"常温で液状のエポキシ樹脂、硬化剤、及び発泡剤を含む液状エポキシ樹脂組成物であって、発泡剤が熱分解型発泡剤であることを特徴とする液状エポキシ樹脂組成物。熱分解型発泡剤の熱分解温度が160°C以上であることを特徴とする請求項1に記載の液状エポキシ樹脂組成物。硬化剤がイミダゾール系マイクロカプセル型硬化促進剤であって、配合量が液状エポキシ樹脂組成物全量に対して0.1~60質量であることを特徴とする請求項1又は2に記載の液状エポキシ樹脂組成物。発泡剤の熱分解温度以上の温度での加熱で、硬化物が被着物から剥離可能であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の液状エポキシ樹脂組成物。請求項1~4のいずれか一項に記載の液状エポキシ樹脂組成物で半導体チップと回路基板との間が封止されていることを特徴とする半導体装置。しかしながら、従来のリペア性に優れたアンダーフィル材においても、アンダーフィル材のTgが低い場合には、ヒートサイクルの熱衝撃に対する接続部の強度が著しく低下するため、リペア性とヒートサイクル性の両立については未だ多くの課題を残していた。そこで本発明は、加熱により優れたリペア性を発現し、通常のヒートサイクルの熱衝撃に対しては、優れた電気的動作を維持することができる、液状エポキシ樹脂組成物とこれを用いた半導体装置を提供することを課題としている。本発明は、上記の課題を解決するために、以下のことを特徴としている。即ち、本発明の液状エポキシ樹脂成組成物は、常温で液状のエポキシ樹脂、硬化剤、及び発泡剤を含む液状エポキシ樹脂組成物であって、発泡剤が熱分解型発泡剤であることを特徴とする。また、この液状エポキシ樹脂組成物においては、熱分解型発泡剤の熱分解温度が160°C以上であることが好ましい。また、この液状エポキシ樹脂組成物においては、硬化剤がイミダゾール系マイクロカプセル型硬化促進剤であって、配合量が液状エポキシ樹脂組成物全量に対して0.1~60質量であることが好ましい。また、この液状エポキシ樹脂組成物においては、発泡剤の熱分解温度以上の温度での加熱で、硬化物が被着物から剥離可能であることが好ましい。さらに、本発明の半導体装置は、前記の液状エポキシ樹脂組成物で半導体チップと回路基板との間が封止されているものである。本発明の液状エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置は、特定温度以上の加熱により発泡剤が熱分解することにより発泡を開始して、優れたリペア性を発現し、通常のヒートサイクルの熱衝撃に対しては、優れた電気的動作を維持することができる。以下、本発明を詳細に説明する。本発明で用いられる常温18~25°Cで液状のエポキシ樹脂は、1分子内に2官能基以上のエポキシ基を有するものであり、その具体例としては、以下のようなものが例示される。ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、ブロム含有エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート等。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、これらのエポキシ樹脂は常温で液状である範囲において、固体のエポキシ樹脂を適宜併用することができる。本発明での硬化剤については、一般的に硬化剤や硬化促進剤と呼ばれているもののうちの1種もしくは2種以上のものが考慮される。例えば、具体的には、通常、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられる以下のものが例示される。ジアミノジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン等のアミン系硬化材。無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチル無水ハイミック酸、無水ナジック酸、無水トリメリット酸等の酸無水物等。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。硬化剤の配合量は、好ましくは、硬化剤のエポキシ樹脂に対する化学量論上の当量比硬化剤当量/エポキシ基当量が0.6~1.4となる量であり、より好ましくは当量比が0.75~1.0となる量である。当量比がこの範囲内であると、エポキシ樹脂に対する硬化剤の適正な配合量とすることができ、硬化不足、硬化物の耐熱性低下、硬化物の強度低下、硬化物の吸湿量の増加等を生じることがないため好ましい。また、硬化促進剤と呼ばれるものの具体例としては、以下のものが例示される。2-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール等のイミダゾール系化合物、1,8-ジアザビシクロ5,4,0-7-ウンデセン等の第三級アミン、イミダゾール系マイクロカプセル型硬化促進剤等。本発明での硬化剤は、これら硬化促進剤単独で用いてもよいし、あるいは2種以上を併用してもよい。また、前記例示の硬化剤の1種または2種以上との併用であってもよい。硬化促進剤の配合量は、液状エポキシ樹脂組成物全量に対して0.1~60質量、好ましくは0.3~20質量である。硬化促進剤の配合量がこの範囲内であると、設定した加熱条件下で、適正な硬化を行うことができるため好ましい。本発明で用いられる無機充填材としては、通常、エポキシ樹脂の無機充填材として用いられるものであれば特に制限なく用いることができ、その具体例としては、溶融シリカ、結晶シリカ、微粉シリカ、アルミナ、窒化珪素、マグネシア等が挙げられる。これらの中でも、溶融シリカは、熱膨張率が小さい点、優れた熱衝撃性の点から、特に好適に用いることができる。また、これら無機充填材は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。溶融シリカ等の無機充填材の平均粒子径は0.2~100μm、好ましくは10~50μmである。なお、平均粒子径はレーザー回折散乱法等により測定することができる。無機充填材の配合量は、液状エポキシ樹脂組成物全量に対して0~80質量、好ましくは30~75質量である。配合量がこの範囲内であると、液状エポキシ樹脂組成物を適正な粘度にすることができ、熱膨張係数を小さくすることができるため、取扱い性及び半導体装置の高信頼性の点で好ましい。本発明で用いられる発泡剤は、熱分解型発泡剤である。熱分解型発泡剤とは、熱により分解ガスを発生させる発泡剤であり、本発明では、無機系、有機系、これらの複合系のいずれのものでも用いることができる。無機系のものとしては、具体的には、炭酸水素ナトリウム系発泡剤等を挙げることができる。有機系のものとしては、アゾジカルボンアミドADCA系、ジニトロソペンタメチレンテトラミンDPT系、オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジドOBSH系発泡剤等を挙げることができる。これらの中でも、アゾジカルボンアミドADCA系発泡剤は、熱分解温度が高いことから、特に好適に用いることができる。本発明で用いる熱分解型発泡剤の熱分解温度は、ヒートサイクル性及びはんだの溶融温度の関係から、160°C以上、好ましくは180~260°C、より好ましくは200~230°Cの範囲である。この温度範囲とすることにより、リペアが必要なときに、特定温度以上で加熱することにより、熱分解型発泡剤の発泡により優れたリペア性を発現し、また、例えば上限を150°Cとするヒートサイクルにおいても優れた電気的動作を維持できる液状エポキシ樹脂組成物とすることができる。熱分解型発泡剤の含有量は、発泡剤の種類、熱分解温度等に応じて適宜設定することができ、制限されるものではないが、リペア性の観点から、液状エポキシ樹脂組成物全量に対して0.5~15質量、好ましくは5~9質量の範囲である。本発明の液状エポキシ樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲内において、さらに他の成分を配合することができる。このような他の成分の具体例としては、難燃剤、顔料、溶剤、反応性希釈剤、レベリング剤等が挙げられる。本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び必要に応じて他の成分を同時にまたは別々に配合し、必要に応じて加熱処理や冷却処理を行いながら、撹拌、溶解、混合、分散を行う。次いで、この混合物に無機充填材を加え、必要に応じて加熱処理や冷却処理を行いながら、再度、撹拌、溶解、混合、分散を行うことにより、本発明の液状エポキシ樹脂組成物を得ることができる。上記の撹拌、溶解、混合、分散には、ディスパー、プラネタリーミキサー、ボールミル、3本ロール等を組み合わせて用いることができる。本発明の半導体装置は、このようにして得られた液状エポキシ樹脂組成物により、ICチップ、LSIチップ等の半導体チップと回路基板インターポーザとの間を封止することにより製造することができる。例えば、セラミック基板やFRグレード等の回路基板の回路パターン面に多数のバンプ電極を介して半導体チップが搭載されたもののバンプ電極間の間隙に本発明の液状エポキシ樹脂組成物をディスペンサー等を用いて塗布、充填した後、加熱硬化し、次いで半導体チップ全体の封止を行う等の後工程を経て、フリップチップ実装による半導体装置を製造することができる。なお、加熱硬化の条件は、特に限定されるものではなく、液状エポキシ樹脂組成物の配合組成等に応じて適宜に変更すればよいが、例えば70~150°C、0.05~3時間である。本発明のエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置のフリップチップ実装において、接合後の検査で導通不良等が確認された場合には、バンプ電極と回路基板を接続しているはんだを溶融させる温度以上、かつ発泡剤の熱分解温度以上で加熱する。この加熱により封止しているアンダーフィル材は発泡を開始する。そして、発泡したアンダーフィル材は体積を増加させて、半導体チップと回路基板を引き離し、また、アンダーフィル材と回路基板の界面は微細な発泡セルによって接着力が低下するため、容易に半導体チップと回路基板を剥離することが可能となる。本発明の半導体装置におけるパッケージ形態の具体例としては、フリップチップ実装の半導体装置の他、各種のエリアアレイ型パッケージ、例えばBGABallGridArray、POP型BGA、TAB型BGA、CSPChipSizePackage等が挙げられる。また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、これらの半導体パッケージの接続を補強するための二次補強の用途にも好適に用いることができる。以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。表1に示す配合成分として、以下のものを用いた。エポキシ樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、東都化成株製、YD8125エポキシ当量170硬化剤:イミダゾール系マイクロカプセル型硬化促進剤、旭化成イーマテリアルズ株製、ノバキュア登録商標HX3742無機充填材:溶融シリカ、MRCユニテック株製、最大35μm、QS-9発泡剤1:炭酸水素ナトリウム系発泡剤、三協化成株製、セルマイク登録商標266発泡剤2:アゾジカルボンアミドADCA系複合発泡剤、三協化成株製、セルマイク登録商標172C表1に示すエポキシ樹脂、硬化剤、発泡剤を配合し、三本ロールにて、混合を行った。なお、表1に示す配合量は質量を表す。次いで、この混合物に無機充填材を加え、プラネタリーミキサーを用いて、再度、撹拌、混合して、液状エポキシ樹脂組成物を得た。このようにして得られた液状エポキシ樹脂組成物を用いて下記の評価を行った。[ヒートサイクル性]半導体チップ0.75厚、14mm角を回路基板FR-4上に実装した後、表1に示した各エポキシ樹脂樹脂組成物を半導体チップと回路基板との隙間に注入充填し、120°C1時間で硬化させることにより半導体装置を作製した。硬化後の半導体装置について電気的動作をおこない、良品であったものについて-55°Cで5分、85°Cで5分を1サイクルとする液相のヒートサイクル試験1と、-55°C5分、150°C5分を1サイクルとする液相のヒートサイクル試験2を行い、1000サイクル後の半導体装置の動作を行い下記基準に従って評価した。○:不良率0~30未満△:不良率30以上~60未満×:不良率60以上~100リペア性回路基板FR-4上に、表1に示す各エポキシ樹脂組成物を約50mg滴下して、120°C、1時間にて硬化させた。その後、テストピースをホットプレート上で200°Cに加熱した。加熱した状態で回路基板上のエポキシ樹脂硬化物を竹串を用いて取り除き、エポキシ樹脂硬化物がきれいに取り除くことが可能か否かを、下記基準に従って評価した。×:エポキシ樹脂硬化物が残る、回路基板上のレジストがはがれる。○:エポキシ樹脂硬化物がきれいに取り除かれ、回路基板上にエポキシ樹脂硬化物が残らない。ヒートサイクル性、リペア性の評価結果を表1に示す。表1より、発泡剤1及び2を用いた実施例1、2では、ヒートサイクル性1、リペア性ともに良好な結果であった。発泡剤を用いなかった比較例1では、ヒートサイクル性については良好であったが、リペア性については良好な結果が得られなかった。これらの結果から、発泡剤を配合した実施例1、2の液状エポキシ樹脂組成物は、発泡剤を配合していない比較例1に比して、優れたリペア性を有することが確認された。"