第1の半導体層と第2の半導体層とで構成され、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは互いに異なる組成、かつ連続した層であり、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは接合し、さらに、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との接合面と対向する両面はそれぞれ電極と接合しており、かつ、前記第1の半導体層と前記電極との接合間と、前記第2の半導体層と前記電極との接合間との少なくとも一方に、面方向に対して所定間隔で配置された複数の孔を有する絶縁体層が含まれ、かつ、前記複数の孔は、導体及び/又は半導体で充填されているとともに、前記複数の孔の中に含まれる前記導体及び/又は前記半導体は、前記複数の孔を有する絶縁体層と隣接する電極と接合していることを特徴とする発光体。前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層は、それぞれ粒子の集合体であることを特徴とする請求項1記載の発光体。特許文献1に記載されたLED表示ユニットは、基板上に配置した複数のチップLEDにより面発光するものである。しかし、このLED表示ユニットは、別個独立の部品としてのチップLEDが基板上に実装、配置されているので、LED表示ユニットが厚みを持ち、かつ、複数のチップLEDからの発熱や、配置されたチップLED間の距離が影響し、面発光体としての輝度ムラが大きくなるおそれがある。本発明は、面発光する発光体の輝度ムラの低減を実現することを目的とする。本発明は、第1の半導体層と第2の半導体層とで構成され、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは互いに異なる組成、かつ、連続した層であり、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは接合し、さらに、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との接合面と対向する両面は電極と接合しており、かつ、前記第1の半導体層と前記電極との接合間と、前記第2の半導体層と前記電極との接合間との少なくとも一方に、面方向に対して所定間隔で配置された複数の孔を有する絶縁体層が含まれ、かつ、前記複数の孔は、導体及び/又は半導体で充填されているとともに、前記複数の孔の中に含まれる前記導体及び/又は前記半導体は、前記複数の孔を有する絶縁体層と隣接する前記電極と接合する発光体である。ここで、互いに異なる組成の半導体層とは、極性の異なる半導体を意味し、N型半導体に対してはP型半導体が、P型半導体に対してはN型半導体と、キャリア対となる関係を意味する。上述した様な本発明の発光体は、第1の半導体層および第2の半導体層は、隣接する電極と接合されるとともに、第1の半導体層及び第2の半導体層とそれぞれ接合する電極との接合間の少なくともどちらか一方に、面方向に対して所定間隔で配置された複数の孔を有する絶縁体層を含む。また、前記複数の孔は、導体及び/又は半導体で充填されており、かつ、電極とも接合している。よって、第1の半導体層と第2の半導体層との接合面を含む連続した発光層は、前記絶縁体層によりそれぞれ電気的に別個独立し、かつ所定間隔で配置された複数の発光部の集合体とみなすことができる。また、発光部を挟んだ積層構造体であることから、複数の発光部それぞれが発光することで擬似的な面発光状態とすることができる。本発明の発光体は、必ずしもこれに限定されるものではないが、複数の発光部で発生した光が連続した半導体層を透過する際に、半導体層または隣接する層ならびにそれら層境界により散乱や反射を起こすので、複数の発光部で発生した光は発光面方向だけでなくあらゆる方向へと放射され、複数の電気的に独立した発光部とそれ以外の領域との明るさの差を少なくし、効果的に輝度ムラを低減できるものと推察している。さらにこのような発光体の構造は、それぞれの発光部で発生した熱を、発光面全体に拡散されるため、放熱効率を高められる効果も有する。本発明において、半導体層は半導体粒子により構成される粒子の集合体であることが好ましい。このような構成とすることにより、さらに輝度ムラを低減できる効果的な発光体となる。また、半導体層を半導体粒子により構成した場合には、複数の発光部で発生した光が連続した半導体層を透過する際に、半導体層を構成する半導体粒子により散乱するので、さらに効果的に輝度ムラを低減できる。本発明において、前記複数の発光部は、所定間隔でほぼ等間隔に配置されることが好ましい。このように、複数の発光部をほぼ等間隔とすることにより、発光部を不規則に配置する場合に比べて、それぞれの発光部との距離が一定となるため、発光体の発光面内における部分的な散乱光の強弱の発生を抑制できるので、より輝度ムラを効率的に抑制することができる。本発明は、面発光する発光体の輝度ムラの低減を実現することができる。以下、本発明を実施するための形態実施形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。図1、図2-1、図2-2は、本実施形態に係る発光体の平面図である。発光体1、1、1は、複数の発光部2を有する平板状の素子である。発光体1、1、1は、複数の電気的に独立した発光部2を同一の面内で発光点発光させることにより、擬似的に面発光する発光素子である。それぞれの発光部2は、LEDLightEmittingDiode:発光ダイオードである。すなわち、発光体1、1、1は、複数のLEDを同一共通の基板基板に作製したものである。この点で、発光体1、1、1は、部品としてのLEDを、例えば、一つの基板に複数実装し取り付けた発光体とは異なる。図1に示す発光体1は、複数の発光部2が、X-Yの二次元座標系において、格子の交点に配列格子状に配列されている。複数の発光部2の配列間隔Pは、等間隔であることが好ましい。等間隔とすることにより、連続した層の面内での散乱光の強度のバラツキを抑制できるので、結果として、発光体1の輝度ムラを抑制できるので好ましい。この例では、X方向に隣接する発光部2の配列間隔XpとY方向に隣接する発光部2の配列間隔Ypとが等しい、すなわち、Xp=Yp=Pである。このようにすれば、それぞれの発光部2を発光させて擬似的に面発光させた場合、発光体1の輝度ムラを低減できるので好ましい。このように、発光体1は、2方向この例ではX方向及びY方向において、複数の発光部2の配列間隔が等しければ、発光体1の輝度ムラ低減の効果を得ることができる。配列間隔Pの範囲としては、発光部2の等価直径をDeDe=4×S/C、Sは柱状部分の断面積、Cは柱状部分の周長とすると、P-De=0.1mm以上10mm以下が好ましい。この配列間隔Pが狭すぎると、発光面に対する発光部が多くなり、発光部からの発熱が増加するおそれがある。また、配列間隔Pが広すぎると、連続した半導体層を構成する粒子による散乱が不十分で、輝度ムラが発生するおそれがある。上述した配列間隔Pの範囲内において、配列間隔Pをより狭くした配列の方が輝度ムラ低減に関してはより効果的である。図2-1に示す発光体1は、複数の発光部2が、X-Yの二次元座標系において、千鳥状に配列されている。複数の発光部2が千鳥配列される場合でも、複数の発光部2の配列間隔Pは、等間隔であることが好ましい。等間隔とすることにより、連続した層の面内での散乱光の強度のバラツキを抑制できるので、結果として、発光体1の輝度ムラを抑制できるので好ましい。発光体1は、隣接する発光部2の配列間隔Pが等しくなっている。このようにすれば、それぞれの発光部2を発光させて擬似的に面発光させた場合、発光体1の輝度ムラを低減できるので好ましい。図2-2に示す発光体1は、隣接する発光部2同士の配列間隔がすべてPとなるように複数の発光部2が配列されている。発光体1は、隣接する3個の発光部2で作られる三角形Sqが正三角形となっている。すなわち、三角形Sqのそれぞれの内角θは、すべて60度である。このようにすれば、隣接する発光部2同士の配列間隔がすべて等しくなるため、それぞれの発光部2を発光させて擬似的に面発光させた場合、発光体1の輝度ムラをより低減できる。次に、発光体1、1、1の内部構造を説明する。以下においては、発光部2の配列は格子状、すなわち、発光体1の発光部2の配列を例とするが、他の配列でも同様である。図3から図7は、本実施形態に係る発光体の断面図である。発光体1は、半導体層4と、基板3と、第1電極6A及び第2電極6Bと、複数の発光部2とを含む。本実施形態において、発光体1は、第2電極6Bの表面に透明の保護層7を有する。半導体層4は、第1の半導体層4A及び第2の半導体層4Bが接合されているとともに、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bは互いに異なる組成、かつ連続した層である。ここで、互いに異なる組成の半導体層とは、極性の異なる半導体を意味し、N型半導体に対してはP型半導体が、P型半導体に対してはN型半導体と、キャリア対となる関係を意味する。また、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bとの少なくともどちらか一方の表面には、面方向に対して等間隔に配置され、かつ導体で充填された複数の孔5AHを有する絶縁体層5Aが接合されている。発光体1においては、第1の半導体層4Aの表面に絶縁体層5Aが接合されており、かつ複数の孔5AHは導体6A2で充填された構造となっている。本実施形態において、第1の半導体層4AはP型半導体であり、第2の半導体層4BはN型半導体である。なお、第1の半導体層4AがN型半導体であり、第2の半導体層4BがP型半導体であってもよい以下同様。尚、半導体層4A、半導体層4Bを構成するそれぞれの粒子サイズは5nm~200nmが好ましい。更に、光散乱の効率を考慮すると20nm~50nmがより好ましい。上述したように、発光体1は、第1の半導体層4Aの表面に、面方向に対して等間隔に配置され、かつ第1の半導体層4Aで充填された複数の孔5AHを有する絶縁体層5Aが接合されている。第1の半導体層4A及び第2の半導体層4Bとの接合部を含む発光層4Iは、絶縁体層5Aにより、複数の通電領域柱状部分4Sに電気的に分割される。複数の通電領域4Sは、円柱形状又は多角柱形状等の柱状の形状となっている。本実施形態では、絶縁体層5Aにより、発光層4Iは複数の通電領域4Sに電気的に分割され、かつ、それぞれの通電領域4Sは発光部2を有している。通電領域4Sは、柱状部分の直径D柱状部分の断面が円形でない場合には等価直径Deが10μm以上1cm以下であることが好ましい。また、半導体層4の厚み基板3の表面と直交する方向における寸法は、50nm以上5000nm以下であることが好ましい。通電体領域4S及び半導体層4の寸法がこのような範囲であれば、発光部2としての抵抗値を抑えられ、かつ電流分布もある程度一定となるため、発光体1の輝度ムラを抑制できるので好ましい。また、半導体層4A、半導体層4Bそれぞれの厚みは、半導体層4の厚みの範囲内であれば、特に限定されない。第1の半導体層4Aは、基板3の表面に形成される電極6A1とその表面に形成される導体6A2と、絶縁体層5Aの表面とに設けられる。電極6A1と導体6A2とで、第1電極6Aが構成される。第1の半導体層4Aは、面方向に対して等間隔に配置された複数の孔5AHを有する絶縁体層5Aと接するとともに、それぞれの複数の孔5AHに充填される導体6A2と接しており、またその反対側の面では第2の半導体層4Bとも接している。もちろん電極6A1と導体6A2は、同じ材料で一体化されてもよいし、また異なった組成でも導電性を持った材料であれば構わない。さらに第2の半導体層4Bの表面には第2電極6Bが設けられる。基板3上に形成された第1電極6Aと、第2の半導体層4Bの表面に設けられた第2電極6Bとを介して、面方向に対して等間隔に配置され、かつ導体6A2で充填された複数の孔5AHを有する絶縁体層5Aにより、半導体層4中に電気的に分割され形成される複数の通電領域4Sに電圧が印加される。このように、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bとの接合面と対向する両面は、それぞれ電極第1電極6A、第2電極6Bと接合している。複数の通電領域4Sはそれぞれ発光部2を有している。より具体的には、発光部2は、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bとの接合部界面の近傍である。すなわち、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4BとでLEDが構成される。本実施形態では、P型半導体である第1の半導体層4Aに正電圧を印加することにより、半導体層4中のそれぞれの通電領域4SのP型半導体である第1の半導体層4AからN型半導体である半導体層4Bに向かって電流が流れ、両者の接合部PN接合部近傍より具体的には禁制帯の近傍で発光する。発光体1は、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bが、連続した層であり半導体粒子により構成される。このため、両者の接合部近傍に形成される複数の発光部2で発光した光は、連続した半導体層を構成する粒子により散乱される。その結果、発光体1は、半導体粒子により構成された連続した半導体層4により輝度ムラが抑制できる。このように、発光体1は、同一の基板3に複数個の発光部2を有しているので、擬似的に面発光する。また、発光体1は、半導体層4と電極との間に、絶縁体層5Aを有している。LEDは、発光素子を大型化すると発熱及び電気特性が低下するという問題がある。この点について、発光体1は、大型化したLEDと比較して、小さな独立したLEDの発光部2を同一の基板3に形成して、擬似的に面発光させているので、面全体が発光部となっている面発光体と比べて発熱量は小さく、また発光面全体で発熱を放熱することができる。このため、発光体1は、全体の発熱を効率的に放熱することができる。また、発光体1は、絶縁体層5Aに、放熱性に優れた樹脂又は酸化物を用いることにより、発光部2で発生した熱は、発光体1の表面へ伝わりやすくなる。その結果、発光体1は、発光に起因する発光体1の昇温が抑制される。また、発光体1の昇温が抑制されることにより、発光体1は、電気特性の低下も抑制される。図4に示す発光体1aは、上述した発光体1と同様であるが、面方向に対して等間隔に配置された複数の孔5BHを有する絶縁体層5Bの位置が変わっている。すなわち、第2の半導体層4Bの表面に、等間隔に配置され、かつ導体6B2で充填された複数の孔5BHを有する絶縁体層5Bが配置される。第1の半導体層4Aと第1電極6Aとが電気的に接続している。また、第2の半導体層4Bは、第2電極6B電気的に接続した電極6B1及び導体6B2全体と電気的に接続しているが、第2の半導体層4Bの表面に設置される絶縁体層5Bにより、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bを含む半導体層4は、各通電領域4Sに電気的に分割され、第1電極6Aと第2電極6Bとを介して半導体層4に電圧が印加されるとき、各通電領域4S周辺にのみ電圧が印加される。この発光体1aも、上述した発光体1と同様の作用、効果が得られる。発光体1、1aに示されるように、本実施形態において、第1の半導体層4A及び第2の半導体層4Bは、互いに異なる組成、かつ連続した層であり、少なくともどちらか一方の層の表面に等間隔に配置され、かつ導体で充填された複数の孔5AH又は5BHを有する絶縁体層5A、5Bを有していればよい。図5に示す発光体1bは、上述した発光体1に、第2の半導体層4B表面に面方向に対して等間隔に配置され、かつ導体6B2で充填された複数の孔5BHを有する絶縁体層5Bを加えたものである。第1の半導体層4Aは第1電極6A電気的に接続した電極6A1及び導体6A2全体に、第2の半導体層は第2電極6Bにそれぞれ電気的に接続しているとともに、それぞれの半導体層と電極との接合間に絶縁体層5A、5Bが設けられる。この絶縁体層5A、5Bが有する導体で充填された複数の孔5AH、5BHは、それぞれの半導体層及び電極に接合している。よって、この絶縁体層5A、5Bにより、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bを含む半導体層4は、各通電領域4Sに電気的に分割され、第1電極6Aと第2電極6Bとを介して半導体層4に電圧が印加されるとき、各通電領域4S周辺にのみ電圧が印加される。この発光体1bも、上述した発光体1と同様の作用、効果が得られる。発光体1、1a、1bに示されるように、本実施形態において、第1の半導体層4A及び第2の半導体層4Bは、お互い異なる組成でかつ連続した層であり、少なくともどちらか一方の層の表面に等間隔に配置され、かつ導体で充填された複数の孔5AH、5BHを有する絶縁体層を有していればよい。図6に示す発光体1cは、上述した発光体1に、それぞれの発光部2に対応したスイッチング素子8を加えたものである。前記各スイッチング素子8は各々が独立して駆動するよう基板に配線される。各スイッチング素子8の上部には電極6A1が形成され、また、前記電極6A1’と、面方向に対して等間隔に配置された複数の孔に充填される6A2’とで第1電極6A’を形成する。半導体層4などの構造は、発光体1と同様である。発光体1cは、基板3と発光部2に対応して複数形成される第1電極6Aとの間にスイッチング素子8を有する。スイッチング素子8は、例えば、TFTThinFilmTransistor:薄膜トランジスタであるが、これに限定されるものではない。スイッチング素子8がTFTである場合、例えば、それぞれのスイッチング素子8のゲート等が基板3と電気的に接続される。このような構造により、発光体1cは、それぞれの発光部2と対向したスイッチング素子8を有する。これにより、発光体1cは、上述した発光体1、1a、1bと同様の作用、効果に加え、それぞれの発光部2を独立して発光させることができるという効果を有する。このため、発光体1cは、それぞれの発光部2の発光が制御されることにより、輝度ムラがより低減される。図7に示す発光体1dは、上述した発光体1cに、第2の半導体層4B表面に等間隔に配置され、かつ導体6B2で充填された複数の孔5BHを有する絶縁体層5Bを加えたものである。各スイッチング素子8は各々が独立して駆動するよう基板に配線される。各スイッチング素子8の上部には第1電極6Aが形成される。半導体層4などの構造は、発光体1と同様である。発光体1dは、基板3と発光部2に対応して複数形成される第1電極6Aとの間にスイッチング素子8を有する。スイッチング素子8は、例えば、TFTThinFilmTransistor:薄膜トランジスタであるが、これに限定されるものではない。スイッチング素子8がTFTである場合、例えば、それぞれのスイッチング素子8のゲート等が基板3と電気的に接続される。このような構造により、発光体1dは、それぞれの発光部2と対向したスイッチング素子8を有する。これにより、発光体1dは、上述した発光体1、1a、1bと同様の作用、効果に加え、それぞれの発光部2を独立して発光させることができるという効果を有する。このため、発光体1dは1c同様に、それぞれの発光部2の発光が制御されることにより、輝度ムラがより低減される。図8に示す発光体1eは、図3として説明した発光体1が有する絶縁体層5Aの表面を、レンズ形状に変更したものである。半導体層4などの構造は、発光体1と同様である。発光体1eは、絶縁体層5Aを第1の半導体層4Aに向かって凸のレンズ状に形成したため、絶縁体層5A中の孔5AHに充填される電極6A2の第1の半導体層4A側における面は広く形成される。このため通電領域4Sも拡大するとともに、発光部2で放射された光は半導体層4で散乱され、かつレンズ形状をした絶縁体層5Aにおいても散乱される。このため、絶縁体層表面の形状をレンズのような曲面形状とすることで、平滑な表面を有する絶縁体層の場合と比べて、より光を散乱させることができることにより、輝度ムラがより低減される。また、発光体1eにおいては絶縁体層5Aの表面のみレンズ形状となっているが、絶縁体層5A及び絶縁体層5B又はは絶縁体層5Bの表面のみがレンズ形状となっていてもよく、上述した発光体1a、1b、1c、1dにも適用することができる。もちろん図5のように半導体層4を両方から挟む絶縁体層5A、5B両方をレンズ上にしてもよい。図9は、スイッチング素子を有する発光体の制御回路の一例を示す回路図である。発光体1cは、制御装置9と、ゲート信号制御素子10Ga、10Gb、10Gcと、ソース信号制御素子10Sa、10Sb、10Scと、電源11と、を有する。ゲート信号制御素子10Ga、10Gb、10Gc及びソース信号制御素子10Sa、10Sb、10Scは、例えば、FETFieldEffectTransistor:電界効果型トランジスタ、バイポーラトランジスタ等のスイッチング素子である。この例において、スイッチング素子8は、TFTである。TFTは、FETの一種である。発光体1cが有する複数のスイッチング素子8は、例えば、図9に示すようなマトリックス回路により制御される。前記マトリックス回路は、複数のゲート信号ラインGa、Gb、Gcと、複数のソース信号ラインSa、Sb、Scとを有している。複数のゲート信号ラインGa、Gb、Gcは、それぞれ複数のスイッチング素子8のゲートに接続されている。複数のソース信号ラインSa、Sb、Scは、それぞれ複数のスイッチング素子8のソースに接続されている。それぞれのスイッチング素子8のドレインは、それぞれ第1電極6Aを介して第1の半導体層4Aに接続されている。第2の半導体層4Bは、第2電極6Bを介してグランド12に接続されている。電源11は、ゲート信号制御素子10Ga、10Gb、10Gc及びソース信号制御素子10Sa、10Sb、10Scに正電圧を印加している。発光部2を点灯させる場合、制御装置9は、ゲート信号制御素子10Ga、10Gb、10Gcの少なくとも一つをONにする。すると、ゲート信号制御素子10Ga、10Gb、10Gcに接続されているスイッチング素子8のゲートに正電圧が印加されるので、ONになったゲート信号制御素子10Ga、10Gb、10Gcに接続されているスイッチング素子8がONになる。この状態で、制御装置9は、ソース信号制御素子10Sa、10Sb、10Scの少なくとも一つをONにすると、ソース信号制御素子10Sa、10Sb、10Scに接続されているスイッチング素子8のソースとドレインとを介して、ドレインに接続されている第1の半導体層4Aに正電圧が印加される。すると、各通電領域4S周辺において第1の半導体層4Aから第2の半導体層4Bに向かって電流が流れ、半導体層4中に各通電領域4Sに含まれるそれぞれの発光部2が発光する。例えば、制御装置9が、ゲート信号制御素子10Gbとソース信号制御素子10SaとをONにしたとする。すると、ゲート信号ラインGbに接続されている複数のスイッチング素子8がONになり、ソース信号ラインSaに接続されているスイッチング素子8のソースに正電圧が印加される。その結果、ゲート信号ラインGbとソース信号ラインSaとが交差する部分図9の矢印Aで示す部分の発光部2が発光する。制御装置9は、ゲート信号制御素子10Gbとソース信号制御素子10Saとの少なくとも一方をOFFにすることにより、ゲート信号ラインGbとソース信号ラインSaとが交差する部分の発光部2を消灯させることができる。このような回路構造により、制御装置9は、発光体1cが有する任意の発光部2を発光させることができる。次に、本実施形態に係る発光体の製造方法を説明する。第1の発光体の製造方法図10は、本実施形態における第1の発光体の製造方法を示すフローチャートである。図11-1から図11-5は、本実施形態における第1の発光体の製造方法を示す説明図である。第1の発光体の製造方法は、図3に示す発光体1を製造する方法の一例である。ステップS11において、基板3を準備する。基板3は、ガラス基板、樹脂基板、フィルム等様々な種類を用いることができる。次に、ステップS12に進み、基板3の表面に、金属の第1電極6Aを形成する。電極は導体であればよく、金属、半導体を問わない。例えば、銅、白金等の金属、ZnO酸化亜鉛、ITO錫添加酸化インジウム等の透明導電性酸化物、また第1の半導体層、第2の半導体層で使った材料と同様の半導体材料を用いても良い。このとき、発光体全面から光を取出したい場合は、基板3、第1電極6Aともに透明なものを用い、光の取出しが積層方向の一方向のみの場合は、光をよく反射することのできる電極材を用いる。次に、ステップS13に進み、絶縁体層5Aを第1電極6Aの表面に形成する図11-1。絶縁体層5Aは、発光部2を含む各通電領域4Sに対応する部分が除外されるように基板3の表面に形成された第1電極6Aの表面に、絶縁体層5Aの原料を分散させた塗料を印刷又はインクジェット印刷することにより形成する。又は、絶縁体層5Aは、原料となる酸化物を、真空成膜等により発光部2を含む各通電領域4Sに対応する部分が除外されるように第1電極6Aの表面に成膜することにより形成される。絶縁体層5Aに樹脂を用いる場合には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の一般的なLED封止材に、絶縁性及び放熱性に優れた無機物質例えば、Al2O3、MgO、AlN、BN等が混合されたものを使用することができる。また、絶縁体層5Aを樹脂以外で形成する場合には、Al2O3、MgO、AlN、BN等を真空成膜して形成することができる。これらの材料は、放熱性に優れ、かつ絶縁性を有するので、発光部2で発生した熱を発光体1の外部に効率よく伝えることができる。その結果、発光体1の昇温を抑制して、耐久性低下を抑制できるので好ましい。印刷により絶縁体層5Aを形成する場合、所望のパターンのスクリーン版を使用することができる。真空成膜により絶縁体層5Aを形成する場合、所望のパターンに加工したメタルマスクを介して、発光部2を含む各通電領域4Sに対応する部分が除外されるように絶縁体層5Aを成膜し形成する。絶縁体層が第1電極6Aの表面に形成されたら、樹脂を使用した場合のみ乾燥して硬化させる。このようにして、絶縁体領域5Aが第1電極6Aの表面に形成される。次に、第1の半導体層4Aを形成するステップS14に進む図11-2。本実施形態においては、第1の半導体層4Aとなる半導体の粒子を分散させた塗料を、絶縁体層5A及び第1電極6A表面に塗布することにより、第1の半導体層4Aを形成する。前記塗料は、第1の半導体層4Aの材料、本実施形態ではP型の半導体材料粒子と、有機溶剤とを混合し、これらを分散させることにより作製される分散溶液である。この塗料を用いて、スクリーン印刷又はインクジェット印刷等により、絶縁体層5A及び第1電極6Aの表面に印刷することにより、第1の半導体層4Aを形成する。印刷後、塗料を乾燥させて、圧縮加工を施す。このようにして第1の半導体層4Aが絶縁体層5A及び第1電極6Aの表面に形成される。第1の半導体層4Aは、透明又は半透明の半導体材料粒子の集合体である。このため、発光部2で発光した光は、半導体材料粒子を透過し散乱されることにより、発光体1の輝度ムラが低減される。ここで、この例示した製造方法では、絶縁体層5A中の孔5AHに第1の半導体層4Aと同一の半導体を充填しているが、孔5AHに充填するものは導体又は半導体であれば幅広く適応可能であり、あらかじめ孔5AHに金属のような導体を充填させたのち第1の半導体層4Aを形成してもよい。また、半導体層4Aと異なる種類の半導体を充填してもよい。さらに、導体と半導体との両方を孔5AHに充填させてもよい。次に、ステップS15に進み、第1の半導体層4Aの表面に第2の半導体層4Bを形成する図11-3。本実施形態においては、第2の半導体層4Bの半導体粒子を分散させた塗料を第1の半導体層4Aの表面に塗布することにより、第2の半導体層4Bを形成する。前記塗料は、第2の半導体層4Bの材料、本実施形態ではN型の半導体材料粒子と、有機溶剤とを混合し、これらを分散させることにより、分散溶液を作製する。この分散溶液を塗料とする。この塗料を用いて、スクリーン印刷又はインクジェット印刷等により、第1の半導体層4Aの表面に印刷することにより、第2の半導体層4Bを形成する。印刷後、塗料を乾燥させて、圧縮加工を施すことにより、P/N又はN/P接合が形成される。本実施形態においては、第1の半導体層4Aおよび第2の半導体層4Bは、いずれも半導体材料粒子の集合体である。このため、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4BとのP/N又はN/P接合は、半導体粒子によるP/N又はN/P接合となる。本実施形態においては、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bは、半導体材料粒子の集合体である。このため、発光部2で発光した光は、前記半導体材料粒子により散乱することにより、発光体1の輝度ムラが低減される。次に、ステップS16に進み、第2の半導体層4Bの表面に第2電極6Bを形成する図11-4。この例において、第2電極6Bは、透明電極である。第1電極6A及び第2電極6Bは、P/N又はN/P接合部分の取出し電極となる。第2電極6Bは、光の取り出し効率を考慮して、透過率が高く、屈折率の低い材料で形成されることが好ましい。例えば、ITO、ZnO、SnO2、TiO2等を第2電極6Bとして用いることができる。これらの材料を、例えば、第2の半導体層4Bの表面に真空成膜又は塗布することによって第2電極6Bを形成する。次に、ステップS17に進み、第2電極6Bの表面に保護層7を形成して、発光体1が完成する図11-5。保護層7も、第2電極6B同様に、光の取り出し効率を考慮して、透過率が高く、屈折率の低い材料で形成されることが好ましい。保護層7は、材料を、例えば、第2電極6Bの表面に真空成膜又は塗布することによって形成する。このような工程により、発光体1を製造することができる。図4に示す発光体1aは、発光体1の製造方法を、ステップS11、ステップS12、ステップS14、ステップS15、ステップS13、ステップS16、ステップS17の順に実行することにより製造することができる。また、図5に示す発光体1cは、発光体1又は発光体1aに絶縁体領域発光体1に5B、発光体1aには5Aを追加したものである。よって、発光体1cは、発光体1の製造方法を、ステップS11、ステップS12、ステップS13、ステップS14、ステップS15、ステップS13、ステップS16、ステップS17の順に実行することにより製造することができる。第2の発光体の製造方法図12は、本実施形態おける第2の発光体の製造方法を示すフローチャートである。図13-1から図13-6は、本実施形態における第2の発光体の製造方法を示す説明図である。第2の発光体の製造方法は、図6に示す発光体1cを製造する方法の一例である。ステップS21において、基板3を準備する。基板3は、第1の発光体の製造方法と同様に、様々な種類を用いることができる。次に、ステップS22に進み、準備した基板3の表面に発光部2を含むそれぞれの通電領域4Sに対応するよう各スイッチング素子8が各々独立して通電されるよう基板に配線される。次に、ステップS23に進み、基板3の表面に形成した各スイッチング素子8の表面に第1電極6A1を形成する図13-1。スイッチング素子8は、真空成膜、塗布又は印刷によって形成する。発光体1cに柔軟性を持たせる必要がある場合、基板3は、例えば、樹脂のフィルム等を用いる。発光体1cに柔軟性を持たせる必要がない場合、スイッチング素子8は、Si等の一般的な材料を用いて形成される。基板3にPETPolyethyleneTerephthalate、PENPolyethyleneNaphthalate等の柔軟な材料を用いる場合は、フラーレン又はペンタセン等の有機半導体等でスイッチング素子8が形成される。次に、ステップS24に進み、基板3及びそれぞれの第1電極6A1の表面に発光部2を含む通電領域4Sに対応する部分が除外されるように絶縁体層5Aを形成する図13-2。次に絶縁体領域5A及び電極6A1’の表面に第1の半導体層4Aを形成する。ステップS25、図13-3。その形成方法は、第1の発光体の製造方法と同様である。次に、第2の半導体層4Bの形成ステップS26、図13-4、第2電極6Bの形成ステップS27、図13-5及び保護層7の形成ステップS28、図13-6が行われて、発光体1cが完成する。ステップS24からステップS28は、第1の発光体の製造方法におけるステップS13からステップS17と同様なので、説明は省略する。このような工程により、発光体1cを製造することができる。また、図7に示す発光体1dは、発光体1cに絶縁体層5Bを追加したものである。よって、発光体1dは、発光体1cの製造方法を、ステップS21、ステップS22、ステップS23、ステップS24、ステップS25、ステップS26、ステップS24、ステップS27、ステップS28、の順に実行することにより製造することができる。以上、本実施形態に係る発光体は、2つの半導体層を接合するとともに、その2つの半導体層は互いに異なる組成で、かつ連続した層であり、この連続した半導体層は、半導体粒子により構成され、粒子同士の接合による発光層4Iを形成する。さらに、少なくともどちらか一方の前記半導体層の表面に、所定間隔で配置された複数の孔を有する絶縁体層が設けられ、前期発光層4Iは複数の発光部に電気的に分割される。このような構造により、本実施形態に係る発光体は、擬似的に面発光する。このとき、本実施形態に係る発光体は、複数の発光部で発生した光が連続した層を構成する粒子により散乱されるので、輝度ムラが低減される。また、本実施形態に係る発光体は、大型化したLEDによって面発光させる発光体と比較して、小さな発光部LEDの集合体により擬似的に面発光させる。このため、面全体が発光する面発光体と比べ発熱量及び消費電力を低減することができ、また発光部からの発熱を面全体で放熱するため、放熱効率が高い。これらの作用により、発光体は耐久性の低下が抑制される。また、本実施形態に係る発光体は、LEDからの光を導光板に導いて面発光させる発光体と比較して、寸法を抑制できるとともに部品点数も低減できる。さらに、本実施形態に係る発光体は、複数の発光部から発生した光が、連続した半導体層を構成する粒子により、面全体に分散されるので、輝度ムラも抑制できる。また、本実施形態に係る発光体の製造方法は、半導体材料等と溶剤とを混合して得られた塗料を印刷又は塗布等することにより、半導体層及び電極等を形成して発光体を製造する。このように、本実施形態に係る発光体の製造方法は、半導体層及び電極の材料を含む塗料を用いるので、比較的簡易なプロセスで、比較的安価に発光体を製造することができる。また、本実施形態に係る発光体の製造方法は、半導体層等を形成する対象基板の形状又は材質に対する自由度が大きい。例えば、柔軟性のあるフィルムに半導体層等を形成したり、曲面に半導体層を形成したりすることができる。その結果、本実施形態に係る発光体の製造方法は、さまざまな形状又は仕様の、面発光する発光体を製造することができる。