成長基板と、前記成長基板上に形成されるパウダータイプの窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成されるp―タイプの窒化物層と、前記p―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるn―タイプのZnO層と、を含むことを特徴とする窒化物系発光素子。前記窒化物成長用シード層は、GaNパウダーで形成される、ことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記窒化物成長用シード層は、サファイアパウダーで形成される、ことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記窒化物成長用シード層は、シリカパウダーで形成される、ことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記成長基板は、シリコン基板又はサファイア基板である、ことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記成長基板は、p―タイプのシリコン基板である、ことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記成長基板の表面には凹凸が形成されている、ことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記発光素子は、前記窒化物成長用シード層と前記p―タイプの窒化物層との間に、窒化物で形成されるバッファ層をさらに含む、ことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記バッファ層は、p―タイプの窒化物で形成される、ことを特徴とする、請求項8に記載の窒化物系発光素子。成長基板上にパウダーで窒化物成長用シード層を形成し、前記窒化物成長用シード層上にバッファ層を形成し、前記窒化物成長用シード層上にp―タイプの窒化物層を形成し、前記p―タイプの窒化物層上に発光活性層を形成し、前記発光活性層上にn―タイプのZnO層を形成すること、を含む、ことを特徴とする窒化物系発光素子の製造方法。前記窒化物成長用シード層は、GaNパウダーで形成される、ことを特徴とする、請求項10に記載の窒化物系発光素子の製造方法。前記窒化物成長用シード層は、サファイアパウダーで形成される、ことを特徴とする、請求項10に記載の窒化物系発光素子の製造方法。前記窒化物成長用シード層は、シリカパウダーで形成される、ことを特徴とする、請求項10に記載の窒化物系発光素子の製造方法。前記成長基板上にパウダーで窒化物成長用シード層を形成することでは、前記パウダーを前記成長基板上に載せ、前記成長基板を加熱することによって前記パウダーを前記成長基板に付着させる方法で、前記窒化物成長用シード層を形成する、ことを特徴とする、請求項10に記載の窒化物系発光素子の製造方法。前記成長基板上にパウダーで窒化物成長用シード層を形成することでは、スピンコーターを用いて前記パウダーを含有する溶液を前記成長基板上にコーティングした後、乾燥する方法で、前記窒化物成長用シード層を形成する、ことを特徴とする、請求項10に記載の窒化物系発光素子の製造方法。前記バッファ層は、p―タイプの窒化物で形成される、ことを特徴とする、請求項10に記載の窒化物系発光素子の製造方法。本発明の第1の目的は、良好な結晶品質のp―タイプの窒化物層を含む窒化物系発光素子を提供することにある。本発明の第2の目的は、良好な結晶品質のp―タイプの窒化物層を含む窒化物系発光素子の製造方法を提供することにある。前記第1の目的を達成するための本発明に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成されるパウダータイプの窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成されるp―タイプの窒化物層と、前記p―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるn―タイプのZnO層と、を含むことを特徴とする。このとき、前記窒化物成長用シード層は、GaNパウダーで形成することができる。また、前記窒化物成長用シード層は、サファイアパウダーで形成することができる。また、前記窒化物成長用シード層は、シリカパウダーで形成することができる。また、前記成長基板は、p―タイプのシリコン基板であることが望ましい。前記第2の目的を達成するための本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、成長基板上にパウダーで窒化物成長用シード層を形成し、前記窒化物成長用シード層上にバッファ層を形成し、前記バッファ層上にp―タイプの窒化物層を形成し、前記p―タイプの窒化物層上に発光活性層を形成し、前記発光活性層上にn―タイプのZnO層を形成すること、を含むことを特徴とする。本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、窒化物系発光素子は、成長基板上にp―タイプの窒化物層が先に形成される構成を有する。これによって、p―タイプの窒化物層の結晶品質を向上させることができる。併せて、本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、窒化物系発光素子は、相対的に低温で成長が可能なn―タイプのZnO層を発光活性層上に成長させる構成を有する。これにより、発光活性層に及ぼす影響を従来より低減化することができる。また、本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、窒化物成長用シード層はGaNパウダー、サファイアパウダー又はシリカパウダーを用いて形成されうる。この場合、窒化物系発光素子では、窒化物の成長時にシリコンと窒化物との間の格子定数の差によって発生する線欠陥を従来よりも低減化することができる。また、本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、p―タイプのシリコン基板を用いることができ、その場合は、基板を除去せずに、容易に垂直型発光素子を製造することができる。実施形態以下、添付の図面を参照して本発明の好適な実施形態に係る窒化物系発光素子及びその製造方法について詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る窒化物系発光素子を概略的に示した図である。図1を参照すると、図示した窒化物系発光素子は、成長基板110、窒化物成長用シード層120、p―タイプの窒化物層130、発光活性層140及びn―タイプのZnO層150を含む。本発明に適用される成長基板110としては、窒化物系発光素子の製造時に成長基板として広く用いられるサファイア基板を用いることができる。また、本発明に適用される成長基板110としては、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板などのシリコン基板を用いることができる。窒化物成長用シード層120は、成長基板110の上部にパウダータイプに形成され、窒化物成長に対するシードseedの役割をする。ここで、パウダータイプとは、パウダーから形成されたことを意味する。また、窒化物成長用シード層120は、成長対象になる窒化物との格子ミスマッチングlatticemismatchingを減少させ、窒化物の成長時に発生する線欠陥を減少させる役割を有する。例えば、シリコン基板を成長基板110として用いる場合、シリコンと窒化物との間の大きな格子定数の差のため、シリコン基板上に窒化物を成長させるときに線欠陥が多く発生する。これは、発光素子の光効率を低下させる要因になる。しかし、シリコン基板上に窒化物成長用シード層を形成した後、窒化物成長用シード層120上で窒化物を成長させると、格子ミスマッチングが緩和され、窒化物の成長時に発生する線欠陥を減少させることができる。このような窒化物成長用シード層120は、窒化物に対する格子ミスマッチングを減少できるGaNパウダー、サファイアパウダー又はシリカパウダーで形成することができる。例えば、GaNパウダーをシードにしてGaNを成長させる場合、格子マッチングによってGaNの成長時に発生する線欠陥を低減化することができる。また、GaNパウダー上で成長する窒化物は、初期は垂直方向に成長し、その後は水平方向に成長する。その結果、平らな窒化物の成長が可能である。GaNパウダー、サフィアパウダー、シリカパウダーは、スピンコーティング法などによって成長基板110上に付着又は固定される。前記パウダーを成長基板110上に容易に付着又は固定するために、成長基板110の表面には突部と凹部を有する凹凸が形成されてもよい。凹凸は、特定のパターンで形成されてもよく、非定型の形態で形成されてもよい。成長基板110の表面の凹凸は、エッチングなどの多様な方法で形成することができる。成長基板110の表面に凹凸が形成されている場合、GaN、サファイア又はシリカパウダーは、凹凸の凹部に容易に付着又は固定される。一方、前記GaNパウダーなどの窒化物成長用シード層に適用されるパウダーとしては、平均粒径が10nm~1μmであるものを用いることが望ましい。パウダーの平均粒径が小さいほど、窒化物の成長時に発生する線欠陥の抑制効果が優れている。パウダーの平均粒径が1μmを超える場合、前記線欠陥の抑制効果が不十分であり、製造される窒化物系発光素子の光効率が低くなる。ただし、パウダーの平均粒径が10nm未満である場合、パウダー自体の製造費用が非常に嵩み、窒化物系発光素子の製造費用上昇の原因になり得る。次に、p―タイプの窒化物層130は、窒化物成長用シード層120の上部に形成される。p―タイプの窒化物層130には、p―タイプの電気的特性を確保するためにマグネシウムMgなどがドーピングされている。従来のほとんどの窒化物系発光素子の製造方法では、p―タイプの窒化物層を、発光活性層を形成した後の最後の段階で形成する。このとき、p―タイプの窒化物層形成過程で発光活性層に及ぼす影響を低減化するために、成長温度を低下させた状態でp―タイプの窒化物を形成する。その結果、p―タイプの窒化物の結晶品質が低下し、これは、発光効率の低下をもたらす。しかし、本発明によれば、p―タイプの窒化物層130を、発光活性層140を形成する前に形成することによって、高品質のp―タイプの窒化物層を得ることができる。発光活性層140は、p―タイプの窒化物層130の上部に形成される。発光活性層140は、MQWMultipleQuantumWell構造を有することができる。発光活性層140の例としては、InxGa1-xN01≦x≦03とGaNが交互に積層されている構造、又はInxZn1-xO01≦x≦03とZnOが交互に積層されている構造などを提示することができる。発光活性層140では、n―タイプのZnO層150を通して流れる電子とp―タイプの窒化物層130を通して流れる正孔とが再結合して、光が発生する。n―タイプのZnO層150は、発光活性層140の上部に形成され、p―タイプの窒化物層130とは反対のn―タイプの電気的特性を示す。ZnO自体がn―タイプではあるが、不純物を添加して得られるn―タイプの電気的特性に比べて微々たる特性しか示さず、電流パス程度の役割を担うことができるだけである。したがって、n―タイプのZnO層150にはSiなどがドーピングされていてもよい。ZnOは、GaNとほぼ同一のウルツ鉱Wurtzite型結晶構造を有する。また、ZnOは略700~800°Cの温度でも成長が可能であるので、ZnOの成長時に下部の発光活性層140に及ぼす影響を低減化し、結晶品質を向上させることができる。したがって、本発明に適用されるn―タイプのZnO層150は、1200°C程度の高温で成長するn―タイプのGaNに取って代わるものである。また、n―タイプのZnO層150を適用すると、n―タイプのGaNを適用した場合に比べて光輝度が向上する。前記のように、本発明では、成長基板上にp―タイプの窒化物層130が先に形成され、発光活性層140上にn―タイプのZnO層150が形成される。図2は、成長基板110としてp―タイプのシリコン基板図2ではp-Siと記載を用いた例を示した図である。図2に示した例のように、本発明に係る窒化物系発光素子は、図1に示す成長基板110としてp―タイプのシリコン基板を用いることができる。p―タイプのシリコン基板を用いる場合、図1に示す発光活性層140図2ではMQWsと記載の下部の各層がp―タイプに形成される。p―タイプのシリコン基板を用いる場合、シリコン基板自体をp―電極として活用することができる。したがって、垂直型発光素子の製造時にも基板除去工程を省略することができ、さらに、p―電極形成工程を省略することができる。したがって、p―タイプのシリコン基板を用いる場合、水平型発光素子のみならず、発光面積が相対的に広いことから高輝度を容易に具現できる垂直型発光素子も容易に製造することができる。一方、図1を参照すると、窒化物成長用シード層120とp―タイプの窒化物層130との間にバッファ層160をさらに含むことができる。バッファ層160は、成長基板上に異種の物質である窒化物を成長させるときに発生する応力を緩和させ、窒化物の成長時における格子マッチングに寄与する。このようなバッファ層160は、AlN、ZrN、GaNなどの窒化物で形成することができる。バッファ層160は、p―タイプに形成することができる。バッファ層160を形成する窒化物のほとんどは、大きな電気抵抗を有する。しかし、バッファ層160をp―タイプに形成する場合、バッファ層の電気抵抗が低くなる。したがって、製造される窒化物系発光素子の駆動効率を向上させることができる。特に、バッファ層160をp―タイプに形成し、成長基板110としてp―タイプのシリコン基板を用いる場合、p―タイプのシリコン基板から発光活性層140まで正孔が障壁なく容易に移動できるので、発光素子の駆動効率をさらに高めることができる。また、バッファ層160をp―タイプに形成する場合、バッファ層160のマグネシウムMgなどの不純物が成長基板110に浸透するようになる。この場合、成長基板110にp―タイプの電気的特性が与えられる。したがって、成長基板110として絶縁特性を有するサファイア基板を用いるとしても、従来の垂直型発光素子の製造時とは異なって、その除去を要しない。図3は、本発明の実施形態に係る窒化物系発光素子の製造方法を概略的に示した図である。図3を参照すると、窒化物系発光素子の製造方法は、窒化物成長用シード層形成段階S310、バッファ層形成段階S320、p―タイプの窒化物層形成段階S330、発光活性層形成段階S340及びn―タイプのZnO層形成段階S350を含む。窒化物成長用シード層形成段階S310では、シリコン基板、サファイア基板などの成長基板110上に窒化物成長用シード層120を形成する。このとき、前記窒化物成長用シード層120は、GaNパウダー、サファイアパウダー又はシリカパウダーで形成することができる。これらパウダーを用いた窒化物成長用シード層120は、次のような方法で形成することができる。まず、スピンコーターなどを用いて成長基板110にGaNパウダーなどを載せる。その後、CVDChemicalVaporDepositionチャンバなどのチャンバ内で成長基板110をアンモニアガス雰囲気で約800~1200°Cの温度で加熱し、GaNパウダーを成長基板110に付着させる。この場合、シリコン基板には、若干のエッチングが行われながら表面に凹凸が形成される。成長基板の表面に形成された凹凸は、上述したようにパウダーの付着又は固定を容易にする。また、GaNパウダーなどを用いた窒化物成長用シード層120は、前記GaNパウダーなどを含有する溶液を用いて成長基板110上にスピンコーティングした後、乾燥する方法で形成することができる。このとき、GaNパウダーなどを含有する溶液としては、アセトン、メタノール、エチレングリコールなどの多様な種類の溶媒を用いることができる。前記の提示されたGaNパウダーを用いた窒化物成長用シード層形成方法のうちいずれか一つの方法が選択的に適用されてもよく、二つの方法が共に適用されてもよい。例えば、GaNパウダーなどを含有する溶液を用いて成長基板110上にスピンコーティングした後で乾燥し、その後、チャンバ内で成長基板110を加熱することができる。次に、バッファ層形成段階S320、p―タイプの窒化物層形成段階S330及び発光活性層形成段階S340で、窒化物成長用シード層120上に複数の窒化物を順次成長させることによって発光構造体を形成する。n―タイプのZnO層形成段階S350では、略700~800°Cの低温で窒素N2、ヘリウムHe、酸素O2などの雰囲気下で発光活性層140上にn―タイプのZnOを成長させて、n―タイプのZnO層150を形成する。上述したように、本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、窒化物系発光素子は、成長基板110上にp―タイプの窒化物層130が先に形成され、相対的に低温で成長が可能なn―タイプのZnO層150が発光活性層140上に形成される構成を有する。その結果、p―タイプの窒化物層130の結晶品質を向上させることができる。また、n―タイプのZnOを使用することにより、その成長時に発光活性層140に及ぼす影響を、低減化することができる。また、本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、窒化物系発光素子ではGaNパウダー、サファイアパウダー又はシリカパウダーを用いて窒化物成長用シード層120が形成されるため、窒化物の成長時にシリコンと窒化物との間の格子定数の差によって発生する線欠陥を低減化することができる。以上、本発明は、以上の実施形態の記載に限定されるものではなく、当業者の水準で多様な変更や変形が可能である。このような変更と変形は、本発明の範囲を逸脱しない限り、本発明に属するものといえる。したがって、本発明の権利範囲は、以下で記載する特許請求の範囲によって判断しなければならない。