n型層と、該n型層上に、該n型層の上面の一部を露出させて設けられた発光層と、該発光層上に設けられたp型層と、前記n型層の露出した上面に、前記発光層および前記p型層と間をあけて設けられた第1の電極層と、前記p型層上に設けられた、銀を主成分として銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも1種の金属材料を含む第1導電層および前記金属材料を主成分とする第2導電層を順次積層してなる第2の電極層とを有し、前記第1導電層は、前記金属材料の濃度が、前記第1導電層と前記第2導電層との界面から下方に向かうにつれて低くなっていることを特徴とする発光素子。前記第2導電層は、銀を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記第2の電極層は、前記第2導電層上に銀を主成分として前記金属材料を含む第3導電層をさらに有し、該第3導電層は、前記金属材料の濃度が、前記第3導電層と前記第2導電層との界面から上方に向かうにつれて低くなっていることを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子。前記第3導電層は、前記第1導電層よりも多く酸素を含むことを特徴とする請求項3に記載の発光素子。n型層上に、該n型層の上面の一部を露出させる露出領域を有するように発光層およびp型層を順次積層する工程と、前記n型層の前記露出領域に、前記発光層および前記p型層と間をあけて第1の電極層を形成する工程と、前記p型層上に、銀を主成分とする第1導電層および銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも1種の金属材料を主成分とする第2導電層を順次積層してなる第2の電極層を形成する工程と、前記第2の電極層を加熱することにより、前記第2導電層に含まれる前記金属材料を、前記第1導電層と前記第2導電層との界面から前記第1導電層内に拡散させる工程とを有することを特徴とする発光素子の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載された発光素子によれば、反射電極として銀を用いることから、銀がマイグレーションを起こすことにより、光を反射させる反射特性が劣化しやすいという問題があった。その結果、発光素子の光取り出し効率が低下しやすいという問題点があった。そのため、電極におけるマイグレーションを起きにくくした、発光素子の光取り出し効率の低下を招きにくい発光素子を得ることが課題とされていた。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、光半導体層で発光した光の光取り出し効率の低下を招きにくい発光素子を提供することにある。本発明の発光素子は、n型層と、該n型層上に、該n型層の上面の一部を露出させて設けられた発光層と、該発光層上に設けられたp型層と、前記n型層の露出した上面に、前記発光層および前記p型層と間をあけて設けられた第1の電極層と、前記p型層上に設けられた、銀を主成分として銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも1種の金属材料を含む第1導電層および前記金属材料を主成分とする第2導電層を順次積層してなる第2の電極層とを有し、前記第1導電層は、前記金属材料の濃度が、前記第1導電層と前記第2導電層との界面から下方に向かうにつれて低くなっているものである。また、本発明の発光素子の製造方法は、n型層上に、該n型層の上面の一部を露出させる露出領域を有するように発光層およびp型層を順次積層する工程と、前記n型層の前記露出領域に、前記発光層および前記p型層と間をあけて第1の電極層を形成する工程と、前記p型層上に、銀を主成分とする第1導電層および銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも1種の金属材料を主成分とする第2導電層を順次積層してなる第2の電極層を形成する工程と、前記第2の電極層を加熱することにより、前記第2導電層に含まれる前記金属材料を、前記第1導電層と前記第2導電層との界面から前記第1導電層内に拡散させる工程とを有するものである。本発明の発光素子によれば、第2の電極層が、銅、ニッケル、亜鉛、金またはパラジウムの少なくとも1つの金属材料を含むとともに銀を主成分として銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも1種の金属材料を含む第1導電層および前記金属材料を主成分とする第2導電層を有し、第1導電層における前記金属材料の濃度が、第1導電層と第2導電層との界面から下方に向かうにつれて低くなっていることから、第1導電層においてマイグレーションが起きにくくすることができる。その結果、発光素子の光取り出し効率の低下を招きにくくすることができることから、長期にわたって発光素子の信頼性を維持し続けることができる。また、本発明の発光素子の製造方法によれば、銀を主成分とする第1導電層および銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも1種の金属材料を主成分とする第2導電層とを順次積層させた第2の電極層を形成した後、第2の電極層を加熱することにより、第2導電層に含まれる前記金属材料を、第1導電層と第2導電層との界面から第1導電層内に拡散させることができる。このように第1導電層内に前記金属材料を拡散させることができることから、第1導体層においてマイグレーションが起きにくくすることができ、長期にわたって信頼性を維持することが可能な発光素子を製造することができる。以下、本発明の実施の形態の例について図を参照しながら説明する。なお、本発明は以下の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことができる。<発光素子>図1に、本発明の実施の形態の一例である発光素子1の斜視図を示す。図2は図1に示す発光素子1の断面図であり、図1のA-A’線で切断したときの断面に相当する。発光素子1は、図1に示すように、基板2、光半導体層3および電極層4から構成されている。基板2は、光半導体層3を結晶成長させることが可能な材料を用いることができ、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、ホウ化ジルコニウムまたは酸化亜鉛などの結晶性材料を用いることができる。このような基板2は、平面視形状が四角形状となるように形成されている。基板2の厚みは、例えば10μm以上1000μm以下に設定されている。なお、基板2の平面視形状としては、例えば四角形状もしくは五角形状などの多角形状または円形状などに設定することができる。このような基板2は、後述する光半導体層3を成長させた後、エッチングなどを用いて除去してもよい。これにより、光半導体層3で発光した光が基板2で吸収されにくくなるため、光取り出し効率を向上させることができる。また、基板2が除去された光半導体層3の主面に凹凸構造を設けることにより、基板2が除去された光半導体層3の主面で全反射されにくくすることができ、光取り出し効率を向上させることができる。光半導体層3は、図2に示すように、基板2上に複数の半導体層を積層させることによって構成されている。光半導体層3の平面視形状は、基板2の平面視形状と同様に、例えば四角形状もしくは五角形状などの多角形状または円形状などとすることができる。光半導体層3は、全体の厚みが例えば100nm以上20μm以下で形成される。また、光半導体層3の各層の屈折率は、窒化ガリウムを用いた場合には、例えば180以上270以下に設定される。光半導体層3としては、III-V族半導体を用いることができる。このIII-V族半導体としては、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素などを例示することができる。さらに、III族窒化物半導体としては、ボロン、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムのうち少なくとも1種の窒化物からなる混晶を用いることができ、例えば窒化ガリウムを用いることができる。光半導体層3は、複数の半導体層として、n型層3a、発光層3bおよびp型層3cが積層されることによって構成されている。n型層3aは、基板2上に設けられる。n型層3aは、窒化ガリウムからなり、厚みが例えば50nm以上10μm以下に設定されている。n型層3aは、例えば不純物としてシリコンを含ませることにより、電子を多数キャリアとするn型の導電型が半導体に付与されている。発光層3bは、n型層3aの上面3a’の一部を露出させるように、n型層3a上に設けられる。発光層3bには、禁制帯幅の広い障壁層と禁制帯幅の狭い井戸層とからなる量子井戸構造が複数回繰り返し規則的に積層された多層量子井戸構造MQWを用いることができる。障壁層および井戸層としては、インジウムとガリウムとの窒化物からなる混晶においてインジウムとガリウムとの組成比を調整したものを用いることができる。このように構成された発光層3bは、例えば350nm以上600nm以下の波長で発光強度がピークとなる光を発光することができる。p型層3cは、発光層3b上に設けられる。p型層3cは、例えば不純物としてマグネシウムを含ませることによって、正孔を多数キャリアとするp型の導電型が半導体に付与されている。なお、n型層3aとp型層3cとは、互いに逆に配置されていてもよい。光半導体層3には、電圧を印加して発光させるための電極層4が設けられている。電極層4は、n型層3aに電気的に接続された第1の電極層5と、p型層3cに電気的に接続された第2の電極層6とから構成されている。第1の電極層5は、n型層3aの露出した上面3a’に、第1半導体層11a上に設けられている。また、第1の電極層5は、発光層3bおよびp型層3cと電気的に絶縁させるために、発光層3bおよびp型層3cと間を開けて設けられている。第1の電極層5と、発光層3bおよびp型層3cとの間隔は、例えば500nm以上2μm以下に設定することができる。第1の電極層5は、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、金、タンタルまたは白金などの金属や、それらの金属を含む合金膜や、酸化錫、酸化インジウムまたは酸化インジウム錫などの酸化物などを用いることができる。第2の電極層6は、光半導体層3の上面3’に設けられており、第1導電層6aおよび第2導電層6bを順次積層することによって構成されている。第2の電極層6は、全体の厚みが、例えば1μm以上20μm以下となるように設けられている。第1導電層6aは、銀を主成分とするとともに、銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも1種の金属材料を含むように設けられている。第1導電層6aは、銀が主成分となっていればよく、例えばマグネシウム、リン、ガリウム、窒素、酸素および水素の少なくとも1種がさらに含まれていてもよい。なお、本例においては、第1導電層6aに含まれる金属材料として銅の場合を以下に説明する。ここで主成分とは、JISK0211の定義を用いることができ、第1導電層6aを構成する材料の大部分を占め、かつ、第1導電層6aにおいてその材料の本質的役割を示す成分をいう。なお、第1導電層6aの厚みh1は、例えば01μm以上10μm以下となるように設けられている。また、このように第1導電層6a内に含ませる銀以外の金属としては、銀よりもマイグレーションを起こしにくい材料を用いればよい。第2導電層6bは、第1導電層6aに含ませた銅を主成分として構成されている。なお、第2導電層6bは、第1導電層6bで含ませた、銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも1種の金属材料を用いればよい。第2導電層6bは、銅が主成分となっていればよく、例えば、銀、マグネシウム、リン、ガリウム、窒素、酸素および水素の少なくとも1種がさらに含まれていてもよい。なお、第2導電層6bは、厚みh2が、例えば001μm以上10μm以下となるように設けられている。また、第1導電層6aは、銅の濃度が、第1導電層6aと第2導電層6bとの界面から下方に向かうにつれて低くなるように設定されている。第1導電層6aの銅の濃度について、図3を参照しつつ説明をする。図3は、横軸に第1導電層6aの上面6a’第1導電層6aと第2導電層6bとの界面からの距離を、縦軸に銅の濃度質量をそれぞれ示している。図3の曲線は、第1導電層6a内における銅の濃度分布を模式的に示したものである。第1導電層6a内の銅の濃度は、図3に示すように、第1導電層6aと第2導電層6bとの界面から下方に向かうにつれて、界面近傍の濃度c1から低くなるように変化している。このような濃度変化は、例えば、滑らかな濃度変化または階段状の濃度変化などがある。滑らかな濃度変化としては、例えば深さ方向の変化率が1質量/nmとなるように設定することができる。本例の発光素子1は、このように第1導電層6a内の銅の濃度が、第1導電層6aと第2導電層6bとの界面から下方に向かうにつれて、低くなるように設定されている。すなわち、第1導電層6aは、第1導電層6aと第2導電層6bとの界面付近の銅の濃度が高くなるとともに、第1導電層6aとp型層3cとの界面付近の銅の濃度c2が低くなるように設定されている。このように第1導電層6aは、p型層3cと第1導電層6aとの界面付近において、銅の濃度よりも銀の濃度が高くなっていることから、第1導電層6aの反射率の低下を招きにくくすることができる。また第1導電層6aは、第1導電層6aと第2導電層6bとの界面付近において、銀よりもマイグレーションを起こしにくい銅の濃度が高くなるように設定されている。そのため、第1導電層6aが第2導電層6b側からマイグレーションを起こしにくくすることができる。また、図3に示すように、第1導電層6a内の銅の濃度は、第1導電層6a内において、厚み方向の途中で急激に変化していてもよい。ここで急激にとは、濃度c1から濃度c2までの低下が、第1導電層6aの厚みの10以下で行なわれることを指す。このように第1導電層6a内において、銅の濃度を急激に変化させることにより、第1導電層6aにおいてマイグレーションが起きにくくなるとともに、p型層3cと第1導電層6aとの界面における反射率の低下を抑制する効果を高めることができる。一方、仮に、第1導電層として銀と銅とが全体に混ざった合金を用いた場合だと、第1導電層の反射率が低下してしまい、p型層と第1導電層との界面で反射される光量が低下するため、発光素子の光取り出し効率の低下を招きやすくなってしまう。発光素子の各種変形例以下、本発明の発光素子1の変形例について説明をする。なお、上述の発光素子1と重複する部分については同一符号を付し、その説明を省略する。発光素子の変形例1第2導電層6bには、銀を含んでいてもよい。このように第2導電層6bに銀電気抵抗約147[10-8Ωm]を含ませることによって、第1導電層6aに含ませる金属材料として銅電気抵抗約63[10-8Ωm]、ニッケル電気抵抗約62[10-8Ωm]、亜鉛電気抵抗約55[10-8Ωm]、金電気抵抗約205[10-8Ωm]またはパラジウム電気抵抗約10[10-8Ωm]のいずれを用いたとしても、第2導電層6bの電気抵抗を小さくすることができる。このように第2導電層6bの電気抵抗を小さくできることから、発光素子1を発光させる際に印加する電圧を小さくすることができる。その結果、発光素子1で消費される電力を小さくすることができる。また、第2導電層6bに含まれる銀は、第1導電層6aと第2導電層6bとの界面から上方に向かうにつれて濃度が低くなるように設定してもよいし、第2導電層6bが第2導電層6の主成分をなす金属と合金となっていてもよい。第2導電層6bに含まれる銀を、第1導電層6aと第2導電層6bとの界面から上方に向かうにつれて濃度が低くなるように設定した場合は、熱膨張率の違いに起因して発生する熱応力を徐々に緩和することができ、第2導電層6bが第1導電層6aから剥がれにくくすることができる。その結果、第1導電層6aと第2導電層6bとの密着性を向上させることができる。発光素子の変形例2第2の電極層6は、図4に示すように、第2導電層6b上に銀を主成分として銅を含む第3導電層6cをさらに有していてもよい。第3導電層6cは、厚みh3が、例えば05μm以上10μm以下となるように設定されている。このように第2導電層6b上に第3導電層6cが設けられていることにより、発光素子1を回路基板などに実装する際に、第3導電層6cによって電気抵抗を小さくすることができるため、印加電圧を小さくすることができる。また、銀からなる第1導電層6aおよび第3導電層6cで第2導電層6bを挟んだ構造を用いる場合には、第2導電層6bは、厚みh2を十分薄くするとともに銀を含むように設定してもよい。このように第2導電層6bの厚みh2を十分薄くすることにより、第1導電層6aでのマイグレーションを抑制しつつ、第2の電極層6の全体にわたって電気抵抗を小さくすることができる。その結果、発光素子1に印加する電圧を小さくすることができ、発光素子1の電気特性を向上させることができる。なお、第2導電層6bの厚みh2は、例えば10nm以上700nm以下となるように設定することができる。さらに、第3導電層6cは、図5に示すように、銅の濃度が、第3導電層6cと第2導電層6bとの界面から上方に向かうにつれて低くなっていてもよい。図5は、横軸に第3導電層6cの上面6c’からの距離を、縦軸に銅の濃度質量を示し、第2の電極層6内第1導電層6a、第2導電層6bおよび第3導電層6cにおける銅および銀の濃度分布を模式的に示したものである。このように第3導電層6cの銅の濃度を、第3導電層6cと第2導電層6bとの界面から上方に向かうにつれて低くすることにより、第3導電層6cでのマイグレーションを抑制することができる。また、図5に示すように、第2の電極層6内において、銀の濃度c3が、厚みの中間で低くなっているとともに、銅の濃度が急激に高くなるように設定されている。すなわち、第2の電極層6において、厚み方向の途中で急激に銅の濃度が高くなっていることから、第1導電層6aにおいてマイグレーションが起きにくくなるとともに、p型層3cと第1導電層6aとの界面における反射率の低下を抑制し、発光素子1に印加する電圧を小さくする効果を高めることができる。発光素子の変形例3第3導電層6cは、第1導電層6aよりも多く酸素を含んでいてもよい。第3導電層6cが第1導電層6aよりも多く酸素を含んでいることにより、第3導電層6cでのマイグレーションを抑制しつつ、第1導電層6aとp型層3cとの界面での反射率を維持することができる。<発光素子の製造方法>次に、本発明の発光素子の製造方法の実施の形態の一例を説明する。図6から図8は、発光素子1の製造方法を説明するための断面図であり、図2に示す発光素子1のA-A’線における断面に相当する部分を示している。本例の発光素子の製造方法は、主に、光半導体層3を順次積層する工程、第1の電極層5を形成する工程、第2の電極層6を形成する工程および拡散工程を有している。以下、各工程について説明する。光半導体層を順次積層する工程まず、図6に示すように、基板2上に光半導体層3を形成する。光半導体層3は、n型層3a、発光層3bおよびp型層3cを順次積層した積層構造体で構成する。光半導体層3は、基板2上に例えば有機金属気相成長法によって成長させる。光半導体層3を成長させる他の方法として、例えば分子線エピタキシー法、ハイドライド気相成長法またはパルスレーザデポジション法などを用いることができる。なお、光半導体層3としてはIII-V族半導体を用いることができ、p型またはn型の導電型を半導体に付与する際には、光半導体層3を結晶成長させながら添加物を混ぜればよい。発光層3bおよびp型層3cは、n型層3aの上面3a’の一部を露出させる露出領域Spを有するように積層されている。露出領域Spは、面積が、例えば02μm2以上3μm2以下となるように設定することができる。n型層3aに露出領域Spを有するように発光層3bおよびp型層3cを積層させる方法としては、露出領域Spにマスクを形成した後、n型層3aの上面3a’に発光層3bおよびp型層3cを結晶成長させて、マスクを除去する方法を用いることができる。露出領域Spを形成する他の方法としては、基板2上に光半導体層3を成長させた後、エッチングなどでp型層3cおよび発光層3bの一部を除去することにより、n型層3aの上面3a’を露出させる方法を用いることができる。なお、露出領域Spは、n型層3aの上面3a’の一部だけでなく、n型層3aの一部がエッチングで削れることによって露出した表面であってもよい。第1の電極層を形成する工程次に、図7に示すように、n型層3aの露出領域Spに発光層3bおよびp型層3cと間をあけて第1の電極層5を形成する。第1の電極層5は、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、金、タンタルまたは白金などの金属や、それらの金属を含む合金膜や、酸化錫、酸化インジウムまたは酸化インジウム錫などの酸化物などを用いることができる。第1の電極層5を設ける方法としては、例えば金属を用いる場合は、スパッタリング法または蒸着法などを用いることができる。第2の電極層を形成する工程また、図8に示すように、p型層3c上に、第1導電層6aおよび第2導電層6bを積層してなる第2の電極層6を形成する。第1導電層6aは銀が主成分となるように設定されている。また、第2導電層6bは、銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムのうち少なくとも1種の金属材料が主成分となるように設定されている。本例において、第2導電層6bは、銅が主成分となるように設定されている。第2の電極層6を設ける方法は、例えば金属材料をスパッタリング法または蒸着法を用いることができる。拡散工程その後、第2の電極層6を加熱することにより、第2導電層6bに含まれる金属材料を、第1導電層6aと第2導電層6bとの界面から第1導電層6a内に拡散させることができる。第2の電極層6を加熱する加熱温度は、例えば100°C以上800°Cに設定することができる。また、第2の導電層6を加熱する加熱時間は、例えば1分以上60分以下となるように設定してもよい。本例の発光素子の製造方法は、第1導電層6aおよび第2導電層6bを順次積層して第2の電極層6を形成した後、第2の電極層6を加熱することにより、第2導電層6bの主成分をなす銅を、第2導電層6bと第1導電層6aとの界面から、第1導電層6a内に拡散させることができる。このように第2導電層6bに含まれる銅を、銀からなる第1導電層6a内に拡散させることができることから、銅は銀よりもマイグレーションを起こしにくいため、p型層3cの上面3a’に形成される第1導電層6aの銀がマイグレーションを起こしにくくすることができる。また、第1導電層6内に拡散した銅は、第1導電層6aと第2導電層6bとの界面から下方に向かうにつれて低くなるように設定される。そのため、第1導電層6aは、p型層3cとの界面付近の銅の濃度が低くなっていることから、発光層3bで発光した光を他方へ反射させる反射特性を維持しつつ、第1導電層6aのマイグレーションを抑制することができる。発光素子の各種変形例以下、本発明の発光素子1の製造方法の変形例について説明する。なお、上述の発光素子1の製造方法と重複する部分については同一符号を付し、その説明を省略する。発光素子の製造方法の変形例1第2の電極層を形成する工程において、第1導電層6aを加熱した状態で、第2導電層6bを第1導電層6a上に積層してもよい。このように第2導電層6bを加熱しながら第1導電層6a上に積層させることにより、第2導電層6bの金属材料を第1導電層6a内に拡散させつつ、第2導電層6bを形成することができる。このように第2導電層6bを形成することにより、拡散させる工程の時間を短くすることができるので、発光素子の生産性を向上させることができる。発光素子の製造方法の変形例2第2の電極層6を形成する工程において、第1導電層6aの成膜中において、第1導電層6aを一定の厚さ積層させた後、第1導電層6aの材料を供給した状態で、第2導電層6bの材料の供給を開始してもよい。その後、第1導電層6aの材料の供給を停止し、第2導電層6bの材料の供給のみを行なうことによって第2導電層6bを設ける。このように第1導電層6aおよび第2導電層6bを形成することにより、拡散させる工程において第1導電層6a内に第2導電層6bの金属材料を拡散させることができる。さらに、第1導電層6aの材料を供給した状態で、第2導電層6bの材料の供給を開始する工程を、光半導体層3を加熱した状態で行なってもよい。このように加熱した状態で行なうことによって生産性をさらに向上させることができる。発光素子の製造方法の変形例3第2の電極層6を形成する工程において、第2導電層6b上に第3導電層6cを設ける際に、第1導電層6a、第2導電層6bおよび第3導電層6cを連続して形成してもよい。具体的には、第1導電層6aを形成した後、第1導電層6aの材料の供給を続けた状態で、第2導電層6bの材料の供給を開始する。しかる後、第2導電層6bの材料の供給を停止して、第1導電層6aの材料の供給を続けることにより、第2導電層6b上に第3導電層6cを形成する。このように、第1導電層6aの材料を供給しながら、第2導電層6bおよび第3導電層6cを形成することにより、第2の電極層6を形成する工程の工程時間を短縮することができる。これにより、発光素子1の生産性を向上させることができる。