固体照明SSLダイのアレイアセンブリであって、第1の端子と、第2の端子であって、前記第1の端子および前記第2の端子が入力電圧Voを受けるように構成される、第2の端子と、前記第1の端子と前記第2の端子との間に結合される複数のSSLダイであって、少なくとも一対の前記SSLダイが並列に結合される、SSLダイと、を備え、前記複数のSSLダイは、個別に、前記入力電圧Vo未満またはこれとほぼ等しい合計接合順電圧Vtotを有する複数の接合部を含み、前記個別のSSLダイは、光束/ダイ面積の目標値J/Atargetの閾値内である光束/ダイ面積の値J/Aを有する、アレイアセンブリ。前記複数のSSLダイの数は、以下のとおり、合計目標光束Jtotを前記光束/ダイ面積の目標値J/Atargetで除算したものと等しく、式中、nは前記複数のSSLダイの数であり、前記個別のSSLダイは、前記入力電圧Voとほぼ等しい合計接合順電圧Vtotを有し、前記個別のSSLダイの接合部の数は以下のとおりであり、式中、mは前記個別のSSLダイの前記接合部の数であり、ΔVは単一の接合部の接合順電圧であり、前記複数のSSLダイのすべてが、互いに並列に前記第1の端子と前記第2の端子との間に結合される、請求項1に記載のアレイアセンブリ。前記複数のSSLダイは、個別に、直列に結合される複数の接合部を含み、前記個別のSSLダイの前記合計接合順電圧Vtotは、以下のとおりであり、式中、mは前記個別のSSLダイの接合部の数であり、ΔVは単一の接合部の接合順電圧である、請求項1に記載のアレイアセンブリ。前記複数のSSLダイの数は、以下のとおり、合計目標光束Jtotを前記光束/ダイ面積の目標値J/Atargetで除算したものと等しく、式中、nは前記複数のSSLダイの数である、請求項1に記載のアレイアセンブリ。前記複数のSSLダイの数は、以下のとおり、合計目標光束Jtotを前記光束/ダイ面積の目標値J/Atargetで除算したものと等しく、式中、nは前記複数のSSLダイの数である、請求項1に記載のアレイアセンブリ。前記複数のSSLダイの数は、以下のとおり、合計目標光束Jtotを前記光束/ダイ面積の目標値J/Atargetで除算したものと等しく、式中、nは、前記複数のSSLダイの数である、請求項1に記載のアレイアセンブリ。前記個別のSSLダイの接合部の数は、以下のとおりであり、式中、mは前記個別のSSLダイの前記接合部の数であり、ΔVは単一の接合部の接合順電圧であり、前記複数のSSLダイのすべてが、互いに並列に前記第1の端子と前記第2の端子との間に結合される、請求項1に記載のアレイアセンブリ。前記複数のSSLダイは、個別に、直列に結合された複数のSSLダイを有する複数の列として配列され、前記個別のSSLダイは、前記入力電圧Vo未満である合計接合順電圧Vtotを有する、請求項1に記載のアレイアセンブリ。前記複数のSSLダイは、個別に、直列に結合された複数のSSLダイを有する複数の列として配列され、前記個別のSSLダイは、前記入力電圧Vo未満である合計接合順電圧Vtotを有し、前記個別のSSLダイの接合部の数は、以下のとおりであり、式中、mは前記個別のSSLダイの前記接合部の数であり、ΔVは単一の接合部の接合順電圧である、請求項1に記載のアレイアセンブリ。前記複数のSSLダイのすべてが、同じ接合部の数を含む、請求項1に記載のアレイアセンブリ。前記複数のSSLダイのうちの少なくともいくつかは、他のSSLダイとは異なる接合部の数を含む、請求項1に記載のアレイアセンブリ。固体照明SSLダイのアレイアセンブリであって、第1の端子と、第2の端子であって、前記第1の端子および前記第2の端子が入力電圧Voを受けるように構成される、第2の端子と、前記第1の端子と前記第2の端子との間に結合される複数のSSLダイであって、前記複数のSSLダイは、個別に、直列に結合される複数の接合部を有し、合計接合順電圧Vtotは、単一の接合部の接合順電圧ΔVよりも大きいが、前記入力電圧Vo以下である、SSLダイと、を備える、アレイアセンブリ。前記個別のSSLダイの前記合計接合順電圧Vtotは、以下のとおりであり、式中、mは前記個別のSSLダイの接合部の数であり、ΔVは単一の接合部の接合順電圧である、請求項12に記載のアレイアセンブリ。前記複数のSSLダイのすべてが互いに並列に結合され、前記個別のSSLダイの前記合計接合順電圧Vtotは以下のとおりであり、前記個別のSSLダイの接合部の数は、以下のとおりであり、式中、は前記個別のSSLダイの前記接合部の数である、請求項12に記載のアレイアセンブリ。前記SSLダイのうちの少なくともいくつかは直列に結合され、前記入力電圧Voは、以下のとおり、前記個別のSSLダイの前記合計接合順電圧Vtotの倍数であり、式中、kは正の整数であり、前記個別のSSLダイの接合部の数は、以下のとおりであり、式中、mは前記個別のSSLダイの前記接合部の数である、請求項12に記載のアレイアセンブリ。前記複数のSSLダイのすべてが、ほぼ同様の光束/ダイ面積の値J/Aを有する、請求項12に記載のアレイアセンブリ。前記複数のSSLダイのうちの少なくとも1つは、他のSSLダイとは異なる光束/ダイ面積の値J/Aを有する、請求項12に記載のアレイアセンブリ。固体照明SSLダイのアレイアセンブリを製造する方法であって、前記アレイアセンブリの合計光束Jtot、目標光束/ダイ面積J/Atarget、および入力電圧Voを決定することと、前記合計光束Jtotおよび前記目標光束/ダイ面積J/Atargetに少なくとも一部基づいて、前記アレイアセンブリのSSLダイの数を計算することと、前記入力電圧Voに少なくとも一部基づいて、前記個別のSSLダイの接合部の数を決定することと、前記計算された数のSSLダイを前記決定された数の接合部と、第1の端子と第2の端子との間で並列に結合することと、を含む、方法。SSLダイの数を計算することは、以下のとおり、前記アレイアセンブリの前記SSLダイの数を計算することを含み、式中、nは前記複数のSSLダイの数である、請求項18に記載の方法。SSLダイの数を計算することは、以下のとおり、前記アレイアセンブリの前記SSLダイの数を計算することを含み、式中、nは前記複数のSSLダイの数である、請求項18に記載の方法。SSLダイの数を計算することは、以下のとおり、前記アレイアセンブリの前記SSLダイの数を計算することを含み、式中、nは前記複数のSSLダイの数である、請求項18に記載の方法。SSLダイの数を計算することは、以下のとおり、前記アレイアセンブリのSSLダイの数nを計算することと、以下のとおり、前記合計光束Jtotおよび前記計算されたSSLダイの数に基づいて、光束/ダイ面積の値J/Aを計算することと、前記計算された光束/ダイ面積の値J/Aを光束/ダイ面積の目標値J/Atargetと比較することと、前記計算された光束/ダイ面積の値J/Aが前記光束/ダイ面積の目標値J/Atargetの閾値内である場合に、前記SSLダイの数をnに設定することと、前記計算された光束/ダイ面積の値J/Aが、前記光束/ダイ面積の目標値J/Atargetの前記閾値内にない場合、n=n1またはn=n-1に設定することと、前記光束/ダイ面積の値J/Aの前記計算を繰り返すことと、前記計算された光束/ダイ面積の値J/Aを前記光束/ダイ面積の目標値J/Atargetと比較することと、を含む、請求項18に記載の方法。接合部の数を決定することは、以下のとおり、前記個別のSSLダイの前記接合部の数を決定することを含み、式中、mは前記個別のSSLダイの前記接合部の数である、請求項18に記載の方法。接合部の数を決定することは、以下のとおり、前記個別のSSLダイの前記接合部の数を決定することを含み、式中、mは前記個別のSSLダイの前記接合部の数であり、kは正の整数である、請求項18に記載の方法。SSLデバイス、アセンブリ、および製造方法の種々の実施形態について、以下に記載する。本明細書の以下で用いられているように、SSLデバイスという用語は、一般的に、LED、レーザーダイオードLD、および/または電気的フィラメント、プラズマ、またはガス以外の他の適した照明源を有するデバイスを指す。ビルトイン電圧または接合電圧という用語は、一般的に、空乏平衡depletionequilibriumであるまたは空乏平衡付近の、半導体材料内の空乏領域における電位を指す。関連分野における当業者は、本技術はさらなる実施形態を有してもよく、図1A~図4を参照して以下に記載されている実施形態の詳細のいくつかがなくとも、本技術を実施してもよいことを理解するであろう。図1Aは、本技術の実施形態に従うSSLダイ110のアレイアセンブリ100の略ブロック図である。図1Aに示されるように、アレイアセンブリ100は、第1の端子102、第2の端子104、および第1の端子102と第2の端子104との間に並列に結合される複数のSSLダイ110を含む。第1および第2の端子102、104は、外部電源図示せずから入力電圧Voを受けるように構成される。例示の実施形態では、SSLダイ110は、互いに並列である第1の列106aおよび第2の列106bとして配列される。第1および第2の列106a、106bは、個別に、互いに並列である複数の分岐108を含み、各分岐108は対応するSSLダイ110を担持する。このため、SSLダイ110は、すべて、互いに並列に配列される。他の実施形態では、SSLダイ110は、単一の列で配列されてもよい、および/または他の適した構成を有してもよい。さらなる実施形態では、分岐108のうちの少なくとも1つは、図1Bを参照して以下にさらに詳細に記載されるように、直列である複数のSSLダイを担持してもよい。個別のSSLダイ110は、単一のSSLデバイスの接合電圧よりも高い電圧レベルで動作するように構成できる。以下の記載において、約3ボルトの接合電圧を有するGaN/InGaNのLEDダイが、単一のSSLデバイスの一例として使用される。関連技術の当業者は、以下に記載される種々のSSLアレイ構成および製造方法が、同様のまたは異なる接合電圧を有する他のSSLデバイスに等しく適用可能であってもよいことを理解されよう。特定の実施形態では、個別のSSLダイ110は、直列に結合された複数のLED接合部を含んでもよい。例示の実施形態では、SSLダイ110のそれぞれの動作電圧は、第1および第2の端子102、104における入力電圧Voと等しい。こうして、接合部の合計接合順電圧Vtotは、入力電圧Voと等しく、SSLダイ110のそれぞれにおける接合部の数は以下のように計算できる。式中、mは接合部の数である。例えば、入力電圧Voが24ボルトである場合、約3ボルトの接合電圧を有する個別のSSLダイ110は、単一のSSLダイ110において形成される8つのGaN/InGaNのLED接合部を含んでもよい。第1の端子および第2の端子における入力電圧Voが48ボルトである場合、単一のSSLダイ110に、3ボルトのGaN/InGaNのLED接合部を16形成してもよい。他の実施形態では、個別のSSLダイ110は、図1Bを参照して以下に詳細に記載されるように、他の数の接合部を含んでもよく、組み合わせられた接合順電圧Vtotは、入力電圧Vo未満である。特定の実施形態では、アレイアセンブリ100におけるSSLダイ110の数を、以下のように、アレイアセンブリ100の合計目標光束JtotおよびSSLダイ110のダイ面積当たりの目標光束J/Atargetに基づいて計算してもよい。式中、nは複数のLEDダイの数である。例えば、以下の設計条件が所望されると想定し、合計目標光束Jtot=480ルーメンダイ面積当たりの目標光束J/Atarget=60ルーメン/mm2次いで、SSLダイ110nの数を以下のように計算してもよい。したがって、アレイアセンブリ100は、8つの互いに並列に配列されたSSLダイ110を含んでもよい。上記の例において、合計目標光束Jtotは、ダイ面積当たりの目標光束J/Atargetによって整除可能である。他の例において、合計目標光束Jtotは、ダイ面積当たりの目標光束J/Atargetによって整除可能でなくてもよく、したがって、アレイアセンブリ100内のSSLダイ110の数を反復的に決定してもよい。例えば、以下の設計条件が所望されると想定し、合計目標光束Jtot=700ルーメンダイ面積当たりの目標光束J/Atarget=60ルーメン/mm2次いで、合計目標光束Jtotをダイ面積当たりの目標光束J/Atargetで除算することにより、11.667が得られる。したがって、SSLダイ110の最初の数nを11に設定することにより、ダイ面積当たりの実際の光束J/Aを、以下のように計算できる。次いで、ダイ面積当たりの実際の光束が目標値の所定の閾値内であるかどうかを決定するために、ダイ面積当たりの実際の光束J/Aをダイ面積当たりの目標光束J/Atargetと比較することができる。ダイ面積当たりの実際の光束J/Aが所定の閾値内である場合は、SSLダイ110の数の現在の値を使用してもよく、そうではない場合には、ダイ面積当たりの実際の光束J/Aが収束するまで、SSLダイ110の数を調整してもよい。例えば、所定の閾値が2ルーメン/mm2である場合、63.64ルーメン/mm2のダイ面積当たりの実際の光束J/Aの値は閾値を超える。このため、SSLダイ110nの数を調整してもよい。一実施形態では、SSLダイ110の数nを、所定の大きさ例えば1、2、または他の適した整数だけ増やしてもよい。他の実施形態では、SSLダイ110nの数を、所定の大きさだけ減らしてもよい。さらなる実施形態では、SSLダイ110の数nを、交互に増やしたり減らしてもよい。一例において、SSLダイ110の数nを1増やされる。こうして、ダイ面積当たりの実際の光束J/Aを、以下のように計算できる。58.33ルーメン/mm2のダイ面積当たりの計算された実際の光束J/Aを、60ルーメン/mm2のダイ面積当たりの目標光束J/Atargetと比較することにより、計算された値が、目標値から2ルーメン/mm2の閾値内であることが示される。したがって、SSLダイ110の数の現在の値つまり12を、アレイアセンブリ100で使用してもよい。個別のSSLダイ110の動作電圧からSSLダイ110の数の分だけ分離することにより、アレイアセンブリ100のいくつかの実施形態を従来のアレイよりも効率的にすることができる。例えば、背景のセクションにおいて上述したように、24ボルトで動作する700ルーメンの従来のアレイにおいて、アレイは、8または16のLEDダイを含むことができ、各LEDダイは、それぞれ84または42のルーメン/ダイ面積の光束レベルを有する。24ボルトの入力電圧Voがアレイ内に存在するべきダイ数つまり8、16、または他の8の倍数を決定するため、従来のアレイは他のダイ構成を有することはできない。対照的に、上記の例においては、同じ光束レベルを実現するために、アレイアセンブリ100は、それぞれが8つのLED接合部を有し、84または42のルーメン/ダイ面積ではなく60ルーメン/mm2のダイ面積当たりの目標光束J/Atargetにずっと近い、58.33ルーメン/mm2の光束レベルを有する、12のSSLダイ110を含むことができる。このため、アレイアセンブリ100は、従来のアレイよりも効率的に動作し得る。アレイアセンブリ100のいくつかの実施形態は、異なる合計目標光束Jtot値に適合するために従来のアレイよりも柔軟にすることができる。例えば、合計目標光束Jtotが、現在800ルーメンである場合、従来のアレイにおいて、定格入力電圧VoのためにLEDダイの数を変更することはできない。したがって、従来のアレイ内の各LEDダイを、それぞれ、100または50ルーメン/ダイ面積の光束レベルに変更する必要がある。これらの光束レベルは、60ルーメン/mm2のダイ面積当たりの目標の光束J/Atargetからはいまだかけ離れている。対照的に、アレイアセンブリ100のいくつかの実施形態においては、800ルーメンを実現するために、アレイアセンブリ100は、他の12のSSLダイ110に対して並列に結合されるSSLダイ110をさらに1つ含んでもよい。SSLダイ110のそれぞれは、従来のアレイよりも効率的な動作を示す、61.53ルーメン/mm2の光束レベルを有する。図1Aのアレイアセンブリ100は、図1Bに示されるように、各分岐108において1つのSSLダイ110を含むが、他の実施形態では、分岐108それぞれ、第1、第2、第3、および第4の分岐108a、108b、108c、および108dとして個別に識別されるのうちの少なくとも1つは、直列に結合される2つのSSLダイ110を含んでもよい。例示の実施形態では、第1、第2、および第3の分岐108a、108b、および108cは、2つの低電圧SSLダイ110’を担持し、第4の分岐108dは、第2の列106bにおいて1つの高電圧SSLダイ110を担持する。本明細書の以下で用いられるように、高電圧および低電圧という語句は、互いに相対的な電圧レベルを示す。したがって、単一の電圧レベル例えば12ボルトは他の電圧が6ボルトである場合には高電圧であるが、他の電圧が24ボルトである場合には低電圧であると考えられ得る。他の実施形態では、アレイアセンブリ100は、3、4、またはいずれか他の所望される数の低電圧SSLダイ110’を担持する分岐108を含んでもよい。例示の実施形態では、個別の低電圧SSLダイ110’は、入力電圧Voの半分の動作電圧を有する。個別の高電圧SSLダイ110は、入力電圧Voとほぼ等しい動作電圧を有する。高電圧および低電圧SSLダイ110、110’が異なる動作電圧レベルを有していても、個別の高電圧および低電圧SSLダイ110、110’は、ダイ面積値当たりほぼ同様の光束を有することができる。例えば、図1Bのアレイアセンブリ100は、高電圧および低電圧SSLダイ110、110’が混合する11のダイを含む。したがって、高電圧および低電圧SSLダイ110、110’の両方のダイ面積当たりの光束を、63.64ルーメン/mm2にすることができる。他の実施形態では、高電圧および低電圧SSLダイ110および110’は、ダイ面積値当たりの異なる光束を有することができる。図1Aおよび図1Bに特定の列/分岐構成のみが図示されているが、他の実施形態において、アレイアセンブリ100は、他の適した列および/または分岐構成を有することができる。例えば、図2Aに示されるように、第2の列106bの分岐108a~108dのそれぞれは、2つの低電圧SSLダイ110’を担持する。図2Bに示されるように、アレイアセンブリ100は第1、第2、および第3の列106a~106cを含むことができ、第3の列106cは、それぞれ2つの低電圧SSLダイ110’を担持する、分岐108a~108dを有する。図3Aは、図1A~図2Bのアレイアセンブリで使用するために適した多接合部SSLダイ110の平面図である。図3Bは、図3AのSSLダイ110の断面図である。図3Aおよび図3Bを共に参照すると、SSLダイ110は、絶縁材料123によって互いに電気的に絶縁されているそれぞれ第1~第4のSSL構造121a~121dとして個別に識別される複数のSSL構造121を担持する基板122を含むことができる。図3にはSSL構造121a~121dの4つのみが示されているが、他の実施形態では、SSLダイ110は、2つ、3つ、5つ、および/または他の適した数のSSL構造121を含むことができる。さらなる実施形態では、SSLダイ110は、レンズ、鏡、および/または他の適した光学的および/または電気的構成要素を含むこともできる。一実施形態では、基板122は、金属、金属合金、ドープしたケイ素、および/または他の電気伝導性の基板材料を含有することができる。例えば、一実施形態では、基板122は、銅、アルミニウム、および/または他の適した金属を含有することができる。他の実施形態では、基板122は、さらに、セラミック材料、ケイ素、ポリシリコン、および/または他の一般的に非伝導性である基板材料を含有することができる。基板122はSSL構造1211つのみを担持するように示されているが、他の実施形態では、基板122上に2つ、3つ、またはいずれか他の所望される数のSSL構造121を形成してもよい。特定の実施形態では、絶縁材料123は、熱酸化、化学気相蒸着CVD、原子層蒸着ALD、および/または他の適した技術によって基板122上に形成される酸化ケイ素SiO2、窒化ケイ素Si3N4、および/または他の適した非伝導性の材料を含むことができる。他の実施形態では、絶縁材料123は、ポリマー例えば、ポリテトラフルオロエチレンおよび/または他のテトラフルオロエチレンのフッ素重合体、エポキシ、および/または他のポリマー材料を含むことができる。図3Aおよび図3Bに示されるように、SSL構造121は、隣接するSSL構造121を分離するチャネル138図3Aを有する、2×2アレイで配列される。個別のSSL構造121は、第1の半導体材料124の一部が露出するノッチ142を含む。それぞれ第1~第3の相互接続134a~134cとして個別に識別される相互接続134は、対応するノッチ142を通り、2つの隣接するSSL構造121を電気的に接続する。このため、第1~第4のSSL構造121a~121dは互いに直列的に結合される。SSL構造121は、印加された電圧に応答して、光および/または他の種類の電磁放射を発するように構成される。図3Bに例示の実施形態において、SSL構造121は、個別に、第1の半導体材料124、活性領域126、および第2の半導体材料128を含む。SSL構造121は、第1の電極130図3Aおよび第2の電極132をさらに含む。第1の電極130は、活性領域126内の隙間136を通る第1の半導体材料124および第4のSSL構造121d内の第2の半導体材料128上に配置される。第2の電極132は、第1のSSL構造121aの第2の半導体材料128上に配置される。他の実施形態では、SSL構造121は、窒化ケイ素、窒化アルミニウムAlN、および/または他の適した中間材料を含むこともできる。特定の実施形態では、第1の半導体材料124は、例えばケイ素SiをドープしたN型のGaNを含有することができ、第2の半導体材料128は、例えばマグネシウムMgをドープしたP型のGaNを含有することができる。他の実施形態では、第1の半導体材料124はP型のGaNを含有することができ、第2の半導体材料128は、N型のGaNを含有することができる。さらなる実施形態では、第1および第2の半導体材料124、128は、個別に、ヒ化ガリウムGaAs、ヒ化アルミニウムガリウムAlGaAs、ガリウムヒ素リンGaAsP、ガリウムIIIリンGaP、セレン化亜鉛ZnSe、窒化ホウ素BN、窒化アルミニウムガリウムAlGaN、および/または他の適した半導体材料のうちの少なくとも1つを含有することができる。活性領域126は、単一の量子井戸SQW、複数の量子井戸MQW、および/またはバルク半導体材料を含有することができる。本明細書の以下に用いられるように、バルク半導体材料は、一般的には、約10ナノメートルより大きく約500ナノメートル以下である厚さの単一結晶粒半導体材料例えばInGaNを指す。特定の実施形態では、活性領域126は、InGaNSQW、GaN/InGaNMQW、および/またはInGaNバルク材料を含有することができる。他の実施形態では、活性領域126は、アルミニウムガリウムインジウムリンAlGaInP、窒化アルミニウムガリウムインジウムAlGaInN、および/または他の適した材料または構成を含むことができる。特定の実施形態では、第1の半導体材料124、活性領域126、および第2の半導体材料128のうちの少なくとも1つを、金属有機化学蒸着MOCVD、分子線エピタキシMBE、液相エピタキシLPE、および水素化物気相エピタキシHVPEによって、基板材料122上に形成できる。他の実施形態では、SSL構造121の上記の構成要素および/または他の適した構成要素図示せずのうちの少なくとも1つを、他の適したエピタキシャル成長技術によって形成してもよい。図4は、本技術の実施形態に従うSSLダイのアレイアセンブリを製造する方法200のフローチャートである。図4に示されるように、方法200の最初のステージブロック202は、合計光束Jtot、目標光束/ダイ面積J/Atarget、およびアレイアセンブリへの入力電圧Voを決定することを含むことができる。一実施形態では、製品の仕様、市場の需要、および/または他の条件によって、上記のパラメータを決定してもよい。他の実施形態では、上記のパラメータのうちの少なくとも1つは、反復計算において初期化された値を有してもよい。方法200の別のステージブロック204は、少なくとも一部、合計光束Jtotおよび目標光束/ダイ面積J/Atargetに基づいて、アレイアセンブリのSSLダイの数を計算することを含む。一実施形態では、アレイアセンブリのLEDダイの数は、以下のように計算できる。式中、nは複数のLEDダイの数である。別の実施形態では、アレイアセンブリのSSLダイの数は、以下のように計算できる。式中、角括弧[]は、Jtot/J/Atargetの整数の商を示す。さらなる実施形態では、SSLダイの数は、[Jtot/J/Atarget]1であってもよい、または図1Aを参照して上記により詳細に記載されるように、反復的な技術を用いて決定される他の適した値を有してもよい。方法200のさらなるステージブロック206は、少なくとも一部、入力電圧Voに基づいて、個別のSSLダイ内の接合部の数を決定することを含むことができ、別のステージブロック208は、計算された数のSSLダイを決定された数の接合部と並列に結合することを含むことができる。一実施形態では、個別のLEDダイの接合部の数は、以下のように決定することができる。式中、mは個別のSSLダイの接合部の数であり、ΔVは単一の接合部の接合順電圧である。他の実施形態では、個別のSSLダイの接合部の数は、以下のように決定することができる。式中、kは正の整数である。上記から、本技術の特定の実施形態が例示のために本明細書に記載されたが、本開示から逸脱せずに、種々の修正を行うことができることは理解されたい。さらに、一実施形態の要素のうちの多くは、他の実施形態の要素に加えて、またはこれの代わりに、他の実施形態と組み合わせてもよい。したがって、本開示は、添付の請求項による場合を除き、制限されない。