複数の電子源ブロックより形成される電子源ブロックウェーハから、電子源ブロックをダイシングする方法であって、ガラス基板の下面にシリコン基板を接着する工程と、このガラス基板の上面に電子源ブロックごとに電子放出素子群を形成し、電子源ブロックウェーハを製造する工程と、前記電子源ブロックウェーハ上の電子源ブロック間のストリートの切断予定ラインに沿って、レーザー光を、ガラス基板上面よりガラス基板下面に接着されたシリコン基板の内部に集光点を合わせて照射して、このシリコン基板内に改質領域を形成する工程と、前記切断予定ラインに沿って、前記改質領域を起点としてガラス基板とシリコン基板を割断する工程と、を備えた電子源ブロックウェーハのダイシング方法。前記ガラス基板の下面にシリコン基板を接着する工程は、陽極接合を用いることを特徴とする請求項1に記載の電子源ブロックウェーハのダイシング方法。前記ガラス基板の貼付面と前記シリコン基板の貼付面の表面粗さRaは、0.5nm以下であることを特徴とする請求項2に記載の電子源ブロックウェーハのダイシング方法。前記シリコン基板は、前記ガラス基板より厚い構成とすることを特徴とする請求項1から3のいずれか一つに記載の電子源ブロックウェーハのダイシング方法。前記シリコン基板の主面は100であり、切断予定ラインは<110>と垂直な方向に、または<-110>と垂直な方向に形成することを特徴とする請求項1から4のいずれか一つに記載の電子源ブロックウェーハのダイシング方法。前記シリコン基板の主面は110であり、切断予定ラインは<001>と垂直な方向に、または<0-1-1>と垂直な方向に形成することを特徴とする請求項1から5のいずれか一つに記載の電子源ブロックウェーハのダイシング方法。前記ガラス基板とシリコン基板を割断する工程は、前記シリコン基板側の表面に拡張可能なエキスパンドテープを貼付け前記シリコン基板とシリコン基板の切断予定ラインの上方の前記ガラス基板を、エキスパンドテープの拡張によりシリコン基板の前記改質領域を起点として割断することを特徴とする請求項1から6のいずれか一つに記載の電子源ブロックウェーハのダイシング方法。請求項1から7のいずれかに記載の電子源ブロックウェーハのダイシング方法により得られた電子源ブロックであって、ガラス基板と、ガラス基板上に形成された電子放出素子と、前記ガラス基板の下面側に接合されたシリコン基板とからなり、シリコン基板の切断面においては改質領域が、ガラス基板とシリコン基板の界面における切断面においては相互拡散層が形成されていることを特徴とする電子源ブロック。X線源と、このX線源に所定間隔おいて対向配置したX線センサーとを備え、前記X線センサーは、X線入射側よりターゲット部と電子源を順次設けた構成とし、前記電子源は請求項8に記載の電子源ブロックを少なくとも1つ以上用いたX線診断装置。上記従来の製造方法でダイシングした電子源ブロックの課題は、電子源ブロックを狭ダイシングストリート幅で高精度に切断することができず、複数枚の電子源ブロックウェーハから電子放出特性のそろった電子源ブロックを選択し、複数個並べてX線センサーとして使用する際に、継目において画素間隔が広くなりライン欠陥が発生していた。すなわち、電子源ブロックウェーハをブレードダイシングを用いて切断していたが、ブレードダイシングでは、刃厚が50~100ミクロンあり、また、水冷されているが切削部分の発熱量が多く、ダイシングラインより100ミクロン以上素子を離さないと熱により素子が破壊されてしまうという問題があり、狭ダイシングを実現することができなかった。さらに、切断端面に20~30ミクロンのチッピングやバリが発生し、高精度に加工することが出来なかった。また、レーザダイシングにおいては、ガラス基板の切断の場合、ガラスの種類により条件が異なるため切断が難しく、切断精度は端面直進性±5~10ミクロン、断面直進性±5~10ミクロンであり、高精度に加工することができなかった。また、シリコン基板の切断の場合、切断精度は端面直進性±1~2ミクロン、断面直進性±1~2ミクロンを実現できるものの、改質領域形成時の熱が発生するため、素子をダイシングラインから20ミクロン以上は離す必要があり、狭ダイシングを実現することができなかった。そこで本発明は、素子に熱ダメージを与えることなく、電子源ブロックウェーハから電子源ブロックを狭ダイシングストリート幅で高精度に切断することを目的とするものである。そしてこの目的を達成するために本発明の電子源は、複数の電子源ブロックより形成される電子源ブロックウェーハから、電子源ブロックをダイシングする方法であって、ガラス基板の下面にシリコン基板を接着する工程と、このガラス基板の上面に電子源ブロックごとに電子放出素子群を形成した電子源ブロックウェーハを製造する工程と、前記電子源ブロックウェーハ上の電子源ブロック間のストリートの切断予定ラインに沿って、レーザー光を、ガラス基板上面よりガラス基板下面に接着されたシリコン基板の内部に集光点を合わせて照射して、このシリコン基板内に改質領域を形成する工程と、前記切断予定ラインに沿って、前記改質領域を起点としてガラス基板とシリコン基板を割断する工程と、を備えたものであり、これにより所期の目的を達成するものである。以上のように、本発明の電子源ブロックウェーハのダイシング方法は、複数の電子源ブロックより形成される電子源ブロックウェーハから、電子源ブロックをダイシングする方法であって、ガラス基板の下面にシリコン基板を接着する工程と、このガラス基板の上面に電子源ブロックごとに電子放出素子群を形成し、電子源ブロックウェハを製造する工程と、前記電子源ブロックウェーハ上の電子源ブロック間のストリートの切断予定ラインに沿って、レーザー光を、ガラス基板上面よりガラス基板下面に接着されたシリコン基板の内部に集光点を合わせて照射して、このシリコン基板内に改質領域を形成する工程と、前記切断予定ラインに沿って、前記改質領域を起点としてガラス基板とシリコン基板を割断する工程と、を備えたものであるので、電子放出素子に熱ダメージを与えることなく、電子源ブロックウェーハから電子源ブロックを狭ダイシングストリート幅で高精度に切断することができる。すなわち、電子源ブロック間のストリートの切断予定ラインに沿って、レーザー光を、ガラス基板上面よりガラス基板下面に密着して接合されたシリコン基板の内部に集光点を合わせて照射することにより、ガラス基板により電子源素子への熱ダメージを抑制しながらシリコン基板の集光点に多光子吸収を起こし、切断の起点となる改質領域を形成できる。また、レーザーの入射経路におけるガラス基板も、その経路において多少の光子吸収が発生してガラスの構造変化が生じる。特に、シリコン基板内部に集光点を合わせているのでガラス基板とシリコン基板の界面付近において、この構造変化は強くなり、その部分から力が加わればレーザーの入射方向に向かってガラス基板内にクラックが伸展しやすくなる。その結果、切断予定ラインに沿ってシリコン基板内の改質領域を起点として割断すると、クラックがガラス基板にもまっすぐ伸展してガラス基板まで割断することが可能となるので、電子源ブロックウェーハを狭ダイシングストリート幅で高精度に切断できるのである。以下、本発明にかかるX線センサー、およびそのX線センサーを用いたX線診断装置の実施の一形態について、添付図面を交えて説明する。なお添付図面は、理解を容易にするために模式的な図を示している。まず、この実施の形態にかかるX線診断装置の全体構成について、図1および図2を用いて説明する。図1は本発明の実施の形態にかかるX線診断装置の構成図である。図1に示すように、X線診断装置は、X線源1と、X線源1から所定の間隔をおいて対向配置されるX線センサー2とを備え、X線源1から放射したX線を撮像対象者3に照射し、その撮像対象者3を透過したX線をX線センサー2に入射させることにより、撮像対象者3の内部の状態を可視化とするものである。具体的には、側面視したときの形状が略半円状のアーム4の一端にX線源1が設けられ、アーム4の他端にX線センサー2が設けられている。このようにしてX線源1とX線センサー2が所定の間隔をおいて対向配置されている。したがってアーム4によって、ベッド5に横たわった撮像対象者3を挟んでX線源1とX線センサー2とを対向配置させることができるので、X線源1から照射されて撮像対象者3を透過したX線を、X線センサー2で検出することができる。アーム4は、装置本体6に回動自在に取り付けられている。装置本体6は、アーム4を回動させる駆動装置図示せずを内蔵している。このようにすることで、撮像対象者3の内部の状態を様々な角度から可視化することが可能となる。図2は本発明の実施の形態にかかるX線診断装置のブロック図である。図2に示すように、X線源1はX線制御部7に接続されており、X線制御部7はコントローラ8に接続されている。コントローラ8は、X線診断装置全体の動作を統括的に制御するものである。X線制御部7は、コントローラ8からの指令信号に従って、X線源1によるX線の照射動作やX線の照射量を制御する。X線センサー2は画像処理部9に接続されている。画像処理部9は、X線センサー2から取り出された電気信号光電変換信号を検出して画像処理する。画像処理部9により処理された信号はコントローラ8に送信される。コントローラ8は、X線センサー2が検出したX線の光量強度に基づく画像、すなわち撮像対象者3の内部の状態を表示する画像をモニタ10に映し出す。またX線センサー2は、電子源制御部11にも接続されている。この電子源制御部11もコントローラ8に接続されている。電子源制御部11は、コントローラ8からの指令信号に従って、後述する電子源による電子線の照射動作や電子線の照射量を制御する。装置本体6に内蔵されているアーム4を回動させる駆動装置図示せずは移動制御部13に接続されており、移動制御部13はコントローラ8に接続されている。移動制御部13は、コントローラ8からの指令信号に従って、アーム4の回動動作を制御する。コントローラ8には、さらに入力部14が接続されている。コントローラ8は、入力部14から入力された指令に従って、X線診断装置全体の動作を統括的に制御する。続いて、この実施の形態にかかるX線センサー2について、図3ないし図6を用いて説明する。図3は本発明の実施の形態にかかるX線センサーの外観を示す斜視図であり、図4は本発明の実施の形態にかかるX線センサーの断面図であり、図5は本発明の実施の形態にかかるX線センサー2の光電変換膜であるターゲット部12の断面図であり、図6は本発明の実施の形態にかかるX線センサー2の制御ブロック図である。以下、X線センサー2の光電変換膜については、ターゲット部と称して説明を行う。図3および図4に示すように、X線センサー2は、平面視したときの形状が矩形状の取り付け基板15を備える。また図4に示すように、取り付け基板15の主面上には、同じく矩形状の電子源16が設けられており、その電子源16の上部には、ターゲット部12が配置されている。このターゲット部12は、X線入射面となったX線透過性基板17と、このX線透過性基板のX線入射面の裏面側に順次設けた薄膜状電極18、正孔注入阻止層19、光変換膜層20、電子注入阻止層21より構成されている。より詳しくは、X線透過性基板17は、X線が入射される面X線入射面とは反対側の面が電子源16に向くように、取り付け基板15に対して対向配置されている。そして、ターゲット部12と電子源16は、X線の照射エネルギーを光電変換可能とするために、本体ケース2a内に真空密封された状態で構成されている。図5に示すように、ターゲット部12は、X線透過性基板17の薄膜状電極18が形成されている面上に順次設けられた正孔注入阻止層19と、電荷増倍機能を持つ光導電性の光変換膜層20と、電子注入阻止層21とからなる。したがって、X線透過性基板17は、電子注入阻止層21が電子源16に向くように、取り付け基板15に対して対向配置される。これにより、電子源16は電子注入阻止層21側の面に向けて電子線を照射することができる。また、本実施形態における光変換膜層20は、感度層により構成されているが、さらには、X線入射面より順に、緩和層、正孔トラップ層、感度層より構成しても良い。正孔トラップ層は、X線や可視光などの照射によって発生した正孔をトラップする層であり、緩和層と正孔トラップ層が設けられているのは、正孔注入阻止層などにキズや膜厚ムラが発生している場合でも、それによる白キズの発生を抑えることができるようにするためである。なお、光変換膜層20の電荷増倍機能は、感度層によるものであり、光変換膜層20の構成要素としては、感度層のみで構成しても良い。ここで、薄膜状電極18には酸化インジウムスズITOや酸化スズなどが使用される。また、正孔注入阻止層19には酸化セリウムCeO2が、緩和層には非晶質セレンa-Seが、正孔トラップ層には非晶質セレンa-Seとフッ化リチウムLiFが、感度層には非晶質セレンa-Seが、電子注入阻止層21には硫化アンチモンSb2S3がそれぞれ使用される。図6に示すように、電子源16には、電子線を照射するための電圧Vdが供給される。さらに電子源16は、電子源制御部11に含まれるX走査ドライバ27とY走査ドライバ28に接続している。したがって、電子源16は、X走査ドライバ27とY走査ドライバ28により、ターゲット部12の電子注入阻止層21側の面に電子線を走査する。またX線センサー2は、図6に示すように、複数の開口が設けられたメッシュ29を備えてもよい。メッシュ29は、電子源16から照射される電子線を加速させたり、集束させたり、余剰電子を回収するために設けられる中間電極であり、電子源制御部11に含まれるメッシュ電圧印可部30に接続している。メッシュ電圧印可部30はメッシュ29に正電圧メッシュ電圧Vmeshを印可する。メッシュ29は、公知の金属材料、合金、半導体材料等で形成することができる。薄膜状電極18は、高電圧Vharpを供給する高電圧源31に接続している。この高電圧Vharpにより、ターゲット部12の光変換膜層20に高電界が印加される。さらに薄膜状電極18は画像処理部9に接続している。画像処理部9は、上述したように、薄膜状電極18から取り出された光電変換信号を検出して画像処理する。光電変換信号のレベルは、X線透過性基板17のX線入射面に入射される光の光量強度に応じて変化する。以上の説明で本実施形態における、基本的な構成及び作用が理解されたところで、以下、本実施形態における特徴点について説明をする。図7に、本実施形態における電子源ブロックウェーハのダイシング方法についての工程断面図を示す。まず、第1の工程aでは、例えば、厚さ0.5mmのガラス基板32と厚さ0.625mmの主面が100であるシリコン基板33を陽極接合により接合する。陽極接合の条件としては、ガラス基板32とシリコン基板33を重ねて400~500°C程度に加熱して、ガラス基板32に500V程度の負の電圧を印加して行う。この際、ガラス基板32とシリコン基板33の貼付面の表面粗さRaは、0.5nm以下が望ましい。これにより、ガラス基板32とシリコン基板33を共有結合で隙間無く強固に接合することが可能となる。Raの測定は、Zygo社製NewView5032を用いて行っており、測定領域は0.14mm×0.11mmとしている。次に、第2の工程bでは、例えば、30ミクロン幅のストリート34によって区画された複数の電子源ブロック35を、ストリート34の方向がシリコン基板33の<0-11>と垂直に、または、<0-1-1>と垂直になるように形成する。このようにすることにより、後述の割断する工程において、シリコン基板33を劈開面で割断することができ、より精度良く切断することが可能となる。以下、複数の電子源ブロック35が形成された基板全体を電子源ブロックウェーハ43と呼ぶことにする。この電子源ブロックウェーハ43を上から見たところを、図8aに示す。電子源ブロック35の表面に形成されている電子放出素子は、公知のスピント型電子源であっても、表面伝導型電子放出素子であっても、カーボンナノチューブ電子放出素子であっても構わない。続いて、図7に示す、第3の工程cでは、ストリートの切断予定ライン39に沿って、ガラス基板32上面よりガラス基板32とシリコン基板33の界面からシリコン基板33側に、例えば、約300ミクロンの深さに集光点を合わせて、パルス状のレーザー36を照射して改質領域37を形成する。上から見たところを、図8bに示す。但し、改質領域37を形成した位置がわかるようにガラス基板32とシリコン基板33は透明として図示している。パルスレーザーを用いた理由としては、固体レーザーを連続発振して使用すると、レーザー媒質に熱がこもり、この熱でレーザー媒質が膨張し、レンズとしての作用を持ちレーザー光路に悪影響を与える場合がありレンズ効果と呼ばれている、これにより切断精度が悪くなるからである。用いたレーザーの仕様は、次の通りとした。<レーザー仕様>光源:半導体レーザー励起Nd:YAGレーザー波長:1064nmレーザー光スポット断面積:3.14×10-8/cm2発振形態:Qスイッチパルス繰返し周波数:100kHzパルス幅:30ns出力:20μJ/パルスレーザー光品質:TEM00偏向特性:直線変更上記のようなレーザー光照射条件により図7cに示す改質領域37を形成したが、集光点のピークパワー密度が1×108W/cm2以上の条件で多光子吸収が生じるため、改質領域37を形成するためにはこの条件を満たせば良い。ピークパワー密度は、集光点におけるレーザー光の1パルスあたりのエネルギー÷レーザー光のビームスポット断面積×パルス幅によって求められる。このため、レーザー照射条件は上記に記載の条件に限定されるものではなく、集光点のピークパワー密度が1×108W/cm2以上の条件を満たす条件で選択すれば良い。さらに続いて、第4の工程dでは、ストリートの切断予定ライン39に沿って、第3の工程において改質領域37を形成したシリコン基板33に、外的な力を加えることによって、シリコン基板33内部の改質領域37を起点としてクラック38を導入させ、そのクラック38をガラス基板32にも伸展させてガラス基板32とシリコン基板33を精度良く切断する。外的な力を加える具体的な方法としては、図9に示すように、リング状のフレーム40に張設された拡張可能なエキスパンドテープ41上に、シリコン基板33の貼付け面とは反対側の表面を貼り付ける。これにより、改質領域37を形成した電子源ブロックウェーハ43はエキスパンドテープ41により保持されることになる。そして、フレーム40に張設され且つウェーハ43を保持したエキスパンドテープ41をエキスパンド装置に搬送する。次に、図10に示すように、エキスパンド装置の円筒状の固定部材42上に、改質領域37を形成した電子源ブロックウェーハ43を保持したエキスパンドテープ41が張設されたフレーム40を固定する。固定部材42の内側には、エキスパンドテープ41を上方に押し上げて拡張させるための円柱状の押圧部材44が配置されている。続いて、図11に示すように、エキスパンド装置の押圧部材44を上昇させることによりエキスパンドテープ41を拡張させて、シリコン基板33内に形成した改質領域37を起点としてクラックを生じさせ、切断予定ライン39に沿って切断すると共に、切断されて得られた各電子源ブロック35を互いに離間させる。このとき、各電子源ブロック35の切断面同士が離間するため、切断面同士の擦れ合いによるパーティクルの発生を防止することができる。このようにして得られた電子源ブロック35は、図12の斜視図に示すように、シリコン基板33の割断面に改質領域37とガラス基板32とシリコン基板33の界面に接着工程の際に形成された相互拡散層46と、ガラス基板32の表面側に電子放出素子45が観察できる構成となる。上記の方法により、シリコン基板33内部に形成した改質領域から発生したクラックが、ガラス基板32にも真直ぐに伸展するメカニズムは、未だ十分には解明できていない部分もあるが、概ね下記のようになっている。図7cに示したように、レーザー光を、ガラス基板32上面よりガラス基板32下面に密着して接合されたシリコン基板33の内部に集光点を合わせて照射し、ガラス基板32により電子放出素子電子源への熱ダメージを抑制しながらシリコン基板33の集光点に多光子吸収を起こし、切断の起点となる改質領域を形成している。しかし、これと同時に、レーザーの入射経路において、集光点から離れるにしたがって徐々に弱まっていくが、多少の光子吸収が発生して、レーザーの入射方向に沿ってガラス内部においても構造変化結晶化などが発生して、その部分に外的応力が加わったときに優先的に割れやすくなっているのではないかと考えている。このため、図7dに示すように、シリコン基板33内部に形成した改質領域37から発生させたクラック38が、クラック38の延長線上にあるレーザーの入射経路沿って形成されたガラス基板32内の構造変化部分に真直ぐに伸展して、精度良く切断できるのである。尚、本実施の形態において、ガラス基板32の厚みを0.5mm、シリコン基板33の厚みを0.625mmとしたが、ガラス基板32の厚みがシリコン基板33の厚みより薄ければよい。こうすることにより、第4の工程においてシリコン基板33内に形成した改質領域37から発生したクラック38をガラス基板32内に伸展させていく際に、真直ぐに伸展させることができる。また、シリコン基板33として主面が100のものを使用したが、110であっても構わない。但し、この場合は、ストリートの方向が<001>と垂直に、または、<1-10>と垂直になるように形成する必要がある。また、シリコン基板33の厚みが厚くなって改質領域単層のみの形成で割断しにくくなった場合は、図13に示すように、改質領域37を複数層形成しても構わない。このようにしなければ、改質領域37から外的な力を加えてクラック38を発生させた際に、シリコン基板37内においてクラック38が切断予定ラインに沿って真直ぐに伸展しない可能性が高くなるからである。また、第3の工程終了後にエキスパンドテープを貼付けて割断しているが、第2の工程を行う前にエキスパンドテープを貼付けて、レーザー光を照射して、それをエキスパンド装置にセットして割断しても構わない。また、ストリートの幅として30ミクロンとしたが、15ミクロンまでは電子放出素子45に熱的ダメージを与えずに改質領域37を形成することができる。