3d遷移金属元素を含んだ原材料を焼成して形成した多結晶構造体からなり、前記多結晶構造体には、モット絶縁体からなる遷移金属酸化物が結晶粒状に形成されており、各結晶粒の表面には、3d遷移金属元素の電子数が、前記遷移金属酸化物における3d遷移金属元素の電子数と異なり、3d軌道に電子が存在しない状態か、又は3d軌道全てに電子が存在している状態にあるバンド絶縁体酸化物が形成されていることを特徴とする光触媒材料。前記バンド絶縁体酸化物は、前記3d軌道に電子が存在しないd0電子配置となり、前記遷移金属酸化物は、d1電子配置となることを特徴とする請求項1記載の光触媒材料。前記バンド絶縁体酸化物は、前記3d軌道全てに電子が存在しているd10電子配置となり、前記遷移金属酸化物は、d9電子配置となることを特徴とする請求項1記載の光触媒材料。前記遷移金属酸化物が、MgTi2O4、Sr2VO4又はCaV2O5であることを特徴とする請求項1~3記載の光触媒材料。前記MgSr又はCaの一部が、d電子を有する遷移金属で置換されることを特徴とする請求項4記載の光触媒材料。前記遷移金属は、Feであることを特徴とする請求項5記載の光触媒材料。請求項1~6記載の光触媒材料を用いたことを特徴とする光触媒。粉砕されて粉末状に形成されることを特徴とする請求項7記載の光触媒。ところで、このような光触媒材料は、d0電子配置d軌道に電子が空となっている状態のTi4や、d10電子配置d軌道に電子が完全に満たされている状態の金属イオンを有し、これらTi4や金属イオンをもつバンド絶縁体の遷移金属化合物をベースにしている。このため、光触媒材料は、光を照射して水を水素と酸素に分解するために、PtやRu等の貴金属類を含む物質を助触媒として加えなければ、光触媒として機能し得ないという問題があった。そこで、本発明は以上の点を考慮してなされたもので、助触媒を使用せずに、光照射によって、水から水素を生成し得る光触媒材料及び光触媒を提供することを目的とする。本発明の請求項1では、3d遷移金属元素を含んだ原材料を焼成して形成した多結晶構造体からなり、前記多結晶構造体には、モット絶縁体からなる遷移金属酸化物が結晶粒状に形成されており、各結晶粒の表面には、3d遷移金属元素の電子数が、前記遷移金属酸化物における3d遷移金属元素の電子数と異なり、3d軌道に電子が存在しない状態か、又は3d軌道全てに電子が存在している状態にあるバンド絶縁体酸化物が形成されていることを特徴とするものである。また、請求項2では、前記バンド絶縁体酸化物は、前記3d軌道に電子が存在しないd0電子配置となり、前記遷移金属酸化物は、d1電子配置となることを特徴とするものである。また、請求項3では、前記バンド絶縁体酸化物は、前記3d軌道全てに電子が存在しているd10電子配置となり、前記遷移金属酸化物は、d9電子配置となることを特徴とするものである。また、請求項4では、前記遷移金属酸化物が、MgTi2O4、Sr2VO4又はCaV2O5であることを特徴とするものである。また、請求項5では、前記Mg、Sr又はCaの一部が、d電子を有する遷移金属で置換されることを特徴とするものである。また、請求項6では、前記遷移金属は、Feであることを特徴とするものである。また、請求項7では、請求項1~6記載の光触媒材料を用いたことを特徴とするものである。また、請求項8では、粉砕されて粉末状に形成されることを特徴とするものである。本発明によれば、助触媒を使用せずに、光照射によって、水から水素を生成し得る光触媒材料及び光触媒を提供することができる。以下図面に基づいて本発明の実施の形態を詳述する。1光触媒の構成本発明による光触媒は、バルク状の光触媒材料後述するが粉砕され粉末状に形成されたものであり、水に懸濁させて、260K以上で光が照射されると、酸化還元反応により水を分解して主に水素を生成し得るようになされている。ここで、光触媒材料は、複数の結晶粒が形成された多結晶構造体からなり、多結晶構造体の各結晶粒が3価のTiTi3を有するスピネル型結晶構造のMgTi32O4により形成されている。かかる構成に加えて、光触媒材料は、多結晶構造体の各結晶粒の表面結晶粒界にバンド絶縁体酸化物が形成されている。このバンド絶縁体酸化物は、結晶粒と同じMg、Ti及びOの元素からなるものの、4価のTiTi4を有したバンド絶縁体である。なお、このバンド絶縁体酸化物は、スピネル構造を有したMgTi32O4からなる結晶粒の表面に形成され、またX線光電子分光装置日本電子社製JPS9200によるXPSXrayphotoelectronspectroscopy測定の結果から、Ti4が確認されたことから、逆スピネル構造を有するMg2Ti4O4であると推測される。一方、多結晶構造体において結晶粒を形成する遷移金属酸化物たるMgTi32O4は、モット絶縁体であり、260K以上になると、金属絶縁体転移が起こり、絶縁体相から金属相となり得る。因みに、MgTi32O4は、モット絶縁体であるため、バンド理論で金属的と予想されるにも関わらず、電子間斥力電子間クーロン力の効果によって絶縁体状態となっている。かくして、本発明の光触媒は、上述した光触媒材料を粉末状に粉砕して形成されていることから、Ti3でd1電子配置d軌道に電子が1つ存在する状態にあるMgTi32O4と、Ti4でd0電子配置d軌道の電子が存在しない状態にあるバンド絶縁体酸化物とが含まれた構成となり得る。これにより、この光触媒では、水に懸濁させ、260K以上の温度下で光が照射されると、金属相であるTi3を有するMgTi32O4と、Ti4を有するバンド絶縁体酸化物との界面の効果によって、酸化還元反応により水から水素を生成し得るようになされている。2光触媒材料及び光触媒の製造方法次に、光触媒材料と光触媒との製造方法について説明する。先ず始めに、Mgと、3d遷移金属元素としてのTiとのモル比が1:2となるように、MgOとTiとTiO2の各粉末を混合して混合粉末を作製し、その混合粉末を圧縮成型して成型体を作製する。次いで、この成型体を真空中で所定の温度において所定の時間焼成した焼成体を取り出して粉末にする。その後、この粉末を再び圧縮成型して真空中で所定の温度において所定の時間焼成することにより、上述した多結晶構造体からなる光触媒材料を作製できる。このようにして作製したバルク状の光触媒材料は、Ti3を有するMgTi32O4からなる結晶粒が形成され、この結晶粒の表面に、Mg、Ti及びOからなりTi4を有するバンド絶縁体酸化物が形成された多結晶構造体から構成されている。因みに、上述した光触媒材料の作製方法としては、これに限らず、この光触媒材料を再び粉砕して粉末状の材料粉末体を作製した後、この材料粉末体を成型して材料成型体を作製し、この材料成型体を上述した焼成条件にて焼成する工程以下、これを再形成工程と呼ぶを経て、再び多結晶構造体からなる光触媒材料を作製しても良い。この場合、光触媒材料は、再形成工程が繰り返されて作製されることで、不純物の少ない多結晶構造体となり得る。最後に、このようにして作製した光触媒材料を粉砕して粉末状に形成することにより、Ti3でd1電子配置となるMgTi32O4と、Mg、Ti及びOからなりTi4でd0電子配置となるバンド絶縁体酸化物とを含んだ粉末状の光触媒を作製できる。3検証3-1金属絶縁体転移次に、光触媒材料ついて各種検証を行った。ここでは、MgOとTiとTiO2とを適量混ぜて混合粉体を作製し、この混合粉体を圧縮成型して作製した成型体を加熱して、石英管内の成型体を焼成し、多結晶構造体からなる光触媒材料を作製した。次いで、この光触媒材料について、温度と電気抵抗との関係を調べたところ、図1Aに示すような結果が得られた。具体的には、温度を変化させながら各温度における光触媒材料の電気抵抗率Ωcmを測定した。図1Aから、250K付近において、電気抵抗が急激に下がっていることが確認でき、このことからこの光触媒材料は、250K付近で、絶縁体相から金属相に金属絶縁体転移していることが分かる。次に、この光触媒材料について、温度と磁化率emuTi3molとの関係を調べたところ、図1Bに示すような結果が得られた。ここでは、01Tテスラの磁場中において、温度を変えながら各温度における光触媒材料の磁化率を測定した。その結果得られた図1Bから、磁化率の減少傾向が、200K付近において増加傾向に転じ、260K付近においてほぼ飽和状態となっていることが確認できた。図1A及び図1Bから、この光触媒材料は、260K付近で、絶縁体相から金属相への金属絶縁体転移図1Aが起き、磁気的な相転移図1Bを起こしていることが分かった。次に、この光触媒材料について、温度と格子定数nmとの関係を調べた。ここでは、光触媒材料を粉末状にした後、粉末X線回折測定XRDにより、温度を変化させながら各温度における光触媒材料のX線回折を測定し、その測定結果から格子定数を決定した。その結果、図1Cに示すような結果が得られた。図1Cから、この光触媒材料は、260K未満において、格子定数aと格子定数cとが異なる正方晶の結晶構造となり、260K以上において、立方晶の結晶構造となることが確認できた。このことから、260Kを境に結晶構造が変化することが分かる。このように、図1A~図1Cから、この光触媒材料は、260K以上になると、結晶構造が変わり、絶縁体相から金属相になって金属絶縁体転移していることが分かった。3-2光触媒材料の表面組成分析次に、この光触媒材料の表面組成の検証を行った。ここでは、粉末状のMgOを02239gと、粉末状のTiを01596gと、粉末状のTiO2を06212gとを乳鉢に入れ、それらが均質となるまで混合して混合粉体を作製し、当該混合粉体を成形機により押圧して直方体状の成型体を作製した。続いて、成型体を開口から石英管に入れ、当該石英管の開口をバーナーで焼き切ることにより、この成型体を石英管に封入した。この石英管を焼成炉内に入れ、1073Kにおいて3日間焼成した。次いで、この石英管を破砕して内部の焼成体を取り出して再度粉末にした後に、この粉末を再び圧縮成型して石英管に封入した。最後に、この石英管を焼成炉内に再び入れ、さらに1273Kにおいて2日間加熱し、当該石英管内の成型体を焼成して光触媒材料を作製した。その後、この石英管を破砕し、当該石英管内から光触媒材料を取り出した後、真空中で当該光触媒材料を破断して光触媒材料の破片を試料破片として得た。そして、このX線光電子分光装置により、試料破片の表面組成分析を行った。なお、ここでは、試料破片の表面のうち、製造過程で空気に曝されておらず、光触媒材料の破断により初めて外部に露出した面以下、これを分析面と呼ぶについて表面組成分析を行った。表面組成分析は、光触媒材料が金属相となっている300Kの温度条件下で、真空度を1x109Pa以下、X線のスポットサイズを3mm、パスエネルギー10eVとして、試料破片の分析面における結合エネルギーの強度を、X線光電子分光装置で測定した。この300Kの温度条件下において、試料破片に紫外光波長355nmを照射したときの分析面における結合エネルギーの強度を測定したところ、図2の上段領域ER1に示すような結合エネルギースペクトルが得られた。次に、この結合エネルギースペクトルを用いて、スペクトル解析ソフトWaveMetrics社製IgorProにより波形分離処理して、Ti42p32スペクトル、Ti42p12スペクトル、Ti32p32スペクトル及びTi32p12スペクトルの関数以下、これらをまとめて分離スペクトル関数と呼ぶを解析した。これにより、スペクトル解析ソフトによって、これらの分離スペクトル関数を合成して合成スペクトルを計算し、当該合成スペクトルが結合エネルギースペクトルに極力一致するように、各分離スペクトル関数をピークフィッティング最適化して、図2の上段領域ER1に示すような合成スペクトルと、Ti42p32スペクトルと、Ti42p12スペクトルと、Ti32p32スペクトルと、Ti32p12スペクトルとを得た。図2の上段領域ER1に示すように、試料破片の分析面に紫外光を照射した紫外光照射時のピークフィッティングでは、メインピークが45935eVの位置にあり、半値幅FWHMが175eVであることが確認できた。また、紫外光照射時における試料破片の分析面では、Ti4とTi3との各ピーク面積の比率から表面組成比がTi3Ti4≒0696であることが確認できた。また、これとは別に、紫外光照射時と同様の条件下で、試料破片に可視光を照射したときの分析面における結合エネルギーの強度を測定したところ、図2の中段領域ER2に示すような結合エネルギースペクトルが得られた。次に、この結合エネルギースペクトルを用いて、上述と同様にスペクトル解析ソフトにより解析したところ、図2の中段領域ER2に示すような合成スペクトルと、Ti42p32スペクトルと、Ti42p12スペクトルと、Ti32p32スペクトルと、Ti32p12スペクトルとが得られた。図2の中段領域ER2に示すように、試料破片の分析面に可視光を照射した可視光照射時のピークフィッティングでは、メインピークが45915eVの位置にあり、半値幅FWHMが191eVであることが確認できた。また、可視光照射時における試料破片の分析面では、Ti4とTi3との各ピーク面積の比率から表面組成比がTi3Ti4≒0507であることが確認できた。また、これらとは別に、紫外光照射時と同様の条件下で、試料破片に光を照射しないときの分析面における結合エネルギーの強度を測定したところ、図2の下段領域ER3に示すような結合エネルギースペクトルが得られた。次に、この結合エネルギースペクトルを用いて、上述と同様にスペクトル解析ソフトにより解析したところ、図2の下段領域ER3に示すような合成スペクトルと、Ti42p32スペクトルと、Ti42p12スペクトルと、Ti32p32スペクトルと、Ti32p12スペクトルとが得られた。図2の下段領域ER3に示すように、試料破片の分析面に何も光を照射しない光無照射時のピークフィッティングでは、メインピークが45905eVの位置にあり、半値幅FWHMが189eVであることが確認できた。また、光無照射時における試料破片の分析面では、Ti4とTi3との各ピーク面積の比率から表面組成比がTi3Ti4≒0515であることが確認できた。これらの表面組成分析の測定結果から、この光触媒材料には、Ti3及びTi4の2種類の異なる価数を有する3d遷移金属元素であるTiが含まれていることが分かった。このように、この光触媒材料は、異なる価数を有している2種類のTiをもち、かつ多結晶構造体からなることから、結晶粒がMgTi32O4となり、結晶粒の表面結晶粒界がTi4を有するバンド絶縁体になっていると考えられる。また、300Kにおいて光触媒材料が金属相の場合は、光無照射時のメインピークと可視光照射時のメインピークとを比較すると、可視光照射時のメインピークが高エネルギー側にシフトすることが確認できた。また、可視光照射時のメインピークと紫外光照射時のメインピークとを比較すると、紫外光照射時のメインピークが高エネルギー側にシフトすることが確認できた。このようなピークシフトは、主に、試料破片の分析面に照射される光のエネルギーに応じて、Ti42p32スペクトルのピークがシフトしているためである。なお、このような試料破片のピークシフトは、一般的な光触媒として知られているTi1xCoxO2δx010又はx005でも、紫外光を照射した際に観察されており、一般的な光触媒関連物質の挙動と似ていることが確認できた。また、光触媒材料が金属相のときの試料破片ついて、紫外光照射時、可視光照射時及び光無照射時における表面組成比を比較した。その結果、可視光照射時及び光無照射時の表面組成比は、Ti3Ti4≒05となっており、試料破片の分析面におけるTi3とTi4との存在比が05:1となっていることが分かった。また、一方で、紫外光照射時の表面組成比は、Ti3Ti4≒07となっており、試料破片の分析面におけるTi3とTi4との存在比が07:1となっていることが分かった。このように、紫外光照射時の表面組成比では、可視光照射時及び光無照射時の表面組成比に比べてほぼ14倍となっていることから、紫外光照射時の試料破片の分析面におけるTi3が、可視光照射時及び光無照射時に比べて増加していることが分かった。次いで、光触媒材料が絶縁体相となる200Kに温度条件を設定し、表面組成分析時におけるその他の条件を上述した表面組成分析と同様の条件として、試料破片の分析面の表面組成分析を行った。具体的には、200Kに温度条件下にて、試料破片に紫外光を照射したときの分析面における結合エネルギーの強度を測定したところ、図3の上段領域ER4に示すような結合エネルギースペクトルが得られた。次に、この結合エネルギースペクトルを用いて、スペクトル解析ソフトにより解析したところ、図3の上段領域ER4に示すような合成スペクトルと、Ti42p32スペクトルと、Ti42p12スペクトルと、Ti32p32スペクトルと、Ti32p12スペクトルとが得られた。図3の上段領域ER4に示すように、紫外光照射時のピークフィッティングでは、メインピークが4592eVの位置にあり、半値幅FWHMが174eVであることが確認できた。また、紫外光照射時における試料破片の分析面では、Ti4とTi3との各ピーク面積の比率から表面組成比がTi3Ti4≒0824であることが確認できた。また、これとは別に、紫外光照射時と同様の条件下で、試料破片に可視光を照射したときの分析面における結合エネルギーの強度を測定したところ、図3の中段領域ER5に示すような結合エネルギースペクトルが得られた。次に、この結合エネルギースペクトルを用いて、スペクトル解析ソフトにより解析したところ、図3の中段領域ER5に示すような合成スペクトルと、Ti42p32スペクトルと、Ti42p12スペクトルと、Ti32p32スペクトルと、Ti32p12スペクトルとが得られた。図3の中段領域ER5に示すように、可視光照射時のピークフィッティングでは、メインピークが4592eVの位置にあり、半値幅FWHMが176eVであることが確認できた。また、可視光照射時における試料破片の分析面では、Ti4とTi3との各ピーク面積の比率から表面組成比がTi3Ti4≒0783であることが確認できた。また、これらとは別に、紫外光照射時と同様の条件下で、試料破片に光を照射しないときの分析面における結合エネルギーの強度を測定したところ、図3の下段領域ER6に示すような結合エネルギースペクトルが得られた。次に、この結合エネルギースペクトルを用いて、スペクトル解析ソフトにより解析したところ、図3の下段領域ER6に示すような合成スペクトルと、Ti42p32スペクトルと、Ti42p12スペクトルと、Ti32p32スペクトルと、Ti32p12スペクトルとが得られた。図3の下段領域ER6に示すように、光無照射時のピークフィッティングでは、メインピークが4592eVの位置にあり、半値幅FWHMが178eVであることが確認できた。また、可視光照射時における試料破片の分析面は、Ti4とTi3との各ピーク面積の比率から表面組成比がTi3Ti4≒0790であることが確認できた。このように、光触媒材料が絶縁体相となる200Kに温度条件下では、試料破片の分析面に照射される光のエネルギーを変えても、試料破片においてメインピークのピークシフトが生じないことが確認できた。さらに、200Kに温度条件下、紫外光照射時、可視光照射時及び光無照射時における表面組成比では、全てTi3Ti4≒08となっており、試料破片の分析面におけるTi3とTi4との存在比が08:1となっていることが分かった。このように、200Kに温度条件下では、紫外光照射時、可視光照射時及び光無照射時の表面組成比が、全て08と変化しないことから、試料破片の分析面におけるTi3とTi4との比が変化していないことが分かった。ここで、光触媒材料が金属相及び絶縁体相の場合における試料破片の分析面に関する表面組成分析の測定結果を、表1にまとめる。表1におけるピークシフトの値は、金属相において光無照射で測定したメインピークのピークの値を基準値として、その他のピークシフトの値を当該基準値に対する相対値として表した。表1から、金属相と絶縁相とを比較すること、金属相では、照射光の違いにより、メインピークのピークシフトが生じており、また表面組成比であるTi3Ti4も、紫外光照射時に、他の無光照射時及び可視光照射時よりも大きくなっていることが分かった。3-3光触媒材料の光触媒機能確認実験次に、上述した3-2表面組成分析にて作製した光触媒材料を粉砕し、粉末状の試料を作製して、この試料が光触媒として機能するか否かの確認実験を行った。ここでは、図4に示すような実験装置1を用い、光触媒材料を粉末状にした試料を水に懸濁させた懸濁液2をフラスコ3に入れ、マグネティックスターラー4上の保持容器5内に、このフラスコ3を載置した。保持容器5には、後述する照射器からの赤外線成分を遮断するフィルタとして機能する純水6が入れられており、フラスコ3内の懸濁液2が、純水6内に位置するようにした。次いで、ガスクロマトグラフ装置8SHIMADZU社製GC8Aに接続されている配管10に、フラスコ3の上部開口部3aを接続部品7により接続し、当該フラスコ3を実験装置1に設置した。そして、マグネティックスターラー4を用いてフラスコ3内の懸濁液2をかき混ぜながら、照射器浜松ホトニクス社製LC514から発した光波長1000~220nmを懸濁液2に照射した。この際、Arガスをキャリアガスとして配管10に注入し、Arガスの流れにより、配管10を介して、フラスコ3内の気体をガスクロマトグラフ装置8まで運び回収した。クロマトグラフのカラムは水素、酸素、窒素を分離することが可能なカラムSHIMADZU社製MS13Xを用いる。因みに、図4において、15は、前置カラムアルミナであり、触媒反応器からの水蒸気圧がカラムの分離能を低下することを防止するために用いる。16は、配管10内の気体の圧力を計測する圧力計である。そして、ガスクロマトグラフ装置8によって気体内の水素量を測定した。ここでは、先ず始めに、試料として、試料作製後に数カ月間、真空デシケータ中に保管した光触媒材料を粉末状にした試料以後、これを第1試料と呼ぶを用意し、この第1試料03gを10mlの水に懸濁させて懸濁液2を調製した。次いで、この懸濁液2をフラスコ3に入れ、当該フラスコ3を実験装置1に設置し、室温下でフラスコ3内の懸濁液2に光を照射した。その際、生成される水素量をガスクロマトグラフ装置8にて測定したところ、図5A~図5Cに示すような結果が得られた。なお、図5B及び図5Cは、図5Aの一部を拡大したグラフであり、図5中のevacは、光照射を継続したまま、フラスコ3内に蓄積した水素を一度全て追い出した後、改めてフラスコ3内の水素量を測定したことを示している。図5A~図5Cから、第1試料では、光が照射されているとき、水素が生成されていることが確認できた。図6Aは、図5Aで得られた測定結果を、単位時間あたりの水素発生量で示したグラフである。このデータから光照射後30時間程度で水素発生量にピークが現れ、その後、水素量が低下しているものの、光を照射している間、水素を生成していることが確認できた。次に、試料として、光触媒材料を作製後、すぐに粉末状にした試料以後、これを第2試料と呼ぶを用意し、この第2試料01gを05mlの水に懸濁させて懸濁液2を調製した。次いで、この懸濁液2をフラスコ3に入れ、当該フラスコ3を実験装置1に設置し、室温下でフラスコ3内の懸濁液2に光を照射した。その際、生成される水素量をガスクロマトグラフ装置8にて測定したところ、図6Bに示すような結果が得られた図6B中、Arと示す。さらにこれとは別に、同様に調製した懸濁液2をフラスコ3に入れ、当該フラスコ3を実験装置1に設置し、アルミホイルで梱包することによって外部からの光を遮断した状態で、生成される水素量をガスクロマトグラフ装置8にて測定した結果を図6Bに示す図6B中、darkと示す。光の照射がない状態であっても水と懸濁することで水素を発生するが、光照射されることでさらに効率よく水素が生成されており、光触媒として機能していることが確認できた。次いで、上述した第2試料01gを05mlの水に懸濁させ、さらに犠牲剤NaIO30150mmolを加えた懸濁液2を調製した。懸濁液2をフラスコ3に入れ、当該フラスコ3を実験装置1に設置し、アルミホイルで梱包することによって外部からの光を遮断した状態で、生成される水素量をガスクロマトグラフ装置8にて測定した。図7に示すように、光を遮断した状態では水素が発生しないことが確認された図7中、一点鎖線で示す。引き続き、アルミホイルを除去して、室温下でフラスコ3内の懸濁液2に光を照射し、生成される水素量をガスクロマトグラフ装置8にて測定したところ、やはり水素が生成されないことが確認された。これは犠牲剤NaIO3が水素の生成反応を抑制することを示している。次に、第2試料01gを05mlの水に懸濁させ、さらに犠牲剤NaIO300126mmolを加えた懸濁液2を調製した。懸濁液2をフラスコ3に入れ、当該フラスコ3を実験装置1に設置し、アルミホイルで梱包することによって外部からの光を遮断した状態で、生成される水素量をガスクロマトグラフ装置8にて測定した。この場合でも、図7に示すように、光を遮断した状態では水素が発生しないことが確認された図7中、実線で示す。引き続き、アルミホイルを除去して、室温下でフラスコ3内の懸濁液2に光を照射し、生成される水素量をガスクロマトグラフ装置8にて測定したところ、水素が生成されることが確認された。これは犠牲剤の量を減らすことによって、光遮断下では水素を生成せず、光照射下で水素を生成する状況が実現されることを示している。図7に示す結果によっても、光触媒として機能していることが確認できた。3-4本発明の光触媒における水素生成原理次に、本発明の光触媒について、水に懸濁された状態で、260K以上の温度下、光が照射されると、水から水素を生成する原理について説明する。この光触媒は、上述したように、3d軌道がd1電子配置のTi3を有するMgTi32O4と、3d軌道がd0電子配置のTi4を有するバンド絶縁体酸化物とが含まれた構成を有している。このような光触媒について、ここでは、Ti4を有するバンド絶縁体酸化物をMg2Ti4O4とみなし、図8A~図8Bに示すような、MgTi32O4と、Mg2Ti4O4とのバンド構造を概略した模式図を用いて説明する。図8Aでは、MgTi32O4のバンド構造として、Tiの3d軌道のバンドa1と、Oの2p軌道のバンドa2とを示している。MgTi32O4は、金属絶縁体転移温度である260K未満の低い温度下において、絶縁体相を示し、図8Aに示すように、バンドa1にモットギャップが生じる。また、図8Aでは、Mg2Ti4O4がMgTi32O4の表面に存在するため、Mg2Ti4O4におけるTiの3d軌道のバンドa3をバントa1に隣接して示し、Mg2Ti4O4におけるOの2p軌道のバンドa4をバンドa2に隣接して示す。ここでは、バンドa1とバンドa3との接触面を界面i1とし、バンドa2とバンドa4との接触面を界面i2とする。ここでMg2Ti4O4は、Ti4を有しているため、バンド絶縁体である。本発明による光触媒のバンド構造は、MgTi32O4のバンドa1が260K以上の高い温度下で絶縁体相から金属相に相転移すると、図8Bに示すように変化する。図8Bでは、MgTi32O4の絶縁体相におけるバンドa1が金属相のバンドd1となり、バンドa1に存在していたモットギャップが消滅する。また、MgTi32O4の絶縁体相におけるバンドa2は、MgTi32O4の金属相におけるバンドd2に変化する。さらに、Mg2Ti4O4のバンドa3では、絶縁体相のバンドa1が金属相のバンドd1に変化したことにより、バンドd1の界面i1付近は自由電子が存在するが、界面i1から離れるにつれて自由電子の密度が減少する状況となる。これにより、バンドa3は、界面i1付近と、界面i1から離れた場所とにおいて、エネルギー状態に差異が生じるバンドベンディング。Mg2Ti4O4のバンドa4は、バンドa3がバンドd3に変化した理由と同様の理由により、界面i2付近と、界面i2から離れた場所とにおいて、エネルギー状態に差異が生じるd4に変化する。このとき、MgTi32O4とMg2Ti4O4とを含む光触媒に、紫外光又は可視光のいずれかを照射すると、主にTi4のピークが高エネルギー側にシフト図2することよって、図8Cに示すように、光照射前のバンド構造である黒い破線で示したバンドd3及びバンドd4のバンドベンディングが抑制される。これにより、バンドd3及びバンドd4では、界面i1付近と界面i1から離れた場所とにおいて生じていたエネルギー差が解消される。よって、図8Cでは、バンドd3は、示すようなバンドe3となる。また、バンドd4は、図8Cに示すようなバンドe4となる。さらに、このとき、Oの2p軌道の電子は、紫外光又は可視光のいずれかのエネルギーを吸収することにより光励起され、Tiの3d軌道に遷移する。これにより、Tiの3d軌道とOの2p軌道との間では、電子ホール対生成が生じる。その結果、Tiの3d軌道に遷移した電子は、界面i1付近において、Mg2Ti4O4のTi4をTi3に変化させる。従って、この界面i1付近に生じたTi3のd電子は、水との還元反応に寄与し、水素を生じさせる。本発明による光触媒は、このような界面付近で生じる酸化還元反応である界面の効果により、水に懸濁された状態で、260K以上の温度下において光が照射されると、助触媒を使用していなくとも、水を分解して水から水素を生成することができる。4作用及び効果以上の構成において、本発明による光触媒材料は、結晶粒状に形成され、3d軌道がd1電子配置であるモット絶縁体のMgTi32O4と、結晶粒の表面に形成され、Mg、Ti及びOからなりTiがTi4で3d軌道がd0電子配置であるバンド絶縁体酸化物とから形成されたバルク状の多結晶構造体により構成されている。これにより、光触媒材料は、粉砕されることにより、MgTi32O4とバンド絶縁体酸化物とからなる粉末状の光触媒を製造できる。ここで、強相関である光触媒は、260K以上でMgTi32O4に金属絶縁体転移が起こり、MgTi32O4が金属相となる。これにより、本発明による光触媒では、水に懸濁され、260K以上の温度下で光が照射されると、金属相となったd1電子配置のMgTi32O4と、Ti4でd0電子配置によりバンド絶縁体となっているバンド絶縁体酸化物との界面の効果によって、水を水素と酸素とに分解できる。かくして、本発明の光触媒は、PtやRu等の貴金属類を含む物質を助触媒として使用せずに、光照射に基づいて、水から水素を生成できる。また、本発明による光触媒は、光触媒材料を粉末状にしたことにより、界面が水と接する接触面積が大きくなり、水との酸化還元反応の効率を向上することができる。また、本発明による光触媒は、貴金属類と比較して、安価で入手し易いMg及びTiを用いていることから、安定的に低コストで作製することができる。5第2の実施の形態上述した第1の実施の形態では、Tiが3価でd1電子配置のMgTi32O4と、Mg、Ti及びOからなり、Tiが4価でd0電子配置のバンド絶縁体酸化物とからなる光触媒材料を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、Vが4価でd1電子配置のSr2V4O4と、Sr、V及びOからなり、Vが5価でd0電子配置のバンド絶縁体酸化物とからなる光触媒材料を適用しても良い。この場合、この光触媒材料は、複数の結晶粒が形成された多結晶構造体からなり、多結晶構造体の各結晶粒が4価のVV4を有する層状ペロブスカイト構造のSr2V4O4により形成されている。かかる構成に加えて、光触媒材料は、多結晶構造体の各結晶粒の表面結晶粒界にバンド絶縁体酸化物が形成されている。このバンド絶縁体酸化物は、結晶粒と同じSr、V及びOの元素からなるものの、5価のVV5を有したバンド絶縁体であり、例えば、SrV2O6により形成されている。一方、多結晶構造体において結晶粒を形成する遷移金属酸化物たるSr2V4O4は、モット絶縁体であり、97K以上になると、構造相転移が起こり、軌道秩序絶縁体相から軌道無秩序絶縁体相となり得る。この軌道無秩序絶縁体相のバンドギャップは非常に小さく、MgTi32O4の金属相に近い役割を果たすと期待される。かくして、本発明の光触媒は、上述した光触媒材料を粉末状に粉砕して形成されていることから、V4でd1電子配置d軌道に電子が1つ存在する状態にあるSr2V4O4と、V5でd0電子配置d軌道の電子が存在しない状態にあるバンド絶縁体酸化物とが含まれた構成となり得る。これにより、この光触媒では、水に懸濁させ、光が照射されると、V4を有するSr2V4O4と、V5を有するバンド絶縁体酸化物との界面の効果によって、酸化還元反応により水から水素を生成し得るようになされている。次に、光触媒材料と光触媒との製造方法について説明する。先ず始めに、Srと、3d遷移金属元素としてのVとのモル比が2:1となるように、SrCO3とV2O5の各粉末を混合して混合粉末を作製し、その混合粉末を圧縮成型して成型体を作製する。次いで、この成型体を1073Kで、60時間焼成し、Sr4V2O9が得られる。さらに、水素雰囲気においてこの成型体を1323Kで、100時間還元しながら焼成することにより、上述した多結晶構造体からなる光触媒材料を作製できる。このようにして作製したバルク状の光触媒材料は、V4を有するSr2V4O4からなる結晶粒が形成され、この結晶粒の表面に、Sr、V及びOからなりV5を有するバンド絶縁体酸化物が形成された多結晶構造体から構成されている。因みに、この際、上述した第1の実施の形態と同様に、光触媒材料は、再形成工程が繰り返されて作製されるようにしてもよく、この場合、不純物の少ない多結晶構造体となり得る。最後に、このようにして作製した光触媒材料を粉砕して粉末状に形成することにより、V4でd1電子配置となるSr2V4O4と、Sr、V及びOからなりV5でd0電子配置となるバンド絶縁体酸化物とを含んだ粉末状の光触媒を作製できる。以上の構成において、第2の実施の形態による光触媒材料は、結晶粒状に形成され、3d軌道がd1電子配置であるモット絶縁体のSr2V4O4と、結晶粒の表面に形成されSr、V及びOからなりVがV5で3d軌道がd0電子配置であるバンド絶縁体酸化物とから形成されたバルク状の多結晶構造体により構成されている。これにより、光触媒材料は、粉砕されることにより、Sr2V4O4とバンド絶縁体酸化物とからなる粉末状の光触媒を製造できる。ここで、この光触媒は、97K以上でSr2V4O4に軌道秩序無秩序転移が起こり、Sr2V4O4が軌道無秩序絶縁体相となる。これにより、本発明による光触媒では、水に懸濁され、97K以上の温度下で光が照射されると、金属相に非常に近い軌道無秩序絶縁体相となったSr2V4O4と、V5でd0電子配置によりバンド絶縁体となっているバンド絶縁体酸化物との界面の効果によって、水を水素と酸素とに分解できる。かくして、第2の実施の形態による光触媒でも、PtやRu等の貴金属類を含む物質を助触媒として使用せずに、光照射に基づいて、水から水素を生成できる。6第3の実施の形態また、その他の実施の形態として、第3の実施の形態による光触媒として、Vが4価でd1電子配置のCaV42O5と、Ca、V及びOからなり、Vが5価でd0電子配置のバンド絶縁体酸化物とからなる光触媒材料から製造しても良い。この場合、この光触媒材料は、複数の結晶粒が形成された多結晶構造体からなり、多結晶構造体の各結晶粒が4価のVV4を有する梯子型構造のCaV42O5により形成されている。かかる構成に加えて、光触媒材料は、多結晶構造体の各結晶粒の表面結晶粒界にバンド絶縁体酸化物が形成されている。このバンド絶縁体酸化物は、結晶粒と同じCa、V及びOの元素からなるものの、Vが5価V5となっているバンド絶縁体であり、例えばCaV2O6により形成されている。一方、多結晶構造体において結晶粒を形成する遷移金属酸化物たるCaV42O5は、モット絶縁体である。かくして、この光触媒は、上述した光触媒材料を粉末状に粉砕して形成されていることから、V4でd1電子配置d軌道に電子が1つ存在する状態にあるCaV42O5と、V5でd0電子配置d軌道の電子が存在しない状態にあるバンド絶縁体酸化物とが含まれた構成となり得る。これにより、この光触媒では、水に懸濁させ、光が照射されると、V4を有するCaV42O5と、V5を有するバンド絶縁体酸化物との界面の効果によって、酸化還元反応により水から水素を生成し得るようになされている。次に、光触媒材料と光触媒との製造方法について説明する。先ず始めに、Caと、3d遷移金属元素としてのVとのモル比が1:2となるように、CaOとV2O3とV2O5の各粉末を混合して混合粉末を作製し、その混合粉末を圧縮成型して成型体を作製する。次いで、1173Kで、数日の間焼成し、上述した多結晶構造体からなる光触媒材料を作製できる。このようにして作製したバルク状の光触媒材料は、V4を有するCaV42O5からなる結晶粒が形成され、この結晶粒の表面に、Ca、V及びOからなりV5を有するバンド絶縁体酸化物が形成された多結晶構造体から構成されている。因みに、この際、上述した第1の実施の形態と同様に、光触媒材料は、再形成工程が繰り返されて作製されるようにしてもよく、この場合、不純物の少ない多結晶構造体となり得る。最後に、このようにして作製した光触媒材料を粉砕して粉末状に形成することにより、V4でd1電子配置となるCaV42O5と、Ca、V及びOからなりV5でd0電子配置となるバンド絶縁体酸化物とを含んだ粉末状の光触媒を作製できる。以上の構成において、第3の実施の形態による光触媒材料は、結晶粒状に形成され、3d軌道がd1電子配置であるモット絶縁体のCaV42O5と、結晶粒の表面に形成されCa、V及びOからなりVがV5で3d軌道がd0電子配置であるバンド絶縁体酸化物とから形成されたバルク状の多結晶構造体により構成されている。これにより、光触媒材料は、粉砕されることにより、CaV42O5とバンド絶縁体酸化物とからなる粉末状の光触媒を製造できる。ここで、本発明による光触媒では、水に懸濁され、光が照射されると、CaV42O5と、V5でd0電子配置によりバンド絶縁体となっているバンド絶縁体酸化物との界面の効果によって、水を水素と酸素とに分解できる。かくして、第3の実施の形態による光触媒でも、PtやRu等の貴金属類を含む物質を助触媒として使用せずに、光照射に基づいて、水から水素を生成できる。7他の実施の形態なお、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、上述した第1の実施の形態においては、置換サイトであるMgサイトが全てMgで占められたMgTi32O4からなる結晶粒が形成された光触媒材料を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、置換サイトであるMgサイトの一部が、d電子を有するFe等その他種々の遷移金属に置換されたMg1xAxTi32O4Aは遷移金属であり、0≦x≦1からなる結晶粒が形成された光触媒材料を適用してもよい。具体的には、d電子を有する遷移金属としてFeを適用した場合、MgTi2O4のMgサイトの一部がFeに置換されたMg1xFexTi2O4からなる結晶粒がバルク状の光触媒材料に形成され得る。このようなバルク状の光触媒材料を粉砕して形成された粉末状の光触媒では、Mgサイトの一部がFeに置換されていることによって、光触媒として利用する際に、可視光領域の光をより効率的に利用して水から水素を生成することができる。また、例えば、上述した第2の実施の形態でも、置換サイトであるSrサイトが全てSrで占められたSr2VO4からなる結晶粒が形成された光触媒材料を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、置換サイトであるSrサイトの一部が、d電子を有するFe等その他種々の遷移金属に置換されたSr2xAxVO4Aは遷移金属であり、0≦x≦2からなる結晶粒が形成された光触媒材料を適用してもよい。具体的には、d電子を有する遷移金属としてFeを適用した場合、Sr2VO4のSrサイトの一部がFeに置換されたSr2xFexVO40≦x≦2からなる結晶粒がバルク状の光触媒材料に形成され得る。このようなバルク状の光触媒材料を粉砕して形成された粉末状の光触媒では、Srサイトの一部がFeに置換されていることによって、光触媒として利用する際に、可視光領域の光をより効率的に利用して水から水素を生成することができる。また、例えば、上述した第3の実施の形態でも、置換サイトであるCaサイトが全てCaで占められたCaV2O5からなる結晶粒が形成された光触媒材料を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、置換サイトであるCaサイトの一部が、d電子を有するFe等その他種々の遷移金属に置換されたCa1xAxV2O5Aは遷移金属であり、0≦x≦1からなる結晶粒が形成された光触媒材料を適用してもよい。具体的には、d電子を有する遷移金属としてFeを適用した場合、CaV2O5のCaサイトの一部がFeに置換されたCa1xFexV2O50≦x≦1からなる結晶粒がバルク状の光触媒材料に形成され得る。このようなバルク状の光触媒材料を粉砕して形成された粉末状の光触媒では、Caサイトの一部がFeに置換されていることによって、光触媒として利用する際に、可視光領域の光をより効率的に利用して水から水素を生成することができる。また、上述した第1の実施の形態~第3の実施の形態では、光触媒に含まれる3d遷移金属元素としてTi及びVを用いた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、光触媒に含まれる3d遷移金属元素として、原子番号21番のSc~原子番号29番のCuまでを用いるようにしてもよい。また、上述した第1の実施の形態~第3の実施の形態においては、3d遷移金属元素がd1電子配置となる遷移金属酸化物と、3d遷移金属元素がd0電子配置となるバンド絶縁体酸化物とを含む光触媒を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、3d遷移金属元素がd9電子配置3d軌道のd電子が9つ存在する状態となる遷移金属酸化物と、3d遷移金属元素がd10電子配置3d軌道全てに電子が存在している状態となるバンド絶縁体酸化物とを含む光触媒を適用してもよい。この場合、光触媒材料は、結晶粒状に形成され、3d軌道がd9電子配置であるモット絶縁体の遷移金属酸化物と、結晶粒の表面に形成され、当該遷移金属酸化物の構成元素からなり3d遷移金属元素の3d軌道がd0電子配置であるバンド絶縁体酸化物とから形成されたバルク状の多結晶構造体により構成されている。これにより、光触媒材料は、粉砕されることにより、3d軌道がd9電子配置の遷移金属酸化物と、バンド絶縁体酸化物とからなる粉末状の光触媒を製造できる。この場合も、光触媒は、d9電子配置の遷移金属酸化物が所定温度で金属相となり、d10電子配置のバンド絶縁体酸化物がバンド絶縁体であることから、水に懸濁され、所定温度下で光が照射されると、上述した実施の形態と同様の界面の効果により、電子ホール対を生成でき、PtやRu等の貴金属類の助触媒を利用せずに、水から水素を生成できる。