基板上のインプリント材を型により成形して硬化させ、前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板上の前記インプリント材と前記型との間にガスを供給する供給手段を有し、前記供給手段は、前記型、前記インプリント材および前記基板の少なくとも1つを透過する透過性ガスと、前記成形により生じる圧力により液化する凝縮性ガスとを混合した混合ガスを供給する、ことを特徴とするインプリント装置。前記基板を保持して可動の保持部と、前記保持部に光を照射して前記保持部の位置を測定する測定手段と、を有し、前記混合ガスの屈折率と大気の屈折率との差の絶対値は、前記透過性ガスの屈折率と大気の屈折率との差の絶対値より小さく、かつ、前記凝縮性ガスの屈折率と大気の屈折率との差の絶対値より小さい、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記混合ガスの成分比を調整する調整部と、制御部と、有し、前記制御部は、前記保持部を既知の位置に配置した状態での前記測定手段の出力に基づいて、前記混合ガスの成分比を前記調整部に調整させる、ことを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。前記混合ガスの成分比を調整する調整部と、前記測定手段の光路の雰囲気の気体成分または屈折率を検出する検出器と、制御部と、有し、前記制御部は、前記検出器の出力に基づいて、前記混合ガスの成分比を前記調整部に調整させる、ことを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。前記混合ガスを回収する回収ノズルを備える、ことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のインプリント装置。前記回収ノズルは、前記保持部の上面より高い位置と該上面より低い位置とにそれぞれ配置されている、ことを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。前記透過性ガスは、ヘリウムおよび水素の少なくとも一つを含む、ことを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載のインプリント装置。前記凝縮性ガスは、HFCハイドロフルオロカーボン、および、HFEハイドロフルオロエーテルの少なくとも一つを含む、ことを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載のインプリント装置。請求項1~8のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成する工程と、前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。しかしながら、特許文献1、2に示すインプリント装置では、インプリント雰囲気全体を透過性ガスまたは凝縮性ガスでパージするため、コスト面で不利である。また、インプリント装置は、通常、干渉変位測定手段を使用して、適宜移動するウエハステージなどの位置を正確に計測している。この測定手段は、測定ビーム光を用いるため、通過する媒体雰囲気の組成の変化や圧力および温度の変化に非常に敏感である。したがって、例えば、基板上の樹脂の周囲を大気と異なる屈折率のガスでパージした場合、このガスが測定手段の光路に進入すると、干渉変位測定を正確に実施することができない。ここで、透過性ガスは、比重が大気よりも小さく、屈折率が大気に比べて小さい。したがって、透過性ガスが測定ビームの光路に進入すると、媒体の屈折率が小さくなり、干渉変位測定が不安定となる。一方、凝縮性ガスは、比重が大気よりも大きく、屈折率が大気に比べて大きい。したがって、凝縮性ガスが測定ビームの光路に進入すると、媒体の屈折率が大きくなり、この場合も干渉変位測定が不安定となる。干渉変位測定が不安定になるとウエハステージなどの位置決めが不安定となり、その結果、転写されるパターンの位置が目標位置からずれるなど正確なパターン形成ができない場合がある。本発明は、正確なパターン形成とスループットとの両立に有利なインプリント装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、基板上のインプリント材を型により成形して硬化させ、基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、基板上のインプリント材と型との間にガスを供給する供給手段を有し、供給手段は、型、インプリント材および基板の少なくとも1つを透過する透過性ガスと、成形により生じる圧力により液化する凝縮性ガスとを混合した混合ガスを供給することを特徴とする。本発明によれば、例えば、正確なパターン形成とスループットとの両立に有利なインプリント装置を提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。まず、本発明の一実施形態に係るインプリント装置の構成について説明する。図1は、本実施形態のインプリント装置の構成を示す図である。このインプリント装置は、半導体デバイス等のデバイスの製造に使用され、被処理体であるウエハ上基板上のインプリント材典型的には未硬化樹脂をモールド型で成形し、パターン典型的には樹脂のパターンを基板上に形成する装置である。なお、ここでは光硬化法を採用したインプリント装置としている。また、以下の図においては、基板上の樹脂に対して紫外線を照射する照明系の光軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取っている。このインプリント装置1は、照明系2と、モールド保持部3と、ウエハステージ4と、塗布部5と、ガス供給部6と、制御部7とを備える。照明系2は、インプリント処理の際に、モールド8に対して紫外線を照射する照明手段である。この照明系2は、不図示であるが、光源と、該光源から射出された紫外線をインプリントに適切な光に調整するための光学素子とから構成される。また、モールド8は、ウエハ10に対向する面に所定のパターン例えば、回路パターンに対応する凹凸パターンが3次元状に形成された型である。なお、モールド8の材質は、石英等、紫外線を透過させることが可能な材料である。モールド保持部3は、真空吸着力や静電力によりモールド8を引きつけて保持する保持部である。このモールド保持部3は、モールドチャック9と、ウエハ10上に塗布された紫外線硬化樹脂にモールド8を押し付けるためにモールド保持部3をZ軸方向に駆動する不図示のモールド駆動機構とを含む。なお、インプリント装置1における押型および離型動作は、このようにモールド8をZ方向に移動させることで実現してもよいが、例えば、ウエハステージ4ウエハ10をZ方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を移動させてもよい。ウエハステージ4は、ウエハ10を例えば真空吸着により保持し、かつ、XY平面内を可動とするウエハチャック11を備えた保持部である。ここで、ウエハ10は、例えば、単結晶シリコンからなる被処理体であり、この被処理面には、モールド8により成形される紫外線硬化樹脂以下、単に樹脂と表記するが塗布される。また、ウエハステージ4は、その周囲に、その6自由度X、Y、Z、ωx、ωy、ωzの位置を制御できるように複数の参照ミラー反射部13を備える。インプリント装置1は、これらの参照ミラー13にそれぞれビームを照射することでウエハステージ4の位置を測定する複数のレーザー干渉計測定手段14を備える。レーザー干渉計14は、ウエハステージ4の位置をリアルタイムで計測し、後述する制御部7は、この計測値に基づいてウエハ10ウエハステージ4の位置決め制御を実行する。塗布部5は、ウエハ10上に樹脂12未硬化樹脂を塗布する塗布手段である。ここで、樹脂12は、紫外線を受光することにより硬化する性質を有する光硬化樹脂インプリント材であって、半導体デバイスの製造工程等により適宜選択される。ガス供給部6は、モールド8とウエハ10上の樹脂12とを互いに押し付ける押型動作の際に、その押型位置に向かって混合ガスを供給する供給手段供給部である。このガス供給部6は、まず、モールド8、樹脂12、またはウエハ10の少なくとも1つに対して溶解または拡散する性質を有する透過性ガスを供給する透過性ガス供給部20を含む。また、ガス供給部6は、圧力を加えられること圧力上昇で凝縮し、液化する性質を有する凝縮性ガスを供給する凝縮性ガス供給部21を含む。ここで、透過性ガスとしては、ヘリウムや水素などのガスが採用可能である。ただし、透過性ガスとして可燃性の水素を使用する場合には、インプリント装置1内に防爆システムを別途設置し、火気に注意した構成とする必要がある。一方、凝縮性ガスとしては、HFC-245fa1、1、1、3、3ペンタフルオロプロパン、CHF2CH2CF3を代表とするHFCハイドロフルオロカーボンが採用可能である。ただし、凝縮性ガスに採用するガスは、これに限らず、例えばHFE-245mcCF3CF2OCH3を代表とするHFEハイドロフルオロエーテルなどでもよい。また、ガス供給部6は、透過性ガス供給部20と凝縮性ガス供給部21とから供給されたそれぞれガスを混合するガス混合部22と、第1バルブ23と第2バルブ24とによりガス混合部22に供給する各ガスの供給量を制御するガス供給制御部25とを含む。ガス供給制御部25は、ガス混合部22にて各ガスを所望の成分比に混合し、生成された混合ガスを、第3バルブ26を制御することで供給量を調整しつつ、ガス供給ノズル27からモールド8とウエハ10とに挟まれた押型位置に供給させる調整部である。なお、このガス供給制御部25は、インプリント装置1内に単体で設置し、後述の制御部7と回線を介して接続される構成としてもよいし、または制御部7と一体で構成してもよい。制御部7は、インプリント装置1の各構成要素の動作および調整等を制御しうる。制御部7は、例えば、コンピュータ等で構成され、インプリント装置1の各構成要素に回線を介して接続され、プログラム等にしたがって各構成要素の制御を実行しうる。本実施形態では、制御部7は、モールド保持部3やウエハステージ4などの動作に加え、少なくともレーザー干渉計14やガス供給制御部25の処理動作を制御する。なお、制御部7は、インプリント装置1の他の部分と一体で構成してもよいし、インプリント装置1の他の部分とは別の場所に設置してもよい。次に、インプリント装置1によるインプリント処理について説明する。まず、制御部7は、不図示の基板搬送装置によりウエハステージ4にウエハ10を載置および固定させた後、ウエハステージ4を塗布部5の塗布位置へ移動させる。その後、塗布部5は、塗布工程としてウエハ10の所定のショットインプリント領域に樹脂未硬化樹脂12を塗布する。次に、制御部7は、ウエハ10上の当該ショットがモールド8の直下に位置するように、ウエハステージ4を移動させる。次に、制御部7は、モールド8とウエハ10上の当該ショットとの位置合わせ、および不図示の倍率補正機構によるモールド8の倍率補正などを実施した後、モールド駆動機構を駆動させ、ウエハ10上の樹脂12にモールド8を押し付ける押型工程。この押型により、樹脂12は、モールド8に形成された凹部に充填される。この状態で、照明系2は、硬化工程としてモールド8の背面上面から紫外線を照射し、モールド8を透過した紫外線により樹脂を硬化させる。そして、樹脂12が硬化した後、制御部7は、モールド駆動機構を再駆動させ、モールド8をウエハ10から引き離す離型工程。これにより、ウエハ10上のショットの表面には、凹凸パターンに倣った3次元形状の樹脂12の層が形成される。特に、本実施形態の押型工程では、制御部7は、ガス供給部6により押型位置に対して透過性ガスと凝縮性ガスとの混合ガスを供給させる。図2は、レーザー干渉計14の測定ビーム波長と、大気、透過性ガス、凝縮性ガス、および該透過性ガスと該凝縮性ガスとの混合ガスの各雰囲気の屈折率との関係を示すグラフである。なお、ここでは透過性ガスをヘリウムガスとし、凝縮性ガスをHFC-245faガスとしている。上述のとおり、透過性ガスは、分子径が小さい場合が一般的であり、屈折率が大気に比べて小さく、一方、凝縮性ガスの屈折率は、大気に比べて大きい。したがって、1気圧において、大気の屈折率をnairとし、透過性ガスの屈折率をn1とし、また、凝縮性ガスの屈折率をn2とすると、以下の式1に示す関係が成り立つ。n1<nair<n21さらに、1気圧における透過性ガスと凝縮性ガスとの混合ガスの屈折率をn3とした場合、透過性ガスと大気との屈折率差をΔn1とし、凝縮性ガスと大気との屈折率差をΔn2とし、また、混合ガスと大気との屈折率差をΔn3とする。ここで、押型位置に対して供給するガスとして透過性ガスのみを使用する場合に比べて、混合ガスを使用した方がその周囲の大気の屈折率との差異が小さくなり、干渉変位測定への影響を抑えることができるのは、以下の式2に示す関係が成り立つ場合である。|Δn1|>|Δn3|2一方、押型位置に対して供給するガスとして凝縮性ガスのみを使用する場合に比べて、混合ガスを使用した方がその周囲の大気の屈折率との差異が小さくなり、干渉変位測定への影響を抑えることができるのは、以下の式3に示す関係が成り立つ場合である。|Δn2|>|Δn3|3なお、式2および3では、各屈折率差は、絶対値とする。すなわち、式1の条件を満足する透過性ガスと凝縮性ガスとを使用すれば、必然的に式2および式3の条件を満足するので、この場合、透過性ガスまたは凝縮性ガスを単独で使用する場合に比べて、干渉変位測定への影響を抑えることができる。また、このように透過性ガスと凝縮性ガスとの混合ガスを押型位置に供給する場合、インプリント装置1内に2箇所のガス回収ノズル30、31を設置してもよい。図1に示すように、レーザー干渉計14の光路は、ウエハチャック11の上面より低い位置にある。ここで、混合ガス中のHFC-245faは、ヘリウムと大気とに比べて比重が大きいので、混合ガスから分離して干渉変位測定領域光路に進入しやすい。そこで、ヘリウムの成分比率は、大気と同じ屈折率となる比率よりやや高くなるように設定してもよい。その場合、供給する混合ガスの屈折率は、大気のそれよりも小さい。また、インプリント装置1は、重力方向に押型位置よりも高い位置に第1ガス回収ノズル30を設置し、一方、押型位置よりも低い位置に第2ガス回収ノズル31を備える。ガス回収ノズル30、31は、それぞれ第1および第2ガス回収部32、33に接続される。この構成により、第1ガス回収部32で回収されたガスは、ヘリウムの存在比が高くなり、一方、第2ガス回収部33で回収されたガスは、HFC-245faの存在比が高くなる。したがって、インプリント装置1内で分離したヘリウムとHFC-245faとを効率良く回収することができるので、ガスのリサイクルに有利である。なお、例えば、レーザー干渉計14の光路がウエハチャック11の上面より高い位置にある場合には、HFC-245faの成分比率は、大気と同じ屈折率となる比率よりやや高くなるように設定してもよい。その場合、供給する混合ガスの屈折率は、大気のそれよりも大きい。さらに、制御部7は、ウエハステージ4を既知の位置に配置した状態でのレーザー干渉計14の出力に基づいて、混合ガスの成分比を調整させてもよい。例えば、制御部7は、混合ガスの供給時の測定値が、上記出力に基づいた許容範囲を超えた場合には、ガス供給制御部25に対して、混合ガスの成分比を変更させるように指示する。一方、測定ビームの光路雰囲気の気体成分を検出する検出器をインプリント装置1内に設置して、検出された気体成分において凝縮性ガスの成分値が許容範囲を超えた場合、制御部7がガス供給制御部25に対して混合ガスの成分比を変更させる構成としてもよい。この場合の検出器には、これと付随して気体成分を分析する分析装置を設置してもよい。ここで、上記許容範囲は、装置構成および寸法、またはこれまでのインプリント処理の実績など考慮して決定しうる。これにより、例えば、混合ガスの供給時に混合ガスから分離した凝縮性ガスなどが測定ビームの光路に進入し、レーザー干渉計14の出力に影響が出た場合でも、即座に対応することができる。以上のように、本実施形態によれば、モールド8と樹脂12との間に残留するガスを短時間で低減させつつ、レーザー干渉計14による測定を正確に実施することができる。したがって、正確なパターン形成とスループットとの両立に有利なインプリント装置を提供することができる。物品の製造方法物品としてのデバイス半導体集積回路素子、液晶表示素子等の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア記録媒体や光学素子等の他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。