"赤外線検出素子であって、基板と、基板の上に間隔を隔てて配置された赤外線検出膜と、を含み、赤外線検出膜は、第1誘電体絶縁性層と、第1誘電体絶縁性層の上に配置された第1遷移領域と、第1遷移領域の上に配置された導電性中央領域と、導電性中央領域の上に配置された第2遷移領域と、第2遷移領域の上に配置された第2誘電体絶縁性層と、を含み、第1および第2の遷移領域のそれぞれの少なくとも一部は、導電性中央領域より低い導電性と、第1および第2の誘電体絶縁性層より高い導電性を有する赤外線検出素子。導電性中央領域の材料マトリックスは、アモルファスシリコンマトリックス、アモルファスシリコンゲルマニウムマトリックス、アモルファスフッ化シリコンマトリックス、アモルファス炭化シリコンマトリックス、バナジウム酸化物マトリックス、バナジウム酸化物アモルファスシリコンマトリックス、チタン酸化物マトリックス、ゲルマニウムマトリックス、シリコンゲルマニウム酸化物マトリックス、または亜マンガン酸ニッケルスピネルマトリックスの少なくとも1つを含む請求項1に記載の赤外線検出素子。導電性中央領域の材料マトリックスは、アモルファスシリコンを含む請求項1に記載の赤外線検出素子。導電性中央領域の材料マトリックスは、バナジウム酸化物を含む請求項1に記載の赤外線検出素子。第1遷移領域、第2遷移領域および導電性中央領域のそれぞれは材料マトリックスを有し、それぞれの遷移領域の材料マトリックスは、導電性中央領域のマトリックスの分子構造と実質的に同じ分子構造を有する請求項1に記載の赤外線検出素子。第1遷移領域、第2遷移領域および導電性中央領域のそれぞれは、半導体を含む請求項5に記載の赤外線検出素子。導電性中央領域は、更に、第1および第2の遷移領域の導電性より高い導電性を導電性中央領域に与えるのに十分な量の少なくとも1つの追加の材料を含む請求項6に記載の赤外線検出素子。導電性中央領域は、更に、第1および第2の遷移領域の導電性より高い導電性を導電性中央領域に与えるのに十分な量の少なくとも1つの追加の材料を含み、追加の材料は、水素、ゲルマニウム、フッ素、炭素、n型ドーパント、p型ドーパント、またはそれらの組み合わせの少なくとも1つを含む請求項6に記載の赤外線検出素子。第1遷移領域、第2遷移領域、および導電性中央領域のそれぞれの材料マトリックスは、アモルファスシリコンを含む請求項1に記載の赤外線検出素子。第1遷移領域、第2遷移領域、および導電性領域のそれぞれの材料マトリックスは、バナジウム酸化物を含む請求項1に記載の赤外線検出素子。以下の条件:第1遷移領域は、導電性中央領域と第1遷移領域との間の界面のより高い導電性の値と、第1遷移領域と第1誘電体絶縁性層との間の界面のより低い導電性の値との間で、段階的な方法で導電性が減少する、または、第2遷移領域は、導電性中央領域と第2遷移領域との間の界面のより高い導電性の値と、第2遷移領域と第2誘電体絶縁性層との間の界面のより低い導電性の値との間で、段階的な方法で導電性が減少する、または、これらの組み合わせ、の少なくとも1つが存在する請求項1に記載の赤外線検出素子。基板は、読み出し集積回路ROICを含み、赤外線検出膜は、基板の上に間隔を隔てて吊り下げられ、熱分離足によりROICと電気的に接続される請求項1に記載の赤外線検出素子。赤外線検出膜は、そこに形成された少なくとも1つの開口部を有する請求項1に記載の赤外線検出素子。少なくとも1つの開口部は、赤外線検出膜中に形成された開口部のグリッドの形状の、複数の開口部を含み、赤外線検出素子は、回折共鳴キャビティDRCマイクロボロメータ構造を含み、更に、基板と赤外線検出膜との間に配置され、赤外線放射を反射する形状の上部表面を有する反射板を含む請求項13に記載の赤外線検出素子。複数の、請求項1の赤外線検出素子を含む焦点面アレイ。第1誘電体絶縁性層と、第1誘電体絶縁性層の上に配置された第1遷移領域と、第1遷移領域の上に配置された導電性中央領域であって、デバイス構造に対して電流導電チャネルを形成する導電性中央領域と、導電性中央領域の上に配置された第2遷移領域と、第2遷移領域の上に配置された第2誘電体絶縁性層と、を含み、第1および第2の遷移領域のそれぞれの少なくとも一部は、導電性中央領域より低い導電性を有し、第1および第2の誘電体絶縁性層より高い導電性を有し、第1および第2の誘電体絶縁性層のそれぞれとの界面から電流導電チャネルを遮蔽するように、第1および第2の誘電体絶縁性層のそれぞれとの界面から離れて電流導通チャネルを配置する遷移デバイス構造。第1遷移領域、第2遷移領域、および導電性中央領域のそれぞれは材料マトリックスを有し、遷移領域のそれぞれの材料マトリックスは、導電性中央領域のマトリックスの分子構造と実質的に同じ分子構造を有する請求項16に記載のデバイス構造。第1遷移領域、第2遷移領域、および導電性中央領域のそれぞれの材料マトリックスは、半導体を含む請求項17に記載のデバイス構造。導電性中央領域は、更に、第1および第2の遷移領域の導電性より高い導電性を導電性中央領域に与えるのに十分な量の少なくとも1つの追加の材料を含む請求項18に記載のデバイス構造。導電性中央領域は、更に、第1および第2の遷移領域の導電性より高い導電性を導電性中央領域に与えるのに十分な量の少なくとも1つの追加の材料を含み、追加の材料は、水素、ゲルマニウム、フッ素、炭素、n型ドーパント、p型ドーパント、またはそれらの組み合わせの少なくとも1つを含む請求項18に記載のデバイス構造。第1遷移領域、第2遷移領域、および導電性中央領域のそれぞれの材料マトリックスは、アモルファスシリコンを含む請求項16に記載のデバイス構造。以下の条件:第1遷移領域は、導電性中央領域と第1遷移領域との間の界面のより高い導電性の値と、第1遷移領域と第1誘電体絶縁性層との間の界面のより低い導電性の値との間で、段階的な方法で導電性が減少する、または、第2遷移領域は、導電性中央領域と第2遷移領域との間の界面のより高い導電性の値と、第2遷移領域と第2誘電体絶縁性層との間の界面のより低い導電性の値との間で、段階的な方法で導電性が減少する、の少なくとも1つが存在する請求項16に記載のデバイス構造。デバイス構造は、基板上に間隔を隔てて配置された赤外線検出膜を形成する請求項16に記載のデバイス構造。赤外線検出素子の製造方法であって、基板を準備する工程と、赤外線検出膜を、基板の表面上に間隔を隔てて第1誘電体絶縁性層を形成する工程と、第1誘電体絶縁性層の上に配置された第1遷移領域を形成する工程と、第1遷移領域の上に配置された導電性中央領域を形成する工程と、導電性中央領域の上に配置された第2遷移領域を形成する工程と、第2遷移領域の上に配置された第2誘電体絶縁性層を形成する工程と、により形成する工程と、を含み、第1および第2の導電性遷移領域のそれぞれの少なくとも一部は、導電性中央領域より低い導電性と、第1および第2の誘電体絶縁性層より高い導電性を有する赤外線検出素子の製造方法。アモルファスシリコンマトリックス、アモルファスシリコンゲルマニウムマトリックス、アモルファスフッ化シリコンマトリックス、アモルファス炭化シリコンマトリックス、バナジウム酸化物マトリックス、バナジウム酸化物アモルファスシリコンマトリックス、チタン酸化物マトリックス、ゲルマニウムマトリックス、シリコンゲルマニウム酸化物マトリックス、または亜マンガン酸ニッケルスピネルマトリックスの少なくとも1つを含む材料マトリックスを有するように、導電性中央領域を形成する工程を更に含む請求項24に記載の方法。アモルファスシリコン、バナジウム酸化物、またはそれらの組み合わせの少なくとも1つを含む材料マトリックスを有するように導電性中央領域を形成する工程を更に含む請求項24に記載の方法。アモルファスシリコン、バナジウム酸化物、またはそれらの組み合わせの少なくとも1つを含む材料マトリックスを有するように第1遷移領域、第2遷移領域、および導電性中央領域のそれぞれを形成する工程を更に含む請求項24に記載の方法。同じ堆積チャンバ中での連続した堆積プロセスで、第1遷移領域、導電性中央領域、および第2遷移領域のそれぞれに連続してドーピングする工程を更に含む請求項24に記載の方法。遷移領域のそれぞれの材料マトリックスが導電性中央領域のマトリックスの分子構造と実質的に同じ分子構造を有するように、第1遷移領域、第2遷移領域、および導電性中央領域のそれぞれを形成する工程を更に含む請求項24に記載の方法。第1および第2の遷移領域の導電性より高い導電性を導電性中央領域に与えるのに十分な量の少なくとも1つの追加の材料を含むように、導電性中央領域を形成する工程を含む請求項29に記載の方法。アモルファスシリコンを含む材料マトリックスを有するように第1遷移領域、第2遷移領域、および導電性中央領域のそれぞれを形成する工程と、第1および第2の遷移領域の導電性より高い導電性を導電性中央領域に与えるのに十分な量の少なくとも1つの追加の材料を含み、追加の材料は、水素、ゲルマニウム、フッ素、炭素、n型ドーパント、p型ドーパント、またはそれらの組み合わせの少なくとも1つを含むように、導電性中央領域を形成する工程と、を更に含む請求項24に記載の方法。以下の工程:導電性中央領域と第1遷移領域との間の界面のより高い導電性の値と、第1遷移領域と第1誘電体絶縁性層との間の界面のより低い導電性の値との間で、段階的な方法で導電性が減少するように第1遷移領域を形成する工程、または、導電性中央領域と第2遷移領域との間の界面のより高い導電性の値と、第2遷移領域と第2誘電体絶縁性層との間の界面のより低い導電性の値との間で、段階的な方法で導電性が減少するように第2遷移領域を形成する工程、または、これらの組み合わせ、の少なくとも1つを行う工程を更に含む請求項24に記載の方法。遷移デバイス構造の製造方法であって、第1誘電体絶縁性層を形成する工程と、第1誘電体絶縁性層の上に配置された第1遷移領域を形成する工程と、遷移デバイス構造のための電流電動領域を形成するように、第1遷移領域の上に配置された導電性中央領域を形成する工程と、導電性中央領域の上に配置された第2遷移領域を形成する工程と、第2遷移領域の上に配置された第2誘電体絶縁性層を形成する工程と、を含み、第1および第2の遷移領域のそれぞれの少なくとも一部は、導電性中央領域より低い導電性を有し、第1および第2の誘電体絶縁性層より高い導電性を有するように形成され、第1および第2の誘電体絶縁性層のそれぞれとの界面から電流導電チャネルを遮蔽するように、第1および第2の誘電体絶縁性層のそれぞれとの界面から離れて電流導通チャネルを配置する方法。連続する堆積プロセスで、同じ真空チャンバ中で、第1遷移領域、第2遷移領域、および導電性中央領域のそれぞれを連続的に堆積する工程を更に含む請求項33に記載の方法。遷移領域のそれぞれの材料マトリックスが、導電性中央領域のマトリックスの分子構造と実質的に同じ分子構造を有するように、第1遷移領域、第2遷移領域、および導電性中央領域のそれぞれを形成する工程を更に含む請求項33に記載の方法。第1および第2の遷移領域の導電性より高い導電性を導電性中央領域に与えるのに十分な量の少なくとも1つの追加の材料を含むように、導電性中央領域を形成する工程を更に含む請求項35に記載の方法。アモルファスシリコンを含む材料マトリックスを有するように第1遷移領域、第2遷移領域、および導電性中央領域のそれぞれを形成する工程と、第1および第2の遷移領域の導電性より高い導電性を導電性中央領域に与えるのに十分な量の少なくとも1つの追加の材料を含み、追加の材料は、水素、ゲルマニウム、フッ素、炭素、n型ドーパント、p型ドーパント、またはそれらの組み合わせの少なくとも1つを含むように、導電性中央領域を形成する工程と、を更に含む請求項36に記載の方法。以下の工程:導電性中央領域と第1遷移領域との間の界面のより高い導電性の値と、第1遷移領域と第1誘電体絶縁性層との間の界面のより低い導電性の値との間で、段階的な方法で導電性が減少するように第1遷移領域を形成する工程、または、導電性中央領域と第2遷移領域との間の界面のより高い導電性の値と、第2遷移領域と第2誘電体絶縁性層との間の界面のより低い導電性の値との間で、段階的な方法で導電性が減少するように第2遷移領域を形成する工程、または、これらの組み合わせ、の少なくとも1つを行う工程を更に含む請求項33に記載の方法。図1Aは、熱エネルギーの検出、および検出された熱エネルギーの2次元像を表す電気信号を出力が可能な赤外線検出器の1つの具体例の模式的な斜視図である。赤外線検出器1は、基板11の上に配置された焦平面アレイ2を含む。基板11は、読み出し集積回路ROICとして一般に知られたタイプの集積回路を含んでも良い。ROICは焦平面アレイ2により集められた熱情報を読み出す。熱素子17は、焦平面アレイ2に対向する基板11の側に任意的に形成されて、予め決定された実質的に一定の温度に集積回路基板11を保持する制御されたヒートシンクを形成しても良い。一定温度は、雰囲気または内部に温度勾配が、焦平面アレイ2の動作に影響するのを防止し、これにより、それを用いて焦平面アレイ2の上に衝突する熱エネルギーをより正確に測定するベースラインを形成する。例示的な具体例の焦平面アレイ2は、それぞれがこれ以降で更に述べる方法で形成された遷移膜検出器層を含む複数のマイクロボロメータ検出器素子10を含む。検出器素子10は、2次元アレイに配置され、それぞれの検出器素子10は、赤外線検出器1により検出されたそれぞれの像のそれぞれのピクセルに対応する。1つの記載された具体例の焦平面アレイ2は、例えば、320×240のアレイに配置された76,800の検出器素子10を含む。明確化のために、しかしながら、図1Aは、約140の検出器素子のみを模式的に記載する。焦平面アレイ2中の検出器素子10の総数は、より多いか、またはより少ないことが認識される。更に、図1Aは2次元アレイに配置された検出器素子10を示すが、代わりに1次元アレイに配置されても良く、または所定のパターンを形成しなくても良い。特に、図1Bは、集積回路基板11の一部の、模式的な断片の概略図であり、その上に検出器素子10の1つを有し、この検出器素子10は、ここで記載された1つの例示的な具体例にかかるマイクロボロメータ赤外線検出器の形状で形成される。記載された具体例では、検出器素子の全てが同じ構造的形状を有し、それゆえにそれらの1つのみがここで詳細に記載されて述べられる。この具体例では、マイクロボロメータ赤外線検出器素子10が基板11の上に形成される。基板11は、読み出し集積回路ROICを含む単結晶シリコンウエハまたはシリコンウエハを含む好適な材料でも良い。この具体例では、マイクロボロメータ赤外線検出器素子10は、赤外線放射を検出するように動作するセンサである。しかしながら、ここで記載された遷移検出器層は、紫外UV、可視VIS、またはテラヘルツTHzのような赤外放射以外の放射を検出することができる検出器の他の具体例でも使用できる。更に図1Bに関して、マイクロボロメータ赤外線検出器素子10は、検出器膜12に接続された熱分離足14を含む。検出器膜12により吸収された赤外線放射は、検出器を含む材料の抵抗に測定可能な変化をもたらす。検出器膜12は、熱分離足14により基板11の表面上につり下げられる。検出器膜12の形成は、以下で更に詳しく検討するように、様々な材料の多くの層の中でも良い。この例示的な具体例では、2つの熱分離足14が検出器膜12の1つの側面に沿ってそれぞれ接続され、それぞれは、第2の、電極端子15に隣り合う側面に沿っては取り付けられないように実施される。ポスト16が熱分離足14の電極端子に取り付けられる。ポスト16は、マイクロボロメータ10のための構造サポートと電気的接続を提供する。ポスト16に接続された電気回路は、熱分離足14を介して膜12を横切る一定電圧を提供し、検出器膜12の検出器材料を通る電流の流れの変化を検出する。電流の変化の大きさは、検出された赤外線放射の量により変化する。代わりの具体例では、電気回路は検出器膜12を取って流れる一定の電流を形成し、2つのポスト16を横切る電圧の変化を検出する。ROIC回路の代わりの具体例は、ポスト16に接続されて、赤外線放射が吸収された場合に膜の抵抗変化を測定することが理解される。そのような代わりのROICの具体例は、これに限定されるものではないが、上述のような一定バイアスまたは一定電流、ACバイアス、パルスバイアス、および傾斜した電圧を含む。マイクロボロメータ10の熱容量は、熱分離、応答時間、動作周波数、および感度に影響する。最小熱容量を有するマイクロボロメータを形成することにより、高い感度および高い動作周波数が実現される。基板11からのマイクロボロメータ10の熱分離は、また、動作周波数および感度にも影響する。基板11からの検出器膜12の増加した熱分離は、検出器膜12の温度を上昇させるためにより少ない赤外線エネルギーが必要とされるため、マイクロボロメータ10の感度を増加させる。熱分離はまた、検出器膜12の冷却速度に影響するため、マイクロボロメータ10の動作周波数および応答時間に影響する。熱分離の増加は、検出器膜12の冷却速度の対応する減少となり、このように、マイクロボロメータ10の動作周波数の対応する減少となる。1つの具体例では、マイクロボロメータ10の作製中の1つの工程が、任意的に修正され、ポスト16に接続された熱分離足14の上に熱分岐18を配置し、マイクロボロメータ10の熱分離を減少しても良い。熱分離足14の上への熱分岐18の配置は、検出器膜12の冷却速度が増加するため、マイクロボロメータの動作周波数を低減する。熱分離足14の上の熱分岐18は、検出器膜12と基板11の間により大きい熱接続が存在するため、低下した感度となる。このように、増加した赤外線放射エネルギーの量は、検出器の電気抵抗の対応する変化となる検出器膜12の温度を増加するために必要である。熱分岐18の長さを変えることにより、このように熱分離足14の上に堆積された熱分岐材料の量を代えることにより、異なる動作周波数と感度特性を有するマイクロボロメータ10が形成される。図1Bの例示的な具体例に示すように、検出器膜12の下は、反射防止構造共鳴キャビティ20である。反射防止構造共鳴キャビティ20は、検出器膜12により吸収されない赤外線放射の量を最小にし、赤外線放射の吸収を拡大するために1つの具体例中に存在する。検出器膜12は、マイクロボロメータ10により検出される赤外線放射のおおよそ4分の1波長の高さに、基板11の表面の上に吊り下げられる。4分の1波長の高さは、検出器膜12により吸収されない赤外線エネルギー波を、赤外線放射が検出器膜12により吸収されるまで、反射材22で反射され、反射防止構造共鳴キャビティ20中でトラップされるようにする。反射防止構造共鳴キャビティ20は、検出器膜12により吸収される赤外線放射の量が最大になるため、より効果的なマイクロボロメータ10を形成する。図2の例示的な具体例を参照すると、半導体基板または集積回路11は、マイクロボロメータ10の形成のためのベースを提供する。任意のシリコン酸化物または他の誘電体層30が基板11の上に形成される。チタンの薄層32が次にシリコン酸化物30の上に形成され、続いてアルミニウムの薄層34が形成される。アルミニウム層34およびチタン層32は、フォトレジストとエッチングプロセスを用いてパターニングされ、マイクロボロメータ10のための他の電気回路と電気的に接続するための接続パッド40を形成する。加えて、アルミニウム層34とチタン層32はパターニングされて、図1Bに示すような反射防止構造共鳴キャビティ20の中に反射面を形成する。1つの例示的な具体例では、マイクロボロメータ10が、読み出し集積回路ROICの一部として形成される。マイクロボロメータ10の1つの接続パッド40は基板11の表面誘電体層を貫通し、下層の電気回路に接続される。マイクロボロメータ10の他の接続パッド40は、基板11の表面の上にアルミニウム層34から形成される共通バスに接続される。図3はフォトレジストとエッチング技術によるパターニング後のアルミニウム層34の一部を示す。他の具体例では、反射材22は、全体のアレイを横切って延びるバスの機能をするように形成され、そのような場合には別個のバス即ち、図3に示すように層34からパターニングされたバスは省略しても良いことが理解される。図2に示すように、この例示的な具体例では、ポリイミド層36が全体の構造上に、検出される赤外線照射の4分の1波長のオーダーの深さで堆積される。4分の1波長の深さは、反射防止構造共鳴キャビティ20の反射材22と、検出膜12の底面との間に好ましい間隔を設ける。ポリイミド層36は、有機材料である。ポリイミド層36中に開口部がエッチングされて、アルミニウム接続パッド40を露出させてポストレセプタ38を形成する。ポストレセプタ38は、電極終端15中の孔であり、結局はマイクロボロメータ10の構造的なサポートおよび電気的な接続を提供する金属ポスト例えば、アルミニウム、チタン、チタンタングステン等を含む。ポストレセプタ38は、ポストレセプタ38の位置を部分的に示す図3のように、フォトレジストとエッチング技術を用いて形成しても良い。ここで図4を参照すると、第1誘電体膜50が、存在する構造の表面上に形成され、例えば、約50オングストロームÅより小さい深さ、および約1000オングストロームÅより大きな深さも可能であるが、約50オングストロームÅから約1000オングストロームÅの深さ、代わりに約50オングストロームÅから約300オングストロームÅの深さで形成される。1つの具体例では、第1誘電体膜50はアモルファスシリコン窒化物材料でも良いが、例えばシリコン酸化物、シリコン炭化物、シリコン酸窒化物、シリコン炭窒化物、シリコンオキシ炭窒化物等のような他の好適な誘電体材料でも良い。第1誘電体膜50は、例えばPECVDまたは他の好適な方法を用いて形成されても良い。比較的薄い第1遷移領域51が次に第1誘電体膜50の表面上に形成され、例えば、約30オングストロームÅより小さい厚さ及び約70オングストロームÅより大きい厚さも可能であるが、約30オングストロームÅから約70オングストロームÅの厚さで形成される。更に記載するように、第1遷移領域51は、続いて形成されるこの具体例では検出素子層として機能する導電性中央領域52の導電性より低い導電性を有するように選択される。1つの具体例では、遷移領域51のより低い導電性材料が、次に形成される導電性中央領域検出素子層52の導電性マトリックスと実質的に同じ分子構造を有するマトリックスの材料例えば、アモルファスシリコン、バナジウム酸化物等を有するように選択されても良い。次に、導電性中央領域52が第1遷移領域51の上に形成されて、マイクロボロメータ10中のデバイス層または検出素子として機能する導電性材料の抵抗層を得る。検出膜12の導電性中央領域52は、例えば、約250オングストロームÅから約2000オングストロームÅの厚さで、代りに、約700オングストロームÅの厚さで形成されても良い。しかしながら、約250オングストロームÅより小さい厚さや約2000オングストロームÅより大きい厚さも可能であることは理解できるであろう。導電性中央領域52の形成に続いて、次に第2遷移領域53が検出層52の表面上に、例えば、約30オングストロームÅより小さい厚さおよび約70オングストロームÅより大きい厚さが可能であるが、約30オングストロームÅから約70オングストロームÅの厚さで形成される。第1遷移領域51を有する場合、非導電性遷移領域53の本質的に非導電性の半導体材料は、導電性中央領域52の導電性半導体材料の半導体マトリックスと実質的に同じ分子構造を有するマトリックス材料を有するように選択されても良い。1つの例示的な具体例では、全ての3つの領域51、52、53は、同じ真空チャンバ中で例えばPECVDを用いて連続堆積で順次堆積しても良いが、これは必ずしも必要ではない。図5は、例えば、図1~5に関連して上で記載されたように、マイクロボロメータ膜検出素子10の遷移膜構造の断面である、遷移デバイス構造600を示す。便宜のために、図4のマイクロボロメータ膜検出素子10に用いたものと同じ要素番号が、図5においても使用される。しかしながら、マイクロボロメータ膜検出素子10との関係で記載されるが、遷移デバイス構造600の層構造は、他の型の抵抗デバイスを含む、誘電体絶縁材料の間に堆積された導電性材料を用いるような他の型のデバイスや他の応用の一部として用いても良い。そのような他の型のデバイス構造および/または応用は、これに限定されないが、光起電デバイス検出器またはセンサ、エミッタ光エミッタダイオード等、薄膜トランジスタTFT、サーミスタ、熱電対列、熱流マイクロセンサ等を含む。図5に示すように、デバイス構造600は第1および第2の絶縁性誘電体層50、54を含み、これらは、それぞれ、シリコン窒化物材料SixNyまたは他の好ましい誘電体材料、例えばシリコン酸化物材料SiO、SiO2、SiOx、シリコン炭化物材料SiC、シリコン炭窒化物材料SiCN、有機シリコンガラス等から形成されても良い。第1誘電体層50の材料の特別な型は、第2の誘電体層54のために選択された材料と同じでも良く、同じでなくても良い。第1および第2の誘電体層50の膜厚は様々であるが、1つの例示的な具体例では、それぞれの層50、54は、より大きなおよび小さな膜厚も可能であるが、約50オングストロームÅから約1000オングストロームÅの厚さの範囲でも良い。更に図5を参照して、1またはそれ以上の導電性材料層からなる導電性材料領域52は、第1および第2の誘電体層50、54の間に配置される。1つの例示的な具体例では、導電性材料領域52は、例えば、約700オングストロームÅの厚さ、代わりに約50オングストロームÅから約2000オングストロームÅの厚さ、代りに約250オングストロームÅから約700オングストロームÅの厚さで形成されても良い。約50オングストロームÅより小さい厚さ、および約2000オングストロームÅより大きい厚さも可能であることが理解できるであろう。領域52の導電性材料に適した例は、これに限定されるものではないが、アモルファスシリコンa-Siマトリックス、アモルファスシリコンゲルマニウムa-SiGeマトリックス、アモルファスフッ化シリコンa-SiFマトリックス、アモルファス炭化シリコンa-SiCマトリックス、バナジウム酸化物マトリックス、バナジウム酸化物アモルファスシリコンマトリックス、チタン酸化物マトリックス、ゲルマニウムマトリックス、シリコンゲルマニウム酸化物SiGeOマトリックス等を含む。領域52のための他の好適な導電性材料の例は、式A2B23O42で表され、AとBのそれぞれはマグネシウム、亜鉛、鉄、マンガン、アルミニウム、クロム、チタン、およびシリコンのグループから選択されるカチオンであるスピネル材料を含む。多の例示的なスピネルマトリックス材料は、亜マンガン酸ニッケルスピネル型例えば、NixMn3-xO4である。導電性材料領域52のマトリックスは、これらに限定されないが、水素、ゲルマニウム、フッ素、炭素、n型ドーパントおよびp型ドーパント、窒素、クロム等を含む、様々な量の、導電性材料領域に所望の導電性特性を与えるために選択された追加のおよび任意の材料を含む。導電性中央領域の材料の例は、これらに限定されないが、ドープされたアモルファスシリコン、少なくともフッ素とシリコンの成分を含むドープされたフッ化アモルファスシリコン材料、少なくともシリコンとゲルマニウムの成分を含むドープまたはアンドープのアモルファスシリコンゲルマニウム材料、少なくともシリコンと炭素の成分を含むドープまたはアンドープのアモルファス炭化シリコン材料、ドープまたはアンドープの水素化アモルファスシリコン材料、少なくともシリコンとバナジウム酸化物の成分を含むドープまたはアンドープのバナジウム酸化物/アモルファスシリコン材料、ドープまたはアンドープのバナジウム酸化物材料、ドープまたはアンドープのチタン酸化物材料、ドープまたはアンドープのシリコンゲルマニウム酸化物、亜マンガン酸ニッケルスピネル、またはここで既に述べたような他のスピネルを含む。例えば、マイクロボロメータ膜のデバイス層として注入された場合、中央領域は、中央領域の導電性と、TCRのような他のデバイスパラメータと、雑音特性が、所定の中央領域材料の中で特定の成分例えば、シリコン、水素、ゲルマニウム、フッ素、炭素、バナジウム、チタン、n型ドーパント、p型ドーパント等の相対量を変えることで最適化するように形成されても良い。更に図5に示すように、第1遷移領域51および第2遷移領域53が、導電性材料中央領域52の両側、導電性半導体層52と対応する第1または第2の誘電体領域50、54の1つとの間に配置される。第1遷移領域51は、第1絶縁性誘電体層50に上に成長して、導電性中央領域52の成長のための標準基板を提供する。この点において、遷移領域51、53は、主導電性中央領域との間で低欠陥密度界面が存在するようにしても良い。導電性中央領域の上に成長した第2の遷移領域53は、更に、第2の絶縁性誘電体層54に対して低界面密度を有する基板として提供しても良い。図5の具体例では、対応する第1および第2の絶縁性誘電体層50、54と導電性中央領域52との配置された、それぞれの第1および第2の遷移領域51、53は、バルク絶縁性材料例えば窒素電荷と、導電性中央領域52の上の、絶縁性領域50、54と対応する遷移領域51、53との間の界面の界面電荷との影響を低減するように働く。対応する第1または第2の絶縁性誘電体層50、54と、導電性中央領域52との間に配置された、それぞれの遷移領域51、53は、絶縁性材料界面から電流導電チャネルを遠ざけ、これによりそれらの領域を導電性チャネルから効果的に遮蔽することにより、界面欠陥と、雑音形成への固定された誘電体電荷の影響を緩和する。加えて、それぞれの遷移領域51、53は、導電性中央領域52に、より低い欠陥密度の界面を提供し、これにより雑音を低減する。更に示すように、第1界面602は、第1遷移領域51と導電性中央領域52との間に形成され、第2界面604は、第1遷移領域53と導電性中央領域52との間に形成される。第1および第2の遷移領域51、53のそれぞれは、導電性中央領域52の材料に比較してより低い導電性の1またはそれ以上の層から形成される。更なる例示的な具体例では、第1および/また第2の遷移領域51、53は、中央領域52の材料マトリックスと実質的に同じ分子構造を有する材料からなっても良い。中央領域52と実質的に同じ分子構造から遷移領域を形成することで、第1および第2の界面602、604は、例えばSixNyとa-Siとの間の界面のような異なる分子構造の材料間の界面より少ない欠陥を含む。1つの具体例では、熱アニールまたは他の拡散プロセスは、界面602、604を横切って導電性層52の移動成分例えばドーパント化学材料、水素等が拡散することにより、よりはっきりせずおよびより段階的または拡散した界面602、604を形成する。この方法では、そうでなければ導電性チャネルを囲む例えばSixNyやa-Siのような異なる分子構造の、一般には隣接材料により形成される欠陥で満たされた典型的な硬直した遷移が、柔らかい、低欠陥の段階的な界面により置き換えられる。同様に、層51のような実質的に同じ分子構造の界面層や付随する界面602の上に導電性チャネル層52を堆積すると、層52自身に更に似た層52の堆積のためのシード層を形成する。分子構造は界面602を横切って大きく変わらないため、これは、層52をより低い欠陥成長にする。この導電性領域52の改良された、より低い欠陥レベルは、このようにマイクロボロメータで望まれる低い雑音特性を実現する。これに比較して、第1誘電体50例えば層51および界面602の除去の上に直接導電層52を堆積すると、分子構造が大きく変化し、界面だけでなく層のバルク中にも欠陥を形成するため、導電層52中の欠陥を増加させる第1および第2の遷移領域51、53のそれぞれは、更に導電性中央領域52に比較してより低い導電性またはより高い抵抗およびいくつかの具体例では、実質的に非導電性または高抵抗になるように選択され、導電性中央領域52中の電流は、実質的に遷移領域51、53により中央領域52中に含まれる。1つの例示的な具体例では、中央領域52の材料と、第1および第2の遷移領域51、53との間の導電性の比は、約20倍20xまたはそれ以上でも良い。そのような場合、導電性領域52の抵抗の温度係数TCRは、遷移領域51、53によりあまり影響されない。他の具体例では、中央領域52の材料と、第1および第2の遷移領域51、53との間の導電性の比は、約10倍またはそれ以上で、代わりには約5倍またはそれ以上である。1つの具体例では、第1および第2の遷移領域51、53のそれぞれは、導電性中央領域52に比較して本質的に/実質的にアンドープまたは非常に低ドープであり、例えば第1および第2の遷移領域51、53は、中央領域52より約16倍低い、または約8倍低いよりも高いドーピングレベルを有しても、中央領域52より約8倍から約16倍低いp型またはn型のドーピングレベルを有する。1つの具体例では、第1および第2の遷移領域51、53の一方または双方がアンドープでも良い。他の代わりに具体例では、第1および第2の遷移領域51、53の双方が導電性中央領域52に比較してカウンタードープでも良く、例えば中央領域52がn型ドーパントのみを用いてドープされた場合、第1および第2の遷移領域51、53はn型ドーパントでドープされ、p型ドーパントでカウンタードープされても良い。第1および第2の遷移領域51、53と導電性中央領域52との間の比導電率は、それらの領域として使用するために選択された特別な材料に応じて、様々な拡散の方法で制御できることが理解できるだろう。導電性を制御する方法の例は、例えばpまたはnドーパントのレベル、水素の量、他の成分例えばゲルマニウム、炭素等の量を含む。材料の導電性を制御するためには多くの異なる方法があり、これは第1および第2の遷移領域51、53、および導電性中央領域52のために用いられることが理解されるであろう。これに関して、比較的低導電性の材料の1またはそれ以上の層が、第1および第2の遷移領域51、53のそれぞれとして使用するために選択され、導電性中央領域52のために選択された比較的高い導電性材料の1またはそれ以上の層と組み合わされ、領域51、52、53のそれぞれの導電性は選択された組成により制御される。当業者には理解されるように、選択された特別な堆積技術に関連する特別なプロセスパラメータは、層の導電性を取り扱うのに使用しても良い。例えば、PECVDを用いる1つの具体例の場合、水素拡散およびドーピングレベルは、それぞれの独立した層の導電性を取り扱うために使用しても良い。加えて、例えば堆積温度、圧力、ガス流量、プラズマパワー、基板接地等のような、ツールや技術に対する多くの2次パラメータ特性を用いても良い。例えば、所望の非導電率を得るために与えられた材料の導電性を制御する例示的方法は、これらに限定されないが、p型またはn型材料のドーピングによりドーピングは一般に導電性を増加させるおよび/または他の成分の量を変えて例えば水素量により、ゲルマニウム量の変化により、炭素量の変化によりおよび/または混合相につながる単結晶量の変化によることを含む。表1は、単体でまたは組み合わせて使用されるいくつかの例示滴な材料と対応する方法とのを示し、他の型の材料および/または方法が、領域51、52、53のそれぞれのために使用できることが理解される。遷移領域51、53の一方又は双方が、遷移領域の膜厚を横切って実質的に一定導電性を有する材料領域となる方法、または所定の遷移領域51、53の膜厚を横切って徐々に変化するまたは段階的な方法で形成され、例えば所定の遷移領域は比較的低い抵抗率例えば、比較的大きなpまたはnのドーパント濃度で達成されるを導電性中央領域52との界面近傍で有し、より高い抵抗率例えば、比較的低いpまたはnのドーパント濃度で達成されるを対応する誘電体層50または54との界面で有し、所定の遷移領域51、52の材料の少なくとも一部は、対応する隣接した中央領域52の材料より高い抵抗値を有する。更に、遷移領域51および/または53の一方または双方は、連続して別々にドープされた複数の材料層からなるものでも良いことが理解できる。例として、1つの例示的な具体例では、アンドープのアモルファスシリコンa-Siが第1遷移領域51および第2の遷移領域53として堆積され、pまたはnドープのアモルファスシリコンa-Siマトリックスを有する導電性半導体材料の中央領域52を挟み、第1および第2の遷移領域51、53のマトリックスと実質的に同じ分子構造を有する中央領域52を提供する。ドープされ、さもなければ遷移領域51、53に使用されるアンドープのアモルファスシリコンa-Siマトリックスと実質的に同じ分子構造を備えたマトリックスを有する中央領域52として使用するために導電性材料を提供するように計画される。アモルファスシリコンの他の特別な例は、これに限定するものではないが、水素化アモルファスシリコンa-Si:H、フッ化アモルファスシリコンa-Si:F、水素化フッ化アモルファスシリコンa-Si:H:F、アモルファスシリコンゲルマニウムa-Si1-xGex、水素化アモルファスシリコンゲルマニウムa-Si1-xGex:H、水素化フッ化アモルファスシリコンゲルマニウムa-Si1-xGex:H:F、アモルファスシリコン炭化物a-Si:C、水素化アモルファスシリコン炭化物a-Si:C:H等である。適当にドープされ、またはそうでなければ遷移領域51、53のアンドープa-Siより比較的高い導電性となるように計画された場合、先に挙げた導電性半導体材料のそれぞれは、アンドープアモルファスa-Siと実質的に同じ分子構造を備えたマトリックスを有すると言われる。更に、先に示した半導体材料のそれぞれは、遷移領域51、53のアンドープa-Siと共通の例えば、この場合はシリコン少なくとも1つのマトリックス化学要素から形成されるように代わりに特徴付けられても良い。実質的に同じマトリックス分子構造を有するか共通のマトリックス要素を分け合う中央領域材料と対応する遷移領域材料との例も可能であることが理解されるだろう。しかしながら、他の具体例では、中央領域材料と対応する遷移領域材料の一方又は双方は、他の領域材料と実質的に同じマトリックス分子構造でないそれぞれの材料を有し、および/または他の領域材料と共通のマトリックス要素を分け合わない。以下の表2では、それぞれに挙げられた比較的低い導電性材料のマトリックスは、表の同じ列のそれぞれ挙げられた導電性材料の分子構造と実質的に同じ分子構造を有する。表2に挙げられた材料は、単に例示であり、他の比較的低い導電性材料および/または対応する導電性材料は、実質的に同じ分子構造を有する材料マトリックスを有するように用いられても良い。更に、他の具体例では、遷移領域の1つまたは双方の比較的低い導電性材料は、所定の遷移領域に囲まれた対応する中央領域の導電性材料の分子構造と、実質的に同じ分子構造を有さなくても良い。1つの具体例では、導電性中央領域のための層又は膜は、化合物の混合相で成長しても良い。例えば、アモルファスシリコン材料単独又は他の成分と組み合わせを含む導電性中央領域は、アモルファス-結晶相遷移の近傍に成長し、例えば全体量の体積の約10以下の微結晶の量ラマン分析で決定を含み、約1ナノメータから約10ナノメータの大きさX線回折または透過電子顕微鏡TEMにより決定されるを有するような、安定したアモルファス原子構造となる。しかしながら、アモルファスシリコンを含む導電性中央領域のための材料は、全体の材料の体積に対して約10より大きな微結晶の量を含み、および/または約1ナノメータより小さいまたは約10ナノメータより大きな大きさを有しても良いことが理解できるであろう。これに関して、基板温度、プラズマパワーPECVDリアクタを使用した場合、および水素希釈率は、例えば、アモルファス近傍のシリコンやシリコンゲルマニウム構造を、材料が安定な形状低エネルギーを有する結晶遷移に、任意的に移行させても良い。しかしながら、成長パラメータは、全体の材料の体積に対して約10より大きな微結晶の量を含み、および/または約1ナノメータより小さいまたは約10ナノメータより大きな大きさを有する材料を含む、所望の特性を有する導電性中央領域のための所望の材料、を達成するために変えても良いことが理解できるであろう。例えば、より高い基板温度、より高いプラズマパワー、およびより大きい量の水素希釈は、微結晶の量を増加させる傾向にある。比較的低い遷移領域と導電性中央領域のための材料は、1つの例示的な具体例では、シランと任意的に1またはそれ以上の前駆体を用いた、プラズマ誘起化学気相堆積PECVDのような化学気相堆積CVDにより成長しても良い。例えば、シラン、水素、およびゲルマンGeH4前駆体は、xがH2:SiH4およびGeH4の流量比で調整されるa-Si1-xGex:Hを形成するために使用されても良い。そのような場合、温度、成長速度およびH2追加のような成長温度は、シリコンゲルマニウム合金構造が、アモルファス-結晶相遷移の近傍にある、アモルファスとなるように選択されても良い。他の具体例では、導電性半導体材料は、スパッタ、分子性エピタキシ等のようなこれを形成するのに適した他の技術により形成しても良い。例えば、アモルファスシリコンゲルマニウムa-Si1-xGexは、シリコンおよびゲルマニウムのスパッタで形成され、またはシリコンおよびゲルマニウムを用いた分子線エピタキシで形成しても良い。PECVDに加えて、本質的に比較的低い導電性遷移層および/または誘電体層により挟まれた導電性中央材料の材料を成長するのに適した他の方法が用いられても良い。そのような代わりの成長技術の例は、これらには限定されないが、ホットワイヤ化学気相堆積HWCVD、電子サイクロン共鳴化学気相堆積ECR-CVD、マイクロ波CVD等を含む。記載された方法および装置の実施に、いずれの好適な製造方法を適用しても良いことが理解できるであろう。例えば、導電性中央領域および/または比較的低導電性の遷移領域のためのアンドープまたはドープp型またはn型材料を形成するのに適したシリコン、水素、ゲルマニウム、フッ素、バナジウム、チタン、炭素、p型ドーパント、および/またはn型ドーパント及びその相対量のソースの組み合わせを用いても良い。例えば、pドープのフッ化アモルファスシリコンa-Si:F材料膜は、1つの例示的な具体例では、PECVDリアクタ中でSiF4とBF3の前駆体から成長させてもよく、アンドープのフッ化アモルファスシリコンa-Si:F材料膜は、1つの例示的な具体例ではSiF4の前駆体から成長させても良い。同様に、pドープのフッ化アモルファスシリコンゲルマニウムa-Si1-xGex:F材料膜は、1つの例示的な具体例では、PECVDリアクタ中でSiF4、GeF4、およびBF3の前駆体から成長させてもよく、アンドープのフッ化アモルファスシリコンゲルマニウムa-Si1-xGex:F材料膜は、1つの例示的な具体例では、PECVDリアクタ中でSiF4とGeF4の前駆体から成長させてもよい。特別なパラメータ値とパラメータ値の範囲例えば前駆体量および前駆体量の範囲が用いられても良いことが理解できるであろう。他のドーパント前駆体の例は、これらには限定されないが、B2、PH3、BCl3、B2H6等を含む。他のドーピング方法は、これには限定されないが、イオン注入を含む。これに関して、前駆体ガス流速のような成長パラメータの値が決定されて、例えばGe組成のx値のような、様々な所望の最終材料の組成が適当に決められる。更に、それぞれの表に示された材料を形成するために必要とされまたは望まれるように、PECVDリアクタパラメータ例えばLF/HFパワー密度および負荷サイクルを変えても良く、およびアルゴンプラズマや好ましい希釈剤プラズマ例えばヘリウムプラズマ中に供給される前駆体例えばSiH4および/またはH2の量を例えば約5より多くまたは約5より少なく変えても良いことは理解されるであろう。特定の堆積パラメータは特定のツールに直接関連し、様々なツールの形状、製造物、ツールの幾何学等の全域で、ツール毎に変わることが当業者に理解されるであろう。1つの例示的な具体例では、遷移領域51、53のそれぞれは、ヘリウムプラズマ中で形成され、導電性中央領域52はアルゴンプラズマ中で形成される。表3~表14は、遷移デバイス構造600のそれぞれの層や領域のために選択される材料の様々な可能性のある例示的な具体例を示す。1つの領域は、他の領域に比較して高ドープであるが、低い導電性を有するように調整される水素希釈濃度を有することが理解される。図4の例示的な具体例に戻ると、領域51、52、53の堆積は、1つの具体例では、ポリイミド層36が分解する直下の温度例えば、約360°Cから約450°C、代わりには約365°Cで行っても良い。第2の誘電体膜54が、続いて、上部遷移領域の上に約50オングストロームÅより少ない、および約1000オングストロームÅより大きな深さも可能であるが、約50オングストロームÅから約1000オングストロームÅまで、代わりには約250オングストロームÅの深さで堆積される。再度、図4の例示的な具体例を参照すると、もし導電性中央領域52が赤外線放射に対して透明であれば、赤外線放射に対して敏感な材料が、赤外線放射から吸収されたエネルギーを熱的に移動するために使用される。薄い金属吸収膜56が、第2誘電体膜54の上に、約50オングストロームÅより少ない、および約200オングストロームÅより大きな厚さも可能であるが、約50オングストロームÅから約150オングストロームÅまで、代わり約50オングストロームÅから約200オングストロームÅまで堆積される。1つの具体例では、薄い金属吸収膜56は、チタンでも良いが、代わりに赤外線放射を吸収する他の好ましい材料でも良い。薄い金属吸収膜56は、パターニングされて、検出膜12の上に吸収体領域を残す。吸収体56は、フォトレジストとエッチング技術を用いて、さもなければフォトレジストリフトオフ方法のような他の入手可能な技術を用いてパターニングされる。図6は、1つの例示的な具体例にかかる、基板11の上に形成されたマイクロボロメータ10の構造に関する吸収体56の位置の一部を示す。吸収体56は、赤外線放射から熱を吸収し、この例示的な具体例で検出素子層として機能する導電性中央領域52に熱を伝える。第2誘電体膜54は、導電性中央領域52に対して電気的に絶縁性であるが、導電性中央領域52から吸収体56を熱的に分離しない。このように、導電性中央領域52は、熱的に吸収体56に接続し、吸収体56から導電性中央領域52に熱エネルギーを伝達する。導電性中央領域52の温度が上がると、導電性中央領域52の電気的な抵抗が変化する。電気的な抵抗の変化が測定され、検出領域に存在する赤外線放射の量を生じるように処理される。吸収体56により吸収されない赤外線放射エネルギーは、基板を通過し、リフレクタ22で反射され、反射防止構造共鳴キャビティ20中で捕まえられ、吸収体56が、捕まえられた赤外線放射エネルギーを、高い全体の効率で吸収する。それゆえに、吸収体56は、赤外線放射エネルギーを、検出膜12を通過する時と、反射防止構造共鳴キャビティ20中に捕まえられた後の双方で吸収する。更に図6の例示的な具体例を参照すると、第2誘電体膜54の外部表面がパターニングされ、開口部がエッチングされて、導電性中央領域52の外部表面の部分が露出し、熱分離足構造60を形成する。この具体例では、第2誘電体膜層54は、例えばフォトレジストとエッチング技術を用いてパターニングされてエッチングされても良い。更に構造の詳細は、マイクロボロメータ膜検出素子のための材料や製造技術は、米国特許6,586,831、米国特許6,521,477、米国特許6,479,320、米国特許6,897,469、米国特許6,777,681、米国特許6,690,014、および米国特許7,718,965に見出され、これらは、その全体が全ての目的のために、参照されることによりここに組み込まれる。図7は、1つの例示的な具体例の完全なマイクロボロメータを示す。図7に示すように、熱分離足ギャップ90は、マイクロボロメータ10の無い領域で除去されたポリイミド層36の上の全ての層を示す。更に、ポリイミド層36は、酸素または他の反応プラズマドライエッチングに露出させることで、除去しても良い。更に図7に示すような、第2誘電体膜54は、図6の熱分離足構造60を形成するためにエッチングされた開口部を用いてパターニングされ、薄い電極金属層70は、熱分離足構造60中に堆積される。いくつかの具体例では、電極70と検出器層56は、同時または異なる工程で堆積された同じ材料でも良い。第3の誘電体膜72は、構造の表面に上に堆積される。記載された材料は、例えば、マイクロボロメータ赤外線検出構造およびその製造方法で用いられ、これは、米国特許6,777,681および米国特許6,690,014に記載され、これらは参照されることによりここに組み込まれる。これに関して、2つのより低い濃度の遷移領域材料の間に挟まれた、記載された導電性中央領域材料は、それらの参考文献で記載されたマイクロボロメータ膜検出器構造のアモルファスシリコン層の代わりに用いても良い。例として、図8および図9は、遷移領域および中央領域を含む膜12を有するマイクロボロメータ膜検出素子10の代わりの例示的な具体例を示す。そのようなマイクロボロメータ膜検出素子の形状は、米国特許6,777,681に更に詳細に記載されている。特に、図9は、膜12が、4×4のアレイグリッドの開口部を形成する交差格子パターンに、そこを通って形成される開口部149を有する回折共鳴キャビティ構造を有するマイクロボロメータ膜検出素子10を示す。開口部の存在により、膜12は、1方向に延びた5つの間隔を隔てた平行なストリップ151-155と、ストリップ151-155に直交する方向に、ストリップ151からストリップ155まで延びた3つの間隔を隔てた平行なストリップ156-158を有するように見える。図8および図9は例示のみで、記載された遷移領域および中央領域の材料は、他の形状のマイクロボロメータ赤外線検出器構造に層として使用でき、例えばマイクロボロメータ赤外線検出器構造で従来のアモルファスシリコンまたはVOxの代わりに使用できることが理解できるであろう。加えて、記載された遷移領域および中央領域の材料から形成されたマイクロボロメータ赤外線検出器素子は、例えば、参照されることにより全体がここに組み込まれる米国特許6,586,831、米国特許6,521,477、米国特許6,479,320、米国特許6,897,469、および米国特許7,718,965に記載された真空パッケージング技術を用いてパッケージされた焦点面アレイを形成するために使用してもよい。本発明は、様々な変形や代わりの形態に適用可能であるが、特定の具体例が例示の方法で示され、ここに記載された。しかしながら、本発明はここに記載された特定の形態に限定することを意図するのではないことが理解されるであろう。むしろ、本発明は、添付された請求の範囲により規定されたような本発明の精神および範囲内に入る全ての変形、均等物、および代替えをカバーする。更に、記載された構造の異なる形態、システムおよび方法は、様々な組み合わせとしておよび/または独立して使用しても良い。このように、本発明は、ここに記載されたそれらの組み合わせのみに限定されるのではなく、むしろ他の組み合わせを含んでも良い。"