"結合材と埋込まれた波長変換材料とのシートを生成する段階と、前記シートから複数の波長変換素子を生成する段階と、前記複数の波長変換素子の光変換特性を測定する段階と、前記光変換特性に基づいて前記波長変換素子を分類して保管する段階と、を含むことを特徴とする方法。半導体発光装置ダイを設ける段階と、前記半導体発光装置ダイによって放射された波長の範囲を測定する段階と、前記半導体発光装置ダイによって放射された波長の前記範囲及び前記波長変換素子の前記光変換特性に基づいて、前記複数の波長変換素子の1つを選択する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記選択された波長変換素子を前記半導体発光装置ダイに結合する段階を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。前記選択された波長変換素子を前記半導体発光装置ダイに結合する段階は、前記波長変換素子と前記半導体発光装置ダイの温度を上げる段階と、前記波長変換素子と前記半導体発光装置ダイを一緒にプレスするために圧力を加える段階と、を含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記波長変換素子と前記半導体発光装置ダイの間に結合材料の層を配置する段階を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記波長変換素子に光学構成要素を結合する段階を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記波長変換素子をレンズに形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記形成する段階は、前記波長変換素子を前記半導体発光装置ダイに結合する段階の後に、前記波長変換素子を加熱プレスする段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。前記形成する段階は、前記波長変換素子を切断及び研磨する段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。前記波長変換素子は、凹部を有し、前記半導体発光装置ダイを前記波長変換素子の前記凹部に嵌め込む段階、を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記結合材と埋込まれた波長変換材料とのシートは、燐光体が埋込まれたガラスのシートであることを特徴とする請求項1に記載の方法。複数のレンズ要素を含むように前記シートを成形する段階、を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。複数の凹部を含むように前記シートを成形する段階を更に含み、各凹部が、ほぼ前記半導体発光装置ダイのサイズであることを特徴とする請求項2に記載の方法。燐光体/エポキシ混合物19を使用する欠点は、LEDランプ10によって放射された光のCCTの均一性を取得するのが困難なことである。均一性が欠ける理由の1つは、燐光体/エポキシ混合物19を通る放射光の移動距離によってもたらされる。例えば、図1に示すように、矢印20によって示された経路に沿ってLEDダイ12の活性領域13から放射された一次光は、矢印22で示す経路に沿って放射される一次光と比較して、燐光体/エポキシ混合物19を通る経路が比較的短いものである。その結果、経路20に沿ってLED10によって生成された光は、経路22に沿って生成された光より多くの一次光を有することになる。すなわち、LED10によって放射された光の色は、視角によって変動することになる。更に、燐光体変換LEDを生成する従来の方法は、LEDランプ毎にCCTの広範な変動をもたらすものである。上述のように、得られるCCTは、一次光の波長及び燐光体/エポキシ混合物19の変換効率のような要素に依存する。一般的に、LEDダイ12毎に、放射された光の波長には僅かな変化が存在するものである。更に、燐光体/エポキシ混合物19の変換効率は、一般的に装置毎に異なっている。変換効率は、燐光体粒子18のサイズの不均一性及び結合媒体16内の燐光体粒子18の定着性のようなことの結果なので、制御するのが困難である。すなわち、1つのLEDダイ12に対して望ましいCCTをもたらす燐光体粒子18と結合媒体16の混合物は、別のLEDに対して同じCCTをもたらさない場合がある。従って、実際には、望ましいCCTを有する燐光体変換LEDランプを得るために、いくつかの燐光体変換LEDランプを製造しなければならない。LEDランプは、もしあるとしてどれが望ましいCCTを有する光を生成するかを判断するために試験される。望ましいCCTを生成できないLEDランプは、廃棄されるか又は他の目的に使用されることになる。本発明の実施形態に従って、半導体発光装置は、別々に作成された波長変換素子を用いて製造される。波長変換素子は、例えば、燐光体とガラスのような無機結合媒体とで製造することができる。ダイ並びに燐光体粒子からの光の抽出を改善するために、屈折率の高い材料を使用することができる。更に、一実施形態では、軟化点が低い結合媒体を使用することができる。波長変換素子は、その波長変換特性によって分類して保管することができる。波長変換素子は、一次及び二次光の望ましい混合を生成するために、半導体発光装置に選択的に適合させることができる。すなわち、1つの態様によれば、方法には、無機結合材と埋込まれた波長変換材料とのシートを生成する段階、及びこのシートからの複数の波長変換素子を生成する段階が含まれる。一実施形態では、複数の波長変換素子の1つは、次に半導体発光装置ダイと結合することができる。別の態様では、結合材と埋込まれた波長変換材料とのシートが製造され、このシートから複数の波長変換素子が製造される。複数の波長変換素子の光変換特性が測定される。波長変換素子は、次に、光変換特性に基づいて分類して保管することができる。更に別の態様では、発光装置は、活性領域を有する半導体層を含む層のスタックと、この層のスタックに結合した無機波長変換素子とを含むものである。図2は、本発明の実施形態に従って波長変換半導体発光装置を製造する段階の流れ図100である。この実施形態に従って、独立に作成されて次に半導体発光装置に結合される波長変換素子を用いて発光装置が製造される。波長変換素子は、例えば、燐光体含浸ガラスとすることができる。図2に示すように、波長変換材料のシートが製造されるブロック102。図3は、波長変換材料のシート200の一実施形態の斜視図である。波長変換材料のシートは、ガラスのような無機材料に分散された、例えば燐光体又は他の同等の発光性材料を使用して製造することができる。結合材として無機材料を使用することは、それがエポキシのような有機結合材で従来見出されていた温度と光束に対する敏感さを回避するので有利である。一実施形態では、波長変換材料のシート200は、軟化点が例えば約400°Cよりも低いガラスである。低軟化点のガラスは、燐光体材料が過度の熱に曝されて燐光体の量子効率QEが低下するのを有利に制限するために使用されるものである。更に、ガラスに対しては、結合されるLEDダイによって放射される光に対して高い屈折率を有することが望ましい。例えば、本発明と共にほぼ1.6を超える屈折率を有利に使用することができる。より好ましくは、約1.8に等しいか又はそれ以上の屈折率を使用することができる。高い屈折率の使用は、高い変換率の波長変換材料を有利に提供するものである。一実施形態では、抽出効率を向上させるために、ガラスの屈折率は、LEDのアウトカプリングする表面材料の屈折率に一致する。例えば、LEDの構造がフリップチップ型の場合、ガラスの屈折率は、例えば、屈折率が約1.8のサファイアとすることができるLED基板に一致する。それに加えて、ガラスの屈折率は、YAGに対してほぼ1.8である燐光体粒子の屈折率に一致させることができる。いくつかの従来の工程では、ガラスの結合媒体を燐光体と共に使用することができることに注意すべきである。しかし、ガラスの結合媒体は、その屈折率が低く散乱を増加させるので、一次光と変換光の混合を増加させるために選択されている。しかし、本発明の実施形態では、以下に説明するように、一次光と散乱光を混合する機能は、一次光を二次光に変換する機能とは分離されている。一実施形態では、波長変換材料のシート200は、例えば高温度法を使用して形成することができる。燐光体、例えば約10から20体積のYAG、nと、粉末状にされたガラス例えば、GeO2033TeO203PbO027CaO01又はGeO2023TeO204PbO027CaO01との十分に均質化された混合物が石英製るつぼに挿入される。必要に応じて、Ptるつぼのような他の種類のるつぼを使用することができる。るつぼは、YAG、nの体積比率に依存して、例えば800°Cから950°Cに予熱された電気炉内に挿入される。必要に応じて、高周波炉又はマイクロ波炉のような別の種類の炉を使用することができる。ガラス混合物が溶解した後に、溶融物は炉内で均質化される。溶解と均質化の約10から30分後に、溶融物は、例えば、ステンレス鋼のプレート上に注がれる。溶融物は、約250°Cでシートの上にプレスされてシート200が形成される。このようにして調製されたガラスの屈折率は、約1.8であることが見出されている。別の実施形態では、PbOと無水B2O3ガラス例えば、PbO034B2O3066でシート200を形成することができる。例えば、体積比が約10から20のYAG、nの燐光体と粉末状にされたPbO034B2O3066の適切に均質化された混合物が、例えば石英製るつぼに挿入される。るつぼは、YAG、nの体積比率に依存して、例えば800°Cから950°Cに予熱された電気炉内に挿入される。ガラス混合物が溶解した後に、溶融物は炉内で均質化される。溶解と均質化の約10から30分後に、溶融物は、例えばステンレス鋼のプレート上に注がれる。溶融物は、約250°Cでシートの上にプレスされてシート200が形成される。燐光体材料又はシート200に埋め込まれた他の波長変換材料は、二次光の望ましい波長に基づいて選択することができる。一例として、白色光を発生させるために青色発光装置と共に使用することができる1つの適切な燐光体は、Y3Al5O12:CeYAG:Ceである。必要に応じて、以下に限定されるものではないが、Gd3、Ga5O12:Ce、Lu,Y3Al5O12:Ce、SrS:Eu、SrGa2S4:Eu、Sr,Ca,BaAl,Ga2S4:Eu、Ca,SrS:Eu、Ca,SrS:Eu、Mn、Ca,SrS:Ce、Sr,Ba,Ca2Si5N8:Eu、Ba,Sr,Ca2SiO4:Eu、及びCa,Sr,BaSi2O2N2:Euを含む他の燐光体を使用することもできる。注がれたガラスと燐光体の溶融物は、図3に示すように、平坦なシート200内で硬化することが可能になる。代替的に、シートは、望ましい形態に成形することができる。例えば、いくつかの凹部201を有し、それぞれの凹部がほぼLEDダイのサイズであるとしてシート200’の断面が図4に示されている。シート200は、他の形態を含むように成形することができる。例えば、シートは、いくつかのレンズ要素を含むように成形することができる。別の実施形態では、シート200は、ゾルゲル工程を使用して製造される。望ましい1つ又は複数の燐光体が、形成中にゾルゲルガラス内に分散される。ゾルゲル工程は、本明細書において引用により組み込まれている米国特許第6,642,618号に説明されている。シート200は、ガラス及び燐光体以外の材料を使用して製造することができることを理解すべきである。例えば、他の適切な透明結合材料を使用することができる。図2に戻ると、波長変換材料のシート200が硬化した状態で、シート200は、いくつかの個々の要素に分離されるブロック104。個々の波長変換素子は、LEDダイの上に取り付けられるようにサイズが設定される。シート200を個々の要素に分離するために、ダイシング、ホットスタンピング、切断法、刻み法、及び破断法、又は他の適切な方法を使用することができる。図3は、個々の波長変換素子204を製造するために使用することができるシート200上の刻み線202を示すものである。同様に、図4は、シート200’上の凹部201間の刻み線202’から形成された素子204’を示すものである。次に、半導体発光装置ダイが設けられるブロック106。半導体発光装置は、例えば、発光ダイオードチップ又はチップのアレイにすることができる。参照を容易にするために、半導体発光装置は、本明細書では時々LEDダイと呼ばれることになる。一実施形態では、LEDダイは、例えば、反射カップ又はサブマウントに取り付けられた装着式ダイにすることができる。代替的に、LEDダイは、非装着式することができる。波長変換素子は、次にLEDダイに結合されるブロック108。図5Aは、互いに結合される波長変換素子204、LEDダイ210、及び透明光学素子230を示すものである。図5Bは、透明な結合層232及び234で互いに結合される波長変換素子204、LEDダイ210、及び透明光学素子230を示すものである。一般的に、波長変換素子204は、公告番号US2002/0030194A1で2002年3月14日に公告された本特許と同一出願人による米国特許出願番号第09/880,204号と、米国特許第5,502,316号及び第5,376,580号とに説明した方法でLEDダイ210に結合することができ、これらの特許の全ては、本明細書において引用により組み込まれている。図5Aと5Bに示されたLEDダイ210は、p型導電性p層の第1の半導体層212と、n型導電性n層の第2の半導体層214とを含む層のスタックである。半導体層212及び214は、活性領域216に電気的に結合される。例えば、活性領域216は、層212及び214のインタフェースに関連するp-nダイオード接合である。代替的に、活性領域216は、n型又はp型ドープされた又はドープされない1つ又はそれ以上の半導体層を含む。LEDダイ210は、透明な基板222を含み、この基板は、例えば、サファイア、SiC、GaN、又はGaPのような材料で形成される。LED210ダイはまた、p型接点213とn型接点215を含み、この接点は、それぞれ半導体層212及び214に結合される。接点213及び215の間に適切な電圧が印加されると、活性領域216は光を放射する。代替の実施例では、層212及び214の導電型は、接点213及び215と共に反転される。すなわち、層212はn型層、接点213はn接点、層214はp型層、及び接点215はp接点である。半導体層212及び214、及び活性領域216は、以下に限定はしないが、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSbを含むIII-V族半導体、以下に限定はしないが、ZnS、ZnSe、CdSe、CdTeを含むII-VI半導体、以下に限定はしないが、Ge、Si、SiCを含むIV族半導体、及びそれらの混合物又は合金から形成される。一実施例では、接点213及び215は、以下に限定はしないが、金、銀、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、プラチナ、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、タングステン、及びそれらの混合物又は合金を含む金属から形成された金属接点である。別の実施例では、接点213及び215の一方又は両方は、酸化錫インジウムのような透明な導体から形成される。図5Aと5Bは、特定のLED構造を示しているが、本発明は、LEDダイのいかなる特定構造にも依存しないものである。例えば、LED210内の基板及び半導体層の数と活性領域216の詳細構造は変えることができる。更に、LEDダイ210は、フリップチップ型構造を有するように、すなわち接点213及び215がLEDダイ210の同じ側に配置されるように図5A及び5Bに示されている。しかし、必要に応じて、接点213及び215がLEDダイ210の反対側に配置されるように、本発明と共に別の種類のLEDダイ構造を使用することができる。一実施形態では、互いに素子が結合される透明な結合層232図5Bを形成するために、結合材料の層は、LEDダイ210の上面図5Aに付加される。結合材料の第2の層は、結合層234図5Bを形成するために素子204の上に付加され、レンズ230のような光学構成要素を結合する。例えば、結合層232及び234の厚さは、約10オングストロームから約100ミクロンである。結合材料は、例えば、以下に限定はしないが、スピニング、スパッタリング、蒸発、化学気相蒸着CVDを含む従来の堆積技術を使用して、又は、例えば、有機金属化学気相蒸着MOCVD、気相成長VPE、液相成長LPE、又は分子線エピタキシMBEによる材料成長の一部として付加することができる。LEDダイ210に素子204を結合する代替方法を使用することができる。例えば、結合層232を省略し、LEDダイ210に素子204を直接結合することができる。一実施形態では、結合層232は、素子204に対してレンズ230として使用することができ、この素子をLEDダイに直接結合することができる。別の実施形態では、素子204は、例えば、結合層232によってLEDダイに結合され、レンズ230は、素子204に直接結合される。図6に示す更に別の実施形態では、LEDダイ210にレンズ230を結合するために素子204を使用することができる。LEDダイ又はレンズ230に素子204を直接結合する時に、素子204を形成するのに低軟化点のガラスを使用するのは特に有利である。LEDダイ210、素子204、及びレンズ230の温度を例えば500°Cに上げ、材料をプレスするために圧力を加えることにより材料を結合することができる。図7は、波長変換素子204がLEDダイ210に直接結合され、レンズ要素として使用される別の実施形態を示すものである。波長変換素子204は、例えば、シート製造の時にガラス溶融物を成形することにより、素子204がLEDダイ210に結合された状態で素子204を加熱プレスすることにより、又は、素子204を切断、クローイング、及び研磨することにより、望ましい形状に形成することができる。図8は、素子204がLEDダイ210に直接結合され、素子204の上面204tが粗面にされた別の実施形態を示すものである。図8にはレンズが示されていないが、必要に応じて、レンズを素子204に結合するか、又は素子204の上に取り付けることができるが、素子204に直接結合されることはない。素子204の上面204tを粗面にすることは、特に、例えば素子204の屈折率が高い時に、変換された光を散乱させて光のアウトカプリングを改善するのに有利である。別の実施形態では、素子204の底面204bは、LEDダイ210に対するより良い接着のために粗面にすることができる。素子204の上面、底面、又は両方の面は、例えば粗い粉体を使用して研削することにより、機械的に粗面にすることができる。代替的に、例えば、埋め込まれた燐光体粒子の部位を部分的に露出するように部分的にガラスの部分をエッチングすることにより、素子を化学的に粗面にすることができる。素子204の上面204tは、結合の前か後に粗面にすることができ、底面204bは、結合の前に粗面にすることができると考えられる。図9は、波長変換素子204がLEDダイ210に結合されて反射器カップ252に取り付けられた装置250を示すものである。LEDダイ210の活性領域216は参考のために図9に示されている。反射器カップ252は、シリコン又はエポキシ又はポリメチルメタアクリレートPMMAのようなカプセル材料254で充填することができる。カプセル材料254は、粗面にされた上面256、レンズ258、又はカプセル材料254の上に重なる他の光学素子を含むものである。一実施形態では、カプセル材料254の上面256は、例えば、フレスネルレンズを使用してパターン化することができる。必要であれば、カプセル材料254とレンズ258の間に輝度向上のフィルタを置くことができる。図9に示すように、活性領域216から放射された青色光の一部は、波長変換素子204によって受け取られ、矢印260によって示すように黄色の光に変換される。素子204の厚さと燐光体の含有量は、素子204に入射する望ましい割合の一次光を変換するように設定することができる。しかし、活性領域216から放射された青色光の別の部分は、素子204には入射せず、従って、矢印262によって示すように、それは変換されない。黄色の変換光と青色の一次光は、例えば粗面にされた表面256により、充填剤によって混合されて白色光を生成する。従って、変換と混合の機能は、装置250内で分離される。装置250を使用して別の色の光を生成することができることは勿論である。図10Aは、例えば凹部201を有する成形された素子204’が反射カップ300のLEDダイ210に取り付けられた実施形態を示すものである。必要に応じて反射カップ300を使用しないことを理解すべきである。図10Aに示すように、素子204’の凹部201は、LEDダイ210のサイズとほぼ同じである。従って、図10Bに示すように、素子204’がLEDダイの上に配置された場合、LEDダイの上部と側部は素子204’によって覆われることになる。図10Bによって示すように、素子204’は、例えば、エポキシやシリコーンなどのような高温で光学透明な材料の結合層306を素子204’とLEDダイ210の間に配置することによりLEDダイ210に固定することができる。一例として、結合材料は、LEDダイ210上に素子204’を配置する前に、素子204’の凹部301内に配置することができる。硬化される時に、結合層306は、素子204’をLEDダイ210に保持する。別の実施形態では、図10Cに示すように、素子204’は、流れ出してLEDダイ210に適合するまで加熱することができる。一例として、素子204’は、装置全体、すなわち、LEDダイ210と素子204’を加熱されたプレート上に配置することによって加熱することができる。要素が加熱される時に、軟化点温度が高いレンズ308を素子204’に熔解することができる。従って、素子204’は、燐光体変換層として作用すると同時に、LEDダイ210とガラスレンズ308の間の結合層として作用するものである。素子204’を軟化するまで加熱することによって素子204’がLEDダイ210に取り付けられる実施形態では、素子204’が加熱された時の温度上昇に耐える高温度の取付け部をLEDダイ210は持たなければならない。例えば、本明細書において引用により組み込まれている、本特許と同じ出願人による2003年8月29日出願のフランクウォール他に付与された半導体発光装置のためのパッケージという名称の米国特許出願番号第10/652,348号に説明されたようなLEDダイがある。図10Dは、素子204がLED210の上に遠隔に取り付けられた別の実施形態を示すものである。図10Dに示すように、LED210と素子204の間には空隙がある。別の実施形態では、結合材料がLED210と素子204の間に配置される。別の実施形態では、素子204を複数のLED210の上に取り付けることができる。本発明の別の実施形態によれば、個々の波長変換素子204の変換特性、すなわち変換効率と二次光の波長は、LEDダイに結合される前に測定される。燐光体粒子とガラスの混合がシート毎に変動し、同様に任意の単一シートの長さに亘って変動するので、それぞれの波長変換素子の変換特性は変動することになる。同様に、発光特性も一般的にLEDダイ毎に変動する。従って、特定範囲の波長を有する装置を製造するために、各波長変換素子204は、それが適切なLEDダイと適合するように予め測定されることになる。図11は、一次光と二次光の望ましい混合を生成するために素子をLEDダイと選択的に適合させる方法を示す流れ図400である。図11に示すように、波長変換素子のシートが製造されブロック402、上述のように、このシートから個々の波長変換素子が製造されるブロック404。波長変換素子の光変換特性が次に測定されるブロック406。各素子の変換特性を測定するために、素子は、既知の波長を有する光で照光され、変換光又は変換光と一次光の混合されたものが測定される。必要に応じて、個々の素子の変換特性は、分離の前か後に測定することができることを理解すべきである。素子がまだシートである間の波長変換素子の変換特性の測定は、測定を並行に実施することができるので有利である。本発明の一実施形態によれば、波長変換素子は、それらの光変換特性に応じてビンに入れる、すなわち、分類して保管することができる。素子をそれらの光変換特性に応じて分類して保管することにより、望ましい光変換特性を有する波長変換素子を簡単に配置することができ、望ましい結果をもたらすためにLEDダイと適合させることができるので、燐光体変換LEDの製造を大幅に簡略化することができる。図11に示すように、LEDダイが設けられブロック408、LEDダイによって放射された波長の範囲が測定されるブロック410。LEDダイによって放射された測定波長と波長の望ましい混合とに基づいて、適切な光変換特性を有する波長変換素子を次に選択することができるブロック412。選択された素子は、次に、上述のような方法でLEDダイに取り付けられるブロック414。本発明は、説明の目的で特定的な実施形態に関連して示されたが、本発明は、それに限定されないものである。本発明の範囲から逸脱することなく様々な適応と修正を行うことができる。例えば、シート及び素子は、燐光体及びガラス以外の材料で製造することができる。更に、燐光体の代わりに任意の波長変換材料を使用することができる。従って、特許請求の範囲及び精神は、以上の説明に制限されるべきではない。以下に本発明の実施形態を記載する。実施形態1無機結合材と埋込まれた波長変換材料とのシートを生成する段階と、前記シートから複数の波長変換素子を生成する段階と、を含むことを特徴とする方法。実施形態2前記無機結合材は、ガラスであることを特徴とする実施形態1に記載の方法。実施形態3前記ガラスは、GeO2、TeO2、PbO、CaO、及びB2O3から成るグループから選択された材料で形成されることを特徴とする実施形態2に記載の方法。実施形態4無機結合材と埋込まれた波長変換材料とのシートを生成する段階は、波長変換材料と粉末状ガラスの混合物を準備する段階と、前記混合物をるつぼに挿入する段階と、溶融物を生成するために前記るつぼを800°Cと950°Cの間に加熱された炉内に挿入する段階と、前記炉内の前記溶融物を均質化する段階と、前記均質化された溶融物をプレート上に注ぐ段階と、シートを生成するために前記プレート上の前記溶融物をプレスする段階と、を含むことを特徴とする実施形態2に記載の方法。実施形態5前記無機結合材の屈折率は、約1.6よりも大きいことを特徴とする実施形態1に記載の方法。実施形態6前記無機結合材の屈折率は、約1.8よりも大きいことを特徴とする実施形態1に記載の方法。実施形態7前記無機結合材のガラス軟化温度は、約400°Cよりも低いことを特徴とする実施形態1に記載の方法。実施形態8前記波長変換材料は、燐光体であることを特徴とする実施形態1に記載の方法。実施形態9前記燐光体は、YAG:Ceであることを特徴とする実施形態8に記載の方法。実施形態10前記複数の波長変換素子の1つを半導体発光装置ダイに結合する段階を更に含むことを特徴とする実施形態1に記載の方法。実施形態11前記半導体発光装置ダイは、フリップチップ構造を有することを特徴とする実施形態10に記載の方法。実施形態12前記複数の波長変換素子の1つを半導体発光装置ダイに結合する段階は、前記波長変換素子と前記半導体発光装置ダイの温度を上げる段階と、前記波長変換素子と前記半導体発光装置ダイを一緒にプレスするために圧力を加える段階と、を含むことを特徴とする実施形態10に記載の方法。実施形態13前記波長変換素子と前記半導体発光装置ダイの間に結合材料の層を配置する段階を更に含むことを特徴とする実施形態12に記載の方法。実施形態14前記波長変換素子に光学構成要素を結合する段階を更に含むことを特徴とする実施形態10に記載の方法。実施形態15前記波長変換素子をレンズに形成する段階を更に含むことを特徴とする実施形態10に記載の方法。実施形態16前記波長変換素子は、凹部を有し、前記半導体発光装置ダイを前記波長変換素子の前記凹部に嵌め込む段階、を更に含むことを特徴とする実施形態10に記載の方法。実施形態17前記波長変換素子の上面を粗面にする段階を更に含むことを特徴とする実施形態10に記載の方法。実施形態18粗面にする段階は、機械的処理と化学的処理の少なくとも一方を通じて実行されることを特徴とする実施形態17に記載の方法。実施形態19前記波長変換素子を前記半導体発光装置ダイに結合する前に該波長変換素子の底面を粗面にする段階を更に含むことを特徴とする実施形態10に記載の方法。実施形態20前記結合した波長変換素子及び前記半導体発光装置ダイの上にカプセル材料を設ける段階と、前記カプセル材料の上面を粗面にする段階と、を更に含むことを特徴とする実施形態10に記載の方法。実施形態21前記複数の波長変換素子の光変換特性を測定する段階と、前記半導体発光装置ダイによって放射された波長の範囲を測定する段階と、前記半導体発光装置ダイによって放射された波長の前記範囲及び前記波長変換素子の前記光変換特性に基づいて、該半導体発光装置ダイに結合される該波長変換素子を選択する段階と、を更に含むことを特徴とする実施形態10に記載の方法。実施形態22前記複数の波長変換素子の光変換特性を測定する段階と、前記光変換特性に基づいて前記波長変換素子を分類して保管する段階と、を更に含むことを特徴とする実施形態10に記載の方法。実施形態23結合材と埋込まれた波長変換材料とのシートを生成する段階と、前記シートから複数の波長変換素子を生成する段階と、前記複数の波長変換素子の光変換特性を測定する段階と、前記光変換特性に基づいて前記波長変換素子を分類して保管する段階と、を含むことを特徴とする方法。実施形態24半導体発光装置ダイを設ける段階と、前記半導体発光装置ダイによって放射された波長の範囲を測定する段階と、前記半導体発光装置ダイによって放射された波長の前記範囲及び前記波長変換素子の前記光変換特性に基づいて、前記複数の波長変換素子の1つを選択する段階と、を更に含むことを特徴とする実施形態23に記載の方法。実施形態25前記選択された波長変換素子を前記半導体発光装置ダイに結合する段階を更に含むことを特徴とする実施形態24に記載の方法。実施形態26前記選択された波長変換素子を前記半導体発光装置ダイに結合する段階は、前記波長変換素子と前記半導体発光装置ダイの温度を上げる段階と、前記波長変換素子と前記半導体発光装置ダイを一緒にプレスするために圧力を加える段階と、を含むことを特徴とする実施形態25に記載の方法。実施形態27前記波長変換素子と前記半導体発光装置ダイの間に結合材料の層を配置する段階を更に含むことを特徴とする実施形態25に記載の方法。実施形態28前記波長変換素子に光学構成要素を結合する段階を更に含むことを特徴とする実施形態25に記載の方法。実施形態29前記波長変換素子をレンズに形成する段階を更に含むことを特徴とする実施形態25に記載の方法。実施形態30前記波長変換素子は、凹部を有し、前記半導体発光装置ダイを前記波長変換素子の前記凹部に嵌め込む段階、を更に含むことを特徴とする実施形態25に記載の方法。実施形態31前記結合材と埋込まれた波長変換材料とのシートは、燐光体が埋込まれたガラスのシートであることを特徴とする実施形態23に記載の方法。実施形態32活性領域を有する半導体層を含む層のスタックと、前記スタックに結合した無機波長変換素子と、を含むことを特徴とする発光装置。実施形態33前記無機波長変換素子は、ガラスに埋込まれた燐光体を含むことを特徴とする実施形態32に記載の発光装置。実施形態34無機波長変換素子の屈折率は、約1.6よりも大きいことを特徴とする実施形態32に記載の発光装置。実施形態35無機波長変換素子の屈折率は、約1.8よりも大きいことを特徴とする実施形態32に記載の発光装置。実施形態36無機波長変換素子のガラス軟化温度は、約400°Cよりも低いことを特徴とする実施形態32に記載の発光装置。実施形態37前記無機波長変換素子は、前記スタックの上面とほぼ同じ面積を有することを特徴とする実施形態32に記載の発光装置。実施形態38前記スタック及び無機波長変換素子が配置された反射カップと、前記スタック及び無機波長変換素子の上に配置され、前記活性領域から放射された光と前記無機波長変換素子によって放射された変換光とを混合する光学透明要素と、を更に含むことを特徴とする実施形態32に記載の発光装置。実施形態39前記光学透明要素は、前記活性領域から放射された前記光と前記無機波長変換素子によって放射された前記変換光とを混合する粗面にされた表面を有することを特徴とする実施形態38に記載の発光装置。実施形態40前記光学透明要素は、前記活性領域から放射された前記光と前記無機波長変換素子によって放射された前記変換光とを混合するフレスネルレンズを用いてパターン化された表面を有することを特徴とする実施形態38に記載の発光装置。実施形態41前記無機波長変換素子に結合した光学透明要素を更に含むことを特徴とする実施形態32に記載の発光装置。実施形態42前記無機波長変換素子は、凹部を有し、前記スタックは、該凹部の中に延びていることを特徴とする実施形態32に記載の発光装置。"