"放射線を電荷に変換する変換素子を複数有し、前記電荷に基づく電気信号を出力する撮像動作を行う検出器と、複数回行われる前記撮像動作のうちの第1撮像動作と該第1撮像動作の後に行われる第2撮像動作との間の期間内に、前記第1撮像動作によって発生し得る残像を抑制する第1撮像間動作と、前記放射線が照射されない状態にある前記変換素子が有する電荷に基づく暗時信号を前記第1撮像間動作の後に前記検出器から取得する第2撮像間動作と、を含む撮像間動作を行うように、前記検出器を制御する制御部と、前記検出器から出力された電気信号に対して演算処理を行う信号処理部と、を有する撮像装置であって、前記信号処理部は、前記第1撮像間動作が終了してから前記第2撮像間動作に対して前記変換素子が電荷の蓄積を開始するまでの第1時間と、前記第1撮像間動作が終了してから前記第2撮像間動作が開始するまでの第2時間と、前記暗時信号と、を用いて補正係数を算出し、前記第1撮像間動作が終了してから前記第2撮像動作に対して前記変換素子が電荷の蓄積を開始するまでの第3時間と、前記第2撮像動作において前記第1撮像間動作が終了してから前記電気信号を出力する動作が開始するまでの第4時間と、前記補正係数と、を用いて前記第2撮像動作において前記検出器から出力される電気信号に含まれ得るオフセット量を予測し、前記第2撮像動作において前記検出器から出力された電気信号と前記オフセット量とを用いて演算することを特徴とする撮像装置。前記信号処理部は、前記制御部から前記検出器に出力される制御信号に基づいて前記時間を算出する期間算出部と、前記第1時間と第2時間と前記暗時信号とを用いて前記補正係数を算出する補正係数算出部と、前記第3時間と前記第4時間と前記補正係数とを用いて前記オフセット量を予測する予測部と、前記第2撮像動作において前記検出器から出力された電気信号から前記オフセット量を減算する演算部と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。前記補正係数は、第1補正係数と第2補正係数とを含み、前記補正係数算出部は、前記暗時信号をD、前記第1時間をts、前記第2時間をte、前記第1撮像間動作が完了してから経過した時間をt、前記第1補正係数をα、前記第2補正係数をβとすると、以下の式に基づいて前記第1補正係数及び前記第2補正係数を算出することを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。前記検出器は、前記変換素子と前記第1電極に接続されたスイッチ素子とを含む画素が行列状に複数配置された検出部と、前記電気信号を前記検出部から行単位で出力するために前記スイッチ素子を導通状態とする駆動回路と、を含み、前記制御部は、前記駆動回路に制御信号を出力し、前記期間算出部は、前記制御部から前記駆動回路に出力される制御信号に基づいて前記第1時間を算出することを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。前記補正係数算出部は、x1列y1行の画素における前記第1時間をtsy1、x1列y2行の画素における前記第1時間をtsy2、前記x1列y1行の画素における前記第2時間をtey1、前記x1列y2行の画素における前記第2時間をtey2、前記x1列y1行の画素における前記暗時信号をDx1,y1、前記x1列y2行の画素における前記暗時信号をDx1,y2、とすると、以下の式に基づいてx列y行の画素における第1補正係数αx,y及び第2補正係数βx,yを算出することを特徴とする請求項4に記載の撮像装置。前記演算部は、前記x列y行の画素における前記第3時間をts’y、前記x列y行の画素における前記第4時間をte’y、とすると、以下の式に基づいて、前記x列y行の画素における前記オフセット量Dpreを予測することを特徴とする請求項5に記載の撮像装置。前記第1撮像間動作は、前記変換素子に前記第1撮像動作及び前記第2撮像動作において前記変換素子に与えられる第1電圧とは異なる第2電圧を前記変換素子に与える動作、及び、前記変換素子に前記放射線とは別に光を照射する動作、のうちの一方の動作であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の撮像装置。前記変換素子は、光電変換素子と、前記放射線を前記光電変換素子が感知可能な波長帯域の光に変換する波長変換体と、を含むことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の撮像装置。請求項1から8のいずれか1項に記載の撮像装置と、前記放射線を発生する放射線発生装置と、を含む撮像システム。撮像装置の制御方法であって、放射線を電荷に変換する変換素子を複数有して前記電荷に基づく電気信号を出力する撮像動作を行う検出器が、複数回行われる前記撮像動作のうちの第1撮像動作と該第1撮像動作の後に行われる第2撮像動作との間の期間内に、前記第1撮像動作によって発生し得る残像を抑制する第1撮像間動作と、前記放射線が照射されない状態にある前記変換素子が有する電荷に基づく暗時信号を前記第1撮像間動作の後に前記検出器から取得する第2撮像間動作と、を含む撮像間動作を行い、前記検出器から出力された電気信号に対して演算処理を行う信号処理部が、前記第1撮像間動作が終了してから前記第2撮像間動作に対して前記変換素子が電荷の蓄積を開始するまでの第1時間と、前記第1撮像間動作が終了してから前記第2撮像間動作が開始するまでの第2時間と、前記暗時信号と、を用いて補正係数を算出し、前記信号処理部が、前記第1撮像間動作が終了してから前記第2撮像動作に対して前記変換素子が電荷の蓄積を開始するまでの第3時間と、前記第2撮像動作において前記第1撮像間動作が終了してから前記電気信号を出力する動作が開始するまでの第4時間と、前記補正係数と、を用いて前記第2撮像動作において前記検出器から出力される電気信号に含まれ得るオフセット量を予測し、前記信号処理部が、前記第2撮像動作において前記検出器から出力された電気信号と前記オフセット量とを用いて演算することを特徴とする撮像装置の制御方法。以上に述べた従来のリセット動作では、残像を抑制することは可能であるが、リセット動作によって変換素子に流入する電流によりノイズが増大し、S/N比を低下させるおそれがあった。特許文献2には、残像抑制の効果とリセット動作によって変換素子に流入する電流を抑えるように、リセット動作の時間やリセット動作時の電圧を最適化された値とすることが示唆されている。しかしながら、リセット動作の時間やリセット動作時の電圧を最適化するだけでは、残像の抑制と十分なS/N比の確保との両立が困難であった。本発明は、このような従来の構成が有していた問題を解決しようとするものであり、短い撮像動作間隔でありながら残像が抑制され、且つ、良好なS/N比の画像を取得可能な撮像装置を提供することを目的とする。本発明の撮像装置は、放射線を電荷に変換する変換素子を複数有し、前記電荷に基づく電気信号を出力する撮像動作を行う検出器と、複数回行われる前記撮像動作のうちの第1撮像動作と該第1撮像動作の後に行われる第2撮像動作との間の期間内に、前記第1撮像動作によって発生し得る残像を抑制する第1撮像間動作と、前記放射線が照射されない状態にある前記変換素子が有する電荷に基づく暗時信号を前記第1撮像間動作の後に前記検出器から取得する第2撮像間動作と、を含む撮像間動作を行うように、前記検出器を制御する制御部と、前記検出器から出力された電気信号に対して演算処理を行う信号処理部と、を有する撮像装置であって、前記信号処理部は、前記第1撮像間動作が終了してから前記第2撮像間動作に対して前記変換素子が電荷の蓄積を開始するまでの第1時間と、前記第1撮像間動作が終了してから前記第2撮像間動作が開始するまでの第2時間と、前記暗時信号と、を用いて補正係数を算出し、前記第1撮像間動作が終了してから前記第2撮像動作に対して前記変換素子が電荷の蓄積を開始するまでの第3時間と、前記第2撮像動作において前記第1撮像間動作が終了してから前記電気信号を出力する動作が開始するまでの第4時間と、前記補正係数と、を用いて前記第2撮像動作において前記検出器から出力される電気信号に含まれ得るオフセット量を予測し、前記第2撮像動作において前記検出器から出力された電気信号と前記オフセット量とを用いて演算することを特徴とする。また、本発明の撮像装置の制御方法は、放射線を電荷に変換する変換素子を複数有して前記電荷に基づく電気信号を出力する撮像動作を行う検出器が、複数回行われる前記撮像動作のうちの第1撮像動作と該第1撮像動作の後に行われる第2撮像動作との間の期間内に、前記第1撮像動作によって発生し得る残像を抑制する第1撮像間動作と、前記放射線が照射されない状態にある前記変換素子が有する電荷に基づく暗時信号を前記第1撮像間動作の後に前記検出器から取得する第2撮像間動作と、を含む撮像間動作を行い、前記検出器から出力された電気信号に対して演算処理を行う信号処理部が、前記第1撮像間動作が終了してから前記第2撮像間動作に対して前記変換素子が電荷の蓄積を開始する第1時間と、前記第1撮像間動作が終了してから前記第2撮像間動作が開始するまでの第2時間と、前記暗時信号と、を用いて補正係数を算出し、前記信号処理部が、前記第1撮像間動作が終了してから前記第2撮像動作に対して前記変換素子が電荷の蓄積を開始するまでの第3時間と、前記第2撮像動作において前記第1撮像間動作が終了してから前記電気信号を出力する動作が開始するまでの第4時間と、前記補正係数と、を用いて前記第2撮像動作において前記検出器から出力される電気信号に含まれ得るオフセット量を予測し、前記信号処理部が、前記第2撮像動作において前記検出器から出力された電気信号から前記オフセット量を減算することを特徴とする。本発明により、短い撮像動作間隔でありながら残像が抑制され、且つ、良好なS/N比の画像を取得可能な撮像装置を提供できる。以下に、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本発明において放射線は、放射線崩壊によって放出される粒子光子を含むの作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギーを有するビーム、例えばX線や粒子線、宇宙線なども、含まれるものとする。第1の実施形態まず、本発明の概念を説明するために、図2Aを用いて本発明の実施形態に係る変換素子が有する残像量の特性を、図2Bを用いてオフセット量の特性を、図2Cを用いてオフセット量の時間変動特性を、説明する。なお、図2では、半導体層を空乏化するための電圧以下、第1電圧と称するとは異なる電圧以下、第2電圧と称するを複数の撮像動作の間に変換素子に与える動作での特性を例として、残像を抑制するための動作以下、残像抑制動作と称するでの特性を示す。変換素子は、対向する2つの電極の間に半導体層を有し、2つの電極の間に電圧が与えられることによって、放射線又は光を電荷に変換することが可能となる。ここで、変換素子の2つの電極の間に与えられる電圧が、変換素子に与えられる電圧である。放射線又は光が照射される期間を含む撮像動作時には、変換素子に与えられる電圧として、第1電圧が2つの電極の間に与えられる。それにより、変換素子は放射線又は光を電荷に変換することができる。複数の変換素子を備える検出部から出力される電気信号の質を決定する指標として、オフセット量と残像量が挙げられる。オフセットとは、変換素子のノイズを含み、変換素子に放射線又は光が照射されない状態でも検出器から得られる画像信号である。ここで変換素子のノイズとは、変換素子からの信号の中に変換素子によって放射線又は光が変換された信号とは別に混じっている成分であり、変換素子のノイズの原因としては暗電流が主に挙げられる。暗電流の原因としては、変換素子に与えられる電圧が変動した際に変換素子に電流が流れ、その電流による電荷の移動がトラップ準位に影響を与えることが挙げられる。また、残像とは、複数回行われる撮像動作のうちの先の撮像動作においてなされた放射線又は光の照射に基づいて変換素子で変換された電気信号が、後の撮像動作で出力される電気信号に影響をおよぼすものである。残像の原因としては、トラップ準位に捕獲された電荷や、変換素子から出力しきれず変換素子に残留した電荷が、主に挙げられる。背景技術で説明されたように、第1電圧とは異なる第2電圧を、複数の撮像動作の間に変換素子に与えることにより、残像を抑制することが可能である。そして、第1図2Aに示すように、第2電圧と第1電圧との差分以下、電圧変動量と称するを大きくすればするほど、残像の量である残像量は低減される。ここで、図2Aは、横軸が電圧変動量の絶対値であり、縦軸が残像量である。一方、図2Bに示すように、電圧変動量を大きくすればするほど、オフセットの量であるオフセット量が増加する。ここで、図2Bは、横軸が電圧変動量の絶対値であり、縦軸がオフセット量である。このように、残像量を低減させるために電圧変動量を大きくすればするほど、変換素子に注入される電荷量が増大し、オフセット量が増大してしまい、撮像装置のS/N比を低下させてしまう。この際に、オフセット量の低減のためノイズが落ち着くまで待ってから次の撮像を行うと、次の撮像までの時間が長くなってしまい、撮像装置の使い勝手が低下してしまう。一方、電圧変動量を小さくすればするほど、変換素子に注入される電荷量が減少し、残像量が増大してしまい、残像の抑制が不十分となってしまう。ここで、図2Cに示すように、残像を低減するために変換素子に与える電圧を変動する動作残像抑制動作が完了してから時間が経過するとオフセット量が減少し、所定の値に収束することを、本願発明者は見出した。この所定の値は、後述する各画素や読出回路等が有する装置固有の値である。そしてこのオフセット量が時間経過と共に減少する時間応答特性は、電圧変動量に依存し、また、残像抑制動作を行う毎に異なることを、本願発明者は見出した。これは、残像抑制動作の前になされる撮像動作毎に、各画素に照射される放射線又は光の量が異なるためであると考えられる。そのため、オフセット量の時間応答特性を予め準備しておいたとしても、撮像動作毎に特性が異なるため、好適なオフセット量の算出が困難である。そこで本願発明者は、誠意検討の結果、以下に説明することを見出した。図1に示すように、放射線又は光が照射された検出器から画像信号を取得する撮像動作を複数回行う撮像装置において、複数の撮像動作のうちの第1撮像動作と、第1撮像動作の後に行われる第2撮像動作と、が行われる。言い換えると、Xが1より大きい自然数であり、撮像動作をX回行う撮像装置において、X回の撮像動作のうちのX-1回目の第1撮像動作と、X回目の第2撮像動作と、が行われる。そして、第1撮像動作と第2撮像動作との間に検出器が撮像間動作を行うように検出器を制御する。この撮像間動作では、まず第1撮像動作と第2撮像動作との間の期間内に、残像抑制動作第1撮像間動作を検出器が行うように検出器を制御する。このような残像抑制動作により、第1撮像動作で発生した残像を好適に抑制できる。しかしながら、残像抑制動作では、オフセットが増大してしまう。次に、残像抑制動作と第2撮像動作の間の期間内に、少なくとも一度オフセット取得動作第2撮像間動作を検出器が行うように検出器を制御する。オフセット取得動作では、第1電圧が与えられ放射線又は光が照射されない状態にある変換素子が有する電荷に基づく暗時信号を検出器から取得するように、検出器を制御する。この取得された暗時信号と、残像抑制動作が終了してから第2撮像間動作に対して変換素子が電荷の蓄積を開始するまでの第1時間tsと、残像抑制動作が終了してからオフセット取得動作が開始するまでの第2時間teと、を用いて補正係数を算出する。そして、算出された補正係数と、第3時間ts’と、第4時間te’と、を用いて、第2撮像動作において検出器から出力される電気信号に含まれ得るオフセット量を予測するための演算処理を行う。ここで、第3時間は、残像抑制動作が終了してから第2撮像動作において画像信号を出力する動作に対して変換素子が電荷の蓄積を開始するまでの時間である。また、第4時間は、残像抑制動作が終了してから第2撮像動作において画像信号を出力する動作が開始するまでの時間である。そして、演算処理で得られたオフセット量を第2撮像動作によって得られた電気信号から減算する等、得られたオフセット量と第2撮像動作によって得られた電気信号とを用いて演算処理する。これにより、先の撮像動作で発生した残像を低減しつつオフセットに含まれるノイズの増大を抑制することが可能となることを、本願発明者は見出した。各動作については後で詳細に説明する。次に、図3を用いて本実施形態の放射線撮像システムについて説明する。なお、図3Aはシステムの全体構成図であり、図3Bは後述する信号処理部105の周辺の詳細構成図である。図3Aに示す本発明の放射線撮像システムは、撮像装置100、制御コンピュータ108、放射線制御装置109、放射線発生装置110、表示装置112、制御卓113を含む。撮像装置100は、放射線又は光を電気信号に変換する画素を複数有する検出部101と、検出部101を駆動する駆動回路102と、駆動された検出部101からの電気信号を画像データとして出力する読出回路103と、を有する平面検出器104を含む。撮像装置100は更に、平面検出器検出器104からの画像データを処理して出力する信号処理部105と、検出器104の動作を制御する制御部106と、電源部107を含む。信号処理部105は、後述する制御コンピュータ108から制御信号を受けて制御部106に提供するとともに、平面検出器104からの信号と制御部106からの制御信号を受けて後述する演算処理等を行う。信号処理部105の構成や演算処理等は、後に説明する。制御部106は、制御コンピュータ108からの制御信号を受けて、駆動回路102、読出回路103、信号処理部105、及び、電源部107を制御する。電源部107は、検出部101、駆動回路102、読出回路103で必要な電圧を供給するレギュレータ等の電源回路を内包する。本実施形態の電源部107は、検出部101の変換素子に少なくとも第1電圧及び第2電圧を切り替えて供給できる可変電源である。制御コンピュータ108は、放射線発生装置110と撮像装置100との同期や、撮像装置100の状態を決定する制御信号の送信、撮像装置100からの画像データに対する補正保存表示のための画像処理を行う。また、制御コンピュータ108は、制御卓113からの情報に基づき放射線の照射条件を決定する制御信号を放射線制御装置109に送信する。放射線制御装置109は、制御コンピュータ108からの制御信号を受けて、放射線発生装置110に内包される放射線源111から放射線を照射する動作等の制御を行う。制御卓113は、制御コンピュータ108の各種制御のためのパラメータとして被検体の情報や撮像条件の入力を行い制御コンピュータ108に伝送する。表示装置112は、制御コンピュータ108で画像処理された画像データを表示する。図3Bに示すように、信号処理部105は、第1記憶部121と期間算出部122と補正係数算出部123と第2記憶部124とオフセット量予測部125と演算部126とを含む。第1記憶部121は、第1電圧が与えられた変換素子に放射線又は光が照射されない状態で検出器104から取得されたオフセット出力を記憶する。ここで、オフセット出力は、画素毎のアナログ信号の集合であるオフセット信号や、オフセット信号のデジタルデータであるオフセットデータや、オフセット信号又はデータの平均値のいずれかを用いることができる。期間算出部122は、制御部106から駆動回路102や読出回路103に出力される各種制御信号の少なくとも一つに基づいて、残像抑制動作の終了からオフセット取得動作の開始までの時間を算出する。具体的な例は後に説明する。また、期間算出部122は、制御部106から駆動回路102や読出回路103に出力される各種制御信号の少なくとも一つに基づいて、撮像間動作の終了から第2撮像動作で画像信号を出力する動作の開始まで時間を算出する。具体的な例は後に説明する。補正係数算出部123は、残像抑制動作の終了からオフセット取得動作の開始までの時間とオフセット出力とに基づいて、補正係数を算出する。具体的な例は後に説明する。第2記憶部124は、第2撮像動作で検出器104から取得された画像信号を記憶する。オフセット量予測部125は、撮像間動作の終了から第2撮像動作で画像信号を出力する動作の開始まで時間と補正係数とに基づいて、第2撮像動作で取得された画像信号に含まれ得るオフセット量の予測値を算出する。具体的な例は後に説明する。演算部126は、第2撮像動作で取得された画像信号から算出されたオフセット量の予測値を減算する演算処理を行う。次に、図4を用いて本実施形態に係る撮像装置を説明する。なお、先に説明した構成と同じものは同じ番号を付与してあり、詳細な説明は割愛する。検出部101は、行列状に複数配置された画素を有する。画素は、放射線又は光を電荷に変換する変換素子201と、その電荷に応じた電気信号を出力するスイッチ素子202と、を有する。変換素子としては、光を電荷に変換する光電変換素子とその放射線入射側に放射線を光電変換素子が感知可能な波長帯域の光に変換する波長変換体とを備えた間接型の変換素子や、放射線を直接電荷に変換する直接型の変換素子が好適に用いられる。本実施形態では、光電変換素子の一種であるフォトダイオードとして、ガラス基板等の絶縁性基板上に配置されアモルファスシリコンを主材料とするPIN型フォトダイオードを用いる。スイッチ素子202としては、制御端子と2つの主端子を有するトランジスタが好適に用いられ、本実施形態では薄膜トランジスタTFTが用いられる。変換素子201の1方の電極第1電極はスイッチ素子202の2つの主端子の1方に電気的に接続され、他方の電極第2電極は共通のバイアス配線Bsを介して第1電源107aと電気的に接続される。行方向の複数のスイッチ素子、例えばT11~T1nは、それらの制御端子が1行目の駆動配線G1に共通に電気的に接続され、駆動回路102からスイッチ素子の導通状態を制御する駆動信号が駆動配線を介して行単位で与えられる。列方向の複数のスイッチ素子、例えばT11~Tm1は、他方の主端子が1列目の信号配線Sig1に電気的に接続され、スイッチ素子が導通状態である間に、変換素子の電荷に応じた電気信号を、信号配線を介して読出回路103に出力する。列方向に複数配列された信号配線Sig1~Signは、複数の画素から出力された電気信号を並列に読出回路103に伝送する。読出回路103は、検出部101から並列に出力された電気信号を増幅する増幅回路207を信号配線毎に対応して設ける。また、各増幅回路207は、出力された電気信号を増幅する積分増幅器203と、積分増幅器203からの電気信号を増幅する可変増幅器204と、増幅された電気信号をサンプルしホールドするサンプルホールド回路205と、バッファアンプ206とを含む。積分増幅器203は、読み出された電気信号を増幅して出力する演算増幅器と、積分容量と、リセットスイッチと、を有する。演算増幅器の反転入力端子には出力された電気信号が入力され、正転入力端子には第2電源107bから基準電位Vrefが入力され、出力端子から増幅された電気信号が出力される。また、積分容量が演算増幅器の反転入力端子と出力端子の間に配置される。サンプルホールド回路205は、各増幅回路に対応して設けられ、サンプリングスイッチとサンプリング容量を含む。また読出回路103は、各増幅回路207から並列に読み出された電気信号を順次出力して直列信号の画像信号として出力するマルチプレクサ208と、画像信号をインピーダンス変換して出力するバッファ増幅器209と、を有する。バッファ増幅器209から出力されたアナログ電気信号である画像信号Voutは、A/D変換器210によってデジタルの画像データに変換されて信号処理部105へ出力され、信号処理部105で処理された画像データが制御コンピュータ108へ出力される。駆動回路102は、制御部106から入力された制御信号D-CLK、OE、DIOに応じて、スイッチ素子を導通状態にする導通電圧Vonと非導通状態とする非導通電圧Voffを有する駆動信号を、各駆動配線に出力する。これにより、駆動回路102はスイッチ素子の導通状態及び非導通状態を制御し、検出部101を駆動する。制御部106は、信号処理部105を介して制御コンピュータ108からの制御信号を受けて、駆動回路102、電源部107、読出回路103に各種の制御信号を与えて、検出器104の動作を制御する。制御部106は、駆動回路102に制御信号D-CLKと制御信号OE、制御信号DIOを与えることによって、駆動回路102の動作を制御する。ここで、D-CLKは駆動回路として用いられるシフトレジスタのシフトクロックであり、DIOはシフトレジスタが転送するパルス、OEはシフトレジスタの出力端を制御するものである。また、制御部106は、読出回路103に制御信号RC、制御信号SH、及び制御信号CLKを与えることによって、読出回路103の各構成要素の動作を制御する。ここで、RCは積分増幅器のリセットスイッチの動作を、SHはサンプルホールド回路205の動作を、CLKはマルチプレクサ208の動作を制御する制御信号である。電源部107は、第1電源107a、第2電源107bを含む。第1電源107aは、バイアス配線Bsを介して各変換素子の第2電極に共通に電位Vsを供給する。第2電源107bは、各演算増幅器の正転入力端子に基準電位Vrefを供給する。基準電位Vrefはスイッチ素子が導通状態であると信号配線Sig1~Signとスイッチ素子202を介して変換素子201の第1電極に供給される。なお、本実施形態の第1電源107aは、検出部101の画素に少なくとも第1電位Vs1及び第2電位Vs2を切り替えて供給できる可変電源である。ただし、本発明はそれに限定されるものではなく、第2電源107bが少なくとも第1基準電位Vref1及び第2基準電位Vref2を切り替えて供給できる可変電源であってもよい。次に、図1、図5A、及び図5Bを用いて、本発明の撮像装置の動作を説明する。ここで、図5Aは図1のA-A’箇所を詳細に示したもの、図5Bは図1のB-B’箇所を詳細に示したものである。図1に示すように、時刻t1において変換素子201に第1電位Vs1が与えられると、撮像装置100は撮像準備期間に撮像準備動作を行う。ここで、撮像準備動作とは、第1電位Vs1の印加開始に起因する検出器104のノイズを安定化させるために、初期化動作Kを少なくとも1回行う動作であり、本実施形態では初期化動作K1を複数回繰り返し行っている。なお、検出器104の特性変動が安定している場合には、この撮像準備動作は行わなくてもよい。ここで、初期化動作とは、後述する画像出力動作やオフセット取得動作とは別に、検出部内の変換素子に所望の電圧を与えて初期化するために、検出部内の複数のスイッチ素子を行単位で順次に又は複数の行を一度に導通状態にする動作である。本実施形態の初期化動作K1では、蓄積動作前の初期の電圧、つまり第1電圧|Vs1-Vref|を変換素子に与えてなされる。なお、図1では、撮像準備動作として初期化動作K1及び蓄積動作W1の一組を複数回繰り返し行う動作を行っている。なお、本発明において、蓄積動作は、変換素子内に電荷が蓄積される動作であり、本実施形態では複数の画素のスイッチ素子が全て非導通状態であることによって行われる。次に、時刻t1から所定時間経過した後の時刻t2において、撮像装置100は、第1撮像動作を開始する。時刻t2から時刻t3の間の撮像期間では、撮像装置100は、初期化動作K1と、蓄積動作W1と、画像出力動作X1と、を行う。撮像動作において、蓄積動作W1は変換素子が電荷を生成するために放射線の照射に応じた期間で行われる蓄積動作であり、画像出力動作X1は蓄積動作W1で生成された電荷に応じた電気信号に基づいて画像データ画像信号を出力する動作である。ここで本実施形態において各撮像動作の蓄積動作は、撮像準備動作の蓄積動作と同じ時間の長さで行っているが、本発明はそれに限定されるものではない。撮像準備動作の短縮化のためには撮像準備動作の蓄積動作の時間の長さが、撮像動作の蓄積動作の時間の長さより短い方が好ましい。また、本実施形態において撮像動作の初期化動作は、撮像準備動作の初期化動作と同じ時間の長さで行っているが、本発明はそれに限定されるものではない。撮像準備動作の短縮化のためには撮像準備動作の初期化動作の時間の長さが、撮像動作の初期化動作の時間の長さより短い方が好ましい。次に、時刻t3で第1撮像動作が終了すると、撮像装置100は、次の撮像動作第2撮像動作が開始される時刻t6まで撮像間動作を行う。この撮像間動作には、時刻t3から行われる残像抑制動作と、時刻t5から時刻t6の間に行われるオフセット取得動作と、を含む。時刻t3から行われる残像抑制動作では、変換素子201に第2電圧|Vs2-Vref|が与えられ、少なくとも初期化動作K2が行われる。なお、本実施形態では、残像抑制動作では、初期化動作K2と蓄積動作W2とが行われている。具体的には、図5Aに示すように、初期化動作K2では、制御部106から電源部107に制御信号が与えられて、電源部107から変換素子201の第2電極に第2電位Vs2が与えられる。一方、制御部106からリセットスイッチに制御信号RCが与えられて、積分増幅器203の積分容量及び信号配線がリセットされる。これにより、信号配線の電位が基準電位Vrefとなる。そして、制御部106から駆動回路102に制御信号D-CLKと制御信号OEと制御信号DIOとが与えられる。それにより、駆動回路102からスイッチ素子202の制御端子に導通電圧Vonが供給されて、変換素子201に第2電圧|Vs2-Vref|が与えられる。そして、駆動回路102からスイッチ素子202の制御端子に非導通電圧Voffが供給されて、変換素子201が第2電圧|Vs2-Vref|に維持される。このようなスイッチ素子の導通状態の制御とリセットがm行目まで繰り返し行われることにより、検出器104の初期化動作K2がなされる。その後、制御信号D-CLKと制御信号OEと制御信号DIOに応じて、スイッチ素子の非導通状態を維持することで蓄積動作W2が行われる。次に時刻t5から時刻t6の間に行われるオフセット取得動作に先だって、まず変換素子201に第1電圧|Vs1-Vref|を与えるために、時刻t4から初期化動作K1が行われる。初期化動作K1が開始することにより残像抑制動作が完了する。具体的には、図5Aに示すように、初期化動作K1では、制御部106から電源部107に制御信号が与えられて、電源部107から変換素子201の第2電極に第1電位Vs1が与えられる。一方、制御部106からリセットスイッチに制御信号RCが与えられて、積分増幅器203の積分容量及び信号配線がリセットされる。これにより、信号配線の電位が基準電位Vrefとなる。そして、制御部106から駆動回路102に制御信号D-CLKと制御信号OEと制御信号DIOとが与えられる。それにより、駆動回路102からスイッチ素子202の制御端子に導通電圧Vonが供給されて、変換素子201に第1電圧|Vs1-Vref|が与えられる。これにより、残像抑制動作が終了する。そして、駆動回路102からスイッチ素子202の制御端子に非導通電圧Voffが供給されて、変換素子201が第1電圧|Vs1-Vref|に維持される。これにより変換素子201が電荷の蓄積を開始する。この電荷の蓄積は、後に説明するオフセット取得動作F1で取得されるオフセットデータ暗時信号に対するものである。このようなスイッチ素子の導通状態の制御とリセットがm行目まで繰り返し行われることにより、検出器104の初期化動作K1がなされる。ここで、期間算出部122は、制御部106から出力された制御信号D-CLKと制御信号OEと制御信号DIOに基づいて、残像抑制動作が終了してから変換素子が電荷の蓄積を開始するまでの時間電荷蓄積開始時間tsを検知している。なお、ここで説明した初期化動作K1は、複数回行われてもよく、その場合は後述するオフセット取得動作F1の直前に行われた初期化動作K1において時間tsの検知がなされる。その後、制御信号D-CLKと制御信号OEと制御信号DIOに応じて、スイッチ素子の非導通状態を維持することで蓄積動作W1が行われる。そして、撮像動作における蓄積動作W1と同じ時間の長さで蓄積動作W1を行った後の時刻t5に、蓄積動作W1で生成された電荷に基づいてオフセットデータ暗時信号を出力するオフセット取得動作F1を行う。オフセット取得動作F1は、放射線の照射が行われない暗状態で変換素子が生成した電荷に基づく電気信号を取得するために行われるものである。オフセット取得動作F1では、画像出力動作X1と同様の動作が撮像装置100で行われる。具体的には、図5Aに示すように、オフセット取得動作F1では、まず制御部106から制御信号RCが出力されて積分容量及び信号配線がリセットされる。そして、駆動回路102から駆動配線G1に導通電圧Vonが与えられ、1行目のスイッチ素子T11~T1nが導通状態とされる。これにより変換素子201は電荷の蓄積を終了し、1行目の変換素子S11~S1nで発生された電荷に基づく電気信号が各信号配線に出力される。各信号配線を介して並列に出力された電気信号は、それぞれ各増幅回路207の積分増幅器203及び可変増幅器204で増幅される。増幅された電気信号はそれぞれ、制御信号SHによりサンプルホールド回路が動作され、各増幅回路207内のサンプルホールド回路205に並列に保持される。保持された後、制御部106から制御信号RCが出力されて積分増幅器203の積分容量及び信号配線がリセットされる。リセットされた後、1行目と同様に2行目の駆動配線G2に導通電圧Vcomが与えられ、2行目のスイッチ素子T21~T2nが導通状態とされる。2行目のスイッチ素子T21~T2nが導通状態とされている期間内に、マルチプレクサ208がサンプルホールド回路205に保持された電気信号を順次出力する。これにより並列に読み出された1行目の画素からの電気信号は直列の画像信号に変換して出力され、A/D変換器210が1行分のオフセットデータオフセット量に変換して出力する。以上の動作を1行目からm行目に対して行単位で行うことにより、1フレーム分のオフセットデータが検出器104から出力される。出力されたオフセットデータは、第1記憶部121に記憶される。また、期間算出部122は、制御部106から出力された制御信号D-CLKと制御信号OEと制御信号DIOに基づいて、残像抑制動作が終了してからオフセット取得動作が開始するまでの第2時間である、変換素子201が電荷の蓄積を終了する時間電荷蓄積終了時間teを検知している。そして、期間算出部122は、検知された電荷蓄積開始時間tsとオフセット取得動作の開始時間teと、オフセットデータとを補正係数算出部123に伝送する。そして、補正係数算出部123は、時間tsと時間teと暗時画像データとに基づいて、補正係数を算出する。なお、補正係数の算出に関しては、後に詳細に説明する。次に、時刻t6において、撮像装置100は、第2撮像動作を開始する。時刻t6から時刻t8の間の第2撮像期間では、撮像装置100は、第1撮像動作と同様に、時刻t6から時刻t7の間に初期化動作K1と蓄積動作W1とを、時刻t7から時刻t8の間に画像出力動作X1を、それぞれ行う。具体的には、図5Bに示すように、蓄積動作の後の時刻t7に開始する画像出力動作X1では、まず制御部106から制御信号RCが出力されて積分容量及び信号配線がリセットされる。そして、駆動回路102から駆動配線G1に導通電圧Vonが与えられ、1行目のスイッチ素子T11~T1nが導通状態とされる。これにより1行目の変換素子S11~S1nで発生された電荷に基づく電気信号が各信号配線に出力される。各信号配線を介して並列に出力された電気信号は、それぞれ各増幅回路207の積分増幅器203及び可変増幅器204で増幅される。増幅された電気信号はそれぞれ、制御信号SHによりサンプルホールド回路が動作され、各増幅回路207内のサンプルホールド回路205に並列に保持される。保持された後、制御部106から制御信号RCが出力されて積分増幅器203の積分容量及び信号配線がリセットされる。リセットされた後、1行目と同様に2行目の駆動配線G2に導通電圧Vcomが与えられ、2行目のスイッチ素子T21~T2nが導通状態とされる。2行目のスイッチ素子T21~T2nが導通状態とされている期間内に、マルチプレクサ208がサンプルホールド回路205に保持された電気信号を順次出力する。これにより並列に読み出された1行目の画素からの電気信号は直列の画像信号に変換して出力され、A/D変換器210が1行分の画像データに変換して出力する。以上の動作を1行目からm行目に対して行単位で行うことにより、1フレーム分の画像データが検出器104から出力される。出力された画像データは、第2記憶部124に記憶される。また、期間算出部122は、制御部106から出力された制御信号D-CLKと制御信号OEと制御信号DIOに基づいて、第3時間である、第2撮像動作において残像抑制動作が終了してから変換素子が電荷の蓄積を開始するまでの電荷蓄積開始時間ts’を検知している。また、期間算出部122は、制御部106から出力された制御信号D-CLKと制御信号OEと制御信号DIOに基づいて、第4時間である、第2撮像動作において残像抑制動作が終了してから画像信号を出力する動作が開始するまでの電荷蓄積終了時間te’を検知している。そして、期間算出部122は、検知された第2撮像動作における電荷蓄積開始時間ts’と電荷蓄積終了時間te’と補正係数算出部123で算出された補正係数とをオフセット量予測部125に伝送する。オフセット量予測部125は、第3時間ts’と第4時間te’と補正係数とに基づいて、第2撮像動作で取得された画像データに含まれ得るオフセット量の予測値を算出する。なお、予測値の算出に関しては、後に詳細に説明する。そして、演算部126は、第2記憶部124に記憶された画像データから算出されたオフセット量の予測値を減算し、補正された画像データを生成する。次に、補正係数の算出とオフセット量の予測値の算出について説明する。図5Aの時刻t5から時刻t6の間に行われるオフセット取得動作で取得したオフセットデータは、図2Cに示されるように、時間の経過に応じて変化する成分と、時間の経過に依存しない成分が含まれる。オフセットデータをD、時間の経過に応じて減衰する成分をAt、時間の経過に依存しない成分をBとすると、オフセットデータDは以下の式1で表せられる。D=∫AtB1ここで、オフセット取得動作で取得したオフセットデータは、時刻tsから時刻teの間に初期化動作K1と蓄積動作W1が行われる時間に変換素子に蓄積される電荷量である。また、時間の経過に応じて減衰する成分をAtは、残像抑制動作が完了してから経過した時間の逆数tの逆数に比例することを見出した。そのため、式1は、以下の式2のように近似できる。つまり、オフセット取得動作で取得したオフセットデータと、時間tsと時間te、がわかれば、式2補正係数として第1補正係数α及び第2補正係数βを算出することができる。ただし、算出すべき補正係数が2つあるということは、オフセットデータ、時間ts、及び、時間te、がそれぞれ2種類必要となるため、オフセット取得動作を2回行うことが必要となる。オフセット取得動作を2回行うことは、複数回行われる撮像動作の間の時間を長くしてしまうこととなる。そこで、図7を用いて、1回のオフセット取得動作で取得した1画像分のオフセットデータから第1補正係数α及び第2補正係数βを算出する方法を説明する。検出部101は、複数の画素が行列状に配置され、行単位でスイッチ素子の動作制御が行われている。列方向をx、行方向をyとすると、x列y行の画素におけるオフセットデータはDx,yで表される。同様に、x列y行の画素における補正係数はそれぞれ、αx,y、βx,yと表される。ただし、時間ts、時間teは、行単位で所定の時間差があるため、それぞれ時間tsy、時間teyとする必要がある。以上により、式2を画素毎に適用すると、以下の式3となる。ここで、本願発明者は、実験の結果、第2補正係数βは画素毎のばらつきが大きいが、第1補正係数αは画素毎のばらつきが小さいことを見出した。また、第2補正係数βは、増幅回路207毎のばらつきは大きいが、一つの増幅回路207に共通に接続される画素間では比較的ばらつきが小さいことを見出した。そこで、全ての画素において第1補正係数αが等しく、x1列y1行の画素とx1列y2行の画素において第2補正係数βが等しいと仮定することができ、式4で表すことができる。そして、x1列y1行の画素とx1列y2行の画素を用いた式3に式4と、x1列y1行の画素のオフセットデータDx1,y1と、x1列y2行の画素のオフセットデータDx1,y2と、を適用すると、以下の式5を導くことができる。式5によりx列y行の画素における第1補正係数αx,yが求まれば、式3より展開された以下の式6に第1補正係数αx,yを適用すれば、x列y行の画素における第2補正係数βx,yを求めることが可能となる。ただし、本発明は、全ての画素において第2オフセット補正係数βが等しく、x1列でy1行の画素とx1列でy2行の画素において第1補正係数αが等しいと仮定するものを排除するものではない。また、オフセットデータDとして、ある画素を用いるのではなく、その周辺の画素の平均のオフセットデータを用いると、補正係数の近似精度がより向上する。そして、時間te’における予測されるオフセット量Dpreは、以下の式7で算出される。式7で算出されたオフセット量Dpreを、第2撮像動作で得られた画像データを構成する各画素のデータXから減算し、補正された画像データを生成することができる。なお本実施形態では、期間算出部122は制御部106から出力された制御信号D-CLKと制御信号OEと制御信号DIOとに基づいて、残像抑制動作が完了してから経過した時間を算出している。ただし、本発明はそれに限定されるものではなく、制御信号RCに基づいて時間を算出することも好適に行われ得る。より正確に時間を算出するには、制御信号D-CLKと制御信号OEと制御信号DIOとに基づく方が好ましい。しかしながら、駆動配線G1に導通電圧Vonが供給されている期間は、初期化動作の期間や蓄積動作の期間に比べて数千分の1程度の短いものであるため、制御信号RCに基づいて時間を算出しても問題ない。また、残像抑制動作が完了してから経過した時間を算出するにあたり、第1電源107aがバイアス配線Bsを介して各変換素子の第2電極に共通に供給する電位VsをVs2からVs1に戻した時間を始点としてもよい。また、撮像間動作において、オフセット取得動作を2回以上行ってもよい。更に、撮像間動作において、残像抑制動作を挟むようにオフセット取得動作を2回以上行ってもよい。このように、2回以上オフセット取得動作を行い、得られたオフセットデータを演算処理に使用すれば、予測精度や補正精度をより向上することができる。また、第2撮像動作の後にオフセット取得動作を行い、そのオフセット取得動作で取得されたデータに対して、上記補正係数を適用することも好ましい。この様な場合、第2撮像動作の後に取得したオフセットデータDpostは、第2撮像動作の前に取得したオフセットデータと比較して、第2撮像動作で得られた画像データとの撮影時間差が小さい。すなわち、時間に依存するオフセット成分の差が小さい。従って、第2撮像動作で得られた画像データから第2撮像動作の後に取得したオフセットデータを減算した後、両者の撮影時間差によるオフセット成分を、算出したオフセット補正係数を用いて補正する手法が考えられる。放射線画像を取得した時刻をtsxtsx、放射線画像を取得した直後にダーク画像を取得した時刻をtsposttepostとすると、第3の実装形態におけるオフセット補正後の放射線画像Xpostは、以下の式により表わされる。ただし、オフセットデータDpostxyには、第2撮像動作における残像成分が含まれる。しかしながら、第2撮像動作で得られた画像データXとオフセットデータDpostxyの残像成分には相関があるため、補正後の画像データに段差を生じることはない。また、オフセット補正係数算出部123は、算出された補正係数を記憶し、更新できる構成であることが好ましい。このように、更新された補正係数を用いることにより、予測精度や補正精度をより向上することができる。また、本実施形態では、光電変換素子としてPIN型フォトダイオードを用いて説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。例えば、特開平09-294229号公報や特開2007-035773号公報、特開2011-091771号公報等に記載されているような、MIS型センサを用いてもよい。また、本実施形態では、残像抑制動作として、変換素子に半導体層を空乏化するための第1電圧と異なる第2電圧を与える動作を用いて説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。図6に示すように、撮像装置100内の変換素子201に光を照射可能な位置に光源114を備え、光源114が変換素子201に光を照射することによって残像を抑制する、別の残像抑制動作を行ってもよい。この別の残像抑制動作では、図7に示すように、別の残像抑制動作における少なくとも蓄積動作を行っている期間に光源114から検出部101に光が照射されるように、光源114は制御部106によって制御される。動作としては、図7、図8A、図8Bに示すように、変換素子へ第2電圧を与える代わりに、光源114から検出部101に光を照射すること以外は、本実施形態の動作と同じでよい。ただし、この場合、各時間の始点は光源による光の照射の終了となる。また、本実施形態では、信号処理部105が、第1記憶部121と期間算出部122と補正係数算出部123と第2記憶部124とオフセット量予測部125と演算部126とを含む構成を用いて説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。第1記憶部121と期間算出部122と補正係数算出部123と第2記憶部124とオフセット量予測部125と演算部126とが、制御コンピュータ108に含まれていてもよい。なお、本発明は、例えば制御部106に含まれるコンピュータや制御コンピュータ108がプログラムを実行することによって実現することもできる。また、プログラムをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムを記録したCD-ROM等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体又はかかるプログラムを伝送するインターネット等の伝送媒体も本発明の実施形態として適用することができる。また、上記のプログラムも本発明の実施形態として適用することができる。上記のプログラム、記録媒体、伝送媒体及びプログラムプロダクトは、本発明の範疇に含まれる。また、本実施形態から容易に想像可能な組み合わせによる発明も本発明の範疇に含まれる。"