"実装基板上に設けられた複数の磁気センサと、該磁気センサに空間を介して設けられた磁石とを備えた位置検出装置において、前記磁石又は前記磁気センサを前記実装基板上に沿って移動させたときの前記複数の磁気センサのうちの1つの磁気センサからの出力信号の正負を判定して、他の磁気センサからの出力信号を出力する比較判定手段と、該比較判定手段によって判定された正負の出力信号に応じて、前記1つの磁気センサの出力信号を他の磁気センサからの出力信号で除算する除算手段とを備えたことを特徴とする位置検出装置。前記複数の磁気センサが3個のホール素子であって、該3個のホール素子のうち中心位置にある第2のホール素子と、該第2のホール素子に対して等間隔に配置された第1及び第3のホール素子とを備え、前記比較判定手段は、前記第2のホール素子からの出力信号の第2の差分信号の正負を判定して、該第2の差分信号が正0を含むならば、前記第1のホール素子からの出力信号の第1の差分信号を出力し、該第2の差分信号が負ならば、前記第3のホール素子からの出力信号の第3の差分信号を出力し、前記除算手段は、前記第2の差分信号を前記第1の差分信号で除算、又は前記第2の差分信号を前記第3の差分信号で除算することを特徴とする請求項1に記載の位置検出装置。前記第1のホール素子の出力電圧をVa1、Va2とし、前記第2のホール素子の出力電圧をVb1、Vb2とし、前記第3のホール素子の出力電圧をVc1、Vc2とした場合に、前記第1のホール素子の前記出力電圧Va1とVa2から第1の差分電圧Vha=Va1-Va2を得る第1の差動増幅器と、前記第2のホール素子の前記出力電圧Vb1とVb2から第2の差分電圧Vhb=Vb1-Vb2を得る第2の差動増幅器と、前記第3のホール素子の前記出力電圧Vc1とVc2から第3の差分電圧Vhc=Vc2-Vc1を得る第3の差動増幅器とを備え、前記比較判定手段は、前記第2の差分電圧Vhbの正負を判定して、該第2の差分信号が正0を含むならば、前記第1の差分信号Vhaを出力し、該第2の差分信号が負ならば、前記第3の差分信号Vhcを出力し、前記除算手段は、前記第2の差分電圧Vhbを前記第1の差分電圧Vhaで除算Vhb/Vha、又は前記第2の差分電圧Vhbを前記第3の差分電圧Vhcで除算Vhb/Vhcすることを特徴とする請求項2に記載の位置検出装置。前記磁石が、1対のN極S極を異極が隣り合うように2対着磁した磁石又は1対のN極S極を持つ2つの磁石を異極が隣り合うように並べた磁石又は1対のN極S極を持つ1つの磁石であることを特徴とする請求項1,2又は3に記載の位置検出装置。請求項1乃至4のいずれかに記載の位置検出装置を用いたことを特徴とする電子機器。実装基板上に設けられた複数の磁気センサと、該磁気センサ上に空間を介して設けられた磁石とを備えた位置検出装置における位置検出方法において、前記磁石又は前記磁気センサを前記実装基板上に沿って移動させたときの前記複数の磁気センサのうちの1つの磁気センサからの出力信号の正負を判定して、該判定結果に基づいて他の磁気センサからの出力信号を選択的に出力する比較判定ステップと、該比較判定ステップによって判定された正負の出力信号に応じて、前記1つの磁気センサの出力信号を他の磁気センサからの出力信号で除算する除算ステップとを有することを特徴とする位置検出方法。前記複数の磁気センサが3個のホール素子であって、該3個のホール素子のうち中心位置にある第2のホール素子と、該第2のホール素子に対して等間隔に配置された第1及び第3のホール素子とを備え、前記比較判定ステップは、前記第2のホール素子からの出力信号の第2の差分信号の正負を判定して、該第2の差分信号が正0を含むならば、前記第1のホール素子からの出力信号の第1の差分信号を出力し、該第2の差分信号が負ならば、前記第3のホール素子からの出力信号の第3の差分信号を出力し、前記除算ステップは、前記第2の差分信号を前記第1の差分信号で除算、又は前記第2の差分信号を前記第3の差分信号で除算することを特徴とする請求項6に記載の位置検出方法。前記第1のホール素子の出力電圧をVa1、Va2とし、前記第2のホール素子の出力電圧をVb1、Vb2とし、前記第3のホール素子の出力電圧をVc1、Vc2とした場合に、前記第1のホール素子の前記出力電圧Va1とVa2から第1の差分電圧Vha=Va1-Va2を得る第1の差動増幅ステップと、前記第2のホール素子の前記出力電圧Vb1とVb2から第2の差分電圧Vhb=Vb1-Vb2を得る第2の差動増幅器と、前記第3のホール素子の前記出力電圧Vc1とVc2から第3の差分電圧Vhc=Vc2-Vc1を得る第3の差動増幅ステップとを有し、前記比較判定ステップは、前記第2の差分電圧Vhbの正負を判定して、該第2の差分信号が正0を含むならば、前記第1の差分信号Vhaを出力し、該第2の差分信号が負ならば、前記第3の差分信号Vhcを出力し、前記除算ステップは、前記第2の差分電圧Vhbを前記第1の差分電圧Vhaで除算Vhb/Vha、又は前記第2の差分電圧Vhbを前記第3の差分電圧Vhcで除算Vhb/Vhcすることを特徴とする請求項7に記載の位置検出方法。前記磁石が、1対のN極S極を異極が隣り合うように2対着磁した磁石又は1対のN極S極を持つ2つの磁石を異極が隣り合うように並べた磁石又は1対のN極S極を持つ1つの磁石であることを特徴とする請求項6、7又は8に記載の位置検出方法。このように、上述した各位置検出方式では、高いリニアリティを長い距離にわたって確保するには、機構体積を大きくしなくてはならず、位置検出装置の小型化を阻害するという問題が依然として残っている。そのため、高いリニアリティを長い距離にわたって、従来方式よりも小さな機構体積で確保できるようにすることが望まれている。本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、磁気センサの温度特性をキャンセルすることができ、より小さい機構体積で高いリニアリティを確保できるようにした位置検出装置及び位置検出方法並びにそれを用いた電子機器を提供することにある。本発明は、このような目的を達成するためになされたもので、請求項1に記載の発明は、実装基板上に設けられた複数の磁気センサと、該磁気センサに空間を介して設けられた磁石とを備えた位置検出装置において、前記磁石又は前記磁気センサを前記実装基板上に沿って移動させたときの前記複数の磁気センサのうちの1つの磁気センサからの出力信号の正負を判定して、他の磁気センサからの出力信号を出力する比較判定手段と、該比較判定手段によって判定された正負の出力信号に応じて、前記1つの磁気センサの出力信号を他の磁気センサからの出力信号で除算する除算手段とを備えたことを特徴とする。また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記複数の磁気センサが3個のホール素子であって、該3個のホール素子のうち中心位置にある第2のホール素子と、該第2のホール素子に対して等間隔に配置された第1及び第3のホール素子とを備え、前記比較判定手段は、前記第2のホール素子からの出力信号の第2の差分信号の正負を判定して、該第2の差分信号が正0を含むならば、前記第1のホール素子からの出力信号の第1の差分信号を出力し、該第2の差分信号が負ならば、前記第3のホール素子からの出力信号の第3の差分信号を出力し、前記除算手段は、前記第2の差分信号を前記第1の差分信号で除算、又は前記第2の差分信号を前記第3の差分信号で除算することを特徴とする。また、請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記第1のホール素子の出力電圧をVa1、Va2とし、前記第2のホール素子の出力電圧をVb1、Vb2とし、前記第3のホール素子の出力電圧をVc1、Vc2とした場合に、前記第1のホール素子の前記出力電圧Va1とVa2から第1の差分電圧Vha=Va1-Va2を得る第1の差動増幅器と、前記第2のホール素子の前記出力電圧Vb1とVb2から第2の差分電圧Vhb=Vb1-Vb2を得る第2の差動増幅器と、前記第3のホール素子の前記出力電圧Vc1とVc2から第3の差分電圧Vhc=Vc2-Vc1を得る第3の差動増幅器とを備え、前記比較判定手段は、前記第2の差分電圧Vhbの正負を判定して、該第2の差分信号が正0を含むならば、前記第1の差分信号Vhaを出力し、該第2の差分信号が負ならば、前記第3の差分信号Vhcを出力し、前記除算手段は、前記第2の差分電圧Vhbを前記第1の差分電圧Vhaで除算Vhb/Vha、又は前記第2の差分電圧Vhbを前記第3の差分電圧Vhcで除算Vhb/Vhcすることを特徴とする。また、請求項4に記載の発明は、請求項1,2又は3に記載の発明において、前記磁石が、1対のN極S極を異極が隣り合うように2対着磁した磁石又は1対のN極S極を持つ2つの磁石を異極が隣り合うように並べた磁石又は1対のN極S極を持つ1つの磁石であることを特徴とする。また、請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4のいずれかに記載の位置検出装置を用いたことを特徴とする電子機器である。また、請求項6に記載の発明は、実装基板上に設けられた複数の磁気センサと、該磁気センサ上に空間を介して設けられた磁石とを備えた位置検出装置における位置検出方法において、前記磁石又は前記磁気センサを前記実装基板上に沿って移動させたときの前記複数の磁気センサのうちの1つの磁気センサからの出力信号の正負を判定して、該判定結果に基づいて他の磁気センサからの出力信号を選択的に出力する比較判定ステップと、該比較判定ステップによって判定された正負の出力信号に応じて、前記1つの磁気センサの出力信号を他の磁気センサからの出力信号で除算する除算ステップとを有することを特徴とする。また、請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記複数の磁気センサが3個のホール素子であって、該3個のホール素子のうち中心位置にある第2のホール素子と、該第2のホール素子に対して等間隔に配置された第1及び第3のホール素子とを備え、前記比較判定ステップは、前記第2のホール素子からの出力信号の第2の差分信号の正負を判定して、該第2の差分信号が正0を含むならば、前記第1のホール素子からの出力信号の第1の差分信号を出力し、該第2の差分信号が負ならば、前記第3のホール素子からの出力信号の第3の差分信号を出力し、前記除算ステップは、前記第2の差分信号を前記第1の差分信号で除算、又は前記第2の差分信号を前記第3の差分信号で除算することを特徴とする。また、請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の発明において、前記第1のホール素子の出力電圧をVa1、Va2とし、前記第2のホール素子の出力電圧をVb1、Vb2とし、前記第3のホール素子の出力電圧をVc1、Vc2とした場合に、前記第1のホール素子の前記出力電圧Va1とVa2から第1の差分電圧Vha=Va1-Va2を得る第1の差動増幅ステップと、前記第2のホール素子の前記出力電圧Vb1とVb2から第2の差分電圧Vhb=Vb1-Vb2を得る第2の差動増幅器と、前記第3のホール素子の前記出力電圧Vc1とVc2から第3の差分電圧Vhc=Vc2-Vc1を得る第3の差動増幅ステップとを有し、前記比較判定ステップは、前記第2の差分電圧Vhbの正負を判定して、該第2の差分信号が正0を含むならば、前記第1の差分信号Vhaを出力し、該第2の差分信号が負ならば、前記第3の差分信号Vhcを出力し、前記除算ステップは、前記第2の差分電圧Vhbを前記第1の差分電圧Vhaで除算Vhb/Vha、又は前記第2の差分電圧Vhbを前記第3の差分電圧Vhcで除算Vhb/Vhcすることを特徴とする。また、請求項9に記載の発明は、請求項6,7又は8に記載の発明において、前記磁石が、1対のN極S極を異極が隣り合うように2対着磁した磁石又は1対のN極S極を持つ2つの磁石を異極が隣り合うように並べた磁石又は1対のN極S極を持つ1つの磁石であることを特徴とする。本発明によれば、除算結果を出力信号とした場合、その信号は磁気センサ及び磁石が持つ温度係数に依らず、磁石と各磁気センサとの位置関係のみで決まる量であり、温度変化によって位置検出誤差が大きくなることはない。また、従来の3つの方式に比べ、本発明は、比較的小さな機構体積で同移動距離、同精度を達成することが出来る。以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。図15a,bは、本発明に係る3個の磁気センサを用いた位置検出方式方式4を説明するための図で、領域2分割2出力割り算方式方式4を示す図である。図15aは、磁石と3個の磁気センサとの配置関係を説明するための構成図で、図15bは、図15aにおける磁石移動量に対する3個のホール素子の出力電圧の関係を示す図である。図中符号71は実装基板、72a,72b,72cは3個の磁気センサ、73はアクチュエータ駆動兼位置検出用の4極の多極磁石を示している。この多極磁石は、図2のように1つの磁石に、N極S極を異極が隣り合うように2対着磁したものを磁極面がセンサ面に平行となるよう配置されることで、磁石の移動に伴い図15bに示すような出力変化が生じる。この磁極面が磁石移動方向と直交するよう、磁石を図2のY軸まわりに90°回転させて配置しても同様の出力変化が生じる。また、磁石には1対のN極S極を持つ2つの磁石を異極が隣り合うように並べたものを用いてもよいし、1対のN極S極を持つ1つの磁石を用いて磁極面が磁石移動方向と直交するよう配置しても、同様の出力変化が生じる。磁気センサ72bは、2対のN極S極の境界直下に配置され、磁気センサ72bを中心に、等間隔に、磁石移動方向に沿って磁気センサ72a,72cが配置されている。磁気センサ72a,72bは、N極S極が印加されたときに正負の電圧を出力し、磁気センサ72cは、負正の電圧を出力するよう接続されている。実装基板71上に3個の磁気センサ72a,72b,72cを設け、その上に空間を介して磁石73が配置されている。磁石73もしくは3個の磁気センサ72a,72b,72cを実装基板71に対して平行な面内において、3個の磁気センサ72a,72b,72cが並んでいる方向に動かすと、3個の磁気センサ72a,72b,72cから図15bの出力信号K,L,Mが得られる。図16は、図15bの高いリニアリティ領域における3個の磁気センサの出力電圧の拡大図で、図17は、図15bに示した高いリニアリティ領域における3個の磁気センサのうち各々2個の磁気センサの出力電圧の割り算結果と磁石移動量との関係を示す図で、領域2分割2出力割り算方式方式4を示す図である。この3つの信号は、以下のように場合に分けて演算される。1磁気センサ72bの出力信号Lが負のとき、磁気センサ72bの出力信号Lを磁気センサ72cの出力信号Mで除算する。2磁気センサ72bの出力信号Lが正のとき、磁気センサ72bの出力信号Lを磁気センサ72aの出力信号Kで除算する。3磁気センサ72bの電圧が0のとき、信号Lを信号M,Kいずれで除算してもよい。このように演算すると、図17に示すように、この演算結果は、不連続点のない高いリニアリティを持つ演算結果が得られる。なお、磁気センサ72bにN極S極が印加されたときに負正の電圧を出力するとしてもよい。この場合、磁気センサ72bの電圧が正のときは信号Lを信号Mで除算し、負のときは信号Lを信号Kで除算すれば、右肩上がりの図17とは逆に右肩さがりの演算結果が得られる。また、磁気センサ72a,72cは、互いに同極性の磁束密度が印加されるときに、逆極性の電圧を出力するよう設定さえすれば、同じ演算により同様の右肩下がり、もしくは右肩上がりの結果が得られる。図21c及び図18a乃至dは、方式4において、図2のような1つの磁石にN極S極を異極が隣り合うように2対着磁した磁石を用いて、所定の磁石移動距離0.5mmとした場合に、後述する条件1を達成することができる最小機構体積での実施例を示す図であり、図21cは、そのときの磁石と磁気センサの配置関係を示しており、図18a乃至dは磁石移動距離に対するホール素子の電圧変化と割り算による演算結果の変化及び位置検出誤差の変化を示している。Aを0.50mm、Bを0.50mm、Lを0.55mm、Gを0.75mmとし、機構体積は0.33mm3である。ピッチホール素子間距離/直線上に並ぶ3つのホール素子のうち、端の第1ホール素子ともう一方の端の第3ホール素子との距離を0.70mmとし、磁石の残留磁束密度を1380mTとし、センサ感度を2.2mVmTとし、出力ノイズの標準偏差σ=0.09mVとしている。図18aは、磁石移動距離に対する磁気センサの電圧変化を8mmにわたって示した図であり、図18bは所定の磁石移動距離0.5mmに対する除算結果の変化を示している。図18cは、実線が出力ノイズを考慮しない場合、破線は出力ノイズ±3σ=0.27mVを考慮した場合の磁石移動距離に対する位置検出誤差を示す図で、図18dは、図18cの縦軸スケールを±5μmから±0.5μmに変更したものである。なお、図21dは、所定の磁石移動距離0.5mmに対し、条件1を満たす場合の各方式で機構体積などの比較表を示す図であり、方式4はいずれの方式より、機構体積が小さく済むことがわかる。さらに、図22が示すとおり、所定の磁石移動距離0.1~5.0mmにおいても、従来の2つの方式、つまり、方式1及び方式2に比べ、本発明における方式4は常に比較的小さな機構体積で同移動距離、同精度を達成することが出来る。なお、方式3は条件1を満たすことができないため図22には記載していない。さらに、このようにして、除算結果を出力信号とした場合、その信号はホール素子が持つ温度係数に依らず、磁石と各ホール素子との位置関係のみで決まる量であり、温度によって変化する量でないため、位置検出誤差が大きくなることはない。図19は、本発明に係る位置検出装置の一実施例を説明するためのブロック構成図で、図中符号81a,81b,81cはホール素子、82a,82b,82cは差動増幅器、83は比較判定回路、84は除算器を示している。本発明の位置検出装置は、実装基板上に設けられた複数のホール素子と、このホール素子上に空間を介して設けられた多極磁石とを備えたものである。比較判定回路83は、多極磁石又はホール素子を前記実装基板上に沿って移動させたときの複数のホール素子のうちの1つのホール素子からの出力信号の正負を判定して、他のホール素子からの出力信号を出力するものである。除算器84は、比較判定回路83によって判定された正負の出力信号に応じて、1つのホール素子の出力信号を他のホール素子からの出力信号で除算するものである。つまり、複数のホール素子が3個のホール素子81a,81b,81cであって、この3個のホール素子のうち中心位置にある第2のホール素子81bと、この第2のホール素子に対して等間隔に配置された第1及び第3のホール素子81a,81cとを備え、比較判定回路83は、第2のホール素子81bからの出力信号の第2の差分信号の正負を判定して、この第2の差分信号が正ならば、第1のホール素子81aからの出力信号の第1の差分信号を出力し、第2の差分信号が負ならば、第3のホール素子81cからの出力信号の第3の差分信号を出力するものである。なお、第2の差分信号が0ならば、第1の差分信号、もしくは、第2の差分信号、いずれを比較判定回路83から出力しても同じ結果が得られるが、以下では第2の差分信号が0の場合ならば、第1の差分信号を出力するとする。除算器84が、第2の差分信号を第1の差分信号で除算する、もしくは、第2の差分信号を第3の差分信号で除算するものである。なお、図19では、ホール素子81a、81b、81cのそれぞれの入力端子T2,T4はVDDとGNDに対して並列に接続されているが、これは直列に接続されても良い。さらに具体的に説明すると以下のようになる。ホール素子を使う場合、ホール素子81a,81b,81cにはそれぞれT1にVDD、T3にGNDが接続されている。第1のホール素子81aの入力端子T1、T3間に入力電圧を印加すると、出力端子T2,T4には、Va1とVa2の出力電圧を得る。これらの電圧が差動増幅器82aに入力されると、その出力電圧VhaはVa1-Va2となる。つまり、ホール素子81aでは、T2の出力Va1とT4の出力Va2の差動増幅を行い、Vha=Va1-Va2が出力されるように接続される。この場合、N極S極が印加されると、Vhaは正負となるとする。同様に、第2のホール素子81bの入力端子T1、T3間に入力電圧を印加すると、出力端子T2,T4には、Vb1とVb2の出力電圧を得る。これらの電圧が差動増幅器82bに入力されると、その出力電圧VhbはVb1-Vb2となる。つまり、ホール素子81bでは、T2の出力Vb1とT4の出力Vb2の差動増幅を行い、Vhb=Vb1-Vb2が出力されるように接続される。この場合、N極S極が印加されると、Vhbは正負となるとする。同様に、第3のホール素子81cの入力端子T1、T3間に入力電圧を印加すると、出力端子T2,T4には、Vc1とVc2の出力電圧を得る。これらの電圧が差動増幅器82cに入力されると、その出力電圧VhcはVc2-Vc1となる。つまり、ホール素子81cでは、T2の出力Vc1とT4の出力Vc2の差動増幅を行い、Vhc=Vc2-Vc1が出力されるように接続される。この場合、N極S極が印加されると、Vhcは負正となるとする。このように、第1,第2,第3のホール素子81a,81b,81cに同極性の磁場が印加されるとき、VhaとVhbが同極性、かつ、VhaとVhcが逆極性となるように駆動電圧方向及び出力電圧方向を設定すればよい。比較判定回路83は、例えば、コンパレータとセレクタから構成され、第2のホール素子からの差動増幅器の出力電圧Vhbが、Vhb≧0ならVhaを出力し、Vhb<0ならVhcを出力するものである。この出力電圧V1Vha又はVhcは除算器84によって、Vhb/V1が演算される。つまり、高リニアリティ領域における第2のホール素子81bの出力電圧がVhb≧0の領域とVhb<0の領域に分割されて、それぞれ除算器84によって演算することにより、図17に示すような出力特性が得られる。このように、除算結果を出力信号とした場合、その信号は磁気センサ及び磁石が持つ温度係数に依らず、磁石と各磁気センサとの位置関係のみで決まる量であり、温度変化による位置検出精度の悪化に影響を与えない。また、機構体積も従来に比べて小さくすることができる。図20は、図14に示した方式3で用いられるブロック構成を本発明に適用させた信号処理部の具体的な回路構成図で、除算過程をPIレギュレータを用いて実現する回路構成図である。マルチプレクサMUX;選択回路91とプレアンプ演算増幅器93とクロック信号発生回路Clock92とサンプルホールド回路S/H94とローパスフィルタLPF95とPIproportionintegral;比例積分レギュレータ96とから構成されており、PIレギュレータ96は、フィードバック用サンプルホールド回路FBS/H98と、基準電圧Vref発生回路99と抵抗器とコンデンサとオペアンプ97とから構成されている。以下、磁気センサにホール素子を用いた場合の本発明の位置検出方式方式4をPIレギュレータを用いて実現する位置検出装置の機能について説明する。図20のようなPIレギュレータ96を用いた制御回路でも実行的に2出力を除算することができる。MUX91は、ホール素子81a又はホール素子81cの信号成分か、ホール素子81bの信号成分を選択する機能を有する選択回路である。プレアンプ93は、ホール素子81a,81b,81cの出力電圧を増幅する演算増幅器である。サンプルホールド回路94は、MUX91からの信号に基づいてクロック信号発生回路92から発生されるクロック信号によりプレアンプ93からの信号をサンプリングする回路である。ローパスフィルタ95はサンプルホールド回路94に接続され、位置検出信号-VrefBhb/B1を出力する。また、フィードバック用サンプルホールド回路98は、プレアンプ93からの信号をPIレギュレータ96に入力する回路である。このPIレギュレータ96は、基準電圧発生回路99と抵抗RとコンデンサCとオペアンプ97からなり、フィードバック用サンプルホールド回路98は、オペアンプ97の反転入力端子に抵抗Rを介して接続されている。また、オペアンプ97の非反転入力端子は接地されている。また、オペアンプ97の反転入力端子と出力端子間には、直列接続された抵抗RとコンデンサCが接続されている。このPIレギュレータ96は、フィードバック用サンプルホールド回路98によってサンプリングされた信号を基準電圧Vrefの電圧レベルになるようにPI制御するレギュレータである。このPIレギュレータ96は、抵抗RとコンデンサCとによって、決定される時定数によってPI制御を行い、離散的にサンプリングされる信号を発振することなく制御することを可能にしている。クロック信号発生回路92は、サンプルホールド回路94及びフィードバック用サンプルホールド回路98に取り込む信号を決定するクロック信号を生成する回路である。さらに、PIレギュレータ96は、ホール素子81a,81b,81cのそれぞれに駆動電流を供給するものである。上述した図20のMUX91に、図19のV1とVhbを接続すれば、最終出力として、-VrefBhb/B1が得られる。B1はホール素子a、cいずれかに印加される磁束密度である。-VrefBhb/B1の変化量は、Vhb/V1の変化量と等価である。また、分母が一定となるように、複数の磁気センサの各入力値を制御した上で、分子を位置出力として検出することでも実現できる。また、分母が一定となるように、磁気センサの各出力値に補正ゲインを掛けた上で、分子を位置出力として検出することでも実現できる。そのほか、実行的に2出力の除算結果比を用いる方法であれば、方法は問わない。また、磁石は、永久磁石に限らず、同様の磁束密度変化を磁気センサに与えられるものであれば、例えばコイルなどの電磁石であっても良い。また、当然、磁石が移動しても、素子が移動してもよい。また、磁気センサにはホール素子のほか、磁気抵抗素子、ピックアップコイル、磁気インピーダンス素子など、磁束密度に比例して出力電圧が得られるものであれば、あらゆる磁気センサが利用可能である。以下では、条件1の定義について述べる。上述した方式1乃至4において、所定の磁石移動距離0.1mm~5mmに対し、位置検出誤差の最大値以下、精度1と定義が0.1F.S.以下かつ±3σの出力ノイズを考慮した場合の位置検出誤差の最大値以下、精度2と定義が1F.S.以下である場合を条件1と定義する。条件1を満たす最小機構体積と磁石移動距離の関係は、各方式について図22に示している。図23a,bは、精度1精度2とFSを説明するための図で、図23aは出力ノイズを考慮しない場合、図23bは出力ノイズを考慮する場合を示している。FSはフルスケールFullScaleを意味している。精度1精度2とF.S.の定義は、図23に示す通りである。検知すべき全領域FullScale=F.S.において得られる信号の端点と端点を結ぶ直線を理想直線と定義し、実信号と理想直線との乖離量を位置検出誤差と定義した場合、その系が持つ位置検出誤差の最大値をその系の精度1と定義する。また、信号に±3σのノイズを含む場合、図23のように得られる信号に±3σノイズここでは±0.27mVを加えた信号をもとに、精度を算出したものを精度2と定義する。なお、信号の演算を含む方式方式2及び方式4における精度2は、信号に±3σノイズを加えたうえで演算し、その結果をもとに算出されるものとする。精度1精度2はいずれも位置検出装置にとって、重要な性能指標のひとつである。なお、F.S.とは、位置検出誤差量をF.S.に対する百分率で表したものである。例えば、全磁石移動距離が0.5mmの場合、F.S.=0.5mmであり、0.1[F.S.]=0.5[μm]である。なお、上述した方式3では、方式1や方式2で得られる程度の高いリニアリティを確保することができず、条件1を達成できる構成が存在しないため、図22に記載していない。図22より、従来の2つの位置検出方式方式1及び方式2に比べ、本発明の位置検出方式方式4は、比較的小さな機構体積で同移動距離、同精度を達成することが出来るということがわかる。図24は、本発明に係る位置検出方法の一実施例を説明するためのフローチャートを示す図である。本発明の位置検出方法は、実装基板上に設けられた複数の磁気センサと、この磁気センサ上に空間を介して設けられた磁石とを備えた位置検出装置における位置検出方法である。磁石又は磁気センサを実装基板上に沿って移動させたときの複数の磁気センサのうちの1つの磁気センサからの出力信号の正負を判定して、判定結果に基づいて他の磁気センサからの出力信号を選択的に出力する比較判定ステップと、この比較判定ステップによって判定された正負の出力信号に応じて、1つの磁気センサの出力信号を他の磁気センサからの出力信号で除算する除算ステップとを有している。また、複数の磁気センサが3個のホール素子であって、この3個のホール素子のうち中心位置にある第2のホール素子と、この第2のホール素子に対して等間隔に配置された第1及び第3のホール素子とを備え、比較判定ステップは、第2のホール素子からの出力信号の第2の差分信号の正負を判定して、この第2の差分信号が正0を含むならば、第1のホール素子からの出力信号の第1の差分信号を出力し、この第2の差分信号が負ならば、第3のホール素子からの出力信号の第3の差分信号を出力する。また、除算ステップは、第2の差分信号を第1の差分信号で除算する、もしくは、第2の差分信号を第3の差分信号で除算する。さらに具体的に説明すると、第1のホール素子の出力電圧をVa1、Va2とし、第2のホール素子の出力電圧をVb1、Vb2とし、第3のホール素子の出力電圧をVc1、Vc2とした場合に、第1のホール素子の出力電圧Va1とVa2から第1の差分電圧Vha=Va1-Va2を得る第1の差動増幅ステップと、第2のホール素子の前記出力電圧Vb1とVb2から第2の差分電圧Vhb=Vb1-Vb2を得る第2の差動増幅ステップと、第3のホール素子の前記出力電圧Vc1とVc2から第3の差分電圧Vhc=Vc2-Vc1を得る第3の差動増幅ステップとを有し、比較判定ステップは、第2の差分電圧Vhbの正負を判定して、第2の差分信号が正0を含むならば、第1の差分信号Vhaを出力し、第2の差分信号が負ならば、第3の差分信号Vhcを出力する。除算ステップは、第2の差分電圧Vhbを第1の差分電圧Vhaで除算Vhb/Vhaする、もしくは、第2の差分電圧Vhbを第3の差分電圧Vhcで除算Vhb/Vhcする。このように、除算結果を出力信号とした場合、その信号は磁気センサ及び磁石が持つ温度係数に依らず、磁石と各磁気センサとの位置関係のみで決まる量であり、温度変化による位置検出精度の悪化に影響を与えない。また、機構体積も従来に比べて小さくすることができる。"