"合成樹脂の基体を成形する第1の工程と、波長が193~400nmのレーザービームを照射して、上記基体の回路となる部分を選択的に表面改質する第2の工程と、上記基体を一種類の金属イオンからなるイオン触媒に接触させる第3の工程と、上記イオン触媒を還元剤によって金属に還元する第4の工程と、上記基体の回路となる部分に無電解めっき層を成形する第5の工程とを備えることを特徴とする成形回路部品の製造方法。上記イオン触媒は、酸性の水溶液によってイオン濃度を10~180ppmに希釈したものであることを特徴とする請求項1に記載の成形回路部品の製造方法。上記イオン触媒は、アルカリ性の水溶液によってイオン濃度を10~180ppmに希釈したものであることを特徴とする請求項1に記載の成形回路部品の製造方法。上記基体の非回路となる部分に残存する析出反応初期段階の無電解めっきの残滓を、薬品によって除去する第6の工程を備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の成形回路部品の製造方法。上記選択的に表面改質した表面は、平均粗さが150μmを超えないことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の成形回路部品の製造方法。上記還元剤は、水素化ホウ素ナトリュウム、ジメチルアミンボラン、ヒドラジン、次亜リン酸ナトリウムまたはホルムアルデヒドのいずれかの含有率が0.01~100g/リットルの水溶液であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の成形回路部品の製造方法。上記回路となる部分の無電解めっき層の表面に第2の金属層を設けることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の成形回路部品の製造方法。上記合成樹脂は、芳香族系液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、芳香族系ポリアミドであって10Tナイロン、9Tナイロン、6Tナイロン若しくは4Tナイロンのいずれか、ポリフタルアミド、シクロオレフィンコーポリマー、シクロオレフィンポリマー、ポリカーボネート、ポリカーボネートABS、メタクリル、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルファイド、またはポリブタジェンテレフタレートのいずれかであって、上記合成樹脂は、ガラス繊維、酸化チタン、ボロンナイトライド、酸化亜鉛ウイスカー、チタン酸カリウムウイスカー、タルク、カルシウムまたは酸化アルミナのいずれかを含有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の成形回路部品の製造方法。ところで回路となる部分にのみ選択的に無電解めっき層を形成するためには、レーザーによって粗化されない非回路となる部分に、無電解めっきが形成されないようにする必要がある。しかるに上記特許文献2及び特許文献3に記載された手段には、この点について、なお改良すべき課題があることが判明した。すなわち上記特許文献2では、上述したように、その段落0024に基体1の膜形成用域のみに紫外線レーザーによって粗化し、核付けを行なったのち、洗浄等で非粗化域の核剤を除去してから、無電解めっきを行い、膜形成用域のみにめっき膜を析出形成すると記載されている。しかるにレーザーが照射されずに粗化されていない部分であっても、基体の種類や表面状態によっては、あるいは基体にフィラーを混合している場合には、基体に付着した核剤を、洗浄等によって除去することが困難な場合があり、かかる場合には、残存する触媒核剤に無電解めっきが析出してしまう。このように粗化されていない部分に析出した無電解めっきは、基体との密着性が低いため、次の無電解めっきの工程において、基体から剥がれてめっき浴槽内に落下し、これによりめっき液の劣化を招いてしまう。さらには粗化されていない部分に無電解めっきの残渣が残留すると、回路間の絶縁性が損なわれてしまう。また上記特許文献3には、上述したように、その段落0088~0089にレーザーで粗化されていない回路パターンの形成される部分以外に付着したパラジウムを、レーザーの照射と洗浄とによって除去してから、無電解銅めっきを行い、回路パターンの形成される部分にのみ無電解銅めっき皮膜5を形成すると記載されている。このようにレーザーの照射によって、付着したパラジウムを除去すれば、このパラジウムを除去した部分への無電解めっきの形成は回避できるものの、非回路となる部分に付着したパラジウムを除去するために、重ねてレーザーを照射するための手間が必要となる。さらには非回路となる部分にレーザーを照射してパラジウムを除去する際に併せて、この非回路となる部分も粗化されてしまうため、上述したように導電性回路間の絶縁性が低下したり、非めっき面の加飾が必要になったりする場合が生じる。そこで本発明の目的は、レーザービームによって粗化されない非回路となる部分に、無電解めっきが析出することを回避できる成形回路部品の製造方法を提供することにある。本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、パラジウム等の一種類の金属イオンからなるイオン触媒を付与し、これを還元させて触媒核を形成すれば、短波長のレーザービームによって表面改質されない非回路となる部分に残存する触媒核を低減させることが可能となり、これにより非回路となる部分への無電解めっき層の形成を容易に回避できることを見出して、本発明の完成に至った。なおイオン触媒を付与し、これを還元させて触媒核を形成すると、表面改質されない非回路となる部分に残存する触媒核が低減する理由は、現時点では明確に把握していないが、概ね次のように推定される。すなわち短波長のレーザービームを照射された回路となる部分は、表面改質されると共に粗化される。詳述すると、短波長のレーザービームによって基体の表層の分子鎖が切断され、この分子鎖が切断された分子に、レーザービームが空気に接触することによって生成された活性酸素原子が結合して、OH基、COH基、あるいはCOOH基等の酸素に富んだ官能基が生成される。さらに短波長のレーザービームによって基体の表層が粗化されているため、上述した官能基は、粗化された細かい凹部構造の内部に生成される。ここでイオン触媒は、この官能基と電気的に引き合うことによって、基体に吸着すると考えられる。したがってイオン触媒は、この粗化された細かい凹部構造の内部において、官能基と電気的に引き合うことにより、強固に吸着する。また、短波長のレーザービームによって改質された表面は親水性が付与されるため、イオン触媒が付着しやすくなり、改質層の層内への浸透もしやすい。一方短波長のレーザービームが照射されない非回路となる部分は、表面改質も粗化もされないため、上述した官能基は形成されず、さらには粗化された細かい凹部構造も形成されない。よって粗化もされない官能基も形成されない非回路となる部分には、イオン触媒は密着しないと推定される。なお上述した特許文献2、3では、無電解めっき用の触媒については、いずれも基体に核付けを行なうと記載されているのみで、この核付については還元剤によってイオン触媒を還元するとの記載がない。したがって触媒としては、イオン触媒ではなく、錫とパラジウムとがコロイドを形成するセンシタイジング-アクチベータ法やキャタリスト-アクセレータ法を利用していると考えられる。しかるに、これらのコロイド触媒は、パラジウムを囲んでいる錫の効果によって、合成樹脂の表面に付着すると考えられている。このため合成樹脂の種類や表面状態によっては、あるいはフィラーが混合されている場合等では、粗化されない非回路となる部分にも、錫の親和力によってパラジウム触媒が吸着し,レーザー未照射部分にもめっきが析出し易くなると考えられる。なお後述する比較試験の結果から、イオン触媒を使用した場合には、非粗化面には触媒も吸着せず、また無電解めっきも析出しないが、コロイド触媒を使用した場合には、非粗化面には触媒が一部吸着し、また無電解めっきも一部析出することが確認された。そこで本発明による成形回路部品の製造方法の特徴は、合成樹脂の基体を成形する第1の工程と、波長が193~400nmのレーザービームを照射して、この基体の回路となる部分を選択的に表面改質する第2の工程と、この基体を一種類の金属イオンからなるイオン触媒に接触させる第3の工程と、このイオン触媒を還元剤によって金属に還元する第4の工程と、この基体の回路となる部分に無電解めっき層を成形する第5の工程とを備えることにある。ここで合成樹脂は、熱可塑性樹脂が好ましいが、熱硬化性樹脂でもよく、かかる樹脂としては、例えば芳香族系液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、芳香族系ポリアミドであって10Tナイロン、9Tナイロン、6Tナイロン若しくは4Tナイロンのいずれか、ポリフタルアミド、シクロオレフィンコーポリマー、シクロオレフィンポリマー、ポリカーボネート、ポリカーボネートABS、メタクリル、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルファイド、またはポリブタジェンテレフタレートのいずれかが該当する。また合成樹脂には、透明樹脂も含まれる。さらにこれらの合成樹脂に、ガラス繊維、酸化チタン、ボロンナイトライド、酸化亜鉛ウイスカー、チタン酸カリウムウイスカー、タルク、カルシウムまたは酸化アルミナのいずれかを含有させてもよい。基体とは、その表面に導電性回路を形成できる部材を意味し、その形状を問わない。例えばフィルム状のもの、平板状のもの、多角形のブロック状のもの、表面が曲面状のもの、あるいは棒状のものが該当し、複数の部品からなる場合も含む。また基体自体が絶縁性の材料からなる場合に限らず、導電性の部材の表面を絶縁性の材料によって覆ったものも含まれる。波長が193~400nmのレーザービームとしたのは、第1に、可視光線が通過する透明樹脂に対しても、表面改質と粗化とが可能だからである。第2に、基体の表面改質を主目的として、表面の粗化の程度粗度を抑えるためである。すなわちこのような短波長のレーザーは、光エネルギーが高いため、合成樹脂の表面改質には適するが、合成樹脂の表面を熱溶融昇華させる熱的エネルギーは低いため、表面の粗度を抑えることができる。なお逆にレーザーの波長が長いと、合成樹脂の表面を溶融昇華させる熱的エネルギーが高いため粗度が大きくなる一方、光エネルギーが低いため、合成樹脂の表面改質には適さない。本発明において、基体の表面改質を主目的として、表面の粗化の程度粗度を抑えるのは、基体の表面改質によって、無電解めっき層との間で、十分実用性のある密着性を確保でき、さらに表面の粗度を抑えることによって、次の効果が得られるからである。すなわち表面の粗度を抑える、すなわち表面を平坦にすることによって、第1に、基体の表面に導電性回路を形成したときの高周波電気特性を向上させることができる。第2に、例えば搭載するICチップと形成した導電性回路等とを、金線を介して連結する場合のワイヤボンダビリティを向上させることができる。さらに第3に、例えばLED素子を搭載した電灯の反射板を形成した場合に、光の反射性能を向上させることができる。一種類の金属イオンからなるイオン触媒とは、パラジウムや銅等の一種類の金属イオンの溶液を意味している。すなわち他の無電解めっき用の触媒付与手段であるセンシタイジング-アクチベータ法やキャタリスト-アクセレータ法では、いずれも触媒付与の際に、錫とパラジウムとがコロイドを形成するが、一種類の金属イオンからなるイオン触媒では、錫は含まれず、パラジウムや銅等のイオンがコロイドを形成しない点で、全く相異する。なお本発明では酸性のイオン触媒を意味しているが、アルカリ性のイオン触媒であってもよい。またイオン触媒に接触とは、パラジウムイオン等を含む水溶液に基体を浸漬する場合に限らず、パラジウムイオン等を含む水溶液を基体に噴霧等する場合も含む。イオン触媒を還元剤によって金属に還元することを必須条件にするのは、基体に付着したイオン触媒を金属に還元することによって、無電解めっき用の金属を析出させる金属核を形成するためである。ここで還元剤は、例えば水素化ホウ素ナトリュウム、ジメチルアミンボラン、ヒドラジン、次亜リン酸ナトリウム、またはホルムアルデヒドが該当し、含有率が0.01~100g/リットルの水溶液であることが望ましい。なお含有率が0.5~30g/リットルにすることがより望ましく、さらに望ましくは1.0~10g/リットルとする。ここで含有率が0.01g/リットル未満では、イオン触媒を還元する時間が長くなり、逆に100g/リットルを超えても、イオン触媒を還元する時間には余り変化がないため、余分な還元剤の使用が無駄になるからである。無電解めっき層には、例えば無電解銅めっき層、無電解ニッケルめっき層、無電解金めっき層、及びこれらの金属の合金めっき層が該当し、1つの無電解めっき層の表面、他のめっき金属からなる無電解めっき層を積層する場合も含む。さて上記イオン触媒は、酸性の水溶液、例えば塩酸や硫酸の水溶液pH1.5~2.5によってイオン濃度を10~180ppmに希釈したものであることが望ましい。あるいはアルカリ性の水溶液、たとえば苛性ソーダや苛性カリの水溶液pH10~11によって、イオン濃度を10~180ppmに希釈してもよい。イオン濃度を希釈すると、レーザービームを照射されず粗化されていない非回路となる部分に、イオン触媒がより付着し難くなって、非回路となる部分に無電解めっきが析出し難くなるからである。さらにイオン濃度を希釈することによって、パラジウム等の貴金属の省資源化を図ることができる。ここでイオン濃度を10~180ppmとしたのは、10ppm未満では、レーザービームの照射によって粗化した回路となる部分に、所定の厚さの無電解めっき層を形成する時間が長くなるからであり、逆に180ppmを超えると、非回路となる部分に無電解めっきが析出し易くなるからである。また上記基体の非回路となる部分に残存する析出反応初期段階の無電解めっきの残滓を、薬品によって除去する第6の工程を備えることが、より望ましい。非回路となる部分に残存する析出反応初期段階の無電解めっきを、より確実に除去できるからである。なお薬品としては、例えば過硫酸塩水溶液、硝酸水溶液,硫酸過酸化水素水溶液,および回路エッチングなどに用いられる塩化第二鉄液,塩化第二銅液などが使用できる。さらに上記選択的に粗化した表面は、平均粗さがRz150μmを超えないことが望ましい。これにより基体の表面の平坦性をある程度確保して、上述した作用効果が得られるからである。上記回路となる部分の無電解めっき層の表面に第2の金属層を設けることが望ましい。ここで第2の金属層とは、上記無電解めっき層とはめっき金属が異なる無電解めっき、あるいは電解めっきが該当する。最初の無電解めっき層に、めっき金属が異なる無電解めっきを積層することによって、めっき層の耐久性や耐熱性等を向上させることができ、あるいは電解めっきを積層することによって、厚いめっき層を迅速に形成することが可能となる。非回路となる部分は、レーザービームを照射しないため粗化されない。したがって疎水性が保持され、多湿下においても回路間の絶縁性が確保できる。また加飾の必要性がなくなる。回路となる部分に、波長が193~400nmと短いレーザービームを照射することによって、この回路となる部分の表層を十分改質できる一方、表面の粗度を抑えることができる。この表層改質によって回路となる部分と無電解めっき層との密着性を確保しつつ、表面の粗度を抑えることによって、透明樹脂への適用が可能となり、さらには高周波電気特性、ワイヤボンダビリティ、及び光の反射性能を向上させることができる。一種類の金属のイオン触媒を使用することによって、レーザービームが照射されず粗化されていない非回路となる部分に、触媒核が吸着することを回避でき、これにより非回路となる部分への無電解めっき層の形成を容易に回避できる。またイオン触媒を希薄することによって、レーザービームを照射されず粗化されていない非回路となる部分に、無電解めっきが、さらに析出し難くすることができ、またパラジウム等の貴金属の省資源化を図ることができる。また薬品によって、基体の非回路となる部分に残存する析出反応初期段階の無電解めっきの残滓を除去することによって、仮に無電解めっきの残滓が生じた場合であっても、この残滓を確実に除去できる。さらに回路となる部分の無電解めっき層の表面に第2の金属層を設けることによって、めっき層の耐久性や耐熱性等を向上させることができ、あるいは厚いめっき層を迅速に形成することが可能となる。図1を参照しつつ、本発明による成形回路部品の製造方法の1例を説明する。さて図1に示すように、本発明による成形回路部品の製造方法は、第1工程~第6工程を備えているA~F。第1工程Aにおいては、シクロオレフィンコーポリマーCOC例えばポリプラスチックス株式会社の製品TOPAS6013を射出成形して、ブロック状の基体1を形成する。次に第2工程Bにおいて、基体1の回路となる部分11に、レーザービーム2を照射して、表面を改質すると共に粗化する。レーザービーム2は、株式会社ファインデバイスの製品MWL-WS05Tを使用し、Z軸固定で、XY座標移動テーブル上にワークを固定して照射する。なおレーザービーム2は、波長355nmの第3高調波を使用し、出力を0.6Wの100、移動テーブルの走査速度を100mm/秒、及びパルス周波数を20KHzに設定して、1回だけ走査する。またこのレーザービーム2の照射によって、回路となる部分11に官能基が生成されると共に、表面の阻度が10点平均で115μm程度に粗化される。つぎに図示していないが、粗化面に触媒が吸着しやすいように、基体1をアルカリ洗浄し、さらに表面を活性化する。ここでアルカリ洗浄は、例えば温度が50°Cで濃度が50g/リットルの水酸化ナトリウムの水溶液に、基体1を5分間浸漬して行なう。次いで活性化は、例えば温度を25°Cに設定した界面活性剤例えば荏原ユージライト株式会社の製品PB-119Sを50cc/リットルに希釈した水溶液に、基体1を5分間浸漬して行なう。さて第3工程Cにおいて、パラジウムイオン触媒例えば荏原ユージライト株式会社の製品ACT-Sを、濃度0.06の塩酸の水溶液pH2.0によって180ppmのイオン濃度に希釈して、温度を25°Cに設定したイオン触媒液に、上記活性化した基体1を2分間浸漬して、レーザービーム2を照射した回路となる部分11にパラジウムイオン触媒を吸着させる。なおパラジウムイオン触媒例えばアトテックジャパン株式会社の製品ネオガント834を、例えば苛性ソーダの水溶液pH10.5によって180ppmのイオン濃度に希釈し、温度を40°Cに設定して、上記活性化した基体1を5分間浸漬してもよい。レーザービーム2を照射した回路となる部分11は、上述したように表面改質されて官能基が生成されているため、パラジウムイオン触媒が、改質層内に入り込んで官能基と反応して、この改質層内に強固に定着する。ただしレーザービームによって粗化されていない非回路となる部分12には、パラジウムイオン触媒は吸着されない。次いで第4工程Dにおいて、温度が25°C、濃度が1.5g/リットルの水素化ホウ素ナトリウムの水溶液に、基体1を浸漬して、吸着させたパラジウムイオン触媒を、パラジウム金属に還元する。上述したようにパラジウムイオン触媒は、レーザービーム2を照射して表面改質された改質層内に強固に定着しているため、還元されたパラジウム金属も、改質層内に強固に吸着する。ただしレーザービームによって粗化されていない非回路となる部分12には、パラジウムイオン触媒は吸着されないため、この非回路となる部分には、パラジウム金属が定着しない。なおここで図示していないが、パラジウム金属が吸着した基体1を、上述した界面活性剤の水溶液に浸漬する工程を入れてもよい。吸着したパラジウム金属の表面を、酸化層等を除去して活性化し、次の無電解めっき層の析出を促進するためである。次に第5工程Eにおいて、基体1を無電解銅ニッケルめっき液に浸漬して、改質層内で強固に定着したパラジウム金属を核として銅ニッケル合金を析出させ、回路となる部分11に無電解銅ニッケルめっき層3を成形する。なお、この銅ニッケル合金は、銅、ニッケル及びリンを、それぞれ92.3重量、7.0重量、及び0.7重量含有する合金アロイである。具体的には、液温を50°Cに設定した無電解銅ニッケルめっき液例えば荏原ユージライト株式会社の製品AISL-570に、基体1を15分間程度浸漬する。これにより、厚さ0.5~0.6μmの無電解銅ニッケルめっき層3が成形される。ここで非回路となる部分12に、析出反応初期段階の無電解銅ニッケルめっきの残滓が残存する場合には、第6工程Fとして、温度40°Cに設定した、濃度10g/リットルの過硫酸の水溶液に、基体1を20秒前後浸漬すれば、この残存する無電解銅ニッケルめっきの残滓を、完全に除去することができる。さて図2を参照しつつ、本発明による成形回路部品の他の製造方法を説明する。図2に示すこの製造方法の工程A~Fまでは、上述した図1に示す工程A~Fまでと同じであって、最後の工程Gが追加されている点のみが相異する。なお参照等の便宜を図るため、図1に示す部品や部位と同等なものは、図2において、図1に示す部品番号に一律100を加えた部品番号にしてある。さて図示していないが、最後の工程Gの前工程として、下地めっきの応力緩和と水分除去のために、基体101を140°Cの雰囲気において60分間程度加温する熱処理を行なう。次に工程Gにおいて、無電解銅ニッケルめっき層103に上に、電解銅めっき層104を積層する。この電解銅めっき層104の形成は、公知の手段を使用できるが、例えばCuSO45H2O75g/lH2SO4190g/lCl60ppm/添加剤適量の浴組成を使用し、陽極材料を含リン銅として、浴温度を25°Cに設定し、陰極電流密度を2.5A/dm2とする。シクロオレフィンコーポリマーCOCポリプラスチック株式会社の製品TOPAS6013を射出成形して、ブロック状の基体1を形成した。次いで基体1の回路となる部分11に、レーザービーム2を選択的に照射して、表面を改質すると共に粗化した。レーザービーム2は、波長355nmの第3高調波を使用し、出力を1.2Wの100、移動テーブルの走査速度を100mm/秒、及びパルス周波数を20KHzに設定して、1回だけ走査した。これにより表面の阻度が10点平均で113μmに粗化できることを確認した。次に基体1をアルカリ洗浄し、さらに表面を活性化した。ここでアルカリ洗浄は、温度が50°Cで濃度が50g/リットルの水酸化ナトリムの水溶液に、基体1を5分間浸漬して行なった。活性化は、界面活性剤荏原ユージライト株式会社の製品PB-119Sを50cc/リットルに希釈して、温度を25°Cに設定した水溶液に、基体1を5分間浸漬して行なった。次にパラジウムイオン触媒荏原ユージライト株式会社の製品ACT-Sを、濃度0.06の塩酸の水溶液pH2.0によって50ppmのイオン濃度に希釈し、温度を25°Cに設定して、活性化した基体1を2分間浸漬した。次いで温度が25°C、濃度が1.5g/リットルの水素化ホウ素ナトリウムの水溶液に、基体1を浸漬して、吸着させたパラジウムイオン触媒を、パラジウム金属に還元した。このときレーザービームによって粗化されていない非回路となる部分12には、パラジウム金属が定着しないことを確認した。なおここでパラジウム金属が吸着した基体1を、上述した界面活性剤を用いて活性化処理した。次に基体1を無電解銅ニッケル液に浸漬して、吸着したパラジウム金属を核として銅ニッケル合金を析出させ、回路となる部分11に無電解銅めっき層3を成形した。具体的には、液温を50°Cに設定した無電解銅ニッケルめっき液荏原ユージライト株式会社の製品AISL-570に基体1を15分間程度浸漬する。最後に基体1を、175°Cの雰囲気において60分間加熱処理して、無電解銅ニッケルめっき層3を粗化面に十分密着させた。無電解銅ニッケルめっき層3の厚さは0.5~0.6μmであり、この無電解銅ニッケルめっき層に電解銅めっき層を25μm積層した時の密着強度は、1.10N/mmであっためっきの密着性試験:JISH8504による。。なお非回路となる部分には、無電解銅めっきの残渣等は発見できなかった。シクロオレフィンポリマーCOP株式会社日本ゼオンの製品ゼオネックス480Rを射出成形して、ブロック状の基体1を形成した。次いで基体1の回路となる部分11に、実施例1と同様に、レーザービーム2を選択的に照射して、表面を改質すると共に粗化した。レーザービーム2は、波長355nmの第3高調波を使用し、出力を1.2Wの100、走査速度を100mm/秒、及びパルス周波数を20KHzに設定して、1回だけ走査した。これにより表面の阻度が10点平均で100μmに粗化できることを確認した。次に基体1を、実施例1と同等の手段によりアルカリ洗浄して表面を活性化し、パラジウムイオン触媒を吸着させた後に、パラジウム金属に還元した。このとき非回路となる部分12には、パラジウム金属が定着しないことを確認した。なおここでパラジウム金属が吸着した基体1を、実施例1と同等の界面活性剤を用いて活性化処理した。次に基体1の回路となる部分11に、実施例1と同等の手順により無電解銅ニッケルめっき層3を成形した。最後に実施例1と同等に、基体1を、175°Cの雰囲気において60分間加熱処理して、無電解めっき層3を粗化面に十分密着させた。無電解銅ニッケルめっき層3の厚さは0.5~0.6μmであり、この無電解銅ニッケルめっき層に電解銅めっき層を25μm積層した時の密着強度は、1.12N/mmであっためっきの密着性試験:JISH8504による。。なお非回路となる部分には、無電解銅めっきの残渣等は発見できなかった。比較のため、上述したアルカリ洗浄して表面を活性化した基体1に、従来のコロイド触媒を付与した後、実施例1と同様の無電解銅めっき液に浸漬して、照射面と非照射面とについて、無電解銅めっき層の形成状態を調べた。従来のコロイド触媒を付与した場合には、照射面だけでなく、非照射面においても、無電解銅めっき層の形成が確認された。シクロオレフィンコーポリマーCOCポリプラスチック株式会社の製品TOPAS6013を射出成形して、ブロック状の基体1を形成した。次いで基体1の回路となる部分11に、レーザービーム2を選択的に照射して、表面を改質すると共に粗化した。レーザービーム2は、波長355nmの第3高調波を使用し、出力を1.2Wの100、移動テーブルの走査速度を100mm/秒、及びパルス周波数を20KHzに設定して、1回だけ走査した。これにより表面の阻度が10点平均で113μmに粗化できることを確認した。次に基体1をアルカリ洗浄し、さらに表面を活性化した。ここでアルカリ洗浄は、温度が50°Cで濃度が50g/リットルの水酸化ナトリムの水溶液に、基体1を5分間浸漬して行なった。次にアルカリ性パラジウムイオン触媒アトテックジャパン株式会社の製品ネオガント834を、苛性ソーダの水溶液pH10.5によって180ppmのイオン濃度に希釈し、温度を40°Cに設定して、上記活性化した基体1を5分間浸漬した。無電解銅めっき層3の厚さは0.5~0.6μmであり、この無電解めっき層の密着強度は、1.0Nmmであっためっき密着性試験:JISSH8504による。なお非回路となる部分には、無電解銅めっきの残渣等は発見できなかった。"