レンズが2枚であり、物体側から像面側へと向かって順に、開口絞り、上記レンズの一方である第1レンズ、および上記レンズの他方である第2レンズが配置されており、上記第1レンズは、正の屈折力を有しており、上記物体側に向けた面が凸形状であるメニスカスレンズであり、上記第2レンズは、負の屈折力を有しており、上記物体側に向けた面が凹形状であり、上記像面側に向けた面のうち、中央部分が凹形状であると共に該中央部分の周辺部分が凸形状であり、上記第1レンズおよび上記第2レンズはいずれも、上記物体側に向けた面および上記像面側に向けた面の両方が非球面であり、アッベ数が45を超えており、さらに、数式1および2-0.62<f/f2<-0.551f/EPD<3.62但し、f:撮像レンズ全系の焦点距離、f2:第2レンズの焦点距離、EPD:撮像レンズ全系の入射瞳径を満足するように構成されていることを特徴とする撮像レンズ。上記第1レンズは、上記物体側に向けた面が、上記開口絞りより上記物体側にまで突出していることを特徴とする請求項1に記載の撮像レンズ。請求項1または2に記載の撮像レンズと、上記撮像レンズが形成した像を、光として受光する撮像素子とを備えていることを特徴とする撮像モジュール。上記撮像素子は、CCDChargeCoupledDevice:電荷結合素子イメージセンサ、またはCMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor:相補型金属酸化膜半導体イメージセンサであることを特徴とする請求項3に記載の撮像モジュール。特許文献1に開示されている撮像レンズは、高解像力、小型、および低背の撮像レンズを実現するために、上記の条件式Bによって、撮像レンズ全系の焦点距離を規定している。一方で、撮像レンズ全系の焦点距離が上記の条件式Bによって規定された数値範囲を逸脱しても、高解像力、小型、および低背の撮像レンズを実現することは可能である。特許文献2に開示されている撮像レンズは、高解像力、小型、および低背の撮像レンズを実現するために、上記の条件式Fによって、第1および第2レンズの焦点距離を規定している。一方で、第1および第2レンズの焦点距離が上記の条件式Fによって規定された数値範囲を逸脱しても、高解像力、小型、および低背の撮像レンズを実現することは可能である。特許文献3に開示されている撮像レンズは、高解像力、小型、および低背の撮像レンズを実現するために、上記の条件式Gによって、第1および第2レンズの焦点距離を規定している。一方で、第1および第2レンズの焦点距離が上記の条件式Gによって規定された数値範囲を逸脱しても、高解像力、小型、および低背の撮像レンズを実現することは可能である。本発明は、上記の問題に鑑みて為されたものであり、その目的は、高解像力、小型、低背、ならびに広画角である撮像レンズおよび撮像モジュールを提供することにある。本発明の撮像レンズは、上記の問題を解決するために、レンズが2枚であり、物体側から像面側へと向かって順に、開口絞り、上記レンズの一方である第1レンズ、および上記レンズの他方である第2レンズが配置されており、上記第1レンズは、正の屈折力を有しており、上記物体側に向けた面が凸形状であるメニスカスレンズであり、上記第2レンズは、負の屈折力を有しており、上記物体側に向けた面が凹形状であり、上記像面側に向けた面のうち、中央部分が凹形状であると共に該中央部分の周辺部分が凸形状であり、上記第1レンズおよび上記第2レンズはいずれも、上記物体側に向けた面および上記像面側に向けた面の両方が非球面であり、アッベ数が45を超えており、さらに、数式1および2-0.62<f/f2<-0.551f/EPD<3.62但し、f:撮像レンズ全系の焦点距離、f2:第2レンズの焦点距離、EPD:撮像レンズ全系の入射瞳径を満足するように構成されていることを特徴としている。上記の構成によれば、数式1を満足する程度に、撮像レンズにおける第2レンズのパワー屈折力絶対値を小さく制限する。これにより、広画角である撮像レンズにおいても、像の周辺におけるコントラストを良好にすることが可能となる。一方、第2レンズのパワーが小さくなり過ぎると、第2レンズを厚くすると共に、第2レンズと、第1レンズおよび/または像面との間隔を広くする必要が生じ得る。換言すれば、第2レンズのパワーが小さくなり過ぎると、撮像レンズの光学全長が大きくなるため、撮像レンズの小型化および低背化が困難となる虞がある。そこで、上記の構成によれば、数式1を満足する程度に、第2レンズのパワーが小さくなり過ぎないように、第2レンズのパワーを制限する。これにより、撮像レンズの小型化および低背化を図ることができる。上記の構成によれば、数式2を満足させることにより、撮像レンズは、開口径が大きくなるため、明るい像を形成することが可能となる。ここで、数式2を満足させることにより形成される明るい像は、暗い像より収差が大きくなる。そこで、上記の構成によれば、数式1を満足させ、さらに第1レンズのアッベ数および第2レンズのアッベ数の両方を、45を超える値とする。なお、アッベ数とは、光の分散に対する屈折度の比を示した、光学媒質の定数である。すなわち、アッベ数とは、異なった波長の光を異なった方向へ屈折させる度合であり、高いアッベ数の媒質は、異なった波長に対しての光線の屈折の度合による分散が少なくなる。第1レンズのアッベ数および第2レンズのアッベ数の両方を、45を超える値とすることにより、撮像レンズは、色収差を十分に補正することが可能となるため、像のボケが小さくなり、鮮明な像を得ることが可能となる。また、上記の構成によれば、上記の条件式B、F、またはGによって規定された数値範囲を逸脱しても、高解像力、小型、および低背の撮像レンズを実現することが可能となる。また、本発明の撮像レンズの、上記第1レンズは、上記物体側に向けた面が、上記開口絞りより上記物体側にまで突出しているのが好ましい。上記の構成によれば、撮像レンズの入射瞳の位置を、像面側に寄せることが可能となるため、撮像レンズのテレセントリック性を確保し易くなる。従って、収差が良好に補正され、かつ小型および低背である撮像レンズを実現することが可能となる。また、本発明の撮像モジュールは、本発明の撮像レンズと、上記撮像レンズが形成した像を、光として受光する撮像素子とを備えていることを特徴としている。上記の構成によれば、撮像モジュールは、備えられた撮像レンズと同様の効果を奏する。これにより、安価で、コンパクトで、かつ高性能なデジタルカメラを実現することが可能となる。また、本発明の撮像モジュールの、上記撮像素子は、CCDイメージセンサ、またはCMOSイメージセンサであるのが好ましい。以上のとおり、本発明の撮像レンズは、レンズが2枚であり、物体側から像面側へと向かって順に、開口絞り、上記レンズの一方である第1レンズ、および上記レンズの他方である第2レンズが配置されており、上記第1レンズは、正の屈折力を有しており、上記物体側に向けた面が凸形状であるメニスカスレンズであり、上記第2レンズは、負の屈折力を有しており、上記物体側に向けた面が凹形状であり、上記像面側に向けた面のうち、中央部分が凹形状であると共に該中央部分の周辺部分が凸形状であり、上記第1レンズおよび上記第2レンズはいずれも、上記物体側に向けた面および上記像面側に向けた面の両方が非球面であり、アッベ数が45を超えており、さらに、数式1および2-0.62<f/f2<-0.551f/EPD<3.62但し、f:撮像レンズ全系の焦点距離、f2:第2レンズの焦点距離、EPD:撮像レンズ全系の入射瞳径を満足するように構成されている。従って、本発明は、高解像力、小型、低背、ならびに広画角である撮像レンズおよび撮像モジュールを実現することが可能であるという効果を奏する。実施の形態1本実施の形態では、断面図を図1に示した撮像レンズ100、および断面図を図2に示した撮像レンズ200について説明を行う。撮像レンズ100は、後述する数式1および2を満足した、本発明の一実施の形態に係る撮像レンズである。一方、撮像レンズ200は、撮像レンズ100に対する比較例であり、数式2のみを満足した撮像レンズである。以下、撮像レンズ1との表記は、撮像レンズ100、および撮像レンズ200の総称である。撮像レンズ1の基本構成図1および図2の各断面図では、X紙面に対して垂直な方向、Y紙面上下方向、およびZ紙面左右方向が規定されている。具体的に、Z方向は、撮像レンズ1の光軸Laの延伸方向である。Y方向は、光軸Laに対する法線方向のうちの1方向である。Z方向とY方向とは、互いに垂直である。X方向は、Z方向およびY方向の両方に対して垂直な方向である。撮像レンズ1に関して、Z方向は、物体3側物体側から像面S7側像面側へと向かう方向、ならびに、像面S7側から物体3側へと向かう方向を示している。撮像レンズ1は、物体3側から像面S7側へと向かって順に、開口絞り2、第1レンズ2枚のレンズの一方L1、第2レンズ2枚のレンズの他方L2、およびカバーガラスCGが配置された構成である。撮像レンズ1は、第1レンズL1および第2レンズL2という、2枚のレンズによって構成されている。第1レンズL1は、物体3側に向けた面物体側面S1、および像面S7側に向けた面像側面S2を有している。第2レンズL2は、物体3側に向けた面S3、および像面S7側に向けた面S4を有している。第1レンズL1および第2レンズL2と同様に、カバーガラスCGは、物体3側に向けた面S5、および像面S7側に向けた面S6を有している。開口絞り2は、第1レンズL1の面S1の、有効口径の周りを取り囲むように設けられている。開口絞り2は、撮像レンズ1に入射した光が、第1レンズL1および第2レンズL2を適切に通過することを可能とするために、撮像レンズ1に入射した光の軸上光線束の直径を制限することを目的に設けられている。物体3は、撮像レンズ1が結像する対象物であり、換言すれば、撮像レンズ1が撮影撮像の対象とする被写体である。便宜上、物体3は、撮像レンズ1と非常に近接しているように図示されている。但し、物体3は、撮像レンズ1から数100mm以上離れている場合もあり得る。第1レンズL1は、正の屈折力を有しており、物体3側に向けた面S1が凸面凸形状である、周知のメニスカスレンズである。従って、第1レンズL1は、像面S7側に向けた面S2が該メニスカスレンズの凹面凹形状である。ここで、第1レンズL1は、図1および図2に示すように、面S1における上記凸面の頂点が、開口絞り2より物体3側にまで突出するように設けられているのが好ましい。これにより、撮像レンズ1の入射瞳の位置を、像面S7側に寄せることが可能となるため、撮像レンズ1のテレセントリック性を確保し易くなる。従って、収差が良好に補正され、かつ小型および低背である撮像レンズ1を実現することが可能となる。レンズにおける凹形状および凹面はいずれも、レンズが中空に曲がっている部分、すなわち、レンズが内側に曲がっている状態を示している。一方、レンズにおける凸形状および凸面はいずれも、レンズの球状表面が外側に曲がっている状態を示している。第2レンズL2は、負の屈折力を有しており、物体3側に向けた面S3が凹形状である。さらに、第2レンズL2は、像面S7側に向けた面S4のうち、中心s4およびその近傍に対応する中央部分c4が凹形状であると共に、中央部分c4の周りである周辺部分p4が凸形状である。つまり、面S4は、窪んでいる中央部分c4と、出張っている周辺部分p4とが切り替わる変曲点を有する形状であると解釈することができる。ここで言う変曲点とは、レンズにおける有効半径内でのレンズ断面形状の曲線において、非球面頂点の接平面が光軸と垂直な平面となるような非球面上の点を意味する。面S4に変曲点を有している撮像レンズ1では、Z方向に関して、中央部分c4を通過する光線がより物体3側にて結像可能となると共に、周辺部分p4を通過する光線がより像面S7側にて結像可能となる。このため、撮像レンズ1は、中央部分c4における凹形状、ならびに周辺部分p4における凸形状の具体的な形状に応じて、像面湾曲をはじめとする各種収差を補正することが可能となる。第1レンズL1は、面S1および面S2の両方が非球面形状である。同様に、第2レンズL2は、面S3および面S4の両方が非球面形状である。これにより、撮像レンズ1において発生し得る諸収差を、より良好に補正することが容易となり、撮像レンズ1においては、像の周辺におけるコントラストを向上させることが可能となる。さらに、第1レンズL1および第2レンズL2はいずれも、アッベ数が45を超えている。なお、アッベ数とは、光の分散に対する屈折度の比を示した、光学媒質の定数である。すなわち、アッベ数とは、異なった波長の光を異なった方向へ屈折させる度合であり、高いアッベ数の媒質は、異なった波長に対しての光線の屈折の度合による分散が少なくなる。第1レンズL1のアッベ数および第2レンズL2のアッベ数の両方を、45を超える値とすることにより、撮像レンズ1は、色収差を十分に補正することが可能となるため、像のボケが小さくなり、鮮明な像を得ることが可能となる。カバーガラスCGは、第2レンズL2と像面S7との間に設けられている。カバーガラスCGは、像面S7に対して被覆されることで、物理的ダメージ等から像面S7を保護するためのものである。像面S7は、撮像レンズ1の光軸Laに対して垂直で、像が形成される面であり、実像は、像面S7に置かれた図示しないスクリーン上で観察することができる。撮像レンズ1は、以下の数式2を満足するように構成されている。特に、撮像レンズ100は、以下の数式1をさらに満足するように構成されている。-0.62<f/f2<-0.551f/EPD<3.62但し、fは撮像レンズ1全系撮像レンズ全系の焦点距離、f2は第2レンズL2の焦点距離、EPDは撮像レンズ1全系の入射瞳径である。撮像レンズ1全系とは、1つのレンズ系としての撮像レンズ1を意味している。入射瞳径とは、絞り開口絞り2面より前のレンズで結像された、絞り面の像の直径であり、物体3側から見た開口絞り2の像の直径であるとも言える。また、開口絞り2が最も物体3側に配置された撮像レンズの入射瞳径は、該撮像レンズに入射する光の直径に等しい。撮像レンズ1は、開口絞り2が、第1レンズL1および第2レンズL2より物体3側に配置された構成である。従って、撮像レンズ1全系の入射瞳径EPDは、第1レンズL1の物体側面の有効半径の2倍、すなわち面S1の有効口径に等しい。撮像レンズ100では、数式1を満足する程度に、第2レンズL2のパワー屈折力絶対値を小さく制限する。これにより、広画角である撮像レンズ1においても、像の周辺におけるコントラストを良好にすることが可能となる。一方、第2レンズL2のパワーが小さくなり過ぎると、第2レンズL2を厚くすると共に、第2レンズL2と、第1レンズL1および/または像面S7カバーガラスCGの場合もあるとの間隔を広くする必要が生じ得る。換言すれば、第2レンズL2のパワーが小さくなり過ぎると、撮像レンズ1の光学全長が大きくなるため、撮像レンズ1の小型化および低背化が困難となる虞がある。そこで、撮像レンズ100では、数式1を満足する程度に、第2レンズL2のパワーが小さくなり過ぎないように、第2レンズL2のパワーを制限する。これにより、撮像レンズ1の小型化および低背化を図ることができる。数式2を満足させることにより、撮像レンズ1は、開口径が大きくなるため、明るい像を形成することが可能となる。ここで、数式2を満足させることにより形成される明るい像は、暗い像より収差が大きくなる。そこで、数式1を満足させ、さらに第1レンズL1のアッベ数および第2レンズL2のアッベ数の両方を、45を超える値とする。第1レンズL1のアッベ数および第2レンズL2のアッベ数の両方を、45を超える値とすることにより、撮像レンズ1は、色収差を十分に補正することが可能となるため、像のボケが小さくなり、鮮明な像を得ることが可能となる。一方、f/f2≦-0.62となる場合、第2レンズL2のパワー配分が大きくなり過ぎる。この結果、広画角である撮像レンズにおいて、像の周辺におけるコントラストを良好にすることが困難となる。f/f2≧-0.55となる場合、第2レンズL2のパワー配分が小さくなり過ぎる。この結果、上述したとおり、撮像レンズにおける光学全長の増加が発生する。f/EPD≧3.6となる場合、開口径が小さくなり、像が暗くなる。また、f/EPD>3.6となる程度に、暗い像の結像を許容する撮像レンズにおいては、元来の収差量が小さくなるため、そもそも数式2を満足させる必要が無い。第1レンズL1のアッベ数および/または第2レンズL2のアッベ数が45以下となる場合、撮像レンズでは、色収差による像のボケが大きくなるため、鮮明な撮像を得ることが困難となる。撮像レンズ100の光学特性図3は、撮像レンズ100の、MTF‐像高特性を示すグラフである。図4は、撮像レンズ100の、デフォーカスMTFMTF‐フォーカスシフト位置特性を示すグラフである。図5は、撮像レンズ100の、MTF‐空間周波数特性を示すグラフである。図6aは、撮像レンズ100の非点収差の特性を示すグラフであり、図6bは、撮像レンズ100の歪曲の特性を示すグラフである。図3~図5に示すグラフはいずれも、縦軸にMTF単位:無を示している。図3に示すグラフは、横軸に像高単位:mmを示しており、像高h00mm~像高h1.01.75mmに関する、タンジェンシャル像面およびサジタル像面における各特性を示している。また、図3には、空間周波数がナイキスト周波数/471.4lp/mmである場合の特性と、空間周波数がナイキスト周波数/2142.9lp/mmである場合の特性とを示している。図4に示すグラフは、横軸にフォーカスシフト位置単位:mmを示しており、像高h0、像高h0.20.35mm、像高h0.40.7mm、像高h0.61.05mm、像高h0.81.4mm、および像高h1.0の各々に関する、タンジェンシャル像面Tおよびサジタル像面Sにおける各特性を示している。また、図4には、空間周波数がナイキスト周波数/4である場合の特性を示している。図5に示すグラフは、横軸に空間周波数単位:lp/mmを示している。図5に示すグラフは、像高h0、像高h0.2、像高h0.4、像高h0.6、像高h0.8、および像高h1.0の各々に関する、タンジェンシャル像面Tおよびサジタル像面Sにおける各特性を示している。また、図5には、空間周波数が0~ナイキスト周波数/2である場合の特性を示している。また、具体的に、図6aは、撮像レンズ100の、縦軸に示した像高に対する、横軸に示した像面湾曲単位:mmの関係を示しており、図6bは、撮像レンズ100の、縦軸に示した像高に対する、横軸に示した歪曲単位:の関係を示している。MTFModulationTransferFunction:変調伝達関数とは、像面を光軸方向に移動させていったときの、像面に形成される像のコントラスト変化を示す指標である。このMTFが大きいほど、像面に形成された像が、高い解像力により結像されていると判断することができる。以下では、MTFが0.2以上である場合を、高い解像力とみなす。本実施の形態に示す像高は、最大像高を1.75mmとして、絶対値0mm~1.75mmで表す場合と、最大像高を1h1.0としたときの該最大像高に対する割合h0~h1.0で表す場合とがある。該絶対値と割合との対応関係の一例を、以下に示す。0mm=像高h0像の中心0.175mm=像高h0.1像の中心から、最大像高の1割に該当する高さ0.35mm=像高h0.2像の中心から、最大像高の2割に該当する高さ0.7mm=像高h0.4像の中心から、最大像高の4割に該当する高さ1.05mm=像高h0.6像の中心から、最大像高の6割に該当する高さ1.4mm=像高h0.8像の中心から、最大像高の8割に該当する高さ1.75mm=像高h1.0最大像高また、上記ナイキスト周波数は、撮像レンズ1を通過した光を受光するセンサ撮像素子のナイキスト周波数に対応する値とされており、該センサの画素のピッチから計算される、解像可能な空間周波数の値である。具体的に、該センサのナイキスト周波数Nyq.単位:lp/mmは、Nyq.=1/上記センサの画素のピッチ/2により算出される。また、撮像レンズ1の各光学特性を得るために、物体距離が1200mmであると仮定すると共に、図示しないシミュレーション光源として、次の重みづけによる白色を構成する各波長の混合割合が、下記のように調整された白色光を用いた。404.66nm=0.13435.84nm=0.49486.1327nm=1.57546.07nm=3.12587.5618nm=3.18656.2725nm=1.51図3に示すグラフ31~34はそれぞれ、以下の測定結果を示している。グラフ31は、空間周波数がナイキスト周波数/4である場合の、サジタル像面のMTF特性を示している。グラフ32は、空間周波数がナイキスト周波数/4である場合の、タンジェンシャル像面のMTF特性を示している。グラフ33は、空間周波数がナイキスト周波数/2である場合の、サジタル像面のMTF特性を示している。グラフ34は、空間周波数がナイキスト周波数/2である場合の、タンジェンシャル像面のMTF特性を示している。撮像レンズ100は、グラフ31~33に対応する各条件では、像高h0~h1.0のどの像高においても、MTFが0.2を超えている。また、撮像レンズ100は、グラフ34に対応する条件でも、像高h0~およそh0.91.575mmであればMTFが0.2を超えており、それより高い像高においても、MTFの極端な落ち込みは見られない。従って、撮像レンズ100は、像の周辺すなわち、像高h1.0およびその近傍の像部分におけるコントラストが良好であると言える。図4に示すとおり、撮像レンズ100は、0mmのフォーカスシフト位置において、像高h0~h1.0のどの像高においても、サジタル像面およびタンジェンシャル像面共に、MTFが0.2を超えている高解像力である。なお、この0mmのフォーカスシフト位置は、像面S7図1参照に該当する。図5によれば、撮像レンズ100は、空間周波数がおよそ120lp/mm以下の場合、像高h0~h1.0のどの像高においても、サジタル像面およびタンジェンシャル像面共に、MTFが0.2を超えている高解像力である。空間周波数がおよそ120lp/mmを超えると、概して、大きい像高すなわち、像の周辺から順に、かつタンジェンシャル像面から順に、MTFが0.2以下となる。但し、MTFが0.2以下となる場合であっても、MTFの極端な落ち込みは見られない。従って、撮像レンズ100は、像の周辺におけるコントラストが良好であると言える。図6aおよびbによれば、撮像レンズ100は、残存収差量が小さい光軸Laに対する法線方向に対する、各収差の大きさのズレが小さいことから、良好な光学特性を有していることが分かる。撮像レンズ200の光学特性図7は、撮像レンズ200の、MTF‐像高特性を示すグラフである。図8は、撮像レンズ200の、デフォーカスMTFを示すグラフである。図9は、撮像レンズ200の、MTF‐空間周波数特性を示すグラフである。図10aは、撮像レンズ200の非点収差の特性を示すグラフであり、図10bは、撮像レンズ200の歪曲の特性を示すグラフである。図7、図8、図9、図10a、図10bは、それぞれ、図3、図4、図5、図6a、図6bに対応するグラフであり、撮像レンズ200の光学特性を示している。本項目撮像レンズ200の光学特性における、用語の定義および測定条件等については、先の項目撮像レンズ100の光学特性において説明したものと同様になるので、ここでは詳細な説明を省略する。図7に示すグラフ71~74はそれぞれ、以下の測定結果を示している。グラフ71は、空間周波数がナイキスト周波数/4である場合の、サジタル像面のMTF特性を示している。グラフ72は、空間周波数がナイキスト周波数/4である場合の、タンジェンシャル像面のMTF特性を示している。グラフ73は、空間周波数がナイキスト周波数/2である場合の、サジタル像面のMTF特性を示している。グラフ74は、空間周波数がナイキスト周波数/2である場合の、タンジェンシャル像面のMTF特性を示している。撮像レンズ200は、グラフ71~73に対応する各条件では、像高h0~h1.0のどの像高においても、MTFが0.2を超えている。また、撮像レンズ200は、グラフ74に対応する条件でも、像高h0~およそh0.9であればMTFが0.2を超えており、それより高い像高においても、MTFの極端な落ち込みは見られない。従って、撮像レンズ200は、像の周辺におけるコントラストが良好であると言える。図8に示すとおり、撮像レンズ200は、0mmのフォーカスシフト位置において、像高h0~h1.0のどの像高においても、サジタル像面およびタンジェンシャル像面共に、MTFが0.2を超えている高解像力である。なお、この0mmのフォーカスシフト位置は、像面S7図2参照に該当する。図9によれば、撮像レンズ200は、空間周波数がおよそ130lp/mm以下の場合、像高h0~h1.0のどの像高においても、サジタル像面およびタンジェンシャル像面共に、MTFが0.2を超えている高解像力である。空間周波数がおよそ130lp/mmを超えると、概して、大きい像高すなわち、像の周辺から順に、かつタンジェンシャル像面から順に、MTFが0.2以下となる。但し、MTFが0.2以下となる場合であっても、MTFの極端な落ち込みは見られない。従って、撮像レンズ200は、像の周辺におけるコントラストが良好であると言える。図10aおよびbによれば、撮像レンズ200は、残存収差量が小さいことから、良好な光学特性を有していることが分かる。図3~図5、図6aおよびb、図7~図9、図10aおよびbによれば、像の周辺におけるコントラストに関しては、撮像レンズ100と撮像レンズ200とで、大きな差はない。撮像レンズ1の設計データ図11は、撮像レンズ100の設計データを示した表である。図12は、撮像レンズ200の設計データを示した表である。図11および図12のそれぞれに示す各項目の定義は、以下のとおりである。Components:撮像レンズ1の各構成要素。すなわち、L1は第1レンズL1を、L2は第2レンズL2を、CGはカバーガラスCGを、それぞれ意味している。また、S1~S4はそれぞれ、面S1~面S4を意味しており、frontは面S5を、rearは面S6を、それぞれ意味している。NdMaterials:撮像レンズ1の各構成要素の、d線波長:587.6nmに対する屈折率。νdMaterials:撮像レンズ1の各構成要素の、d線に対するアッベ数。Curvature:面S1~面S4の各レンズ面の曲率。単位はmm1。Thickness:対応する面の中心から、像面S7側に向かって次の面の中心までの、光軸Laの方向Z方向の距離。すなわち、中心厚。単位はmm。SemiDiameter:面S1~面S4の各レンズ面の有効半径光束の範囲を規制可能な円領域の半径。単位はmm。Asphericcoefficient:面S1~面S4の各レンズ面の、非球面を構成する非球面式3における、i次の非球面係数Aiiは4以上の偶数。非球面式3において、Zは光軸方向Z方向の座標であり、xは光軸に対する法線方向X方向の座標であり、Rは曲率半径対応する上記曲率の逆数であり、Kはコーニック円錐:Conic係数である。撮像レンズ100および200はいずれも、第1レンズL1のアッベ数および第2レンズL2のアッベ数の両方が、46であり、45を超えている。また、撮像レンズ100および200はいずれも、第1レンズL1の面S1および面S2の両方に、0以外の非球面係数が付与されている。従って、撮像レンズ1の第1レンズL1は、面S1および面S2の両方が非球面である。同様に、撮像レンズ100および200はいずれも、第2レンズL2の面S3および面S4の両方に、0以外の非球面係数が付与されている。従って、撮像レンズ1の第2レンズL2は、面S3および面S4の両方が非球面である。撮像レンズ1の設計仕様図13は、各撮像レンズ1を備えた各撮像モジュールの設計仕様の一例を示した表である。図13に示す各項目の定義は、以下のとおりである。Sensor:上記の各撮像モジュールに適用されたセンサ。Size:上記センサのサイズを、対角Diagonal、水平Horizontal、および垂直Verticalという3種類3次元の値で示している。単位はmm。Pixelpitch:上記センサの画素ピッチ。単位はμm。Fnumber:各撮像レンズ1のFナンバー。なお、撮像レンズ1のFナンバーは、撮像レンズ1全系の等価焦点距離を、撮像レンズ1全系の入射瞳径で割った値で表される。Focallength:各撮像レンズ1全系の焦点距離f。単位はmm。Fieldofview:各撮像レンズ1の画角を、対角Diagonal、水平Horizontal、および垂直Verticalという3種類3次元の値で示している。単位はdeg°。Opticaldistortion:像高h0.6、像高h0.8、および像高h1.0の3箇所における、各撮像レンズ1の歪曲光学ディストーション。単位は。TVdistortion:各撮像レンズ1のTV歪みテレビディストーション。単位は。Relativeillumination:像高h0.6、像高h0.8、および像高h1.0の3箇所における、各撮像レンズ1の周辺光量比。周辺光量比とは、像の中心である像高h0において得られる光量に対する、該当箇所において得られる光量の比率を意味している。単位は。CRAChiefRayAngle:像高h0.6、像高h0.8、および像高h1.0の3箇所における、主光線角度。単位はdeg。Opticallength:各撮像レンズ1の光学全長。単位はmm。CGthickness:各撮像レンズ1に設けられたカバーガラスCGの、光軸La方向の厚み。単位はmm。Hyperfocaldistance:各撮像レンズ1の過焦点距離。過焦点距離とは、被写界深度の最遠点が無限遠にまで拡がるように焦点合わせをした時の物体距離レンズから被写体までの距離を意味している。単位はmm。Objectdistance:物体距離。Designwaveweight:シミュレーション光源としての白色光の重みづけ詳細は前述。図13によれば、撮像レンズ100および200はいずれも、対角画角が65.0°となっている。このため、撮像レンズ1は、広画角の撮像レンズであると言える。また、図13によれば、撮像レンズ200の光学全長が3.014mmであるのに対して、撮像レンズ100の光学全長は2.966mmである。従って、撮像レンズ200より撮像レンズ100のほうが低背であると言える。撮像レンズ1の、入射瞳径および各レンズの焦点距離に関連する諸数値図14は、各撮像レンズ1の、入射瞳径および各レンズの焦点距離に関連する諸数値を示した表である。図14には、撮像レンズ100および200のそれぞれに関する、以下の数値を示した。第1レンズL1の焦点距離f1単位:mm第2レンズL2の焦点距離f2単位:mm撮像レンズ1全系の焦点距離f単位:mm撮像レンズ1全系の入射瞳径EPD単位:mmf1/f条件式Aにて用いた数値f2/f1条件式FおよびGにて用いた数値f/f2数式1にて用いた数値f/EPD数式2にて用いた数値撮像レンズ200は、f2/f1がおよそ-2.7となっており、これは、条件式FおよびGによる規定の範囲外となっている。撮像レンズ200は、上記の条件式FおよびGによって規定された数値範囲を逸脱しても、高解像力、小型、および低背の撮像レンズを実現することが可能なものである。また、撮像レンズ200は、n1-1f/r1がおよそ1.798となっており、これは、条件式Bによる規定の範囲外となっている。撮像レンズ200は、上記の条件式Bによって規定された数値範囲を逸脱しても、高解像力、小型、および低背の撮像レンズを実現することが可能なものである。撮像レンズ100および200はいずれも、f/EPDが2.8であり、f/EPD<3.6であるため、数式2を満足している。そして、撮像レンズ100は、f/f2がおよそ-0.6となり、撮像レンズ200は、f/f2がおよそ-0.5となる。撮像レンズ100は、数式1を満足しており、撮像レンズ200は、数式1を満足していない。上述したとおり、数式1を満足している撮像レンズ100は、数式1を満足していない撮像レンズ200より低背とすることが可能である。このように、撮像レンズ1が数式1を満足することにより、撮像レンズ1の光学全長を小さくして、撮像レンズ1の小型化および低背化を図ることが可能となる。実施の形態2撮像レンズ1と、撮像レンズ1が形成した像を、光として受光するセンサ撮像素子4とを備えた、撮像モジュール148を構成することができる図15参照。このとき、センサ4としては例えば、CCDChargeCoupledDevice:電荷結合素子イメージセンサ、およびCMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor:相補型金属酸化膜半導体イメージセンサ等の、固体撮像素子を使用することができる。撮像モジュール148は、画角が広く、小型かつ低背で良好な光学特性を有するものである。特に、撮像モジュール148は、パーソナルコンピュータまたは携帯端末携帯機器に対して、接続または搭載される、小型の撮像機器として好適なものである。本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。