"下記一般式Aで表される化学構造を有する蛍光体。AM1‐a-xEuaMnxLSi1‐bGeb2O7...AAはLi,Na,及びKの中から選ばれる一種以上の元素、MはMg,Ca,Sr,Ba,及びZnの中から選ばれる一種以上の元素、LはGa,Al,Sc,Y,La,Gd,及びLuの中から選ばれる一種以上の元素、aは0.001≦a≦0.3を満たす数、bは0≦b≦0.5を満たす数、xは0≦x≦0.2を満たす数である。前記一般式Aにおけるxが、x=0を満たす請求項1に記載の蛍光体。前記一般式Aにおけるxが、0<x≦0.2を満たす請求項1に記載の蛍光体。前記一般式AにおけるAにLiが含まれている請求項1乃至3のいずれか一項に記載の蛍光体。前記一般式AにおけるAにNaが含まれている請求項1乃至4のいずれか一項に記載の蛍光体。前記一般式AにおけるAが少なくとも二種の元素からなる請求項1乃至5のいずれか一項に記載の蛍光体。前記一般式AにおけるMにBaが含まれている請求項1乃至6のいずれか一項に記載の蛍光体。前記一般式AにおけるMが少なくとも二種の元素からなる請求項1乃至7のいずれか一項に記載の蛍光体。前記一般式AにおけるLにScが含まれている請求項1乃至8のいずれか一項に記載の蛍光体。前記一般式AにおけるLに更にYが含まれている請求項9に記載の蛍光体。下記一般式2で表される組成を有する請求項1,2又は4に記載の蛍光体。A11-yA2yBa1-aEuaScSi2O7...2A1及びA2はLi,Na,及びKの中から選ばれる元素であり、A1とA2とは互いに異なる。yは、0<y<1を満たす数であり、aは0.001≦a≦0.3を満たす数である。下記一般式3で表される組成を有する請求項1又は2に記載の蛍光体。NaBa1-aEuaScSi2O7...3aは0.001≦a≦0.3を満たす数である。下記一般式4で表される組成を有する請求項1又は2に記載の蛍光体。NaBa1-aEuaSc1-zYzSi2O7...4zは0<z<1を満たす数、aは0.001≦a≦0.3を満たす数である。下記一般式5で表される組成を有する請求項1又は2に記載の蛍光体。NaM1pM2qEuaScSi2O7...5M1及びM2はMg,Ca,Sr,Ba,及びZnの中から選ばれる元素であり、M1とM2とは互いに異なる。aは0.001≦a≦0.3を満たす数であり、pは0<p<1を満たす数であり、qは0<q<1を満たす数であり、p、q及びaはpqa=1を満たす。下記一般式6で表される組成を有する請求項3に記載の蛍光体。AM31‐a-xEuaMnxLSi1‐bGeb2O7...6AはLi,Na,及びKの中から選ばれる一種以上の元素、MはMg,Ca,Sr,Ba,及びZnの中から選ばれる一種以上の元素、LはGa,Al,Sc,Y,La,Gd,及びLuの中から選ばれる一種以上の元素、aは0.001≦a≦0.3を満たす数、bは0≦b≦0.5を満たす数、xは0.01≦x≦0.2を満たす数である。主発光ピークが350nm~470nmの範囲にある光を発する発光素子と、前記発光素子から発せられる光を吸収して発光する波長変換部材とを備え、前記波長変換部材が請求項1乃至15のいずれか一項記載の蛍光体を備えている発光装置。本発明は上記事由に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、青色光から近紫外光にまでわたる波長域の励起光によって効率よく励起されて緑色の蛍光を発し、励起光の波長変動に対する発光強度の変化が小さく、しかも容易に製造可能な蛍光体、及びこの蛍光体を備える発光装置を提供することにある。本発明に係る蛍光体は、下記一般式Aで表される化学構造を有する。AM1‐a-xEuaMnxLSi1‐bGeb2O7...AAはLi,Na,及びKの中から選ばれる一種以上の元素、MはMg,Ca,Sr,Ba,及びZnの中から選ばれる一種以上の元素、LはGa,Al,Sc,Y,La,Gd,及びLuの中から選ばれる一種以上の元素、aは0.001≦a≦0.3を満たす数、bは0≦b≦0.5を満たす数、xは0≦x≦0.2を満たす数である。本発明において、前記一般式Aにおける、xが、x=0を満たすことが好ましい。この場合、本発明に係る蛍光体は、下記一般式1で表される化学構造を有する。AM1‐aEuaLSi1‐bGeb2O7...1AはLi,Na,及びKの中から選ばれる一種以上の元素、MはMg,Ca,Sr,Ba,Zn,及びMnの中から選ばれる一種以上の元素、LはGa,Al,Sc,Y,La,Gd,及びLuの中から選ばれる一種以上の元素、aは0.001≦a≦0.3を満たす数、bは0≦b≦0.5を満たす数である。本発明において、前記一般式Aにおけるxが、0<x≦0.2を満たすことも好ましい。本発明において、前記一般式1におけるAにLiが含まれていることが好ましい。本発明において、前記一般式AにおけるAにNaが含まれていることも好ましい。本発明において、前記一般式AにおけるAが少なくとも二種の元素からなることも好ましい。本発明において、前記一般式AにおけるMにBaが含まれていることも好ましい。本発明において、前記一般式AにおけるMが少なくとも二種の元素からなることも好ましい。本発明において、前記一般式AにおけるLにScが含まれていることも好ましい。前記一般式AにおけるLに更にYが含まれていることも好ましい。本発明に係る蛍光体は、下記一般式2で表される組成を有することが好ましい。A11-yA2yBa1-aEuaScSi2O7...2A1及びA2はLi,Na,及びKの中から選ばれる元素であり、A1とA2とは互いに異なる。yは、0<y<1を満たす数であり、aは0.001≦a≦0.3を満たす数である。本発明に係る蛍光体は、下記一般式3で表される組成を有することも好ましい。NaBa1-aEuaScSi2O7...3aは0.001≦a≦0.3を満たす数である。本発明に係る蛍光体は、下記一般式4で表される組成を有することも好ましい。NaBa1-aEuaSc1-zYzSi2O7...4zは0<z<1を満たす数、aは0.001≦a≦0.3を満たす数である。本発明に係る蛍光体は、下記一般式5で表される組成を有することも好ましい。NaM1pM2qEuaScSi2O7...5M1及びM2はMg,Ca,Sr,Ba,及びZnの中から選ばれる元素であり、M1とM2とは互いに異なる。aは0.001≦a≦0.3を満たす数であり、pは0<p<1を満たす数であり、qは0<q<1を満たす数であり、p、q及びaはpqa=1を満たす。本発明に係る蛍光体は、下記一般式6で表される組成を有することも好ましい。AM31‐a-xEuaMnxLSi1‐bGeb2O7...6AはLi,Na,及びKの中から選ばれる一種以上の元素、M3はMg,Ca,Sr,Ba,及びZnの中から選ばれる一種以上の元素、LはGa,Al,Sc,Y,La,Gd,及びLuの中から選ばれる一種以上の元素、aは0.001≦a≦0.3を満たす数、bは0≦b≦0.5を満たす数、xは0.01≦x≦0.1を満たす数である。本発明に係る発光装置は、主発光ピークが350nm~470nmの範囲にある光を発する発光素子と、前記発光素子から発せられる光を吸収して発光する波長変換部材とを備え、前記波長変換部材が前記蛍光体を備えている。本発明に係る蛍光体は、青色光から近紫外光にまでわたる波長域の励起光によって効率よく励起されて緑色の蛍光を発し、励起光の波長変動に対する発光強度の変化が小さく、しかも容易に製造可能である。本発明に係る発光装置は、前記蛍光体を備えることで、高い発光効率と波長変換効率とを発揮する。[蛍光体]本実施形態による蛍光体は、下記一般式Aで表される化学構造を有する。AM1‐a-xEuaMnxLSi1‐bGeb2O7...AAはLi,Na,及びKの中から選ばれる一種以上の元素、MはMg,Ca,Sr,Ba,及びZnの中から選ばれる一種以上の元素、LはGa,Al,Sc,Y,La,Gd,及びLuの中から選ばれる一種以上の元素、aは0.001≦a≦0.3を満たす数、bは0≦b≦0.5を満たす数、xは0≦x≦0.2を満たす数である。後述する一般式1乃至6で表される組成は、全て一般式Aで表される組成の下位概念であり、このため、一般式1乃至6で表される組成を有する蛍光体は、全て一般式Aで表される化学構造を有する蛍光体に含まれる。尚、一般式Aにおいて、A:M1‐a-xEuaMnx:L:Si1‐bGeb:Oの組成比モル比は1:1:1:2:7であるが、結晶構造内における部分的な欠陥、不純物の混入、その他の理由により、蛍光体における組成比が正確にこの通りにならない場合も、当然あり得る。しかし、蛍光体の組成比が1:1:1:2:7と完全に一致しなくても、技術常識に基づき、組成比が実質的には1:1:1:2:7であるとみなせる場合には、この蛍光体は本発明の範囲に含まれる。一般式Aにおいて、x=0である場合、本実施形態による蛍光体は、下記一般式1で表される化学構造を有する。AM1‐aEuaLSi1‐bGeb2O7...1AはLi,Na,Kの中から選ばれる一種以上の元素、MはMg,Ca,Sr,Ba,Znの中から選ばれる一種以上の元素、LはGa,Al,Sc,Y,La,Gd,Luの中から選ばれる一種以上の元素、aは0.001≦a≦0.3を満たす数、bは0≦b≦0.5を満たす数である。この蛍光体は、2価のユーロピウムイオンで賦活されているシリケート系の蛍光体である。このような組成を有する蛍光体の結晶では、発光中心となるイオンは2価のユーロピウムイオンEu2である。このEu2は、結晶中の金属元素Mの2価のイオンが占めるサイトの一部においてこのMと置換することで、結晶中に固溶している。このような結晶構造を有することで、蛍光体は近紫外光から青色光にわたる波長域、特に350~470nmの範囲の波長域の励起光を効率よく吸収して励起され、励起光の波長よりも長波長の蛍光を効率よく発する。一般式A及び一般式1において、上記のとおりAはLi,Na,Kの中から選ばれる一種以上のアルカリ金属元素である。AはLi,Na,Kのうちの一種の元素のみから成っても、二種以上の元素から成ってもよい。Aが二種以上の元素から成る場合は、Aにおける二種以上の各元素の割合は適宜の割合であればよい。特に一般式A及び一般式1におけるAが、Liを必ず含むことが好ましい。すなわち、AがLiのみから成り、或いはAがLiと、Na及びKのうち少なくとも一方とから成ることが好ましい。この場合、Eu2イオンが結晶中の金属元素Mの2価のイオンが占めるサイトでこの金属元素Mの2価のイオンと選択的に置換されやすくなり、このため蛍光体の発光効率が特に高くなる。特にA中におけるLiの割合が1~100molであることが好ましい。一般式A及び一般式1におけるAが、Naを必ず含むことも好ましい。すなわち、AがNaのみから成り、或いはAがNaと、Li及びKのうち少なくとも一方とから成ることが好ましい。この場合、蛍光体の結晶性が、より向上する。一般式A及び一般式1におけるAが、少なくとも二種の元素からなることも好ましい。すなわち、AがNa、Li及びKのうち少なくとも二種からなることが好ましい。この場合、構成比を調整することで、発光ピーク波長を数nmの範囲で調整することができる。一般式A及び一般式1において、上記のとおりMはMg,Ca,Sr,Ba,Znの中から選ばれる一種以上の金属元素である。MはMg,Ca,Sr,Ba,Znのうちの一種の元素のみから成っても、二種以上の元素から成ってもよい。Mが二種以上の元素から成る場合は、Mにおける二種以上の各元素の割合は適宜の割合であればよい。結晶中では金属元素Mは前述のとおり2価のイオンとなる。特に一般式A及び一般式1におけるMが、Baを必ず含むことが好ましい。すなわち、MがBaのみから成り、或いはMがBaと、Mg,Ca,Sr,及びZnのうち少なくとも一種とから成ることが好ましい。この場合、蛍光体の結晶性が、より向上する。一般式A及び一般式1におけるMが、少なくとも二種の元素からなることも好ましい。すなわち、MがMg,Ca,Sr,Ba,及びZnのうち少なくとも二種からなることが好ましい。この場合、構成比を調整することで、発光ピーク波長を数nmの範囲で調整することができる。一般式A及び一般式1において、aは金属元素Mに対するEuのモル比を示す数であり、上記のとおり0.001≦a≦0.3を満たす数である。このaの値が0.001以上であることで、結晶中の2価のユーロピウムイオンの濃度が充分に高くなり、更にこのaの値が0.3以下であることで濃度消光が抑制され、これにより蛍光体の発光強度が充分に高くなる。濃度消光を更に低減するためには、aの値は特に0.2以下であることが好ましい。すなわち、aが0.001≦a≦0.2を満たす数であると、蛍光体の発光強度が特に高くなる。更に、aが0.01≦a≦0.1を満たす数であることが好ましい。一般式A及び一般式1において、上記のとおりLはGa,Al,Sc,Y,La,Gd,Luの中から選ばれる一種以上の金属元素である。LはGa,Al,Sc,Y,La,Gd,Luのうちの一種の元素のみから成っても、二種以上の元素から成ってもよい。Lが二種以上の元素から成る場合は、Lにおける二種以上の各元素の割合は適宜の割合であればよい。結晶中では金属元素Lは3価のイオンとなる。特に一般式A及び一般式1におけるLが、Scを必ず含むことが好ましい。すなわち、LがScのみから成り、或いはLがScと、Ga,Al,Y,La,Gd,Luのうち少なくとも一種とから成ることが好ましい。この場合、蛍光体の結晶性が、より向上する。特に一般式A及び一般式1におけるLが、Scを含み、更にYも含むことも好ましい。すなわち、LがSc及びYのみから成り、或いはLがSc及びY、並びにGa,Al,La,Gd,Luのうち少なくとも一種から成ることが好ましい。この場合、構成比を調整することで、発光ピーク波長を数nmの範囲で調整することができる。一般式A及び一般式1に示されるとおり、結晶中のSiの一部はGeで置換されてもよい。一般式A及び一般式1において、bはSiに対するGeのモル比置換比率を示す数であり、上記のとおり0≦b≦0.5を満たす数である。このbの値が0.5以下であることで、蛍光体の高い発光効率が維持される。蛍光体の製造方法の一例について説明する。まず、複数種の原料が配合されることで混合物が調製される。原料の配合比率は、混合物中の金属元素が一般式A又は一般式1で示される組成と一致するように調整される。例えば一般式1中のAがNa、MがBa、LがSc、b=0である場合、すなわちNaBaScSi2O7:Eu2の組成を有する蛍光体が製造される場合には、原料として例えばNa2CO3、BaCO3、Eu2O3、Sc2O3、及びSiO2の粉末が用いられる。これらの原料の配合比は、混合物中のNa,Ba,Sc,Si及びEuのモル比が蛍光体の組成と一致するように調整される。次に、アルミナや石英等の材質から形成された容器が用意され、この容器内に混合物が入れられる。続いてこの容器内の混合物が、非酸化性ガス雰囲気中で1000~1300°Cの温度で焼成される。この非酸化性ガス雰囲気は、例えば水素/窒素混合ガス雰囲気等の弱還元性ガス雰囲気であることが好ましい。このように混合物が焼成される前に、予め混合物が大気雰囲気中で仮焼成されてもよく、この場合は蛍光体の結晶性が特に高くなる。混合物が仮焼成される場合には、この仮焼成時の焼成温度は、本焼成時仮焼成に続く前記の非酸化性ガス雰囲気中での焼成時の焼成温度以下であることが好ましい。このように本実施形態に係る蛍光体は、原料が非酸化性ガス雰囲気中で1000~1300°Cという比較的低い温度で焼成される工程を経て製造され得る。このため、高温加熱のための製造設備が不要になると共に製造工程が簡易になり、従って本実施形態に係る蛍光体は容易に製造され得る。次に、混合物が焼結することで得られる焼結体が解砕粉砕され、続いて水洗あるいは酸洗浄されることで、不要成分が除去される。これにより、目的とする組成を有する蛍光体の粉末が得られる。本実施形態に係る蛍光体は、LEDなどの発光素子を備える発光装置に適用され得る。発光素子は、特に限定されないが、主発光ピークが350nm~470nmの範囲にある光を発する発光素子であることが好ましい。このような発光素子の好ましい一例として、窒化物半導体LEDが挙げられる。窒化物半導体LEDにおける窒化物半導体は、例えばInxGayAlzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1の組成を有する化合物半導体である。この窒化物半導体の重要な具体例として、AlN、GaN、AlGaN、InGaN等が挙げられる。窒化物半導体LEDが紫色光や近紫外色を発光する場合、窒化物半導体LEDの発光波長は410nm以下であるが、発光波長が365nm~410nmの範囲であると窒化物半導体LEDが特に高効率で発光する。窒化物半導体LEDが青色光を発光する場合、窒化物半導体LEDの発光波長は420nm~480nmの範囲であると窒化物半導体LEDが特に高効率で発光する。従って、本実施形態に係る蛍光体がこのような窒化物半導体LEDを備える発光装置に適用されることで、発光装置の発光効率が特に高くなる。本実施形態に係る蛍光体についての、更に具体的な態様について説明する。第一の態様においては、蛍光体は次の式2に示される組成を有する。A11-yA2yBa1-aEuaScSi2O7...2この第一の態様において、A1及びA2はLi,Na,Kの中から選ばれる元素であり、A1とA2とは互いに異なる。A1としては特にNaが挙げられる。A2としては特にK又はLiが挙げられる。式2において、yはA1及びA2の合計に対するA2のモル比を示す値である。このyは、0<y<1を満たす数であればよい。A1がNa、A2がKである場合は、yは0.05≦y≦0.7を満たすことが好ましい。A1がNa、A2がLiである場合は、yは0.3≦y≦0.7を満たすことが好ましい。第二の態様においては、蛍光体は次の式3に示される組成を有する。NaBa1-aEuaScSi2O7...3第三の態様においては、蛍光体は次の式4に示される組成を有する。NaBa1-aEuaSc1-zYzSi2O7...4式4において、zはScとYの合計に対するYのモル比を示す。このzは、0<z<1を満たす数であればよい。特にzは0.05≦z≦0.5を満たすことが好ましく、zは0.05<z<0.3を満たすことも好ましい。第四の態様においては、蛍光体は次の式5に示される組成を有する。NaM1pM2qEuaScSi2O7...5この第四の態様において、M1及びM2はMg,Ca,Sr,Ba,Znの中から選ばれる元素であり、M1とM2とは互いに異なる。M1としては特にBaが挙げられる。M2としては特にSr又はCaが挙げられる。式5において、pはM1、M2、及びEuの合計に対するM1のモル比を示す値であり、qはM1、M2、及びEuの合計に対するM2のモル比を示す値である。pは0<p<1を満たし、qは0<q<1を満たし、更にp、q及びaはpqa=1を満たす。M1がBa、M2がSrである場合は、qは0.1≦q≦0.3を満たすことが好ましい。M1がBa、M2がCaである場合は、qは0<q<0.1を満たすことが好ましい。第五の態様においては、蛍光体は、一般式Aにおいて、0<x≦0.2である組成を有する。この場合、蛍光体は次の一般式6で表され、且つxが0<x≦0.2を満たす組成を有する。AM1‐a-xEuaMnxLSi1‐bGeb2O7...6この第五の態様において、AはLi,Na,及びKの中から選ばれる一種以上の元素であり、MはMg,Ca,Sr,Ba,及びZnの中から選ばれる一種以上の元素であり、LはGa,Al,Sc,Y,La,Gd,及びLuの中から選ばれる一種以上の元素である。式6において、xはM、Eu、及びMnの合計に対するMnのモル比を示す値である。xは0.01≦x≦0.2を満たすことがより好ましく、0.01≦x≦0.1の範囲であれば更に好ましく、0.01≦x≦0.07の範囲であれば特に好ましい。第一から第五の態様においては、蛍光体は近紫外光から青色光にわたる波長域、特に350~470nmの範囲の波長域の励起光を効率よく吸収して励起され、励起光の波長よりも長波長の蛍光を効率よく発する。これらの態様における蛍光体の発光スペクトルは緑色域に強い発光ピークを有し、蛍光体の発光色は緑色となる。更に、第五の態様では、蛍光体の発光スペクトルは赤色域にも発光ピークを有する。これは、共賦活剤としてMnが用いられているためであると考えられる。この赤色域の発光ピークの強度は、緑色域の発光ピークと比較すれば小さい。このように第五の態様では主たる発光ピークが赤色域に現れるため蛍光体の発光色は緑色になり、更に赤色域にも比較的小さい発光ピークが現れるため、この蛍光体を備える発光装置の演色性が特に向上する。[発光装置]本実施形態に係る発光装置について説明する。この発光装置1は、図1,2に示されるように、発光素子であるLEDチップ10、実装基板20、光学部材60、封止部50、並びに波長変換部材色変換部材70を備える。後述するように、波長変換部材色変換部材70は本実施形態に係る蛍光体から形成される蛍光体粒子を備える。LEDチップ10は実装基板20に実装されている。実装基板20の形状は平面視矩形板状である。実装基板20の厚み方向に面する第一の表面上にはLEDチップ10への給電用の一対の導体パターン23が形成され、更にこの第一の表面上にLEDチップ10が実装されている。LEDチップ10と導体パターン23とはボンディングワイヤ14で電気的に接続されている。光学部材60はドーム状の部材であり、実装基板20の第一の表面上の固着されている。この光学部材60と実装基板20との間に、LEDチップ10が収容されている。この光学部材60は、LEDチップ10から放射される光の配向を制御する機能を有する。封止部50は透光性の封止材料から形成される。封止部50は光学部材60と実装基板20とで囲まれた空間に充填されている。この封止部50により、LEDチップ10および複数本本実施形態では、2本のボンディングワイヤ14が封止されている。波長変換部材70は、光学部材60を包囲するようにドーム状に形成されている。LEDチップ10が発光すると、LEDチップ10から放射された光励起光によって波長変換部材70中の蛍光体粒子71が励起されて励起光よりも長波長の蛍光LEDチップ10の発光色とは異なる色の光からなる変換光を放射する。光学部材60と波長変換部材70との間には、空気などの気体が充実する空隙80が介在している。実装基板20の第一の表面上には、光学部材60の外周を包囲する環状の堰部27が形成されている。堰部27は第一の表面上から突出するように形成される。このため、光学部材60が実装基板20に固着される際に、光学部材60と実装基板20とで囲まれた空間から封止材料が溢れ出ようとしても、この封止材料が堰部27によって堰き止められる。LEDチップ10の主発光ピークは350nm~470nmの範囲にあることが好ましい。このようなLEDチップ10としては、青色光を放射するGaN系の青色LEDチップや近紫外光を放射する近紫外LEDチップが挙げられる。GaN系の青色LEDチップには、結晶成長用基板として、サファイア基板よりも格子定数や結晶構造がGaNに近く且つ導電性を有するn形のSiC基板が用いられる。このSiC基板上に、例えばダブルへテロ構造を有する発光部が形成される。発光部は、たとえばGaN系化合物半導体材料などを原料として、エピタキシャル成長法例えば、MOVPE法などなどで形成される。このLEDチップ10は、その実装基板20の第一の表面と対向する表面上にカソード電極を備え、それとは反対側の表面上にアノード電極を備える。このカソード電極およびアノード電極は、例えばNi膜とAu膜との積層膜により構成される。カソード電極およびアノード電極の材料は特に制限されず、良好なオーミック特性が得られる材料であればよく、例えばAlなどであってもよい。LEDチップ10の構造は上記構造に限定されない。例えば、結晶成長用基板上にエピタキシャル成長により発光部などが形成された後、発光部を支持するSi基板などの支持基板が発光部に固着され、更にその後、結晶成長用基板が除去されることで、LEDチップ10が形成されてもよい。実装基板20は矩形板状の伝熱板21と配線基板22とで構成される。伝熱板21は熱伝導性材料から形成される。この伝熱板21にLEDチップ10が実装される。配線基板22は例えば矩形板状のフレキシブルプリント配線板である。配線基板22は伝熱板21上に例えばポリオレフィン系の固着シート29を介して固着される。配線基板22の中央部には、伝熱板21におけるLEDチップ10の実装位置を露出させる矩形状の窓孔24が形成されている。この窓孔24の内側で、LEDチップ10が後述のサブマウント部材30を介して伝熱板21に実装される。したがって、LEDチップ10で発生した熱は配線基板22を介さずにサブマウント部材30および伝熱板21へ伝導する。配線基板22は、ポリイミドフィルムからなる絶縁性基材221と、この絶縁性基材221上に形成された、LEDチップ10への給電用の一対の導体パターン23とを備える。更に配線基板22は、各導体パターン23を覆うと共に絶縁性基材221上の導体パターン23が形成されていない部位を覆う保護層26を備える。保護層26は例えば光反射性を有する白色系のレジスト樹脂から形成される。この場合、LEDチップ10から配線基板22に向けて光が放射されても、保護層26で光が反射されることで配線基板22における光の吸収が抑制される。これにより、LEDチップ10から外部への光取り出し効率が向上し、発光装置の光出力が向上する。尚、各導体パターン23は、絶縁性基材221の外周形状の半分よりもやや小さな外周形状に形成されている。絶縁性基材221はFR4基板、FR5基板、紙フェノール樹脂基板などから形成されてもよい。各導体パターン23は、平面視矩形状の端子部231を二つずつ備える。この端子部231は配線基板22の窓孔24の近傍に位置し、この端子部231にボンディングワイヤ14が接続される。各導体パターン23は、更に平面視円形状の外部接続用電極部232を一つずつ備える。この外部接続用電極部232は、配線基板22の外周付近に位置している。導体パターン23は、例えばCu膜とNi膜とAu膜との積層膜により構成される。保護層26は、この保護層26から各導体パターン23が部分的に露出するようにパターニングされている。配線基板22の窓孔24の近傍で、各導体パターン23における端子部231が保護層26から露出している。更に、配線基板22の外周付近で、各導体パターン23における外部接続用電極部232が保護層26から露出している。LEDチップ10は、上述の通りサブマウント部材30を介して伝熱板21に搭載されている。サブマウント部材30は、LEDチップ10と伝熱板21との線膨張率の差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和する。サブマウント部材30は、LEDチップ10のチップサイズよりも大きなサイズの矩形板状に形成されている。サブマウント部材30は、上記応力を緩和する機能だけでなく、LEDチップ10で発生した熱を伝熱板21におけるLEDチップ10のチップサイズよりも広い範囲に伝導させる熱伝導機能をも有している。本実施形態における発光装置1では、LEDチップ10がサブマウント部材30を介して伝熱板21に搭載されているので、LEDチップ10で発生した熱がサブマウント部材30および伝熱板21を介して効率良く放熱されるとともに、LEDチップ10と伝熱板21との線膨張率差に起因してLEDチップ10に働く応力が緩和される。サブマウント部材30は、例えば熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するAlNから形成される。LEDチップ10のカソード電極がサブマウント部材30上に重ねられ、このカソード電極が、カソード電極と接続される電極パターン図示せずおよび金属細線例えば、金細線、アルミニウム細線などからなるボンディングワイヤ14を介して、二つの導体パターン23のうちの一方と電気的に接続される。LEDチップ10は、ボンディングワイヤ14を介して、カソード電極に接続されていない導体パターン23と電気的に接続されている。LEDチップ10とサブマウント部材30との接合には、例えば、SnPb、AuSn、SnAgCuなどの半田や、銀ペーストなどが用いられる。特にAuSn、SnAgCuなどの鉛フリー半田が用いられることが好ましい。サブマウント部材30がCuから形成され、LEDチップ10とサブマウント部材30との接合にAuSnが用いられる場合には、サブマウント部材30およびLEDチップ10における互いに接合される面に、あらかじめAuまたはAgからなる金属層を形成する前処理が施されることが好ましい。サブマウント部材30と伝熱板21との接合には、例えば、AuSn、SnAgCuなどの鉛フリー半田が用いられることが好ましい。サブマウント部材30と伝熱板21との接合にAuSnが用いられる場合には、伝熱板21におけるサブマウント部材30と接合される面に、あらかじめAuまたはAgからなる金属層を形成する前処理が施されることが好ましい。サブマウント部材30の材料はAlNに限らず、線膨張率が結晶成長用基板の材料である6H-SiCに比較的近く且つ熱伝導率が比較的高い材料であればよい。例えば、サブマウント部材30の材料として複合SiC、Si、Cu、CuWなどが採用されてもよい。なお、サブマウント部材30は、上述の熱伝導機能を有しているため、伝熱板21におけるLEDチップ10に対向する面の面積は、LEDチップ10における伝熱板21と対向する面の面積よりも、十分に大きいことが望ましい。本実施形態における発光装置1では、伝熱板21の厚み方向に面するLEDチップ10側の表面から、保護層26の厚み方向に面するLEDチップ10側の表面までの寸法よりも、伝熱板21における前記表面から、サブマウント部材30の厚み方向に面するLEDチップ10側の表面までの寸法の方が、大きくなっている。このような位置関係となるように、サブマウント部材30の厚み寸法が設定されている。このため、LEDチップ10から放射された光が、配線基板22の窓孔24の内側を通って配線基板22に吸収されることが、抑制される。これによりLEDチップ10から外部への光取り出し効率が更に向上し、発光装置の光出力が更に向上する。なお、サブマウント部材30の厚み方向に面するLEDチップ10側の表面における、LEDチップ10が配置される位置の周囲に、LEDチップ10から放射された光を反射する反射膜が形成されてもよい。この場合、LEDチップ10から放射された光がサブマウント部材30に吸収されることが防止される。これによりLEDチップ10から外部への光取り出し効率が更に向上し、発光装置の光出力が更に向上する。反射膜は、例えば、Ni膜とAg膜との積層膜により構成される。上述の封止部50を形成するための材料である封止材料としては、シリコーン樹脂が挙げられる。シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂や、ガラスなどが用いられてもよい。光学部材60は、光透過性を有する材料例えば、シリコーン樹脂、ガラスなどから形成される。特に光学部材60がシリコーン樹脂から形成されると、光学部材60と封止部50との屈折率差および線膨張率差が低減され得る。光学部材60の光出射面602LEDチップ10とは反対側に面する表面は、光入射面601LEDチップ10側に面する表面から光学部材60内へ入射した光が、光出射面602と空隙80との境界で全反射しないような、凸曲面状に形成されている。光学部材60は、LEDチップ10と光軸が一致するように配置されている。したがって、LEDチップ10から放射され光学部材60の光入射面601に入射された光は、光出射面602と空隙層80との境界で全反射されることなく波長変換部材70まで到達しやすくなり、発光装置からの発光の全光束が増大する。なお、光学部材60は、位置によらず法線方向に沿って厚みが一様となるように形成されている。波長変換部材70は、その光入射面701LEDチップ10側に面する表面が、光学部材60の光出射面602に沿った形状に形成されている。したがって、光学部材60の光出射面602の位置によらず、法線方向における光学部材60の光出射面602と波長変換部材70との間の距離が略一定値となっている。波長変換部材70は、位置によらず法線方向に沿った厚みが一様となるように成形されている。波長変換部材70は、実装基板20に対して、例えば接着剤例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などなどで固着される。LEDチップ10から放射される光は光入射面701から波長変換部材70内へ入射し、波長変換部材70の光出射面LEDチップ10とは反対側の表面702を通じて波長変換部材70外へ出射される。波長変換部材70中を光が通過する際にこの光の一部が波長変換部材70中の蛍光体粒子によって波長変換される。これにより、LEDチップ10から放射される光と波長変換部材70中の蛍光体粒子の種類との組み合わせに応じた色の光が発光装置1から発せられる。波長変換部材70は、図3に示されるように、透光性媒体72と、この透光性媒体72中に分散している複数の蛍光体粒子71とを備える。この蛍光体粒子71の少なくとも一部が、本実施形態に係る蛍光体から形成される。波長変換部材70は、蛍光体粒子71として、本実施形態に係る蛍光体から形成される蛍光体粒子と共に、本実施形態に係る蛍光体から形成される蛍光体粒子以外の蛍光体粒子を含有してもよい。発光装置1が白色光を発する場合において、発光装置1におけるLEDチップ10が青色光を発する青色LEDチップである場合には、例えば波長変換部材70が蛍光体粒子71として、本実施形態に係る蛍光体から形成される緑色蛍光体粒子と共に、赤色蛍光体粒子を含有する。この場合、LEDチップ10から波長変換されずに放射される青色光と、波長変換部材70中の赤色蛍光体粒子および緑色蛍光体粒子で波長変換された光とが、波長変換部材70から放射される。これにより、発光装置1から白色光が出射される。この場合における赤色蛍光体粒子を構成する蛍光体としては、3Sc2Si3O12:Ce3、CaSc2O4:Ce3などの組成を有する蛍光体が挙げられる。発光装置1から白色光が出射されるための、蛍光体粒子71の選定の仕方は、前記の例に限られない。例えば波長変換部材70は、本実施形態に係る蛍光体から形成される緑色蛍光体と、黄色蛍光体粒子及び橙色蛍光体粒子とを含有してもよい。発光装置1が白色光を発する場合において、発光装置1におけるLEDチップ10が紫外光を放射する紫外LEDチップである場合には、波長変換部材70が蛍光体粒子71として、例えば本実施形態に係る蛍光体から形成される緑色蛍光体粒子と共に、赤色蛍光体粒子及び青色蛍光体粒子を含有する。この場合における赤色蛍光体粒子を構成する蛍光体としては、La2O2S:Eu3、Ca,Sr2Si5N8:Eu2、Ca,SrAlSiN3:Eu2などの組成を有する蛍光体が挙げられる。青色蛍光体粒子を構成する蛍光体としては、BaMgAl10O17:Eu2、Sr,Ca,Ba10PO46Cl2:Eu2、Sr3MgSi2O8:Eu2などの組成を有する蛍光体が挙げられる。本実施形態に係る蛍光体から形成される緑色蛍光体粒子と共に、それ以外の緑色蛍光体粒子が併用されてもよい。この場合の本実施形態に係る蛍光体以外の蛍光体から形成される緑色蛍光体粒子を構成する蛍光体としては、Ba,Sr2SiO4:Eu2、BaMgAl10O17:Eu2,Mn2、Ba,Sr,CaSi2O2N2:Eu2などの組成を有する蛍光体が挙げられる。蛍光体粒子71の粒径は特に制限されないが、蛍光体粒子71の平均粒子径が大きい方が、蛍光体粒子71中の欠陥密度が小さくなって発光時のエネルギ損失が少なくなり、発光効率が高くなる。このため、発光効率を向上する観点からは、蛍光体粒子71の平均粒子径は1μm以上であることが好ましく、更に好ましくは5μm以上である。この平均粒子径は、レーザー回折散乱粒度分布測定装置により測定される値である。蛍光体粒子71には、蛍光体粒子71と透光性媒体72との界面での励起光や蛍光の反射が抑制されるために、コーティングなどの適宜の表面処理が施されていてもよい。透光性媒体72の屈折率は、蛍光体粒子71の屈折率に近い方が好ましいが、この限りではない。透光性媒体72の材質としてシロキサン結合を有するケイ素化合物やガラス等が挙げられる。これらの材質は耐熱性および耐光性青色~紫外線等の短波長の光に対する耐久性に優れるため、蛍光体粒子71の励起光である青色光から紫外光にわたる波長域の光によって透光性媒体72が劣化することが抑制される。ケイ素化合物の例としては、シリコーン樹脂、オルガノシロキサンの加水分解縮合物、オルガノシロキサンの縮合物などが、公知の重合手法ヒドロシリル化などの付加重合、ラジカル重合などにより架橋することで生成する複合樹脂が挙げられる。透光性媒体72として、例えばアクリル樹脂や、有機成分と無機成分とがnmレベルもしくは分子レベルで混合、結合されることで形成される有機無機ハイブリッド材料などが採用されてもよい。波長変換部材70中の蛍光体粒子71の含有量は、蛍光体粒子71及び透光性媒体72の種類、波長変換部材70の寸法、波長変換部材70に要求される波長変換能等を考慮して適宜決定されるが、例えば5質量~30質量の範囲である。この波長変換部材70に蛍光体粒子71の励起光が照射されると、蛍光体粒子71が励起光を吸収して、励起光よりも長波長の蛍光を発光する。これにより、波長変換部材70を光が透過する際に、この光の波長が蛍光体粒子71によって変換される。[実施例1]一般式1中のAがNa、MがBa、LがSc、aが0.01、bが0である組成を有する蛍光体NaBaScSi2O7:Eu2を、次のように合成した。まず、Na2CO3、BaCO3、Eu2O3、Sc2O3、及びSiO2の各粉末を秤量して、1.0:1.98:0.01:1.0:4.0のモル比で配合し、これらをボールミルで混合することで、混合粉末を得た。この混合粉末をアルミナ製るつぼに入れ、大気中で1100°Cで12時間加熱することで仮焼成した。この仮焼成により形成された焼結体を粉砕し、これにより得られた粉体をアルミナるつぼに入れ、水素濃度5の水素/アルゴン混合ガス雰囲気下で、1110°Cで12時間加熱することで本焼成した。この本焼成により形成された焼結体を粉砕することで、蛍光体の粒子を得た。[実施例2~6]実施例1において、蛍光体を作製するための原料組成を変更することで、表1に示す組成を有する蛍光体を作製した。実施例1では使用されていない原料としては、Li化合物であるLi2CO3、Sr化合物であるSrCO3、Y化合物であるY2O3、並びにGe化合物であるGeO2を用いた。[評価]実施例1~6で得られた蛍光体から発せられる蛍光の発光スペクトルを測定した。測定装置としては日本分光株式会社製の分光蛍光光度計FP-6500を用い、蛍光体へ照射する励起光の波長は450nmとした。その結果、実施例1~6で得られた蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は表1に示される値であり、これらの発光スペクトルはピーク波長を中心としたブロードなスペクトルであった。これらの蛍光体から発せられた蛍光の色は緑色であった。図4は実施例1で得られた蛍光体の発光スペクトルを示す。実施例1~6で得られた蛍光体から発せられる蛍光の発光強度も表1に示す。この発光強度は、上記発光スペクトルのピーク波長の強度であり、実施例1で得られた蛍光体の発光強度の値を100として規格化した値相対発光強度である。実施例1~6で得られた蛍光体の励起スペクトルも上記装置を用いて同時に測定した。モニター波長は上記発光スペクトルにおけるピーク波長とした。その結果、これらの蛍光体の励起スペクトルの波形は、近紫外域から青色域に亘って比較的平坦であり、そのため、近紫外域から青色域の範囲では励起光の波長が変動しても発光強度の変動が小さいことが確認された。図5は実施例1で得られた蛍光体の励起スペクトルを示す。[実施例7~35]Liを含む原料としてLi2CO3粉末を、Naを含む原料としてNa2CO3粉末を、Kを含む原料としてK2CO3粉末を、Baを含む原料としてBaCO3粉末を、Caを含む原料としてCaCO3を、Srを含む原料としてSrCO3粉末を、Mnを含む原料としてMnCO3粉末を、Euを含む原料としてEu2O3粉末を、Scを含む原料としてSc2O3を、Yを含む原料としてY2O3粉末を、Siを含む原料としてSiO2粉末を、それぞれ用意した。これらの原料を配合し、混合することで混合物を調製した。この際、実施例7~11ではNa、Ba、Eu、Sc、及びSiのモル比が1:1-a:a:1:2のモル比になるように原料を配合した。実施例12,13ではNa、Ba、Sr、Eu、Sc、及びSiのモル比が1:p:q:a:1:2になるように原料を配合した。実施例14ではNa、Ba、Ca、Eu、Sc及びSiのモル比が1:p:q:a:1:2になるように原料を配合した。実施例15~18では、Na、Ba、Eu、Sc、Y、及びSiのモル比が1:1-a:a:1-z:z:2になるように原料を配合した。実施例19~22では、Na、K、Ba、Eu、Sc及びSiのモル比が1-y:y:1-a:a:1:2になるように原料を配合した。実施例23~27では、Na、Li、Ba、Eu、Sc及びSiのモル比が1-y:y:1-a:a:1:2になるように原料を配合した。実施例28~31ではNa、Ba、Eu、Mn、Sc、及びSiのモル比が1:0.93-x:0.07:x:1:2になるように原料を配合した。実施例32~35ではLi、Na、Ba、Mn、Eu、Sc、及びSiのモル比が0.7:0.3:0.93-x:0.07:x:1:2になるように原料を配合した。各実施例における金属元素の具体的なモル比、並びにa、p、q、y及びzの値を、表2及び表3に示す。この混合物をアルミナ製るつぼに入れ、大気中で1100°Cで12時間加熱することで仮焼成した。この仮焼成により形成された焼結体を粉砕し、これにより得られた粉体をアルミナるつぼに入れ、水素濃度5の水素/アルゴン混合ガス雰囲気下で、1110°Cで12時間加熱することで本焼成した。この本焼成により形成された焼結体を粉砕することで、蛍光体の粒子を得た。[X線回折測定]実施例7~25で得られた蛍光体の粒子の、CuKα線を利用した粉末X線回折測定をおこなった。実施例7~11についての結果を図6に、実施例12,13についての結果を図7に、実施例14についての結果を図8に、実施例15~18についての結果を図9に、実施例19~22についての結果を図10に、実施例23~25についての結果を図11に、それぞれ示す。更に、参考のため、図7~11には、NaBaScSi2O7の、シミュレーションにより得られた回折強度曲線も併せて示す。[発光特性評価]実施例7~27で得られた蛍光体の粒子について、励起スペクトルと発光スペクトルを測定した。測定装置としては日本分光株式会社製の分光蛍光光度計FP-6500を用いた。発光スペクトルの測定にあたり、励起光の波長を450nmとした。励起スペクトルの測定にあたり、モニター波長は各実施例において発光スペクトルの発光強度が最大値となる波長とした。この結果、いずれの実施例で得られた蛍光体の粒子においても、発光スペクトルにおけるピーク波長は500nm付近にあり、これらの蛍光体の粒子から発せられた蛍光の色は緑色であった。更に、いずれの実施例で得られた蛍光体の粒子においても、励起スペクトルの波形は、近紫外域から青色域に亘って比較的平坦であり、そのため、近紫外域から青色域の範囲では励起光の波長が変動しても発光強度の変動が小さいことが確認された。図12は、実施例27で得られた蛍光体の粒子についての、発光スペクトル実線及び励起スペクトル破線を示す。図12における発光強度は、ピーク波長における発光強度を100として規格化した値相対発光強度である。下記表4,及び図13は実施例7~11についての、発光スペクトルにおける発光ピーク波長での発光強度を示す。発光強度は、実施例7で得られた蛍光体の発光強度の値を100として規格化した値相対発光強度である。下記表5は、実施例7,12~14についての、発光スペクトルにおける発光ピーク波長での発光強度を示す。発光強度は、実施例7で得られた蛍光体の発光強度の値を100として規格化した値相対発光強度である。下記表6、及び図14は実施例7,15~18についての、発光スペクトルにおける発光ピーク波長での発光強度を示す。発光強度は、実施例7で得られた蛍光体の発光強度の値を100として規格化した値相対発光強度である。下記表7、及び図15は実施例7,19~22についての、発光スペクトルにおける発光ピーク波長での発光強度を示す。発光強度は、実施例7で得られた蛍光体の発光強度の値を100として規格化した値相対発光強度である。図16は実施例7,23~25についての、発光スペクトルにおける発光ピーク波長での発光強度を示す。発光強度は、実施例7で得られた蛍光体の発光強度の値を100として規格化した値相対発光強度である。下記表8は実施例10,26,27についての、発光スペクトルにおける発光ピーク波長での発光強度を示す。発光強度は、実施例10で得られた蛍光体の発光強度の値を100として規格化した値相対発光強度である。尚、実施例9は実施例6と同じ組成であるが、実施例9の場合の方が発光強度が高くなっている。実施例9の発光強度の測定結果は再現性が高かったため、実施例9の場合の測定結果の方が信頼性が高いと判断される。実施例7~11、並びに実施例28~35で得られた蛍光体から発せられる蛍光の発光スペクトルを測定した。測定装置としては日本分光株式会社製の分光蛍光光度計FP-6500を用い、蛍光体へ照射する励起光の波長は450nmとした。また、実施例7~11で得られた蛍光体の励起スペクトルも上記装置を用いて同時に測定した。モニター波長は各蛍光体の発光スペクトルにおけるピーク波長とした。その結果、これらの蛍光体の励起スペクトルの波形は、近紫外域から青色域に亘って比較的平坦であり、そのため、近紫外域から青色域の範囲では励起光の波長が変動しても発光強度の変動が小さいことが確認された。図17は、実施例7~11で得られた蛍光体の粒子についての、発光スペクトル実線及び励起スペクトル破線を示す。また図18は実施例28~31で得られた蛍光体の粒子についての、発光スペクトル実線及び励起スペクトル破線を示す。また、図19は実施例32~35で得られた蛍光体の粒子についての、発光スペクトル実線及び励起スペクトル破線を示す。これらの結果によると、実施例7~11、並びに実施例28~31で得られた蛍光体の粒子での、発光スペクトルにおけるピーク波長は、500nm付近にあり、これらの蛍光体の粒子から発せられた蛍光の色は緑色であった。更に、これらの蛍光体の粒子での励起スペクトルの波形は、近紫外域から青色域に亘って比較的平坦であり、そのため、近紫外域から青色域の範囲では励起光の波長が変動しても発光強度の変動が小さいことが確認された。更に、実施例28~31で得られた蛍光体の粒子での発光スペクトルでは、610nm付近の赤色域の波長域で、比較的小さいピークが認められた。従って、実施例28~31による蛍光体が用いられることで、発光装置の演色性の向上が期待できる。下記表9は、実施例7~11、並びに実施例28~35で得られた蛍光体についての、発光スペクトルにおける発光ピーク波長での発光強度を示す。発光強度は、実施例7で得られた蛍光体の発光強度の値を100として規格化した値相対発光強度である。また、表9に、実施例28~35で得られた蛍光体についての、発光スペクトルにおける緑色域の最大ピークの強度に対する、赤色域の最大ピークの強度の比も、併せて示す。"