"接合面を有するバッキングプレートと、第1の軸方向に沿って形成される第1の端部と、前記接合面と対向する第1の面と、前記第1の端部に沿って形成され前記第1の面から前記接合面に向かって突出する第1の凸部とを有し、前記接合面に配置される第1のターゲット片と、前記第1の端部と前記第1の軸方向と交差する第2の軸方向に対向する第2の端部と、前記接合面と対向する第2の面と、前記第2の端部に沿って形成され前記第2の面から前記接合面に向かって突出する第2の凸部とを有し、前記接合面に配置される第2のターゲット片と、前記接合面と前記第1及び第2のターゲット片との間に形成される接合層とを具備するターゲットアッセンブリ。請求項1に記載のターゲットアッセンブリであって、前記第1の凸部は、前記第1の端部に形成され、前記第2の凸部は、前記第2の端部に形成されるターゲットアッセンブリ。請求項1又は2に記載のターゲットアッセンブリであって、前記第1の凸部は、前記接合面と対向し前記第1の軸方向に沿って形成される第1の頂面を有し、前記第2の凸部は、前記接合面と対向し前記第1の軸方向に沿って形成される第2の頂面を有するターゲットアッセンブリ。請求項3に記載のターゲットアッセンブリであって、前記第1の頂面と前記第2の頂面とは、前記第2の軸方向に沿って0.2mm以上の幅で形成されるターゲットアッセンブリ。請求項1~4のいずれか1項に記載のターゲットアッセンブリであって、前記第1の凸部と前記第2の凸部とは、0.2mm以上の高さで前記第1の面から前記接合面に向かって突出するターゲットアッセンブリ。請求項1~5のいずれか1項に記載のターゲットアッセンブリであって、前記第2の軸方向に沿って形成される第3の端部と、前記第3の端部に沿って形成され前記接合面に向かって突出する第3の凸部とを有し、前記接合面に前記接合層を介して配置される第3のターゲット片をさらに具備し、前記第1のターゲット片は、前記第3の端部と前記第1の軸方向に対向する第4の端部と、前記第4の端部に沿って形成され前記接合面に向かって突出する第4の凸部をさらに有するターゲットアッセンブリ。接合面を有するバッキングプレートと、前記接合面に間隙を介して配列された複数のターゲット片の集合体を含み、前記複数のターゲット片は、前記間隙に沿って形成され前記接合面に向かって突出する凸部をそれぞれ有するターゲット層と、前記接合面と前記複数のターゲット片との間に形成され、複数の前記凸部を介して前記接合面と前記複数のターゲット片とを相互に接合する接合層とを具備するターゲットアッセンブリ。バッキングプレートの接合面に複数配置されることが可能なスパッタリングターゲットであって、スパッタ面を形成する第1の面と、前記第1の面に対向し、前記接合面に接合される第2の面と、第1の軸方向に沿って形成される第1の端部と、前記第1の端部に沿って形成され前記第2の面から突出する第1の凸部と、前記第1の軸方向と交差する第2の軸方向に前記第1の端部と対向して形成される第2の端部と、前記第2の端部に沿って形成され前記第2の面から突出する第2の凸部とを具備するスパッタリングターゲット。しかしながら、特許文献1及び2のようなターゲット片間の間隙部に別部材を設置等する方法では、バッキングプレートとターゲットとの接合時に、当該別部材の配置が不安定となり、間隙部からの接合材の漏れを防ぐことが難しかった。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、ターゲット片間の間隙部から接合材の漏れを防ぐことが可能なターゲットアッセンブリ及びスパッタリングターゲットを提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るターゲットアッセンブリは、バッキングプレートと、第1のターゲット片と、第2のターゲット片と、接合層とを具備する。上記第1のターゲット片は、第1の軸方向に沿って形成される第1の端部と、上記接合面と対向する第1の面と、上記第1の端部に沿って形成され上記第1の面から上記接合面に向かって突出する第1の凸部とを有し、上記接合面に配置される。上記第2のターゲット片は、上記第1の端部と上記第1の軸方向と交差する第2の軸方向に対向する第2の端部と、上記接合面と対向する第2の面と、上記第2の端部に沿って形成され上記第2の面から上記接合面に向かって突出する第2の凸部とを有し、上記接合面に配置される。上記接合層は、上記接合面と上記第1及び第2のターゲット片との間に形成される。本発明の一形態に係るターゲットアッセンブリは、バッキングプレートと、第1のターゲット片と、第2のターゲット片と、接合層とを具備する。上記バッキングプレートは、接合面を有する。上記ターゲット層は、上記接合面に間隙部を介して配列された複数のターゲット片の集合体を含み、上記複数のターゲット片は、上記間隙部に沿って上記接合面に向かって突出する凸部をそれぞれ有する。上記接合層は、上記接合面と上記複数のターゲット片との間に形成され、複数の上記凸部を介して上記接合面と上記複数のターゲット片とを相互に接合する。本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットは、バッキングプレートの接合面に複数配置されることが可能なスパッタリングターゲットであって、第1の面と、第2の面と、第1の端部と、第1の凸部と、第2の端部と、第2の凸部とを具備する。上記第1の面は、スパッタ面を形成する。上記第2の面は、上記第1の面に対向し、上記接合面に接合される。上記第1の端部は、第1の軸方向に沿って形成される。上記第1の凸部は、上記第1の端部に沿って形成され上記第2の面から突出する。上記第2の端部は、上記第1の軸方向と交差する第2の軸方向に上記第1の端部と対向して形成される。上記第2の凸部は、上記第2の端部に沿って形成され上記第2の面から突出する。本発明の一実施形態に係るターゲットアッセンブリは、バッキングプレートと、第1のターゲット片と、第2のターゲット片と、接合層とを具備する。上記第1のターゲット片は、第1の軸方向に沿って形成される第1の端部と、上記接合面と対向する第1の面と、上記第1の端部に沿って形成され上記第1の面から上記接合面に向かって突出する第1の凸部とを有し、上記接合面に配置される。上記第2のターゲット片は、上記第1の端部と上記第1の軸方向と交差する第2の軸方向に対向する第2の端部と、上記接合面と対向する第2の面と、上記第2の端部に沿って形成され上記第2の面から上記接合面に向かって突出する第2の凸部とを有し、上記接合面に配置される。上記接合層は、上記接合面と上記第1及び第2のターゲット片との間に形成される。上記構成により、第1及び第2の凸部と上記接合面とは、第1及び第2のターゲット片における他の部分よりも狭い距離で対向する。すなわち、第1及び第2の凸部と上記接合面との間の接合層の厚みは、その他の部分における接合層の厚みよりも薄く形成されることが可能となる。このため、接合層を構成する接合材がスパッタ時の昇温によって軟化しても、第1及び第2の凸部と接合面との間を介してそれぞれ第1及び第2の端部側に漏れにくい構成となる。したがって、スパッタ時の熱膨張と冷却とによりターゲット片とバッキングプレートとが異なる熱膨張率で膨張と収縮とを繰り返しても、間隙部への接合材の漏出を抑制でき、スパッタ時の異常放電及び薄膜への接合材のコンタミネーション等を抑制することができる。上記第1の凸部は、上記第1の端部に形成され、上記第2の凸部は、上記第2の端部に形成されてもよい。これにより、第1及び第2の凸部を容易に製造することができる。また、接合層の体積を十分確保することが可能となり、バッキングプレートと第1及び第2のターゲット片との接合をより強固なものとすることができる。上記第1の凸部は、上記接合面と対向し上記第1の軸方向に沿って形成される第1の頂面を有し、上記第2の凸部は、上記接合面と対向し上記第1の軸方向に沿って形成される第2の頂面を有してもよい。例えば、上記第1の頂面と上記第2の頂面とは、上記第2の軸方向に沿って0.2mm以上の幅で形成されてもよい。上記構成によって、第1及び第2の頂面と接合面とは、ほぼ平行に対向させることができる。また、例えば上記の幅で第1及び第2の頂面を形成し、第1及び第2の頂面と接合面との距離を狭小に設定することにより、接合層が薄く形成される領域を十分確保することができる。したがって、接合材の間隙部への漏出をより抑制することが可能となる。上記第1の凸部と上記第2の凸部とは、0.2mm以上の高さで上記第1の面から上記接合面に向かって突出してもよい。これにより、接合層は、第1及び第2の凸部と接する領域よりも、それ以外の部分と接する領域の方が0.2mm以上厚く形成されることとなる。すなわち、接合層は、第1及び第2の凸部と接する領域以外の領域において、ターゲット片とバッキングプレートとの接合に十分な厚みを確保することができ、第1及び第2の凸部と接する領域を狭小に形成することが可能となる。このため、上記ターゲットアッセンブリは、ターゲット片とバッキングプレートとの接合が強固で、かつ間隙部への接合材の漏出を抑制することが可能な構成とすることができる。上記ターゲットアッセンブリは、上記第2の軸方向に沿って形成される第3の端部と、上記第3の端部に沿って形成され上記接合面に向かって突出する第3の凸部とを有し、上記接合面に上記接合層を介して配置される第3のターゲット片をさらに具備し、上記第1のターゲット片は、上記第3の端部と上記第1の軸方向に対向する第4の端部と、上記第4の端部に沿って形成され上記接合面に向かって突出する第4の凸部をさらに有してもよい。これにより、接合面上にターゲット片が3枚以上マトリックス状に配置されたターゲットアッセンブリであっても、間隙部への接合材の漏出を抑制することが可能な構成となる。本発明の一実施形態に係るターゲットアッセンブリは、バッキングプレートと、ターゲット層と、接合層とを具備する。上記バッキングプレートは、接合面を有する。上記ターゲット層は、上記接合面に間隙部を介して配列された複数のターゲット片の集合体を含み、上記複数のターゲット片は、上記間隙部に沿って形成され上記接合面に向かって突出する凸部をそれぞれ有する。上記接合層は、上記接合面と上記複数のターゲット片との間に形成され、複数の上記凸部を介して上記接合面と上記複数のターゲット片とを相互に接合する。本発明の一実施形態に係るスパッタリングターゲットは、バッキングプレートの接合面に複数配置されることが可能なスパッタリングターゲットであって、第1の面と、第2の面と、第1の端部と、第1の凸部と、第2の端部と、第2の凸部とを具備する。上記第1の面は、スパッタ面を形成する。上記第2の面は、上記第1の面に対向し、上記接合面に接合される。上記第1の端部は、第1の軸方向に沿って形成される。上記第1の凸部は、上記第1の端部に沿って形成され上記第2の面から突出する。上記第2の端部は、上記第1の軸方向と交差する第2の軸方向に上記第1の端部と対向して形成される。上記第2の凸部は、上記第2の端部に沿って形成され上記第2の面から突出する。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。<第1の実施形態>[ターゲットアッセンブリの構成]図1及び図2は、本実施形態に係るターゲットアッセンブリ1の構成を模式的に示す図であり、図1は斜視図、図2は図1の[A]-[A]方向から見た断面図である。本実施形態に係るターゲットアッセンブリ1は、バッキングプレート2と、ターゲット片第1のターゲット片T1と、ターゲット片第2のターゲット片T2と、接合層3とを具備する。本実施形態において、ターゲットアッセンブリ1は、平板状のバッキングプレート2上に、接合層3と、ターゲット片T1,T2とがZ軸方向に積層された構造を有する。なお、図において、X軸方向及びY軸方向は互いに直交する方向を示し、本実施形態において水平方向を示す。また、X軸方向は第1の軸方向、Y軸方向は第2の軸方向にそれぞれ対応する。Z軸方向はX軸方向及びY軸方向に直交する方向を示し、本実施形態において鉛直方向重力方向を示す。バッキングプレート2は、Z軸方向と直交して配置される接合面2Aを有する。バッキングプレート2の形状は特に限られず、例えば、矩形の平板構造を有する。また大きさは、接合面2Aにターゲット片T1,T2が配置されれば特に限られないが、例えば、縦約250mm、横約640mm、厚み約15mmで形成される。バッキングプレート2の材料は、ターゲット片T1,T2の材料によって適宜選択可能であり、本実施形態において、例えば銅で形成される。バッキングプレート2は、例えば、内部に冷却媒体を循環させるための図示しない通路等を設け、スパッタ時にターゲットアッセンブリ1を冷却することが可能に構成されることもできる。ターゲット片T1は、接合面2Aに配置され、略矩形の平板構造を有する。ターゲット片T1は、Y軸方向に相互に対向する2つの端部第1の端部、第2の端部11,15と、2つの凸部第1の凸部、第2の凸部12,16と、スパッタ面第1の面13と、平坦面第2の面14とを有する。スパッタ面13と平坦面14とは、Z軸方向に対向して形成される。端部11,15は、本実施形態において、X軸方向に沿って形成される。凸部12,16は、端部11,15に沿ってそれぞれ形成される。平坦面14は、接合面2AとZ軸方向に対向しており、凸部12,16は、平坦面14から接合面2Aに向かってZ軸方向に突出して形成される。ターゲット片T2は、接合面2Aに配置され、略矩形の平板構造を有する。ターゲット片T2は、Y軸方向に相互に対向する2つの端部第2の端部、第1の端部21,25と、2つの凸部第2の凸部、第1の凸部22,26と、スパッタ面第1の面23と、平坦面第2の面24とを有し、本実施形態において、ターゲット片T1と同一の形状及び大きさを有する。すなわち、スパッタ面23と平坦面24とは、Z軸方向に対向して形成され、端部21,25は、X軸方向に沿って形成され、凸部22,26は、端部21,25に沿ってそれぞれ形成される。平坦面24は、接合面2AとZ軸方向に対向しており、凸部22,26は、平坦面24から接合面2Aに向かってZ軸方向に突出して形成される。ターゲット片T1,T2は、いずれも同一の材料で形成され、具体的な材料としては、例えば、ITO等の焼結体、チタン、モリブデン等の金属材料が採用される。凸部12,16,22,26は、本実施形態において、突出した先端に、X軸方向に沿って形成される頂面第1の頂面、第2の頂面12A,16A,22A,26Aをそれぞれ有する。頂面12A,16A,22A,26Aは、Z軸方向に直交するように配置される平面を構成し、それぞれ接合面2Aと平行に対向する。頂面12A,16A,22A,26Aは、Y軸方向に沿って、例えば0.2mm以上の幅Wで形成され、本実施形態においては、幅Wが約10mmで形成される。また、本実施形態において、端部11,15,21,25にそれぞれ凸部12,16,22,26が形成されるため、端部11,15,21,25から幅Wで頂面12A,16A,22A,26Aがそれぞれ形成される。頂面12A,16A,22A,26Aは、平坦面14,24を基準とする高さHが、0.2mm以上に形成される。本実施形態において、Hは約0.8mmで形成される。端部11と、端部21とは、Y軸方向に間隙部Sを介して対向する。間隙部Sの幅は特に限られないが、例えば約0.5mmとすることができる。接合層3は、バッキングプレート2の接合面2Aとターゲット片T1、T2との間に形成される。これにより、接合面2Aとターゲット片T1,T2とは、凸部12,16,22,26及び平坦面14,24を介して相互に接合される。接合層3の材料は、例えば、インジウムIn、スズSn等が採用され、本実施形態においてはInが用いられる。接合層3は、接合面2Aと頂面12A,16A,22A,26Aとの間に形成される領域の方が、平坦面14,24との間に形成される領域よりも薄く形成され、両領域の厚みの差は例えばHとなる。上述の通り、Hが0.2mm以上で形成されることから、接合層3は、平坦面14,24と接する領域の厚みを十分確保することができ、凸部12,16,22,26と接する部分の接合層3を薄く形成することができる。このことから、ターゲット片T1,T2と接合面2Aとを十分に接合することが可能となり、かつ、端部11,15,21,25側への漏出をより抑制することが可能となる。なお、接合層3は、間隙部Sに形成されてもよいが、その場合は、スパッタ面13、23に達する厚みとならないように製造時に調整し、例えば頂面12A,16A,22A,26Aにおける厚みと同程度に形成される。次に、上記構成のターゲットアッセンブリ1の製造方法について説明する。[ターゲットアッセンブリの製造方法]ターゲットアッセンブリ1の製造方法は、ターゲット片の製造工程と、接合工程と、を有する。以下、各工程について説明する。ターゲット片の製造工程まず、ターゲット片T1,T2が製造される。本実施形態において、例えばITO焼結体である矩形の平板状ターゲット材料が2枚用意される。ターゲット片T1,T2には、例えば、縦約200mm、横約300mm及び厚み約7.8mmのITOターゲット材料がそれぞれ用いられる。上記2枚のITOターゲット材料が加工されることで、それぞれのターゲット材料に、凸部12,16と、凸部22,26とが形成される。具体的には、凸部12,16,22,26が形成される領域として、端部11、15及び端部21、25から幅W例えば約10mmの領域が確保され、その他の部分は、例えば研削加工によって除去される。除去される厚みはHであり、本実施形態において例えば約0.8mmである。これにより、除去されずに残存した部分は、それぞれ凸部12,16、22,26となり、この部分の加工前から残存する面がそれぞれ頂面12A,16A,22A,26Aとなる。また、研削加工等により除去された面は、平坦面14,24となり、平坦面14,24とは逆側に配置され研削加工を行っていない面が、スパッタ面13,23となる。以上のように、ターゲット片T1,T2が製造される。接合工程次に、バッキングプレート2とターゲット片T1,T2とが接合される。ターゲット片T1,T2とバッキングプレート2とを接合する接合材として、例えばインジウムIn、スズSn等の低融点金属等を用いることが可能であり、本実施形態においてはInが採用される。接合の下地処理として、ターゲット片T1,T2の平坦面14,24及び頂面12A,16A,22A,26A等と、バッキングプレート2の接合面2Aとが、Inで濡らされる。ターゲット片T1,T2とバッキングプレート2とは、例えば接合材であるInの融点約157°C以上まで加熱される。接合を行うために、例えば、Inの溶湯が傾注等によって接合面2A上に広げられる。このような接合面2A上に、ターゲット片T1,T2は、例えば、端部11,21間の間隙部Sが約0.5mmとなるよう配置される。ターゲット片T1,T2上からZ軸方向に所定の荷重が負荷された後、接合層3は、完全に凝固するまで室温にて冷却される。これにより、接合層3が形成される。なお、ターゲット片T1,T2の周囲に許容限度を超えて漏出した接合材は、冷却後、治具や切削加工等によって除去される。以上のように、本実施形態に係るターゲットアッセンブリ1が製造される。本実施形態に係るターゲットアッセンブリ1においては、ターゲット片T1,T2が、端部11,15,21,25に沿って形成された凸部12,16,22,26を有する。これにより、接合層3において、凸部12,16,22,26に接する領域の厚みが、平坦面14,24に接する領域の厚みよりも薄く形成される。したがって、たとえスパッタ時に接合層3を構成する接合材が軟化した場合にも、接合材が凸部12,16,22,26と接合面2Aとの間を容易に通過できず、間隙部S側への接合材の漏出を抑制することができる。このことから、スパッタ時の異常放電及び薄膜への接合材のコンタミネーション等を抑制することができる。また、凸部12,16,22,26は、ターゲット片T1,T2に形成されるため、接合時及びスパッタ時に端部11,15,21,25との相対的な位置関係は変化しない。したがって、例えば別部材を間隙部に配置する方法等と比較し、接合時のアライメントを高い精度でかつ容易に行うことができ、スパッタ時においても長時間安定しdて接合材の漏れを抑制することができる。さらに、本実施形態においては、端部11,15,21,25に凸部12,16,22,26が形成される。これにより、接合層3が厚く形成される平坦面14,24の面積を大きくすることができ、ターゲット片T1,T2とバッキングプレート2とをより強固に接合することが可能となる。また、本実施形態に係る凸部12,16,22,26は、端部11,15,21,25から所定の幅Wで形成することができ、製造工程も簡略化することができる。また、ターゲット片T1,T2は、同一の構成を有するため、同一の工程によって製造されることができ、生産性を高めることが可能になる。また、凸部12、16、22,26が同じ高さで形成されることから、ターゲット片T1,T2のスパッタ面13,23が同一平面上に形成され、均一なスパッタリングが可能となる。さらに、各ターゲット片T1,T2のいずれの端部同士を対向させることが可能であることから、ターゲットアッセンブリ1の組み立て性を向上させることができる。<第2の実施形態>図3は本発明の第2の実施形態に係るターゲットアッセンブリを示す模式的な上面図である。本実施形態に係るターゲットアッセンブリ10は、バッキングプレート20と、ターゲット層Tと、接合層30とを具備する。なお、図において上述の第1の実施形態と対応する部分については対応する符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。本実施形態において、ターゲットアッセンブリ10は、平板状のバッキングプレート20上に、接合層30と、ターゲット層TとがZ軸方向に積層された構造を有する。ターゲット層Tは、分割された9枚のターゲット片T10,T20,T30,T40,T50,T60,T70,T80,T90の集合体を含む。バッキングプレート20は、第1の実施形態と同様に、接合面20Aを有し、例えば全体として矩形の平板構造を有する。バッキングプレート20の大きさは、ターゲット片T10~T90のいずれもが接合面20A上の所定位置に配置可能であれば、特に限られない。バッキングプレート20は例えば銅で形成され、内部には冷却媒体を循環させるための通路が形成されている。接合層30は、接合面20Aとターゲット片T10~T90との間に形成され、後述する複数の凸部120~920を介して接合面20Aとターゲット片T10~T90とを相互に接合する。接合層30の材料は特に限られず、本実施形態においても、例えばInを採用することが可能である。ターゲット層Tを構成する個々のターゲット片T10~T90はそれぞれ同一の構成を有しており、第1の実施形態で説明した2つのターゲット片T1,T2と同様な形状に形成されている。各ターゲット片T10~T90は、第1の辺と、第2の辺と、第3の辺と、第4の辺とを有する矩形の略平板状に形成される。図3において、上記第1の辺は、各ターゲット片の左側の辺に相当し、第2の辺は、各ターゲット片の上側の辺に相当する。また上記第3の辺は、各ターゲット片の右側の辺に相当し、上記第4の辺は、各ターゲット辺の下側の辺に相当する。すなわち、上記第1の辺及び第3の辺はX軸方向に平行に形成され、第2の辺及び第4の辺はY軸方向に平行に形成される。ターゲット片T10~T90の大きさ及び枚数は、全てのターゲット片を配置した際に所望のスパッタ面の大きさとなれば、特に限られない。なお、本実施形態に係る辺は、第1の実施形態に係る端部に相当する。ターゲット片T10~T90の材料は、同一のものでも異なるものでも特に限られないが、本実施形態においていずれもITO酸化インジウムスズで形成される。ターゲット片T10~T90は、接合面20A上に、間隙部Sx1,Sx2,Sy1,Sy2を介してX軸方向及びY軸方向にそれぞれ配列される。間隙部Sx1,Sx2は、Y軸方向に沿って延び、X軸方向に相互に対向する2つのターゲット片の間隙を形成する。間隙部Sy1,Sy2は、X軸方向に沿って延び、Y軸方向に相互に対向する2つのターゲット片の間隙を形成する。本実施形態において、X軸方向には、例えば、ターゲット片T10、T40、T70と、ターゲット片T20、T50、T80と、ターゲット片T30、T60、T90とが、それぞれ略等間隔で配列される。Y軸方向には、例えば、ターゲット片T10、T20、T30と、ターゲット片T40、T50、T60と、ターゲット片T70、T80、T90とが、それぞれ略等間隔で配列される。間隙部Sx1,Sx2,Sy1,Sy2の大きさは特に限定されず、それぞれ同一の大きさに設定されてもよいし異なる値に設定されてもよい。本実施形態では、各間隙部Sx1,Sx2,Sy1,Sy2の大きさは、いずれも約0.5mmに設定される。ターゲット片T10~T90は、間隙部Sx1,Sx2,Sy1,Sy2に沿って形成された凸部をそれぞれ有する。各々の凸部は、各ターゲット片から接合面20Aに向かってZ軸方向に突出するように形成される。例えば、ターゲット片T10,T20,T30各々の第2の辺112,212、312には、間隙部Sx1に沿って凸部122,222,322がそれぞれ形成されており、ターゲット片T40,T50,T60の第2の辺412,512,612には、間隙部Sx2に沿って凸部422,522,622がそれぞれ形成されている。また、ターゲット片T40,T50,T60各々の第4の辺414,514,614には、間隙部Sx1に沿って凸部424,524,624がそれぞれ形成されており、ターゲット片T70,T80,T90各々の第4の辺714,814,914には、間隙部Sx1に沿って凸部724,824,924がそれぞれ形成されている。一方、ターゲット辺T10,T40,T70各々の第1の辺111,411,711には、間隙部Sy1に沿って凸部121,421,721がそれぞれ形成されており、ターゲット片T20,T50,T80各々の第1の辺211,511,811には、間隙部Sy2に沿って凸部221,521,821がそれぞれ形成されている。また、ターゲット片T20,T50,T70各々の第3の片213,513,813には、間隙部Sy1に沿って凸部223,523,823がそれぞれ形成されており、ターゲット片T30,T60,T90各々の第3の片313,613,913には、間隙部Sy2に沿って凸部323,623,923がそれぞれ形成されている。本実施形態において、複数のターゲット片T10~T90のうち、Y軸方向に相互に隣接する2つのターゲット片は、上述の第1の実施形態において説明した2つのターゲット片と同様の関係を有する。例えば、ターゲット片T10を第1のターゲット片とし、ターゲット片T20を第2のターゲット片とした場合、ターゲット片T10の第1の辺111は、当該ターゲット片T10の第1の端部に相当し、当該第1の辺111に沿って形成された凸部121は、当該ターゲット片T10の第1の凸部に相当する。一方、ターゲット片T20の第3の辺213は、当該ターゲット片T20の第2の端部に相当し、当該第3の辺213に沿って形成された凸部223は、当該ターゲット片T20の第2の凸部に相当する。上記の例において、ターゲット片T40は、ターゲット片T10から見たときに第3のターゲット片を構成する。この場合、ターゲット片T40の第4の辺414は、当該ターゲット片T40の第3の端部に相当し、当該第4の辺414に沿って形成された凸部424は、当該ターゲット片T40の第3の凸部に相当する。一方、ターゲット片T10の第2の辺112は、当該ターゲット片T10の第4の端部に相当し、当該第2の辺112に沿って形成された凸部122は、当該ターゲット片T10の第4の凸部に相当する。以上の関係は、全てのターゲット片T10~T90について同様に適用される。したがって、各ターゲット片T10~T90に形成される凸部の形態は、ターゲット片の配列位置に対応して定まり、例えばターゲット片T50に関しては、当該ターゲット片T50が第1~第4のターゲット片のいずれにも対応し得るため、その4辺すべてに凸部521,522,523,524が形成されている。以上のように、本実施形態によれば、分割して配置されたターゲット片について、隣り合うターゲット片T10~T90間に形成された間隙部Sx1,Sx2,Sy1,Sy2に沿って凸部121~924が形成されることにより、間隙部Sx1,Sx2,Sy1,Sy2への接合材の漏出を抑制することが可能となる。したがって、3枚以上に分割されたターゲット片を有する場合であっても、スパッタ時の異常放電及び薄膜へ接合材のコンタミネーション等を抑制することができる。以下、本実施形態の実施例について説明する。実施例12枚のITOターゲット材料を用意した。ITOターゲット材料の大きさは、いずれも縦約200mm、横約300mm、厚み約7.8mmであった。横方向の両端をそれぞれ約10mm確保し、その他の縦約200mm、横約280mmの領域を研削加工によってそれぞれ除去した。除去された厚みは、約0.8mmであった。このようにして、ITOターゲット材料に、平坦面からの高さが約0.8mmで、幅が約10mmの頂面を有する凸部が形成された、ターゲット片が製造された。次に、バッキングプレートを用意した。バッキングプレートには、銅製で、大きさが縦約250mm、横約640mm、厚み約15mmのものを用いた。続いて、ターゲット片の平坦面とバッキングプレートの接合面とを、Inで濡らした。そして、バッキングプレートとターゲット片とをInの融点約157°C以上に加熱し、バッキングプレートの接合面上にInの溶湯を傾注することで、Inの溶湯を接合面上に濡れ広げた。次に、2枚のターゲット片を、Inを介してバッキングプレートの接合面上の所定位置にそれぞれ配置した。具体的には、それぞれの端部が約0.5mmの間隙を介して対向するように、これらのターゲット片を接合面上に配置した。この状態で、ターゲット片上に荷重を負荷した後、Inを室温にて冷却した。Inが完全に冷却された後、ターゲット片の周囲に漏出したInを治具や切削等により除去した。これにより、2枚のターゲット片とバッキングプレートとが接合され、本実施例に係るターゲットアッセンブリが製造された。接合面上の2枚のターゲット片は、全体として、縦約200mm、横約600mm、厚み約7mmのターゲット層を構成した。以上のように製造されたターゲットアッセンブリをスパッタ装置に配置し、以下の条件で実際にスパッタを行った。スパッタ条件としては、パワー密度を5W/cm2、スパッタ時間を1000kWh、Arガス流量を30sccm、水蒸気の流量を0.25sccmとした。上記条件でスパッタを行った後、当該ターゲットアッセンブリを目視にて観察したところ、ターゲット片間の間隙部分からInは漏出していないことが確認された。実施例2実施例1と同様のITOターゲット材料及びバッキングプレートを用意し、同様の製造方法にてターゲットアッセンブリを製造した。実施例1と異なる点は、凸部の形状である。すなわち本実施例では、ターゲット片の凸部は、平坦面からの高さが約0.2mm、幅が約0.2mmの頂面を有するように製造された。本実施例に係るターゲットアッセンブリを用いて、実施例1と同様の条件にてスパッタを行った。スパッタ終了後の観察によって、間隙部分からのInはわずかな漏出が見られたが、スパッタ面上への漏出はなく、スパッタ時の不具合等は観察されなかった。このことから、本実施例によっても、スパッタ時等の不具合を生じさせるようなInの漏出は抑制されたことが確認された。比較例比較例として、凸部を有さないターゲット片を用い、実施例1、2と同様の接合方法によってターゲットアッセンブリを製造した。用意した2枚のITOターゲット材料は、実施例1と厚みのみ異なり、縦約200mm、横約300mm、厚み約7mmのものであった。これらのターゲット材料を、研削加工等せずに、実施例1と同様のバッキングプレート上の所定位置に配置し、Inによって接合した。比較例に係るターゲットアッセンブリを用いて、実施例1と同様の条件でスパッタを行った。スパッタ終了後に、当該ターゲットアッセンブリを目視にて観察したところ、Inが間隙部からスパッタ面付近まで漏出し、上昇していた。また、スパッタ中も、間隙部分において異常放電が頻発していることが観察された。以上の結果より、本実施形態に係るターゲットアッセンブリによって、接合材の間隙部からの漏出を抑制できることが確認され、これにより当該ターゲットを用いて形成される薄膜への接合材の汚染も抑制されることが推認された。また、スパッタ時の異常放電等の不具合が抑制されることも確認された。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。例えば、第2の実施形態において、ターゲット片T10は、X軸方向に沿って形成される第1の辺111と、Y軸方向に沿って形成される第2の辺112とを有すると説明したが、以下のようにも説明できる。すなわち、また、第2の辺112は、第1の辺111と、X軸方向第1の軸方向と鋭角に交差する第2の軸方向と対向して形成されるとも説明することができる。このように、連接する2つの辺端部に沿って凸部が形成されたスパッタリングターゲットは、例えば、バッキングプレート上に辺端部同士が対向するように4枚配置されることで、本発明の技術的範囲に属するターゲットアッセンブリのターゲット層を構成することが可能となる。例えば、第1の実施形態において、例えばターゲット片T1の両端部11,15に凸部12,16が形成されていると説明したが、これに限られない。例えば、端部11のみに凸部12が形成されている構成でも可能である。この場合は、端部15側に、高さH以上の所定の高さのスペーサ等を配置することにより、ターゲット片T1と接合面2Aとを平行に維持し、スパッタ面13,23を同一平面状に配置することが容易になる。また、ターゲット片T1,T2の材料は同一のものに限られず、異なる材料とすることも可能である。このようなスパッタリングターゲットを用いてスパッタを行うことにより、所望の合金薄膜あるいは化合物薄膜を形成することが可能となる。また、第2の実施形態において、凸部121~924は、図3に示すターゲット片T50のように、ターゲット片T10~T90の周縁、すなわち第1~4の辺111~914に沿って連続的に形成されることも可能である。これにより、ターゲット片T10~T90が同一の形状を有し、ターゲット片の生産性及びターゲットアッセンブリの組み立て性を向上させることが可能となる。以上の実施形態において、接合層は、凸部及び平坦面を介して接合面とターゲット片とを接合すると説明したが、これに限らない。例えば、平坦面と接合面との間に接合層が形成されずに、凸部あるいは平坦面のみを介して接合面とターゲット片とが接合されてもよい。また、以上の実施形態において、各凸部が端部に形成されていると説明したが、これに限られない。例えば、凸部は、端部から所定の距離だけ離間した位置に、端部に沿って形成されることも可能である。以上の実施形態において、いずれもターゲット片が矩形であると説明したが、これに限られない。例えば、各ターゲット片が三角形状、その他の多角形状、半円形状等であっても本発明を適用することが可能である。"