第一の電荷対質量比q/mで規定される加速された荷電粒子の第1のビームまたは前記第1の電荷対質量比q/mよりも小さな第2の電荷対質量比q/m’によって規定される加速された荷電粒子の第2のビームを発生させることができるサイクロトロンであって、-前記サイクロトロンの中心軸12に対して垂直な中間平面13に対して対称的に位置し、前記荷電粒子の円運動のために提供されるギャップ14によって離隔される2つの磁極を含む電磁石であって、前記磁極のそれぞれが丘5と呼ばれる狭いギャップを有する領域と谷4と呼ばれる広いギャップを有する領域とが交互になるように配置された複数の区画を含む電磁石;-前記磁極の間の前記ギャップ14内に、本質的に一定な主誘導場を発生させる主誘導コイル6;及び-加速される粒子の電荷対質量比に従って磁場プロファイルを変更する手段であって、前記谷4の1つの中に存在し、前記サイクロトロンの中央部に近い領域から周辺部へ半径方向に延設する強磁性体部2を含み、前記強磁性体部2が、前記谷の底部と共に磁気回路を形成し、前記第1の電荷対質量比q/mを有する前記第1のビームの粒子を加速するための十分に大きな付加的磁場を生成する手段;を含み、-前記強磁性体部2の周囲に配置され、前記強磁性体部内に前記主誘導コイル6によって誘導される磁場と反対の磁場を誘導することができ、前記第2の電荷対質量比q/m’を有する前記第2のビームの粒子を加速する前記強磁性体部2によって提供される前記付加的磁場の寄与を減少させる2次誘導コイル1を特徴とする、サイクロトロン。前記2次誘導コイル1が、前記強磁性体部2の周囲に、前記主誘導コイル6に対して平行に配置される、請求項1に記載のサイクロトロン。前記強磁性体部2が、-前記サイクロトロンの中央から周辺部に延設し、ギャップを形成する第1の部分及び;-前記第1の部分を支持する強磁性体材料からなる柱3を含む第2の部分を含む、請求項1または2に記載のサイクロトロン。前記2次誘導コイル1が、前記柱3を取り囲む、請求項3に記載のサイクロトロン。2つの対向する前記谷4内に位置する磁場プロファイルを変更する手段を含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のサイクロトロン。-谷の底部に位置し、前記強磁性体部2または前記柱3の全体を通過させる開口部15;及び-前記第2の電荷対質量比q/m’を有する粒子を加速させたい場合に前記強磁性体部を前記中間平面から取り除くことができ、または前記第1の電荷対質量比q/mを有する粒子を加速させたい場合に前記強磁性体部2を前記中間平面13に近接させることができる機械的デバイス16を特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載のサイクロトロン。-請求項1から6のいずれか一項に記載のサイクロトロンが、加速された荷電粒子の前記ビームを発生させるのに使用され;及び-加速される粒子の前記電荷対質量比に従って、前記2次誘導コイル1において電流強度が調節されまたは調整されることを特徴とする、加速された荷電粒子のビームを発生させる方法。-第1の電荷対質量比q/mによって規定される加速された荷電粒子の第1のビームが、前記2次誘導コイル1にどのような電流も印加することなく前記サイクロトロンによって発生され;及び/または-第2の電荷対質量比q/m’によって規定される加速された荷電粒子の第2のビームが、前記2次誘導1に電流を印加して前記主誘導場と反対の磁場を誘導することによって前記サイクロトロンによって発生され、前記第1の電荷対質量比q/mが、前記第2の電荷対質量比q/m’よりも大きいことを特徴とする、請求項7に記載の方法。-前記第1の電荷対質量比q/mを有する粒子の第1のビームの加速から、前記第2の電荷対質量比q/m’を有する粒子の第2のビームの加速へ切り替える場合に、電流が、前記2次誘導コイル1に印加されて前記主誘導場と反対の磁場を誘導することを特徴とする、請求項8に記載の方法。-前記第2の電荷対質量比q/m’を有する粒子の第2のビームの加速から前記電荷対質量比q/mを有する粒子の第1のビームの加速へ切り替える場合に、前記2次誘導コイル1への電流の通過を遮断することが提供されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。粒子のビームが、放射性同位体の前駆体を含むターゲット上に加速されることを特徴とする、請求項7から10のいずれか一項に記載の方法。放射性同位体を製造するための、請求項1から6のいずれか一項に記載のサイクロトロンの使用または請求項7から11のいずれか一項に記載の方法の使用。本発明の目的は、異なる電荷対質量q/m比を有する種類の粒子を加速できる、従来技術の欠点を有しないサイクロトロンを提供することである。本発明の他の目的は、加速される粒子の種類のq/m比に従って磁場のプロファイルを修正する手段を有するサイクロトロンを提供することであり、この手段は、先行技術の手段よりも簡便な実施形態を可能にする。本発明の他の目的は、加速される粒子の種類のq/m比に従って磁場のプロファイルを修正する手段を有するサイクロトロンを提供することであり、この手段は、高エネルギーサイクロトロンに対する媒体の場合にも十分な付加的磁場を発生させうる。本発明の他の目的は、サイクロトロンの内部真空をかく乱することなく、磁場プロファイルの修正を行う手段を有するサイクロトロンを提供することである。本発明は、第1の電荷対質量比q/mで規定される加速された荷電粒子の第1のビームまたは前記第1の電荷対質量比q/mよりも小さな第2の電荷対質量比q/m’によって規定される加速された荷電粒子の第2のビームを発生させることができるサイクロトロンであって、-前記サイクロトロンの中心軸に対して垂直な中間平面に対して対称的に位置し、前記荷電粒子の円運動のために提供されるギャップによって離隔される2つの磁極、好適には上部磁極及び下部磁極を含む電磁石であって、前記磁極のそれぞれが丘と呼ばれる狭いギャップを有する領域と谷と呼ばれる広いギャップを有する領域とが交互になるように配置された複数の区画を含む電磁石;-前記磁極の間の前記ギャップ内に、本質的に一定な主誘導場を発生させる主誘導コイル;及び-加速される粒子の電荷対質量比に従って磁場プロファイルを変更する手段であって、前記谷の1つの中に存在し、前記サイクロトロンの中心近傍の領域から周辺部へ半径方向に延設する強磁性体部を含み、前記強磁性体部が、前記谷の底部と共に磁気回路を形成し、前記第1の電荷対質量比q/mを有する前記第1のビームの粒子を加速するための十分に大きな付加的磁場を生成する手段;を含み、-前記強磁性体部の周囲に配置され、前記強磁性体部内に前記主誘導コイルによって誘導される磁場と反対の磁場を誘導することができ、前記第2の電荷対質量比q/m’を有する前記第2のビームの粒子を加速する前記強磁性体部によって提供される前記付加的磁場の寄与を減少させる2次誘導コイルを特徴とするサイクロトロンに関する。好適には、前記2次誘導コイルが、前記強磁性体部の周囲に、前記主誘導コイルに対して平行に配置される。好適には、前記強磁性体部が、-前記サイクロトロンの中央から周辺部に延設し、ギャップを形成する第1の部分及び;-前記第1の部分を支持する強磁性体材料からなる柱を含む第2の部分を含む。好適には、前記2次誘導コイルが、前記柱を取り囲む。好適には、サイクロトロンは、2つの対向する前記谷内に位置する磁場プロファイルを変更する手段を含む。好適には、サイクロトロンは、-谷の底部に位置し、前記強磁性体部または前記柱の全体を通過させる開口部;及び-前記第2の電荷対質量比q/m’を有する粒子を加速させたい場合に前記強磁性体部を前記中間平面から取り除くことができ、または前記第1の電荷対質量比q/mを有する粒子を加速させたい場合に前記強磁性体部を前記中間平面に近接させることができる機械的デバイスを特徴とする。本発明の他の態様に従えば、本発明は、加速された荷電粒子のビームを発生させる方法に関し、-前記請求項のいずれか一項に記載のサイクロトロンが、加速された荷電粒子の前記ビームを発生させるのに使用され;及び-加速される粒子の前記電荷対質量比に従って、前記2次誘導コイルにおいて電流強度が調節されまたは調整されることを特徴とする。好適には、この方法は、-第1の電荷対質量比q/mによって規定される加速された荷電粒子の第1のビームが、前記2次誘導コイルにどのような電流も印加することなく前記サイクロトロンによって発生され;及び/または-第2の電荷対質量比q/m’によって規定される加速された荷電粒子の第2のビームが、前記2次誘導コイルに電流を印加して前記主誘導場と反対の磁場を誘導することによって前記サイクロトロンによって発生され、前記第1の電荷対質量比q/mが、前記第2の電荷対質量比q/m’よりも大きいことを特徴とする。好適には、本方法は、-前記第1の電荷対質量比q/mを有する粒子の第1のビームの加速から、前記第2の電荷対質量比q/m’を有する粒子の第2のビームの加速へ切り替える場合に、電流が、前記2次誘導コイルに印加されて前記主誘導場と反対の磁場を誘導することを特徴とする。好適には、本発明は、-前記第2の電荷対質量比q/m’を有する粒子の第2のビームの加速から前記電荷対質量比q/mを有する粒子の第1のビームの加速へ切り替える場合に、前記2次誘導コイルへの電流の通過を遮断することが提供されることを特徴とする。好適には、本方法は、粒子のビームが、放射性同位体の前駆体を含むターゲット上に加速されることを特徴とする。最後の態様に従えば、本発明はまた、放射性同位体を製造するための、前述のサイクロトロンの使用または前述の方法の使用に関する。本発明のデバイスは、電荷対質量比q/mによって規定される加速された荷電粒子のビームまたはこの電荷対質量比q/mよりも小さな電荷対質量比q/m’によって規定される加速された荷電粒子のビームを発生させることができるサイクロトロンである。このサイクロトロンは、電荷対質量比q/mが例えば1に等しい陽子のような粒子または比q/m’が1/2に等しいアルファ粒子、重陽子、HH、6Li3、10B5もしくは12C6のような粒子もしくは同じ比q/m’=1/2であるその他の粒子を加速することができる。本発明に従うこのサイクロトロンは、図2から6に示されている。このサイクロトロンは、-2つの磁極、上部磁極及び下部磁極を備え、これらの磁極がサイクロトロンの中心軸12に対して垂直な中間平面13に対して対称的に位置し、荷電粒子の円運動のために提供されるギャップ14によって離隔され、これらの磁極のそれぞれが丘5と呼ばれる狭いギャップを有する領域と谷4と呼ばれる広いギャップを有する領域とが交互に配置されるように位置する複数の区画を含む電磁石;-この磁気回路を閉じるための磁束帰還7;-これらの磁極間のギャップ14内の本質的に一定な主誘導場を発生させる主誘導コイル6及び;-加速される粒子の種類のq/m比に従って磁場プロファイルを変更する手段を含む磁気回路を含む。このサイクロトロンは、磁場プロファイルを変更する前述の手段が、-一般に軟鉄からなり、前述の谷4の1つの中に位置し、サイクロトロンの中央に近接した領域からサイクロトロンの周辺部まで延設する強磁性体部2であって、この強磁性体部2が、電荷対質量比q/mである粒子を加速するための十分大きな付加的磁場を発生させるように、前述の谷の底部と共に磁気回路を形成する強磁性体部2;及び-電荷対質量比q/m’を有する粒子を加速できるように、この強磁性体部2によって提供される付加的磁場の寄与を減少させることができる手段を含むことを特徴とする。磁場プロファイルを変更するこの手段において、前述の強磁性体部2は、サイクロトロンの中央部から周辺部へ延びるこの一部または全体と同じ程度の長さの異なる形状を仮定してもよい。例えば、この強磁性体部2は、-サイクロトロンの中央部から周辺部へ延設し、ギャップを形成する第1の部分及び;-磁束帰還7に接続され前述の第1の部分を支持する強磁性体の柱3を含む第2の部分を含んでもよい。このサイクロトロンは、例えば、対向する谷4内に位置する磁場プロファイルを変更するための2つの手段を含んでもよい。2つの他の対向する谷は、通常ダイス図示せずと呼ばれる加速電極を含む。例えば、このサイクロトロンは、4つの丘5を備えてもよく、これらの丘5のそれぞれは、谷4によって互いに離隔される。本発明のこの限定的でない例において、サイクロトロンの区画は、磁場を変更する前述の手段を含む2つの対向する谷4及びダイスを含む2つの他の谷で、4次の対称性に従って配置される。図2に示された、本発明の第1の実施形態に従えば、この手段は付加的磁場の寄与を減少させることができ、-谷の底部に位置し、前述の強磁性体部2または前述の柱3の全体の通過を可能とする開口部15及び;-電荷対質量比q/m’を有する粒子を加速したい場合には前述の強磁性体部2を中間平面から除去することができ、または電荷対質量比q/mを有する粒子を加速したい場合には前述の強磁性体部2を中間平面に近づけるように移動させることができる機械的デバイス16を含む。図3及び4に示された第2の実施形態において、付加的磁場の寄与を減少させることができる前述の手段は、前述の主誘導コイル6に対して平行に、前述の強磁性体部2の周囲に配置された2次誘導コイル1を含む。この2次誘導コイル1は、前述の主誘導コイル6によって前述の強磁性体部に誘導される磁場と反対の磁場を誘導する反対電流を有することを可能にする電力供給デバイス11に接続される。図5及び6に示された本発明の第3の実施形態において、前述の強磁性体部2は、-サイクロトロンの中央部から周辺部まで延設し、ギャップを形成する第1の部分及び;-磁束帰還7に接続され前述の第1の部分を支持する強磁性体の柱3を含む第2の部分を含み、前述の2次誘導コイル1が、この柱3を取り囲み、前述の主誘導コイル6と平行に配置される。2次誘導コイル1の電流の通過による過熱を避けるために、これは、冷却を可能とする冷却部図示せずによって取り囲まれてもよい。この2次誘導コイル1は、サイクロトロン内を真空にしたときに脱ガスの問題を避けることができるような金属枠によって取り囲まれてもよい。好適には、本発明に従うサイクロトロンは、-このサイクロトロンの中央部から周辺部へ延設し、ギャップを形成する第1の部分及び;-強磁性体材料で形成され前述の第1の部分を支持する柱を含む第2の部分を含む。有利には、本発明に従うサイクロトロンは、2つの対向する谷に位置する磁場プロファイルを修正するための手段を含む。好適には、この強磁性体部によって提供される、付加的磁場の寄与を減少させることができるこの手段は、-谷の底部に位置し、前述の強磁性体部または前述の柱の全体を通過させることができる開口部;-第2の電荷対質量比q/m’を有する粒子を加速したい場合にはこの強磁性体部を中間平面から除去することができ、第1の電荷対質量比q/mを有する粒子を加速したい場合にはこの強磁性体部を中間平面に近づけるように移動させることができる機械的デバイスを含む。有利には、この強磁性体部によって提供される付加的磁場の寄与を減少させることができるこの手段は、-前述の主誘導コイルに対して平行に前述の強磁性体部の周囲に配置され、前述の強磁性体部内に誘導される磁場と反対の磁場を誘導する電流を、前述の主コイルを通して通過させることができる電力供給手段に接続される2次誘導コイルを含む。有利には、前述の2次誘導コイルは、前述の柱を取り囲む。本発明はまた、第1の電荷対質量比q/mによって規定される加速された荷電粒子の第1のビームまたはこの第1の電荷対質量比q/mよりも小さな第2の電荷対質量比q/m’によって規定される加速された荷電粒子の第2のビームを発生させることができるサイクロトロンにおける磁場プロファイルを修正する方法に関し、このサイクロトロンは、磁気回路を含み、-2つの磁極、上部磁極及び下部磁極を含み、この磁極が、サイクロトロンの中心軸に対して垂直な中間平面に対して対称に配置され、荷電粒子の円運動のために提供されるギャップによって離隔され、この磁極のそれぞれが、丘と呼ばれる狭いキャップを有する領域と谷と呼ばれる広いギャップを有する領域とが交互になるように配置された複数の区画を含み、中間平面内で前述のビームの焦点を確実に合わせなおす電磁石;-前述の磁気回路を閉じるための磁束帰還;-前述の磁極間のギャップ内に、本質的に一定な主誘導場を発生させる主誘導コイル;-加速される粒子の種類の比q/mに従って磁場プロファイルを修正する手段;を含み、磁場のプロファイルを修正する手段が、-前述の谷の1つに含まれサイクロトロンの中央部に近い領域から周辺部まで半径方向に延設する強磁性体部であって、第1の電荷対質量比q/mを有する第1のビームの加速粒子のための十分大きな付加的磁場を発生させるように前述の谷の底部と共に磁気回路を形成する強磁性体部及び;-第2の電荷対質量比q/m’を有する第2のビームの粒子を加速できるように、前述の強誘電体部によって提供される付加的磁場の寄与を減少させることができる手段を含んで提供されることを特徴とする。好適には、この強磁性体部は、-このサイクロトロンの中央から周辺部へ延設し、ギャップを形成する第1の部分及び;-強磁性体材料からなり、前述の第1の部分を支持する柱を含む第2の部分を含む。有利には、この強磁性体部によって提供される付加的磁場の寄与を減少させることができるこの手段は、-谷の底部に位置し、この強磁性体部または前述の柱の全体を通過させることができる開口部及び;-第2の電荷対質量比q/m’を有する粒子を加速したい場合にはこの強磁性体部を中間平面から除去することができ、第1の電荷対質量比q/mを有する粒子を加速したい場合にはこの強磁性体部を中央平面に近づけるように移動させることができる機械的手段を含む。さらに好適には、この強磁性体部によって提供される付加的磁場の寄与を減少させることができるこの方法に関して、-前述の主誘導コイルに対して平行に、前述の強磁性体部の周囲に位置し、前述の主コイルを通して、前述の強誘電体部内に誘導される磁場と反対の磁場を誘導する電流を有することを可能にする電力供給手段に接続される2次誘導コイルが提供される。有利には、電流強度は、加速される粒子の電荷対質量比に従って前述の2次誘導コイル内で調節または調整される。より好適には、本発明に従う方法は、このサイクロトロンによって第1の電荷対質量比q/mによって規定される加速された粒子の第1のビームを、前述の2次誘導コイルにどのような電流も印加することなく発生させる段階、またはこのサイクロトロンによって前述の主誘導場と反対の磁場を誘導できるようにこの2次誘導コイルに電流を印加することによって第2の電荷対質量比q/m’によって規定される粒子の第2のビームを発生させる段階を含み、第1の電荷対質量比q/mは、第2の電荷対質量比q/m’よりも大きい。さらに好適には、本発明に従う方法は、第1の電荷対質量比q/mを有する粒子の第1のビームの加速から第2の電荷対質量比q/m’を有する粒子の第2のビームの加速へ切り換える場合には前述の主誘導場と反対の磁場を誘導できるように前述の2次誘導コイルに電流を印加し、または第2の電荷対質量比q/m’を有する粒子の第2のビームの加速から電荷対質量比q/mを有する粒子の第1のビームの加速へ切り替えるときには前述の2次誘導コイル内の電流の通過を遮断する段階を含む。好適には、粒子のビームは、放射性同位体の前駆体を含むターゲット上に加速される。本発明はまた、放射性同位体を製造するための前述の方法または前述のサイクロトロンの使用に関する。本発明の使用例本発明に従う等時性サイクロトロンにおいて、電荷対質量比q/mを有し、加速される例えば陽子q/m=1または重陽子q/m=1/2のような粒子の種類を選択することが可能になり、その他の粒子もまた加速されうる。70MeVのエネルギーまで陽子を加速することができる等時性サイクロトロンの限定的でない場合において、2つの対向する谷における前述の強磁性体部2の位置は、前述の主誘導コイル6によって誘導された磁場の磁束線に影響を与え、陽子を加速するために必要な等時性磁場を得ることができる付加的磁場を提供する。この同じサイクロトロンで1/2に等しい電荷対質量比を有する重陽子またはその他の粒子を35MeVのエネルギーまで加速したい場合、図1に示すような等時性磁場プロファイルを得るために磁場のプロファイルを変更しなければならない。従って、前述の強磁性体部2によって提供される付加的な磁場は、そのため減少されなければならない。このことは、重陽子または1/2に等しい電荷対質量比を有する粒子を加速させるのに必要な等時性磁場を得ることができるように、前述の2次誘導コイル1に前述の主誘導コイル6によって誘導される主磁場と反対の磁場を発生させる反対電流を印加することによって達成されてもよい。1及び1/2であるこれらの電荷対質量比は、本発明を限定するものではなく、その他の電荷対質量比を考えてもよい。本発明によって、区画において複雑な屈曲及び機械システムを用いることを避けることが可能になる。本発明の第2及び第3の実施形態は、電荷対質量比q/mを有する1つの種類の粒子を加速することを必要とする等時性磁場から他へ切り替える可動システムを用いることを避ける可能性を与える。本発明の第2及び第3の実施形態の他の実質的な利点は、磁極のおおよその加工の場合に、良い精度で所望の等時性磁場を得られるように、2次誘導コイル1の電流を変化させることによって磁場を修正されることが常に可能であるということである。本発明は、放射性同位体を製造するためにターゲット上に比q/mの粒子を加速するために用いられうる。例えば、第1の使用方法では、このサイクロトロンは、電荷対質量比q/mが1に等しい、例えば陽子のような粒子を放射性同位体の前駆体を含むターゲット上に加速するために用いられうる。第2の使用方法において、このサイクロトロン内の磁場は、例えば重陽子のような電荷対質量比q/m’が1/2に等しい粒子を放射性同位体の前駆体を含むターゲット上に加速するように、変更されうる。