少なくとも基体金属箔の一方の面が粒子径01~2μmの固着性ニッケル又はニッケル合金微粒子及びその集合体を付着した放射率035以上であることを特徴とする粗面化された金属箔。固着性ニッケル又はニッケル合金微粒子及びその集合体の上にニッケルとリン又は及び硫黄からなる合金層を被覆したことを特徴とする請求項1に記載の粗面化された金属箔。基体金属箔が銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、ステンレスであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の粗面化された金属箔。粗面化が水溶液電気分解により得られることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の粗面化された金属箔。本発明は電気、電子部品などに応用できる熱放射性の高い金属材料を提供することを課題とする。従来技術、すなわち半導体やLEDなど発熱体のある回路に対して絶縁材を介し、ただ単に銅やアルミニウムの金属箔、板を貼り合わせるだけでは不十分である。熱伝導性は優れているものの、その金属表面に加工などを施さない場合は表面からの熱放散性がきわめて低く、放熱基板としては問題がある。そのため、金属の厚さを厚くすることや表面に放射率の高い有機系、セラミック系などの物質をコーティングするか、あるいは放熱フィンなどヒートシンクを設けることなどが必要であった。金属放熱板が厚い場合は熱容量が大きく熱放散性が高まるが、価格高騰している銅などの場合は製品における価格が課題となり、重量も増加し、問題である。厚くなると比重が大きいため重量が著しく増加するだけでなく、折り曲げができなくなり、フレキシブル特性を断念せざるをえなくなる。本発明においては従来のようにアルミニウムや銅、鉄などの厚板ではなく、箔という形態によって薄肉化、軽量化をはかるものである。熱伝導率は金属固有の値そのままにしながら熱放射特性を向上したものである。銅の場合、銅を酸化させることにより表面の放射率は高くなるが、たとえば酸化処理としていわゆる黒化処理があるが、沸点近い高温の酸化剤の入った水溶液中に浸漬処理することが必要であり、作業環境として好ましくなく、また、高温であるため箔などをしわなく処理することが困難である。アルミニウムについてはその表面を陽極酸化する方法があるが、厚めの板が必要であり、薄い箔を利用することは難しい。また、その処理工程は所要時間として数十分を要するなど、長時間を必要とするためロールツウロールなどに適用することや、箔について量産性を得ることが実用上難しい。さらにカーボンを金属板、箔に塗布する方法もあるが、膜厚方向の熱伝導性が不十分であり、カーボン材料及び、塗布の別工程が必要である。カーボン膜上にさらにセラミックシートを重ねることは熱拡散が優れるが多くの工程を必要とする。本発明においてはフレキシブル性を持つ箔形態に適用でき、金属以外の別材料を使用せずに金属箔表面に改良を加えることで熱放射率を向上し、放熱基板用として提供できる金属箔を提案するものである。本発明は、このような従来の問題点を解決するため、すなわち、少なくとも一方の面が粒子径01~2μmの固着性ニッケル又はニッケル合金微粒子、及びその集合体で粗面化された放射率035以上の有機物やセラミックを含まない金属箔であり、ニッケル又はニッケル合金微粒子及びその集合体の上にニッケルとリン又は及び硫黄からなる合金層を被覆したことを特徴とする粗面化された金属箔である。基体金属箔は銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、ステンレスであることを特徴とする。また、この粗面化が水溶液電気分解により得られることを特徴とする金属箔である。本発明の金属箔は熱放射性、熱伝導性が高く、放熱を必要とする特にフレキシブル性を考慮した電気、電子基板用途に好適である。そして本発明材料は箔の形態をとるためロールツウロールの連続的な製造が可能であって、大量生産に極めて対応しやすい。放射率の高い金属箔を得るためにはまず、銅、アルミニウム、鉄、ステンレス、ニッケルなどの箔を使い、厚さは10~100μmが好適である。原箔製造から表面粗化までを連続製造とすることは理想的であり電気分解で製造する電解銅箔、電解ニッケル箔、電解鉄箔などは脱脂の必要がなく、ある程度の表面粗化析出面が形成されているため有効である。しかしながら圧延箔でも問題はなく、限定されるものではない。これらの金属箔表面上にニッケル又はニッケル合金の微粒子及びその集合体を付け粗化するが、その形成方法としては水溶液電気分解法で行う。液組成としてはニッケルの水溶性塩、及びアンモニアを使い、ニッケルの水溶性塩としては硫酸ニッケル、硫酸ニッケルアンモニウム、塩化ニッケル、炭酸ニッケルなどが良い。ニッケル濃度は金属濃度で15~30glが好ましい。アンモニアは5~30glが好ましく、アンモニア水以外にも硫酸アンモニウム、塩化アンモニウムなどの塩で添加しても良い。水溶液のpHは4~7が好ましい。pHの調整は硫酸および水酸化ナトリウムを使用する。温度は30~60°Cが好ましい。電流密度は10~30Adm2が良く、電気量として150~500クーロンdm2が好ましい。この粗化ニッケル又はニッケル合金粒子の析出量はおよそ3~15gm2である。少ない場合は放射率が不十分であり、放熱性が低い。多い場合は放射率は高いものの、電気量を増加させても放射率の上昇がなくなり、生産性として効率が低い。ニッケル合金微粒子とする場合は主成分であるNiと、Co、Fe、Cu、Sn、Mo、W、Zn、P、Sなどの元素のうちの1種以上を少量含んでも良い。またさらに粉落ちを抑えるために必要に応じてその粗化粒子を被覆めっきすると良い。被覆めっきはニッケルまたはニッケル合金めっきを行う。なお、ニッケル粗化後ニッケルで被覆することは固着性を上げることでは効果があるが、あまり被覆量を増加すると、放射率が低下し、放熱性が低下する。電気量としては20~200クーロンdm2が好ましい。ニッケル量は06~6gm2である。このニッケルによる被覆の代わりにニッケルとリン及び又は硫黄の合金めっき層を施すことによってさらに放射率が高いものが得られる。この場合、ニッケル粗化後、ニッケルとリンまたは及び硫黄のめっき層を連続的に行うのが良い。この被覆めっきを行うにはニッケルとリンの合金めっきの場合はニッケルの水溶性塩と、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム、亜リン酸、亜リン酸ナトリウムなどを添加した水溶液でめっきする。硫黄を含有するニッケルめっきの場合はニッケル水溶性塩とこれにチオ硫酸ナトリウム、チオ尿素、芳香族スルフォン酸など硫黄を含有する添加剤を加えることにより、ニッケルと同時析出させる。ニッケル量は05~5gm2、リン量は50~500mgm2で、硫黄量は30~200mgm2である。リンおよび硫黄を両者混合させて加えてもよい。このニッケル被覆めっき層中のリン又は及び硫黄含有量は2~20である。結果として得られるニッケル微粒子サイズは01~2μm程度がよく、また互いに粒子が固着した集合体状として存在してもよく、この時は集合体として05~5μm程度のサイズとなる。粗化された表面の粗さとしては素地の粗さにもよるが、光沢面などに対してはRzjisで15μm~5μmが好ましい。粗面に対しては粗面粗さにRzjisとして2~6μmの粗度上昇が好ましい。銅箔粗面に公知の02~2μm程度の銅粒子による粗化処理を施し、一例として硫酸硫酸銅水溶液中で限界電流密度かそれ以上の電流密度により樹枝状銅を析出させ、この上に銅を被覆めっきをして、さらにその上に本発明のニッケル又はニッケル合金微粒子を形成させてもよい。但し、表面粗さが大きいほど放射率は高くなる傾向にはあるが、比例するものではなく、粗化量、粗化粒子形状、付着元素、基体箔などによって大きく変わる。なお、アルミニウムまたはアルミニウム合金箔の場合はそのままではニッケル又はニッケル合金粗化粒子の形成は難しいので、前処理として一般的な2回亜鉛置換処理し、その後ニッケルの05~15μm程度の薄いめっき層を設け、この上にニッケル又はニッケル合金粗化を行い、次いでニッケルとリン又は及び硫黄の合金めっき層を施す。電解銅箔など電解箔の場合、通常粗面と光沢面とあるが、このような場合、粗面側に樹脂と接着性の高い公知の粗化処理などを加え、一方で光沢面側は本発明のニッケル粗化処理および被覆めっきすることで放熱性の樹脂密着性の両者を兼ねそなえた金属箔が得られる。放射率を向上させる面について、たとえば銅箔の粗面側に上記にも記載したが公知の銅粒子による粗化処理を施し、さらにこの上にニッケルとリン又は及び硫黄の合金めっき被覆をしてもあまり放射率の改善にはならない。以下に実施例を示す。但し本発明はこれらに限定されるものではない。実施例135μm厚さの電解銅箔を酸洗浴硫酸5水溶液に10秒間浸漬し、次いで水洗し、その光沢面にニッケル粗化処理浴において19Adm2、15秒間陰極電解処理した。次いで水洗後その面をニッケルめっき浴において4Adm2、20秒間被覆めっきし、水洗し、乾燥した。硫酸ニッケル90glアンモニア18glpH60温度45°CC硫酸ニッケル250gl塩化ニッケル50glホウ酸20glpH40温度40°Cこのニッケル粗化処理銅箔の表面粗さはRzjis33μm、放射率を測定すると048であった。表面粗さはサーフコーダSE500を用いて測定し、放射率はDSAERD放射率計京都電子工業製を用いて測定した。以下の実施例、比較例においても同じ測定を行った。また蛍光X線分析で付着元素量を調べた。Niの付着量は792gm2であった。以下の実施例、比較例においても同様に分析した。一方、20μm厚さのSUS304ステンレス箔を幅3mm、長さ11cmに切り取り、この両面に55×55cm、厚さ50μmの粘着性ポリイミドフィルムを貼り付け、さらに片側にこの粗化処理銅箔を処理面側を外側にして5×5cmの大きさで貼り付け、これを図1に示したように断熱材上に設置した。そして、ステンレス箔線に10cmの端子間距離をとり、整流器で25Aの一定電流を連続的に通電し、5のポイント試料表面上の発熱による温度を調べた。15分間の通電によりおよそ安定し、その温度は57°Cであった。なお、試料を貼り付けない場合は同じ電流を通電し、15分間後安定した温度は69°Cであった。以下の実施例、比較例においても同じ測定を行った。以後の実施例、比較例を含めて結果を表1に示す。実施例235μm厚さの電解銅箔を酸洗浴で酸洗し、水洗後、その光沢面にニッケル粗化処理浴において19Adm2、15秒間陰極電解処理した。次いで水洗後、その面をニッケルリンめっき浴において25Adm2、20秒間被覆めっきし、水洗し、乾燥した。D硫酸ニッケル60gl次亜リン酸ナトリウム55glpH40温度30°Cこのニッケル粗化処理銅箔の表面粗さはRzjis23μm、放射率を測定すると066であった。またその表面のSEM観察を行い、その写真を図2に示す。このニッケル粗化処理銅箔のNiの付着量は656gm2、Pの付着量は018gm2であった。ここで同じ浴による同じ条件でニッケル粗化処理をしただけの箔についてはNi量は550gm2であったので、この実施例におけるニッケルリン被覆めっき層中のNi量は106gm2であり、リン量は約15であった。次に、この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は54°Cであった。実施例335μm厚さの電解銅箔を酸洗浴で酸洗し、水洗後、その光沢面にニッケル粗化処理浴において19Adm2、15秒間陰極電解処理した。次いでその面をニッケル硫黄めっき浴において25Adm2、20秒間被覆めっきした。E硫酸ニッケル150glチオ硫酸ナトリウム40glpH45温度30°Cこのニッケル粗化処理銅箔の表面粗さはRzjis21μm、放射率を測定すると065であった。またその表面のSEM観察を行い、その写真を図3に示す。またNiの付着量は651gm2、Sの付着量は008gm2であった。ニッケル硫黄被覆めっき層中の硫黄量は、約7であった。次にこの銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は56°Cであった。実施例430μm厚さの1N30アルミニウム箔を用意し、両面を脱脂浴NaOH10gl水溶液に30秒間浸漬し、水洗し、酸洗浴硝酸20水溶液に15秒間浸漬し、次いで水洗後、亜鉛置換浴ZnO9gl、NaOH80gl、ロッセル塩25gl、塩化第二鉄四水塩2glに30秒間浸漬し、次いで酸洗浴に20秒間浸漬後、水洗し、次に再び亜鉛置換浴に30秒間浸漬した。次いで水洗後、その片面をニッケルめっき浴で7Adm2、60秒間陰極電解してニッケルめっきした後、水洗後、ニッケル粗化処理浴において19Adm215秒間陰極電解処理した。次いで水洗後、ニッケルめっき浴において25Adm2、20秒間被覆めっきした。このニッケル粗化処理アルミ箔の表面粗さはRzjis32μm、放射率を測定すると039であった。このアルミ箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は62°Cであった。実施例530μm厚さの1N30アルミニウム箔を用意し、その光沢面を実施例4における最後のニッケル被覆浴をニッケルリンめっき浴25Adm2、20秒間とした以外すべて同じ方法で処理、めっきした。このニッケル粗化処理アルミ箔の表面粗さはRzjis29μm、放射率を測定すると064であった。このアルミ箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は57°Cであった。実施例620μm厚さのステンレス箔SUS304を用意し、脱脂浴NaOH50glで3Adm2、30秒間陰極脱脂、水洗後酸洗浴Aで5Adm2、60秒間陰極電解し、その片面にニッケル粗化処理浴において23Adm215秒間陰極電解処理した。次いでその面をニッケルリンめっき浴において25Adm2、20秒間被覆めっきした。このニッケル粗化処理銅箔の表面粗さはRzjis16μm、放射率を測定すると046であった。このステンレス箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は62°Cであった。実施例735μm厚さの電解銅箔をその光沢面について実施例2においてニッケルリンめっき浴を浴J25Adm2、20秒間としたこと以外すべて同じ方法で処理した。J硫酸ニッケル60gl次亜リン酸ナトリウム15glpH40温度30°Cこのニッケル粗化処理銅箔の表面粗さはRzjis24μm、放射率を測定すると060であった。またNiの付着量は663gm2、Pの付着量は013gm2であった。ニッケルリン被覆めっき層中のリンは、約10であった。この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は57°Cであった。実施例835μm厚さの電解銅箔をその光沢面について、実施例3においてニッケル硫黄めっき浴を浴Kとしたこと以外すべて同じ方法で処理した。K硫酸ニッケル150glチオ硫酸ナトリウム20glpH45温度30°Cこのニッケル粗化処理銅箔の表面粗さはRzjis25μm、放射率を測定すると068であった。またNiの付着量は670gm2、Sの付着量は004gm2であった。ニッケル硫黄被覆めっき層中の硫黄は、約3であった。この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は56°Cであった。実施例935μm厚さの電解銅箔を用意し、実施例2において表面処理を粗面側としたこと以外すべて同じ方法で処理した。このニッケル粗化処理銅箔の表面粗さはRzjis81μm、放射率を測定すると058であった。またNiの付着量は665gm2、Pの付着量は013gm2であった。ニッケルリン被覆めっき層中のリンは、約10であった。この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は58°Cであった。実施例1035μm厚さの電解銅箔を用意し、実施例2においてニッケル粗化処理浴をの代わりにLとし、電解時間を20秒間とし、浴のNiP被覆めっきを25Adm2、40秒間としたこと以外すべて同じ方法で処理した。硫酸ニッケル六水塩110glアンモニア25glpH57温度40°Cこのニッケル粗化処理銅箔の表面粗さはRzjis27μm、放射率を測定すると061であった。またNiの付着量は990gm2、Pの付着量は027gm2であった。ここで同じ浴による同じ条件でニッケル粗化処理をしただけの箔についてはNi量は730gm2であったので、この実施例におけるニッケルリン被覆めっき層中のリンは、約9であった。この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は57°Cであった。実施例1135μm厚さの電解銅箔を用意し、実施例2においてニッケルリン被覆めっきをニッケル硫黄リン被覆めっき浴としたこと以外すべて同じ方法で処理した。硫酸ニッケル80gl次亜リン酸ナトリウム25glチオ硫酸ナトリウム5glpH40温度30°Cこのニッケル粗化処理銅箔の表面粗さはRzjis24μm、放射率を測定すると057であった。またNiの付着量は625gm2、Pの付着量は001gm2Sの付着量は003gm2であった。ニッケル硫黄リン被覆めっき層中の硫黄は約4、リンは約1であった。この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は58°Cであった。比較例135μm厚さの電解銅箔を用意し、光沢面側の表面粗さ、放射率を調べた。表面粗さはRzjis19μm、放射率は002であった。この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムにはりつけ、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は68°Cであった。比較例235μm厚さの電解銅箔を用意し、その光沢面にめっき浴により25Adm2、20秒間でニッケルリンめっきし、水洗、乾燥した。表面粗さはRzjis18μm、放射率は016であった。またNiの付着量は107mgm2、Pの付着量は024mgm2であった。ニッケルリンめっき中のリン量は約18であった。この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムにはりつけ、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は66°Cであった。比較例330μm厚さの1N30アルミニウム箔を用意し、表面粗さ、放射率を調べた。表面粗さはRzjis02μm、放射率は003であった。この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムにはりつけ、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は68°Cであった。比較例435μm厚さの電解銅箔を用意し、その光沢面を黒化処理浴NaOH15glNaClO240glリン酸三ナトリウム5gl90°Cの水溶液中に浸漬し、150秒間の表面酸化を行った。この面の表面粗さ、放射率を調べた。表面粗さはRzjis20μm、放射率は007であった。この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムにはりつけ、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は64°Cであった。比較例535μm厚さの電解銅箔を用意し、この粗面側を処理浴硫酸100gL、硫酸銅五水塩50gLにおいて10Adm2、8秒間陰極電解した。次いで処理浴硫酸100gL、硫酸銅五水塩220gLにおいて粗面側を5Adm2、70秒間陰極電解した。次に水洗後めっき浴で25Adm2、20秒間ニッケルリンめっきし、水洗し、乾燥した。この銅箔の処理面表面粗さはRzjis98μmであった。放射率は016であった。この銅箔について実施例1と同じ方法でポリイミドフィルムに貼り付け、SUS箔線の発熱による温度を調べた。15分間の通電により安定した温度は65°Cであった。以上から本発明の実施例においては比較例と比べて格段に高い放射率が測定され、ポリイミドフィルムを介して発熱に対して放熱効率が良く、発熱回路による温度上昇も低いことが確認された。