基材が走行する金属ロール電極と、前記金属ロール電極に沿った形状で配置された接地電極と、の間の処理空間に窒素、ヘリウム、アルゴンのうち少なくともいずれか1つのガスまたはこれらを混合したガスを導入して、前記処理空間内の圧力を所定範囲にするガス導入工程と、前記処理空間内に高周波電圧を印加して前記処理空間内に高密度プラズマを発生させ、前記金属ロール電極上を走行する前記基材表面にプラズマ表面処理層を形成するプラズマ表面処理層形成工程と、真空蒸着法によって形成された蒸着粒子に高密度プラズマを衝突させることによって前記蒸着粒子を活性化させ、前記プラズマ表面処理層上に酸化珪素SiOxからなるガスバリア層を形成するガスバリア形成工程と、を含み、前記金属ロール電極と前記接地電極との最短距離50mm以下であり、前記ガス導入工程における前記処理空間内の圧力範囲は0.5Pa以上50Pa未満であり、プラズマ表面処理層形成工程で印加する前記高周波電圧は30kHz以上4MHz以下であり、前記金属ロール電極に供給する電力と前記金属ロール電極の処理部分または開口部の面積との比から算出される電力密度と処理時間の積から求められる値が所定値以上となるように前記高周波電圧を印加することを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。プラズマ表面処理層形成工程における前記所定値は、前記金属ロール電極に供給する電力をワットW、前記処理部分または前記開口部の面積を平方メートルm2、処理時間を秒secで表わす場合、300Wsec/m2以上とすることを特徴とする請求項1に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。前記ガスバリア形成工程では、前記真空蒸着法として、電子線加熱方式、抵抗加熱方式、誘導過熱方式のいずれか1つを用いることを特徴とする請求項1または2に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。前記プラズマ表面処理層形成工程では、前記高密度プラズマを、誘導結合プラズマ発生手段、ヘリコン波プラズマ発生手段、マイクロ波プラズマ発生手段、ホロカソード放電発生手段のいずれか一つを用いて発生させることを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法。前記SiOxのxの値は、1≦x≦2.2であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法。前記ガス導入工程、前記プラズマ表面処理層形成工程、およびガスバリア形成工程を、同一系内で連続しておこなうことを特徴とする請求項1~5のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法。前記接地電極の面上にS極およびN極を一対とする磁石対を一対以上設置することを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法。前記基材をポリエチレンテレフタレートとすることを特徴とする請求項1~7のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法。前記ガスバリア層の表面に金属アルコキシドと水溶性分子とを含む混合溶液を塗布し、加熱乾燥して形成される保護層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1~8のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法。前記ガスバリア性フィルムの前記基材表面と反対側の表面にナイロンフィルムおよびシーラントフィルムを接着剤を介して貼り合わせる工程をさらに含むことを特徴とする請求項1~9のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法。請求項1~10のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法によって製造されたガスバリア性フィルム。しかしながら、従来技術によるインラインの密着プロセスでは、高速な蒸着プロセスと同等な処理速度を必要とするため、十分な密着処理が得られない場合が多い。このため、生産能率が高く、強固な密着力を得られるインラインの密着方法が望まれている。また、真空蒸着法は、他のドライコーティング技術と比べて、生産性が高いため、低コストが要求される食品包材などのパッケージ用途のガスバリア性フィルムには、最適なコーティング方法である。しかし、他のドライコーティング技術、例えば、スパッタリング法や化学気相成長法CVDに比べ、バリア性能では劣る。真空蒸着法の、利点である生産性、低コスト等の特徴を活かし、よりバリア性能を向上させることは、常に大きな課題である。本発明においては、上記問題を解決するために、高速で処理されるロール状のプラスチック基材上に高速で形成される高いバリア性能を有したガスバリア層と密着処理のインライン処理を実現し、高生産能率、強密着耐久性、高ガスバリア性の利点を有したガスバリア性フィルムとその生産方法を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明は、基材が走行する金属ロール電極と、前記金属ロール電極に沿った形状で配置された接地電極と、の間の処理空間に窒素、ヘリウム、アルゴンのうち少なくともいずれか1つのガスまたはこれらを混合したガスを導入して、前記処理空間内の圧力を所定範囲にするガス導入工程と、前記処理空間内に高周波電圧を印加して前記処理空間内に高密度プラズマを発生させ、前記金属ロール電極上を走行する前記基材表面にプラズマ表面処理層を形成するプラズマ表面処理層形成工程と、真空蒸着法によって形成された蒸着粒子に高密度プラズマを衝突させることによって前記蒸着粒子を活性化させ、前記プラズマ表面処理層上に酸化珪素SiOxからなるガスバリア層を形成するガスバリア形成工程と、を含み、前記金属ロール電極と前記接地電極との最短距離50mm以下であり、前記ガス導入工程における前記処理空間内の圧力範囲は0.5Pa以上50Pa未満であり、プラズマ表面処理層形成工程で印加する前記高周波電圧は30kHz以上4MHz以下であり、前記金属ロール電極に供給する電力と前記金属ロール電極の処理部分または開口部の面積との比から算出される電力密度と処理時間の積から求められる値が所定値以上となるように前記高周波電圧を印加することを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法である。請求項2に記載の発明は、プラズマ表面処理層形成工程における前記所定値は、前記金属ロール電極に供給する電力をワットW、前記処理部分または前記開口部の面積を平方メートルm2、処理時間を秒secで表わす場合、300Wsec/m2以上とすることを特徴とする請求項1に記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。請求項3に記載の発明は、前記ガスバリア形成工程では、前記真空蒸着法として、電子線加熱方式、抵抗加熱方式、誘導過熱方式のいずれか1つを用いることを特徴とする請求項1または2に記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。請求項4に記載の発明は、前記プラズマ表面処理層形成工程では、前記高密度プラズマを、誘導結合プラズマ発生手段、ヘリコン波プラズマ発生手段、マイクロ波プラズマ発生手段、ホロカソード放電発生手段のいずれか一つを用いて発生させることを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。請求項5に記載の発明は、前記SiOxのxの値は、1≦x≦2.2であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。請求項6に記載の発明は、前記ガス導入工程、前記プラズマ表面処理層形成工程、およびガスバリア形成工程は、同一系内で連続しておこなうことを特徴とする請求項1~5のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。請求項7に記載の発明は、前記接地電極の面上にS極およびN極を一対とする磁石対を一対以上設置することを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。請求項8に記載の発明は、前記基材をポリエチレンテレフタレートとすることを特徴とする請求項1~7のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。請求項9に記載の発明は、前記ガスバリア層の表面に金属アルコキシドと水溶性分子とを含む混合溶液を塗布し、加熱乾燥して形成される保護層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1~8のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。請求項10に記載の発明は、前記ガスバリア性フィルムの前記基材表面と反対側の表面にナイロンフィルムおよびシーラントフィルムを接着剤を介して貼り合わせる工程をさらに含むことを特徴とする請求項1~9のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。請求項11に記載の発明は、請求項1~10のいずれか一つに記載のガスバリア性フィルムの製造方法によって製造されたガスバリア性フィルムである。上記発明によれば、プラスチックフィルムと蒸着膜との密着性が、従来方法よりも大幅に改善でき、さらに、従来の真空蒸着法よりも高いバリア性を有するガスバリア性フィルムを、高い生産効率で提供することができる。密着性を上げる手段としては、プラスチックフィルムと蒸着層の間に、プラズマ処理による処理層を形成するものである。これにより、レトルト滅菌処理やボイル処理、プレッシャークッカー試験PCT、各種環境耐久試験などの後にも、強固な密着を持続することが可能となる。バリア性を上げる手段としては、真空蒸着法により酸化珪素SiOxからなるガスバリア層を形成する際に、蒸着法と高密度プラズマを発生させる手段を併せて用いることで、従来よりも、格段に高いバリア性能を有したガスバリア性フィルムを形成することが可能となる。また、高速成膜が可能な蒸着と密着処理をインラインでの処理を可能とするため、生産性は大幅に向上する。さらに、従来よりもバリア性能が向上するため、用途の拡大を図ることが可能となる。以下に、本発明の実施の形態について、説明する。図1は、本発明にかかるガスバリア性フィルムの一例を断面図で示した概略図である。本発明にかかるガスバリア性フィルム120は、プラスチックフィルム材料からなる基材100の一方の面上に、本発明によるプラズマ処理による密着処理層101プラズマ表面処理層を介して、蒸着法により作成した酸化珪素SiOxからなるバリア層102、保護層103が形成されている構造である。保護層103は、必要性がない場合は設けなくてもよい。基材のプラスチックフィルム100は、特に制限を受けるものではなく、公知のものを使用することができる。ポリエチレンテレフタレートPETが特に好適であるが、他にも、ポリエチレンナフタレートPEN等のポリエステル系フィルム、ポリエチレンPE、ポリプロピレンPP等のポリオレフィン系フィルム、ナイロン-6、ナイロン-66等のポリアミド系フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアクリルにトリルフィルム、ポリイミドフィルム、セルロース系フィルム等が挙げられる。また、この基材表面に、コロナ処理などの表面処理、周知の種々の添加剤や安定剤、例えば帯電防止剤、紫外線防止剤、可塑剤、滑剤などが使用されていても良い。基材の厚さに関しても、特に制限を受けるものではないが、中間密着層やバリア層を成膜する際の加工性や、さらには後加工性を考慮すると、6~100μmの範囲であることが好ましい。密着処理層101は、プラスチックフィルム100上にイオンエッチング処理からなるプラズマ処理を施すことによって形成する。上記のプラズマ処理空間には、窒素、ヘリウム、アルゴンのうち少なくともいずれか1つのガスまたはこれらを混合したガスを導入する。特に、反応性が極めて低く、比較的重さのある気体であるアルゴンガスが好ましい。この際、酸素などの反応性の高いガスを導入してプラズマ処理をおこなうと、プラスチック基材表面上に処理ガスに起因する結合を形成することが多い。このプラズマ処理ガスによる結合手は、プラスチック基材との間で弱い力で結合するため、十分な密着を得られない。従って、このプラズマ処理による結合手が蒸着層と十分な密着を示しても、プラスチック基材との間に十分な密着が得られず、密着強度が得られない。密着処理層101の処理室内は、上記のガスを適宜選択して、圧力を0.5Pa以上50Pa未満となるように調整する。圧力が0.5Pa以下であると、放電が安定しにくく、安定したサンプルを得ることができない。一方、圧力が50Pa以上であると、自己バイアス電圧が下がり、十分なイオンエッチング効果が得られない。また、40Pa以上の領域では、接地電極2に磁石を設置した場合、磁気誘導の効果が急激に弱くなる。そのため、1~25Paの圧力帯で処理を実施するのが好ましい。プラズマ発生電源としては、周波数が30kHz以上4MHz以下のMF~RF周波数帯の電源を使用する。電源出力は、金属ロール電極に投入する電力Wと金属ロールの処理部分あるいは開口部の面積m2の比から算出される電力密度W/m2と処理時間secの積が、300Wsec/m2以上となる電力を印加する必要がある。これより弱いと、プラスチック基材上に十分な処理がおこなうことができない。つぎに、密着処理層101上に形成するガスバリア層102について説明する。ガスバリア層としては、酸化珪素SiOxを真空蒸着法により形成する。ガスバリア層は、透明性および、酸素、水蒸気等のガスバリア性能を有する層である。好ましくは、酸化珪素の化学式をSiOxとした時、xの範囲を、1.0≦x≦2.2とすることにより、透明性およびガスバリア性を有することができる。ガスバリア層102の厚さは、用途や構成により最適な条件は異なり、特に制限はないが、一般的には、5~300nmの範囲内の厚さが好ましく用いられる。膜厚が5nm未満であると、膜厚が十分ではなく、ガスバリア層としての機能を十分に果たせない。また、膜厚が300nmを超えると、フレキシビリティを保持することができず、薄膜に亀裂が入りやすくなり、また、生産性も悪くなる。性能と生産性も考慮すると、10~200nmの膜厚がより好ましい。酸化珪素SiOxからなるガスバリア層102を形成する方法としては、従来、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学気相成長法CVDなどが挙げられるが、本発明においては、高速成膜が可能で生産性の高い、真空蒸着法を用いる。真空蒸着法における材料の加熱方法としては、高生産性高い成膜速度を見込むことができる電子線加熱方式や抵抗加熱方式、誘導過熱方式のいずれかの方法を用いることが好ましい。本発明においては、真空蒸着法によりガスバリア層を形成する際に、高密度プラズマを発生させる手段を併せて用いる。真空蒸着法にて、気化あるいは昇華した蒸着粒子に高エネルギーを有した高密度プラズマをぶつけることで緻密性などの膜質を向上させ、蒸着膜のバリア性を大幅に向上させるものである。この際、真空蒸着法は、非常に成膜速度が速いため、成膜時の蒸着粒子の数は非常に多い。このため、蒸着粒子と匹敵する数の高密度プラズマを空間中に送り込む必要がある。このような高密度プラズマを発生させる手段としては、誘導結合プラズマICP:InductivelyCoupledPlasma発生手段、ヘリコン波プラズマ発生手段、マイクロ波プラズマ発生手段、ホロカソード放電発生手段のいずれか1つを用いることが最適である。また、無機酸化物からなるガスバリア層102の上に、フィルム表面の保護あるいはラミネートなどの後加工適性を向上させることを目的とした保護層103を積層する。この場合、例えば水溶性高分子を水あるいは水/アルコール混合溶媒で融解させたものに金属アルコキシドを直接あるいはあらかじめ加水分解させるなどの処理を行ったものを混合し、この混合溶液を無機酸化物上に塗布、乾燥して形成することができる。また、混合溶液中にシランカップリング剤等を添加使用しても良い。すなわち、保護層103は、ガスバリア層の表面に金属アルコキシドと水溶性分子とを含む混合溶液を塗布し、加熱乾燥して形成される。図2は、本発明にかかるガスバリア性フィルムの一例を断面図で示した概略図である。図2に示すガスバリア性フィルム130は、図1で示したガスバリア性フィルムにナイロンフィルム104およびシーラントフィルム105を、接着層106を介して貼り合わせた構成となっている。すなわち、ガスバリア性フィルム130は、図1に示したガスバリア性フィルム100の基材表面と反対側の表面保護層103側の面にナイロンフィルムおよびシーラントフィルムを接着剤を介して貼り合わせることによって形成する。ガスバリア性フィルム130では、図1のガスバリア層102あるいは保護層103の上に、接着層106を介して、ナイロンフィルム104を貼り合わせる。ナイロンフィルム104により、強靭性、柔軟性、耐破裂性などの特性を得られる。ナイロンフィルム104の厚さに関しても、特に制限を受けるものではないが、10~50μmの範囲であることが好ましい。シーラントフィルム105に関しては、機械的強度、ヒートシール強度が強いものが好ましく、無延伸ポリプロピレンCPP、低密度ポリエチレンLDPE、リニア低密度ポリエチレンLLDPE、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂EVA、アイオノマー、アクリル系共重合樹脂等を使用することができる。ガスバリア性ベースフィルム110、ナイロンフィルム104およびシーラントフィルム105は、接着層106を介して、ラミネーションをおこなう。接着層106を形成する接着剤、あるいはラミネート方法に特に制限はないが、二液硬化型のポリウレタン系接着剤を用いてドライラミネートすることが、特に好ましい。図3は、本発明にかかるガスバリア性フィルムの製造装置の一例を示す説明図である。但し、装置の形状は、図5に示す装置に限定されるものではない。フィルム製造装置20は、真空チャンバ7、巻出しロール8、巻取りロール9、プラズマ処理室10、成膜ロール11、成膜室12、電子銃13、蒸着材料14、坩堝15、蒸着粒子16、高密度プラズマ17によって構成される。プラズマ処理室10は、金属ロール電極1および接地電極2を含んで構成されている詳細は図4および図5参照。フィルム製造装置20では、巻出しロール8から真空チャンバ7内に巻き出されたプラスチックフィルムに対して、プラズマ処理室10で密着処理層101を形成し、成膜室12において成膜ロール11上でガスバリア層102を形成する。その後、プラスチックフィルムは巻取りロール9に巻き取られる。真空蒸着によるガスバリア層の形成方法に関して、電子銃13より照射した電子ビームによって成膜室12内に設置された蒸着材料14は気化される。この際、蒸着材料14は、材料の形状にもよるが、坩堝15の中に詰められている。蒸気となった蒸着粒子16は、成膜ロール11上のプラスチックフィルムに定着する前に、高密度プラズマ17に曝される。これにより、活性化された蒸着粒子16は、プラスチックフィルム上に、堆積され、緻密な膜質の向上したガスバリア層が形成される。図4および図5は、製造装置20のプラズマ処理室10内の構成を示す説明図である。但し、プラズマ処理室10内の構成物の形状は、図4および図5に示すものに限定されるものではない。プラズマ処理室10には、金属ロール電極1、接地電極2、高周波電源3、ガス導入管4、磁石N極5、磁石S極6が設けられている。金属ロール電極1には、高周波電源3より、MF~RF帯の高周波電圧が印加される。金属ロール電極1の温度は、20°Cから80°Cに調整することが好ましい。金属ロール電極1の対向電極として、面上にSN極一対以上の磁石を設置した円弧状図4あるいは多面状図5により金属電極ロール1に沿った形状にて配置された接地電極2が設置されている。すなわち、接地電極2の面上にはS極およびN極を一対とする磁石対が一対以上設置されている。この時、両電極間を結ぶ最短距離をdminとした時、dmin≦50mmで設置する。金属ロール電極処理基材であるプラスチックフィルムは、カソード側すなわち金属ロール電極1上を走行しながら、密着処理層101が形成される。プラスチック基材は、カソード側に設置することで、イオンが基材に効率的に衝突することで、強固な密着を得ることができる。この基材と電極配置の位置関係は、リアクティブイオンエッチングRIE処理と同様であり、RIE処理装置をそのまま応用展開することも可能である。すなわち、フィルム製造装置20では、基材プラスチックフィルムが走行する金属ロール電極1と、金属ロール電極1に沿った形状で配置された接地電極2と、の間の処理空間に窒素、ヘリウム、アルゴンのうち少なくともいずれか1つのガスまたはこれらを混合したガスを導入して、処理空間内の圧力を所定範囲にするガス導入工程と、処理空間内に高周波電圧を印加して処理空間内に高密度プラズマを発生させ、金属ロール電極1上を走行する基材表面にプラズマ表面処理層を形成するプラズマ表面処理層形成工程と、真空蒸着法によって形成された蒸着粒子に高密度プラズマを衝突させることによって蒸着粒子を活性化させ、プラズマ表面処理層上に酸化珪素SiOxからなるガスバリア層を形成するガスバリア形成工程と、がおこなわれる。このとき、金属ロール電極1と接地電極2との最短距離dminが50mm以下であり、ガス導入工程における処理空間内の圧力範囲は0.5Pa以上50Pa未満であり、プラズマ表面処理層形成工程で印加する高周波電圧は30kHz以上4MHz以下であり、金属ロール電極1に供給する電力と金属ロール電極1の処理部分または開口部の面積との比から算出される電力密度と処理時間の積から求められる値が所定値以上となるように高周波電圧を印加する。この所定値は、金属ロール電極1に供給する電力をワットW、処理部分または開口部の面積を平方メートルm2、処理時間を秒secで表わす場合、300Wsec/m2以上とする。本発明にかかるフィルム製造装置20よれば、図3のように、密着処理層とガスバリア層の工程を同一真空チャンバ7系内にて処理が可能である。すなわち、ガスバリア性フィルムのすべての製造工程前記ガス導入工程、前記プラズマ表面処理層形成工程、およびガスバリア形成工程を同一系内で連続しておこなうことができる。従って、インラインで連続して、極めて生産性良く、密着性のよいガスバリア性フィルムを作成することができる。以下、本発明の実施例を比較例ともに具体的に説明する。<実施例1>厚さ12μmのポリエチレンテレフタレートPETのフィルムの未処理面に、密着処理層を以下の条件で形成した。密着処理層処理ガス:アルゴン圧力:5Pa電源周波数:300kHz投入電力:350Wsec/m2ラインスピード:90m/min接地電極の磁石:有りガスバリア層蒸着方法:電子線加熱方式蒸着材料:SiO高密度プラズマ源:ホロカソード放電ガス:Ar、投入電力:6kW以上の条件で、密着処理を施し、ガスバリア層として厚さ40nmの酸化珪素膜を積層して、ガスバリア性フィルムを作成した。<実施例2>厚さ12μmのポリエチレンテレフタレートPETのフィルムの未処理面に、密着処理層を以下の条件で形成した。密着処理層処理ガス:アルゴン圧力:20Pa電源周波数:300kHz投入電力:1000Wsec/m2ラインスピード:90m/min接地電極の磁石:有りガスバリア層蒸着方法:電子線加熱方式蒸着材料:SiO高密度プラズマ源:ホロカソード放電ガス:Ar、投入電力:6kW以上の条件で、密着処理を施し、ガスバリア層として厚さ40nmの酸化珪素膜を積層して、ガスバリア性フィルムを作成した。<比較例1>厚さ12μmのポリエチレンテレフタレートPETのフィルムの未処理面に、密着処理層を以下の条件で形成した。密着処理層処理ガス:アルゴン圧力:5Pa電源周波数:300kHz投入電力:150Wsec/m2ラインスピード:90m/min接地電極の磁石:有りガスバリア層蒸着方法:電子線加熱方式蒸着材料:SiO高密度プラズマ源:ホロカソード放電ガス:Ar、投入電力:6kW以上の条件で、密着処理を施し、ガスバリア層として厚さ40nmの酸化珪素膜を積層して、ガスバリア性フィルムを作成した。<比較例2>厚さ12μmのポリエチレンテレフタレートPETのフィルムの未処理面に、密着処理層を以下の条件で形成した。密着処理層処理ガス:アルゴン圧力:5Pa電源周波数:300kHz投入電力:150Wsec/m2ラインスピード:90m/min接地電極の磁石:有りガスバリア層蒸着方法:電子線加熱方式蒸着材料:SiO高密度プラズマ源:なし以上の条件で、密着処理を施し、ガスバリア層として厚さ40nmの酸化珪素膜を積層して、ガスバリア性フィルムを作成した。<比較例3>厚さ12μmのポリエチレンテレフタレートPETのフィルムの未処理面に、密着処理層を以下の条件で形成した。密着処理層処理ガス:酸素圧力:5Pa電源周波数:300kHz投入電力:500Wsec/m2ラインスピード:90m/min接地電極の磁石:有りガスバリア層蒸着方法:電子線加熱方式蒸着材料:SiO高密度プラズマ源:ホロカソード放電ガス:Ar、投入電力:6kW以上の条件で、密着処理を施し、ガスバリア層として厚さ40nmの酸化珪素膜を積層して、ガスバリア性フィルムを作成した。<比較例4>厚さ12μmのポリエチレンテレフタレートPETのフィルムの未処理面に、密着処理を施さずに、高密度プラズマを用いずに、電子線加熱方式により真空蒸着により厚さ40nmの酸化珪素膜を積層して、ガスバリア性フィルムを作成した。上記の実施例および比較例で作成したフィルム上に、下記に示すA液とB液を配合比wtで6/4に混合した溶液を作成し、グラビアコート法により塗布乾燥し、厚さ0.4μmの保護層を形成した。A液:テトラエトキシシラン10.4gに塩酸0.1N89.6gを加え、30分間撹拌し加水分解させた固形分3wtSiO2換算の加水分解溶液とした。B液:ポリビニルアルコールの3wt水/イソプロピルアルコール溶液水:イソプロピルアルコール重量比で90:10とした。さらに、二液硬化型ポリウレタン系接着剤を用いて、ドライラミネートにより、上記ガスバリア性フィルム/延伸ナイロン15μm/未延伸ポリプロピレン70μmの積層サンプルを作成した。<評価1ガスバリア性>上記積層サンプルを、A4サイズに切り出し、水道水200ccを入れて、袋状に密閉して、121°Cで30分間レトルト殺菌処理を実施した。レトルト処理後、24時間後およびレトルト処理をしなかった場合レトルト処理前のガスバリア性を水蒸気透過度測定装置MOCONPERMATRAN3/3340°C90Rh雰囲気および酸素透過度測定装置MOCONOX-TRAN2/2023°C0Rhを用いて、測定した。その結果を表1に示す。<評価2密着性>上記積層サンプルを、A4サイズに切り出し、水道水200ccを入れて、袋状に密閉して、121°Cで30分間レトルト殺菌処理を実施した。レトルト処理後、2時間以内に、15mm幅に切断したサンプルのガスバリア性フィルムとナイロン間の180度剥離のラミネート強度を測定した。試験にはオリエンテック社製テンシロン万能試験機RTC-1250を用いた。また、剥離速度は、300mm/minとして、測定の際には測定部位を水で湿潤させながら行った。結果を表1に示す。実施例12で作成したガスバリア性フィルムは、比較例と比べ、良好なガスバリア性能と十分な密着性能の両方の性能を示した。