放電によりプラスイオンを発生する第1放電部と、放電によりマイナスイオンを発生する第2放電部と、前記第1放電部及び第2放電部の放電による放電エネルギを検出する放電エネルギ検出部と、前記第1放電部及び第2放電部の放電を制御する制御手段とを備え、前記制御手段が、前記放電エネルギ検出部で検出した放電エネルギ量に基づいて、前記第1放電部及び前記第2放電部の放電を制御することを特徴とするイオン発生装置。前記放電エネルギ検出部は、前記第1放電部の放電により発生した電荷及び前記第2放電部の放電により発生した電荷の移動を積算する検出用キャパシタを備えており、前記制御手段が、前記検出用キャパシタの電圧を検出することで、前記第1放電部及び前記第2放電部の放電による放電エネルギを検出する請求項1に記載のイオン発生装置。前記第1放電電極と対向する誘導電極と前記第2電電極と対向する誘導電極が共通の電極を利用しており、前記放電エネルギ検出部が前記誘導電極と接続されており、前記制御手段が、前記検出用キャパシタの電圧が0Vと閾電圧値との間で往復するように、前記第1放電部及び前記第2放電部の放電を制御している請求項2に記載のイオン発生装置。前記第1放電部が第1放電電極と対向する第1誘導電極を、前記第2放電部が第2放電電極と対向する第2誘導電極を備え、前記放電エネルギ検出部が前記第1誘導電極と接続される第1放電エネルギ検出部と、前記第2誘導電極と接続される第2放電エネルギ検出部と備え前記制御手段は、前記第1放電エネルギ検出部の第1検出用キャパシタが0Vから第1閾電圧値になるまで、前記第1放電部で、前記第2放電エネルギ検出部の第2検出用キャパシタが0Vから第2閾電圧値になるまで第2放電部を放電させる制御を行うとともに、前記第1放電部が放電しているとき、前記第2検出用キャパシタの電荷を0Vにリセットし、前記第2放電部が放電しているとき、前記第1検出用キャパシタの電荷を0Vにリセットする請求項2に記載のイオン発生装置。前記第1放電部に電力を供給するための第1スイッチング素子と、前記第2放電部に電力を供給するための第2スイッチング素子とを備え、前記制御手段が、前記第1放電部を放電させるとき前記第1スイッチング素子を動作させ、前記第2放電部を放電させるとき前記第2スイッチング素子を動作させる請求項1から請求項4のいずれかに記載のイオン発生装置。前記第1放電部の第1放電電極に正の放電電圧を印加する第1トランスと、前記第1トランスと並列に接続され、前記第2放電部の第2放電電極に負の放電電圧を印加する第2トランスと含むトランス部を備え、前記第1スイッチング素子が前記第1トランスの一次側に接続され、前記第2スイッチング素子が前記第2トランスの一次側に接続されている請求項5に記載のイオン発生装置。前記第1放電部の第1放電電極に正の放電電圧を、前記第2放電部の第2放電電極に負の放電電圧を印加するトランスを含むトランス部を備え、前記第1スイッチング素子が前記トランス部の二次側と前記第1放電部との間に配置され、前記第2スイッチング素子が前記トランス部の二次側と前記第2放電部との間に配置されている請求項5に記載のイオン発生装置。前記トランス部の二次側と前記第1放電電極との間に、前記第1放電電極に正の放電電圧が印加されるように配置された第1放電部用ダイオードと、前記トランス部の二次側と前記第2放電電極との間に、前記第2放電電極に負の放電電圧が印加されるように配置された第2放電部用ダイオードとを備えている請求項6又は7に記載のイオン発生装置。前記トランスの二次側と前記第2放電電極との間に、前記第1放電電極に全波整流された正の放電電圧が印加されるように配置された第1整流手段と、前記トランスの二次側と前記第2放電電極との間に、前記第2放電電極に全波整流された負の放電電圧が印加されるように配置された第2整流手段とを備えている請求項6又は請求項7に記載のイオン発生装置。前記第1放電部または第2放電部の少なくとも一方が液体を帯電させた帯電微粒子を発生する請求項1から請求項9のいずれかに記載のイオン発生装置。請求項1から請求項10のいずれかに記載のイオン発生装置を備えた電気機器。特開平3-266398号公報に示す除電器において、イオン電流検出電極はイオンを検出するものであるが、前記イオン検出電極で検出されるイオンは、イオン発生装置で生成される総イオン量の一部であり、必ずしも生成される総イオン量のイオンバランスとはならず、生成される総イオン量のイオンバランスを高精度に制御することが難しい。また、イオン電流検出電極自体の汚れやイオン電流検出電極の周囲の条件等によって検出されるイオン電流にばらつきが発生しやすい。さらに、生成されたイオンの一部をイオン電流検出電極で検出するため、総イオン量が減少する。また、特開平8-78183号公報に示す除電装置のように、前記放電電極に流れる電流値を調整することで、前記プラスイオン又は前記マイナスイオンの生成量を制御しているが、放電電極の汚れや周囲の雰囲気等で放電電流値は変動しやすく、放電電流値とイオン生成量とが一致しない場合もある。また、プラスイオンに比べてマイナスイオンはイオン化しやすく、プラス電極とマイナス電極に流れる電流値大きさが異なり、放電電流値に複雑な演算を施す必要があり、制御が複雑になりやすい。そこで本発明は、簡単な構成を有し、電極の状態や周囲の環境の影響を受けにくく、高い精度でバランスしたプラスイオン及びマイナスイオンを安定して生成するイオン発生装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明は、放電によりプラスイオンを発生する第1放電部と、放電によりマイナスイオンを発生する第2放電部と、前記第1放電部及び第2放電部に接続され、放電による放電エネルギを検出する放電エネルギ検出部と、前記第1放電部及び第2放電部の放電を制御する制御回路とを備え、前記制御回路が、前記放電エネルギ検出部で検出した放電エネルギ量に基づいて、前記第1放電部及び前記第2放電部の放電を制御することを特徴とするイオン発生装置を提供する。この構成によると、前記第1放電部及び前記第2放電部の放電を各放電部で放電したときの放電エネルギ量に基づいて制御する構成であるので、放電を正確に制御することができる。そして、放電エネルギ量によって、プラスイオン及びマイナスイオンの発生量が決定されるので、電極が汚れていたり、放電部の環境にばらつきがあったとしても、第1放電部で生成されるプラスイオンと第2放電部で生成されるマイナスイオンのイオンバランスを精度よく調整することができる。また、放電エネルギ量で放電を制御しているので、第1放電部と第2放電部とで放電電流あるいは放電に要する時間が異なる場合でも、プラスイオンとマイナスイオンのイオンバランスが崩れにくい。さらに、前記第1放電部及び前記第2放電部に接続された放電エネルギ検出部で放電エネルギを検出するので、直接イオンを検出する方法に対し、総イオン量の減少を抑制することが可能である。上記構成において、前記放電エネルギ検出部は、前記第1放電部の放電により発生した電荷及び前記第2放電部の放電により発生した電荷の移動を積算する検出用キャパシタを備えており、前記制御回路が、前記検出用キャパシタの電圧を検出することで、前記第1放電部及び前記第2放電部の放電による放電エネルギを検出するようにしてもよい。この構成によると、前記検出用キャパシタの電圧値を取得するという簡単な方法で、放電エネルギを検出することができるので、制御回路の構成及び放電エネルギ検出部の構成を簡単なものとすることが可能である。上記構成において、前記第1放電部の放電電極と対向する誘導電極と前記第2放電部の放電電極と対向する誘導電極が共通の電極を利用しており、前記放電エネルギ検出部が前記誘導電極と接続されており、前記制御回路が、前記検出用キャパシタの電圧が0Vと閾電圧値との間で往復するように、前記第1放電部及び前記第2放電部の放電を制御してもよい。この構成によると、誘導電極が第1放電部と第2放電部とで共有するので、構造を簡単にすることができるとともに、1個の放電エネルギ検出部で第1放電部と前記第2放電部の放電エネルギ量を検出することができ、制御回路を簡単な構成とすることが可能である。上記構成において、前記第1放電部が放電電極と対向する第1誘導電極と、前記第2放電部が放電電極と対向する第2誘導電極を備え、前記放電エネルギ検出部が前記第1誘導電極と接続される第1放電エネルギ検出部と、前記第2誘導電極と接続される第2放電エネルギ検出部と備え、前記制御回路は、前記第1放電エネルギ検出部の第1検出用キャパシタが0Vから第1閾電圧値になるまで、前記第1放電部で、前記第2放電エネルギ検出部の第2検出用キャパシタが0Vから第2閾電圧値になるまで第2放電部を放電させる制御を行うとともに、前記第1放電部が放電しているとき、前記第2検出用キャパシタの電荷を0Vにリセットし、前記第2放電部が放電しているとき、前記第1検出用キャパシタの電荷を0Vにリセットするようにしてもよい。この構成によると、前記第1放電部と前記第2放電部とが個別に制御されるので、プラスイオン及びマイナスイオンのイオンバランスを任意の比率になるように調整することが可能である。また、前記第1放電部及び前記第2放電部がそれぞれ誘導電極を備えているので、前記第1放電部と前記第2放電部を物理的に離れた位置に配置することができ、各放電部で生成されたプラスイオンとマイナスイオンとが生成直後に結びついて中和されてしまうのを抑制することができる。これにより、総イオン発生量が低下するのを抑制することができる。上記構成において、前記第1放電部に電力を供給するための第1スイッチング素子と、前記第2放電部に電力を供給するための第2スイッチング素子とを備え、前記制御回路が、前記第1放電部を放電するとき前記第1スイッチング素子を動作させ、前記第2放電部で放電するとき前記第2スイッチング素子を動作させるようにしてもよい。上記構成において、前記第1放電部の第1放電電極に正の放電電圧を印加する第1トランスと、前記第1トランスと並列に接続され、前記第2放電部の第2放電電極に負の放電電圧を印加する第2トランスと含むトランス部を備え、前記第1スイッチング素子が前記第1トランスの一次側に接続され、前記第2スイッチング素子が前記第2トランスの一次側に接続されていてもよい。上記構成において、前記第1放電部の第1放電電極に正の放電電圧を、前記第2放電部の第2放電電極に負の放電電圧を印加するトランスを含むトランス部を備え、前記第1スイッチング素子が前記トランス部の二次側と前記第1放電部との間に配置され、前記第2スイッチング素子が前記トランス部の二次側と前記第2放電部との間に配置されていてもよい。上記構成において、前記トランス部の二次側と前記第1放電電極との間に、前記第1放電電極に正の放電電圧が印加されるように配置された第1放電部用ダイオードと、前記トランス部の二次側と前記第2放電電極との間に、前記第2放電電極に負の放電電圧が印加されるように配置された第2放電部用ダイオードとを備えていてもよい。また、前記第1放電部用ダイオードに替えて全波整流が可能な第1整流手段を、前記第2放電部用ダイオードに替えて全波整流が可能な第2整流手段を備えていてもよい。なお、第1整流手段及び第2整流手段として、ダイオードブリッジを含む構成を挙げることができる。上記構成において、前記第1放電部または第2放電部の少なくとも一方が液体を帯電した帯電微粒子を発生するものであってもよい。上記構成において、前記第1放電部に全波整流された正の高電圧が印加されるように配置された第1整流手段と、前記第2放電部に全波整流された負の高電圧が印加されるように配置された第2整流手段とを備えていてもよい。上記構成のイオン発生装置を備えた電気機器としては、例えば、空気調和機、除湿器、加湿器、空気清浄機、冷蔵庫、ファンヒータ、電子レンジ、洗濯乾燥機、掃除機、殺菌装置等を挙げることができる。本発明によると、プラス側の放電部に供給される電気エネルギ及びマイナス側に供給される電気エネルギを検出しそのエネルギに基づいて、プラスイオン及びマイナスイオンの生成量を制御しているので、電極の状態や周囲の環境の影響を受けにくい。また、このことから、高い精度でバランスしたプラスイオン及びマイナスイオンを安定して生成するイオン発生装置を提供することができる。第1実施形態以下に本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は本発明にかかるイオン発生装置の電気的構成を示す図である。図1に示すように、イオン発生装置Aは、第1放電部1及び第2放電部2を含むイオン発生部と、外部電源不図示からイオン発生部に対して電力を供給する電力供給回路Cr1と、制御回路6制御手段とを有している。電力供給回路Cr1は、外部電源図示省略と接続される電源入力部Pw1と、整流ダイオードD1と、入力抵抗R1と、キャパシタC1と、トランス駆動用スイッチング素子SDと、第1トランス3トランス部の一部と、第2トランス4トランス部の一部と、第1スイッチング素子Sw1と、第2スイッチング素子Sw2と、放電エネルギ検出部5と、を備えている。電源入力部Pw1は、高電圧側外部電源が直流の場合正極の第1端子In1と、低電圧側外部電源が直流の場合負極の第2端子In2とを備えている。トランス駆動用スイッチング素子SDとして、無ゲート2端子サイリスタ新電元工業株式会社製のサイダック商標登録が用いられている。なお、トランス駆動用スイッチング素子SDはこれに限定されるものではなく、同じ動作を行う異なる回路によって構成されたサイリスタSCRが用いられていてもよい。また、入力電圧が均一な一定電圧である場合、整流ダイオードD1は省略してもよい。第1トランス3の一次コイル31と第2トランス4の一次コイル41とは、トランス駆動用スイッチング素子SDに対して並列に配置されており、入力抵抗R1と第1トランス3との間に第1スイッチング素子Sw1が、入力抵抗R1と第2トランス4との間に第2スイッチング素子Sw2がそれぞれ配置されている。第1トランス3の二次コイル32は一方が接地されており、他方が第1放電部用ダイオードDp1を介して第1放電部1に接続されている。第1トランス3で昇圧された電圧は第1放電部1に印加される。また、第2トランス4の二次コイル42も同様に一方が接地されており、他方が第2放電部用ダイオードDp2を介して第2放電部2に接続されている。第2トランス4で昇圧された電圧は第2放電部2に印加される。なお、イオン発生装置Aにおいて、第1トランス3及び第2トランス4は変圧比をはじめとする全ての特性が同一又は略同一のものである。第1放電部1には、先端の尖った針電極である第1放電電極11と、第1放電電極11と非接触で近接配置された誘導電極Tdとを含む構成である。そして、第1トランス3の二次コイル32は第1放電部用ダイオードDp1を介して第1放電電極11に接続されている。第1トランス3は二次巻線32から第1放電電極11に向かう電流が発生するように形成されている。第1放電部用ダイオードDp1はアノードが第1トランス3側に、カソードが第1放電電極11側に接続されている。これにより、第1放電電極11に正の放電電圧正の高電圧が印加され、誘導電極Tdとの間で放電が起こる。このことから、第1放電部1では、プラスイオン{HH2Om}mは自然数であり、以下の説明において同様であるが生成される。第2放電部2には、先端の尖った針電極である第2放電電極21と、第2放電電極21と非接触で近接配置された誘導電極Tdとを含む構成である。そして、第2トランス4の二次コイル42は第2放電部用ダイオードDp2を介して第2放電電極21に接続されている。第2トランス4は第2放電電極21から二次巻線42に向かう電流が発生するように形成されている。第2放電用ダイオードDp2はカソードが第2トランス4側に、アノードが第2放電電極21側に接続されている。これにより、第2放電電極21から第2トランス4に向かって電流が流れ、第2放電電極21に負の放電電圧負の高電圧が印加され、誘導電極Tdとの間で放電が起こる。このことから、第2放電部2では、マイナスイオン{O2-n}nは自然数であり、以下の説明において同様であるが生成される。次に、このイオン発生装置Aの動作について説明する。トランス3及び4の一次側回路では、電源入力部Pw1の電圧により、整流ダイオードD1と入力抵抗R1を介してキャパシタC1が充電される。キャパシタC1の両端の電圧が規定値以上に達したときはトランス駆動用スイッチング素子SDがオンして、トランス3又は4の一次コイル31又は41に電圧が印加される。その直後、キャパシタC1に充電されたエネルギは、一次コイル31又は41とトランス駆動用スイッチング素子SDとを通じて放電され、キャパシタC1の両端の電圧はゼロに戻る。その後、トランス駆動用スイッチング素子SDがオフになり、キャパシタC1は再び充電される。イオン発生装置Aはにおいて、キャパシタC1は規定周期で充電と放電とが繰り返される。トランス3又は4の二次側回路では、一次側回路のトランス駆動用スイッチング素子SDがオンすることにより、一次側のエネルギが二次コイル32又は42に伝達され、二次コイル32又は42の両端に交番電圧のパルス高電圧が印加される。このパルス高電圧は、放電用ダイオードDp1又はDp2を通じて第1放電電極11又は21に印加される。このように、整流された高電圧が第1放電電極11又は21に印加されることにより、空気中の酸素分子及び又は水分子は、放電によって生成された電子からエネルギを受けてイオン化する。第1スイッチング素子Sw1がスイッチングされるON/OFF切り替えられることで、第1トランス3の一次コイル31にパルス電圧が印加される。また、第2スイッチング素子Sw2がスイッチングされるON/OFF切り替えられることで第2トランス4の一次コイル41にパルス電圧が印加される。そして、第1スイッチング素子3及び第2スイッチング素子4は制御回路6によってスイッチング制御される。制御回路6は、マイコン等を含み、パルス信号である制御信号を第1スイッチング素子Sw1及び第2スイッチング素子Sw2に出力し、第1スイッチング素子Sw1及び第2スイッチング素子Sw2のスイッチングを行う。第1スイッチング素子Sw1がスイッチングされると、第1トランス3にパルス電圧が印加され、昇圧された電圧が第1放電部1に印加される。これにより、第1放電部1で放電が開始され、プラスイオン{HH2Om}が生成される。また、第2スイッチング素子Sw2がスイッチングされると、第2トランス4にパルス電圧が印加され、昇圧された電圧が第2放電部2に印加される。これにより、第2放電部2で放電が開始され、マイナスイオン{O2-n}が生成される。イオン発生装置Aでは、第1スイッチング素子Sw1及び第2スイッチング素子Sw2として、n型MOSFETを採用しており、制御回路6からゲート端子にHレベルの制御信号が入力されると、ドレイン-ソース間が導通状態、すなわち、スイッチONになる。なお、第1スイッチング素子Sw1及び第2スイッチング素子Sw2として、MOSFET以外にも、例えば、バイポーラ型トランジスタ等の半導体スイッチング素子等、制御回路6からの制御信号に基づいて第1放電部1及び第2放電部2に通電するようにON/OFFを切り替えることができるものを広く採用することができる。なお、後ほど詳しく説明するが、制御回路6は、第1スイッチング素子Sw1と第2スイッチング素子Sw2とが同時にONにならないように制御信号を送信する。図1に示すように、第1放電部1及び第2放電部2は、誘導電極Tdを共用している。そして、誘導電極Tdは放電エネルギ検出部5を介して接地されている。放電エネルギ検出部5は抵抗R5と、抵抗R5と直列に接続された検出用キャパシタC5とを備えている。第1放電部1又は第2放電部2で放電が行われると、誘導電極Tdに起電力が発生し、放電エネルギ検出部5に電流が流入するあるいは放電エネルギ検出部5から電流が流出する。検出用キャパシタC5に電荷がたまっていない状態のとき、電流が流入することで充電され、検出用キャパシタC5が充電されており、充電時と逆の電圧が印加される換言すると、充電と逆方向の電流が流れると検出用キャパシタC5は放電される。そして、制御回路6は、放電エネルギを検出するため、検出用キャパシタC5の電圧を検出している。次にイオン発生装置Aの動作について新たな図面を参照して説明する。図2は図1に示すイオン発生装置の放電エネルギ検出部の電圧変化と、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子の動作の切替えを示すタイミングチャートである。図2において、上段の線図は検出用キャパシタC5と抵抗R5との間の点Xの電位電圧の変化を示すものであり、中段及び下段の線図はそれぞれ第1スイッチング素子Sw1及び第2スイッチング素子Sw2に制御回路6から供給される制御信号を示している。なお、電源入力部Pw1から直流の一定電圧が入力される場合、第1スイッチング素子Sw1及び第2スイッチング素子Sw2は、制御信号がHレベルのときスイッチングされ、LレベルのときOFFになる。また、電源入力部Pw1から交番電圧又はパルス電圧が出力される場合、第1スイッチング素子Sw1及び第2スイッチング素子Sw2は、制御信号がHレベルのときONになる。すなわち、制御信号がHレベルのとき、第1トランス3又は第2トランス4には、交番電圧又はパルス電圧が印加される構成になっている。なお、以下の説明では、制御信号がHレベルのとき、第1スイッチング素子Sw1及び第2スイッチング素子Sw2はスイッチング動作するものとする。制御回路6は、放電エネルギ検出部5の検出用キャパシタC5と抵抗R5と検出用キャパシタC5との間の部分の電圧電位を検出している。この点Xでの電圧は、検出用キャパシタC5の電圧と対応している。また、検出用キャパシタC5は放電により誘導電極Tdで誘導された電荷がたまることで、電圧が上昇する。すなわち、制御回路6は、検出用キャパシタC5の電圧点Xの電圧を検出することで、放電エネルギを検出することができる。図2に示すように、イオン発生装置Aが駆動されると、制御回路6は第1スイッチング素子Sw1にHレベルの制御信号を送信する。これにより、第1スイッチング素子Sw1はスイッチング操作され、パルス電圧が、第1トランス3の一次コイル31に印加される。第1トランス3では、一次コイル31に印加された電圧を昇圧し第1放電部1に印加する。二次コイル32と第1放電電極11との間には、第1放電部用ダイオードDp1が、二次コイル32から第1放電電極11に向かって電流が流れるように配置されている。このことから、第1放電電極11に正の放電電圧正の高電圧が印加された状態で放電が開始され、プラスイオン{HH2Om}が発生する。放電により第1放電電極11から誘導電極Tdに正の電荷が移動する。その電荷は放電エネルギ検出部5の検出用キャパシタC5に移動し蓄積積算される。検出用キャパシタC5に電荷が蓄積されると、検出用キャパシタC5の電圧が上昇し、抵抗R5と検出用キャパシタC5との間の点Xの電圧も上昇する図2参照。一般的に、キャパシタのエネルギは静電容量が同じ場合同じキャパシタでは、電圧の2乗に比例する、すなわち、キャパシタの電圧を検出することで、キャパシタのエネルギを検出することが可能である。そこで、制御回路6は、点Xの電圧が閾電圧値VLに到達したことを検出することで、第1放電部1での放電エネルギが予め決められた値に到達したと判断する。すなわち、制御回路6は、点Xの電圧が閾電圧値VLの到達するまで期間t1の間、第1スイッチング素子Sw1にHレベルの制御信号を送信する。そして、制御回路6は点Xの電圧が閾電圧値VLに到達したと検出すると、第1スイッチング素子Sw1へ制御信号をLレベルに切り替え制御信号の送信を停止するようにしてもよい、第2スイッチング素子Sw2にHレベルの制御信号を送信する。これにより、第2スイッチング素子Sw2はスイッチング操作され、パルス電圧が、第2トランス4の一次コイル41に印加される。第2トランス4では、一次コイル41に印加された電圧を昇圧し第2放電部2に印加する。二次コイル42と第2放電電極21との間には、第2放電部用ダイオードDp2が、第2放電電極21から二次コイル42に向かって電流が流れるように配置されている。このことから、第2放電電極21に負の放電電圧負の高電圧が印加された状態で放電が開始され、マイナスイオン{O2-n}が発生する。放電により誘導電極Tdから第2放電電極21に正の電荷が移動する。その電荷は放電エネルギ検出部5の検出用キャパシタC5から供給される。すなわち、第2放電部2の放電によって検出用キャパシタC5の電荷が放出される。このことから、検出用キャパシタC5の電圧が下降し、抵抗R5と検出用キャパシタC5との間の点Xの電圧も下降する図2参照。制御回路6は、点Xの電圧が0Vに到達するまで期間t2の間、第2スイッチング素子Sw2にHレベルの制御信号を送信する。そして、制御回路6は点Xの電圧が0Vに到達したことを検出すると、第2スイッチング素子Sw2へLレベルの制御信号を送信し制御信号の送信を停止するようにしてもよい、再び第1スイッチング素子Sw1にHレベルの制御信号を送信する。このように、第1放電部1での放電と第2放電部2での放電とを順次繰り返す。上述したように、イオン発生装置Aでは、第1放電部1が放電しているとき、検出用キャパシタC5は電荷放電エネルギを蓄積換言すると電圧が上昇し、第2放電部2が放電しているとき、検出用キャパシタC5か電荷放電エネルギを放出換言すると、電圧が降下する構成となっている。そして、制御回路6が、検出用キャパシタC5の電圧値点Xでの電圧値を検出し、その電圧値が0Vから閾電圧値VLに到達するまで第1放電部1で放電させ、閾電圧値VLから0Vに到達するまで放電と第2放電部2で放電させている。これにより、第1放電部1での放電による放電エネルギと第2放電部2での放電による放電エネルギとを同量略同量とすることができる。なお、ここでは、検出用キャパシタC5に蓄積された電荷が放出されると表現しているが、例えば、検出用キャパシタC5が充電されていない場合、電圧が逆向きに電荷が蓄積積算されると表現することも可能である。すなわち、以上の説明では、第1放電部1から放電開始する例としているので、閾電極値VLが正の値となっている。しかしながら、第2放電部2から放電開始する構成であってもよく、その場合、閾電極値VLは負の値になる。つまり、0Vから閾電極値VL不の値まで、第2スイッチング素子Sw2にHレベルの制御信号を送信し、点Xでの電圧が閾電極値VLに到達したとき、第2スイッチング素子Sw2にLレベルの制御信号を、第1スイッチング素子Sw1にHレベルの制御信号を送信するようにしてもよい。本発明にかかるイオン発生装置Aでは、放電エネルギが同じであるので、第1放電部1で発生したプラスイオン{HH2Om}と第1放電部2で発生したマイナスイオン{O2-n}とを同量又は略同量とすることができる。すなわち、イオン発生装置Aは、プラスイオン{HH2Om}と、マイナスイオン{O2-n}とをバランスよく発生させることが可能である。これらプラスイオン{HH2Om}及びマイナスイオン{O2-n}は、浮遊菌の表面に付着し、化学反応して活性種であるH2O2またはOHを生成する。H2O2またはOHは極めて強力な活性を示すため、これらにより、空気中の浮遊細菌を取り囲んで不活化することができる。ここで、OHは活性種の一種であり、ラジカルの水酸基を示している。活性種である過酸化水素H2O2または水酸基ラジカルOHは、有害物質を酸化若しくは分解して、ホルムアルデヒドやアンモニアなどの化学物質を、二酸化炭素や、水、窒素などの無害な物質に変換することにより、実質的に無害化することが可能である。したがって、プラスイオン{HH2Om}とマイナスイオン{O2-n}の作用により、空気中のカビや菌を不活化してその増殖を抑制することができるとともに、有害物質を実質的に無害化することができる。その他、プラスイオン{HH2Om}とマイナスイオン{O2-n}には、コクサッキーウィルス、ポリオウィルス、などのウィルス類も不活化する働きがあり、これらウィルスの混入による汚染が防止できる。また、プラスイオン{HH2Om}とマイナスイオン{O2-n}には、臭いの元となる分子を分解する働きがあることも確かめられており、空間の脱臭にも利用できる。そして本発明のイオン発生装置では、プラスイオン{HH2Om}とマイナスイオン{O2-n}をバランスよく生成するので、活性種であるH2O2またはOHを効果的に生成することが可能であり、それだけ、有害物質細菌、ウィルス、化学物質等の無害化の効果を高めることが可能である。イオン発生装置Aでは、プラスイオン{HH2Om}を発生させる放電時の電流値は、マイナスイオン{O2-n}を発生させる放電第2放電部2での放電時の電流値よりも低くなる。この場合、第1放電部1で一定時間、放電したことによる放電エネルギと第2放電部2で一定時間、放電したことによる放電エネルギとに差異が生じる。このような場合でも、検出用キャパシタC5の電圧値充電電荷によって放電エネルギを検出しているので、第1放電部1での放電による放電エネルギと第2放電部2での放電による放電エネルギを精度よく同量とすることが可能である。なお、イオン発生装置Aでは、放電部用ダイオードを通じて整流されたパルス電圧を放電電極に印加しているが、これに限定されるものではない。本実施形態のイオン発生装置Aの別の構成について図面を参照して説明する。図3は図1に示すイオン発生装置の別の構成の第1放電部及び第2放電部の電気的構成を示す。図3に示すように、第1トランス3の二次コイル32にはダイオードブリッジDB1が接続されており、さらに、キャパシタC11で平滑化された正の放電電圧正の高電圧が印加されるように第1放電電極11が接続されている第1整流手段。また、第2トランス4の二次コイル42にもダイオードブリッジDB2が接続されており、さらに、キャパシタC21で平滑化された負の放電電圧負の高電圧が印加されるように第2放電電極21が接続されている第2整流手段。イオン発生装置Aは、第1放電電極11及び第2放電電極21に正又は負の平滑化された放電電圧が印加される構成でも、同様の方法で放電エネルギを検出し、プラスイオン及びマイナスイオンをバランスよく生成することが可能である。なお、全波整流する回路はダイオードブリッジに限定されるものではない。第2の実施形態本発明にかかるイオン発生装置の他の例について図面を参照して説明する。図4は本発明にかかるイオン発生装置の他の例の電気的構成を示す図であり、図5は図4に示す放電エネルギ検出部の電圧変化と、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子の動作の切替えを示すタイミングチャートである。図4に示すイオン発生装置Bでは、第1放電部1及び第2放電部2それぞれに誘導電極Td1、Td2が設けられているとともに、各誘導電極Td1、Td2に接続され第1放電部1及び第2放電部2での放電エネルギを検出する第1放電エネルギ検出部51、第2放電エネルギ検出部52をそれぞれ備えている。それ以外の点は、図1に示すイオン発生装置Aと実質上同じ構成であり、実質上同じ部分は同じ符号を付すとともに、同じ部分の詳細な説明は省略する。図4に示すように、第1放電部1には第1放電電極11と対向するように誘導電極Td1が備えられている。また、誘電電極Td1は第1放電エネルギ検出部51を介して接地されている。第1放電エネルギ検出部51は、イオン発生装置Aの放電エネルギ検出部5と同様、抵抗R51と第1検出用キャパシタC51とを直列に配置した構成となっている。そして、制御回路6は、抵抗R51と第1放電部1との間の点Yの電圧を検出している。また、第1放電エネルギ検出部51には、第1検出用キャパシタC51に充電された電荷を開放するためのスイッチング素子S51を備えている。スイッチング素子S51は制御回路6からの制御信号でON/OFF操作される。スイッチング素子S51をONにすることで、第1検出用キャパシタC51に充電されている電荷が抵抗R51で消費され、第1検出用キャパシタC51を放電するリセット。図4に示すように、第2放電部2には第2放電電極21と対向するように誘導電極Td2が備えられている。また、誘電電極Td2は第2放電エネルギ検出部52を介して接地されている。第2放電エネルギ検出部52は、イオン発生装置Aの放電エネルギ検出部5と同様、抵抗R52と第2検出用キャパシタC52とを直列に配置した構成となっている。そして、制御回路6は、抵抗R52と第2放電部2との間の点Zの電圧を検出している。また、第2放電エネルギ検出部52には、第2検出用キャパシタC52に充電された電荷を開放するためのスイッチング素子S52を備えている。スイッチング素子S52は制御回路6からの制御信号でON/OFF切り替えられる。スイッチング素子S52をONにすることで、第2検出用キャパシタC52に充電されている電荷が抵抗R52で消費され、第2検出用キャパシタC52を放電するリセット。図5を参照してイオン発生装置Bの動作について説明する。図5に示すように、制御回路6は、第1スイッチング素子Sw1にHレベルの信号を出力し、第1スイッチング素子Sw1をスイッチングする。上述しているように、第1スイッチング素子Sw1のスイッチング動作によって、第1放電部1で放電が行われる。放電によりプラスイオン{HH2Om}が発生するとともに、第1放電電極11から誘導電極Td1に正の電荷が供給される。この電荷は、第1放電エネルギ検出部51に送られ、第1検出用キャパシタC51に電荷が充電される。なお、誘導電極Td1に正電荷が供給されるので、点Yの電圧は正の電圧となる図5参照。制御回路6は、点Yの電圧を検出しており、第1放電エネルギ検出部51で検出される放電エネルギは、この点Yの電圧値と同期して変化する。すなわち、制御回路6は、点Yの電圧に基づいて、第1放電部1での放電エネルギの値を検出する。制御回路6は、点Yの電圧が、閾電圧値VL1に到達するまで、第1スイッチング素子Sw1にHレベルの信号を出力し、第1放電部1での放電を継続する図1において、期間t1の間。制御回路6は、点Yの電圧が閾電圧値VL1に到達したとき、放電エネルギ値が一定の値に到達し、第1放電部1で生成されたプラスイオン{HH2Om}が予め決められた量に到達したと判断し、第1スイッチング素子Sw1へLレベルの制御信号を送信するHレベルの制御信号を停止する図5参照。また、第1放電エネルギ検出部51のスイッチング素子S51にHレベルの制御信号を送信し、スイッチング素子S51を利用して、第1検出用キャパシタC51にたまった電荷を放電するリセットする。なお、スイッチング素子S51は、第1検出用キャパシタC51の電荷が完全に放電するまでの間ONであればよく、図4では、制御回路6は期間t11の間のみONになるように、Hレベルの制御信号を送出する。制御回路6は、第2スイッチング素子Sw2にHレベルの制御信号を出力し、第2スイッチング素子Sw2をスイッチングする。上述しているように、第2スイッチング素子Sw2のスイッチング動作によって、第2放電部2で放電が行われる。放電によりマイナスイオン{O2-n}が発生するとともに、誘導電極Td2から第2放電電極21に電荷が供給される。この電荷は、第2放電エネルギ検出部52から供給され、第2検出用キャパシタC52に第1検出用キャパシタC51と向きが異なる電圧で充電される。なお、誘導電極Td2から正電荷が供給されるので、点Zの電圧は負の電圧となる図5参照。制御回路6は、点Zの電圧を検出しており、第2放電エネルギ検出部52で検出される放電エネルギは、この点Zの電圧値と同期して変化する。すなわち、制御回路6は、点Zの電圧に基づいて、第2放電部2での放電エネルギの値を検出する。制御回路6は、点Zの電圧が、閾電圧値-VL1に到達するまで、第2スイッチング素子Sw2にHレベルの信号を出力し、第2放電部2での放電を継続する図5において、期間t2の間。制御回路6は、点Zの電圧が閾電圧値-VL1に到達したとき、放電エネルギ値が一定の値に到達し、第2放電部2で生成されたプラスイオン{HH2Om}が予め決められた量に到達したと判断し、第2スイッチング素子Sw2へLレベルの制御信号を送信するHレベルの制御信号を停止する図5参照。また、第2放電エネルギ検出部52のスイッチング素子S52にHレベルの制御信号を送信し、スイッチング素子S52を利用して、第2検出用キャパシタC52にたまった電荷を放電するリセットする。なお、スイッチング素子S52は、検出用キャパシタ52の電荷が完全に放電するまでの間ONであればよく、図4では、制御回路6は期間t21の間のみONになるように、Hレベルの制御信号を送出する。制御回路6は、以上のように第1スイッチング素子Sw1と、第2スイッチング素子Sw2とを交互にスイッチング制御し、発生するイオンのプラスとマイナスのバランスを調整している。このように、第1スイッチング素子Sw1及び第2スイッチング素子Sw2の切替えを行う電圧として、絶対値が同じ閾電圧値を用いることで、第1放電部1での放電エネルギと第2放電部2での放電エネルギを略同量とすることができる。これにより、第1放電部1で生成されるプラスイオン{HH2Om}の発生量と第2放電部2で生成されるマイナスイオン{O2-n}の発生量とが略同量となる。これにより、プラスイオン{HH2Om}とマイナスイオン{O2-n}をバランスよく生成するので、活性種であるH2O2またはOHを効果的に生成することが可能であり、それだけ、有害物質細菌、ウィルス、化学物質等の無害化の効果を高めることが可能である。イオン発生装置Bでは、第1放電部1と第2放電部2とを離して形成することが可能であるので、プラスイオン{HH2Om}とマイナスイオン{O2-n}が発生後、中和してしまって消滅するのを効率的に抑制することが可能である。また、第1放電部1と第2放電部2の放電エネルギの値を決定する閾電圧値を第1放電エネルギ検出部51と第2放電エネルギ検出部52とで異なる値とすることも可能であり、プラスイオン{HH2Om}とマイナスイオン{O2-n}とのイオンバランスを任意の比率とすることが可能である。例えば、正の電荷に帯電した空間の場合、第2放電部2の放電エネルギを決定する閾電圧値を第1放電部1の放電エネルギを決定する閾電圧値よりも大きな絶対値のものを採用することで、マイナスイオン{O2-n}過多とすることができ、空間を中和することができる。プラスイオン{HH2Om}とマイナスイオン{O2-n}のイオンバランスを任意の比率で設定する構成の場合、制御回路6が、イオンバランスごとに予め決められた閾電圧値のデータベースを記憶部不図示に備えておき、データベースから第1放電エネルギ検出部51及び第2放電エネルギ検出部52の閾電圧値を呼出すようにしてもよい。なお、生成するプラスイオン{HH2Om}とマイナスイオン{O2-n}のイオンバランスは、空間のイオン電荷の状態を検出する検出部からの情報に基づいて決定するものでもよく、使用者が任意に設定するものでもよい。第3の実施形態本発明にかかるイオン発生装置のさらに他の例について図面を参照して説明する。図6は本発明にかかるイオン発生装置のさらに他の例の電気的構成を示す図である。図6に示すイオン発生装置Cは、第1放電部1と第2放電部2とが1個のトランス7トランス部の二次コイル72に接続されている点と、第1スイッチング素子Sw11が二次コイル72と第1放電部用ダイオードDp1との間に配置されている点と、第2スイッチング素子Sw22が二次コイル72と第2放電部用ダイオードDp2との間に配置されている点以外は、図1に示すイオン発生装置Aと同じ構成であり、実質上同じ部分には同じ符号を用いるとともに、同じ部分の詳細な説明は省略する。また、制御回路6による、第1スイッチング素子Sw11及び第2スイッチング素子Sw22の制御については、イオン発生装置Aと同じであり、詳細は省略する。図6に示すイオン発生装置Cは、第1スイッチング素子Sw11がONのとき、トランス7で昇圧された電圧は、第1放電部用ダイオードDp1でプラスバイアスされる。これにより、第1放電部1では第1放電電極11に正の放電電圧正の高電圧が印加され、誘導電極Tdとの間で放電し、プラスイオン{HH2Om}が発生する。また、第2スイッチング素子Sw22がONのとき、トランス7で昇圧された電圧は、第2放電部用ダイオードDp2でマイナスバイアスされる。これにより、第2放電部2では、第2放電電極21に負の放電電圧負の高電圧が印加され、誘導電極Tdとの間で放電が発生し、マイナスイオン{O2-n}が発生する。以上に示したように、イオン発生装置Cでは、第1スイッチング素子Sw11及び第2スイッチング素子Sw22をトランスの二次側に配置することで、1個のトランス7で、第1放電部1への電圧印加及び第2放電部2への電圧印加を行うことができる。これにより、イオン発生装置Cは小型化、軽量化に有利である。また、第1トランス3及び第2トランス4の2個のトランスを備えた場合と同様、第1放電電極11に平滑化された正の放電電圧、第2第2放電電極21に平滑化された負の放電電極を印加する構成であってもよい。図7は図6に示すイオン発生装置の別の構成の第1放電部及び第2放電部の電気的構成を示す。図7に示すように、トランス7の二次コイル72に、2個のダイオードブリッジDB1、DB2が並列に接続されている。そして、二次コイル72とダイオードブリッジDB1との間にはスイッチング素子Sw11が、二次コイル72とダイオードブリッジDB2との間にはスイッチング素子Sw22がそれぞれ配置されている。またダイオードブリッジDB1と第1放電電極11との間にはキャパシタC11が配置されており、ダイオードブリッジDB2と第2放電電極21との間にはキャパシタC21が配置されている。このように、ダイオードブリッジDB1、DB2及びキャパシタC11、C21が配置されていることで、第1放電電極11には平滑化された正の放電電圧正の高電圧が、第2放電電極21には平滑化された負の放電電圧負の高電圧がそれぞれ、印加される。本実施形態のイオン発生装置Cは、第1放電電極11及び第2放電電極21に正又は負の平滑化された放電電圧が印加される構成でも、同様の方法で放電エネルギを検出し、プラスイオン及びマイナスイオンをバランスよく生成することが可能である。なお、全波整流する回路はダイオードブリッジに限定されるものではない。第4の実施形態本発明にかかるイオン発生装置さらに他の例について図面を参照して説明する。図8は本発明にかかるイオン発生装置のさらに他の例の電気的構成を示す図である。図8に示すイオン発生装置Dは第2放電部20が異なる以外は、イオン発生装置Aと同じ構成を有しており、実質上同じ部分には同じ符号付すとともに、実質上同じ部分の詳細な説明は省略する。図8に示すイオン発生装置Dは、放電電極201の先端に水等の液体を供給し、放電により、ラジカルを含む帯電微粒子を発生させる、いわゆる、静電霧化装置である。図8に示すように、イオン発生装置Dには、第2放電部20の放電電極201に液体ここでは、水を供給する給水部202を備えている。第2放電部2で生成される帯電微粒子はマイナスに帯電しており、第1放電部1で発生するプラスイオン{HH2Om}に比べて、電荷が大きい。イオン発生装置Dでもイオン発生装置Aと同様、第1放電部1と第2放電部20の放電エネルギを検出し、その放電エネルギが同量となるように制御されるので、発生するイオン又は帯電微粒子の1個の電荷が異なる場合であっても、イオン発生装置Dで生成されるイオン及び帯電微粒子の電荷のプラス/マイナスのバランスを精度よく制御することが可能である。なお、本実施形態において、負の放電電圧負の高電圧が印加される放電部第2放電部側で、帯電微粒子が発生するものとしているが、これに限定されるものではなく、正の放電電圧正の高電圧が印加される放電部第1放電部側で、帯電微粒子が発生するようにしてもよく、両方の放電部で帯電微粒子が発生するようにしてもよい。本発明にかかるイオン発生装置を搭載した電気機器の一例である空気清浄機について、図面を参照して説明する。図9は本発明にかかる電気機器の一例である空気清浄機を示すブロック図である。なお、図9に示す空気清浄機では、イオン発生装置Aを用いているがそれ以外の本発明にかかるイオン発生装置を用いてもよい。空気清浄機は、ファンを駆動して外部に空気を送り、その空気にイオン発生装置Aで発生した、プラスイオン{HH2Om}及びマイナスイオン{O2-n}帯電微粒子を供給し、空気の流れで外部空間にプラスイオン{HH2Om}及びマイナスイオン{O2-n}帯電微粒子を拡散させ、細菌、ウィルス、化学物質等の環境を悪化させる物質を付活化させるものである。図9に示すように、空気清浄機は、制御部Contが、操作部Opと、表示部Dsと、イオン発生装置Aと、ファンFaとを制御する構成となっている。制御部Contは、操作部Opに使用者からの動作開始の入力があると、表示部Dsに必要な内容例えば、現在の時刻、タイマー設定時間、イオン発生ON/OFF等を表示し、ファンFaを回転する。空気清浄機では、上述した環境を悪化させる物質を捕集するフィルタ不図示を備えておりファンFaの駆動だけでもある程度、空気を清浄することが可能である。一方で、イオン発生装置Aからの、プラスイオン{HH2Om}及びマイナスイオン{O2-n}帯電微粒子を放出することで、環境中に浮遊したフィルタで捕集しにくい環境を悪化させる物質を不活化することができる。そのため、空気清浄機では、フィルタによる環境を悪化させる物質の捕集と同時に、プラスイオン{HH2Om}及びマイナスイオン{O2-n}帯電微粒子を発生させる運転を行うためのモードイオン放出モードとするが用意されている。制御部Contは操作部Opにイオン放出モードでの動作をONにする入力があると、イオン発生装置Aを駆動し、プラスイオン{HH2Om}及びマイナスイオン{O2-n}帯電微粒子を発生させる。これにより、プラスイオン{HH2Om}及びマイナスイオン{O2-n}帯電微粒子は、ファンFaによる空気の流れにのって、外部に放出される。このような、空気清浄機に本発明にかかるイオン発生装置を取り付けることで、プラスイオン{HH2Om}とマイナスイオン{O2-n}帯電微粒子のプラス電荷とマイナス電荷のバランスを一定に保つことができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこの内容に限定されるものではない。また本発明の実施形態は、発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の改変を加えることが可能である。