蒸着装置であって、工程チャンバーと、前記工程チャンバーに設置され、同一平面の上に複数の基板が置かれる基板サセプタと、前記基板サセプタに置かれた複数の基板の各々に対応する位置で、基板の処理面の全体へガスを噴射する噴射部材と、を含み、前記基板サセプタは、上部面に基板が置かれるステージが形成された上部サセプタと、前記上部サセプタの底面に結合され、前記ステージの各々に対応される領域に基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、前記下部サセプタの底面に設置され、前記下部サセプタの底面への熱エネルギー放射を抑制するための遮蔽部材と、を含むことを特徴とする蒸着装置。前記基板サセプタは、前記下部サセプタと前記遮蔽部材との間に熱を伝達するための輻射空間を有することを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。前記遮蔽部材は、前記輻射空間に接する上面に反射コーティング膜が形成されたプレート形状の遮蔽板を含み、前記遮蔽板は、前記ステージと対応するように配置されることを特徴とする請求項2に記載の蒸着装置。前記遮蔽板は、湾曲した上面又は傾いた上面を有することを特徴とする請求項3に記載の蒸着装置。前記遮蔽板は、凹んでいるか、或いは膨らんでいる上面を有することを特徴とする請求項3に記載の蒸着装置。前記遮蔽板は、上面に熱エネルギーの放射角度を特定区間に集中できる陰刻又は陽刻の凸凹形態に成されるパターンが形成されたことを特徴とする請求項3に記載の蒸着装置。前記基板サセプタは、前記ステージの下に位置される前記上部サセプタと前記下部サセプタとの間に前記発熱体の熱源を輻射方式に伝達するための空隙が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の蒸着装置。前記空隙には熱容量が大きくて熱伝導度低い炭化珪素系物質が充填されていることを特徴とする請求項7に記載の蒸着装置。蒸着装置であって、工程チャンバーと、前記工程チャンバーに設置され、同心円状に基板が置かれる複数個のステージを有する基板サセプタと、反応ガスを供給する複数個のガス供給部材と、ファジーガスを供給するファジーガス供給部材と、前記複数個のガス供給部と前記ファジーガス供給部材から提供された反応ガス及びファジーガスを前記ステージの各々に置かれた基板と対応する位置で基板の処理面の全体へ独立的に噴射できるように、複数個の独立されたバッフルを有する噴射部材と、前記噴射部材のバッフルが前記ステージに置かれた複数個の基板の各々に順次に旋回するように、前記基板サセプタ又は前記噴射部材を回転させる駆動部と、を含み、前記基板サセプタは、前記ステージが形成された上部サセプタと、前記上部サセプタの底面に結合され、基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、前記下部サセプタの底面に前記ステージの各々に対応するように設置され、前記下部サセプタの底面に放射される熱エネルギーを前記下部サセプタ側へ再供給して熱効率を高くするための遮蔽板と、を含むことを特徴とする蒸着装置。前記基板サセプタは、前記ステージの下に位置される前記上部サセプタと前記下部サセプタとの間に、前記発熱体の熱エネルギーを均一に伝達するための第1空隙が形成され、前記下部サセプタと前記遮蔽部材との間に、前記遮蔽部材から反射される熱エネルギーを前記下部サセプタに伝達するための第2空隙が形成されていることを特徴とする請求項9に記載の蒸着装置。前記遮蔽板は反射コーティング層が形成されて凹んでいるか、或いは膨らんでいる上面を有することを特徴とする請求項10に記載の蒸着装置。前記遮蔽板の上面には、陰刻又は陽刻の凸凹形態に成されるパターンが形成されたことを特徴とする請求項11に記載の蒸着装置。基板サセプタであって、同心円状に基板が置かれる複数個のステージを有する上部サセプタと、前記上部サセプタの底面に結合される下部サセプタと、前記下部サセプタと前記上部サセプタとの間に設置され、基板を加熱するための熱源を提供する発熱体と、前記下部サセプタに前記ステージの各々に対応するように設置され、上面に反射コーティング膜を有し、前記下部サセプタから放射される熱エネルギーを前記上部サセプタ側へ再供給して熱効率を高くするための遮蔽部材と、を含むことを特徴とする基板サセプタ。前記基板サセプタは、前記ステージの下に位置される前記上部サセプタと前記下部サセプタとの間に前記遮蔽部材が設置される第1空隙を有し、前記発熱体は、前記遮蔽部材の上面に設置されることを特徴とする請求項13に記載の基板サセプタ。前記遮蔽部材は、前記反射コーティング膜が上面に形成されたプレート形状の遮蔽板と、前記遮蔽板を密封する透明なケースと、を含み、前記発熱体は、前記遮蔽部材のケースの上面に設置されることを特徴とする請求項13に記載の基板サセプタ。前記遮蔽部材は、前記反射コーティング膜が上面に形成されたプレート形状の遮蔽板と、前記遮蔽板を密封する透明なケースと、を含み、前記遮蔽部材は、前記下部サセプタの底面に設置されることを特徴とする請求項13に記載の基板サセプタ。前記遮蔽部材は、前記遮蔽板の反射コーティング膜と前記ケースとの間に第2空隙が形成されていることを特徴とする請求項15又は請求項16に記載の基板サセプタ。前記遮蔽部材は、前記反射コーティング膜が形成された上面に熱エネルギーの放射角度を特定区間に集中できる陰刻又は陽刻の凸凹形態に成されるパターンが形成されたことを特徴とする請求項13に記載の基板サセプタ。本発明の目的は、熱効率を高くすることができる基板サセプタ及びこれを有する蒸着装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、発熱体から発した熱が基板を加熱することなく、熱の損失を最小化できる基板サセプタ及びこれを有する蒸着装置を提供することにある。また、本発明のその他の目的は、温度均一性を高くすることができる基板サセプタ及びこれを有する蒸着装置を提供することにある。本発明の目的はこれに制限されなく、言及されないその他の目的は以下の記載から当業者に明確に理解され得る。上述した課題を解決するために、本発明による蒸着装置は工程チャンバーと、前記工程チャンバーに設置され同一平面の上に複数の基板が置かれる基板サセプタと、前記基板サセプタに置かれた複数の基板の各々に対応する位置で、基板の処理面全体にガスを噴射する噴射部材と、を含み、前記基板サセプタは上部面に基板が置かれるステージが形成された上部サセプタと、前記上部サセプタの底面に結合され、前記ステージの各々に対応される領域に基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、前記下部サセプタの底面に設置され、前記下部サセプタの底面への熱エネルギー放射を抑制するための遮蔽部材と、を含む。本発明の実施形態によれば、前記基板サセプタは前記下部サセプタと前記遮蔽部材との間に熱を伝達するための輻射空間を有する。本発明の実施形態によれば、前記遮蔽部材は前記輻射空間に接する上面に反射コーティング膜が形成されたプレート形状の遮蔽板を含み、前記遮蔽板は前記ステージと対応するように配置される。本発明の実施形態によれば、前記遮蔽板は湾曲した上面又は傾いた上面を有する。本発明の実施形態によれば、前記遮蔽板は上面に熱エネルギーの放射角度を特定区間に集中できる陰刻又は陽刻の凸凹形態に成されるパターンを有する。本発明の実施形態によれば、前記基板サセプタは前記ステージの下に位置される前記上部サセプタと前記下部サセプタとの間に前記発熱体の熱源を輻射方式に伝達するための空隙を有する。本発明の実施形態によれば、前記空隙には熱容量が大きくて熱伝導度低いカーボンナノチューブが混合された炭化珪素系物質が充填される。上記した課題を達成するための基板サセプタは同心円状に基板が置かれる複数個のステージを有する上部サセプタと、前記上部サセプタの底面に結合され、基板を加熱するための熱源を提供する発熱体が設置された下部サセプタと、前記下部サセプタの底面に前記ステージの各々に対応するように設置され、前記下部サセプタの底面に放射される熱エネルギーを前記下部サセプタ側へ再供給して熱効率を高くするための遮蔽板と、を含む。本発明の実施形態によれば、前記基板サセプタは前記ステージの下に位置される前記上部サセプタと前記下部サセプタとの間に前記発熱体の熱エネルギーを均一に伝達するための第1空隙が形成され、前記下部サセプタと前記遮蔽板との間に前記遮蔽板から反射される熱エネルギーを前記下部サセプタへ伝達するための第2空隙が形成される。本発明の実施形態によれば、前記遮蔽板は前記第2空隙に接する上面に反射コーティング膜を有し、前記遮蔽板の上面には熱エネルギーの放射角度を特定区間に集中できる陰刻又は陽刻の凸凹形態に成されるパターンが形成される。本発明によれば、サセプタに置かれた基板の温度分布偏差を最小化できる。また、本発明によれば、基板加熱の時、熱効率を高くすることができる。以下では添付された図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。上述した本発明が解決しようとする課題、課題解決手段、及び効果は、添付された図面に関連した実施形態を通じて容易に理解できる。各図面は明確な説明のために一部が簡略されるか、或いは誇張に表現された。各図面の構成要素に参照番号を付加するに際して、同一の構成要素に対しては、たとえ他の図面の上に表示されても可能な限り同一の符号を有するように図示されている。また、本発明を説明することにおいて、関連された公知構成又は機能に対する具体的な説明が、本発明の理解を妨げることがあり得ると判断される場合にはその詳細な説明は省略する。実施形態図1は本発明による原子層蒸着装置を概略的に示す図面である。図2は図1の噴射部材の斜視図であり、図3は図1の噴射部材の断面図である。また、図4は図1の基板サセプタの斜視図である。図1乃至図4を参照すれば、原子層蒸着装置10は、工程チャンバーprocesschamber100、基板支持部材supportmemberである基板サセプタ200、噴射部材300、及び供給部材400を含む。工程チャンバー100の一側には、出入口112が提供される。工程進行時、基板Wは、出入口112を通じて工程チャンバー100へ出入する。工程チャンバー100の上部縁には、工程チャンバー100へ供給された反応ガス、ファジーガスパージガスともいう及び原子層蒸着工程の中に発生した反応副産物を排気するための排気ダクト120と、排気管114とが提供され得る。排気ダクト120は、噴射部材300の外側に位置し、円筒形状等に提供される。図示しないが、排気管114には真空ポンプ、圧力制御バルブ、開閉バルブ、流量制御バルブが設置され得る。図1乃至図3に示したように、噴射部材300は、基板サセプタ200に置かれた4枚の基板の各々にガスを噴射する。噴射部材300は、第1、第2反応ガス及びファジーガスを供給部材400から供給する。噴射部材300は、供給部材400から提供されるガスを基板の各々に対応する位置で基板の処理面の全体へ噴射できるように提供される。また、噴射部材300は、ヘッド310とシャフト330とを有する。ヘッド310は、第1乃至第4バッフル320a~320dを有する。シャフト330は、工程チャンバー100の上部中央に設置され、ヘッド310を支持する。ヘッド310は円盤形状を有し、第1乃至第4バッフル320a~320dはヘッド310の内部にガスを収容する独立された空間を有する。第1乃至第4バッフル320a~320dは、ヘッド310の中心を基準に順に90°間隔に区画された扇状を有する。第1乃至第4バッフル320a~320dの底面には、ガス噴出口312が形成される。第1乃至第4バッフル320a~320dの各々の独立空間には供給部材400から提供されるガスが供給され、これらはガス噴出口312を通じて噴射されて基板へ提供される。各々のバッフル320a~320dの中の一部は、互に異なる種類のガスを供給することができる。また、バッフル320a~320dの中の一部は、同一の種類のガスを供給することができる。一例によれば、第1バッフル320aには第1反応ガスが提供され、第1バッフル320aと対向する第3バッフル320cとには第2反応ガスが提供され、第2バッフル320bと第4バッフル320dとには第1反応ガスと第2反応ガスとの混合を防ぎ、未反応ガスをパージするためのファジーガスが提供される。なお、ヘッド310は、第1乃至第4バッフル320a~320dを90°間隔にして扇形に形成した。しかし、本発明はこれに制限されることなく、工程の目的や特性によってバッフルの数は4つより少ないか、4つより多く提供され得る。例えば、バッフルは8つ提供されて、45°間隔に配置され得る。選択的に、バッフルは2個提供されて、180°間隔に配置され得る。また、バッフルの全体又はバッフルの中の一部は、異なる大きさで提供され得る。再び図1を参照すれば、供給部材400は、第1ガス供給部材410a、第2ガス供給部材410b、及びファジーガス供給部材420を含む。第1ガス供給部材410aは、基板W上に所定の薄膜を形成するための第1反応ガスを第1バッフル320aへ供給する。第2ガス供給部材410bは、第2反応ガスを第3バッフル320cへ供給する。ファジーガス供給部材420は、ファジーガスを第2及び第4バッフル320b、320dへ供給する。ファジーガス供給部材420は、一定な流量にファジーガスを持続的に供給するが、第1ガス供給部材410aと第2ガス供給部材410bとは高圧充填タンク図示せずを利用して高圧で充填されている反応ガスを、短い時間に放出フラッシュ供給方式して基板上に拡散させ得る。なお、本実施形態では、2つの互いに異なる反応ガスを供給するために2つのガス供給部材が使用されたが、工程の特性によって3つ以上の互いに異なる反応ガスを供給できるように複数個のガス供給部材が使用され得る。図1及び図4に示したように、基板サセプタ200は、工程チャンバー100の内部空間に設置される。基板サセプタ200は、4枚の基板が置かれる配置タイプに構成され、駆動部290によって回転される。基板サセプタ200を回転させる駆動部290は、駆動モーターの回転数と回転速度とを制御できるステッピングモーターを使用できる。エンコーダーによって噴射部材300の1サイクル工程第1反応ガス-ファジーガス-第2反応ガス-ファジーガスの時間を制御できるようになる。基板サセプタ200は、ステージの個数が4つではない3つ又は4つ以上が適用され得る。図示しないが、基板サセプタ200は、各々のステージで基板Wを上昇及び下降させる複数のリフトピンを具備することができる。リフトピンは、基板Wを上下させることによって、基板Wを基板サセプタ200のステージから離隔さたりステージに安着させたりする。基板サセプタ200は、上部サセプタ210、下部サセプタ220、発熱体230、遮蔽部材240、及び支持柱280を含む。上部サセプタ210は、上部面に基板が置かれる第1乃至第4ステージ212a~212dが形成された円板形状のものを、下部サセプタ220の上部に重ねて結合する。上部サセプタ210に具備された第1乃至第4ステージ212a~212dは、基板の形状と類似な円形に提供され得る。また、第1乃至第4ステージ212a~212dは、基板サセプタ200の中央を中心に、同心円状に90°間隔に配置される。下部サセプタ220は、上部サセプタ210の各ステージ212a~212dに安着された基板Wを加熱する発熱体230を上面に有する。発熱体230としては、熱線が使用され得る。発熱体230は、ホルダ232によって支持された状態で、下部サセプタ220の上面に形成された挿入溝228に配置される。ホルダ232は、発熱体230の全体に設置され得る。選択的に、ホルダ232は、一定な長さ毎又は一定な角度例えば、90°、45°毎に設置されて、発熱体230を固定させ得る。発熱体230は、基板Wの温度を予め設定された温度工程温度に上昇させるために、上部サセプタ210と下部サセプタ220とを加熱させる。発熱体230は、基板が置かれるステージ区域熱線の蜜集配置部分とその他の区域熱線の分散配置部分とで熱線配置を異ならせることで、基板が置かれるステージ区域の温度を高く、その他の区域を低くに維持するようにして、基板上のみに薄膜蒸着が行われるようにすることができる。図5は、基板サセプタの要部断面図である。図5を参照すれば、上部サセプタ210と下部サセプタ220との間には数ミリメータmmの第1空隙250が提供され、下部サセプタ220と遮蔽部材240との間にも数ミリメータmmの第2空隙260が提供される。第1空隙250は、ステージの下に位置される上部サセプタ210と下部サセプタ220との間に形成される。発熱体230の熱エネルギーは、第1空隙250によって伝導方式ではなく輻射伝達方式により上部サセプタ210へ伝達され、そのため、上部サセプタ210の温度均一性が向上する。その他の例としては図示しないが、第1空隙250に、熱容量が大きくて熱伝導度低い炭化珪素系物質からなる熱伝達シートを装着して熱伝達速度を高くすることができる。熱伝達シートには、炭化珪素に単方向に熱を伝達するカーボンナノチューブが混合されたものを単層又は複層に装着して使用し、熱伝達シートの区域別中央部分と縁部分等にカーボンナノチューブの混合率を調節して、熱伝達シートの区域別熱伝達率を調節することができる。再び図5を参照すれば、遮蔽部材240は、下部サセプタ220の上面に装着された発熱体230で発生される熱エネルギーの一部が下部サセプタ220の底面に放射されて損失されることを遮断する。遮蔽部材240は、下部サセプタ220の底面に設置される。遮蔽部材240と下部サセプタ220との間には、熱を伝達するための輻射空間である第2空隙260が形成される。遮蔽部材240は、ステージと対応される下部サセプタ220の底面部分に、ステージと同様に、基板サセプタ200の中央を中心に、同心円状に90°間隔で配置される。遮蔽部材240は、下部サセプタ220の底面に放射される熱エネルギーを下部サセプタ220側に再供給して熱効率を高くするように、反射コーティング膜244がコーティングされた円形プレート形状の遮蔽板241を有する。遮蔽板241は、クォーツ等のような熱容量が小さい素材からなり、その表面には反射効率を増加させるために熱的、化学的に安定的な白金、モリブデン等の薄い薄膜反射コーティング膜244がコーティングされ得る。遮蔽板241は図5のように平らなプレート形状の以外にも多様な形状に形成され得る。図6乃至図9は、遮蔽部材の多様な変形形態を示す図面である。図6、図7に示すように、遮蔽板241は凹んでいるか、又は膨らんでいるように形成され得る。遮蔽板241が縁から中央部分に凹んだ形態に形成された場合には、輻射エネルギーの再反射角度を中央に集中させ得る。遮蔽板241が膨らんでいるように形成された場合には、輻射エネルギーの再反射角度を縁に集中させ得る。輻射エネルギーの反射角を特定区域に集中して、特定区域の温度をさらに高くするように遮蔽板241の形状は多様に変更できる。図8に示すように、遮蔽部材240cの遮蔽板241上面には、凸凹形態のパターンが形成され得る。パターンは、下部サセプタ220の底面から放射される輻射エネルギーの再反射効率を向上させ、再反射角度を調節する。遮蔽部材240cは、パターンを利用して特定区域の温度をさらに高く、反射率を高くすることができる。パターンは、陰刻又は陽刻に形成され得る。また、パターンはドット形、多角形、V字形、及び円錐等の多様な形状を有することができる。図9の遮蔽部材240dは、遮蔽板241の上面にパターンのパターン形状を中央付近と縁付近の形状を異なるようにして、輻射エネルギーの反射角を特定区域に集中できるように構成することができる。図10は、本発明の他の実施形態を示す。図10において、遮蔽部材240eは下部サセプタ220の上面に設置される。この場合、遮蔽部材240eは、上部サセプタ210の底面から放出される輻射エネルギー及び発熱体の下部放射エネルギーを再反射する。この時、遮蔽部材240eの反射効率を高くするために、発熱体230を下部サセプタ220の上面より高く位置させて、第1空隙に多く露出されるようにする。発熱体230が下部サセプタ220の上面に露出されるように設置することにより、発熱体230から下部サセプタ220の上面方向に放出される輻射エネルギーを上部サセプタ210方向に反射させ得るので、熱効率を高くすることができる。図11は、図10の変形形態を示す。この形態では、発熱体230は遮蔽部材240fの上面に直接設置されるように下部サセプタの上面に位置され、発熱体230はホルダ232によって遮蔽部材240fの上面に固定され、ホルダ232は発熱体230に一定の間隔又は一定の角度毎に設置され得る。図12及び図13は、遮蔽部材の他の実施形態を示す図面である。図12、13に示すように、遮蔽部材240g、240hは、反射コーティング膜244がコーティングされた円形プレート形状の遮蔽板241と、遮蔽板241を密封し、上部に熱を伝達するための輻射空間である第2空隙260とを形成したケース249を含む。ケース249は透明な石英材質等から形成され、工程ガス反応ガスの侵入を防いで、遮蔽板241及び反射コーティング膜244の汚染、異常反応、不純物による反射率低下等を防止することができる。このような構造の遮蔽部材240gは、図12のように下部サセプタ220の上面に設置され、この場合、発熱体230は遮蔽部材240gのケース249の上面に設置される。また、図13のように、上述した構造の遮蔽部材240hは、下部サセプタ220の底面に設置され、遮蔽部材240hは自体に熱を伝達するための輻射空間を有するので、遮蔽部材240hと下部サセプタ220との間には別の空間を提供することなく、密着設置される。以上の説明は、本発明の技術思想の例示的な説明に過ぎず、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性で逸脱しない範囲で多様な修正及び変形が可能である。したがって、本発明に開示された実施形態は、本発明の技術思想を限定するのではなく、単なる説明に過ぎず、このような実施形態によって、本発明の技術思想の範囲が限定されることはない。本発明の保護範囲は、以下の請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等な範囲の内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものとして解析しなければならない。