"マスク上の欠陥を検出する機構及び欠陥を修正する機構を備えたマスク欠陥修正装置を用い、マスク上の欠陥を修正する反射型マスクの欠陥修正方法であって、前記マスク欠陥修正装置により取得されたマスクパターン像に対して、ウェハ転写光学像を模擬することにより欠陥合否判定を行うAIMSにて別途取得されたウェハ転写光学模擬パターン像を参照することにより、マスク欠陥位置を特定する工程と、前記特定されたマスク欠陥位置を元に、前記マスク欠陥修正装置で前記欠陥を修正する工程と、を含むことを特徴とする反射型マスクの欠陥修正方法。マスク上の欠陥を検出する機構及び欠陥を修正する機構を備えたマスク欠陥修正装置を用い、マスク上の欠陥を修正する反射型マスクの欠陥修正方法であって、反射型マスクの欠陥を、ウェハ転写光学像を模擬することにより欠陥合否判定を行うAIMSにて検出する工程と、前記マスクの前記検出された欠陥の近傍位置に前記マスク欠陥修正装置で検出可能なマーカを形成する工程と、前記マスク欠陥修正装置で前記マーカを検出すると共に、該マーカの位置を基準にして前記欠陥を修正する工程と、前記欠陥が修正されたマスクから前記マーカを除去する工程と、を含むことを特徴とする反射型マスクの欠陥修正方法。前記マーカとして、前記マスク上に局所的にカーボンを堆積することを特徴とする請求項2記載の反射型マスクの欠陥修正方法。前記マーカを形成する工程として、前記マスク上に形成されたパターンの一部をエッチングし、前記マーカを除去する工程として、前記エッチングした部分に遮光材料を堆積することを特徴とする請求項2記載の反射型マスクの欠陥修正方法。前記AIMSにて前記マーカから前記欠陥までの距離を測定し、前記マスク欠陥修正装置では、前記検出したマーカから前記測定された距離の位置に欠陥があるものとして該欠陥を修正することを特徴とする請求項2乃至4の何れかに記載の反射型マスクの欠陥修正方法。前記マスクは、基板上に多層反射膜を形成し、該多層反射膜上に吸収体のパターンを形成したものであることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の反射型マスクの欠陥修正方法。ステージ上に載置されたマスクの欠陥検出機能及び欠陥修正機能を備えたマスク欠陥修正機構と、前記ステージ上に載置された前記マスクに対してウェハ転写像を模擬することにより欠陥合否判定を行うAIMS機構と、を具備し、前記各機構の前記ステージが共通であり、該ステージが前記マスク欠陥修正機構と前記AIMS機構で移動可能となっていることを特徴とするマスク欠陥修正装置。前記マスク欠陥修正機構は、前記マスク上で電子ビームを走査する光学系と、前記マスクが収容された空間にエッチングガス又は堆積ガスを供給するガス導入系を有し、欠陥修正のために、前記ガスを導入すると共に、前記AIMS機構で検出された欠陥の位置に前記電子ビームを照射することを特徴とするマスク欠陥修正装置。発明が解決しようとする課題は、位相欠陥の修正時における欠陥位置を正確に検出することができ、位相欠陥の修正精度の向上をはかり得る反射型マスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置を提供することである。実施形態は、マスク上の欠陥を検出する機構及び欠陥を修正する機構を備えたマスク欠陥修正装置を用い、マスク上の欠陥を修正する反射型マスクの欠陥修正方法であって、反射型マスクの欠陥を、ウェハ転写光学像を模擬することにより欠陥合否判定を行うAIMSにて検出する工程と、前記マスクの前記検出された欠陥の近傍位置に前記マスク欠陥修正装置で検出可能なマークを形成する工程と、前記マスク欠陥修正装置で前記マークを検出すると共に、該マークの位置を基準にして前記欠陥を修正する工程と、前記欠陥が修正されたマスクから前記マークを除去する工程と、を含むことを特徴とする。以下、実施形態の反射型マスクの欠陥修正方法及び修正装置を、図面を参照して説明する。第1の実施形態図1a~eは、第1の実施形態に係わる反射型マスクの欠陥修正方法を説明するためのもので、位相欠陥付きブランクスから作製されるEUV露光用マスクの修正フローを示す工程断面図である。図1aは、基板10上に多層反射膜及び吸収体等を形成したマスクブランクスである。低熱膨張率基板10上に露光光を反射する40対程度に積層したMo/Si多層膜多層反射膜11が形成され、その上に保護層12としてRu膜が形成されている。さらに、保護層12上に、露光光を吸収するTaBNからなる吸収体13が形成され、その上に低反射層LR層14が形成されている。基板10の裏面側には静電チャック等に利用するための導電層15が形成されている。また、多層膜11内に位相欠陥20が形成されているものとする。図1bに示すように、マスクブランクス上にEB描画用ポジ型レジスト16を塗布し、EB描画、現像によりパターニングする。次いで、図1cに示すように、LR層14及び吸収体13をRIE加工によりパターニングする。その後、図1dに示すように、レジスト16を剥離し、洗浄することにより、マスクを完成する。このマスクをマスク欠陥修正装置へ搬送し、次のようにして欠陥の検出及び欠陥の修正を行う。ここで、マスク欠陥修正装置は、一般に電子ビームを照射スキャンする機構、ガスを照射する機構を備えており、局所的に吸収体を堆積又は除去することが可能となっている。さらに、電子ビームのスキャンによりSEM画像を得ることができるようになっている。まず、図1dに示すマスクをマスク検査工程へ進め、予めブランクス段階で検出された位相欠陥の座標情報や、マスク検査工程により得られた座標情報を基に、欠陥合否判定のためのAIMSAerialImagingMeasuringSystem工程へと進める。ここで、AIMSとは、露光光と等価或いは相関の取れる露光条件でマスクパターンの空間像を計測し、リファレンスパターンとの空間像比較で良否判定を行うものであり、照明系及び投影系は露光装置と略等価であるが、マスクの観察領域は極めて小さくなっている。マスク欠陥修正装置には、電子ビームの走査によりSEM画像を得る欠陥検出機能が備えられているが、この欠陥検出機能では多層膜11内の位相欠陥20は検査できない。そこで、AIMSを用い、多層膜11内の位相欠陥20を検査し、該欠陥20の大きさ及び位置等を検出する。マスク欠陥修正装置によるSEM画像とAIMS画像を、図2abに示す。図2aに示すSEM画像では、実際には位相欠陥20の箇所を特定できない。これに対し、図2bに示すAIMS画像では、位相欠陥20の箇所を正確に特定することができる。そこで、AIMSにて特定されたマスク欠陥位置を元に、マスク欠陥修正装置で欠陥を修正する。具体的には、SEM画像とAIMS画像の各基準点を揃え、座標を合わせることにより、マスク欠陥修正装置においても位相欠陥の位置を推定することができる。そして、エッチングガスの供給と電子ビームの選択照射により、図1eに示すように、位相欠陥周辺と推定される位置で吸収体13を局所的に除去することで、位相欠陥20の修正を行う。マスク修正後のSEM画像とAIMS画像を、図3abに示す。図3aに示すSEM画像では、位相欠陥20の近傍において吸収体13が一部除去されていることが分かる。図3bに示すAIMS画像では、位相欠陥箇所が修正されていることが分かる。なお、本実施形態では、保護層12としてRuを用いたが、例えば保護層12としてSi、吸収体13と保護層12との間にCrNを主成分とするバッファを用いることも可能である。また、本実施形態では電子ビームにより欠陥修正を行ったが、イオンビームによる欠陥修正を行ってもよい。このように本実施形態によれば、AIMS画像で位相欠陥位置を特定することにより、マスク修正装置のイメージング機能では検出できない位相欠陥の位置を正確に特定することができる。そして、AIMS画像で特定された欠陥位置を元にマスク修正装置で欠陥を修正することにより、位相欠陥の修正精度を高めることができる。第2の実施形態図4は、第2の実施形態に係わる反射型マスクの欠陥修正方法を説明するためのもので、位相欠陥付きEUV露光用マスクの修正フローを示す工程断面図である。なお、図4中のa1~a3は位相欠陥部の断面を示し、b1~b3はマーク部の断面を示している。先に説明した第1の実施形態同様にして、前記図1a~dの工程により形成されたマスクをマスク欠陥修正装置へ搬送する。そして、マスク検査工程へ進め、予めブランクス段階で検出された位相欠陥の座標情報や、マスク検査工程により得られた座標情報を基に、欠陥合否判定のためのAIMS工程へと進める。先にも説明したように、マスク欠陥修正装置の欠陥検出機能では多層膜11内の位相欠陥20は検査できない。そこで、AIMSを用い、多層膜11内の位相欠陥20を検査し、該欠陥20の大きさ及び位置等を検出する。マスク欠陥修正装置によるSEM画像とAIMS画像は、前記図2abに示した通りであり、図2bに示すAIMS画像では、位相欠陥箇所を正確に特定することができる。そこで、図4a1b1に示すように、AIMS画像を元に、位相欠陥20の近傍に、ワンポイント用のマーカ30をカーボンデポにより形成する。具体的には、マスク欠陥修正装置内に堆積ガスを供給すると共に、欠陥近傍位置に電子ビームを選択的に照射することにより、カーボンからなるマーカ30を形成する。このマーカ30の形成位置は、必ずしも厳密に制御する必要はなく、AIMS画像から得られた欠陥位置を元に位相欠陥と予想される位置の近傍であればよい。マーカ30が形成された状態を検査したのが、図5abである。図5aに示すようにSEM画像では、位相欠陥20は検出できないがマーカ30は検出することができる。図5bに示すAIMS画像では、位相欠陥20及びマーカ30共に検出することができる。従って、マスク修正装置のイメージングでは検出できない位相欠陥20とマーカ30との相対位置関係をAIMSにより算出することにより、マスク修正装置で修正すべき位相欠陥20の場所を特定することができることになる。次いで、図4a2b2に示すように、位相欠陥20の周辺の吸収体13を局所的に除去することにより、位相欠陥20の修正を行う。この修正には、先の実施形態と同様に、エッチングガスの供給と電子ビームの選択照射を行えばよい。欠陥修正後のSEM画像とAIMS画像は、図6abに示した通りである。図6aに示すSEM画像では、位相欠陥箇所近傍の吸収体13が一部除去されていることが分かる。図6bに示すAIMS画像では、位相欠陥箇所が修正されていることが分かる。修正最中のドリフトが懸念される場合には、AIMS画像より取得されたワンポイント箇所と欠陥箇所の位置関係を元に、欠陥位置のドリフト補正を行う。次いで、図4a3b3に示すように、位相欠陥近傍の吸収体加工が終了した後にワンポイント用のマーカ30を除去することにより、位相欠陥20の修正が終了する。マーカ30の除去は、マスク欠陥修正装置内にエッチングガスを供給すると共に、マーカ30の部分に電子ビームを照射すればよい。このマーカ除去後のSEM画像とAIMS画像は、図7abに示した通りである。なお、本実施形態では、カーボンデポによリマーカ30の加工を行ったが、吸収体13の一部をエッチングにより加工し、位相欠陥近傍の吸収体加工後にワンポイント用に加工した吸収体13に対してカーボンを含むガスにより遮光材料をデポすることで転写インパクトの無い元の状態に戻してもよい。また、本実施形態では、電子ビームにより欠陥修正を行ったが、イオンビームによる欠陥修正を行ってもよい。このように本実施形態によれば、AIMS画像で位相欠陥位置を特定することにより、マスク修正装置のイメージング機能では検出できない位相欠陥の位置を正確に特定することができ、先の第1の実施形態と同様の効果が得られる。しかも、位相欠陥近傍にワンポイント加工を行うことにより、AIMS画像においてワンポイント加工箇所と修正箇所の相対位置関係を把握できているので、修正最中のドリフトが懸念される場合にも位相欠陥の位置を正確に特定することができ、位相欠陥の修正精度を更に高めることができる。第3の実施形態図8は、第3の実施形態に係わるマスク欠陥修正装置を示す概略構成図である。本実施形態のマスク欠陥修正装置は、通常の欠陥修正装置と同様の欠陥修正部100に加え、AIMS部200を備えている。欠陥修正部100には、EB鏡筒101,ガスノズル102等が設けられており、電子ビームの走査により欠陥SEM画像を検出すると共に、ガス照射により欠陥の修正黒系欠陥の除去、白系欠陥に対する膜の堆積を行うようになっている。AIMS部200は、UV光等の光源201、明視野光学系202、CCD等の検出器203等を備えており、ウェハ転写光学像を模擬することにより欠陥合否判定を行うようになっている。また、ステージ300は欠陥修正部100とAIMS部200で共通となっており、マスク301はステージ300の移動により欠陥修正部100とAIMS部200との間で移動可能となっている。このように本実施形態によれば、欠陥修正部100とAIMS部200でステージ300を共用することにより、欠陥修正部100とAIMS部200との間での位置ずれを無くす、若しくは低減することができる。このため、先の第1の実施形態のように、AIMSにて特定されたマスク欠陥位置を元に、マスク欠陥修正装置で欠陥を修正する際に、位置ずれなくして正確な修正が可能となる。さらに、欠陥修正とAIMS計測を同一装置で行うことから、欠陥修正に要する時間の短縮をはかることもできる。変形例なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、マスクとしてEUV露光用マスクの例を説明したが、必ずしもEUV露光用マスクに限らず反射型マスクであれば適用可能である。また、マスクを構成する多層膜、吸収体、その他の材料は、実施形態で説明したものに限らず適宜変更可能である。本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"