"液体を吐出するノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層と前記圧電体層に設けられた共通電極および個別電極を備えた圧電素子と、前記圧電素子を駆動する駆動信号を前記圧電素子に供給する駆動手段と、を有する液体噴射装置であって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、前記チタンと前記バリウムのモル比Ti/Baが1より大きく、前記共通電極を基準電位とした際の前記個別電極に供給される駆動信号において、待機状態で印加される電圧である第1の電圧を印加する工程と、前記第1の電圧の印加状態から前記第1の電圧と逆極性の電圧である第2の電圧を印加する工程と、前記第2の電圧の印加状態から前記第1の電圧と同じ極性で該第1の電圧より大きい第3の電圧を印加して液体を吐出する吐出工程と、を有することを特徴とする液体噴射装置。前記第1の電圧が正の電圧であり、前記第2の電圧の絶対値が前記第3の電圧と前記第2の電圧との差に対して10以上であることを特徴とする請求項1に記載する液体噴射装置。前記第3の電圧と前記第2の電圧との差が、40V以上であることを特徴とする請求項1または2に記載する液体噴射装置。前記圧電素子が、前記個別電極、前記圧電体層及び前記共通電極を順に積層して形成されたものであり、前記第1の電圧が負の電圧であることを特徴とする請求項1に記載する液体噴射装置。しかしながら、このような非鉛又は鉛の含有量を抑えた複合酸化物からなる圧電体層は、耐久性が悪いため、変位量が経時低下してしまうという問題があった。なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドだけではなく、勿論、インク以外の液滴を吐出する他の液体噴射ヘッドにおいても同様に存在する。本発明はこのような事情に鑑み、環境負荷が小さく且つ耐久性に優れる液体噴射装置を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の態様は、液体を吐出するノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層と前記圧電体層に設けられた共通電極および個別電極を備えた圧電素子と、前記圧電素子を駆動する駆動信号を前記圧電素子に供給する駆動手段と、を有する液体噴射装置であって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、前記チタンと前記バリウムのモル比Ti/Baが1より大きく、前記共通電極を基準電位とした際の前記個別電極に供給される駆動信号において、待機状態で印加される電圧である第1の電圧を印加する工程と、前記第1の電圧の印加状態から前記第1の電圧と逆極性の電圧である第2の電圧を印加する工程と、前記第2の電圧の印加状態から前記第1の電圧と同じ極性で該第1の電圧より大きい第3の電圧を印加して液体を吐出する吐出工程と、を有することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなりチタンとバリウムのモル比Ti/Baが1より大きい、すなわちTiを過剰に含む圧電体層を有し且つ所定の駆動信号を供給するため、耐久性に優れる。したがって、変位量の経時低下を抑制できる。そして、前記第1の電圧が正の電圧であり、前記第2の電圧の絶対値が前記第3の電圧と前記第2の電圧との差に対して10以上であってもよい。これによれば、個別電極に供給される駆動信号は、正の電圧である第1の電圧を印加する工程と、第1の電圧の印加状態から負の電圧である第2の電圧を印加する工程と、該第2の電圧の印加状態から第1の電圧より大きい正の電圧である第3の電圧を印加して液体を吐出する吐出工程とを有し、第2の電圧の絶対値が第3の電圧と第2の電圧との差に対して10以上である液体噴射装置、すなわち、絶対値の大きい負の電圧第2の電圧を印加する駆動信号を供給する液体噴射装置としても、耐久性に優れ、変位量の経時低下を抑制できる。また、前記第3の電圧と前記第2の電圧との差が、40V以上であってもよい。これによれば、振幅が40V以上という高い電圧を印加する駆動信号を供給しても、耐久性に優れるため、変位量の経時低下を抑制でき、また、圧電素子の破壊も抑制できる。そして、前記圧電素子が、前記個別電極、前記圧電体層及び前記共通電極を順に積層して形成されたものであり、前記第1の電圧が負の電圧であってもよい。このような駆動信号を供給する液体噴射ヘッドであっても、耐久性に優れるため変位量の経時低下を抑制できる。実施形態1図1は、本発明にかかる液体噴射装置の一例であるインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図1に示すように、インクジェット式記録装置IIにおいて、インクジェット式記録ヘッドを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動可能に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。ここで、このようなインクジェット式記録装置IIに搭載されるインクジェット式記録ヘッドについて、図2~図4を参照して説明する。なお、図2は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図3は、図2の平面図であり、図4は図3のA-A′線断面図である。図2~図4に示すように、本実施形態の流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のマニホールド部31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設けられていることになる。また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、例えば厚さ30~50nm程度の酸化チタン等からなり、弾性膜50等の第1電極60の下地との密着性を向上させるための密着層56が設けられている。本実施形態においては、密着層56として酸化チタンを用いたが、密着層56の材質は第1電極60とその下地の種類等により異なるが、例えば、ジルコニウム、アルミニウムを含む酸化物や窒化物や、SiO2、MgO、CeO2等とすることができる。なお、弾性膜50上に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が設けられていてもよい。さらに、この密着層56上には、第1電極60と、厚さが3μm以下、好ましくは0.3~1.5μmの薄膜である圧電体層70と、第2電極80とが、積層形成されて、圧力発生室12に圧力変化を生じさせる圧力発生手段としての圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成し、個別電極とする。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び必要に応じて設ける絶縁体膜が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50や密着層56を設けなくてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。そして、圧電体層70は、少なくともビスマスBi、バリウムBa、鉄Fe、及びチタンTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、TiとBaのモル比Ti/Baが1より大きいものである。このような組成からなる複合酸化物とし、詳しくは後述するが、待機状態で印加される電圧である第1の電圧を印加する工程と、第1の電圧の印加状態から該第1の電圧とは逆極性の電圧である第2の電圧を印加する工程と、第2の電圧の印加状態から第1の電圧と同じ極性で第1の電圧より大きい第3の電圧を印加して液体を吐出する吐出工程とを有する駆動信号を供給する液体噴射装置とすると、耐久性に優れる。したがって、変位量の経時低下を抑制できる。例えば、30億パルスを印加した後の変位量の低下率を、5以下にすることができる。また、第3の電圧と第2の電圧との差である振幅が40V以上、さらには45V以上という高い電圧を印加する駆動信号を供給しても、耐久性に優れるため、変位量の経時低下を抑制でき、また、圧電素子の破壊も抑制できる。なお、Bi、Ba、Fe、Tiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70を有する液体噴射ヘッドは、一般的に耐久性が不十分で変位量の経時低下が大きいが、本発明のように、Ba/Tiモル比を1より大きくし、且つ、上記所定の駆動信号を供給するようにすることで、耐久性が向上し変位量の経時低下を顕著に抑制することができる。また、圧電体層70を構成する上述した複合酸化物は、BiとBaのモル比Bi/Baが2.3以上4.0以下であるのが好ましい。また、TiとBaのモル比Ti/Baが1.17以上1.45以下とすると、圧電素子のクラックの発生が抑制されるため、好ましい。ここで、圧電体層70を構成する複合酸化物は、上述したように、ペロブスカイト構造、すなわち、ABO3型構造であり、この構造のAサイトは酸素が12配位しており、また、Bサイトは酸素が6配位して8面体オクタヘドロンをつくっている。そして、このペロブスカイト構造のAサイトにBi及びBaを含み、Bサイトに、Fe及びTiを含んでいる。本実施形態にかかる複合酸化物は、例えば、Bi及びBaの総モル量と、Fe及びTiの総モル量との比BiBa:FeTi=1:1のものが挙げられるが、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による組成のずれは勿論、元素の一部置換等も許容される。そして、上述した通り、TiとBaのモル比Ti/Baが1より大きい。また、BiとBaのモル比Bi/Baは、例えば、2.3以上4.0以下であるのが好ましい。このようなペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70の組成は、例えば、下記一般式で表すことができる。ここで、一般式1の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による組成のずれは勿論、元素の一部置換等も許容される。Bi1-a,BaaFe1-b,TibO31式1において、a及びbの値は、b/a>1を満たすものであればよく、さらに1-a/aが2.3以上4.0以下を満たすものや、b/a>1.2を満たすものが好ましい。また、圧電体層70を構成する複合酸化物は、所望の特性を向上させるためにBi、Fe、Ba及びTi以外の元素を含んでいてもよい。他の元素としては、例えば、Mn、Coが挙げられ、Mn及びCoの両方を含むものであってもよい。勿論、他の元素を含む複合酸化物である場合も、ペロブスカイト構造を有する必要がある。圧電体層70が、MnやCoを含む場合、MnやCoはBサイトに位置し、MnやCoが上記Bサイトに存在するFeの一部を置換した構造の複合酸化物であると推測される。例えば、Mnを含む場合、圧電体層70を構成する複合酸化物は、基本的な特性はBi、Fe、Ba及びTiからなるペロブスカイト構造を有する複合酸化物と同じであるが、リーク特性が向上するものである。具体的には、リークの発生が抑制される。また、Coを含む場合も、Mn同様にリーク特性が向上するものである。また、Mn及びCoを例として説明したが、その他Cr、Ni、Cu等の遷移金属元素を含む場合や、前記の遷移金属元素を2種以上同時に含む場合にも同様にリーク特性が向上することがわかっており、これらも圧電体層70とすることができ、さらに、特性を向上させるため公知のその他の添加物を含んでもよい。かかる複合酸化物の場合は、例えば、Aサイト元素の総モル量と、Bサイト元素の総モル量との比Aサイト元素の総モル量:Bサイト元素の総モル量=1:1のものが挙げられるが、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による組成のずれは勿論、元素の一部置換等も許容される。このようなBi、Fe、Ba及びTiに加えて、Mn、Co、及びその他の遷移金属元素のうち1以上を含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70は、例えば、下記一般式2で表される混晶である。なお一般式2において、Mは、Mn、Co、Cr、Ni、Cu等の遷移金属元素である。ここで、一般式2の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による組成ずれは許容される。Bi1-a,BaaFe1-b-c,Mc,TibO32式2において、a及びbの値は、b/a>1を満たすものであればよく、1-a/aが2.3以上4.0以下を満たすものや、b/a>1.2を満たすものが好ましい。また、cは、0以上0.09以下であり、好ましくは0.01以上0.05以下であるのが好ましい。また、圧電体層70は、ペロブスカイト構造を有するその他の化合物、例えば、BiZn,TiO3、Bi,KTiO3、Bi,NaTiO3、Li,Na,KTa,NbO3等を含有していてもよい。本実施形態では、圧電体層70は、Bi、Ba、Fe、Mn及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、下記一般式3で表されるものとした。ただし、一般式3の記述は化学量論に基づく組成表記であり、ペロブスカイト構造を取り得る限り、元素拡散、格子不整合、酸素欠損等による組成ずれは許容される。Bi1-a,BaaFe1-b-c,Mnc,TibO33式3において、a及びbの値は、b/a>1を満たすものであればよく、1-a/aが2.3以上4.0以下を満たすものや、b/a>1.2を満たすものが好ましい。また、cは、0以上0.09以下であり、好ましくは0.01以上0.05以下であるのが好ましい。なお、本実施形態の圧電体層70は、110面、100面、111面のいずれに配向していてもよく、特に限定されるものではない。このような圧電素子300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、弾性膜50上や必要に応じて設ける絶縁体膜上にまで延設される、例えば、金Au等からなるリード電極90が接続されている。このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、弾性膜50や必要に応じて設ける絶縁体膜及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、マニホールド部31のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材例えば、弾性膜50、必要に応じて設ける絶縁体膜等にマニホールド100と各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号駆動信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法の一例について、図5~図9を参照して説明する。なお、図5~図9は、圧力発生室の長手方向の断面図である。まず、図5aに示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。次いで、図5bに示すように、弾性膜50二酸化シリコン膜上に、酸化チタン等からなる密着層56を、スパッターリング法や熱酸化等で形成する。次に、図6aに示すように、密着層56の上に、白金、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの積層構造等からなる第1電極60をスパッターリング法や蒸着法等により全面に形成する。次に、図6bに示すように、第1電極60上に所定形状のレジスト図示無しをマスクとして、密着層56及び第1電極60の側面が傾斜するように同時にパターニングする。次いで、レジストを剥離した後、この第1電極60上に、圧電体層70を積層する。圧電体層70の製造方法は特に限定されないが、例えば、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層圧電体膜を得るMODMetal-OrganicDecomposition法やゾル-ゲル法等の化学溶液法を用いて圧電体層70を製造できる。その他、レーザーアブレーション法、スパッターリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法、CVD法、エアロゾルデポジション法など、気相法、液相法や固相法でも圧電体層70を製造することができる。圧電体層70を化学溶液法で形成する場合の具体的な形成手順例としては、まず、図6cに示すように、第1電極60上に、金属錯体、例えば、本実施形態においては、Bi、Fe、Ba及びTiを含有する金属錯体を含むMOD溶液やゾルからなる圧電体膜形成用組成物前駆体溶液をスピンコート法などを用いて、塗布して圧電体前駆体膜71を形成する塗布工程。塗布する前駆体溶液は、焼成により圧電体層70を構成する複合酸化物を形成しうる金属錯体、例えば本実施形態においては焼成によりBi、Fe、Ba及びTiを含む複合酸化物を形成しうる金属錯体を混合し、該混合物を有機溶媒に溶解または分散させたものである。また、Mn、CoやCrを含む複合酸化物からなる圧電体層70を形成する場合は、さらに、Mn、CoやCrを有する金属錯体を含有する前駆体溶液を用いる。各金属錯体の混合割合は、各金属が所望のモル比となるように、具体的には、TiとBaのモル比Ti/Baが1より大きく、好ましくはBiとBaのモル比Bi/Baが2.3以上4.0以下の複合酸化物となるように混合すればよい。金属錯体としては、例えば、アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Biを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Feを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄、トリスアセチルアセトナート鉄などが挙げられる。Baを含む金属錯体としては、例えばバリウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸バリウム、バリウムアセチルアセトナートなどが挙げられる。Tiを含有する金属錯体としては、例えばチタニウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸チタン、チタンジ-i-プロポキシドビスアセチルアセトナートなどが挙げられる。Mnを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸マンガン、酢酸マンガンなどが挙げられる。Coを含む有機金属化合物としては、例えば2-エチルヘキサン酸コバルト、コバルトIIIアセチルアセトナートなどが挙げられる。Crを含む有機金属化合物としては、2-エチルヘキサン酸クロムなどが挙げられる。勿論、金属を二種以上含む金属錯体を用いてもよい。また、前駆体溶液の溶媒としては、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、オクタン、デカン、シクロヘキサン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン、酢酸、オクチル酸などが挙げられる。次いで、この圧電体前駆体膜71を所定温度例えば130~200°Cに加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。次に、乾燥した圧電体前駆体膜71を所定温度例えば350~450°Cに加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜71に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を複数回行ってもよい。次に、図7aに示すように、圧電体前駆体膜71を所定温度、例えば600~850°C程度に加熱して、一定時間、例えば、1~10分間保持することによって結晶化させ、Bi、Ba、Fe及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物であって、TiとBaのモル比Ti/Baが1より大きい複合酸化物からなる圧電体膜72を形成する焼成工程。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。次いで、レジストを剥離した後、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の圧電体膜72を形成する。これにより、図7bに示すように複数層の圧電体膜72からなる所定厚さの圧電体層70が形成される。なお、複数の圧電体膜72を形成する際には、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を順に行って積層していってもよいが、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を繰り返し行った後、複数層をまとめて焼成するようにしてもよい。また、本実施形態では、圧電体膜72を積層して設けたが、1層のみでもよい。このように圧電体層70を形成した後は、図8aに示すように、圧電体層70上に白金等からなる第2電極80をスパッターリング法等で形成し、各圧力発生室12に対向する領域に圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして、第1電極60と圧電体層70と第2電極80を有する圧電素子300を形成する。なお、圧電体層70と第2電極80とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト図示なしを介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、600°C~800°Cの温度域でポストアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層70の結晶性を改善することができる。次に、図8bに示すように、流路形成基板用ウェハー110の全面に亘って、例えば、金Au等からなるリード電極90を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン図示なしを介して各圧電素子300毎にパターニングする。次に、図8cに示すように、流路形成基板用ウェハー110の圧電素子300側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハー130を接着剤35を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚さに薄くする。次に、図9aに示すように、流路形成基板用ウェハー110上に、マスク膜52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図9bに示すように、流路形成基板用ウェハー110をマスク膜52を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングウェットエッチングすることにより、圧電素子300に対応する圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15等を形成する。その後は、流路形成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハー130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー110の保護基板用ウェハー130とは反対側の面のマスク膜52を除去した後にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハー130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハー110等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIとする。図10は、このようなインクジェット式記録装置の制御構成例を示すブロック図である。図10を参照して、本実施形態のインクジェット式記録装置の制御について説明する。本実施形態のインクジェット式記録装置は、図10に示すように、プリンターコントローラー511とプリントエンジン512とから概略構成されている。プリンターコントローラー511は、外部インターフェース513以下、外部I/F513というと、各種データを一時的に記憶するRAM514と、制御プログラム等を記憶したROM515と、CPU等を含んで構成した制御部516と、クロック信号を発生する発振回路517と、インクジェット式記録ヘッドIへ供給するための駆動信号を発生する駆動信号発生回路519と、駆動信号や印刷データに基づいて展開されたドットパターンデータビットマップデータ等をプリントエンジン512に送信する内部インターフェース520以下、内部I/F520というとを備えている。外部I/F513は、例えば、キャラクターコード、グラフィック関数、イメージデータ等によって構成される印刷データを、図示しないホストコンピューター等から受信する。また、この外部I/F513を通じてビジー信号BUSYやアクノレッジ信号ACKが、ホストコンピューター等に対して出力される。RAM514は、受信バッファー521、中間バッファー522、出力バッファー523、及び、図示しないワークメモリーとして機能する。そして、受信バッファー521は外部I/F513によって受信された印刷データを一時的に記憶し、中間バッファー522は制御部516が変換した中間コードデータを記憶し、出力バッファー523はドットパターンデータを記憶する。なお、このドットパターンデータは、階調データをデコード翻訳することにより得られる印字データによって構成してある。また、ROM515には、各種データ処理を行わせるための制御プログラム制御ルーチンの他に、フォントデータ、グラフィック関数等を記憶させてある。制御部516は、受信バッファー521内の印刷データを読み出すと共に、この印刷データを変換して得た中間コードデータを中間バッファー522に記憶させる。また、中間バッファー522から読み出した中間コードデータを解析し、ROM515に記憶させているフォントデータ及びグラフィック関数等を参照して、中間コードデータをドットパターンデータに展開する。そして、制御部516は、必要な装飾処理を施した後に、この展開したドットパターンデータを出力バッファー523に記憶させる。さらに、制御部516は、波形設定手段としても機能し、駆動信号発生回路519を制御することにより、この駆動信号発生回路519から発生される駆動信号の波形形状を設定する。かかる制御部516は、後述する駆動回路図示なしなどと共に本発明の駆動手段を構成する。また、インクジェット式記録ヘッドIを駆動する液体噴射駆動装置としては、この駆動手段を少なくとも具備するものであればよく、本実施形態では、プリンターコントローラー511を含むものとして例示してある。そして、インクジェット式記録ヘッドIの1行分に相当するドットパターンデータが得られたならば、この1行分のドットパターンデータは、内部I/F520を通じてインクジェット式記録ヘッドIに出力される。また、出力バッファー523から1行分のドットパターンデータが出力されると、展開済みの中間コードデータは中間バッファー522から消去され、次の中間コードデータについての展開処理が行われる。プリントエンジン512は、インクジェット式記録ヘッドIと、紙送り機構524と、キャリッジ機構525とを含んで構成してある。紙送り機構524は、紙送りモーターとプラテン8等から構成してあり、記録紙等の印刷記憶媒体をインクジェット式記録ヘッドIの記録動作に連動させて順次送り出す。即ち、この紙送り機構524は、印刷記憶媒体を副走査方向に相対移動させる。キャリッジ機構525は、インクジェット式記録ヘッドIを搭載可能なキャリッジ3と、このキャリッジ3を主走査方向に沿って走行させるキャリッジ駆動部とから構成してあり、キャリッジ3を走行させることによりインクジェット式記録ヘッドIを主走査方向に移動させる。なお、キャリッジ駆動部は、上述したように駆動モーター6及びタイミングベルト7等で構成されている。インクジェット式記録ヘッドIは、副走査方向に沿って多数のノズル開口21を有し、ドットパターンデータ等によって規定されるタイミングで各ノズル開口21から液滴を吐出する。そして、このようなインクジェット式記録ヘッドIの圧電素子300には、図示しない外部配線を介して電気信号、例えば、後述する駆動信号COMや記録データSI等が供給される。このように構成されるプリンターコントローラー511及びプリントエンジン512では、プリンターコントローラー511と、駆動信号発生回路519から出力された所定の駆動波形を有する駆動信号を選択的に圧電素子300に入力するラッチ532、レベルシフター533及びスイッチ534等を有する駆動回路図示なしとが圧電素子300に所定の駆動信号を印加する駆動手段となる。なお、これらのシフトレジスターSR531、ラッチ532、レベルシフター533、スイッチ534及び圧電素子300は、それぞれ、インクジェット式記録ヘッドIの各ノズル開口21毎に設けられており、これらのシフトレジスター531、ラッチ532、レベルシフター533及びスイッチ534は、駆動信号発生回路519が発生した吐出駆動信号や緩和駆動信号から駆動パルスを生成する。ここで、駆動パルスとは実際に圧電素子300に印加される印加パルスのことである。このようなインクジェット式記録ヘッドIでは、最初に発振回路517からのクロック信号CKに同期して、ドットパターンデータを構成する記録データSIが出力バッファー523からシフトレジスター531へシリアル伝送され、順次セットされる。この場合、まず、全ノズル開口21の印字データにおける最上位ビットのデータがシリアル伝送され、この最上位ビットのデータシリアル伝送が終了したならば、上位から2番目のビットのデータがシリアル伝送される。以下同様に、下位ビットのデータが順次シリアル伝送される。そして、当該ビットの記録データの全ノズル分が各シフトレジスター531にセットされたならば、制御部516は、所定のタイミングでラッチ532へラッチ信号LATを出力させる。このラッチ信号により、ラッチ532は、シフトレジスター531にセットされた印字データをラッチする。このラッチ532がラッチした記録データLAToutは、電圧増幅器であるレベルシフター533に印加される。このレベルシフター533は、記録データが例えば1の場合に、スイッチ534が駆動可能な電圧値、例えば、数十ボルトまでこの記録データを昇圧する。そして、この昇圧された記録データは各スイッチ534に印加され、各スイッチ534は、当該記録データにより接続状態になる。そして、各スイッチ534には、駆動信号発生回路519が発生した駆動信号COMも印加されており、スイッチ534が選択的に接続状態になると、このスイッチ534に接続された圧電素子300に選択的に駆動信号が印加される。このように、例示したインクジェット式記録ヘッドIでは、記録データによって圧電素子300に吐出駆動信号を印加するか否かを制御することができる。例えば、記録データが1の期間においてはラッチ信号LATによりスイッチ534が接続状態となるので、駆動信号COMoutを圧電素子300に供給することができ、この供給された駆動信号COMoutにより圧電素子300が変位変形する。また、記録データが0の期間においてはスイッチ534が非接続状態となるので、圧電素子300への駆動信号の供給は遮断される。この記録データが0の期間において、各圧電素子300は直前の電位を保持するので、直前の変位状態が維持される。なお、上記の圧電素子300は、撓み振動モードの圧電素子300である。この、撓み振動モードの圧電素子300を用いると、圧電体層70が電圧印加に伴い電圧と垂直方向31方向に縮むことで、圧電素子300および振動板が圧力発生室12側に撓み、これにより圧力発生室12を収縮させる。一方、電圧を減少させることにより圧電体層70が31方向に伸びることで、圧電素子300および振動板が圧力発生室12の逆側に撓み、これにより圧力発生室12を膨張させる。このようなインクジェット式記録ヘッドIでは、圧電素子300に対する充放電に伴って対応する圧力発生室12の容積が変化するので、圧力発生室12の圧力変動を利用してノズル開口21から液滴を吐出させることができる。圧電素子300に入力される本実施形態の駆動信号COMを表す駆動波形について図11を例に説明する。なお、図11は、本実施形態の駆動信号例を示す駆動波形である。ここで、圧電素子300に入力される駆動波形は、共通電極図4等においては第1電極60を基準電位Gndとも記載する。として、個別電極図4等においては第2電極80に印加されるものである。すなわち、駆動波形によって個別電極に印加される電圧は、基準電位Gndを基準としての電位として示される。したがって、図11においては、基準電位Gndより上側が正の電圧であり、基準電位Gndよりも下側が負の電圧となる。本発明において、駆動手段が圧電素子300に供給する駆動信号は、共通電極を基準電位とした際の個別電極に供給される駆動信号が、待機状態で印加される電圧である第1の電圧中間電圧を印加する工程と、この第1の電圧の印加状態から第1の電圧と逆極性の電圧である第2の電圧を印加する工程と、この第2の電圧の印加状態から第1の電圧と同じ極性で第1の電圧より大きい第3の電圧を印加して液体を吐出する吐出工程とを有するものである。このような駆動信号を、Bi、Fe、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなりTi/Baモル比>1である圧電体層70を有する圧電素子300に供給することにより、耐久性に優れたものとなる。このような駆動信号の具体例としては、図11に示すように、第1の電圧が正の電圧であり第2の電圧の絶対値が第3の電圧と第2の電圧との差に対して10以上である駆動信号、すなわち、待機状態で印加される電圧であって正の電圧である第1の電圧を印加する工程と、この第1の電圧の印加状態から負の電圧である第2の電圧を印加する工程と、この第2の電圧の印加状態から第1の電圧より大きい正の電圧である第3の電圧を印加して液体を吐出する吐出工程とを有し、第2の電圧の絶対値が第3の電圧と第2の電圧との差に対して10以上である駆動信号200が挙げられる。詳述すると、このような駆動波形駆動信号は、例えば、図11に示すように、まず、正の電圧である第1の電圧V1を印加して第1の電圧V1で保持して待機状態とするP01。例えば、この第1の電圧V1を圧電体層70の抗電圧以上駆動信号200においては正の抗電圧以上の電圧とすると、このP01工程は圧電体層70を分極状態にする工程となる。なお、抗電圧以上の電圧とは、圧電体層70の分極量-電圧の関係を示すヒステリシスカーブを描いたときの抗電圧の電圧以上の電圧のことをいう。次いで、この第1の電圧V1から負の電圧である第2の電圧V2まで下降させるP02。このP02工程で、圧電素子300が圧力発生室12の容積を膨張させる方向に変形することにより、ノズル開口21内のメニスカスが圧力発生室12側に引き込まれる。そして、第2の電圧V2で保持するP03。次に、この第2の電圧V2から第1の電圧V1より大きい正の電圧である第3の電圧V3まで上昇させるP04。このP04工程で、圧電素子300が圧力発生室12の容積を収縮させる方向に変形することにより、ノズル開口21内のメニスカスが圧力発生室12側から大きく押し出され、ノズル開口21から液滴が吐出される。そして、第3の電圧V3で保持するP05。その後は、再び第1の電圧V1まで下降させてP06、第1の電圧V1で保持するP07。そして、上記駆動信号200においては、負の電圧である第2の電圧V2の絶対値Vdが第3の電圧V3と第2の電圧V2との差振幅ΔVに対して10以上とする。このように、Vd/ΔVが10以上という絶対値の大きい負の電圧を、Bi、Fe、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70を有する圧電素子300に印加すると、後述する試験例に示すように、一般的に耐久性が悪く、変位量が経時低下してしまい、また、高い電圧ΔVを印加すると破壊も生じ易い。しかしながら、本発明においては、Ti/Baモル比>1すなわちTiを過剰に含む圧電体層70とし、駆動波形を上記のものとしているため、絶対値の大きい負の電圧を印加する駆動波形を供給しても、耐久性に優れ、変位量の経時低下を抑制できる。また、第3の電圧V3と第2の電圧V2との差である振幅ΔVが40V以上、さらには45V以上という高い電圧を印加する駆動信号を供給しても、耐久性に優れるため、変位量の経時低下を抑制でき、圧電素子300の破壊も抑制できる。なお、Vd/ΔVが10以上である絶対値の大きい負の電圧を圧電素子300に印加したり、振幅ΔVが大きい電圧を圧電素子300に印加すると、例えば、変位量が大きくなるという効果がある。また、第1電極60を個別電極とし第2電極80を共通電極とし、共通電極を基準電位Gndとして、個別電極に印加される駆動信号を、第1の電圧V1が負の電圧である駆動信号、すなわち、例えば他の駆動信号例を示す図である図12に示すように、待機状態で印加される電圧であって、負の電圧である第1の電圧V1を印加する工程と、この第1の電圧V1の印加状態から正の電圧である第2の電圧V2を印加する工程と、この第2の電圧V2の印加状態から第1の電圧V1より絶対値が大きい負の電圧である第3の電圧V3を印加して液体を吐出する吐出工程とを有する駆動信号200Aを印加してもよい。このような駆動信号200Aを供給するものとしても、耐久性に優れる。第1電極60を個別電極とし第2電極80を共通電極としたインクジェット式記録ヘッドの具体例として、他の例のインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図を図13に、図13の平面図を図14に、図14のA-A′線断面図を図15aに、B-B′線断面図を図15bに示す。なお、図13~図15において、図2~図4と同じ部材に同じ番号を付し、説明は省略する。以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1まず、110に配向した単結晶シリコン基板の表面に熱酸化により膜厚1170nmの二酸化シリコン膜を形成した。次に、二酸化シリコン膜上にRFマグネトロンスパッタ法により膜厚20nmのチタン膜を形成し、熱酸化することで酸化チタン膜を形成した。次に、酸化チタン膜上にRFマグネトロンスパッタ法により膜厚130nmの白金膜を形成して第1電極60とした。また、2-エチルヘキサン酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸鉄、2-エチルヘキサン酸バリウム、2-エチルヘキサン酸チタン、2-エチルヘキサン酸マンガンのn-オクタン溶液を混合し、Bi、Ba、Fe、Mn、Tiのモル比が、Bi:Ba:Fe:Mn:Ti=0.750:0.250:0.668:0.015:0.318となるようにして、前駆体溶液を調整した。次いで、この前駆体溶液を酸化チタン膜及び第1電極60が形成された上記基板上に滴下し、500rpmで5秒間回転後、3000rpmで基板を20秒回転させてスピンコート法により圧電体前駆体膜を形成した塗布工程。次に、ホットプレート上に基板を載せ、180°Cで3分間乾燥した乾燥工程。次いで、ホットプレート上に基板を載せ、350°Cで3分間脱脂を行った脱脂工程。この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を3回繰り返した後に、酸素雰囲気中で、RTARapidThermalAnnealing装置で700°Cで5分間焼成を行った焼成工程。次いで、上記の工程を4回繰り返し、計12回の塗布により全体で厚さ880nmの圧電体層70を形成した。その後、圧電体層70上に、第2電極80としてDCスパッタ法により膜厚100nmの白金膜を形成した後、RTA装置を用いてO2フローのもと700°Cで5分間焼成を行うことで、圧電素子を形成した。比較例1前駆体溶液のBi、Ba、Fe、Mn、Tiのモル比を、Bi:Ba:Fe:Mn:Ti=0.750:0.250:0.713:0.038:0.250とした以外は実施例1と同様の操作を行った。実施例2~17前駆体溶液のBi、Ba、Fe、Mn、Tiのモル比及び焼成温度を表1に示す値とした以外は実施例1と同様の操作を行った。試験例110個の実施例1の圧電素子及び10個の比較例1の圧電素子のそれぞれに、第1電極60を基準電位として、第2電極80に図16に示す駆動波形を連続して30億パルス印加した時の、変位量の変化率を求めた。なお、図16に示す駆動波形において、V1=15.5V、V3=29Vとし、実施例1ではV2=-6V、比較例1ではV2=-5Vとした。そして、変位量の変化率は、破壊していなかった圧電素子について、それぞれ駆動波形を印加する前と、30億パルス印加直後の変位量を測定し、30億パルス印加直後の変位量/駆動波形を印加する前の変位量×100[]として各圧電素子の変位量の変化率を求め、これを平均した値として求めた。また、変位量は、グラフテック社製のレーザードップラー変位計を用い室温で測定した。変位量の変化率について、比較例1の結果を図17に、実施例1の結果を図18に示す。図17及び図18に示すように、Bi、Fe、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなりTiとBaのモル比Ti/Baが1より大きい圧電体層を有する実施例1は、比較例1と比べて顕著に変位量の変化率が小さかった。負の電圧であるV2の絶対値が大きいほど変位量の低下率が高いことが分かっており、実施例1は比較例1よりもV2の絶対値が大きく変位量の低下率が高いことが容易に想定されることに反して、顕著に変位量の変化率が低いことが分かる。また、実施例1及び比較例1とも、30億パルス印加後に破壊していた圧電素子はなかった。試験例2駆動波形をV1=15.5V、V2=-2V、V3=43Vとした以外は、試験例1と同様の試験を行った。また、破壊率を、30億パルス印加後に破壊していた圧電素子の個数/10×100[]として求めた。変位量の変化率について、比較例1の結果を図19に、実施例1の結果を図20に示す。図19及び図20に示すように、Bi、Fe、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなりTiとBaのモル比Ti/Baが1より大きい圧電体層を有する実施例1は、ΔV=45Vの高い電圧を印加した場合の変位量の変化率も、比較例1と比較して、顕著に小さいことが確認された。また、30億パルス印加後の破壊率は、実施例1では0であったのに対し、比較例1は40であった。試験例310個の実施例1の圧電素子及び10個の比較例1の圧電素子のそれぞれに、第2電極80を基準電位として、第1電極60に図21に示す駆動波形を、連続して、30億パルス印加した時、60億パルス印加した時、及び、190億パルス印加した時の変位量の変化率を、それぞれ求めた。なお、図21に示す駆動波形において、V1=-15.5V、V2=2V、V3=-33Vとした。変位量の変化率は、試験例1と同様の方法で求めた。また、破壊率を、90億パルス印加後に破壊していた圧電素子の個数/10×100[]として求めた。変位量の変化率について、比較例1の結果を図22に、実施例1の結果を図23に示す。図22及び図23に示すように、Bi、Fe、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなりTiとBaのモル比Ti/Baが1より大きい圧電体層を有する実施例1は、比較例1と比べて顕著に変位量の変化率が小さかった。また、190億パルス印加後の破壊率は、実施例1では0であったのに対し、比較例1は50であった。試験例3実施例1~17及び比較例1の圧電素子について、BrukerAXS社製のD8Discoverを用い、X線源にCuKα線を使用し、室温で、圧電体層のX線回折パターンを求めた。実施例の回折強度-回折角2θの相関関係を示す図であるX線回折パターンの一例を、図24及び図25に示す。この結果、実施例1~17及び比較例1の全てにおいて、ペロブスカイト構造に起因するピークと、基板由来のピークが観測された。具体的には、ペロブスカイト構造単相からなる圧電体層に起因する100のピークが23°付近に、シリコン基板に起因する110のピークが32°付近に、白金に起因する111のピークが40°付近に確認された。すなわち、図24に示すように、FeとTiの割合を変化させても異相は確認されず、図25に示すように、BiとBaの割合を変化させても異相は確認されず、いずれの圧電体層もペロブスカイト単相であることがわかった。他の実施形態以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。さらに、上述した実施形態では、基板流路形成基板10上に第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を順次積層した圧電素子300を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子を具備する液体噴射装置にも本発明を適用することができる。なお、上記各実施形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを、また液体噴射装置の一例としてインクジェット式記録装置を挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射装置全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射装置にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED電界放出ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられ、かかる液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置にも適用できる。"