"パッケージ本体から複数の外部リードが外側に突出している半導体装置であって、前記パッケージ本体に、互いに隣り合う外部リードの間に位置する絶縁性突起部が形成され、前記絶縁性突起部は、いずれか一方の外部リードにのみ接していることを特徴とする、半導体装置。前記絶縁性突起部は、根元が前記一方の外部リードに接しており、中途部から先端側の突出方向の大部分または全部が前記一方の外部リードと接していないことを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記絶縁性突起部の中途部から先端側は、タイバーカット部よりも根元側で折り曲げられた前記一方の外部リードの当該タイバーカット部とのみ接していることを特徴とする、請求項2に記載の半導体装置。前記絶縁性突起部の根元から先端までの長さは、前記一方の外部リードの根元から当該外部リードの根元に最も近いリード折り曲げ部までの長さよりも長いことを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。互いに隣り合う外部リードの間に複数の前記絶縁性突起部が設けられ、各前記絶縁性突起部は、前記一方の外部リードと前記他方の外部リードに個別に接していることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記絶縁性突起部は、縁部の輪郭が曲面形状であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。本発明は、このような実情に鑑みてなされたもので、外部リード間の沿面距離を大きくするための絶縁性突起部の強度が高く、製造が容易な半導体装置の提供を目的とする。第1の発明は、パッケージ本体から複数の外部リードが外側に突出している半導体装置であって、上記パッケージ本体に、互いに隣り合う外部リードの間に位置する絶縁性突起部が形成され、上記絶縁性突起部は、いずれか一方の外部リードにのみ接していることを特徴とする、半導体装置である。第1の発明によれば、絶縁性突起部が、互いに隣り合う外部リードのいずれか一方の外部リードにのみ接している。つまり、絶縁性突起部は、互いに隣り合う外部リードのいずれか一方の外部リードに接し、他方の外部リードには接していない。この場合、絶縁性突起部を形成するための金型の形状が簡素化され、樹脂バリの打ち抜き加工も容易となるため、半導体装置の製造が容易となる。また、特に狭小な外部リード間においても、絶縁性突起部の厚みが薄くなり過ぎず、絶縁性突起部の機械的強度を高めることができる。また、絶縁性突起部が一方の外部リードに接しているため、絶縁性突起部は外部リードによって支持され、機械的強度が高まる。よって、機械的強度が高まった分、絶縁性突起部の突出量根元から先端部までの長さを大きくすることができ、絶縁性突起部がない場合よりも外部リード間の沿面距離を十分に大きくして、外部リード間の絶縁性を高めることができる。しかも、絶縁性突起部の機械的強度が高いので、絶縁性突起部が破損しにくい。第2の発明は、第1の発明において、上記絶縁性突起部は、根元が上記一方の外部リードに接しており、中途部から先端側の突出方向の大部分または全部が上記一方の外部リードと接していないことを特徴とする。第2の発明によれば、絶縁性突起部の中途部から先端側の突出方向の大部分もしくは全部が外部リードと接していない。これにより、絶縁性突起部の根元から先端までの全体が外部リードに接している場合よりも、外部リード間の沿面距離をより大きくして、外部リード間の絶縁性をより一層高めることができる。第3の発明は、第2の発明において、上記絶縁性突起部の中途部から先端側は、タイバーカット部よりも根元側で折り曲げられた上記一方の外部リードの当該タイバーカット部とのみ接していることを特徴とする。第3の発明によれば、絶縁性突起部の成形後、外部リードをタイバーカット部よりも根元側で折り曲げるだけで、絶縁性突起部の中途部から先端側が突出方向全体で外部リードに接している状態から、絶縁性突起部の中途部から先端側が外部リードのタイバーカット部とのみ接している状態に容易に変化させることかできる。これにより、絶縁性突起部の中途部から先端側の突出方向の大部分または全部が外部リードと接していない状態を容易に作り出すことができる。第4の発明は、第1の発明において、上記絶縁性突起部の根元から先端までの長さは、上記一方の外部リードの根元から当該外部リードの根元に最も近いリード折り曲げ部までの長さよりも長いことを特徴とする。第4の発明によれば、絶縁性突起部の根元から先端までの長さが、外部リードの根元からリード折り曲げ部までの長さよりも長いので、絶縁性突起部の根元から先端までの長さが、外部リードの根元からリード折り曲げ部までの長さよりも短い場合と比べて、外部リード間の沿面距離がより大きくなり、外部リード間の絶縁性をより一層高めることができる。第5の発明は、第1の発明において、互いに隣り合う外部リードの間に複数の上記絶縁性突起部が設けられ、各上記絶縁性突起部は、上記一方の外部リードと上記他方の外部リードに個別に接していることを特徴とする。第5の発明によれば、互いに隣り合う外部リードの間に複数の絶縁性突起部が設けられているので、互いに隣り合う外部リードの間に1個の絶縁性突起部が設けられている場合よりも、外部リード間の沿面距離が大きくなり、外部リード間の絶縁性をより一層高めることができる。第6の発明は、第1の発明において、上記絶縁性突起部は、縁部の輪郭が曲面形状であることを特徴とする。第6の発明によれば、絶縁性突起部の縁部の輪郭が曲面形状なので、輪郭が四角形の場合に比べて絶縁性部材の材料の使用量を削減することができる。また、外部リードの折り曲げ時や、半導体装置の搬送時および実装時等において、絶縁性突起部が治工具等に接触しにくくなる。本発明によれば、外部リード間の沿面距離を大きくするための絶縁性突起部の強度が高く、製造が容易な半導体装置を提供することができる。第1実施形態本発明の第1実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しつつ説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。図2は、図1に示される半導体装置のA方向矢視図である。図3は、図1に示される半導体装置のB方向矢視図である。第1実施形態に係る半導体装置10は、パッケージ本体11から複数の外部リード12が外側に突出している半導体装置である。パッケージ本体11の内部には、半導体チップ例えばICチップ、内部リード等が樹脂封止されているが、その説明については省略する。パッケージ本体11には、互いに隣り合う外部リード12,12の間に位置する絶縁性突起部13が形成されている。絶縁性突起部13を形成することにより、互いに隣り合う外部リード12,12間の沿面距離が、当該絶縁性突起部13が形成されていない場合よりも長くなる。沿面距離とは、2つの導電性部分間の、絶縁物の表面に沿った最短距離である。互いに隣り合う2本の外部リード12,12により1つのリード組が構成される。図1~3に示されるように、全てのリード組上側2組、下側2組について、それぞれ絶縁性突起部13が形成されていてもよいが、一部のリード組についてのみ絶縁性突起部13が形成されていてもよい。後者の例としては、例えば、隣り合う外部リード12,12間の通電時の電位差が所定値より大きいリード組についてのみ絶縁性突起部13を形成することが考えられる。絶縁性突起部13は、互いに隣り合う外部リード12,12のいずれか一方の外部リード12にのみ接している。また、図1~3に示される例では、絶縁性突起部13は、根元から先端部までの突出方向全体が一方の外部リード12に接している。また、図1~3に示される例では、絶縁性突起部13の根元から先端部までの長さは、一方の外部リード12の根元から当該外部リード12の根元に最も近いリード折り曲げ部12Aまでの長さよりも短い。次に、半導体装置10の製造方法について説明する。図4~7は、半導体装置10の製造工程を示す図である。図4は、半導体チップおよび内部リード等を樹脂封止し、タイバー図示せずをポンチ等でカットした後の様子を示す平面図である。図5は図4のA方向矢視図である。図4、5に示されるように、パッケージ本体11と絶縁性突起部13は、例えば、絶縁性の合成樹脂で一体成形されている。図4,5に示される状態では、外部リード12,12間に、樹脂封止時に生じた樹脂バリ14が残存している。タイバーカット工程の後、図6,7に示される樹脂バリカット工程に進む。図6は、図4に示される樹脂バリ14をポンチ等でカットした後の様子を示す平面図であり、図7は図6のA方向矢視図である。図6,7に示されるように、樹脂バリ14は、互いに隣り合う外部リード12,12の各リード組毎に1箇所のみ存在する。よって、ポンチ等による打ち抜き動作樹脂バリカットは、各リード組毎に1箇所で行えば済む。樹脂バリカットにより、絶縁性突起部13と他方の外部リード12の間に空隙が形成される。樹脂バリカット工程の後、外部リード12の折り曲げ工程に進む。外部リード12の折り曲げ工程では、折り曲げ機により、各外部リード12が適所で折り曲げられる。これにより、図1~3に示される半導体装置10が形成される。第1実施形態に係る半導体装置10によれば、絶縁性突起部13が、互いに隣り合う外部リード12,12のいずれか一方の外部リード12にのみ接している。つまり、絶縁性突起部13は、互いに隣り合う外部リード12,12のいずれか一方の外部リード12に接し、他方の外部リード12には接していない。よって、絶縁性突起部13を形成するための金型の形状が簡素化され、樹脂バリ14の打ち抜き加工も容易となる。これにより、半導体装置10の製造が容易となる。また、特に狭小な外部リード12,12間においても、絶縁性突起部13の厚みが薄くなり過ぎず、絶縁性突起部13の機械的強度を高めることができる。また、絶縁性突起部13が一方の外部リード12に接しているため、絶縁性突起部13は外部リード12によって支持され、機械的強度が高まる。よって、機械的強度が高まった分、絶縁性突起部13の突出量根元から先端部までの長さを大きくすることができ、絶縁性突起部13がない場合よりも外部リード12,12間の沿面距離を十分に大きくして、外部リード12,12間の絶縁性を高めることができる。しかも、絶縁性突起部13の機械的強度が高いので、絶縁性突起部13が破損しにくい。なお、上記第1実施形態では、絶縁性突起部13の縁部の輪郭が四角形状であったが、これに代えて、図8に示されるように、絶縁性突起部130の縁部の輪郭線が半円状等の曲面形状であってもよい。なお、図8に示される例では、輪郭を半円状としているが、他の任意の形状とすることも可能である。第2実施形態本発明の第2実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しつつ説明する。図9は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。図10は、図9に示される半導体装置のB方向矢視図である。なお、第1実施形態と同様の構成については、第1実施形態の場合と同様の参照符号を付して、その説明を省略する。第2実施形態に係る半導体装置101では、絶縁性突起部131の根元から先端までの長さは、一方の外部リード12の根元から当該外部リード12の根元に最も近いリード折り曲げ部12Aまでの長さよりも長い。この点が上記第1実施形態と異なっており、他の点は第1実施形態と同様である。第2実施形態によれば、絶縁性突起部131の根元から先端までの長さが、外部リード12の根元からリード折り曲げ部12Aまでの長さよりも長い。よって、第1実施形態の如く絶縁性突起部13の根元から先端部までの長さが、外部リード12の根元からリード折り曲げ部12Aまでの長さよりも短い場合と比べて、外部リード12,12間の沿面距離が大きくなり、外部リード12,12間の絶縁性をより一層高めることができる。第3実施形態本発明の第3実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しつつ説明する。図11は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。図12は、図11に示される半導体装置のA方向矢視図である。なお、第1実施形態と同様の構成については、第1実施形態の場合と同様の参照符号を付して、その説明を省略する。第3実施形態に係る半導体装置102では、絶縁性突起部13は、根元が一方の外部リード12に接しており、中途部から先端部までの突出方向の大部分が一方の外部リード12と接していない。具体的には、絶縁性突起部13の中途部から先端側は、タイバーカット部12Bよりも根元側で折り曲げられた一方の外部リード12の当該タイバーカット部12Bとのみ接している。次に、半導体装置102の製造方法について説明する。樹脂バリカット工程までは、第1実施形態と同様である。なお、第1実施形態の説明ではタイバーカット部タイバーをカットした後のタイバーの残存部の図示を省略しているが、タイバーカット部を図示すると、樹脂バリカット工程後は図13に示される状態となる。図13は、樹脂バリカット後の状態を示す平面図である。図13に示される外部リード12を矢印F方向に引っ張りながら、当該外部リード12を破線部で折り曲げる。すると、図11、12に示される半導体装置102が得られる。すなわち、外部リード12を矢印F方向に引っ張りながら当該外部リード12を破線部で折り曲げることで、外部リード12の根元以外の部分が矢印F方向に少し変位し、絶縁性突起部13の根元とタイバーカット部12Bのみが一方の外部リード12に接した状態となる。よって、第3実施形態によれば、第1実施形態よりも、外部リード12,12間の沿面距離が大きくなり、外部リード12,12間の絶縁性が向上する。また、第3実施形態によれば、絶縁性突起部13の成形後、外部リード12をタイバーカット部12Bよりも根元側で折り曲げるだけで、絶縁性突起部13の中途部から先端側の突出方向全体で外部リード12に接している状態から、絶縁性突起部13の中途部から先端側が外部リード12のタイバーカット部12Bとのみ接している状態に容易に変化させることかできる。これにより、絶縁性突起部13の中途部から先端側の突出方向の大部分が外部リード12と接していない状態を容易に作り出すことができる。なお、図11、12に示される例では、絶縁性突起部13の根元とタイバーカット部12Bの双方が一方の外部リード12に接しているが、これに代えて、絶縁性突起部13の根元のみが一方の外部リード12に接しているものとしてもよい図示せず。このようにすることで、外部リード12,12間の沿面距離がさらに大きくなり、外部リード12,12間の絶縁性がさらに向上する。第3実施形態本発明の第4実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しつつ説明する。図14は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。なお、第1実施形態と同様の構成については、第1実施形態の場合と同様の参照符号を付して、その説明を省略する。第4実施形態では、図14に示されるように、互いに隣り合う外部リード12,12の間に複数図示例では2個の絶縁性突起部13が設けられ、各絶縁性突起部13は、一方の外部リード12と他方の外部リード12に個別に接している。第4実施形態によれば、互いに隣り合う外部リード12,12の間に複数の絶縁性突起部13が設けられているので、互いに隣り合う外部リード12,12の間に1個の絶縁性突起部13が設けられている場合よりも、外部リード12,12間の沿面距離が大きくなり、外部リード12,12間の絶縁性をより一層高めることができる。"