"ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、結晶性を有する酸化物半導体膜とを有し、前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なっているチャネル形成領域を含み、前記チャネル形成領域は、実質的に真性であることを特徴とする半導体装置。ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、結晶性を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方に電気的に接続された画素電極とを有し、前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なっているチャネル形成領域を含み、前記チャネル形成領域は、実質的に真性であることを特徴とする半導体装置。ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された、結晶性を有する酸化物半導体膜とを有し、前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なっているチャネル形成領域を含み、前記チャネル形成領域は、実質的に真性であることを特徴とする半導体装置。結晶性を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なっているチャネル形成領域を含み、前記チャネル形成領域は、実質的に真性であることを特徴とする半導体装置。ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、インジウムを含み、結晶性を有する酸化物半導体膜とを有し、前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なっているチャネル形成領域を含み、前記チャネル形成領域は、実質的に真性であることを特徴とする半導体装置。ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、インジウムを含み、結晶性を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方に電気的に接続された画素電極とを有し、前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なっているチャネル形成領域を含み、前記チャネル形成領域は、実質的に真性であることを特徴とする半導体装置。ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された、インジウムを含み、結晶性を有する酸化物半導体膜とを有し、前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なっているチャネル形成領域を含み、前記チャネル形成領域は、実質的に真性であることを特徴とする半導体装置。インジウムを含み、結晶性を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なっているチャネル形成領域を含み、前記チャネル形成領域は、実質的に真性であることを特徴とする半導体装置。請求項2または請求項6において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、アルミニウム、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、白金、チタン、及びネオジムから選ばれた一の金属を含むことを特徴とする半導体装置。請求項2または請求項6において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、アルミニウム、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、白金、チタン、及びネオジムから選ばれた一の金属の窒化物を含むことを特徴とする半導体装置。請求項1乃至10のいずれか一において、前記酸化物半導体膜は、亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。請求項1乃至10のいずれか一において、前記酸化物半導体膜は、In-Ga-Zn-O系のアモルファス酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置。請求項1乃至12のいずれか一において、前記ゲート電極は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、クロム、またはニオブを含むことを特徴とする半導体装置。請求項1乃至13のいずれか一において、前記チャネル形成領域は、p型の導電性を付与する不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置。基板上にゲート電極を形成する第1の工程と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第2の工程と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に酸化物半導体膜を形成する第3の工程と、前記酸化物半導体膜のうち、少なくとも前記ゲート電極と重なる領域の一部の結晶性を改善させる第4の工程とを有し、前記酸化物半導体膜のうち、前記ゲート電極と重なる領域は、実質的に真性であることを特徴とする半導体装置の作製方法。基板上にゲート電極を形成する第1の工程と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第2の工程と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に酸化物半導体膜を形成する第3の工程と、前記酸化物半導体膜のうち、少なくとも前記ゲート電極と重なる領域の一部を結晶化する第4の工程とを有し、前記酸化物半導体膜のうち、前記ゲート電極と重なる領域は、実質的に真性であることを特徴とする半導体装置の作製方法。基板上に酸化物半導体膜を形成する第1の工程と、前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する第2の工程と、前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜上にゲート電極を形成する第3の工程と、前記酸化物半導体膜のうち、少なくとも前記ゲート電極と重なる領域の一部の結晶性を改善させる第4の工程とを有し、前記酸化物半導体膜のうち、前記ゲート電極と重なる領域は、実質的に真性であることを特徴とする半導体装置の作製方法。基板上に酸化物半導体膜を形成する第1の工程と、前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する第2の工程と、前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜上にゲート電極を形成する第3の工程と、前記酸化物半導体膜のうち、少なくとも前記ゲート電極と重なる領域の一部を結晶化する第4の工程とを有し、前記酸化物半導体膜のうち、前記ゲート電極と重なる領域は、実質的に真性であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項15乃至18のいずれか一において、前記第4の工程を、酸素を含む雰囲気中で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項15乃至19のいずれか一において、前記第4の工程の前に、前記酸化物半導体膜をエッチングして島状の酸化物半導体膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項15乃至19のいずれか一において、前記第4の工程の後に、前記酸化物半導体膜をエッチングして島状の酸化物半導体膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項15乃至21のいずれか一において、前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方に電気的に接続された画素電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項15乃至22のいずれか一において、前記酸化物半導体膜は、インジウムを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項15乃至23のいずれか一において、前記酸化物半導体膜は、亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項15乃至22のいずれか一において、前記酸化物半導体膜は、In-Ga-Zn-O系のアモルファス酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置。請求項15乃至25のいずれか一において、前記チャネル形成領域は、p型の導電性を付与する不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項15乃至26のいずれか一において、少なくとも前記酸化物半導体膜上に、窒化酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウムを含むパッシベーション膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。本発明は、上記課題に鑑み、特性を向上させた半導体素子を有する半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。また、一方で、液晶テレビのように、より安価なプロセスで大面積デバイスを製造するために、基板の大型化が進んでいる。しかしながら、基板の大型化によって、撓みや歪みの影響を受けやすくなるといった問題がある。また、熱処理工程で基板が高温に加熱されると、歪みや収縮により基板の寸法が狂い、フォトリソグラフィー工程の精度が悪くなるといった問題がある。そこで、本発明は、半導体装置に用いられる半導体素子の結晶化工程において、一辺が1メートルを超えるような大型基板にも、歩留まりよく半導体装置を作製可能な技術を提供することを目的とする。以上のように、本発明は、従来に比べ低コスト且つ生産性よく製造でき、さらに特性を向上させた半導体素子を有する半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。本発明は、半導体として化合物半導体、より好ましくは酸化物半導体を用いる。酸化物半導体として、例えば、酸化亜鉛ZnO、InGaO3ZnO5、酸化マグネシウム亜鉛MgxZn1-xO、酸化カドミウム亜鉛CdxZn1-xO、酸化カドミウムCdO又はIn-Ga-Zn-O系のアモルファス酸化物半導体a-IGZO等を用いる。そして、化合物半導体に近接するゲート電極をランプ急速熱処理LRTA:lamprapidthermalannealing、又は単にランプ加熱ともいうにより加熱することで、化合物半導体の結晶化を選択的に促進させ、該結晶化を促進させた領域を少なくともチャネル形成領域に有する化合物半導体を用いたTFTを作製することを要旨とする。また、本発明の一は、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を覆って形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜とを有し、酸化物半導体膜は、第1の酸化物半導体領域及び第2の酸化物半導体領域を有し、ゲート電極と重なる位置に形成された第1の酸化物半導体領域は第2の酸化物半導体領域よりも結晶性が高いことを特徴とする。なお、結晶性とは、結晶中の原子配列の規則性の度合いを表現するもので、結晶性が良好である結晶性が高い、結晶性が改善されているともいう。酸化物半導体膜を用いてTFTを作製すると、その電気的特性は良好なものとなる。また、本発明の一は、基板上にゲート電極と酸化物半導体膜を有し、酸化物半導体膜は、絶縁膜を介してゲート電極と重なる領域において一部結晶化された領域を有することを特徴とする。また、本発明の一は、基板上にゲート電極と、酸化物半導体膜と、導電膜を有し、導電膜は、酸化物半導体膜に接して設けられ、酸化物半導体膜は、絶縁膜を介してゲート電極と重なる領域において一部結晶化された領域を有することを特徴とする。また、本発明の一は、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を覆って形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜とを有し、酸化物半導体膜は、少なくともゲート電極と重なる領域において結晶化していることを特徴とする。なお、結晶化するとは、非晶質の状態から結晶核が生成する又は結晶核が生成された状態から結晶粒が成長することをいう。また、本発明の一は、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を覆って形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された導電膜と、絶縁膜及び導電膜上に形成された酸化物半導体膜とを有し、酸化物半導体膜は、少なくとも前記ゲート電極と重なる領域において結晶化していることを特徴とする。また、本発明の一は、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を覆って形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された導電膜と、絶縁膜及び導電膜上に形成された酸化物半導体膜とを有し、ゲート電極は、導電膜よりも結晶化に用いる光源に対する反射率が低いことを特徴とする。なお、反射率の比較は導電膜が遮光性を有する金属膜等であるときに用いることとする。また、本発明の一は、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を覆って形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された導電膜と、絶縁膜及び導電膜上に形成された酸化物半導体膜とを有し、ゲート電極は、導電膜よりも熱吸収率が高いことを特徴とする。また、本発明の一は、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、ゲート電極をLRTAすることにより、ゲート電極と重なる酸化物半導体膜の一部を結晶化させることを特徴とする。また、本発明の一は、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆って絶縁膜を形成し、絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、ゲート電極をLRTAすることにより、酸化物半導体膜中に第1の酸化物半導体領域及び第2の酸化物半導体領域を形成し、ゲート電極と重なる位置に形成された第1の酸化物半導体領域は、前記第2の酸化物半導体領域よりも結晶性が高いことを特徴とする。また、本発明の一は、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に導電膜を形成し、絶縁膜及び導電膜上に酸化物半導体膜を形成し、ゲート電極にLRTAを行うことにより、酸化物半導体膜の一部を選択的に結晶化させることを特徴とする。また、本発明の一は、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆って絶縁膜を形成し、絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、ゲート電極をLRTAすることにより、酸化物半導体膜の一部を選択的に結晶化させることを特徴とする。また、本発明の一において、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆って絶縁膜を形成し、絶縁膜上に導電膜を形成し、絶縁膜及び導電膜上に酸化物半導体膜を形成し、ゲート電極をLRTAすることにより、酸化物半導体膜中に第1の酸化物半導体領域及び第2の酸化物半導体領域を形成する。このとき、ゲート電極と重なる位置に形成された第1の酸化物半導体領域は、第2の酸化物半導体領域よりも結晶性が高いことを特徴とする。また、本発明の一において、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆って絶縁膜を形成し、絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、ゲート電極をランプ加熱することにより、酸化物半導体膜中に第1の酸化物半導体領域及び第2の酸化物半導体領域を形成する。このとき、ゲート電極と重なる位置に形成された第1の酸化物半導体領域は、第2の酸化物半導体領域よりも結晶性が高いことを特徴とする。なお、上記導電膜は、Al、Ti、Cu、Au、Ag、Mo、Ni、Ta、Zr及びCoから選ばれる一つ又は複数の元素から形成されている。なお、上記酸化物半導体膜は、少なくとも酸化亜鉛ZnOを含むようにするとよい。例えば、InGaO3ZnO5、MgxZn1-xO又はCdxZn1-xOである。なお、上記基板は、有機樹脂基板、無機樹脂基板、プラスチック基板又はガラス基板から選択されたいずれか一である。なお、上記酸化物半導体膜は、スパッタリング法により形成される。なお、上記酸化物半導体膜には、窒素が添加されていても良い。窒素を添加することにより、酸化物半導体膜がn型の半導体の性質を示す場合、窒素がアクセプタ不純物として働く。このため、窒素が添加された酸化物半導体膜を用いて作製されたトランジスタのしきい値電圧を制御することができる。本発明の一は、ゲート電極として、タンタルTa、タングステンW、チタンTi、モリブデンMo、クロムCr、ニオブNb等から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料を用いることができる。本発明の一は、ハロゲンランプのランプ光を照射することにより酸化物半導体膜の結晶化を行うことを特徴とする。本発明の一は、ランプ光として、800nm~2400nmの波長領域の光を用いる。また、可視光領域又は赤外光領域の波長を用いる。なお、本発明の一は、上記半導体装置を有する液晶テレビジョン又はELテレビジョンである。また、本発明において、LRTAの代わりにレーザ光を照射して加熱処理を行ってもよく、例えば、レーザ光として赤外光レーザ、可視光レーザ、紫外光レーザなどを照射して選択的に酸化物半導体膜の結晶性を改善してもよい。あるいは、ランプ加熱を行いながらレーザ光を照射して選択的に酸化物半導体膜の結晶性を改善してもよい。レーザ照射を用いる場合、連続発振型のレーザビームCWレーザビームやパルス発振型のレーザビームパルスレーザビームを用いることができる。ここで用いることができるレーザビームは、Arレーザ、Krレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のYAG、YVO4、フォルステライトMg2SiO4、YAlO3、GdVO4、若しくは多結晶セラミックのYAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Taのうち1種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザビームの基本波、及びこれらの基本波の第2高調波から第4高調波のレーザビームを照射することで、結晶性を良好にすることができる。なお、レーザ光は酸化物半導体膜のバンドギャップよりもエネルギーの大きいものを用いる方が好ましい。例えば、KrF、ArF、XeCl、又はXeFのエキシマレーザ発振器から射出されるレーザ光を用いてもよい。また、本発明において、半導体装置とは半導体素子トランジスタやダイオードなどを含む回路を有する装置をいい、半導体装置として、半導体素子で構成された集積回路、表示装置、無線タグ、ICタグ等が挙げられる。表示装置としては、代表的には液晶表示装置、発光装置、DMDDigitalMicromirrorDevice;デジタルマイクロミラーデバイス、PDPPlasmaDisplayPanel;プラズマディスプレイパネル、FEDFieldEmissionDisplay;フィールドエミッションディスプレイ、電気泳動表示装置電子ペーパー等の表示装置があげられる。また、本発明において、表示装置とは、表示素子を用いたデバイス、即ち画像表示デバイスを指す。また、表示パネルにコネクター、例えばフレキシブルプリント配線FPC:FlexiblePrintedCircuitもしくはTABTapeAutomatedBondingテープもしくはTCPTapeCarrierPackageが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路やCPUが直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。なお本発明では、酸化物半導体膜は少なくともチャネル形成領域において結晶化していれば良い、若しくは結晶性が改善していればよい。またチャネル形成領域は、全て結晶化する必要はなく、少なくともゲート電極側の部分が結晶化されていればよい。なお、化合物半導体として、酸化物半導体の他に窒化物半導体又は炭化物半導体を用いてもよい。さらに、可視光に対して透光性を有する半導体を用いることもできる。本発明では、ゲート電極をLRTAにより加熱することで酸化物半導体膜のチャネル形成領域における結晶性を良好にしている。その結果、酸化物半導体膜は局所的にしか加熱されないため、基板の大半は加熱されずに済み、基板のシュリンク縮みやたわみを抑制しつつ結晶化工程を行うことができる。したがって、工程を簡略化しつつ、移動度特性を向上させた半導体素子を有する半導体装置を作製することができる。また、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜として機能する絶縁膜を形成し、絶縁膜上にゲート電極よりもLRTAの光源に対する反射率が高い配線を形成し、配線上に酸化物半導体膜を形成した後に基板表面又は裏面へLRTAを行う場合、配線は、ゲート電極よりもLRTAの光源に対する反射率が高いため、ゲート電極よりも加熱されずに済む。そのため、配線に低抵抗である銅やアルミニウム、銀などの比較的融点が低い導電膜を用いることができる。その結果、安価な半導体装置を提供することができる。また、酸化物半導体膜は、酸素を含む雰囲気に晒されても非晶質珪素膜のように酸化によって表面に絶縁膜が形成されない。したがって、成膜後に大気にさらされても膜の変化が少ない。また、酸化物半導体膜としてZnOを用いる場合、酸化物半導体膜の結晶化工程における熱処理温度を350°C程度又はそれ以下にできる。ZnOは、350度程度又はそれ以下の熱処理温度でも十分に結晶化が促進されるためである。その結果、樹脂基板を用いた場合にも基板のシュリンクを抑制することができる。また、ゲート電極に、ソース配線及びドレイン配線よりランプから発する光に対する反射率が低い材料を用いてランプ加熱を行うため、ゲート電極から伝導する熱によりZnOの少なくともチャネル形成領域の結晶性が改善する一方で、ソース配線及びドレイン配線は加熱されにくいため、ソース配線及びドレイン配線に比較的融点の低い材料を用いることができる。例えば、ソース配線及びドレイン配線にAlを用いた場合、熱処理温度が350度以下で済むため、Alの半導体層への拡散を抑制できる。以上のように、低温熱処理350度程度又はそれ以下で半導体装置を作製できるため、プロセスとして安価となる。さらに、酸化物半導体は透光性を有するため、透光性を有する導電膜でソース電極及びドレイン電極等を形成し、その上に画素電極を形成することにより、画素部の開口率を上げることができる。酸化物半導体として酸化亜鉛を用いる場合、酸化亜鉛はインジウム錫酸化物ITO:IndiumTinOxideと比べて資源が豊富であり、より低抵抗であるため、画素電極としてITOの代わりに酸化亜鉛を用いることでより安価な半導体装置を得ることができる。半導体膜にシリコンを用いる場合、チャネル形成領域に光が照射されるのを防止するため、チャネル形成領域に重なるように遮光膜を設けることを要する。その結果、画素部において、開口率の低下を余儀なくされる。一方、酸化物半導体膜に酸化亜鉛を用いた場合、亜鉛は比較的資源が豊富であり、また、酸化亜鉛は透光性を有するため、ソース電極、ドレイン電極及び画素電極を全て透光性を有するインジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、窒化チタンなどを含む透明導電性材料を用いて形成することで透過型の表示パネルにおいて、開口率の高い大型ディスプレイができる。また、バックライト光を有効に利用して省電力化することができる。例えば、建物の窓や自動車、電車、飛行機などのフロントガラス上に表示パネルを貼り付けることにより、画像や文字情報を直接表示するヘッドアップディスプレイを実現するといったこともできる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。例えば、本実施形態及び本実施例の各々を適宜組み合わせて本発明を実施することができる。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施形態では、LRTAを行い酸化物半導体膜の一部の結晶性を改善した領域をチャネル形成領域に用いるTFTの作製工程について図1A、Bを用いて説明する。まず、基板101上に下地膜102を形成する。基板101には、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルサルフォンPES、アクリル、ポリイミド等のプラスチック合成樹脂やガラスを用いることができる。下地膜102としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜SiOxNyx>y、窒化酸化珪素膜SiNxOyx>y等の絶縁膜の単層、或いは積層したものを用いる。なお、下地膜102は、スパッタリング法やCVD法などにより形成すればよい。なお、下地膜102は設けなくてもよいが、本発明においては形成した方が好ましい。下地膜102を形成することにより、下地膜102上に形成された電極や配線などから発生した熱が基板101に伝導するのを抑制することができる。下地膜102として、例えば、膜厚10~400nmの窒化酸化珪素膜を用いることができる。次いで、下地膜102上にゲート電極103を形成する。ゲート電極103は、スパッタリング法により膜厚100~200nmを形成すればよい。また、ゲート電極103は、タンタルTa、タングステンW、チタンTi、モリブデンMo、クロムCr、ニオブNb等から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料を用いて形成することができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料により形成することもできる。次いで、ゲート電極103を覆うゲート絶縁膜104を膜厚50~500nm程度形成する。ゲート絶縁膜104は、スパッタリング法やプラズマCVD法等の各種CVD法により、珪素の酸化物または珪素の窒化物を含む膜を、単層または積層して形成する。具体的には、酸化珪素を含む膜SiOx、酸化窒化珪素を含む膜SiOxNy、窒化酸化珪素を含む膜SiNxOyを、単層構造として形成するか、当該これらの膜を適宜積層して形成する。また、ゲート電極103に酸素、窒素、または酸素及び窒素を含む雰囲気中で、高密度プラズマ処理を行うことにより、ゲート電極103の表面を酸化または窒化して、ゲート絶縁膜を形成してもよい。高密度プラズマ処理により形成されたゲート絶縁膜は、膜厚や膜質などの均一性に優れ、且つ緻密な膜を形成することができる。酸素を含む雰囲気としては、酸素O2、二酸化窒素NO2、もしくは一酸化二窒素N2Oと、希ガスとの混合ガス、または、酸素O2、二酸化窒素NO2もしくは一酸化二窒素N2Oと、希ガスと、水素H2との混合ガスを用いることができる。また、窒素を含む雰囲気としては、窒素N2もしくはアンモニアNH3と、希ガスとの混合ガス、または、窒素N2もしくはアンモニアNH3と、希ガスと、水素H2との混合ガスを用いることができる。高密度プラズマにより生成された酸素ラジカルOHラジカルを含む場合もあるや窒素ラジカルNHラジカルを含む場合もあるによって、ゲート電極103の表面を酸化又は窒化することができる。高密度プラズマ処理を行ってゲート絶縁膜104を形成する場合、1~20nm、代表的には5~10nmの絶縁膜がゲート電極103を覆うように形成される。この場合の反応は固相反応であるため、当該ゲート絶縁膜104とゲート電極103との界面準位密度をきわめて低くすることができる。また、ゲート電極103を直接酸化または窒化するため、形成されるゲート絶縁膜104の厚さを、均一にすることができる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で電極の表面を固相酸化することにより、均一性が良く、界面準位密度が低い絶縁膜を形成することができる。ここでは、タンタルTa、タングステンW、チタンTi、モリブデンMo、クロムCr、ニオブNb等から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料の酸化物がゲート絶縁膜104として機能する。なお、ゲート絶縁膜104は、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁膜のみを用いてもよいし、それに加えてプラズマや熱反応を利用したCVD法により酸化珪素、酸素を含む窒化珪素、窒素を含む酸化珪素などの絶縁膜を堆積し、少なくとも一つ積層させても良い。いずれにしても、高密度プラズマで形成した絶縁膜がゲート絶縁膜の一部又は全部であるトランジスタは、特性のばらつきを小さくすることができる。また、ゲート絶縁膜104は、酸化物半導体膜との整合性の良好なアルミナAl2O3、窒化アルミニウムAlN、酸化チタンTiO2、ジルコニアZrO2、酸化リチウムLi2O、酸化カリウムK2O酸化ナトリウムNa2O、酸化インジウムIn2O3、酸化イットリウムY2O3、ジルコン酸カルシウムCaZrO3又はこれらのうち少なくとも2つを含む材料を用いてもよく、単層又は2層以上積層させて形成してもよい。次いで、ゲート絶縁膜104上に配線105を膜厚50~200nmとなるように形成する。配線材料としては、銀Ag、アルミニウムAl、金Au、銅Cu及びそれらの合金などを用いる。配線材料は、ゲート電極103に用いる材料よりも反射率の高いものであればよく、ゲート電極103との関係を考慮して適宜組み合わせて用いる。なお、配線は積層して形成してもよく、例えば、基板側からアルミニウム、チタンの積層配線としてもよい。チタンは、酸化物半導体膜とアルミニウムとの電気的な接触特性を良好にするのに有効である。また、アルミニウムが酸化物半導体膜中に拡散するのを抑制する役目も担っている。また、配線は透明導電膜、例えば、インジウム錫酸化物ITO:IndiumTinOxide、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、インジウム亜鉛酸化物IZO:IndiumZincOxide、酸化インジウムIn2O3、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、アルミニウムを添加した酸化亜鉛AlZnO、ガリウムを添加した酸化亜鉛GaZnO酸化亜鉛ZnO、などで形成してもよい。なお、配線105は、ゲート電極103よりもランプ光に対して反射率の高い若しくは透過率の高い又は熱吸収率の低いものを用いるとよい。次いで、ゲート絶縁膜104及び配線105上に酸化物半導体膜106を形成する。酸化物半導体膜106は、1族元素例えば、リチウムLi、ナトリウムNa、カリウムK、ルビジウムRb、セシウムCs、13族元素例えば、ボロンB、ガリウムGa、インジウムIn、タリウムTl、14族元素例えば、炭素C、シリコンSi、ゲルマニウムGe、スズSn、鉛Pb、15族元素例えば、窒素N、リンP、ヒ素As、アンチモンSb、ビスマスBi又は17族元素例えば、フッ素F、塩素Cl、臭素Br、ヨウ素I等の不純物元素のうち一種、又は複数種が添加された酸化亜鉛ZnOの非晶質アモルファス状態、多結晶状態又は非晶質状態と多結晶状態が混在する微結晶マイクロクリスタルとも呼ばれる。状態のもの、又は何も不純物元素が添加されていないものを用いることができる。また、InGaO3ZnO5、酸化マグネシウム亜鉛MgxZn1-xO又は酸化カドミウム亜鉛CdxZn1-xO、酸化カドミウムCdO、In-Ga-Zn-O系のアモルファス酸化物半導体a-IGZOのうちいずれかを用いることができる。酸化物半導体膜106は25~200nm好ましくは30~150nmの厚さで0.4Paの圧力のもと、Ar:O2=50:5sccmの流量となる条件でスパッタリング法により成膜し、その後、0.05に希釈したフッ酸を用いてエッチングにより所望の形状に形成する。酸化物半導体膜106は、非晶質珪素膜を用いた半導体膜と比べて、酸化のおそれがなく高真空にせずとも成膜できるため、プロセスとして安価である。なお、酸化亜鉛を有する酸化物半導体膜はプラズマに強いため、プラズマCVDPCVD又はPECVDともいう法を用いて成膜してもよい。プラズマCVD法はCVD法の中でも特に装置が簡単であり、生産性もよい。次いで、基板101の裏面へLRTAを行う図1A。LRTAは、250~570°C好ましくは300°C~400°C、より好ましくは300~350°Cで1分~1時間、好ましくは10分~30分行うとよい。LRTAは、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプから選ばれた一種または複数種からの輻射により行う。LRTA法は、短時間での熱処理が可能であるため、ゲート電極103よりも配線105の反射率若しくは透過率が高ければ比較的融点の低い材料を用いることができる。LRTA法には、赤外光領域、可視光領域、紫外光領域等の波長の光を用いることができる。なお、LRTAの代わりにレーザ光を照射して加熱処理を行ってもよく、例えば、レーザ光として赤外光レーザ、可視光レーザ、紫外光レーザ等を用いることができる。また、LRTA及びレーザ光照射を組み合わせて選択的に酸化物半導体膜の結晶性を改善してもよい。レーザ照射を用いる場合、連続発振型のレーザビームCWレーザビームやパルス発振型のレーザビームパルスレーザビームを用いることができる。ここで用いることができるレーザビームは、Arレーザ、Krレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のYAG、YVO4、フォルステライトMg2SiO4、YAlO3、GdVO4、若しくは多結晶セラミックのYAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Taのうち1種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザビームの基本波、及びこれらの基本波の第2高調波から第4高調波のレーザビームを照射することで、結晶性を良好にすることができる。なお、レーザ光は酸化物半導体膜のバンドギャップよりもエネルギーの大きいものを用いる方が好ましい。例えば、KrF、ArF、XeCl、又はXeFのエキシマレーザ発振器から射出されるレーザ光を用いてもよい。このとき、ゲート電極103は配線105よりもランプ光に対する反射率が低く、より熱を吸収する材料を用いるため、配線105よりも高い温度まで加熱される。そのため、ゲート電極103周辺の酸化物半導体膜106が加熱され、第2の酸化物半導体領域108及び第2の酸化物半導体領域108よりも結晶性が良好な領域を有する第1の酸化物半導体領域107が形成される図1B参照。ここでは、ハロゲンランプを用いてゲート電極103にランプ光を照射しておよそ300°Cに加熱し、その熱により酸化物半導体膜106を結晶化させ結晶性を改善させる。このとき、配線105は、ゲート電極103よりもランプ光に対する反射率若しくは透過率が高いものを用いるので、酸化物半導体膜106を結晶化させたとしても配線105の温度は300°C以下となる。ここで、酸化物半導体膜として用いられるZnOの結晶性の熱処理温度依存性について図2に示す。図2は、流量Ar:O2=50:5sccmの割合とする成膜ガスを、吹き付けた状態as-depo、200°C、300°C、350°Cの夫々の温度で1hr加熱したときの002面のX線強度を測定した結果を示す。熱処理温度が上昇するにつれ、002面の強度ピークは大きくなっている。したがって、少なくとも350°Cまでは、熱処理温度が高くなるほどZnOの結晶性は高くなる。一般的に結晶化が進むほど移動度は上がるため、熱処理は350°C前後で行った方が望ましい。なお、基板にシュリンク等の支障がなければZnOが400°C前後に加熱されるような熱処理を行ってもよい。一方、図1Aにおいてゲート電極103及び配線105が形成されていない領域、つまり、基板101、下地膜102、ゲート絶縁膜104及び酸化物半導体膜106が積層されている領域では、配線105又はゲート電極103が形成されている領域と比べてランプ光は透過するため、熱を吸収しにくく加熱温度は配線105よりも低い温度となる。したがって、基板101は、大半の領域で350°C以下となるため、シュリンクが生じにくくなる。なお、ゲート電極103が形成されていない領域が大きければ大きいほど基板101のシュリンクは抑制される。次いで、酸化物半導体膜106上に層間絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、画素電極、発光素子などの構造を形成することで半導体装置を作製する。本発明では半導体としてZnOを用いる場合、300°C程度の熱処理温度でZnO層の結晶性が改善するため、結晶性珪素膜を半導体膜に用いる場合と比較して、熱処理温度を抑えることができる。また、透光性の高い酸化物半導体膜を用い、LRTAにより選択的にゲート電極を加熱するため、基板の大半は加熱されず基板のシュリンクを抑制することができる。また、ゲート電極よりもランプ光に対する反射率が高い材料を配線に用いるため、配線が加熱される温度を350°C程度と抑えても酸化物半導体膜の結晶性を改善することができる。そのため、融点が低いAl配線を用いることができる。また、酸化物半導体膜中の酸素がAlに拡散して絶縁膜を形成することを防止することができる。Al配線は、安価かつ低抵抗であるため、性能のよい半導体装置を低コストで生産性良く作製することができる。実施の形態2本実施形態では、実施形態1とは異なる構造について図3A~Cを用いて説明する。なお、基板301上に下地膜302、ゲート電極303、ゲート絶縁膜304を形成するまでの工程は実施の形態1の基板101上に下地膜102、ゲート電極103、ゲート絶縁膜104を形成するまでの工程を参照されたい。ゲート絶縁膜304上に第1の酸化物半導体膜305を形成する。酸化物半導体膜305は、1族元素、13族元素、14族元素、15族元素又は17族元素の不純物元素のうち一種又は複数種が添加された酸化亜鉛ZnOの非晶質アモルファス状態、多結晶状態又は非晶質状態と多結晶状態が混在する微結晶マイクロクリスタルとも呼ばれる。状態のもの、又は何も不純物元素が添加されていないものを用いることができる。また、InGaO3ZnO5、酸化マグネシウム亜鉛MgxZn1-xO又は酸化カドミウム亜鉛CdxZn1-xO、酸化カドミウムCdO、In-Ga-Zn-O系のアモルファス酸化物半導体a-IGZOのうちいずれかを用いることができる。ここでは、第1の酸化物半導体膜305は酸化亜鉛を50~200nm好ましくは100~150nmの厚さでスパッタリング法により成膜する。次いで、結晶性を良好にするため基板表面からLRTAを行う図3A。LRTAは、250~570°C好ましくは300°C~400°C、より好ましくは300~350°Cで1分~1時間、好ましくは10分~30分行えばよく、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプから選ばれた一種または複数種からの輻射により行う。本実施形態では、酸素雰囲気中においてゲート電極303がおよそ300°Cとなるように30分間のランプ加熱を行い、ゲート絶縁膜304を間に挟んでゲート電極303と重なる第1の酸化物半導体膜305の領域の結晶性を向上させる。第1の酸化物半導体膜305は透光性を有するため、ゲート電極303が優先して加熱されることでゲート電極303の周囲から外側に向けて第1の酸化物半導体膜305の結晶性が上がる。そして、図3Bに示すように、第2の酸化物半導体領域309と、第2の酸化物半導体領域309よりも結晶性の良好な第1の酸化物半導体領域308を有する第2の酸化物半導体膜が形成される。なお、図3Aでは、基板301表面側へランプ加熱しているが基板裏面へLRTAしてもよい。酸化物半導体膜305は透光性を有するため、基板の大半の領域はLRTAを行っても加熱されにくい。そのため、基板に融点の低い樹脂などを用いても基板の縮み等による変形を抑制することができる。なお、LRTAの出力を上げて基板表面よりランプ加熱を行うことにより、直接酸化物半導体膜の表面近傍の結晶性を改善させてもよい。また、ランプ光の波長、ゲート電極の反射率及び酸化物半導体膜の膜厚を調節することにより、基板表面からランプ加熱を行う際、ゲート電極で反射したランプ光が酸化物半導体膜のゲート絶縁膜304側の表面付近で吸収され、ゲート電極と重なる酸化物半導体膜のゲート絶縁膜304側の表面付近が優先的に結晶化するようにしてもよい。また、基板にガラス基板を用いる場合、ランプ光は可視光から赤外光領域を利用する。この波長領域の光はガラス基板に吸収されにくいため、ガラス基板が加熱されるのを最小限に抑えることができる。なお、ランプ加熱は複数回行ってもよい。複数回行うことにより、基板温度の上昇を抑えつつゲート電極の加熱時間を稼ぐことができる。なお、LRTAの代わりにレーザ光や紫外光を照射、若しくはそれらを組み合わせて選択的に酸化物半導体膜の結晶性を改善してもよい。レーザ照射を用いる場合、連続発振型のレーザビームCWレーザビームやパルス発振型のレーザビームパルスレーザビームを用いることができる。ここで用いることができるレーザビームは、Arレーザ、Krレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のYAG、YVO4、フォルステライトMg2SiO4、YAlO3、GdVO4、若しくは多結晶セラミックのYAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Taのうち1種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザビームの基本波、及びこれらの基本波の第2高調波から第4高調波のレーザビームを照射することで、結晶性を良好にすることができる。なお、レーザ光は酸化物半導体膜のバンドギャップよりもエネルギーの大きいものを用いる方が好ましい。例えば、KrF、ArF、XeCl、又はXeFのエキシマレーザ発振器から射出されるレーザ光を用いてもよい。次いで、第1の酸化物半導体領域308及び第2の酸化物半導体領域309上にスパッタリング法によりTiとAlを順に堆積し、Ti層とAl層を形成する。その後、Ti及びAl層をフォトリソグラフィー及びCl2ガスを用いてドライエッチングすることでソース配線及びドレイン配線となる配線306と配線307を形成する図3C。配線306、307は、加速電圧1.5kw、圧力0.4Pa、Ar流量30sccmを用いて10~200nmの膜厚で成膜する。なお、配線306、307は積層して形成しているが、酸化物半導体膜305との整合性がよい材料を用いるのであれば配線306、配線307は単層でもよい。なお、配線306、307として、アルミニウムAl、タングステンW、モリブデンMo、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、クロムCr、コバルトCo、ニッケルNi、白金Pt、チタンTi、ネオジウムNd等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物または、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、酸化インジウムIn2O3、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、アルミニウムを添加した酸化亜鉛AlZnO、ガリウムを添加した酸化亜鉛GaZnOなどの透光性を有する材料を適宜用いることができる。その後、酸化物半導体膜305、配線306、配線307上に層間絶縁膜、配線、画素電極、発光素子などの構造を形成することで半導体装置を作製する。本実施形態では、酸化物半導体膜305にLRTAして結晶性を改善した後に配線を形成している。そのため、配線306は、ゲート電極303よりもランプ光に対する反射率が低い材料を用いても構わず、配線の材料は酸化物半導体膜305と整合性がよいものであれば実施形態1に挙げた材料に限られない。なお、LRTAによる加熱は、酸化物半導体膜305を成膜後、所望の形状に加工する前でも後に行ってもよい。本発明では半導体膜として酸化亜鉛を用いる場合、300°C程度の熱処理温度で半導体膜の結晶性が改善するため、結晶性珪素膜を半導体膜に用いる場合と比較して、熱処理温度を抑えることができ、低コストで結晶化工程を行うことができる。また、透光性の高い酸化物半導体膜を用い、LRTAにより選択的にゲート電極を加熱するため、基板の大半は加熱されず基板のシュリンクを抑制することができる。実施の形態3本発明の実施の形態について、図4、図5を用いて説明する。本実施の形態は、チャネル保護型の薄膜トランジスタを有する半導体装置の例である。基板400は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等からなるガラス基板、シリコン基板、耐熱性を有するプラスチック基板又は樹脂基板を用いる。プラスチック基板又は樹脂基板として、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルサルフォンPES、アクリル、ポリイミド等を用いることができる。また、基板400の表面が平坦化されるようにCMP法などによって、研磨しても良い。なお、基板400上に、絶縁層を形成してもよい。絶縁層は、CVD法、プラズマCVD法、スパッタリング法、スピンコート法等の公知の方法により、珪素を含む酸化物材料、窒化物材料を少なくとも一つ用いて、単層又は積層して形成される。この絶縁層は、形成しなくても良いが、基板400からの汚染物質などを遮断する効果や基板に熱が伝わるのを抑制する効果がある。基板400上に導電膜401を形成する。導電膜401は、所望の形状に加工されゲート電極となる。導電膜401は、印刷法、電界メッキ法、蒸着法等の手法によりLRTA加熱に用いる光源の波長に対する反射率が低い熱を吸収しやすい、つまり加熱されやすい材料を用いて形成することが好ましい。反射率の低い材料を用いることにより、後の加熱工程が可能となる。導電膜401としては、タングステンW、モリブデンMo、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、クロムCr、コバルトCo、ニッケルNi、白金Pt、チタンTi、ネオジウムNd等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物を適宜用いることができる。また、これら複数の層を積層して形成しても良い。代表的には、基板表面に窒化タンタル膜、その上にタングステン膜を積層してもよい。また、珪素に一導電型を付与する不純物元素を添加した材料を用いても良い。例えば、非晶質珪素膜にリンPなどのn型を付与する不純物元素が含まれたn型を有する珪素膜などを用いることができる。導電膜401は、10nm~200nmの膜厚で成膜する。本実施の形態では、タングステンWをスパッタリング法により膜厚150nmの導電膜401を形成する。導電膜401上にフォトリソグラフィ工程を用いてレジストからなるマスクを形成し、マスクを用いて導電膜401を所望の形状に加工してゲート電極402を形成する図4B参照。次いで、ゲート電極402上にゲート絶縁膜403a、ゲート絶縁膜403bを形成し2層の積層構造とする。積層される絶縁膜は、同チャンバー内で真空を破らずに同一温度下で、反応ガスを切り変えながら連続的に形成するとよい。真空を破らずに連続的に形成すると、積層する膜同士の界面が汚染されるのを防ぐことができる。ゲート絶縁膜403a、ゲート絶縁膜403bは、酸化珪素SiOx、窒化珪素SiNx、酸化窒化珪素SiOxNyx>y、窒化酸化珪素SiNxOyx>yなどを適宜用いることができる。更には、ゲート電極402を酸化して、ゲート絶縁膜403aの代わりに、酸化膜を形成しても良い。なお、基板から不純物などの拡散を防止するため、ゲート絶縁膜403aとしては、窒化珪素SiNx、窒化酸化珪素SiNxOyx>yなどを用いて形成することが好ましい。また、ゲート絶縁膜403bとしては、酸化珪素SiOx、酸化窒化珪素SiOxNyx>yなどを用いて形成することが望ましい。なお、低い成膜温度でゲートリーク電流の少ない緻密な絶縁膜を形成するには、アルゴンなどの希ガス元素を反応ガスに含ませ、形成される絶縁膜中に混入させると良い。本実施の形態では、SiH4、NH3を反応ガスとして形成される膜厚50nm~140nmの窒化珪素膜を用いてゲート絶縁膜403aを形成し、SiH4及びN2Oを反応ガスとして形成される膜厚100nmの酸化珪素膜を用いてゲート絶縁膜403bを積層して形成する。なお、ゲート絶縁膜403a及びゲート絶縁膜403bの膜厚をそれぞれ50nm~100nmとすると好ましい。また、ゲート絶縁膜403bは、後に形成する酸化物半導体膜との整合性が良好であるアルミナAl2O3又は窒化アルミAlNにより形成してもよい。この場合、ゲート絶縁膜403aは絶縁性の高い酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素などを用い、ゲート絶縁膜403bに酸化物半導体膜との界面特性が良いアルミナ又は窒化アルミを用いることにより、信頼性の高いゲート絶縁膜を形成することができる。なお、ゲート絶縁膜を3層とし、3層目をアルミナ又は窒化アルミを用いたゲート絶縁膜としてもよい。次にゲート絶縁膜403b上に酸化物半導体膜404を形成する。酸化物半導体膜404は流量Ar:O2=50:5sccm、圧力0.4Pa、100nmの厚さでスパッタリング法により成膜する。酸化物半導体膜404は、1族元素、13族元素、14族元素、15族元素又は17族元素等のうち一種、又は複数種の不純物元素が添加されたZnOの非晶質アモルファス状態、多結晶状態又は非晶質状態と多結晶状態が混在する微結晶マイクロクリスタルとも呼ばれる。状態のもの、又は何も不純物元素が添加されていないものを用いることができる。また、InGaO3ZnO5、酸化マグネシウム亜鉛MgxZn1-xO又は酸化カドミウム亜鉛CdxZn1-xO、酸化カドミウムCdO、In-Ga-Zn-O系のアモルファス酸化物半導体a-IGZOのうちいずれかを用いることができる。なお、酸化物半導体膜404にZnOを用いる場合、窒素を添加ドープしておくとよい。ZnOは本来n型の半導体の性質を示す。窒素を添加することで窒素がZnOに対してアクセプタ不純物として働くため、結果としてしきい値電圧を制御することができる。次いで、基板400表面又は裏面よりLRTA法を用いて酸化物半導体膜404の加熱を行う図4D。LRTAは、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプから選ばれた一種または複数種からの輻射により行う。LRTAは、250~570°C好ましくは300°C~400°C、より好ましくは300~350°Cで1分~1時間、好ましくは10分~30分行うとよい。本実施形態では、ハロゲンランプを光源として酸素雰囲気中で300°C、30分の条件でランプ加熱を行う。LRTAを行うことにより短時間で選択的にゲート電極402が加熱され、その加熱された熱によりゲート電極402の周辺に形成された点線で示す領域434において結晶性が向上した第1の酸化物半導体領域が形成される。一方、点線で示す領域434以外の領域424では、ランプ光の吸収が少ないため、ほとんど加熱されずに済み、第1の酸化物半導体領域と結晶性の異なる第2の酸化物半導体領域が形成される図4E。したがって、ゲート電極402が形成されている領域のみ選択的に加熱され、その他の領域は加熱されないため基板400のシュリンクや撓みを抑制することができる。なお、LRTAの出力を上げて基板表面よりランプ加熱を行うことにより、直接酸化物半導体膜の表面近傍の結晶性を改善させてもよい。また、ランプ光の波長、ゲート電極の反射率及び酸化物半導体膜の膜厚を調節することにより、基板表面からランプ加熱を行う際、ゲート電極で反射したランプ光が酸化物半導体膜のゲート絶縁膜403b側の表面付近で吸収され、ゲート電極と重なる酸化物半導体膜のゲート絶縁膜403b側の表面付近が優先的に結晶化するようにしてもよい。また、基板にガラス基板を用いる場合、ランプ光は可視光から赤外光領域を利用する。この波長領域の光はガラス基板に吸収されにくいため、ガラス基板が加熱されるのを最小限に抑えることができる。なお、ランプ加熱は複数回行ってもよい。複数回行うことにより、基板温度の上昇を抑えつつゲート電極の加熱時間を稼ぐことができる。なお、LRTAの代わりにレーザ光や紫外光を照射、若しくはそれらを組み合わせて選択的に酸化物半導体膜の結晶性を改善してもよい。レーザ照射を用いる場合、連続発振型のレーザビームCWレーザビームやパルス発振型のレーザビームパルスレーザビームを用いることができる。ここで用いることができるレーザビームは、Arレーザ、Krレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のYAG、YVO4、フォルステライトMg2SiO4、YAlO3、GdVO4、若しくは多結晶セラミックのYAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Taのうち1種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザビームの基本波、及びこれらの基本波の第2高調波から第4高調波のレーザビームを照射することで、結晶性を良好にすることができる。なお、レーザ光は酸化物半導体膜のバンドギャップよりもエネルギーの大きいものを用いる方が好ましい。例えば、KrF、ArF、XeCl、又はXeFのエキシマレーザ発振器から射出されるレーザ光を用いてもよい。次いで、酸化物半導体膜404上に、保護膜405を形成し、保護膜405上にレジスト406を形成する図4F参照。レジスト406をマスクとしてフォトリソグラフィ工程により保護膜405を所望の形状に加工してチャネル保護膜407を形成する。チャネル保護膜には、酸化珪素SiOx、窒化珪素SiNx、酸化窒化珪素SiOxNyx>y、窒化酸化珪素SiNxOyx>yなどを適宜用いることができる。チャネル保護膜407を形成することにより、ソース電極層、ドレイン電極層を形成する際にチャネル部の半導体層のエッチングを防ぐことが出来る。本実施形態では、保護膜405として窒化珪素を成膜して、チャネル保護膜407を形成する図4G参照。次に、酸化物半導体膜404をフォトリソグラフィ工程を用いてレジストによるマスク408を作製し図4H、マスク408を用いてエッチングを行い、所望の形状に加工された酸化物半導体膜409島状酸化物半導体膜ともいうを形成する図5A。なお、エッチングには、希釈したフッ酸を用いる。その後、酸化物半導体膜409上に第1の導電膜411、第2の導電膜412を形成し、フォトリソグラフィ工程を用いてレジストによるマスク413を形成する図5B。マスク413を用いて第1の導電膜411、第2の導電膜412を所望の形状に加工し、ソース電極又はドレイン電極として機能する第1の導電膜414a、414b、第2の導電膜415a、415bを形成する図5C。マスクは、感光剤を含む市販のレジスト材料を用いてもよく、例えば、代表的なポジ型レジストである、ノボラック樹脂と感光剤であるナフトキノンジアジド化合物、ネガ型レジストであるベース樹脂、ジフェニルシランジオール及び酸発生剤などを用いてもよい。いずれの材料を用いるとしても、その表面張力と粘度は、溶媒の濃度を調整したり、界面活性剤等を加えたりして適宜調整する。また導電膜に感光性を有する感光性物質を含む導電性材料を用いると、レジストからなるマスクを形成しなくても導電膜に直接レーザ光を照射し、露光、エッチャントによる除去を行うことで、所望の形状に加工することができる。この場合、マスクを形成せずともよいので工程が簡略化する利点がある。感光性物質を含む導電性材料としては、Ag、Au、Cu、Ni、Al、Ptなどの金属或いは合金と、有機高分子樹脂、光重合開始剤、光重合単量体、または溶剤などからなる感光性樹脂とを含んだものを用いればよい。有機高分子樹脂としては、ノボラック樹脂、アクリル系コポリマー、メタクリル系コポリマー、セルローズ誘導体、環化ゴム系樹脂などを用いる。なお、第1の導電膜411を形成する前に、酸化物半導体膜404上に、n型の酸化物半導体として、例えば、アルミニウムを添加した酸化亜鉛AlZnO又はガリウムを添加した酸化亜鉛GaZnOからなる導電膜をもう一層設けてもよい。AlZnOまたはGaZnOからなる導電膜を形成することにより第1の導電膜411と酸化物半導体膜409との整合性が良くなりソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。また、例えば、GaZnO上にTi或いはTi上にGaZnOを形成した積層構造としてもよい。また、第1の導電膜414a、414b及び第2の導電膜415a、415bとして、アルミニウムAl、タングステンW、モリブデンMo、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、銅Cu、クロムCr、コバルトCo、ニッケルNi、白金Pt、チタンTi、ネオジウムNd等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物を適宜用いることができる。例えば、第1の導電膜がTiで第2の導電膜がAl、第1の導電膜がTaで第2の導電膜がW、第1の導電膜がTaNで第2の導電膜がAl、第1の導電膜がTaNで第2の導電膜がCu、第1の導電膜がTiで第2の導電膜がAlでさらに第3の導電膜としてTiを用いるといった組み合わせも考えられる。また1層目と2層目のいずれか一方にAgPdCu合金を用いても良い。W、AlとSiの合金Al-Si、TiNを順次積層した3層構造としてもよい。Wの代わりに窒化タングステンを用いてもよいし、AlとSiの合金Al-Siに代えてAlとTiの合金膜Al-Tiを用いてもよいし、TiNに代えてTiを用いてもよい。アルミニウムには耐熱性を向上させるためにチタン、シリコン、スカンジウム、ネオジウム、銅などの元素を0.5~5原子添加させても良い。また、第1の導電膜411及び第2の導電膜412を形成する導電性材料として、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、酸化インジウムIn2O3、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、窒化チタンなどの透光性を有する材料及びそれらを適宜組み合わせて形成してもよい。なお本実施形態では、酸化物半導体膜305にLRTAして結晶性を改善した後に第1の導電膜411及び第2の導電膜412を形成している。そのため、第1の導電膜411及び第2の導電膜412は、ゲート電極402よりもランプ光に対する反射率が低い材料を用いても構わず、配線又は電極として用いられる導電性材料は酸化物半導体膜305と整合性がよいものであれば実施形態1に挙げた材料に限らない。なお、本実施形態において、エッチング加工は、プラズマエッチングドライエッチング又はウエットエッチングのどちらを採用しても良いが、大面積基板を処理するにはプラズマエッチングが適している。エッチングガスとしては、CF4、NF3、SF6、CHF3などのフッ素系又はCl2、BCl3、SiCl4もしくはCCl4などを代表とする塩素系ガス、あるいはO2のガスを用い、HeやArなどの不活性ガスを適宜加えても良い。また、大気圧放電のエッチング加工を適用すれば、局所的な放電加工も可能であり、基板の全面にマスク層を形成する必要はない。なお、本実施形態のフォトリソグラフィ工程において、レジストを塗布する前に、酸化物半導体膜表面に、膜厚が数nm程度の絶縁膜を形成してもよい。この工程により酸化物半導体膜とレジストとが直接接触することを回避することが可能であり、レジストに含まれている不純物が酸化物半導体膜中に侵入するのを防止できる。以上の工程で、チャネル部の半導体層がエッチングされないボトムゲート型逆スタガ型ともいう。の薄膜トランジスタを作製することが出来る。なお、本実施形態では、ボトムゲート型のTFTを作製したが、基板上に設けられた酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極をLRTAで加熱して、少なくとも酸化物半導体膜のチャネル形成領域の結晶性を改善できるのであればトップゲート型TFTであってもよい。本実施形態は、実施形態1、2と適宜組み合わせることができる。実施の形態4本発明の実施の形態について、図6を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態3において、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタを有する半導体装置の例である。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。基板600上にゲート電極層602を形成し、ゲート電極層602を覆うようにゲート絶縁膜603a及びゲート絶縁膜603bを形成する図6A参照。ゲート絶縁膜603b上に酸化物半導体膜を形成し、基板表面からLRTAを行い、点線で示す領域にて結晶性が向上した第1の酸化物半導体領域604と、第1の酸化物半導体領域604よりも結晶化が進行していない第2の酸化物半導体領域605を有する酸化物半導体膜を形成する図6B参照。酸化物半導体膜上にマスク608を設け図6C、フォトリソグラフィ工程を用いて酸化物半導体膜を所望の形状に加工し、酸化物半導体膜609を形成する図6D。次に、第1の導電膜611及び第2の導電膜612を形成する。そして、レジストからなるマスク613を形成する。図6E参照。本実施の形態では、第1の導電膜611及び第2の導電膜612として、それぞれチタンとアルミニウムを含む導電膜をスパッタリング法によって形成する。その後、フォトリソグラフィ工程によりマスク613を用いて所望の形状に加工し、ソース電極又はドレイン電極として機能する第1の導電膜615a、615b、第2の導電膜616a、616bを形成する図6F。以上の工程で、半導体層におけるチャネル部の一部がエッチングされている薄膜トランジスタを作製することが出来る。なお、本実施形態において、酸化物半導体膜と第1の導電膜611の間にn型の酸化物半導体として、例えば、アルミニウムを添加した酸化亜鉛AlZnO又はガリウムを添加した酸化亜鉛GaZnOからなる導電膜をもう一層設けてもよい。また、例えば、GaZnO上にTi或いはTi上にGaZnOを形成した積層構造としてもよい。n型の酸化物半導体膜を形成することにより、ソース電極及びドレイン電極となる第1の導電膜611と、酸化物半導体膜との接続を良好にし、接触抵抗を下げることができる。本実施形態は、実施形態1、2と適宜組み合わせることができる。実施の形態5本実施の形態では、実施形態3又は実施形態4で形成したボトムゲート型の薄膜トランジスタと画素電極が接続された発光装置について図7を用いて説明する。なお、本実施の形態の薄膜トランジスタはチャネルエッチ型である。図7に、駆動回路に用いられるTFTの断面図と、画素部に用いられるTFTの断面図を示す。701は駆動回路に用いられるTFTの断面図に相当し、702は画素部に用いられるTFT断面図に相当し、703は該TFT702によって電流が供給される発光素子の断面図に相当する。TFT701、702はボトムゲート型である。駆動回路のTFT701は、基板700上に形成されたゲート電極710と、ゲート電極710を覆っているゲート絶縁膜711と、ゲート絶縁膜711を間に挟んでゲート電極710と重なっている、酸化亜鉛を含む酸化物半導体膜712とを有している。さらにTFT701は、ソース電極またはドレイン電極として機能する第1の導電膜713と、第2の導電膜714とを有している。なお、第1の導電膜713及び第2の導電膜714は配線層としても機能する。図7では、ゲート絶縁膜711が2層の絶縁膜で形成されているが、本発明はこの構成に限定されない。ゲート絶縁膜711が単層または3層以上の絶縁膜で形成されていても良い。また第2の導電膜714は、アルミニウム又はアルミニウムを含む合金で形成されている。そして一対の第2の導電膜714は、酸化物半導体膜712のチャネル形成領域を間に挟んで、向かい合っている。また第1の導電膜713は、チタンで形成されている。第1の導電膜713は必ずしも設ける必要はないが、酸化物半導体膜712と第2の導電膜714との電気的接触特性は良好となる。また、酸化物半導体膜712中の酸素が第2の導電膜に拡散するのを防止するバリア層としての機能も有する。その結果、TFTの信頼性を向上させることができる。なお、酸化物半導体膜は特に何をせずともn型を示すことが知られている。よって、チャネルが形成される第1の酸化物半導体膜には、p型の導電性を付与する不純物を添加し、極力I型真性半導体に近づくようにその導電型を制御しておいてもよい。画素部のTFT702は、基板700上に形成されたゲート電極720と、ゲート電極720を覆っているゲート絶縁膜711と、ゲート絶縁膜711を間に挟んでゲート電極720と重なっている、酸化物半導体膜722とを有している。さらにTFT702は、ソース電極またはドレイン電極として機能する一対の第1の導電膜723と、第2の導電膜724とを有している。また第2の導電膜724は、アルミニウム又はアルミニウムを含む合金で形成されている。そして一対の第2の導電膜724は、酸化物半導体膜722のチャネルが形成される領域を間に挟んで、向かい合っている。また第1の導電膜723は、チタンで形成されている。第1の導電膜723は必ずしも設ける必要はないが、酸化物半導体膜722との電気的接触特性は良好となる。また、酸化物半導体膜722中の酸素が第2の導電膜724に拡散するのを防止するバリア層としての機能も有する。その結果、TFTの信頼性を向上させることができる。なお、酸化物半導体膜722は特に何をせずともn型を示すことが知られている。よって、チャネルが形成される第1の酸化物半導体膜には、p型の導電性を付与する不純物を添加し、極力I型に近づくようにその導電型を制御しておいてもよい。また、TFT701、702を覆うように、絶縁膜からなる第1のパッシベーション膜740、第2のパッシベーション膜741が形成されている。第1のパッシベーション膜740及び第2のパッシベーション膜741は、プラズマCVD法又はスパッタリング法などの薄膜形成法を用い、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化窒化アルミニウム、または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボンDLC、窒素含有炭素CN、その他の絶縁性材料を用いて形成することができる。TFT701、702を覆うパッシベーション膜は2層に限らず、単層であっても良いし、3層以上であっても良い。例えば第1のパッシベーション膜740を窒化珪素、第2のパッシベーション膜741を酸化珪素で形成することができる。窒化珪素または窒化酸化珪素でパッシベーション膜を形成することで、外部からの不純物が半導体素子内に侵入するのを防いだり、TFT701、702が水分などの影響により、劣化するのを防ぐことができる。本実施の形態では、第1のパッシベーション膜740及び第2のパッシベーション膜741は同チャンバー内でガス切り替えを行い連続的に形成した。次いで、第2の導電膜724の一方を、発光素子703の画素電極730に接続している。次いで、絶縁層729隔壁、土手、バンク層とも呼ばれるを選択的に形成する。絶縁層729は、画素電極730上に開口部を有するように形成し、第2パッシベーション膜741を覆って形成する。本実施の形態では、絶縁層729を全面を覆うように形成し、レジスト等のマスクによって、エッチングする。絶縁層729は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウムその他の無機絶縁性材料、又はシロキサン系材料を出発材料として形成された珪素、酸素、水素からなる化合物のうちSi-O-Si結合を含む無機シロキサン系の絶縁材料、珪素と結合している水素がメチルやフェニルのような有機基によって置換された有機シロキサン系の絶縁材料で形成することができる。アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の感光性、非感光性の材料を用いて形成してもよい。絶縁層729は曲率半径が連続的に変化する形状が好ましく、上に形成される電界発光層731、対向電極732の被覆性が向上する。次いで、画素電極730上に接するように、電界発光層731が形成される。電界発光層731として、赤色R、緑色G、青色Bの発光を示す材料を、それぞれ蒸着マスクを用いた蒸着法等によって選択的に形成する。赤色R、緑色G、青色Bの発光を示す材料はカラーフィルタ同様、液滴吐出法により形成することもでき低分子または高分子材料など、この場合マスクを用いずとも、RGBの塗り分けを行うことができるため好ましい。なお、RGBによる三色の組合せの他に、エメラルドグリーンを加えた四色としてもよい。また、朱色を加えてもよい。また、白色発光するEL素子を含む画素を組み合わせても良い。該電界発光層731に接するように対向電極732が形成されている。なお発光素子703は陽極と陰極とを有しているが、いずれか一方を画素電極、他方を対向電極として用いる。こうして、発光素子を用いた表示機能を有する発光装置が完成する。本発明では、酸化物半導体膜のチャネル形成領域は少なくとも結晶化された領域を含むため、非晶質珪素膜を用いたTFTに比べて高い移動度のTFTを得ることができる。また、結晶性珪素膜を用いたTFTに比べて結晶化工程が低温で済むため、プロセスとして安価である。本実施形態は、実施形態1~4と適宜組み合わせることができる。実施の形態6本実施の形態では、本発明を適用したボトムゲート型の薄膜トランジスタからなる半導体素子と画素電極が接続された液晶表示装置について図13~図18を用いて説明する。なお、第2のパッシベーション膜741までの形成については、実施の形態5を参照することができるため、図7と同一の符号を付し説明について省略する。図13Aのように、第2のパッシベーション膜741を形成後、該第2のパッシベーション膜741を覆って、絶縁層1329を形成する。次いで、コンタクトホールを介して第2の導電膜714、724とそれぞれ接続する配線1371、1372、1373、1374を形成する。そして、第2の導電膜724は、配線1374を介して液晶素子1303の画素電極1330に電気的に接続している。画素電極1330は、透過型の液晶表示パネルを作製する場合には、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることができる。勿論、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物ITSOなども用いることができる。また、反射型の表示パネルを作製する場合には、反射性を有する金属薄膜として、チタン、タングステン、ニッケル、金、白金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、およびそれらの合金からなる導電膜などを用いることができる。画素電極1330は、蒸着法、スパッタ法、CVD法、印刷法または液滴吐出法などを用いて形成することができる。また画素電極1330上に接するように、配向膜1331が形成されている。一方、画素電極1330を間に挟んで第1の基板700と向かい合っている第2の基板1340の下には、対向電極1341と、配向膜1342が順に積層されている。そして、画素電極1330及び配向膜1331と、対向電極1341及び配向膜1342との間に液晶1343が設けられており、画素電極1330と液晶1343と対向電極1341とが重なり合っている部分が液晶素子1303に相当する。なお、画素電極1330は、図13Bに示すように、TFT702上に延設して形成してもよい。酸化物半導体膜は可視光に対して透光性を有するため、第1の導電膜713、723及び第2の導電膜714、724に透光性を有するインジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、窒化チタンなどを含む透明導電膜を用いた場合、画素部の開口率を上げることができる。なお、画素電極1330と対向電極1341との距離セルギャップは、スペーサ1361によって制御されている。図13Aでは、第1の基板700側に設けられた絶縁膜を所望の形状に加工することでスペーサ1361を形成しているが、別途用意した球状のスペーサを、配向膜1331上に分散して、セルギャップの制御を行うようにしても良い。1362はシール材に相当し、シール材1362によって、液晶1343を第1の基板700と第2の基板1340の間に封止することができる。また第1の基板700の、TFT701及びTFT702が形成されていない面に、偏光板1350が設けられている。また、第2の基板1340の、対向電極1341が形成されている面とは逆の面に、偏光板1351が設けられている。なお本発明の液晶表示装置は、配向膜及び偏光板の数及び設ける位置については、図13Aに示す構成に限定されない。本発明では、少なくとも酸化物半導体膜のチャネル形成領域における結晶性が改善されているので、非晶質珪素膜を用いたTFTに比べて高い移動度のTFTを得ることができる。また、結晶性珪素膜を用いたTFTに比べて結晶化工程が低温で済むため、プロセスとして安価である。さらに、ランプ加熱により選択的に酸化物半導体膜の結晶性を高めているため、酸化物半導体膜全体を結晶化するのに比べて結晶化にかかる時間を短縮できる。そのため、歩留まりを高めることができる。また、結晶化を選択的に行う且つ短時間で行うため、基板のシュリンクが起きにくく、樹脂基板等の比較的融点の低い基板を用いることができる。そのため、低コストでTFTを作製することができる。また、チャネル形成領域は可視光を吸収しないため、不要な光キャリアが発生しない。そのため、耐光性に優れたTFTを形成することができる。次に、本発明の液晶表示装置が有する画素の別の構成について説明する。図14Aに、画素の回路図の一形態を、図14Bに図14Aに対応する画素の断面構造の一形態を示す。図14A、図14Bにおいて、1501は画素へのビデオ信号の入力を制御するためのスイッチング用TFTに相当し、1502は液晶素子に相当する。具体的には、スイッチング用TFT1501を介して画素に入力されたビデオ信号の電位が、液晶素子1502の画素電極に供給される。なお1503は、スイッチング用TFT1501がオフのときに液晶素子1502の画素電極と対向電極の間の電圧を保持するための容量素子に相当する。具体的には、スイッチング用TFT1501は、ゲート電極が走査線Gに接続されており、ソース領域とドレイン領域が、一方は信号線Sに、他方は液晶素子1502の画素電極1504に接続されている。容量素子1503が有する2つの電極は、一方が液晶素子1502の画素電極1504に接続され、他方に一定の電位、望ましくは対向電極と同じ高さの電位が供給されている。なお、図14A、図14Bでは、スイッチング用TFT1501が直列に接続され、なおかつゲート電極1510が接続された複数のTFTが酸化物半導体膜1512を共有しているような構成を有する、マルチゲート構造となっている。マルチゲート構造とすることで、スイッチング用TFT1501のオフ電流を低減させることができる。具体的に図14A、図14Bではスイッチング用TFT1501が2つのTFTが直列に接続されたような構成を有しているが、3つ以上のTFTが直列に接続され、なおかつゲート電極が接続されたようなマルチゲート構造であっても良い。また、スイッチング用TFTは必ずしもマルチゲート構造である必要はなく、ゲート電極とチャネル形成領域が一つずつ通常のシングルゲート構造のTFTであっても良い。次に、本発明の液晶表示装置が有するTFTの、図13、図14とは異なる形態について説明する。図15に、駆動回路に用いられるTFTの断面図と、画素部に用いられるTFTの断面図を示す。2301は駆動回路に用いられるTFTの断面図に相当し、2302は画素部に用いられるスイッチング用TFTの断面図に相当し、2303は液晶素子の断面図に相当する。駆動回路のTFT2301と画素部のTFT2302は、基板2300上に形成されたゲート電極2310、2320と、ゲート電極2310、2320を覆っているゲート絶縁膜2311と、ゲート絶縁膜2311を間に挟んでゲート電極2310、2320と重なっている、チャネル形成領域に少なくとも結晶化した領域を有する酸化物半導体膜2312、2322とをそれぞれ有している。そして、酸化物半導体膜2312、2322のチャネル形成領域を覆うように、絶縁膜で形成されたチャネル保護膜2390、2391が形成されている。チャネル保護膜2390、2391は、TFT2301、2302の作製工程において、酸化物半導体膜2312、2322のチャネル形成領域がエッチングされてしまうのを防ぐために設ける。さらにTFT2301、2302は、ソース電極またはドレイン電極として機能する一対の第1の導電膜2313、2323と、第2の導電膜2314、2324とを有している。なお、第1の導電膜2313、2323及び第2の導電膜2314、2324は配線層としても機能する。図15では、ゲート絶縁膜2311が2層の絶縁膜で形成されているが、本発明はこの構成に限定されない。ゲート絶縁膜2311が単層または3層以上の絶縁膜で形成されていても良い。また第2の導電膜2314、2324は、アルミニウム又はアルミニウムを含む合金で形成されている。そして一対の第2の導電膜2314、2324は、酸化物半導体膜2322のチャネルが形成される領域を間に挟んでそれぞれ向かい合っている。また第1の導電膜2313、2323は、チタンで形成されている。第1の導電膜2313、2323は必ずしも設ける必要はないが、酸化物半導体膜2312、2322との電気的接触特性は良好となる。また、酸化物半導体膜2312、2322中の酸素が第2の導電膜2314、2324に拡散するのを防止するバリア層としての機能も有する。その結果、TFTの信頼性を向上させることができる。なお、酸化物半導体膜2312、2322は特に何をせずともn型を示すことが知られている。よって、チャネルが形成される酸化物半導体膜には、p型の導電性を付与する不純物を添加し、極力I型に近づくようにその導電型を制御しておいてもよい。また、TFT2301、2302を覆うように、絶縁膜からなる第1のパッシベーション膜2380、第2のパッシベーション膜2381が形成されている。第1のパッシベーション膜2380及び第2のパッシベーション膜2381は、プラズマCVD法又はスパッタリング法などの薄膜形成法を用い、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化窒化アルミニウム、または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボンDLC、窒素含有炭素CN、その他の絶縁性材料を用いて形成することができる。TFT2301、2302を覆うパッシベーション膜は2層に限らず、単層であっても良いし、3層以上であっても良い。例えば第1のパッシベーション膜2380を窒化珪素、第2のパッシベーション膜2381を酸化珪素で形成することができる。窒化珪素または窒化酸化珪素でパッシベーション膜を形成することで、外部からの不純物が半導体素子内に侵入するのを防いだり、TFT2301、2302が水分などの影響により、劣化するのを防ぐことができる。本実施の形態では、第1のパッシベーション膜2380及び第2のパッシベーション膜2381は同チャンバー内でガス切り替えを行い連続的に形成した。次いで、第2のパッシベーション膜2381を覆って、絶縁層2329を形成する。そして、コンタクトホールを介して第2の導電膜2314、2324とそれぞれ接続する配線2371、2372、2373、2374を形成する。そして、第2の導電膜2324は、配線2374を介して液晶素子2303の画素電極2330に電気的に接続している。また、画素電極2330上に接するように、配向膜2331が形成されている。一方、画素電極2330を間に挟んで第1の基板2300と向かい合っている第2の基板2340上には、対向電極2341と、配向膜2342が順に積層されている。そして、画素電極2330及び配向膜2331と、対向電極2341及び配向膜2342との間に液晶2343が設けられており、画素電極2330と液晶2343と対向電極2341とが重なり合っている部分が液晶素子2303に相当する。なお、画素電極は、TFT上に延設して形成してもよい。第1の導電膜及び第2の導電膜に透光性を有するインジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、窒化チタンなどを含む透明導電膜を用いた場合、画素部の開口率を上げることができる。なお、画素電極2330と対向電極2341との距離セルギャップは、スペーサ2361によって制御されている。図15では、絶縁膜を所望の形状に加工することでスペーサ2361を形成しているが、別途用意した球状のスペーサを、配向膜2331上に分散して、セルギャップの制御を行うようにしても良い。2362はシール材に相当し、シール材2362によって、液晶2343を第1の基板2300と第2の基板2340の間に封止することができる。また第1の基板2300の、TFT2301及びTFT2302が形成されている面とは逆の面に、偏光板2350が設けられている。また、第2の基板2340の、対向電極2341が形成されている面とは逆の面に、偏光板2351が設けられている。なお本発明の液晶表示装置は、配向膜及び偏光板の数及び設ける位置については、図15に示す構成に限定されない。次に、本発明の液晶表示装置に用いられる素子基板の構成を示す。図16に、信号線駆動回路6013のみを別途形成し、第1の基板6011上に形成された画素部6012と接続している素子基板の形態を示す。画素部6012及び走査線駆動回路6014は、少なくともチャネル形成領域に結晶化された領域を含む酸化物半導体膜を有するTFTを用いて形成する。非晶質珪素膜を用いるTFTよりも高い移動度が得られるトランジスタで信号線駆動回路を形成することで、走査線駆動回路よりも高い駆動周波数が要求される信号線駆動回路の動作を安定させることができる。なお、信号線駆動回路6013は、単結晶シリコンの半導体を用いたトランジスタ、多結晶の半導体を用いたTFT、またはSOIを用いたトランジスタであっても良い。画素部6012と、信号線駆動回路6013と、走査線駆動回路6014とに、それぞれ電源の電位、各種信号等が、FPC6015を介して供給される。なお、信号線駆動回路及び走査線駆動回路を、共に画素部と同じ基板上に形成しても良い。また、駆動回路を別途形成する場合、必ずしも駆動回路が形成された基板を、画素部が形成された基板上に張り合わせる必要はなく、例えばFPC上に張り合わせるようにしても良い。図17Aに、信号線駆動回路6023のみを別途形成し、第1の基板6021上に形成された画素部6022及び走査線駆動回路6024と接続している素子基板の形態を示す。画素部6022及び走査線駆動回路6024は、少なくともチャネル形成領域に結晶化された領域を含む酸化物半導体膜を用いたTFTによって形成する。信号線駆動回路6023は、FPC6025を介して画素部6022と接続されている。画素部6022と、信号線駆動回路6023と、走査線駆動回路6024とに、それぞれ電源の電位、各種信号等が、FPC6025を介して供給される。また、信号線駆動回路の一部のみまたは走査線駆動回路の一部のみを、少なくともチャネル形成領域に結晶化された領域を含む酸化物半導体膜を有するTFTを用いて画素部と同じ基板上に形成し、残りを別途形成して画素部と電気的に接続するようにしても良い。図17Bに、信号線駆動回路が有するアナログスイッチ6033aを、画素部6032、走査線駆動回路6034と同じ第1の基板6031上に形成し、信号線駆動回路が有するシフトレジスタ6033bを別途異なる基板に形成して基板6031に貼り合わせる素子基板の形態を、図17Bに示す。画素部6032及び走査線駆動回路6034は、少なくともチャネル形成領域に結晶化された領域を含む酸化物半導体膜を有するTFTを用いて形成する。信号線駆動回路が有するシフトレジスタ6033bは、FPC6035を介して画素部6032と接続されている。画素部6032と、信号線駆動回路に含まれるアナログスイッチ6033a、シフトレジスタ6033bと、走査線駆動回路6034とに、それぞれ電源の電位、各種信号等が、FPC6035を介して供給される。図16、図17に示すように、本発明の液晶表示装置は、駆動回路の一部または全部を、画素部と同じ基板上に、少なくともチャネル形成領域に結晶化された領域を含む酸化物半導体膜を有するTFTを用いて形成することができる。なお、別途形成した基板の接続方法は、特に限定されるものではなく、COGChipOnGlass方法やワイヤボンディング方法、或いはTABTapeAutomatedBonding方法などを用いることができる。また接続する位置は、電気的な接続が可能であるならば、図18に示した位置に限定されない。また、コントローラ、CPU、メモリ等を別途形成し、接続するようにしても良い。なお本発明で用いる信号線駆動回路は、シフトレジスタとアナログスイッチのみを有する形態に限定されない。シフトレジスタとアナログスイッチに加え、バッファ、レベルシフタ、ソースフォロワ等、他の回路を有していても良い。また、シフトレジスタとアナログスイッチは必ずしも設ける必要はなく、例えばシフトレジスタの代わりにデコーダ回路のような信号線の選択ができる別の回路を用いても良いし、アナログスイッチの代わりにラッチ等を用いても良い。図18Aに本発明を適用した液晶表示装置のブロック図を示す。図18Aに示す液晶表示装置は、液晶素子を備えた画素を複数有する画素部801と、各画素を選択する走査線駆動回路802と、選択された画素へのビデオ信号の入力を制御する信号線駆動回路803とを有する。図18Aにおいて信号線駆動回路803は、シフトレジスタ804、アナログスイッチ805を有している。シフトレジスタ804には、クロック信号CLK、スタートパルス信号SPが入力されている。クロック信号CLKとスタートパルス信号SPが入力されると、シフトレジスタ804においてタイミング信号が生成され、アナログスイッチ805に入力される。またアナログスイッチ805には、ビデオ信号videosignalが与えられている。アナログスイッチ805は入力されるタイミング信号に従ってビデオ信号をサンプリングし、後段の信号線に供給する。次に、走査線駆動回路802の構成について説明する。走査線駆動回路802は、シフトレジスタ806、バッファ807を有している。また場合によってはレベルシフタを有していても良い。走査線駆動回路802において、シフトレジスタ806にクロック信号CLK及びスタートパルス信号SPが入力されることによって、選択信号が生成される。生成された選択信号はバッファ807において緩衝増幅され、対応する走査線に供給される。走査線には、1ライン分の画素のトランジスタのゲートが接続されている。そして、1ライン分の画素のトランジスタを一斉にONにしなくてはならないので、バッファ807は大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。フルカラーの液晶表示装置で、R赤、G緑、B青に対応するビデオ信号を、順にサンプリングして対応する信号線に供給している場合、シフトレジスタ804とアナログスイッチ805とを接続するための端子数が、アナログスイッチ805と画素部801の信号線を接続するための端子数の1/3程度に相当する。よって、アナログスイッチ805を画素部801と同じ基板上に形成することで、アナログスイッチ805を画素部801と異なる基板上に形成した場合に比べて、別途形成した基板の接続に用いる端子の数を抑えることができ、接続不良の発生確率を抑え、歩留まりを高めることができる。図18Bに、図18Aとは異なる、本発明に係る液晶表示装置のブロック図を示す。図18Bにおいて信号線駆動回路813は、シフトレジスタ814、ラッチA815、ラッチB816、D/A変換回路以下、DAC817というを有している。走査線駆動回路812は、図18Aの場合と同じ構成を有しているものとする。シフトレジスタ814には、クロック信号CLK、スタートパルス信号SPが入力されている。クロック信号CLKとスタートパルス信号SPが入力されると、シフトレジスタ814においてタイミング信号が生成され、一段目のラッチA815に順に入力される。ラッチA815にタイミング信号が入力されると、該タイミング信号に同期して、ビデオ信号が順にラッチA815に書き込まれ、保持される。なお、図18BではラッチA815に順にビデオ信号を書き込んでいると仮定するが、本発明はこの構成に限定されない。複数のステージのラッチA815をいくつかのグループに分け、各グループごとに並行してビデオ信号を入力する、いわゆる分割駆動を行っても良い。なおこのときのグループの数を分割数と呼ぶ。例えば4つのステージごとにラッチをグループに分けた場合、4分割で分割駆動すると言う。ラッチA815の全てのステージのラッチへの、ビデオ信号の書き込みが一通り終了するまでの時間を、ライン期間と呼ぶ。実際には、上記ライン期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間に含むことがある。1ライン期間が終了すると、2段目のラッチB816にラッチ信号LatchSignalが供給され、該ラッチ信号に同期してラッチA815に保持されているビデオ信号が、ラッチB816に一斉に書き込まれ、保持される。ビデオ信号をラッチB816に送出し終えたラッチA815には、再びシフトレジスタ814からのタイミング信号に同期して、次のビデオ信号の書き込みが順次行われる。この2順目の1ライン期間中には、ラッチB816に書き込まれ、保持されているビデオ信号が、DAC817に入力される。DAC817では、入力されたビデオ信号をデジタルからアナログに変換し、対応する信号線に供給する。なお、図18A、図18Bに示す構成は、本実施形態に係る液晶表示装置の一形態であり、信号線駆動回路と走査線駆動回路の構成はこれに限定されない。なお、図16~18は、本実施形態に係る液晶表示装置に限らず、発光装置やその他の表示装置に用いることができる。なお、本実施形態は、実施形態1~4と適宜組み合わせることができる。本実施例では、実施形態5で説明した発光装置に用いる発光素子の形態を、図8を用いて説明する。図8Aは、第1の画素電極11に、透光性を有し且つ仕事関数の大きい導電膜を用い、第2の画素電極17に、仕事関数の小さい導電膜を用いて形成した例である。第1の画素電極11を透光性の酸化物導電性材料で形成し、代表的には酸化珪素を1~15原子の濃度で含む酸化物導電性材料で形成している。その上に正孔注入層若しくは正孔輸送層41、発光層42、電子輸送層若しくは電子注入層43を積層した発光物質を含む層16を設けている。第2の画素電極17は、LiFやMgAgなどアルカリ金属又はアルカリ土類金属の単体、化合物又は合金を含む第1の電極層33とアルミニウムなどの金属材料で形成する第2の電極層34で形成している。この構造の画素は、図中の矢印で示したように第1の画素電極11側から光を放射することが可能となる。図8Bは、第1の画素電極11に、仕事関数の大きい導電膜を用い、第2の画素電極17に、透光性を有し且つ仕事関数の小さい導電膜を用いて形成した例である。第1の画素電極11はアルミニウム、チタンなどの金属、又は該金属と化学量論的組成比以下の濃度で窒素を含む金属材料で形成する第1の電極層35と、酸化珪素を1~15原子の濃度で含む酸化物導電性材料で形成する第2の電極層32との積層構造で形成している。その上に正孔注入層若しくは正孔輸送層41、発光層42、電子輸送層若しくは電子注入層43を積層した発光物質を含む層16を設けている。第2の画素電極17は、LiFやCaFなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属の単体、化合物又は合金を含む第3の電極層33とアルミニウムなどの金属材料で形成する第4の電極層34で形成する。第2の電極のいずれの層をも100nm以下の厚さとして光を透過可能な状態としておくことで、図中の矢印で示したように第2の画素電極17から光を放射することが可能となる。図8Eは、両方向、即ち第1の電極及び第2の電極から光を放射する例を示し、第1の画素電極11に、透光性を有し且つ仕事関数の大きい導電膜を用い、第2の画素電極17に、透光性を有し且つ仕事関数の小さい導電膜を用いる。代表的には、第1の画素電極11を、酸化珪素を1~15原子の濃度で含む酸化物導電性材料で形成し、第2の画素電極17を、それぞれ100nm以下の厚さのLiFやCaFなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属の単体、化合物又は合金を含む第3の電極層33とアルミニウムなどの金属材料で形成する第4の電極層34で形成することで、図中の矢印で示したように、第1の画素電極11及び第2の画素電極17の両側から光を放射することが可能となる。図8Cは、第1の画素電極11に、透光性を有し且つ仕事関数の小さい導電膜を用い、第2の画素電極17に、仕事関数の大きい導電膜を用いて形成した例である。発光物質を含む層を電子輸送層若しくは電子注入層43、発光層42、正孔注入層若しくは正孔輸送層41の順に積層した構成を示している。第2の画素電極17は、発光物質を含む層16側から酸化珪素を1~15原子の濃度で含む酸化物導電性材料で形成する第2の電極層32、アルミニウム、チタンなどの金属、又は該金属と化学量論的組成比以下の濃度で窒素を含む金属材料で形成する第1の電極層35の積層構造で形成している。第1の画素電極11は、LiFやCaFなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属の単体、化合物又は合金を含む第3の電極層33とアルミニウムなどの金属材料で形成する第4の電極層34で形成するが、いずれの層も100nm以下の厚さとして光を透過可能な状態としておくことで、図中の矢印で示したように第1の画素電極11から光を放射することが可能となる。図8Dは、第1の画素電極11に、仕事関数の小さい導電膜を用い、第2の画素電極17に、透光性を有し且つ仕事関数の大きい導電膜を用いて形成した例である。発光物質を含む層を電子輸送層若しくは電子注入層43、発光層42、正孔注入層若しくは正孔輸送層41の順に積層した構成を示している。第1の画素電極11は図8Aと同様な構成とし、膜厚は発光物質を含む層で発光した光を反射可能な程度に厚く形成している。第2の画素電極17は、酸化珪素を1~15原子の濃度で含む酸化物導電性材料で構成している。この構造において、正孔注入層を無機物である金属酸化物代表的には酸化モリブデン若しくは酸化バナジウムで形成することにより、第2の電極層32を形成する際に導入される酸素が供給されて正孔注入性が向上し、駆動電圧を低下させることができる。また、第2の画素電極17を、透光性を有する導電膜で形成することで、図中の矢印で示したように、第2の画素電極17の両側から光を放射することが可能となる。図8Fは、両方向、即ち第1の画素電極及び第2の画素電極から光を放射する例を示し、第1の画素電極11に、透光性を有し且つ仕事関数の小さい導電膜を用い、第2の画素電極17に、透光性を有し且つ仕事関数の大きい導電膜を用いる。代表的には、第1の画素電極11を、それぞれ100nm以下の厚さのLiFやCaFなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属の単体、化合物又は合金を含む第3の電極層33とアルミニウムなどの金属材料で形成する第4の電極層34で形成し、第2の画素電極17を、酸化珪素を1~15原子の濃度で含む酸化物導電性材料で形成すればよい。なお、上記で述べたように発光物質を含む層16は、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送物質及び発光材料で形成し、その分子数から低分子系有機化合物、中分子系有機化合物昇華性を有さず、連鎖する分子の長さが10μm以下の有機化合物、代表的にはデンドリマー、オリゴマー等が挙げられる。、高分子系有機化合物から選ばれた一種又は複数種の層を含み、電子注入輸送性又は正孔注入輸送性の無機化合物と組み合わせても良い。電荷注入輸送物質のうち、特に電子輸送性の高い物質としては、例えばトリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]-キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラト-アルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、正孔輸送性の高い物質としては、例えば4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ]-ビフェニル略称:α-NPDや4,4’-ビス[N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ]-ビフェニル略称:TPDや4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ]-トリフェニルアミン略称:MTDATAなどの芳香族アミン系即ち、ベンゼン環-窒素の結合を有するの化合物が挙げられる。また、電荷注入輸送物質のうち、特に電子注入性の高い物質としては、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物が挙げられる。また、この他、Alq3のような電子輸送性の高い物質とマグネシウムMgのようなアルカリ土類金属との混合物であってもよい。電荷注入輸送物質のうち、正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物MoOxやバナジウム酸化物VOx、ルテニウム酸化物RuOx、タングステン酸化物WOx、マンガン酸化物MnOx等の金属酸化物が挙げられる。また、この他、フタロシアニン略称:H2Pcや銅フタロシアニンCuPc等のフタロシアニン系の化合物が挙げられる。発光層42は、発光波長帯の異なる発光層を画素毎に形成して、カラー表示を行う構成としても良い。典型的には、R赤、G緑、B青の各色に対応した発光層を形成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルター着色層を設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素部の鏡面化映り込みの防止を図ることができる。フィルター着色層を設けることで、従来必要であるとされていた円偏光版などを省略することが可能となり、発光層から放射される光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素部表示画面を見た場合に起こる色調の変化を低減することができる。発光層42を形成する発光材料には様々な材料がある。低分子系有機発光材料では、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン略称:DCJT、4-ジシアノメチレン-2-t-ブチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジル-9-イルエテニル]-4H-ピラン略称:DCJTB、ペリフランテン、2,5-ジシアノ-1,4-ビス[2-10-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルエテニル]ベンゼン、N,N’-ジメチルキナクリドン略称:DMQd、クマリン6、クマリン545T、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、9,9’-ビアントリル、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAや9,10-ビス2-ナフチルアントラセン略称:DNA等を用いることができる。また、この他の物質でもよい。一方、高分子系有機発光材料は低分子系に比べて物理的強度が高く、素子の耐久性が高い。また塗布により成膜することが可能であるので、素子の作製が比較的容易である。高分子系有機発光材料を用いた発光素子の構造は、低分子系有機発光材料を用いたときと基本的には同じであり、陰極、発光物質を含む層、陽極の順に積層した構造となる。しかし、高分子系有機発光材料を用いた発光物質を含む層を形成する際には、低分子系有機発光材料を用いたときのような積層構造を形成させることは難しく、多くの場合2層構造となる。具体的には、陰極、発光層、正孔輸送層、陽極という順に積層した構造である。発光色は、発光層を形成する材料で決まるため、これらを選択することで所望の発光を示す発光素子を形成することができる。発光層の形成に用いることができる高分子系の発光材料は、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポリチオフェン系、ポリフルオレン系が挙げられる。ポリパラフェニレンビニレン系には、ポリパラフェニレンビニレン[PPV]の誘導体、ポリ2,5-ジアルコキシ-1,4-フェニレンビニレン[RO-PPV]、ポリ2-2’-エチル-ヘキソキシ-5-メトキシ-1,4-フェニレンビニレン[MEH-PPV]、ポリ2-ジアルコキシフェニル-1,4-フェニレンビニレン[ROPh-PPV]等が挙げられる。ポリパラフェニレン系には、ポリパラフェニレン[PPP]の誘導体、ポリ2,5-ジアルコキシ-1,4-フェニレン[RO-PPP]、ポリ2,5-ジヘキソキシ-1,4-フェニレン等が挙げられる。ポリチオフェン系には、ポリチオフェン[PT]の誘導体、ポリ3-アルキルチオフェン[PAT]、ポリ3-ヘキシルチオフェン[PHT]、ポリ3-シクロヘキシルチオフェン[PCHT]、ポリ3-シクロヘキシル-4-メチルチオフェン[PCHMT]、ポリ3,4-ジシクロヘキシルチオフェン[PDCHT]、ポリ[3-4-オクチルフェニル-チオフェン][POPT]、ポリ[3-4-オクチルフェニル-2,2ビチオフェン][PTOPT]等が挙げられる。ポリフルオレン系には、ポリフルオレン[PF]の誘導体、ポリ9,9-ジアルキルフルオレン[PDAF]、ポリ9,9-ジオクチルフルオレン[PDOF]等が挙げられる。なお、正孔輸送性の高分子系有機発光材料を、陽極と発光性の高分子系有機発光材料の間に挟んで形成すると、陽極からの正孔注入性を向上させることができる。一般にアクセプター材料と共に水に溶解させたものをスピンコート法などで塗布する。また、有機溶媒には不溶であるため、上述した発光性の発光材料との積層が可能である。正孔輸送性の高分子系有機発光材料としては、PEDOTとアクセプター材料としてのショウノウスルホン酸CSAの混合物、ポリアニリン[PANI]とアクセプター材料としてのポリスチレンスルホン酸[PSS]の混合物等が挙げられる。また、発光層42は単色又は白色の発光を呈する構成とすることができる。白色発光材料を用いる場合には、画素の光放射側に特定の波長の光を透過するフィルター着色層を設けた構成としてカラー表示を可能にすることができる。白色に発光する発光層を形成するには、例えば、Alq3、部分的に赤色発光色素であるナイルレッドを添加したAlq3、Alq3、p-EtTAZ、TPD芳香族ジアミンを蒸着法により順次積層することで白色を得ることができる。また、スピンコートを用いた塗布法により発光層を形成する場合には、塗布した後、真空加熱で焼成することが好ましい。例えば、正孔注入層として作用するポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸水溶液PEDOT/PSSを全面に塗布、焼成し、その後、発光層として作用する発光中心色素1,1,4,4-テトラフェニル-1,3-ブタジエンTPB、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-p-ジメチルアミノ-スチリル-4H-ピランDCM1、ナイルレッド、クマリン6などを添加したポリビニルカルバゾールPVK溶液を全面に塗布、焼成すればよい。発光層は単層で形成することもでき、ホール輸送性のポリビニルカルバゾールPVKに電子輸送性の1,3,4-オキサジアゾール誘導体PBDを分散させてもよい。また、30wtのPBDを電子輸送剤として分散し、4種類の色素TPB、クマリン6、DCM1、ナイルレッドを適当量分散することで白色発光が得られる。ここで示した白色発光が得られる発光素子の他にも、発光層の材料を適宜選択することによって、赤色発光、緑色発光、または青色発光が得られる発光素子を作製することができる。なお、正孔輸送性の高分子系有機発光材料を、陽極と発光性の高分子系有機発光材料の間に挟んで形成すると、陽極からの正孔注入性を向上させることができる。一般にアクセプター材料と共に水に溶解させたものをスピンコート法などで塗布する。また、有機溶媒には不溶であるため、上述した発光性の有機発光材料との積層が可能である。正孔輸送性の高分子系有機発光材料としては、PEDOTとアクセプター材料としてのショウノウスルホン酸CSAの混合物、ポリアニリン[PANI]とアクセプター材料としてのポリスチレンスルホン酸[PSS]の混合物等が挙げられる。さらに、発光層42は、一重項励起発光材料の他、金属錯体などを含む三重項励起材料を用いても良い。例えば、赤色の発光性の画素、緑色の発光性の画素及び青色の発光性の画素のうち、輝度半減時間が比較的短い赤色の発光性の画素を三重項励起発光材料で形成し、他を一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝度を得るのに消費電力が少なくて済むという特徴がある。すなわち、赤色画素に適用した場合、発光素子に流す電流量が少なくて済むので、信頼性を向上させることができる。低消費電力化として、赤色の発光性の画素と緑色の発光性の画素とを三重項励起発光材料で形成し、青色の発光性の画素を一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高い緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、より低消費電力化を図ることができる。三重項励起発光材料の一例としては、金属錯体をドーパントとして用いたものがあり、第3遷移系列元素である白金を中心金属とする金属錯体、イリジウムを中心金属とする金属錯体などが知られている。三重項励起発光材料としては、これらの化合物に限られることはなく、上記構造を有し、且つ中心金属に周期表の8~10属に属する元素を有する化合物を用いることも可能である。以上に掲げる発光物質を含む層を形成する物質は一例であり、正孔注入輸送層、正孔輸送層、電子注入輸送層、電子輸送層、発光層、電子ブロック層、正孔ブロック層などの機能性の各層を適宜積層することで発光素子を形成することができる。また、これらの各層を合わせた混合層又は混合接合を形成しても良い。発光層の層構造は変化しうるものであり、特定の電子注入領域や発光領域を備えていない代わりに、もっぱらこの目的用の電極を備えたり、発光性の材料を分散させて備えたりする変形は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において許容されうるものである。本実施例では本発明に係る発光装置の表示パネルの画素回路、及びその動作構成について、図9を用いて説明する。表示パネルの動作構成は、ビデオ信号がデジタルの表示装置において、画素に入力されるビデオ信号が電圧で規定されるのものと、電流で規定されるのものとがある。ビデオ信号が電圧によって規定されるものには、発光素子に印加される電圧が一定のものCVCVと、発光素子に印加される電流が一定のものCVCCとがある。また、ビデオ信号が電流によって規定されるものには、発光素子に印加される電圧が一定のものCCCVと、発光素子に印加される電流が一定のものCCCCとがある。本実施例では、CVCV動作をする画素を図9A及びB用いて説明する。また、CVCC動作をする画素を図9C~Fを用いて説明する。図9A及びBに示す画素は、列方向に信号線3710及び電源線3711、行方向に走査線3714が配置される。また、スイッチング用TFT3701、駆動用TFT3703、容量素子3702及び発光素子3705を有する。なお、スイッチング用TFT3701及び駆動用TFT3703は、オンしているときは線形領域で動作する。また駆動用TFT3703は発光素子3705に電圧を印加するか否かを制御する役目を有する。両TFTは同じ導電型を有していると作製工程上好ましい。本実施例ではスイッチング用TFT3701をnチャネル型TFTとし、駆動用TFT3703をpチャネル型TFTとして形成する。また駆動用TFT3703には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のTFTを用いてもよい。また、駆動用TFT3703のチャネル幅Wとチャネルと長Lの比W/Lは、TFTの移動度にもよるが1~1000であることが好ましい。W/Lが大きいほど、TFTの電気特性が向上する。図9A、Bに示す画素において、スイッチング用TFT3701は、画素に対するビデオ信号の入力を制御するものであり、スイッチング用TFT3701がオンとなると、画素内にビデオ信号が入力される。すると、容量素子3702にそのビデオ信号の電圧が保持される。図9Aにおいて、電源線3711がVssで発光素子3705の対向電極がVddの場合、即ち図8C及びDの場合、発光素子の対向電極は陽極であり、駆動用TFT3703に接続される電極は陰極である。この場合、駆動用TFT3703の特性バラツキによる輝度ムラを抑制することが可能である。図9Aにおいて、電源線3711がVddで発光素子3705の対向電極がVssの場合、即ち図8A及びBの場合、発光素子の対向電極は陰極であり、駆動用TFT3703に接続される電極は陽極である。この場合、Vddより電圧の高いビデオ信号を信号線3710に入力することにより、容量素子3702にそのビデオ信号の電圧が保持され、駆動用TFT3703が線形領域で動作するので、TFTのバラツキによる輝度ムラを改善することが可能である。図9Bに示す画素は、TFT3706と走査線3715を追加している以外は、図9Aに示す画素構成と同じである。TFT3706は、新たに配置された走査線3715によりオン又はオフが制御される。TFT3706がオンとなると、容量素子3702に保持された電荷は放電し、駆動用TFT3703がオフとなる。つまり、TFT3706の配置により、強制的に発光素子3705に電流が流れない状態を作ることができる。そのためTFT3706を消去用TFTと呼ぶことができる。従って、図9Bの構成は、全ての画素に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始することができるため、発光のデューティ比を向上することが可能となる。上記動作構成を有する画素において、発光素子3705の電流値は、線形領域で動作する駆動用TFT3703により決定することができる。上記構成により、TFTの特性のバラツキを抑制することが可能であり、TFT特性のバラツキに起因した発光素子の輝度ムラを改善して、画質を向上させた表示装置を提供することができる。次に、CVCC動作をする画素を図9C~Fを用いて説明する。図9Cに示す画素は、図9Aに示す画素構成に、電源線3712、電流制御用TFT3704が設けられている。図9Eに示す画素は、駆動用TFT3703のゲート電極が、行方向に配置された電源線3712に接続される点が異なっており、それ以外は図9Cに示す画素と同じ構成である。つまり、図9C、Eに示す両画素は、同じ等価回路図を示す。しかしながら、行方向に電源線3712が配置される場合図9Cと、列方向に電源線3712が配置される場合図9Eとでは、各電源線は異なる層に形成された導電膜で形成される。ここでは、駆動用TFT3703のゲート電極が接続される配線に注目し、これらを作製する層が異なることを表すために、図9C、Eとして分けて記載する。なお、スイッチング用TFT3701は線形領域で動作し、駆動用TFT3703は飽和領域で動作する。また駆動用TFT3703は発光素子3705に流れる電流値を制御する役目を有し、電流制御用TFT3704は飽和領域で動作し発光素子3705に対する電流の供給を制御する役目を有する。図9D及びF示す画素はそれぞれ、図9C及びEに示す画素に、消去用のTFT3706と走査線3715を追加している以外は、図9C及びEに示す画素構成と同じである。なお、図9A及びBに示される画素でも、CVCC動作をすることは可能である。また、図9C~Fに示される動作構成を有する画素は、図9A及びBと同様に、発光素子の電流の流れる方向によって、Vdd及びVssを適宜変えることが可能である。上記構成を有する画素は、電流制御用TFT3704が線形領域で動作するために、電流制御用TFT3704のVgsの僅かな変動は、発光素子3705の電流値に影響を及ぼさない。つまり、発光素子3705の電流値は、飽和領域で動作する駆動用TFT3703により決定することができる。上記構成により、TFTの特性バラツキに起因した発光素子の輝度ムラを改善して、画質を向上させた表示装置を提供することができる。なお、容量素子3702を設けた構成を示したが、本発明はこれに限定されず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などで、まかなうことが可能な場合には、容量素子3702を設けなくてもよい。このようなアクティブマトリクス型の表示装置は、画素密度が増えた場合、各画素にTFTが設けられているため低電圧駆動でき、有利であると考えられている。また、本発明に係る表示装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、表示装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。本実施例では、本発明に係る駆動回路の実装について、図10を用いて説明する。図10Aに示すように、画素部1401の周辺に信号線駆動回路1402、及び走査線駆動回路1403a、1403bを実装する。図10Aでは、信号線駆動回路1402、及び走査線駆動回路1403a、1403b等として、公知の異方性導電接着剤、及び異方性導電フィルムを用いた実装方法、COG方式、ワイヤボンディング方法、並びに半田バンプを用いたリフロー処理等により、基板1400上にICチップ1405を実装する。ここでは、COG方式を用いる。そして、FPCフレキシブルプリントサーキット1406を介して、ICチップと外部回路とを接続する。また、図10Bに示すように、酸化物半導体でTFTを代表とする半導体素子を形成する場合、画素部1401と走査線駆動回路1403a、1403b等を基板上に一体形成し、信号線駆動回路1402等を別途ICチップとして実装する場合がある。図10Bにおいて、信号線駆動回路1402として、COG方式により、基板1400上にICチップ1405を実装する。そして、FPC1406を介して、ICチップと外部回路とを接続する。さらに、図10Cに示すように、COG方式に代えて、TAB方式により信号線駆動回路1402等を実装する場合がある。そして、FPC1406を介して、ICチップと外部回路とを接続する。図10Cにおいて、信号線駆動回路をTAB方式により実装しているが、走査線駆動回路をTAB方式により実装してもよい。ICチップをTAB方式により実装すると、基板に対して画素部を大きく設けることができ、狭額縁化を達成することができる。ICチップは、シリコンウェハを用いて形成するが、ICチップの代わりにガラス基板上にICを形成したIC以下、ドライバICと表記するを設けてもよい。ICチップは、円形のシリコンウェハからICチップを取り出すため、母体基板形状に制約がある。一方ドライバICは、母体基板がガラスであり、形状に制約がないため、生産性を高めることができる。そのため、ドライバICの形状寸法は自由に設定することができる。例えば、ドライバICの長辺の長さを15~80mmとして形成すると、ICチップを実装する場合と比較し、必要な数を減らすことができる。その結果、接続端子数を低減することができ、製造上の歩留まりを向上させることができる。ドライバICは、基板上に形成された結晶性半導体を用いて形成することができ、結晶性半導体は連続発振型のレーザ光を照射することで形成するとよい。連続発振型のレーザ光を照射して得られる半導体膜は、結晶欠陥が少なく、大粒径の結晶粒を有する。その結果、このような半導体膜を有するトランジスタは、移動度や応答速度が良好となり、高速駆動が可能となり、ドライバICに好適である。本発明の少なくともチャネル形成領域の結晶性が改善された酸化物半導体膜を用いてドライバICを形成してもよい。本実施例では、本発明に係る表示モジュールについて説明する。ここでは、表示モジュールの一例として、液晶モジュールを、図11を用いて示す。基板1601と対向基板1602とが、シール材1600により固着され、それらの間には画素部1603と液晶層1604とが設けられ表示領域を形成している。着色層1605は、カラー表示を行う場合に必要であり、RGB方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応した着色層が各画素に対応して設けられている。基板1601と対向基板1602との外側には、偏光板1606、1607が配設されている。また、偏光板1606の表面には、保護膜1616が形成されており、外部からの衝撃を緩和している。基板1601に設けられた接続端子1608には、FPC1609を介して配線基板1610が接続されている。配線基板1610には、画素駆動回路ICチップ、ドライバIC等、コントロール回路や電源回路などの外部回路1612が組み込まれている。冷陰極管1613、反射板1614、及び光学フィルム1615はバックライトユニットであり、これらが光源となって液晶表示パネルへ光を投射する。液晶パネル、光源、配線基板、FPC等は、ベゼル1617で保持及び保護されている。本実施例は、本発明に係る電子機器として、テレビジョン装置単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ、PDA等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等について図面を参照して説明する。図12Aに示す携帯情報端末は、本体9201、表示部9202等を含んでいる。本発明の一である表示装置を用いることにより、携帯情報端末を安価に提供することができる。図12Bに示すデジタルビデオカメラは、表示部9701、表示部9702等を含んでいる。本発明の一である表示装置を用いることにより、デジタルビデオカメラを安価に提供することができる。図12Cに示す携帯端末は、本体9101、表示部9102等を含んでいる。表示部9102は、実施形態1~5、及び実施例1~4で示すものを適用することができる。本発明の一である表示装置を用いることにより、携帯端末を安価に提供することができる。図12Dに示す携帯型のテレビジョン装置は、本体9301、表示部9302等を含んでいる。本発明の一である表示装置を用いることにより、携帯型のテレビジョン装置を安価に提供することができる。このようなテレビジョン装置は携帯電話などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの例えば40インチ以上まで、幅広く適用することができる。図12Eに示す携帯型のコンピュータは、本体9401、表示部9402等を含んでいる。本発明の一である表示装置を用いることにより、携帯型のコンピュータを安価に提供することができる。図12Fに示すテレビジョン装置は、本体9501、表示部9502等を含んでいる。本発明の一である表示装置を用いることにより、テレビジョン装置を安価に提供することができる。上記に挙げた電子機器において、二次電池を用いているものは、消費電力を削減した分、電子機器の使用時間を長持ちさせることができ、二次電池を充電する手間を省くことができる。本実施例では、本発明に用いるLRTA装置の構成について図19を用いて説明する。図19Aにおいて、ガラス基板1901上に、ゲート電極1922、ゲート絶縁膜1923a、1923b、酸化物半導体膜1902が形成されている。また、基板下面側に赤外光ランプ1903、基板上面側に紫外光ランプ1904が設けられている。そして、紫外光ランプ1904に並列して第1の赤外光補助ランプ1905、第2の赤外光補助ランプ1906を配置する。なお、第1の赤外光補助ランプ1905、第2の赤外光補助ランプ1906は設けなくてもよい。また、本実施例では紫外光ランプ1904の基板の移動方向に対して前方および後方に第1の赤外光補助ランプ1905、第2の赤外光補助光ランプ1906を配置する構成としているが、片方のみに配置した構成とすることもできる。以上の様な構成において、各ランプ赤外光ランプ1903~第2の赤外光補助ランプ1906は図中の矢印の方向に向かって移動し、線状光を走査する。本実施例の構成では、まずゲート絶縁膜1923a、1923bを介してゲート電極1922と重なっている酸化物半導体膜1902の点線で示す領域1908に第1の赤外光補助ランプ1905により赤外光が照射されて加熱される。そして、基板の移動に伴い前方へと移動していく。なお、基板にランプ照射をする際に各ランプを移動させているが、ガラス基板1901を移動させても又はランプと基板の両方を移動させてもよい。第1の赤外光補助ランプ1905照射後、基板上面側から紫外光ランプ1904からの紫外光が照射され、かつ、基板下面側から赤外光ランプ1903からの赤外光が照射されてゲート電極1922と重なる酸化物半導体膜1902の領域1908が加熱される。本実施例の場合、酸化物半導体膜1902の結晶化はこの領域1908が優先して行われる。紫外光ランプ1904及び赤外光ランプ1903からの照射により加熱された領域1908は、紫外光ランプ1904後方に配置された第2の赤外光補助ランプ1906からの赤外光により加熱される。第2の赤外光補助ランプ1906からの赤外光の照射は、結晶化が促進した領域1908をさらに加熱するために設けられている。以上の様に、酸化物半導体膜1902中のゲート電極1922と重なる領域途中から結晶性酸化物半導体膜となる領域1908は、見かけ上基板の移動に伴って前方へ移動する。ここで図19Bに示すのは、酸化物半導体膜1902の領域1908について、時間Timeと温度Temp.の関係を示した図である。図19Bに示す様に、時間の経過に伴ってまず前加熱プレヒート状態となり、次いで主加熱メインヒート状態、後加熱ポストヒート状態と続く。図19Bから明らかな様に、プレヒート状態ではある程度にまで温度が上げられ、次のメインヒート状態との温度勾配を緩和する役割を果たしている。これは、メインヒート状態で急激に熱せられて酸化物半導体膜に歪みエネルギー等が蓄積するのを防ぐための工夫である。そのため、第1の赤外光補助ランプ1905の出力エネルギーは赤外光ランプ1903の出力エネルギーよりも小さめに設定しておくことが望ましい。この時、どの様な温度勾配を形成する様に調節するかは実施者が適宜決定すれば良い。次に、プレヒート状態を通過すると、基板下面側から赤外光を照射され、膜面温度が250~570°Cでまで上昇したメインヒート状態となる。この状態で酸化物半導体膜1902中の領域1908は結晶性が良好となる。なお、同時に照射される紫外光は電子励起に寄与するので熱的な変化はもたらさない。メインヒート状態で得られた結晶性が改善した領域1908は紫外光ランプ1904の後方に配置された第2の赤外光補助ランプ1906によって加熱される。このポストヒート状態は、メインヒート状態の急冷により熱的平衡の崩れた状態で結晶化が終了するのを防ぐ役割を果たす。これは結晶化に要する時間に余裕を持たせて最も安定な結合状態を得るための工夫である。従って、第2の赤外光補助ランプ1906も基板下面に配置される赤外光ランプ1903よりも出力エネルギーを小さく設定し、徐々に温度が下がる様な温度勾配を形成する様に調節することが望ましい。以上の様な構成とすることで、ゲート電極と重なる酸化物半導体膜の一部が加熱されるため、基板のシュリンクを抑制することができる。また、結晶化工程を各ランプ又は基板を移動させながら行うことによりスループットを上げることができる。また、酸化物半導体膜の急加熱および結晶性酸化物半導体膜の急冷により生じうる応力歪み、不対結合手等の結晶欠陥の発生を抑制し、結晶性に優れた領域1908を有する酸化物半導体膜を得ることができる。また、第1の赤外光補助ランプ1905、第2の赤外光補助ランプ1906を設けずに照射加熱を行うことで、基板にかかる熱を抑制してもよい。なお、本実施例では、線状ランプを用いたLRTA装置の構成について説明したが、面状ランプを用いて結晶化工程を行ってもよい。本実施例では、本発明に係る半導体装置を電気泳動表示装置に適用した例について図20を参照しながら示す。図20に示す電気泳動表示装置は、本体2010、画像を表示する画素部2011、ドライバIC2012、受信装置2013、フィルムバッテリー2014などを含んでいる。ドライバIC2012や受信装置2013などは半導体部品を用い実装しても良い。本発明の半導体装置は画素部2011やドライバIC2012に用いることができる。なお、画素部2011は、マイクロカプセルやジリコンビーズなどが配列された表示層と、それを制御するドライバ層が積層した構造となっている。表示層とドライバ層は2枚のプラスチックフィルムで挟まれている。このような電気泳動表示装置は電子ペーパーとも呼ばれており、非常に軽く、可撓性を有していることから筒状に丸めることも可能であり、持ち運びに非常に有利である。したがって、大画面の表示媒体を自由に持ち運びすることができる。また、本発明の半導体装置を画素部2011等に用いるため、安価な表示装置を提供することができる。本実施例の電気泳動表示装置として様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第1の粒子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するものである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの無色を含むとする。マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、本発明の半導体装置は、可視光に対して透光性を有する酸化物半導体膜に併せて、ソース電極及びドレイン電極などに可視光に対して透光性を有するインジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、窒化チタンなどを含む透明導電膜を用いることができる。ドライバ層に用いるTFTに従来のアモルファスシリコンやポリシリコンを用いたのであれば、チャネル形成領域に光が照射されないようにするために、チャネル形成領域に重ねて遮光膜を設けることを要する。しかしながら、本発明のように、可視光に対して透光性を有する酸化物半導体膜、ソース電極およびドレイン電極を用いてドライバ層を作製することにより、両面表示の電気泳動表示装置を得ることができる。尚、本発明の半導体装置は、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等に加え、冷蔵庫装置、洗濯機、炊飯器、固定電話装置、真空掃除機、体温計など家庭電化製品から、電車内の吊し広告、鉄道駅や空港の発着案内版など大面積のインフォメーションディスプレイまで、主に静止画像を表示する手段として用いることができる。本実施例は、本発明に係るデジタルオーディオプレーヤーについて図21を参照して説明する。図21に示すデジタルオーディオプレーヤーは、本体2110、表示部2111、メモリ部2112、操作部2113、イヤホン2114等を含んでいる。なお、イヤホン2114の代わりにヘッドホンや無線式イヤホンを用いることができる。表示部2111として、液晶又は有機EL等を用いることができる。メモリ部2112として、記録容量が20メガバイトMB~200ギガバイトGBのフラッシュメモリを用い、操作部2113を操作することにより、映像や音声音楽を記録、再生することができる。本発明の半導体装置が有するTFTの酸化物半導体膜のチャネル形成領域は少なくとも結晶化した領域を有するため、本発明の半導体装置を表示部2111に設けることで、安価で性能のよいデジタルオーディオプレーヤーを提供することができる。さらに、酸化物半導体膜のチャネル形成領域は透明であり可視光を吸収しないため、不要な光キャリアが発生しない。そのため、チャネル形成領域において光照射による特性劣化が生じないため、信頼性の高いデジタルオーディオプレーヤーを提供することができる。本実施例は、実施形態1~6、実施例1~4と適宜組み合わせることができる。"