"基板上に、陽極、複数の有機層及び陰極が積層されてなる有機電界発光素子において、少なくとも一つの有機層に、一般式1で表される化合物を含有させたことを特徴とする有機電界発光素子。式中、Lは炭素数1~30のアルカン、炭素数3~30のシクロアルカン、炭素数6~50の芳香族炭化水素、4環以上の縮合複素環を含まない炭素数3~50の芳香族複素環化合物、炭素数9~30のトリアリールアミン、又は炭素数6~24のジアリールスルホンから生じるnm価の基を表し、Aはそれぞれ独立して炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~30のシクロアルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~30のアルキニル基、炭素数3~18のシリル基、炭素数2~19のアシル基、炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は4環以上の縮合複素環を含まない炭素数3~50の芳香族複素環基を表し、Xはそれぞれ独立してCR2、酸素、硫黄又はセレンを表し、Rはそれぞれ独立して水素、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~30のシクロアルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~30のアルキニル基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基又は4環以上の縮合複素環を含まない炭素数3~30の芳香族複素環基を表し、mは1~4の整数を表し、nは0~3の整数を表す。mとnの総数は2~4である。一般式1で表される化合物が、式2で表されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。式2中、L、A及びRは一般式1と同意である。pは2~4の整数を表す。一般式2において、pが2又は3であることを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光素子。一般式1で表される化合物を含有させた層が、発光層、正孔輸送層及び電子阻止層からなる群れから選ばれる少なくとも一つの層であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の有機電界発光素子。一般式1で表される化合物を含有させた層が、燐光発光ドーパントを含有する発光層であることを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光素子。本発明の有機電界発光素子は、前記一般式1で表される含窒素芳香族化合物以下、一般式1で表される化合物又は含窒素芳香族化合物ともいうを含有する。一般式1及び式2において、Lはnm価の結合基である。この結合基は、炭素数1~30のアルカン、炭素数3~30のシクロアルカン、炭素数6~50の芳香族炭化水素、炭素数3~50の芳香族複素環化合物、炭素数9~30のトリアリールアミン、又は炭素数6~24のジアリールスルホンからnm個の水素をとって生じる基である。ここで、芳香族複素環基は4環以上の縮合複素環を含まない。好ましくは、Lは炭素数1~10のアルカン、炭素数3~11のシクロアルカン、炭素数6~30の芳香族炭化水素、炭素数3~30の芳香族複素環化合物、炭素数9~22のトリアリールアミン、又は炭素数6~20のジアリールスルホンからnm個の水素をとって生じる基である。より好ましくは、Lは炭素数1~10のアルカン、炭素数3~11のシクロアルカン、炭素数6~30の芳香族炭化水素、炭素数3~30の芳香族複素環化合物からnm個の水素をとって生じる基である。Lが炭素数1~30のアルカンから生じる基である場合、その炭素数は好ましくは1~10、より好ましくは1~8である。アルカンの具体例としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカンが挙げられ、好ましくはメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンが挙げられる。上記アルカンから生じる基は直鎖であっても、分岐していても構わない。上記アルカンから生じる基は置換基を有しても良く、これらが置換基を有する場合、置換基としては、炭素数3~11のシクロアルキル基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又は炭素数3~18の芳香族複素環基である。上記アルカンから生じる基が置換基を有する場合、置換基の総数は1~10である。好ましくは1~6であり、より好ましくは1~4である。また、2つ以上の置換基を有する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Lが炭素数3~30のシクロアルカンから生じる基である場合、その炭素数は好ましくは3~11、より好ましくは5~6である。シクロアルカンの具体例としては、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン又はデカヒドロナフタンが挙げられ、好ましくはシクロペンタン、又はシクロヘキサンが挙げられる。上記シクロアルカンから生じる基は置換基を有しても良く、これらが置換基を有する場合、置換基としては、炭素数1~10のアルキル基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又は炭素数3~18の芳香族複素環基である。上記シクロアルカンから生じる基が置換基を有する場合、置換基の総数は1~10である。好ましくは1~6であり、より好ましくは1~4である。また、2つ以上の置換基を有する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Lが、炭素数6~50の芳香族炭化水素又は炭素数3~50の芳香族複素環化合物から生じる基である場合、芳香族炭化水素の炭素数は好ましくは6~30、より好ましくは6~18であり、芳香族複素環の炭素数は好ましくは3~30、より好ましくは3~18である。ここで、芳香族複素環化合物又はこれから生じる芳香族複素環基は4環以上の縮合複素環を含まない。芳香族炭化水素又は芳香族複素環化合物の具体例としては、ベンゼン、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アズレン、ヘプタレン、オクタレン、インダセン、アセナフチレン、フェナレン、フェナンスレン、アントラセン、トリンデン、フルオランテン、アセフェナントリレン、アセアントリレン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、テトラフェン、テトラセン、プレイアデン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン、テトラフェニレン、コラントリレン、ヘリセン、ヘキサフェン、ルビセン、コロネン、トリナフチレン、ヘプタフェン、ピラントレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、キサンテン、オキサトレン、ジベンゾフラン、ペリキサンテノキサンテン、チオフェン、チオキサンテン、チアントレン、フェノキサチイン、チオナフテン、イソチアナフテン、チオフテン、チオファントレン、ジベンゾチオフェン、ピロール、ピラゾール、テルラゾール、セレナゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、フラザン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、インドリジン、インドール、イソインドール、インダゾール、プリン、キノリジン、イソキノリン、カルバゾール、イミダゾール、ナフチリジン、フタラジン、キナゾリン、ベンゾジアゼピン、キノキサリン、シンノリン、キノリン、プテリジン、フェナントリジン、アクリジン、ペリミジン、フェナントロリン、フェナジン、カルボリン、フェノテルラジン、フェノセレナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、アンチリジン、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、ベンゾイソチアゾール又はこれら芳香環が複数連結された芳香族化合物が挙げられる。好ましくはベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、イソインドール、インダゾール、プリン、イソキノリン、イミダゾール、ナフチリジン、フタラジン、キナゾリン、ベンゾジアゼピン、キノキサリン、シンノリン、キノリン、プテリジン、フェナントリジン、アクリジン、ペリミジン、フェナントロリン、フェナジン、カルボリン、インドール、カルバゾール又はこれら芳香環が複数連結された芳香族化合物が挙げられる。なお、芳香環が複数連結された芳香族化合物から生じる基である場合、連結される数は2~10が好ましく、より好ましくは2~7であり、連結される芳香環は同一であっても異なっていても良い。その場合、窒素と結合するLの結合位置は限定されず、連結された芳香環の末端部の環であっても中央部の環であってもよい。ここで、芳香環は芳香族炭化水素環及び芳香族複素環を総称する意味である。また、連結された芳香環に少なくとも1つの複素環が含まれる場合は芳香族複素環基に含める。ここで、芳香環が複数連結されて生じる1価の基は、例えば、下記式で表わされる。Lがnm価の結合基である場合は、下記式のAr1~Ar6のいずれかからnm1個の水素がとれて生じる基であると理解される。式11~13中、Ar1~Ar6は、置換又は無置換の芳香環を示す。上記芳香環が複数連結されて生じる基の具体例としては、例えばビフェニル、ターフェニル、ビピリジン、ビピリミジン、ビトリアジン、ターピリジン、ビストリアジルベンゼン、ジカルバゾリルベンゼン、カルバゾリルビフェニル、ジカルバゾリルビフェニル、フェニルターフェニル、カルバゾリルターフェニル、ビナフタレン、フェニルピリジン、フェニルカルバゾール、ジフェニルカルバゾール、ジフェニルピリジン、フェニルピリミジン、ジフェニルピリミジン、フェニルトリアジン、ジフェニルトリアジン、フェニルナフタレン、ジフェニルナフタレン等から水素を除いて生じる基が挙げられる。ここで、4環以上の縮合複素環を含まない芳香族複素環化合物又はこれから生じる芳香族複素環基とは、単環の芳香族複素環化合物又は基、又は2~3環の縮合芳香族複素環化合物又は基を意味し、この芳香族複素環化合物又は基は置換基を有してもよい。なお、この芳香族複素環基が、例えば式11で表わされるような芳香環が複数連結されて生じる基である場合、この芳香族基に含まれる1価又は2価の芳香族複素環基は4環以上の縮合環基であることはない。上記芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基は置換基を有しても良く、これらが置換基を有する場合、置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、炭素数1~2のアルコキシ基、アセチル基、炭素数6~18の2級アミノ基、炭素数6~18の2級ホスファニル基、炭素数3~18のシリル基である。好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基又は炭素数6~15の2級アミノ基である。Lが芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基であって、置換基を有する場合、置換基の総数は1~10である。好ましくは1~6であり、より好ましくは1~4である。また、2つ以上の置換基を有する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。本明細書中、炭素数の計算において、置換基を有する場合はその置換基の炭素数も含む。Lが炭素数9~30のトリアリールアミンから生じる基である場合、これらの炭素数は好ましくは9~24、より好ましくは9~18である。トリアリールアミンから生じる基は以下の式5で表わされるトリアリールアミンの任意のArからnm個の水素を除いて生じるnm価の基である。式3において、3つのArは1~mn1価の芳香族基であるが、3つのArは同一でも異なってもよく、価数も異なってもよい。Arは炭素数6~18の芳香族炭化水素基又は炭素数3~18の芳香族複素環基を表す。好ましくはフェニル基、ナフチル基、ピリジル基、キノリル基、又はカルバゾリル基であり、より好ましくはフェニル基である。ここで、芳香族複素環基は4環以上の縮合複素環を含まない。Arは置換基を有しても良く、置換基を有する場合、置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、炭素数1~2のアルコキシ基、アセチル基である。Lが炭素数6~24のジアリールスルホンから生じる基である場合、これらの炭素数は好ましくは6~20、より好ましくは6~18である。ジアリールスルホンから生じる基は以下の式3で表わされるジアリールスルホンの任意のArからnm個の水素を除いて生じるnm価の基である。式4において、Arは式3のArと同じ意味を有する。一般式1において、Xはそれぞれ独立してCR2、酸素、硫黄又はセレンを表す。好ましくは酸素又は硫黄である。一般式1において、Aはそれぞれ独立して炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~30のシクロアルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~30のアルキニル基、炭素数3~18のシリル基、炭素数2~19のアシル基、炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は炭素数3~50の芳香族複素環基を表す。好ましくは炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~11のシクロアルキル基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基又は炭素数3~30の芳香族複素環基である。ここで、芳香族複素環基は4環以上の縮合複素環を含まない。Aがアルキル基又はシクロアルキル基である場合の具体例は、これらが1価の基であることを除き上記Lを構成するアルキル又はシクロアルキルと同様である。また、これらアルキル又はシクロアルキルが置換基を有する場合もLにおける場合と同様である。炭素数2~30のアルケニル基、又は炭素数2~30のアルキニル基である場合、これらの炭素数は好ましくは2~20、より好ましくは2~10である。アルケニル基又はアルキニル基の具体例としては、エチレニル基、プロピレニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、アセチレニル基、プロピニル基、ブチニル基、又はペンチニル基が挙げられ、好ましくはエチレニル基、プロピレニル基、ブテニル基、アセチレニル基、又はプロピニル基が挙げられる。上記アルケニル基及びアルキニル基は直鎖であっても、分岐していても構わない。上記アルケニル基又はアルキニル基は置換基を有しても良く、これらが置換基を有する場合、置換基としては、炭素数3~11のシクロアルキル基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又は炭素数3~18の芳香族複素環基である。Aが炭素数3~18のシリル基である場合、これらの炭素数は好ましくは3~12、より好ましくは3~9である。シリル基は-SiZ3で表わされ、Zは水素又は炭化水素基であり、好ましくは全てのZは炭化水素基である。炭化水素基としてはアルキル基又はフェニル基が好ましく挙げられる。3個のZは同一であっても異なってもよく、炭素数はこれらの合計として計算される。好ましくはアルキルシリル基である。アルキルシリル基の具体例としては、例えばトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリn-プロピルシリル基、トリn-ブチルシリル基、トリビニルシリル基、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、トリイソプロポキシシリル基、トリn-ブトキシシリル基、トリs-ブトキシシリル基、トリt-ブトキシシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリシクロヘキシルシリル基、トリs-ブチルシリル基、トリエチニルシリル基、トリアリルシリル基、トリプロパルギルシリル基、トリフェニルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、t-ブチルジエチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、シクロヘキシルジメチルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、ジエチルフェニルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、イソプロピルジエチルシリル基、メチルジイソプロピルシリル基、エチルジイソプロピルシリル基、シクロペンチルジメチルシリル基、又はシクロヘキシルメチルシリル基が挙げられる。好ましくは、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、又はトリフェニルシリル基である。Aが炭素数2~19のアシル基である場合、これらの炭素数は好ましくは6~19、より好ましくは7~13である。アシル基は以下の式5で表される1価の基であることが好ましい。式5において、Arは炭素数6~18の芳香族炭化水素基又は4環以上の縮合複素環を含まない炭素数3~18の芳香族複素環基を表す。好ましくはフェニル基、ナフチル基、ピリジル基、キノリル基、又はカルバゾリル基であり、より好ましくはフェニル基である。Arは置換基を有しても良く、置換基を有する場合、置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、炭素数1~2のアルコキシ基、アセチル基である。Aが炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は炭素数3~50の芳香族複素環基である場合、芳香族炭化水素基の炭素数は好ましくは6~30、より好ましくは6~18であり、芳香族複素環基の炭素数は好ましくは3~30、より好ましくは3~18である。ここで、芳香族複素環基は4環以上の縮合複素環を含まない。Aが芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基から選ばれる基である場合の具体例は、これらが1価であることを除き上記Lを構成する芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基と同様である。一般式1及び式2において、Rはそれぞれ独立して水素、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~30のシクロアルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~30のアルキニル基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基又は炭素数3~30の芳香族複素環基を表す。好ましくは水素、炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~11のシクロアルキル基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又は炭素数3~18の芳香族複素環基を表す。ここで、芳香族複素環基は4環以上の縮合複素環を含まない。また、XがCR2である場合のRも上記と同じ意味を有する。アルキル基又はシクロアルキル基の具体例は、これらが1価であることを除き上記Lを構成するアルキル又はシクロアルキルと同様である。また、これらアルキル又はシクロアルキルが置換基を有する場合もLにおける場合と同様である。アルケニル基又はアルキニル基の具体例は、上記Aで説明したアルケニル基又はアルキニル基と同様である。また、これらアルケニル基又はアルキニル基が置換基を有する場合もAにおける場合と同様である。芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基の具体例は総炭素数が異なることを除いて上記Lを構成する芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基と同様である。また、これら芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が置換基を有する場合もLにおける場合と同様である。一般式1において、mは1~4の整数を表す。好ましくはmは2又は3であり、より好ましくはmは2である。nは0~3の整数を表す。好ましくはnは0又は1であり、より好ましくはnは0である。一般式1において、mnは2~4である。mnは、好ましくは2又は3であり、より好ましくは2である。一般式1及び式2において、共通する記号は同じ意味を有する。式2において、pは2~4の整数を表す。好ましくはpは2又は3であり、より好ましくは2である。本発明の含窒素芳香族化合物は、インドール誘導体を出発原料とし、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。例えば、インドロ32bインドール骨格は、JOrgChem200942424245、JournalofMedicinalChemistry200324362445及びJAmChemSoc199481528161に示される合成例を参考にして以下の反応式により合成することができる。また、32bの縮合様式を有する骨格のうち、Xが酸素で表されるベンゾフロ32bインドール骨格は、Heterocycles1990vol3119511958及びJournalofChemicalResearch1988272273に示される合成例を参考にして以下の反応式により合成することができる。また、32bの縮合様式を有する骨格のうち、Xが硫黄で表されるベンゾチエノ32bインドール骨格は、Tetrahedoron2003vol5937373744に示される合成例を参考にして以下の反応式により合成することができる。前述の反応式で得られる各種化合物の窒素上の水素を、例えばウルマン反応などのカップリング反応により、対応する連結基や置換基に置換させることで、一般式1で表される含窒素芳香族化合物を合成することができる。一般式1で表される含窒素芳香族化合物の具体例を以下に示すが、本発明の有機電界発光素子に用いられる材料はこれらに限定されない。一般式1で表される含窒素芳香族化合物は、基板上に、陽極、複数の有機層及び陰極が積層されてなる有機EL素子の少なくとも1つの有機層に含有させることにより、優れた有機電界発光素子を与える。含有させる有機層としては発光層、正孔輸送層及び電子阻止層が好ましい。より好ましくは、燐光発光ドーパントを含有する発光層のホスト材料として含有させることがよい。次に、本発明の有機EL素子について説明する。本発明の有機EL素子は、基板上に積層された陽極と陰極の間に、少なくとも一つの発光層を有する有機層を有し、且つ少なくとも一つの有機層は、本発明の一般式1で表される化合物を含む。有利には、発光層、正孔輸送層及び電子阻止層中に一般式1で表される化合物を含み、更に有利には燐光発光ドーパントと共に一般式1で表される化合物を発光層中に含む。次に、本発明の有機EL素子の構造について、図面を参照しながら説明するが、本発明の有機EL素子の構造は何ら図示のものに限定されるものではない。図1は本発明に用いられる一般的な有機EL素子の構造例を示す断面図であり、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は電子輸送層、7は陰極を各々表わす。本発明の有機EL素子では発光層と隣接して励起子阻止層を有してもよく、また、発光層と正孔注入層との間に電子阻止層を有しても良い。励起子阻止層は発光層の陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。本発明の有機EL素子では、基板、陽極、発光層及び陰極を必須の層として有するが、必須の層以外の層に、正孔注入輸送層、電子注入輸送層を有することがよく、更に発光層と電子注入輸送層の間に正孔阻止層を有することがよい。なお、正孔注入輸送層は、正孔注入層と正孔輸送層のいずれか又は両者を意味し、電子注入輸送層は、電子注入層と電子輸送層のいずれか又は両者を意味する。なお、図1とは逆の構造、すなわち、基板1上に陰極7、電子輸送層6、発光層5、正孔輸送層4、陽極2の順に積層することも可能であり、この場合も、必要により層を追加したり、省略したりすることが可能である。-基板-本発明の有機EL素子は、基板に支持されていることが好ましい。この基板については、特に制限はなく、従来から有機EL素子に慣用されているものであればよく、例えば、ガラス、透明プラスチック、石英などからなるものを用いることができる。-陽極-有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10~1000nm、好ましくは10~200nmの範囲で選ばれる。-陰極-一方、陰極としては、仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。また、陰極に上記金属を1~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。-発光層-発光層は蛍光発光層、燐光発光層のいずれでも良いが、燐光発光層であることが好ましい。発光層が蛍光発光層である場合、蛍光発光材料は少なくとも1種の蛍光発光材料を単独で使用しても構わないが、蛍光発光材料を蛍光発光ドーパントとして使用し、ホスト材料を含むことが好ましい。発光層における蛍光発光材料としては、一般式1で表される化合物を用いることができるが、多数の特許文献等により知られているので、それらから選択することもできる。例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリジン化合物、8-キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体、希土類錯体、遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体等が挙げられる。好ましくは縮合芳香族化合物、スチリル化合物、ジケトピロロピロール化合物、オキサジン化合物、ピロメテン金属錯体、遷移金属錯体、ランタノイド錯体が挙げられ、より好ましくは、ナフタセン、ピレン、クリセン、トリフェニレン、ベンゾcフェナントレン、ベンゾaアントラセン、ベンタセン、ペリレン、フルオランテン、アセナフソフルオランテン、ジベンゾa,jアントラセン、ジベンゾahアントラセン、ベンゾaナフタセン、ヘキサセン、アンタントレン、ナフト2,1‐fイソキノリン、α-ナフタフェナントリジン、フェナントロオキサゾール、キノリノ6,5‐fキノリン、ベンゾチオファントレンなどが挙げられる。これらは置換基としてアリール基、複素芳香環基、ジアリールアミノ基、アルキル基を有していてもよい。前記蛍光発光材料を蛍光発光ドーパントとして使用し、ホスト材料を含む場合、蛍光発光ドーパントが発光層中に含有される量は、0.01~20重量、好ましくは0.1~10重量の範囲にあることがよい。発光層が燐光発光層である場合、燐光発光ドーパントとホスト材料を含む。燐光発光ドーパント材料としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金から選ばれる少なくとも一つの金属を含む有機金属錯体を含有するものがよい。かかる有機金属錯体は、前記先行技術文献等で公知であり、これらが選択されて使用可能である。好ましい燐光発光ドーパントとしては、Ir等の貴金属元素を中心金属として有するIr3等の錯体類、2Iracac等の錯体類、Ptacac等の錯体類が挙げられる。これらの錯体類の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されない。前記燐光発光ドーパントが発光層中に含有される量は、1~50重量の範囲にあることが好ましい。より好ましくは5~30重量である。発光層におけるホスト材料としては、前記一般式1で表される化合物を用いることが好ましい。しかし、該含窒素芳香族化合物を発光層以外の他の何れかの有機層に使用する場合は、発光層に使用する材料は一般式1で表される化合物以外の他のホスト材料であってもよい。また、一般式1で表される化合物と他のホスト材料を併用してもよい。更に、公知のホスト材料を複数種類併用して用いてもよい。使用できる公知のホスト化合物としては、正孔輸送能又は電子輸送能を有し、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高いガラス転移温度を有する化合物であることが好ましい。このような他のホスト材料は、多数の特許文献等により知られているので、それらから選択することができる。ホスト材料の具体例としては、特に限定されるものではないが、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8‐キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体、ポリシラン系化合物、ポリNビニルカルバゾール誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。-注入層-注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、正孔注入層と電子注入層があり、陽極と発光層又は正孔輸送層の間、及び陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層は必要に応じて設けることができる。-正孔阻止層-正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。正孔阻止層には一般式1で表される化合物を用いることができるが、該化合物を他の何れかの有機層に使用する場合は、公知の正孔阻止層材料を用いてもよい。また、正孔阻止層材料としては、後述する電子輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。-電子阻止層-電子阻止層とは、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料から成り、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔が再結合する確率を向上させることができる。電子阻止層の材料としては、前記一般式1で表される化合物を用いることが好ましいが、該化合物を他の何れかの有機層に使用する場合は、後述する正孔輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。電子阻止層の膜厚は好ましくは3~100nmであり、より好ましくは5~30nmである。-励起子阻止層-励起子阻止層とは、発光層内で正孔と電子が再結合することにより生じた励起子が電荷輸送層に拡散することを阻止するための層であり、本層の挿入により励起子を効率的に発光層内に閉じ込めることが可能となり、素子の発光効率を向上させることができる。励起子阻止層は発光層に隣接して陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。励起子阻止層の材料としては、前記一般式1で表される化合物を用いることができるが、該化合物を他の何れかの有機層に使用する場合は、例えば、1,3-ジカルバゾリルベンゼンmCPや、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラトアルミニウムIIIBAlqが挙げられる。-正孔輸送層-正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。正孔輸送材料は、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。正孔輸送材料としては、前記一般式1で表される化合物を用いることが好ましいが、該化合物を他の何れかの有機層に使用する場合は、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。使用できる公知の正孔輸送材料としては例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、芳香族アミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、ポルフィリン化合物、スチリルアミン化合物、及び導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることが好ましく、芳香族第3級アミン化合物を用いることがより好ましい。-電子輸送層-電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、電子輸送層は単層又は複数層設けることができる。電子輸送材料正孔阻止材料を兼ねる場合もあるとしては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。電子輸送層には一般式1で表される化合物を用いることができるが、該化合物を他の何れかの有機層に使用する場合は、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。以下、本発明を実施例によって更に詳しく説明するが、本発明は勿論、これらの実施例に限定されるものではなく、その要旨を越えない限りにおいて、種々の形態で実施することが可能である。以下に示すルートにより一般式1で表される化合物を合成した。尚、化合物番号は、上記化学式に付した番号に対応する。合成例1化合物1-1の合成窒素雰囲気下、インドロ32bインドール20g、ヨードベンゼンを19g、ヨウ化銅17g89mmol、リン酸三カリウム59g、trans12シクロヘキサンジアミン11g、14ジオキサンを500ml加え、120°Cで加熱しながら4時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、析出した結晶をろ取し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、中間体A-1を14g得た。窒素雰囲気下、中間体A-140g、1,3-ジヨードベンゼンを24g、ヨウ化銅068g36mmol、リン酸三カリウム23g、trans12シクロヘキサンジアミン40g、14ジオキサンを100ml加え、120°Cで加熱しながら16時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、析出した結晶をろ取し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、白色固体として化合物1-1を35g得た。合成例2化合物2-1の合成窒素雰囲気下、中間体A-1130g、1-ブロモ-3-ヨードベンゼンを13g、ヨウ化銅087g46mmol、リン酸三カリウム29g、trans12シクロヘキサンジアミン52g、14ジオキサンを400ml加え、120°Cで加熱しながら4時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、析出した結晶をろ取し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、中間体A-2を11g得た。窒素雰囲気下、中間体A-240g、ベンゾフロ32bインドールを19g、ヨウ化銅018g095mmol、リン酸三カリウム59g、trans12シクロヘキサンジアミン10g、14ジオキサンを90ml加え、120°Cで加熱しながら18時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、析出した結晶をろ取し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、白色固体として化合物2-1を41g得た。合成例3化合物3-1の合成窒素雰囲気下、中間体A-240g、ベンゾチエノ32bインドールを20g、ヨウ化銅018g095mmol、リン酸三カリウム59g、trans12シクロヘキサンジアミン10g、14ジオキサンを90ml加え、120°Cで加熱しながら24時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、析出した結晶をろ取し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、白色固体として化合物3-1を38g得た。また、上記合成例及び明細書中に記載の合成方法に準じて、化合物1-5、1-7、1-9及び1-12を合成し、有機EL素子の作成に供した。実施例1膜厚110nmのITOからなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度40×105Paで積層した。まず、ITO上に銅フタロシアニンを25nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層として44ビスNNフェニルアミノビフェニルNPBを55nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層上に、ホスト材料としての合成例1で得た化合物1-1と、燐光発光ドーパントとしてのビスピリジナトNC3イリジウム2Iracacとを異なる蒸着源から、共蒸着し、475nmの厚さに発光層を形成した。発光層中の2Iracacの濃度は80wtであった。次に、電子輸送層としてトリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムIIIAlq3を30nmの厚さに形成した。更に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウムLiFを10nmの厚さに形成した。最後に、電子注入層上に、電極としてアルミニウムAlを200nmの厚さに形成し、有機EL素子を作成した。得られた有機EL素子に外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、表1のような発光特性を有することが確認された。表1において、輝度、電圧及び発光効率は、10mAcm2での値を示す。なお、素子発光スペクトルの極大波長は620nmであり、2Iracacからの発光が得られていることがわかった。実施例2発光層のホスト材料として、化合物2-1を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作成した。実施例3発光層のホスト材料として、化合物3-1を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作成した。実施例4発光層のホスト材料として、化合物1-5を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作成した。実施例5発光層のホスト材料として、化合物1-7を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作成した。実施例6発光層のホスト材料として、化合物1-9を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作成した。実施例7発光層のホスト材料として、化合物1-12を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作成した。比較例1発光層のホスト材料として、ビス4フェニルフェノラトアルミニウムを用いた以外は実施例22と同様にして有機EL素子を作成した。比較例2発光層のホスト材料として、下記化合物H-1を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作成した。実施例2~7、及び比較例1~2で作製した有機EL素子の素子発光スペクトルの極大波長はいずれも620nmであり、2Iracacからの発光が得られていることがわかった。発光特性ならびに寿命特性を表1に示す。表1より、本発明の有機EL素子で使用する一般式1で表される含窒素芳香族化合物は、燐光ホストとして一般的に知られているBAlqに対して良好な発光特性を示すことが判る。また、分子中にインドロ32bインドール骨格を有しない化合物であるH-1と比較して、良好な発光特性を示し、上記含窒素芳香族化合物の優位性が明らかである。本発明の含窒素芳香族化合物の骨格はインドロ32bインドール骨格を1つ以上有することにより、イオン化ポテンシャル、電子親和力、三重項励起エネルギーの各種エネルギー値の制御が可能となると考えられる。また、インドロ32bインドール骨格を複数有することで、耐電荷安定性が高くなると考えられる。また、本発明の含窒素芳香族化合物は高い電荷移動特性を有すると考えられる。従って本発明の含窒素芳香族化合物を使用した有機電界発光素子は高い特性を発現することが可能となると考えられる。また、本発明の含窒素芳香族化合物は有機EL素子のみでなく、電子ペーパー等のディスプレイ、液晶ディスプレイ、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜太陽電池、情報タグ、電子人工皮膚シートやシート型スキャナー等の大面積センサー等への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。"