"p型のシリコン基板、および前記シリコン基板の上に形成されたn型のシリコンからなるn型シリコン受光層を備える第1太陽電池サブセルを形成する工程と、基板の上に六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層を形成する工程と、前記分離層の上にアルミニウムを含む窒化物半導体からなる半導体層を結晶成長する工程と、前記半導体層の上にシリコンと前記半導体層との間のバンドギャップエネルギーを有するn型の窒化物半導体からなるn型窒化物受光層を結晶成長する工程と、前記n型窒化物受光層の上に前記n型窒化物受光層と同じバンドギャップエネルギーのp型の窒化物半導体からなるp型窒化物受光層を結晶成長する工程と、前記p型窒化物受光層の上に前記n型窒化物受光層よりバンドギャップエネルギーの大きなn型の窒化物半導体からなる接合層を結晶成長する工程と、前記接合層の上に前記n型シリコン受光層を接合する工程と、前記n型窒化物受光層およびp型窒化物受光層からなる第2太陽電池サブセルと前記基板とを前記分離層で分離する工程とを少なくとも備えることを特徴とするタンデム太陽電池セルの製造方法。請求項1記載のタンデム太陽電池セルの製造方法において、前記シリコン基板に接続するアノード電極を形成する工程と、前記分離層および前記半導体層を貫通して前記n型窒化物受光層に接続するカソード電極を形成する工程とを備えることを特徴とするタンデム太陽電池セルの製造方法。請求項2記載のタンデム太陽電池セルの製造方法において、前記n型窒化物受光層およびp型窒化物受光層からなる第2太陽電池サブセルと前記基板とを前記分離層で分離した後、前記分離層,前記半導体層,前記n型窒化物受光層,前記p型窒化物受光層,前記接合層,および前記n型シリコン受光層を所望とするメサ形状にパターニングする工程を備え、前記メサ形状にパターニングした後で、前記カソード電極を前記n型窒化物受光層にオーミック接続させるための加熱処理を行うことを特徴とするタンデム太陽電池セルの製造方法。請求項3記載のタンデム太陽電池セルの製造方法において、前記メサ形状にパターニングした後で、前記n型窒化物受光層に接続する前記カソード電極を形成して前記n型窒化物受光層にオーミック接続させるための加熱処理を行うことを特徴とするタンデム太陽電池セルの製造方法。p型のシリコン基板、および前記シリコン基板の上に形成されたn型のシリコンからなるn型シリコン受光層を備える第1太陽電池サブセルと、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる半導体層の上に結晶成長することで形成された、n型の窒化物半導体からなるn型窒化物受光層およびp型の窒化物半導体からなるp型窒化物受光層を備える第2太陽電池サブセルと、前記p型窒化物受光層の上に形成されたn型の窒化物半導体からなる接合層とを備え、前記n型シリコン受光層および前記接合層が接合されて前記第1太陽電池サブセルおよび前記第2太陽電池サブセルが一体とされ、前記n型シリコン受光層の上に,前記接合層,p型窒化物受光層,n型窒化物受光層,および前記半導体層が、これらの順に積層され、前記p型窒化物受光層および前記n型窒化物受光層は、同じバンドギャップとされ、前記p型窒化物受光層および前記n型窒化物受光層は、シリコンと前記半導体層との間のバンドギャップとされ、加えて、前記p型窒化物受光層および前記n型窒化物受光層は、シリコンと前記接合層との間のバンドギャップとされていることを特徴とするタンデム太陽電池セル。ところで、上述した太陽電池セルでは、n型のGaNからなる半導体基板903を介して太陽光を入射している。GaNのバンドギャップエネルギーは3.4eVであり、これよりも低いエネルギー長波長の光は、原理的には、半導体基板903で吸収されることなく透過する。しかしながら、バンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光であっても、半導体基板903の厚さが100μm程度となると、吸収透過損失が無視できないものとなる。例えば、波長600nmエネルギー2.1eVの光が、GaNに吸収される吸収係数は100cm1であり、厚さ100μmのGaNを透過することで、1/eに減衰する非特許文献1参照。このように、入射光の光路に存在する発電に寄与しない基板などの層は、厚さが100μm程度であっても、光電変換の効率を低下させる原因となる。また、GaN基板は、一般には高価であり、セルの作製にコストの上昇を招くという問題がある。本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、セルの作製にコストの上昇を招くことなく、より効率よく発電ができるようにすることを目的とする。本発明に係るタンデム太陽電池セルの製造方法は、p型のシリコン基板、およびシリコン基板の上に形成されたn型のシリコンからなるn型シリコン受光層を備える第1太陽電池サブセルを形成する工程と、基板の上に六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層を形成する工程と、分離層の上にアルミニウムを含む窒化物半導体からなる半導体層を結晶成長する工程と、半導体層の上にシリコンと半導体層との間のバンドギャップエネルギーを有するn型の窒化物半導体からなるn型窒化物受光層を結晶成長する工程と、n型窒化物受光層の上にn型窒化物受光層と同じバンドギャップエネルギーのp型の窒化物半導体からなるp型窒化物受光層を結晶成長する工程と、p型窒化物受光層の上にn型窒化物受光層よりバンドギャップエネルギーの大きなn型の窒化物半導体からなる接合層を結晶成長する工程と、接合層の上にn型シリコン受光層を接合する工程と、n型窒化物受光層およびp型窒化物受光層からなる第2太陽電池サブセルと基板とを分離層で分離する工程とを少なくとも備える。上記タンデム太陽電池セルの製造方法において、シリコン基板に接続するアノード電極を形成する工程と、分離層および半導体層を貫通してn型窒化物受光層に接続するカソード電極を形成する工程とを備える。なお、n型窒化物受光層およびp型窒化物受光層からなる第2太陽電池サブセルと基板とを分離層で分離した後、分離層,半導体層,n型窒化物受光層,p型窒化物受光層,接合層,およびn型シリコン受光層を所望とするメサ形状にパターニングする工程を備え、メサ形状にパターニングした後で、カソード電極をn型窒化物受光層にオーミック接続させるための加熱処理を行うようにすればよい。また、メサ形状にパターニングした後で、n型窒化物受光層に接続するカソード電極を形成してn型窒化物受光層にオーミック接続させるための加熱処理を行うようにしてもよい。また、本発明に係るタンデム太陽電池セルは、p型のシリコン基板、およびシリコン基板の上に形成されたn型のシリコンからなるn型シリコン受光層を備える第1太陽電池サブセルと、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる半導体層の上に結晶成長することで形成された、n型の窒化物半導体からなるn型窒化物受光層およびp型の窒化物半導体からなるp型窒化物受光層を備える第2太陽電池サブセルと、p型窒化物受光層の上に形成されたn型の窒化物半導体からなる接合層とを備え、n型シリコン受光層および接合層が接合されて第1太陽電池サブセルおよび第2太陽電池サブセルが一体とされ、n型シリコン受光層の上に,接合層,p型窒化物受光層,n型窒化物受光層,および半導体層が、これらの順に積層され、p型窒化物受光層およびn型窒化物受光層は、同じバンドギャップとされ、p型窒化物受光層およびn型窒化物受光層は、シリコンと半導体層との間のバンドギャップとされ、加えて、p型窒化物受光層およびn型窒化物受光層は、シリコンと接合層との間のバンドギャップとされている。以上説明したことにより、本発明によれば、セルの作製にコストの上昇を招くことなく、より効率よく発電ができるようになるという優れた効果が得られる。以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態におけるタンデム太陽電池セルの構成を示す構成図である。図1では、タンデム太陽電池セルの断面を模式的に示している。このタンデム太陽電池セルは、まず、p型のシリコン基板101およびシリコン基板101の上に形成されたn型のシリコンからなるn型シリコン受光層102を備える。シリコン基板101とn型シリコン受光層102とにより、第1太陽電池サブセル110が構成されている。また、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる半導体層103の上に、n型の窒化物半導体からなるn型窒化物受光層104、p型の窒化物半導体からなるp型窒化物受光層105、およびn型の窒化物半導体からなる接合層106が積層されている。上記構成において、n型窒化物受光層104およびp型窒化物受光層105により、第2太陽電池サブセル120が構成されている。n型窒化物受光層104,p型窒化物受光層105,および接合層106は、半導体層103の上に結晶成長エピタキシャル成長することで形成されている。また、半導体層103は、例えば、臨界膜厚程度の厚さに形成されている。例えば、サファイアなどの基板の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層の上に、半導体層103を結晶成長しておき、この上に、n型窒化物受光層104,p型窒化物受光層105,および接合層106を順次に結晶成長する。次いで、接合層106にn型シリコン受光層102を接合し、この後、分離層で基板より分離すればよい。詳細は後述するが、分離層の上には、アルミニウムを含む窒化物半導体であれば結晶成長できる。また、均一な膜の状態に半導体層103が形成結晶成長されていれば、この上にn型窒化物受光層104,p型窒化物受光層105,および接合層106が結晶成長できる。例えば、臨界膜厚程度の厚さに半導体層103が形成されていればよい。また、分離層は、グラファイト同様に機械加工が容易であり、分離層で容易に分離が可能である。このタンデム太陽電池セルは、第1太陽電池サブセル110と第2太陽電池サブセル120とが、n型シリコン受光層102および接合層106で接合されて一体とされている。p型窒化物受光層105と接合層106とによりトンネル接合が形成されている。また、n型シリコン受光層102と接合層106との界面は、異種材料間接着面となる。結果として、n型シリコン受光層102の上に,接合層106,p型窒化物受光層105,n型窒化物受光層104,および半導体層103が、これらの順に積層されたものとされている。また、p型窒化物受光層105およびn型窒化物受光層104は、同じバンドギャップとされ、p型窒化物受光層105およびn型窒化物受光層104は、シリコンと半導体層103との間のバンドギャップとされている。加えて、p型窒化物受光層105およびn型窒化物受光層104は、シリコンと接合層106との間のバンドギャップとされている。なお、シリコン基板101の側には、アノード電極107が形成され、半導体層103の側には、カソード電極108が形成されている。カソード電極108は、例えば、平面視櫛形に形成され、n型窒化物受光層104半導体層103にオーミック接続している。例えば、p型窒化物受光層105およびn型窒化物受光層104をInxGaN0<x<0.75から構成し、接合層106をInyGaNy<xから構成することで、上述したバンドギャップエネルギーの関係が得られる。特に、接合層106をGaNから構成すれば、GaNの伝導帯端とシリコンの伝導帯端はほぼ一致するので、接合層106とn型シリコン受光層102との接合において、電子の流れを阻害するバリア障壁を、著しく低い状態にすることができる。次に、動作について説明する。まず、半導体層103のカソード電極108形成面裏面から太陽光を入射する。半導体層103は、可視光を透過する材料から形成されているので、入射された太陽光は、半導体層103を透過し、n型InGaNからなるn型窒化物受光層104およびp型InGaNからなるp型窒化物受光層105へと到達する。例えば、半導体層103は、Al02Ga08Nから構成すればよい。Al02Ga08Nはバンドギャップエネルギーが3.8eVと吸収波長が紫外域にあるため、太陽光の吸収には寄与しない非特許文献2参照。太陽光の中で、InGaNのバンドギャップエネルギーと比較して短波長の成分は、第2太陽電池サブセル120で吸収され発電に寄与する。一方、InGaNのバンドギャップエネルギーと比較して長波長の成分は、第2太陽電池サブセル120を透過する。また、接合層106は、InGaNと比較してバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体例えばGaNから形成しているので、第2太陽電池サブセル120を透過した光はすべて接合層106を透過し、第1太陽電池サブセル110に到達する。第2太陽電池サブセル120は、バンドギャップエネルギーがシリコンより大きいInGaNから構成されているので、第2太陽電池サブセル120を透過した光にはシリコンのバンドギャップエネルギーと比較して波長の短い成分が含まれる。このような太陽光の成分は、第1太陽電池サブセル110において吸収され発電に寄与する。上述した本実施の形態のおけるタンデム太陽電池セルでは、第1太陽電池サブセル110および第2太陽電池サブセル120が、n-on-p構造となっているので、p-on-n構造と比較して、より高効率の太陽電池セルが実現されている。更に、上述したタンデム太陽電池セルによれば、異種材料接着面を介したn型シリコン受光層102と接合層106との間の接合が良好な電気特性を示す。また、p型窒化物受光層105および接合層106からなるトンネル接合において、キャリア輸送特性を阻害するバリア障壁が存在しない状態としている。このように、上述したタンデム太陽電池セルによれば、良好な特性が実現される。また、本実施の形態によれば、光が入射する半導体層103は、例えば、臨界膜厚程度と薄くできるので、厚さが100μm程度の基板を用いる場合に比較して光吸収は極めて小さく、実質的に入射する光を吸収することがない。この結果、より効率よく発電ができるようになる。次に、本実施の形態におけるタンデム太陽電池セルの製造方法について、図2A~図2Fを用いて説明する。図2A~図2Fは、本発明の実施の形態におけるタンデム太陽電池セルの製造方法を説明するための各工程における状態を示す断面図である。まず、図2Aに示すように、シリコン基板101を用意し、用意したシリコン基板101にn型不純物をイオン注入によって導入し、活性化アニールを行うことによってn型シリコン受光層102を形成する。また、シリコン基板101の裏面に、アノード電極107を形成する。これらのことにより、第1太陽電池サブセル110が作製できる。一方、別途に、第2太陽電池サブセル120を作製する。まず、図2Bに示すように、基板201の上に六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層202を形成する。例えば、サファイアコランダム:Al2O3からなる基板201の上に、よく知られた有機金属気相成長法により、トリエチルボロンおよびアンモニアをソースガスとして窒化ホウ素を堆積させればよい。このとき、基板温度条件は1080°Cとすればよい。なお、分離層202の形成前に、基板201の表面を、有機金属気相成長装置の反応炉内の圧力を39999.6Pa300Torrとした水素ガス雰囲気で、基板温度を1080°Cに加熱することによるサーマルクリーニングを行っておくとよい。次に、図2Cに示すように、分離層202の上に、AlGaNからなる半導体層103、n型のInGaNからなるn型窒化物受光層104、p型のInGaNからなるp型窒化物受光層105,およびn型のGaNからなる接合層106を、順次に結晶成長する。例えば、有機金属気相成長法により、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、およびアンモニアをソースガスとしてAl02Ga08Nを結晶成長することで、半導体層103が形成できる。また、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、およびアンモニアをソースガスとしてn型のInGaNを結晶成長することで、n型窒化物受光層104が形成できる。同様に、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、およびアンモニアをソースガスとしてp型のInGaNを結晶成長することで、p型窒化物受光層105が形成できる。また、トリメチルガリウムおよびアンモニアをソースガスとしてn型のGaNを結晶成長することで、接合層106が形成できる。次に、図2Dに示すように、接合層106とn型シリコン受光層102とを、例えばウェハボンディングによりメカニカルスタック接合させることで電気的に接続する。次に、図2Eに示すように、第1太陽電池サブセル110および第2太陽電池サブセル120を接合したタンデム太陽電池セルと、基板201とを、分離層202で分離する。六方晶系の窒化ホウ素は、グラファイトと同様に、六角形の頂点にホウ素と窒素とが交互に配置されて構成された六角網面の層が積層された構造を有し、各層間は、弱いファンデルワールス力で結合されている。このため、六方晶系の窒化ホウ素は、機械加工が容易であり、分離層202で分離が可能である。例えば、シリコン基板101を基板201側より引き離すことで、シリコン基板101の上に形成されたタンデム太陽電池セルと基板201とが、分離層202で容易に分離する。次に、上述したようにタンデム太陽電池セルと基板201とを分離した後で、図2Fに示すように、半導体層103の上のカソード電極形成領域に残る分離層202を貫通してn型窒化物受光層104半導体層103に接続するカソード電極108を形成する。カソード電極108は、例えばTi/Al/Ni/Auから構成し、櫛形の形状を有して形成すればよい。なお、六方晶系の窒化ホウ素は、バンドギャップエネルギーが5.2eVと吸収波長が紫外域にあるため、太陽光の吸収には寄与しない非特許文献3参照。例えば、公知のフォトリソグラフィー技術により、カソード電極形成領域に開口部を備えるレジストパターンを、分離後に残っている分離層202の上に形成する。次いで、形成したレジストパターンをマスクとし、分離後に残る分離層202のカソード電極形成領域を選択的にエッチング除去し、n型窒化物受光層104半導体層103を露出させる。次に、レジストパターンを残した状態で、例えば、蒸着法などにより所定の電極材料を堆積する。この後、レジストパターンを除去リフトオフすることで、カソード電極形成領域に、カソード電極108が形成できる。また、カソード電極108を形成した後、例えば、アニールすることで、カソード電極108をn型窒化物受光層104にオーミック接続させる。ここで、カソード電極108を形成するときの熱処理において、p型のInGaNからなるp型窒化物受光層105中でアクセプタを不活性化している水素を、接合層106を介しての拡散によって外部へ放出させることができる。これにより、p型窒化物受光層105におけるアクセプタの活性化率を向上させることができる。また、タンデム太陽電池セル第2太陽電池サブセル120と基板201とを分離した後で、図3に示すように、分離層202,半導体層103,n型窒化物受光層104,p型窒化物受光層105,接合層106,およびn型シリコン受光層102を所望とするメサ形状にパターニングし、この後で、カソード電極108をオーミック接続させるための加熱処理を行うようにするとよい。例えば、平面視で5mm×5mmの矩形のメサ形状に形成すればよい。このように、メサ形状に加工して面積を小さくすることで、加熱処理時における、n型シリコン受光層102と接合層106との熱膨張係数差によるこれらの間の剥離などが抑制できるようになる。平面視5mm角のメサ形状とすることで、上記加熱処理において、n型シリコン受光層102と接合層106との間の剥離が起きないことは確認されている。なお、同一のシリコン基板101の上に、各々メサ形状に加工した複数のタンデム太陽電池セル部分を形成してもよい。以上に説明したように、本実施の形態における製造方法によれば、六方晶系の窒化ホウ素層およびこの上に結晶成長させることが可能なAlを含む窒化物半導体層を用い、結晶成長させる基板より容易に窒化物半導体層を分離できるようにした。これにより、第2太陽電池サブセル120の光入射側に、基板がない状態とすることができるので、入射する光が吸収されることなくより効率よく発電ができるようになる。また、第2太陽電池サブセル120を構成する各窒化物半導体層を、例えば、導電性GaN基板など高価な基板を用いる必要が無く、よく用いられているサファイア基板などの上に結晶成長できるので、製造コストの低減が図れるようになる。次に、分離層として用いた六方晶系の窒化ホウ素について説明する。六方晶系の窒化ホウ素は、よく知られているように、グラファイトと同様の結晶構造を有している。発明者らの鋭意研究の結果、六方晶系の窒化ホウ素の層の上には、GaNは層として結晶成長させることができないが、Alを含む窒化物半導体であれば、層膜として結晶成長させることができることを見いだした。六方晶系の窒化ホウ素は、例えばサファイア基板の上に結晶成長させることができ、このように形成した窒化ホウ素層の上に、AlGaNの層であれば形成できるので、窒化ホウ素層の上に、AlGaN層を形成すれば、この上にGaN層が形成できる。このようにして、窒化ホウ素層の上にAlGaN層を介して形成したGaNの層は、図4の写真に示すように、極めて平坦な表面状態で形成できる。なお、図4は、光学顕微鏡による観察結果である。また、この状態をX線回折分析すると、図5に示すように、GaN層の0002からの回折、およびAlGaN層の0002からの回折が、各々明瞭に観察された。GaN層のc軸格子定数は、0.5187nmであり、無歪みのGaNのc軸格子定数0.51855nmに近く、形成されたGaN層のc軸格子歪みは、0.0289と求められた。また、AlGaN層のc軸格子定数は、0.5154nmであり、Al016Ga084Nの組成となっていることがわかった。なお、AlGaNに限らず、AlNも六方晶系の窒化ホウ素の上に結晶成長できることがわかっている。発明者らの検討により、AlxGa1xN0.1≦x≦1であれば、六方晶系の窒化ホウ素の層の上に結晶成長できることが判明している。以上のことより、サファイア基板の上に、六方晶系の窒化ホウ素の層を形成し、この上にAlGaNなどのAlを含む窒化物半導体の層を介することで、結晶性のよいGaN層が結晶成長できることがわかる。上述したように、窒化ホウ素層およびAlGaN層を介してサファイア基板の上に形成したGaN層は、窒化ホウ素層の部分で、サファイア基板より容易に分離できる。例えば、剥離用基板を用意し、この剥離用基板に導電性両面粘着テープを用いてGaN層を貼り付ける。この状態では、サファイア基板、AlGaN層、GaN層、および剥離基板の順に積層された状態となっている。この状態より、サファイア基板の側より剥離基板を離間させると、AlGaN層,GaN層からなる積層構造が、窒化ホウ素層の部分でサファイア基板より分離する。前述したように、六方晶系の窒化ホウ素は、積層されている六角網面の各層間は、弱いファンデルワールス力で結合されており、この層間の結合力は、粘着テープの粘着力より弱い。このため、上述したようにすることで、上記積層構造は、窒化ホウ素層の部分でサファイア基板より容易に分離させることができる。このように分離して剥離基板の上に転写されたGaN層およびAlGaN層をX線回折分析すると、図6に示すように、転写前のX線回折同様に、GaN層の0002からの回折およびAlGaN層の0002からの回折が、各々明瞭に観測された。転写されたGaN層のc軸格子定数は、0.51855nmであり、無歪みのGaNのc軸格子定数0.51855nmに近く、転写することにより、GaN層は無歪みとなっていることがわかった。次に、剥離基板の上に転写されたGaN層のラマン散乱スペクトルを図7に示す。GaN層のE2モードが567cm1に明瞭に観測され、また、GaN層のA1モードが733cm1に明瞭に観測された。この結果は、無歪みのGaNのE2モード567cm1、A1モード733cm1とほぼ一致している。これらのことより、GaN層は、転写により無歪みとなることがわかった。次に、分離して剥離基板の上に転写されたGaN層およびAlGaN層のカソードルミネッセンススペクトルを図8に示す。カソードルミネッセンスの測定は、室温23°C程度で、加速電圧は10kVである。AlGaN層からの発光が、332nmに明瞭に観測され、またGaN層からの発光も、363nm付近に観測される。以上に説明したことから明らかなように、六方晶系の窒化ホウ素層およびこの上に結晶成長させることが可能なAlを含む窒化物半導体の層を利用することで形成したGaN層は、高品質な結晶性を保持した状態で、成長基板より分離させることができることがわかる。なお、分離のために用いた剥離基板は、サファイア基板を用いてもよく、また、ガラスなどの透明な絶縁性基板、シリコン、シリコンカーバイト、GaN、AlNなどの半導体基板、銅、銀などの高い熱伝導率を有する金属、プラスチック、紙などの折り曲げ可能な基板であってもよいことはいうまでもない。また、上述では、導電性両面粘着テープにより剥離基板に貼り付けるようにしたが、これに限るものではなく、金属シート、低温はんだ、また、導電性接着材を用いて剥離基板に貼り付けるようにしてもよい。例えば、金属シートや低温はんだを用いる場合、これら材料の融点近傍まで加熱することで、剥離基板に融着させることができる。以上に説明したように、本発明によれば、タンデム太陽電池セルにおいて、セルの作製にコストの上昇を招くことなく、より効率よく発電ができるようになる。なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、上述した実施の形態では、窒化物半導体より構成した1つの太陽電池サブセルを、シリコンより構成した太陽電池サブセルに組み合わせた例について説明したが、これに限るものではない。窒化物半導体より構成した複数の太陽電池サブセルを積層して形成し、これにシリコンより構成した太陽電池サブセルを組み合わせるようにしてもよい。窒化物半導体より構成した複数の太陽電池サブセルを積層することで、より幅広いエネルギースペクトルを持つ太陽光を効率的に電力変換できるようになる。また、半導体層103のカソード電極形成領域に不純物をイオン注入し、ここにカソード電極108を設けることで、オーミック接続させるようにしてもよい。なお、イオン注入による損傷を回復させるための高温の加熱処理では、SiNなどの保護膜では耐熱性が低く用いることができないが、窒化ホウ素融点3000°Cであれば十分に耐熱性があり、保護膜として用いることができる。また、光入射側に配置される残る分離層202の表面をドライエッチングなどで粗面とし、分離層202の表面に微細な凹凸を形成してもよい。このような微細な凹凸を形成することで、光入射の効率を向上させることができる。なお、このように粗面を形成するためには、分離後に十分に分離層202が残っていることが前提となる。このためには、分離層202の形成時に,分離層202を層厚数百nm成長することが重要となる。"