13族元素、16族元素及び2族元素を含有すると共にスピネル型構造を有することを特徴とする化合物薄膜。前記2族元素の含有率が0.4~10.0モルの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の化合物薄膜。前記13族元素及び前記16族元素を下記組成式1で示す割合で含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の化合物薄膜。A2B3...1上記組成式1中、Aが13族元素、Bが16族元素を示す。n型の半導体特性を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の化合物薄膜。抵抗率が102~106Ωcmの範囲であることを特徴とする請求項4に記載の化合物薄膜。キャリア濃度が108~1016/cm3の範囲であることを特徴とする請求項4に記載の化合物薄膜。n型の半導体層として、請求項4乃至6のいずれか一項に記載の化合物薄膜を備えていることを特徴とする太陽電池。p型の半導体層として、11族元素、12族元素、13族元素及び16族元素を含有する化合物薄膜を備えていることを特徴とする請求項7に記載の太陽電池。p型の半導体層として、11族元素、13族元素及び16族元素を含有する化合物薄膜を備えていることを特徴とする請求項7に記載の太陽電池。上述のように、p型のカルコパイライト構造半導体を用いたヘテロ接合太陽電池の高効率化には、バンドギャップの大きなn型層の抵抗率の制御あるいはキャリア濃度の制御が必要であるが、従来、13族元素と16族元素を含む化合物薄膜の抵抗率の制御及びキャリア濃度の制御はほとんど実施されていない。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、抵抗率あるいはキャリア濃度が太陽電池に適したものとなっている化合物薄膜及びこの化合物薄膜を用いて形成されるエネルギー変換効率の高い太陽電池を提供することを目的とするものである。本発明に係る化合物薄膜は、13族元素、16族元素及び2族元素を含有すると共にスピネル型構造を有することを特徴とするものである。前記化合物薄膜において、前記2族元素の含有率が0.4~10.0モルの範囲であることが好ましい。前記化合物薄膜において、前記13族元素及び前記16族元素を下記組成式1で示す割合で含有することが好ましい。A2B3...1上記組成式1中、Aが13族元素、Bが16族元素を示す。前記化合物薄膜において、n型の半導体特性を有することが好ましい。前記化合物薄膜において、抵抗率が102~106Ωcmの範囲であることが好ましい。前記化合物薄膜において、キャリア濃度が108~1016/cm3の範囲であることが好ましい。本発明に係る太陽電池は、n型の半導体層として、前記化合物薄膜を備えていることを特徴とするものである。前記太陽電池において、p型の半導体層として、11族元素、12族元素、13族元素及び16族元素を含有する化合物薄膜を備えていることが好ましい。前記太陽電池において、p型の半導体層として、11族元素、13族元素及び16族元素を含有する化合物薄膜を備えていることが好ましい。本発明によれば、抵抗率あるいはキャリア濃度が太陽電池に適したものとなっている化合物薄膜が得られるものであり、またこの化合物薄膜がn型の半導体層として適用されることで、エネルギー変換効率の高い太陽電池が得られるものである。以下、本発明の実施の形態を説明する。本発明に係る化合物薄膜は、13族元素、16族元素及び2族元素を含有すると共にスピネル型構造を有する化合物が薄膜状に形成されたものである。具体的には、13族元素及び16族元素を含有する化合物が母材となり、この母材に2族元素が添加されて化合物薄膜が形成されている。そして、上記の母材の化合物の結晶構造がスピネル型構造であるが、スピネル型構造は空孔を含んでおり、この空孔は価数0に相当するため、価数2の2族元素を添加すると、この空孔を2族元素が占めることになり、余剰な電子が放出されて、抵抗率が低下し、キャリア濃度が増加する。化合物薄膜全量に対して2族元素の含有率は0.4~10.0モルの範囲であることが好ましい。この範囲に収まるように2族元素を添加すれば、抵抗率を低下させたりキャリア濃度を増加させたりするなど、抵抗率及びキャリア濃度を好適に制御することができる。2族元素の含有率が0.4モル未満であると、抵抗率及びキャリア濃度はほとんど変化しないおそれがある。逆に、2族元素の含有率が10.0モルを超えると、2族元素の添加量が多すぎて、2族元素と13族元素とからなる異相化合物や、あるいは2族元素と16族元素とからなる異相化合物や、あるいは2族元素と13族元素と16族元素とからなる異相化合物が生成され、これらの異相化合物が、13族元素と16族元素とからなる母材の化合物の欠陥となりやすい。そのため、このような化合物薄膜を用いて太陽電池を製造する場合、上記の欠陥が太陽電池のエネルギー変換効率を低下させる要因となるおそれがある。化合物薄膜は13族元素及び16族元素を下記組成式1で示す割合で含有することが好ましい。すなわち、母材となる13族元素及び16族元素を含有する化合物は下記組成式1で示されることが好ましい。スピネル型構造を有する母材が下記組成式1で示されるものであると、空孔が形成されやすく、2族元素がより添加されやすくなり、さらに電子を放出することができる。A2B3...1上記組成式1中、Aが13族元素、Bが16族元素を示す。ここで、特許文献1国際公開第2005/064692号にはIn2S3:IIa族元素及びGa2S3:IIa族元素等の化合物半導体が記載されている。しかし、特許文献1には化合物半導体の結晶構造については記載されていない。これに対して、本発明に係る化合物薄膜は、スピネル型構造を有することによって空孔を含んでいるので、2族元素が添加されやすく、容易に電子を放出することができる。したがって、ドーパントとなる2族元素の活性化率が高くなるため、広い範囲で化合物薄膜の抵抗率及びキャリア濃度を制御することができる。化合物薄膜はn型の半導体特性を有することが好ましい。このとき化合物薄膜をn型の半導体層として用いて太陽電池を製造することができる。化合物薄膜の抵抗率は102~106Ωcmの範囲であることが好ましく、また化合物薄膜のキャリア濃度は108~1016/cm3の範囲であることが好ましい。このような場合、化合物薄膜が太陽電池に適用されるにあたって、化合物薄膜の抵抗率が太陽電池に適した値となる。また、このような条件下において、化合物薄膜が他の層と積層される場合、例えば、n型の半導体特性を有する化合物薄膜とp型の半導体特性を有する化合物薄膜とが積層されることで太陽電池が構成される場合には、n型の半導体特性を有する化合物薄膜の抵抗率を小さく、あるいはキャリア濃度を高くすることで、pn接合の拡散電位が大きくなるため、ダイオードの逆飽和電流密度が低減する。したがって、太陽電池の変換効率が向上する。なお、化合物薄膜の抵抗率及びキャリア濃度の調整は、例えば2族元素の添加量を調整することによって行うことができる。この化合物薄膜を構成する組成の具体例としては、In2S3、In2Se3、In2Te3、Ga2S3、Ga2Se3、Ga2Te3、Al2S3、Al2Se3、Al2Te3等が挙げられる。また、化合物薄膜は、上記の組成を有する2種類以上の化合物の固溶体から構成されてもよい。さらに、16族元素の一部として酸素を含んでもよい。この化合物薄膜を構成する2族元素としては、Mg、Ca、Sr、Ba等が挙げられる。このような化合物薄膜は、適宜の手法で作製される。例えば、2族元素、13族元素及び16族元素の各元素の化合物を含有する水溶液を用いたスプレー塗布熱分解法により、化合物薄膜が形成される。この場合の2族元素、13族元素及び16族元素の各元素の化合物としては、これらの元素の塩化物等のハロゲン化物が挙げられ、またSやSeの化合物としては、チオ尿素、セレノウレア等が挙げられる。化合物薄膜の形成方法として、溶液析出法も挙げられる。この場合、例えば、2族元素、13族元素及び16族元素の各元素の化合物を含有する水溶液を用い、この水溶液中に例えば、半導体薄膜が被覆されているガラス基板を浸漬し、水溶液を温めることにより化学反応から半導体薄膜上に化合物薄膜が堆積される。この場合の2族元素、13族元素及び16族元素の各元素の化合物としては、これらの元素の塩化物等のハロゲン化物が挙げられ、またSやSeの化合物としては、チオ尿素、チオアセトアミド、セレノウレア等が挙げられる。化合物薄膜の形成方法として、蒸着法も挙げられる。この場合、例えば、2族元素、13族元素及び16族元素の各元素が蒸発源とされ、蒸着時に化合物の組成に応じて蒸着レートが制御される。なお、溶液析出法の場合、例えばIn2S3膜中にOH基が多量に含まれてInxSyOHzの組成となるため、化合物薄膜がスピネル型構造を形成しにくい。これに対して、スプレー塗布熱分解法の場合、基板11を加熱するため、OH基がH2Oとなって蒸発し、In2S3膜中に含まれにくくなるため、化合物薄膜がスピネル型構造を形成しやすい。よって、化合物薄膜の形成方法としては、スプレー塗布熱分解法が好ましい。図1は本発明に係る化合物薄膜を用いて形成された太陽電池の第一の例を示す。この太陽電池10は、基板11、透明電極12、窓層13、バッファー層14、光吸収層15及び裏面電極16を備えて形成されている。これらの基板11、透明電極12、窓層13、バッファー層14、光吸収層15及び裏面電極16はこの順に積層されている。基板11は光透過性を有し、例えばガラスや透光性樹脂から形成される。透明電極12は、例えば金属酸化物から形成される。透明電極12を形成するための金属酸化物として、例えば、SnO2:F、ZnO:Al、ZnO:Ga、IXOIn2O3:X、Xとして、Sn、Mn、Mo、Ti、Zn等が挙げられる。透明電極12は複数種の金属酸化物が積層することで構成されてもよい。透明電極12の厚みは例えば0.1~2.0μmの範囲である。窓層13はn型又はi型の半導体特性を有する半導体から形成される。窓層13を形成するための半導体としては、ZnO、TiO2等が挙げられる。窓層13は複数種の半導体が積層することで構成されてもよく、例えばZnOとTiO2とが積層した構造を有していてもよい。ZnOとTiO2とが積層した構造を有する窓層13では、ZnOに対して光吸収層15側にTiO2が積層され、又はTiO2に対して光吸収層15側にZnOが積層される。窓層13の厚みは例えば0.05~1.0μmの範囲である。バッファー層14は、上述の化合物薄膜13族元素、16族元素及び2族元素を含有し、スピネル型構造を有する化合物薄膜で構成される。すなわち、図1に示す太陽電池10は、上述の化合物薄膜をn型の半導体層17として備えている。バッファー層14の厚みは例えば0.01~1.0μmの範囲である。光吸収層15は、p型の半導体特性を有する化合物薄膜p型の半導体層18で構成される。光吸収層15を形成する化合物薄膜として、例えば、11族元素、13族元素及び16族元素を含有するカルコパオライト構造半導体であるCuInS2、CuIn、GaSe2や、このカルコパイライト構造半導体にさらに12族元素を含有するCuxZnyInzS2x、y、zは0より大きく1より小さい等を用いることが好ましい。このような化合物薄膜であれば、上述の化合物薄膜13族元素、16族元素及び2族元素を含有し、スピネル型構造を有する化合物薄膜との伝導帯レベルを整合できる。ここで、バンドギャップの異なる2つの化合物においては、伝導帯レベルは必ずしも一致しない。伝導帯レベルの差が大きいと、例えば、バッファー層14と光吸収層15とでエネルギー障壁が生じ、光励起されたキャリアが障壁を越えることができず再結合する、あるいは、バッファー層14から注入されたキャリアがエネルギー障壁のためバッファー層14と光吸収層15との界面に留まり再結合する等で太陽電池10の変換効率が低下する。11族元素、13族元素及び16族元素を含有するカルコパオライト構造半導体あるいはこのカルコパイライト構造半導体にさらに12族元素を含有する半導体は、13族元素と16族元素とを含有する化合物とで、例えば複数の13族元素あるいは16族元素の組成比で伝導帯レベルを整合することが可能であり、太陽電池10の効率を向上できる。ここで、光吸収層15の厚みは例えば0.3~3.0μmの範囲である。裏面電極16は例えば金属から形成される。裏面電極16を形成するための金属としては、Au、Pt、Ag、Al等が挙げられる。裏面電極16はカーボンから形成されてもよい。タンデム太陽電池における上部太陽電池の場合のように、裏面電極16に光透過性が要求される場合には、裏面電極16が光透過性を有する導電性酸化物から形成されてもよい。このような導電性酸化物としては、例えば透明電極12の場合と同様の金属酸化物、Cu2O、CuSr2O4等の銅を含む酸化物等が挙げられる。裏面電極16の厚みは、裏面電極16を構成する材料によって大きく異なるが、例えば0.1~50μmの範囲である。図2は本発明に係る化合物薄膜を用いて形成された太陽電池の第二の例を示す。この太陽電池20は、基板21、第一の電極22、光吸収層23、バッファー層24、窓層25及び第二の電極26を備えて形成されている。これらの基板21、第一の電極22、光吸収層23、バッファー層24、窓層25及び第二の電極26はこの順に積層されている。基板21は、図1に示される第一の例における基板11と同様に光透過性を有していてもよいが、光透過性を有さなくてもよい。第一の電極22は、例えば図1に示される第一の例における裏面電極16と同様に構成される。光吸収層23は、例えば図1に示される第一の例における光吸収層15と同様に構成される。すなわち、光吸収層23は、p型の半導体特性を有する化合物薄膜p型の半導体層28で構成される。光吸収層23の厚みは例えば0.3~3.0μmの範囲である。バッファー層24は、上述の化合物薄膜13族元素、16族元素及び2族元素を含有し、スピネル型構造を有する化合物薄膜で構成される。すなわち、図2に示す太陽電池20は、上述の化合物薄膜をn型の半導体層27として備えている。バッファー層24の厚みは例えば0.01~1.0μmの範囲である。窓層25は、例えば図1に示される第一の例における窓層13と同様に構成される。第二の電極26は、例えば図1に示される透明電極12と同様に構成される。太陽電池の構成は上記第一の例及び第二の例には制限されず、従来公知の適宜の構成の太陽電池におけるバッファー層として、本発明に係る化合物薄膜13族元素、16族元素及び2族元素を含有し、スピネル型構造を有する化合物薄膜が適用され得る。本発明に係る化合物薄膜は、ヘテロ接合太陽電池のn型の半導体層として好適である。特に、カルコパイライト構造半導体を光吸収層に用いた太陽電池のn型の半導体層に適用されると、抵抗率あるいはキャリア濃度を好適な値に調整することが可能であり、これにより太陽電池の高効率化が可能となる。以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。[化合物薄膜の作製例]実施例1ソーダライムガラス上にCaを添加したIn2S3:Ca膜を、スプレー塗布熱分解法で形成した。その詳細は次の通りである。まずInCl3、CaCl2及びチオ尿素を含有する複数種の水溶液を調製した。これらの水溶液中のInCl3のモル濃度を6.25mmol/Lとし、チオ尿素のモル濃度を18.75mmol/Lとし、CaCl2のモル濃度を0から1.56mmol/Lの範囲で変化させた。この水溶液を300°Cのソーダライムガラス板にスプレー法により塗布することで、ソーダライムガラス板上に厚み0.5μmのIn2S3:Ca膜を形成した。比較例1実施例1においてCaCl2の代わりにInCl3とチオ尿素の水溶液に1族元素であるNaを含むNaClをモル濃度0から1.56mmol/Lの範囲で溶かした水溶液を調製し、300°Cのソーダライムガラス板にスプレー法により塗布することで、ソーダライムガラス板上に厚み0.5μmのIn2S3:Na膜を形成した。上記の各化合物薄膜の光透過特性を調査することにより化合物薄膜の光吸収係数を求め、この光吸収係数から化合物薄膜のバンドギャップの値を算出した。不純物を添加していないIn2S3膜、2族元素を添加したIn2S3:Ca膜、1族元素を添加したIn2S3:Na膜は全て2.4~2.7eVの範囲のバンドギャップを示した。これは、吸収端波長が460~520nmの範囲であり可視域から赤外域までの広い太陽光スペクトルが透過するため太陽電池のバッファー層に好適な範囲である。また、この化合物薄膜のX線回折パターンを確認したところ、Ca、Naの含有量に関わらず400に配向したスピネル構造のβ-In2S3であることが確認できた。次に、In2S3:Ca膜の抵抗率とキャリア濃度を測定した結果をそれぞれ図3と図4に示す。比較例1のIn2S3:Na膜の結果も載せている。図3及び図4から明らかなように、Caの添加量の増加に伴い抵抗率は106から102Ωcmに低下し、キャリア濃度は106から1016/cm3まで増加している。これは、添加したCaがIn2S3膜の空孔を埋め、2価のCaの余剰な電子が放出されたためであると考えられる。ただし、Caの含有率が10モルではキャリア濃度が飽和している。X線回折の結果からCaの固溶率の増加に伴い400ピークの回折強度が小さくなった。したがって、Caの含有率が10モルの膜では結晶性が低下し、電子をトラップする欠陥が増加したためキャリア濃度が増加しないと考えられる。これに対し、1価のNaを添加してもIn2S3の抵抗率及びキャリア濃度は変化しない。In2S3の空孔を1価のNaやKが埋めたならば、同様に余剰な電子が放出されるはずであるが、1価のNaやKでは余剰な電子を束縛し、ドーパントの活性化率が低いためであると考えられる。以上の結果から、2族元素のCaを添加したIn2S3膜において、Caの含有率により抵抗率あるいはキャリア濃度を制御することが可能であり、太陽電池のn型の半導体層に好適である。なお、ここでは2族元素としてCaを用いたが、Mg、Sr、Ba等を用いても同様な効果が得られる。ただし、Mgにおいては、上記と同様な含有率における抵抗率の変化の範囲は、106から1010Ωcmと小さい。SrとBaは上記Caと同様な抵抗率とキャリア濃度が変化する結果が得られた。ただし、Baは含有率10モルにおいてX線回折の回折ピークがほとんど観測されず、非晶質に近い膜となった。[太陽電池の作製例1]実施例2ソーダライムガラス製の基板11を用意した。この基板11上に超音波ミスト法によりITOを堆積させることで、厚み0.5μmの透明電極12を形成した。続いて、透明電極12の上にTiO2からなる厚み0.1μmの窓層13をスパッタ法で形成した。このスパッタ法において、ターゲットとしてTiO2焼結体を用い、スパッタ装置内の雰囲気をAr雰囲気とし、印加電力をRF400Wとした。続いて、窓層13の上にCaを添加したIn2S3:Caからなる厚み約0.1μmのバッファー層14を化合物薄膜の作製例と同じ手法で形成した。ここで、In2S3:Ca膜のCa含有率は2.0モルである。続いて、バッファー層14の上にCuxZnyInzSw膜x、y、zは0より大きく1より小さく、xとyとzの和はほぼ2であり、wはほぼ2であるからなる厚み1μmの光吸収層15をスプレー塗布熱分解法で形成した。このスプレー塗布熱分解法において、350°Cまで加熱したバッファー層14の上にCuCl2濃度1.57mmol/L、ZnCl2濃度1mmol/L、InCl3濃度1.43mmol/L、チオ尿素濃度10mmol/Lの水溶液を噴霧した。続いて、光吸収層15の上にAuからなる厚み約0.2μmの裏面電極16を蒸着法により形成した。これにより、図1に示す構成を有する太陽電池10を得た。比較例2Caを含まないIn2S3膜からなるバッファー層14を備えること以外は実施例2と同じ構成を有する比較例2の太陽電池も作製した。Caを含まないIn2S3膜の形成にあたっては、InCl3の濃度6.25mmol/L、チオ尿素の濃度18.75mmol/Lの水溶液を用い、スプレー塗布熱分解法を適用した。上記の各太陽電池10の基板11へ向けて疑似太陽光1kW/m2、エアマス1.5を照射し、このときの太陽電池10の電流-電圧特性を測定し、これに基づいて太陽電池10の変換効率を導出した。表1に実施例2の太陽電池と比較例2の太陽電池の結果を示す。この表1によると、Caを添加することにより、特に開放電圧と曲線因子が増加している。これは、上述の図4に示したようにCaの添加によりn型の半導体膜のIn2S3:Caのキャリア濃度が増加し、p型の半導体膜のCuxZnyInzSw膜とのpn接合の拡散電位が増加するため再結合が低減し、逆飽和電流密度が低減するためである。この曲線因子の増加により、比較例2の変換効率が1.47であるに対して、実施例2の太陽電池は変換効率が2.37であり、約1.6倍特性が向上した。以上のことから、In2S3:Ca膜は太陽電池10におけるn型の半導体層として好適である。さらにIn2S3:Ca膜はCaの含有率でキャリア濃度を制御できることから、太陽電池に好適なキャリア濃度に調整でき、変換効率の高い太陽電池が構成され得る。ここで、n型のIn2S3:Ca膜とp型のCuxZnyInzSw膜の構成では、2族元素のCaと12族元素のZnは同じ価数であるため、n型のIn2S3:Ca膜からp型のCuxZnyInzSw膜へのCaの拡散を抑制することができる。CuxZnyInzSw膜にCaがドープされると、Caが再結合欠陥となるため、効率が低下する場合がある。したがって、本発明の13族元素と16族元素に2族元素を添加する構成の化合物薄膜は、なかでも11族元素と12族元素と13族元素と16族元素とからなら化合物薄膜を光吸収層に用いた太陽電池の変換効率の向上に有効である。[太陽電池の作製例2]実施例3ソーダライム製の基板21を用意した。この基板21上にスパッタ法によりMoを堆積させて、厚み約0.4μmの第一の電極22を形成した。このMoのスパッタにあたっては、ターゲットとしてMoを用い、スパッタ装置内の雰囲気をAr雰囲気とし、印加電力をDC1kWとした。続いて第一の電極22の上に、CuIn、GaSe2膜からなる厚み2μmの光吸収層23を蒸着法により形成した。この光吸収層23の形成にあたっては、まずCu、In、Ga、Seの各蒸発源からの蒸着レートを制御して、これらを最高基板温度550°Cで第一の電極22上に堆積させた。次に、光吸収層23の上にスプレー熱分解法によりIn2S3:Ca膜からなるバッファー層24を形成した。In2S3膜の形成にあたっては、InCl3のモル濃度を10mmol/Lとし、チオ尿素の濃度を40mmol/Lとし、CaCl2のモル濃度を0.1mmol/Lの水溶液を調製し、この水溶液を200°Cまで加熱した光吸収層23の上にスプレー法により塗布することで、厚み40nmのIn2S3:Ca膜を形成した。この条件で作製したIn2S3:Ca膜におけるCaの含有率は0.4モルであった。続いて、バッファー層24の上にスパッタ法で厚み0.1μmの窓層25となるZnO膜をスパッタ法で形成した。ZnO膜の形成にあたっては、ターゲットとしてZnO焼結体を用い、スパッタ装置内の雰囲気をAr雰囲気とし、印加電力をRF500Wとした。次に、窓層25の上にZnO:Al膜からなる厚み1μmの透明な第二の電極26をスパッタ法により形成した。ZnO:Al膜の形成にあたっては、ターゲットとしてAl2O3を2wt含有したZnO焼結体を用い、スパッタ装置内の雰囲気を酸素を2容積含むAr雰囲気とし、印加電力をDC1kWとした。これにより、図2に示す構成を有する太陽電池20を得た。比較例3Caを含まないIn2S3膜からなるバッファー層24を備えること以外は実施例3と同じ構成を有する太陽電池20を作製した。In2S3膜は、In2S3:Ca膜を形成する場合と同様のスプレー熱分解法により形成し、上記水溶液中にCaCl2を溶かしていない構成である。上記の各太陽電池20へ向けて疑似太陽光1kW/m2、エアマス1.5を照射し、このときの太陽電池20の電流-電圧特性を測定し、これに基づいて太陽電池20の変換効率を導出した。その結果、比較例3のIn2S3膜を備える太陽電池20の変換効率が115であるのに対して、In2S3:Ca膜を備える実施例3の太陽電池の変換効率は12.5であり、後者の方が変換効率が高くなった。さらにこれらの太陽電池20の開放電圧及び曲線因子を測定したところ、In2S3:Ca膜を備える実施例3の太陽電池の方が開放電圧及び曲線因子の値が大きかった。これは、In2S3:Ca膜の抵抗率が低い、あるいはキャリア濃度が高いため、pn接合の拡散電位が大きくなり、逆飽和電流密度が低減し、ダイオード特性が向上したためである。以上の結果から、In2S3:Ca膜からなるバッファー層を備えることが、太陽電池の変換効率の向上に有効であると判断される。なお、In2S3:Ca膜からなるn型の半導体層としてのバッファー層において、CaをMg、SrあるいはBaに置換した場合にも、In2S3膜からなるバッファー層を備える場合と同様の優れた特性を有する太陽電池が得られた。これは、CaをMg、SrあるいはBaに置換しても、化合物薄膜の結晶構造と電気特性に変化がないためである。また、2族元素を添加したIn2S3膜からなるn型の半導体層としてのバッファー層において、13族元素であるInの一部をGaあるいはAlに置換した場合にも、2族元素を添加したIn2S3膜からなるn型の半導体層としてのバッファー層を備える場合と同様の優れた特性を有する太陽電池が得られた。これは、Inの一部をGaあるいはAlに置換しても、化合物薄膜の結晶構造と電気特性に変化がないためである。また、2族元素を添加したIn2S3膜からなるn型の半導体層としてのバッファー層において、16族元素であるSの一部をSeあるいはTeに置換した場合にも、2族元素を添加したIn2S3膜からなるn型の半導体層としてのバッファー層を備える場合と同様の優れた特性を有する太陽電池が得られた。これは、Sの一部をSeあるいはTeに置換しても、化合物薄膜の結晶構造と電気特性に変化がないためである。