"インジウムを主要成分とする第1の酸化物半導体よりなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一方の面に接して設けられ、前記第1の酸化物半導体よりもバンドギャップが大きく、I型である第2の酸化物半導体よりなる第2の半導体層と、前記第1の半導体層の他の面に設けられたゲート電極としても機能する導電層とを有し、前記導電層と前記第1の半導体層の間には、ゲート絶縁膜としても機能する絶縁層を有し、前記第2の酸化物半導体の真空準位とフェルミ準位とのエネルギー差が、前記第1の酸化物半導体の真空準位とフェルミ準位とのエネルギー差よりも大きいことを特徴とする電界効果トランジスタ。インジウムを主要成分とする第1の酸化物半導体よりなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一方の面に接して設けられ、前記第1の酸化物半導体よりもバンドギャップが大きく、ガリウムを主要成分とするI型の第2の酸化物半導体よりなる第2の半導体層と、前記第1の半導体層の他の面に設けられたゲート電極としても機能する導電層とを有し、前記導電層と前記第1の半導体層の間には、ゲート絶縁膜としても機能する絶縁層を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。インジウムを主要成分とする第1の酸化物半導体よりなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一方の面に接して設けられ、酸素以外の元素におけるガリウムの比率が80以上であるI型の第2の酸化物半導体よりなる第2の半導体層と、前記第1の半導体層の他の面に設けられたゲート電極としても機能する導電層とを有し、前記導電層と前記第1の半導体層の間には、ゲート絶縁膜としても機能する絶縁層を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。前記第1の半導体層の厚さが0.1nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3記載の電界効果トランジスタ。前記第2の半導体層の厚さが10nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項4記載の電界効果トランジスタ。前記第2の半導体層が、前記第1の半導体層と、アルミニウムを主要成分とし、バンドギャップが8電子ボルト以上の酸化物よりなる絶縁膜とにより接して挟まれたことを特徴とする請求項1乃至請求項5記載の電界効果トランジスタ。前記第1の半導体層が、前記第2の半導体層と、アルミニウムを主要成分とし、バンドギャップが8電子ボルト以上の酸化物よりなる絶縁膜とにより接して挟まれたことを特徴とする請求項1乃至請求項6記載の電界効果トランジスタ。前記第2の酸化物半導体のバンドギャップが6電子ボルト以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項7記載の電界効果トランジスタ。本発明は、以下の課題のうち少なくとも一つを解決する。課題の一はインジウムを主要成分とする酸化物半導体を用いた高移動度かつノーマリーオフしきい値が0V以上あるいはそれに近い特性が得られるFETを提供することである。また、課題の一は酸素以外の元素におけるインジウムの比率が50以上、好ましくは75以上の酸化物半導体を用い、ノーマリーオフあるいはそれに近い特性が得られるFETを提供することである。また、課題の一はインジウムを主要成分とし、金属半導体接合を有する新規のFET、新規の半導体装置、新規のFETの製造方法、あるいは新規の半導体装置の製造方法のいずれかひとつを提供することである。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はない。さらに、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。以下、本発明の説明をおこなうが、本明細書で用いる用語について簡単に説明する。なお、定義されていない文言専門用語又は学術用語などの科学技術文言を含むは、通常の当業者が理解する一般的な意味と同等の意味として用いることが可能である。辞書等により定義されている文言は、関連技術の背景と矛盾がないような意味に解釈されることが好ましい。また、発明の一態様は、専門用語によって、限定して解釈されるものではない。FETのソースとドレインについては、本明細書においては、Nチャネル型FETにおいては、高い電位を与えられる方をドレイン、他方をソースとし、Pチャネル型FETにおいては、低い電位を与えられる方をドレイン、他方をソースとする。いずれの電位もおなじであれば、いずれか一方をソース、他方をドレインとする。また、ソース電極、ドレイン電極という用語のかわりに第1の電極、第2の電極とも表現することがある。その場合は、電位の高低によって呼び名を変えない。また、本明細書で、主要成分とは、対象となる物体に含まれる元素のうち原子番号が11以上の元素の比率を比較し、その比率が50原子以上を占める元素をいう。例えば、見かけの組成式が、Ga3Al2In5O12N2で表示される化合物があるとすると、この化合物でもっとも多い元素は酸素Oであるが、酸素の原子番号は8なので主要成分の対象とはならない。同様に窒素Nも対象とはならない。主要成分の対象となるのはガリウムGa、アルミニウムAl、インジウムInであり、その比率は、Ga:Al:In=3:2:5である。すなわち、主要成分の対象となる元素に対するガリウムの比率は30原子、アルミニウムの比率は20原子、インジウムの比率は50原子である。したがって、上記の定義では、インジウムは主要成分であるが、ガリウムとアルミニウムは主要成分ではない。また、見かけの組成比、見かけの組成を有する化合物、見かけの化学式あるいは見かけの組成式とは、ある領域に存在する元素の比率、そのような元素の比率を有する物体、あるいは、そのような元素の比率に基づく化学式のことであり、その微視的なあるいは局所的な比率や物体の化学的な意味や安定性等は考慮されない。上記の例では、それらの元素が上記の比率を有する固溶体のこともあるし、1分子のGa2O3と2分子のAlNと2分子のIn2O3と1分子のInGaO3の混晶あるいは混合物の可能性もある。なお、本明細書等において、第1、第2、第3などの語句は、様々な要素、部材、領域、層、区域を他のものと区別して記述するために用いられる。よって、第1、第2、第3などの語句は、要素、部材、領域、層、区域などの数を限定するものではなく、また、順序を限定するものでもない。本発明の一態様は、インジウムを主要成分とする第1の酸化物半導体よりなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一方の面に接して設けられ、前記第1の酸化物半導体よりもバンドギャップが大きく、I型である第2の酸化物半導体よりなる第2の半導体層と、前記第1の半導体層の他の面に設けられたゲート電極としても機能する導電層とを有し、前記導電層と前記第1の半導体層の間には、ゲート絶縁膜としても機能する絶縁層を有し、前記第2の酸化物半導体の真空準位とフェルミ準位とのエネルギー差が、前記第1の酸化物半導体の真空準位とフェルミ準位とのエネルギー差よりも大きいことを特徴とするFETである。また、本発明の一態様は、インジウムを主要成分とする第1の酸化物半導体よりなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一方の面に接して設けられ、前記第1の酸化物半導体よりもバンドギャップが大きく、ガリウムを主要成分とするI型の第2の酸化物半導体よりなる第2の半導体層と、前記第1の半導体層の他の面に設けられたゲート電極としても機能する導電層とを有し、前記導電層と前記第1の半導体層の間には、ゲート絶縁膜としても機能する絶縁層を有することを特徴とするFETである。また、本発明の一態様は、インジウムを主要成分とする第1の酸化物半導体よりなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一方の面に接して設けられ、酸素以外の元素におけるガリウムの比率が80以上であるI型の第2の酸化物半導体よりなる第2の半導体層と、前記第1の半導体層の他の面に設けられたゲート電極としても機能する導電層とを有し、前記導電層と前記第1の半導体層の間には、ゲート絶縁膜としても機能する絶縁層を有することを特徴とするFETである。上記の各態様において、第1の半導体層の厚さは、後で説明する理由から0.1nm以上100nm以下であることが好ましい。また、第2の半導体層の厚さは、10nm以上100nm以下であることが好ましい。さらに、第2の半導体層は、第1の半導体層と接している面と反対の面に、アルミニウムを主要成分とするバンドギャップが8電子ボルト以上の酸化物よりなる絶縁膜が接して設けられていてもよい。また、第1の半導体層は、第2の半導体層と接している面と反対の面に、アルミニウムを主要成分とするバンドギャップが8電子ボルト以上の酸化物よりなる絶縁膜が接して設けられていてもよい。第1の酸化物半導体としては、インジウムを主要成分とする酸化物を適用できるが、例えば、構成する元素の90原子以上、好ましくは95原子以上が、インジウム、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、酸素のいずれかであり、それらの見かけの組成式がInaGabAlcZndOeと表現できる材料を用いればよい。ここで、abcd=2、a≧1、2.5<e<3.5、である。なお、移動度を高める目的では、インジウムの濃度が高い方が好ましく、a>1.6とするとよい。同じ目的で、ガリウムの濃度はアルミニウムよりも高いことが好ましく、b>c、より好ましくは、b>10cとするとよい。また、第1の酸化物半導体としては、インジウムを主要成分とし、酸素欠損が1×1018/cm3以上である酸化物半導体を用いることもできる。第2の酸化物半導体としては、各種の酸化物を適用できるが、例えば、構成する元素の90原子以上、好ましくは95原子以上が、インジウム、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、酸素のいずれかであり、それらの見かけの組成式がInaGabAlcZndOeと表現できる材料を用いればよい。ここで、abcd=2、b≧1、2.5<e<3.5、である。なお、第2の酸化物半導体をI型とする目的では、インジウムや亜鉛の濃度がアルミニウムよりも低いことが好ましく、a<c、d<c、より好ましくは、10a<c、10d<cとするとよい。また、第2の酸化物半導体のバンドギャップは6電子ボルト以下であることが好ましい。第1の酸化物半導体および第2の酸化物半導体を上記のような組成の材料とすると、第2の酸化物半導体のバンドギャップは、第1の酸化物半導体のバンドギャップよりも大きくなる。また、第1の酸化物半導体は、上記の組成においてはN型となり、フェルミ準位は伝導帯の下端とほとんど同じであるので、真空準位とフェルミ準位とのエネルギー差は、第1の酸化物半導体の電子親和力とほとんど同じである。一方、第2の酸化物半導体はI型であるので、フェルミ準位は伝導帯と価電子帯のほぼ中央に位置する。そして、第1の酸化物半導体および第2の酸化物半導体を上記のような組成の材料とすると第2の酸化物半導体の仕事関数は第1の酸化物半導体の電子親和力より大きいという関係を満足する。本発明の一態様は、図1Aに示されるように、第1の酸化物半導体よりなる第1の半導体層1が、第2の酸化物半導体よりなる第2の半導体層2とゲート絶縁膜としても機能する絶縁膜4に挟まれた構造を有する。ここで、第1の半導体層1は第2の半導体層2に接していることが求められる。一方、第1の半導体層1と絶縁膜4とは、必ずしも接している必要はないが、接することによって後述するような効果が得られることがある。また、絶縁膜4は、ゲートとして機能する導電層5と第1の半導体層1に挟まれており、ゲート絶縁膜としても機能する。さらに、第1の半導体層1に接して、ソース電極やドレイン電極として機能する第1の電極3aと第2の電極3bが設けられる。第1の酸化物半導体および第2の酸化物半導体としては、上記に示した材料を用いればよい。また、第1の半導体層1の厚さは0.1nm以上100nm以下、第2の半導体層2の厚さは10nm以上100nm以下とすればよい。また、絶縁膜4としては、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化アルミニウム等を用いればよいが、構成する元素の90原子以上、好ましくは98原子以上が珪素、アルミニウム、硼素、窒素、酸素のいずれかであり、それらの見かけの組成式が、SiaAlbBcNdOeと表現できる材料を用いればよい。ここで、0.9<4a3b3c/3d2e<1.1であることが好ましく、b>aであることが好ましい。特に、第1の半導体層1と絶縁膜4が接している場合には、b>5aであることが好ましい。なお、図1Bに示されるように、第2の半導体層2が、第1の半導体層1と絶縁膜6で挟まれる構造としてもよい。ここで、絶縁膜6と第2の半導体層2は接していることが好ましい。絶縁膜6としては、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化アルミニウム等を用いればよいが、構成する元素の90原子以上、好ましくは98原子以上が珪素、アルミニウム、硼素、窒素、酸素のいずれかであり、それらの見かけの組成式が、SiaAlbBcNdOeと表現できる材料を用いればよい。ここで、0.9<4a3b3c/3d2e<1.1であることが好ましく、b>10a、d<5eであることが好ましい。このような条件の材料では、バンドギャップを8電子ボルト以上とできる。また、図1Cに示されるように、第1の半導体層1を第2の半導体層2aと、第3の酸化物半導体よりなる第3の半導体層2bで挟まれる構成としてもよい。図1Cが図1Aと異なる点は、第3の半導体層2bが第1の半導体層1と絶縁膜4の間に挿入されている点である。ここで、第3の半導体層2bと絶縁膜4が接している必要はないが、第3の半導体層2bは第1の半導体層1と接していることが求められる。第3の酸化物半導体は、第2の酸化物半導体に適している材料を用いればよいし、第2の酸化物半導体と同じ材料を用いてもよい。また、第3の半導体層2bの厚さは0.1nm以上100nm以下、好ましくは、0.1nm以上20nm以下とするとよい。また、本発明の一態様は、図2Aに示されるように、第1の酸化物半導体よりなる第1の半導体層1が、第2の酸化物半導体よりなる第2の半導体層2とゲート絶縁膜としても機能する絶縁膜4に挟まれた構造を有する。ここで、第1の半導体層1と絶縁膜4とは、必ずしも接している必要はないが、第1の半導体層1は第2の半導体層2に接していることが求められる。また、絶縁膜4は、ゲートとして機能する導電層5と第1の半導体層1に挟まれており、ゲート絶縁膜としても機能する。さらに、第1の半導体層1は、第1の酸化物半導体にドーピング処理を施すことにより導電性の高められた領域ドーピングされた領域8a、8bに接しており、また、ソース電極やドレイン電極として機能する第1の電極3aと第2の電極3bがドーピングされた領域8a、8bに設けられる。なお、第2の半導体層2に接して、第2の酸化物半導体にドーピングされた領域7a、7bが設けられる。第1の酸化物半導体および第2の酸化物半導体、絶縁膜4の材料としては、上記に示した材料を用いればよい。また、第1の半導体層1の厚さ、第2の半導体層2の厚さも上記に示したものを用いればよい。また、第1の電極3aと第2の電極3bは、図2Bに示されるように、ドーピングされた領域8a、8bの、絶縁膜4が設けられる面と逆の面に設けられてもよい。また、ドーピングされた領域7a、7bの導電性が十分であれば、第1の電極3aと第2の電極3bはドーピングされた領域7a、7bに接するように設けられてもよい。また、第1の半導体層1を第2の半導体層2と第3の酸化物半導体よりなる第3の半導体層図示せずで挟まれる構成としてもよい。さらに、図2Cに示されるように、第2の半導体層2が、第1の半導体層1と絶縁膜6で挟まれる構造としてもよい。ここで、絶縁膜6と第2の半導体層2は接していることが好ましい。絶縁膜6としては上記に示した材料を用いればよい。なお、図2A乃至図2Cにおいて、ドーピングされた領域7a、7b、8a、8bは特定の条件が満たされる場合には設けなくてもよい。例えば、図2Dに示すように、第1の電極3aと導電層5との間の間隔xあるいは第2の電極3bと導電層5との間の間隔が50nm以下であれば、ドーピングされた領域7a、7b、8a、8b等を設けなくてもよい。上記の構成により、ノーマリーオフ特性あるいはそれに近い特性を示すFETが得られる理由について、図3を用いて説明する。最初に、上記のような条件を満たす第1の酸化物半導体と第2の酸化物半導体の接合を考える。図3Aには接合する前の第1の酸化物半導体と第2の酸化物半導体の状態バンド図を示す。図3Aの左側は、第1の酸化物半導体の、右側は第2の酸化物半導体の、それぞれバンド図を示す。第1の酸化物半導体は、典型的には、酸化インジウムのようなN型半導体であり、キャリアである電子が伝導帯に供給されるため、フェルミ準位は、伝導帯の直下に存在する。図では、伝導帯とフェルミ準位とのエネルギー差を誇張して書いてあるが、実際には数mVほどしか変わらない。場合によっては、フェルミ準位の方が伝導帯の下端よりも上にあると分析されている。酸化インジウムのバンドギャップは3.7電子ボルト程度である。第2の酸化物半導体は、典型的には、酸化ガリウムのようなバンドギャップの広いI型半導体であり、キャリアはほとんど存在せず、フェルミ準位は、価電子帯と伝導帯のほぼ中央に存在する。単結晶の酸化ガリウムはバンドギャップが4.8電子ボルトであるが、非晶質の薄膜では4.2電子ボルトという数値が観測される。ここで、第1の酸化物半導体の電子親和力真空準位と伝導帯の下端のエネルギー差が第2の酸化物半導体の電子親和力より大きいことが求められる。好ましくは、前者と後者の差は0.3電子ボルト以上であるとよい。例えば、酸化インジウムの電子親和力4.8電子ボルトに対して、単結晶酸化ガリウムでは、電子親和力は3.5電子ボルト、非晶質酸化ガリウムでは4.3~4.5電子ボルトである。よって、酸化インジウムの電子親和力は酸化ガリウムよりも大きく、その差は0.3電子ボルト以上である。また、第2の酸化物半導体の仕事関数は第1の酸化物半導体の電子親和力よりも大きいことが好ましい。好ましくは、前者と後者の差は0.5電子ボルト以上であるとよい。例えば、仕事関数は、単結晶酸化ガリウムでは、5.5電子ボルト、非晶質酸化ガリウムでは6.4~6.6電子ボルトであり、いずれも酸化インジウムの電子親和力よりも大きく、その差は0.7電子ボルト以上である。このような物性の異なる第1の酸化物半導体と第2の酸化物半導体を接合すると、フェルミ準位を同じレベルに揃えようとキャリアの移動が起こり、図3Bに示すように、接合部近傍のバンドがゆがめられる。すなわち、接合部近傍では、第1の酸化物半導体の伝導帯はフェルミ準位より離れ、価電子帯はフェルミ準位に近づく。このように、本来の状態とは異なる状態を呈する部分を遷移領域と呼ぶ。接合面から離れれば、離れるほど、バンドの状態は、本来の第1の酸化物半導体および第2の酸化物半導体の特性に近づく。図3Bでは遷移領域でのみバンドのゆがみが直線的に生じているように描かれているが、実際には、かなりの距離にまでその影響が及び、バンドのゆがみも直線的なものではない。しかし、顕著に物性面で影響が現れるのは、接合面近傍の領域であるので、図3Bで遷移領域以外の部分の半導体の物性は、それぞれの本来のものとみなして差し支えない。遷移領域の幅は、第1の酸化物半導体と第2の酸化物半導体の電子親和力、バンドギャップおよび誘電率、第1の酸化物半導体の電子濃度等に依存するが、例えば、第1の酸化物半導体として、電子濃度1×1018/cm3の酸化インジウム、第2の酸化物半導体としてI型の酸化ガリウムを考えると、遷移領域として考えられる部分は、接合面から第1の酸化物半導体側に50nm程度の部分である。このような遷移領域は、第1の酸化物半導体の接合面近傍の電子が移動して、電子濃度が低下し、空乏化することによって形成される。したがって、特に遷移領域のうち、接合面に近い部分は電子濃度が低く、準I型という状態である。また、第2の酸化物半導体は、キャリア電子がほとんど存在しないため、その部分での電子の移動は無視でき、主として第1の酸化物半導体でバンドのゆがみが生じる。例えば、図3Bの例では、接合面における第1の酸化物半導体の伝導帯下端とフェルミ準位の間のエネルギー差は1.3電子ボルト程度である。これだけのエネルギー差があれば室温で熱励起する電子は無視できる。すなわち、接合面近傍では極めて電子濃度が低い状態となる。このようなバンドのゆがみは第2の半導体層2の仕事関数と第1の半導体層1の電子親和力の差に依存し、前者から後者を差し引いた差が0.5電子ボルト以上であることが好ましく、前者と後者の差が1電子ボルト以上であるとさらに好ましい。また、第1の酸化物半導体の電子親和力が第2の酸化物半導体の電子親和力より大きいと、図3Bに示すように、第1の酸化物半導体と第2の酸化物半導体との接合面において、伝導帯に不連続点ギャップ、ステップが発生する。このような不連続点があると、第1の酸化物半導体がFETのチャネルとして使用されている際に、第1の酸化物半導体にある電子が第2の酸化物半導体に移ることが困難となる。すなわち、遷移領域の特に接合面近傍をチャネルとして用いる場合には、第2の酸化物半導体に電子が流れることを考慮する必要がない。ところで、このような遷移領域は、接合面における化学反応が無いと仮定すると、電子濃度が低いということ以外は、電界効果移動度を含む第1の酸化物半導体の物性のほとんどを維持していると考えられる。したがって、第1の酸化物半導体として、電界効果移動度の高い材料を用いれば、遷移領域では電子濃度が低く電界効果移動度が高いという特性が得られる。図3Bでは、第1の酸化物半導体の厚さが十分にある例を示したが、第1の酸化物半導体を薄膜化して、その厚さを遷移領域と同じあるいはそれ以下としても事情は変わらず、接合面近傍では、準I型領域が形成される。すなわち、第1の酸化物半導体の厚さを遷移領域と同じあるいはそれ以下とすることにより、第1の酸化物半導体の電子濃度を低減できる。かつ、電界効果移動度は、第1の酸化物半導体本来のものである。そのため、このような構造を用いてFETを作製すると、ノーマリーオフあるいはそれに近い特性の高電界効果移動度を達成できる。図3Cは、図1Bに示すFETの点Aから点Bに到る断面でのバンド図を模式的に描いたものである。ここで、第1の半導体層1を構成する第1の酸化物半導体として酸化インジウムを、第2の半導体層2を構成する第2の酸化物半導体としては酸化ガリウムを、絶縁膜4および絶縁膜6としては酸化アルミニウムを、導電層5としてタングステンを用いた場合を示す。図3Cに示されるように、第1の半導体層1は、N型の酸化インジウム等の酸化物半導体を用いても、そのほとんどの部分を準I型領域とすることができる。準I型領域における電子濃度を直接、観察することは困難であるが、1×1015/cm3以下とすることが可能と算出される。したがって、このような構造のFETのしきい値を十分に大きな値とすることができる。すなわち、ノーマリーオフあるいはそれに近い特性を呈するFETが得られる。また、図3Cを注意深く観察すると、第1の半導体層1は、絶縁膜4との界面近傍でもバンドがゆがんでいる。これは、上記に示した酸化ガリウムと酸化インジウムの接合面で遷移領域が生じるのと同じ理由により生じている。このようなバンドのゆがみを有するFETでは、キャリアは伝導帯の下端近傍を流れるので、キャリアは第1の半導体層1と絶縁膜4の界面からやや離れた典型的には1nm以上10nm以下部分を流れることとなる。通常のMISFETでも、ゲート絶縁膜と半導体との界面にはトラップ準位等が発生し、FETの特性を劣化させるが、キャリアがゲート絶縁膜から離れた部分を流れる構造埋め込みチャネルとすることにより、上記界面による影響を低減できる。同じ理由で、図3Cにバンド図が示される構造のFETでは、絶縁膜4と第1の半導体層1との界面の影響を低減できる。なお、このようなバンドのゆがみは絶縁膜4の仕事関数絶縁膜4は通常、I型と見なせるので、仕事関数とは、真空準位とフェルミ準位の差に相当すると第1の半導体層1の電子親和力の差に依存し、図3Cのようなゆがみとするには、前者が後者より大きいことが好ましく、前者と後者の差が1電子ボルト以上であることがさらに好ましい。N型の酸化インジウムの電子親和力は4.8電子ボルト程度であるのに対し、酸化アルミニウムの仕事関数は、5.7電子ボルトであり、酸化珪素の仕事関数は5.1電子ボルトである。したがって、酸化アルミニウムの方が上記の目的に適している。さらに、非晶質酸化ガリウムの仕事関数は、6.4~6.6電子ボルトであるので、酸化インジウムの電子親和力より1.6~1.8電子ボルト大きく、より好ましい。そのため、図1Cに示すように、酸化インジウム等の第1の半導体層1を酸化ガリウム等の第2の半導体層2aおよび第3の半導体層2bで挟んでもよい。以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する構成において、同様のものを指す符号は異なる図面間で共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、FETの作製方法について図4A乃至図4Fを用いて説明する。まず、図4Aに示すように、基板101上に、導電層102を形成する。基板101としては、様々なものが用いられるが、その後の処理に耐えられる物性を有していることが必要である。また、その表面は絶縁性であることが好ましい。すなわち、基板101は絶縁体単独、あるいは絶縁体や金属や半導体の表面に絶縁層を形成したもの等であることが好ましい。絶縁体としては、各種ガラスやサファイヤ、石英、セラミックス、プラスチック等を用いることができる。金属としては、アルミニウム、銅、ステンレス鋼、銀等を用いることができる。半導体としては、珪素、ゲルマニウム、炭化珪素、窒化ガリウム等を用いることができる。本実施の形態では、基板101としてバリウム硼珪酸ガラスを用いる。導電層102は、その一部がゲートとして機能するので、その材料としては、白金、金、タングステン等の仕事関数の大きな金属を用いるとよい。導電層102はそのような材料単独で構成してもよいし、多層構造とし、後に設けられる半導体層に面する部分を、上記の材料で構成してもよい。本実施の形態では、厚さ100nmのチタン膜上に厚さ100nmのタングステン膜をスパッタリング法で形成し、これをエッチングして、導電層102を形成する。次に、図4Bに示すように、絶縁膜103と第1の酸化物半導体膜104を形成する。絶縁膜103はゲート絶縁膜としても機能する。例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、酸化イットリウム等を用いればよい。また、その厚さは主として、プロセス上の事情やFETで使用される電圧を考慮して決定されるが、可能な限り薄い方がFETの特性をノーマリーオフあるいはそれに近い特性とする上で好ましい。例えば、10nm乃至200nmとするとよい。成膜方法としては、CVD法あるいはスパッタリング法が用いられるが、膜中の水素の混入を可能な限り低減することが好ましい。第1の酸化物半導体膜104の材料としては、酸化インジウムを用いる。もちろん、その他のインジウムを主要成分とする酸化物半導体を用いてもよい。また、その成膜方法はスパッタリング法を用いればよい。さらに、膜中の水素の混入を可能な限り低減することが好ましい。その厚さは10nm乃至50nmとするとよい。なお、絶縁膜103の表面を大気に曝すことなく、第1の酸化物半導体膜104を形成すると、両者の界面の清浄度を向上させる上で好ましい。第1の酸化物半導体膜104上に、第2の酸化物半導体膜を形成する。第2の酸化物半導体膜としては、酸化ガリウムを用いる。もちろん、その他のガリウムを主要成分とする酸化物半導体を用いてもよい。また、その成膜方法はスパッタリング法を用いればよい。さらに、膜中の水素の混入を可能な限り低減することが好ましい。スパッタリング法によって形成された酸化ガリウム膜の組成をラザフォード後方散乱法により分析すると、見かけの組成は酸素が過剰に存在するような結果が得られる。すなわち、Ga2O3xにおいて、xが0.01以上0.15以下の値を取る。第2の酸化物半導体膜の厚さは10nm乃至100nmとするとよい。また、第2の酸化物半導体膜上に、エッチングストッパとなるような材料の膜を設けてもよい。あるいは、第2の酸化物半導体膜上に、層間絶縁物となるような絶縁膜を設けてもよい。なお、第1の酸化物半導体膜104の表面を大気に曝すことなく、第2の酸化物半導体膜を形成すると、両者の界面の清浄度を向上させる上で好ましい。さらには、絶縁膜103、第1の酸化物半導体膜104および第2の酸化物半導体膜を連続的に形成すると、これらの界面の清浄度を向上させる上で好ましい。その後、第2の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、第2の半導体層105を島状に形成する。第2の半導体層105の一部は、図4Cに示すように、導電層102上に形成されるようにするとよい。また、図示していないが、第2の半導体層105の他の部分は導電層102と重ならないように設けてもよい。また、第2の半導体層105が、導電層102が上層の配線と交差する部分に設けられていると、層間絶縁物としての機能も有する。また、第2の酸化物半導体膜上に、別途、厚い絶縁膜を設け、第2の半導体層105上に残しておくと、それを、導電層102が上層の配線と交差する部分で層間絶縁物としての使用することもできる。第2の半導体層105はエッチングストッパとしても機能する。なお、第2の酸化物半導体膜をエッチングするに際しては、アルカリ性の溶液例えば、アンモニア過水等を用いればよい。第1の酸化物半導体膜104として酸化インジウムを用いた場合には、酸化インジウムのアルカリ性溶液への溶解度は著しく低いので、選択的に第2の酸化物半導体膜をエッチングできる。その後、第1の酸化物半導体膜104および第2の半導体層105上に、導電膜106を形成する図4D参照。導電膜106は、後にFETのソース電極あるいはドレイン電極としての機能も必要とされるので、その目的に適した材料を用いて構成する。例えば、チタン、モリブデン、窒化チタン、窒化モリブデン、タングステン等である。導電膜106はそのような材料単独で構成してもよいし、多層構造とし、第1の半導体層に接する部分を、上記の材料で構成してもよい。その後、導電膜106を選択的にエッチングして、導電層106a、導電層106bを形成する。このエッチングは、ウェットエッチングでもドライエッチングでもよい。いずれにしても、このエッチングに際して、第2の半導体層105を過剰にエッチングしないことが必要である。そのため、第2の半導体層105上にエッチングストッパを設けておくとよい。また、このエッチングで、第1の酸化物半導体膜104をエッチングしてもよい。上記のエッチングで、第1の酸化物半導体膜104がエッチングできなかった場合には、引き続いて、エッチング方法等を変えてエッチングをおこなう。この際には、第2の半導体層105のエッチングレートに比べて、第1の酸化物半導体膜104のエッチングレートが大きくなるような条件を採用する。例えば、このエッチングをウェットエッチングでおこなうのであれば、シュウ酸やリン酸を含むエッチャントを用いればよい。かくして、図4Eに示すように、第1の半導体層104aを島状に形成する。その後、図4Fに示すように、全面に酸化物絶縁膜107を形成する。酸化物絶縁膜107の材料としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、酸化イットリウム等を用いればよい。また、その厚さは10nm以上1μm以下とすることができる。酸化物絶縁膜107に保護膜としての機能も要求するのであれば、厚い方が好ましい。実施の形態2本実施の形態では、FETの作製方法について図5A乃至図5Eを用いて説明する。まず、図5Aに示すように、基板201上に、導電膜202と絶縁膜203,第1の酸化物半導体膜204、第2の酸化物半導体膜205、酸化物絶縁膜206を積層する。これらの成膜は、膜の界面を清浄に保つため、途中で大気に曝すことなく連続的におこなうとよい。また、これらの多層膜中の水素濃度を1×1018原子/cm3以下、好ましくは1×1016原子/cm3以下とするためにも、連続的に成膜することは効果的である。基板201、導電膜202、絶縁膜203、第1の酸化物半導体膜204、第2の酸化物半導体膜205、酸化物絶縁膜206としては、実施の形態1において、それぞれ、基板101、導電層102、絶縁膜103、第1の酸化物半導体膜104、第2の酸化物半導体膜、酸化物絶縁膜107に用いるのに適しているとして示された材料、厚さおよび成膜方法で形成すればよい。そして、酸化物絶縁膜206上にレジストを塗布し、図5Aに示すように、多階調マスクを用いて、2段階の厚さを有するレジストマスク207を形成する。レジストマスク207を用いて、導電膜202、絶縁膜203、第1の酸化物半導体膜204、第2の酸化物半導体膜205、酸化物絶縁膜206をエッチングして、導電層202a、絶縁層203a、第1の半導体層204a、第2の半導体層205a、酸化物絶縁層206aを形成する図5B参照。これらのエッチングには異方性ドライエッチング法を用いることが好ましいが、ウェットエッチング法でも、等方的なドライエッチング法でもよい。次にレジストマスク207をアッシングして、その厚さを減らし、レジストマスク207aとする図5C参照。そして、このレジストマスク207aを用いて、絶縁層203a、第1の半導体層204a、第2の半導体層205a、酸化物絶縁層206aをエッチングして、絶縁層203b、第1の半導体層204b、第2の半導体層205b、酸化物絶縁層206bを、概略同形状かつ島状に形成する図5D参照。これらのエッチングには異方性ドライエッチング法を用いることが好ましいが、ウェットエッチング法でも、等方的なドライエッチング法でもよい。導電層202aは必ずしもエッチングする必要はないが、上記のエッチングの際に全くエッチングされない条件を見いだすことは難しいので、多少の差はあれエッチングされ、表面の一部がエッチングされた導電層202bとなる。特に、エッチングの選択比を十分に大きくできない場合には、導電膜202を十分に厚くしておくとよい。例えば、導電膜202の厚さを200nm以上1μm以下とするとよい。あるいは、導電膜202の厚さを、絶縁膜203の厚さと第1の酸化物半導体膜204の厚さと第2の酸化物半導体膜205の厚さと酸化物絶縁膜206の厚さの和の50以上500以下としてもよい。このように導電膜202が十分に厚ければ、多少のオーバーエッチングがあったとしても、必要な厚さを確保できる。本実施の形態では、導電膜202が厚くても、その後に積層される薄膜の形状に影響を与えることは少なく、むしろ、導電膜202を厚くすると、導電層202bの抵抗が低く抑制されるというメリットがある。その後、レジストマスク207aを除去する。この方法は剥離液を用いてもよいが、酸化ガリウムはアルカリ性の溶液に溶解する性質もあるため、剥離液の水素イオン濃度は適切なものを選択する必要がある。あるいは、レジストマスク207aをアッシング法によって除去してもよい。アッシング法を使用する場合には、残渣が問題となることがあるが、本実施の形態では、残渣があったとしても、酸化物絶縁層206b上であり、酸化物絶縁層206bを十分に厚くすれば、FET特性への影響は低減できる。特に、本実施の形態では、酸化物絶縁層206bは層間絶縁物としての機能もあるので、厚く形成する方が好ましい。その後、平坦な表面を有する層間絶縁物208を形成して、層間絶縁物208、酸化物絶縁層206b、第2の半導体層205bをエッチングして、第1の半導体層204bに達する開口部を設ける。開口部は、絶縁層203bと重なるように設ける。好ましくは、開口部は、その外周が絶縁層203bの外周から、200nm以上、より好ましくは、1μm以上離れるように設ける。開口部の形成にはウェットエッチング法、ドライエッチング法いずれをも用いることができる。なお、いずれの場合においても、エッチングに際して、第1の半導体層204bに化学的な影響を与えることがある。次に、導電膜を形成し、これを所望の形状にエッチングして導電層209a、209bを形成する。導電膜は、実施の形態1の導電膜106に用いるのに適した材料、厚さおよび成膜方法を用いて形成すればよい。導電層209a、209bは、第1の半導体層204bと接する部分においてFETのソース電極、ドレイン電極として機能する。この段階を図5Eに示す。導電層209aと導電層209bが、それぞれ第1の半導体層204bと接する部分の間隔がFETのチャネル長となる。なお、導電層209a、209bを形成した後、400°C以上の高温の処理をおこなう場合には、導電層209a、209bを構成する元素が、第1の半導体層204bに拡散し、その特性に悪影響を及ぼすことがある。したがって、導電層209a、209bを形成した後は、そのような高温での処理を避けることが好ましい。一方で、導電層209a、209bはFETの最終段階で形成されるので、その後に高温での処理が必要となることはほとんど無い。また、第1の半導体層204bの端部外周部の特性は好ましいものでないことが多い。これらの領域は、しばしば導電性が他の部分よりも高く、例えば、図4Fに示すような形状のFETにおいては、これらの領域はリーク電流の要因となり得た。それは、図4Fに示すような形状のFETにおいては、第1の半導体層104aの端部とソース電極およびドレイン電極として機能する導電層106a、導電層106bが接しているためである。しかしながら、図5Eに示されるFETにおいては、ソース電極やドレイン電極として機能する導電層209aと209bは上述の通り、第1の半導体層204bの端部と重ならないので、仮に、第1の半導体層204bの端部の導電性が高くとも、導電層209aと209bの間にリーク電流は流れない。そのため、オフ電流の十分に低いFETを得ることができる。また、図5Eから明らかなように、第1の半導体層204bは平坦面に形成される。例えば、図4Fの第1の半導体層104aのように、半導体層に凹凸があるとFETの特性は凹凸の影響を受ける。そのような凹凸を有する素子を均一に形成することは困難なため、FET特性のばらつきの原因となる。例えば、図4Eにおいては、導電層106a、106bは第1の半導体層104aおよび導電層102に対して左右対称に設けられているが、全ての素子をこのような形状に形成することは困難である。マスクあわせの際の誤差のため、導電層106a、106bが、図の右側あるいは左側に少しだけ平行移動しても、導電層106a、106bと第1の半導体層104aの湾曲している部分との位置関係が異なり、FETとしての特性が変動することがある。すなわち、FETの特性のばらつきが生じる。特に第1の半導体層が何らかの結晶成分を含んでいる場合にはばらつきが大きくなる傾向がある。それは、第1の半導体層の平面部分と局面部分とで結晶の方位や大きさ等に大きな差違があるためである。そのような結晶成分は、酸化インジウムでは比較的低温でアニールした場合でも生じる。これに対し、平坦な面上に、均一に平面状の半導体層を形成することは容易である。そして、マスクあわせの際の誤差のため、図5Eの導電層209a、209bが、図の右側あるいは左側に少しだけ平行移動しても、第1の半導体層204bに対する位置関係は変わらない。すなわち、FETの特性のばらつきは限定的となる。したがって、本実施の形態で示したFETは半導体層の凹凸が大きなFETに比べて特性のばらつきが少ない。このようなFETは、しきい値ばらつきの小さいことが要求される回路に用いるのに好適である。例えば、アクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、表示のむらをなくすために、駆動トランジスタのしきい値のばらつきが小さいことが望まれる。また、抵抗損失を減らすため、駆動トランジスタの電界効果移動度の高いFETが望まれる。そのような目的には、図5Eに示す構成を有し、インジウムを主要成分とする酸化物半導体を半導体層に用いて作製したFETが好適である。そのようなFETは、例えば、50cm2/Vs以上、好ましくは、70cm2/Vs以上の電界効果移動度が得られる。さらに、本実施の形態では、第1の半導体層204b、絶縁層203bは平坦面に設けられるのであるから、これらの薄膜の段差被覆性等を考慮する必要がない。このため第1の半導体層204b、絶縁層203bを可能な限り薄くできる。第1の半導体層204b、絶縁層203bを薄くすることは、FETのしきい値のマイナスシフトを抑制し、オフ電流を低減する上で効果がある。特にチャネル長が0.3μm以下のFETでは、第1の半導体層204b、絶縁層203bを薄くすることが求められる。FETのしきい値のマイナスシフトを抑制するには、チャネル長>5×第1の半導体層204bの厚さ絶縁層203bの厚さ×誘電率比、という関係を満たすことが求められる。ここで、誘電率比は、第1の半導体層204bの誘電率を、絶縁層203bの誘電率で除した数値である。例えば、チャネル長0.3μmで、第1の半導体層204bの厚さを30nm、第1の半導体層204bとして酸化インジウム比誘電率18、絶縁層203bとして酸化珪素比誘電率4を用いた場合、絶縁層203bの厚さを10nm以下とすることが必要である。凹凸のある面にそのような薄膜を被覆性よく形成することは困難であり、歩留まりの低下の要因となる。一方、平坦面であれば比較的容易に形成できる。その点で、本実施の形態に示される構造のFETは有利である。なお、本実施の形態で示した作製工程では、必要なマスク合わせの回数は2回であり、図4に示す方法3回のマスクあわせが必要よりも少ない。そのため、ミスアライメントによる不良の確率を低減でき、歩留まりを向上させる上で効果がある。実施の形態3本実施の形態では、FETの作製方法について図6A乃至図6Dを用いて説明する。まず、図6Aに示すように、基板301上に、酸化物絶縁膜302と第2の酸化物半導体膜303と第1の酸化物半導体膜304と絶縁膜305を積層する。これらの成膜は、それぞれの膜と膜の間の界面を清浄に保つため、途中で大気に曝すことなく連続的におこなうとよい。例えば、基板301として珪素ウェハ、酸化物絶縁膜302として厚さ200nmの酸化珪素、第2の酸化物半導体膜303として厚さ50nmの酸化ガリウム、第1の酸化物半導体膜304として厚さ1nmの酸化インジウム、絶縁膜305として厚さ2nmの酸化珪素を用いればよい。また、酸化物絶縁膜302は基板301を熱酸化して形成し、第2の酸化物半導体膜303、第1の酸化物半導体膜304、絶縁膜305は、原子積層法ALDにより形成すればよい。これらの膜は成膜装置内で連続的に形成するとよい。そして、第2の酸化物半導体膜303、第1の酸化物半導体膜304、絶縁膜305を選択的にエッチングして、第2の半導体層303a、第1の半導体層304a、絶縁層305aを形成する。さらに、絶縁層305aの外周部を覆うように厚さ100nm以上500nm以下の酸化珪素等を用いて絶縁体306を形成する。そして、導電層307を形成する図5B参照。導電層307は、実施の形態1の導電層102を参考にその材料と作製方法を決定すればよい。なお、厚さは、第1の半導体層304aの厚さと絶縁層305aの厚さの和の2倍以上とするとよい。図示されていないが、導電層307が絶縁層305aの外周部において、絶縁体306を乗り越えるような形状となっている。そのため、導電層307は、第1の半導体層304aと直接、接触することはない。また、導電層307はFETのゲートとなるので、その幅はFETのチャネル長を決定する。ここでは、第1の半導体層304aの厚さと絶縁層305aの厚さに第1の半導体層304aと絶縁層305aの誘電率比第1の半導体層304aの誘電率/絶縁層305aの誘電率を乗じたものの和の5倍以上、好ましくは10倍以上とすると、しきい値のマイナスシフトを抑制し、オフ電流を低減できる。例えば、酸化インジウムの比誘電率は18程度であり、酸化珪素の比誘電率は4程度であるこれらの値は成膜方法によって微妙に異なるので、誘電率比は4.5程度である。上記の膜厚から、導電層307の幅は、第1の半導体層304aの厚さ1nm絶縁層305aの厚さ2nm×誘電率比4.5の5倍以上、好ましくは10倍以上であるとよい。すなわち、50nm以上、好ましくは、100nm以上とするとよい。上記の計算から明らかなように、絶縁層305aに高誘電率材料を用いれば、導電層307の幅をより狭くできる。例えば、酸化ハフニウムのように比誘電率が30程度のものであれば、導電層307の幅は10nm以上、好ましくは20nm以上とできる。通常の珪素半導体を使用したMOSFETと異なり、インジウムを主要成分とする酸化物半導体に接して酸化ハフニウムのような異種材料を形成しても、第1の半導体層304aと絶縁層305aとの界面の欠陥準位がFET特性にほとんど問題を及ぼさない。特に酸化ハフニウムの場合、その仕事関数5.7電子ボルトが、酸化インジウムの電子親和力4.8電子ボルトより大きいため、酸化インジウムのバンドがゆがめられ、埋め込みチャネルのような形状になり、より一層、絶縁層305aと第1の半導体層304aの界面の影響が小さくなる。次に、還元性のイオンを照射する図6C参照。この際のイオンのエネルギーは、第1の半導体層304aと第2の半導体層303aの界面から第2の半導体層303aと酸化物絶縁膜302の界面の間にピークを有するように設定すればよい。この条件では、導電層307をイオンが透過することはないので、第1の半導体層304aおよび第2の半導体層303aに、導電層307をマスクとして、自己整合的にイオンが注入されることとなる。酸化インジウムを主要成分とする酸化物半導体に還元性のイオンを注入すると、イオンが酸素と化合して酸化物半導体を還元する。その結果、イオンが注入された部分の電子濃度が高くなり導電性が向上する。注入するイオンの量は、目的とする導電率に応じて設定すればよいが、第1の半導体層304a中に、2×1020/cm3以上含まれるようにすればよい。還元性のイオンとしては硼素、炭素、リン、珪素、アルミニウム、ガリウムのように酸化物の結合力が酸化インジウムよりも強いものを用いればよい。なかでも、リンや硼素は、通常の半導体プロセスでも用いられているので使用しやすい。イオンの注入の際に注意すべきことは、同時に水素が注入されないことである。したがって、イオン源として水素化物ジボランB2H6やホスフィンPH3等を用いることは好ましくない。酸化物半導体中に導入された水素は、電子濃度を高めるが、同時に酸化物半導体中を移動して、FETの特性の変動をもたらすため、信頼性を低下させる。イオン中の水素の濃度は1原子以下とすることが望まれる。なお、このイオン注入の際に、第2の半導体層303aにもイオンが注入され、やはり、イオンによって酸化ガリウムが還元され、第2の半導体層303aに導電率の高い領域303b、303cが形成される。ここで、第2の半導体層303aの厚さすなわち、第2の酸化物半導体膜303の厚さが薄すぎると、導電率が高くとも電気抵抗が十分に低減できないので、適切な厚さとしておくとよい。また、第2の半導体層303aに注入されるイオンの濃度は、第1の半導体層304aに注入されるイオンの濃度よりも大きくして、縮退半導体とすることが好ましい。例えば、第2の半導体層303a中に、5×1020/cm3以上含まれるようにすればよい。次に、例えば、200nm以上1μm以下の窒化珪素等で保護絶縁膜308をプラズマCVD法等で形成する。ここで、保護絶縁膜308は第1の半導体層304aに圧縮するような応力を与えるような膜質であってもよい。このような応力があると第1の半導体層は圧縮され、酸化インジウム中のインジウム原子間の距離が縮められる。その結果、第1の半導体層の輸送特性典型的には、電界効果移動度が向上するさらに、厚さ200nm以上2μm以下の酸化珪素等を堆積し、これを化学的機械的研磨法により平坦化して、平坦な表面を有する層間絶縁物309を得る。さらに、層間絶縁物309、保護絶縁膜308、絶縁層305aをエッチングして、第1の半導体層304aあるいは第2の半導体層303aに達する開口部を形成する。そして、開口部を埋めるように導電層310a、310bを形成する図6D参照。上述の通り、第1の半導体層304aは厚さが1nmであるので、オーバーエッチングの結果、開口部が第1の半導体層304aを貫通することもある。しかし、そのような場合であっても、第2の半導体層303aの導電性が十分であるので、導電層310a、310bはFETの電極として機能する。すなわち、導電層310a-第2の半導体層の導電率の高い領域303b-第1の半導体層304a-第2の半導体層の導電率の高い領域303c-導電層310b、という経路で電流が流れる。なお、第2の半導体層303aのオーバーエッチングを防止する上でも、第2の半導体層303aは適切な厚さを有することが好ましい。本実施の形態では厚さを50nmとしたが、30nm以上であることが好ましい。実施の形態4上記実施の形態1乃至実施の形態3で示した半導体装置は、さまざまな電子機器に用いることができる。例えば、液晶ディスプレー、ELディスプレー、FEFieldEmissionディスプレー等の表示装置およびその駆動回路、イメージセンサの駆動回路、半導体メモリ、マイクロプロセッサ等である。また、それらを用いた各種電子機器、例えば、テレビジョン、パーソナルコンピュータ、携帯電話等の通信機器、電子手帳、携帯音楽プレーヤ等である。"