"表面に凹凸パターンを有するウェハの洗浄方法であって、少なくとも、前記ウェハを洗浄液で洗浄する工程、洗浄後にウェハの凹部に保持された洗浄液を撥水性薬液で置換する工程、ウェハを乾燥する工程を有し、前記洗浄液が、沸点が55~200°Cである溶媒を80質量以上含むものであり、前記置換する工程において供される撥水性薬液の温度を、40°C以上、該撥水性薬液の沸点未満とすることにより、少なくとも前記凹部表面を撥水化させることを特徴とする、ウェハの洗浄方法。前記洗浄液が、有機溶媒、水、水に有機溶媒、酸、アルカリ、酸化剤のうち少なくとも1種が混合された水溶液からなる群から選ばれる少なくとも1つの液体であることを特徴とする、請求項1に記載のウェハの洗浄方法。前記ウェハが、凹部の表面にケイ素元素を含むウェハであり、前記撥水性薬液が、下記一般式[1]で表されるケイ素化合物Aを含むもの、または、ケイ素化合物Aと、酸又は塩基を含むものであることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載のウェハの洗浄方法。R1aSiHbX14-a-b[1][式[1]中、R1は、それぞれ互いに独立して、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基を含む1価の有機基である。また、X1は、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素である1価の官能基、ケイ素元素と結合する元素が酸素である1価の官能基、ハロゲン基、ニトリル基、および、-CO-NH-SiCH33からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を表す。aは1~3の整数、bは0~2の整数であり、aとbの合計は1~3である。]前記撥水性薬液が酸を含み、該酸が、塩化水素、硫酸、過塩素酸、リン酸、下記一般式[2]で表されるスルホン酸およびその無水物、下記一般式[3]で表されるカルボン酸およびその無水物、アルキルホウ酸エステル、アリールホウ酸エステル、トリストリフルオロアセトキシホウ素、トリアルコキシボロキシン、トリフルオロホウ素、下記一般式[4]で表されるケイ素化合物Bからなる群から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする、請求項3に記載のウェハの洗浄方法。R2SO2OH[2][式[2]中、R2は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。]R3COOH[3][式[3]中、R3は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。]R4cSiHdX24-c-d[4][式[4]中、R4は、それぞれ互いに独立して、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。また、X2は、それぞれ互いに独立して、クロロ基、-OCO-R5R5は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基、および、-OSO2-R6R6は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を表す。cは1~3の整数、dは0~2の整数であり、cとdの合計は1~3である。]前記酸が、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ジメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ブチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、オクチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、オクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、デシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、デシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ドデシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ドデシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートからなる群から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする、請求項3または請求項4に記載のウェハの洗浄方法。前記ケイ素化合物Aが、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルジメチルアミン、トリメチルシリルジエチルアミン、テトラメチルジシラザン、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジブチルテトラメチルジシラザン、ブチルジメチルシリルジメチルアミン、ブチルジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジヘキシルテトラメチルジシラザン、ヘキシルジメチルシリルジメチルアミン、ヘキシルジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジオクチルテトラメチルジシラザン、オクチルジメチルシリルジメチルアミン、オクチルジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジデシルテトラメチルジシラザン、デシルジメチルシリルジメチルアミン、デシルジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジドデシルテトラメチルジシラザン、ドデシルジメチルシリルジメチルアミン、ドデシルジメチルシリルジエチルアミンからなる群から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする、請求項3乃至請求項5のいずれかに記載のウェハの洗浄方法。前記撥水性薬液が塩基を含み、該塩基が、アンモニア、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、アルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン、ピリジン、ピペラジン、N-アルキルモルホリン、下記一般式[5]で示されるケイ素化合物Cからなる群から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする、請求項3乃至請求項6のいずれかに記載のウェハの洗浄方法。R7eSiHfX34-e-f[5][式[5]中、R7は、それぞれ互いに独立して、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。また、X3は、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素であり、フッ素元素やケイ素元素を含んでいても良い1価の官能基である。eは1~3の整数、fは0~2の整数であり、eとfの合計は1~3である。]前記ウェハが、凹部の表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも1種の元素を含むウェハであり、前記撥水性薬液が、以下の一般式[6]~[12]で表される化合物及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種と溶媒を含むことを特徴とする、請求項1または請求項2に記載のウェハの洗浄方法。R8-P=O-OHgR92-g[6][式[6]中、R8は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。R9は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基である。gは、0乃至2の整数である。]R10-C=O-X4[7][式[7]中、R10は、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は、炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。X4は、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、及び、ヨード基からなる群から選ばれる基を示す。]R11R12R13N[8][式[8]中、R11は、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。R12は、水素元素、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。R13は、水素元素、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。]R14-C=O-X5-X6[9][式[9]中、R14は、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は、炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。X5は、酸素元素、又は硫黄元素を示し、X6は、水素元素、アルキル基、芳香族基、ピリジル基、キノリル基、スクシンイミド基、マレイミド基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、及び、ベンゾトリアゾール基からなる群から選ばれる基を示し、これらの基における水素元素は、有機基で置換されていても良い。]R15X7h[10][式[10]中、X7は、それぞれ互いに独立して、イソシアネート基、メルカプト基、アルデヒド基、CONHOH基、および、窒素元素を含む環構造からなる群から選ばれる少なくとも1つの基であり、hは1乃至6の整数、R15は、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む有機基、又は炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む有機基であり、前記のh個のイソシアネート基、メルカプト基、アルデヒド基、CONHOH基、および、窒素元素を含む環構造からなる群から選ばれる少なくとも1つの基で同数の水素元素が置換された化合物である。]R16-X8[11][式[11]中、X8は硫黄元素を含む環構造であり、R16は、水素元素、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は、炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。]R17-C=O-X9-C=O-R18[12][式[12]中、R17は、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は、炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。R18は、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は、炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。X9は、酸素元素、又は硫黄元素を示す。]前記置換する工程において供される撥水性薬液の温度を、70°C以上、前記撥水性薬液の沸点-10°C未満とすることを特徴とする、請求項1乃至請求項8のいずれかに記載のウェハの洗浄方法。請求項1乃至請求項9のいずれかに記載のウェハの洗浄方法で用いられる撥水性薬液。本発明は、半導体デバイス製造などにおいて、特に微細でアスペクト比の高い回路パターン化されたデバイスの製造歩留まりの向上を目的とした基板ウェハの洗浄技術に関するものであり、特に、表面に凹凸パターンを有するウェハの凹凸パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善することを目的とした撥水性薬液等に関するものである。特許文献4、5には、アニール処理を行って液温を上昇させることで表面処理剤の反応を促進することが記載されているものの、表面処理剤を被処理体表面に素早く行渡らせる置換することや、完全には置換が完了していない置換途中の状態であっても十分に撥水性被膜を形成できるほど表面処理剤の反応を促進することについては何ら考慮されておらず、表面処理に要する時間を短縮することには改善の余地があった。また、特許文献6~13についても、同様の理由で、表面処理に要する時間を短縮することには改善の余地があった。本発明は、ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性被膜を形成し、該凹部に保持された液体と該凹部表面との相互作用を低減せしめることによって、凹凸パターンの倒れを防止することに奏功するウェハの洗浄方法であり、スループットが損なわれることなく、経済的かつより効率的にウェハを洗浄することが可能な洗浄方法を提供することを課題とする。本発明のウェハの洗浄方法は、表面に凹凸パターンを有するウェハの洗浄方法であって、少なくとも、前記ウェハを洗浄液で洗浄する工程、洗浄後にウェハの凹部に保持された洗浄液を撥水性薬液で置換する工程、ウェハを乾燥する工程を有し、前記洗浄液が、沸点が55~200°Cである溶媒を80質量以上含むものであり、前記置換する工程において供される撥水性薬液の温度を、40°C以上、該撥水性薬液の沸点未満とすることにより、少なくとも前記凹部表面を撥水化させることを特徴とする。なお、本明細書において沸点は1気圧の状態の値をいう。また、撥水性薬液の沸点とは、該撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分の沸点を意味する。パターン倒れは、ウェハを洗浄液で洗浄した後の乾燥時に気液界面がパターンを通過するときに生じる。これは、パターンのアスペクト比が大きい部分と小さい部分との間において、洗浄液の残液高さの差ができ、それによってパターンに作用する毛細管力に差が生じることが原因と言われている。このため、毛細管力を小さくすれば、残液高さの違いによる毛細管力の差が低減し、パターン倒れが解消すると期待できる。毛細管力の大きさは、以下に示される式で求められるPの絶対値であり、この式からγ、もしくは、cosθを小さくすれば、毛細管力を低減できると期待される。P=2×γ×cosθ/S式中、γは凹部に保持されている液体の表面張力、θは凹部表面と凹部に保持されている液体のなす接触角、Sは凹部の幅である。前記撥水性薬液は、前記凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性被膜を形成することで、当該部分の表面エネルギーを低減させて、水やその他の液体と該部表面との間界面で相互作用、例えば、水素結合、分子間力などを低減させる。特に水に対して相互作用を低減させる効果が大きいが、水と水以外の液体の混合液や、水以外の液体に対しても相互作用を低減させる効果を有する。これにより、物品表面に対する液体の接触角を大きくすることができる。前記のように洗浄液を撥水性薬液に置換し、凹凸パターンの少なくとも凹部に該薬液が保持されている間に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に前記撥水性被膜が形成される。このため、液体が凹部から除去されるとき、すなわち、乾燥されるとき、前記凹凸パターンの少なくとも凹部表面に前記撥水性被膜が形成されているので、該凹部に働く毛細管力が小さくなり、パターン倒れが生じにくくなる。また、前記撥水性薬液を用いて、凹凸パターンの少なくとも凹部表面に、短時間で撥水性被膜を形成させるためには、該薬液の被膜形成能を高くすること、及び、凹部に保持された洗浄液を撥水性薬液で素早く置換することが有効である。前記置換する工程において供される撥水性薬液の温度を、40°C以上とすると、該撥水性薬液の反応や吸着が促進され、被膜形成能が高まり、結果として前記撥水性被膜を短時間で形成できるようになる。また、完全には置換が完了していない置換途中の状態であっても十分に撥水性被膜を形成できるようになる。しかし、前記撥水性薬液の温度を該薬液の沸点とすると、該薬液が速やかに蒸発しやすくなるため、ウェハ表面が乾燥しやすくなるので好ましくない。このため、前記撥水性薬液は、40°C以上、該撥水性薬液の沸点未満、好ましくは50°C以上、前記撥水性薬液の沸点-10°C未満、さらに好ましくは70°C以上、前記撥水性薬液の沸点-10°C未満の温度でウェハ表面に供されるようにする。また、前記洗浄液を、沸点が55~200°Cである溶媒を80質量以上含むものとすると、温度が40°C以上の撥水性薬液が供給された際に、該洗浄液が蒸発しやすくなるため、凹部の洗浄液は、短時間で撥水性薬液に置換されやすくなる。この結果、短時間で撥水性被膜が形成されるようになる。さらに、供給される前記薬液の温度が40°C以上、該薬液の沸点未満の温度であることにより、凹凸パターンの凹部に保持されていた前記洗浄液との間に拡散や対流が起こり易く、その結果、前記洗浄液を短時間で撥水性薬液に置換することができる。このため、前記洗浄液は、沸点が60~180°Cである溶媒を80質量以上含むものが特に好ましく、さらには、沸点が70~160°Cである溶媒を80質量以上含むものが好ましい。なお、前記洗浄液を、沸点が55°C未満である溶媒を80質量以上含むものとすると、洗浄液を撥水性薬液で置換する工程において、40°C以上、該撥水性薬液の沸点未満の温度の薬液を供給した際に、該洗浄液が突沸する場合や、該洗浄液の蒸発速度が速くなりすぎる場合があり、その結果、気泡の発生や突沸により凹凸パターンにダメージを及ぼす恐れがある。また、前記洗浄液を、沸点が200°C超である溶媒を80質量以上含むものとすると、洗浄液を撥水性薬液で置換する工程において、40°C以上、該撥水性薬液の沸点未満の温度の薬液を供給した際に、該洗浄液の蒸発が遅いため、前記置換に長時間を要する傾向があり、その結果、ウェハ表面に撥水性を発現するのに長時間を要する傾向がある。なお、前記洗浄液を、沸点が55~200°Cである溶媒とすると、洗浄液の急激な蒸発や気泡の発生や突沸を避けるための、前記撥水性薬液の温度を管理し易くなるためより好ましい。前記洗浄液は、有機溶媒、水、水に有機溶媒、酸、アルカリ、酸化剤のうち少なくとも1種が混合された水溶液からなる群から選ばれる少なくとも1つの液体であることが好ましい。なお、水、水に有機溶媒、酸、アルカリ、酸化剤のうち少なくとも1種が混合された水溶液を、以降、水系液体と記載する場合がある。前記撥水性薬液は、凹凸パターンが形成されたウェハの洗浄工程において洗浄液を該薬液に置換して使用される。また、前記置換した撥水性薬液は他の洗浄液に置換されてもよい。前記撥水性被膜は、必ずしも連続的に形成されていなくてもよく、また、必ずしも均一に形成されていなくてもよいが、より優れた撥水性を付与できるため、連続的に、また、均一に形成されていることがより好ましい。前記ウェハは、凹凸パターンの凹部の表面にケイ素元素を含むウェハ以降、ケイ素系ウェハと記載する場合があるであり、前記撥水性薬液が下記一般式[1]で表されるケイ素化合物Aを含むもの、または、ケイ素化合物Aと、酸又は塩基を含むものであることが好ましい。また、該ケイ素系ウェハ用撥水性薬液を用いてケイ素系ウェハを洗浄する方法を、本発明の第1の態様以降第1方法と記載する場合があると記載する。なお、上記薬液をケイ素系ウェハ用撥水性薬液と記載する場合がある。R1aSiHbX14-a-b[1][式[1]中、R1は、それぞれ互いに独立して、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基を含む1価の有機基である。また、X1は、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素である1価の官能基、ケイ素元素と結合する元素が酸素である1価の官能基、ハロゲン基、ニトリル基、および、-CO-NH-SiCH33からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を表す。aは1~3の整数、bは0~2の整数であり、aとbの合計は1~3である。]また、前記撥水性薬液は酸を含み、該酸が、塩化水素、硫酸、過塩素酸、リン酸、下記一般式[2]で表されるスルホン酸およびその無水物、下記一般式[3]で表されるカルボン酸およびその無水物、アルキルホウ酸エステル、アリールホウ酸エステル、トリストリフルオロアセトキシホウ素、トリアルコキシボロキシン、トリフルオロホウ素、下記一般式[4]で表されるケイ素化合物Bからなる群から選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。R2SO2OH[2][式[2]中、R2は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。]R3COOH[3][式[3]中、R3は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。]R4cSiHdX24-c-d[4][式[4]中、R4は、それぞれ互いに独立して、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。また、X2は、それぞれ互いに独立して、クロロ基、-OCO-R5R5は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基、および、-OSO2-R6R6は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を表す。cは1~3の整数、dは0~2の整数であり、cとdの合計は1~3である。]さらに、前記酸は、前記一般式[4]で表されるケイ素化合物Bが好ましく、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ジメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ブチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、オクチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、オクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、デシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、デシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ドデシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ドデシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートからなる群から選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。また、前記撥水性薬液は塩基を含み、該塩基が、アンモニア、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、アルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン、ピリジン、ピペラジン、N-アルキルモルホリン、下記一般式[5]で示されるケイ素化合物Cからなる群から選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。R7eSiHfX34-e-f[5][式[5]中、R7は、それぞれ互いに独立して、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。また、X3は、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素であり、フッ素元素やケイ素元素を含んでいても良い1価の官能基である。eは1~3の整数、fは0~2の整数であり、eとfの合計は1~3である。]前記ケイ素系ウェハ用撥水性薬液を用いて形成された撥水性被膜は、前記一般式[1]のX1がケイ素系ウェハ表面の反応サイトであるシラノール基と反応し、ケイ素化合物Aがケイ素系ウェハのケイ素元素と化学的に結合することによって形成される。前記一般式[1]のR1は、前記凹部の表面エネルギーを低減させて、水やその他の液体と該撥水性被膜表面との間界面で相互作用、例えば、水素結合、分子間力などを低減させ、物品表面に対する液体の接触角を大きくすることができる。薬液中に含まれることのある上記の酸又は塩基は、前記ケイ素化合物Aとケイ素系ウェハのケイ素元素との反応を促進することに奏功する。当該酸又は塩基が前記ケイ素系ウェハ用撥水性薬液中に存在すると、撥水性被膜を短時間で形成することができる。なお、ケイ素系ウェハ表面に撥水性被膜を形成する速さ、すなわち、ケイ素系ウェハ表面に撥水性を発現する速さは、前記ケイ素化合物A由来の成分がケイ素系ウェハ表面の反応サイトに結合する速さによって決まるものである。上記の酸又は塩基が存在すると、前記ケイ素化合物A由来の成分はケイ素系ウェハの凹凸パターン表面の反応サイトであるシラノール基と速やかに反応できるため、表面処理中にケイ素系ウェハ表面に短時間で撥水性を付与することができる。なお、前記酸又は塩基が、撥水性被膜の一部を形成してもよい。また、前記ケイ素化合物Aは、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルジメチルアミン、トリメチルシリルジエチルアミン、テトラメチルジシラザン、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジブチルテトラメチルジシラザン、ブチルジメチルシリルジメチルアミン、ブチルジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジヘキシルテトラメチルジシラザン、ヘキシルジメチルシリルジメチルアミン、ヘキシルジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジオクチルテトラメチルジシラザン、オクチルジメチルシリルジメチルアミン、オクチルジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジデシルテトラメチルジシラザン、デシルジメチルシリルジメチルアミン、デシルジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジドデシルテトラメチルジシラザン、ドデシルジメチルシリルジメチルアミン、ドデシルジメチルシリルジエチルアミンからなる群から選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。また、前記ウェハは、凹凸パターンの凹部の表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも1種の元素以降、金属系元素と記載する場合があるを含むウェハ以降、金属系ウェハと記載する場合があるであり、前記撥水性薬液が、以下の一般式[6]~[12]で表される化合物及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種と溶媒を含むものであることが好ましい。なお、上記薬液を金属系ウェハ用撥水性薬液と記載する場合がある。また、該金属系ウェハ用撥水性薬液を用いて金属系ウェハを洗浄する方法を、本発明の第2の態様以降第2方法と記載する場合があると記載する。R8-P=O-OHgR92-g[6][式[6]中、R8は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。R9は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基である。gは、0乃至2の整数である。]R10-C=O-X4[7][式[7]中、R10は、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は、炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。X4は、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、及び、ヨード基からなる群から選ばれる基を示す。]R11R12R13N[8][式[8]中、R11は、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。R12は、水素元素、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。R13は、水素元素、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。]R14-C=O-X5-X6[9][式[9]中、R14は、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は、炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。X5は、酸素元素、又は硫黄元素を示し、X6は、水素元素、アルキル基、芳香族基、ピリジル基、キノリル基、スクシンイミド基、マレイミド基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、及び、ベンゾトリアゾール基からなる群から選ばれる基を示し、これらの基における水素元素は、有機基で置換されていても良い。]R15X7h[10][式[10]中、X7は、それぞれ互いに独立して、イソシアネート基、メルカプト基、アルデヒド基、CONHOH基、および、窒素元素を含む環構造からなる群から選ばれる少なくとも1つの基であり、hは1乃至6の整数、R15は、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む有機基、又は炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む有機基であり、前記のh個のイソシアネート基、メルカプト基、アルデヒド基、CONHOH基、および、窒素元素を含む環構造からなる群から選ばれる少なくとも1つの基で同数の水素元素が置換された化合物である。]R16-X8[11][式[11]中、X8は硫黄元素を含む環構造であり、R16は、水素元素、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は、炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。]R17-C=O-X9-C=O-R18[12][式[12]中、R17は、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は、炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。R18は、炭素数が1乃至18の炭化水素基を含む1価の有機基、又は、炭素数が1乃至8のフルオロアルキル鎖を含む1価の有機基である。X9は、酸素元素、又は硫黄元素を示す。]前記金属系ウェハ用撥水性薬液を用いて形成される撥水性被膜は、前記一般式[6]~[12]で表される化合物及びその塩化合物から選ばれる化合物を用いることにより、前記の金属系ウェハの少なくとも凹部表面に形成することができる。なお、撥水性被膜の形成は、金属系元素を含む物質に対して親和性を持つ官能部が金属系元素を含む物質表面に吸着すること、及び/又は、該官能部と該物質表面とが反応して、化学結合を形成することにより吸着することによってなされる。前記官能部とは、一般式[6]ではP-OH基、及び/又は、P=O基で表される基であり、一般式[7]では-C=O-X4で表される基であり、一般式[8]ではN元素であり、一般式[9]では-C=O-X5-X6で表される基であり、一般式[10]ではX7hで表される基であり、一般式[11]では-X8で表される基であり、一般式[12]では-C=O-X9-C=O-で表される基である。ここで、親和性を持つとは、ファンデルワールス力や静電的相互作用等が前記の金属系元素を含む物質表面と前記化合物の官能部の間に働くことを意味する。また、前記一般式[6]のR8、一般式[7]のR10、一般式[8]のR11、一般式[9]のR14、一般式[10]のR15、一般式[11]のR16、及び、一般式[12]のR17とR18は、前記化合物の疎水部であり、該化合物が金属系ウェハの前記金属系元素に吸着した際は、該金属系ウェハ表面から外側に向かって該疎水部が並び、結果として前記凹部の表面エネルギーを低減させて、水やその他の液体と該撥水性被膜表面との間界面で相互作用、例えば、水素結合、分子間力などを低減させる効果を有する。これにより、物品表面に対する液体の接触角を大きくすることができる。また、本発明は、上記のいずれかに記載のウェハの洗浄方法で用いられる撥水性薬液である。なお、本明細書中で、ケイ素系ウェハと金属系ウェハの両方を指す場合、単にウェハと記載する場合がある。また、ケイ素系ウェハ用撥水性薬液と金属系ウェハ用撥水性薬液の両方を指す場合、単に撥水性薬液と記載する場合がある。本発明の洗浄方法は、ウェハの凹部表面に撥水性被膜を形成し、該凹部に保持された液体と該凹部表面との相互作用を低減せしめることによって、凹凸パターンの倒れを防止することに奏功する撥水性被膜を短時間で形成できる。従って、本発明の撥水性薬液を用いて行われる表面に凹凸パターンを有するウェハの製造方法は、生産性が高いものとなる。本発明は、表面に凹凸パターンを有するウェハの洗浄方法であって、少なくとも、前記ウェハを洗浄液で洗浄する工程、洗浄後にウェハの凹部に保持された洗浄液を撥水性薬液で置換する工程、ウェハを乾燥する工程を有し、前記洗浄液が、沸点が55~200°Cである溶媒を80質量以上含むものであり、前記置換する工程において供される撥水性薬液の温度を、40°C以上、該撥水性薬液の沸点未満とすることにより、少なくとも前記凹部表面を撥水化させることを特徴とする。前記表面に凹凸パターンを有するウェハは、各種液体で洗浄し、乾燥等により液体を除去すると、凹部の幅が小さく、凸部のアスペクト比が大きいと、パターン倒れが生じやすくなる。該凹凸パターンは、図1及び図2に記すように定義される。図1は、表面が凹凸パターン2を有する面とされたウェハ1を斜視したときの模式図の一例を示し、図2は図1中のa-a’断面の一部を示したものである。凹部の幅5は、図2に示すように凸部3と凸部3の間隔で示され、凸部のアスペクト比は、凸部の高さ6を凸部の幅7で割ったもので表される。洗浄工程でのパターン倒れは、凹部の幅が70nm以下、特には45nm以下、アスペクト比が4以上、特には6以上のときに生じやすくなる。本発明の洗浄方法では、凹凸パターンの少なくとも凹部に、沸点が55~200°Cである溶媒を80質量以上含む洗浄液を保持し、凹凸パターンの少なくとも凹部に該洗浄液が保持された状態で、該洗浄液を前記撥水性薬液に置換する。図3は、洗浄工程にて、凹部4が洗浄液8を保持した状態の模式図を示している。図3の模式図のウェハは、図1のa-a’断面の一部を示すものである。洗浄工程にて凹部4に洗浄液8が保持された状態のウェハに、撥水性薬液が供される。図4は、凹部4が洗浄液8を保持した状態のウェハに撥水性薬液9が供された状態の模式図を示している。この際、凹部は洗浄液8から撥水性薬液9に置換されていくが、洗浄液8が、沸点が55~200°Cである溶媒を80質量以上含むものであり、さらに撥水性薬液9が、40°C以上、該撥水性薬液の沸点未満に加温されているため、例えば図中の10で示したような拡散や対流によって洗浄液と撥水性薬液の混合が進みやすく、また、図中の11で示したような洗浄液の蒸発が進みやすくなり、結果として、前記置換が短時間で進む。図5は、置換工程にて、凹部4が撥水性薬液9を保持し、撥水性被膜12が形成された状態の模式図を示している。凹部4の表面に撥水性被膜12が形成されることにより該表面が撥水化される。以下、第1方法について記載する。前記ケイ素系ウェハ用撥水性薬液は、前記一般式[1]で表されるケイ素化合物Aを含むもの、または、該ケイ素化合物Aと酸又は塩基を含むものが好ましい。前記一般式[1]のX1の一例であるケイ素元素に結合する元素が窒素の1価の官能基には、水素、炭素、窒素、酸素だけでなく、ケイ素、硫黄、ハロゲンなどの元素が含まれていても良い。該官能基の例としては、イソシアネート基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、イソチオシアネート基、アジド基、アセトアミド基、-NCH3COCH3、-NCH3COCF3、-N=CCH3OSiCH33、-N=CCF3OSiCH33、-NHCO-OSiCH33、-NHCO-NH-SiCH33、イミダゾール環下式[13]、オキサゾリジノン環下式[14]、モルホリン環下式[15]、-NH-CO-SiCH33、-NH2-iSiHjR193-jiR19は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1~18の1価の炭化水素基、iは1又は2、jは0~2の整数などがある。また、前記一般式[1]のX1の一例であるケイ素元素に結合する元素が酸素の1価の官能基には、水素、炭素、窒素、酸素だけでなく、ケイ素、硫黄、ハロゲンなどの元素が含まれていても良い。該有機基の例としては、アルコキシ基、-OCCH3=CHCOCH3、-OCCH3=N-SiCH33、-OCCF3=N-SiCH33、-O-CO-R20R20は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素等で置換されていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素等で置換されていても良いアルキルスルホネート基などがある。また、前記一般式[1]のX1の一例であるハロゲン基には、クロロ基、ブロモ基、ヨード基などがある。また、前記一般式[1]のR1は、前記撥水性被膜の表面エネルギーを低減させて、水やその他の液体と該撥水性被膜表面との間界面で相互作用、例えば、水素結合、分子間力などを低減させる疎水部である。特に水に対して相互作用を低減させる効果が大きいが、水と水以外の液体の混合液や、水以外の液体に対しても相互作用を低減させる効果を有する。これにより、物品表面に対する液体の接触角を大きくすることができる。前記一般式[1]で表されるケイ素化合物Aとしては、例えば、CH3SiOCH33、C2H5SiOCH33、C3H7SiOCH33、C4H9SiOCH33、C5H11SiOCH33、C6H13SiOCH33、C7H15SiOCH33、C8H17SiOCH33、C9H19SiOCH33、C10H21SiOCH33、C11H23SiOCH33、C12H25SiOCH33、C13H27SiOCH33、C14H29SiOCH33、C15H31SiOCH33、C16H33SiOCH33、C17H35SiOCH33、C18H37SiOCH33、CH32SiOCH32、C2H5SiCH3OCH32、C2H52SiOCH32、C3H7SiCH3OCH32、C3H72SiOCH32、C4H9SiCH3OCH32、C4H92SiOCH32、C5H11SiCH3OCH32、C6H13SiCH3OCH32、C7H15SiCH3OCH32、C8H17SiCH3OCH32、C9H19SiCH3OCH32、C10H21SiCH3OCH32、C11H23SiCH3OCH32、C12H25SiCH3OCH32、C13H27SiCH3OCH32、C14H29SiCH3OCH32、C15H31SiCH3OCH32、C16H33SiCH3OCH32、C17H35SiCH3OCH32、C18H37SiCH3OCH32、CH33SiOCH3、C2H5SiCH32OCH3、C2H52SiCH3OCH3、C2H53SiOCH3、C3H7SiCH32OCH3、C3H72SiCH3OCH3、C3H73SiOCH3、C4H9SiCH32OCH3、C4H93SiOCH3、C5H11SiCH32OCH3、C6H13SiCH32OCH3、C7H15SiCH32OCH3、C8H17SiCH32OCH3、C9H19SiCH32OCH3、C10H21SiCH32OCH3、C11H23SiCH32OCH3、C12H25SiCH32OCH3、C13H27SiCH32OCH3、C14H29SiCH32OCH3、C15H31SiCH32OCH3、C16H33SiCH32OCH3、C17H35SiCH32OCH3、C18H37SiCH32OCH3、CH32SiHOCH3、CH3SiH2OCH3、C2H52SiHOCH3、C2H5SiH2OCH3、C2H5SiCH3HOCH3、C3H72SiHOCH3等のアルキルメトキシシラン、あるいは、CF3CH2CH2SiOCH33、C2F5CH2CH2SiOCH33、C3F7CH2CH2SiOCH33、C4F9CH2CH2SiOCH33、C5F11CH2CH2SiOCH33、C6F13CH2CH2SiOCH33、C7F15CH2CH2SiOCH33、C8F17CH2CH2SiOCH33、CF3CH2CH2SiCH3OCH32、C2F5CH2CH2SiCH3OCH32、C3F7CH2CH2SiCH3OCH32、C4F9CH2CH2SiCH3OCH32、C5F11CH2CH2SiCH3OCH32、C6F13CH2CH2SiCH3OCH32、C7F15CH2CH2SiCH3OCH32、C8F17CH2CH2SiCH3OCH32、CF3CH2CH2SiCH32OCH3、C2F5CH2CH2SiCH32OCH3、C3F7CH2CH2SiCH32OCH3、C4F9CH2CH2SiCH32OCH3、C5F11CH2CH2SiCH32OCH3、C6F13CH2CH2SiCH32OCH3、C7F15CH2CH2SiCH32OCH3、C8F17CH2CH2SiCH32OCH3、CF3CH2CH2SiCH3HOCH3等のフルオロアルキルメトキシシラン、あるいは、前記アルキルメトキシシランや前記フルオロアルキルメトキシシランのメトキシ基のメチル基部分を、炭素数が2~18の1価の炭化水素基に置き換えたアルコキシシラン化合物、あるいは、前記メトキシ基を、-OCCH3=CHCOCH3、-OCCH3=N-SiCH33、-OCCF3=N-SiCH33、-O-CO-R20R20は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素等で置換されていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素等で置換されていても良いアルキルスルホネート基、イソシアネート基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、イソチオシアネート基、アジド基、アセトアミド基、-NCH3COCH3、-NCH3COCF3、-N=CCH3OSiCH33、-N=CCF3OSiCH33、-NHCO-OSiCH33、-NHCO-NH-SiCH33、イミダゾール環、オキサゾリジノン環、モルホリン環、-NH-CO-SiCH33、-NH2-iSiHjR193-jiR19は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1~18の1価の炭化水素基、iは1又は2、jは0~2の整数、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、ニトリル基、または、-CO-NH-SiCH33に置き換えた化合物などが挙げられる。また、前記一般式[1]において4-a-bで表されるケイ素化合物AのX1の数が1であると、前記撥水性被膜を均質に形成できるのでより好ましい。前記一般式[1]におけるR1は、それぞれ互いに独立して、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基から選ばれる少なくとも1つの基、より好ましくは、CmH2m1m=1~18、及び、CnF2n1CH2CH2n=1~8から選ばれる少なくとも1つの基であると、前記凹凸パターン表面に撥水性被膜を形成した際に、該表面の濡れ性をより低くできる、すなわち、該表面により優れた撥水性を付与できるためより好ましい。また、mが1~12、nが1~8であると、前記凹凸パターン表面に撥水性被膜を短時間に形成できるためより好ましい。この中でも、前記ケイ素化合物Aは、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルジメチルアミン、トリメチルシリルジエチルアミン、テトラメチルジシラザン、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジブチルテトラメチルジシラザン、ブチルジメチルシリルジメチルアミン、ブチルジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジヘキシルテトラメチルジシラザン、ヘキシルジメチルシリルジメチルアミン、ヘキシルジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジオクチルテトラメチルジシラザン、オクチルジメチルシリルジメチルアミン、オクチルジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジデシルテトラメチルジシラザン、デシルジメチルシリルジメチルアミン、デシルジメチルシリルジエチルアミン、1,3-ジドデシルテトラメチルジシラザン、ドデシルジメチルシリルジメチルアミン、ドデシルジメチルシリルジエチルアミンが特に好ましい。また、前記酸は、塩化水素、硫酸、過塩素酸、リン酸、前記一般式[2]で表されるスルホン酸およびその無水物、前記一般式[3]で表されるカルボン酸およびその無水物、アルキルホウ酸エステル、アリールホウ酸エステル、トリストリフルオロアセトキシホウ素、トリアルコキシボロキシン、トリフルオロホウ素、前記一般式[4]で表されるケイ素化合物Bからなる群から選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。前記一般式[2]で表されるスルホン酸およびその無水物としては、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸などがあり、前記一般式[3]で表されるカルボン酸およびその無水物としては、酢酸、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロピオン酸、無水酢酸、無水トリフルオロ酢酸、無水ペンタフルオロプロピオン酸などがあり、前記一般式[4]で表されるケイ素化合物Bとしては、クロロシラン、アルキルシリルアルキルスルホネート、アルキルシリルエステルが好ましく、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ジメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ブチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、オクチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、オクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、デシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、デシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ドデシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ドデシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートなどがある。また、前記塩基は、アンモニア、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、アルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン、ピリジン、ピペラジン、N-アルキルモルホリン、前記一般式[5]で示されるケイ素化合物Cからなる群から選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。薬液中に含まれることのある上記の酸又は塩基によって、前記ケイ素化合物Aとケイ素系ウェハ表面の反応サイトであるシラノール基との反応が促進されるため、該薬液による表面処理によりケイ素系ウェハ表面に優れた撥水性を付与することができる。なお、前記酸又は塩基は、撥水性被膜の一部を形成してもよい。反応促進効果を考慮すると、前記薬液中には酸が含まれることが好ましく、中でも塩化水素や硫酸や過塩素酸などの強酸のブレンステッド酸、トリフルオロメタンスルホン酸や無水トリフルオロメタンスルホン酸などの、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置換されたアルカンスルホン酸やその酸無水物、トリフルオロ酢酸や無水トリフルオロ酢酸やペンタフルオロプロピオン酸などの、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置換されたカルボン酸やその酸無水物、クロロシラン、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置換されたアルキルシリルアルキルスルホネート、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置換されたアルキルシリルエステルが特に好ましい。なお、アルキルシリルエステルは、ケイ素元素にアルキル基と-O-CO-R’基R’は、アルキル基が結合したものである。なお、薬液中に含まれる酸は、反応によって生成されるものであってもよく、例えば、アルキルクロロシランとアルコールを反応させて、生成したアルキルアルコキシシランをケイ素化合物Aとし、生成した塩酸を酸とし、反応で消費されなかったアルコールを溶媒とする、撥水性薬液を得てもよい。さらに、前記酸は、前記一般式[4]で表されるケイ素化合物Bが好ましく、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ジメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ブチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、オクチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、オクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、デシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、デシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ドデシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ドデシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートからなる群から選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。前記一般式[4]で表されるケイ素化合物Bは、反応によって得られたものであってもよい。例えば、下記一般式[16]で表されるケイ素化合物Dとトリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸からなる群から選ばれる少なくとも1つ以下、酸Dと記載することがあるとを反応させて得られたものであってもよい。R21pHqSiX104-p-q[16]式[16]中、R21は、それぞれ互いに独立して、CmH2m1m=1~18、及び、CnF2n1CH2CH2n=1~8から選ばれる少なくとも1つの基であり、pは1~3の整数、qは0~2の整数であり、pとqの合計は1~3である。X10は、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素の1価の官能基を示す。R21pHqSi-としては、CH33Si-、CH32HSi-、C4H9CH32Si-、C6H13CH32Si-、C8H17CH32Si-、及び、C10H21CH32Si-、C12H25CH32Si-等が挙げられる。例えば、ケイ素化合物Dとしてヘキサメチルジシラザンと、酸Dとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、ケイ素化合物Bとしてのトリメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Dとしてヘキサメチルジシラザンと、酸Dとして無水トリフルオロメタンスルホン酸を混合すると、無水トリフルオロメタンスルホン酸は、即座に反応して、ケイ素化合物Bとしてのトリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Dとしてテトラメチルジシラザンと、酸Dとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、ケイ素化合物Bとしてのジメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Dとしてテトラメチルジシラザンと、酸Dとして無水トリフルオロメタンスルホン酸を混合すると、無水トリフルオロメタンスルホン酸は、即座に反応して、ケイ素化合物Bとしてのジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Dとして1,3-ジブチルテトラメチルジシラザンと、酸Dとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、ケイ素化合物Bとしてのブチルジメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Dとして1,3-ジブチルテトラメチルジシラザンと、酸Dとして無水トリフルオロメタンスルホン酸を混合すると、無水トリフルオロメタンスルホン酸は、即座に反応して、ケイ素化合物Bとしてのブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Dとして1,3-ジオクチルテトラメチルジシラザンと、酸Dとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、ケイ素化合物Bとしてのオクチルジメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Dとして1,3-ジオクチルテトラメチルジシラザンと、酸Dとして無水トリフルオロメタンスルホン酸を混合すると、無水トリフルオロメタンスルホン酸は、即座に反応して、ケイ素化合物Bとしてのオクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Dとして1,3-ジデシルテトラメチルジシラザンと、酸Dとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、ケイ素化合物Bとしてのデシルジメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Dとして1,3-ジデシルテトラメチルジシラザンと、酸Dとして無水トリフルオロメタンスルホン酸を混合すると、無水トリフルオロメタンスルホン酸は、即座に反応して、ケイ素化合物Bとしてのデシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Dとしてオクチルジメチルシリルジメチルアミンと、酸Dとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、ケイ素化合物Bとしてのオクチルジメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。また、例えば、ケイ素化合物Dとしてデシルジメチルシリルジメチルアミンと、酸Dとして無水トリフルオロ酢酸を混合すると、無水トリフルオロ酢酸は、即座に反応して、ケイ素化合物Bとしてのデシルジメチルシリルトリフルオロアセテートが得られる。なお、酸Dに無水トリフルオロ酢酸、及び、無水トリフルオロメタンスルホン酸から選ばれる少なくとも1つを用い、前記ケイ素化合物Dと反応させてケイ素化合物Bを得ることで調製したケイ素系ウェハ用撥水性薬液、または、前記ケイ素化合物Aとケイ素化合物Bを出発原料として用いて調製したケイ素系ウェハ用撥水性薬液は、安定性が優れるため、より好ましい。本発明のケイ素系ウェハ用撥水性薬液は、前記酸Dに対し前記ケイ素化合物Dを過剰に添加し、前記反応で消費されなかったケイ素化合物Dの余剰分はケイ素化合物Aとして前記撥水性被膜形成に寄与するものであってもよい。なお、前記ケイ素化合物Dは、前記酸Dに対して、モル比で0.2~100000モル倍とすることが好ましく、0.5~50000モル倍、さらに1~10000モル倍とすることが好ましい。なお、前記一般式[4]で表されるケイ素化合物Bが得られるのであれば、前記ケイ素化合物Dと前記酸Dとの反応以外の反応を利用してもよい。前記一般式[16]のX10である、ケイ素元素に結合する元素が窒素の1価の官能基には、水素、炭素、窒素、酸素だけでなく、ケイ素、硫黄、ハロゲンなどの元素が含まれていても良い。ケイ素元素と結合する元素が窒素の1価の官能基の例としては、イソシアネート基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、イソチオシアネート基、アジド基、アセトアミド基、-NCH3COCH3、-NCH3COCF3、-N=CCH3OSiCH33、-N=CCF3OSiCH33、-NHCO-OSiCH33、-NHCO-NH-SiCH33、イミダゾール環、オキサゾリジノン環、モルホリン環、-NH-CO-SiCH33、-NH2-iSiHjR193-jiR19は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1~18の1価の炭化水素基、iは1又は2、jは0~2の整数などがある。前記式[16]のケイ素化合物Dとしては、例えば、CH33SiNH2、C4H9SiCH32NH2、C6H13SiCH32NH2、C8H17SiCH32NH2、C10H21SiCH32NH2、C12H25SiCH32NH2、CH32SiHNH2のアミノシラン、あるいは、前記アミノシランのアミノ基-NH2基を、-N=C=O、-NCH32、-NC2H52、-N=C=S、-N3、-NHCOCH3、-NCH3COCH3、-NCH3COCF3、-N=CCH3OSiCH33、-N=CCF3OSiCH33、-NHCO-OSiCH33、-NHCO-NH-SiCH33、イミダゾール環、オキサゾリジノン環、モルホリン環、-NH-CO-SiCH33、-NH-SiCH33、-NH-SiHCH32、-NH-SiCH32C4H9、-NH-SiCH32C6H13、-NH-SiCH32C8H17、-NH-SiCH32C10H21、-NH-SiCH32C12H25、-NH-SiCH32C2H4C6F13、-N-{SiCH33}2に置き換えたものなどが挙げられる。この中でも、前記式[16]のケイ素化合物Dは、前記ケイ素化合物Aであることが好ましい。前記ケイ素系ウェハ用撥水性薬液において、ケイ素化合物Bの濃度は、前記ケイ素化合物Aの総量100質量に対して0.01~20質量であることが好ましい。該濃度が低いとケイ素化合物Bの効果が低いので好ましくなく、該濃度が過剰に高くてもケイ素化合物Bの効果は向上せず、逆に、ケイ素系ウェハ表面を浸食する懸念もある。このため、前記ケイ素化合物Bの濃度は、前記ケイ素化合物Aの総量100質量に対して0.05~15質量であることが特に好ましい。また、前記ケイ素系ウェハ用撥水性薬液において、前記のケイ素化合物A及びケイ素化合物Bは、有機溶媒によって希釈されてもよい。前記ケイ素系ウェハ用撥水性薬液の総量100質量に対して、ケイ素化合物Aとケイ素化合物Bの添加量の総和を、0.1~100質量とすると、前記凹凸パターンの少なくとも凹部表面に均一に撥水性被膜を形成しやすくなるため好ましい。0.1質量未満では、凹凸パターンの保護効果が不十分となる傾向がある。さらに好ましくは0.5~50質量、より好ましくは1~30質量である。なお、ケイ素系ウェハ用撥水性薬液が有機溶媒によって希釈されたものである場合、有機溶媒として低沸点のものを含んでいてもよいが、該ケイ素系ウェハ用撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分の沸点が40°C超であることが重要である。該沸点は、60°C超であることがより好ましく、80°C超であることがさらに好ましい。前記ケイ素系ウェハ用撥水性薬液において希釈に用いられることのある有機溶媒としては、例えば、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、ラクトン系溶媒、カーボネート系溶媒、多価アルコールの誘導体のうちOH基を持たないもの、N-H基を持たない窒素元素含有溶媒などの有機溶媒、あるいは、それらの混合液が好適に使用される。この中でも、炭化水素類、エステル類、エーテル類、含ハロゲン溶媒、多価アルコールの誘導体のうちOH基を持たないもの、あるいは、それらの混合液を用いると、前記凹凸パターン表面に撥水性被膜を短時間に形成できるためより好ましい。前記炭化水素類の例としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどがあり、前記エステル類の例としては、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、アセト酢酸エチルなどがあり、前記エーテル類の例としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどがあり、前記ケトン類の例としては、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロンなどがあり、前記含ハロゲン溶媒の例としては、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロシクロペンタン、パーフルオロシクロヘキサン、ヘキサフルオロベンゼンなどのパーフルオロカーボン、1、1、1、3、3-ペンタフルオロブタン、オクタフルオロシクロペンタン、2,3-ジハイドロデカフルオロペンタン、ゼオローラH日本ゼオン製などのハイドロフルオロカーボン、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロイソブチルエーテル、アサヒクリンAE-3000旭硝子製、Novec7100、Novec7200、Novec7300、Novec7600いずれも3M製などのハイドロフルオロエーテル、テトラクロロメタンなどのクロロカーボン、クロロホルムなどのハイドロクロロカーボン、ジクロロジフルオロメタンなどのクロロフルオロカーボン、1,1-ジクロロ-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロパン、1,3-ジクロロ-1,1,2,2,3-ペンタフルオロプロパン、1-クロロ-3,3,3-トリフルオロプロペン、1,2-ジクロロ-3,3,3-トリフルオロプロペンなどのハイドロクロロフルオロカーボン、パーフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテルなどがあり、前記スルホキシド系溶媒の例としては、ジメチルスルホキシドなどがあり、前記ラクトン系溶媒の例としては、γブチロラクトン、γバレロラクトン、γヘキサノラクトン、γヘプタノラクトン、γオクタノラクトン、γノナノラクトン、γデカノラクトン、γウンデカノラクトン、γドデカノラクトン、δバレロラクトン、δヘキサノラクトン、δオクタノラクトン、δノナノラクトン、δデカノラクトン、δウンデカノラクトン、δドデカノラクトン、εヘキサノラクトンなどがあり、前記カーボネート系溶媒の例としては、ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、プロピレンカーボネートなどがあり、前記多価アルコールの誘導体のうちOH基を持たないものの例としては、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジアセテート、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジアセテート、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールジアセテート、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラプロピレングリコールジアセテート、ブチレングリコールジメチルエーテル、ブチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ブチレングリコールジアセテート、グリセリントリアセテートなどがあり、前記N-H基を持たない窒素元素含有溶媒の例としては、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジンなどがある。また、前記溶媒の一部、または、全てに不燃性のものを使うと、ケイ素系ウェハ用撥水性薬液が不燃性になる、あるいは、引火点が高くなって、該ケイ素系ウェハ用撥水性薬液の危険性が低下するので好ましい。含ハロゲン溶媒は不燃性のものが多く、不燃性含ハロゲン溶媒は不燃性有機溶媒として好適に使用できる。また、前記溶媒として引火点が70°Cを超える溶媒を用いると、消防法上の安全性の観点から好ましい。また、化学品の分類及び表示に関する国際的調和システム;GHSによると、引火点が93°C以下の溶媒を引火性液体として定義している。そのため、不燃性溶媒でなくとも、前記溶媒として引火点が93°Cを超える溶媒を用いると、前記撥水性薬液の引火点は93°C超になりやすく、該薬液が引火性液体に該当し難くなるため、安全性の観点からさらに好ましい。また、ラクトン系溶媒や、カーボネート系溶媒や、多価アルコールの誘導体のうちOH基を持たないものは、引火点が高いものが多いので、ケイ素系ウェハ用撥水性薬液の危険性を低くできるので好ましい。上記の安全性の観点から、具体的には引火点が70°Cを超える、γブチロラクトン、γバレロラクトン、γヘキサノラクトン、γヘプタノラクトン、γオクタノラクトン、γノナノラクトン、γデカノラクトン、γウンデカノラクトン、γドデカノラクトン、δバレロラクトン、δヘキサノラクトン、δオクタノラクトン、δノナノラクトン、δデカノラクトン、δウンデカノラクトン、δドデカノラクトン、εヘキサノラクトン、プロピレンカーボネート、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジアセテート、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールメチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジアセテート、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールジアセテート、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラプロピレングリコールジアセテート、ブチレングリコールジアセテート、グリセリントリアセテート等を前記溶媒として用いることがより好ましく、引火点が93°Cを超える、γブチロラクトン、γヘキサノラクトン、γヘプタノラクトン、γオクタノラクトン、γノナノラクトン、γデカノラクトン、γウンデカノラクトン、γドデカノラクトン、δバレロラクトン、δヘキサノラクトン、δオクタノラクトン、δノナノラクトン、δデカノラクトン、δウンデカノラクトン、δドデカノラクトン、εヘキサノラクトン、プロピレンカーボネート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジアセテート、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールジアセテート、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラプロピレングリコールジアセテート、ブチレングリコールジアセテート、グリセリントリアセテート等を前記溶媒として用いることがさらに好ましい。また、前記ケイ素系ウェハ用撥水性薬液は、出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し5000質量ppm以下であることが好ましい。水分の総量が5000質量ppm超の場合、前記ケイ素化合物Aの効果が低下し、前記撥水性被膜を短時間で形成しにくくなる。このため、前記ケイ素系ウェハ用撥水性薬液の出発原料中の水分量は少ないほど好ましく、特に1000質量ppm以下、さらには500質量ppm以下が好ましい。なお、前記ケイ素系ウェハ用撥水性薬液の出発原料中の水分量は上記範囲内であれば、5質量ppm以上であってもよい。以下、第2方法について記載する。前記金属系ウェハ用撥水性薬液は、前記一般式[6]~[12]で表される化合物及びその塩化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物と溶媒を含むものである。前記一般式[6]のR8で表される炭化水素基は、例えば、アルキル基、アルキレン基、または、それらの一部または全ての水素がフッ素に置換されたものなどが挙げられる。また、前記一般式[6]のR9に含まれる炭化水素基は、例えば、アルキル基、アルキレン基、または、それらの一部または全ての水素元素がフッ素元素に置換されたものなどが挙げられる。また、-OR22R22は、炭素数が1乃至18の炭化水素基であることが好ましい。また、R22の炭素数は1~8、特に1~4であると、より優れた撥水性を付与することができるため好ましい。また、R22は直鎖アルキル基が好ましい。前記一般式[6]のリン元素含有化合物としては、例えば、CH3POOH2、C2H5POOH2、C3H7POOH2、C4H9POOH2、C5H11POOH2、C6H13POOH2、C7H15POOH2、C8H17POOH2、C9H19POOH2、C10H21POOH2、C11H23POOH2、C12H25POOH2、C13H27POOH2、C14H29POOH2、C15H31POOH2、C16H33POOH2、C17H35POOH2、C18H37POOH2、C6H5POOH2、CF3POOH2、C2F5POOH2、C3F7POOH2、C4F9POOH2、C5F11POOH2、C6F13POOH2、C7F15POOH2、C8F17POOH2、CF3C2H4POOH2、C2F5C2H4POOH2、C3F7C2H4POOH2、C4F9C2H4POOH2、C5F11C2H4POOH2、C6F13C2H4POOH2、C7F15C2H4POOH2、C8F17C2H4POOH2、あるいは、上記化合物の-POOH2基を、-POOHOCH3基、-POOHOC2H5基、-POOCH32基、-POOC2H52基に置き換えたものなどが挙げられる。さらに、前記一般式[6]のリン元素含有化合物は、より優れた撥水性を付与できるため、前記一般式[6]のgが1または2であることが好ましく、さらにはgが2である下記一般式[17]で示される化合物であることが好ましい。R23-P=O-OH2[17]式[17]中、R23は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。前記一般式[6]のR8及び前記一般式[17]のR23は、例えば、アルキル基、フェニル基、フェニル基の水素元素がアルキル基に置換されたもの、ナフチル基、及び、これら炭化水素基の一部または全ての水素元素がフッ素元素に置換されたものなどが挙げられる。また、前記一般式[6]のR8及び前記一般式[17]のR23は、炭素数が2~16、特に4~14、さらには6~14であると、より優れた撥水性を付与することができるため好ましい。また、前記一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭化水素基は、アルキル基が好ましく、特に直鎖アルキル基が好ましい。前記炭化水素基が直鎖アルキル基であると、撥水性被膜を形成した際に、一般式[6]及び[17]で表されるリン元素含有化合物の疎水部であるR8及びR23が該撥水性被膜の表面に対して垂直方向に向かって並びやすくなるために、より撥水性付与効果が高くなるため、より好ましい。また、前記R8及びR23は、より優れた撥水性を付与できるため、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられている炭化水素基が良い。また、前記リン元素含有化合物は、前記一般式[6]や[17]の塩で存在していても良い。該塩としては、アンモニウム塩、または、アミン塩などがある。また、前記一般式[7]のR10、一般式[8]のR11、一般式[9]のR14、一般式[10]のR15、一般式[11]のR16、及び、一般式[12]のR17とR18は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基が好ましく、さらに、CmH2m1m=1~18、CnF2n1CH2CH2n=1~8、CrF2r1CH2r=1~8、CsF2s1s=1~8が好ましい。前記一般式[7]で表される化合物としては、例えば、CH3COCl、C2H5COCl、C3H7COCl、C4H9COCl、C5H11COCl、C6H13COCl、C7H15COCl、C8H17COCl、C9H19COCl、C10H21COCl、C11H23COCl、C12H25COCl、C13H27COCl、C14H29COCl、C15H31COCl、C16H33COCl、C17H35COCl、C18H37COCl、C6H5COCl、CF3COCl、C2F5COCl、C3F7COCl、C4F9COCl、C5F11COCl、C6F13COCl、C7F15COCl、C8F17COCl、あるいは、それらの-Cl基を、-F基、-Br基、-I基に置き換えた化合物等が挙げられる。上記の化合物の中でも、金属系元素を含む物質に対する親和性、及び、金属系ウェハ表面への撥水性付与効果を考慮して、特に好ましいものは、例えば、C8H17COCl、C9H19COCl、C10H21COCl、C11H23COCl、C12H25COCl、C13H27COCl、C14H29COCl、C15H31COCl、C16H33COCl、C17H35COCl、C18H37COCl、C4F9COCl、C5F11COCl、C6F13COCl、C7F15COCl、C8F17COCl等が挙げられる。前記一般式[8]で表される化合物としては、例えば、C5H11NH2、C6H13NH2、C7H15NH2、C8H17NH2、C9H19NH2、C10H21NH2、C11H23NH2、C12H25NH2、C13H27NH2、C14H29NH2、C15H31NH2、C16H33NH2、C17H35NH2、C18H37NH2、CF3NH2、CF3C2H4NH2、C2F5NH2、C2F5C2H4NH2、C3F7NH2、C3F7C2H4NH2、C4F9NH2、C4F9C2H4NH2、C4F9CH2NH2、C5F11NH2、C5F11C2H4NH2、C5F11CH2NH2、C6F13NH2、C6F13C2H4NH2、C6F13CH2NH2、C7F15NH2、C7F15C2H4NH2、C7F15CH2NH2、C8F17NH2、C8F17C2H4NH2、C8F17CH2NH2、C4F7H2NH2、C6F11H2NH2、C8F15H2NH2、C3H72NH、C4H92NH、C5H112NH、C6H132NH、C7H152NH、C8H172NH、C9H192NH、C10H212NH、C11H232NH、C12H252NH、C13H272NH、C14H292NH、C15H312NH、C16H332NH、C17H352NH、C18H372NH、CF32NH、C2F52NH、C3F72NH、C4F92NH、C5F112NH、C6F132NH、C7F152NH、C8F172NH、C4F7H22NH、C6F11H22NH、C8F15H22NH、C2H53N、C3H73N、C4H93N、C5H113N、C6H133N、C7H153N、C8H173N、C9H193N、C10H213N、C11H233N、C12H253N、C13H273N、C14H293N、C15H313N、C16H333N、C17H353N、C18H373N、CF33N、C2F53N、C3F73N、C4F93N、C5F113N、C6F133N、C7F153N、C8F173N、C4F7H23N、C6F11H23N、C8F15H23N、C5H11CH3NH、C6H13CH3NH、C7H15CH3NH、C8H17CH3NH、C9H19CH3NH、C10H21CH3NH、C11H23CH3NH、C12H25CH3NH、C13H27CH3NH、C14H29CH3NH、C15H31CH3NH、C16H33CH3NH、C17H35CH3NH、C18H37CH3NH、CF3CH3NH、C2F5CH3NH、C3F7CH3NH、C4F9CH3NH、C5F11CH3NH、C6F13CH3NH、C7F15CH3NH、C8F17CH3NH、C3H7CH32N、C4H9CH32N、C5H11CH32N、C6H13CH32N、C7H15CH32N、C8H17CH32N、C9H19CH32N、C10H21CH32N、C11H23CH32N、C12H25CH32N、C13H27CH32N、C14H29CH32N、C15H31CH32N、C16H33CH32N、C17H35CH32N、C18H37CH32N、CF3CH32N、C2F5CH32N、C3F7CH32N、C4F9CH32N、C5F11CH32N、C6F13CH32N、C7F15CH32N、C8F17CH32N等の化合物が挙げられる。また、前記一般式[8]で表される化合物は塩で用いられても良い。該塩としては、炭酸塩、塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩などの無機酸塩や、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、フタル酸塩などの有機酸塩が挙げられる。上記の化合物の中でも、金属系元素を含む物質に対する親和性、及び、金属系ウェハ表面への撥水性付与効果を考慮して、特に好ましいものは、例えば、C6H13NH2、C7H15NH2、C8H17NH2、C9H19NH2、C10H21NH2、C11H23NH2、C12H25NH2、C13H27NH2、C14H29NH2、C15H31NH2、C16H33NH2、C17H35NH2、C18H37NH2、C4H92NH、C5H112NH、C6H132NH、C7H152NH、C8H172NH、C9H192NH、C10H212NH、C11H232NH、C12H252NH、C13H272NH、C14H292NH、C15H312NH、C16H332NH、C17H352NH、C18H372NH、C4H93N、C5H113N、C6H133N、C7H153N、C8H173N、C9H193N、C10H213N、C11H233N、C12H253N、C13H273N、C14H293N、C15H313N、C16H333N、C17H353N、C18H373N、C5H11CH3NH、C6H13CH3NH、C7H15CH3NH、C8H17CH3NH、C9H19CH3NH、C10H21CH3NH、C11H23CH3NH、C12H25CH3NH、C13H27CH3NH、C14H29CH3NH、C15H31CH3NH、C16H33CH3NH、C17H35CH3NH、C18H37CH3NH、C4H9CH32N、C5H11CH32N、C6H13CH32N、C7H15CH32N、C8H17CH32N、C9H19CH32N、C10H21CH32N、C11H23CH32N、C12H25CH32N、C13H27CH32N、C14H29CH32N、C15H31CH32N、C16H33CH32N、C17H35CH32N、C18H37CH32N、C4F9NH2、C4F9C2H4NH2、C4F9CH2NH2、C5F11NH2、C5F11C2H4NH2、C5F11CH2NH2、C6F13NH2、C6F13C2H4NH2、C6F13CH2NH2、C7F15NH2、C7F15C2H4NH2、C7F15CH2NH2、C8F17NH2、C8F17C2H4NH2、C8F17CH2NH2等の化合物が挙げられる。前記一般式[9]で表される化合物としては、例えば、C5H11COOH、C6H13COOH、C7H15COOH、C8H17COOH、C9H19COOH、C10H21COOH、C11H23COOH、C12H25COOH、C13H27COOH、C14H29COOH、C15H31COOH、C16H33COOH、C17H35COOH、C18H37COOH、C6H5COOH、C5F11COOH、C6F13COOH、C7F15COOH、C8F17COOH等の化合物、あるいは、該化合物の-COOH基を、-COOCH3基、-COOC2H5基、-COOC6H5基、COSH基、COSCH3基に置き換えた化合物等が挙げられる。上記の化合物の中でも、金属系元素を含む物質に対する親和性、及び、金属系ウェハ表面への撥水性付与効果を考慮して、特に好ましいものは、例えば、C5H11COOH、C6H13COOH、C7H15COOH、C8H17COOH、C9H19COOH、C10H21COOH、C11H23COOH、C12H25COOH、C13H27COOH、C14H29COOH、C15H31COOH、C16H33COOH、C17H35COOH、C18H37COOH、あるいは、該化合物の-COOH基を、-COOCH3基、-COOC2H5基、-COOC6H5基、COSH基、COSCH3基に置き換えた化合物等が挙げられる。前記一般式[10]で表される化合物としては、例えば、C2H5NCO、C3H7NCO、C4H9NCO、C5H11NCO、C6H13NCO、C7H15NCO、C8H17NCO、C9H19NCO、C10H21NCO、C11H23NCO、C12H25NCO、C13H27NCO、C14H29NCO、C15H31NCO、C16H33NCO、C17H35NCO、C18H37NCO、CF3NCO、CF3CH2NCO、CF3C2H4NCO、C2F5NCO、C2F5CH2NCO、C2F5C2H4NCO、C3F7NCO、C3F7CH2NCO、C3F7C2H4NCO、C4F9NCO、C4F9CH2NCO、C4F9C2H4NCO、C5F11NCO、C5F11CH2NCO、C5F11C2H4NCO、C6F13NCO、C6F13CH2NCO、C6F13C2H4NCO、C7F15NCO、C7F15CH2NCO、C7F15C2H4NCO、C8F17NCO、C8F17CH2NCO、C8F17C2H4NCO、C2H4NCO2、C3H6NCO2、C4H8NCO2、C5H10NCO2、C6H12NCO2、C7H14NCO2、C8H16NCO2、C9H18NCO2、C10H20NCO2、C11H22NCO2、C12H24NCO2、C13H26NCO2、C14H28NCO2、C15H30NCO2、C16H32NCO2、C17H34NCO2、C18H36NCO2、NCOC2H4NCO、NCOC3H6NCO、NCOC4H8NCO、NCOC5H10NCO、NCOC6H12NCO、NCOC7H14NCO、NCOC8H16NCO、NCOC9H18NCO、NCOC10H20NCO、NCOC11H22NCO、NCOC12H24NCO、NCOC13H26NCO、NCOC14H28NCO、NCOC15H30NCO、NCOC16H32NCO、NCOC17H34NCO、NCOC18H36NCO、C2H3NCO3、C3H5NCO3、C4H7NCO3、C5H9NCO3、C6H11NCO3、C7H13NCO3、C8H15NCO3、C9H17NCO3、C10H19NCO3、C11H21NCO3、C12H23NCO3、C13H25NCO3、C14H27NCO3、C15H29NCO3、C16H31NCO3、C17H33NCO3、C18H35NCO3、CNCO4、NCO2C2H2NCO2、NCO2C3H4NCO2、NCO2C4H6NCO2、NCO2C5H8NCO2、NCO2C6H10NCO2、NCO2C7H12NCO2、NCO2C8H14NCO2、NCO2C9H16NCO2、NCO2C10H18NCO2、NCO2C11H20NCO2、NCO2C12H22NCO2、NCO2C13H24NCO2、NCO2C14H26NCO2、NCO2C15H28NCO2、NCO2C16H30NCO2、NCO2C17H32NCO2、NCO2C18H34NCO2等のイソシアネート化合物、あるいは、前記イソシアネート化合物のイソシアネート基-NCO基を、-SH基、-CHO基、-CONHOH基、イミダゾリン環下式[18]等の窒素元素を含む環構造に置き換えた化合物等が挙げられる。上記の化合物の中でも、金属系元素を含む物質に対する親和性、及び、金属系ウェハ表面への撥水性付与効果を考慮して、特に好ましいものは、例えば、C4H9NCO、C5H11NCO、C6H13NCO、C7H15NCO、C8H17NCO、C9H19NCO、C10H21NCO、C11H23NCO、C12H25NCO、C13H27NCO、C14H29NCO、C15H31NCO、C16H33NCO、C17H35NCO、C18H37NCO、C3F7CH2NCO、C3F7C2H4NCO、C4F9NCO、C4F9CH2NCO、C4F9C2H4NCO、C5F11NCO、C5F11CH2NCO、C5F11C2H4NCO、C6F13NCO、C6F13CH2NCO、C6F13C2H4NCO、C7F15NCO、C7F15CH2NCO、C7F15C2H4NCO、C8F17NCO、C8F17CH2NCO、C8F17C2H4NCO等のイソシアネート化合物、あるいは、前記イソシアネート化合物のイソシアネート基-NCO基を、-SH基、-CHO基、-CONHOH基、イミダゾリン環等の窒素元素を含む環構造に置き換えた化合物等が挙げられる。前記一般式[11]で表される化合物としては、例えば、C4H4S、CH3C4H3S、C2H5C4H3S、C3H7C4H3S、C4H9C4H3S、C5H11C4H3S、C6H13C4H3S、C7H15C4H3S、C8H17C4H3S、C9H19C4H3S、C10H21C4H3S、C11H23C4H3S、C12H25C4H3S、C13H27C4H3S、C14H29C4H3S、C15H31C4H3S、C16H33C4H3S、C17H35C4H3S、C18H37C4H3S、C3H3NS、CH3C3H2NS、C2H5C3H2NS、C3H7C3H2NS、C4H9C3H2NS、C5H11C3H2NS、C6H13C3H2NS、C7H15C3H2NS、C8H17C3H2NS、C9H19C3H2NS、C10H21C3H2NS、C11H23C3H2NS、C12H25C3H2NS、C13H27C3H2NS、C14H29C3H2NS、C15H31C3H2NS、C16H33C3H2NS、C17H35C3H2NS、C18H37C3H2NS等の化合物が挙げられる。なお、C4H4Sはチオフェン、C4H3Sはチオフェン環、C3H3NSはチアゾール、C3H2NSはチアゾール環を示す。前記一般式[12]で表される化合物としては、例えば、CH3COOCOCH3、C2H5COOCOC2H5、C3H7COOCOC3H7、C4H9COOCOC4H9、C5H11COOCOC5H11、C6H13COOCOC6H13、C7H15COOCOC7H15、C8H17COOCOC8H17、C9H19COOCOC9H19、C10H21COOCOC10H21、C11H23COOCOC11H23、C12H25COOCOC12H25、C13H27COOCOC13H27、C14H29COOCOC14H29、C15H31COOCOC15H31、C16H33COOCOC16H33、C17H35COOCOC17H35、C18H37COOCOC18H37、C6H5COOCOC6H5、CF3COOCOCF3、C2F5COOCOC2F5、C3F7COOCOC3F7、C4F9COOCOC4F9、C5F11COOCOC5F11、C6F13COOCOC6F13、C7F15COOCOC7F15、C8F17COOCOC8F17等の化合物が挙げられる。また、前記一般式[6]~[12]で表される化合物及びその塩化合物から選ばれる化合物は、Griffin法によるHLB値が0.001乃至10であるものであると、金属系ウェハ表面により高い撥水性を付与することが可能であるため、好ましい。また、前記一般式[6]~[12]で表される化合物及びその塩化合物から選ばれる化合物は、下記一般式[19]で表される化合物及びその塩化合物であると、金属系ウェハ表面により高い撥水性を付与することが可能であるため、好ましい。R24-X11[19][式[19]中、X11は、-POOH2、-NH2基、-N=C=O基、-SH基、CONHOH基、イミダゾリン環からなる群から選ばれる少なくとも1つであり、R24は、炭素数が4乃至18の炭化水素基、又は、CtF2t1-CH2u-基t=4~8、u=0~2である。]本発明の第2方法で用いる溶媒は、具体的には、前記第1方法で述べた、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、ラクトン系溶媒、カーボネート系溶媒、OH基を持たない多価アルコールの誘導体、N-H基を持たない窒素元素含有溶媒と同様の溶媒、及び、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、1,3-プロパンジオール、1,2-プロパンジオール、ジプロピレングリコール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、テトラエチレングリコール、テトラプロピレングリコール、グリセリン等のアルコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノプロピルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテル、ブチレングリコールモノメチルエーテル等のOH基を持つ多価アルコールの誘導体、ホルムアミド等のN-H基を持つ窒素元素含有溶媒が挙げられる。また、前記溶媒の一部、又は、全てに不燃性のものを使うと、撥水性薬液が不燃性になる、あるいは、引火点が高くなって、該薬液の危険性が低下するので好ましい。含ハロゲン溶媒は不燃性のものが多く、不燃性含ハロゲン溶媒は不燃性溶媒として好適に使用できる。また、水も不燃性溶媒として使用できる。また、前記溶媒として引火点が70°Cを超える溶媒を用いると、消防法上の安全性の観点から好ましい。また、化学品の分類及び表示に関する国際的調和システム;GHSによると、引火点が93°C以下の溶媒を引火性液体として定義している。そのため、不燃性溶媒でなくとも、前記溶媒として引火点が93°Cを超える溶媒を用いると、前記撥水性薬液の引火点は93°C超になりやすく、該薬液が引火性液体に該当し難くなるため、安全性の観点からさらに好ましい。また、ラクトン系溶媒や、カーボネート系溶媒や、多価アルコールの誘導体は、引火点が高いものが多いので、前記撥水性薬液の危険性を低くできるので好ましい。上記の安全性の観点から、具体的には、前記第1方法で述べた引火点が70°Cを超える溶媒、あるいは、エチレングリコール、ジエチレングリコール、1,2-プロパンジオール、1,3-プロパンジオール、ジプロピレングリコール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、テトラエチレングリコール、テトラプロピレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノプロピルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテルなどの引火点が70°Cを超える溶媒が好ましく、さらには、前記第1方法で述べた引火点が93°Cを超える溶媒、あるいは、エチレングリコール、ジエチレングリコール、1,2-プロパンジオール、1,3-プロパンジオール、ジプロピレングリコール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、テトラエチレングリコール、テトラプロピレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノプロピルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテルなどの引火点が93°Cを超える溶媒がさらに好ましい。また、金属系ウェハ用撥水性薬液中の、前記一般式[6]~[12]で表される化合物及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物の濃度は、該金属系ウェハ用薬液の総量100質量に対して0.0005~2質量であることが好ましい。0.0005質量未満では、撥水性付与効果が不十分となる傾向があり、2質量超であると溶媒に溶解しにくい傾向がある。さらに好ましくは0.001~1質量、特に好ましくは0.0015~0.8質量である。なお、金属系ウェハ用撥水性薬液が、有機溶媒として低沸点のものを含んでいてもよいが、該金属系ウェハ用撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分の沸点が40°C超であることが重要である。該沸点は、60°C超であることがより好ましく、80°C超であることがさらに好ましい。なお、金属系ウェハ用撥水性薬液の溶媒としては、より優れた撥水性を付与できるとの理由で、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、多価アルコールの誘導体の中でOH基を持たないもの、水、または、それらの混合液が好ましい。さらに、洗浄液、特に水系液体からなる洗浄液との置換性を考慮すると、OH基を持たない多価アルコールの誘導体、水、または、それらの混合液が好ましい。本発明の洗浄方法では、前記撥水性薬液、すなわちケイ素系ウェハ用撥水性薬液または金属系ウェハ用撥水性薬液を40°C以上にするので、該薬液において希釈に用いられることのある溶媒は、沸点が40°C以上のものであることが好ましい。なお、沸点が40°C未満の溶媒を用いてもよいが、沸点が40°C超の他の溶媒を、該撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分以下、主溶媒成分と記載する場合があるとして用いることが好ましい。前記主溶媒成分は、沸点が50°C以上のものがより好ましく、さらには、70°C以上のものが特に好ましい。また、前記ケイ素系ウェハ用撥水性薬液は、前記一般式[1]で表されるケイ素化合物A、酸又は塩基や、溶媒の他に、添加剤等を含有してもよい。また同様に、前記金属系ウェハ用撥水性薬液は、前記一般式[6]~[12]で表される化合物及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物と、溶媒の他に、添加剤等を含有してもよい。該添加剤としては、過酸化水素、オゾンなどの酸化剤、界面活性剤等が挙げられる。また、ウェハの凹凸パターンの一部に、前記ケイ素化合物A、あるいは、前記一般式[6]~[12]で表される化合物では撥水性被膜が形成しない材質がある場合は、該材質に撥水性被膜を形成できるものを添加しても良い。また、前記ケイ素系ウェハ用撥水性薬液において、ケイ素化合物Bを得る以外の目的で他の酸を添加しても良い。本発明において、ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部に前記撥水性薬液や洗浄液を保持できるのであれば、該ウェハの洗浄方式は特に限定されない。ウェハの洗浄方式としては、ウェハをほぼ水平に保持して回転させながら回転中心付近に液体を供給してウェハを1枚ずつ洗浄するスピン洗浄に代表される枚葉方式や、洗浄槽内で複数枚のウェハを浸漬し洗浄するバッチ方式が挙げられる。なお、ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部に前記撥水性薬液や洗浄液を供給するときの該撥水性薬液や洗浄液の形態としては、該凹部に保持された時に液体になるものであれば特に限定されず、たとえば、液体、蒸気などがある。本発明において、ウェハは凹凸パターンを有するものであれば、特に限定されないが、例えば、凹凸パターンの凹部の表面に、ケイ素元素を含むウェハや、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも1種の元素を有するウェハが使用される。凹凸パターンの凹部の表面にケイ素元素を含むウェハは、例えば、シリコン、酸化ケイ素、及び、窒化ケイ素から選ばれる少なくとも1つの成分がウェハの少なくとも凹部表面に形成したもの、あるいは、凹凸パターンを形成したときに、少なくとも凹部表面がシリコン、酸化ケイ素、及び、窒化ケイ素から選ばれる少なくとも1つの成分となるものも含まれる。また、シリコン、酸化ケイ素、及び、窒化ケイ素から選ばれる少なくとも1つの成分がウェハの少なくとも凹部表面の一部に形成したもの、あるいは、凹凸パターンを形成したときに、少なくとも凹部表面の一部がシリコン、酸化ケイ素、及び、窒化ケイ素から選ばれる少なくとも1つの成分となるものであってもよい。この場合、少なくとも凹部表面の一部に存在しているシリコン、酸化ケイ素、及び、窒化ケイ素から選ばれる少なくとも1つの表面に、ケイ素系ウェハ用撥水性薬液によって撥水性被膜が形成される。従って、前記撥水性被膜は前記ウェハの少なくとも凹部表面の一部に形成されるものであってもよい。また、凹凸パターンの凹部の表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも1種の元素を有するウェハは、シリコンウェハ、シリコン及び/または酸化ケイ素SiO2を含む複数の成分から構成されたウェハ、シリコンカーバイドウェハ、サファイアウェハ、各種化合物半導体ウェハ、及び、プラスチックウェハなどの表面を、チタン、窒化チタン、酸化チタン等のチタン元素を含む物質、あるいは、タングステン、酸化タングステン等のタングステン元素を含む物質、アルミニウムや酸化アルミニウム等のアルミニウム元素を含む物質、銅や酸化銅等の銅元素を含む物質、スズや酸化スズ等のスズ元素を含む物質、窒化タンタルや酸化タンタル等のタンタル元素を含む物質、あるいは、ルテニウムや酸化ルテニウム等のルテニウム元素を含む物質の層で被覆したもの、またはウェハ上に多層膜を形成し、そのうちの少なくとも1層が前記金属系元素を含む物質の層であるもの等が挙げられ、上記の凹凸パターン形成工程は、前記金属系元素を含む物質の層を含む層において行われる。また、凹凸パターンを形成したときに、該凹凸パターンの表面の少なくとも一部が、前記金属系元素のうち少なくとも1種の元素を有する物質となるものも含まれる。また、前記金属系元素のうち少なくとも1種の元素を有する物質を含む複数の成分から構成されたウェハに対しても、前記金属系元素のうち少なくとも1種の元素を有する物質の表面に前記金属系ウェハ用撥水性薬液によって撥水性被膜を形成することができる。該複数の成分から構成されたウェハとしては、金属系元素のうち少なくとも1種の元素を有する物質が少なくとも凹部表面の一部に形成したもの、あるいは、凹凸パターンを形成したときに、少なくとも凹部表面の一部が、金属系元素のうち少なくとも1種の元素を有する物質となるものも含まれる。なお、本発明の金属系ウェハ用撥水性薬液で撥水性被膜を形成できるのは前記凹凸パターン中の、金属系元素のうち少なくとも1種の元素を有する物質部分の表面である。従って、前記撥水性被膜は前記金属系ウェハの少なくとも凹部表面の一部に金属系ウェハ用撥水性薬液によって形成されるものであってもよい。また、本発明の洗浄方法は、特に好ましくは、工程1ウェハ表面を凹凸パターンを有する面とした後、水系液体を当該面に供し、凹凸パターンの少なくとも凹部に水系液体を保持する工程、工程2凹凸パターンの少なくとも凹部に保持された液体を、沸点が55~200°Cである溶媒を80質量以上含む洗浄液で置換する工程、工程3前記洗浄液を撥水性薬液で置換し、該薬液を凹凸パターンの少なくとも凹部に保持する工程、工程4乾燥により凹凸パターン表面から液体を除去する工程、工程5撥水性被膜を除去する工程を有する。まず、前記工程1に記したように、凹凸パターンの少なくとも凹部に水系液体を保持させる。前記水系液体に混合されることのある酸としては、無機酸や有機酸がある。無機酸の例としては、フッ酸、バッファードフッ酸、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸など、有機酸の例としては、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロピオン酸などが挙げられる。該洗浄液に混合されることのあるアルカリとしては、アンモニア、コリンなどが挙げられる。該洗浄液に混合されることのある酸化剤としては、オゾン、過酸化水素などが挙げられる。次に、前記工程2に記したように、凹部に保持された液体を、沸点が55~200°Cである溶媒を80質量以上含む洗浄液で置換する。なお、置換前に凹部に保持されていた液体は、前記水系液体であっても良いし、後述するリンス液Aであっても良い。前記洗浄液は、有機溶媒、水、水に有機溶媒、酸、アルカリ、酸化剤のうち少なくとも1種が混合された水溶液からなる群から選ばれる少なくとも1つの液体であることが好ましい。なお、沸点が55°C未満の有機溶媒を含む前記洗浄液を調製する場合は、沸点が55°C未満の有機溶媒と、水や沸点が55~200°Cである有機溶媒とを混合し、得られる混合液が、沸点が55~200°Cである溶媒を80質量以上含むものとなるようにして、前記洗浄液を調製する。また、沸点が200°C超の有機溶媒を含む前記洗浄液を調製する場合は、沸点が200°C超の有機溶媒と、水や沸点が55~200°Cである有機溶媒とを混合し、得られる混合液が、沸点が55~200°Cである溶媒を80質量以上含むものとなるようにして、前記洗浄液を調製する。なお、前記洗浄液は、清浄度の観点から、有機溶媒、水、水と有機溶媒の混合液が好ましい。さらに、該洗浄液が有機溶媒であれば、前記撥水性薬液を水と接触させることなく凹部に供することができるので好ましい。特に、該有機溶媒が水溶性有機溶媒水100質量部に対する溶解度が5質量部以上を含むと、水系液体から容易に置換しやすいので好ましい。なお、凹部に水系液体を保持する工程工程1の後で、該凹凸パターンの少なくとも凹部に保持された前記水系液体を該液体とは異なる液体以降、リンス液Aと記載する場合があるに置換した後に、前記洗浄液で置換する工程工程2に移ってもよい。なお、前記リンス液Aとして、複数の液体を置換して用いても良い。例えば、リンス液Aとして、水に置換した後で、さらに有機溶媒好ましくは水溶性有機溶媒を含むに置換して用いることができる。次に、前記工程3に記したように、前記撥水性薬液を凹凸パターンの少なくとも凹部に保持させ、ウェハの凹凸パターンの凹部表面に、撥水性薬液により前記撥水性被膜を形成させる。前記置換する工程において供される撥水性薬液の温度は、40°C以上、該撥水性薬液の沸点未満である。ウェハの凹凸パターンの凹部表面に、撥水性薬液により前記撥水性被膜が形成されたとき、該表面に水が保持されたと仮定したときの接触角は50~130°であると、パターン倒れが発生し難いため好ましい。また、接触角は90°に近いほど該凹部に働く毛細管力が小さくなり、パターン倒れが更に発生し難くなるため、60~120°が特に好ましく、70~110°がさらに好ましい。また、毛細管力は2.1MN/m2以下であることが好ましい。該毛細管力が2.1MN/m2以下であれば、パターン倒れが発生し難いため好ましい。また、該毛細管力が小さくなると、パターン倒れは更に発生し難くなるため、該毛細管力は1.5MN/m2以下が特に好ましく、1.0MN/m2以下がさらに好ましい。さらに、液体との接触角を90°付近に調整して毛細管力を限りなく0.0MN/m2に近づけることが理想的である。次に、前記工程4に記したように、乾燥により凹凸パターン表面から液体を除去する工程が行われる。該工程では、凹凸パターン表面に保持された液体が乾燥により除去される。当該乾燥は、スピン乾燥法、IPA2-プロパノール蒸気乾燥、マランゴニ乾燥、加熱乾燥、送風乾燥、温風乾燥、真空乾燥などの周知の乾燥方法によって行うことが好ましい。なお、撥水性薬液を凹凸パターンの少なくとも凹部に保持する工程工程3の後で、該凹凸パターンの少なくとも凹部に保持された撥水性薬液を該薬液とは異なる液体以降、リンス液Bと記載する場合があるに置換した後に、乾燥により凹凸パターン表面から液体を除去する工程工程4に移ってもよい。また、前記リンス液Bとして、複数の洗浄液を置換して用いても良い。例えば、リンス液Bとして、有機溶媒好ましくは水溶性有機溶媒を含むに置換した後で、さらに水系液体に置換して用いることができる。前記リンス液A、及び、リンス液Bの例としては、水、有機溶媒、水と有機溶媒の混合物、それらに酸、アルカリ、界面活性剤のうち少なくとも1種が混合されたもの、またはそれらに、前記撥水性薬液に用いられることのある、前記ケイ素化合物A、ケイ素化合物Aと酸又は塩基、及び、前記一般式[6]~[12]で表される化合物及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物が前記撥水性薬液よりも低濃度になるように添加されたもの等が挙げられる。なお、前記洗浄液、リンス液A、及び、リンス液Bの好ましい例の一つである有機溶媒の例としては、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、窒素元素含有溶媒等が挙げられる。上記有機溶媒の具体例としては、ケイ素系ウェハ用撥水性薬液において希釈に用いられることのある有機溶媒や、金属系ウェハ用撥水性薬液に使用される有機溶媒と同様のものが挙げられる。前記凹凸パターン表面から液体が除去されるときに、該表面に保持されている液体は、前記撥水性薬液、リンス液B、及びそれらの混合液でもよい。なお、前記撥水性薬液を含む混合液は、前記撥水性薬液をリンス液Bに置換する途中の状態の液でもよいし、あらかじめ前記撥水性薬液を該撥水性薬液とは異なるリンス液Bに混合して得た混合液でもよい。また、前記凹凸パターン表面から液体が一旦除去された後で、前記凹凸パターン表面に、リンス液Bまたは前記の混合液を保持させて、その後、乾燥しても良い。前記凹凸パターン表面から液体が除去されるときに、撥水性被膜が該凹部の表面に存在することによって、該凹部にかかる毛細管力が低減され、パターン倒れが発生し難くなる。なお、乾燥により凹凸パターン表面から液体を除去する工程工程4において、凹凸パターン表面から除去される液体は、前記リンス液Bのうち、水、前記有機溶媒、または、それらの混合物であると、乾燥後にウェハ表面に汚れが残りにくくなるので好ましい。また、水系液体、特に水であると、前記撥水性薬液によって撥水化された凹凸パターンの凹部表面の該液との接触角θが大きくなって該凹部に働く毛細管力Pが小さくなるので好ましい。なお、前記洗浄液、リンス液A、及び、リンス液Bについても、10°C以上、該液の沸点未満の温度で保持しても良い。例えば、前記リンス液Aとして、酸性水溶液を含む、特に好ましくは酸性水溶液と沸点が100°C以上の有機溶媒を含む溶液を用い、リンス液Aの温度を該リンス液Aの沸点付近に高くすると、前記撥水性被膜が短時間で形成しやすくなるので好ましい。次に、前記工程5に記したように、撥水性被膜を除去する工程が行われる。前記撥水性被膜を除去する場合、該撥水性被膜中のC-C結合、C-F結合を切断することが有効である。その方法としては、前記結合を切断できるものであれば特に限定されないが、例えば、ウェハ表面を光照射すること、ウェハを加熱すること、ウェハをオゾン曝露すること、ウェハ表面にプラズマ照射すること、ウェハ表面にコロナ放電すること等が挙げられる。光照射で前記撥水性被膜を除去する場合、該撥水性被膜中のC-C結合、C-F結合の結合エネルギーである83kcal/mol、116kcal/molに相当するエネルギーである340nm、240nmよりも短い波長を含む紫外線を照射することが好ましい。この光源としては、メタルハライドランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、エキシマランプ、カーボンアークなどが用いられる。紫外線照射強度は、メタルハライドランプであれば、例えば、照度計コニカミノルタセンシング製照射強度計UM-10、受光部UM-360ピーク感度波長:365nm、測定波長範囲:310~400nmの測定値で100mW/cm2以上が好ましく、200mW/cm2以上が特に好ましい。なお、照射強度が100mW/cm2未満では前記撥水性被膜を除去するのに長時間要するようになる。また、低圧水銀ランプであれば、より短波長の紫外線を照射することになるので、照射強度が低くても短時間で前記撥水性被膜を除去できるので好ましい。また、光照射で前記撥水性被膜を除去する場合、紫外線で前記撥水性被膜の構成成分を分解すると同時にオゾンを発生させ、該オゾンによって前記撥水性被膜の構成成分を酸化揮発させると、処理時間が短くなるので特に好ましい。この光源としては、低圧水銀ランプやエキシマランプが用いられる。また、光照射しながらウェハを加熱してもよい。ウェハを加熱する場合、400~700°C、好ましくは、500~700°Cでウェハの加熱を行う。この加熱時間は、0.5~60分、好ましくは1~30分の保持で行うことが好ましい。また、当該工程では、オゾン曝露、プラズマ照射、コロナ放電などを併用してもよい。また、ウェハを加熱しながら光照射を行ってもよい。ウェハをオゾン曝露する場合、低圧水銀灯などによる紫外線照射や高電圧による低温放電等で発生させたオゾンをウェハ表面に供することが好ましい。ウェハをオゾン曝露しながら光照射してもよいし、加熱してもよい。前記のウェハ表面の撥水性被膜を除去する工程では、前記の光照射、加熱、オゾン曝露、プラズマ照射、コロナ放電等を組み合わせることによって、効率的にウェハ表面の撥水性被膜を除去することができる。ウェハの表面を凹凸パターンを有する面とすることは、他の文献等にて種々の検討がなされ、既に確立された技術であるので、本発明では、前記撥水性薬液を用いたウェハの表面処理の評価を中心に行った。また、下記の式P=2×γ×cosθ/S式中、γは凹部に保持されている液体の表面張力、θは凹部表面と凹部に保持されている液体のなす接触角、Sは凹部の幅である。から明らかなようにパターン倒れは、保持されている液体のウェハ表面への接触角、すなわち該液体の液滴の接触角と、該液体の表面張力に大きく依存する。凹凸パターン2の凹部4に保持された液体の場合、該液体の液滴の接触角と、パターン倒れと等価なものとして考えてよい該凹部に働く毛細管力とは相関性があるので、前記式と、撥水性被膜12の液滴の接触角の評価から毛細管力を導き出してもよい。なお、実施例において、前記液体として、水系液体の代表的なものである水を用いた。しかしながら、表面に凹凸パターンを有するウェハの場合、該凹凸パターン表面に形成された前記撥水性被膜12自体の接触角を正確に評価できない。水滴の接触角の評価は、JISR3257基板ガラス表面のぬれ性試験方法にもあるように、サンプル基材表面に数μlの水滴を滴下し、水滴と基材表面のなす角度の測定によりなされる。しかし、パターンを有するウェハの場合、接触角が非常に大きくなる。これは、Wenzel効果やCassie効果が生じるからで、接触角が基材の表面形状ラフネスに影響され、見かけ上の水滴の接触角が増大するためである。そこで、本実施例では前記撥水性薬液を表面が平滑なウェハに供して、ウェハ表面に撥水性被膜を形成して、該撥水性被膜を表面に凹凸パターン2が形成されたウェハ1の表面に形成された撥水性被膜12とみなし、種々評価を行った。なお、本実施例では、表面が平滑なケイ素系ウェハとして、表面が平滑なシリコンウェハ上に平滑な熱酸化膜層を有する熱酸化膜付きウェハ、表面が平滑なシリコンウェハ上に平滑な窒化ケイ素層を有する窒化ケイ素膜付きウェハを用いた。また、表面が平滑な金属系ウェハとして、表面が平滑なシリコンウェハ上に窒化チタン層を有する窒化チタン膜付きウェハ、表面が平滑なシリコンウェハ上にタングステン層を有するタングステン膜付きウェハ、及び、表面が平滑なシリコンウェハ上にルテニウム層を有するルテニウム膜付きウェハを用いた。ウェハを回転させながら液体をウェハに供するような洗浄方法において、洗浄液から撥水性薬液への置換状態を厳密に再現することは極めて困難であるため、本実施例では、洗浄液に浸漬したウェハを、該ウェハ表面に前記洗浄液が保持された状態で、撥水性薬液へ浸漬することで、置換状態を精度良く再現した。また、前記撥水性薬液への浸漬時間を種々変えることで、置換の進行度合いを変えた場合のウェハの撥水化状態撥水性被膜の状態を評価した。詳細を下記に述べる。以下では、撥水性薬液が供されたウェハの評価方法、該撥水性薬液の調製、そして、ウェハに該撥水性薬液を供した後の評価結果が述べられる。撥水性薬液が供されたウェハの評価方法撥水性薬液が供されたウェハの評価方法として、以下の1~2の評価を行った。1ウェハ表面に形成された撥水性被膜の接触角評価撥水性被膜が形成されたウェハ表面上に純水約2μlを置き、水滴とウェハ表面とのなす角接触角を接触角計協和界面科学製:CA-X型で測定した。本測定を前記ウェハ表面の5ヶ所で行い、平均値を算出した。2毛細管力の評価下式を用いてPを算出し、毛細管力Pの絶対値を求めた。P=2×γ×cosθ/S式中、γは凹部に保持されている液体の表面張力、θは凹部表面と凹部に保持されている液体のなす接触角、Sは凹部の幅である。なお、本実施例では、パターン形状の一例として、線幅凹部の幅が45nmのラインアンドスペース形状のパターンのウェハを想定した。凹部の幅が45nmのパターンでは、気液界面が凹凸パターンを通過するときの洗浄液が水の場合はパターンが倒れやすく、2-プロパノールの場合はパターンが倒れ難い傾向がある。凹部の幅が45nm、ウェハ表面が酸化ケイ素の場合、洗浄液が、2-プロパノール表面張力:22mN/m、酸化ケイ素表面に対する接触角:1°では毛細管力は0.98MN/m2となる。一方、水銀を除く液体の中で表面張力が最も大きい水表面張力:72mN/m、酸化ケイ素との接触角:2.5°では毛細管力は3.2MN/m2となる。また、ウェハ表面が例えば、窒化チタンやタングステンやルテニウムである場合、該表面に対する2-プロパノールの接触角はともに0.5°であり、同様に水の接触角はともに2°である。また、他のチタン元素やタングステン元素やルテニウム元素を含む物質例えば、チタン、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ルテニウム等においても同程度である。凹部の幅が45nmである、窒化チタン膜付きウェハやタングステン膜付きウェハやルテニウム膜付きウェハの場合、洗浄液が、2-プロパノール表面張力:22mN/mでは毛細管力は0.98MN/m2となる。一方、水銀を除く液体の中で表面張力が最も大きい水表面張力:72mN/mでは毛細管力は3.2MN/m2となる。[実施例1-1]1洗浄液によるウェハの洗浄平滑な熱酸化膜付きウェハ表面に厚さ1μmの熱酸化膜層を有するケイ素系ウェハを室温で、1質量のフッ酸水溶液に2分浸漬し、次いで純水に1分、2-プロパノールiPA;沸点82°Cに1分浸漬した。従って洗浄後に該ウェハ表面に保持された洗浄液はiPAである。2撥水性薬液の調製本実施例では、ケイ素化合物AとしてヘキサメチルジシラザンH3C3Si-NH-SiCH33;5g、ケイ素化合物BとしてトリメチルシリルトリフルオロアセテートCH33Si-OCOCF3;0.1gと有機溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;94.9gを混合し、撥水性薬液を得た。なお、該撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、PGMEAであり、その沸点は146°Cである。3ウェハ表面の洗浄液の撥水性薬液による置換上記2撥水性薬液の調製で調製した撥水性薬液を40°Cに加温し、上記1ウェハの洗浄で準備した熱酸化膜付きウェハを該薬液に種々の時間5、10、20、30、40、50、60sec浸漬し、洗浄液を置換して撥水性被膜を形成させた。その後、熱酸化膜付きウェハを該薬液から引き上げてリンス液として、iPAに60sec浸漬し、次いで、純水に60sec浸漬した。4ウェハの乾燥最後に、熱酸化膜付きウェハを純水から取出し、エアーを吹き付けて送風乾燥して、表面の純水を除去した。得られた熱酸化膜付きウェハを上記撥水性薬液が供されたウェハの評価方法に記載した要領で評価し、表面処理後の熱酸化膜付きウェハの接触角を75°以上、80°以上、及び、85°以上即ち、毛細管力がそれぞれ0.8MN/m2以下、0.6MN/m2以下、及び、0.3MN/m2以下とするために必要な表面処理時間置換時間を調べた。結果を表1に示す。[実施例1-2~1-10、比較例1-1~1-5]実施例1-1で用いた撥水性薬液の温度、撥水処理前の洗浄液、撥水性薬液の溶媒を適宜変更して、熱酸化膜付きウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表1に示す。なお、DEGEEAは、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートを意味し、該溶媒を用いた撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、DEGEEAであり、その沸点は218°Cである。また、PGDAは、プロピレングリコールジアセテートを意味し、該溶媒を用いた撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、PGDAであり、その沸点は190°Cである。また、PGMEA/DEEは、PGMEAとジエチルエーテルDEE;沸点35°Cを質量比で90:10で混合した溶媒を意味し、該混合溶媒を用いた撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、PGMEAであり、その沸点は146°Cである。同様に、PGMEA/DEGEEAは、PGMEAとDEGEEAを質量比で90:10で混合した溶媒を意味し、該混合溶媒を用いた撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、PGMEAであり、その沸点は146°Cである。同様に、DEGEEA/PGMEAは、DEGEEAとPGMEAを質量比で90:10で混合した溶媒を意味し、該混合溶媒を用いた洗浄液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、DEGEEAであり、その沸点は218°Cである。[実施例2-1]ケイ素化合物Dとして、ヘキサメチルジシラザンH3C3Si-NH-SiCH33;5g、酸Dとして無水トリフルオロ酢酸{CF3CO}2O;0.1gと有機溶媒としてPGMEA;94.9gを混合し、反応させることにより、ケイ素化合物Bとしてトリメチルシリルトリフルオロアセテート、ケイ素化合物Aとしてヘキサメチルジシラザン、有機溶媒としてPGMEAを含む撥水性薬液を得た以外は実施例1-1と同じとした。なお、該撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、PGMEAであり、その沸点は146°Cである。本実施例の撥水性薬液に含まれるヘキサメチルジシラザンは、前記のケイ素化合物Bを得るための反応で消費されなかったケイ素化合物Dであり、該成分はケイ素化合物Aとして機能するものである。結果を表2に示す。[実施例2-2~2-6、比較例2-1~2-4]実施例2-1で用いた撥水性薬液の温度、撥水処理前の洗浄液、撥水性薬液の溶媒を適宜変更して、熱酸化膜付きウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表2に示す。[実施例3-1]酸Dをトリフルオロ酢酸CF3CO-OHに変更した以外は、実施例2-1と同じとした。なお、本実施例で得られた撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、PGMEAであり、その沸点は146°Cである。結果を表3に示す。[実施例3-2~3-6、比較例3-1~3-4]実施例3-1で用いた撥水性薬液の温度、撥水処理前の洗浄液、撥水性薬液の溶媒を適宜変更して、熱酸化膜付きウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表3に示す。[実施例4-1]ケイ素化合物AとしてトリメチルシリルジメチルアミンCH33Si-NCH32を用い、ケイ素化合物Bは用いなかった以外は実施例1-1と同じとした。なお、本実施例で得られた撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、PGMEAであり、その沸点は146°Cである。結果を表4に示す。[実施例4-2~4-4、比較例4-1~4-2]実施例4-1で用いた撥水性薬液の温度、撥水処理前の洗浄液を適宜変更して、熱酸化膜付きウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表4に示す。[実施例5-1]ケイ素化合物Aとして、オクチルジメチルジメチルアミノシランC8H17SiCH32-NCH32を用いた以外は実施例4-1と同じとした。なお、本実施例で得られた撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、PGMEAであり、その沸点は146°Cである。結果を表5に示す。[実施例5-2~5-8、比較例5-1~5-2]実施例5-1で用いた撥水性薬液の温度、撥水処理前の洗浄液、撥水性薬液の溶媒を適宜変更して、熱酸化膜付きウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表5に示す。なお、DPGMEAは、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート沸点;213°C、13BGDAは、1,3-ブチレングリコールジアセテート沸点;232°Cを意味する。[実施例6-1]1洗浄液によるウェハの洗浄平滑な窒化ケイ素膜付きウェハ表面に厚さ50nmの窒化ケイ素層を有するケイ素系ウェハを室温で1質量のフッ酸水溶液に2分浸漬し、次いで室温で純水に1分、28質量アンモニア水:30質量過酸化水素水:水を1:1:5体積比の混合液に70°Cで1分、室温で純水に1分、iPAに1分、PGMEA沸点;146°Cに1分浸漬した。従って洗浄後に該ウェハ表面に保持された洗浄液はPGMEAである。2撥水性薬液の調製ケイ素化合物Dとして、オクチルジメチルジメチルアミノシランC8H17SiCH32-NCH32;5g、酸Dとして無水トリフルオロ酢酸{CF3CO}2O;0.2gと有機溶媒としてPGMEA;94.8gを混合し、反応させることにより、ケイ素化合物Bとしてオクチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ケイ素化合物Aとしてオクチルジメチルジメチルアミノシラン、有機溶媒としてPGMEAを含む撥水性薬液を得た。なお、該撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、PGMEAであり、その沸点は146°Cである。実施例1-2と同様の方法で、窒化ケイ素膜付きウェハ表面を撥水性薬液で処理し、評価を行った。結果を表6に示す。[実施例6-2~6-6、比較例6-1~6-2]実施例6-1で用いた撥水性薬液の温度、撥水処理前の洗浄液、撥水性薬液の溶媒を適宜変更して、窒化ケイ素膜付きウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表6に示す。なお、PGMEA/GBLは、PGMEA:γ-ブチロラクトン=60:40質量比の混合溶媒を意味する。また、該混合溶媒を用いた撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、PGMEAであり、その沸点は146°Cである。[実施例7-1]1洗浄液によるウェハの洗浄平滑な窒化チタン膜付きウェハ表面に厚さ50nmの窒化チタン層を有するシリコンウェハを室温で1質量の過酸化水素水に1分浸漬し、次いで室温で、純水に1分、PGMEA沸点;146°Cに1分浸漬した。従って洗浄後に該ウェハ表面に保持された洗浄液はPGMEAである。2撥水性薬液の調製パーフルオロヘキシルエチルホスホン酸C6F13-C2H4-POOH2;0.01gと、溶媒としてPGMEA:iPA=99.89:0.1質量比の混合溶媒;99.99gを混合し、18時間撹拌して撥水性薬液を得た。なお、該撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、PGMEAであり、その沸点は146°Cである。実施例1-2と同様の方法で、窒化チタン膜付きウェハ表面を撥水性薬液で処理し、評価を行った。結果を表7に示す。[実施例7-2~7-5、比較例7-1~7-2]実施例7-1で用いた撥水性薬液の温度、撥水処理前の洗浄液、撥水性薬液の溶媒を適宜変更して、窒化チタン膜付きウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表7に示す。なお、DEGEEA/iPAは、DEGEEA:iPA=99.89:0.1質量比の混合溶媒を意味し、該混合溶媒を用いた撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、DEGEEAであり、その沸点は218°Cである。また、PGDA/iPAは、PGDA:iPA=99.89:0.1質量比の混合溶媒を意味し、該混合溶媒を用いた撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、PGDAであり、その沸点は190°Cである。また、DPGMEA/iPAは、DPGMEA:iPA=99.89:0.1質量比の混合溶媒を意味し、該混合溶媒を用いた撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、DPGMEAであり、その沸点は213°Cである。また、13BGDA/iPAは、13BGDA:iPA=99.89:0.1質量比の混合溶媒を意味し、該混合溶媒を用いた撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、13BGDAであり、その沸点は232°Cである。[実施例8-1]オクチルホスホン酸C8H17-POOH2;0.01gと、溶媒としてPGMEA:iPA=99.89:0.1質量比の混合溶媒;99.99gを混合し、18時間撹拌して撥水性薬液を得た以外は実施例7-1と同じとした。なお、本実施例で得られた撥水性薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分は、PGMEAであり、その沸点は146°Cである。結果を表8に示す。[実施例8-2~8-4、比較例8-1~8-2]実施例8-1で用いた撥水性薬液の温度、撥水処理前の洗浄液、撥水性薬液の溶媒を適宜変更して、窒化チタン膜付きウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表8に示す。[実施例9-1]ウェハに平滑なタングステン膜付きウェハ表面に厚さ50nmのタングステン層を有するシリコンウェハを用い、室温で5質量のアンモニア水に1分浸漬し、次いで室温で、純水に1分、PGMEA沸点;146°Cに1分浸漬した後に、表面処理した以外は実施例7-1と同じとした。従って洗浄後に該ウェハ表面に保持された洗浄液はPGMEAである。結果を表9に示す。[実施例9-2~9-4、比較例9-1~9-3]実施例9-1で用いた撥水性薬液の温度、撥水処理前の洗浄液、撥水性薬液の溶媒を適宜変更して、タングステン膜付きウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表9に示す。[実施例10-1]ウェハに平滑なルテニウム膜付きウェハ表面に厚さ300nmのルテニウム層を有するシリコンウェハを用い、室温で5質量のアンモニア水に1分浸漬し、次いで室温で、純水に1分、PGMEA沸点;146°Cに1分浸漬した後に、表面処理した以外は実施例7-1と同じとした。従って洗浄後に該ウェハ表面に保持された洗浄液はPGMEAである。結果を表10に示す。[実施例10-2~10-5、比較例10-1~10-3]実施例10-1で用いた撥水性薬液の温度、撥水処理前の洗浄液、撥水性薬液の溶媒を適宜変更して、ルテニウム膜付きウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表10に示す。実施例では、撥水処理前の洗浄液の沸点を55~200°Cとし、撥水性薬液の温度を、40°C以上、該撥水性薬液の沸点未満、としたものであり、本実施例では、短時間で撥水性を付与できることが確認された。一方、比較例は、撥水性の付与に時間を要することが確認された。従って、比較例において、洗浄液から薬液への置換が完了してからアニール処理を行って薬液温度を上げて撥水性被膜の形成を促進したとしても、置換にかかる時間が長く、薬液の昇温のために付加的な時間を要するため、実施例のように短時間で撥水性を付与することはできない。また、実施例の中でも、撥水性薬液の温度をより高くすると、より短時間で撥水性が付与できることが確認できた。"