"ターゲットをスパッタして基板上に成膜を行なう成膜方法であって、ターゲットを保持したターゲットホルダーに、該ターゲットホルダーに接続された電源より成膜時に印加される成膜パワーよりも小さな第1のパワーを印加して、第1の放電空間にて放電を引き起こす第1のステップと、前記第1のステップで引き起こされた放電を続けながら、放電空間を前記第1の放電空間から該第1の放電空間よりも大きな第2の放電空間にする第2のステップと、前記第2の放電空間について、前記電源より前記ターゲットホルダーに前記第1のパワーよりも大きな第2のパワーを印加する第3のステップと、前記第2の空間に対して遮蔽されている前記基板を、前記第2の放電空間に開放する第4のステップとを有することを特徴とする成膜方法。前記ターゲットホルダーと前記基板を保持した基板ホルダーとの間を遮蔽する第1の位置と、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽しない第2の位置との間で移動可能な第1の遮蔽部材が、前記第1の位置に位置することにより前記第1の放電空間が形成されており、前記第2のステップは、前記第1の遮蔽部材を、前記第1の位置から前記第2の位置に移動させることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。前記第4のステップの前においては、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽する第3の位置と、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽しない第4の位置との間で移動可能な第2の遮蔽部材により、前記基板は前記第2の放電空間に対して遮蔽されており、前記第4のステップは、前記第2の遮蔽部材を、前記第3の位置から前記第4の位置に移動させることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。前記第3のステップは、前記ターゲットホルダーに印加されるパワーを、前記第1のパワーから前記第2のパワーまで増大させることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。前記第3のステップは、前記ターゲットホルダーに印加されるパワーを段階的又は連続的に増大させることを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。前記第4のステップの後に、続けて前記基板上への成膜を行なうことを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。ターゲットを保持するためのターゲットホルダーと、前記ターゲットホルダーにパワーを印加するパワー印加手段と、基板を保持させるための基板ホルダーと、前記ターゲットホルダーを取り囲むように構成された中空部を有し、接地されたシールドであって、該中空部を該シールドの外部と連通するための開口部が形成されたシールドと、前記開口部を覆うことにより前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽する第1の位置と、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽しない第2の位置との間を移動可能に構成された第1の遮蔽部材と、前記基板ホルダーの基板保持面を少なくとも覆うことにより前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽する第3の位置と、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽しない第4の位置との間を移動可能に構成された第2の遮蔽部材と、前記パワー印加手段、前記第1及び第2の遮蔽部材の移動を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記第1の遮蔽部材が前記第1の位置に位置し、かつ前記第2の遮蔽部材が前記第3の位置に位置する状態で、前記ターゲットホルダーに成膜時に印加される成膜パワーよりも小さな第1のパワーを印加するように前記パワー印加手段を制御し、次いで、前記第2の遮蔽部材が前記第3の位置に位置する状態で前記第1の遮蔽部材を前記第1の位置から前記第2の位置に移動させるように前記第1の遮蔽部材の移動を制御し、次いで、前記ターゲットホルダーに前記第1のパワーよりも大きな第2のパワーを印加するように前記パワー印加手段を制御するように構成されていることを特徴とする成膜装置。前記シールドは導電性を有し、前記シールドの中空部の前記ターゲットホルダーを臨む表面が溶射により形成された絶縁膜で被覆されていることを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。前記制御手段は、前記第2のパワーを印加する際に、前記ターゲットホルダーに印加されるパワーを、前記第1のパワーから前記第2のパワーまで増大させるように前記パワー印加手段を制御することを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。ターゲットを保持するためのターゲットホルダーと、前記ターゲットホルダーにパワーを印加するパワー印加手段と、基板を保持させるための基板ホルダーと、前記ターゲットホルダーを取り囲むように構成された中空部を有し、接地されたシールドであって、該中空部を該シールドの外部と連通するための開口部が形成されたシールドと、前記開口部を覆うことにより前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽する第1の位置と、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽しない第2の位置との間を移動可能に構成された第1の遮蔽部材と、前記基板ホルダーの基板保持面を少なくとも覆うことにより前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽する第3の位置と、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間を遮蔽しない第4の位置との間を移動可能に構成された第2の遮蔽部材とを備える成膜装置を制御するための制御装置であって、前記第1の遮蔽部材が前記第1の位置に位置し、かつ前記第2の遮蔽部材が前記第3の位置に位置する状態で、前記ターゲットホルダーに成膜時に印加される成膜パワーよりも小さな第1のパワーを印加するように前記パワー印加手段を制御する手段と、前記ターゲットホルダーに前記第1のパワーを印加することによって、前記中空部と前記第1の遮蔽部材との間の第1の放電空間にて引き起こされた放電を続けながら、前記第2の遮蔽部材が前記第3の位置に位置する状態で前記第1の遮蔽部材を前記第1の位置から前記第2の位置に移動させるように前記第1の遮蔽部材の移動を制御する手段と、前記第1の遮蔽部材が前記第2の位置に位置し、かつ前記第2の遮蔽部材が前記第3の位置に位置する状態で、前記ターゲットホルダーに前記第1のパワーよりも大きな第2のパワーを印加するように前記パワー印加手段を制御する手段とを備えることを特徴とする制御装置。コンピュータを請求項10に記載の制御装置として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。コンピュータにより読み出し可能なプログラムを格納した記憶媒体であって、請求項11に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。図1を参照して、本発明の一実施形態に係るスパッタ成膜装置1の全体構成について説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置1の概略図である。スパッタ成膜装置1は、ゲートバルブ42を有し真空排気可能な真空チャンバー2と、真空チャンバー2と排気口を介して隣接して設けられた排気チャンバー8と、排気チャンバー8を介して真空チャンバー2内を排気する排気装置と、を備えている。ここで、排気装置は、メインバルブ47を介して排気チャンバー8に接続されたターボ分子ポンプ48を有する。また、排気装置のターボ分子ポンプ48には、更に、ドライポンプ49が接続されている。なお、排気チャンバー8の下方に排気装置が設けられているのは、装置全体のフットプリント占有面積を出来るだけ小さくするためである。真空チャンバー2内には、ターゲット4をバックプレート5を介して保持するターゲットホルダー6が設けられている。ターゲットホルダー6の近傍には、開口部を持つターゲットシャッター14がターゲットホルダー6を覆うように設置されている。ターゲットシャッター14は、例えばAlやSUS等の導電性金属で形成されており、接地されている。ターゲットシャッター14は、回転シャッターの構造を有している。ターゲットシャッター14は、基板ホルダー7とターゲットホルダー6との間を遮蔽する閉状態遮蔽状態、または基板ホルダー7とターゲットホルダー6との間を開放する開状態退避状態にするための遮蔽部材として機能する。すなわち、ターゲットシャッター14がターゲットホルダー6と基板ホルダー7との間を遮蔽する第1の位置に位置する時がターゲットシャッター14の閉状態となる。ターゲットシャッター14が第1の位置に位置することにより、チムニー9の開口部チムニー9の中空部とチムニー9の外部とを連結するための開口部をターゲットシャッター14により覆うことになり、ターゲットホルダー6は基板ホルダー7に対して遮蔽される。一方、ターゲットホルダー6と基板ホルダー7との間を遮蔽しない第2の位置に位置する時がターゲットシャッター14の開状態となる。ターゲットホルダー6に設置されたターゲット4と基板ホルダー7に載置された基板10の間に、ターゲットシャッター14の開口部を位置合わせすることによって、ターゲットシャッター14を開状態とすることができる。ターゲットシャッター14には、ターゲットシャッター14の開閉動作を行うためのターゲットシャッター駆動機構33が設けられている。ターゲットホルダー6とターゲットシャッター14の間の空間の、ターゲットホルダー6の周囲には、ターゲットホルダー6の周囲を取囲むように筒状シールドであるチムニー9が取り付けられている。ターゲットホルダー6に取り付けられたターゲット4のスパッタ面の前面のマグネトロン放電空間はチムニー9で取囲まれ、シャッターの開状態においてはターゲットシャッター14の開口部に開口している。なお、本実施形態では、ターゲットシャッター14を回転可能に構成させているが、上記ターゲットシャッター14の閉状態および開状態を確立するようにターゲットシャッター14を上記第1の位置および第2の位置の間で移動可能であれば、いずれの構成を採用しても良い。例えば、ターゲットシャッター14をスライド可能に構成し、ターゲットシャッター14を第1の位置および第2の位置との間でスライドにより移動させても良い。ターゲットホルダー6に取り付けられたターゲット4のスパッタ面の前面のマグネトロン放電空間がチムニー9で取囲まれ、さらにこのマグネトロン放電空間に向けてガス導入機構を設けておく場合、ターゲットシャッター14を閉状態にしてガス導入すればターゲット前面の圧力を速やかに高くすることができるので、低圧力下の放電に際しては速やかに放電開始がしやすくなる。従ってスループットを向上させる効果がある。本実施形態のような極薄膜でも良好な分布を得ることを目的としたオフセット配置のスパッタ装置においては、ターゲットは複数取り付けて切替えて使用することもできる。このような場合、ターゲットシャッター14とチムニー9は複数のターゲット相互のクロスコンタミネーションを防止ないしは低減する目的でも用いられる。つまり、この場合ターゲットシャッター14は、開状態とされたターゲットホルダー6と基板ホルダー7との間の放電空間プラズマ放電が起こる空間から、他のターゲットホルダーを遮断する機能を持つ。チムニー9は、例えばAl等の導電性材料を用いて形成されており、接地されている。チムニー9は、ブラスト処理や溶射によりターゲットを臨むその表面に凸凹を形成することが付着するスパッタ粒子を保持する点から望ましい。またチムニー9のターゲットを臨む表面が、少なくともアルミナ、イットリア等の絶縁材料を例えば溶射で被覆されていることがさらに望ましい。ターゲット4を囲む部材としてのチムニー9のターゲットを臨む表面が少なくともアルミナ溶射で被覆されていることにより、アルミナ溶射で被覆されない場合よりも、チムニー9の表面電位がプラズマの電位に近くなる。すなわち、チムニー9のターゲットを臨む表面が少なくとも絶縁膜例えば、アルミナ溶射により形成された絶縁膜により被覆されていることにより、チムニー9の中空部分にマグネトロン放電空間を形成可能な構成において、該チムニー9の表面電位を該マグネトロン放電空間に生成されるプラズマの電位に近づけることができる。よって、プラズマ中の荷電粒子による衝撃を抑制するので、パーティクルをより一層低減することができる。また、チムニー9のターゲットを臨む表面が少なくともアルミナ溶射で被覆されることにより、チムニー9とターゲット4との間に発生する異常放電を抑制することができるので、パーティクルをより一層低減することができる。なお、本実施の形態の方法にかかわらず、チムニー9のターゲットを臨む表面が少なくとも絶縁膜の溶射により被覆されている場合には、チムニー表面が単に金属の溶射である場合よりもパーティクルが顕著に低減される結果が得られた。すなわち、本実施の形態では、ターゲットを保持したターゲットホルダーに、該ターゲットホルダーに接続された電源より成膜時に印加される成膜パワーよりも小さな第1のパワーを印加して、第1の放電空間にて放電を引き起こす第1のステップと、上記第1のステップで引き起こされた放電を続けながら、放電空間を上記第1の放電空間から該第1の放電空間よりも大きな第2の放電空間にする第2のステップと、上記第2の放電空間について、上記電源より上記ターゲットホルダーに上記第1のパワーよりも大きな第2のパワーを印加する第3のステップと、上記第2の空間に対して遮蔽されている上記基板を、上記第2の放電空間に開放する第4のステップとを有するもので説明されている。しかしながら、パーティクルを低減する効果はこの方法をとる場合に限定されず、チムニー9の中空部分にマグネトロン放電空間を形成可能な構成において、チムニー9のターゲット4を臨む表面が少なくとも絶縁膜の溶射により被覆されている場合にパーティクル低減の効果を得ることができ、さらに本実施の形態の電力印加方法を組合せることで顕著な効果を得ることができる。スパッタ面から見たターゲット4の背後には、マグネトロンスパッタリングを実現するためのマグネット13が配設されている。マグネット13は、マグネットホルダ3に保持され、図示しないマグネットホルダ回転機構により回転可能となっている。ターゲットのエロージョンを均一にするため、放電中には、このマグネット13は回転している。ターゲット4は、基板10に対して斜め上方に配置された位置オフセット位置に設置されている。すなわち、ターゲット4のスパッタ面の中心点は、基板10の中心点の法線に対して所定の寸法ずれた位置にある。ターゲットホルダー6には、スパッタ放電用電力を印加する電源12が接続されている。電源12によりターゲットホルダー6に電圧が印加されると、放電が開始され、スパッタ粒子が基板に堆積される。ターゲット4の中心を通る基板ホルダー7の上面を含む平面の法線が該平面と交差する交点とターゲット4の中心点との距離をT/S距離と定義する図1参照と、本例では240mmである。電源には、RF電源を用いるため、電源12とターゲットホルダー6との間に図示しない整合器が設置されている。ターゲットホルダー6は、絶縁体34により接地電位の真空チャンバー2から絶縁されており、またCu等の金属製であるので電力が印加された場合には電極となる。なお、ターゲットホルダー6は、図示しない水路を内部に持ち、図示しない水配管から供給される冷却水により冷却可能に構成されている。ターゲット4は、基板10へ成膜したい材料成分を含んでいる。ターゲット4とターゲットホルダー6との間に設置されているバックプレート5は、Cu等の金属から出来ており、ターゲット4を保持している。また、真空チャンバー2内には、基板10を載置するための基板ホルダー7と、基板ホルダー7とターゲットホルダー6の間に設けられた基板シャッター19とが設けられている。該基板シャッター19は基板シャッター支持機構20により支持されており、該基板シャッター支持機構20は、基板シャッター19を開閉駆動する基板シャッター駆動機構32に接続されている。ここで、基板シャッター19は、基板ホルダー7の近傍に配置され、基板ホルダー7とターゲットホルダー6との間を遮蔽する閉状態、または基板ホルダー7とターゲットホルダー6との間を開放する開状態にするための遮蔽部材として機能する。すなわち、基板シャッター19がターゲットホルダー6と基板ホルダー7との間を遮蔽する第3の位置に位置する時が基板シャッター19の閉状態となる。基板シャッター19が第3の位置に位置することにより、該基板シャッター19は基板ホルダー9の基板が保持される基板保持面を少なくとも覆うことになり、基板10はターゲットシャッター14側例えば、後述の第2の放電空間に対して遮蔽される。一方、ターゲットホルダー6と基板ホルダー7との間を遮蔽しない第4の位置に位置する時が基板シャッター19の開状態となる。なお、本実施形態では、基板シャッター19を回転可能に構成させているが、上記基板シャッター19の閉状態および開状態を確立するように基板シャッター19を上記第3の位置および第4の位置の間で移動可能であれば、いずれの構成を採用しても良い。例えば、基板シャッター19をスライド可能に構成し、基板シャッター19を第3の位置および第4の位置との間でスライドにより移動させても良い。真空チャンバー2の内面は接地されている。ターゲットシャッター14と基板ホルダー7の間の真空チャンバー2の内面には接地されたチャンバーシールド40が設けられている。ここでいうチャンバーシールドとは、ターゲット4から放出されたスパッタ粒子が真空チャンバー2の内面に直接付着するのを防止し、真空チャンバーの内面を保護するために真空チャンバー2とは別体で形成され、定期的に交換したり、洗浄後再利用したりすることができる部材をいう。チャンバーシールド40は、ターゲットシャッター14の開口部と基板シャッター19が遮蔽することができる位置との間の空間を少なくとも取囲むように位置している。接地されたチャンバーシールド40は、高周波電力が印加されたターゲット4およびターゲットホルダー6に対して接地電極として作用することができる。またチャンバーシールド40は、ターゲットシャッター14の開口部と基板ホルダー7との間の空間を取囲むように位置していることが、プラズマの安定性の点からさらに望ましい。基板ホルダー7の面上で、かつ基板10の載置部分の外縁側外周部には、リング形状を有する遮蔽部材以下、基板周辺カバーリング21ともいうが設けられている。基板周辺カバーリング21は、基板ホルダー7上に載置された基板10の成膜面以外の場所へスパッタ粒子が付着することを防止ないしは低減する。ここで、成膜面以外の場所とは、基板周辺カバーリング21によって覆われる基板ホルダー7の表面のほかに、基板10の側面や裏面が含まれる。基板ホルダー7には、基板ホルダー7を上下動したり、所定の速度で回転したりするための基板ホルダー駆動機構31が設けられている。基板ホルダー駆動機構31は、基板ホルダー7を上下動させることが可能である。真空チャンバー2は、真空チャンバー2内へ不活性ガスを導入するための第1ガス導入口15と、反応性ガスを導入するための第2ガス導入口17と、真空チャンバー2の圧力を測定するための圧力計41とを備えている。第1ガス導入口15は、不活性ガス例えばアルゴン、クリプトン、キセノン、ネオンなどを導入するための配管と、不活性ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラー、不活性ガスの流れを遮断したり開始したりするためのバルブ類と接続されており、図示しない制御装置により指定される流量のガスを安定して真空チャンバー2内へ導入することができるように構成されている。また、第1ガス導入口15は、必要に応じて減圧弁やフィルター等に接続されても良い。第1ガス導入口15はターゲット4の近傍に位置している。第1ガス導入口15は、ターゲット4の前面のマグネトロン放電の空間に向けて不活性ガスを導入できるように構成されている。第2ガス導入口17は、反応性ガス例えば窒素、酸素などを導入するための配管と、反応性ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラー、反応性ガスの流れを遮断したり開始したりするためのバルブ類と接続されており、図示しない制御装置により指定される流量のガスを安定して真空チャンバー2内へ導入することができるように構成されている。また、第2ガス導入口17は、必要に応じて減圧弁やフィルター等に接続されても良い。第2ガス導入口17は基板10の近傍に位置している。なお、スパッタ成膜装置1は制御手段としてのコントローラconを備え、シャッター14,19の駆動機構32,33及び電源12を制御し、所定のタイミングでシャッター14,19を開閉、パワーを増減させる。また、スパッタ成膜装置1のコントローラconは、例えば図2に示す本実施形態に係る方法のプログラムを記憶した記憶部81、およびプロセス制御の演算処理を行う演算処理部82を含み、コントローラconは、図2に示すプログラムに従って本実施形態の方法を実行することができる。演算処理部81は、例えば、パーソナルコンピュータPCやPLC、マイクロコンピュータ等で構成できる。図2は、本実施形態の成膜方法のフロー図であり、図3は同方法を適用した場合の各装置の状態図タイミングチャートである。図2及び図3を用い、図1の装置を用いた場合の本実施形態に係る成膜方法について説明する。まず、ターゲットシャッター14第1のシャッターとも呼ぶは閉状態である。すなわち、ターゲットシャッター14は上記第1の位置に位置する。従って、ターゲットシャッター14が開状態である場合は、コントローラconは、ターゲットシャッター駆動機構33を制御して、ターゲットシャッター14によりターゲットホルダー6と基板ホルダー7との間を遮蔽するようにターゲットシャッター14を回転させ、ターゲットシャッター14を閉状態とする。本実施形態では、ターゲットホルダー6はチムニー9により囲まれているので、該閉状態により、ターゲットシャッター14、チムニー9、およびターゲット4に囲まれた空間が第1の放電空間となる。この第1の放電空間を、後の成膜時の放電空間後述の第2の放電空間よりも小さくすることによって、着火時において放電しやすくすることができる。また、基板シャッター19第2のシャッターとも呼ぶも閉状態である。すなわち、基板シャッター19は上記第3の位置に位置する。従って、基板シャッター19が開状態である場合は、コントローラconは、基板シャッター駆動機構32を制御して、基板シャッター19によりターゲットホルダー6と基板ホルダー7との間を遮蔽するように基板シャッター19を回転させ、基板シャッター19を閉状態とする。第1ステップS1として、コントローラconは、電源12を制御して、ターゲット4を保持したターゲットホルダー6に第1のパワー電力を印加する。この第1のパワー印加により、第1の放電空間にて放電が引き起こされる。この第1ステップS31の印加パワー第1のパワーは成膜パワーより小さいパワーであればよく、また安定に放電開始できる程度であれば良い。次に第1ステップS1の印加パワーによる放電を続けながら、第2ステップS2として、コントローラconは、ターゲットシャッター駆動機構33を制御して、ターゲット4と基板10との間を開閉可能な第1のシャッターターゲットシャッター14を開く。すなわち、ターゲットシャッター駆動機構33は、第1のシャッターを回転して、該第1のシャッターを上記第1の位置から上記第2の位置に移動させ、ターゲットホルダー6すなわち、ターゲット4を基板ホルダー7側に開放するターゲットシャッター14を開状態とする。このようにターゲットシャッター14を開状態とすることにより、例えば真空チャンバー2内のターゲットホルダー6と基板ホルダー7との間の領域でも放電可能となる。よって、第2ステップS2により、放電空間は、第1の放電空間から、該第1の放電空間よりも大きい第2の放電空間となる。次に第3ステップS3として、コントローラcomは、電源12を制御して、上記ターゲットホルダー6に印加されたパワーを第1のパワーから該第1のパワーよりも大きい第2のパワーに増大させる。第3のステップS3での印加パワー第2のパワーは成膜パワーまで増大させることが次の基板への成膜の安定性のために望ましい。次に第4のステップS4として、コントローラcomは、基板シャッター駆動機構32を制御して、第1のシャッターターゲットシャッター14よりも基板10に近い位置にある開閉可能な第2のシャッター基板シャッター19を開き、基板10への成膜開始となる。すなわち、基板シャッター駆動機構32は、第2のシャッターを回転して、該第2のシャッターを上記第3の位置から上記第4の位置に移動させ、基板ホルダー7すなわち、基板10をターゲットホルダー6側に開放する基板シャッター19を開状態とする。このように基板ホルダー7を開状態とすることにより、基板ホルダー7すなわち、基板10は上記第2の放電空間に開放される。よって、スパッタ粒子が基板10に到達することができ、基板10上で成膜が行われる。このようなフローで成膜開始することにより、顕著なパーティクル低減を行なうことができる。ここで、本実施形態で行う成膜開始フローとその結果として得られる顕著なパーティクル低減ができた事情について説明する。放電開始に有利なようにターゲット4前面の放電空間をチムニー9で取り囲み第1のシャッターターゲットシャッター14を閉じた状態で該放電空間第1の放電空間にガス導入してターゲットホルダー6に高周波電力を印加して放電開始した状態では、プラズマはターゲット4、チムニー9、ターゲットシャッター14に閉じ込められた状態にある。周知のように、ターゲットが絶縁性材料であっても高周波は伝播しプラズマを発生させセルフバイアス電圧を生じる。本実施形態では、チムニー9およびターゲットシャッター14を接地しているので、チムニー9やターゲットシャッター14は接地電極として働く。ターゲットシャッター14は駆動機構により回転する構造であるため、必ずしも高周波的に完全に接地しているとは限らないが、チムニー9は接地されていると考えて良い。便宜上、本明細書では、シースを介してプラズマに面したターゲット4の表面の面積を高周波印加電極面積とする。前述のようなターゲットシャッター14を閉じて放電開始した状態では、接地電極面積は最も大きく考えてもチムニー9の内壁面とターゲットシャッター14のターゲット4と対向した面との合計面積である。このように高周波印加電極面積に対して接地電極面積が比較的小さい場合、ターゲット4だけでなくチムニー9やターゲットシャッター14に対しても無視できない電圧がかかることがある。この場合の電圧とは、プラズマ電位と電極との電位差に起因するものである。さて、高周波印加電極面積に対して接地電極の面積が大きくなるほど、プラズマ電位と接地電極との電位差は小さくなる。一方で、高周波印加電極面積に対して接地電極面積が接近した場合、時には高周波印加電極ここでは、ターゲット4に対して印加される電圧と同じ程度の電圧が接地電極に対してもかかることがある。ターゲットシャッター14を開放した場合ターゲットシャッター14を開状態とする場合、ターゲットシャッター14とチャンバーシールド40との間にもプラズマは広がる。高周波印加電極面積は一定なのに対して、プラズマから見た接地電極の面積はターゲットシャッター14が閉じた状態閉状態と開放された状態開状態とでは大きく変化する。すなわち、本実施形態では、高周波印加電極面積/接地電極面積は、ターゲットシャッター14が閉じた場合閉状態>ターゲットシャッター14が開放された場合開状態、という関係になる。高周波印加電極面積に対して接地電極面積が増大するということは、接地電極に対する電圧を下げる効果がある。チムニー9とプラズマとの電位差が大きい場合、プラズマ中のイオンはチムニー9とプラズマとの電位差に応じてチムニー9の内表面に入射する。該電位差が大きければ、チムニー9の内表面に入射するイオンはチムニー9表面やターゲットシャッター14のターゲット対向面をスパッタし、パーティクルが生じる。ターゲットシャッター14を閉じた状態で放電開始するとき第2ステップS2、相対的に小さい第1の放電空間が形成されることになり、接地電極は、該第1の放電空間を区画するためのチムニー9およびターゲットシャッター14となる。よって、高周波印加電極面積に対して接地電極面積は比較的小さくなる。しかしながら、このとき第1のパワーとしてなるべく低い印加電力パワーで放電開始すれば、接地電極としてのチムニー9と第1の放電空間に生成されたプラズマとの電位差を小さくすることができるで、チムニー9表面やターゲットシャッター14のターゲット対向面に対するイオン衝撃によるパーティクル発生を低減することができる。一方、ターゲットシャッター14を開放したあとに印加電力を上昇させても第3ステップS3、パーティクルは増大しない。すなわち、ターゲットシャッター14の開状態では、接地電極はチムニー9、ターゲットシャッター14、およびチャンバーシールド40を含む。よって、ターゲットシャッター14を開状態にすることにより、高周波印加電極面積は変わらないが、放電空間は第1の放電空間よりも大きい第2の放電空間となり、接地電極面積が大きくなる。従って、プラズマ電位と接地電極の電位との電位差を小さくすることができ、チムニー9内表面やチャンバーシールド40の表面に問題となるほどのエネルギーでイオンが入射しないようにすることができる。基板シャッター19を閉じた状態から開放するときには、ターゲットシャッター14を閉じた状態から開放するときのような高周波印加電極面積に対する接地電極面積比の大幅な変化はないため、パーティクル増加の問題はほとんど生じない。なお、本実施形態ではオフセット配置のスパッタ装置について説明しているが、本発明の効果を得るためこれは必ずしも必要な条件ではない。本発明の効果は、少なくとも2枚の遮蔽部材例えば、シャッターを必要とし、しかも少なくとも1枚の遮蔽部材がターゲット近傍に設けられ、他の少なくとも1枚の遮蔽部材が基板近傍に設けられる構成に適用できるものである。特にターゲットと基板との距離が離れているロングスロースパッタでは、ターゲット近傍の遮蔽部材と基板近傍の遮蔽部材の距離、あるいは、ターゲット近傍の遮蔽部材と基板ホルダー上に載置された基板との距離が大きくなる。よって、ターゲット近傍の遮蔽部材を開放したときの接地面積の変化が大きいため、その効果は大きい。ターゲット近傍に設けられる遮蔽部材例えば、シャッターのターゲット側に設けられたシールド例えば、チムニーについては、放電開始改善やクロスコンタミネーションの低減に役に立つ。その形状はその機能を持つ限り本実施形態に束縛されない。すなわち、上記チムニーといったシールドは、ターゲットホルダーを取り囲むように構成された中空部、および該中空部を外部と連通するための開口部を有する部材であり、接地可能な部材であればいずれの部材であっても良い。該開口部は、ターゲットシャッターといった遮蔽部材により選択的に遮蔽される。なお、ターゲットシャッター14を閉じた状態から開放する状態へと変化させるときの印加電力は重要である。このときの印加電力が小さいほどパーティクル増加は抑制できるからである。おそらくはターゲットシャッター14が閉じた状態から開放されるときに印加電力がより大きいほど、より大きくプラズマの状態が変化することが原因である可能性がある。図3のタイミングチャートにおいて、横軸は時間であり、縦軸はそれぞれ第1のシャッターの開閉状態、第2のシャッターの開閉状態、そして電源12からターゲットホルダー6への印加電力の状態を示す。時間T1において、成膜パワー第2のパワーより小さくかつ安定に放電開始できるような第1のパワー例えば100Wが印加される第1ステップS1。次に時間T2において第1のシャッターを開く第2ステップS2。時間T2で印加される第1のパワーは成膜パワーである第2のパワーより小さくかつ安定に放電開始できるようなパワーであることがパーティクル低減のために必要である。次に時間T3から時間T4にかけて、印加電力を、第2のパワーまで増大させる第3ステップS3。該第2のパワーは、望ましくは成膜工程で使用する成膜パワー例えば800Wである。そして時間T5において第2のシャッターを開き、成膜工程を開始する第4ステップS4。なお、第3ステップS3時間T3から時間T4までの印加パワーの増大は、段階的又は連続的にスローアップさせるものであることがさらに望ましい。段階的又は連続的にスローアップさせることにより、電源12の負担を低減できることのほかに、整合機による整合を安定して行なうことができるからである。低パワーと高パワーではプラズマのインピーダンスが異なるため、整合機は異なるパラメータをとる必要がある。パラメータの調整は、一般的には可変コンデンサ容量等をハード的に自動変更することで実行される。パワーが大幅に変更されると可変コンデンサ容量等の変更も大きくなるため、最適値になるまでにタイムラグが発生するので、その間にプラズマが不安定になることがある。そのような場合には特に、印加パワーの増大は、段階的又は連続的にスローアップさせることが望ましい。スローアップにどの程度に時間をかけるかについては、製品のスループットが許容する範囲内であり、整合機等の性能が追随できる範囲内であればよい。また、第1ステップS1において重要なことは、第1の放電空間において、パーティクルの発生を低減して放電を起こさせることにあり、接地電極の電位とプラズマ電位との電位差を大きくしないことを本質としている。よって、第1のパワーとしては、安定に放電開始ができ、かつ該電位差があまり大きくならないような低パワーであれば良い。該要件を満たせば、図3の時間T1から時間T2において、第1のパワーを段階的または連続的に増減させても良い。実施例図1に示す装置を用い、ターゲットにAl2O3、ターゲットを臨む表面がアルミナ溶射で被覆されているチムニー筒状シールド9を用いて、RFスパッタリングをした。第1ガス導入口15から導入する不活性ガスとしてアルゴンを用いた。基板10への成膜時のRFパワー第2のパワーは800Wとした。ここで、パワー印加開始時の設定を100W第1のパワーとした。100W第1のパワーでパワーを印加した後第1ステップS1、第1のシャッターを開いた第2ステップS2。第1のシャッターを開いた後、印加パワーを基板成膜時の800W第2のパワーに増大させた第3ステップS3。パワー増大した後、第2のシャッターを開き、基板への成膜を開始した第4ステップS4。本実施例では、成膜された基板上のパーティクル数は19個となり、後述する比較例との比較からも分かるように、本発明によりパーティクル数の低減が実現された。比較例上記実施例と同様に、ターゲットにAl2O3、ターゲットを臨む表面がアルミナ溶射で被覆されているチムニー筒状シールドを用いて、RFスパッタリングをした。上記実施例と同様に不活性ガスとしてアルゴンを用いた。基板への成膜時のRFパワーは800Wとした。RFパワーを800Wに設定し、パワーを印加した後、前記第1のシャッターを開き、続いて第2のシャッターを開いて成膜を行った。そのとき、成膜された基板上のパーティクル数は496個であった。その他の実施形態本発明では、スパッタ成膜装置1の制御装置としてのコントローラconは、スパッタ成膜装置1に内蔵されても良いし、該スパッタ成膜装置1と別個に設けても良い。別個に設ける場合は、コントローラconとスパッタ成膜装置1とを、LAN等によるローカルな接続またはインターネットといったWAN接続等による、有線接続または無線接続等により接続して、コントローラconがスパッタ成膜装置1と通信可能に構成すれば良い。また、前述した実施形態の機能を実現するように前述した実施形態の構成を動作させるプログラムを記憶媒体に記憶させ、該記憶媒体に記憶されたプログラムをコードとして読み出し、コンピュータにおいて実行する処理方法も上述の実施形態の範疇に含まれる。即ちコンピュータ読み取り可能な記憶媒体も実施例の範囲に含まれる。また、前述のコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体はもちろんそのコンピュータプログラム自体も上述の実施形態に含まれる。かかる記憶媒体としてはたとえばフロッピー登録商標ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、CD-ROM、磁気テープ、不揮発性メモリカード、ROMを用いることができる。また前述の記憶媒体に記憶されたプログラム単体で処理を実行しているものに限らず、他のソフトウエア、拡張ボードの機能と共同して、OS上で動作し前述の実施形態の動作を実行するものも前述した実施形態の範疇に含まれる。"