"マトリクス状に配列された受光センサ形成領域と、この受光センサ形成領域に形成される受光センサ部から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部を形成するために、前記受光センサ形成領域の列毎に設けられたレジスタ部形成領域と、を備える画素領域を有し、この画素領域は、前記受光センサ形成領域に形成された入光部から入射される光に応じた撮像信号を得るための前記受光センサ部が形成された有効画素領域と、この有効画素領域に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るために前記受光センサ形成領域を遮光したオプティカルブラック画素領域とに区画され、前記レジスタ部形成領域は、電荷を転送するためだけに用いられる第1の電極と、前記受光センサ部から前記垂直転送レジスタ部に信号電荷を読み出すための読出電極としても用いることのできる第2の電極とが形成されており、これら第1の電極と第2の電極との配置を、前記有効画素領域とオプティカルブラック画素領域との間で異ならせた固体撮像装置。前記有効画素領域では、前記第1の電極は互いに隣接する前記受光センサ部間に配設され、前記第2の電極が前記入光部に近接するように前記受光センサ部の横側に臨設される一方、前記オプティカルブラック画素領域では、前記第1の電極は前記受光センサ形成領域の横側に臨設され、前記第2の電極が互いに隣接する前記受光センサ形成領域間に配設されている請求項1記載の固体撮像装置。前記オプティカルブラック画素領域の前記各列毎の受光センサ形成領域間を横切るように前記第2の電極を形成し、前記有効画素領域の受光センサ部から信号電荷を読み出す際に当該第2の電極に読み出しパルスを印加したときに、前記受光センサ形成領域間に形成されたチャネルストップにも前記読み出しパルスが印加される構成とした請求項2記載の固体撮像装置。前記有効画素領域における前記第1の電極と接続した第1の配線を、前記オプティカルブラック画素領域にける第2の電極に接続し、前記有効画素領域における前記第2の電極と接続した第2の配線を、前記オプティカルブラック画素領域にける第1の電極に接続して、前記有効画素領域とオプティカルブラック画素領域との間で、前記第1の電極と前記第2の電極との配置が入れ替えられた請求項1~3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。上述した従来の固体撮像素子例えばCCDは、受光センサ部110から垂直転送レジスタ部120へ信号電荷の読み出しを行う際に、通常、転送電極130aには13V程度の正電圧パルスを印加している。このとき、受光センサ部110のP濃度が高いOB画素領域200の画素構造特有の問題として、図9bに示すように、読み出しパルス印加時に、受光センサ部110と垂直転送レジスタ部120間に、有効画素よりも強い電界が発生してしまう有効画素電位差<OB画素電位差。さらに、遮光膜500は、通常GND電位であるのが一般的であるため、開口部510図8参照がないOB画素領域200においては、受光センサ部110が基板表面側よりGND電位に固定されている図9a参照。そのため、読み出しパルス印加時には、垂直転送レジスタ部120と受光センサ部110との電位差が大きくなり、電界の強化が助長されてしまうことになる。そうなると、OB画素領域200のみで生じるかかる強電界によってソフトブレイクダウンが起きてしまう虞が生じる。ソフトブレイクダウンが発生すると、図9bに示すように、微小な電子が発生して垂直転送レジスタ部120へ混入してしまう。発生した電子は、OB画素領域200の出力信号のノイズ成分となってしまい、これによって、クランプレベルがずれ、出力画像が黒く沈む、あるいは色付く等といった問題が発生してしまう。なお、最近のCCDでは、モニタリングモード等で信号加算動作を行うことが一般的であるが、この場合、前述のOB画素のノイズ成分も同時に加算されてしまうため、クランプレベルのずれがさらに強調される可能性もある。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、OB画素領域において、強電界によるソフトブレイクダウンで生じる電子が転送レジスタへノイズ信号として混入することを抑制することのできる固体撮像装置を提供することにある。そこで、上記目的を達成するために、請求項1に係る発明は、マトリクス状に配列された受光センサ形成領域と、この受光センサ形成領域に形成される受光センサ部から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部を形成するために、前記受光センサ形成領域の列毎に設けられたレジスタ部形成領域と、を備える画素領域を有し、この画素領域は、前記受光センサ形成領域に形成された入光部から入射される光に応じた撮像信号を得るための前記受光センサ部が形成された有効画素領域と、この有効画素領域に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るために前記受光センサ形成領域を遮光したオプティカルブラック画素領域とに区画され、前記レジスタ部形成領域は、電荷を転送するためだけに用いられる第1の電極と、前記受光センサ部から前記垂直転送レジスタ部に信号電荷を読み出すための読出電極としても用いることのできる第2の電極とが形成されており、これら第1の電極と第2の電極との配置を、前記有効画素領域とオプティカルブラック画素領域との間で異ならせた固体撮像装置とした。また、請求項2に係る本発明では、請求項1記載の固体撮像装置において、前記有効画素領域では、前記第1の電極は互いに隣接する前記受光センサ部間に配設され、前記第2の電極が前記入光部に近接するように前記受光センサ部の横側に臨設される一方、前記オプティカルブラック画素領域では、前記第1の電極は前記受光センサ形成領域の横側に臨設され、前記第2の電極が互いに隣接する前記受光センサ形成領域間に配設されていることとした。また、請求項3に係る本発明では、請求項2記載の固体撮像装置において、前記オプティカルブラック画素領域の前記各列毎の受光センサ形成領域間を横切るように前記第2の電極を形成し、前記有効画素領域の受光センサ部から信号電荷を読み出す際に当該第2の電極に読み出しパルスを印加したときに、前記受光センサ形成領域間に形成されたチャネルストップにも前記読み出しパルスが印加される構成とした。また、請求項4に係る本発明では、請求項1~3のいずれか1項に記載の固体撮像装置において、前記有効画素領域における前記第1の電極と接続した第1の配線を、前記オプティカルブラック画素領域にける第2の電極に接続し、前記有効画素領域における前記第2の電極と接続した第2の配線を、前記オプティカルブラック画素領域にける第1の電極に接続して、前記有効画素領域とオプティカルブラック画素領域との間で、前記第1の電極と前記第2の電極との配置が入れ替えられた構成とした。本発明によれば、OB画素領域における垂直転送レジスタ部の兼用電極がP濃度の高い受光センサ形成領域と隣接しないようにできるため、読み出しパルス印加時における強電界に起因するソフトブレイクダウン発生を抑制することが可能となる。したがって、ソフトブレイクダウン発生時に転送レジスタへ電子が混入することを防ぐことができるため、クランプレベルのずれが軽減され、出力画像が黒く沈む、あるいは色付くといった問題の発生を抑止することが可能となって、複合映像信号や輝度信号などの信号処理を、より正確に行ない易くすることができる。以下、本発明に係る固体撮像装置の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の説明では、固体撮像素子であるCCDChargeCoupledDeviceを備えた例で説明するが、これに限定されるものではなく、受光センサ部から読み出した信号電荷を垂直-水平転送パラレル-シリアル転送する構造の固体撮像装置全般に適用可能である。図1は固体撮像素子の一例であるCCDの画素領域を示し、図2は同CCDの画素領域を構成する有効画素領域とOB画素領域とを示す模式的説明図、図3は本実施形態に係る固体撮像装置の一例を示す模式的説明図である。図1に示すように、本実施形態におけるCCDの画素領域には、背景技術で説明したCCD同様に、有効画素領域10とオプティカルブラック画素領域以下、OB画素領域ともいう20とが形成されている。符号11は被写体からの入射光に応じた信号電荷を生成して撮像信号を得る受光センサ部を示しており、横行と縦列とからなるマトリクス状に配置されて有効画素領域10を形成している。なお、符号40は、受光センサ部11で光電変換された信号電荷を出力する出力部30に転送する水平転送レジスタ部を示している。また、図2に示すように、OB画素領域20には、有効画素領域10の受光センサ部11を形成する過程で形成される受光センサ形成領域21が形成されている。さらに、有効画素領域10及びOB画素領域20には、縦方向に伸延するレジスタ部形成領域が形成されており、このレジスタ部形成領域に信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部12が設けられている。有効画素領域10の垂直転送レジスタ部12は、図示するように、受光センサ部11に蓄積された信号電荷を前記垂直転送レジスタ部12に読み出す転送電極13を備えている。転送電極13は、転送パルスと、受光センサ部11から垂直転送レジスタ部12への信号読み出しパルスの両方を印加する読み出し兼転送電極以下、兼用電極という13aと、転送パルスのみを印加する転送電極13bの2種類からなる。そして、これらが水平転送レジスタ部40に至るまで垂直方向に交互に配置されている。そして、転送パルスよりも高電圧の読み出しパルスが、受光センサ部11に隣接する兼用電極13aのみに印加されるとともに、転送パルスが兼用電極13aと転送電極13bの両方に印加される。こうして、読み出された信号電荷は1走査線1ラインに相当する部分ずつ順に垂直方向に転送されることになる。なお、図2において、符号51で示すものは、第1の遮光膜31に形成された入光部を示し、受光センサ部11の上方に開口されている。なお、本実施形態に係るCCDでは、図3に示すように、画素領域全体を金属膜からなる遮光膜31で被覆して遮光しているが、有効画素領域10とOB画素領域20とを、それぞれ電気的に分離した第1の遮光膜と第2の遮光膜とで区画して被覆する構造としてもよい。これは、有効画素領域10を被覆する有効領域遮光膜としての第1の遮光膜とOB画素領域20を被覆するOB領域遮光膜としての第2の遮光膜とを、別々の電位にすることを目的とする場合である。この場合、CCDの受光センサ部11から垂直転送レジスタ部12へ信号電荷を読み出す際に、転送電極13へ印加する読み出しパルスと同期して、第2の遮光膜に正電圧のパルスを印加可能な構成とするとよい。かかる構成とすることにより、従来構造のOB画素領域では読み出しパルス印加時には遮光膜下のセンサ領域がGND電位に固定されていたのに対し、第2の遮光膜に正電圧パルスを印加すれば、受光センサ部11と垂直転送レジスタ部12との電位差の差がつきにくくなる。この結果として、読み出し電圧印加時の強電界を緩和させることができる。また、図3に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置は、CCDの外部に設けたタイミングジェネレータTGを備えている。そして、タイミングジェネレータTGによるタイミングに応じて、CCDの転送電極13に接続された端子V1~V4に読み出しパルスや転送パルスが印加されることになる。上述してきた構成の固体撮像装置において、本実施形態の特徴となるのは、第1の電極である転送電極13bと第2の電極である兼用電極13aとの配置を、有効画素領域10とOB画素領域20との間で異ならせたことにある。すなわち、電荷を転送するためだけに用いられる転送電極13bと、受光センサ部11から垂直転送レジスタ部12に信号電荷を読み出すための読出電極としても用いることのできる兼用電極13aとの配置を、有効画素領域10とOB画素領域20との間で異ならせている。本実施形態では、図2に示すように、有効画素領域10においては、転送電極13b第1の電極は、互いに縦列方向垂直方向に隣接する受光センサ部11,11間に配設されている。他方、兼用電極13a第2の電極は、受光センサ部11の入光部51の横側に臨設されており、結果的に受光センサ部11に極めて近接するように配置されている。一方、OB画素領域20では、転送電極13b第1の電極は受光センサ形成領域21の横側に臨設され、兼用電極13a第2の電極は、互いに縦列方向に隣接する受光センサ形成領域21,21間に配設されている。したがって、読み出しパルスは、有効画素領域10においては受光センサ部11の真横に印加されるものの、OB画素領域20においては受光センサ形成領域21の真横に印加されるのではなく、垂直方向の受光センサ形成領域21,21間に印加されることになる。かかる構成とすることにより、OB画素領域20における兼用電極13aは、P濃度の高い受光センサ形成領域21とは隣接しないか、仮に近接したとしても、その重合長さは極めて短い長さになるため、読み出しパルス印加時において、強電界が生じることに起因するソフトブレイクダウン発生を抑制することが可能となる。ところで、OB画素領域20における縦列方向垂直方向の受光センサ形成領域21,21間には、信号用電荷の移動方向を規制して信号混色を防止するPチャネルストップが形成されている。しかし、これは、一般的には受光センサ形成領域21の表面Pよりも濃度が低い。したがって、OB画素領域20において、例えば、従来の構造のように、受光センサ形成領域21のほぼ真横に読み出しクロックが印加されるよりも、本実施形態における構造のように、受光センサ形成領域21,21間に読み出しクロックが印加される方がソフトブレイクダウンが、より発生し難くなる。すなわち、本実施形態の方が、Pチャネルストップと垂直転送レジスタ部12との間の電位差が付きにくくなるためである。ソフトブレイクダウンが発生し難いということは、垂直転送レジスタ部12へ電子が混入することを防ぐことができるため、クランプレベルのずれが軽減され、出力画像が黒く沈む、あるいは色付くといった問題の発生を抑止することが可能となる。したがって、結果的には複合映像信号や輝度信号などの信号処理を、より正確に行ない易くすることが可能となる。ここで、図4を参照して、上述した構成を実現するための配線構造について説明する。すなわち、有効画素領域10の受光センサ部11と、OB画素領域20の受光センサ形成領域21とに対する兼用電極13aと転送電極13bとの位置を入れ替えるための具体的方法について説明する。画素領域において、兼用電極読み出し兼転送電極13aと転送電極13bの上部には、直上の絶縁膜31図3参照を隔てて導電性の電極用配線が配設されている。つまり、図4に示すように、信号読み出しパルス及び転送パルスが印加される兼用電極用配線41と、転送パルスのみが印加される転送電極用配線42とが配設されている。また、図示するように、兼用電極13aと転送電極13bとには、その直上の絶縁膜にドライエッチングで形成したコンタクト部43,44がそれぞれ対応して形成されている。そして、これらコンタクト部43を介して兼用電極用配線41や転送電極用配線42を接続させることにより、外部よりパルスを印加させるようにしている。なお、図4では、兼用電極用配線41に対応するコンタクト部を符号43で示し、転送電極用配線42に対応するコンタクト部を符号44で示している。これら兼用電極用配線41と転送電極用配線42との配置は、従来技術においては有効画素領域もOB画領域においても同様であった。これに対し、本実施形態においては、有効画素領域10とOB画素領域20とで電極用配線兼用電極用配線41,転送電極用配線42のレイアウトを変更し、有効画素領域10とOB画素領域20との間で兼用電極13aと転送電極13bとの配置を実質的に異ならせている。すなわち、図4に示すように、有効画素領域10に設けられた兼用電極用配線41は、図面上の横方向に伸延し、垂直転送レジスタ部12において上方へ伸延させて、受光センサ部11の略真横に位置する兼用電極13aのコンタクト部43と接続している。他方、この兼用電極用配線41は、OB画素領域20では、垂直転送レジスタ部12において下方へ伸延させ、互いに縦列方向に隣接する受光センサ形成領域21,21同士の間の横に位置するコンタクト部44と接続させている。したがって、OB画素領域20では、兼用電極13a第2の電極は互いに縦列方向に隣接する受光センサ形成領域21,21間に配設されることになる。また、有効画素領域10に設けられた転送電極用配線42は、図面上の横方向に伸延し、垂直転送レジスタ部12において下方へ伸延させて、縦列方向に隣接する受光センサ部11,11同士の間に位置する転送電極13bのコンタクト部44と接続している。他方、この転送電極用配線42は、OB画素領域20では、垂直転送レジスタ部12において、互いに縦列方向に隣接する受光センサ形成領域21,21同士の間の横に位置するコンタクト部44を迂回するように下方へ伸延している。そして、有効画素領域10における当該転送電極用配線42の始点となる受光センサ部11に対して1行だけ縦列方向へずれた受光センサ形成領域21の横に位置するコンタクト部43と接続している。このように、本実施形態によれば、有効画素領域10とOB画素領域20とで電極用配線兼用電極用配線41及び転送電極用配線42のレイアウトを変更することによって、有効画素領域10とOB画素領域20との間で兼用電極13aと転送電極13bとの実質的な配置を異ならせている。すなわち、レイアウトを変更するだけなので、各電極用配線兼用電極用配線41及び転送電極用配線42の幅やコンタクト部43,44の面積などは、従来の構造と同一でよいため、プロセス上の加工精度などが特に変わることもない。ところで、図4に示す構成とした場合、前述したように、有効画素領域10とOB画素領域20とでは、電極兼用電極13a及び転送電極13bが、縦列方向へ1行分ずれてしまう。そのため、同一ラインの信号電荷が垂直転送レジスタ部12から水平転送レジスタ部40へ転送される場合の同時性を損なう虞がある。そのような場合、例えば、本実施形態のように、垂直転送レジスタ部12が、4種の端子V1V2V3V4を介して信号を転送する4相駆動の構成図3を参照であれば、図5に示すように、水平転送レジスタ部40の直前に位置する電極長を調整すればよい。ここでは、有効画素領域10における水平転送レジスタ部40の直前に位置する2つの端子V3,V4にそれぞれ接続する各電極の長さの2/3の長さとした3つの電極を、OB画素領域20における水平転送レジスタ部40の直前に位置させ、各電極を3つの端子V2,V3,V4にそれぞれ対応させて接続している。かかる構成とすることで、同一ラインの信号が垂直転送レジスタ部12から水平転送レジスタ部40へ転送される場合の同時性を保つことができる。また、画素領域の他の実施形態として、図6に示す構成とすることができる。これは、OB画素領域20の前記各列毎の受光センサ形成領21,21域間を横切るように兼用電極13aを形成したものである。すなわち、OB画素領域20における縦列方向に隣接する受光センサ形成領域21,21間図2参照に位置する兼用電極13aの形状を、図示するように、横行方向に隣接する垂直転送レジスタ部12,12同士を接続するように帯状に形成している。かかる構成は、金属配線形状兼用電極用配線41及び転送電極用配線42やコンタクト部43,44の位置は先の実施形態図4参照と何ら変わりはない。しかし、兼用電極13aの形状を変えているため、受光センサから信号を読み出す際に、受光センサ形成領域21,21間の前記Pチャネルストップに読み出しパルスが印加される。この結果、Pチャネルストップと垂直転送レジスタ部12間の電位差が付きにくくなり、電界が緩和されるため、ソフトブレイクダウンの発生が、更に抑制されることになる。上述してきた実施形態より、以下の固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法が実現される。1マトリクス状に配列された受光センサ形成領域と、この受光センサ形成領域に形成される受光センサ部11から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部12を形成するために、前記受光センサ形成領域の列毎に設けられたレジスタ部形成領域と、を備える画素領域を有し、この画素領域は、前記受光センサ形成領域に形成された入光部51から入射される光に応じた撮像信号を得るための前記受光センサ部11が形成された有効画素領域10と、この有効画素領域10に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るために前記受光センサ形成領域を遮光したオプティカルブラック画素領域OB画素領域20とに区画され、前記レジスタ部形成領域は、電荷を転送するためだけに用いられる第1の電極転送電極13bと、受光センサ部11から垂直転送レジスタ部12に信号電荷を読み出すための読出電極としても用いることのできる第2の電極兼用電極13aとが形成されており、これら転送電極13bと兼用電極13aとの配置を、有効画素領域10とOB画素領域20との間で異ならせた固体撮像装置。2上記1において、有効画素領域10では、転送電極13b第1の電極は互いに隣接する受光センサ部11,11間に配設され、兼用電極13a第2の電極が入光部51に近接するように受光センサ部11の横側に臨設される一方、OB画素領域20では、転送電極13b第1の電極は前記受光センサ形成領域の横側に臨設され、兼用電極13a第2の電極が互いに隣接する前記受光センサ形成領域21,21間に配設されている固体撮像装置。3上記2において、OB画素領域20の前記各列毎の受光センサ形成領域間を横切るように兼用電極13a第2の電極を形成し、有効画素領域10の受光センサ部11から信号電荷を読み出す際に当該兼用電極13aに読み出しパルスを印加したときに、前記受光センサ形成領域間に形成されたチャネルストップにも前記読み出しパルスが印加される固体撮像装置。4上記1~3のいずれかにおいて、有効画素領域10における転送電極13b第1の電極と接続した転送電極用配線42第1の配線を、OB画素領域20にける兼用電極13a第2の電極に接続し、有効画素領域10における兼用電極13aと接続した兼用電極用配線41第2の配線を、OB画素領域20にける転送電極13bに接続して、有効画素領域10とOB画素領域20との間で、転送電極13b第1の電極と兼用電極13a第2の電極との配置が入れ替えられた固体撮像装置。"