"受光部の上方にレンズが設けられた固体撮像素子を製造する方法であって、前記レンズを構成するレンズ母材層を形成する工程と、前記レンズ母材層上に、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜を形成する工程と、前記中間膜上に接して、前記レジストを形成する工程と、その後、熱リフローにより前記レジストをレンズの形状とする工程と、エッチングにより、前記レジストのレンズの形状を、前記レンズ母材層に転写して、前記レンズを形成する工程とを有する固体撮像素子の製造方法。前記中間膜を0.3μm以下の膜厚で形成する、請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。受光部の上方にレンズが設けられた固体撮像素子を製造する方法であって、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜を形成する工程と、前記中間膜上に接して、前記レジストを形成する工程と、その後、熱リフローにより前記レジストをレンズの形状として、前記レジストから成る前記レンズを形成する工程とを有する固体撮像素子の製造方法。前記中間膜を0.3μm以下の膜厚で形成する、請求項3に記載の固体撮像素子の製造方法。半導体基体に形成された受光部と、前記受光部の上方に形成され、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜と、前記中間膜上に接して形成され、前記レジストから成るレンズとを有する固体撮像素子。前記中間膜の膜厚が0.3μm以下である、請求項5に記載の固体撮像素子の製造方法。光学系と、半導体基体に形成された受光部と、前記受光部の上方に形成され、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜と、前記中間膜上に接して形成され、前記レジストから成るレンズとを有する固体撮像素子と、前記固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理回路を備えた撮像装置。1のレジストエッチバック法では、トータルのエッチング量が倍増することにより、プラズマや紫外光によるダメージが懸念される。また、エッチング量が増えることにより、ダストやウェハ面内の均一性が悪化することも懸念される。2のエッチバックレス法は、特殊なマスクであって高価なグレーマスクを使用している。3のナノインプリント法では、タングステン酸化物等の無機レジスト膜に露光光の照射強度を制御して露光することによりマイクロレンズ型を作製していることから、マイクロレンズ型の作製が煩雑であり、手間と時間を要する。従って、これらの方法では、製造コストが高くなる。本技術の目的は、レンズの無効領域が少ない固体撮像素子を、容易に製造することができる固体撮像素子の製造方法を提供するものである。また、この製造方法により製造される固体撮像素子や、この固体撮像素子を備えた撮像装置を提供するものである。本技術の固体撮像素子の製造方法は、受光部の上方にレンズが設けられた固体撮像素子を製造する方法である。そして、レンズを構成するレンズ母材層を形成する工程と、このレンズ母材層上に、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜を形成する工程と、この中間膜上に接して、前記レジストを形成する工程とを有する。さらに、その後、熱リフローによりレジストをレンズの形状とする工程と、エッチングにより、レジストのレンズの形状をレンズ母材層に転写して、レンズを形成する工程とを有する。上述の本技術の固体撮像素子の製造方法によれば、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜上に接してレジストを形成し、その後、熱リフローによりレジストをレンズの形状とする。これにより、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜によって、熱リフロー時にレジストが広がろうとする力を抑制して、レジストがすべる量を低減することができるので、レジストの間隔を狭めても隣接するレジストがくっつかない。そのため、レジストの間隔を狭めることができる。そして、エッチングにより、レジストからレンズ母材層にレンズ形状を転写することにより、レンズ母材層により形成されるレンズの間隔を狭めて、レンズの無効領域を低減することができる。本技術の固体撮像素子の製造方法は、受光部の上方にレンズが設けられた固体撮像素子を製造する方法である。そして、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜を形成する工程と、この中間膜上に接してレジストを形成する工程と、その後、熱リフローによりレジストをレンズの形状として、レジストから成るレンズを形成する工程とを有する。上述の本技術の固体撮像素子の製造方法によれば、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜上に接してレジストを形成し、その後、熱リフローによりレジストをレンズの形状とする。これにより、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜によって、熱リフロー時にレジストが広がろうとする力を抑制して、レジストがすべる量を低減することができるので、レジストの間隔を狭めても隣接するレジストがくっつかない。そのため、レジストの間隔を狭めることができる。そして、レジストをレンズの形状としてレジストから成るレンズを形成するので、レンズの間隔を狭めて、レンズの無効領域を低減することができる。本技術の固体撮像素子は、半導体基体に形成された受光部と、この受光部の上方に形成され、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜と、この中間膜上に接して形成され、レジストから成るレンズとを有するものである。上述の本技術の固体撮像素子の構成によれば、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜上に接して、レジストからなるレンズが形成されている。これにより、この構成を製造する際に、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜によって、熱リフロー時にレジストが広がろうとする力を抑制して、レジストがすべる量を低減することができる。従って、前述したように、レンズの間隔を狭めて、レンズの無効領域を低減することが可能になる。本技術の撮像装置は、光学系と、上記本技術の固体撮像素子と、固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理回路を備えたものである。上述の本技術の撮像装置の構成によれば、本技術の固体撮像素子を備えているので、固体撮像素子において、レンズの無効領域を低減することが可能になる。上述の本技術によれば、レンズの無効領域を低減することが可能であることから、無効領域による損失を低減して、固体撮像素子の感度を向上することが可能になる。また、レジストの下地として、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜を形成するだけで、レンズ間の無効領域を低減することが可能であるので、簡易で安価に固体撮像素子を製造することが可能になる。以下、本技術を実施するための最良の形態以下、実施の形態とするについて説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.本技術の概要2.第1の実施の形態固体撮像素子及びその製造方法3.第2の実施の形態固体撮像素子及びその製造方法4.第3の実施の形態固体撮像素子及びその製造方法5.変形例6.第4の実施の形態固体撮像素子及びその製造方法7.第5の実施の形態撮像装置<1.本技術の概要>まず、具体的な実施の形態の説明に先立ち、本技術の概要について説明する。本技術は、受光部の上方に設けられたレンズマイクロレンズの無効領域を低減することが可能であり、かつ、簡易であって、安価に製造することを可能にする、固体撮像素子の製造方法を提供することを目的としている。従来から提案されている、レジストのレンズ形状をエッチバックによりレンズ母材層に転写する製造方法では、同じレジストを使用した場合でも、レジストの下地の材料状態によって、レンズの形状が変化し、レンズの形状の制御が困難であった。そして、本技術の発明者が検討した結果、上述のレンズの形状の変化は、レンズ形成材料と下地膜との熱膨張係数の差に起因することがわかった。ここで、レジストと下地膜との熱膨張係数の大小関係による、リフロー時のレジストの変化の違いを、それぞれ図16A及び図16Bに示す。図16A及び図16Bにおいて、上図は縦横3画素の平面図を示し、下図は1画素の断面図を示している。熱膨張係数が小さい下地膜102を用いて、レジストの熱膨張係数>下地膜の熱膨張係数である場合には、図16Aの下図に示すように、レジスト101のリフローする力黒の矢印に対して、下地膜102の熱によって体積変化する力白の矢印が小さい。このため、リフローしようとする方向への抑止力が小さく、レジスト101のすべる量が大きくなる。このような場合、図16Aの上図に示すように、リフローによりレジスト101が各方向に大きく広がって、レジスト101の平面形状が円形に近くなる。そして、レジスト101のすべる量が大きいので、リフローの前のレジスト101のギャップを広くとる必要があり、その結果、斜め方向の無効領域の幅wが大きくなる。熱膨張係数が大きい下地膜103を用いて、レジストの熱膨張係数<下地膜の熱膨張係数である場合には、図16Bの下図に示すように、下地膜103の熱によって体積変化する力白の矢印がレジスト101のリフローする力黒の矢印と同等に近くなる。このため、リフローしようとする方向への抑止力が大きくなり、レジスト101のすべる量が小さくなる。このような場合、図16Bの上図に示すように、リフローによるレジスト101の広がりが小さいので、リフロー前のレジスト101の形状がほぼ維持される。そして、レジスト101のすべる量が小さいので、リフロー前のレジスト101のギャップを狭くすることが可能になり、その結果、斜め方向の無効領域の幅wが小さくなる。また、レジストと下地膜との熱膨張係数の大小関係による、リフロー時のレジストの断面形状の変化の違いを、それぞれ図17A及び図17Bに示す。図17A及び図17Bは、1画素の断面図を示している。図17A及び図17Bにおいて、白の矢印及び黒の矢印は、図16A及び図16Bと同じ意味である。レジストの熱膨張係数>下地膜の熱膨張係数である場合には、図17Aに示すように、レジスト101のリフローする力黒の矢印に対して、下地膜102の熱によって体積変化する力白の矢印が小さい。このため、リフローしようとする方向への抑止力が小さく、レジスト101のすべる量が大きくなる。このような場合、レジスト101がすべって水平方向に広がることにより、断面形状が崩れて図17Aに示すような非球面形状になりやすくなる。この場合、レンズ形成材にレジストのレンズ形状を転写しても、レンズが非球面形状となり、集光ポイントのずれが発生する。レジストの熱膨張係数<下地膜の熱膨張係数である場合には、図17Bに示すように、下地膜103の熱によって体積変化する力白の矢印がレジスト101のリフローする力黒の矢印と同等に近くなる。このため、リフローしようとする方向への抑止力が大きくなり、レジスト101のすべる量が小さくなる。このような場合、図17Bに示すように、断面形状が球面形状を保ちやすい。この場合、レンズ形成材にレジストのレンズ形状を転写しても、レンズを球面形状として、集光ポイントを適切にすることができる。次に、実際に、下地膜の材料を各種材料で変えて、同じレジスト材料について、現像後のパターニングした状態と、ポストベークによってリフローを行った後の状態を調べた。また、リフローの前後のレジストのすべり量を測定した。A~Gの異なる7種の下地材料について調べた結果を、図18に示す。図18からわかるように、同じレジスト材料を使用しても、下地材料によってすべり量が大きく異なる。下地材料Cの場合には、すべり量が大き過ぎて、隣接する画素のレジストが繋がってしまっている。また、下地膜に架橋密度により熱膨張係数が変化する材料を使用した場合には、下地膜の架橋の状態によって、リフローによるレジストの形状の変化が異なり、制御が難しい。ここで同一の樹脂について、架橋密度を3種類変えて、それぞれの架橋密度のものを下地膜に使用して、その上にレジストをレンズ用の現像パターンに形成した。そして、現像後の状態と、200°C5分でポストベークを行った場合と、230°C5分でポストベークを行った状態について、レジストの形状を比較した。結果として、それぞれのレジストの平面形状を図19に示す。図19からわかるように、下地膜の樹脂の架橋密度を高くした場合には、レジストのすべり量が大きくなり、隣接する画素のレジストが繋がってしまっている。これに対して、下地膜の樹脂の架橋密度を低くした場合には、現像後の平面形状が維持されやすくなる。下地膜の樹脂の架橋密度を中程度とした場合には、ポストベークの温度を200°Cから230°Cに上げると、すべり量が増大していることがわかる。これに対して、下地膜の樹脂の架橋密度を低くした場合には、ポストベークの温度を230°Cに上げてもレジストの形状が維持されていることがわかる。これらの結果は、下地膜の樹脂の架橋密度を高くすると熱膨張係数が小さくなり、下地膜の樹脂の架橋密度を低くすると熱膨張係数が大きくなるためと考えられる。以上の結果からわかるように、下地膜の熱膨張係数が大きくなるように下地材料を選定することにより、リフロー時のレジストのすべり量を小さくして、レジストの広がりや形状変化を抑制することができる。次に、下地膜の材料をいくつか選定して、それぞれの材料の下地膜上にレジストを形成し、リフローを行ってレジストをレンズ形状とした。このとき、リフロー時のベーク後に下地膜が残る残膜率と、リフローによるレジストのすべり量とを、それぞれ測定した。測定結果を、図20に示す。横軸は下地膜のベーク後の残膜率を示し、縦軸はレジストのすべり量を示している。また、各材料について、同系統の材料の結果を大きく囲んでまとめている。図20からわかるように、ベーク後の残膜量が高い、即ち、硬化度が高くて熱膨張係数が低いほど、レジストがすべり、即ち無効領域の幅が大きくなる。各系統の材料について、残膜率の大小は、小さい方から大きい方へ、アクリル系、共重合系、スチレンPIQポリイソインドロキナゾリンジオン系、SiN系となっている。材料の熱膨張係数の測定は簡便ではないので、この結果を利用して、簡易的にベーク後の残膜率、即ち収縮率の大きいものを選定することにより、下地膜の熱膨張係数を大きくすることが可能である。図20の結果から、アクリル系をレジストの下地膜に用いれば、理想的な組み合わせである。ただし、エッチングでレンズ形成材にレンズ形状を転写する場合には、アクリル系のエッチングレートの制御が難しいので、共重合系を用いることが考えられる。ここで、例えば、SiN膜熱膨張係数:3×10-6/°C上に、下地膜として、アクリル又はスチレン膜熱膨張係数:5.0~8.35/°Cを成膜した後、その上にレジストを形成した場合と、SiN膜上に直接レジストを形成した場合とを比較した。SiN膜上に下地膜を形成した場合には、SiN膜上に直接レジストを形成した場合と比較して、リフロー後の、斜め方向の無効領域の幅が低減されることがわかった。例えばセルサイズを1.0μmとしたときには、斜め方向の無効領域の幅が、400nmから320nmに20低減される。さらに、様々なセルサイズについて、シミュレーションを行い、無効領域の幅とレンズの有効面積比無効領域が0のときを100と規格化した値との関係を調べた。その結果、セルサイズを1.0μmとしたとき、上述したように無効領域の幅が400nmから320nmと20低減されることにより、7有効面積比が上がることがわかった。この有効面積比は、感度と比例するので、感度も7程度向上することがわかる。さらにまた、裏面照射型構造でセルサイズを1.6μmとした場合について、無効領域の幅を変えて、シミュレーションを行って、感度を求めた。その結果を、図21に示す。図21の横軸は無効領域の幅nmを示し、縦軸は無効領域が0である場合で規格化した感度比を示している。図21中の矢印Aで示すように、無効領域の幅が400nmから320nmに20低減されると、感度比は、86から93に7ポイント改善されることがわかる。上述した結果も考慮して、本技術は以下の構成とする。一の本技術の固体撮像素子の製造方法第1製造方法では、レンズを構成するレンズ母材層を形成する工程と、このレンズ母材層上に、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜を形成する工程とを有する。さらに、この中間膜上に接してレジストを形成する工程と、その後、熱リフローによりレジストをレンズの形状とする工程と、エッチングにより、レジストのレンズの形状を、レンズ母材層に転写して、レンズを形成する工程とを有する。また、他の本技術の固体撮像素子の製造方法第2製造方法では、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜を形成する工程と、この中間膜上に接してレジストを形成する工程とを有する。さらに、その後、熱リフローによりレジストをレンズの形状として、レジストから成るレンズを形成する工程とを有する。本技術の固体撮像素子は、半導体基体に形成された受光部の上方に、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜が形成され、この中間膜上に接して、レジストから成るレンズが形成されている構成である。即ち、本技術の固体撮像素子は、上述の第2製造方法によって作製される構成である。本技術の撮像装置は、上述の本技術の固体撮像素子、光学系、固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理回路を備えた構成である。上述の第1製造方法及び第2製造方法によれば、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜上に接してレジストを形成し、その後、熱リフローによりレジストをレンズの形状とする。これにより、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜によって、熱リフロー時にレジストが広がろうとする力を抑制して、レジストがすべる量を低減することができるので、レジストの間隔を狭めても隣接するレジストがくっつかない。そのため、レジストの間隔を狭めて、レンズの無効領域を低減することができる。そして、レンズの無効領域を低減することにより、無効領域による損失を低減して、固体撮像素子の感度を向上することが可能になる。また、レジストの下地として、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜を形成するだけで、レンズ間の無効領域を低減することが可能である。これにより、簡易で安価に固体撮像素子を製造することが可能になる。前記特許文献1では、中間膜にレンズ形状を転写するので、中間膜の材料は、レッチングレートを考慮して選定される。また、中間膜の厚さは、転写するレンズ形状に対応してある程度以上必要になる。そして、中間膜を厚く形成することから、転写の際のエッチング量が多くなり、紫外線やプラズマによるダメージが大きくなる。これに対して、本技術では、中間膜はレンズ形状を転写するために使用されるものではなく、レジストとの熱膨張係数の差を利用して、熱リフロー時にレジストが広がろうとする力を抑制する。これにより、レンズの無効領域を低減して、固体撮像素子の感度を向上し、混色を抑制することができる。本技術では、中間膜にレンズ形状を転写しないので、レンズの厚さに関係なく、薄い膜で形成しても、熱リフロー時にレジストが広がろうとする力を抑制する効果が充分に得られる。従って、中間膜を薄い膜で形成することが可能である。中間膜を薄い膜で形成することにより、前記特許文献1のように中間膜にレンズ形状を転写する場合と比較して、エッチングを行うトータルの厚さを低減して、紫外線やプラズマによるダメージ等、PIDProcessInducesDamageを抑制することができる。また、本技術では、中間膜について、エッチングレートによる材料の制約がなくなり、材料選択の自由度が広くなる。中間膜は薄い膜で良いため、例えば、i線を吸収するような材料を選択して、中間膜を反射防止膜として作用させることも可能になる。上述の第1製造方法及び第2製造方法、本技術の固体撮像素子において、中間膜の膜厚は、好ましくは0.3μm以下、さらにより好ましくは0.1μm以下とする。特に、中間膜の膜厚を0.1μm以下としたときには、可視光の最も短い400nm程度の光に対しても、界面での反射を無視できるくらいの薄い膜となり、集光ロスとならない。レジストのレンズ形状をレンズ母材層に転写するエッチングを行う第1の製造方法では、中間膜の膜厚を0.3μm以下と十分に薄くすることにより、エッチングレートの差を生じることがなく、エッチング工程に要する時間への影響も少ない。レジストをそのままレンズに使用する、第2の製造方法及び本技術の固体撮像素子では、中間膜の膜厚を0.3μm以下と十分に薄くすることにより、中間膜の界面における反射等の集光への影響を少なくすることができる。なお、中間膜の膜厚の下限は、中間膜の材料や成膜方法によるが、固体撮像素子の画素部全体に一様な膜を形成することが可能である最小限の厚さとする。中間膜の材料は、レジストの材料よりも熱膨張係数が大きい材料を使用する。例えば、レジストの材料がノボラック樹脂の場合には、ノボラック樹脂よりも熱膨張係数の大きい、アクリル系樹脂等を中間膜に使用する。また、図19に示したような、架橋密度によって熱膨張係数が変化する樹脂材料を中間膜に使用する場合には、架橋密度を低くして、熱膨張係数が大きくなるようにする。例えば、中間膜の成膜後の硬化温度を低くしたり、硬化時間を短くすれば、架橋密度を低くすることが可能である。ただし、レジストを塗布する際に、レジストの溶剤で変化したり、レジストとミキシングしたりすることがない程度には硬化させる。ここで、特定の材料から成る中間膜の上にレジストを形成して、熱リフローのポストベークの温度と時間を変えて試料を作製した。ポストベークの温度は、200°Cと230°Cとした。それぞれの試料について、MMPシンナーに膜を着けたときの膜厚の変化と、中間膜の反応率とを調べた。中間膜の反応率は、試料のFT-IR測定を行って、赤外スペクトルのピーク高さの減少の度合いから求めた。各試料の結果を、図22A及び図22Bに示す。図22Aはポストベークの時間とMMPシンナーによる膜厚の変化率との関係を示し、図22Bはポストベークの時間と反応率との関係を示している。図22A及び図22Bの結果から、ポストベークの温度を230°Cとした場合には、10分程度で反応がほとんど終了し、膜厚の変化が少なくなることがわかる。一方、ポストベークの温度を200°Cとした場合には、10分では反応率が73程度であり、溶剤により膜厚が2程度変化することがわかる。従って、ポストベークの温度を200°Cとすることにより、硬化度を下げて、熱膨張係数が大きい中間膜を形成することが可能になる。また、図22A及び図22Bから、200°Cの場合、3分程度以上ポストベークすれば、耐溶剤性が充分に得られ、レジストをスピンコートする際のミキシングを防ぐことが可能であると考えられる。<2.第1の実施の形態固体撮像素子及びその製造方法>続いて、具体的な実施の形態を説明する。第1の実施の形態の固体撮像素子の概略構成図平面図を、図1に示す。また、第1の実施の形態の固体撮像素子の要部の断面図を、図2に示す。本実施の形態は、CMOS型固体撮像素子に、本技術を適用したものである。本実施の形態の固体撮像素子1は、図1に示すように、半導体基板11、例えばシリコン基板に、光電変換部を含む画素2が多数規則的に2次元配列された画素部所謂撮像領域3と、駆動回路等を含む周辺回路部とが形成されて成る。画素2は、光電変換部と、MOSトランジスタから成る画素トランジスタとを有する。画素トランジスタとしては、例えば、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタ、の少なくとも1つ以上を有する。周辺回路部は、垂直駆動回路4と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路6と、出力回路7と、制御回路8等を有して構成されている。垂直駆動回路4は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動配線を選択して、選択された画素駆動配線に画素を駆動するためのパルスを供給し、行単位で画素を駆動する。即ち、垂直駆動回路4は、画素部3の画素2を行単位で順次垂直方向に選択走査し、垂直信号線9を通して各画素2の光電変換素子例えばフォトダイオードにおいて、受光量に応じて生成した信号電荷に基づいた画素信号を、カラム信号処理回路5に供給する。カラム信号処理回路5は、画素2の例えば一列毎に配置されており、一行分の画素から出力される信号に対し、画素列毎にノイズ除去等の信号処理を行う。即ち、カラム処理回路5は、画素2に特有の固定パターンノイズを除去するためのCDSや、信号増幅、AD変換等の信号処理を行う。カラム信号処理回路5の出力段には、水平選択スイッチ図示せずが水平信号線10との間に接続されている。出力回路7は、カラム信号処理回路5のそれぞれから水平信号線10を通して順次供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。入出力端子12は、外部と信号のやり取りを行う。図2は、図1の固体撮像素子1の3つの画素2の断面図を示している。図2に示すように、半導体基板11内に、フォトダイオードから成る受光部15が、各画素に対応して形成されている。図2中、半導体基板11の上に形成された層16は、絶縁層等の、受光部15上を覆う各層を簡略化して示している。固体撮像素子1を表面照射型構造とする場合には、絶縁層内の隣接する画素2の間の部分に、配線層が設けられ、半導体基板11の上に、ゲート絶縁膜を介してMOSトランジスタのゲート電極が設けられる。固体撮像素子1を裏面照射型構造とする場合には、MOSトランジスタのゲート電極や配線層は、図2の半導体基板11の下面よりも下方に設けられる。なお、必要に応じて、層16の内部に、層内レンズや光導波路等を設けることも可能である。また、層16の上に、平坦化層17が形成されており、この平坦化層17によって平坦化された表面上に、R,G,Bの各色のカラーフィルタ18が形成されている。なお、図2の断面では、赤Rのカラーフィルタ18と緑Gのカラーフィルタ18のみが示されているが、図示しない断面に、青Bのカラーフィルタ18も形成されている。さらに、カラーフィルタ18を覆って、平坦化層19が形成されている。そして、この平坦化層19によって平坦化された表面上に、マイクロレンズ20が形成されている。マイクロレンズ20は、SiNやSiON等、他の層よりも比較的屈折率の高い材料である、レンズ形成材料を用いて、表面が曲面形状に形成されている。本実施の形態では、特に、以下に説明するようにして、図1~図2に示した固体撮像素子を製造する。まず、従来公知の製造方法により、図2の半導体基板11内に受光部15を形成し、カラーフィルタ18までの各層を順次形成する。なお、以下の工程では、カラーフィルタ18からの各層を図示して、カラーフィルタ18よりも下層の図示を省略する。第2の実施の形態以降も、同様とする。次に、図3Aに示すように、カラーフィルタ18上に、スピンコートにより、必要とされる平坦度に応じて、0.1~1μmの厚さに平坦化層19をコートする。この平坦化層19の材料としては、シロキサン系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、或いは、各々の樹脂の共重合したもの、前述した樹脂にTiO2等の金属酸化物フィラーを含有させたもの、等の有機材料を使用することができる。次に、図3Bに示すように、平坦化層19上に、レンズ母材層21を、厚さ0.5~4μmで形成する。レンズ母材層21の材料には、マイクロレンズ20の材料、即ち、無機膜酸化膜、窒化膜等や有機膜シロキサン系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、或いは、各々の樹脂の共重合したもの、前述した樹脂にTiO2等の金属酸化物フィラーを含有させたものを使用することができる。レンズ母材層21は、その材料に応じて、スピンコート或いはCVDにて形成する。次に、熱膨張係数がレンズ形状用のレジストと同等以上になるように材料を選定して、受光部15で光電変換する光の波長よりも光路が短くなるような膜厚0.3μm以下、好ましくは0.1μm以下で、図3Cに示すように、スピンコートにて中間膜22を成膜する。その後、中間膜22を熱硬化させる。例えば、レンズ母材層21がSiN,SiON等の無機膜であり、レジストがノボラック樹脂、アクリル樹脂の場合には、スチレン系樹脂等を中間膜22に用いる。次に、中間膜22の上に接してレジストを形成した後、レンズ用マスクを用いてレジストを露光する。そして、現像して、図4Dに示すように、レジスト23を各レンズにパターニングする。その後、熱リフローを行って、図4Eに示すように、レジスト23をレンズ形状とする。次に、O2,CF4系のガスにてエッチングを行い、図4Fに示すように、レジスト23のレンズ形状をレンズ母材層21へ転写する。これにより、レンズ母材層21によるマイクロレンズ20を形成することができる。このエッチングの間に、レジスト23及びその下の中間膜22は除去される。このときのエッチングの装置や条件は、例えば、以下の通りとする。ICPInductivelyCoupledPlasma装置、CCPCapacitivelyCoupledPlasma装置、TCPTransformerCoupledPlasma装置、マグネトロンRIEReactiveIonEtching装置、ECRElectronCyclotronResonance装置等の装置を用いる。そして、CF4やC4F8等のフロロカーボンガス系のガスを主成分として用いて、温度、圧力等を適宜調整して、エッチングを実施する。また、具体的なエッチング条件は、例えば、以下の通りとすることができる。エッチバック装置:マグネトロンRIE装置エッチングガス:CF4流量155sccm高周波電力:1.8W/cm2エッチング室内圧力:6.65Pa下部電極温度チラー温度:0°Cエッチング量:2.4μmスチレン系レジスト換算このようにして、図2に示した構造の固体撮像素子を製造することができる。上述の本実施の形態の製造方法によれば、レジスト23よりも熱膨張係数の大きい中間膜22上に接してレジスト23を形成し、その後、熱リフローによりレジスト23をレンズの形状とする。これにより、レジスト23よりも熱膨張係数の大きい中間膜22によって、熱リフロー時にレジスト23が広がろうとする力を抑制して、レジスト23がすべる量を低減することができる。従って、レジスト23の間隔を狭めても、隣接するレジスト23がくっつかないため、レジスト23の間隔を狭めることができる。そして、エッチングにより、レジスト23からレンズ母材層21にレンズ形状を転写するので、レンズ母材層21により形成されるマイクロレンズ20の間隔を狭めて、マイクロレンズ20の無効領域を低減することができる。マイクロレンズ20の無効領域を低減することが可能であることから、無効領域による損失を低減して、固体撮像素子の感度を向上することが可能になる。また、図2に示した本実施の形態の固体撮像素子は、本実施の形態の製造方法を採用することにより、マイクロレンズ20の間隔が狭く、マイクロレンズ20の無効領域が少ない構成とすることができる。これにより、無効領域による損失が少なく、マイクロレンズ20による集光度が高く、感度の高い固体撮像素子を構成することができる。<3.第2の実施の形態固体撮像素子及びその製造方法>第2の実施の形態の固体撮像素子の要部の断面図を、図5に示す。図5は、図2と同様に、固体撮像素子の3つの画素の断面図を示している。本実施の形態の固体撮像素子は、図2の平坦化層19を省略した構成である。図5に示すように、カラーフィルタ18の上を覆って、マイクロレンズ20を構成するレンズ母材層が形成されており、その上部に表面が曲面形状のマイクロレンズ20が形成されている。なお、その他の構成は、第1の実施の形態と同様であり、図1の平面図に示した構造を採用することができる。本実施の形態では、特に、以下に説明するようにして、図5に示した固体撮像素子を製造する。まず、従来公知の製造方法により、図5の半導体基板11内に受光部15を形成し、カラーフィルタ18までの各層を順次形成する。次に、図6Aに示すように、カラーフィルタ18上に、レンズ母材層21を、厚さ0.1~4μmで形成する。レンズ母材層21の材料には、マイクロレンズ20の材料、即ち、無機膜酸化膜、窒化膜等や有機膜シロキサン系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、或いは、各々の樹脂の共重合したもの、前述した樹脂にTiO2等の金属酸化物フィラーを含有させたものを使用することができる。レンズ母材層21は、その材料に応じて、スピンコート或いはCVDにて形成する。このとき、カラーフィルタ18の段差に対応して、赤Rのカラーフィルタよりも薄い緑Gのカラーフィルタ上のレンズ母材層21に、窪み21Aが形成される。なお、本実施の形態の場合、カラーフィルタ18の段差によるレンズ母材層21の窪み21Aの深さと、形成されるマイクロレンズ20の高さとを考慮して、レンズ母材層21の厚さを設定する。次に、図6Bに示すように、レンズ母材層21上に、スピンコートにて中間膜22を成膜する。このとき、中間膜22によって、図6Aに示したレンズ母材層21の窪み21Aが埋められる。その後、中間膜22を熱硬化させる。中間膜22は、第1の実施の形態と同様に、熱膨張係数がレンズ形状用のレジストと同等以上になるように材料を選定して、受光部15で光電変換する光の波長よりも光路が短くなるような膜厚0.3μm以下、好ましくは0.1μm以下で形成する。例えば、レンズ母材層21がSiN,SiON等の無機膜であり、レジストがノボラック樹脂、アクリル樹脂の場合には、スチレン系樹脂等を中間膜22に用いる。次に、中間膜22の上にレジストを形成した後、レンズ用マスクを用いてレジストを露光する。そして、現像して、図6Cに示すように、レジスト23を各レンズにパターニングする。その後、熱リフローを行って、図7Dに示すように、レジスト23をレンズ形状とする。次に、O2,CF4系のガスにてエッチングを行い、図7Eに示すように、レジスト23のレンズ形状をレンズ母材層21へ転写する。これにより、レンズ母材層21によるマイクロレンズ20を形成することができる。このエッチングの間に、レジスト23及びその下の中間膜22は除去される。このときのエッチングの装置や条件は、例えば、以下の通りとする。ICP装置、CCP装置、TCP装置、マグネトロンRIE装置、ECR装置等の装置を用いる。そして、CF4やC4F8等のフロロカーボンガス系のガスを主成分として用いて、温度、圧力等を適宜調整して、エッチングを実施する。また、具体的なエッチング条件は、例えば、以下の通りとすることができる。エッチバック装置:マグネトロンRIE装置エッチングガス:CF4流量155sccm高周波電力:1.8W/cm2エッチング室内圧力:6.65Pa下部電極温度チラー温度:0°Cエッチング量:2.4μmスチレン系レジスト換算このようにして、図5に示した構造の固体撮像素子を製造することができる。上述の本実施の形態の製造方法によれば、レジスト23よりも熱膨張係数の大きい中間膜22上に接してレジスト23を形成し、その後、熱リフローによりレジスト23をレンズの形状とする。これにより、レジスト23よりも熱膨張係数の大きい中間膜22によって、熱リフロー時にレジスト23が広がろうとする力を抑制して、レジスト23がすべる量を低減することができる。従って、レジスト23の間隔を狭めても、隣接するレジスト23がくっつかないため、レジスト23の間隔を狭めることができる。そして、エッチングにより、レジスト23からレンズ母材層21にレンズ形状を転写するので、レンズ母材層21により形成されるマイクロレンズ20の間隔を狭めて、マイクロレンズ20の無効領域を低減することができる。マイクロレンズ20の無効領域を低減することが可能であることから、無効領域による損失を低減して、固体撮像素子の感度を向上することが可能になる。また、図5に示した本実施の形態の固体撮像素子は、本実施の形態の製造方法を採用することにより、マイクロレンズ20の間隔が狭く、マイクロレンズ20の無効領域が少ない構成とすることができる。これにより、無効領域による損失が少なく、マイクロレンズ20による集光度が高く、感度の高い固体撮像素子を構成することができる。<4.第3の実施の形態固体撮像素子及びその製造方法>次に、固体撮像素子及びその製造方法の第3の実施の形態を説明する。本実施の形態では、固体撮像素子の構造は、図1~図2に示した第1の実施の形態の固体撮像素子の構造と同じであるが、固体撮像素子の製造方法が第1の実施の形態とは一部異なる。本実施の形態では、特に、以下に説明するようにして、図1~図2に示した固体撮像素子を製造する。まず、従来公知の製造方法により、図2の半導体基板11内に受光部15を形成し、カラーフィルタ18までの各層を順次形成する。次に、図8Aに示すように、カラーフィルタ18上に、スピンコートにより、必要とされる平坦度に応じて、0.1~1μmの厚さに平坦化層19をコートする。この平坦化層19の材料としては、シロキサン系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、或いは、各々の樹脂の共重合したもの、前述した樹脂にTiO2等の金属酸化物フィラーを含有させたもの、等の有機材料を使用することができる。次に、図8Bに示すように、平坦化層19上に、レンズ母材層21を、厚さ0.5~4μmで形成する。レンズ母材層21の材料には、マイクロレンズ20の材料、即ち、無機膜酸化膜、窒化膜等や有機膜シロキサン系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、或いは、各々の樹脂の共重合したもの、前述した樹脂にTiO2等の金属酸化物フィラーを含有させたものを使用することができる。レンズ母材層21は、その材料に応じて、スピンコート或いはCVDにて形成する。なお、図8A~図8Bの各工程は、第1の実施の形態の図3A~図3Bに示した各工程と同様である。次に、熱膨張係数がレンズ形状用のレジストと同等以上になるようにして、受光部15で光電変換する光の波長よりも光路が短くなるような膜厚0.3μm以下、好ましくは0.1μm以下で、図8Cに示すように、スピンコートにて中間膜24を成膜する。その後、中間膜24を熱硬化させる。このとき、中間膜24がその後形成するレジストとミキシングしない程度に、熱硬化の温度を低くして、硬化度を意図的に落とすことによって中間膜24の熱膨張率を大きくする。この点で、本実施の形態の中間膜24は、第1の実施の形態の中間膜22とは構成が異なっている。例えば、レジストのリフロー時の温度が230°Cの場合に、中間膜24の熱硬化の温度を200°Cとする。中間膜24は、後のエッチングにより除去されるので、完全に硬化させる必要はない。次に、中間膜24の上にレジストを形成した後、レンズ用マスクを用いてレジストを露光する。そして、現像して、図9Dに示すように、レジスト23を各レンズにパターニングする。その後、熱リフローを行って、図9Eに示すように、レジスト23をレンズ形状とする。次に、O2,CF4系のガスにてエッチングを行い、図4Fに示すように、レジスト23のレンズ形状をレンズ母材層21へ転写する。これにより、レンズ母材層21によるマイクロレンズ20を形成することができる。このエッチングの間に、レジスト23及びその下の中間膜24は除去される。このときのエッチングの装置や条件は、例えば、以下の通りとする。ICP装置、CCP装置、TCP装置、マグネトロンRIE装置、ECR装置等の装置を用いる。そして、CF4やC4F8等のフロロカーボンガス系のガスを主成分として用いて、温度、圧力等を適宜調整して、エッチングを実施する。また、具体的なエッチング条件は、例えば、以下の通りとすることができる。エッチバック装置:マグネトロンRIE装置エッチングガス:CF4流量155sccm高周波電力:1.8W/cm2エッチング室内圧力:6.65Pa下部電極温度チラー温度:0°Cエッチング量:2.4μmスチレン系レジスト換算このようにして、図2に示した構造の固体撮像素子を製造することができる。上述の本実施の形態の製造方法によれば、レジスト23よりも熱膨張係数の大きい中間膜24上に接してレジスト23を形成し、その後、熱リフローによりレジスト23をレンズの形状とする。これにより、レジスト23よりも熱膨張係数の大きい中間膜24によって、熱リフロー時にレジスト23が広がろうとする力を抑制して、レジスト23がすべる量を低減することができる。従って、レジスト23の間隔を狭めても、隣接するレジスト23がくっつかないため、レジスト23の間隔を狭めることができる。そして、エッチングにより、レジスト23からレンズ母材層21にレンズ形状を転写するので、レンズ母材層21により形成されるマイクロレンズ20の間隔を狭めて、マイクロレンズ20の無効領域を低減することができる。マイクロレンズ20の無効領域を低減することが可能であることから、無効領域による損失を低減して、固体撮像素子の感度を向上することが可能になる。また、本実施の形態の固体撮像素子は、本実施の形態の製造方法を採用することにより、マイクロレンズ20の間隔が狭く、マイクロレンズ20の無効領域が少ない構成とすることができる。これにより、無効領域による損失が少なく、マイクロレンズ20による集光度が高く、感度の高い固体撮像素子を構成することができる。<5.変形例>上述した各実施の形態に対する変形例を示す。本技術を使用して、略矩形のマイクロレンズを形成することができれば、エッチバックの際に、隣接する画素の境界付近の部分でエッチングを進めて、半導体基板からマイクロレンズまでの高さを低くすることが可能である。この点を、図10の平面図と図11A及び図11Bの断面図を参照して説明する。図10の平面図に示すように、カラーフィルタ18のうち、赤Rのカラーフィルタ18R及び青Bのカラーフィルタ18Bは、対応する画素のみに島状に形成して、緑Gのカラーフィルタ18Gは対応する画素及び画素間の部分に形成する構成を考える。この構成を作製する場合、緑Gのカラーフィルタ18Gは、画素の部分と比較して画素間の部分は薄く形成される。図10のX-X ́における断面図を図11Aに示し、Y-Y ́における断面図を図11Bに示す。図11Bに示すように、緑Gのカラーフィルタ18Gは、緑Gの画素同士の間の部分ブリッジ部において、図11Aに示す緑Gの画素の部分よりも薄く形成される。緑Gのカラーフィルタ18Gのブリッジ部を利用して、エッチングを進めれば、マイクロレンズ20の最下部の位置を低くして、マイクロレンズ20をより低い位置に形成することが可能になる。この場合、作製されるマイクロレンズ20は、行列状に配置された画素の垂直水平方向縦横方向と斜め方向で、マイクロレンズの高さが異なり、斜め方向の高さが水平方向の高さの1~3倍となる。そして、本技術の製法を適用することにより、マイクロレンズ間の無効領域の幅を低減することができ、マイクロレンズの間隔を狭めることができるので、従来の製法と比較して、さらにマイクロレンズをより低く形成することが可能になる。<6.第4の実施の形態固体撮像素子及びその製造方法>第4の実施の形態の固体撮像素子の要部の断面図を、図12に示す。図12は、図2及び図5と同様に、固体撮像素子の3つの画素の断面図を示している。本実施の形態の固体撮像素子は、レジストをそのままレンズとして使用した構成である。図12に示すように、カラーフィルタ18を覆う平坦化層19の上に、中間膜25を介して、表面が曲面形状のマイクロレンズ26が形成されている。このマイクロレンズ26は、レジストを熱リフローさせて硬化させることによって形成されている。中間膜25は、前述した第1の実施の形態や第2の実施の形態の製造工程で使用した中間膜22と同様に、熱膨張係数がレンズ形状用のレジストと同等以上の材料を使用している。中間膜25の膜厚は、好ましくは、0.3μm以下とし、さらにより好ましくは0.1μm以下とする。特に、中間膜25の膜厚を0.1μm以下としたときには、可視光の最も短い400nm程度の光に対しても、界面での反射を無視できるくらいの薄い膜となり、集光ロスとならない。なお、その他の構成は、第1の実施の形態と同様であり、図1の平面図に示した構造を採用することができる。本実施の形態では、特に、以下に説明するようにして、図12に示した固体撮像素子を製造する。まず、従来公知の製造方法により、図12の半導体基板11内に受光部15を形成し、カラーフィルタ18までの各層を順次形成する。次に、図13Aに示すように、カラーフィルタ18上に、スピンコートにより、必要とされる平坦度に応じて、0.1~1μmの厚さに平坦化層19をコートする。この平坦化層19の材料としては、シロキサン系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、或いは、各々の樹脂の共重合したもの、前述した樹脂にTiO2等の金属酸化物フィラーを含有させたもの、等の有機材料を使用することができる。次に、熱膨張係数がレンズ形状用のレジストと同等以上になるように材料を選定して、受光部15で光電変換する光の波長よりも光路が短くなるような膜厚0.3μm以下、好ましくは0.1μm以下で、図13Bに示すように、スピンコートにて中間膜25を成膜する。その後、中間膜25を熱硬化させる。例えば、レジストがノボラック樹脂、アクリル樹脂の場合には、スチレン系樹脂等を中間膜25に用いる。次に、中間膜25の上にレジストを形成した後、レンズ用マスクを用いてレジストを露光する。そして、現像して、図14Cに示すように、レジスト23を各レンズにパターニングする。次に、熱リフローを行って、図14Dに示すように、レジスト23をレンズ形状とする。これにより、レジスト23によるマイクロレンズ26を形成することができる。その後、必要に応じて、透明化処理として、紫外光によるブリーチングを行う。例えば、全面に紫外光を照射する。このようにして、図12に示した構造の固体撮像素子を製造することができる。上述の本実施の形態の製造方法によれば、レジスト23よりも熱膨張係数の大きい中間膜25上に接してレジスト23を形成し、その後、熱リフローによりレジストをレンズの形状とする。これにより、レジスト23よりも熱膨張係数の大きい中間膜25によって、熱リフロー時にレジストが広がろうとする力を抑制して、レジスト23がすべる量を低減する。従って、レジスト23の間隔を狭めても、隣接するレジスト23がくっつかないため、レジスト23の間隔を狭めることができる。そして、レジスト23をレンズの形状としてレジスト23から成るマイクロレンズ26を形成するので、マイクロレンズ26の間隔を狭めて、マイクロレンズ26の無効領域を低減することができる。マイクロレンズ26の無効領域を低減することが可能であることから、無効領域による損失を低減して、固体撮像素子の感度を向上することが可能になる。また、図12に示した本実施の形態の固体撮像素子は、本実施の形態の製造方法を採用することにより、マイクロレンズ26の間隔が狭く、マイクロレンズ26の無効領域が少ない構成とすることができる。これにより、無効領域による損失が少なく、マイクロレンズ26による集光度が高く、感度の高い固体撮像素子を構成することができる。本技術において、固体撮像素子の画素部及び周辺回路部の構成は、図1に示した構成に限定されるものではなく、その他の構成とすることも可能である。また、図1に示した構成を含むCMOS型固体撮像素子に限らず、CCD固体撮像素子等、他の型の固体撮像素子にも適用することが可能である。さらにまた、受光部が形成された半導体基体に対して、配線層をレンズと同じ側に形成する表面照射型構造と、配線層をレンズとは逆の側に形成する裏面照射型構造との、いずれの構造にも、本技術を適用することが可能である。本技術において、受光部を形成する半導体基体は、図1及び図2等の半導体基板11に限定されるものではなく、半導体基板上に半導体エピタキシャル層を形成した半導体基体等を用いることも可能である。また、本技術において、半導体基体の材料としては、シリコンの他、Geや化合物半導体等の半導体を使用することも可能である。本技術に係る固体撮像素子は、例えば、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話、撮像機能を備えた他の機器等に適用することができる。<7.第5の実施の形態撮像装置>第5の実施の形態の撮像装置の概略構成図ブロック図を、図15に示す。図15に示すように、この撮像装置121は、固体撮像素子122、光学系123、シャッタ装置124、駆動回路125、信号処理回路126を有する。光学系123は、光学レンズ等により構成され、被写体からの像光入射光を固体撮像素子122の画素部に結像させる。これにより、固体撮像素子122内に、一定期間信号電荷が蓄積される。光学系123は、複数個の光学レンズから構成された光学レンズ系としても良い。固体撮像素子122としては、前述した各実施の形態の固体撮像素子等、本技術に係る固体撮像素子を使用する。シャッタ装置124は、固体撮像素子122への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路125は、固体撮像素子122の転送動作及びシャッタ装置124のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路125から供給される駆動信号タイミング信号により、固体撮像素子122の信号転送を行う。信号処理回路126は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶され、或いは、モニタに出力される。上述の本実施の形態の撮像装置121の構成によれば、固体撮像素子122として、前述した各実施の形態の固体撮像素子等、本技術に係る固体撮像素子を使用することにより、無効領域による損失が少なく、レンズによる集光度が高く、高い感度が得られる。本技術において、撮像装置の構成は、図15に示した構成に限定されるものではなく、本技術に係る固体撮像素子を使用する構成であれば、図15に示した以外の構成とすることも可能である。なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。1受光部の上方にレンズが設けられた固体撮像素子を製造する方法であって、前記レンズを構成するレンズ母材層を形成する工程と、前記レンズ母材層上に、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜を形成する工程と、前記中間膜上に接して、前記レジストを形成する工程と、その後、熱リフローにより前記レジストをレンズの形状とする工程と、エッチングにより、前記レジストのレンズの形状を、前記レンズ母材層に転写して、前記レンズを形成する工程とを有する固体撮像素子の製造方法。2前記中間膜を0.3μm以下の膜厚で形成する、前記1に記載の固体撮像素子の製造方法。3受光部の上方にレンズが設けられた固体撮像素子を製造する方法であって、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜を形成する工程と、前記中間膜上に接して、前記レジストを形成する工程と、その後、熱リフローにより前記レジストをレンズの形状として、前記レジストから成る前記レンズを形成する工程とを有する固体撮像素子の製造方法。4前記中間膜を0.3μm以下の膜厚で形成する、前記3に記載の固体撮像素子の製造方法。5半導体基体に形成された受光部と、前記受光部の上方に形成され、レジストよりも熱膨張係数の大きい中間膜と、前記中間膜上に接して形成され、前記レジストから成るレンズとを有する固体撮像素子。6前記中間膜の膜厚が0.3μm以下である、前記5に記載の固体撮像素子の製造方法。7光学系と、前記5又は6に記載の固体撮像素子と、前記固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理回路を備えた撮像装置。本技術は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。"