"一種類のホスト材料及び電子吸引基を有するゲスト材料を含む発光層と、前記発光層に接して設けられた電子輸送層と、を有する電界発光素子であって、前記ホスト材料は、バイポーラ性を有する有機化合物であり、前記電子吸引基は、シアノ基であることを特徴とする電界発光素子。請求項1において、前記有機化合物は、キノキサリン誘導体であることを特徴とする電界発光素子。請求項1または2において、前記有機化合物は、TPAQnであることを特徴とする電界発光素子。請求項1乃至3において、前記ゲスト材料はBisDCMであることを特徴とする電界発光素子。請求項1において、前記ホスト材料は、TPAQnであり、前記ゲスト材料はBisDCMであることを特徴とする電界発光素子。本発明では、ドープ型素子において、駆動電圧を低減することを課題とする。特に、赤色発光材料をゲスト材料として添加したドープ型素子において、駆動電圧を低減することを課題とする。また本発明では、ドープ型素子において、駆動電圧を低減すると共に、色純度も向上させることを課題とする。特に、赤色発光材料をゲスト材料として添加したドープ型素子において、駆動電圧を低減すると共に、色純度も向上させることを課題とする。本発明者らは、上記特許文献1でも用いられている4-ジシアノメチレン-4H-ピラン誘導体をゲスト材料として添加した電界発光素子において、特に駆動電圧の上昇が大きいという点に着目した。そして、その駆動電圧上昇の原因が、4-ジシアノメチレン-4H-ピラン誘導体に含まれる電子吸引基にあると考えた。この考察を元に、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、電子吸引基を有するゲスト材料を添加した電界発光素子において、以下のような構成とすることで、駆動電圧を低減できることを見出した。すなわち本発明では、ホスト材料および電子吸引基を有するゲスト材料を含む発光層と、前記発光層に接して設けられた電子輸送層と、を有する電界発光素子において、前記ホスト材料は、ホール輸送性を有する有機化合物であることを特徴とする。なお、ホスト材料としては、ホール輸送性を有する有機化合物であれば何であってもよいが、特に芳香族アミン骨格を有する有機化合物であることが好ましい。また、上述した構成は、種々の電子吸引基を有するゲスト材料に対して有効であるが、特にシアノ基、ハロゲノ基、カルボニル基を導入したゲスト材料に対して有効である。例えば、4-ジシアノメチレン-4H-ピラン骨格を有するゲスト材料に対して有効である。さらに、電子吸引基を有するゲスト材料の多くは、その置換基の効果により、黄色~赤色の領域で発光するものが多い。したがって、本発明では特に、上述したゲスト材料の発光スペクトルのピーク波長が560nm以上700nm以下であることを特徴とする。ところで、上述の構成は駆動電圧の低減に極めて効果的であるが、それだけではなく、発光層に接して設けられた電子輸送層が発光してしまう現象を抑制し、より色純度を高める構成をとることも可能である。すなわち本発明の他の構成は、上述の構成において、ホスト材料のイオン化ポテンシャルが、電子輸送層を構成する電子輸送性材料のイオン化ポテンシャルに比べて0.3eV以上大きいことを特徴とする。この時、ホスト材料のイオン化ポテンシャルが5.1eV以下であることが好ましい。あるいは、電子輸送性材料のイオン化ポテンシャルが5.6eV以上であることが好ましい。また、本発明の他の構成は、上述の構成において、発光層と電子輸送層との間に、ホールをトラップすることができ、なおかつ、前記電子輸送層を構成する電子輸送性材料よりもエネルギーギャップの値が小さいホールトラップ材料からなるホールトラップ領域が設けられていることを特徴とする。ホールトラップ材料は、ホールをより効果的にトラップするために、ホスト材料および電子輸送性材料よりも小さいイオン化ポテンシャルを有することが好ましい。また、ホールトラップ領域を厚くしてしまうと電流が流れにくくなってしまう場合もあるため、ホールトラップ領域は5nm以下の層状であるか、または島状であることが好ましい。なお、ホールトラップ材料としては、テトラセン、ペリレン、ルブレン等に代表される炭素数が18以上の芳香族炭化水素化合物や、フラーレンC60に代表される炭素同素体が好ましい。ところで、電子吸引基を有するゲスト材料をホスト材料に添加して発光層を形成した場合、素子の発光スペクトルのピーク波長が、ホスト材料の分子の双極子モーメントによって変化することを本発明者らは見出した。具体的には、ホスト材料の分子の双極子モーメントが小さいほど、発光スペクトルのピーク波長がブルーシフトする現象である。したがって、電子吸引基を有し、なおかつ赤色発光を示すゲスト材料を用いて赤色発光素子を作製する場合、双極子モーメントの小さいホスト材料を使うと橙色や黄色の発光となってしまうこともあるため、そのようなホスト材料は好適ではない場合がある。したがって本発明では、上述した構成の電界発光素子において、ゲスト材料の発光スペクトルのピーク波長が600nm以上700nm以下の赤色領域に存在し、かつ、ホスト材料の分子の双極子モーメントが4デバイ以上であることを特徴とする。以上で述べたような電界発光素子は、駆動電圧が低く、また構成によっては色純度もよいという特徴を有するため、これらの電界発光素子を用いれば、消費電力が低く、色純度のよい発光装置を作製することができる。したがって、本発明の電界発光素子を有する発光装置も本発明に含むものとする。なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子として電界発光素子を用いた画像表示デバイスもしくは発光デバイスを指す。また、電界発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルムもしくはTABTapeAutomatedBondingテープもしくはTCPTapeCarrierPackageが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または電界発光素子にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。本発明を実施することで、ドープ型素子において駆動電圧を低減することができる。特に、赤色発光材料をゲスト材料として添加したドープ型素子において、駆動電圧を低減することができる。また本発明を実施することで、ドープ型素子において、駆動電圧を低減すると共に色純度も向上させることができる。特に、赤色発光材料をゲスト材料として添加したドープ型素子において、駆動電圧を低減すると共に色純度も向上させることができる。まず、電界発光素子でよく用いられている積層構造、すなわち、ホール輸送層と電子輸送層を積層した構造のバンドダイアグラムを図1aに示す。図1aのように、ホール輸送層101におけるホール輸送性材料のHOMO準位を伝わってホールが、電子輸送層102における電子輸送性材料のLUMO準位を伝わって電子が、それぞれ潤滑に輸送されるため、それらキャリアの再結合領域103aはホール輸送層101と電子輸送層102との界面近傍である。従来では、図1aの構成をベースに、電子吸引基を有するゲスト材料を電子輸送層102に添加していた。その場合のバンドダイアグラムを図1bに示す。電子吸引基を有するゲスト材料は、その強い電子吸引性の影響により非常に大きな電子親和力を有しているため、図1bのようにLUMO準位104が低い位置にあり、非常に深い電子トラップ準位を形成する。この場合、電子吸引基を有するゲスト材料がドープされた領域105では、その深い電子トラップ準位のために電子が移動しにくく、キャリアの再結合領域103bが積層構造の界面近傍から離れて電子輸送層102側に広がってしまうことが予想される。そうすると、電子輸送性材料で構成されている電子輸送層がホールを運ばなければならない状態図中の破線矢印になるため、結果として電流が流れにくくなり、キャリアが再結合に至って発光するための電圧すなわち駆動電圧が上昇しているのではないかと本発明者らは考えた。実際、ホール輸送層にホール輸送性材料である4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ]-ビフェニル略称:α-NPDを、電子輸送層に電子輸送性材料であるトリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3を、電子吸引基であるシアノ基を有するゲスト材料として4-ジシアノメチレン-2,6-ビス[p-N-カルバゾリルスチリル]-4H-ピラン略称:BisDCCzを用いた場合、図1cのようなバンドダイアグラムとなるため、非常に深い電子トラップ準位-3.3eVに由来する駆動電圧の上昇が予想される。なお、図1cで示したHOMO準位の値負の値であり、その絶対値がイオン化ポテンシャルに相当するは、光電子分光装置AC-2理研計器社製を用いて各材料の薄膜状態におけるイオン化ポテンシャルの値を測定し、その値を負の値に変換することによって算出した。また、LUMO準位の値は、紫外可視分光光度計日本分光社製を用いて各材料の薄膜の吸収スペクトルを計測し、その吸収端からエネルギーギャップの値を求め、HOMO準位の値に加えることによって算出した。一方、本発明の基本的なコンセプトは、上述した現象を回避するために、ホール輸送層に電子吸引基を有するゲスト材料を添加し、発光層を形成した構成である。その場合のバンドダイアグラムを図2に示す。201はホール輸送層、202は電子輸送層、205はホール輸送層に電子吸引基を有するゲスト材料が添加された領域、すなわち発光層である。図2のような構成の場合、電子は電子輸送層202を通過し、その後発光層205中における電子輸送層202との界面近傍203において、ゲスト材料のLUMO準位204にトラップされる。しかしながら、この構成の場合は、発光層205におけるホスト材料がホール輸送層201に用いられているホール輸送性材料であるため、図1の場合と異なり、ホールの輸送は容易である。すなわち、電子が界面近傍203でトラップされて動けなくても、ホールがその界面近傍203まで輸送されやすいため、キャリアの再結合が容易になると考えられる。その結果、図1の場合に比べて電流は流れやすくなり、駆動電圧を低減することができる。なお、図2ではホール輸送層201と発光層205の両方で同じホール輸送性材料を用いた構成となっているが、異なるホール輸送性材料を用いてもよい。ここで、発光層205のホスト材料として用いることができるホール輸送性材料としては、芳香族アミン骨格を有する有機化合物が好適であり、上述したα-NPDの他、4,4’-ビス[N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ]-ビフェニル略称:TPD、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ]-トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’,4’’-トリス[N-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ]-トリフェニルアミン略称:1-TNATAなどが挙げられる。また、芳香族アミン骨格を有する金属錯体であるトリス5-ジフェニルアミノ-8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム略称:Aldaq3、ビス5-ジフェニルアミノ-8-ヒドロキシキノリナト亜鉛略称:Zndaq3や、有機金属錯体の一種であるトリス1-フェニルピラゾールコバルトIII略称:CoPPZ3、トリス1-4-メチルフェニルピラゾールコバルトIII略称:Com-PPZ3などもホール輸送性を示す。一方、発光層205における電子吸引基を有するゲスト材料としては、シアノ基、ハロゲノ基、カルボニル基などの電子吸引基を有する発光材料を用いることができる。シアノ基を有する発光材料としては、例えばクマリン337の他、4-ジシアノメチレン-2-[p-ジメチルアミノスチリル]-6-メチル-4H-ピラン略称:DCM1、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-9-ジュロリジルエチニル-4H-ピラン略称:DCM2、4-ジシアノメチレン-2,6-ビス[p-ジメチルアミノスチリル]-4H-ピラン略称:BisDCM、先に述べたBisDCCzなどの4-ジシアノメチレン-4H-ピラン骨格を有する発光材料が挙げられる。ハロゲノ基を有する発光材料としては、クマリン152、クマリン153などのハロアルキル基を有する発光材料が代表的である。カルボニル基を有する発光材料としては、クマリン314のようにエステル基を有する発光材料、クマリン334のようにアシル基を有する発光材料、クマリン343やクマリン-3-カルボン酸のようにカルボキシル基を有する発光材料が挙げられる。電子輸送層202を形成する電子輸送性材料としては、先に述べたAlq3、トリス5-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラト-アルミニウム略称:BAlq、トリス8-キノリノラトガリウム略称:Gaq3、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラト-ガリウム略称:BGaq、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]-キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などの金属錯体が挙げられる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-tert-ブチルフェニル-4-フェニル-5-4-ビフェニリル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、3-4-tert-ブチルフェニル-4-4-エチルフェニル-5-4-ビフェニリル-1,2,4-トリアゾール略称:p-EtTAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCP等を用いることができる。ところで、図2のような構成の場合、材料の組み合わせによっては電子輸送層202が発光してしまう可能性がある。これは、再結合領域が界面近傍203であるため、部分的にはホールが電子輸送層202に進入してしまい、電子輸送層202の材料が励起されてしまうためである。この現象が起こってしまうと、本来発光させたいゲスト材料のみならず、電子輸送層202の材料も発光してしまうため、色純度の低下を招く。そこで本発明のより好ましい構成の1つとして、図3のような構成が考えられる。すなわち、発光層205のホスト材料ホール輸送性材料のイオン化ポテンシャルと、電子輸送層202の電子輸送性材料のイオン化ポテンシャルとの差障壁206を大きくすればよいのである。具体的には、障壁206を0.3eV以上とすればよい。このような構成とすることで、ホールが電子輸送層202に進入する現象を防ぐことができるため、電子輸送層202の電子輸送性材料が励起されて発光してしまうという現象を抑制できる。障壁206を大きくするためには、発光層205のホスト材料ホール輸送性材料のイオン化ポテンシャルを小さくするか、あるいは電子輸送層202の電子輸送性材料のイオン化ポテンシャルを大きくすればよい。通常、多くの電子輸送性材料は5.4eV程度か、それ以上のイオン化ポテンシャルを有する例えば、代表的な電子輸送性材料であるAlq3が5.4eVである。したがって、ホスト材料ホール輸送性材料のイオン化ポテンシャルは、5.1eV以下であれば十分である。具体的には、上述したTDATA、MTDATA、1-TNATA、Aldaq3、Zndaq3などである。例えば、1-TNATAのイオン化ポテンシャルは5.0eVである。また逆に、多くのホール輸送性材料は5.3eV程度か、それ以下のイオン化ポテンシャルを有する例えば、代表的なホール輸送性材料であるα-NPDが5.3eVである。したがって、電子輸送性材料のイオン化ポテンシャルは、5.6eV以上であれば十分である。具体的には、上述したBAlq、BGaq、PBD、OXD-7、TAZ、p-EtTAZ、BPhen、BCPなどである。例えば、BAlqのイオン化ポテンシャルは5.6eVである。また、本発明のより好ましい他の構成として、図4のような構成も考えられる。すなわち、発光層205と電子輸送層202との間に、ホールをトラップすることができ、なおかつ、電子輸送層202を構成する電子輸送性材料よりもエネルギーギャップの値が小さいホールトラップ材料からなるホールトラップ領域207を設ける構成である。このような構成とすることで、ホールが電子輸送層202に進入する現象を防ぐことができ、しかもホールトラップ材料が励起されたとしても、その励起エネルギーが電子輸送層202の電子輸送性材料へ移動してしまう現象を防ぐことができる。したがって、電子輸送層202の電子輸送性材料が励起されて発光してしまうという現象を抑制できる。ホールトラップ材料としては、発光層205のホスト材料および電子輸送層202の電子輸送性材料よりも小さいイオン化ポテンシャルを有するものを用いれば、図4中の矢印で示したように効果的にホールをトラップすることができる。ただし、必ずしもこのような構成になっていなくても、ホールが電子輸送層202に進入するのを防ぎ、電子輸送層202の電子輸送性材料が発光するのを抑制できる材料であれば、ホールトラップ材料となり得る。ホールトラップ材料の具体的な例としては、テトラセン、ペンタセン、ペリレン、コロネン、ルブレン等に代表される炭素数が18以上の芳香族炭化水素化合物が、イオン化ポテンシャルが小さく好適である。また、フラーレンC60やカーボンナノチューブ、ダイヤモンドライクカーボン略称:DLCなどの炭素同素体は、エネルギーギャップが小さく好適である。また、ホールトラップ領域があまりに厚い場合は、ホールトラップ材料の材質によっては電子の流れを妨げたり、あるいはホールトラップ材料自体が励起されて発光してしまうなどの弊害が生じやすくなる。特に、ホールトラップ材料が発光してしまう弊害を避けるためには、ホールトラップ材料からゲスト材料へのフェルスター型のエネルギー移動が十分に可能な距離を考慮し、ホールトラップ領域が5nm以下の層状であることが好ましい。また、5nm以下という観点から、ホールトラップ領域は層状ではなく島状に形成されていてもよい。島状の構造の形成法としては公知の手法を用いればよく、例えば特開2001-267077に開示されているように、膜厚モニター上の平均膜厚が単分子膜の膜厚より薄くなるように材料を真空蒸着する手法が挙げられる。ところで、先に述べたとおり、電子吸引基を有する赤色発光のゲスト材料をホスト材料に添加して発光層を形成し、赤色発光素子を作製する際に、双極子モーメントの小さいホスト材料を使うと、双極子モーメントの大きいホスト材料を使う場合に比べて発光がブルーシフトしてしまい、場合によっては色純度のよい赤色が達成できないこともある。これは溶媒効果の一種であると考えられる。従来ホスト材料として用いられているAlq3には2種類の構造異性体があり、通常はfac型と言われている。そして、その双極子モーメントを市販の分子軌道計算プログラムWinMOPAC3.5富士通株式会社製を用いて計算したところ、9.398デバイであったちなみに、もう一つの構造異性体であるmer型の双極子モーメントは、5.788デバイである。Alq3をホスト材料として電子吸引基を有する赤色発光のゲスト材料を添加した素子は、駆動電圧は上昇するが、双極子モーメントのより小さい材料具体的には4デバイよりも小さい材料をホスト材料として用いた素子に比べ、発光色としては良好な赤色発光を示すことが実験的にわかっている。このことから、色純度のよい赤色発光を達成するためには、ホスト材料の双極子モーメントの大きさが重要であることがわかる。しかしながら、Alq3は電子輸送性材料であるため、本発明におけるホスト材料としては適さない。したがって、本発明を用いて赤色発光素子を作製する場合には、Alq3のように双極子モーメントが大きく、なおかつホール輸送性を示す材料を用いることが好ましい。通常の芳香族アミン骨格を有する有機化合物の多くは双極子モーメントが小さいが、上述したAldaq3、Zndaq3、CoPPZ3、Com-PPZ3のようなホール輸送性を示す金属錯体であれば、双極子モーメントが大きく好適である。例えば、Aldaq3の双極子モーメントを計算したところ、fac型では9.221デバイであったちなみに、もう一つの構造異性体であるmer型の双極子モーメントは、4.639デバイである。したがって本発明では、上述した構成の電界発光素子において、ゲスト材料の発光スペクトルのピーク波長が600nm以上700nm以下の赤色領域に存在する時には、ホスト材料の分子の双極子モーメントが4デバイ以上であることが好ましい。次に、以下では、本発明の電界発光素子の実施形態について詳細に説明する。本発明の電界発光素子の電界発光層は、少なくとも上述した発光層と電子輸送層とを含めばよい。すなわち、従来の電界発光素子で知られているような、発光以外の機能を示す層ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層を適宜組み合わせてもよい。[実施の形態1]本実施の形態1では、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層を有する電界発光素子の素子構成について、図5を用いて説明する。図5は、基板500上に第1の電極501が形成され、第1の電極501上に電界発光層502が形成され、その上に第2の電極503が形成された電界発光素子である。なお、ここで基板500に用いる材料としては、従来の電界発光素子に用いられているものであればよく、例えば、ガラス、石英、透明プラスチックなどからなるものを用いることができる。また、本実施の形態1における第1の電極501は陽極として機能し、第2の電極503は陰極として機能する。すなわち第1の電極501は陽極材料で形成され、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、ITOindiumtinoxide、酸化インジウムに2~20[]の酸化亜鉛ZnOを混合したIZOindiumzincoxideの他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、または金属材料の窒化物TiN等が挙げられる。一方、第2の電極503に用いられる陰極材料としては、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、元素周期律の1族または2族に属する金属、すなわちLiやCs等のアルカリ金属、およびMg、Ca、Sr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金Mg:Ag、Al:Li、Er、Yb等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。ただし、後述する電子注入層を適用することで、Al、Ag、ITO等の金属導電性無機化合物により第2の電極503を形成することもできる。なお、第1の電極501及び第2の電極503は、蒸着法、スパッタリング法等で形成することができる。膜厚は、10~500nmとするのが好ましい。また、本発明の電界発光素子において、電界発光層502におけるキャリアの再結合により生じる光は、第1の電極501または第2の電極503の一方、または両方から外部に出射される構成となる。すなわち、第1の電極501から光を出射させる場合には、第1の電極501を透光性の材料で形成することとし、第2の電極503側から光を出射させる場合には、第2の電極503を透光性の材料で形成することとする。電界発光層502は複数の層を積層することにより形成されるが、本実施の形態1では、ホール注入層511、ホール輸送層512、発光層513、電子輸送層514、電子注入層515を積層することにより形成される。これらの層は、真空蒸着法や湿式塗布法で形成することができる。ホール注入層511に用いることができるホール注入性材料としては、有機化合物であればポルフィリン系の化合物が有効であり、フタロシアニン略称:H2-Pc、銅フタロシアニン略称:Cu-Pc等を用いることができる。他にも、有機化合物としては、4,4’-ビス[N-{4-N,N-ビス3-メチルフェニルアミノフェニル}-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DNTPD等を用いることができる。また、導電性高分子化合物に化学ドーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸略称:PSSをドープしたポリエチレンジオキシチオフェン略称:PEDOTや、ポリアニリン略称:PAniなどを用いることもできる。また、VOx、MoOxのような無機半導体層や、Al2O3などの無機絶縁体の超薄膜も有効である。ホール輸送層512に用いることができるホール輸送性材料としては、先に述べたα-NPD、TPD、TDATA、MTDATA、1-TNATA、Aldaq3、Zndaq3、CoPPZ3、Com-PPZ3などが挙げられる。発光層513は、ホール輸送性を示すホスト材料521と電子吸引基を有するゲスト材料522から構成されている。ホール輸送性を示すホスト材料521としては、上述のホール輸送性材料を適用すればよく、ホール輸送層512のホール輸送性材料と同一であっても異なっていてもよい。電子吸引基を有するゲスト材料としては、先に述べたDCM1、DCM2、BisDCM、BisDCCz、クマリン337、クマリン152、クマリン153、クマリン314、クマリン334、クマリン343、クマリン-3-カルボン酸などが挙げられる。電子輸送層514に用いることができる電子輸送性材料としては、先に述べたAlq3、Almq3、BAlq、Gaq3、BGaq、BeBq2、ZnBOX2、ZnBTZ2、PBD、OXD-7、TAZ、p-EtTAZ、BPhen、BCPなどが挙げられる。電子注入層515に用いることができる電子注入性材料としては、上述した電子輸送性材料を用いることができる。その他に、LiF、CsFなどのアルカリ金属ハロゲン化物や、CaF2のようなアルカリ土類ハロゲン化物、Li2Oなどのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の超薄膜がよく用いられる。また、リチウムアセチルアセトネート略称:Liacacや8-キノリノラト-リチウム略称:Liqなどのアルカリ金属錯体も有効である。さらに、上述した電子輸送性材料と、Mg、Li、Cs等の仕事関数の小さい金属とを混合した層を電子注入層515として使用することもできる。以上により、ホール輸送性を有するホスト材料521および電子吸引基を有するゲスト材料522を含む発光層513と、発光層513に接して設けられた電子輸送層514とを有する本発明の電界発光素子を作製することができる。[実施の形態2]本実施の形態2では、実施の形態1で開示した素子構成にホールトラップ領域を加えた構成について、図6を用いて説明する。図6では、図5の符号を引用する。図6に示す通り、本実施の形態2においては、発光層513と電子輸送層514との間にホールトラップ領域516が設けられている。図6では島状に形成されているが、5nm以下の層状であってもよい。ホールトラップ領域516を構成するホールトラップ材料523としては、先に述べたように、テトラセン、ペンタセン、ペリレン、コロネン、ルブレン、フラーレンC60、カーボンナノチューブ、DLCなどを用いることができる。以上により、ホール輸送性を有するホスト材料521および電子吸引基を有するゲスト材料522を含む発光層513と、発光層513に接して設けられた電子輸送層514とを有し、かつ、発光層513と電子輸送層514との間にホールトラップ領域516を設けた本発明の電界発光素子を作製することができる。この構成により、電子輸送層514の電子輸送性材料が発光してしまう現象を抑制することができる。本実施例1では、図5で示した本発明の電界発光素子の作製例を、具体的に例示する。まず、絶縁表面を有するガラス基板500上に、第1の電極陽極501が形成される。材料として透明導電膜であるITOを用い、スパッタリング法により110nmの膜厚で形成した。陽極501の形状は、2mm×2mmの大きさとした。このように陽極501が形成された基板を洗浄、乾燥した後、陽極501上に電界発光層502を形成する。まず、陽極501が形成された基板を、真空蒸着装置の基板ホルダーに陽極501が形成された面を下方にして固定し、抵抗加熱法を用いた真空蒸着法によりCu-Pcを20nmの膜厚で成膜した。これがホール注入層511となる。次に、ホール輸送性材料であるα-NPDを同様の方法により、25nmの膜厚で形成し、ホール輸送層512とした。さらに、ホスト材料521としてホール輸送性材料であるα-NPDを、電子吸引基を有するゲスト材料522としてBisDCMを用い、BisDCMの濃度が2wtとなるように共蒸着を行うことで発光層513を形成した。膜厚は15nmとした。次に、電子輸送性材料であるAlq3を真空蒸着法により75nm形成し、電子輸送層514とした。さらに、電子注入層515として、CaF2を真空蒸着法により1nm形成した。以上が電界発光層502であり、トータル膜厚は136nmとなる。最後に、第2の電極陰極503を形成する。本実施例では、アルミニウムAlを抵抗加熱による真空蒸着法により200nm形成し、陰極503とした。以上のようにして作製した本発明の電界発光素子に10Vの電圧を印加したところ、6.83mA/cm2の電流密度で電流が流れ、127cd/m2の輝度で発光した。発光スペクトルのピーク波長は642nmであった。[比較例1]一方、電子輸送性材料に電子吸引基を有するゲスト材料を添加した発光層を有する従来の電界発光素子を作製し、実施例1と比較した。本比較例の素子構造を図7に示す。上記実施例1と同様に、110nmのITOが陽極701として形成されたガラス基板700上に、電界発光層702を形成する。まず、基板を洗浄、乾燥した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに陽極701が形成された面を下方にして固定し、抵抗加熱法を用いた真空蒸着法によりCu-Pcを20nmの膜厚で成膜した。これがホール注入層711となる。次に、ホール輸送性材料であるα-NPDを同様の方法により、40nmの膜厚で形成し、ホール輸送層712とした。さらに、ホスト材料721として電子輸送性材料であるAlq3を、電子吸引基を有するゲスト材料722として実施例1と同じBisDCMを用い、BisDCMの濃度が2wtとなるように共蒸着を行うことで発光層713を形成した。膜厚は15nmとした。次に、電子輸送性材料であるAlq3を真空蒸着法により60nm形成し、電子輸送層714とした。さらに、電子注入層715として、CaF2を真空蒸着法により1nm形成した。以上が電界発光層702であるが、トータル膜厚は136nmであり、実施例1と膜厚を揃えてある。最後に、陰極703を形成する。実施例1と同様、アルミニウムAlを抵抗加熱による真空蒸着法により200nm形成し、陰極703とした。以上のようにして作製した従来の電界発光素子に10Vの電圧を印加したところ、2.84mA/cm2の電流密度で電流が流れ、27.1cd/m2の輝度で発光した。発光スペクトルのピーク波長は666nmであった。上述の結果から、本発明を適用した電界発光素子は、発光スペクトルのピーク波長が若干ブルーシフトしているものの、駆動電圧を下げることができた。実施例1および比較例1の電流-電圧特性を図10に示す。図10からわかるように、本発明を適用することで、狙い通り電流が流れやすくなっていることがわかる。本実施例2では、実施例1とは異なるホスト材料を用いた素子を具体的に例示する。素子構造は図5に示した構造であり、基板500、陽極501、陰極503は実施例1と同様の構成とした。電界発光層502は、ホール注入層511としてCuPcを20nm、ホール輸送層512としてα-NPDを30nm、発光層513として2,3-ビス4-ジフェニルアミノフェニルキノキサリン略称:TPAQnに1wtの割合でBisDCMを添加した層を30nm、電子輸送層としてAlq3を20nm、電子注入層としてCaF2を2nm形成した。トータル膜厚は102nmである。なお、TPAQnはバイポーラな材料であるため、ホール輸送性を有する。以上のようにして作製した本発明の電界発光素子に10Vの電圧を印加したところ、283mA/cm2の電流密度で電流が流れ、1350cd/m2の輝度で発光した。発光スペクトルのピーク波長は616nmであった。[比較例2]一方、電子輸送性材料に電子吸引基を有するゲスト材料を添加した発光層を有する従来の電界発光素子を作製し、実施例2と比較した。本比較例の素子構造は図7と同様とした。上記実施例2と同様に、基板700、陽極701、陰極703は上述した実施例2と全く同一とした。電界発光層702は、ホール注入層711としてCuPcを20nm、ホール輸送層712としてα-NPDを30nm、発光層713として電子輸送性材料であるBAlに1wtの割合でBisDCMを添加した層を30nm、電子輸送層としてAlq3を20nm、電子注入層としてCaF2を2nm形成した。トータル膜厚は102nmであり、実施例2と同じである。以上のようにして作製した従来の電界発光素子に10Vの電圧を印加したところ、4.23mA/cm2の電流密度で電流が流れ、30.9cd/m2の輝度で発光した。発光スペクトルのピーク波長は619nmであった。上述の結果から、本発明を適用した電界発光素子は、発光スペクトルのピーク波長が従来とほぼ同様であり、なおかつ駆動電圧を下げることができた。実施例2および比較例2の電流-電圧特性を図11に示す。図11からわかるように、本発明を適用することで、狙い通り電流が流れやすくなっていることがわかる。本実施例では、画素部に本発明の電界発光素子を有する発光装置について図8を用いて説明する。なお、図8Aは、発光装置を示す上面図、図8Bは図8AをA-A’で切断した断面図である。点線で示された801は駆動回路部ソース側駆動回路、802は画素部、803は駆動回路部ゲート側駆動回路である。また、804は封止基板、805はシール材であり、シール材805で囲まれた内側は、空間807になっている。なお、808はソース側駆動回路801及びゲート側駆動回路803に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット809からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基盤PWBが取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図8Bを用いて説明する。素子基板810上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路801と、画素部802が示されている。なお、ソース側駆動回路801はnチャネル型TFT823とpチャネル型TFT824とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路を形成するTFTは、公知のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。また、画素部802はスイッチング用TFT811と、電流制御用TFT812とそのドレインに電気的に接続された第1の電極813とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極813の端部を覆って絶縁物814が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物814の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物814の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物814の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物814として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。第1の電極813上には、電界発光層816、および第2の電極817がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第1の電極813に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITOインジウムスズ酸化物膜、インジウム亜鉛酸化物IZO膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。また、電界発光層816は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって形成される。電界発光層816の構成は、例えば実施例1や実施例2で示した電界発光層の構成とすればよい。さらに、電界発光層816上に形成される第2の電極陰極817に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料Al、Ag、Li、Ca、またはこれらの合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2、またはCaNを用いればよい。なお、電界発光層816で生じた光が第2の電極817を透過させる場合には、第2の電極陰極817として、例えば、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜ITO、IZO、酸化亜鉛ZnO等との積層を用いる方法などがある。さらにシール材805で封止基板804を素子基板810と貼り合わせることにより、素子基板810、封止基板804、およびシール材805で囲まれた空間807に電界発光素子818が備えられた構造になっている。なお、空間807には、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材805で充填される構成も含むものとする。なお、シール材805にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板804に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のようにして、本発明の電界発光素子を有する発光装置を得ることができる。例えば、本発明の電界発光素子を有する発光装置を表示部として有する様々な電気器具を提供することができる。本発明の電界発光素子を有する発光装置を用いて作製された電気器具として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置などが挙げられる。これらの電気器具の具体例を図9に示す。図9Aは表示装置であり、筐体9101、支持台9102、表示部9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。本発明の電界発光素子を有する発光装置をその表示部9103に用いることにより作製される。なお、表示装置は、コンピュータ用、TV放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。図9Bはノート型パーソナルコンピュータであり、本体9201、筐体9202、表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングマウス9206等を含む。本発明の電界発光素子を有する発光装置をその表示部9203に用いることにより作製される。図9Cはモバイルコンピュータであり、本体9301、表示部9302、スイッチ9303、操作キー9304、赤外線ポート9305等を含む。本発明の電界発光素子を有する発光装置をその表示部9302に用いることにより作製される。図9Dは記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置具体的にはDVD再生装置であり、本体9401、筐体9402、表示部A9403、表示部B9404、記録媒体DVD等読み込み部9405、操作キー9406、スピーカー部9407等を含む。表示部A9403は主として画像情報を表示し、表示部B9404は主として文字情報を表示するが、本発明の電界発光素子を有する発光装置をこれら表示部A9403、B9404に用いることにより作製される。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。図9Eはゴーグル型ディスプレイであり、本体9501、表示部9502、アーム部9503を含む。本発明の電界発光素子を有する発光装置をその表示部9502に用いることにより作製される。図9Fはビデオカメラであり、本体9601、表示部9602、筐体9603、外部接続ポート9604、リモコン受信部9605、受像部9606、バッテリー9607、音声入力部9608、操作キー9609、接眼部9610等を含む。本発明の電界発光素子を有する発光装置をその表示部9602に用いることにより作製される。ここで、図9Gは携帯電話であり、本体9701、筐体9702、表示部9703、音声入力部9704、音声出力部9705、操作キー9706、外部接続ポート9707、アンテナ9708等を含む。本発明の電界発光素子を有する発光装置をその表示部9703に用いることにより作製される。なお、表示部9703は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。本実施例5では、実施例1、2とは異なる電子吸引基を有するゲスト材料を用いた電界発光素子の作製例を、具体的に例示する。素子構造は図5の通りとした。まず、絶縁表面を有するガラス基板500上に、陽極501が形成される。材料として酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物ITSOを用い、スパッタリング法により110nmの膜厚で形成した。陽極501の形状は、2mm×2mmの大きさとした。このように陽極501が形成された基板を洗浄、乾燥した後、陽極501上に電界発光層502を形成する。まず、陽極501が形成された基板を、真空蒸着装置の基板ホルダーに陽極501が形成された面を下方にして固定し、抵抗加熱法を用いた真空蒸着法により4,4’-ビス[N-[4-{N,N-ビス3-メチルフェニルアミノ}フェニル]-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DNTPDを50nmの膜厚で成膜した。これがホール注入層511となる。次に、ホール輸送性材料であるα-NPDを同様の方法により、10nmの膜厚で形成し、ホール輸送層512とした。さらに、ホスト材料521としてホール輸送性材料であるα-NPDを、電子吸引基を有するゲスト材料522としてクマリン153を用い、クマリン153の濃度が0.5質量となるように共蒸着を行うことで発光層513を形成した。膜厚は30nmとした。なお、クマリン153はハロアルキル基の一種であるトリフルオロメチル基を有しているため、電子吸引基であるハロゲノ基を含む化合物である。次に、電子輸送性材料であるAlq3を真空蒸着法により30nm形成し、電子輸送層514とした。さらに、電子注入層515として、CaF2を真空蒸着法により1nm形成した。以上が電界発光層502であり、トータル膜厚は121nmとなる。最後に、陰極503を形成する。本実施例では、アルミニウムAlを抵抗加熱による真空蒸着法により150nm形成し、陰極503とした。以上のようにして作製した本発明の電界発光素子に6.0Vの電圧を印加したところ、51.3mA/cm2の電流密度で電流が流れ、1590cd/m2の輝度で発光した。発光スペクトルのピーク波長は518nmであった。[比較例3]一方、電子輸送性材料に電子吸引基を有するゲスト材料を添加した発光層を有する従来の電界発光素子を作製し、実施例5と比較した。素子構造は、発光層513を除いて実施例5と同様の構成とした。本比較例における発光層513は、ホスト材料として電子輸送性材料であるAlq3を、電子吸引基を有するゲスト材料として実施例5と同じクマリン153を用い、クマリン153の濃度が0.5質量となるように共蒸着を行うことで形成した。膜厚は30nmとした。電界発光層502のトータル膜厚は121nmであり、実施例5と同じである。以上のようにして作製した従来の電界発光素子に6.0Vの電圧を印加したところ、18.8mA/cm2の電流密度で電流が流れ、1250cd/m2の輝度で発光した。発光スペクトルのピーク波長は530nmであった。以上の結果から、本発明を適用した電界発光素子は、発光スペクトルのピーク波長が若干ブルーシフトしているが、駆動電圧を下げることができた。実施例5および比較例3の電流-電圧特性を図12に示す。図12からわかるように、本発明を適用することで、電流が流れやすくなっていることがわかる。本実施例6では、実施例1、2とは異なる電子吸引基を有するゲスト材料を用いた電界発光素子の作製例を、具体的に例示する。素子構造は図5の通りとした。まず、絶縁表面を有するガラス基板500上に、陽極501が形成される。材料としてITSOを用い、スパッタリング法により110nmの膜厚で形成した。陽極501の形状は、2mm×2mmの大きさとした。このように陽極501が形成された基板を洗浄、乾燥した後、陽極501上に電界発光層502を形成する。まず、陽極501が形成された基板を、真空蒸着装置の基板ホルダーに陽極501が形成された面を下方にして固定し、抵抗加熱法を用いた真空蒸着法によりDNTPDを50nmの膜厚で成膜した。これがホール注入層511となる。次に、ホール輸送性材料であるα-NPDを同様の方法により、10nmの膜厚で形成し、ホール輸送層512とした。さらに、ホスト材料521としてホール輸送性材料であるα-NPDを、電子吸引基を有するゲスト材料522としてクマリン153を用い、クマリン153の濃度が0.5質量となるように共蒸着を行うことで発光層513を形成した。膜厚は30nmとした。なお、クマリン153はハロアルキル基の一種であるトリフルオロメチル基を有しているため、電子吸引基であるハロゲノ基を含む化合物である。次に、電子輸送性材料であるBAlqを10nm、Alq3を20nm、真空蒸着法により形成し、電子輸送層514とした。さらに、電子注入層515として、CaF2を真空蒸着法により1nm形成した。以上が電界発光層502であり、トータル膜厚は121nmとなる。最後に、陰極503を形成する。本実施例では、アルミニウムAlを抵抗加熱による真空蒸着法により150nm形成し、陰極503とした。以上のようにして作製した本発明の電界発光素子に6.0Vの電圧を印加したところ、30.3mA/cm2の電流密度で電流が流れ、659cd/m2の輝度で発光した。発光スペクトルのピーク波長は499nmであった。[比較例4]一方、電子輸送性材料に電子吸引基を有するゲスト材料を添加した発光層を有する従来の電界発光素子を作製し、実施例6と比較した。素子構造は、発光層513および電子輸送層514を除いて実施例6と同様の構成とした。本比較例における発光層513は、ホスト材料として電子輸送性材料であるBAlqを、電子吸引基を有するゲスト材料として実施例6と同じクマリン153を用い、クマリン153の濃度が0.5質量となるように共蒸着を行うことで形成した。膜厚は30nmとした。また、電子輸送層514は、Alq3を30nm真空蒸着することにより形成した。電界発光層502のトータル膜厚は121nmであり、実施例6と同じである。以上のようにして作製した従来の電界発光素子に6.0Vの電圧を印加したところ、0.262mA/cm2の電流密度で電流が流れ、14.4cd/m2の輝度で発光した。発光スペクトルのピーク波長は517nmであった。以上の結果から、本発明を適用した電界発光素子は、発光スペクトルのピーク波長が若干ブルーシフトしているが、駆動電圧を下げることができた。実施例6および比較例4の電流-電圧特性を図13に示す。図13からわかるように、本発明を適用することで、電流が流れやすくなっていることがわかる。本実施例7では、実施例1、2、5、6とは異なる電子吸引基を有するゲスト材料を用いた電界発光素子の作製例を、具体的に例示する。素子構造は図5の通りとした。まず、絶縁表面を有するガラス基板500上に、陽極501が形成される。材料としてITSOを用い、スパッタリング法により110nmの膜厚で形成した。陽極501の形状は、2mm×2mmの大きさとした。このように陽極501が形成された基板を洗浄、乾燥した後、陽極501上に電界発光層502を形成する。まず、陽極501が形成された基板を、真空蒸着装置の基板ホルダーに陽極501が形成された面を下方にして固定し、抵抗加熱法を用いた真空蒸着法によりDNTPDを50nmの膜厚で成膜した。これがホール注入層511となる。次に、ホール輸送性材料であるα-NPDを同様の方法により、10nmの膜厚で形成し、ホール輸送層512とした。さらに、ホスト材料521としてホール輸送性材料であるα-NPDを、電子吸引基を有するゲスト材料522としてクマリン334を用い、クマリン334の濃度が0.5質量となるように共蒸着を行うことで発光層513を形成した。膜厚は30nmとした。なお、クマリン334はアシル基の一種であるアセチル基を有しているため、電子吸引基であるカルボニル基を含む化合物である。次に、電子輸送性材料であるBAlqを10nm、Alq3を20nm、真空蒸着法により形成し、電子輸送層514とした。さらに、電子注入層515として、CaF2を真空蒸着法により1nm形成した。以上が電界発光層502であり、トータル膜厚は121nmとなる。最後に、陰極503を形成する。本実施例では、アルミニウムAlを抵抗加熱による真空蒸着法により150nm形成し、陰極503とした。以上のようにして作製した本発明の電界発光素子に6.0Vの電圧を印加したところ、11.0mA/cm2の電流密度で電流が流れ、220cd/m2の輝度で発光した。発光スペクトルのピーク波長は477nmであった。[比較例5]一方、電子輸送性材料に電子吸引基を有するゲスト材料を添加した発光層を有する従来の電界発光素子を作製し、実施例7と比較した。素子構造は、発光層513および電子輸送層514を除いて実施例7と同様の構成とした。本比較例における発光層513は、ホスト材料として電子輸送性材料であるBAlqを、電子吸引基を有するゲスト材料として実施例7と同じクマリン334を用い、クマリン334の濃度が0.5質量となるように共蒸着を行うことで形成した。膜厚は30nmとした。また、電子輸送層514は、Alq3を30nm真空蒸着することにより形成した。電界発光層502のトータル膜厚は121nmであり、実施例7と同じである。以上のようにして作製した従来の電界発光素子に6.0Vの電圧を印加したところ、1.07mA/cm2の電流密度で電流が流れ、42.5cd/m2の輝度で発光した。発光スペクトルのピーク波長は485nmであった。以上の結果から、本発明を適用した電界発光素子は、発光スペクトルのピーク波長が若干ブルーシフトしているが、駆動電圧を下げることができた。実施例7および比較例5の電流-電圧特性を図14に示す。図14からわかるように、本発明を適用することで、電流が流れやすくなっていることがわかる。"