セラミック基板と、前記セラミック基板の上面に形成された上部電極と、前記上部電極の上面に形成されたバンプと、前記上部電極及び、前記バンプを包囲するように形成されたガラス成分を含む金属パターンと、前記上部電極上に前記バンプを介して実装された電子部品と、少なくとも前記電子部品の表面を被覆する樹脂と、前記樹脂及び、前記金属パターンの表面を連続被覆する金属被膜とを備えたセラミックパッケージ部品であって、前記金属パターンにはAl2O3粒子の層が存在していることを特徴とするセラミックパッケージ部品。前記セラミック基板はガラス粒子及び、結晶粒子を含む請求項1に記載のセラミックパッケージ部品。セラミック基板と、前記セラミック基板の上面に形成された上部電極と、前記上部電極の上面に形成されたバンプと、前記上部電極及び、前記バンプを包囲するように形成されたガラス成分を含む金属パターンと、前記上部電極上に前記バンプを介して実装された電子部品と、少なくとも前記電子部品の表面を被覆する樹脂と、前記樹脂及び、前記金属パターンの表面を連続被覆する金属被膜とを備え、前記金属パターンにはAl2O3粒子の層が存在するセラミックパッケージ部品の製造方法であって、セラミックグリーンシートを積層してなるセラミックグリーンシート積層体の上面に上部電極ペーストを印刷する工程と、前記上部電極ペーストを包囲するように、導体粉末と有機ビヒクルとガラス成分とを含有する第一のペーストと、Al2O3粉末と有機ビヒクルとを含有する第二のペーストと、導体粉末と有機ビヒクルとを含有する第三のペーストとを、順次重ねて印刷して金属パターンペースト層を形成する工程と、前記上部電極ペースト及び、金属パターンペースト層が印刷された前記グリーンシート積層体を所定の温度で焼成して上部電極及び、金属パターンが形成されたセラミック基板を得る工程と、前記セラミック基板に電子部品を実装する工程と、少なくとも前記電子部品を樹脂で被覆する工程と、前記樹脂及び前記金属パターンを金属被膜で連続被覆する工程と、前記金属パターンの中央をダイシングにより切断して個片に分離する工程とを具備するセラミックパッケージ部品の製造方法。セラミック基板と、前記セラミック基板の上面に形成された上部電極と、前記上部電極の上面に形成されたバンプと、前記上部電極及び、前記バンプを包囲するように形成されたガラス成分を含む金属パターンと、前記上部電極上に前記バンプを介して実装された電子部品と、少なくとも前記電子部品の表面を被覆する樹脂と、前記樹脂及び、前記金属パターンの表面を連続被覆する金属被膜とを備え、前記金属パターンにはAl2O3粒子の層が存在するセラミックパッケージ部品の製造方法であって、セラミックグリーンシートを積層してなるセラミックグリーンシート積層体の上面に上部電極ペーストを印刷する工程と、前記上部電極ペーストを包囲するように導体粉末と有機ビヒクルとを含有する金属パターンペーストを印刷する工程と、前記上部電極ペースト及び、前記金属パターンペーストが印刷された前記セラミックグリーンシート積層体の表面に、前記セラミックグリーンシートの焼成温度では焼結しない、Al2O3、有機バインダおよび可塑剤を含む拘束層用グリーンシートを積層する工程と、前記拘束層用グリーンシートが積層された積層体を所定の温度で焼成して焼結体を得る工程と、前記焼結体の表面の前記拘束層用グリーンシートを構成する材料からなる未焼結部分をブラストにより除去する工程と、前記セラミック基板に、適宜、電子部品を実装し、樹脂および金属被膜を形成した後、前記金属パターンの中央をダイシングにより切断する工程とを具備するセラミックパッケージ部品の製造方法。しかしながら、上記のような構造では、高温高湿の信頼性試験を行った場合に、金属パターン4の内部に残留したガラス成分が金属被膜8と金属パターン4の界面に流動してしまい、金属被膜8と金属パターン4の密着性が低下する傾向がある。特にパッケージ部品を小型化した場合、金属被膜8と金属パターン4の接触面積が小さくなるため、金属被膜8と金属パターン4の界面を通じて水分が浸入しやすくなり、SAWフィルタ6の特性の信頼性確保が難しくなる。本発明は、上記課題を解決するものであり、パッケージ部品を小型化しても信頼性試験時のガラス成分の流動を抑制することができ、気密性の高いパッケージ部品を提供することを目的とする。前記目的を達成するために本発明は、セラミック基板と、前記セラミック基板の上に形成された上部電極と、前記上部電極を包囲するように形成されたガラス成分を含む金属パターンと、前記上部電極を介して実装された電子部品と、前記金属パターンの表面を被覆する金属被膜とを備え、前記金属パターンにはAl2O3粒子含有層が存在していることを特徴とするセラミックパッケージ部品を提供する。本発明のセラミックパッケージ部品では、金属パターン内部にAl2O3粒子含有層を形成することにより、高温高湿の信頼性試験下において金属パターン内部に残留したガラス成分が金属被膜と金属パターンの界面に流動することを抑制できるため、気密性の高いセラミックパッケージ部品を提供することが可能となる。以下、本発明のセラミックパッケージ部品1について図面を参照しながら説明する。図1は本発明におけるセラミックパッケージ部品1の断面図である。図1において、セラミック基板2はセラミックグリーンシートを複数枚積層したものを、焼成されてなり、前記セラミック基板2の表面には、SAWフィルタ6を実装するための上部電極3とその上に配置されるバンプ5とを有し、この上部電極3およびバンプ5を包囲するように金属パターン4が形成されている。この金属パターン4の金属としてAgを使用し、内部にAl2O3粒子含有層9を形成している。図2は金属パターン4の断面図を示しており、図2-1はSEM画像写真、図2-2、図2-3及び、図2-4はAl、Si及び、Agの元素マッピング画像を示す電子顕微鏡写真である。このようにAl原子は、Agからなる金属パターン4の内部に層を形成しており、さらにSiが内部に偏在しているのがわかる。ここで金属パターン4には、セラミック基板2との密着性を確保するために添加したSiガラスフリット成分が存在する。このSiガラスフリット成分は金属パターン4とセラミック基板2の界面に排出されて密着層を形成するものと、金属パターン4の内部に偏在し、残留してAg粉末の焼結に寄与するものとがある。ここで問題となるのは、高温高湿の信頼性試験時に、この偏在して残留したSiガラスフリット成分10が、金属パターン4と金属被膜8との界面に流動することによって、前記界面での密着強度が低下してしまい、気密性が低くなってしまう。そこでAl原子Al2O3粒子含有層9を内部に形成することによりSiガラスフリット成分の流動が遮断され、金属パターン4と金属被膜8との界面への過度な流動を抑制することができるものである。セラミック基板2上には上部電極3及び、バンプ5を介してSAWフィルタ6が実装されており、SAWフィルタ6を保護するため、SAWフィルタ6の上面及び金属パターン4の一部が樹脂7で被覆され、更にその上から気密性の確保とシールド層機能付与のための金属被膜8が形成された構成となっている。金属被膜8は、図3に示すように、Tiスパッタ膜11とCuスパッタ膜12及びCuめっき膜13等からなる。以上のように構成されたセラミックパッケージ部品1について、以下にその製造方法を示す。図4は本実施例におけるセラミック基板2の製造方法を説明する工程図である。まず、金属パターン4を形成するためのペーストを3種類作製した。第一のペーストは、平均粒子径が2.5μmのAg粉末、SiO2-B2O3-K2O系のガラスフリットを用い、有機ビヒクルを加えてミキサーにより予備混練し、その後三本ロールミルにより混練した後、粘度調整を行った。なお、前記有機ビヒクルはエチルセルロースなどのバインダー樹脂と、ブチルカルビトールなどの有機溶剤から成るものである。第二のペーストは、平均粒子径が1.0μmのAl2O3粒子と有機ビヒクルを加え、上記と同様の方法で作製した。第三のペーストは、平均粒子径が2.5μmのAg粉末を用い、有機ビヒクルを加え、上記と同様の方法で作製した。なお、第三のペースト中にはガラスフリットを加えていない。次に、セラミック基板2を構成するセラミック原料粉末として、ガラス粉末を70wt、Al2O3フィラーを30wtの比率で配合し混合粉末を得た。前記ガラス粉末としては、SiO2-MgO-CaO-TiO2系のガラスを用いた。次に、配合した前記混合粉末に、バインダーとしてポリビニルブチラールPVBなど、可塑剤としてフタル酸ベンジルブチルなどを加え、酢酸ブチルやブチルセロソルブなどを所定量加えて混合分散を行い、セラミック基板2用のスラリーを作製した。その後、作製した前記スラリーを用いて、ドクターブレード法により、キャリアフィルム上にセラミック基板2用のセラミックグリーンシートを作製した。次に、このセラミックグリーンシートの所定の位置にビアホールを形成し、Agペーストを充填し、セラミックグリーンシート上にAgペーストを所定のパターンで印刷し、乾燥後、複数枚積層することで、セラミックグリーンシート積層体を作製した。得られた前記セラミックグリーンシート積層体の上面に、上部電極用ペーストを所定箇所に印刷した後、前記第一、第二及び第三のペーストを上部電極用ペーストを包囲するように順次重ねて印刷して金属パターンペースト層を形成した。最後に、上部電極用ペーストおよび金属パターンペースト層を印刷したセラミックグリーンシート積層体を900°Cで焼成し、上部電極3および金属パターン4が形成されたセラミック基板2を得た。次に、この上部電極3および金属パターン4が形成されたセラミック基板2を用いて、本実施例におけるセラミックパッケージ部品1の製造方法を図5に示す。まず図5aに示すように、上部電極3の上にSAWフィルタ6を実装するためのバンプ5を印刷により形成した。次に図5bのようにバンプ5上にSAWフィルタ6を実装し、実装したSAWフィルタ6を保護するために、SAWフィルタ6の表面を樹脂7で被覆した後、図5のように金属パターン4上の樹脂7をレーザー加工により除去した。次は図5のセラミックパッケージ部品1を得る。以上のように製造したセラミックパッケージ部品1を130°C、85、100時間の高温高湿の信頼性試験にかけ、SAWフィルタ6の特性を測定したところ、SAWフィルタ6の中心周波数の変動を30ppm以下に抑えることができた。なお、中心周波数の変動は、信頼性試験前と後のSAWフィルタ6の中心周波数をそれぞれF0、F1としたとき、F1-F0/F0として算出した。比較のため、Al2O3粒子含有層9が存在しないパッケージ部品を作製し、同様の信頼性試験後、SAWフィルタ6の中心周波数特性を測定したところ、500ppm以上の変動があった。以上のように、本実施例によれば高温高湿試験後も金属パターン4と金属被膜8との密着性を確保でき、気密性の高いセラミックパッケージ部品1を提供することができる。なお、本実施例では金属パターン4にAgを用いたが、金属粉としては、セラミック基板2と同時に焼成可能であれば特に限定はされない。ガラスセラミックなどのLTCCLowTemperatureCofiredCeramics基板であれば本実施例で用いたAgやCuなどが望ましく、合金であっても良い。特により好ましくは大気中での焼成が可能なAgが好適である。また、Al2O3などのHTCCHighTemperatureCofiredCeramics基板であれば、WやMoなどが望ましい。以下、本発明の実施例2について説明する。セラミックグリーンシート積層体は実施例1と同一の方法で作製した。金属パターン4の形成には、実施例1の第一のペーストのみを用い、実施例1と同様に、セラミックグリーンシート上に印刷により形成した。次に、Al2O3を主成分とする拘束層用セラミックグリーンシートを作製し、前記セラミックグリーンシート積層体の上下を挟み、900°Cで焼成した。最後に、焼成後のセラミック基板2の拘束層用セラミックグリーンシートを構成する材料からなる未焼結部分を除去するために超音波洗浄及び圧力0.05~0.15MPaの条件でAl2O3研磨材を用いてブラスト処理を行って、セラミック基板2を得た。さらに電子線マイクロアナライザを用いてブラスト後の金属パターン4の表面の元素濃度比率、セラミック基板2の断面のAl2O3粒子含有層9の有無を確認した。図6cに示すように金属パターン4の表面にはAl元素はほぼ存在しない。さらに金属パターン4をAl2O3粒子含有層9で剥離させ剥離面を観察したところ、Al元素が全面に存在していることを確認した図6d。なおAl2O3粒子含有層9は金属パターン4の表面から深さ1μm~2μmに存在していた。Al2O3粒子含有層9はセラミック基板2の上方向から見て金属パターン4内部の全面に層を形成している事が望ましいが、金属パターン4内部の一部でもAl2O3粒子の層を形成していれば、金属パターン4と金属被膜8との界面へのガラスの流動を抑制することができる。その後、実施例1と同様の方法でSAWフィルタ6を実装、樹脂7及び金属被膜8を形成し、ダイシングすることによりセラミックパッケージ部品1を得た。以上のようにして製造したセラミックパッケージ部品1について、130°C、85の高温高湿の信頼性試験を行い、SAWフィルタ6の周波数特性の変動を確認した。周波数特性の変動は、実施例1と同様の方法で、信頼性試験前後での中心周波数の変動量を算出した。表1に、各ブラスト条件における金属パターン4表面の各検出元素の元素濃度およびAg内部におけるAl2O3粒子含有層9の有無、SAWフィルタ6の信頼性評価結果を示す。表1に示すように、ブラスト圧力が0.15MPa以上の場合に金属パターン4上の拘束層Al2O3粒子やガラスフリット成分が除去され、金属パターン4の表面のAgの濃度が90以上となった。また、この時金属パターン4内部にAl2O3粒子含有層9が存在することを確認した。Al2O3粒子含有層9の起源については明らかになっていないが、拘束層中のAl2O3粒子又は、ブラスト研磨材のAl2O3粒子のいずれかがブラストの圧力により金属パターン4の内部へ注入されたものと考えられる。この場合、SAWフィルタ6の中心周波数の変動は、10~13ppmと小さかった。一方、ブラスト圧力が0.10MPa以下の場合、金属パターン4表層部のAl2O3拘束層やガラスフリット成分は除去できたものの、金属パターン4内部のAl2O3粒子含有層9が存在しなかった。この場合、高温高湿の信頼性試験において、金属パターン4内部のガラスフリット成分が金属被膜8と金属パターン4界面まで流動し、金属被膜8と金属パターン4の密着性が低下し、SAWフィルタの周波数変動が100ppmと大きくなった。さらに、ブラスト処理をせずに、超音波洗浄のみとした場合、金属パターン4の表面に拘束層からのAl2O3粒子やガラス成分が残留し、金属被膜8との密着性が確保できず、ダイシング中に金属被膜8が金属パターン4から剥離した。以上のように、本実施例によれば、気密性の高いセラミックパッケージ部品1を提供することが可能である。なお、本実施例を用いる場合にはセラミック基板2の焼成温度ではAl2O3拘束層が焼結しないことが重要であるため、セラミック基板2は1000°C以下で焼成可能な、ガラスセラミックなどのLTCC基板である必要がある。