板面を有する板体と、前記板面から延びて突出して前記板体につながる少なくとも1つのバンプとを備える熱伝導板であって、前記バンプが頂面と、前記頂面の周縁を囲んでつなぐ側面とを有し、前記側面が前記頂面と前記板面との間をつなぐ熱伝導板と、前記板面上に配置されるとともに、前記側面に接触して前記頂面を露出させる絶縁層と、前記絶縁層上に配置されるとともに、前記バンプと電気的に絶縁されている回路層とを備える、回路板。前記回路層が、前記絶縁層上に配置された少なくとも1つの接続パッドを備え、前記接続パッドが前記バンプに接触していない、請求項1に記載の回路板。前記絶縁層が、前記板面を局所的にカバーするとともに、前記側面に接触している少なくとも1つの第1絶縁材料と、前記第1絶縁材料によってカバーされていない前記板面をカバーする第2絶縁材料と、を備え、前記第1絶縁材料の熱伝導率が前記第2絶縁材料の熱伝導率より大きく、前記接続パッドが前記第1絶縁材料上に配置されている、請求項2に記載の回路板。前記頂面上に配置された少なくとも1つの熱伝導部品をさらに備え、前記熱伝導部品が前記頂面に接触している、請求項1に記載の回路板。前記頂面から前記板面までの距離が前記絶縁層の厚みに等しいまたはそれより大きい、請求項1に記載の回路板。平面を有する熱伝導基板を提供すること、前記平面に位置する前記熱伝導基板の一部を取り除いて、板面と、頂面および前記頂面と前記板面との間をつなぐ側面を有する少なくとも1つのバンプとを形成すること、前記板面上に、前記頂面を露出させ、前記板面と前記側面に接触する、絶縁層を形成すること、および前記絶縁層上に、前記バンプと電気的に絶縁されている回路層を形成することを含む、回路板の製造方法。前記絶縁層を形成するステップが、前記板面上に少なくとも第1絶縁材料および第2絶縁材料を形成することを含み、前記第1絶縁材料が、前記板面を局所的にカバーするとともに、前記側面に接触し、前記第2絶縁材料が前記第1絶縁材料によってカバーされていない前記板面をカバーし、前記第1絶縁材料の熱伝導率が前記第2絶縁材料の熱伝導率より大きい、請求項6に記載の回路板の製造方法。前記絶縁層がローフロープリプレグまたはノーフロープリプレグである、請求項6に記載の回路板の製造方法。前記頂面から前記板面までの距離が前記絶縁層の厚みに等しいまたはそれより大きい、請求項6に記載の回路板の製造方法。前記回路層を形成するステップが、前記絶縁層上に金属箔をラミネートすること、前記金属箔の一部を取り除いて前記絶縁層と前記頂面を露出させること、前記金属箔の一部を取り除いた後、前記頂面を清浄化すること、を含み、前記頂面を清浄化する方法が、デスミア、レーザ処理またはプラズマ処理を含む、請求項6に記載の回路板の製造方法。本発明は、電子部品の熱エネルギーの伝達速度を速めることができる回路板を提供する。本発明は、上記回路板を製造することができる回路板の製造方法を提供する。本発明は、回路層、熱伝導板、および絶縁層を備える回路板を提供する。熱伝導板は、板面を有する板体と、板面から延びて突出し板体につながる少なくとも1つのバンプとを備えている。バンプは、頂面、および頂面の周縁を囲んでつなぐ側面を有し、側面は頂面と板面との間をつないでいる。絶縁層は板面上に配置されるとともに、側面に接触し頂面を露出させる。回路層は絶縁層上に配置され、バンプと電気的に絶縁されている。本発明の一実施形態において、上記回路層は、絶縁層上に配置されバンプに接触していない少なくとも1つの接続パッドを備えている。本発明の一実施形態において、上記絶縁層は少なくとも第1絶縁材料と第2絶縁材料を含んでいる。第1絶縁材料は板面を局所的にカバーするとともに、側面に接触している。第2絶縁材料は、第1絶縁材料によってカバーされていない板面をカバーしている。第1絶縁材料の熱伝導率thermalconductivityは第2絶縁材料の熱伝導率より大きい。上記接続パッドは第1絶縁材料上に配置されている。本発明の一実施形態において、上記回路板は、頂面上に配置され頂面に接触している少なくとも1つの熱伝導部品thermalconductivecomponentをさらに備えている。本発明の一実施形態において、上記頂面から板面までの距離は絶縁層の厚みに等しいまたはそれより大きい。本発明はさらに、回路板の製造方法を提供する。まず、平面を有する熱伝導基板を提供すれる。次に、平面に位置する熱伝導基板の一部を取り除いて、板面および少なくとも1つのバンプを形成し、バンプは頂面および頂面と板面との間をつなぐ側面を有する。その後に、板面上に、頂面を露出させる絶縁層を形成し、絶縁層は板面と側面に接触している。次に、絶縁層上に回路層を形成し、回路層はバンプと電気的に絶縁されている。本発明の一実施形態において、上記絶縁層を形成する方法は、板面上に少なくとも第1絶縁材料および第2絶縁材料を形成することを含む。第1絶縁材料は板面を局所的にカバーするとともに、側面に接触しており、第2絶縁材料は、第1絶縁材料によってカバーされていない板面をカバーしている。第1絶縁材料の熱伝導率は第2絶縁材料の熱伝導率より大きい。本発明の一実施形態において、上記絶縁層はローフロープリプレグlowflowprepregまたはノーフロープリプレグnon-flowprepregである。本発明の一実施形態において、上記頂面から板面までの距離は絶縁層の厚みに等しいまたはそれより大きい。本発明の一実施形態において、上記回路層を形成する方法は、まず、絶縁層上に金属箔metalfoilをラミネートすること、次に、金属箔の一部を取り除いて絶縁層と頂面を露出させることを含み、金属箔の一部を取り除いた後、頂面を清浄化cleanすることをさらに含み、頂面を清浄化する方法には、デスミアdesmear、レーザ処理lasertreatmentまたはプラズマ処理plasmatreatmentが含まれる。以上まとめると、バンプは板体に一体成形されるので、少なくとも1つの電子部品を回路板に実装した後、電子部品を熱伝導板に熱的に結合thermallycouplingtoすることができ、したがって熱伝導板が電子部品の熱エネルギーの伝達速度を速めるようにすることができる。本発明の上述の特徴および長所をより分かりやすくするために、以下に実施形態を挙げ、図面と併せて、詳細に説明する。図1Aは、本発明の一実施形態の回路板に電子部品が実装された後の断面概略図である。図1Aを参照すると、回路板100は、回路層110、熱伝導板120、および絶縁層130を備えている。熱伝導板120は板体122と少なくとも1つのバンプ124を備え、バンプ124は板体122につながっている。図1Aの実施形態においては、バンプ124が1個のみ図示されているが、他の実施形態においては、回路板100が複数のバンプ124を備えてもよい。したがって、図1Aに示されたバンプ124の数は例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。また、回路板100を上から見た場合、バンプ124の形状は実質的に不規則な幾何形状または規則的な幾何形状でよい。不規則な幾何形状は三辺が平行でない三角形、四辺が平行でない四辺形または弧線を有する不対称図形例えば雲状などであってもよい。規則的な幾何形状は対称性を有する図形でよく、この対称性は点対称または線対称を含み、例えば、規則的な幾何形状は正三角形、二等辺三角形、二等辺台形、菱形、正方形、矩形、正五辺形、正六辺形、正七辺形、円形、楕円形、水滴形、扇形または星形などでよい。また、バンプ124の形状は蚊取線香のような渦巻状でもよい。これで分かるように、バンプ124の形状は様々に設計することができる。板体122は板面122aを有し、バンプ124は、頂面124t、および頂面124tの周縁を囲んでつなぐ側面124sを有する。バンプ124は板面122aから延びて突出し、側面124sは頂面124tと板面122aとの間をつないでいる。したがって、バンプ124は板体122に一体成形されている。詳細に言えば、バンプ124と板体122は、両者の材料が同じであり、かつ両者が同一基板により製造されてなるので、バンプ124と板体122との間には実質的にいかなる界面interfaceも存在しない。熱伝導板120は高い熱伝導率を有し、例えば50W/MKより大きい。本発明の明細書および特許請求の範囲に記載された熱伝導率はすべて絶対温度300K約27°Cのときの熱伝導率を指すことを説明しておくべきである。板体122を構成する材料は、例えば、炭素または金属であり、したがって板体122は金属板または炭素材料板carbon-materialboardでもよく、炭素材料板とは、一般的に主として炭素によって構成される板材を指し、例えば炭素繊維板carbonfiberboardまたはグラファイト板graphiteboardである。また、バンプ124と板体122は一体成形であり、したがってバンプ124を構成する材料も板体122を構成する材料と同一であり、すなわち、バンプ124を構成する材料も炭素または金属でよい。絶縁層130は回路層110と板面122aとの間に配置され、かつ板面122a上に配置されている。絶縁層130は回路層110と板体122とを分離し、絶縁層130は板面122aおよび側面124sに接触し、かつバンプ124の頂面124tを露出させる。回路層110は絶縁層130上に配置され、バンプ124と電気的に絶縁されており、バンプ124と板体122は一体成形であるため、回路層110も板体122と電気的に絶縁されている。また、頂面124tから板面122aまでの距離T1は絶縁層130の厚みT2に等しいまたはそれより大きくてもよく、したがってバンプ124は絶縁層130からより突出してもよく、またはバンプ124の頂面124tは実質的に絶縁層130の表面と面一である。絶縁層130は単一絶縁材料または複数の絶縁材料によって構成されてよい。絶縁層130が複数の絶縁材料によって構成される場合、絶縁層130は少なくとも第1絶縁材料132および第2絶縁材料134を含んでもよく、第1絶縁材料132と第2絶縁材料134は、両者の材料が異なる。第1絶縁材料132の熱伝導率は第2絶縁材料134の熱伝導率より大きく、したがって第1絶縁材料132の熱エネルギーの伝達速度は第2絶縁材料134の熱エネルギーの伝達速度より大きい。例を挙げて言えば、第1絶縁材料132の熱伝導率は2.0W/MKより高くてもよく、第2絶縁材料134の熱伝導率は1W/MKより低くてもよく、例えば、第2絶縁材料134の熱伝導率は0.3W/MK~0.5W/MKである。第1絶縁材料132と第2絶縁材料134はともに板面122aを局所的にカバーするとともに、第1絶縁材料132はバンプ124の側面124sに接触し、第2絶縁材料134は、第1絶縁材料132によってカバーされていない板面122aをカバーしている。本実施形態において、第1絶縁材料132の形状は閉ループclosedloopであってもよく、かつ第1絶縁材料132は、第2絶縁材料134がバンプ124に接触しないように、バンプ124を完全に囲んでいる。しかし、他の実施形態においては、第1絶縁材料132の形状は切欠部を有するリング状またはリング状以外の他の形状であってもよく、例えば、第1絶縁材料132の形状はC形であってもよく、第2絶縁材料134は上記切欠部内に延び、さらにバンプ124に接触してもよい。したがって、本発明は第1絶縁材料132の形状を限定しないことをここで主張しておく。回路層110は、絶縁層130上に配置された少なくとも1つの接続パッド112を含んでもよく、これらの接続パッド112は第1絶縁材料132上に配置されてもよい。回路層110はバンプ124と電気的に絶縁されており、したがって接続パッド112はバンプ124に接触しない。また、図1Aに示された実施形態においては、接続パッド112の数は複数であるが、他の実施形態においては、接続パッド112の数は1個のみでもよく、したがって、図1Aに示された接続パッド112の数は例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。また、回路層110は、さらに1本または数本のトレースtrace114を含んでもよく、トレース114は接続パッド112と電気的に接続されてもよい。回路板100には1つまたは複数の電子部品10を実装することができ、電子部品10はフリップチップflipchip方式で回路板100に実装されてもよく、電子部品10は能動部品または受動部品であってもよく、例えば、電子部品10は、ダイパッケージ、ダイ、発光ダイオードLED、電源デバイス、キャパシタcapacitorまたはインダクタinductorであってもよい。電子部品10は、複数の接続パッド12、14を有し、接続パッド12はワークパッドworkingpadであり、接続パッド14はダミーパッドdummypadまたはグランドパッドgroundpadであってもよい。回路板100に電子部品10を実装した後、各々の接続パッド112を1つの半田ブロックsolderS1を介して1つの接続パッド12と電気的に接続し、接続パッド14をバンプ124に熱的に結合することができる。このようにして、電子部品10を回路板100に電気的に接続することができ、かつ電子部品10が動作するときに発生した熱エネルギーをバンプ124、接続パッド112、および第1絶縁材料132から外部環境に伝達することができる。接続パッド14とバンプ124とを熱的に結合する方式は多数あり、本実施形態においては、バンプ124を熱伝導部品140により接続パッド14に熱的に結合することができる。詳細に言えば、回路板100は、さらに、2W/MKより高い熱伝導率を有する少なくとも1つの熱伝導部品140を含んでもよい。熱伝導部品140は頂面124t上に配置されるだけでなく、頂面124tに接触しており、したがって熱伝導部品140は熱エネルギーを迅速に電子部品10からバンプ124に伝達することができる。熱伝導部品140は導電性または電気絶縁性を有してもよく、熱伝導部品140は、例えば、半田ブロック、放熱接着剤thermaladhesiveまたは放熱フィルムthermalfilmである。放熱接着剤とは、一般的に高い熱伝導率を有するコロイドを指し、液状、コロイド状、またはペースト状材料でもよく、放熱フィルムは、粘性を有するテープまたはソフトパッドでもよい。放熱接着剤と放熱フィルムは、ともに、金属顆粒、炭素粉体または炭化ケイ素化学式:SiC粉体など、高い熱伝導能力を有する複数の顆粒を含んでもよい。また、熱伝導部品140の数はバンプ124の数と同じでもよい。熱伝導板120が複数のバンプ124を含む場合、熱伝導部品140の数は複数であってもよい。図1A中の回路板100は熱伝導部品140を含んでいるが、他の実施形態においては、接続パッド14がバンプ124に直接接触してバンプ124と熱的に結合してもよいことを説明しておくべきである。したがって、熱伝導部品140が回路板100の選択性部品に過ぎず、必要な部品ではないので、図1Aに示された熱伝導部品140は例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。以上により、熱伝導板120は高い熱伝導率を有し、かつバンプ124と板体122は一体成形され、両者の間に実質的いかなる界面も存在せず、したがって熱エネルギーは熱伝導thermalconduction方式でバンプ124と板体122との間を迅速に伝達することができる。このようにして、動作時の電子部品10が熱エネルギーを発生する場合、熱伝導板120は熱エネルギーの伝達速度を速めて電子部品10が過熱overheatingする確率を低減させることができる。また、バンプ124の形状は様々に、例えば不規則な幾何形状または規則的な幾何形状に設計することができ、したがってバンプ124の形状を接続パッド14の外形に合わせて設計することができる。このようにして、バンプ124は接続パッド14と充分に熱的に結合することができ、それにより熱伝導板120が熱エネルギーの伝達速度を効果的に速めるようにすることができる。図1Aに示された電子部品20はフリップチップ方式で回路板100上に実装されているが、他の実施形態においては、電子部品を、図1Bに示したように、他の方式で回路板100上に実装してもよいことを指摘しておきたい。図1Bを参照すると、電子部品20は、フリップチップの他に、ワイヤボンディングwirebonding方式で回路板100に実装してもよく、電子部品20は、能動部品または受動部品でよく、例えば、電子部品20は、ダイパッケージ、ダイ、発光ダイオード、電源デバイス、キャパシタまたはインダクタでよい。電子部品20は、複数の接続パッド22および少なくとも1つの接続パッド24を有し、接続パッド22は接続パッド24に対向しており、接続パッド22はワークパッドであり、接続パッド24はダミーパッドまたはグランドパッドでもよい。回路板100に電子部品20を実装した後、回路板100を電子部品20と電気的に接続できるようにするために、各々の接続パッド112を1本のボンディングワイヤW1を介して1つの接続パッド22と電気的に接続することができる。接続パッド24はバンプ124に熱的に結合され、例えば、接続パッド24は熱伝導部品140を介してバンプ124に熱的に結合され、またはバンプ124に直接接触することによってバンプ124に熱的に結合されている。このようにして、電子部品20が動作するときに発生した熱エネルギーを熱伝導板120から外部環境に伝達することができる。熱伝導板120が熱エネルギーの伝達速度を速めることができるので、電子部品20が過熱を発生する確率を低減させることができる。図1Cを参照すると、電子部品がダイパッケージである場合の回路板100へのこの電子部品の実装が図示されている。詳細に言えば、電子部品30はダイパッケージであり、図1Cを例とすると、電子部品30は例えば発光ダイオードであるが、他の図示されていない実施形態においては、電子部品30は電源デバイスまたは大量の熱エネルギーを発生できる他の部品でもよい。電子部品30はチップ31、基板32、モールド33、および複数本のボンディングワイヤW2を備えている。チップ31は基板32上に実装され、基板32に電気的に接続されている。詳細に言えば、基板32は複数の接続パッド321、322および34を有し、接続パッド321、322はワークパッドであり、接続パッド34はダミーパッドまたはグランドパッドである。各々のボンディングワイヤW2はチップ31をそのうちの1つの接続パッド321と接続する。このようにして、チップ31はこれらのボンディングワイヤW2および接続パッド321を介して基板32に電気的に接続される。モールド33はチップ31をカバーするとともに、これらのボンディングワイヤW2を包んでおり、これによってチップ31とボンディングワイヤW2とを保護する。電子部品30は回路板100と実装され電気的に接続され、電子部品30は複数の半田ブロックS1により回路板100に電気的に接続される。詳細に言えば、これらの半田ブロックS1は回路板100のこれらの接続パッド112と基板32のこれらの接続パッド322との間を接続する。このようにして、電流は、接続パッド112、半田ブロックS1、接続パッド322、接続パッド321、およびボンディングワイヤW2の順にチップ31に入力され、チップ31は電流を受けた後に直ちに発光することができる。また、電子部品30がバンプ124に熱的に結合され、電子部品30が動作時に発生する熱エネルギーをバンプ124、接続パッド112および第1絶縁材料132から外部環境へ伝達することができるように、熱伝導部品140がバンプ124と接続パッド34との間を接続することができる。このようにして、動作時の電子部品30が熱エネルギーを発生する場合に、熱伝導板120は熱エネルギーの伝達速度を速めて、電子部品30が過熱を発生する確率を低減させることができる。以上、回路板100の構造および回路板100への電子部品10、20または30の実装のみを紹介した。次に、図2A~図2Eと併せて、回路板100の製造方法を詳細に紹介する。図2A~図2Eは図1A中の回路板の製造方法の流れ断面概略図である。図2Aを参照すると、回路板100の製造方法において、まず、平面222を有する熱伝導基板220を提供し、熱伝導基板220は高い熱伝導率を有し、例えば50W/MKより大きい。熱伝導基板220を構成する材料は炭素または金属でよく、例えば、熱伝導基板220は金属板、または炭素繊維板またはグラファイト板などの炭素材料板でよい。図2Aと図2Bを参照すると、次に、板面122a、および頂面124tと側面124sを有する少なくとも1つのバンプ124を形成するために、平面222に位置する熱伝導基板220の一部を取り除いて熱伝導板120を形成する。熱伝導基板220の一部を取り除く方法は多数あるが、本実施形態においては、熱伝導基板220の一部を取り除く方法は、フォトリソグラフィーとエッチングを含んでいる。熱伝導基板220の一部がフォトリソグラフィーとエッチングによって取り除かれるとき、平面222の一部は保存され、これによってバンプ124の頂面124tを形成する。図2Cを参照すると、次に、板面122a上に、頂面124tを露出させる絶縁層130を形成する。絶縁層130は板面122aとバンプ124の側面124sに接触し、頂面124tから板面122aまでの距離T1は絶縁層130の厚みT2に等しいまたはそれより大きく、すなわち、バンプ124は絶縁層130から突出してもよく、またはバンプ124の頂面124tは実質的に絶縁層130の表面と面一である。絶縁層130を形成する方法は多数あるが、本実施形態においては、絶縁層130を形成する方法は印刷またはラミネートlaminationを含んでもよい。上記印刷は様々な実施方法を含み、例えば、絶縁層130を印刷する方法は、塗布applyまたはインクジェットinkjetを含んでもよい。絶縁層130が塗布方式で印刷されてなる場合、絶縁層130を少なくとも1種の液状、コロイド状、またはペースト状の塗料を塗布して形成してもよく、この塗料は粘性を有してもよく、例えば、樹脂resinまたは樹脂成分を含有する塗料である。絶縁層130がインクジェット方式で印刷されてなる場合、ジェット材料をインクジェット装置図示されていないにより板面122a上にスプレーコーティングすることによって絶縁層130を形成してもよい。ジェット材料は例えばインクジェット装置のノズルにより噴出され、ノズルは移動することができ、したがってスプレーコーティングを行う過程で、絶縁層130から板面122aを局所的に露出させるために、ジェット材料をスプレーコーティングしようとする位置をノズルによって制御することができる。また、絶縁層130を形成するための以上の塗料とジェット材料は、両者の材料が同じでもまたは異なってもよい。上記塗料とジェット材料が異なる場合、塗料の粘度viscosityはジェット材料の粘度より大きくてよく、例えば、塗料は、液状、コロイド状またはペースト状でよく、ジェット材料は液状またはコロイド状でよいが、ペースト状ではない。したがって、ジェット材料は塗料より流れやすく、そのためノズルがジェット材料を噴出しやすくなる。しかし、インクジェット装置の規格、例えば出力またはノズルの口径に注目すると、ジェット材料も高めの粘度を有してもよく、例えば、ジェット材料もペースト状の材料であってもよい。したがって、ジェット材料および塗料の両者の粘度の相対的な差異に関しては、本発明では限定しない。絶縁層130がラミネートで形成される場合、絶縁層130は少なくとも1種の半硬化プリプレグをラミネートして形成してもよく、この半硬化プリプレグはローフロープリプレグまたはノーフロープリプレグでもよい。絶縁層130は単一絶縁材料または複数の絶縁材料によって構成することができる。絶縁層130が複数種の絶縁材料によって構成される場合、絶縁層130は以下の方法で形成することができる。板面122a上に少なくとも第1絶縁材料132と第2絶縁材料134を形成する。第1絶縁材料132は板面122aを局所的にカバーするとともに、バンプ124の側面124sに接触し、第2絶縁材料134は、第1絶縁材料132によってカバーされていない板面122aをカバーしている。また、第1絶縁材料132の熱伝導率は第2絶縁材料134の熱伝導率より大きい。第1絶縁材料132と第2絶縁材料134はともに印刷またはラミネートによって形成してもよく、例えば、第1絶縁材料132と第2絶縁材料134は複数種類の液状、コロイド状またはペースト状の塗料を塗布して形成してもよく、または複数種類の半硬化プリプレグをラミネートして形成してもよく、これらの半硬化プリプレグはローフロープリプレグまたはノーフロープリプレグでもよい。図2Dを参照すると、次に、絶縁層130上に1枚の金属箔210をラミネートし、金属箔210は絶縁層130とバンプ124の頂面124tを全面的にカバーしている。図2Dにおいて、バンプ124は絶縁層130から突出しているので、金属箔210がラミネートされた後にバンプ124の圧迫を受けて変形する。また、金属箔210は、例えば銅箔、アルミニウム箔、錫箔、銀箔、金箔または樹脂付き銅箔ResinCoatedCopper、RCCである。図2Dと図2Eを参照すると、次に、金属箔210の一部を取り除いて絶縁層130およびバンプ124の頂面124tを露出させ、かつ絶縁層130上に回路層110を形成し、回路層110はバンプ124と電気的に絶縁されている。金属箔210の一部を取り除く方法は、フォトリソグラフィーとエッチングを含んでもよい。これで、回路板100の製造はほぼ完成している。金属箔210をラミネートする過程で、絶縁層130内のコロイドが流れることによって、コロイドが金属箔210と頂面124tとの間に滲入して図2D参照、金属箔210の一部を取り除いた後に頂面124t上にスミアの残留をもたらす恐れがある。これに対して、金属箔210の一部を取り除いた後にバンプ124の頂面124tを清浄化してスミアを除去してもよい。頂面124tを清浄化する方法には、デスミアdesmear、レーザ処理またはプラズマ処理が含まれ得る。このようにして、バンプ124と電子部品例えば電子部品10、20または30との熱的結合の品質を高めることができる。しかし、絶縁層130は少なくとも1種のローフロープリプレグまたはノーフロープリプレグをラミネートして形成してもよいので、絶縁層130がローフロープリプレグまたはノーフロープリプレグによって形成される場合、金属箔210をラミネートする過程で、絶縁層130内のコロイドが実質的に金属箔210と頂面124tとの間に滲入することがなく図2D参照、したがって金属箔210の一部を取り除いた後に頂面124tを清浄化する必要がない。このことから分かるように、本実施形態においては、回路層110を形成した後に必ずしも頂面124tを清浄化する必要はない。以上の図2Dと図2Eに開示された回路板100の製造方法によると、回路層110が金属箔210をラミネートすることによって形成されることを指摘しておくべきであるが、他の実施形態においては、回路層110を形成する方法は無電解めっきelectrolessplatingと電気めっきelectroplatingでもよく、しかも回路層110は必ずしも金属箔210をラミネートして形成する必要はない。詳細に言えば、回路層110はセミアディティブ法またはアディティブ法によって形成してもよい。回路層110がセミアディティブ法またはアディティブ法によって形成される場合、薄めの金属層を先に絶縁層130上に形成してもよく、この金属は例えば厚みが薄くなった金属箔210、またはスパッタリングsputteringもしくは無電解めっきで形成された金属薄膜であり、金属箔210の厚みを薄くする方法にはエッチングまたは研磨grindingが含まれる。次に、上記金属層を局所的にカバーするマスクパターンを形成し、このマスクパターンは、例えばフォトリソグラフィー後のドライフィルムdryfilmまたはフォトレジスト層である。その後に、無電解めっきまたは電気めっきを行う。無電解めっきまたは電気めっき後に、マイクロエッチングmicro-etchingを行う。このようにして、回路層110を形成する。このことから分かるように、図2Dと図2Eに示された金属箔210をラミネートして回路層110を形成する方法は例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。本発明は前述の実施形態を上記のとおり開示しているが、それは本発明を限定するものではなく、当業者が、本発明の精神を逸脱しない範囲内において行う変更および修正などの同等の置替えも、やはり本発明の権利保護範囲に含まれる。