"金属ステムと、前記金属ステムを貫通し、前記金属ステムとは絶縁されたリードピンと、前記金属ステム上に設けられ、前記リードピンの一端に接続された光半導体素子と、第1及び第2の信号線路を有するフレキシブル基板とを備え、前記第1の信号線路の一端は前記リードピンの他端に接続され、前記第1の信号線路の他端は前記第2の信号線路の一端に接続され、前記リードピンの前記金属ステムを貫通する貫通部と前記第2の信号線路は、それぞれ前記第1の信号線路より小さいインピーダンスを持つことを特徴とする光モジュール。前記第2の信号線路の他端に接続された駆動回路を更に備え、前記貫通部と前記第2の信号線路のインピーダンスは、それぞれ前記駆動回路の終端抵抗よりも小さく、前記第1の信号線路のインピーダンスは前記駆動回路の終端抵抗に整合されていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記金属ステム上に設けられた温度制御素子を更に備え、前記光半導体素子は前記温度制御素子上に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の光モジュール。前記第2の信号線路の他端に接続された駆動回路を更に備え、前記第1の信号線路のインピーダンスは前記駆動回路の終端抵抗より大きく、前記第2の信号線路のインピーダンスは前記駆動回路の終端抵抗よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記第2の信号線路の他端に接続されたバイアスT回路と、前記バイアスT回路に直列に接続されたコンデンサと、前記バイアスT回路に直列に接続され、前記コンデンサに並列に接続された抵抗とを更に備えることを特徴とする請求項4に記載の光モジュール。前記フレキシブル基板は、前記第1及び第2の信号線路から離間して配置され、前記金属ステムに接続された接地導体を更に有し、前記接地導体の前記第1の信号線路に最も近い位置から前記金属ステムに接続されるまでの長さと前記接地導体と前記金属ステムの接続部から前記金属ステムの前記貫通部の外周までの長さの合計と、前記第1の信号線路から前記リードピンまでの長さと、の差が500um以下であることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の光モジュール。光半導体素子近傍のインピーダンスは低周波では整合インピーダンス50Ωに近いが、高周波になるに従って光半導体素子の寄生容量や寄生抵抗、ワイヤのインダクタンスなどによって50Ωから外れる。また、リードピンが金属ステムを貫通する貫通部においてリードピンのインピーダンスが50Ωより小さくなる。このため、光半導体素子と貫通部との間で多重反射が生じる。貫通部の近傍で貫通部のインピーダンスを補償する技術例えば、特許文献1参照も有るが、完全に50Ωに整合させることは難しく、貫通部の構成が特殊になってしまう。また、上記のように温度制御素子を設けると光半導体素子とリードピンとの間の電気長が長くなるので、反射された信号の位相が回る。位相が180度回ってしまうと反射された信号と元の信号が打ち消しあって、利得が下がる。周波数によって波長は変わるので、利得は周波数に対して周期性を持ち、周波数応答特性が劣化してしまう。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は良好な周波数応答特性を得ることができる光モジュールを実現するものである。本発明に係る光モジュールは、金属ステムと、前記金属ステムを貫通し、前記金属ステムとは絶縁されたリードピンと、前記金属ステム上に設けられ、前記リードピンの一端に接続された光半導体素子と、第1及び第2の信号線路を有するフレキシブル基板とを備え、前記第1の信号線路の一端は前記リードピンの他端に接続され、前記第1の信号線路の他端は前記第2の信号線路の一端に接続され、前記リードピンの前記金属ステムを貫通する貫通部と前記第2の信号線路は、それぞれ前記第1の信号線路より小さいインピーダンスを持つことを特徴とする。本発明により、良好な周波数応答特性を得ることができる。本発明の実施の形態に係る光モジュールについて図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る光モジュールを示す図である。リードピン1は、金属ステム2を貫通し、ガラス3により金属ステム2とは絶縁されている。金属ステム2上に温度制御用のペルチェ素子4が設けられている。ペルチェ素子4上に電界吸収型光変調素子5と温度測定用のサーミスタ6が設けられている。電界吸収型光変調素子5は、リードピン1の一端にワイヤ7により接続されている。整合抵抗8が電界吸収型光変調素子5に並列接続されている。これらの構成は、レンズ付きキャップ9により封止されている。金属ステム2の背面にフレキシブル基板10FlexiblePrintedCircuitが設けられている。フレキシブル基板10は、誘電性のベースフィルム11と、ベースフィルム11上に設けられた信号線路12,13,14とを有する。信号線路12の一端はリードピン1の他端に半田により接続されている。信号線路12の他端は信号線路13の一端に接続されている。信号線路13の他端に信号線路14が接続されている。信号線路14に駆動回路15が接続されている。駆動回路15から信号線路12,13,14、リードピン1、及びワイヤ7を介して電界吸収型光変調素子5に電気変調信号が伝達される。電界吸収型光変調素子5を用いる場合、整合抵抗8の抵抗値は整合インピーダンス50Ω付近に設定されている。ここで、整合インピーダンスは駆動回路15の終端抵抗の値で定義される。信号線路12,14のインピーダンスも50Ωに整合されている。ガラス3の径はφ0.8~1.0mm、リードピン1の径はφ0.25~0.35mm、ガラス3の比誘電率は6.0~7.0程度である。このため、リードピン1の金属ステム2を貫通する貫通部1aのインピーダンスは20Ω前後になる。電界吸収型光変調素子5近傍のインピーダンスは低周波では整合インピーダンス50Ωに近いが、高周波になるに従って電界吸収型光変調素子5の寄生容量や寄生抵抗、ワイヤ7のインダクタンスなどによって50Ωから外れる。このため、電界吸収型光変調素子5と貫通部1aとの間で多重反射が生じる第1の多重反射。また、温度制御が必要な電界吸収型光変調素子5を用いる場合、金属ステム2にペルチェ素子4を実装して、その上に電界吸収型光変調素子5を設ける。そのため、非冷却で動作する光半導体素子を金属ステム2に直接に設ける場合と比較して、リードピン1から電界吸収型光変調素子5までの電気長が長くなる。このため、反射された信号の位相が回る。位相が180度回ってしまうと反射された信号と元の信号が打ち消しあって、利得が下がる。周波数によって波長は変わるので、利得は周波数に対して周期性を持ち、周波数応答特性が劣化する。そこで、本実施の形態では、信号線路13のインピーダンスを整合インピーダンス50Ωよりも小さくする。従って、貫通部1aと信号線路13のインピーダンスは、信号線路12のインピーダンスや駆動回路15の終端抵抗よりも小さくなる。これにより、電界吸収型光変調素子5と信号線路13との間でも多重反射が生じる第2の多重反射。電界吸収型光変調素子5と信号線路13との間の電気長L2は、電界吸収型光変調素子5と貫通部1aとの間の電気長L1よりも長い。このため、第2の多重反射による周波数に対する利得変動の周期は、第1の多重反射による利得変動の周期よりも短くなる。この2つの多重反射の合成波は以下のように表される。Af×sin2πf×L1Bf×sin2πf×L2ここで、fは周波数、Af、Bfはそれぞれの多重反射の反射量である。貫通部1aと信号線路13の反射量は周波数に対してほぼ一定であるが、電界吸収型光変調素子5の周辺の反射量は周波数依存性を持ち、高周波になるに従って大きくなる。そのため、反射量Af、Bfも周波数依存性を持ち、高周波になるに従って大きくなる。図2は、本発明の実施の形態1に係る光モジュールの第1及び第2の多重反射の反射波とそれらの合成波の振幅の周波数依存性を示す図である。図3は、実施の形態1と比較例の光モジュールの応答特性の周波数依存性を示す図である。比較例は、信号線路12,13を省略したものである。比較例では周波数応答特性のうねりが生じるが、実施の形態1ではそれが解消されていることが分かる。よって、実施の形態1により、良好な周波数応答特性を得ることができる。実施の形態2.図4は、本発明の実施の形態2に係る光モジュールを示す図である。実施の形態1の電界吸収型光変調素子5の代わりに、直接変調型光変調素子16を用いている。直接変調型光変調素子16は、一般的に温度制御は必要ないので金属ステム2に直接に設けられている。直接変調型光変調素子16のインピーダンスは7Ω程度である。電流で直接変調する直接変調型光変調素子16を用いた場合、効率や発熱を抑えるため、なるべく小さいインピーダンスで整合が取れるように設計する場合が多く、一般的に整合インピーダンスは25Ω程度である。従って、貫通部1aでのインピーダンス不整合は大きくない。しかし、直接変調型光変調素子16を用いた場合、一般的に直接変調型光変調素子16の近傍に整合抵抗を配置しないので、低周波から高周波まで整合がとれない。また、緩和振動周波数の影響による周波数応答特性のピーキングや低周波から数GHzにかけて生じる利得の落ち込みが生じてしまい、光出力波形が劣化しやすい。そこで、実施の形態2では、信号線路12のインピーダンスを整合インピーダンス25Ωより大きくし、信号線路13のインピーダンスを25Ωよりも小さくする。信号線路14のインピーダンスや駆動回路15の終端抵抗は25Ωである。このため、直接変調型光変調素子16と信号線路12との間で多重反射が生じ第1の多重反射、かつ直接変調型光変調素子16と信号線路13との間でも多重反射が生じる第2の多重反射。両者の電気長が異なるため、第1の多重反射と第2の多重反射の周波数周期は異なる。また、小さいインピーダンスで不整合の場合と、高インピーダンスで不整合の場合とでは、反射の位相が180度変わる。このため、低周波では第1の多重反射と第2の多重反射は互いに打ち消しあう。しかし、電気長が異なるため高周波になると、第1の多重反射と第2の多重反射の位相が重なり合い始める。金属ステム2に近い信号線路12を高インピーダンスとし、金属ステム2から遠い信号線路13を低インピーダンスとすることで、最初に位相が重なり合うとき利得を強め合うことになるため、高周波での利得を改善できる。図5は、本発明の実施の形態2に係る光モジュールの第1及び第2の多重反射の反射波とそれらの合成波の振幅の周波数依存性を示す図である。図6は、実施の形態2と比較例の光モジュールの応答特性の周波数依存性を示す図である。比較例は、信号線路12,13を省略したものである。実施の形態2では、比較例に比べて高周波での利得を向上できるため、良好な周波数応答特性を得ることができる。実施の形態3.図7は、本発明の実施の形態3に係る光モジュールを示す図である。実施の形態1の電界吸収型光変調素子5の代わりに、光受光素子17と前置増幅器18を用いている。光受光素子17と前置増幅器18は、一般的に温度制御は必要ないので金属ステム2に直接に設けられている。このため、リードピン1と前置増幅器18の出力との間の電気長は短い。しかし、一般的に前置増幅器18の出力は50Ωに近いので、リードピン1の貫通部1aはインピーダンス不整合箇所となる。そこで、実施の形態3では、信号線路12のインピーダンスを整合インピーダンス50Ωより大きくし、信号線路13のインピーダンスを50Ωよりも小さくする。信号線路14のインピーダンスや駆動回路15の終端抵抗は50Ωである。図8は、実施の形態3と比較例の光モジュールのS2,1の周波数依存性を示す図である。比較例は、信号線路12,13を省略したものである。前置増幅器18の出力までの電気長が短いため、10GHz程度の周波数範囲で周期的なうねりは発生しない。しかし、弱めあう位相となるため、比較例では10GHzで利得が下がる。これに対して、実施の形態3では、高周波での利得を向上できる。よって、良好な周波数応答特性を得ることができる。実施の形態4.図9は、本発明の実施の形態4に係る光モジュールを示す図である。この光モジュールは、実施の形態2の構成にバイアスT回路19、コンデンサ20、抵抗21を追加したものである。バイアスT回路19は、信号線路14の他端と駆動回路15の間に接続されたコンデンサ22と、信号線路14の他端とバイアス端子との間に接続された抵抗23とを有する。コンデンサ20は、バイアスT回路19のコンデンサ22に直列に接続されている。抵抗21は、バイアスT回路19のコンデンサ22に直列に接続され、コンデンサ20に並列に接続されている。実施の形態2は、2つの多重反射を重ね合わせることで高周波の利得を上げることができるが、低周波に対しては効果が小さい。これに対して、本実施の形態では、低周波では抵抗21の影響で利得が下がり、高周波になるとコンデンサ20のインピーダンスが下がるため利得が上がる。従って、低周波から5GHzにかけての利得の落ち込みを補償することができる。また、抵抗21がバイアスT回路19のコンデンサ22に直列に接続されているので、DC電流が抵抗21を流れることはないため、発熱量を抑えることができる。図10は、本発明の実施の形態4に係る光モジュールの応答特性の周波数依存性を示す図である。このように、10GHzまで利得の落ち込みのない理想的な周波数応答特性を得ることができる。実施の形態5.図11は、本発明の実施の形態5に係る光モジュールを示す図である。フレキシブル基板10の信号線路はマイクロストリップ線路構造になっている。従って、ベースフィルム11の表面に信号線路12,13,14が設けられ、ベースフィルム11の裏面に接地導体24AC-GNDが設けられ、信号線路12,13,14から離間して配置されている。信号線路12の一端はリードピン1の他端に半田により接続されている。接地導体24は、ベースフィルム11を貫通するビア25を介して、ベースフィルム11の表面側に配置された金属ステム2に接続されている。接地導体24の信号線路12に最も近い位置から金属ステム2に接続されるまでの長さがL3である。即ち、L3は、接地導体24の信号線路12に最も近い位置からビア25までの長さと、ビア25の長さとの合計である。接地導体24と金属ステム2の接続部から金属ステム2の貫通部1aの外周までの長さがL4である。信号線路12からリードピン1までの長さがL5である。ここで、信号線路12,13を伝搬する電気変調信号の電界は、接地導体24と結合する。そして、信号線路12とリードピン1の接合部において、電気変調信号の電界は、ガラス3の外周の金属ステム2と結合する。しかし、信号の電気長に比べて、GNDの電気長が長くなってしまうと、周波数応答特性が劣化する。理想的には両者が同じ電気長であることが望ましいが、両者の差が500um以下の差であれば10GHz程度まで特性劣化は現れない。そこで、本実施の形態では、L3とL4の合計とL5との差L3L4-L5を500um以下にする。図12は、本発明の実施の形態5に係る光モジュールの応答特性の周波数依存性を示す図である。図13は、本発明の実施の形態5に係る光モジュールのS11の周波数依存性を示す図である。信号とGNDの電気長の差を短くすることで、周波数応答特性の劣化を抑えられることが分かる。"