"絶縁性を有する透明基体内に導電性材料からなる2次元網目状の導電ネットワーク構造を有する透明導電膜の少なくとも一部に火花放電処理を施すことにより、前記導電性材料を除去することを特徴とする絶縁部形成方法。絶縁基板上に、透明導電パターンが形成された表示領域と、配線ラインが形成された配線領域とを備え、前記透明導電パターンに、絶縁性を有する透明基体内に導電性材料からなる2次元網目状の導電ネットワーク構造を有する導電部と、前記透明基体内の前記導電性材料が除去されて形成された絶縁部とが設けられた導電パターン形成基板を製造する方法であって、絶縁基板上の前記表示領域及び前記配線領域に、透明基体内に前記導電ネットワーク構造を有する透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、前記透明導電膜上の表示領域に対応する部分にマスク手段により被覆して保護し、前記透明導電膜のうち配線領域に対応する部分の導電性材料を除去して絶縁化する絶縁化工程と、前記透明導電膜のうち表示領域に対応する部分の導電性材料を所定のパターンで除去して、前記透明導電パターンを得る導電パターン形成工程と、前記配線領域の絶縁基板上に、前記透明導電パターンの導電部に電気的に接続する配線ラインを形成する配線ライン形成工程とを有し、前記絶縁化工程および前記導電パターン形成工程の少なくとも一方は、請求項1に記載の絶縁部形成方法により、透明導電膜に含まれる導電性材料を除去することを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。前記導電パターン形成工程では、前記透明導電膜のうち表示領域に対応する部分に所定のパターンでレーザ光を照射することにより、導電性材料を除去することを特徴とする請求項2に記載の導電パターン形成基板の製造方法。前記導電パターン形成工程では、前記透明導電膜のうち表示領域に対応する部分に所定のパターンで火花放電処理を施すことにより、導電性材料を除去することを特徴とする請求項2に記載の導電パターン形成基板の製造方法。少なくとも前記透明導電パターン上に、絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を有することを特徴とする請求項2~4のいずれか1項に記載の導電パターン形成基板の製造方法。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、配線領域の絶縁化に手間がかからず製造が容易であり、表示領域においては視認されにくい高品位な透明導電パターンを形成できるとともに、該透明導電パターンの絶縁部の絶縁性を充分に確保できる絶縁部形成方法および導電パターン形成基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、以下の態様を有する。[1]絶縁性を有する透明基体内に導電性材料からなる2次元網目状の導電ネットワーク構造を有する透明導電膜の少なくとも一部に火花放電処理を施すことにより、前記導電性材料を除去することを特徴とする絶縁部形成方法。[2]絶縁基板上に、透明導電パターンが形成された表示領域と、配線ラインが形成された配線領域とを備え、前記透明導電パターンに、絶縁性を有する透明基体内に導電性材料からなる2次元網目状の導電ネットワーク構造を有する導電部と、前記透明基体内の前記導電性材料が除去されて形成された絶縁部とが設けられた導電パターン形成基板を製造する方法であって、絶縁基板上の前記表示領域及び前記配線領域に、透明基体内に前記導電ネットワーク構造を有する透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、前記透明導電膜上の表示領域に対応する部分にマスク手段により被覆して保護し、前記透明導電膜のうち配線領域に対応する部分の導電性材料を除去して絶縁化する絶縁化工程と、前記透明導電膜のうち表示領域に対応する部分の導電性材料を所定のパターンで除去して、前記透明導電パターンを得る導電パターン形成工程と、前記配線領域の絶縁基板上に、前記透明導電パターンの導電部に電気的に接続する配線ラインを形成する配線ライン形成工程とを有し、前記絶縁化工程および前記導電パターン形成工程の少なくとも一方は、[1]に記載の絶縁部形成方法により、透明導電膜に含まれる導電性材料を除去することを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。[3]前記導電パターン形成工程では、前記透明導電膜のうち表示領域に対応する部分に所定のパターンでレーザ光を照射することにより、導電性材料を除去することを特徴とする[2]に記載の導電パターン形成基板の製造方法。[4]前記導電パターン形成工程では、前記透明導電膜のうち表示領域に対応する部分に所定のパターンで火花放電処理を施すことにより、導電性材料を除去することを特徴とする[2]に記載の導電パターン形成基板の製造方法。[5]少なくとも前記透明導電パターン上に、絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を有することを特徴とする[2]~[4]のいずれか1項に記載の導電パターン形成基板の製造方法。本発明の絶縁部形成方法および導電パターン形成基板の製造方法によれば、配線領域の絶縁化に手間がかからず製造が容易であり、表示領域においては視認されにくい高品位な透明導電パターンを形成できるとともに、該透明導電パターンの絶縁部の絶縁性を充分に確保できる。<第1実施形態>導電パターン形成基板以下、本発明の第1実施形態に係る導電パターン形成基板の製造方法により作製される導電パターン形成基板10について、図1~図6を参照して説明する。図1に示すように、導電パターン形成基板10は、透明な絶縁基板11上に、透明導電パターン12が形成される画像表示領域表示領域13と、配線ライン14が形成される低抵抗配線パターン形成領域配線領域15とを備えている。画像表示領域13は、透明であり且つタッチパネルの操作者から視認可能とされ、低抵抗配線パターン形成領域15は、装飾パネル枠等に覆われて操作者からは視認不能とされる。なお、本発明において、透明とは、50以上の光線透過率を有することを意味する。また、絶縁とは、電気抵抗値が1MΩ以上、好ましくは10MΩ以上のことであり、導電とは、電気抵抗値が1MΩ未満であることを意味する。絶縁基板11としては、絶縁性を有するとともに、表面に透明導電パターン12を形成でき、かつ、後述するレーザ加工において外観変化の生じにくいものを用いることが好ましい。具体的には、例えば、ガラス、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートPETを代表とするポリエステル、アクリロニトリルブタジエンスチレン共重合樹脂ABS樹脂などの絶縁性材料により構成された基板が挙げられる。また、絶縁基板11の形状としては、用途により、板状のもの、可撓性を有するフィルム状のもの、立体的3次元に成型された成型品等を用いることができる。この導電パターン形成基板10を透明タッチパネルに使用する場合、絶縁基板11として、ガラス板やPETフィルム等を用いることが好ましい。また、導電パターン形成基板10を、自動車のハンドル等に付随する静電容量入力装置など、静電容量センサ等に必要な電極として使用する場合、絶縁基板11として、ABS樹脂などからなる成型品、或いはこれにフィルムのラミネートや転写などで加飾層を設けた加飾成型品等を用いることが好ましい。導電パターン形成基板10を、押圧により上下2枚の電極膜導電パターン12を接触導通させるメンブレン入力などの透明タッチパネルとして利用する場合、入力者側の絶縁基板11としては、入力者側からの外力に対して可撓しやすいもの例えば透明樹脂フィルムを用いることが好ましい。また、入力者側とは反対の画像表示装置側の絶縁基板11としては、ドットスペーサを介して導電パターン形成基板10を支持しやすい所定以上例えば入力者側の絶縁基板11と同等以上の剛性を有するものを用いることが好ましい。透明導電パターン12には、導電部Cと第1絶縁部I1とが設けられている。図2に示すように、導電部Cは、絶縁性を有する透明基体2内に導電性極細繊維導電性材料4からなる2次元網目状の導電ネットワーク構造3を有する。導電性極細繊維4同士は、絶縁基板11の表面透明導電パターン12が形成される面の面方向に沿って互いに異なる向きに不規則に存在しているとともに、その少なくとも一部が互いに接触し合う程度に密集して2次元網目状に配置されている。このような配置によって導電性極細繊維4同士が互いに電気的に接続されることで、導電ネットワーク構造3を形成し、導電部Cとなっている。また、導電性極細繊維4は、その大部分が透明基体2内に埋設されているが、一部は、透明導電パターン12の絶縁基板11とは反対側の表面から突出している。導電性極細繊維4としては、銅、白金、金、銀、ニッケル等からなる金属ナノワイヤや金属ナノチューブ、シリコンナノワイヤやシリコンナノチューブ、金属酸化物ナノチューブ、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、グラファイトフィブリル等の繊維状部材及びその金属被覆部材が挙げられる。これらのなかでも、透明性および導電性の点から、銀を主成分とする金属ナノワイヤ銀ナノワイヤが好ましい。導電性極細繊維4は、その直径が0.3~100nm、長さが1μm~100μmであることが好ましい。透明基体2は、絶縁基板11上に分散配置された導電性極細繊維4同士の間に、透明基体2を形成する樹脂を充填した後、硬化させることで形成されている。透明基体2を形成する樹脂としては、透明な熱可塑性樹脂ポリ塩化ビニル、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ニトロセルロース、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、フッ化ビニリデン、熱や紫外線や電子線や放射線で硬化する透明な硬化性樹脂メラミンアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル変性シリケートなどのシリコーン樹脂が挙げられる。第1絶縁部I1は、導電ネットワーク構造3の導電性極細繊維4の少なくとも一部が除去されることにより形成されている。図3に示すように、導電ネットワーク構造3の導電性極細繊維4が除去されることにより空隙5が形成される。この空隙5は、蒸発除去された導電性極細繊維4の配置されていた位置に対応するように配置され、該導電性極細繊維4の直径と略同等の直径内径を有し、該導電性極細繊維4の長さ以下に形成されている。このような空隙5が密集して形成された部分では導電ネットワーク構造が分断しているため、第1絶縁部I1となる。なお、第1絶縁部I1においては、導電性極細繊維4が除去されているため、導電部Cと化学的組成が異なっている。しかし、第1絶縁部I1と導電部Cとは、光学的な特性がほぼ同等であるため、見分けることは困難である。低抵抗配線パターン形成領域15においては、絶縁基板11上に第2絶縁部I2を有し、第2絶縁部I2上に配線ライン14が形成されている。第2絶縁部I2は、第1絶縁部I1と同様に、透明基体2内の導電ネットワーク構造3の導電性極細繊維4の少なくとも一部が除去されて形成されている。すなわち、第2絶縁部I2においても、図3に示すように、導電性極細繊維の存在していた部分が空隙5になっている。配線ライン14としては、AgやCuからなる導電性金属材料を主成分として含み、該導電性金属材料がバインダ樹脂で結着されたものが挙げられる。導電パターン形成基板の製造方法次に、本実施形態の導電パターン形成基板10の製造方法について、図4~図6を用いて説明する。なお、図4及び図5は、図1のX-X断面における製造工程を示すものである。本実施形態の導電パターン形成基板10の製造方法は、透明導電膜形成工程と絶縁化工程と導電パターン形成工程と配線ライン形成工程と絶縁膜形成工程とを、その順に有する。[透明導電膜形成工程]透明導電膜形成工程では、図4aに示すように、絶縁基板11上の画像表示領域13及び低抵抗配線パターン形成領域15に、透明基体2内に導電ネットワーク構造3が設けられた透明導電膜aを形成して、導電性基板20を作製する。透明導電膜aは、例えば、絶縁基板11上に導電性極細繊維4を含むインクを塗布し、次いで、透明基体2を形成する樹脂を充填し、硬化することによって形成できる。[絶縁化工程]本実施形態における絶縁化工程では、火花放電処理装置として、金属ワイヤまたは金属棒からなる放電電極31と、放電電極31に対向すると共に放電電極31に対して垂直方向に相対的に移動可能な導電性ベース32と、導電性ベース32上に配置され、樹脂等の絶縁性材料からなる絶縁板33と、放電電極31に接続された電源34とを備えたものを用いる。上記火花放電処理装置を用いた絶縁化工程では、まず、絶縁板33の上に導電性基板20を、透明導電膜aが放電電極31側に位置するように配置する。次いで、図4bに示すように、透明導電膜a上の画像表示領域13に対応する部分に、マスク手段50を設けると共に、マスク手段50の導電性基板20側の面に導電体51を設ける。ここで、マスク手段50としては、レジスト膜または樹脂板等の絶縁体を用いることができ、導電体51としては、金属箔等を用いることができる。次いで、導電性ベース32を放電電極31に対して垂直方向に相対的に移動させながら、電源34によって放電電極31に電圧を印加する。その際、放電電極31と絶縁板33との間にコロナが発生し、さらにコロナの中に火花が観察されるように電圧、電流の少なくとも一方を調整する。これにより、透明導電膜aのうち低抵抗配線パターン形成領域15に対応する部分に火花放電処理を施す。透明導電膜aに火花放電処理を施すことにより、透明基体2内の導電ネットワーク構造3の導電性極細繊維4を除去して空隙5を形成する。これにより、透明導電膜aのうち低抵抗配線パターン形成領域15に対応する部分を絶縁化して、第2絶縁部I2を形成する。その後、図4cに示すように、マスク手段50および導電体51を除去する。火花放電処理において、放電電極31に印加する電圧は、放電電極31と導電性ベース32との距離、絶縁板33の厚みおよび誘電率に応じて決定される。電流は、放電電極31の長さ300mmあたり0.1~2.0Aであることが好ましく、0.3~1.0Aであることがより好ましい。また、放電電極31と透明導電膜aとの距離は1~10mmであることが好ましく、3~7mmであることがより好ましい。また、火花放電処理の際の導電性ベース32の移動速度は0.1~20m/分にすることが好ましく、2~10m/分にすることがより好ましい。移動速度を前記下限値以上にすれば、絶縁化に要する時間を短くでき、前記上限値以下にすれば、確実に絶縁化できる。導電パターン形成工程導電パターン形成工程では、図5aに示すように、透明導電膜aのうち画像表示領域13に対応する部分に所定のパターンでレーザ光Lを照射することにより、透明基体2内の導電ネットワーク構造3の導電性極細繊維4が除去された空隙5を形成して第1絶縁部I1を形成する。これにより、第1絶縁部I1と、第1絶縁部I1以外の部分である導電部Cとを備えた透明導電パターン12を形成する。なお、図1においては、X-X断面における第1絶縁部I1の記載を省略しているが、実際には、図1の矩形状をなす導電部C内に、該導電部Cを分割するように、第1絶縁部I1が例えば線状に延びて形成されており、これにより、隣り合う導電部C同士は互いに電気的に絶縁されている。ここで、レーザ光Lを照射する製造装置40及びレーザ光Lの照射方法について、図6を参照して詳述する。本実施形態では、画像表示領域13の透明導電膜aに、パルス状レーザであるレーザ光Lを所定のパターンで照射する方法を用いている。レーザ光Lは、YAGやYVO4等のパルス状レーザ光、炭酸ガスレーザ等の連続発振レーザ光が挙げられる。中でも、簡便であることから、YAGやYVO4等の波長1064nmもしくはその2次高調波を使用した532nmのパルス状レーザ光が好ましい。図6に示すように、本実施形態の導電パターン形成基板10の製造に用いられる製造装置40は、レーザ光Lを発生させるレーザ光発生手段41と、レーザ光Lを集光する集光手段である凸レンズ等の集光レンズ42と、上面に透明導電膜aが形成された絶縁基板11を載置するステージ43と、を備えている。そして、レーザ光発生手段41から集光レンズ42を介して透明導電膜aにレーザ光Lを照射して、該透明導電膜aに第1絶縁部I1を形成するとともに導電パターンを形成する。この製造装置40におけるレーザ光発生手段41としては、波長2μm未満でパルス幅が200n秒未満のレーザ光可視光または赤外線のレーザ光を発生させるものが使用されることが好ましい。レーザ光Lのパルス幅が1~200n秒のものを用いた場合、装置入手が容易であるとともに設備費用を低減でき、好ましい。集光レンズ42の焦点Fは、図示例のように、透明導電膜aと集光レンズ42との間に位置してもよいし、透明導電膜aの表面に位置してもよい。集光レンズ42としては、低い開口数NA<0.1のものが好ましい。すなわち、集光レンズ42の開口数がNA<0.1とされることにより、レーザ光Lの照射条件設定が容易となり、特にレーザ光Lの焦点Fが透明導電膜aと集光レンズ42との間に位置することによる、該焦点Fにおける空気のプラズマ化に伴うエネルギ損失とレーザ光Lの拡散を防止することができる。また、ステージ43は、水平方向に2次元的に移動可能に構成されている。ステージ43は、少なくとも上面側が透明な部材または光線吸収性を有する部材で構成されていることが好ましい。ステージ43は、絶縁基板11が透明でレーザ光Lの出力が1Wを超える場合、ナイロン系若しくはフッ素系の樹脂材料、又は、シリコーンゴム系の高分子材料を用いることが好ましい。上記製造装置40を用いて、透明導電膜aにレーザ光Lを照射する具体的方法は、下記のとおりである。まず、ステージ43の上面に、絶縁基板11を、透明導電膜aが該絶縁基板11の上側に配置されるように載置する。ここで、絶縁基板11と透明導電膜aの透明基体2とは、互いに同一材料又は同一系統の樹脂材料からなるものを用いることが好ましい。詳しくは、例えば絶縁基板11がポリエチレンテレフタレートフィルムの場合、透明基体2にはポリエステル系樹脂を使用することが好ましい。次いで、レーザ光発生手段41よりレーザ光Lを出射させ、レーザ光Lを集光レンズ42により集光する。その集光したレーザ光Lの、焦点Fを過ぎてスポット径が広がった部分を透明導電膜aに照射する。その際、ステージ43を、レーザ光Lの照射が所定のパターンになるように移動させる。透明導電膜aに照射するレーザ光Lのエネルギ密度及び単位面積あたりの照射エネルギは、レーザのパルス幅により異なる。例えば、パルス幅が1~100n秒のレーザYAGレーザ又はYVO4レーザでは、パルスエネルギ密度1×1011~1×1013W/m2、単位面積あたりの照射エネルギは1×104~1×106J/m2が好ましい。より好ましくは1×105~3×105J/m2である。エネルギ密度照射エネルギが上記数値範囲よりも小さな値に設定された場合、第1絶縁部I1の絶縁が不充分になるおそれがある。また、上記数値範囲よりも大きな値に設定された場合、加工痕が目立つようになり、透明タッチパネルや透明電磁波シールドなどの用途では不適当となるおそれがある。また、これらの値は、加工エリアにおけるレーザビームの出力値を、加工エリアの集光スポット面積で除することにより定義されており、簡便には、出力はレーザ発振機からの出力値に光学系の損失係数を掛けることで求められる。また、スポット径面積Sは、下記式により定義される。S=S0×D/FLS0:レンズで集光されるレーザのビーム面積FL:レンズの焦点距離D:透明導電膜aの上面と焦点との距離なお、前述した焦点Fは、レンズ等の集光手段42で、収差が充分に小さい場合を例に説明したが、例えば、焦点距離の短い球面レンズや、保護ガラスなどの収差が大きくなる要素が存在する場合には、前記焦点Fは、集光点のエネルギ密度が最も高くなる位置と定義される。ここで、距離Dは、焦点距離FLの0.2~3の範囲内に設定される。好ましくは、距離Dは、焦点距離FLの0.5~2の範囲内に設定される。さらに望ましくは、距離Dは、焦点距離FLの0.7~1.5の範囲内に設定される。距離Dが上記数値範囲に設定されることにより、導電性極細繊維4を除去して空隙5を確実に形成できるとともに電気的に高い信頼性を有する絶縁パターンを形成でき、かつ、絶縁基板11の損傷に起因する加工痕を確実に防止できる。また、精度の高い導電パターンを形成する点では、透明導電膜a上にスポットの位置を移動させながらパルス状のレーザ光Lを断続的に複数回照射することで、隣り合うスポット位置同士に重複する部分を形成することが好ましい。具体的には、断続的に3~500回照射することが好ましく、20~200回照射することがより好ましい。3回以上の照射であれば、より確実に絶縁化でき、500回以下であれば、レーザ光Lが照射された透明基体2部分の溶解又は蒸発による除去を防止できる。なお、上記説明においては、XYステージなどの移動式ステージ43に透明導電膜aを有する絶縁基板11を載せてパターニングを行うこととしたが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば、透明導電膜aを有する絶縁基板11を固定状態とし、集光系部材を相対的に移動させる方法、ガルバノミラー等を用いてレーザ光Lを走査しスキャンする方法、又は、上記したもの同士を組み合わせてパターニングを行うことが可能である。[配線ライン形成工程]画像表示領域13に透明導電パターン12を形成した後は、図5bに示すように、低抵抗配線パターン形成領域15の第2絶縁部I2上に、透明導電パターン12の導電部Cに電気的に接続する前記配線ライン14を形成する。具体的には、配線ライン14は、低抵抗配線パターン形成領域15における第2絶縁部I2上、及び、透明導電パターン12の導電部C上の一部周縁端部に、ペースト状のAgやCuからなる導電性金属材料を印刷又は蒸着して、配線ライン14を形成する。[絶縁膜形成工程]次いで、図5cに示すように、少なくとも透明導電パターン12上に、絶縁性の保護膜絶縁膜16を形成する。図示例では、透明導電パターン12、第2絶縁部I2及び配線ライン14を覆うように絶縁基板11上の全体に、粘着材17を介してPETフィルム18を設けることによって、カバーフィルムとしての保護膜16を形成する。作用効果上記本実施形態に係る導電パターン形成基板10の製造方法では、火花放電処理によって、低抵抗配線パターン形成領域15の透明導電膜aに含まれる導電性極細繊維4を広範囲にわたって迅速に除去できる。そのため、低抵抗配線パターン形成領域15の絶縁化に手間がかからず、導電パターン形成基板10を容易に製造できる。しかも、導電性微細繊維4を除去して空隙5を形成することによって導電ネットワーク構造を分断することによって確実に絶縁性を確保できる。したがって、電気的な信頼性を向上させることができる。また、画像表示領域13における第1絶縁部I1は、導電性材料が除去されて空隙5が形成されている点のみが導電部Cと異なるだけであり、色、透明性、屈折率等の光学特性はほぼ同等である。そのため、第1絶縁部I1と導電部Cとは見分けがつかず、導電パターンが視認されにくく、外観に優れた高品位な導電パターン形成基板となる。また、レーザ光の照射では、幅狭例えば、幅0.2mm未満の第1絶縁部I1を容易に形成できるため、本実施形態では、導電部C同士の間隔を狭くでき、微細なパターンを形成できる。また、配線ライン14を、導電性金属材料の印刷又は蒸着によって形成するため、透明導電パターン12の導電部Cと外部回路とを低抵抗に確実に接続でき、電気的な信頼性を充分に確保できる。また、配線ライン14を目視で確認できるため、製造時の異常等について容易かつ早期に発見できる。また、少なくとも透明導電パターン12上に、絶縁性の保護膜16を形成するため、該透明導電パターン12が外気、水分に接触することを防止でき、水分の接触によるマイグレーションや劣化を抑制できる。さらに、本実施形態のように、保護膜16を絶縁基板11上の全域に設けた場合には、透明導電パターン12のみならず配線ライン14のマイグレーションや劣化をも防止できる。<第2実施形態>次に、本発明の第2実施形態に係る導電パターン形成基板の製造方法について、図7及び図8を参照して説明する。なお、前述の実施形態と同一部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。なお、本実施形態により製造される導電パターン形成基板10の構成については、前述した第1実施形態と同一である。本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法は、絶縁化工程と導電パターン形成工程との順序が第1実施形態とは異なっている。すなわち、第2実施形態の導電パターン形成基板10の製造方法は、透明導電膜形成工程と導電パターン形成工程と絶縁化工程と配線ライン形成工程と絶縁膜形成工程とを、その順に有する。[透明導電膜形成工程]透明導電膜形成工程では、図7aに示すように、まず、絶縁基板11上の画像表示領域13及び低抵抗配線パターン形成領域15に、透明基体2内に導電ネットワーク構造3を有する透明導電膜aを形成して、導電性基板20を作製する。[導電パターン形成工程]導電パターン形成工程では図7bに示すように、透明導電膜aのうち画像表示領域13に対応する部分に所定のパターンでレーザ光Lを照射することにより、第1絶縁部I1と導電部Cとを備えた透明導電パターン12を形成する。[絶縁化工程]絶縁化工程では、第1の実施形態と同様に、まず、図7cに示すように、絶縁板33の上に導電性基板20を配置し、透明導電膜a上の画像表示領域13に対応する部分にマスク手段50および導電体51を設ける。次いで、放電電極31に電圧を印加して、絶縁基板11上の透明導電膜aのうち、低抵抗配線パターン形成領域15に対応する部分に火花放電処理を施す。これにより、低抵抗配線パターン形成領域15に対応する部分を絶縁化して第2絶縁部I2を形成する。その後、図8aに示すように、マスク手段50および導電体51を除去する。[配線ライン形成工程]配線ライン形成工程では、図8bに示すように、低抵抗配線パターン形成領域15の第2絶縁部I2上に、透明導電パターン12の導電部Cに電気的に接続するように前記配線ライン14を形成する。[絶縁膜形成工程]絶縁膜形成工程では、図8cに示すように、少なくとも透明導電パターン12上に、絶縁性の保護膜16を形成する。作用効果本実施形態の導電パターン形成基板10の製造方法により製造された導電パターン形成基板10によれば、第1実施形態と同様に、低抵抗配線パターン形成領域15の絶縁化に手間がかからず、導電パターン形成基板10を容易に製造できる。また、第1絶縁部I1において確実に絶縁性を確保でき、電気的な信頼性を向上させることができる。導電パターンが視認されにくく、外観に優れた高品位な導電パターン形成基板となる。また、導電部C同士の間隔を狭くでき、微細なパターンを形成できる。<第3実施形態>次に、本発明の第3実施形態に係る導電パターン形成基板の製造方法について、図9,10を参照して説明する。なお、前述の実施形態と同一部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。なお、本実施形態により製造される導電パターン形成基板10の構成については、前述した第1実施形態と同一である。本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法は、透明導電膜形成工程と絶縁化工程と配線ライン形成工程と絶縁膜形成工程とを、その順で有する。ただし、絶縁化工程が導電パターン形成工程を兼ねる。すなわち、第1の絶縁部I1と第2の絶縁部I2とを同時に形成する。[透明導電膜形成工程]透明導電膜形成工程では、図9aに示すように、まず、絶縁基板11上の画像表示領域13及び低抵抗配線パターン形成領域15に、透明基体2内に導電ネットワーク構造3を有する透明導電膜aを形成して、導電性基板20を作製する。[絶縁化工程]本実施形態における絶縁化工程では、第1の実施形態と同様に、まず、図9bに示すように、絶縁板33の上に導電性基板20を配置し、透明導電膜a上の、画像表示領域13の導電部とする部分と低抵抗配線パターン形成領域15に対応する部分にマスク手段50および導電体51を設ける。次いで、放電電極31に電圧を印加して、絶縁基板11上の透明導電膜aのうち、低抵抗配線パターン形成領域15に対応する部分に火花放電処理を施す。これにより、低抵抗配線パターン形成領域15に対応する部分を絶縁化して第2絶縁部I2を形成すると共に、画像表示領域13に第1絶縁部I1と導電部Cとを備えた導電パターンを形成する。その後、図9cに示すように、マスク手段50および導電体51を除去する。マスク手段50で被覆した透明導電膜aに火花放電処理を施す方法は、幅狭の第1絶縁部I1の形成にあまり適していない。したがって、本実施形態では、第1絶縁部I1の幅が20mm以上であることが好ましい。[配線ライン形成工程]配線ライン形成工程では、図10aに示すように、低抵抗配線パターン形成領域15の第2絶縁部I2上に、透明導電パターン12の導電部Cに電気的に接続するように前記配線ライン14を形成する。[絶縁膜形成工程]絶縁膜形成工程では、図10bに示すように、少なくとも透明導電パターン12上に、絶縁性の保護膜16を形成する。作用効果本実施形態の導電パターン形成基板10の製造方法によれば、第1および第2実施形態と同様に、低抵抗配線パターン形成領域15の絶縁化に手間がかからず、導電パターン形成基板10を容易に製造できる。また、第1絶縁部I1において確実に絶縁性を確保でき、電気的な信頼性を向上させることができる。導電パターンが視認されにくく、外観に優れた高品位な導電パターン形成基板となる。さらに、本実施形態では、火花放電処理によって、透明導電膜aの、画像表示領域13の第1絶縁部I1とする部分と低抵抗配線パターン形成領域15に対応する部分とを、一括して絶縁化するため、導電パターン形成基板10の生産性を向上させることができる。<他の実施形態>なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。例えば、前述の実施形態では、絶縁基板11が透明であることとしたが、絶縁基板11にある程度の透明性を有した着色が施されていても構わない。また、導電ネットワーク構造3は、透明基体2内に分散されて互いに電気的に連結された複数の導電性極細繊維4からなることとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、導電ネットワーク構造3は、例えば、導電性を有する金属膜をエッチング等により格子状に形成してなるワイヤグリッドであってもよい。また、導電パターン形成基板10には、粘着、反射防止、ハードコート及びドットスペーサなどの機能層を任意で付加することとしてもよい。特に、YAGレーザやYVO4レーザの基本波など波長が1000nm近辺のレーザを用いるとともに、上記機能層として、アクリル系高分子素材を使用する場合には、外観特性の観点から、レーザ照射後に機能層を設けることが好ましい。また、少なくとも透明導電パターン12上を被覆する絶縁膜として、保護膜16を用いることとしたが、絶縁膜は透明導電パターン12及び必要に応じて配線ライン14と外部とを絶縁することができればよいことから、前述した透明導電パターン12を保護する目的に限定されない。すなわち、例えば、この絶縁膜上にさらに他の導電パターンや絶縁基板を積層した構成であっても構わない。その他、本発明の前述の実施形態等で説明した構成要素を、適宜組み合わせても構わない。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、前述の構成要素を周知の構成要素に置き換えることも可能である。実施例1図4aに示すように、厚さ125μmのポリエチレンテレフタレートからなる絶縁基板11上に、銀ナノワイヤを含み、表面抵抗150Ω/□の透明導電膜aを形成して、導電性基板20を作製した。図4bに示すように、厚さ1mmの鏡面ステンレス板からなる導電性ベース32の上に、厚さ5mmのシリコーンゴム板からなる絶縁板33を載せ、その絶縁板33の上に、上記導電性基板20を載せた。次いで、透明導電膜a上の一部に、厚さ2mmのポリ塩化ビニル板からなるマスク手段50を設け、マスク手段50に対して導電性基板20側に、アルミニウム箔からなる導電体51を設けた。次いで、導電性ベース32を移動させることによって導電性基板20を10m/分の速度で移動させながら、電源34によって放電電極31に電圧を印加した周波数60kHz、実行値300V、電流設定値0.6A。これにより、放電電極31と絶縁板33との間に霧状のコロナを発生させ、さらにそのコロナの中に火花を発生させて、露出している透明導電膜aを火花放電処理した。その後、図4cに示すように、マスク手段50および導電体51を除去した。透明導電膜aの、火花放電処理を施した部分の配線ライン間の電気抵抗を市販のデジタルテスターにより調べたところ、10MΩを超えており、絶縁化されていた。実施例2電流の設定値を1.5Aに変更したこと以外は実施例1と同様にして放電電極に電圧を印加したところ、火花放電が生じ、火花放電処理を施した部分は絶縁化されたが、マスク周辺部では透明導電膜の表面が焼け焦げた。比較例1電流の設定値を0.08Aに変更したこと以外は実施例1と同様にして放電電極に電圧を印加したところ、火花放電は生じなかった。導電性基板20の移動速度を1m/分に変更しても同様であった。比較例2電流の設定値を2.1Aに変更したこと以外は実施例1と同様にして放電電極に電圧を印加したところ、マスクを設けなかった部分の全体で、透明導電膜の表面が焼け焦げた。"