"一般式G1で表されるオキサジアゾール誘導体。但し、一般式G1中、R1は、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、R21~R27は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、αは、置換又は無置換の炭素数6~13のアリーレン基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、Zは、硫黄原子又は酸素原子のいずれか一を示す。一般式G2で表されるオキサジアゾール誘導体。但し、一般式G2中、R21~R27は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G2中、α及びβは、それぞれ独立に、置換又は無置換の炭素数6~13のアリーレン基のいずれか一を示す。また、一般式G2中、Zは、硫黄原子又は酸素原子のいずれか一を示す。請求項1または請求項2において、前記一般式G1及び前記一般式G2中のα及びβは、それぞれ独立に、置換又は無置換のフェニレン基、または置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一であるオキサジアゾール誘導体。請求項1または請求項2において、前記一般式G1及び前記一般式G2中のα及びβは、それぞれ独立に、置換又は無置換のフェニレン基のいずれか一であるオキサジアゾール誘導体。請求項1または請求項2において、前記一般式G1及び前記一般式G2中のα及びβは、それぞれ独立に、下記構造式1-1乃至1-15で表される構造のいずれか一であるオキサジアゾール誘導体。一般式G1-1で表されるオキサジアゾール誘導体。但し、一般式G1-1中、R1は、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、R21~R27は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、Zは、硫黄原子又は酸素原子のいずれか一を示す。一般式G2-1で表されるオキサジアゾール誘導体。但し、一般式G2-1中、R21~R27は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G2-1中、Zは、硫黄原子又は酸素原子のいずれか一を示す。請求項1乃至請求項7のいずれか一に記載のオキサジアゾール誘導体を用いた発光素子。請求項8に記載の発光素子を用いた発光装置。請求項9に記載の発光装置を用いた照明装置。請求項9に記載の発光装置を用いた電子機器。励起エネルギーの大きな物質、特に、三重項励起エネルギーの大きな物質として、新規のオキサジアゾール誘導体を提供する。また、電子輸送性の高い新規のオキサジアゾール誘導体を提供する。また、新規のオキサジアゾール誘導体を発光素子に適用することにより、発光素子の素子特性を向上させる。また、消費電力が少なく、駆動電圧の低い発光装置、電子機器、および照明装置を提供する。本発明の一態様は、下記一般式G1で表されるオキサジアゾール誘導体である。但し、一般式G1中、R1は、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、R21~R27は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、αは、置換又は無置換の炭素数6~13のアリーレン基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、Zは、硫黄原子又は酸素原子のいずれか一を示す。また、本発明の別の一態様は、下記一般式G2で表されるオキサジアゾール誘導体である。但し、一般式G2中、R21~R27は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G2中、α及びβは、それぞれ独立に、置換又は無置換の炭素数6~13のアリーレン基のいずれか一を示す。また、一般式G2中、Zは、硫黄原子又は酸素原子のいずれか一を示す。また、本発明の別の一態様は、一般式G1及び一般式G2中のα及びβが、それぞれ独立に、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一であるオキサジアゾール誘導体である。また、本発明の別の一態様は、一般式G1及び一般式G2中のα及びβが、それぞれ独立に、置換又は無置換のフェニレン基のいずれか一であるオキサジアゾール誘導体である。また、本発明の別の一態様は、一般式G1及び一般式G2中のα及びβが、それぞれ独立に、下記構造式1-1乃至1-15で表される構造のいずれか一であるオキサジアゾール誘導体である。また、本発明の別の一態様は、下記一般式G1-1で表されるオキサジアゾール誘導体である。但し、一般式G1-1中、R1は、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、R21~R27は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、Zは、硫黄原子又は酸素原子のいずれか一を示す。また、本発明の別の一態様は、下記一般式G2-1で表されるオキサジアゾール誘導体である。但し、一般式G2-1中、R21~R27は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G2-1中、Zは、硫黄原子又は酸素原子のいずれか一を示す。また、本発明の別の一態様は、一般式G1及び一般式G1-1中のR1は、それぞれ独立に下記構造式2-1乃至2-22で表される構造のいずれか一であるオキサジアゾール誘導体である。また、本発明の別の一態様は、一般式G1、一般式G2、一般式G1-1、及び一般式G2-1中のR21乃至R27は、それぞれ独立に下記構造式3-1乃至3-23で表される構造のいずれか一であるオキサジアゾール誘導体である。また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にEL層を有する発光素子において、上記のオキサジアゾール誘導体をEL層に用いた発光素子である。なお、本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体は大きな励起エネルギーを有するため、EL層に含まれる発光層のホスト材料として最適である。したがって本発明の別の一態様は、一対の電極間にEL層を有する発光素子であって、EL層に含まれる発光層は、本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体と発光物質とを含むことを特徴とする発光素子である。また、本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体は、高い電子輸送性を有することから、発光素子におけるEL層に含まれる電子輸送層の電子輸送性材料としても最適である。また、本発明の別の一態様は、本発明の一態様である発光素子を用いて形成された発光装置である。また、本発明の別の一態様は、本発明の一態様である発光装置を用いて形成された電子機器である。また、本発明の別の一態様は、本発明の一態様である発光装置を用いて形成された照明装置である。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源を指す。また、発光装置にコネクター、例えばFPCFlexibleprintedcircuitもしくはTABTapeAutomatedBondingテープもしくはTCPTapeCarrierPackageが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。本発明の一態様により、励起エネルギーが大きく、特に、三重項励起エネルギーの大きいオキサジアゾール誘導体を提供することができる。また、本発明の一態様により、本発明のオキサジアゾール誘導体を用いて形成された電流効率の高い発光素子を提供することができる。また、本発明の一態様により、該発光素子を適用した消費電力が少なく、駆動電圧の低い発光装置、電子機器、および照明装置を提供することができる。以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態1では、本発明の一態様のオキサジアゾール誘導体について説明する。本発明の一態様に係るオキサジアゾール誘導体は、一般式G1で表されるオキサジアゾール誘導体である。但し、一般式G1中、R1は、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、R21~R27は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、αは、置換又は無置換の炭素数6~13のアリーレン基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、Zは、硫黄原子又は酸素原子のいずれか一を示す。また、本発明の別の一態様にかかるオキサジアゾール誘導体は、下記一般式G2で表されるオキサジアゾール誘導体である。但し、一般式G2中、R21~R27は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G2中、α及びβは、それぞれ独立に、置換又は無置換の炭素数6~13のアリーレン基のいずれか一を示す。また、一般式G2中、Zは、硫黄原子又は酸素原子のいずれか一を示す。また、本発明の別の一態様にかかるオキサジアゾール誘導体は、一般式G1及び一般式G2中のα及びβが、それぞれ独立に、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一である。また、本発明の別の一態様にかかるオキサジアゾール誘導体は、一般式G1及び一般式G2中のα及びβが、それぞれ独立に、置換又は無置換のフェニレン基のいずれか一である。また、一般式G1及び一般式G2において、α及びβで表される具体的な構造としては、例えば下記構造式1-1乃至1-15が挙げられる。また、本発明の別の一態様は、下記一般式G1-1で表されるオキサジアゾール誘導体である。但し、一般式G1-1中、R1は、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、R21~R27は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、Zは、硫黄原子又は酸素原子のいずれか一を示す。また、本発明の別の一態様は、下記一般式G2-1で表されるオキサジアゾール誘導体である。但し、一般式G2-1中、R21~R27は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれか一を示す。また、一般式G2-1中、Zは、硫黄原子又は酸素原子のいずれか一を示す。また、一般式G1及び一般式G1-1において、R1で表される置換基としては、具体的には、例えば下記構造式2-1乃至2-22で表される置換基が挙げられる。また、一般式G1、一般式G2、一般式G1-1、及び一般式G2-1においてR21~R27で表される置換基としては、具体的には、例えば下記構造式3-1乃至3-23で表される置換基が挙げられる。一般式G1に示される本発明のオキサジアゾール誘導体の具体例としては、構造式100~構造式167、構造式200~構造式235、構造式300~構造式367、構造式400~構造式435に示されるオキサジアゾール誘導体を挙げることができる。但し、本発明はこれらに限定されない。本発明のオキサジアゾール誘導体の合成方法としては、種々の反応の適用が可能である。例えば、以下に示す合成反応を行うことによって、下記一般式G1で表される本発明のオキサジアゾール誘導体を合成することができる。なお、本発明のオキサジアゾール誘導体の合成方法は、以下の合成方法に限定されない。<一般式G1で表されるオキサジアゾール誘導体の合成方法>一般式G1で表されるオキサジアゾール誘導体は、合成スキームA-1のようにして合成することができる。すなわち、オキサジアゾール誘導体のハロゲン化物化合物1と、ジベンゾフラン誘導体、又はジベンゾチオフェン誘導体の有機ボロン化合物、又はボロン酸化合物2を、鈴木宮浦反応によりカップリングさせることで、本発明のオキサジアゾール誘導体一般式G1を得ることができる。合成スキームA-1において、Zは硫黄原子、酸素原子のいずれかを表し、R1は、炭素数1~4のアルキル基、置換または無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれかを表し、R21~R27は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、置換または無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれかを表し、αは、置換または無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表す。R50およびR51は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基のいずれかを表す。合成スキームA-1においてR50とR51は互いに結合して環を形成していても良い。また、X1はハロゲンを表し、ハロゲンとしては臭素、ヨウ素が好ましい。合成スキームA-1において、用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウムII、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、ビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロライド等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒はこれらに限られるものでは無い。合成スキームA-1において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリオルト-トリルホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。用いることができるパラジウム触媒の配位子はこれらに限られるものでは無い。合成スキームA-1において、用いることができる塩基としては、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いることができる塩基はこれらに限られるものでは無い。合成スキームA-1において、用いることができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い。また、トルエンと水、又はトルエンとエタノールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒がより好ましい。合成スキームA-1に示すカップリング反応としては、化合物2で示される有機ホウ素化合物、又はボロン酸を用いる鈴木宮浦反応の代わりに、有機アルミニウムや、有機ジルコニウム、有機亜鉛、有機スズ化合物等を用いるクロスカップリング反応を用いてもよい。しかし、これらに限定されるものではない。また、このカップリングにおいて、ハロゲン以外にもトリフラート基等を用いても良いが、これらに限定されるものではない。また、合成スキームA-1に示す鈴木宮浦カップリング反応において、オキサジアゾール誘導体の有機ホウ素化合物、又はボロン酸と、ジベンゾフラン誘導体、又はジベンゾチオフェン誘導体のハロゲン化物、又はトリフラート置換体を、鈴木宮浦反応によりカップリングしてもよい。また、以下に示す合成反応を行うことによって、下記一般式G2で表される本発明のオキサジアゾール誘導体を合成することができる。なお、本発明のオキサジアゾール誘導体の合成方法は、以下の合成方法に限定されない。<一般式G2で表されるオキサジアゾール誘導体の合成方法>一般式G2で表されるオキサジアゾール誘導体は、合成スキームA-2のようにして合成することができる。すなわち、オキサジアゾール誘導体のハロゲン化物化合物3と、ジベンゾフラン誘導体、又はジベンゾチオフェン誘導体の有機ボロン化合物、又はボロン酸化合物4を、鈴木宮浦反応によりカップリングさせることで、本発明のオキサジアゾール誘導体一般式G2を得ることができる。合成スキームA-2において、Zは硫黄原子、酸素原子のいずれかを表し、R21~R27は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、置換または無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれかを表し、α及びβは、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素数6~13のアリーレン基のいずれかを表す。R52およびR53は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基のいずれかを表す。合成スキームA-2においてR52とR53は互いに結合して環を形成していても良い。また、X2及びX3はハロゲンを表し、ハロゲンとしては臭素、ヨウ素が好ましい。合成スキームA-2において、用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウムII、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、ビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロライド等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒はこれらに限られるものでは無い。合成スキームA-2において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリオルト-トリルホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。用いることができるパラジウム触媒の配位子はこれらに限られるものでは無い。合成スキームA-2において、用いることができる塩基としては、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いることができる塩基はこれらに限られるものでは無い。合成スキームA-2において、用いることができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い。また、トルエンと水、又はトルエンとエタノールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒がより好ましい。合成スキームA-2に示すカップリング反応としては、化合物4で示される有機ホウ素化合物、又はボロン酸を用いる鈴木宮浦反応の代わりに、有機アルミニウムや、有機ジルコニウム、有機亜鉛、有機スズ化合物等を用いるクロスカップリング反応を用いてもよい。しかし、これらに限定されるものではない。また、このカップリングにおいて、ハロゲン以外にもトリフラート基等を用いても良いが、これらに限定されるものではない。また、合成スキームA-2に示す鈴木宮浦カップリング反応において、オキサジアゾール誘導体の有機ホウ素化合物、又はボロン酸と、ジベンゾフラン誘導体、又はジベンゾチオフェン誘導体のハロゲン化物、又はトリフラート置換体を、鈴木宮浦反応によりカップリングしてもよい。実施の形態2本実施の形態2では、本発明の一態様として、実施の形態1で説明したオキサジアゾール誘導体を用いた発光素子について図1を用いて説明する。本実施の形態2における発光素子は、陽極として機能する第1の電極、陰極として機能する第2の電極、および第1の電極と第2の電極との間に設けられたEL層とから構成されている。なお、本実施の形態2における発光素子は、第1の電極の方が第2の電極よりも電位が高くなるように、それぞれに電圧を印加したときに、発光が得られるものとする。また、本実施の形態2における発光素子のEL層は、第1の電極側から第1の層正孔注入層、第2の層正孔輸送層、第3の層発光層、第4の層電子輸送層、第5の層電子注入層を含む構成とする。図1に示す本実施の形態2の発光素子において、基板101は、発光素子の支持体として用いられる。基板101としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができるフレキシブル基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルムポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル等からなる、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。なお、上記基板101は、本発明の発光素子を利用する製品である発光装置あるいは電子機器中に残存させてもよいが、最終製品中に残存せず発光素子の作製工程における支持体としての機能のみを有していてもよい。基板101上に形成される第1の電極102には、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZOは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、チタンTi、または金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。これらの材料を用いた第1の電極102は、通常スパッタリング法を用いて形成されるが、真空蒸着法、CVD法、塗布法、インクジェット法、印刷法、スピンコート法などにより形成してもよい。また、第1の電極102上に形成されるEL層103のうち、第1の電極102に接して形成される第1の層111が、後述する有機化合物と電子受容体アクセプターとを混合してなる複合材料を用いて形成される場合には、第1の電極102に用いる物質は、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、アルミニウムAl、銀Ag、アルミニウムを含む合金例えば、Al-Si等も用いることができる。第1の電極102上に形成されるEL層103には、公知の物質を用いることができ、低分子系化合物および高分子系化合物のいずれを用いることもできる。なお、EL層103を形成する物質には、有機化合物のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。EL層103は、正孔注入性の高い物質を含んでなる正孔注入層、正孔輸送性の高い物質を含んでなる正孔輸送層、発光物質を含む発光層、電子輸送性の高い物質を含んでなる電子輸送層、電子注入性の高い物質を含んでなる電子注入層などを適宜組み合わせて積層することにより形成することができるが、図1では、第1の電極102側から第1の層正孔注入層111、第2の層正孔輸送層112、第3の層発光層113、第4の層電子輸送層114、および第5の層電子注入層115が順に積層された構造を有するEL層について説明する。正孔注入層である第1の層111は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、低分子の有機化合物としては、フタロシアニン略称:H2Pc、銅IIフタロシアニン略称:CuPc、バナジルフタロシアニン略称:VOPc等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。また、低分子の有機化合物である4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、4,4’-ビスN-{4-[N’-3-メチルフェニル-N’-フェニルアミノ]フェニル}-N-フェニルアミノビフェニル略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。さらに、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等を用いることもできる。例えば、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVK、ポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPDなどの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS、ポリアニリン/ポリスチレンスルホン酸PAni/PSS等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。また、第1の層111として、有機化合物と電子受容体アクセプターとを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子受容体によって有機化合物に正孔が発生するため、正孔注入性及び正孔輸送性に優れている。この場合、有機化合物は、発生した正孔の輸送に優れた材料正孔輸送性の高い物質であることが好ましい。なお、このような複合材料を用いることにより、仕事関数に依らず第1の電極102を形成する材料を選ぶことができる。つまり、第1の電極102として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。また、これらの複合材料を用いて第1の層111を形成する場合には、有機化合物と電子受容体アクセプターとを共蒸着させればよい。複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、MTDATA、TDATA、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBまたはα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD等の芳香族アミン化合物や、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-N-カルバゾリル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:CzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。また、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]-2-tert-ブチルアントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。さらに、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン、ペンタセン、コロネン、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。また、電子受容体アクセプターとしては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。なお、上述したPVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等の高分子化合物と、上述した電子受容体アクセプターを用いて複合材料を形成し、第1の層111に用いてもよい。正孔輸送層である第2の層112は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、低分子の有機化合物としては、NPBまたはα-NPD、TPD、4,4’-ビス[N-9,9-ジメチルフルオレン-2-イル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DFLDPBi、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、上述した正孔輸送性の高い物質に電子受容体アクセプターを含有させた複合材料を第2の層112に用いても良い。また、第2の層112として、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPDなどの高分子化合物を用いることもできる。発光層である第3の層113は、発光物質を含む層である。発光物質としては、例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や、燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。したがって、本実施の形態では、本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体を発光層に用いる場合について説明する。なお、本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体は、発光性の高い物質ゲスト材料を他の物質ホスト材料に分散させた構成の発光層において、ホスト材料として用いることができる。本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体を発光層におけるホスト材料として用い、蛍光を発光する物質をゲスト材料として用いる場合には、オキサジアゾール誘導体よりも最低空軌道準位LUMO準位が低く、最高被占有軌道準位HOMO準位が高い物質をゲスト材料として用いることが好ましい。例えば、青色系の発光材料として、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPAなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル]-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhAなどが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPTなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFDなどを用いることができる。また、本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体を発光層におけるホスト材料として用い、燐光を発光する物質をゲスト材料として用いる場合には、オキサジアゾール誘導体よりも三重項励起エネルギーが小さい物質をゲスト材料として用いることが好ましい。例えば、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP等の有機金属錯体を用いることができる。なお、本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体は、電子輸送性を有しているため、発光層に用いることにより、電子輸送性の高い発光層とすることができる。このような構成の発光層は、電子トラップ性の高いゲスト材料を用いることにより高効率の発光を得ることができる。また、発光物質ゲスト材料を分散させるための物質ホスト材料は複数種用いることもできる。従って、発光層は、本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体以外に、第2のホスト材料例えば、ホール輸送性を有するホスト材料を含んでいても良い。なお、第2のホスト材料としては、公知のホスト材料を用いることができる。電子輸送層である第4の層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。第4の層114には、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他にも、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなどを用いることができる。また、ポリ[9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジイル-co-ピリジン-3,5-ジイル]略称:PF-Py、ポリ[9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル-co-2,2’-ビピリジン-6,6’-ジイル]略称:PF-BPy等の高分子化合物を用いることもできる。なお、本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体は、電子輸送性を有しているため電子輸送層にも用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。電子注入層である第5の層115は、電子注入性の高い物質を含む層である。第5の層115には、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層には、有機化合物と電子供与体ドナーとを混合してなる複合材料を用いることもできる。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性及び電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する物質金属錯体や複素芳香族化合物等を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン略称:TTF等の有機化合物を用いることもできる。なお、上述したEL層103に含まれる第1の層正孔注入層111、第2の層正孔輸送層112、第3の層発光層113、第4の層電子輸送層114、第5の層電子注入層115は、それぞれ、蒸着法真空蒸着法を含む、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。なお、各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成してもよい。第2の電極104には、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金例えば、Mg-Ag、Al-Li、ユーロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることができる。但し、EL層103のうち、第2の電極104に接して形成される層が、上述する有機化合物と電子供与体ドナーとを混合してなる複合材料を用いて形成される場合には、仕事関数の大小に関わらず、アルミニウム、銀、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を用いることができる。なお、第2の電極104を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。その他、用いる材料に応じて塗布法、インクジェット法、スピンコート法などを用いることができる。上述した本発明の発光素子は、第1の電極102と第2の電極104との間に生じた電位差により電流が流れ、EL層103において正孔と電子とが再結合することにより発光する。そして、この発光は、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方、または両方が透光性を有する電極となる。なお、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。少なくとも発光領域と金属とが近接することによって生じる消光を防ぐように、第1の電極102及び第2の電極104から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成であれば上記以外のものでもよい。つまり、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質、又は正孔ブロック材料等から成る層を、発光層と自由に組み合わせて構成すればよい。また、図1Bに示すように、基板101上に陰極として機能する第2の電極104、EL層103、陽極として機能する第1の電極102が順次積層された構造としてもよい。なお、この場合のEL層103は、第2の電極104上に第5の層115、第4の層114、第3の層113、第2の層112、第1の層111、第1の電極102が順次積層された構造となる。以上のように、本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体を用いて発光素子を作製することができる。なお、本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体を用いて発光素子を作製することにより、発光効率が高い発光素子を実現することができる。また、長寿命な発光素子を実現することができる。なお、本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体を用いて作製された発光素子を用いることで、パッシブマトリクス型の発光装置や、アクティブマトリクス型の発光装置を作製することができる。なお、アクティブマトリクス型の発光装置を作製する場合におけるTFTの構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型や逆スタガ型のTFTを適宜用いることができる。また、TFT基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、N型のTFTまたはP型のTFTのいずれか一方のみからなるものであってもよい。さらに、TFTに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。非晶質半導体膜を用いてもよいし、結晶性半導体膜を用いてもよい。なお、本実施の形態は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態2で示した発光素子のEL層を複数有する発光素子以下、積層型素子というについて、図2を用いて説明する。この発光素子は、第1の電極201と第2の電極202との間に、複数のEL層第1のEL層203、第2のEL層204を有する積層型発光素子である。なお、本実施の形態では、EL層が2層の場合について示すが、3層以上としても良い。本実施の形態において、第1の電極201は、陽極として機能する電極であり、第2の電極202は陰極として機能する電極である。なお、第1の電極201および第2の電極202は、実施の形態2と同様な構成を用いることができる。また、複数のEL層第1のEL層203、第2のEL層204としては、実施の形態2で示したEL層と同様な構成を用いることができる。なお、第1のEL層203と第2のEL層204は、同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態2と同様なものを適用することができる。また、複数のEL層第1のEL層203、第2のEL層204の間には、電荷発生層205が設けられている。電荷発生層205は、第1の電極201と第2の電極202に電圧を印加したときに、一方のEL層に電子を注入し、他方のEL層に正孔を注入する機能を有する。本実施の形態の場合には、第1の電極201に第2の電極202よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層205から第1のEL層203に電子が注入され、第2のEL層204に正孔が注入される。なお、電荷発生層205は、光の取り出し効率の点から、透光性を有することが好ましい。また、電荷発生層205は、第1の電極201や第2の電極202よりも低い導電率であっても機能する。電荷発生層205は、正孔輸送性の高い有機化合物と電子受容体アクセプターとを含む構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物と電子供与体ドナーとを含む構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。なお、電子受容体や電子供与体は、少なくとも電界のアシストにより電子を授受するものであればよい。正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBまたはα-NPDやN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を用いても構わない。また、電子受容体としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において、電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンズオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などを用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなどを用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を用いてもよい。また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第13族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウムLi、セシウムCs、マグネシウムMg、カルシウムCa、イッテルビウムYb、インジウムIn、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。なお、上述した材料を用いて電荷発生層205を形成することにより、EL層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。本実施の形態3では、2つのEL層を有する発光素子について説明したが、同様に、3つ以上のEL層を積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態3に係る発光素子のように、一対の電極間において複数のEL層が電荷発生層を挟んで配置されることで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能である。電流密度を低く保てるため、長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。また、それぞれのEL層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第1のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つのEL層を有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1のEL層の発光色が赤色であり、第2のEL層の発光色が緑色であり、第3のEL層の発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。なお、本実施の形態3においては、実施の形態1や実施の形態2に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態4本実施の形態4では、画素部に本発明の発光素子を有する発光装置について図3を用いて説明する。なお、図3Aは、発光装置を示す上面図、図3Bは図3AをA-A’およびB-B’で切断した断面図である。図3Aにおいて、点線で示された301は駆動回路部ソース側駆動回路、302は画素部、303は駆動回路部ゲート側駆動回路である。また、304は封止基板、305はシール材であり、シール材305で囲まれた内側は、空間307になっている。なお、引き回し配線308はソース側駆動回路301及びゲート側駆動回路303に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット309からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板PWBが取り付けられていても良い。また、本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図3Bを用いて説明する。素子基板310上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路301と、画素部302中の一つの画素が示されている。なお、ソース側駆動回路301はNチャネル型TFT323とPチャネル型TFT324とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、TFTで形成される種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。また、画素部302はスイッチング用TFT311と、電流制御用TFT312とそのドレインに電気的に接続された第1の電極313とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極313の端部を覆って絶縁物314が形成される。また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物314の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物314の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いることで、絶縁物314の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることができる。また、絶縁物314として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性材料を用いることができる。第1の電極313上には、EL層316、および第2の電極317がそれぞれ形成される。ここで、第1の電極313に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、又は珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれる。また、EL層316は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法などの液滴吐出法、印刷法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。EL層316は、実施の形態1で示したオキサジアゾール誘導体を含んでいる。また、EL層316を構成する他の材料としては、低分子材料、オリゴマー、デンドリマー、又は高分子材料であっても良い。また、第2の電極317に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第2の電極317を陰極として用いる場合には、その中でも、仕事関数の小さい仕事関数3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金Mg-Ag、Al-Li等が挙げられる。なお、EL層316で生じた光が第2の電極317を透過する構成とする場合には、第2の電極317として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜酸化インジウム-酸化スズITO、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等との積層を用いることも可能である。さらに、シール材305で封止基板304を素子基板310と貼り合わせることにより、素子基板310、封止基板304、およびシール材305で囲まれた空間307に発光素子318が備えられた構造になっている。なお、空間307には、充填材が充填されており、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材305で充填される場合もある。なお、シール材305にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板304に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のようにして、本発明の一態様である発光素子を有するアクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。また、本発明の発光素子は、上述したアクティブマトリクス型の発光装置のみならずパッシブマトリクス型の発光装置に用いることもできる。図4に本発明の発光素子を用いたパッシブマトリクス型の発光装置の斜視図および断面図を示す。なお、図4Aは、発光装置を示す斜視図、図4Bは図4AをX-Yで切断した断面図である。図4において、基板401上の第1の電極402と第2の電極403との間にはEL層404が設けられている。第1の電極402の端部は絶縁層405で覆われている。そして、絶縁層405上には隔壁層406が設けられている。隔壁層406の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなるような傾斜を有する。つまり、隔壁層406の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺絶縁層405の面方向と同様の方向を向き、絶縁層405と接する辺の方が上辺絶縁層405の面方向と同様の方向を向き、絶縁層405と接しない辺よりも短い。このように、隔壁層406を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことができる。以上により、本発明の一態様である発光素子を有するパッシブマトリクス型の発光装置を得ることができる。なお、本実施の形態で示した発光装置アクティブマトリクス型、パッシブマトリクス型は、いずれも本発明の一態様である発光素子を用いて形成されることから、消費電力が低減された発光装置を得ることができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態の構成を適宜組み合わせて用いることが可能である。実施の形態5本実施の形態では、本発明を適用した一態様である発光装置を用いて完成させた様々な電子機器および照明器具の一例について、図5乃至図7を用いて説明する。発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器および照明器具の具体例を図5に示す。図5Aは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置7100は、筐体7101に表示部7103が組み込まれている。表示部7103により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部7103に用いることができる。また、ここでは、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示している。テレビジョン装置7100の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置7100は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者又は双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図5Bはコンピュータであり、本体7201、筐体7202、表示部7203、キーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部7203に用いることにより作製される。図5Cは携帯型遊技機であり、筐体7301と筐体7302の2つの筐体で構成されており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には表示部7304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、図5Cに示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部7307、LEDランプ7308、入力手段操作キー7309、接続端子7310、センサ7311力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの、マイクロフォン7312等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部7304および表示部7305の両方、又は一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図5Cに示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図5Cに示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。図5Dは、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機7400は、筐体7401に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、発光装置を表示部7402に用いることにより作製される。図5Dに示す携帯電話機7400は、表示部7402を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示入力モードである。例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部7402の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。また、携帯電話機7400内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機7400の向き縦か横かを判断して、表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、又は筐体7401の操作ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表示部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部7402に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。図5Eは、照明装置の一例を示している。照明装置7500は、筐体7501に光源として本発明の一態様の発光装置7503a~7503dが組み込まれている。照明装置7500は、天井や壁等に取り付けることが可能である。また、本発明の一態様の発光装置は、発光素子が薄膜状であるため、曲面を有する基体に貼り付けることで、曲面を有する発光装置とすることができる。また、その発光装置を、曲面を有する筐体に配置することで、曲面を有する電子機器または照明装置を実現することができる。図6は車両の運転席周辺の内部図である。図6において、ダッシュボードには表示装置600が設置され、フロントガラスには表示装置602が設置された例を示している。図6に示す表示装置600は、曲面を有する筐体に表示部604が組み込まれており、表示部604により、映像を表示することが可能である。表示装置600において、本発明の一態様の発光装置を表示部604に用いることができる。また、図6に示す表示装置602は、曲面を有する筐体に表示部606が組み込まれており、本発明の一態様の発光装置を表示部606に用いることができる。本発明の一態様に係る発光装置は、発光装置に含まれる発光素子の一対の電極及びその支持体に、透光性を有する材料を用いることで、発光装置の上面及び下面の双方から外部に発光を取り出すことができる。従って、この発光装置を表示部606に適用することで、表示部606からフロントガラスを通して外部を視認することができる。同様に、外部からフロントガラスを通して表示部606に表示される画像を視認することもできる。なお、図6に示す表示装置600または表示装置602を、照明装置として用いることも可能である。図7は、発光装置を、室内の照明装置701として用いた例である。発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。その他、曲面を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置702とすることもできる。本実施の形態で示す照明装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置とすることができる。また、本発明の一態様を適用した照明装置を用いた部屋に、図5Aで一例を示したような、テレビジョン装置7100aを設置することも可能である。テレビジョン装置7100aは、通常の2次元表示に加えて3次元表示機能を有していてもよい。図7においては、3次元表示観賞用のメガネ703を用いて3次元表示された画像を鑑賞することができる。以上のようにして、発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態1乃至実施の形態4に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。本実施例1では、実施の形態1において構造式100で表される2-[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBTO11-IIの合成方法について具体的に説明する。[2-[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBTO11-IIの合成]2-[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBTO11-IIの合成スキームをB-1に示す。2-4-ブロモフェニル-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾールを1.1g3.7mmol、ジベンゾチオフェン-4-ボロン酸を0.9g3.9mmol、トリス2-メチルフェニルホスフィンを56mg0.2mmol、これらを50mLの三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に2.0M炭酸カリウム水溶液を3.7mL、トルエンを15mL、エタノールを5mL、それぞれ加え、減圧下で攪拌することにより脱気した。この混合物に酢酸パラジウムIIを8.3mg37μmol加え、窒素気流下、80°Cで7時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物の水層をトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラムクロマトグラフィーは、はじめにトルエンを展開溶媒とし、次いでトルエン:酢酸エチル=20:1を展開溶媒として用いることにより行った。得られたフラクションを濃縮して固体を得た。この固体を高速液体カラムクロマトグラフィーにより精製した。高速液体カラムクロマトグラフィーはクロロホルムを展開溶媒に用いることにより行った。得られたフラクションを濃縮して固体を得た。この固体にヘキサンを加えて超音波を照射し、固体を吸引濾過により濾取したところ、目的物である白色粉末を収量1.3g、収率88で得た。得られた白色粉末1.3gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力2.5Pa、アルゴン流量5mL/min、温度220°Cの条件で行った。収量は1.1gで、収率は85であった。また、上記合成法により得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.46-7.63m,7H、7.84-7.89m,1H、7.94d,J=8.4Hz,2H、8.16-8.24m,4H、8.31d,J=8.4Hz,2H。また、1HNMRチャートを図9abに示す。なお、図9bは図9aにおける7.0ppmから8.5ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、上述の構造式100で表される2-[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBTO11-IIが得られたことがわかった。また、DBTO11-II略称のトルエン溶液の吸収スペクトルを図10a、DBTO11-II略称の薄膜の吸収スペクトルを図10bに示す。測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。DBTO11-II略称のトルエン溶液中における吸収スペクトルの測定は、DBTO11-II略称のトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いて行った。また、DBTO11-II略称の薄膜の吸収スペクトルは、石英基板にDBTO11-II略称を蒸着させてサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いて測定した。図10aおよび図10bにおいて横軸は波長nm、縦軸は吸収強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では333nm、308nm、292nm付近に吸収ピークが見られ、薄膜の場合では343nm、318nm、295nm、276nm、233nm付近に吸収ピークが見られた。また、DBTO11-II略称のトルエン溶液励起波長297nmの発光スペクトルを図11aに示す。また、DBTO11-II略称の薄膜励起波長340nmの発光スペクトルを図11bに示す。図11aおよび図11bにおいて横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では380nm励起波長297nm、薄膜の場合で402nm励起波長340nmであった。また、DBTO11-II略称の薄膜状態におけるイオン化ポテンシャルを大気中の光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した結果、5.91eVであった。その結果、HOMO準位が-5.91eVであることがわかった。さらに、DBTO11-II略称の薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したTaucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは3.36eVであった。得られたエネルギーギャップの値とHOMO準位からLUMO準位を求めたところ、-2.55eVであった。本実施例2では、実施の形態1において構造式101で表される2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:mDBTO11-IIの合成方法について具体的に説明する。[2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:mDBTO11-IIの合成]2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:mDBTO11-IIの合成スキームをC-1に示す。2-3-ブロモフェニル-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾールを1.1g3.7mmol、ジベンゾチオフェン-4-ボロン酸を0.9g3.9mmol、トリス2-メチルフェニルホスフィンを56mg0.2mmol、これらを50mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に2.0M炭酸カリウム水溶液を3.7mL、トルエンを15mL、エタノールを5.0mL、それぞれ加え、減圧下で攪拌することにより脱気した。この混合物に酢酸パラジウムIIを8.3mg37μmol加え、窒素気流下、80°Cで7時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物の水層をトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラムクロマトグラフィーは、はじめにトルエンを展開溶媒とし、次いでトルエン:酢酸エチル=20:1を展開溶媒として用いることにより行った。得られたフラクションを濃縮して固体を得た。この固体にメタノールを加えて超音波を照射し、固体を吸引濾過により濾取したところ、目的物である白色粉末を収量1.3g、収率91で得た。得られた白色粉末1.3gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力2.4Pa、アルゴン流量5mL/min、温度230°Cの条件で行った。収量は1.1gで、収率は85であった。また、上記合成法により得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.46-7.64m,7H、7.71t,J=7.8Hz,1H、7.84-7.87m,1H、7.94-7.98m,1H、8.15-8.26m,5H、8.50-8.51m,1H。また、1HNMRチャートを図12abに示す。なお、図12bは図12aにおける7.0ppmから9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、上述の構造式101で表される2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:mDBTO11-IIが得られたことがわかった。また、mDBTO11-II略称のトルエン溶液の吸収スペクトルを図13a、mDBTO11-II略称の薄膜の吸収スペクトルを図13bに示す。測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。mDBTO11-II略称のトルエン溶液中における吸収スペクトルの測定は、mDBTO11-II略称のトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いて行った。また、mDBTO11-II略称の薄膜の吸収スペクトルは、石英基板にmDBTO11-II略称を蒸着させてサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いて測定した。図13aおよび図13bにおいて横軸は波長nm、縦軸は吸収強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では333nm、316nm、及び286nm付近に吸収ピークが見られ、薄膜の場合では338nm、319nm、287nm、271nm、243nm付近に吸収ピークが見られた。また、mDBTO11-II略称のトルエン溶液励起波長290nmの発光スペクトルを図14aに示す。また、mDBTO11-II略称の薄膜励起波長285nmの発光スペクトルを図14bに示す。図14aおよび図14bにおいて横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では355nm励起波長290nm、薄膜の場合で370nm励起波長285nmであった。また、mDBTO11-II略称の薄膜状態におけるイオン化ポテンシャルを大気中の光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した結果、5.63eVであった。その結果、HOMO準位が-5.63eVであることがわかった。さらに、mDBTO11-II略称の薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したTaucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは3.48eVであった。得られたエネルギーギャップの値とHOMO準位からLUMO準位を求めたところ、-2.15eVであった。本実施例3では、実施の形態1において構造式128で表される2-[4-2,8-ジフェニルジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBTO11-IIIの合成方法について具体的に説明する。[2-[4-2,8-ジフェニルジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBTO11-IIIの合成]2-[4-2,8-ジフェニルジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBTO11-IIIの合成スキームをD-1に示す。2-4-ブロモフェニル-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾールを0.8g2.7mmol、2,8-ジフェニルジベンゾチオフェン-4-ボロン酸を1.1g2.9mmol、トリス2-メチルフェニルホスフィンを41mg0.1mmol、これらを50mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に2.0M炭酸カリウム水溶液を3.0mL、トルエンを10mL、エタノールを3.4mL、それぞれ加え、減圧下で攪拌することにより脱気した。この混合物に酢酸パラジウムIIを6.0mg27μmol加え、窒素気流下、80°Cで7時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物の水層をクロロホルムで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して油状物を得た。この油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラムクロマトグラフィーは、トルエンを展開溶媒として用いることにより行った。得られたフラクションを濃縮して固体を得た。この固体にメタノールを加えて超音波を照射し、固体を吸引濾過により濾取したところ、目的物である白色粉末を収量1.4g、収率93で得た。得られた白色粉末1.4gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力2.4Pa、アルゴン流量5mL/min、温度310°Cの条件で行った。収量は1.2gで、収率は86であった。また、上記合成法により得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.38-7.45m,2H、7.49-7.59m,7H、7.73-7.80m,6H、7.92d,J=8.4Hz,1H、7.99d,J=8.1Hz,2H、8.16-8.21m,2H、8.33d,J=8.1Hz,2H、8.45d,J=1.8Hz,2H。また、1HNMRチャートを図15abに示す。なお、図15bは図15aにおける7.0ppmから8.5ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、上述の構造式128で表される2-[4-2,8-ジフェニルジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBTO11-IIIが得られたことがわかった。また、DBTO11-III略称のトルエン溶液の吸収スペクトルを図16a、DBTO11-III略称の薄膜の吸収スペクトルを図16bに示す。測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。DBTO11-III略称のトルエン溶液中における吸収スペクトルの測定は、DBTO11-III略称のトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いて行った。また、DBTO11-III略称の薄膜の吸収スペクトルは、石英基板にDBTO11-III略称を蒸着させてサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いて測定した。図16aおよび図16bにおいて横軸は波長nm、縦軸は吸収強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では349nm、289nm付近に吸収ピークが見られ、薄膜の場合では360nm、279nm付近に吸収ピークが見られた。また、DBTO11-III略称のトルエン溶液励起波長290nmの発光スペクトルを図17aに示す。また、DBTO11-III略称の薄膜励起波長330nmの発光スペクトルを図17bに示す。図17aおよび図17bにおいて横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では388nm励起波長290nm、薄膜の場合で412nm励起波長330nmであった。また、DBTO11-III略称の薄膜状態におけるイオン化ポテンシャルを大気中の光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した結果、5.85eVであった。その結果、HOMO準位が-5.85eVであることがわかった。さらに、DBTO11-III略称の薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したTaucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは3.18eVであった。得られたエネルギーギャップの値とHOMO準位からLUMO準位を求めたところ、-2.67eVであった。本実施例4では、実施の形態1において構造式200で表される2,5-ビス[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBT2O11-IIの合成方法について具体的に説明する。[2,5-ビス[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBT2O11-IIの合成]2,5-ビス[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBT2O11-IIの合成スキームをE-1に示す。2、5-ビス4-ブロモフェニル-1,3,4-オキサジアゾールを1.1g2.9mmol、ジベンゾチオフェン-4-ボロン酸を1.4g6.1mmol、トリス2-メチルフェニルホスフィンを91mg0.3mmol、これらを50mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に2.0M炭酸カリウム水溶液を6.0mL、トルエンを12mL、エタノールを4.0mL、それぞれ加え、減圧下で攪拌することにより脱気した。この混合物に酢酸パラジウムIIを13mg0.1mmol加え、窒素気流下、80°Cで7時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物の水層をクロロホルムで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラムクロマトグラフィーはクロロホルムを展開溶媒として用いることにより行った。得られたフラクションを濃縮して固体を得た。この固体をトルエン/ヘキサンで再結晶したところ、目的物である白色粉末を収量0.8g、収率53で得た。得られた白色粉末0.8gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力2.4Pa、アルゴン流量5mL/min、温度325°Cの条件で行った。収量は0.7gで、収率88であった。また、上記合成法により得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.47-7.53m,4H、7.55-7.65m,4H、7.85-7.89m,2H、7.97d,J=9.0Hz,4H、8.20-8.24m,4H、8.35d,J=8.7Hz,4H。また、1HNMRチャートを図18abに示す。なお、図18bは図18aにおける7.0ppmから8.5ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、上述の構造式200で表される2,5-ビス[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBT2O11-IIが得られたことがわかった。また、DBT2O11-II略称のトルエン溶液の吸収スペクトルを図19a、DBT2O11-II略称の薄膜の吸収スペクトルを図19bに示す。測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。DBT2O11-II略称のトルエン溶液中における吸収スペクトルの測定は、DBT2O11-II略称のトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いて行った。また、DBT2O11-II略称の薄膜の吸収スペクトルは、石英基板にDBT2O11-II略称を蒸着させてサンプルを作製し、石英の吸収スペクトル差し引いて測定した。図19aおよび図19bにおいて横軸は波長nm、縦軸は吸収強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では342nm、339nm、319nm付近に吸収ピークが見られ、薄膜の場合では347nm、329nm,297nm、237nm付近に吸収ピークが見られた。また、DBT2O11-II略称のトルエン溶液励起波長344nmの発光スペクトルを図20aに示す。また、DBT2O11-II略称の薄膜励起波長344nmの発光スペクトルを図20bに示す。図20aおよび図20bにおいて横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では390nm、375nm励起波長344nm、薄膜の場合で425nm励起波長344nmであった。また、DBT2O11-II略称の薄膜状態におけるイオン化ポテンシャルを大気中の光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した結果、5.91eVであった。その結果、HOMO準位が-5.91eVであることがわかった。さらに、DBT2O11-II略称の薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したTaucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは3.26eVであった。得られたエネルギーギャップの値とHOMO準位からLUMO準位を求めたところ、-2.65eVであった。本実施例では、実施の形態1に記載のオキサジアゾール誘導体を発光層のホスト材料として用いた発光素子の作製方法および素子特性の測定結果を示す。具体的には、実施例4で説明した2,5-ビス[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBT2O11-IIを用いて形成した発光素子1、実施例3で説明した2-[4-2,8-ジフェニルジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBTO11-IIIを用いて形成した発光素子2について示す。なお、本実施例における発光素子の素子構造は、図8に示す構造であり、発光層813に本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体を用いて形成したものである。本実施例で用いる有機化合物の構造式を以下に示す。まず、ガラス基板である基板801上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSOをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極802を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。また、本実施例において、第1の電極802は、陽極として作製した。次に、第1の電極802上に複数の層が積層されたEL層803を形成する。本実施例において、EL層803は、正孔注入層である第1の層811、正孔輸送層である第2の層812、発光層である第3の層813、電子輸送層である第4の層814、電子注入層である第5の層815が順次積層された構造を有する。第1の電極802が形成された面が下方となるように、第1の電極802が形成された基板801を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極802上に4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、正孔注入層である第1の層811を形成した。その膜厚は50nmとし、BPAFLPと酸化モリブデンの比率は、重量比で4:2=BPAFLP:酸化モリブデンとなるように蒸着レートを調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第1の層811上に正孔輸送性材料を10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層である第2の層812を形成した。なお、第2の層812には、4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPを用いた。次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第2の層812上に、発光層である第3の層813を形成した。なお、発光素子1を形成する場合には、第1のホスト材料として2,5-ビス[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBT2O11-IIと、第2のホスト材料として4-フェニル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBA1BPと、ゲスト材料としてトリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3とを共蒸着してなる第1の膜を20nmの膜厚で形成した。なお、DBT2O11-II略称とPCBA1BP略称とIrppy3略称との重量比は、1:0.25:0.08=DBT2O11-II略称:PCBA1BP略称:Irppy3略称となるように蒸着レートを調節した。さらに、ホスト材料として2,5-ビス[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBT2O11-IIと、ゲスト材料としてトリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3とを共蒸着してなる第2の膜を20nmの膜厚で形成した。なお、DBT2O11-II略称とIrppy3略称との重量比は、1:0.08=DBT2O11-II略称:Irppy3略称となるように蒸着レートを調節した。すなわち、発光素子1において、第1の膜と第2の膜を積層してなる第3の層813を形成した。また、発光素子2を形成する場合には、第1のホスト材料として2-[4-2,8-ジフェニルジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBTO11-IIIと、第2のホスト材料として4-フェニル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBA1BPと、ゲスト材料としてトリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3とを共蒸着してなる第1の膜を20nmの膜厚で形成した。なお、DBTO11-III略称とPCBA1BP略称とIrppy3略称との重量比は、1:0.25:0.08=DBTO11-III略称:PCBA1BP略称:Irppy3略称となるように蒸着レートを調節した。さらに、ホスト材料として2-[4-2,8-ジフェニルジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:DBTO11-IIIと、ゲスト材料としてトリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3とを共蒸着してなる第2の膜を20nmの膜厚で形成した。なお、DBTO11-III略称とIrppy3略称との重量比は、1:0.08=DBTO11-III略称:Irppy3略称となるように蒸着レートを調節した。すなわち、発光素子2の場合も第1の膜と第2の膜を積層してなる第3の層813を形成した。さらに、第3の層813上に抵抗加熱による蒸着法を用いて、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alqを15nm、その上にバソフェナントロリン略称:BPhenを15nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層である第4の層814を形成した。第4の層814上に、フッ化リチウムLiFを1nmの膜厚となるように成膜することにより、電子注入層である第5の層815を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極804を形成し、発光素子1および発光素子2を作製した。以上により得られた発光素子1および発光素子2の素子構造を表1に示す。発光素子1および発光素子2を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子1および発光素子2における、輝度1000cd/m2付近の時の電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、輝度cd/m2、電流効率cd/Aを表2に示す。発光素子1および発光素子2の電流密度-輝度特性を図21、電圧-輝度特性を図22、輝度-電流効率特性を図23、電圧-電流特性を図24にそれぞれ示す。図21では、縦軸に輝度cd/m2、横軸に電流密度mA/cm2を示し、図22では縦軸に輝度cd/m2、横軸に電圧Vを示し、図23では、縦軸に電流効率cd/A、横軸に輝度cd/m2を示し、図24では、縦軸に電流mA、横軸に電圧Vを示す。なお、図23において、発光素子1は、最大で47cd/Aの電流効率を示し、発光素子2は、最大で56cd/Aの電流効率を示した。従って、本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体を用いた発光素子は、非常に高効率な素子であることが分かる。また、発光素子1および発光素子2の発光スペクトルを図25に示す。なお、図25に示すように発光素子1および発光素子2のいずれの場合においても、ゲスト材料であるIrppy3略称由来の発光波長が観測され、ホスト材料として用いた本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体DBT2O11-II略称やDBTO11-III略称の他、第2のホスト材料として用いたPCBA1BP略称由来の発光波長は観測されなかった。よって本発明の一態様であるオキサジアゾール誘導体は、発光素子の発光層において、ホスト材料として機能していることがわかった。参考例本参考例では、発光素子1の材料に用いた4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPを合成する例を示す。[ステップ1:9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンの合成法]100mL三口フラスコにて、マグネシウムを1.2g50mmol減圧下で30分加熱撹拌し、マグネシウムを活性化させた。これを室温に冷まして窒素雰囲気にした後、ジブロモエタン数滴を加えて発泡、発熱するのを確認した。ここに脱水ジエチルエーテル10mL中に溶かした2-ブロモビフェニルを12g50mmolゆっくり滴下した後、2.5時間加熱還流撹拌してグリニヤール試薬とした。4-ブロモベンゾフェノンを10g40mmol、脱水ジエチルエーテルを100mL、を500mL三口フラスコに入れた。ここに先に合成したグリニヤール試薬をゆっくり滴下した後、9時間加熱還流撹拌した。反応後、この混合液を濾過して濾物を得た。得られた濾物を酢酸エチル150mLに溶かし、ここに1N-塩酸を酸性になるまで加えて2時間撹拌した。この液体の有機層の部分を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁液を濾過し、得られた濾液を濃縮しアメ状の物質を得た。続けて、500mLナスフラスコに、このアメ状物質と、氷酢酸50mLと、塩酸1.0mLとを入れ、窒素雰囲気下、130°Cで1.5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液を濾過して濾物を得た。得られた濾物を水、水酸化ナトリウム水、水、メタノールの順で洗浄したのち乾燥させ、目的物の白色粉末を収量11g、収率69で得た。上述のステップ1の合成スキームを下記J-1に示す。[ステップ2:4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPの合成法]100mL三口フラスコへ、9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンを3.2g8.0mmol、4-フェニル-ジフェニルアミンを2.0g8.0mmol、ナトリウムtert-ブトキシドを1.0g10mmol、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を23mg0.04mmol加え、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン20mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液0.2mL0.1mmolを加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、110°Cで2時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン200mLを加え、この懸濁液をフロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通して濾過した。得られた濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:4による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量4.1g、収率92で得た。上述のステップ2の合成スキームを下記J-2に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.41、9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンは0.51であり、4-フェニル-ジフェニルアミンは0.27であった。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPであることを確認した。得られた化合物の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=6.63-7.02m、3H、7.06-7.11m、6H、7.19-7.45m、18H、7.53-7.55m、2H、7.75d、J=6.9、2H。"