積層された複数の部材を含むワークをクランプして、各部材を圧着する圧着装置であって、前記ワークを挟み込んでクランプする上クランパ部および下クランパ部が対向して設けられ、前記上クランパ部は、冷却部および加熱部を有し、前記クランプ面に押し当てられた前記ワークを加熱するように前記冷却部および前記加熱部で温度調節を行い、前記下クランパ部は、支持ブロックおよび当該支持ブロックから起立して並べられた複数の支持ロッドを有して、前記複数の支持ロッドの先端で前記ワークをフローティング支持したまま前記上クランパ部の前記クランプ面に押し当てることを特徴とする圧着装置。請求項1記載の圧着装置において、前記冷却部は、前記上クランパ部のクランプ面と平行に延設され、内部を冷媒が循環する冷却管路を有していることを特徴とする圧着装置。請求項1または2記載の圧着装置において、前記上クランパ部に対して前記下クランパ部を昇降させる押動部と、前記下クランパ部と前記押動部との間に設けられ、前記下クランパ部のクランプ面の平面度を調節するレベリング部と、前記下クランパ部および前記レベリング部が挿入される摺動孔が形成されたガイド部とを備え、前記レベリング部は、前記摺動孔の内壁面に当接して挿入され、前記支持ブロックを載置する載置ブロックと、当該載置ブロックと対向する前記摺動孔の内壁面との間に設けられたスプリング部とを具備し、前記レベリング部が前記スプリング部により前記摺動孔の内壁面に対して前記載置ブロックを押し付けて位置決めしたまま、前記ガイド部が前記載置ブロック上に前記支持ブロックが設けられた前記下クランパ部の昇降をガイドすることを特徴とする圧着装置。請求項1~3のいずれか一項に記載の圧着装置において、対向して設けられ、前記上クランパ部および前記下クランパ部のそれぞれを内包する上シール部および下シール部と、前記上シール部および下シール部が当接して形成した密閉空間内の圧力を調節する圧力調節部とを備え、前記圧力調節部は、前記密閉空間に接続される圧縮機または減圧機の少なくともいずれか一方を有することを特徴とする圧着装置。積層された複数の部材を含むワークを、対向して設けられた上クランパ部および下クランパ部で挟み込んでクランプして、各部材を圧着する圧着方法であって、a前記上クランプ部および下クランパ部の間に前記ワークを搬送し、前記下クランパ部が有する複数の支持ロッドの先端で前記ワークをフローティング支持する工程と、b前記上クランプ部が有する冷却部および加熱部を用いて、前記ワークをクランプしながら所定の温度範囲内で加熱し続ける工程とを含み、前記b工程では、前記加熱部をオン動作させながら、前記上クランパ部のクランプ面側に前記加熱部より近くに設けられた前記冷却部のオン動作およびオフ動作を繰り返すことを特徴とする圧着方法。請求項5記載の圧着方法において、前記b工程では、前記上クランパ部のクランプ面と平行に延設し、内部を冷媒が循環する冷却管路を有する前記冷却部がオフ動作のときに前記冷媒の流動を停止し、前記冷却管路を介してクランプされた前記ワークを前記加熱部により加熱することを特徴とする圧着方法。請求項5または6記載の圧着方法において、前記b工程は、摺動孔内で昇降可能な前記下クランパ部を前記上クランパ部側に上昇させて、前記上クランパ部および前記下クランパ部で前記ワークを挟み込んでクランプする工程を含み、前記摺動孔の対向する内壁面の一方側に接して摺動するスプリング部により、他方側に接して摺動する載置ブロックを押し付けながら、前記載置ブロック上に設けられた前記下クランパ部を上昇させることを特徴とする圧着方法。請求項5、6または7記載の圧着方法において、前記a工程後b工程前に、対向して設けられ、前記上クランパ部および前記下クランパ部のそれぞれを内包する上シール部および下シール部を当接させて密閉空間を形成し、前記密閉空間に対して圧縮または減圧の少なくともいずれか一方の処理を行う工程を含むことを特徴とする圧着方法。電子部品例えば半導体チップを基板例えば配線基板に実装する場合、電子部品の接続端子例えば接続バンプと基板の接続端子例えば接続パッドは、確実に電気的に接続されている必要がある。また、接続端子間を保護し、電気的に分離するために、電子部品と基板との間には絶縁樹脂例えば接着層を設けて接続信頼性を確保する場合もある。なお、接続バンプとしては、例えば、はんだバンプ、金バンプなどの金属バンプが用いられ、また、接続パッドとしては、例えば、銅またはその合金などの金属パッドが用いられる。また、接着層としては、例えば、NCFNonConductiveFilmやNCPNonConductivePasteが用いられる。例えば、接着層を介して配線基板上に複数の半導体チップが積層され、仮圧着仮接合されたワークに対して、配線基板と複数の半導体チップとを一括で本圧着本接合する場合、配線基板の接続パッドと電気的に接続される半導体チップの接続バンプを溶融するまで加熱した後、加圧する必要がある。しかしながら、例えば、接続バンプが溶融するまでの時間より、接着層が硬化するまでの時間の方が短い場合には、接続バンプと接続パッドとが電気的に接続接合される前に接着層が硬化してしまい、接続不良例えば接続端子間の未接続などを起こすおそれがある。また、ワークに対する加熱時間が長くなると、接着層によっては予め混入している微細な空気が加熱により膨張あるいは発泡して、接続不良例えば配線基板から半導体チップの剥離などを引き起こすおそれもある。本発明の目的は、積層された複数の部材の接続信頼性を向上することのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。本発明の一実施形態における圧着装置は、積層された複数の部材を含むワークをクランプして、各部材を圧着する圧着装置であって、前記ワークを挟み込んでクランプする上クランパ部および下クランパ部が対向して設けられ、前記上クランパ部は、冷却部および加熱部を有し、前記クランプ面に押し当てられた前記ワークを加熱するように前記冷却部および前記加熱部で温度調節を行い、前記下クランパ部は、支持ブロックおよび当該支持ブロックから起立して並べられた複数の支持ロッドを有して、前記複数の支持ロッドの先端で前記ワークをフローティング支持したまま前記上クランパ部の前記クランプ面に押し当てるものである。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりである。この一実施形態によれば、積層された複数の部材の接続信頼性を向上することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。本実施形態における圧着装置は、積層された複数の部材を含むワークを、対向して設けられた上クランパ部および下クランパ部で挟み込んでクランプして、各部材を圧着する。まず、本実施形態におけるワークについて図6~図8を参照して説明する。図6~図8にクランプ前からクランプ後の状態のワークWの要部を示す。ワークWは、積層された複数の部材として、配線基板2上に半導体チップ3が積層されたものである。配線基板2上には複数の半導体チップ3が整列して設けられているが、図6~図8では、説明を明解にするために、要部として配線基板2上の一つの半導体チップ3を示している。図6に示すワークWは、絶縁層8例えばソルダレジストから露出する複数の接続パッド5例えば銅パッドと対応する複数の接続バンプ6例えばはんだバンプとが位置合わせされて、配線基板2上に接着層4例えばNCFまたはNCPを介して半導体チップ3が仮圧着仮接合された状態である。図7に示すワークWは、対応する接続パッド5と接続バンプ6とが当接した状態である。図8に示すワークWは、対応する接続パッド5と接続バンプ6とが電気的に接合フリップチップ接合されて、配線基板2上に接着層4を介して半導体チップ3が圧着された状態である。次に、本実施形態における圧着装置を図1~図3などを参照して説明する。図1~図3に一連の動作状態の圧着装置1を示す。圧着装置1は、上下方向型開閉方向に対向して設けられワークWを挟み込む上型11および下型12を含んで構成されている。上型11が可動プラテン13の中央部に固定して組み付けられ、下型12が固定プラテン14の中央部に固定して組み付けられている。可動プラテン13および固定プラテン14は、それぞれの外周部で複数のタイバー15によって接続され、例えば可動プラテン13および固定プラテン14が矩形板状であればその四隅で接続されている。また、固定プラテン14はタイバー15に固定され、可動プラテン13はタイバー15で摺動されるように構成されている。また、可動プラテン13および固定プラテン14は、互いに対向する面の平行度が保たれるように構成されている。なお、これら可動プラテン13、固定プラテン14およびタイバー15で構成される筐体部はダイセットとも呼ばれる。可動プラテン13は、駆動部19例えば、シリンダにより昇降可能上下動可能である。これにより、下型12に対して上型11が昇降可能となる。可動プラテン13および固定プラテン14の上下の位置関係により、上型11および下型12が離間して型開きした状態で、上型11および下型12の間にワークWが供給搬入される図1参照。また、上型11および下型12が近接して型閉じした状態では、密閉空間16チャンバが形成される図2、図3参照。なお、可動プラテン13および固定プラテン14の互いに対向する面の平行度が保たれているので、上型11および下型12も、互いに対向する面の平行度が保たれるように構成される。このような上型11において、圧着装置1は、上クランパ部27と、上シール部42とを備えている。また、下型12において、圧着装置1は、下クランパ部28と、レベリング部29と、押動ブロック30押動部と、ガイド部26と、下シール部43とを備えている。さらに、圧着装置1は、上型11および下型12の外部に、圧力調節部47を備えている。上クランパ部27および下クランパ部28は、対向して設けられ、本実施形態では、上クランパ部27に対して下クランパ部28が昇降可能となるような構成とし、上クランパ部27および下クランパ部28でワークWを挟み込んでクランプするものである。下クランパ部28は、押動ブロック30の下方に設けられたエアシリンダ等で構成される駆動部図示せずにより昇降可能である。上シール部42および下シール部43は、対向して設けられ、互いが当接して密閉空間16図2、図3参照を形成するものである。この上シール部42および下シール部43は、上クランパ部27および下クランパ部28のそれぞれを内包して具備している。また、下シール部43は、レベリング部29、押動ブロック30およびガイド部26を内包して具備している。押動ブロック30は、上クランパ部27に対して下クランパ部28を昇降上下動する際に不図示の駆動部によって押し上げられる。また、レベリング部29は、下クランパ部28と押動ブロック30との間に設けられ、後述するスペーサブロック22の下面や上ベースブロック21のクランプ面27aに対して下クランパ部28のクランプ面28aを平行に維持しながらスムーズに昇降させるために設けられている。また、ガイド部26は、下クランパ部28が昇降する際のガイドをするものである。また、圧力調節部47は、密閉空間16内に充填される例えば圧縮空気の圧力を調節するものである。なお、押動ブロック30、レベリング部29およびガイド部26を含む機構は、下クランパ部28を平行に昇降させるので平行昇降機構ともいう。これら上クランパ部27、下クランパ部28、上シール部42、下シール部43、レベリング部29、押動ブロック30、ガイド部26、圧力調節部47の詳細を説明する前に、まず、上型11および下型12の構成部材について概略する。上型11は、固定ブロック17、複数のポスト18ポスト状のブロック、上ベースブロック21、スペーサブロック22および上シールブロック23を有している。これらブロックは、例えば合金工具鋼からなる。可動プラテン13下には、固定ブロック17が固定して組み付けられている。この固定ブロック17下には、下方に起立するように複数のポスト18が並べられて、固定して組み付けられている。この複数のポスト18の先端面で、上ベースブロック21が固定して組み付けられている。この上ベースブロック21の下面側外周部には、貫通孔23aが形成された筒状の上シールブロック23が固定して組み付けられている。また、この上ベースブロック21の下面側中央部には、スペーサブロック22が固定して組み付けられている。また、下型12は、下ベースブロック24および下シールブロック25を有している。これらブロックは、例えば合金工具鋼からなる。固定プラテン14上には、貫通孔24aが形成された筒状の下ベースブロック24が固定して組み付けられている。この下ベースブロック24の上面側外周部には、貫通孔24aと連通し、それより内径の大きい貫通孔25aが形成された筒状の下シールブロック25が固定して組み付けられている。なお、この下シールブロック25の貫通孔25a内に筒状のガイド部26が同心状に嵌め込まれて下ベースブロック24の上面内周側に固定して組み付けられている。上クランパ部27は、下クランパ部28と共に、ワークWを挟み込んでクランプ加熱加圧するものである。この上クランパ部27は、上ベースブロック21の中央部に設けられている。この上クランパ部27は、上クランパ部27のクランプ面27a側から遠ざかる方向に複数の温度センサ31、冷却部32および加熱部33がこの順に上ベースブロック21に配設内蔵され、クランプしたワークW図3参照に対して温度調節を行うものである。すなわち、上クランパ部27は、クランプしたワークWに対して温度調節を行ために、クランプ面27a側に設けられた冷却部32と、クランプ面27a側から冷却部32より遠ざかって設けられた加熱部33とを有する温度調節機構を備えている。このように、上クランパ部27は、ワークWに対して加熱加圧するものである。本実施形態では、スペーサブロック22がワークWを直接クランプするが、上ベースブロック21の中央部にクランプ面27aが形成されているものとして説明する。なぜならば、スペーサブロック22は、ワークWの厚さに応じて調整して設けられるものであり、ワークWの厚さによっては不要な場合もあるからである。上クランパ部27が有する加熱部33は、加熱能力を向上するために、上クランパ部27のクランプ面27aと平行に延設延在する複数のヒータ35を有している。ヒータ35の加熱能力は、上ベースブロック21などの部材が有する熱容量を考慮し、半導体チップ3の接続バンプ6はんだを溶融する温度であって、かつ、接着層4NCFまたはNCPを加熱硬化する温度を、クランプしたワークWに加えられることが必要である。本実施形態で用いるはんだの融点は例えば250~260°C程度である。また、NCFやNCPの融点は例えば200°C~260°C程度であり、所定時間加熱加圧されることで硬化する。上クランパ部27が有する冷却部32は、上クランパ部27のクランプ面27aと平行に延設延在し、内部を気体や液体の冷媒が循環する複数の冷却管路34を有している。圧着装置1では、例えばクランプしたワークWに対して加熱部33をオン動作させた状態で、冷却部32をオン、オフ動作を繰り返して、ワークWに対して所定の温度を所定の時間維持して、温度調節が行われる。このため、加熱部33よりワークWに近いクランプ面27a側に冷却部32を設けることで、冷却部32のオン、オフ動作によってワークWに加わる温度を追随させやすくしている。具体的には、冷却部32が、オフ動作のときは冷媒の流動を停止し、オン動作のときは冷媒を流動させる。冷却部32のオン、オフ動作は、冷媒の流動の切り換えであるので、容易に、迅速に制御することができる。なお、冷却部32としてはペルチェ素子を用いることも考えられるが、圧着装置1は冷却部32を介して加熱部33によりワークWを加熱する構造であるので、冷媒を循環させる冷却管路34を用いる方がより、素早く冷却、加熱することができる。ここで、クランプされたワークWに対する圧着装置1の温度調節機構を説明するために、図4に、経過時間-ワーク温度t-T特性の一例を示す。下クランパ部28に載置されたワークWを、加熱部33例えば300°Cに設定により予め加熱された上クランパ部27と、下クランパ部28とで挟み込んでクランプすると、急激にワークWの温度が上昇する。温度調節機構では、上クランパ部27が有する冷却部32および加熱部33によってクランプされたワークWの温度が所定の温度例えば260°Cの範囲R内例えば±5°Cとなるように加熱し続ける。具体的には、加熱部33をオン動作させながら、冷却部32のオン動作およびオフ動作を繰り返す。加熱部33よりワークWに近いクランプ面27a側に冷却部32を設けることで、加熱部33側では加熱部33からの熱を遮るように働き、クランプ面27a側にはワークWを冷却するように働かせることができ、素早くワークWを冷却できる。これにより、図4中の実線Aに示すように所定の温度を、所定の時間例えば30分~60分維持することができる。また、温度調節機構により、ワークWの加熱温度を素早く昇温しながらオーバーシュートも防止することができる。このように、温度調節機構を備えた圧着装置1では、処理中のワークWに対して温度調節を最適に行うことができる。また、冷却部32および加熱部33を有する上クランパ部27によって、ワークWを急速に加熱、冷却することができることにより、圧着装置1では、接着層4が熱により硬化する前に、急速加熱により、短時間で接続バンプ6を溶融させることができる。そして、所定の加熱温度を所定の時間で保持することができ、接続パッド5と接続バンプ6との接合、接着層4の硬化を最適に行うことで、配線基板2と半導体チップ3との接続信頼性を向上することができる。なお、図4中の破線Bは、加熱部33をオン動作させた状態で冷却部32をオフ動作させ続けた場合のグラフ図、また、破線Cは、加熱部33をオン動作させた状態で冷却部32をオン動作させ続けた場合のグラフ図を示す。これからも、冷却部32のオン、オフ動作の繰り返しが温度調節に有効であることがわかる。下クランパ部28は、上クランパ部27と共に、ワークWを挟み込んでクランプするものである。この下クランパ部28は、ガイド部26に形成された摺動孔26aに挿入されている。下クランパ部28は、支持ブロック36および支持ブロック36から起立して並べられた複数の支持ロッド37を有して、複数の支持ロッド37の先端でワークWをフローティング支持するものである。なお、ここでいうフローティング支持とは、熱容量の大きいブロック状部材から離間させた状態浮かせた状態で支持することをいう。支持ブロック36上には、固定ブロック38が固定して組み付けられている。固定ブロック38は、支持ロッド37の一端側のロッド頭で抜け止め固定するものである。このように設けられた複数の支持ロッド37の他端側で、ワークWが支持載置される。すなわち、下クランパ部28のクランプ面28aは、同一水平面上にあるこれら複数の支持ロッド37の先端面で形成される。複数の支持ロッド37は、例えばマトリクス状に平面配置されており、支持プレート41を介してワークWを支持する。各支持ロッド37は、支持プレート41が自重によって撓んで高さが不均一にならないように均等な間隔で配置されている。この支持プレート41を用いてワークWを支持することで、ワークWを上クランプ部27のクランプ面27aと平行に配置することができる。本実施形態では、支持プレート41を介してワークWをクランプするが、同一水平面上にある各支持ロッド37の先端面でクランプ面28aが形成されているものとして説明する。なぜならば、支持プレート41は、剛性が高く撓みが少ない基板例えばセラミック基板を配線基板2として用いた場合には省略することができるからである。複数の支持ロッド37でワークWをフローティング支持することで、下クランパ部28の熱容量を低減すると共に、クランプ面28aの下部例えば、支持ブロック36とを熱的に分離するようになっている。このため、下クランパ部28は、ワークWが載置支持される際に、低温例えば50°C以下を保持することができ、ワークWを上クランパ部27と共にクランプする際に、高温例えば、260°Cを保持することができる。ガイド部26は、下クランパ部28が昇降する際のガイドをするものである。このガイド部26は、摺動孔26aが形成された筒状のブロックであり、例えば合金工具鋼からなる。ガイド部26は、ベースブロック24の貫通孔24aと摺動孔26aとが連通するように、ベースブロック24の上面内周側中央部で支持される。また、ガイド部26は、下シールブロック25の貫通孔25aに同心状に嵌め込まれて固定して組み付けられている。摺動孔26aには、下クランパ部28、レベリング部29および押動ブロック30が挿入される。これら下クランパ部28、レベリング部29および押動ブロック30を昇降させるため、摺動孔26aの上下には、押動ブロック30を昇降させる駆動部が駆動部19とは別の駆動源として配置されている。なお、可動プラテン13の駆動部19が密閉空間16に圧力を加えるときには気体を漏らさないために必要なクランプ力を生じさせるのに対して、押動ブロック30はワークWの対応する接続パッド5と接続バンプ6とが接合できるクランプ力を生じさせる必要がある。この場合、押動ブロック30のクランプ力は、ワークの大きさ、バンプ数またはバンプの種類に基づいて適宜設定される。例えば、ワークのサイズが大きくバンプ数が多い場合や、接合に高いクランプ力を要するバンプ例えば銅バンプ等の場合には、高いクランプ力を生じさせる駆動部を用いる必要がある。なお、押動ブロック30は、微細な接続パッド5と接続バンプ6とを接合するために、例えば1kg毎に微調整可能なものが好ましい。レベリング部29は、上下のクランプ面27a、28aを平行に維持しながら下クランパ部28をスムーズに昇降させるために設けられている。レベリング部29は、図5に示すように、ガイド部26の摺動孔26a内に挿入された載置ブロック52および2つのスプリング部51を備えて構成されている。なお、図5は、平面図であるが、説明を明解にするために、ハッチングを付している。スプリング部51は、載置ブロック52の側面と対向する摺動孔26aの内壁面との間に設けられている。このスプリング部51は、スプリング55と、スプリング55に付勢されて摺動孔26aの内壁面に押し当てられたまま摺動する摺動プレート54とを備えている。スプリング55は、載置ブロック52の側面に形成された凹溝52aと摺動プレート54との間に自然長より圧縮されて組み付けられている。摺動プレート54は、載置ブロック52の側面に突設されたフレーム状の突起部53すなわちフレーム部に案内されて摺動孔26aの内壁面に押し当てられている。なお、突起部53は、フレーム内側に摺動プレート54が配置され、また、摺動孔26aの内壁面と当接していない。図5に示す載置ブロック52は平面視矩形状であり、また、これが挿入される摺動孔26aも平面視矩形状開口が矩形状となっている。この載置ブロック52上に下クランパ部28の支持ブロック36が設けられる図1参照。載置ブロック52の4つの側面のうち、隣接する2側面がそれぞれ対向する摺動孔26aの内壁面に当接し、残りの隣接する2側面にそれぞれスプリング部51が設けられている。すなわち、この残りの隣接する2側面が各スプリング55を介して各摺動プレート54を摺動孔26aの内壁面に各々押し当てる構成となっている。図5に示すレベリング部29では、常時、載置ブロック52の隣接する2側面を、それぞれに対向する摺動孔26aの2つの内壁面コーナ部となるに対して各々押し付けている。また、レベリング部29では、載置ブロック52の隣接する残りの隣接する2側面を、それぞれに対向する摺動孔26aの2つの内壁面に対して各スプリング部51を介して各々押し当てている。このため、下クランパ部28が押動ブロック30により昇降する際、載置ブロック52が摺動孔26a内で位置決めされたまま摺動するので、下クランパ部28のクランプ面28aが上クランパ部27のクランプ面27aに対して高い平行度を保つことができる。このように、レベリング部29は、スプリング部51により摺動孔26aの内壁面に対して載置ブロック52を押し付けて位置決めしたまま摺動孔26a内を摺動することにより、載置ブロック52上に設けられた下クランパ部28の昇降をガイドする。なお、レベリング部29を介さず設けずに、下クランパ部28を直接押動ブロック30で昇降する構成とすることも考えられる。しかしながら、このような構成では、摺動孔26aに挿入された下クランパ部28と、摺動孔26aの内壁面とのクリアランスにより、昇降時にクランプ面28aが傾斜する場合もある。クランプ面28aが傾斜することで、接続パッド5と接続バンプ6の中心が例えば数μmずれると、接続パッド5と接続バンプ6との接続に不具合が生じることも考えられる。これに対してクリアランスを極力小さくすることで傾斜を抑えることも考えられるが、この場合には密閉空間16の成形時に上型11側から伝えられた熱によって下型12特に、ガイド部26や摺動する支持ブロック36等の上型11側が膨張するため、クリアランスが上型11側で小さくなってしまい昇降が困難となるおそれもある。しかしながら、レベリング部29を用いることによって摺動孔26aに対するクリアランスが十分大きく取られていても支持ロッド37を支持する支持ブロック36の上型11側のクランプ面27aに対して傾斜させることなくガイドすることが可能となっている。したがって、クランプ力をワークWの全面に亘って均一にすることができるため、各バンプ6を均一に加熱加圧することができ、積層された配線基板2および半導体チップ3の接続信頼性をより向上することができる。上シール部42および下シール部43図1中、破線で囲まれた部分は、対向して設けられ、互いが当接して密閉空間16図2、図3参照を形成するものである。下シール部43は、上シール部42側に開口する凹形状の箱部となるように、固定プラテン14の中央部上に、貫通孔24aを有する下ベースブロック24と貫通孔24aに連通する貫通孔25aを有する下シールブロック25が重ね合わせて形成されている。下ベースブロック24と下シールブロック25が互いに接する面の境界部では、各部材が例えばボルトによって固定して組み付けられているので、シールされていることとなる。このような下シール部43内に下クランパ部28が収納される。また、下シール部43の縁部でシール部材44例えばOリングが設けられている。また、上シール部42は、下シール部43側に開口する凹形状の箱部となるように、上ベースブロック21外周部下に、貫通孔23aを有する上シールブロック23が設けられて形成されている。上ベースブロック21と上シールブロック23が互いに接する面の境界部では、各部材が例えばボルトによって固定して組み付けられているので、シールされていることとなる。このような上シール部42内に上クランパ部27が収納される。また、上シール部42の縁部でシール部材44を介して下シール部43の縁部が当接される。上シール部42および下シール部43が近接することで、上クランパ部42の縁部と下クランパ部43の縁部とが接して内部に密閉空間16が形成される図2参照。言い換えると、上型11および下型12が近接することで型閉じされ内部に密閉空間16が形成される。このような密閉空間16では、クランプ前後のワークWが内包されるので、上クランパ部42によりワークWをより急速に加熱することができる。なお、上シール部42および下シール部43は密閉空間16を形成するために近接するものであって、ワークWをクランプするものではない。ワークWをクランプするのは、上クランパ部27および下クランパ部28である。また、下シール部43を構成する下シールブロック25のシール面側には、奥行き方向に延在するヒータ45が設けられ、下ベースブロック24側には、冷却管路46内部を冷媒が循環するが設けられている。シール部材44側、すなわち下クランパ部28近傍にヒータ45を設けることで、上クランプ部27と共に下クランパ部28側からも加熱できる構成となる。また、下クランパ部28近傍にヒータ45を設けることで、ワークWをクランプして熱を帯びた下クランパ部28に合わせて、下シールブロック25に組み付けられたガイド部26を熱膨張させることで、摺動孔26a内で下クランパ部28をスムーズに昇降することができる。また、下ベースブロック24側、すなわち下クランパ部28を昇降する駆動部近傍に冷却管路46を設けることで、駆動部周辺を冷却することができ、駆動部が誤動作するのを防止することができる。圧力調節部47は、密閉空間16内の圧力を調節するものである。本実施形態では、この圧力調節部47は、上シールブロック23に形成されたエア路48を通じて、例えば、密閉空間16に対して圧縮処理を行う。このため、圧力調節部47は、密閉空間16に接続される圧縮機例えばコンプレッサを有している。密閉空間16では、上クランプ部27により接着層4が加熱されると、接着層4内でボイドが発生して接着層4が膨脹し、半導体チップ3を配線基板2から引き離すおそれが生じる。そこで、密閉空間16を圧縮空間とすることでボイドの発生を抑制することができる。また、圧着装置1は、圧縮空間において配線基板2に複数の半導体チップ3を一括して接合する構成であるため、ボイドの発生を抑制して一様の圧力を加えながら加熱を行うことができる。したがって、配線基板2上に接着層4を介した複数の半導体チップ3の接続信頼性を向上することができる。次に、本実施形態における圧着装置1を用いて、配線基板2上に複数の半導体チップ3を一括で接合する圧着方法接合方法と共に、これにより製造される半導体装置7の製造方法について図1~図3および図6~図8を参照して説明する。図1などは、動作中の圧着装置1を模式的に示す断面図であり、図6などは、動作中の圧着装置1におけるワークWを明確にするために、図1などに示すワークWの要部を拡大して示している。本実施形態の圧着方法は、概略すると、接着層4を介して積層された配線基板2および半導体チップ3を含むワークWを、対向して設けられた上クランパ部27および下クランパ部28で挟み込んでクランプして、配線基板2および半導体チップを圧着する工程を含んでいる。まず、配線基板2の複数の接続パッド5と対応する各半導体チップ3の複数の接続バンプ6とを対向して位置合わせして、配線基板2上に接着層4を介して積層された複数の半導体チップ3を含んでなるワークWを準備する図6参照。このワークWは、接着層4が接着された配線基板2に対して、公知のフリップチップボンダを用いて、接着層4側から複数の半導体チップ3がマトリクス状に位置合わせされて、仮圧着仮接合されている。配線基板2は、例えばガラスエポキシ基板であり、その内部に配線パターンが形成されており、また絶縁層8から露出する接続パッド5が形成されている。また、半導体チップ3は、例えばシリコン基板にMISMetalInsulatorSemiconductorトランジスタなどが形成されたものであり、接続バンプ6としてはんだバンプが用いられている。続いて、図1に示すように、上型11と下型12とが離間した状態で、図示しない搬送装置によって下型12にワークWを載置する。具体的には、上クランプ部27および下クランパ部28の間にワークWを搬送し、下クランパ部28が有する複数の支持ロッド37の先端面で形成されるクランプ面28aでワークWをフローティング支持する。本実施形態では、接着層4の劣化防止のため、ワークWが低温50°C以下で支持されるように、フローティング支持している。続いて、図2に示すように、上型11と下型12とを近接させることで、対向して設けられ、上クランパ部27および下クランパ部28のそれぞれを内包する上シール部42および下シール部43を当接させて密閉空間16を形成する。次いで、圧力調節部47によりシールされた密閉空間16に対して圧縮空気を導入する圧縮処理を行い、圧縮空間を形成する。この圧縮空間は、例えば密閉空間16のシールが解除されるまでの間形成しておく。なお、密閉空間16は空気の発泡防止のため、少なくとも接着層4が硬化されるまで形成されるのが好ましい。続いて、図3に示すように、図2に示した状態からガイド部26の摺動孔26a内で昇降可能な下クランパ部28を上クランパ部27側に上昇させて、上クランパ部27および下クランパ部28でワークWを挟み込んでクランプする。このように、上クランパ部27および下クランパ部28で両側から挟まれて直接的に加熱されたワークWは、急速に加熱され始める。なお、加熱部33のヒータ35や下シールブロック25のヒータ45からの輻射熱によって、密閉空間16内の温度は上昇しているため、間接的にワークWは加熱されていることとなる。ワークWの温度が急速に上昇すると、接続バンプ6および接着層4が溶融状態となる。このため、クランプされたワークWでは、溶融した接着層4を押し退けて接続バンプ6が接続パッド5に当接し図7参照、溶融した接続バンプ6と接続パッド5とが接合する図8参照。本実施形態では、図5を参照して説明したように、摺動孔26aの対向する内壁面の一方側に接して摺動するスプリング部51により、他方側に接して摺動する載置ブロック52を押し付けながら、載置ブロック52上に設けられた下クランパ部28を上昇させる。このため、下クランパ部28が押動ブロック30により昇降する際、載置ブロック52が摺動孔26a内で位置決めされたまま摺動するので、下クランパ部28のクランプ面28aが上クランパ部27のクランプ面27aに対して高い平行度を保つことができる。したがって、接続パッド5と接続バンプ6の位置ずれを抑制して、配線基板2および半導体チップ3の接続信頼性をより向上することができる。次いで、上クランパ部27と下クランパ部28とでワークWをクランプしたまま加熱加圧する。ここで、上クランプ部27が有する冷却部32および加熱部33を用いて、ワークWをクランプしながら所定の温度範囲内で加熱し続ける。具体的には、加熱部33をオン動作させながら、上クランパ部27のクランプ面27a側に加熱部33より近くに設けられた冷却部32のオン動作およびオフ動作を繰り返す。これにより、接続バンプ6が溶融する温度を維持しながら、接着層4が硬化する温度および時間を維持することができる。例えば、図4を参照して説明したように、所定の温度例えば260°Cを、所定の時間例えば30分~60分維持することができる。これにより、接着層4を介して積層された配線基板2と半導体チップ3の接続信頼性を向上することができる。また、例えば加熱部33による加熱を停止することで自然に温度の上昇しなくなる構成とは異なり、素早く所定の温度まで昇温しながら強制的に昇温を停止させることができるため素早く昇温しながらもオーバーシュートが起こることもない。これにより、ワークWの温度が高くなりすぎることで半導体チップ3が損傷するといった問題も効率的に回避することができる。本実施形態では、冷却部32が上クランパ部27のクランプ面27aと平行に延設延在し、内部を冷媒が循環する冷却管路34を有しており、冷却部32がオフ動作のときに冷媒の流動を停止し、冷却管路34を介してクランプされたワークWを加熱部33により加熱する。冷却部32のオン、オフ動作は、冷媒の流動の切り換えであるので、容易に、迅速に制御することができる。このように、冷却部32を迅速に制御することで、所定の温度を、所定の時間維持することができる。次いで、ワークWの接合を完了させた後図3参照、圧力調節部47による密閉空間16への加圧を停止し、下クランパ部28を下降させて、載置されているワークWを上クランパ部27のクランプ面27aから離す図2参照。次いで、上型11と下型12とを離間させることで上シール部42および下シール部43で構成された密閉空間16を開放し、図示しない搬送装置によって下型12からワークWを搬出することで1個のワークWの接合のための動作が終了する。すなわち、配線基板2に半導体チップ3が実装された半導体装置7が製造される図8参照。なお、支持ロッド37でワークWを支持させた後で所定時間維持することで接続バンプ6の温度を下げて硬化させてから搬出しても良い。本実施形態のように、上クランパ部27および下クランパ部28により、加熱と同時に加圧を行うことで、接続パッド5および接続バンプ6を容易に圧着接合することができる。また、配線基板2に半導体チップ3を実装するまで圧縮空間を維持しておくことで、接着層4に微細な空気が含まれていたとしても、微細な空気を圧縮して微小化させることで、配線基板2と半導体チップ3との間を接着層4で高品質にアンダーフィルすることができる。これにより、ワークWに設けられた接続パッド5と接続バンプ6との接続不良の発生を効果的に防止し、配線基板2と半導体チップ3の接続信頼性を向上することができる。以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、前記実施形態では、接着層を介して積層された第1および第2部材として、それぞれ配線基板2および半導体チップ3を含むワークWを用いた場合について説明したが、さらに第3、第4、の部材が積層されたワークに対しても適用することができる。例えば、第1部材として配線基板、第2および第3部材としてそれぞれ半導体チップが接着層を介して積層されたワークに対しても適用することができる。また、例えば、基板として配線基板2の他にリードフレームやウェハを用いても良い。また、例えば電子部品として半導体チップ3の他にコンデンサチップなどのチップ部品を用いても良い。また、前記実施形態では、圧力調節部47に圧縮機を用いた場合について説明したが、圧縮機の代わりに、密閉空間16を減圧する減圧機例えば真空ポンプが接続されても良い。減圧することで、接着層4内の微細な空気や、密閉空間16内の異物浮遊物を除去することができるからである。また、圧力調節部47は、減圧機と圧縮機を併用した処理を行うこともできる。例えば、密閉空間16内を減圧雰囲気として接着層4に微細な空気を積極的に排除したり空間中の異物を除去したりしてから加熱を開始して圧縮空間としてボイドの発生を抑制することで、相乗的効果を得ることができ配線基板2上に接着層4を介した複数の半導体チップ3の接続信頼性をより向上することができる。このように、圧力調節部47は、密閉空間16に接続される圧縮機または減圧機の少なくともいずれか一方を有しているものでも良い。また、例えば、前記実施形態では、配線基板2の接続パッド5と半導体チップ3の接続バンプ6とが接していない状態のワークW図6参照を準備し、このワークWをクランプして配線基板2に複数の電子部品3を一括で接合して半導体装置7図8参照を製造する場合する場合について説明した。これに限らず、配線基板2の接続パッド5と半導体チップ3の接続バンプ6とが接した状態のワークW図7参照を準備し、このワークWをクランプして配線基板2に複数の半導体チップ3を一括で接合して半導体装置7を製造しても良い。接続バンプ6が溶融したワークWを加熱加圧する際に、接続パッド5と接続バンプ6との位置ずれを抑制することができるからである。また、例えば、前記実施形態では、加熱により半導体チップ3の接続バンプ6が溶融する場合について説明した。これに限らず、配線基板2の接続パッド5を溶融させても、また、配線基板2の接続パッド5と半導体チップ3の接続バンプ6とも溶融させても、配線基板2と半導体チップ3とを接合することができる。また、例えば、前記実施形態では、ワークWを下型12に載置する場合について説明した。これに限らず、上型11においてワークWを吸着や爪による把持で支持する構成であっても良い。この場合、下クランパ部に温度調節機構を設けることができる。また、例えば、前記実施形態では、冷却部32として、内部を冷媒が循環する冷却管路34を用いた場合について説明したが、内部をエア及び水の両方が通過する冷却管路34を用いても良い。また、冷却部32の一部を空冷用、他部を水冷用とする場合であっても良い。この場合、圧着時クランプ時の温度を安定させるときには空冷を用い、初期の加熱を停止する際や圧着完了時に冷却するとき非クランプ時には水冷を行うことができ、複数のワークWに対して繰り返して圧着する場合に生産性を向上することができる。また、例えば、前記実施形態では、上型11を可動プラテン13に固定して組み付け、下型12を固定プラテン14に固定して組み付けた場合について説明した。これに限らず、上型11を固定プラテン、下型12を可動プラテンに固定して組み付け、上型11に対して下型12を昇降するようにしても良い。