波長変換材料の粒子にエネルギを供給するステップと、前記粒子を表面と接触させるステップとを有する方法であって、前記エネルギが、前記粒子を、前記表面との接触時に、前記表面に付着させる方法。エネルギを供給するステップが、加熱するステップを有する請求項1に記載の方法。加熱するステップが、前記粒子が溶融状態になるまで加熱するステップを有する請求項2に記載の方法。供給するステップが、前記粒子を赤外線にさらすステップを有する請求項1に記載の方法。供給するステップが、前記粒子をマイクロ波にさらすステップを有する請求項1に記載の方法。エネルギを供給するステップが、加速するステップを有する請求項1に記載の方法。前記表面が、半導体発光装置の表面である請求項1に記載の方法。前記表面が、透明なプレートである請求項1に記載の方法。前記表面が、セラミック蛍光体の表面である請求項1に記載の方法。前記粒子が、蛍光体である請求項1に記載の方法。前記粒子を表面と接触させるステップが、前記粒子を電子ビームで帯電させるステップと、帯電した前記粒子を、電界で、前記表面の方へ向けるステップとを有する請求項1に記載の方法。蛍光体の粒子のストリームを電子ビームに通して、前記ストリーム中の前記粒子の少なくとも幾つかを帯電させるステップと、帯電した前記粒子を、電界で、III族窒化物発光装置の表面の方へ向けるステップと、前記帯電した粒子が前記発光装置の前記表面と接触するときに、前記帯電した粒子の一部が前記表面に付着するような十分なエネルギを前記帯電した粒子に供給するステップとを有する方法。供給するステップが、前記帯電した粒子を赤外線にさらすステップを有する請求項12に記載の方法。供給するステップが、前記帯電した粒子をマイクロ波にさらすステップを有する請求項12に記載の方法。供給するステップが、前記帯電した粒子を、前記電界で、前記表面の方へ加速するステップを有する請求項12に記載の方法。本発明の目的は、有機結合剤を用いずに表面に付着される波長変換層を提供することである。本発明の実施例においては、エネルギが粒子を表面に付着させるように、波長変換材料の粒子にエネルギを供給し、前記粒子を前記表面に接触させることによって、波長変換材料の層が形成される。幾つかの実施例においては、前記波長変換材料は蛍光体であり、前記表面は半導体発光装置の表面である。幾つかの実施例においては、前記エネルギは、前記粒子を加熱又は加速することによって供給される。本発明の実施例においては、波長変換材料が表面上に形成される。波長変換材料を表面に付着するのに、結合剤材料は必要とされない。幾つかの実施例においては、表面は、半導体発光装置の表面である。下記の例は、III族窒化物発光ダイオードを含むが、本発明の実施例は、レーザダイオードなどの他の半導体装置、並びに他のIII-V族装置、III族燐化物装置、III族砒化物装置、II-VI族装置、及びSiベースの装置などの他の材料系から作成される装置を含み得る。また、下記の例は、蛍光体を含むが、他の適切な波長変換材料が用いられてもよい。図2は、III族窒化物発光装置の表面に形成される蛍光体を備える本発明の実施例を図示している。図2に図示されている装置は、まず、成長基板図示せず上で半導体構造を成長させることで、形成される。一般に、n型領域12が、最初に成長させられ、例えば、n型であり得る又は意図的にはドーピングされない、バッファ層又は核形成層などの準備層、後の基板の剥離又は基板除去後の半導体構造の薄層化を容易にするよう設計される剥離層、及び発光領域が効率的に光を放射するのに望ましい特定の光学的又は電気的特性のために設計されるn型装置層又はp型装置層を含む、異なる組成及びドーパント濃度の多数の層を含み得る。発光又は活性領域14は、n型領域の上で成長させられる。適切な発光領域の例は、単一の厚い若しくは薄い発光層、又は障壁層によって分離される多数の薄い若しくは厚い量子井戸発光層を含む多重量子井戸発光領域を含む。p型領域16は、発光領域の上で成長させられる。n型領域と同様に、p型領域は、意図的にはドーピングされない層又はn型層を含む、異なる組成、厚さ及びドーパント濃度の多数の層を含み得る。図2は、薄膜フリップチップ装置を図示しており、ここでは、接点が、構造の上面に形成され、構造が、ひっくり返され、マウントに取り付けられ、次いで、成長基板が、取り除かれる。成長基板上で成長させられた半導体構造は、任意の適切な装置に加工され得る。用いられ得る装置構造の他の例は、n型接点及びp型接点が装置の反対側に形成される垂直装置、成長基板が装置の一部のままであるフリップチップ装置、及び光が透明な接点を通して抽出される装置を含む。垂直装置においては、上部接点は、蛍光体層より先に形成されてもよく、上部接点上に堆積された蛍光体は、取り除かれてもよく、又は取り除かれなくてもよい。他の例においては、蛍光体層が、上部接点より先に形成され、次いで、蛍光体層の、上部接点が形成される部分を取り除くようパターン形成されてもよい。下記の方法によって形成される蛍光体は、例えば、反応性イオンエッチング又はレーザアブレーションによって取り除かれ得る。図2に図示されている装置を形成するためには、p型接点20が、p型領域の上面に形成される。p型接点20は、銀などの反射層を含み得る。p型接点20は、抵抗接点層、並びに例えばチタン及び/又はタングステンを含む保護シートなどの他のオプション層を含み得る。p型接点20、p型領域及び活性領域の一部は、1つ以上のn型接点18が形成されるn型領域の一部を露出させるよう取り除かれる。p型接点及びn型接点において図2には図示されていない相互接続部が形成され、次いで、装置が、相互接続部を介してマウント30に接続される。相互接続部は、はんだ又は他の金属などのあらゆる適切な材料であってもよく、多数の材料層を含んでもよい。幾つかの実施例においては、相互接続部は、少なくとも1つの金又は他の金属の層を含み、LEDとマウントとの間の結合は、超音波又はサーモソニックボンディングによって形成される。半導体構造がマウント30に結合された後、成長基板の全て又は一部が、特定の成長基板材料に適切な任意の技術によって取り除かれ得る。例えば、Al2O3基板は、レーザリフトオフによって取り除かれ得る。成長基板が取り除かれた後、半導体構造は、例えば、光電気化学PECエッチングによって、薄くされ得る。n型領域の露出面は、例えば、フォトニック結晶を形成することによって、又は粗くすることによって、テクスチャード加工され得る。蛍光体層32は、下の、図3に付随する文章において記載されている方法のうちの1つによって、n型領域12の面に形成される。蛍光体層の厚さは、LED15の活性領域14によって放射される光の全て又は一部を波長変換するよう選択される。厚さは、特定の蛍光体、及び蛍光体における波長変換ドーパントの濃度に依存し得る。蛍光体層32は、幾つかの実施例においては、厚さが10ミクロンと200ミクロンとの間であり、幾つかの実施例においては、厚さが10ミクロンと50ミクロンとの間であり、幾つかの実施例においては、厚さが10ミクロンと30ミクロンとの間である。蛍光体層32には、異なる波長の光を放射する多数の蛍光体が含まれ得る。多数の蛍光体は、単一の層の中で混合されてもよく、又は別々の層として形成されてもよい。蛍光体層32は、例えば、青色放射LEDからの光によって励起されるときに黄色光を放射する、ここではYAGCeと呼ばれる、Y3Al5O12Ce3などの無機粉末蛍光体であり得る。蛍光体層32においては、YAGCeに加えて又はYAGCeの代わりに、あらゆる他の適切な蛍光体が用いられ得る。適切な蛍光体の例は、N3Eu2、N3aOaEu2又はCe30≦a≦1、CaAlSiN3Eu2、AlSiN3Eu2、35O12Ce3、Lu3Al5O12Ce3、Si5aAlaN8aOaEu20≦a≦5、Sr2Si5N8Eu2、SiNOEu2、SrSi2N2O2Eu2、S4Eu2、SrGa2S4Eu2、SrBaSiO4Eu2、SEu2、CaSEu2及びSrSEu2を含む。蛍光体層32は、蛍光体粒子に、粒子をLED15の表面に付着させるのに十分なエネルギを供給し、次いで、粒子をLED15と接触させることによって、形成される。蛍光体粒子は、その後の焼きなましなしに、表面に付着し得る。幾つかの実施例においては、蛍光体粒子に、それらを溶融状態にさせるのに十分な熱が供給される。粒度は、必要とされる熱量が、LED15の表面の温度を感知できるほど上げるのには不十分であるように選択される。溶融蛍光体粒子がLED15の表面と接触するとき、それらは凝固する。この処理は、蛍光体層32が所望の厚さに達するまで繰り返される。幾つかの実施例においては、熱エネルギではなく、運動エネルギが、蛍光体粒子に供給される。蛍光体粒子は、それらが、粒子を溶融するのに必要とされる熱エネルギと同様の量の運動エネルギを持つまで加速される。次いで、LED15の表面に、高速蛍光体粒子が衝突させられ、前記高速蛍光体粒子は、LED15の表面に付着する。粒度は、高速蛍光体粒子がLED15の表面に損傷を与えないように選択される。幾つかの実施例においては、蛍光体粒子をLED15の表面に付着させるために、熱エネルギと運動エネルギとの組み合わせが用いられる。図3は、蛍光体層32を形成する方法を図示している。処理は、減圧チャンバ34内で行われる。チャンバ34内の圧力は、大気圧より少なくてもよく、幾つかの実施例においては、実質的に真空である。蛍光体粒子38は、各蛍光体粒子を他の蛍光体粒子から分離する蛍光体分散組立体36によってチャンバ34に供給される。粒子38は、次いで、陽極46と陰極48との間に生成される電子40のビームに通される。電子40は、蛍光体粒子38を帯電させる。未使用蛍光体粒子39は、キャッチ44によって集められ、場合によっては、組立体36に戻される。帯電した蛍光体粒子42は、プレート50及び54の間に生成される電界によって、ターゲット表面、図3におけるLED15の方へ向けられる。幾つかの実施例においては、帯電した蛍光体粒子42は、プレート50及び54の間の電界によって、それらが、加熱されることなしに、LED15の表面との接触時に、LED15に付着するのに十分な運動エネルギを持つように加速される。幾つかの実施例においては、帯電した蛍光体粒子42は、それらが溶融状態になり、ターゲット表面、図3におけるLED15との接触時に凝固するように、赤外線のビーム58に通される。蛍光体粒子が、それらをターゲット表面に付着させるために加熱される場合、蛍光体粒子をターゲット表面に向けるために、重力などの、電子ビーム及び電界以外の技術が用いられ得る。幾つかの実施例においては、蛍光体粒子を加熱するために、赤外線ビームに加えて、又は赤外線ビームの代わりに、マイクロ波場が用いられる。幾つかの実施例においては、帯電した蛍光体粒子42は、各粒子がターゲット表面と接触する際の各粒子の運動エネルギと熱エネルギとを組み合わせたものが、前記粒子をターゲット表面に付着させるのに十分なものになるように、電界によって加速され、次いで、赤外線ビーム58によって加熱される。或る例においては、蛍光体は、1200°Cより高い温度で溶けるYAGCeである。蛍光体粒子は、直径が1ミクロンと5ミクロンとの間である。粒子は、赤外線源によって、それらが溶融状態になるまで、YAGCeが吸収する波長で、加熱される。例えば、1kWcm2乃至100kWcm2のオーダーの強度を持つ1kWクラスの標準的な工業用CO2レーザが用いられ得る。蛍光体粒子がビームにさらされる期間は、蛍光体の融点、蛍光体粒子のサイズ及び速度、並びにビームジオメトリに依存し得る。幾つかの実施例においては、蛍光体粒子は、数ミリ秒間、ビームにさらされる。溶けた液滴がLEDの表面と接触するとき、それらは凝固する。所望の厚さの蛍光体層が形成されるまで、LEDの表面に、溶けたYAGCeの液滴が衝突させられる。他の例においては、YAGCe粒子は、電界によって、約1km秒の速度まで加速され得る。その速度では、直径が3ミクロンである粒子は、約50mJの運動エネルギを持ち、これは、だいたい、前記粒子を溶かすのに必要とされるエネルギ量である。所望の厚さの蛍光体層が形成されるまで、加速された粒子であって、接触時に変形し、LEDに付着する加速された粒子が、LEDに衝突させられる。幾つかの実施例においては、他の波長変換層が、蛍光体層32と組み合わされる。例えば、図3に付随する文章において記載されている方法によって形成される第2蛍光体層が、蛍光体層32の上に形成され得る。LED15若しくは蛍光体層32に取り付けられる予備成形セラミック蛍光体層、又はLED15若しくは蛍光体層32の上に、ステンシルで印刷される、スクリーン印刷される、若しくは投与される有機カプセル材料内に配置される粉末蛍光体などの他の波長変換材料は、蛍光体層32の上に、又は蛍光体層32とLED15との間に、蛍光体層32より先又は後に、形成又は配置され得る。幾つかの実施例においては、蛍光体層32は、蛍光体層32を形成するより先又は後に、例えばシリコーンなどの接着剤によって、LED15に取り付けられるセラミック蛍光体層上に形成される。幾つかの実施例においては、蛍光体層32は、例えば、蛍光体層32を保護するために、又はレンズ若しくは他の光学部品を形成するために、エポキシ又はシリコーンなどの透明な材料によってカプセル化される。透明な材料は、蛍光体層32をLED15に付着するのに透明な材料が必要とされないように、蛍光体層32が形成された後に、形成され得る。幾つかの実施例においては、蛍光体層32は、発光装置から分離されている表面上に形成される。例えば、蛍光体層32は、ディスプレイにおいて光源から間隔をおいて配置されるガラス又は他の透明なプレート上に形成され得る。他の例においては、蛍光体層32は、発光装置から間隔をおいて配置されるセラミック蛍光体上に形成され得る。実施例に記載されている波長変換層には幾つかの利点があり得る。蛍光体を結合する、又はセラミック蛍光体をLEDに取り付けるのに有機結合剤が必要とされず、これは、有機結合剤に関連する問題を取り除き得る。波長変換層は、高密度且つ熱伝導性であることができ、これは、装置の性能を向上させ得る。波長変換層の厚さは、緻密に制御されることができ、これは、装置の性能と、装置によって放射される光の特性の制御との両方を向上させることができ、且つ波長変換材料の無駄を省くことにより装置のコストを減らすことができる。波長変換層は、かなり散乱性であることができ、これは、光のさほど大きな損失なしに、装置によって放射される光の一様性を向上させ得る。波長変換層を形成するための処理は、一般に安価である。本発明を詳細に説明したが、当業者には、本開示を鑑みて、ここに記載されている本発明の思想の趣旨から外れない修正が本発明に対してなされ得ることは分かるであろう。それ故、本発明の範囲を、図示及び記載されている特定の実施例に限定する意図はない。