ポリマーからなる表面を有する構造体に対し、超臨界成膜によって、前記ポリマーの表面に膜を形成する成膜方法において、超臨界流体に、酸化剤と該酸化剤によって酸化物が生成する酸化物用原料とを供給し、前記酸化物が生成する温度で加熱することにより、前記構造体のポリマーの表面に前記酸化物からなる酸化物層を形成することを特徴とする成膜方法。前記酸化剤は、O3であることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。前記酸化物用原料は、Si又はTiを含む原料であることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜方法。前記酸化物層は、SiO2又はTiO2であることを特徴とする請求項3に記載の成膜方法。ポリマーからなる表面を有する構造体に対し、超臨界成膜によって、前記ポリマーの表面に膜を形成する成膜方法において、前記超臨界流体として、酸化剤の機能を有する流体を用い、前記超臨界流体に、前記酸化剤の機能によって酸化物が生成する酸化物用原料を供給するとともに、還元剤と該還元剤によって金属が生成する金属用原料とを供給し、前記酸化物及び前記金属が生成する温度で加熱することにより、前記酸化物の中に前記金属が存在するコンポジット層を形成することを特徴とする成膜方法。前記コンポジット層の形成後に、前記酸化物用原料の供給を停止して、前記還元剤と前記金属用原料との供給を行うことにより、前記コンポジット層の表面に前記金属からなる金属層を形成することを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。前記還元剤は、H2であることを特徴とする請求項5又は6に記載の成膜方法。前記酸化物用原料は、Mnを含む原料であることを特徴とする請求項5~7のいずれか1項に記載の成膜方法。前記金属用原料は、Cuを含む原料であることを特徴とする請求項5~8のいずれか1項に記載の成膜方法。前記コンポジット層は、前記酸化物であるMnOxと前記金属であるCuとから構成されていることを特徴とする請求項8又は9に記載の成膜方法。前記構造体は、流体を導入又は排出する出入り口を少なくとも1つ有する流路構造を備えており、前記流路を構成する少なくとも一部が前記ポリマーで形成されていることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の成膜方法。前記流路のアスペクト比が100以上であることを特徴とする請求項11に記載の成膜方法。前記ポリマーの材料が、SU-8、パリレン、及びPDMSのいずれかであることを特徴とする請求項1~12のいずれか1項に記載の成膜方法。ポリマーからなる表面を有する構造体に対し、超臨界成膜によって、前記ポリマーの表面に膜を形成する成膜方法に用いる成膜装置において、前記超臨界流体を前記構造体に導く流路手段と、前記超臨界流体に、酸化剤を溶解する第1溶解手段と、前記超臨界流体に、前記酸化剤によって酸化物が生成する酸化物用原料を溶解する第2溶解手段と、前記構造体を前記酸化物が生成する温度で加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。ポリマーからなる表面を有する構造体に対し、超臨界成膜によって、前記ポリマーの表面に膜を形成する成膜方法に用いる成膜装置において、酸化剤の機能を有する前記超臨界流体を前記構造体に導く流路手段と、前記超臨界流体に、前記酸化剤の機能によって酸化物が生成する酸化物用原料を溶解する第1溶解手段と、前記超臨界流体に、還元剤を溶解する第2溶解手段と、前記超臨界流体に、前記還元剤によって金属が生成する金属用原料を溶解する第3溶解手段と、前記構造体を前記酸化物及び金属が生成する温度で加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。前記加熱手段は、前記構造体とその近傍のみを加熱する手段であることを特徴とする請求項14又は15に記載の成膜装置。しかしながら、上述した特許文献2の技術では、成膜温度が300°Cと高いので、この技術を利用して、ポリマー表面に成膜しようとすると、高温の影響でポリマーが変質する等の問題が生じる恐れがあった。つまり、特許文献2の技術をポリマー材料に適用することが難しいという問題があった。本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ポリマーが熱により変質することを抑制してポリマーの表面に好適に成膜できる成膜方法及び成膜装置を提供することにある。1請求項1の発明は、ポリマーからなる表面を有する構造体に対し、超臨界成膜によって、前記ポリマーの表面に膜を形成する成膜方法において、超臨界流体に、酸化剤と該酸化剤によって酸化物が生成する酸化物用原料とを供給し、前記酸化物が生成する温度で加熱することにより、前記構造体のポリマーの表面に前記酸化物からなる酸化物層を形成することを特徴とする。本発明では、図1に例示する様に、超臨界流体に酸化剤と酸化物用原料とを供給し、構造体及びその周囲を酸化物が生成する温度で加熱することによって酸化物を生成させ、この酸化物によって構造体のポリマーの表面に酸化物層を形成する。つまり、本発明は、超臨界流体に混入させた酸化剤と酸化物用原料とを加熱して反応させて酸化物を生成し、この酸化物でポリマー表面に酸化物層を形成するという成膜方法であり、この成膜方法では、酸化剤を用いているので、従来に比べて低温例えば200°C以下でポリマー表面に成膜することができる。そのため、成膜する際にポリマーが高温で変質することを防止することが可能である。また、本発明によれば、ポリマー表面を隙間無く覆う様に酸化物層を形成できるので、親水性やガス透過防止性を高めることができるという利点もある。なお、酸化剤及び酸化物用原料の組み合わせとしては各種考えられるが、ポリマーに影響を与えない反応温度例えば200°C以下の反応温度で酸化物を生成できる後述する様な物質を採用すればよい。また、反応の下限温度としては、例えば150°Cが挙げられる。更に、超臨界流体としては、例えばCO2、エタノール、Ar等を用いることができる。2請求項2の発明では、前記酸化剤は、O3であることを特徴とする。ここでは、好適な酸化剤を例示している。なお、O3以外の他の例としては、例えばO2やBTIBisiodobenzene化学式:C10H5F6IO4が挙げられる。3請求項3の発明では、前記酸化物用原料は、Si又はTiを含む原料であることを特徴とする。ここでは、好適な酸化物用原料を例示している。なお、Siを含む原料としては、TEOSSiOC2H54、SiOCH34などが挙げられる。また、Tiを含む原料としては、TiOi-Pr2dpm2化学式:C28H52O6Ti、TiOi-Pr4化学式:C12H28O4Tiなどが挙げられる。また、Si、Tiの金属元素以外の他の金属元素の例としては、例えばAl、Hf、Ta、Sr等を用いることができ、その場合の金属元素を含む原料としては、Alhfac3化学式:C15H3F18O3Al、Hftmhd4化学式:C44H80O8Hf、Tai-OC3H75化学式:C15H35O5Ta、Srtmhd2化学式:C22H40O4Srが挙げられる。4請求項4の発明では、前記酸化物層は、SiO2又はTiO2であることを特徴とする。ここでは、好適な酸化物層を例示している。なお、これ以外の他の酸化物としては、アルミ酸化物Al2O3、ハフニウム酸化物HfO2、タンタル酸化物Ta2O5、チタン酸ストロンチウムSrTiO3が挙げられる。5請求項5の発明は、ポリマーからなる表面を有する構造体に対し、超臨界成膜によって、前記ポリマーの表面に膜を形成する成膜方法において、前記超臨界流体として、酸化剤の機能を有する流体を用い、前記超臨界流体に、前記酸化剤の機能によって酸化物が生成する酸化物用原料を供給するとともに、還元剤と該還元剤によって金属が生成する金属用原料とを供給し、前記酸化物及び前記金属が生成する温度で加熱することにより、前記酸化物の中に前記金属が存在するコンポジット層を形成することを特徴とする。本発明では、酸化剤の機能を有する超臨界流体に酸化物用原料と還元剤と金属用材料とを供給し、構造体及びその周囲を酸化物及び金属の生成する温度で加熱することによって、酸化物及び金属を生成させる。そして、この酸化物及び金属によって構造体のポリマーの表面にコンポジット層を形成する。つまり、本発明は、酸化剤の機能を有する超臨界流体と酸化物用原料と還元剤と金属用原料とを加熱して反応させて、超臨界流体と酸化物用原料とから酸化物を生成するとともに還元剤と金属用原料とから金属を生成し、この酸化物及び金属でポリマー表面にコンポジット層を形成する成膜方法であり、この成膜方法では、超臨界流体に溶解可能な反応性の高い固体原料も使用できるので、従来に比べて低温例えば200°C以下でポリマー表面に成膜することができる。そのため、成膜する際にポリマーが高温で変質することを防止することが可能である。また、本発明によれば、ポリマー表面を隙間無く覆う様に酸化物層を形成できるので、親水性やガス透過防止性を高めることができるという利点もある。なお、超臨界流体と酸化物用原料と還元剤と金属用原料との組み合わせとしては各種考えられるが、ポリマーに影響を与えない反応温度例えば200°C以下の反応温度で酸化物及び金属を生成できる後述する様な物質を採用すればよい。また、反応の下限温度としては、例えば180°Cが挙げられる。更に、超臨界流体としては、酸化剤の機能を有する例えばCO2等を用いることができる。6請求項6の発明では、前記コンポジット層の形成後に、前記酸化物用原料の供給を停止して、前記還元剤と前記金属用原料との供給を行うことにより、前記コンポジット層の表面に前記金属からなる金属層を形成することを特徴とする。本発明では、コンポジット層の表面を覆う様に金属層を形成することができる。よって、構造体の表面に導電性を付与することができる。7請求項7の発明では、前記還元剤は、H2であることを特徴とする。ここでは、好適な還元剤を例示している。なお、H2以外の他の例としては、ギ酸化学式:HCOOHが挙げられる。8請求項8の発明では、前記酸化物用原料は、Mnを含む原料であることを特徴とする。ここでは、好適な酸化物用原料を例示している。なお、Mnを含む原料としては、Mnpmcp2化学式:C20H30Mnなどが挙げられる。また、Mnの金属元素以外の他の金属元素の例としては、例えばSi等を用いることができ、その場合の金属元素を含む原料としては、TEOSSiOC2H54が挙げられる。9請求項9の発明では、前記金属用原料は、Cuを含む原料であることを特徴とする。ここでは、好適な金属用原料を例示している。なお、Cuを含む原料としては、Cutmhd2化学式:C22H40CuO4、Cuacac2、Cuhfac2などが挙げられる。また、Cuの金属元素以外の他の金属元素の例としては、例えばNi、Ru等を用いることができ、その場合の金属元素を含む原料としては、NiCp2、Rutmhd3を用いることができる。なお、Cpとは、biscyclopentadienylのことである。10請求項10の発明では、前記コンポジット層は、前記酸化物であるMnOxと前記金属であるCuとから構成されていることを特徴とする。ここでは、好適なコンポジット層を例示している。なお、このMnOxとCuとの組み合わせ以外に、例えばSiO2とCuからなるコンポジット層が挙げられる。11請求項11の発明では、前記構造体は、流体を導入又は排出するための出入り口を少なくとも1つ有する流路構造を備えており、前記流路を構成する少なくとも一部が前記ポリマーで形成されていることを特徴とする。ここでは、成膜がなされる対象の構造体を例示している。前記構造体の流路としては、内径が100μm以下のマイクロ流路が挙げられる。つまり、本発明は、流路が細いマイクロ流路の内側表面に容易に成膜することができる。12請求項12の発明では、前記流路のアスペクト比が100以上であることを特徴とする。ここでは、流路の構成を例示している。なお、ここでアスペクト比とは、流路の長さ/流路の内径最も小さな部分の径である。13請求項13の発明では、前記ポリマーの材料が、SU-8、パリレン、及びPDMSのいずれかであることを特徴とする。ここでは、好適なポリマー材料を例示している。14請求項14の発明は、ポリマーからなる表面を有する構造体に対し、超臨界成膜によって、前記ポリマーの表面に膜を形成する成膜方法に用いる成膜装置において、前記超臨界流体を前記構造体に導く流路手段と、前記超臨界流体に、酸化剤を溶解する第1溶解手段と、前記超臨界流体に、前記酸化剤によって酸化物が生成する酸化物用原料を溶解する第2溶解手段と、前記構造体を前記酸化物が生成する温度で加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする。本発明では、超臨界流体に酸化剤と酸化物用原料とを溶解し、流路に配置した構造体を例えば200°C以下の範囲の温度で加熱する。これにより、構造体のポリマーの表面に酸化物層を形成することができるので、前記請求項1と同様な効果を奏する。15請求項15の発明は、ポリマーからなる表面を有する構造体に対し、超臨界成膜によって、前記ポリマーの表面に膜を形成する成膜方法に用いる成膜装置において、酸化剤の機能を有する前記超臨界流体を前記構造体に導く流路手段と、前記超臨界流体に、前記酸化剤の機能によって酸化物が生成する酸化物用原料を溶解する第1溶解手段と、前記超臨界流体に、還元剤を溶解する第2溶解手段と、前記超臨界流体に、前記還元剤によって金属が生成する金属用原料を溶解する第3溶解手段と、前記構造体を前記酸化物及び金属が生成する温度で加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする。本発明では、酸化剤に機能を有する超臨界流体に酸化物用原料と還元剤と金属用原料とを溶解し、流路に配置した構造体を例えば200°C以下の範囲の温度で加熱する。これにより、構造体のポリマーの表面に、酸化物と金属とからなるコンポジット層を形成することができるので、前記請求項5と同様な効果を奏する。16請求項16の発明では、前記加熱手段が、前記構造体とその近傍のみを加熱する手段であることを特徴とする。本発明では、成膜可能な温度領域を構造体近傍に限定することにより、超臨界流体中で原料が反応して粉体が発生するのを抑制することができる。つまり、本発明では、例えば、構造体を設置しない側のヒータを断熱材で覆うことによって、熱が超臨界流体中に伝わるのを防ぎ、加熱領域を限定する。次に、本発明の成膜方法及び成膜装置ついて、図面に基づいて説明する。aまず、本実施例の成膜方法を実施するための成膜装置について説明する。本実施例の成膜方法は、図2に示す様に、構造体1内に形成されたマイクロ流路3の内壁の表面に、超臨界成膜の技術を用いて、薄膜の酸化物層5を形成するためのものである。前記マイクロ流路3は、シリコンSi基板7とSi基板7上に配置されたPDMS膜9との間に形成された略コの字状の流路である。詳しくは、マイクロ流路3は、Si基板7とPDMS膜9との間に形成された幅100μm×高さ100μm×長さ1mmの四角柱状の底部流路11と、底部流路11の両端から垂直にPDMS膜9を貫く様に形成された直径100μmの入口流路13及び出口流路15とから構成されたものである。なお、マイクロ流路3詳しくは底部流路11のアスペクト比、即ち長さ/高さの比は100である。図3に示す様に、本実施例の成膜装置21は、流路の上流側より、主として、第1管路23及び第2管路25と、シリンジポンプ27と、第3管路29と、チャンバー31と、第4管路33とを備えている。また、第3管路29には、第5管路35が接続されている。以下、各構成について詳細に説明する。第1管路23は、酸化剤であるオゾンガスO3をシリンジポンプ27に供給する管路であり、その管路には、上流側より、逆止弁37と2つの手動弁39、41とを備えている。なお、この手動弁39、41は、管路の開閉を調節できる弁である以下同様。第2管路25は、超臨界流体となる二酸化炭素ガスCO2を、第1管路23を介してシリンジポンプ27に供給する管路であり、その管路には、二酸化炭素ガスを加圧してシリンジポンプ27に供給するためのポンプ43と逆止弁45と手動弁47とを備えている。なお、この第2管路25は、第1管路23の両手動弁39、41の間に接続されている。シリンジポンプ27は、シリンジポンプ27内に供給されたオゾンガスと二酸化炭素ガスを混合して加圧し、その混合ガスを第3管路29に供給するポンプである。第3管路29は、シリンジポンプ27からチャンバー31に混合ガスを供給するための管路であり、その管路には、逆止弁49と手動弁51、53とを備えている。チャンバー31は、マイクロ流路3の内壁の表面に、酸化物層5を形成するための反応室である。第4管路33は、チャンバー31内のガスを排出するための管路であり、その管路には、上流側より、手動弁55と、チャンバー31内の圧力を所定の圧力に調整するための自動圧力調整弁57とを備えている。第5管路35は、酸化物層5を構成する材料の酸化物を生成するための酸化物用原料を、第3管路29を介してチャンバー31に供給するための管路であり、その管路には、上流側より、酸化物用原料を収容する容器59と、酸化物用原料を第3管路29に供給するポンプ61と、逆止弁63と、手動弁65とを備えている。なお、第5管路35は、両手動弁51、53の間の第3管路29に接続されている。b次に、前記成膜装置21を用いて行われる成膜方法について説明する。<マイクロ流路形成工程>ここでは、マイクロ流路3の内壁に成膜する方法を例に挙げて説明するので、まず、マイクロ流路3の形成方法について、図4に基づいて説明する。図4aに示す様に、まず、Si基板7の表面に、定法によって、SU-8からなるSU-8膜71を成膜する。そして、このSU-8膜71に対して、前記底部流路11の形状となる様にフォトリソパターニングを行う。次に、図4bに示す様に、Si基板7上において底部流路11の形状のSU-8膜71を覆う様に、例えばスピンコート等の定法によって、PDMS膜9を形成する。次に、図4cに示す様に、PDMS膜9をSU-8膜71を備えたSi基板7から分離するとともに、Si基板7からSU-8膜71を除去する。そして、分離したPDMS膜9に対して、例えばパンチングによって、入口流路13と出口流路15となる孔をあける。次に、図4dに示す様に、Si基板7とPDMS膜9との当接部分であるPDMS膜9のSi基板側端面とSi基板7のPDMS膜側端面とに、O2プラズマを照射して活性し、所定温度例えば75°Cに加熱して、PDMS膜9をSi基板7にボンディング接合する。これによって、酸化物層5の形成前のマイクロ流路3を備えた構造体1が完成する。<成膜工程>次に、前記マイクロ流路3の内壁に成膜する成膜方法について、前記図3に基づいて説明する。まず、前記図3に示す様に、チャンバー31内に、上述したマイクロ流路3を備えた構造体1を設置し、チャンバー31を閉じる。なお、チャンバー31では、ガスの流入、流出は可能である。次に、ポンプ43を作動させ、CO2を第2管路25を介して装置全体即ち管路内やチェンバー内等の装置内部:流路内部に供給する流量10ml/min。このとき、各手動弁47、35、51、53、55は開いておき、他の手動弁39、65は閉じておく。そして、配管に取り付けた装置加熱用のヒータ図示せずにより、装置全体を50°Cに保ち、構造体1の近傍に取り付けた構造体加熱用のヒータ図示せずにより、構造体1を200°Cに保つ。なお、前記構造体加熱用のヒータの構成としては、詳しくは、構造体の設置箇所を除く部分を断熱材で覆ったヒータがチャンバー底面に取り付けられており、構造体の設置箇所以外から超臨界流体を加熱しないようになっている。また、自動圧力調整弁57により、装置全体の圧力を15MPaに保つ。次に、手動弁39を開いて、25°Cの3体積O2中の濃度のO3を1MPaにてシリンジポンプ27に供給し流量1ml/min、その後、25°CのCO2をシリンジポンプ27内が10Mpaになるまで供給し流量10ml/min、手動バルブ41、51を閉じる。その後、シリンジポンプ27全体をヒータ図示せずにより昇温させ、シリンジポンプ27内を、50°C、10MPaの圧力に保ち、両ガスを混合して混合流体を作製した。なお、このとき、シリンダポンプ27内は密閉状態として混合流体を作製した。ここで、混合流体中のCO2ガスは、その臨界点圧力7.38MPa、温度31.1°Cを超える超臨界状態である。なお、この混合流体の組成比モル比は、O3:CO2=1:3200である。また、酸化物層5を形成する原料として、酸化物用原料を用意した。具体的には、酸化物用原料としては、TEOSSiOC2H54液体を原料の溶液として準備した。そして、混合流体と酸化物用原料とを、チャンバー31内に5分に渡り供給した。つまり、混合流体及び酸化物原料を供給する際に、手動弁51、65を開き、混合流体を押し出す様にシリンジポンプ27を作動させるとともに、ポンプ61を作動させた。具体的には、混合流体を10ml/minの一定流量で供給するとともに、酸化物用原料を0.1ml/minで一定流量で供給した。なお、装置全体の温度は50°C、構造体温度は200°Cに保ち、圧力は、自動圧力調整弁57により10MPaに保持した。そして、所定時間後例えば原料供給から5分後に、酸化物原料の供給を停止した。なお、原料の供給を停止する際には、手動弁65を閉じるとともに、ポンプ61を停止した。これにより、マイクロ流路3の内壁の表面に、厚さ50nmの酸化物層5が形成された。詳しくは、下記式1に示す様に、超臨界状態の二酸化炭素ガス中に供給された酸化物用原料であるTEOSは、酸化剤であるオゾンガスによって酸化されて、酸化物層5を構成する酸化物SiO2として、マイクロ流路3の内壁の表面に析出する。SiOC2H5424O3→SiO28CO22H2O24O21cこの様に、本実施例では、超臨界流体に酸化剤のオゾンガスと酸化物用原料のTEOSとを供給し、構造体1及びその周囲を200°Cの温度で加熱することによって、酸化物であるSiO2を生成させ、このSiO2によって構造体1のマイクロ流路3の内壁全面従ってポリマーであるPDMS膜9の表面等に酸化物層5であるSiO2層を形成する。従って、本実施例では、従来に比べて低い温度で酸化物層5を形成できるので、ポリマーが変質する等の問題が生じないという顕著な効果を奏する。また、本実施例によれば、ポリマー表面を隙間無く覆う様に酸化物層5を形成できるので、親水性やガス透過防止性を高めることができるという利点もある。また、構造体1の周囲のみを上述した温度に加熱するので、超臨界流体中に粉体が発生しにくいという効果もある。次に、実施例2について説明するが、前記実施例1と同様な内容の説明は省略する。aまず、本実施例の成膜方法を実施するための成膜装置について説明する。本実施例の成膜装置は、超臨界成膜の技術を用いて、図5aに示す様に、前記実施例1と同様なSi基板及びPDMS膜からなる構造体71内に形成されたマイクロ流路73の内壁の表面に、薄膜のコンポジット層75を形成するとともに、コンポジット層75の表面に薄膜の金属層77を形成するものである。なお、このコンポジット層77とは、図5bに拡大して模式的に示す様に、酸化物層79中に銅粒子81が含まれている複合層であり、金属層77とは、銅からなる層である。図6に示す様に、本実施例の成膜装置91は、流路の上流側より、主として、第1管路93及び第2管路95と、シリンジポンプ97と、第3管路99と、チャンバー101と、第4管路103とを備えている。また、第3管路99には、第5管路105と第6管路107とが接続されている。以下、各構成について詳細に説明する。第1管路93は、還元剤である水素ガスH2をシリンジポンプ97に供給する管路であり、その管路には、上流側より、逆止弁109と2つの手動弁111、113とを備えている。第2管路95は、酸化剤の機能を有する超臨界流体となる二酸化炭素ガスCO2を、第1管路93を介してシリンジポンプ97に供給する管路であり、その管路には、二酸化炭素ガスを加圧してシリンジポンプ97に供給するためのポンプ115と逆止弁117と手動弁119とを備えている。なお、この第2管路95は、第1管路93の両手動弁111、113の間に接続されている。シリンジポンプ97は、シリンジポンプ97内に供給された水素ガスと二酸化炭素ガスを混合して加圧し、その混合ガスを第3管路99に供給するポンプである。第3管路99は、シリンジポンプ97からチャンバー101に混合ガスを供給するための管路であり、その管路には、逆止弁121と手動弁123、125とを備えている。チャンバー101は、マイクロ流路73の内壁の表面に、コンポジット層75と金属層77とを形成するための反応室である。第4管路103は、チャンバー101内のガスを排出するための管路であり、その管路には、上流側より、手動弁127と、チャンバー101内の圧力を所定の圧力に調整するための自動圧力調整弁129とを備えている。第5管路105は、金属層77及びコンポジット層75中の金属を生成するための金属用原料を、第3管路99を介してチャンバー101に供給するための管路であり、その管路には、上流側より、金属用原料を収容する第1容器131と、金属用原料を第3管路99に供給するポンプ133と、逆止弁135と、手動弁137とを備えている。第6管路107は、コンポジット層75中の酸化物を生成するための酸化物用原料を、第3管路99を介してチャンバー101に供給するための管路であり、その管路には、上流側より、酸化物用原料を収容する第2容器139と、酸化物用原料を第3管路99に供給するポンプ141と、逆止弁143と、手動弁145とを備えている。なお、第5、第6管路105、107は、両手動弁123、125の間の第3管路99に接続されている。b次に、前記成膜装置91を用いて行われる成膜方法について、前記図6に基づいて説明する。まず、チャンバー31内に、前記実施例1と同様なマイクロ流路73を形成した構造体71を設置し、チャンバー101を閉じる。なお、チャンバー101では、ガスの流入、流出は可能である。次に、ポンプ115を作動させ、CO2を第2管路95を介して装置全体に供給する流量10ml/min。このとき、各手動弁119、113、123、125、127は開いておき、他の手動弁111、137、145は閉じておく。そして、配管に取り付けたヒータ図示せずにより、装置全体を50°Cに保ち、構造体71の近傍に取り付けたヒータ図示せずにより、構造体71を180°Cに保つ。また、自動圧力調整弁129により、装置全体の圧力を15MPaに保つ。次に、手動弁111を開いて、25°CのH2を1MPaの分量シリンジポンプ97に供給し流量1ml/min、また、25°CのCO2をシリンジポンプ27内が10Mpaになるまで供給し流量10ml/min、手動バルブ113、123を閉じた。その後、シリンジポンプ97全体をヒータ図示せずにより昇温させ、シリンジポンプ27内を、60°C、11MPaの圧力に保ち、両ガスを混合して混合流体を作製した。なお、このとき、シリンダポンプ97内は密閉状態として混合流体を作製した。ここで、混合流体中のCO2ガスは、その臨界点圧力7.38MPa、温度31.1°Cを超える超臨界状態である。なお、この混合流体の組成比モル比は、H2:CO2=1:9である。また、金属層77及びコンポジット層75を生成する原料として、金属用原料と酸化物用原料とを用意した。具体的には、金属用原料としては、原料のCutmhd2化学式:C22H40CuO4780mgを、溶媒のアセトン100mlの割合で溶かしたものを原料の溶液として準備した。また、酸化物用原料としては、原料のMnpmcp2化学式:C20H30Mn588gを、溶媒のアセトン100mlの割合で溶かしたものを準備した。そして、混合流体と、金属用原料と、酸化物用原料とを、チャンバー101内に5分に渡り供給した。つまり、混合流体及び各原料を供給する際に、各手動弁123、137、145を開き、シリンジポンプ97を混合流体を供給するように作動させるとともに、各ポンプ133、141を作動させた。なお、装置全体の温度は50°C、構造体温度は180°Cに保ち、圧力は、自動圧力調整弁47により15MPaに保持した。具体的には、混合流体は1.25ml/minの一定流量で供給した。また、金属用原料は0.7ml/minで一定流量とし、酸化物用原料も0.7ml/minで一定流量とした。そして、所定時間後例えば原料供給から5分後に、混合原料と金属用原料と酸化物用原料との供給を停止した。なお、原料の供給を停止する際には、各手動弁123、137、145を閉じ、シリンジポンプ97を停止するとともに、各ポンプ133、141を停止させた。これにより、厚さ50nmのコンポジット層75、詳しくは、MnO及びMnO2からなる酸化物層79の中に銅粒子81が分散するコンポジット層75が形成された。ここで、コンポジット層75の形成過程を詳細に説明する。超臨界状態の二酸化炭素ガス中に供給された金属用原料であるCutmhd2は、還元剤である水素ガスによって還元されて、コンポジット層75中の金属Cuとして析出する。また、超臨界状態の二酸化炭素ガス中に供給された酸化物用原料であるMnpmcp2は、二酸化炭素によって酸化されて、コンポジット層75中の酸化物マンガン酸化物:MnO2、MnOとして析出する。ここで、コンポジット層75中のCuは、酸化物金属酸化物を構成するMnよりも酸化されにくい原料であるので、本実施例のように、コンポジット層75中にCuとMnの酸化物とが析出する。なお、物質の酸化され易さの指標としては、例えばエリンガム図が知られており、エリンガム図の下方にある物質、即ち、酸化物の標準反応ギブスエネルギーの低いものが酸化され易い。次に、前記コンポジット層75の形成後に、混合流体と金属用原料とを、チャンバー101内に10分に渡り供給した。つまり、この原料を供給する際には、手動弁123、137を開き、シリンジポンプ97を作動させるとともに、ポンプ133を作動させた。なお、装置全体の温度は50°C、構造体温度は180°Cに保ち、圧力は、自動圧力調整弁129により15MPaとした。具体的には、混合流体は1.25ml/minの一定流量で供給した。また、金属用原料は、0.7ml/minの一定の流量で供給した。そして、所定時間後例えば原料供給から10分後に、混合流体と金属用原料との供給を停止した。なお、原料の供給を停止する際には、手動弁123、137を閉じ、シリンジポンプ97を停止するとともに、ポンプ133を停止させた。これにより、100nmの厚みの金属膜77が形成された。なお、超臨界状態の二酸化炭素ガス中に供給された金属用原料であるCutmhd2は、還元剤である水素ガスによって還元されて、金属層77を構成する金属Cuとして析出する。cこの様に、本実施例では、酸化剤の機能を有する超臨界流体に酸化物用原料と還元剤と金属用材料とを供給し、構造体71及びその周囲を200°C以下の温度で加熱することによって、酸化物MnO及びMnO2金属Cuを生成させる。そして、この酸化物及び金属によって構造体71のポリマーの表面にコンポジット層75を形成する。その後、コンポジット層75の形成後に、酸化物用原料の供給を停止して、還元剤と金属用原料との供給を行うことにより、200°C以下の低温にて、コンポジット層75の表面にCuからなる金属層77を形成する。従って、本実施例では、従来に比べて低い温度でコンポジット層75を形成できるので、ポリマーが変質する等の問題が生じないという顕著な効果を奏する。また、本実施例によれば、ポリマー表面を隙間無く覆う様にコンポジット層75を形成できるので、親水性やガス透過防止性を高めることができるという利点もある。しかも、本実施例では、コンポジット層75の表面を覆う様に金属層77を形成することができるので、構造体1従ってマイクロ流路73の表面に導電性を付与することができる。尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。1例えば、前記実施例1、2では、酸化物層を構成する酸化物としてSiO2を例に挙げたが、TiO2からなる酸化物層を形成してもよい。この場合には、酸化物用原料として、2-プロパノール化学式:C3H8O100mlに、TiOi-Pr2dpm2を1gの割合で混合した材料を使用すれば良い。なお、その他の製造条件は、前記実施例1、2と同様である。2また、他の酸化物としては、アルミ酸化物Al2O3、ハフニウム酸化物HfO2、タンタル酸化物Ta2O5、チタン酸ストロンチウムSrTiO3が挙げられる。この場合、各酸化物となる原料としては、Alhfac3化学式:C15H3F18O3Al、Hftmhd4化学式:C44H80O8Hf、Tai-OC3H75化学式:C15H35O5Ta、Srtmhd2化学式:C22H40O4Srを用いることができる。3更に、銅となる他の原料としては、前記以外に、Cuacac2、Cuhfac2を用いることができる。4また、銅以外の他の金属としては、ニッケルNi、ルテニウムRuを採用できる。また、この他の金属となる原料としては、NiCp2、Rutmhd3を用いることができる。5前記実施例2では、コンポジット層の上に金属層を形成する例を挙げたが、金属層を形成しなくてもよい。6また、前記実施例2において、コンポジット層中の金属第1金属と金属層を構成する金属第2金属の種類を違えてもよい。この場合は、コンポジット層中の第1金属用の金属用材料を供給する構成に加えて、金属層中の第2金属用の金属用材料を供給する構成を加える。そして、コンポジット層を形成した後に、酸化物材料の供給を停止するとともに、コンポジット層を形成する第1金属の金属用材料の供給を停止し、金属層を形成する第2金属の金属用材料の供給を開始する。7また、前記各実施例では、手動で操作する成膜装置について述べたが、例えば手動弁に代えて電磁制御弁開閉弁を使用し、その電磁制御弁の開閉のタイミングや開閉の程度を電子制御装置によって制御して、自動的に積層膜を行ってもよい。また、ポンプの動作も電子制御装置によって制御することができる。