セラミックスを主成分とする、貫通孔を備えた絶縁性基板と、前記貫通孔内に配置されたビア導体と、を備えて構成された実装基板であって、前記ビア導体は、金属からなる第1成分と、前記ビア導体の内部に分散した、前記第1成分よりも熱膨張係数が低い金属酸化物からなる第2成分とを含むことを特徴とする実装基板。前記第2成分が酸化タングステンWO3であることを特徴とする請求項1記載の実装基板。前記第1成分が銅Cuであることを特徴とする請求項1または2記載の実装基板。前記ビア導体は、前記第2成分とケイ素Siと酸素Oとを含有する、前記第1成分よりも熱膨張係数が低い低熱膨張領域を有することを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の実装基板。前記貫通孔は、前記絶縁性基板の2つの主面のうち一方主面に近づくに従い内径がより大きく、前記一方主面の側で、前記ビア導体における前記第2成分の体積占有率がより大きいことを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の実装基板。請求項1~5のいずれかに記載の実装基板と、前記実装基板に実装されて前記ビア導体に電気的に接続された機能素子とを含むデバイスであって、前記機能素子は、前記絶縁性基板の前記一方主面に実装されていることを特徴とするデバイス。前記機能素子は、供給される電力に応じて光を発するLED素子であることを特徴とする請求項6記載のデバイス。セラミックスを主成分とする、貫通孔が設けられた絶縁性基板を準備し、前記絶縁性基板の前記貫通孔に、前記セラミックスよりも融点が低い金属からなる第1成分を主成分とする粒子と、前記第1成分よりも融点が高く、かつ前記第1成分よりも熱膨張係数が低い金属酸化物からなる第2成分を主成分とする粒子とを含むペーストを充填し、前記ペーストが前記貫通孔の内部に充填された前記絶縁性基板を熱処理することを特徴とする実装基板の製造方法。前記第1成分に比べて、前記第2成分の比重が大きいことを特徴とする請求項8記載の実装基板の製造方法。前記第1成分が銅Cuであり、前記第2成分が酸化タングステンWO3であることを特徴とする請求項9記載の実装基板の製造方法。しかしながら、従来のグリーンシート法では、工程数も比較的多く、実装基板の製造にかかるコストが大きくなり易いといった課題がある。また、近年、例えば半導体チップの集積化に伴って、これら半導体チップから発する熱量も大きくなっている。また、半導体チップのみではなく、LEDなどの発光素子を実装する場合でも、発光素子からは比較的多くの熱が発生する。実装基板に配置されて、これら半導体チップや発光素子に直接接続するビア導体には、これらの発生した熱がよく伝わり、この熱によってビア導体およびセラミック基板が大きく膨張および収縮する。特許文献1に記載されている実装基板では、ビア導体が、熱膨張係数が比較的高い銅を主成分とし、この銅よりも熱膨張係数が大きなアルミニウムを、さらに含有している。特許文献1に記載されているような、従来のグリーンシート法を用いて作製された実装基板では、セラミックスとビア導体との熱膨張係数差が比較的大きいので、発光素子等の発光に伴う発熱によって、セラミック基板とビア導体との境界部分で比較的大きな熱応力が発生してしまう。従来の実装基板では、比較的大きな熱を発生する、発光素子や半導体IC素子などの被実装体を実装した場合、セラミック基板からビア導体が剥離し易いといった課題があった。本発明はかかる課題を解決するためになされたものである。上記課題を解決するため、本発明は、セラミックスを主成分とする、貫通孔を備えた絶縁性基板と、前記貫通孔内に配置されたビア導体と、を備えて構成された実装基板であって、前記ビア導体は、金属からなる第1成分と、前記ビア導体の内部に分散した、前記第1成分よりも熱膨張係数が低い金属酸化物からなる第2成分とを含むことを特徴とする実装基板を提供する。また、実装基板の製造方法であって、セラミックスを主成分とする、貫通孔が設けられた絶縁性基板を準備し、前記絶縁性基板の前記貫通孔に、前記セラミックスよりも融点が低い金属からなる第1成分を主成分とする粒子と、前記第1成分よりも融点が高く、かつ前記第1成分よりも熱膨張係数が低い金属酸化物からなる第2成分を主成分とする粒子とを含むペーストを充填し、前記ペーストが前記貫通孔の内部に充填された前記絶縁性基板を熱処理することを特徴とする実装基板の製造方法を、併せて提供する。本発明によれば、ビア導体は、金属からなる第1成分と、ビア導体の内部に分散した、第1成分よりも熱膨張係数が低い金属酸化物からなる第2成分とを含んでおり、第2成分によってビア導体の熱膨張が抑制されるので、被実装体の発熱が比較的大きい場合でも、熱応力に伴って発生する絶縁基板とビア導体部との接合不良が比較的少ない。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとし、図面中の下方向が鉛直下向きに対応するものとする。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。図1は、本発明の実装基板の一実施形態である実装基板10を備えて構成される、本発明のデバイスの一例である発光装置1について説明する図であり、aは発光装置1の概略斜視図、bは発光装置1の概略断面図である。また、図2は、図1bの一部を拡大して示す図である。発光装置1は、実装基板10の一方主面10A側に、例えば公知のLED素子である複数の発光素子20が配置されている。実装基板10は、セラミックスを主成分とする、貫通孔12aを備えた絶縁性基板12以下、基板12とすると、貫通孔内12a内に配置されたビア導体14と、他方主面10Bに形成されたパターン導体16Bと、を備えて構成されている。発光素子20が配置された基板12は、例えばアルミナを主成分とするセラミックスからなることが好ましい。アルミナは、LED素子からの発光に対して良好な反射性を有している。また、数mmから1mm以下の微細な構造も、成型によって比較的容易に形成することができる。また、メタライズ技術や印刷配線技術を用い、表面に比較的容易にパターン導体16Bを形成することもできる。これらの点でアルミナは、基板12を構成する材質として好ましく用いられるが、その他のセラミック材料なども、用途に応じて用いることができ、基板12の材質は特に限定されない。図1に示す実施形態では、2つのビア導体14の組合せに対して、1つの発光素子20が電気的に接続されている。各ビア導体14の、他方主面10Bの側の端面には所定のパターン導体16Bが接続されている。また、ビア導体14の、一方主面10Aの側は、接合層13を介して発光素子20の電極21と接続されている。図2に示す実施形態の発光装置1では、発光素子20の電極21が、ビア導体14の一方主面10A側の端面と対向するように配置され、発光素子20の電極21とビア導体14とが、Au/Niメッキ層31と半田層32とが積層した接合層13を介して接合されている。なお、発光素子20の実装には、発光素子20とビア導体14とが電気的に接続できる種々の方法を選択できる。例えば、実装方法として半田付け方法等を用いても構わない。発光装置1では、実装基板10の他方主面10Bの側に設けられたパターン導体16Bを介してビア導体14に電圧が印加されて、ビア導体14の一方主面10A側と接合した発光素子20に、ビア導体14を介して電流が供給される。発光素子20は、ビア導体14から供給されたこの電流によって発光する。ビア導体14は、金属からなる第1成分を主成分とし、この第1成分よりも熱膨張係数が低い金属酸化物からなる第2成分18が、内部に分散している。本実施形態において第2成分18は、酸化タングステンWO3からなる。このビア導体14における第2成分18の体積占有率は、実装基板10の2つの主面のうち、発光素子20が実装される側の一方主面10Aの側でより大きくなっている。また、ビア導体14内には、第2成分18とケイ素Siと酸素Oとを含有する低熱膨張領域が分散している。この低熱膨張領域の占める範囲については、明瞭には確定できないので図示はしていない。本実施形態のビア導体14では、第1成分が銅Cuであり、この銅Cuよりも熱膨張係数の小さい酸化タングステンWO3を第2成分として含有している。第2成分18は、第1成分に比べて熱膨張係数が小さければよく、第1成分および第2成分18の材質については、特に限定されない。例えば、第2成分18は、酸化タングステンWO3の代わりに酸化モリブデンMoO3を用いてもよい。または、第2成分18として、酸化タングステンWO3と酸化モリブデンMoO3とを用いてもよい。なお、本発明において主成分として含まれるとは、その成分の質量含有率が、50質量以上であることをいう。ビア導体14では、第2成分18およびその他の成分の合計に対し、第1成分である銅Cuがより多く50質量以上含まれている。なお、第2成分18の体積占有率が、基板10の2つの主面のうち、一方主面10Aの側でより大きくなっているとは、ビア導体14を、一方主面10Aに略平行な仮想面で長さ方向すなわち、基板12の厚さ方向に2等分した際、この仮想面から一方主面10Aまでの領域における第2成分18の体積占有率が、この仮想面から他方主面10Bまでの領域における第2成分18の体積占有率よりも大きいことをいう。また、ビア導体14における第2成分18の位置および大きさは、例えばビア導体14の断面を走査型電子顕微鏡写真で観察することで確認することができる。具体的には、断面写真の任意領域における第2成分18の面積占有率を、そのままの値で、この任意領域における体積占有率に置き換えればよい。また、第1成分および第2成分の材質および組成は、公知のEPMAElectronProbeMicroAnalyzer装置や、XPSX-rayPhotoelectronSpectroscopy装置を用いて容易に確認することができる。図3は、本実施形態の実装基板10の一例の断面を示す図である。図3aは、ビア導体14の断面の走査型電子顕微鏡写真であり、b~dはa断面についてのEPMA分析画像である。EPMA分析装置として、EPMA波長分散型装置:JXA-8600Mを用い、分析サンプリングタイム0.5secで撮影した。b~cの各画像の濃度の淡い部分が、bは銅Cu元素、cはタングステンW元素、dはケイ素Si元素、のそれぞれの含有量の濃度の濃い部分に対応している。図3b~dについては、白色に近いほど、対応する各元素の含有割合が比較的高い。図3における上下方向は、図2における上下方向に対応しており、発光素子20は、図3の上方に実装されている。図3aで比較的白っぽく見える領域と、図3cで比較的白く見える領域とで、対応している部分が確認できる。図3aに白っぽく見える領域は、タングステンWを多く含んでいる領域も多く含んでいる。なお、図3では示していないが、図3cで白っぽく現れている領域には、酸素Oも比較的多く含有されていることを確認している。特に図3cから、銅Cuを主成分とするビア導体14内に、酸化タングステンWO3を主成分とする第2成分18が分散していることがわかる。また、図3cと図3dとを比較すると、図3cで比較的白っぽく見える領域と、図3dで比較的白っぽく見える領域とで対応している部分がある例えば図3dにてAで示す部分など。ビア導体14内に、酸化タングステンWO3からなる第2成分18と、ケイ素Siと酸素Oとを含有する低熱膨張領域も分散している。図3cに表れているように、第2成分18の体積占有率は、図3中の上側である一方主面10Aの側が、より高くなっている。具体的に、ビア導体14を、一方主面10Aに略平行な仮想面で長さ方向に2等分した際に、この仮想面から一方主面10Aまでの領域における第2成分18の体積占有率が、この仮想面から他方主面10Bまでの領域における第2成分18の体積占有率に比べて、2倍以上大きくなっている。このように、ビア導体14は電気抵抗が比較的小さい銅Cuを主成分としており、発光素子20に供給される電気エネルギーの損失が比較的小さい。また、発光素子20は、発光に伴い比較的大きな熱を発する。発光装置1では、発光素子20の発熱に伴い、ビア導体14および基板12が熱膨張する。セラミックスを主成分とする基板12に対し、銅Cu等の金属を主成分とするビア導体14の熱膨張は大きい。このため、発光素子20の発光の度に、発光に伴う熱膨張のずれに起因した熱応力が、ビア導体14および基板12に発生する。この熱応力は、仮にビア導体14を銅Cuなどの金属のみで構成した場合に特に大きく、発光素子20の発光の繰り返しによって、ビア導体14と基板12の貫通孔12aの内壁との剥離が生じる場合があった。本実施形態では、第1成分である銅Cuよりも熱膨張係数が低い金属酸化物である酸化タングステンWO3からなる第2成分18が、ビア導体14の内部に分散している。発光装置1では、内部に分散している、熱膨張係数が相対的に低い第2成分18が緩衝部となり、ビア導体14全体の熱膨張の程度が抑制される。このため、ビア導体14と基板12にかかる熱応力、特にビア導体14と基板12の貫通孔12aの内壁との境界部分にかかる熱応力が緩和され、発光素子20を繰り返し発光させた場合であっても、ビア導体14と基板12との接合を、比較的強固な状態で長期間持続させることができる。また本実施形態では、このビア導体14における第2成分18の体積占有率が、発光素子20が実装される側の一方主面10Aの側で、より大きくなっており、ビア導体14のうち、より温度が高い側で、熱膨張の緩和の程度がより大きくされており、ビア導体14内部での熱応力分布も比較的少なく、応力の局所的な集中も抑制されている。また、貫通孔12aの孔径は、発光素子20が配置される側の一方主面10Aに近づくにつれて大きくなっている。発光素子20において発生した熱は、比較的大径のビア導体14に伝わって、発光素子20自体は比較的高い効率で冷却される。また、発光素子20により近い部分で第2成分18の体積占有率が大きく、ビア導体14と貫通孔12aとの剥離は抑制されている。また、ビア導体14には、第2成分18とガラスSiO2成分とからなる低膨張領域が分散している。ガラスSiO2成分は、例えば後述する焼成工程など、ビア導体14を形成する工程において、ビア導体14と基板12の貫通孔12aの内壁との界面などに、局所的に偏析し易い。本実施形態では、低膨張領域において、第2成分18とガラス成分SiO2とが付着した状態で、ビア導体14内に分散している。このため、ビア導体14と貫通孔12aの内壁との境界部分に、ガラスSiO2成分の偏析等が比較的少なく、熱膨張に起因したビア導体14の剥離が、より確実に抑制されている。また、このガラス成分SiO2は、第2成分18と同様、熱膨張の程度の違いを緩和する効果を奏する。発光装置1は、複数の発光素子20が一方主面10Aの側に高密度に配置されており、コンパクトでありながら比較的大光量で発光することができる一方、大量の熱を発生する。実装基板10は、かかる発光装置1に好適である。なお、本発明の実装基板10は、発光装置1に限らず、比較的大きな熱量を発する、パワーモジュール用半導体素子の実装等にも、好適に用いることができる。また、図4は、本発明の実装基板の他の実施形態である実装基板60を備えて構成される発光装置50について説明する図であり、aは発光装置50の概略斜視図、bは発光装置50の概略断面図である。また、図5は、図4bの一部を拡大して示す図である。実装基板60は、セラミックスを主成分とする、貫通孔51aを備えた絶縁性基板51以下、基板51とすると、貫通孔内51a内に配置されたビア導体64と、一方主面60Aに形成されたパターン導体66Aと、他方主面60Bに形成されたパターン導体66Bと、を備えて構成されている。発光装置50は、実装基板60の一方主面60A側と他方主面60B側に、それぞれパターン導体66Aとパターン導体66Bとが設けられている点で、先の実施形態の実装基板10と異なっている。発光装置50でも、実装基板60の一方主面60A側に、例えば公知のLED素子である複数の発光素子70が配置されている。発光素子70は、一方の主面に第1電極72を備えるとともに、他方主面に第2電極74を備えている。この実施形態では、1つのビア導体64に対して、1つの発光素子70が電気的に接続されている。ビア導体64の、他方主面60Bの側の端面には所定のパターン導体66Bが接続し、ビア導体64の一方主面60Aの側は、接合層63を介して発光素子20の第2電極74と接続されている。また、実装基板60の一方主面60Aの側には、パターン導体66Aが設けられている。パターン導体66Aは、実装部91と配線部92とを有し、実装部91に発光素子70が実装されているとともに、配線部92と発光素子70の第1電極72とが、ボンディングワイヤ75を介して接続されている。この実施形態でも、ビア導体64内に酸化タングステンWO3からなる第2成分68が分散されており、第2成分68の体積占有率が、一方主面60Aの側でより高くなっている。また、第2成分68とガラスSiO2成分とからなる低熱膨張領域も、ビア導体64の内部に分散している。この発光装置50でも、発光素子70における発熱は、ビア導体64を介して効率的に排熱される。また、ビア導体64内には、低熱膨張領域が分散しており、熱応力に伴って発生する絶縁基板50とビア導体64との接合不良は比較的少ない。このように、実装する素子70の構造に応じて、ビア導体64の配置や、素子70の接続構造を変更することで、様々な素子を実装することができる。次に、上述の実装基板60を例に、実装基板の製造方法の一例について説明する。図6a~eおよび図7a~bは、実装基板60を製造する手順の一部を示す断面工程図である。まず、図6aに示す、セラミックスを主成分とする絶縁性基板51以降、基板51とするを準備する。最初に、アルミナ粉末と、焼結助剤粉末とを混合し、水を添加して湿式粉砕する。粉砕後、有機結合材としてポリビニルアルコールなどを添加、混合することによりスラリーを作製する。スラリーを噴霧乾燥し、顆粒を作製する。金型を用いて顆粒を加圧成形し、生成形体をする。生成形体を1500~1700°Cで焼成して、アルミナを主成分とする基板51を作製する。その後、必要に応じて、バリを除去するために基板表面をバレル研磨し、さらに洗浄、乾燥しても良い。図6bに示すように、基板51のビア導体64を設ける位置に、貫通孔51aスルーホールを穿設する。貫通孔51aの形成方法としては、例えば、マイクロドリルを用いる方法、メカニカルパンチを用いる方法、レーザーアブレーションによる方法等が挙げられる。例えば、複数の発光素子70を、なるべく高密度に配置したい場合は、貫通孔51aの内径は、なるべく小さいことが好ましい。このように貫通孔51aのアスペクト比すなわち、孔径に対する孔深さの比を大きくするには、レーザーアブレーションによる方法を用いることが好ましい。本実施形態では、例えば発光素子70が搭載される一方主面60A側の開口径が約100μmの貫通孔51aが、複数個穿孔される。レーザアブレーションによる穿孔によって、比較的アスペクト比が高く、かつ一方主面に近づくにしたがって内径がより大きくなった形状の貫通孔51aを形成することができる。次に、図6cに示すように、基板51の、発光素子70が実装される一方主面60Aの側に、ビア導体64および接合層63の一部を形成するための導電性ペースト52を塗布する。導電性ペースト52は、第1成分本実施形態ではCuを主成分とする粉末と、第2成分本実施形態ではWO3を主成分とする粉末とを含み、これら粉末を、有機バインダと混合して調製することができる。さらに、基板51とビア導体64との密着性を向上させる観点から、補助剤としてガラスフリットがペーストに添加されている。有機バインダの種類としては、特に限定されず、例えば、エチルセルロース系、ポリビニルブチラール系、アクリニトリル系等が挙げられる。ここで、導体粉末に含まれる第1成分および第2成分、各粉末の形状は、特に制限されず、球状、角状、扁平状等が挙げられる。また、これら球状、各状、扁平状の粉末が混合されているものを用いることが好ましい。より具体的には、例えば、Cuを主成分とする粉末を約75質量、WO3を主成分とする略球状の粉末を約15質量、ガラス粉末を約10質量、バインダとしてブチルカルビトールを含むペーストを用いることができる。Cu粉末としては、直径が約1~5μmの略球状の粒子からなる粉末と、最長径の平均が約1~5μmであるフレーク状の粒子からなる粉末との混合物を用いることができる。これら形状の異なる粒子からなる粉末を用いることで、貫通孔51aの内部に、高密度に粉末を充填することができる。次に、図6dに示すように、貫通孔51aの内部に、ビア導体64を形成するための導電性ペーストを充填する。この導電性ペーストを焼結構造体のビアホール内に充填する方法は、その充填を十分に行うことができる方法であれば、特に限定されず、加圧印刷、手刷り印刷、真空吸引、スキージで押し込む等の手法を例示できる。比較的開口径の小さい貫通孔51aに導電性ペーストを十分に充填するには、例えば図6dに図示するような、ロール80によって導電性ペースト52の層を加圧して貫通孔51aに導電性ペースト52を充填するロール加圧による充填方法を用いることが好ましい。次に、絶縁性基板51の他方主面60Bの側にも、同様に、パターン導体66Bの一部を形成するための導電性ペースト52を塗布し、図6eに示すように、基板51の他方主面60Bの側にも導体層を形成する。次に、導電性ペースト52が貫通孔51aに充填された状態の焼結構造体を、真空中で例えば1040°C程度に加熱し、貫通孔51a内および基板51の主面一方主面60Aおよび他方主面60Bのペースト52を焼結させる。貫通孔51a内の導電性ペースト52が焼結することで、ビア導体14が形成される。この焼成の際、発光素子70が搭載される側の一方主面60Aの側が鉛直下向きになるよう、構造体を配置しておく。第1成分である銅Cuの融点は1080°C、第2成分である酸化タングステンWO3の融点は1475°Cであり、1040°Cでの焼成過程では、第1成分である銅Cuの溶融の程度に比べ、第2成分である酸化タングステンWO3の溶融の程度は低い。すなわち、この焼成過程では、溶融した第1成分内に、溶融されていない第2成分の粒子が分散した状態となる。また、銅Cuに比べて酸化タングステンWO3の比重は高く、酸化タングステンWO3は鉛直下向きに沈降してくる。発光素子70が搭載される側の一方主面60Aの側が鉛直下向きになるよう、構造体を配置しておくことで、ビア導体64内における第2成分の68の分散密度および体積占有率が、一方主面60Aの側でより高くなる。また、ビア導体64の焼成後の温度降下による収縮で、ビア導体64の端面は、凹状に変形し易い。本実施形態では、発光素子70が搭載される側に、比較的熱膨張係数の小さい酸化タングステンWO3が高密度に分散しており、発光素子70が接合される側の端面で、焼成後の冷却に伴う凹状の変形が抑制されている。これにより、発光素子70とビア導体64との接合部における空洞の発生等の接合不良も抑制される。また、酸化タングステンWO3は銅Cuに比べ、ガラス成分との濡れ性が高い。このガラス成分は、ビア導体64と基板51の貫通孔51aの内壁面との接合に寄与するが、接合に寄与しなかった余分なガラス成分は焼成時に拡散し、酸化タングステンWO3を含む低膨張領域に取り込まれる。これにより、ビア導体64と貫通孔51aの内壁面との接合領域に、余分なガラス成分が偏析することが抑制される。次に、基板51の一方主面60Aおよび一方主面60Bの側の各導体層について、例えば公知のフォトリソグラフィー法を用いたエッチング処理を行い、図7aに示すような所望のパターン導体66Aおよびパターン導体66Bを形成する。エッチング手法としては、ウエットエッチング法やドライエッチング法など、公知のエッチング手法を用いればよい。例えば、レジスト等からなるエッチングマスクを選択的に塗布した後、エッチング剤エッチャントである塩化第2鉄溶液に全体を浸漬し、レジスト形状に応じたパターン導体66A、66Bを形成する。次に、このパターン導体66Aの実装部91に、Niメッキ層とAu層とを順次積層したAu/Niメッキ層図7において図示せずを形成した後、半田層図7において図示せずを介して発光素子70を接合する。その後、図7bに示すように、ボンディングワイヤ75によって発光素子70の第1電極72と、パターン導体66Aの配線部92とを接続する。発光装置50は、例えばこのような工程で作製することができる。上述したとおり、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、本願発明のデバイスの一例として、実装基板に発光素子が実装された発光装置について説明したが、本願発明のデバイスは、発光素子の他に、受光素子や光電変換素子等が実装基板に実装されていてもよい。また、本発明の実装基板は、パワーモジュール用半導体素子の実装等にも、好適に用いることができる。実装基板を構成する絶縁性基板の材料として、アルミナは、発光素子が発した光を良好に反射する点で好ましいが、パワーモジュール用半導体など、より高い放熱性が求められる実装基板の場合、絶縁性基板として例えば窒化珪素SiN等を用いることも好ましい。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲内において適宜変更を加えることが可能である。