"電極層と、該電極層上に配置された、I-III-VI族のカルコパイライト系化合物半導体および酸素を含む第1の半導体層と、該第1の半導体層上に配置された、前記第1の半導体層とpn接合を形成する第2の半導体層とを備えており、前記第1の半導体層において、該第1の半導体層全体の酸素のモル濃度よりも、前記第1の半導体層の積層方向の中央部から前記電極層側に位置する部位における酸素のモル濃度の方が大きい、光電変換装置。前記第1の半導体層の酸素のモル濃度は、前記第2の半導体層側の部位から前記電極層側の部位に向かって漸次大きくなっている、請求項1に記載の光電変換装置。前記第1の半導体層において、該第1の半導体層全体の酸素のモル濃度よりも、前記第2の半導体層の近傍における酸素のモル濃度の方が大きい、請求項1に記載の光電変換装置。前記カルコパイライト系化合物半導体は複数の結晶粒を含んでおり、前記第1の半導体層において、該第1の半導体層全体の前記結晶粒の平均の粒径よりも、前記第1の半導体層の積層方向の中央部から前記電極層側に位置する部位における前記結晶粒の平均の粒径の方が小さい、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換装置。前記第1の半導体層は、セレンを含み、前記第1の半導体層全体のセレンのモル濃度よりも、前記第1の半導体層の積層方向の中央部から前記電極層側に位置する部位におけるセレンのモル濃度の方が小さい、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の光電変換装置。前記電極層は、モリブデンを含み、前記第1の半導体層において、該第1の半導体層の積層方向の中央部から前記電極層側に位置する部位におけるセレンのモル濃度よりも、前記電極層の近傍におけるセレンのモル濃度の方が大きい、請求項5に記載の光電変換装置。前記第1の半導体層は、ガリウムを含み、前記第1の半導体層全体のガリウムのモル濃度よりも、前記第1の半導体層の積層方向の中央部から前記電極層側に位置する部位におけるガリウムのモル濃度の方が小さい、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の光電変換装置。本発明の一実施形態に係る光電変換装置10は、図1および図2に示すように、基板1と、第1の電極層2と、第1の半導体層3と、第2の半導体層4と、第2の電極層5とを含んでいる。光電変換装置10は、第1の半導体層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。隣接する光電変換装置10同士は、接続導体7で電気的に接続されている。すなわち、一方の光電変換装置10の第2の電極層5と他方の光電変換装置10の第3の電極層6とが接続導体7で接続されている。この第3の電極層6は、隣接する光電変換装置10の第1の電極層2としての機能を兼ねている。これにより、隣接する光電変換装置10同士は、互いに直列接続されている。なお、一つの光電変換装置10内において、接続導体7は第1の半導体層3および第2の半導体層4をそれぞれ分断するように設けられている。そのため、光電変換装置10では、第1の電極層2と第2の電極層5とで挟まれた第1の半導体層3および第2の半導体層4で光電変換が行なわれる。また、本実施形態のように、第2の電極層5上に集電電極8が設けられてもよい。基板1は、光電変換装置10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂等が挙げられる。第1の電極層2および第3の電極層6は、例えばモリブデンMo、アルミニウムAl、チタンTiまたは金Au等で形成される。第1の電極層2および第3の電極層6は、スパッタリング法または蒸着法等によって基板1上に形成される。第1の半導体層3は、光を吸収するとともに、第2の半導体層4と協働して光電変換を行うものである。第1の半導体層3は、カルコパイライト系化合物半導体を含み、第1の電極層2上および第3の電極層上に設けられている。ここで、カルコパイライト系化合物半導体とは、I-B族元素11族元素ともいうとIII-B族元素13族元素ともいうとVI-B族元素16族元素ともいうとの化合物半導体であるCIS系化合物半導体ともいう。I-III-VI族のカルコパイライト系化合物半導体としては、例えばCuIn,GaSe2CIGSともいう、CuIn,GaSe,S2CIGSSともいうおよびCuInS2CISともいうが挙げられる。なお、CuIn,GaSe2とは、Cu、In、GaおよびSeを主に含む化合物をいう。また、CuIn,GaSe,S2とは、Cu、In、Ga、SeおよびSを主に含む化合物をいう。第1の半導体層3は、例えば1~2.5μmの厚みであればよい。これにより、光電変換効率が高まる。第1の半導体層3は、I-III-VI族のカルコパイライト系の化合物半導体に加えて酸素を含んでいる。このような酸素は、カルコパイライト系化合物半導体内に存在する欠陥を埋める役割を有する。この欠陥とは、カルコパイライト構造の一部のサイトから原子が脱離し、空孔となった部分を指す。そして、上述した酸素は、上記欠陥空孔を埋める役割を有している。換言すれば、酸素は、カルコパイライト構造の空孔と置換することになる。第1の半導体層3は、図3に示すように、第1の半導体層3の積層方向の中央部から第1電極層2側に位置する部位Aと、第1の半導体層3の積層方向の中央部から第2の半導体層4側に位置する部位Bとに分けられる。ここで、第1の半導体層3の積層方向の中央部とは、図3に示すように、第1の半導体層3の積層方向厚み方向に直交する方向に沿って第1の半導体層3の中間部に引かれた仮想の中心線C図3中の点線の近傍を指す。さらに、第1の半導体層3の部位Aにおける酸素のモル濃度は、第1の半導体層3全体の酸素のモル濃度よりも大きい。これにより、第1の半導体層3の部位Aにおける酸素のモル濃度が高まって、第1の半導体層3の部位A内における欠陥を酸素で埋めやすくなる。その結果、第1の半導体層3の部位Aで発生した少数キャリアの拡散距離が伸びる。これにより、少数キャリアが第2の電極層5まで到達しやすくなる。これは、少数キャリアの再結合の発生が低減されるからである。それゆえ、光電変換効率が向上する。なお、第1の半導体層3では、上述した酸素のモル濃度が過度に高くなると、欠陥が存在する部分以外にも酸素が存在するようになり、酸素自身が欠陥となる場合がある。それゆえ、第1の半導体層3全体の酸素のモル濃度は、1~5molであるとよい。なお、第1の半導体層3全体の酸素のモル濃度とは、第1の半導体層3中の平均の酸素のモル濃度である。一方で、第1の半導体層3の部位Aにおける酸素のモル濃度は、第1の半導体層3全体の酸素のモル濃度よりも、1~5mol程度高くなっている。上述した範囲の酸素のモル濃度を有する第1の半導体層3であれば、酸素によって欠陥を適度に埋めつつ、余計な欠陥の発生を低減しやすい。第1の半導体層3は、例えば、次のようにして作製される。まず、第1の電極層2を有する基板1上に、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む原料溶液を塗布することにより第1塗布膜を形成するA1工程。次に、酸素雰囲気中で上記第1塗布膜を加熱処理することによって第1前駆体を形成するA2工程。このA2工程における第1前駆体の形成温度は200~300°Cである。次に、VI-B族元素を含む雰囲気または窒素やアルゴン等の不活性雰囲気中で上記第1前駆体を加熱することによって第1層を形成するA3工程。このA3工程における第1層の形成温度は400~500°Cである。次に、この第1層上にI-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む原料溶液を塗布することによって第2塗布膜を形成するA4工程。次に、酸素雰囲気中で上記第2塗布膜を加熱処理することによって第2前駆体を形成するA5工程。このA5工程における第2前駆体の形成温度は200~300°Cである。次に、VI-B族元素を含む雰囲気または窒素やアルゴン等の不活性雰囲気中で上記第2前駆体を加熱することによって第2層を形成するA6工程。このA6工程における第2層の形成温度は400~500°Cである。次に、第2層上にI-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む原料溶液を塗布することによって第3塗布膜を形成するA7工程。次に、酸素雰囲気中で上記第3塗布膜を加熱処理することによって第3前駆体を形成するA8工程。このA8工程における第3前駆体の形成温度は200~300°Cである。次に、VIB族元素を含む雰囲気または窒素やアルゴン等の不活性雰囲気中で上記第3前駆体を加熱することによって第3層を形成するA9工程。このA9工程における第3層の形成温度は400~500°Cである。以上の工程により、3層の半導体層からなる第1の半導体層3が形成される。なお、半導体層を3層以上積層させて第1の半導体層3を作製する場合は、例えば、上述したA1乃至A9工程を繰り返せばよい。このような酸素のモル濃度の異なる層を複数有する第1の半導体層3は、各層の形成時における酸素雰囲気中の酸素濃度を変えることによって得られる。第1の半導体層3は、例えば、A2工程、A5工程、A8工程の順で、導入する酸素の量を減らすことによって、第1の電極層2側に位置する部位Aにおける酸素のモル濃度の方を大きくすることができる。具体的に、上述したようなA1~A9工程を経て第1の半導体層3を形成する場合には、例えば、A2工程での酸素の導入量を100ppm程度、A5工程での酸素の導入量を50ppm程度、A8工程での酸素の導入量を10ppm以下とすればよい。また、部位Aにおける酸素のモル濃度を高める方法としては、例えば、A2工程、A5工程、A8工程の順で、酸素雰囲気中で加熱処理する時間を短くする方法がある。他の方法としては、酸素を導入することなく第1の半導体層3を形成した後、例えば、水素雰囲気下で第1の半導体層3を還元処理する方法がある。この方法では、第1の半導体層3の部位Bの酸素の含有量を第1の半導体層3の部位Aに比べて相対的に減らすことができる。また、上述した方法における第1の半導体層3の各層の形成温度とは、各工程内の雰囲気の温度を指す。一方で、各方法において、第1乃至第3層を形成するときの形成温度は、基板1自体の温度であってもよい。このような場合、基板1の温度の調整のほうが雰囲気の温度の調整よりも容易にできる。これにより、製造工程が簡易になる。なお、上述した第1の半導体層3の酸素のモル濃度は、例えば、X線光電子分光法XPS:XrayPhotoelectronSpectroscopy、オージェ電子分光AES:AugerElectronSpectroscopyまたは2次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectroscopy等で測定できる。これらの方法では、スパッタリング法で第1の半導体層3を深さ方向に削りながら測定する。第1の半導体層3の部位Aにおける酸素のモル濃度は、上記した測定方法によって、部位Aにおける任意の10箇所で測定を行ない、その平均値として得られる。また、第1の半導体層3全体の酸素のモル濃度は、第1の半導体層3における任意の10箇所で測定を行ない、その平均値として得られる。例えば、セシウムのイオンビームを照射しながら、スパッタリング法で第1の半導体層3を深さ方向に削る2次イオン質量分析法により、第1の半導体層3の酸素のモル濃度を測定したところ、第1の半導体層3全体の酸素のモル濃度は、5molであった。また、第1の半導体層3の部位Aにおける酸素のモル濃度は、10molであった。このような光電変換装置10では、部位Aにおける少数キャリアの拡散距離を伸ばしつつ、酸素による欠陥の発生を低減できるため、光電変換効率が高い。さらに、カルコパイライト系化合物半導体は、複数の結晶粒を含んでいてもよい。このとき、第1の半導体層3において、上記結晶粒の平均の粒径よりも、第1の半導体層3の部位Aにおける上記結晶粒の平均の粒径の方が小さくてもよい。これにより、第1の半導体層3は、第1の電極層2と接触する部位における結晶粒の粒径を小さくできる。その結果、第1の電極層2と第1の半導体層3との密着性が向上する。さらに、このような形態では、第1の半導体層3の部位Aにおいて、粒径を小さくすることによって生じやすい欠陥を酸素で埋めやすくなる。また、第1の半導体層3の結晶粒の平均の粒径は、例えば0.5~2μmであればよい。これにより、粒界における再結合が低減される。さらに、第1の半導体層3の表面における凹凸が低減される。このとき、第1の半導体層3の部位Aにおける結晶粒の平均の粒径は、0.05~0.3μmであればよい。これにより、第1の半導体層3における過度な欠陥の発生を低減しつつ、第1の電極層2との密着性を高めることができる。なお、この結晶粒の粒径は、例えば、断面の顕微鏡写真に結晶粒の境界を書き入れたのち、画像処理ソフトを用いて粒径を算出することで求めることができる。このような第1の半導体層の部位Aにおける粒径を小さくする方法としては、例えば、A2工程における第1前駆体の形成温度をA5工程およびA8工程における第2前駆体および第3前駆体の形成温度よりも10~30°C程度低くする方法が挙げられる。このような塗布法の場合、その際に用いる原料溶液としては、例えば、I-B族金属と、III-B族金属と、カルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基性有機溶剤とを含むものであればよい。カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とを含む溶媒以下、混合溶媒Sともいうは、I-B族金属およびIII-B族金属を良好に溶解させることができる。このような混合溶媒Sであれば、混合溶媒Sに対するI-B族金属およびIII-B族金属の合計の濃度が6質量以上となる原料溶液を作製できる。また、このような混合溶媒Sを用いることにより、上記金属の溶解度を高めることができるため、高濃度の原料溶液を得ることができる。次に、原料溶液について詳細に説明する。カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物である。カルコゲン元素とは、VI-B族元素のうちのS、SeまたはTeをいう。カルコゲン元素がSである場合、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えばチオール、スルフィド、ジスルフィド、チオフェン、スルホキシド、スルホン、チオケトン、スルホン酸、スルホン酸エステルおよびスルホン酸アミド等が挙げられる。上記した化合物のうち、チオール、スルフィドおよびジスルフィド等は、金属と錯体を形成しやすい。また、カルコゲン元素含有有機化合物は、フェニル基を有していれば、塗布性を高めることができる。このような化合物としては、例えばチオフェノール、ジフェニルスルフィド等およびこれらの誘導体が挙げられる。カルコゲン元素がSeである場合は、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えばセレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシドおよびセレノン等が挙げられる。上記した化合物のうち、セレノール、セレニドおよびジセレニド等は、金属と錯体を形成しやすい。また、フェニル基を有するフェニルセレノール、フェニルセレナイド、ジフェニルジセレナイド等およびこれらの誘導体であれば、塗布性を高めることができる。カルコゲン元素がTeである場合は、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えばテルロール、テルリドおよびジテルリド等が挙げられる。ルイス塩基性有機溶剤とは、ルイス塩基となり得る物質を含む有機溶剤である。ルイス塩基性有機溶剤としては、例えばピリジン、アニリン、トリフェニルフォスフィン等およびこれらの誘導体が挙げられる。ルイス塩基性有機溶剤は、沸点が100°C以上であれば、塗布性を高めることができる。また、I-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物とは化学結合しているとよい。さらに、III-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物とが化学結合しているとよい。さらに、カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とが化学結合しているとよい。上述したように、カルコゲン元素含有有機化合物は、金属およびルイス塩基性有機溶剤等が化学結合していれば、8質量以上のより高濃度の原料溶液とすることができる。上記した化学結合としては、例えば、各元素間における配位結合等が挙げられる。このような化学結合は、例えばNMRNuclearMagneticResonance法により確認することができる。このNMR法において、I-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物との化学結合は、カルコゲン元素の多核NMRのピ-クシフトとして検出できる。また、III-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物との化学結合は、カルコゲン元素の多核NMRのピ-クシフトとして検出できる。また、カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤との化学結合は、有機溶剤由来のピ-クのシフトとして検出できる。I-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物との化学結合のモル数は、カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤との化学結合のモル数の0.1~10倍の範囲であればよい。混合溶媒Sは、室温で液状となるようにカルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤を混合させて調製してもよい。これにより、混合溶媒Sの取り扱いが容易になる。例えば、カルコゲン元素含有有機化合物をルイス塩基性有機溶剤に対して0.1~10倍の量を混合させればよい。これにより、上記した化学結合を良好に形成することができ、高濃度のI-B族金属およびIII-B族金属の溶液を得ることができる。原料溶液は、例えば、混合溶媒SにI-B族金属およびIII-B族金属を直接溶解させて得られる。このような方法であれば、第1の半導体層3に化合物半導体の成分以外の不純物の混入を低減することができる。なお、I-B族金属およびIII-B族金属は、いずれかが金属塩であってもよい。ここで、I-B族金属およびIII-B族金属を混合溶媒Sに直接溶解させるというのは、単体金属の地金または合金の地金を直接、混合溶媒Sに混入し、溶解させることをいう。これにより、単体金属の地金または合金の地金は、一旦、他の化合物例えば塩化物などの金属塩に変化させた後に溶媒に溶解させなくてもよい。それゆえ、このような方法であれば、工程が簡略化できるとともに、第1の半導体層3を構成する元素以外の不純物が第1の半導体層3に含まれるのを低減できる。これにより、第1の半導体層3の純度が高まる。I-B族金属は、例えば、Cu、Agなどである。I-B族金属は、1種の元素であってもよく、2種以上の元素を含んでいてもよい。2種以上のI-B族金属元素を用いる場合、混合溶媒Sに2種以上のI-B族金属の混合物を一度に溶解させればよい。一方で、各元素のI-B族金属をそれぞれ混合溶媒Sに溶解させた後、これらを混合してもよい。III-B族金属は、例えば、Ga、Inなどである。III-B族金属は1種の元素であってもよく、2種以上の元素を含んでいてもよい。2種以上のIII-B族金属元素を用いる場合、混合溶媒Sに2種以上のIII-B族金属の混合物を一度に溶解させればよい。一方で、各元素のIII-B族金属をそれぞれ混合溶媒Sに溶解させた後、これらを混合してもよい。第2の半導体層4は、第1の半導体層3上に形成されている。第2の半導体層4とは、第1の半導体層3に対してヘテロ接合pn接合を行なう半導体層をいう。そのため、第1の半導体層3と第2の半導体層4との界面または界面の近傍に、pn接合が形成されている。第1の半導体層3がp型半導体であれば、第2の半導体層4はn型半導体である。第2の半導体層は、抵抗率が1Ωcm以上であれば、リ-ク電流をより低減できる。第2の半導体層4としては、例えばCdS、ZnS、ZnO、In2S3、InOH,S、Zn,InSe,OHおよびZn,MgO等が挙げられる。このような第2の半導体層4は、例えばケミカルバスデポジションCBD法等で形成される。なお、InOH,Sとは、In、OHおよびSを主に含む化合物をいう。また、Zn,InSe,OHは、Zn、In、SeおよびOHを主に含む化合物をいう。また、Zn,MgOは、Zn、MgおよびOを主に含む化合物をいう。第2の半導体層4は、第1の半導体層3が吸収する光の波長領域に対して光透過性を有していれば、第1の半導体層3の吸収効率を高めることができる。第2の半導体層4は、インジウムInを含んでいる場合には、第2の電極層5が酸化インジウムを含んでいるとよい。これにより、第2の半導体層4と第2の電極層5との間における元素の相互拡散による導電率の変化を低減することができる。さらに、第1の半導体層3がインジウムを含むカルコパイライト系の材料であればよい。このような形態では、第1の半導体層3、第2の半導体層4および第2の電極層5がインジウムを含むことにより、層間の元素の相互拡散による導電率やキャリア濃度の変化を低減できる。第2の半導体層4は、III-VI族化合物を主成分として含むようにすれば、光電変換装置10の耐湿性を向上させることができる。なお、III-VI族化合物とは、III-B族元素とVI-B族元素との化合物である。また、III-VI族化合物を主成分として含むというのは、第2の半導体層4中のIII-VI族化合物の濃度が50mol以上であることをいう。さらに、第2の半導体層4中のIII-VI族化合物の濃度は、80mol以上であってもよい。さらに、第2の半導体層4中のZnは、50原子以下であってもよい。これにより、光電変換装置10の耐湿性が向上する。また、第2の半導体層4中のZnは、20原子以下であってもよい。また、第2の半導体層4の厚みは、例えば10~200nmあるいは100~200nmであればよい。これにより、高温高湿条件下における光電変換効率の低下を低減できる。また、第1の半導体層3の酸素のモル濃度は、第2の半導体層4側の部位から第1の電極層側の部位に向かって漸次大きくなっていてもよい。このような形態であれば、第1の半導体層3の部位Aにおける酸素のモル濃度を大きくしつつ、第1の半導体層3の部位Bにおける酸素のモル濃度を小さくすることができる。第1の半導体層3の部位Bでは、少数キャリアが取り出される第2の電極層5までの距離が第1の半導体層3の部位Aよりも短い。それゆえ、第1の半導体層3の部位Bでは、比較的、少数キャリアの拡散距離が小さくても、第2の電極層5まで到達しやすい。一方で、第1の半導体層3は、酸素が過剰に存在すると、酸素自体が欠陥となり得る。それゆえ、第1の半導体層3の部位Aに比べて多くのキャリアが存在している第1の半導体層3の部位Bでは、酸素が少ない方がよい。それゆえ、本実施形態では、第1の半導体層3の部位Aにおける少数キャリアの拡散距離を伸ばすことができるとともに、第1の半導体層3の部位B内の過剰な酸素によって生じるキャリアの再結合の発生を低減できる。このとき、第1の電極層2の近傍における第1の半導体層3の酸素のモル濃度と、第2の半導体層4の近傍における第1の半導体層3の酸素のモル濃度との差は、1~5mol程度である。なお、第1の半導体層3の第1の電極層2の近傍とは、第1の半導体層3の第1の電極層2との接触面から第1の半導体層3の全体の厚みの1/10の厚みの部分までの領域を指している。また、第1の半導体層3の第2の半導体層4の近傍とは、第1の半導体層3の第2の半導体層4との接触面から第1の半導体層3の全体の厚みの1/20の厚みの部分までの領域を指している。このような第1の半導体層3の製法としては、例えば、上述したようなA2工程、A5工程、A8工程の順で、導入する酸素の量を徐々に減らす方法がある。また、他の製法としては、A2工程、A5工程、A8工程の順で、酸素雰囲気中で加熱処理する時間を徐々に短くする方法がある。また、他の実施形態としては、第1の半導体層3において、該第1の半導体層3全体の酸素のモル濃度よりも、第2の半導体層4の近傍における酸素のモル濃度の方を大きくしてもよい。これにより、第2の半導体層4側に位置する第1の半導体層3の表面部位におけるパッシベーション効果が高まる。それゆえ、第2の半導体層4を形成する前の第1の半導体層3の表面において、欠陥の発生が低減できる。このとき、第1の半導体層3の第2の半導体層4の近傍とは、第1の半導体層3の第2の半導体層4との接触面から第1の半導体層3の全体の厚みの1/20の厚みの部分までの領域を指している。また、この第2の半導体層4の近傍における第1の半導体層3の酸素のモル濃度は、10~50molであるとよい。これにより、このような形態では、過剰な酸素による欠陥の発生を低減しつつ、パッシベーション効果を高めることができる。なお、この第2の半導体層4の近傍における第1の半導体層3の酸素のモル濃度は、第1の半導体層3全体の酸素のモル濃度よりも5~10mol程度高ければよい。このような第1の半導体層3の製法としては、上述したA1~A9工程を経て作製する場合、例えば、A9工程において、酸素を導入すればよい。または、A9工程の次に、第1の半導体層3を酸素の存在する雰囲気で熱処理することによっても、上記した第1の半導体層3を製造できる。なお、本実施形態において、第1の半導体層3の酸素のモル濃度は、上記したX線光電子分光法等の測定方法で測定できる。第2の半導体層4の近傍における第1の半導体層3の酸素のモル濃度は、第1の半導体層3の該当部分における任意の10箇所で測定を行ない、その平均値として得られる。例えば、セシウムのイオンビームを照射しながら、スパッタリング法で第1の半導体層3を深さ方向に削る2次イオン質量分析法により、第1の半導体層3の酸素のモル濃度を測定したところ、第1の半導体層3全体の酸素のモル濃度は、5molであった。また、第2の半導体層4の近傍における第1の半導体層3の酸素のモル濃度は、15molであった。このような光電変換装置10では、第2の半導体層4側に位置する第1の半導体層3の表面部位におけるパッシベーション効果を高めることができるため、光電変換効率が高い。また、第1の半導体層3がセレンを含む場合、第1の半導体層3全体のセレンのモル濃度よりも、第1の半導体層3の積層方向の中央部から第1の電極層2側に位置する部位におけるセレンのモル濃度の方が小さくてもよい。すなわち、図3において、第1の半導体層3の部位Aにおけるセレンのモル濃度は、第1の半導体層3全体のセレンのモル濃度よりも小さくなっている。これにより、第1の半導体層3の部位Aで、エネルギーバンドを傾斜させることができる。その結果、第1の半導体層3および第2の半導体層4への光照射によって生成したキャリアが効率良くpn接合付近まで輸送される。それゆえ、キャリアの収集効率が高まることによって光電変換効率が高まる。第1の半導体層3全体のセレンのモル濃度は、40~60molであるとよい。第1の半導体層3の部位Aにおけるセレンのモル濃度は、30~50molであるとよい。なお、第1の半導体層3のセレンのモル濃度は、上記した酸素のモル濃度の測定方法と同じ方法で測定できる。なお、第1の半導体層3全体のセレンのモル濃度は、第1の半導体層3の任意の10箇所で測定を行ない、その平均値として得られる。また、第1の半導体層3の部位Aにおけるセレンのモル濃度は、第1の半導体層3の部位Aの任意の10箇所で測定を行ない、その平均値として得られる。例えば、2次イオン質量分析法により、第1の半導体層3のセレンのモル濃度を測定したところ、第1の半導体層3全体のセレンのモル濃度は、50molであった。また、第1の半導体層3の部位Aにおける第1の半導体層3のセレンのモル濃度は、40molであった。このような光電変換装置10では、キャリアの収集効率が高まることによって光電変換効率が高まる。このような第1の半導体層3の製法としては、例えば、上述したA1~A9工程を用いる場合、第1層の原料溶液のセレン濃度よりも大きいセレン濃度を有する原料溶液で第3層を形成すればよい。なお、第2層の原料溶液のセレン濃度は、第1層の原料溶液のセレン濃度と同じ、もしくは第1層の原料溶液のセレン濃度よりも大きくすればよい。また、第1の半導体層3において、該第1の半導体層3の積層方向の中央部から第1の電極層2側に位置する部位におけるセレンのモル濃度よりも、第1の電極層2の近傍におけるセレンのモル濃度の方が大きくてもよい。すなわち、図3において、第1の半導体層3の部位Aにおけるセレンのモル濃度よりも、第1の電極層2の近傍における第1の半導体層3のセレンのモル濃度の方が大きくなっている。これにより、第1の半導体層3において、第1の電極層2の近傍における酸素のモル濃度が、第1の半導体層3の他の部分と比べて相対的に小さくできる。それゆえ、第1の電極層2がモリブデンを含む場合、第1の電極層2と第1の半導体層3との界面における酸化モリブデンの生成が低減される。一方で、第1の電極層2と第1の半導体層3との界面において、セレン化モリブデンが生成されやすくなる。その結果、第1の電極層2と第1の半導体層3との界面における抵抗値の上昇が低減されて光電変換効率が高まる。第1の半導体層3の部位Aにおけるセレンのモル濃度は、30~50molであるとよい。第1の電極層2の近傍における第1の半導体層3のセレンのモル濃度は、50~70molであるとよい。なお、本実施形態における第1の半導体層3のセレンのモル濃度は、上記した実施形態のセレンのモル濃度の測定方法と同じ方法で測定および算出できる。例えば、2次イオン質量分析法により、第1の半導体層3のセレンのモル濃度を測定したところ、第1の半導体層3の部位Aにおけるセレンのモル濃度は、40molであった。また、第1の電極層2の近傍における第1の半導体層3のセレンのモル濃度は、60molであった。このような光電変換装置10では、セレン化モリブデンの生成を促進できるため、光電変換効率が高まる。このような第1の半導体層3の製法としては、例えば、上述したA1~A9工程を用いる場合、A1工程の前に、モリブデンを含む第1の電極層2の表面をセレン化すればよい。このようなセレン化処理は、第1の電極層2が形成された基板1を加熱炉内に配置し、10~1000ppmのセレン濃度の雰囲気中で200~500°C程度で焼成すればよい。このとき、焼成時間は、1~120分程度であればよい。これにより、第1の電極層2の表面上にセレン化モリブデンが形成されるため、第1の電極層2の近傍における第1の半導体層3のセレンのモル濃度が高まる。また、第1の半導体層3がガリウムを含む場合、第1の半導体層3全体のガリウムのモル濃度よりも、第1の半導体層3の積層方向の中央部から第1の電極層2側に位置する部位におけるガリウムのモル濃度の方が小さくてもよい。すなわち、図3において、第1の半導体層3の部位Aにおけるガリウムのモル濃度は、第1の半導体層3全体のガリウムのモル濃度よりも小さくなっている。これにより、酸素のモル濃度が高い第1の半導体層3の部位Aにおける酸化ガリウムの過剰な生成を低減できる。それゆえ、酸化ガリウムの生成に伴う第1の半導体層3の部位Aの抵抗値の上昇を低減できるため、光電変換効率が高まる。第1の半導体層3全体のガリウムのモル濃度は、6~12molであるとよい。第1の半導体層3の部位Aにおけるガリウムのモル濃度は、4~8molであるとよい。なお、第1の半導体層3のガリウムのモル濃度は、上記した酸素のモル濃度の測定方法と同じ方法で測定できる。なお、第1の半導体層3全体のガリウムのモル濃度は、第1の半導体層3の任意の10箇所で測定を行ない、その平均値として得られる。また、第1の半導体層3の部位Aにおけるガリウムのモル濃度は、第1の半導体層3の部位Aの任意の10箇所で測定を行ない、その平均値として得られる。例えば、2次イオン質量分析法により、第1の半導体層3のガリウムのモル濃度を測定したところ、第1の半導体層3全体のガリウムのモル濃度は、8molであった。また、第1の半導体層3の部位Aにおける第1の半導体層3のガリウムのモル濃度は、5molであった。このような光電変換装置10では、第1の半導体層3の部位Aにおける酸化ガリウムの過剰な生成を低減することができるため、光電変換効率が高まる。このような第1の半導体層3の製法としては、例えば、上述したA1~A9工程を用いる場合、第1層の原料溶液のガリウム濃度よりも大きいガリウム濃度を有する原料溶液で第3層を形成すればよい。なお、第2層の原料溶液のガリウム濃度は、第1層の原料溶液のガリウム濃度と同じ、もしくは第1層の原料溶液のガリウム濃度よりも大きくすればよい。第2の電極層5は、例えば、ITO酸化インジウム錫、ZnO等の0.05~3μmの透明導電膜である。第2の電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成される。第2の電極層5は、第2の半導体層4よりも抵抗率の低い層であり、第1の半導体層3で生じた電荷を取り出すためのものである。第2の電極層5は、抵抗率が1Ωcm未満、シ-ト抵抗が50Ω/□以下であれば、電荷を良好に取り出すことができる。第2の電極層5は、第1の半導体層3の吸収効率をより高めるため、第1の半導体層3の吸収光に対して高い光透過性を有していてもよい。また、第2の電極層5の厚みは、0.05~0.5μmであればよい。これにより、第2の電極層5は、光透過性を高めるとともに、光の反射を低減することができる。さらに、第2の電極層5は、光散乱効果を高めるとともに、光電変換によって生じた電流を良好に伝送できる。また、第2の電極層5と第2の半導体層4の屈折率をほぼ等しくすれば、第2の電極層5と第2の半導体層4との界面での光の反射を低減できる。第2の電極層5は、III-VI族化合物を主成分として含むとよい。これにより、光電変換装置10の耐湿性が向上する。なお、III-VI族化合物を主成分として含むというのは、第2の電極層5中のIII-VI族化合物の濃度が50mol以上であることをいう。さらに、第2の電極層5中のIII-VI族化合物の濃度は、80mol以上であってもよい。さらに、第2の電極層5中のZnの濃度は、50原子以下であってもよい。これにより、光電変換装置10の耐湿性が向上する。また、第2の電極層5中のZnの濃度は、20原子以下であってもよい。光電変換装置10では、第2の半導体層4と第2の電極層5とを合わせた部分、すなわち、第1の半導体層3と集電電極8とで挟まれる部分がIII-VI族化合物を主成分として含んでいてもよい。なお、III-VI族化合物を主成分として含むというのは、この第2の半導体層4と第2の電極層5とを合わせた部分を構成する化合物のうち、III-VI族化合物複数種のIII-VI族化合物がある場合、その合計が50mol以上であることをいう。なお、III-VI族化合物は80mol以上であってもよい。この第2の半導体層4と第2の電極層5とを合わせた部分におけるZnの濃度は、50原子以下であってもよい。これにより、光電変換装置10の耐湿性が向上する。また、この第2の半導体層4と第2の電極層5とを合わせた部分におけるZnの濃度は、20原子以下であってもよい。光電変換装置10は、接続導体7を介して隣り合う光電変換装置10と電気的に接続されている。これにより、図1に示すように、複数の光電変換装置10が直列接続されて光電変換モジュール20となる。接続導体7は、第2の電極層5と第3の電極層6とを接続する。換言すれば、接続導体7は、一方の光電変換装置10の第2の電極層5と、隣り合う他方の光電変換装置10の第1の電極層2とを接続する。この接続導体7は、隣接する光電変換装置10の各第1の半導体層3を分断するように形成されている。これにより、第1の半導体層3でそれぞれ光電変換された電気を、直列接続によって電流として取り出すことができる。接続導体7は、第2の電極層5を形成する際に同じ工程で形成し、第2の電極層5と一体化するようにしてもよい。これにより、接続導体7を形成する工程が簡略化できる。さらに、このような方法であれば、接続導体7と第2の電極層5との電気的な接続を良好にできるため、信頼性を高めることができる。集電電極8は、第2の電極層5の電気抵抗を小さくする機能を有する。これにより、第1の半導体層3で発生した電流が効率よく取り出される。その結果、光電変換装置10の発電効率が高まる。集電電極8は、例えば、図1に示すように、光電変換装置10の一端から接続導体7に亘って線状に形成されている。これにより、第1の半導体層3の光電変換によって生じた電荷が第2の電極層5を介して集電電極8で集電される。この集電された電荷は、接続導体7を介して隣接する光電変換装置10に導電される。よって、集電電極8を設ければ、第2の電極層5を薄くしても第1の半導体層3で発生した電流を効率よく取り出すことができる。その結果、発電効率が高まる。このような線状の集電電極8の幅は、例えば、50~400μmであればよい。これにより、第1の半導体層3の受光面積を過度に減らすことなく導電性を確保できる。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダ-等に分散させた金属ペ-ストを用いて形成される。集電電極8は、例えば、スクリ-ン印刷等で所望のパタ-ン状に金属ペ-ストを印刷し、その後、硬化して形成される。また、集電電極8は、半田を含んでいてもよい。これにより、曲げ応力に対する耐性を高めることができるとともに、抵抗をより低下させることができる。集電電極8は、融点の異なる金属を2種以上含んでいてもよい。このとき、集電電極8は、少なくとも1種の金属を溶融させ、他の少なくとも1種の金属が溶融しない温度で加熱して硬化したものであるとよい。これにより、低い融点の金属が先に溶融することによって、集電電極8が緻密化する。それゆえ、集電電極8の抵抗が下がる。一方で、高い融点の金属は、集電電極8の形状を維持するように作用する。集電電極8は、平面視して第1の半導体層3の外周端部側に達するように設けられているとよい。このような形態では、集電電極8が第1の半導体層3の外周部を保護し、第1の半導体層3の外周部での欠けの発生を低減できる。このような集電電極8であれば、第1の半導体層3の外周部で発生した電流を効率よく取り出すことができる。これにより、発電効率が高まる。また、このような形態では、第1の半導体層3の外周部を保護することができるため、第1の電極層2と集電電極8との間に設けられた部材の合計の厚みを小さくすることができる。よって、部材の削減ができる。さらに、上記部材に相当する第1の半導体層3、第2の半導体層4および第2の電極層5の形成工程が短縮化できる。第1の半導体層3、第2の半導体層4および第2の電極層5の合計の厚みは、例えば、1.56~2.7μmであればよい。具体的に、第1の半導体層3の厚みは、1~2.5μmである。また、第2の半導体層4の厚みは、0.01~0.2μmである。また、第2の電極層5の厚みは、0.05~0.5μmである。また、第1の半導体層3の外周端部において、集電電極8の端面、第2の電極層5の端面および第1の半導体層3の端面が同一面上にあってもよい。これにより、第1の半導体層3の外周端部で光電変換した電流を良好に取り出すことができる。なお、集電電極8を平面視して集電電極8が第1の半導体層3の外周端部まで達していなくてもよい。例えば、第1の半導体層3の外周端部と集電電極8の端部との距離が1000μm以下であれば、第1の半導体層3の外周端部を基点とした欠けの発生および欠けの進行を低減できる。なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。"