"プロセスガスにレーザ光をスキャンしながら照射する半導体レーザ及びレーザコントローラを含む光源ユニットと、前記プロセスガスを透過したレーザ光を検出するディテクタ回路と、このディテクタ回路からの出力信号が入力されるDAQデータ収集回路と、このDAQ回路からの出力データを取り込んで前記プロセスガスの濃度を演算するCPU演算処理部と、前記レーザコントローラにレーザ掃引スタートパルスを送出するとともに前記DAQ回路に前記CPUへデータ取り込みのタイミング信号を送出するタイミング生成回路とで構成されたレーザガス分析装置において、前記タイミング生成回路から出力されたタイミング信号を入力しカウンタをスタートさせる遅延測定回路と、前記ディテクタ回路で検出される測定信号のエッジ測定のスタート点を検出するエッジ検出回路と、を備え、前記タイミング生成回路は前記エッジ検出回路からのエッジ検出信号を入力し前記カウンタで前記レーザ掃引スタートパルスが送出されてからの時間遅れを検出し、その遅れに基づいて前記DAQ回路から前記CPUに取り込むデータ取り込み時間を遅延させるように構成したことを特徴とするレーザガス分析装置。前記ディテクタ回路は受光素子、ゲイン可変アンプ、及びA/D変換器を含んで構成され、前記DAQ回路は積算器及びメモリを含んで構成されていることを特徴とする請求項請求項1に記載のレーザガス分析装置。図4a,bは上述の従来のレーザガス分析装置のタイミングシーケンスを示す図である。縦軸は信号の強さを横軸は時間を示している。図aにおいて、ィで示す実線はレーザ半導体レーザ出力の強度変化を示し、ロで示す破線はDAQ回路へ入力する測定信号を示している。また、ハは図3に示すタイミング生成回路42でのパルス信号の発生タイミングを示し、二で示すパルス信号はそのパルス信号が同軸ケーブル44やレーザコントローラ43を経て半導体レーザユニット11に配置されたレーザを掃引スタートさせるまでにT1の遅れが生じるということを示している。なお、ロで示す破線に示すホの凹みはプロセスガスにより吸収された波長部分を示している。そして、光源ユニット11から出射したレーザはプロセスガスを透過してディテクタ回路40を構成する受光素子31、ゲイン可変アンプ32、A/D変換器33を経てDAQ回路41に入力するが、タイミング生成回路42で生成されたパルス信号がレーザコントローラに入力して半導体レーザユニットを構成するレーザを掃引し、掃引されたレーザプロセスガスを透過して電気信号に変換されてDAQ回路41に入力されるまでにT2の遅れを生じ、前述のT1と合わせてTDの遅れが生じていることになる。図4bはタイミング生成回路42で発生したパルス信号に対して遅れを生じることなくレーザが発振したと想定した場合の波形ヘと、それからTDの時間遅れを生じてDAQ回路41に入力する信号トの関係を示している。なお,T1やT2の遅れは同期ケーブルの長さやプロセスの設置状態によりプロセス毎に異なる値となるもので予め遅延を考慮したタイミングを生成するのは困難である。このような遅れは後段に配置されたCPU36でプロセスガスの状態を解析する場合に精度低下を引き起こす要因となっている。本発明は、このような課題を解決するものであり、レーザガス分析計により予め考慮することが困難なユーザー環境による遅延を含めた、システム全体の遅延を測定し、キャンセルさせる回路を実現することを目的としている。このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、プロセスガスにレーザ光をスキャンしながら照射する半導体レーザ及びレーザコントローラを含む光源ユニットと、前記プロセスガスを透過したレーザ光を検出するディテクタ回路と、このディテクタ回路からの出力信号が入力されるDAQデータ収集回路と、このDAQ回路からの出力データを取り込んで前記プロセスガスの濃度を演算するCPU演算処理部と、前記レーザコントローラにレーザ掃引スタートパルスを送出するとともに前記DAQ回路に前記CPUへデータ取り込みのタイミング信号を送出するタイミング生成回路とで構成されたレーザガス分析装置において、前記タイミング生成回路から出力されたタイミング信号を入力しカウンタをスタートさせる遅延測定回路と、前記ディテクタ回路で検出される測定信号のエッジ測定のスタート点を検出するエッジ検出回路と、を備え、前記タイミング生成回路は前記エッジ検出回路からのエッジ検出信号を入力し前記カウンタで前記レーザ掃引スタートパルスが送出されてからの時間遅れを検出し、その遅れに基づいて前記DAQ回路から前記CPUに取り込むデータ取り込み時間を遅延させるように構成したことを特徴とする。請求項2記載の発明は、請求項1に記載のレーザガス分析装置において、前記ディテクタ回路は受光素子、ゲイン可変アンプ、及びA/D変換器を含んで構成され、前記DAQ回路は積算器及びメモリを含んで構成されていることを特徴とする。請求項1、2においては、ユーザー環境による遅延を含めた、システム全体の遅延を測定し、その遅延した時間に基づいてデータを取り込むので時間遅れをキャンセルしたレーザガス分析装置を実現することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明の一実施例を示すブロック図であり、図2に示す従来例と共通する部分には同一の符号を付けている。図1と図2の相違点は、タイミング生成回路と遅延測定回路及びディテクタ回路からの出力を入力するエッジ検出回路を設けていることである。図1において、光源ユニット10に設けられている半導体レーザユニット11は、従来と同様に測定用レーザ光をプロセスガス20の雰囲気中に照射出力する。このとき、プロセスガス20の測定対象成分の吸収スペクトルの面積を求めるために、吸収波長を含む狭い帯域でレーザの波長をスキャンさせる。プロセスガス20の雰囲気中を通過した測定用レーザ光は検出ユニット47に設けられている従来と同様の構成のディテクタ回路40に入力されデジタル信号に変換される。この信号はDAQ回路に入力されて従来と同様に測定信号に含まれるノイズが除去されて平滑化された後、CPU36に入力される。CPU36は、ノイズが除去された測定信号に基づきプロセスガスの濃度解析などの演算処理を行う。ここまでは従来と同様であるが、本発明ではタイミング生成回路42のタイミング信号を入力する遅延測定回路45とエッジ検出回路46が設けられている。遅延測定回路45はカウンタを含んで構成されており、レーザ掃引スタートパルスが入力された時点でカウントをスタートさせる。一方タイミング生成回路42はレーザコントローラ43に半導体レーザを掃引するためのレーザ掃引スタートパルスを出力する。このパルス信号は同期ケーブル44、レーザコントローラ43を介して半導体ユニット11を構成するレーザを掃引し、出射したレーザ光はプロセスガス20中を透過してディテクタ回路40に入力する。このディテクタ回路40の出力はDAQ回路41に出力されるが、エッジ検出回路46にも入力され、エッジ検出回路からの出力は遅延測定回路45でスタートしたカウンタを停止させる。その結果、遅延測定回路45はタイミング生成回路から掃引パルスが出力されからディテクタ回路40に達するまでの時間遅れを測定することができる。遅延測定回路45はその遅れ時間をタイミング生成回路42に送出し、タイミング生成回路はDAQ回路からの出力をその遅れに基づいてCPU36に送出する。図2は上述のレーザガス分析装置のタイミングシーケンスを示す図である。縦軸は信号の強さを横軸は時間を示している。図2において、ィはレーザ掃引スタートパルスタイミング生成回路出力を示しロの破線はDAQ回路へ入力する信号を示している。また、ハはTDの時間遅れでDAQ回路5に送信される信号取り込みパルス開始を示している。なお、破線に示すホの凹みはプロセスガスにより吸収された波長部分を示している。上述の構成によれば、ユーザー環境による遅延を含めた、システム全体の遅延を測定し、その値に基づいてCPUへの信号取り込みができるので、正確な分析が可能なレーザガス分析装置を実現することができる。なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。例えば、エッジ検出回路46、遅延測定回路45において複数のカウンタをもたせ、タイミング生成回路42で出力されたレーザー掃引スタートパルスをレーザーコントローラ43が受け、そのまま同期ケーブルを介し、エッジ検出回路46と遅延測定回路45のカウンタを止めるようにしても良い。そうすることで、T1が求まり、TDとの差分でT2も求まる。精度が良く高速なクロックをカウンタに用いれば、同期ケーブル長や光路長を求めることも可能である。従って本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形を含むものである。"