少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体と、前記絶縁性基体に形成された配線層とを備えた配線基板を準備する工程と、前記配線基板を所望の切断線で分断し、複数の回路基板に分断する工程とを備えた回路基板の製造方法であって、前記分断する工程に先立ち、前記配線基板表面で前記切断線の近傍を脆化する工程を含み、前記切断線に沿って、前記配線基板表面をブレードにより分断する回路基板の製造方法。請求項1に記載の回路基板の製造方法であって、前記脆化工程は、前記配線基板上の少なくとも前記切断線の近傍をレーザ処理する工程である回路基板の製造方法。請求項1に記載の回路基板の製造方法であって、前記脆化工程は、前記配線基板上の少なくとも前記切断線の近傍に紫外線を照射する工程である回路基板の製造方法。請求項1に記載の回路基板の製造方法であって、前記脆化工程は、前記配線基板上の少なくとも前記切断線の近傍に硫酸処理を行う工程である回路基板の製造方法。請求項1に記載の回路基板の製造方法であって、前記脆化工程は、前記配線基板上の少なくとも前記切断線の近傍にブラスト処理を行う工程である回路基板の製造方法。請求項1に記載の回路基板の製造方法であって、前記脆化工程は、前記配線基板上の少なくとも前記切断線の近傍に脆性材料を塗布する工程である回路基板の製造方法。請求項1に記載の回路基板の製造方法であって、前記配線基板を準備する工程は、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体上に配線層を形成する工程を含み、前記脆化工程は、前記絶縁性基体表面に配線層を形成する工程に先立ち、前記切断線に相当する領域の近傍を脆性材料で構成し、絶縁性基体を形成する工程を含む回路基板の製造方法。請求項1乃至7のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法であって、前記分断する工程は、分断に先立ち、前記配線層の形成された前記絶縁性基体表面に氷結層を形成する工程を含む回路基板の製造方法。請求項1乃至8のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法で形成された回路基板であって、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体と、前記絶縁性基体に形成された配線層とを備え、外周縁が脆性領域を構成する回路基板。上記方法では、凍らせた水によってワークWを固定しているため、複数の刃で同時切断することが可能である。しかしながら、特許文献1の方法では、小さなばりBが多数発生するという問題がある。上記特許文献2の方法では、ばりBは若干薄く、少なくなるものの、表層でつながっている連続したばりとなるため、カッターなどを用いてばり取りを行う必要があった。本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、容易にばりを除去することのできる回路基板の製造方法を提供することを目的とする。そこで本発明は、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体と、前記絶縁性基体に形成された配線層とを備えた配線基板を準備する工程と、前記配線基板を所望の切断線で分断し、複数の回路基板に分断する工程とを備えた回路基板の製造方法であって、前記分断する工程に先立ち、前記配線基板表面で前記切断線の近傍を脆化する工程を含み、前記切断線に沿って、前記配線基板表面をブレードにより分断する回路基板の製造方法を提供することを特徴とする。また、本発明は、前記回路基板の製造方法であって、前記脆化工程は、前記配線基板上の少なくとも前記切断線の近傍をレーザ処理する工程であるものを含む。また、本発明は、前記回路基板の製造方法であって、前記脆化工程は、前記配線基板上の少なくとも前記切断線の近傍に紫外線を照射する工程であるものを含む。また、本発明は、前記回路基板の製造方法であって、前記脆化工程は、前記配線基板上の少なくとも前記切断線の近傍に硫酸処理を行う工程であるものを含む。また、本発明は、前記回路基板の製造方法であって、前記脆化工程は、前記配線基板上の少なくとも前記切断線の近傍にブラスト処理を行う工程であるものを含む。また、本発明は、前記回路基板の製造方法であって、前記脆化工程は、前記配線基板上の少なくとも前記切断線の近傍に脆性材料を塗布する工程であるものを含む。また、本発明は、前記回路基板の製造方法であって、前記配線基板を準備する工程は、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体上に配線層を形成する工程を含み、前記脆化工程は、前記絶縁性基体表面に配線層を形成する工程に先立ち、前記切断線に相当する領域の近傍を脆性材料で構成し、絶縁性基体を形成する工程を含む。また、本発明は、前記回路基板の製造方法であって、前記分断する工程は、分断に先立ち、前記配線層の形成された前記絶縁性基体表面に氷結層を形成する工程を含む。また、本発明は、前記回路基板の製造方法で形成された回路基板であって、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体と、前記絶縁性基体に形成された配線層とを備え、外周縁が脆性領域を構成する。本発明の回路基板の製造方法によれば、事前に成形品の表層にダメージを与えて、脆くしておき、ブレードにより切断することにより、切断時に発生するばりの除去を容易にすることができる。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について詳細に説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1の回路基板の切断工程で得られた回路基板を示す図である。図2は回路基板の上面図、図3a乃至eは本発明の実施の形態1の回路基板の配線部の形成工程を示す要部断面図、図4aは本発明の実施の形態1の回路基板の切断工程における脆化工程を示す図、図4bは同切断工程を示す図である。図5a乃至eは本発明の実施の形態1の回路基板の切断工程を示す全体説明図である。この回路基板1は、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体10と、この絶縁性基体10の表面に形成された配線層20とを備え、外周縁に沿って脆化領域R1が形成されたことを特徴とする。この脆化領域R1はレーザ処理による変質部である。この変質部は、レーザ照射によって表層あるいは表層から所定の深さまでレーザのエネルギーによって変質されて得られる。そしてこの変質部は脆化領域R1を構成し、個々の回路基板1への分断に際し、ばりの発生もなく容易に分断できるようにしたことを特徴とするものである。ここで絶縁性基体としてはポリフタルアミドが用いられる。なおポリフタルアミドに代えて他の材料で構成された樹脂基板を用いてもよい。次に、この回路基板の製造工程について説明する。まず、加圧成形により、多数のチップ搭載領域を備えたポリフタルアミド基板からなる絶縁性基体10を用意する。こののち、絶縁性基体10上に配線層20を形成する。形成に際しては、たとえば以下の方法がとられる。まず、絶縁性基体10上にスパッタリング法により、図3aに示すように、膜厚100nm程度の銅薄膜21sを形成する。この後、図3bに示すように、回路部と非回路部の境界をレーザ描画により除去し、輪郭線を形成する。そして図3cに示すように、めっき法により回路部の銅薄膜21s上に膜厚3~10μm程度の銅層21を形成する。そしてさらに図3dに示すように、めっき法により順次膜厚3~10μm程度のニッケル層22、膜厚0.1~0.5μm程度の金層23を形成し、最後に、めっき層の形成されなかった、非回路部の銅薄膜21sをエッチング除去し、配線層20を得る図3e。このようにして、絶縁性基体10表面に、配線層20が形成され、多数個取りの回路基板が形成される。こののち、必要に応じてポリイミドなどの保護膜を形成してもよい。このようにして、配線層の形成された回路基板を、図4aに示すように、切断ラインLに沿って近傍にレーザ照射を行うことでレーザビームLBにより脆化し、脆化領域R1を形成する。そしてこのレーザ照射により得られた脆化領域R1内を石英製の回転刃からなるブレード100を用いて、図4bに示すように、切断する。この切断工程を図5a乃至eに示す。まず図5aに示すように、トレイ202にレーザによる脆化処理がなされた多数個取りの回路基板201からなるワークをセットする。そして図5bに示すように、ノズル205を用いてトレイ202内に注水する。さらに図5cに示すように、注水のなされたトレイ202を冷蔵庫204内にセットし、水を凍らせる。そして図5dに示すように、ブレード100を用いて、切断ラインLに沿って切断する。最後に図5eに示すように、スプレーノズル206を介して高圧温水を個々の回路基板1に分断されたワークに供給し、切断くずを除去する。このようにして図1に示したようにばりのない切断面を有する回路基板1に分断される。なお、前記実施の形態ではポリイミドを用いたがポリイミドアミドなど他の材料を用いてもよい。また本発明は、スパッタリング法により下地層を形成し、下地層のうち、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去して、輪郭を形成したのち、下地層をめっき用下地として、めっきを行うようにしているため、極めて作業性よく回路部を形成することが可能となる。なお、銅薄膜から成長せしめられためっき層は、電気化学的反応を経て形成されるため、密着性が良好で界面特性の優れた膜となっている。この下地層は膜厚100から500nm程度、望ましくは100-300nm程度の銅薄膜で構成することにより、密着性も良好である。そしてこの状態で銅薄膜からめっき層が成長するため、密着性に優れためっき層の形成が可能となる。なお、この脆化工程は、レーザ描画による配線層のパターニング工程と同時に行うようにしてもよい。これにより工数の増大なしに、極めて容易に脆化処理を行うことができる。また多数個取りの回路基板201を冷凍チャックして回転ブレードにより切断することで、表面層がもろくなり、ばりの除去が容易になる。また、前記実施の形態では、ダイシングに先立ち、肉薄化工程を経ることなく脆化処理を経てダイシングを行ったが、図6及び7に変形例を示すように、肉薄化した後にレーザ描画により脆化処理を行うことで脆化領域R2を形成してもよい。この構成によれば、脆化領域R2の面積が小さくてすみ、得られる回路基板1の強度の向上をはかることができる。図6はレーザ照射工程を示す説明図、図7は切断後の回路基板1の切断面を示す要部説明図である。さらにまた脆化工程は、配線基板上の少なくとも切断線の近傍に紫外線を照射するようにしてもよい。このように紫外線照射を用いることにより、回路表面を傷つけることなく、形成でき、汚染を防止することが可能となる。実施の形態2以下本発明の実施の形態2の回路基板の切断方法について説明する。本実施の形態では、脆化工程を、図8に示すように、多数個取りの回路基板上の少なくとも切断線Lの近傍に硫酸処理を行うことで実現してもよい。この場合、Auめっき後に、所望の濃度の硫酸水溶液Hを分断前の回路基板に吹き付けることで、Auめっき層をマスクとして硫酸処理を行うことで容易に脆化処理がなされ、脆化領域R3が形成される。なお吹き付けに代えて硫酸浴に回路基板を浸漬するようにしてもよい。この構成によれば、得られる回路基板1の回路表面を傷つけたり、汚染したりすることなく、脆化することが可能となる。実施の形態3以下本発明の実施の形態3の回路基板の切断方法について説明する。本実施の形態では、脆化工程を、回路形成に先立ち、図9に示すように、多数個取りの回路基板上の少なくとも切断線Lの近傍にガラスやアルミナなどのブラスト剤を吹き付けることにより、脆化処理を行うことで脆化領域R4を形成するものである。この方法によれば、必要な領域にブラスト剤を吹き付けることができ、容易に脆化処理を行うことが可能となる。このようにして、切断工程においてばりの発生を抑制することができ、切断面の平滑な回路基板1を得ることができる。実施の形態4以下本発明の実施の形態4の回路基板の切断方法について説明する。本実施の形態では、図10に示すように多数個取りの回路基板上の少なくとも切断線Lの近傍に脆性材料を塗布することで脆化領域R5を形成したことを特徴とする。この構成によれば、切断工程においてばりの発生を抑制することができ、切断面の平滑な回路基板1を得ることができる。この例ではエポキシ樹脂を塗布して脆化領域を形成した。脆化領域R5を形成する材料としてはエポキシ樹脂のほか、メラミン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を塗布し硬化するようにしてもよい。また、脆性材料の塗布方法については、成形後に脆性材料を塗布した後、めっき下地層を形成してもよいし、めっき後に塗布してもよい。実施の形態5以下本発明の実施の形態5の回路基板の切断方法について説明する。本実施の形態では、図11に示すように多数個取りの回路基板上の少なくとも切断線に相当する領域の近傍を脆性材料で構成したことを特徴とする。この場合は基板材料に凹部を形成し、この凹部に熱硬化性樹脂を充填し、脆化領域R6を形成する。この構成によれば、切断工程においてばりの発生を抑制することができる。そして、切断工程においてばりの発生を抑制することができ、切断面の平滑な回路基板1を得ることができる。この例ではエポキシ樹脂を塗布して脆化領域を形成した。脆化領域R6を形成する材料としてはエポキシ樹脂のほか、メラミン樹脂、フェノール樹脂等熱硬化性樹脂を塗布し硬化するようにしてもよい。あるいは回路基板の絶縁性基体10を構成する基板材料と同一材料で構成し、フィラーを多く充填するようにしてもよい。前記実施の形態1乃至5のいずれにおいても、絶縁性基体として平板構造の基板を用いてもよいし、立体構造の基板を用いてもよい。つまり、回路部、特に高周波回路部を、本実施の形態の構成をとるようにすればよく、絶縁性基体自体としては、平板構造にも立体構造にも適用可能であることはいうまでもない。なお、前記実施の形態1乃至5のいずれにおいても、このめっき用下地としてはスパッタリングで形成した銅薄膜に限定されることなく、クロム薄膜、チタン薄膜など、他の導電性薄膜を用いてもよい事は言うまでもない。また1層の薄膜だけでなく、多層薄膜を用いるようにしてもよい。まためっき層としても、銅層とニッケル層と金層との3層膜に限定されることなく適宜変形可能であり、膜厚については、3層の合計膜厚が10μm~20μm程度が望ましい。なお、前記実施の形態では、回路基板を構成する絶縁性基体として、ポリイミド樹脂を用いたが、これに限定されるものではない。例えば、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂など、射出成形によって形成した樹脂製の回路基板などの樹脂基板、プリプレグを用いた積層基板などにも適用可能である。ここで、誘電率は5~15程度の材料を用いる。なお、樹脂基板の他に、樹脂積層基板や樹脂とセラミック誘電体粉末を混合してなる複合材料を用いてなる積層基板を用いることも可能である。さらにまた、回路部の構成及び材料についても、適宜変更可能である。また、前記実施の形態1乃至5のいずれにおいても、絶縁性基体は、表面に凹凸を有するか否か、あるいは、その形状に、限定されることなく適宜変形可能である。表面に凹凸がある場合には、スプレー塗布、刷毛塗り、印刷などの方法では均一な膜厚の膜を形成するのが困難であるが、この構成をとることで制御性よく膜厚の均一な電着塗布膜を形成することができる。また配線層についても、制御性よく安定して形成するのが困難であるが、本発明によれば均一で安定した配線層を形成することができ、特に有効である。しかしながら平坦部においても、本発明の方法は有効である。また、前記実施の形態では、回路部の形成は、下地層を形成し、この下地層のうち、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去して、輪郭を形成し、めっき層の形成後に、めっき層をマスクとして下地層をエッチングすることで行ういわゆるという方法をとったが、これに限定されるものではない。たとえば、非回路部と回路部との境界領域を選択的に除去して、銅薄膜21sに輪郭を形成し、銅めっき層の形成後に、全面エッチングを行うようにしてもよい。これにより、非回路部の輪郭で囲まれた領域には銅めっき層は形成されないため、銅薄膜21sは薄い膜のままであり、エッチングで除去され、回路部の銅めっき層の形成された領域のみが銅層21として残留し、この銅めっき層上に金めっき層を形成することで、所望のパターンを形成することができる。これはいわゆる1ショットレーザー法と呼ばれるものである。またこの他、LDS法、あるいは2ショット法など、適宜変更可能であることはいうまでもない。ここでLDS法は、導電性粒子を含む樹脂基板にレーザ照射を行い導電性粒子を露出せしめて、この導電性粒子のパターン上にめっきを行い回路部を形成する方法である。2ショット法は、無電解めっきの触媒を含む材料で一次成形した後、触媒を含まない材料で2次成形を行う。そして露出した一次成形の表面にのみ選択的に無電解めっきを施し、回路基板を形成する方法である。以上、本発明者らによってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、この実施の形態による本発明の開示の一部をなす記述及び図面により本発明は限定されることはない。すなわち、上記実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれることは勿論である。