隣り合う2つの第1の電極と、第2の電極と、第3の電極と、前記2つの第1の電極と前記第2の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、前記第3の電極は、前記2つの第1の電極と前記第2の電極との間に設けられ、且つ、前記2つの第1の電極の一方と電気的に接続され、前記第3の電極は、絶縁膜を介して、前記2つの第1の電極の一方と少なくとも一部が重なり、前記第3の電極は、前記絶縁膜を介して、前記2つの第1の電極の他方と少なくとも一部が重なることを特徴とする電界駆動型表示装置。隣り合う2つの第1の電極と、第2の電極と、第3の電極と、前記2つの第1の電極と前記第2の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、前記第3の電極は、前記2つの第1の電極と前記第2の電極との間に設けられ、且つ、前記2つの第1の電極の一方と電気的に接続され、前記第3の電極は、絶縁膜を介して、前記2つの第1の電極の一方と少なくとも一部が重なり、前記第3の電極は、前記絶縁膜を介して、前記2つの第1の電極の他方と重ならないことを特徴とする電界駆動型表示装置。隣り合う2つの第1の電極と、第2の電極と、第3の電極と、前記2つの第1の電極と前記第2の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、前記2つの第1の電極は、前記第3の電極と前記第2の電極との間に設けられ、前記第3の電極は、前記2つの第1の電極の一方と電気的に接続され、前記第3の電極は、絶縁膜を介して、前記2つの第1の電極の一方と少なくとも一部が重なり、前記第3の電極は、前記絶縁膜を介して、前記2つの第1の電極の他方と少なくとも一部が重なることを特徴とする電界駆動型表示装置。隣り合う2つの第1の電極と、第2の電極と、第3の電極と、前記2つの第1の電極と前記第2の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、前記2つの第1の電極は、前記第3の電極と前記第2の電極との間に設けられ、前記第3の電極は、前記2つの第1の電極の一方と電気的に接続され、前記第3の電極は、絶縁膜を介して、前記2つの第1の電極の一方と少なくとも一部が重なり、前記第3の電極は、前記絶縁膜を介して、前記2つの第1の電極の他方と重ならないことを特徴とする電界駆動型表示装置。本発明の一態様は、高品質な表示が可能な電界駆動型表示装置を提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、表示不良例えば、画素の輪郭において残像が生じる現象を低減した電界駆動型表示装置を提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、表示媒体に含まれる粒子の凝集を低減した電界駆動型表示装置を提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、表示媒体に対する電界のかかり方を改善した電界駆動型表示装置を提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、コントラストを向上した電界駆動型表示装置を提供することを課題とする。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、特許請求の範囲などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、特許請求の範囲などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。本発明の一態様は、一の画素の画素電極と、一の画素に隣接する画素の画素電極との隙間に、補助電極を設けた電界駆動型表示装置である。または、本発明の一態様は、隣り合う2つの第1の電極と、第2の電極と、第3の電極と、2つの第1の電極と第2の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、第3の電極は、2つの第1の電極と第2の電極との間に設けられ、且つ、2つの第1の電極の一方と電気的に接続され、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の一方と少なくとも一部が重なり、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の他方と少なくとも一部が重なる電界駆動型表示装置である。または、本発明の一態様は、隣り合う2つの第1の電極と、第2の電極と、第3の電極と、2つの第1の電極と第2の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、第3の電極は、2つの第1の電極と第2の電極との間に設けられ、且つ、2つの第1の電極の一方と電気的に接続され、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の一方と少なくとも一部が重なり、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の他方と重ならない電界駆動型表示装置である。または、本発明の一態様は、隣り合う2つの第1の電極と、第2の電極と、第3の電極と、2つの第1の電極と第2の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、2つの第1の電極は、第3の電極と第2の電極との間に設けられ、第3の電極は、2つの第1の電極の一方と電気的に接続され、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の一方と少なくとも一部が重なり、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の他方と少なくとも一部が重なる電界駆動型表示装置である。または、本発明の一態様は、隣り合う2つの第1の電極と、第2の電極と、第3の電極と、2つの第1の電極と第2の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、2つの第1の電極は、第3の電極と第2の電極との間に設けられ、第3の電極は、2つの第1の電極の一方と電気的に接続され、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の一方と少なくとも一部が重なり、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の他方と重ならない電界駆動型表示装置である。なお、図において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお、図は、理想的な例を模式的に示したものであり、図に示す形状などに限定されない。例えば、製造技術による形状のばらつき、誤差による形状のばらつきなどを含むことが可能である。なお、専門用語は、特定の実施の形態などを述べる目的で用いられる場合が多い。ただし、発明の一態様は、専門用語によって、限定して解釈されるものではない。なお、定義されていない文言専門用語又は学術用語などの、科学技術文言を含むは、通常の当業者が理解する一般的な意味と同等の意味として用いることが可能である。辞書等により定義されている文言は、関連技術の背景と矛盾がないような意味に解釈されることが好ましい。本発明の一態様は、高品質な表示が可能な電界駆動型表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、表示不良例えば、画素の輪郭において残像が生じる現象を低減した電界駆動型表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、表示媒体に含まれる粒子の凝集を低減した電界駆動型表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、表示媒体に対する電界のかかり方を改善した電界駆動型表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、コントラストを向上した電界駆動型表示装置を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分については同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容一部の内容でもよいは、その実施の形態で述べる別の内容一部の内容でもよい、及び/又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態で述べる内容一部の内容でもよいに対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを行うことができる。なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。なお、ある一つの実施の形態において述べる図は、その実施の形態において述べる別の図一部でもよい、及び/又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態において述べる図一部でもよいに対して、組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることができる。なお、ある一つの実施の形態において述べる図の一部は、その図の別の部分、その実施の形態において述べる別の図一部でもよい、及び/又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態において述べる図一部でもよいに対して、組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることができる。実施の形態1本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の一態様について図面を参照して説明する。図1は、本発明の電界駆動型表示装置の一態様の断面模式図である。複数の電極109上に絶縁膜110が形成される。絶縁膜110にコンタクトホールが設けられ、絶縁膜110上に形成された複数の電極100と複数の電極109とがそれぞれ電気的に接続される。電極109は、隣り合う2つの電極100の間の領域と少なくとも一部が重なるように配置されている。すなわち、表示装置の上面または下面から見たとき、隣り合う2つの電極100が離れて設けられており、隣り合う2つの電極100の隙間に電極109が設けられている。ここで、電極100は画素電極として機能し、電極109は補助電極として機能することが可能である。本明細書において、補助電極とは画素電極の面積と同等または画素電極の面積よりも小さい電極を意味する。電極100と電極101との間に層102が形成され、または配置され、または貼り付けられている。電極101は対向電極として機能することが可能である。層102は表示媒体を含む層である。層102は粒子を含んで形成することが可能である。または、層102に含まれる粒子は帯電していることが可能である。このような粒子を本明細書では荷電粒子という。層102の一例としては、マイクロカプセル104を分散剤103に分散して固定した構成等が挙げられる。電極100と層102との間または電極101と層102との間には、粘着層、接着層などを形成することが可能である。マイクロカプセル104の一例として、カプセル内に2色の粒子が存在する物体を用いることが可能である。図1では、正に帯電したある色の粒子105と、負に帯電した異なる色の粒子106とが、カプセル内に含まれる溶媒中に分散して存在している様子を示している。なお、溶媒の一例として、透明な液体を用いることが可能である。電極100および電極101に電圧を印加し、電極100と電極101との間の電気力線に変化が生じると、正に帯電したある色の粒子105および負に帯電した異なる色の粒子106が電気力線の方向電界方向に応じて移動する。すなわち、正に帯電したある色の粒子105及び負に帯電した異なる色の粒子106がそれぞれ電極100側又は電極101側に移動し、層102の反射率が変化する。これにより、画素毎にコントラストが変わり、画像が表示される。なお、溶媒は着色していてもよい。ここでは、2種類の粒子が存在する場合について2色の粒子を用いて説明しているが、1種類1色の粒子のみを用いてもよい。図2は表示装置の上面を表示面とした場合を示し、図3は表示装置の下面を表示面とした場合を示している。電極100および電極101に電圧を印加して、電極100から電極101に向かう電気力線に変化が生じたとき、電極100上に配置されたマイクロカプセル内の粒子は、電極100から電極101にほぼ垂直に向かう電界107に応じて移動する。また、電極100と隣接する電極100との間の領域上に配置されたマイクロカプセル内の粒子は、電極109から電極101にほぼ垂直に向かう電界108に応じて移動する図2及び図3。このように、本発明の実施の形態の一態様は、液体の中において、帯電したもの粒子状のもの、棒状のもの、筒状のものなどが電界に応じて移動または回転するという電気泳動現象を利用している。したがって、電気泳動現象を利用している装置のことを、電気泳動装置または電気泳動型装置と呼ぶことができる。さらに、電気泳動現象を利用している表示装置のことを、電気泳動表示装置または電気泳動型表示装置と呼ぶことができる。または、本発明の実施の形態の一態様は、液体または気体の中において、帯電したもの粒子状のもの、棒状のもの、筒状のものなどが電界に応じて移動または回転するという現象を利用している。したがって、このような現象を利用している装置のことを、粒子移動装置または粒子移動型装置と呼ぶことができる。さらに、このような現象を利用している表示装置のことを、粒子移動表示装置または粒子移動型表示装置と呼ぶことができる。または、本発明の実施の形態の一態様は、液体または気体の中において、帯電したもの粒子状のもの、棒状のもの、筒状のものなどが電界に応じて回転するという現象を利用している。したがって、このような現象を利用している装置のことを、粒子回転装置または粒子回転型装置と呼ぶことができる。さらに、このような現象を利用している表示装置のことを、粒子回転表示装置または粒子回転型表示装置と呼ぶことができる。または、本発明の実施の形態の一態様は、液体または気体の中において、帯電したもの粒子状のもの、棒状のもの、筒状のものなどが電界に応じて移動または回転するという現象を利用している。したがって、このような現象を利用している装置のことを、電界駆動装置または電界駆動型装置と呼ぶことができる。さらに、このような現象を利用している表示装置のことを、電界駆動表示装置または電界駆動型表示装置と呼ぶことができる。または、本発明の実施の形態の一態様は、マイクロカプセルのような小さなカプセルの中を、帯電したもの粒子状のもの、棒状のもの、筒状のものなどが電界に応じて移動または回転するという現象を利用している。したがって、このような現象を利用している装置のことを、マイクロカプセル装置またはマイクロカプセル型装置と呼ぶことができる。さらに、このような現象を利用している表示装置のことを、マイクロカプセル表示装置またはマイクロカプセル型表示装置と呼ぶことができる。したがって、図1に示すような装置は、電気泳動装置、粒子移動装置、粒子回転装置、電界駆動装置、または、マイクロカプセル装置と呼ぶことができる。表示不良を低減させるために、図2のように電極101側を表示面とする場合には、電極101側における粒子の凝集を制御できることが重要である。また、図3のように電極100側を表示面とする場合には、電極100側における粒子の凝集を制御できることが重要である。粒子の凝集を制御することができれば、遮光膜を設けなくとも表示不良が低減された表示装置を得ることができる。なお、図3のように、電極100側を表示面とする場合には、電極100または電極109に接続されるトランジスタ及び配線として、透明なトランジスタ及び透明な配線を用いて表示装置を構成することが望ましい。図1~図3において、電極109は電極100と電気的に接続されているため、電極109と電極100とに印加される電圧は同等である。また、層102の厚さは一例として40μm~100μm程度であるのに対し、絶縁膜110の膜厚は一例として数nm~2μm程度であるため、電極109から電極101までの距離と、電極100から電極101までの距離は、実質的にはほぼ同じであるとみなすことができる。したがって、表示画像を書き換える動作を行った際、電極101にかかる電界107と電界108は同等になる。このため、隣り合う2つの電極100間の領域上電極109上に配置されたマイクロカプセルの表示領域電界108がかかる領域においても、電極100上に配置されたマイクロカプセルの表示領域電界107がかかる領域と同じように、マイクロカプセル内の粒子が移動し、粒子の凝集を低減できるため、書き換え動作を反映した表示を行うことができる。これにより、残像が生じにくい、電界駆動型表示装置、電気泳動型表示装置、粒子移動型表示装置、粒子回転型表示装置、又はマイクロカプセル型表示装置を作製することができる。仮に電極109がない場合、電極100から電極101にほぼ垂直に向かう電界がかかる領域電極100上の領域と、電極100から電極101に湾曲して向かう電界がかかる領域隣り合う2つの電極100と重ならない領域とでは、電極100から電極101に湾曲して向かう電界がかかる領域における電界強度の方が弱い。したがって、表示画像を書き換える動作を行った際、電極100から電極101に湾曲して向かう電界がかかる領域では、書き換え動作を行う前の状態を保持してしまう場合や、書き換え動作を行う前の状態を引きずって、中間的な状態となってしまう場合などがある。このとき、粒子の凝集が生じる可能性があり、表示された画像は残像が生じた状態となることがある。このような現象は、電極100が存在しない領域、すなわち画素電極と隣り合う画素電極との境界部分で起きやすい。そこで、図1~図3のような構成にすることにより、残像や粒子の凝集を低減することができる。なお、電極101を全面に形成することが望ましいが、本実施の形態の一態様はこれに限定されない。例えば、電極101をストライプ状にしてもよい。また、電極101をストライプ状に形成し、電極100を電極101と直交する方向に延びるストライプ状に設けることが可能である図4。そのため、例えば、パッシブマトリクス型表示装置とすることもできる。パッシブマトリクス型表示装置の上面図の一例を図6に示す。まず、電極109を形成する図4、図6A。電極109は補助電極として機能することが可能である。電極109上に絶縁膜110を形成する図4。絶縁膜110にコンタクトホール113を形成し、電極109に電気的に接続されたストライプ状の電極100を形成する図4、図6B。電極100は画素電極として機能することが可能である。電極100上に表示媒体を含む層102を形成する図4。表示媒体を含む層102上電極109が設けられた基板に対向する基板の下にストライプ状の電極101を形成する図4、図6C。電極101は対向電極として機能することが可能である。なお、図4は図6CのA-B断面を示した図である。なお、図6Dは、図6Bのコンタクトホール113及び電極100を抜粋して示した図、図43Aは、図6Cのストライプ状の電極101を抜粋して示した図である。パッシブマトリクス型表示装置を上面または下面から見ると、画素部全体に電極109又は電極100が形成された状態になっている。言い換えると、電極101が形成される領域に対向する領域全てに電極109又は電極100が形成されている図6B。このような構成を有することにより、対向電極として機能することが可能な電極101と重なる領域に、ほぼ均一な電界がかかり、表示不良を低減した表示装置を得ることができる。なお、電極101にも補助電極として機能することが可能な電極を設けることが可能である。電極101に電気的に接続された電極114を設けたパッシブマトリクス型表示装置の上面図の一例を図43Cに示す。図5は図43CのK-L断面を示した図である。電極109上に絶縁膜110を形成する。絶縁膜110にコンタクトホール113を形成し、電極109に電気的に接続された電極100を形成する。電極100上に表示媒体を含む層102を形成する。表示媒体を含む層102上電極109が設けられた基板に対向する基板の下に電極101を形成する図5、図43B。電極101上に絶縁膜115を形成し、絶縁膜115に形成したコンタクトホール116において電極101と電気的に接続するように電極114を形成する図5、図43C。このように、画素部全体に電極101又は電極114が形成されたパッシブマトリクス型表示装置が作製できる。言い換えると、電極100が形成される領域に対向する領域全てに電極101又は電極114を形成することができる。このような構成を有することにより、画素部全体に、ほぼ均一な電界がかかり、表示不良を低減した表示装置を得ることができる。なお、図43Dは、図43Cのコンタクトホール116及び電極114を抜粋して示した図である。図7に示すように、電極109を保持容量の電極として機能させることも可能である。図7は、前述した図1に配線111と絶縁膜112とを加えた構成である。なお、配線111は容量配線としての機能を有していても良い。その他の構成については図1と同様であるため省略する。図7において、電極109は、電極100と隣接する電極100との間の領域と少なくとも一部が重なる位置に配置され、かつ、絶縁膜112を介して配線111と重なる位置に配置されている。このようにして、電極109は保持容量の電極としての機能と補助電極としての機能とを両方有することが可能である。電極100の面積と電極109の面積が概ね等しくてもよい。図7に示す断面図では、電極109の幅A’と、電極100の幅B’とが概ね等しいことでこれを表現している。または、電極109と隣接する電極109との距離Aと、電極100と隣接する電極100との距離Bとが概ね等しくてもよい。このような構造にすることにより、電極109及び電極100の面積を大きくすることができる。そのため、容量値を大きくすることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。絶縁膜112の膜厚Dが絶縁膜110の膜厚Cよりも小さいことが望ましい。これにより、容量値を大きくすることが可能となる。または、これにより、電極100の表面をより平坦にすることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれに限定されない。電極109と隣接する電極109との距離Aは、絶縁膜112の膜厚Dよりも大きいことが好ましい。これにより、容量値を大きくすることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれに限定されない。電極100と隣接する電極100との距離Bは、絶縁膜110の膜厚Cよりも大きいことが好ましい。または、電極100と隣接する電極100との距離Bは、電極100の膜厚Hよりも大きいことが好ましい。または、電極100と隣接する電極100との距離Bは、電極109の膜厚Gよりも大きいことが好ましい。または、電極100と隣接する電極100との距離Bは、配線111の膜厚Fよりも大きいことが好ましい。電極100と隣接する電極100との距離Bを大きくすることで、たとえ電極100と隣接する電極100との間にゴミが入っても、短絡を防止することができる。電極100と隣接する電極100との距離Bが大きくても、本実施の形態の一態様によれば均一に電界をかけることができる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。粒子の直径Eは、電極109と隣接する電極109との距離Aよりも小さいことが好ましい。または、粒子の直径Eは、電極100と隣接する電極100との距離Bよりも小さいことが好ましい。これにより、高精細な表示を実現することが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。配線111の膜厚Fは、電極100の膜厚Hよりも大きいことが好ましい。または、配線111の膜厚Fは、電極101の膜厚Iよりも大きいことが好ましい。これにより、配線111の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。電極109の膜厚Gは、電極100の膜厚Hよりも大きいことが好ましい。または、電極109の膜厚Gは、電極101の膜厚Iよりも大きいことが好ましい。これにより、電極109の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。電極101の膜厚Iは、電極100の膜厚Hよりも大きいことが好ましい。これにより、電極101の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれに限定されない。本発明の電界駆動型表示装置の一態様は、図8に示すように、電極200上に絶縁膜201が形成され、絶縁膜201にコンタクトホールが設けられ、絶縁膜201上に形成された電極202と電極200とが電気的に接続された構造であってもよい。電極202は、隣り合う2つの電極200の間の領域と少なくとも一部が重なるように配置されている。すなわち、表示装置の上面または下面から見たとき、隣り合う2つの電極200が離れて設けられており、隣り合う2つの電極200の隙間に電極202が設けられている。ここで、電極200は画素電極として機能し、電極202は補助電極として機能することが可能である。本明細書において、補助電極とは画素電極の面積と同等または画素電極の面積よりも小さい電極を意味する。電極202と電極204との間に層203が形成され、または配置され、または貼り付けられている。電極204は対向電極として機能することが可能である。層203は表示媒体を含む層である。層203は粒子を含んで形成することが可能である。または、層203に含まれる粒子は帯電していることが可能である。このような粒子を本明細書では荷電粒子という。層203の一例としては、マイクロカプセルを分散剤に分散して固定した構成等が挙げられる。電極202と層203との間または電極204と層203との間には、粘着層、接着層などを形成することが可能である。図8において、電極200と電極202とは電気的に接続されているため、電極200と電極202とに印加される電圧は同等である。また、層203の厚さは一例として40μm~100μm程度であるのに対し、絶縁膜201の膜厚は一例として数nm~2μm程度であるため、電極200から電極204までの距離と、電極202から電極204までの距離は、実質的にはほぼ同じであるとみなすことができる。したがって、表示画像を書き換える動作を行った際、電極200から電極204に向かう電界と、電極202から電極204に向かう電界とは同等になる。このため、電極200上に配置されたマイクロカプセル内の粒子と同様に、隣り合う2つの電極200の間の領域上電極202上に配置されたマイクロカプセル内の粒子も移動し、粒子の凝集を低減することができる。すなわち、電極200上に配置されたマイクロカプセルの表示領域と、電極202上に配置されたマイクロカプセルの表示領域とは、双方とも書き換え動作を反映した表示を行うことができる。これにより、残像が生じにくい電界駆動型表示装置等を作製することができる。なお、図9に示すように、電極202を保持容量の電極として機能させることも可能である。図9は、前述した図8に配線205と絶縁膜206とを加えた構成である。なお、配線205は容量配線としての機能を有していても良い。その他の構成については図8と同様であるため省略する。図9において、電極202は、電極200と隣接する電極200との間の領域と少なくとも一部が重なる位置に配置され、かつ、絶縁膜201及び絶縁膜206を介して配線205と重なる位置に配置されている。このようにして、電極202は保持容量の電極としての機能と補助電極としての機能とを両方有することが可能である。電極200の面積と電極202の面積が概ね等しくても良い。図9に示す断面図では、電極202の幅B’2と、電極200の幅A’2とが概ね等しいことでこれを表現している。または、電極202と隣接する電極202との距離B2と、電極200と隣接する電極200との距離A2とが概ね等しくてもよい。このような構造にすることにより、電極200及び電極202の面積を大きくすることができる。そのため、容量値を大きくすることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。絶縁膜206の膜厚D2が絶縁膜201の膜厚C2よりも小さいことが望ましい。これにより、容量値を大きくすることが可能となる。または、これにより、電極200の表面をより平坦にすることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれに限定されない。電極200と隣接する電極200との距離A2は、絶縁膜206の膜厚D2よりも大きいことが好ましい。これにより、容量値を大きくすることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれに限定されない。電極202と隣接する電極202との距離B2は、絶縁膜201の膜厚C2よりも大きいことが好ましい。または、電極202と隣接する電極202との距離B2は、電極202の膜厚H2よりも大きいことが好ましい。または、電極202と隣接する電極202との距離B2は、電極200の膜厚G2よりも大きいことが好ましい。または、電極202と隣接する電極202との距離B2は、配線205の膜厚F2よりも大きいことが好ましい。電極202と隣接する電極202との距離B2を大きくすることで、電極202と隣接する電極202とのショートを低減することができる。電極202と隣接する電極202との距離B2が大きくても、本実施の形態の一態様によれば均一に電界をかけることができる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。粒子の直径E2は、電極200と隣接する電極200との距離A2よりも小さいことが好ましい。または、粒子の直径E2は、電極202と隣接する電極202との距離B2よりも小さいことが好ましい。これにより、高精細な表示を実現することが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。配線205の膜厚F2は、電極202の膜厚H2よりも大きいことが好ましい。または、配線205の膜厚F2は、電極204の膜厚I2よりも大きいことが好ましい。これにより、配線205の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。電極200の膜厚G2は、電極202の膜厚H2よりも大きいことが好ましい。または、電極200の膜厚G2は、電極204の膜厚I2よりも大きいことが好ましい。これにより、電極200の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。電極204の膜厚I2は、電極202の膜厚H2よりも大きいことが好ましい。これにより、電極204の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれに限定されない。なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態2本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の構成例について説明する。電界駆動型表示装置の構成例には、一例として、電気泳動方式、粒子回転方式、粒子移動方式等がある。このように、電界駆動型表示装置では、電界に応じて粒子、棒、または筒が動くこと、または回転すること等によって、反射率を変化させることができる。これにより階調を表現する。実施の形態1では、マイクロカプセル型電気泳動方式を適用した電界駆動型表示装置について説明する。本実施の形態では、マイクロカップ型電気泳動方式及び電子粉流体登録商標方式について説明する。マイクロカップ型電気泳動方式について図10~図15を用いて説明する。マイクロカップアレイは、UV硬化樹脂等からなり複数の凹部を有するマイクロカップ601に、誘電性溶媒602に分散させた帯電色素粒子603を充填し、封止層604で封止することにより作製できる。図10A及びBに示すのは、基板600上に電極605を形成し、電極605上に絶縁膜606を形成し、絶縁膜606にコンタクトホールを形成し、電極605と電気的に接続された電極607を形成し、電極607上にマイクロカップアレイを配置し、マイクロカップアレイ上に電極608を形成し、電極608上に基板609を形成した表示装置である。電極607は画素電極として機能することが可能である。電極605は補助電極として機能することが可能である。図10Aは誘電性溶媒602として無着色溶媒を用いたものを示している。図10Bは誘電性溶媒602として赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。図10A及びBでは、帯電色素粒子を1種類有する場合を図示したが、帯電色素粒子を2種類以上有していてもよい。マイクロカップはセルを区切る壁構造を有するため、衝撃や圧力にも十分な耐久性がある。また、マイクロカップの内容物は密閉されているため、環境変化の影響を受けない。マイクロカップ型電気泳動方式を適用した電界駆動型表示装置についても、画素電極として機能することが可能な電極と対向電極として機能することが可能な電極との間の電界の変化に応じて帯電色素粒子が移動するため、マイクロカップの隅には粒子が凝集する場合があり、残像が発生する場合がある。図10A及びBに示す電界駆動型表示装置は、マイクロカップのピッチP1と、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2とが概ね等しい構造を有する。ここで、本実施の形態において、マイクロカップの上辺の長さとマイクロカップの上側の壁の厚さとの和が、マイクロカップのピッチに相当する。例えば、図10A及びBにおいて、マイクロカップのピッチP2は、マイクロカップの上辺の長さJ1とマイクロカップの上側の壁の厚さLとの和に相当する。なお、複数の構成単位を繰り返し配置することによってマイクロカップアレイが構成される場合に、当該構成単位の縦又は横の長さを、マイクロカップのピッチということもある。この場合、構成単位には、マイクロカップが有する複数の凹部のうちの一つの凹部が含まれるものとする。マイクロカップの上面に対応する大きさで電極607が形成されている。すなわち、マイクロカップの上面と重なり、断面図においてマイクロカップの上辺の長さJ1と概ね等しくなるように電極607が形成されている。電極607と電気的に接続された電極605が形成されている。このような構造にすることで、マイクロカップの壁及び壁周辺にも電界が均一にかかる。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができ、粒子の凝集を低減することができる。マイクロカップの上側の壁の厚さLは、マイクロカップの下側の壁の厚さKよりも大きくなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。マイクロカップの上側の壁の厚さLと、電極607と隣接する電極607との距離Mが概ね等しくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができる。図11A及びBに示した電界駆動型表示装置は、マイクロカップのピッチP1と、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2とが概ね等しい構造を有するが、図10A及びBと異なる構造となっている。図11Aは誘電性溶媒602として無着色溶媒を用いたものを示している。図11Bは誘電性溶媒602として赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。マイクロカップの底面に対応する大きさで電極607が形成されている。すなわち、マイクロカップの底面と重なり、断面図においてマイクロカップの底辺の長さJ2と概ね等しくなるように電極607が形成されている。電極607と電気的に接続された電極605が形成されている。このような構造にすることで、マイクロカップの壁にも均一に電界がかかる。これにより、粒子の凝集を低減することができる。マイクロカップの上側の壁の厚さLよりも電極607と隣接する電極607との距離Mが小さくなっている。これにより、マイクロカップの壁にも電界がかかり、粒子の凝集を低減することができる。または、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。マイクロカップの上側の壁の厚さLは、マイクロカップの下側の壁の厚さKよりも大きくなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。マイクロカップの下側の壁の厚さKと、電極607と隣接する電極607との距離Mとが概ね等しくなっている。これにより、効率的に電界を加えることができる。図10及び図11では、マイクロカップのピッチP1と、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2とが等しい構造の電界駆動型表示装置について説明したが、図12では、マイクロカップのピッチP1が、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2の2倍となる構造の電界駆動型表示装置について説明する。なお、図12ではピッチP1がピッチP2の2倍となる場合について図示しているが、2以上の整数倍とすることが可能である。整数倍にすることにより、表示を均一にしやすくなる。図12Aは誘電性溶媒602として無着色溶媒を用いたものを示している。図12Bは誘電性溶媒602として赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。図12A及びBでは、電極607の端部をマイクロカップの上側の壁の端部に対応する位置に形成している。マイクロカップの上側の壁の厚さLは、マイクロカップの下側の壁の厚さKよりも大きくなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。マイクロカップの上側の壁の厚さLよりも、電極607と隣接する電極607との距離Mが小さくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができる。マイクロカップの下側の壁の厚さKよりも、電極607と隣接する電極607との距離Mが小さくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができる。図13A及びBに示した電界駆動型表示装置は、マイクロカップのピッチP1が、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2の2倍となる構造を有するが、図12A及びBと異なる構造となっている。図13Aは誘電性溶媒602として無着色溶媒を用いたものを示している。図13Bは誘電性溶媒602として赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。図13A及びBでは、電極607の端部をマイクロカップの下側の壁の端部に対応する位置に形成している。マイクロカップの上側の壁の厚さLは、マイクロカップの下側の壁の厚さKよりも大きくなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。マイクロカップの上側の壁の厚さLよりも、電極607と隣接する電極607との距離Mが小さくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができる。マイクロカップの下側の壁の厚さKよりも、電極607と隣接する電極607との距離Mが小さくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができる。図14A及びBに示した電界駆動型表示装置は、マイクロカップのピッチP1が、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2の2分の1倍となる構造を有する。なお、図14ではピッチP1がピッチP2の2分の1倍となる場合について図示しているが、2以上の整数分の1倍とすることが可能である。2以上の整数分の1倍とすることにより、表示を均一にしやすくなる。図14Aは誘電性溶媒602として無着色溶媒を用いたものを示している。図14Bは誘電性溶媒602として赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。2つのマイクロカップの上面に対応する大きさで電極607が形成されている。すなわち、断面図における2つのマイクロカップの上辺及び2つのマイクロカップの間に存在する壁の上側の幅の合計の長さJ3と概ね等しくなるように電極607が形成されている。このような構造にすることで、マイクロカップの壁及び壁周辺にも電界が均一にかかる。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができ、粒子の凝集を低減することができる。マイクロカップの上側の壁の厚さLは、マイクロカップの下側の壁の厚さKよりも大きくなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。マイクロカップの上側の壁の厚さLと、電極607と隣接する電極607との距離Mが概ね等しくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができる。図15A及びBに示した電界駆動型表示装置は、マイクロカップのピッチP1が、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2の2分の1となる構造を有するが、図14A及びBと異なる構造となっている。2つのマイクロカップの底面に対応する大きさで電極607が形成されている。すなわち、断面図における2つのマイクロカップの底辺及び2つのマイクロカップの間に存在する壁の下側の幅の合計の長さJ4と概ね等しくなるように電極607が形成されている。このような構造にすることで、マイクロカップの壁及び壁周辺にも電界が均一にかかる。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができ、粒子の凝集を低減することができる。マイクロカップの上側の壁の厚さLよりも、マイクロカップの下側の壁の厚さKが薄くなっている。マイクロカップの下側の壁の厚さKと、電極607と隣接する電極607との距離Mとが等しくなっている。これにより、効率的に電界を加えることができる。図10~図15に示すように、電極607と隣接する電極607との間の領域に少なくとも一部が重なるように電極605を形成することによって、帯電色素粒子603がマイクロカップ601の隅に凝集するのを低減することができ、残像が生じにくい電界駆動型表示装置を作製することができる。ただし、本発明の一態様を適用できる電気泳動方式の電界駆動型表示装置は、マイクロカップを使用することに限定されない。粒子の上下左右への移動を何らかの物体によって遮断し、粒子の移動が制限されるようになっている構造を有するもの全てに使用できる。電子粉流体登録商標方式について図16~図18を用いて説明する。電子粉流体登録商標は非常にさらさらとした固体であり、流動性を示し、流体と粒子の特性を兼ね備えた物質である。この方式では、隔壁701でセルを区切り、セル内に電子粉流体登録商標702及び電子粉流体登録商標703を配置する。図16A及びBに示す電界駆動型表示装置は、セルのピッチP1と、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2とが概ね等しい構造を有する。ここで、本実施の形態において、セルの長さ幅と隔壁の長さ幅との和が、セルのピッチに相当する。例えば、図16A及びBにおいては、セルのピッチP1は、セルの長さ幅J5と隔壁の長さ幅Nとの和に相当する。図16A及びBは、基板700上に電極704を形成し、電極704上に絶縁膜705を形成し、絶縁膜705にコンタクトホールを形成し、電極704に電気的に接続された電極706を形成し、電極706上に電子粉流体登録商標を備えたセルを配置し、セル上に電極707を形成し、電極707上に基板708を形成した表示装置である。図16Aは電子粉流体登録商標702及び電子粉流体登録商標703として、白色粒子と黒色粒子とを用いたものを示しており、図16Bでは電子粉流体登録商標702及び電子粉流体登録商標703として、白及び黒以外の2色の有色粒子を用いたものを示しているが、これに限定されず、1種類の粒子のみを用いてもよい。セルに対応する大きさで電極706が形成されている。すなわち、断面図においてセルの長さ幅J5と概ね等しくなるように電極706が形成されている。電極706と電気的に接続された電極704が形成されている。このような構造にすることで、セルの隔壁周辺にも電界が均一にかかる。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができ、粒子の凝集を低減することができる。隔壁の長さ幅Nと、電極706と隣接する電極706の距離Mが概ね等しくなっている。これにより、電子粉流体登録商標が移動する領域全体に均一な電界をかけることができる。図17A及びBに示す電界駆動型表示装置は、セルのピッチP1が、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2の2倍となる構造を有する。すなわち、セルの長さ幅J5は、電極706の大きさの2倍である。なお、図17ではピッチP1がピッチP2の2倍となる場合について図示しているが、2以上の整数倍とすることが可能である。整数倍にすることにより、表示を均一にしやすくなる。図17Aは電子粉流体登録商標702及び電子粉流体登録商標703として、白色粒子と黒色粒子とを用いたものを示しており、図17Bでは電子粉流体登録商標702及び電子粉流体登録商標703として、白及び黒以外の2色の有色粒子を用いたものを示しているが、これに限定されず、1種類の粒子のみを用いてもよい。隔壁の長さ幅Nよりも、電極706と隣接する電極706との距離Mが小さくなっている。これにより、電子粉流体登録商標が移動する領域全体に均一な電界をかけることができる。図18A及びBに示す電界駆動型表示装置は、セルのピッチP1が、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2の2分の1倍となる構造を有する。すなわち、2つのセルとその間の隔壁の合計の長さJ6と概ね等しくなるように電極706が形成されている。なお、図18ではピッチP1がピッチP2の2分の1倍となる場合について図示しているが、2以上の整数分の1倍とすることが可能である。2以上の整数分の1倍とすることにより、表示を均一にしやすくなる。図18Aは電子粉流体登録商標702及び電子粉流体登録商標703として、白色粒子と黒色粒子とを用いたものを示しており、図18Bでは電子粉流体登録商標702及び電子粉流体登録商標703として、白及び黒以外の2色の有色粒子を用いたものを示しているが、これに限定されず、1種類の粒子のみを用いてもよい。隔壁の長さ幅Nと、電極706と隣接する電極706の距離Mが概ね等しくなっている。これにより、電子粉流体登録商標が移動する領域全体に均一な電界をかけることができる。電子粉流体登録商標方式を適用した電界駆動型表示装置についても、画素電極と対向電極との間の電界の変化に応じて電子粉流体登録商標が移動するため、セルが画素電極上に配置されていない場合には残像が発生しやすい。図16~図18に示すように、電極706と隣接する電極706との間の領域に少なくとも一部が重なるように電極704を形成することによって、セル内の電子粉流体登録商標に均一に電界がかかり、残像が生じにくい電界駆動型表示装置を作製することができる。本実施の形態では、マイクロカップ型電気泳動方式及び電子粉流体登録商標方式について説明したが、本発明の一態様を適用できる方式はこれらに限定されない。例えば、エレクトロウェッティング方式、トナー方式、ツイストボール方式などを適用することが可能である。なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態3本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の一態様について図面を参照して説明する。図19は、図7の構成を適用したアクティブマトリクス型の電界駆動型表示装置の上面図の一態様である。図19のC-D断面を図20Aに、E-F断面を図20Bに示す。なお、図19には電極301~電極303、配線304、導電層309~導電層314、導電層335~導電層337、配線341、導電層342~導電層344、半導体層306~半導体層308、半導体層332~半導体層334、電極316~電極318、電極338~電極340、電極345~電極347、ゲート線330及びゲート線331について示し、これら以外の構成については省略する。なお、電極301~電極303はゲート電極として機能することが可能である。配線304及び配線341は容量配線として機能することが可能である。導電層310、導電層312、導電層313、導電層335~導電層337、及び導電層342~導電層344は補助電極として機能することが可能である。電極316~電極318、電極338~電極340、及び電極345~電極347は画素電極として機能することが可能である。導電層309、導電層311、及び導電層314はソース線として機能することが可能である。図20A及びBの構成について説明する。まず、基板300上に導電膜を形成する。導電膜は所望の形状に加工し、電極301~電極303及び配線304となる。基板300は、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。電極301~電極303及び配線304となる導電膜は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、インジウム錫酸化物以下、ITO、酸化インジウム酸化亜鉛以下、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。また、導電膜を形成する前に基板300上に下地膜を形成してもよい。下地膜としては、酸化シリコン系材料膜又は窒化シリコン系材料膜等により絶縁膜を単層で、又は積層して形成することができる。なお、酸化シリコン系材料とは、酸素とシリコンとを主成分とする酸化シリコン、又は酸化シリコンが窒素を含有し、且つ、酸素の含有量が窒素の含有量よりも多い酸化窒化シリコンをいう。窒化シリコン系材料とは、窒素とシリコンとを主成分とする窒化シリコン、又は窒化シリコンが酸素を含有し、窒素の含有量が酸素の含有量よりも多い窒化酸化シリコンをいう。なお、図19に示すゲート線330、ゲート線331、及び配線341は、電極301~電極303及び配線304と同工程で形成される。電極301~電極303、配線304、及び基板300上に絶縁膜305を形成する。絶縁膜305は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により形成することができる。絶縁膜305は、ゲート絶縁膜としての機能を有することが可能である。また、絶縁膜305は、保持容量の絶縁膜としての機能を有することが可能である。絶縁膜305上に半導体層306半導体層306a及び半導体層306b、半導体層307半導体層307a及び半導体層307b、半導体層308半導体層308a及び半導体層308bを形成する。半導体層306は絶縁膜305を介して電極301と重なる位置に形成する。半導体層307は絶縁膜305を介して電極302と重なる位置に形成する。半導体層308は絶縁膜305を介して電極303と重なる位置に形成する。なお、図19に示す半導体層332~半導体層334は、半導体層306~半導体層308と同工程で形成される。半導体層306~半導体層308としては、アモルファスシリコン等の非結晶性を有する半導体層、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、ヒ化ガリウムGaAs等の化合物半導体、酸化亜鉛ZnO、In-Ga-Zn-O系等の酸化物半導体、又は有機半導体材料等を用いることが可能であるが、ここでは一例としてアモルファスシリコンを用いた場合について説明する。半導体層306a、半導体層307a、及び半導体層308aは、アモルファスシリコンを用いて、フォトリソグラフィ法、インクジェット法又は印刷法等により形成することができる。なお、半導体層306a、半導体層307a、及び半導体層308aは、トランジスタのチャネル領域として機能する部分を含むことが可能である。アモルファスシリコンを半導体層306a、半導体層307a、及び半導体層308aとして用いる場合は、トランジスタの特性の均一性が高く、且つ、製造コストが小さいという利点がある。特に、対角の長さが500mmを超えるような大型の基板にトランジスタを作製する場合に有効である。半導体層306b、半導体層307b、及び半導体層308bは、リン等を含んだシリコン、半導体層306a、半導体層307a、及び半導体層308aよりも導電率の高い半導体材料等を用いることができる。半導体層306b、半導体層307b、及び半導体層308bは、その機能により、バッファ層又はn層と表すこともできる。なお、半導体層306b、半導体層307b、及び半導体層308bは、ソース及びドレインとして機能する部分を含むことが可能である。次に、導電層309~導電層314を形成する。導電層309はソース及びドレインの一方として機能する部分を含むことが可能である。導電層310はソース及びドレインの他方として機能する部分を含むことが可能である。導電層311はソース及びドレインの一方として機能する部分を含むことが可能である。導電層312はソース及びドレインの他方として機能する部分を含むことが可能である。導電層313はソース及びドレインの一方として機能する部分を含むことが可能である。導電層314はソース及びドレインの他方として機能する部分を含むことが可能である。導電層309~導電層314は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。なお、図19に示す導電層335~導電層337及び導電層342~導電層344は、導電層309~導電層314と同工程で形成される。導電層309~導電層314上に絶縁膜315を単層または多層で形成する。絶縁膜315は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜315として、有機材料を単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜315は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜315として遮光性を有する材料またはカラーフィルタを用いてもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。絶縁膜315にコンタクトホールを開口し、導電層310と電気的に接続する電極316、導電層312と電気的に接続する電極317、及び導電層313と電気的に接続する電極318を形成する。なお、図19に示す電極338~電極340及び電極345~電極347は、電極316~電極318と同工程で形成される。対向電極側に表示させる構造の場合、電極316~電極318は光を吸収する材料で形成することが好ましい。例えば、クロム、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、窒化タンタル等の反射率の低い材料が好適である。または、電極316~電極318を透明な材料で形成し、絶縁膜315を光を吸収する材料で形成することも可能である。画素電極側に表示させる構造の場合、電極316~電極318はチタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、単層または多層で形成することが好ましい。ここで、補助電極としても機能することが可能な導電層310は、表示装置の上面又は下面から見て、電極316と電極317との隙間の領域と重なっている。このような構造にすることによって、表示不良が起こりにくい電界駆動型表示装置が得られる。電極316~電極318上に層319を形成する。層319は表示媒体を含む層である。層319として、例えば、マイクロカプセル320が分散されて固定された分散剤321を電極316~電極318上に設ける。なお、層319上には電極322や基板323が形成されている。電極322は対向電極として機能することが可能である。層319と電極316~電極318との間には、接着層を設けることが可能である。層319と電極322との間には接着層を設けることが可能である。対向電極側に表示させる構造の場合、電極322にはITO、IZO等の透光性材料を用いる。画素電極側に表示させる構造の場合には、電極322として金属材料を用いることが好ましい。金属材料を用いることにより配線抵抗を下げることができる。金属材料としては、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム等を用いることができる。電極322上には基板323が配置されている。基板323は、層319を保護する機能を有することが可能である。そして、基板323には、プラスチック基板、樹脂基板、フィルム基板、ガラス基板、セラミック基板、ステンレス基板、ステンレスホイル基板等を用いることができる。図19において、導電層313は、電極316、電極318、電極338、及び電極339と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、導電層313は、電極318と電極316との隙間を埋めるように配置されている。導電層313は、電極318と電極338との隙間を埋めるように配置されている。図19において、導電層310は、電極316、電極317、電極339、及び電極340と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、導電層310は、電極316と電極317との隙間を埋めるように配置されている。導電層310は、電極316と電極339との隙間を埋めるように配置されている。図19において、導電層312は、電極317及び電極340と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、導電層312は、電極317と電極340との隙間を埋めるように配置されている。図19において、導電層342は、電極316、電極318、電極345、及び電極346と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、導電層342は、電極345と電極346との隙間を埋めるように配置されている。導電層342は、電極345と電極318との隙間を埋めるように配置されている。図19において、導電層343は、電極316、電極317、電極346、及び電極347と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、導電層343は、電極346と電極347との隙間を埋めるように配置されている。導電層343は、電極346と電極316との隙間を埋めるように配置されている。図19において、導電層344は、電極317及び電極347と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、導電層344は、電極317と電極347との隙間を埋めるように配置されている。または、隣接する画素の画素電極や補助電極とショートすることを防ぐため、画素電極も補助電極も配置されない領域がわずかに存在することが可能である。図21は図19の一画素とその周辺を拡大した図である。なお、図の簡略化のため、配線304及び配線341を省略している。図21においては、説明の簡略化のため、一画素の面積を、補助電極として機能することが可能な、導電層310、導電層312、導電層313、導電層335~導電層337、及び導電層342~導電層344のピッチ隣接する、補助電極として機能することが可能な導電層までの間隔をもとに規定している。一画素の面積を有する領域を、図21においては領域350と定義する。図21Aにおいて、領域351は、電極339、導電層310、電極316、導電層313に囲まれた領域であって、画素電極として機能することが可能な電極及び補助電極として機能することが可能な導電層が配置されない領域である。領域352は、導電層310、電極317、導電層343、電極316に囲まれた領域であって、画素電極として機能することが可能な電極及び補助電極として機能することが可能な導電層が配置されない領域である。図21Bにおいて、領域353は、電極339、電極340、電極316、及び電極317が配置されない領域であって、導電層310が配置された領域である。電極339、電極340、電極316、電極317、及び導電層310が配置されない領域領域351及び領域352は、隣接する画素とのショートを防ぐために、存在する領域である。しかし、表示不良を低減した表示装置を得るためには、より多くの範囲に画素電極又は補助電極として機能することができる導電層を配置する必要がある。したがって、電極339、電極340、電極316、電極317、及び導電層310が配置されない領域の面積は、電極339、電極340、電極316、及び電極317が配置されない領域であって、導電層310が配置された領域の面積よりも小さいことが望ましい。すなわち、領域351と領域352の合計面積が領域353の面積よりも小さいことが望ましい。なお、領域353に補助電極として機能することが可能な導電層310が形成された例について説明したが、領域353には、画素電極として機能することが可能な導電層、補助電極として機能することが可能な導電層、及びソース線となる配線以外の導電層を設けてもよい。なお、導電層310、導電層312、導電層313、導電層335~導電層337、導電層342~導電層344が、ゲート線330及びゲート線331のレイヤーと、画素電極として機能することが可能な電極316~電極318、電極338~電極340、及び電極345~電極347のレイヤーとの間に位置している。このとき、ゲート線と、導電層310、導電層312、導電層313、導電層335~導電層337、導電層342~導電層344に重なる面積よりも、ゲート線と、画素電極として機能することが可能な電極316~電極318、電極338~電極340、及び電極345~電極347に重なる面積のほうが大きくなるように、ゲート線が配置されることが望ましい。画素電極は、補助電極上に設けられた絶縁膜上に形成されているため、画素電極と重なる位置にゲート線を配置することで、寄生容量を低減することができる。図19、図20A、及び図20Bの構成を有することにより、粒子の凝集を低減することができるため、書き換え動作を反映した表示を行うことができ、残像が生じにくい電界駆動型表示装置を作製することができる。本実施の形態では、チャネルエッチ型TFTを例として説明したが、チャネル保護型TFTやトップゲート型TFT等を用いることも可能である。図22はトップゲート型TFTを用いた電界駆動型表示装置の上面図の一態様である。図22のG-H断面を図23に示す。基板800上に半導体層801及び半導体層802を形成する。基板800上に下地絶縁膜を形成してもよい。半導体層801及び半導体層802は、多結晶シリコンを用いてフォトリソグラフィ法、インクジェット法又は印刷法等により形成することができる。半導体層801及び半導体層802上に絶縁膜803を形成する。絶縁膜803はゲート絶縁膜として機能することが可能である。絶縁膜803は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により形成することができる。絶縁膜803上にゲート電極804及びゲート電極805を形成する。ゲート電極804及びゲート電極805は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、インジウム錫酸化物以下、ITO、酸化インジウム酸化亜鉛以下、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。ゲート電極804、ゲート電極805、及び絶縁膜803上に絶縁膜806を形成する。絶縁膜806は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜806として、有機材料を単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜806は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜806としては、遮光性を有する材料またはカラーフィルタを用いてもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。絶縁膜803及び絶縁膜806にコンタクトホールを形成し、半導体層801と電気的に接続された電極807及び電極808と、半導体層802と電気的に接続された電極809及び電極810とを形成する。電極807~電極810は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、単層または多層で形成することができる。電極807及び電極809はソース線として機能し、電極808及び電極810は、補助電極として機能することが可能である。なお、図22に示す電極851~電極854は、電極807~電極810と同工程で形成される。電極807~電極810上に絶縁膜811を形成する。絶縁膜811は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜811として、有機材料を単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜811は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜811として遮光性を有する材料を用いてもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。絶縁膜811にコンタクトホールを形成し、電極808に電気的に接続された電極812と、電極810に電気的に接続された電極813とを形成する。電極812及び電極813は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、単層または多層で形成することができる。電極812及び電極813は、画素電極として機能することが可能である。なお、図22に示す電極855~電極861は、電極812及び電極813と同工程で形成される。電極855は電極851と電気的に接続されている。電極859は電極852に電気的に接続されている。電極860は電極853に電気的に接続されている。電極861は電極854に電気的に接続されている。電極812及び電極813上に、層814、電極815、及び基板816が形成され、または配置され、または貼り付けられている。層814は表示媒体を含む層である。ここでは、層814としてマイクロカプセルを有する層を例示している。電極815はチタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム等の金属材料を用いることができる。電極815は、対向電極として機能することが可能である。基板816としては、プラスチック基板、樹脂基板、フィルム基板、ガラス基板、セラミック基板、ステンレス基板、ステンレスホイル基板等を用いることができる。図24は、図23に、ゲート電極804と同材料同工程で形成した導電層817及び導電層818を加えた構造の電界駆動型表示装置の断面図の一例である。導電層817は絶縁膜806を介して電極808と少なくとも一部が重なり、保持容量の一方の電極として機能することが可能である。導電層818は絶縁膜806を介して電極810と少なくとも一部が重なり、保持容量の一方の電極として機能することが可能である。図25は、図23に、ゲート電極804と同材料同工程で形成した導電層819及び導電層820を加えた構造の電界駆動型表示装置の断面図の一例である。導電層819は絶縁膜803を介して半導体層801と少なくとも一部が重なり、保持容量の一方の電極として機能することが可能である。導電層820は絶縁膜803を介して半導体層802と少なくとも一部が重なり、保持容量の一方の電極として機能することが可能である。図22において、電極808は、電極812、電極813、電極857及び電極858と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、電極808は、電極812と電極813との隙間を埋めるように配置されている。電極808は、電極857と電極812との隙間を埋めるように配置されている。図22において、電極810は、電極858及び電極813と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、電極810は、電極858と電極813との隙間を埋めるように配置されている。図22において、電極851は、電極856、電極855、電極857及び電極812と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、電極851は、電極855と電極812との隙間を埋めるように配置されている。電極851は、電極855と電極856との隙間を埋めるように配置されている。図22において、電極852は、電極855、電極859、電極812及び電極860と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、電極852は、電極859と電極860との隙間を埋めるように配置されている。電極852は、電極859と電極860との隙間を埋めるように配置されている。図22において、電極853は、電極812、電極860、電極813及び電極861と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、電極853は、電極860と電極861との隙間を埋めるように配置されている。電極853は、電極812と電極860との隙間を埋めるように配置されている。図22において、電極854は、電極813及び電極861と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、電極854は、電極813と電極861との隙間を埋めるように配置されている。このような構造にすることによって、表示不良が起こりにくい電界駆動型表示装置が得られる。また、図22~図25に示す電界駆動型表示装置は、半導体層801及び半導体層802として多結晶シリコンを用いているため、トランジスタの移動度が高く、且つ、製造コストが小さいという利点がある。さらに、特性の経年劣化が小さいため、信頼性の高い装置を得ることができる。なお、電極807~電極810及び電極851~電極854が、ゲート線ゲート電極804及びゲート電極805を有するのレイヤーと、画素電極として機能することが可能な電極812、電極813、及び電極855~電極861のレイヤーとの間に位置している。このとき、ゲート線と、電極807~電極810及び電極851~電極854に重なる面積よりも、ゲート線と、画素電極として機能することが可能な電極812、電極813、及び電極855~電極861に重なる面積のほうが大きくなるように、ゲート線を配置されることが望ましい。画素電極は補助電極上に設けられた絶縁膜上に形成されているため、画素電極と重なる位置にゲート線を配置することで、寄生容量を低減することができる。また、酸化物半導体を用いたTFTを用いて電界駆動型表示装置を構成してもよい。図26A~Cは、酸化物半導体を用いたボトムゲート型TFTの一態様である。図26Aにおいて、基板900上にゲート電極901及び導電層912が形成されている。基板900上に下地絶縁膜を形成してもよい。ゲート電極901及び導電層912上にゲート絶縁膜902が形成されている。ゲート絶縁膜902上に電極903及び電極904が形成されている。電極903はソース電極またはドレイン電極として機能することが可能である。電極904は補助電極として機能することが可能である。電極903、電極904、及びゲート絶縁膜902上に酸化物半導体でなる半導体層905が形成されている。半導体層905上に絶縁膜906が形成されている。絶縁膜906にコンタクトホールが形成され、電極904に電気的に接続された電極907が形成されている。電極907は画素電極として機能することが可能である。電極907上に層908が形成されている。層908は表示媒体を含む層である。層908上に電極909が形成されている。電極909は対向電極として機能することが可能である。電極909上に保護体910が形成されている。電極904は、電極907と、電極907と同工程で形成された電極911との間の領域に少なくとも一部が重なるように形成される。導電層912は、ゲート絶縁膜902を介して電極904と重なっており、保持容量の一方の電極として機能することが可能である。図26Aに示したTFT構造、すなわち、酸化物半導体を用いた半導体層の下にソース電極又はドレイン電極が形成されたボトムコンタクト型と呼ばれる構造のTFTを本実施の形態に適用することができる。図26Bにおいて、基板920上にゲート電極921及び導電層932が形成されている。基板920上に下地絶縁膜を形成してもよい。ゲート電極921及び導電層932上にゲート絶縁膜922が形成されている。ゲート絶縁膜922上に酸化物半導体でなる半導体層923が形成されている。半導体層923上に電極924及び電極925が形成されている。電極924はソース電極またはドレイン電極として機能することが可能である。電極925は補助電極として機能することが可能である。電極924及び電極925上に絶縁膜926が形成されている。絶縁膜926にコンタクトホールが形成され、電極925に電気的に接続された電極927が形成されている。電極927は画素電極として機能することが可能である。電極927上に層928が形成されている。層928は表示媒体を含む層である。層928上に電極929が形成されている。電極929は対向電極として機能することが可能である。電極929上に保護体930が形成されている。電極925は、電極927と、電極927と同工程で形成された電極931との間の領域に少なくとも一部が重なるように形成される。導電層932は、ゲート絶縁膜922を介して電極925と重なっており、保持容量の一方の電極として機能することが可能である。図26Bに示したTFT構造、すなわち、酸化物半導体を用いた半導体層の上にソース電極又はドレイン電極が形成されたトップコンタクト型と呼ばれる構造のTFTを本実施の形態に適用することができる。図26Cにおいて、基板940上にゲート電極941及び導電層953が形成されている。基板940上に下地絶縁膜を形成してもよい。ゲート電極941及び導電層953上にゲート絶縁膜942が形成されている。ゲート絶縁膜942上に酸化物半導体でなる半導体層943が形成されている。半導体層943上であって、ゲート電極941と重なる位置にチャネル保護膜944が形成されている。チャネル保護膜944及び半導体層943上に電極945及び電極946が形成されている。電極945はソース電極またはドレイン電極として機能することが可能である。電極946は補助電極として機能することが可能である。電極945及び電極946上に絶縁膜947が形成されている。絶縁膜947にコンタクトホールが形成され、電極946に電気的に接続された電極948が形成されている。電極948は画素電極として機能することが可能である。電極948上に層949が形成されている。層949は表示媒体を含む層である。層949上に電極950が形成されている。電極950は対向電極として機能することが可能である。電極950上に保護体951が形成されている。電極946は、電極948と、電極948と同工程で形成された電極952との間の領域に少なくとも一部が重なるように形成される。導電層953は、ゲート絶縁膜942を介して電極946と重なっており、保持容量の一方の電極として機能することが可能である。図26Cに示したTFT構造、すなわち、酸化物半導体を用いた半導体層の上にチャネル保護膜を形成したチャネル保護型と呼ばれる構造のTFTを本実施の形態に適用することができる。図26A~Cに示すように、半導体層として酸化物半導体を用いる場合は、アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタよりも高い移動度を得ることができる。酸化物半導体膜はスパッタリング法等によって300°C以下の温度で膜形成が可能であり、多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタよりも製造工程が簡単である。なお、本明細書中で用いることができる酸化物半導体の一例としては、InMO3ZnOmm>0で表記されるものがある。ここで、Mは、ガリウムGa、鉄Fe、ニッケルNi、マンガンMn及びコバルトCoから選ばれた一の金属元素又は複数の金属元素を示す。例えば、MとしてGaが選択される場合には、Gaのみの場合の他に、GaとNiや、GaとFeなど、Ga以外の上記金属元素が選択される場合を含む。また、上記酸化物半導体において、Mとして含まれる金属元素の他に、不純物元素としてFe、Niその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸化物が含まれているものがある。本明細書においては、上記酸化物半導体のうち、Mとして少なくともガリウムを含むものをIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体と呼び、当該材料を用いた薄膜をIn-Ga-Zn-O系非単結晶膜と呼ぶことがある。また、本実施の形態では、アクティブマトリクス型の電界駆動型表示装置について説明したが、本実施の形態の表示装置はパッシブマトリクス型の電界駆動型表示装置でもよい。パッシブマトリクス型の電界駆動型表示装置の断面図は図4及び図5に、上面図は図6に示したとおりである。電極109及び電極100をストライプ状に形成し、電極101を電極109及び電極100と直交する方向に延びたストライプ状に形成する。電極109は補助電極として機能することができ、電極100は画素電極として機能することができ、電極101は対向電極として機能することが可能である。パッシブマトリクス型の電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、画素部全体に電極109又は電極100が形成された状態になっている。言い換えると、電極101が形成される領域に対向する領域全てに電極109又は電極100が形成されている。すなわち、このような構成を有することにより、表示不良を低減した電界駆動型表示装置を得ることができる。なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態4本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の一態様について図面を参照して説明する。図27は、本実施の形態の一態様の断面模式図である。導電層400はトランジスタのソース及びドレインと同じ材料を用いて同じ工程で作製する。導電層400は容量電極の機能を有することが可能である。導電層400は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。導電層400上に絶縁膜401を形成する。絶縁膜401は平坦化膜として機能することが可能である。絶縁膜401には黒色樹脂やカーボンブラック等の遮光性材料、アクリル、ポリイミド、ポリアミド等の樹脂材料等を用いることが好ましい。また、絶縁膜401として、感光性アクリル等を用いることも可能である。また、絶縁膜401は、遮光性材料または樹脂材料と、窒化シリコン等の無機材料との積層構造としてもよい。絶縁膜401上に導電層402を形成する。導電層402は補助電極として機能することが可能である。導電層402にはチタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnO等の導電性材料を用いることができる。導電層400または導電層402は、図21の領域351や領域352を埋めるように配置することが可能である。その結果、基板に平行な面において画素領域の全面にわたって隙間無く画素電極や補助電極のような電極を設けることが可能となる。導電層402上に絶縁膜403を形成する。絶縁膜403は、酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により単層または多層で形成することができる。絶縁膜401及び絶縁膜403に同時にコンタクトホールを形成する。導電層400及び導電層402に電気的に接続するように電極404を形成する。電極404は画素電極として機能することが可能である。電極404は光を吸収する材料で形成することが好ましい。例えば、クロム、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、窒化タンタル等の反射率の低い材料が好適である。なお、導電層402と電極404とを同じ材料で形成することが可能である。これにより作製工程を簡略化できる。平坦化膜として機能することが可能な絶縁膜401の膜厚は1μm~2μm程度である。また、絶縁膜403の膜厚は数nm~2μm程度である。導電層400上に絶縁膜401を形成することによって、補助電極として機能する導電層402及び電極404を形成する面の凹凸を低減することができる。絶縁膜401を形成することによって、導電層400と導電層402との容量または電極404と導電層400との容量を低減することができ、ノイズの混入やクロストークを防止することができる。電極404上に層405及び電極406を形成する。層405は表示媒体を含む層である。ここでは、層405としてマイクロカプセルを用いる例を示しているが、マイクロカップや電子粉流体登録商標を用いることも可能である。電極406にはITO、IZO等の透光性材料を用いる。本実施の形態では、補助電極として機能する導電層402を形成する工程が増え、必要なマスク数が増加するが、絶縁膜401及び絶縁膜403を同時にエッチングしてコンタクトホールを形成するため、コンタクトホール形成工程に必要なマスク数は増加しない。本実施の形態の別の一態様について、図28を用いて説明する。図28では、図27に示す導電層400、導電層402、及び電極404の電気的な接続の方法が異なっている。それ以外は図27と同様であるため、ここでは説明を省略する。図27では、導電層400及び導電層402を形成した後、それぞれの一部が露出するようにコンタクトホールを形成しているが、図28では、導電層400上に形成した絶縁膜401にコンタクトホールを形成して、導電層402を形成している。ここで導電層402と導電層400が電気的に接続される。続いて、導電層402上に絶縁膜403を形成し、コンタクトホールを形成する。コンタクトホールにおいて導電層402と電気的に接続されるように電極404を形成する。導電層400または導電層402は、図21の領域351や領域352を埋めるように配置することが可能である。その結果、基板に平行な面において画素領域の全面にわたって隙間無く画素電極や補助電極のような電極を設けることが可能となる。本実施の形態の別の一態様について、図29を用いて説明する。図29では、図27及び図28に示す導電層400、導電層402、及び電極404の電気的な接続の方法が異なっている。それ以外は図27及び図28と同様であるため、ここでは説明を省略する。図29では、導電層400上に形成した絶縁膜401にコンタクトホールを形成して、導電層402を形成している。ここで導電層402と導電層400とが電気的に接続される。続いて、導電層402上に絶縁膜403を形成し、絶縁膜401及び絶縁膜403に導電層400に達するコンタクトホールを形成する。コンタクトホールにおいて導電層400と電気的に接続されるように電極404を形成する。導電層400または導電層402は、図21の領域351や領域352を埋めるように配置することが可能である。その結果、基板に平行な面において画素領域の全面にわたって隙間無く画素電極や補助電極のような電極を設けることが可能となる。本実施の形態の一態様について、図30及び図31を用いて説明する。図30は、本実施の形態の一態様の上面図である。図31は、図30のI-J断面を示した図である。なお、図30には、ゲート線1215及びゲート線1216、電極1201、電極1217、及び電極1218、配線1202及び配線1219、半導体層1204、半導体層1220~半導体層1224、導電層1205、導電層1206、導電層1208、導電層1210、導電層1211、導電層1225~導電層1243について示し、これら以外の構成については省略する。なお、電極1201、電極1217、及び電極1218はゲート電極として機能することが可能である。配線1202及び配線1219は容量配線として機能することが可能である。導電層1205、導電層1225、及び導電層1226はソース線として機能することが可能である。導電層1206、導電層1227、及び導電層1228は、ドレイン電極または容量配線として機能することが可能である。導電層1208、導電層1229~導電層1236は補助電極として機能することが可能である。導電層1210、導電層1211、及び導電層1237~導電層1243は画素電極として機能することが可能である。基板1200上に導電膜を形成する。導電膜は所望の形状に加工し、電極1201及び配線1202となる。基板1200としては、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。電極1201及び配線1202となる導電膜は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、インジウム錫酸化物以下、ITO、酸化インジウム酸化亜鉛以下、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。また、導電膜を形成する前に基板1200上に下地膜を形成してもよい。下地膜としては、酸化シリコン系材料膜又は窒化シリコン系材料膜等により絶縁膜を単層で、又は積層して形成することができる。なお、酸化シリコン系材料とは、酸素とシリコンとを主成分とする酸化シリコン、又は酸化シリコンが窒素を含有し、且つ、酸素の含有量が窒素の含有量よりも多い酸化窒化シリコンをいう。窒化シリコン系材料とは、窒素とシリコンとを主成分とする窒化シリコン、又は窒化シリコンが酸素を含有し、窒素の含有量が酸素の含有量よりも多い窒化酸化シリコンをいう。なお、図30に示す電極1217及び電極1218、ゲート線1215及びゲート線1216、及び配線1219は、電極1201及び配線1202と同工程で形成される。電極1201及び配線1202上に絶縁膜1203を形成する。絶縁膜1203は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により形成することができる。絶縁膜1203は、ゲート絶縁膜としての機能を有することが可能である。また、絶縁膜1203は、保持容量の絶縁膜としての機能を有することが可能である。絶縁膜1203上に半導体層1204半導体層1204a及び半導体層1204bを形成する。半導体層1204a及び半導体層1204bは絶縁膜1203を介して電極1201と重なる位置に形成する。なお、図30に示す半導体層1220~半導体層1224は、半導体層1204a及び半導体層1204bと同工程で形成される。半導体層1204としては、アモルファスシリコン等の非結晶性を有する半導体、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、ヒ化ガリウムGaAs等の化合物半導体、酸化亜鉛ZnO、In-Ga-Zn-O系等の酸化物半導体、又は有機半導体材料等を用いることが可能であるが、ここではアモルファスシリコンを用いた場合について説明する。半導体層1204aは、アモルファスシリコンをフォトリソグラフィ法、インクジェット法又は印刷法等により形成することができる。なお、半導体層1204aは、トランジスタのチャネル領域として機能する部分を含むことが可能である。アモルファスシリコンを半導体層1204aとして用いる場合は、トランジスタの特性の均一性が高く、且つ、製造コストが小さいという利点がある。特に、対角の長さが500mmを超えるような大型の基板にトランジスタを作製する場合に有効である。半導体層1204bは、リン等を含んだシリコン、半導体層1204aよりも導電率の高い半導体材料等を用いることができる。半導体層1204bは、その機能により、バッファ層又はn層と表すこともできる。なお、半導体層1204bは、ソース及びドレインとして機能する部分を含むことが可能である。次に、導電層1205及び導電層1206を形成する。導電層1205はソース及びドレインの一方として機能する部分を含むことが可能である。導電層1206はソース及びドレインの他方として機能する部分を含むことが可能である。また、導電層1206は、配線1202と一部が重なるように形成する。導電層1205及び導電層1206は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。なお、図30に示す導電層1225~導電層1228は、導電層1205及び導電層1206と同工程で形成される。導電層1205及び導電層1206上に絶縁膜1207を単層または多層で形成する。絶縁膜1207は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜1207として、有機材料を単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜1207は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜1207として遮光性を有する材料又はカラーフィルタを用いてもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。絶縁膜1207上に導電層1208を形成する。導電層1208はチタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。図30に示す導電層1229~導電層1236は、導電層1208と同工程で形成される。導電層1208上に絶縁膜1209を形成する。絶縁膜1209としては、酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜1209として、有機材料を単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜1209は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜1209として遮光性を有する材料を用いてもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。次に、絶縁膜1207及び絶縁膜1209をエッチングし、導電層1206に達するコンタクトホールと、導電層1208に達するコンタクトホールとを同時に形成する。続いて、導電層1206及び導電層1208と電気的に接続された導電層1210を形成する。導電層1210と同工程で、導電層1211、図30に示す導電層1237~導電層1243が形成される。ここで、補助電極として機能することが可能な導電層1208は、上面又は下面から見て、導電層1210と導電層1211との隙間の領域にも形成されている。このような構造にすることによって、表示不良が起こりにくい電界駆動型表示装置が得られる。導電層1210及び導電層1211上に層1212を形成する。層1212は表示媒体を含む層である。層1212として、例えば、マイクロカプセルが分散されて固定された構成等が挙げられる。続いて、層1212上に導電層1213を形成する。導電層1213としては、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム等の金属材料、ITO、IZO等の透光性材料等を用いることができる。導電層1213上に保護体1214を形成する。保護体1214には、プラスチック基板や、樹脂基板、フィルム基板、ガラス基板等を用いることができる。平坦化膜として機能することが可能な絶縁膜1207の膜厚は1μm~2μm程度である。また、絶縁膜1209の膜厚は数nm~2μm程度である。導電層1205及び導電層1206上に絶縁膜1207を形成することによって、補助電極として機能する導電層1208を形成する面の凹凸を低減することができる。絶縁膜1207を形成することによって、導電層1206と導電層1208との容量または導電層1206と導電層1210との容量を低減することができ、ノイズの混入やクロストークを防止することができる。図30において、導電層1231は、導電層1238及び導電層1211と一部が重なるように配置されている。また、導電層1232は、導電層1238、導電層1239、導電層1211、及び導電層1210と一部が重なるように配置されている。また、導電層1233は、導電層1239、導電層1240、導電層1210、及び導電層1237と一部が重なるように配置されている。また、導電層1229は、導電層1211及び導電層1241と一部が重なるように配置されている。また、導電層1208は、導電層1211、導電層1210、導電層1241、及び導電層1242と一部が重なるように配置されている。また、導電層1230は、導電層1210、導電層1237、導電層1242、及び導電層1243と一部が重なるように配置されている。また、導電層1234は、導電層1241と一部が重なるように配置されている。また、導電層1235は、導電層1241及び導電層1242と一部が重なるように配置されている。また、導電層1236は、導電層1242及び導電層1243と一部が重なるように配置されている。このような構成にすることによって、表示不良を低減した表示装置を得ることができる。なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態5図40は、本発明の電界駆動型表示装置の一態様の上面図である。本実施の形態では、補助電極として機能する電極の配置について説明する。図40Aに示すように、ゲート電極1401及びゲート電極1402、ゲート線1403及びゲート線1404が形成されている。ゲート電極1401上に半導体層1405が形成され、ゲート電極1402上に半導体層1406が形成されている。半導体層1405上にソース電極1407及びドレイン電極1408が形成されている。半導体層1406上にソース電極1409及びドレイン電極図示せずが形成されている。ソース電極1407及びソース電極1409はソース線ともいう。ドレイン電極1408上に絶縁膜を介して、ドレイン電極1408と電気的に接続された電極1410が形成されている。電極1410と同工程で電極1411~電極1413が形成される。電極1410上に絶縁膜を介して、電極1410と電気的に接続された電極1414が形成されている。電極1414と同工程で電極1415~電極1417が形成される。電極1410~電極1413は画素電極として機能することが可能である。電極1414~電極1417は補助電極として機能することが可能である。画素電極と隣接する画素電極との隙間はゲート線方向及びソース線方向に存在する。例えば、電極1410を中心に見た場合、電極1410と電極1412との隙間はゲート線方向に延びており、電極1410と電極1413との隙間はソース線方向に延びている。図40Aに示すように、画素電極と隣接する画素電極との隙間のうち、ソース線方向に延びた隙間に、補助電極を配置してもよい。図40Aでは、電極1410と電極1413との隙間に電極1414が配置され、電極1411と電極1412との隙間に電極1415が配置されている。電極1416は電極1412と電極1412の右隣の電極図示せずとの隙間に配置されている。電極1417は、電極1410と電極1410の右隣の電極図示せずとの隙間に配置されている。図40Bには、ゲート線方向に延びた隙間に補助電極を配置する一例を示す。図40Bにおいて、ゲート電極1451及びゲート電極1452、ゲート線1453及びゲート線1454が形成されている。ゲート電極1451上に半導体層1455が形成され、ゲート電極1452上に半導体層1456が形成されている。半導体層1455上にソース電極1457及びドレイン電極1458が形成されている。半導体層1456上にソース電極1459及びドレイン電極図示せずが形成されている。ソース電極1457及びソース電極1459はソース線ともいう。ドレイン電極1458上に絶縁膜を介して、ドレイン電極1458と電気的に接続された電極1460が形成されている。電極1460と同工程で電極1461~電極1463が形成されている。電極1460上に絶縁膜を介して、電極1460と電気的に接続された電極1464が形成されている。電極1464と同工程で電極1465~電極1467が形成される。電極1460~電極1463は画素電極として機能することが可能である。電極1464~電極1467は補助電極として機能することが可能である。電極1460と電極1462との隙間に電極1465が配置されている。このような構成にすることによって、表示不良を低減した表示装置を得ることができる。なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態6図32~図34は、本発明の電界駆動型表示装置の一態様の断面模式図である。図32A及びBは、対向電極として機能することが可能な電極505側に表示させる構造を示している。図32Aに示す構造について説明する。絶縁膜500上に電極501を形成する。電極501上に絶縁膜502を形成する。絶縁膜502にコンタクトホールを形成し、電極501に電気的に接続される電極503を形成する。電極503上に層504を形成する。層504は表示媒体を含む層である。層504上に電極505を形成する。電極505上に絶縁膜506R、絶縁膜506G、及び絶縁膜506Bを形成する。なお、電極501は補助電極として機能し、電極503は画素電極として機能し、電極505は対向電極として機能することが可能である。図32Aにおいて、絶縁膜500及び絶縁膜502の一方または両方を、遮光性を有する材料を用いて形成してもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。絶縁膜506Rは赤色のカラーフィルタとして機能することが可能である。絶縁膜506Gは緑色のカラーフィルタとして機能することが可能である。絶縁膜506Bは青色のカラーフィルタとして機能することが可能である。図32Bは、絶縁膜506R、絶縁膜506G、及び絶縁膜506Bを形成する位置が図32Aとは異なっている。図32Bでは、電極503上に絶縁膜506R、絶縁膜506G、及び絶縁膜506Bを形成する。図33A及びBは、画素電極として機能することが可能な電極513側に表示させる構造を示している。図33Aについて説明する。絶縁膜510R、絶縁膜510G、及び絶縁膜510B上に電極511を形成する。電極511上に絶縁膜512を形成する。絶縁膜512にコンタクトホールを形成し、電極511に電気的に接続される電極513を形成する。電極513上に層514を形成する。層514は表示媒体を含む層である。層514上に電極515を形成する。電極515上に絶縁膜516を形成する。なお、電極511は補助電極として機能し、電極513は画素電極として機能し、電極515は対向電極として機能することが可能である。絶縁膜510Rは赤色のカラーフィルタとして機能し、絶縁膜510Gは緑色のカラーフィルタとして機能し、絶縁膜510Bは青色のカラーフィルタとして機能することが可能である。また、絶縁膜516は、遮光性を有する材料を用いて形成してもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。図33Bについて説明する。絶縁膜510上に電極511を形成する。電極511上に絶縁膜512R、絶縁膜512G、及び絶縁膜512Bを形成する。絶縁膜512R、絶縁膜512G、及び絶縁膜512Bにコンタクトホールを形成し、電極511に電気的に接続される電極513を形成する。電極513上に層514を形成する。層514は表示媒体を含む層である。層514上に電極515を形成する。電極515上に絶縁膜516を形成する。なお、電極511は補助電極として機能し、電極513は画素電極として機能し、電極515は対向電極として機能することが可能である。絶縁膜512Rは赤色のカラーフィルタとして機能し、絶縁膜512Gは緑色のカラーフィルタとして機能し、絶縁膜512Bは青色のカラーフィルタとして機能することが可能である。また、絶縁膜516は、遮光性を有する材料を用いて形成してもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。図34A及びBは対向電極として機能することが可能な電極526側及び画素電極として機能することが可能な電極524側に表示させる構造の場合を示している。どちらか一方の面から見たときに背景が透けにくくするため、偏光板を両面に配置することが可能である。図34Aについて説明する。基板520上に層521を形成する。層521はTFT等を含む層である。層521上に電極522を形成する。なお、層521上に電極522が形成された図を示しているが、電極522は層521に含まれるTFTのソース電極又はドレイン電極であってもよい。また、電極522は層521に含まれるTFTのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続されている。電極522上に絶縁膜523を形成する。絶縁膜523にコンタクトホールを形成し、電極522に電気的に接続される電極524を形成する。電極524上に層525を形成する。層525は表示媒体を含む層である。層525上に電極526を形成する。電極526上に基板527を形成する。基板520及び基板527はガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。電極522は補助電極として機能し、電極524は画素電極として機能し、電極526は対向電極として機能することが可能である。基板520に接して偏光板528が設けられ、基板527に接して偏光板529が設けられている。偏光板528と偏光板529とは、偏光軸が直交したクロスニコルとなっている。図34Bは、図34Aの構成にカラーフィルタを加えたものである。図34Bでは基板520と層521との間にカラーフィルタ530R、カラーフィルタ530G、カラーフィルタ530Bを設け、基板527と電極526との間にカラーフィルタ531R、カラーフィルタ531G、カラーフィルタ531Bを設けている。カラーフィルタ530R及びカラーフィルタ531Rは赤色のカラーフィルタであり、カラーフィルタ530G及びカラーフィルタ531Gは緑色のカラーフィルタであり、カラーフィルタ530B及びカラーフィルタ531Bは青色のカラーフィルタである。このように偏光板を両側の基板に配置することによって、背景の透けにくい表示装置を得ることができる。なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実施することができる。なお、本実施の形態で述べる内容は一例であり、これに限定されない。実施の形態7本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の画素電極と補助電極との位置関係について図面を参照して説明する。図35Aにおいて、電極1001上に絶縁膜1002を形成する。絶縁膜1002にコンタクトホールが形成され、電極1001に電気的に接続されるように電極1003を形成する。電極1003上に層1004を形成する。層1004は表示媒体を含む層である。層1004上に電極1005を形成する。電極1006は電極1003と同工程で形成される、隣接する画素の電極である。電極1001は電極1003と電極1006との間の領域と重なり、且つ、電極1006と一部が重なるように形成されている。電極1001は補助電極として機能し、電極1003及び電極1006は画素電極として機能し、電極1005は対向電極として機能することが可能である。本明細書において、補助電極とは画素電極の面積と同等または画素電極の面積よりも小さい電極を意味する。電極1001と電極1006とが重なっている長さをQ1とする。電極1006と電極1003との間の長さをQ2とする。絶縁膜1002の膜厚をQ3とする。このとき、電極1001と電極1006とが重なるような領域を有するように形成するQ1>0こと、及びQ1<Q2となるような領域を有するように形成することが可能である、これにより、製造ばらつきを低減することができる。さらに、層1004に含まれる表示媒体に電界をほぼ均一に加えることができるので、残像が生じにくい電界駆動型表示装置を製造することができる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。なお、電極1001と電極1006とが重なることによって生じる寄生容量の影響を考慮して、Q1<Q3となるような領域を有するように形成することが好ましい。また、電極1003と電極1001とを電気的に接続する配線が設けられた部分コンタクト部から電極1006までの長さから、電極1001が電極1003と重なっていない長さ電極1006と電極1003との間の長さをQ2とするを引いた長さ、すなわち、電極1003と電極1001が重なっている長さをQ4とする。電極1003のコンタクト部から電極1001の端部までの距離をQ5とする。Q4及びQ5は、マスクずれ等を考慮して、Q4>0、Q5>0となるような領域を有することが好ましい。このとき、Q1<Q4及びQ1<Q5となるような領域を有することが好ましい。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。別の例について、図35Bを用いて説明する。図35Bでは電極1001の形成位置が図35Aと異なっている。電極1001は電極1003に電気的に接続され、電極1003と電極1006との間の領域と一部が重なり、電極1006とは重ならないように形成されている。図35Bにおいても、電極1001は補助電極として機能し、電極1003及び電極1006は画素電極として機能し、電極1005は対向電極として機能することが可能である。電極1003と電極1006との間の長さをQ6とする。電極1003と電極1006との間の領域と重なる位置において、電極1001が形成された領域の長さをQ7とし、電極1001が形成されていない領域の長さをQ8とする。なお、Q6>Q7、かつ、Q6>Q8である。また、層1004に含まれる表示媒体に電界をほぼ均一に加えるため、Q7>Q8となるような領域を有することが好ましいが、これに限定されない。また、電極1003と電極1006との間の領域と重なる位置において、電極1001が形成されない領域を設けQ8>0、Q3>Q8となるような領域を有するように形成することが可能である。これにより、画素電極1003を含む画素と隣接する画素電極1006を含む画素とのクロストークの影響を低減することができる。また、電極1003と電極1001とを電気的に接続する配線が設けられた部分コンタクト部から電極1006までの長さから、電極1003と電極1006との間の長さQ6を引いた長さ、すなわち、電極1003と電極1001が重なっている長さをQ9とする。電極1003のコンタクト部から電極1001の端部までの距離をQ10とする。Q9及びQ10は、マスクずれ等を考慮して、Q9>0、Q10>0となるような領域を有することが好ましいが、これらに限定されない。このとき、Q8<Q9、Q8<Q10、Q7<Q9、及びQ7<Q10を満たすような領域を有するようことが好ましいが、これらに限定されない。このように、電極1003と隣接する電極1006との間の領域全体に重なるように電極1001を形成してもよいし、一部に重なるように電極1001を形成してもよい。電極1003と隣接する電極1006との間の領域の一部に重なるように電極1001を形成した場合であっても、電極1003と隣接する電極1006との間に、電極1001によって生じる電界が発生するため、電極1001を形成しない場合に比べて残像が生じにくい電界駆動型表示装置を製造することができる。なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態8本実施の形態では、アモルファスシリコンを用いたTFTを適用した表示装置の作製工程について説明する。図36Aに示すように、基板1100上に導電膜を形成した後、該導電膜を所望の形状に加工パターニングすることで、電極1101、電極1102、導電層1121、及び導電層1122を形成する。基板1100には、例えば、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板等を用いることができる。電極1101及び電極1102はゲート電極として機能することが可能である。電極1101、電極1102、導電層1121、及び導電層1122となる導電膜としては、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、インジウム錫酸化物以下、ITO、酸化インジウム酸化亜鉛以下、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。電極1101、電極1102、導電層1121、及び導電層1122を覆うように絶縁膜1103を形成する。絶縁膜1103は、酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により単層または多層で形成することができる。絶縁膜1103は、ゲート絶縁膜としての機能を有することが可能である。また、導電層1121及び導電層1122を保持容量の電極として機能させる場合、当該導電層に接して形成された絶縁膜1103は、保持容量の絶縁膜としての機能を有することが可能である。絶縁膜1103上に半導体膜1104を形成する。半導体膜1104の膜厚は20nm~200nm好ましくは50nm~150nmとする。半導体膜1104としては、フォトリソグラフィ法、インクジェット法、又は印刷法等によりアモルファスシリコンを形成する。次に、半導体膜1104上に半導体膜1105を形成する。半導体膜1105は、リン等を含んだシリコン、半導体膜1104よりも導電率の高い半導体材料等を用いることができる。絶縁膜1103から半導体膜1105までは、大気に触れさせることなく連続して形成することが可能である。すなわち、大気成分や大気中に浮遊する不純物元素に汚染されることなく、各積層界面を形成することができるので、トランジスタ特性のばらつきを低減することができる。図36Bに示すように、マスク1106を形成し、半導体膜1104及び半導体膜1105を所望の形状に加工パターニングして、半導体膜1104及び半導体膜1105が島状に分離され、半導体層1107及び半導体層1108が形成される。図36Cに示すように、マスク1106を除去した後、導電膜1109を形成する。導電膜1109は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。図36Dに示すように、マスク1110を形成する。マスク1110は、導電膜1109をパターニングすることで、ソース電極またはドレイン電極として機能することが可能な電極を形成するためのマスクであり、同時に半導体層1108の一部を取り除き、チャネル領域を形成するためのエッチングマスクとして併用されるものである。導電膜1109はパターニングされ、電極1109a~電極1109eとなる。電極1109b及び電極1109dは補助電極として機能することが可能である。図36Eに示すように、マスク1110を除去した後、絶縁膜1111を形成する。絶縁膜1111としては、スパッタリング法やグロー放電分解法により窒化シリコン等を形成する。絶縁膜1111を形成することにより、チャネル領域を保護することができる。なお、半導体層1107はトランジスタのチャネル領域として機能する部分を含むことが可能であり、半導体層1108はトランジスタのソース領域及びドレイン領域として機能する部分を含むことが可能である。次に、絶縁膜1112を形成する。絶縁膜1112は、酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜1112として、有機材料を単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜1112は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜1112として遮光性を有する材料を用いてもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。さらに、絶縁膜1112上に絶縁膜1113を設けることが好ましい。絶縁膜1113を形成することにより、水分の侵入等を防ぐことができる。絶縁膜1113としては窒化シリコン等を用いることが好ましい。次に、絶縁膜1111、絶縁膜1112、及び絶縁膜1113をパターニングして、電極1109b及び電極1109dが一部露出するように開口部を形成する。そして該開口部において電極1109bに電気的に接続する電極1114と、電極1109dに電気的に接続する電極1115とを形成する。電極1114及び電極1115は画素電極として機能することが可能である。図37に示すように、電極1114及び電極1115上に層1116、導電膜1119、及び基板1120が形成され、または配置され、または貼り付けられている。層1116は表示媒体を含む層である。ここでは、分散剤1117にマイクロカプセル1118を固定した構成を示している。導電膜1119としては、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、単層または多層で形成することができる。導電膜1119は対向電極として機能することが可能である。基板1120には、プラスチック基板、樹脂基板、フィルム基板、ガラス基板、セラミック基板、ステンレス基板、ステンレスホイル基板等を用いることができる。以上より、アモルファスシリコンを用いたTFTを適用した表示装置が作製できる。なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実施することができる。なお、本実施の形態で述べる内容は一例であり、これに限定されない。実施の形態9本実施の形態では、酸化物半導体を用いたTFTを適用した表示装置の作製工程について説明する。図38Aに示すように、基板1300上に導電膜を形成した後、該導電膜を所望の形状に加工パターニングすることで、電極1301、電極1302、導電層1319、及び導電層1320を形成する。基板1300には、例えば、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板等を用いることができる。電極1301及び電極1302はゲート電極として機能することが可能である。電極1301、電極1302、導電層1319、及び導電層1320となる導電膜としては、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、インジウム錫酸化物以下、ITO、酸化インジウム酸化亜鉛以下、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。電極1301、電極1302、導電層1319、及び導電層1320を覆うように絶縁膜1303を形成する。絶縁膜1303は、酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により単層または多層で形成することができる。絶縁膜1303は、ゲート絶縁膜としての機能を有することが可能である。また、導電層1319及び導電層1320を保持容量の電極として機能させる場合、当該導電層に接して形成された絶縁膜1303は、保持容量の絶縁膜としての機能を有することが可能である。絶縁膜1303上に半導体膜1304を形成する。半導体膜1304は、透光性を有する材料または光透過率が高い材料を用いて、単層または多層で形成する。半導体膜1304は、酸化物半導体を用いて形成する。酸化物半導体として、例えば、In-Ga-Zn-O系、In-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、In-O系、Sn-O系、Zn-O系の材料を用いることができる。酸化物半導体膜は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガス代表的にはアルゴン及び酸素雰囲気下において、スパッタリング法により形成することができる。また、スパッタリング法を用いる場合、酸化シリコンを2重量以上10重量以下の割合で含むターゲットを用いて成膜を行い、酸化物半導体膜に結晶化を阻害する酸化シリコンを含ませることが好ましい。これによって、結晶化を抑制することができる。また、半導体膜1304を成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、絶縁膜1303の表面に付着しているゴミを除去することが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて、窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。図38Bに示すように、マスク1305を形成し、半導体膜1304を所望の形状に加工パターニングして、半導体膜1304が島状に分離され、半導体層1306が形成される。図38Cに示すように、マスク1305を除去した後、導電膜1307を形成する。導電膜1307は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。図38Dに示すように、マスク1308を形成する。マスク1308は、導電膜1307をパターニングすることで、ソース電極またはドレイン電極として機能することが可能な電極を形成するためのマスクである。導電膜1307がパターニングされ、電極1309a~電極1309eとなる。電極1309b及び電極1309dは補助電極として機能することが可能である。図38Eに示すように、マスク1308を除去した後、絶縁膜1310を形成する。絶縁膜1310は、酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜1310として、有機材料を単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜1310は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜1310として遮光性を有する材料を用いてもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。さらに、絶縁膜1310上に絶縁膜1311を設けることが好ましい。絶縁膜1311を形成することにより、水分の侵入等を防ぐことができる。絶縁膜1311としては窒化シリコン等を用いることが好ましい。次に、絶縁膜1310及び絶縁膜1311をパターニングして、電極1309b及び電極1309dが一部露出するように開口部を形成する。そして該開口部において電極1309bに電気的に接続する電極1312と、電極1309dに電気的に接続する電極1313とを形成する。電極1312及び電極1313は画素電極として機能することが可能である。図39に示すように、電極1312及び電極1313上に層1314、導電膜1317、及び基板1318が形成され、または配置され、または貼り付けられている。層1314は表示媒体を含む層である。ここでは、分散剤1315にマイクロカプセル1316を固定した構成を示している。導電膜1317としては、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛ZnO、または酸化錫SnOを用いて、単層または多層で形成することができる。導電膜1317は対向電極として機能することが可能である。基板1318としては、プラスチック基板、樹脂基板、フィルム基板、ガラス基板、セラミック基板、ステンレス基板、ステンレスホイル基板等を用いることができる。以上より、酸化物半導体を用いたTFTを適用した表示装置が作製できる。酸化物半導体を用いたTFTは、アモルファスシリコンを用いたTFT等に比べて光透過率が高い。酸化物半導体を用いたTFTを適用した場合、配線材料に透光性を有する材料または光透過率が高い材料を用いて、TFT基板側を表示面とする表示装置としてもよい。導電層1319、導電層1320、電極1309b、及び電極1309dを透明導電材料で形成し、電極1301及び電極1302を金属材料で形成することも可能である。画素内の素子を透明な材料で形成することにより、開口率を向上させることができる。さらに、配線となる部分を金属材料で形成することにより、抵抗を下げることができる。なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実施することができる。なお、本実施の形態で述べる内容は一例であり、これに限定されない。実施の形態10上記実施の形態で示した表示装置は、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、上記実施の形態で示した表示装置を用いて、電子書籍電子ブック、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等を行うことができる。図41Aは、表示装置を具備するポスター1501を示している。広告媒体が紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、上記実施の形態で示した表示装置を用いれば短時間で広告の表示を変えることができる。また、表示も崩れることなく安定した画像が得られる。なお、ポスターは無線で情報を送受信できる構成としてもよい。また、図41Bは、電車などの乗り物の車内広告1502を示している。広告媒体が紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、上記実施の形態で示した表示装置を用いれば人手を多くかけることなく短時間で広告の表示を変えることができる。また、表示も崩れることなく安定した画像が得られる。なお、車内広告は無線で情報を送受信できる構成としてもよい。図42Aは、電子書籍の一例を示している。図42Aに示す電子書籍は、筐体1600および筐体1601の2つの筐体で構成されている。筐体1600および筐体1601は、蝶番1604により一体となっており、開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。筐体1600には表示部1602が組み込まれ、筐体1601には表示部1603が組み込まれている。表示部1602および表示部1603は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば、右側の表示部図42Aでは表示部1602に文章を表示し、左側の表示部図42Aでは表示部1603に画像を表示することができる。また、図42Aでは、筐体1600に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体1600は、電源1605、操作キー1606、スピーカ1607などを備えている。操作キー1606により、ページを送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、図42Aに示す電子書籍は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、図42Aに示す電子書籍は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。図42Bは、デジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、図42Bに示すデジタルフォトフレームは、筐体1611に表示部1612が組み込まれている。表示部1612は、各種画像を表示することが可能であり、例えば、デジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。なお、図42Bに示すデジタルフォトフレームは、操作部、外部接続用端子USB端子、USBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成とするとよい。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記録したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部1612に表示させることができる。また、図42Bに示すデジタルフォトフレームは、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。図42Cは、テレビジョン装置の一例を示している。図42Cに示すテレビジョン装置は、筐体1621に表示部1622が組み込まれている。表示部1622により映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド1623により筐体1621を支持した構成をしている。図42Cに示すテレビジョン装置の操作は、筐体1621が備える操作スイッチや別体のリモコン操作機により行うことができる。リモコン操作機が備える操作キーにより、チャンネルや音量の操作を行うことができる。また、リモコン操作機が備える操作キーにより、表示部1622に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。なお、図42Cに示すテレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成としてもよい。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者同士などの情報通信を行うことも可能である。図42Dは、携帯電話機の一例を示している。図42Dに示す携帯電話機は、筐体1631に組み込まれた表示部1632の他、操作ボタン1633、操作ボタン1637、外部接続ポート1634、スピーカ1635、マイク1636などを備えている。図42Dに示す携帯電話機は、表示部1632がタッチパネルになっており、指などの接触により、表示部1632の表示内容を操作することができる。また、電話の発信、或いはメールの作成は、表示部1632を指などで接触することにより行うことができる。表示部1632の画面は主として3つのモードがある。第1のモードは、画像の表示を主とする表示モードである。第2のモードは、文字などの情報の入力を主とする入力モードである。第3のモードは、表示モードと入力モードの2つのモードが混合したモードである。例えば、電話の発信、或いはメールを作成する場合は、表示部1632を文字の入力を主とする入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部1632の画面の大部分の領域にキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。また、図42Dに示す携帯電話機の内部に、ジャイロ、加速度センサなどの傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機の向き縦または横を判断して、表示部1632のモードまたは表示情報を自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面のモードの切り替えは、表示部1632への接触、または筐体1631の操作ボタン1637の操作により行われる。また、表示部1632に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替えることができる。また、入力モードにおいて、表示部1632の光センサで検出される信号を検知し、表示部1632のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。表示部1632は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部1632を掌や指で触れることで、掌紋、指紋などをイメージセンサで撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態11他の実施の形態において、様々な例が示されているが、本実施の形態では、他の実施の形態において示す内容の一部または全部について、変更、修正、追加、削除、置き換え、適用、応用などを行う場合の一例を示す。または、本実施の形態では、他の実施の形態において示す内容とは、別の例について示す。または、本実施の形態では、他の実施の形態において示す内容の詳細な例について示す。または、本実施の形態では、他の実施の形態において示す内容の上位概念の例について示す。または、本実施の形態では、本実施の形態および他の実施の形態において示す内容の定義の一例について示す。したがって、本発明の実施の形態の一態様は、本実施の形態に記載されている内容に限定されない。例えば、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な素子を有することができる。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置の一例としては、ELエレクトロルミネッセンス素子有機物及び無機物を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子、LED白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど、トランジスタ電流に応じて発光するトランジスタ、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブGLV、デジタルマイクロミラーデバイスDMD、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。EL素子を用いた表示装置の一例としては、ELディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイFED又はSED方式平面型ディスプレイSED:Surface-conductionElectron-emitterDisplayなどがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイなどがある。電子インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。EL素子の一例としては、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に挟まれたEL層と、を有する素子などがある。EL層の一例としては、1重項励起子からの発光蛍光を利用するもの、3重項励起子からの発光燐光を利用するもの、1重項励起子からの発光蛍光を利用するものと3重項励起子からの発光燐光を利用するものとを含むもの、有機物によって形成されたもの、無機物によって形成されたもの、有機物によって形成されたものと無機物によって形成されたものとを含むもの、高分子の材料を含むもの、低分子の材料の材料を含むもの、又は高分子の材料と低分子の材料とを含むもの、などがある。ただし、これに限定されず、EL素子として様々なものを用いることができる。電子放出素子の一例としては、陰極に高電界を集中して電子を引き出す素子などがある。具体的には、電子放出素子の一例としては、スピント型、カーボンナノチューブCNT型、金属―絶縁体―金属を積層したMIMMetal-Insulator-Metal型、金属―絶縁体―半導体を積層したMISMetal-Insulator-Semiconductor型、MOS型、シリコン型、薄膜ダイオード型、ダイヤモンド型、金属―絶縁体―半導体-金属型等の薄膜型、HEED型、EL型、ポーラスシリコン型、又は表面伝導SCE型などがある。ただし、これに限定されず、電子放出素子として様々なものを用いることができる。電子ペーパーの一例としては、分子により表示されるもの光学異方性、染料分子配向など、粒子により表示されるもの電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化など、フィルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色/相変化により表示されるもの、分子の光吸収により表示されるもの、又は電子とホールが結合して自発光により表示されるものなどを用いることができる。具体的には、電子ペーパーの駆動方式、材料、及び素子としては、マイクロカプセル型電気泳動、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール、円柱ツイストボール方式、帯電トナー、電子粉流体登録商標、磁気泳動型、磁気感熱式、エレクトロウェッティング、光散乱透明白濁変化、コレステリック液晶/光導電層、コレステリック液晶、双安定性ネマチック液晶、強誘電性液晶、2色性色素液晶分散型、可動フィルム、ロイコ染料発消色、フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジション、フレキシブル有機ELなどがある。ただし、これに限定されず、電子ペーパー及びその表示方法として様々なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気泳動を用いることによって、粒子の凝集、沈殿を解決することができる。電子粉流体登録商標は、高速応答性、高反射率、広視野角、低消費電力、メモリ性などのメリットを有する。なお、光源を必要とする表示装置、例えば、液晶ディスプレイ透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ、グレーティングライトバルブGLVを用いた表示装置、デジタルマイクロミラーデバイスDMDを用いた表示装置などの光源の一例としては、エレクトロルミネッセンス、冷陰極管、熱陰極管、LED、レーザー光源、水銀ランプなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、光源して様々なものを用いることができる。例えば、トランジスタとして、様々な構造のトランジスタを用いることができる。よって、用いるトランジスタの種類に限定はない。トランジスタの一例としては、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶マイクロクリスタル、ナノクリスタル、セミアモルファスとも言うシリコンなどに代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタTFTなどを用いることができる。TFTを用いる場合、様々なメリットがある。例えば、単結晶シリコンの場合よりも低い温度で製造できるため、製造コストの削減、又は製造装置の大型化を図ることができる。製造装置を大きくできるため、大型基板上に製造できる。そのため、同時に多くの個数の表示装置を製造できるため、低コストで製造できる。または、製造温度が低いため、耐熱性の弱い基板を用いることができる。そのため、透光性を有する基板上にトランジスタを製造できる。または、透光性を有する基板上のトランジスタを用いて表示素子での光の透過を制御することができる。または、トランジスタの膜厚が小さいため、トランジスタを形成する膜の一部は、光を透過させることができる。そのため、開口率を向上させることができる。なお、多結晶シリコンを製造するときに、触媒ニッケルなどを用いることにより、結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。その結果、ゲートドライバ回路走査線駆動回路、ソースドライバ回路信号線駆動回路、及び信号処理回路信号生成回路、ガンマ補正回路、DA変換回路などを基板上に一体形成することができる。なお、微結晶シリコンを製造するときに、触媒ニッケルなどを用いることにより、結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。このとき、レーザー照射を行うことなく、熱処理を加えるだけで、結晶性を向上させることも可能である。その結果、ソースドライバ回路の一部アナログスイッチなど及びゲートドライバ回路走査線駆動回路を基板上に一体形成することができる。なお、結晶化のためにレーザー照射を行わない場合は、シリコンの結晶性のムラを抑えることができる。そのため、画質の向上した画像を表示することができる。ただし、触媒ニッケルなどを用いずに、多結晶シリコン又は微結晶シリコンを製造することは可能である。なお、シリコンの結晶性を向上させて、多結晶又は微結晶などとすることは、パネル全体で行うことが望ましいが、それに限定されない。パネルの一部の領域のみにおいて、シリコンの結晶性を向上させてもよい。選択的に結晶性を向上させることは、レーザー光を選択的に照射することなどにより可能である。例えば、画素以外の領域である周辺回路領域にのみ、ゲートドライバ回路及びソースドライバ回路などの領域にのみ、又はソースドライバ回路の一部例えば、アナログスイッチの領域にのみ、レーザー光を照射してもよい。その結果、回路を高速に動作させる必要がある領域のみにおいて、シリコンの結晶化を向上させることができる。画素領域は、高速に動作させる必要性が低いため、結晶性が向上されなくても、問題なく画素回路を動作させることができる。こうすることによって、結晶性を向上させる領域が少なくて済むため、製造工程も短くすることができる。そのため、スループットが向上し、製造コストを低減させることができる。または、必要とされる製造装置の数も少なくして製造できるため、製造コストを低減させることができる。なお、トランジスタの一例としては、ZnO、a-InGaZnO、SiGe、GaAs、IZO、ITO、SnO、TiO、AlZnSnOAZTOなどの化合物半導体又は酸化物半導体を有するトランジスタ又は、これらの化合物半導体又は酸化物半導体を薄膜化した薄膜トランジスタなどを用いることができる。これらにより、製造温度を低くできるので、例えば、室温でトランジスタを製造することが可能となる。その結果、耐熱性の低い基板、例えば、プラスチック基板又はフィルム基板などに直接トランジスタを形成することができる。なお、これらの化合物半導体又は酸化物半導体を、トランジスタのチャネル部分に用いるだけでなく、それ以外の用途で用いることもできる。例えば、これらの化合物半導体又は酸化物半導体を配線、抵抗素子、画素電極、又は透光性を有する電極などとして用いることができる。それらをトランジスタと同時に成膜又は形成することが可能なため、コストを低減できる。なお、トランジスタの一例としては、インクジェット法又は印刷法を用いて形成したトランジスタなどを用いることができる。これらにより、室温で製造、低真空度で製造、又は大型基板上に製造することができる。よって、マスクレチクルを用いなくても製造することが可能となるため、トランジスタのレイアウトを容易に変更することができる。または、レジストを用いずに製造することが可能なので、材料費が安くなり、工程数を削減できる。または、必要な部分にのみ膜を設けることが可能なので、全面に成膜した後でエッチングする製法よりも、材料が無駄にならず、低コストにできる。なお、トランジスタの一例としては、有機半導体やカーボンナノチューブを有するトランジスタ等を用いることができる。これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジスタを形成することができる。このようなトランジスタを用いた半導体装置は、衝撃に強くすることができる。なお、トランジスタとしては、他にも様々な構造のトランジスタを用いることができる。例えば、トランジスタとして、MOS型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどを用いることができる。トランジスタとしてMOS型トランジスタを用いることにより、トランジスタのサイズを小さくすることができる。よって、複数のトランジスタを搭載することができる。トランジスタとしてバイポーラトランジスタを用いることにより、大きな電流を流すことができる。よって、高速に回路を動作させることができる。なお、MOS型トランジスタとバイポーラトランジスタとを1つの基板に混在させて形成してもよい。これにより、低消費電力、小型化、高速動作などを実現することができる。例えば、トランジスタの一例としては、ゲート電極が2個以上のマルチゲート構造のトランジスタを用いることができる。マルチゲート構造にすると、チャネル領域が直列に接続されるため、複数のトランジスタが直列に接続された構造となる。よって、マルチゲート構造により、オフ電流の低減、トランジスタの耐圧向上信頼性の向上を図ることができる。または、マルチゲート構造により、飽和領域で動作する時に、ドレインとソースとの間の電圧が変化しても、ドレインとソースとの間の電流があまり変化せず、傾きがフラットである電圧電流特性の傾きを得ることができる。傾きがフラットである電圧電流特性を利用すると、理想的な電流源回路、又は非常に高い抵抗値をもつ能動負荷を実現することができる。その結果、特性のよい差動回路又はカレントミラー回路などを実現することができる。なお、トランジスタの一例としては、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造のトランジスタを適用することができる。チャネルの上下にゲート電極が配置される構造にすることにより、複数のトランジスタが並列に接続されたような回路構成となる。よって、チャネル領域が増えるため、電流値の増加を図ることができる。または、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、空乏層ができやすくなるため、S値の改善を図ることができる。なお、トランジスタの一例としては、チャネル領域の上にゲート電極が配置されている構造、チャネル領域の下にゲート電極が配置されている構造、正スタガ構造、逆スタガ構造、チャネル領域を複数の領域に分けた構造、チャネル領域を並列に接続した構造、又はチャネル領域を直列に接続する構造などのトランジスタを用いることができる。なお、トランジスタの一例としては、チャネル領域またはその一部にソース電極やドレイン電極が重なっている構造のトランジスタを用いることができる。チャネル領域またはその一部にソース電極やドレイン電極が重なる構造にすることによって、チャネル領域の一部に電荷が溜まることにより動作が不安定になることを防ぐことができる。なお、トランジスタの一例としては、LDD領域を設けた構造を適用できる。LDD領域を設けることにより、オフ電流の低減、又はトランジスタの耐圧向上信頼性の向上を図ることができる。または、LDD領域を設けることにより、飽和領域で動作する時に、ドレインとソースとの間の電圧が変化しても、ドレイン電流があまり変化せず、傾きがフラットな電圧電流特性を得ることができる。例えば、様々な基板を用いて、トランジスタを形成することができる。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基板例えば、単結晶基板又はシリコン基板、SOI基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレススチル基板、ステンレススチルホイルを有する基板、タングステン基板、タングステンホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルサルフォンPESに代表されるプラスチック、又はアクリル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。貼り合わせフィルムの一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、又は塩化ビニルなどがある。基材フィルムの一例としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。特に、半導体基板例えば、単結晶基板、又はSOI基板などを用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイズ、又は形状などのばらつきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができる。このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。なお、ある基板を用いてトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを転置し、別の基板上にトランジスタを配置してもよい。トランジスタが転置される基板の一例としては、上述したトランジスタを形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板天然繊維絹、綿、麻、合成繊維ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル若しくは再生繊維アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステルなどを含む、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、又は薄型化を図ることができる。なお、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てを、同一の基板例えば、ガラス基板、プラスチック基板、単結晶基板、又はSOI基板などに形成することが可能である。こうして、部品点数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減による信頼性の向上を図ることができる。なお、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てを同じ基板に形成しないことが可能である。つまり、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部は、ある基板に形成され、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部は、別の基板に形成されていることが可能である。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部は、ガラス基板に形成され、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部は、単結晶基板又はSOI基板に形成されることが可能である。そして、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部が形成される単結晶基板ICチップともいうを、COGChipOnGlassによって、ガラス基板に接続して、ガラス基板にそのICチップを配置することが可能である。または、ICチップを、TABTapeAutomatedBonding、COFChipOnFilm、SMTSurfaceMountTechnology、又はプリント基板などを用いてガラス基板と接続することが可能である。このように、回路の一部が画素部と同じ基板に形成されていることにより、部品点数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減による信頼性の向上を図ることができる。特に、駆動電圧が大きい部分の回路、又は駆動周波数が高い部分の回路などは、消費電力が大きくなってしまう場合が多い。そこで、このような回路を、画素部とは別の基板例えば、単結晶基板に形成して、ICチップを構成する。このICチップを用いることによって、消費電力の増加を防ぐことができる。例えば、一画素とは、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとする。例えば、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。従って、そのときは、R赤G緑B青の色要素を有するカラー表示装置の場合には、画像の最小単位は、Rの画素とGの画素とBの画素との三画素から構成されるものとする。ただし、色要素は、三色に限定されず、三色以上を用いても良いし、RGB以外の色を用いても良い。例えば、白色を加えて、RGBWWは白としても可能である。または、RGBに、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルドグリーン、朱色などを一色以上追加することが可能である。または、RGBの中の少なくとも一色に類似した色を、RGBに追加することが可能である。例えば、R、G、B1、B2としてもよい。B1とB2とは、どちらも青色であるが、少し波長が異なっている。同様に、R1、R2、G、Bとすることも可能である。このような色要素を用いることにより、より実物に近い表示を行うことができる。このような色要素を用いることにより、消費電力を低減することができる。なお、一つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する場合は、その領域一つ分を一画素とすることが可能である。例えば、面積階調を行う場合または副画素サブ画素を有している場合、一つの色要素につき、明るさを制御する領域が複数あり、その全体で階調を表現することがある。その場合、明るさを制御する領域の一つ分を一画素とすることが可能である。つまり、一つの色要素は、複数の画素で構成されることとなる。ただし、明るさを制御する領域が一つの色要素の中に複数あっても、それらをまとめて、一つの色要素を1画素としてもよい。その場合は、一つの色要素は、一つの画素で構成されることとなる。なお、一つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する場合、画素によって、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合がある。なお、一つの色要素につき複数ある、明るさを制御する領域において、各々に供給する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。つまり、一つの色要素について、複数個ある領域が各々有する画素電極の電位が、各々異なっていることも可能である。その結果、液晶分子に加わる電圧が各画素電極によって各々異なる。よって、視野角を広くすることができる。なお、一画素三色分と明示的に記載する場合は、RとGとBの三画素分を一画素と考える場合であるとする。一画素一色分と明示的に記載する場合は、一つの色要素につき、複数の領域がある場合、それらをまとめて一画素と考える場合であるとする。例えば、画素は、マトリクス状に配置配列されている場合がある。ここで、画素がマトリクスに配置配列されているとは、縦方向または横方向において、画素が直線上に並んで配置されている場合、又はギザギザな線上に配置されている場合を含むものとする。よって、例えば、三色の色要素例えば、RGBでフルカラー表示を行うとすると、ストライプ配置されている場合、三つの色要素のドットがデルタ配置されている場合、ベイヤー配置されている場合、モザイク配列されている場合も含むものとする。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、低消費電力化、又は表示素子の長寿命化を図ることができる。例えば、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることができる。アクティブマトリクス方式では、能動素子アクティブ素子、非線形素子として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子アクティブ素子、非線形素子を用いることができる。例えば、MIMMetalInsulatorMetal、又はTFDThinFilmDiodeなどを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることができる。アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子アクティブ素子、非線形素子を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子アクティブ素子、非線形素子を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子アクティブ素子、非線形素子を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることができる。例えば、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレインドレイン端子、ドレイン領域またはドレイン電極とソースソース端子、ソース領域またはソース電極の間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことができるものである。ここで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、ソースとして機能する部分、及びドレインとして機能する部分を、ソース又はドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例として、ソースとドレインとの一方を、第1端子、第1電極、又は第1領域と表記し、ソースとドレインとの他方を、第2端子、第2電極、又は第2領域と表記する場合がある。なお、トランジスタは、ベースとエミッタとコレクタとを含む少なくとも三つの端子を有する素子であってもよい。この場合も同様に、一例として、エミッタとコレクタとの一方を、第1端子、第1電極、又は第1領域と表記し、エミッタとコレクタとの他方を、第2端子、第2電極、又は第2領域と表記する場合がある。なお、トランジスタとしてバイポーラトランジスタが用いられる場合、ゲートという表記をベースと言い換えることが可能である。例えば、ゲートとは、ゲート電極とゲート配線ゲート線、ゲート信号線、走査線、走査信号線等とも言うとを含んだ全体、又は、それらの一部のことを言う。ゲート電極とは、チャネル領域を形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部分の導電膜のことを言う。ただし、ゲート電極の一部は、LDDLightlyDopedDrain領域、又はソース領域またはドレイン領域と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしていることが可能である。ゲート配線とは、各トランジスタのゲート電極の間を接続するための配線、各画素の有するゲート電極の間を接続するための配線、又はゲート電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。ただし、ゲート電極としても機能し、且つゲート配線としても機能するような部分領域、導電膜、配線なども存在する。そのような部分領域、導電膜、配線などは、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり、ゲート電極とゲート配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているゲート配線の一部とチャネル領域がオーバーラップしている場合、その部分領域、導電膜、配線などはゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる。よって、そのような部分領域、導電膜、配線などは、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。なお、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極と同じ島アイランドを形成してつながっている部分領域、導電膜、配線なども、ゲート電極と呼んでも良い。同様に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線と同じ島アイランドを形成してつながっている部分領域、導電膜、配線なども、ゲート配線と呼んでも良い。このような部分領域、導電膜、配線などは、厳密な意味では、チャネル領域とオーバーラップしていない場合、又は別のゲート電極と接続させる機能を有していない場合がある。しかし、製造時の仕様などの関係で、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極またはゲート配線と同じ島アイランドを形成してつながっている部分領域、導電膜、配線などがある。よって、そのような部分領域、導電膜、配線などもゲート電極またはゲート配線と呼んでも良い。例えば、マルチゲート構造のトランジスタにおいて、1つのゲート電極と、別のゲート電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接続される場合が多い。そのような部分領域、導電膜、配線などは、あるゲート電極と別のゲート電極とを接続させるための部分領域、導電膜、配線などであるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲート構造のトランジスタを1つのトランジスタと見なすこともできるため、ゲート電極と呼んでも良い。つまり、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極またはゲート配線と同じ島アイランドを形成してつながっている部分領域、導電膜、配線などは、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。別の例として、ゲート電極とゲート配線とを接続させている部分の導電膜であって、ゲート電極またはゲート配線とは異なる材料で形成された導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。なお、ゲート端子とは、ゲート電極の部分領域、導電膜、配線など、又はゲート電極と電気的に接続されている部分領域、導電膜、配線などについて、その一部分のことを言う。なお、ある配線を、ゲート配線、ゲート線、ゲート信号線、走査線、又は走査信号線などと呼ぶ場合、その配線にトランジスタのゲートが接続されていない場合もある。この場合、ゲート配線、ゲート線、ゲート信号線、走査線、又は走査信号線は、トランジスタのゲートと同じ層で形成された配線、トランジスタのゲートと同じ材料で形成された配線、又はトランジスタのゲートと同時に成膜された配線などを意味している場合がある。その一例としては、保持容量用配線、電源線、基準電位供給配線などがある。なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線等とも言うとを含んだ全体、または、それらの一部のことを言う。ソース領域とは、P型不純物ボロンやガリウムなど又はN型不純物リンやヒ素などが多く含まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけP型不純物やN型不純物が含まれる領域、いわゆる、LDDLightlyDopedDrain領域は、ソース領域には含まれない場合が多い。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソース領域と電気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソース電極は、ソース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各トランジスタのソース電極の間を接続するための配線、各画素の有するソース電極の間を接続するための配線、又はソース電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分領域、導電膜、配線なども存在する。そのような部分領域、導電膜、配線などは、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。つまり、ソース電極とソース配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているソース配線の一部とソース領域とがオーバーラップしている場合、その部分領域、導電膜、配線などはソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していることになる。よって、そのような部分領域、導電膜、配線などは、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。なお、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極と同じ島アイランドを形成してつながっている部分領域、導電膜、配線など、ソース電極とソース電極とを接続する部分領域、導電膜、配線など、又はソース領域とオーバーラップしている部分領域、導電膜、配線なども、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同じ材料で形成され、ソース配線と同じ島アイランドを形成してつながっている領域も、ソース配線と呼んでも良い。このような部分領域、導電膜、配線などは、厳密な意味では、別のソース電極と接続させる機能を有していない場合がある。しかし、製造時の仕様などの関係で、ソース電極またはソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極またはソース配線とつながっている部分領域、導電膜、配線などがある。よって、そのような部分領域、導電膜、配線などもソース電極またはソース配線と呼んでも良い。なお、例えば、ソース電極とソース配線とを接続させている部分の導電膜であって、ソース電極またはソース配線とは異なる材料で形成された導電膜も、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。なお、ソース端子とは、ソース領域や、ソース電極や、ソース電極と電気的に接続されている部分領域、導電膜、配線などについて、その一部分のことを言う。なお、ある配線を、ソース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線などと呼ぶ場合、その配線にトランジスタのソースドレインが接続されていない場合もある。この場合、ソース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線は、トランジスタのソースドレインと同じ層で形成された配線、トランジスタのソースドレインと同じ材料で形成された配線またはトランジスタのソースドレインと同時に成膜された配線を意味している場合がある。例としては、保持容量用配線、電源線、基準電位供給配線などがある。なお、ドレインについては、ソースと同様である。例えば、半導体装置とは、半導体素子トランジスタ、ダイオード、サイリスタなどを含む回路を有する装置のことをいう。ただし、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般、又は半導体材料を有する装置のことを半導体装置と呼んでもよい。なお、表示装置とは、表示素子を有する装置のことを言う。なお、表示装置は、表示素子を含む複数の画素を含んでいても良い。なお、表示装置は、複数の画素を駆動させる周辺駆動回路を含んでいても良い。なお、複数の画素を駆動させる周辺駆動回路は、複数の画素と同一基板上に形成されてもよい。なお、表示装置は、ワイヤボンディングやバンプなどによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆる、チップオングラスCOGで接続されたICチップ、または、TABなどで接続されたICチップを含んでいても良い。なお、表示装置は、ICチップ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタなどが取り付けられたフレキシブルプリントサーキットFPCを含んでもよい。なお、表示装置は、フレキシブルプリントサーキットFPCなどを介して接続され、ICチップ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタなどが取り付けられたプリント配線基板PWBを含んでいても良い。なお、表示装置は、偏光板または位相差板などの光学シートを含んでいても良い。なお、表示装置は、照明装置、筐体、音声入出力装置、光センサなどを含んでいても良い。なお、照明装置は、バックライトユニット、導光板、プリズムシート、拡散シート、反射シート、光源LED、冷陰極管など、冷却装置水冷式、空冷式などを有していても良い。なお、発光装置とは、発光素子などを有している装置のことをいう。表示素子として発光素子を有している場合は、発光装置は、表示装置の具体例の一つである。なお、反射装置とは、光反射素子、光回折素子、光反射電極などを有している装置のことをいう。なお、液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示装置をいう。液晶表示装置には、直視型、投写型、透過型、反射型、半透過型などがある。なお、駆動装置とは、半導体素子、電気回路、電子回路を有する装置のことを言う。例えば、ソース信号線から画素内への信号の入力を制御するトランジスタ選択用トランジスタ、スイッチング用トランジスタなどと呼ぶことがある、画素電極に電圧または電流を供給するトランジスタ、発光素子に電圧または電流を供給するトランジスタなどは、駆動装置の一例である。さらに、ゲート信号線に信号を供給する回路ゲートドライバ、ゲート線駆動回路などと呼ぶことがある、ソース信号線に信号を供給する回路ソースドライバ、ソース線駆動回路などと呼ぶことがあるなどは、駆動装置の一例である。なお、表示装置、半導体装置、照明装置、冷却装置、発光装置、反射装置、駆動装置などは、互いに重複して有している場合がある。例えば、表示装置が、半導体装置および発光装置を有している場合がある。あるいは、半導体装置が、表示装置および駆動装置を有している場合がある。例えば、XとYとが接続されている、と明示的に記載する場合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、XとYとが直接接続されている場合とを含むものとする。ここで、X、Yは、対象物例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、などであるとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。XとYとが電気的に接続されている場合の一例としては、XとYとの電気的な接続を可能とする素子例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオードなどが、XとYとの間に1個以上接続されることが可能である。XとXとが機能的に接続されている場合の一例としては、XとYとの機能的な接続を可能とする回路例えば、論理回路インバータ、NAND回路、NOR回路など、信号変換回路DA変換回路、AD変換回路、ガンマ補正回路など、電位レベル変換回路電源回路昇圧回路、降圧回路など、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路信号振幅または電流量などを大きくできる回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など、信号生成回路、記憶回路、制御回路などが、XとYとの間に1個以上接続されることが可能である。なお、一例として、XとYとの間に別の回路を挟んでいても、Aから出力された信号がBへ伝達される場合は、XとYとは機能的に接続されているものとする。なお、XとYとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、XとYとが電気的に接続されている場合つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合つまり、XとYとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合と、XとYとが直接接続されている場合つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合とを含むものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。例えば、Xの上にYが形成されている、あるいは、X上にYが形成されている、と明示的に記載する場合は、Xの上にYが直接接して形成されていることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、XとYと間に別の対象物が介在する場合も含むものとする。ここで、X、Yは、対象物例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、などであるとする。従って、例えば、層Xの上にまたは層X上に、層Yが形成されている、と明示的に記載されている場合は、層Xの上に直接接して層Yが形成されている場合と、層Xの上に直接接して別の層例えば、層Zなどが形成されていて、その上に直接接して層Yが形成されている場合とを含むものとする。なお、別の層例えば、層Zなどは、単層でもよいし、複層積層でもよい。さらに、Xの上方にYが形成されている、と明示的に記載されている場合についても同様であり、Xの上にYが直接接していることに限定されず、XとYとの間に別の対象物が介在する場合も含むものとする。従って、例えば、層Xの上方に、層Yが形成されている、という場合は、層Xの上に直接接して層Yが形成されている場合と、層Xの上に直接接して別の層例えば、層Zなどが形成されていて、その上に直接接して層Yが形成されている場合とを含むものとする。なお、別の層例えば、層Zなどは、単層でもよいし、複層積層でもよい。なお、Xの上にYが形成されている、X上にYが形成されている、又はXの上方にYが形成されている、と明示的に記載する場合、Xの斜め上にYが形成される場合も含むこととする。なお、Xの下にYが、あるいは、Xの下方にYが、の場合についても、同様である。例えば、明示的に単数として記載されているものについては、単数であることが望ましい。ただし、これに限定されず、複数であることも可能である。同様に、明示的に複数として記載されているものについては、複数であることが望ましい。ただし、これに限定されず、単数であることも可能である。例えば、第1、第2、第3などの語句は、様々な要素、部材、領域、層、区域を他のものと区別して記述するために用いられる。よって、第1、第2、第3などの語句は、要素、部材、領域、層、区域などの数を限定するものではない。さらに、例えば、第1のを第2の又は第3のなどと置き換えることが可能である。例えば、上に、上方に、下に、下方に、横に、右に、左に、斜めに、奥に、手前に、内に、外に、又は中になどの空間的配置を示す語句は、ある要素又は特徴と、他の要素又は特徴との関連を、図によって簡単に示すために用いられる場合が多い。ただし、これに限定されず、これらの空間的配置を示す語句は、図に描く方向に加えて、他の方向を含むことが可能である。例えば、Xの上にY、と明示的に示される場合は、YがXの上にあることに限定されない。図中のデバイスは反転、又は180°回転することが可能なので、YがXの下にあることを含むことが可能である。このように、上にという語句は、上にの方向に加え、下にの方向を含むことが可能である。ただし、これに限定されず、図中のデバイスは様々な方向に回転することが可能なので、上にという語句は、上に、及び下にの方向に加え、横に、右に、左に、斜めに、奥に、手前に、内に、外に、又は中になどの他の方向を含むことが可能である。つまり、状況に応じて適切に解釈することが可能である。なお、ある一つの実施の形態において述べる図または文章において、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。そのため、例えば、能動素子トランジスタ、ダイオードなど、配線、受動素子容量素子、抵抗素子など、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、基板、モジュール、装置、固体、液体、気体、動作方法、製造方法などが単数又は複数記載された図面断面図、平面図、回路図、ブロック図、フローチャート、工程図、斜視図、立面図、配置図、タイミングチャート、構造図、模式図、グラフ、表、光路図、ベクトル図、状態図、波形図、写真、化学式などまたは文章において、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。一例としては、N個Nは整数の回路素子トランジスタ、容量素子等を有して構成される回路図から、M個Mは整数で、M<Nの回路素子トランジスタ、容量素子等を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。別の一例としては、N個Nは整数の層を有して構成される断面図から、M個Mは整数で、M<Nの層を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。別の一例としては、N個Nは整数の要素を有して構成されるフローチャートから、M個Mは整数で、M<Nの要素を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。なお、ある一つの実施の形態において述べる図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すことは、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べる図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。なお、少なくとも図に記載した内容図の中の一部でもよいは、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べていなくても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。