"試料上における既知の欠陥位置の走査電子顕微鏡画像を取得して、前記欠陥位置の観察を行う機能を有する欠陥レビュー装置において、試料を載置し移動する試料ステージと、試料の前記既知の欠陥位置に一次電子線を照射し、得られる二次電子線、あるいは反射電子線を検出信号として出力する電子光学系カラムと、試料の前記欠陥位置の周辺の元素を分析する元素分析ユニットと、圧子を備え、試料の前記欠陥位置の周囲の複数位置に前記圧子の圧痕によるマーキングを付与するための圧痕マーキングユニットと、前記圧痕マーキングユニットを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記元素分析ユニットによる元素分析結果と前記圧痕マーキングユニットによるマーキング条件とを対応付けした情報を保持することを特徴とする欠陥レビュー装置。請求項1に記載の欠陥レビュー装置において、前記欠陥位置の周辺の元素分析結果を基に前記情報を参照して前記マーキング条件を決定することを特徴とする欠陥レビュー装置。請求項2に記載の欠陥レビュー装置において、前記マーキング条件には前記圧子の荷重が含まれることを特徴とする欠陥レビュー装置。請求項1に記載の欠陥レビュー装置において、前記欠陥位置の周辺の元素分析結果を基に前記マーキングの位置を変えることを特徴とする欠陥レビュー装置。請求項1に記載の欠陥レビュー装置において、前記欠陥位置の周辺の元素分析結果が予め登録された材質に対応しない場合には、前記マーキングの付与を停止することを特徴とする欠陥レビュー装置。請求項1に記載の欠陥レビュー装置において、前記欠陥位置の周辺の元素分析結果が予め登録された材質に対応しない場合には、前記マーキング条件を手動設定するモードに切り替わることを特徴とする欠陥レビュー装置。試料上における既知の欠陥位置の走査電子顕微鏡画像を取得して、前記欠陥位置の観察を行う工程と、マーキング対象となる欠陥位置を選択する工程と、前記選択された欠陥位置の周辺の元素を分析する工程と、前記元素分析結果と圧痕マーキングユニットによるマーキング条件とを対応付けした情報を参照して、マーキング条件を決定する工程と、前記決定したマーキング条件に従って前記圧痕マーキングユニットによって前記欠陥位置の周囲の複数位置に圧痕マーキングを付与する工程と、を有することを特徴とするマーキング方法。請求項7に記載のマーキング方法において、前記マーキング条件には前記圧痕マーキングユニットの圧子の荷重が含まれることを特徴とするマーキング方法。欠陥周辺に圧痕マーキングを行う際、試料の膜種によらず一定の条件でマーキングを行うと、周囲が割れてマーキングや欠陥が見にくくなったり、マーキングが小さすぎて見にくくなり、後段の解析装置での解析に支障をきたすという問題があった。また、パターン付きウェーハでは、マーキングに適さない方の膜上に圧痕マーキングすると、マーキングが見にくくなったり、マーキング部分から異物やゴミが発生する恐れがある。本発明は、試料の材質や膜種によらず適切に圧痕マーキングを行う方法を提供するものである。本発明では、EDS等の元素分析ユニットによる元素分析結果に基づき、圧痕マーキングユニットの圧子の荷重、下降速度、深さ等の圧痕マーキングの条件を変えることにより、膜種に適したマーキングを行う。そのために、予め、元素分析結果すなわち材質と圧痕マーキングユニットによるマーキング条件との対応付けを行い、その情報を装置内に保持する。また、元素分析の結果、マーキング予定位置の膜種が登録された膜種と断定できない場合、手動設定に切り替えることにより、間違えた条件でマーキングすることを防ぐ。マーキングに適さない材質の場合、マーキングを施さないようにすることもできる。本発明によると、良好な形状のマーキングを自動で得られるため、後段の解析装置による解析が効率よく進み、早期の欠陥原因究明、歩留まり改善が可能となる。また、強く打ちすぎて、周辺が破壊し、異物やゴミの原因になることを防ぐことができる。上記した以外の、課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1に、本発明による欠陥レビュー装置の全体構成例及び欠陥レビュー装置が配置される欠陥検出システムの構成例を示す。欠陥レビュー装置105は、走査電子顕微鏡カラム電子光学カラム107、試料室108、圧痕マーキングユニット109、光学顕微鏡113、制御部110、ADRAutomaticDefectReview:自動欠陥再検出部111、ADC自動欠陥分類部112、通信用コンピューター106を有し、ネットワークを通じて、YMSYieldManagementSystem:歩留まり管理システム101と接続されている。YMS101は、明視野光学式外観検査装置102、暗視野光学式外観検査装置103、電子線式外観検査装置104ともネットワークにより接続されている。これらの検査装置からは検査終了後にYMS101に検査データが送られ、更に欠陥レビュー装置105に送られる。欠陥レビュー装置105では、この検査データを用いて、ADR,ADCを実施し、結果を通信用コンピューター106を通じて、YMS101に戻す。次に、欠陥レビュー装置の詳細について説明する。走査電子顕微鏡カラム107は、試料室内に格納された被検査対象に対し一次電子線を照射し、得られる二次電子あるいは反射電子を検出して検出信号を出力する機能を有する。試料室108の内部には、図示されない試料ステージが格納されており、制御部110からの制御信号に従って被検査対象上での一次電子線の照射目標位置あるいは圧痕マーキングユニット109による圧痕付与の目標位置を走査電子顕微鏡カラム107あるいは圧痕マーキングユニット109の下部に移動させる。走査電子顕微鏡カラム107により得られた走査電子顕微鏡画像は、欠陥位置を特定するために使用され、マーキング位置の設定に使用される。光学顕微鏡113は、試料室108の上部に配置されており、欠陥の光学顕微鏡画像を撮像可能である。光学顕微鏡113の視野移動は、走査電子顕微鏡カラム107と同様、試料ステージにより実行され、得られた光学顕微鏡画像は、走査電子顕微鏡では見えない欠陥の位置特定、更にはマーキング位置の設定に使用される。EDS検出部114は、EDS処理部115を通して、エネルギー分散X線分光法による元素分析を行うことが可能で、結果を材質情報として使用できる。欠陥レビュー装置に付随する走査電子顕微鏡の各構成要素は制御部110により制御され、その後段にはADR部111,ADC部112,通信用コンピューター106が接続されている。ADR部111は、自動欠陥レビューの制御シーケンスをコントロールし、ADC部112は、ADRによって得られた欠陥画像の自動分類処理を実行する。制御部110は、走査電子顕微鏡の各構成要素の動作を制御するため、電子光学カラム制御ユニット1101,圧痕マーキングユニット制御ユニット1102,光学顕微鏡制御ユニット1103,マーキング対象欠陥抽出ユニット1104及びステージ制御ユニット1105などの各制御ユニットを備える。通信用コンピューター106は、欠陥レビュー装置の管理コンソールを兼用しており、欠陥レビューの動作条件あるいは検査レシピを設定するためのGUIGraphicalUser’sInterfaceが表示されるモニタを備えている。以上説明した各制御ユニットは、制御部110内でソフトウェア実装あるいはハードウェア実装のいずれかの方式で実現される。したがって、制御部110は、各制御ユニットの機能を実現するプログラムが格納されるメモリ及びプログラムを実行するためのプロセッサを内部に備える。あるいは、各制御ユニット個々の機能に対応するマイクロコンピュータを複数備えている。次に、図2A及び図2Bを用いて、本実施例の圧痕マーキングユニットの詳細について説明する。図2Aは、欠陥レビュー時の試料室内を示す模式図である。試料室108内では、電子線201が対物レンズ202で絞られ、試料としてのウェーハ203に照射される。ウェーハ203はステージ204上に載せられ、ステージ制御ユニット1105により任意の位置に移動される。走査電子顕微鏡画像の取得条件によっては、一次電子線を試料203の直前で減速させて試料203を撮像する場合もあり、その場合には、リターディングユニット205によりリターディング電圧が試料203に印加される。レビュー時にはステージ204が欠陥位置に次々と移動し、対物レンズ202で絞られ電子線201を照射して欠陥のSEM画像取得を行う。このSEM画像を使用して、欠陥検出部111で欠陥の検出を行い、更に欠陥分類部で欠陥の分類を行い、元のSEM画像の他に欠陥検出結果,欠陥分類結果を、通信用コンピューター106を使い、ネットワークを通じて、YMS101にアップロードする。図2Bに、圧痕マーキング実施時の試料室内を示す。圧痕マーキング実施時には、マーキング対象欠陥抽出ユニット1104で求められたマーキング対象欠陥の位置を用いてステージ制御ユニット1105がステージ204を制御し、ウェーハ203上のマーキング目標位置を圧痕マーキングユニット109の下に移動させる。移動が完了すると、圧痕マーキングユニット109は、真空ベローズ206を有し、垂直駆動機構207によりシャフト208の先端に取り付けられた圧子209を降下させ押し当てることにより、試料上に圧痕マーキングを形成する。これらの圧痕マーキングユニットの動作は、圧痕マーキングユニット制御ユニット1102により制御される。次に、図3を用いて本実施例の欠陥レビュー装置の動作について説明する。まず、ステップ301で、YMSから検査データを読み込む。ステップ302では、検査データに含まれる欠陥からADR対象欠陥を抽出するサンプリングを行う。サンプリングの目的は、欠陥数が多い場合に限られた時間で効果的なADRができるように対象欠陥を絞ることであり、クラスタ欠陥の抽出除去、クラスタ欠陥以外からのランダム抽出等の手法が用いられる。ステップ303では、ウェーハアライメントを行い、ウェーハの大まかな位置合わせを行う。ステップ304では、フォーカスマップを取り、フォーカスのウェーハ面内領域毎の分布を補正して、オートフォーカスが短時間で合うようにする。ステップ305では、SEMのファインアライメントを実行する。ファインアライメントは、パターン付きウェーハの場合にはホトプロセスのマスクショット単位に特異なパターンを用いて行い、ノンパターンウェーハの場合には光学顕微鏡、特にレーザ光による暗視野顕微鏡等で欠陥を光らせて欠陥位置を正確に検出することにより行う。ステップ306では、ADRにより欠陥の正確な位置を検出して、欠陥を中心にSEM画像を取得する。ステップ307では、SEM画像を元にADCで分類結果を決定する。ステップ307のADC後、ADC部112から制御部110内のマーキング対象欠陥抽出ユニット1104に分類結果が転送され、マーキング対象欠陥抽出ユニット1104が分類された欠陥がマーキング対象かどうかを判断し、マーキング対象の欠陥を抽出するステップ308。マーキング対象となる欠陥が分類結果に含まれていない場合は、通信用コンピューター106を介してADR/ADC結果をYMS101にアップロードして終了するステップ309。ステップ308でマーキング対象と判断した場合、マーキング予定部のEDS分析を行うステップ310。そのEDS分析結果から、マーキング予定部の材質が予め登録された材質と一致するかを判定する。材質の登録は、材質に対応するX線スペクトルエネルギーあるいは波長のピーク位置とピーク強度カウント数を組み合わせた情報として登録してもよいし、具体的な材質名で登録してもよい。1材質Aステップ311A2材質Bステップ311BN材質Nステップ311Nこうして、マーキング予定部の材質が予め登録された材質A~Nのいずれであるかが判定される。1の場合には予め登録された条件Aをマーキング条件に決定するステップ314A。2の場合には予め登録された条件Bをマーキング条件に決定するステップ314B。Nの場合には予め登録された条件Nをマーキング条件に決定するステップ314N。マーキング予定部の材質が予め登録されたどの材質とも一致せず、未登録と判定された場合ステップ312、条件を手動設定するかの問い合わせがあるステップ313。ステップ313で、手動設定すると決定した場合、後述する手動設定画面が現れ、マーキング条件の入力が促される。この場合には、入力した条件Zをマーキング条件に決定するステップ314Z。マーキング条件が決定すれば、圧痕マーキングユニット制御ユニット1102は、圧痕マーキングユニット109を制御して、決定されたマーキング条件で実際にマーキングを行う。ステップ313で、手動設定しないと決定した場合、マーキングをスキップする。本処理において、元素分析にはEDSを用いたが、これに限定されるものではなく、WDSWavelengthDispersiveXraySpectrometryやAESAugerElectronSpectrometryなど他の元素分析法を用いてもよい。次に、図4A、図4B、図4C、及び図5A、図5B、図5Cを用いて本実施例のマーキング条件の決定方法を説明する。図4Aは、本実施例のマーキング位置を示す模式図である。マーキング中心402は欠陥401のほぼ中心に設定されており、マーキング中心からXY方向に距離D1だけ離れた位置に第1の圧痕マーキング403Aが打たれる。距離D1は、圧痕マーキングの座標精度や周囲への影響を考慮して決められる。図5A、図5B、図5CにEDS分析結果スペクトルの例を示す。図5A、図5B、図5Cの横軸はエネルギー、縦軸はX線強度カウント数である。図5A、図5B、図5Cは、各々、図4A、図4B、図4Cに対応している。図5Aは基板のシリコンのみの例、図5Bはシリコンにシリコン酸化膜がデポされている例、図5Cはシリコンにレジスト膜等炭素系の膜が付いているときの例である。図4Aは、シリコン基板404Aに適正なマーキング条件で打たれており、クラック等がなく、サイズも大きめの見やすいマーキングが形成されている。もし、シリコン酸化膜404Bのように材質が硬い等のため、荷重や深さが足りないと、図4Bのようにマーキング403Bが小さくなり、観察しにくくなる。また、レジスト膜404Cのように材質が脆い等のため、荷重が強すぎたりすると、図4Cのようにマーキング403Cは大きくなるが、クラックが入ったり、割れて剥がれたりして、欠陥が見にくくなったり、ゴミの原因になる可能性がある。パターン付きウェーハの場合、図4Dのように4個のマーキングのうち1、2個が別の膜上になってしまうこともありうる。この場合は、マーキング位置毎にEDS分析を行えば、マーキング位置毎にマーキング条件を変えることも可能である。図4Dのように材質の異なる別の膜の上がマーキング予定位置となる場合には、図4Eに示すように、材質が異なる位置を避けて、その下側に打つなど、マーキングの位置を変えてもよい。または、図4Fに示すように、材質が異なる位置だけマーキングを打たないようにしてもよい。パターン付きウェーハで、しかもパターンが小さい場合は、元素分析に当たって、EDSよりも空間分解能の高いAESを使う方が有利である。図6A、図6Bに圧痕マーキングのマーキング条件の例を示す。図6Aは、マーキング条件として、材質に対応させて圧子の荷重を設定する例である。図6Bは、材質毎に圧子の荷重、下降速度、最大深さ距離を条件として設定する例を示している。もちろん、条件はこれらに限られるものではない。圧痕マーキングユニット制御ユニット1102には、この表に示すような条件が情報として記憶されており、元素分析結果に応じてその材質に対応したマーキング条件が読み出され、読み出された条件に従って圧痕マーキングユニット109が駆動制御され、マーキングが実行される。図7に、マーキング条件設定画面例を示す。この設定画面は、図3のステップ313において手動設定を選択すると表示され、画面上で701に示す項目を数値入力する。その際、登録済み条件702をスクロールバー703で上下に動かし参考にしながら入力することができる。図3に戻り、マーキング対象の全欠陥に対してマーキングを行った後、マーキングを終了し、試料203を欠陥レビュー装置から搬出する。上記圧痕マーキングは、装置の操作者がマニュアル処理で行うことも装置に自動実行させることも可能である。試料203の搬出後、解析対象を決定する。解析対象の選定方法としては、全体の中で出現率の高いメイン欠陥、そのウェーハに特異なレア欠陥、各種欠陥から数個ずつ選択して、全体状況を大まかに見る等の方法がある。さらにウェーハを割断,チップ化して、解析装置のホルダーに収まるサイズにするステップ316。ステップ317で、そのチップをFIBに入れ、FIB内で欠陥位置を探し出し、必要に応じてデポ等により表面の保護等を行った後、観察したい断面をFIB加工し、更に薄膜化して試料として取り出す。ステップ318では、TEMや高分解能SEMなどを用いて得られた薄片の断面観察を行う。従来の方法では、故障解析の対象となる欠陥であっても欠陥探索用の目印が無い状態で試料がFIBに搬入される場合が多く、FIBで欠陥を探す工程に時間を要していた。特にパターンのないベアウェーハ、膜付きウェーハ等では、微小欠陥を探し出すのに時間を要していた。本実施例によれば、欠陥レビュー装置で重要欠陥に直接圧痕マーキングを付与できるため、解析装置側での加工位置の探索が、従来よりも効率的になる。以上、本実施例では、予め決められた戦略に従い重要な欠陥を後段の解析対象として選択することができるようになるため、早期の欠陥原因究明,歩留まり改善が可能となる。更に、SEMで観察できない欠陥も解析できるようになり、歩留まり改善が可能となる。更に、圧痕の打ち方は、欠陥の周りに4点を正方形に打つ方法で説明したが、これに限定されるものではなく、図8Aや図8Bに例を示すように、圧痕の数を増やして、視認性を向上させてもよい。なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。"