"サセプタに載置した半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル成長装置内で、該サセプタを下方から支持するサセプタサポートシャフトであって、前記サセプタの中心とほぼ同軸上に位置する支柱と、該支柱から前記サセプタの周縁部下方へ放射状に延在させた複数本のアームと、隣接する該アームの先端同士を接続するアーム接続部材と、該アーム接続部材に設けられた、前記サセプタを支持するn本nは4以上の自然数の支持ピンと、を有し、前記アームがn1本以下であることを特徴とするサセプタサポートシャフト。前記アームの数が3本以上5本以下である、請求項1に記載のサセプタサポートシャフト。前記支持ピンが9本以下である、請求項1または2に記載のサセプタサポートシャフト。前記アームを3本および前記支持ピンを6本有する、請求項1に記載のサセプタサポートシャフト。前記アーム接続部材が、前記サセプタと同心円状のリング部材である、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のサセプタサポートシャフト。チャンバ内に配置された半導体ウェーハ表面上にエピタキシャル膜を形成するためのエピタキシャル成長装置であって、前記チャンバ内で前記半導体ウェーハを載置するサセプタおよび請求項1乃至5のいずれか1項に記載のサセプタサポートシャフトを有することを特徴とする、エピタキシャル成長装置。しかしながら、上記従来の方法でエピタキシャル膜を形成した場合、エピタキシャル膜の面内抵抗率分布のばらつきが大きいものであった。そこで、エピタキャル膜の抵抗率分布の均一化を目的に、本発明者らが鋭意研究した結果、サセプタ202を均一に加熱しても、サセプタ202自体そのものが高温環境下に曝されるため、サセプタ202の周縁部において撓みが発生し、特に、サセプタサポートシャフト203によって支持されていない部分の撓み量が大きいことが判明した。このような、サセプタ202の周縁部で部分的に撓みが発生した状態でエピタキシャル成長処理を行うと、サセプタ202上に載置された半導体ウェーハWとの間に隙間が生じ、この隙間内に入り込んだキャリアガスなどによって半導体ウェーハWが部分的に冷却され、半導体ウェーハWの周方向において温度ばらつきを生じてしまう。このような温度ばらつきを生じた半導体ウェーハW表面にエピタキシャル成長を行うと、ウェーハ表面上に成長させるエピタキシャル層内に取り込まれるドーパント量もウェーハ面内でばらついてしまうことになる。このように、サセプタ202の撓みは、エピタキシャルウェーハのシリコンエピタキシャル膜の抵抗率分布に影響を与え、均一でない抵抗率分布は、抵抗率規格が厳格に要求されるエピタキシャルウェーハにとって無視できる問題ではない。そこで、本発明者らはアームおよび支持ピンの本数を増やし、サセプタを多点で支持することにより、サセプタの撓みによる半導体ウェーハの面内温度のばらつきを抑制した状態でエピタキシャル成長を行うことを想起し、検討した。その結果、アームおよび支持ピン数を増やし、サセプタを多点で支持するほど、エピタキシャル膜の抵抗率分布を均一化できることが判明した。しかし、アームの本数を多くすることで、アームがサセプタ裏面とパイロメーターとの間を遮り、パイロメーターによるサセプタ裏面側の温度検出が正確に行えなくなるという問題が新たに生じることが判明した。サセプタ裏面側の温度検出の精度が悪化すると、下方のハロゲンランプ206の出力制御が正確に行えず、その結果、エピタキシャルウェーハ品質の低下を招く恐れがある。そして、パイロメーターによるサセプタ裏面側の温度検出の精度が悪化するという現象は、サセプタの回転数を上げるほど顕著になることもわかった。より平坦度の高いエピタキシャルウェーハを製造するためには、サセプタおよび半導体ウェーハをより高速で回転させる必要がある。そのため、今後より高平坦度のウェーハを製造しようとするほど、この問題がより顕在化することが予想される。そして、パイロメーターによるサセプタ裏面の温度検出精度を悪化させないように、アームの本数を元どおりにすると、サセプタの撓みによるエピタキシャル膜面内の抵抗ばらつきを抑制できないという二律背反の状況にあった。そこで、この発明は、上記の問題点に鑑み、サセプタの撓みによるエピタキシャル膜面内の抵抗ばらつきを抑制しつつ、パイロメーターによるサセプタ裏面の温度検出の精度も確保して、面内抵抗率分布がより均一である高品質のエピタキシャル膜を形成できるエピタキシャル成長装置用サセプタサポートシャフトを提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は以下のとおりである。1サセプタに載置した半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル成長装置内で、該サセプタを下方から支持するサセプタサポートシャフトであって、前記サセプタの中心とほぼ同軸上に位置する支柱と、該支柱から前記サセプタの周縁部下方へ放射状に延在させた複数本のアームと、隣接する該アームの先端同士を接続するアーム接続部材と、該アーム接続部材に設けられた、前記サセプタを支持するn本nは4以上の自然数の支持ピンと、を有し、前記アームがn1本以下であることを特徴とするサセプタサポートシャフト。2前記アームの数が3本以上5本以下である、上記1に記載のサセプタサポートシャフト。3前記支持ピンが9本以下である、上記1または2に記載のサセプタサポートシャフト。4前記アームを3本および前記支持ピンを6本有する、上記1に記載のサセプタサポートシャフト。5前記アーム接続部材が、前記サセプタと同心円状のリング部材である、上記1乃至4のいずれか1に記載のサセプタサポートシャフト。6チャンバ内に配置された半導体ウェーハ表面上にエピタキシャル膜を形成するためのエピタキシャル成長装置であって、前記チャンバ内で前記半導体ウェーハを載置するサセプタおよび上記1乃至5のいずれか1に記載のサセプタサポートシャフトを有することを特徴とする、エピタキシャル成長装置。本発明のサセプタサポートシャフトによれば、サセプタを下方から支持する支持ピンを少なくとも4本以上とすることにより、サセプタの撓みによるエピタキシャル膜面内の抵抗ばらつきを抑制しつつ、アーム数を支持ピンよりも少なくすることにより、パイロメーターによるサセプタ裏面の温度検出の精度も確保して、面内抵抗率分布がより均一である高品質のエピタキシャルウェーハを製造することができる。本発明のサセプタサポートシャフトおよびエピタキシャル成長装置の実施形態について、図面を参照しながら説明する。エピタキシャル成長装置本発明のサセプタサポートシャフトを用いて半導体ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成するには、一例として図3に示すようなエピタキシャル成長装置100を用いることが望ましい。本発明の一実施形態にかかるエピタキシャル成長装置100は、処理ガスの供給口104および排気口105を有するチャンバ101内に配置された半導体ウェーハW上に、エピタキシャル膜を形成するためのエピタキシャル成長装置100であって、チャンバ101内で半導体ウェーハWを載置するサセプタ102およびこのサセプタ102を下方から支持する、本発明の一実施形態にかかるサセプタサポートシャフト103を有する。サセプタ102は、カーボングラファイト黒鉛を母材とし、その表面を炭化ケイ素でコーティングしたものを使用することが望ましい。カーボングラファイトは熱伝導率に優れ、耐熱性および強度に優れる。ただし、カーボングラファイトは多孔質であるため内部に吸蔵ガスを含み純度の点で劣るため、その表面を炭化ケイ素で覆う構造とすることが望ましい。また、サセプタ102の厚みは20~40mmの範囲に設定することが望ましい。厚みを厚くするほど撓み防止には有効ではあるものの、必要となる熱容量が増加し、サセプタ102が所定温度に到達するまで時間がかかることになり好ましくない。厚みが薄い場合には、中心と外周部での放熱量の違いが顕著となり、径方向の温度ばらつきが大きく、撓み量も増大してしまうので好ましくない。また、サセプタ102はその表面に半導体ウェーハを収容し載置するザグリ部図示せずが形成されている。サセプタサポートシャフト103は、石英で構成することが望ましく、特に合成石英で構成することが望ましい。石英は耐熱性および純度に優れ、赤外ランプ照射を受けても透過し易いため、サセプタ102の均一加熱を図ることができる。サセプタサポートシャフト103の詳細な構造は後述する。チャンバ101の上側領域および下側領域には加熱源106が配置され、この加熱源106は、一般に、昇降温速度が速く、温度制御性に優れた、ハロゲンランプや赤外ランプを用いることが好ましい。チャンバ101の上側領域および下側領域には、上側パイロメーター112および下側パイロメーター113が配置され、上側パイロメーター112は半導体ウェーハWの被処理面の温度を検出し、下側パイロメーター113はサセプタ102の裏面の温度を検出する。両パイロメーターによる検出値に基づき、図示しない電力出力制御手段により目標温度設定値との差を補正するように加熱源106の出力が調節される。また、下側パイロメーター113とサセプタサポートシャフト103との位置関係は、サセプタサポートシャフト103の回転に伴い、下側パイロメーター113とサセプタ102裏面との間を、アーム108が通過する位置関係となっている。エピタキシャル成長装置100内のサセプタ102上に半導体ウェーハWを載置した後、加熱源106を点灯して半導体ウェーハWを加熱する。同時に排気口105から排気を行いながら、例えばトリクロロシランSiHCl3ガスやジクロロシランSiH2Cl2ガス等を処理ガスとして供給口104から導入する。すると、所定温度に加熱された半導体ウェーハWの表面に沿って処理ガスが層流状態で流れ、半導体ウェーハW上にシリコンの半導体がエピタキシャル成長する。サセプタサポートシャフト本発明の一実施形態であるサセプタサポートシャフト103は、サセプタ102に載置した半導体ウェーハWの表面上にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル成長装置100内で、サセプタ102を下方から支持する。そして、サセプタ102の中心とほぼ同軸上に位置する支柱107と、この支柱107からサセプタ102の周縁部下方へ放射状に延びる複数本のアーム108と、隣接するこれらアーム108の先端同士を接続するアーム接続部材109と、このアーム接続部材109から延び、サセプタ102を支持するn本nは4以上の自然数であり、図4ではn=6の支持ピン110と、を有し、アーム108がn1本以下n=6の場合、5本以下であり、図4では3本であることを特徴とする。すなわち、本実施形態のサセプタサポートシャフト103の特徴的構成は、サセプタ102を支持する支持ピン110は4本以上としつつ、アーム108の数は支持ピンの数よりも少なくしたことであり、サセプタサポートシャフト103にアーム接続部材109を設けたことにより、この構成を実現した。以下、本発明の特徴的構成を採用したことに技術的意義を、作用効果とともに説明する。本実施形態によれば、支持ピン110を4本以上設け、サセプタ102を4点以上で支持することとしたので、従来のようにサセプタを3点で支持する場合と比べて、サセプタ102の撓みによる半導体ウェーハWの面内温度のばらつきを抑制することができ、その結果、エピタキシャル膜における抵抗の面内分布の均一性を確保して、高品質なエピタキシャル膜の形成が可能となる。一方で、支持ピン110の本数の増加に合わせてアーム108を増やさない、すなわち、アーム108の本数をn1本以下にすることにより、支持ピン110と同じn本のアーム108を設ける場合に比べて、アーム108が下側パイロメーター113とサセプタ102裏面との間を遮る頻度が下がり、下側パイロメーター113によるサセプタ102裏面の温度検出の精度も確保される。このことにより、ほぼ設定温度に近い状態でエピタキシャル成長が行われるため、高品質なエピタキシャル膜形成が可能となる。アーム108の本数は、3本以上5本以下であることが好ましい。3本よりも少ないとサセプタ102を水平状態に安定的に支持するための十分な強度が得られない恐れがあり、5本よりも多いと下側パイロメーター113によるサセプタ102裏面の温度検出の精度が十分に確保できなくなる可能性がある。このため、サセプタ102裏面の温度検出精度を低下させない観点からは、アーム108の本数を3本とすることが最良の実施形態となる。サセプタサポートシャフト103の回転数は、一般的に20~80rpmの範囲に調整されるが、前述のとおり、エピタキシャル膜の平坦度を高めるためにはエピタキシャル成長中におけるサセプタサポートシャフト103の回転数を上げる必要があり、この観点からは、好ましくは40rpm以上、より好ましくは50~70rpmの速度で回転させる。この回転数の場合において下側パイロメーターによる温度の検出精度を十分に確保するためには、アーム108の本数は3本であることがより好ましい。また、アーム108が下側パイロメーターとサセプタ102との間を遮る頻度を均等にする観点から、および、サセプタ102の負荷バランスを均等にする観点から、アームは等間隔に設置することが望ましい。支持ピン110は9本以下であることが好ましい。9本よりも多いとサセプタ102を平面で支持するための支持ピン110を同じ高さにする調整が難しくなる恐れがあるためである。支持ピン110は6本であることがより好ましい。後に図6で示すように、支持ピン110の数が6本以上になるとエピタキシャル膜の不均一性がほぼ一定となるので、6本であれば十分に本発明の効果が得られるからである。更に、支持ピン110は等間隔に設置することが好ましい。サセプタ102周縁部を均等に支持することにより、サセプタ102の撓みを効率的かつ効果的に抑制することができるためである。アーム接続部材の態様アーム接続部材109は、支柱107からサセプタ102の周縁部下方へ放射状に延びる複数本のアーム108の隣接する先端同士を接続する部材であれば特に限定されない。複数本のアームがサセプタ102の周縁部下方まで延びていることで、アーム接続部材109自体が、下側パイロメーター113とサセプタ102の裏面との間を遮ることがない。ここで、本明細書においてサセプタの周縁部とは、サセプタ中心からサセプタ半径の80以上外側の領域を意味する。複数の支持ピン110をサセプタ102中心から等しい距離で配置することによりサセプタ102の撓みを適切に抑制することができるので、アーム接続部材109はサセプタ102と同心円状のリング部材であることがより好ましい。また、アーム接続部材109により複数本のアーム108は接続されて一体化されるので、支持ピン110が設置される土台としての構造が安定化し、サセプタ102そのものの設置傾きを防止することができる。なお、本発明では支持ピン110の全てをアーム接続部材109に取り付けたが、同様な効果が得られる取り付け形態であればどのような形態でもよく、例えば、各アーム108の先端上に支持ピンを取り付けて、アーム108の先端側面に接続させたアーム接続部材109に残りの支持ピンを取り付けるようにしてもよい。上述したところは、この発明の実施形態の一例を示したに過ぎず、請求の範囲において種々の変更を加えることができる。実施例1サセプタの中心と同軸上に位置する支柱の上端から等間隔で放射状に延びる3本のアームの先にリング部材を有し、そのリング上に等間隔で6本の支持ピンを有する、石英ガラスからなる、図4に示すようなサセプタサポートシャフトを有する、エピタキシャル成長装置を用い、エピタキシャル成長処理を行った。具体的には、直径300mm、面方向100、比抵抗10Ωcm、P型の単結晶シリコンウェーハを用い、サセプタサポートシャフトの回転数は40rpmとした。1130°Cで60秒の水素ベークをした後、シリコンソースであるSiHCl3およびボロンドーパントソースであるB2H6を水素ガスで希釈した混合反応ガスを、エピタキシャル成長装置のチャンバ内に供給して成長温度1130°Cで、厚さ約2μm、比抵抗15ΩcmのP型のエピタキシャルシリコン膜を成長させた。膜の成長中に、上側パイロメーターおよび下側パイロメーターにより、ウェーハ上面およびサセプタの裏面の温度を検出した。サセプタは、直径360mm、表面を炭化ケイ素でコーティングしたカーボングラファイトからなるものとした。また、サセプタサポートシャフトの支持ピンとサセプタとの接点はサセプタ中心から178mmの位置とした。実施例2リング上に等間隔に4本の支持ピンを有する以外は実施例1と同様のサセプタサポートシャフトを用いてエピタキシャル成長処理を行った。実施例3リング上に等間隔に9本の支持ピンを有する以外は実施例1と同様のサセプタサポートシャフトを用いてエピタキシャル成長処理を行った。比較例1図2に示すような、支柱の上端から等間隔で放射状に延びる3本のアームおよび3本の支持ピンを有する石英ガラスからなるサセプタサポートシャフトを有する、エピタキシャル成長装置を用い、エピタキシャル成長処理を行った。その他の条件は実施例1と同様である。比較例2アームが6本および支持ピンが6本であること以外は、比較例1と同様のサセプタサポートシャフトを用いてエピタキシャル成長処理を行った。評価1:ドーパント濃度の面内分布の測定実施例1~3および比較例1、2のエピタキシャルウェーハについて、エピタキシャル膜中の直径方向のドーパント濃度のばらつきをSCP測定装置QCSolutions,Inc.社製、QCS-7300RBを用いて測定した。代表して、比較例1のドーパント濃度プロファイルを図5aに、実施例1のドーパント濃度プロファイルを図5bに、それぞれ示す。また、図5aおよびbにおけるエピタキシャルウェーハ上のドーパント濃度の測定方向を図5cに図示する。図5a,bの左側X方向のグラフは、図5cのX方向に測定したものであり、図5a,bの右側Y方向のグラフは、図5cのY方向に測定したものである。また、図5c中、×印は実施例1図5bでサセプタを支持した位置を示し、○印は比較例1図5aでサセプタを支持した位置を示す。各図とも、ドーパント濃度は、ウェーハ中心部のエピタキシャル層のドーパント濃度を基準0.00としたときの差分を示しており、ウェーハ中心部以外のドーパント濃度-ウェーハ中心部のドーパント濃度/を示すものである。比較例1の3点支持の場合は、図5aのX方向のグラフから明らかなように、グラフ左側の端部ではドーパント濃度が小さく、グラフ右側の端部ではドーパント濃度が大きくなっており、両端部でのドーパント濃度分布すなわち、抵抗率分布が不均一となっている。Y方向のグラフにも同様の傾向が見られた。一方、実施例1の6点支持の場合は、図5bのX方向のグラフから明らかなように、グラフの左右の端部におけるドーパント濃度の差が、図5aX方向のグラフよりも小さくなっており、両端部でのドーパント濃度分布抵抗率分布がより均一となっている。Y方向のグラフにも同様の傾向が見られた。次に、実施例1~3および比較例1で得られたエピタキシャルウェーハのドーパント濃度分布抵抗率分布の不均一性を計算した結果を図6に示す。図6の横軸は支持点数を、縦軸はドーパント濃度分布の不均一性を示す。このドーパント濃度分布の不均一性は、各エピタキシャルウェーハそれぞれについて、SCP測定装置を用いてエピタキシャル層表面の複数箇所面内9箇所におけるドーパント濃度を測定し、測定した値のうち、最大値-最小値/最大値最小値×100により算出された値である。図6から、実施例1~3は比較例1よりも抵抗率分布が均一であることがわかる。特に、サセプタを6点以上で支持すると不均一性の値がほぼ一定となり、支持点数を過度に増大させなくともよいことがわかる。最低6点でサセプタを支持することが好ましい。評価4:パイロメーターによる温度検出アームの設置本数がパイロメーターによる温度検出に与える影響を調査した。図7aは、実施例1アーム本数3本、支持ピン本数6本におけるエピタキシャル成長処理中の上側パイロメーターおよび下側パイロメーターIrcon社製による温度検出値の変化を示すものである。同様に、図7bは、比較例2アーム本数6本、支持ピン本数6本におけるエピタキシャル成長処理中の上側パイロメーターおよび下側パイロメーターによる温度検出値の変化を示すものである。図7a、bから明らかなように、アームが3本である図7aでは、目標設定温度に対して、下側パイロメーターによる温度検出値の変化は小さく、測定した温度ブレ幅最大値および最小値の差は3.4°Cと良好であった。一方、アームが6本である図7bでは、目標設定温度に対して、下側パイロメーターによる温度検出値の変化は大きく、測定した温度ブレ幅は9.4°Cと大きく増大した。なお、アームの本数を4本と5本に変更した以外は、実施例1と同一条件でエピタキシャル成長処理を行い、それぞれの場合について、エピタキシャル成長処理中の下側パイロメーターによる温度検出値の変化を調査したところ、それぞれの温度ブレ幅は、それぞれ、3.8°C、4.1°C、と良好な結果が得られた。このように、サセプタ裏面の温度を正確に検出するにはアーム本数を減らすことが望ましく、5本以下、特に3本とすることが望ましい。"