第1処理チャンバの第1処理容積内を第1動作圧力に維持するための第1真空ポンプを有する第1処理チャンバであって、第1処理容積は、第1処理容積と第1真空ポンプの低圧側との間に配置された第1ゲートバルブによって選択的に分離可能である第1処理チャンバと、第2処理チャンバの第2処理容積内を第2動作圧力に維持するための第2真空ポンプを有する第2処理チャンバであって、第2処理容積は、第2処理容積と第2真空ポンプの低圧側との間に配置された第2ゲートバルブによって選択的に分離可能である第2処理チャンバと、各処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させるための第1及び第2処理容積に結合された共用真空ポンプであって、共有真空ポンプは、第1処理チャンバ、第2処理チャンバ、第1真空ポンプ、又は第2真空ポンプのいずれからも選択的に分離可能である共用真空ポンプと、1以上の処理ガスを第1及び第2処理チャンバに供給するために、第1処理チャンバ及び第2処理チャンバの各々に結合された共用ガスパネルを含む基板処理用ツインチャンバ処理システム。処理ガスを共用ガスパネルから第1処理チャンバの第1処理容積へ供給するために、又は処理ガスを共用ガスパネルから共用真空ポンプに結合された前方ラインコンジット内へ迂回させるために、共用ガスパネルと第1処理チャンバとの間に配置された第1三方弁と、処理ガスを共用ガスパネルから第2処理チャンバの第2処理容積へ供給するために、又は処理ガスを共用ガスパネルから共用真空ポンプに結合された前方ラインコンジット内へ迂回させるために、共用ガスパネルと第2処理チャンバとの間に配置された第2三方弁を更に含む請求項1記載のツインチャンバ処理システム。共用ガスパネルから第1及び第2処理チャンバへ所望の総ガス流を供給するためのマスフローコントローラと、第1入口と、第1出口と、それらの間で選択可能に結合される複数の第1オリフィスを含み、第1入口はマスフローコントローラに結合されている第1フローコントロールマニホールドと、第2入口と、第2出口と、それらの間で選択可能に結合される複数の第2オリフィスを含み、第2入口はマスフローコントローラに結合されている第2フローコントロールマニホールドを更に含み、複数の第1オリフィス及び複数の第2オリフィスは、1以上の複数の第1オリフィス及び1以上の複数の第2オリフィスを通して流体を選択可能に流すことによって、第1出口と第2出口の間で所望の流量比を提供し、マスフローコントローラと第1及び第2フローコントロールマニホールドのそれぞれの入口との間に提供されるコンジットのコンダクタンスは、装置を通ってガスが流れるとき、チョーク流れの状態を提供するのに十分である請求項1記載のツインチャンバ処理システム。第1出口は第1処理チャンバの第1ガス供給ゾーンに結合され、第2出口は第1処理チャンバの第2ガス供給ゾーンに結合される請求項3記載のツインチャンバ処理システム。第1出口は第2処理チャンバの第1ガス供給ゾーンに更に結合され、第2出口は第2処理チャンバの第2ガス供給ゾーンに更に結合される請求項4記載のツインチャンバ処理システム。第1処理チャンバ内に配置され、第1基板支持体の温度を制御するために熱伝導流体を循環させる1以上のチャネルを有する第1基板支持体と、第2処理チャンバ内に配置され、第2基板支持体の温度を制御するために熱伝導流体を循環させる1以上のチャネルを有する第2基板支持体と、第1基板支持体及び第2基板支持体の1以上のチャネルのそれぞれに熱伝導流体を供給するための出口と、第1基板支持体及び第2基板支持体から熱伝導流体を受け入れるための入口を有する共用熱伝導流体源を更に含む請求項1記載のツインチャンバ処理システム。請求項7記載の複数のツインチャンバ処理システムが結合された搬送チャンバを更に含む請求項6記載のツインチャンバ処理システム。複数のツイン処理チャンバの各処理チャンバに選択的に流体結合され、各処理チャンバに結合されたそれぞれのマスフローメータを確認及び校正するマスフローベリファイヤーを更に含む請求項7記載のツインチャンバ処理システム。複数のツイン処理チャンバの各処理チャンバに選択的に流体結合され、各処理チャンバに結合されたそれぞれの圧力計を確認及び校正する基準圧力計を更に含む請求項8記載のツインチャンバ処理システム。共通ハウジング内に配置された第1処理チャンバ及び第2処理チャンバであって、第1処理チャンバは第1処理容積を有し、第2処理チャンバは第2処理容積を有し、第1及び第2処理容積は処理中互いに分離することができる第1処理チャンバ及び第2処理チャンバと、各処理容積内の圧力を低減させるために、第1及び第2処理容積に結合された共用真空ポンプと、1以上の処理ガスを第1及び第2処理チャンバに供給するために、第1処理チャンバ及び第2処理チャンバの各々に結合された共用ガスパネルと、第1処理チャンバ内に配置された第1基板支持体及び第2処理チャンバ内に配置された第2基板支持体のそれぞれの1以上のチャネルに熱伝導流体を供給するための出口と、第1基板支持体及び第2基板支持体から熱伝導流体を受け入れるための入口とを有する共用熱伝導流体源を含む基板処理用ツインチャンバ処理システム。共用ガスパネルから第1及び第2処理チャンバへ所望の総ガス流を供給するためのマスフローコントローラと、第1入口と、第1出口と、それらの間で選択可能に結合される複数の第1オリフィスを含み、第1入口はマスフローコントローラに結合されている第1フローコントロールマニホールドと、第2入口と、第2出口と、それらの間で選択可能に結合される複数の第2オリフィスを含み、第2入口はマスフローコントローラに結合されている第2フローコントロールマニホールドを更に含み、複数の第1オリフィス及び複数の第2オリフィスは、1以上の複数の第1オリフィス及び1以上の複数の第2オリフィスを通して流体を選択可能に流すことによって、第1出口と第2出口の間で所望の流量比を提供し、マスフローコントローラと第1及び第2フローコントロールマニホールドのそれぞれの入口との間に提供されるコンジットのコンダクタンスは、装置を通ってガスが流れるとき、チョーク流れの状態を提供するのに十分である請求項10記載のツインチャンバ処理システム。第1出口は第1処理チャンバの第1ガス供給ゾーンに結合され、第2出口は第1処理チャンバの第2ガス供給ゾーンに結合され、及びオプションで、第1出口は第2処理チャンバの第1ガス供給ゾーンに更に結合され、第2出口は第2処理チャンバの第2ガス供給ゾーンに更に結合される請求項10記載のツインチャンバ処理システム。請求項10記載の複数のツインチャンバ処理システムが結合された搬送チャンバを更に含む請求項10記載のツインチャンバ処理システム。複数のツイン処理チャンバの各処理チャンバに選択的に流体結合され、各処理チャンバに結合されたそれぞれのマスフローメータを確認及び校正するマスフローベリファイヤーを更に含む請求項13記載のツインチャンバ処理システム。複数のツイン処理チャンバの各処理チャンバに選択的に流体結合され、各処理チャンバに結合されたそれぞれの圧力計を確認及び校正する基準圧力計を更に含む請求項14記載のツインチャンバ処理システム。