"トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、前記トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、順番に積層される、基板と、陽極層と、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極層とを備え、前記陰極層の材料は、サマリウム銀合金又はイッテルビウム銀合金であることを特徴とする、トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。前記サマリウム銀合金において、サマリウムと銀との質量比は1:10~1:1であり、又は前記イッテルビウム銀合金において、イッテルビウムと銀との質量比は1:10~1:1であることを特徴とする、請求項1に記載のトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。前記陰極層の表面において、増透膜をさらに設けていることを特徴とする、請求項1又は2に記載のトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。前記増透膜の材料は、トリス8-キノリノラトアルミニウム、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、又は4,4’,4’’-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンであることを特徴とする、請求項3に記載のトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。前記基板の材料は、ポリエチレンテレフタラート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレート、透明のポリイミド又はポリカーボネートであり、前記陽極層の材料は、銀、アルミニウム又は金であることを特徴とする、請求項1に記載のトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイス。トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法であって、基板を洗浄、乾燥するステップS1と、前記基板の表面に陽極層を蒸着するステップS2と、前記陽極層の表面において、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とを順番に蒸着して積層させるステップS3と前記電子注入層の表面に、サマリウム銀合金又はイッテルビウム銀合金である材料の陰極層を蒸着するステップS4と、を含み、前記製造工程を実施することにより、前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードを得る、トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。前記サマリウム銀合金において、サマリウムと銀との質量比は1:10~1:1であり、又は、前記イッテルビウム銀合金において、イッテルビウムと銀との質量比は1:10~1:1であることを特徴とする、請求項6に記載のトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。前記陰極層を作成した後、前記陰極層の表面において増透膜を設けるステップをさらに含む、請求項6又は7に記載のトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。前記増透膜の材料は、トリス8-キノリノラトアルミニウム、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、又は4,4’,4’’-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンであることを特徴とする、請求項8に記載のトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。前記基板の材料は、ポリエチレンテレフタラート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレート、透明のポリイミド又はポリカーボネートであり、前記陽極層の材料は、銀、アルミニウム又は金であることを特徴とする、請求項6に記載のトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。本発明の目的は、可視光透過率の比較的高いトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供することにある。トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、順番に積層される、基板と、陽極層と、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極層とを備えており、前記陰極層の材料は、サマリウム銀合金又はイッテルビウム銀合金である。本発明により提供されるトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、使用された基板材料はポリマー薄膜であり、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンナフタレート、透明のポリイミドPI又はポリカーボネートPCである。前記トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの陰極層に使用される材料において、サマリウム銀合金を使用する場合、サマリウムと銀との質量比は1:10~1:1であり、又は前記イッテルビウム銀合金を使用する場合、イッテルビウムと銀との質量比は、1:10~1:1である。陰極層方向の光射出率を向上するために、陰極層の表面に増透膜をさらに被覆し、前記増透膜の材料は、トリス8-キノリノラトアルミニウムAlq3、セレン化亜鉛ZnSe、硫化亜鉛ZnS、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCP、又は4,4’,4’’-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンm-MTDATAを含む。前記トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスのホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とに使用される材料は、当該分野に一般に使用される材料である。以下にその例を示す。ホール注入層の材料は、4,4’,4’’-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミンm-MTDATA及びフタロシアニン銅CuPcから選択される。ホール輸送層の材料は、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス1-ナフタレニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPB、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンTPD、及び4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イル-トリフェニルアミンTCTAから選択される。発光層の材料は、Alq3:C545Tここで、C545T1H,5H,11H-[1]ベンゾピラノ[6,7,8-ij]キノリジン-11-オンをゲスト材料とし、Alq3[トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウム]をホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率は2、FIrpic:CBPここで、FIrpic{イリジウムIIIビス[2-4,6-ジフルオロフェニルピリジネート-N,C2’]ピコリネート}をゲスト材料とし、CBP4,4’-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニルをホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率は8、TPBi:Irppy3ここで、Irppy3[トリス2-フェニルピリジンイリジウム]をゲスト材料とすし、TPBi1,3,5-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルベンゼンをホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率は4、DPVBi[4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル]、及び、DPVBiとRubreneルブレンとからなる複合層すなわち、DPVBi/Rubreneから選択される。電子輸送層の材料は、トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、及び1,3,5-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルベンゼンTPBiから選択される。電子注入層の材料は、LiF、CsF及びLi2Oから選択される。前記陽極の材料は、Ag、Al又はAu等の金属である。本発明は、上述したトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルネッセンスデバイスの製造方法をさらに提供し、当該製造方法は、基板を洗浄、乾燥するステップS1と、真空蒸着法を利用して、前記基板の表面に陽極層を蒸着するステップS2と、真空蒸着法を利用して、前記陽極層の表面において、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とを順番に蒸着して積層させるステップS3と前記電子注入層の表面に陰極層を蒸着し、サマリウム銀合金又はイッテルビウム銀合金である材料を蒸着するステップS4と、を含み、前記製造工程の実施により、前記トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスダイオードを製造しうる。本発明により提供されるトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、陰極層においてサマリウム銀合金又はイッテルビウム銀合金が使用されているため、陰極層表面の光射出率は、65~75までに向上し、その結果、前記デバイスの発光効率は、8.6lm/Wから、12.2lm/W~15.5lm/Wに向上する。トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの陰極材料に、一般的に、金属Ag又はAlが使用されており、金属Agは良好な導電性を有し、厚みが薄い場合、比較的良好な透過率を具備する。Agの仕事関数は4.6evであり、一般に使用された電子輸送材料のLUMOエネルギー準位との間において比較的大きいバリアが存在する。そのほか、Agの厚みがわずかに厚くなると、Ag層の光透過率は比較的低くなる。サマリウムSmは、希土類金属材料であり、融点が1072°C、原子半径が2.59Åであり、イッテルビウムYbの融点が824.0°C、原子半径が2.4Åである。これらの2種類の金属材料について、真空蒸着の方法で成膜することは容易である。さらに、SmとYbとの仕事関数は、それぞれ2.7eV及び2.6eVであり、OLEDの陰極としてこれらを使用する場合、Al又はAgと比べてこれらの注入バリアがはるかに低くなる。さらに、Smは、Agと比べてより高い可視光透過率を有し、Agとこれらの2種類の材料とを合金化して陰極を形成する場合、金属陰極の仕事関数の低減が可能であると共に、比較的高い光透過率を維持することができるため、半透明の陰極構造を形成すことに好適である。本発明により提供されるトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルネッセンスデバイスは、図1に示すように、順番に積層された基板101と、陽極層102と、ホール注入層103と、ホール輸送層104と、発光層105と、電子輸送層106と、電子注入層107と、陰極層108とを備えており、すなわち、基板101/陽極層102/ホール注入層103/ホール輸送層104/発光層105/電子輸送層106/電子注入層107/陰極層108であり、ここで、前記陰極層の材料は、サマリウムSm銀Agの合金、又はイッテルビウムYe銀Agの合金であり、すなわち、Sm-Ag合金又はYe-Ag合金である。上述したトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、増透膜109をさらに備えることが好ましく、図1に示されるように、前記増透膜109は、前記陰極層108の表面に被覆され、前記増透膜109の材料は、トリス8-キノリノラトアルミニウムAlq3、セレン化亜鉛ZnSe、硫化亜鉛ZnS、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCP、又は、4,4’,4’’-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンm-MTDATAを含む。前記トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの陰極層に使用される材料において、サマリウム銀合金を使用する場合、サマリウムと銀との質量比は1:10~1:1であり、又は、イッテルビウム銀合金を使用する場合、イッテルビウムと銀との質量比は、1:10~1:1である。前記トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスはトップエミッション型のOLEDデバイスであるため、前記陰極の厚みは15nm~30nmであり、且つ、陰極層は半透明の陰極層であり、その可視光透過率は65~75である。前記トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、使用される基板材料はポリマー薄膜であり、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンナフタレートPEN、透明のポリイミドPI又はポリカーボネートPCである。当該トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードがトップエミッション型のOLED部材であることを考慮すると、その基板材料のポリマー薄膜の表面に対して平坦化及び硬化の処理を施さなければならず、その表面硬度は、2H~3H鉛筆硬度である。前記トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスのホール注入層103と、ホール輸送層104と、発光層105と、電子輸送層106と、電子注入層107とに使用される材料は、当該分野で一般に使用される材料である。以下にその例を示す。ホール注入層の材料は、4,4’,4’’-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミンm-MTDATA及びフタロシアニン銅CuPcから選択される。ホール輸送層の材料は、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス1-ナフタレニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPB、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンTPD、及び4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イル-トリフェニルアミンTCTAから選択される。発光層の材料は、Alq3:C545Tここで、C545T1H,5H,11H-[1]ベンゾピラノ[6,7,8-ij]キノリジン-11-オンをゲスト材料とし、Alq3[トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウム]をホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率は2、FIrpic:CBPここで、FIrpicイリジウムIIIビス[2-4,6-ジフルオロフェニルピリジネート-N,C2’]ピコリネートをゲスト材料とし、CBP4,4’-N,N-ジカルバゾール-ビフェニルをホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率は8、TPBi:Irppy3ここで、Irppy3[トリス2-フェニルピリジンイリジウム]をゲスト材料とし、TPBi[1,3,5-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルベンゼン]をホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率は4、DPVBi[4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル]、及び、DPVBiとRubreneルブレンとからなる複合層すなわち、DPVBi/Rubreneから選択される。電子輸送層の材料は、トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、及び1,3,5-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルベンゼンTPBiから選択される。電子注入層の材料は、LiF、CsF及びLi2Oから選択される。前記陽極の材料は、金属Ag、Al又はAuである。前記陽極層の厚みは18nm~100nmである。前記トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法は、図2に示すように、以下のステップを含む。ステップS1、基板たとえば、ポリマー薄膜を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて、超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させて、後の工程のために用意しておく。ここで、ポリマー薄膜は、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンナフタレートPEN、透明のポリイミドPIまたはポリカーボネートPCを含む。ステップS2、真空蒸着の方法を用いて、洗浄、乾燥した基板の表面に陽極層を蒸着し、当該陽極層の厚みが18nm~100nmである。ステップS3、真空蒸着の方法を用いて、陽極層の表面において、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とを順番に蒸着し、前記ホール注入層、前記ホール輸送層、前記発光層、前記電子輸送層、及び前記電子注入層の厚みはそれぞれ、30nm~40nm、20nm~50nm、15nm~20nm、30nm~40nm、及び1nmである。ステップS4、前記電子注入層の表面に、厚みが18nm~30nmの陰極層を蒸着し、ここで、前記陰極層の材料は、サマリウム銀合金又はイッテルビウム銀合金である。上述した製造工程を実施することにより、トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスを製造しうる。本発明により提供されるトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、陰極層にサマリウム銀合金又はイッテルビウム銀合金を使用するため、陰極層表面の光射出率は、65~75に向上する。その結果、当該デバイスの発光効率は、8.6lm/Wから、12.2lm/W~15.5lm/Wに向上する。また、当該デバイスの製造工程は簡単であり、片面のトップエミッション型または両面発行型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造が可能である。以下、図面を参照し、本発明のより好ましい実施例についてさらに詳しく説明する。[実施例1]本実施例1のトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、PET/Ag/m-MTDATA/NPB/C545T:Alq3/Alq3/LiF/Sm-Ag/Alq3である。前記トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造工程は、以下に示す。PET薄膜基板を、洗浄剤を含む脱イオン水に入れて超音波洗浄、乾燥した後、イソプロパノールとアセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに窒素気流で乾燥した。真空蒸着システムにおいて、PET薄膜表面に、厚みが18nmのAgを沈着させて陽極とし、さらに、陽極を酸素プラズマで2分間処理した。処理完了後、陽極に対して、厚みが30nmのホール注入層m-MTDATAと、厚みが50nmのホール輸送層NPBと、厚みが20nmの発光層Alq3:C545Tここで、C545がゲスト材料で、Alq3がホスト材料で、ゲスト材料のドーピング質量百分率は2でありと、厚みが40nmの電子輸送層Alq3と、厚みが1nmの電子注入層LiFとを順番に蒸着した。さらに、厚みが18nmのSm-Ag合金陰極を蒸着し、SmとAgとの質量比は1:1であった。陰極の表面において、厚みが80nmの増透膜Alq3を被覆した。[実施例2]本実施例2のトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、PES/Al/CuPc/NPB/DPVBi/Bphen/CsF/Sm-Ag/ZnSである。前記トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造工程は、以下に示す。PES薄膜基板を、洗浄剤を含む脱イオン水に入れて超音波洗浄、乾燥した後、イソプロパノールとアセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに窒素気流で乾燥した。真空蒸着システムにおいて、PES薄膜表面に、厚みが80nmのAlを沈着させて陽極とし、さらに、陽極を酸素プラズマで5分間処理した。処理完了後、陽極に対して、厚みが30nmのホール注入層CuPcと、厚みが40nmのホール輸送層NPBと、厚みが20nmの発光層DPVBiと、厚みが40nmの電子輸送層Bphenと、厚みが1nmの電子注入層CsFとを順番に蒸着した。さらに、厚みが25nmのSm-Ag合金陰極を蒸着し、SmとAgとの質量比は1:5であった。陰極の表面において、厚みが50nmの増透膜ZnSを被覆した。[実施例3]本実施例3のトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、PI/Al/m-MTDATA/TCTA/FIrpic:CBP/Bphen/Li2O/Sm-Ag/BCPである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造工程は、以下に示す。PI薄膜基板を、洗浄剤を含む脱イオン水に入れて超音波洗浄、乾燥した後、イソプロパノールとアセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに窒素気流で乾燥した。真空蒸着システムにおいて、PI薄膜表面に、厚みが100nmのAlを沈着させて陽極とし、さらに、陽極を酸素プラズマで15分間処理した。処理完了後、陽極に対して、厚みが30nmのホール注入層m-MTDATAと、厚みが40nmのホール輸送層TCTAと、厚みが20nmの発光層FIrpic:CBPここで、FIrpic{イリジウムIIIビス[2-4,6-ジフルオロフェニルピリジネート-N,C2’]ピコリネート}をゲスト材料とし、CBP4,4’-N,N-ジカルバゾール-ビフェニルをホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率が8でありと、厚みが40nmの電子輸送層Bphenと、厚みが1nmの電子注入層Li2Oとを順番に蒸着した。さらに、厚みが30nmのSm-Ag合金陰極を形成し、SmとAgとの質量比は1:1であった。陰極の表面において、厚みが80nmの増透膜BCPを被覆した。[実施例4]本実施例4のトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、PEN/Ag/m-MTDATA/NPB/TPBi:Irppy3/TPBi/LiF/Yb-Ag/m-MTDATAである。前記トップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造工程は、以下に示す。PEN薄膜基板を、洗浄剤を含む脱イオン水に入れて超音波洗浄、乾燥した後、イソプロパノールとアセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに窒素気流で乾燥した。真空蒸着システムにおいて、PEN薄膜表面に、厚みが80nmのAgを沈着させて陽極とし、さらに、陽極を酸素プラズマで2分間処理した。処理完了後、陽極に対して、厚みが30nmのホール注入層m-MTDATAと、厚みが50nmのホール輸送層NPBと、厚みが20nmの発光層TPBi:Irppy3ここで、Irppy3[トリス2-フェニルピリジンイリジウム]をゲスト材料とし、TPBi[1,3,5-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルベンゼン]をホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率が4であると、厚みが20nmの電子輸送層TPBiと、厚みが1nmの電子注入層LiFとを順番に蒸着した。さらに、厚みが30nmのYb-Ag合金陰極を蒸着し、YbとAgとの質量比は1:10であった。陰極の表面において、厚みが80nmの増透膜m-MTDATAを被覆した。[実施例5]本実施例5のトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、PC/Au/m-MTDATA/NPB/DPVBi/Rubrene/Alq3/LiF/Yb-Ag/ZnSeである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造工程は、以下に示す。PC薄膜基板を、洗浄剤を含む脱イオン水に入れて超音波洗浄、乾燥した後、イソプロパノールとアセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに窒素気流で乾燥した。真空蒸着システムにおいて、PC薄膜表面に、厚みが30nmのAuを沈着させて陽極とし、さらに、陽極を酸素プラズマで2分間処理した。処理完了後、陽極に対して、厚みが30nmのホール注入層m-MTDATAと、厚みが50nmのホール輸送層NPBと、厚みが20nmの発光層NPVBiと、厚みが0.2nmの発光層Rubreneとを順番に蒸着し、すなわち、総発光層の構造は、DPVBi/Rubreneであった。さらに、厚みが20nmの電子輸送層Alq3と、厚みが1nmの電子注入層LiFとを蒸着した。さらに、厚みが25nmのYb-Ag合金陰極を蒸着し、YbとAgとの質量比は1:1であった。陰極の表面において、厚みが50nmの増透膜ZnSeを被覆した。当該デバイスは、両面発光型の有機エレクトロルミネッセンス装置に作製可能である。[比較例1]本比較例1の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、PET/Ag/m-MTDATA/NPB/C545T:Alq3/Alq3/LiF/ZnSである。前記有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造工程は、以下に示す。PET薄膜基板を、洗浄剤を含む脱イオン水に入れて超音波洗浄、乾燥した後、イソプロパノールとアセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに窒素気流で乾燥した。真空蒸着システムにおいて、PET薄膜表面に、厚みが18nmのAgを沈着させて陽極とし、さらに、陽極を酸素プラズマで2分間処理した。処理完了後、陽極に対して、厚みが30nmのホール注入層m-MTDATAと、厚みが50nmのホール輸送層NPBと、厚みが20nmの発光層C545T:Alq3と、厚みが40nmの電子輸送層Alq3と、厚みが1nmの電子注入層LiFと、厚みが45nmのZnS陰極とを蒸着した。[比較例2]本比較例2の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、PEN/Ag/m-MTDATA/NPB/TPBi:IrPPy3/TPBi/LiF/Ag/m-MTDATAである。前記有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造工程は以下に示す。PEN薄膜基板を、洗浄剤を含む脱イオン水に入れて超音波洗浄、乾燥した後、イソプロパノールとアセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに窒素気流で乾燥した。真空蒸着システムにおいて、PEN薄膜表面に、厚みが80nmのAgを沈着させて陽極とし、さらに、陽極を酸素プラズマで2分間処理した。処理完了後、陽極に対して、厚みが30nmのホール注入層m-MTDATAと、厚みが50nmのホール輸送層NPBと、厚みが20nmの発光層TPBi:Irppy3ここで、Irppy3[トリス2-フェニルピリジンイリジウム]をゲスト材料とし、TPBi[1,3,5-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルベンゼン]をホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率が4でありと、厚みが20nmの電子輸送層TPBiと、厚みが1nmの電子注入層LiFと、さらに厚みが20nmのAg陰極とを順番に蒸着した。図3は、本発明において作製した、厚みが30nmのSm-AgSmとAgとの質量比が1:1合金電極実施例3と、厚みが30nmのYb-Agイッテルビウムと銀との質量比が1:10合金電極実施例4と、厚みが30nmのAg電極との透過率を比較した結果であった。図3により、本発明により提供されたSm-AgとYb-Ag合金陰極は、Ag電極と比較してより高い透過率を有することが分かる。そのため、トップエミッション型のデバイスにおいて、陰極の表面の光射出率を向上させることができる。図4は、実施例1で作製されたトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスと比較例1で作製されたトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスとの電流密度-電圧特性の曲線図である。図5は、実施例4で作製されたトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスと比較例2で作製されたトップエミッション型のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスとの電流密度-電圧特性の曲線図である。図4及び図5の曲線により、本発明により提供されたSm-Ag及びYb-Ag合金陰極は、Agより低い仕事関数を有することが分かる。そのため、Sm-Ag及びYb-Ag合金陰極は、より良好な電子注入効果を有することで、同じ作動電圧で、デバイスがより高い電流密度を得ることができる。なお、本発明のより好ましい実施例に関する上記説明は、比較的詳細的なものであるが、本発明の特許請求の範囲に対する制限でならず、本発明の請求する範囲は、同書の特許請求の範囲に基づくものであると理解されるべきである。"