"Ga:20~40atを含有し、さらに、Na:0.05~2atおよびS:0.025~1.0atを含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。請求項1に記載のスパッタリングターゲットにおいて、CuとGaとからなる金属相の素地中にNa2S相が分散している組織を有すると共に、前記Na2S相の平均粒径が5μm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。請求項1または2に記載のスパッタリングターゲットを作製する方法であって、Na2S粉末とCu-Ga合金粉末との混合粉末、又はNa2S粉末とCu-Ga合金粉末と純Cu粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有していることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。請求項3に記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、前記ホットプレスを、ホットプレス時の保持温度が500°C~800°Cで行うことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。請求項1または2に記載のスパッタリングターゲットを作製する方法であって、Na2S粉末とCu-Ga合金粉末との混合粉末、又はNa2S粉末とCu-Ga合金粉末と純Cu粉末との混合粉末を、熱間静水圧プレスにより焼結する工程を有していることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。請求項5に記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、前記熱間静水圧プレスを、温度:500~800°C、圧力:300kgf/cm2以上で行うことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。前記スパッタにより前記光吸収層へNaを添加させるためのスパッタリングターゲットおよびその製造方法には、以下の課題が残されている。すなわち、スパッタ法ではスパッタリングターゲットへのNa添加は非常に困難であるという問題である。特に、特許文献1に記載のように上記セレン化法を用いる太陽電池の製造では、Cu-Ga膜を形成するためにCu-Gaスパッタリングターゲットが用いられるが、NaがCuに固溶しないこと、また金属Naの融点98°C及び沸点883°Cが非常に低いこと、さらに金属Naが非常に酸化しやすいことから、金属Naを用いたスパッタリングターゲットの製造は非常に困難であった。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、スパッタ法により良好にNa添加されたCu-Ga膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、Naが良好に添加されたCu-Gaスパッタリングターゲットを製造するべく研究を行った。その結果、金属Naの状態ではなく化合物状態のNa2S粉末を用いてスパッタリングターゲットに添加すれば、良好にNaを添加可能であることを突き止めた。したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のスパッタリングターゲットは、Ga:20~40atを含有し、さらに、Na:0.05~2atおよびS:0.025~1.0atを含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする。このスパッタリングターゲットでは、Ga:20~40atを含有し、さらに、Na:0.05~2atおよびS:0.025~1.0atを含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有するので、スパッタ法により、発電効率の向上に有効なNaを良好に含有したCu-Ga膜を成膜することができる。なお、このNaを含有したCu-Ga膜における硫黄Sは、太陽電池の光吸収層の特性に特に影響を及ぼさない。なお、Naの添加量を上記範囲内に設定した理由は、Na添加量が2atを超えると、スパッタによって形成されるCu-Ga-Na-S膜のMo電極への密着力が顕著に低下し、セレン化プロセス中に膜剥がれが発生するためである。一方、Na添加量が0.05atより少ないと、膜中のNa量が不足し、発電効率の向上効果が得られないためである。なお、Naの好ましい量は、0.1at~0.5atである。また、硫黄Sの添加量を上記範囲内に設定した理由は、S添加量が1.0atを超えると、硫黄によって太陽電池の中のpn接合品質が低下し、太陽電池の高いFF曲線因子が達成できないという問題があるためである。一方、S添加量が0.025atより少ないと、Naに対してSが欠損となり、Sサイトに酸素が入り、Naと結合することになる。その結果、スパッタリングターゲット中の酸素含有量が異常に増加し、スパッタで作成したプリカーサー膜中の酸素が異常に増加することになり、太陽電池の変換効率を低下させるためである。また、本発明のスパッタリングターゲットは、CuとGaとからなる金属相の素地中にNa2S相が分散している組織を有すると共に、前記Na2S相の平均粒径が5μm以下であることを特徴とする。導電性のCu-Gaスパッタリングターゲットに化合物状態のNa2Sを添加すると、従来のCu-Gaスパッタリングターゲットのように直流スパッタをしようとすると、Na2Sによる異常放電が発生しやすくなる。太陽電池の光吸収層は非常に厚く例えば、1000nm~2000nm、従ってCu-Ga膜は非常に厚いので、異常放電のために高速成膜に適した直流スパッタができないと、太陽電池の量産が現実的に困難になる。これを解決すべく、本発明のスパッタリングターゲットでは、Na2Sの粒子サイズを最適化することで、従来のCu-Gaスパッタリングターゲットと同様の直流スパッタを可能にした。すなわち、本発明のスパッタリングターゲットでは、CuとGaとからなる金属相の素地中にNa2S相が分散している組織を有すると共に、Na2S相の平均粒径を5μm以下にすることで、Na2Sによる異常放電を抑制して安定した直流スパッタが可能になる。含有するNa2S相は絶縁物であるため、平均粒径が5μmを越えると、異常放電が多発し、直流スパッタが不安定になる。したがって、本発明では、Na2S相の平均粒径を5μm以下に設定することで、安定した直流スパッタが可能になる。なお、スパッタリングターゲット断面を電子プローブマイクロアナライザ以下、EPMAと称すを用いて観察する際、約0.1mm2視野中に40μm~10μmの大きなNa2S粒子個数は3個以下であることが好ましい。本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、上記本発明のスパッタリングターゲットを作製する方法であって、Na2S粉末とCu-Ga合金粉末との混合粉末、又はNa2S粉末とCu-Ga合金粉末と純Cu粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有していることを特徴とする。すなわち、このスパッタリングターゲットの製造方法では、上記混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスすることで、Na2Sを均一に分散分布させたスパッタリングターゲットを得ることができる。さらに、溶解法で作った上記組成のスパッタリングターゲットはNa2Sが粒界に偏析するため機械的強度が低く、機械加工の際に割れやすい。一方、ホットプレス法で作った本発明のスパッタリングターゲットは、Na2SがCuとGaとからなる金属相の素地中に存在し、スパッタリングターゲットの強度に影響を与えず、焼結、機械加工、スパッタのいずれの過程においても、割れが発生せず、また安定して成膜できる。また、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、ホットプレス法を採用する場合、温度:500°C~800°Cで焼結を行うことを特徴とする。すなわち、このスパッタリングターゲットの製造方法では、ホットプレス法にて、温度:500°C~800°Cで焼結を行うので、異常放電が少なく、またより良好な耐スパッタ割れ性を有するスパッタリングターゲットが得られる。なお、ホットプレス時の保持温度を上記範囲内に設定した理由は、500°C未満であると、スパッタリングターゲット密度が十分に上がらず、スパッタリングターゲットをスパッタする際の異常放電が多くなるためである。一方、ホットプレス時の保持温度が800°Cを越えると、Na2SがCu-GaやCu粒子の粒界に移動し凝集するため、焼結体の強度が低下し、機械加工や、スパッタ時の割れが発生しやすくなるためである。なお、より好ましいホットプレス時の保持温度は、600°C~750°Cの範囲内である。本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、上記本発明のスパッタリングターゲットを作製する方法であって、Na2S粉末とCu-Ga合金粉末との混合粉末、又はNa2S粉末とCu-Ga合金粉末と純Cu粉末との混合粉末を、熱間静水圧プレスにより焼結する工程を有していることを特徴とする。すなわち、このスパッタリングターゲットの製造方法では、上記混合粉末を、熱間静水圧プレスにより焼結することで、Na2Sを均一に分散分布させたスパッタリングターゲットを得ることができる。さらに、溶解法で作った上記組成のスパッタリングターゲットはNa2Sが粒界に偏析するため機械的強度が低く、機械加工の際に割れやすい。一方、熱間静水圧プレスで作った本発明のスパッタリングターゲットは、Na2SがCuとGaとからなる金属相の素地中に存在し、スパッタリングターゲットの強度に影響を与えず、焼結、機械加工、スパッタのいずれの過程においても、割れが発生せず、また安定して成膜できる。また、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、熱間静水圧プレスを採用する場合、温度:500~800°C、圧力:300kgf/cm2以上で行うことを特徴とする。上記の熱間静水圧プレスの温度と圧力とを上記範囲内に設定した理由は、500°C未満または300kgf/cm2未満であると、スパッタリングターゲット密度が十分に上がらず、スパッタリングターゲットをスパッタする際の異常放電が多くなるためである。一方、温度が800°Cを越えると、Na2SがCu-GaやCu粒子の粒界に移動し凝集するため、スパッタリングターゲットの強度が低下し、機械加工時や、スパッタ中に割れや欠けが発生しやすくなる。なお、より好ましい温度は、550°C~700°Cの範囲内である。また、圧力については、装置の性能に鑑みて、1500kgf/cm2以下とすることが好ましい。本発明によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本発明に係るスパッタリングターゲット及びその製造方法によれば、Ga:20~40atを含有し、さらに、Na:0.05~2atおよびS:0.025~1.0atを含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有するので、スパッタ法により、発電効率の向上に有効なNaを含有したCu-Ga膜を成膜することができる。したがって、本発明のスパッタリングターゲットを用いてスパッタ法によりCu-Ga膜中にNaを良好に添加でき、発電効率の高い太陽電池を作製可能である。以下、本発明に係るスパッタリングターゲット及びその製造方法の一実施形態を説明する。本実施形態のスパッタリングターゲットは、Ga:20~40atを含有し、さらに、Na:0.05~2atおよびS:0.025~1.0atを含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有している。また、本実施形態のスパッタリングターゲットは、CuとGaとからなる金属相の素地中にNa2S相が分散している組織を有すると共に、前記Na2S相の平均粒径が5μm以下である。なお、ターゲット断面を、EPMAを用いて観察する際、0.1mm2視野中に40μm~10μmの大きなNa2S粒子個数が3個以下であることが好ましい。上記本実施形態のスパッタリングターゲットを作製する方法は、Na2S粉末とCu-Ga合金粉末との混合粉末、又はNa2S粉末とCu-Ga合金粉末と純Cu粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。なお、上記ホットプレスでの焼結は、ホットプレス時の保持温度が500°C~800°Cの温度範囲内で行われる。このホットプレスを行うための原料粉末の製造は、例えば以下の1~3のいずれかの方法で行う。1Na2S粉末として、純度3N以上、一次粒子径0.3μm以下のものを準備し、これを粉砕装置例えば、ボールミル、ジェットミル、ヘンシェルミキサー、アトライター等を用いて、平均二次粒子径5μm以下に解砕する。さらに、この解砕粉をスパッタリングターゲット組成となるようにCu-Ga合金粉末と共に配合し、混合装置例えば、ボールミル、ヘンシェルミキサー、ジェットミル、V型混合機等を用いて混合、分散し、ホットプレス用原料粉末とする。なお、Na2Sは水に溶解されるので、水を使う湿式粉砕混合装置よりも水を使わない乾式粉砕混合装置の使用が好ましい。2Na2S粉末は、純度3N以上、一次粒子径0.3μm以下のものを準備し、これを、スパッタリングターゲット組成となるようにCu-Ga合金粉末と共に配合し、両者を同時に粉砕装置例えば、ボールミル、ジェットミル、ヘンシェルミキサー、アトライター、V型混合機等に充填し、混合及びNa2S粉末の解砕を同時に行い、Na2S粉末の平均二次粒子径が5μm以下になる時点で解砕を終了し、ホットプレス用原料粉末とする。3予めスパッタリングターゲット組成よりもGa濃度の高いCu-Ga合金粉末を準備し、まず、これをNa2S粉末と混合してから、さらに、スパッタリングターゲット組成となるように前記Cu-Ga合金粉末よりもGa濃度の低いCu-Ga合金粉末または純Cu粉末を追加し、三者が均一になるように混合してホットプレス用原料粉末とする。次に、上記1~3のいずれかの方法で混合したホットプレス用原料粉末を乾燥環境で保管する。これは、Na2Sの吸湿や吸湿による凝集を防止するためである。また、Cu-Ga合金またはCuの酸化防止のため、ホットプレスは、真空または不活性ガス雰囲気中で行う。ホットプレスの圧力がスパッタリングターゲット焼結体の密度に大きな影響を及ぼすので、好ましい圧力は100~500kgf/cm2とする。また、加圧は、焼結昇温開始前から行ってもよいし、一定な温度に到達してから行ってもよい。次に、上記ホットプレス法で焼結したCu-Ga-Na2S焼結体は、通常放電加工、切削または研削工法を用いて、スパッタリングターゲットの指定形状に加工する。次に、加工後のスパッタリングターゲットをInを半田として、CuまたはCu合金からなるバッキングプレートにボンディングし、スパッタに供する。なお、加工済みのスパッタリングターゲットの酸化、吸湿を防止するため、スパッタリングターゲット全体を真空パックまたは不活性ガス置換したパックを施すことが好ましい。このように作製したCu-Ga-Na-Sスパッタリングターゲットを用いたスパッタは、直流DCマグネトロンスパッタ法にて、Arガス中で行う。このときの直流スパッタでは、パルス電圧を付加するパルス重畳電源を用いてもよいし、パルスなしのDC電源でもよい。また、スパッタ時の投入電力密度は1~10W/cm2が好ましい。また、Cu-Ga-Na-Sスパッタリングターゲットで作成する膜の厚みは、200nm~2000nmとする。この本実施形態のスパッタリングターゲットでは、Ga:20~40atを含有し、さらに、Na:0.05~2atおよびS:0.025~1.0atを含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有するので、スパッタ法により、発電効率の向上に有効なNaを良好に含有したCu-Ga膜を成膜することができる。また、CuとGaとからなる金属相の素地中にNa2S相が分散している組織を有すると共に、Na2S相の平均粒径を5μm以下にすることで、Na2Sによる異常放電を抑制して安定した直流スパッタが可能になる。また、本実施形態のスパッタリングターゲットの製造方法では、上述した混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスすることで、Na2Sを均一に分散分布させたスパッタリングターゲットを製造することができる。なお、上述の実施形態においては、真空または不活性ガス雰囲気中でのホットプレスによってスパッタリングターゲットを作製したが、本発明はこれに限定されず、熱間静水圧プレスによりスパッタリングターゲットを作製することもできる。すなわち、本発明の他の実施形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、Na2S粉末とCu-Ga合金粉末との混合粉末、又はNa2S粉末とCu-Ga合金粉末と純Cu粉末との混合粉末を、熱間静水圧プレスにより焼結する工程を有している。上記熱間静水圧プレスでの焼結は、温度:500~800°C、圧力:300kgf/cm2以上で行われる。熱間静水圧プレスは、Cu-Ga合金またはCuの酸化防止のため、真空または不活性ガス雰囲気中で行う。また、加圧は、焼結昇温開始前から行ってもよいし、一定な温度に到達してから行ってもよい。なお、原料粉末の製造保管および熱間静水圧プレスで焼結したCu-Ga-Na2S焼結体の加工は、上述のホットプレスの場合と同様の方法が採用できる。このような他の実施形態のスパッタリングターゲットの製造方法では、上述した混合粉末を、熱間静水圧プレスにより焼結することで、Na2Sを均一に分散分布させたスパッタリングターゲットを製造することができる。次に、本発明に係るスパッタリングターゲット及びその製造方法を、上記実施形態に基づき実際に作製した実施例により、評価した結果を説明する。実施例まず、表1に示される成分組成および粒径を有するCu-Ga合金粉末および純Cu粉末純度4N、平均粒径5μm、さらに純度3N、一次平均粒子径0.2μmのNa2S粉末を準備した。これらの原料を表1に示す実施例1~10の組合せにて容積10Lのポリエチレン製ポットにφ5mmのZrO2ボールと共に装填して、指定された時間でボールミル混合した。得られた混合粉末は、表2に指定された条件にて焼結した。ホットプレス法の場合、黒鉛モールドを用いて真空ホットプレスにて焼結し、さらに、研削加工にてφ125mm×5mmTのスパッタリングターゲット実施例1~10を作製した。尚、前記Cu-Ga合金粉末は、ガスアトマイズ法にて作成し、分級して採取した。また、熱間静水圧プレスHIPの場合実施例11~13、まず混合粉末を金型に充填し、常温にて1500kgf/cm2で加圧成形する。得られた成形体を0.5mm厚みのステンレス容器に装入した後、真空脱気を経て、HIPに供した。評価本実施例1~13について、研削加工後のスパッタリングターゲットの欠けや、割れ発生の有無を目視にて観察し、さらに得られた焼結体の組織をEPMA日本電子株式会社製JXA-8500Fで観察した。また、上記観察は倍率500倍にて観察可能なNa2S粒子0.5μm以上のサイズを測定し、以下の方法にて粒子の平均サイズを計算した。a上記EPMAにより500倍のCOMPO像観察範囲は60μm×80μm10枚を撮影する。b市販の画像解析ソフトにより、撮影した画像をモノクロ画像に変換するとともに、単一しきい値を使用して二値化する。これにより、Na2S粒子は、黒く表示されることとなる。なお、画像解析ソフトとしては、例えば、WinRoofVer5.6.2三谷商事社製などが利用できる。また、二値化とは、画像の各画素の輝度明るさに対してあるしきい値を設け、しきい値以下ならば0、しきい値より大きければ1として、領域を区別化することである。cこの画像すべてを選択しない最大のしきい値を100とすると、32のしきい値を使用しNa2S粒子を示す黒い側の領域を選択する。そして、この選択した領域を4回収縮し、3回膨張させたときの領域をNa2S粒子とし、個々の粒子のサイズを測定し、平均粒径を求める。収縮および膨張の倍率としては、例えば、2.3である。また、同時に、作製したCu-Ga-Na-Sスパッタリングターゲット中のGaNaの含有量を、ICP法高周波誘導結合プラズマ法を用いて定量分析を行った。なお、Sは、炭素硫黄分析装置堀場製作所を用いて分析した。さらに、当該スパッタリングターゲットを、マグネットロンスパッタ装置を用いて、電力密度5W/cm2の直流スパッタにより、Moスパッタ膜でコーティングした厚み3.2mm青板ガラスに1000nm成膜した。なお、Moスパッタ膜の厚みは500nmとした。また、スパッタ時のAr圧力は1.3Paとし、スパッタリングターゲット-基板間距離は70mmとした。なお、成膜時の基板加熱は行っていない。さらに、以上の条件において10分間の連続スパッタ中での、異常放電の発生回数をスパッタ電源に付属するアーキングカウンターにて自動的に記録した。このようなスパッタを5回繰り返した後、スパッタリングターゲットの表面を観察し、スパッタ時の割れの有無および5回スパッタの合計異常放電回数について確認した。その結果を、表3に示す。また、上記得られた膜を、前記EPMAにて膜中5箇所のNa、S、Ga含有量を測定した。比較例表5に示された成分組成及び粒径を有するCu-Ga合金粉末および純Cu粉末を用意し、さらに、表1と同様のNa2S粉末を用意した。これらの原料を表1と同様にボールミルで、指定された時間で混合した。このように混合したものを、表6の条件でホットプレス焼結、HIP焼結または溶解鋳造を行った。このように得られた比較例のスパッタリングターゲットの配合組成は、Naの含有量が0.05~2atの範囲外となっている。また、表6に示すように表5中の比較例8,10は、混合した粉末をホットプレス法またはHIP法で製造するのではなく、真空溶解炉を用いて黒鉛製坩堝を用いて1000°Cにて溶解し、鉄製のモールドに鋳込み、冷却後、機械加工を行ったものである。上記比較例の評価は、上記実施例と同様に行った。その評価結果を表7及び表8に示す。以上の評価結果からわかるように、本実施例では、表3に示すように、機械加工時の割れ及びスパッタ時の割れは、いずれも発生していないのに対し、表7に示すように、比較例8,10,11,12で、機械加工時の割れや欠けが発生している。また、比較例2,4,7,10では、スパッタ時の割れが発生した。すなわち、溶解鋳造法により製造した比較例8と10は、機械加工時に割れが生じていることが判る。また、HIP温度が500°Cより低く、圧力が300kgfcm2より低い比較例11,12の場合、焼結体の機械強度が低く加工時に割れが生じ、スパッタ可能なスパッタリングターゲットが作製できなかった。Naの含有量が2.8atと多く、ホットプレス時の保持温度が950°Cと高い比較例2と、Naの含有量が3atと多く、Na2Sの平均粒径が16μmと大きい比較例7と、Naの含有量が4.2atと多く、ホットプレス時の保持温度が350°Cと低い比較例4は、いずれもスパッタ時に割れが生じている。また、本実施例では、スパッタ時の異常放電回数がいずれも10回以下であるのに対し、比較例2,4,7,10では、いずれも1000回以上発生した。すなわち、Naの含有量が2.8atと多く、ホットプレス時の保持温度が950°Cと高い比較例2と、Naの含有量が多く、Na2S平均粒径が16μmと大きい比較例7と、Naの含有量が4.2atと多く、ホットプレス時の保持温度が350°Cと低い比較例4と、Naの含有量が23atと多く、また溶解法で作成した比較例10は、多くの異常放電が発生している。また、Naの含有量が0.03at以下である比較例1,3,5,6,9では、膜中Naが0.01at以下でほとんど膜中に含有されていない。なお、比較例8,11,12では、機械加工時に割れが生じたため、Na2Sの粒子サイズ測定を行っていない。このように本発明のスパッタリングターゲットでは、Ga:20~40atを含有し、さらに、Na:0.05~2atおよびS:0.025~1.0atを含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有するので、スパッタ法により、発電効率の向上に有効なNaを良好に含有したCu-Ga膜を成膜することができる。したがって、本発明のスパッタリングターゲットを用いてスパッタ法により成膜することで、Naを良好に添加でき、発電効率の高い太陽電池を作製可能である。なお、本発明の技術範囲は上記実施形態及び上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。"