単位画素3の選択を制御する。垂直走査回路104は、タイミング発生回路105が出力する信号に基づいてリセット信号、転送信号及び行選択信号等の駆動信号を生成し、それぞれを対応する信号線つまりリセット信号線、転送ゲート信号線及び選択信号線に出力することで単位画素3を選択駆動して制御する。カラムアンプ回路101は行方向に並んだ複数の基本単位単位カラムアンプから構成され、各単位カラムアンプは単位画素3の列つまり垂直信号線53に対応して設けられている。各単位カラムアンプは対応する垂直信号線53とタイミング発生回路105とに接続され、対応する垂直信号線53からの行単位の信号出力から単位画素3で発生する固定パターンノイズ成分を除去し、さらに信号出力に対し所定のゲインを掛け増幅する。なお、第1の実施の形態では、カラムアンプ回路101は必須の構成ではない。列ADC回路102は、行方向に並んだ複数の基本単位単位列ADCから構成され、各単位列ADCは単位画素3の列つまり単位カラムアンプに対応して設けられている。各単位列ADCは対応する単位カラムアンプとタイミング発生回路105とに接続され、アナログ画素信号をデジタル信号に変換する。なお、列ADC回路102を備えずに、アナログ信号のまま出力するようなアナログイメージセンサであっても、本発明は同様の効果を奏する。水平走査回路103は、列ADC回路102とタイミング発生回路105とに接続され、タイミング発生回路105が出力する信号に従って駆動され、列ADC回路102つまり各単位列ADCで生成されたデジタル信号を順次出力していく。各単位画素3は、入射した光に応じた電圧を出力する。単位画素3の詳細な説明は後述する。次に、本実施の形態の固体撮像装置の単位画素3とその周辺回路の構成を説明する。図2は、本実施の形態における、単位画素3とその周辺回路の構成を示す回路図である。なお、図2では、1本の垂直信号線53に対応する複数の単位画素3のうちの1つの単位画素3と、負荷トランジスタ24とを図示する。単位画素3は、入射した光を光電変換するフォトダイオード12と、フォトダイオード12で生成された電荷を転送する転送トランジスタ14と、転送された電荷を蓄積するフローティングディフュージョン20と、フローティングディフュージョン20の電位をリセットするリセットトランジスタ16と、フローティングディフュージョン20に蓄積された電荷を電圧に変換する増幅トランジスタ22と、増幅トランジスタ22で増幅された電圧を垂直信号線53に出力する選択トランジスタ18とを備える。これら単位画素3の各トランジスタのオンオフは、垂直走査回路104によって、つまり垂直走査回路104からの駆動信号により制御される。負荷トランジスタ24は、固定電位グラウンド電位に接続されており、負荷信号線により制御され、オンすることで垂直信号線53の電位を固定電位とする。なお、この固定電位は、リセット電位より低ければグラウンド電位に限られない。次に、本発明の実施の形態の固体撮像装置の駆動方法を説明する。本願発明のポイントは、選択トランジスタ18を含んだ単位画素3の構成で、フローティングディフュージョン20のリセットと電荷のフローティングディフュージョン20への読出し電荷読出しとの間の期間において、選択トランジスタ18をオフOFFすることで、垂直信号線53の電位を低くし、更に、SFソースフォロア回路とフローティングディフュージョン20とのカップリングにより、フローティングディフュージョン20の電位を上昇させる点である。図3は図1及び図2の固体撮像装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。具体的には、単位画素3と接続されたリセット信号線RS、転送ゲート信号線TRANS、選択信号線SEL及び垂直信号線53の電位の時間変化と単位画素3のフローティングディフュージョン20の電位の時間変化とを示す図である。まず、時刻t1において、転送ゲート信号線TRANSがLow状態であり、リセット信号線RSがHigh状態であるため、転送トランジスタ14がオフであり、リセットトランジスタ16がオンである。よって、フローティングディフュージョン20の電位がリセットされる。このとき、選択信号線SELがHigh状態であり、選択トランジスタ18もオンになっているので、垂直信号線53の電位も高電位へ遷移して行き、リセット電位となる。次に、時刻t2において、リセット信号線RSをLow状態とし、リセットトランジスタ16をオフにする。これにより、フローティングディフュージョン20の電位がフローティングの状態にされる。次に、時刻t3において、選択信号線SELをLow状態にし、選択トランジスタ18をオフにする。これにより、垂直信号線53の電位は負荷トランジスタ24によって低電位へ遷移していき、リセット電位より低くなる。一方、選択トランジスタ18がオフになったことで、増幅トランジスタ22と選択トランジスタ18との間の配線の電位は増幅トランジスタ22のドレイン電源によって上昇する。そのため、増幅トランジスタ22と選択トランジスタ18との間の配線とフローティングディフュージョン20との間の寄生容量C2とフローティングディフュージョン20に存在する寄生容量C1との比で決まる電位の分だけフローティング状態であるフローティングディフュージョン20の電位も上昇する。ここで、フローティングディフュージョン20と増幅トランジスタ22のゲート部とを接続する配線と増幅トランジスタ22のソース部との距離が狭まるように近くにレイアウトすることが好ましい。また、図4に示すように、増幅トランジスタ22のゲート酸化膜95を単位画素3の他のトランジスタ、例えば転送トランジスタ14及びリセットトランジスタ16の少なくともいずれか一方のゲート酸化膜より薄くすることが好ましい。これらにより、フローティングディフュージョン20と増幅トランジスタ22のソース部との間の寄生容量C2を大きくでき、選択トランジスタ18をオフにすることで得られるフローティングディフュージョン20の電位上昇の効果をより強くすることができる。次に、電荷転送時である時刻t4において、転送ゲート信号線TRANSをHigh状態とし、転送トランジスタ14をオンにする。これにより、フォトダイオード12に蓄積された電荷がフローティングディフュージョン20へ転送される。このとき、フローティングディフュージョン20の電位はフォトダイオード12に蓄積された信号電荷量に応じて変化するが、垂直信号線53の電位は選択トランジスタ18がオフになっているので変化しない。次に、時刻t5において、選択信号線SELをHigh状態とし、選択トランジスタ18をオンにする。これにより、フローティングディフュージョン20に保持されている信号電位に応じた画素信号が垂直信号線53へ出力される。以上のように、本実施の形態では、垂直信号線53の電位をリセット電位にした後、転送トランジスタ14をオンにして信号電荷をフローティングディフュージョン20に読出すまでの間に、垂直信号線53の電位をリセット電位より低くする。従って、選択トランジスタ18をオンにした後、画素信号を垂直信号線53へ読出すまでの時間の短縮を図ることができる。また同時に、画素信号の読出しにおける垂直信号線53の電位変動を小さくできるため、高輝度な光が入射した際に発生する横線、面内の出力レベルの不均一、及び線欠陥などが生じて画質が劣化するという問題を抑えた固体撮像装置を実現できる。変形例次に、本実施の形態の変形例の固体撮像装置の単位画素3とその周辺回路の構成を説明する。図5は、本実施の形態の変形例における、単位画素3とその周辺回路の構成を示す回路図である。なお、図5では、1本の垂直信号線53に対応する複数の単位画素3のうちの1つの単位画素3と、負荷トランジスタ24と、クリップ回路65と、単位カラムアンプ66とを図示する。この固体撮像装置は、所定の垂直信号線53に接続されたクリップ回路65をさらに備え、クリップ回路65は、電荷転送時に所定の垂直信号線53の電位をリセット電位より低い所定の電位にしているという点で本実施の形態の固体撮像装置と異なっている。クリップ回路65は、所定の単位画素3の選択トランジスタ18をオフした以降に、所定の垂直信号線53の電位を所定の電位にする。また、所定の垂直信号線53に接続された単位カラムアンプ66もさらに備え、所定の電位は、単位カラムアンプ66のゲイン値と連動しているという点でも本実施の形態の固体撮像装置と異なっている。以下、本実施の形態と異なる点を中心に説明する。単位画素3は、入射した光を光電変換するフォトダイオード12と、フォトダイオード12で生成された電荷を転送する転送トランジスタ14と、転送された電荷を蓄積するフローティングディフュージョン20と、フローティングディフュージョン20の電位をリセットするリセットトランジスタ16と、フローティングディフュージョン20に蓄積された電荷を電圧に変換する増幅トランジスタ22と、増幅トランジスタ22で増幅された電圧を垂直信号線53に出力する選択トランジスタ18とを備える。図6はクリップ回路65の構成の詳細に示した回路図である。クリップ回路65は、画素信号の電位とクリップBIAS電圧クリップBIAS信号線93の電位とによって決まる信号電位に応じて、垂直信号線53の電位を決定することを特徴とする。クリップ回路65は、垂直信号線53の電位をクリップ回路65に伝えるクリップ回路制御トランジスタ80と、クリップ回路リセットトランジスタ81と、クリップBIAS電圧の値によってオン/オフするクリップBIASトランジスタ82及び83と、スイッチトランジスタ84及び85と、インバータ86と、垂直信号線53に接続されたクリップ入力信号線90と、クリップ出力信号線91と、クリップ回路制御信号線92と、クリップBIAS信号線93とを備える。クリップ回路65の動作は、まずクリップ回路制御信号線92をLow状態にすることで、クリップ回路制御トランジスタ80がオフになり、クリップ回路リセットトランジスタ81がオンになる。これにより、クリップ回路リセットトランジスタ81のドレイン側の電位が電源電位になり、クリップ回路65がリセット状態となる。次に、クリップ回路制御信号線92をHigh状態にすると、クリップ回路制御トランジスタ80がオンになる。これにより、垂直信号線53からの画素信号の電位がクリップ回路65に入力される。このとき、クリップBIAS信号線93に所定の電圧のクリップBIAS電圧が与えられ、クリップBIASトランジスタ82及び83のゲート側に所定の電圧が印加されている。よって、垂直信号線53から入力された画素信号の電位はスイッチトランジスタ84を通りクリップBIASトランジスタ82のソース側に伝わる。そして、クリップBIASトランジスタ82のゲート側に印加されているクリップBIAS電圧とクリップBIASトランジスタ82のソース側の電位との差がクリップBIASトランジスタ82の閾値以上であれば、クリップBIASトランジスタ82がオンになり、インバータ86の入力部の電位が下がっていく。そして、インバータ86の入力部の電位がインバータ86の閾値を下回ったときに3つのインバータ86の最終出力がLowからHighに変化し、スイッチトランジスタ85がオンになる。スイッチトランジスタ85がオンになることで、クリップBIAS電圧、クリップBIASトランジスタ83及び垂直信号線53に接続している負荷トランジスタ24とによって決まる電位がクリップ出力信号線91に出力され垂直信号線53の電位を決定する。一方、クリップBIASトランジスタ82のゲート側に印加されているクリップBIAS電圧とクリップBIASトランジスタ82のソース側の電位との差がクリップBIASトランジスタ82の閾値以下の時は、クリップBIASトランジスタ82はオフのままであり、垂直信号線53の電位はクリップされず、その電位は画素信号の電位に維持される。なお、上記で説明したクリップ回路65は一例であり、上記の機能を有すればどのような回路構成でも良く、図6の構成に限定したものではない。図7は、単位カラムアンプ66の回路構成を詳細に示した回路図である。単位カラムアンプ66は、カラムアンプ回路101を構成する基本単位であり、ゲインレベルを決定する容量68及び69と、ゲインレベルを制御するゲイン制御トランジスタ70、71及び72と、ゲイン制御トランジスタ70、71及び72に制御信号を伝えるゲイン制御信号線76、77及び78と、単位カラムアンプ66のリセットを行うアンプリセットトランジスタ73と、アンプリセット制御信号線75と、アンプ出力線74と、アンプ67とを備える。単位カラムアンプ66の動作は、まず、アンプリセット制御信号線75をHigh状態にして、アンプリセットトランジスタ73をオンにする。これにより、アンプ67の入力と出力とをショートすることでアンプ67がリセット状態にされ、リセット電位が容量68に保持される。次に、アンプリセット制御信号線75をLow状態にし、アンプリセットトランジスタ73をオフにする。その後、垂直信号線53の電位変化量を容量68で受け取り、ゲイン制御トランジスタ70、71及び72をオン/オフする。これにより、容量69と垂直信号線53の電位を保持する容量68との結合容量に応じた所定のゲインを掛けた電圧をアンプ出力線74に出力することができる。なお、図7では、ゲインレベルを決定する容量69と、ゲインレベルを制御するゲイン制御トランジスタ70、71及び72と、ゲイン制御信号線76、77及び78とをそれぞれ3つずつ設けたが、この数に限定したものではない。次に、本実施の形態の変形例の固体撮像装置の駆動方法を説明する。図8は固体撮像装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。具体的には、単位画素3と接続されたリセット信号線RS、転送ゲート信号線TRANS、選択信号線SEL、クリップ回路制御信号線92及び垂直信号線53の電位の時間変化と単位画素3のフローティングディフュージョン20の電位の時間変化とを示す図である。まず、時刻t1において、転送ゲート信号線TRANSがLow状態であり、リセット信号線RSがHigh状態であるため、転送トランジスタ14がオフであり、リセットトランジスタ16がオンである。よって、フローティングディフュージョン20の電位がリセットされる。このとき、選択信号線SELがHigh状態であり、選択トランジスタ18もオンになっているので、垂直信号線53の電位も高電位へ遷移して行き、リセット電位となる。次に、時刻t2において、リセット信号線RSをLow状態とし、リセットトランジスタ16をオフにする。これにより、フローティングディフュージョン20の電位がフローティングの状態にされる。次に、時刻t3において、選択信号線SELをLow状態にし、選択トランジスタ18をオフにする。これにより、垂直信号線53の電位は負荷トランジスタ24によって低電位へ遷移していき、リセット電位より低くなる。一方、選択トランジスタ18がオフになったことで、増幅トランジスタ22と選択トランジスタ18との間の配線の電位は増幅トランジスタ18のドレイン電源によって上昇する。そのため、フローティング状態であるフローティングディフュージョン20の電位も増幅トランジスタ22と選択トランジスタ18との間の配線とフローティングディフュージョン20との間の寄生容量C2によって上昇する。ここで、本実施の形態でも述べたようにフローティングディフュージョン20と増幅トランジスタ22のゲート部とを接続する配線と増幅トランジスタ22のソース部との距離が狭まるように近くにレイアウトすることが好ましい。また、図4に示すように、増幅トランジスタ22のゲート酸化膜95を転送トランジスタ14及びリセットトランジスタ16などのゲート酸化膜より薄くすることが好ましい。これにより、フローティングディフュージョン20と増幅トランジスタ22のソース部との間の寄生容量C2を大きくでき、選択トランジスタ18をオフにすることで得られるフローティングディフュージョン20の電位上昇の効果をより強くすることができる。次に、時刻t3~t4において、クリップ回路65のクリップ回路制御信号線92をHigh状態にし、クリップ回路制御トランジスタ80をオンにする。これにより、クリップ回路65を動作させる。このとき、垂直信号線53の電位を、クリップ回路65によって所定の電位にクリップすることができる。所定の電位とは前述したクリップBIAS電圧、クリップBIASトランジスタ83、及び垂直信号線53に接続されている負荷トランジスタ24によって決まる電位である。このとき、クリップBIAS電圧は、単位カラムアンプ66で設定するゲイン値に応じた電位に設定することが望ましい。例えば、単位カラムアンプ66でのゲイン値が大きい場合は、必要とする画素信号の飽和値が少なくてすむので、垂直信号線53の電位を高いレベルでクリップすることが望ましい。よって、このときクリップBIAS電圧を高くすることが望ましい。一方、単位カラムアンプ66でのゲイン値が小さい場合は、必要とする画素信号の飽和値が大きくなるので、垂直信号線53の電位を低いレベルでクリップすることが望ましい。よって、このときクリップBIAS電圧を低くするのが望ましい。つまり、ゲイン値が高くなるのに連動してクリップBIAS電圧を高くしてクリップする電位を高くし、クリップ回路65は所定の電位を高くすることが好ましい。図9に単位カラムアンプ66のゲイン値を制御するゲイン制御信号線76、77及び78の電位状態とクリップ回路65のクリップBIAS電圧との関係の一例を示す。なお、図9のLはLow状態を示し、HはHigh状態を示している。また、図9で示したゲイン制御信号線76、77及び78の電位状態、単位カラムアンプ66のゲイン値、および印加BIAS電圧は一例であり、この状態や値に限定するものではない。次に、電荷転送時である時刻t4において、転送ゲート信号線TRANSをHigh状態とし、転送トランジスタ14をオンにする。これにより、フォトダイオード12に蓄積された電荷がフローティングディフュージョン20へ転送される。このとき、フローティングディフュージョン20の電位はフォトダイオード12に蓄積された信号電荷量に応じて変化するが、垂直信号線53の電位は選択トランジスタ18がオフになっているので変化しない。次に、時刻t5において、選択信号線SELをHigh状態とし、選択トランジスタ18をオンにする。これにより、フローティングディフュージョン20に保持されている信号電位に応じた画素信号が垂直信号線53へ出力される。このとき、垂直信号線53の電位の変化は、時刻t3~t4の間にクリップ回路65でゲイン値に応じて設定した所定の電位から変化するので、クリップを行わなかった場合と比較して早く、垂直信号線53のリセット電位を信号電位に遷移させることができる。なお、図8中のAで示す実線はクリップを行わなかった場合の信号電位へ遷移していく様子を示し、図8中のBで示す破線はクリップを行った場合の信号電位へ遷移していく様子を示している。以上のように、本実施の形態では垂直信号線53の電位をリセット電位にした後、転送トランジスタ14をオンにして信号電荷をフローティングディフュージョン20に読出すまでの間に、単位カラムアンプ66のゲイン設定に応じてクリップ回路65を用いて垂直信号線53の電位をリセット電位より低く、かつ、必要な画素信号の飽和値に最適な所定の電位レベルまで下げる。これにより、選択トランジスタ18をオンにした後、画素信号を垂直信号線53へ読出すまでの時間をより短縮することができる。同時に、画素信号の読出しにおける垂直信号線53の電位変動をより小さくできるため、高輝度な光が入射した際に発生する横線、面内の出力レベルの不均一、及び線欠陥などが生じて画質が劣化するという問題をさらに抑えた固体撮像装置を実現できる。以上、本発明の固体撮像装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。例えば、上記実施の形態の固体撮像装置の単位画素3は、複数のフォトダイオード12を含む多画素1セルの構造を有してもよい。また、単位画素3は、フォトダイオード12及びトランジスタ等が形成された半導体基板における、配線等が形成される半導体基板の表面とは反対の裏面にレンズ等の光学系が形成され、裏面から光が入射する裏面型センサの構造を有してもよい。また、単位画素3は、トランジスタ等が形成された半導体基板の表面上に光電変換膜が形成され、光電変換膜に光が入射して信号電荷が生成される積層型センサの構造を有してもよい。また、上記実施の形態の固体撮像装置の駆動方法では、選択トランジスタ18をオフにした図3及び図8のt3後に、転送トランジスタ14をオンにする図3及び図8のt4とした。しかし、選択トランジスタ18をオフにすると同時、転送トランジスタ14をオンにしてもよい。同様に、リセットトランジスタ16をオフにした図3及び図8のt2後に、選択トランジスタ18をオフにする図3及び図8のt3とした。しかし、リセットトランジスタ16をオフにすると同時、選択トランジスタ18をオフにしてもよい。また同様に、転送トランジスタ14をオフした後に、選択トランジスタ18をオンにする図3及び図8のt5とした。しかし、転送トランジスタ14をオフすると同時に、選択トランジスタ18をオンにしてもよい。