"単結晶基板と、前記単結晶基板上方に形成された-c極性MgxZn1-xO0.3≦x≦0.6層と、前記-c極性MgxZn1-xO0.3≦x≦0.6層と同一平面上に形成されたc極性MgyZn1-yO0≦y<0.3層と、前記-c極性MgxZn1-xO0.3≦x≦0.6層上及び前記c極性MgyZn1-yO0≦y<0.3層上に形成されたショットキー電極と、前記ショットキー電極と対をなすオーミック電極とを有する半導体紫外線受光素子。前記単結晶基板は、c面単結晶基板であり、前記単結晶基板と前記-c極性MgxZn1-xO0.3≦x≦0.6層との間に、極性反転層を有する請求項1記載の半導体紫外線受光素子。前記単結晶基板は、無極性単結晶基板であり、前記単結晶基板と前記c極性MgyZn1-yO0≦y<0.3層との間に、極性反転層を有する請求項1記載の半導体紫外線受光素子。単結晶基板を準備する工程と、前記単結晶基板上の一部領域に極性反転層を形成する工程と、前記基板上及び前記極性反転層上に、-c極性MgxZn1-xO0.3≦x≦0.6層とc極性MgyZn1-yO0≦y<0.3層とを、同時にエピタキシャル成長させる工程と、前記-c極性MgxZn1-xO0.3≦x≦0.6層上及び前記c極性MgyZn1-yO0≦y<0.3層上にショットキー電極を形成する工程と、前記ショットキー電極と対をなすオーミック電極を形成する工程とを有する半導体紫外線受光素子の製造方法。前記単結晶基板は、c面単結晶基板であり、前記単結晶基板上には前記c極性MgyZn1-yO0≦y<0.3層が成長し、前記極性反転層上には前記-c極性MgxZn1-xO0.3≦x≦0.6層が成長する請求項4記載の半導体紫外線受光素子の製造方法。前記基板は、無極性単結晶基板であり、前記単結晶基板上には前記-c極性MgxZn1-xO0.3≦x≦0.6層が成長し、前記極性反転層上には前記c極性MgyZn1-yO0≦y<0.3層が成長する請求項4記載の半導体紫外線受光素子の製造方法。本発明の目的は、半導体紫外線受光素子の製造を容易にすることである。本発明の他の目的は、ワイヤーボンディング用金属電極の有機物電極からの剥離が抑制された新規な構造の半導体紫外線受光素子、及びその製造方法を提供することである。本発明の一観点によれば、半導体紫外線受光素子は、単結晶基板と、前記単結晶基板上方に形成された-c極性MgxZn1-xO0.3≦x≦0.6層と、前記-c極性MgxZn1-xO0.3≦x≦0.6層と同一平面上に形成されたc極性MgyZn1-yO0≦y<0.3層と、前記-c極性MgxZn1-xO0.3≦x≦0.6層上及び前記c極性MgyZn1-yO0≦y<0.3層上に形成されたショットキー電極と、前記ショットキー電極と対をなすオーミック電極とを有する。また、本発明の他の観点によれば、半導体紫外線受光素子の製造方法は、単結晶基板を準備する工程と、前記単結晶基板上の一部領域に極性反転層を形成する工程と、前記基板上及び前記極性反転層上に、-c極性MgxZn1-xO0.3≦x≦0.6層とc極性MgyZn1-yO0≦y<0.3層とを、同時にエピタキシャル成長させる工程と、前記-c極性MgxZn1-xO0.3≦x≦0.6層上及び前記c極性MgyZn1-yO0≦y<0.3層上にショットキー電極を形成する工程と、前記ショットキー電極と対をなすオーミック電極を形成する工程とを有する。本発明によれば、半導体積層構造、及び半導体紫外線受光素子の製造を容易にすることができる。また、本発明によれば、ワイヤーボンディング用金属電極が、有機物電極と絶縁層とにまたがるように形成されていることにより、ワイヤーボンディング用金属電極の剥離が抑制される。図1Aは、単結晶基板上にMgZnO層をc成長させた場合と-c成長させた場合における、各MgZnO層のMg組成と成長温度との関係を示すグラフである。図1Bは、単結晶基板上にMgZnO層をc成長させた場合と-c成長させた場合における、各MgZnO層の成長速度と成長温度との関係を示すグラフである。なお、本明細書において、c成長とは成長面がc極性ZnOの場合は、Zn面であるエピタキシャル成長を示し、-c成長とは成長面が-c極性ZnOの場合は、O面であるエピタキシャル成長を示す。MgZnO層の成長条件は、c成長及び-c成長ともに同一で、Znフラックス0.1nm/s、Mgフラックス0.01nm/s、OソースガンのO2流量2sccm/RFパワー300Wとして、成長温度を変化させた。図1Aのグラフに示すように、c成長させた場合は、成長温度300°C~900°Cのいずれの場合にも、Mg組成は0.1~0.15の間であることがわかる。また、図1Bのグラフに示すように、c成長においては、成長速度も成長温度を変化させてもおおよそ300~340nm/hで一定であった。c成長では、ZnとMgの付着係数が成長温度に依存しないため、成長温度を変化させてもMg組成及び成長速度は一定となると考えられる。これに対して、-c成長させた場合は、図1Aのグラフに示すように、成長温度300°CでMg組成が約0.11、400°Cで約0.17、500°Cで約0.28、600°Cで約0.43となり、成長温度が上昇するに従い、Mg組成も増加した。-c成長では、Znの付着係数が成長温度の上昇とともに減少するもののMgの付着係数は変化しないため、Mg組成が成長温度の上昇とともに増加する。なお、図1Bのグラフに示すように、-c成長においては、成長温度の上昇とともに成長速度が減少した。このことからも、Mg組成の増加の要因がZnの付着係数の減少であると考えられる。図2Aは、Mgフラックス量を変化させて単結晶基板上にMgZnO層をc成長させた場合における、MgZnO層のMg組成と成長温度との関係を示すグラフである。MgZnO層の成長条件は、Znフラックス0.1~0.3nm/s、OソースガンのO2流量2sccm/RFパワー300Wとして、Mgフラックス0.013nm/s、0.025nm/s、0.04nm/sの3つについて、成長温度を変化させた。c成長の場合、成長温度にかかわらず、Mgフラックス量に応じて、Mg組成が変化したことがわかる。すなわち、Mgフラックス量を増加させると、Mg組成も増加した。図2Bは、Mgフラックス量を変化させて単結晶基板上にMgZnO層を-c成長させた場合における、MgZnO層のMg組成と成長温度との関係を示すグラフである。なお、MgZnO層の成長条件は、図2Aに示すc成長させた場合と同様である。-c成長の場合、Mgフラックス量を増加させると、Mg組成も増加した。さらに、成長温度を上げると、同一のMgフラックス量であっても、Mg組成が増加した。例えば、成長温度300°Cでは、c成長の場合とほぼ同様のMg組成となったが、成長温度400°C、Mgフラックス0.04nm/sの場合は、Mg組成は0.5となり、c成長の場合の0.33と比べて、Mg組成が1.5倍以上となった。また、例えば、成長温度600°C、Mgフラックス0.013nm/sの場合は、Mg組成は0.43となり、c成長の場合の0.12と比べて、Mg組成が3.5倍以上となった。以上の図1及び図2に示した実験結果から、単結晶基板上にMgZnO層を積層する際に、当該単結晶基板上にc面成長領域及び-c面成長領域の双方を設け、その上にMgZnO層をエピタキシャル成長させることにより、1回の成長工程で、Mg組成の異なる2つのMgZnO層の形成が可能となることが分かった。なお、Mg組成は、成長温度、Mgフラックス量、Oラジカル量、VI/II比により、所望の値に制御可能である。すなわち、Mg組成は、Mgフラックス、Oラジカル量O2流量、RFパワー、成長温度Zn付着係数に依存する。特にZn付着係数の温度依存性が、cと-cの極性の違いにより顕著に異なる。したがって、これらの条件を適宜選択することにより、所望のMg組成を得ることができる。例えば、cあるいは-cそれぞれの単膜では、Zn及びMgフラックス一定のもと、Oラジカル量を減らすO2流量を減らす、RFパワーを落とすことにより、Mg組成を高くすることが可能であり、Oラジカル量を増やすことにより、Mg組成を低くすることが可能である。あるいは、Znフラックス及びOラジカル量一定のもと、Mgフラックスを変化させてもよい。さらに、成長温度を変化させることにより、c及び-c成長において、同一成長条件化でMg組成の差を制御できる。c成長においては、成長温度が900°CまではZnの付着係数は略1であるのに対し、-c成長では、300°Cを超えると成長温度とともにZnの付着係数が下がり、900°Cを超えるとZnの付着係数は略0となる。したがって、成長温度を低くしてZnの付着係数がcと-cで同じになると、Mg組成も同じになるが、成長温度を上げて-cでのZn付着係数を下げることにより、c領域のMg組成一定のまま、-c領域のMg組成を高くすることが可能となる。なお、本明細書において、Mg組成x又はy、以下同じを明示したMgxZn1-xOは、0≦x<0.6のときはウルツ鉱構造となり、0.6≦x≦1のときは岩塩構造となる。なお、Mg組成xが0のMgxZn1-xOはZnOを表す。なお、ウルツ鉱構造のMgxZn1-xOにおいて、Mg組成xを0から0.6まで大きくすると、エネルギーギャップは3.3eV波長376nmから4.4eV波長282nmまで大きくなる。また、岩塩構造のMgxZn1-xOにおいて、Mg組成xを0.6から1.0まで大きくすると、エネルギーギャップは5.4eV波長230nmから7.8eV波長159nmまで大きくなる。エネルギーギャップが大きくなることにより、受光感度波長が短波長側へシフトする。これを利用することにより波長選択が可能となる。太陽光の紫外線は、UV-A320~400nm、UV‐B280~320nm、及びUV-C280nm以下に分類されるが、UV-Cはオゾン層で吸収されて地表まで届かないので、通常の紫外線は、実質的にUV-AとUV‐Bである。UV-Cは、例えば火炎等のみに含まれることになる。なお、エネルギーギャップの大きな岩塩構造のMgxZn1-xOを使用することにより、短波長のUV-C280nm以下だけを検知する事が可能となる。従って、例えば、UV-Cを含む炎を検知するための火炎センサとして使用可能となる。図3Aは、本発明の第1の実施例による半導体紫外線受光素子の概略平面図である。第1の実施例による半導体紫外線受光素子は、受光感度波長帯域の異なる二つの受光半導体層を有する。第1の実施例による半導体紫外線受光素子は、受光半導体層をMg組成xの高いMgxZn1xO0.3≦x≦0.6層14とする受光素子部分LSBと、受光半導体層をMg組成yの低いMgyZn1yO0≦y<0.3層4とする受光素子部分LSAとを左右に並べた構成を有する。受光素子部分LSAは、例えば、波長400nm以下の紫外線に受光感度があるように設定し、UV-A320~400nm及びUV‐B280~320nmの測定に適するようにする。一方、受光素子部分LSBは、Mg組成を受光素子部分LSAよりも高く設定し、例えば、0.37として波長310nm以下また例えばMg組成を0.31として波長320nm以下の紫外線に受光感度があるようにして、UV‐B280~320nmの測定に適するようにする。受光素子部分LSAで測定された光電流から、受光素子部分LSBで測定された光電流成分を差し引くことにより、UV-Aの強さも見積もることができる。このように、第1の実施例による受光素子は、例えば、日焼け対策のために太陽光の紫外線を測定する測定器に利用できる。上述のように、太陽光の紫外線は、実質的にUV-A320~400nmとUV‐B280~320nmである。以下、図3B~図4Fを参照して、第1の実施例による半導体紫外線受光素子の半導体積層構造及び製造方法を説明する。この第1の実施例では、例えば、c面ZnO基板である導電性の単結晶基板を成長基板として用いる。例えば、受光半導体層として、ウルツ鉱構造のZnO系半導体を用い、半導体層の成長方法としてMBE法を用いる。図3B~Dは、それぞれ図3Aのx-x ́間、y-y ́間、z-z ́間の概略断面図である。図4A~Fは、第1の実施例による受光素子の主要な製造工程を示す概略断面図である。まず、図4Aに示すように、n型不純物Alが添加されたn型Znc面ZnO0001基板1上に、MgビームとOラジカルビームを同時照射して、MgO100層2を厚さ約10nm成長させる。MgO層2の成長条件は、例えば、成長温度650°C、Mgフラックス0.05nm/s、OソースガンのO2流量2sccm/RFパワー300Wとする。MgO100層2は、c面ZnO基板1上に形成され、その上に成長させるZnO系半導体層をO極性面-c面とする極性反転極性制御層となる。次に、図4Bに示すように、レジストパターンRP11を形成する。レジストパターンRP11は、後の工程でc極性のMgZnO層4が成長される領域を露出する開口を有する。レジストパターンRP11をマスクとして、酸性又はアルカリ性溶液でMgO100層2をエッチングして、図4Cに示すように、ZnO基板1を露出させる。なお、酸性又はアルカリ性溶液としては、王水HNO3:HCl=1:3、HCl、HNO3、HF、EDTA溶液、バッファードHF、EDTA-2Naエチレンジアミン四酢酸二水素二ナトリウムEDAエチレンジアミン101混合溶液pH10.6等を用いることができる。また、ドライエッチングを用いてもよい。その後、レジストパターンRP11を除去して洗浄を行う。次に、図4Dに示すように、MgO100層2のパターンを備えたZnO基板1上に、Znビーム及びOラジカルビームを同時照射して、ZnOバッファー層3を厚さ約30nm成長させる。ZnOバッファー層3の成長条件は、例えば、成長温度300°C、Znフラックス0.1nm/s、OソースガンのO2流量2sccm/RFパワー300Wとする。ZnOバッファー層3の成長後、結晶性及び表面平坦性改善のため、900°C、30分のアニールを施す。続いて、図4Eに示すように、ZnOバッファー層3上に、Znビーム、Mgビーム、Oラジカルビームを同時照射して、MgZnO層MgxZn1xO層14、MgyZn1yO層4を厚さ約1000nm成長させる。なお、上述したようにc成長と-c成長とでは、成長温度により成長速度が異なるので、MgxZn1xO層14とMgyZn1yO層4とでは、厚さが異なる。MgZnO層MgxZn1xO層14、MgyZn1yO層4の成長条件は、例えば、成長温度400~800°C、Znフラックス0.1~0.5nm/s、Mgフラックス0.005~0.05nm/s、OソースガンのO2流量1.0~3.0sccm/RFパワー200~300Wとする。本実施例において、成長温度600°C、Znフラックス0.3nm/s、Mgフラックス0.01nm/s、OソースガンのO2流量2.0sccm/RFパワー300Wで3時間成長したところ、MgO100層2上方では、-c極性のMg0.4Zn10.4O層14が約1μm成長成長速度350nm/hし、MgO100層2がエッチングにより除去されたZnO基板1上方では、c極性のMg0.1Zn10.1O層4が約1.5μm成長成長速度500nm/hした。そして、図1及び図2を参照して説明したように、同一の成長条件では、-c極性のMgxZn1xO層14のMg組成xが、c極性のMgyZn1yO層4のMg組成yよりも高くなるx>y。次に、MgZnO層4、14上の所定領域に、後の図4Fに示す工程で有機物電極8が形成される領域を覆うレジストパターンを形成し、例えば、SiO2を全面にスパッタリングで厚さ300nm堆積し、レジストパターンとともに不要部のSiO2を除去するリフトオフにより、図3A、C及びDに示すように、絶縁層6を形成する。次に、絶縁層6が除去された領域のMgZnO層4、14を露出する開口を有するレジストパターンを形成する。その後、UVオゾン洗浄を行った後、導電率増加剤を添加したPEDOT:PSSを、スピンコートにより加熱処理後の厚さで例えば厚さ30nm塗布する。レジストパターンとともに不要部のPEDOT:PSSを除去するリフトオフにより、図3A~D、図4Fに示すように、有機物電極ショットキー電極8を形成する。リフトオフ後、ホットプレートにより例えば200°C、20分の加熱処理を施す。なお、有機物電極8の加熱処理には、真空乾燥炉、クリーンオーブン等を用いてもよい。PEDOT:PSSは、キャリアドーパント兼水分散剤としてポリスチレンスルホン酸PSSを含んだ、ポリチオフェン誘導体のポリ3,4‐エチレンジオキシチオフェンPEDOTである。PEDOT:PSSに、導電率増加剤として例えばジメチルスルホキシドDMSOを添加して使用することができる。有機物電極8は、MgZnO層4、14に対してショットキー電極を形成するとともに、紫外線透過性である。有機物電極8を透過してMgZnO層4、14に入射した紫外線により、光起電力が生じる。なお、このような半導体紫外線受光素子では、ショットキー電極を用いることにより、n型半導体層に比べて形成が難しいp型半導体を形成しなくてすむ。次に、図3A、C及びDに示すように、MgZnO層4、14上方にワイヤーボンディング用金属電極9を形成する。ワイヤーボンディング用金属電極9は、絶縁層6と有機物電極8とにまたがるように配置される。これにより、ワイヤーボンディング用金属電極9と有機物電極3との剥離が抑制される。ワイヤーボンディング用金属電極9の形成領域に開口を有する金属マスクを用い、EB蒸着により、例えば厚さ50nmのTi層9aを形成し、Ti層9a上に例えば厚さ500nmのAu層9bを積層して、ワイヤーボンディング用金属電極9を形成する。その後、図3A~Dに示すように、ZnO基板1の裏面上に、例えば厚さ10nmのTi層7aを形成し、Ti層7a上に例えば厚さ500nmのAu層7bを積層して、ショットキー電極有機物電極8と対をなすオーミック電極7を形成する。このようにして、第1の実施例による受光素子が作製される。なお、図4に示すように、複数の素子を1つの基板1上に作成する場合は、電極形成後、レーザスクライブ、ダイシングなどを用いて、素子分離を行う。以上、本発明の第1の実施例によれば、c面ZnO基板上にMgZnO層を成長する際に、当該基板上の所望の領域に極性反転層を形成することにより、該極性反転層が形成された-c面成長領域MgO100層2がある領域と、該極性反転層が形成されていないc面成長領域MgO100層2がない領域の双方を設けて、MgZnO層をエピタキシャル成長させることにより、1回の成長工程で、それぞれMg組成の異なる-c極性のMgxZn1xO0.3≦x≦0.6層14と、c極性のMgyZn1yO0≦y<0.3層4とを同時に成長させることが可能となる。次に、図5A~図6Fを参照して、第2の実施例による半導体紫外線受光素子の半導体積層構造及び製造方法を説明する。この第2の実施例では、例えば、サファイア等の絶縁性の単結晶基板を成長基板として用いる。例えば、受光半導体層として、ウルツ鉱構造のZnO系半導体を用い、半導体層の成長方法としてMBE法を用いる。図5Aは、本発明の第2の実施例による半導体紫外線受光素子の概略平面図である。第2の実施例による半導体紫外線受光素子も、第1の実施例と同様に、受光感度波長帯域の異なる二つの受光半導体層を有する。第1の実施例との主な違いは、第2の実施例では、絶縁性の単結晶基板21を成長基板として用いている点である。第2の実施例による半導体紫外線受光素子は、受光半導体層をMg組成xの高いMgxZn1xO0.3≦x≦0.6層34とする受光素子部分LSBと、受光半導体層をMg組成yの低いMgyZn1yO0≦y<0.3層24とする受光素子部分LSAとを左右に並べた構成を有する。なお、絶縁性の基板21を用いているので、第1の実施例とは異なり、基板表側のMgxZn1xO層34上及びMgyZn1yO層24上にオーミック電極7を設けており、オーミック電極7の形成領域を避けるようにショットキー電極8が形成されている。受光素子部分LSAは、例えば、第1の実施例と同様に、波長400nm以下の紫外線に受光感度があるように設定し、UV-A320~400nm及びUV‐B280~320nmの測定に適するようにする。以下、図5B~図6Fを参照して、第2の実施例による半導体紫外線受光素子の半導体積層構造及び製造方法を説明する。この第2の実施例では、絶縁性の単結晶基板、例えば、サファイア基板を成長基板として用いる。例えば、サファイア基板上の受光半導体層として、ウルツ鉱構造のZnO系半導体を用い、半導体層の成長方法としてMBE法を用いる。図5B~Dは、それぞれ図5Aのx-x ́間、y-y ́間、z-z ́間の概略断面図である。図6A~Fは、第2の実施例による受光素子の主要な製造工程を示す概略断面図である。まず、図6Aに示すように、c面サファイア基板21のcZn面上に、MgビームとOラジカルビームを同時照射して、MgO111層12を厚さ約10nm成長させる。MgO111層12の成長条件は、例えば、成長温度650°C、Mgフラックス0.05nm/s、OソースガンのO2流量2sccm/RFパワー300Wとする。MgO111層12は、その上に成長させるZnO系半導体層をZn極性面c面で成長させる極性反転極性制御層となる。なお、無極性単結晶基板上方に成長させるZnO系半導体層の極性を、MgO層を介して制御する技術については、特開2005‐197410号公報の発明を実施するための最良の形態の項を参照する。なお、極性反転極性制御層としては、CrN111層もしくはAlN111層を形成してもよい。次に、図6Bに示すように、レジストパターンRP21を形成する。レジストパターンRP21は、後の工程で-c極性のMgZnO層34が成長される領域を露出する開口を有する。レジストパターンRP21をマスクとして、酸性又はアルカリ性溶液でMgO111層12をエッチングして、図6Cに示すように、サファイア基板21を露出させる。なお、酸性又はアルカリ性溶液としては、王水HNO3:HCl=1:3、HCl、HNO3、HF、EDTA溶液、バッファードHF、EDTA2NaEDA101混合溶液pH10.6等を用いることができる。また、ドライエッチングを用いてもよい。その後、レジストパターンRP21を除去して洗浄を行う。次に、図6Dに示すように、MgO111層12パターンを備えたサファイア基板21上に、Znビーム及びOラジカルビームを同時照射して、ZnOバッファー層3を厚さ約30nm成長させる。ZnOバッファー層3の成長条件は、例えば、成長温度300°C、Znフラックス0.1nm/s、OソースガンのO2流量2sccm/RFパワー300Wとする。ZnOバッファー層3の成長後、結晶性及び表面平坦性改善のため、900°C、30分のアニールを施す。次に、図6Eに示すように、ZnOバッファー層3上に、Znビーム、Mgビーム、Oラジカルビーム、及びGaビーム又はAlビームを同時照射して、n型MgZnO層5、15を厚さ約1~4μm成長させる。n型MgZnO層5、15の成長条件は、例えば、成長温度400~800°C、Znフラックス0.1~0.5nm/s、Mgフラックス0~0.05nm/s、OソースガンのO2流量1.0~3.0sccm/RFパワー200~300W、Gaセル温度を350~420°Cとする。例えば、Gaセル温度380°Cの時、キャリア濃度は6×1017cm-3となり、400°Cの時、2×1018cm-3となる。なお、n型MgZnO層5、15のキャリア濃度は、オーミックコンタクトを形成する観点から下限値は1017cm-3以上が好ましく、結晶性の観点から上限値は5×1018cm-3以下が好ましい。なお、上述したようにc成長と-c成長とでは、成長温度により成長速度が異なるので、n型MgZnO層5、15の厚さは異なるものとなる。続いて、n型MgZnO層5、15上に、Znビーム、Mgビーム、Oラジカルビームを同時照射して、MgZnO層MgxZn1xO層34、MgyZn1yO層24を厚さ約1000nm成長させる。MgZnO層MgxZn1xO層34、MgyZn1yO層24の成長条件は、第1の実施例と同様である。この時、第2の実施例では、MgO111層12上方で、c極性のMgyZn1yO0≦y<0.3層24が成長し、MgO111層12がエッチングにより除去されたサファイア基板21上方では、-c極性のMgxZn1xO0.3≦x≦0.6層34が成長する。そして、図1及び図2を参照して説明したように、同一の成長条件では、-c極性のMgxZn1xO層34のMg組成xが、c極性のMgyZn1yO層24のMg組成yよりも高くなるx>y。なお、第2の実施例でも、第1の実施例と同様に、MgxZn1xO層34、MgyZn1yO層24の膜厚は異なるものとなる。次に、MgZnO層24、34上の所定領域に、後の図6Fに示す工程で有機物電極8が形成される領域及びオーミック電極7が配置される領域を覆うレジストパターンを形成し、例えば、SiO2を全面にスパッタリングで厚さ300nm堆積し、レジストパターンとともに不要部のSiO2を除去するリフトオフにより、図5A、C及びDに示すように、絶縁層6を形成する。次に、絶縁層6上及びMgZnO層24、34上の所定領域に、後の工程でオーミック電極7が配置される領域を露出する開口を有するレジストパターンをマスクとして、酸性又はアルカリ性溶液を用いたウエットエッチングでMgZnO層24、34の一部をエッチングして、図5C及びDに示すように、n型MgZnO層5、15を露出させる。その後、レジストパターンを除去して洗浄を行う。次に、図5A、C及びDに示すように、MgZnO層5、15上の所定領域上に、ショットキー電極有機物電極8と対をなすオーミック電極7を形成する。オーミック電極7の形成領域に開口を有する金属マスクを用い、EB蒸着により、例えば厚さ50nmのTi層7aを形成し、Ti層7a上に例えば厚さ500nmのAu層7bを積層して、オーミック電極7を形成する。次に、絶縁層6が除去された領域のMgZnO層24、34を露出する開口を有するレジストパターンを形成する。その後、UVオゾン洗浄を行った後、導電率増加剤を添加したPEDOT:PSSを、スピンコートにより加熱処理後の厚さで例えば厚さ30nm塗布する。レジストパターンとともに不要部のPEDOT:PSSを除去するリフトオフにより、図5A~D及び図6Fに示すように、有機物電極ショットキー電極8を形成する。リフトオフ後、ホットプレートにより例えば200°C、20分の加熱処理を施す。なお、有機物電極8の加熱処理には、真空乾燥炉、クリーンオーブン等を用いてもよい。PEDOT:PSSは、キャリアドーパント兼水分散剤としてポリスチレンスルホン酸PSSを含んだ、ポリチオフェン誘導体のポリ3,4‐エチレンジオキシチオフェンPEDOTである。PEDOT:PSSに、導電率増加剤として例えばジメチルスルホキシドDMSOを添加して使用することができる。有機物電極8は、MgZnO層24、34に対してショットキー電極を形成するとともに、紫外線透過性である。有機物電極8を透過してMgZnO層24、34に入射した紫外線により、光起電力が生じる。なお、このような半導体紫外線受光素子では、ショットキー電極を用いることにより、n型半導体層に比べて形成が難しいp型半導体を形成しなくてすむ。次に、図5A、C、Dに示すように、第1の実施例と同様に、MgZnO層24、34上方にワイヤーボンディング用金属電極9を形成する。ワイヤーボンディング用金属電極9は、絶縁層6と有機物電極8とにまたがるように配置される。これにより、ワイヤーボンディング用金属電極9と有機物電極3との剥離が抑制される。このようにして、第2の実施例による受光素子が作製される。なお、図6に示すように、複数の素子を1つの基板1上に作成する場合は、電極形成後、レーザスクライブ、ダイシングなどを用いて、素子分離を行う。以上、本発明の第2の実施例によれば、c面サファイア基板上にMgZnO層を成長する際に、当該基板上の所望の領域に極性反転層を形成することにより、該極性反転層が形成されたc面成長領域MgO111層12がある領域と、該極性反転層が形成されていない-c面成長領域MgO111層12がない領域の双方を設けて、MgZnO層をエピタキシャル成長させることにより、1回の成長工程で、それぞれMg組成の異なる-c極性のMgxZn1xO0.3≦x≦0.6層34と、c極性のMgyZn1yO0≦y<0.3層24とを同時に成長させることが可能となる。以上説明した実施例では、有機物電極PEDOT:PSSの導電率増加剤として、ジメチルスルホキシドDMSOを添加して使用したが、エチレングリコールや1‐メチル‐2‐ピロリドンNMPなどの非プロトン性極性溶媒を使用してもよい。また、有機物電極形成において、スピンコートによりPEDOT:PSSを塗布し、リフトオフしてパターン形成したが、スクリーン印刷用の導電性ポリマーを使用して、スクリーン印刷により直接パターン形成してもよい。スクリーン印刷用の導電性ポリマーもポリチオフェン誘導体から形成されている。また、ワイヤーボンディング用金属電極の形成される絶縁層として、SiO2を使用したが、例えば、SiON、Si3N4、Al2O3、MgOを使用してもよい。絶縁層形成方法として、スパッタリングを使用したが、例えば熱化学気相堆積CVD、プラズマCVD、低圧LPCVD等を用いてもよい。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。"