"一般式G1で表される複素環化合物。式中、Aは、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、のいずれかを表し、R11~R19は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Arは、炭素数6~13のアリーレン基を表し、前記アリーレン基は置換基を有していてもよく、前記置換基は互いに結合して環を形成しても良い。一般式G2-1で表される複素環化合物。式中、Zは、酸素又は硫黄を表し、R11~R19、及びR21~R27は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Arは、炭素数6~13のアリーレン基を表し、前記アリーレン基は置換基を有していてもよく、前記置換基は互いに結合して環を形成しても良い。一般式G2-2で表される複素環化合物。式中、R11~R19、及びR31~R38は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Arは、炭素数6~13のアリーレン基を表し、前記アリーレン基は置換基を有していてもよく、前記置換基は互いに結合して環を形成しても良い。請求項2に記載のAr又は請求項3に記載のArが、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれかである複素環化合物。請求項2に記載のAr又は請求項3に記載のArが、置換又は無置換のフェニレン基である複素環化合物。請求項2に記載のAr又は請求項3に記載のArが、置換又は無置換のm-フェニレン基である複素環化合物。一般式G3-1で表される複素環化合物。式中、Zは、酸素又は硫黄を表し、R11~R19、R21~R27、及びR41~R44は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。一般式G3-2で表される複素環化合物。式中、R11~R19、R31~R38、及びR41~R44は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。ジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合した化合物を含む発光素子。発光材料と、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合した化合物と、を発光層に含む発光素子。請求項9又は請求項10において、前記正孔輸送骨格は、π過剰系ヘテロ芳香環である発光素子。請求項11において、前記π過剰系ヘテロ芳香環は、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、又はジベンゾチオフェン環である発光素子。請求項9乃至請求項12のいずれか一項において、前記アリーレン基は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニルジイル基である発光素子。請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の複素環化合物を含む発光素子。発光物質と、請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の複素環化合物と、を発光層に含む発光素子。請求項9乃至請求項15のいずれか一項に記載の発光素子を発光部に備える発光装置。請求項16に記載の発光装置を表示部に備える電子機器。請求項16に記載の発光装置を発光部に備える照明装置。しかし、上記ジベンゾ[f,h]キノキサリン環を有する化合物は、平面的な構造を有しているため、結晶化しやすい。結晶化しやすい化合物を用いた発光素子は寿命が短い。また、立体的に嵩高い構造の化合物とするために、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環に他の骨格を直接結合させると、共役系が広がり、三重項励起エネルギーの低下を引き起こす場合がある。また、低消費電力で信頼性の高い発光装置、電子機器、及び照明装置を実現するために、駆動電圧が低い発光素子、電流効率の高い発光素子、又は長寿命の発光素子が求められている。よって、本発明の一態様は、発光素子において、発光層の発光物質を分散させるホスト材料として用いることのできる新規複素環化合物を提供することを目的とする。特に、燐光性化合物を発光物質に用いる場合のホスト材料として好適に用いることのできる新規複素環化合物を提供することを目的とする。本発明の一態様は、駆動電圧が低い発光素子を提供することを目的とする。また、本発明の一態様は、電流効率が高い発光素子を提供することを目的とする。また、本発明の一態様は、長寿命な発光素子を提供することを目的とする。本発明の一態様は、この発光素子を用いることにより、消費電力の低減された発光装置、電子機器、及び照明装置を提供することを目的とする。キノキサリン骨格を有する化合物は電子輸送性が高く、発光素子に用いることで駆動電圧の低い素子を実現できる。一方で、キノキサリン骨格は平面的な構造である。平面的な構造の化合物は膜にした場合に結晶化しやすく、発光素子に用いても寿命が短いという問題がある。さらに、キノキサリン骨格は正孔受容性に乏しい。正孔を容易に受け取ることができない化合物を発光層のホスト材料に用いると、電子と正孔の再結合領域が発光層の界面に集中し、発光素子の寿命の低下を招く。これらの課題を解決するためには、正孔輸送骨格を分子内に導入する手法が考えられるが、キノキサリン骨格と正孔輸送骨格を直接結合させると、共役系が広がり、バンドギャップの低下及び三重項励起エネルギーの低下が起こる。しかし、本発明者らは、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合した化合物を発光素子に用いることで、上記課題が解決できることを見いだした。本発明の一態様は、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合した化合物を含む発光素子である。本発明の一態様に適用する化合物は、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環に加えて正孔輸送骨格を有するため、正孔を受け取ることが容易となる。したがって、該化合物を発光層のホスト材料に用いることで、電子と正孔の再結合が発光層内で行われ、発光素子の寿命の低下を抑制することができる。さらに、該化合物は、正孔輸送骨格が導入されることにより、立体的に嵩高い構造となり、膜にした場合に結晶化しにくく、発光素子に用いることで長寿命な素子を実現できる。その上、該化合物は、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合しているため、直接結合する場合に比べてバンドギャップの低下及び三重項励起エネルギーの低下を防ぐことができ、発光素子に用いることで、電流効率が高い素子を実現できる。これらのことから、上述の化合物は発光素子や有機トランジスタなどの有機デバイスの材料として好適に用いることができる。正孔輸送骨格としては、π過剰系ヘテロ芳香環が好ましい。π過剰系ヘテロ芳香環としては、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、又はジベンゾチオフェン環が好ましい。アリーレン基としては、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれかが好ましい。また、このようにして得られた本発明の一態様の発光素子は駆動電圧が低く、電流効率が高く、長寿命であるため、この発光素子を用いた発光装置画像表示デバイスは低消費電力を実現できる。したがって、本発明の一態様は、上述の発光素子を用いた発光装置である。また、その発光装置を用いた表示部に用いた電子機器及び発光部に用いた照明装置も本発明の一態様に含むものとする。なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた画像表示デバイスを含む。また、発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、TABTapeAutomatedBondingテープ、もしくはTCPTapeCarrierPackageが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は発光素子にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さらに、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。ジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合した化合物としては、下記に表される複素環化合物が挙げられる。本発明の一態様は、下記一般式G1で表される複素環化合物である。一般式G1中、Aは、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、のいずれかを表し、R11~R19は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Arは、炭素数6~13のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成しても良い。本発明の一態様は、下記一般式G2-1で表される複素環化合物である。一般式G2-1中、Zは、酸素又は硫黄を表し、R11~R19、及びR21~R27は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Arは、炭素数6~13のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成しても良い。本発明の一態様は、下記一般式G2-2で表される複素環化合物である。一般式G2-2中、R11~R19、及びR31~R38は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Arは、炭素数6~13のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成しても良い。一般式G2-1及び一般式G2-2において、Arは置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれかであることが好ましい。特にArは、置換又は無置換のフェニレン基であることが好ましい。さらにArは置換又は無置換のm-フェニレン基であることが、高い三重項励起エネルギーの準位T1準位を有する上で好ましい。本発明の一態様は、下記一般式G3-1で表される複素環化合物である。一般式G3-1中、Zは、酸素又は硫黄を表し、R11~R19、R21~R27、及びR41~R44は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。本発明の一態様は、下記一般式G3-2で表される複素環化合物である。一般式G3-2中、R11~R19、R31~R38、及びR41~R44は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。上述の複素環化合物は、先に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合した化合物に含まれるため、上述の複素環化合物を用いた発光素子も本発明の一態様に含む。また、その発光素子を用いた発光装置、電子機器及び照明装置も本発明の一態様に含む。本発明の一態様は、発光素子において、発光層の発光物質を分散させるホスト材料として用いることのできる新規複素環化合物を提供できる。本発明の一態様は、駆動電圧が低い発光素子を提供できる。また、本発明の一態様は、電流効率が高い発光素子を提供できる。また、本発明の一態様は、長寿命な発光素子を提供できる。本発明の一態様は、該発光素子を用いることにより、消費電力の低減された発光装置、電子機器、及び照明装置を提供できる。以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様の複素環化合物について説明する。本発明の一態様は、一般式G1で表される複素環化合物である。一般式G1中、Aは、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、のいずれかを表し、R11~R19は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Arは、炭素数6~13のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、置換基は互いに結合して環を形成しても良い。本発明の一態様は、下記一般式G2-1で表される複素環化合物である。一般式G2-1中、Zは、酸素又は硫黄を表し、R11~R19、及びR21~R27は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Arは、炭素数6~13のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、置換基は互いに結合して環を形成しても良い。本発明の一態様は、下記一般式G2-2で表される複素環化合物である。一般式G2-2中、R11~R19、及びR31~R38は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Arは、炭素数6~13のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、置換基は互いに結合して環を形成しても良い。一般式G2-1及び一般式G2-2において、Arは置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれかであることが好ましい。特にArは、置換又は無置換のフェニレン基であることが好ましい。さらにArは、置換又は無置換のm-フェニレン基であることが、高い三重項励起エネルギーの準位T1準位を有する上で好ましい。本発明の一態様は、下記一般式G3-1で表される複素環化合物である。一般式G3-1中、Zは、酸素又は硫黄を表し、R11~R19、R21~R27、及びR41~R44は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。本発明の一態様は、下記一般式G3-2で表される複素環化合物である。一般式G3-2中、R11~R19、R31~R38、及びR41~R44は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。一般式G1、G2-1、及びG2-2中におけるArの具体的な構造としては、例えば、構造式1-1~構造式1-15に示す置換基が挙げられる。一般式G1、G2-1、G2-2、G3-1及びG3-2中におけるR11~R19、R21~R27、R31~R38、及びR41~R44の具体的な構造としては、例えば、構造式2-1~構造式2-23に示す置換基が挙げられる。一般式G1に示される複素環化合物の具体例としては、構造式100~構造式174、構造式200~構造式274、構造式300~構造式374、構造式400~構造式487、構造式500~構造式574、及び構造式600~構造式674に示される複素環化合物を挙げることができる。但し、本発明はこれらに限定されない。本発明の一態様の複素環化合物の合成方法としては種々の反応を適用することができる。例えば、以下に示す合成反応を行うことによって、一般式G1で表される本発明の一態様の複素環化合物を合成することができる。なお、本発明の一態様である複素環化合物の合成方法は、以下の合成方法に限定されない。≪一般式G1で表される複素環化合物の合成方法1≫はじめに合成スキームA-1を以下に示す。本発明の一態様の複素環化合物G1は、合成スキームA-1のようにして合成することができる。すなわち、ジベンゾ[f,h]キノキサリン誘導体のハロゲン化物化合物1と、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、又はジベンゾチオフェン誘導体の、有機ボロン化合物又はボロン酸化合物2とを、鈴木宮浦反応によりカップリングさせることで、本実施の形態で示す複素環化合物G1を得ることができる。合成スキームA-1において、Aは置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。Arは、炭素数6~13のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、置換基は互いに結合して環を形成しても良い。R11~R19は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれかを表す。R50及びR51はそれぞれ独立に、水素、又は炭素数1~6のアルキル基のいずれかを表す。合成スキームA-1において、R50とR51は互いに結合して環を形成していても良い。また、X1はハロゲンを表す。合成スキームA-1において、用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウムII、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、ビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロライド等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒はこれらに限られるものでは無い。合成スキームA-1において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリオルト-トリルホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。用いることができるパラジウム触媒の配位子はこれらに限られるものでは無い。合成スキームA-1において、用いることができる塩基としては、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いることができる塩基はこれらに限られるものでは無い。合成スキームA-1において、用いることができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い。また、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノールと水の混合溶媒、及びエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒がより好ましい。合成スキームA-1に示すカップリング反応としては、化合物2で示される有機ホウ素化合物、又はボロン酸を用いる鈴木宮浦反応の代わりに、有機アルミニウムや、有機ジルコニウム、有機亜鉛、有機スズ化合物等を用いるクロスカップリング反応を用いてもよい。ただし、これらに限定されるものではない。また、合成スキームA-1に示す鈴木宮浦カップリング反応において、ジベンゾ[f,h]キノキサリン誘導体の有機ホウ素化合物又はボロン酸と、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、もしくはジベンゾチオフェン誘導体のハロゲン化物又はトリフラート置換体とを、鈴木宮浦反応によりカップリングしてもよい。以上によって、本実施の形態の複素環化合物を合成することができる。≪一般式G1で表される複素環化合物の合成方法2≫以下では、一般式G1で表される複素環化合物の別の合成方法について説明する。はじめに、Aのホウ素化合物を原料に用いる場合の、合成スキームB-1を以下に示す。合成スキームB-1に示すように、ジベンゾ[f,h]キノキサリン誘導体のハロゲン化物化合物3と、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、又はジベンゾチオフェン誘導体の有機ボロン化合物もしくはボロン酸化合物4とを、鈴木宮浦反応によりカップリングさせることで、本実施の形態で示す複素環化合物G1を得ることができる。合成スキームB-1において、Aは置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。Arは、炭素数6~13のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、置換基は互いに結合して環を形成しても良い。R11~R19は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、置換または無置換の炭素数6~13のアリール基を表す。R52およびR53は水素、炭素数1~6のアルキル基のいずれかを表す。合成スキームB-1においてR52とR53は互いに結合して環を形成していても良い。また、X2はハロゲン、又はトリフラート基を表し、ハロゲンとしては、ヨウ素及び臭素がより好ましい。合成スキームB-1において、用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウムII、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、ビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロライド等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒はこれらに限られるものでは無い。合成スキームB-1において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリオルト-トリルホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。用いることができるパラジウム触媒の配位子はこれらに限られるものでは無い。合成スキームB-1において、用いることができる塩基としては、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いることができる塩基はこれらに限られるものでは無い。合成スキームB-1において、用いることができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い。また、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒がより好ましい。合成スキームB-1に示すカップリング反応としては、化合物4で示される有機ホウ素化合物、又はボロン酸を用いる鈴木宮浦反応の代わりに、有機アルミニウムや、有機ジルコニウム、有機亜鉛、有機スズ化合物等を用いるクロスカップリング反応を用いてもよい。ただし、これらに限定されるものではない。また、このカップリングにおいて、ハロゲン以外にもトリフラート基等を用いても良いが、これらに限定されるものではない。また、合成スキームB-1に示す鈴木宮浦カップリング反応において、ジベンゾ[f,h]キノキサリン誘導体の有機ホウ素化合物、又はボロン酸と、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、もしくはジベンゾチオフェン誘導体のハロゲン化物、又はトリフラート置換体とを、鈴木宮浦反応によりカップリングしてもよい。一般式G1において、Aが置換もしくは無置換のN-カルバゾリル基である複素環化合物を合成する場合は、下記合成スキームB-2に従って合成することで一般式G2-2に示す複素環化合物を得ることができる。合成スキームB-2に示すように、ジベンゾ[f,h]キノキサリン誘導体のハロゲン化物化合物3と、9H-カルバゾール誘導体化合物5とを、塩基存在下で金属触媒、金属、または金属化合物によりカップリングさせることにより、本実施の形態で示す複素環化合物G2-2を得ることができる。合成スキームB-2において、R11~R19は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリール基を表す。Arは、炭素数6~13のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、置換基は互いに結合して環を形成しても良い。R31~R38は、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリール基を表す。また、X3はハロゲン、又はトリフラート基を表し、ハロゲンとしては、ヨウ素及び臭素がより好ましい。合成スキームB-2において、ハートウィックブッフバルト反応を行う場合、用いることができるパラジウム触媒としては、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0、酢酸パラジウムII等が挙げられる。合成スキームB-2において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリtert-ブチルホスフィンや、トリn-ヘキシルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。合成スキームB-2において、用いることができる塩基としては、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられる。また、合成スキームB-2において、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。また、ハートウィックブッフバルト反応以外にも、ウルマン反応などを用いても良く、これらに限定されるものではない。以上によって、本実施の形態の複素環化合物を合成することができる。本実施の形態の複素環化合物は、広いバンドギャップを有するため、発光素子において、発光層の発光物質を分散させるホスト材料に用いることで、高い電流効率を得ることができる。特に、燐光性化合物を分散させるホスト材料として好適である。また、本実施の形態の複素環化合物は、電子輸送性の高い物質であるため、発光素子における電子輸送層の材料として好適に用いることができる。本実施の形態の複素環化合物を用いることにより、駆動電圧の低い発光素子を実現することができる。また、電流効率の高い発光素子を実現することができる。また、長寿命の発光素子を実現することができる。さらに、この発光素子を用いることで、消費電力の低減された発光装置、電子機器及び照明装置を得ることができる。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について図1を用いて説明する。本発明の一態様は、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合した化合物を含む発光素子である。キノキサリン骨格を有する化合物は電子輸送性が高く、発光素子に用いることで駆動電圧の低い素子を実現できる。一方で、キノキサリン骨格は平面的な構造である。平面的な構造の化合物は膜にした場合に結晶化しやすく、発光素子に用いても寿命が短いという問題がある。さらに、キノキサリン骨格は正孔受容性に乏しい。正孔を容易に受け取ることができない化合物を発光層のホスト材料に用いると、電子と正孔の再結合領域が発光層の界面に集中し、発光素子の寿命の低下を招く。これらの課題を解決するためには、正孔輸送骨格を分子内に導入する手法が考えられるが、キノキサリン骨格と正孔輸送骨格を直接結合させると、共役系が広がり、バンドギャップの低下及び三重項励起エネルギーの低下が起こる。しかし、本発明者らは、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合した化合物を発光素子に用いることで、上記問題が解決できることを見いだした。上記の化合物は、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環に加えて正孔輸送骨格を有するため、正孔を受け取ることが容易となる。したがって、上記の化合物を発光層のホスト材料に用いることで、電子と正孔の再結合が発光層内で行われ、発光素子の寿命の低下を抑制することができる。さらに、上記の化合物は、正孔輸送骨格が導入されることにより、立体的に嵩高い構造となり、膜にした場合に結晶化しにくく、発光素子に用いることで長寿命な素子を実現できる。その上、上記の化合物は、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合しているため、直接結合する場合に比べてバンドギャップの低下及び三重項励起エネルギーの低下を防ぐことができ、発光素子に用いることで、電流効率が高い素子を実現できる。これらのことから、上述の化合物は発光素子や有機トランジスタなどの有機デバイスの材料として好適に用いることができる。正孔輸送骨格としては、π過剰系ヘテロ芳香環が好ましい。π過剰系ヘテロ芳香環としては、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、又はジベンゾチオフェン環が好ましい。アリーレン基としては、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれかが好ましい。本発明の一態様は、下記一般式G0で表される複素環化合物を含む発光素子である。一般式G0中、Aは、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、のいずれかを表し、Eは、置換又は無置換のジベンゾ[f,h]キノキサリンを表し、Arは、炭素数6~13のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成しても良い。本実施の形態では、上述の化合物の一例である、実施の形態1で構造式101に示した2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-IIを含む発光素子について図1を用いて説明する。本実施の形態の発光素子は、一対の電極間に少なくとも発光層を有するEL層を挟持して形成される。EL層は発光層の他に複数の層を有してもよい。当該複数の層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を組み合わせて積層されたものである。本明細書では、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層をキャリアの注入、輸送などの機能を有する、機能層ともよぶ。機能層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などを用いることができる。図1Aに示す本実施の形態の発光素子において、第1の電極101及び第2の電極103の一対の電極間に発光層113を有するEL層102が設けられている。EL層102は、正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115を有している。図1Aにおける発光素子は、基板100上に、第1の電極101と、第1の電極101の上に順に積層した正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115と、さらにその上に設けられた第2の電極103から構成されている。なお、本実施の形態に示す発光素子において、第1の電極101は陽極として機能し、第2の電極103は陰極として機能する。基板100は発光素子の支持体として用いられる。基板100としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができるフレキシブル基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルムポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニル等からなる、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子の支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。第1の電極101としては、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IZO:IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛IZOの膜は、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZOの膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又は金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。但し、EL層102のうち、第1の電極101に接して形成される層が、後述する有機化合物と電子受容体アクセプターとを混合してなる複合材料を用いて形成される場合には、第1の電極101に用いる物質は、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。例えば、アルミニウム、銀、アルミニウムを含む合金例えば、Al-Si等も用いることもできる。第1の電極101上に形成されるEL層102は、少なくとも発光層113を有しており、またEL層102の一部には、本発明の一態様である複素環化合物を含んで形成される。EL層102の一部には公知の物質を用いることもでき、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもできる。なお、EL層102を形成する物質には、有機化合物のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。また、EL層102は、発光層113の他、図1に示すように正孔注入層111、正孔輸送層112、電子輸送層114、電子注入層115などを適宜組み合わせて積層することにより形成される。正孔注入層111は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン略称:H2Pc、銅IIフタロシアニン略称:CuPc等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。また、低分子の有機化合物である4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、4,4’-ビスN-{4-[N’-3-メチルフェニル-N’-フェニルアミノ]フェニル}-N-フェニルアミノビフェニル略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。さらに、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等を用いることもできる。例えば、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVK、ポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPDなどの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS、ポリアニリン/ポリスチレンスルホン酸PAni/PSS等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。また、正孔注入層111として、有機化合物と電子受容体アクセプターとを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子受容体によって有機化合物に正孔が発生するため、正孔注入性及び正孔輸送性に優れている。この場合、有機化合物は、発生した正孔の輸送に優れた材料正孔輸送性の高い物質であることが好ましい。複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、TDATA、MTDATA、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPB又はα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLP等の芳香族アミン化合物や、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、9-フェニル-3-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:PCzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。また、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]-2-tert-ブチルアントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。さらに、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン、ペンタセン、コロネン、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。また、電子受容体としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。なお、上述したPVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等の高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層111に用いてもよい。正孔輸送層112は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、NPB、TPD、BPAFLP、4,4’-ビス[N-9,9-ジメチルフルオレン-2-イル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DFLDPBi、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPB等の芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、正孔輸送層112には、CBP、CzPA、PCzPAのようなカルバゾール誘導体や、t-BuDNA、DNA、DPAnthのようなアントラセン誘導体を用いても良い。なお、正孔輸送層112には、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPDなどの高分子化合物を用いることもできる。発光層113は、発光物質を含む層である。なお、本実施の形態では、実施の形態1に示した2mDBTPDBq-IIを発光層に用いる場合について説明する。2mDBTPDBq-IIは、発光物質ゲスト材料を他の物質ホスト材料に分散させた構成の発光層において、ホスト材料として用いることができる。2mDBTPDBq-IIに発光物質であるゲスト材料を分散させた構成とすることで、ゲスト材料からの発光を得ることができる。このように、本発明の一態様であるジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とがアリーレン基を介して結合した化合物は、発光層におけるホスト材料として用いることが有用である。また、発光物質ゲスト材料を分散させるための物質ホスト材料は複数種用いることができる。よって、発光層は、ホスト材料として、2mDBTPDBq-IIだけでなく、その他の材料を含んでいても良い。発光物質としては、例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。発光層113に用いることができる蛍光性物質としては、例えば、青色系の発光材料として、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPAなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル]-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhAなどが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPTなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFDなどが挙げられる。また、発光層113に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、緑色系の発光材料として、トリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:[Irppy3]、ビス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:[Irppy2acac]、ビス1,2-ジフェニル-1H-ベンゾイミダゾラトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:[Irpbi2acac]、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:[Irbzq2acac]、トリスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIII略称:[Irbzq3]などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:[Irdpo2acac]、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:[Irp-PF-ph2acac]、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:[Irbt2acac]、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニル-5-メチルピラジナト]イリジウムIII略称:[IrFdppr-Me2acac]、アセチルアセトナトビス[2-4-メトキシフェニル-3,5-ジメチルピラジナト]イリジウムIII略称:[Irdmmoppr2acac]などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIII略称:[Irpq3]、ビス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:[Irpq2acac]、アセチルアセトナトビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:[Irmppr-Me2acac]、アセチルアセトナトビス5-イソプロピル-3-メチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:[Irmppr-iPr2acac]などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:[Irbtp2acac]、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:[Irpiq2acac]、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:[IrFdpq2acac]、アセチルアセトナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:[Irtppr2acac]、ジピバロイルメタナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:[Irtppr2dpm]、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:[Tbacac3Phen]、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:[EuDBM3Phen]、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:[EuTTA3Phen]等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光異なる多重度間の電子遷移であるため、燐光性化合物として用いることができる。なお、本発明の一態様であるジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とがアリーレン基を介して結合した化合物は、ジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格がLUMO準位に対して支配的な骨格であると考えられる。また、該化合物は、サイクリックボルタンメトリCV測定によれば、少なくとも-2.8eV以下、具体的には-2.9eV以下の深いLUMO準位を有する。例えば、CV測定から求めた2mDBTPDBq-IIのLUMO準位は、-2.96eVである。一方、上述した[Irmppr-Me2acac]、[Irmppr-iPr2acac]、[Irtppr2acac]、[Irtppr2dpm]のようなピラジン骨格を有する燐光性化合物も、ほぼ同等の深いLUMO準位を有している。したがって、本発明の一態様であるジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とがアリーレン基を介して結合した化合物をホスト材料とし、ピラジン骨格を有する燐光性化合物をゲスト材料とする発光層の構成は、発光層内での電子のトラップを極力抑制することができ、極めて低い駆動電圧が実現できる。また、発光物質として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発光材料として、ポリ9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル略称:PFO、ポリ[9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル-co-2,5-ジメトキシベンゼン-1,4-ジイル]略称:PF-DMOP、ポリ{9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル-co-[N,N’-ジ-p-ブチルフェニル-1,4-ジアミノベンゼン]}略称:TAB-PFHなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリp-フェニレンビニレン略称:PPV、ポリ[9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジイル-alt-co-ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール-4,7-ジイル]略称:PFBT、ポリ[9,9-ジオクチル-2,7-ジビニレンフルオレニレン-alt-co-2-メトキシ-5-2-エチルヘキシロキシ-1,4-フェニレン]などが挙げられる。また、橙色~赤色系の発光材料として、ポリ[2-メトキシ-5-2’-エチルヘキソキシ-1,4-フェニレンビニレン]略称:MEH-PPV、ポリ3-ブチルチオフェン-2,5-ジイル略称:R4-PAT、ポリ{[9,9-ジヘキシル-2,7-ビス1-シアノビニレンフルオレニレン]-alt-co-[2,5-ビスN,N’-ジフェニルアミノ-1,4-フェニレン]}、ポリ{[2-メトキシ-5-2-エチルヘキシロキシ-1,4-ビス1-シアノビニレンフェニレン]-alt-co-[2,5-ビスN,N’-ジフェニルアミノ-1,4-フェニレン]}略称:CN-PPV-DPDなどが挙げられる。電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。電子注入層115は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層115には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層114を構成する物質を用いることもできる。あるいは、電子注入層115に、有機化合物と電子供与体ドナーとを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性及び電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層114を構成する物質金属錯体や複素芳香族化合物等を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン略称:TTF等の有機化合物を用いることもできる。なお、上述した正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115は、それぞれ、蒸着法真空蒸着法を含む、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。第2の電極103は、第2の電極103が陰極として機能する際は仕事関数の小さい好ましくは3.8eV以下金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、元素周期表の第1族又は第2族に属する元素、すなわちリチウムやセシウム等のアルカリ金属、及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金例えば、Mg-Ag、Al-Li、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類金属及びこれらを含む合金の他、アルミニウムや銀などを用いることができる。但し、EL層102のうち、第2の電極103に接して形成される層が、上述した有機化合物と電子供与体ドナーとを混合してなる複合材料を用いる場合には、仕事関数の大小に関わらず、アルミニウム、銀、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を用いることができる。なお、第2の電極103を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。上述した発光素子は、第1の電極101と第2の電極103との間に生じた電位差により電流が流れ、EL層102において正孔と電子とが再結合することにより発光する。そして、この発光は、第1の電極101又は第2の電極103のいずれか一方又は両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極101又は第2の電極103のいずれか一方、又は両方が可視光に対する透光性を有する電極となる。なお、第1の電極101と第2の電極103との間に設けられる層の構成は、上記のものに限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光を防ぐように、第1の電極101及び第2の電極103から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成であれば上記以外のものでもよい。つまり、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質、又は正孔ブロック材料等から成る層を、2mDBTPDBq-IIをホスト材料として含む発光層と自由に組み合わせて構成すればよい。なお、2mDBTPDBq-IIは、電子輸送性の高い物質であるため、電子輸送層に2mDBTPDBq-IIを用いることもできる。すなわち、本発明の一態様であるジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とがアリーレン基を介して結合した化合物は、電子輸送層に用いることができる。また、発光層特に発光層のホスト材料および電子輸送層の双方に、本発明の一態様であるジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とがアリーレン基を介して結合した化合物を適用することで、極めて低い駆動電圧が実現できる。図1Bに示す発光素子は、基板100上において、第1の電極101及び第2の電極103の一対の電極間に、EL層102が設けられている。EL層102は、正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115を有している。図1Bにおける発光素子は、基板100上に、陰極として機能する第2の電極103と、第2の電極103上に順に積層した電子注入層115、電子輸送層114、発光層113、正孔輸送層112、正孔注入層111と、さらにその上に設けられた陽極として機能する第1の電極101から構成されている。以下、具体的な発光素子の形成方法を示す。本実施の形態の発光素子は一対の電極間にEL層が挟持される構造となっている。EL層は少なくとも発光層を有し、発光層は、2mDBTPDBq-IIをホスト材料として用いて形成される。また、EL層には、発光層の他に機能層正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを含んでもよい。電極第1の電極及び第2の電極、発光層、及び機能層は液滴吐出法インクジェット法、スピンコート法、印刷法などの湿式法を用いて形成してもよく、真空蒸着法、CVD法、スパッタリング法などの乾式法を用いて形成してもよい。湿式法を用いれば、大気圧下で形成することができるため、簡易な装置及び工程で形成することができ、工程が簡略化し、生産性が向上するという効果がある。一方乾式法は、材料を溶解させる必要がないために溶液に難溶の材料も用いることができ、材料の選択の幅が広い。発光素子を構成する薄膜のすべての形成を湿式法で行ってもよい。この場合、湿式法で必要な設備のみで発光素子を作製することができる。また、発光層を形成するまでの積層を湿式法で行い、発光層上に積層する機能層や第1の電極などを乾式法により形成してもよい。さらに、発光層を形成する前の第2の電極や機能層を乾式法により形成し、発光層、及び発光層上に積層する機能層や第1の電極を湿式法によって形成してもよい。もちろん、本実施の形態はこれに限定されず、用いる材料や必要とされる膜厚、界面状態によって適宜湿式法と乾式法を選択し、組み合わせて発光素子を作製することができる。本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば薄膜トランジスタTFTを形成し、TFTと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、TFTの構造は、特に限定されない。スタガ型のTFTでもよいし逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFTに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、TFT基板に形成される駆動用回路についても、N型及びP型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型又はP型のいずれか一方からのみなるものであってもよい。以上のように、実施の形態1に記載の2mDBTPDBq-IIを用いて発光素子を作製することができる。本発明の一態様の、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合した化合物を発光素子に用いることで、駆動電圧が低く、電流効率が高く、長寿命な発光素子を得ることができる。また、このようにして得られた本発明の一態様の発光素子を用いた発光装置画像表示デバイスは低消費電力を実現できる。なお、本実施の形態で示した発光素子を用いて、パッシブマトリクス型の発光装置や、薄膜トランジスタTFTによって発光素子の駆動が制御されたアクティブマトリクス型の発光装置を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態3本実施の形態は複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子以下、積層型素子というの態様について、図2を参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に複数の発光ユニットを有する発光素子である。図2Aにおいて、第1の電極301と第2の電極303との間には、第1の発光ユニット311と第2の発光ユニット312が積層されている。本実施の形態において、第1の電極301は陽極として機能する電極であり、第2の電極303は陰極として機能する電極である。第1の電極301と第2の電極303は実施の形態2と同様なものを適用することができる。また、第1の発光ユニット311と第2の発光ユニット312は同じ構成であっても異なる構成であっても良い。また、第1の発光ユニット311と、第2の発光ユニット312は、その構成として、実施の形態2と同様なものを適用しても良いし、いずれかが異なる構成であっても良い。また、第1の発光ユニット311と第2の発光ユニット312の間には、電荷発生層313が設けられている。電荷発生層313は、第1の電極301と第2の電極303に電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する。本実施の形態の場合には、第1の電極301に第2の電極303よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層313から第1の発光ユニット311に電子が注入され、第2の発光ユニット312に正孔が注入される。なお、電荷発生層313は、光の取り出し効率の点から、可視光に対する透光性を有することが好ましい。また、電荷発生層313は、第1の電極301や第2の電極303よりも低い導電率であっても機能する。電荷発生層313は、正孔輸送性の高い有機化合物と電子受容体アクセプターとを含む構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物と電子供与体ドナーとを含む構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸送性の高い有機化合物としては、本発明の一態様の複素環化合物の他、例えば、NPBやTPD、TDATA、MTDATA、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。また、電子受容体としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、Alq、Almq3、BeBq2、BAlqなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、ZnBOX2、ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、PBDやOXD-7、TAZ、BPhen、BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。また、電子供与体としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、又は元素周期表における第13族に属する金属及びその酸化物、炭酸塩などを用いることができる。具体的には、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、イッテルビウム、インジウム、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。なお、上述した材料を用いて電荷発生層313を形成することにより、EL層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、図2Bに示すように、3つ以上の発光ユニットを積層した発光素子も適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度で発光する長寿命素子を実現できる。また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態4本実施の形態では、本発明の一態様の、発光素子を有する発光装置について図3を用いて説明する。なお、図3Aは、発光装置を示す上面図、図3Bは図3AをA-B及びC-Dで切断した断面図である。図3Aにおいて、点線で示された401は駆動回路部ソース側駆動回路、402は画素部、403は駆動回路部ゲート側駆動回路である。また、404は封止基板、405はシール材であり、シール材405で囲まれた内側は、空間になっている。なお、引き回し配線408はソース側駆動回路401及びゲート側駆動回路403に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット409からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板PWBが取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPC又はPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図3Bを用いて説明する。素子基板410上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路401と、画素部402中の一つの画素が示されている。なお、ソース側駆動回路401はnチャネル型TFT423とpチャネル型TFT424とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、TFTで形成される種々のCMOS回路、PMOS回路又はNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。また、画素部402はスイッチング用TFT411と、電流制御用TFT412とそのドレインに電気的に接続された第1の電極413とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極413の端部を覆って絶縁物414が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物414の上端部又は下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物414の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物414の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物414として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。第1の電極413上には、発光層416、及び第2の電極417がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第1の電極413に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、又は珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれる。また、発光層416は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法などの液滴吐出法、印刷法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。発光層416は、実施の形態1で示した複素環化合物を含んでいる。また、発光層416を構成する他の材料としては、低分子材料、オリゴマー、デンドリマー、又は高分子材料であっても良い。さらに、発光層416上に形成され、陰極として機能する第2の電極417に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料Al、Mg、Li、Ca、又はこれらの合金や化合物、Mg-Ag、Mg-In、Al-Li、LiF、CaF2等を用いることが好ましい。なお、発光層416で生じた光が第2の電極417を透過させる場合には、第2の電極417として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜ITO、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化亜鉛等との積層を用いるのが良い。さらにシール材405で封止基板404を素子基板410と貼り合わせることにより、素子基板410、封止基板404、及びシール材405で囲まれた空間407に発光素子418が備えられた構造になっている。なお、空間407には、充填材が充填されており、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材405で充填される場合もある。なお、シール材405にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板404に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステル又はアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のようにして、本発明の一態様の発光素子を有するアクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。また、本発明の発光素子は、上述したアクティブマトリクス型の発光装置のみならずパッシブマトリクス型の発光装置に用いることもできる。図4に本発明の発光素子を用いたパッシブマトリクス型の発光装置の斜視図及び断面図を示す。なお、図4Aは、発光装置を示す斜視図、図4Bは図4AをX-Yで切断した断面図である。図4において、基板501上の第1の電極502と第2の電極503との間にはEL層504が設けられている。第1の電極502の端部は絶縁層505で覆われている。そして、絶縁層505上には隔壁層506が設けられている。隔壁層506の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなるような傾斜を有する。つまり、隔壁層506の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺絶縁層505の面方向と同様の方向を向き、絶縁層505と接する辺の方が上辺絶縁層505の面方向と同様の方向を向き、絶縁層505と接しない辺よりも短い。このように、隔壁層506を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことができる。以上により、本発明の一態様の発光素子を有するパッシブマトリクス型の発光装置を得ることができる。なお、本実施の形態で示した発光装置アクティブマトリクス型、パッシブマトリクス型は、いずれも本発明の一態様の発光素子を用いて形成されることから、消費電力の低い発光装置を得ることができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態5本実施の形態では、実施の形態4に示す本発明の一態様の発光装置をその一部に含む電子機器について説明する。電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的には、DigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図5に示す。図5Aは本発明の一態様に係るテレビ装置であり、筐体611、支持台612、表示部613、スピーカー部614、ビデオ入力端子615等を含む。このテレビ装置において、表示部613には、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られ、長寿命であるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性が高く、消費電力の低減されたテレビ装置を得ることができる。図5Bは本発明の一態様に係るコンピュータであり、本体621、筐体622、表示部623、キーボード624、外部接続ポート625、ポインティングデバイス626等を含む。このコンピュータにおいて、表示部623には、本発明の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られ、長寿命であるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性が高く、消費電力の低減されたコンピュータを得ることができる。図5Cは本発明の一態様に係る携帯電話であり、本体631、筐体632、表示部633、音声入力部634、音声出力部635、操作キー636、外部接続ポート637、アンテナ638等を含む。この携帯電話において、表示部633には、本発明の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られ、長寿命であるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性が高く、消費電力の低減された携帯電話を得ることができる。図5Dは本発明の一態様に係るカメラであり、本体641、表示部642、筐体643、外部接続ポート644、リモコン受信部645、受像部646、バッテリー647、音声入力部648、操作キー649、接眼部650等を含む。このカメラにおいて、表示部642には、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られ、長寿命であるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性が高く、消費電力の低減されたカメラを得ることができる。以上の様に、本発明の一態様の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明の一態様の発光装置を用いることにより、信頼性が高く、消費電力の低減された電子機器を得ることができる。また、本発明の一態様の発光装置は、照明装置として用いることもできる。図6は、本発明の一態様の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図6に示した液晶表示装置は、筐体701、液晶層702、バックライト703、筐体704を有し、液晶層702は、ドライバIC705と接続されている。また、バックライト703は、本発明の一態様の発光装置が用いられおり、端子706により、電流が供給されている。このように本発明の一態様の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、低消費電力のバックライトが得られる。また、本発明の一態様の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化も可能である。従って、低消費電力であり、大面積化された液晶表示装置を得ることができる。図7は、本発明の一態様の発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図7に示す電気スタンドは、筐体801と、光源802を有し、光源802として、本発明の一態様の発光装置が用いられている。低駆動電圧で、高い電流効率が得られ、長寿命であるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性が高く、低消費電力の電気スタンドを得ることが可能となる。図8は、本発明の一態様の発光装置を、室内の照明装置901として用いた例である。本発明の一態様の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られ、長寿命であるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性が高く、低消費電力の照明装置を得ることが可能となる。このように、本発明の一態様の発光装置を、室内の照明装置901として用いた部屋に、図5Aで説明したような、本発明の一態様のテレビ装置902を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。<合成例1>本実施例では、下記構造式101に示される2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-IIの合成方法について説明する。≪2mDBTPDBq-IIの合成≫2mDBTPDBq-IIの合成スキームをC-1に示す。2L三口フラスコに2-クロロジベンゾ[f,h]キノキサリン5.3g20mmol、3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニルボロン酸6.1g20mmol、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0460mg0.4mmol、トルエン300mL、エタノール20mL、2Mの炭酸カリウム水溶液20mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物を窒素気流下、100°Cで7.5時間攪拌した。室温まで冷ました後、得られた混合物を濾過して白色の濾物を得た。得られた濾物を水、エタノールの順で洗浄した後、乾燥させた。得られた固体を約600mLの熱トルエンに溶かし、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引濾過し、無色透明の濾液を得た。得られた濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。クロマトグラフィーは、熱トルエンを展開溶媒に用いて行った。ここで得られた固体にアセトンとエタノールを加えて超音波を照射した後、生じた懸濁物を濾取して乾燥させたところ、目的物の白色粉末を収量7.85g、収率80で得た。上記目的物は、熱トルエンには比較的可溶であったが、冷めると析出しやすい材料であった。また、アセトン、エタノールなど他の有機溶剤には難溶であった。そのため、この溶解性の差を利用して、上記の様に、簡便な方法で収率よく合成することができた。具体的には、反応終了後、室温に戻して析出させた固体を濾取することで、大部分の不純物を簡便に除くことができた。また、熱トルエンを展開溶媒とした、カラムクロマトグラフィーにより、析出しやすい目的物も簡便に精製することができた。得られた白色粉末4.0gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力5.0Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、白色粉末を300°Cで加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を3.5g、収率88で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-IIであることを確認した。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.45-7.52m,2H,7.59-7.65m,2H,7.71-7.91m,7H,8.20-8.25m,2H,8.41d,J=7.8Hz,1H,8.65d,J=7.5Hz,2H,8.77-8.78m,1H,9.23dd,J=7.2Hz,1.5Hz,1H,9.42dd,J=7.8Hz,1.5Hz,1H,9.48s,1H。また、1HNMRチャートを図9に示す。なお、図9Bは、図9Aにおける7.0ppm~10.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。また、2mDBTPDBq-IIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図10Aに、発光スペクトルを図10Bにそれぞれ示す。また、2mDBTPDBq-IIの薄膜の吸収スペクトルを図11Aに、発光スペクトルを図11Bにそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図10及び図11において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では375nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、386及び405nm励起波長363nmであった。また、薄膜の場合では250、312、369、及び385nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは426nm励起波長385nmであった。<合成例2>本実施例では、下記構造式338に示される2-[4-3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2CzPDBq-IIIの合成方法について説明する。≪2CzPDBq-IIIの合成≫2CzPDBq-IIIの合成スキームをC-2に示す。50mL三口フラスコに2-クロロジベンゾ[f,h]キノキサリン0.6g2.3mmol、4-3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イルフェニルボロン酸1.1g2.5mmol、トルエン10mL、エタノール2mL、2Mの炭酸カリウム水溶液3mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム089mg75μmolを加えた。この混合物を窒素気流下、80°Cで5時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物に水を加え、クロロホルムで水層から有機物を抽出した。得られた抽出溶液と有機層とを合わせ、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解し、該トルエン溶液をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジ-ル和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、及びアルミナを通して吸引濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。この固体にメタノールを加えて、該メタノール懸濁液に超音波を照射した後、吸引濾過し、得られた固体を熱トルエンで洗浄した。得られた固体をトルエンにより再結晶化したところ、目的物の黄色粉末を収量1.0g、収率65で得た。得られた黄色粉末0.97gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力2.4Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、黄色粉末を350°Cで加熱して行った。昇華精製後、目的物の黄色粉末を収量0.92g、収率95で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[4-3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2CzPDBq-IIIであることを確認した。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.35t,J=7.2Hz,2H,7.49t,J=7.2Hz,4H,7.63d,J=8.1Hz,2H,7.73-7.90m,12H,8.42d,J=1.5Hz,2H,8.62-8.69m,4H,9.25-9.28m,1H,9.45-9.48m,1H,9.50s,1H。また、1HNMRチャートを図12に示す。なお、図12Bは、図12Aにおける7.0ppm~10.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。また、2CzPDBq-IIIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図13Aに、発光スペクトルを図13Bにそれぞれ示す。また、2CzPDBq-IIIの薄膜の吸収スペクトルを図14Aに、発光スペクトルを図14Bにそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関しては、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図13及び図14において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では385nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、436nm励起波長385nmであった。また、薄膜の場合では267、307、及び399nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは469nm励起波長396nmであった。本実施例では、本発明の一態様の発光素子について図18を用いて説明する。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。以下に、本実施例の発光素子1、発光素子2、比較発光素子3、及び比較発光素子4の作製方法を示す。発光素子1まず、ガラス基板1100上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSOをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。ここで、第1の電極1101は、発光素子の陽極として機能する電極である。次に、基板1100上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板1100を30分程度放冷した。次に、第1の電極1101が形成された面が下方となるように、第1の電極1101が形成された基板1100を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極1101上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPと酸化モリブデンVIを共蒸着することで、正孔注入層1111を形成した。その膜厚は、40nmとし、BPAFLPと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=BPAFLP:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、正孔注入層1111上に、BPAFLPを20nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。さらに、実施例2にて合成した2-[4-3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2CzPDBq-III、4-フェニル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBA1BP、及びアセチルアセトナトビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:[Irmppr-Me2acac]を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1113を形成した。ここで、2CzPDBq-III、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]の重量比は、1:0.15:0.06=2CzPDBq-III:PCBA1BP:[Irmppr-Me2acac]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。さらに、発光層1113上に2CzPDBq-IIIを膜厚10nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。その後、第1の電子輸送層1114a上にバソフェナントロリン略称:BPhenを膜厚20nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。さらに、第2の電子輸送層1114b上に、フッ化リチウムLiFを1nmの膜厚で蒸着し、電子注入層1115を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極1103として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子1を作製した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。発光素子2発光素子2の発光層1113は、実施例1で合成した2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-II、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]を共蒸着することで形成した。ここで、2mDBTPDBq-II、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]の重量比は、1:0.25:0.06=2mDBTPDBq-II:PCBA1BP:[Irmppr-Me2acac]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。発光素子2の第1の電子輸送層1114aは、2mDBTPDBq-IIを膜厚10nmとなるように成膜することで形成した。発光層1113及び第1の電子輸送層1114a以外は発光素子1と同様に作製した。比較発光素子3比較発光素子3の発光層1113は、2-[4-3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-3-フェニルキノキサリン略称:Cz1PQ-III、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]を共蒸着することで形成した。ここで、Cz1PQ-III、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]の重量比は、1:0.3:0.06=Cz1PQ-III:PCBA1BP:[Irmppr-Me2acac]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。比較発光素子3の第1の電子輸送層1114aは、Cz1PQ-IIIを膜厚10nmとなるように成膜することで形成した。発光層1113及び第1の電子輸送層1114a以外は発光素子1と同様に作製した。比較発光素子4比較発光素子4の発光層1113は、4-[3-トリフェニレン-2-イルフェニル]ジベンゾチオフェン略称:mDBTPTp-II、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]を共蒸着することで形成した。ここで、mDBTPTp-II、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]の重量比は、1:0.15:0.06=mDBTPTp-II:PCBA1BP:[Irmppr-Me2acac]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。比較発光素子4の第1の電子輸送層1114aは、mDBTPTp-IIを膜厚10nmとなるように成膜することで形成した。発光層1113及び第1の電子輸送層1114a以外は発光素子1と同様に作製した。以上により得られた発光素子1、発光素子2、比較発光素子3、及び比較発光素子4の素子構造を表1に示す。発光素子1、発光素子2、比較発光素子3、及び比較発光素子4を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子1、発光素子2、比較発光素子3、及び比較発光素子4の電圧-輝度特性を図15に示す。図15において、横軸は電圧Vを、縦軸は輝度cd/m2を表す。また、輝度-電流効率特性を図16に示す。図16において、横軸は輝度cd/m2、縦軸は電流効率cd/Aを表している。また、各発光素子における輝度1000cd/m2付近のときの電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、電流効率cd/A、外部量子効率を表2に示す。表2に示す通り、850cd/m2の輝度の時の発光素子1のCIE色度座標はx,y=0.54,0.46であった。860cd/m2の輝度の時の発光素子2のCIE色度座標はx,y=0.54,0.46であった。1200cd/m2の輝度の時の比較発光素子3のCIE色度座標はx,y=0.53,0.46であった。970cd/m2の輝度の時の比較発光素子4のCIE色度座標はx,y=0.55,0.45であった。これらの発光素子は全て、[Irmppr-Me2acac]に由来する発光が得られたことがわかった。図15から、発光素子1及び発光素子2は、駆動電圧が低く、電流効率が高いことがわかる。発光素子2と比較発光素子4における、発光層のホスト材料に用いた化合物の構造の違いは、発光素子2はジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格を有するが、比較発光素子4はトリフェニレン骨格を有する点である。ジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格を有するか、トリフェニレン骨格を有するか、によって、発光素子2と比較発光素子4の電圧-輝度特性、輝度-電流効率特性に差が生じた。従って、本発明の一態様の複素環化合物のように、ジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格を有する化合物は、良好な電圧-輝度特性、及び輝度-電流効率特性の実現に効果があることが確認された。次に、発光素子1、発光素子2、比較発光素子3、及び比較発光素子4の信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図17に示す。図17において、縦軸は初期輝度を100とした時の規格化輝度を示し、横軸は素子の駆動時間hを示す。信頼性試験は、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件で本実施例の発光素子を駆動した。図17から、発光素子1の230時間後の輝度は初期輝度の82を保ち、発光素子2の230時間後の輝度は初期輝度の89を保っていた。比較発光素子3の210時間後の輝度は初期輝度の62まで低下し、比較発光素子4の210時間後の輝度は初期輝度の69まで低下した。この信頼性試験の結果から、発光素子1及び発光素子2は、長寿命であることが明らかとなった。なお、この結果から、最も長寿命であった発光素子2の輝度半減寿命は、初期輝度5000cd/m2で6000時間程度と見積もられる。これは、実用的な初期輝度1000cd/m2に換算すれば、150000時間に相当するため、極めて長寿命であると言える。発光素子1はジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格を有し、比較発光素子3はキノキサリン骨格を有する。ジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格を有することで、発光素子1及び比較発光素子3の信頼性試験の結果に差が生じた。従って、本発明の一態様の複素環化合物のように、ジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格を有すると、さらに信頼性の高い発光素子の実現に効果があることが明らかとなった。以上示したように、実施例1で作製した2mDBTPDBq-II、及び実施例2で作製した2CzPDBq-IIIを発光層のホスト材料として用いることにより、長寿命の発光素子を作製することができた。<合成例3>本実施例では、下記構造式100に示される2-[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン略称:2DBTPDBq-IIの合成方法について説明する。≪2DBTPDBq-IIの合成≫2DBTPDBq-IIの合成スキームをC-3に示す。100mL三口フラスコに2-クロロジベンゾ[f、h]キノキサリン2.7g10mmol、4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニルボロン酸3.4g11mmol、トルエン80mL、エタノール8.0mL、2Mの炭酸カリウム水溶液15mLを加えた。この混合物を、減圧下で撹拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.24g0.20mmolを加えた。この混合物を窒素気流下、80°Cで24時間撹拌した。所定時間経過後、析出した固体を吸引濾過により濾取した。この固体にエタノールを加えて超音波を照射し、吸引濾過にて固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解し、該トルエン溶液をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナを通して吸引濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をトルエンにより再結晶化したところ、黄色粉末を収量3.2g、収率65で得た。得られた黄色粉末1.3gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力3.0Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、黄色粉末を310°Cで加熱して行った。昇華精製後、目的物の黄色粉末を収量1.1g、収率85で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン略称:2DBTPDBq-IIであることを確認した。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.50-7.53m,2H,7.62-7.65m,2H,7.80-7.91m,5H,8.03d,J=8.4Hz,2H,8.23-8.26m,2H,8.56d,J=8.1Hz,2H,8.70d,J=7.8Hz,2H,9.30dd,J=7.8Hz,1.8Hz,1H、9.49-9.51m,2H。また、1HNMRチャートを図19に示す。なお、図19Bは、図19Aにおける7.0ppm~10.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。また、2DBTPDBq-IIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図20Aに、発光スペクトルを図20Bにそれぞれ示す。また、2DBTPDBq-IIの薄膜の吸収スペクトルを図21Aに、発光スペクトルを図21Bにそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図20及び図21において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では294、309及び375nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、398及び416nm励起波長350nmであった。また、薄膜の場合では241、262、316、及び386nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは468nm励起波長386nmであった。<合成例4>本実施例では、下記構造式109に示される2-[3’-ジベンゾチオフェン-4-イルビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン略称:2mDBTBPDBq-IIの合成方法について説明する。≪2mDBTBPDBq-IIの合成≫2mDBTBPDBq-IIの合成スキームをC-4に示す。200mL三口フラスコに2-クロロジベンゾ[f、h]キノキサリン0.83g3.2mmol、3’-ジベンゾチオフェン-4-イル-3-ビフェニルボロン酸1.3g3.5mmol、トルエン40mL、エタノール4mL、2Mの炭酸カリウム水溶液5mLを加えた。この混合物を、減圧下で撹拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム080mg70μmolを加えた。この混合物を窒素気流下、80°Cで16時間撹拌した。所定時間経過後、析出した固体を濾別し、黄色固体を得た。この固体にエタノールを加えて超音波を照射し、吸引濾過にて固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解し、該トルエン溶液をアルミナ、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通して吸引濾過し、得られた濾液を濃縮して黄色固体を得た。さらに、この固体をトルエンにより再結晶を行ったところ、収量1.1g、収率57で黄色粉末を得た。得られた黄色粉末1.1gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力6.2Pa、アルゴン流量15mL/minの条件で、黄色粉末を300°Cで加熱して行った。昇華精製後、目的物の黄色粉末を収量0.80g、収率73で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[3’-ジベンゾチオフェン-4-イルビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン略称:2mDBTBPDBq-IIであることを確認した。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.46-7.50m,2H,7.61d,J=4.5Hz,2H,7.67-7.89m,10H,8.17-8.24m,3H,8.35d,J=8.1Hz,1H,8.65-8.70m,3H,9.24-9.27m,1H、9.44-9.48m,2H。また、1HNMRチャートを図22に示す。なお、図22Bは、図22Aにおける7.0ppm~10.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。また、2mDBTBPDBq-IIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図23Aに、発光スペクトルを図23Bにそれぞれ示す。また、2mDBTBPDBq-IIの薄膜の吸収スペクトルを図24Aに、発光スペクトルを図24Bにそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図23及び図24において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では361及び374nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、385及び405nm励起波長363nmであった。また、薄膜の場合では207、250、313、332、368、及び384nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは428nm励起波長383nmであった。<合成例5>本実施例では、下記構造式116に示される2-[3-2,8-ジフェニルジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-IIIの合成方法について説明する。≪2mDBTPDBq-IIIの合成≫2mDBTPDBq-IIIの合成スキームをC-5に示す。100mL三口フラスコに2-クロロジベンゾ[f,h]キノキサリン0.40g1.5mmol、3-2,8-ジフェニルジベンゾチオフェン-4-イルフェニルボロン酸0.68g1.5mmol、トルエン15mL、エタノール2.0mL、2Mの炭酸カリウム水溶液1.5mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム051mg43μmolを加えた。この混合物を窒素気流下、80°Cで4時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物に水を加え、トルエンで水層から有機物を抽出した。得られた抽出溶液と有機層とを合わせ、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解し、該トルエン溶液をアルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通して吸引濾過し、得られた濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をトルエンで洗浄し、さらにこの固体にメタノールを加えて、該メタノール懸濁液に超音波を照射して、吸引濾過により固体を回収したところ、目的物の白色粉末を収量0.60g、収率61で得た。得られた白色粉末0.59gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力2.7Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、白色粉末を330°Cで加熱して行った。昇華精製後目的物の白色粉末を0.54g、収率90で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[3-2,8-ジフェニルジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-IIIであることを確認した。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.37-7.55m,6H,7.73-7.84m,10H,7.90-7.98m,3H,8.44-8.48m,3H,8.65dd,J=7.8Hz,1.5Hz,2H、8.84-8.85m,1H,9.27dd,J=7.2Hz,2.7Hz,1H,9.46dd,J=7.8Hz,2.1Hz,1H,9.51s,1H。また、1HNMRチャートを図25に示す。なお、図25Bは、図25Aにおける7.0ppm~10.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。また、2mDBTPDBq-IIIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図26Aに、発光スペクトルを図26Bにそれぞれ示す。また、2mDBTPDBq-IIIの薄膜の吸収スペクトルを図27Aに、発光スペクトルを図27Bにそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図26及び図27において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では281、297、359、及び374nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、386及び405nm励起波長375nmであった。また、薄膜の場合では266、302、366、及び383nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは462nm励起波長383nmであった。<合成例6>本実施例では、下記構造式142に示される2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-3-フェニルジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:3Ph-2mDBTPDBq-IIの合成方法について説明する。≪3Ph-2mDBTPDBq-IIの合成≫3Ph-2mDBTPDBq-IIの合成スキームをC-6に示す。100mL三口フラスコに2-3-ブロモフェニル-3-フェニルジベンゾ[f,h]キノキサリン1.2g2.5mmol、ジベンゾチオフェン-4-ボロン酸0.63g2.8mmol、トリオルト-トリルホスフィン0.12g0.39mmol、トルエン25mL、エタノール5.0mL、2Mの炭酸カリウム水溶液3.0mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、酢酸パラジウムII40mg0.18mmolを加えた。この混合物を窒素気流下、80°Cで7時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物に水を加え、トルエンで水層から有機物を抽出した。得られた抽出溶液と有機層とを合わせ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:1で2回精製し、さらにトルエンとメタノールにより再結晶化したところ、目的物の白色粉末を収量0.65g、収率46で得た。得られた白色粉末0.62gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力2.5Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、白色粉末を285°Cで加熱して行った。昇華精製後目的物の白色粉末を収量0.54g、収率87で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-3-フェニルジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:3Ph-2mDBTPDBq-IIであることを確認した。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.33d,J=7.8Hz,1H,7.44-7.60m,7H,7.72-7.85m,9H,8.10-8.20m、3H,8.65d,J=7.8Hz,2H,9.36td,J=7.8Hz,1.5Hz,2H。また、1HNMRチャートを図28に示す。なお、図28Bは、図28Aにおける7.0ppm~10.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。また、3Ph-2mDBTPDBq-IIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図29Aに、発光スペクトルを図29Bにそれぞれ示す。また、3Ph-2mDBTPDBq-IIの薄膜の吸収スペクトルを図30Aに、発光スペクトルを図30Bにそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図29及び図30において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では303及び377nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、406nm励起波長378nmであった。また、薄膜の場合では212、246、265、322、370、及び385nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは416nm励起波長385nmであった。<合成例7>本実施例では、下記構造式201に示される2-[3-ジベンゾフラン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン略称:2mDBFPDBq-IIの合成方法について説明する。≪2mDBFPDBq-IIの合成≫2mDBFPDBq-IIの合成スキームをC-7に示す。200mL三口フラスコに2-クロロジベンゾ[f、h]キノキサリン1.0g3.8mmol、3-ジベンゾフラン-4-イルフェニルボロン酸1.2g4.2mmol、トルエン50mL、エタノール5.0mL、2Mの炭酸カリウム水溶液5.0mLを加えた。この混合物を、減圧下で撹拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.10mg0.10mmolを加えた。この混合物を窒素気流下、80°Cで8時間撹拌した。所定時間経過後、析出した固体を濾別し、白色固体を得た。また、濾液に水とトルエンを加え、得られた濾液の水層から有機物をトルエンで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過後、濾液を濃縮して褐色固体を得た。得られた固体をあわせて、その固体をトルエンに溶解し、該トルエン溶液をアルミナ、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通して吸引濾過し、得られた濾液を濃縮して白色固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:10により精製した。得られたフラクションを濃縮し、黄色粉末を得た。さらにこの固体をトルエンにより再結晶を行ったところ、目的物の黄色粉末を収量0.68g、収率33で得た。得られた黄色粉末0.68gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力2.2Pa、アルゴン流量10mL/minの条件で、黄色粉末を280°Cで加熱して行った。昇華精製後、目的物の黄色粉末を収量0.43g、収率67で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[3-ジベンゾフラン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン略称:2mDBFPDBq-IIであることを確認した。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.41t,J=7.8Hz,1H,7.49-7.61m,2H,7.68d,J=8.4Hz,1H,7.76-7.84m,6H,8.02-8.10m,3H,8.41d,J=7.8Hz,1H,8.67d,J=7.8Hz,2H,8.96-8.97m,1H,9.25-9.28m,1H,9.47-9.51m,2H。また、1HNMRチャートを図31に示す。なお、図31Bは、図31Aにおける7.0ppm~10.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。また、2mDBFPDBq-IIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図32Aに、発光スペクトルを図32Bにそれぞれ示す。また、2mDBFPDBq-IIの薄膜の吸収スペクトルを図33Aに、発光スペクトルを図33Bにそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図32及び図33において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では361及び374nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、386及び403nm励起波長374nmであった。また、薄膜の場合では207、260、304、369、及び384nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは425及び575nm励起波長382nmであった。<合成例8>本実施例では、下記構造式309に示される2-[3’-9H-カルバゾール-9-イルビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン略称:2mCzBPDBqの合成方法について説明する。≪2mCzBPDBqの合成≫2mCzBPDBqの合成スキームをC-8に示す。200mL三口フラスコに2-クロロジベンゾ[f、h]キノキサリン1.0g4.0mmol、3’-9H-カルバゾール-9-イル-3-ビフェニルボロン酸1.6g4.4mmol、トルエン50mL、エタノール5mL、2Mの炭酸カリウム水溶液6.0mLを加えた。この混合物を、減圧下で撹拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.10g90μmolを加えた。この混合物を窒素気流下、80°Cで16時間撹拌した。所定時間経過後、この混合物に水を入れ、得られた濾液の水層から有機物をトルエンで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過後、濾液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:3により精製した。得られたフラクションを濃縮し、固体を得た。さらにトルエンにより再結晶を行ったところ白色粉末を収量0.32g、収率15で得た。得られた白色粉末0.32gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力5.1Pa、アルゴン流量15mL/minの条件で、白色粉末を300°Cで加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を収量0.12g、収率38で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[3’-9H-カルバゾール-9-イルビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン略称:2mCzBPDBqであることを確認した。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.26-7.35m,2H,7.43-7.49m,2H,7.56d,J=8.4Hz,2H,7.61-7.88m,9H,7.97-7.99m,1H,8.19d,J=7.8Hz,2H,8.33-8.36m,1H,8.65-8.67m,3H,9.25dd,J=7.8Hz,1.8Hz,1H,9.41dd,J=7.8Hz,1.5Hz,1H,9.45s,1H。また、1HNMRチャートを図34に示す。なお、図34Bは、図34Aにおける7.0ppm~10.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。また、2mCzBPDBqのトルエン溶液の吸収スペクトルを図35Aに、発光スペクトルを図35Bにそれぞれ示す。また、2mCzBPDBqの薄膜の吸収スペクトルを図36Aに、発光スペクトルを図36Bにそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図35及び図36において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では341、362、及び374nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、386及び403nm励起波長374nmであった。また、薄膜の場合では208、253、294、313、328、345、369、及び384nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは444nm励起波長382nmであった。<合成例9>本実施例では、下記構造式326に示される2-[3-3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mCzPDBq-IIIの合成方法について説明する。≪2mCzPDBq-IIIの合成≫2mCzPDBq-IIIの合成スキームをC-9に示す。100mL三口フラスコに2-クロロジベンゾ[f,h]キノキサリン0.54g2.0mmol、3-3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イルフェニルボロン酸0.94g2.1mmol、トルエン20mL、エタノール2.0mL、2Mの炭酸カリウム水溶液2.0mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム046mg39μmolを加えた。この混合物を窒素気流下、80°Cで11時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物に水を加え、水層から有機物をトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と有機層とを合わせ、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解し、該トルエン溶液をアルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通して吸引濾過して、得られた濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=2:1で精製し、さらにトルエンにより再結晶化したところ、目的物の黄色粉末を収量0.90g、収率70で得た。得られた黄色粉末0.89gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力3.0Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、黄色粉末を310°Cで加熱して行った。昇華精製後、目的物の黄色粉末を収量0.80g、収率89で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[3-3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mCzPDBq-IIIであることを確認した。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.37t,J=7.2Hz,2H,7.50t,J=7.2Hz,4H,7.63d,J=8.4Hz,2H,7.71-7.84m,11H,7.88t,J=7.8Hz,1H,8.43-8.46m,3H,8.64-8.68m,3H,9.25dd,J=7.8Hz,1.8Hz,1H,9.36dd,J=7.8Hz,1.5Hz,1H,9.47s,1H。また、1HNMRチャートを図37に示す。なお、図37Bは、図37Aにおける7.0ppm~10.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。また、2mCzPDBq-IIIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図38Aに、発光スペクトルを図38Bにそれぞれ示す。また、2mCzPDBq-IIIの薄膜の吸収スペクトルを図39Aに、発光スペクトルを図39Bにそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図38及び図39において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では299、360、及び374nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、443nm励起波長375nmであった。また、薄膜の場合では264、304、367、及び380nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは462nm励起波長381nmであった。<合成例10>本実施例では、下記構造式400に示される2-[4-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:PCPDBqの合成方法について説明する。≪PCPDBqの合成≫PCPDBqの合成スキームをC-10に示す。200mL三口フラスコにて、2-クロロジベンゾ[f,h]キノキサリン1.2g4.0mmol、4-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルフェニルボロン酸1.6g4.4mmol、酢酸パラジウムII11mg0.05mmol、トリス2-メチルフェニルホスフィン30mg0.1mmol、トルエン30mL、エタノール3mL、2Mの炭酸カリウム水溶液3mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、85°Cで40時間加熱撹拌した。所定時間経過後、この混合液を濾過し、水、トルエンの順で洗浄した。得られた濾物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンを用いた。得られたフラクションを濃縮し、メタノールを加えて超音波を照射し、析出した固体を吸引濾過により回収したところ、目的物の黄色粉末を収量1.2g、収率55で得た。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.28、2-クロロジベンゾ[f,h]キノキサリンは0.38だった。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[4-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:PCPDBqであることを確認した。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.32-7.37m,1H,7.43-7.53m,4H,7.59-7.68m,4H,7.74-7.86m,5H,7.97d,J=8.1Hz,2H,8.25d,J=7.2Hz,1H,8.47-8.50m,3H,8.66d,J=7.8Hz,2H,9.23-9.27m,1H,9.45-9.49m,2H。また、1HNMRチャートを図40に示す。なお、図40Bは、図40Aにおける7.0ppm~10.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。また、PCPDBqのトルエン溶液の吸収スペクトルを図41Aに、発光スペクトルを図41Bにそれぞれ示す。また、PCPDBqの薄膜の吸収スペクトルを図42Aに、発光スペクトルを図42Bにそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図41及び図42において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では306、343、及び385nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、428nm励起波長385nmであった。また、薄膜の場合では251、262、285、315、353、及び392nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは490nm励起波長397nmであった。<合成例11>本実施例では、下記構造式515に示される2-[3-ジベンゾチオフェン-2-イルフェニル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン略称:2mDBTPDBqの合成方法について説明する。≪2mDBTPDBqの合成≫2mDBTPDBqの合成スキームをC-11に示す。100mL三口フラスコに2-クロロジベンゾ[f、h]キノキサリン0.32g1.0mmol、3-ジベンゾチオフェン-2-イルフェニルボロン酸0.32g1.1mmol、トルエン10mL、エタノール1mL、2Mの炭酸カリウム水溶液2.0mLを加えた。この混合物を、減圧下で撹拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム030mg20μmolを加えた。この混合物を窒素気流下、80°Cで8時間撹拌した。所定時間経過後、この混合物に水とトルエンを加え、水層から有機物をトルエンで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過後、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解し、該トルエン溶液をアルミナ、セライトを通して吸引濾過し、得られた濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をトルエンで再結晶化したところ白色粉末を収量0.13g、収率26で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[3-ジベンゾチオフェン-2-イルフェニル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン略称:2mDBTPDBqであることを確認した。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.50-7.53m,2H,7.72-7.93m,8H,8.02d,J=8.4Hz,1H,8.28-8.31m,1H,8.36d,J=7.5Hz,1H,8.50d,J=1.5Hz,1H,8.67-8.70m,3H,9.27dd,J=7.8Hz,1.8Hz,1H,9.46dd,J=7.8Hz,1.8Hz,1H,9.51s,1H。また、1HNMRチャートを図43に示す。なお、図43Bは、図43Aにおける7.0ppm~10.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。また、2mDBTPDBqのトルエン溶液の吸収スペクトルを図44Aに、発光スペクトルを図44Bにそれぞれ示す。また、2mDBTPDBqの薄膜の吸収スペクトルを図45Aに、発光スペクトルを図45Bにそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図44及び図45において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では362及び374nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、386及び406nm励起波長374nmであった。また、薄膜の場合では204、262、295、313、370、及び384nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは443及び571nm励起波長384nmであった。本実施例では、本発明の一態様の発光素子について図18を用いて説明する。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。以下に、本実施例の発光素子5の作製方法を示す。発光素子5まず、ガラス基板1100上に、ITSOをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。ここで、第1の電極1101は、発光素子の陽極として機能する電極である。次に、基板1100上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板1100を30分程度放冷した。次に、第1の電極1101が形成された面が下方となるように、第1の電極1101が形成された基板1100を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極1101上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、BPAFLPと酸化モリブデンVIを共蒸着することで、正孔注入層1111を形成した。その膜厚は、40nmとし、BPAFLPと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=BPAFLP:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、正孔注入層1111上に、BPAFLPを20nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。さらに、実施例4にて合成した2-[4-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン略称:2DBTPDBq-II、4、4’-ジ1-ナフチル-4’’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBNBB、及びジピバロイルメタナトビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:[Irmppr-Me2dpm]を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1113を形成した。ここで、2DBTPDBq-II、PCBNBB、及び[Irmppr-Me2dpm]の重量比は、0.8:0.2:0.05=2DBTPDBq-II:PCBNBB:[Irmppr-Me2dpm]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。さらに、発光層1113上に2DBTPDBq-IIを膜厚10nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。その後、第1の電子輸送層1114a上にBPhenを膜厚20nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。さらに、第2の電子輸送層1114b上に、LiFを1nmの膜厚で蒸着し、電子注入層1115を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極1103として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子5を作製した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。以上により得られた発光素子5の素子構造を表3に示す。発光素子5を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子5の電圧-輝度特性を図46に示す。図46において、横軸は電圧Vを、縦軸は輝度cd/m2を表す。また、輝度-電流効率特性を図47に示す。図47において、横軸は輝度cd/m2、縦軸は電流効率cd/Aを表している。また、発光素子における輝度1100cd/m2のときの電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、電流効率cd/A、外部量子効率を表4に示す。表4に示す通り、1100cd/m2の輝度の時の発光素子5のCIE色度座標はx,y=0.55,0.45であった。発光素子5は、[Irmppr-Me2dpm]に由来する発光が得られたことがわかった。図46、47から、発光素子5は、駆動電圧が低く、電流効率が高いことがわかる。従って、本発明の一態様を適用した化合物は、良好な電圧-輝度特性、及び輝度-電流効率特性の実現に効果があることが確認された。以上示したように、実施例4で作製した2DBTPDBq-IIを発光層のホスト材料として用いることにより、駆動電圧が低く、電流効率が高い発光素子を作製することができた。次に、発光素子5の信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図48に示す。図48において、縦軸は初期輝度を100とした時の規格化輝度を示し、横軸は素子の駆動時間hを示す。信頼性試験は、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件で本実施例の発光素子を駆動した。図48から、発光素子5の430時間後の輝度は初期輝度の82を保っていた。この信頼性試験の結果から、発光素子5は、長寿命であることが明らかとなった。以上示したように、実施例4で作製した2DBTPDBq-IIを発光層のホスト材料として用いることにより、長寿命の発光素子を作製することができた。本実施例では、本発明の一態様の発光素子について図18を用いて説明する。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。以下に、本実施例の発光素子6の作製方法を示す。発光素子6まず、実施例13で示した発光素子5と同様の条件で、ガラス基板1100上に、第1の電極1101、正孔注入層1111、及び正孔輸送層1112を形成した。次に、実施例5にて合成した2-[3’-ジベンゾチオフェン-4-イルビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン略称:2mDBTBPDBq-II、PCBNBB、及び[Irmppr-Me2dpm]を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1113を形成した。ここで、2mDBTBPDBq-II、PCBNBB、及び[Irmppr-Me2dpm]の重量比は、0.8:0.2:0.05=2mDBTBPDBq-II:PCBNBB:[Irmppr-Me2dpm]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。さらに、発光層1113上に2mDBTBPDBq-IIを膜厚10nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。その後、第1の電子輸送層1114a上にBPhenを膜厚20nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。さらに、第2の電子輸送層1114b上に、LiFを1nmの膜厚で蒸着し、電子注入層1115を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極1103として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子6を作製した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。以上により得られた発光素子6の素子構造を表5に示す。発光素子6を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子6の電圧-輝度特性を図49に示す。図49において、横軸は電圧Vを、縦軸は輝度cd/m2を表す。また、輝度-電流効率特性を図50に示す。図50において、横軸は輝度cd/m2、縦軸は電流効率cd/Aを表している。また、発光素子における輝度1000cd/m2のときの電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、電流効率cd/A、外部量子効率を表6に示す。表6に示す通り、1000cd/m2の輝度の時の発光素子6のCIE色度座標はx,y=0.53,0.47であった。発光素子6は、[Irmppr-Me2dpm]に由来する発光が得られたことがわかった。図49、50から、発光素子6は、駆動電圧が低く、電流効率が高いことがわかる。従って、本発明の一態様を適用した化合物は、良好な電圧-輝度特性、及び輝度-電流効率特性の実現に効果があることが確認された。以上示したように、実施例5で作製した2mDBTBPDBq-IIを発光層のホスト材料として用いることにより、駆動電圧が低く、電流効率が高い発光素子を作製することができた。次に、発光素子6の信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図51に示す。図51において、縦軸は初期輝度を100とした時の規格化輝度を示し、横軸は素子の駆動時間hを示す。信頼性試験は、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件で本実施例の発光素子を駆動した。図51から、発光素子6の710時間後の輝度は初期輝度の82を保っていた。この信頼性試験の結果から、発光素子6は、長寿命であることが明らかとなった。以上示したように、実施例5で作製した2mDBTBPDBq-IIを発光層のホスト材料として用いることにより、長寿命の発光素子を作製することができた。また、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合した化合物を含む発光素子において、アリーレン基がビフェニルジイル基である場合、特に発光素子を長寿命化できることがわかった。本実施例では、本発明の一態様の発光素子について図18を用いて説明する。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。以下に、本実施例の発光素子7の作製方法を示す。発光素子7まず、実施例13で示した発光素子5と同様の条件で、ガラス基板1100上に、第1の電極1101、正孔注入層1111、及び正孔輸送層1112を形成した。次に、実施例6にて合成した2-[3-2,8-ジフェニルジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-III、PCBNBB、及び[Irmppr-Me2dpm]を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1113を形成した。ここで、2mDBTPDBq-III、PCBNBB、及び[Irmppr-Me2dpm]の重量比は、0.8:0.2:0.05=2mDBTPDBq-III:PCBNBB:[Irmppr-Me2dpm]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。さらに、発光層1113上に2mDBTPDBq-IIIを膜厚10nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。その後、第1の電子輸送層1114a上にBPhenを膜厚20nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。さらに、第2の電子輸送層1114b上に、LiFを1nmの膜厚で蒸着し、電子注入層1115を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極1103として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子7を作製した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。以上により得られた発光素子7の素子構造を表7に示す。発光素子7を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子7の電圧-輝度特性を図52に示す。図52において、横軸は電圧Vを、縦軸は輝度cd/m2を表す。また、輝度-電流効率特性を図53に示す。図53において、横軸は輝度cd/m2、縦軸は電流効率cd/Aを表している。また、発光素子における輝度910cd/m2のときの電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、電流効率cd/A、外部量子効率を表8に示す。表8に示す通り、910cd/m2の輝度の時の発光素子7のCIE色度座標はx,y=0.55,0.45であった。発光素子7は、[Irmppr-Me2dpm]に由来する発光が得られたことがわかった。図52、53から、発光素子7は、駆動電圧が低く、電流効率が高いことがわかる。従って、本発明の一態様を適用した化合物は、良好な電圧-輝度特性、及び輝度-電流効率特性の実現に効果があることが確認された。以上示したように、実施例6で作製した2mDBTPDBq-IIIを発光層のホスト材料として用いることにより、駆動電圧が低く、電流効率が高い発光素子を作製することができた。本実施例では、本発明の一態様の発光素子について図18を用いて説明する。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。以下に、本実施例の発光素子8の作製方法を示す。発光素子8まず、実施例13で示した発光素子5と同様の条件で、ガラス基板1100上に、第1の電極1101、正孔注入層1111、及び正孔輸送層1112を形成した。次に、実施例7にて合成した2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-3-フェニルジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:3Ph-2mDBTPDBq-II、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1113を形成した。ここで、3Ph-2mDBTPDBq-II、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]の重量比は、1:0.15:0.06=3Ph-2mDBTPDBq-II:PCBA1BP:[Irmppr-Me2acac]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。さらに、発光層1113上に3Ph-2mDBTPDBq-IIを膜厚10nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。その後、第1の電子輸送層1114a上にBPhenを膜厚20nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。さらに、第2の電子輸送層1114b上に、LiFを1nmの膜厚で蒸着し、電子注入層1115を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極1103として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子8を作製した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。以上により得られた発光素子8の素子構造を表9に示す。発光素子8を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子8の電圧-輝度特性を図54に示す。図54において、横軸は電圧Vを、縦軸は輝度cd/m2を表す。また、輝度-電流効率特性を図55に示す。図55において、横軸は輝度cd/m2、縦軸は電流効率cd/Aを表している。また、発光素子における輝度810cd/m2のときの電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、電流効率cd/A、外部量子効率を表10に示す。表10に示す通り、810cd/m2の輝度の時の発光素子8のCIE色度座標はx,y=0.55,0.45であった。発光素子8は、[Irmppr-Me2acac]に由来する発光が得られたことがわかった。図54、55から、発光素子8は、駆動電圧が低く、電流効率が高いことがわかる。従って、本発明の一態様を適用した化合物は、良好な電圧-輝度特性、及び輝度-電流効率特性の実現に効果があることが確認された。以上示したように、実施例7で作製した3Ph-2mDBTPDBq-IIを発光層のホスト材料として用いることにより、駆動電圧が低く、電流効率が高い発光素子を作製することができた。本実施例では、本発明の一態様の発光素子について図18を用いて説明する。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。以下に、本実施例の発光素子9の作製方法を示す。発光素子9まず、実施例13で示した発光素子5と同様の条件で、ガラス基板1100上に、第1の電極1101、正孔注入層1111、及び正孔輸送層1112を形成した。次に、実施例8にて合成した2-[3-ジベンゾフラン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン略称:2mDBFPDBq-II、PCBNBB、及び[Irmppr-Me2dpm]を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1113を形成した。ここで、2mDBFPDBq-II、PCBNBB、及び[Irmppr-Me2dpm]の重量比は、0.8:0.2:0.05=2mDBFPDBq-II:PCBNBB:[Irmppr-Me2dpm]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。さらに、発光層1113上に2mDBFPDBq-IIを膜厚10nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。その後、第1の電子輸送層1114a上にバソフェナントロリン略称:BPhenを膜厚20nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。さらに、第2の電子輸送層1114b上に、フッ化リチウムLiFを1nmの膜厚で蒸着し、電子注入層1115を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極1103として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子9を作製した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。以上により得られた発光素子9の素子構造を表11に示す。発光素子9を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子9の電圧-輝度特性を図56に示す。図56において、横軸は電圧Vを、縦軸は輝度cd/m2を表す。また、輝度-電流効率特性を図57に示す。図57において、横軸は輝度cd/m2、縦軸は電流効率cd/Aを表している。また、発光素子における輝度990cd/m2のときの電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、電流効率cd/A、外部量子効率を表12に示す。表12に示す通り、990cd/m2の輝度の時の発光素子9のCIE色度座標はx,y=0.55,0.45であった。発光素子9は、[Irmppr-Me2dpm]に由来する発光が得られたことがわかった。図56、57から、発光素子9は、駆動電圧が低く、電流効率が高いことがわかる。従って、本発明の一態様を適用した化合物は、良好な電圧-輝度特性、及び輝度-電流効率特性の実現に効果があることが確認された。以上示したように、実施例8で作製した2mDBFPDBq-IIを発光層のホスト材料として用いることにより、駆動電圧が低く、電流効率が高い発光素子を作製することができた。本実施例では、本発明の一態様の発光素子について図18を用いて説明する。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。以下に、本実施例の発光素子10の作製方法を示す。発光素子10まず、実施例13で示した発光素子5と同様の条件で、ガラス基板1100上に、第1の電極1101、正孔注入層1111、及び正孔輸送層1112を形成した。次に、実施例10にて合成した2-[3-3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mCzPDBq-III、PCBNBB、及び[Irmppr-Me2dpm]を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1113を形成した。ここで、2mCzPDBq-III、PCBNBB、及び[Irmppr-Me2dpm]の重量比は、0.8:0.2:0.05=2mCzPDBq-III:PCBNBB:[Irmppr-Me2dpm]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。さらに、発光層1113上に2mCzPDBq-IIIを膜厚10nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。その後、第1の電子輸送層1114a上にBPhenを膜厚20nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。さらに、第2の電子輸送層1114b上に、LiFを1nmの膜厚で蒸着し、電子注入層1115を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極1103として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子10を作製した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。以上により得られた発光素子10の素子構造を表13に示す。発光素子10を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子10の電圧-輝度特性を図58に示す。図58において、横軸は電圧Vを、縦軸は輝度cd/m2を表す。また、輝度-電流効率特性を図59に示す。図59において、横軸は輝度cd/m2、縦軸は電流効率cd/Aを表している。また、発光素子における輝度870cd/m2のときの電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、電流効率cd/A、外部量子効率を表14に示す。表14に示す通り、870cd/m2の輝度の時の発光素子10のCIE色度座標はx,y=0.55,0.45であった。発光素子10は、[Irmppr-Me2dpm]に由来する発光が得られたことがわかった。図58、59から、発光素子10は、駆動電圧が低く、電流効率が高いことがわかる。従って、本発明の一態様を適用した化合物は、良好な電圧-輝度特性、及び輝度-電流効率特性の実現に効果があることが確認された。以上示したように、実施例10で作製した2mCzPDBq-IIIを発光層のホスト材料として用いることにより、駆動電圧が低く、電流効率が高い発光素子を作製することができた。本実施例では、本発明の一態様の発光素子について図18を用いて説明する。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。以下に、本実施例の発光素子11の作製方法を示す。発光素子11まず、実施例13で示した発光素子5と同様の条件で、ガラス基板1100上に、第1の電極1101、正孔注入層1111、及び正孔輸送層1112を形成した。次に、実施例11にて合成した2-[4-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:PCPDBq、PCBNBB、及び[Irmppr-Me2dpm]を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1113を形成した。ここで、PCPDBq、PCBNBB、及び[Irmppr-Me2dpm]の重量比は、0.8:0.2:0.05=PCPDBq:PCBNBB:[Irmppr-Me2dpm]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。さらに、発光層1113上にPCPDBqを膜厚10nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。その後、第1の電子輸送層1114a上にバソフェナントロリン略称:BPhenを膜厚20nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。さらに、第2の電子輸送層1114b上に、フッ化リチウムLiFを1nmの膜厚で蒸着し、電子注入層1115を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極1103として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子11を作製した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。以上により得られた発光素子11の素子構造を表15に示す。発光素子11を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子11の電圧-輝度特性を図60に示す。図60において、横軸は電圧Vを、縦軸は輝度cd/m2を表す。また、輝度-電流効率特性を図61に示す。図61において、横軸は輝度cd/m2、縦軸は電流効率cd/Aを表している。また、発光素子における輝度860cd/m2のときの電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、電流効率cd/A、外部量子効率を表16に示す。表16に示す通り、860cd/m2の輝度の時の発光素子11のCIE色度座標はx,y=0.55,0.44であった。発光素子11は、[Irmppr-Me2dpm]に由来する発光が得られたことがわかった。図60、61から、発光素子11は、駆動電圧が低く、電流効率が高いことがわかる。従って、本発明の一態様を適用した化合物は、良好な電圧-輝度特性、及び輝度-電流効率特性の実現に効果があることが確認された。以上示したように、実施例11で作製したPCPDBqを発光層のホスト材料として用いることにより、駆動電圧が低く、電流効率が高い発光素子を作製することができた。本実施例では、本発明の一態様の発光素子について図18を用いて説明する。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。以下に、本実施例の発光素子12の作製方法を示す。発光素子12まず、実施例13で示した発光素子5と同様の条件で、ガラス基板1100上に、第1の電極1101、正孔注入層1111、及び正孔輸送層1112を形成した。次に、7-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:7mDBTPDBq-II合成法は参考例3を参照、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1113を形成した。ここで、7mDBTPDBq-II、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]の重量比は、1:0.15:0.06=7mDBTPDBq-II:PCBA1BP:[Irmppr-Me2acac]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。さらに、発光層1113上に7mDBTPDBq-IIを膜厚10nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。その後、第1の電子輸送層1114a上にBPhenを膜厚20nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。さらに、第2の電子輸送層1114b上に、LiFを1nmの膜厚で蒸着し、電子注入層1115を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極1103として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子12を作製した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。以上により得られた発光素子12の素子構造を表17に示す。発光素子12を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子12の電圧-輝度特性を図62に示す。図62において、横軸は電圧Vを、縦軸は輝度cd/m2を表す。また、輝度-電流効率特性を図63に示す。図63において、横軸は輝度cd/m2、縦軸は電流効率cd/Aを表している。また、発光素子における輝度720cd/m2のときの電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、電流効率cd/A、外部量子効率を表18に示す。表18に示す通り、720cd/m2の輝度の時の発光素子12のCIE色度座標はx,y=0.54,0.46であった。発光素子12は、[Irmppr-Me2acac]に由来する発光が得られたことがわかった。図62、63から、発光素子12は、駆動電圧が低く、電流効率が高いことがわかる。従って、本発明の一態様を適用した化合物は、良好な電圧-輝度特性、及び輝度-電流効率特性の実現に効果があることが確認された。以上示したように、7mDBTPDBq-IIを発光層のホスト材料として用いることにより、駆動電圧が低く、電流効率が高い発光素子を作製することができた。本実施例では、本発明の一態様の発光素子について図18を用いて説明する。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。以下に、本実施例の発光素子13及び比較発光素子14の作製方法を示す。発光素子13まず、実施例13で示した発光素子5と同様の条件で、ガラス基板1100上に、第1の電極1101、正孔注入層1111、及び正孔輸送層1112を形成した。次に、2mDBTPDBq-II、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1113を形成した。ここで、2mDBTPDBq-II、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]の重量比は、1:0.25:0.06=2mDBTPDBq-II:PCBA1BP:[Irmppr-Me2acac]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。さらに、発光層1113上に2mDBTPDBq-IIを膜厚10nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。その後、第1の電子輸送層1114a上にBPhenを膜厚20nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。さらに、第2の電子輸送層1114b上に、LiFを1nmの膜厚で蒸着し、電子注入層1115を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極1103として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子13を作製した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。比較発光素子14比較発光素子14の発光層1113を、2-フェニルジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2PDBq、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]を共蒸着することで形成した。ここで、2PDBq、PCBA1BP、及び[Irmppr-Me2acac]の重量比は、1:0.25:0.06=2PDBq:PCBA1BP:[Irmppr-Me2acac]となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。さらに、比較発光素子14の第1の電子輸送層1114aを、2PDBqを膜厚10nmとなるように成膜することで形成した。発光層1113及び第1の電子輸送層1114a以外は発光素子13と同様に作製した。以上により得られた発光素子13及び比較発光素子14の素子構造を表19に示す。発光素子13及び比較発光素子14を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子13及び比較発光素子14の電流密度-輝度特性を図64に示す。図64において、横軸は電流密度mA/cm2を、縦軸は輝度cd/m2を表す。また、電圧-輝度特性を図65に示す。図65において、横軸は電圧Vを、縦軸は輝度cd/m2を表す。また、輝度-電流効率特性を図66に示す。図66において、横軸は輝度cd/m2、縦軸は電流効率cd/Aを表す。また、電圧-電流特性を図67に示す。図67において、横軸は電圧Vを、縦軸は電流mAを表している。また、各発光素子における輝度1100cd/m2のときの電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、電流効率cd/A、外部量子効率を表20に示す。表20に示す通り、1100cd/m2の輝度の時の発光素子13のCIE色度座標はx,y=0.54,0.45であり、比較発光素子14のCIE色度座標はx,y=0.53,0.47であった。発光素子13及び比較発光素子14は、[Irmppr-Me2acac]に由来する発光が得られたことがわかった。本実施例で作製した比較発光素子14は、図67からわかるように、発光が開始する電圧2V程度よりも低電圧の領域で発光素子13に比べて電流が大きく流れており、また、表20より電流効率が著しく低いことがわかった。これは、比較発光素子14の発光層1113に用いた2PDBqが結晶化し、電流のリークが発生しているためと考えられる。一方、図64乃至図67から、発光素子13は、駆動電圧が低く、電流効率が高いことがわかる。従って、本発明の一態様を適用した化合物は、良好な電圧-輝度特性、及び輝度-電流効率特性の実現に効果があることが確認された。以上示したように、2mDBTPDBq-IIを発光層のホスト材料として用いることにより、駆動電圧が低く、電流効率が高い発光素子を作製することができた。参考例1上記実施例3等で用いた4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPの合成方法について具体的に説明する。BPAFLPの構造を以下に示す。≪ステップ1:9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンの合成法≫100mL三口フラスコにて、マグネシウム1.2g50mmolを、減圧下で30分加熱撹拌し、マグネシウムを活性化させた。これを室温にまで冷ましてフラスコ内を窒素雰囲気にした後、ジブロモエタン数滴を加えて発泡、発熱するのを確認した。ここにジエチルエーテル10mL中に溶かした2-ブロモビフェニルを12g50mmolゆっくり滴下した後、2.5時間加熱還流撹拌してグリニヤール試薬とした。4-ブロモベンゾフェノン10g40mmolと、ジエチルエーテル100mLを500mL三口フラスコに入れた。ここに先に合成したグリニヤール試薬をゆっくり滴下した後、9時間加熱還流撹拌した。反応後、この混合液をろ過して濾物を得た。得られた濾物を酢酸エチル150mLに溶かし、ここに1N-塩酸を酸性になるまで加えて2時間撹拌した。この液体の有機層の部分を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁液を濾過し、得られた濾液を濃縮し粘性の高い液体を得た。500mLなすフラスコに、この粘性の高い液体と、氷酢酸50mLと、塩酸1.0mLとを入れ、窒素雰囲気下、130°Cで1.5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液を濾過して濾物を得た。得られた濾物を水、水酸化ナトリウム水溶液、水、メタノールの順で洗浄したのち乾燥させ、目的物の白色粉末を収量11g、収率69で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記D-1に示す。≪ステップ2:4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPの合成法≫100mL三口フラスコへ、9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレン3.2g8.0mmol、4-フェニル-ジフェニルアミン2.0g8.0mmol、ナトリウムtert-ブトキシド1.0g10mmol、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム023mg0.04mmolを加え、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン20mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液0.2mL0.1mmolを加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、110°Cで2時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン200mLを加え、この懸濁液をフロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通して濾過した。得られた濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:4による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶化したところ、目的物の白色粉末を収量4.1g、収率92で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記D-2に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.41、9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンは0.51、4-フェニル-ジフェニルアミンは0.27だった。上記ステップ2で得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。測定結果から、フルオレン誘導体であるBPAFLP略称が得られたことがわかった。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=6.63-7.02m,3H、7.06-7.11m,6H,7.19-7.45m,18H,7.53-7.55m,2H,7.75d,J=6.9,2H。参考例2上記実施例13等で用いたジピバロイルメタナトビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:[Irmppr-Me2dpm]の合成方法について具体的に説明する。[Irmppr-Me2dpm]の構造を以下に示す。20mLの2-エトキシエタノールと、1.55gの複核錯体ジ-μ-クロロ-ビス[ビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII]略称:[Irmppr-Me2Cl]2、0.8mlのジピバロイルメタン、及び1.38gの炭酸ナトリウムを混合し、アルゴンバブリング下にて30分間マイクロ波を照射し、反応させた。反応後、反応溶液を室温まで放冷し、水を加えた。この混合溶液を有機層と水層に分液し、水層から有機物をジクロロメタンにて抽出した。有機層と、抽出溶液を合わせて水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥後、自然濾過して、濾液を濃縮乾固した。この固体をジクロロメタンとエタノールの混合溶媒で再結晶化することで、赤色粉末を収率67で得た。なお、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置CEM社製Discoverを用いた。本ステップの合成スキームを下記E-1に示す。なお、核磁気共鳴分光法1HNMRによって、この化合物が目的物である有機金属錯体[Irmppr-Me2dpm]であることを確認した。得られた1HNMRの分析結果を下記に示す。1H-NMR.δCDCl3:0.90s,1H,2.59s,6H,3.04s,6H,5.49s,1H,6.32dd,2H,6.70dt,2H,6.88dt,2H,7.86d,2H,8.19s,2H.参考例3上記実施例20で用いた7-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:7mDBTPDBq-IIの合成方法について具体的に説明する。7mDBTPDBq-IIの構造を以下に示す。≪7mDBTPDBq-IIの合成≫7mDBTPDBq-IIの合成スキームをF-1に示す。50mL三口フラスコに7-ブロモジベンゾ[f,h]キノキサリン1.2g4.0mmol、3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニルボロン酸1.3g4.3mmol、トルエン20mL、エタノール4mL、2Mの炭酸カリウム水溶液4mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気した。この混合物に、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム093mg81μmolを加えた。この混合物を窒素気流下、80°Cで7時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物に水を加え、水層から有機物をトルエンにより抽出した。得られた抽出溶液と有機層とを合わせ水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにより乾燥した。この混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒:トルエンにより精製し、さらにトルエンにより再結晶化したところ、目的物の淡黄色粉末を収量1.4g、収率61で得た。得られた目的物の淡黄色粉末1.4gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力2.5Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、目的物を255°Cで加熱して行った。昇華精製後、目的物の淡黄色粉末を収量0.60g、収率42で得た。得られた化合物の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.47-7.51m,2H,7.62d,J=4.8Hz,2H,7.68-7.92m,6H,8.08dd,J=8.4Hz,1.5Hz,1H,8.19-8.24m,3H,8.74dd,J=7.8Hz,1.5Hz,1H,8.91-8.93m,3H,9.24dd,J=7.2Hz,2.1Hz,1H,9.31d,J=8.4Hz,1H。"