"結晶シリコン太陽電池セルを複数接続してなる結晶シリコン太陽電池モジュールであって、前記結晶シリコン太陽電池セルは、前記結晶シリコン太陽電池セルのスライス痕の凹凸方向が特定パターンとなるように配置されている、結晶シリコン太陽電池モジュール。前記スライス痕は、一方向に延びる周期的な凹凸を含み、前記凹凸の高さが0.2μm以上20μm以下であり、前記凹凸のピッチが0.1mm以上5mm以下である、請求項1に記載の結晶シリコン太陽電池モジュール。前記スライス痕は、固定砥粒方式のワイヤソーでのスライスにより発生したスライス痕である、請求項1または2に記載の結晶シリコン太陽電池モジュール。前記特定パターンが、前記スライス痕の前記凹凸方向が周期的に変わる構成である、請求項1から3のいずれかに記載の結晶シリコン太陽電池モジュール。前記特定パターンが、前記スライス痕の前記凹凸方向が回転対称性を有する構成である、請求項1から4のいずれかに記載の結晶シリコン太陽電池モジュール。前記特定パターンが、前記スライス痕の前記凹凸方向が線対称性を有する構成である、請求項1から5のいずれかに記載の結晶シリコン太陽電池モジュール。前記特定パターンが、前記スライス痕の前記凹凸方向が異なる前記太陽電池セルによって文字表記となる構成である、請求項1から6のいずれかに記載の結晶シリコン太陽電池モジュール。前記特定パターンが、前記スライス痕の前記凹凸方向を同一の方向に揃えた構成である、請求項1から7のいずれかに記載の結晶シリコン太陽電池モジュール。請求項1から8のいずれかに記載の結晶シリコン太陽電池モジュールを製造する方法であって、シリコン結晶インゴットを固定砥粒方式のワイヤソーを用いてスライスして結晶シリコンウエハを形成する工程と、前記結晶シリコンウエハに少なくとも表面電極を形成することによって結晶シリコン太陽電池セルを形成する工程と、前記結晶シリコン太陽電池セルの形成順に前記結晶シリコン太陽電池セルを配置する工程と、を含み、前記結晶シリコン太陽電池セルとする工程は、スライス痕の凹凸方向が異なる前記結晶シリコンウエハを所定の組み合わせで混在させた配列の順に前記表面電極を形成する工程を有する、結晶シリコン太陽電池モジュールの製造方法。従来、結晶シリコン太陽電池セルの表面電極のパターンは、スライス時の方位とは無関係に形成されていたことから、表面電極のパターンと、スライスにより発生するスライス痕の凹凸の方向との間には統一性がなかった。さらに、このような表面電極のパターンとスライス痕の凹凸方向との間に統一性がない結晶シリコン太陽電池セルを任意に選択してランダムに配列し、直列に接続することによって結晶シリコン太陽電池モジュールとしていた。そのため、従来の結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、結晶シリコンウエハの表面のスライス痕の凹凸の方向が揃っていないため、外観上の美しさに欠けるという問題があった。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、外観の美しい結晶シリコン太陽電池モジュールおよび結晶シリコン太陽電池モジュールの製造方法を提供することにある。本発明は、結晶シリコン太陽電池セルを複数接続してなる結晶シリコン太陽電池モジュールであって、結晶シリコン太陽電池セルは、結晶シリコン太陽電池セルのスライス痕の凹凸方向が特定パターンとなるように配置されている結晶シリコン太陽電池モジュールである。ここで、本発明の結晶シリコン太陽電池モジュールにおいて、スライス痕は、一方向に延びる周期的な凹凸を含み、凹凸の高さが0.2μm以上20μm以下であり、凹凸のピッチが0.1mm以上5mm以下であることが好ましい。また、本発明の結晶シリコン太陽電池モジュールにおいて、スライス痕は、固定砥粒方式のワイヤソーでのスライスにより発生したスライス痕であることが好ましい。また、本発明の結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、特定パターンが、スライス痕の凹凸方向が周期的に変わる構成であることが好ましい。また、本発明の結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、特定パターンが、スライス痕の凹凸方向が回転対称性を有する構成であることが好ましい。また、本発明の結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、特定パターンが、スライス痕の凹凸方向が線対称性を有する構成であることが好ましい。また、本発明の結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、特定パターンが、スライス痕の凹凸方向が異なる太陽電池セルによって文字表記となる構成であることが好ましい。また、本発明の結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、特定パターンが、スライス痕の凹凸方向を同一の方向に揃えた構成であることが好ましい。さらに、本発明は、上記のいずれかに記載の結晶シリコン太陽電池モジュールを製造する方法であって、シリコン結晶インゴットを固定砥粒方式のワイヤソーを用いてスライスして結晶シリコンウエハを形成する工程と、結晶シリコンウエハに少なくとも表面電極を形成することによって結晶シリコン太陽電池セルを形成する工程と、結晶シリコン太陽電池セルの形成順に結晶シリコン太陽電池セルを配置する工程と、を含み、結晶シリコン太陽電池セルとする工程は、スライス痕の凹凸方向が異なる結晶シリコンウエハを所定の組み合わせで混在させた配列の順に表面電極を形成する工程を有する、結晶シリコン太陽電池モジュールの製造方法である。本発明によれば、外観の美しい結晶シリコン太陽電池モジュールおよび結晶シリコン太陽電池モジュールの製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。<結晶シリコンウエハの形成工程>図1に、実施の形態の結晶シリコン太陽電池モジュールの製造方法において、シリコン結晶インゴットを固定砥粒方式のワイヤソーを用いてスライスして結晶シリコンウエハを形成する工程の一例を図解する模式的な斜視図を示す。ここで、シリコン結晶インゴット10は、固定砥粒方式のワイヤソー13を用いてスライスされる。図1に示すように、ワイヤソー13は、所定の間隔をあけて配置されたガイドローラ71,72の間に巻き掛けられている。その結果、ワイヤソー13は、それぞれのガイドローラ71,72において、ガイドローラ71,72の長手方向に沿って、所定の間隔をあけて複数箇所で張られた状態となる。この状態で、ガイドローラ71,72が正転逆転を繰り返すことによって、ワイヤソー13が矢印15の方向に往復走行を行なうことになる。ワイヤソー13が矢印15の方向に往復走行をしている状態で、シリコン結晶インゴット10を矢印14の方向に移動させる。そして、シリコン結晶インゴット10を往復走行をしているワイヤソー13に押し付けることによって、たとえば図2の模式的斜視図に示すように、シリコン結晶インゴット10が複数箇所でスライスされて、複数枚の板状の結晶シリコンウエハ11が形成される。なお、シリコン結晶インゴット10のスライス時にはシリコン結晶インゴット10の表面にたとえば冷却水などのクーラントを塗布してスライスして、スライス時にワイヤソー13への熱の発生を抑えることができる。シリコン結晶インゴット10としては、たとえば、チョクラルスキー法または鋳造法によって作製された単結晶シリコンインゴットまたは多結晶シリコンインゴットなどが用いられる。なお、シリコン結晶インゴット10は、n型またはp型のドーパントがドープされることによって、n型またはp型の導電型を有していてもよい。図3に、図1に示す固定砥粒方式のワイヤソー13の一例である電着ワイヤの模式的な断面図を示す。ここで、電着ワイヤは、芯線21と、芯線21の外周面に電着ボンド材22で固着された砥粒23と、を含んでいる。芯線21としては、たとえばピアノ線などを用いることができる。芯線21の直径は、たとえば115μm程度とすることができる。電着ワイヤの砥粒23としては、たとえばダイヤモンド砥粒などを用いることができる。電着ボンド材22としては、たとえば芯線21の外表面にめっきされたニッケルなどを用いることができる。電着ボンド材22の厚さは、たとえば3~5μm程度とすることができる。図4に、図1に示す固定砥粒方式のワイヤソー13の一例であるレジンボンドワイヤの模式的な断面図を示す。ここで、レジンボンドワイヤは、芯線21と、芯線21の外周面にレジンボンド材24で固着された砥粒23と、を含んでいる。レジンボンドワイヤの砥粒23としては、たとえばダイヤモンド砥粒などを用いることができる。レジンボンド材24としては、たとえば芯線21の外表面の樹脂などを用いることができる。レジンボンド材24の厚さは、たとえば3~5μm程度とすることができる。図5に、図1に示す固定砥粒方式のワイヤソー13でシリコン結晶インゴット10がスライスされることによって得られた結晶シリコンウエハ11の一例の模式的な断面図を示す。ここで、結晶シリコンウエハ11の表面には、ワイヤソー13を用いたシリコン結晶インゴット10のスライスによって、スライスダメージ1aが形成されている。図6aに、図5に示す結晶シリコンウエハ11の表面の一例の模式的な拡大平面図を示し、図6bに、図6aのVIb-VIbに沿った模式的な拡大断面図を示す。結晶シリコンウエハ11の表面には、固定砥粒方式のワイヤソー13の砥粒23によって、ワイヤの走行方向15に対して略平行な方向に直線状のスライス痕31が形成される。図6bに示すように、スライス痕31は、ワイヤの走行方向15に対して略平行な方向に一方向に延びる周期的な凹凸を含んでいる。ここで、スライス痕31の凹凸の高さHは、0.2μm以上20μm以下であることが好ましい。スライス痕31の凹凸の高さHが0.2μm以上である場合には電極の密着性が良好となる傾向にあり、20μmより大きい場合には電極の印刷条件の合わせ込みが容易となる傾向にある。また、スライス痕31の凹凸のピッチPは、0.1mm以上5mm以下であることが好ましい。スライス痕31の凹凸のピッチPが0.1mm以上5mm以下である場合には、スライス痕31が目立ちにくくなる傾向にある。次に、上記のようにして作製された結晶シリコンウエハ11の表面をエッチングする工程を行なうこともできる。これにより、図5に示す結晶シリコンウエハ11の表面のスライスダメージ1aを除去することができる。結晶シリコンウエハ11の表面をエッチングする工程は、たとえば、水酸化ナトリウム水溶液などのアルカリ水溶液や、フッ硝酸などの酸水溶液等で結晶シリコンウエハ11をエッチングすることにより行なうことができる。<結晶シリコン太陽電池セルの形成工程>以下、図7a~図7iの模式的断面図を参照して、上記のようにして作製した結晶シリコンウエハ11を用いて結晶太陽電池セルを形成する工程の一例について説明する。まず、図7aに示すように、上記のようにして作製したp型の結晶シリコンウエハ11を準備する。結晶シリコンウエハ11の表面には、テクスチャエッチングを行なうことによって形成されたテクスチャ構造図示せずが形成されていてもよい。次に、図7bに示すように、結晶シリコンウエハ11の表面に、PSGリンシリケートガラス液41を塗布する。次に、PSG液41の塗布後の結晶シリコンウエハ11を加熱することによってPSG液41から結晶シリコンウエハ11にリンを拡散させることによって、図7cに示すように、結晶シリコンウエハ11の受光面側となる表面にn層42を形成する。このとき、n層42上にはPSG膜41aが形成される。その後、図7dに示すように、リンの拡散の際に形成されたPSG膜41aを除去する。次に、図7eに示すように、結晶シリコンウエハ11のn層42上にたとえば窒化シリコン膜などの反射防止膜43を形成する。次に、図7fに示すように、結晶シリコンウエハ11の裏面側となる表面裏面にアルミニウムペースト44aを塗布する。そして、アルミニウムペースト44aの塗布後の結晶シリコンウエハ11を焼成することにより、アルミニウムペースト44aからアルミニウムを結晶シリコンウエハ11の裏面に拡散させて、図7gに示すように、結晶シリコンウエハ11の裏面にアルミニウム電極44とp層45とを同時に形成する。次に、図7hに示すように、反射防止膜43の表面上に銀ペースト46aを塗布するとともに、結晶シリコンウエハ11の裏面上に銀ペースト47aを塗布し、その後焼成する。これにより、図7iに示すように、n層42と電気的に接続する表面電極としての銀電極46が形成されるとともに、結晶シリコンウエハ11の裏面と電気的に接続する銀電極47が形成され、結晶シリコン太陽電池セル40が作製される。図8aに、上記のようにして作製した結晶シリコン太陽電池セル40の一例である結晶シリコン太陽電池セル40aの受光面の模式的な平面図を示す。また、図8bに、上記のようにして作製した結晶シリコン太陽電池セル40の他の一例である結晶シリコン太陽電池セル40bの受光面の模式的な平面図を示す。シリコン結晶インゴット10のスライスにより形成される結晶シリコンウエハ11の表面に形成されるスライス痕31の凹凸の伸長方向と表面電極である銀電極46の伸長方向との関係は、たとえば図8aおよび図8bに示される2種類が存在する。ここで銀電極46は、メイングリッドと一般的に呼ばれている太い電極を示しており、サブグリッドと呼ばれる細い電極は図示していない。すなわち、図8aに示される結晶シリコン太陽電池セル40aにおいては、結晶シリコンウエハ11の表面に形成されるスライス痕31の凹凸の伸長方向と表面電極である銀電極46の伸長方向とは平行である。また、図8bに示される結晶シリコン太陽電池セル40bにおいては、結晶シリコンウエハ11の表面に形成されるスライス痕31の凹凸の伸長方向と表面電極である銀電極46の伸長方向とは直交している。<結晶シリコン太陽電池モジュール化工程>図9に、実施の形態の結晶シリコン太陽電池モジュールの模式的な断面図を示す。図9に示す結晶シリコン太陽電池モジュールは、上記のようにして作製された結晶シリコン太陽電池セル40の複数が電気的に直列に接続することによって形成されている。すなわち、隣り合うようにして配置された、一方の結晶シリコン太陽電池セルの受光面側の表面電極である銀電極46と、他方の結晶シリコン太陽電池セルの裏面側の銀電極47とが、それぞれ、インターコネクタと言われる導電性部材51によって電気的に接続されることにより、これらの結晶シリコン太陽電池セルが電気的に直列に接続されて太陽電池ストリングを構成している。そして、上記の太陽電池ストリングが、透明基板52と、保護シート53との間に設置された封止材54中に封止されることによって結晶シリコン太陽電池モジュールが作製される。ここで、透明基板52としては、たとえばガラス基板などを用いることができる。また、保護シート53としては、たとえばPETポリエチレンテレフタレートフィルムなどを用いることができる。さらに、封止材54としては、たとえばEVAエチレンビニルアセテートなどの透明樹脂などを用いることができる。図9に示される実施の形態の結晶シリコン太陽電池モジュールは、たとえば図10の模式的平面図に示されるように、結晶シリコン太陽電池セル40a,40bのそれぞれのスライス痕31の凹凸方向が特定パターンとなるように配置し、隣り合う結晶シリコン太陽電池セル40a,40bを導電性部材51で電気的に直列に接続することによって作製される。なお、図9においては、説明の簡略化のため、表面電極である銀電極46についての記載は省略してある。本発明者は、固定砥粒方式のワイヤソー13でスライスした結晶シリコンウエハ11が遊離砥粒方式のワイヤソーでスライスした結晶シリコンウエハに比べて、表面に光沢があり、ワイヤソー13の方向に沿った略平行な線スライス痕31が目視でも確認できる場合が多いことを見出した。これは、結晶シリコンウエハ11のスライスダメージ1aが薄いため、固定砥粒方式のワイヤソー13でシリコン結晶インゴット10をスライスした場合には、遊離砥粒方式のワイヤソーでスライスした場合と比較して、テクスチャ構造の形成に不利であり、結晶シリコンウエハ11の表面にワイヤソー13の方向に平行な線状のスライス痕31が残りやすいためであると考えられる。また、結晶シリコンウエハ11の表面のエッチングが終了した時点で、結晶シリコンウエハ11の表面にスライス痕31が残って見えるものは、その後に、各種の工程を経て、結晶シリコン太陽電池セル40とした場合でも、スライス痕31を外観上確認することができる。したがって、このようなスライス痕31が外観上確認できる結晶シリコン太陽電池セルを任意に配置して、隣り合う結晶シリコン太陽電池セル同士を電気的に直列に接続して結晶シリコン太陽電池モジュールを作製した場合には、たとえば図20に示すように、スライス痕31の凹凸方向がランダムになるため、外観の美しい結晶シリコン太陽電池モジュールを作製することはできない。そこで、たとえば図10に示すように、結晶シリコン太陽電池セル40a,40bのスライス痕31の凹凸方向が図10に示すパターンとなるように配置して結晶シリコン太陽電池モジュールを作製することによって、外観の美しい結晶シリコン太陽電池モジュールを作製することができる。すなわち、たとえば図10に示すように結晶シリコン太陽電池セル40a,40bを配置して作製された結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、上2段は、左側から右側にかけて、結晶シリコン太陽電池セル40a、40b、40a、40bの順に配置され、下2段は、左側から右側にかけて、結晶シリコン太陽電池セル40b、40a、40b、40aの順に配置されている。これにより、上2段においては、左側から右側にかけて、スライス痕31の凹凸方向が、縦、横、縦、横の順に周期的に変わり、下2段においては、左側から右側にかけて、スライス痕31の凹凸方向が、横、縦、横、縦の順に周期的に変わる。また、この場合には、スライス痕31の凹凸方向が、2回対称の回転対称性を有している。また、この場合には、たとえば図11の模式的平面図に示すように、結晶シリコン太陽電池セルの表面電極の形成工程において、スライス痕31の凹凸方向が異なる結晶シリコンウエハ11a,11bを結晶シリコンウエハ11a、11b11a、11bの順に配列した配列Aと、結晶シリコンウエハ11b、11a11b、11aの順に配列した配列Bとの順に、結晶シリコンウエハ11を配列し、この配列順に表面電極46を形成して結晶シリコン太陽電池セル40a,40bを作製していくことが好ましい。この場合には、結晶シリコン太陽電池セル40a,40bが作製された順に、左側から右側にかけて、結晶シリコン太陽電池セル40a,40bを配置していくことによって、結晶シリコン太陽電池セル40のスライス痕31の凹凸方向が図10に示すパターンとなるように配置され、外観の美しい結晶シリコン太陽電池モジュールを作製することができる。図12に、結晶シリコン太陽電池モジュールにおける結晶シリコン太陽電池セル40a,40bの配置の他の一例を図解する模式的な拡大平面図を示す。すなわち、図12に示すように、結晶シリコン太陽電池セル40a,40bを配置して作製された結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、矩形状に配置された4枚の結晶シリコン太陽電池セル40bの周囲を結晶シリコン太陽電池セル40aが取り囲むようにして配置されている。この場合には、スライス痕31の凹凸方向が、2回対称の回転対称性を有しているとともに、線対称性も有している。図13に、結晶シリコン太陽電池モジュールにおける結晶シリコン太陽電池セル40a,40bの配置の他の一例を図解する模式的な拡大平面図を示す。すなわち、図13に示すように、結晶シリコン太陽電池セル40a,40bを配置して作製された結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、矩形状に配置された4枚の結晶シリコン太陽電池セル40bの周囲を、結晶シリコン太陽電池セル40bの間に2枚の結晶シリコン太陽電池セル40aが挟まれた結晶シリコン太陽電池セル40a,40bの配列が取り囲むようにして配置されている。この場合にも、スライス痕31の凹凸方向が、2回対称の回転対称性を有しているとともに、線対称性も有している。図14に、結晶シリコン太陽電池モジュールにおける結晶シリコン太陽電池セル40a,40bの配置の他の一例を図解する模式的な拡大平面図を示す。すなわち、図14に示すように、結晶シリコン太陽電池セル40a,40bを配置して作製された結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、上2段は、左側から右側にかけて、結晶シリコン太陽電池セル40b、40b、40a、40aの順に配置され、下2段は、左側から右側にかけて、結晶シリコン太陽電池セル40a、40a、40b、40bの順に配置されている。これにより、上2段においては、左側から右側にかけて、スライス痕31の凹凸方向が、横、横、縦、縦の順に周期的に変わり、下2段においては、左側から右側にかけて、スライス痕31の凹凸方向が、縦、縦、横、横の順に周期的に変わる。また、この場合には、スライス痕31の凹凸方向が、2回対称の回転対称性を有している。図15に、結晶シリコン太陽電池モジュールにおける結晶シリコン太陽電池セル40a,40bの配置の他の一例を図解する模式的な拡大平面図を示す。すなわち、図15に示すように、結晶シリコン太陽電池セル40a,40bを配置して作製された結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、スライス痕31の凹凸方向が、線対称性を有している。図16に、結晶シリコン太陽電池モジュールにおける結晶シリコン太陽電池セル40a,40bの配置の他の一例を図解する模式的な拡大平面図を示す。図16に示す結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、第1段目および第3段目は、左側から右側にかけて、結晶シリコン太陽電池セル40b、40a、40b、40aの順に配置されており、第2段目および第4段目は、左側から右側にかけて、結晶シリコン太陽電池セル40a、40b、40a、40bの順に配置されている。これにより、第1段目および第3段目においては、左側から右側にかけて、スライス痕31の凹凸方向が、横、縦、横、縦の順に周期的に変わり、第2段目および第4段目においては、左側から右側にかけて、スライス痕31の凹凸方向が、縦、横、縦、横の順に周期的に変わる。また、この場合には、スライス痕31の凹凸方向が、2回対称の回転対称性を有している。図17に、結晶シリコン太陽電池モジュールにおける結晶シリコン太陽電池セル40a,40bの配置の他の一例を図解する模式的な拡大平面図を示す。図17に示す結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、第1段目~第4段目のすべてにおいて、左側から右側にかけて、結晶シリコン太陽電池セル40bが配置されている。この場合には、スライス痕31の凹凸方向は、同一の横方向に揃えられており、2回対称の回転対称性を有するとともに、線対称性も有する。図18に、結晶シリコン太陽電池モジュールにおける結晶シリコン太陽電池セル40a,40bの配置の他の一例を図解する模式的な拡大平面図を示す。図18に示す結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、第1段目~第4段目のすべてにおいて、左側から右側にかけて、結晶シリコン太陽電池セル40aが配置されている。この場合にも、スライス痕31の凹凸方向は、同一の縦方向に揃えられており、2回対称の回転対称性を有するとともに、線対称性も有する。図19に、結晶シリコン太陽電池モジュールにおける結晶シリコン太陽電池セル40a,40bの配置の他の一例を図解する模式的な拡大平面図を示す。図19に示す結晶シリコン太陽電池モジュールにおいては、第1段目~第3段目においては、左側から右側にかけて、結晶シリコン太陽電池セル40b、40a、40a、40aの順に配置されている。また、第4段目には、結晶シリコン太陽電池セル40bのみが配置されている。この場合には、スライス痕31の凹凸方向は、結晶シリコン太陽電池セル40bの配列によって、Lの文字が表記されることになる。上記においては、結晶シリコンウエハ11の表面のスライス痕31の凹凸方向と表面電極である銀電極46のパターンとの関係として、主に、2種類の結晶シリコン太陽電池セル40a,40bを用いた場合について説明したが、1種類の結晶シリコン太陽電池セルのみを作製することも可能であり、意図的に2種類の結晶シリコン太陽電池セル40a,40bを作り分けることも可能である。また、上記においては、結晶シリコン太陽電池セル40のいくつかの配置のパターンを示したが、本発明の範囲は図に示したものに限定されるわけではなく、たとえば、他の文字、回転対称性や鏡面対称性などの対称性の高いもの、周期的なもの、全結晶シリコン太陽電池セルが同一方位を向いているものなど、をも含み得る。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"