"真空中で被検物の温度を検出する温度検出器であって、温度を検出可能なセンサ部と、前記被検物と前記センサ部との間に前記真空とは異なる空間を形成する空間形成部材と、前記空間内に設けられ、前記被検物と前記センサ部との間で伝熱する伝熱媒体と、を備える温度検出器。前記伝熱媒体は、熱伝導又は対流伝熱の少なくとも一方の伝熱機構により伝熱する請求項1に記載の温度検出器。前記伝熱媒体は、気体と液体金属とのいずれかである請求項1又は2に記載の温度検出器。前記伝熱媒体は、前記空間形成部材が有する熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有する請求項1~3のいずれか一項に記載の温度検出器。前記空間形成部材は、前記被検物の温度検出位置を囲むように設けられる請求項1~4のいずれか一項に記載の温度検出器。前記被検物と前記空間形成部材とを気密に接続する接続部材をさらに備える請求項1~5のいずれか一項に記載の温度検出器。真空中で物体を露光する露光装置であって、請求項1~6のいずれか一項に記載の温度検出器を備える露光装置。内部を真空に設定可能な真空チャンバをさらに備え、前記温度検出器は、前記真空チャンバ内に設けられ、前記物体への露光に用いる光学装置の温度を検出する請求項7に記載の露光装置。真空中で被検物の温度を検出する温度検出器の設置方法であって、温度を検出可能な前記温度検出器のセンサ部を準備することと、前記被検物と前記センサ部との間に前記真空とは異なる空間を形成して、前記センサ部を配置することと、前記空間に前記被検物と前記センサ部との間で伝熱する伝熱媒体を入れることと、を含む温度検出器の設置方法。前記伝熱媒体を入れることでは、前記伝熱媒体として気体又は液体金属を入れる請求項9に記載の温度検出器の設置方法。前記センサ部を準備することと、前記センサ部を配置することと、前記伝熱媒体を入れることとを、前記真空とは異なる環境で行った後、前記温度検出器が設置される空間を真空に設定する請求項9又は10に記載の温度検出器の設置方法。前記センサを配置することでは、前記真空とは異なる環境に含まれる気体が前記空間内に入るように前記センサを配置し、前記伝熱媒体を入れることでは、前記真空とは異なる環境に含まれる気体を入れる請求項9~11のいずれか一項に記載の温度検出器の設置方法。前記真空とは異なる環境は、大気環境である請求項12に記載の温度検出器の設置方法。請求項9~13のいずれか一項に記載の設置方法を利用して設置された温度検出器を用いて、真空中で被検物の温度を検出する温度検出方法。真空中で被検物の温度を検出する温度検出方法であって、温度を検出可能なセンサ部と前記被検物との間に形成された前記真空とは異なる空間の内部で、前記センサ部と前記被検物との間に設けられた伝熱媒体を介して前記被検物の温度を検出する温度検出方法。前記伝熱媒体は、熱伝導又は対流伝熱の少なくとも一方の伝熱機構により、前記被検物と前記センサ部との間で伝熱可能である請求項15に記載の温度検出方法。請求項14~16のいずれか一項に記載の温度検出方法を利用して、光源から被露光物体までの光路の近傍が真空に維持される露光装置の構成各部の温度を検出する温度検出方法。本発明の態様は、上述の事情の下でなされたものであり、第1の観点からすると、真空中で被検物の温度を検出する温度検出器であって、温度を検出可能なセンサ部と、前記被検物と前記センサ部との間に前記真空とは異なる空間を形成する空間形成部材と、前記空間内に設けられ、前記被検物と前記センサ部との間で伝熱する伝熱媒体と、を備える温度検出器である。ここで、伝熱熱伝達又は熱移動とも呼ぶとは、熱伝導、対流伝熱、放射伝熱、及びこれらの組み合わせによる熱の移動現象の総称である。これによれば、真空中で被検物の温度を正確に測定することが可能になる。本発明の態様は、第2の観点からすると、真空中で物体を露光する露光装置であって、本発明の温度検出器を備える露光装置である。これによれば、真空中で且つ温度管理の厳しい環境下で、被露光物体の高精度な露光が可能になる。本発明の態様は、第3の観点からすると、真空中で被検物の温度を検出する温度検出器の設置方法であって、温度を検出可能な前記温度検出器のセンサ部を準備することと、前記被検物と前記センサ部との間に前記真空とは異なる空間を形成して、前記センサ部を配置することと、前記空間に前記被検物と前記センサ部との間で伝熱する伝熱媒体を入れることと、を含む温度検出器の設置方法である。これによれば、真空中で被検物の温度を正確に測定することのできる温度検出器を設置することが可能になる。本発明の態様は、第4の観点からすると、本発明の設置方法を利用して設置された温度検出器を用いて、真空中で被検物の温度を検出する第1の温度検出方法である。これによれば、真空中で被検物の温度を正確に測定することが可能になる。本発明の態様は、第5の観点からすると、真空中で被検物の温度を検出する温度検出方法であって、温度を検出可能なセンサ部と前記被検物との間に形成された前記真空とは異なる空間の内部で、前記センサ部と前記被検物との間に設けられた伝熱媒体を介して前記被検物の温度を検出する第2の温度検出方法である。これによれば、真空中で被検物の温度を正確に測定することが可能になる。以下、一実施形態を、図1~図6Bに基づいて、説明する。図1には、一実施形態に係る走査型露光装置以下、単に露光装置と呼ぶ100の全体構成が概略的に示されている。露光装置100では、後述するように、レチクルRからの反射光束をウエハW上に垂直に投射する投影光学系POが使用されている。以下においては、投影光学系POからウエハWへの照明光EUV光ELの投射方向を投影光学系POの光軸方向と呼ぶとともに、この光軸方向をZ軸方向Z方向、これに直交する面内で図1における紙面内の方向をY軸方向Y方向、紙面に直交する方向をX軸方向X方向として説明するものとする。露光装置100は、反射型レチクルレチクルRに描画された回路パターンの一部の像を投影光学系POを介してウエハW上に投影しつつ、レチクルRとウエハWとを投影光学系POに対して1次元方向ここではY軸方向に相対走査することによって、レチクルRの回路パターンの全体をウエハW上の複数のショット領域の各々にステップアンドスキャン方式で転写するものである。露光装置100は、波長5~20nm、例えば波長11nmのEUV光ELをY軸方向に沿って水平に射出する光源装置3、光源装置3からのEUV光ELを反射して所定の入射角、例えば約50mradでレチクルRのパターン面図1における下面に入射するように折り曲げる折り返しミラーM照明光学系の一部、レチクルRを保持するレチクルステージRST、レチクルRのパターン面で反射されたEUV光ELをウエハWの被露光面に対して垂直に投射する反射光学系から成る投影光学系PO、ウエハWを保持するウエハステージWST等を備えている。光源装置3は、レーザ励起プラズマ光源から成る露光光源、集光ミラーとしての放物面鏡、照明ミラー、波長選択窓等いずれも図示省略を含み、折り返しミラーMを介してレチクルRのパターン面を円弧スリット状照明光で照明する。レチクルステージRSTは、XY平面に沿って配置されたレチクルステージベース32上に配置され、磁気浮上型2次元リニアアクチュエータ34によってレチクルステージベース32上に浮上支持されている。レチクルステージRSTは、磁気浮上型2次元リニアアクチュエータ34によってY軸方向に所定ストローク具体的には100mm以上のストロークで駆動されるとともに、X軸方向及びθz方向Z軸回りの回転方向にも微小量駆動されるようになっている。また、レチクルステージRSTは、磁気浮上型2次元リニアアクチュエータ34によってZ軸方向及びXY平面に対する傾斜方向にも微小量だけ駆動可能に構成されている。レチクルステージRSTのZ軸方向の位置は、レチクルRのパターン面に対し斜め方向から検出ビームFB1を照射する送光系13aと、レチクルRのパターン面で反射された検出ビームFB1を受光する受光系13bとから構成されるレチクルフォーカスセンサ4によって計測されている。レチクルフォーカスセンサ4としては、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示される多点焦点位置検出系が用いられている。また、レチクルステージRSTのXY平面内の位置はレーザ干渉計システムレチクル干渉計システムと呼ぶ113図2参照によって計測されている。レチクルフォーカスセンサ4及びレチクル干渉計システム113の計測値は、主制御装置120に供給され、主制御装置120によって磁気浮上型2次元リニアアクチュエータ34が制御され、レチクルステージRSTの6次元方向の位置及び姿勢制御が行われるようになっている図2参照。レチクルステージRSTの下面に、不図示の静電チャック方式のレチクルホルダを介してレチクルRが吸着保持されている。レチクルRは、シリコンウエハ、石英、低膨張ガラスなどの薄い板から成り、その表面パターン面には、EUV光を反射する反射膜が形成されている。この反射膜は、例えばモリブデンMoとベリリウムBeの膜が交互に約5.5nmの周期で、約50ペア積層された多層膜である。この多層膜は波長11nmのEUV光に対して約70の反射率を有する。なお、折り返しミラーM及び光源装置3内の各ミラーの反射面にも同様の構成の多層膜が形成されている。レチクルRのパターン面に形成された多層膜の上には、吸収層として例えばニッケルNi又はアルミニウムAlが一面に塗布され、回路パターンがパターンニングされている。レチクルRの吸収層が残っている部分に当たったEUV光は吸収層によって吸収され、吸収層の抜けた部分に当たったEUV光は反射膜によって反射され、結果として回路パターンの情報を含んだEUV光が反射されて次に述べる投影光学系POへ向かう。投影光学系POは、開口数N.A.が例えば0.1や0.3等で、後述するように、反射光学素子ミラーのみから成る反射光学系が使用されており、ここでは、一例として投影倍率1/4倍のものが使用されている。従って、レチクルRによって反射され、レチクルRに描かれたパターン情報を含むEUV光ELは、投影光学系POによって4分の1に縮小されてウエハW上に投射され、これによりレチクルR上のパターンは1/4に縮小されてウエハWに転写される。ここで、投影光学系POについてより詳細に説明する。投影光学系POは、図1に示されるように、レチクルRで反射されたEUV光ELを順次反射する第1ミラーM1、第2ミラーM2、第3ミラーM3、第4ミラーM4の合計4枚のミラー反射光学素子と、第2~第4ミラーM2~M4を保持する第1分割鏡筒PP1と、第1ミラーを保持する第2分割鏡筒PP2とから構成されている。第1~第4ミラーM1~M4は、いずれも投影光学系POの光軸AXに対して回転対称の反射面を有しており、その内第1ミラーM1及び第4ミラーM4の反射面は非球面の形状を有し、第2ミラーM2の反射面は平面であり、第3ミラーM3の反射面は球面形状となっている。各反射面は設計値に対して露光波長の約50分の1から60分の1以下の加工精度が実現され、RMS値標準偏差で0.2nmから0.3nm以下の誤差しかない。各ミラーの反射面の形状は、計測と加工とを交互に繰り返しながら形成されるため、第3ミラーM3のような凸状の反射面は、球面であることが、その計測の都合上望ましい。凸状の非球面を高精度に計測することは現状では困難だからである。この場合、図1に示されるように、第1ミラーM1で反射された光が第2ミラーM2に到達できるように、第4ミラーM4には穴が空けられている。また、第4ミラーM4で反射された光がウエハWに到達できるよう第1ミラーM1は、下側から見て円の左端部の一部を切除したいわばやや丸みを帯びたDの字状となっている。また、これに対応して、該第1ミラーM1を保持する第2分割鏡筒PP2の断面形状も、下側から見てやや丸みを帯びたDの字状とされている。投影光学系POは不図示の真空チェンバに収容され、その内部は真空であるため、ミラーM1~M4に対する照明光ELの照射による熱の逃げ場がない。そこで、本実施形態では、次のようにして、ミラーM1~M4の熱膨張に起因する投影光学系POの結像特性の劣化を抑制するようにしている。すなわち、ミラーM2~M4を、それぞれ複数本の支持部材15B、15C、15Dを介して第1分割鏡筒PP1にそれぞれ固定し、また第1ミラーM1を複数本の支持部材15Aを介して第2分割鏡筒PP2に固定している。また、第1の分割鏡筒PP1を内側のインナー部材50と、その外周部に装着された冷却ジャケット52との2重構造とし、冷却ジャケット52の内部には、冷却液例えばフロリナート商品名を流入チューブ54側から流出チューブ56側に流すための螺旋状のパイプ58が設けられている。同様に、第2の分割鏡筒PP2を内側のインナー部材51と、その外周部に装着された冷却ジャケット53との2重構造とし、冷却ジャケット53の内部には、冷却液例えばフロリナート商品名を流入チューブ55側から流出チューブ57側に流すための螺旋状のパイプ59が設けられている。更に、各ミラーM1~M4とそれぞれの鏡筒との間には、不図示のヒートパイプ等が配置されている。また、冷却ジャケット52、53のそれぞれは、流出チューブ56、57をそれぞれ介して別々の冷凍装置150、152図1では図示省略、図2参照の戻り口に接続され、これらの冷凍装置150、152の吐出口は流入チューブ54、55をそれぞれ介して冷却ジャケット52、53に接続されている。流出チューブ56、57を介してそれぞれ流出した冷却液は、冷凍装置150、152内で冷媒との間で熱交換を行い、所定温度まで冷却された後、流入チューブ54、55をそれぞれ介して冷却ジャケット52、53内に流入するようになっており、このようにして冷却液が循環されるようになっている。本実施形態の投影光学系POでは、上記の如く、ミラーM1~M4がそれぞれの支持部材15A~15Dによって支持され、ヒートパイプによって第2分割鏡筒PP2、第1分割鏡筒PP1のインナー部材51、50に連結されていることから、露光用の照明光EUV光ELの照射によりミラーM1、M2、M3、M4に熱エネルギが与えられても、ヒートパイプを介してそれぞれ所望の温度に温度調整された第2分割鏡筒PP2、第1分割鏡筒PP1との間で熱交換が行われ、ミラーM1、M2、M3、M4が所望の温度に冷却される。この場合、第1ミラーM1を保持する第2分割鏡筒PP2と残りのミラーを保持する第1分割鏡筒PP1とは、異なる目標温度に冷却が可能なため、第2分割鏡筒PP2の冷却目標温度を第1分割鏡筒PP1の冷却目標温度より低く設定する。これは、第1ミラーM1がレチクルRに光学的に最も近いため、最も熱吸収が大きいことを考慮して、第1~第4ミラーを効率良く冷却するためである。ウエハステージWSTは、XY平面に沿って配置されたウエハステージベース60上に配置され、磁気浮上型2次元リニアアクチュエータ62によって該ウエハステージベース60上に浮上支持されている。ウエハステージWSTは、磁気浮上型2次元リニアアクチュエータ62によってX軸方向及びY軸方向に所定ストロークストロークは例えば300~400mmであるで駆動されるとともに、θz方向Z軸回りの回転方向にも微小量駆動されるようになっている。また、ウエハステージWSTは、磁気浮上型2次元リニアアクチュエータ62によってZ軸方向及びXY平面に対する傾斜方向にも微小量だけ駆動可能に構成されている。ウエハステージWSTの上面には、静電チャック方式の不図示のウエハホルダが載置され、該ウエハホルダによってウエハWが吸着保持されている。ウエハステージWSTのXY平面内の位置は、レーザ干渉計システムウエハ干渉計システムと呼ぶ114図2参照によって計測されるようになっている。また、鏡筒を基準とするウエハWのZ軸方向の位置は、ウエハフォーカスセンサ14によって計測されるようになっている。ウエハフォーカスセンサ14は、図1に示されるように、鏡筒を保持する不図示のコラムに固定され、ウエハW面に対し斜め方向から検出ビームFBを照射する送光系14aと、同じく不図示のコラムに固定され、ウエハW面で反射された検出ビームFBを受光する受光系14bとから構成される。ウエハフォーカスセンサ14としては、レチクルフォーカスセンサと同様の多点焦点位置検出系が用いられている。ウエハフォーカスセンサ1414a、14b及びウエハ干渉計システム114の計測値は、主制御装置120に供給され、該主制御装置120によって磁気浮上型2次元リニアアクチュエータ62が制御され、ウエハステージWSTの6次元方向の位置及び姿勢制御が行われるようになっている図2参照。ウエハステージWST上面の一端部には、レチクルRに描画されたパターンがウエハW面上に投影される位置と、後述するアライメント光学系ALGの相対位置関係の計測いわゆるベースライン計測等を行うための空間像計測器FMが設けられている。空間像計測器FMは、従来のDUV露光装置の基準マーク板に相当するものである。さらに、本実施形態では、図1に示されるように、第2分割鏡筒PP2の-Y側の側壁の内面に、アライメント光学系ALGが固定されている。アライメント光学系ALGとしては、ブロードバンド光をウエハW上のアライメントマークまたは空間像計測器FMに照射し、その反射光を受光して画像処理によりマーク検出を行うFIAFieldImageAlignment方式のアライメントセンサ、レーザ光をウエハW上の回折格子状のアライメントマークに2方向から照射し、発生した2つの回折光を干渉させ、その位相からアライメントマークの位置情報を検出するLIALaserInterferometricAlignment方式のアライメントセンサ、レーザ光をウエハW上のアライメントマークに照射し、回折散乱された光の強度を利用してマーク位置を計測するLSALaserStepAlignment方式のアライメントセンサやAFM原子間力顕微鏡のような走査型プローブ顕微鏡等種々のものを用いることができる。露光装置100の構成各部、特に光源装置3からウエハステージWST上のウエハWまでのEUV光ELの光路の近傍に配置されるレチクルステージRSTレチクルホルダ等、投影光学系PO鏡筒、ミラーM1~M4、支持部材15A~15D等、ウエハステージWSTウエハホルダ等等には、温度計測系110図1では図示省略、図2参照を構成する後述する第1~第4の温度センサ図5A~図6B参照のいずれかが取り付けられている。これらの温度センサは、各温度センサが取り付けられた構成各部の温度を測定する。ここで、特に、投影光学系POを構成するミラーM1~M4は、前述の通り熱膨張に起因する投影光学系POの結像特性の劣化を抑制して露光精度を維持するために、真空環境下且つ常温で0.01~0.001°C又はKの精度で精密に温度が測定される。その測定結果は主制御装置120に供給され、主制御装置120によって冷凍装置150、152が制御され、投影光学系POの温度制御が行われるようになっている図2参照。図2には、露光装置100の制御系を中心的に構成し、構成各部を統括制御する主制御装置120の入出力関係を示すブロック図が示されている。主制御装置120は、ワークステーション又はマイクロコンピュータ等を含み、露光装置100の構成各部を統括制御する。次に、本実施形態に係る温度センサについて説明するのに先立って、従来技術における温度測定について、図3A~図4Bに基づいて説明する。図3Aには、被検物OBに固定された従来型の温度センサ10の縦断面図が示されている。この図3A中に示されている座標軸x、y、zは、図1に示される座標軸X、Y、Zと必ずしも一致するものではなく、説明の便宜上設定されている。以下で説明する図3B、図5A~図6Bの各図においても同様である。図3Aに示される温度センサ10は、センサ部本体部10aと、該センサ部10aを保持するホルダ20と、を有している。センサ部10aは、円柱状又は直方体状四角柱状の形状を有している。ホルダ20は、x-z断面凸形状を有し、その底面-z側の面の中央部には、センサ部10aの外形に応じた形状の凹部が設けられている。この凹部内にセンサ部10aが挿入され、その検出面-z側の面をホルダ20の下面-z側の面より幾分下方に突出した状態で、ホルダ20に保持されている。そして、ホルダ20の外縁の近傍に形成された孔20aを介して、固定具、例えばボルト22が挿入され、該ボルト22の先端部ねじ部を被検物OBの表面に設けられたねじ孔40に羅合することで、温度センサ10が、被検物OBに固定されている。ボルト22を締め付けることで、センサ部10aの検出面が被検物OBの表面に押し付けられている。センサ部10aには、コード10bの一端が接続され、該コード10bの他端は、ホルダ20の一部を介して外部に導出されている。センサ部10aは、サーミスタ、熱電対、白金抵抗体等を含む。センサ部10aは、接触熱伝達により被検物OBの熱を取り込むことで、被検物OBの温度に応じた信号をコード10bを介して出力する。図3Bには、センサ部10aと被検物OBとの接触境界面C1,2図3Aの楕円内の拡大断面図が示されている。センサ部10aの境界面検出面1と被検物OBの境界面2は、微小な凹凸を有し、図3B中に円で囲んで示される部分以下、接触部と称するでのみ接触している。従って、実際に両境界面1,2が接触している面積真実接触面積は、見かけの接触面積よりもはるかに小さい。大気中では、両境界面1,2の間の空隙30には空気が満たされている。そのため。接触部が少なくても真実接触面積が小さくても、接触部だけでなく空隙30内の空気を介して、被検物OBからセンサ部10aへ熱伝達される。ここで、空気の熱伝導率は常温付近でおおよそ26.1×10-3Wと必ずしも大きくないが、通常、空隙の距離は数10nm~数μmと微小であるため、空隙30内の空気を介しての熱伝達は接触境界面C1,2での熱伝達に大きく寄与する。2つの固体の接触境界面C1,2の接触熱抵抗RSは、例えば、次式により表される例えば、日本機械学会誌33巻251号参照。ここで、Z1,Z2は境界面1,2の面粗さμm、h0は付加コンダクタンスkcalm2h°C、k1,k2は固体熱伝導率WmK、λは境界面1,2の間の空隙を満たしている伝熱媒体の熱伝導率WmK、pは境界面1,2の押し付け圧力MPa、Hは軟らかい方の固体の硬度HB、1Wm2K0.860kcalm2h°Cである。式1の右辺の分数式の分母部分内の第1及び第2項は、それぞれ、接触境界面C1,2の接触部及び境界面1,2の間の空隙内の伝熱媒体を介しての2つの固体間の熱伝達に由来する。2つの固体間の押し付け圧力pを増す減らすことにより、接触境界面C1,2の接触部が増す減るため、第1項の寄与が大きく小さくなり、接触部伝熱媒体を介しての熱伝達が2つの固体間の熱伝達を支配することが分かる。真空中では、空隙30内に空気伝熱媒体が存在しないため、空気を介しての熱伝達はない。すなわち、式1において、接触熱抵抗RSに対する分母部分の第2項の寄与はないλ=0。従って、真空中における2つの固体間の接触熱抵抗RSは、大気中における接触熱抵抗より大きいすなわち、熱伝達率は小さい。なお、真空中では、輻射による熱伝達が支配的となるため、接触部を介しての熱伝達接触熱伝達と輻射による熱伝達輻射熱伝達とにより2つの固体間で熱伝達されることとなる。上述の通り、真空中では2つの固体間の接触熱抵抗RSが増すため、図3Aに示されるように設置された温度センサ10では、被検物OBからセンサ部10aへの熱伝達接触熱伝達が不十分となり、被検物OBの温度を正確に測定することができない。なお、熱伝達接触熱伝達がない場合、温度センサ10センサ部10aそのものの温度を測定することとなる。発明者らは、上述の問題を検証するため、従来型の温度センサ10を用いて真空中において実験用被検物の温度測定をおこなった。ここで、被検物に2つの温度センサ以下、温度センサY及び温度センサ-Yと称するを設置し、これら2つの温度センサを用いて、高真空下でヒータを用いて被検物を加熱しつつその温度変化を測定した。なお、温度センサY及び温度センサ-Yは大気環境下において0.01°C精度に較正されている。図4Aには、温度センサY及び温度センサ-Yの取り付け状態に対する条件1と条件8のそれぞれについての測定結果が示されている。取り付け状態としては、例えば、押し付け圧力、平面度、表面粗さ等の状態が異なっている。時間0~2400秒にかけてヒータにより被検物を加熱している。その間、温度センサY及び温度センサ-Yの測定結果は時間に対して上がっている。時間2400秒にて、ヒータを止め、被検物の加熱を停止している。これにより、測定結果は時間に対してゆっくり下がっている。ここで、温度センサYと温度センサ-Yとの測定結果の差±Y差に注目すると、時間に対して大きく揺らぎ、条件1において最大1.5°C、条件8において最大0.5°C程度のずれが生じていることがわかる。この結果は、温度センサの取り付け状態が適切でないため、上述の通り、温度センサと被検物との間の接触熱抵抗RSが増し、被検物から温度センサへの熱伝達接触熱伝達が不十分となり、被検物の温度を正確に測定できず、温度センサY及び温度センサ-Yのそれぞれの測定結果に大きなずれが生じたものと考えられる。図4Bには、押し付け圧力pをより強くするなどして、温度センサY及び温度センサ-Yの取り付け状態を改善した場合条件3、条件4、及び条件6の測定結果が示されている。温度センサY及び温度センサ-Yのそれぞれの測定結果は、図4Aに示される結果と同様であるが、測定結果の差±Y差は格段に小さくなり、最大でも0.23°C程度に改善されている。この結果は、温度センサの取り付け状態が改善されたため、温度センサと被検物との間の接触熱抵抗RSが減り、被検物から温度センサへの熱伝達接触熱伝達が十分となり、被検物の温度をより正確に測定できたことにより、測定結果の差が小さくなったと考えられる。しかし、そのずれは両温度センサのそれぞれの精度0.01度よりもまだ大きい。発明者らは、これらの測定結果より、大気中と真空中とで2~3°Cの測定誤差が生ずるものと推測した。この誤差は、前述の通り、露光精度を維持するために要する真空環境下且つ常温における0.01~0.001°Cの測定精度に対して全く無視することができず、実際には、従来の温度センサ10は不十分な測定装置であるということがわかる。本実施形態では、上述の従来技術における温度測定の問題点を、センサ部10aと被検物OBとの間に伝熱媒体を満たすことにより改善する。図5Aには、被検物OBに固定された本実施形態に係る第1の温度センサ11の縦断面図が示されている。温度センサ11は、センサ部本体部10aと、該センサ部10aを保持するホルダ21と、を有している。ホルダ21は、底面-z側の面が開口し上面z側の面が閉塞された筒状部21aと、その下端外周部に設けられたフランジ部21bとを有する、側面視凸形状の部材から成る。ホルダ21は、例えば、アルミニウム、ステンレス、セラミックス等の素材から成る。ホルダ21の筒状部21aは内部空間21cを有し、その内部空間21cを区画するホルダ21の上壁に支持部材21dを介してセンサ部10aが保持されている。ここで、フランジ部21bの底面には、筒状部21aより一回り大きい環状の所定深さの凹溝21eが形成され、該凹溝21eの内部にシール部材、例えばOリング23が取り付けられている。Oリング23は、ホルダ21を、被検物OBに取り付ける前の状態では、その一部が、ホルダ21のフランジ部21bの底面から下方に一部露出している。すなわち、凹溝21eの深さは、Oリング23の厚さより幾分浅い。そして、ホルダ21のフランジ部21bに形成された孔21fを介して、固定具、例えばボルト22が挿入され、該ボルト22の先端部ねじ部が被検物OBの表面に設けられたねじ孔40に羅合される。このようにして、温度センサ11が、被検物OBに固定されている。このとき、ボルト22を締め付けることで、Oリング23が、フランジ部21bと被検物OBとによって上下から押圧されて潰れ、その内周側の空間を外部に対して隔離する、すなわちシール機能を発揮する。これにより、温度センサ11が、被検物OBに固定され、ホルダ21の内部空間21cが、気密空間となる。温度センサ11においても、センサ部10aには、コード10bの一端が接続され、該コード10bの他端は、ホルダ21の上壁を介して外部に導出されている。説明が前後したが、内部空間21cには、隙間なく、伝熱媒体28が充填されている。伝熱媒体28として、大きい熱伝達率を有する材料、一例として、液体金属、具体例としては、GaInSnZn又はGaInSnなどが、用いられる。これらの液体金属は、常温で液体であり、熱伝導率は、約55wと、十分に高い。伝熱媒体28として、液体金属を用いる場合には、温度センサ11の被検物OBに対する取り付けは、図5Aにおける上下を逆さまにした状態で、ホルダ21内の液体金属が漏れないようにして行われる。なお、伝熱媒体の候補として、例えば電子部品の放熱用媒体として頻繁に使用されるサーマルコンパウンドも考えられるが、炭素を含むアウトガスが発生し、そのアウトガスが投影光学系POを構成するミラーM1~M4に付着して、露光精度が低下してしまう。そこで、発生したアウトガスが密閉空間から漏れ出ることのないように、気密に密閉空間を形成することで、サーマルコンパウンドを用いても良い。例えば、サーマルコンパウンドは、熱伝導率が5~9w程度であり、液体金属より熱伝導率が小さい。ホルダ21の内部空間21cの容積は、センサ部10aを収容するのに必要な程度、すなわち、センサ部10aと被検物OBとの離間距離が十分小さく、かつセンサ部10aと被検物OBとの間に伝熱媒体28を充填するのに必要な程度が望ましい。センサ部10aと被検物OBとの離間距離が大きいと、例え伝熱媒体28の熱伝導率が大きくても、被検物OBからセンサ部10aへの熱伝達に時間を要することとなり、温度測定に要する時間応答時間が長くなってしまうからである。上述の構成の温度センサ11では、センサ部10aと被検物OBとの間に伝熱媒体28が介在するためセンサ部10aと被検物OBとが伝熱媒体28の介在により面接触するため、被検物OBからセンサ部10aへ伝熱媒体28を介して十分に熱伝達される。センサ部10aは、このようにして被検物OBの熱を取り込むことで、被検物OBの温度に応じた信号をコード10bを介して出力する。これにより、真空中であっても、被検物OBの温度を正確に測定することが可能になる。ところで、被検物OBが固定されている場合動かない場合、図5Bに示される構成の第2の温度センサ12を、温度センサ11に代えて、あるいはこれと共に採用することもできる。温度センサ12は、センサ部本体部10aと、センサ部10aを、被検物OBに固定するための固定部材21’と、を有している。この場合、被検物OBの表面に溝部28aが設けられ、溝部28aの内部にセンサ部10aが配置されている。センサ部10aには、コード10bの一端が接続され、該コード10bの他端は、被検物OBの外部に導出されている。センサ部10aは固定部材21’の一端部-x側端部の下面-z側の面に支持部材21dを介して保持固定されている。固定部材21’の他端部x側端部に形成された孔21fを介して、固定具、例えばボルト22が挿入され、該ボルト22の先端部ねじ部が被検物OBの表面に設けられたねじ孔40に羅合され、これにより、センサ部10aを保持する固定部材21’が、被検物OBに固定されている。この場合、溝部28aの内部空間には、センサ部10aと被検物OBとの間に隙間なく、かつセンサ部10aが完全に浸る高さ深さまで、前述の液体金属から成る伝熱媒体28が充填されている。溝部28aの容積は、前述のホルダ21の内部空間21cと同様、センサ部10aを収容するのに必要な程度が望ましい。上述の構成の温度センサ12においても、センサ部10aと被検物OBとの間に伝熱媒体28が介在するため、被検物OBからセンサ部10aへ伝熱媒体28を介して十分に熱伝達される。これにより、真空中であっても、被検物OBの温度を正確に測定することが可能になる。この他、図6Aに示されるように、センサ部10aと被検物OBとの間に伝熱媒体として薄い空気層28’が設けられた第3の温度センサ13を、温度センサ11、12の少なくとも一方に代えて、あるいはこれらとともに採用することもできる。温度センサ13は、センサ部本体部10aと、該センサ部10aを保持するホルダ26と、を有している。ホルダ26は、平面視z方向から見て円形又は矩形の板状部26aと、該板状部26aの上面中央部に凸設された円柱状又は角柱状の凸部26bとを有する、側面視凸形状の部材から成る。ホルダ26は、例えば、アルミニウム、ステンレス、セラミックス等の素材から成る。ホルダ26の板状部26aの底面には、所定深さの凹部26cが形成されている。また、凹部26cの中央部には、凸部26bの上面の近傍近くまで達する凹部26dが設けられている。この凹部26d内にセンサ部10aが圧入されている。センサ部10aの下端面-z側の面は、凹部26cの内部底面とほぼ一致僅かに下方に突出している。板状部26aの底面には、凹部26cより一回り大きい環状の所定深さの凹溝26eが形成され、該凹溝26eの内部にシール部材、例えばOリング23が取り付けられている。Oリング23は、ホルダ26を、被検物OBに取り付ける前の状態では、その一部が、ホルダ26の板状部26aの底面から下方に一部露出している。すなわち、凹溝26eの深さは、Oリング23の厚さより幾分浅い。そして、ホルダ26の板状部26aに形成された孔26fを介して、固定具、例えばボルト22が挿入され、該ボルト22の先端部ねじ部が被検物OBの表面に設けられたねじ孔40に羅合されることで、ホルダ26が、被検物OBに固定されている。このとき、ボルト22を締め付けることで、Oリング23が、板状部26aと被検物OBとによって上下から押圧されて潰れ、その内周側の空間を外部に対して隔離する、すなわちシール機能を発揮する。これにより、温度センサ13が、被検物OBに固定され、ホルダ26の凹部26cの内部空間が、気密空間となる。上述した温度センサ13の被検物OBに対する取り付け作業を、大気中で行うことで、上記ホルダ26の凹部26cの内部の気密空間内に空気層28’が形成される。温度センサ13においても、センサ部10aには、コード10bの一端が接続され、該コード10bの他端は、ホルダ26の上壁を介して外部に導出されている。なお、図6Aでは、図示の便宜上から、凹部26cが誇張して示されているが、実際には、Oリング23をホルダ26と被検物OBとの間に介在させて、温度センサ13を被検物OBに固定すると、必ずホルダ26と被検物OBとの間にOリング23でシールされた数μ程度の空気層28’空気が充填された空間が形成されるので、ホルダ26に凹部26cを形成しなくても良い。また、シール部材23Oリング等の材質は、空気層28’を形成することができれば、金属、ゴム等を用いても良い。ホルダ26を、被検物OB上に溶接しても良い。また、空気層28’が形成される空間には、空気に限らず、希ガス、窒素等の適当な気体を封止しても良い。なお、空気が漏れ出ることのないように空気層28’を形成することができれば、シール部材23を用いなくても良い。上述の構成の温度センサ13では、被検物OBを含む環境下を真空にしても、Oリング23により、センサ部10aと被検物OBとの間に伝熱媒体としての空気層28’が維持される。このため、被検物OBからセンサ部10aへ空気層28’を介して十分に熱伝達される。これにより、真空中であっても、被検物OBの温度を正確に測定することが可能になる。この他、図6Bに示されるように、センサ部10aを保持するホルダの中央部が島出しされた中央の下面が縁部の下面より幾分突出した構成の第4の温度センサ13’を採用することもできる。温度センサ13’では、ホルダ26に代えて、ホルダ26と同様に構成されているが、凹部26cの内部に下方に突出した島出し部26gが設けられたホルダ26’が用いられている点、及び島出し部26gの下端面がセンサ部10aの下端面とがほぼ一致している点が、前述の温度センサ13と相違している。ホルダ26’の場合、島出し部26gがあるため、島出し部26gの内部に設けられた凹部内にセンサ部10aを圧入し、センサ部10aの最外部の保護部材と島出し部との表面-z側の面とを同時に機械加工し易い。そこで、これらの表面を平坦に機械加工することにより、温度センサ13’ホルダ26’を被検物OB上に固定した際に、センサ部10aと被検物OBとの真実接触面積を大きくすることが可能になる。従って、上述の構成の温度センサ13’では、空気層だけでなく接触部を介して被検物OBからセンサ部10aへ十分に熱伝達されるため、真空中であっても被検物OBの温度を正確に測定することが可能になる。なお、被検物OBが真空中で使用される機器であっても、その組み立ては通常大気中で行われる。そこで、機器の組み立て時に、上述の第3の温度センサ13又は第4の温度センサ13’を設置すれば良い。被検物OBを含む環境下を真空にしても、シール部材23により、センサ部10aと被検物OBとの間に伝熱媒体としての空気層28’が維持される。図4Cに、本実施形態に係る第1ないし第4の温度センサ11,12,13,及び13’を用いた場合に得られる被検物の温度の測定結果の予想が示されている。前述と同様に、被検物に2つの温度センサを設置し、それら2つの温度センサにより、高真空下でヒータにより被検物を加熱しつつその温度変化を測定した場合を考えている。図4Cには、図4A及び図4Bと同様に、2つの温度センサの測定結果の差が示されている。図4C中の結果ConventionalTypeAは図4Aの測定において使用された温度センサ及び設置条件に対応する結果、BetterconductivityBは図4Bの測定において使用された温度センサ及び設置条件に対応する結果、ThisconfigurationCが本実施形態に係る第1ないし第4の温度センサ11,12,13,及び13’を用いた場合の結果である。従来型の温度センサでは、ConventionalTypeA及びBetterconductivityBともに2つの温度センサの測定結果の差は大きく揺らぎ、後者であっても最大0.1°C程度の差が生じている。これに対し、本実施形態に係る第1ないし第4の温度センサ11,12,13,及び13’では、測定結果の差はその検出精度0.01°C程度まで改善されている。以上、詳細に説明したように、本実施形態に係る露光装置100では、特に光源装置3からウエハステージWST上のウエハWまでのEUV光ELの光路の近傍に配置されるレチクルステージRSTレチクルホルダ等、投影光学系PO鏡筒、ミラーM1~M4、支持部材15A~15D等、ウエハステージWSTウエハホルダ等等の被検物に温度センサ11,12,13,あるいは13’が設置される。温度センサ11,12,13,13’は、被検物の表面上に形成された空間内にセンサ部本体部10aを配置し、その空間内に伝熱媒体28を入れることにより設置される。温度センサ11,12,13,13’は、真空中に置かれた被検物の温度を、センサ部本体部10aと被検物との間の伝熱媒体28を介して検出する。これにより、温度センサ11,12,13,13’を用いることにより、真空中で被検物の温度を正確に測定することが可能になる。また、本実施形態に係る第1ないし第4の温度センサ11,12,13,あるいは13’が上述の露光装置100の構成各部に設けられているため、温度計測系110により、真空中で且つ温度管理の厳しい環境下で、構成各部の温度が正確に測定される。これにより、特に、投影光学系POの温度制御が行われ、ミラーM1~M4の熱膨張に起因する投影光学系POの結像特性の劣化が抑制され、高いウエハの露光精度を維持することが可能になっている。また、本実施形態に係る第1、第3、及び第4の温度センサ11,13,13’のように、ホルダ21、26、あるいは26’をシール部材Oリング等23を介して被検物OB上に固定することにより、又は温度センサ12のように、被検物OB上に溝部28aを設けることで、センサ部本体部10aと被検物OBとの間に伝熱媒体28液体金属、空気等を容易に充填することが可能になる。さらに、温度センサ13’では、ホルダ26’によりセンサ部本体部10aが被検物OBに圧接される。これにより、被検物OBからセンサ部本体部10aへの熱伝達が十分となる。なお、本実施形態に係る温度センサ11,12,13,13’では、伝熱媒体28液体金属、空気等によるセンサ部本体部10aと被検物OBとの間での伝熱において熱伝導による伝熱が支配的であるものとしてそれらの構成及び測定原理を説明したが、他の伝熱機構、特に対流伝熱による伝熱が寄与する場合であっても、同様に、本実施形態に係る温度センサはその効果を奏する。なお、上記実施形態では、露光光として波長約11nmのEUV光を用いる場合について説明したが、これに限らず、露光光として波長約13nmのEUV光を用いても良い。この場合には、波長約13nmのEUV光に対して約70の反射率を確保するため、各ミラーの反射膜としてモリブデンMoと珪素Siを交互に積層した多層膜を用いる必要がある。また、上記実施形態では、露光光源としてレーザ励起プラズマ光源を用いるものとしたが、これに限らず、シンクロトロン放射光源、ベータトロン光源、ディスチャージド光源、X線レーザなどのいずれを用いても良い。また、上記実施形態では、露光光としてEUV光を用い、4枚の反射ミラーのみから成るオール反射の投影光学系を用いる場合について説明したが、これらは一例に過ぎないことは言うまでもない。また、上記実施形態に係る温度センサ11,12,13,13’は、EUV露光装置に限らず、真空中で正確な温度測定を要する被検物について広く利用することができる。以上説明したように、本発明の温度検出器及び温度検出方法は、真空中で被検物の温度を検出するのに適している。また、本発明の温度検出器の設置方法は、真空中で被検物の温度を検出する温度検出器を設置するのに適している。また、本発明の露光装置は、真空中で、且つ温度管理の厳しい環境下でウエハ等の物体を露光するのに適している。"