"第1の導電型を有する半導体基板であって、一主面の一部分に設けられた第2の導電型を有する第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の表面上に設けられた絶縁層とを有する半導体基板を用意する工程と、前記第1の導電型を有する第2の半導体層を、前記絶縁層の表面上を含んで前記一主面の略全面上に形成する工程と、前記第2の半導体層の前記絶縁層上に位置する一部を除去し、開口部を形成する工程と、前記第2の半導体層をマスクとして前記開口部から露出する前記絶縁層を除去し、前記第1の半導体領域の表面の一部を露出させる工程と、前記第1の半導体領域の表面と、前記第2の半導体層の表面とに電気的に接続する電極を形成する工程と、を備える太陽電池の製造方法。前記第1の半導体領域は、前記一主面の一部分上に形成された第1の半導体層により構成されている、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記半導体基板の前記一主面の実質的に全体が、前記第1の半導体層または前記第2の半導体層により覆われるように前記第2の半導体層を形成する、請求項2に記載の太陽電池の製造方法。前記第1及び第2の半導体層のそれぞれを水素を含むアモルファスシリコンにより形成し、前記絶縁層を、窒化ケイ素、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素により形成する、請求項3に記載の太陽電池の製造方法。前記第1の半導体領域は、前記一主面の一部分に前記第2の導電型のドーパントが拡散されて形成されている、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第2の半導体層の前記絶縁層の上に位置している部分の一部分のエッチングを、アルカリ性のエッチング液を用いて行い、前記開口部から露出する前記絶縁層のエッチングを、酸性のエッチング液を用いて行う、請求項4に記載の太陽電池の製造方法。前記半導体基板の一主面と前記第1及び第2の半導体層のそれぞれとの間に、真性のアモルファスシリコン層を形成する工程を含む、請求項4に記載の太陽電池の製造方法。前記電極を形成する工程は、前記第1の半導体領域の表面上、前記第2の半導体層の表面上及び前記絶縁層の表面上に跨って第1の導電層を形成する工程と、前記第1の導電層の前記絶縁層の上に位置している部分を分断することにより、前記第1の導電層の前記第1の半導体領域の上に形成されている部分と、前記第1の導電層の前記第2の半導体層の上に形成されている部分とを電気的に絶縁する工程とを含む、請求項4に記載の太陽電池の製造方法。前記電極を形成する工程は、前記第1の導電層の前記第1の半導体領域の上に形成されている部分上と、前記第1の導電層の前記第2の半導体層の上に形成されている部分上とのそれぞれの上に、第2の導電層を形成する工程を含む、請求項8に記載の太陽電池の製造方法。第1の導電型を有する第1の半導体領域と、第2の導電型を有する第2の半導体領域と、を有する半導体基板を用意する工程と、前記第1の半導体領域の表面と、前記第2の半導体層の表面とに電極を形成する工程と、を備え、前記電極を形成する工程は、スパッタリング法またはCVD法によって、透光性導電酸化物からなる第1の導電層を形成する工程と、めっき法によって、金属または合金からなる第2の導電層を形成する工程と、を備える、太陽電池の製造方法。第1の導電層を形成する工程と第2の導電層を形成する工程との間に、スパッタリング法またはCVD法によって、金属や合金からなる第3の導電層を形成する工程を備える、請求項10に記載の太陽電池の製造方法。前記第1の導電層の厚みは、前記第2の導電層の厚みより薄く形成する、請求項11に記載の太陽電池の製造方法。前記第1の導電層はITOを含み、前記第2の導電層および前記第3の導電層はCuを含む、請求項12に記載の太陽電池の製造方法。第1の導電型を有する半導体基板であって、一主面の一部分に第2の導電型を有する第1の半導体領域が設けられている半導体基板と、前記第1の半導体領域の中央部を除く両端部の上に設けられている絶縁層と、前記半導体基板の一主面の前記第1の半導体領域に隣接した部分上と、前記絶縁層の少なくとも一部上に跨って設けられており、前記第1の導電型を有する第2の半導体層と、前記第1の半導体領域の表面上に設けられた第1の電極と、前記第2の半導体層の表面上に設けられた第2の電極と、を備える、太陽電池。前記第1の半導体領域は、前記半導体基板中に前記第2の導電型のドーパントが拡散されることによって形成されている、請求項14に記載の太陽電池。前記第1の半導体領域は、前記半導体基板の一主面の前記一部分上に形成され、前記第2の導電型のドーパントを含む半導体層を有する、請求項14に記載の太陽電池。前記第2の導電型のドーパントを含む半導体層は、水素を含むアモルファスシリコン層である、請求項16に記載の太陽電池。前記第1の半導体領域は、前記半導体基板の一主面と前記第2の導電型のドーパントを含む半導体層との間に配された真性のアモルファスシリコン層を含む、請求項17に記載の太陽電池。前記第2の半導体層は、水素を含むアモルファスシリコン層である、請求項14に記載の太陽電池。前記第2の半導体層と、前記半導体基板の一主面との間に配された真性のアモルファスシリコン層を備える、請求項19に記載の太陽電池。特許文献1に記載の裏面接合型の太陽電池の製造方法では、被覆層102のエッチングによる除去に長い時間を要する。このため、裏面接合型の太陽電池の製造に要する時間が長くなる。また、被覆層102をエッチングにより確実に除去することが困難である。本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、光電変換効率が高い裏面接合型の太陽電池を容易に製造し得る方法及び光電変換効率が高く、かつ容易に製造し得る裏面接合型の太陽電池を提供することにある。本発明に係る第1の太陽電池の製造方法では、第1の導電型を有する半導体基板であって、一主面の一部分に設けられた第2の導電型を有する第1の半導体領域と、第1の半導体領域の表面上に設けられた絶縁層とを有する半導体基板を用意する。第1の導電型を有する第2の半導体層を、絶縁層の表面上を含んで一主面の略全面上に形成する。第2の半導体層の絶縁層上に位置する一部を除去し、開口部を形成する。第2の半導体層をマスクとして開口部から露出する絶縁層を除去し、第1の半導体領域の表面の一部を露出させる。第1の半導体領域の表面と、第2の半導体層の表面とに電気的に接続する電極を形成する。本発明に係る第2の太陽電池の製造方法では、第1の導電型を有する第1の半導体領域と、第2の導電型を有する第2の半導体領域とを有する半導体基板を用意する。第1の半導体領域の表面と、第2の半導体層の表面とに電極を形成する。電極を形成する工程において、スパッタリング法またはCVD法によって、透光性導電酸化物からなる第1の導電層を形成する。めっき法によって、金属または合金からなる第2の導電層を形成する。本発明に係る太陽電池は、半導体基板と、絶縁層と、第2の半導体層と、第1の電極と、第2の電極とを備えている。半導体基板は、第1の導電型を有する半導体基板である。半導体基板の一主面の一部分に第2の導電型を有する第1の半導体領域が設けられている。絶縁層は、第1の半導体領域の中央部を除く両端部の上に設けられている。第2の半導体層は、半導体基板の一主面の第1の半導体領域に隣接した部分上と、絶縁層の少なくとも一部上に跨って設けられている。第2の半導体層は、第1の導電型を有する。第1の電極は、第1の半導体領域の表面上に設けられている。第2の電極は、第2の半導体層の表面上に設けられている。本発明によれば、光電変換効率が高い裏面接合型の太陽電池を容易に製造し得る方法及び光電変換効率が高く、かつ容易に製造し得る裏面接合型の太陽電池を提供することができる。以下、本発明の好ましい実施形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる一例である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。《第1の実施形態》太陽電池1の構成まず、本実施形態において製造される太陽電池1の構成について、図1及び図2を参照しながら詳細に説明する。太陽電池1は、裏面接合型の太陽電池である。なお、本実施形態の太陽電池1単体では、十分に大きな出力が得られない場合は、太陽電池1は、複数の太陽電池1が配線材により接続された太陽電池モジュールとして利用されることもある。太陽電池1は、半導体基板10を備えている。半導体基板10は、受光面10aと、裏面10bとを有する。半導体基板10は、受光面10aにおいて、光11を受光することによってキャリアを生成する。ここで、キャリアとは、光が半導体基板10に吸収されることにより生成される正孔及び電子のことである。半導体基板10は、n型またはp型の導電型を有する結晶性半導体により構成されている。結晶性半導体の具体例としては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコンなどの結晶シリコンが挙げられる。もっとも、本発明においては、半導体基板は、結晶性半導体からなる基板に限定されない。本発明においては、半導体基板は、例えば、GaAsやInPなどからなる化合物半導体からなる基板などであってもよい。以下、本実施形態では、半導体基板10がn型の単結晶シリコンにより構成されている例について説明する。半導体基板10の受光面10aの上には、真性な非晶質半導体以下、真性な半導体をi型半導体とする。からなるi型非晶質半導体層17iが設けられている。本実施形態においては、i型非晶質半導体層17iは、具体的には、水素を含むi型のアモルファスシリコンからなる。i型非晶質半導体層17iの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。i型非晶質半導体層17iの厚みは、例えば、数Å~250Å程度とすることができる。なお、本発明において、非晶質半導体には、微結晶半導体を含むものとする。微結晶半導体とは、非晶質半導体中に多数の微小な結晶粒を有する半導体をいう。結晶粒の平均粒子径は、例えば1nm~50nmの範囲内である。i型非晶質半導体層17iの上には、半導体基板10と同じ導電型を有するn型非晶質半導体層17nが設けられている。本実施形態では、このn型非晶質半導体層17nと、上記i型非晶質半導体層17iとによってパッシベーション膜が構成されている。このため、本実施形態では、パッシベーション膜は、水素を含むアモルファスシリコン層から構成されている。n型非晶質半導体層17nは、n型のドーパントが添加されており、n型の導電型を有する非晶質半導体層である。具体的には、本実施形態では、n型非晶質半導体層17nは、水素を含むn型アモルファスシリコンからなる。n型非晶質半導体層17nの厚みは、特に限定されない。n型非晶質半導体層17nの厚みは、例えば、20Å~500Å程度とすることができる。n型非晶質半導体層17nの上には、反射防止膜としての機能と保護膜としての機能とを兼ね備えた絶縁層16が設けられている。絶縁層16は、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などにより形成することができる。また、絶縁層16は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などからなる複数の膜の積層体により構成されていてもよい。絶縁層16の厚みは、付与しようとする反射防止特性などに応じて適宜設定することができる。絶縁層16の厚みは、例えば80nm~1μm程度とすることができる。上記のi型非晶質半導体層17i、n型非晶質半導体層17n及び絶縁層16の積層構造は、半導体基板10のパッシベーション層としての機能及び反射防止膜としての機能を有する。光11は、i型非晶質半導体層17i、n型非晶質半導体層17n及び絶縁層16の積層構造を透過し、半導体基板10に入射する。半導体基板10の裏面10bの上には、半導体基板10とは異なる導電型を有するp型非晶質半導体層12pと、半導体基板10と同じ導電型を有するn型非晶質半導体層13nとが設けられている。本実施形態では、第1の半導体層としてのp型非晶質半導体層12pにより、p型の半導体領域第1の半導体領域が構成されている。n型非晶質半導体層13nによって第2の半導体層が構成されている。p型非晶質半導体層12pの裏面10bと接触している部分と、n型非晶質半導体層13nの裏面10bと接触している部分とは、x方向に交互に配列されている。x方向において隣り合うp型非晶質半導体層12pとn型非晶質半導体層13nとは、互いに接触している。従って、p型非晶質半導体層12pとn型非晶質半導体層13nとによって、半導体基板10の裏面10bの実質的に全体が被覆されている。なお、p型非晶質半導体層12pの幅W1と、n型非晶質半導体層13nの間隔W2とのそれぞれは、例えば、100μm~1.5mm程度とすることができる。幅W1と間隔W2とは、互いに等しくてもよいし、異なっていてもよいが、幅W1が幅W2よりも大きいことが好ましい。具体的には、幅W1は、幅W2の1.1倍以上であることが好ましく、1.5倍以上であることがより好ましい。p型非晶質半導体層12pは、p型のドーパントが添加されており、p型の導電型を有する非晶質半導体層である。具体的には、本実施形態では、p型非晶質半導体層12pは、水素を含むp型のアモルファスシリコンからなる。p型非晶質半導体層12pの厚みは、特に限定されない。p型非晶質半導体層12pの厚みは、例えば、20Å~500Å程度とすることができる。本実施形態では、p型非晶質半導体層12pと裏面10bとの間には、例えば数Å~250Å程度の、発電に実質的に寄与しない程度の厚みのi型非晶質半導体層12iが設けられている。本実施形態では、i型非晶質半導体層12iは、水素を含むi型のアモルファスシリコンからなる。このi型非晶質半導体層12iを設けることにより、キャリアの再結合をより抑制することができる。p型非晶質半導体層12pの方向xにおける中央部を除く両端部の上には、絶縁層18が設けられている。p型非晶質半導体層12pの方向xにおける中央部は、絶縁層18から露出している。絶縁層18の方向xにおける幅W3は特に限定されず、例えば、幅W1の約1/3程度とすることができる。また、絶縁層18間の方向xにおける間隔W4も特に限定されず、例えば、幅W1の約1/3程度とすることができる。絶縁層18の材質は、特に限定されない。絶縁層18は、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などにより形成することができる。なかでも、絶縁層18は、窒化ケイ素により形成されていることが好ましい。また、絶縁層18は、水素を含まないことが好ましい。n型非晶質半導体層13nは、裏面10bのp型非晶質半導体層12pから露出した部分と、絶縁層18の端部上とに跨って設けられている。すなわち、n型非晶質半導体層13nは、裏面10bのp型非晶質半導体層12pにより構成されている第1の半導体領域に隣接した部分と、絶縁層18の端部上とに跨って設けられている。このため、n型非晶質半導体層13nのx方向における両端部は、p型非晶質半導体層12pと、絶縁層18を介して厚み方向z方向に重なっている。n型非晶質半導体層13nには、n型のドーパントが添加されている。このため、n型非晶質半導体層13nは、半導体基板10と同じn型の導電型を有する。具体的には、本実施形態では、n型非晶質半導体層13nは、水素を含むn型アモルファスシリコンからなる。n型非晶質半導体層13nの厚みは、特に限定されない。n型非晶質半導体層13nの厚みは、例えば、20Å~500Å程度とすることができる。本実施形態では、n型非晶質半導体層13nと、裏面10b及び絶縁層18との間には、例えば数Å~250Å程度の、発電に実質的に寄与しない程度の厚みのi型非晶質半導体層13iが設けられている。本実施形態では、i型非晶質半導体層13iは、水素を含むi型のアモルファスシリコンからなる。このi型非晶質半導体層13iを設けることにより、キャリアの再結合を一層抑制することができる。なお、本発明において、このi型非晶質半導体層13i及び上記i型非晶質半導体層12iは必須の構成要件ではない。本発明においては、半導体基板とn型またはp型の半導体層との間に、i型の半導体層が設けられていなくてもよい。n型非晶質半導体層13nの上には、電子を収集するn側電極第2の電極15が設けられている。一方、p型非晶質半導体層12pの上には、正孔を収集するp側電極第1の電極14が設けられている。p側電極14とn側電極15とは、絶縁層18の上で電気的に絶縁されている。なお、絶縁層18の上におけるn側電極15とp側電極14との間の間隔W5は、例えば、幅W3の1/3程度とすることができる。本実施形態においては、n側電極15及びp側電極14のそれぞれは、バスバー及び複数のフィンガーを含むくし歯状電極により構成されている。もっとも、n側電極15及びp側電極14のそれぞれは、複数のフィンガーのみにより構成されており、バスバーを有さない所謂バスバーレス型の電極であってもよい。n側電極15及びp側電極14のそれぞれの構成は、半導体基板10内で発生するキャリアを収集できるものである限りにおいて特に限定されない。本実施形態においては、n側電極15とp側電極14とのそれぞれは、第1~第4の導電層19a~19dの積層体により構成されている。第1の導電層19aは、例えば、ITOインジウム錫酸化物などの透光性導電酸化物TCO:TransparentConductiveOxide等により形成することができる。具体的には、本実施形態では、第1の導電層19aは、ITOにより形成されている。第1の導電層19aの厚みは、例えば、50~100nm程度とすることができる。第2~第4の導電層19b~19dは、例えばCuなどの金属や合金により形成することができる。具体的には、本実施形態では、第2及び第3の導電層19b、19cのそれぞれは、Cuにより形成されている。第4の導電層19dは、Snにより形成されている。第2~第4の導電層19b~19dの厚みは、それぞれ、例えば、50nm~1μm程度、10μm~20μm程度、1μm~5μm程度とすることができる。なお、第1~第4の導電層19a~19dの形成方法は特に限定されず、例えば、スパッタリング法やCVD法などの薄膜形成方法やめっき法などにより形成することができる。具体的には、本実施形態では、第1及び第2の導電層19a、19bが薄膜形成法により形成された膜で、第3及び第4の導電層19c、19dがめっき法により形成された膜である。次に、図3~図12を主として参照しながら、本実施形態の太陽電池1の製造方法について説明する。まず、半導体基板10を用意する。次に、ステップS1において、半導体基板10の受光面10a及び裏面10bの洗浄を行う。半導体基板10の洗浄は、例えば、HF水溶液などを用いて行うことができる。なお、このステップS1において、受光面10aにテクスチャ構造を形成しておくことが好ましい。次に、ステップS2において、半導体基板10の受光面10aの上にi型非晶質半導体層17iとn型非晶質半導体層17nとを形成すると共に、裏面10bの上にi型非晶質半導体層21とp型非晶質半導体層22とを形成する。i型非晶質半導体層17i,21及びn型非晶質半導体層17n,p型非晶質半導体層22のそれぞれの形成方法は、特に限定されない。i型非晶質半導体層17i,21及びn型非晶質半導体層17n,p型非晶質半導体層22のそれぞれは、例えば、プラズマCVD法等のCVDChemicalVaporDeposition法により形成することができる。次に、ステップS3において、n型非晶質半導体層17nの上に絶縁層16を形成すると共に、p型非晶質半導体層22の上に絶縁層23を形成する。なお、絶縁層16,23の形成方法は特に限定されない。絶縁層16,23は、例えば、スパッタリング法やCVD法等の薄膜形成法などにより形成することができる。次に、ステップS4において、絶縁層23をエッチングすることにより、絶縁層23の一部分を除去する。具体的には、絶縁層23のうち、後の工程で半導体基板10にp型半導体層を接合させる領域の上に位置する部分を除去する。なお、絶縁層23のエッチングは、絶縁層23が酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる場合は、例えば、HF水溶液等の酸性のエッチング液を用いて行うことができる。次に、ステップS5において、ステップS4においてパターニングした絶縁層23をマスクとして用いて、i型非晶質半導体層21とp型非晶質半導体層22とを、アルカリ性のエッチング液を用いてエッチングすることにより、i型非晶質半導体層21及びp型非晶質半導体層22の絶縁層23により覆われている部分以外の部分を除去する。これにより、裏面10bのうち、上方に絶縁層23が位置していない部分を露出させると共に、半導体層21,22から、i型非晶質半導体層12iとp型非晶質半導体層12pとを形成する。ここで、上述の通り、本実施形態では、絶縁層23が酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる。このため、酸性のエッチング液による絶縁層23のエッチング速度は高いものの、アルカリ性のエッチング液による絶縁層23のエッチング速度は低い。一方、半導体層21,22は非晶質シリコンからなる。このため、半導体層21,22に関しては、酸性のエッチング液によるエッチング速度が低く、アルカリ性のエッチング液によるエッチング速度が高い。このため、ステップS4において用いた酸性のエッチング液によって、絶縁層23はエッチングされるものの、半導体層21,22は、実質的にエッチングされない。一方、ステップS5において用いたアルカリ性のエッチング液によって半導体層21,22はエッチングされるものの、絶縁層23は実質的にエッチングされない。従って、ステップS4及びステップS5において、絶縁層23または半導体層21,22を選択的にエッチングすることができる。以上のように、ステップS1~S5によって、導電型が半導体基板10とは異なるp型であり、裏面10bの一部分に、p型非晶質半導体層12pにより構成されているp型の半導体領域が設けられており、さらにそのp型の半導体領域を覆う絶縁層23が設けられている半導体基板10を用意する。次に、ステップS6において、絶縁層23の表面上を含んで裏面10bの略全面上に、i型非晶質半導体層24とn型非晶質半導体層25とをこの順番で順次形成する。非晶質半導体層24,25の形成方法は特に限定されない。非晶質半導体層24,25は、例えば、CVD法などの薄膜形成法により形成することができる。次に、ステップS7において、非晶質半導体層24,25の絶縁層23の上に位置している部分の一部分をエッチングにより除去し、開口部を形成する。これにより、非晶質半導体層24,25からi型非晶質半導体層13iとn型非晶質半導体層13nとを形成する。このステップS7においては、非晶質半導体層24,25に対するエッチング速度が絶縁層23に対するエッチング速度よりも大きな第1のエッチング剤を使用する。このため、絶縁層23と非晶質半導体層24,25のうち、非晶質半導体層24,25が選択的にエッチングされる。第1のエッチング剤は、非晶質半導体層24,25に対するエッチング速度が絶縁層23に対するエッチング速度の1.1倍以上、好ましくは1.5倍以上、より好ましくは2倍以上、さらに好ましくは5倍以上であるエッチング剤であることが好ましい。さらには、第1のエッチング剤は、非晶質半導体層24,25をエッチングする一方、絶縁層23を実質的にエッチングしないものであることが好ましい。このような第1のエッチング剤の具体例としては、非晶質半導体層24,25がシリコンからなり、絶縁層23が酸化ケイ素、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素からなる場合は、例えば、NaOHを含むNaOH水溶液や、KOHを含むKOH水溶液などのアルカリ性水溶液、硝酸とアンモニアとの混酸などが挙げられる。また、第1のエッチング剤は、液体、すなわちエッチング液である必要は必ずしもない。第1のエッチング剤は、例えばガスであってもよい。第1のエッチング剤として好ましく用いられるエッチングガスの具体例としては、例えば、Cl2とHeとの混合ガスやXeF2ガスなどが挙げられる。なお、本発明において、エッチング液には、ペースト状のエッチングペーストや粘度が調製されたエッチングインクが含まれるものとする。次に、ステップS8において絶縁層23のエッチングを行う。具体的には、ステップS7におけるエッチングにより一部分が除去された非晶質半導体層24,25からなる非晶質半導体層13i、13pをマスクとして、開口部から露出する絶縁層23を、第2のエッチング剤を用いてエッチングにより除去し、p型非晶質半導体層12pの表面の一部を露出させる。これにより、絶縁層23にコンタクトホールを形成してp型非晶質半導体層12pを露出させると共に、絶縁層23から絶縁層18を形成する。このステップS8においては、絶縁層23に対するエッチング速度が非晶質半導体層24,25に対するエッチング速度よりも大きな第2のエッチング剤を使用する。このため、絶縁層23と非晶質半導体層24,25のうち、絶縁層23が選択的にエッチングされる。第2のエッチング剤は、絶縁層23に対するエッチング速度が非晶質半導体層24,25に対するエッチング速度の1.1倍以上、好ましくは1.5倍以上、より好ましくは2倍以上、さらに好ましくは5倍以上であるエッチング剤であることが好ましい。さらには、第2のエッチング剤は、絶縁層23をエッチングする一方、非晶質半導体層24,25を実質的にエッチングしないものであることが好ましい。このような第2のエッチング剤の具体例としては、非晶質半導体層24,25がシリコンからなり、絶縁層23が酸化ケイ素、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素からなる場合は、例えば、HFを含むHF水溶液や、リン酸水溶液などの酸性水溶液などが挙げられる。また、第2のエッチング剤も、第1のエッチング剤と同様に、液体、すなわちエッチング液である必要は必ずしもない。第2のエッチング剤は、例えばガスであってもよい。第2のエッチング剤として好ましく用いられるエッチングガスの具体例としては、例えば、SF6とHeとの混合ガスやCF4とCHF3とHeとの混合ガス、HFガスなどが挙げられる。なかでも、第2のエッチング剤としては、HF水溶液が好ましく用いられる。この場合、下記のステップS9における電極形成の前に、電極形成面の酸化皮膜の除去も行うことができるためである。次に、ステップS9において、p型非晶質半導体層12p及びn型非晶質半導体層13nのそれぞれの上にn側電極15及びp側電極14を形成する電極形成工程を行うことにより、太陽電池1を完成させることができる。n側電極15及びp側電極14の形成方法は、電極の材質に応じて適宜選択することができる。詳細には、本実施形態では、以下のようにしてn側電極15及びp側電極14が形成される。まず、図11に示すように、TCOからなる導電層26と、Cuなどの金属や合金からなる導電層27とを、プラズマCVD法等のCVDChemicalVaporDeposition法やスパッタリング法等の薄膜形成法によりこの順番で形成する。次に、図12に示すように、導電層26,27の絶縁層18の上に位置している部分を分断する。これにより、導電層26,27から第1及び第2の導電層19a、19bが形成される。なお、導電層26,27の分断は、例えばフォトリソグラフィー法などにより行うことができる。以上のように、本実施形態では、第1の導電層19aのp型非晶質半導体層12pの上に配された部分を形成する工程と、第1の導電層19aのn型非晶質半導体層13nの上に配された部分を形成する工程とを同時に行う。次に、p型非晶質半導体層12p及びn型非晶質半導体層13nのそれぞれの上に形成されている第1及び第2の導電層19a、19bの上に、めっきにより、Cuからなる第3の導電層19cと、Snからなる第4の導電層19dとを順次形成することにより、図2に示すn側電極15とp側電極14とを完成させることができる。以上説明したように、n型非晶質半導体層13nは、半導体基板10との間で半導体接合を形成する機能と、絶縁層18にコンタクトホールを形成するためのマスク層としての機能とを有する。換言すると、本実施形態によれば、半導体基板10との間で半導体接合を形成するための半導体層とコンタクトホール形成用のマスク層とを同一の工程で形成している。このため、太陽電池1の製造時間を短縮することができる。また、本実施形態では、第1のエッチング剤により非晶質半導体層24,25の絶縁層23の上に位置する部分の一部分を選択的にエッチングする。そして、そのエッチングされた非晶質半導体層24をマスクとして用いて、第2のエッチング剤により絶縁層23の一部分をエッチングにより除去することによりp型非晶質半導体層12pを露出させる。このため、例えば、非晶質半導体層24,25に覆われた状態の絶縁層23を、絶縁層23をエッチング可能なエッチング剤によりエッチングすることにより除去し、p型非晶質半導体層12pを露出させる場合とは異なり、絶縁層23及び非晶質半導体層24,25を迅速かつ容易にエッチングすることができる。実際に、本実施形態の方法を用いた場合に絶縁層23及び非晶質半導体層24,25のエッチングに要した時間は、非晶質半導体層24,25に覆われた状態の絶縁層23を、絶縁層23をエッチング可能なHFによりエッチングすることにより除去するのに要した時間の約1/7~1/12程度であった。従って、太陽電池1を短い製造時間で容易に製造することができる。なお、例えば、1種類のエッチング剤を用いて絶縁層23と非晶質半導体層24,25とを同時にエッチングすることによりp型非晶質半導体層12pを露出させることも考えられる。しかしながら、通常、非晶質半導体層24,25をエッチング可能なエッチング剤は、非晶質半導体層12i、12nもエッチング可能である。このため、1種類のエッチング剤を用いて絶縁層23と非晶質半導体層24,25とを同時にエッチングしようとすると、絶縁層23の下の非晶質半導体層12i、12nまでエッチングされてしまうこととなる。従って、エッチングにより絶縁層23と非晶質半導体層24,25との一部を除去することによりp型非晶質半導体層12pを露出させることは、本実施形態のように、選択的エッチングが可能な第1及び第2のエッチング剤を用いて初めて行えることである。本実施形態では、絶縁層23を、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンにより形成する。このため、絶縁層23から形成される絶縁層18は、高いガスバリア性を有する。従って、耐候性に優れた太陽電池1を製造することができる。より良好な耐候性を実現する観点からは、絶縁層23を、窒化シリコンにより形成することがより好ましい。また、絶縁層23が水素を含んでいる場合は、酸性のエッチング液に対する絶縁層23の溶解性がより高くなる。よって、絶縁層23の選択エッチング性をより高めることができる。従って、絶縁層23のエッチング時におけるp型非晶質半導体層12pやn型非晶質半導体層13nの損傷を抑制することができる。その結果、より優れた光電変換効率を有する太陽電池1を製造することができる。また、本実施形態では、結晶性半導体からなる半導体基板10の裏面10bの実質的に全体が、p型非晶質半導体層12p及びn型非晶質半導体層13nにより覆われるようにn型非晶質半導体層13nを形成する。このため、結晶性半導体からなる半導体基板10の裏面10bが実質的に露出していない。従って、半導体基板10の裏面10bにおける少数キャリアであるホールが再結合し難い。従って、得られる太陽電池1の光電変換効率をさらに高めることができる。本実施形態では、薄膜形成法により形成された第1及び第2の導電層19a、19bを分断した後に、めっきにより第3及び第4の導電層19c、19dを形成する。このため、例えば第1~第4の導電層19a~19dの全てを形成した後にn側電極15とp側電極14とに分断する場合よりも、電極の分断を容易かつ短時間で行うことができる。また、第1及び第2の導電層19a、19bの分断を絶縁層18の上で行うため、第1及び第2の導電層19a、19bの分断時にp型非晶質半導体層12pやn型非晶質半導体層13nが損傷しにくい。また、本実施形態では、p型非晶質半導体層12p及びn型非晶質半導体層13nの実質的に全体が絶縁層18、n側電極15及びp側電極14により覆われるように、絶縁層18、n側電極15及びp側電極14を形成する。従って、本実施形態の製造方法によれば、ガスバリア性や耐候性により優れた太陽電池1を製造することができる。ところで、本実施形態では、半導体基板10がn型であるため、少数キャリアは、ホールとなる。このため、太陽電池1の光電変換効率を高める観点からは少数キャリアであるホールの再結合による消失を抑制することが重要となる。ここで、少数キャリアが収集されるp型非晶質半導体層12pの下方で生成した少数キャリアは、p側電極14により集電されるまでの移動距離が短い。このため、p型非晶質半導体層12pの下方で生成した少数キャリアは、p側電極14に収集されるまでに再結合により消失し難い。一方、多数キャリアである電子が収集されるn型非晶質半導体層13nの下方で生成した少数キャリアは、p側電極14により集電されるまでに移動しなければならない距離が長い。このため、n型非晶質半導体層13nの下方で生成した少数キャリアは、p側電極14に収集されるまでに再結合により消失しやすい。従って、少数キャリアの再結合を抑制する観点からは、n型非晶質半導体層13n及びp型非晶質半導体層12pの幅を小さくすると共に、n型非晶質半導体層13nの幅をp型非晶質半導体層12pに対して相対的に小さくすることが好ましい。そうすることにより、少数キャリアが電極14,15により収集されるまでに移動しなければならない距離を短くすることができる。しかしながら、絶縁層の下に位置している半導体層には、絶縁層を設けるための領域、電極と半導体層とを接触させるための領域を設ける必要がある。このため、絶縁層の下に位置している半導体層は、それほど幅を小さくすることはできない。よって、例えば、絶縁層の下に位置している半導体層をn型非晶質半導体層とした場合は、n型非晶質半導体層の幅を十分に小さくすることができない。従って、光電変換効率を十分に高めることができない。それに対して本実施形態では、絶縁層18の下にp型非晶質半導体層12pが位置しており、n型非晶質半導体層13nの上には、絶縁層が形成されていない。このため、n型非晶質半導体層13nの幅を、p型非晶質半導体層12pに対して相対的に小さくすることが容易になる。従って、n型非晶質半導体層13nの下方で生成した正孔がp側電極14により収集されるまでに移動しなければならない距離を短くすることができる。その結果、少数キャリアの再結合を抑制することができる。よって、太陽電池1の光電変換効率を改善することができる。また、光電変換効率をさらに改善する観点からは、幅W1が幅W2の1.1倍以上であることが好ましく、1.5倍以上であることがより好ましい。なお、本実施形態では、半導体基板10がn型であるため、絶縁層18の下に位置する半導体層をp型にすることが好ましいが、半導体基板がp型である場合は、絶縁層の下に位置する半導体層をn型にすることが好ましい。すなわち、半導体層の下に位置する半導体層は、半導体基板とは異なる導電型を有していることが好ましい。以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例について説明する。但し、以下の説明において、上記第1の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。《第2の実施形態》図13は、第2の実施形態における太陽電池の略図的断面図である。上記第1の実施形態では、図2に示すように、半導体基板10として、n型の導電型を有する結晶性半導体基板を用い、半導体基板10の上にp型非晶質半導体層12pを形成する例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図13に示すように、n型の結晶性半導体基板30の裏面30b側の部分の一部分にp型のドーパントを熱拡散させることにより、結晶性半導体基板30の裏面30bの部分にp型の熱拡散領域からなる半導体領域31pを形成するようにしてもよい。本実施形態においても、半導体領域31pを形成した後は、上記第1の実施形態と同様に、図3に示すステップS6~ステップS9を行うことにより、太陽電池を完成させることができる。また、本実施形態の太陽電池でも、半導体領域31pを相対的に大きくでき、かつ、n型非晶質半導体層13nの幅を小さくできるため、高い光電変換効率を実現することができる。"