シリコン基板の主面上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層をパターニングして前記パターニングした部分の前記レジスト層を除去するパターニング工程と、ドライエッチング法によって前記レジスト層を除去した部分に対応する前記シリコン基板をエッチングして所定の深さの凹部を形成するエッチング工程と、堆積法によって、前記シリコン基板における前記凹部を形成した前記主面側の表面全体に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記凹部の底部に形成された前記絶縁層の部分を除去する除去工程と、電鋳法によって、前記シリコン基板に電圧を印加して前記凹部を金属で埋める電鋳工程とを備えることを特徴とする金属格子の製造方法。前記堆積法は、化学気相成長法、スパッタ法および蒸着法のうちのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の金属格子の製造方法。前記レジスト層は、前記エッチング工程および前記除去工程の後に残留する厚さであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の金属格子の製造方法。前記レジスト層は、前記エッチング工程のエッチング処理および除去工程の除去処理に対し耐性を有するとともに、前記電鋳工程で絶縁性を持つ材料で形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の金属格子の製造方法。前記レジスト層と前記絶縁層とは、互いに異なる材料によって形成されていることを特徴とする請求項4に記載の金属格子の製造方法。前記レジスト層は、金属酸化膜であることを特徴とする請求項5に記載の金属格子の製造方法。前記ドライエッチング法は、RIEであることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の金属格子の製造方法。前記ドライエッチング法は、ボッシュプロセスであることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の金属格子の製造方法。前記シリコン基板は、n型シリコンであることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の金属格子の製造方法。X線タルボ干渉計またはX線タルボロー干渉計に用いられる回折格子を製造する請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の金属格子の製造方法。請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の金属格子の製造方法によって製造された金属格子。X線を放射するX線源と、前記X線源から放射されたX線が照射されるタルボ干渉計またはタルボロー干渉計と、前記タルボ干渉計またはタルボロー干渉計によるX線の像を撮像するX線撮像素子とを備え、前記タルボ干渉計またはタルボロー干渉計は、請求項11に記載の金属格子を含むことを特徴とするX線撮像装置。ところで、前記特許文献1に開示された回折格子の製造方法では、X線吸収金属部が必要な厚さとなるまで前記各工程が繰り返されるので、手間がかかり、また煩雑である。この点、前記特許文献2に開示されたX線タルボ回折格子の製造方法では、このような各工程の繰り返しがないので、比較的簡便である。しかしながら、前記特許文献2の前記シリコン酸化膜形成工程によって前記溝の底面および側壁面に形成されるシリコン酸化膜からなる電気絶縁膜は、誘導結合型プラズマ処理装置に酸素を導入することによって形成される場合、前記特許文献2で引用する非特許文献大原淳士、外5名、二重側壁保護膜を用いた新しいディープRIE技術の開発、デンソーテクニカルレビュー、デンソー株式会社、2000年、Vol.5No.12000、p45-50を参照すると、せいぜい2nm程度であり、プラズマ処理にかかわる放電条件や、酸素の流量、酸素を照射する時間等の条件を変えてもこれよりも厚い膜をつけるのは困難である。このため、前記特許文献2の前記シリコン露出工程における反応性イオンエッチングのマスクとして機能するが、上述の如く膜厚が薄く、そして、実際にはその緻密性に欠けるため、前記特許文献2の前記電気メッキ工程の電気絶縁膜として充分に機能しない場合があり、前記電気メッキ工程における適確な膜とはいえない。したがって、シリコン全体に導電性があるため、前記電気メッキ工程において、X線吸収金属は、前記溝の側壁面からも成長する可能性が高く、この結果、X線吸収金属部の内部に空間ボイド、金属が未充填の部分が発生してしまう虞があり、前記溝を電気メッキによって前記X線吸収金属で緻密に埋めることが難しい。本発明は、上述の事情に鑑みて為された発明であり、その目的は、シリコン基板を用い、電鋳法によって格子の金属部分をより緻密に形成することができる金属格子の製造方法を提供することである。そして、本発明の他の目的は、この金属格子の製造方法を用いて製造された金属格子およびこの金属格子を用いたX線撮像装置を提供することである。本発明者は、種々検討した結果、上記目的は、以下の本発明により達成されることを見出した。すなわち、本発明の一態様にかかる金属格子の製造方法は、シリコン基板の主面上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層をパターニングして前記パターニングした部分の前記レジスト層を除去するパターニング工程と、ドライエッチング法によって前記レジスト層を除去した部分に対応する前記シリコン基板をエッチングして所定の深さの凹部を形成するエッチング工程と、堆積法によって、前記シリコン基板における前記凹部を形成した前記主面側の表面全体に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記凹部の底部に形成された前記絶縁層の部分を除去する除去工程と、電鋳法によって、前記シリコン基板に電圧を印加して前記凹部を金属で埋める電鋳工程とを備えることを特徴とする。そして、好ましくは、前記堆積法は、化学気相成長法、スパッタ法および蒸着法のうちのいずれかである。このような構成の金属格子の製造方法は、シリコンをドライエッチングするので、例えばスリット溝や柱状穴等の凹部における幅に対する深さの比凹部のアスペクト比=深さ/幅の高い前記凹部を形成することができる。この結果、このような構成の金属格子の製造方法は、この凹部を金属で埋めることで、高アスペクト比の金属部分を持つ金属格子を製造することができる。そして、前記電鋳工程で電鋳法によって前記凹部を金属で埋める際に、まず、絶縁層形成工程で、堆積作用で成膜する堆積法によって、前記凹部を形成した前記主面側の表面全体に絶縁層が形成され、そして、除去工程で、この絶縁層における凹部の底部部分が除去される。したがって、絶縁層形成工程では、緻密性に優れかつその膜厚を比較的制御し易い堆積法によって絶縁層が形成されるので、電鋳工程の電鋳法に対し電気的な絶縁を確保することができる所定膜厚の絶縁層を形成することができ、凹部を構成する壁部であってエッチング工程で残留したシリコン基板の壁部における壁面部分凹部の内側側面部分および上面部分頂部部分が絶縁層によって絶縁状態となるとともに、凹部の底部が通電可能な状態となる。このため、凹部の壁面内側側面から金属がより確実に析出および成長することがなく、凹部の底部から金属がより確実に析出し成長する。したがって、このような構成の金属格子の製造方法は、このように金属が前記凹部の底部から選択的に成長するので、ボイドの発生を効果的に抑制することができる。この結果、このような構成の金属格子の製造方法は、電鋳法によって格子の前記金属部分をより緻密に形成することができる。また、他の一態様では、この上述の金属格子の製造方法において、前記レジスト層は、前記エッチング工程および前記除去工程の後に残留する厚さであることを特徴とする。この構成によれば、レジスト層がエッチング工程のエッチング処理や除去工程の除去処理に対し削られる材料によって形成される場合であっても、除去工程後にレジスト層が確実に残留する。このため、このような構成の金属格子の製造方法は、凹部を構成する壁部であってエッチング工程で残留したシリコン基板の壁部の頂部上面もレジスト層によって絶縁性を確保することができ、より確実に該壁部の、電鋳法に対する絶縁性を確保することができる。また、他の一態様では、この上述の金属格子の製造方法において、前記レジスト層は、前記エッチング工程のエッチング処理および前記除去工程の除去処理に対し耐性を有するとともに、前記電鋳工程で絶縁性を持つ材料で形成されることを特徴とする。この金属格子の製造方法において、好ましくは、前記レジスト層と前記絶縁層とは、互いに異なる材料によって形成されていることであり、また、好ましくは、前記レジスト層は、金属酸化膜である。この構成によれば、レジスト層がエッチング工程のエッチング処理および除去工程の除去処理に対し耐性を有する材料であって電鋳工程で絶縁性を持つ材料で形成されるので、除去工程中にレジスト層が露出しても選択的に底部の絶縁層のみを除去することが可能となり、この除去工程後にレジスト層が残留する。このため、このような構成の金属格子の製造方法は、凹部を構成する壁部であってエッチング工程で残留したシリコン基板の壁部の頂部上面もレジスト層によって絶縁性を確保することができ、より確実に該壁部の、電鋳法に対する絶縁性を確保することができる。また、他の一態様では、これら上述の金属格子の製造方法において、前記ドライエッチング法は、RIEReactiveIonEtching、反応性イオンエッチングであることを特徴とする。このような構成の金属格子の製造方法は、RIEによって異方性エッチングを行うことができるので、深さ方向主面表面に垂直な方向に沿ってシリコン基板をエッチングすることができ、比較的容易にスリット溝を形成することができる。また、他の一態様では、これら上述の金属格子の製造方法において、前記ドライエッチング法は、ボッシュプロセスであることを特徴とする。このような構成の金属格子の製造方法は、ボッシュプロセスによってシリコン基板がドライエッチングされるので、前記凹部の側面がより平坦となり、高精度に金属格子を形成することができる。また、他の一態様では、これら上述の金属格子の製造方法において、前記シリコン基板は、前記n型シリコンであることを特徴とする。このような構成の金属格子の製造方法は、前記シリコン基板の導電型がn型であるので、電鋳法でシリコン基板を陰極とした場合に、容易に、シリコン基板からメッキ液に電子を与え、金属を析出させることができる。また、他の一態様では、これら上述の金属格子の製造方法は、X線タルボ干渉計またはX線タルボロー干渉計に用いられる金属格子を製造する場合に用いられる。上述したように、X線では、高アスペクト比が求められるが、これら上述の金属格子の製造方法を用いることによって、より緻密に形成された高アスペクト比の金属部分を備えたX線タルボ干渉計またはX線タルボロー干渉計に用いられる回折格子やマルチスリット板の金属格子を製造することができる。そして、本発明の他の一態様にかかる金属格子は、これら上述のいずれかの金属格子の製造方法によって製造される。これら上述の金属格子の製造方法によって製造される金属格子は、より緻密に形成された高アスペクト比の金属部分を備えることができる。このため、このような構成の金属格子は、例えば、X線に好適に用いることができ、特に、X線タルボ干渉計またはX線タルボロー干渉計により好適に用いることができる。また、本発明の他の一態様にかかるX線撮像装置は、X線を放射するX線源と、前記X線源から放射されたX線が照射されるタルボ干渉計またはタルボロー干渉計と、前記タルボ干渉計またはタルボロー干渉計によるX線の像を撮像するX線撮像素子とを備え、前記タルボ干渉計またはタルボロー干渉計は、上述の金属格子を含むことを特徴とする。このような構成のX線撮像装置は、タルボ干渉計またはタルボロー干渉計を構成する金属格子に、金属部分がより緻密な上述の金属格子を用いるので、より確実に回折され、より鮮明なX線の像を得ることができる。本発明にかかる金属格子の製造方法は、シリコン基板を用い、電鋳法によって格子の金属部分をより緻密に形成することができる。そして、本発明では、このような金属格子の製造方法によって製造される金属格子ならびにこの金属格子を用いたX線撮像装置が提供される。以下、本発明にかかる実施の一形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、適宜、その説明を省略する。また、本明細書において、総称する場合には添え字を省略した参照符号で示し、個別の構成を指す場合には添え字を付した参照符号で示す。金属格子図1は、実施形態における金属格子の構成を示す斜視図である。本実施形態の金属格子DGは、図1に示すように、第1シリコン部分11と、第1シリコン部分11上に形成された格子12とを備えて構成される。第1シリコン部分11は、図1に示すようにDxDyDzの直交座標系を設定した場合に、DxDy面に沿った板状または層状である。格子12は、所定の厚さH格子面DxDyに垂直なDz方向格子面DxDyの法線方向の長さを有して一方向Dxに線状に延びる複数の第2シリコン部分12aと、前記所定の厚さHを有して前記一方向Dxに線状に延びる複数の金属部分12bとを備え、これら複数の第2シリコン部分12aと複数の金属部分12bとは、交互に平行に配設される。このため、複数の金属部分12bは、前記一方向Dxと直交する方向Dyに所定の間隔を空けてそれぞれ配設される。言い換えれば、複数の第2シリコン層12aは、前記一方向Dxと直交する方向Dyに所定の間隔を空けてそれぞれ配設される。この所定の間隔ピッチPは、本実施形態では、一定とされている。すなわち、複数の金属部分12b複数の第2シリコン部分12aは、前記一方向Dxと直交する方向Dyに等間隔Pでそれぞれ配設されている。第2シリコン部分12aは、前記DxDy面に直交するDxDz面に沿った板状または層状であり、金属部分12bもこのDxDz面に沿った板状または層状である。そして、複数の第2シリコン部分12aと複数の金属部分12bとの各間には、複数の第1絶縁層12cがそれぞれさらに備えられている。すなわち、第2シリコン部分12aの両側面には、第1絶縁層12cが形成されている。言い換えれば、金属部分12bの両側面には、第1絶縁層12cが形成されている。第1絶縁層12cは、第2シリコン層12aと金属部分12bとを電気的に絶縁するように機能し、例えば、酸化膜によって形成される。酸化膜は、例えば、酸化シリコン膜SiO2膜、シリコン酸化膜やアルミナ膜Al2O3膜、酸化アルミニウム膜等である。さらに、複数の第2シリコン部分12aの上面頂部には、第2絶縁層12dがそれぞれさらに備えられている。第2絶縁層12dは、第2シリコン層12aを後述の電鋳法において電気的に絶縁するように機能する。この第2絶縁層12dは、例えば、感光性樹脂層フォトレジスト膜や酸化膜等によって形成される。酸化膜は、例えば、シリコン酸化膜やアルミナ膜等を挙げることができる。これら第1シリコン部分11、複数の第2シリコン部分12a、複数の第1絶縁層12cおよび複数の第2絶縁層12dは、X線を透過するように機能し、複数の金属部分12bは、X線を吸収するように機能する。このため、金属格子DGは、一態様として、前記所定の間隔PをX線の波長に応じて適宜に設定することにより、回折格子として機能する。金属部分12bの金属は、X線を吸収するものが好適に選択され、例えば、原子量が比較的重い元素の金属や貴金属、より具体的には、例えば、金Au、プラチナ白金、Pt、ロジウムRh、ルテニウムRuおよびイリジウムIr等である。また、金属部分12bは、例えば仕様に応じて充分にX線を吸収することができるように、適宜な厚さHとされている。この結果、金属部分12bにおける幅Wに対する厚さHの比アスペクト比=厚さ/幅は、例えば、5以上の高アスペクト比とされている。金属部分12bの幅Wは、前記一方向長尺方向Dxに直交する方向幅方向Dyにおける金属部分12bの長さであり、金属部分12bの厚さHは、前記一方向Dxとこれに直交する前記方向Dyとで構成される平面DxDyの法線方向深さ方向Dzにおける金属部分12bの長さである。このような高アスペクト比の金属部分12bを備える金属格子DGは、シリコン基板の主面上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層をパターニングして前記パターニングした部分の前記レジスト層を除去するパターニング工程と、ドライエッチング法によって前記レジスト層を除去した部分に対応する前記シリコン基板をエッチングして所定の深さの凹部を形成するエッチング工程と、堆積法によって、前記シリコン基板における前記凹部を形成した前記主面側の表面全体に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記凹部の底部に形成された前記絶縁層の部分を除去する除去工程と、電鋳法によって、前記シリコン基板に電圧を印加して前記凹部を金属で埋める電鋳工程とによって製造される。前記凹部は、1次元格子では、例えば、スリット溝であり、また2次元格子では、柱状穴柱状孔等である。以下、前記凹部がスリット溝である前記金属格子DGの製造方法について、以下、この金属格子DGの製造方法について、詳述する。第1製造方法図2ないし図4は、実施形態における金属格子の製造方法を説明するための図である。図5は、実施形態における金属格子の製造工程中のシリコン基板を示す斜視図である。図6は、ボッシュプロセスによってICPドライエッチングされたシリコン基板の様子を示す図である。図6Bは、図6Aの一部拡大図である。図7は、真空蒸着法における絶縁層の成膜方法を説明するための図である。図7Aは、1回目の成膜の様子を示し、図7Bは、2回目の成膜の様子を示す。図8は、レジスト層および絶縁層がアルミナ膜であって真空蒸着法によってアルミナ膜の絶縁層を成膜した場合におけるシリコン基板の様子を示す図である。図8Aは、第2シリコン部分12aの頂部付近を示し、図8Bは、第2シリコン部分12aの中部付近を示し、図8Cは、第2シリコン部部分12aの底部付近基部付近を示す。本実施形態の金属格子DGを製造するために、まず、シリコン基板30が用意される図2A。好ましくは、シリコン基板30は、多数キャリアが電子であるn型シリコンである。ここで、n型シリコンは、伝導体電子を豊富に持つため、シリコンを陰極に接続して負電位を印加しカソード分極をすると、後述の電鋳工程では、メッキ液46といわゆるオーミック接触になり、電流が流れて還元反応が起き易くなり、結果として金属がより析出し易くなる。次に、シリコン基板30の主面上にレジスト層33が形成されレジスト層形成工程、このレジスト層33をパターニングして前記パターニングした部分のレジスト層33が除去されるパターニング工程、図2B、図2C、図3A、図3B。レジスト層とは、エッチングの際に、該エッチングに抗して保護膜として機能する層である。例えば、レジスト層33は、後述の絶縁層34と同一の材料であってよく、例えば、次のエッチング工程のエッチング処理に対し耐性のある絶縁性のシリコン酸化膜33aであってよい。このシリコン酸化膜33aが、パターニングされたレジスト層33として用いられ、このシリコン酸化膜33aをパターニングするために、感光性樹脂層フォトレジスト膜が用いられる。なお、耐性のあるとは、エッチング処理において、全くエッチングされないという意味である必要はなく、比較的エッチングされ難いという意味であり、エッチングすべきエッチング対象部分がエッチングされる間、エッチングすべきではない非エッチング対象部分を保護する保護膜として機能するという意味である。そして、このようにレジスト層33と絶縁層34とが同じ材料で形成される場合には、レジスト層33この例ではシリコン酸化膜33aは、次工程のエッチング工程および後述の除去工程の後に残留するように、その膜厚t1が絶縁層34の膜厚t2よりも厚くなるように形成される。また例えば、レジスト層33は、絶縁層34と異なる材料であってよく、例えば、エッチング工程のエッチング処理に対し耐性を有するとともに除去工程の除去処理に対し耐性を有する絶縁性の金属酸化膜33bであってよい。このような金属酸化膜33bは、例えば、アルミナ膜Al2O3膜等である。この金属酸化膜33bが、パターニングされたレジスト層33として用いられ、この金属酸化膜33bをパターニングするために、感光性樹脂層フォトレジスト膜が用いられる。この場合には、金属酸化膜33b自体がエッチング工程および除去工程の各処理に対し耐性を有するので、その膜厚t1は、必ずしも絶縁層34の膜厚t2よりも厚い必要はなく、電鋳法に対し電気的に絶縁性を有する膜厚でよい。このようなシリコン酸化膜33aおよび金属酸化膜33bは、絶縁性を有するとともに、エッチング工程および除去工程の後に残留可能な層となる。このようなレジスト層33は、種々の方法に形成することができる。より具体的には、例えば、レジスト層33がシリコン酸化膜33aである場合には、シリコン基板30の表面にレジスト層33としてシリコン酸化膜33aが形成される。このシリコン酸化膜33aは、その厚さt1が後述の絶縁層34としてのシリコン酸化膜34の厚さt2よりも厚くなるように形成される。このシリコン酸化膜33aは、例えば、公知の常套手段である熱酸化法、化学気相成長法ChemicalVaporDeposition、CVD、陽極酸化法およびスパッタ法等の種々の成膜方法によって形成される。例えば、熱酸化法では、シリコン基板30が配置された石英管内に酸素雰囲気不活性ガスを含んでもよいまたは水蒸気が導入され、前記酸素雰囲気または前記水蒸気の気体雰囲気中でシリコン基板30が、前記石英管をヒータによって加熱することで高温加熱され、その表面に所定の厚さ例えば約200nm等のシリコン酸化膜33aが形成される。また例えば、陽極酸化法では、シリコン基板30に電源の陽極が接続され、電源の陰極に接続された陰極電極およびシリコン基板30が電解液に浸けられる。そして、通電されると、シリコン基板30の表面に所定の厚さ例えば約200nm等のシリコン酸化膜33aが形成される。前記電解液は、酸化力が強く、かつ陽極酸化により生成された酸化膜を溶解しない酸性溶液、例えば、硝酸、塩酸、硫酸、シュウ酸および燐酸等の溶液が好ましい。陰極電極は、この電解液に対して溶解しない金属、例えば、金Auおよび白金Pt等で形成されることが好ましい。化学気相成長法やスパッタ法については、後述する。シリコン酸化膜33aは、シリコン基板30の少なくとも上面に形成されるが、裏面や側面にも形成されてもよい。このようにレジスト層33としてシリコン酸化膜33aが用いられるので、公知、常套手段の熱酸化法、化学気相成長法、陽極酸化法およびスパッタ法等の種々の成膜方法を用いることができるから、比較的容易にシリコン酸化膜33aを形成することが可能となる。続いて、シリコン基板30に形成されたシリコン酸化膜33a上に感光性樹脂層40が例えばスピンコート等によって形成される図2B。ここで、感光性樹脂層40は、リソグラフィーにおいて使用され、光可視光だけでなく紫外線等も含むや電子線等によって溶解性等の物性が変化する材料である。なお、これに限定されるものではなく、例えば、感光性樹脂層40に代え、電子線露光用のレジスト層であってもよい。続いて、フォトリソグラフィー工程として、リソグラフィー法によって感光性樹脂層40がパターニングされ図2C、このパターニングした部分の感光性樹脂層40が除去される図3A。より具体的には、感光性樹脂層40にリソグラフィーマスク41を押し当てて、感光性樹脂層40にリソグラフィーマスク41を介して紫外線42が照射され、感光性樹脂層40がパターン露光され、現像される図2C。そして、露光されなかった部分あるいは露光された部分の感光性樹脂層40が除去される図3A。続いて、パターニングされた感光性樹脂層40をマスクに、エッチングによって感光性樹脂層40の除去された部分のシリコン酸化膜33aが除去されてシリコン酸化膜33aがパターニングされる図3B。より具体的には、例えば、CHF3ガスの反応性リアクティブエッチングRIEによってシリコン酸化膜33aがパターニングされる。また例えば、フッ酸のウェットエッチングによってシリコン酸化膜33aがパターニングされる。このパターニング工程におけるレジスト層33としてのシリコン酸化膜33aのエッチングは、他のエッチング方法であってもよい。なお、上述のシリコン酸化膜33aの場合において、レジスト層33としてのシリコン酸化膜33aに代え、金属酸化膜33bを用いる場合には、金属酸化膜33bは、例えば、化学気相成長法、スパッタ法および蒸着法等の種々の成膜方法によって成膜される。また、前記パターニング工程における金属酸化膜33bのパターニングには、適宜な反応性ガスを用いたRIEが用いられる。そして、次に、ドライエッチング法によって感光性樹脂層40およびレジスト層33を除去した部分に対応するシリコン基板30が、前記法線方向Dzに所定の深さHまでエッチングされる。これによってスリット溝SDが形成される図3C、エッチング工程。なお、図5には、エッチング工程後におけるシリコン基板30の一構造例が示されており、この場合では、図3Cには、図5に示すAA’線でのこのシリコン基板30の断面が示されている。より具体的には、パターニングされた感光性樹脂層40およびレジスト層33をマスクとして、シリコン基板30における表面から所定の深さHまで、ICPInductivelyCoupledPlasmaドライエッチングでシリコン基板30がエッチングされる。なお、このICPドライエッチングによって感光性樹脂層40は、除去される。なお、レジスト層33が若干エッチングされてもよい。このICPドライエッチングは、高アスペクト比で垂直なエッチングができるため、好ましくは、ICP装置によるASEプロセスである。このASEAdvancedSiliconEtchプロセスとは、SF6プラズマ中のFラジカルとFイオンによるRIE反応性イオンエッチングによってシリコン基板のエッチングを行う工程と、C4F8プラズマ中のCFxラジカルおよびそれらのイオンの重合反応によって、テフロン登録商標に近い組成を有するポリマー膜を壁面に堆積させて保護膜として作用させる工程とを繰り返し行うものである。また、高アスペクト比でより垂直なエッチングができるため、より好ましくは、ボッシュBoschプロセスのように、SF6プラズマがリッチな状態と、C4F8プラズマがリッチな状態とを交互に繰り返すことで、側壁保護と底面エッチングとを交互に進行させてもよい。このようなボッシュプロセスによってエッチングしたシリコン基板30の様子を図6に示す。なお、ドライエッチング法は、ICPドライエッチングに限定するものではなく、他の手法であってもよい。例えば、いわゆる、並行平板型リアクティブイオンエッチングRIE、磁気中性線プラズマNLDドライエッチング、化学支援イオンビームCAIBエッチングおよび電子サイクロトロン共鳴型リアクティブイオンビームECRIBエッチング等のエッチング技術であっても良い。このエッチングされてDxDz面に沿って残ったシリコン基板30の板状部分層状部分、壁部32が第2シリコン部分12aとなり、このエッチングされてDxDy面に沿って残ったシリコン基板30の板状部分基部31が第1シリコン部分11となる。次に、シリコン基板30におけるスリット溝SDを形成した主面側の表面全体に、堆積法によって、後述の電鋳工程の電鋳法に対し絶縁性を有するように所定の厚さの絶縁層34が形成される図4A、絶縁層形成工程。堆積法は、絶縁層34を堆積作用によって成膜する手法であり、例えば、化学気相成長法、スパッタ法および真空蒸着法等である。このような堆積法によって成膜される絶縁層34には、例えば、シリコン酸化膜34aおよび金属酸化膜34b等が挙げられる。そして、金属酸化膜34bには、例えば、アルミナ膜34bが挙げられる。この絶縁層34は、シリコン基板30におけるスリット溝SDを形成した主面側から堆積法によって形成されるので、前記主面側の表面全体に亘って形成される。すなわち、絶縁層34は、スリット溝SDの内表面全体スリット溝SDの壁面内側側面および底面、および、スリット溝SDを構成する壁部であってエッチング工程で残留したシリコン基板30の壁部の上面部分頂部部分に形成される。なお、この絶縁層34は、シリコン基板30の裏面や側面にも形成されてもよい。この堆積法は、堆積作用によって成膜するので、緻密な膜を形成することができる。したがって、電鋳工程の電鋳法における絶縁膜34を形成する方法として、この堆積法は、好適である。より具体的には、シリコン基板30におけるスリット溝SDを形成した主面側の表面全体に、化学気相成長法によって絶縁層34を堆積して形成する場合には、例えば、有機シランの一種であるテトラエトキシシランTetraethoxysilane、TEOSが加温され、キャリアガスによってバブリングされることによってTEOSガスが生成され、このTEOSガスに例えば酸素やオゾン等の酸化ガスおよび例えばヘリウム等の希釈ガスが混合されて原料ガスが生成される。そして、この原料ガスが例えばプラズマCVD装置や常温オゾンCVD装置等のCVD装置に導入され、CVD装置内のシリコン基板30の表面に所定の厚さ例えば約40nm等のシリコン酸化膜34aが形成される。ここで、テトラエトキシシランの代わりに、アルミニウムイソプロポキシドAluminiumisopropoxideを用いることによって、絶縁層34として所定の厚さ例えば約30nm等のアルミナ膜34bがCVDによって成膜される。このCVDは、原料ガスの表面化学反応であるため、特別な工夫を行うことなく、構造物内壁本実施形態ではスリット溝SDの内表面に緻密な膜を形成することができ、その膜厚も数nm~数μmまで比較的容易に成膜することができる。また、シリコン基板30におけるスリット溝SDを形成した主面側の表面全体に、スパッタ法によって絶縁層34を堆積して形成する場合には、例えば、真空チャンバー内に絶縁層34として成膜させたい物質のターゲットが設置され、高電圧を印加することによってイオン化されたアルゴン等の希ガス元素普通はアルゴンを用いるが前記ターゲットに照射および衝突される。この衝突によって前記ターゲットの表面の原子がはじき飛ばされる。このはじき飛ばされた原子スパッタリング粒子が、前記主面側の表面に到達することで、前記主面側の表面に前記スパッタリング粒子が降り積もって堆積し成膜される。なお、前記スパッタリング粒子を底部BTに到達させて高アスペクトなスリット溝SDの内表面に均一かつ緻密に製膜するために、前記ターゲットとシリコン基板30とを100mm程度の所定の距離まで離間することによって、前記スパッタリング粒子の指向性を向上させることが好ましい。また、イオン化されたガスであるアルゴン等の希ガス中に、例えば微量の窒素ガスを混合すると、スリット溝SDの開口付近に窒素による薄い潤滑層のようなものが形成され、その結果、前記スパッタリング粒子を滑り込ませてスリット溝SDの底部BTまでより到達させ易くすることができ、より好ましい。このスパッタ法は、成膜時間を長くしたり、希ガスをイオン化させるための電圧を高くすること等によって、前記スパッタリング粒子の個数を増加させたり、条件を適宜に設定することによって、構造物内壁本実施形態ではスリット溝SDの内表面に緻密な膜を形成することができ、その膜厚も数nm~数μmまで比較的容易に成膜することができる。また、シリコン基板30におけるスリット溝SDを形成した主面側の表面全体に、真空蒸着法によって絶縁層34を堆積して形成する場合には、真空チャンバー内で絶縁層34として成膜させたい物質と対面させるようにシリコン基板30が配置され、蒸着源を加熱することによって発生した気体状態の成膜物質蒸着物質が前記主面側の表面に照射される。この蒸着物質が、前記主面側の表面に到達することで、前記主面側の表面に前記蒸着物質が降り積もって堆積し成膜される。真空蒸着法は、通常、10-2~10-4Pa程度の低気圧下で実施されるため、蒸着物質の平均自由行程は、数10cm~数10m程度と長く、ほとんど衝突することなくシリコン基板30に到達するため蒸着源から気化した蒸着物質は、極めて良い指向性を有している。このため、比較的高アスペクトなスリット溝SDの内表面を、スリット溝SDの奥深くまで、均一かつ緻密に製することができる。また、真空蒸着法では、蒸着物質の指向性が極めて高いため、スリット溝SDの内側面に成膜し難い場合には、図7Aに示すように、シリコン基板30を蒸着源に対しやや斜めに傾けて側面を含めて1回目の成膜を行い、続けて、図7Bに示すように、前記1回目の成膜とは反対にシリコン基板30を傾けて2回目の成膜を行うことで、スリット溝SDの両側面を成膜することができる。レジスト層33および絶縁層34がアルミナ膜33b、34bであって真空蒸着法によってアルミナ膜34bの絶縁層34を成膜した場合におけるシリコン基板30の様子を図8に示す。図8に示すように、異なる方向に斜めに傾けて2回の蒸着を実施することによってスリット溝SDの両側面全体に略均一な緻密な膜が成膜されている。なお、2回蒸着されるので、第2シリコン部分12aの頂部およびスリット溝SDの底部BTの膜厚は、両側面の膜厚よりも厚くなっている。また、さらに緻密で強度の高い絶縁層34を形成するために、真空蒸着中にイオン銃で、数100eV程度のガスイオンを基板に照射するイオンビームアシスト蒸着が用いられてもよい。このように真空蒸着法も構造物内壁本実施形態ではスリット溝SDの内表面に緻密な膜を形成することができ、その膜厚も数nm~数μmまで比較的容易に成膜することができる。ここで、レジスト層33と絶縁層34との材質の点における具体的な組み合わせは、一例として、第1に、レジスト層33がシリコン酸化膜33aであって絶縁層34もシリコン酸化膜34aである第1ケース、第2に、レジスト層33がシリコン酸化膜33aであって絶縁層34が金属酸化膜例えばアルミナ膜等34bである第2ケース、第3に、レジスト層33が金属酸化膜例えばアルミナ膜等33bであって絶縁層34がシリコン酸化膜34aである第3ケース、そして、第4に、レジスト層33が金属酸化膜例えばアルミナ膜等33bであって絶縁層34も金属酸化膜例えばアルミナ膜等34bである第4ケースである。次に、スリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34の部分が除去される除去工程、図4B。より具体的には、ドライエッチング法のICPドライエッチングによってスリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34の部分が除去される。ここで、ICPドライエッチングは、垂直指向性の高いので、スリット溝SDの内側側面に形成された絶縁層34シリコン基板30の板状部分32の両壁面両側面に形成された絶縁層34は、スリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34の部分が除去された時点では、絶縁層として機能するために充分な厚さで残る。スリット溝SDの内側側面に形成された絶縁層34は、絶縁性を持つレジスト層33シリコン酸化膜33a、金属酸化膜33bと協働することによって、次の電鋳工程においてシリコン基板30の板状部分32に掛かる電圧を遮断する機能この板状部分32を電気的に絶縁する機能を奏する程度の厚さよく、例えば、10nm程度以上であればよい。これら各スリット溝SDの内側側面にそれぞれ形成された各絶縁層34シリコン基板30の各板状部分32の両壁面両側面にそれぞれ形成された各絶縁層34は、複数の第2シリコン部分12aと複数の金属部分12bとの各間における複数の第1絶縁層12cとなる。ここで、レジスト層33および絶縁層34が同一の材料で形成される前記第1ケースである場合には、スリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34をエッチングするために、石英をエッチングすることができるCHF3のICPドライエッチングによって、また、前記第4ケースである場合には、スリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34をエッチングするために、アルミナをエッチングすることができるBCl3等のホウ素を含んだ塩素系のガスのICPドライエッチングによって、第2シリコン部分12aに相当するシリコン基板の板状部分32上では、レジスト層33もエッチングされ、より強くプラズマにさらされる分、スリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34よりもエッチングされ易いが、パターニング後のレジスト層33の厚さt1は、絶縁層34の厚さt2よりも厚いのでt1>t2、スリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34の部分が除去された時点では、レジスト層33は、残留する。具体例については、後述する。また、レジスト層33および絶縁層34が互いに異なる材料で形成される前記第2ケースおよび前記第3ケースである場合には、材料が異なることを利用して、底部のみを選択的に除去することができるガスを用いてドライエッチングすることで、前記底部の絶縁層のみを除去することができる。例えば、前記第2ケースである場合では、レジスト層33は、主にシリコン酸化膜33aであり、底部および側面の絶縁層34は、アルミナ膜34bであるので、石英をエッチングせず、かつ、アルミナをエッチングする塩素系のガスを用いたICPドライエッチングによって、底部のアルミナ膜34bのみを選択的に除去することができる。また例えば、前記第3ケースである場合では、レジスト層33は、主にアルミナ膜33bであり、底部および側面の絶縁層34は、石英膜34aであるので、アルミナをエッチングせず、かつ、石英をエッチングするCHF3を用いたICPドライエッチングによって、底部のアルミナ膜34bのみを選択的に除去することができる。いずれのケースも、結果として、スリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34の部分が除去された時点では、レジスト層33は、残留する。具体例については、後述する。この除去工程後に残留している、複数の第2シリコン部分12aの各上面頂部におけるレジスト層33は、複数の第2絶縁層12dとなる。ここで、上述の図2Aに示す工程から図4Bに示す工程間の各工程における一具体例について説明する。まず、レジスト層33がシリコン酸化膜33aであって絶縁層34もシリコン酸化膜34aである第1ケースでは、前記レジスト層形成工程では、任意の形成方法でシリコン酸化膜33aは、形成されてもよいが、例えば、熱酸化法によって形成される。より具体的には、例えば、1リットル/分の割合で導入される水蒸気の雰囲気中で、1150°C、20分間、加熱することによって、約200nmのシリコン酸化膜33aが形成される。続いて、前記パターニング工程では、CHF3ガスのRIEによってシリコン酸化膜33aがパターニングされる。続いて、前記エッチング工程では、前記シリコン酸化膜33aによるレジスト層33をいわゆるマスクにボッシュプロセスによりシリコンを高アスペクト比で加工する。この結果、前記シリコン酸化膜33aは、約170nmに目減りする。続いて、前記絶縁層形成工程では、化学気相成長法、スパッタ法および真空蒸着法等の堆積法によってシリコン酸化膜34aが形成される。より具体的には、上述したTEOSガスを用いた化学気相成長法によって約40nmのシリコン酸化膜34aが形成される。これによってスリット溝SDの内側表面側面および底面には、約40nmのシリコン酸化膜34aが形成され、第2シリコン部12aの頂部上面には、約210nm=約170nm約40nmのシリコン酸化膜33a、34aが形成されている。続いて、前記除去工程では、CHF3ガスを用いたICPドライエッチングによって底部BTの絶縁層としてのシリコン酸化膜34aが除去される。この除去工程後では、第2シリコン部12aの頂部上面には、約130nmに目減りするが、シリコン酸化膜は、残留している。また、レジスト層33がシリコン酸化膜33aであって絶縁層34が金属酸化膜例えばアルミナ膜等34bである第2ケースでは、前記レジスト層形成工程、前記パターニング工程および前記エッチング工程は、他の方法によって実行されてもよいが、例えば、前記第1ケースにおける前記レジスト層形成工程、前記パターニング工程および前記エッチング工程と同様である。続いて、前記絶縁層形成工程では、化学気相成長法、スパッタ法および真空蒸着法等の堆積法によってアルミナ膜34bが形成される。より具体的には、アルミナターゲットを用いたスパッタ法によって約30nmのアルミナ膜34bが形成される。これによってスリット溝SDの内側表面側面および底面には、約30nmのアルミナ膜34bが形成され、第2シリコン部12aの頂部上面には、約200nm=約170nm約30nmのシリコン酸化膜33aおよびアルミナ膜34bが形成されている。続いて、前記除去工程では、塩素系のガスを用いたICPドライエッチングによって底部BTの絶縁層としてのアルミナ膜34bが除去される。この除去工程後には、第2シリコン部12aの頂部上面には、シリコン酸化膜も若干削られて約165nmに目減りするが、シリコン酸化膜は、エッチングレートの差によりほとんど残留している。また、レジスト層33が金属酸化膜例えばアルミナ膜等33bであって絶縁層34がシリコン酸化膜33aである第3ケースでは、前記レジスト層形成工程では、任意の形成方法でアルミナ膜33bは、形成されてもよいが、例えば、アルミナターゲットを用いたスパッタ法によって約150nmのアルミナ膜33bが形成される。続いて、前記パターニング工程では、塩素系のガスのRIEによってアルミナ膜33bがパターニングされる。続いて、前記エッチング工程では、前記アルミナ膜33bによるレジスト層33をいわゆるマスクにボッシュプロセスによりシリコンを高アスペクト比で加工する。この結果、前記アルミナ膜33bは、約130nmに目減りする。続いて、前記絶縁層形成工程では、化学気相成長法、スパッタ法および真空蒸着法等の堆積法によってシリコン酸化膜34aが形成される。より具体的には、石英を用いたスパッタ法によって約40nmのシリコン酸化膜34aが形成される。これによってスリット溝SDの内側表面側面および底面には、約40nmのシリコン酸化膜34aが形成され、第2シリコン部12aの頂部上面には、約170nm=約130nm約40nmのアルミナ膜33bおよびシリコン酸化膜34aが形成されている。続いて、前記除去工程では、CHF3ガスを用いたICPドライエッチングによって底部BTの絶縁層としてのシリコン酸化膜34aが除去される。この除去工程後では、第2シリコン部12aの頂部上面には、アルミナ膜も若干削られて約125nmに目減りするが、アルミナ膜33bは、エッチングレートの差によりほとんど残留している。そして、レジスト層33が金属酸化膜例えばアルミナ膜等33bであって絶縁層34も金属酸化膜例えばアルミナ膜等34bである第4ケースでは、前記レジスト層形成工程では、任意の形成方法でアルミナ膜33bは、形成されてもよいが、例えば、アルミナターゲットを用いたスパッタ法によって約200nmのアルミナ膜33bが形成される。続いて、前記パターニング工程では、塩素系のガスのRIEによってアルミナ膜33bがパターニングされる。続いて、前記エッチング工程では、前記アルミナ膜33bによるレジスト層33をいわゆるマスクにボッシュプロセスによりシリコンを高アスペクト比で加工する。この結果、前記アルミナ膜33bは、約180nmに目減りする。続いて、前記絶縁層形成工程では、化学気相成長法、スパッタ法および真空蒸着法等の堆積法によってアルミナ膜34bが形成される。より具体的には、アルミナを用いた真空蒸着法によってアルミナ膜34bが形成される。これによってスリット溝SDの内側側面には、約130nmのアルミナ膜34bが形成され、その底面BTには、約160nmのアルミナ膜34bが形成され、第2シリコン部12aの頂部上面には、約320nm=約180nm約140nmのアルミナ膜33b、34bが形成されている。続いて、前記除去工程では、塩素ガス系のガスを用いたICPドライエッチングによって底部BTの絶縁層としてのシリコン酸化膜34aが除去される。この除去工程後では、第2シリコン部12aの頂部上面には、アルミナ膜も削られて約140nmに目減りするが、アルミナ膜33bは、残留している。図4に戻って、次に、電鋳法電気メッキ法によって、シリコン基板30に電圧を印加して前記スリット溝SDが金属で埋められる電鋳工程、図4C。より具体的には、シリコン基板30に電源44の陰極が接続され、電源44の陽極に接続された陽極電極45およびシリコン基板30がメッキ液46に浸けられる。なお、シリコン基板30における、電源44の陰極に接続される部分にシリコン酸化膜が形成されている場合には、電源44の陰極とシリコン基板30との導通を図るために、その部分が除去される。これによって電鋳によりスリット溝SDの底部におけるシリコン基板30板状部分31側から金属が析出し、成長する。そして、この金属がスリット溝SDを埋めると、電鋳が終了される。これによって金属がシリコン基板30の板状部分32と同じ厚さHだけ成長する。こうしてスリット溝SDに金属が埋められ、金属部分12bが形成される。この金属は、X線を吸収するものが好適に選択され、例えば、原子量が比較的重い元素の金属や貴金属、より具体的には、例えば、金Au、プラチナ白金、Pt、ロジウムRh、ルテニウムRu、イリジウムIr、インジウムInおよびニッケルNi等である。このような各製造工程を経ることによって、図1に示す構成の金属格子DGが製造される。このような構成の金属格子DGの製造方法は、シリコン基板30をドライエッチングするので、スリット溝SDにおける幅Wに対する深さHの比スリット溝SDのアスペクト比=深さH/幅Wの高いスリット溝SDを形成することができる。この結果、このような構成の金属格子DGの製造方法は、この高アスペクト比のスリット溝SDを金属で埋めることで、高アスペクト比の金属部分12bを持つ金属格子DGを製造することができる。そして、電鋳工程で電鋳法によってスリット溝SDを金属で埋める際に、まず、絶縁層形成工程で、堆積法によって、絶縁層34が少なくともスリット溝SDの内表面に形成され、そして、除去工程で、スリット溝SDの底部部分BTに形成された絶縁層34の部分が除去される。したがって、絶縁層形成工程では、緻密性に優れかつその膜厚を比較的制御し易い堆積法によって絶縁層34が形成されるので、電鋳工程の電鋳法に対し電気的な絶縁を確保することができる所定膜厚の例えばシリコン酸化膜SiO2膜34aやアルミナ膜Al2O3膜34b等の絶縁層34を形成することができ、スリット溝SDを構成する壁部であってエッチング工程で残留したシリコン基板30の壁部シリコン基板30の各板状部分32における壁面部分スリット溝SDの壁面部分内側側面部分が絶縁層34によって絶縁状態となるとともに、スリット溝SDの底部が通電可能な状態となる。このため、スリット溝SDの壁面内側側面から金属がより確実に析出および成長することがなく、スリット溝SDの底部から金属がより確実に析出し成長する。したがって、このような構成の金属格子DGの製造方法は、このように金属がスリット溝SDの底部から選択的に成長するので、ボイドの発生を効果的に抑制することができる。この結果、このような構成の金属格子DGの製造方法は、電鋳法によって格子の金属部分12bをより緻密に形成することができる。特に、X線タルボ干渉計およびX線タルボロー干渉計に用いられる回折格子は、金属部分12bが高いアスペクト比が求められるが、本実施形態における金属格子DGの製造方法は、上述のように、このような高アスペクト比、例えば5倍以上、好ましくは10倍以上、より好ましくは20倍以上に対応することができ、しかもより緻密な金属部分12bを形成することができ、X線タルボ干渉計およびX線タルボロー干渉計に用いられる回折格子の製造方法として好適である。また、本実施形態における金属格子DGの製造方法は、レジスト層33および絶縁層34が同じ材料、例えばシリコン酸化膜33a、34aやアルミナ膜33b、34bで形成されている場合例えば前記第1および第4ケースでも、レジスト層33は、エッチング工程および除去工程の後に残留するように、レジスト層33の厚さが絶縁層34の厚さより厚く形成されているので、除去工程の除去処理に対し削られるレジスト層33であっても、除去工程後にレジスト層33が残留する。このため、このような構成の金属格子DGの製造方法は、スリット溝SDを構成する壁部であってエッチング工程で残留したシリコン基板30の壁部シリコン基板30の各板状部分32における頂部上面も電鋳工程の電鋳法において絶縁されるので、絶縁層34は、この残留したレジスト層33と協働することによって、該壁部の、電鋳法に対する絶縁性をより確実に確保することができる。一方、本実施形態における金属格子DGの製造方法は、レジスト層33および絶縁層34が互いに異なる材料、すなわち、レジスト層33が、エッチング工程のエッチング処理に耐性を有し、かつ、除去工程の除去処理に対し耐性を有するとともに、電鋳工程で絶縁性を持つ、絶縁層34と異なる材料で形成される場合例えば前記第2および第3ケースには、除去工程で選択的に絶縁層34のみを除去することが可能となり、この除去工程後にレジスト層33が残留する。このようにレジスト層33と絶縁層34とを互いに異なる材料で形成することにより、レジスト層33と絶縁層34とは、そのエッチングレートの異なる材料で形成することが可能となり、スリット溝SDの底部に形成された絶縁層34の部分BTだけをより選択的に除去することができる。このため、このような構成の金属格子DGの製造方法は、スリット溝SDを構成する壁部であってエッチング工程で残留したシリコン基板30の壁部シリコン基板30の各板状部分32における頂部上面も電鋳工程の電鋳法において絶縁されるので、絶縁層34は、この残留したレジスト層33と協働することによって、該壁部の、電鋳法に対する絶縁性をより確実に確保することができる。ここで、前記特許文献2では、エッチング工程溝形成工程に用いられるエッチングマスクは、フォトレジストマスク特許文献2の0044段落参照であるため、溝の側壁面を構成するシリコン基板の壁部エッチングで残ったシリコン基板の部分の頂部上シリコン基板の一側の面上に、エッチング工程後に残留する前記フォトレジストマスクは、シリコン酸化膜形成工程における酸素と反応し、電気メッキ工程では、残留していない可能性が高い。この結果、シリコン全体に導電性があるため、前記電気メッキ工程において、X線吸収金属は、前記シリコン基板の壁部の頂部からも成長する可能性が高く、この結果、X線吸収金属部の内部に空間ボイド、金属が未充填の部分が発生してしまう虞がある。しかしながら、本実施形態における金属格子DGの製造方法では、上述したように、電鋳工程の電鋳法の実施の際に、絶縁性を持つレジスト層33が残留しているので、前記壁部は、絶縁層34と残留したレジスト層33とで被覆され、絶縁層34と残留したレジスト層33と協働してより確実に絶縁される。したがって、本実施形態における金属格子DGの製造方法は、この観点からも、電鋳工程の電鋳法によって格子の前記金属部分をより緻密に形成することができる。また、本実施形態における金属格子DGの製造方法は、エッチング工程にRIEReactiveIonEtching、反応性イオンエッチングを用いるので、いわゆる異方性エッチングを行うことができるから、深さ方向積層方向に沿ってシリコン基板30をエッチングすることができ、比較的容易にスリット溝SDを形成することができる。また、本実施形態における金属格子DGの製造方法は、ボッシュプロセスによってシリコン基板30がドライエッチングされるので、スリット溝SDの側面がより平坦となり、この結果、高精度な金属格子DGを形成することができる。特に、金属格子DGが回折格子として機能する場合には、入射面あるいは出射面がより平坦となるので、好ましい。なお、上述の実施形態では、回折格子DGは、一次元周期構造であったが、これに限定されるものではない。回折格子DGは、例えば、二次元周期構造の回折格子であってもよい。例えば、二次元周期構造の回折格子DGは、回折部材となるドットが線形独立な2方向に所定の間隔を空けて等間隔に配設されて構成される。このような二次元周期構造の回折格子は、平面に高アスペクト比の穴を二次元周期で空け、上述と同様に、その穴を金属で埋める、あるいは、平面に高アスペクト比の円柱を二次元周期で立設させ、上述と同様に、その周りを金属で埋めることによって形成することができる。第2製造方法上述の第1製造方法では、レジスト層33には、シリコン酸化膜33aまたは金属酸化膜例えばアルミナ膜33bが用いられたが、第2製造方法では、前記エッチング工程および前記除去工程の後に残留する厚さの感光性樹脂層フォトレジスト層がレジスト層33として用いられる。図9ないし図11は、実施形態における金属格子の第2製造方法を説明するための図である。本実施形態の金属格子DGを製造するために、まず、シリコン基板30が用意される図9A。好ましくは、シリコン基板30は、多数キャリアが電子であるn型シリコンである。次に、シリコン基板30の主面上にレジスト層33が形成されレジスト層形成工程、前記レジスト層33をパターニングして前記パターニングした部分の前記レジスト層が除去されるパターニング工程。本実施形態では、前記レジスト層33として感光性樹脂層フォトレジスト層33cが用いられる。より具体的には、シリコン基板30上に感光性樹脂層33cが例えばスピンコート等によって形成される図9B。この感光性樹脂層33cは、後述のエッチング工程のエッチング処理図10Bおよび除去工程の除去処理図11Bに対しシリコン基板30の板状部分32第2シリコン部分12a、図11Bを保護する保護膜として機能する所定の膜厚、例えば約2μmで形成される。ここで、感光性樹脂層33cは、リソグラフィーにおいて使用され、光可視光だけでなく紫外線等も含むや電子線等によって溶解性等の物性が変化する材料である。なお、これに限定されるものではなく、例えば、感光性樹脂層33cに代え、電子線露光用のレジスト層33cであってもよい。続いて、フォトリソグラフィー工程として、リソグラフィー法によって感光性樹脂層33cがパターニングされ図9C、このパターニングした部分の感光性樹脂層33cが除去される図10A。より具体的には、感光性樹脂層33cにリソグラフィーマスク41を押し当てて、感光性樹脂層33cにリソグラフィーマスク41を介して紫外線42が照射され、感光性樹脂層33cがパターン露光され、現像される図9C。そして、露光されなかった部分あるいは露光された部分の感光性樹脂層33cが除去される図10A。次に、ドライエッチング法によって感光性樹脂層33cを除去した部分に対応するシリコン基板30が、前記法線方向Dzに所定の深さHまでエッチングされる。これによってスリット溝SDが形成される図10B、エッチング工程。より具体的には、パターニングされた感光性樹脂層33cをマスクとして、シリコン基板30における表面から所定の深さHまで、ICPプラズマドライエッチングでシリコン基板30がエッチングされる。なお、このICPプラズマドライエッチングによって感光性樹脂層33cは、目減りするが、後述の除去工程図11Bに対しシリコン基板30の板状部分32第2シリコン部分12aを保護する保護膜として機能する所定の膜厚で残留する。例えば、上述の例では、感光性樹脂層33dは、約2μmから約1μmへ目減りし、約1μm残留する。このICPプラズマエッチングは、好ましくは、ICP装置によるASEプロセスである。また、より好ましくは、ボッシュBoschプロセスである。なお、ドライエッチング法は、ICPプラズマエッチングに限定するものではなく、上述した他の手法であってもよい。このエッチングされてDxDz面に沿って残ったシリコン基板30の板状部分層状部分32が第2シリコン部分12aとなり、このエッチングされてDxDy面に沿って残ったシリコン基板30の板状部分31が第1シリコン部分11となる。次に、シリコン基板30におけるスリット溝SDを形成した主面側の表面全体に、堆積作用によって成膜する堆積法によって、後述の電鋳工程の電鋳法に対し絶縁性を有するように所定の厚さの絶縁層34が形成される図11A、絶縁層形成工程。この絶縁層34には、上述のシリコン酸化膜34aおよび金属酸化膜例えばアルミナ膜34bが挙げられる。ここで、レジスト層33と絶縁層34との材質の点における組み合わせは、第1に、レジスト層33が感光性樹脂層33cであって絶縁層34がシリコン酸化膜34aである第5ケース、そして、第4に、レジスト層33が感光性樹脂層33cであって絶縁層34が金属酸化膜例えばアルミナ膜等34bである第6ケースである。次に、スリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34の部分が除去される除去工程、図11B。より具体的には、ドライエッチング法のICPプラズマエッチングによってスリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34の部分が除去される。ここで、ICPプラズマエッチングは、垂直指向性の高いので、スリット溝SDの内側側面に形成された絶縁層34シリコン基板30の板状部分32の両壁面両側面に形成された絶縁層34は、スリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34の部分が除去された時点では、絶縁層として機能するために充分な厚さで残る。スリット溝SDの内側側面に形成された絶縁層34は、絶縁性を持つ感光性樹脂層33cと協働することによって、次の電鋳工程においてシリコン基板30の板状部分32に掛かる電圧を遮断する機能この板状部分32を電気的に絶縁する機能を奏する程度の厚さよく、例えば、10nm程度以上であればよい。これら各スリット溝SDの内側側面にそれぞれ形成された各絶縁層34シリコン基板30の各板状部分32の両壁面両側面にそれぞれ形成された各絶縁層34は、複数の第2シリコン部分12aと複数の金属部分12bとの各間における複数の第1絶縁層12cとなる。また、レジスト層33および絶縁層34が互いに異なる材料で形成されるので前記第5ケースおよび前記第6ケース、ICPドライエッチング例えば前記第5ケースではCHF3のICPドライエッチング、また例えば前記第6ケースでは塩素系のガスのICPドライエッチングによって、第2シリコン部分12aに相当するシリコン基板の板状部分32上では、レジスト層33のエッチングレートが絶縁層34のエッチングレートより遅くなるように、エッチング処理やレジスト層33および絶縁層34の各材料を適宜に選択することによって、スリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34の部分が除去された時点では、レジスト層33は、残留する。あるいは、レジスト層33および絶縁層34が互いに異なる材料で形成される前記第5ケースおよび前記第6ケースの場合に、第2シリコン部分12aに相当するシリコン基板の板状部分32上では、ICPドライエッチングによって、本来ほとんどエッチングされないがそれでもレジスト層33の感光性樹脂層33cが削られる場合には、パターニング後の感光性樹脂層33cは、スリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34の部分が除去されるまで、シリコン基板30の板状部分32を保護するために充分な厚さとなるように形成されてもよい。すなわち、パターニング後の感光性樹脂層33cの厚さt1は、スリット溝SDの底部BTに形成された絶縁層34の部分が除去された時点でも残留する厚さであってもよい。ここで、上述の図9Aに示す工程から図11Bに示す工程間の各工程における具体例について説明する。まず、レジスト層33が感光性樹脂層33cであって絶縁層34がシリコン酸化膜34aである第5ケースでは、前記レジスト層形成工程、前記パターニング工程および前記エッチング工程は、上述のように実施され、レジスト層形成工程後では、感光性樹脂層33cは、約2μm=約2000nmであり、エッチング工程後では、感光性樹脂層33cは、約1μm=約1000nmである。続いて、前記絶縁層形成工程では、化学気相成長法、スパッタ法および真空蒸着法等の堆積法によってシリコン酸化膜34aが形成される。より具体的には、石英を用いたスパッタ法によって約40nmのシリコン酸化膜34aが形成される。これによってスリット溝SDの内側側面には、約40nmのシリコン酸化膜34aが形成され、スリット溝SDの内側底面には、約35nmのシリコン酸化膜34aが形成され、第2シリコン部12aの頂部上面には、約1040nm=約1000nm約40nmの感光性樹脂層33cおよびシリコン酸化膜34aが形成されている。続いて、前記除去工程では、CHF3ガスを用いたICPドライエッチングによって底部BTの絶縁層としてのシリコン酸化膜34aが除去される。この除去工程後では、第2シリコン部12aの頂部上面には、感光性樹脂層33cも削られて約800nmに目減りするが、レジスト層33としての感光性樹脂層33cは、残留している。そして、レジスト層33が感光性樹脂層33cであって絶縁層34が金属酸化膜例えばアルミナ膜等34bである第6ケースでは、前記レジスト層形成工程、前記パターニング工程およびエッチング工程は、上述のように実施され、レジスト層形成工程後では、感光性樹脂層33cは、約2μm=約2000nmであり、エッチング工程後では、感光性樹脂層33cは、約1μm=約1000nmである。続いて、前記絶縁層形成工程では、化学気相成長法、スパッタ法および真空蒸着法等の堆積法によってアルミナ膜34bが形成される。より具体的には、アルミナを用いた真空蒸着法によってアルミナ膜34bが形成される。これによってスリット溝SDの内側側面には、約100nmのアルミナ膜34bが形成され、その底面BTには、約120nmのアルミナ膜34bが形成され、第2シリコン部12aの頂部上面には、約1110nm=約100nm約110nmの感光性樹脂層33cおよびアルミナ膜34bが形成されている。続いて、前記除去工程では、塩素系のガスを用いたICPドライエッチングによって底部BTの絶縁層としてのシリコン酸化膜34aが除去される。この除去工程後では、第2シリコン部12aの頂部上面には、感光性樹脂層33cも削られて約700nmに目減りするが、レジスト層33としての感光性樹脂層33cは、残留している。図11に戻って、次に、電鋳法電気メッキ法によって、シリコン基板30に電圧を印加して前記スリット溝SDが金属で埋められる電鋳工程、図11C。より具体的には、シリコン基板30に電源44の陰極が接続され、電源44の陽極に接続された陽極電極45およびシリコン基板30がメッキ液46に浸けられる。なお、シリコン基板30における、電源44の陰極に接続される部分にシリコン酸化膜が形成されている場合には、電源44の陰極とシリコン基板30との導通を図るために、その部分が除去される。これによって電鋳によりスリット溝SDの底部におけるシリコン基板30板状部分31側から金属が析出し、成長する。そして、この金属がスリット溝SDを埋めると、電鋳が終了される。これによって金属がシリコン基板30の板状部分32と同じ厚さHだけ成長する。こうしてスリット溝SDに金属が埋められ、金属部分12bが形成される。このような各製造工程を経ることによって、図1に示す構成の金属格子DGが製造される。このような第2製造方法によっても、堆積法によって格子の前記金属部分12bをより緻密に形成することができる。タルボ干渉計およびタルボロー干渉計上記実施形態の金属格子DGは、高アスペクト比で金属部分を形成することができるので、X線用のタルボ干渉計およびタルボロー干渉計に好適に用いることができる。この金属格子DGを用いたX線用タルボ干渉計およびX線用タルボロー干渉計について説明する。図12は、実施形態におけるX線用タルボ干渉計の構成を示す斜視図である。図13は、実施形態におけるX線用タルボロー干渉計の構成を示す上面図である。実施形態のX線用タルボ干渉計100Aは、図12に示すように、所定の波長のX線を放射するX線源101と、X線源101から照射されるX線を回折する位相型の第1回折格子102と、第1回折格子102により回折されたX線を回折することにより画像コントラストを形成する振幅型の第2回折格子103とを備え、第1および第2回折格子102、103がX線タルボ干渉計を構成する条件に設定される。そして、第2回折格子103により画像コントラストの生じたX線は、例えば、X線を検出するX線画像検出器105によって検出される。そして、このX線用タルボ干渉計100Aでは、第1回折格子102および第2回折格子103の少なくとも一方は、前記金属格子DGである。タルボ干渉計100Aを構成する前記条件は、次の式1および式2によって表される。式2は、第1回折格子102が位相型回折格子であることを前提としている。l=λ/a/LZ1Z2式1Z1=m1/2×d2/λ式2ここで、lは、可干渉距離であり、λは、X線の波長通常は中心波長であり、aは、回折格子の回折部材にほぼ直交する方向におけるX線源101の開口径であり、Lは、X線源101から第1回折格子102までの距離であり、Z1は、第1回折格子102から第2回折格子103までの距離であり、Z2は、第2回折格子103からX線画像検出器105までの距離であり、mは、整数であり、dは、回折部材の周期回折格子の周期、格子定数、隣接する回折部材の中心間距離、前記ピッチPである。このような構成のX線用タルボ干渉計100Aでは、X線源101から第1回折格子102に向けてX線が照射される。この照射されたX線は、第1回折格子102でタルボ効果を生じ、タルボ像を形成する。このタルボ像が第2回折格子103で作用を受け、モアレ縞の画像コントラストを形成する。そして、この画像コントラストがX線画像検出器105で検出される。タルボ効果とは、回折格子に光が入射されると、或る距離に前記回折格子と同じ像前記回折格子の自己像が形成されることをいい、この或る距離をタルボ距離Lといい、この自己像をタルボ像という。タルボ距離Lは、回折格子が位相型回折格子の場合では、上記式2に表されるZ1となるL=Z1。タルボ像は、Lの奇数倍=2m1L、mは、整数では、反転像が現れ、Lの偶数倍=2mLでは、正像が現れる。ここで、X線源101と第1回折格子102との間に被検体Sが配置されると、前記モアレ縞は、被検体Sによって変調を受け、この変調量が被検体Sによる屈折効果によってX線が曲げられた角度に比例する。このため、モアレ縞を解析することによって被検体Sおよびその内部の構造が検出される。このような図12に示す構成のタルボ干渉計100Aでは、X線源101は、単一の点光源であり、このような単一の点光源は、単一のスリット単スリットを形成した単スリット板をさらに備えることで構成することができ、X線源101から放射されたX線は、前記単スリット板の前記単スリットを通過して被写体Sを介して第1回折格子102に向けて放射される。前記スリットは、一方向に延びる細長い矩形の開口である。一方、タルボロー干渉計100Bは、図13に示すように、X線源101と、マルチスリット板104と、第1回折格子102と、第2回折格子103とを備えて構成される。すなわち、タルボロー干渉計100Bは、図12に示すタルボ干渉計100Aに加えて、X線源101のX線放射側に、複数のスリットを並列に形成したマルチスリット板104をさらに備えて構成される。このマルチスリット板104は、上述した実施形態における金属格子DGの製造方法によって製造された格子であってよい。マルチスリット板104を、上述した実施形態における金属格子DGの製造方法によって製造することによって、X線をスリット前記複数の第2シリコン部分12aによって透過させるとともにより確実に前記複数の金属部分12bによって遮断することができるので、X線の透過と非透過とをより明確に区別することができるから、より確実にマルチ光源とすることができる。そして、タルボロー干渉計100Bとすることによって、タルボ干渉計100Aよりも、被写体Sを介して第1回折格子102に向けて放射されるX線量が増加するので、より良好なモアレ縞が得られる。このようなタルボ干渉計100Aやタルボロー干渉計100Bに用いられる第1回折格子102、第2回折格子103およびマルチスリット板104の一例を挙げると、諸元は、次の通りである。なお、これらの例では、第2シリコン部分12aと金属部分12bとは、同幅に形成され、金属部分12bは、金によって形成される。一例として、X線源101またはマルチスリット板104から第1回折格子102までの距離R1が2mであって、X線源101またはマルチスリット板104から第1回折格子102までの距離R2が2.5mである場合では、第1回折格子102は、そのピッチPが5μmであり、その金属部分12bの厚さが3μmであり、第2回折格子103は、そのピッチPが6μmであり、その金属部分12bの厚さが100μmでありアスペクト比=100/3、そして、マルチスリット板104は、そのピッチPが30μmであり、その金属部分12bの厚さが100μmである。また、他の一例として、X線源101またはマルチスリット板104から第1回折格子102までの距離R1が1.8mであって、X線源101またはマルチスリット板104から第1回折格子102までの距離R2が2.5mである場合では、第1回折格子102は、そのピッチPが7μmであり、その金属部分12bの厚さが3μmであり、第2回折格子103は、そのピッチPが10μmであり、その金属部分12bの厚さが100μmでありアスペクト比=100/5、そして、マルチスリット板104は、そのピッチPが20μmであり、その金属部分12bの厚さが100μmである。X線撮像装置前記金属格子DGは、種々の光学装置に利用することができるが、高アスペクト比で金属部分12bを形成することができるので、例えば、X線撮像装置に好適に用いることができる。特に、X線タルボ干渉計を用いたX線撮像装置は、X線を波として扱い、被写体を通過することによって生じるX線の位相シフトを検出することによって、被写体の透過画像を得る位相コントラスト法の一つであり、被写体によるX線吸収の大小をコントラストとした画像を得る吸収コントラスト法に較べて、約1000倍の感度改善が見込まれ、それによってX線照射量が例えば1/100~1/1000に軽減可能となるという利点がある。本実施形態では、前記回折格子DGを用いたX線タルボ干渉計を備えたX線撮像装置について説明する。図14は、実施形態におけるX線撮像装置の構成を示す説明図である。図14において、X線撮像装置200は、X線撮像部201と、第2回折格子202と、第1回折格子203と、X線源204とを備え、さらに、本実施形態では、X線源204に電源を供給するX線電源部205と、X線撮像部201の撮像動作を制御するカメラ制御部206と、本X線撮像装置200の全体動作を制御する処理部207と、X線電源部205の給電動作を制御することによってX線源204におけるX線の放射動作を制御するX線制御部208とを備えて構成される。X線源204は、X線電源部205から給電されることによって、X線を放射し、第1回折格子203へ向けてX線を照射する装置である。X線源204は、例えば、X線電源部205から供給された高電圧が陰極と陽極との間に印加され、陰極のフィラメントから放出された電子が陽極に衝突することによってX線を放射する装置である。第1回折格子203は、X線源204から放射されたX線によってタルボ効果を生じる透過型の回折格子である。第1回折格子203は、例えば、上述した実施形態における金属格子DGの製造方法によって製造された回折格子である。第1回折格子203は、タルボ効果を生じる条件を満たすように構成されており、X線源204から放射されたX線の波長よりも充分に粗い格子、例えば、格子定数回折格子の周期dが当該X線の波長の約20以上である位相型回折格子である。なお、第1回折格子203は、このような振幅型回折格子であってもよい。第2回折格子202は、第1回折格子203から略タルボ距離L離れた位置に配置され、第1回折格子203によって回折されたX線を回折する透過型の振幅型回折格子である。この第2回折格子202も、第1回折格子203と同様に、例えば、上述した実施形態における金属格子DGの製造方法によって製造された回折格子である。これら第1および第2回折格子203、202は、上述の式1および式2によって表されるタルボ干渉計を構成する条件に設定されている。X線撮像部201は、第2回折格子202によって回折されたX線の像を撮像する装置である。X線撮像部201は、例えば、X線のエネルギーを吸収して蛍光を発するシンチレータを含む薄膜層が受光面上に形成された二次元イメージセンサを備えるフラットパネルディテクタFPDや、入射フォトンを光電面で電子に変換し、この電子をマイクロチャネルプレートで倍増し、この倍増された電子群を蛍光体に衝突させて発光させるイメージインテンシファイア部と、イメージインテンシファイア部の出力光を撮像する二次元イメージセンサとを備えるイメージインテンシファイアカメラなどである。処理部207は、X線撮像装置200の各部を制御することによってX線撮像装置200全体の動作を制御する装置であり、例えば、マイクロプロセッサおよびその周辺回路を備えて構成され、機能的に、画像処理部271およびシステム制御部272を備えている。システム制御部272は、X線制御部208との間で制御信号を送受信することによってX線電源部205を介してX線源204におけるX線の放射動作を制御すると共に、カメラ制御部206との間で制御信号を送受信することによってX線撮像部201の撮像動作を制御する。システム制御部272の制御によって、X線が被写体Sに向けて照射され、これによって生じた像がX線撮像部201によって撮像され、画像信号がカメラ制御部206を介して処理部207に入力される。画像処理部271は、X線撮像部201によって生成された画像信号を処理し、被写体Sの画像を生成する。次に、本実施形態のX線撮像装置の動作について説明する。被写体Sが例えばX線源204を内部背面に備える撮影台に載置されることによって、被写体SがX線源204と第1回折格子203との間に配置され、X線撮像装置200のユーザオペレータによって図略の操作部から被写体Sの撮像が指示されると、処理部207のシステム制御部272は、被写体Sに向けてXを照射すべくX線制御部208に制御信号を出力する。この制御信号によってX線制御部208は、X線電源部205にX線源204へ給電させ、X線源204は、X線を放射して被写体Sに向けてX線を照射する。照射されたX線は、被写体Sを介して第1回折格子203を通過し、第1回折格子203によって回折され、タルボ距離L=Z1離れた位置に第1回折格子203の自己像であるタルボ像Tが形成される。この形成されたX線のタルボ像Tは、第2回折格子202によって回折され、モアレを生じてモアレ縞の像が形成される。このモアレ縞の像は、システム制御部272によって例えば露光時間などが制御されたX線撮像部201によって撮像される。X線撮像部201は、モアレ縞の像の画像信号をカメラ制御部206を介して処理部207へ出力する。この画像信号は、処理部207の画像処理部271によって処理される。ここで、被写体SがX線源204と第1回折格子203との間に配置されているので、被写体Sを通過したX線には、被写体Sを通過しないX線に対し位相がずれる。このため、第1回折格子203に入射したX線には、その波面に歪みが含まれ、タルボ像Tには、それに応じた変形が生じている。このため、タルボ像Tと第2回折格子202との重ね合わせによって生じた像のモアレ縞は、被写体Sによって変調を受けており、この変調量が被写体Sによる屈折効果によってX線が曲げられた角度に比例する。したがって、モアレ縞を解析することによって被写体Sおよびその内部の構造を検出することができる。また、被写体Sを複数の角度から撮像することによってX線位相CTcomputedtomographyにより被写体Sの断層画像が形成可能である。そして、本実施形態の第2回折格子202では、高アスペクト比の金属部分12bを備える上述した実施形態における金属格子DGであるので、良好なモアレ縞が得られ、高精度な被写体Sの画像が得られる。また、金属格子DGがボッシュプロセスによってシリコン基板30の板状部分32第2シリコン部分12aがドライエッチングされるので、スリット溝SDの側面がより平坦となり、高精度に第2回折格子202を形成することができる。このため、より良好なモアレ縞が得られ、より高精度な被写体Sの画像が得られる。なお、上述のX線撮像装置200は、X線源204、第1回折格子203および第2回折格子202によってタルボ干渉計を構成したが、X線源204のX線放射側にマルチスリットとしての上述した実施形態における金属格子DGをさらに配置することで、タルボロー干渉計を構成してもよい。このようなタルボロー干渉計とすることで、単スリットの場合よりも被写体Sに照射されるX線量を増加することができ、より良好なモアレ縞が得られ、より高精度な被写体Sの画像が得られる。また、上述のX線撮像装置200では、X線源204と第1回折格子203との間に被写体Sが配置されたが、第1回折格子203と第2回折格子202との間に被写体Sが配置されてもよい。また、上述のX線撮像装置200では、X線の像がX線撮像部201で撮像され、画像の電子データが得られたが、X線フィルムによって撮像されてもよい。本発明を表現するために、上述において図面を参照しながら実施形態を通して本発明を適切且つ十分に説明したが、当業者であれば上述の実施形態を変更および/または改良することは容易に為し得ることであると認識すべきである。したがって、当業者が実施する変更形態または改良形態が、請求の範囲に記載された請求項の権利範囲を離脱するレベルのものでない限り、当該変更形態または当該改良形態は、当該請求項の権利範囲に包括されると解釈される。