厚み及び面内格子定数を有する鉄系超伝導体膜;並びに厚み及び前記鉄系超伝導体と類似の面内格子定数を有する配向基板を含み、前記超伝導体膜が、前記配向基板上に形成されている、超伝導構造体。前記配向基板の面内格子定数が、前記鉄系超伝導体の面内格子定数の10以下の不整合度を有する、請求項1記載の超伝導構造体。前記配向基板の面内格子定数が、前記鉄系超伝導体の面内格子定数の5以下の不整合度を有する、請求項2記載の超伝導構造体。前記鉄系超伝導体が、鉄カルコゲニドを含む、請求項1記載の超伝導構造体。前記鉄カルコゲニドが、化学式FeZSexTe1x式中、0≦x≦1及び0.7≦z≦1.3で表される化合物を含む、請求項4記載の超伝導構造体。前記超伝導体が、FeSe05Te05である、請求項5記載の超伝導構造体。前記鉄系超伝導体が、鉄プニクチドを含む、請求項1記載の超伝導構造体。前記鉄プニクチドが、化学式M-FeyAsO1xFx式中、0≦x≦1、0.4≦y≦1.6、Mが、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr及びBaからなる群から選択される1以上の金属であるで表される鉄オキシプニクチドである、請求項7記載の超伝導構造体。希土類金属が、Laである、請求項8記載の超伝導構造体。前記鉄オキシプニクチドが、LaOFeAsである、請求項9記載の超伝導構造体。前記鉄プニクチドが、化学式M-FeyAsxFz式中、1≦x≦2、0.6≦y≦2.0、0≦z≦1、Mが、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr及びBaからなる群から選択される1以上の金属であるで表される鉄非オキシプニクチドである、請求項7記載の超伝導構造体。前記鉄プニクチドが、LiFeAs又はBaFe2As2である、請求項11記載の超伝導構造体。前記配向基板が、ベースと緩衝層とを含む、請求項1記載の超伝導構造体。前記配向基板が、ベースを含む、請求項1記載の超伝導構造体。前記緩衝層が、酸化物を含む、請求項13記載の超伝導構造体。前記緩衝層が、MgO、CeO2、Y2O3及びYSZからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む、請求項15記載の超伝導構造体。前記ベースが、金属、金属合金、半導体、酸化物及びポリマーからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む、請求項13又は14記載の超伝導構造体。前記ベースが、ニッケルを含む、請求項17記載の超伝導構造体。前記ベースが、ニッケル合金を含む、請求項16記載の超伝導構造体。前記配向基板が、リボン、テープ又はワイヤーの形態にある、請求項1記載の超伝導構造体。前記ベースが、リボン、テープ又はワイヤーの形態にある、請求項13又は14記載の超伝導構造体。前記配向基板が、多結晶である、請求項1記載の超伝導構造体。前記ベースが、多結晶である、請求項13又は14記載の超伝導構造体。前記超伝導体の固有の電気特性及び磁気特性が、同じ組成及び厚みを有し、バルクの単結晶基板の上に形成された鉄系超伝導体薄膜と少なくとも同等である、請求項1記載の超伝導構造体。前記緩衝層が、1nm~10μmの厚みを有する、請求項13記載の超伝導構造体。前記超伝導体の厚みが、10nm~10μmである、請求項1記載の超伝導構造体。超伝導構造体を製造する方法であって、厚み及び面内格子定数を有する鉄系超伝導体膜を、厚み及び前記超伝導体の面内格子定数と類似の面内格子定数を有する基板上に形成する工程を含む、方法。さらに、ベースに緩衝層を堆積して前記基板を形成する工程を含む、請求項27記載の方法。前記緩衝層を、前記基板のベースに配向を生成する条件で成長させる、請求項28記載の方法。前記超伝導体膜を形成する工程が、パルスレーザー堆積によって、前記超伝導体を堆積する工程を含む、請求項29記載の方法。前記パルスレーザー堆積が、以下の諸工程:前記基板を堆積チャンバに入れる工程;前記堆積チャンバを脱気して約1.3×106hPaの圧力にする工程;前記基板を350°C~450°Cまで加熱する工程;約3J/cm2のエネルギー密度及び約5Hzの繰り返し率を有するレーザー光を用いて、所望の鉄カルコゲニド組成物の標的に前記レーザー光を選択された期間当てる工程;及び前記基板の加熱機の電源を切る工程;を含む、請求項30記載の方法。前記堆積チャンバを脱気して、圧力を1.3×102~1.3×107hPaの酸素圧力にし、酸素ドープされた超伝導体膜を製造する、請求項31記載の方法。前記堆積チャンバを脱気して、圧力を1.3×103~1.3×106hPaの酸素圧力にし、酸素ドープされた超伝導体膜を製造する、請求項32記載の方法。前記堆積チャンバを脱気して、圧力を約1.3×104hPaの酸素圧力にし、酸素ドープされた超伝導体膜を製造する、請求項33記載の方法。超伝導構造体を使用する方法であって、配向基板と該基板上に形成された鉄系超伝導材料の膜とを含む超伝導構造体から、超伝導デバイスを形成する工程を含む、方法。前記超伝導デバイスを形成する工程が、前記超伝導構造体を磁石に巻き付ける工程を含む、請求項35記載の方法。前記超伝導デバイスを形成する工程が、前記超伝導構造体を、超電流を伝導することができる、リボン又はワイヤーに形成する工程を含む、請求項35記載の方法。前記超伝導デバイスを形成する工程が、前記超伝導構造体を限流器に形成する工程を含む、請求項35記載の方法。前記超伝導デバイスを形成する工程が、前記超伝導構造体を無線周波数デバイスに形成する工程を含む、請求項35記載の方法。さらに、前記超伝導デバイスに加えられた刺激に対して、前記超伝導デバイスの反応を検知する工程を含む、請求項35記載の方法。要約基板上に鉄系超伝導体の高品質薄膜を得るという課題を認識し、本明細書で記載される技術は、配向基板上に、鉄カルコゲニド系及び鉄プニクチド系の超伝導体の薄膜を製造する方法を提供し、その技術を利用することにより得られた構造体を開示する。従って、ある実施態様では、配向基板上での鉄系超伝導体の成長が記載される。ある実施態様では、鉄系超伝導体が、鉄カルコニド系超伝導体であるが、他の実施態様では、鉄系超伝導体が、鉄プニクチド系超伝導体である。配向基板は、好ましくは超伝導体と類似の面内格子定数を有するが、配向基板が、超伝導体の格子定数に、ほぼ格子整合している場合、特に好ましい。ある実施態様では、鉄系超伝導体は、FezSexTe1x式中、0≦x≦1及び0.7≦z≦1.3を含む鉄カルコゲニドである。ある実施態様では、超伝導材料は、FeSySexTe1xy式中、0≦xy≦1を含んでいる。ある場合には、鉄カルコゲニド超伝導体は、酸素などの様々なドーパントでドープされている。ある実施態様では、鉄系超伝導体は、鉄プニクチドであり、オキシプニクチド又は非オキシプニクチドのいずれかである。鉄オキシプニクチドは、M-FeyAsO1xFx式中、0≦x≦1、0.4≦y≦1.6及びMは、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb又はLuから選択される1以上の希土類金属、Li、Na、K、Rb又はCsから選択される1以上のアルカリ金属、又はBe、Mg、Ca、Sr又はBaから選択される1以上のアルカリ土類金属であるが、Laが好ましいと表現し得る。Mの化学量論的組成は、好ましくは1、例えば、La05Y05である。鉄非オキシプニクチドは、M-FeyAsxFz式中、1≦x≦2、0.6≦y≦2.0及び0≦z≦1と表現し得る。鉄オキシプニクチドと同様、鉄非オキシプニクチドのMは、1以上の希土類金属、1以上のアルカリ金属、又は1以上のアルカリ土類金属から選択される。ある場合には、鉄プニクチド超伝導体を、様々なドーパント、好ましくはフッ素でドープしてもよい。ある実施態様では、基板が緩衝材層を含んでおり、この層は、ベースの配向textureを改善し、ベース上での鉄系超伝導体膜の形成に、より適したものにする。ある場合には、単一の緩衝材層が使用され、他の場合には、複数の緩衝材層が使用される。ある実施態様では、緩衝層としての酸化マグネシウムMgOの使用が、記載される。他の実施態様では、酸化セリウムCeO2が、基板の表面に配向をもたせるために使用される。さらに他の実施態様では、配向基板が、酸化イットリウムY2O3及び/又はイットリア安定化ジルコニアYSZの層を含んでいる。ある実施態様では、緩衝化金属基板上に鉄系超伝導体の薄膜を製造する方法が提示される。ある実施態様では、基板が、酸化物、金属化導電性ポリマーなどのポリマー及び/又は半導体を含んでいる。ある実施態様では、超伝導薄膜は、臨界電流、臨界磁場及び臨界超伝導転移温度などの固有の超伝導特性を保持しており、これらの特性は、単結晶基板上で成長した膜と類似の組成及び厚みを有する膜に匹敵する。ある場合には、薄膜の超伝導特性は、同じ組成を有するバルク材よりも優れている。ある実施態様では、配向金属基板上の、鉄カルコゲニド系超伝導体などの鉄系超伝導体の薄膜が記載される。ある実施態様では、開示される超伝導構造体を、磁気的及び電気的な超伝導デバイスで使用してもよい。上記に示す要約は、必然的に本発明のある態様の簡単な説明となり、それは、図面及び以下の詳細な説明を参照することで、よりよく理解され得ることが、理解されるべきである。図面の簡単な説明当該分野では通例であるように、以下の図面は正確な縮尺で描かれていない場合がありうる。図式表現は、本発明の特定の特徴を強調するため、それを説明するための参考として利用される。詳細な説明本明細書で記載する方法は、配向基板上に、鉄カルコゲニド及びプニクチドなどの鉄系超伝導体の薄膜を製造する方法を提供するが、鉄カルコゲニドは、毒性のヒ素成分を含まないため、好ましい。開示された方法単数又は複数によって生成する、超伝導構造体の固有の電気及び磁気特性は、好ましくは、バルクの単結晶基板上に同じ組成及び厚みで形成された鉄系超伝導体の薄膜に少なくとも匹敵する。一般的に、上記方法は、超伝導体の面内格子と類似の、又は好ましくは厳密に格子整合した面内格子定数すなわち、結晶格子中の単位セル間の距離を有する配向基板を調製する工程と、鉄系超伝導体膜を、好ましくはパルスレーザー堆積によって配向基板上に形成する工程とを含んでいる。本明細書中では、用語類似のsimilarは、±10以下の不整合度ミスマッチを有すると解釈してもよく、一方で、±5未満の不整合度は、厳密に整合すると考えられ、より好ましい。あるいは、±0.2Å以内と定義された格子定数に厳密に整合することが好ましいが、±0.1Å以内の格子定数を有することがより好ましい。好ましい実施態様では、配向基板は、基板のベースに緩衝層を堆積させて調製し、ベース層の表面に鉄系超伝導体の高品質な薄膜を成長するための鋳型を提供する。本明細書を通じて、超伝導構造体及びその製造方法が、1以上の、最も好ましい実施態様を参照しながら記載される。しかし、当業者が、開示された発明の趣旨及び範囲から著しく逸脱することなく、配向基板上に、鉄カルコゲニドなどの鉄系超伝導体の薄膜を製造するという、開示された技術に対して、他の組合せ上、構造上及び機能上の修正を行ってもよいことは理解されるべきである。I.基板の選択及び調製鉄系超伝導材料の超伝導特性を維持するため、基板は、超伝導体の面内格子定数と類似の、又は厳密に格子整合した面内格子定数を有するように選択され、好ましくはリボン、テープ又はワイヤーに成形されるべきである。好ましい実施態様では、基板は、ベース及びバッファー緩衝を含んでいるが、超伝導材料の面内格子定数と類似する、又はより厳密に整合するように配向されたベースだけを有する基板も、想定されている。上記基板が、ベース及びバッファーを有する場合、バッファーによって表面配向が生成するため、いかなる化合物もベース材として使用しうる。適切な基板の具体例としては、酸化物、半導体、金属化導電ポリマー及び金属が挙げられ、これらの表面は、超伝導材料と類似の、又は厳密に整合した面内格子を有するように、緩衝材を用いて配向されている。基板は、柔軟であってもよく、実質上、多結晶であってもよい。好ましい実施態様では、ニッケル及びNi合金、例えば、ハステロイ登録商標超合金HaynesInterInc社、インディアナ州を、成形性の点から選択してもよい。ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、及びガラスは、その表面が適切な緩衝材の堆積によって配向される場合、平面構造を利用する電気デバイスに利用するのに有用となり得る。II.緩衝材の選択及び形成緩衝層バッファー層は、鉄系超伝導体の高品質な薄膜を成長するための鋳型を提供するために選択される。これらの材料は、鉄系超伝導体の格子定数に近い格子定数を有するべきである。鉄系超伝導体の成長用の鋳型を提供するために緩衝層として機能し得る、適切な化合物の具体例としては、酸化物、例えば、酸化マグネシウムMgO、イットリア安定化ジルコニアYSZ、セリアCeO2、イットリアY2O3及びこれらの組み合わせなどが挙げられるが、これらに限定されない。好ましくは、緩衝層は、1nm~10μmの厚みを有する。所望の特性を有する層を製造するため、当該分野で知られている任意の適切な方法によって、緩衝層を基板上に堆積してもよい。好ましくは、ローリングアシスト二軸配向基板RABiTS法又はイオンビームアシスト堆積IBAD法のいずれかで、緩衝層を基板上に堆積してもよい。緩衝材を、単一の層の形態で堆積してもよく、この層の上には鉄系超伝導体が成長される。あるいは、最後の層の高品質な成長を維持するため、同一の又は異なる緩衝材の複数の層の形態で堆積してもよく、この最後の層の上には、鉄系超伝導体が成長される。ある実施態様では、いくつかの異なる緩衝材層が、金属又は金属合金などの基板上で最良の格子整合を維持するために必要となり得る。例えば、ローリングアシスト二軸配向基板RABiTS又はイオンビームアシスト堆積IBADにおいて、下層の金属基板と超伝導薄膜との間に、はるかに優れた緩衝層を形成するため、イットリア安定化ジルコニアYSZ及びセリアCeO2を順番に使用してもよい。なぜならば、CeO2は、超伝導体に対して、より厳密に格子整合し、金属又は合金基板上にYSZの配向構造を形成することがより容易いからである。緩衝層は、選択された基板上で、配向二軸配向して成長されなければならない。例えば、CeO2は、比較的高い超伝導転移温度Tc及びかなり大きな臨界磁場Hc2を有する鉄系超伝導体の一つである、FeSe05Te05に対して、かなり厳密に格子整合する。好ましい実施態様では、RABiTS又はIBADを利用して、CeO2をNi又はNi合金上に配向して成長し得る。図1に準拠した例示的な実施態様では、緩衝層は、イオンビームアシスト堆積IBADによって堆積される。この例示的な実施態様では、IBAD法は、多結晶ニッケル系合金、例えば、ハステロイ登録商標テープから始めて、基板に適切な角度で向けられ十分に視準があったアシストイオンビームの存在下、YSZ又は酸化マグネシウムMgOの堆積によって、高度に面内配向した鋳型を生成する。この鋳型は、薄いキャップ層YSZ又はY2O3の場合、しばしばCeO2をエピタキシャル堆積した後、超伝導体の堆積に利用し得る。III.超伝導体の選択及び薄膜形成開示された方法によって、配向基板上に生成された鉄系超伝導体は、鉄カルコゲニド又は鉄プニクチドから選択し得る。開示された方法によって、配向基板上に生成された鉄カルコゲニド系超伝導体は、一般式FeZSexTe1x式中、0≦x≦1及び0.7≦z≦1.3を有する。他の実施態様では、開示された方法によって、配向基板上に生成された鉄カルコゲニド系超伝導体は、一般式FeSySexTe1xy式中、0≦xy≦1を有する。このような超伝導体の具体例としては、FeTe、FeSe、FeSe05Te05が挙げられるが、これらに限定されないが、FeSe05Te05が好ましい。また、鉄カルコゲニド超伝導体を、様々なドーパントでドープしてもよいが、酸素例えば、FeTe:Oxが好ましい。例えば、酸素ドーピングは、成長の間、1.3×102~1.3×107hPa102~107トル、より好ましくは1.3×103~1.3×106hPa103~106トルの酸素圧力下、最も好ましくは約1.3×104hPa104トルの圧力下で行ってもよい。開示された方法によって、配向基板上に生成された超プニクチド系超伝導体は、オキシプニクチド又は非オキシプニクチドから選択してもよい。鉄オキシプニクチドは、M-FeyAsO1xFx式中、0≦x≦1、0.4≦y≦1.6及びMはSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb又はLuから選択される1以上の希土類金属、Li、Na、K、Rb又はCsから選択される1以上のアルカリ金属、又はBe、Mg、Ca、Sr又はBaから選択される1以上のアルカリ土類金属であるが、Laが好ましいと表現し得る。Mの化学量論的組成は、好ましくは1であり、例えば、La05Y05である。鉄非オキシプニクチドは、M-FeyAsxFz式中、1≦x≦2、0.6≦y≦2.0及び0≦z≦1と表現し得る。鉄オキシプニクチドと同様、鉄非オキシプニクチドのMは、1以上の希土類金属、1以上のアルカリ金属、又は1以上のアルカリ土類金属から選択される。鉄プニクチドの具体例としては、LaOFeAs、LiFeAs及びBaFe2As2が挙げられる。鉄カルコゲニドと同様、鉄プニクチド超伝導体を、様々なドーパントでドープしてもよいが、フッ素が好ましい。例示的な実施態様では、所望の特性を有する層を製造するため、当該分野で知られている任意の適切な方法によって、鉄カルコゲニド系超伝導体を配向基板の表面に製造してもよい。好ましい実施態様では、鉄カルコゲニド系超伝導体を、パルスレーザー堆積PLDによって堆積する。例示的な実施態様では、鉄カルコゲニド系超伝導体、例えば、FeSe05Te05を、堆積チャンバに基板を入れる工程;堆積チャンバを脱気して約1.3×106hPa106トルの圧力にする工程;基板を350°C~450°Cまで加熱する工程;約3J/cm2のエネルギー密度及び約5Hzの繰り返し率を有するレーザー光を、所望の鉄カルコゲニド組成物の標的に選択された期間当てる工程;基板の加熱器の電源を切る工程によって、製造してもよい。所望の化学量論のFe、Se、Teを650~750°Cで誘導融解することによって、所望の鉄カルコゲニドの標的を調製してもよい。あるいは、開示された発明の範囲及び趣旨から逸脱することなく、上記の方法において、鉄カルコゲニドを鉄プニクチドで置換し得る。実施例1図1及び2に描写された膜は、FeSe05Te05の組成を有しており、パルスレーザー堆積PLDによって成長した。3.0J/cm2以下~3.0J/cm2のエネルギー密度及び5Hzの繰り返し率を有するKrFエキシマレーザー波長:248nmを利用して、単結晶LaAlO3LAO基板及び緩衝化金属鋳型の上に、前記の膜を堆積した。基板温度は350°C~450°Cにあった。400nmの膜を堆積する時間は、約30分であった。堆積及びそれに続く冷却を、1.3×106hPa106トル以下~1.3×106hPaの真空下で行った。堆積後に加熱器の電源を切って、得られた構造体を急速に冷却した。鋳型を2つの工程で製造した。先ず、テープ表面の粗さを低減するため、連続的な溶液堆積によって、Y2O3層を未研磨のハステロイ登録商標上に製造し、IBAD法によって、二軸配向MgO層を表面に堆積したMatiasらJMaterRes24125;参照することによって、その全体が本明細書に組み込まれる。ハステロイ登録商標C-276のかなり高い引張強度0.8GPaにより、複合伝導体を、20~30Tの磁場によって生成する、かなり高いローレンツ力に耐久させることができる。図1は、1.3μm厚のY2O3平坦層及び二軸配向IBADのMgO層25nmのホモエピタキシャルMgOを含むを有する緩衝化ハステロイ登録商標ハステロイC-276テープ金属基板上の、100nmのFeSe05Te05膜の断面TEMXTEM像を示す。界面は、FeSe05Te05の表面がそうであるように、平滑な部分と急峻な部分とが存在するようである。図2は、図1の鉄カルコゲニド系超伝導構造体の高解像XTEMHRM-XTEM像を示す。MgOとFeSe05Te05との界面は、急峻であり、殆どエピタキシャルである。FeSe05Te05膜を、基板に垂直なc軸に沿って、MgO層上に成長した。また、X線回折実験により、それぞれ半値全幅が約4.5°及び3.5°である面内配向及び面外配向を有する、FeSe05Te05の配向成長を確認した。しかし、IBAD膜は、ゼロ抵抗が11K以下~11Kであり、バルクの14K以下~14Kに比べて低いが、オンセット転移は概ね同じ温度で開始する。LAO上の膜は、が15K以下~15Kであり、バルクよりも約1K高い。理論に縛られなければ、この理由は、MgOがLAOよりFeSe05Te05に対して大きな格子不整合を有しており、より多くの構造欠陥を導くからかもしれない。実施例2抵抗率を、物理特性測定システムQuantumDesign社、PPMSの標準4探針法によって測定し、磁化を、超伝導量子干渉素子QuantumDesign社、MPMSで測定した。図3は、IBADによって調製されたMgO緩衝化ニッケル合金基板上の、FeSe05Te05薄膜における、温度及び磁場に伴う抵抗の挙動を描写する。超伝導転移温度は、バルク試料に匹敵する。図4は、RaBiTS法によって調製されたCeO2緩衝化ニッケル合金基板上の、FeSe05Te05薄膜における、温度及び磁場に伴う抵抗の挙動を描写する。オンセット超伝導転移温度は、単結晶基板上に形成された類似の膜より高くはないかもしれないが、ほぼ同じである。図5は、比較のため、LaAlO3LAOの単結晶基板上に成長された、FeSe05Te05薄膜の温度及び磁場に伴う臨界電流密度の挙動を示す。図6は、RABiTS基板上に成長された、FeSe05Te05薄膜の温度及び磁場に伴う臨界電流密度の挙動を示す。Jcは、LAO上に成長された膜よりも、はるかに大きい。4.2Kで、9Tの磁場にあっても、Jcは依然として0.4MA/cm2と高い。これらの結果は、被覆伝導体上に成長されたFeSe05Te05薄膜が、実用用途で優れていることを実証している。実施例3PLDによってSTO基板上に成長された、FeSe05Te05超伝導体の結晶格子の形成を、X線回折分光法を用いて研究した。図7は、XRDθ-2θスキャンから得られた強度スペクトルを示す。XRDデータに基づいて、超伝導体の面内格子定数aを測定すると、約3.806Åであったのに対して、STO基板の面内格子定数を測定すると、約3.905Åであった。製造された超伝導体の面内格子定数は、バルクの値とほぼ同じであったのに対して、面外格子定数cは常に短かった。実施例4鉄カルコゲニドFeTe超伝導体を、酸素ドーピングFe108Te:Ox有りと無しの条件で調製した。図8は、STO基板上の、酸素ドープされた鉄カルコゲニド系超伝導構造体の断面TEMXTEM像を示す。不完全な超伝導転移が、1.8Kに低下した真空中で成長されたFeTe膜で観察された。対照的に、酸素ドープされたFeTe膜は超伝導性を示した。図9は、酸素ドープされた鉄カルコゲニドのXRDθ-2θスキャンから得られた強度スペクトルを示す。XRDデータに基づいて、超伝導体の面内格子定数aを測定すると、約3.821Åであったのに対して、面外格子定数cは約6.275Åであった。これらの値は、バルクの値と類似する。図10は、STO基板上の、Fe108Te:Ox薄膜における、温度に伴う抵抗の挙動を描写する。オンセット及びゼロ抵抗Tcは、それぞれ、約12K及び8Kと観察された。さらに、図10は、金属絶縁転移が、バルク化合物で観察された金属絶縁転移より低い、約60Kにあることを示す。実施例5図11は、様々な温度で、LAO基板及びIBAD基板の上の膜の、Jcの磁場依存性を示す。T≦4Kでの、LAO上の膜のJcは、自己磁場で、5×105A/cm2以下~5×105A/cm2であり、最大35T適用可能な最大の磁場で、1×104A/cm2を超える。注意すべきは、Jcの低下は、液体ヘリウム温度、高磁場で、それほど加速せず、そのことが高磁場用途に重要である。Jcは、T>8Kでの磁場で、むしろ急速に低下する。同じ温度及び磁場で、IBAD上の膜のJcは、LAO上の膜のJcより低いけれども、類似の磁場の挙動を観測した。T≦4Kで、自己磁場Jcは、依然として2×105A/cm2と高い。対照的に、IBAD上の膜のJcのより高い低下率が、20Tを超える領域で観察されたが、25Tでは、Jcは、依然として1×104A/cm2以下~1×104A/cm2よりも高いままである。驚くべきことに、両方の膜において、Jcは、T≦4Kで、磁場方向に殆ど依存することなく、ほぼ等方である。実施例6図12a及び12bにおいて、約4.2Kでの、Jcの磁場依存性及び体積ピン止め力Fp=μ0H×JcBを、2GYBCOワイヤー、温度機械的に加工されたNb47Ti合金及び小粒smallgrainNb3Snワイヤーのデータと、LAO及びIBAD基板上のFeSe05Te05膜とで対比した。FeSe05Te05膜は、低温超伝導体よりも優れた高磁場性能20Tを超えるを示す。HTSは、現在のところ、粒界配向不整に依存するJcの急速な低下、それに伴う製造コストの上昇により、長いワイヤーの製造に対して大きな課題を提示している。それは、FeSe05Te05では厳しくないかもしれない。IBAD基板は、配向化MgO鋳型において多くの低角粒界を有する。しかし、IBADのFeSe05Te05膜は、LAO上の膜よりも、ほんの少し低い自己磁場Jcを有し、むしろ頑丈である。BaFe1xCox2As2系の粒界は、Jcを顕著に低下できることが報告された。理論に縛られなければ、その結果により、鉄カルコゲニドの粒界は、キャリアの枯渇が生じる、銅酸化物又はBaFe1xCox2As2において見られるような電荷溜チャージリザーバー層を有していないので、異なって挙動し得ることを示しているようである。双結晶基板上に成長された、FeSe05Te05膜を測定することは、Jcの配向不整角の依存に関する直接的な情報を提供するため、最も望ましい。IBAD膜の比較的低いJcは、MgO及びFeSe05Te05の間のより大きな格子不整合の結果である、LAO上の膜よりも低いTcに、単純に依存するからであるということができる。追加のCeO2緩衝層は、FeSe05Te05により良く格子整合するが、Tcを改善し得、従ってJcを増大する。あるいは、精巧な酸化物緩衝基板は、2GHTSワイヤーの酸化から金属鋳型を保護するように部分的に設計されるが、FeSe05Te05が真空中で形成されるため、必ずしも必要でない。配向基板テープに直接被覆されたFeSe05Te05を成長することも可能であり、製造コストを低減しつつ、合成方法を潜在的に単純化する。ワイヤー用途は、非常に厚みの大きな数lmを超える膜を必要とし、その膜を、より測量可能な堆積法、例えば、2GHTSワイヤー用の低コストウェブコーティング法などで成長してもよい。図12bにおいて、が標準ピン止め力密度pinningforcedensityであり、Hirrは、ゼロ抵抗のオンセットと定義されるが換算磁場である場合、様々な種類の超伝導体において、約4.2Kで、クラマーのスケーリング則近似実線がfp~hp1-hqであることを示している。全種類の超伝導体でq~2であり、1-h2の項が、高磁場で超伝導秩序パラメータの低下を表すと予期されることを見出した。Nb3Sn及びYBCOでは、低磁場の項p~0.5h05であることを見出し、ピン止め解除よりもむしろ渦糸格子の剪断によって磁束運動が生じるため、が、ピン止め中心密度pinningcenterdensityに対してほとんど変化しない場合、飽和領域を伴う。77Kでかなり有効なピン止め中心となる、BaZrO3ナノロッドの追加により、4.2Kでかなり小規模なピン止め増大が生じる。対照的に、FeSe05Te05系で見出されたp~1の結果は、Nb-Tiでの結果と類似する。これは、Se及びTeの不均一な寄与に由来するであろう、点欠陥コアピン止めの強力な証拠となる。コアピン止め領域において、Fpは、各時点のFPの結果物、ピン止め中心密度である。このことは、FeSe05Te05のJcが、ピン止め中心として作用するため、より多くの欠陥を付加することにより、さらに増大し得ることを意味する。短いコヒーレンス長によって、FeSe05Te05でのピン止めの更なる増大が、カップリング限界に到達する前に期待される。前述の記載は、本発明の各実施態様を参照することによりなされるものであるが、本明細書での教示を利用する当業者は、より広い側面において、本発明から逸脱することなく、様々な変化及び修正を提案してもよい。前述の記載は例示的であり、本発明は添付された特許請求の範囲によってしか限定されない。