"25°Cでの貯蔵弾性率が1GPa以上である第一基材と、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を少なくとも含有し、表面自由エネルギーが15~25mNmであり、前記第一基材に積層された粘接着剤層と、25°Cでの貯蔵弾性率が50~1000MPaであり、前記第一基材と反対側の前記粘接着剤層の表面に積層された第二基材と、を備える、半導体用粘接着シート。前記粘接着剤層の厚さが40μm以下である、請求項1に記載の半導体用粘接着シート。前記粘接着剤層と前記第一基材とのピールはく離強度Xが1~50mN/cmであり、前記粘接着剤層と前記第二基材とのピールはく離強度Yが30~200mN/cmであり、かつY>2×Xである、請求項1又は2に記載の半導体用粘接着シート。前記第一基材の前記粘接着剤層と接する面の表面自由エネルギーが10~20mNmである、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体用粘接着シート。前記第二基材の前記粘接着剤層と接する面の表面自由エネルギーが25~45mNmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体用粘接着シート。前記第二基材が、エステル骨格を有するポリマーを少なくとも含有する、請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体用粘接着シート。前記第二基材が、ポリブチレンテレフタレート骨格を有するポリマーを少なくとも含有する、請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体用粘接着シート。前記第二基材が、エチレン酢酸ビニル共重合体を少なくとも含有する、請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体用粘接着シート。前記粘接着剤層のSUSに対する密着強度が50~400mNcmである、請求項1~8のいずれか一項に記載の半導体用粘接着シート。前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度が80°C以下であり、前記粘接着剤層の120°Cでの溶融粘度が20000Pas以下である、請求項1~9のいずれか一項に記載の半導体用粘接着シート。前記熱可塑性樹脂がポリイミド樹脂である、請求項1~10のいずれか一項に記載の半導体用粘接着シート。前記ポリイミド樹脂が下記一般式AIで示される構造体を有する、請求項11に記載の半導体用粘接着シート。式AI中、Xは4価の有機基であり、nは3~30の整数である。前記粘接着剤層及び前記第二基材を前記第二基材側から切断した後、前記粘接着剤層及び前記第二基材を前記第一基材からはく離することによって加工される、請求項1~12のいずれか一項に記載の半導体用粘接着シート。請求項1~12のいずれか一項に記載の半導体用粘接着シートを得るための製造方法であって、溶剤によって希釈した粘接着剤を第一基材に塗布し、加熱乾燥することにより、粘接着剤層を前記第一基材上に形成する工程と、前記第一基材付き前記粘接着剤層を第二基材にラミネートする工程と、を備える、半導体用粘接着シートの製造方法。請求項1~12のいずれか一項に記載の半導体用粘接着シートがシリコンウエハ上に積層された半導体ウエハ。請求項1~12のいずれか一項に記載の半導体用粘接着シートを用いて接着された半導体素子と半導体搭載用支持部材、及び/又は、前記半導体用接着シートを用いて互いに接着された複数の半導体素子を備える、半導体装置。請求項1~12のいずれか一項に記載の半導体用粘接着シートの第二基材及び粘接着剤層を第一基材からはく離し、前記粘接着剤層を半導体ウエハ及びダイシングリングに対向させ、前記第二基材及び前記粘接着剤層を前記半導体ウエハ及び前記ダイシングリングにラミネートする工程と、前記第二基材及び前記粘接着剤層がラミネートされた前記半導体ウエハをダイシングして、個片化された半導体チップを得る工程と、前記個片化された半導体チップを前記第二基材からピックアップして、前記粘接着剤層付き半導体チップを得る工程と、前記粘接着剤層付き半導体チップを半導体素子又は半導体搭載用支持部材に圧着する工程と、前記第二基材及び粘接着剤層を前記ダイシングリングからはく離する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。近年、電子部品の小型化、低背化に伴い、この半導体用の粘接着シートをさらに薄膜化することが求められ、それに伴って更なる熱時流動性が求められるようになってきた。しかしながら、上記のように放射線照射を行って放射線重合性化合物を架橋させることによって密着性を低下させる方法では十分な熱時流動性熱圧着性と放射線照射後の基材との低密着性ピックアップ性を両立するのは困難であった。更に、放射線照射後に十分に密着性を低下させるためには多くの液状放射線重合性化合物及び光開始剤を含む設計となるため、ロール状態での染み出しやブリードなどの保存安定性、ウエハリングやウエハへの密着性などのラミネート後放置安定性に課題があった。また、凹凸を有する基板に対して空隙なく接着させることが困難であった。本発明は、上記した従来技術の問題に鑑み、ダイシング工程での半導体チップ保持性や搬送時やエキスパンド時のウエハリング密着性などのダイシングテープとしての機能を有し、容易にピックアップが可能であり、半導体素子と支持部材もしくは半導体素子同士を接合する際には優れた熱時流動性と接続信頼性を示し、使用後にはウエハリングから容易にはく離できる半導体用粘接着シート及びその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、当該半導体用粘接着シートを用いた半導体ウエハ及び半導体装置を提供することを目的とする。また、本発明は、当該半導体用粘接着シートを用いて製造方法を簡略化できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明の発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下の解決手段を提供するに至った。本発明に係る半導体用粘接着シートは、25°Cでの貯蔵弾性率が1GPa以上である第一基材1と、A熱可塑性樹脂及びB熱硬化性樹脂を少なくとも含有し、表面自由エネルギーが15~25mNmであり、第一基材1に積層された粘接着剤層2と、25°Cでの貯蔵弾性率が50~1000MPaであり、第一基材1と反対側の粘接着剤層2の表面に積層された第二基材3と、を備える。25°Cでの貯蔵弾性率は、各基材を5mm幅の短冊状に切断し、レオメトリックス社製粘弾性アナライザーRSA-2商品名を用いて、昇温速度5°C/min、周波数1Hz、測定温度-50~100°Cの条件で測定すればよい。表面自由エネルギーは、例えば、水、グリセリン及びホルムアミドをプローブ液体としてその測定対象面例えば粘接着剤層表面に対する接触角を測定し、DropMaster500協和界面科学社製に搭載の解析ソフトFAMASを用いて酸-塩基法により求めればよい。本発明の半導体用粘接着シートは、25°Cでの貯蔵弾性率が1GPa以上の第一基材1を有することにより、ロール状に加工したときにロール状に加工しやすくなり、ラミネート時の物理的な延伸や温度変化による収縮を抑制し、また加工時の傷や変形に対する保護材となる。本発明の半導体用粘接着シートは、A熱可塑性樹脂及びB熱硬化性樹脂を少なくとも含有する粘接着剤層2を有することにより、フィルム形成性と接着性を両立させることができる。本発明の半導体用粘接着シートは、25°Cでの貯蔵弾性率が50~1000MPaの第二基材3を有することにより、ダイシング時のブレード磨耗を抑制でき、かつピックアップ時のエキスパンド性に優れる。また、本発明の半導体用粘接着シートでは、粘接着剤層2の表面自由エネルギーが15~25mNmであることで、第一基材1に対する薄膜形成性と易はく離性、さらにピックアップ時の第二基材3からの易はく離性、使用後のダイシングリングからの易はく離性を満足することができる。上記本発明では、半導体装置の小型化、低背化の観点から、粘接着剤層の厚さが40μm以下であることが好ましい。上記本発明では、粘接着剤層2と第一基材1とのピールはく離強度Xが1~50mNcmであり、粘接着剤層2と第二基材3とのピールはく離強度Yが30~200mNcmであり、Y>2Xであることが好ましい。これにより、粘接着剤層2の第一基材1からの易はく離性、粘接着剤層2の第二基材3への転写性、ダイシング工程での半導体チップの保持性及びピックアップ性が向上する。各基材と粘接着剤層との密着強度は、以下のようにして測定した値である。シリコンウエハ厚さ400μmに対して、1cm幅の短冊状に作製した粘接着シート粘接着剤層厚10μmを温度50°Cで、粘接着剤層をシリコンウエハ側にしてロールで加圧線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分することによりサンプルを作製する。得られたサンプルから一部はく離させた基材部分を治具で固定して、粘接着剤層に対する90度引張強度を測定して得られた値の最大値を密着強度とする。測定装置は株式会社東洋精機製作所社製ストログラフE-S剥離速度50mm/min、25°Cを使用すればよい。上記本発明では、粘接着剤層2の第一基材1に対する易はく離性の観点から、第一基材1の粘接着剤層2と接する面の表面自由エネルギーが10~20mNmであることが好ましい。上記本発明では、第二基材の粘接着剤層と接する面の表面自由エネルギーが25~45mNmであることが好ましい。上記本発明では、第二基材がエステル骨格を有するポリマーを少なくとも含有することが好ましい。上記本発明では、第二基材がポリブチレンテレフタレート骨格を有するポリマーを少なくとも含有することが好ましい。上記本発明では、第二基材がエチレン酢酸ビニル共重合体を少なくとも含有することが好ましい。上記本発明では、ダイシング工程での粘接着シート保持性、搬送時やエキスパンド時のウエハリング密着性、使用後のウエハリング易はく離性の観点から、粘接着剤層2のSUSに対する密着強度が50~400mNcmであることが好ましい。粘接着剤層のSUSに対する密着強度は、以下のようにして測定すればよい。SUS304板厚さ500μmに対して、幅1cm、長さ4cmの短冊状に作製した粘接着シート粘接着剤層厚10μmを温度25°Cで、接着剤層をSUS側にしてロールで加圧線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分することにより、長さ2cm部分がSUSに固定されたサンプルを作製する。得られたサンプルの粘接着シート部分を治具で固定してSUSに対する90度引張強度を測定して得られた値の最大値を密着強度とする。測定装置としては、株式会社東洋精機製作所社製ストログラフE-S剥離速度500mm/min、25°Cを使用すればよい。上記本発明では、粘接着剤層2の第二基材3への転写性、粘接着剤層2の被着体への低温貼付性、熱圧着時の熱時流動性の観点から、熱可塑性樹脂のガラス転移温度粘接着剤層の溶融温度が80°C以下であり、粘接着剤層の120°Cでの溶融粘度が20000Pas以下であることが好ましい。粘接着剤層2の溶融温度が80°C以下であることにより、粘接着剤層2を第二基材3に転写する際に要する温度を低温化できるため、粘接着シートの反りを抑制することができる。第二基材3の耐熱性や粘接着シートの反りの観点から、転写温度は80°C以下が好ましく、60°C以下がより好ましい。120°Cでの溶融粘度とは、20μmの粘接着剤層を積層してロールで加圧線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分することにより作製した厚さ200μmのサンプルを、粘弾性測定装置ARESレオメトリックスサイエンティフィックエフイー株製を用いて測定したときの120°Cにおける溶融粘度の最低値である。なお、測定プレートは直径8mmの平行プレート、測定条件は昇温5°C/min、測定温度は-50°C~200°C、周波数は1Hzとすればよい。上記本発明では、粘接着剤層2のフィルム形成性、熱時流動性、耐熱性、SUSに対する密着性、熱硬化後の高温接着性の観点から、A熱可塑性樹脂がポリイミド樹脂であることが好ましい。上記本発明では、ポリイミド樹脂が下記一般式AIで示される構造体を有することが好ましい。これにより、フィルム形成性、熱時流動性、粘接着剤層2の第一基材1からの易はく離性、ピックアップ性、さらにウエハリングからの易はく離性が向上する。式AI中、Xは4価の有機基であり、nは3~30の整数である。上記本発明では、粘接着剤層2の第二基材3との密着性の観点から、ポリイミド樹脂が下記一般式AIIで示される構造体を有することが好ましい。式AII中、mは2~20の整数であり、Yは2価の有機基である。上記本発明では、粘接着剤層2の第二基材3との密着性、ウエハリングとの密着性、熱圧着性、B熱硬化性樹脂との相溶性の観点から、ポリイミド樹脂が、下記一般式AIIIで表される脂肪族エーテルジアミンをジアミン全体の10~80モル含有することが好ましい。式AIII中、Xは4価の有機基であり、Q1、Q2、Q3は炭素数2~3のアルキル基であり、nは1~30の整数である。上記本発明では、粘接着剤層に含まれるB熱硬化性樹脂が、B1固形状エポキシ樹脂とB2液状エポキシ樹脂とをともに含むことが好ましい。これにより、粘接着剤層2の第二基材3との密着性、ウエハリングとの密着性、熱時流動性、ワイヤボンド性、高温接着性が向上する。上記本発明では、ワイヤボンド性や高温接着性の観点から、前記B1固形エポキシ樹脂が下記構造I又はIIで示される樹脂であることが好ましい。式I中、nは0~5の整数である。上記本発明の半導体用粘接着シートは、粘接着剤層及び第二基材を第二基材側から切断した後、粘接着剤層及び第二基材を第一基材からはく離することによって加工されてもよい。上記本発明に係る半導体用粘接着シートの製造方法は、溶剤によって希釈した粘接着剤を第一基材1に塗布し、加熱乾燥することにより、粘接着剤層2を第一基材1上に形成する工程と、第一基材1付き粘接着剤層2を第二基材3にラミネートする工程と、を備える。本発明に係る半導体ウエハは、上記本発明に係る半導体用粘接着シートがシリコンウエハ上に積層されたものである。本発明に係る半導体装置は、上記本発明に係る半導体用粘接着シートを用いて接着された半導体素子と半導体搭載用支持部材、及び/又は、半導体用接着シートを用いて互いに接着された複数の半導体素子を備える。半導体装置の製造方法は、上記本発明に係る半導体用粘接着シートの第二基材3及び粘接着剤層2を第一基材1からはく離し、粘接着剤層2を半導体ウエハ及びダイシングリングに対向させ、第二基材3及び粘接着剤層2を半導体ウエハ及びダイシングリングにラミネートする工程と、第二基材3及び粘接着剤層2がラミネートされた半導体ウエハをダイシングして、個片化された半導体チップを得る工程と、個片化された半導体チップを第二基材3からピックアップして、粘接着剤層2付き半導体チップを得る工程と、粘接着剤層2付き半導体チップを半導体素子又は半導体搭載用支持部材に圧着する工程と、第二基材3及び粘接着剤層2を前記ダイシングリングからはく離する工程と、を備える。本発明によれば、ダイシング工程での半導体チップ保持性や搬送時やエキスパンド時のウエハリング密着性などのダイシングテープとしての機能を有し、容易にピックアップが可能であり、半導体素子と支持部材もしくは半導体素子同士を接合する際には優れた熱時流動性と接続信頼性を示し、使用後にはウエハリングから容易にはく離できる半導体用粘接着シート及びその製造方法が提供される。また、本発明によれば、当該半導体用粘接着シートの製造方法、当該半導体用粘接着シートを用いた半導体ウエハ及び半導体装置が提供される。また、本発明によれば、当該半導体用粘接着シートを用いて製造方法を簡略化できる半導体装置の製造方法が提供される。以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとし、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。半導体用粘接着シート本実施形態の半導体用粘接着シート半導体用接着フィルムは、25°Cでの貯蔵弾性率が1GPa以上の第一基材1と、A熱可塑性樹脂とB熱硬化性樹脂とを少なくとも含有し、かつ表面自由エネルギーが15~25mNmである粘接着剤層2と、25°Cでの貯蔵弾性率が50~1000MPaの第二基材3からなる。本実施形態の第一基材1の25°Cでの貯蔵弾性率は1GPa以上である。また、第一基材1の粘接着剤層2と接する面の表面自由エネルギーが10~20mJm2であることが好ましい。上記表面エネルギーが20mJm2を上回ると粘接着剤層の離型が困難となり、10mJm2を下回ると粘着剤層のフィルム形成が困難となる傾向がある。また、第一基材1は、粘接着シートの製造時の加熱、乾燥条件である80~150°Cに耐えるものが好ましい。上記を満たす第一基材1としては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。これらの基材としてのフィルムは2種以上組み合わせて多層フィルムとしてもよい。また、第一基材にアクリル系、ブタジエン系、ニトリル系などのゴム成分を混合することにより、第一基材の25°Cでの貯蔵弾性率を1GPa以上にすることもできる。上記表面エネルギーを満たすためには、表面がシリコーン系、アクリル系、シリカ系等の離型剤などで処理されたものが好ましい。本実施形態の第二基材3の25°Cでの貯蔵弾性率は50~1000MPaである。また、第二基材3の25°Cでの貯蔵弾性率は70~700MPaであることが最も好ましい。25°Cでの貯蔵弾性率を満たす第二基材としては、例えばポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィンなどが挙げられる。第二基材3と接着材層とのピールはく離強度は20~300mN/cmであることが好ましく、30~200mN/cmであることがより好ましい。第二基材3の接着剤層と接する面の表面自由エネルギーは25~45mNmであることが好ましく、30~45mNmであることが最も好ましい。上記範囲の表面エネルギーを有する第二基材3としては、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エチレン-酢酸ビニル共重合体などの極性基材、ポリエチレンやポリプロピレンなどの低極性基材にウレタン系、アクリル系、ブタジエン系、ニトリル系などのゴム成分を配合したもの、ポリエチレンやポリプロピレンなどの低極性基材をコロナ処理したものが挙げられる。上記表面自由エネルギーが25mNmを下回ると接着剤層との密着性が低下し、転写不良により製造歩留まりが低下したり、ダイシング時に半導体チップが飛散したりする傾向がある。また、45mNmを上回ると接着剤層との密着性が上昇してピックアップ性が損なわれる傾向がある。また、保存安定性やピックアップ性の観点から、接着剤層と接する面にはコロナ処理を行わないことが好ましい。第二基材3としては、エステル骨格を有するポリマーを少なくとも有することが好ましい。エステル骨格を有するポリマーとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートの他に、テレフタル酸の代わりに脂肪族カルボン酸を併用したポリエステルや、長鎖脂肪族ジオールを併用したポリエステルなどの主鎖にエステル骨格を有するポリエステルが挙げられる。上記長鎖脂肪族とは炭素数3~30の有機基を示す。また、エチレン-酢酸ビニル共重合体やポリメタクリル酸メチルなどの側鎖にエステル基を有するポリマーが挙げられる。前記エステル基を有するポリマーは、ポリエチレンやポリプロピレンなどの低表面エネルギー基材に含有させることもでき、所望の表面エネルギーとエキスパンド性を両立することができる。第二基材3は、下記一般式23で表されるポリブチレンテレフタレート骨格を少なくとも含有することが好ましい。前記ポリマーを適用することで接着剤との密着に必要な高い表面エネルギーとピックアップ時に必要なエキスパンド性を高度に両立することができる。また第二基材3は、エチレン酢酸ビニル共重合体を少なくとも含有することが好ましい。粘接着剤層2の第一基材1からの易はく離性、第二基材3への転写性、ダイシング工程での半導体チップ保持性、さらにピックアップ性の観点から、粘接着剤層2と第一基材1とのピールはく離強度Xが1~50mNcm、粘接着剤層2と第二基材3とのピールはく離強度Yが30mNcm~200mNcmであり、かつY>2×Xの関係を満たすことが好ましい。ここでXが1mNcmを下回ると、粘接着シートをロール状に加工する際に粘接着剤層2が第一基材1からはく離する傾向があり、50mNcm以上であると、粘接着剤層2からのはく離が困難となり、第二基材3への転写が困難となる傾向がある。またYが30mNcmを下回るとダイシング工程で半導体チップが保持できなくなる傾向があり、Yが200mNcmを上回るとピックアップが困難となる傾向がある。ダイシング工程での半導体チップ保持性とピックアップ性を高度に両立するためには、粘接着剤層2と第二基材3とのピールはく離強度Yは30~200mNcmが好ましく、35~150mNcmがより好ましく、40~120mNcmが最も好ましい。粘接着剤層2の第一基材1に対するフィルム形成性と易はく離性との両立、使用後のウエハリングからのはく離性、シリコンウエハへのラミネート性、熱圧着性、高温接着性、を高度に満足するためには、粘接着剤層2の表面自由エネルギーが15~25mN/mである。粘接着剤層2の表面自由エネルギーは、15~25mJm2であることが好ましく、20~25mJm2であることが最も好ましい。表面自由エネルギーが15mJm2を下回るとシリコンウエハへのラミネート性などの粘着性や熱圧着性、高温接着性が低下する傾向があり、25mJm2を上回るとフィルム形成性が低下したり、使用後のウエハリングからのはく離性が低下したりする傾向がある。本実施形態の粘接着剤層2の厚さは、半導体装置の小型化、低背化の観点から40μm以下であることが好ましく、20μm以下であることがより好ましく、10μm以下であることが更により好ましく、7μm以下であることが最も好ましい。また、粘接着剤層2の厚さは1μm以上であることが好ましい。1μmを下回ると熱時流動性の付与が困難となり、熱圧着時に空隙が生じる傾向がある。本実施形態の粘接着剤層2のSUSSUS製ウエハリングに対する密着強度は、ダイシング工程での粘接着シート保持性、搬送時やエキスパンド時のウエハリング密着性、使用後のウエハリング易はく離性の観点から、50~400mNcmであることが好ましく、100~300mNcmであることがより好ましい。SUSに対する密着強度が50mNcmを下回ると、ダイシング工程や、搬送時やエキスパンド時に粘接着剤層がウエハリングからはく離する傾向がある。400mNcmを上回ると、使用後にウエハリングから粘接着剤層がはく離できずに樹脂が残存する傾向がある。本実施形態の粘接着剤層2のガラス転移温度Tgは80°C以下であることが好ましく、60°C以下であることがより好ましい。ガラス転移温度が80°Cを上回ると第二基材3に転写する際に80°C以上の加熱を行う必要があり、粘接着シートの反りが発生して基材と粘接着剤層2がはく離する傾向がある。また、ウエハ裏面にラミネートする際にも80°C以上の加熱を行う必要があり、ウエハの反りが大きくなる傾向がある。一方、Tgが-20°C未満であると、Bステージ状態でのフィルム表面のタック性が強くなり過ぎて、取り扱い性が良好でなくなる傾向がある。なお、粘接着シートのウエハ裏面への貼り付け温度は、半導体ウエハの反りを抑えるという観点から、20~150°Cであることが好ましく、40~80°Cであることがより好ましい。粘接着剤層2の120°Cでの溶融粘度は20000Pas以下であることが好ましく、10000Pas以下であることがより好ましい。120°Cでの溶融粘度が20000Pasを上回ると、熱圧着時に空隙が生成しやすくなり半導体装置の信頼性を低下させたり、特に粘接着剤層10μm以下の場合は熱圧着が困難となったりする傾向がある。熱圧着温度を高温化させると他の部材に対する熱的ダメージが増大したり、半導体装置製造に要するエネルギーが増大したりする傾向がある。本実施形態の粘接着剤層2を熱硬化した後の180°Cでの貯蔵弾性率が10MPa以上であることが好ましく、20MPa以上であることがより好ましく、50MPa以上であることが最も好ましい。これにより、ワイヤボンド性や高温接着性が向上する。180°Cでの貯蔵弾性率が10MPaを下回ると、高温接着性が低下して信頼性が低下したり、ワイヤボンド時にチップが保持できなったりする傾向がある。180°Cでの貯蔵弾性率は、以下のように測定すればよい。20μmの粘接着剤層を積層してロールで加圧線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分することにより厚さ200μmのサンプルをテフロンシート上に作製し、150°Cで1時間、次いで180°Cで1時間オーブンで熱硬化する。得られたサンプルを5mm幅の短冊状に切断し、レオメトリックス社製粘弾性アナライザーRSA-2商品名を用いて、昇温速度5°C/min、周波数1Hz、測定温度-50~100°Cの条件で180°Cでの貯蔵弾性率を測定すればよい。本実施形態に用いられるA熱可塑性樹脂のTgは80°C以下であることが好ましく、60°C以下であることが最も好ましい。このTgが80°Cを超える場合、粘接着剤層2を被着体半導体ウエハに貼り合わせる際に80°C以上の高温を要し、半導体ウエハに反りが発生しやすくなる傾向がある。ここで、Tgとは、A熱可塑性樹脂をフィルム化したときの主分散ピーク温度を意味する。レオメトリックス社製粘弾性アナライザーRSA-2商品名を用いて、フィルム厚100μm、昇温速度5°C/min、周波数1Hz、測定温度-50~200°Cの条件で測定し、Tg付近のtanδピーク温度を主分散ピーク温度とすればよい。A熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、10000~500000の範囲内で制御されていることが好ましく、低温貼付性及び熱圧着性と高温接着性とを高度に両立できる点で20000~300000であることがより好ましく、第二基材3への密着性をより向上できる点で30000~200000であることが更に好ましい。重量平均分子量が上記範囲内にあると、粘接着剤層2の強度、可とう性が良好となるため良好なフィルム形成性が得られ、また使用後ウエハリングから粘接着剤層2を破断することなくはく離することができる。また、熱時流動性が良好となるため、基板表面の配線段差凹凸に対する良好な埋込性を確保することが可能となる。上記重量平均分子量が10000未満であると、フィルム形成性が十分でなくなったり、粘接着剤層2が破断しやすくなったりする傾向がある。一方、上記重量平均分子量が500000を超えると、熱時流動性及び上記埋込性が十分でなくなる傾向や、第二基材3に対する密着性が十分でなくなる傾向がある。ここで、重量平均分子量とは、島津製作所社製高速液体クロマトグラフィーC-R4A商品名を用いて、溶媒にジメチルホルムアミドを用いてポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。良好なフィルム形成性及び粘着性とはく離性を両立するため、A熱可塑性樹脂はシリコーン骨格を有することが好ましい。A熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、ポリウレタンアミドイミド樹脂、シロキサンポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、これらの共重合体、これらの前駆体ポリアミド酸等の他、ポリベンゾオキサゾール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、重量平均分子量が1万~100万のメタアクリル共重合体、ノボラック樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらの樹脂の主鎖及び/又は側鎖に、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのグリコール基、カルボキシル基及び/又は水酸基が付与されたものであってもよい。A熱可塑性樹脂としては、特に限定はしないが、例えばジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、及びN-メチル-ピロリジノンのいずれかから選択される溶媒に溶解しフィルムを形成できる樹脂を用いることが好ましい。これらの中でも、高温接着性、耐熱性及びフィルム形成性の観点から、A熱可塑性樹脂はポリイミド樹脂であることが好ましい。ポリイミド樹脂は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを公知の方法で縮合反応させて得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを等モルで、又は、必要に応じてテトラカルボン酸二無水物の合計1.0molに対して、ジアミンの合計を好ましくは0.5~2.0mol、より好ましくは0.8~1.0molの範囲で組成比を調整各成分の添加順序は任意し、反応温度80°C以下、好ましくは0~60°Cで付加反応させる。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸が生成する。なお、樹脂組成物の諸特性の低下を抑えるため、上記のテトラカルボン酸二無水物は無水酢酸で再結晶精製処理したものであることが好ましい。上記縮合反応におけるテトラカルボン酸二無水物とジアミンとの組成比については、テトラカルボン酸二無水物の合計1.0molに対して、ジアミンの合計が2.0molを超えると、得られるポリイミド樹脂に、アミン末端のポリイミドオリゴマーの量が多くなる傾向があり、ポリイミド樹脂の重量平均分子量が低くなり、樹脂組成物の耐熱性を含む種々の特性が十分でなくなる傾向がある。一方、テトラカルボン酸二無水物の合計1.0molに対してジアミンの合計が0.5mol未満であると、酸末端のポリイミド樹脂オリゴマーの量が多くなる傾向があり、ポリイミド樹脂の重量平均分子量が低くなり、樹脂組成物の耐熱性を含む種々の特性が十分でなくなる傾向がある。ポリイミド樹脂は、上記反応物ポリアミド酸を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は、加熱処理する熱閉環法、脱水剤を使用する化学閉環法等で行うことができる。ポリイミド樹脂としては、イミド骨格を有する樹脂であれば特に制限はなく、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、ポリウレタンアミドイミド樹脂、シロキサンポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、これらの共重合体の他、イミド基を有するメタアクリル共重合体を用いればよい。ポリイミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物としては特に制限は無く、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3 ́,4,4 ́-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2 ́,3,3 ́-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、2,2-ビス2,3-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、1,1-ビス2,3-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、1,1-ビス3,4-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルエーテル二無水物、ベンゼン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、3,4,3 ́,4 ́-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,2 ́,3 ́-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3,3 ́,4 ́-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,8,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,3,3 ́,4 ́-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,3 ́,4 ́-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,2 ́,3 ́-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルジメチルシラン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメチルフェニルシラン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルジフェニルシラン二無水物、1,4-ビス3,4-ジカルボキシフェニルジメチルシリルベンゼン二無水物、1,3-ビス3,4-ジカルボキシフェニル-1,1,3,3-テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、p-フェニレンビストリメリテート無水物、エチレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビスエキソ-ビシクロ[2,2,1]ヘプタン-2,3-ジカルボン酸二無水物、ビシクロ-[2,2,2]-オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、2,2-ビス[4-3,4-ジカルボキシフェニルフェニル]プロパン二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2-ビス[4-3,4-ジカルボキシフェニルフェニル]ヘキサフルオロプロパン二無水物、4,4 ́-ビス3,4-ジカルボキシフェノキシジフェニルスルフィド二無水物、1,4-ビス2-ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルベンゼンビストリメリット酸無水物、1,3-ビス2-ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルベンゼンビストリメリット酸無水物、5-2,5-ジオキソテトラヒドロフリル-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物を用いることができ、フィルム形成性、ガラス転移温度、第二基材3との密着性の観点から下記一般式1で表されるテトラカルボン酸二無水物等が好ましく用いられる。下記一般式1中、aは2~20の整数を示す。上記一般式1で表されるテトラカルボン酸二無水物は、例えば、無水トリメリット酸モノクロライド及び対応するジオールから合成することができ、具体的には1,2-エチレンビストリメリテート無水物、1,3-トリメチレンビストリメリテート無水物、1,4-テトラメチレンビストリメリテート無水物、1,5-ペンタメチレンビストリメリテート無水物、1,6-ヘキサメチレンビストリメリテート無水物、1,7-ヘプタメチレンビストリメリテート無水物、1,8-オクタメチレンビストリメリテート無水物、1,9-ノナメチレンビストリメリテート無水物、1,10-デカメチレンビストリメリテート無水物、1,12-ドデカメチレンビストリメリテート無水物、1,16-ヘキサデカメチレンビストリメリテート無水物、1,18-オクタデカメチレンビストリメリテート無水物等が挙げられる。以上のようなテトラカルボン酸二無水物は、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。上記ポリイミド樹脂の原料として用いられるその他のジアミンとしては特に制限はなく、例えば、o-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、3,3 ́-ジアミノジフェニルエーテル、3,4 ́-ジアミノジフェニルエーテル、4,4 ́-ジアミノジフェニルエーテル、3,3 ́-ジアミノジフェニルメタン、3,4 ́-ジアミノジフェニルメタン、4,4 ́-ジアミノジフェニルエーテメタン、ビス4-アミノ-3,5-ジメチルフェニルメタン、ビス4-アミノ-3,5-ジイソプロピルフェニルメタン、3,3 ́-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,4 ́-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、4,4 ́-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,3 ́-ジアミノジフェニルスルフォン、3,4 ́-ジアミノジフェニルスルフォン、4,4 ́-ジアミノジフェニルスルフォン、3,3 ́-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4 ́-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4 ́-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3 ́-ジアミノジフェニルケトン、3,4 ́-ジアミノジフェニルケトン、4,4 ́-ジアミノジフェニルケトン、2,2-ビス3-アミノフェニルプロパン、2,2 ́-3,4 ́-ジアミノジフェニルプロパン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2,2-ビス3-アミノフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-3,4 ́-ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス4-アミノフェニルヘキサフルオロプロパン、1,3-ビス3-アミノフェノキシベンゼン、1,4-ビス3-アミノフェノキシベンゼン、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、3,3 ́-1,4-フェニレンビス1-メチルエチリデンビスアニリン、3,4 ́-1,4-フェニレンビス1-メチルエチリデンビスアニリン、4,4 ́-1,4-フェニレンビス1-メチルエチリデンビスアニリン、2,2-ビス4-3-アミノフェノキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-3-アミノフェノキシフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス4-4-アミノフェノキシフェニルヘキサフルオロプロパン、ビス4-3-アミノエノキシフェニルスルフィド、ビス4-4-アミノエノキシフェニルスルフィド、ビス4-3-アミノエノキシフェニルスルフォン、ビス4-4-アミノエノキシフェニルスルフォン、3,3 ́-ジヒドロキシ-4,4 ́-ジアミノビフェニル、3,5-ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、1,3-ビスアミノメチルシクロヘキサン、2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパン、下記一般式8で表される脂肪族エーテルジアミン、下記一般式9で表されるシロキサンジアミン等が挙げられる。上記ジアミンの中でも、他成分との相溶性、有機溶剤可溶性を付与する点で、下記一般式8で表される脂肪族エーテルジアミンが好ましく、エチレングリコール及び/又はプロピレングリコール系ジアミンがより好ましい。上記脂肪族エーテルジアミンはジアミン全体の10~80モル含有することが好ましい。下記一般式8中、R1、R2及びR3は各々独立に、炭素数1~10のアルキレン基を示し、bは2~80の整数を示す。このような脂肪族エーテルジアミンとして具体的には、サンテクノケミカル株製ジェファーミンD-230,D-400,D-2000,D-4000,ED-600,ED-900,ED-2000,EDR-148、BASF製ポリエーテルアミンD-230,D-400,D-2000等のポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミンが挙げられる。これらのジアミンは、全ジアミンの1~80モルであることが好ましく、他配合成分との相溶性、また低温貼付性及び熱圧着性と高温接着性とを高度に両立できる点で5~60モルであることがより好ましい。この量が1モル未満であると、高温接着性、熱時流動性の付与が困難になる傾向にあり、一方、80モルを超えると、ポリイミド樹脂のTgが低くなり過ぎて、フィルムの自己支持性が損なわれる傾向にある。また、上記ジアミンとしては、良好なフィルム形成性と第一基材1のはく離性を両立でき、かつウエハリングからの良好なはく離性を満足できる点で、下記一般式9で表されるシロキサンジアミンを含有することが好ましい。下記一般式9中、R4及びR9は各々独立に、炭素数1~5のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、R5、R6、R7及びR8は各々独立に、炭素数1~5のアルキル基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、dは3~30の整数を示す。上記ジアミンは、全ジアミンの1~50モルとすることが好ましく、3~30モルとすることがより好ましく、5~20モルとすることが最も好ましい。シロキサンジアミン9の量が1モルを下回るとその効果が低下する傾向があり、50モルを上回ると他成分との相溶性や熱圧着性が低下したり、熱硬化後の180°C貯蔵弾性率が低くなるためワイヤボンド性が低下したり、高温接着性が低下し信頼性が損なわれる傾向がある。上述したジアミンは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。上記一般式9中、dは3~30であることが好ましく、5~20であることがより好ましい。dが3以下となるとポリイミド樹脂の表面エネルギーを低下させる効果が低くなる。また、30を上回るとポリイミド樹脂のガラス転移温度が制御しにくくなったり、他の配合成分との相溶性が低下してワニス安定性が損なわれる傾向がある。また、上記ポリイミド樹脂は、1種を単独で又は必要に応じて2種以上を混合ブレンドして用いることができる。上記ポリイミド樹脂の合成時に、下記一般式10、11又は12で表される化合物のような単官能酸無水物及び/又は単官能アミンを縮合反応液に投入することにより、ポリマー末端に酸無水物又はジアミン以外の官能基を導入することができる。また、これにより、保存安定性及び熱圧着性を向上させることができる。酸無水物又はジアミン以外の官能基としては、特に限定はしないが、高温接着性を向上させる点で、カルボキシル基やフェノール性水酸基が好ましい。また、良好なフィルム形成性と第一基材1のはく離性を両立でき、かつウエハリングからの良好なはく離性を満足できる点で、シロキサン骨格等を有する化合物も好ましく用いられる。A熱可塑性樹脂の含有量は、樹脂組成物の固形分全量を基準として5~90質量であることが好ましく、20~80質量であることがより好ましい。この含有量が5質量未満であるとフィルム形成性が十分でなくなる傾向があり、90質量を超えると接着性が十分でなくなる傾向がある。本実施形態の粘接着剤層2はエポキシ樹脂等のB熱硬化性樹脂を含有する。エポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも2個以上のエポキシ基を含むものが好ましく、熱圧着性や硬化性、硬化物特性の点から、フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂がより好ましい。このような樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型又はAD型、S型、F型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、3官能型又は4官能型のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、3官能型又は4官能型のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。また、エポキシ樹脂としては、不純物イオンである、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特に塩素イオンや加水分解性塩素等を300ppm以下に低減した高純度品を用いることが、エレクトロマイグレーション防止や金属導体回路の腐食防止の観点から好ましい。エポキシ樹脂の含有量は、A熱可塑性樹脂100質量部に対して30~300質量部であることが好ましく、50~200質量部であることがより好ましい。この含有量が300質量部を超えると、フィルム形成性が低下したり、フィルムの靭性が低下してウエハリングからはく離する際にフィルムが破断したりする傾向がある。一方、上記含有量が30質量部未満であると、十分な粘着性、熱圧着性及び高温接着性が得られなくなる傾向がある。本実施形態のB熱硬化性樹脂としては、B1固形状エポキシ樹脂とB2液状エポキシ樹脂とをともに含むことが好ましい。B1固形エポキシ樹脂としては、特に限定はしないが例えば、ビスフェノールA型又はAD型、S型、F型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、3官能型又は4官能型のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、等が挙げられ、ワイヤボンド性、第二基材3との密着性、高温接着性、硬化後の180°C貯蔵弾性率を高度に満足できる点で、下記構造I又はIIで示されるエポキシ樹脂を用いることが最も好ましい。式I中、nは0~5の整数である。B1液状エポキシ樹脂としては、特に限定はしないが例えば、ビスフェノールA型又はAD型、S型、F型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、3官能型又は4官能型のグリシジルアミン等が挙げられ、第二基材3との密着性、高温接着性、硬化後の180°C貯蔵弾性率を高度に満足できる点で、下記構造IIIで示されるエポキシ樹脂を用いることが最も好ましい。硬化剤としては、例えば、フェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第3級アミン等が挙げられる。これらの中でもフェノール系化合物が好ましく、分子中に少なくとも2個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物がより好ましい。このような化合物としては、例えばフェノールノボラック、クレゾールノボラック、t-ブチルフェノールノボラック、ジシクロペンタジエンクレゾールノボラック、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック、キシリレン変性フェノールノボラック、ナフトール系化合物、トリスフェノール系化合物、テトラキスフェノールノボラック、ビスフェノールAノボラック、ポリ-p-ビニルフェノール、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。これらの中でも、数平均分子量が400~4000の範囲内のものが好ましい。本実施形態の粘接着剤層2は、C硬化促進剤を含有することが好ましい。C硬化促進剤としては、加熱によってエポキシの硬化/重合を促進する硬化促進剤を含有させるものであり、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、2-エチル-4-メチルイミダゾール-テトラフェニルボレート、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7-テトラフェニルボレート等が挙げられる。組成物における硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂100質量部に対して0.01~50質量部が好ましい。C硬化促進剤としては、フィルム塗工時の反応の抑制と保存安定性の観点から、融点が30°C以上のイミダゾール類であることが好ましく、融点が100°C以上であることが最も好ましい。このようなイミダゾール類としては、特に限定はしないが、1-シアノエチルー2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチルー2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノー6-2 ́-メチルイミダゾリルー1 ́-エチルーs―トリアジン、2,4-ジアミノー6-2 ́-メチルイミダゾリルー1 ́-エチルーs―トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニルー4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニルー4-メチルー5-ヒドロキシメチルイミダゾールなどが挙げられる。上記C硬化促進剤は薄膜フィルム形成時の凹凸を抑制するため、5μm以下に粉砕したものを用いることが好ましい。本実施形態の粘接着剤層2は放射線重合性化合物を添加することもできる。放射線重合性化合物としては、エチレン性不飽和基を有する化合物が挙げられ、エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、プロパギル基、ブテニル基、エチニル基、フェニルエチニル基、マレイミド基、ナジイミド基、メタアクリル基などが挙げられ、反応性の観点から、メタアクリル基が好ましい。中でも、ウレタンアクリレート及びメタクリレート、イソシアヌル酸ジ/トリアクリレート及びメタクリレートや2-1,2-シクロヘキサカルボキシイミドエチルアクリレートなどのイミド基含有単官能メタアクリレートは硬化後の密着性や高接着性を十分に付与できる点で好ましい。本実施形態の粘接着剤層2はピックアップ性を向上させるために光開始剤を添加することもできる。光開始剤としては、感度向上の点から、波長365nmの光に対する分子吸光係数が100ml/gcm以上であるものが好ましく、200ml/gcm以上であるものがより好ましく、400ml/gcm以上であるものがさらにより好ましく、1000ml/gcm以上であるものが最も好ましい。なお、分子吸光係数は、サンプルの0.001質量アセトニトリル溶液を調製し、この溶液について分光光度計日立ハイテクノロジーズ社製、U-3310商品名を用いて吸光度を測定することにより求められる。このような光開始剤としては、例えば、1-ヒドロキシーシクロヘキシルーフェニルーケトン、2-ヒドロキシー2-メチルー1-フェニループロパンー1-オン、1-4-2-ヒドロキシエトキシ-フェニル-2-ヒドロキシー2-メチルー1-プロパンー1-オン、2-ヒドロキシー1-{4-4-2-ヒドロキシー2-メチループロピオニル-ベンジル-フェニル}-2-メチループロパンー1-オン、オキシーフェニルーアセチックアシッド2-2-オキソー2-フェニルーアセトキシーエトキシエチルエステル、フェニルグリオキシリックアシッドメチルエステル、2-ジメチルアミノ-2-4-メチルーベンジル-1-4-モルフォリンー4-イルーフェニル-ブタンー1-オン、2-エチルヘキシルー4-ジメチルアミノベンゾエート、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-ブタノン-1、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン、2-メチル-1-4-メチルチオフェニル-2-モルフォリノプロパノン-1、2,4-ジエチルチオキサントン、2-エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2-o-クロロフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-o-クロロフェニル-4,5-ジm-メトキシフェニルイミダゾール二量体、2-o-フルオロフェニル-4,5-フェニルイミダゾール二量体、2-o-メトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-p-メトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2,4-ジp-メトキシフェニル-5-フェニルイミダゾール二量体、2-2,4-ジメトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体、9-フェニルアクリジン、1,7-ビス9,9’-アクリジニルヘプタン等のアクリジン誘導体、ビス2,6-ジメトキシベンゾイル-2,4,4-トリメチル-ペンチルフォスフィンオキサイド、ビス2,4,6,-トリメチルベンゾイル-フェニルフォスフィンオキサイド等のビスアシルフォスフィンオキサイドやマレイミドを有する化合物などが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。さらに、本実施形態においては、フィラーを使用することもできる。前記フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉等の金属フィラー、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機フィラー、カーボン、ゴム系フィラー等の有機フィラー等が挙げられ、種類形状等にかかわらず特に制限なく使用することができる。上記フィラーは所望する機能に応じて使い分けることができる。例えば、金属フィラーは、接着剤組成物に導電性、熱伝導性、チキソ性等を付与する目的で添加され、非金属無機フィラーは、粘接着剤層に熱伝導性、低熱膨張性、低吸湿性等を付与する目的で添加され、有機フィラーは粘接着剤層に靭性等を付与する目的で添加される。これら金属フィラー、無機フィラー又は有機フィラーは、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。中でも、半導体装置用接着材料に求められる、導電性、熱伝導性、低吸湿特性、絶縁性等を付与できる点で、金属フィラー、無機フィラー、又は絶縁性のフィラーが好ましく、無機フィラー、又は絶縁性フィラーの中では、樹脂ワニスに対する分散性が良好でかつ、熱時の高い接着力を付与できる点で窒化ホウ素が、また溶剤への分散性や他の樹脂成分との相溶性、高温接着性の観点から、シリカフィラーが好適に用いられ、エポキシ系、アクリレート系、フェニル系にシランカップリング剤処理されたシリカフィラーが最も好ましく用いられる。上記フィラーの平均粒子径は10μm以下、最大粒子径は25μm以下であり、平均粒子径が5μm以下、最大粒子径が20μm以下であることが好ましい。平均粒子径が10μmを超え、かつ最大粒子径が25μmを超えると、破壊靭性向上の効果が得られない傾向がある。下限は特に制限はないが、通常、どちらも0.01μmである。上記フィラーは、平均粒子径10μm以下、最大粒子径は25μm以下の両方を満たすことが好ましい。最大粒子径が25μm以下であるが平均粒子径が10μmを超えるフィラーを使用すると、高い接着強度が得られない傾向がある。また、平均粒子径は10μm以下であるが最大粒子径が25μmを超えるフィラーを使用すると、粒径分布が広くなり接着強度にばらつきが出やすくなる。また、本実施形態において、接着剤組成物を薄膜フィルム状に加工して使用する際、表面が粗くなり接着力が低下する傾向がある。上記フィラーの中でも、溶剤への分散性や他の樹脂成分との相溶性、高温接着性の観点から、シリカフィラーが好適に用いられ、エポキシ系、アクリレート系、フェニル系にシランカップリング剤処理されたシリカフィラーが最も好ましく用いられる。上記フィラーの平均粒子径及び最大粒子径の測定方法としては、例えば、走査型電子顕微鏡SEMを用いて、200個程度のフィラーの粒径を測定する方法等が挙げられる。SEMを用いた測定方法としては、例えば、接着剤層を用いて半導体素子と半導体搭載用支持部材とを接着した後、加熱硬化好ましくは150~200°Cで1~10時間させたサンプルを作製し、このサンプルの中心部分を切断して、その断面をSEMで観察する方法等が挙げられる。このとき、前述のフィラーの存在確率が全フィラーの80以上であることが好ましい。上記フィラーの使用量は、付与する特性、又は機能に応じて決められるが、樹脂成分とフィラーの合計に対して1~50体積、好ましくは2~40体積、さらに好ましくは5~30体積である。フィラーを増量させることにより、高弾性率化が図れ、ダイシング性ダイサー刃による切断性、ワイヤボンディング性超音波効率、熱時の接着強度を有効に向上できる。フィラーを必要以上に増量させると、本実施形態の特徴である低温貼付性及び被着体との界面接着性が損なわれ、耐リフロー性を含む信頼性の低下を招くため、フィラーの使用量は上記の範囲内に収めることが好ましい。求められる特性のバランスをとるべく、最適フィラー含量を決定する。フィラーを用いた場合の混合混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。本実施形態の接着剤組成物には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点で、シラン系カップリング剤が好ましい。上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、A熱可塑性樹脂100重量部に対して、0.01~20重量部とするのが好ましい。本実施形態の接着剤組成物には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を良くするために、さらにイオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、上記ポリマー重量部に対して、0.01~10重量部が好ましい。本実施形態において、接着剤層には、適宜、軟化剤、老化防止剤、着色剤、難燃剤、テルペン系樹脂等の粘着付与剤、熱可塑系高分子成分を添加しても良い。接着性向上、硬化時の応力緩和性を付与するため用いられる熱可塑系高分子成分としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、キシレン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、尿素樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。これら高分子成分は、分子量が5,000~500,000のものが好ましい。粘接着シートの製造方法<工程1>A熱可塑性樹脂、B熱硬化性樹脂、必要に応じて他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニス接着剤層塗工用のワニスを調製した後、25°Cでの貯蔵弾性率が1GPa以上の第一基材1上に前記ワニスの層を形成させ、加熱乾燥することで、第一基材1付き粘接着剤層2を得ることができる。上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常50~200°Cで、0.1~90分間加熱して行う。<工程2>第一基材1付き粘接着剤層2の粘接着剤層2側に25°Cでの貯蔵弾性率が10~1000MPaの第二基材3をラミネートすることで粘接着シートを得ることができる。上記のラミネート条件は、空隙なくラミネートできれば特に制限はないが、通常ロール温度30~100°C、圧力0.1~1MPaで行う。<工程3>第一基材1、粘接着剤層2、第二基材3から構成される粘接着シートの粘接着剤層2及び第二基材3を第二基材3側から切断し、第一基材1からはく離することによって粘接着シートを円形に加工してもよい。このように加工することによって、半導体ウエハにラミネートする際に粘接着シートを切断する必要がなくなるため、作業性に優れた粘接着シートを得ることができる。通常、上記粘接着シートは巻き芯にロール状に巻いて用いられる。半導体装置の製造方法<工程1>上記粘接着シートの第二基材3及び粘接着剤層2を第一基材1からはく離し、第二基材3及び粘接着剤層2を半導体ウエハ及びダイシングリングにラミネートする。第一基材1は別の巻き芯にロール状に巻かれる。粘接着剤層2の半導体ウエハへのラミネート条件は、空隙なくラミネートできれば特に制限はないが、通常40~80°C、圧力0.1~1MPaで行う。また粘接着剤層2のダイシングリングへのラミネート条件は、特に制限はないが、通常20~40°C、圧力0.1~1MPaで行う。また、このとき半導体ウエハの代わりにダイシング済みの半導体チップをラミネートすることもできる。<工程2>ダイシングリングに固定された第二基材3及び粘接着剤層2付き半導体ウエハをダイシングすることによって個片化された半導体チップを得る。ダイシング条件は、特に限定はしないが、通常半導体ウエハ側から、粘接着剤層2付き半導体ウエハと第二基材3の一部をダイシングする。<工程3>個片化された半導体チップを第二基材3からピックアップして個片化された粘接着剤層2付き半導体チップを得る。ピックアップ条件は、特に限定はしないが、通常第二基材3をエキスパンド延伸することで良好なピックアップ性が得られる。<工程4>粘接着剤層2付き半導体チップを半導体素子又は半導体搭載用支持部材に圧着する。圧着条件は、特に限定はしないが通常、温度40~150°C、荷重0.01~20kgf、加熱時間0.1~5秒間で行われる。<工程5>第二基材3及び粘接着剤層2をダイシングリングからはく離する。本実施形態の半導体用粘接着シートは、IC、LSI等の半導体素子と、42アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム;ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム;ガラス不織布等基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させたもの;アルミナ等のセラミックス等の半導体搭載用支持部材等の被着体とを貼り合せるためのダイボンディング用接着材料として用いることができる。中でも、表面に有機レジスト層を具備してなる有機基板、表面に配線有する有機基板等の表面に凹凸を有する有機基板と半導体素子とを接着するためのダイボンディング用接着材料として好適に用いられる。また、複数の半導体素子を積み重ねた構造のStacked-PKGにおいて、半導体素子と半導体素子とを接着するための接着材料としても好適に用いられる。半導体装置本実施形態の半導体用粘接着シートを用いた半導体装置について説明する。なお、近年は様々な構造の半導体装置が提案されており、本実施形態の粘接着シートの用途は、以下に説明する構造の半導体装置に限定されるものではない。半導体装置の一形態では、半導体素子が本実施形態の半導体用粘接着シートの粘接着剤層を介して半導体搭載用支持部材に接着され、半導体素子の接続端子はワイヤを介して外部接続端子と電気的に接続され、封止材によって封止されている。半導体装置の他の形態では、一段目の半導体素子が本実施形態の半導体用粘接着シートの粘接着剤層を介して半導体搭載用支持部材に接着され、一段目の半導体素子の上に更に本実施形態の半導体用粘接着シートの粘接着剤層を介して二段目の半導体素子が接着されている。一段目の半導体素子及び二段目の半導体素子の接続端子は、ワイヤを介して外部接続端子と電気的に接続され、封止材によって封止されている。このように、本実施形態の半導体用粘接着シートは、半導体素子を複数重ねる構造の半導体装置にも好適に使用できる。なお、上記構造を備える半導体装置半導体パッケージは、半導体素子と半導体搭載用支持部材との間に本実施形態の半導体用粘接着シートを挾み、加熱圧着して両者を接着させ、その後ワイヤボンディング工程、必要に応じて封止材による封止工程等の工程を経ることにより得られる。<A熱可塑性樹脂>PI-1撹拌機、温度計及び窒素置換装置窒素流入管を備えた500mLフラスコ内に、ジアミンである,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパン商品名BAPP、分子量410、和歌山精化工業社製を12.3g0.03mol、ポリオキシプロピレンジアミン商品名D-400分子量:433、BASF社製を26.0g0.06mol、及びアミノ変性シリコーンオイル商品名KF―8010、分子量860、信越シリコーン社製を8.6g0.01molと、溶媒であるNMPN-メチル-2-ピロリドン250gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。上記フラスコに、デカメチレンビストリメリテート二無水物以下DBTA、分子量522532g0.102molを、フラスコ内の溶液に添加した。添加終了後、窒素ガスを吹き込みながら室温で1時間撹拌した。その後、フラスコに水分受容器付きの還流冷却器を取り付け、溶液を180°Cに昇温させて5時間保温してポリイミド樹脂PI-1を得た。PI-1のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算でMw=70000であった。また、PI-1のTgは45°Cであった。なお、PI-1は、上記一般式Aで表わされる樹脂に該当する。PI-2撹拌機、温度計及び窒素置換装置窒素流入管を備えた500mLフラスコ内に、ジアミンである,BAPPを12.3g0.03mol、D-400を26.0g0.06molと、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス3-アミノプロピルジシロキサン商品名BY16-871EG、東レダウコーニング株製2.485g0.01molと、溶媒であるNMP250gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。上記フラスコに、DBTAを532g0.102molフラスコ内の溶液に添加した。添加終了後、窒素ガスを吹き込みながら室温で1時間撹拌した。その後、フラスコに水分受容器付きの還流冷却器を取り付け、溶液を180°Cに昇温させて5時間保温してポリイミド樹脂PI-2を得た。PI-2のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算でMw=70000であった。また、PI-2のTgは45°Cであった。<第二基材3>実施例1~9及び比較例1~2の粘接着シートの作製には、第二基材3として、下記基材A,B,C,D及びEのいずれかを用いた。基材A:ポリエチレン系POF-120A、ロンシール社製、25°Cでの貯蔵弾性率:100MPa、フィルム厚:80μm、コロナ処理なし、表面自由エネルギー:25mNm、軟化温度:100°C基材B:水添SBR含有ポリプロピレン系軟質ダイナソフト、JSRトレーディング社製、25°Cでの貯蔵弾性率:200MPa、フィルム厚:80μm、コロナ処理なし、表面自由エネルギー:30mNm、軟化温度:140°C基材C:ポリエステル系極性基入りダイナソフト、JSRトレーディング社製、25°Cでの貯蔵弾性率:200MPa、フィルム厚:80μm、コロナ処理なし、表面自由エネルギー:36mNm、軟化温度:140°C。基材D:ポリエステル系超ソフトPBTポリブチレンテレフタレート骨格含有ポリマ、JSRトレーディング社製、25°Cでの貯蔵弾性率:600MPa、フィルム厚:80μm、コロナ処理なし、表面自由エネルギー:38mNm、軟化温度:220°C基材E:ポリプロピレン系パイレンフィルムOTP2111、東洋紡社製、25°Cでの貯蔵弾性率:2000MPa、フィルム厚:30μm、コロナ処理なし<粘接着剤組成物>上記で得られたポリイミド樹脂PI-1~PI-2を用いて、下記表1に示す組成比単位:質量部にて各成分を配合し、実施例1~10及び比較例1~2の粘接着剤組成物粘接着剤層形成用ワニスを得た。表1,2において、各記号は下記のものを意味する。1032H60:ジャパンエポキシレジン社製、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂5重量減少温度:350°C、固形エポキシ、軟化点60°C。EXA―4710:DIC社製、ナフタレン型エポキシ樹脂5重量減少温度:400°C、固形エポキシ、軟化点95°C。HP―7200::DIC社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂5重量減少温度:300°C、固形エポキシ、軟化点60°C。YDF-8170C:東都化成社製、ビスフェノールF型ビスグリシジルエーテル5重量減少温度:270°C、液状エポキシ。2PHZ-PW:四国化成社製、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール平均粒子径:約3μm。NMP:関東化学社製、N-メチル-2-ピロリドン<半導体用粘接着シート>以下に示す方法で、表1,2に示す構成を有する各実施例及び比較例の半導体用粘接着シートを作製した。まず、得られた粘接着剤組成物を、アプリケーターYBA-5型、ヨシミツ精機社製を用いて乾燥後に所定の厚さとなるように、第一基材1上に塗布し、オーブン中にて80°Cで20分間加熱し、続いて120°Cで20分間加熱して粘接着剤層2を形成した。得られた第一基材1付き粘接着剤層2を第二基材3に対向させ、第一基材1付き粘接着剤層2を70°Cに加熱しながら第二基材3にロールで加圧線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分した。これにより、第一基材1粘接着剤層第二基材3からなる半導体用粘接着シートを得た。なお、実施例1~9及び比較例1~2では、第一基材1として、PETフィルムA31帝人デュポンフィルム製、50μm厚、表面自由エネルギー:13mNm、25°Cでの貯蔵弾性率:2.5GPaを用いた。実施例10では、第一基材1として、PETフィルムA53帝人デュポンフィルム製、50μm厚、表面自由エネルギー:26mNm、25°Cでの貯蔵弾性率:2.5GPaを用いた。<評価試験>フィルム形成性前記粘接着シートの作製方法と同様にして、アプリケーターYBA-5型、ヨシミツ精機社製を用いて200mm×200mmの大きさの粘接着シートを作製してフィルム形成性を目視評価した。シート内にピンホールやはじきが観測されなかったものをA、直径1cm以上のピンホールやはじきが観測されたものをCとした。評価結果を表1,2に示す。粘接着剤層の表面自由エネルギー粘接着剤層に対して水、グリセリン及びホルムアミドをプローブ液体としたときの接触角を接触角計DropMaster500、協和界面科学社製を用いて、液適量1μL、測定温度25°Cにて測定し、接触角計に搭載の解析ソフトFAMAS、協和界面科学社製を用いて酸-塩基法により求めた。結果を表1,2に示す。なお、表中の表面エネルギーとは、表面自由エネルギーと同義である。[第一基材1粘接着剤層2間密着性]上記方法で作製した第一基材1付き粘接着剤層を幅1cm、長さ4cmの短冊状に切断し、6インチシリコンウエハ厚さ400μmの裏面に対して、温度50°Cで、粘接着剤層をシリコンウエハ側にしてロールで加圧線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分することによりサンプルを作製した。得られたサンプルのシリコンウエハ部分を固定し、第一基材1の端部を一部はく離させて第一基材1を粘接着剤層2から90度引張はく離試験を行って得られた値の最大値をピールはく離強度Xとした。測定装置は株式会社東洋精機製作所社製ストログラフE-S剥離速度500mm/min、25°Cを使用した。結果を表1,2に示す。なお、表中の基材1/接着層2間密着性は、ピールはく離強度Xと同義である。[第二基材3粘接着剤層2間密着性]前記方法で作製した第三基材3付き粘接着剤層を幅1cm、長さ4cmの短冊状に切断し、6インチシリコンウエハ厚さ400μmの裏面に対して、温度50°Cで、粘接着剤層をシリコンウエハ側にしてロールで加圧線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分することによりサンプルを作製した。得られたサンプルのシリコンウエハ部分を固定し、第三基材3の端部を一部はく離させて第三基材3を粘接着剤層2から90度引張はく離試験を行って得られた値の最大値をピールはく離強度Yとした。測定装置は株式会社東洋精機製作所社製ストログラフE-S剥離速度500mm/min、25°Cを使用した。結果を表1,2に示す。なお、表中の基材3/接着層2間密着性は、ピールはく離強度Yと同義である。転写性上記方法で作製した第一基材1粘接着剤層第二基材3からなる粘接着シートから、第一基材1を25°Cではく離し、粘接着剤層が第二基材3に転写したものをA、転写しなかったものをCとした。結果を表1,2に示す。[SUS密着性]SUS304板厚さ500μmに対して、幅1cm、長さ4cmの短冊状の第二基材3とそれに転写した粘接着剤層とからなる粘接着シートを温度25°Cで、粘接着剤層をSUS側にしてロールで加圧線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分することにより長さ2cm部分がSUSに固定されたサンプルを作製した。得られたサンプルのSUSに貼付されていない粘接着シート部分を治具で固定してSUSに対する90度引張強度を測定して得られた値の最大値を密着強度とした。測定装置は株式会社東洋精機製作所社製ストログラフE-S剥離速度500mm/min、25°Cを使用した。[SUSはく離性]上記SUS密着性の測定サンプルのSUSに貼付されていない粘接着シート部分を治具で固定してSUSから90°Cではく離し、粘接着剤層が残存しなかったものをA、粘接着剤層が残存したものをCとした。測定装置は株式会社東洋精機製作所社製ストログラフE-S剥離速度1000mm/min、25°Cを使用した。結果を表1,2に示す。[ダイシング、ピックアップ性]前記方法で作製した粘接着剤層と第二基材3とからなる粘接着シートを、50°Cに加熱された厚さ100μmの6インチシリコンウエハ、及び25°Cのダイシングリングに対して、ロール加圧線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分により貼付し、粘接着剤層によってシリコンウエハ及びダイシングリングが固定されたサンプルを作製した。次いで、ダイシング装置に固定して、100mmsecの速度で5mm×5mmにシリコンウエハをダイシングしてチップを形成した後、ピックアップ装置にてチップをピックアップし、ダイシング時のチップ飛び及びピックアップ性を評価した。結果を表1,2に示す。表中のダイシング時のチップ飛びとは、ダイシング時にチップが飛んだ確率/100チップである。表中のピックアップ性とは、ピックアップダイボンダ-により、ダイシング後のチップをピックアップしたときのピックアップできた確率/100チップである。[粘接着剤層の120°Cでの溶融粘度]10μmの粘接着剤層を複数積層して50°Cでロール加圧線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分することにより作製した厚さ100μmのサンプルの120°Cでの溶融粘度を、粘弾性測定装置ARESレオメトリックスサイエンティフィックエフイー株製を用いて測定した。なお、測定プレートは直径20mmの平行プレート、測定条件は昇温5°C/min、測定温度は-50°C~200°C、周波数は1Hzとした。結果を表1,2に示す。[粘接着剤層の熱硬化後の180°Cでの貯蔵弾性率]10μmの粘接着剤層を複数積層して50°Cでロール加圧線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分することにより厚さ100μmのサンプルをテフロンシート上に作製し、150°Cで1時間、次いで180°Cで1時間オーブンで熱硬化した。得られたサンプルを5mm幅の短冊状に切断し、レオメトリックス社製粘弾性アナライザーRSA-2商品名を用いて、昇温速度5°C/min、周波数1Hz、測定温度-50~200°Cの条件で、サンプルの180°Cでの貯蔵弾性率を測定した。結果を表1,2に示す。[260°C接着強度]前記方法で作製した粘接着剤層と第一基材1からなる粘接着シートをシリコンウエハの裏面に50°Cでロール加圧して積層した。得られたサンプルを3mm×3mmの大きさに個片化した。個片化した粘接着剤層付シリコンチップを第一基材1からピックアップし予めダイシングしたシリコンチップ10mm×10mm×0.40mmの鏡面側に積層し、100gfで加圧しながら120°Cで1秒間圧着した。このようにして、シリコンチップ接着剤層シリコンチップからなり、これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。得られたサンプルを、オーブン中で150°C、1時間、次いで180°C、1時間の条件で加熱し、さらに、260°Cの熱盤上で10秒間加熱した後、せん断接着力試験機Dage-4000商品名を用いシリコンウエハ間の接着力260°C接着強度を測定した。測定結果を表1,2に示す。"