"内部で半導体または金属を溶融させる坩堝と、前記坩堝内で溶融された溶融半導体または溶融金属に浸されて回転駆動された状態で冷却されることにより、溶融半導体または溶融金属を凝固偏析させて不純物を低減した精製半導体または精製金属を外表面に析出させる中空状の冷却体とを備え、前記冷却体は、中空状の回転軸部、および、該回転軸部と連通して溶融半導体または溶融金属に浸される部分である中空状の浸漬部を有し、前記回転軸部の内側に、前記冷却体を冷却する冷却流体を通流させる配管が設けられ、前記浸漬部の内側に、前記配管と連通し、前記冷却流体を前記浸漬部の内表面に向けて吹き出させる複数の吹出口を有する吹出部が設けられ、前記複数の吹出口は、前記吹出部の側面および底面に位置し、前記吹出部の前記側面に位置する複数の吹出口のうちの最も上方に位置する上端吹出口の上端位置と前記浸漬部の下端位置との間の距離が、前記浸漬部の上端位置と前記浸漬部の下端位置との間の距離に比較して半分以下である、半導体または金属の精製装置。内部で半導体または金属を溶融させる坩堝と、前記坩堝内で溶融された溶融半導体または溶融金属に浸されて回転駆動された状態で冷却されることにより、溶融半導体または溶融金属を凝固偏析させて不純物を低減した精製半導体または精製金属を外表面に析出させる冷却体とを備え、前記冷却体は、回転軸部、および、該回転軸部と連通して溶融半導体または溶融金属に浸される部分である浸漬部を有し、前記浸漬部は、円筒状の周側面と該周側面と連続した湾曲面状の底面とから構成されている、半導体または金属の精製装置。内部で半導体または金属を溶融させる坩堝と、前記坩堝内で溶融された溶融半導体または溶融金属に浸されて回転駆動された状態で冷却されることにより、溶融半導体または溶融金属を凝固偏析させて不純物を低減した精製半導体または精製金属を外表面に析出させる中空状の冷却体とを備え、前記冷却体は、中空状の回転軸部、および、該回転軸部と連通して溶融半導体または溶融金属に浸される部分である中空状の浸漬部を有し、前記浸漬部は、円筒状の周側面と該周側面と連続した湾曲面状の底面とから構成され、前記回転軸部の内側に、前記冷却体を冷却する冷却流体を通流させる配管が設けられ、前記浸漬部の内側に、前記配管と連通し、前記冷却流体を前記浸漬部の内表面に向けて吹き出させる複数の吹出口を有する吹出部が設けられ、前記複数の吹出口は、前記吹出部の側面および底面に位置し、前記吹出部の前記側面に位置する複数の吹出口のうちの最も上方に位置する上端吹出口の上端位置と前記浸漬部の下端位置との間の距離が、前記浸漬部の上端位置と前記浸漬部の下端位置との間の距離に比較して半分以下である、半導体または金属の精製装置。前記浸漬部の前記底面が球面の一部で構成されている、請求項2または3に記載の半導体または金属の精製装置。前記半導体または前記金属がシリコンである、請求項1から4のいずれかに記載の半導体または金属の精製装置。前記冷却体が黒鉛から形成されている、請求項5に記載の半導体または金属の精製装置。特許文献1,2に記載された金属の精製方法または装置においては、冷却体に析出させた精製金属の不純物濃度を、凝固偏析によって精製前の溶融金属の不純物濃度よりも大幅に低くすることができる。半導体または金属の精製は、短時間でより多くの重量を精製することが望まれる。そのため、精製半導体または精製金属のさらなる回収重量の増大が求められていた。本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、より多くの精製半導体または精製金属を引き上げて回収できる精製装置を提供することを目的とする。本発明の第1の局面に基づく半導体または金属の精製装置は、内部で半導体または金属を溶融させる坩堝と、坩堝内で溶融された溶融半導体または溶融金属に浸されて回転駆動された状態で冷却されることにより、溶融半導体または溶融金属を凝固偏析させて不純物を低減した精製半導体または精製金属を外表面に析出させる中空状の冷却体とを備える。冷却体は、中空状の回転軸部、および、この回転軸部と連通して溶融半導体または溶融金属に浸される部分である中空状の浸漬部を有する。回転軸部の内側に、冷却体を冷却する冷却流体を通流させる配管が設けられている。浸漬部の内側に、配管と連通し、冷却流体を浸漬部の内表面に向けて吹き出させる複数の吹出口を有する吹出部が設けられている。複数の吹出口は、吹出部の側面および底面に位置している。吹出部の側面に位置する複数の吹出口のうちの最も上方に位置する上端吹出口の上端位置と浸漬部の下端位置との間の距離が、浸漬部の上端位置と浸漬部の下端位置との間の距離に比較して半分以下である。本発明の第2の局面に基づく半導体または金属の精製装置は、内部で半導体または金属を溶融させる坩堝と、坩堝内で溶融された溶融半導体または溶融金属に浸されて回転駆動された状態で冷却されることにより、溶融半導体または溶融金属を凝固偏析させて不純物を低減した精製半導体または精製金属を外表面に析出させる冷却体とを備える。冷却体は、回転軸部、および、この回転軸部と連通して溶融半導体または溶融金属に浸される部分である浸漬部を有している。浸漬部は、円筒状の周側面とこの周側面と連続した湾曲面状の底面とから構成されている。本発明の第3の局面に基づく半導体または金属の精製装置は、内部で半導体または金属を溶融させる坩堝と、坩堝内で溶融された溶融半導体または溶融金属に浸されて回転駆動された状態で冷却されることにより、溶融半導体または溶融金属を凝固偏析させて不純物を低減した精製半導体または精製金属を外表面に析出させる中空状の冷却体とを備える。冷却体は、中空状の回転軸部、および、この回転軸部と連通して溶融半導体または溶融金属に浸される部分である中空状の浸漬部を有している。浸漬部は、円筒状の周側面とこの周側面と連続した湾曲面状の底面とから構成されている。回転軸部の内側に、冷却体を冷却する冷却流体を通流させる配管が設けられている。浸漬部の内側に、配管と連通し、冷却流体を浸漬部の内表面に向けて吹き出させる複数の吹出口を有する吹出部が設けられている。複数の吹出口は、吹出部の側面および底面に位置している。吹出部の側面に位置する複数の吹出口のうちの最も上方に位置する上端吹出口の上端位置と浸漬部の下端位置との間の距離が、浸漬部の上端位置と浸漬部の下端位置との間の距離に比較して半分以下である。本発明の一形態においては、浸漬部の底面が球面の一部で構成されている。本発明の一形態においては、上記半導体または上記金属がシリコンである。本発明の一形態においては、冷却体が黒鉛から形成されている。本発明によれば、より多くの精製半導体または精製金属を引き上げて回収できる。本発明者らは、さまざまな評価および考察を行なうことにより、精製半導体または精製金属の回収重量の増大を試みた。以下、特許文献2に記載された回転冷却装置と同等の構造を有する冷却体を用いて行なった半導体または金属の精製装置の比較例1における評価および考察について説明する。なお、比較例1においては、半導体または金属の一例としてシリコンを用いた。図5は、比較例1に係るシリコンの精製装置において、溶融シリコン中に冷却体を浸漬させる状態を示す一部断面図である。なお、図5においては、冷却体300の内部を図示していない。図5に示すように、比較例1に係るシリコンの精製装置は、内部でシリコンを溶融させる坩堝20と中空状の冷却体300とを備えている。坩堝20の材料としては、精製する半導体または金属の種類にもよるが、黒鉛、シリカ、石英、炭化ケイ素、アルミナ、ムライト、鉄、ステンレス、または、銅など様々な材料を使用可能である。精製する半導体または金属がシリコンの場合には、黒鉛、シリカ、石英、炭化ケイ素、アルミナ、または、ムライトなどを使用することができる。ただし、坩堝20からシリコン中への不純物混入を抑制するためには、坩堝20の材料として、黒鉛、シリカ、石英、または、炭化ケイ素が好ましい。冷却体300は、中空状の回転軸部320、および、回転軸部320と連通して溶融シリコン10に浸される部分である中空状の浸漬部310を有している。比較例1においては、浸漬部310は、テーパー状に先端が細くなる外形を有し、かつ、先端に平坦面を有している。冷却体300の材料としては、精製する半導体または金属によって選択する必要があり、精製する半導体または金属がシリコンの場合には黒鉛が好ましい。回転軸部320の内側に、冷却体300を冷却する冷却流体を通流させる図示しない配管が設けられている。浸漬部310の内側に、上記配管と連通し、冷却流体を浸漬部310の内表面に向けて吹き出させる複数の吹出口を有する図示しない吹出部が設けられている。複数の吹出口は、吹出部の側面に均一に位置している。上記配管および吹出部の材質としては、たとえば、黒鉛を用いることができる。坩堝20は、チャンバー30内に収容されている。チャンバー30の上部には、冷却体300をチャンバー30の内外に移動可能とする開口32が設けられている。チャンバー30の内側空間31は、ヘリウム、アルゴンまたは窒素などの不活性ガスで満たされている。チャンバー30内で坩堝20の周囲に、図示しないヒータが配置されている。図6は、比較例1に係るシリコンの精製装置において、溶融シリコン中に浸漬させている冷却体の表面上に精製シリコンを析出させている状態を示す断面図である。図6に示すように、冷却体300は、坩堝20内で溶融された溶融シリコン10に浸されて回転駆動された状態で冷却されることにより、溶融シリコン10を凝固偏析させて不純物を低減した精製シリコン40を外表面に析出させる。具体的には、冷却流体としてたとえば窒素などの熱伝導率が高く安価な冷媒が、上記配管を通過して吹出部の吹出口から吹き出されることにより、冷却体300が冷却される。吹出口は、吹出部の側面に均一に設けられているため、浸漬部310の側面全体が冷却される。一方、浸漬部310の底面には吹出口が設けられていないため、浸漬部310の底面は側面に比較して冷却されない。また、冷却体300は、浸漬部310の水平断面に直交し、かつ、浸漬部310の外形の円中心を通過する線300aを軸として回転駆動されている。図7は、比較例1に係るシリコンの精製装置において、溶融シリコンから冷却体を引き上げた状態を示す断面図である。図7に示すように、精製シリコン40が表面に析出した冷却体300は、溶融シリコン10の上方に引き上げられる。図8は、比較例1に係るシリコンの精製装置において、析出した精製シリコンの形状を示す側面図である。図8に示すように、比較例1の冷却体表面に析出した精製シリコン40は、上端部において突出すように形成された幅広部41と、下端部において浸漬部310の先端の角部周辺に形成された薄肉部42とを有する。薄肉部42の厚さは、Wsとする。幅広部41が形成される理由は、溶融シリコン10の液面近傍における温度が溶融シリコン10の内部の温度より低くなっていることにより、溶融シリコン10の液面近傍における精製シリコンの析出速度が他の部分より速くなっているためと考えられる。薄肉部42が形成される理由は、浸漬部310の底面に吹出口が設けられていないため、浸漬部310の底面の温度が側面より高く、浸漬部310の底面に析出する精製シリコン40の析出速度が、浸漬部310の側面に析出する精製シリコン40の析出速度より遅くなっているためと考えられる。幅広部41においては、冷却体300を引き上げる際に開口32と衝突し、その衝撃で精製シリコン40の全体または一部が割れて落下する現象が起きていた。また、薄肉部42においては精製シリコン40の厚さが局所的に大きく変化しているため精製シリコン40に亀裂が発生しやすく、冷却体300を引き上げる際に亀裂が進展して精製シリコン40の全体または一部が落下する現象が起きていた。精製シリコン40の全体または一部の落下現象が起きると、回収される精製シリコン40の量は低減する。また、溶融シリコン10中に落下した精製シリコン40を再度溶融させる時間が必要になるため、時間当たりの精製シリコン40の回収量がさらに低減することになる。上記の落下現象を抑制するために、本発明者らは、検討案1,2を試みた。検討案1は、精製シリコン40の析出時間を短くすることである。検討案2は、溶融シリコン10の温度を高く保持することである。検討案1においては、幅広部41の形成が抑制されて、幅広部41と開口32との衝突発生は低減された。しかし、薄肉部42の厚さがさらに薄くなって、薄肉部42における亀裂の発生が増加した。結果として、精製シリコン40の落下発生の頻度は低減しなかった。また、1回の精製で回収できる精製シリコン40の量が少なくなった。検討案2においても、幅広部41の形成が抑制されて、幅広部41と開口32との衝突発生は低減された。しかし、薄肉部42の厚さがさらに薄くなって、薄肉部42における亀裂の発生が増加した。結果として、精製シリコン40の落下発生の頻度は低減しなかった。また、精製シリコン40の析出時間が長く必要となり、時間当たりの精製シリコン40の回収量が低減した。上記の検討結果から、精製シリコンの回収重量を増大させるためには、精製装置のさらなる改善が必要であることが分かった。本発明者らは、さまざまな評価および考察を行なった結果、吹出部における吹出口の配置、および、冷却体の浸漬部の外形の少なくともいずれかを変更することにより、上記の落下現象を低減できることを見出した。具体的には、吹出口を吹出部の側面の下方側および底面に配置することにより、溶融シリコン10の液面近傍における精製シリコン40の析出速度を低下させて幅広部41の形成を抑制するとともに、浸漬部310の底面に析出する精製シリコン40の析出速度を増加させて薄肉部42の形成を抑制できることを見出した。また、冷却体の浸漬部の外形を円筒状の周側面とこの周側面と連続した湾曲面状の底面とから構成することにより、浸漬部の先端の角部周辺における薄肉部42の形成を抑制できることを見出した。なお、上記の周側面および底面のそれぞれに析出した精製シリコンの不純物濃度を別々に測定して評価した結果、両者の不純物濃度に有意差は認められず、かつ、両者共に十分な凝固偏析効果が得られていることが確認された。これは、浸漬部の底面を湾曲面状に形成したことにより、冷却体の回転による周速度が浸漬部の底面においても確保することができたためと考えられる、その結果、冷却体の回転による偏析係数の増大効果を浸漬部の側面と同様に浸漬部の底面においても得ることができたと推察される。本発明は、上記の評価および考察に基づいてなされたものである。以下、本発明の一実施形態に係る半導体または金属の精製装置について図を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。なお、本実施形態に係る半導体または金属の精製装置においては、冷却体の構成のみ上記比較例1と異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。図1は、本発明の一実施形態に係る半導体または金属の精製装置における冷却体の構成を示す一部断面図である。なお、図1においては、冷却流体を流す配管130および吹出部140は側面視の状態を示している。図1に示すように、冷却体100は、中空状の回転軸部120、および、回転軸部120と連通して溶融半導体または溶融金属に浸される部分である中空状の浸漬部110を有している。浸漬部110は、円筒状の周側面とこの周側面と連続した湾曲面状の底面とから構成されている。本実施形態においては、浸漬部110の底面が球面の一部で構成されている。球面の一部で浸漬部110の底面を構成することにより、冷却体100を回転させた際の浸漬部110の底面における溶融シリコン10の攪拌をこの底面全体でより均一に行なうことができる。回転軸部120の内側に、冷却体100を冷却する冷却流体を通流させる配管130が設けられている。浸漬部110の内側に、配管130と連通し、冷却流体を浸漬部110の内表面に向けて吹き出させる複数の吹出口141を有する吹出部140が設けられている。浸漬部110の内表面に吹き付けられた冷却流体は、配管130と回転軸部120との間を通流して回収される。吹出部140は、下端が閉じた円筒形状の外形を有している。図1に示すように、吹出部140の下端側の角部に面取りが行なわれていてもよい。また、吹出部140は、断面視おいて、下端から上方に向かって徐々に大径となったテーパー状の部位を周側面に有していてもよい。本実施形態においては、複数の吹出口141は、吹出部140の側面および底面に位置している。吹出部140の側面に位置する複数の吹出口141のうちの最も上方に位置する上端吹出口の上端位置と浸漬部110の下端位置との間の距離L2が、浸漬部110の上端位置と浸漬部110の下端位置との間の距離L1に比較して半分以下である。吹出口141の形状としては、円形状、楕円形状、多角形状、または、スリット状など様々な形状を採用できるが、本実施形態においては円形状である。また、吹出口141の1個当りの開口面積は、たとえば、配管130の横断面の流路面積に対して、0.5以上2以下であることが好ましい。さらに、吹出口141は局所的に位置分布が偏らないように配置することが望ましい。たとえば、冷却体100の回転中心軸を含み、かつ、冷却体100の回転軸方向に平行な任意の平面で吹出部140を2分割した場合の分割片において、吹出口141の少ない方の分割片に占める全ての吹出口141の開口面積は、吹出部140の全体に占める全ての吹出口141の開口面積に対して、1/3以上1/2以下の範囲であることが望ましい。上記の構成により、溶融半導体または溶融金属の液面近傍における精製半導体または精製金属の析出速度を低下させて幅広部41の形成を抑制するとともに、浸漬部110の底面に析出する精製半導体または精製金属の析出速度を増加させて、浸漬部110の先端の角部周辺における薄肉部42の形成を抑制できる。その結果、冷却体100の表面に析出させた精製半導体または精製金属を、落下による低減を抑制しつつ回収して、精製半導体または精製金属の回収重量を増大させることができる。なお、本実施形態においては、浸漬部110は、円筒状の周側面を有していたが、たとえば、断面視において下部から上部に向けて徐々に大径となったテーパー状の部位を周側面に有してもよい。また、浸漬部110の底面は、湾曲面状ではなく、平坦面であってもよい。さらに、冷却体100の構造は上記に限られず、たとえば、中実の冷却体の上部側に水冷板などの冷却部品を接触させることにより、冷却体を冷却可能にしてもよい。この場合にも、幅広部41の形成を抑制して、精製半導体または精製金属の回収重量の増大を図れる。または、吹出口141が吹出部140の側面および底面の全体に均等に配置されていてもよい。この場合、薄肉部42の形成を抑制して、精製半導体または精製金属の回収重量の増大を図れる。以下、本発明の実施例について図を参照して説明する。なお、実施例においてはシリコンの精製を行なっているが、本発明はシリコンに限らず半導体または金属の精製に適用可能である。実施例1においては、外径が630mmの等方性黒鉛からなる坩堝20内にシリコンを430kg投入して溶融させた。溶融シリコン10の温度は、シリコンの融点10°Cに保持した。図1に示すように、本実施例の冷却体100は、回転軸部120および浸漬部110を有し、浸漬部110が、円筒状の周側面と、この周側面と連続して球面の一部から構成された底面とから構成されている。浸漬部110の大きさは、周側面における円筒直径を200mm、浸漬部110の上端位置と浸漬部110の下端位置との間の距離L1を500mmとした。また、孔径5mmの吹出口141を吹出部140の側面に48箇所、底面に9箇所設けた。互いに隣接する吹出口141同士の間隔は、全て等間隔にした。吹出部140の側面に位置する複数の吹出口141のうちの最も上方に位置する上端吹出口の上端位置と浸漬部110の下端位置との間の距離L2を250mmとした。吹出部140は、等方性黒鉛から形成した。図1の矢印50で示すように、配管130内に窒素ガスを6000L/分の流速で通流させた状態で、30回転/分の回転速度で冷却体100を回転させつつ、17分間溶融シリコン10内に浸漬部110を浸漬させて、精製シリコン40を析出させた。冷却体100を溶融シリコン10から引き上げた後、精製シリコン40を冷却体100から剥離して、精製シリコン40を回収した。以下、上記の一連の精製シリコン40の析出から回収までの作業を精製作業と称する。この精製作業を複数回行なって、精製シリコン40の回収量が160kgに達するたびに、同量の固体シリコンを坩堝20内に補充して溶融させた。上記固体シリコンの補充を適宜行ないつつ、上記の精製作業を229回繰り返し行なった。図2は、本発明の実施例2に係る冷却体の構成を示す一部断面図である。なお、図2においては、冷却流体を流す配管130および吹出部140は側面視の状態を示している。図2に示すように、冷却体200は、回転軸部220および浸漬部210を有し、浸漬部210が、円筒状の周側面と、この周側面と連続した平坦面からなる底面とから構成されている。浸漬部210の底面の厚さは、側面の厚さに比較して2倍にした。他の条件は実施例1と同様にして、固体シリコンの補充を適宜行ないつつ、精製作業を229回繰り返し行なった。図3は、本発明の実施例3に係る冷却体の構成を示す一部断面図である。なお、図3においては、冷却流体を流す配管230および吹出部240は側面視の状態を示している。図3に示すように、本実施例の吹出部240においては、複数の吹出口241は、吹出部240の側面全体のみに位置している。吹出部240の側面に位置する複数の吹出口241のうちの最も上方に位置する上端吹出口の上端位置と浸漬部210の下端位置との間の距離L3が、浸漬部210の上端位置と浸漬部210の下端位置との間の距離L1に比較して半分より大きい。具体的には、距離L3を400mmとした。また、孔径5mmの吹出口241を吹出部140の側面に57箇所設けた。互いに隣接する吹出口241同士の間隔は、全て等間隔にした。吹出部240は、等方性黒鉛から形成した。他の条件は実施例1と同様にして、固体シリコンの補充を適宜行ないつつ、精製作業を165回繰り返し行なった。図4は、比較例2に係る冷却体の構成を示す一部断面図である。なお、図4においては、冷却流体を流す配管230および吹出部240は側面視の状態を示している。図4に示すように、比較例2においては、冷却体200は、回転軸部220および浸漬部210を有し、浸漬部210が、円筒状の周側面と、この周側面と連続した平坦面からなる底面とから構成されている。浸漬部210の底面の厚さは、側面の厚さに比較して2倍にした。吹出部240においては、複数の吹出口241は、吹出部240の側面全体のみに位置している。吹出部240の側面に位置する複数の吹出口241のうちの最も上方に位置する上端吹出口の上端位置と浸漬部210の下端位置との間の距離L3が、浸漬部210の上端位置と浸漬部210の下端位置との間の距離L1に比較して半分より大きい。具体的には、距離L3を400mmとした。また、孔径5mmの吹出口241を吹出部140の側面に57箇所設けた。互いに隣接する吹出口241同士の間隔は、全て等間隔にした。吹出部240は、等方性黒鉛から形成した。他の条件は実施例1と同様にして、固体シリコンの補充を適宜行ないつつ、精製作業を87回繰り返し行なった。上記の実施例1~3および比較例2の各々において、浸漬部の周側面に析出した精製シリコン40の平均厚さ、浸漬部の底面に析出した精製シリコン40の平均厚さ、および、浸漬部の周側面に析出した精製シリコン40の平均厚さと浸漬部の底面に析出した精製シリコン40の平均厚さとの差を求めた。また、精製シリコン40の落下現象の発生率、および、1回の浸漬工程当たりの精製シリコン40の回収量を算出した。また、浸漬部の底面に析出した精製シリコン中のFe濃度、および、浸漬部の周側面に析出した精製シリコン中のFe濃度を測定した。表1は、上記の各データをまとめたものである。表1に示すように、比較例2に比べて、実施例2および実施例3においては、浸漬部の周側面と底面とにそれぞれ析出した精製シリコン40の平均厚さの差が低減されていた。すなわち、精製シリコン40の局所的な厚さ変化が低減されていた。また、精製シリコン40の落下現象の発生率も低減されていた。この結果から、本実施形態に係る吹出部140における吹出口141の配置、および、浸漬部110の外形のいずれかを有することにより、幅広部41または薄肉部42の形成を抑制して、精製シリコン40の回収重量を増大できることが確認された。また、実施例1は比較例2と比べて、浸漬部の周側面と底面とにそれぞれ析出した精製シリコン40の平均厚さの差がさらに低減され、精製シリコン40の落下現象の発生率もさらに低減されていた。よって、本実施形態に係る吹出部140における吹出口141の配置、および、浸漬部110の外形の両方を有することにより、幅広部41および薄肉部42の形成を抑制して、精製シリコン40を効率よく精製できることが確認された。さらに、実施例1~3のいずれにおいても比較例2と比べて、1回の浸漬工程当たりの精製シリコン40の回収量が向上されていることが確認された。また、実施例2および比較例2においては浸漬部の周側面に比べ底面の精製シリコン中のFe濃度が高くなっているのに対し、実施例1および実施例3においては浸漬部の周側面と底面とで精製シリコン中のFe濃度に差が見られないことが確認された。今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"