"ダウンドロー法を用いて溶融ガラスからガラス基板を製造するガラス基板の製造装置であって、炉壁で囲まれた炉室と、溶融ガラスから帯状ガラスを成形するために前記炉室内に設けられた成形体と、前記炉室内に設けられたローラと、前記成形体と前記ローラとを互いに異なる2つの空間に間仕切りする、断熱材を含む断熱板と、を有し、前記炉室には、前記成形体で成形された帯状ガラスを前記ローラの位置する空間へ導くスリット状の隙間が前記断熱板によって形成され、前記隙間において、少なくとも前記帯状ガラスと対向する前記断熱板の対向面には、前記断熱材に用いる第1の材料の気泡含有率に比べて気泡含有率の低い第2の材料が用いられる、ことを特徴とするガラス基板の製造装置。前記第2の材料の熱伝導率は、前記第1の材料の熱伝導率に比べて高い、請求項1に記載のガラス基板の製造装置。前記第2の材料の熱伝導率は、25W/mK以上であり、前記第1の材料は、1W/mK以下である、請求項2に記載のガラス基板の製造装置。前記第2の材料で形成される対向面は、スリット状の前記隙間に沿って延在した一つの部材によって形成されている、請求項1~3のいずれか1項に記載のガラス基板の製造装置。前記断熱板の前記対向面は、中空状の角柱部材の側面であり、前記角柱部材の中空部分には、前記第1の材料が充填されている、請求項1~4のいずれか1項に記載のガラス基板の製造装置。前記断熱板の前記対向面は、中空状の第1の四角柱部材の側面であり、前記断熱板の対向面において、前記第1の四角柱部材の側面に、前記第1の四角柱部材に比べてサイズの小さい中空状の、前記第2の材料からなる第2の四角柱部材が更に設けられ、前記第2の四角柱部材の側面は前記第1の四角柱部材の前記ローラが位置する空間に面する側面と面一になるように前記第2の四角柱部材が設けられることにより、前記成形体が位置する空間に面する前記隙間の第1の開口端に比べて、前記ローラが位置する空間に面する前記隙間の第2の開口端は前記隙間の幅が狭くなっている、請求項1~5のいずれか1項に記載のガラス基板の製造装置。前記断熱板の熱抵抗は0.2m2K/W以上である、請求項1~6のいずれか1項に記載のガラス基板の製造装置。幅方向の幅が2000mm以上の大きさであるガラス基板を製造する、請求項1~7のいずれか1項に記載のガラス基板の製造装置。前記炉室内の気圧は、前記炉室の外部の気圧よりも大きくなるように制御されている、請求項1~8のいずれか1項に記載のガラス基板の製造装置。ダウンドロー法を用いて溶融ガラスから帯状ガラスを製造するガラス製造装置であって、炉壁で囲まれた炉室と、溶融ガラスから帯状ガラスを成形するために前記炉室内に設けられた成形体と、前記炉室内に設けられたローラと、前記成形体と前記ローラとを互いに異なる2つの空間に間仕切りする、断熱材を含む断熱板と、を有し、前記炉室には、前記成形体で成形された帯状ガラスを前記ローラの位置する空間へ導くスリット状の隙間が前記断熱板によって形成され、前記隙間において、前記帯状ガラスと対向する前記断熱板の対向面には、前記断熱材に用いる第1の材料の熱伝導率に比べて熱伝導率の高い第2の材料が用いられる、ことを特徴とするガラス基板の製造装置。溶融ガラスからダウンドロー法によりガラス基板を製造するとき、炉壁で囲まれた炉室内に設けられた成形体の互いに対向する壁面に2つの溶融ガラス流を形成する工程と、2つの溶融ガラス流が合流してつくられる帯状ガラスを、前記炉室を間仕切りする断熱板によって作られるスリット状の隙間を通過させる工程と、を有し、前記隙間を通過させる工程では、帯状ガラスが通過する前記隙間において、帯状ガラスと対向する前記断熱板の対向面が、帯状ガラスに対して帯状ガラスの幅方向に略均等な熱量の分布を与える、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。しかし、上記断熱板にセラミックファイバ製の板材を用いた場合、下記に示す原因により、帯状ガラスの厚さに不均一性が見られる場合がある。断熱板によって作られる、帯状ガラスが通過する隙間の、帯状ガラスと対向する対向面は、帯状ガラスが放射した熱輻射を反射して、及び帯状ガラスが放射した熱輻射を一旦吸収して再び放射して、帯状ガラスに吸収させるため、帯状ガラスの幅方向の温度分布に影響を与える。言い換えると、帯状ガラスは、その対向面が反射した熱輻射あるいは対向面が吸収し再び放射した熱輻射電磁波の影響を受け、幅方向の温度分布に影響を与える。例えば、セラミックファイバは、断熱効果を獲得するために、その主成分であるアルミナよりも気泡含有率が高く、熱伝導率が低い。例えば、このようなセラミックファイバをバインダで固めたセラミックファイバボードを断熱板として用いた場合、断熱板自体の温度分布の均一化作用はほとんどなく、断熱板が溶融ガラスから吸収できる熱量も少ないため、断熱板に僅かな欠陥により断熱板の表面の反射率の場所による僅かな差異があれば、その差異が原因となって、帯状ガラスが対向面から受ける熱輻射は不均一となり易く、言い換えると、断熱板の対向面が帯状ガラスに吸収させる熱輻射が不均一となり易い。また、帯状ガラスの幅方向の温度が分布を持つ場合、帯状ガラスが対向面に幅方向で異なる熱輻射を与えると、対向面が一旦吸収して再び帯状ガラスに放射する熱輻射も幅方向で異なる。つまり、帯状ガラスから見ると、断熱板の対向面から受ける熱輻射の影響が均一でなくなり易いため、帯状ガラスの温度は均一化し難く、幅方向に粘度の差が生じ、その結果として厚さにばらつきが生じる。そこで、本発明は、従来の問題を解決するために、炉室を断熱板で間仕切りして得られる上部空間と下部空間の間で断熱効果を維持しつつ、帯状ガラスの厚さの不均一性を抑制して、安定的に帯状ガラスを製造することにより、ガラス基板を製造することができるガラス基板の製造装置およびガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明の一態様は、ダウンドロー法を用いて溶融ガラスからガラス基板を製造するガラス基板の製造装置である。当該装置は、炉壁で囲まれた炉室と、溶融ガラスから帯状ガラスを成形するために前記炉室内に設けられた成形体と、前記炉室内に設けられたローラと、前記成形体と前記ローラとを互いに異なる2つの空間に間仕切りする、断熱材を用いた断熱板と、を有する。前記炉室には、前記成形体で成形された帯状ガラスを前記ローラの位置する空間へ導くスリット状の隙間が前記断熱板によって形成されている。前記隙間において、少なくとも前記帯状ガラスと対向する前記断熱板の対向面には、前記断熱材に用いる第1の材料の気泡含有率に比べて気泡含有率の低い第2の材料が用いられる。あるいは、前記断熱板の対向面には、前記第1の材料の熱伝導率に比べて熱伝導率の高い第2の材料が用いられる。例えば、前記断熱板は、角柱部材に接する前記第1の材料からなる板部材を含み、前記断熱板の前記対向面は前記角柱部材の側面であり、前記断熱板で仕切られる空間に面する前記断熱板の板面は、前記板部材の板面である。また、例えば、前記断熱板は、前記第2の材料の角柱部材と、前記第1の材料の板部材と、を有し、前記角柱部材は、前記板部材の周りを覆う枠を形成する。さらに、本発明の他の一態様は、溶融ガラスから帯状ガラスを製造するガラス基板の製造方法である。当該製造方法は、炉壁で囲まれた炉室内に設けられた成形体の互いに対向する壁面に2つの溶融ガラス流を形成する工程と、2つの溶融ガラス流が合流してつくられる帯状ガラスを、前記炉室を間仕切りする断熱板によって作られるスリット状の隙間を通過させる工程と、を有する。その際、通過させる工程では、帯状ガラスが通過する前記隙間において、帯状ガラスと対向する前記断熱板の対向面が、帯状ガラスに対して帯状ガラスの幅方向に略均等な熱量の分布を与える。あるいは、前記断熱板の対向面は、帯状ガラスが幅方向に保有する温度分布の偏差温度の最高値と最低値の差分を減少させる。上述のガラス基板の製造装置およびガラス基板の製造方法は、炉室を断熱板で間仕切りして得られる上部空間と下部空間の間で断熱効果を維持しつつ、ガラス基板の厚さの不均一性を抑制することができる。以下、本発明のガラス基板の製造装置およびガラス基板の製造方法について詳細に説明する。ガラス基板の製造方法の全体概要図1は、ガラス基板の製造方法の一実施形態のフローを説明する図である。図2は、ガラス基板の製造方法の一部を実施する装置の外観図である。本実施形態のガラス板の製造方法は、熔解工程ST1と、清澄工程ST2と、均質化工程ST3と、供給工程ST4と、成形工程ST5と、徐冷工程ST6と、切断工程ST7と、を主に有する。この他に、研削工程、研磨工程、洗浄工程、検査工程、梱包工程等を有し、梱包工程で積層された複数のガラス板は、納入先の業者に搬送される。熔解工程ST1~切断工程ST7を行う装置は、図2に示すように、熔解槽1aと、清澄槽1bと、攪拌槽1cと、を有する熔解装置1と、成形装置6と、切断装置8と、を有する。熔解工程ST1では、熔解槽1a内に供給されたガラス原料を、図示されない火焔および電気ヒータで加熱して熔解することで溶融ガラスを得る。清澄工程ST2は、清澄槽1bにおいて行われ、清澄槽1b内の溶融ガラスを加熱することにより、溶融ガラス中に含まれる酸素やSO2の気泡が、清澄剤の酸化還元反応により成長し液面に浮上して放出される、あるいは、気泡中のガス成分が溶融ガラス中に吸収されて、気泡が消滅する。均質化工程ST3では、配管1dを通して清澄槽1bから供給された、攪拌槽1c内の溶融ガラスを、スターラを用いて攪拌することにより、ガラス成分の均質化を行う。供給工程ST4では、配管1eを通して溶融ガラスが成形装置6に供給される。成形装置6では、成形工程ST5及び徐冷工程ST6が行われる。成形工程ST5では、溶融ガラスを帯状ガラスに成形し、帯状ガラスの流れを作り流れる帯状ガラスが所望の厚さになる。徐冷工程ST6では、反りや平面歪が生じないように、さらに、熱収縮率が大きくならないように、冷却される。切断工程ST7では、切断装置8において、成形装置6から供給された帯状ガラスを所定の長さに切断することで、ガラス基板を得る。切断されたガラス基板はさらに、所定のサイズに切断された後、ガラス端面の研削研磨、洗浄が行われる。そして、さらに、気泡や脈理等の異常欠陥の有無が検査された後、検査合格品のガラス基板が最終製品として梱包される。図3aは、本発明の一実施形態であるガラス基板の製造装置10の主要部の概略構成図である。本実施形態のガラス基板の製造装置10およびガラス基板の製造装置10を用いたガラス基板の製造方法は、液晶ディスプレイ用ガラス基板やディスプレイのカバーガラス用のガラス基板の製造に好適に適用される。また、有機ELディスプレイ用ガラス基板、携帯端末機器などの筐体用のカバーガラス、タッチパネル板、太陽電池のガラス基板やカバーガラスとしても用いることができる。また、p-SiTFTポリシリコンTFTを用いたフラットパネルディスプレイ用ガラス基板に好適である。特に、液晶ディスプレイ用ガラス基板では、目標とする厚さに対して厚さがばらついた板厚偏差が生じると、光路差が生じてしまい表示画像に明暗差が発生してしまう。このため、液晶ディスプレイ用ガラス基板では、板厚偏差を抑制できるという本発明の効果がより顕著となる。ガラス基板の製造装置以降、単にガラス製造装置という10は、ダウンドロー法を用いて溶融ガラスから帯状ガラスを成形し、切断工程を経てガラス基板を製造する。ガラス製造装置10は、成形装置6と切断装置8を含む。ガラス製造装置10は、炉室12と、成形体14と、ローラ16と、断熱板18と、を有する。図3a中の紙面に垂直方向が、帯状ガラスの幅方向であり、図1a中紙面内の上下方向が、高さ方向である。炉室12は、耐火物レンガやブロック状の電鋳柱耐火物等により組み立てられた炉壁12aで囲まれた空間である。炉室12内には、成形体14と、ローラ16と、断熱板18とが設けられている。成形体14は、上方に向かって開放された溝14aを含み、溝14a内を溶融ガラスが流れる。成形体14は、例えば煉瓦により構成されている。図3bは、成形体14の斜視図である。溶融ガラスは、図3bの左側から樋状の経路15に沿って矢印の方向に流れ、図示されない溝14aの右端部まで流れると、成形体14の溝14aの両側の壁上部から溢れる。溢れ出た溶融ガラスは、成形体14の両側壁面14b,14cを伝って流れる。この2つの溶融ガラスの流れは、成形体14の最下端14dで合流する。これにより、溶融ガラスは帯状ガラスとなって、断熱板18によって形成された隙間19を通って、ローラ16の位置する下部空間に導かれる。ローラ16は、成形体14より移動した帯状ガラスを所定の速度で引っ張って所定の厚さの帯状ガラスにする。ローラ16は、例えば、帯状ガラスの幅方向に延びた長尺状のローラである。あるいは、帯状ガラスの幅方向両端部を巻き込んで引っ張る二対のローラであってもよい。また、ローラ16は、帯状ガラスの幅方向両端を冷却する機能も有する。なお、冷却機能を有するローラは、ローラ16とは別に、ローラ16よりも上流に設けるようにしてもよい。断熱板18は、互いに対向する炉壁12aの高さ方向の同じ位置から炉室12内に延びて、成形体14とローラ16とを互いに異なる上部空間と下部空間に炉室12を間仕切りする、断熱材を用いた一対の板状部材である。対向する炉壁12aから延びる一対の断熱板18は互いに接触することなく、溶融状態の帯状ガラスが下方に向かって通過するように、帯状ガラスの幅方向に延びたスリット状の隙間19が形成されている。断熱板18により炉室12を上部空間と下部空間に区切るのは、上部空間と下部空間の各々において、空間内の温度について両空間が互いに影響し合わないように温度制御を行うためである。例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板の製造においては、上部空間を1200~1300°Cあるいはそれ以上の温度雰囲気に保持し、下部空間を400~700°C例えば、600~700°Cの温度雰囲気に保持するためである。例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板の製造において、上部空間において1200~1300°Cあるいはそれ以上の温度雰囲気に保持するのは、溶融ガラスを低粘度の状態とし、溶融ガラスが成形体12の表面に拡がって濡れ状態をつくり、成形体14の表面上での溶融ガラス流の幅の縮小を防止するためである。一方、例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板の製造において下部空間を400~700°C例えば、600~700°Cの温度雰囲気に保持するのは、成形体14によって溶融ガラス流が合流した直後に、速やかに温度を下げて粘度を高めることにより、溶融ガラスに作用する表面張力による溶融ガラスの幅方向の収縮を抑制するためである。断熱板18は、上部空間の1200°C以上の高熱に対する耐久性を有し、上部空間と下部空間の温度差を維持するために熱伝導率が低い材料が断熱板18の断熱材料として用いられる。また、断熱板18の断熱材料として、例えばアルミナファイバをバインダにより固めたセラミックファイバボードが好適に用いられる。アルミナファイバとは、アルミナAl2O3とシリカSiO2を主成分とした繊維であるセラミックファイバの一種である。アルミナファイバはアルミナを70質量以上含有し、アルミナを40~60質量含有する他のセラミックファイバと区別され得る。なお、上記繊維には、非晶質繊維および結晶質繊維があるが、耐熱性に優れる点で結晶質繊維が好適である。図4aは、断熱板18の構成図であり、図4bは、図4aに示すA-A’線に沿った断熱板18の断面図である。断熱板18は、中空の四角柱形状の枠部材18a,18b,18c,18dにより断熱板18の矩形形状の枠が形成され、この枠内にアルミナファイバをバインダにより固めたセラミックファイバボード18e~18gが断熱本体部として設けられている。断熱板18の大きさは、一辺が例えば500~4000mmであり、断熱板18の最も大きな面積を有する面の形状は、例えば矩形形状であり、長方形あるいは正方形である。枠部材18a~18dは、図示されない接合部材で互いに固定されている。帯状ガラスに対向する断熱板18の対向面は、枠部材18aの側面によって形成されている。なお、枠部材18aの側面とは、枠部材18の四角柱形状において、多角形の面を底面というとき、底面から立設する四角形の面をいう。なお、断熱板18には、放射率のばらつきが小さく、熱容量が大きく、熱伝導率の高い材料が用いられる。枠部材18a~18dには、セラミックファイバボード18e~18gのアルミナファイバに比べて熱伝導率の高いSiCやSiCを主成分とした材料例えば、SiC焼結体などが用いられる。その他、枠部材18a~18dには、窒化アルミセラミックスを用いることができ、また純ニッケル、モリブデンなどを成分として含ませることもできる。また、これらの部材の表面に放射率を向上させるために塗装やコートを施すことも可能である。また、SiCやSiCを主成分とした材料以降、SiC等というは、セラミックファイバボード18e~18gのアルミナファイバに比べて気泡含有率の低い材料例えば、気泡含有率が略0であり、1200°C以上の高温の帯状ガラス近傍に配置しても耐久性を有する。枠部材18a~18dとしては、特に、SiC等の中でも気泡含有率が低いものが好ましく、例えば、気泡含有率が略0の常圧焼結SiCが好ましい。SiCの他に、モリブデン等の金属を酸化被膜で覆ったものも用いてもよい。枠部材18a~18dの四角柱形状内の空間は、断熱材料であるアルミナファイバで充填されている。このように、帯状ガラスと対向する断熱板18の対向面は四角柱形状の部材の側面であり、断熱板18で仕切られる空間に面する断熱板の板面は、セラミックファイバボードである板部材の板面である。なお、板面とは、板材のうち面積が最も大きい平面をいう。本実施形態では、枠部材18a~18dを用いるが、隙間19において帯状ガラスと対向する断熱板18の対向面に該当する部分のみ、枠部材18aを用いてもよい。中空の枠部材18a~18dの各側面を形成する板の厚さは、5~10mmであることが好ましい。上記板厚が10mmを越えると、枠部材18a~18dの中空部分に充填する断熱材の量が少なくなり、断熱板18としての断熱効果が小さくなる一方、板厚が5mm未満になると、板厚が薄いことにより均熱化効果が小さくなり、後述するように帯状ガラスへの熱輻射を均一に行うことが難しくなる。したがって、枠部材18aの帯状ガラスと対向する対向面を形成する板の厚さも、5~10mmであることが好ましい。なお、図4bの紙面横方向における断熱板18の幅枠部材18aの左端から枠部材18bの右端までの長さのうち炉室12内に存在する断熱板18の幅に対する、帯状ガラスに対向する断熱板18の対向面に設けられるSiC等の部材の板厚の比率は、例えば、0.01~5であることが好ましい。上記比率が5を超えると、枠部材18a~18dに充填するアルミナファイバの量が少なくなり、断熱板18としての断熱効果が小さくなる一方、上記比率が0.01未満になると、均熱効果が小さくなり、後述するように帯状ガラスへの熱輻射を均一に行うことが難しくなる。このように、枠部材18a~18d、特に枠部材18aとして断熱板18のアルミナファイバ等の断熱材料に比べて気泡含有率の低い材料であり、放射率のばらつきが小さく、熱容量が大きく、熱伝導率の高い材料を用いるのは、以下の理由による。すなわち、帯状ガラスが一対の断熱板18により作られる隙間19を通過するとき、帯状ガラスと対向する断熱板18の対向面から帯状ガラスが受ける熱輻射の影響によって帯状ガラスの幅方向の温度分布が変化する帯状ガラスが一対の断熱板18により作られる隙間19を通過するとき、帯状ガラスと対向する断熱板18の対向面から熱輻射により帯状ガラスが受ける熱によって帯状ガラスの幅方向の温度分布は影響を受ける。アルミナファイバなどの断熱材は、空気を含んだ多孔質構造であるため、蓄えることができる熱量は多くなく、帯状ガラスから放射される熱輻射の大半はそのまま反射される。このため、断熱材表面に、場所により僅かな反射特性の違いがあると、その影響がその熱輻射を再び吸収するガラス面に及ぶ。このため、断熱板18の対向面には、十分な熱量を蓄えることができ、断熱板18の表面に場所により僅かな反射特性の違いがあっても、帯状ガラスへの影響が相対的に小さくなるように、気泡含有率がアルミナファイバよりも低い材料が用いられる。SiCを主成分とした材料を含むSiC等は、気泡含有率がアルミナファイバに比べて低いということから、断熱板18の対向面に好適に用いられ得る。また、帯状ガラスの幅方向に沿って受ける熱輻射の不均一を緩和する機能を持つように、枠部材18a~18dに熱伝導率の高い材料が用いられる。特に、断熱板18の、帯状ガラスと対向する対向面の温度差があってもその温度差を幅方向に沿って緩和するために、断熱板18の対向面には、断熱材に比べて熱伝導率の高い材料が用いられる。SiC等は、熱伝導率がアルミナファイバに比べて高く、1200°C以上の高温耐久性も有することから、SiC等が断熱板18の対向面に好適に用いられ得る。断熱板18の対向面の熱伝導率が高いことにより、対向する帯状ガラスが幅方向にもともと温度分布を保有していたとしても、断熱板18の近傍を帯状ガラスが通過時に生じる相互の熱交換に伴って、その幅方向の温度分布をある程度改善することができる。言い換えると、帯状ガラスが通過する隙間19において、帯状ガラスと対向する断熱板18の対向面が、帯状ガラスに対して略均等な熱量の分布を与えることで、幅方向の温度分布の偏差温度の最高値と最低値の差分を減少させる。SiC以外に、酸化被膜を表面に形成したモリブデンが用いられてもよい。なお、SiCは、アルミナファイバ等の断熱材料に比べて、表面の平滑性も高く、高剛性で、構造物として高い平面度対向するガラスとの間の、幅方向における距離の均一性を保つことも容易である。そのため、上述したように、帯状ガラスと対向する対向面の温度を幅方向に沿って一定にし、帯状ガラスと対向する対向面から放射される熱輻射の不均一を抑制する、という効果が一層高くなる。これにより、帯状ガラスの幅方向で生じる粘度のばらつきを抑制することができ、帯状ガラスの厚さも均一化される。本実施形態では、枠部材18a~18dの材料にSiCを用いた例を挙げて説明したが、上部空間の温度における熱伝導率が、25W/mK以上、より好ましくは、45W/mK以上、特に好ましくは50W/mK以上の熱伝導率を有する材料であるとよい。そのため、枠部材18a~18dの材料としては、上部空間の温度における熱伝導率が、25~200W/mK、より好ましくは、45~200W/mK、特に好ましくは50~200W/mKの熱伝導率を有する材料であるとよい。また、枠部材18a~18dの材料としては、断熱材と比較して、上部空間の温度における放射率の大きな材料を適用することが好ましい。例えば、枠部材18a~18dの材料の放射率が、好ましくは0.8~1、より好ましくは0.95~1であるとよい。また、帯状ガラスの温度分布のばらつきを抑制するために、枠部材18a~18dの材料の気泡含有率は0~15であり、好ましくは0~5、より好ましくは0~2.5である。一方、断熱材は、アルミナファイバの他に、アルミナを40~60質量含有する他のセラミックファイバ、あるいはマイクロサーム日本マイクロサーム社製商品名を用いることもできる。なお、断熱材料は上記材料に限定されるものではなく、上部空間の温度における熱伝導率が、好ましくは1W/mK以下、好ましくは0.5W/mK以下、より好ましくは0.3W/mK以下、さらに好ましくは0.1W/mK以下、特に好ましくは0.05W/mK以下の材料であるとよい。言い換えると、断熱材料は、上部空間の温度における熱伝導率が、好ましくは0~1W/mK、好ましくは0~0.5W/mK、より好ましくは0~0.3W/mK、さらに好ましくは0~0.1W/mK、特に好ましくは0~0.05W/mK以下の材料であるとよい。また、断熱効果を得るために、断熱材料の気泡含有率は20~100であり、好ましくは35~100、より好ましくは40~100である。また、炉室12内の上部空間と下部空間とを独立して温度制御を行うためには、断熱板18の厚さは、厚いほうが好ましい。しかし、断熱板18の厚さが厚くなりすぎると、成形体14を加熱するヒータなどを、成形体14近傍に設置することが困難となることが考えられる。そのため、断熱板18の厚さは、好ましくは30mm~250mm、より好ましくは50mm~200mm、さらに好ましくは100mm~200mmであるとよい。また、断熱板18の熱抵抗は、好ましくは0.2m2K/W以上、より好ましくは0.4m2K/W以上、さらに好ましくは0.5m2K/W以上であるとよい。なお、熱抵抗は、断熱板の材料や板厚を変更することで、調整することが可能である。上記のような熱抵抗を有する断熱板18とすることで断熱効果が向上し、上部空間及び下部空間における冷却あるいは加熱のエネルギ効率が向上、コストを低減することができる。熱伝導率の測定には、ファインセラミックスのレーザフラッシュ法による熱伝導率の試験法JISR16111997や、電気絶縁体用セラミック材料試験法JISC21411992や、熱拡散率測定法ASTME1461などの周知の方法を用いることができる。また、気泡含有率は、1-嵩密度/真密度×100により算出することができる。熱抵抗は、上記熱伝導率を用いて、熱抵抗=厚さ/熱伝導率に従って算出することができる。また、放射率は、放射温度計により測定することができる。また、断熱板18の形状は、直方体に限定されるものではない。例えば、断熱板18は、成形体14にて形成された帯状ガラスが速やかに冷却され、高粘度化するように、成形体14の極近傍に設置されることが好ましい。このとき、断熱板18は、上部空間と下部空間とにおける断熱効果が高まるように、広い範囲で成形体14の下部傾斜面に接近させるために、断熱板18の枠部材18aのうち、成形体溶融ガラスとの対向面の上部の角部は、成形体14の下部傾斜面と略平行な方向に面取りされた形状であることが好ましい。言い換えると、断熱板18と成形体14や溶融ガラスとの間の平面間距離が略一定になるように、断熱板18のうち成形体や帯状ガラスと対向する面の上部が面取りされた形状であることが好ましい。断熱板18を上記面取りされた形状とすることで、断熱板18が溶融ガラスに接触せずに広い範囲で溶融ガラスに近接させることができる。この結果、断熱板18から溶融ガラスに及ぼす熱輻射の影響が、溶融ガラスの流れ方向においてばらつくことを抑制することができる。図5は、従来の断熱板118の変形状態を示す図である。従来の断熱板118は、枠部材18a~18dを用いず、アルミナファイバをバインダで固めたセラミックファイバボード118で構成される。この断熱板118は、炉室内の空間を仕切るために長時間用いると、高温側の上部空間に面する側が、アルミナファイバを固めるためのバインダに起因して、経時的に徐々に収縮し、帯状ガラスが通過する隙間を形成する断熱板118には、上側空間に対して凹状下側空間に対して凸状に変形する反りが生じる図5参照。一方、断熱板118の直上には成形体114が設けられているので、帯状ガラスと対向する断熱板18の対向面の中央部の高さ方向溶融ガラスあるいは帯状ガラスの流下方向の位置は、断熱板18の対向面の端部の高さ方向の位置に比べて低くなっている。本来、断熱板118は成形体114下端のガラス接合線に対して高さ方向について近接しかつ一定の距離にあることが、溶融状態の帯状ガラスの冷却を早期かつ均一に行い、所望の幅を十分に確保する点で好ましい。断熱板118の位置が成形体114下端のガラス接合線に対して低すぎると帯状ガラスの幅が大きく狭まることになり、また、逆に帯状ガラスの両端で成形体114下端のガラス接合線に対して高くなり過ぎると、溶融ガラスの粘度が高くなりすぎ、ガラス接合線において溶融ガラス同士がうまく接合しなくなることになる。このため、図5に示すように断熱板118に反りが発生することは、帯状ガラスを製造するに従って経時変化により帯状ガラスの厚さや接合の特性が変化する点で好ましくない。SiC等を用いた部材は、剛性が高く、しかも、温度差に基づく膨張差による変形は起こっても、セラミックファイバボードのように経時的に変形量が大きく変化することはない。さらに、SiC等を用いた部材は、高温、酸化雰囲気での耐酸化性にも優れ、表面の平滑性も高く、かつ場所による平滑性のばらつきも極めて少ない。このため、SiC等を用いた対向面を、1200°C以上の高温の帯状ガラス近傍に配置しても、成形される帯状ガラスやガラス基板の品質例えば、温度分布の幅方向におけるばらつきによる帯状ガラス及びガラス基板の板厚のばらつきなどに悪影響を与えにくい。なお、上述した断熱板118の反り量は、断熱板や製造するガラス基板の大きさが大きいほど、増加する。反り量が増加すると、ガラス基板の成形幅の変化が起こり、結果的に帯状ガラスの幅方向両端部の冷却条件が変化するため、ガラス基板の反りや歪みの値が変化してしまうため、ガラス基板の品質が悪化してしまう。一方、断熱板18によって作られる断熱板18の対向面は、溶融ガラスが放射した熱輻射赤外線等の電磁波を反射し、あるいは一旦吸収した熱輻射を再びガラス面に向かって放射することで、この熱輻射電磁波が溶融ガラス温度に影響を及ぼす。この放射による熱伝達は基本的に相互の距離に影響を受けないが、両者の熱交換にはそこに存在する空気の流れによる対流熱伝達も寄与するため、溶融ガラスと対向面との間の距離は、溶融ガラスの幅方向あるいは、隙間に沿った方向において均一であることが、結果的に帯状ガラスの温度を均一化し、帯状ガラスの厚さのばらつきを抑制する上で好ましい。また、断熱板18の対向面に不均一な凹凸があると、帯状ガラスから出る熱輻射電磁波を反射する対向面の反射面の法線方向の熱輻射が不均一になるため、帯状ガラスが受ける熱は幅方向で不均一になる場所が生じ、その結果帯状ガラスの幅方向の温度分布は不均一になる。この影響は断熱板18の対向面の放射率が低いほど大きい。断熱板18の対向面の放射率が高い場合、熱を全方向に比較的均一に輻射するのに対し、放射率が低い場合、溶融ガラスの熱を吸収しにくく、対向面の不均一な凹凸の状態に依存して特定の方向に帯状ガラスから出る熱輻射電磁波の熱エネルギが集中的に反射することが起こり得る。このため、帯状ガラスが受ける熱は幅方向で不均一になり、その結果帯状ガラスの幅方向の温度分布は不均一になる。以上より、帯状ガラスの幅方向の温度分布の不均一を抑制し、ひいては帯状ガラス及びガラス基板の厚さの幅方向の不均一を抑制するためには、断熱板18の上記対向面の表面は不均一な凹凸がないこと、あるいは、凹凸があっても均一な凹凸であること、あるいは、対向面の放射率が高いことが好ましい。従来の断熱板118に用いられるセラミックファイバボードは断熱材として空気を含んだ多孔質構造であるため、セラミックファイバボードの表面は、凹凸のばらつきのない均一な表面にすることは難しい。また、セラミックファイバボードは硬度が極めて低いため、炉室への設置時、対向面に局部的に凹凸をつけ、あるいは傷をつける場合もある。この結果、帯状ガラスに不均一な温度分布を作り、帯状ガラスを引き伸ばして形成される帯状ガラス及びその後に得られるガラス基板の厚さに分布を作る場合もある。これに対して、SiC等の部材は、セラミックファイバボードに比べて硬度が高く、しかも比較的平滑で均一な表面を有するので、帯状ガラスの温度分布を悪化させることがなく帯状ガラスに温度分布を作ることがなく、したがって、帯状ガラスを引き伸ばして形成される帯状ガラス及びガラス基板の厚さに不要な分布を作ることもない。あるいは、SiC等の部材は、セラミックファイバボードに比べて放射率が高く、いったん吸収した熱を部材内部で速やかに拡散し、全面で全方向に比較的均一に放射するので、帯状ガラスと対向する対向面にわずかな凹凸があっても、帯状ガラスが受ける熱のばらつきは、セラミックファイバボードに比べて小さい。このため、断熱板18の対向面にSiC等の部材を用いる場合、従来のセラミックファイバボードを断熱板に用いる場合に比べて所定の厚さの帯状ガラス及びガラス基板を安定して製造することができる。本実施形態のように断熱材18の対向面を一つの枠部材18aの側面により形成することにより、熱的特異点となる部材間の継ぎ目がなくなるので、対向面の温度分布および帯状ガラスへ与える熱のばらつきを抑えることができる。なお、枠部材18a~18dに囲まれた断熱材料からなるボードでは、3つのセラミックファイバボード18e~18gで構成されるため継ぎ目が2つあるが、これらの継ぎ目は、帯状ガラスから離れているため、その影響は小さく、溶融ガラスや帯状ガラスの温度に局部的影響を与える熱的特異点とならない。また、枠部材18a~18dに中空状の四角柱部材を用いることにより、中空部分にアルミナファイバ等の断熱材を充填することができる。このため、枠部材18a~18dにアルミナファイバ等の断熱材に比べて熱伝導率の高い材料を用いても、断熱板18の断熱効果を維持することができる。枠部材18a~18dの中空部分に断熱材を充填しない場合であっても、中空部分内の空気がある程度断熱機能を果たす。しかし、中空部分を隔てて上部空間に面する部分と下部空間に面する部分との温度差が600°C以上にもなり、中空部分内の空気の対流や熱輻射により熱交換を起こしてしまう場合もあるため、アルミナファイバ等の断熱材を中空部分に充填することがより好ましい。アルミナファイバ等の断熱材を上記中空部分に充填することで、中空部分は、極めて多数の部屋に分離され、部屋間で空気の移動もできず熱輻射も遮られるため、断熱機能を効果的に果たす。さらに、断熱板18に、中空状の枠部材18a~18dを用いることにより、無垢材に比べて同一重量で断面二次モーメントが大きく、軽くて機械的強度の高い板を構成することができる。本実施形態の断熱板18は、4つの枠部材18a~18dで構成されたが、これに限定されない。少なくとも断熱板18の帯状ガラスと対向する対向面に枠部材が用いられるとよい。また、4つの枠部材18a~18dの他に、枠の補強用梁として、同じ形状、材料の枠部材を用いてもよい。さらに、枠部材18a~18dは、四角柱部材でなくてもよく、三角柱部材、多角柱部材であってもよい。また、断熱板18の矩形形状の枠を形成する枠部材18a~18dは枠である必要は必ずしもなく、少なくとも隙間19において帯状ガラスと対向する断熱板18の対向面に該当する部分に、断熱材に比べて気泡含有量の低い材料あるいは熱伝導率の高い材料を用いることで、本発明の課題を解決することができる。例えば、枠部材18aは、板状やL字状の部材であってもかまわない。本実施形態の断熱板18を用いることにより、一定の厚さおよび一定の品質を有する帯状ガラス及びガラス基板を安定的に製造することができる。また、セラミックファイバボードは、枠部材18a~18dに囲まれるように複数枚を隙間無く設ければよいので、断熱板の対向面に継ぎ目を作らないように、標準サイズよりも大きくて高価なサイズのセラミックファイバボードを用いることが無くなる。このため、ガラス基板の製造装置のコストが低減する。また、硬度が高いSiC等の枠部材を用いるので、枠部材の設置時、対向面に傷を付けたり、凹凸をつくるリスクが少なくなり、作業性が向上する。このようなガラス製造装置10を用いて帯状ガラスを製造するとき、まず、炉壁12aで囲まれた炉室12内に設けられた成形体14の互いに対向する壁面14b,14cに2つの溶融ガラス流を形成する。次に、2つの溶融ガラス流が合流して成形された帯状ガラスを、炉室12内を間仕切りする断熱板18によって作られるスリット状の隙間19を通過させる。この後、炉室12内の断熱板18で間仕切りされた、成形体14と異なる空間に設けられたローラ16を用いて帯状ガラスを引き伸ばす、あるいは帯状ガラスの幅方向両端を冷却する。これにより、所定の厚さの帯状ガラスが作製される。帯状ガラスが通過するスリット状の隙間19において、帯状ガラスと対向する断熱板18の対向面には、断熱板18に用いる断熱材の材料の熱伝導率に比べて熱伝導率の高く平滑で均一な表面を持つ材料が用いられる。これにより、上述した理由により、従来のセラミックファイバボードを断熱板に用いる場合に比べて所定の厚さの帯状ガラス及びガラス基板を安定して製造することができる。なお、本実施形態および下記変形例で製造されるガラス基板は、例えば以下の組成を有する。以下のような組成を有する無アルカリガラスは、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板に好適であり、特に、液晶ディスプレイ用ガラス基板や有機ELディスプレイ用ガラス基板に好適である。aSiO250~70質量、bB2O35~18質量、cAl2O310~25質量、dMgO0~10質量、eCaO0~20質量、fSrO0~20質量、oBaO0~10質量、pRO合計含有量5~20質量ただしRはMg、Ca、SrおよびBaのうち、含有する成分。また、上記では無アルカリガラスとしたが、ガラス基板はアルカリを微量含んでいてもよい。アルカリを含有させる場合、qR’2O合計含有率が0.20質量を超え2.0質量以下ただしR’はLi、NaおよびKのうち、含有する成分であることが好ましい。なお、Li2O,Na2Oは含有させずに、上記成分中でも、ガラスから溶出してTFTの特性を最も劣化させ難いK2Oを含有させることが好ましい。r清澄剤として、酸化スズ、酸化鉄および酸化セリウムから選ばれる少なくとも1種の金属酸化物を合計で0.05~1.5質量含有させることが好ましい。ガラスの組成によっては上部空間の温度が1200°C未満でも成形可能である。この場合、断熱材には必ずしも結晶質のアルミナファイバ程の耐熱性は必要とされず、例えば、非晶質のアルミナファイバやセラミックファイバなど、他の断熱材を使用することができる。また、本実施形態で製造する他のガラス基板のガラス組成は例えば以下のものを挙げることができる。以下に示す組成とすることで、帯状ガラスにおける歪点温度ガラス粘度のlogが14.5であるガラスの温度を上昇させることができ、熱処理時の熱収縮量をより低減することができるので、液晶ディスプレイ用ガラス基板や有機ELディスプレイ用ガラス基板に好適であり、特にTFTとして、p-SiTFTを適用したものに好適である。p-SiTFTを適用した液晶ディスプレイや有機ELディスプレイは高精細な特性が求められ、例えば上述した明暗差の問題の原因である板厚偏差に対する要求が高い。そのため、p-SiTFTを適用した液晶ディスプレイ用ガラス基板や有機ELディスプレイ用ガラス基板の製造においては、本実施形態における板厚偏差を抑制するという効果が顕著となる。SiO2:57~75質量、Al2O3:8~25質量、B2O3:3質量以上11質量未満、CaO:0~20質量、MgO:0~15質量、であり、歪点が680°C以上の無アルカリガラス。このとき、下記の数式を満たすように組成を定めると、p-SiTFT用ガラス基板により好適となる。SrOBaO:0~3.3質量、CaORO0.65以上ただしRはMg、Ca、SrおよびBaのうち、含有する成分、SiO2Al2O3:79質量以上、CaO/B2O3:0.6以上なお、上記では無アルカリガラスとしたが、ガラス基板はアルカリを微量含んでいてもよい。アルカリを含有させる場合、R’2Oの合計含有量が0.20質量を超え2.0質量以下含むことが好ましい。なお、Li2O,Na2Oは含有させずに、上記成分中でも、ガラスから溶出してTFTの特性を最も劣化させ難いK2Oを含有させることが好ましい。また、清澄剤を合計で0.05~1.5質量含み、As2O3、Sb2O3及びPbOを実質的に含まないことが好ましい。清澄剤としては、特にSnO2を含有することが好ましい。また、ガラスの熔解を容易にするために、比抵抗を低下させるという観点から、ガラス中の酸化鉄の含有量が0.01~0.2質量であることがさらに好ましい。本実施形態において製造されるガラス基板の厚さは、例えば0.1mm~1.5mmである。好ましくは0.1~1.2mm、より好ましくは0.3~1.0mm、さらにより好ましくは0.3~0.8mm、特に好ましくは0.3~0.5mmである。本実施形態のガラス基板の幅方向の長さは、例えば500mm~3500mmであり、1000mm~3500mmであることが好ましく、2000mm~3500mmであることがより好ましい。一方、ガラス基板の縦方向の長さも、例えば500mm~3500mmであり、1000mm~3500mmであることが好ましく、2000mm~3500mmであることがより好ましい。なお、上述したようにガラス基板のサイズが大きく、断熱板118のサイズが大きいほど、上記断熱板118の反り量が大きくなり、板厚偏差や帯状ガラスやガラス基板の反りや歪の特性が悪化してしまう。つまり、ガラス基板の幅方向の長さが2000mm以上のガラス基板において、本実施形態の効果がより顕著となる。本実施形態において製造されるガラス基板の板厚偏差は、好ましくは0~25μm未満であり、より好ましくは0~23μmであり、さらに好ましくは0~15μmである。変形例1図6a,bは、断熱板18の枠部材18に囲まれる、セラミックファイバボード18e~18gの変形例を示す断熱本体部18hの断面構成を示す図である。図6aに示す断熱本体部18hは、断熱性の高い材料を中心に配置し、その周囲を高温耐久性の高い材料で覆うように配置した構成である。断熱性の高い材料として、例えばマイクロサーム日本マイクロサーム社製商品名が用いられ、高温耐久性の高い材料としてアルミナファイバを含むセラミックファイバが用いられる。あるいは、図6bに示す断熱本体部18hのように層状に積層した複数種類の材料で構成してもよい。この場合、高温雰囲気にある上部空間に接する側は、高温耐久性のある材料が用いられ、下部空間に接する側は、耐熱温度は劣るが断熱性に優れた材料が用いられる。図6bに示す3層構成の場合、上部空間に接する層には、セラミックファイバのうち、アルミナの含有率の高いセラミックファイバが用いられ、中間層には、アルミナの含有率が上部空間に接する層に用いられるセラミックファイバより低いセラミックファイバが用いられ、下部空間に接する層にはアルミナの含有率が各層の中で最も低いセラミックファイバが用いられ、あるいは、マイクロサーム日本マイクロサーム社製商品名が用いられる。このように、断熱本体部は、複数の種類の断熱材を組み合わせて構成することで、断熱効果を高めることができる。変形例2図7は、溶融状態の帯状ガラスを挟んで設けられた一対の断熱板18の間の隙間19近傍の断面図である。図7に示すように、枠部材18aの対向面側には、枠部材18aより断面の小さい中空状の四角柱の部材20が1つの部材として継ぎ目が無く隙間19に沿って設けられている。部材20の材料は、枠部材18aと同じ材料が用いられる。この部材20は、下部空間に接する面が、枠部材18aの下部空間に接する面と面一となるように枠部材18aに固定されている。部材20の中空部分には、枠部材18aと同様に、アルミナファイバ等の断熱材22が充填されている。このような構成により、帯状ガラスが通過する隙間の上部空間に面する第1の開口端は、下部空間に面する第2の開口端に比べて隙間の幅が広くなっている第1の開口端は第2の開口端に比べて隙間の幅が狭くなっている。本変形例では、部材20を枠部材18aに1段設けたが、部材20の対向面にさらに、部材20と同様の形状を成すがサイズが小さい他の部材を多段階に設けてもよい。本変形例の部材20は四角柱の形状を成すが、四角柱の形状に限定されず、三角柱等の他の形状の部材であってもよい。少なくとも下部空間に向かうにしたがって、隙間が狭くなうように、部材20や他の部材を組み合わせるとよい。このように隙間の開口端の幅を異ならせるのは、上部空間に面する開口端の隙間を広くして、成形体14に近づけるためである。成形体14の下部は傾斜面であるため、上部空間に面する開口端の隙間を下部空間に面する隙間より広くしなければ、断熱板をガラス流れに対し、より高い位置で成形体14に近づけることができない。断熱板18の隙間と成形体14とを帯状ガラスの流れに対し、ある程度高い位置で近づけるのは、上述したように、帯状ガラスの両端の接合を不安定にさせない範囲で帯状ガラスの幅を十分広く確保するためである。特に、枠部材18aに断面の小さい、枠部材18aと同じ材料の部材20を設けることにより、断熱板18をガラス流れに対し、より高い位置で成形体14に近づけることができることになる。部材20の中空部分には部材18aと同様断熱材22を充填するので、断熱板18としての断熱機能も果たすことができる。変形例3図8a,bは、溶融状態の帯状ガラスを挟んで設けられた一対の断熱板18の間の隙間19近傍の断面図である。図8aに示すように、断熱板18の形状は、中空を有した四角柱であり、上記四角柱を構成する面のうち、帯状ガラスから最も離れた面にチューブ23が設けられている。チューブ23には、図示されない空気供給源が接続されている。また、少なくとも、上記四角柱を構成する面のうち、帯状ガラスに最も近く、帯状ガラスと対向する対向面を形成する部材18iには、上記枠部材18aと同様の材料を用いている。チューブ23は、所望の温度の空気を上記断熱板18に設けられた中空に流し込むことができる。本変形例では、チューブ23から流入される空気を断熱材18nとして用いることで、上下空間を所望の温度に保持している。なお、断熱板18のうち、上部空間側あるいは下部空間側を形成する面には、チューブ23から流入された空気が通過する開口が設けられていてもよい。あるいは、断熱板の中空の空気を外部に排出する排出チューブが設けられていてもよい。ここで、チューブ23から流入される空気の温度、流量または圧力は、適宜変更可能である。なお、図8bに示すように、断熱板18は、上述した枠部材18aと同じ材料が用いられた部材18iと、板状の断熱材18j、18k、18mとで、中空状の四角柱を構成するようにしてもよい。これにより、上述した場合に比べ、断熱効果を向上させることができる。また、部材18iは、上部空間側を底面としたL字形状であってもかまわない。変形例4本変形例は、ガラス製造装置10において、上述の断熱板18を用いるとともに、上述した板厚偏差をさらに効率よく抑制するために、ガラス製造装置10における炉外部空間炉室の外と炉内部空間炉室内との気圧差を制御する例である。図9,10は、成形工程と徐冷工程を行うガラス製造装置10と、切断工程を行う切断装置8を示しており、ガラス製造装置10内に炉壁12aにより区切られて炉外部空間炉室の外と炉内部空間炉室の内が設けられている。図9及び図10は、ガラス製造装置10の構成を主に示す図であり、図9は主にガラス製造装置10の概略の側面図を示し、図10はガラス製造装置10の概略の正面図を示す。成形工程を行う成形炉80および徐冷工程を行う徐冷炉50の炉室12の内部空間炉室内は、耐火レンガ等の耐火物で構成された炉壁12aに囲まれて構成されている。成形炉80は、徐冷炉50に対して鉛直上方に設けられている。なお、成形炉80および徐冷炉50をあわせて炉という。炉の炉壁12aで囲まれた炉内部空間に、成形体14と、雰囲気仕切り部材である断熱板18と、ローラ16と、冷却ユニット30と、搬送ローラ32a~32hと、圧力センサ60,62a~62c図10参照が設けられている。冷却ユニット30の下方には、搬送ローラ32a~32hが所定の間隔で設けられ、帯状ガラスを下方向に牽引する。冷却ユニット30の下方の空間は、炉壁12aで仕切られた炉内部空間である。搬送ローラ32a~32hのそれぞれは、ローラ対を有し、帯状ガラスの両側を挟むように帯状ガラスの幅方向の両側端部に設けられている。炉壁12aで仕切られた成形炉80の炉内部空間には、炉内部空間の気圧を計測する圧力センサ60図10参照が設けられている。圧力センサ60は、成形体14と高さ方向鉛直上方向の同じ位置に設けられている。徐冷炉50の炉内部空間には、圧力センサ62a~62c図10参照が設けられている。一方、成形炉80の炉壁12aの外側には、隔壁により大気圧雰囲気に対して建物Bの隔壁で区切られた空間炉室12の外の空間、すなわち炉外部空間S1,S2,S3a~S3cが設けられている。これらの空間のそれぞれは、高さ方向に関して、床面41,42,43a~43cによって区切られている。すなわち、ガラス製造装置10は、複数のフロアを有する建物Bに設けられ、床面によって複数に区切られた炉外部空間部分空間S1,S2,S3a~S3cが各フロアに設けられている。さらに、炉外部空間S3cの下方には、床面44上に壁で区切られた空間S4切断空間が設けられている。空間S4では、切断装置8を用いて帯状ガラスGが切断されて、ガラス基板が得られる。空間S4には、炉壁12aは設けられない。これらの空間の気圧はそれぞれ後述する送風機52,53,54a,54b,54c,55により調整されている。炉外部空間S1は、成形体14の高さ方向の位置よりも鉛直上方にある空間であり、炉外部空間S1には、炉外部空間の気圧を計測する圧力センサ45が設けられている。炉外部空間S2は、床面42上に設けられた空間であり、この空間に対応する炉内部空間には成形体14が配置されている。また、炉外部空間S2には、炉外部空間S2の気圧を計測する圧力センサ46が設けられている。炉壁12aで囲まれた炉内部空間には、圧力センサ46の高さ方向の同じ位置に、炉内部空間の気圧を計測する圧力センサ60が設けられている図10参照。炉外部空間S3a~S3cは、炉外部空間S2の下方に、高さ方向の高い方から炉外部空間S3a~3cの順に設けられた空間である。炉外部空間S3a~3cは、床面43a~43c上に設けられている。また、炉外部空間S3a~S3cのそれぞれには、炉外部空間3a~3cの気圧を計測する圧力センサ47a~47cが設けられている。炉壁12aで囲まれた徐冷炉50の炉内部空間には、圧力センサ47a~47cの高さ方向の同じ位置に、炉内部空間の気圧を計測する圧力センサ62a~62cが設けられている図10参照。なお、本変形例では、圧力センサ60,62a~62cが炉内部空間の各位置に設けられているが、炉内部空間の各位置に圧力センサが挿入されて圧力の測定が行われてもよい。また、炉外部空間S1,S2,S3a~S3c及び空間S4それぞれを区切る隔壁の外側には、炉外部空間S1,S2,S3a~S3c及び空間S4のそれぞれに対して、送風機52,53,54a,54b,54c,55が設けられている。送風機52,53,54a,54b,54c,55により大気から送り込まれる空気は、管を通して炉外部空間S1,S2,S3a~S3c及び空間S4のそれぞれに供給される。送風機52,53,54a,54b,54c,55が送り込む空気の量は、それぞれ、後述する駆動ユニット72図11参照からの駆動信号によって定められている。図11は、送風機52,53,54a,54b,54c,55が送り込む空気の量を制御する制御システムを説明する図である。制御システムは、炉内部空間に設けられた圧力センサ60,62a~62cと、それぞれの炉外部空間に設けられた圧力センサ45,46,47a~47c,48と、制御装置70と、駆動ユニット72と、送風機52,53,54a,54b,54c,55と、を有する。制御装置70は、圧力センサ60,62a~62cのそれぞれから送られる炉内部空間における気圧の計測結果と、圧力センサ45,46,47a~47c,48から送られる炉外部空間における気圧の計測結果とを用いて、炉内部空間及び炉外部空間における高さ方向の同じ位置における気圧の差分が設定された範囲に調整されるように、送風機52,53,54a,54b,54c,55が送り込む空気の量を調整するための制御信号を生成する。生成された制御信号は、駆動ユニット72に送られる。駆動ユニット72は、制御信号に基いて、送風機52,53,54a,54b,54c,55によって送り込む空気の量を個別に調整するための駆動信号を生成する。駆動ユニット72は、駆動信号を、それぞれ送風機52,53,54a,54b,54c,55に送る。本変形例では、制御装置70及び駆動ユニット72が空気の送り込み量を自動制御するが、オペレータがマニュアルで空気の送り込み量を調整してもよい。ここで、送風機52,53,54a,54b,54c,55の送り込む空気の量は、炉外部空間S2,S3a~S3cの気圧が、高さ方向の同じ位置における炉内部空間の気圧に対して低くなるように、各炉外部空間の気圧は調整される。すなわち、炉内部空間である炉室内の気圧が炉外部空間である炉室の外部の気圧よりも大きくなるように気圧が制御される。成形炉80の炉内部空間の気圧から炉外部空間S2の気圧を差し引いた気圧の差分は、0超~40Paであり、4~35Paであることが好ましく、8~30Paであることがより好ましく、10~27Paであることがさらに好ましく、10~25Paであることがさらに好ましい。上記気圧の差分が、上記範囲を上回ると、炉内部空間から炉外部空間S2に向かって炉壁の隙間から大量の空気が流出する場合があり、この空気の流出に伴って炉内部空間における空気の上昇を増大させる。一方、上記気圧の差分が、上記範囲を下回ると、炉外部空間S2から炉内部空間に向かって炉壁の隙間から空気が流入する場合がある。この空気の上昇や空気の流入により、炉内部空間の温度分布がばらつく。気圧の差分を上記の範囲に調整することで、空気の上昇や空気の流入を防止できる。このため、炉内部空間の温度のばらつきを抑制できる。これにより、帯状ガラスの冷却速度のばらつき、ひいては帯状ガラスの板厚偏差を抑制できる。なお、この場合、炉外部空間の気圧は、高さ方向の位置が高いほど高いことが好ましい。これにより、炉外部空間において、炉壁に沿って発生する上昇気流の大きさを低減できるので、ひいては炉内部空間の温度のばらつきも抑制することができる。また、徐冷炉50の炉内部空間と炉外部空間S3a~S3cとの間の気圧の差分は、0超~40Paであり、2~35Paであることが好ましく、2~25Paであることがより好ましく、3~23Paであることがさらに好ましく、5~20Paであることがさらに好ましい。上記気圧の差分が、上記範囲を上回ると、炉内部空間から炉外部空間S3a~S3cに向かって炉壁の隙間から大量の空気が流出する場合があり、炉内部空間における空気の上昇を増大させる。一方、上記気圧の差分が、上記範囲を下回ると、炉外部空間S3a~S3cから炉内部空間に向かって炉壁の隙間から空気が流入する場合がある。この結果、炉内部空間の温度分布がばらつく。気圧の差分を上記の範囲に調整することで、空気の上昇や空気の流入を防止できるので、徐冷炉50の炉内部空間の温度のばらつきを抑制できる。これにより、帯状ガラスの変形、反り、平面歪のばらつき及び熱収縮のばらつきを抑制することができる。以上のように、本変形例では、炉内部空間炉室内の気圧は、炉外部空間炉室の外の気圧よりも大きくなるように、送風機の送り込む空気の量が制御されるので、炉内部空間において、低温の空気の流れを抑制することができる。この結果、炉内部空間の温度変動を抑制できる。したがって、帯状ガラスさらにはガラス基板の板厚偏差を抑制することができる。変形例5本実施形態において、成形炉内の上部空間を構成する部材のうち、成形体14溶融ガラスと面する部材、例えば、炉壁12a図3a参照の部材あるいは炉壁12aの上部空間に面する表面部材において、温度分布のばらつきや放射率のばらつきが生じてしまうと、成形体14に接している溶融ガラスの温度分布にもバラツキが生じてしまい、ひいては帯状ガラス及びガラス基板に板厚偏差が生じる。本変形例では、成形炉内の上部空間を構成する部材のうち成形体14溶融ガラスと面する部材に、熱伝導率が25~200W/mKであり、放射率が0.8~1である材料が用いられる。成形炉内の上部空間を構成する部材のうち、成形体14溶融ガラスと面する部材には、上記枠部材18aなどと同様の材料例えば、SiC等を適用することができる。また、成形炉内の上部空間を構成する部材のうち成形体14溶融ガラスと面する部材の厚さを5mm以上とすることで、帯状ガラス及びガラス基板の板厚偏差を、よりいっそう抑制することができる。変形例6成形炉内の下部空間を構成する部材のうち、帯状ガラスと面する部材において温度分布のばらつきや放射率のばらつきが生じてしまうと、帯状ガラスの温度分布にもバラツキが生じてしまい、ひいては帯状ガラス及びガラス基板に板厚偏差が生じてしまう。そこで、成形炉内の下部空間を構成する部材のうち帯状ガラスと面する部材、例えば炉壁12a図3a参照の部材あるいは炉壁12aの下部空間に面する表面部材に、熱伝導率が25~200W/mKであり、放射率が0.8~1である材料材を用いることが好ましい。成形炉内の下部空間を構成する部材のうち帯状ガラスと面する部材には、例えば上記枠部材18aなどと同様の材料例えば、SiC等を適用することができる。また、成形炉内の下部空間を構成する部材のうち、帯状ガラスと面する部材の厚さを5mm以上とすることで、帯状ガラス及びガラス基板の板厚偏差を、よりいっそう抑制することができる。変形例7オーバーフローダウンドロー法によりガラス基板を製造すると、ガラス製造装置10の鉛直方向に延びる帯状ガラスの移動路を細長い空間とした煙突効果により、帯状ガラスの下流側から上流側に向かって上昇気流が発生することがある。この上昇気流は溶融ガラスや帯状ガラスよりも温度が低いことが多く、ガラス製造装置10内の領域における上昇気流の流量の差異や上昇気流の温度の差異により、帯状ガラスの温度分布がばらつき、ひいては帯状ガラス及びガラス基板の板厚偏差が生じることが想定される。本変形例では、上記上昇気流の通路を最小化し、前記移動路の幅を均一化することで、上記上昇気流の影響による炉室12内の各領域における温度変動を抑制することができ、ひいては帯状ガラス及びガラス基板の温度分布にばらつきが生じることを抑制できる。本変形例では、断熱板18によって形成される、成形体14で成形された帯状ガラスをローラ16の位置する下部空間へ導くスリット状の隙間19図3a参照の幅断熱板18間の距離は、30mm~140mmとすることが好ましく、40mm~100mmとすることがより好ましい。なお、上記スリット状の隙間19は狭い隙間ほど、上記上昇気流が上部空間に流入することを抑制できるが、隙間19の幅が狭くなりすぎると断熱板18に帯状ガラスが触れて乗り上げてしまうという問題が生じる場合がある。このため、スリット状の隙間19の幅は30mm以上とすることが好ましい。実施例、従来例本実施形態の効果を調べるために、従来の断熱板従来例と本実施形態の断熱板実施例をそれぞれ用いて帯状ガラスを製造して、帯状ガラスの厚さのばらつきを測定した。用いたガラス基板の製造装置は、図3に示すダウンドロー法の1つであるオーバーフローダウンドロー法によるガラス製造装置10である。ガラスは以下の組成を有するアルミノシリケートガラス液晶ディスプレイ用ガラス基板を用い、溶融ガラスを1300°Cの溶融状態で成形を行った。このため、成形体14が位置する上部空間の温度雰囲気は1300°Cに調整した。一方、下部空間の温度雰囲気は、600°Cに調整した。帯状ガラスの幅は2mとし、ローラ16により、厚さ0.7mmの帯状ガラスになるように引っ張った。帯状ガラス表面と断熱板18の対向面との距離は50mmとした。ガラス組成SiO2:60質量Al2O3:19.5質量B2O3:10質量CaO:5質量SrO:5質量SnO2:0.5質量。従来例である従来の断熱板は、図12に示すように、3つのセラミックファイバボード24aを接続して、幅2mの一体化した断熱板24を作製した。従って、帯状ガラスと対向する断熱板24の対向面24aには、2つの継ぎ目が存在する。一方、実施例である本実施形態の断熱板18は、図4a,bに示すように、セラミックファイバボード18e~18gの周りを囲むように、SiCからなる中空状の四角柱の枠部材18a~18dを用いて枠を作った。枠部材18a~18dそれぞれの断面は、一辺が60mmの正方形形状であり、枠部材18a~18dの厚さは7mmであった。枠部材18a~18dの各部材は、金属プレートを4角に設けて機械的接合をした。さらに、枠部材18a~18dには、約300mmピッチで枠側面にあけた孔を利用してセラミックファイバボード脱落防止用のL字型金属プレートを設けた。枠部材18a~18dの中空部分には、断熱材料としてアルミナファイバを充填した。この枠に、図4aに示すように、断熱材料であるセラミックファイバボード18e~18gを3つ隙間無く設けた。実施例である断熱板18の枠部材18aの上部空間温度1300°Cにおける熱伝導率は約45W/mKであり、気泡含有率は約0.6であり、放射率は0.95であった。また、断熱材料であるセラミックファイバボードの上部空間温度1300°Cにおける熱伝導率は約0.2W/mKであり、気泡含有率は45であり、放射率は約0.6であった。なお、上記断熱板18の熱抵抗は0.25m2K/Wであった。他方、従来例である、従来の断熱板24の上部空間温度1300°Cにおける熱伝導率は0.23W/mKであり、気泡含有率は45であり、放射率は約0.6であった。なお、上記断熱板24の熱抵抗は0.22m2K/Wであった。なお、熱伝導率は、ファインセラミックスのレーザフラッシュ法による熱伝導率の試験法JISR16111997により測定した。気泡含有率は、1-嵩密度/真密度×100により算出した。熱抵抗は、熱抵抗=厚さ/熱伝導率に従って算出した。また、放射率は、放射温度計により測定した。上記2つの断熱板18,24を用いて、それぞれ2ヶ月間、帯状ガラス液晶ディスプレイ用ガラス基板を製造した後、帯状ガラス液晶ディスプレイ用ガラス基板の厚さを、マイクロメーターを用いて計測し、厚さ分布を得た。従来例である断熱板24を用いた場合、帯状ガラス液晶ディスプレイ用ガラス基板の有効幅商品として切り出される幅内において、厚さの偏差、すなわち板厚偏差は30μmであった。つまり、厚さの偏差を25μm以下に抑えることができず、さらに、帯状ガラス液晶ディスプレイ用ガラス基板の有効幅内において、3μm前後の比較的小周期の肉厚ムラが幅方向に沿って生じた。一方、図4a,bに示す実施例である断熱板18を用いた場合、小周期の肉厚ムラは生じず、帯状ガラス液晶ディスプレイ用ガラス基板の有効幅内において、厚さの偏差は12μmであった。つまり、厚さの偏差を20μm以下に抑えることができ、安定的に帯状ガラス液晶ディスプレイ用ガラス基板を製造できることがわかった。また、断熱板18を用いた場合であっても、炉室12の下部空間における帯状ガラスの両端部の冷却不足による帯状ガラスの幅方向の収縮は観測されなかった。つまり、断熱板18を用いた場合であっても、炉室12の上部空間と下部空間とにおける断熱効果は十分であることがわかった。2ヶ月間使用した断熱板24従来例を取り出して形状変化を確認したところ、幅2.5mの断熱板24において、中央部が下側空間に向かって凸状に5mm反っているのが確認された。一方、断熱板18実施例は、炉外に取り出した際の反りは1mm未満であった。以上より、本実施形態の効果は明らかである。以上、本発明のガラス基板の製造装置およびガラス基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。"