主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられ、p型不純物およびn型不純物の少なくともいずれかがドープされた、多結晶および非晶質の少なくともいずれかである窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。前記窒化物層は、前記凹凸構造の形状に沿って均一に設けられたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記窒化物層は、AlおよびIn、Gaのうちの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。前記窒化物層にドープされた前記p型不純物は、MgおよびZnのうちの少なくともいずれかであり、前記n型不純物は、Siであることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体装置。主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられた窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記主面上に、前記窒化物半導体層の成長温度よりも低い温度で、p型不純物およびn型不純物の少なくともいずれかをドープした前記窒化物層を成長することを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明の実施形態は、表面に凹凸を加工した基板上に、低転位で均一な窒化物半導体層を形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。実施形態に係る半導体装置は、主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられ、p型不純物およびn型不純物の少なくともいずれかがドープされた、多結晶および非晶質の少なくともいずれかである窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を備える。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。図1は、実施形態に係る半導体装置100の断面構造を示す模式図である。図1aは、半導体装置100の全体の断面を示し、図1bは、基板2とバッファ層4との界面近傍における部分断面を示している。半導体装置100は、例えば、GaN系窒化物半導体を材料とする青色LEDである。図1aに示すように、半導体装置100は、サファイア基板2と、GaNバッファ層4と、を備えている。サファイア基板2の主面2aには、例えば、深さ数10nm~数μmの凹凸構造が加工されている。そして、図1bに示すように、サファイア基板2とGaNバッファ層4との間には、GaNバッファ層4よりも低温で形成された所謂低温バッファ層3が設けられている。低温バッファ層3には、p型不純物およびn型不純物の少なくともいずれかがドープされている。そして、低温バッファ層3は、非晶質または多結晶、もしくは、非晶質と多結晶が混在する層である。なお、p型不純物およびn型不純物とは、窒化物層である低温バッファ層3を半導体層とした場合に、p型もしくはn型の導電性を示すようにドープされる不純物である。サファイア基板2に設けられた凹凸構造は、例えば、主面2aを選択的にエッチングし、複数の凸部と、それを囲む連続した底面2bと、を有する構成に設けることができる。また、主面2aに複数の凹部が離間してエッチングされた構成でも良い。図1bに示すように、低温バッファ層3は、凹凸構造の凸部の高さあるいは、凹凸構造の凹部の深さよりも薄い。そして、低温バッファ層3は、凹凸構造の形状に沿って、上面主面2a、側面2cおよび底面2bを均一に覆うように設けられる。低温バッファ層3の上に設けられたGaNバッファ層4の上には、n型GaN層5、発光層7およびp型GaN層9を含む積層体10が設けられる。さらに、p型GaN層9の上にp電極11が設けられ、積層体10をメサエッチングして露出させたn型GaN層5の上にn電極13が設けられる。発光層7は、例えば、複数のInyGa1-yN井戸層とGaN障壁層とを積層したMQW構造を含んでいる。そして、半導体装置100は、p電極11からn電極13へ駆動電流を流すことにより、青色の光を発光することができる。図2aおよびbは、半導体装置100の製造工程の一部である、窒化物半導体層の成長過程を示す模式断面図である。図2aに示すように、窒化物層である低温バッファ層3は、例えば、MOCVD法を用いて、サファイア基板2の主面2aの上に成長することができる。サファイア基板の主面2aに設けられる凹凸構造は、例えば、レジスト膜をマスクとしたRIEReactiveIonEtching法を用いて形成することができる。RIEでは、サファイア基板およびレジスト膜の両方がエッチングされるため、図2aに示すように、凹凸構造の側面2cが傾いた形状に形成される。例えば、RIEの条件およびレジスト膜の材質を選択することにより、凹凸構造の傾きθを、0<θ≦90°の範囲で任意に制御することが可能である。本実施形態では、例えば、θを約60°とする。低温バッファ層3は、例えば、InおよびGa、Alのうちの少なくとも1つを含む窒化物層である。InxAlyGa1-x-yN0≦x、y≦1、0≦xy≦1で表される組成、もしくは、それに近い混合比を有する窒化物であっても良い。低温バッファ層3の原料ガスとして、例えば、トリメチルインジウム、トリメチルガリウム、およびトリメチルアルミニウムのうちの少なくとも1つ以上のIII族ガスと、アンモニアガスと、を用いることができる。そして、サファイア基板2の凹凸構造の表面において、p型不純物もしくはn型不純物を取り込んだ化学反応が生じることにより、これら原料ガスに含まれる元素In、Ga、AlおよびNの拡散が促進され、凹凸構造の上面2aおよび底面2b、側面2cの上に均一な低温バッファ層3が形成される。例えば、p型不純物としてMgおよびZnの少なくともいずれか、n型不純物としてSiを用いることができる。図2aに示すように、低温バッファ層3は、凹凸構造の形状に沿って均一に設けられ、例えば、10nm~80nmの厚さとすることができる。ここで、均一とは、凹凸構造に沿って形成された低温バッファ層3の厚さが同じという意味に限定されず、凹凸構造の上面2a、底面2bおよび側面2cに形成された低温バッファ層3の厚さの違いが極端でないこと、例えば、1つの凸部における上面2a、側面2cおよび底面2bに形成された厚さのうちの、最も厚い部分を基準として厚さの違いが30以内にあるような状態を言う。次に、図2bに示すように、低温バッファ層3の上に、窒化物半導体層であるGaNバッファ層4を成長する。GaNバッファ層4は、サファイア基板2の凹凸構造を埋め込んで、平坦な表面となるように設けられる。GaNバッファ層4の厚さは、例えば、1~5μmとすることができる。図2に示すように、GaNバッファ層4には、低温バッファ層3から表面に達する貫通転位4aや、低温バッファ層3の表面を起点としてGaNバッファ層の内部でつながった転位4bが生じる。このような転位は、例えば、SEMscanningelectronmicroscopeもしくはTEMTransmissionElectronMicroscopeを用いて観察することができる。貫通転位4aは、GaNバッファ層4の表面にピット4cとして表れ、GaNバッファ層4の上に形成される積層体10の内部に生じる転位の起点となる。一方、内部でつながった転位4bは表面に現出することはなく、GaNバッファ層4の表面は、結晶欠陥の無い状態となる。すなわち、貫通転位4aを減少させることにより、GaNバッファ層4の上に形成される積層体10の転位を減少させることができる。前述したように、低温バッファ層3は、非晶質または多結晶、もしくは、その両方が混合した層であり、決まった面方位を有しない。さらに、不純物をドープすることにより、例えば、MgGaNのような組成を含んでいる。このため、凹凸構造の形状に沿って均一に形成された低温バッファ層3の上に、例えば、GaNバッファ層4を形成する際には、凹凸構造の側面2cから水平方向にGaNの成長が促進される、所謂ラテラル成長Lateralgrowthが支配的となる。すなわち、GaNバッファ層4の成長初期には、凹凸構造の側面2cから水平方向にGaNが成長して凹凸構造を埋め込み、その後上方に向かってGaN層が成長する。この結果、成長初期において、隣り合う凹凸構造の側面から水平方向に伸びる転位が相互に合体し、図2b中に示す転位4bが形成される。このため、上方に向かって伸びるGaNの成長時には、サファイア基板2とGaNとの間の格子不整合に起因する転位が減少し、GaNバッファ層4の表面に達する貫通転位4aを少なくすることができる。さらに、不純物を取り込んだ化合物、例えば、MgGaNが含まれることにより、格子不整合が緩和され、成長初期の転位を低減させる効果もある。そして、貫通転位4aに対応するピット4cが減少することにより、GaNバッファ層4の上に形成される積層体10の転位を低減することが可能となる。図3は、本実施形態に係る半導体層の成長シーケンスを例示するタイムチャートである。サファイア基板2の上に、低温バッファ層3として低温GaN層を成長し、低温バッファ層3の上にGaNバッファ層4を成長する例を示している。図3aは、横軸に成長時間、縦軸に基板温度を示している。図3bおよびcは、縦軸にNH3およびTMGの流量をそれぞれ示したタイムチャートである。そして、図3dは、縦軸にドーピングガスCp2Mgの流量を示したタイムチャートである。図3aに示すように、サファイア基板2は、例えば、水素雰囲気中で1000~1200°Cの基板温度THに加熱され熱処理される。これにより、サファイア基板2の表面を清浄化することができる。続いて、サファイア基板2の温度を低温バッファ層3の成長温度TG1に冷却するt=t1。そして、低温バッファ層3の成長を完了した後、サファイア基板2は、高温バッファ層であるGaNバッファ層4の成長温度TG2に加熱されるt=t4。例えば、TG1は、400~700°Cの範囲、TG2は、700~1200°Cの範囲に設定することができる。図3bに示すように、サファイア基板2の温度を上記の温度サイクルで制御している間、NH3を一定の流量で供給する。まず、サファイア基板2を熱処理した後、低温バッファ層の成長温度TG1に冷却するt=t1。そして、図3cおよびdに示すように、所定の流量のTMGとドーピングガスCp2Mgとを、所定時間t2~t3供給する。そして、サファイア基板2の表面においてTMGとNH3とを反応させ、p型不純物であるMgをドープした低温GaN層を形成する。続いて、一定の時間間隔t3~t5をおいて反応室内のTMGおよびCp2Mgを排気する。その間、サファイア基板2をTG2に加熱しt=t4、その後、図3dに示すように、TMGを供給してNH3と反応させるt=t5。これにより、低温バッファ層3低温GaN層の上にGaNバッファ層4を形成することができる。例えば、凹凸構造の側面の傾きθが60°のサファイア基板2に、TH=1200°C、TG1=600°Cとして、厚さ40nmの低温バッファ層3を形成した後、TG2=1200°Cの条件で、約5μmのMgドープされたGaNバッファ層4を形成する。図4は、低温バッファ層3にドープされた不純物の濃度と、GaNバッファ層4の表面におけるピットの数を例示したグラフである。p型不純物としてMgおよびZnをそれぞれドープした場合、n型不純物としてSiをドープした場合の結果を示している。いずれの場合も、GaNバッファ層4の表面のピット数は極少値を有し、不純物濃度が高くなるにしたがってピット数は極少値まで減少し、その後、増加する傾向を示している。すなわち、GaNバッファ層4の表面におけるピット数を低減するために、不純物濃度を最適化できる。すなわち、GaNバッファ層4の表面におけるピット数を低減するために、不純物濃度を最適化できる。例えば、Mgをドープする場合には、濃度を1~6x1017cm-3とすることにより、GaNバッファ層4のピット数を低減することができる。図5は、サファイア基板2の上に形成された低温バッファ層3の形状を示す模式断面図である。図5aは、図4においてピット数が減少する不純物濃度の低い状態に対応し、図5bは、ピット数が極少となる状態に対応する。図5cは、不純物をさらに高濃度にドープした状態に対応する。図5aに示すように、不純物の濃度が低い場合には、サファイア基板2の凹凸構造の側面2cにおける低温バッファ3aの厚さが薄くなる。このため、低温バッファ層3aの厚い上面2aおよび底面2bからの成長が支配的となり、ラテラル成長による転位4bの形成が少なく貫通転位4aが多いままである。図5bに示すように、ピット数が極少となる状態では、凹凸構造の形状に沿った均一な低温バッファ層3bが形成され、ラテラル成長が支配的となって貫通転位4aが極小となる。一方、図5cに示すように、不純物を高濃度にドープすると、低温バッファ層3cは、凹凸構造の底面2bに厚く形成される。このため、凹凸構造の深さが浅くなり、ラテラル成長により形成される転位4bが減少し、GaNバッファ層4の表面に向かう貫通転位4aが増えるものと考えられる。このように、ドープされた不純物濃度に依存して、低温バッファ層3の形状が変化し、それに伴ってGaNバッファ層4の表面に生じるピット数が変化する。言い換えれば、図5は、不純物のドープ量を制御することにより、凹凸構造の上に形成される低温バッファ層の形状を制御し、低温バッファ層3の上に形成される窒化物半導体層の転位を低減することが可能である。さらに、本実施形態によれば、ピット数の低減に加えて、GaNバッファ層4の表面平坦性を向上させることができる。すなわち、ラテラル成長により、凹凸構造が成長初期に埋め込まれ、その後、上方に向かう成長が行われる。さらに、貫通転位を減少させることができるため、表面の平坦性が向上する。これにより、GaNバッファ層4の上に形成した積層体10を備える半導体装置100LEDの特性を向上させることが可能となる。例えば、光出力を向上させ、基板面内における発光波長分布を改善することができる。上記の実施形態では、半導体装置としてLEDを例として説明したが、本発明の実施態様は、LEDに限られる訳ではなく、半導体レーザ、および、電子デバイス等の半導体装置に適用することも可能である。なお、本実施形態に係る窒化物半導体の成長は、MOCVD法に限られる訳ではなく、MBE法またはHVPE法などを用いることもできる。以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。なお、本願明細書において、窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦xyz≦1のIII-V族化合物半導体を含み、さらに、V族元素としては、N窒素に加えてリンPや砒素Asなどを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。