放熱基板と、前記放熱基板に連結された電力素子及びリードフレームからなってパッケージングされた電力変換部と、制御部基板と前記制御部基板の上部に装着されたIC及び制御素子からなってパッケージングされた制御部と、パッケージングされた前記電力変化部と前記制御部との間を電気的に連結する電気的連結部と、を含むことを特徴とする3Dパワーモジュールパッケージ。前記放熱基板は陽極酸化処理されたアルミニウム基板であることを特徴とする請求項1に記載の3Dパワーモジュールパッケージ。前記電気的連結部は半田ボールまたは伝導性コネクタからなることを特徴とする請求項1に記載の3Dパワーモジュールパッケージ。前記電力変化部と前記制御部との間にはダンパがさらに備えられることを特徴とする請求項1に記載の3Dパワーモジュールパッケージ。前記放熱基板は前記制御部基板より熱伝導度が大きいことを特徴とする請求項1に記載の3Dパワーモジュールパッケージ。放熱基板と、前記放熱基板に連結された電力素子及びリードフレームからなってパッケージングされた電力変換部と、制御部基板と前記制御基板の上部に装着されたIC及び制御素子からなってパッケージングされた制御部と、パッケージングされた前記電力変化部に備えられる連結ピンとパッケージングされた前記制御部に備えられる連結ソケットとを含み、前記連結ピンと前記連結ソケットとが組み立てられて電気的に連結されることを特徴とする3Dパワーモジュールパッケージ。前記放熱基板は陽極酸化処理されたアルミニウム基板であることを特徴とする請求項6に記載の3Dパワーモジュールパッケージ。前記連結ピンと前記連結ソケットは銅からなることを特徴とする請求項6に記載の3Dパワーモジュールパッケージ。前記電力変化部と前記制御部との間にはダンパがさらに備えられることを特徴とする請求項6に記載の3Dパワーモジュールパッケージ。前記放熱基板は前記制御部基板より熱伝導度が大きいことを特徴とする請求項6に記載の3Dパワーモジュールパッケージ。本発明は、上述のような問題点を解決するために導き出されたものであり、本発明の目的は、温度による性能低下を改善し、モジュールの寿命と信頼性を向上させる3Dパワーモジュールパッケージを提供することにある。本発明の好ましい第1実施例による3Dパワーモジュールパッケージは、放熱基板と、前記放熱基板に連結された電力素子及びリードフレームからなってパッケージングされた電力変換部と、制御部基板と前記制御部基板の上部に装着されたIC及び制御素子からなってパッケージングされた制御部と、パッケージングされた前記電力変化部と前記制御部との間を電気的に連結する電気的連結部と、を含むことを特徴とする。ここで、前記放熱基板は陽極酸化処理されたアルミニウム基板であることを特徴とする。また、前記電気的連結部は半田ボールまたは伝導性コネクタからなることを特徴とする。また、前記電力変化部と前記制御部との間にはダンパがさらに備えられることを特徴とする。また、前記放熱基板は前記制御部基板より熱伝導度が大きいことを特徴とする。一方、本発明の好ましい第2実施例による3Dパワーモジュールパッケージは、放熱基板と、前記放熱基板に連結された電力素子及びリードフレームからなってパッケージングされた電力変換部と、制御部基板と前記制御基板の上部に装着されたIC及び制御素子からなってパッケージングされた制御部と、パッケージングされた前記電力変化部に備えられる連結ピンとパッケージングされた前記制御部に備えられる連結ソケットとを含み、前記連結ピンと前記連結ソケットとが組み立てられて電気的に連結されることを特徴とする。ここで、前記放熱基板は陽極酸化処理されたアルミニウム基板であることを特徴とする。また、前記連結ピンと前記連結ソケットは銅からなることを特徴とする。また、前記電力変化部と前記制御部との間にはダンパがさらに備えられることを特徴とする。また、前記放熱基板は前記制御部基板より熱伝導度が大きいことを特徴とする。本発明の特徴及び利点は添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。本発明による3Dパワーモジュールパッケージは、電力素子が実装されて発熱が大きい電力変換部モジュールと、これを制御する熱に脆弱な制御部とに、夫々3次元的に分離して組み立て、これを一つのモジュールに統合させることにより、高信頼性の集積化された構造をなすことができる。これにより、モジュールのサイズが減少して基板の実装密度が向上し、3D高集積モジュール化によって制御ピンの制約要素を除去し、制御部の具現を自由にする。また、放熱部と制御部の独立構造により、熱に脆弱なICなどの寿命と機能が保護され、モジュール温度の定格電力Powerratingが増加し、コストが低減される。本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は添付図面に係る以下の詳細な説明および好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、本発明の説明において、係わる公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要にぼかす可能性があると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。図1は本発明の好ましい第1実施例による3Dパワーモジュールパッケージを示した図面である。図2は本発明の好ましい第1実施例による3Dパワーモジュールパッケージのうち、電力変換部の製作工程を示したフロー図である。図3は本発明の好ましい第1実施例による3Dパワーモジュールパッケージのうち、制御部の製作工程を示したフロー図である。図4は本発明の好ましい第1実施例による電力変換部と制御部との組立を示した図面である。図5は本発明の好ましい第2実施例による3Dパワーモジュールパッケージを示した図面である。図6は本発明の好ましい第2実施例による3Dパワーモジュールパッケージのうち、電力変換部の製作工程を示したフロー図である。図7は本発明の好ましい第2実施例による3Dパワーモジュールパッケージのうち、制御部の製作工程を示したフロー図である。図8は本発明の好ましい第2実施例による電力変換部と制御部との組立を示した図面である。図1に図示されたように、本発明の好ましい第1実施例による3Dパワーモジュールパッケージ100は、放熱基板111、電力素子112、リードフレーム113からなる電力変換部110と、制御部基板121、IC及び制御素子122、電気的連結部123、ダンパ124からなる制御部120とからなる。放熱基板111は、従来に用いられていたリードフレームやセラミック基板に代えて、陽極酸化処理されたアルミニウム基板を用いることが好ましい。また、電力半導体素子用電力変換部パッケージは、熱伝導度が高い金属材質の放熱基板111を含むように製作され、電力素子製品での放熱特性を向上させる。電力素子112は放熱基板111に連結され、電気的信号を送受して電気的連結を行うものであり、IC及び各種電気素子などを含む。リードフレーム113は電力素子112に連結されたものであり、電力素子112から印加される電気的信号を他の部品に印加する役割をする。回路制御用素子のパッケージは、熱伝導度の低い制御部基板121を含むように製作され、発熱素子の温度による周辺素子の劣化特性を改善し、モジュールの寿命と信頼性を向上させる同時に2Dパッケージ構造の限界を改善する。IC及び制御素子122は制御部基板121の上部に装着されたものであり、電気的信号を送受する。電気的連結部123は電力変換部110と制御部120との間に備えられるものであり、放熱基板111と電力素子112がパッケージングされた電力変換部110の上部に制御部基板121とIC及び制御素子122がパッケージングされた制御部120を電気的に連結する。この際、電気的連結部123は半田ボールまたは電気コネクタで備えられるが、半田ボールはBGA半田ボールまたは一般的なコネクタ用半田ボールが用いられる。放熱基板111は制御部基板121より熱伝導度が高い。ダンパ124は電力変換部110と制御部120との間に装着されたものであり、組立時の衝撃を吸収するために、ゴム材質または緩衝材質からなる。これにより、二つのモジュールが組み立てられた3Dモジュールの構造的安全性を高め、高信頼性の構造を具現することができる。図2は本発明の好ましい第1実施例による3Dパワーモジュールパッケージのうち、電力変換部の製作工程を示したフロー図である。電力変換部110の製作工程は、まず、電力変換部110の放熱基板を準備しS10、放熱基板の上部に電力素子を付着した後S20、電力素子の下部及び側部にリードフレームを連結するS30。その後、放熱基板及びリードフレームの上部に電気信号の印加を受けるための金属配線を形成しS40、電力変換部110をパッケージングした後S50、リードフレームをトリムTRIMすることにより、全体的な構造が形成されるS60。図3は本発明の好ましい第1実施例による3Dパワーモジュールパッケージ100のうち、制御部の製作工程を示したフロー図である。制御部120の製作工程は、まず、制御部基板を準備しP10、制御部基板の上部にIC及び制御素子を付着した後P20、制御部120をパッケージングするP30。その後、制御部120の下部に半田ボールとダンパを形成するP40。図4は本発明の好ましい第1実施例による3Dパワーモジュールパッケージ100の電力変換部110と制御部120との組立を示した図面である。図5は本発明の好ましい第2実施例による3Dパワーモジュールパッケージ200を示した図面であり、第1実施例の3Dパワーモジュールパッケージ100に装着された放熱基板111、電力素子112、リードフレーム113と、制御部基板121、IC及び制御素子122、ダンパ124の構造及びその特性は全て同様であるため、その詳細な説明は省略する。図5に図示されたように、本発明の好ましい第2実施例による3Dパワーモジュールパッケージ200は、電力変換部210に電気信号の連結のための連結ピン214が備えられ、制御部220に連結ソケット224が備えられて、連結ピン214と連結ソケット224とが組み立てられて電気的に連結されることを特徴とする。この際、連結ピン214と連結ソケット224は、電気的信号を送受することができる銅のような金属からなる。図6は本発明の好ましい第2実施例による3Dパワーモジュールパッケージのうち、電力変換部210の製作工程を示したフロー図である。電力変換部210の製作工程は、まず、電力変換部210の放熱基板を準備しS110、放熱基板に電力素子を付着した後S120、電力素子にリードフレームを連結するS130。その後、放熱基板及びリードフレームの上部に電気信号の印加を受けるための連結ピン214を形成しS140、電力変換部110を全体的にパッケージングした後S150、リードフレームをトリムTRIMすることにより、全体的な構造が形成されるS160。図7は本発明の好ましい第2実施例による3Dパワーモジュールパッケージ200のうち、制御部220の製作工程を示したフロー図である。制御部220の製作工程は、まず、制御部基板を準備しP110、制御部基板の上部にIC及び制御素子を付着した後P120、制御部220をパッケージングするP130。その後、制御部220の下部に電気的連結のための連結ソケット224とダンパを形成するP140。図8は本発明の好ましい第2実施例による3Dパワーモジュールパッケージ200の電力変換部210と制御部220との組立を示した図面である。上述のような構造を有する本発明の3Dパワーモジュールパッケージ100、200は、電力素子が実装されて発熱が大きい電力変換部モジュールと、これを制御する熱に脆弱な制御部とに、夫々3次元的に分離して組み立て、これを一つのモジュールに統合させることにより、高信頼性の集積化された構造を成すことができる。これにより、モジュールのサイズが減少して基板の実装密度が向上し、3D高集積モジュール化によって制御ピンの制約要素を除去し、制御部の具現を自由にする。また、放熱部と制御部の独立構造により、熱に脆弱なICなどの寿命と機能が保護され、モジュール温度の定格電力Powerratingが増加し、コストが低減される。以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明による3Dパワーモジュールパッケージはこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。