発光放電管と、上記発光放電管に電流を流すためのメインコンデンサと、上記メインコンデンサの上記発光放電管への放電ループ中に介挿されたスイッチング素子と、上記スイッチング素子をオンオフさせる駆動信号を出力する駆動回路と、上記駆動回路の電源電圧を検出し、上記スイッチング素子をオフさせる検出回路と、を備えることを特徴とする発光回路。上記検出回路は、上記スイッチング素子がオン状態である場合に、上記駆動回路の電源電圧が所定電圧以下になったら上記スイッチング素子を強制的にオンからオフさせることを特徴とする請求項1に記載の発光回路。カメラに接続可能で、上記カメラから電源供給と、発光制御信号を入力する発光装置において、発光放電管と、上記発光放電管に電流を流すためのメインコンデンサと、上記メインコンデンサの上記発光放電管への放電ループ中に介挿されたスイッチング素子と、上記スイッチング素子をオンオフさせる駆動信号を出力する駆動回路と、上記カメラから供給される電源電圧が所定電圧以下になったら、上記スイッチング素子を強制的にオフさせる検出回路と、を備えることを特徴とする発光装置。カメラに接続可能で、上記カメラから電源供給と、発光制御信号を入力する発光装置において、発光放電管と、上記発光放電管に電流を流すためのメインコンデンサと、上記カメラから供給される電源電圧が所定電圧以上か否かを検出し、所定電圧以上の場合には第1の信号レベルを、所定未満であれば第2の信号レベルを出力する検出回路と、上記カメラから入力する発光制御信号と、上記検出回路の出力信号の論理積を出力する論理積回路と、上記メインコンデンサの上記発光放電管への放電ループ中に介挿され、上記論理積回路の出力でオンオフするスイッチング素子と、を備えたことを特徴とする発光装置。上記発光制御信号は、発光開始信号と、発光停止信号から構成されることを特徴とする請求項3および4に記載の発光装置。上記検出回路の所定電圧は、上記スイッチング素子の発光制御可能な電圧値以上とすることを特徴とする請求項3および4に記載の発光装置。フラッシュ装置としては、カメラ本体等の撮影装置に内蔵されるタイプの他に撮影装置に装着可能なタイプがある。このような装着可能な外部フラッシュ装置は、撮影装置側からフラッシュ装置を動作させるための制御電源、発光開始信号等の制御信号を受信し、発光制御を行う。フラッシュ装置の発光形式としては、発光間隔が、5~30ms程度の高速で繰り返し発光制御を行う場合がある。フラッシュ装置が繰り返し発光制御を行っている際に、撮影者によってイレギュラー操作等により取り外されると、制御電源や制御用信号の供給が停止されてしまう。このとき、IGBTのコレクタ電圧降下率が規定範囲外となり、破壊されてしまうおそれがある。前述の特許文献1に開示のストロボ装置においては、発光途中で制御電源や制御用信号の供給が停止された際の処理については言及されていない。本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、発光途中で制御電源が停止した場合であってもIGBT等のスイッチング素子の破壊を防止するようにした発光回路および発光装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するため第1の発明に係わる発光回路は、発光放電管と、上記発光放電管に電流を流すためのメインコンデンサと、上記メインコンデンサの上記発光放電管への放電ループ中に介挿されたスイッチング素子と、上記スイッチング素子をオンオフさせる駆動信号を出力する駆動回路と、上記駆動回路の電源電圧を検出し、上記スイッチング素子をオフさせる検出回路と、を備える。第2の発明に係わる発光回路は、上記第1の発明において、上記検出回路は、上記スイッチング素子がオン状態である場合に、上記駆動回路の電源電圧が所定電圧以下になったら上記スイッチング素子を強制的にオンからオフさせる。第3の発明に係わる発光装置は、カメラに接続可能で、上記カメラから電源供給と、発光制御信号を入力する発光装置において、発光放電管と、上記発光放電管に電流を流すためのメインコンデンサと、上記メインコンデンサの上記発光放電管への放電ループ中に介挿されたスイッチング素子と、上記スイッチング素子をオンオフさせる駆動信号を出力する駆動回路と、上記カメラから供給される電源電圧が所定電圧以下になったら、上記スイッチング素子を強制的にオフさせる検出回路と、を備える。第4の発明に係わる発光装置は、カメラに接続可能で、上記カメラから電源供給と、発光制御信号を入力する発光装置において、発光放電管と、上記発光放電管に電流を流すためのメインコンデンサと、上記カメラから供給される電源電圧が所定電圧以上か否かを検出し、所定電圧以上の場合には第1の信号レベルを、所定未満であれば第2の信号レベルを出力する検出回路と、上記カメラから入力する発光制御信号と、上記検出回路の出力信号の論理積を出力する論理積回路と、上記メインコンデンサの上記発光放電管への放電ループ中に介挿され、上記論理積回路の出力でオンオフするスイッチング素子と、を備える。第5の発明に係わる発光装置は、上記第3および第4の発明において、上記発光制御信号は、発光開始信号と、発光停止信号から構成される。第6の発明に係わる発光装置は、上記第3および第4の発明において、上記検出回路の所定電圧は、上記スイッチング素子の発光制御可能な電圧値以上である。本発明によれば、発光途中で制御電源が停止した場合であってもIGBT等のスイッチング素子の破壊を防止するようにした発光回路および発光装置を提供することができる。以下、図面に従って本発明を適用したフラッシュ装置を用いて好ましい実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係わるフラッシュ装置100をカメラ200に装着した場合の主として電気回路の構成を示すブロック図である。カメラ200は、ASICApplicationSpecificIntegratedCircuit:特定用途向け集積回路201、電源部203、電池205、およびカメラ側拡張端子207等から構成される。ASIC201は、CPUCentralProcessingUnit:中央処理装置、その周辺回路、メモリ等を含み、メモリに記憶されたプログラムに従ってカメラ200やフラッシュ装置の制御を行う。カメラ200は、カメラ側拡張端子207およびフラッシュ側拡張端子190を介してフラッシュ装置100と接続される。また、ASIC201は、フラッシュ装置100の破壊防止回路150に対して発光開始および発光停止を指令する発光制御信号を出力する。この発光制御信号は、発光開始時にLレベルからHレベルに立ち上がり、発光停止時にHレベルからLレベルに立ち下がる。また、ASIC201は、フラッシュ装置100の制御部120との間で制御信号の送受信をシリアル通信で行う。この制御信号は、カメラ200からフラッシュ装置100の種類や特性等の要求と返答を制御するための信号であり、またメインコンデンサ140の充電の制御を行うための信号である。電源部203は、電池205が接続され、ASIC201からの制御信号に応じて電池205の電圧を定電圧化し、ASIC201に電源電圧を供給する。また、電源部203は、カメラ側拡張端子207およびフラッシュ側拡張端子190を介して降圧回路110に、電源電圧を供給する。電池203は、本実施形態においては、リチウム電池2個で7.2Vを想定しているが、これと異なる電池で異なる電圧であっても構わない。カメラ側拡張端子207は、電源部203と接続された制御電源端子、ASIC201と接続された制御信号端子や発光制御端子等の端子を含み、フラッシュ側拡張端子190と、フラッシュ装置100がカメラ200に装着された際に接続可能である。フラッシュ装置100は、降圧回路110、制御部120、充電制御部130、メインコンデンサ140、破壊防止回路150、IGBT制御部160、発光回路部170を有する。降圧回路110は、電源部203から出力された電源電圧を、カメラ側拡張端子207、フラッシュ側拡張端子190を介して入力し、電源電圧VDD1例えば、5.0Vと制御電圧VDD2例えば、3.3Vに降圧する。電源電圧VDD1は制御部120、充電制御部130、破壊防止回路15、IGBT制御部160に出力され、制御電圧VDD2は充電制御部130に出力される。制御部120は、ASIC201との間で、カメラ側拡張端子207、フラッシュ側拡張端子190を介して制御信号の送受信を行う。また、制御部120は充電制御部130に接続されており、充電を開始させるための充電指示信号CCHGを制御部120から出力し、充電制御部130から充電完了をしたことを告知するためのフル充電信号CFULLを入力する。充電制御部130は、DC-DCコンバータを有し、降圧回路110から供給された電源電圧VDD1を昇圧し、この昇圧電圧をメインコンデンサ140に充電する。充電制御部130は、制御部120から充電指示信号CCHGを入力すると、電源電圧VDD1の昇圧動作を開始し、予め定められた電圧に達すると昇圧動作を自動的に停止すると共に、制御部120に充電完了を示すフル充電信号CFULLを出力する。メインコンデンサ140に蓄積された電荷は、Xe管等の発光放電管に電流を流すために使用される。破壊防止回路150は、ASIC201からの発光制御信号をIGBT制御部160に伝達する。また、制御電圧VDD2が規定電圧以下に低下したか否かを検出する電圧検知回路を有する。前述したように、発光制御信号は発光開始から発光停止までの間は、Hレベルを維持しているが、この間に電圧検知回路によって電圧の低下が検出された場合には、直ちに、発光制御信号をLレベルに立ち下げる。したがって、破壊防止回路150は、電源電圧制御電圧VDD2を検出し、IGBT等のスイッチング素子をオフさせる検出回路として機能する。IGBT制御部160は、バッファ回路駆動回路を有し、破壊防止回路150から出力される発光制御信号を発光回路部170内のIGBTに出力する。すなわち、駆動回路は、IGBT等のスイッチング素子をオンオフさせる駆動信号を出力する。電圧検知回路によって電圧の低下が検出された場合には、IGBT制御部160は、直ちに、IGBTのコレクタの電圧降下率が、規格内の電圧降下率例えば、400V/μSになるようにゲートに入力される発光制御信号をLレベルに立ち下げる。発光回路部170は、メインコンデンサ140の放電ループ中に介挿されたXe管等の発光放電管とIGBT等のスイッチング素子の直列回路と、Xe管等のスイッチング素子の励起用のトリガ回路等を含む。IGBTのゲート部はIGBT制御部160の出力と接続されている。次に、図2を用いて、フラッシュ装置100の詳細について説明する。降圧回路110は、突入電流防止回路111と3.3V生成回路113とから構成される。突入電流防止回路111は、遅延回路Delay回路を含み、急激な電流の流入を防止する。突入電流防止回路111の入力電圧は、電源部205からの電源電圧VE2であり、出力電圧はVDD1である。また突入電流防止回路111の出力は、3.3V生成回路113に接続されるとともに、充電回路131にも接続される。3.3V生成回路113は、突入電流防止回路111から出力される電源電圧VDD1から3.3Vの安定化電圧であるVDD2を生成し、後述する各回路に供給する。制御部120は、制御IC121を有しており、この制御IC121は、ASIC201からシリアル通信で送受信される制御信号と、フラッシュ制御IC130Aとの間で送受信される充電指示信号CCHGとフル充電信号CFULLを、入出力するための入出力回路と、この入出力の制御行うために一時格納するためのレジスタで構成される。充電制御部130は、充電回路131とフラッシュ制御IC130A内の制御回路133、抵抗135から構成される。フラッシュ制御IC130A内の制御回路133は、制御IC120および充電回路131に接続されている。制御回路133は、充電回路131の充電制御を行う。また、充電回路131は、DC-DCコンバータを含み、電源電圧VDD1の電圧を昇圧し、メインコンデンサ140に出力する。制御回路133は、制御IC121から充電開始信号CCHGを受信すると、充電回路131に対して、昇圧動作を開始させ、充電電圧を検知し、所定電圧に達すると昇圧動作を停止させる。昇圧動作を停止させると、制御IC121にフル充電信号CFULLを出力する。破壊防止回路150は、リセットIC151、抵抗153、およびANDゲート155を有する。リセットIC151は、制御電圧VDD2を入力し、この制御電圧VDD2の電圧検知機能を有し、制御電圧VDD2が所定電圧よりも低下するとHレベルからLレベルに立ち下がる。所定電圧としては、IGBTが破壊される可能性のある電圧を超えていればよく、デバイスメーカーから入手した規格値、仕様から判断することができる。例えば、本実施形態においては、2.7V程度とする。ANDゲート155は、リセットIC151の出力と、ASIC201からの発光制御信号を入力し、論理積演算結果を出力する。したがって、VDD2が上記所定電圧よりも高く、リセットIC151からHレベルが出力され、発光制御信号としてHレベルが出力されているときのみ、ANDゲート155はHレベルを出力する。発光制御信号がHレベルの際に、制御電圧VDD2が所定電圧以下に低下すると、ANDゲート155の出力はHレベルからLレベルに立ち下がる。IGBT制御部160は、フラッシュ制御IC130A内のバッファアンプ161および抵抗163から構成される。バッファアンプ161の入力は抵抗163と、ANDゲート155の出力と接続されており、またバッファアンプ161の出力はIGBT171のゲート部に接続されている。このバッファアンプ161は、ANDゲート155における論理積演算結果をそのままIGBT155のゲート部に伝達するために設けられている。一般に、IGBTのゲート部に流入する駆動電流が大きいことから、バッファアンプを介挿している。なお、制御回路133、ANDゲート155、およびバッファアンプ161の入力側にグランドとの間に接続された抵抗135、153、163は、入力電圧発生用であり、100kΩ程度の抵抗値があればよい。発光回路部170は、IGBT171および発光回路173を有する。発光回路173はXe管等の発光放電管およびトリガ回路を有し、メインコンデンサ140の放電ループ中にXe管および発光動作制御用素子として機能するIGBTの直列回路が介挿されている。次に、本実施形態におけるフラッシュ装置の動作について、図3に示す信号波形図を用いて説明する。図3aは本実施形態におけるIGBT破壊防止回路150を有さない場合の信号波形図であり、図3bは本実施形態におけるIGBT破壊防止回路150を有する場合の効果を説明する信号波形図である。まず、IGBT破壊防止回路150を有さない場合について説明する。ASIC201から出力される発光制御信号Vhak1は、時刻t1においてLレベルからHレベルに立ち上がり、時刻t5においてHレベルからLレベルに立ち下がる。すなわち、時刻t1において発光開始が指示され、時刻t5において発光停止が指示される。Xe管の発光時間は、時刻t1から時刻t5までであり、この間がIGBT171をオン状態にさせるIGBT制御時間T1である。このIGBT制御時間T1は、例えば、10~1000μS程度である。制御電圧は、電池205の電圧が十分にあり、かつフラッシュ装置100がカメラ200に装着された状態では、縦軸に記載された制御電圧はVDD2を維持している。しかし、フラッシュ装置100がカメラ200から取り外される等の理由により、図3aに示すように、低下する場合がある。図3aに示す例では、フラッシュ装置100の発光開始後である時刻t2において、制御電圧が低下し始めた様子を示す。ASIC201から出力される発光制御信号Vhak1に対して、フラッシュ装置側の信号レベルをVhak2で表わす。IGBT171のゲート部に印加されるIGBT制御信号は、時刻t2から制御電圧とほぼ同じようなカーブで低下する。IGBT171は、制御電圧VDD2が、電圧Vbより低下すると、IGBT171のゲートに印加される電圧が不安定になるために、コレクタ-エミッタ間に流れる発光電流により、破壊される可能がある。またリセットIC151が検出可能な最低電圧Vaより低下した場合には、IGBT171のゲート部に電圧Vbが印加されたとしてもオンすることがない。したがって、IGBT171が破壊する可能性のある電圧はVa~Vbの間である。なお、電圧VaはリセットIC151の検出限界であり、これより高い電圧であってもIGBTが破壊されない場合もあり得る。このように、破壊防止回路150を有さない場合には、時刻t2からIGBT171のゲート部に印加される電圧が規格で決められた電圧降下率の範囲外で低下していくことにより、時刻t3~t4においてIGBT171が破壊されてしまうおそれがある。そこで、本実施形態においては、破壊防止回路150を設けて、IGBT171のゲート部に印加する電圧を短時間で強制的にHレベルからLレベルグランドレベルに低下させ、すなわち、IGBT171のコレクタ電圧の降下率を規格で決められた電圧降下率例えば、400V/μS程度の範囲内で低下するようにIGBT171のゲート電圧を降下させるようにしている。図3bに示す信号波形図は、破壊防止回路150が設けられている場合であり、図3aの場合と同様、時刻t2において制御電圧VDD2およびIGBT制御電圧が低下し始める。制御電圧VDD2が低下し、時刻t3において電圧Vbよりも低下すると、リセットIC151の出力がLレベルに立ち下がり、ANDゲート155の出力もLレベルに立ち下がる。また、時刻t4になるとリセットIC151の最低電圧検知レベルより低下することから、リセットIC151の出力はHレベルに立ち上がり、ANDゲート155の出力はHレベルに反転する。したがって、時刻t3~t4の間は、IGBT171のゲート部には、Lレベルが印加されるため、強制的にIGBT171はオフ状態にされ、破壊されることを防止できる。なお、時刻t4から時刻t5においては、IGBT171にリセットIC151の最低電圧検知レベル以下の電圧が印加されるが、この電圧では、IGBT171はオンとなることはない。このように、破壊防止回路150を有している場合には、IGBT171が破壊される可能性のある時刻t3~t4の間で、IGBT171のゲート部にLレベルを印加することにより、強制的にIGBT171をオフとしている。このため、IGBT171のコレクタ端子の電圧降下率が規格内なので、IGBT171が破壊されおそれがない。なお、本実施形態においては、リセットIC151は制御電圧VDD2を検知していたが、フラッシュ装置100をカメラ200から取り外した際に、同じように低下する電圧、例えば、制御電圧VDD1や電源電圧VE2を検知するようにしても勿論かまわない。次に、本発明の第2実施形態について図4を用いて説明する。第1実施形態においては、制御電圧VDD2の電圧検知結果と発光制御信号の論理積を求め、この論理演算結果に基づいてIGBT171に印加するゲート部への電圧を決定していた。これに対して、第2実施形態においては、制御電圧VDD2の電圧検知結果に基づいて、電圧が低下した場合には、IGBTのゲート部を接地するためのスイッチング素子を設けている。図4は、フラッシュ装置のみを示しているが、このフラッシュ装置も第1実施形態と同様、カメラに装着可能である。発光制御信号および制御電圧はカメラより供給され、また、電池11も、第1実施形態と同様に、カメラ側に設けられ、電源電圧が供給される。充電回路10は第1実施形態における充電回路131を含む充電制御部130に相当し、カメラ側にある電池11からの電源電圧を昇圧し、メインコンデンサ13を充電する。発光回路20は、第1実施形態におけるIGBT171を除いた発光回路部170に相当し、発光放電管としてのXe管やトリガ回路等を有する。駆動回路40は、第1実施形態におけるIGBT制御部160に相当し、内部にバッファ回路を有し、発光制御信号を入力し、IGBT制御信号を出力する。本実施形態においても、発光制御信号は、発光開始時にLレベルからHレベルに立ち上がり、発光停止時にHレベルからLレベルに立ち下がる信号である。制御電源電圧が印加される電圧検出器50は、第1実施形態におけるリセットIC151に相当し、フラッシュ装置内の制御電源電圧第1実施形態における制御電圧VDD2に相当の電圧を検出する。電圧検出器50は、IGBT30が破壊する可能性のある電圧に達すると、検知信号を出力する。駆動回路40とIGBT30のゲート部の接続ラインと、グランドレベルの間に抵抗62と放電回路61の直列回路が接続されている。放電回路61は、スイッチング回路を有し、電圧検出器50から検知信号を入力すると、スイッチング回路はオンとなる。発光動作制御用素子として機能するIGBT30のコレクタは発光回路20に接続されており、一方、エミッタは接地されている。またIGBT30のゲートは駆動回路40および抵抗62に接続されている。この抵抗62の抵抗値は、放電回路61内のスイッチング回路がオンとなった際に、IGBT30内のゲートとエミッタ間にある容量に蓄積された電荷を急速に放電させることの可能な値とする。次に、本実施形態の動作について説明する。制御電源電圧は、駆動回路40、電圧検出器50および充電回路10に印加されている。今、カメラ側から発光制御信号がHレベルに立ち上がると、そのままHレベルに立ち上がるIGBT制御信号が、IGBT30のゲートにそのまま印加される。IGBT30のゲートにHレベルが印加されると、IGBT30はオン状態となる。また、発光制御信号がLレベルに立ち下がると、第1実施形態と同様、IGBT30はオフ状態となる。IGBT30がオン状態の際に、制御電源電圧が低下し、IGBT30が破壊される電圧に達すると、電圧検出器50は検知信号を放電回路61に出力し、放電回路61内のスイッチング回路はオン状態となる。放電回路61がオンとなると、駆動回路40の出力レベルに係わりなく、IGBT30のゲートは、グランドレベルとなることから、直ちに、オフ状態となり、破壊されることが防止される。なお、抵抗62の抵抗値は、IGBT30が破壊されない範囲内のコレクタ電圧降下率となる程度の値とする。なお、本実施形態では、抵抗62は、放電回路61内のスイッチング回路とIGBT制御信号のラインの間に接続してあるが、スイッチング回路とグランドの間に接続するようにしてもよい。このように、本発明の第2実施形態においては、IGBT30のゲートを短絡させるためのスイッチング回路を有し、フラッシュ装置内に供給される制御電源電圧が低下したことを電圧検出器50が検出した場合に、この検出信号に応じてスイッチング回路をオン状態にしている。このため、第1実施形態の図3bと同様、制御電源の電圧が低下し、IGBT30が破壊される可能性がある場合には、IGBT30のゲートをグランドレベルLレベルにし、オフさせ、破壊を防止することができる。次に、本発明の第2実施形態の変形例について図5ないし図9を用いて説明する。図5に第1の変形例を示す。この変形例においては、図4に示した電池11、充電回路10、メインコンデンサ13を省略し、発光回路20の詳細を示す。発光回路20は、Xe管21とトリガ回路23を有する。Xe管21の一端はメインコンデンサMCに接続され、他端は、IGBT30に接続されている。なお、図5ないし図8においてはIGBT30の容量は省略してある。また、トリガ回路23の一端は制御電源電圧が印加されており、他端はIGBT30のコレクタに接続されている。またトリガ回路23のトリガ電極がXe管の周囲に配置されている。IGBT30のゲートと駆動回路40の間に放電回路63が接続されている。駆動回路40は、第2実施形態における駆動回路40と同様であり、バッファ回路を有し、発光制御信号を出力する。放電回路63の制御端子には検出回路50が接続されている。この検出回路50は、第2実施形態における検出回路50と同様であり、制御電源電圧が供給されており、この制御電源電圧がIGBT30を破壊する可能性のある電圧に達すると、検知信号を出力する。放電回路63は、駆動回路40とIGBT30のゲートの開閉を行うスイッチング回路63aと、IGBT30のゲートを接地するための抵抗63bを有する。検出回路50から検知信号が出力されると、スイッチング回路63aはオフとなり、検知信号が出力されていない場合にはスイッチング回路63aはオンである。なお、抵抗63bの抵抗値は、IGBT30が破壊されない範囲内の電圧降下率となる程度の値とする。駆動回路40は、抵抗63bによって接地されてもHレベルを出力できる程度に十分な駆動能力があるものとする。今、発光制御信号がLレベルからHレベルに立ち上がり、IGBT30がオンとなると、トリガ回路23は動作状態となり、トリガ電極に高圧が発生し、Xe管21を励起する。Xe管21が励起されると、メインコンデンサに蓄積された電荷は、放電を開始し、Xe管21は発光する。Xe管21の発光中に、制御電源電圧が低下し、検出回路50から検知信号が出力されると、スイッチング回路63aはオフとなる。これによって、IGBT30のゲートはグランドレベルLレベルになることからオフとなり、破壊されることが防止される。このように、第1の変形例においても、IGBT30のゲートを短絡させるためのスイッチング回路を有し、フラッシュ装置内に供給される制御電源電圧が低下したことを電圧検出器50が検出した場合に、この検出信号に応じてスイッチング回路をオフ状態にしている。このため、第1実施形態の図3bと同様、制御電源電圧の低下がIGBT30を破壊する可能性がある場合には、IGBT30のゲートをグランドレベルLレベルにし、オフさせ、破壊を防止することができる。次に、図6を用いて第2の変形例について説明する。第1の変形例と同一の回路等においては同一の符号を付し、詳しい説明を省略する。第1の変形例と比較し、放電回路65の構成が異なるのみである。放電回路65中のスイッチング回路を構成する固定端子65aはIGBT30のゲートに接続され、可動端子65bは駆動回路40に接続され、可動端子65cは接地されている。検出回路50は、第2実施形態や第1の変形例と同様、制御電源電圧がIGBT30を破壊する可能性のある電圧に達すると、検知信号を出力する。この検知信号が出力されるまでは、スイッチング回路は可動端子65b側にあり、検知信号が出力されると、可動端子65c側に切り換わる。今、発光制御信号がLレベルからHレベルに立ち上がると、スイッチング回路は固定端子65aと可動端子65b間が導通していることから、IGBT30のゲートにHレベルが印加されオンとなり、第1変形例と同様に、メインコンデンサに蓄積された電荷は、放電を開始し、Xe管21は発光する。Xe管21の発光中に、制御電源電圧が低下し、検出回路50から検知信号が出力されると、スイッチング回路65は固定端子65aと可動端子65c間が導通状態となる。これによって、IGBT30のゲートはグランドレベルLレベルになることからオフとなり、破壊されることが防止される。この変形例では、駆動回路40の出力と、グランドが短絡しないので、部品点数を減らすために抵抗を接続していない。次に、図7を用いて第3の変形例について説明する。第1、第2の変形例と同一の回路等においては同一の符号を付し、詳しい説明を省略する。第1の変形例と比較し、放電回路67の配置が異なるのみである。カメラからの発光制御信号は、放電回路67のスイッチング回路67aに入力する。また検出回路50の検出信号はスイッチング回路の制御端子に入力する。また、スイッチング回路67aと駆動回路40の間に抵抗67bの一端が接続され、抵抗67bの他端は接地されている。スイッチング回路67aは、第1の変形例と同様、検出回路50から検知信号が出力されるとオフとなり、検知信号が出力されていない場合にはオンとなる。今、発光制御信号がLレベルからHレベルに立ち上がり、スイッチング回路67a、駆動回路40を介して、IGBT30のゲートにHレベルが印加されると、IGBT30はオンとなり、メインコンデンサに蓄積された電荷は、放電を開始し、Xe管21は発光する。Xe管21が発光中に、制御電源電圧が低下し、検出回路50から検知信号が出力されると、スイッチング回路67aはオフとなる。これによって、IGBT30のゲートは駆動回路40および抵抗67bを介して、グランドレベルLレベルになることからオフとなり、破壊されることが防止される。次に、図8を用いて第4の変形例について説明する。第1~第3の変形例と同一の回路等においては同一の符号を付し、詳しい説明を省略する。本変形例は、第1実施形態において説明したANDゲートを利用している。駆動回路40の出力および検出回路50の出力が、ANDゲート69の入力に接続され、これらの2入力の論理積が、IGBT30のゲートに出力される。今、発光制御信号がLレベルからHレベルに立ち上がると、駆動回路40はHレベルを出力し、検出回路50は制御電源電圧が所定レベル以上であれば、Hレベルを出力する。このため、ANDゲート69はHレベルを出力するので、IGBT30はオンとなり、メインコンデンサに蓄積された電荷は、放電を開始し、Xe管21は発光する。Xe管21の発光中に、制御電源電圧が低下し、検出回路50から検知信号が出力されると、ANDゲート69はLレベルを出力する。IGBT30のゲートがLレベルになることから、IGBT30はオフとなり、破壊されることが防止される。次に、図9を用いて第5の変形例について説明する。第1~第4の変形例と同一の回路等においては同一の符号を付し、詳しい説明を省略する。本変形例は、第1実施形態において説明したANDゲートを使用している。駆動回路がカメラ本体側に設けられており、駆動回路の出力および検出回路50の出力がANDゲート69の入力に接続され、これらの2入力の論理積が、IGBT30のゲートに出力される。カメラ本体側からの発光制御信号の入力ラインは、抵抗70によって接地されている。端子の接触不良等により、入力に中間電位が発生すると、ANDゲート69の内部回路の発振や、消費電流が増加し、誤動作してしまうことを防止するためである。今、発光制御信号がLレベルからHレベルに立ち上がると、検出回路50は制御電源電圧が所定レベル以上であれば、Hレベルを出力する。このため、ANDゲート69はHレベルを出力し、IGBT30はオンとなり、メインコンデンサに蓄積された電荷は、放電を開始し、Xe管21は発光する。Xe管21の発光中に、制御電源電圧が低下し、検出回路50から検知信号が出力されると、ANDゲート69はLレベルを出力する。IGBT30のゲートがLレベルになることから、IGBT30はオフとなり、破壊されることが防止される。以上説明したように、本発明の各実施形態や変形例においては、フラッシュ装置100内に電圧検知回路を設け、発光放電管が発光中に電圧検知回路によって電源電圧を検出し、この検出結果に基づいてスイッチング素子IGBT30、171をオフさせるようにしている。このため、発光途中で制御電源が停止した場合であってもIGBT等のスイッチング素子の破壊を防止することができる。特に、IGBT等のスイッチング素子がオン状態である場合に、駆動回路40IGBT制御駆動部160の電源電圧制御電圧VDD2が所定電圧以下になったらスイッチング素子を強制的にオンからオフさせるようにしているので、スイッチング素子の破壊を確実に防止することができる。また、本発明の各実施形態や変形例においては、スイッチング素子としてIGBTを使用しているが、これに限らず、電源電圧低下によって破壊されるおそれのある素子であれば、本発明を適用することができる。また、本発明の各実施形態や変形例においては、発光制御信号は発光開始と発光停止の信号を兼ねていたが、発光開始用のトリガ信号と、発光停止信号を別々に送信するようにしても勿論かまわない。また、ANDゲートを用いて論理積演算を行っていたが、これに限らず、NORゲート等の他のゲート回路を用いて論理積演算を行っても勿論かまわない。また、本発明の実施形態においては、撮影のための機器として、デジタルカメラを用いて説明したが、カメラとしては、デジタル一眼レフカメラでもコンパクトデジタルカメラでもよく、ビデオカメラ、ムービーカメラのような動画用のカメラでもよく、さらに、携帯電話や携帯情報端末PDA:PersonalDigitalAssist、ゲーム機器等に内蔵されるカメラでも構わない。また、発光回路および発光装置として、カメラに装着可能なフラッシュ装置を用いて説明したが、カメラ以外であっても、IGBT等のスイッチング素子を用いた発光回路や発光装置であれば本発明を適用することができる。また、特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上まず、次に等の順番を表現する言葉を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。本発明は、上記実施形態にそのまま限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素の幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。