被照射物に電子線を照射する電子線照射装置と、壁面で区画される搬送通路上に設けられ、前記電子線照射装置によって前記被照射物に電子線が照射される領域であり、かつ、当該電子線に基づいて放射線が発生する領域である照射領域と、前記搬送通路に設置され、搬入部から前記照射領域へ前記被照射物を搬入するとともに前記照射領域から搬出部に前記被照射物を搬出する搬送装置と、前記搬送通路の一部を構成する第1の通路と、前記第1の通路と鉛直方向の高さを異にするとともに、前記照射領域からの距離が当該第1の通路よりも遠い距離に位置する第2の通路と、前記第1の通路と前記第2の通路とを接続する昇降通路と、前記第1の通路を区画する壁面および前記昇降通路を区画する壁面の少なくともいずれか一方に設けられ、前記第1の通路から前記第2の通路への前記放射線の直進入射を遮蔽する遮蔽部と、を備えたことを特徴とする被照射物の搬送構造。前記照射領域は前記第1の通路に設けられることを特徴とする請求項1に記載の被照射物の搬送構造。前記第1の通路は、前記第2の通路よりも鉛直下方に位置することを特徴とする請求項2に記載の被照射物の搬送構造。前記電子線照射装置は、前記電子線を鉛直下方向に照射することを特徴とする請求項3に記載の被照射物の搬送構造。前記遮蔽部は、前記第1の通路を区画する天井壁面であり、前記照射領域における前記放射線の発生源と、前記第2の通路を区画する底面の当該照射領域側の端部とを結ぶ直線上に、前記第1の通路の天井壁面が位置することを特徴とする請求項3または4に記載の被照射物の搬送構造。前記第1の通路の一端側は、前記昇降通路を介して前記第2の通路と接続されており、当該第1の通路の他端側は、他の昇降通路を介して前記第1の通路および第2の通路とは異なる通路に接続されていることを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載の被照射物の搬送構造。前記搬送通路は、前記第2の通路と鉛直方向の高さが等しく、当該第2の通路と水平方向に直交する第3の通路を含んで構成されることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の被照射物の搬送構造。図11は、従来の電子線照射システム10の全体像を説明するための平面図であり、図12は、図11におけるXII-XII断面図であり、図13は、図11におけるXIII-XIII断面図である。図11~図13に示すように、電子線照射システム10は、コンクリート等で形成された床部12および遮蔽壁14で構成される建屋20を含んで構成され、建屋20の内部には、被照射物Wを水平方向に搬送する搬送装置40と、搬送装置40によって搬送された被照射物Wに電子線を照射する電子線照射装置50とが設置される。具体的に説明すると、建屋20は、その内部を、中央に電子線照射装置50を収容するとともに水平方向に直線状に延在した照射通路22と、搬入口24aから被照射物Wが搬入される搬入通路24bと、搬入通路24bと照射通路22とを連通する連通通路26と、搬出口28aへ被照射物Wを搬出する搬出通路28bと、照射通路22と搬出通路28bとを連通する連通通路30と、電子線照射装置50に電力を供給する高周波電源装置52を収容する電源室32とに区画されるように形成される。図12、13に示すように、電子線照射システム10において、鉛直下方向に電子線を照射するように電子線照射装置50が設置される場合、電子線照射装置50の鉛直下方に位置する、被照射物W、搬送装置40および床部12に衝突した電子線によって放射線が発生する。換言すれば、電子線照射装置50の鉛直下方の領域照射領域Rが放射線発生源となる。そして、照射領域Rからの放射線の放出方向は360度に及ぶことになる。放射線が壁に衝突した場合、衝突後の放射線は、壁を透過する放射線透過放射線と、壁に吸収される放射線吸収放射線と、壁で反射する放射線反射放射線に大別される。したがって、透過放射線および吸収放射線については、遮蔽壁14のうち、照射領域Rで発生した、最も線量の多い放射線が直進入射する右側壁14a、左側壁14b、前面壁16a、電子線照射装置50の上方に位置する天井壁18を、外部Eへ放射線が透過しないような吸収されるような厚みに形成することで、外部Eへの漏洩を遮断する。なお、照射通路22と電源室32とを区画する中間壁16bにも最も線量の多い放射線が直進入射するが、中間壁16bと外部Eとの間に、電源室32を区画する背面壁16cが設けられているため、中間壁16bと背面壁16cとの水平方向の厚みの和が右側壁14a等の厚みと等しくなるように形成されている。ここで、側壁14c、14d、14eに入射する放射線は、右側壁14aや左側壁14bで反射した反射放射線であるため、照射領域Rで発生した放射線よりも線量が少なくなる。したがって、図11に示すように、側壁14c、14d、14eの水平方向の厚みを、右側壁14aや左側壁14bよりも長さLだけ短くすることができる。反射放射線については、電子線照射装置50から照射される電子線のエネルギーが、例えば10MeV程度である場合、照射領域Rから少なくとも3回反射させ、反射放射線の線量を十分小さくして、外部Eに到達させる必要がある。したがって、照射領域Rで発生した放射線が、反射点T1、T2、T3といったように少なくとも3回反射して外部Eに到達するように、照射通路22、搬入通路24b、連通通路26、搬出通路28b、連通通路30が設けられる。上述したように、照射領域Rで発生した最も線量の多い放射線の外部Eへの透過を遮断するために、照射領域Rが位置する照射通路22は、他の壁側壁14c、14d、14eと比較して厚い壁右側壁14a、左側壁14b、前面壁16aで囲繞される必要があるが、他の通路搬入通路24b、連通通路26、搬出通路28b、連通通路30を囲繞する壁側壁14c、14d、14eと比較して長さ2L分だけ設置面積がかさんでしまう。したがって、電子線照射システム10を設置する場所が制限されてしまうこともあり、外部Eへの放射線の漏洩を確実に防止しつつ、設置面積をさらに低減した電子線照射システム10の開発が望まれている。そこで本発明は、このような課題に鑑み、搬送通路を工夫することで、電子線照射装置が照射する電子線に基づいて発生する放射線を確実に遮蔽することができ、かつ、電子線照射装置を遮蔽する搬送構造の設置面積占有面積を低減することが可能な被照射物の搬送構造を提供することを目的としている。上記課題を解決するために、本発明の被照射物の搬送構造は、被照射物に電子線を照射する電子線照射装置と、壁面で区画される搬送通路上に設けられ、電子線照射装置によって被照射物に電子線が照射される領域であり、かつ、当該電子線に基づいて放射線が発生する領域である照射領域と、搬送通路に設置され、搬入部から照射領域へ被照射物を搬入するとともに照射領域から搬出部に被照射物を搬出する搬送装置と、搬送通路の一部を構成する第1の通路と、第1の通路と鉛直方向の高さを異にするとともに、照射領域からの距離が当該第1の通路よりも遠い距離に位置する第2の通路と、第1の通路と第2の通路とを接続する昇降通路と、第1の通路を区画する壁面および昇降通路を区画する壁面の少なくともいずれか一方に設けられ、第1の通路から第2の通路への放射線の直進入射を遮蔽する遮蔽部とを備えたことを特徴とする。照射領域は第1の通路に設けられてもよい。第1の通路は、第2の通路よりも鉛直下方に位置してもよい。電子線照射装置は、電子線を鉛直下方向に照射してもよい。遮蔽部は、第1の通路を区画する天井壁面であり、照射領域における放射線の発生源と、第2の通路を区画する底面の当該照射領域側の端部とを結ぶ直線上に、第1の通路の天井壁面が位置してもよい。第1の通路の一端側は、昇降通路を介して第2の通路と接続されており、当該第1の通路の他端側は、他の昇降通路を介して第1の通路および第2の通路とは異なる通路に接続されていてもよい。搬送通路は、第2の通路と鉛直方向の高さが等しく、当該第2の通路と水平方向に直交する第3の通路を含んで構成されていてもよい。本発明によれば、搬送通路を工夫することで、電子線照射装置が照射する電子線に基づいて発生する放射線を確実に遮蔽することができ、かつ、電子線照射装置を遮蔽する搬送構造の設置面積を低減することが可能となる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値等は、発明の理解を容易とするための例示にすぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。電子線照射装置100図1は、電子線照射装置100の外観斜視図であり、図2は、図1におけるZ軸方向から電子線照射装置100を見た図である。なお、図1では、理解を容易にするために電子線照射装置100を支持する支持機構を省略する。図1および図2に示すように、電子線照射装置100は、電子銃110と、高周波電源112と、導波管114と、プリバンチャ116と、加速器118と、スキャンホーン120とを備えて構成されている。なお、電子銃110、プリバンチャ116、加速器118、スキャンホーン120は、内部空間真空室が連続しており、この内部空間は、イオンポンプ等の真空ポンプ102で高真空状態から超高真空状態例えば、10E-5Pa以下に維持される。電子線照射装置100において、電子銃110から放出された熱電子は、プリバンチャ116、加速器118で加速され、スキャンホーン120を通過して、搬送通路350で搬送される被照射物Wに向かって図1中Y軸方向に照射される。以下、電子線照射装置100の各機能部について詳述する。電子銃110電子銃110は、例えば、三極管電子銃であり、カソード電源交流電源104から供給された電力によってカソード電極を加熱し、パルス状に印加された高電圧のグリッド電圧引出電圧により、電子線を放出する。高周波電源112、導波管114高周波電源112は、クライストロン等で構成され、導波管114を通じてプリバンチャ116および加速器118に、例えばSバンドに相当する3GHzのパルス状の高周波電力を供給する。導波管114は、セラミック等で構成されたRF窓114a、114bを通じて、高周波電源112から供給される高周波の電圧を加速器118に供給する。導波管114におけるRF窓114aとRF窓114bの間には、六フッ化硫黄SF6等の絶縁ガスが充填されており、高周波電源112から出力された電圧によって導波管114が放電してしまう事態を回避する。なおRF窓114a、114bはSF6と真空とを隔てる境界の役割を果たす。プリバンチャ116プリバンチャ116は、電子銃110と加速器118の間に設けられ、導波管114を通じて高周波電源112に接続されている。プリバンチャ116は、電子銃110から入射された電子線をバンチング密度圧縮速度変調して、加速器118に送出する。具体的に説明すると、プリバンチャ116内は、高周波電源112から供給された高周波の電圧によって高周波電界が形成されており、プリバンチャ116を通過した電子線は、バンチングされて加速器118に入射する。プリバンチャ116で電子線をバンチングすることにより、加速器118で加速された電子線のエネルギーの分散を小さくすることができ、電子線のエネルギーの均一性を向上させることが可能となる。ここで、プリバンチャ116によって圧縮された電子線の加速器118への入射タイミングが、加速器118における高周波の正位相と同期したときのみ、電子線は加速器118で効率よく加速される。したがって、プリバンチャ116から加速器118への電子線の入射タイミングを調整するために、プリバンチャ116の高周波導入部116aには、不図示の位相調整手段が設けられている。また、電子線の圧縮率バンチングされた電子線の長さも加速器118による加速効率に影響するため、すなわち、電子線の長さが短い程、加速化効率が向上する。したがって、供給する高周波の強度を調整して電子線の長さを調整するために、プリバンチャ116の高周波導入部116aには、不図示の減衰アッテネータ手段が設けられている。加速器118加速器118は、ステンレス例えばSUS等で形成され、内部に複数の加速空間を有して構成される。高周波電源112から高周波の電圧例えば、3GHzが供給されると、加速器118の複数の加速空間が空間共振器として機能し、空間共振器内に時間的に変化する電界が生じる。そして、この時間的に変化する電界で、プリバンチャ116によって圧縮された電子線を加速する。ここで、電子線の速度と加速空間における正に帯電する正位相になるタイミングが同期するように、高周波電源112から供給される電圧の周波数と、加速空間の距離が設計されているため、電子線は加速器118内で徐々に加速され、最終的には、例えば10MeV程度まで加速されて、スキャンホーン120に入射される。なお、ここでは、加速器118として、定在波型の線形リニアック加速器を採用しているが、電子を加速できればよく、進行波型の線形加速器や、シンクロトロン、サイクロトロン等の円形加速器を採用することもできる。スキャンホーン120スキャンホーン120は、その内部空間が加速器118と連結され、加速器118の出口付近に設けられたスキャン電磁石122と、加速器118と連結する端部と対向する端部に設けられた電子線取出部124とを含んで構成される図1、図2参照。スキャン電磁石122は、加速器118から入射された電子線を水平方向図1中X軸方向に走査スキャンする。電子線の進行方向は鉛直方向図1中Y軸方向であるため、スキャン電磁石122が鉛直方向に進行する電子線を水平方向に走査することにより、水平方向に幅のある被照射物Wに確実に電子線を照射することができる。電子線取出部124は、例えば、50μm程度の厚みのTi箔で構成され、内部空間と、大気とを隔てる境界の役割を果たす。そして、電子線取出部124から大気中に取り出された電子線は、被照射物Wに照射される。こうして、電子銃110で放出された電子線は、加速器118で加速されて、電子線取出部124を通じて、被照射物Wに照射される。ところで、被照射物Wに電子線が照射される照射領域Rにおいて、電子線は、被照射物Wや、被照射物Wを搬送する搬送装置、搬送装置が設置される床部に衝突する。そうすると、電子線が衝突した箇所から放射線が発生する。したがって、発生した放射線が外部に漏洩しないように、電子線照射装置100を遮蔽壁で包囲する必要がある。以下、電子線照射装置100による電子線の照射に基づいて発生した放射線の外部への漏洩を防止する搬送構造200について詳述する。搬送構造200図3は、搬送構造200の全体像を説明するための平面図であり、図4は、図3におけるIV-IV断面図であり、図5は、図3におけるV-V断面図である。なお、図3では、理解を容易にするために天井壁の図示を省略する。図3~図5に示すように、搬送構造200は、電子線照射装置100図3~5中、電子銃110、プリバンチャ116、加速器118、スキャンホーン120で構成される電子線照射部150と、高周波電源112と、導波管114とで示すと、建屋300と、被照射物Wを搬送する搬送装置400とを含んで構成される。建屋300は、コンクリート等で形成され、床部310と、遮蔽壁312と、天井壁314と、を含んで構成される。建屋300の内部には、電子線照射装置100と、電子線照射装置100の高周波電源112を収容する電源室302と、搬送通路350と、搬送通路350に設置される搬送装置400とが設けられる。なお、電源室302および搬送通路350は、床部310、遮蔽壁312、天井壁314の壁面によって区画される。図6は、搬送通路350を説明するための説明図である。図6に示すように、搬送通路350は、第1通路352と、第2通路354a、354bと、第3通路356a、356bと、第4通路358a、358bと、第5通路360a、360bと、第6通路362a、362bと、第1昇降通路370a、370bと、第2昇降通路372a、372bとを含んで構成される。本実施形態において、第1通路352、第5通路360a、360b、第6通路362a、362bは、1階グランドレベルに設けられ、第2通路354a、354b、第3通路356a、356b、第4通路358a、358bは、グランドレベルよりも鉛直方向の高さが高い2階に設けられる。したがって、第1昇降通路370aは、1階の第1通路352と2階の第2通路354aとを接続する機能を果たす。第1昇降通路370bは、1階の第1通路352と2階の第2通路354bとを接続する機能を果たす。第2昇降通路372aは、1階の第5通路360aと2階の第4通路358aとを接続する機能とを果たす。第2昇降通路372bは、1階の第5通路360bと2階の第4通路358bを接続する機能を果たす。1階部分において、第5通路360a、360bは、第1通路352と平行である。1階部分において、第5通路360aと第6通路362aとは水平方向に直交し、第5通路360bと第6通路362bとは水平方向に直交するように設けられる。また、2階部分において、第3通路356aは第2通路354aと水平方向に直交し、第3通路356bは第2通路354bと水平方向に直交するように設けられる。2階部分において、第4通路358a、358bは、第2通路354a、354bと平行である。2階部分において、第2通路354aと第3通路356aとは水平方向に直交し、第2通路354bと第3通路356bとは水平方向に直交するように設けられる。本実施形態において電子線照射部150は、第1通路352の中央に設けられるため、照射領域Rは第1通路352に位置することになり、第2通路354a、354bは、照射領域Rからの距離が第1通路352よりも遠い距離に位置することとなる。搬送装置400は、搬送通路350に設置されており、図6a中、白抜き矢印で示すように、搬入部376aから第6通路362a、第5通路360a、第2昇降通路372a、第4通路358a、第3通路356a、第2通路354a、第1昇降通路370aを通じて、第1通路352の照射領域Rに被照射物Wを搬入する。そして搬送装置400は、照射領域Rにおいて電子線が照射された被照射物Wを、第1通路352、第1昇降通路370b、第2通路354b、第3通路356b、第4通路358b、第2昇降通路372b、第5通路360b、第6通路362bを通じて搬出部376bへ搬出する。搬送装置400は、例えば、コンベアで構成され、コンベア上に被照射物Wを載置して搬送する。また、搬送装置400における方向切換箇所、詳細には、第2通路354aと第3通路356aとの接続箇所、第2通路354bと第3通路356bとの接続箇所、第3通路356aと第4通路358aとの接続箇所、第3通路356bと第4通路358bとの接続箇所、第5通路360aと第6通路362aとの接続箇所、第5通路360bと第6通路362bとの接続箇所には、被照射物Wを押し出すための押出装置が設けられており、被照射物Wの搬送方向を90度変更することができる。さらに、第1昇降通路370a、370bに設けられる搬送装置400は、図7に示すように、被照射物Wを鉛直方向に昇降する、エレベータ等の昇降装置410aで構成される。図7では、第1昇降通路370aを例に挙げているため、昇降装置410aは、2階の第2通路354aに設けられた搬送装置400bで搬送された被照射物Wを鉛直下方に降下させ、第1通路352に設けられた搬送装置400cに搬送する。なお、第1昇降通路370b、第2昇降通路372a、372bにも昇降装置図示せずが設けられており、第2昇降通路372bに設けられた昇降装置は、昇降装置410aと同様に、被照射物Wを鉛直下方に下降させ、第1昇降通路370b、第2昇降通路372aに設けられた昇降装置は、被照射物Wを鉛直上方に上昇させる。図8は、照射領域で発生した放射線の放出方向を説明するための説明図である。図8に示すように、照射領域Rで発生した放射線は、360度すべての方向に放出される。照射領域Rで発生した放射線は、搬送構造200の内部において最も線量の多い放射線となる。したがって、第1通路352を区画する遮蔽壁312前面壁312aは、図8a中、Z軸方向に放出される放射線を吸収できる程度に、Z軸方向の厚みが厚く形成される。また、第1通路352と電源室302とを区画する遮蔽壁312中間壁312bにも最も線量の多い放射線が直進入射するが、中間壁312bと外部Eとの間に、電源室302を区画する遮蔽壁312背面壁312cが設けられているため、中間壁312bと背面壁312cとのZ軸方向の厚みの和が前面壁312aの厚みと等しくなるように中間壁312bと背面壁312cが形成される。また図8bに示すように、鉛直方向図8中Y軸方向に放出される放射線については、床部310および天井壁314が吸収する。具体的に説明すると、照射領域Rの鉛直下方には地面が存在する。地面は放射線を吸収することができるので、鉛直下方に放出される放射線は、床部310および地面で吸収される。したがって床部310は、地面が放射線を吸収できる分を勘案して、前面壁312aよりも厚みを薄くすることができる。天井壁314は、鉛直上方に放出される放射線を吸収し外部Eへの漏洩を遮断する程度の厚み前面壁312aと同程度の厚みに形成される。さらに、図8bに示すように、照射領域Rで発生した放射線は、水平方向図8b中X軸方向に放出される。したがって、照射領域Rの水平方向に位置する右側壁312dおよび左側壁312eは、前面壁312aと同程度の厚みに形成される。本実施形態において、搬送通路350は、1階と2階とで形成されるため、2階の床における図8bのX軸方向の幅分、1階の遮蔽壁312右側壁312dおよび左側壁312eを建屋300の内側に形成することができる。換言すれば、2階の床を1階の遮蔽壁312として機能させることができる。したがって、図8b中X軸方向に放出した放射線を確実に遮断するとともに、従来よりも搬送構造200の設置面積を小さくすることが可能となる。また、図8bに示すように、照射領域Rで発生した放射線であって、水平面からの角度α0<α<90で放出される放射線のうちの一部図8b中、破線の矢印で示すは、第1通路352から第1昇降通路370a、370bを通じて、直接第2通路354a、354bに抜けるおそれがある。そうすると、2階の遮蔽壁312右側壁312fおよび左側壁312gを前面壁312aと同程度の厚みにする必要がある。そこで、本実施形態では、第1通路352を区画する天井壁314の一部を鉛直下方に突出させて遮蔽部330を形成する。そして遮蔽部330の頂部330a第1通路352の天井壁面330aが、放射線の発生源P1、P2と、第2通路354a、354bを区画する底面の照射領域R側の端部Qとを結ぶ直線P1Q、P2Q上に位置するように遮蔽部330を構成する。ここで、発生源P1は、電子線が被照射物Wに衝突したときの放射線の発生源であり、発生源P2は、電子線が床部310に衝突したときの放射線の発生源である。そうすると、発生源P1、P2から放出された最も線量の多い放射線は、2階第2通路354に直接入射することなく、必ず遮蔽部330で反射することになる。したがって、第1通路352の発生源P1、P2から第2通路354a、354bへの放射線の直進入射を遮蔽することができる。これにより、2階の右側壁312fおよび左側壁312gの厚みを前面壁312aよりも薄くすることが可能となる。そして、図9a、bに示すように、遮蔽部330で1回目の反射T1をして線量が減少した放射線は、床部310図9a、または、第1昇降通路370a、370bを区画する遮蔽壁312右側壁312d、左側壁312e図9bで2回目の反射T2をし、第1昇降通路370a、370bを区画する天井壁314で3回目の反射T3をし、第2通路354a、354bを区画する遮蔽壁312右側壁312f、左側壁312gで4回目の反射T4をする。このように、照射領域Rで発生した放射線は、第2通路354a、354bに到達するまでに反射点T1、T2、T3、T4と4回反射することになる。したがって、電子線照射装置100から照射される電子線のエネルギーが、例えば10MeV程度であっても、照射領域Rから第2通路354a、354bに到達するまでに4回反射させることになるため、外部Eに放出しても問題ない線量に減少させることが可能となる。以上説明したように、本実施形態にかかる搬送構造200によれば、建屋300の設置面積を小さくすることができ、電子線照射装置100が照射した電子線に基づいて発生した放射線の外部Eへの漏洩を確実に遮断することが可能となる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば、上述した実施形態では、第1の通路を第1通路352と、第2の通路を第2通路354a、354bと、第3の通路を第3通路356a、356bとしているが、第1の通路を第3通路356a、356bとし、第2の通路を第4通路358a、358bとしてもよい。また、上述した実施形態では、第1の通路第1通路352は第2の通路第2通路354a、354bよりも鉛直下方に位置するが、遮蔽部330が第1通路352から第2通路354a、354bへの放射線の直進入射を遮蔽することができれば、第1の通路が第2の通路よりも鉛直上方に位置してもよい。さらに、上述した実施形態において、遮蔽部330は、第1通路352を区画する天井壁314の一部を鉛直下方に突出させているが、第1の通路から第2の通路への放射線の直進入射を遮蔽することができればよい。例えば、図10に示すように、遮蔽部330が第1昇降通路370a、370bを区画する壁面に設けられてもよい。