"基板と、前記基板上のエピタキシャル成長される層構造と、前記エピタキシャル成長される層に形成される長さIcのレーザ共振器であって、基板平面に対して垂直な少なくとも1つのエッチングされたファセット面を有する前記レーザ共振器と、個片化によって前記基板から作製され、前記レーザ共振器を組み込み、長さIsであって、Isは前記レーザ共振器長さIcより大きいチップと、を備え、前記チップは、前記レーザ共振器のビーム軸の中心から前記チップのエッチングされた上面までの距離hと、前記チップの縁から前記エッチングされたファセットまでの距離aと、を有し、前記レーザ共振器、半値全幅の垂直遠視野角でレーザ出力ビームを作製することができ、比h/aが、に等しいか、または大きい、半導体レーザデバイス。基板と、前記基板上のエピタキシャル成長される層構造と、前記エピタキシャル成長される層構造におけるエッチングによって作製されるファセットを有し、前記ファセットが基板平面に対して垂直な面を有するレーザ共振器と、前記エッチングされたファセットの前の補助メサ構造であって、前記補助メサ構造の上部が、前記レーザファセットを通過するレーザビーム軸の中心から距離hにある補助メサ構造と、デバイス個片化によって前記基板から形成される前記レーザ共振器を組み込み、前記補助メサ構造の縁からチップ縁まで距離asを有するチップと、を備え前記補助メサ構造は高さhsを有し、前記レーザ共振器は、半値全幅の垂直遠視野角で前記エッチングされたファセットから放射される出力ビームを作製するように操作し、比h/aが、に等しいか、または大きく、比hhs/aasがに等しいか、または大きい、半導体レーザデバイス。基板と、前記基板上に欠陥密度Dのレーザ活性領域を備え、本質的にInGaAlNから構成されるエピタキシャル成長される層構造と、前記構造に形成される長さIcであって、レーザ方向が基板平面に対して本質的に平行であるレーザ共振器と、前記レーザ共振器上の少なくとも1つのエッチングされたファセットと、を備え、前記レーザ共振器は、レーザ共振器の内側に、基板平面に対して水平に有効強度分布幅wIを有し、前記幅wIは、レーザ軸における最大強度の1/e3に等しいか、または大きく、YD=exp-DwIIcが50に等しいか、または大きい、半導体レーザデバイス。前記少なくとも1つのエッチングされたファセットは、基板に対して45°またはその付近の角度でエッチングされる、請求項3に記載のレーザ。前記45°のファセットの上に形成されるレンズをさらに含む、請求項4に記載のレーザ。前記45°の面の上に位置決めされ、受信したレーザ光を中心ビームおよび前記中心ビームに隣接する少なくとも2つのサイドビームに分割する格子をさらに含む、請求項4に記載のレーザ。基板平面に対して本質的に垂直な面をエッチングすることによって形成される第2のレーザファセットをさらに含む、請求項1に記載のデバイス。基板平面に対して本質的に垂直な面をエッチングすることによって形成される第2のレーザファセットをさらに含む、請求項2に記載のデバイス。基板平面に対して本質的に垂直な面をエッチングすることによって形成される第2のレーザファセットをさらに含む、請求項3に記載のデバイス。基板平面に対して本質的に垂直な面をエッチングすることによって形成される第2のレーザファセットをさらに含む、請求項4に記載のデバイス。前記基板は、GaNを含む、請求項1に記載のデバイス。前記基板は、GaNを含む、請求項2に記載のデバイス。前記基板は、GaNを含む、請求項3に記載のデバイス。前記基板は、GaNを含む、請求項4に記載のデバイス。長さIcを有し、幅wIを有するレーザ共振器を有する基板を備え、前記レーザ共振器は、下部クラッド層と、活性領域と、上部クラッド層と、少なくとも1つのエッチングされたファセットと、を含み、Ic<400μmおよびwI≦4μmである、InGaAlNに基づくレーザ。Ic≦300μmである、請求項15に記載のレーザ。Ic≦200μmである、請求項15に記載のレーザ。Ic≦100μmである、請求項15に記載のレーザ。下部クラッド層と、活性領域と、上部クラッド層と、少なくとも1つのエッチングされたファセットと、前記エッチングされたファセットのリソグラフィによって画定されたファセット反射率の修正と、を組み込んだレーザ共振器を有する基板を備える、InGaAlNに基づくレーザ。基板と、前記基板上のInGaAlNを含む構造と、基板に対して45°またはその付近の角度で、前記構造にエッチングされたファセットと、を備えるフォトニックデバイス。前記エッチングされたファセットのリソグラフィによって画定されたファセット反射率の修正をさらに含む、請求項20に記載のフォトニックデバイス。低い欠陥密度の少なくとも1つ所定の領域および高い欠陥密度の少なくとも1つ所定の領域を含む基板と、前記基板上に作製される半導体レーザと、を備え、前記レーザは、活性領域を有し、少なくとも1つのエッチングされたファセットを有し、前記活性領域は、前記低い欠陥密度の領域内に完全に含まれる、チップ。前記低い欠陥密度の領域および前記高い欠陥密度の領域は、平行な帯にあり、前記基板上に形成される導波路共振器をさらに含み、前記共振器は、前記帯に平行以外の角度で位置決めされている、請求項22に記載のチップ。長さIsおよび幅bsの半導体と、前記半導体に形成される共振器長さIcの少なくとも1つのレーザと、を備え、前記レーザは、少なくとも1つのエッチングされたファセットを有し、Ic≦Is/2である、チップ。Ic≦bs/2である、請求項24に記載のチップ。幅bs≧250μmであり、長さIs≧250μmであるチップと、前記チップ上の少なくとも2つのInGaAlNに基づくレーザと、を備え、前記2つのレーザの一方は、ワイヤボンドによって電流を受信する、実装されたフォトニックデバイス。InGaAlNに基づくレーザと、少なくとも1つのエッチングされたファセットを有する前記レーザと、前記レーザから光学記憶媒体に放射線を指向して集束するための光学送信器および整形器と、光学記憶媒体から反射されたレーザ光を受信して、それに応じたデータ信号および、前記記憶媒体におけるデータに対する集束レーザ光の垂直方向および横方向の位置を表す位置誤差信号を供給するための光受信器と、前記位置誤差信号に応じて、前記集束レーザ光の位置を制御するためのアクチュエータと、を備える、光学ピックアップシステム。少なくとも1つのエッチングされたファセットを有するInGaAlNに基づくレーザと、前記レーザから光学記憶媒体に放射線を指向して集束するための光学送信器および整形器と、光学記憶媒体から反射されたレーザ光を受信して、それに応じたデータ信号および、前記記憶媒体におけるデータに対する集束レーザ光の垂直方向および横方向の位置を表す位置誤差信号を供給するための光受信器と、前記位置誤差信号に応じて、前記集束レーザ光の位置を制御するためのアクチュエータと、ディスク媒体の周囲に円周方向に向けられる複数のデータトラックを有する光学記憶ディスク媒体と、レーザ強度用のコントローラと、前記データ信号の電子読み出しと、を備える、光学記憶システム。高い歩留り、低コスト、高い信頼性および良好な波面品質でInGaAlNレーザを製作するために必要なことは、レーザ活性領域内およびその付近において基板に誘発される欠陥の発生を最小限に抑え、歪みのない光学ビームおよびそのようなレーザデバイスを作製するための方法を提供するデバイス設計である。本発明によれば、InGaAlN半導体ダイオードレーザは、エッチングによって形成されるレーザミラーを装備される。レーザは、基板欠陥によって生じる望ましくない歩留り損失を減少させ、より低いデバイスコストを提供し、信頼性を向上し、高い光波面品質を有する出力ビームを提供する特別な設計特徴部を組み込む。ミラーまたはファセットのエッチングが、3ミクロンほどの短い導波路長さの作製を可能にすることは、従来技術で示されている。フルウェハ試験およびデバイス集積などのレーザファセットエッチングによって提供されるさらなる利点もまた、従来技術に記載されている。しかし、材料欠陥によって生じる歩留りの減少を最小限に抑えるためのレーザ導波路の長さおよび幅の特別な選択の必要性は、当分野では認識されてこなかった。高い光波面品質のレーザ光の提供のための特定の幾何構成に関する必要性も認識されてこなかった。簡単に言えば、本発明によれば、光学記憶のために必要とされる光波面特性などの良好な光波面特性を有するレーザを作製するための方法および構造が提供される。これらの目的のために、レーザのエッチングされたフロントファセットおよびその付近の幾何構成は、不利なビームの歪みを防止するために、レーザフロントファセットから出る出力ビームが、半導体チップの縁によって本質的に遮られないように設計される。この要件は、遠距離通信などの他の分野におけるダイオードレーザ用途とは対照的であり、光学画像化は、一番の関心事ではなく、光学ビーム品質に関する要件はさらに緩和される。本発明の一態様によれば、半導体レーザ構造は、基板上で、エピタキシャル成長され、少なくとも下部クラッド層、活性層、上部クラッド層および接触層を有する。リソグラフィによって画定されたマスクを介したドライエッチングは、長さIcおよび幅bmのレーザメサを作製する。リソグラフィおよびエッチングの別の手順は、本発明の好ましい形態では、メサの上部に幅wのリッジ構造を形成するために用いられるが、本発明はリッジレーザ構造に限定されるわけではなく、エッチングステップはまた、レーザ導波路構造の端部にミラーまたはファセットを形成することを理解されたい。ウェハは、ソーイング、スクライビング後の劈開またはレーザに基づくダイシングなどの適切な個片化工程を用いて、単一のデバイスチップに分割される。チップの長さIsおよび幅bsはそれぞれ、導波路の長さIcおよびメサの幅bmに等しいか、または長い好都合な値として選択され得る。エッチングがレーザミラーの形成のために用いられているため、レーザ導波路は、デバイスチップの長さより短いように設計され得、具体的に言えば、設計は、InGaAlNレーザの活性層で普通遭遇される異常に高い欠陥密度によって生じる歩留り損失を減少させるように選択され得る。レーザ活性導波路領域内に位置している材料欠陥の確率は、その長さIcおよび有効強度分布幅wIおよび欠陥密度Dに関連している。そのような欠陥のないレーザを作製するための歩留りYDは、この確率に反比例し、ポアソン統計を用いて表現され得る。本発明によれば、導波路の長さおよび幅は、所与の欠陥密度Dに関して、歩留りYDが50を上回るように選択される。特に、高い光波面品質を有するレーザ光を必要とする用途の場合には、レーザ出力がチップの縁によって著しく遮断されることなく、出て伝搬することができるように、レーザミラー、メサおよびデバイスチップの幾何構成を設計することが重要である。したがって、レーザビームが出るレーザメサの前部からきわめて小さな距離aでデバイスチップの前面を形成することが望ましい。同時に、損傷を避けるために、個片化は、高品質ミラー面に近すぎないように実行されなければならない。個片化の寸法の精度は一般に、リソグラフィ制御エッチング工程に比べて、低減されなければならないため、レーザメサの長さIcより長いデバイスチップの長さIsを選択し、aは小さいがゼロではないように導波路を位置決めすることが望ましい。本発明によれば、チップの縁とレーザメサの底部との距離aおよびレーザ出力ビームの中心とレーザメサの上部との高さhは、前部レーザミラーから放射されるレーザ放射線のビーム発散に注目して選択されなければならない。基板に対して垂直な方向において、前部レーザミラーから出る放射線は、ビーム中心で高い強度を有し、ビーム中心から離れて広がる距離にわたって減少する。放射されるレーザビームの垂直発散は一般に、強度がその中心値の50まで低減される光線間の角度の広がりを表す半値全幅の遠視野farfield角によって特徴付けられる。デバイスチップの縁は、伝搬するレーザビームの下部分の部分的な遮断を生じる可能性がある。これが生じる場合には、上面に当たる光の一部が反射されて、レーザビームの上部分と干渉し、チップの縁によって生じた回折と共に、放射線分布の望ましくない歪みおよびレーザ強度の空間的に変化する変調を生じる結果となる可能性がある。高い光波面品質を必要とする用途の場合には、個片化工程を介して形成されるチップの縁によるレーザ光の遮断を最小限に抑えることが重要である。本発明の前述の目的およびさらなる目的、特徴および利点は、添付図面を利用した本発明の以下の詳細な説明から、当業者には明白となるであろう。ここで、本発明の詳細な説明を始めると、図1Aから図1Cは、端部ファセット16および18を有し、エピタキシャル成長およびエッチングの施されたリッジレーザ14を支持する基板12を含むダイオードレーザチップ10を示している。リッジレーザは、当分野において知られているように、レーザ端部ファセットのエッチングによって形成されるが、本レーザは特別な設計幾何構成を有する。本発明によれば、半導体レーザ構造14は、基板12の上にエピタキシャル成長され、少なくとも下部クラッド層20、活性層22、上部クラッド層24および接触層26を備える。リソグラフィによって画定されたマスクを介したドライエッチングは、長さIcおよび幅bmのレーザメサ30を作製する。リソグラフィおよびエッチングの別の手順は、メサの上部に幅wのリッジ構造32を形成するために用いられる。図1Aから図1Cに概略的に示され、上述したレーザはリッジ型設計であるが、本発明はリッジレーザ構造に限定されるわけではなく、他の半導体レーザ設計に適用することを理解されたい。図2に示されているように、基板12は、知られているマスキングおよびエッチングステップによって、複数のレーザ14、14a、14b、14c、...、14nがその上に作製される従来のウェハ40の形態であってもよい。これらのレーザの形成および試験後に、ウェハは、水平劈開線42および垂直劈開線44に沿って、ソーイング、スクライビング後の劈開またはレーザに基づくダイシングなどの適切な個片化工程を用いて、複数の単一のデバイスチップ12、12a、12b、12c、...、12nに分離される。各チップの長さIsおよび幅bsはそれぞれ、各対応するレーザ14の導波路の長さIcおよびメサの幅bmに等しいか、または長い好都合な値を有するように選択され得る。レーザおよびミラーまたはファセット16および18などのファセットの形成のために、エッチング工程を用いることによって、各レーザ導波路は、対応するチップデバイスの長さより短く設計され得る。具体的に言えば、設計は、InGaAlNレーザの活性層で見つけられる異常に高い欠陥密度によって生じる歩留り損失を減少させるように選択され得る。図1Aおよび図1Cに示されている領域などのレーザ活性導波路領域46内に位置している材料欠陥の確率は、その領域の長さIcおよび有効強度分布幅wIおよび欠陥密度Dに関連している。そのような欠陥のないレーザを作製するための歩留りYDは、この確率に反比例し、ポアソン統計を用いて表現され得る。YD=exp-DwIIc1歩留りは、欠陥の全くないInGaAlNレーザの作製に関して本明細書では以下に説明されるが、欠陥のあるInGaAlNレーザまたは特定の用途に関して適切に機能し得る共振器における欠陥を有することも可能である場合があることは理解されよう。しかし、活性領域46の中またはその付近でInGaAlNレーザにおける欠陥を減少させることは、レーザの歩留りおよび信頼性に対する肯定的な意味合いを有する。長手軸またはレーザ導波路14の方向に対して垂直な方向であり、かつ基板12の平面におけるレーザ強度分布は、中心で高く、側部に向かって減少する。一般に、レーザ強度分布は、ガウス分布によって適切に記載され得る。実際の目的のために、wIはここでは強度がその中心値の1/e3まで減少される点の間の幅として定義される。他の影響が全体的な製造歩留りYに影響を及ぼすのに対し、YDは密度Dの材料欠陥によって生じる歩留りの影響を示しているに過ぎないことを留意されたい。図3は、D=105cm-2で幅wI=4ミクロンの場合のIcの関数としてYDを示している。半導体ダイオードレーザ用に一般に用いられているような1000ミクロンまでのレーザ長さの場合の歩留り値が、示されている。図3は、長さ100ミクロンのInGaAlNダイオードレーザが、一般に用いられる長さ500ミクロンのInGaAlNレーザの場合より5倍以上高い歩留りYDで作製され得ることを明確に示している。図3はまた、Al1-xGaxAs材料層から本質的に構成される大量生産の780nmのレーザの場合のYDの一般値を示しており、102cm-2未満の欠陥密度を呈する。InGaAlNレーザの場合には、基板欠陥は、増大するレーザ長さIcで実質的に歩留りの劣化を生じるのに対し、780nmのレーザの場合には歩留りの劣化を生じない。したがって、式1によって示される設計の制約条件は、AlGaAsレーザの場合には考慮される必要がないのに対して、InGaAlNレーザの場合には実質的に歩留りの向上をもたらす。本発明によれば、所与の欠陥密度Dの場合には、式1によって決定されるようなYDは50より大きいように導波路の長さおよび幅を選択することが望ましい。限定された導波路の長さの選択は、全体的な内部レーザ損失を低減するというさらなる利点を有する。特に、高い光波面品質を有するレーザ光を必要とする用途の場合には、ファセット16からのレーザ出力光ビームが、チップ10の縁50によって著しく遮断されることなく、出て外側に伝搬することができるように、レーザミラー16、メサ30およびデバイスチップ10の幾何構成を設計することが重要である。したがって、レーザビーム56が出るレーザメサ30のフロントファセット16からきわめて小さな距離aでデバイスチップの前面52を形成することが望ましい図1Aおよび図1B参照。同時に、損傷を避けるために、チップの個片化は、劈開線42図2が高品質ミラー面16に近すぎないように実行されなければならない。個片化の寸法の精度は一般に、リソグラフィ制御エッチング工程に比べて、低減されなければならないため、図1Aおよび図1Bに示されているように、レーザメサ30、したがってレーザ導波路32の長さIcより長いデバイスチップ10の長さIsを選択し、aは小さいがゼロではないように導波路32を位置決めすることが望ましい。本発明によれば、チップ10の縁50とレーザメサ30の底部との距離aおよびレーザ出力ビーム56の中心線54とレーザメサ30の上部58との間の高さhは、前部レーザミラー16から放射されるレーザ放射線56のビーム発散θに特に注目するように選択されなければならない図1Bおよび図4。基板52の上面60に対して垂直な方向において、前部レーザミラー16から出る放射線56は、ビーム中心54で高い強度を有し、ビーム中心からの距離に応じて減少する。図5は、ガウス強度分布曲線70を示しており、レーザによって放射される垂直放射線分布を示して近似している。放射されるレーザビーム56の垂直発散θは一般に、ビーム56の中心値の50まで低減される強度を有する光線間の角度の広がりを表す半値全幅FWHMの遠視野角によって特徴付けられる。図4において、ビームの境界72および74は、強度が中心領域54における最大強度の50まで低減される場所を表しているが、総レーザ出力の相当の部分は、これらの境界の外側に伝搬する。図4および図5から理解され得るように、デバイスチップ10の縁50は、伝搬するレーザビーム56の下部分を部分的に遮断する。これが生じると、上面58に当たる光の一部が反射されて、レーザビーム56の上部分と干渉し、この影響がこれもまたチップの縁によって生じる回折と組み合わされると、結果は、放射線分布の望ましくない歪みおよびレーザ強度の空間的に変化する変調となる。高い光波面品質を必要とする用途の場合には、個片化工程を介して形成されるチップの縁50によるレーザ光56の遮断を最小限に抑えることが重要である。は放射されるレーザ放射線の半値全幅FWHMの遠視野角を示し、ビーム遮断の著しい低減は、式2に基づくチップ10の幾何構成を構成することによって得られ得る。チップの縁で真のガウス強度分布を仮定すると、式2によって記載される幾何構成設計は、約5未満までデバイスチップによって遮断されるレーザ強度を低減するであろう。この設計は、十分に深いエッチングを通じてレーザファセットを形成し、距離aを決定する個片化工程の注意深い制御によって、実装され得る。本発明の実施形態において、寸法aのために必要とされる精度は、図6Aおよび図6Bに示されているように、長さImの相対的に背の高い補助メサを作製することによって緩和され得る。これらの図は、図1Aから図1Cに上述した態様において、基板12上に作製されるチップデバイス80を示しており、類似の構成要素は、同一の符号によって示される。チップデバイス80は、下に補助メサ82を設けて、前のデバイスのメサ30を支持する点で、図1Aから図1Cのチップデバイスとは異なる。当業者には知られている複数の技術が、そのような背の高いメサの作製に利用可能である。これらの工程は、メサ82の場合には、レーザ導波路の端部における反射ミラー16および18に必要とされるような平坦で滑らかな高品質面を作製する必要はない。所望の構造を作製するのに適した1つの工程は、前述のように、基板52の上でエピタキシャル成長されるレーザ活性層22の上に補助メサ82の位置、長さおよび幅の印を付けるためのフォトリソグラフィを含む。メサ境界の周囲の材料が、次に深さbまで除去される。レーザミラー16および18が、上記で言及した工程によって次に形成され、この工程はまた、補助メサの前縁84に対するレーザ前部ミラー16の正確な位置決めを可能にするために、レーザ導波路の長さIcおよび端部位置も写真によってphotographically画定する。図6Aでは距離aは相対的小さいように選択されるが、相対的に浅いエッチングの深さは、比h/aが式2の要件を満たすことを保証する程度に十分であり、それによって、補助メサの縁によるレーザビームの好ましくない遮断を防止する。ウェハ上に完全に機能的なレーザを作製するために必要なリソグラフィステップおよびエッチングステップを完了した後、ウェハは、図6Aおよび図6Bに示されているように、補助メサの縁から適切な距離asに個片化線42を位置決めすることによって、個別のデバイスに分離される。望ましくないビームの遮断を回避するために、距離asには、以下のように選択される必要がある。高さbの背の高い補助メサの作製は、容易にhhsを大きくし、asに関して相対的に大きな値を有する場合であっても、高い比hhs/aasの実現を容易にすることに繋がることを理解することは重要である。これは、レーザの前部における個片化線の位置決めのために必要な精度の程度を緩和する。一般的な個片化方法はフォトリソグラフィによって制御されていないため、補助メサの記載された作製は、製造歩留りを向上し、デバイスコストを低減することができる。図1Aから図1Cおよび図6Aから図6Bにおいて、個片化面は平坦であるように示されているが、個片化面がレーザ共振器に光学フィードバックを提供するために用いられない場合には、レーザ閾値または効率に不利な影響をもたらすことなく、粗さを有し、凹凸があってもよい。レーザ構造の説明はこれまで、ファセット16からの出力レーザ光を利用するシステムまたはデバイスに、レーザビームを提供するレーザデバイスの前部に焦点を置いてきた。図1Bに示されているように、光学ビーム品質に関する厳しい要件は通常ないため、後部レーザミラー18とチップの後縁88との間の距離pは大きく構成され得、後部ミラーあるいはデバイスから出る任意のレーザ放射線は、後端部からあまり放射線が出ないように設計される。上述した本発明の実施形態において、レーザ前部ミラー16は、基板ウェハの平面に本質的に平行であるレイジング方向に対して本質的に垂直である方向において、ファセット面をエッチングすることによって形成される。しかし、図1Dに示されているように、面発光レーザは、角度をなしてエッチングされたフロントファセット16’を提供することによって形成され得る。このフロントファセット16’は、基板の平面に対して垂直な方向にレーザから放射される光56’を指向する。そのようなレーザ構造は、水平共振器型面発光レーザまたはHCSELとも呼ばれる。HCSELの場合には、出てくる放射線56’のビーム形状は、もはや個片化に影響せず、距離aは、上述したほど重要ではない。所望であれば、同時係属中の2004年10月14日に出願された米国特許出願第10/963,739号および2005年1月19日に出願された米国特許出願第11/037,334号に記載されたように、レンズ89が、レーザの上面の上に設けられてもよい。尚、これらの特許出願はいずれも、本出願の譲受人に譲渡されている。上述および図1Aおよび図1Bに示されているように、レーザミラーのエッチングは、短い導波路長さIcの作製を可能にし、チップ長さIsはIcに関係なく選択され得る。コストを低減するために、チップの長さIsおよび幅bsは可能な限り低減すると同時に、許容可能なレベルにおける個片化、ボンディングおよび実装中に扱いが困難な状態を維持するほど十分に大きい寸法を選択することが好都合である。本発明の別の実施形態において、導波路の長さIcおよびレーザメサの幅bmは、複数のレーザが寸法Isおよびbsの1つのチップの上に配置され得るように選択され得る。エッチングがレーザミラーの形成のために用いられると、チップの分離、ワイヤボンディングおよび実装の前に、各レーザの機能性および特性の試験が行われ得る。これは、特定の狙いを持った用途向けの最大の好適な特性を有するレーザの決定および選択を可能にする。各指定されたデバイスチップにおける冗長なレーザの作製は、有益な歩留りの向上および性能の最適化を可能にする。レーザは、垂直にエッチングされたファセットを備えたエッジ放射体であってもよく、またはHCSEL構造を用いて垂直に放射されてもよい。複数の異なる幾何配置および放射方向において、チップ上に複数の冗長なレーザが配置され得ることが理解されると同時に、図7は、4つの冗長なエッジ放射デバイス92、94、96および98を有するチップ90の実施例を示している。図7に示されているように、各個別のレーザデバイスのそれぞれの導波路共振器102、104、106および108は、チップの長さまたは幅の半分未満である。歩留りを強化するために、これらの複数のレーザが、単一のチップ90の上に配置され、図7に示された4つのレーザは異なる方向に光を放射する。そのようなチップは、例えば、TO型に実装され、レーザの1つは、レーザに電流を提供するために実装の内側で選択的にワイヤボンディングされ得る。知られているように、いくつかの自立型GaN基板は、欠陥密度の高い材料の帯に隣接する欠陥密度の低いGaNの帯を有する。劈開を通じて作製されるレーザ共振器は、欠陥密度の低い帯に平行かつその中に配置される。短い共振器のエッチングされたファセットによるレーザは、欠陥密度の低い帯に対して任意の角度で作製され得、欠陥密度の低い領域内に含まれる全体的に活性の領域を有することができる。エッチングされたファセットによるレーザの利点は、それらの反射率を修正するために、コーティングが前部レーザミラーおよび後部レーザミラーに施され得ることである。本発明の低コストのInGaAlNレーザの1つの用途は、光学データ記憶システムに用いられる光学ピックアップデバイスにある。そのような光学ピックアップデバイスおよびデータ記憶システムは、設計の詳細において変更することができることは理解されると同時に、図8は、120で全体を示したピックアップデバイスの一般的な構成要素および機能を示している。このデバイスにおいて、光学ビーム整形システム122が、レーザ124によって放射された放射線を収集して、整形する。整形構成要素および機能は、平行光線化用のレンズ、楕円レーザビーム形状の円形化用のプリズム、主要ビームの左右に隣接する2つのサイドビームを形成するための格子を含むことができる。次に、レーザ光は、四分の一波長板を後に備えた偏光ビームスプリッタであってもよいビームスプリッタ126を通過する。ミラー128は、光を対物レンズ130の方に指向し、対物レンズ130は光を記憶媒体132に集束する。媒体から反射され、レンズ130に戻った光は、ミラー128で反射され、ビームスプリッタ126によって検出システム134にそらされる。検出システム134は、幾何的なサイズおよび構成の複数の光感知素子に分割される光検出器136を備え、記憶媒体で符号化されたデータを表す電気信号と、横方向のデータトラッキングおよびデータに対する集束レーザスポットの垂直焦点位置を表すサーボエラー信号と、を生成する。光学処理システム138は、データ信号およびサーボエラー信号が光検出器136によって生成されるように、光を光学的に操作するために用いられてもよい。一般に、電気機械設計から構成されるアクチュエータシステム140が、トラッキング信号に対する記憶媒体における集束レーザスポットの垂直位置および横方向の位置を制御し、サーボエラー信号を集束するために用いられる。図9は、レーザ124を備えた光学ピックアップデバイス150と、モータ154で回転される光ディスク媒体152と、を用いた光学記憶システムを示している。データは、記憶媒体の光学的に検出可能な材料の変化として符号化され、ディスク媒体の周囲の円周方向に向けられたトラックに配置される。各データトラックは、電気機械的アクチュエータシステム156を用いることによって、集束レーザスポットの横方向の位置を移動して制御するために、光学ピックアップデバイス150によってアクセスされ得る。光学データ記憶システムは、個別のシステムによって光ディスクに予め記録されているデータパターンを読み返す読み出し専用システムであってもよい。光学データ記憶システムはまた、レーザ124およびレーザ強度を変調するための電気コントローラを用いて、ディスク媒体の上にデータを書き込むことができる能力を含んでもよい。本発明は、好ましい実施形態に関して示してきたが、変更および修正は、請求項に記載されている本発明の真の精神および範囲を逸脱することなく行うことができることは理解されよう。"