"シリコン基板を用意する用意工程と、前記シリコン基板の重量を測定し、測定された重量が予め定められた重量範囲内にあるか否かを判定する判定工程と、前記判定工程において測定された重量が前記重量範囲内にあると判定されたシリコン基板を用いて光電変換部を作製する光電変換部作製工程と、前記光電変換部の上に一対の電極を形成することにより太陽電池を得る工程と、を備える、太陽電池の製造方法。前記用意工程において、前記シリコン基板として、厚みが200μm以下のシリコン基板を用意する、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記用意工程は、前記シリコン基板に対するエッチング処理を含む、請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。前記用意工程において、前記エッチング処理は、シリコンインゴットをスライスすることにより作製されたシリコン板に対して行われ、前記エッチング処理は、前記シリコン板の両主面を等方性エッチングして平坦化した後に少なくとも一方の主面を異方性エッチングする処理を含む、請求項3に記載の太陽電池の製造方法。前記光電変換部作製工程は、前記シリコン基板の上に、p型半導体層及びn型半導体層を形成する工程を含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。前記光電変換部作製工程は、前記シリコン基板内に、p型ドーパントを拡散させてp型ドーパント拡散領域を形成すると共に、n型ドーパントを拡散させてn型ドーパント拡散領域を形成する工程を含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。光電変換部と、前記光電変換部の上に配された一対の電極とを有する太陽電池を製造するための製造装置であって、シリコン基板の重量を測定する重量測定部と、測定された重量が予め定められた重量範囲内にあるか否かを判定する判定部と、前記判定部において、測定された重量が前記重量範囲内にあると判定されたシリコン基板を用いて光電変換部を作製する光電変換部作製部と、を備える、太陽電池の製造装置。近年、シリコン太陽電池に対して、光電変換効率をさらに高めたいという要望に加え、シリコン太陽電池の光電変換効率の製造ばらつきを小さくしたいという要望が高まってきている。本発明の目的は、シリコン太陽電池の光電変換効率の製造ばらつきを小さくすることにある。本発明に係る太陽電池の製造方法では、シリコン基板を用意する用意工程を行う。シリコン基板の重量を測定し、測定された重量が予め定められた重量範囲内にあるか否かを判定する判定工程を行う。判定工程において測定された重量が重量範囲内にあると判定されたシリコン基板を用いて光電変換部を作製する光電変換部作製工程を行う。光電変換部の上に一対の電極を形成することにより太陽電池を得る工程を行う。本発明に係る太陽電池の製造装置は、光電変換部と、光電変換部の上に配された一対の電極とを有する太陽電池を製造するための製造装置に関する。本発明に係る太陽電池の製造装置は、重量測定部と、判定部と、光電変換部作製部とを備えている。重量測定部は、シリコン基板の重量を測定する。判定部は、測定された重量が予め定められた重量範囲内にあるか否かを判定する。光電変換部作製部は、判定部において、測定された重量が重量範囲内にあると判定されたシリコン基板を用いて光電変換部を作製する。本発明によれば、シリコン太陽電池の光電変換効率の製造ばらつきを小さくすることができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。図1は、本実施形態における太陽電池の製造工程を表すフローチャートである。図2は、本実施形態における太陽電池の製造装置の模式的ブロック図である。まず、図2を参照しながら、太陽電池の製造装置10の構成について説明し、その後、図1を主として参照しながら製造装置10を用いた太陽電池の製造方法について説明する。太陽電池の製造装置10の構成製造装置10は、重量測定部11と、選別部12と、光電変換部形成部14と、電極形成部15と、重量測定部11、選別部12、光電変換部形成部14及び電極形成部15を制御する制御部13とを備えている。重量測定部11には、シリコン基板24図6を参照が供給される。重量測定部11は、制御部13からの信号に基づいて、供給されたシリコン基板24の重量を測定する。重量測定部11は、測定したシリコン基板24の重量を制御部13に出力する。選別部12には、重量測定部11において重量が測定されたシリコン基板24が供給される。選別部12は、判定部としての機能を兼ね備える制御部13からの信号に基づいて、シリコン基板24の判別を行う。選別部12は、判定結果に基づいて、シリコン基板24を排出するか、または光電変換部形成部14に移送する。光電変換部形成部14は、選別部12から移送されたシリコン基板24を用いて光電変換部26図7を参照を作製する。光電変換部形成部14は、例えば、半導体層を形成するための薄膜形成装置や、シリコン基板24にドーパントをドープするための装置を有していてもよい。薄膜形成装置の具体例としては、CVDChemicalVaporDeposition装置やスパッタリング装置等が挙げられる。光電変換部形成部14により作製された光電変換部26は、電極形成部15に移送される。電極形成部15は、光電変換部26の上に、一対の電極27p、27n図8を参照を形成し、太陽電池30を完成させる。完成した太陽電池30は、製造装置10から搬出される。電極形成部15は、例えば、スパッタリング装置や、導電性ペーストを塗布する塗布装置、めっき膜を形成するめっき装置、CVD装置等を有していてもよい。太陽電池30の製造方法用意工程まず、ステップS1において、シリコン基板24を用意する用意工程。このシリコン基板24の厚みは、シリコン基板24の主面24aに入射した光の一部がシリコン基板24を透過して主面24bから出射する程度の厚みであることが好ましい。具体的に、シリコン基板24の厚みは、200μm以下であることが好ましい。シリコン基板24は、少なくとも一方の主面にテクスチャ構造が設けられたシリコン基板であることが好ましい。ここで、テクスチャ構造とは、表面反射を抑制し、光電変換部の光吸収量を増大させるために形成されている凹凸構造のことをいう。テクスチャ構造の具体例としては、100面を有する単結晶シリコン基板の表面に異方性エッチングを施すことによって得られるピラミッド状四角錐状や、四角錐台状の凹凸構造が挙げられる。具体的には、ステップS1は、ステップS1-1,S1-2及びS1-3を有する。ステップS1-1では、図3に示すように、シリコンインゴット21をカットラインLに沿ってスライスする。これにより、図4に示すシリコン板22を作製する。スライス後のシリコン板22の両主面22a、22bは、ソーマークと呼ばれるスライス時に形成されたランダムな凹凸構造を有しており、平坦ではない。なお、シリコンインゴット21のスライスは、例えば、ワイヤーソーなどを用いて行うことができる。次に、ステップS1-2において、シリコン板22の等方性エッチングを行う。これにより、主面22a、22bを平坦化し、図5に示すように、略平坦な主面23a、23bを有するシリコン板23を作製する。次に、ステップS1-3において、シリコン板23の主面23a、23bの少なくとも一方を異方性エッチングすることにより、少なくとも一方の主面にテクスチャ構造が設けられたシリコン基板24を有する。本実施形態では、具体的には、シリコン板23の主面23a、23bのうちの主面23aのみを異方性エッチングすることによって、図6に示すように、主面24aにテクスチャ構造を有し、主面24bが略平坦なシリコン基板24を作製する。本実施形態では、このシリコン基板24の導電型がn型である場合について説明するが、シリコン基板24の導電型はp型であってもよい。なお、本実施形態では、ステップS1-1,S1-2及びS1-3は、製造装置10外で行われる。但し、本発明は、この構成に限定されない。製造装置10が、等方性エッチング及び異方性エッチングを行うエッチング部を有し、製造装置10内においてステップS1-1,S1-2及びS1-3を行ってもよい。判定及び選別工程ステップS1の用意工程に続いて、ステップS2の判定工程を行う。ステップS2では、具体的には、判定部としての機能を兼ね備えた制御部13は、重量測定部11から出力されたシリコン基板24の重量が、予め定められた重量範囲許容重量範囲内にあるか否かを判定し、その結果を選別部12に対して出力する。次に、ステップS3において、選別部12は、制御部13からの出力結果に基づいてシリコン基板24の選別を行う。具体的には、選別部12は、制御部13によって、重量が許容重量範囲内にあると判断されたシリコン基板24を光電変換部形成部14に移送する一方、重量が許容重量範囲内にないと判断されたシリコン基板24を製造装置10から排出する。光電変換部作製工程次に、ステップS4の光電変換部作製工程において、選別部12から移送されたシリコン基板24を用いて光電変換部26を作製する。具体的には、本実施形態では、ステップS4は、ステップS4-1を有する。ステップS4-1において、シリコン基板24の主面24aの上にp型半導体層25pを形成すると共に、主面24bの上にn型半導体層25nを形成する。その後、p型半導体層25p及びn型半導体層25nの上に、それぞれ、例えばITOインジウムスズ酸化物等からなる透明導電性酸化物膜26a、26bを形成することにより光電変換部26を作製する。なお、半導体層25p、25n及び透明導電性酸化物膜26a、26bのそれぞれは、例えば、CVD法やスパッタリング法により形成することができる。p型半導体層25pは、例えば、水素を含むp型のアモルファスシリコンにより構成することができる。n型半導体層25nは、例えば、水素を含むn型のアモルファスシリコンにより構成することができる。半導体層25p、25nのそれぞれとシリコン基板24との間に、実質的に発電に寄与しない程度の厚みの実質的に真性なi型半導体層を形成してもよい。電極形成工程次に、ステップS5において、図8に示すように、光電変換部26の上に一対の電極27p、27nを形成する。具体的には、光電変換部26のp型半導体層25p側の主面の上にp側電極27pを形成し、n型半導体層25n側の主面の上にn側電極27nを形成する。これにより、太陽電池30を完成させることができる。なお、電極27p、27nの形成は、例えばスパッタリング法、CVD法、めっき法等により行うことができる。ところで、近年、太陽電池の薄型化が急速に進んできている。薄型の太陽電池では、従来の太陽電池とは異なり、光電変換効率の製造ばらつきが大きいという問題が生じている。この問題について、本発明者は、鋭意研究の結果、シリコン基板の厚みばらつきが、製造される太陽電池の光電変換効率の製造ばらつきに大きく寄与していることを見出した。シリコン基板の厚みが十分に大きく主面から入射した光がシリコン基板を実質的に透過しない太陽電池においては、シリコン基板の厚みに多少のばらつきが生じてもシリコン基板により吸収される光の量はそれほど大きくは変化しない。しかしながら、一方の主面から入射した光がシリコン基板を透過し、他方の主面から出射する程度にシリコン基板の厚みが薄い太陽電池では、シリコン基板の厚みにばらつきが生じると、シリコン基板により吸収される光の量が変化する。その結果、光電変換効率も変化するものと考えられる。これに鑑み、本実施形態では、ステップS2の判定工程において、シリコン基板24の重量を測定し、測定された重量が予め定められた重量範囲内にあるか否かを判定する。ここで、シリコン基板24の重さは、シリコン基板24の平均厚みと相関するため、シリコン基板24の重量が、予め定められた重量範囲内にある場合には、シリコン基板24の平均厚みが予め定められた許容厚み範囲内にあるということになる。一方、シリコン基板24の重量が、予め定められた重量範囲内にない場合には、シリコン基板24の平均厚みが予め定められた許容厚み範囲内にないということになる。そして、ステップS2の判定工程において、シリコン基板24の重量が、予め定められた重量範囲内にあると判断されたシリコン基板24を用いて、光電変換部26の作製が行われる。このため、太陽電池30を構成するシリコン基板24の厚みの製造ばらつきを小さくすることができる。その結果、太陽電池30の光電変換効率の製造ばらつきを小さくすることができる。シリコン基板24の平均厚みのばらつきは、ステップS1-2やステップS1-3などのエッチング工程の影響を受けて生じる可能性がある。したがって、本実施形態のステップS2の判定工程およびステップS3の選別工程は、ステップS1-2やステップS1-3などのエッチング処理の後に行うことが好ましい。その結果、ステップS2の判定工程およびステップS3の選別工程において、エッチング処理の結果の判定を行うことができる。本実施形態の光電変換効率の製造ばらつきを小さくできる技術は、シリコン基板24の厚みが200μm以下、エッチング後のシリコン基板24の厚みが180μm以下であり、シリコン基板24に入射した光がシリコン基板24を透過しやすい場合に特に有効である。なお、シリコン基板の厚みの製造ばらつきを抑制する方法として、光電変換部を作製する前にシリコン基板の厚みを直接測定する方法を採用することも考えられる。シリコン基板の厚みの測定方法の具体例としては、例えば、触針を用いた接触式の測定方法、レーザーを用いた測定方法などが考えられる。しかしながら、光電変換効率は、シリコン基板の平均厚みと相関するところ、触針やレーザーを用いた厚み測定方法では、シリコン基板の一部分の厚みを測定できるものの、シリコン基板の平均厚みを正確に測定することは困難である。シリコン基板の少なくとも一方の主面がテクスチャ構造を有する場合には、触針やレーザーを用いた厚み測定方法では、シリコン基板の平均厚みの正確な測定がさらに困難となる。従って、製造される太陽電池の光電変換効率の製造ばらつきを十分に小さくすることは困難である。それに対して本実施形態では、シリコン基板24の平均厚みに直接相関するシリコン基板24の重量を測定する。このため、シリコン基板24の平均厚みを正確に管理することができる。シリコン基板24の主面24a、24bの少なくとも一方がテクスチャ構造を有している場合であっても、シリコン基板24の厚みを正確に管理することができる。その結果、製造される太陽電池の光電変換効率の製造ばらつきを効果的に小さくすることができる。また、触針を用いた厚み測定方法では、シリコン基板が触針と接触することにより傷つくため、シリコン基板の厚みを全数検査することはできない。それに対してシリコン基板24の重量を測定する方法であれば、シリコン基板24を傷つけないため、全数検査することも可能である。尚、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。例えば、図9に示すように、ステップS4の光電変換部作製工程において、シリコン基板24内にp型ドーパントを拡散させてp型ドーパント拡散領域28pを形成すると共に、n型ドーパントを拡散させてn型ドーパント拡散領域28nを形成することによりシリコン基板24を作製してもよい。図10に示すように、光電変換部26は、シリコン基板24の主面24bの上にp型半導体層25p及びn型半導体層25nが配されたものであってもよい。また、光電変換部26は、シリコン基板24の主面24bに露出するようにp型ドーパント拡散領域28p及びn型ドーパント拡散領域28nが設けられたものであってもよい。すなわち、太陽電池は、裏面接合型であってもよい。太陽電池の製造装置は、電極形成部を有していなくてもよい。シリコン基板の両主面のいずれもテクスチャ構造を有していなくてもよい。以上のように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"