"半導体基板の内部に設けられており、前記半導体基板の一方の面から入射した入射光を受光する光電変換部と、前記半導体基板の他方の面に設けられている配線層とを有し、前記半導体基板の他方の面と前記配線層との間には、前記入射光において前記光電変換部を透過した透過光を吸収する光吸収層が設けられている、固体撮像装置。前記半導体基板の他方の面と前記配線層との間に、反射防止層が設けられている、請求項1に記載の固体撮像装置。前記光吸収層は、前記半導体基板より光吸収係数が大きい材料で形成されている、請求項1に記載の固体撮像装置。前記半導体基板は、単結晶シリコンによって形成されており、前記光吸収層は、アモルファスシリコンによって形成されている、請求項1に記載の固体撮像装置。前記半導体基板は、単結晶シリコンによって形成されており、前記光吸収層は、ゲルマニウムがドープされたアモルファスシリコンによって形成されている、請求項1に記載の固体撮像装置。前記半導体基板は、単結晶シリコンによって形成されており、前記光吸収層は、微結晶シリコンによって形成されている、請求項1に記載の固体撮像装置。前記光吸収層は、前記半導体基板の他方の面において暗電流の発生を抑制するように、電圧が印加される、請求項1に記載の固体撮像装置。前記半導体基板の他方の面に設けられており、前記光電変換部にて生成された信号電荷を電気信号として出力する画素トランジスタを有し、前記配線層は、前記半導体基板の他方の面に前記画素トラジスタを介して設けられている、請求項1に記載の固体撮像装置。半導体基板の一方の面から入射した入射光を受光する光電変換部を前記半導体基板の内部に設ける工程と、前記入射光において前記光電変換部を透過した透過光を吸収する光吸収層を前記半導体基板の他方の面に設ける工程と、前記光吸収層が設けられた前記半導体基板の他方の面を覆うように、配線層を設ける工程とを有する、固体撮像装置の製造方法。半導体基板の内部に設けられており、前記半導体基板の一方の面から入射した入射光を受光する光電変換部と、前記半導体基板の他方の面に設けられている配線層とを有し、前記半導体基板の他方の面と前記配線層との間には、前記入射光において前記光電変換部を透過した透過光を吸収する光吸収層が設けられている、電子機器。上記のように、固体撮像装置においては、撮像画像の画像品質を向上させることが困難な場合がある。したがって、本技術は、撮像画像の画像品質等を向上可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供する。本技術の固体撮像装置,電子機器は、半導体基板の内部に設けられており、前記半導体基板の一方の面から入射した入射光を受光する光電変換部と、前記半導体基板の他方の面に設けられている配線層とを有し、前記半導体基板の他方の面と前記配線層との間には、前記入射光において前記光電変換部を透過した透過光を吸収する光吸収層が設けられている。本技術の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の一方の面から入射した入射光を受光する光電変換部を、前記半導体基板の内部に設ける工程と、前記入射光において前記光電変換部を透過した透過光を吸収する光吸収層を、前記半導体基板の他方の面に設ける工程と、前記光吸収層が設けられた前記半導体基板の他方の面を覆うように、配線層を設ける工程とを有する。本技術では、半導体基板の他方の面と配線層との間において、入射光において光電変換部を透過した透過光を、光吸収層が吸収する。本技術によれば、撮像画像の画像品質等を向上可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供することができる。実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明は、下記の順序で行う。1.実施形態1光吸収層がゲートと同層2.実施形態2光吸収層がゲートと異層3.その他<1.実施形態1>A装置構成A-1カメラの要部構成図1は、実施形態1において、カメラの構成を示す構成図である。図1に示すように、カメラ40は、固体撮像装置1と、光学系42と、制御部43と、信号処理部44とを有する。各部について、順次、説明する。固体撮像装置1は、光学系42を介して、被写体像として入射する入射光Hを撮像面PSで受光し、光電変換する。そして、その光電変換で生成された信号電荷を読み出して、電気信号を出力する。ここでは、固体撮像装置1は、制御部43から出力される制御信号に基づいて駆動する。光学系42は、結像レンズや絞りなどの光学部材を含み、入射光Hを、固体撮像装置1の撮像面PSへ集光する。制御部43は、各種の制御信号を固体撮像装置1と信号処理部44とに出力し、固体撮像装置1と信号処理部44とを制御して駆動させる。信号処理部44は、固体撮像装置1から出力された電気信号をローデータとして信号処理を実施することによって、被写体像についてデジタル画像を生成する。A-2固体撮像装置の要部構成固体撮像装置1の全体構成について説明する。図2は、実施形態1において、固体撮像装置の全体構成を示す図である。本実施形態の固体撮像装置1は、図2に示すように、半導体基板101を含む。半導体基板101は、たとえば、単結晶シリコン基板が薄膜化されたものであり、画素領域PAと、周辺領域SAとが面に設けられている。画素領域PAは、図2に示すように、矩形形状であり、複数の画素Pが水平方向xと垂直方向yとのそれぞれに配置されている。つまり、画素Pがマトリクス状に並んでいる。画素領域PAにおいて、画素Pは、入射光を受光して信号電荷を生成するように構成されている。そして、その生成した信号電荷が、画素トランジスタ図示なしによって読み出されて電気信号として出力される。画素Pの詳細な構成については、後述する。周辺領域SAは、図2に示すように、画素領域PAの周囲に位置している。そして、この周辺領域SAにおいては、周辺回路が設けられている。具体的には、図2に示すように、垂直駆動回路13と、カラム回路14と、水平駆動回路15と、外部出力回路17と、タイミングジェネレータTG18と、シャッター駆動回路19とが、周辺回路として設けられている。垂直駆動回路13は、図2に示すように、周辺領域SAにおいて、画素領域PAの側部に設けられており、画素領域PAの画素Pを行単位で選択して駆動させるように構成されている。カラム回路14は、図2に示すように、周辺領域SAにおいて、画素領域PAの下端部に設けられており、列単位で画素Pから出力される信号について信号処理を実施する。ここでは、カラム回路14は、CDSCorrelatedDoubleSampling;相関二重サンプリング回路図示なしを含み、固定パターンノイズを除去する信号処理を実施する。水平駆動回路15は、図2に示すように、カラム回路14に電気的に接続されている。水平駆動回路15は、たとえば、シフトレジスタを含み、カラム回路14において画素Pの列ごとに保持されている信号を、順次、外部出力回路17へ出力させる。外部出力回路17は、図2に示すように、カラム回路14に電気的に接続されており、カラム回路14から出力された信号について信号処理を実施後、外部へ出力する。外部出力回路17は、AGCAutomaticGainControl回路17aとADC回路17bとを含む。外部出力回路17においては、AGC回路17aが信号にゲインをかけた後に、ADC回路17bがアナログ信号からデジタル信号へ変換して、外部へ出力する。タイミングジェネレータ18は、図2に示すように、垂直駆動回路13、カラム回路14、水平駆動回路15,外部出力回路17,シャッター駆動回路19のそれぞれに電気的に接続されている。タイミングジェネレータ18は、各種のタイミング信号を生成し、垂直駆動回路13、カラム回路14、水平駆動回路15,外部出力回路17,シャッター駆動回路19に出力することで、各部について駆動制御を行う。シャッター駆動回路19は、画素Pを行単位で選択して、画素Pにおける露光時間を調整するように構成されている。A-3固体撮像装置の詳細構成本実施形態にかかる固体撮像装置の詳細内容について説明する。図3~図6は、実施形態1において、固体撮像装置の要部を示す図である。図3は、断面を示す図である。そして、図4と図5は、固体撮像装置において、図3に示す半導体基板101の表面図3の下面側を示す図である。また、図6は、画素Pの回路構成を示している。図3では、図4と図5に示すX1-X2部分の断面を模式的に示している。図4では、半導体基板101の下面において、支持基板SSと配線層111と反射防止膜301と光吸収層401とを除いた場合を示している。これに対して、図5では、図4に対して、光吸収層401ハッチングを付した部分を設けた場合を示している。なお、各図においては、図示の都合で、各部の形状幅などを各図の間で適宜変更している。固体撮像装置1は、図3に示すように、半導体基板101の内部にフォトダイオード21が設けられている。ここでは、薄膜化された単結晶シリコンの半導体基板101に設けられている。半導体基板101の裏面図3では上面には、図3に示すように、遮光層122、カラーフィルタCF、マイクロレンズMLなどの部材が設けられている。これに対して、半導体基板101の表面下面には、転送トランジスタ22が設けられている。図3では図示を省略しているが、図4,図5に示すように、転送トランジスタ22の他に、増幅トランジスタ23と選択トランジスタ24とリセットトランジスタ25が、画素トランジスタTrとして設けられている。そして、図3に示すように、半導体基板101の表面下面には、光吸収層401などの部材が設けられている。また、半導体基板101の表面下面には、配線層111が設けられており、配線層111において、半導体基板101の側に対して反対側の面には、支持基板SSが設けられている。つまり、本実施形態の固体撮像装置1は、裏面照射型CMOSイメージセンサであって、裏面上面側から入射する入射光Hを、フォトダイオード21が受光し、カラー画像を撮像によって生成するように構成されている。以下より、各部の詳細について順次説明する。aフォトダイオード21について固体撮像装置1において、フォトダイオード21は、図2に示した複数の画素Pに対応するように複数が画素領域PAに配置されている。つまり、複数のフォトダイオード21が、撮像面xy面において、水平方向xと、この水平方向xに対して直交する垂直方向yとのそれぞれに並んで設けられている。フォトダイオード21は、入射光Hを受光し光電変換することによって信号電荷を生成して蓄積するように構成されている。ここでは、図3に示すように、半導体基板101の裏面上面側から入射する入射光Hをフォトダイオード21が受光する。フォトダイオード21の上方には、図3に示すように、カラーフィルタCF,マイクロレンズMLが設けられており、各部を順次介して入射した入射光Hを、受光面JSで受光して光電変換が行われる。図3に示すように、フォトダイオード21は、半導体基板101の内部に設けられている。たとえば、フォトダイオード21は、n型半導体領域101nが、電荷電子を蓄積する電荷蓄積領域として形成されている。フォトダイオード21において、n型半導体領域101nは、裏面上面側と表面下面側にp型半導体領域101pa,101pcが設けられている。つまり、フォトダイオード21は、HAD構造であり、p型半導体領域101pa,101pcは、n型半導体領域101nの上面側と下面側との各界面において、暗電流が発生することを抑制するために形成されている。フォトダイオード21で生成された信号電荷は、n型半導体領域101n中をドリフトし、このn型半導体領域101nにおいてp型半導体領域101pcの付近に蓄積される。図3,図4に示すように、複数の画素Pの間には、画素分離部PBが設けられており、フォトダイオード21は、画素分離部PBで区画された画素Pの領域内に設けられている。具体的には、画素分離部PBにおいては、図3に示すように、p型半導体領域101pbが、半導体基板101の内部において裏面上面と表面下面とを貫くように設けられており、複数の画素Pの間を電気的に分離している。この画素分離部PBは、図4に示すように、複数の画素Pの間に介在するように格子状に設けられている。そして、フォトダイオード21は、この格子状の画素分離部PBで区画された画素Pの領域内に形成されている。そして、図6に示すように、フォトダイオード21は、アノードが接地されており、蓄積した信号電荷電子が、画素トランジスタTrによって読み出され、電気信号として垂直信号線27へ出力される。b遮光層122について固体撮像装置1において、遮光層122は、図3に示すように、半導体基板101の裏面上面の側に設けられている。ここでは、図3に示すように、半導体基板101の裏面上面を被覆するように、絶縁層121が設けられており、この絶縁層121の上面に、遮光層122が設けられている。遮光層313は、半導体基板101の裏面上面において、画素分離部PBに対応する部分に設けられており、画素Pに対応する部分には、設けられていない。つまり、フォトダイオード21の受光面JSに開口が設けられている。なお、図4では、図示していないが、画素分離部PBと同様に、遮光層122は、平面形状が格子状になるように形成されている。本実施形態では、たとえば、シリコン酸化膜SiO2が、この絶縁層121として設けられている。そして、遮光層313は、たとえば、タングステンWなどの金属材料を用いて形成されている。タングステンWの他に、アルミニウムAlを用いて遮光層313を形成しても好適である。そして、図3に示すように、遮光層313を被覆するように、絶縁層121の上面に、平坦化膜123が設けられている。平坦化膜123は、光透過材料で形成されている。cカラーフィルタCFについて固体撮像装置1において、カラーフィルタCFは、図3に示すように、半導体基板101の裏面上面側において、平坦化膜123の上面に設けられている。図7は、実施形態1において、カラーフィルタを示す図である。図7では、上面図を示している。カラーフィルタCFは、図7に示すように、赤色フィルタ層CFRと、緑色フィルタ層CFGと、青色フィルタ層CFBとを含む。赤色フィルタ層CFRと、緑色フィルタ層CFGと、青色フィルタ層CFBとのそれぞれは、隣接して配置されており、いずれかが、複数の画素Pのそれぞれに対応して設けられている。ここでは、図7に示すように、赤色フィルタ層CFRと、緑色フィルタ層CFGと、青色フィルタ層CFBとのそれぞれが、ベイヤー配列で並ぶように配置されている。すなわち、複数の緑色フィルタ層CFGが市松状になるように、対角方向へ並んで配置されている。そして、赤色フィルタ層CFRと青色フィルタ層CFBとが、複数の緑色フィルタ層CFGにおいて、対角方向に並ぶように配置されている。カラーフィルタCFにおいて、赤色フィルタ層CFRは、赤色に対応する波長帯域たとえば、625~740nmで光透過率が高くなるように形成されている。つまり、赤色フィルタ層CFRは、入射光Hが赤色光として受光面JSへ透過するように形成されている。また、カラーフィルタCFにおいて、緑色フィルタ層CFGは、緑色に対応する波長帯域たとえば、500~565nmで光透過率が高くなるように形成されている。つまり、緑色フィルタ層CFGは、赤色フィルタ層CFRよりも短い波長範囲の光について光透過率が高く、入射光Hが緑色光として受光面JSへ透過するように形成されている。また、カラーフィルタCFにおいて、青色フィルタ層CFBは、青色に対応する波長帯域たとえば、450~485nmで光透過率が高い。つまり、青色フィルタ層CFBは、緑色フィルタ層CFGよりも短い波長範囲の光について光透過率が高く、入射光が青色光として受光面JSへ透過するように形成されている。このように、カラーフィルタCFは、互いに異なる波長範囲の光について透過率が高い複数種のフィルタ層CFR,CFG,CFBが、複数の画素Pのそれぞれに対応し、互いに隣接して配置されている。dマイクロレンズMLについて固体撮像装置1において、マイクロレンズMLは、図3に示すように、半導体基板101の裏面上面の側において、カラーフィルタCFの上面に設けられている。マイクロレンズMLは、各画素Pに対応するように複数が配置されている。マイクロレンズMLは、半導体基板101の裏面上面側において凸状に突き出した凸レンズであり、各画素Pのフォトダイオード21へ入射光Hを集光するように構成されている。たとえば、マイクロレンズMLは、スチレン樹脂、アクリル樹脂、ノボラック樹脂などの透明な樹脂を用いて形成されている。e画素トランジスタTrについて固体撮像装置1において、画素トランジスタTrは、図2に示した複数の画素Pに対応するように複数が設けられている。画素トランジスタTrは、図4~図6に示すように、転送トランジスタ22と増幅トランジスタ23と選択トランジスタ24とリセットトランジスタ25とを含み、フォトダイオード21から信号電荷を読み出して電気信号として出力するように構成されている。図3では、画素トランジスタTrのうち、転送トランジスタ22について図示しているが、他の各トランジスタ23~25についても、この転送トランジスタ22と同様に、半導体基板101の表面下面に設けられている。ここでは、画素トランジスタTrのうち、転送トランジスタ22は、たとえば、シリコン酸化膜のゲート絶縁膜110を介して、ゲート電極22Gが、たとえば、ポリシリコンを用いて形成されている。これと同様に、他の各トランジスタ23~25も、たとえば、シリコン酸化膜のゲート絶縁膜110を介して、ゲート電極図3では図示無しが、たとえば、ポリシリコンを用いて形成されている。各トランジスタ22~25は、たとえば、NチャネルのMOSトランジスタである。そして、各トランジスタ22~25は、半導体基板101の表面下面において、配線層111で被覆されている。画素トランジスタTrにおいて、転送トランジスタ22は、図4,図5に示すように、フォトダイオード21に隣接するように配置されている。ここでは、転送トランジスタ22は、図6に示すように、フォトダイオード21とフローティングディフュージョンFDの間に介在しており、フォトダイオード21から信号電荷をフローティングディフュージョンFDに転送するように構成されている。具体的には、転送トランジスタ22は、転送線26がゲートに電気的に接続されている。転送トランジスタ22では、転送線26からゲートに送信される転送信号TGに基づいて、フォトダイオード21において蓄積された信号電荷を、フローティングディフュージョンFDに転送する。画素トランジスタTrにおいて、増幅トランジスタ23は、図4,図5に示すように、画素分離部PBにおいて、選択トランジスタ24とリセットトランジスタ25とに挟まれるように配置されている。ここでは、増幅トランジスタ23は、図6に示すように、フローティングディフュージョンFDにおいて、電荷から電圧へ変換された電気信号を増幅して出力するように構成されている。具体的には、増幅トランジスタ23は、ゲートが、フローティングディフュージョンFDに電気的に接続されている。また、増幅トランジスタ23は、ドレインが電源供給線Vddに電気的に接続され、ソースが選択トランジスタ24に電気的に接続されている。増幅トランジスタ23は、選択トランジスタ24がオン状態になるように選択されたときには、定電流源Iから定電流が供給されて、ソースフォロアとして動作する。このため、増幅トランジスタ23では、選択トランジスタ24に選択信号が供給されることによって、フローティングディフュージョンFDにおいて、電荷から電圧へ変換された電気信号が増幅される。画素トランジスタTrにおいて、選択トランジスタ24は、図4,図5に示すように、画素分離部PBにおいて、増幅トランジスタ23とリセットトランジスタ25とに並ぶように配置されている。ここでは、選択トランジスタ24は、図6に示すように、増幅トランジスタ23によって出力された電気信号を、垂直信号線27へ出力するように構成されている。具体的には、選択トランジスタ24は、選択信号が供給されるアドレス線28にゲートが接続されている。そして、選択トランジスタ24は、選択信号が供給された際にはオン状態になり、上記のように増幅トランジスタ23によって増幅された出力信号を、垂直信号線27に出力する。画素トランジスタTrにおいて、リセットトランジスタ25は、図4,図5に示すように、画素分離部PBにおいて、増幅トランジスタ23と選択トランジスタ24とに並ぶように配置されている。ここでは、リセットトランジスタ25は、図6に示すように、増幅トランジスタ23のゲート電位をリセットするように構成されている。具体的には、リセットトランジスタ25は、リセット信号が供給されるリセット線29にゲートが電気的に接続されている。また、リセットトランジスタ25は、ドレインが電源供給線Vddに電気的に接続され、ソースがフローティングディフュージョンFDに電気的に接続されている。そして、リセットトランジスタ25は、リセット線29から送信されたリセット信号に基づいて、フローティングディフュージョンFDを介して、増幅トランジスタ23のゲート電位を、電源電圧にリセットする。図8は、実施形態1において、画素トランジスタへ送信する制御信号を示すタイミングチャートである。図8において、aは、選択トランジスタ24のゲートへ入力する選択信号SELを示している。そして、bは、リセットトランジスタ25のゲートへ入力するリセット信号RSTを示している。そして、cは、転送トランジスタ22のゲートへ入力する転送信号TGを示している。図6参照。図8に示すように、撮像を実施する際には、第1の時点t1において、選択信号SELをハイレベルとして、選択トランジスタ24をオン状態にする。そして、第2の時点t2において、リセット信号RSTをハイレベルとして、リセットトランジスタ25をオン状態にする。これにより、増幅トランジスタ23のゲート電位をリセットする図6参照。そして、図8に示すように、第3の時点t3においては、リセット信号RSTをローレベルにして、リセットトランジスタ25をオフ状態にする。そして、この後、リセットレベルに対応した電圧を、出力信号として、カラム回路14へ読み出す図2,図6参照。そして、図8に示すように、第4の時点t4においては、転送信号TGをハイレベルにして、転送トランジスタ22をオン状態にする。たとえば、電荷蓄積期間において負電圧がゲートに印加されたオフ状態から、そのゲートに正電圧を印加して、転送トランジスタ22をオン状態にする。これにより、電荷蓄積期間にフォトダイオード21で蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDへ転送する図6参照。そして、図8に示すように、第5の時点t5においては、転送信号TGをローレベルにして、転送トランジスタ22をオフ状態にする。この後、その蓄積された信号電荷の量に応じた信号レベルの電圧を、出力信号として、カラム回路14へ読み出す図2,図6参照。その後、選択信号SELをローレベルとして、選択トランジスタ24をオフ状態にする。カラム回路14においては、先に読み出したリセットレベルの信号と、後に読み出した信号レベルの信号とを差分処理して信号を蓄積する図2参照。これにより、画素Pごとに設けられた各トランジスタのVthのバラツキ等によって発生する固定的なパターンノイズが、キャンセルされる。上記のように画素Pを駆動する動作は、各トランジスタ22,24,25の各ゲートが、水平方向xに並ぶ複数の画素Pからなる行単位で接続されていることから、その行単位に並ぶ複数の画素Pについて同時に行われる。具体的には、上述した垂直駆動回路13によって供給される選択信号によって、水平ライン画素行単位で垂直な方向に順次選択される。そして、タイミングジェネレータ18から出力される各種タイミング信号によって各画素Pのトランジスタが制御される。これにより、各画素における信号が垂直信号線27を通して画素Pの列毎にカラム回路14に読み出される。そして、カラム回路14で蓄積された信号が、水平駆動回路15によって選択されて、外部出力回路17へ順次出力される図2,図6参照。そして、この撮像で得た信号を信号処理部44がローデータとして信号処理を実施して、デジタル画像を生成する図1参照。f反射防止膜301,光吸収層401について固体撮像装置1において、反射防止膜301と光吸収層401とのそれぞれは、図3に示すように、半導体基板101の表面下面に設けられている。ここでは、図3に示すように、半導体基板101の表面下面全体を被覆するように、ゲート絶縁膜110が設けられている。そして、このゲート絶縁膜110に積層するように反射防止膜301が設けられている。反射防止膜301は、転送トランジスタ22のゲート電極22Gを被覆せずに、ゲート電極22Gと同層になるように設けられている。反射防止膜301は、被写体像として入射する入射光Hのうち、フォトダイオード21を透過した光が、ゲート絶縁膜110と光吸収層401と界面で反射することを防止するように構成されている。具体的には、反射防止膜301は、光学的干渉作用によって反射防止機能が発現されるように、材料および膜厚が、適宜、選択されて形成されている。ここでは、反射防止膜301は、絶縁材料であって、屈折率がゲート絶縁膜110を形成する材料と、光吸収層401を形成する材料との間の材料を用いて形成されている。光吸収層401は、図3に示すように、ゲート絶縁膜110と反射防止膜301とを介して、半導体基板101の表面下面に設けられている。光吸収層401は、転送トランジスタ22のゲート電極22Gを被覆せずに、ゲート電極22Gと同層になるように設けられている。図5に示すように、光吸収層401は、半導体基板101の表面下面において、フォトダイオード21が設けられた部分を被覆するように設けられている。光吸収層401は、半導体基板101の表面下面において、転送トランジスタ22などの画素トランジスタTrが設けられた部分には、設けられていない。光吸収層401は、垂直方向yに並ぶ画素Pの間において一体で連結するように設けられている。また、光吸収層401は、図5に示すように、同層に設けられた各トランジスタ22~25のゲート電極図3の22Gなどとの間のギャップの幅Dが、0.1μm以上になるように形成されている。これにより、各トランジスタ22~25のゲート電極との間で、電気的な悪影響が及ぶことを防止できる。光吸収層401は、被写体像として入射する入射光Hのうち、フォトダイオード21を透過した光を吸収するように構成されている。つまり、光吸収層401は、半導体基板101の裏面上面側から入射した入射光Hのうち、フォトダイオード21で吸収された光以外の光が透過して配線層111へ入射する前に、その透過した光を吸収して遮光するように設けられている。具体的には、光吸収層401は、単結晶シリコンからなる半導体基板101よりも、光吸収係数が大きな材料を用いて形成されている。たとえば、光吸収層401は、アモルファスシリコンを用いて形成されている。なお、図5では、反射防止膜301について図示していないが、光吸収層401と同様な平面形状で形成されている。g配線層111について固体撮像装置1において、配線層111は、図3に示すように、半導体基板101の表面下面に設けられている。図3に示すように、配線層111は、配線111hと絶縁層111zとを含む。配線層111は、いわゆる多層配線層であり、絶縁層111zを構成する層間絶縁膜と配線111hとが交互に複数回積層されて形成されている。たとえば、配線111hは、アルミニウムなどの金属材料を用いて形成されている。また、たとえば、絶縁層111zは、シリコン酸化物などの絶縁材料を用いて形成されている。配線層111は、絶縁層111z内において、配線111hが各素子に電気的に接続するように形成されている。たとえば、配線層111は、各配線111hが画素トランジスタTrと電気的に接続されている。各配線111hは、図4,図5に示すように、コンタクトCONを介して、転送トランジスタ22と増幅トランジスタ23と選択トランジスタ24とリセットトランジスタ25とのそれぞれと電気的に接続されている。つまり、配線111hは、図6で示した、転送線26,アドレス線28,垂直信号線27,リセット線29などの各配線として機能するように、複数が絶縁層111zを介して積層して形成されている。また、各配線111hは、光吸収層401との間のギャップの幅が、0.1μm以上になるように形成されている。これにより、各配線111hと光吸収層401との間で、電気的な悪影響が及ぶことを防止できる。そして、配線層111において、半導体基板101が位置する側に対して反対側の面には、支持基板SSが設けられている。たとえば、厚みが数百μmのシリコン半導体からなる基板が、支持基板SSとして設けられている。B製造方法上記の固体撮像装置1を製造する製造方法の要部について説明する。図9,図10は、実施形態1において、固体撮像装置の製造方法を示す図である。各図は、図3と同様に、断面を示している。本実施形態では、各図に示す工程a~dを順次経て、図3等に示した固体撮像装置1について製造をする。各工程の詳細について、順次、示す。aフォトダイオード21などの形成まず、図9aに示すように、フォトダイオード21などの部材を形成する。ここでは、単結晶シリコン半導体からなる半導体基板101の表面図9では上面から不純物をイオン注入することで、フォトダイオード21等の各部を形成する。具体的には、半導体基板101の内部に、p型半導体領域101pa,101pb,101pcと、n型半導体領域101nとを形成する。b転送トランジスタ22などの形成つぎに、図9bに示すように、転送トランジスタ22などの部材を形成する。ここでは、たとえば、熱酸化法によって、半導体基板101の表面上面の全体にシリコン酸化膜を成膜することで、ゲート絶縁膜110を設ける。そして、ゲート絶縁膜110の表面上面にゲート電極22Gを形成する。ゲート電極22Gの形成においては、たとえば、下記の条件で、導電性の材料を成膜することで、導電層図示無しを設ける。その後、その導電層図示無しについてパターン加工することで、ゲート電極22Gを形成する。材料:ポリシリコン厚み:100~300nm成膜方法:CVD法転送トランジスタ22以外の他の各トランジスタ23~25についても、この転送トランジスタ22と同様にして、ゲート電極を形成する。そして、各トランジスタ22~25のソースドレインについて形成する。このようにして、画素トランジスタTrを半導体基板101の表面下面に設ける。c反射防止膜301,光吸収層401の形成つぎに、図10cに示すように、反射防止膜301と光吸収層401とを形成する。ここでは、ゲート絶縁膜110の表面上面に反射防止膜301を形成する。そして、反射防止膜301の表面上面に光吸収層401を形成する。反射防止膜301については、光学的干渉作用によって反射防止機能が発現されるように、材料および膜厚を、適宜、選択して形成する。ここでは、反射防止膜301は、絶縁材料であって、屈折率がゲート絶縁膜110を形成する材料と、光吸収層401を形成する材料との間の材料を用いて形成されている。たとえば、反射防止膜301については、屈折率n0が、下記の関係を満たすものを用いることが好適である。これにより、波長λの入射光を干渉で打ち消すことが可能であるので、好適に、反射防止機能を発現できる。ここで、n1は、反射防止膜301の下方に位置する光吸収層401の屈折率である。n2は、反射防止膜301の下方に位置する半導体基板101Siの屈折率n2=4.2である。n2-n02/n2n02=n0-n12/n0n12つまり、光吸収層401がa-Siであって、その屈折率n1=1.4~3.5が、たとえば、3.0であり、ゲート絶縁膜110がシリコン酸化物n2=1.4である場合には、反射防止膜301の屈折率n0が約2.0の材料を用いて形成する。また、反射防止膜301について、屈折率がn0の材料を用いた場合には、厚みdが下記の関係を満たすように、反射防止膜301を形成することが好適である。d=λ/2×n0×m1/2m=0,1,2,つまり、光吸収層401の形成材料の屈折率n1が2.0であって、たとえば、波長λが800nmの光が反射することを防止するためには、上記の式より、厚みdが100nmm=0などになるように、反射防止膜301を形成する。この他に、厚みdが、300nmm=1,500nmm=2になるように、反射防止膜301を形成してもよい。また、たとえば、下記の条件で材料を成膜後、パターン加工することで、光吸収層401を形成する。材料:アモルファスシリコン厚み:50~1000nm成膜方法:CVD法d配線層111の形成つぎに、図10dに示すように、配線層111を形成する。ここでは、光吸収層401などの部材が設けられた半導体基板101の表面上面を被覆するように、配線層111を形成する。eその他の部材の形成そして、図3に示すように、配線層111の表面図3では下面,図9では上面に支持基板SSを貼り合わせる。この後、半導体基板101について薄膜化処理を実施する。たとえば、半導体基板101の厚みが2.0~10μmになるように、半導体基板101の裏面上面について、化学機械研磨CMP処理を実施する。なお、SOI基板図示無しの半導体層にフォトダイオード21,画素トランジスタTr等の部材を形成し、上記と同様に、配線層111,支持基板SSを設けた後に、薄膜化処理を実施しても良い。そして、図3に示すように、遮光層122,カラーフィルタCF,マイクロレンズMLについて形成する。このように各工程を順次実施することで、裏面照射型のCMOS型イメージセンサを完成させる。なお、転送トランジスタ22などの画素トランジスタTrの形成と、反射防止膜301,光吸収層401の形成とについては、逆の工程順でも、良い。Cまとめ以上のように、本実施形態では、入射光Hを受光して信号電荷を生成するフォトダイオード21が、半導体基板101に設けられている。このフォトダイオード21は、入射光Hにおいて可視光域の光を受光して信号電荷を生成するように形成されている。また、半導体基板101において入射光Hが入射する裏面上面に対して反対側の表面下面の側には、フォトダイオード21で生成された信号電荷を電気信号として出力する画素トランジスタTrが設けられている。そして、画素トランジスタTrに接続された配線111hを含む配線層111が、半導体基板101の表面において画素トランジスタTrを被覆するように設けられている図3参照。この裏面照射型の固体撮像装置1では、上方から入射した入射光Hが半導体基板101を透過する場合がある。そして、この半導体基板101を透過した入射光Hが、配線層111を構成する配線111hで反射され、再度、半導体基板101のフォトダイオード21へ入射する場合がある。このため、その再入射した光によってフォトダイオード21で信号電荷が生成される場合があるので、出力する信号にノイズが含まれることになり、撮像画像の画像品質が低下する場合がある。しかし、本実施形態では、半導体基板101の表面下面側には、光吸収層401が設けられている。ここでは、光吸収層401は、半導体基板101の表面下面においてフォトダイオード21が設けられた部分と、配線層111との間に介在しており、入射光Hのうち、フォトダイオード21を透過した光を吸収するように設けられている図3参照。本実施形態では、光吸収層401は、アモルファスシリコンで形成されている。アモルファスシリコンは、半導体基板101を構成する単結晶シリコンよりも光吸収係数が、1桁以上高い。具体的には、アモルファスシリコンと、単結晶シリコンとの各光吸収係数は、下記の通りである。また、アモルファスシリコンと、単結晶シリコンとの各基礎吸収端は、下記の通りである。アモルファスシリコンの光吸収係数入射光の波長λが800nmのとき、200cm-1入射光の波長λが650nmのとき、8000cm-1入射光の波長λが540nmのとき、60000cm-1単結晶シリコンの光吸収係数入射光の波長λが800nmのとき、1300cm-1入射光の波長λが650nmのとき、4500cm-1入射光の波長λが540nmのとき、10000cm-1アモルファスシリコンの基礎吸収端:690nmバンドギャップ1.8eV単結晶シリコンの基礎吸収端:1100nmバンドギャップ1.12eVこのため、光吸収層401が、たとえば、600nmの膜厚である場合には、配線での反射による赤色光の受光部への反射量を、光吸収層が無い場合に対して、1/10以下に減衰させることができる。このように、光吸収層401は、半導体基板101よりも可視光域の光について多く吸収するように形成されている。よって、光吸収層401は、半導体基板101を介して配線層111へ向かう透過光を、配線層111への入射前に吸収する。したがって、本実施形態では、透過光が配線層111の配線111hで反射されることを防止可能であるので、撮像画像の画像品質を向上できる。また、本実施形態では、半導体基板101の表面下面と、光吸収層401との間に、反射防止膜301が設けられている。このため、半導体基板101の表面下面と、光吸収層401との界面で、半導体基板101を透過した入射光Hが反射することを抑制できる。よって、光吸収層401での光吸収が、高効率で実施されるので、さらに、撮像画像の画像品質を向上できる。D変形例D-1変形例1-1上記の実施形態では、光吸収層401に関して、ノンドープなアモルファスシリコンを用いて形成する場合について説明したが、これに限定されない。他の材料を用いて、光吸収層401を形成しても良い。純粋なアモルファスシリコンの場合、バンドギャップは、1.4~1.8eV程度である。バンドギャップが、1.8eVのとき、基礎吸収端は、約690nmである。このため、光吸収層401がアモルファスシリコンの場合には、赤外領域の光のように長波長な光の吸収が大きくない。そして、単結晶シリコンでは、短波長の光は、その入射した表面の近傍で吸収されるが、長波長の光は、深い部分まで到達する。よって、単結晶シリコンからなる半導体基板101を透過した長波長な光が、配線層111へ入射し、配線111hで反射されることによって、撮像画像の画像品質が低下する場合がある。しかし、たとえば、アモルファスシリコンにGeなどをドープしたものを用いて、光吸収層401を形成することで、単結晶シリコンのバンドギャップ1.1eVに近づき、基礎吸収端を、より長波長にすることができる。この場合には、たとえば、下記の条件になるように、光吸収層401を形成することが好適である。Geをドープする場合アモルファスシリコン中のGe濃度:たとえば、10~30at.このときの基礎吸収端は、バンドギャップ1.4eVのとき、890nm、光吸収係数は、波長が800nmのときが、10000cm-1,波長が、650nmのときは、60000cm-1この他に、微結晶シリコンを用いて、光吸収層401を形成しても、上記と同様に、基礎吸収端を、より長波長にすることができる。この場合には、たとえば、下記の条件になるように、光吸収層401を形成することが好適である。微結晶シリコンを用いる場合結晶粒径:4~100nm厚み:50~1000nm微結晶シリコンの光吸収係数入射光の波長λが800nmのとき、1300cm-1入射光の波長λが650nmのとき、6000cm-1入射光の波長λが540nmのとき、20000cm-1微結晶シリコンの基礎吸収端:1100nmバンドギャップ1.12eVしたがって、本変形例では、さらに撮像画像の画像品質を向上可能である。なお、本変形例で挙げた材料は、半導体素子製造設備で容易に作成可能であるので、設備投資や製造コストへの影響が小さい。D-2変形例1-2図11は、実施形態1の変形例において、固体撮像装置の要部を示す図である。図11は、図5と同様に、固体撮像装置において、図3に示す半導体基板101の表面下面側を示す図である。図11に示すように、光吸収層401にコンタクト401Cを設けても良い。つまり、光吸収層401と配線層111の配線111h図3参照との間を、コンタクト401Cで電気的に接続するように構成しても良い。この場合には、光吸収層401について、導電性を有するように、たとえば、微結晶シリコンにBをドープして形成することが好適である。そして、半導体基板101の表面下面において暗電流が発生することを抑制するように、その接続した配線111hを介して、光吸収層401に電圧を印加する。本変形例では、たとえば、-2.7~-1.0Vの負電圧を印加する。ここでは、信号電荷の蓄積動作、読出し動作、リセット動作の全動作図8のt1~t5に渡って、負電荷を印加する。これにより、ホールが、半導体基板101の表面下面付近に蓄積される。このため、半導体基板101の表面下面において、界面のダングリングボンドに起因して暗電流が発生することを抑制できる。なお、信号電荷の読出し動作図8のt4~t5の際には、光吸収層401に正電圧を一時的に印加しても良い。この場合には、読出し時に転送トランジスタ22のゲートへ印加する正電圧たとえば、3.3Vまたは2.7Vよりも低い値の正電圧たとえば、1.0Vを印加する。これにより、蓄積された信号電荷が、光吸収層401によって、半導体基板101の表面下面側へ近づくので、信号電荷の読出しを効率的に実施できるたとえば、特許文献3参照。したがって、本変形例では、さらに撮像画像の画像品質を向上可能である。<2.実施形態2>A装置構成図12,図13は、実施形態2において、固体撮像装置の要部を示す図である。図12は、図3と同様に、断面を示す図である。そして、図13は、図5と同様に、固体撮像装置において、図12に示す半導体基板101の表面下面側を示す図である。図12では、図13に示すX1-X2部分の断面を模式的に示している。図13では、半導体基板101の下面において、支持基板SSと配線層111とを除いた場合を示している。なお、各図においては、図示の都合で、各部の形状幅などを各図の間で適宜変更している。図12,図13に示すように、本実施形態においては、反射防止膜301bと、光吸収層401bとが、実施形態1と異なる。これらの点、および、これらに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する部分については、適宜、記載を省略する。反射防止膜301bは、図12に示すように、ゲート絶縁膜110を介して、半導体基板101の表面下面に設けられている。しかし、本実施形態では、反射防止膜301bは、図12に示すように、実施形態1の場合図3などを参照と異なり、転送トランジスタ22のゲート電極22Gを被覆するように設けられている。そして、反射防止膜301bは、転送トランジスタ22のゲート電極22Gが設けられた半導体基板101の表面下面を平坦化するように、設けられている。つまり、反射防止膜301bは、図12に示すように、ゲート電極22Gよりも厚みが厚くなるように形成されている。たとえば、上記した式に基づいて、光吸収層401の厚みdが、300nmm=1,500nmm=2になるように、反射防止膜301を形成する。光吸収層401bは、図12に示すように、ゲート絶縁膜110と反射防止膜301bとを介して、半導体基板101の表面下面に設けられている。しかし、本実施形態では、光吸収層401bは、図12に示すように、さらに、反射防止膜301bの表面下面において、転送トランジスタ22のゲート電極22Gを被覆するように設けられている。つまり、光吸収層401bは、ゲート電極22Gと同層に設けられていない。図13に示すように、光吸収層401bは、半導体基板101の表面下面の全体において、コンタクトCONが設けられた部分以外の部分を被覆するように設けられている。つまり、光吸収層401bは、半導体基板101の表面下面を被覆しており、コンタクトCONが設けられた部分に開口が設けられている。光吸収層401は、水平方向xおよび垂直方向yに並ぶ画素Pの間において一体で連結するように設けられている。Bまとめ以上のように、本実施形態では、実施形態1の場合と同様に、半導体基板101の表面下面側には、光吸収層401が設けられている。よって、半導体基板101を介して配線層111へ向かう透過光を、光吸収層401が配線層111への入射前に吸収する。したがって、本実施形態では、透過光が配線層111の配線111hで反射されることを防止可能であるので、撮像画像の画像品質を向上できる。なお、実施形態1において示した各変形例を、本実施形態に適用しても好適である。<3.その他>本技術の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。上記の実施形態においては、カメラに本技術を適用する場合について説明したが、これに限定されない。スキャナーやコピー機などのように、固体撮像装置を備える他の電子機器に、本技術を適用しても良い。上記の実施形態では、転送トランジスタと増幅トランジスタと選択トランジスタとリセットトランジスタとの4種を、画素トランジスタとして設ける場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、転送トランジスタと増幅トランジスタとリセットトランジスタとの3種を、画素トランジスタとして設ける場合に適用しても良い。上記の実施形態では、1つのフォトダイオードに対して、転送トランジスタと増幅トランジスタと選択トランジスタとリセットトランジスタとのそれぞれを1つずつ設ける場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、複数のフォトダイオードに対して、増幅トランジスタと選択トランジスタとリセットトランジスタのそれぞれを1つずつ設ける場合に適用しても良い。また、CMOS型イメージセンサの他に、CCD型イメージセンサに本技術を適用しても良い。また、上記の実施形態では、反射防止膜301,301bを設ける場合について説明したが、これに限定されない。反射防止膜301,301bについては、設けなくても良い。その他、上記の各実施形態を、適宜、組み合わせても良い。つまり、本技術は、下記のような構成も取ることができる。1半導体基板の内部に設けられており、前記半導体基板の一方の面から入射した入射光を受光する光電変換部と、前記半導体基板の他方の面に設けられている配線層とを有し、前記半導体基板の他方の面と前記配線層との間には、前記入射光において前記光電変換部を透過した透過光を吸収する光吸収層が設けられている、固体撮像装置。2前記半導体基板の他方の面と前記配線層との間に、反射防止層が設けられている、上記1に記載の固体撮像装置。3前記光吸収層は、前記半導体基板より光吸収係数が大きい材料で形成されている、上記1または2に記載の固体撮像装置。4前記半導体基板は、単結晶シリコンによって形成されており、前記光吸収層は、アモルファスシリコンによって形成されている、上記1または2に記載の固体撮像装置。5前記半導体基板は、単結晶シリコンによって形成されており、前記光吸収層は、ゲルマニウムがドープされたアモルファスシリコンによって形成されている、上記1または2に記載の固体撮像装置。6前記半導体基板は、単結晶シリコンによって形成されており、前記光吸収層は、微結晶シリコンによって形成されている、上記1または2に記載の固体撮像装置。7前記光吸収層は、前記半導体基板の他方の面において暗電流の発生を抑制するように、電圧が印加される、上記1または2に記載の固体撮像装置。前記半導体基板の他方の面に設けられており、前記光電変換部にて生成された信号電荷を電気信号として出力する画素トランジスタを有し、前記配線層は、前記半導体基板の他方の面に前記画素トラジスタを介して設けられている、上記1から6のいずれかに記載の固体撮像装置。8半導体基板の一方の面から入射した入射光を受光する光電変換部を、前記半導体基板の内部に設ける工程と、前記入射光において前記光電変換部を透過した透過光を吸収する光吸収層を、前記半導体基板の他方の面に設ける工程と、前記光吸収層が設けられた前記半導体基板の他方の面を覆うように、配線層を設ける工程とを有する、固体撮像装置の製造方法。9半導体基板の内部に設けられており、前記半導体基板の一方の面から入射した入射光を受光する光電変換部と、前記半導体基板の他方の面に設けられている配線層とを有し、前記半導体基板の他方の面と前記配線層との間には、前記入射光において前記光電変換部を透過した透過光を吸収する光吸収層が設けられている、電子機器。なお、上記の実施形態において、フォトダイオード21は、光電変換部の一例である。また、上記の実施形態において、カメラ40は、電子機器の一例である。"