ピンチプラズマのパルス生成器であって、同軸上に対向するように配置される2つの凸形状の電極、電極の共通の軸に平行に印加される定常磁場、電極の間に位置する軸の中心に穴を有するリミッタディスク、および充填された低圧ガス、を含み、電極間のパルス電圧は、最初に前記穴により確定される直径の円筒状シート内に電流を引き起こし、電流シートは、プラズマピンチ効果により電極の凸表面上に崩壊させられ、定常磁場を各表面上の保護シースとなるよう圧縮し、電極間の軸上に高密度、高温のプラズマピンチを形成する、前記パルス生成器。交流パルス電圧により駆動される、請求項1に記載のパルス生成器。パルス周波数が、パルス間で部分的なガス電離が持続するに十分な高さである、請求項1に記載のパルス生成器。主電流パルスの印加より前に、点火電圧パルスがリミッタディスクに印加される、請求項1に記載のパルス生成器。電極間に複数のリミッタディスクが分配される、請求項1に記載のパルス生成器。作動ガスが、広角ヒートパイプ内のヘリウムガスを含む金属蒸気であり、リミッタディスクが円錐形状を具備し、ヒートパイプの金属蒸気凝縮および還流表面を含む、請求項5に記載のパルス生成器。請求項6のプラズマ生成器内に形成されるプラズマピンチにより活性化された二価にイオン化されたリチウムの13.5nm放射に基づく極紫外光源。加熱領域からのEUV放出を促進するためにレーザーパルスにより小さな容量でさらに過熱されたプラズマを有する、請求項6のプラズマピンチ生成器内で活性化された金属イオンの放射に基づく極紫外光源。加熱領域からの13.5nm放射を促進するためにパルス炭酸ガスレーザーにより小さな容量でさらに過熱されたプラズマを有する、請求項6のプラズマピンチ生成器内で活性化された二価にイオン化されたリチウムの13.5nm放射に基づく極紫外光源。金属蒸気が、電極内部のチャンバからの蒸発により、電極の軸上の小さな穴を介して補充され満たされる、請求項6に記載の生成器。凸状の電極の形状が実質的に円錐である、請求項1に記載の生成器。請求項1のプラズマピンチ生成器、集光反射光学素子、および、プラズマから使用点への経路に沿った作動ガス圧を低減する手段を少なくとも含む極紫外光源システム。本発明は、凸状で、テーパー状の磁気に補助された電極の使用による、リチウム蒸気等の動作ガスの3次元圧縮を導入る。初期の円筒状プラズマシェルは、磁力線と、電極および磁場の共通軸に垂直な円形開口との交差により画定される。電極は凸表面が互いに対向するうように配置されるため、プラズマシェルが高電流のピンチ効果により圧縮されると、内部磁場がその表面上に圧縮され、動作ガスが電極間の中央ギャップに向け推される。これにより、2次元圧縮の数倍のピンチ密度が実現された3次元ガス圧縮が生じる。印加される磁場磁気的な補助の第一の機能は、ExBドリフトを介した初期プラズマの方位角方向への分散である。方位角方向への対称性は、ホットプラズマを正確にデバイス軸上に最終形成するために必須である。プラズマは、印加電圧パルスに対して、表面イオン化の増加という対応をするので、高密度プラズマには半径方向の広がりに、スキンデプス限界がある。したがって、印加される磁場によりガイドされ、円形開口の寸法によりその外側表面が画定されたプラズマの円筒状シェルが生じる。円筒の端は、印加される磁場が電極に交差する場所に位置する。磁場の次の機能は、電極をプラズマ熱から保護することである。短い高電流パルスが電極間をプラズマシェルを介して流れると、シェルは内側に動いて内部磁場を圧縮し始めるが、磁場は電流パルスの時間スケールの間では、電極に侵入することができない。磁場は、入ってくるプラズマシェルおよび電極の間に挟まれるため、高い磁場の絶縁層を形成し、プラズマ熱が電極に到達することを防ぐ。このような場合、プラズマシェルの、印加される磁場を横切る拡散時間は、圧縮時間よりずっと長い。内側に動くプラズマシェルは、動作ガスを各端から中央に掻き込むため、シェルがすべての方向から中央に近づいていく時に、有利な高密度が達成される。シェルがデバイスの軸上に収束するにつれ、動作ガスの圧縮加熱およびイオン化が起こる。その時までに流れた高電流は、オーム加熱の主な源になり、イオン励起を通してEUV放射に変換されるエネルギーとして寄与する。電流路は、電極を保護する磁気層の外側表面上に残り、電極チップには集中しないため、過度の局所加熱およびスパッタ浸食を防ぐ。軸付近のより高い温度および密度は、高電流が軸の範囲内に侵入するのに十分な磁場拡散の比率を局所的に提供する。本発明の態様にしたがって、ピンチプラズマのパルス生成器が提供される。パルス生成器は、同軸上に対向して配置される2つの凸形状の電極を含み、定常磁場が電極の共通の軸に平行に印加され、軸上の中央に穴を具備するリミッタディスクが電極間に位置し、低圧ガスか充填される。ここで、電極間のパルス電圧は、前記穴により画定される直径の円筒状シート面内の初期電流を引き起こし、電流シートはプラズマピンチ効果により電極の凸表面上に崩壊させられ、定常磁場を圧縮して各表面上の保護シースとして、電極間の軸上に高密度、高温のプラズマピンチを形成する。本発明をより理解するために、参照することにより本願に組み込まれる添付図面について述べる。本発明の第1の態様の動作は、図1Aおよび1Bを参照して示され、図は回転軸15の周りに円筒対称性を有する電極構造内のプラズマ発生の2つの段階を示す。電極10、20が、軸15の周りに円筒対称性を有して対向しており、互いに向かい合う凸表面を有する。その中心が対称軸15上にある円形の中心穴を有するディスク30が、電極10、20の間の中間に位置づけられる。パルス電圧および電流生成器50が、導体40を介して電極10、20の間に接続される。本発明の好ましい態様における生成器50は、交流極性のパルスを電極に提供する。対称軸15に平行な磁力線60を有する定常印加磁場Bが、存在する。作動ガス70が電極間空間を充填する。このガスは、そのスペクトル線放出が印加に要求される波長に適合するように選択され得る。例えば、リチウム蒸気は、半導体のパターニングに有用な13.5nm光の生成のために選択され、放射を発生させる核種は2価にイオン化されたLi2状態である。本発明の好ましい態様では、電圧および電流パルスは、次に続くパルスが起こる時にガス70内で残りの測電離が起きるのに十分なだけ高い周波数で印加される。リチウム蒸気の場合は、この周波数は約1kHzを超えなければならないであろう。電圧パルスの急速な印加により、環状ディスク30の内径およびディスクに垂直に走る定常印加磁場線60により画定される円筒状のプラズマシェル75内でのイオン化が開始される。シェルの厚さは、印加される電圧パルス内の周波数成分におけるプラズマのスキンデプスに関係づけられる。図2Aおよび2Bを参照して以下に示されるように、プラズマシェルは、表面に形成される二次電子の方位角方向のドリフトに起因する方位角方向の優れた均一性を有して開始される。印加される電流パルスが増加するにつれ、電流を運ぶ電子と相互作用するこの電流の自己磁界により、プラズマシェル75が内側に推される、すなわちピンチ効果である。プラズマシェルのその後の位置85が、図1Bに示される。このスナップショットにおいて、電極近くのシェルの端部は、内部磁場線を電極表面上の薄層65へ圧縮し、この層内の磁場振幅は電極先端に向けて増幅される。磁場は、関心がある周波数成分であるMHz周波数においては比較的小さい、電極のスキンデプス以上に、電極に入ることはできない。電極の外側部分の周りに以前に形成されていた作動ガスは、収束プラズマシェルにより押し込まれ、デバイスの中心へ向けて進む。圧縮の最終段階において、高密度ガスシリンダ90が電極先端間に形成され、軸上での滞留でもたらされる慣性エネルギーのため、ガスは、場合によってはいくつかのイオン化段階を経て、高温に過熱される。印加された電流の消散による継続的な熱の入力オーム加熱は、短波長放射の放出のためのエネルギーを提供する。印加される電流は、電極の外側端において立ち上がり、磁気絶縁のおかげで接触せずに輪郭表面によりガイドされ、シリンダ90内の最高密度位置において収束することで、熱を蓄積する。図2Aおよび2Bは、方位角方向に均一性のとれたプラズマシェルの発達を示す。図2Aにおいて、初期の低密度プラズマシェル75は、生成器50からの印加電圧に応答して発達する。シェル75が電極10、20に当たる場所には、それを横切って電圧降下があるプラズマシース95が存在し、電場は電極表面に垂直である。図2Bに示すように、表面を離れる二次電子は、交差磁場またはExBドリフトを行う。図1Aおよび1Bを参照して上記に示されるように、これら電子の方位角方向への運動は、プラズマピンチ効果の下でのその内側への運動より前の、プラズマシェル75の位置および濃度の両方における方位角方向への良好な対称性を保証する。この高度な対称性は、高密度プラズマ90のための正確な最終位置を保証する。図3に示される本発明の第2の態様において、熱せられた液価金属の備蓄容器からの蒸発により有用な密度が得られ得る、リチウムのような作動ガスの利用が提供される。この場合、電極10、20は、ある量の液体金属120を含む内蔵備蓄容器110を具備する。対称軸15に位置する開口穴130は、作動ガス空間70へ金属蒸気を伝達する。リチウムまたは問題となる金属は、電極から得る加熱か、または電極内に取り付けられたヒーター140によるか、これらの組み合わせにより蒸発される。広角円錐形の凝縮および湾曲表面構造30、35を含む、広角ヒートパイプUS7479646ExtremeUltravioletSourcewithWideAngleVaporContainmentandRefluxMcGeochが示される。軸15の周りに回転対称性を有する2つの表面を各々有するような、3つの構造が図3に示されるが、このような構造は複数存在し得る。電極の外側表面150はまた、ヒートパイプの一部である。リチウムガスの場合は、リチウムを含むようにヒートパイプの外側部分にヘリウム緩衝ガス160が存在するUS7479646McGeoch。安定した操作において、パルサー50により引き起こされる放電による熱は、必要に応じてヒーター140により増強され、電極備蓄容器110を、放電領域70内で要求される金属蒸気密度に適した温度に維持する。さらに、ヒートパイプ構造30、35の内側境界の温度は、プラズマ熱排気の送出または他のヒーター手段を介した安定した操作において、備蓄容器110の温度と同様な温度に上昇され、構造30、35上で凝縮された後に内側に流れる金属の再蒸発を促進する。金属蒸気と接するすべての表面は、したがって同様の温度になり、金属は、デバイス内のいかなる冷温スポット上への純移動も起きないことを保証する。金属蒸気の濃度の望ましい操作を確立してしまうと、プラズマ生成構造の動作は、図3の番号対応する番号で示された図1Aおよび1Bを参照して上述されるように進む。図4に示されるように、本発明のさらなる態様において、主高電圧パルスVが生成器50により提供される前の期間に、生成器55によりリミッタディスク30に提供される点火電圧パルスV1がある。プラズマ生成器においては、電極10、20の一つとリミッタディスク30の間に印加される電圧V1が、また一般的に他の電極とディスク30の間に出るように、電極10、20は一般的には低インピーダンスパルス生成器50を通して互いに接続される。点火生成器55は、一般的に生成器50より高いインピーダンスを有するため、主電流パルスが生成器50から送出されるより前に、重大な電流を送出することまたは重大なピンチ効果に寄与することはない。しかしながら、主パルスの印加の際にイオン雪崩がそこから起こりプラズマシェル75を作る、基礎イオン化を作り出す働きをする。本発明のプラズマ生成構造は、EUV源システムに組み込むことができ、その態様の一つが図5に示される。図における態様において、プラズマ生成構造は、軸15の周りに回転対称を有し得るバキュームチャンバ400内に位置する。要求される定常磁場60ラベルBが、チャンバ400の外側に位置し得るヘルムホルツコイル300により提供される。鏡190は楕円断面形状であってもよく、高密度プラズマ領域90から放射利用位置200に向けて、EUV光線180の再照準が行われる。バリア500は、EUV光に対して実質的に透明であるが、金属蒸気が広角ヒートパイプ内に含まれる場合は、作動ガスまたはヘリウム緩衝ガスの動きに対してのバリアとなる。これは、領域420内に位置する利用点200を、領域410内に位置する作動ガスまたは緩衝ガスから分離して利用することを可能にする。バリア500は、反射された光線に平行な狭い通路であって、ガスの流れに対して高いインピーダンスを示すが、殆どのEUV光を伝えるものから成っていてよい。そのかわり、または、それと併用して、バリア500は、殆どのEUV光を伝えるサポートメッシュ上に取り付けられる薄膜を含んでもよい。この種類の膜は文献により周知であり、EUV光の利用のためのものがSchroffらによりさらに開発されているProcSPIE6151paper615104Shroffetal。レーザービーム600を、小さな相互作用領域におけるEUV生成を促進するために高密度プラズマ90に向けて集中することができ、それによって、レーザ加熱放電プラズマLHDP源内のEUV源の輝度を増加させるUSPatentPublicationNoUS20090212241LaserHeatedDischargePlasmaEUVSourceMcGeoch。レーザービーム600は、レンズまたはウィンドウ図5には示さずを通してチャンバ400に入り、集束ミラー190の穴を通過してデバイスの中心に到達する。同様の構成要素での他の配置も可能であり、その一つにおいて、チャンバの対称軸または楕円形のミラーは、プラズマ生成構造の対称軸15に対して平行ではない。前述の態様は、請求項に定義される本発明のサブコンポーネントを組み込んだ多くの異なるシステムの内の一つであり、本発明の範囲を制限するものとしては解釈されない。本発明のさらなる態様が、図6に示される。この態様では、非対称の電極対10、20を示し、本発明によれば両方が凸状をしているが、各電極は異なる凸外形をしており、一つの電極20のみが、液体金属備蓄容器110へアクセスできる中央穴130を具備する。この態様では、金属蒸気の捕捉および再循環のための広角ヒートパイプを構成する3つのリミッタディスク30、35、35を具備する。動作は、図3を参照して示された通りである。すべての可能性のある非対称構造が本発明の範囲に含まれる。本発明の少なくとも一つの態様は、出願人の実験室において実現された。その一つの態様において、リミッタディスクの穴の直径は25mm、開始プラズマシリンダの長さは30mmであった。0.04Tの定常磁場が、生成器の軸に平行に印加され、直径3mmの中央穴を具備する対称電極が用いられ、リチウムを含むチャンバへのアクセスが提供された。動作においては、2.5tоrrのヘリウム圧が、広角ヒートパイプ内にリチウムを含んで使用された。4つのリミッタディスクが使用され、その内の2つの中央に事前点火パルスが印加された。プラズマシェルを圧縮するために、2μsecのパルスおよびピーク電流10kAが印加された。生成器のパルスは、2kHzまで上げられ、数百ワットの13.5nm極紫外線が発生された。これは、物理的スケールの異なる多くの可能性のある態様の内の一つの例に過ぎず、作動ガスおよび周波数の要求に依存して、異なるピーク電流、パルス幅または印加される磁場を要求する。本発明をさらに別の態様で実現できることは、当業者にとって明らかである。本発明の少なくとも一つの態様のいくつかの側面が示されたため、その様々な修正、変更および改良は当業者にとって容易である。そのような修正、変更および改良は、本開示の一部であり、本発明の精神と範囲の内である。したがって、前述の説明および図面は、ほんの一例である。