高密度ITOターゲットを製造する方法であって、重量比で80を超えるITO粉末含有量の、ITO粉末の水性スリップを形成するステップを有し、前記スリップは、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレン、テルル、および/またはホウ素のうちの1または2以上の化合物の形態の、1または2以上の焼結助剤を有することを特徴とする方法。前記焼結助剤の一つは、酸化ヒ素IIIであり、濃度は、乾燥ITO粉末の重量比で、0001から1の間であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記焼結助剤の一つは、酸化アンチモンIIIであり、濃度は、乾燥ITO粉末の重量比で、0001から1の間であることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。前記焼結助剤の一つは、酸化ビスマスIIIであり、濃度は、乾燥ITO粉末の重量比で、0001から1の間であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載の方法。前記焼結助剤の一つは、ホウ酸であり、濃度は、乾燥ITO粉末の重量比で、0001から1の間であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載の方法。前記焼結助剤の一つは、酸化テルルIVであり、濃度は、乾燥ITO粉末の重量比で、0001から1の間であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つに記載の方法。前記焼結助剤の一つは、酸化ビスマスIIIであり、濃度は、乾燥ITO粉末の重量比で、0001から1の間であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一つに記載の方法。前記焼結助剤の一つは、ヒ素化インジウムIIIであり、濃度は、乾燥ITO粉末の重量比で、0001から1の間であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一つに記載の方法。前記焼結助剤の一つは、アンチモン化インジウムIIIであり、濃度は、乾燥ITO粉末の重量比で、0001から1の間であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一つに記載の方法。前記焼結助剤の一つは、セレン化インジウムIIIであり、濃度は、乾燥ITO粉末の重量比で、0001から1の間であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一つに記載の方法。前記焼結助剤の一つは、テルル化インジウムIIIであり、濃度は、乾燥ITO粉末の重量比で、0001から1の間であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一つに記載の方法。前記焼結助剤の一つは、リン酸ビスマスIIIであり、濃度は、乾燥ITO粉末の重量比で、0001から1の間であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一つに記載の方法。前記焼結助剤の一つは、リン酸ホウ素IIIであり、濃度は、乾燥ITO粉末の重量比で、0001から1の間であることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一つに記載の方法。さらに、多孔質焼きせっこうplasterofparisモールドを用いて、前記スリップを成形し、ITOグリーン本体を製造するステップを有することを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一つに記載の方法。さらに、加圧スリップキャスティング装置に固定された多孔質高分子モールドを用いて、前記スリップを成形し、ITOグリーン本体を得るステップを有することを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一つに記載の方法。さらに、前記スリップをスプレー乾燥処理し、粒状ITO粉末を製造するステップを有し、前記粒状ITO粉末は、冷間等静水圧圧縮法を用いて、グリーン本体に稠密化されることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一つに記載の方法。さらに、前記グリーン本体を、最大1700°Cのピーク温度で、炉内で熱処理するステップを有することを特徴とする請求項14、15、16のいずれか一つに記載の方法。請求項1乃至17のいずれか一つに記載の方法を用いて製造されたITOターゲット。本発明の目的は、均一で高い密度、好ましくは理論上の98の密度、特にLCD関連スパッタリング用途に対して高い利用効率の大きなターゲット好ましくは250cm2以上を容易に得ることができる方法を提供することである。この目的は、少なくとも好適実施例において塩化水素溶液または硝酸溶液のような酸性溶液から、インジウムとスズの酸化物を共析するステップと、酸化物をフィルタ処理し、洗浄し、熱処理するステップと、分散剤、バインダ、ならびにヒ素、アンチモン、ビスマス、セレン、テルル、および/またはホウ素の化合物系の特殊な焼結助剤のような添加物を含む酸化物の水溶液スラリーを調整するステップと、スラリーをミル処理して、適当な粒子サイズ分布および粒子表面積のスリップを得るステップと、キレート剤および砂糖が塗布された焼きせっこう多孔質モールドにおいて、スリップキャスト法を用いて、または多孔質プラスチックモールド中、最大40barの圧力での加圧スリップキャスト法を用いて、スラリーを稠密化するステップと、その後、得られた稠密ITOグリーン本体を酸素雰囲気中で焼結して、暗灰色高密度理論密度の99を超えるITOターゲットを得るステップと、を含む方法により達成される。本発明の一実施例では、ITOスパッタターゲットの製造に使用される、粒状ITO粉末を製造する方法が提供される。インジウムとスズの水酸化物粉末の混合物が大気中で熱処理される。熱処理は、800°C~1200°Cの範囲の温度で実施され、好ましくは1000°Cで実施されても良い。得られる粒状ITO粉末は、ITOターゲットの製造に使用される。本発明の別の態様では、ITOスパッタターゲットの製造に使用される、ITOスリップを形成する方法が提供される。粒状ITO粉末を含むスラリー、水、および添加剤を含むスラリーが形成される。添加剤は、ホウ素、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレン、テルル、またはこれらの混合物を含み、濃度は、重量比で0001から1の間である。次に、スラリーは、機械的ミル処理に供され、ITOスリップが製造される。これらの元素の化合物は、これに限られるものではないが、酸化物、酸、またはアンチモン化インジウム、ヒ素化インジウム、セレン化インジウム、もしくはテルル化インジウムのような、インジウムを含む化合物である。これらのホウ素、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレン、テルルの化合物は、焼結の間、ITOグリーン本体中のインジウム酸化物と相互作用し、アンチモン化インジウム、ヒ素化インジウム、セレン化インジウム、もしくはテルル化インジウムのような化合物を形成する。これらのインジウム化合物は、ITOの焼結温度未満の温度で、ガラス状液相を形成する。ITO粒界におけるこれらの液相の存在は、ITOグレインの溶融を助長し、焼結が加速され、大きなグレインおよび高い密度が達成される。また、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレン、およびテルルのこれらの化合物は、ケイ酸塩のようなスリップ中の他の添加物と相互作用し、ガラス状のケイ酸塩化合物を形成する。これらの化合物も、焼結温度未満では液相であり、このためITO粒界での溶融が容易化される。このように、これらの化合物は、焼結工程において、ITO焼結助剤および高密度化促進剤として機能し、99を超える高密度のITOターゲットが容易に得られるようになる。本発明では、スリップの形成に使用される粒状ITO粉末は、表面積が1~5m2/gのインジウムIIIおよびスズIV酸化物を含むことが好ましい。酸化物は、スリップ中に、重量で75を超える濃度で存在する。また、スリップは、アクリルエマルジョンのようなバインダ、および/またはポリカルボン酸のような分散剤、ならびに二酸化ケイ素のような一般の焼結助剤を含有しても良い。次に、スリップは、多孔質モールドに注入されてスリップキャストされ、周囲温度に保持され、グリーン本体が形成される。次に、グリーン本体は、乾燥された後、酸素雰囲気下、1400°Cを超える高温で熱処理され、焼結処理がなされる。この段階では、ITO粒界にガラス状液相として存在する焼結助剤によって、焼結が助長され、大きなグレインおよび高密度のターゲットが得られる。本発明のさらに別の態様では、ITOスパッタターゲットを製造する方法が提供される。石膏または焼きせっこうの多孔質モールドが、砂糖または澱粉放出剤の層でコーティングされる。次に、01乃至45psiの圧力で、ITOスリップがモールドに注入される。あるいは、スリップは、多孔質高分子モールドに注入され、最大10MPaの高圧力でスリップキャストされても良い。グリーン本体は、数日間、50°Cで乾燥され、その後、酸素雰囲気下、約100°Cから1700°Cの間の温度で熱処理される。本発明の各種態様を組み合わせることができることは明らかである。本発明が十分に理解され、実際の効果が容易に把握されるよう、以下、本発明の好適実施例の非限定的な一例について説明する。TFT-LCD用途の大型ターゲットにおいて、均一で高い密度を得るための問題や従来技術の研究の後、本願発明者らは、新たな焼結助剤に基づいた有効な方法を見出した。この焼結助剤では、塩化水素または塩素のような従来の有害ガスを使用せず、さらに冷間等静水圧圧縮処理を必要とせず、99を超える密度の大型ターゲットを容易に得ることができ、均一化および高密度化が実現できる。改良された方法では、250cm2以上の大きな寸法のITOスパッタターゲットの製造が可能であり、TFT-LCD産業における品質に適したITO薄膜が提供され、ノジュール形成、ターゲットクラッキング、ターゲット本体にわたる不均一特性、およびスパッタリング工程中の異常な電気放電のような課題を克服することにより、高いターゲット利用率が提供される。インジウムIII酸化物およびスズIV酸化物を含むITOターゲットが製造され、インジウムIII酸化物含有量は、重量比で75以上である。また、インジウムおよびスズの酸化物以外の第3の成分が存在し、これにより均一で高密度のターゲットが得られる上、ターゲットクラッキングは最小限に抑制される。そのような第3成分は、ホウ素、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレン、および/またはテルルの化合物を含むことが好ましい。本方法の第1の段階では、塩化物媒体中で、インジウムおよびスズの酸化物が析出され、フィルタ処理され、洗浄され、800°C~1200°Cで熱処理される。得られる粒状インジウムおよびスズ酸化物粉末は、1乃至5m2/gの範囲の表面積を有し、これは、4m2/gであることが好ましい。これは、水分を含むスラリーにされ、酸化物濃度は、重量比で75以上であり、これは、75~85の範囲であることが好ましい。また、スラリーは、これに限られるものではないが、例えばポリカルボン酸のような分散剤を、ITO粉末の乾燥基本重量で01~2の濃度で含み、例えばアクリルエマルジョンのようなバインダを、ITO粉末の乾燥基本重量で01~5の濃度で含む。スラリーは、追加で、ホウ素、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレン、および/もしくはテルル、またはこれらの混合物を含む。そのような化合物は、それぞれの酸化物、またはこれらの元素の酸を含んでも良く、またはこれらの化合物は、ヒ素化インジウム、アンチモン化インジウム、セレン化インジウム、およびテルル化インジウムのような、インジウムを含んでも良い。スラリー中のこれらの化合物の濃度は、使用ITO粉末の乾燥基本質量で0001~1の範囲である。また、スラリーは、例えば二酸化ケイ素のような一般的な焼結助剤を、使用ITO粉末の乾燥機本質量で、0001~1の範囲で含有しても良い。スラリーは、機械的ミル処理により、ビードミル、アトリションミル、またはボールミルのいずれかを用いて、スリップキャスト法に適したスリップに変換される。ミル処理は、ITO粒子において、粒子サイズが50乃至800nmの範囲となり、表面積が75乃至95m2/gになるような粒子サイズ分布に至るまで行われる。そのようなスリップの粘度は、25rpmのスピンドル速度のスピンドル65を使用したブルックフィールドBrookfield流量計による測定において、500乃至1400cpsの範囲である。次に、得られたスリップは、05ミクロンのフィルタでフィルタ処理された後、石膏、焼きせっこう、または多孔質ポリマのような材料で構成された多孔質モールドに注入される。モールド材料として石膏または焼きせっこうを使用した場合、モールドは、砂糖や澱粉のようなリリース剤の薄い層でコーティングされる。充填されたモールドは、周囲温度に保持される。スリップの材料は、多孔質モールドの吸水作用を介して生じるキャピラリ力により、緻密なグリーン本体に稠密化される。スリップは、最大10MPaの高圧で、市販の加圧スリップキャスト装置に固定された多孔質高分子モールドに注入される。10~40分間の成形処理の後、モールドが開放され、モールドから成形グリーン本体が取り出される。次に、スリップは、80~110°Cでスプレー乾燥され、粒状ITO粉末が得られる。この粉末は、80乃至110MPaの圧力で冷間等静水圧圧縮処理され、緻密化されたグリーン本体が得られる。次に、得られたグリーン本体は、40~80°Cの範囲で、3~5日間オーブン内で乾燥され、その後、酸素雰囲気下、1000°C~1750°Cの温度の炉内で熱処理される。ターゲットの形状および寸法は、限られず、単に、モールドの形状および寸法を変化させることによって変化させても良い。モールドには、100cm2を超える寸法のものを使用しても良い。また、いかなるクラックおよび曲げの問題も回避され、所望の形状および寸法のターゲットを得ることができる。本発明の方法では、ITOターゲットは、99以上の相対密度で調製することができる。実施例1インジウムIIIおよびスズIVの硝酸化合物の溶液から、インジウムIIIおよびスズIVを共析沈殿させた。脱イオン水を用いて、沈殿物を洗浄した。沈殿水酸化物をフィルタ処理した後、800°C乃至1200°Cで加熱し、1乃至5m2/gの範囲の表面積を有する酸化物粉末を得た。寸法が1000mm×700mmで、キャビティ厚さが20mmの焼きせっこうのモールドに、10の砂糖分散液を少量スプレー塗布した。純度99999、表面積が35m2/gの96000gのITO粉末を含むスラリーであって、インジウムiii酸化物が重量比で90の組成であるスラリーと、重量比で22のDaravanCのようなポリカルボン酸分散剤の溶液1800gと、重量比で55のアクリルエマルジョンバインダ500gと、MxOyここでM=ヒ素、アンチモン、ビスマスであり、X2、Y3、Mセレン、テルルであり、X1、Y2のような酸化物140gと、10000gの脱イオン水とを、50000リットルの容量の高密度ポリプロピレンポット中に入れた。全混合物を、直径12mmのイットリア安定化ジルコニアビードを使用した回転ボールミルを用いて、72時間で完全に混合し、ITOグリーン本体の成形用スリップのため、表面積が9m2/gの十分に混合されたITO粉末のスリップを得た。得られたスリップは、超音波撹拌により完全に脱気した後、30psiの圧力下、多孔質焼きせっこうモールド中に注入した。圧力は、4時間維持された。その後、圧力を解除し、モールドを開放した。ITOグリーン本体を取り出し、25°Cで7日間乾燥した後、50°Cで7日間乾燥した。次に、これを、1700°Cで10時間、酸素雰囲気下で熱処理した。熱処理後の高緻密ITOターゲットを精密切断し、表面加工し、高純度イソプロピルアルコールで洗浄し、空気乾燥した。銅の背面板に結合することが容易で、スパッタリング工程に使用される市販のワーキングターゲットが得られた。前述の全ての操作は、クラス10000のクリーンルームで実施した。995の相対濃度のターゲットが得られた。実施例2インジウムIIIおよびスズIVの硝酸化合物の溶液から、インジウムIIIおよびスズIVを共析沈殿させた。脱イオン水を用いて、沈殿物を洗浄した。沈殿水酸化物をフィルタ処理した後、800°C乃至1200°Cで加熱し、1乃至5m2/gの範囲の表面積を有する酸化物粉末を得た。純度99999、表面積が35m2/gの96000gのITO粉末を含むスラリーであって、インジウムiii酸化物が重量比で90の組成であるスラリーと、重量比で22のDaravanCのようなポリカルボン酸分散剤の溶液1800gと、重量比で55のアクリルエマルジョンバインダ500gと、MxOyここでM=ヒ素、アンチモン、ビスマスであり、X2、Y3、Mセレン、テルルであり、X1、Y2のような酸化物140gと、10000gの脱イオン水とを、50000リットルの容量の高密度ポリプロピレンポット中に入れた。全混合物を、直径12mmのイットリア安定化ジルコニアビードを使用した回転ボールミルを用いて、72時間で完全に混合し、表面積が9m2/gの十分に混合されたITO粉末のスリップを得た。スリップは、加圧スリップキャスティング装置に固定された、寸法が1500mm×800mm×20mmの多孔質高分子モールドに注入し、10MPaで10乃至30分間成形した。次に、モールドを開放して、モールドから成形グリーン本体を取り出した。ITOグリーン本体を25°Cで7日間乾燥した後、50°Cで7日間乾燥した。次に、これを、1700°Cで10時間、酸素雰囲気下で熱処理した。熱処理後の高緻密ITOターゲットを精密切断し、表面加工し、高純度イソプロピルアルコールで洗浄し、空気乾燥した。銅の背面板に結合することが容易で、スパッタリング工程に使用される市販のワーキングターゲットが得られた。前述の全ての操作は、クラス10000のクリーンルームで実施した。998の相対濃度のターゲットが得られた。実施例3インジウムIIIおよびスズIVの硝酸化合物の溶液から、インジウムIIIおよびスズIVを共析沈殿させた。脱イオン水を用いて、沈殿物を洗浄した。沈殿水酸化物をフィルタ処理した後、800°C乃至1200°Cで加熱し、1乃至5m2/gの範囲の表面積を有する酸化物粉末を得た。純度99999、表面積が35m2/gの96000gのITO粉末を含むスラリーであって、インジウムiii酸化物が重量比で90の組成であるスラリーと、重量比で22のDaravanCのようなポリカルボン酸分散剤の溶液1800gと、重量比で55のアクリルエマルジョンバインダ500gと、MxOyここでM=ヒ素、アンチモン、ビスマスであり、X2、Y3、Mセレン、テルルであり、X1、Y2のような酸化物140gと、10000gの脱イオン水とを、50000リットルの容量の高密度ポリプロピレンポット中に入れた。全混合物を、直径12mmのイットリア安定化ジルコニアビードを使用した回転ボールミルを用いて、72時間で完全に混合し、表面積が85m2/gの十分に混合されたITO粉末のスリップを得た。スリップは、110°Cでのスプレー乾燥操作を用いてスプレー乾燥し、粒状のITO粉末を得た。その後、冷間等静水圧圧縮法を用いて、120MPaの圧力で、直径1500mmのステンレス鋼のモールド内でこれを稠密化し、稠密化されたITOグリーン本体を製造した。ITOグリーン本体を25°Cで7日間乾燥した後、50°Cで7日間乾燥した。次に、これを、1700°Cで10時間、酸素雰囲気下で熱処理した。熱処理後の高緻密ITOターゲットを精密切断し、表面加工し、高純度イソプロピルアルコールで洗浄し、空気乾燥した。銅の背面板に結合することが容易で、スパッタリング工程に使用される市販のワーキングターゲットが得られた。前述の全ての操作は、クラス10000のクリーンルームで実施した。999の相対濃度のターゲットが得られた。実施例4実施例1、2、3と同様の方法を実施した。ただし、スラリーには、140gのヒ素化インジウムを添加した。得られたターゲットは、992の相対密度であった。実施例5実施例1、2、3と同様の方法を実施した。ただし、スラリーには、140gのアンチモン化インジウムを添加した。得られたターゲットは、999の相対密度であった。実施例6実施例1、2、3と同様の方法を実施した。ただし、スラリーには、140gのセレン化インジウムを添加した。得られたターゲットは、997の相対密度であった。実施例7実施例1、2、3と同様の方法を実施した。ただし、スラリーには、140gのテルル化インジウムを添加した。得られたターゲットは、999の相対密度であった。実施例7実施例1、2、3と同様の方法を実施した。ただし、スラリーには、140gのホウ酸を添加した。得られたターゲットは、997の相対密度であった。実施例8実施例1、2、3と同様の方法を実施した。ただし、スラリーには、140gのリン酸ビスマスIIIを添加した。得られたターゲットは、999の相対密度であった。実施例9実施例1、2、3と同様の方法を実施した。ただし、スラリーには、140gのリン酸ホウ素III水和物を添加した。得られたターゲットは、994の相対密度であった。実施例10実施例1、2、3と同様の方法を実施した。ただし、スラリーには、140gの酸化ヒ素IIIを添加した。得られたターゲットは、999の相対密度であった。実施例11実施例1、2、3と同様の方法を実施した。ただし、スラリーには、140gの酸化アンチモンIIIを添加した。得られたターゲットは、998の相対密度であった。実施例12実施例1、2、3と同様の方法を実施した。ただし、スラリーには、140gの酸化ビスマスIIIを添加した。得られたターゲットは、999の相対密度であった。スパッタリング工程中のITOターゲットの利用効率は、改善された。また、塩化水素や塩素ガスのような有害な材料を使用せずに、任意形状の大きなITOターゲットを調製することが可能な工程が提供される。塩化水素や塩素ガスは、いずれも生物有機体に有害である。また、相対密度が理論値の99を超え、ターゲット本体にわたって、優れた密度均一性、化学量論性、ならびに電気的熱的伝導性を有し、250cm2よりも大きなターゲット寸法を有するITOターゲットが調製される。