"基板と、前記基板上に設けられた第1の導電層と、前記第1の導電層上に設けられ、ボンディングパッド部と配線部を有する第2の導電層と、前記ボンディングパッド部及び前記配線部を覆うように前記第2の導電層上に連続して設けられた絶縁膜とを備え、前記ボンディングパッド部上において前記絶縁膜にコンタクトホールが設けられ、前記ボンディングパッド部と前記配線部の間において前記第2の導電層に段差が設けられていることを特徴とする配線パターン。前記段差として、前記第2の導電層に開口が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の配線パターン。前記第2の導電層は、給電層と、前記給電層上に設けられたメッキ層とを有し、前記開口における前記第2の導電層の側面で、前記給電層が前記絶縁膜に接触し、前記給電層に対する前記絶縁膜の付着力は、前記メッキ層に対する前記絶縁膜の付着力より強いことを特徴とする請求項2に記載の配線パターン。前記段差として、前記第2の導電層にエアブリッジが設けられていることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の配線パターン。基板と、前記基板上に設けられ、ボンディングパッド部と配線部を有する導電層と、前記ボンディングパッド部及び前記配線部を覆うように前記導電層上に連続して設けられた絶縁膜とを備え、前記ボンディングパッド部と前記配線部の間において前記導電層に段差が設けられていることを特徴とする配線パターン。前記段差として、前記導電層に凸部又は開口が設けられていることを特徴とする請求項5に記載の配線パターン。しかし、金とSiN膜の付着力は弱いため、SiN膜が剥がれやすい。特にSiN膜に設けられたコンタクトホールを起点としたSiN膜の剥がれが発生しやすい。そして、このSiN膜の剥がれはダイシング時の水流やチップ実装時の熱負荷により伸展する。この結果、SiN膜が保護膜としての機能を果たさなくなるという問題があった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的はコンタクトホールを起点とした絶縁膜の剥がれの伸展を防ぐことができる配線パターンを得るものである。本発明に係る配線パターンは、基板と、前記基板上に設けられた第1の導電層と、前記第1の導電層上に設けられ、ボンディングパッド部と配線部を有する第2の導電層と、前記ボンディングパッド部及び前記配線部を覆うように前記第2の導電層上に連続して設けられた絶縁膜とを備え、前記ボンディングパッド部上において前記絶縁膜にコンタクトホールが設けられ、前記ボンディングパッド部と前記配線部の間において前記第2の導電層に段差が設けられていることを特徴とする。本発明により、コンタクトホールを起点とした絶縁膜の剥がれの伸展を防ぐことができる。本発明の実施の形態に係る配線パターンについて図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る配線パターンを示す上面図である。図2は、図1のA-A ́に沿った断面図である。図3は、図1の配線パターンからSiN膜を省略した状態を示す上面図である。半絶縁性GaAs基板1上に、金などからなる配線メタル2が設けられている。配線メタル2上に給電層3を介して金メッキ4が設けられている。金メッキ4は、ボンディングパッド部5と配線部6を有する。給電層3はTiとAuの積層構造である。ボンディングパッド部5及び配線部6を覆うように金メッキ4上に連続してSiN膜7が設けられている。ボンディングパッド部5上においてSiN膜7にコンタクトホール8が設けられている。ボンディングパッド部5と配線部6の間において金メッキ4に開口9が設けられている。開口9によりボンディングパッド部5と配線部6の間で金メッキ4が分離している。このため、開口9ではSiN膜7が配線メタル2に接している。また、開口9における金メッキ4の側面で給電層3が露出し、この露出した給電層3がSiN膜7に接触している。この給電層3のTiに対するSiN膜7の付着力は、金メッキ4に対するSiN膜7の付着力より強い。続いて、上記の配線パターンの製造方法について図面を参照して説明する。図4~図9は、本発明の実施の形態1に係る配線パターンの製造方法を説明するための断面図である。まず、図4に示すように、半絶縁性GaAs基板1上に配線メタル2を蒸着により形成する。次に、図5に示すように、半絶縁性GaAs基板1及び配線メタル2上の一部にレジスト10を写真製版により形成する。次に、図6に示すように、配線メタル2及びレジスト10上に給電層3をスパッタ法により形成する。この給電層3を用いて、給電層3上に金メッキ4を電解メッキ法により形成する。次に、図7に示すように、写真製版及びRIEなどのドライエッチングにより金メッキ4及び給電層3の一部を除去して、レジスト10の上面において開口9を形成する。次に、図8に示すように、レジスト10を除去する。次に、図9に示すように、全面にSiN膜7をプラズマCVD法などにより形成する。その後、図1及び図2に示すように、写真製版及びRIEなどのドライエッチングによりSiN膜7の一部を除去して、コンタクトホール8を形成する。以上の工程により本実施の形態に係る配線パターンが形成される。続いて本実施の形態の効果について比較例と比較して説明する。図10は、比較例に係る配線パターンを示す上面図である。図11は、図10のA-A ́に沿った断面図である。比較例では、コンタクトホール8を起点としたSiN膜7の剥がれが配線部6まで伸展してしまう。一方、本実施の形態では、開口9によりボンディングパッド部5と配線部6の間において金メッキ4に段差が存在する。このため、コンタクトホール8を起点としてSiN膜7の剥がれ発生しても、この段差で剥がれの伸展を防ぐことができる。また、本実施の形態では、開口9における金メッキ4の側面で給電層3が露出し、この露出した給電層3がSiN膜7に接触している。この給電層3のTiに対するSiN膜7の付着力は強いため、SiN膜7の剥がれを抑制することができる。実施の形態2.図12は、本発明の実施の形態2に係る配線パターンを示す上面図である。図13は、図12のA-A ́に沿った断面図である。図14は、図12のB-B ́に沿った断面図である。ボンディングパッド部5と配線部6の間において金メッキ4に開口11が設けられている。この開口11によりボンディングパッド部5と配線部6の間において金メッキ4に段差が存在する。このため、コンタクトホール8を起点としてSiN膜7の剥がれ発生しても、この段差で剥がれの伸展を防ぐことができる。実施の形態3.図15は、本発明の実施の形態3に係る配線パターンを示す上面図である。図16は、図15のA-A ́に沿った断面図である。ボンディングパッド部5と配線部6がエアブリッジ12により接続されている。このエアブリッジ12によりボンディングパッド部5と配線部6の間において金メッキ4に段差が存在する。このため、コンタクトホール8を起点としてSiN膜7の剥がれ発生しても、この段差で剥がれの伸展を防ぐことができる。また、本実施の形態は、開口を設ける実施の形態1,2に比べて電流密度を十分に確保することができる。実施の形態4.図17は、本発明の実施の形態4に係る配線パターンを示す上面図である。図18は、図17のA-A ́に沿った断面図である。図19は、図17のB-B ́に沿った断面図である。エアブリッジ12に開口13が設けられている。従って、エアブリッジ12だけでなく、開口13によっても金メッキ4に段差が存在する。このため、SiN膜7の剥がれがエアブリッジ12の段差を越えて伸展してきても、開口13の段差により更なる伸展を防ぐことができる。実施の形態5.図20は、本発明の実施の形態5に係る配線パターンを示す上面図である。図21は、図20のA-A ́に沿った断面図である。半絶縁性GaAs基板1上に配線メタル2が設けられている。配線メタル2は、ボンディングパッド部5と配線部6を有する。ボンディングパッド部5と配線部6の間において金メッキ4により凸部14が設けられている。ボンディングパッド部5及び配線部6を覆うように配線メタル2及び金メッキ4上に連続してSiN膜7が設けられている。ボンディングパッド部5上においてSiN膜7にコンタクトホール8が設けられている。凸部14によりボンディングパッド部5と配線部6の間において段差が存在する。このため、コンタクトホール8を起点としてSiN膜7の剥がれ発生しても、この段差で剥がれの伸展を防ぐことができる。実施の形態6.図22は、本発明の実施の形態6に係る配線パターンを示す上面図である。図23は、図22のA-A ́に沿った断面図である。図24は、図22のB-B ́に沿った断面図である。半絶縁性GaAs基板1上に配線メタル2が設けられている。配線メタル2は、ボンディングパッド部5と配線部6を有する。ボンディングパッド部5と配線部6の間において配線メタル2に開口15が設けられている。ボンディングパッド部5及び配線部6を覆うように配線メタル2上に連続してSiN膜7が設けられている。ボンディングパッド部5上においてSiN膜7にコンタクトホール8が設けられている。開口15によりボンディングパッド部5と配線部6の間において配線メタル2に段差が存在する。このため、コンタクトホール8を起点としてSiN膜7の剥がれ発生しても、この段差で剥がれの伸展を防ぐことができる。"