主相が組成式LiSi2-xAlxOxN3-xで表され、xの値が0.2~0.7であることを特徴とする電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物。xの値が0.25~0.5であることを特徴とする請求項1に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物。室温で電子伝導率が1.0×10-2Scm-1以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物。リチウムケイ素窒化物の製造方法であって、以下のステップを含むことを特徴とする電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法。a窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び炭酸リチウムを、製造物の組成がLiSi2-xAlxOxN3-xxの値が0.2~0.7となるように混合するステップ。b混合により得られた混合物を温度範囲1700~1800K、負荷圧力を10MPa以上で焼結するステップ。前記xの値が0.25~0.5であることを特徴とする請求項4に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法。前記負荷圧力が20MPa以上であることを特徴とする請求項4または5に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法。前記混合を、窒化リチウムと反応しない雰囲気で行うことを特徴とする請求項4から6のいずれか一項に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法。本発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、高い電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物及びその製造方法を提供することを課題とする。本発明は、上記の課題を解決するために、以下のことを特徴としている。即ち、本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物は、主相が組成式LiSi2-xAlxOxN3-xで表され、xの値が0.2~0.7であることを特徴とする。この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物において、xの値が0.25~0.5であることが好ましい。また、この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物において、室温で電子伝導率が1.0×10-2Scm-1以上であることが好ましい。また、本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法は、以下のステップを含むことを特徴とする。a窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び炭酸リチウムを、製造物の組成がLiSi2-xAlxOxN3-xxの値が0.2~0.7となるように混合するステップ。b混合により得られた混合物を温度範囲1700~1800K、負荷圧力を10MPa以上で焼結するステップ。この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法において、前記xの値が0.25~0.5であることが好ましい。また、この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法において、前記負荷圧力が20MPa以上であることが好ましい。さらに、この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法において、前記混合を、窒化リチウムと反応しない雰囲気で行うことが好ましい。本発明によれば、主相を組成式LiSi2-xAlxOxN3-xで表され、xの値が0.2~0.7の範囲にあるリチウムケイ素窒化物とすることにより、高い電子伝導性を示すリチウムケイ素窒化物を得ることが可能となる。本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物は、主相が組成式LiSi2-xAlxOxN3-xで表され、xの値が0.2~0.7、より好ましくは0.25~0.5の範囲のものである。xをこの範囲とすることにより、高い電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物とすることができる。また、上記の本発明のリチウムケイ素窒化物は、室温で1.0×10-2Scm-1以上の電子伝導性を有するものである。ここで、本発明において室温とは、10°C以上30°C以下の温度範囲を示す。以下に、本発明の高い電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法の一実施形態について詳述する。この本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物を製造するに当たっては、まず、xの値が0.2~0.7、より好ましくは0.25~0.5の範囲の値を持つLiSi2-xAlxOxN3-xが得られるようにLi3N、Si3N4、AlN、Li2CO3を秤量した原料粉末を混合する。秤量及び混合は、Li3Nが大気中の物質と反応しないように、高純度の窒素雰囲気中で行う必要があるため、例えば、グローブボックス中で行う。また混合は乳鉢と乳棒を用いて乾式で行う。混合方法としては、ボールミル、遊星ミル等を用いて混合することが可能であるが、この場合であっても、混合容器中を高純度の窒素雰囲気とするか、ミル一式を高純度窒素雰囲気内に設置して行う必要がある。上記の条件で混合した粉末をカーボンダイスに入れ、ホットプレス焼結Hot-press、以下HPと略称するする。カーボンダイスとパンチが原料粉末と接する面には、窒化ホウ素粉末塗布を行ったり、あるいは薄い窒化ホウ素板を挟む等、原料粉末とカーボンの反応を極力抑えることが望ましい。原料粉末を導入したダイスを真空チャンバーにセットし、7.0×10-3Paよりも高い真空度まで拡散ポンプ等を用いて脱気した後、純度99.99以上の高純度の窒素を導入する。焼結温度は1700~1800Kの範囲、より好ましくは1773K、負荷圧力は10MPa以上、より好ましくは20MPa以上である。焼結温度、焼結時間は高密度の焼結体が得られれば、リチウムの蒸発を防ぐために低温、短時間が望ましい。負荷圧力は、用いる治具の強度により適宜決定することができる。なお、付加圧力は高い方が高密度化には有利であるが、カーボン製の治具を用いる際は治具が壊れない120MPa程度を限度とすることが望ましい。以下に、実施例として、本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物焼結体の製造方法を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって何ら限定されるものではない。[実施例1]窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをLiSi2-xAlxOxN3-xでx=0.25となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で、混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に20MPaの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、1×10-3Pa台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、0.1MPaとして、窒素雰囲気中、1.50×103°Cで60分加熱し、その後炉冷した。その結果、密度2.5g/cm3の緻密な焼結体が得られた。生成した結晶相をX線回折法により測定したところ、JCPDSカード00-026-1186に記載のLiSi2N3が主相として同定された。しかし、ピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、LiSi2-xAlxOxN3-xで表される固溶体を形成していることが示唆された。窒素雰囲気中の298Kから690Kまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図1に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると3.8kJmol-1となった。298Kでの電子伝導率σは4.9×10-2Sm-1であった。Auブロッキング電極を用いて、DC測定を行ったところ、経時による電流値の減少はなく、この高い伝導は電子伝導によるものであることがわかった。298Kでの電子伝導率は4.2×10-2Sm-1であった。[実施例2]窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをLiSi2-xAlxOxN3-xでx=0.50となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に20MPaの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、1×10-3Pa台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、0.1MPaとした。窒素雰囲気中、1.50×103°Cで60分加熱し、その後炉冷した。その結果、密度2.5g/cm3の緻密な焼結体が得られた。生成した結晶相をX線回折法により測定したところ、実施例1と同様、主相としてLiSi2N3が同定されたが、ピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、LiSi2-xAlxOxN3-xで表される固溶体を形成していることが示唆された。窒素雰囲気中の298Kから690Kまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図1、図2に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると3.9kJmol-1となった。298Kでの電子伝導率σは2.4×10-2Sm-1であった。Auブロッキング電極を用いて、DC測定を行ったところ、経時による電流値の減少はなく、この高い伝導率は電子伝導によるものであることがわかった。298Kでの電子伝導率は2.2×10-2Sm-1であった。[実施例3]窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをLiSi2-xAlxOxN3-xでx=0.50となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で、混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に20MPaの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、1×10-3Pa台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、0.1MPaとした。窒素雰囲気中、1.20×103°Cで60分加熱し、その後炉冷した。その結果、密度2.7g/cm3の緻密な焼結体が得られた。生成した結晶相をX線回折法により測定したところ、実施例1、2と同様、主相としてLiSi2N3が同定されたが、ピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、LiSi2-xAlxOxN3-xで表される固溶体を形成していることが示唆された。窒素雰囲気中の298Kから690Kまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。298Kではインピーダンスが装置の測定範囲外となり、測定できなかった。インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図2に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると4.1kJmol-1となった。298Kでの電子伝導率σを計算すると2.2×10-2Sm-1であった。Auブロッキング電極を用いて、DC測定を行ったところ、経時による電流値の減少はなく、この高い伝導は電子伝導によるものであることがわかった。298Kでの電子伝導率は2.2×10-2Sm-1であった。[比較例1]窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをLiSi2-xAlxOxN3-xでx=0.50となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に20MPaの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、1×10-3Pa台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、0.1MPaとした。窒素雰囲気中、1.60×103°Cで60分加熱し、その後炉冷した。その焼結体の密度は2.3g/cm3にとどまった。生成した結晶相をX線回折法により測定したところ、実施例1~3と同様、主相としてLiSi2N3が同定されたが、ここでもピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、LiSi2-xAlxOxN3-xで表される固溶体を形成していることが示唆された。窒素雰囲気中の298Kから690Kまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。298K、373Kではインピーダンスが装置の測定範囲外となり、測定できなかった。インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図2に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると68kJmol-1となった。298Kでの電子伝導率σを計算すると3.9×10-10Sm-1にとどまった。また、DC測定を行ったところ、電流値は時間と共に急激に減少した。これにより、この焼結体の伝導機構は電子伝導ではなくイオン伝導によるものであることがわかった。[比較例2]窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをLiSi2-xAlxOxN3-xでx=0.10となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に20MPaの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、1×10-3Pa台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、0.1MPaとした。窒素雰囲気中、1.50×103°Cで60分加熱し、その後炉冷した。その焼結体の密度は2.6g/cm3となった。生成した結晶相をX線回折法により測定したところ、主相はLiSi2N3であった。窒素雰囲気中の298Kから690Kまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。交流インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図1に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると68.6kJmol-1となった。298Kでの電子伝導率σを計算すると3.9×10-10Sm-1にとどまった。また、DC測定を行ったところ、電流値は時間と共に急激に減少した。これにより、この焼結体の伝導機構は電子伝導ではなくイオン伝導によるものであることがわかった。[比較例3]窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをLiSi2-xAlxOxN3-xでx=0.75となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で混合した。この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に20MPaの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、1×10-3Pa台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、0.1MPaとした。窒素雰囲気中、1.50×103°Cで60分加熱し、その後炉冷した。その焼結体の密度は2.5g/cm3となった。生成した結晶相をX線回折法により測定したところ、実施例1~3及び比較例1と同様、主相としてLiSi2N3が同定されたが、比較例3でもピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、LiSi2-xAlxOxN3-xで表される固溶体を形成していることが示唆された。窒素雰囲気中の298Kから690Kまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。交流インピーダンス測定より得られたイオン伝導率の測定温度依存性を図1に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると76.1kJmol-1となった。298Kでの電子伝導率σを計算すると4.2×10-12Scm-1にとどまった。また、DC測定を行ったところ、電流値は時間と共に急激に減少した。これにより、この焼結体の場合もその伝導機構は電子伝導ではなくイオン伝導によるものであることがわかった。以上説明した実施例1~3、比較例1~3、及び実施例、比較例と同様の方法で作製したx=0及び1の場合の焼結体を参考例1~3として、それらの測定結果をまとめて表1に示す。また、このようにして得られた焼結体の密度を測定したところ、2.5~2.7g/cm3と比較的高い密度であることが確認された。