少なくとも1つのトレンチが形成されている半導体基板を備えており、半導体基板は、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されており、トレンチは、半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しており、トレンチの底部は第1の絶縁層で被覆されており、トレンチの側壁は第2の絶縁層で被覆されており、第1の絶縁層の上面は、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置しており、第2の絶縁層の膜厚は、前記境界面よりも上方側の少なくとも一部の領域において第1膜厚とされているとともに、第1の絶縁層の上面から前記境界面までの領域において第1膜厚よりも厚くされていることを特徴とする半導体装置。第2の絶縁層の膜厚は、境界面よりも上方側の何れかの位置を第1位置として、第1位置よりも上方側において第1膜厚とされており、第2の絶縁層の膜厚は、第2の絶縁層と第1の絶縁層の上面との境界となる第2位置において第1膜厚よりも厚い第2膜厚とされており、第2の絶縁層の膜厚は、第2位置から第1位置まで連続的に減少していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。半導体基板の材料はSiCであり、トレンチの側壁を形成している面は、03-38面とされていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。少なくとも1つのトレンチが形成されているSiCの半導体基板を備えており、半導体基板は、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されており、トレンチは、半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しており、トレンチの第1の側壁と第2の側壁とが、トレンチの底部において互いに90°の角度を有して接合しており、トレンチの底部および側壁は絶縁層で被覆されており、トレンチの底部を被覆している絶縁層の上面は、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置しており、第1の側壁と第2の側壁の結晶面は、11-20と1-100の組合せ、11-20と000-1の組合せ、1-100と000-1の組合せ、の何れかとされていることを特徴とする半導体装置。少なくとも1つのトレンチを備えており、半導体基板は、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されており、トレンチは、半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しており、トレンチの底部は第1の絶縁層で被覆されており、トレンチの側壁は第2の絶縁層で被覆されており、第1の絶縁層の上面は、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置しており、第2の絶縁層の膜厚は、前記境界面よりも上方側の少なくとも一部の領域において第1膜厚とされているとともに、第1の絶縁層の上面から前記境界面までの領域において第1膜厚よりも厚くされている半導体装置を製造する方法であって、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されている半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達している少なくとも1つのトレンチを形成するトレンチ形成工程と、半導体基板の表面にトレンチ幅の半分以上であってトレンチ幅以下の膜厚を有する絶縁層を形成する第1の絶縁層形成工程と、トレンチ内部において、第1の絶縁層形成工程で形成された絶縁層の上面のうちの最下点がドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置するように、第1の絶縁層形成工程で形成された絶縁層を異方性エッチングによりエッチングするエッチング工程と、トレンチの側壁に絶縁層を形成する第2の絶縁層形成工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。第2の絶縁層の膜厚は、境界面よりも上方側の何れかの位置を第1位置として、第1位置よりも上方側において第1膜厚とされており、第2の絶縁層の膜厚は、第2の絶縁層と第1の絶縁層の上面との境界となる第2位置において第1膜厚よりも厚い第2膜厚とされており、第2の絶縁層の膜厚は、第2位置から第1位置まで連続的に減少しており、第1の絶縁層の上面の位置が、第1の絶縁層形成工程及びエッチング工程の製造ばらつきによって高位側位置と低位側位置の間の範囲内で変動する場合に、第1の絶縁層形成工程及びエッチング工程は、高位側位置がドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置すると共に第2位置と第1位置との間の距離がドリフト領域とボディ領域との境界面と低位側位置との間の距離以上となるように、第1の絶縁層を製造する際の設定膜厚が設定されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。少なくとも1つのトレンチを備えており、半導体基板の材料はSiCであり、半導体基板は、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されており、トレンチは、半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しており、トレンチの底部は第1の絶縁層で被覆されており、トレンチの側壁は第2の絶縁層で被覆されており、第1の絶縁層の上面は、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置しており、第2の絶縁層の膜厚は、前記境界面よりも上方側の少なくとも一部の領域において第1膜厚とされているとともに、第1の絶縁層の上面から前記境界面までの領域において第1膜厚よりも厚くされている半導体装置を製造する方法であって、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されている半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達している少なくとも1つのトレンチを形成するトレンチ形成工程と、半導体基板の表面に絶縁層を形成する第1の絶縁層形成工程と、トレンチ内部において第1の絶縁層形成工程で形成された絶縁層の上面がドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置するように、第1の絶縁層形成工程で形成された絶縁層をエッチングによりエッチングするエッチング工程と、トレンチの側壁に絶縁層を形成する熱酸化工程と、を備え、トレンチ形成工程で形成されるトレンチの側壁の結晶面は03-38面とされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。少なくとも1つのトレンチを備えており、半導体基板の材料はSiCであり、半導体基板は、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されており、トレンチは、半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しており、トレンチの第1の側壁と第2の側壁とが、トレンチの底部において互いに90°の角度を有して接合しており、トレンチの底部および側壁は絶縁層で被覆されており、トレンチの底部を被覆している絶縁層の上面は、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置している半導体装置を製造する方法であって、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されている半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達している少なくとも1つのトレンチを形成するトレンチ形成工程と、トレンチの底部および側壁に絶縁層を形成する熱酸化工程と、を備え、第1の側壁と第2の側壁の結晶面は、11-20と1-100の組合せ、11-20と000-1の組合せ、1-100と000-1の組合せ、の何れかとされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。トレンチ底部を埋める絶縁膜の厚さを厚くする場合において、トレンチ底部を埋める絶縁膜の上面は、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置する必要がある。これは、トレンチ型電極に向かい合う領域において、ボディ領域に反転層を形成して、チャネルを形成する必要があるためである。すると、ドリフト領域とボディ領域との境界面と、トレンチ底部を埋める絶縁膜の上面との間に、トレンチ底部と比較して絶縁膜が薄い領域が存在することになる。そして、ドリフト領域とボディ領域との境界面はPN接合となるため、当該境界面近傍の電界が高くなる。すると、トレンチ底部を埋める絶縁膜の上面と境界面との間に存在する、絶縁膜が薄い領域において、電界を十分に緩和することができずに絶縁膜が破壊されてしまうことがある。本願の技術は、上記の問題を解決するために創案された。すなわち、本願は、トレンチ型の電極を用いた半導体装置において、耐圧を高めることができる耐圧構造を提供する。本願に開示される半導体装置は、少なくとも1つのトレンチが形成されている半導体基板を備えており、半導体基板は、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されており、トレンチは、半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しており、トレンチの底部は第1の絶縁層で被覆されており、トレンチの側壁は第2の絶縁層で被覆されており、第1の絶縁層の上面は、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置しており、第2の絶縁層の膜厚は、前記境界面よりも上方側の少なくとも一部の領域において第1膜厚とされているとともに、第1の絶縁層の上面から前記境界面までの領域において第1膜厚よりも厚くされていることを特徴とする。本願の半導体装置では、第1の絶縁層の上面と境界面との間の領域において、トレンチの側壁を被覆している第2の絶縁層の膜厚が、境界面よりも上方側の少なくとも一部の領域を被覆する絶縁層の厚さ第1膜厚よりも厚くされている。このため、ドリフト領域とボディ領域との境界面がPN接合となることで当該境界面近傍の電界が高くなっても、第1の絶縁層の上面と境界面との間の領域において、第2の絶縁層にかかる電界をより緩和することができる。その結果、第2の絶縁層が破壊されてしまう事態を抑制することができる。また、本願に開示される半導体装置では、第2の絶縁層の膜厚は、境界面よりも上方側の何れかの位置を第1位置として、第1位置よりも上方側において第1膜厚とされており、第2の絶縁層の膜厚は、第2の絶縁層と第1の絶縁層の上面との境界となる第2位置において第1膜厚よりも厚い第2膜厚とされており、第2の絶縁層の膜厚は、第2位置から第1位置まで連続的に減少していることが好ましい。第2位置から第1位置までの領域において、第2の絶縁層の膜厚が、第1膜厚よりも厚くされている。そして、この膜厚が厚くされている領域内に、ドリフト領域とボディ領域との境界面が位置している。これにより、ドリフト領域とボディ領域との境界面近傍の電界が高くなっても、第2の絶縁層にかかる電界を緩和することが可能となる。また、ドリフト領域とボディ領域の境界面よりも上方側の領域では、第2の絶縁層を厚くするほど、チャネルが形成されにくくなり、半導体装置のオン抵抗が増加してしまう。本願の半導体装置では、ドリフト領域とボディ領域との境界面と第1位置との間の領域における第2の絶縁層の膜厚は、トレンチ底部を埋める第1の絶縁層のトレンチ側壁に垂直な方向の膜厚に比較して薄くなっている。これにより、半導体装置のオン抵抗の増加を、半導体装置を実際に駆動することが可能な程度に抑えることが可能となる。また、本願に開示される半導体装置では、半導体基板の材料はSiCであり、トレンチの側壁を形成している面は、03-38面とされていることが好ましい。SiCは、代表的な4H型では、六方晶の結晶構造を有している。そして、結晶面ごとにチャネルを流れる電子の移動度が変わり、03-38面で高い移動度が得られることが知られている。また、本願の半導体装置では、トレンチ内に形成されている電極にオン電位が印加されることによって、トレンチの側壁にチャネルが形成される。よって、トレンチの側壁を03-38面で形成することにより、電子の移動度をより高めることができるため、半導体装置のオン抵抗をさらに低減することが可能となる。また、本願に開示される半導体装置では、少なくとも1つのトレンチが形成されているSiCの半導体基板を備えており、半導体基板は、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されており、トレンチは、半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しており、トレンチの第1の側壁と第2の側壁とが、トレンチの底部において互いに90°の角度を有して接合しており、トレンチの底部および側壁は絶縁層で被覆されており、トレンチの底部を被覆している絶縁層の上面は、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置しており、第1の側壁と第2の側壁の結晶面は、11-20と1-100の組合せ、11-20と000-1の組合せ、1-100と000-1の組合せ、の何れかとされていることが好ましい。電界は、トレンチの底部に集中する。本願の半導体装置では、トレンチがV字型形状とされているため、通常のI字型のトレンチに比して、トレンチ底部の面積が狭くなる。よって、トレンチ底部への電界集中が緩和され、半導体装置の耐圧を高めることが可能となる。また、第1の側壁と第2の側壁の結晶面は、11-20と1-100の組合せ、11-20と000-1の組合せ、1-100と000-1の組合せとされている。これらの結晶面では、チャネルを流れる電子の移動度が高い。よって、半導体装置のオン抵抗をさらに低減することが可能となる。また、本願に開示される半導体装置の製造方法は、少なくとも1つのトレンチを備えており、半導体基板は、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されており、トレンチは、半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しており、トレンチの底部は第1の絶縁層で被覆されており、トレンチの側壁は第2の絶縁層で被覆されており、第1の絶縁層の上面は、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置しており、第2の絶縁層の膜厚は、前記境界面よりも上方側の少なくとも一部の領域において第1膜厚とされているとともに、第1の絶縁層の上面から前記境界面までの領域において第1膜厚よりも厚くされている半導体装置を製造する方法であって、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されている半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達している少なくとも1つのトレンチを形成するトレンチ形成工程と、半導体基板の表面にトレンチ幅の半分以上であってトレンチ幅以下の膜厚を有する絶縁層を形成する第1の絶縁層形成工程と、トレンチ内部において、第1の絶縁層形成工程で形成された絶縁層の上面のうちの最下点がドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置するように、第1の絶縁層形成工程で形成された絶縁層を異方性エッチングによりエッチングするエッチング工程と、トレンチの側壁に絶縁層を形成する第2の絶縁層形成工程と、を備えることを特徴とする。第1の絶縁層形成工程では、絶縁層の厚さがトレンチ幅の半分以上であってトレンチ幅以下の膜厚とされる。これにより、トレンチ内部は絶縁層によって完全に埋められる。そして、トレンチ開口部の上方における、絶縁層の堆積形状は、トレンチの幅方向の中心位置が最も薄くなり、側壁方向に行くに従って厚くなる形状となる。これは、側壁に堆積する絶縁層が、トレンチの両側壁からトレンチの幅方向の中心位置へ向かって成長し、幅方向の中心位置で接合するためである。エッチング工程では、トレンチの幅方向の中心位置が最も薄くされている堆積形状が維持されながら、トレンチ内の絶縁層の厚さが薄くされる。よって、堆積形状を転写することができる。これにより、絶縁層の上面のうちの最下点から、ドリフト領域とボディ領域との境界面までの領域において、絶縁層の膜厚を第1膜厚よりも厚くすることができる。その結果、第2の絶縁層形成工程を実行することで、トレンチの底部を第1の絶縁層で被覆すると共に、トレンチの側壁を第2の絶縁層で被覆することができる。よって、ドリフト領域とボディ領域との境界面近傍において、第2の絶縁層にかかる電界を十分に緩和することができる。また、本願に開示される半導体装置の製造方法では、第2の絶縁層の膜厚は、境界面よりも上方側の何れかの位置を第1位置として、第1位置よりも上方側において第1膜厚とされており、第2の絶縁層の膜厚は、第2の絶縁層と第1の絶縁層の上面との境界となる第2位置において第1膜厚よりも厚い第2膜厚とされており、第2の絶縁層の膜厚は、第2位置から第1位置まで連続的に減少しており、第1の絶縁層の上面の位置が、第1の絶縁層形成工程及びエッチング工程の製造ばらつきによって高位側位置と低位側位置の間の範囲内で変動する場合に、第1の絶縁層形成工程及びエッチング工程は、高位側位置がドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置すると共に第2位置と第1位置との間の距離がドリフト領域とボディ領域との境界面と低位側位置との間の距離以上となるように、第1の絶縁層を製造する際の設定膜厚が設定されていることが好ましい。第1の絶縁層の上面の高位側位置が、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置することによって、製造ばらつきによって第1の絶縁層が最も厚くなってしまった場合においても、ボディ領域にチャネルを形成することが可能となる。そして、第2位置と第1位置との間の距離が、ドリフト領域とボディ領域との境界面と低位側位置との間の距離以上とされることによって、製造ばらつきによって第1の絶縁層が最も薄くなってしまった場合においても、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも上方側に第1位置を位置させることができる。よって、第1の絶縁層の上面と境界面ドリフト領域とボディ領域との境界面との間の領域において、第2の絶縁層の膜厚を第1膜厚よりも厚くすることができる。これにより、第1の絶縁層の膜厚ばらつきに対して、半導体装置の製造マージンを持たせることが可能となる。また、本願に開示される半導体装置の製造方法は、少なくとも1つのトレンチを備えており、半導体基板の材料はSiCであり、半導体基板は、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されており、トレンチは、半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しており、トレンチの底部は第1の絶縁層で被覆されており、トレンチの側壁は第2の絶縁層で被覆されており、第1の絶縁層の上面は、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置しており、第2の絶縁層の膜厚は、前記境界面よりも上方側の少なくとも一部の領域において第1膜厚とされているとともに、第1の絶縁層の上面から前記境界面までの領域において第1膜厚よりも厚くされている半導体装置を製造する方法であって、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されている半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達している少なくとも1つのトレンチを形成するトレンチ形成工程と、半導体基板の表面に絶縁層を形成する第1の絶縁層形成工程と、トレンチ内部において第1の絶縁層形成工程で形成された絶縁層の上面がドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置するように、第1の絶縁層形成工程で形成された絶縁層をエッチングによりエッチングするエッチング工程と、トレンチの側壁に絶縁層を形成する熱酸化工程と、を備え、トレンチ形成工程で形成されるトレンチの側壁の結晶面は03-38面とされていることを特徴とする。本願では、SiCの半導体基板を用いて、トレンチ側壁の結晶面を03-38面で形成している。すると、トレンチ側壁と第1の絶縁層の上面とが接合するコーナー部には、トレンチ側壁および絶縁層の上面に対して傾き角度を有する結晶面が表出する。傾き角度の範囲は、例えば、トレンチ側壁と35°の角度を有するとともに絶縁層の上面と55°の角度を有する傾き角度から、トレンチ側壁と55°の角度を有するとともに絶縁層の上面と35°の角度を有する傾き角度までの範囲内の値とすることができる。そして、この傾き角度の範囲内では、他の面に比して酸化レートが高い結晶面が存在する。よって、熱酸化工程を行うことにより、コーナー部では、酸化レートが高い面に沿って高いレートで酸化するため、コーナー部の第2の絶縁層の膜厚を、トレンチ側壁の第2の絶縁層の膜厚よりも厚くすることができる。これにより、第1の絶縁層の上面と境界面ドリフト領域とボディ領域との境界面との間の領域において、第2の絶縁層にかかる電界を十分に緩和することができる。また、本願に開示される半導体装置の製造方法は、少なくとも1つのトレンチを備えており、半導体基板の材料はSiCであり、半導体基板は、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されており、トレンチは、半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しており、トレンチの第1の側壁と第2の側壁とが、トレンチの底部において互いに90°の角度を有して接合しており、トレンチの底部および側壁は絶縁層で被覆されており、トレンチの底部を被覆している絶縁層の上面は、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置している半導体装置を製造する方法であって、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されている半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達している少なくとも1つのトレンチを形成するトレンチ形成工程と、トレンチの底部および側壁に絶縁層を形成する熱酸化工程と、を備え、第1の側壁と第2の側壁の結晶面は、11-20と1-100の組合せ、11-20と000-1の組合せ、1-100と000-1の組合せ、の何れかとされていることを特徴とする。第1の側壁と第2の側壁の結晶面は、11-20と1-100の組合せ、11-20と000-1の組合せ、1-100と000-1の組合せとされている。これらの結晶面では、酸化レートが高い。よって熱酸化工程によって厚い絶縁層を容易に形成することができる。また、トレンチの第1の側壁と第2の側壁とが、トレンチの底部において接合している。この接合部では、第1の側壁と第2の側壁の両方から絶縁層が成長するため、絶縁層の形成レートが高い。よって、トレンチの底部を厚い絶縁層で被覆することが可能となる。また、熱酸化膜による絶縁層は、CVDなどの堆積法による絶縁層に比して、ボイドがないなどの安定した膜質を有しているため、絶縁層の耐圧をより高めることが可能となる。以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。特徴1セルエリアに形成されている半導体構造はMOSFET構造である。特徴2セルエリアに形成されている半導体構造はIGBT構造である。以下、図面を参照しつつ本発明を具現化した半導体装置の実施例を詳細に説明する。図1は、第1実施例の半導体装置100の平面図である。図2は、図1のII-II線の断面図である。半導体装置100は、図1に示すように、外周104を有する半導体基板102を利用して製造されている。半導体基板102は、トランジスタ動作をする半導体構造が作り込まれているセルエリア105図1中の破線で示す枠X内と、そのセルエリア105を取り囲む終端エリア107に区分されている。セルエリア105には、6本のトレンチ113が、図1の上下方向に伸びるように形成されている。なおトレンチ113の本数は6本に限られず、任意の数に設定することが可能である。図2を参照して、半導体装置100の内部構造を説明する。半導体装置100は、シリコンカーバイド以下、SiCと略すが用いられた半導体装置である。図2に示すように、半導体基板102は、裏面側から表面側図の下側から上側に向けて、nドレイン領域111、n-ドリフト領域112、p-ボディ領域141の順に積層されている。SiCは、Siに比して不純物の拡散係数が小さいため、不純物拡散によりボディ領域141を形成することは困難である。よってボディ領域141は、エピタキシャル成長法により形成されている。トレンチ113は、半導体基板102の表面101からボディ領域141を貫通してドリフト領域112に達している。トレンチ113の底部は酸化膜171で被覆されている。トレンチ113の側壁は、酸化膜171およびゲート酸化膜172で被覆されている。酸化膜171の上面171aは、ドリフト領域112とボディ領域141との境界面B1よりも下方側に位置している。ここで、酸化膜171とゲート酸化膜172とが接合している位置を、第1位置P1と定義する。第1位置P1は、境界面B1よりも上方側に位置する。ゲート酸化膜172の膜厚は、第1位置P1よりも上方側において、第1膜厚t1とされている。また、酸化膜171の、トレンチ113の側壁に対して垂直方向の膜厚は、上面171aの同一平面内に位置する第2位置P2において、第1膜厚t1よりも厚い第2膜厚t2とされている。トレンチ113の側壁を被覆している領域における酸化膜171の膜厚は、第2位置P2から第1位置P1まで連続的に減少している。また、酸化膜171の上面171aと境界面B1との間の領域を、領域A1と定義する。なお、酸化膜171において、第2位置P2より下側の部分トレンチ113の底部を被覆している部分を、第1の絶縁層とみなすことができる。また、酸化膜171のうち第2位置P2よりも上側の部分トレンチ113の側壁を被覆している部分と、ゲート酸化膜172とを合わせて、第2の絶縁層とみなすことができる。トレンチ113には、ゲート酸化膜172および酸化膜171によって半導体基板102から絶縁された状態で、ゲート電極122が埋め込まれている。ゲート電極122の材料は、ポリシリコンである。ゲート電極122は、ボディ領域141の表面からボディ領域141を貫通して、ドリフト領域112に達している。半導体基板102の表面101において、トレンチ113に隣接する位置には、nソース領域131が形成されている。また、ソース領域131同士の間隙には、pボディコンタクト領域132が形成されている。ソース領域131とボディコンタクト領域132の表面には、ソース電極133が形成されている。ソース電極133はソース配線Sに接続されている。ゲート電極122は、ゲート配線Gに接続されている。ゲート電極122にはゲート電圧が印加される。ゲート電極122は、ソース電極133とソース配線Sから絶縁されている。ゲート電圧は、セルエリア105に電流を流すか否かを制御するための電圧である。nドレイン領域111は、ドレイン配線Dに接続されている。ドレイン配線Dはプラスの電位に接続され、ソース配線Sは接地されて用いられる。セルエリア105内には、ソース領域131とボディ領域141とドリフト領域112とドレイン領域111とゲート電極122によって、縦型のパワーMOSFETトランジスタ構造が形成されている。半導体装置100の動作を説明する。半導体装置100は、ソース配線Sが接地されてGND電位に維持され、ドレイン配線Dに正の電圧が印加された状態で用いられる。ゲート電極122に正の電圧を加えると、ゲート電極122に向かい合う領域において、ボディ領域141が反転し、チャネルが形成され、ソース領域131とドレイン領域111の間が導通する。ゲート電極122に正の電圧を加えなければ、ソース領域131とドレイン領域111の間に電流が流れない。これにより半導体装置100は、トランジスタ動作をする。本願の半導体装置100の効果を説明する。図10に示す従来の半導体装置500では、酸化膜571の上面571aと、ドリフト領域512とボディ領域541との境界面B11との間の領域A11において、トレンチ513の側壁を被覆している酸化膜571の膜厚が、ゲート酸化膜572の厚さ第1膜厚t1と同等とされている。すると、境界面B11と、酸化膜571の上面571aとの間に、ゲート酸化膜572の厚さと同等の厚さである絶縁膜が薄い領域が存在することになる。そして、ドリフト領域512とボディ領域541との境界面B11はPN接合となるため、当該境界面B11近傍の電界が高くなる。すると、酸化膜571の上面571aと境界面B11との間に存在する、絶縁膜が薄い領域A11において、電界を十分に緩和することができずに絶縁膜が破壊されてしまうことがある。一方、図2に示す本願の半導体装置100では、酸化膜171の上面171aと境界面B1との間の領域A1において、トレンチ113の側壁を被覆している酸化膜171の膜厚が、第1位置P1よりも上方側の領域を被覆するゲート酸化膜172の厚さ第1膜厚t1よりも厚くされている。このため、ドリフト領域112とボディ領域141との境界面B1がPN接合となることで、当該境界面B1近傍の電界が高くなっても、酸化膜171の上面171aと境界面B1との間の領域A1において、酸化膜171にかかる電界を、図10の従来の半導体装置500に比して十分に緩和することができる。その結果、酸化膜171が破壊されてしまう事態を防止できる。また、ドリフト領域112とボディ領域141の境界面B1よりも上方側の領域では、酸化膜171を厚くするほど、チャネルが形成されにくくなり、半導体装置100のオン抵抗が増加してしまう。本願の半導体装置では、境界面B1と第1位置P1との間の領域における酸化膜171の膜厚は、トレンチ113底部を埋める酸化膜171のトレンチ113側壁に垂直な方向の膜厚t3に比較して薄くなっている。これにより、半導体装置100のオン抵抗の増加を、半導体装置100を実際に駆動することが可能な程度に抑えることが可能となる。次に、半導体装置100の製造プロセスを図3ないし図7を用いて説明する。図3ないし図7は、図1のII-II線の断面図に相当する。まず、ドリフト領域112上に、ボディ領域141をエピタキシャル成長により形成する。これにより、図3に示すような、ドリフト領域112上にエピタキシャル層のボディ領域141を有する半導体基板102が作製される。次に、半導体基板102にソース領域131およびボディコンタクト領域132を形成する。そして、この半導体基板102の表面101に、CVDChemicalVaporDeposition法によって酸化膜層不図示を形成し、酸化膜層の上面にレジスト層不図示を形成する。そしてフォトエッチング技術により、トレンチ113に対応した開口部不図示を酸化膜層に形成する。なお、フォトエッチング技術とは、フォトリソグラフィからRIEReactiveIonEtching等のエッチングまでの一連の処理を意味する。フォトエッチング技術では従来公知の方法を用いることができるため、ここでは詳細な説明を省略する。次に、酸化膜層をマスクとして、ボディ領域141およびドリフト領域112に対するドライエッチングを行う。これにより図4に示すように、半導体基板の表面101からボディ領域141を貫通してドリフト領域112に達している、トレンチ113が形成される。次に図5に示すように、CVD法によって、半導体基板102の表面101の全面に、堆積厚さt4を有する酸化膜171が堆積される。堆積厚さt4の値は、トレンチ113の幅W1の半分以上から、幅W1以下の範囲内とされる。これにより、トレンチ113の内部に、酸化膜171が埋め込まれる。酸化膜171は、例えばTEOSTetraEthylOrthoSilicate、BPSGBoronPhosphorSilicateGlass、SOGSpinonGlassを原料として用いても良い。次に、図6に示すように、酸化膜171のエッチングが行われる。エッチングは、異方性エッチングRIEにより行われる。これにより、セルエリア105内のボディ領域141の表面が露出される。また、トレンチ113内に充填されている酸化膜171の高さ調節が行なわれる。高さ調節は、トレンチ113内部において、酸化膜171の上面171aのうちの最下点が、ドリフト領域112とボディ領域141との境界面B1よりも下方側図6の下側に位置するように行われる。エッチング後の酸化膜171の上面171aの断面形状は、図6の範囲S1に示す形状となる。すなわち、トレンチ113の側壁を被覆している領域における酸化膜171の膜厚は、第1位置P1から第2位置P2まで連続的に厚くなっている。酸化膜171の上面171aを、図6の範囲S1に示す形状に形成することができる理由を説明する。図5の堆積工程では、酸化膜171の堆積厚さt4が、トレンチ113の幅W1の半分以上から幅W1以下の範囲内とされる。これにより、トレンチ113内部は酸化膜171によって完全に埋められる。そして、トレンチ113開口部の上方における、酸化膜171の堆積形状は、トレンチ113の幅方向の中心位置P3が最も薄くなり、トレンチ113の側壁方向に行くに従って厚くなる形状となる。これは、側壁に堆積する酸化膜171が、トレンチ113の両側壁からトレンチの幅方向の中心位置P3へ向かって成長し、中心位置P3で接合するためである。図6のエッチング工程では、トレンチ113の幅方向の中心位置P3が最も薄くされている堆積形状が維持されながら、トレンチ113内の酸化膜171の高さが低くされる。よって、図5の堆積工程で形成された範囲S2に示す形状に基づいて、図6の範囲S1に示す形状を形成することができる。また、図6のエッチング工程によって、酸化膜171の上面の形状は、図5の範囲S2に示す形状から、図6の範囲S1に示す形状へ変化する。これは、図6のエッチング工程時における、反射現象によるものである。反射現象により、酸化膜171のエッチングレートは、中心位置P3近傍に比して側壁側の方が高くなる。反射現象により、中心側に比して側壁側の方がエッチングレートが早くなる理由は、イオンによるスパッタ作用で後退したマスクの端部で散乱されて斜めに入射するイオンが存在することや、エッチングの際に副生する堆積物がトレンチ113底面の中央部付近に厚く堆積することなどが挙げられる。図7に示すように、トレンチ113の壁面に、熱酸化工程によってゲート酸化膜172が形成される。次に、半導体基板102の表面にポリシリコンが堆積される。そして、フォトエッチング技術により、トレンチ113以外の部分のポリシリコンが除去される。トレンチ113がポリシリコンで充填されることで、ゲート電極122が形成される。最後にソース電極およびドレイン電極を形成することにより、図2に示した半導体装置100が完成される。本願の半導体装置100の製造プロセスにより得られる効果を説明する。当該製造プロセスにより、酸化膜171の上面171aを、図6の範囲S1に示す形状に形成することができる。これにより、酸化膜171の上面171aのうちの最下点から、ドリフト領域112とボディ領域141との境界面B1までの領域A1において、トレンチ113の側壁を被覆する絶縁膜の膜厚を、ゲート酸化膜172の第1膜厚t1よりも厚くすることができる。よって、領域A1において、酸化膜171にかかる電界を十分に緩和することができる。また、酸化膜171の上面171aの位置は、製造ばらつきによって高位側位置P4図8と低位側位置P5図9の間の範囲内で変動する。この製造ばらつきに対応するために、図8に示すように、高位側位置P4がドリフト領域112とボディ領域141との境界面B1よりも下方側に位置するように、酸化膜171の堆積厚さt4および図6のエッチング工程のエッチング条件を設定することが好ましい。これにより、製造ばらつきによって酸化膜171が最も厚くなってしまった場合においても、ゲート電極122に向かい合う領域において、ボディ領域141にチャネルを形成することが可能となる。また、上記の製造ばらつきに対応するために、図9に示すように、第2位置P2と第1位置P1との間の距離D1は、境界面B1と低位側位置P5との間の距離D2以上に設定されることが好ましい。これにより、製造ばらつきによって酸化膜171が最も薄くなってしまった場合においても、境界面B1よりも上方側に第1位置P1を位置させることができる。よって、酸化膜171の上面171aと境界面B1との間の領域A1において、トレンチ113の側壁を被覆する絶縁膜の膜厚を、第1膜厚t1よりも必ず厚くすることができる。以上より、トレンチ113の底部を被覆する酸化膜171の膜厚ばらつきに対して、半導体装置100の製造マージンを持たせることが可能となる。実施例2は、V字形状のトレンチを備える半導体装置200についての実施例である。図11を参照して、半導体装置200の内部構造を説明する。図11は、実施例1の図2と同様のトレンチ断面図である。半導体装置200は、SiCが用いられた半導体装置である。図2に示すように、半導体基板202は、裏面側から表面側図の下側から上側に向けて、nドレイン領域211、n-ドリフト領域212、p-ボディ領域241の順に積層されている。トレンチ213は、半導体基板202の表面201からボディ領域241を貫通してドリフト領域212に達している。トレンチ213の第1の側壁213aと第2の側壁213bとは、トレンチ213の底部において互いに90°の角度を有して接合している。トレンチ213の底部および側壁は、酸化膜271で被覆されている。トレンチ213の底部を被覆している酸化膜271の上面271aは、ドリフト領域212とボディ領域241との境界面B21よりも下方側に位置している。トレンチ213には、酸化膜271によって半導体基板202から絶縁された状態で、ゲート電極222が埋め込まれている。ゲート電極222の材料は、ポリシリコンである。ゲート電極222は、ボディ領域241の表面からボディ領域241を貫通して、ドリフト領域212に達している。なお、半導体装置200のその他の構造や、半導体装置200の動作は、実施例1の半導体装置100図2と同様である。よって、ここでは詳細な説明は省略する。トレンチ213の構造について説明する。図11に示すトレンチゲート型MOSFETでは、4H-SiC基板の表面層にトレンチ213が形成されている。トレンチ213では、第1の側壁213aと第2の側壁213bの結晶面は、それぞれ11-20と1-100の組合せとされている。ここでは、数字の前に負号を付けることで、結晶学上の負の指数数字の上のバーを表している。図12および図13を用いて、トレンチ213の側壁の結晶面を、上記の組合せに制御する形態について説明する。図12は4H-SiCの六方晶の斜視図であり、図13は0001面の上面図である。図12において、太線で囲った面が、それぞれ11-20面と1-100に該当する。そして、ウェハの表面201を、図12および図13に示す面F1となるように設定する。図12では、面F1は、斜線でハッチングした面に該当する。また図13では、面F1は、F1の符号が付された直線を通り、紙面に垂直な方向第1方向C1に伸びる面に該当する。そして、トレンチ213を、第1方向C1に伸びるように形成する。このようにトレンチ213を形成することにより、トレンチ213の第1の側壁213aおよび第2の側壁213bには、11-20面と1-100面の結晶面が表出される。なお、11-20面と1-100面に酸化膜を形成する際の酸化速度はほぼ等しいため、酸化膜271の膜厚が異なるという問題は生じない。本願の半導体装置200の効果を説明する。半導体装置200の実使用時において、電界は、トレンチ213の底部に集中する。本願の半導体装置200では、トレンチ213がV字型形状とされているため、半導体装置100図2に示すI字型のトレンチ113に比して、トレンチ底部の面積が狭くなる。よって、トレンチ底部への電界集中が緩和され、I字型のトレンチを用いる半導体装置に比して、半導体装置200の耐圧をより高めることができる。また、第1の側壁213aと第2の側壁213bの結晶面は、11-20と1-100の組合せとされている。これらの結晶面では、チャネルを流れる電子の移動度が高い。よって、半導体装置200のオン抵抗をさらに低減することが可能となる。次に、半導体装置100の製造プロセスを図14および図15を用いて説明する。ドリフト領域212上にボディ領域241を有する半導体基板202に対してドライエッチングを行うことにより、図14に示すように、半導体基板の表面201からボディ領域241を貫通してドリフト領域212に達している、V字型のトレンチ213が形成される。次に、熱酸化工程が行なわれることで、トレンチ213の底部および側壁に酸化膜271が形成される。第1の側壁213aと第2の側壁213bの結晶面は、11-20と1-100の組合せとされている。これらの結晶面では、他の結晶面に比して酸化レートが高い。よって図15に示すように、熱酸化工程によって、厚い酸化膜271を第1の側壁213aおよび第2の側壁213bに容易に形成することができる。また、トレンチ213の第1の側壁213aと第2の側壁213bとが、トレンチ213の底部において接合している構造を有している。すると、第1の側壁213aと第2の側壁213bの両方から酸化膜271が成長し、この接合部で両酸化膜が接合する。よって、酸化膜271の形成レートは、トレンチ213の側壁に比して、トレンチ213の底部の方が高い。これにより、図15に示すように、トレンチ213の底部を厚い酸化膜271で被覆することが可能となる。なお、半導体装置200のその他の製造プロセスは、実施例1の半導体装置100図2と同様であるため、ここでは詳細な説明は省略する。本願の半導体装置200の製造プロセスにより得られる効果を説明する。本願の半導体装置200では、熱酸化膜である酸化膜271によって、トレンチ213の底部を覆うことができる。熱酸化膜は、CVDなどの堆積法による酸化膜に比して、ボイドがないなどの安定した膜質を有している。よって、酸化膜271の耐圧をより高めることが可能となる。図16を参照して、実施例3に係る半導体装置300の内部構造を説明する。図16は、実施例1の図2と同様のトレンチ断面図である。半導体装置300は、SiCが用いられた半導体装置である。トレンチ313は、半導体基板302の表面301からボディ領域341を貫通してドリフト領域312に達している。トレンチ313の側壁を形成している面は、03-38面とされている。トレンチ313の底部は、酸化膜371で被覆されている。トレンチ313の側壁は、ゲート酸化膜372で被覆されている。酸化膜371の上面371aは、ドリフト領域312とボディ領域341との境界面B31よりも下方側に位置している。ここで、ゲート酸化膜372の厚さが厚くなり始める位置を、第1位置P31と定義する。第1位置P31は、境界面B1よりも上方側に位置する。ゲート酸化膜372の膜厚は、第1位置P31よりも上方側において、第1膜厚t31とされている。また、ゲート酸化膜372が酸化膜371と接合する位置である第2位置P32において、ゲート酸化膜372は、第1膜厚t1よりも厚い第2膜厚t32とされている。ゲート酸化膜372の膜厚は、第2位置P32から第1位置P31まで連続的に減少している。また、酸化膜371の上面371aと境界面B31との間の領域を、領域A31と定義する。なお、半導体装置300のその他の構造や、半導体装置300の動作は、実施例1の半導体装置100図2と同様である。よって、ここでは詳細な説明は省略する。トレンチ313の構造について説明する。図16に示すトレンチゲート型MOSFETでは、4H-SiC基板の表面層にトレンチ313が形成されている。トレンチ313では、側壁を形成している面は、03-38面とされている。図17を用いて、トレンチ313の側壁の結晶面を、03-38面に制御する形態について説明する。図17は4H-SiCの六方晶の斜視図である。図17において、面F2斜線でハッチングした面が、03-38面に該当する。そして、ウェハの表面301が、面F2に垂直な面となるように設定する。また、トレンチ313を、面F2と平行に伸びるように形成する。このようにトレンチ313を形成することにより、トレンチ313の側壁に、03-38面の結晶面を表出させることができる。次に、半導体装置300の製造プロセスを、図18および図19を用いて説明する。ドリフト領域312上にボディ領域341を有する半導体基板302に対してドライエッチングを行うことにより、半導体基板の表面301からボディ領域341を貫通してドリフト領域312に達している、トレンチ313が形成される。次に、CVD法によって、半導体基板302の表面301の全面に、酸化膜371が堆積される。そして、酸化膜371のエッチングが行われる。これにより、トレンチ313内に充填されている酸化膜371の高さ調節が行なわれる。高さ調節は、トレンチ313内部において、酸化膜371の上面371aが、ドリフト領域312とボディ領域341との境界面B31よりも下方側に位置するように行われる。これにより、図18に示すように、底面が酸化膜371で覆われたトレンチ313が形成される。次に、熱酸化工程が行なわれることで、トレンチ313の側壁に酸化膜371が形成される。トレンチ313の側壁には、SiCの03-38面の結晶面が表出している。そして、トレンチ313の側壁と酸化膜371の上面371aとが接合するコーナー部C31およびC32図19には、トレンチ313の側壁および上面371aに対して傾き角度を有する結晶面が表出する。この結晶面の傾き角度は、トレンチ313の側壁と35°の角度を有するとともに上面371aと55°の角度を有する傾き角度から、トレンチ313の側壁と55°の角度を有するとともに上面371aと35°の角度を有する傾き角度までの範囲内とすることが好ましい。この傾き角度の範囲内では、他の面に比して酸化レートが高い結晶面が存在する。例えば、図19では、トレンチ313の側壁と45°の角度を有するとともに、上面371aと45°の角度を有する結晶面000-1面および1-100面が表出する場合を説明している。000-1面および1-100面は、他の面に比して酸化レートが高い。よって、熱酸化工程を行うことにより、コーナー部C31およびC32では、000-1面および1-100面に沿って、他の面よりも高いレートで酸化膜が成長する。これにより、図19に示すように、ゲート酸化膜372の膜厚が、第2位置P32から第1位置P31まで連続的に減少している形状を形成することが可能となる。本願の半導体装置300により得られる効果を説明する。本願の半導体装置300では、コーナー部C31およびC32のゲート酸化膜372の膜厚を、第1膜厚t31よりも厚くすることができる。これにより、酸化膜371の上面371aと境界面B31との間の領域A31において、ゲート酸化膜372にかかる電界を十分に緩和することができる。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。実施例1に係る半導体装置100において、使用される半導体はSiCに限らない。Si、GaN、GaAs等の他の種類の半導体であってもよい。また、本実施形態はパワーMOSFET構造について説明したが、この形態に限られない。本願の技術をIGBT構造に適用しても、同様の効果を得ることができる。実施例2に係る半導体装置200において、第1の側壁213aと第2の側壁213bの結晶面は、11-20と000-1の組合せ、1-100と000-1の組合せ、とすることもできる。これらの結晶面の組合せも、他の結晶面に比して酸化レートが高い特性や、チャネルを流れる電子の移動度が高い特性を有しているため、本願の効果を得ることができる。また、各半導体領域については、P型とN型とを入れ替えてもよい。また、絶縁領域については、酸化膜に限らず、窒化膜等の他の種類の絶縁膜でもよいし、複合膜でもよい。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。