"フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と、光により酸を生成する化合物と、熱架橋剤と、エポキシ基及びスルフィド基から選ばれる少なくとも1種の官能基を有するシラン化合物と、を含有するポジ型感光性樹脂組成物。前記シラン化合物として、下記一般式1で表される構造を有する化合物を含有する、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。上記一般式1中、R1は1価の有機基を表し、R2基は2価の有機基を表す前記シラン化合物として、下記一般式2で表される構造を有する化合物を含有する、請求項1又は2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。上記一般式2中、R3及びR4は各々独立に2価の有機基を表し、R5及びR6は各々独立に1価の有機基を表し、nは1~6の整数を表す。前記アルカリ可溶性樹脂としてフェノール樹脂を含有する、請求項1~3のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。前記アルカリ可溶性樹脂として、不飽和炭化水素基含有化合物によって修飾されたフェノール性水酸基を有しないフェノール樹脂である第1のフェノール樹脂と、不飽和炭化水素基含有化合物によって修飾されたフェノール性水酸基を有する変性フェノール樹脂である第2のフェノール樹脂とを含有する、請求項1~4のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。前記第2のフェノール樹脂が、多塩基酸無水物によって修飾されたフェノール性水酸基をさらに有する、請求項5に記載のポジ型感光性樹脂組成物。前記第1のフェノール樹脂の含有量が、前記第1のフェノール樹脂の含有量と前記第2のフェノールの含有量の合計を基準として、5~95質量である、請求項5又は6に記載のポジ型感光性樹脂組成物。前記光により酸を生成する化合物がo-キノンジアジド化合物である、請求項1~7のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。前記アルカリ可溶性樹脂の含有量100質量部に対して、前記光により酸を生成する化合物の含有量が3~100質量部である、請求項1~8のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。アクリル樹脂をさらに含有する、請求項1~9のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。熱により酸を生成する化合物をさらに含有する、請求項1~10のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。エラストマーをさらに含有する、請求項1~11のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。請求項1~12のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し、塗布されたポジ型感光性樹脂組成物を乾燥して感光性樹脂膜を形成する第1の工程と、前記感光性樹脂膜を露光する第2の工程と、露光後の前記感光性樹脂膜をアルカリ水溶液によって現像し、レジストパターンを形成する第3の工程と、前記レジストパターンを加熱する第4の工程と、を備えるレジストパターンの製造方法。前記第4の工程は、前記レジストパターンを200°C以下の温度で加熱する工程である、請求項13に記載のレジストパターンの製造方法。請求項13又は14に記載のレジストパターンの製造方法により製造されるレジストパターンを層間絶縁層又は表面保護膜として有する電子部品。請求項13又は14に記載のレジストパターンの製造方法により製造されるレジストパターンをカバーコート層として有する電子部品。請求項13又は14に記載のレジストパターンの製造方法により製造されるレジストパターンを再配線用のコアとして有する電子部品。請求項13又は14に記載のレジストパターンの製造方法により製造されるレジストパターンを外部接続端子である導電性のボールを保持するためのカラーとして有する電子部品。請求項13又は14に記載のレジストパターンの製造方法により製造されるレジストパターンをアンダーフィルとして有する電子部品。半導体素子の高集積化、小型化、微細化に伴い、半導体素子の表面保護層、層間絶縁膜及び再配線層となる感光性樹脂組成物が、より優れた感度、解像度を併せ持ち、より微細で精密なレジストパターン形成が可能であることが求められている。さらに、半導体素子の高集積化、小型化に伴い、半導体素子の表面積に対して金属配線、例えば金や銅、Ni等の表面積が増大している。従って、半導体素子の表面保護層、層間絶縁膜及び再配線層となる感光性樹脂組成物は上記の金属配線と優れた接着性を持つ必要がある。感光性樹脂組成物と金属配線間での接着性が悪い場合、感光性樹脂組成物と金属配線の間で剥離、剥離に由来する断線、あるいはパッケージクラックが起こることが知られている例えば非特許文献1参照。これまでのフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有する感光性樹脂組成物は、機械特性には優れているものの、感度、解像度及び接着性の点で更なる改良が求められていた。そこで、本発明の目的は、従来材よりも優れた感度、解像度、及び金属基板との接着性を持ち、また、優れた機械特性破断伸び性及び弾性率を有するレジストパターンを形成することが可能であり、アルカリ水溶液で現像可能なポジ型感光性樹脂組成物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上述のような優れた特性を有するレジストパターンを製造する方法、及び該レジストパターンを備える電子部品を提供することにある。本発明は、次のものに関する。[1]フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と、光により酸を生成する化合物と、熱架橋剤と、エポキシ基及びスルフィド基から選ばれる少なくとも1種の官能基を有するシラン化合物と、を含有するポジ型感光性樹脂組成物。[2]前記シラン化合物として、下記一般式1で表される構造を有する化合物を含有する、[1]に記載のポジ型感光性樹脂組成物。上記一般式1中、R1は1価の有機基を表し、R2基は2価の有機基を表す[3]前記シラン化合物として、下記一般式2で表される構造を有する化合物を含有する、[1]又は[2]に記載のポジ型感光性樹脂組成物。上記一般式2中、R3及びR4は各々独立に2価の有機基を表し、R5及びR6は各々独立に1価の有機基を表し、nは1~6の整数を表す。[4]前記アルカリ可溶性樹脂としてフェノール樹脂を含有する、[1]~[3]のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。[5]前記アルカリ可溶性樹脂として、不飽和炭化水素基含有化合物によって修飾されたフェノール性水酸基を有しないフェノール樹脂である第1のフェノール樹脂と、不飽和炭化水素基含有化合物によって修飾されたフェノール性水酸基を有する変性フェノール樹脂である第2のフェノール樹脂とを含有する、[1]~[4]のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。[6]前記第2のフェノール樹脂が、多塩基酸無水物によって修飾されたフェノール性水酸基をさらに有する、請求項5に記載のポジ型感光性樹脂組成物。[7]前記第1のフェノール樹脂の含有量が、前記第1のフェノール樹脂の含有量と前記第2のフェノールの含有量の合計を基準として、5~95質量である、[5]又は[6]に記載のポジ型感光性樹脂組成物。[8]前記光により酸を生成する化合物がo-キノンジアジド化合物である、[1]~[7]のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。[9]前記アルカリ可溶性樹脂の含有量100質量部に対して、前記光により酸を生成する化合物の含有量が3~100質量部である、[1]~[8]のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。[10]アクリル樹脂をさらに含有する、[1]~[9]のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。[11]熱により酸を生成する化合物をさらに含有する、[1]~[10]のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。[12]エラストマーをさらに含有する、[1]~[11]のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。[13][1]~[12]のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し、塗布されたポジ型感光性樹脂組成物を乾燥して感光性樹脂膜を形成する第1の工程と、前記感光性樹脂膜を露光する第2の工程と、露光後の前記感光性樹脂膜をアルカリ水溶液によって現像し、レジストパターンを形成する第3の工程と、前記レジストパターンを加熱する第4の工程と、を備えるレジストパターンの製造方法。[14]前記第4の工程は、前記レジストパターンを200°C以下の温度で加熱する工程である、[13]に記載のレジストパターンの製造方法。[15][13]又は[14]に記載のレジストパターンの製造方法により製造されるレジストパターンを層間絶縁層又は表面保護膜として有する電子部品。[16][13]又は[14]に記載のレジストパターンの製造方法により製造されるレジストパターンをカバーコート層として有する電子部品。[17][13]又は[14]に記載のレジストパターンの製造方法により製造されるレジストパターンを再配線用のコアとして有する電子部品。[18][13]又は[14]に記載のレジストパターンの製造方法により製造されるレジストパターンを外部接続端子である導電性のボールを保持するためのカラーとして有する電子部品。[19][13]又は[14]に記載のレジストパターンの製造方法により製造されるレジストパターンをアンダーフィルとして有する電子部品。本発明のポジ型感光性樹脂組成物によれば、金属配線との優れた密着性と、良好な感度、解像度を有し、優れた耐熱衝撃性を有するレジストパターンを、アルカリ水溶液を用いた現像によって形成することが可能となる。さらに、本発明のポジ型感光性樹脂組成物によれば、低温での加熱により機械特性等に優れたレジストパターンを形成可能であるため、半導体装置やこれを含む電子デバイスの熱によるダメージを防止することができ、信頼性の高い電子部品半導体装置や電子デバイスを歩留よく提供することができる。また、本発明のレジストパターンの製造方法によれば、上述のような優れた特性を有するレジストパターンを有効に製造することが可能となる。また、本発明の電子部品は、上述のような優れた特性を有するレジストパターンを備えるため、信頼性及び歩留の点で非常に有用である。以下、本明細書におけるメタアクリレートとは、アクリレート及びそれに対応するメタクリレートの総称である。同様にメタアクリルとは、アクリル及びそれに対応するメタクリルの総称である。[第1実施形態:ポジ型感光性樹脂組成物]本発明の第1実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物は、Aフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と、B光により酸を生成する化合物と、C熱架橋剤と、Dエポキシ基及びスルフィド基から選ばれる少なくとも1種の官能基を有するシラン化合物と、を含有する。<A成分:フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂>A成分は、分子中にフェノール性水酸基を有するアルカリ可用性樹脂である。なお、アルカリ可溶性樹脂とは、アルカリ現像液に対して可溶な樹脂を意味する。ここで、A成分がアルカリ可溶性であることの1つの基準を以下に説明する。A成分単独又は以下に順を追って説明するB、C、D等の各成分をH溶剤に溶解して得られたワニスを、シリコンウエハ等の基板上にスピン塗布して形成された膜厚5μm程度の塗膜とする。これをテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、金属水酸化物水溶液、有機アミン水溶液のいずれか1つに、20~25°Cにおいて浸漬する。この結果、均一な溶液として溶解しうるとき、用いたA成分はアルカリ可溶性である。A成分のフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂は、例えば、ポリヒドロキシスチレン及びヒドロキシスチレンを単量体単位として含む共重合体等のヒドロキシスチレン系樹脂、フェノール樹脂、ポリヒドロキシアミド等のポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリヒドロキシフェニレンエーテル、ポリナフトールなどが挙げられる。これらの中で、低価格であることや硬化時の体積収縮が小さいことから、フェノール樹脂が好ましく、ノボラック型フェノール樹脂がより好ましい。また、電気特性絶縁性に優れることや硬化時の体積収縮が小さいことから、フェノール性水酸基を有するモノマー単位を含むビニル重合体、特にポリヒドロキシスチレン系樹脂も好ましい。フェノール樹脂は、フェノール又はその誘導体とアルデヒド類との重縮合生成物である。重縮合は酸又は塩基等の触媒存在下で行われる。酸触媒を用いた場合に得られるフェノール樹脂は、ノボラック型フェノール樹脂といわれる。ノボラック型フェノール樹脂の具体例としては、フェノール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、キシリレノール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、レゾルシノール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂及びフェノール-ナフトール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂が挙げられる。フェノール樹脂を得るために用いられるフェノール誘導体としては、例えばフェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、o-エチルフェノール、m-エチルフェノール、p-エチルフェノール、o-ブチルフェノール、m-ブチルフェノール、p-ブチルフェノール、2,3-キシレノール、2,4-キシレノール、2,5-キシレノール、2,6-キシレノール、3,4-キシレノール、3,5-キシレノール、2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール等のアルキルフェノール、メトキシフェノール、2-メトキシ-4-メチルフェノール等のアルコキシフェノール、ビニルフェノール、アリルフェノール等のアルケニルフェノール、ベンジルフェノール等のアラルキルフェノール、メトキシカルボニルフェノール等のアルコキシカルボニルフェノール、ベンゾイルオキシフェノール等のアリールカルボニルフェノール、クロロフェノール等のハロゲン化フェノール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール等のポリヒドロキシベンゼン、ビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール、α-またはβ-ナフトール等のナフトール誘導体;p-ヒドロキシフェニル-2-エタノール、p-ヒドロキシフェニル-3-プロパノール、p-ヒドロキシフェニル-4-ブタノール等のヒドロキシアルキルフェノール;ヒドロキシエチルクレゾール等のヒドロキシアルキルクレゾール;ビスフェノールのモノエチレンオキサイド付加物;ビスフェノールのモノプロピレンオキサイド付加物等のアルコール性水酸基含有フェノール誘導体;p-ヒドロキシフェニル酢酸、p-ヒドロキシフェニルプロピオン酸、p-ヒドロキシフェニルブタン酸、p-ヒドロキシ桂皮酸、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシフェニル安息香酸、ヒドロキシフェノキシ安息香酸、ジフェノール等のカルボキシル基含有フェノール誘導体が挙げられる。また、ビスヒドロキシメチル-p-クレゾール等の上記フェノール誘導体のメチロール化物をフェノール誘導体として用いてもよい。さらにフェノール樹脂は、上述のフェノール又はフェノール誘導体をm-キシレンのようなフェノール以外の化合物とともにアルデヒド類と縮重合して得られる生成物であってもよい。この場合、縮重合に用いられるフェノール誘導体に対するフェノール以外の化合物のモル比は、0.5未満であると好ましい。上述のフェノール誘導体及びフェノール化合物以外の化合物は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。フェノール樹脂を得るために用いられるアルデヒド類としてはホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、メトキシベンズアルデヒド、ヒドロキシフェニルアセトアルデヒド、メトキシフェニルアセトアルデヒド、クロトンアルデヒド、クロロアセトアルデヒド、クロロフェニルアセトアルデヒド、アセトンおよびグリセルアルデヒドが挙げられる。また、アルデヒド類としては、例えば、グリオキシル酸、グリオキシル酸メチル、グリオキシル酸フェニル、グリオキシル酸ヒドロキシフェニル、ホルミル酢酸、ホルミル酢酸メチル、2-ホルミルプロピオン酸、2-ホルミルプロピオン酸メチル、ピルビン酸、レブリン酸、4-アセチルブチル酸、アセトンジカルボン酸、及び3,3’-4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸も挙げられる。また、パラホルムアルデヒド、トリオキサン等のホルムアルデヒドの前駆体を反応に用いてもよい。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。ポリヒドロキシスチレン系樹脂としては、例えば、保護基を導入したヒドロキシスチレンのエチレン性不飽和二重結合を触媒ラジカル開始剤の存在下で、重合ビニル重合させ、さらに、脱保護することにより得られるものを用いることができる。また、PHS-Bデュポン社商品名のようなブランチ型のポリヒドロキシスチレンを用いることもできる。ここで、ヒドロキシスチレンの保護基としてはアルキル基やシリル基等の従来公知のものを用いることができる。また、スチレン、メタアクリル酸、メタアクリル酸エステル等のビニル基含有の単量体を、保護基を導入したヒドロキシスチレンに共重合することもできる。A成分の重量平均分子量は、アルカリ水溶液に対する溶解性や、感光特性と硬化膜物性とのバランスを考慮すると、500~150,000であることが好ましく、500~100,000であることがより好ましく、1000~50,000であることがさらに好ましい。ここで、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線より換算して得られる値である。A成分は、不飽和炭化水素基含有化合物によって修飾されたフェノール性水酸基を有しないフェノール樹脂である第1のフェノール樹脂以下、場合によりフェノール樹脂A1又はA1成分ともいう。と、不飽和炭化水素基含有化合物によって修飾されたフェノール性水酸基を有する変性フェノール樹脂である第2のフェノール樹脂以下、場合により変性フェノール樹脂A2又はA2成分ともいう。との双方を含むものであることが好ましい。また、前記A2成分は、多塩基酸無水物によって修飾されたフェノール性水酸基をさらに有することがより好ましい。また、レジストパターンを形成する際の感度と解像性、及び硬化後のレジストパターンの密着性、機械特性及び耐熱衝撃性の点から、A1成分とA2成分の質量比がこれらの合計量を100としてA1成分:A2成分前者:後者で5:95~95:5であることが好ましく、10:90~90:10であることがより好ましく、15:85~85:15であることが特に好ましい。換言すれば、A1成分の含有量が、A1成分の含有量とA2成分の含有量との合計を基準として、5~95質量であることが好ましく、10~90質量であることがより好ましく、15~85質量であることが特に好ましい。A2成分は、一般に、フェノール又はその誘導体と不飽和炭化水素基含有化合物好ましくは炭素数が4~100のものとの反応生成物以下不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体という。と、アルデヒド類との縮重合生成物、又は、フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物との反応生成物として得ることができる。ここでいうフェノール誘導体は、A成分としてのフェノール樹脂の原料として上述したものと同様のものを用いることができる。不飽和炭化水素基含有化合物の不飽和炭化水素基は、レジストパターンの密着性及び耐熱衝撃性の観点から、2つ以上の不飽和基を含むことが好ましい。また、樹脂組成物とした時の相溶性及び硬化膜の可とう性の観点からは、不飽和炭化水素基含有化合物は炭素数8~80のものが好ましく、炭素数10~60のものがより好ましい。不飽和炭化水素基含有化合物としては、例えば、炭素数4~100の不飽和炭化水素、カルボキシル基を有するポリブタジエン、エポキシ化ポリブタジエン、リノリルアルコール、オレイルアルコール、不飽和脂肪酸及び不飽和脂肪酸エステルである。好適な不飽和脂肪酸としては、クロトン酸、ミリストレイン酸、パルミトレイン酸、オレイン酸、エライジン酸、バクセン酸、ガドレイン酸、エルカ酸、ネルボン酸、リノール酸、α-リノレン酸、エレオステアリン酸、ステアリドン酸、アラキドン酸、エイコサペンタエン酸、イワシ酸及びドコサヘキサエン酸が挙げられる。これらの中でも特に、不飽和脂肪酸エステルである植物油が特に好ましい。植物油は、一般にグリセリンと不飽和脂肪酸とのエステルであり、ヨウ素価が100以下の不乾性油、100を超えて130未満の半乾性油又は130以上の乾性油である。不乾性油として、例えば、オリーブ油、あさがお種子油、カシュウ実油、さざんか油、つばき油、ひまし油及び落花生油が挙げられる。半乾性油として、例えば、コーン油、綿実油及びごま油が挙げられる。乾性油としては、例えば、桐油、亜麻仁油、大豆油、胡桃油、サフラワー油、ひまわり油、荏の油及び芥子油が挙げられる。また、これらの植物油を加工して得られる加工植物油を用いてもよい。上記植物油の中で、フェノール若しくはその誘導体又はフェノール樹脂と植物油との反応において、過度の反応の進行に伴うゲル化を防ぎ、歩留まりが向上する観点から、不乾性油を用いることが好ましい。一方、レジストパターンの密着性、機械特性及び耐熱衝撃性が向上する観点では乾性油を用いることが好ましい。乾性油の中でも、本発明による効果をより有効かつ確実に発揮できることから、桐油、亜麻仁油、大豆油、胡桃油及びサフラワー油が好ましく、桐油及び亜麻仁油がより好ましい。これら植物油は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。フェノール又はその誘導体と不飽和炭化水素基含有化合物との反応は、50~130°Cで行うことが好ましい。フェノール又はその誘導体と不飽和炭化水素基含有化合物との反応割合は、硬化膜レジストパターンの可とう性を向上させる観点から、フェノール又はその誘導体100質量部に対し、不飽和炭化水素基含有化合物1~100質量部であることが好ましく、5~50質量部であることがより好ましい。不飽和炭化水素基含有化合物が1質量部未満では、硬化膜の可とう性が低下する傾向があり、100質量部を超えると、硬化膜の耐熱性が低下する傾向がある。上記反応においては、必要に応じて、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等を触媒として用いてもよい。上記反応により生成する不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体と、アルデヒド類とを重縮合させることにより、不飽和炭化水素基含有化合物によって変性されたフェノール樹脂が生成する。アルデヒド類は、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、メトキシベンズアルデヒド、ヒドロキシフェニルアセトアルデヒド、メトキシフェニルアセトアルデヒド、クロトンアルデヒド、クロロアセトアルデヒド、クロロフェニルアセトアルデヒド、アセトン、グリセルアルデヒド、グリオキシル酸、グリオキシル酸メチル、グリオキシル酸フェニル、グリオキシル酸ヒドロキシフェニル、ホルミル酢酸、ホルミル酢酸メチル、2-ホルミルプロピオン酸、2-ホルミルプロピオン酸メチル、ピルビン酸、レプリン酸、4-アセチルブチル酸、アセトンジカルボン酸、3,3’-4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸等から選ばれる。また、パラホルムアルデヒド、トリオキサン等のホルムアルデヒドの前駆体を用いてもよい。これらのアルデヒド類は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。上記アルデヒド類と上記不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体との反応は、重縮合反応であり、従来公知のフェノール樹脂の合成条件を用いることができる。反応は酸又は塩基等の触媒の存在下で行うことが好ましく、酸触媒を用いることがより好ましい。酸触媒としては、例えば、塩酸、硫酸、ぎ酸、酢酸、p-トルエンスルホン酸及びシュウ酸が挙げられる。これらの酸触媒は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。上記反応は、通常反応温度100~120°Cで行うことが好ましい。また、反応時間は使用する触媒の種類や量により異なるが、通常1~50時間である。反応終了後、反応生成物を200°C以下の温度で減圧脱水することで不飽和炭化水素基含有化合物によって変性されたフェノール樹脂が得られる。なお、反応には、トルエン、キシレン、メタノール等の溶媒を用いることができる。不飽和炭化水素基含有化合物によって変性されたフェノール樹脂は、上述の不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体を、m-キシレンのようなフェノール以外の化合物とともにアルデヒド類と重縮合することにより得ることもできる。この場合、フェノール誘導体と不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させて得られる化合物に対するフェノール以外の化合物のモル比は、0.5未満であると好ましい。A2成分は、フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させて得ることもできる。フェノール樹脂は、フェノール誘導体とアルデヒド類の重縮合生成物である。この場合、フェノール誘導体及びアルデヒド類としては、上述したフェノール誘導体及びアルデヒド類と同様のものを用いることができ、上述したような従来公知の条件でフェノール樹脂を合成することができる。フェノール誘導体とアルデヒド類から得られるフェノール樹脂の具体例としては、フェノール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、キシリレノール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、レゾルシノール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂及びフェノール-ナフトール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂が挙げられる。フェノール樹脂と反応させる不飽和炭化水素基含有化合物は、上述した不飽和炭化水素基含有化合物と同様のものを使用することができる。フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物との反応は、通常50~130°Cで行うことが好ましい。また、フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物との反応割合は、硬化膜レジストパターンの可とう性を向上させる観点から、フェノール樹脂100質量部に対し、不飽和炭化水素基含有化合物1~100質量部であることが好ましく、2~70質量部であることがより好ましく、5~50質量部であることがさらに好ましい。不飽和炭化水素基含有化合物が1質量部未満では、硬化膜の可とう性が低下する傾向にあり、100質量部を超えると、反応中にゲル化する可能性が高くなる傾向、及び、硬化膜の耐熱性が低下する傾向がある。このとき、必要に応じて、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等を触媒として用いてもよい。なお、反応にはトルエン、キシレン、メタノール、テトラヒドロフランなどの溶媒を用いることができる。以上のような方法で得られた、不飽和炭化水素基含有化合物によって変性されたフェノール樹脂は、フェノール樹脂のヒドロキシル基に対してオルト位又はパラ位に、不飽和炭化水素基含有化合物が反応した化合物となっていると考えられる。以上のような方法により生成する不飽和炭化水素基含有化合物によって変性されたフェノール樹脂中に残ったフェノール性水酸基に、さらに多塩基酸無水物を反応させることにより酸変性したフェノール樹脂をA2成分として用いることもできる。多塩基酸無水物で酸変性することにより、カルボキシ基が導入され、A2成分のアルカリ水溶液現像液に対する溶解性がより一層向上する。多塩基酸無水物は、複数のカルボキシ基を有する多塩基酸のカルボキシ基が脱水縮合して形成された酸無水物基を有していれば、特に限定されない。多塩基酸無水物としては、例えば無水フタル酸、無水コハク酸、オクテニル無水コハク酸、ペンタドデセニル無水コハク酸、無水マレイン酸、無水イタコン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、3,6-エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸及び無水トリメリット酸等の二塩基酸無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水ピロメリット酸及びベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等の芳香族四塩基酸二無水物が挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、多塩基酸無水物は二塩基酸無水物であることが好ましく、テトラヒドロ無水フタル酸、無水コハク酸及びヘキサヒドロ無水フタル酸からなる群より選ばれる1種以上であることがより好ましい。この場合、さらに良好な形状を有するレジストパターンを形成できるという利点がある。フェノール性水酸基と多塩基酸無水物との反応は、50~130°Cで行うことができる。この反応において、多塩基酸無水物をフェノール性水酸基1モルに対して、0.1~0.8モルを反応させることが好ましく、0.15~0.6モル反応させることがより好ましく、0.2~0.4モル反応させることがさらに好ましい。多塩基酸無水物が0.1モル未満では、現像性が低下する傾向にあり、0.8モルを超えると、未露光部の耐アルカリ性が低下する傾向にある。なお、上記反応には、反応を迅速に行う観点から、必要に応じて、触媒を含有させてもよい。触媒としては、トリエチルアミン等の3級アミン、トリエチルベンジルアンモニウムクロライド等の4級アンモニウム塩、2-エチル-4-メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、トリフェニルホスフィン等のリン化合物が挙げられる。多塩基酸無水物でさらに変性したフェノール樹脂の酸価は、30~200mgKOH/gであることが好ましく、40~170mgKOH/gであることがより好ましく、50~150mgKOH/gであることがさらに好ましい。酸価が30mgKOH/g未満であると、酸価が上記範囲にある場合と比較して、アルカリ現像に長時間を要する傾向にあり、200mgKOH/gを超えると、酸価が上記範囲にある場合と比較して、未露光部の耐現像液性が低下する傾向にある。A2成分の分子量は、アルカリ水溶液に対する溶解性や、感光特性と硬化膜物性とのバランスを考慮すると、重量平均分子量で1000~500,000が好ましく、2000~200,000がより好ましく、2,000~100,000であることがさらに好ましい。ここで、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線より換算して得た値である。<B成分:光により酸を生成する化合物>B成分である光により酸を生成する化合物光酸発生剤ともいう。は、感光剤として用いられる。B成分は、光照射により酸を生成させ、光照射した部分のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有する。B成分としては、一般に光酸発生剤と称される化合物を用いることができる。B成分の具体例としては、o-キノンジアジド化合物、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等が挙げられる。これらの中で、感度が高いことから、o-キノンジアジド化合物が好ましい。o-キノンジアジド化合物は、例えば、o-キノンジアジドスルホニルクロリドと、ヒドロキシ化合物やアミノ化合物等とを脱塩酸剤の存在下で縮合反応させる方法により得られる。反応に用いられるo-キノンジアジドスルホニルクロリドとしては、例えば、ベンゾキノン-1,2-ジアジド-4-スルホニルクロリド、ナフトキノン-1,2-ジアジド-5-スルホニルクロリド、ナフトキノン-1,2-ジアジド-4-スルホニルクロリドが挙げられる。反応に用いられるヒドロキシ化合物としては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフェノールA、ビス4-ヒドロキシフェニルメタン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパン、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’,3’-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメタン、ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルプロパン、4b,5,9b,10-テトラヒドロ-1,3,6,8-テトラヒドロキシ-5,10-ジメチルインデノ[2,1-a]インデン、トリス4-ヒドロキシフェニルメタン、トリス4-ヒドロキシフェニルエタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-1-[4-{1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル}フェニル]エタンが挙げられる。反応に用いられるアミノ化合物としては、例えば、p-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、o-アミノフェノール、m-アミノフェノール、p-アミノフェノール、3,3’-ジアミノ-4,4’-ジヒドロキシビフェニル、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジヒドロキシビフェニル、ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルプロパン、ビス4-アミノ-3-ヒドロキシフェニルプロパン、ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルスルホン、ビス4-アミノ-3-ヒドロキシフェニルスルホン、ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパン、ビス4-アミノ-3-ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパンが挙げられる。反応に用いられる脱塩酸剤としては、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン等が挙げられる。また、反応溶媒としては、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、N-メチルピロリドン等が用いられる。o-キノンジアジドスルホニルクロリドと、ヒドロキシ化合物及び/又はアミノ化合物とは、o-キノンジアジドスルホニルクロリド1モルに対して、ヒドロキシ基とアミノ基とのモル数の合計が0.5~1になるように配合されることが好ましい。脱塩酸剤に対するo-キノンジアジドスルホニルクロリドの好ましい配合割合は、0.95/1モル当量~1/0.95モル当量の範囲である。上述の反応の好ましい反応温度は0~40°C、好ましい反応時間は1~10時間である。B成分の配合量は、露光部と未露光部の溶解速度差と、感度の許容幅の点から、A成分100質量部に対して3~100質量部が好ましく、5~50質量部がより好ましく、5~30質量部がさらに好ましい<C成分:熱架橋剤>熱架橋剤は、パターン形成後の感光性樹脂膜を加熱して硬化する際に、A成分と反応して橋架け構造を形成しうる構造を有する化合物である。これにより、膜の脆さや膜の溶融を防ぐことができる。熱架橋剤は、例えば、フェノール性水酸基を有する化合物、ヒドロキシメチルアミノ基を有する化合物及びエポキシ基を有する化合物から選ばれるものが好ましい。熱架橋剤として用いられるフェノール性水酸基を有する化合物は、A成分とは異なるものであり、具体的な構造は後述するものが挙げられる。このようなフェノール性水酸基を有する化合物は、熱架橋剤としてだけでなく、アルカリ水溶液で現像する際の露光部の溶解速度を増加させ、感度を向上させることができるので好ましい。このようなフェノール性水酸基を有する化合物の分子量は、好ましくは2,000以下である。アルカリ水溶液に対する溶解性、及び感光特性と硬化膜物性とのバランスを考慮して、重量平均分子量で94~2,000が好ましく、108~2,000がより好ましく、108~1,500がさらに好ましい。フェノール性水酸基を有する化合物としては、従来公知のものを用いることができるが、下記一般式Iで表される化合物が、露光部の溶解促進効果と感光性樹脂膜の硬化時の溶融を防止する効果のバランスに優れることから、特に好ましい。一般式I中、Xは単結合又は2価の有機基を示し、Ra、Rb、Rc及びRdはそれぞれ独立に水素原子又は1価の有機基を示し、s及びtはそれぞれ独立に1~3の整数を示し、u及びvはそれぞれ独立に0~4の整数を示す。一般式Iにおいて、Xが単結合である化合物すなわち2つのベンゼン環が単結合を介して結合している化合物は、ビフェノールジヒドロキシビフェニル誘導体である。また、Xで示される2価の有機基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等の炭素数が1~10のアルキレン基、エチリデン基等の炭素数が2~10のアルキリデン基、フェニレン基等の炭素数が6~30のアリーレン基、これら炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素原子等のハロゲン原子で置換した基、スルホニル基、カルボニル基、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合等が挙げられる。これらの中で、Xは下記一般式IIで表される2価の有機基であることが好ましい。一般式II中、X’は、単結合、アルキレン基例えば炭素原子数が1~10のアルキレン基、アルキリデン基例えば炭素数が2~10のアルキリデン基、それらの水素原子の一部又は全部をハロゲン原子で置換した基、スルホニル基、カルボニル基、エーテル結合、チオエーテル結合又はアミド結合を示す。R’’は、水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基又はハロアルキル基を示し、gは1~10の整数を示す。複数のR’’は互いに同一でも異なっていてもよい。ヒドロキシメチルアミノ基を有する化合物としては、ポリN-ヒドロキシメチルメラミン、ポリN-ヒドロキシメチルグリコールウリル、ポリN-ヒドロキシメチルベンゾグアナミン、ポリN-ヒドロキシメチル尿素等の活性メチロール基の全部又は一部をアルキルエーテル化した含窒素化合物が挙げられる。ここで、アルキルエーテルのアルキル基としてはメチル基、エチル基、ブチル基、又はこれらを混合したものを挙げられ、一部自己縮合してなるオリゴマー成分を含有していてもよい。具体的には、ヘキサキスメトキシメチルメラミン、ヘキサキスブトキシメチルメラミン、テトラキスメトキシメチルグリコールウリル、テトラキスブトキシメチルグリコールウリル、テトラキスメトキシメチル尿素、1,1-ビス{3,5-ビスメトキシメチル-4-ヒドロキシフェニル}メタン等が挙げられる。エポキシ基を有する化合物としては、従来公知のものを用いることができる。その具体例として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン、複素環式エポキシ樹脂、ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテル等が挙げられる。C成分として、上述した以外に、ビス[3,4-ビスヒドロキシメチルフェニル]エーテルや1,3,5-トリス1-ヒドロキシ-1-メチルエチルベンゼンなどのヒドロキシメチル基を有する芳香族化合物、ビス4-マレイミドフェニルメタンや2,2-ビス[4-4’-マレイミドフェノキシフェニル]プロパンなどのマレイミド基を有する化合物、ノルボルネン骨格を有する化合物、多官能アクリレート化合物、オキセタニル基を有する化合物、ビニル基を有する化合物、ブロック化イソシアナート化合物を用いることができる。上述したCの中で、感度と耐熱性の向上という観点から、フェノール性水酸基を有する化合物及び/又はヒドロキシメチルアミノ基を有する化合物が好ましい。C成分の配合量は、現像時間と、未露光部残膜率の許容幅、及び、硬化膜の特性の点から、A成分100質量部に対して1~50質量部が好ましく、2~30質量部がより好ましく、3~25質量部がさらに好ましい。また、上述した熱架橋剤は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。<D成分:シラン化合物>D成分は、エポキシ基及びスルフィド基から選ばれる少なくとも1種の官能基を有するシラン化合物である。かかるシラン化合物を用いることにより、金属基板との接着性を向上させることができる。以下、D成分の例として、エポキシ基を有するシラン化合物D1と、スルフィド基を有するシラン化合物D2とに分けて説明する。エポキシ基を有するシラン化合物D1としては、下記一般式1で表されるシラン化合物が好ましい。上記一般式1中、R1は1価の有機基を表し、R2基は2価の有機基を表す。エポキシ基を有するシラン化合物D1としては、例えば、トリメチルシリル酢酸オキシラン-2-イルメチル、トリエチルシリル酢酸オキシラン-2-イルメチル、2-グリシジルオキシ-2-プロペニルトリメトキシシラン、2-グリシジルオキシ-2-プロペニルトリエトキシシラン、2-グリシジルオキシ-2-ブテニルトリメトキシシラン、2-グリシジルオキシ-3-ブテニルトリメトキシシラン、2-グリシジルオキシ-2-ブテニルトリエトキシシラン、2-グリシジルオキシ-3-ブテニルトリエトキシシラン、2-グリシジルオキシ-2-ペンテニルトリメトキシシラン、2-グリシジルオキシ-3-ペンテニルトリメトキシシラン、2-グリシジルオキシ-4-ペンテニルトリメトキシシラン、2-グリシジルオキシ-2-ペンテニルトリエトキシシラン、2-グリシジルオキシ-3-ペンテニルトリエトキシシラン、2-グリシジルオキシ-4-ペンテニルトリエトキシシラン、2-グリシジルオキシエチルメチルジメトキシシラン、2-グリシジルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、2-グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、[β-グリシジルオキシプロピル]メトキシシラン、β-グリシジルオキシエチルトリメトキシシラン、1-グリシジルオキシ-1-プロペニルトリメトキシシラン、1-グリシジルオキシ-2-プロペニルトリメトキシシラン、1-グリシジルオキシ-1-プロペニルトリエトキシシラン、1-グリシジルオキシ-2-プロペニルトリエトキシシラン、1-グリシジルオキシ-1-ブテニルトリメトキシシラン、1-グリシジルオキシ-2-ブテニルトリメトキシシラン、1-グリシジルオキシ--ブテニルトリメトキシシラン、1-グリシジルオキシ-1-ブテニルトリエトキシシラン、1-グリシジルオキシ-2-ブテニルトリエトキシシラン、1-グリシジルオキシ-3-ブテニルトリエトキシシラン、1-グリシジルオキシ-1-ペンテニルトリメトキシシラン、1-グリシジルオキシ-2-ペンテニルトリメトキシシラン、1-グリシジルオキシ-3-ペンテニルトリメトキシシラン、1-グリシジルオキシ-4-ペンテニルトリメトキシシラン、1-グリシジルオキシ-1-ペンテニルトリエトキシシラン、1-グリシジルオキシ-2-ペンテニルトリエトキシシラン、1-グリシジルオキシ-3-ペンテニルトリエトキシシラン、1-グリシジルオキシ-4-ペンテニルトリエトキシシラン、グリシジルオキシメチルメチルジメトキシシラン、グリシジルオキシメチルメチルジエトキシシラン、1-グリシジルオキシエチルメチルジメトキシシラン、1-グリシジルオキシエチルメチルジエトキシシラン、1-グリシジルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、1-グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、4-グリシジルオキシ-4-ペンテニルトリメトキシシラン、4-グリシジルオキシ-4-ペンテニルトリエトキシシラン、[3-オキシラニルメトキシプロピル]シラントリオール、[3-オキシラニルメトキシプロピル]メチルシランジオール、3-トリメトキシシリルプロピルグリシジルエーテル、3-トリエトキシシリルプロピルグリシジルエーテル、[3-グリシジルオキシプロピル]ジメチルエトキシシラン、[3-グリシジルオキシプロピル]メチルジメトキシシラン、[3-グリシジルオキシプロピル]メチルジエトキシシラン、3-グリシジルオキシ-3-ブテニルトリメトキシシラン、3-グリシジルオキシ-3-ブテニルトリエトキシシラン、3-グリシジルオキシ-3-ペンテニルトリメトキシシラン、3-グリシジルオキシ-4-ペンテニルトリメトキシシラン、3-グリシジルオキシ-3-ペンテニルトリエトキシシラン、3-グリシジルオキシ-4-ペンテニルトリエトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルトリメチルシラン、[3-グリシジルオキシプロピル]エトキシシラン、[3-グリシジルオキシプロピル]メトキシシラン、[3-グリシジルオキシプロピル]エチルジエトキシシラン、[3-グリシジルオキシプロピル]トリエチルシラン、3-グリシジルオキシプロピルシラン等が挙げられる。一般式1において、R1は有機基であるものであれば特に制限はない。工業的に入手しやすいことから、R1はアルコキシ基又はアルコキシアルキル基を含有すること好ましい。その中でも特に、メトキシ基又はエトキシ基のようなアルコキシ基を含有することが好ましい。一般式1において、R2は2価の有機基であるものであれば特に制限はない。工業的に入手しやすいことから、R2は-CH2n-n=1~6の整数で示される直鎖のアルキレン基であることが好ましい。スルフィド基を有するシラン化合物D2としては、一般式2で表されるシラン化合物が好ましい。上記一般式2中、R3及びR4は各々独立に2価の有機基を表し、R5及びR6は各々独立に1価の有機基を表し、nは1~6の整数を表す。スルフィド基を有するシラン化合物D2としては、例えば、ビストリメチルシリルメチルスルフィド、ビストリエトキシシリルメチルスルフィド、ビストリメトキシシリルメチルスルフィド、ビストリエチルシリルメチルスルフィド、ビス[2-トリエチルシリルエチル]スルフィド、ビス[2-トリメチルシリルエチル]スルフィド、ビス3-トリメトキシシリルプロピルスルフィド、ビス3-トリエトキシシリルプロピルスルフィド、ビス3-トリエチルシリルプロピルスルフィド、ビス3-トリエトキシシリルプロピルペルスルフィド、ビス3-トリメトキシシリルプロピルペルスルフィド、ビス3-トリメチルシリルプロピルペルスルフィド、ビス3-エトキシジメチルシリルプロピルペルスルフィド、ビス3-ヒドロキシジメチルシリルプロピルペルスルフィド、ビス3-トリエトキシシリルプロピルペルトリスルフィド、ビス3-トリメトキシシリルプロピルペルトリスルフィド、ビス3-トリエトキシシリルプロピルペルテトラスルフィド、ビス3-トリメトキシシリルプロピルペルテトラスルフィド、ビス3-トリメチルシリルプロピルペルテトラスルフィド、ビス3-エトキシジメチルシリルプロピルペルテトラスルフィド、ビス3-ヒドロキシジメチルシリルプロピルペルテトラスルフィド、ビス2-トリエトキシシリルブテニルペルテトラスルフィド、ビス2-トリメトキシシリルブテニルペルテトラスルフィド等が挙げられる。一般式2において、R5及びR6は各々独立に1価の有機基であるものであれば特に制限はない。工業的に入手しやすいことから、R5及びR6はアルコキシ基又はアルコキシアルキル基を含有することが好ましい。その中でも特に、メトキシ基又はエトキシ基のようなアルコキシ基を含有することが特に好ましい。一般式2において、R3及びR4は各々独立に2価の有機基であるものであれば特に制限はない。工業的に入手しやすいことから、R3及びR4は-CH2n-n=1~6の整数で示される直鎖のアルキレン基であることが好ましい。一般式2において、nは1~6の整数であれば特に制限はないが、工業的に入手しやすいことから、n=2~4の整数であることが特に好ましい。D成分としては、特に一般式2に示すスルフィド化合物が好ましい。また、D成分は、上記シラン化合物の1種のみからなるものであってもよく、2種以上を併用するものであってもよい。また、D成分を構成するシラン化合物は一般式1、2で表される構造を持つシラン化合物以外のシラン化合物をさらに含んでいてもよい。そのようなシラン化合物としては、例えば、ビニルトリエトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、尿素プロピルトリエトキシシラン、メチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、n-プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオール、n-ブチルシフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、tert-ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、エチルメチルフェニルシラノール、n-プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、n-ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、tert-ブチルメチルフェニルシラノール、エチルn-プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、n-ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、tert-ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、n-プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、n-ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、tert-ブチルジフェニルシラノール、フェニルシラントリオール、1,4-ビストリヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスメチルジヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスエチルジヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスプロピルジヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスブチルジヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスジメチルヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスジエチルヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスジプロピルドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスジブチルヒドロキシシリルベンゼン等が挙げられる。これらのシラン化合物は単独で又は2種類以上を組み合わせて用いられる。Dシラン化合物の配合量は金属配線への接着性と感光性樹脂組成物の保存安定性の観点から、A成分100質量部に対して、0.1~20質量部が好ましく、0.5~10質量部がより好ましく、1~5質量部が特に好ましい。本実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物は、上記のA~D成分のみからなるものであってもよく、また、上記A~D成分に加えて下記の成分の1種又は2種以上をさらに含有してもよい。<E成分:アクリル樹脂>本実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物は、アクリル樹脂Eを更に含有することができる。ポジ型感光性樹脂組成物がアクリル樹脂Eを含有することにより、良好な感光特性を維持しつつ、耐熱衝撃性を向上することができる。さらに、E成分は、下記一般式3及び4で表される構造単位を有するアクリル樹脂であることが好ましい。ポジ型感光性樹脂組成物が当該アクリル樹脂を含有することにより、良好な感光特性を維持しつつ、耐熱衝撃性を向上することができるという効果を一層高めることができる。E成分は、上記アクリル樹脂の1種のみからなるものであってもよく、2種以上を含むものであってもよい。一般式3及び4中、R7は水素原子又はメチル基を表し、R8は炭素数4~20のアルキル基を表す。また、上記一般式3中、感度、解像度及び耐熱衝撃を向上できる観点から、R8が炭素数4~16のアルキル基が好ましく、炭素数4のアルキル基、中でもn-ブチル基がより好ましい。一般式4で表される構造単位を与える重合性単量体としては、メタアクリル酸アルキルエステルが挙げられる。メタアクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、下記一般式Vで表される化合物などが挙げられる。CH2=CR9-COOR10Vここで、上記一般式V中、R9は水素原子又はメチル基を示し、R10は炭素数4~20のアルキル基を示す。R10で示される炭素数1~20のアルキル基としては、例えば、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基及びこれらの構造異性体が挙げられる。上記一般式Vで表される重合性単量体としては、例えば、メタアクリル酸ブチルエステル、メタアクリル酸ペンチルエステル、メタアクリル酸ヘキシルエステル、メタアクリル酸ヘプチルエステル、メタアクリル酸オクチルエステル、メタアクリル酸ノニルエステル、メタアクリル酸デシルエステル、メタアクリル酸ウンデシルエステル、メタアクリル酸ドデシルエステル、メタアクリル酸トリデシルエステル、メタアクリル酸テトラデシルエステル、メタアクリル酸ペンタデシルエステル、メタアクリル酸ヘキサデシルエステル、メタアクリル酸ヘプタデシルエステル、メタアクリル酸オクタデシルエステル、メタアクリル酸ノナデシルエステル、メタアクリル酸エイコシルエステル等が挙げられる。これらの重合性単量体は一種を単独で又は2種類以上を組み合わせて用いられる。また、一般式4で表される構造単位を与える重合性単量体としては、アクリル酸及びメタクリル酸が挙げられる。E成分であるアクリル樹脂において、上記一般式3で表される構造単位の組成比は、E成分の総量に対して、50~95モルであることが好ましく、60~90モルであることがより好ましく、70~85モルであることが特に好ましい。上記一般式3で表される構造単位の組成比が50~95モルであることにより、ポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜の耐熱衝撃性をより向上することができる。また、E成分であるアクリル樹脂において、上記一般式4で表される構造単位の組成比は、E成分の総量に対して、5~50モルであり、5~35モルであることが好ましく、10~30モルであることがより好ましく、15~25モルであることが特に好ましい。上記一般式4で表される構造単位の組成比が5~35モルであることにより、A成分との相溶性、及びポジ型感光性樹脂組成物の現像性をより向上することができる。また、A成分との相溶性、レジストパターンの基板への密着性、機械特性及び耐熱衝撃性をより向上できる観点から、E成分は、上記一般式3で表される構造単位、上記4で表される構造単位及び下記一般式5で表される構造単位を有するアクリル樹脂を含有することがより好ましい。E成分が当該アクリル樹脂であることにより、E成分とAフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂との相互作用が良好になり、相溶性がより向上する。一般式5中、Rは水素原子又はメチル基を表し、R11は1級、2級又は3級アミノ基を有する1価の有機基を表す。一般式5で表される構造単位を与える重合性単量体としては、例えば、アミノエチルメタアクリレート、N-メチルアミノエチルメタアクリレート、N,N-ジメチルアミノエチルメタアクリレート、N-エチルアミノエチルメタアクリレート、N,N-ジエチルアミノエチルメタアクリレート、アミノプロピルメタアクリレート、N-メチルアミノプロピルメタアクリレート、N,N-ジメチルアミノプロピルメタアクリレート、N-エチルアミノプロピルメタアクリレート、N,N-ジエチルアミノプロピルメタアクリレート、アミノエチルメタアクリルアミド、N-メチルアミノエチルメタアクリルアミド、N,N-ジメチルアミノエチルメタアクリルアミド、N-エチルアミノエチルメタアクリルアミド、N,N-ジエチルアミノエチルメタアクリルアミド、アミノプロピルメタアクリルアミド、N-メチルアミノプロピルメタアクリルアミド、N,N-ジメチルアミノプロピルメタアクリルアミド、N-エチルアミノプロピルメタアクリルアミド、N,N-ジエチルアミノプロピルメタアクリルアミド、ピペリジン-4-イルメタアクリレート、1-メチルピペリジン-4-イルメタアクリレート、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-4-イルメタアクリレート、1,2,2,6,6-ペンタメチルピペリジン-4-イルメタアクリレート、ピペリジン-4-イルメチルメタアクリレート、2-ピペリジン-4-イルエチルメタアクリレート等が挙げられる。これらの重合性単量体は単独で又は2種類以上を組み合わせて用いられる。これらの中でも特に、レジストパターンの基板への密着性、機械特性及び耐熱衝撃性をより向上できる観点から、一般式5中、R11が下記一般式6で表される1価の有機基であることが特に好ましい。一般式6中、Xは炭素数1~5のアルキレン基を表し、R12~R16はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~20のアルキル基を表し、mは0~10の整数である。一般式5中、R11が上記一般式6で表される1価の有機基で表される構造単位を与える重合性単量体としては、例えば、ピペリジン-4-イルメタアクリレート、1-メチルピペリジン-4-イルメタアクリレート、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-4-イルメタアクリレート、1,2,2,6,6-ペンタメチルピペリジン-4-イルメタアクリレート、ピペリジン-4-イルメチルメタアクリレート、2-ピペリジン-4-イルエチルメタアクリレート等が挙げられる。これらの中で、1,2,2,6,6-ペンタメチルピペリジン-4-イルメタクリレートはFA-711MMとして、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-4-イルメタクリレートはFA-712HMとしていずれも日立化成工業株式会社製、それぞれ商業的に入手可能である。E成分であるアクリル樹脂において、上記一般式6で表される構造単位の組成比は、E成分の総量に対して、0.3~10モルであることが好ましく、0.4~8モルであることがより好ましく、0.5~7モルであることが特に好ましい。また、E成分は、感度をより向上できる観点から、上記一般式3で表される構造単位、上記一般式4で表される構造単位及び下記一般式7で表される構造単位を有するアクリル樹脂を含有することが好ましい。かかるアクリル樹脂は上記一般式5で表される構造単位をさらに有していてもよい。一般式7中、Rは水素原子又はメチル基を表し、Yは炭素数1~5のアルキレン基を表し、R17~R21はそれぞれ独立に炭素数1~6のアルキル基を表し、pは1~100の整数である。一般式7で表される構造単位を与える重合性単量体としては、例えば、メタクリル変性シリコーンオイルが挙げられ、X-22-174DX、X-22-2426、X-22-2475いずれも信越化学工業株式会社製として、それぞれ商業的に入手可能である。E成分であるアクリル樹脂において、上記一般式7で表される構造単位の組成比は、E成分の総量に対して、1~10モルであることが好ましく、2~5モルであることがより好ましく、3~5モルであることが特に好ましい。また、E成分を構成するアクリル樹脂の合成に用いられる重合性単量体は、一般式3、4、5、6、7で表される各構造単位を与える重合性単量体以外の重合性単量体をさらに含んでいてもよい。そのような重合性単量体としては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、メタアクリル酸ベンジルエステル、メタアクリル酸4-メチルベンジルエステル、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチルエステル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシプロピルエステル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチルエステル、アクリロニトリル、ビニル-n-ブチルエーテルなどのビニルアルコールのエステル類、メタアクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、メタアクリル酸グリシジルエステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリレート、2,2,3,3-テトラフルオロプロピルメタアクリレート、メタアクリル酸、α-ブロモメタアクリル酸、α-クロルメタアクリル酸、β-フリルメタアクリル酸、β-スチリルメタアクリル酸、マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピルなどのマレイン酸モノエステル、フマール酸、ケイ皮酸、α-シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸等が挙げられる。これらの重合性単量体は単独で又は2種類以上を組み合わせて用いられる。E成分の重量平均分子量は、2,000~100,000であることが好ましく、3,000~60,000であることがより好ましく、4,000~50,000であることが特に好ましい。重量平均分子量が2,000未満では硬化膜の耐熱衝撃性が低下する傾向があり、100,000を超えるとA成分との相溶性及び現像性が低下する傾向がある。E成分の配合量は、密着性、機械特性及び耐熱衝撃性、及び感光特性の観点から、A成分の総量100質量部に対して1~50質量部が好ましく、3~30質量部がより好ましく、5~20質量部が特に好ましい。<F成分:熱により酸を生成する化合物>本実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物は、熱により酸を生成する化合物熱酸発生剤ともいう。Fを更に含有することができる。F成分を用いることにより、パターンのメルトを抑制することができる。これは、現像後の感光性樹脂膜を加熱する際に酸を発生させることが可能となり、A成分とC成分との反応、すなわち熱架橋反応がより低温から開始するため、パターンのメルトが抑制されるものである。また、熱により酸を生成する化合物は、光照射によっても酸を発生することができるものが多いため、このようなものを用いると露光部のアルカリ水溶液への溶解性を増大することができる。よって、未露光部と露光部とのアルカリ水溶液に対する溶解性の差がさらに大きくなり解像性が向上する。但し、本実施形態においては前記B成分とは異なる化合物をF成分として用いる。このような熱により酸を生成する化合物は、例えば、50~200°Cの温度に加熱することにより酸を生成するものであることが好ましい。熱により酸を生成する化合物の具体例としては、前記B成分の光により酸を生成する化合物とは異なる化合物であって、熱により酸を生成する機能を有するオニウム塩等の強酸と塩基とから形成される塩や、イミドスルホナートが挙げられる。このようなオニウム塩としては、例えば、アリールジアゾニウム塩、ジフェニルヨードニウム塩のようなジアリールヨードニウム塩;ジアリールヨードニウム塩、ジt-ブチルフェニルヨードニウム塩のようなジアルキルアリールヨードニウム塩;トリメチルスルホニウム塩のようなトリアルキルスルホニウム塩;ジメチルフェニルスルホニウム塩のようなジアルキルモノアリールスルホニウム塩;ジフェニルメチルスルホニウム塩のようなジアリールモノアルキルヨードニウム塩;トリアリールスルホニウム塩が挙げられる。これらの中で、パラトルエンスルホン酸のジt-ブチルフェニルヨードニウム塩、トリフルオロメタンスルホン酸のジt-ブチルフェニルヨードニウム塩、トリフルオロメタンスルホン酸のトリメチルスルホニウム塩、トリフルオロメタンスルホン酸のジメチルフェニルスルホニウム塩、トリフルオロメタンスルホン酸のジフェニルメチルスルニウム塩、ノナフルオロブタンスルホン酸のジt-ブチルフェニルヨードニウム塩、カンファースルホン酸のジフェニルヨードニウム塩、エタンスルホン酸のジフェニルヨードニウム塩、ベンゼンスルホン酸のジメチルフェニルスルホニウム塩、トルエンスルホン酸のジフェニルメチルスルホニウム塩等を好ましいものとして挙げることができる。これらの中で、下記一般式8で示すようなスルホニウム塩が好ましく、メタンスルホン酸のトリアルキルスルホニウム塩がより好ましく、特にトリメチルスルホニウム塩が好ましい。上記一般式8中、R22、R23及びR24は各々独立にアルキル基又はアリール基を表し、R25は水素又はフッ素を表す。前記アリール基としては、フェニル基又は置換基を有するフェニル基が好ましい。イミドスルホナートとしては、例えば、ナフトイルイミドスルホナートやフタルイミドスルホナートを用いることができる。熱により酸を生成する化合物の配合量は、A成分及びB成分の合計量100質量部に対して、0.1~30質量部が好ましく、0.2~20質量部がより好ましく、0.3~10質量部がさらに好ましい。<G成分:エラストマー>本実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物は、エラストマーGをさらに含有することができる。これにより、得られるレジストパターンは柔軟性の点でさらに優れるものとなり、レジストパターンの機械特性及び耐熱衝撃性をより一層向上させることができる。エラストマーとしては、従来公知のものを用いることができるが、エラストマーを構成する重合体のガラス転移温度Tgが20°C以下であることが好ましい。このようなエラストマーとしては、例えば、スチレン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、及びシリコーン系エラストマーが挙げられる。また、前記エラストマーは、微粒子状のエラストマーであってもよい。これらのエラストマーは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。<H成分:溶媒>本実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物は、溶剤をさらに含有することができる。ポジ型感光性樹脂組成物が溶剤を含有することにより、支持基板上への塗布が容易となり、均一な厚さの塗膜を形成できるという効果を奏する。溶剤の具体例としては、γ-ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ベンジル、n-ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオナート、3-メチルメトキシプロピオナート、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、テトラメチレンスルホン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル及びジプロピレングリコールモノメチルエーテルが挙げられる。これらの溶剤は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、その配合量は、特に限定されないが、ポジ型感光性樹脂組成物中の溶剤の割合が20~90質量となるように調整されることが好ましい。<その他の成分>上述のポジ型感光性樹脂組成物は、上記のA~D成分、並びに必要に応じて用いられるE~H成分に加えて、溶解促進剤、溶解阻害剤、界面活性剤又はレベリング剤等の成分をさらに含有してもよい。溶解促進剤溶解促進剤を上述のポジ型感光性樹脂組成物に配合することによって、アルカリ水溶液で現像する際の露光部の溶解速度を増加させ、感度及び解像性を向上させることができる。溶解促進剤としては従来公知のものを用いることができる。その具体例としては、カルボキシル基、スルホン酸、スルホンアミド基を有する化合物が挙げられる。このような溶解促進剤を配合させる場合の、その配合量は、アルカリ水溶液に対する溶解速度によって決めることができ、例えば、A成分の合計量100質量部に対して、0.01~30質量部とすることができる。溶解阻害剤溶解阻害剤はA成分のアルカリ水溶液に対する溶解性を阻害する化合物であり、残膜厚、現像時間やコントラストをコントロールするために用いられる。その具体例としては、ジフェニルヨードニウムニトラート、ビスp-tert-ブチルフェニルヨードニウムニトラート、ジフェニルヨードニウムブロミド、ジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムヨージド等である。溶解阻害剤を配合する場合の、その配合量は、感度と現像時間の許容幅の点から、A成分の合計量100質量部に対して0.01~20質量部が好ましく、0.01~15質量部がより好ましく、0.05~10質量部がさらに好ましい。界面活性剤又はレベリング剤界面活性剤又はレベリング剤を上述のポジ型感光性樹脂組成物に配合することによって、塗布性、例えばストリエーション膜厚のムラを防いだり、現像性を向上させたりすることができる。このような界面活性剤又はレベリング剤としては、例えば、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテルが挙げられる。市販品としては、メガファックスF171、F173、R-08大日本インキ化学工業株式会社製、商品名、フロラードFC430、FC431住友スリーエム株式会社、商品名、オルガノシロキサンポリマーKP341、KBM303、KBM803信越化学工業株式会社製、商品名がある。界面活性剤又はレベリング剤を用いる場合、その合計の配合量は、A成分100質量部に対して、0.001~5質量部が好ましく、0.01~3質量部がより好ましい。本実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物は、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH等のアルカリ水溶液を用いて現像することが可能である。さらに、上述のポジ型感光性樹脂組成物を用いることにより、十分に高い感度及び解像度で、良好な密着性及び耐熱衝撃性を有するレジストパターンを形成することが可能となる。<第2実施形態:レジストパターンの製造方法>本発明の第2実施形態に係るレジストパターンの製造方法は、上記第1実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し、塗布されたポジ型感光性樹脂組成物を乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程成膜工程と、感光性樹脂膜を露光する工程露光工程と、露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液によって用いて現像して、レジストパターンを形成する工程現像工程と、レジストパターンを加熱する工程加熱工程とを備える。成膜工程成膜工程では、ガラス基板、半導体、金属酸化物絶縁体例えばTiO2、SiO2等、窒化ケイ素などの支持基板上に、上述したポジ型感光性樹脂組成物を、スピンナーなどを用いて回転塗布する。塗布されたポジ型感光性樹脂組成物をホットプレート、オーブンなどを用いた加熱により乾燥する。これにより、支持基板上にポジ型感光性樹脂組成物の被膜感光性樹脂膜が形成される。露光工程露光工程では、支持基板上に形成された感光性樹脂膜に対して、マスクを介して紫外線、可視光線、放射線等の活性光線を照射する。A成分はi線に対する透明性が高いので、i線の照射を好適に用いることができる。なお、露光後、必要に応じて露光後加熱PEBを行うこともできる。露光後加熱の温度は70°C~140°C、露光後加熱の時間は1分~5分が好ましい。現像工程現像工程では、露光工程後の感光性樹脂膜の露光部を現像液で除去することにより、感光性樹脂膜がパターン化される。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH等のアルカリ水溶液が好適に用いられる。これらの水溶液の塩基濃度は、0.1~10質量とすることが好ましい。さらに、上記現像液にアルコール類や界面活性剤を添加して使用することもできる。これらはそれぞれ、現像液100質量部に対して、好ましくは0.01~10質量部、より好ましくは0.1~5質量部の範囲で配合することができる。加熱工程加熱処理工程では、パターン化された感光性樹脂膜レジストパターンを加熱することにより、感光性樹脂組成物を硬化する。加熱温度は、電子部品電子デバイスに対する熱によるダメージを十分に防止する点から、好ましくは250°C以下、より好ましくは200°C以下であり、さらに好ましくは140~200°Cである。加熱処理は、例えば、石英チューブ炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール、縦型拡散炉、赤外線硬化炉、電子線硬化炉、及びマイクロ波硬化炉等のオーブンを用いて行なうことができる。また、大気中、又は窒素等の不活性雰囲気中いずれを選択することもできるが、窒素下で行なう方がパターンの酸化を防ぐことができるので望ましい。上述の望ましい加熱温度の範囲は従来の加熱温度よりも低いため、支持基板や電子部品電子デバイスへのダメージを小さく抑えることができる。従って、本実施形態のレジストパターンの製造方法を用いることによって、電子部品電子デバイスを歩留り良く製造することができる。また、プロセスの省エネルギー化につながる。さらに、本実施形態においては、上記第1実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物を用いているため、感光性ポリイミド等に見られる加熱処理工程における体積収縮硬化収縮を小さくすることができ、寸法精度の低下を防ぐことができる。加熱工程における加熱時間は、ポジ型感光性樹脂組成物が硬化するのに十分な時間であればよいが、作業効率との兼ね合いから概ね5時間以下が好ましい。また、加熱は、上述のオーブンの他、マイクロ波硬化装置や周波数可変マイクロ波硬化装置を用いて行うこともできる。これらの装置を用いることにより、基板や電子部品電子デバイスの温度を例えば200°C以下に保ったままで、感光性樹脂膜のみを効果的に加熱することが可能である。周波数可変マイクロ波硬化装置においては、マイクロ波がその周波数を変化させながらパルス状に照射されるので、定在波を防ぐことができ、基板面を均一に加熱することができる点で好ましい。また、基板として後述する電子部品電子デバイスのように金属配線を含む場合、マイクロ波を周波数を変化させながらパルス状に照射すると、金属からの放電等の発生を防ぐことができ、電子デバイスを破壊から守ることができるので好ましい。さらに、周波数可変マイクロ波を用いて加熱すると、オーブンを用いる場合に比べて硬化温度を下げても硬化膜物性が低下しないので好ましいJ.Photopolym.Sci.Technol.,18,327-3322005参照。周波数可変マイクロ波の周波数は一般に0.5~20GHzの範囲であるが、実用的には1~10GHzの範囲が好ましく、さらに2~9GHzの範囲がより好ましい。また、照射するマイクロ波の周波数は連続的に変化させることが望ましいが、実際は周波数を階段状に変化させて照射する。その際、単一周波数のマイクロ波を照射する時間はできるだけ短い方が定在波や金属からの放電等が生じにくいため、照射時間は1ミリ秒以下が好ましく、100マイクロ秒以下が特に好ましい。照射するマイクロ波の出力は、装置の大きさや被加熱体の量によっても異なるが、概ね10~2000Wの範囲であり、実用上は100~1000Wがより好ましく、100~700Wがさらに好ましく、100~500Wが最も好ましい。出力が10W未満では被加熱体を短時間で加熱することが難しく、2000Wを超えると急激な温度上昇が起こりやすい。マイクロ波は、パルス状に入/切させて照射することが好ましい。マイクロ波をパルス状に照射することにより、設定した加熱温度を保持することができ、また、硬化膜や基材へのダメージを避けることができる点で好ましい。パルス状のマイクロ波を1回に照射する時間は条件によって異なるが、概ね10秒以下が好ましい。以上のようなレジストパターンの製造方法によれば、十分に高い感度及び解像度で、良好なパターン形状を有するレジストパターンが得られる。本実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物を使用することにより、従来は300°C以上を必要としていた上記の加熱工程において、200°C以下の低温でも硬化が可能である。さらに、本実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物は、従来の感光性ノボラック樹脂組成物等に見られた金属配線との剥離を防ぐことができる。ポジ型感光性樹脂組成物から形成される硬化膜は、高いガラス転移温度を有する。従って、耐熱性に優れた表面保護膜となる。この結果、信頼性に優れた半導体装置等の電子部品電子デバイスを歩留まり良く高収率で得ることができる。第3実施形態:半導体装置の製造方法次に、第2実施形態に係るレジストパターンの製造方法の一例として、電子部品である半導体装置の製造工程を図面に基づいて説明する。図1~5は、多層配線構造を有する半導体装置の製造工程の一実施形態を示す概略断面図である。また、後述するように、本実施形態では、表面保護層8を形成するための感光性樹脂組成物として、上記第1実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物が用いられる。まず、図1に示す構造体100を準備する。構造体100は、回路素子を有するSi基板等の半導体基板1と、回路素子が露出する所定のパターンを有し半導体基板1を被覆するシリコン酸化膜等の保護膜2と、露出した回路素子上に形成された第1導体層3と、保護膜2及び第1導体層3上にスピンコート法等により成膜されたポリイミド樹脂等からなる層間絶縁膜4とを備える。次に、層間絶縁膜4上に窓部6Aを有する感光性樹脂層5を形成することにより、図2に示す構造体200を得る。感光性樹脂層5は、例えば、塩化ゴム系、フェノールノボラック系、ポリヒドロキシスチレン系、ポリアクリル酸エステル系等の感光性樹脂を、スピンコート法により塗布することにより形成される。窓部6Aは、公知の写真食刻技術によって所定部分の層間絶縁膜4が露出するように形成される。層間絶縁膜4をエッチングして窓部6Bを形成した後に、感光性樹脂層5を除去し、図3に示す構造体300を得る。層間絶縁膜4のエッチングには、酸素、四フッ化炭素等のガスを用いるドライエッチング手段を用いることができる。このエッチングにより、窓部6Aに対応する部分の層間絶縁膜4が選択的に除去され、第1導体層3が露出するように窓部6Bが設けられた層間絶縁膜4が得られる。次いで、窓部6Bから露出した第1導体層3を腐食することなく、感光性樹脂層5のみを腐食するようなエッチング溶液を用いて感光性樹脂層5を除去する。さらに、窓部6Bに対応する部分に第2導体層7を形成し、図4に示す構造体400を得る。第2導体層7の形成には、公知の写真食刻技術を用いることができる。これにより、第2導体層7と第1導体層3との電気的接続が行われる。最後に、層間絶縁膜4及び第2導体層7上に表面保護層8を形成し、図5に示す半導体装置500を得る。本実施形態では、表面保護層8は次のようにして形成する。まず、上記第1実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法により層間絶縁膜4及び第2導体層7上に塗布し、乾燥して感光性樹脂膜を形成する。次に、所定部分に窓部6Cに対応するパターンを描いたマスクを介して光照射した後、アルカリ水溶液にて現像して感光性樹脂膜をパターン化する。その後、感光性樹脂膜を加熱により硬化して、表面保護層8としての膜を形成する。この表面保護層8は、第1導体層3及び第2導体層7を外部からの応力、α線等から保護するものであり、得られる半導体装置500は信頼性に優れる。なお、この表面保護層8の形成工程は上記第2実施形態に係るレジストパターンの製造方法を適用したものであり、ここでは重複する説明を省略する。本実施形態では、2層の配線構造を有する半導体装置の製造方法を示したが、3層以上の多層配線構造を形成する場合は、上述の工程を繰り返して行い、各層を形成することができる。すなわち、層間絶縁膜4を形成する各工程、及び表面保護層8を形成する各工程を繰り返すことによって、多層のパターンを形成することが可能である。また、表面保護層8の形成だけでなく、層間絶縁膜4の形成においても、上記第1実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物及び上記第2実施形態に係るレジストパターンの製造方法を適用することが可能である。第4実施形態:電子部品本発明の第4実施形態に係る電子部品は、上記第2実施形態に係る製造方法によって形成されるレジストパターンを層間絶縁膜又は表面保護層として有する。上記レジストパターンは、具体的には、半導体装置の表面保護層や層間絶縁膜、多層配線板の層間絶縁膜等として使用することができる。本実施形態に係る電子部品は、第1実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物を用いて形成される表面保護層や層間絶縁膜を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとることができる。また、上記第1実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物は、応力緩和性、接着性等にも優れるため、近年開発された各種構造のパッケージにおける各種の構造材としても使用することができる。図6及び図7にそのような半導体装置の一例の断面構造を示す。図6は、半導体装置の一実施形態としての配線構造を示す概略断面図である。図6に示す半導体装置600は、シリコンチップ23と、シリコンチップ23の一方面側に設けられた層間絶縁膜11と、層間絶縁膜11上に形成された、パッド部15を含むパターンを有するAl配線層12と、パッド部15上に開口を形成しながら層間絶縁膜11及びAl配線層12上に順次積層された絶縁層13例えばP-SiN層及び表面保護層14と、表面保護層14上で開口近傍に配された島状のコア18と、絶縁層13及び表面保護層14の開口内でパッド部15と接するとともにコア18の表面保護層14とは反対側の面に接するように表面保護層14上に延在する再配線層16とを備える。さらに、半導体装置600は、表面保護層14、コア18及び再配線層16を覆って形成され、コア18上の再配線層16の部分に開口が形成されているカバーコート層19と、カバーコート層19の開口においてバリアメタル20を間に挟んで再配線層16と接続された導電性ボール17と、導電性ボールを保持するカラー21と、導電性ボール17周囲のカバーコート層19上に設けられたアンダーフィル22とを備える。導電性ボール17は外部接続端子として用いられ、ハンダ、金等から形成される。アンダーフィル22は、半導体装置600を実装する際に応力を緩和するために設けられている。図7は、半導体装置の一実施形態としての配線構造を示す概略断面図である。図7の半導体装置700においては、シリコンチップ23上にAl配線層図示せず及びAl配線層のパッド部15が形成されており、その上部には絶縁層13が形成され、さらに素子の表面保護層14が形成されている。パッド部15上には、再配線層16が形成され、この再配線層16は、導電性ボール17との接続部24の上部まで伸びている。さらに、表面保護層14の上には、カバーコート層19が形成されている。再配線層16は、バリアメタル20を介して導電性ボール17に接続されている。図6及び図7の半導体装置において、上記第1実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物は、層間絶縁層11や表面保護層14ばかりではなく、カバーコート層19、コア18、カラー21、アンダーフィル22等を形成するための材料として使用することができる。上記第1実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物を用いた硬化体は、Al配線層12や再配線層16等のメタル層例えばCu、Au、Ni、Ti等や封止材等との接着性に優れ、応力緩和効果も高いため、この硬化体を表面保護層14、カバーコート層19、コア18、半田等のカラー21、フリップチップ等で用いられるアンダーフィル22等に用いた半導体装置は、極めて信頼性に優れるものとなる。上記第1実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物は、図6及び図7における再配線層16を有する半導体装置の表面保護層14及び/又はカバーコート層19に用いることが特に好適である。前記表面保護層又は前記カバーコート層の膜厚は、3~20μmであることが好ましく、5~15μmであることがより好ましい。以上のように、上記第1実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物を使用することにより、従来は300°C以上を必要としていた上記の加熱処理工程において、250°C以下の低温加熱を用いた硬化が可能である。前記加熱処理工程において、加熱温度は、200°C以下が好ましく、140°C~200°Cがより好ましい。さらに、上記第1実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物は、感光性ポリイミド等に見られた加熱処理工程における体積収縮硬化収縮が小さいため、寸法精度の低下を防ぐことができる。ポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜は、高いガラス転移温度を有する。従って、耐熱性に優れた表面保護層又はカバーコート層となる。この結果、信頼性に優れた半導体装置等の電子部品を歩留まり良く高収率で得ることができる。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はこれに制限されるものではない。以下、実施例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。<ポジ型感光性樹脂組成物の調製>A成分であるフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂として、A1及びA2を準備した。A1:クレゾールノボラック樹脂クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、m-クレゾール/p-クレゾールモル比=60/40、ポリスチレン換算重量平均分子量=13000、旭有機材工業株式会社製、商品名EP4020Gを準備した。合成例1:炭素数4~100の不飽和炭化水素基を有する化合物で修飾されたフェノール性水酸基を有する変性フェノール樹脂A2の合成フェノール100質量部、亜麻仁油43質量部及びトリフロオロメタンスルホン酸0.1質量部を混合し、120°Cで2時間撹拌し、植物油変性フェノール誘導体aを得た。次いで、植物油変性フェノール誘導体a130g、パラホルムアルデヒド16.3g及びシュウ酸1.0gを混合し、90°Cで3時間撹拌した。次いで、120°Cに昇温して減圧下で3時間撹拌した後、反応液に無水コハク酸29g及びトリエチルアミン0.3gを加え、大気圧下、100°Cで1時間撹拌した。反応液を室温25°Cまで冷却し、反応生成物である炭素数4~100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂以下、A2という。を得た酸価120mgKOH/g。このA2のGPC法の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は約25,000であった。B成分として、光により酸を生成する化合物Co-キノンジアジド化合物を準備した。B1:1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-1-[4-{1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル}フェニル]エタンの1-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホン酸エステルエステル化率約90、AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、商品名TPPA528C成分として、C1~C3の熱架橋剤を準備した。C1:ヘキサキスメトキシメチルメラミン三和ケミカル株式会社製、商品名ニカラックMW-30HMを準備した。C2:1,1-ビス{3,5-ビスメトキシメチル-4-ヒドロキシフェニル}メタン本州化学工業株式会社製、商品名TMOM-pp-BPFC3:N,N’,N’’,N’’’-テトラキスメトキシメチルグリコールウリル三和ケミカル株式会社製、商品名ニカラックMX-270D成分として、D1~D6のシラン化合物を準備した。D1:3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン信越シリコーン株式会社製、商品名KBM-403D2:3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン信越シリコーン株式会社製、商品名KBE-403D3:3-グリシドキシプロピルジメトキシシラン信越シリコーン株式会社製、商品名KBM-402D4:3-グリシドキシプロピルジエトキシシラン信越シリコーン株式会社製、商品名KBE-402D5:ビス3-トリエトキシシリルプロピルジスルフィド東レダウケミカル株式会社製、商品名CF4289D6:ビス3-トリエトキシシリルプロピルテトラスルフィド信越シリコーン株式会社製、商品名KBE-846D7:ウレイドプロピルトリエトキシシラン東レダウケミカル株式会社製、商品名AY-43-031D8:3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン東京化成工業株式会社製試薬E成分として、E1及びE2のアクリル樹脂を用意した。合成例2:アクリル樹脂E1の合成攪拌機、窒素導入管及び温度計を備えた500mlの三口フラスコに、トルエン75g、イソプロパノールIPA75gを秤取し、別途に秤取したアクリル酸ブチルBA85g、ラウリルアクリレートDDA24g、アクリル酸AA14g、及び1,2,2,6,6-ペンタメチルピペリジン-4-イルメタクリレート商品名:FA-711MM、日立化成工業株式会社製7.9gの重合性単量体、並びにアゾビスイソブチロニトリルAIBN0.13gを加えた。室温にて約270rpmの攪拌回転数で攪拌しながら、窒素ガスを400ml/分の流量で30分間流し、溶存酸素を除去した。その後、窒素ガスの流入を停止し、フラスコを密閉し、恒温水槽にて約25分で65°Cまで昇温した。同温度を14時間保持して重合反応を行い、アクリル樹脂E1を得た。この際の重合率は98であった。また、このE1のGPC法の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量MWを表1に示す。合成例3:アクリル樹脂E2の合成表1に示す重合性単量体を用いた以外は、合成例2と同様にしてアクリル樹脂E2を合成した。合成したアクリル樹脂E2の重量平均分子量を表1に示す。FA-711MM:1,2,2,6,6-ペンタメチルピペリジン-4-イルメタクリレート日立化成工業株式会社製FA-712HM:2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-4-イルメタクリレート日立化成工業株式会社製BA:アクリル酸n-ブチルDDA:ラウリルアクリレートアクリル酸ドデシルエステルAA:アクリル酸X-22-2475:メタクリル変性シリコーンオイル官能基当量:420g/mol、信越化学工業株式会社製F成分としてF1:トリメチルスルホニウムメチルスルフェートフルオロケム社製を用意した。H溶媒成分として、H1:乳酸エチルを準備した。実施例1~8A~F成分及びH成分を表2に示した所定の割合で配合した。この溶液を3μm孔のテフロン登録商標フィルターを用いて加圧ろ過して、実施例1~8のポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調製した。比較例1~2D成分としてエポキシ基を含むシラン化合物D1又はスルフィド基を有するシラン化合物D2を用いずにA~F成分及びH成分を表2に示した所定の割合で配合した。この溶液を3μm孔のテフロン登録商標フィルターを用いて加圧ろ過して、比較例1~2のポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調製した。表中、括弧内の数値は、質量部を示す。<感光性樹脂組成物の評価>密着性試験:スタッド引張り剥離試験実施例1~8及び比較例1~2で得られたポジ型感光性樹脂組成物を種々の基板上にスピンコートして、120°Cで3分間加熱し、膜厚約12~14μmの塗膜を形成した。この塗膜の矩形パターンを縦型拡散炉光洋サーモシステム株式会社製、商品名μ-TFを用い、窒素中、温度175°C昇温時間1.5時間で2時間、塗膜を加熱処理硬化し、膜厚約10μmの硬化膜を得た。この硬化膜を基板とともに小片に切断し、アルミニウム製スタッドと硬化膜とをエポキシ樹脂層を介して接合した。次に、スタッドを引っ張り、剥離時の荷重を測定したフォトテクニカ株式会社製Romulus。剥離時の荷重により下記のように評価した。その結果を表3に示す。A:500kgf/cm2以上B:300-500kgf/cm2C:100-300kgf/cm2D:100kgf/cm2以下密着性試験評価用の基板Ti基板:シリコン基板8インチ上にTiをスパッタ形成した基板。Au基板シリコン基板8インチ上にTiNをスパッタ形成後、さらにそのTiN上にAuをスパッタ形成した基板。Cu基板:シリコン基板8インチ上にTiNをスパッタ形成後、さらにそのTiN上に銅をスパッタ形成した基板感光特性実施例1~8及び比較例1~2で得られたポジ型感光性樹脂組成物をシリコン基板8インチ上にスピンコートして、120°Cで3分間加熱し、膜厚約12~14μmの塗膜を形成した。次いで、i線ステッパーキャノン株式会社製、商品名FPA-3000iを用いて、マスクを介してi線365nmでの縮小投影露光を行った。露光後、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHの2.38質量水溶液にて現像を行い、残膜厚が初期膜厚の80~95程度となるように現像を行った。その後、水でリンスし、パターン形成に必要な最小露光量及び開口している最小の正方形ホールパターンの大きさを求めた。それぞれの感光性樹脂組成物について、最小露光量を感度として、開口している最小の正方形ホールパターンの大きさを解像度として評価した。硬化膜物性:破断伸び、弾性率実施例1~8及び比較例1~2で得られたポジ型感光性樹脂組成物をシリコン基板上にスピンコートして、120°Cで3分間加熱し、膜厚約12~14μmの塗膜を形成した。前記の塗膜をプロキシミティ露光機キャノン株式会社製、商品名PLA-600FAを用いて、マスクを介して全波長で露光を行った。露光後、TMAHの2.38水溶液を用いて現像を行い、10mm幅の矩形パターンを得た。その後、矩形パターンを縦型拡散炉光洋サーモシステム株式会社製、商品名μ-TFを用い、窒素中、温度175°C昇温時間1.5時間で2時間、塗膜を加熱処理硬化し、膜厚約10μmの硬化膜を得た。前記の方法で得た膜厚約10μmの硬化膜をシリコン基板から剥離し、剥離した膜の破断伸びEL及び弾性率YMを株式会社島津製作所製オートグラフAGS-H100Nによって測定した。試料の幅は10mm、膜厚は9~11μmであり、チャック間は20mmとした。引っ張り速度は5mm/分で、測定温度は室温20°C~25°C程度とした。同一条件で得た硬化膜から得た5本以上の試験片の測定値の平均を破断伸びEL及び弾性率YMとした。測定されたEL及びYMを表3に示す。表3から明らかなように、実施例1~8のポジ型感光性樹脂組成物は良好な感度、解像度を示し、また、種々の金属基板との接着性が向上していることがわかる。また、実施例1~8のポジ型感光性樹脂組成物はエポキシ基を含有するシラン化合物D1又はスルフィド基を含有するシラン化合物D2を加えても、膜物性はエポキシ基を含有するシラン化合物D1又はスルフィド基を含有するシラン化合物D2を加えていない材料と同等の特性を持つことが確認された。"