結晶構造が面心立方格子構造である金属を有する金属テープ材料であって、前記面心立方構造の単位格子の結晶軸<100>が、該金属テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に該金属テープ材料面内の第1方向に対して方位差15°以内である、<100>優先配向領域の面積率A1が、60以上100以下であり、かつ、前記面心立方構造の単位格子の結晶軸<212>が、該金属テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に該金属テープ材料面内の前記第1方向に対して方位差15°以内である、<212>優先配向領域の面積率をA2として、前記<212>優先配向領域の面積率と前記<100>優先配向領域の面積率との合計A1A2が、70超100以下であることを特徴とする金属テープ材料。前記第1方向が、前記金属テープ材料の長さ方向であることを特徴とする請求項1に記載の金属テープ材料。前記面積率A1が、65以上99.8以下であり、前記面積率A2が、0.2以上12以下であり、かつ、前記合計A1A2が、70超100以下である、ことを特徴とする請求項1、又は2に記載の金属テープ材料。前記<100>優先配向領域を構成する結晶粒は、前記金属テープ材料の上面、及び下面それぞれの少なくとも一部を形成し、前記金属テープ材料の面内方向の前記結晶粒の結晶粒サイズは、400μm以上であり、かつ、前記結晶粒は、前記<212>優先配向領域を構成する結晶粒が内部に分散する組織を有する、ことを特徴とする請求項1、又は2に記載の金属テープ材料。前記金属が、純度99.9以上の銅であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の金属テープ材料。表面が、融点が250°C以下の金属で被覆されることを特徴とする請求項1、又は2に記載の金属テープ材料。請求項1、又は2に記載の金属テープ材料が、1mm以上5mm以下の幅で、50μm超300μm以下の厚さとしてなることを特徴とする太陽電池集電用インターコネクター。本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、ヤング率、及び降伏応力が低く、かつ破断伸びが大きくなるように機械特性が改善された金属テープ材料、及びそれを用いてなる半導体実装用金属テープ材料、特に太陽電池集電用インターコネクターを提供することを目的とする。特に、長手方向のヤング率、及び降伏応力が低く、破断伸びが大きい金属テープ材料を金属テープ材料、及びそれを用いてなる半導体実装用金属テープ材料、特に太陽電池集電用インターコネクターを提供することを目的とする。1結晶構造が面心立方格子構造である金属を有する金属テープ材料であって、前記面心立方構造の単位格子の結晶軸<100>が、該金属テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に該金属テープ材料面内の第1方向に対して方位差15°以内である、<100>優先配向領域の面積率A1が、60以上100以下であり、かつ、前記面心立方構造の単位格子の結晶軸<212>が、該金属テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に該金属テープ材料面内の前記第1方向に対して方位差15°以内である、<212>優先配向領域の面積率をA2として、前記<212>優先配向領域の面積率と前記<100>優先配向領域の面積率との合計A1A2が、70超100以下であることを特徴とする金属テープ材料。2前記第1方向が、前記金属テープ材料の長さ方向である1に記載の金属テープ材料。3前記面積率A1が、65以上99.8以下であり、前記面積率A2が、0.2以上12以下であり、かつ、前記合計A1A2が、70超100以下である、ことを特徴とする1又は2に記載の金属テープ材料。4前記<100>優先配向領域を構成する結晶粒は、前記金属テープ材料の上面、及び下面それぞれの少なくとも一部を形成し、前記金属テープ材料の面内方向の前記結晶粒の結晶粒サイズは、400μm以上であり、かつ、前記結晶粒は、前記<212>優先配向領域を構成する結晶粒が内部に分散する組織を有することを特徴とする1~3に記載の金属テープ材料。5前記金属が、純度99.9以上の銅であることを特徴とする1~4に記載の金属テープ材料。6表面が、融点が250°C以下の金属で被覆されることを特徴とする1~5に記載の金属テープ材料。71~6のいずれか1項に記載の金属テープ材料が、1mm以上5mm以下の幅で、50μm超300μm以下の厚さとしてなることを特徴とする太陽電池集電用インターコネクター。本発明に係る金属テープ材料は、同一物質を用いて従来の構成により形成される金属テープ材料と比較して、ヤング率、特に長さ方向のヤング率、及び降伏応力を大きく低減できる。このため、半田、又は導電性接着剤などにより本発明に係る金属テープ材料に接続される半導体基板にかかる応力を低減することが可能になり、半導体基板の反り、並びに接続界面、及び半導体基板の破壊を抑制することができる。また、本発明に係る金属テープ材料を用いて太陽電池等の集電用インターコネクターを形成した場合には、熱応力による太陽電池セルの破損を低減できる。更に、破断伸びを大きくすることによって、実装時に張力が印加されたときに生じる機械的応力、若しくは接合後に冷却した後、又は使用時の温度変化による熱応力による金属線が破断する危険性を低減できる。本発明に係る金属テープ材料は、太陽電池セル、及び半導体チップ等の半導体表面に接続され、集電、及び電気信号伝達に使用される。本発明に係る金属テープ材料は、以下に詳細に説明される。以下の詳細な説明で使用されるとき、用語線実装は、集電し、又は電気信号回路を形成するために、半導体表面に金属テープ長尺導体を線状、すなわち2次元的に線接触で接続する実装形態をいい、用語金属テープ面は、半導体表面と金属テープとが接合される面をいう。また用語L方向は、線実装で使用する金属テープ導体の長さ方向をいい、用語D方向は、半導体表面との法線方向をいい、用語W方向は、L方向とD方向のいずれにも直交する方向をいう。一般にテープ面は、L方向の辺がW方向の辺よりも長い幅広面である。図1は、本発明に係る実施形態である集電用インターコネクターが線実装される結晶型の太陽電池の一部を概略的に示す図である。図1に示すように、太陽電池の一部は、太陽電池セル1a、1b、及び1cと、金属テープである集電用インターコネクター2a、2b、2c、及び2dとを有する。太陽電池セル1a、1b、及び1cと、集電用インターコネクター2a、2b、2c、及び2dとは、半田、又は導電接着剤により機械的、電気的に接合されることによりそれぞれ線実装される。より具体的には、集電用インターコネクター2a、及び2bは、太陽電池セル1aの表面、及び太陽電池セル1aのL方向3の方向に隣接して配置される太陽電池セル1bの裏面に線実装される。ここで、表面は、D方向4の正方向に向く面をいい、裏面は、D方向4の負方向に向く面をいう。集電用インターコネクター2c、及び2dは、太陽電池セル1bの表面、及び太陽電池セル1cの裏面に線実装される。このように集電用インターコネクター2a、2b、2c、及び2dにより接続されることにより、太陽電池セル1a、1b、及び1cは、電気的に直列接続される。集電用インターコネクター2a、及び2bは、W方向5の方向に適当な間隔を空けて配置される。同様に、集電用インターコネクター2c、及び2dは、W方向5の方向に適当な間隔を空けて配置される。図2は、テープ状金属、又はテープ状導体である本発明に係る金属テープ材料21~26の実施形態を概略的に示す図である。金属テープ材料21~26の上面、及び下面それぞれの一部は、太陽電池セル1に接合される。また、金属テープ材料21~26において電流は、矢印Aで示す方向、又は矢印Aの反対の方向に流れる。金属テープ材料の電流方向に垂直方向の断面、すなわち矢印Aに対向する断面は、様々な形状にすることができる。図2aに示される金属テープ材料21では、矢印Aに対向する断面は、横長状の長方形である。また、図2bに示される金属テープ材料22では、矢印Aに対向する断面は、図2aに示される金属テープ材料21と異なり、4つの頂点部が直角でなく丸みを有する形状である。更に図2cに示される金属テープ材料23では、矢印Aに対向する断面は、全体が外側に膨らむように湾曲する縦辺を有する。また、金属テープ材料は、金属芯材6と、金属芯材6を被覆する導電性接合剤7を備えてもよい。図2dに示される金属テープ材料24では、金属芯材6は、上面、下面、及び側面の全面に導電性接合剤7により被覆される。また、図2eに示される金属テープ材料25では、金属芯材6は、上面、及び下面それぞれに導電性接合剤7により被覆される。更に、図2fに示される金属テープ材料26では、金属芯材6は、上面のみ導電性接合剤7により被覆される。導電性接合剤7は、金属テープ材料24~26が集電用インターコネクターとして使用されるときに、太陽電池セルと接合するために使用される接着剤である。具体的には、導電性接合剤7は、半田、及び熱硬化性の導電性接着剤などである。しかしながら、本発明に係る金属テープは、必ずしも半田、又は導電性樹脂により被覆される必要はない。半田テープ、ペースト、又は導電性接着剤により線実装する場合、本発明に係る金属テープは、金属テープ材料21~23のような裸導線でよい。金属テープ材料21~23のような裸導線は、裸金属テープとも称される。好適には、裸金属テープは、ベンゾトリアノールのような防錆剤が表面に塗布される。また好適には、太陽電池の集電用インターコネクターを始めとする半導体線実装用の材料として裸金属テープを使用する場合、裸金属テープは、半田めっき、又は導電性接着剤が被覆される。この場合、金属テープは、半田リボンとのアライメントは必要ないので、外部から接合材料を供給する必要がないため、接合プロセス、及び装置を簡素化できる。また、半田めっき、又は導電性接着剤が被覆された材料は、耐食性にも優れるので、保存性に優れるという利点も有する。本発明では、被覆用金属の融点は、低い方が望ましい。被覆用金属として低融点の金属を採用することにより、線実装時に生じる熱歪を低減するためである。具体的には、被覆される金属の融点は、250°C以下であることが望ましい。被覆用金属は、単相singlephaseでなくてもよい。被覆用金属は、線実装時、すなわちリフロー時に、250°C以下で溶融すればよい。結晶シリコン型の太陽電池の集電用インターコネクターとして使用される場合、被覆用金属の融点は、180°C以上であることが望ましい。被覆用金属は、太陽電池セルを封止するエチレンビニルアセテート等の充填材の重合温度で再溶融しないことが必要であるためである。上記条件を満たす被覆用金属は、鉛系半田、錫系半田などである。環境問題を考慮すると、本発明において、導体を被覆する材料として錫系半田を採用することが最も望ましい。錫の融点は、232°Cである。しかしながら、錫に銀を添加することにより、221°Cまで融点を下げることが可能である。この場合、銀の組成は、3.5質量である。しかしながら、他の添加元素、接合性、及び接合強度などを考慮して、銀の組成は、1~4質量の範囲にしてもよい。銀に加えて銅を添加することにより、被覆用金属の融点は、217°Cまで低下させることができる。この三元共晶組成において、銀の組成は、3.8質量であり、銅銀の組成は、0.5質量であり、他の組成は、錫にできる。しかしながら、他の添加元素、接合性、及び接合強度を考慮して、銅銀の組成は、0.4~1.0質量にすることができる。更に、必要に応じて第4元素、及び第5元素を添加してもよい。線実装に使用される導電性樹脂接着剤は、金属フィラーが含有される樹脂などである。金属フィラーは、金、銀、銅、白金、パラジウム、及びニッケルなど耐食性が比較的高い金属粉末、並びにカーボンブラック、及びグラファイト粒などのカーボン粉などが採用される。樹脂の材料は、エポキシ、アクリル、及びフェノールなどが採用される。線実装に使用される導電性樹脂は、熱硬化型樹脂、又は紫外線硬化型樹脂のいずれの樹脂を採用してもよい。しかしながら、導電性樹脂の硬化温度は、250°C以下が望ましい。また、太陽電池用の導電性樹脂は、硬化後は、180°C以下の温度で軟化しないことが必要である。更に太陽電池用の導電性樹脂は、紫外線で劣化しないことが必要である。線実装に使用される金属テープの電気導電率は、高い方が好ましい。金属テープの電気導電率が低いすなわち電気抵抗が高い場合、金属テープの断面積を大きくする必要があるため、半田接続後の半導体に、大きな熱歪が加わるためである。したがって、線実装に使用される金属テープの材料は、電気導電率が高い金属が好ましく、具体的には、銅、銀、アルミニウム、及び金などの面心立方金属が好ましい。これらの面心立方金属の中では、銅は、電気導電率が高く、熱膨張率が比較的小さく、かつ安価で購入可能である。このため、これらの面心立方金属の中では、銅は、最も好ましい材料である。電気導電率を考慮すると、金属テープの材料は、純銅が望ましい。工業材料として採用する場合、金属テープの材料は、タフピッチ銅、及び無酸素銅などの純度99.9以上の高純度の銅が好ましい。半田、又は導電性樹脂などによる線実装時に、半導体と金属テープとの間の熱膨張差によって生じる熱歪が緩和されるためには、金属テープの長さ方向、すなわちL方向のヤング率、降伏応力を下げることが極めて有効である。特に、180°Cから250°Cまでの接合温度で接続される用途では、長さ方向の歪が0.2の時の応力値を下げることが重要である。例えば、太陽電池の集電用インターコネクターを評価するときに使用される降伏特性を表す指標は、金属テープの0.2耐力などである。半田が溶融凝固した後、又は導電性接着剤が硬化した後の冷却工程において、半導体と金属テープとの間の熱収縮量が異なることに起因して、熱歪が発生する。金属テープの長さ方向のヤング率、降伏応力が小さいほど、半導体にかかる応力は小さくなり、反りの大きさが小さくなるととともに、割れが発生する頻度が小さくなる。更に、破断伸びを大きくすることによって、実装時に張力が印加されたときに生じる引張応力、接合後に整合部が冷却するときに生じる引張応力、及び使用時の温度変化による応力などによって、金属線が破断する危険性を低減できる。したがって、破断伸びが大きいことは、太陽電池集電用インターコネクターを始めとする半導体実装用金属テープ材料として重要な機械特性の1つである。紫外線硬化型の接着剤は、一般的に硬化温度が低く、線実装する時の熱歪みが小さい。このため、紫外線硬化型の接着剤を、半導体を線実装するための接着剤として使用することが好ましい。しかしながら、紫外線硬化型の接着剤などのように樹脂を使用する場合でも、使用される金属テープ材料のL方向のヤング率、及び降伏応力は、小さい方が望ましく、かつ破断伸びは、大きい方が望ましい。使用時の外気温の変化等の環境の変化により繰り返し発生する熱歪み、及び発生した熱歪みによって、金属線が破断する危険性を低減するためである。本発明者は、上述したような状況を鑑み、金属テープ材料の組織制御を以下のように行うことにより、ヤング率、及び降伏応力、並びに0.2耐力を抑制し、かつ破断伸びを大きくすることによって、太陽電池セル、及び半導体チップ等の半導体表面と接続に、好適に使用できる金属テープ材料を発明した。すなわち、本発明の金属テープ材料は、面心立方構造の単位格子の基本結晶軸<100>が、該金属テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に該金属テープ材料面内の第1方向に対して方位差15°以内である、<100>優先配向領域の面積率A1が、60以上100以下であり、かつ、面心立方構造の単位格子の結晶軸<212>が、該金属テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に該金属テープ材料面内の第1方向に対して方位差15°以内である、<212>優先配向領域の面積率をA2として、<212>優先配向領域の面積率と該<100>優先配向領域とを合算した領域の面積率の合計A1A2が、70超100以下である集合組織にするものである。金属テープ材料の集合組織として、このような集合組織を採用することより、金属テープ材料の0.2耐力を低下でき、特に、長さ方向の0.2耐力を低下させることができる。その結果、線実装時の熱膨張率の差熱収縮率の差による半導体のL方向にかかる応力、歪みを大きく低減できる。好適には、<100>優先配向領域の面積率A1が、65以上99.8以下であり、<212>優先配向領域の面積率をA2が、0.2以上12以下であり、<212>優先配向領域の面積率と<100>優先配向領域の面積率との合計A1A2が、70超100以下である集合組織とすることができる。これにより、金属テープ材料の0.2耐力を更に低下でき、破断伸びを向上させることができる。好適には、このような機械的特性を有する金属テープ材料は、<100>優先配向領域を構成する結晶粒が、金属テープ材料の上面、及び下面それぞれの少なくとも一部を構成する構造を有する。すなわち、このような機械的特性を有する金属テープ材料では、<100>優先配向領域を構成する結晶粒は全て、金属テープ材料の一方の金属テープ面から他方の金属テープ面に貫通している。また、半田、又は導電性接着剤で被覆された金属テープ材料では、被覆材で被覆された金属芯材は、結晶構造が面心立方構造であり、金属芯材の上面、及び下面それぞれの少なくとも一部を構成する構造を有する。言い換えると、金属芯材は、<100>優先配向領域を構成する結晶粒が金属芯材の上面から下面に貫通した組織を有する。また好適には、<100>優先配向領域の結晶粒サイズは、400μm以上の大きさを有する。さらに、好適には、<100>優先配向領域は、内部に<212>優先配向領域を主体とした結晶軸<212>とは結晶方位が異なる結晶粒が分散して形成される。本明細書で使用される場合、用語結晶粒サイズは、金属テープ面などの所定の面で観察される1つの結晶の大きさをいい、所定の面で観察される結晶面の円相当径で表される。なお、所定の面で観察される結晶面が結晶粒内部に当該結晶と異なる方位を有する相を包含する場合も、結晶面の外周がテープ芯材の上下面を除き、切断点を有しないときは、観察される結晶は、1つの結晶であると判断される。また、本明細書で使用される場合、用語分散するは、結晶粒、又は相が種々の位置に配置されることをいう。このような機械特性を得ることにより、線実装時の熱膨張率の差熱収縮率の差による半導体のL方向の応力、及び歪みを大きく低減できる。この結果、実装時、及び使用時の金属テープ材料の破断、並びに金属テープ材料と半導体との間の接合部の剥離による故障を低減できる。本明細書で使用される場合、用語優先配向領域の面積率は、金属テープ材料を任意の断面で切断した切断面における、上記のように規定する方位範囲にある結晶粒の面積率上記のように規定する結晶粒の観察視野面積に対する面積の割合をいう。また、用語方位差は、ある結晶軸と、所定の方向との間に形成される回転角をいう。更に、結晶軸<100>、及び結晶軸<212>はそれぞれ、格子面100、及び212の法線方向をいう。なお、本発明は、半導体の実装などに使用される金属テープ材料であるので、観察視野面は、通常テープの幅広面、すなわち金属テープ面であることが望ましい。金属テープ面を観察視野面にすることにより、他の面を観察視野面にする場合よりも大きな面積での評価が可能であるためである。さらに、研磨等の試料を作製するとき、及び後方弾性散乱電子線回折法EBSD法:ElectronBack-scatteringDiffraction法等で方位測定するときに、角度誤差を小さくできる。しかしながら、他の面を観察視野面にすることも可能である。この場合、組織を代表する平均的なデータを取得するのに十分に大きな面積の測定を行ない、かつ試料を作製するとき、及び方位測定時に角度誤差が小さくすることが必要である。まず、方位差の指標を15°と規定する理由について、説明する。方位差の指標を15°と規定する理由は、0.2耐力等を指標とする降伏応力、強度、破断伸び等の機械的特性に大きく影響を与える粒界の定義を、回転角15°以上の方位差を有する結晶粒の界面とする場合が一般的であるからである。面心立方金属を含む立方晶において、結晶軸<001>と結晶軸<111>との間の最小の方位差は、54.4°である。また、結晶軸<100>と結晶軸<212>との間の最小の方位差は、48.1°である。また、結晶軸<001>と結晶軸<211>との間の最小の方位差は35.2°である。更に結晶軸<211>と結晶軸<212>との間の最小の方位差は、17.4°である。方位差の指標を15°とすることにより、これらの代表的な結晶軸の方位を主方位とする集合組織は区別される。次に、面心立方構造の単位格子の基本結晶軸<100>について、<100>優先配向領域の面積率A1が、60以上、好ましくは65以上であることを規定する理由について説明する。このように規定するのは、主として金属テープの降伏応力を低下させるためである。面心立方金属、特に太陽電池集電用インターコネクターなど半導体実装用材料として採用される銅、銀、アルミニウム、及び金は、他の方位と比較して<100>集合組織を容易に形成できる。このため、<100>集合組織を発達させて結合することによって、結晶粒を粗大化させることができる。<100>優先配向領域の面積率を大きくすることにより、線実装時に発生する熱収縮の差によるL方向の引張応力に対して、結晶粒界による拘束を減少させることが可能になる。また、引張応力で生成された転位が伝播する途中で、転位が結晶粒界に阻止されて拘束される可能性が低くなる。その結果、金属テープの降伏応力が低下して、半導体基板のL方向にかかる応力を低減することが可能になる。特に、太陽電池集電用インターコネクターとして金属テープ材料を使用するとき、<100>優先配向領域をテープ面内に形成する<100>結晶粒の結晶粒サイズが400μm以上である場合、0.2耐力を著しく減少させることが可能である。更に、<100>優先配向領域をテープ面内に形成する<100>結晶粒の結晶粒サイズが、800μm以上である場合、0.2耐力は著しく減少させることが可能である。面心立方金属は、<111>方位、及び<211>方位にも集合組織を形成することができる。しかしながら、<111>方位、及び<211>方位に集合組織を形成する場合、<100>方位に集合組織を形成するときよりも、シュミット因子が大きくなる。このため、降伏応力を小さくするとの観点から、金属テープの表面の法線方向、及び金属テープの面内において、それぞれの<100>軸が揃った<100>優先配向領域が大きい方が望ましい。また反対に、その他の方位を有する結晶粒が占める領域は、小さい方が望ましい。次に、<100>優先配向領域の面積率と<212>優先配向領域の面積率との合計であるA1A2面積率を70超であることを規定する理由を説明する。面心立方金属の場合、結晶軸<212>の方位は、<100>優先配向領域を有する集合組織の双晶のテープ面法線であり、またテープ面内の主方位に当たる。双晶境界は、粒界に比較して、降伏応力に与える影響は小さい。このため、本発明では、面心立方構造の単位格子の結晶軸<212>の<212>優先配向領域の面積率A2を考慮して、<100>優先配向領域の面積率と<212>優先配向領域の面積率との合計であるA1A2面積率を70超であることを規定する。好適には、<212>優先配向領域の面積率A2が0.2以上、12以下の面積率で、かつ<100>優先配向領域の中で分散して存在するとよい。このことによって、金属テープの長さ方向の0.2耐力を低く維持しながら、破断伸びが大きくなる。これにより、比較的厚い半導体基板に金属テープを接続した場合、金属テープの破断が起こりにくくなるという効果を奏する。テープ面内で、<100>優先配向領域を構成する1つの結晶粒内に囲まれて、かつ分散して存在する他の方位を有する相がある場合、その結晶粒の大きさは、<100>方位以外の分散相を含んだ大きさとして規定される。その界面が大傾角粒界である場合も同様である。テープ面内で、<100>優先配向領域の中に分散する<212>相の大きさは、円相当径で100μm以下、望ましくは30μm以下の大きさであるとき、特に破断伸びが大きくなる。金属テープは、2つの結晶軸<100>が主方位を有する集合組織を形成していればよい。金属テープの面内の結晶軸<100>の主方位は、必ずしもL方向と一致している必要はない。金属テープの面内の1つの結晶軸<100>の中心軸、すなわち集合組織の結晶軸<100>の主方位は、L方向とのなす角が0°以外で、W方向を中心軸として回転していることが好ましい。集合組織の結晶軸<100>の主方位をこのように規定することにより、シュミット因子を小さくでき、耐力を更に下げることができる。このために、金属テープと半導体基板との接合温度が高く、歪みが大きくなる場合に特に好ましい。しかしながら、金属テープ材料を半田などの金属ろうによって実装する場合、1つの結晶軸<100>の方向をL方向に一致させると、1つの結晶軸<100>の方向をL方向に一致させない場合よりも長さ方向の耐力は、大きくなる。しかしながら、この場合、ヤング率が低下するため、大きな不利とはならない。更に、低温で接合する場合は、1つの結晶軸<100>の方向をL方向に一致させることが、むしろ有利に作用する場合もある。なお、金属テープの表面の2つの結晶軸<100>がL方向、及びW方向に一致した金属テープは、所定の圧延、及び熱処理により製造できる。以上説明してきた効果は、原理的には、銅だけでなく、同様なすべり系を有する他の面心立方金属でも得られる。アルミニウムは、銅よりも比抵抗は高いが、弾性率、降伏応力が小さいという利点を有する。また銀は、銅と比較して高価であるが、弾性率、降伏応力、電気抵抗、いずれも低いという利点を有する。本発明の金属テープ材料は、太陽電池セルで生じる起電力を集電し、太陽電池セル同士を接続して送電する太陽電池集電用インターコネクターに良好に使用できる。この太陽電池集電用インターコネクターは、図1に示すように、太陽電池セル面上に線実装されるものである。本発明において、金属テープ材料を本発明に係る太陽電池集電用インターコネクターとした場合に、その断面形状、大きさは、用途に応じて適宜決定される。また、用途によっては、金属テープに他の金属を被覆して太陽電池集電用インターコネクターとすることができる。被覆用金属の厚さは、用途に応じて適宜決定される。特に、結晶シリコン型の太陽電池において、太陽電池集電用インターコネクターで使用する場合、金属テープの芯材は、幅が1mm以上、かつ5mm以下であり、厚さが50μm超、かつ300μm以下である範囲にあることが好ましい。一般に太陽電池集電用インターコネクターを介して直列接続される太陽電池セル群において、集電される電流は、2~4A程度である。このため、例えば、太陽電池セル当たり2本の太陽電池集電用インターコネクターが接合される場合、太陽電池集電用インターコネクター1本当たり最大で2Aの電流を通電する必要がある。また、電気抵抗による発熱などを考慮すると、銅、及び銀等の比較的電気抵抗の低い材料を使用した場合でも、太陽電池集電用インターコネクターの電流容量は、8A/mm2以下であることが必要である。太陽電池集電用インターコネクターのW方向の幅を広くすると受光面積が小さくなるため、太陽電池集電用インターコネクターのW方向の幅の上限は、5mmである。このため、太陽電池集電用インターコネクターに使用する場合、金属テープの厚さは、50μmを超えることが必要である。更にまた、金属テープの厚さが50μm以下である場合、金属テープの強度が低下することに加えて、破断伸びも低下する。このため、太陽電池集電用インターコネクターとして利用する場合、実装時、また使用時の破断の危険性が大きくなる。一方、現在使用される結晶型太陽電池の厚さ200μm程度を考慮すると、金属テープの厚さが300μmを超える厚さであることは好ましくない。金属テープの厚さが300μmを超えると、L方向の断面モーメントが大きくなり、接続時にセルの反りが大きくなる。このため、金属テープと、太陽電池セルとの間の接合部、又は太陽電池セルを破壊する危険性が大きくなる。このため、太陽電池集電用インターコネクターのW方向の幅は、少なくても1mmとすることが必要である。以上のことから、本発明の典型的な用途である結晶型太陽電池集電用インターコネクターの断面形状としては、1mm以上5mm以下の幅で、50μm超、望ましくは100μm超、300μm以下の厚さを有することが好適である。また、<100>優先配向領域を構成する結晶粒は、断面形状の上辺、及び下辺それぞれの少なくとも一部を構成するように、断面形状の上辺から下辺に貫通する構造を有することが好適である。さらに、断面形状の上辺、及び下辺それぞれでは、<100>結晶粒の結晶粒サイズが400μm以上であることが好適である。ここで、半田、又は導電性接着剤で被覆された金属テープ材料は、結晶構造が面心立方構造であり、金属芯材のテープ面の上面、及び下面それぞれの少なくとも一部を構成する構造を有する。言い換えると、金属芯材は、<100>優先配向領域を構成する結晶粒が金属芯材の上面から下面に貫通した組織を有する。本発明に係る集合組織を有する金属テープの形成方法は、具体的な方法に特定されない。しかしながら、例えば、金属テープの厚さ方向、長さ方向、幅方向にそれぞれ結晶軸<100>を配向した集合組織を有する金属テープを形成するために、金属テープ素材の圧延加工と再結晶とを利用してもよい。面心立方金属は、適切な加工、再結晶条件を選択することにより、加工方向に結晶軸<100>が配向される集合組織を形成することが可能である。しかしながら、極薄の金属箔と異なり、本発明の金属テープで集合組織を形成するためには、種々の条件下で加工処理を施す必要がある。面心立方金属は、圧延、及び伸線によって、再結晶組織が長さ方向に結晶軸<100>の方位が配向されることが知られている。本発明に係る集合組織を有する金属テープの形成方法では、金属板を一定の圧下率で冷間圧延して、所定の厚さまで冷間圧延し、かつ所定の幅にスリット加工を施す製造方法が好ましい。これは、<100>優先配向領域の発達と、<212>優先配向領域の発達とを比較すると、後者の方が優れるためである。また、金属板の冷間圧延によって圧延面に平行、かつ板状に延ばす加工組織は、特に板厚方向に垂直な方向に100再結晶粒を発達させるのに都合が良い。一方、金属線の伸線工程が主な加工工程である場合、この再結晶集合組織の発達を阻害する。本発明に係る集合組織を有する金属テープを形成するために、冷間加工率の高い圧延と、十分な再結晶熱処理とを行うとよい。ただし、<100>優先配向領域の面積率が99.8を超えるなど大きくなりすぎると、破断伸びが減少する。このように、冷間加工率を大きくすることが望ましいのではなく、最終冷間加工の熱履歴、加工履歴に応じた最適な加工率を採用することが望ましいことが理解される。50μm以下の金属箔の製造と異なり、十分な冷間加工率が取れない場合、異周速圧延等により、金属テープの厚さ方向にせん断歪みを与える。次いで、再結晶熱処理を実施し、更に一定以上の圧下率で冷間加工を行い、最後に再結晶熱処理を行う。このような処理により、冷間圧延圧下率が比較的小さくて済む。最終の再結晶熱処理温度は、金属の純度に依存する。工業的に用いられている高純度の銅、アルミニウム、銀を処理する場合、最終の再結晶熱処理温度は、180°C以上である。本発明に係る1つの実施形態である金属テープは、厚さ方向に結晶軸<100>を配向し、その他の2つの結晶軸<100>が長さ方向、幅方向に対してずれた集合組織を有する。このような集合組織を有する金属テープは、薄肉の太陽電池の集電用インターコネクターの材料として特に優れている。このような金属テープは、長さ方向のシュミット因子が小さくなり、耐力が小さくなるためである。このような金属テープは、最終厚さまで圧延した金属板を圧延方向とずれた角度で切り出すことにより、製造することができる。シュミット因子を圧延方向から22.5°ずらして加工したとき、降伏応力が最も小さくなる。しかしながら、5°ずらした場合でも5程度、降伏応力を小さくすることができる。半田で被覆された太陽電池集電用インターコネクターに使用される金属テープを製造するとき、半田が金属テープ全面に亘って塗布されることが耐食性の観点から望ましい。このため、金属テープを半田めっきする前に、金属テープにスリット加工を施すことは、より望ましい。また、溶融半田めっき工程を、再結晶熱処理工程としてもよい。しかしながら、溶融半田めっき工程で処理温度が高く、及び/又は処理時間が長過ぎることは、好ましくない。半田と金属テープ芯材との間に脆性の金属間化合物が必要以上に成長する場合があるためである。更に、光輝焼鈍を行った後、連続して溶融半田めっきを行うことにより、金属テープの酸化物除去、再結晶熱処理、及び半田めっきを、同時に行うことができる。この場合、金属間化合物の過大な成長を避けるために溶融半田めっきの浸出時間を下げることが好ましい。また、これらの処理の前に酸化膜を除去するためには、光輝焼鈍のラインスピードを上げ、かつ光輝焼鈍温度を上げることが望ましい。さらに、光輝焼鈍のラインスピードを上げ、再結晶による軟質化と表面酸化物の除去とを同時に達成するためには、光輝焼鈍炉の温度は、550°C以上であることが望ましい。半田メッキ工程の後の加工は、<100>集合組織が破壊され、金属の加工硬化により、耐力が向上してしまうため、強い加工は加えない方が望ましい。ただし、半田メッキ工程の後、表面性状を整えるために圧延スキンパスのような軽い加工は入れてもよい。以下、本実施例に基づいて本発明を詳細に説明するが、これは本発明の例を示すものであり、本発明は、実施例によって何ら限定されるものではない。銅の金属テープ材料は、以下に示すいくつかの異なる手法により、作製された。更に、作製された金属テープ材料を用いて太陽電池の集電用インターコネクターとし、その実装を模擬した試験を実施した。また、本発明の材料の機械的特性、及び組織の特徴を確認するために、従来の太陽電池集電用インターコネクターについても作製し、試験を実施した。実施例1本実施例では、以下のA~Dの4つの加工方法により、金属テープ材料が作製された。作製された金属テープ材料は、厚さ160μm×幅2mm、純度99.99の無酸素銅の金属テープ平角線材料である。なお、加工方法C及びDにより作製された金属テープ材料は、すべて比較例として作製されたものである。加工方法Aでは、金属テープ材料は、厚さ10mmの銅熱延性板を異周速圧延機で上下のロール周速差4で2mmまで圧延し、次いでバッチ炉においてAr気流中で300°C×30分の中間熱処理を行う。次いで、冷間圧延機で160μmまで圧延し、次いで、幅2mmのスリット加工をして作製された。加工方法Bでは、金属テープ材料は、スリット加工前までは加工方法Aと同様に製造されたが、最後のスリット加工においてスリットが圧延方向に対して5°傾けて製造される点で異なる。加工方法Cでは、金属テープ材料は、加工方法A及びBで用いたものと同一の無酸素銅からなる直径20mmの丸棒を直径5mmまでスエージング加工した。その後、直径2mmまで引抜加工を施し、最後に幅2mm、厚さ160μmに圧延加工して製造された。加工方法Dでは、金属テープ材料は、加工方法Aで用いたものと同じ厚さ10mmの銅熱延性板を通常の圧延機で2mmまで圧延し、バッチ炉においてAr気流中で300°C×30分の中間熱処理を行った。その後冷間圧延機で160μmまで圧延し、更にその後幅2mmのスリット加工をして作製された。上記4種類の加工方法で製造された金属テープ材料は、管状電気炉を使用して、Ar気流中、10m/分の走行速度で、連続的に熱処理された。熱処理は、いくつかの熱処理温度条件下で実施された。次いで、Sn-1.2massAg-0.5massCu合金溶融半田槽を通過させた。更に、スキンパスを施して、金属テープ材料の周囲を厚さ20μmの半田で被覆した。この処理による金属テープ材料の厚さの変化はほとんど見られなかった。金属テープ材料の組織を評価するとき、金属テープ材料は、後方弾性散乱電子線回折法EBSD法:ElectronBack-scatteringDiffraction法により測定された。EBSD法では、X線回折法と異なり、一つの面から3次元の結晶方位を解析することが可能である。金属テープ材料の結晶方位測定は、金属テープ材の幅広面中央部を研磨して銅を露出させた後に、コロイダルシリカを用いて最終仕上げ研磨を行った部分で実施された。また結晶方位測定は、金属テープ材料が有する800μm×1600μmの領域を1~4μmの間隔毎に測定することにより実施された。金属テープ材料の厚さ方向と圧延方向とに対して、結晶軸<100>が、±15°以内の角度を有する方位にある点の割合の、全測定点に対する割合を、<100>優先配向領域の面積率A1の測定割合として規定した。同様に、金属テープ材料の厚さ方向と圧延方向とに対して、結晶軸<212>が、±15°以内の角度を有する方位にある点の割合の、全測定点に対する割合をそれぞれ、<212>優先配向領域の面積率A2の測定割合として規定した。本測定では、測定領域が十分大きく、かつ測定間隔が十分細かいため、これらの測定値から、<100>優先配向領域の面積率A1及び<212>優先配向領域の面積率A2を求めることができる。金属テープ材料の0.2耐力は、引張試験によって測定された。半田層の厚さ及び被覆方法が全ての金属テープ材料で同一であるため、測定した0.2耐力の差は、金属テープ芯材材料の特性の差によるものである。太陽電池への実装評価において使用された多結晶シリコンの太陽電池ウエハは、156mm角、厚さ180μmであり、ウエハ中心線から対象に間隔80mmで2本の平行電極がウエハの一辺に平行して設けられる。電極は、銀ペーストを焼き付けて形成され、約10μmの厚さを有する。線実装は、金属テープ材料集電用インターコネクターを電極に沿ってウエハに溶着リフローさせることにより実施された。リフローは、アルゴン熱処理炉において、ウエハ上に配置された集電用インターコネクターに1kPaの荷重を印加することにより実施された。リフロー温度は250°Cであった。線実装した後、室温25°Cまで自然冷却し、その後、荷重が取り除かれた。その結果、ウエハには、線実装のL方向、金属テープ材料側を内側に反りが見られた。これは、金属テープ材料が多結晶シリコンの太陽電池ウエハよりも大きな熱膨張係数を有するためにリフロー後に室温に自然冷却した時に生じる熱収縮量の差に起因する。反りの程度は、金属テープ材料によって大きく異なった。なお、反りの程度は、ウエハの最大高低差を反り量として評価した。以下の表1に、それぞれの金属テープ材料の<100>優先配向領域の面積率A1、<212>優先配向領域の面積率A2、その総和A1A2、0.2耐力、及び反り量の評価結果を示す。<100>優先配向領域の面積率A1及び<212>優先配向領域の面積率A2はそれぞれ、金属テープ材料の厚さ方向、及び圧延方向の2つの方向について算出したが、表1には、いずれか小さい値のみ示される。なお、多くの場合、集合組織の結晶軸<100>及び結晶軸<212>の集積度は、金属テープ材料の厚さ方向より、圧延方向の方が大きかった。このように求められた面積率は、銅の単位格子のそれぞれの結晶軸が、テープの厚さ方向に対して方位差15°以内で、テープ材料面内の一方向に対して方位差15°以内である優先配向領域の面積率とほぼ一致した。また、反り量が2.0mm以下のものは、反った部分を強制的に平坦に戻しても、金属テープ材料と太陽電池ウエハとの間の接合部、及び太陽電池ウエハが破損しなかった。このことから、反り量が2.0mm以下のものは、金属テープ材料として問題ない範囲と評価した。加工方法Aと加工方法Bとを比較すると、集電用インターコネクターの<100>優先配向領域、及び<212>優先配向領域の割合は、双方でほぼ同じである。しかしながら、加工方法Aで製造した集電用インターコネクターの<100>優先配向領域における結晶軸<100>の中心方位主方位は、金属テープ材料の厚さ方向と長さ方向とに一致していたのに対し、加工方法Bで製造した集電用インターコネクターの結晶軸<100>の主方位は、金属テープ材料の厚さ方向と一致していたが、長さ方向とは5°ずれていた。なお、試料7の<100>優先配向領域及び<212>優先配向領域の割合が、100と表記され、また、試料8の<100>優先配向領域が100と表記されているが、これは小数点1位以下を四捨五入した結果であり、完全に両方位で占められていたわけではない。表1に示す結果から、特定の加工方法で加工を行い、一定温度以上で熱処理を施すことによって、金属テープ材料の0.2耐力が小さく、金属テープ材料を接続したウエハの反り量が小さい集合組織の集電用インターコネクターとすることができたことが示される。一方、丸線から圧延を行う加工方法Cの製造方法では、所定の反り量以下となる集電用インターコネクターを製造することができなかったことが示される。これは、引抜加工の歪みの導入が、圧延加工に比較して、再結晶後の結晶軸<100>の方位の発達に適さなかったためである。また、加工方法Aと加工方法Dとを比較すると、同じ熱処理条件では加工方法Aの方が優れた集電用インターコネクターを作製することができたことが理解される。これは熱間圧延の途中でせん断ひずみを導入した効果があったからである。更に、加工方法Bで製造した集電用インターコネクターが加工方法Aで製造した集電用インターコネクターとほぼ同じ<100>優先配向領域、及び<212>優先配向領域であったが、反り量が小さく、優れた特性を示したのは、長さ方向と結晶軸<100>の主方位とが5°ずれていたためであり、シュミット因子が小さくなり、長さ方向の耐力が小さくなったためである。表1に示す結果から、金属テープ材料の集合組織と反り量とには密接な関係があり、太陽電池ウエハが所定の反り量より小さくするためには、基本結晶軸<100>が、金属テープの厚さ方向と金属テープ面内の一方向とに対して、それぞれ方位差15°以内である<100>優先配向領域の面積率A1が60以上100以下であり、かつ、結晶軸<212>が、金属テープの厚さ方向と金属テープ面内の一方向に対して、それぞれ方位差15°以内である<212>優先配向領域の面積率A2として、<212>優先配向領域の面積率と<100>優先配向領域の面積率との合計A1A2が、70超100以下である金属テープ材料が好適であること分かった。実施例2本実施例では、純度99.9のタフピッチ銅板を用いて銅の金属テープ材料が作製された。更に、作製された金属テープ材料を使用して太陽電池の集電用インターコネクターとし、その実装を模擬した試験を実施した。作製した金属テープ材料の厚さは、160μmであり、実施例1と同である。また、加工方法は、実施例1の加工方法Aと同じである。加工した金属テープ材料は、管状電気炉を使用して、Ar気流中、10m/分の走行速度で、連続的に加熱熱処理された。加熱処理は、いくつかの熱処理温度条件下で実施された。実施例2では実施例1と異なり、半田被覆は実施されなかった。その代わりに、金属テープ材料と太陽電池セルとは、実装時に幅3mm、厚さ30μmのSn-3.0massAg-0.5massCu半田リボンを介して接合された。太陽電池への実装評価に使用された多結晶シリコンの太陽電池ウエハは、実施例1と同様に、156mm角、厚さ180μmであり、ウエハ中心線から対象に間隔80mmで2本の平行電極がウエハの一辺に平行して設けられる。電極は、銀ペーストを焼き付けて形成され、約10μmの厚さを有する。線実装は、このウエハに電極に沿って金属テープ材料集電用インターコネクターを溶着リフローすることにより実施された。リフローは、アルゴン熱処理炉において、半田リボンを挟んでウエハ上に配置された集電用インターコネクターに1kPaの荷重を引加して実施された。リフロー温度は250°Cであった。以下の表2に、実施例1と同じ方法で評価したそれぞれの金属テープ材料の<100>優先配向領域の面積率A1、<212>優先配向領域の面積率A2、その総和A1A2、0.2耐力、及び反り量の評価結果を示す。実施例1と同様に、反り量が2.0mm以下のものは、反った部分を強制的に平坦に戻しても、金属テープ材料と太陽電池ウエハとの間の接合部、及び太陽電池ウエハが破損しなかった。このことから、反り量が2.0mm以下のものは、金属テープ材料として問題ない範囲と評価した。<100>優先配向領域の面積率A1、及び<212>優先配向領域の面積率A2は、金属テープ材料の厚さ方向、及び圧延方向の2つの方向について算出したが、表2には、いずれか小さい値のみ示される。なお、殆どの場合において、集合組織の結晶軸<100>及び結晶軸<212>の集積度は、金属テープ材料の厚さ方向より、長さ方向の方が大きかった。このように求められた面積率は、銅の単位格子のそれぞれの結晶軸が、テープの厚さ方向に対して方位差15°以内で、テープ材料面内の一方向に対して方位差15°以内である優先配向領域の面積率とほぼ一致した。表2に示す結果からも、金属テープ材料の集合組織と反り量とには密接な関係があり、太陽電池ウエハが所定の反り量より小さくするためには、基本結晶軸<100>が、金属テープ材料の厚さ方向と金属テープ面内の一方向とに対して、それぞれ方位差15°以内である<100>優先配向領域の面積率A1が60以上100以下であり、かつ、結晶軸<212>が、金属テープの厚さ方向と金属テープ面内の一方向に対して、それぞれ方位差15°以内であるとする<212>優先配向領域の面積率A2として、<212>優先配向領域の面積率と<100>優先配向領域の面積率との合計A1A2が、70超100以下である金属テープ材料が好適であること分かった。実施例3本実施例では、金属テープ材料芯材は、銅合金、アルミニウムを用いて作製された。更に、作製された金属テープ材料を使用して太陽電池の集電用インターコネクターとし、その実装を模擬した試験が実施された。金属テープ材料の素材は、純度99.99の純アルミニウム、Cu-0.2Ni合金、及び比較例としてCu-0.07In合金銅の純度で99.93であり、それぞれ8mmの厚さを有する熱延版である。この3種類の素材を用いて、以下の加工方法Eにより金属テープ材料を加工した。作製された金属テープ材料は、厚さ200μm×幅1.5mmの金属テープ平角線である。加工方法Eでは、厚さ12mmのそれぞれの素材の熱延性板を異周速圧延機により上下のロール周速差5で1.5mmまで圧延し、次いでバッチ炉においてAr気流中で300°C×30分の中間熱処理を実施した。その後冷間圧延機で200μmまで圧延し、その後幅1.5mmのスリット加工を実施して作製された。その後、金属テープ材料は、管状電気炉を使用して、Ar気流中、10m/分の走行速度で、連続的に熱処理された。熱処理温度は、400°Cであった。その後、素材が純アルミニウムである金属テープ材料は、0.2μm厚の無電解ニッケルめっきが施された。以上の3種の金属テープ材料を芯材として、電気めっきによって、周囲を厚さ20μmのSn-1massCu半田で被覆した。以上、加工、熱処理、半田めっき条件を同じ条件にして、純度99.99の純アルミニウム、Cu-0.2Ni合金、及び比較例としてCu-0.07In合金を素材とする金属テープ材料をそれぞれ試料26、試料27、試料28とした。金属テープ材料の組織は、前述の後方弾性散乱電子線回折法EBSD法で測定し、評価した。EBSD法は、X線回折法と異なり、一つの面から3次元の結晶方位を解析することが可能である。金属テープ材料の結晶方位測定は、金属テープ材料の幅広面中央部を研磨して露出させ、コロイダルシリカを用いて最終仕上げ研磨を行った部分で実施された。また結晶方位測定は、800μm×1600μmの領域を1~4μmの間隔毎に測定することにより実施された。金属テープ材料の厚さ方向と圧延方向長さ方向とに対して、結晶軸<100>と結晶軸<212>とが、それぞれ±15°以内の角度を有する方位にある点を、全測定点に対する割合として定義した。測定領域が十分大きく、測定間隔が十分細かいため、これらの値から、<100>優先配向領域の面積率A1及び<212>優先配向領域の面積率A2を求めることができる。金属テープ材料の0.2耐力は、引張試験によって測定した。半田層の厚さ及び被覆方法は同じであるため、測定した0.2耐力の差は、金属テープ材料芯材の特性の差によるものといえる。太陽電池への実装評価において使用された多結晶シリコンの太陽電池ウエハは、156mm角、厚さ200μmであり、ウエハ中心線から対象に間隔80mmで2本の平行電極がウエハの一辺に平行して設けられる。電極は、銀ペーストを焼き付けて形成され、約10μmの厚さを有する。線実装は、金属テープ材料集電用インターコネクターを電極に沿ってウエハに溶着リフローさせることにより実施された。リフローは、アルゴン熱処理炉において、ウエハ上に配置された集電用インターコネクターに1kPaの荷重を印加することにより実施された。このとき、リフロー温度は250°Cであった。線実装した後、室温25°Cまで自然冷却し、その後、荷重が取り除かれた。その結果、ウエハには、線実装のL方向、金属テープ材料側を内側に反りが見られた。これは、金属テープ材料が多結晶シリコンの太陽電池ウエハよりも大きな熱膨張係数を有するために、リフロー後に室温に自然冷却した時に生じる熱収縮量の差に起因する。反りの程度は、金属テープ材料によって大きく異なった。なお、反りの程度は、ウエハの最大高低差を反り量として評価した。表3に、それぞれの金属テープ材料の<100>優先配向領域の面積率A1、<212>優先配向領域の面積率A2、その総和A1A2、0.2耐力、及び反り量の評価結果を示す。<100>優先配向領域の面積率A1及び<212>優先配向領域の面積率A2は、金属テープ材料の厚さ方向、及び圧延方向の2つの方向について算出したが、表1には、いずれか小さい値のみ示される。なお、多くの場合、集合組織の結晶軸<100>及び結晶軸<212>の集積度は、金属テープ材料の厚さ方向より、長さ方向の方が大きかった。このように求められた面積率は、銅の単位格子のそれぞれの結晶軸が、テープの厚さ方向に対して方位差15°以内で、テープ材料面内の一方向に対して方位差15°以内である優先配向領域の面積率とほぼ一致した。また、反り量が2.0mm以下のものは、反った部分を強制的に平坦に戻しても、金属テープ材料と太陽電池ウエハとの間の接合部、及び太陽電池ウエハが破損しなかった。このことから、反り量が2.0mm以下のものは、金属テープ材料として問題ない範囲と評価した。表3に示す結果から、高純度の銅でなくとも、本発明で示した条件を満たせば、降伏応力が低く、線実装時の熱歪みを低減できる金属テープ材料とすることができることがわかった。アルミニウムは純銅より電気抵抗が高いが、電流密度が小さくて済む用途に有用であるといえる。また、不純物を多く含む銅であっても、本発明で示した組織形態を取らせることができれば、耐力が小さな金属テープ材料とすることが可能であり、太陽電池の集電用インターコネクター材料として有用である。実施例4純度99.9のタフピッチ銅を材料として銅製の金属テープ材料を作製して、組織を評価するとともに、半導体実装用テープ導体としての性能を評価した。金属テープ材料に使用されるタフピッチ銅は、幅330mm、厚さ30mmのJISC1100の○材を母材する。この母財を幅400mm、25mmの厚さになるまで最高600°Cの温度にて熱間圧延を施した。その後、圧延方向を90°変えて、厚さ20mmまで冷間圧延を施した。更に、異周速圧延機で上下のロール周速差5で所定の厚さまで圧延し、バッチ炉においてAr気流中で30分の中間熱処理を行った。次いで、冷間圧延機で150μmまで冷間圧延した。次いで、幅1.5mmのスリット加工をして銅テープ材料を作製した。次いで、溶融めっきによって、厚さ30μmの半田被覆をして、半田めっき平角銅線として金属テープ材料を製造した。半田の材質は、Sn-1.2massAg-0.5massCu-0.05massNiとした。アルゴン気流中のバッチ炉による熱処理温度は、400°C、及び800°Cの2つの水準とした。いずれの温度での熱処理においても、熱処理後の中間材料は、結晶粒径が異なるが、完全に再結晶していた。この中間熱処理温度と、その後の処理における0.15mmまでの冷間加工率とを変更することにより、様々なタフピッチ銅芯材組織を有する平角銅線とした。溶融めっきは、光輝焼鈍炉、及び溶融めっき炉で構成されたロールツウロールの連続めっき炉を用いて実施された。5の水素を含んだ窒素ガスが流れる光輝焼鈍管状炉の管内を、厚さ0.15mm、幅1.5mmのタフピッチ銅芯材を10m/min.の速さで通線させた。次いで、タフピッチ銅芯材を、そのまま大気中に配置されることなく、溶融めっき槽内を通過させた。光輝焼鈍炉の温度は、600°Cであり、溶融めっき槽の温度は300°Cであった。金属テープ材料の組織は、後方弾性散乱電子線回折法EBSD法:ElectronBack-scatteringDiffraction法で測定し、評価された。EBSD法は、X線回折法と異なり、一つの面から3次元の結晶方位を解析することが可能である。金属テープ材料の結晶方位測定は、金属テープ材料の幅広面中央部を研磨して露出させ、コロイダルシリカを用いて最終仕上げ研磨を行った部分で実施された。また結晶方位測定は、800μm×1600μmの領域を1~4μmの間隔毎に測定することにより実施された。金属テープ材料の厚さ方向と圧延方向長さ方向とに対して、結晶軸<100>と結晶軸<212>とが、それぞれ±15°以内の角度を有する方位にある点を、全測定点に対する割合として定義した。測定領域が十分大きく、測定間隔が十分細かいため、これらの値から、<100>優先配向領域の面積率A1及び<212>優先配向領域の面積率A2を求めることができる。金属テープ材料の0.2耐力は、引張試験によって測定した。テープ材料の0.2耐力、破断伸びは、引張試験機を使用して、評点間距離100mm、引張速さ10mm/min.の条件で測定した。測定値は、測定した7本のテープ材料の測定値の平均値を採用した。半田層の厚さ及び被覆方法は同じであるため、前記測定した0.2耐力の差は、金属テープ芯材材料の特性の差によるものといえる。太陽電池への実装評価において使用された多結晶シリコンの太陽電池ウエハは、125mm角、厚さ150μmであり、ウエハ中心線から対象に間隔60mmで2本の平行電極がウエハの一辺に平行に設けられる。電極は、銀ペーストを焼き付けて形成され、約20μmの厚さを有する。線実装は、金属テープ材料集電用インターコネクターを電極に沿ってウエハに溶着リフローさせることにより実施された。リフローは、アルゴン熱処理炉において、ウエハ上に配置された集電用インターコネクターに1kPaの荷重を印加することにより実施された。このとき、リフロー温度は255°Cであった。線実装した後、室温25°Cまで自然冷却し、その後、荷重が取り除かれた。その結果、ウエハには、線実装のL方向、金属テープ材料側を内側に反りが見られた。これは、金属テープ材料が多結晶シリコンの太陽電池ウエハよりも大きな熱膨張係数を有するために、リフロー後に室温に自然冷却した時に生じる熱収縮量の差に起因する。反りの程度は、金属テープ材料によって大きく異なった。なお、反りの程度は、ウエハの最大高低差を反り量として評価した。表4に、それぞれの金属テープ材料の中間熱処理温度、その後の冷間圧延率、それぞれの金属テープ材料の<100>優先配向領域の面積率A1、<212>優先配向領域の面積率A2、その総和A1A2、0.2耐力、及び破断伸び率を示す。より望ましい範囲を出すために、優先配向領域の面積率は、単位格子の結晶軸<100>、及び<212>が、テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に該金属テープ材料面内の一方向に対して方位差15°以内である面積率を小数点第一位まで算出した。本実施例では、単位格子の結晶軸<100>の1方位はテープの長さ方向、すなわち最終冷間圧延方向とほぼ一致した。表4に示す結果から、特定の中間熱処理温度、加工条件にて製造することによって、最終熱処理条件が同じでも、0.2耐力、破断伸びが異なる平角銅テープ材料が得られることが分かった。さらに、それぞれの材料を太陽電池集電用インターコネクターに線接合する模擬試験により、半導体ウエハに生じる反り量が材料ごとに異なることが分かった。これは、この材料の銅芯材の組織が異なるためである。反りが生じたウエハに、平板を押しつけて反りが生じた部分を強制的に平坦にした。この結果、反り量が1.6mm以上であった半導体ウエハでは、局所的に半導体ウエハにクラックが生じ、又は焼成された金属テープ材料の銀ペーストと半導体ウエハとの間の界面で剥離が生じた。したがって、1.5mmの反り量を基準として、集電用インターコネクター材料としての可否を判定した。1.5mmの反り量である基準を満たしている組織は、単位格子の結晶軸<100>が、テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に該金属テープ材料の長さ方向に対して方位差15°以内である、<100>優先配向領域の面積率A1が、60以上100以下であり、結晶軸<212>が、金属テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に該金属テープ材料面内の長さ方向に対して方位差15°以内である、<212>優先配向領域の面積率をA2として、前記<212>優先配向領域の面積率と前記<100>優先配向領域の面積率との合計A1A2が、70超100以下であることがわかった。このような組織を有する金属テープ材料は、<100>優先配向領域が極めて発達することにより、同一方位を有する結晶粒が結合し、結晶粒径が粗大化している。このため、金属テープ材料は、結晶粒界によって転位が拘束されにくいため、半田溶融後の冷却のときに生じる熱応力によって塑性変形する際の降伏力が小さくなる。結晶粒が結合し、一つの結晶粒としてふるまう場合には、<100>軸の2軸が揃っていることが望ましい。実施例1~4において作製された金属テープ材料について、EBSD法の解析結果を使用して、その組織を調べた。その結果、単位格子の結晶軸<100>が、テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に金属テープ材料の長さ方向に対して方位差15°以内である、<100>優先配向領域の面積率A1が、60以上である時、<100>優先配向領域を形成する<100>結晶粒は、金属テープ芯材の一方の金属テープ面から他方の金属テープ面に貫通していた。テープ面内においては、<100>結晶粒の結晶粒サイズは、400μm以上であった。<100>結晶粒の結晶粒サイズは、内部に異なる方位を有する結晶粒を含有しても、それがテープ面内で1つの<100>結晶粒に含有されているならば、方位の異なる結晶を含有した大きさとした。ここで、<100>結晶粒内部に包含される異なる方位を有する相の結晶粒サイズは、100μm以下であった。内部に含有する方位の異なる結晶は、単位格子の結晶軸<212>が、金属テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に該金属テープ材料面内の一方向に対して方位差15°以内である方位を有する結晶方位を有するものが多かった。特にこの結晶方位を有する相の面積率A2が、0.2以上10以下であり、この<212>優先配向領域の面積率と<100>優先配向領域の面積率との合計A1A2が、70超100以下であった時、0.2耐力が小さく、かつ破断伸びが大きくなる半導体実装用テープ導体材料として、より望ましい機械的特性を有することがわかった。図3は、試料番号34の材料の銅テープ面の幅広面内の組織を結晶方位ごとにグレースケールで色分けして示す図である。試料番号34の材料は、実施例3の中で0.2耐力が最も小さく、かつ破断伸びが最も大きい。このため、試料番号34の材料は、半導体実装用テープ導体材料として最も望ましい機械的特性を有するといえる。図3において、視野の大きさは800μm×1600μmであり、長辺方向は、集電用インターコネクターのL方向3である。また、短辺方向は、集電用インターコネクターのW方向5である。単位格子の結晶軸<100>が、テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に金属テープ材料の長さ方向に対して方位差15°以内である、<100>優先配向領域8がグレー色で示される。単位格子の結晶軸<100>が、テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に金属テープ材料の長さ方向に対して方位差15°以内である、<212>優先配向領域9が黒色で示される。それ以外の方位を向いている領域10が白色で示される。更に結晶粒界11が実線で示される。表4に示したように、<100>優先配向領域の面積率A1が、88.9、<212>優先配向領域の面積率をA2は、4.1である。<100>優先配向領域8を構成する結晶粒は、結晶粒の内部に他の方位の結晶粒を有する相を含有する。図3に示される試料番号34の試料は、一部は結晶粒界であるが、<100>優先配向領域8が試料全体を覆っており、試料を1つの結晶粒とみなすことができる。したがって、この結晶粒の結晶粒サイズは、テープ面内方向に800μm×1600μm以上の大きさを有する。また、この結晶粒は、試料番号34の試料の一方の面から他方の面に貫通していた。その結果として、この材料の0.2耐力は小さくなった。また、この材料の破断伸びが大きいのは、<100>優先配向領域内8に、結晶粒サイズが30μm以下の<212>方位を有する相9が分散して含有されていることによる。実施例5本発明の材料が結晶型太陽電池集電用インターコネクターとして優れた効果を有することを示すため、市販される結晶型太陽光パネルで使用される集電用インターコネクターの組織、及び機械的特性を調査した。組織と機械的特性とが損なわれないよう集電用インターコネクターには熱的、機械的負荷は、かかっていない。まず、太陽個パネルからウオータージェットを用いて、幅10mm、長さ150mmの集電用インターコネクターの小片を集電用インターコネクターの周りの受光面側ガラスともに裏面プラスチックシートごとに切り出した、この剛体小片を、N-プロピルブロマイドに浸出して、集電用インターコネクターの周囲部材を溶解して、長さ150mmの集電用インターコネクターを切り出した。切り出した集電用インターコネクターの組織は、後方弾性散乱電子線回折法EBSD法:ElectronBack-scatteringDiffraction法で測定し、評価された。EBSD法は、X線回折法と異なり、一つの面から3次元の結晶方位を解析することが可能である。金属テープ材料の結晶方位測定は、金属テープ材料の幅広面中央部を研磨して露出させ、コロイダルシリカを用いて最終仕上げ研磨を行った部分で実施された。また結晶方位測定は、800μm×1600μmの領域を1~4μmの間隔毎に測定することにより実施された。金属テープ材料の厚さ方向と圧延方向長さ方向とに対して、結晶軸<100>と結晶軸<212>とが、それぞれ±15°以内の角度を有する方位にある点を、全測定点に対する割合として定義した。測定領域が十分大きく、測定間隔が十分細かいため、これらの値から、<100>優先配向領域の面積率A1及び<212>優先配向領域の面積率A2を求めることができる。金属テープ材料の0.2耐力は、引張試験によって測定した。テープ材料の0.2耐力、破断伸びは、引張試験機を使用して、評点間距離100mm、引張速さ10mm/min.の条件で測定した。測定値は、測定した7本のテープ材料の測定値の平均値を採用した。以下の表5に、それぞれの集電用インターコネクターの<100>優先配向領域の面積率A1、<212>優先配向領域の面積率A2、その総和A1A2、0.2耐力、破断伸び率を示す。いずれの集電用インターコネクターも、<100>優先配向領域の面積率A1は小さく、0.2耐力は、本発明の範囲にある材料に比較して大きかった。また、破断伸びも低い値を示した。図4、並びに図5はそれぞれ、EBSDの結果を解析して得た試料番号46、並びに試料番号49の集電用インターコネクターの幅広面内の組織を示す図である。視野の大きさは800μm×1600μmであり、長辺方向は、集電用インターコネクターのL方向3である。また、短辺方向は、集電用インターコネクターのW方向5である。単位格子の結晶軸<100>が、テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に金属テープ材料の長さ方向に対して方位差15°以内である、<100>優先配向領域8がグレー色で示される。単位格子の結晶軸<100>が、テープ材料の厚さ方向に対して方位差15°以内であり、更に金属テープ材料の長さ方向に対して方位差15°以内である、<212>優先配向領域9が黒色で示される。それ以外の方位を向いている領域10が白色で示される。更に結晶粒界11が実線で示される。試料番号46は、本実施例で0.2耐力が最も小さかった試料である。しかしながら、試料番号46の0.2耐力は、本発明の集電用インターコネクターの0.2耐力に比較して大きい。これは、<100>優先配向領域の面積率A1が未発達で、大きな結晶粒が形成されていないためである。また、試料番号49の試料は、<100>優先配向領域の面積率A1が最も大きかった試料である。しかしながら、試料番号49の<100>優先配向領域の面積率A1は、が本発明の規定値に達していない。また、試料番号49の結晶粒径は、試料番号46の結晶粒径に比較しても小さくなっている。その結果、試料番号49の0.2耐力が高い値を示した。これは、ホールペッチの法則に従い、結晶粒界による変形の拘束により、降伏応力が大きくなった結果である。実施例で調査された集電用インターコネクターは、全て多結晶体であった。試料番号46の試料は、最も大きい幅広面内の結晶粒径を有したが、結晶粒径の円相当径が300μm以下であった。これから、本発明の金属テープ材料は、太陽電池集電用インターコネクターとして特徴的な組織を有し、優れた機械的特性を有する材料ということができる。