揮発性メモリと、シングルレベルセルSLC領域とマルチレベルセルMLC領域とを備える不揮発性半導体ディスクドライブと、休止要求に応答して、前記揮発性メモリの内容を含むシステムコンテクストデータを前記SLC領域内の第1記憶領域にセーブする休止制御手段と、レジューム要求に応答して、前記第1の記憶領域から前記システムコンテクストデータを読み出して前記揮発性メモリの内容を復元するレジューム制御手段と、前記システムコンテクストデータの読み出し完了に応答して、前記第1記憶領域が他のデータの格納に使用可能になるように前記第1の記憶領域を解放する解放手段とを具備する情報処理装置。前記解放手段は、前記システムコンテクストデータの読み出し完了に応答して、前記第1記憶領域を解放すべきことを前記不揮発性半導体ディスクドライブに指示するように構成されている請求項1記載の情報処理装置。前記休止制御手段は、前記システムコンテクストデータの書き込み開始を前記不揮発性半導体ディスクドライブに対して通知し、この後に、前記システムコンテクストデータを前記不揮発性半導体ディスクドライブに書き込むためのライト要求を、前記不揮発性半導体ディスクドライブに送信するように構成され、前記不揮発性半導体ディスクドライブは、ライト要求の受信に応答して、前記システムコンテクストデータの書き込み開始が通知されているか否かを判定し、通知されている場合、前記受信されたライト要求に付随するライトデータを前記第1記憶領域に書き込むように構成されている請求項1記載の情報処理装置。前記不揮発性半導体ディスクドライブは、前記システムコンテクストデータの書き込み開始の通知を受信した場合、前記SLC領域内に前記第1記憶領域を確保するように構成されている請求項1記載の情報処理装置。シングルレベルセルSLC領域とマルチレベルセルMLC領域とを備える不揮発性半導体ディスクドライブを備えた情報処理装置の制御方法であって、休止要求に応答して、前記情報処理装置内の揮発性メモリの内容を含むシステムコンテクストデータを、前記SLC領域内の第1記憶領域にセーブし、レジューム要求に応答して、前記第1の記憶領域から前記システムコンテクストデータを読み出して前記揮発性メモリの内容を復元し、前記システムコンテクストデータの読み出し完了に応答して、前記第1記憶領域が他のデータの格納に使用可能になるように前記第1の記憶領域を解放する制御方法。前記第1の記憶領域を解放することは、前記システムコンテクストデータの読み出し完了に応答して、前記第1記憶領域を解放すべきことを前記不揮発性半導体ディスクドライブに指示することを含む請求項5記載の制御方法。シングルレベルセルSLC領域とマルチレベルセルMLC領域とを備える不揮発性半導体ディスクドライブを備えたコンピュータに、休止要求に応答して、前記情報処理装置内の揮発性メモリの内容を含むシステムコンテクストデータを、前記SLC領域内の第1記憶領域にセーブする手順と、レジューム要求に応答して、前記第1の記憶領域から前記システムコンテクストデータを読み出して前記揮発性メモリの内容を復元する手順と、前記システムコンテクストデータの読み出し完了に応答して、前記第1記憶領域が他のデータの格納に使用可能になるように前記第1の記憶領域を解放する手順とを実行させるプログラム。しかし、現状では、SLC領域とMLC領域の双方を備えるSSDの活用方法は限られており、頻繁に書き換えが必要とされるデータ、たとえばファイル管理情報等、の格納にSLC領域を使用するといった方法等が用いられているだけである。パーソナルコンピュータのコストアップを招くこと無く、パーソナルコンピュータの動作速度および信頼性を高めるためには、SLC領域とMLC領域とを備えるSSDを有効利用するための新たな技術の実現が必要である。本発明は、SLC領域とMLC領域とを備える不揮発性半導体ディスクドライブを有効に利用できる情報処理装置および制御方法を提供することを目的とする。実施形態によれば、情報処理装置は、揮発性メモリと、不揮発性半導体ディスクドライブと、休止制御手段と、レジューム制御手段と、解放手段とを具備する。前記不揮発性半導体ディスクドライブは、シングルレベルセルSLC領域とマルチレベルセルMLC領域とを備える。前記休止制御手段は、休止要求に応答して、前記揮発性メモリの内容を含むシステムコンテクストデータを前記SLC領域内の第1記憶領域にセーブする。レジューム制御手段は、レジューム要求に応答して、前記第1の記憶領域から前記システムコンテクストデータを読み出して前記揮発性メモリの内容を復元する。解放手段は、前記システムコンテクストデータの読み出し完了に応答して、前記第1記憶領域が他のデータの格納に使用可能になるように前記第1の記憶領域を解放するように構成されている。以下、実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る情報処理装置の外観を示す斜視図である。この情報処理装置は、例えばノートブックタイプのパーソナルコンピュータPC10として実現される。また、この情報処理装置は、サーバー、デスクトップPC、タブレットPC、スレートPC等として実現してもよい。図1に示すように、本コンピュータ10は、コンピュータ本体11及びディスプレイユニット12とから構成される。ディスプレイユニット12には、LCD16LiquidCrystalDisplayから構成される表示装置が組み込まれている。ディスプレイユニット12は、コンピュータ本体11の上面が露出される開放位置とコンピュータ本体11の上面を覆う閉塞位置との間を回動自在にコンピュータ本体11に取り付けられている。コンピュータ本体11は薄い箱形の筐体を有しており、その上面にはキーボード13、本コンピュータ10をパワーオン/パワーオフするためのパワーボタン14およびポインティングデバイス15として例えばタッチパッドが配置されている。他のタイプの情報処理装置においては、ポインティングデバイス15としてマウスやタッチパネル等が備えられるとしても良い。コンピュータ本体11の内部には、ソリッドステートドライブSSD116が設けられている。SSD116は、不揮発性半導体ディスクドライブであり、例えばNAND型フラッシュメモリを備える。NAND型フラッシュメモリの記憶領域を構成するセルの構造のタイプには、シングルレベルセルSLCとマルチレベルセルMLCとがある。この2つの異なるセルは、性能やコスト等の面で異なる特徴を有する。性能に関して、SLCは1ビットのデータを記録できるのに対して、MLCは2ビット以上のデータを記録することができる。そのため、一般的に、SLCは、MLCに比べ、1つのセルが占有する面積あたりのコストが高くなる。それゆえに、SLCよりもMLCの方が広く利用される。SLCは、MLCよりも、データを書き換えることができる回数が多い。そのため、SLCはMLCよりも高い信頼性を持ったセルであるといえる。さらに、SLCは、MLCよりも、データ書き込み速度、及びデータ読出し速度が速い。なお、SSD116に含まれるNAND型フラッシュメモリは、NAND型フラッシュメモリ以外でもよく、上述したようなSLCやMLC等の異なる特性を持った不揮発性メモリであればよい。次に、図2を参照し本実施形態の概要について述べる。コンピュータ10は電源に関する様々な状態を遷移する。電源に関する様々な状態とは、例えば稼動状態、スリープ状態サスペンド状態、および休止状態ハイバネート状態等である。稼動状態とは、コンピュータ10の電源がオンの状態である。つまり、稼動状態は、コンピュータ10が起動した状態である。稼動状態は、コンピュータ10に含まれるCPUやLCD16等の構成部品に電力が供給されている状態である。スリープ状態は、システムコンテクストが格納された揮発性メモリRAM等に電力を供給し、RAM以外のほとんど全ての構成部品をパワーオフした状態でもある。一方、ハイバネート状態は、揮発性メモリRAMの内容を含むシステムコンテクストデータハイバネートデータがハードディスクドライブのような不揮発性記憶装置にセーブされた状態で、RAMを含むほとんど全てのシステムコンポーネントがパワーオフされた状態である。したがって、例えばハイバネート状態では、スリープ状態と異なりコンピュータ10に電力が供給されていなくてもよい。また、コンピュータ10を起動させる際に、ハイバネートデータを読み出すことで、ハイバネート状態に遷移する直前のコンピュータ10の状態をリストア復元することができる。ハイバネート状態は、APCIAdvancedConfigurationandPowerInterface仕様ではS4の状態を指す。次に、図2を参照して本実施形態の概要について具体的に説明する。本実施形態では、ハイバネートデータは不揮発性記憶装置にセーブされる。上述のSSD116が不揮発性記憶装置として用いられる。SSD116は、SLC領域20及びMLC領域21の2つの領域を含む。SLC領域20は、SLCタイプの多数のセルから構成された記憶領域である。MLC領域21は、MLCタイプの多数のセルから構成された記憶領域である。SLC領域20及びMLC領域21は、各々上述したようなSLC及びMLCの特徴を持った領域である。また、データのリード及びライトに関して、MLC領域21よりもSLC領域20の方がデータのリード及びライトの速度が速い。MLC領域21の記憶容量は、SLC領域20の記憶容量よりも大きい。ハイバネートデータは、図2に示す論理アドレス空間上で、10番目のアドレスから20番目のアドレスに割り当てられている。論理アドレス空間上に割り当てられたハイバネートデータは、SSD116の物理アドレス空間上のSLC領域20に書き込まれる。なお、図2で、物理アドレス空間は、物理アドレス空間1及び物理アドレス空間2の2つの異なる名称で示されているが、説明の都合により名称が異なる。そのため、物理アドレス空間1及び物理アドレス空間2は、SSD116の同一の物理アドレス空間を示している。本実施形態でハイバネートデータはSLC領域20内に確保された記憶領域第1記憶領域に書き込まれるが、本実施形態の有用性を説明するために、まず、ハイバネートデータがMLC領域21に書き込まれる場合を想定して説明する。上述したように、不揮発性メモリを使用した場合、データの書き換え可能な回数が存在する。そのため、SSD116はこの書き換え回数が限界に達することを避けるために、例えば物理アドレス空間上の同一の番号のアドレスで示される領域にデータを書き込まないようにする平準化処理を行う。例えば、稼動状態からハイバネート状態への遷移処理が複数回行われた場合、すなわちハイバネートデータが不揮発性メモリに複数回書き込まれた場合、図2に示すように物理アドレス空間1上の3つの異なるアドレスで示される領域にハイバネートデータが書き込まれることになる。具体的に、例えばハイバネート状態への遷移処理が3回行われた場合、1回目のハイバネート状態への遷移処理で、論理アドレス空間の10番目のアドレスから20番目のアドレスに割り当てられたハイバネートデータは、物理アドレス空間1の30番目のアドレスから40番目のアドレスで示される領域に書き込まれる図2ではHibernateデータoldで示されている。。2回目のハイバネート状態への遷移で、論理アドレス空間の10番目のアドレスから20番目のアドレスに割り当てられたハイバネートデータは、物理アドレス空間1の50番目のアドレスから60番目のアドレスで示される領域に書き込まれる図2ではHibernateデータoldで示されている。。3回目のハイバネート状態への遷移で、論理アドレス空間の10番目のアドレスから20番目のアドレスに割り当てられたハイバネートデータは、物理アドレス空間1の70番目のアドレスから80番目のアドレスで示される領域に書き込まれる図2ではHibernateデータnewで示されている。。このように、同一のアドレスで示される論理アドレス空間上の領域に割り当てられたハイバネートデータは、物理アドレス空間1上の異なるアドレスで示される領域に書き込まれる。なお、ハイバネートデータが書き込まれる際の論理アドレスから物理アドレスへの変換は、SSD116によって処理される。次に、ハイバネートデータがSLC領域20に格納される場合について説明する。本実施形態では、SLC領域20にハイバネートデータが書き込まれる。SLC領域20に書きこまれたハイバネートデータは平準化処理の対象とならないように処理される。具体的には、論理アドレス空間の10番目のアドレスから20番目のアドレスに割り当てられたハイバネートデータは、物理アドレス空間2のSLC領域20の0番目のアドレスから10番目のアドレスで示される領域に書き込まれる。その後、例えばハイバネート状態から稼動状態に遷移し、再び稼動状態からハイバネート状態に遷移した場合、論理アドレス空間の10番目のアドレスから20番目のアドレスに割り当てられたハイバネートデータは、一度ハイバネートデータが書きこまれた領域である物理アドレス空間2のSLC領域20の0番目のアドレスから10番目のアドレスで示される領域に再び書き込まれる。また、ハイバネートデータは、コンピュータ10がハイバネート状態に遷移またはハイバネート状態から稼動状態に遷移する場合に、一時的に使用されるデータである。換言すると、ハイバネートデータは、ハイバネート状態から例えば稼動状態に遷移した後、再び使用されないデータである。そのため、上述したように、平準化処理によって異なるアドレスで示される物理アドレス空間1上の複数の記憶領域例えば、図2のHibernateoldやHibernatenewで示された領域。にハイバネートデータを格納することは不要にデータを分散させることになる。また、上述したように、MLC領域21へのライトの速度及びリードの速度よりもSLC領域20へのライトの速度及びリードの速度の方が速いため、SLC領域21にハイバネートデータを書き込むことによって、コンピュータ10がハイバネート状態への遷移及びハイバネート状態からの例えば稼動状態への遷移に必要な時間を短くすることができる。さらに、ハイバネートデータは上述したように一時的に使用されるデータであるため、ハイバネート状態から他の状態に遷移した後、ハイバネートデータが書き込まれていたSLC領域20内の記憶領域を解放することができる。ハイバネートデータが格納されていたSLC領域20を解放することによって、上述したようにMLC領域21よりも高性能なSLC領域20に他のデータを書き込むことによって、SLC領域20の特徴を生かし、SLC領域20を有効に利用することができる。また、SSD116は、ハイバネートデータを書き込む場合、SLC領域内にハイバネートデータを書き込むためのSLC領域内に記憶領域を確保するように構成されている。そのために、本実施形態では、ハイバネートデータを書き込む記憶領域に、例えばハイバネートデータと異なる他のデータが書き込まれていた場合、書き込まれていた他のデータを他の記憶領域に移動させるための処理が行われる。次に、図3を参照して、コンピュータ10のシステム構成例を説明する。コンピュータ10は、CPU111、ノースブリッジ112、主メモリDRAM113、グラフィクスコントローラ114、サウスブリッジ115、SSD116、ネットワークコントローラ117、BIOS-ROM118、エンベデッドコントローラ/キーボードコントローラICEC/KBC119、および電源回路120等を備えている。CPU111は、コンピュータ10の各コンポーネントの動作を制御するプロセッサである。CPU111は、さらに、SSD116から主メモリ113にロードされるオペレーティングシステムOS40および図示しない各種アプリケーションプログラムを実行する。ノースブリッジ112は、CPU111のローカルバスとサウスブリッジ115との間を接続するブリッジデバイスである。また、ノースブリッジ112は、グラフィクスコントローラ114との通信を実行する機能も有している。さらに、ノースブリッジ112には、DRAM113を制御するメモリコントローラも内蔵されている。グラフィクスコントローラ114は、コンピュータ10のディスプレイモニタとして使用されるLCD16を制御する表示コントローラである。サウスブリッジ115は、PCIPeripheralComponentInterconnectバスおよびLPCLowPinCountバスにそれぞれ接続されている。エンベデッドコントローラ/キーボードコントローラICEC/KBC119は、電力管理のためのエンベデッドコントローラと、キーボードKB13およびポインティングデバイス15などを制御するキーボードコントローラとが集積された1チップマイクロコンピュータである。EC/KBC119は、電源回路120と共同して、ユーザによるパワーボタンスイッチ14の操作に応じてコンピュータ10を電源オン/電源オフする。電源回路120は、コンピュータ本体11に内蔵されたバッテリ121またはACアダプタ122を介して供給される外部電源を用いて、コンピュータ10の各コンポーネントに供給すべきシステム電源を生成する。SSD116は、インタフェース40、コントローラ41、NAND型フラッシュメモリ42、アドレス変換テーブルを備える。インタフェース40は、サウスブリッジ115とコントローラ41を接続するためのインタフェースである。NAND型フラッシュメモリ42は、コントローラ41と接続されており、上述したようなSLC領域20及びMLC領域21から構成される不揮発性メモリである。アドレス変換テーブル43は、コントローラ43と接続されており、論理アドレス空間の論理アドレス値及び物理アドレス空間の物理アドレス値を格納したテーブルである。コントローラ41は、アドレス変換テーブル43及びNAND型フラッシュメモリ42と接続されている。コントローラ41は、例えばNAND型フラッシュメモリ42へのデータの書き込み、NAND型フラッシュメモリ42からのデータの読み出し、及び上述したような平準化処理等の制御をする。コントローラ41は、データをSSD116に書き込むためのライト要求を受信し、そのライト要求データをNAND型フラッシュメモリ42に書き込む処理をする。ライト要求は、ライトデータの論理アドレスを含んでいる。コントローラ41は、その論理アドレスによって示されるライトデータをNAND型フラッシュメモリ42の特定の記憶領域に書き込む。コントローラ41は、ライトデータが書き込まれた特定の記憶領域が示す物理アドレス値をアドレス変換テーブル43に保存する。アドレス変換テーブル43に保存された物理アドレス値は、その物理アドレスに書きこまれたライトデータの論理アドレスの値と対応づけられている。コントローラ41は、OS40からのデータリード要求を受信し、NAND型フラッシュメモリ42の特定の記憶領域に書きこまれたデータを読み出す。リード要求は、例えば読み出すデータの論理アドレスを含んでいる。コントローラ41は、アドレス変換テーブル43を参照して、リード要求が示す論理アドレスに対応した物理アドレスを特定する。コントローラ41は、特定した物理アドレスによって示されるNAND型フラッシュメモリ42内の記憶領域からデータを読み出す。コントローラ41は、その読み出したデータをDRAM113等にロードする。次に、図4を参照して、稼動状態からハイバネート状態への遷移処理について説明する。始めに、コンピュータ10を使用するユーザが、電源がオンの状態、つまり稼動状態のコンピュータ10の電源をオフの状態にする操作をする。この操作は、例えばユーザがパワーボタン14を押すこと等によって生じるイベントを意味する。このイベントに従い、OS40は、コンピュータ10を稼動状態からハイバネート状態に遷移させるための要求休止要求を、BIOS-ROM118に格納されているBIOSに送る。ハイバネートデータは、主メモリ113の内容含むシステムコンテクストデータである。ハイバネートデータは、主メモリ113の内容のみならず、主メモリ113以外の他の揮発性メモリ例えばビデオメモリ等の内容、CPU111の各レジスタ値などの情報も含む。ハイバネートデータは、OS40によって主メモリ113上に用意される。BIOSは、この休止要求に応じて、揮発性メモリ主メモリ113等の内容を含むハイバネートデータをSLC領域20内の特定の記憶領域第1記憶領域にセーブする処理を実行する。具体的には、BIOSは、まず、SLC領域20へのハイバネートデータの書き込みを開始する通知以下、ハイバネート開始の通知とも称す。をSSD116に送るステップ12。上述したように、本実施形態では、SLC領域20内の第1記憶領域に書き込まれたハイバネートデータは一時データとして扱われ、ハイバネートデータが第1記憶領域から読み出された後は、第1記憶領域に他のデータを書き込むことができるがように第1記憶領域は解放される。この解放は、例えばコントローラ41のレジスタに、ハイバネートデータが格納されていた第1の記憶領域を解放することを指示する解放フラグをセットすることなどによって行われる。コンピュータ10がハイバネート状態に遷移する際、BIOSは、すでにセットされている解放フラグをリセットするために、SSD116内の解放フラグをリセットするステップS12。これによって、たとえハイバネート状態のコンピュータ10からSSD116が取り外して何らかのデータをSSD116に書き込む必要が生じた場合であっても、ハイバネートデータが書き込まれている第1記憶領域が他のデータによって上書きされることがなくなる。コントローラ41は、ハイバネート開始の通知を受信した後に受信するライト要求に付随するライトデータはハイバネートデータであると認識する。BIOSは、ハイバネートデータをSSD116に書き込むためのライト要求を、SSD116のコントローラ41に送信するステップS14。このライト要求にライトアドレスとして含まれる論理アドレス範囲は論理アドレス10-20である。BIOSは、SSD116に対するハイバネートデータの書き込みが完了すると、つまりハイバネートデータのセーブが完了すると、電源回路120と共同して、コンピュータ10の電源をオフする制御をする。コンピュータ10の電源をオフにすることで、コンピュータ10をハイバネート状態に遷移させる処理が終了する。次に、図5を参照してハイバネート状態から稼動状態への遷移について説明する。始めに、コンピュータ10を使用するユーザが、コンピュータ10の電源をオンにするための操作を行う。この操作は、例えばパワーボタン14を押す等の操作である。この操作によって、コンピュータ10が電源オンされる。コンピュータ10が電源オンされた時、CPU111は、最初に、BIOSを実行する。BIOSは、ハイバネート状態におけるコンピュータ10の電源オンのイベントを、コンピュータ10をハイバネート状態から稼動状態に遷移させるための要求レジューム要求として認識する。BIOSは、このレジューム要求に応答して、第1の記憶領域からハイバネートデータを読み出して主メモリ113の内容を復元するステップS22。ステップS22では、BIOSは、論理アドレス10-20をリードアドレスとして含むリード要求をSSD116のコントローラ41に送る。アドレス変換テーブル43においては、ハイバネートデータが格納されている第1の記憶領域の物理アドレス範囲に対応する論理アドレス範囲として論理アドレス10-20が登録されている。したがって、コントローラ41は、上述のリード要求に従って、第1の記憶領域からデータハイバネートデータを読み出す。読み出されたハイバネートデータは主メモリ113等にリロードされる。ハイバネートデータの読み出しが完了すると、BIOSは、読み出したハイバネートデータが格納されていた第1記憶領域が他のデータの格納に使用可能になるように、第1の記憶領域を解放するステップS24。このステップS24では、BIOSは、ハイバネートデータが格納されている第1記憶領域を解放するための解放フラグをコントローラ41にセットし、これによって、第1記憶領域を解放すべきことをコントローラ41に指示するステップS24。コントローラ41は、第1記憶領域内のハイバネートデータを無効化し、これによって第1記憶領域を解放する。この場合、コントローラ41は、第1記憶領域のデータを消去してもよい。BIOSが第1記憶領域の解放をコントローラ41に明示的に指示する代わりに、ハイバネートデータの読み出しが完了時に、コントローラ41が、ハイバネートデータが格納されていた第1領域を解放するための設定を自動的に行ってもよい。次に図6を参照して、SSD116のコントローラ41のデータ書き込みの制御について説明する。なお、図6の処理は、ハイバネートデータ以外のデータの書き込みの処理も含む。OS40またはBIOSから受信したライト要求を受信した場合、SSD116は、ハイバネート開始の通知をすでに受信しているかどうかを判定するステップS32。ハイバネート開始の通知をすでに受信しているならばステップS32のYES、SSD116は、ライト要求に付随するライトデータがハイバネートデータであると認識する。そして、SSD116は、このライトデータをSLC領域20内に確保した第1記憶領域に書き込むステップS40。ハイバネートデータを格納するための記憶領域をSLC領域20内に確保するための処理は、例えば、ハイバネート開始の通知を受信した時にSSD116によって実行される。ハイバネート開始の通知を受信していないならばステップS32のNO、SSD116は、解放フラグがセットされているかどうか判定するステップS34。SSD116は、解放フラグがセットされていると判定した場合ステップS34のYES、SLC領域20及びMLC領域21を含む全記憶領域をライト可能領域として認識し、このライト可能領域から選択される所定の記憶領域にライトデータを書き込むステップS36。SSD116は、解放フラグがセットされていないと判定した場合ステップS34のNO、MLC領域21のみをライト可能領域として認識し、このMLC領域21内から選択される所定の記憶領域にライトデータを書き込むステップS38。最後に、図7を参照してBIOS70の構成を説明する。BIOS70は、休止制御部72、レジューム制御部74、及び記憶領域解放部76を備える。なお、記憶領域解放部76の機能は、SSD116内のコントローラ41によって実行してもよい。休止制御部72は、コンピュータ10を稼動状態からハイバネート状態に遷移させる制御をする。具体的には、OS40等からの休止要求に応答して、休止制御部72は、主メモリ113等の揮発性メモリの内容を含むハイバネートデータをSLC領域20内の特定の記憶領域にセーブする。レジューム制御部74は、コンピュータ10をハイバネート状態から稼動状態に遷移させる制御をする。具体的には、コンピュータ10がハイバネート状態に遷移した後のコンピュータ10の電源オン等のイベントレジューム要求に応答して、レジューム制御部74は、SLC領域20内のハイバネートデータが格納されている記憶領域からハイバネートデータを読み出し、主メモリ113等の揮発性メモリの内容を復元する。これにより、コンピュータ10内のCPU111、主メモリ113、他の各種デバイスの状態はハイバネート状態に遷移する直前の状態に復元され、コンピュータ10は、ハイバネート状態に遷移する直前の状態から処理を再開する。記憶領域解放部74は、SSD116からのハイバネートデータの読み出し完了に応答して、ハイバネートデータが格納されている第1記憶領域を解放すべきことをSSD116に指示する。具体的には、記憶領域解放部74は、ハイバネートデータの読み出しが完了したことに応答して、ハイバネートデータが格納されていた記憶領域が、他のデータを格納できる記憶領域になるようにハイバネートデータが格納されていた記憶領域を解放する。なお、記憶領域解放部74は、ハイバネートデータを無効化するためのコマンドをSSD116に送信し、これによって第1記憶領域の解放をSSD116に指示してもよい。ハイバネートデータを無効化するためのコマンドとしては、トリムコマンドを用いてもよい。以上のように、本実施形態によれば、コンピュータ10をハイバネート状態に遷移させる際、ハイバネートデータがSLC領域20に格納されるため、より高速に稼動状態とハイバネート状態とを遷移させることができる。また、ハイバネートデータが読み出された後、読み出したハイバネートデータが格納されていたSLC領域20内の記憶領域を解放することで、解放したSLC領域20を他のデータが利用できるため、信頼性、性能、及びコスト等の面でSLC領域20の特性を効率よく使用することできる。なお、本実施形態では、MLCタイプのNAND型フラッシュメモリの記憶領域内の一部の記憶領域をSLCモードで制御することによって、この一部の記憶領域を上述のSLC領域として使用することもできる。SLCモードで制御される記憶領域内の各セルは物理的にはMLCであるが、これら各セルは1ビットのみが書き込まれるように制御される。また、図4および図5のフローチャートで説明した手順は全てプログラムによって実行することができるので、このプログラムを、このプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を通じてコンピュータにインストールして実行するだけで、本実施形態と同様の効果を容易に実現することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。