"絶縁基板と、該絶縁基板の上面に形成された銅から成る配線導体と、前記絶縁基板および前記配線導体上に被着されており、前記配線導体の一部を半導体素子接続パッドとして露出させる開口部を有するソルダーレジスト層と、前記半導体素子接続パッドの上面に被着された錫めっき層とを備えた配線基板であって、前記配線導体における前記半導体素子接続パッドと前記ソルダーレジスト層との間に前記配線導体が銅のままで露出する銅露出部が形成されていることを特徴とする配線基板。絶縁基板の上面に下地金属層を被着させる工程と、前記下地金属層上に半導体素子接続パッドとなる部位を一部に含む配線導体に対応するパターンに銅めっき層を被着させる工程と、前記半導体素子接続パッドとなる部位の前記銅めっき層の上面のみに錫めっき層を選択的に被着させる工程と、前記銅めっき層から露出する前記下地金属層をエッチング除去して上面に錫めっき層が被着された半導体素子接続パッドを一部に有する配線導体を形成する工程と、前記絶縁基板および前記配線導体上に、前記半導体素子接続パッドを露出させる開口部を有するソルダーレジスト層を、前記配線導体における前記半導体素子接続パッドと前記ソルダーレジスト層との間に前記配線導体が銅のままで露出する銅露出部が形成されるように被着する工程とを行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。本発明の課題は、半導体素子接続パッドを形成する配線導体とソルダーレジスト層との間に半田が滲入して潜り込むことを有効に防止し、半導体素子の電極端子と半導体素子接続パッドとを接合する半田が不足することがなく両者を良好に接続することが可能であるとともに、ソルダーレジスト層が剥がれることがなく配線導体の絶縁信頼性に優れる配線基板を提供することにある。本発明の配線基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に形成された銅から成る配線導体と、前記絶縁基板および前記配線導体上に被着されており、前記配線導体の一部を半導体素子接続パッドとして露出させる開口部を有するソルダーレジスト層と、前記半導体素子接続パッドの上面に被着された錫めっき層とを備えた配線基板であって、前記配線導体における前記半導体素子接続パッドと前記ソルダーレジスト層との間に前記配線導体が銅のままで露出する銅露出部が形成されていることを特徴とするものである。また本発明の配線基板の製造方法は、絶縁基板の上面に下地金属層を被着させる工程と、前記下地金属層上に半導体素子接続パッドとなる部位を一部に含む配線導体に対応するパターンに銅めっき層を被着させる工程と、前記半導体素子接続パッドとなる部位の前記銅めっき層の上面のみに錫めっき層を選択的に被着させる工程と、前記銅めっき層から露出する前記下地金属層をエッチング除去して上面に錫めっき層が被着された半導体素子接続パッドを一部に有する配線導体を形成する工程と、前記絶縁基板および前記配線導体上に、前記半導体素子接続パッドを露出させる開口部を有するソルダーレジスト層を、前記配線導体における前記半導体素子接続パッドと前記ソルダーレジスト層との間に前記配線導体が銅のままで露出する銅露出部が形成されるように被着する工程とを行なうことを特徴とするものである。本発明の配線基板によれば、上面に錫めっき層が被着された半導体素子接続パッドを一部に有する銅から成る配線導体における半導体素子接続パッドとこの半導体素子接続パッドを露出させる開口部を有するソルダーレジスト層との間に配線導体が銅のままで露出する銅露出部が形成されており、この銅露出部は鉛フリー半田との濡れ性に劣ることから、半導体素子接続パッド上に半導体素子の電極端子を半田を介して接続する際に、半導体素子接続パッド上で溶融した半田は銅露出部を越えてソルダーレジスト層側に濡れ広がることはない。したがって配線導体とソルダーレジスト層との間に半田が滲入して潜り込むことを有効に防止することができる。また、本発明の配線基板の製造方法によれば、上面に錫めっき層が被着された半導体素子接続パッドを一部に有する銅から成る配線導体おける半導体素子接続パッドとこの半導体素子接続パッドを露出させる開口部を有するソルダーレジスト層との間に配線導体が鉛フリー半田との濡れ性に劣る銅のままで露出する銅露出部を形成することから、半導体素子接続パッド上に半導体素子の電極端子を半田を介して接続する際に、半導体素子接続パッド上で溶融した半田が銅露出部を越えてソルダーレジスト層側に濡れ広がることがなく、したがって配線導体とソルダーレジスト層との間に半田が滲入して潜り込むことを有効に防止することが可能な配線基板を提供することができる。即ち、本発明の配線基板および本発明の配線基板の製造方法によれば、半導体素子の電極端子を半導体素子接続パッドに半田を介して接続する際に、半導体素子接続パッドを形成する配線導体とソルダーレジスト層との間に半田が滲入して潜り込むことを有効に防止し、半導体素子の電極端子と半導体素子接続パッドとを接合する半田が不足することがなく両者を良好に接続することが可能であるとともに、ソルダーレジスト層が剥がれることがなく配線導体の絶縁信頼性に優れる配線基板を提供することができる。次に、本発明の配線基板およびその製造方法について図1~図3を基にして説明する。図1は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図である。図1に示すように、本例の配線基板10は、主として絶縁基板1と配線導体3とソルダーレジスト層6とから構成されており、その上面中央部に半導体素子Sを搭載するための搭載部1aを有している。絶縁基板1は、例えばガラスクロス基材にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた厚みが30~200μm程度の単層または多層の絶縁層を熱硬化させた樹脂系電気絶縁材料から成り、その上面から下面にかけては直径が50~300μm程度のスルーホール2が形成されている。絶縁基板1の内部および上下面およびスルーホール2の内壁には、厚みが10~20μm程度の銅箔や銅めっき層等の銅から成る配線導体3が被着形成されている。これらの配線導体3のうち絶縁基板1の内部および上下面の所定のもの同士がスルーホール2を介して互いに電気的に接続されている。また、絶縁基板1の上面における配線導体3の一部は、半導体素子Sの電極端子Tが接続される半導体素子接続パッド4を形成しており、絶縁基板1の下面における配線導体3の一部は外部電気回路基板に接続するための外部接続パッド5を形成している。そして、半導体素子接続パッド4には、半導体素子Sの電極端子Tが半田を介して接続され、外部接続パッド5は外部電気回路の配線導体に半田ボールを介して接続される。なお、半導体素子Sの電極端子Tには半導体素子接続パッド4と接続するための鉛フリー半田から成る半田バンプBが被着されており、半導体素子接続パッド4の上面には半田バンプBとの濡れ性を向上させるための錫めっき層7が被着されている。さらに、絶縁基板1の上下面およびスルーホール2の内部には、配線導体3を覆うようにしてソルダーレジスト層6が被着されている。ソルダーレジスト層6は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性熱硬化性樹脂の硬化物から成り、絶縁基板1の上下面での厚みが10~30μm程であり、スルーホール2の内部を充填している。そして上面側のソルダーレジスト層6には、半導体素子接続パッド4を露出させる開口部6aが形成されているとともに、下面側のソルダーレジスト層6には外部接続パッド5を露出させる開口部6bが形成されている。そして、本例の配線基板10においては、図2aに示すように、半導体素子接続パッド4上に半導体素子Sの電極端子Tを載置し、その状態で図2bに示すように、半田バンプBを加熱溶融することによって半導体素子Sが配線基板10上に実装される。このとき、半導体素子接続パッド4の露出する上面に被着させた錫めっき層7も半田バンプBとともに溶融して電極端子Tと半導体素子接続パッド4とを接続するための半田B7となる。ところで、本例の配線基板においては、図2に示すように、配線導体3における半導体素子接続パッド4とソルダーレジスト層6との間に配線導体3が銅のままで露出する銅露出部8が形成されている。この銅露出部8は、銅がそのままで露出していることから鉛フリー半田に対する濡れ性に劣る。このように、配線導体3における半導体素子接続パッド4とソルダーレジスト層6との間に鉛フリー半田に対する濡れ性に劣る銅露出部8が形成されていることから、半導体素子接続パッド4上に半導体素子Sの電極端子Tを半田B7を介して接続する際に、半導体素子接続パッド4上で溶融した半田B7は銅露出部8を越えてソルダーレジスト層6側に濡れ広がることはない。したがって配線導体3とソルダーレジスト層6との間に半田B7が滲入して潜り込むことを有効に防止することができる。なお、このような配線導体3における銅露出部8の半導体素子接続パッド4からソルダーレジスト層6までの露出長さは、50~500μmの範囲であることが好ましい。露出長さが50μm未満では、半導体素子接続パッド4上に半導体素子Sの電極端子Tを半田B7を介して接続する際に、半導体素子接続パッド4上で溶融した半田B7が銅露出部8を越えてソルダーレジスト層6側に濡れ広がって配線導体3とソルダーレジスト層6との間に滲入する危険性があり、500μmを超えると、配線導体3がソルダーレジスト層6から露出する面積が大きくなるので、配線導体3の電気的絶縁信頼性が低下してしまう危険がある。さらに、配線導体3における半導体素子接続パッド4と銅露出部8との間に露出部側の銅の高さが1~5μm程度低くなる段差が形成されていることが好ましい。このような段差が形成されていることで、半導体素子接続パッド4上に半導体素子Sの電極端子Tを半田B7を介して接続する際に、半導体素子接続パッド4上で溶融した半田B7が銅露出部8を越えてソルダーレジスト層6側に濡れ広がることを更に有効に防止することが可能となる。次に、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を説明する。先ず、図3aに示すように、絶縁基板1の上面に下地金属層3aを被着させる。下地金属層3aは例えば厚みが0.1~2μm程度の無電解銅めっき層や厚みが1~5μm程度の銅箔から成る。下地金属層3aが無電解銅めっき層から成る場合であれば、周知の無電解銅めっき法により被着させればよく、下地金属層3aが銅箔から成る場合であれば、プライマー樹脂と呼ばれる接着剤を介して銅箔を貼り付けることにより被着させればよい。次に、図3bに示すように、下地金属層3aの上面に第1のめっきレジスト層21を被着する。第1のめっきレジスト層21には半導体素子接続パッド4となる部位を一部に含む配線導体3に対応するパターンの開口部21aが形成されている。このようなめっきレジスト層21は、感光性を有するドライフィルムレジストを下地金属層3a上に貼着するとともに周知のフォトリソグラフィー技術を採用して所定のパターンに露光および現像した後、熱硬化させることにより形成される。次に、図3cに示すように、開口部21a内に露出する下地金属層3a上に電解銅めっき層3bを被着する。電解銅めっき層3bの厚みは、例えば10~20μm程度である。このような電解銅めっき層3bは周知の電解銅めっき法により被着される。次に、図3dに示すように、第1のめっきレジスト層21および電解銅めっき層3b上に、第2のめっきレジスト層22を被着する。第2のめっきレジスト層22は、配線導体3のうち半導体素子接続パッド4となる部位のみを露出させるように第1のめっきレジスト層21および電解銅めっき層3bを覆っている。このような第2のめっきレジスト層22は上述した第1のめっきレジスト層21と実質的に同一の材料および実質的に同一の方法で形成される。次に、図3eに示すように、第1および第2のめっきレジスト層21,22から露出する半導体素子接続パッド4となる部位の電解銅めっき層3b上に電解錫めっき層7を被着する。電解錫めっき層7の厚みは2~5μm程度である。このような電解錫めっき層7は、周知の電解錫めっき法により被着される。次に、図3fに示すように、第1および第2のめっきレジスト層21,22を除去する。めっきレジスト層21,22の除去は、周知のレジスト剥離液を用いて剥離する方法により行なわれる。次に、図3gに示すように、電解銅めっき層3bから露出する下地金属層3aをエッチング除去する。これにより上面に錫めっき層7が被着された半導体素子接続パッド4を一部に有する配線導体3が絶縁基板1の上面に形成される。なお、下地金属層3aの除去には周知の銅エッチング液を用いる。この際、電解銅めっき層3bも若干エッチングされるので、錫めっき層7で覆われていない部分の厚みがエッチングにより薄くなり、錫めっき層7で覆われている半導体素子接続パッド4と錫めっき層7で覆われていない部分との間に1~5μm程度の段差が形成される。最後に、図3hに示すように、絶縁基板1および配線導体3上に、錫めっき層7が被着された半導体素子接続パッド4を露出させる開口部6aを有するソルダーレジスト層6を、配線導体3における錫めっき層7が被着された半導体素子接続パッド4とソルダーレジスト層6との間に配線導体3が銅のままで露出する銅露出部8が形成されるように被着する。これより、上面に錫めっき層7が被着された半導体素子接続パッド4を一部に有する銅から成る配線導体3おける半導体素子接続パッド4とこの半導体素子接続パッド4を露出させる開口部6aを有するソルダーレジスト層6との間に配線導体3が鉛フリー半田との濡れ性に劣る銅のままで露出する銅露出部8を形成することから、半導体素子接続パッド4上に半導体素子Sの電極端子Tを半田B7を介して接続する際に、半導体素子接続パッド4上で溶融した半田B7が銅露出部8を越えてソルダーレジスト層6側に濡れ広がることがなく、したがって配線導体3とソルダーレジスト層6との間に半田B7が滲入して潜り込むことを有効に防止することが可能な配線基板10を提供することができる。なお、ソルダーレジスト層6は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する樹脂ペーストを絶縁基板1の上面に塗布するとともに、周知のフォトリソグラフィー技術を採用して露光および現像した後、熱硬化させることにより形成される。かくして、本発明の配線基板およびその製造方法によれば、半導体素子の電極端子を半導体素子接続パッドに半田を介して接続する際に、半導体素子接続パッドを形成する配線導体とソルダーレジスト層との間に半田が滲入して潜り込むことを有効に防止できる。従って、半導体素子の電極端子と半導体素子接続パッドとを接合する半田が不足することがなく両者を良好に接続することが可能であるとともに、ソルダーレジスト層が剥がれることがなく配線導体の絶縁信頼性に優れる配線基板を提供することができる。"