"半導体素子を回路基板にフリップチップ実装した半導体装置の検査方法において、前記回路基板の一つの電極を加熱し、該電極と接続する前記半導体素子の電極の温度を上昇させ、加熱直後から変化する前記半導体素子の状態を観察し、予め準備しておいた良否判定基準と前記観察の結果とを比較し良否判定することを特徴とする半導体装置の検査方法。前記観察を複数回行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の検査方法。前記観察が略熱平衡に達する前に終了することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の検査方法。前記半導体素子の電極のうち、前記回路基板の一つの電極と接続する電極は、他の電極より接続面積が小さいことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置の検査方法。前記半導体素子がLED素子であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置の検査方法。前記観察する状態が前記半導体素子の温度上昇であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置の検査方法。前記観察する状態が前記電極間における導通状態を示す電気量であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置の検査方法。前記電気量がダイオードの順方向電圧であることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の検査方法。前記観察する状態が前記温度上昇及び前記電極間における導通状態を示す前記電気量であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置の検査方法。前記電気量がダイオードの順方向電圧であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の検査方法。多数の前記回路基板が接続して連結した集合基板に前記LED素子がフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の半導体装置の検査方法。前記集合基板に含まれる前記回路基板の前記一つの電極が互い共通配線で連結しているとき、前記共通配線を一括して加熱することを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の検査方法。多数の前記回路基板が接続して連結した集合基板に前記LED素子がフリップチップ実装され、前記集合基板に含まれる前記回路基板の前記一つの電極が互い共通配線で連結しているとき、通電により前記共通配線を一括して加熱することを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体装置の検査方法。特許文献1の方法は、ヒータープローブ36によりパッケージ部30を充分に加熱し、各ピン32a,32gの温度が上昇した状態で寄生ダイオード58aに流れる電流を測定している。この方法では半導体装置がパッケージ部30で使われる樹脂を介して加熱されるので、各部の温度制御が困難になり接合不良の検出精度が高いとは言えない。このためフリップチップ実装した半導体素子の微細な接合状態を判定するのには適さない。前述のLED装置に適用される検査方法のように半導体素子自体の発熱を利用する方法は、加熱装置が不要で手軽であるが、投入した電力と温度上昇がLED素子ごとに異なるので、やはりフリップチップ実装した半導体素子の微細な接合状態を判定するのには適さない。またLED素子の場合、アノード電極のサイズがカソード電極より大きいため、PNシャンクションで発生した熱が伝導する主な経路はアノード電極側となる。このため接合に係わる電気量の測定値はアノード電極の接合状態を大きく反映する。一方、接合不良は接続面積の小さいカソード電極側で発生しやすいので、LED素子を通電により加熱する手法は不具合を検出するに的確でない。そこで本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、半導体素子を回路基板にフリップチップ実装した半導体装置において、半導体素子の電極と回路基板の電極との接続不良を的確に判別できる検査方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため本発明の半導体装置の検査方法は、半導体素子を回路基板にフリップチップ実装した半導体装置の検査方法において、前記回路基板の一つの電極を加熱し、該電極と接続する前記半導体素子の電極の温度を上昇させ、加熱直後から変化する前記半導体素子の状態を観察し、予め準備しておいた良否判定基準と前記観察の結果とを比較し良否判定することを特徴とする。前記観察を複数回行うことが好ましい。前記観察が略熱平衡に達する前に終了することが好ましい。前記半導体素子の電極のうち、前記回路基板の一つの電極と接続する電極は、他の電極より接続面積が小さいことが好ましい。前記半導体素子がLED素子であっても良い。前記観察する状態が前記半導体素子の温度上昇であっても良い。前記観察する状態が前記電極間における導通状態を示す電気量であっても良い。前記電気量がダイオードの順方向電圧であっても良い。前記観察する状態が前記温度上昇及び前記電極間における導通状態を示す前記電気量であっても良い。前記電気量がダイオードの順方向電圧であっても良い。多数の前記回路基板が接続して連結した集合基板に前記LED素子がフリップチップ実装されていても良い。前記集合基板に含まれる前記回路基板の前記一つの電極が互い共通配線で連結しているとき、前記共通配線を一括して加熱しても良い。多数の前記回路基板が接続して連結した集合基板に前記LED素子がフリップチップ実装され、前記集合基板に含まれる前記回路基板の前記一つの電極が互い共通配線で連結しているとき、通電により前記共通配線を一括して加熱しても良い。本発明の半導体素子の検査方法は、回路基板の一つの電極のみを加熱して電極間接続の良否判定の精度や効率を向上させるものである。すなわち回路基板の一つの電極が含まれる熱伝導経路を加熱し、半導体素子の状態変化を観察すれば、この熱伝導経路内に含まれる接続不良が観察結果に強く反映される。以上、本発明の半導体装置の検査方法は、半導体素子を回路基板にフリップチップ実装した半導体装置において、半導体素子の電極と回路基板の電極との接続不良を的確に判別できる。以下、添付図1~8を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに、特許請求の範囲に記載された発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。第1実施形態図1~4により本発明の第1実施形態を説明する。図1は本実施形態の検査方法で検査するLED装置10半導体装置の断面図である。なお、以下の説明において検査対象となる半導体素子及び半導体装置はLED素子20及びLED装置10を使う。LED装置10は、回路基板19上にLED素子20をフリップチップ実装している。回路基板19において電極16は板材18の上下面に金属パターンを有し、その金属パターンはスルーホール16aで接続している。同様に-電極17も上下の金属パターンがスルーホール17aで接続している。LED素子20はサファイア基板12透明基板の下面に半導体層13を備えている。半導体層13は、青色発光ダイオードであり、N側バンプ14半導体素子の電極とP側バンプ15半導体素子の電極が付着している。N側及びP側バンプ14,15はそれぞれカソードとアノードに相当し、-及び電極17,16と金属共晶接合により接続している。回路基板19上面及びLED素子20は蛍光体を含有した蛍光樹脂11で封止されている。板材18は、厚さが数百μmで、熱伝導性を考慮して樹脂、セラミック、金属から選ぶ。及び-電極16,17は、例えば20μm程度の銅箔上にニッケル層と金層を積層したものである。板材18が樹脂の場合、スルーホール16a,17aは熱伝導性をよくするため内部を金属ペーストで埋めておくと良い。サファイア基板12は厚さが80~120μmである。半導体層13は厚さが7μm程度であり、N側及びP側バンプ14,15は電解金メッキ法で形成すれば厚さが10~30μm程度になる。蛍光樹脂11はシリコーン樹脂を主成分とし厚さが数100μmである。図2によりLED素子20の電極面を説明する。図2はLED素子20を電極面側から眺めた平面図である。N型半導体層21は、上層にあるP型半導体層22から一部分が露出している。半導体層13はN型半導体層21とP型半導体層22を含んでいる。N側バンプ14はN型半導体層21に接続し、P側バンプ15はP型半導体層22に接続している。発光層図示せずは、N型半導体層21とP型半導体層22の境界部にあり、平面的には概ねP型半導体層22に等しい。広い面積を占めている発光層は発熱源であるため、放熱を考慮しP側バンプ15はN側バンプ14よりも平面的なサイズが大きくなっている。なお図1に示した断面はA-A線を含むようにして描いたものである。図1と図2から、電極16とP側バンプ15の接続面積に比べ、-電極17とN側バンプ14の接続面積は小さい。よって本実施形態の場合、接続面積が小さい方の電極はN側バンプ14である。そして加熱経路は、回路基板19及びLED素子20において-電極17回路基板の一つの電極及びN側バンプ14を含むものである。図3は図1のLED装置10を検査するためのシステムを示す説明図である。LED装置10の電極16及び-電極17にはそれぞれ側プローブ23及び-側プローブ24が接触している。さらに-側プローブ24には-電極17を加熱するヒーター25が接触している。印加手段31は電源29と定電流源27を備え、側プローブ23から-側プローブ24に向かう電流を印加する。側プローブ23と-側プローブ24の間には電圧計26が接続している。また定電流源27や電圧計26を制御したり、電圧計26からデータを取り込んだりする制御判定手段33を備えている。なお定電流源は、定電流回路と電源を含むものとして図示されることが多いが、図3では定電流回路に相当する定電流源27と電源29を分けて描いた。この測定システムは、印加手段31が電極16からLED素子20の半導体層13を経て-電極17に至る経路に一定電流を印加し、電圧計26で電極16と-電極17の間の電圧を測定する。この測定電圧値は、LED素子20の順方向電圧Vfを示す。まず常温で初期値となる電圧を測定してから、-電極17をヒーター25で加熱し、再度電圧を測定する。この電圧データに基づき制御判定手段33が-電極17から半導体層13に至る経路の接合状況を判定する。図4によりさらに詳しく検査フローを説明する。図4は加熱により上昇するPNジャンクションの温度Tと、データの測定タイミングと、順方向電圧Vf電気量の変化とを示すグラフである。LED素子20の電極16及び-電極17に側プローブ23及び-側プローブ24を接触させる。同時に制御判定手段33は定電流源27に所定の電流を出力させる。続いて制御判定手段33は電圧計26に側プローブ23と-側プローブ24の間の電圧を測定させる。この電圧が順方向電圧の初期値となり、制御判定手段33はこの値を記憶する。次にヒーター25を-側プローブ24に接触させ-側プローブ24の温度を上昇させる。なお比較的大きめの熱容量をもつ-側プローブ24を瞬時に温度上昇させられるわけではないので、いったん-側プローブ24を-電極17から離し、ヒーター25で温度を上昇させてから再び-電極17に接触させる。再接触後も側プローブ23から-側プローブ24の間には定電流が印加され続け、電圧計26は図中のパルスで示した測定タイミングで順方向電圧Vfを測定する。なお高速で複数回の電圧測定が行われるので測定値はいったん電圧計26のメモリに格納される。制御判定手段33は所定の時間が経過したら定電流源27の電流印加と電圧計26の電圧測定を停止し、電圧計26の測定値を取り込み記憶する。最後に制御判定手段33は記憶しておいた加熱前後の測定値順方向電圧Vfの傾向に基づいて接続の良否判定を行う。半導体層13のPNジャンクションの温度Tは加熱された-側プローブ24が-電極17に接触すると直ぐに上昇し始める。このとき-電極17からN側バンプ14を経て半導体層13に至る経路において接続が良好な良品であれば温度は急速に上昇する。これに対し接続に不具合がある不良品の場合は温度上昇が遅くなることがある。しかしながら接続不良が軽微な場合は熱平衡に達すると良品と同じ温度になってしまうことがある。LED装置10の構造にもよるが概ね数ms以内には熱平衡になる。PNジャンクションの温度Tが変化すると順方向電圧Vfも変化する。このとき温度Tが上昇すると順方向電圧Vfは低下する。順方向電圧Vfのサンプリングは100~200μs程度の間隔で複数回行う。図中測定点を黒点で示した。温度Tと同様に良品の順方向電圧Vfに対し、不良品の順方向電圧Vfは下降速度が遅くなる。ここで複数のタイミングで順方向電圧Vfを測定したのは、精度向上とともに、-側プローブ24が-電極17に接触したタイミングを推定するためである。つまり-側プローブ24の接触が機械的に行われるため接触タイミングを高精度で知ることが困難になっているなかで、測定を数ms以内に完了させることが要請されているからである。以上のように本実施形態では、軽微な接続不良も判別できるように、温度Tが上昇する期間過渡状態で測定の主要部が完了する。なお定電流源27からは電圧測定の前後、一定電流が流れ続けているがPNジャンクション温度Tに大きな影響を与えないよう小さな値例えば数100μAにしている。また良否判定は順方向電圧の絶対値よりも、測定値と初期値との差ΔVfを使った方が良い場合がある。-電極17から半導体層13に至る経路は熱抵抗が高いので過渡的な測定で接続状態を的確に判定しやすい。本実施形態では接続状態と相関する電気量としてダイオードの順方向電圧Vfを選んだ。順方向電圧Vfは温度変化に対し顕著に変わるので都合が良い。しかしながら接続状態と相関する電気量は順方向電圧に限られず、例えば抵抗値であっても良い。また加熱後の電気量測定は一回であっても良いが、前述のように複数回測定することで測定精度及び良否判断に係わる精度を向上できる。また半導体素子を通過する熱流が大きい場合、熱平衡後の電気量測定でも接続状態の良否判断ができるが、微小な接続不良を発見するには前述のように過渡的な状況でデータ収集することが好ましい。本実施形態では順方向電圧Vfの初期値を測ってから、いったん測定プローブ24をLED装置10から離し、測定プローブ24を加熱してから再びLED装置10に接触させ順方向電圧Vfの変化状況を観察していた。この方法は精度の良い初期値が得られるという特徴があるが、測定プローブ24の温度制御に時間が掛かるという課題がある。そこで量産時には、常時測定プローブ24を加熱しておき、測定プローブ24が接触して最初に得られる順方向電圧を常温における初期値とみなし、その後の温度上昇にともなう順方向電圧Vfの変化を観察しても良い。この方法は測定プローブ24が常時高温であるためLED素子一個当たりにかける検査時間を短縮できる。第2実施形態第1実施形態の検査系では接続不良を順方向電圧Vfの異常に基づいて判定していた。前述したように接続不良があると温度上昇が遅くなる。なお、接続面積が小さいほどその傾向が大きくなり、さらに接続不良も起き易い。つまり接続不良を判断するのに、接続面積の小さい方の電極を加熱し、過渡的な温度上昇を直接的に計測することが好ましい。また図3で示した第1実施形態の検査系では一個のLED装置10を検査対象としていた。このLED装置10は、回路基板19が連結して配列した集合基板にLED素子20を配置し、蛍光樹脂11を集合基板にモールドしてから、集合基板を切断し個片化して製造することが多い。製造途中で接続状態を確認するため、集合基板状態で個別のLED装置10切断前の-電極17を加熱し順方向電圧Vfの測定や温度上昇パターンの観察を行っても良い。このとき集合基板において、隣接する回路基板19に含まれる-電極17同士が共通配線を備える場合、LED素子20のN側バンプ14と接続する-電極17への加熱を簡便化できる。そこで第2及び第3実施形態により、多数のLED素子20を実装した集合基板であって、LED素子20の一方の電極同士が集合基板上の共通配線で接続し、共通配線を通して各LED素子20の一方の電極を加熱し、LED素子20の温度上昇を観察して接続の良否判断を行う検査方法を説明する。先ず図5及び図6で本発明の第2実施形態を説明する。図5は本発明の第2実施形態における検査系の斜視図である。図5において集合基板61上にはLED素子20がマトリクス状に配列している。ここでLED素子20に蛍光樹脂11をモールドしていない。集合基板61上には赤外線カメラ51が配置されている。集合基板61の左側ではヒータープローブ62の先端が接触している。赤外線カメラ51は、LED素子20が発する赤外線強度からLED素子20の温度を測定する。この赤外線カメラ51は時間分解能が25μs程度ものを入手可能できる。ヒータープローブ62は図示していない共通配線を加熱し、共通配線を熱伝導経路としてLED素子20のN側バンプ14図1等参照を加熱する。この検査系では、ヒータープローブ62による共通配線の加熱直後から赤外線カメラ51で同時に複数のLED素子20の温度上昇を観察する。集合基板61の板材は、樹脂など共通配線に比べ熱抵抗の大きいものが検査しやすい。図6によりさらに具体的に検査系を説明する。図6は図5の検査系に含まれる集合基板61の説明図である。aは集合基板61の平面図とともにヒータープローブ62の加熱箇所を示している。集合基板61上にはLED素子20がマトリクス状に配列し、横一列に並んだLED素子20のN側バンプ14図示せずが-電極17図示せずを介して共通配線63により接続している。ヒータープローブ62は共通配線63の一端を加熱する。なお共通配線63は、-及び電極17,16を電解メッキするためのメッキ用共通電極の左右両端部を検査前に切断したものである。図示していないが、共通配線63の左側にヒータープローブ62の接触領域、右側に温度測定用のモニター領域を設けておくと良い。このようにすると共通配線63の熱抵抗のバラツキを補正できるようになり、より良否判断が的確になる。図6bは集合基板61の正面図とともに、ヒータープローブ62及び赤外線カメラ51を示している。図6では共通配線63が上面にある場合を想定しているが、共通配線は集合基板61の下面にあっても良い。この場合、ヒータープローブ62は集合基板61の下面から接触する。第3実施形態第2実施形態では共通配線63をヒータープローブ62で加熱していた。加熱方法はヒータープローブ62に限られず、例えば通電であっても良い。そこで通電を利用した加熱法を採用した第3実施形態を図7で説明する。図7は本発明の第3実施形態における検査系の説明図である。aは集合基板61の平面図とともに通電用の電流印加端子64と電源65を示している。図6で示した第2実施形態の検査系との主な違いは、共通配線63の両端に電流印加端子64が接触していることである。この電流印加端子64へは電源65から電流が供給される。bは集合基板61の正面図とともに、電流印加端子64、電源65及び赤外線カメラ51を示している。図7では共通配線63が上面にある場合を想定しているが、共通配線は集合基板61の下面にあっても良い。10cm角程度の集合基板61の場合、共通配線63は数mΩ程度にしておく。電流印加は急峻なパルス状にでき、共通配線63を短時間で一様に加熱できるため、セラミックや金属等の熱抵抗の低い板材であっても検査できるようになる。また共通配線63の抵抗値を予め計測し、電流値を調整しても良い。第4実施形態第1実施形態では一方の電極を加熱し順方向電圧Vfの過渡的な変化を観察することにより接続不良を判断していた。第2,3実施形態では一方の電極を加熱しLED素子20の温度の過渡的な変化を観察することにより接続不良を判断していた。一方の電極を加熱し順方向電圧Vfと温度の過渡的変化を同時に測定すれば、接続不良に係わる判断が的確になる。そこで図8により順方向電圧Vfと温度の過渡的変化を同時に測定する本発明の第4実施形態を説明する。図8は、図1に示したLED装置10の順方向電圧Vfの測定とともに温度上昇を観察し、LED装置10の接続状態を検査するシステムを示す説明図である。図8は図3で示した検査システムに赤外線カメラ51を追加したものである。赤外線カメラ51は、LED装置10の上方に配置され、LED装置10が発する赤外線強度からLED装置10の上面の温度分布を測定する。赤外線カメラ51の時間分解能として25μs程度のものが入手可能である。赤外線カメラ51は制御判定手段52との間で制御信号及びデータをやり取りする。制御判定手段52の他の機能は図3の制御判定手段33と等しい。すなわち制御判定手段52は、第1実施形態と同じ手順で測定した順方向電圧Vfとともに、赤外線カメラ51から送られて来るLED装置10の温度上昇パターンを記憶し、この記憶したパターンデータと、予め良品として記憶しておいた順方向電圧VFの変化パターン及び温度上昇パターンとを比較し良否判断する。なお本実施形態ではLED素子20が発光しているため、発光による赤外線が存在していること、及び蛍光樹脂11でモールドしているため、赤外線測定においてノイズの増加や空間的分解能の低下が起きる。しかしながら単個のLED装置10を検査する場合は、赤外線カメラ51の空間的分解能を高くできるので、発熱パターン温度分布を詳細に確認することで接続不良の判定の的確性を維持できる。第1~4実施形態では突起電極を半導体素子側に設けていた。回路基板側に突起電極を設け、その突起電極に半導体素子をフリップチップ実装しても良い。しかしながら半導体素子側に突起電極を設けた方が、素子が密集したウェハー状態で突起電極を形成できるため生産効率が高くなり好ましい。第1~4実施形態において、加熱する経路に含まれる素子側電極と回路基板との接続部の面積は、加熱しない経路中の素子側電極と回路基板との接続部の面積より小さかった。加熱する経路中の接続部の面積が加熱しない経路中の接続部の面積と等しいか、大きくても、一方の経路だけ加熱し、加熱後の順方向電圧Vfを測定したり、温度上昇を観察したりして接続の良否判断を行うことは可能である。なお一方の経路の接続部の面積が他方の経路の接続部の面積が異なっていれば、それぞれの経路を別々に加熱することで違った結果が得られることから不良原因の解析も容易になる。また前述したように多くの場合、接続面積の小さい方の接続部に接続不良が集中するので、接続面積の小さい方の経路だけを加熱し検査すれば不良検出率が高い状態で検査工程を短くすることができる。なおバンプサイズ素子側の電極が異なるという特徴はLED素子が半導体素子のなかで代表的なものである。第1~4実施形態では半導体素子としてLED素子で説明してきたが、半導体素子は、電極間に多くの場合寄生ダイオード、寄生抵抗が存在するので、本発明の検査方法はLED素子以外の半導体素子を実装した半導体装置にも適用できる。特に端子間がダイオード特性を示す半導体素子の場合、順方向電圧Vfを測定対象とできるので好ましい。また第1の電極を加熱する手法は、測定用のプローブを経由した加熱や接触式のヒータープローブに限らず、レーザー、光、赤外線等を放射する非接触式ヒータープローブを用いても良い。この場合、直接的に接続面積の小さい方の電極を加熱しても良い。"