活性層を含み、第1方向に沿って延びる光導波路が形成された半導体層と、前記半導体層の前記第1方向における前記光導波路の端面から前記第1方向と交差する第2方向に離間した位置に形成された底部を含む凹部とを備え、前記凹部の底部には、前記第2方向に沿って延びるとともに他の部分よりも深い深底部が設けられている、半導体レーザ素子。前記半導体層は、劈開によって前記光導波路の端面を形成する際に設けられたスクライブ傷を有し、少なくとも前記スクライブ傷と前記光導波路の端面との間に前記凹部が形成されることにより、前記スクライブ傷を起点として前記半導体層に生ずる皺が、前記凹部を越えて前記光導波路の端面に到達するのが抑制されている、請求項1に記載の半導体レーザ素子。前記光導波路の端面は、前記底部の前記深底部に沿って前記半導体層が劈開された劈開面、または、前記スクライブ傷から延びる劈開線に対応する部分に沿って前記半導体層が劈開された劈開面を含む、請求項2に記載の半導体レーザ素子。前記凹部は、前記半導体層の上面から前記活性層に亘る部分を貫通して分断しており、前記凹部の前記底部は、前記活性層よりも下層の前記半導体層に配置されている、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。前記凹部は、前記光導波路を中心とした前記第2方向の両側のうちの少なくとも一方側に形成されている、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。活性層を含み、第1方向に沿って延びる光導波路を有する半導体層を形成する工程と、前記半導体層の前記光導波路から前記第1方向と交差する第2方向に離間した位置に、前記第2方向に沿って延びるとともに他の部分よりも深い深底部を有する底部を含む凹部を形成する工程と、前記半導体層に、スクライブ傷を形成する工程と、前記底部の前記深底部に沿って前記半導体層が劈開されるか、または、前記スクライブ傷から延びる劈開線に対応する部分に沿って前記半導体層が劈開されることにより、前記半導体層に前記光導波路の端面を形成する工程とを備える、半導体レーザ素子の製造方法。上記特許文献1に開示された半導体レーザ素子では、劈開ガイド溝の底部の詳細な形状などについては何ら開示も示唆もされていない。たとえば、劈開ガイド溝が略一様な深さを有して形成されている半導体層の上面から劈開ガイド溝の底部までの深さが溝内で略一様である場合には、劈開ガイド溝の底部のどの部分位置を起点として半導体層が劈開され始めるのかが定まりにくい。このため、リッジ部の延びる方向に沿って見た場合の、一方の劈開ガイド溝の底部における劈開開始位置半導体層に生じるマイクロクラックの起点と、他方の劈開ガイド溝の底部における劈開開始位置とが互いにずれている場合には、劈開ガイド溝間に延びるマイクロクラックが、リッジ部の延びる方向に沿って段差形状階段形状または傾斜形状を生じながら形成されると考えられる。この場合、光導波路の延びる方向に段差を有するマイクロクラックを起点として半導体層が劈開されるため、光導波路の端面に平滑な劈開面が得られず、劈開の歩留まりが低下するという問題点がある。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、劈開の歩留まりが低下するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。第1実施形態まず、図1~図5、図10および図12を参照して、本発明の第1実施形態による青紫色半導体レーザ素子100の構造について説明する。なお、青紫色半導体レーザ素子100は、本発明の半導体レーザ素子の一例である。青紫色半導体レーザ素子100は、図1に示すように、n型GaN基板1の上面1a上に、活性層12を含む複数の窒化物系半導体層からなる半導体素子層10が形成されている。半導体素子層10は、発振波長が約405nm帯を有する半導体層からなる。また、半導体素子層10の上面上にp側パッド電極21が形成されるとともに、n型GaN基板1の下面C1側上にn側電極22が形成されている。なお、n型GaN基板1および半導体素子層10は、本発明の半導体層の一例である。半導体素子層10は、約300μmの共振器長レーザ素子端部間A方向の長さを有する。また、半導体素子層10には、共振器の延びる方向A方向と直交する方向B方向に延びる光出射面2aA1側および光反射面2bA2側が形成されている。ここで、青紫色半導体レーザ素子100に形成されている一対の共振器面において、それぞれの端面から出射されるレーザ光の光強度の大小関係により光出射面2aおよび光反射面2bが区別される。すなわち、端面から出射されるレーザ光の光強度が相対的に大きい方が光出射面2aであり、相対的に小さい方が光反射面2bである。また、光出射面2a上には、低反射率の誘電体多層膜図示せずが形成されており、光反射面2b上には、高反射率の誘電体多層膜図示せずが形成されている。なお、共振器の延びる方向A方向は、本発明の第1方向の一例であり、A方向と直交するB方向は、本発明の第2方向の一例である。n型GaN基板1は、約100μmの厚みを有するとともに約1×1018cm-3のキャリア濃度を有するSiがドープされている。半導体素子層10においては、図4に示すように、n型GaN基板1の上面1a上に、約2.5μmの厚みを有するGeドープのAl0.05Ga0.95Nからなるn型クラッド層11が形成されている。n型クラッド層11の上面上には、多重量子井戸MQW構造を有する活性層12が形成されている。この活性層12は、約30nmの厚みを有するとともにGaNからなる3層の障壁層図示せずと、約7nmの厚みを有するとともにIn組成の高いInGaNからなる2層の量子井戸層図示せずとが交互に積層されている。なお、n型クラッド層11と活性層12との間に、光ガイド層やキャリアブロック層などが形成されていてもよい。活性層12の上面上には、約0.5μmの厚みを有するMgドープのAl0.05Ga0.95Nからなるp型クラッド層13が形成されている。p型クラッド層13は、図4の紙面に対して垂直な方向図1のA方向に沿って延びる約1.5μmの幅B方向を有する凸部13aと、凸部13aの幅方向の両側B1側およびB2側の約80nmの厚みを有する平坦部13bとを有している。また、凸部13aにおけるp型クラッド層13の厚みは、約500nmである。なお、活性層12とp型クラッド層13との間に、光ガイド層やキャリアブロック層などが形成されていてもよい。なお、n型クラッド層11、活性層12およびp型クラッド層13は、本発明の半導体層の一例である。p型クラッド層13の凸部13a上には、約3nmの厚みを有するアンドープIn0.07Ga0.93Nからなるp側コンタクト層14が形成されている。p側コンタクト層14とp型クラッド層13の凸部13aとによって、約1.5μmの幅を有してA方向にストライプ状細長状に延びるリッジ部3が構成されている。また、リッジ部3は、A方向に沿って同じ幅を有した状態で光出射面2aおよび光反射面2b間を延びている。リッジ部3によりp側コンタクト層14から下部C1側の活性層12にかけて電流注入領域電流通路部が構成されている。また、リッジ部3の下方の活性層12を含む領域には、リッジ部3電流注入領域に沿ってA方向に延びる光導波路が形成されている。なお、リッジ部3の下部に対応する光出射面2aおよび光反射面2bの部分は、本発明の光導波路の端面の一例である。p型クラッド層13の凸部13aの両側面上、平坦部13bの上面13c上およびp側コンタクト層14の両側面上には、約0.2μmの厚みを有するSiO2からなる電流ブロック層16が形成されている。電流ブロック層16は、図4に示すように、リッジ部3の延びる方向に沿った光出射面2a光反射面2bの近傍領域図2参照以外に形成された開口部16aを有している。これにより、開口部16aからp側コンタクト層14の上面C2側が露出している。また、開口部16aから露出するp側コンタクト層14の上面上には、p側コンタクト層14に近い側から順に、約5nmの厚みを有するPt層と、約100nmの厚みを有するPd層と、約150nmの厚みを有するAu層とからなるp側オーミック電極15が、p側コンタクト層14に接触するように形成されている。また、p側オーミック電極15の上面上と電流ブロック層16の上面上とには、p側オーミック電極15の上面に近い側から順に、約0.1μmの厚みを有するTi層と、約0.1μmの厚みを有するPd層と、約3μmの厚みを有するAu層とからなるp側パッド電極21が形成されている。ここで、第1実施形態では、図1および図2に示すように、半導体素子層10の光出射面2aおよび光反射面2bには、それぞれ、半導体レーザ素子の内部A方向およびC1方向に向かって窪む凹部5および凹部6が形成されている。凹部5B2側および凹部6B1側は、後述する青紫色半導体レーザ素子100の製造プロセスにおいて、ウェハ101図10参照を劈開線195図10参照に沿ってバー状に劈開する際に半導体素子層10に予め形成された劈開導入用の凹部溝部95図10参照の一部が、チップ化後の青紫色半導体レーザ素子100に残されたものである。詳細に説明すると、凹部5および凹部6は、図3に示すように、リッジ部3の中心線170から幅方向B方向にそれぞれ略同じ距離L1を隔てて形成された一方端部5aB2側および一方端部6aB1側を有している。そして、凹部5は、一方端部5aを起点として、リッジ部3から遠ざかる方向B2方向に約2μmの幅W1を有して延びている。また、凹部5は、一方端部5aに対して幅W1だけ離間して対向する他方端部5bB2側を有している。同様に、凹部6は、一方端部6aを起点として、リッジ部3からB1方向に約2μmの幅W1を有して延びている。また、凹部6は、一方端部6aに対して幅W1だけ離間して対向する他方端部6bB1側を有している。したがって、凹部5と凹部6とは、略同じ形状を有している。なお、リッジ部3の幅が約1.5μmであることから、製造プロセス上の形成の容易さを考慮して、上記した距離L1は、約6μm以上約18μm以下であるのが好ましい。また、一方端部5a6aおよび他方端部5b6bは、共にn型GaN基板1の主面上面1aに対して略垂直に延びている。また、凹部5が形成されている領域の半導体素子層10をレーザ光の出射方向A方向に沿って切断した状態で見た場合、図5に示すように、凹部5は、光出射面2aから素子の中央部A2方向に向かって約6μmの距離L2だけ奥まった位置に形成された壁部5eを有している。壁部5eは、半導体素子層10の上面から下方に向かって略垂直C1方向に延びている。また、凹部5は、壁部5eの底側C1側の終端部から光出射面2aに向かってA1方向に延びる底部5c有している。ここで、底部5cは、光出射面2a寄りA1側の領域5fが上方C2方向に徐々に盛り上がることにより、底部5cには、相対的に壁部5e側の終端部が深く沈み込んだ切り込み状の深底部5gが設けられている。この切り込み状の深底部5gは、底部5cと壁部5eとが接続される部分に位置している。このように、凹部5の底部5cは、A方向に沿って領域5fと深底部5gとにおいて、半導体素子層10の上面からの深さ位置が変化するように形成されている。また、図2に示すように、凹部5の深底部5gは、一方端部5aから他方端部5bに亘って連続的にB方向に延びている。つまり、深底部5gは、光出射面2aに対して略平行に延びている。また、図5に示すように、凹部5における半導体素子層10の上面から深底部5gまでの最大深さは、D1である。つまり、凹部5は、領域5fおよび深底部5gを含む底部5cの全体が、n型クラッド層11の途中まで達している。これにより、図3に示すように、凹部5は、半導体素子層10のうちの少なくともリッジ部3電流通路部が形成された側C2側のp型クラッド層13の上面13cから活性層12に亘る部分を下方C1方向に貫通して分断している。なお、底部5cは、n型GaN基板1の上面1aよりも上方に位置しているので、凹部5底部5cの下部には、n型GaN基板1の上面1a上に形成されたn型クラッド層11の一部が分断されずに残されている。なお、半導体素子層10の厚みにもよるが、深さD1図5参照は、約3μm以上約5μm以下であるのが好ましい。また、半導体素子層10の上面から領域5fまでの深さをD2とした場合、深底部5gの深さD1と領域5fの深さD2との差D1-D2は、深さD2の約5以上約10であるのが好ましい。なお、リッジ部3に対してB1側に形成された凹部6の底部6c図1参照の形状についても、上記した凹部5の形状と略同じである。つまり、図1に示すように、底部6cについても、領域6fから深底部6gに向かって、A方向に沿って深さ位置が変化するように形成されている。また、底部6cと壁部6eとの接続部である深底部6gは、一方端部6aから他方端部6bに亘って連続的にB方向に延びており、深底部6gと光出射面2aとは略平行である。また、第1実施形態では、図1に示すように、半導体素子層10は、凹部5の他方端部5bから青紫色半導体レーザ素子100の側端面4aB2側までの領域において、リッジ部3の下部に形成された光出射面2aよりも平滑度平坦度が若干劣る端面2cを有している。端面2cには、皺皺模様51が形成されており、皺51によって端面2cには微視的な起伏が生じている。この皺51は、半導体素子層10の上面側に設けられたスクライブ傷50に起因して半導体層中に発生したものである。このスクライブ傷50は、後述する青紫色半導体レーザ素子100の製造プロセスにおいて、ウェハ101図12参照をバー状に劈開する際の劈開線195図12参照に沿って、予め半導体素子層10の上面側に破線状に設けられたものの一部である。所定の押圧力でスクライブ傷50を付加した場合、押圧力に起因して半導体層中に皺皺模様51が発生する。青紫色半導体レーザ素子100では、皺51を有する端面2cと光出射面2aとの間に凹部5が形成されているので、スクライブ傷50を起点として半導体層中に生ずる皺51が、凹部5により凹部5を越えて光導波路の端面となる光出射面2aに到達しにくい。また、半導体素子層10は、凹部6の他方端部6bから青紫色半導体レーザ素子100の側端面4bB1側までの領域において、リッジ部3の下部に形成された光出射面2aと同程度の平滑度平坦度を有する端面2dを有している。また、第1実施形態では、光導波路の端面となる光出射面2aは、凹部5における底部5cのうちの領域5f深底部5g以外の部分の位置と、凹部6における底部6cのうちの領域6f深底部6g以外の部分の位置とにおいて、スクライブ傷50から延びる劈開線195図12参照に沿って半導体素子層10が劈開された劈開面である。つまり、図1および図2に示すように、半導体素子層10は、皺51を有する端面2cが凹部5の他方端部5bで終了し、その後、半導体素子層10は、劈開線195に沿って凹部5の領域5fの部分で劈開されながらB1方向に直線的に延びて一方端部5aに達する。さらに、半導体素子層10は、一方端部5aから凹部6の一方端部6aまでスクライブ傷50から延びる劈開線195に沿って劈開されて光出射面2aが形成された後、半導体素子層10は、この劈開線195に沿って凹部6の領域6fの部分で劈開されながらB1方向に直線的に延びて他方端部6bに達する。そして、半導体素子層10は、他方端部6bから側端面4bB1側まで劈開線195に沿って劈開されて端面2dが形成されている。したがって、側端面4aから側端面4bに向かって、端面2c、光出射面2aおよび端面2dは、スクライブ傷50が形成された劈開線195図12参照に沿って略同一平面上に形成されている。なお、図2に示すように、青紫色半導体レーザ素子100のA2側の光反射面2bについても、上記説明したA1側の光出射面2aと略同様の形状を有する凹部5および凹部6が形成されている。したがって、青紫色半導体レーザ素子100のA2側においても、端面2c、光反射面2bおよび端面2dは、スクライブ傷50が形成された劈開線195図12参照に沿って略同一平面上に形成されている。なお、光反射面2b側の端面2cにも、スクライブ傷50による皺51が生じているが、端面2cと光反射面2bとの間に凹部5が形成されているので、皺51は、凹部5により凹部5を越えて光導波路の端面となる光反射面2bに到達しにくい。また、図3に示すように、電流ブロック層16は、リッジ部3の外側面3aのみならず、凹部5および凹部6により分断された部分の半導体素子層10の内側面の全てを連続的に覆っている。そして、図2に示すように、凹部5および凹部6が形成された領域から素子の中央部A2方向A1方向に向かって離間した位置の電流ブロック層16の上面C2側上に、A方向に延びるAuなどからなるp側パッド電極21が形成されている。具体的には、p側パッド電極21は、平面的に見て、素子上面のうちの、光出射面2aおよび光反射面2bの近傍領域以外と、素子の幅方向B方向における側端面4aおよび側端面4bの近傍領域以外とを略矩形形状を有して覆っている。また、p側パッド電極21は、図4に示すように、電流ブロック層16の開口部16aを介してp側オーミック電極15と導通している。なお、p側パッド電極21は、たとえば光出射面2aに近い側の隅部に切り欠き部を有していてもよい。これにより、青紫色半導体レーザ素子100をサブマウントなどに固定する際の光出射面2aの向きA1方向が容易に特定される。また、図1および図4に示すように、n型GaN基板1の裏面下面上には、n型GaN基板1に近い側から順に、約10nmの厚みを有するAl層と、約20nmの厚みを有するPt層と、約300nmの厚みを有するAu層とからなるn側電極22が形成されている。n側電極22は、青紫色半導体レーザ素子100の側端面4aおよび側端面4bまで延びるようにn型GaN基板1の裏面上の略全面に形成されている。次に、図1、図2、図4および図6~図13を参照して、第1実施形態による青紫色半導体レーザ素子100の製造プロセスについて説明する。なお、図9は、図10の劈開線195に沿った半導体素子層10の断面図である。まず、図6に示すように、有機金属気相成長MOCVD法を用いて、n型GaN基板1の上面1a上に、n型クラッド層11、活性層12、p型クラッド層13、p側コンタクト層14を順次積層して半導体素子層10を形成する。続いて、半導体素子層10の上面上に真空蒸着法を用いてp側オーミック電極15となる金属層を形成することによりウェハ101を形成する。その後、プラズマCVD法などを用いて、p側オーミック電極15となる金属層の上面上に、SiO2からなるマスク層81を形成する。続いて、フォトリソグラフィを用いて、マスク層81上に、A1方向にストライプ状に延びるとともにB方向に約1.5μmの幅を有するレジスト82をパターニングする。なお、レジスト82は、B方向の中心位置が、後の工程で形成されるリッジ部3図7参照の中心線170に揃うようにパターニングされる。その後、図7に示すように、レジスト82をマスクとしてマスク層81をドライエッチングすることにより、マスク層81がパターニングされる。続いて、レジスト82をマスクとして、金属層電極層をCF4ガスなどを用いてドライエッチングすることより、マスク層81と略同じ幅約1.5μmを有するp側オーミック電極15を形成する。次に、剥離液などによりレジスト82を除去する。続けて、マスク層81をマスクとして上面上にp側オーミック電極15が形成されていない部分のp側コンタクト層14および下部のp型クラッド層13の途中までをドライエッチングすることにより、凸部13aおよび平坦部13bを有するp型クラッド層13を形成する。これにより、半導体素子層10の上面に上方C2方向に突出する電流通路部としてのリッジ部3が形成される。その後、フッ酸などによりマスク層81を除去するなお、マスク層81の除去は必ずしも必要ではない。その後、図8に示すように、プラズマCVD法などを用いてSiO2などからなるマスク層83を形成した後、フォトリソグラフィを用いて、マスク層83の上面の所定領域上にレジスト84をパターニングする。なお、この時点では、マスク層83は、p型クラッド層13の上面13c上を一様に覆っている。また、レジスト84には、各々がA方向に長さL3=L2×2=約12μm:図10参照およびB方向に長さW1=約2μmを有する略矩形形状の開口部85が複数設けられる。また、各々の開口部85は、A方向の中央部がウェハ101をバー状に劈開する際の劈開線195上に位置合わせされた状態で、かつ、リッジ部3の中心線170からB方向B2方向およびB1方向に距離L1だけ離間した位置に内側面85aが配置されるように形成される。次に、レジスト84をマスクとしてマスク層83をドライエッチングして、開口部85に対応する部分のp型クラッド層13の上面13cを露出させる。その後、レジスト84を、剥離液などで除去する。この状態で、図9に示すように、マスク層83をマスクとしてp型クラッド層13の上面13cC2側からn型クラッド層11の途中までをC1方向にドライエッチングする。これにより、開口部85に対応する位置の半導体層中に、劈開導入用の凹部95が形成される。この際、第1実施形態の製造プロセスでは、A方向に沿ってエッチングパワーを変化させる。具体的に説明すると、図11に示すように、開口部85のA方向に対向する内側面85eの位置およびその近傍において、エッチングパワーを最も大きく調整するリッジ部3を形成した際のパワーの約20増しのエッチングパワーとする。また、内側面85eから開口部85のA方向の中心部に向かうにしたがってエッチングパワーを徐々に減少させる。このようにして、一対の壁部5eと、底部5cとに囲まれた凹部95を形成する。A方向に沿ってエッチングパワーを変化させることにより、凹部95のA方向に対向する壁部5e間に、中央部がC2方向に盛り上がる領域5fと、相対的にA方向の終端部が深く沈み込んだ一対の深底部5gとを有する底部5cが形成される。ここで、凹部95は、半導体素子層10の上面上面13cから底部5cの深底部5gまでの深さD1が、n型GaN基板1の上面1aに到達しないように形成される。その後、フッ酸などにより、マスク層83を除去する。その後、図3に示すように、プラズマCVD法などを用いて、p型クラッド層13の平坦部13bと凸部13aの両側面と、p側コンタクト層14の両側面と、p側オーミック電極15の両側面および上面と、凹部5および凹部6により分断された部分の半導体素子層10の内側面と、凹部5の底部5cおよび凹部6の底部6cとを連続的に覆うように電流ブロック層16を形成する。その後、フォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、チップ化後に光出射面2a光反射面2bとなる領域よりもリッジ部3に沿った共振器内側A方向の領域における電流ブロック層16をストライプ状に除去して開口部16aを形成する。これにより、図4に示すように、p側オーミック電極15の上面を露出させる。その後、真空蒸着法およびリフトオフ法を用いて、p側オーミック電極15の上面と電流ブロック層16の上面とを覆うようにp側パッド電極21を形成する。その後、n型GaN基板1が約100μmの厚みを有するようにn型GaN基板1の下面C1側を研磨した後、n型GaN基板1の下面上にn側電極22図4参照を形成する。その後、ダイヤモンドポイントまたはレーザ光などを用いて、劈開線195凹部95におけるA方向の中央線に沿ったウェハ101の一方側B2側の端部に、スクライブ傷50図12参照を形成する。この際、スクライブ傷50は、劈開線195上において、A方向に平行に延びる4本のリッジ部3おき4素子毎に1箇所ずつ形成される。つまり、スクライブ傷50は、劈開線195に沿って破線状に形成される。なお、スクライブ傷50を設けることにより、スクライブ傷50の下部の半導体層中に、皺皺模様51図12参照が発生する。しかしながら、図12に示すように、スクライブ傷50のB2側に底部5cがn型クラッド層11の途中まで達する凹部95が形成されているので、皺51は、凹部95をB方向に越えてリッジ部3図2参照側には到達しにくい。この状態で、ウェハ101の下面側n側電極22の側から劈開線195の延びるB方向に沿って刃状治具90を押し当ててウェハ101を劈開する。これにより、図13に示すように、バー状態となった青紫色半導体レーザ素子100バー102が形成される。なお、図13では、3素子分3本のリッジ部3からなるバー102の状態としてしか図示されていないが、バー102は、実際には、さらに多くの素子がB1方向に続いている。ここで、第1実施形態の製造プロセスでは、刃状治具90に対するウェハ101の押圧力を適切に制御することにより、半導体素子層10は、劈開線195に沿って略直線的に劈開される。つまり、スクライブ傷50を起点としてB1方向に劈開された端面2cが、凹部95の領域5f図12参照の位置を起点としてB1方向に延びることにより、端面2cの延長線劈開線195上に光出射面2aが形成される。そして、光出射面2aのB1側の端部において凹部95の領域6f図2参照の位置を起点としてさらにB1方向に劈開されることにより、光出射面2aの延長線劈開線195上に端面2dが形成される。これにより、端面2c、光出射面2aおよび端面2dは、劈開線195に沿って略同一平面上に形成される。また、この劈開によって凹部95図12参照がB方向に沿って2つ半分に分割される。この結果、バー102のA1側の劈開面光出射面2aには、リッジ部3の両側に凹部5および凹部6が残される。同様に、バー102のA2側の劈開面光反射面2bにも、リッジ部3の両側に凹部5および凹部6が残される。その後、バー102の劈開面に対して端面コート処理を行う。これにより、光出射面2aおよび光反射面2bに、誘電体多層膜図示せずが形成される。最後に、図13に示すように、バー102バー状態の青紫色半導体レーザ素子100の下面側図4に示すn側電極22の側から素子分割線190の延びるA方向に沿って刃状治具90図12参照を押し当ててバー102の素子分割を行う。このようにして、図1に示した青紫色半導体レーザ素子100のチップが多数形成される。第1実施形態では、上記のように、半導体素子層10の光導波路の端面となる光出射面2a光反射面2bからB2方向に離間した位置に形成された底部5cを含む凹部5を備え、凹部5の底部5cに、B方向に沿って延びるとともに他の部分よりも深い深底部5gを設けている。また、光出射面2a光反射面2bからB1方向に離間した位置に形成された底部6cを含む凹部6を備え、凹部6の底部6cに、B方向に沿って延びるとともに他の部分よりも深い深底部6gを設けている。これにより、製造プロセスにおいて、半導体素子層10の下面側から刃状治具90を押し当ててウェハ101をバー状に劈開する際、ウェハ101に加える押圧力を適切に制御することにより、半導体素子層10を、劈開線195に沿って劈開することができる。この際、B方向に沿って延びる深底部5g深底部6g以外の位置に対応するn型クラッド層11およびn型GaN基板1の部分に、マイクロクラックの起点を生じさせることができる。このような劈開線195に基づいて半導体素子層10の劈開が良好に行われるので、平滑な光出射面2a光反射面2bを得ることができる。その結果、劈開の歩留まりが低下するのを抑制することができる。また、第1実施形態では、少なくともスクライブ傷50と光出射面2a光反射面2bとの間に凹部5が形成されることにより、スクライブ傷50を起点として半導体素子層10に生ずる皺51が、凹部5を越えて光出射面2a光反射面2bに到達するのが抑制されている。これにより、半導体素子層10に対してスクライブ傷50を設けることに起因して半導体素子層10中に発生した皺51は、凹部5により青紫色半導体レーザ素子100の発光点となる光出射面2a光反射面2bまで到達しにくくなる。つまり、皺51の伝播が抑制されたより平滑な劈開面によって、光出射面2a光反射面2bを構成することができる。これによっても劈開の歩留まりが低下するのを抑制することができる。また、第1実施形態では、光出射面2a光反射面2bは、スクライブ傷50から延びる劈開線195に対応する部分に沿って半導体素子層10が劈開された劈開面を含む。すなわち、光出射面2a光反射面2bは、劈開線195に沿って、深底部5g深底部6g以外の部分である領域5f領域6fにおいて半導体素子層10が劈開されている。このように、凹部5凹部6の底部5c底部6cにおける特定の位置領域5f領域6fに対応するn型クラッド層11の部分で半導体素子層10が劈開されるので、領域5f領域6fを起点として半導体素子層10内に自発的に生じるマイクロクラックに基づいて、半導体素子層10の劈開が良好に行われた光出射面2a光反射面2b劈開面を容易に得ることができる。また、第1実施形態では、凹部5凹部6は、半導体素子層10の上面から活性層12に亘る部分を貫通して分断しており、凹部5凹部6の底部5c底部6cは、活性層12よりも下層のn型クラッド層11に配置されている。これにより、凹部5凹部6の底部5c底部6cが活性層12よりも上層のp型クラッド層13中や活性層12中に形成されている場合と異なり、光出射面2a光反射面2bを、半導体素子層10の上面側から活性層12を経て下層のn型クラッド層11側まで略直線状に揃えることができる。つまり、半導体素子層10の積層方向C方向において、活性層12を含む光出射面2a光反射面2bに、凹部5凹部6の底部5c底部6cに起因した段差部などが存在しない。これにより、平滑な光出射面2a光反射面2b上に端面コート膜を良好に形成することができる。この結果、形成された端面コート膜が剥がれることを抑制することができる。また、第1実施形態では、凹部5凹部6は、リッジ部3光導波路を中心としたB方向の両側B2側およびB1側に形成されている。これにより、劈開線195に沿って各々の凹部5凹部6の領域5f領域6fに対応するn型クラッド層11の部分に劈開時のマイクロクラックの起点を生じさせることができる。この結果、半導体素子層10をより容易に劈開して光出射面2a光反射面2bを形成することができる。第1実施形態の第1変形例次に、図10、図12および図14~図16を参照して、第1実施形態の第1変形例について説明する。この第1実施形態の第1変形例による青紫色半導体レーザ素子105では、図14に示すように、光導波路の端面となる光出射面2aが、凹部5の深底部5gに沿って半導体素子層10が劈開された劈開面により形成されている。なお、図中において、第1実施形態と同様の構成には、第1実施形態と同じ符号を付して図示している。また、青紫色半導体レーザ素子105は、本発明の半導体レーザ素子の一例である。青紫色半導体レーザ素子105では、図15に示すように、光出射面2aおよび端面2dは、各々の側の端面2cに対してレーザ光の出射方向A1方向、A2方向に、それぞれ距離L2=L3/2だけ突出して形成されている。詳細には、光出射面2aについて見ると、スクライブ傷50の位置図16に示す劈開線195の位置で劈開されて形成された端面2cが、凹部5の領域5fの部分を起点としてB1方向かつA1方向に斜めに延びて凹部5のA1側の終端部深底部5gに到達している。そして、この劈開線196上で、半導体素子層10が深底部5gに沿ってB1方向に略直線状に延びることにより光出射面2aが形成されている。また、光出射面2aのB1側の端部において、半導体素子層10が凹部6のA1側の終端部深底部6gに沿ってB1方向にさらに延びている。これにより、光出射面2aの延長線上に端面2dが形成されている。ここで、凹部5のA1側の深底部5gおよび凹部6のA1側の深底部6gは、製造プロセス時に半導体素子層10に形成された劈開導入用の凹部95図10参照の一部分が、ウェハ101をバー状に劈開した後に共振器面側に露出した部分である。また、凹部6には、凹部95図10参照のほとんどが残されている。なお、青紫色半導体レーザ素子105のA2側の光反射面2bについても、上記説明したA1側の光出射面2aと略同様の形状を有している。したがって、A2側においても、光反射面2bおよび端面2dが、スクライブ傷50の位置に形成された端面2cに対してレーザ光の出射方向A2方向に、それぞれ距離L2=L3/2だけ突出した位置劈開線197の位置に形成されている。なお、青紫色半導体レーザ素子105のその他の構成は、第1実施形態と同様である。青紫色半導体レーザ素子105が上記した端面形状を有する理由を以下に述べる。青紫色半導体レーザ素子105の製造プロセスにおいて、図12に示したウェハ101を劈開線195に沿って劈開する際、ウェハ101側からの刃状治具90に付与する押圧力を、第1実施形態の製造プロセスの場合とは異なる大きさに制御することにより、半導体素子層10は、劈開線195とは異なる劈開線196図16参照に沿った位置で劈開される。これにより、図16に示すように、ウェハ101においては、半導体素子層10に形成された凹部95の底部5c図12参照のうちの一方側端面2cに対して突出する側の深底部5gの位置で半導体素子層10が劈開された場合に、端面2cの形成位置劈開線195よりも突出する光出射面2aおよび端面2dを有する青紫色半導体レーザ素子105のチップが形成される。なお、ウェハ101における最もB2側寄りのスクライブ傷50を有するチップ105aは、図14斜視図に示した形状に形成される。また、チップ105aの次にB1側に連なるスクライブ傷50を有しないチップ105bは、図16平面図に示した形状を有して形成される。つまり、チップ105bにおける共振器面光出射面2aおよび光反射面2bは、B方向の全ての領域が、劈開線196197に揃えられている。このような製造プロセスによって、青紫色半導体レーザ素子105に、上記した端面形状を有する共振器面が形成される。第1実施形態の第1変形例では、上記のように、底部5c底部6cにB方向に沿って延びる深底部5g深底部6gを設けることによって、ウェハ101に加える押圧力を適切に制御することにより、スクライブ傷50から延びる劈開線195が存在していたとしても、B方向に沿って延びる深底部5g深底部6gに沿ったn型クラッド層11およびn型GaN基板1の部分に、別な劈開線196197に沿ったマイクロクラックを容易に生じさせることができる。つまり、凹部5凹部6の深底部5g深底部6gに沿ったn型クラッド層11の部分で半導体素子層10を劈開することができる。このような劈開線196197に基づいて半導体素子層10の劈開が良好に行われるので、平滑な光導波路の端面光出射面2a光反射面2bを得ることができる。その結果、劈開の歩留まりが低下するのを抑制することができる。なお、第1実施形態の第1変形例のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。第1実施形態の第2変形例次に、図10、図12および図16~図18を参照して、第1実施形態の第2変形例について説明する。この第1実施形態の第2変形例による青紫色半導体レーザ素子110では、図17に示すように、光導波路の端面となる光出射面2aが、凹部5の素子側A2側に形成された深底部5gに沿って半導体素子層10が劈開された劈開面により形成されている。なお、図中において、第1実施形態と同様の構成には、第1実施形態と同じ符号を付して図示している。また、青紫色半導体レーザ素子110は、本発明の半導体レーザ素子の一例である。青紫色半導体レーザ素子110では、図18に示すように、光出射面2aおよび端面2dは、各々の側の端面2cに対してレーザ光の出射方向とは反対方向A2方向、A1方向に、それぞれ距離L2=L3/2だけ奥まって形成されている。詳細には、光出射面2aについて見ると、端面2cが、凹部5の領域5fの位置劈開線195の位置を起点としてB1方向かつA2方向に斜めに延びて凹部5のA2側の壁部5e深底部5gに到達している。そして、この劈開線197上で、半導体素子層10が深底部5gに沿ってB1方向に略直線状に延びることにより光出射面2aが形成されている。また、光出射面2aのB1側の端部において、半導体素子層10が凹部6図17参照のA2側の壁部6e深底部6g図17参照に沿ってB1方向にさらに延びている。これにより、光出射面2aの延長線上に端面2dが形成されている。ここで、凹部5のA2側の深底部5gおよび凹部6のA1側の深底部6gは、製造プロセス時に半導体素子層10に形成された劈開導入用の凹部95図10参照の一部分である。また、リッジ部3に対してB2側に形成された凹部95は、劈開後には青紫色半導体レーザ素子110には残らない。したがって、図17では、ウェハ状態で形成されていた凹部95壁部6eの位置を破線で示している。なお、青紫色半導体レーザ素子110のA2側の光反射面2bについても、上記説明したA1側の光出射面2aと略同様の形状を有している。したがって、青紫色半導体レーザ素子105のA2側においても、光反射面2bおよび端面2dが、スクライブ傷50の位置に形成された端面2cに対してレーザ光の出射方向とは反対方向A1方向に、それぞれ距離L2=L3/2だけ奥まった位置劈開線196の位置に形成されている。なお、青紫色半導体レーザ素子110のその他の構成は、第1実施形態と同様である。青紫色半導体レーザ素子110が上記した端面形状を有する理由を以下に述べる。青紫色半導体レーザ素子110の製造プロセスにおいて、図12に示したウェハ101を劈開線195に沿って劈開する際、ウェハ101側からの刃状治具90に付与する押圧力を、第1実施形態の製造プロセスの場合とは異なる大きさに制御することにより、半導体素子層10は、劈開線195とは異なる劈開線197図16参照に沿った位置で劈開される。すなわち、第1実施形態の第1変形例とは対照的に、半導体素子層10に形成された凹部95の底部5cのうちの他方側端面2cに対して奥まった側の深底部5gの位置で半導体素子層10が劈開された場合に、端面2cの形成位置劈開線195よりも奥まって形成された光出射面2aおよび端面2dを有する青紫色半導体レーザ素子110のチップが形成される。なお、ウェハ101における最もB2側寄りのスクライブ傷50を有するチップ110aは、図17斜視図および図18平面図に示した形状に形成される。また、チップ110aの次にB1側に連なるスクライブ傷50を有しないチップ110bは、図16平面図に示した形状を有して形成される。つまり、チップ110bにおける共振器面光出射面2aおよび光反射面2bは、B方向の全ての領域が、劈開線197196に揃えられている。なお、図16に示すように、ウェハ101をバー状に劈開した際に、上記第1実施形態の第1変形例における一方側のバー102図中左側が得られた場合、他方側にはこの第2変形例で示したバー103図中右側が得られる。なお、第1実施形態の第2変形例の効果は、上記第1実施形態の第1変形例と同様である。第1実施形態の第3変形例次に、図19を参照して、第1実施形態の第3変形例について説明する。この第1実施形態の第3変形例による青紫色半導体レーザ素子115では、図19に示すように、素子チップの一方側の端面光出射面2aが端面2cに対して突出するとともに、素子チップの他方側の端面光反射面2bが端面2cに対して奥まった位置に形成されている。なお、図中において、第1実施形態と同様の構成には、第1実施形態と同じ符号を付して図示している。また、青紫色半導体レーザ素子115は、本発明の半導体レーザ素子の一例である。青紫色半導体レーザ素子115では、一対の共振器面の各々において、半導体素子層10の劈開位置が異なっている。つまり、劈開時に刃状治具90に付与する押圧力を制御することにより、光出射面2a側には、第1実施形態の第1変形例で示した青紫色半導体レーザ素子105と略同じ端面形状が形成される。また、光反射面2b側には、第1実施形態の第2変形例で示した青紫色半導体レーザ素子110と略同じ端面形状が形成される。なお、青紫色半導体レーザ素子115のその他の構成は、第1実施形態と同様である。また、第1実施形態の第3変形例の効果は、上記第1実施形態の第1および第2変形例と同様である。第2実施形態次に、図20を参照して、第2実施形態について説明する。この第2実施形態による青紫色半導体レーザ素子200では、図20に示すように、凹部5の底部5c、および、凹部6の底部6cが、それぞれ、n型GaN基板1の途中まで達している。なお、図中において、上記第1実施形態と同様の構成には、上記第1実施形態と同じ符号を付して図示している。また、青紫色半導体レーザ素子200は、本発明の半導体レーザ素子の一例である。すなわち、青紫色半導体レーザ素子200の製造プロセスにおいて、p型クラッド層13の上面13cC2側からn型GaN基板1の途中までをC1方向にドライエッチングして劈開導入用の凹部95を形成する。これにより、半導体素子層10の上面から活性層12を経てn型クラッド層11までの全ての半導体層を厚み方向に完全に分断する凹部5および凹部6が形成される。なお、青紫色半導体レーザ素子200のその他の構造は、上記第1実施形態と同様である。また、青紫色半導体レーザ素子200の製造プロセスについても上記した製造プロセス以外については、上記第1実施形態と同様である。第2実施形態では、上記のように、凹部5の底部5c、および、凹部6の底部6cが、それぞれ、n型GaN基板1の途中まで達している。これにより、凹部5および凹部6が形成された部分の半導体素子層10の厚みをより小さくすることができる。この結果、より容易に半導体素子層10を劈開して光出射面2aおよび光反射面2bを形成することができる。また、光出射面2a光反射面2bにおいて、厚み方向C方向に沿ってp型クラッド層13からn型クラッド層11に亘る全ての端面を略直線状に揃えることができる。この結果、光出射面2a光反射面2bに形成された端面コート膜が剥がれることを容易に抑制することができる。なお、第2実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。第3実施形態次に、図21を参照して、第3実施形態について説明する。この第3実施形態による青紫色半導体レーザ素子300では、図21に示すように、リッジ部3の片側にのみ凹部5が形成されている。なお、図中において、上記第1実施形態と同様の構成には、上記第1実施形態と同じ符号を付して図示している。また、青紫色半導体レーザ素子300は、本発明の半導体レーザ素子の一例である。すなわち、半導体素子層10は、皺51を有する端面2cが凹部5の他方端部5bで終了し、その後、半導体素子層10は、劈開線195に沿って凹部5の領域5fの部分で劈開されながらB1方向に直線的に延びて一方端部5aに達する。そして、半導体素子層10は、一方端部5aからスクライブ傷50から延びる劈開線195に沿って劈開されて光出射面2aを形成した後、さらに劈開線195に沿ってB1方向に直線的に延びて側端面4bB1側まで達している。したがって、側端面4aから側端面4bに向かって、端面2cおよび光出射面2aは、スクライブ傷50が形成された劈開線195図12参照に沿って略同一平面上に形成されている。なお、青紫色半導体レーザ素子300のA2側の光反射面2bについても、上記説明したA1側の光出射面2aと略同様の形状を有している。なお、青紫色半導体レーザ素子300のその他の構成は、第1実施形態と同様である。第3実施形態では、上記のように、凹部5がリッジ部3の片側にのみ形成されていても、凹部5の底部5cにおける特定の位置領域5fに対応するn型クラッド層11の部分で半導体素子層10が劈開されるので、領域5fを起点として半導体素子層10内に自発的に生じるマイクロクラックに基づいて、半導体素子層10の劈開が良好に行われた光出射面2a光反射面2bを容易に得ることができる。なお、第3実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。たとえば、上記第1~第3実施形態では、製造プロセスにおいて、半導体素子層10に底部5c6cのA方向に沿った終端部に深底部5g6gを有するような凹部95図11参照を形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、半導体素子層10に、図22に示す変形例のような凹部96を形成してもよい。具体的には、開口部85のA方向に対向する内側面85eの位置およびその近傍においては、エッチングパワーを通常の大きさリッジ部3を形成した際のパワーとする。一方、内側面85eから開口部85のA方向の中心部に向かうにしたがってエッチングパワーを徐々に増加させて、開口部85のA方向の略中心部においてエッチングパワーを最も大きく調整するリッジ部3を形成した際のパワーの約20増しのエッチングパワーとする。このようにして、凹部96を形成することにより、半導体素子層10に、A方向に沿って傾斜する領域5kと、半導体素子層10の上面上面13cからの深さD1が最も深い深底部5mとを有する底部5jが形成される。この場合、深底部5mは、図22の紙面に垂直な方向B方向に沿って形成される。そして、ウェハ109をバー状に劈開する際、上記第1実施形態およびその変形例の製造プロセスと同様に、劈開線195の延びるB方向に沿って刃状治具90図12参照を押し当ててウェハ109を劈開する。この際、刃状治具90に対するウェハ109側からの押圧力を適切に制御することにより、半導体素子層10の劈開位置を適宜異ならせることが可能である。たとえば、所定の押圧力のもとでは、半導体素子層10の全ての領域をスクライブ傷50から延びる劈開線195に沿って劈開することができる。この場合、半導体素子層10は、B方向に沿って延びる深底部5mに沿って劈開される。また、別な押圧力に制御した場合、深底部5m以外の領域5kの部分で半導体素子層10をB方向に沿って劈開することも可能である。この変形例のように構成しても、凹部96における底部5j内の特定の位置深底部5mまたはこれ以外の場所を起点として半導体素子層10内に自発的に生じるマイクロクラックに基づいて半導体素子層10の劈開を良好に行うことができる。この結果、平滑な光出射面2aおよび光反射面2bを得ることができる。また、上記第1および第2実施形態では、凹部5における深底部5gを、一方端部5aから他方端部5bに亘って連続的に延びるように形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。深底部5gを、一方端部5aと他方端部5bとの間で破線状に延びるように形成してもよい。また、上記第1および第2実施形態では、凹部5の深さと、凹部6の深さとを略等しく形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。凹部5の深さと、凹部6の深さとを異ならせて形成してもよい。この場合、少なくとも、スクライブ傷と光導波路の端面との間に形成される凹部については、凹部の底部がn型GaN基板の途中まで達するように構成するのが好ましい。また、上記第1~第3実施形態の製造プロセスでは、半導体素子層10にリッジ部3を形成し、その後、リッジ部3を中心としたリッジ部3の両側に凹部5および凹部6を形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、半導体素子層10に対して先に凹部5および凹部6凹部95を形成した後に、凹部5と凹部6とのB方向の略中央部にリッジ部3を形成してもよい。また、上記第1~第3実施形態では、本発明の半導体レーザ素子を窒化物系半導体からなる青紫色半導体レーザ素子100、105、110、115、200および300に適用した例について示したが、本発明はこれに限られない。青紫色半導体レーザ素子以外の、たとえば、青色半導体レーザ素子や緑色半導体レーザ素子に対して本発明の凹部を形成してもよい。あるいは、窒化物系半導体レーザ素子以外の、GaAs系半導体やGaInP系半導体からなる半導体レーザ素子赤色LDや赤外LDなどに対して本発明の凹部を形成してもよい。また、上記第1~第3実施形態では、半導体素子層10のp型クラッド層13上部クラッド層に上方に突出するリッジ部3を形成して電流通路部を設けた例について示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、平坦な上部クラッド層上にストライプ状の開口部を有する電流ブロック層を形成して電流通路部を設けた利得導波型の窒化物系半導体レーザ素子に、本発明の凹部を形成してもよい。また、上記第1~第3実施形態では、共振器面に1つの発光点光導波路を有する青紫色半導体レーザ素子を形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。共振器面に2つ以上の発光点を有する半導体レーザ素子を形成するとともに、各々の発光点光導波路を形成する電流通路部に対して、個々の電流通路部の外側互いに対向しない側に所定の距離を隔てて本発明の凹部を形成してもよい。また、この場合、各発光点が同一の発振波長を有するレーザ光を出射するように構成してもよいし、各発光点が互いに異なる発振波長を有するレーザ光を出射するように構成してもよい。