"熱可塑性樹脂を含む絶縁性基板と、該絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層とを有するプリント基板を複数枚積層してなる多層集合基板を、切断することによって得られる多層チップ部品であって、前記多層チップ部品の切断面に接して設けられた前記導体配線層と電気的に接続された外部電極を、前記多層チップ部品の切断面を含む表面上に有し、前記外部電極は、Snを含有する第1金属と該第1金属よりも高い融点を有する第2金属との反応により生成する300°C以上の融点を有する金属間化合物を含み、前記第2金属の表面に最初に生成する金属間化合物の格子定数と前記第2金属の格子定数との差が、前記第2金属の格子定数に対して50以上であることを特徴とする多層チップ部品。前記導体配線層はCuからなる、請求項1に記載の多層チップ部品。前記第2金属はCu-Ni合金またはCu-Mn合金である、請求項1または2に記載の多層チップ部品。熱可塑性樹脂を含む絶縁性基板と、該絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層とを有するプリント基板を複数枚積層して、熱処理することにより一括圧着し、集合多層基板を得るステップと、前記集合多層基板を切断することにより多層チップ部品を得るステップと、前記多層チップ部品の切断面に接して設けられた前記導体配線層と電気的に接続された外部電極を、前記多層チップ部品の切断面を含む表面上に導電性ペーストを用いて形成するステップと、を含む多層チップ部品の製造方法であって、前記導電性ペーストは、SnまたはSnを85重量以上含有する合金である第1金属粉末、および、前記第1金属よりも高い融点を有する第2金属粉末からなる金属成分と、フラックス成分とからなり、前記外部電極は、前記第1金属粉末と前記第2金属粉末との反応により生成する300°C以上の融点を有する金属間化合物を含み、前記熱処理において前記第2金属粉末の表面に最初に生成する金属間化合物の格子定数と前記第2金属の格子定数との差が、前記第2金属の格子定数に対して50以上であることを特徴とする、多層チップ部品の製造方法。さらに、前記外部電極の表面にSnめっきを施すステップを含む、請求項4に記載の多層チップ部品の製造方法。前記第2金属はCu-Ni合金またはCu-Mn合金である、請求項4または5に記載の多層チップ部品の製造方法。本発明は、外部応力による破損が生じにくく、かつ、耐熱性、接合信頼性にも優れた多層チップ部品、および、その製造方法を提供することを目的とする。本発明は、熱可塑性樹脂を含む絶縁性基板と、該絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層とを有するプリント基板を複数枚積層してなる多層集合基板を、切断することによって得られる多層チップ部品であって、前記多層チップ部品の切断面に接して設けられた前記導体配線層と電気的に接続された外部電極を、前記多層チップ部品の切断面を含む表面上に有し、前記外部電極は、Snを含有する第1金属と該第1金属よりも高い融点を有する第2金属との反応により生成する300°C以上の融点を有する金属間化合物を含み、前記第2金属の表面に最初に生成する金属間化合物の格子定数と前記第2金属の格子定数との差が、前記第2金属の格子定数に対して50以上であることを特徴とする多層チップ部品である。前記導体配線層はCuからなることが好ましい。前記第2金属はCu-Ni合金またはCu-Mn合金であることが好ましい。また、本発明は、熱可塑性樹脂を含む絶縁性基板と、該絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層とを有するプリント基板を複数枚積層して、熱処理することにより一括圧着し、多層集合基板を得るステップと、前記多層集合基板を切断することにより多層チップ部品を得るステップと、前記多層チップ部品の切断面に接して設けられた前記導体配線層と電気的に接続された外部電極を、前記多層チップ部品の切断面を含む表面上に導電性ペーストを用いて形成するステップと、を含む多層チップ部品の製造方法であって、前記導電性ペーストは、SnまたはSnを85重量以上含有する合金である第1金属粉末、および、前記第1金属よりも高い融点を有する第2金属粉末からなる金属成分と、フラックス成分とからなり、前記外部電極は、前記第1金属粉末と前記第2金属粉末との反応により生成する300°C以上の融点を有する金属間化合物を含み、前記熱処理において前記第2金属粉末の表面に最初に生成する金属間化合物の格子定数と前記第2金属の格子定数との差が、前記第2金属の格子定数に対して50以上であることを特徴とする、多層チップ部品の製造方法である。さらに、前記外部電極の表面にSnめっきを施すステップを含むことが好ましい。前記第2金属はCu-Ni合金またはCu-Mn合金であることが好ましい。本発明においては、特定の導電性ペーストを使用することにより、比較的低温の加熱処理で耐熱性、接合信頼性に優れた外部電極を形成することができるため、多層チップ部品を熱可塑性樹脂を含む絶縁性基板から形成することができる。これにより、外部応力による破損が生じにくく、かつ、耐熱性、接合信頼性にも優れた多層チップ部品を提供することができる。<多層チップ部品>本発明の多層チップ部品は、電子部品として配線基板などに実装されて使用されるものである。電子部品としては、例えば、フィルタ、コンデンサ、抵抗、インダクタなどの受動部品が挙げられる。電子部品は、好ましくは、チップコンデンサ、チップ抵抗およびチップインダクタなどのチップ型受動部品である。以下に、本発明の多層チップ部品の各構成について詳細に説明する。[絶縁性基板]絶縁性基板は、電気絶縁性を有する材料からなる板状またはフィルム状の基板であり、少なくとも熱可塑性樹脂を含むものである。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド、液晶ポリマーLCP、ポリエーテルケトン樹脂PEEK、ポリフェニレンスルフィド樹脂PPSが挙げられる。熱可塑性樹脂を含む絶縁性基板は屈曲性に優れることから、それを用いて作製された多層チップ部品は、低背であっても外部応力曲げ応力や衝撃荷重に対して破壊されにくいものとなる。また、熱可塑性樹脂は吸水率が低いことから、吸水による特性誘電率、誘電正接などの変化が少ない、耐環境性耐候性に優れた多層チップ部品が得られる。[導体配線層]導体配線層としては、種々公知の配線基板に用いられる導体配線層を使用することができる。導体配線層の材料としては、例えば、銅、銀、アルミニウム、SUS、ニッケル、金や、それらの合金などを用いることができ、好ましくは銅Cuである。導体配線層を銅で形成する場合、その原材料となる銅箔は、導電性が高く、厚みや形状が平滑であることから、導電性や高周波特性に優れた多層チップ部品を得ることができる。また、銅で形成された導体配線層は屈曲性に優れることから、それを用いて作製された多層チップ部品は、低背であっても外部応力に対して破壊されにくいものとなる。[多層集合基板]多層集合基板は、上記絶縁性基板、および、絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層を有するプリント基板が複数枚積層されてなるものである。多層集合基板は、切断することにより個々の多層チップ部品に分割される。[多層チップ部品]多層集合基板を切断することによって得られる多層チップ部品の切断面を含む表面上には、外部電極が設けられる。外部電極は、多層チップ部品の切断面に接して設けられた導体配線層と電気的に接続される。[外部電極]本発明の多層チップ部品における外部電極は、Snを含有する第1金属と該第1金属よりも高い融点を有する第2金属との反応により生成する300°C以上の融点を有する金属間化合物を含んでいる。第1金属は、具体的には、Sn単体からなる金属、または、SnとCu、Ni、Ag、Au、Sb、Zn、Bi、In、Ge、Al、Co、Mn、Fe、Cr、Mg、Mn、Pd、Si、Sr、Te、Pからなる群より選ばれる少なくとも1種とを含む合金などが挙げられる。第1金属が合金である場合、Snを85重量以上含有することが好ましい。これにより、所望の金属間化合物Cu2NiSn、Cu2MnSn、NiSn金属間化合物、MnSn金属間化合物、Sn-Cu金属間化合物などを生成するために必要な、第2金属Cu-Ni合金、Cu-Mn合金などとの反応成分であるSnの量を十分に供給することができる。第1金属におけるSnの含有量が85重量未満である場合、Snの量が不足して所望の量の金属間化合物が生成されず、耐熱性に優れた外部電極が得られなくなる。第2金属は、該第2金属の表面に最初に形成される上記金属間化合物と上記第2金属との格子定数の差が、上記第2金属の格子定数に対して50以上となるような金属合金を含むが用いられる。ここで、第2金属の表面に最初に生成する金属間化合物とは、加熱処理を開始してから最初に第2金属の表面に生成する金属間化合物であり、通常は、第1金属および第2金属を構成する金属からなる3元系合金例えば、Cu2NiSn、Cu2MnSnであり、好ましくは、Cu、NiおよびSnからなる合金、または、Cu、MnおよびSnからなる合金である。第2金属の表面に最初に形成される金属間化合物と第2金属との格子定数の差とは、金属間化合物の格子定数結晶軸の長さから第2金属成分の格子定数結晶軸の長さを差し引いた値の絶対値である。すなわち、この格子定数の差は、第2金属との界面に新たに生成する金属間化合物の格子定数が、第2金属の格子定数に対してどれだけ差があるかを示すものであり、いずれの格子定数が大きいかを問わないものである。通常は、金属間化合物の格子定数の方が第2金属成分の格子定数よりも大きい。このように第2金属の表面に最初に生成する金属間化合物の格子定数と第2金属との格子定数の差を一定以上とすることで、第1金属と第2金属との金属間化合物を生成する反応を高速化することが可能となり、比較的低温で短時間の熱処理により、金属間化合物を生成させることができるため、外部電極中の低融点の第1金属が高融点の金属間化合物に短時間で変化し、耐熱性に優れた外部電極が形成される。本発明者らにより、第2金属の表面に最初に形成される金属間化合物と上記第2金属との格子定数の差が、上記第2金属の格子定数に対して50未満となるような、第1金属と第2金属を使用しても、このような効果を得ることができないことが分かっている。第2金属としては、例えば、Cu-Ni合金Cu-10Niなど、Cu-Mn合金などが挙げられ、好ましくは、Cu-Ni合金またはCu-Mn合金である。なお、本明細書において、たとえばCu-10Niの数字10は当該成分この場合はNiの重量の値を示しており、他の記載についても同様である。ここで、Cu-Ni合金中のNiの比率は10~15重量であることが好ましい。また、上記Cu-Mn合金中のMnの比率は10~15重量であることが好ましい。これにより、所望の金属間化合物を生成するのに必要十分なNiまたはMnを供給することができる。Cu-Ni合金中のNiの比率およびCu-Mn合金中のMnの比率が10重量未満である場合、第1金属中のSnが全て金属間化合物とならずに残留しやすくなることが分かっている。また、Cu-Ni合金中のNiの比率およびCu-Mn合金中のMnの比率が15重量を超える場合も、第1金属中のSnが全て金属間化合物とならずに残留しやすくなることが分かっている。また、第1金属と第2金属との反応によって得られる金属間化合物は、Cu2NiSnまたはCu2MnSnを含んでいることが好ましい。融点が300°C以上であるこれらの金属間化合物で形成された外部電極を含む多層チップ部品は、耐熱性に優れたものとなる。また、一般に、外部電極は、露出した表面をSn等でめっきすることが望ましいが、上記組成を有する外部電極は、汎用のめっき法によりSn、Cu、Ni/Au、Ni/Snなどのめっきを施すことが可能であるため、汎用性にも優れる。<多層チップ部品の製造方法>[実施形態1]本発明の多層チップ部品の製造方法の一実施形態について、以下に図1a~eおよび図2f~iを用いて説明する。1多層集合基板を得るステップまず、図1aに示すように、熱可塑性樹脂を含む絶縁性基板1、および、絶縁性基板1の少なくとも一方の表面に導体箔20を形成する。次に、図1bに示すように、回路レジスト3を形成する。そして、回路レジスト3をマスクとして、種々公知の方法により導体箔20をエッチングすることにより、所望の回路パターンが形成された導体配線層21を有するプリント基板が作製される図1c。次に、図1dに示すように、絶縁性基板1と導体配線層21を有するプリント基板を複数枚積み重ねる。それらを熱処理することで一括圧着し、絶縁性基板同士が接着することで、図1eに示すような一体化された絶縁性基板1の内部に多層の導体配線層21を有する多層集合基板が作製される。絶縁性基板1としては、上述の熱可塑性樹脂を含む絶縁性基板が用いられる。絶縁性基板が熱可塑性樹脂を含んでいると、熱処理により樹脂が流れる恐れがあるため、後述のプレス時などの熱処理は比較的低温であることが望ましい。導体配線層を形成する方法としては、種々公知の方法を用いることができるが、例えば、絶縁性基板の表面に導体箔を接着した後、または接着剤を用いないで絶縁性基板の表面に導体箔を直接に重ね合わした後、これをエッチングして配線回路を形成する方法や、配線回路の形状に形成された導体箔を絶縁性基板に転写する方法、絶縁性基板の表面に金属メッキ法によって回路を形成する方法が挙げられる。導体配線層の形成に用いる導体箔の材料としては、上述の材料を用いることができる。導体箔の厚さは回路形成可能であれば特に制限されず、例えば、3~40μm程度の範囲で適宜調整することができる。また、導体箔は、絶縁性基板熱可塑性樹脂フィルムなどとの接着性を高めるために片面に粗化処理が施されていてもよく、粗化された面の表面粗さRzは、例えば1~15μmである。なお、図示していないが、導体配線層21は必要に応じて相互に電気的に接続されている。接続は種々公知の方法で行うことができ、ビアホール導体により接続を行う場合は、後述の外部電極の形成に用いられるビアホール導体と同じ材料を用いてビアホール導体を形成することが好ましい。ただし、ビアホール導体を使用しない他の方法により、導体配線層21が相互に電気的に接続されていてもよい。2多層チップ部品を得るステップ上述のようにして得られた多層集合基板は、多層チップ部品となるブロックが複数形成されたものであり、その各々のブロックを分割するように、ダイシングや打ち抜きなどの種々公知の方法により切断される図2f。3外部電極を形成するステップ<導電性ペーストの塗布>このようにして得られた多層チップ部品の切断面を含む表面上に導電性ペーストを用いて外部電極を形成する。具体的には、まず、多層チップ部品の切断面を含む表面上に、種々公知の方法により導電性ペースト40を塗布する図2g。例えば、多層チップ部品の切断面の一方を導電性ペースト中に浸漬し、多層チップ部品を反転させて他方の切断面を導電性ペースト中に浸漬することにより、多層チップ部品の切断面を含む表面上に導電性ペーストを塗布することができる。導電性ペーストとしては、上記第1金属および第2金属からなる金属成分と、フラックス成分とを混練してなるペーストが用いられる。導電性ペーストの各成分について、以下に詳述する。金属成分金属成分としては、上述の第1金属および第2金属と同様のものが用いられる。導電性ペースト中における金属成分とは、具体的には、例えば、ペースト中に分散された状態で存在する第1金属からなる粉末第1金属粉末および第2金属からなる粉末第2金属粉末である。第1金属粉末および第2金属粉末の算術平均粒径は、1~30μmであることが好ましい。小さすぎると製造コストが高くなる。また金属粉末の酸化が進み反応を阻害し易い問題がある。大きすぎるとビアホールに充填できなくなる問題が起きる。また、第1金属と第2金属との接続性や反応性を考慮すると、第1金属粉末および第2金属粉末中の酸素濃度は2000ppm以下であることが好ましく、特に10~1000ppmが好ましい。また、上記第1金属粉末および第2金属粉末として、比表面積が0.05m2g1以上のものを用いることにより、第1金属粉末と第2金属粉末との接触確率が高くなり、第1金属と第2金属との間で、さらに金属間化合物を形成しやすくなるため、一般的なリフロープロファイルで高融点化を完了させることが可能になる。また、第1金属粉末のうち少なくとも一部を、第2金属粉末の周りにコートすることにより、第1金属と第2金属の間で、さらに金属間化合物を形成しやすくすることが可能になり、本願発明をより実効あらしめることができる。また、第2金属として、Cu-Mn合金またはCu-Ni合金を用いることにより、さらには、Mnの割合が10~15重量であるCu-Mn合金、または、Niの割合が10~15重量であるCu-Ni合金を用いることにより、より低温、短時間で第1金属との間で金属間化合物を形成しやすくすることが可能になり、その後のリフロー工程でも溶融しないようにすることが可能になる。なお、第2金属には、第1金属との反応を阻害しない程度で、例えば、1重量以下の割合で不純物が含まれていてもよい。不純物としては、Zn、Ge、Ti、Sn、Al、Be、Sb、In、Ga、Si、Ag、Mg、La、P、Pr、Th、Zr、B、Pd、Pt、Ni、Auなどが挙げられる。なお、導電性ペースト中に占める上記金属成分の比率は、70~90重量であることが好ましい。金属成分が90重量を超えると、充填性に優れた低粘度の導電性ペーストを得ることが困難になる。一方、金属成分が70重量未満であると、製造後の外部電極中にフラックス成分が残存し、外部電極の導電性や熱伝導性に問題が生じる傾向がある。フラックス成分フラックス成分としては、導電性ペーストの材料に用いられる種々公知のフラックス成分を用いることができ、例えば、ビヒクル、溶剤、チキソ剤、活性剤などが挙げられる。上記ビヒクルとしては、例えば、ロジンおよびそれを変性した変性ロジンの誘導体などからなるロジン系樹脂、合成樹脂、または、これらの混合体などが挙げられる。上記ロジンおよびそれを変性した変性ロジンなどの誘導体からなるロジン系樹脂としては、例えば、ガムロジン、トールロジン、ウッドロジン、重合ロジン、水素添加ロジン、ホルミル化ロジン、ロジンエステル、ロジン変性マレイン酸樹脂、ロジン変性フェノール樹脂、ロジン変性アルキド樹脂、その他各種ロジン誘導体などが挙げられる。上記ロジンおよびそれを変性した変性ロジンなどの誘導体からなる合成樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂などが挙げられる。上記ビヒクルは、例えば、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂およびセルロース系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の熱可塑性樹脂、または、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂またはその変性樹脂、および、アクリル樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の熱硬化性樹脂を含んでいてもよい。ただし、熱処理後に残存しやすい樹脂例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂は含まないことが好ましい。この場合、熱処理後に、導電性ペーストに含まれる全てのフラックス成分が揮発して、外部電極内には有機成分が存在しないため、導電性の高い外部電極が得られるからである。上記溶剤としては、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、芳香族系、炭化水素類などが知られており、具体的な例としては、ベンジルアルコール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ジエチレングリコール、エチレングリコール、グリセリン、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸ブチル、アジピン酸ジエチル、ドデカン、テトラデセン、α-ターピネオール、テルピネオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2-エチルヘキサンジオール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジイソブチルアジペート、へキシレングリコール、シクロヘキサンジメタノール、2-ターピニルオキシエタノール、2-ジヒドロターピニルオキシエタノール、それらを混合したものなどが挙げられる。好ましくは、テルピネオール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルである。また、上記チキソ剤の具体的な例としては、硬化ヒマシ油、カルナバワックス、アミド類、ヒドロキシ脂肪酸類、ジベンジリデンソルビトール、ビスp-メチルベンジリデンソルビトール類、蜜蝋、ステアリン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸エチレンビスアミドなどが挙げられる。また、これらに必要に応じてカプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸のような脂肪酸、1,2-ヒドロキシステアリン酸のようなヒドロキシ脂肪酸、酸化防止剤、界面活性剤、アミン類などを添加したものもチキソ剤として用いることができる。上記活性剤としては、例えば、アミンのハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物、有機酸、有機アミン、多価アルコールなどが挙げられる。上記アミンのハロゲン化水素酸塩としては、例えば、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン塩酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、エチルアミン塩酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン塩酸塩、トリエタノールアミン臭化水素酸塩、モノエタノールアミン臭化水素酸塩などが挙げられる。上記有機ハロゲン化合物としては、例えば、塩化パラフィン、テトラブロモエタン、ジブロモプロパノール、2,3-ジブロモ-1,4-ブタンジオール、2,3-ジブロモ-2-ブテン-1,4-ジオール、トリス2,3-ジブロモプロピルイソシアヌレートなどが挙げられる。上記有機酸としては、例えば、マロン酸、フマル酸、グリコール酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、フェニルコハク酸、マレイン酸、サルチル酸、アントラニル酸、グルタル酸、スベリン酸、アジピン酸、セバシン酸、ステアリン酸、アビエチン酸、安息香酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、ドデカン酸などが挙げられる。上記有機アミンとしては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリブチルアミン、アニリン、ジエチルアニリンなどが挙げられる。上記多価アルコールとしては、例えば、エリスリトール、ピロガロール、リビトールなどが挙げられる。<導電性ペーストの熱処理>次に、導電性ペーストが切断面を含む表面上に塗布された多層チップ部品に対して、絶縁性基板を構成する樹脂が流れ出さない温度で熱処理を行うことにより、多層チップ部品の切断面に接して設けられた導体配線層21と、外部電極とを電気的に接続する。熱処理の温度は、少なくとも一定時間の間、230°C以上に達することが好ましい。230°Cに達しない場合は第1金属中のSn融点:232°Cが溶融状態とならず、金属間化合物を生成することができない。また、熱処理の最高温度は、300°C以下であることが好ましい。300°Cを超えると、LCP等の熱可塑性樹脂を含む絶縁性基板から、樹脂が流れ出してしまうおそれがあるからである。LCPは、分子量によるが、約315°Cで流動を開始する。このようにして熱処理することで、導電性ペースト40中のフラックス成分は分解、揮発し、第1金属中のSnと第2金属Cu-Ni、Cu-Mnなどが反応して金属間化合物を生成し、また、多層チップ部品の切断面に接して設けられた導体配線層21と導電性ペースト40とが接する部分において、導体配線層21を形成する金属と導電性ペーストに含まれる第1金属中のSnとが反応して合金層を形成する。この熱処理により、多層チップ部品の切断面に接して設けられた導体配線層21と電気的に接続された外部電極41が形成されるCu-Ni合金中のNiの比率を、10重量から15重量に変更したCu-15Ni合金を用いた以外は、上記試料1と同様にして電子部品実装基板を形成し、試料8とした。試料8について、試験例1と同様の特性を評価した。結果を表2に示す。Cu-10Ni合金をCu-10Mn合金に変更した以外は、上記試料1と同様にして電子部品実装基板を形成し、試料9とした。試料9について、試験例1と同様の特性を評価した。結果を表3に示す。第1金属としてSn-0.75Cuを用いた以外は、上記試料1と同様にして電子部品実装基板を形成し、試料10とした。試料10について、試験例1と同様の特性を評価した。結果を表4に示す。第1金属としてSn-3Ag-0.5Cuを用いた以外は、上記試料1と同様にして電子部品実装基板を形成し、試料11とした。試料11について、試験例1と同様の特性を評価した。結果を表5に示す。なお、Sn-0.75Cu、Sn-3Ag-0.5Cuは鉛フリーはんだである。第1金属として、各種の鉛フリーはんだを用いることができる。上記以外にも、Bi、Znを含有する鉛フリーはんだが市販されている。第1金属としてこれらのはんだの内、Snが85重量以上のものを用いることができる。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"