"微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第1凹凸構造領域と、前記第1凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第2凹凸構造領域とが交互に形成されている3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法であって、無機材料からなる第1層の表面に、前記第1凹凸構造領域を形成する第1研磨工程と、前記第1層の表面に帯状のレジスト部をパターン形成した後に、前記レジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第2層膜を形成することで、前記非レジスト部上に第2層パターンを形成する第2層形成工程と、前記第2層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第2凹凸構造領域を形成する第2研磨工程と、前記レジスト部及び該レジスト部上の前記第2層膜を剥離するレジスト剥離工程と、を備える3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記第2層パターンの膜厚が0.01μm以上1μm以下である請求項1記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記レジスト部の膜厚1μm以上10μm以下である請求項1又は2に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記第1層と前記第2層とが同種の無機材料である請求項1から3いずれか記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。液晶材料を配向させるために版に溝を形成する方法としては、上記のなかでも、従来公知の研磨法が、配向精度、生産性の点から従来主に用いられている。しかしながら、パターン位相差フィルムの場合には、異なるパターンをストライプ状で交互に形成する必要があり、この特殊性が故に通常の研磨法が適用し難い。実際、特許文献1の研磨方法による版では、同一平面上に研磨によりパターンを形成するために数百μmのパターン領域毎に研磨を実施したり、微細凹凸が形成された領域パターンを組み合わせてロール版を形成する必要があり、このため精度や生産性に問題があった。本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、3次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で容易かつ大量に作製することができる3次元表示用パターン配向膜用原版を提供する。具体的には本発明は以下のものを提供する。本発明は、微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第1凹凸構造領域と、前記第1凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第2凹凸構造領域とが交互に形成されている3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法であって、無機材料からなる第1層の表面に、前記第1凹凸構造領域を形成する第1研磨工程と、前記第1層の表面に帯状のレジスト部をパターン形成した後に、前記レジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第2層膜を形成することで、前記非レジスト部上に第2層パターンを形成する第2層形成工程と前記第2層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第2凹凸構造領域を形成する第2研磨工程と、前記レジスト部及び該レジスト部上の前記第2層膜を剥離するレジスト剥離工程と、を備える3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法である。本発明によれば、露光現像が1回のみであり、エッチング処理工程もなく、少ない工程数で帯状の第1凹凸構造領域と帯状の第2凹凸構造領域とを同一平面上に交互に形成できる。また、各々の工程は従来公知のパターン形成法であり、上記のパルスレーザーやバイト切削などと比べて、それぞれの凹凸構造領域を高い精度で形成できる。なお、この場合の第2層膜は、非レジスト部のみならずレジスト部上にも形成される。すなわち全面に形成すればよい。この場合であっても、後のレジスト剥離処理によって、主にレジストパターンの側面から剥離液が浸透し、容易に剥離することができる。また、第1層膜を研磨、ラビング後に、第2層膜を研磨、ラビングするときに第1層膜を研磨、ラビングしてしまうことがないため、傷の上書きが無い研磨傷の交差が無い。本発明においては、前記第2層パターンの膜厚が001μm以上1μm以下であることが好ましい。膜厚が1μmを越える場合には、配光特性と外観が悪くなるからである。この態様によれば、充分な第2層パターンによる第1凹凸構造領域のマスク効果を得ると共に、第2層パターンを薄くすることで凹凸の高さ違いに由来する位相差量リタデーションの変化がなく、光学的に高い精度が得られる。本発明においては、前記レジスト部の膜厚が1μm以上10μm以下であることが好ましく、より好ましくは、レジスト部の厚みは3μm以上5μm以下である。レジスト部が薄すぎると、レジスト溶解剥離時に溶剤浸透性が悪く、レジストが剥れにくい。また、厚すぎると第2層研磨ラビング時に段差が大きすぎて、第2層表面を研磨することが困難になるからである。この態様によれば、レジスト膜としての保護機能を維持すると共に、第2研磨工程における段差を抑えることで、第2層パターン部分の研磨を確実に行うことができる。本発明においては、前記第1層と前記第2層とが同種の無機材料であることが好ましい。なお、同種であることが好ましいが、が密着性が取れれば、それに限定されるものではない。この態様によれば、第1層と第2層パターンとの密着性を向上でき、研磨工程やレジスト剥離工程における層間剥離を防止できる。本発明によれば、3次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で容易かつ大量に作製することができる3次元表示用パターン配向膜用原版を提供できる。図面を用いて本発明を具体的に説明する。図1及び図2は、本発明の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法の一例を示す工程図である。この製造プロセスは、工程aからfで構成されている。具体的には、図1aに示す無機材料からなる第1層の表面に、図1bに示すように第1凹凸構造領域を形成する第1研磨工程と、図1cに示すように第1層の第1凹凸構造領域の表面に帯状のレジスト部をパターン形成する工程と、図2dに示すようにレジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第2層膜を形成する第2層形成工程と、図2eに示すように第2層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第2凹凸構造領域を形成する第2研磨工程と、図2fに示すようにレジスト部及び該レジスト部上の第2層膜を剥離するレジスト剥離工程と、からなる。以下、各工程について詳細に説明する。<第1研磨工程>図1a及び図1bに示すように、第1層10の表面を研磨して、その略全面に微小なライン状凹凸構造である、第1凹凸構造領域12を形成する。第1層10は基材の最表層として存在する無機材料層である。無機材料としては、後述する第2層や第3層を剥離除去可能に積層できるものであれば特に限定されるものではなく、ニッケル、銅、アルミニウム、スズ、クロム、ステンレス、鉄等の金属材料;SiO2、SiOx、Al2O3、GeO2、TiO2、Cr2O3、ZrO3、Ta2O5、Nb2O3等の無機酸化物;Si3N4、AlN等の無機窒化物;SiOxNy等の無機酸化窒化物;SiC等の無機炭化物;DLCダイアモンドライクカーボン等を挙げることができ、なかでも、後述する第2層や第3層を剥離除去可能に積層できる観点から、金属材料、DLC等であることが好ましく、ニッケル、クロム、DLCであることがより好ましい。第1凹凸構造領域12は、第1層10の表面に略一定方向にランダムに形成されたものである。ここで、略一定方向にランダムに形成された微小なライン状凹凸構造とは、例えば、表面にラビング処理がなされた場合等に形成されるような微小な傷のようなライン状凹凸構造が、略一定方向に形成されたものである。微小なライン状凹凸構造としては、本発明の原版を用いて形成されたパターン配向膜により3次元表示可能なパターン位相差フィルムとすることができるものであれば特に限定されるものではない。微小なライン状凹凸構造の断面形状としては、凹凸構造を有し、上記液晶化合物を所定の方向に配列できるものであれば特に限定されるものではなく、略矩形、略三角形、略台形等とすることができる。また、一定の形状でなくともよい。微小なライン状凹凸構造の高さ、幅、及び周期としては、液晶化合物を配列させることができる範囲内であれば特に限定されるものではない。本発明において、微小なライン状凹凸構造の幅は、1nm~1000nmの範囲内であることが好ましく、なかでも、1nm~500nmの範囲内であることがより好ましく、特に、1nm~100nmの範囲内であることがさらに好ましい。また、微小なライン状凹凸構造の高さは、1nm~500nmの範囲内であることが好ましく、なかでも、1nm~100nmの範囲内であることがより好ましく、特に、1nm~50nmの範囲内であることが好ましい。さらに、微小なライン状凹凸構造の周期は、必ずしも一定ではなくてもよいが、概ね1nm~1000nmの範囲内であることが好ましく、なかでも1nm~100nmの範囲内であることが好ましい。微小なライン状凹凸構造が上述のサイズであることにより、安定的に液晶化合物を配列させることができるからである。研磨方法としては、砥石研磨、ペーパー研磨、テープ研磨、バフ研磨、サンドブラスト法、ショットブラスト法、グリットブラスト法、ガラスビーズブラスト法等のブラスト法、ナイロン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹脂、レーヨン、コットンなどの合成繊維からなる合成樹脂毛、不織布、動物毛、スチールワイヤ等のブラシ材を用いる、ラビング法を含むブラシグレイニング法、金属ワイヤーで引っかくワイヤーグレイニング法、研磨剤を含有するスラリー液を供給しながらブラシ研磨する方法ブラシグレイニング法、ボールグレイン法、液体ホーニング法等のバフ研磨法、ショットピーニング法等を挙げることができる。第1層10がDLCのような硬い基材表面の場合には、テープ研磨法、ペーパー研磨であることが好ましいが、本発明においては第1層10をクロムやニッケルのような金属材料とすることもできるので、この場合にはラビンク法も好ましく用いられる。<第2層形成工程>まず、図1cに示すように、第1凹凸構造領域12が形成された第1層10の表面に帯状の第1レジスト部31と非レジスト部32とをパターン形成する。レジストを平行な帯状に形成する方法としては、レジスト材料を塗布することによりレジスト膜図示せずを形成した後、平行な帯状に露光し、次いで、現像することにより、第1レジスト部31と非レジスト部32とをパターン形成することができる。レジスト材料としては特に限定されるものではなく、ポジ型レジスト材料、ネガ型レジスト材料のいずれも用いることができる。ポジ型レジスト材料としては、例えばノボラック樹脂をベース樹脂とした化学増幅型レジスト等が挙げられる。また、ネガ型レジスト材料としては、例えば架橋型樹脂をベースとした化学増幅型レジスト、具体的にはポリビニルフェノールに架橋剤を加え、さらに酸発生剤を加えた化学増幅型レジスト等が挙げられる。上記レジスト材料を塗工してレジスト膜を形成する方法としては、一般的な塗工方法を用いることができ、例えばスピンコート法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法等を使用することができる。上記レジスト膜を平行な帯状に露光する方法としては、通常のフォトマスク描画に用いられる電子線描画法、もしくはレーザー描画法等を用いることができる。また、マスクを介して紫外線照射を行う方法を用いることもできる。なかでも、レーザー描画法であることが好ましい。上記金属基材の形状がロール状である場合であっても、精度よくパターン状に露光することができるからである。また、露光後のレジスト膜の現像方法としては、一般的なアルカリ現像などの現像方法を用いることができる。次いで、図2dに示すように、レジスト部31及び非レジスト部32上に、無機材料の第2層膜20が、好ましくは001μm以上1μm以下で薄膜形成される。これにより、非レジスト部32の凹部内に第2層膜20からなる第2層パターンが形成される。この第2層膜20の膜厚が0.01μm未満であると第1層表面に研磨又はラビングにより形成された微小な凹凸が第2層膜により埋まらず、第1層の微小な凹凸と第2層の微小な凹凸が混在し配向不良となるので好ましくなく、1μmを越えると段差が大きくなり位相差量が変化するので好ましくない。薄膜形成の方法は、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの物理蒸着法PVD、気相成長法CVD法、めっき法、塗布法等を挙げることができる。無機材料としては、上記の第1層10と同じでもよく、異なっていてもよいが、層間の密着性や生産性の観点から同一の無機材料を用いることが好ましい。具体的には、第1層/第2層膜を、DLC/DLC、クロム/クロム、ニッケル/ニッケルなどの構成とすることが好ましい。なお、特に同一材料にこだわる必要は無く、DLC/Ni、DLC/Cr、Cr/Ni、Ni/Crであってもよい。<第2研磨工程>次に、図2eに示すように、第2層膜20の全面、すなわちレジスト部31及び非レジスト部32上の第2層膜20の表面を、第1凹凸構造領域12aと異なる方向に研磨して、第2層パターン21の表面に、微小なライン状凹凸構造である、第2凹凸構造領域21aを形成する。この工程は、研磨方向が第1凹凸構造領域12aと異なる方向である点を除いては、基本的に図1bで説明した上記の第1研磨工程と同じ工程である。よって研磨方向以外の詳細説明を省略する。第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域21aとは、上記微小なライン状凹凸構造の形成方向が異なる。図1bの第1研磨工程と、図2eの第2研磨工程とでは、XY平面における相互の微小なライン状凹凸構造の形成方向θが、それぞれ135度及び45度であり90度異なる場合図2fのθ1=135度、θ2=45度参照を示しているが、これに限らず、例えば45度異なっていてもよい。なお、θ1=0度、θ2=90度であってもよい。最後に、図2fに示すように、この状態でアルカリ処理などによりレジスト部31を剥離する。このとき、レジスト部31上に形成される第2層膜20も併せて除去されて第1層10上の第1凹凸構造領域12aが形成されると共に表面に第2凹凸構造領域21aが形成された第2層パターン21が残り、3次元表示用パターン配向膜用原版100が得られる。図2fに示すように、この3次元表示用パターン配向膜用原版100は平面視Aにおいては、第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域21aとが帯状交互に形成されている。また、断面視Bにおいては第1層10上に、第2層パターン21が凸部として存在して、第2層パターン21の膜厚h分の段差が形成されている。<パターン配向膜/パターン位相差フィルム>このようにして得られた3次元表示用パターン配向膜用原版100は、図3に示すように、TACトリアセチルセルロースやCOP環状オレフィン樹脂やアクリル樹脂などからなる位相差の小さいフィルム110上に、従来公知のUV硬化樹脂などの賦型樹脂120を積層した積層体の賦型樹脂面を圧着され、3次元表示用パターン配向膜用原版100の第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域21aで構成される微小なライン状凹凸構造が賦型樹脂表面121に転写され、その後UV硬化させる。これによりパターン配向膜150が得られる。さらに、図4に示すように、この賦型樹脂表面121上には重合性の液晶化合物160が塗布されることで、微小なライン状凹凸構造に沿って液晶分子が配向し、その後に重合硬化することでパターン位相差フィルム200が得られる。本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。例えば、上記実施形態の説明は平板状の版を基に説明したが、本発明はこれに限らず、ロール状のロール版に対しても適用可能である。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。以下の実施例は図1、図2に示す工程aからfを、最表面に第1層を備える円筒状のロール基材に適用して形成したものである。[実施例1]<第1研磨工程>図1ab:円筒状の基材の最表面クロム層5μm第1層の円周方向に対し、円筒の円周方向から45度方向でラビング処理し、全面に第1凹凸構造領域を形成した。<第2層形成工程>図1c:円周方向に対し溶剤希釈したネガ型レジストをコーティングし乾燥後、レーザー露光方法で360μm幅の平行な帯状にパターンを形成し、現像処理を行い、その後余分なレジストを除去することにより、360μm幅の非レジスト部と、360μmピッチで高さ5μmの第1レジスト部とをクロム層上に交互に形成した。図1d:第1レジスト部及び非レジスト部に、第2層膜として高さ0.1μmのクロム層をスパッタリングで形成した。<第2研磨工程>図2e:第2層膜の全面を、円筒の円周方向から135度方向にラビング処理して第2凹凸構造領域を形成した。<レジスト剥離工程>図2f:レジスト部及び該レジスト部上の第2層膜を、MEK,IPA,メタノールの混合溶剤で剥離して、第1凹凸構造領域及び第2凹凸構造領域を360μmピッチで交互に形成し、本発明の3次元表示用パターン配向膜用原版を得た。評価透明フィルム基材として60μmのTACに、希釈溶剤としてMEKとMIBKとが質量比4対1で混合されてなる希釈溶剤で希釈された固形分45、2500mPasのアクリル系紫外線硬化樹脂組成物を厚み8μmとなるようにコーティングし、溶剤を80°Cで30秒間で乾燥蒸発させた後、上記で作製した版にゴムロールで1000MPacmの加重で押し付けた後、紫外線を照射し、固化させたのち剥離し、パターン配向層をもつ基材パターン配向膜を得た。得られたパターン配向膜表面を原子間力顕微鏡AFMを用いて、表面の凹凸形状を測定したところ、微小なライン状凹凸構造の周期ピッチは、ほぼ5nm~500μmの範囲内でランダムに分布していた。また、微小なライン状凹凸構造の高さは1nm~100nmの範囲内であり、幅は5nm~500nmの範囲内であった。このように、実施例1ではパターン配向膜を容易に形成できることが確認できた。[実施例2]第1層としてクロム層の代わりに、ニッケル基材上に形成された2μmのスパッタリングによるDLC層を用いた以外は、実施例1と同様にして、本発明の3次元表示用パターン配向膜用原版を得た。その後、実施例1と同様の評価を行なった結果、実施例1と同様の評価結果を得たが、ニッケル基材とDLCの密着が弱かった。実施例2の対策として、ニッケル層状にシランカップリング剤を形成することで、DLC膜が密着することが確認できている。[実施例3]第1層としてクロム層の代わりに、ニッケルメッキ層5μmを用いた以外は、実施例1と同様にして、本発明の3次元表示用パターン配向膜用原版を得た。その後、実施例1と同様の評価を行なった結果、実施例1と同様の評価結果を得たが、アルカリ剥離時のニッケル層とクロム層の密着が弱かった。実施例3の対策として、ニッケル層表面にプラズマアッシング処理を行うことで、クロムスパッタ膜が密着することを確認できている。なお、現状、Ni/Ni、Cr/Cr、Ni/Cr、Cr/Ni、DLC/Ni、DLCCr全てで、本発明による3次元表示用パターン配向膜用原版を作製可能である。"