チタンTi、リンP、酸素Oおよび窒素Nを必須元素とする透明性および導電性に優れることを特徴とする透明導電膜。非晶質体からなる請求項1に記載の透明導電膜。全体を100原子単にという。としたときに、P:13~25、O:7~40およびN:10~50であり、残部がTiおよび不可避不純物からなる請求項1または2に記載の透明導電膜。Tiの原子数とPの原子数との合計に対するTiの原子数の割合であるTi原子比Ti/TiPが0.5~0.8である請求項3に記載の透明導電膜。さらに、バナジウムV、マンガンMn、ケイ素Siまたは鉄Feの一種以上である任意元素を含む請求項1~4のいずれかに記載の透明導電膜。蒸着により基材上に成膜する成膜工程を有し、請求項1~5のいずれかに記載した透明導電膜で被覆された該基材からなる導電部材を得ることを特徴とする導電部材の製造方法。前記成膜工程は、少なくともTiおよびPを含むターゲットを用いて、不活性ガスと窒素N2ガスの混合ガスからなる処理雰囲気中でスパッタリングする反応性スパッタリング工程である請求項6に記載の導電部材の製造方法。前記混合ガスは、さらに酸素O2ガスを含む請求項7に記載の導電部材の製造方法。基材と、該基材の少なくとも一部の表面に形成された請求項1~5のいずれかに記載の透明導電膜と、からなることを特徴とする導電部材。ZnO系の透明導電膜は、耐熱性や耐湿性の点で問題がある。TiNからなる透明導電膜は、抵抗率は小さく導電性には優れるものの、茶色または黄金色を帯びており透明性の点で問題がある。NbドープTiO2からなる透明導電膜は、Nbが希少金属であるため資源リスクを伴う。本発明は、このような事情に鑑みて為されたものであり、このような従来の透明導電膜とは根本的に異なり、資源的リスクが少なく、優れた導電性および透明性を発揮する新たな透明導電膜を提供することを目的とする。また、その透明導電膜を基材上に成膜した導電部材とその製造方法も併せて提供することを目的とする。本発明者は、この課題を解決すべく鋭意研究し試行錯誤を重ねた結果、従来の透明導電膜と組成が異なり、チタンTi、リンP、酸素Oおよび窒素Nからなる皮膜が非常に優れた透明性および導電性を発現することを新たに見出した。本発明者はこの画期的な成果を発展させることにより、以降に述べる種々の発明を完成させるに至った。《透明導電膜》1すなわち本発明の透明導電膜は、Ti、P、OおよびNを必須元素とする透明性および導電性に優れることを特徴とする。2本発明の透明導電膜は、Ti、P、OおよびNにより構成され、資源リスクのある希少元素を必要としない。従って本発明によれば、特性に優れる透明導電膜を、安定的に低コストで供給することが可能となる。また本発明の透明導電膜は、Ti系透明導電膜であることから、その少なくとも一部は耐食性にも優れると考えられる。ところで、本発明の透明導電膜が優れた透明性および導電性を発現する理由は、必ずしも定かではない。現状では次のように考えられる。先ず前述したように、TiO2膜は透明性が高いが、抵抗率が大きく導電性が低い。逆に、TiN膜は抵抗率が小さく導電性に優れるが、透明性に劣る。本発明の透明導電膜は、そのようなTi系膜にPが加わることによりTiの一部がPに置換されて、TiO2膜の透明性とTiN膜の導電性が高次元で両立した新たな透明導電膜が形成されるようになったと考えられる。なお、本発明の透明導電膜は、透明性と導電性のいずれか一方のみに特化したものでも良い。つまり本発明の透明導電膜は、その要求仕様に応じて、透明性または導電性のいずれか一方を他方に対して優先的に高めたものでもよい。3本発明者が鋭意研究したところ、本発明に係る透明導電膜の少なくとも一部はアモルファス構造であることがわかっている。もちろん、透明性等が確保される限り、本発明の透明導電膜は、非晶質相のみでも、非晶質相と結晶相が混在等したものでもよい。《導電部材》1本発明は、透明導電膜としてのみならず、基材の表面上にその透明導電膜を設けた導電部材としても把握される。すなわち、本発明は、基材と、該基材の少なくとも一部の表面に形成された本発明の透明導電膜と、からなることを特徴とする導電部材であってもよい。2本明細書でいう基材は、材質、特性、形状、大きさ等を問わない。例えば、基材はガラス等の透明体であっても、金属、樹脂、セラミック等の不透明体であってもよい。《導電部材の製造方法》本発明の透明導電膜の成膜方法や導電部材の製造方法は問わない。例えば、上述した導電部材は、物理的または化学的な蒸着PVDまたはCVDにより、Ti、P、OおよびNからなる膜を基材上に形成する成膜工程により、容易に行える。《その他》1本発明の透明導電膜は、上述した必須元素Ti、P、OおよびN以外に、透明導電膜の特性を改善するか、その特性に悪影響を与えない任意元素または不可避不純物を含み得る。任意元素は、例えば、バナジウムV、マンガンMn、ケイ素Si、鉄Fe、ニッケルNi等の一種以上である。なお、不可避不純物は、コスト的または技術的な理由等により除去することが困難な元素である。2本明細書でいう透明性は、例えば透過率により指標される。その程度は問わないが、敢えていうと40以上である。3本明細書でいう導電性は、例えば体積抵抗率により指標される。その程度は問わないが、敢えていうと1×10-3Ωm以下さらには1×10-4Ωm以下であると好ましい。4本発明の透明導電膜は、透明性および導電性に加えて、耐食性化学的安定性にも優れると好ましい。この場合の耐食性は、例えば腐食電流密度交換電流密度により指標される。その程度は問わないが、敢えていうと100μA/cm2以下5硫酸中である。5特に断らない限り、本明細書でいうx~yは、下限値xおよび上限値yを含む。さらに本明細書中に記載した数値やそのx~yに含まれる任意の数値を適宜組合わせて、新たな任意の数値範囲a~bを構成し得る。発明の実施形態を挙げて本発明をより詳しく説明する。本明細書で説明する内容は、本発明に係る透明導電膜のみならず導電部材、それらの製造方法または成膜方法にも該当し得る。本明細書中から任意に選択した一つまたは二つ以上の構成要素を、上述した本発明の構成要素に付加することができる。プロダクトバイプロセスとして理解すれば、製造方法等に関する内容も透明導電膜や導電部材に関する構成要素ともなり得る。なお、いずれの実施形態が最良であるか否かは、対象、要求性能等によって異なる。《透明導電膜》1組成本発明の透明導電膜の少なくとも一部は、従来の透明導電膜のように結晶質ではなく、非晶質である。このため本発明の透明導電膜は、透明性および導電性を発現する必須元素Ti、P、OおよびNの比率が相対的に広範囲となり得る。もっとも、現状では、透明導電膜全体を100原子単にという。としたとき、P:13~25さらには15~20、O:7~40さらには9~25、N:10~50さらには30~47であり、残部がTiと任意の改質元素任意元素および/または不可避不純物からなると好適であると考えられる。なお、敢えていうと、Tiは20~70さらには25~50であると好適である。これら必須元素の一種以上が過少または過多になると、透明導電膜の透明性または導電性は低下し得る。またTiの原子数とPの原子数との合計に対するTiの原子数の割合であるTi原子比Ti/TiPが、0.5~0.8さらには0.6~0.7となるとき、透明導電膜は透明性および導電性の両方に特に優れる。このことは、Tiの原子数とNの原子数との合計に対するNの原子数の割合であるN原子比N/TiNが、0.35~0.7さらには0.35~0.65のときも同様である。本発明の透明導電膜は、上述の必須元素以外に、前述したような種々の任意元素を含み得る。透明導電膜が非晶質体である限り、任意元素の割合も相対的に広範囲となる。例えば、V:0.5~10さらには3~7、Ni:0.5~10さらには0.5~3、Si:0.5~10さらには3~7であると好ましい。このような範囲であれば、透明性および導電性に優れた透明導電膜が得られる。なお、これら元素以外に、例えば、マンガンMn、コバルトCo、クロムCr、ボロンBなども任意元素となり得る。2構造本発明の透明導電膜を構成する非晶質体は、明確な結晶構造をとらないため、基本的に均質的または等方的である。このため、腐食の起点等になる結晶粒界や格子欠陥などもほとんどなく、透明性のみならず、耐食性にも優れ得る。この非晶質体は、X線回折装置XRDで強い回折が検出されない程度であれば足り、結晶構造を完全にもたない非晶質の他、XRDで弱い回折が検出される潜晶質も含む。また、最表層から基材に至る厚さ方向に関して組成範囲が非晶質体内で変化してもよい。さらには非晶質体の領域によって組成範囲が変化してもよい。本発明の透明導電膜は、膜厚が小さいときは勿論、膜厚が比較的大きいときでも、導電性と共に十分な透明性を発現し得る。もっとも透明導電膜の膜厚は、透明性と耐久性等を両立させる観点から、10~1000nmさらには50~300nmであると好ましい。《導電部材》本発明の導電部材は、上述した透明導電膜が基材の少なくとも一部の表面に形成されたものであればよい。この導電部材は、組成の異なる透明導電膜が多層に積層されたもので良い。なお、基材の表面に透明導電膜の下地層または支持層となる中間層があってもよい。また透明導電膜は、単に基材表面を被覆しているだけではなく、その表面近傍で基材と一体化したものでもよい。《製造方法》1成膜工程透明導電膜を基材上に形成する成膜工程の具体的な方法は問わない。例えば、スパッタリングを含む蒸着法PVD、CVD、反応性雰囲気下での蒸着法反応性スパッタリング等を用いることができる。基材の材質形態特性、透明導電膜の組成や膜厚などを考慮して適切な方法が選択される得る。そのなかでも、均一な透明導電膜を効率的に形成できるスパッタリングが好ましい。特に成膜工程がマグネトロンスパッタリングによりなされると、成膜速度が比較的速く、生産性の点で好ましい。本発明の透明導電膜中に含まれるNは、スパッタリングする際の処理雰囲気を調整することにより、膜中へ導入可能である。すなわち、成膜工程は、少なくともTiおよびPを含むターゲットを用いて、不活性ガスと窒素N2ガスの混合ガスからなる処理雰囲気中でスパッタリングする反応性スパッタリング工程とすることができる。反応性スパッタリングを行うと、複雑な系のターゲットを用いずとも、スパッタリングを行え、スパッタリング時に組成ズレを起こしやすいガス成分の元素を安定的に供給できるため、所望組成の膜を成膜できて好ましい。透明導電膜を構成するOは、ターゲットを供給源としても良いし、反応性スパッタリングの処理雰囲気中に反応ガスとして酸素O2ガスを混在させてもよい。透明導電膜の特性や組成等は、成膜方法のみならず、ターゲットの特性にも影響される。蒸着スパッタリングを含むにより透明導電膜を成膜する場合、放電プラズマ焼結法SPS等により得られたターゲットを用いると、高融点化合物ターゲットを緻密に作製できるので好ましい。ちなみにSPSは、ターゲットとなる原料粉末の圧粉体の粒子間隙へ、低電圧でパルス状の大電流を投入し、粒子間に瞬時に発生する放電プラズマエネルギーにより、各粒子間を焼結させる方法である。この他、真空チャンバー内に設置したターゲットに、チャンバー外部からレーザー光を照射して、ターゲットから発生させた基本元素の原子を基材上に堆積させるパルスレーザーデポジションPLD法により透明導電膜を成膜してもよい。この際、ターゲットをアブレーション気化、昇華、剥離などさせるレーザーのパルス数を調整すると、成膜速度の精密な制御が可能となる。なお、透明導電膜を形成する必須元素の一部特にTiは、成膜方法に応じて、基材側から供給され得る。また、透明導電膜を構成するNは、ガス窒化、イオン窒化、塩浴窒化などの窒化法により膜中へ導入することもあり得る。《用途》本発明の透明導電膜の用途は特に限定されず、種々の物へ利用が考えられる。例えば、前述したように、薄型ディスプレイ、タッチパネル、太陽電池、バイオ刺激電極等に好適である。なお、この透明導電膜を基材上に有する導電部材は、最終製品またはそれに近い形態に限らず、中間部材等であってもよい。実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。《試料の製造》1アルミナシリカガラスからなる透明なガラス基板基材を用意した。この基板上に、マグネトロンスパッタ法を用いて皮膜を成膜した成膜工程。このとき用いたターゲットは、TiP粉末10~100μmとTi粉末10~100μmを揺動混合器で均一に混合した混合粉末を、放電プラズマ焼結SPSさせて得た。このターゲット中に存在するTiおよびPの原子割合Ti原子比:Ti/TiPは、0.75Ti:P=3:1とした。なお、皮膜中に導入するOは、上記の混合粉末の粒子表面に付着している酸素酸化物を供給源とした。もちろん、酸化チタン等を介してターゲットへOを混在させてもよいし、スパッタ雰囲気処理雰囲気中へ反応ガスとなる酸素を導入してもよい。さらに表1に示す任意元素を膜中へ導入する場合、各元素の純粉末をターゲットの原料となる混合粉末中に混在させた。マグネトロンスパッタは、Ar放電ガスとN2反応ガスの混合合ガス雰囲気スパッタ雰囲気中で、100W、1時間、0.5Paの条件下で行った反応性スパッタリング工程。スパッタ雰囲気中のArとN2の流量単位:sccmの比率は表1に示した。なお、成膜する基板の温度基板温度は25°Cとした。こうしてガラス基板上に成膜した表1に示す各試料を得た試料No.1~5。2上記のターゲットに替えて、TiNをターゲットとした試料も、上述したスパッタリングにより同様に製造した。この試料も併せて表1に示した試料No.C1。《皮膜の観察》1表1に示した各試料について、ラザフォード後方散乱分析RBSにより皮膜の組成分析を行った。このときの測定は、イオン種:He、イオンエネルギー:1.8MeV、散乱角:160°、散乱槽の真空度:3×10-6Torrの条件下で行った。その結果を表1に示した。また、その分析結果に基く原子比も表1に併せて示した。2各試料の皮膜の結晶構造をX線回折装置XRDで解析した。いずれの場合も、シャープなピークが現れず、各皮膜はアモルファス構造であることが確認された。その一例として試料No.2に関するX線回折パターンを図2に示した。3いずれの試料も、図1に示すように、成膜したガラス基板の背面側に配置した模様を十分に看取できた。もっとも試料No.C1の膜厚は、他の試料の膜厚の約1/3であった。ちなみに各試料の膜厚は、触針式表面形状測定器により測定した。この結果も表1に併せて示した。《導電性》各試料の皮膜の導電性の指標となる体積抵抗率は四端子法で測定した。《評価》1表1および図1から明らかなように、Ti、P、OおよびN必須元素からなる透明導電膜はいずれも、膜厚が相当大きくても、優れた透明性高透過度を発現すると共に、抵抗率も十分に小さくて高導電性であることがわかった。この傾向は、V、Mn、SiまたはFe任意元素を含む場合でも同様であった。2TiNからなる皮膜もかなり透明ではあったが、それは膜厚が相当に薄いためと考えられる。