リソグラフィ装置の物体表面を洗浄する方法であって、洗浄対象表面と音響変換器との間に第1の液体を供給することと、前記変換器から前記表面に音波を放射することと、前記洗浄対象表面と前記音響変換器との間に前記表面を洗い流すために第2の液体を供給することと、を含むことを特徴とする方法。前記第1及び第2の液体の少なくとも一方は、純度を非常に高くした水であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1及び第2の液体の少なくとも一方は、添加物を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の方法。前記添加物は気体を含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記添加物は、前記液体よりも低極性の液体混和性溶媒を含むことを特徴とする請求項3または4に記載の方法。前記添加物は、高引火点の有機系の添加物を含むことを特徴とする請求項3から5のいずれかに記載の方法。前記添加物は、除去されるべき特定の汚染物質の1つまたは複数を攻撃する特定の化学作用をもつ化学物質を含むことを特徴とする請求項3から6のいずれかに記載の方法。前記第1及び第2の液体の少なくとも一方は、酸性の液体またはアルカリ性の液体であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の方法。リソグラフィ装置の物体表面を洗浄する方法であって、洗浄対象表面と音響変換器との間に第1添加物を含む液体を供給することと、前記変換器から前記表面に音波を放射することと、前記洗浄対象表面と前記音響変換器との間に前記表面を洗い流すために前記第1添加物とは異なる第2添加物を含む液体を供給することと、を含むことを特徴とする方法。例えば、容易かつ効果的に洗浄されるリソグラフィ装置が提供されることが望ましい。同様に、液浸リソグラフィ装置を効果的に洗浄する方法が提供されることが望ましい。本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ投影装置を洗浄する装置であって、液浸リソグラフィ装置の表面を洗浄するメガソニックトランスデューサと、メガソニックトランスデューサと洗浄対象表面との間に液体を供給する液体供給システムと、流出洗浄液を収容する洗浄液排出口と、を備える装置が提供される。本発明の一態様によれば、基板を保持する基板テーブルと、パターンが付与された放射ビームを基板に投影する投影系と、表面を洗浄するメガソニックトランスデューサと、メガソニックトランスデューサと洗浄対象表面との間に液体を供給する液体供給システムと、洗浄液の流出を許容する洗浄液排出口と、を備える液浸リソグラフィ投影装置が提供される。本発明の一態様によれば、メガソニックトランスデューサから発せられるメガソニック波を使用して液浸リソグラフィ投影装置の表面を洗浄する方法であって、洗浄対象表面とメガソニックトランスデューサの表面とを液体で覆い、該液体にメガソニック波を導入し、洗浄対象表面に隣接する液体排出口を通じて液体を排出することを含む方法が提供される。本発明の一態様によれば、リソグラフィ投影装置の構成要素の表面を洗浄する洗浄装置であって、該表面に隣接する液体流れを生成する液体流れ誘起装置と、該液体を通じて該表面に音波を放射する音響変換器と、を備える洗浄装置が提供される。本発明の一態様によれば、基板を保持する基板テーブルと、パターンが付与された放射ビームを基板に投影する投影系と、リソグラフィ投影装置の構成要素の表面を洗浄する洗浄機構であって、該表面に隣接する液体流れを生成する液体流れ誘起機構と、該表面に該液体を通じて音波を放射する音響変換器と、を備える洗浄機構と、を備えるリソグラフィ投影装置が提供される。本発明の一態様によれば、リソグラフィ投影装置の構成要素の表面を洗浄する方法であって、該表面に液体を供給し、該液体に流れを生じさせ、該液体を通じて音波を与えることを含む方法が提供される。本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置の物体表面を洗浄する方法であって、洗浄対象表面と音響変換器との間に第1添加物を含む液体を供給し、前記変換器から前記表面に音波を放射し、前記洗浄対象表面と前記音響変換器との間に、前記第1添加物とは異なる第2添加物を含む液体を供給し、前記変換器から前記表面に音波を放射することを含む方法が提供される。本発明の一態様によれば、洗浄対象表面に使用時において対向する面を有する音響変換器と、前記音響変換器と洗浄対象表面との間に液体を供給する液体供給システムと、前記音響変換器と前記表面との間から液体を除去する排出器であって、前記変換器と前記表面との間において前記変換器の前記面の中心へと実質的に向かう放射方向内向きの液体流れが使用時に生じるように該排出器の注入口が位置決めされている排出器と、を備えるリソグラフィ投影装置が提供される。図1は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は以下のものを備える。放射ビームB例えばUV放射またはDUV放射を調整するよう構成されている照明光学系イルミネータIL。パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するよう構成され、所定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第1の位置決め装置PMに接続されている支持構造例えばマスクテーブルMT。基板例えばレジストでコーティングされたウエーハWを保持するよう構成され、所定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第2の位置決め装置PWに接続されている基板テーブル例えばウエーハテーブルWT。パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの例えば1つ以上のダイからなる目標部分Cに投影するよう構成されている投影系例えば屈折投影レンズ系PS。照明系は、放射の方向や形状の調整またはその他の制御用に、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。支持構造は、パターニングデバイスの向きやリソグラフィ装置の構成、あるいはパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。支持構造においてはパターニングデバイスを保持するために、機械的固定、真空固定、静電固定、または他の固定用技術が用いられる。支持構造は例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造は、パターニングデバイスを例えば投影系に対して所望の位置に位置決めできるようにしてもよい。本明細書ではレチクルまたはマスクという用語を用いた場合には、より一般的な用語であるパターニングデバイスに同義であるとみなされるものとする。本明細書ではパターニングデバイスという用語は、例えば基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えば仮に放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。本明細書では投影系という用語は、使用される露光光あるいは液浸や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系には例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では投影レンズという用語は、より一般的な用語である投影系と同義に用いられ得る。ここに説明されるのは、例えば透過型マスクを用いる透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイや反射型マスクなどを用いる反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。リソグラフィ装置は2つ以上2つの場合にはデュアルステージと呼ばれるの基板テーブル及び/または2つ以上の支持構造を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては追加されたテーブル及び/または支持構造は並行して使用されるか、あるいは1以上のテーブル及び/または支持構造で露光が行われている間に他の1以上のテーブル及び/または支持構造で準備工程を実行するようにしてもよい。図1に示されるようにイルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源SOからイルミネータILへとビーム搬送系BDを介して受け渡される。ビーム搬送系BDは例えば適当な方向変更用のミラー及び/またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が例えば水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源SOとイルミネータILとは、またビーム搬送系BDが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系または放射システムと総称される。イルミネータILは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタADを備えてもよい。一般にはアジャスタADにより、イルミネータILの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び/または内径の大きさ通常それぞれシグマ-アウタσ-outer、シグマ-インナσ-innerと呼ばれるが調整される。加えてイルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。放射ビームBは、支持構造例えばマスクテーブルMTに保持されるパターニングデバイス例えばマスクMAに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。マスクMAを通過した放射ビームBは投影系PSに進入する。投影系PSはビームを基板Wの目標部分Cに投影する。第2の位置決め装置PWと位置センサIF例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなどにより基板テーブルWTを正確に移動させることができる。基板テーブルWTは例えば放射ビームBの経路に異なる目標部分Cを順次位置決めするように移動される。同様に、第1の位置決め装置PMと他の位置センサ図1には明示せずとにより放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリからのマスクの機械的交換後や露光走査中に行われる。一般に支持構造MTの移動は、第1の位置決め装置PMの一部を構成するロングストロークモジュール粗い位置決め用及びショートストロークモジュール精細な位置決め用により実現される。同様に基板テーブルWTの移動は、第2の位置決め装置PWの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパではスキャナとは逆に、支持構造MTはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスMAと基板Wとは、パターニングデバイスのアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよいこれはスクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、パターニングデバイスMAに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスのアライメントマークをダイ間に配置してもよい。図示の装置は例えば次のうちの少なくとも1つのモードで使用され得る。1.ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が1回の照射すなわち単一静的露光で目標部分Cに投影される間、支持構造MT及び基板テーブルWTは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルがX及び/またはY方向に移動されて、異なる目標部分Cが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写される目標部分Cのサイズを制限することになる。2.スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間すなわち単一動的露光の間、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期して走査される。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影系PSの拡大縮小特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分の非走査方向の幅を制限し、スキャン移動距離が目標部分の走査方向の長さを決定する。3.別のモードにおいては、支持構造MTがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームPBに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、基板テーブルWTが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルWTの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。液浸リソグラフィの別の解決法IHとして、液体を局所的に供給するシステムが提案されている。この液体供給システムは投影系の末端要素と基板テーブルとの間の空間の辺縁部の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材を備える。この方式は図5に示されている。バリア部材はXY面内では投影系に対して実質的に静止しているが、Z軸方向光軸方向にはある程度相対移動が可能である。一実施例においては、バリア部材と基板表面との間にシールが形成され、このシールはガスシールのような非接触のシールである。バリア部材12は、投影系PSの末端要素と基板Wとの間の空間11に液体を少なくとも部分的に収容する。基板に対する非接触シール16が投影系の結像領域の周囲に形成されていてもよい。その結果、投影系の末端要素と基板表面との間の空間に液体が封じ込められる。この空間の少なくとも一部は、投影系PSの末端要素の下方及び周囲に配置されるバリア部材12によって区切られて形成される。液体が、液体供給口13により投影系下方かつバリア部材12内部の空間に供給され、液体排出口13により除去されてもよい。バリア部材12は投影系末端要素の若干上方にまで延びていてもよい。これにより液位が末端要素よりも上方に上昇したときに液体のバッファーが形成される。一実施例ではバリア部材12は上端部において内周形状が投影系またはその末端要素の形状に近似していてもよく、例えば円周状であってもよい。底部においては内周形状が結像領域の形状例えば長方形に近似していてもよいが、これは必須ではない。液体はガスシール16によって空間11に保持されている。このガスシール16は、使用時にバリア部材12の底部と基板Wの表面との間に形成される。ガスシールは例えば空気や合成空気などの気体により形成されるが、一実施例ではN2や他の不活性ガスでもよい。ガスシールは、バリア部材12と基板との間隙に吹出口15から所定圧を供給するとともに吸入口14で吸引することにより形成される。ガス吹出口15での超過圧力、吸入口14での真空レベル、及び間隙の幾何形状は、液体を封じ込める高速なガス流れを中心方向に生じさせるように構成される。これらの吹出口及び吸入口は空間11を取り囲む環状の溝であってもよく、ガス16の流れは空間11に液体を保持するのに有効なものとされる。このようなシステムは米国特許出願公開第2004-0207824号明細書に開示されている。上述のように液浸リソグラフィ装置は、液体を通じて基板が結像を受ける装置である。すなわち、液浸液は投影系PSの末端要素と基板との間に供給される。この構成は、1つまたは複数の特定の問題をもたらす。特に、液浸液は装置内に封じ込められるべきであり、外部物体のパーティクルが可能な限り存在しないように保たれるべきである。パーティクルは、結像中に欠陥を引き起こし得るし、結像後かつ後工程前に基板表面に取り残されても欠陥を引き起こし得る。ときに液浸液は懸濁しており、パーティクルを故意に含む。外部物体パーティクル問題を解決する1つの方法は、洗浄液を用いて表面を洗浄することである。または、音波超音波またはメガソニックを液に導入して表面を洗浄してもよい。洗浄液は液浸液と同じであってもよいし異なっていてもよい。洗浄液は例えば超純水であってもよい。超音波に比べてメガソニック波は非常に小さいキャビテーション気泡破裂し振動するを生成するので、非常に近接する表面が洗浄される。しかし、メガソニックを使用して液に導入されるエネルギの大きさには限界がある。一般に、超音波により導入されるエネルギは液中の全体に導入され液全体に分散される一方、メガソニックによるエネルギは局所的に高エネルギであるにすぎず、洗浄されるべき表面に直接向けられなければならない。すなわち、メガソニック波を起こすトランスデューサと洗浄されるべき表面との間に直接経路視線または直線が存在しなければならない。その経路の全体が液体で満たされていなければならない。メガソニック周波数は一般に750kHzから3MHzであるとされている。今回の目的においては、約750kHz以上の周波数、約1MHz以上の周波数、または約1.5MHz以上の周波数が使用される。洗浄対象物の表面近傍での洗浄液のよどみ境界層は、導入される音エネルギの周波数が大きくなるにつれて薄くなる。メガソニック周波数洗浄においては、気泡の振動、通常の音波洗浄よりも小規模のキャビテーション気泡破裂だけではなく、洗浄液での高速圧力波によるメガソニックパルス及び音響流も寄与して洗浄が実現される。メガソニック周波数においては、直径0.5μmより小さいパーティクルが、洗浄される表面に損傷を与えることなく除去される。上述のように、トランスデューサから洗浄対象面まで開放経路視線がなければならない。洗浄効率を高めるために、キャビテーション気泡形成を促進するよう液中に気体を溶かしてもよい。適する気体としては、窒素、二酸化炭素、酸素、またはこれらの気体の混合物空気を含むがある。オゾンや水素水に含まれるなどの気体も適当である。界面活性剤洗剤や石けんなど、酸、アルカリ、非極性有機溶媒や極性有機溶媒などの溶媒、H2O2溶液、またはリソグラフィ装置に適切な他の化学物質を液に使用して洗浄効率を更に向上させてもよい。洗浄液に洗剤または溶媒を使用したりH2O2溶液を加えたりすると、液の酸化特性が上がるので、有機性のコンタミネーションの除去に有用である。他の例としては、次亜塩素酸塩がある。洗浄液例えば水よりも低極性の液体混和性溶媒例えば水混和性溶媒を例えば加えることにより洗浄液の極性を変えることも可能である。液体混和性溶媒の例としては、アルコール、ケトン、有機酸、アミンなどがある。アルコールの例としては、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、第2級C12-14アルコールエトキシレート例えばアルキルオキシポリエチレンオキシエタノールがある。このような添加物を加えることによって生じ得る問題の1つは、洗浄液の引火点が低くなることである。よって、高引火点の有機系の添加物を加えて、可燃性の危険を生じさせずに洗浄液の特性を変えることが望ましい。このような添加物としては例えばN-メチルピロリドンNMP、グリコールエーテルなどがある。もちろん他の添加物を洗浄液に加えてもよい。例えば、除去されるべき特定の汚染物質の1つまたは複数を攻撃する特定の化学作用をもつ化学物質を加えることが好ましい。例えば、レジストのパーティクルは、メチルエチルケトン、酢酸エチル、及び/またはアセトンなどの化学物質で除去されうる。一実施形態においては、洗浄液は、水、ジエチルグリコールモノブチルエーテル、C12-14第2級アルコールエトキシレートの混合物であってもよい。例えば東京応化工業株式会社製のTLDR-A001またはTLDR-A001-C4であってもよい。本発明の一実施形態においては、異なる複数の汚染物質を異なる複数の工程で除去する多段階式で表面洗浄が行われる。このため、第1工程においては、第1の汚染物質を除去するために第1添加物を含む液体が使用される。第1添加物を含む液体により表面を洗浄するために音波が使用される。第2工程においては、異なる汚染物質を攻撃するように設計され第1添加物とは異なる第2添加物を含む液体が音響変換器と洗浄対象表面との間で使用される。これらの工程が任意の回数実行されてもよい。異なる添加物を含む他の液体に使用液体を変える際に表面を洗い流すようにしてもよい例えば、第1の添加物と第2の添加物とが異なっており、両者が共存できない場合。このような逐次的な洗浄戦略により全体的にパーティクルを良好に除去することができる。液浸リソグラフィ装置内部で洗浄することが望まれる対象物には以下のものが含まれるがこれらには限られない。例えば、基板W基板上面を支持する基板テーブルWTの1つまたは複数の部品、結像中に液浸液に浸される投影系PSの末端要素、及び/または、投影系PSの末端要素と基板Wとの間に結像中に液体を供給する液体閉じ込めシステム例えば図2乃至図5に示したものがある。本発明の以下の1つまたは複数の実施形態は、基板テーブルの上面及びバリア部材の洗浄に関して説明しているが、本発明は基板テーブル及びバリア部材の洗浄には限られない。一実施形態においては、液体供給システムは音響変換器と洗浄対象表面との間に液体を供給する。この実施形態では、液体供給システムは液体に流れを与えることで、表面の洗浄とともに液体が排出されて、表面から除去されたパーティクルが持ち去られるようにしている。1つの適切な液体は、純度を非常に高くした水である。しかし、他の液体も採用可能である。また、界面活性剤等の液体への添加物には上述のように有利な効果がある。他の洗浄液としては例えば、水/過酸化水素の混合物、水/エタノールの混合物、水/イソプロピルアルコールIPAの混合物、水/アンモニアの混合物、または水/アセトンの混合物がある。添加物として有用な他の化学物質には、テトラメチルアンモニウム水酸化物TMAH、SC-1またはSC-2がある。洗浄液に気体または溶媒を導入する1つの理由は、安定的なキャビテーションを促進するためである。これにより、液体中に安定的に気泡を形成することができる。この気泡がメガソニック波により振動されて、洗浄される表面への損傷を少なくして洗浄を行うことができる。この場合、溶媒が蒸発して気泡となり内破または崩壊するいわゆる過渡的キャビテーションよりも損傷を少なくすることができる。この暴力的な内破は洗浄表面に損傷を与える要因となりうるのであり、超音波周波数で通常見られ、超音波周波数よりも生成される気泡が小さくなる傾向にあるメガソニック周波数ではそれほど顕著ではない。しかし、上記のように、メガソニック波は、表面に視線を有していなければならない。約1MHzの周波数においては100秒の処理時間で100のパーティクル除去効率を実現することができる。音響周波数が3MHzを大きく超える場合には、1MHzよりわずかに大きい周波数に比べてパーティクル除去効率が劇的に低下する。洗浄液への気体導入はパーティクル除去効率に大きな効果がある。直径34nmのSiO2パーティクルの除去については洗浄液に20ppm程度の酸素を導入した場合に、ゼロから30へと除去効率が向上する。よって、気体濃度は約5ppmよりも大きいことが有効であろう。温度も重要であり、高温例えば55°Cにして反応時間を速くすることと、高温での気体の融解が少なくなることとのバランスが考慮されるべきである。洗浄液のpHも影響がある。pHが低い場合には、液中にHイオンが多く存在するので表面に正の電荷が生じる。同様にpHが高い場合には液中にOH-イオンが多く存在するので表面に負の電荷が生じる。このため、液のpHがpH7から離れることを保証することで、除去されたパーティクルの再付着が生じない可能性を高くすることができる。また、パーティクルと表面との間の静電的斥力は、両者が正または負のいずれかに均等に荷電されているときに、表面からパーティクルを持ち上げるのに役立つ。トランスデューサのパワーは、0.2乃至5W/cm2の間であり、放射距離は5乃至20mmの間であり、洗浄時間は10乃至90秒であることが望ましい。メガソニックトランスデューサからの洗浄対象表面への音響波の直接経路は、液浸リソグラフィ装置の異なる複数の部位を洗浄するよう複数の設計が提案される。メガソニック洗浄器は表面からパーティクルを除去するのに好適である。図6には、例えば基板テーブルWTの上面を洗浄するのに使用される装置が示されている。基板テーブルWTは、退避可能なバリア80を備える。バリア80は、洗浄位置において、洗浄されるべき基板テーブルWTの上面の周りを上方に延びている。バリア80が洗浄位置に立設されると、洗浄対象表面に液体が供給され、メガソニックトランスデューサ20がトランスデューサ20の下面が液体に覆われた状態で基板テーブルWTの表面上を方向25に移動されるか、またはそれとともにトランスデューサ20の下方を基板テーブルWTが移動される。これにより基板テーブルWTの上面が洗浄される。もちろん類似の構成が可能であり、バリア80が退避可能ではなく基板テーブルWTに永久的に固定されていてもよいし、バリア80が可動部であってもよい。トランスデューサ20は固定されていても、洗浄動作中に特にZ方向に移動可能であってもよいし、XまたはY軸方向にも移動可能であってもよい。基板テーブルWTの上面が洗浄されるときに、基板テーブルWTの上面に設けられている1つまたは複数のセンサを同時に洗浄することも可能である。センサの例としては、透過イメージセンサ、レンズ干渉計、及び/またはスポットセンサがある。トランスデューサにより生成される音響波が洗浄対象表面に90°で入射することを保証することは有用である。そのために、洗浄対象表面に対しトランスデューサ20の傾斜を調整するマイクロメータが設けられてもよい。装置の一設計においては、表面に対して傾斜されるトランスデューサを設けることは有益であり、これはマイクロメータを使用して調整されてもよい。マイクロメータは、トランスデューサから洗浄対象表面までの距離を調整するのに使用されてもよい。液浸リソグラフィ装置におけるコンタミネーション問題は例えば、2006年5月22日出願の米国特許出願第11/437876号に言及されている。この出願では、リソグラフィ装置は、表面を容易かつ効果的に洗浄するメガソニックトランスデューサを有する。メガソニックトランスデューサは、表面からパーティクルを除去するのに好適である。しかし、パーティクルは、洗浄対象表面に再堆積したり再付着したりすることがある。再堆積は、液体流れが正確に制御されていないために流速がゼロとなる1つまたは複数の位置よどみ領域で通常発生しやすい。または液と気体例えば空気との界面で発生しやすい。よって、メガソニックトランスデューサと洗浄対象表面との間に液体の流れを生じさせることが望ましい。特に、流速がゼロの位置よどみ領域がないように装置を設計することが望ましい。上述のパーティクル再付着問題が軽減されることが望ましい。それは例えば、洗浄されるべき表面への汚染微粒子の再堆積を最小化するよう洗浄液の流れを効果的に制御するリソグラフィ装置を提供することで実現される。また、メガソニックトランスデューサと洗浄対象表面との間に液体流れを形成し、パーティクルが浮遊する液体を素早く運び去るようにすることが望ましい。このようにして、流速がゼロの位置よどみ領域の数を低減して再堆積を避けることができる。本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の表面を洗浄するメガソニックトランスデューサと、メガソニックトランスデューサと洗浄対象表面との間に液体を供給する液体供給システムと、流出する洗浄液を収容する洗浄液排出口と、を備える液浸リソグラフィ投影装置の洗浄装置が提供される。洗浄液排出口は洗浄対象表面に隣接する。メガソニックトランスデューサの表面と洗浄対象表面とは洗浄のために洗浄液に浸される。本発明の一態様によれば、基板を保持する基板テーブルと、パターンが付与された放射ビームを基板に投影する投影系と、表面を洗浄するメガソニックトランスデューサと、メガソニックトランスデューサと洗浄対象表面との間に液体を供給する液体供給システムと、洗浄液の流出を許容する洗浄液排出口と、を備える液浸リソグラフィ投影装置が提供される。洗浄液排出口は洗浄対象表面に隣接する。メガソニックトランスデューサの表面と洗浄対象表面とは洗浄中は洗浄液に浸される。本発明の一態様によれば、メガソニックトランスデューサから発せられるメガソニック波を使用して液浸リソグラフィ投影装置の表面を洗浄する方法であって、洗浄対象表面とメガソニックトランスデューサの表面とを液体で覆い、該液体にメガソニック波を導入し、該洗浄対象表面に隣接する液体排出口を通じて液体を排出することを含む方法が提供される。図6に示される装置の変形例においては、洗浄液30がトランスデューサ20と洗浄対象表面との間を流れる。図7には、メガソニックトランスデューサ20が基板テーブルWTの上面の一部例えばミラーブロックの上に保持され、洗浄されるべき領域Aを画定する一設計が示されている。メガソニックトランスデューサの下面はリザーバ貯液槽内に保持され洗浄液30に浸されている。洗浄液30は、リザーバ表面に配置される1つまたは複数の排出口10を通じて、リザーバの側面へと向けてトランスデューサ20から離れるように排出される。メガソニックトランスデューサ20は洗浄される基板テーブルWTよりも小さいので、トランスデューサ及び/または基板テーブルは移動されなければならない。気液例えば空気と水の界面は、パーティクルの再堆積に特に影響しやすい。メガソニックトランスデューサ20が基板テーブルWTの表面を移動すると及び/または、その逆に基板テーブルWTが移動すると、気液の界面は重要な洗浄済の領域を通過する。基板テーブルWTから除去された汚染物質のうちのいくらかが、気液界面の下方において洗浄済表面と1つまたは複数の排出口との間で基板テーブルWT上に堆積する。図8には、基板テーブルWTに対向するトランスデューサ20の表面が洗浄液に浸されている装置が示されている。この装置では、メガソニックトランスデューサ20と基板テーブルWTとの間に気液界面が存在しないようになっている。この装置においては、音響変換器20としてメガソニックトランスデューサが設けられていてもよい。液体30は基板テーブルWTの上面に供給されている。図示の装置においては、基板テーブルに設けられかつ取り外し可能または退避可能であってもよいバリア80が液体30の漏れを防ぐ。液体は音響変換器20の放射方向外側に供給されており、例えばバリア80に近接する位置まで供給されていてもよい。洗浄対象表面と洗浄対象表面に対向する音響変換器20の表面との間に液体の流れ35があることは有利である。特に、望ましいことに、液体30の動きは、パーティクルの濃度がより高い領域へと向かい、かつ音波の照射が継続されている領域へと向かう。この構成は、気液界面が存在する状況に特に好ましい。それは、表面から除去された汚染微粒子が気液界面に移動しないので洗浄が改善されるからである。図8の実施形態においてはこのことが、実質的に音響変換器20の中心または少なくとも音響変換器に包囲される部位を貫通するチューブまたはパイプ100を通じて液体が排出されることで実現される。図示される音響変換器20は単一のトランスデューサであるが、もちろん、複数のトランスデューサが設けられてもよい。複数のトランスデューサは、洗浄対象表面に垂直で図8に示されるチューブ100と同軸の中心軸のまわりに互いに隣接して配置されていてもよい。もちろん、その中心軸からチューブ100がオフセットされていてもよい。トランスデューサ20は、排出パイプ100を実質的に中心に有する。トランスデューサ20はその下面に排出口10が画定されている。排出口10は、洗浄される領域Aに接続され、隣接され、または近接している。パイプ100の他端は、例えば湿式真空つまり排出器に接続されている。液体は排出口10を通じて上方に吸引され、トランスデューサ20の下方においてメガソニックトランスデューサ20の中心に向かう流れを洗浄液にもたらす。よって、基板テーブルWTの表面から解放された汚染物質は、洗浄済の基板テーブルWT上面に再堆積する前に、液体30の流れにより除去される。メガソニック波は指向性を有するので、洗浄は、メガソニック波の直線経路で基板テーブル表面を局所化または区分化して行うことが望ましい。図8に示される装置においては、洗浄対象表面はトランスデューサ20の直下である。したがって、トランスデューサ20の直下での洗浄液中のパーティクル濃度は高いが、トランスデューサ以外でのパーティクル濃度は低い。放射方向流れ35の影響により大きな洗浄液流れは、最も汚染度の高い領域すなわち排出パイプの排出口10の領域へと向かう。トランスデューサ20の下方での液体30の流れは放射状となる。図8に示される構成においては、気体例えば空気と液体との界面が基板テーブルWTの洗浄される領域に存在しないことが有利である。また、基板テーブルの洗浄される領域から排出口10さらには排出パイプ100まで存在しないことが有利である。この装置は、オフラインの洗浄装置として実現可能である。オフラインの洗浄装置として使用するためには、洗浄装置は基板テーブルWTに固定される。基板テーブルWTは洗浄時にリソグラフィ装置から取り外されてもよい。この装置の変形例としてインラインの構成を実現してもよい。図8の装置においては、パイプ100は減圧源湿式真空に接続されている。これにより、チューブ100に同軸の中心軸に向かう放射方向内向きの内向液体流れが生じる。しかし、他の形式の流れも生じ得る。例えば、チューブ100と同軸の中心軸に向かうが正確には放射状ではない内向きの成分を有する液体流れのような渦巻き型の流れが生じる場合もある。図8においてはパイプ100が音響変換器20の中心を通るように配置されているが、他の構成も可能である。例えば、洗浄される表面自体を通じて液体が排出されてもよい。しかし、このような装置は、洗浄対象表面Aに対して音響変換器20の位置が固定されている場合により適している。基板テーブルの上面よりも設計上小さい音響変換器20で基板テーブルWTの上面を洗浄するときには、矢印25及び/または逆向きの矢印で図示されるように基板テーブルWTに対して音響変換器20が移動されて基板テーブルWTの上面全体が洗浄されると理解されたい。汚染微粒子濃度が低い領域から汚染微粒子濃度が高い領域に向かう内向液体流れ35が有効である。パーティクル濃度が低い領域には、音響変換器20の中心軸から放射方向外側であり音波が洗浄対象表面Aからパーティクルを分離しない領域が含まれる。パーティクル濃度が高い領域には、音響変換器20と洗浄対象表面Aとの間の領域が含まれる。このようにして清浄な液体が補充され、汚染された液体は周囲へと流れ出ない。また、洗浄対象表面Aから除去されたパーティクルは再付着し得る。放射状内向き流れにより、除去されたパーティクルは元々付着していた放射方向内側の位置で再付着する。よって、再付着の位置は幾何学的にトランスデューサ20の下方である。すなわち、音響変換器20からの音波によって再度除去される領域内である。望ましいのは内向き流れが生成されることであり、それがどのように実現されるかではない。1つまたは複数の実施形態を上述したが、もちろん当業者であれば他の構成も認識可能であり、メガソニックトランスデューサ20の中心または全体としてトランスデューサ20を形成する複数のメガソニックトランスデューサの中心をチューブ100が直接通っていることは必須ではないであろう。例えば、液体排出に望ましい位置まで液体中でチューブを到達させることで内向き流れを誘起するようにしてもよいであろう。図9には、図8の実施形態のバリア80を用いない実施形態が示されている。この実施形態は、図8の実施形態よりもインラインすなわち液浸リソグラフィ装置内での使用により適している。この実施形態では、音響変換器20は図面上で断面積が小さいことを除いて図8に示されるものと同様である。音響変換器20は、図5を参照して説明したバリア部材12に包囲されている。このバリア部材12は、音響変換器20と洗浄対象表面との間に液体が供給された状態で基板テーブルWTの上面に対してXY平面内を移動可能であるまたはその逆にバリア部材に対して基板テーブルが移動してもよい。この実施形態においても、チューブ100を通じて液体が排出され所望の内向液体流れが生成される。図5で説明された結像時に比べて高速の液体流れが必要とされ得る。基板テーブルWT及び/またはトランスデューサ20はそれぞれ他方に対して移動されて基板テーブルWTの上面全域が洗浄される。リソグラフィ装置内部で自動化された方法で洗浄が行われてもよいし、人手または何らかの道具で基板テーブルWTの上面に対してトランスデューサ20を移動させて及び/またはその逆の移動で手動で洗浄が行われてもよい。洗浄処理が自動化されている場合、それを実現する1つの方法は、トランスデューサ20を静止保管位置から静止洗浄位置まで移動可能とし、トランスデューサ20が静止洗浄位置にあるときにトランスデューサ20に対して基板テーブルWTを移動することである。洗浄装置の液体供給システムの動作開始前にZ軸方向に基板テーブルWTが移動されてもよい。気体流れ16が生成されると、バリア部材12に液体が供給され基板テーブルWTがXY平面内で移動されて、洗浄されるべき表面が洗浄される。トランスデューサと洗浄対象表面との間隙には液体流れがあることが望ましいが、必須ではない。洗浄対象表面へのパーティクルの再付着を防止または少なくとも低減する他の方法は、洗浄対象表面にパーティクルが付着しないことをパーティクルのゼータ電位と洗浄対象表面のゼータ電位とが保証するようにトランスデューサと洗浄対象表面との間の液体の1つまたは複数の特性を変えることである。望ましくは表面に対してパーティクルが反発するようにしてもよい。ゼータ電位は、液中における表面の電位である。ゼータ電位は一般に表面からの距離とともに減少する。所定の材料はある液体に対して所定のゼータ電位を有する。表面のゼータ電位を変える1つの方法は、液中の電解質濃度を変えることである。ゼータ電位を変える他の方法は、液のpHを変えることである。液の電解質例えば塩の濃度及び/または液のpHを慎重に選択することにより、1パーティクルが除去される表面及び/または付着が回避されるべき他のあらゆる表面のゼータ電位、及び2パーティクルのゼータ電位を選択可能である。望ましくは、これらの2つのゼータ電位が同じ極性を有するようにしてそれぞれのゼータ電位を有するそれぞれの物体が互いに反発するように2つのゼータ電位が選択されてもよい。液体のpH及び/または電解質濃度は、洗浄対象表面の材質に関する知識とパーティクルが有するであろう材質の種類に関する知識とを用いて選択されてもよい。両者の材質が同一である場合には、洗浄対象表面及びパーティクルの両方のゼータ電位が非ゼロとなるようにpH及び/または電解質濃度を選択すればよく簡単である。この場合、洗浄対象表面及びパーティクルの両方が正の電位または負の電位のいずれかであれば互いに反発してパーティクルは洗浄対象表面に再付着しにくいであろう。両者の材質が異なる場合にはpH及び/または電解質濃度の選択は難しくなるが、pH及び/または電解質濃度のうち少なくとも一方の調整により両方の材質でゼータ電位が同じ極性を有するようにすることが可能である。液のpHを変更することは物質の溶解度に悪影響を与えうる。その結果、コンタミネーションが生じたり溶液の一体性が失われたりするおそれがある。このことが問題となる場合には、pHではなく電解質濃度を変えることが望ましい。よく使われる塩例えばNaClを添加することで電解質濃度を変更すれば、液体のpHに大きな影響を与えないようにすることができるつまり液体は中性のままである。上述の2つ以上の手法を組み合わせて用いることが最良の方法である場合もある特に、pH及び/または電解質濃度によるゼータ電位の変更と界面活性剤の使用との組み合わせ。液浸フード図5参照などの液体閉じ込めシステムLCSを洗浄する際の問題は、現場in-situで下方から洗浄する場合に投影系の末端の光学素子をメガソニック波が加熱するということである。これは、投影系PSの一部が下方から露出されており、液体閉じ込めシステムLCSを貫通して開口200が形成されているからである。開口200は基板への結像の際に液体で満たされており、投影ビームPBが開口200を基板Wへと通過する。したがって、液体閉じ込めシステムLCSの表面の洗浄は、通常はWELLEレンズである光学素子を加熱することなくかつ光学素子にエネルギを分布させることなく行われることが望ましい。米国特許出願第11/437876号を優先権主張の基礎とする2007年5月18日出願の米国特許出願第11/802082号に示されるように、メガソニック波から光学素子を防護するシールドとして気体例えば空気の間隙が使用されてもよい。しかし、条件によってはそのガスギャップに液体が入り込んでしまう。一実施形態においては、望ましくはプレートを備えるシールドが、メガソニック波及び/または液体から投影系の末端要素を保護するのに使用されてもよい。望ましくは、シールドは、トランスデューサ20と、開口200を通じて露出される投影系PSの一部との間の固体バリア310である。一実施形態においては、このシールドは、トランスデューサ20から開口200へのすべての直線経路における物理的な存在物遮蔽物である。バリア及び/またはバリアが保持を助けるガスギャップ75は、トランスデューサ20からの音振動を反射して開口200に入らないようにするのに有効である。一実施形態においては、バリア310は開口200を封止して開口200に液体が入らないようにしてもよい。これは、ガスギャップの一体性が保証され、光学素子表面に液体が接触しないことが保証されるのに役立つ。図10及び図11は、液体閉じ込めシステムLCSの下側に固定される洗浄ツールを示す図である。図10の実施形態を最初に説明する。この装置は図面では概ね円形であるが、本発明の実施形態はあらゆる液体閉じ込めシステムに適用し得るものであり、円形でないものにも適用可能である。この洗浄ツールは、洗浄ツール本体300を液体閉じ込めシステムLCSの下面に封止する外側シール部400によって液体閉じ込めシステムLCSに固定される。外側シール部400は通常Oリングである。外側シール部は液体閉じ込めシステムLCSの下側の洗浄対象表面の最大領域を画定する。洗浄ツール本体300の内部には、液体閉じ込めシステムLCSの下面にメガソニック波を向けるメガソニックトランスデューサ20が設けられている。洗浄液は洗浄ツール本体300と液体閉じ込めシステムLCSの下面との間の空間を満たす。これによりリザーバ貯液槽が形成される。洗浄装置は、ガスギャップ75に加えて、リザーバの上面と光学素子との間にシールドを有する。シールドは、トランスデューサ20とギャップ75との間で固体の分離体を形成するバリア310を備える。バリア310は、メガソニック波を光学素子以外に反射することによりシールドの有効性を向上させる。バリア310は、機能的には光学素子の傘すなわち液体から光学素子を守るものとして作用する形状である。この傘は、液体閉じ込めシステムLCSにおいて開口200の周囲に形成された内側リム318により画定される開口200を覆い、バリア310傘と液体閉じ込めシステムLCSとの間の内側シール部500により液体閉じ込めシステムLCSに固定される。内側シール部500は通常Oリングである。内側シール部500は、ギャップ75の性能を悪くするギャップ75への洗浄液の浸入を防ぐ。また、洗浄ツールは、バリア310に取り付けられたチューブ320を備える。このチューブはツール本体300を貫通する。このチューブは、リザーバに洗浄液を供給する注入口330を有する。注入口は、洗浄液リザーバの上部に近接または隣接し、液体閉じ込めシステムLCSに形成された内側リム318に近接して配置されている。注入口330は、液体流れが全放射方向に生成されるように単一のスリットとして、またはバリア310の外端における複数の個別孔として設けられている。液体閉じ込めシステムLCSの下面には排出口10が形成されている。排出口10は、洗浄液を除去する減圧源例えば湿式真空に接続されている。排出口10は、液体閉じ込めシステムLCSの洗浄対象表面に接続され、隣接され、または近接する。排出口10は、例えば図2乃至図4のいずれかに示すアウトレットOUT及び/または図5の排出口14のように従来の液体閉じ込めシステムに既に存在する形態である。よって、使用時にはツール本体と液体閉じ込めシステムLCSの洗浄対象表面との間を排出口に向けて洗浄液が流れる。したがって、本実施形態では、洗浄対象表面を通過する液体流れが生成される。この液体流れは放射状であるが本実施形態では流れは概ね外向きである。しかし、トランスデューサ20が洗浄対象表面に対して移動しないので、そのことは本実施形態ではそれほど重要ではない。洗浄ツールはインライン型の構成に実現されてもよいしオフライン型の構成に実現されてもよい。オフライン型で実現される場合には、液体閉じ込めシステムLCSは洗浄ツールに取り付けるためにリソグラフィ装置から取り外されてもよい。図10に示される装置には1つまたは複数の問題が生じ得る。洗浄ツールにおける減圧すなわち排出口10に接続される減圧は潜在的に不安定性がある。気泡形成や圧力変動のために吸引力が変化して制御がしにくいおそれがある。減圧が大きすぎる場合には洗浄液槽内部に気泡が形成される。気泡はメガソニックトランスデューサ20の性能を悪くする。界面活性剤及び/または洗浄剤が液体に使用されている場合には、以下に示すように泡立ちが発生するおそれがある。減圧が小さすぎる場合には、装置内部に圧力が発生して液体閉じ込めシステムLCS内部の既存の通路を通じて洗浄液が流れてガスギャップ75に浸水してしまう。洗浄ツールと液体閉じ込めシステムLCSとの間のシール500は劣化してギャップ75に液体の漏れを許容するおそれがある。洗浄液が光学素子に接触すると、光学素子はメガソニック波を吸収して加熱されるおそれがある。メガソニックエネルギによる機械的損傷が問題となるおそれもある。これらの理由によって、温度及びメガソニック波に対する防護シールドとしてのガスギャップの性能が悪くなり得る。内側シール部500の他の問題は、内側シール部500を機能させるのに必要となるバリア310傘の大きさによって洗浄ツールのデザインが決められてしまうことである。洗浄ツールは汎用的ではなくなり、液体閉じ込めシステムLCSのデザインによって必要となる洗浄ツールのデザインが異なってしまう。また、液体閉じ込めシステムLCSの下側に開口200と液体流通可能である1つまたは複数の開口が液体閉じ込めシステムLCSに設けられることもある。この1つまたは複数の開口さらには液体閉じ込めシステムLCSを通じてギャップ75へと液体が移動することが可能である。そうすると、図10の実施形態ではその液体を除去する方法がなくなるおそれがある。超純水などの洗浄液への添加物例えば界面活性剤及び/または洗浄剤の添加は洗浄性能を向上させうるが、この添加物が問題を起こすこともある。湿式真空システムにおいては、洗浄液が攪拌されて液が泡立ってしまうおそれがある。泡立ちが問題となるのは、センサ等のリソグラフィ装置の構成要素が泡に接触すると損傷を受ける可能性があるからである。泡によりリソグラフィ装置の誤動作が生じたり、製造環境に更なる問題を引き起こすおそれもある。湿式真空発生源にリサイクルループを使用することにより問題が大きくなるおそれがある。湿式真空による供給圧よりも低圧が使用される場合には、リザーバ内での圧力発生が許容され、1つまたは複数の開口を通じたギャップ75への上述の液体の漏れが起こりやすくなるおそれがある。図11及び図12には、液体閉じ込めシステムLCSの下面に適する洗浄ツールの更なる実施形態が示されている。これは図10に示される洗浄ツールといくつかの点は同一であり、以下の点については異なる。液体30は、リザーバ及びバリア310を通じて反対方向に流れる。このため、バリア310の開口が排出口10となる。バリア310の開口のリム317は、洗浄されるべき液体閉じ込めシステムLCSの下面に接続され、隣接され、または近接している。液体閉じ込めシステムLCSの内側リム318とバリア310との間には充分なクリアランスが存在し、洗浄液30が洗浄液リザーバから、シールド310の開口により画定される排出口10へと流れる。バリア310は、傘として機能し、じょうご状の形状言い換えれば、リザーバ内にある切り取られた円錐形状である。この形状は洗浄ツールの他の特徴と相俟って、使用時にメガソニック波が光学素子に入射しないようシールドに入射する角度とは異なる角度で反射するという点で防護シールドの有効性を改善する。液体30は、バリア310のリム317を越え、排出口10さらには排出チューブ320へと下方へ重力の作用で流れる。よって、バリア310は、液体が重力でリザーバから流出する排出口10を形成する。よって、このシステムは、閉鎖的なシステムといえる図10の実施形態に比べて開放的なシステムであるといえる。また、排出口10及びチューブ320のじょうご状形状により、リザーバからの流れが緩やかとなる。これは特に、開口及びチューブ320のじょうご状形状により、液体が開口の傾斜面を排出口のチューブ部の開始部へと下方へと流れるからである。このようにして、液体にはほとんど力が作用しないので、泡立ちが低減される。リザーバの中心から液体を排出するので、本実施形態では図8及び図9の実施形態と同様に放射方向内向きの放射流れが生じる。液体注入口が設けられるが、これは洗浄ツール本体300及び/または液体閉じ込めシステムLCSの表面に設けられてもよい。リム317は液体閉じ込めシステムLCSの内側リム318を補完する断面変形または断面形状に形成され、リザーバからの洗浄液30の流路は湾曲または方向変更つまり非直線する。このとき洗浄液は、リム317を内側リム318から隔てる空間を通って流れる。図12を参照。これにより、メガソニック波が開口200に進入することが防止される。これとともにまたはこれに代えて、液体閉じ込めシステムLCSの内側リム318の断面変形または断面形状は、リム317の形状を補完するように形成されていてもよい。リザーバ内の静水圧とともにリム317の頂部の高さがギャップ75の寸法を定める。液体の流れが排出口10に接続された低速ポンプ325により支援されていてもよい。このポンプ325は、液中の気泡生成を避けられる小さい減圧を与える。典型的な流速は毎分0.5乃至3リットルである。一実施形態では、液体流れは湿式真空には流れない。じょうご状形状のバリア310と低速ポンプとの間において、望ましくは排出チューブ320に、制限部328すなわち流量制限器が設けられてもよい。この制限部は泡の形成を最小化するのに役立つ。一実施形態においては、洗浄ツールに液体を流すための圧力は常に同じである。この圧力は、じょうご状形状のバリア310のリム317とリザーバへの洗浄液30の供給用注入口との間の高さの違いによって決定される。一実施形態では、洗浄装置は安定的なシステムである。洗浄装置の動作に必要な圧力が自動的に制御されるからである。この場合、ギャップ75に浸水する危険性は低減され、ギャップ75はより安定している。洗浄ツールは、温度変動及び/またはメガソニック波から光学素子を効果的に守る防護シールドを備えてもよい。安全性及び更なる制御性を与える特徴がチューブ340である。チューブ340は、じょうご状形状バリア310に平行かつリザーバと流体流通可能に設けられており、指示器として使用することができる。チューブ340内の液位はリザーバ内の液位と同じであるから、ガスギャップ75が充分な大きさであるか否かを判定することができる。この指示器は、バリア310内のチューブがつまってガスギャップ75に洗浄液30が浸水したか否かを示すことができる。洗浄ツール内を定圧とすることによりリザーバ内に形成される気泡の量を低減することができるという効果がある。その結果として、メガソニックトランスデューサ20の有効性も向上される。洗浄ツール内部を洗浄液がスムーズに流れると、気体と洗浄液との接触が公知の湿式真空システムよりも少なくなる。したがって、洗浄ツール内部での泡立ちが低減される。これにより、通常であれば過度に泡立ってしまうために使用が禁止されるであろう添加物界面活性剤及び/または洗浄剤を洗浄液に添加することが可能となる。このような添加物には、例えば石けんなどの界面活性剤がある。この添加物は、1つの処方により構成されていてもよく、例えば石けんの処方であってもよい。この処方は添加物の泡立ち特性を制御する薬剤を含んでもよい。このような薬剤が含まれない処方の場合には、泡立ちを抑制する添加物を液体に添加して泡立ちを低減及び制御してもよい。泡立ちを抑制する薬剤には例えば、パラフィン、ポリグリコール、またはポリジメチルシロキサンなどのシリコーンを含む化合物があるが、これに限られない。一実施形態においては、システムは閉鎖されているのではなく開放されている。この場合、内側シールは不要である外側シールは設けるが。これには利点がある。図10の装置において傘310は液体閉じ込めシステムLCSに形成された開口200に適合するよう寸法が定められていた。よって、異なる液体閉じ込めシステムLCSには、多少異なるデザインの洗浄ツールと完全に異なるセッティング処理が必要とされうる。図11及び図12の装置の洗浄装置は、固定されたセッティング処理を使用して、複数タイプの液体封じ込めシステムLCSを使用しうる。図10乃至図12に示される洗浄ツールは、洗浄液30が放射状流れを有するように修正されてもよい。また、泡立ちを避けるために洗浄ツールのリザーバから重力で洗浄液を排出するという思想は、あらゆる洗浄ツールに使用可能であり、図11及び図12に示されるものには限られない。特に、同じ思想重力による液の排出を許容する排出口は、図6乃至図8の装置にも適用可能である。この場合、各装置の放射状流れは犠牲になりうるが適用可能である。メガソニック洗浄ツールを液体閉じ込めシステムLCSに取り付けてトランスデューサ20を駆動すると、洗浄されるべき部位に例えばMHzレベルの振動が誘起される。このレベルの振動は、気泡のキャビテーション、メガソニックパルス、及び音響流を発生させ、これらはメガソニック洗浄の基礎となる。特に、洗浄液30の供給は光学素子がメガソニックエネルギから保護されるような方法で行われ、洗浄液は装置への悪影響気泡、パーティクルの再堆積、及び/または、泡立ちなどが回避されるように導入される。模範的な洗浄液供給の構成は、製品収量を向上させる。例えば、リソグラフィ装置の清浄性が向上することで、欠陥発生レベルの低減に寄与する。すべての実施形態はオフラインで実現してもよい。インラインで実施形態を実現することもできる。本明細書ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書におけるウエーハあるいはダイという用語がそれぞれ基板あるいは目標部分という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置、メトロロジツール、及び/またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ICを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。本明細書において放射及びビームという用語は、紫外UV放射例えば約365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長を有するを含むあらゆる種類の電磁放射を示す。レンズという用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子及び反射光学素子を含む1つまたは各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。よって、レンズは光学素子であるし、一実施例では光学素子はレンズである。本発明の具体的な実施形態が上述のように説明されたが、本発明は上述の形式以外の形式でも実施可能であると理解されたい。例えば本発明は、上述の方法が記述された機械で読み取り可能な1以上の一連の指示を含むコンピュータプログラムの形式、またはこのようなコンピュータプログラムが記録された半導体メモリや磁気光ディスクなどのデータ記録媒体の形式をとってもよい。本発明は制御部コントローラの制御のもとで実行されてもよい。制御部は例えば上述のコンピュータプログラムプログラムされていてもよい。本発明の1つ以上の実施形態はいかなる液浸リソグラフィ装置にも適用可能であり、特に上述の形式のものには限られない。液浸用の液体が液体槽の方式で供給されるものにも基板上の局所領域にだけ供給されるものにも適用可能である。本明細書にいう液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施形態では、液体供給システムは投影系と基板及び/または基板テーブルとの間の空間に液体を供給する構造の組合せまたは機構であってもよい。液体供給システムは1つ以上の構造部材の組合せ、空間に液体を供給するための1つ以上の液体流入口、1つ以上の気体流入口、1つ以上の気体流出口、及び/または1つ以上の液体流出口を備えてもよい。一実施例では、液体が供給される空間の一表面が基板及び/または基板テーブルの一部分であってもよい。あるいはその空間の一表面が基板及び/または基板テーブルの表面を完全に覆ってもよい。またはその空間は基板及び/または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、質、形状、流速または他の特性を制御するための1つ以上の要素を更に含んでもよい。リソグラフィ装置で使用される液浸液は、使用される露光放射の所望の特性及び波長に応じて異なる組成を有していてもよい。193nmの波長の露光では超純水または水分を主とする組成が使用され得る。このため、液浸液は水と称される場合あり、例えば親水性、疎水性、湿度などの水に関連する用語が使用される場合がある。本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。本発明の請求項の範囲から逸脱することなく種々に変更することができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。