"1基材とシリコンウエハからなる支持体とを、光熱変換層を有する仮固定材を介して仮固定する工程、2前記基材を加工する工程、3前記支持体の仮固定材に対する接触面とは反対側の面には焦点を絞らずに、前記支持体側から、赤外線を前記仮固定材に照射する工程、および4前記支持体から前記基材を剥離する工程を有する、基材の処理方法。前記工程3において、赤外線が赤外線レーザーである請求項1の基材の処理方法。前記工程3において、前記支持体側から、赤外線レーザーを走査させながら前記仮固定材に照射する請求項2の基材の処理方法。前記工程3において、赤外線レーザーを前記光熱変換層に焦点を絞って照射する請求項2または3に記載の基材の処理方法。前記工程1において、基材とシリコンウエハからなる支持体とを、接着剤層および光熱変換層を有する仮固定材を介して、支持体、光熱変換層、接着剤層および基材の順で各層を有する積層体となるように、仮固定する請求項1~4のいずれか一項の基材の処理方法。シクロオレフィン重合体、およびカーボンブラックを含有する、仮固定材の光熱変換層を形成するための仮固定用組成物。請求項1~5のいずれか一項の基材の処理方法により得られる半導体装置。特許文献1では、光透過性支持体として透過率の観点からパイレックス商品名等のガラス板を使用することが想定されている。しかしながら、ガラス板は汎用性が低く、歩留まりの点で不利であると考えられる。本発明者らは、支持体として、シリコンウエハを使用することを検討した。上述したような基材の仮固定剥離プロセスにおいて、シリコンウエハを支持体として用いた例はない。ところが、赤外線レーザー等の赤外線を用いた基材の剥離工程において、支持体としてシリコンウエハを用いた場合、シリコンウエハに赤外線を照射したときにその温度上昇により赤外線の透過率が大幅に下がり、仮固定材に赤外線が届かなくなる。その結果、支持体から基材を剥離することができなくなる。本発明の課題は、赤外線を用いた基材の剥離工程における上述の問題を解決した基材の処理方法、前記処理方法により得られる半導体装置、および前記処理方法に好適に用いられる仮固定材の原料組成物仮固定用組成物を提供することにある。本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、赤外線レーザー等の赤外線の焦点を、支持体であるシリコンウエハの仮固定材に対する接触面とは反対側の面から外すことで、シリコンウエハの温度上昇による赤外線の透過率の低下を防ぐことができることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、例えば以下の[1]~[7]に関する。[1]1基材とシリコンウエハからなる支持体とを、光熱変換層を有する仮固定材を介して仮固定する工程、2前記基材を加工する工程、3前記支持体の仮固定材に対する接触面とは反対側の面には焦点を絞らずに、前記支持体側から、赤外線を前記仮固定材に照射する工程、および4前記支持体から前記基材を剥離する工程を有する、基材の処理方法。[2]前記工程3において、赤外線が赤外線レーザーである前記[1]の基材の処理方法。[3]前記工程3において、前記支持体側から、赤外線レーザーを走査させながら前記仮固定材に照射する前記[2]の基材の処理方法。[4]前記工程3において、赤外線レーザーを前記光熱変換層に焦点を絞って照射する前記[2]または[3]に記載の基材の処理方法。[5]前記工程1において、基材とシリコンウエハからなる支持体とを、接着剤層および光熱変換層を有する仮固定材を介して、支持体、光熱変換層、接着剤層および基材の順で各層を有する積層体となるように、仮固定する前記[1]~[4]のいずれか一項の基材の処理方法。[6]シクロオレフィン重合体、およびカーボンブラックを含有する、仮固定材の光熱変換層を形成するための仮固定用組成物。[7]前記[1]~[5]のいずれか一項の基材の処理方法により得られる半導体装置。本発明によれば、赤外線を用いた基材の剥離工程において、支持体であるシリコンウエハの温度上昇による赤外線の透過率の低下を防ぐことができ、よって効率良く支持体であるシリコンウエハから基材を剥離することが可能な基材の処理方法、前記処理方法により得られる半導体装置、および前記処理方法に好適に用いられる仮固定材の原料組成物仮固定用組成物を提供することができる。本発明において仮固定材とは、半導体ウエハ等の基材を加工例:裏面研削、フォトファブリケーションするに際して、支持体から基材がずれて動かないように基材を仮固定するために用いられる仮固定材を指す。フォトファブリケーションとしては、例えば、レジストパターンの形成、メッキ等による金属バンプ形成、化学気相成長等による膜形成、反応性イオンエッチングによる加工が挙げられる。本発明の基材の処理方法は、1基材とシリコンウエハからなる支持体とを、光熱変換層を有する仮固定材を介して仮固定する工程、2前記基材を加工する工程、3前記支持体の仮固定材に対する接触面とは反対側の面には焦点を絞らずに、前記支持体側から、赤外線を前記仮固定材に照射する工程、および4前記支持体から前記基材を剥離する工程を有する。以下、前記各工程をそれぞれ工程1~工程4ともいう。このように、赤外線を、支持体の仮固定材に対する接触面とは反対側の面には焦点を絞らずに、被照射体に照射することで、支持体であるシリコンウエハの温度上昇、ひいては赤外線の透過率の低下を抑えることができる。したがって、効率良く支持体から基材を剥離することができる。例えば、赤外線レーザーを光熱変換層に焦点を絞って照射することにより、剥離をさらに効率良く行うことができる。本発明では、赤外線照射によって良好に支持体から基材を剥離することができるので、被加工対象物である基材に損傷を与えることもない。上記仮固定材は、光熱変換層および接着剤層を有することが好ましい。すなわち、工程1において、基材とシリコンウエハからなる支持体とを、接着剤層および光熱変換層を有する仮固定材を介して、支持体、光熱変換層、接着剤層および基材の順で各層を有する積層体、つまり層構成が支持体光熱変換層接着剤層基材となるように仮固定することが好ましい。このような支持体光熱変換層接着剤層基材という層構成すなわち、仮固定材が光熱変換層および接着剤層からなる。で基材を仮固定することで、支持体光熱変換層基材という層構成すなわち、仮固定材が光熱変換層からなる。で基材を仮固定する場合に比べて、接着剤層が存在するため、赤外線照射による基材剥離の際、赤外線による基材の損傷をより防ぐことができる。光熱変換層は、その構成成分により赤外線が吸収されて熱エネルギーに変換され、当該熱エネルギーにより光熱変換層の構成樹脂が熱分解等を起こし、接着力が低下する層である。接着剤層は、基材を、光熱変換層を介して支持体上に仮固定するために用いられる層である。以下、本発明の基材の処理方法で用いられる仮固定材の原料組成物である仮固定用組成物、特に光熱変換層および接着剤層の形成に用いられる組成物について説明した後、前記仮固定材を用いた基材の処理方法の各工程や、前記基材の処理方法によって得られる半導体装置について説明する。仮固定用組成物仮固定材の形成に用いることのできる仮固定用組成物としては、例えば、熱可塑性樹脂を含有する組成物I、熱硬化性樹脂を含有する組成物IIが挙げられる。以下、組成物Iについて説明した後、組成物IIについて説明する。[熱可塑性樹脂を含有する組成物I]本発明の組成物Iは、熱可塑性樹脂を含有する。上述の光熱変換層の形成に用いられる組成物Iは、さらに赤外線吸収剤を含有する。上述の接着剤層の形成に用いられる組成物Iは、赤外線吸収剤を通常含有しない。熱可塑性樹脂熱可塑性樹脂としては、例えば、シクロオレフィン重合体、石油樹脂、テルペン系樹脂、ノボラック樹脂、およびこれらの混合物が挙げられる。耐熱性の観点から、組成物Iは、少なくともシクロオレフィン重合体を含有することが好ましい。また、組成物Iは、仮固定材を介して基材と支持体とを貼り合せる際の温度を制御する目的で、シクロオレフィン重合体以外の熱可塑性樹脂も含有することが好ましい。《シクロオレフィン重合体》シクロオレフィン重合体としては、例えば、環状オレフィンと非環状オレフィンとの付加共重合体、1種または2種以上の環状オレフィンの開環メタセシス重合体、前記開環メタセシス重合体を水素化して得られる重合体が挙げられる。このようなシクロオレフィン重合体の合成方法は従来公知である。環状オレフィンとしては、例えば、ノルボルネン系オレフィン、テトラシクロドデセン系オレフィン、ジシクロペンタジエン系オレフィン、およびこれらの誘導体が挙げられる。前記誘導体としては、例えば、アルキル基好ましくは炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~10のアルキル基、アルキリデン基好ましくは炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~10のアルキリデン基、アラルキル基好ましくは炭素数7~30、より好ましくは炭素数7~18のアラルキル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~30、より好ましくは炭素数3~18のシクロアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10のアルコキシ基、アセチル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、芳香環、エーテル結合、およびエステル結合などによる置換誘導体が挙げられる。環状オレフィンの好ましい例として、式1で表される化合物が挙げられる。式1中のR1~R3は以下のとおりである:R1およびR2はそれぞれ独立に水素またはアルキル基好ましくは炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~10のアルキル基である。R3はそれぞれ独立に水素、アルキル基好ましくは炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~10のアルキル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~30、より好ましくは炭素数3~18のシクロアルキル基、アリール基好ましくは炭素数6~18のアリール基、アラルキル基好ましくは炭素数7~30、より好ましくは炭素数7~18のアラルキル基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10のアルコキシ基、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数1~11のアルコキシカルボニル基、アルデヒド基、アセチル基、ニトリル基である。また、2つのR3が相互に結合して環構造例:脂環を形成してもよく、例えば当該脂環がR3として例示した前記基を置換基として有してもよい。非環状オレフィンとしては、例えば、炭素数2~20、好ましくは2~10の直鎖状または分岐鎖状のオレフィンが挙げられ、より好ましくはエチレン、プロピレン、ブテンであり、特に好ましくはエチレンである。付加共重合体環状オレフィンと非環状オレフィンとの付加共重合体は、例えば、式Iで表される構成単位と、非環状オレフィンに由来する構成単位非環状オレフィンの重合性二重結合の反応に基づく構成単位とを有する重合体である。式I中のR1~R3は式1中のR1~R3とそれぞれ同義である。付加共重合体の市販品としては、例えば、TOPASADVANCEDPOLYMERS社製のTOPASトパス、三井化学株製のAPELアペルが挙げられる。開環メタセシス重合体およびその水添体1種または2種以上の環状オレフィンの開環メタセシス重合体は、例えば、式IIで表される構成単位を有する重合体であり、前記開環メタセシス重合体を水素化して得られる重合体は、例えば、式IIIで表される構成単位を有する重合体である。式IIおよびIII中のR1~R3は式1中のR1~R3とそれぞれ同義である。開環メタセシス重合体の市販品としては、例えば、日本ゼオン株製のZEONORゼオノアやZEONEXゼオネックス、JSR株製のARTONアートンが挙げられる。シクロオレフィン重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC法により測定される重量平均分子量Mwは、ポリスチレン換算で、通常10,000~100,000、好ましくは30,000~100,000である。シクロオレフィン重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC法により測定される数平均分子量をMnとするとき、Mw/Mnで示される分子量分布は、通常2.0~4.0、好ましくは3.0~4.0である。シクロオレフィン重合体の含有量は、組成物Iの、溶剤を除いた全固形分を100質量とするとき、好ましくは30~90質量、より好ましくは50~75質量である。基材の加工処理において高温環境下例:225~300°Cでの作業工程が存在する場合、基材自体や基材に形成された各部材例:バンプの破損を防ぐため、当該基材を保護する役割も担う仮固定材には、高い耐熱性が要求されることがある。組成物Iが耐熱性に優れるシクロオレフィン重合体を含有する場合、これから形成される仮固定材も高い耐熱性を有する。《シクロオレフィン重合体以外の熱可塑性樹脂》シクロオレフィン重合体以外の熱可塑性樹脂としては、例えば、石油樹脂、テルペン系樹脂、ノボラック樹脂、およびこれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、シクロオレフィン重合体との相溶性の観点から、テルペン系樹脂が好ましい。組成物Iにおいて、シクロオレフィン重合体以外の熱可塑性樹脂を用いる場合、シクロオレフィン重合体/シクロオレフィン重合体以外の熱可塑性樹脂質量比が、50/50~99/1であることが好ましく、より好ましくは60/40~90/10、特に好ましくは65/35~85/15である。当該熱可塑性樹脂の含有量が前記範囲にあると、耐熱性、剥離性および接着性の観点から好ましい。石油樹脂石油樹脂としては、例えば、C5系石油樹脂、C9系石油樹脂、C5系/C9系混合石油樹脂、ビニル置換芳香族化合物の重合体、オレフィンとビニル置換芳香族化合物との共重合体、シクロペンタジエン系化合物とビニル置換芳香族化合物との共重合体、これらの水素添加物、およびこれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、C5系石油樹脂、C9系石油樹脂、C5系/C9系混合石油樹脂、ビニル置換芳香族化合物の重合体、これらの水素添加物、およびこれらの混合物が好ましい。C5系石油樹脂としては脂肪族系樹脂が好ましく、C9系石油樹脂としては脂環族系樹脂が好ましい。これらの中でも、C9系石油樹脂およびその水素添加物が特に好ましい。石油樹脂のGPC法により測定される重量平均分子量Mwは、ポリスチレン換算で、通常20,000以下、好ましくは100~20,000、さらに好ましくは200~10,000、特に好ましくは300~5,000である。テルペン系樹脂テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン重合体、ピネン重合体、芳香族変性テルペン重合体、テルペン系水素添加樹脂、テルペンフェノール共重合体が挙げられる。ノボラック樹脂ノボラック樹脂は、例えば、フェノール類とアルデヒド類とを触媒例:シュウ酸の存在下で縮合させることにより得ることができる。フェノール類としては、例えば、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、o-エチルフェノール、m-エチルフェノール、p-エチルフェノール、o-ブチルフェノール、m-ブチルフェノール、p-ブチルフェノール、2,3-キシレノール、2,4-キシレノール、2,5-キシレノール、2,6-キシレノール、3,4-キシレノール、3,5-キシレノール、2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、α-ナフトール、β-ナフトールが挙げられる。アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒドが挙げられる。ノボラック樹脂の好ましい具体例としては、フェノール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、フェノール-ナフトール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂が挙げられる。ノボラック樹脂のGPCにより測定される重量平均分子量Mwは、ポリスチレン換算で、通常2,000以上、好ましくは2,000~20,000である。ノボラック樹脂のGPC法により測定される数平均分子量をMnとするとき、Mw/Mnで示される分子量分布は、通常1.0~10、好ましくは1.5~5.0である。ゴム成分組成物Iは、接着性および機械特性の向上のため、ゴム成分を含有してもよい。ゴム成分としては、例えば、天然ゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、ブチルゴム、ハロゲン化ブチルゴム、エチレンプロピレンジエンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリルゴム、ヒドリンゴム、ポリスルフィドゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴムが挙げられる。組成物Iにおいて、ゴム成分を用いる場合、ゴム成分の含有量は、熱可塑性樹脂100質量部に対して、通常0.1~40質量部、好ましくは1~35質量部、特に好ましくは5~30質量部である。ゴム成分の含有量が前記範囲にあると、耐熱性および接着性の観点から好ましい。赤外線吸収剤赤外線吸収剤としては、例えば、カーボンブラック、グラファイト粉;鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、コバルト、マンガン、クロム、亜鉛、テルル等の微粒子金属粉末;黒色酸化チタン等の金属酸化物粉末;フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ジチオール金属錯体系化合物等の近赤外線を吸収する色素として作用する金属錯体系化合物が挙げられる。これらの中でも、赤外線照射による剥離力低減の観点から、カーボンブラックが特に好ましい。赤外線吸収剤としてカーボンブラックを用いる場合、粒子径が5~500nmのカーボンブラックを用いることが好ましく、より好ましくは50~300nm、より好ましくは100~250nmである。カーボンブラックの粒子径が前記範囲にあると、仮固定用組成物中の分散性の観点から好ましい。カーボンブラックの粒子径は、光散乱法により測定される。光熱変換層の形成に用いられる組成物Iにおいて、赤外線吸収剤の含有量は、通常0.1~50質量、好ましくは1~40質量、より好ましくは5~25質量である。赤外線吸収剤の含有量が前記下限値以上であると、赤外線照射による光熱変換層の発熱が充分となり、基材を良好に剥離することができる。赤外線吸収剤の含有量が前記上限値以下であると、光熱変換層の成膜性が優れ、他の層との接着不良も生じにくい。接着剤層の形成に用いられる組成物Iにおいて、赤外線吸収剤の含有量は、通常5質量未満、好ましくは3質量以下であり、より好ましくは赤外線吸収剤が不含である。酸化防止剤組成物Iは、酸化防止剤を含有してもよい。酸化防止剤としては、例えば、2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール、2,2-ジオキシ-3,3-ジ-t-ブチル-5,5-ジメチルジフェニルメタン、テトラキス[メチレン-3-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート]メタン、ペンタエリスリトールテトラキス[3-3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネートが挙げられる。組成物Iにおいて、酸化防止剤を用いる場合、酸化防止剤の含有量は、所望の特性に応じて適宜選択されるが、熱可塑性樹脂100質量部に対して、好ましくは0.1~10質量部、より好ましくは0.5~5質量部である。溶剤組成物Iの調製には、当該組成物Iの粘度を塗布に適した範囲に設定する点で、溶剤を用いることが好ましい。溶剤としては、例えば、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、1-tert-ブチル-3,5-ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類;アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール/エーテル類;炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸N-ブチル、乳酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ-ブチロラクトン等のエステル/ラクトン類;シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン等のケトン類;N-メチル-2-ピロリジノン等のアミド/ラクタム類が挙げられ、これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、熱可塑性樹脂、特にシクロオレフィン重合体の溶解性等の観点から、炭化水素類が好ましい。溶剤を用いることにより、組成物Iの粘度を調整することが容易となり、したがって基材または支持体上に仮固定材層例:光熱変換層、接着剤層を形成することが容易となる。例えば、溶剤は、組成物Iの固形分濃度が通常10~50質量、好ましくは25~50質量となる範囲で用いることができる。ここで固形分濃度とは、溶剤以外の全成分の合計濃度である。[熱硬化性樹脂を含有する組成物II]本発明の組成物IIは、熱硬化性樹脂を含有する。上述の光熱変換層の形成に用いられる組成物IIは、さらに赤外線吸収剤を含有する。上述の接着剤層の形成に用いられる組成物IIは、赤外線吸収剤を通常含有しない。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ホリプタジエン系液状樹脂、ウレタン系液状樹脂、シリコーン系液状樹脂が挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールFノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ウレタン変性エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、エポキシ化メタアクリル系オリゴマー、エポキシ化メタアクリル系ポリマーが挙げられる。エポキシ樹脂とともに用いることのできる硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド、ポリアミド等のアミド系硬化剤;アンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン等のアミン系硬化剤;フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、p-キシレン-ノボラック樹脂等のフェノール系硬化剤;酸無水物が挙げられる。組成物IIの硬化性を向上させるために、ラジカル重合性化合物を用いてもよい。ラジカル重合性化合物としては、例えば、多官能メタアクリレート類、多官能ウレタンメタアクリレート類、メタアクリロイル基含有イソシアヌレート類が挙げられる。組成物IIの接着強度および耐湿信頼性を向上させるために、シランカップリング剤を用いてもよい。シランカップリング剤としては、例えば、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-アミノエチル3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-アミノエチル3-アミノプロピルメチルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、N-2-ビニルベンジルアミノエチル3-アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-クロロプロピルメチルジメトキシシラン、3-クロロプロピルトリメトキシシランが挙げられる。組成物IIの流動性を調整するために、増粘剤を用いてよい。増粘剤としては、例えば、アクリルゴム、エビクロルヒドリンゴム、イソプレンゴム、ブチルゴムが挙げられる。組成物IIの粘度を調整するために、溶剤を用いてもよい。溶剤としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3-メトキシブチルアセテート等のエステル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等のエーテル類;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;メタノール、エタノール等のアルコール類;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類が挙げられ、これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。例えば、溶剤は、組成物IIの固形分濃度が通常5~50質量、好ましくは10~40質量となる範囲で用いることができる。ここで固形分濃度とは、溶剤以外の全成分の合計濃度である。組成物IIには、上記成分の他、求められる特性、性能に応じて、酸化防止剤、レベリング剤、重合禁止剤、紫外線吸収剤等の各種の添加剤を配合することができる。光熱変換層の形成に用いられる組成物IIは、上述した赤外線吸収剤好適例も同様である。を含有する。赤外線吸収剤の含有量は、通常0.01~50質量、好ましくは0.1~40質量、より好ましくは0.5~25質量である。接着剤層の形成に用いられる組成物IIにおいて、赤外線吸収剤の含有量は、通常5質量未満、好ましくは3質量以下、より好ましくは赤外線吸収剤が不含である。仮固定用組成物の調製本発明の仮固定用組成物の調製には、例えば、二軸押出機、単軸押出機、連続ニーダー、ロール混練機、加圧ニーダー、バンバリーミキサーを用いることができる。また、不純物を除く目的で、適宜、濾過を行うこともできる。仮固定用組成物から形成される仮固定材の特性仮固定材中の光熱変換層に、赤外線照射処理を行うことにより、光熱変換層において赤外線が赤外線吸収剤によって吸収され、熱エネルギーに変換される。発生した熱エネルギーは光熱変換層の温度を上昇させ、やがてその温度は光熱変換層中の樹脂の熱分解温度に達し、樹脂が熱分解し、熱分解によって発生したガスが光熱変換層内でボイド層空隙となると考えられ、その結果、支持体と基材とを容易に分離することができる。上記仮固定材は、例えば300°C以下という温度で基材を仮固定できるとともに、高温環境下例:225~300°Cでも、基材の処理時に基材を保持または保護しうる保持力を維持できる。保持力は、例えば剪断接着力や支持体の表面に対する垂直方向の接着力で評価される。このように本発明の仮固定材は、基材の加工処理時に付加される剪断力や支持体の表面に対して垂直方向に付加される力に対して充分な保持力を有する。本発明の仮固定材は、25°C近辺で用いられる基材の薄膜化、フォトファブリケーション例:25~300°C程度での温度範囲で用いられるエッチング加工やスパッタ膜の形成、225~300°C程度での温度範囲で用いられるメッキ処理やメッキリフロー処理などにおいても、基材を支持体上に保持することができる。本発明の仮固定用組成物から形成された仮固定材は、このような特性を有することから、現代の経済活動の場面で要求される様々な加工処理例:各種材料表面の微細化加工処理、各種表面実装において、基材の仮止め材として好適に用いられる。基材の処理方法本発明の基材の処理方法は、1基材とシリコンウエハからなる支持体とを、光熱変換層を有する仮固定材を介して仮固定する工程、2前記基材を加工する工程、3前記支持体の仮固定材に対する接触面とは反対側の面には焦点を絞らずに、前記支持体側から、赤外線を前記仮固定材に照射する工程、および4前記支持体から前記基材を剥離する工程を有する。《工程1》工程1では、例えば、11シリコンウエハからなる支持体および/または必要に応じて表面処理した基材の表面に仮固定材層を形成し、1層または2層以上の仮固定材層からなる仮固定材を介して基材と支持体とを貼り合せることにより、あるいは12支持体の表面に1層または2層以上の仮固定材層からなる仮固定材を形成し、前記仮固定材上に基材を形成することにより、基材を支持体上に仮固定することができる。このようにして形成される積層体は、支持体仮固定材仮固定材層基材という構成、好ましくは支持体光熱変換層接着剤層基材という構成を有する。仮固定材層例:光熱変換層、接着剤層の形成方法としては、例えば、i上述の仮固定用組成物を用いて、仮固定材層を、支持体上および/または基材上に直接形成する方法、ii上述の仮固定用組成物を用いて、仮固定材層を、離型処理が施されたPETPolyethyleneTerephthalateフィルム上に一定膜厚で成膜した後、支持体および/または基材へラミネート方式により転写する方法が挙げられる。膜厚均一性の点から、上記iの方法が好ましい。仮固定用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法が挙げられる。スピンコート法では、例えば、回転速度が300~3,500rpm好ましくは500~1,500rpm、加速度が500~15,000rpm/秒、回転時間が30~300秒という条件のもと、仮固定用組成物をスピンコーティングする方法が挙げられる。仮固定用組成物を塗布して塗膜を形成した後は、例えば、ホットプレート等でベークして、溶剤を蒸発させることによって、仮固定材層例:光熱変換層、接着剤層を形成することができる。ベーキングの条件は、例えば、温度が通常150~275°C、好ましくは150~260°Cであり、時間が通常2~20分、より好ましくは3~15分である。光熱変換層において、赤外線吸収剤の含有量は、全光熱変換層100質量に対して、通常5~60質量、好ましくは10~50質量、より好ましくは20~40質量である。赤外線吸収剤の含有量が前記範囲にあると、基材の剥離性の観点から好ましい。光熱変換層の厚さは、通常0.1~20μm、好ましくは0.5~10μm、より好ましくは1~10μmである。光熱変換層の厚さが前記範囲にあると、照射される赤外線を光熱変換層が良好に吸収することから、支持体からの基材の剥離を良好に行えるとともに、光熱変換層と他の層との接着性にも優れる。接着剤層の厚さは、通常10~200μm、好ましくは10~100μm、より好ましくは10~50μmである。接着剤層の厚さが前記範囲にあると、基材の表面凹凸に追従可能であり、保持力が充分であり、接着剤層と他の層との接着性に優れる。上記iの方法において、基材と支持体とを貼り合せる方法としては、例えば、基材および支持体のいずれか一方または双方に仮固定材層を形成して、両者を貼り合せる方法が挙げられる。光熱変換層および接着剤層からなる仮固定材を形成する場合、例えば、支持体上に赤外線吸収剤を含有する仮固定用組成物からなる光熱変換層を形成し、基材上に赤外線吸収剤を実質的に含有しない仮固定用組成物からなる接着剤層を形成し、これら支持体と基材とを光熱変換層と接着剤層とが接するように貼り合わせる方法が挙げられる。この際の温度は、各仮固定用組成物の含有成分、塗布方法等に応じて適宜選択される。このようにして、基材が支持体上に仮固定材層を介して強固に保持される。圧着条件は、例えば、150~300°Cで1~5分間、0.05~3MPaの圧力を付加することにより行えばよい。被加工対象物である前記基材としては、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、金属箔、研磨パッド、樹脂塗膜が挙げられる。半導体ウエハやチップには、通常はバンプや配線、絶縁膜などが形成されている。樹脂塗膜としては、例えば、有機成分を主成分として含有する層が挙げられ;具体的には、感光性材料から形成される感光性樹脂層、絶縁性材料から形成される絶縁性樹脂層、感光性絶縁樹脂材料から形成される感光性絶縁樹脂層などが挙げられる。支持体としては、シリコンウエハが用いられる。従来技術では、ガラス基板や石英基板などの透明基板が支持体として好ましく用いられているが、これらは汎用性が低く、歩留まりの点で不利であると考えられる。例えば、パイレックス商品名は、単価がシリコンウエハに比べて非常に高く、また、大口径のものは一般に出回っていないため入手が困難である。本発明では、支持体としてシリコンウエハを用いており、シリコンウエハは汎用性が高く廉価であることから生産性に優れている。支持体としてのシリコンウエハの厚さは、通常700~800μm、好ましくは725~775μmである。本発明の基材の処理方法は、バンプを有する半導体ウエハ等、特に、耐熱性に乏しいピラーバンプ例:銅部分とハンダ部分とからなるピラーバンプを有する半導体ウエハ等に対しても適用することができる。仮固定材層を基材上に形成するに際して、仮固定材の面内への広がりを均一にするため、基材表面を予め表面処理することもできる。表面処理の方法としては、基材表面に予め表面処理剤を塗布する方法などが挙げられる。上記表面処理剤としては、例えば、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、2-アミノプロピルトリメトキシシラン、2-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N-エトキシカルボニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-エトキシカルボニル-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、N-トリメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、10-トリメトキシシリル-1,4,7-トリアザデカン、10-トリエトキシシリル-1,4,7-トリアザデカン、9-トリメトキシシリル-3,6-ジアザノニルアセテート、9-トリエトキシシリル-3,6-ジアザノニルアセテート、N-ベンジル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-ベンジル-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-ビスオキシエチレン-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-ビスオキシエチレン-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンなどのカップリング剤が挙げられる。《工程2》工程2は、上記のように支持体上に仮固定された基材を加工する工程である。基材の加工処理としては、例えば、基材の薄膜化例:裏面研削;エッチング加工、スパッタ膜の形成、メッキ処理およびメッキリフロー処理などから選ばれる一以上の処理を含むフォトファブリケーションが挙げられる。フォトファブリケーションにおいては、基材が高温環境下に曝されることがある。例えば複数のチップをパッケージ内で積層して実装する所謂三次元実装などでは、ウエハまたはチップを支持体に仮固定して、例えばウエハまたはチップの加工例:貫通孔形成、バンプ形成、再配線、ウエハの薄膜化や、チップの積層例:メッキをメルトフローさせ、チップ間を電気的に接続するを行う。したがって、仮固定材には、メッキリフロー処理などに対する耐性耐熱性を有することが望まれる。例えば、仮固定用組成物としてシクロオレフィン重合体を含有する組成物Iを用いることにより、高温環境下でも略溶融せずに基材を保護可能な、耐熱性に優れる仮固定材を形成することができるので、基材の加工時に例えば半導体チップの破損やバンプの破損を防ぐことができる。基材の加工処理は、仮固定材の保持力が失われない温度で行えば特に限定されない。本発明では、上記仮固定材層が、低温および高温環境下においても加工処理時に基材を保持または保護しうる保持力を有している。以下では、基材の加工処理として、三次元実装の際に行われる加工処理を一例として説明する。三次元実装では、基材の表面に対して垂直方向に延びる貫通電極を形成し、その貫通電極の端部や配線上に、パッド電極やバンプなどの接続用電極を形成する。このようにして形成された接続用電極同士を接続することで、積層した基材相互間を接続する。i工程1で仮固定材を介して支持体上に仮固定された基材上にレジストを塗布し、露光処理および現像処理を行い、所定の形状にパターニングされたレジスト層を形成する。例えば、円形状のレジストパターンを基材上に複数形成すればよい。iiレジスト層をマスクとして、基材の所定形状にパターニングされた部分をエッチングし、開口部ホールを形成する。その後、レジスト層を剥離液あるいはアッシング例:O2アッシングなどにより剥離する。エッチングにはドライエッチングやウェットエッチングを使用することができる。iii基材の開口部を形成した面上に、SiO2などからなる絶縁層を形成する。iv絶縁層への導体の拡散を防ぐ目的で、TiWおよびTiNなどからなるバリア層をスパッタにより形成する。次に、銅などからなるシード層をスパッタにより形成する。v基材の開口部を形成した面上にレジストを塗布し、露光処理および現像処理を行い、基材の開口部に対応した形状にパターニングされたレジスト層を形成する。次に、メッキ処理Sn/Cuメッキなどを施して、基材の開口部に導体を充填し、貫通電極を形成する。その後、レジスト層を除去し、バリア層およびシード層をドライエッチングにより除去する。viこのようにして加工処理がなされた基材の貫通電極上に、リフローにより、パッド電極やバンプなどの接続用電極を形成する。次に、形成された接続用電極同士を接続することで、積層した基材相互間を接続することができる。《工程3および工程4》基材の加工処理後は、支持体側から仮固定材に赤外線を照射する。赤外線を、支持体の仮固定材に対する接触面とは反対側の面には焦点を絞らずに照射することで、支持体であるシリコンウエハの温度上昇、ひいては赤外線の透過率の低下を抑えることができる。特に、赤外線レーザーを仮固定材の光熱変換層に焦点を絞って照射することにより、剥離を効率良く行うことができる。仮固定材に対する赤外線照射の後であれば、仮固定材の加熱処理を特に必要とすることなく、支持体から基材を容易に剥離することができる。本発明では、剥離時に赤外線照射後の更なる加熱処理を行う必要が特にないため、耐熱性に劣るピラーバンプを有する基材であっても、その破損を防ぐことができる。照射光の光源としては、例えば、Nd:YAGレーザー、炭酸ガスレーザー、半導体レーザー等の赤外線レーザー;フラッシュランプ等の赤外線ランプが挙げられ、これらの中でも、赤外線レーザーが好ましい。例えば、波長が1~1.8μmの赤外線を照射することができる。赤外線レーザーの照射には、一般に工業的に用いられている照射方法、装置等を用いることが出来、特に限定されない。また、レーザー光線の走査方法としては、支持体仮固定材基材からなる被照射体を固定し、レーザー光線を走査させて照射したり、レーザー光線を固定し、被照射体を移動させて照射したりすることが挙げられ、このようにして被照射体特に光熱変換層全体にレーザー光線を照射してもよい。ここでの走査速度および被照射体の移動速度としては、例えば1~5,000mm秒、好ましくは10~1,000mm秒である。被照射体の照射面において、例えば、レーザー光線がつづら折り状に照射されるように、あるいは端部から中央に向かってスパイラル状にレーザー光線が照射されるように、レーザー光線の走査あるいは被照射体の移動を行えばよい。レーザー光線を走査させる、および/または被照射体を移動させることで、支持体であるシリコンウエハの温度上昇を抑えられ、光透過率を低下させることなく、露光できることから、より容易に剥離が行うことができる。照射条件は光源等の種類によって異なるが、例えば剪断力0.01~10N/cm2の剪断処理または支持体の表面に対して垂直方向に1~100N/cm2の力の付加により支持体から基材を剥離できるよう、赤外線照射処理の条件照射量、走査移動速度等を設定すればよい。具体的には、使用可能なレーザーパワーは、好ましくは0.1~100W、より好ましくは5~25Wである。赤外線照射後の剥離処理としては、例えば、支持体と基材とをその仮固定面支持体の表面に略水平方向にずらすなどの剪断処理剪断力:通常0.01~10N/cm2、好ましくは0.01~1N/cm2により、支持体から基材を剥離する方法;支持体の表面に対して垂直方向に基材を剥離する方法支持体の表面に対して垂直方向への力:通常1~100N/cm2、好ましくは5~50N/cm2が挙げられる。より具体的には、基材を支持体の表面に対して水平方向にスライドさせると同時に、支持体を固定する、あるいは前記基材に付加される力に拮抗する力を支持体に付加することによって、基材を支持体から剥離する方法が挙げられる。本発明において剪断とは、支持体と基材との仮固定面の略平行方向に力を作用させることをいう。なお、基材を支持体から剥離した後には、接着剤層、およびそれに起因する仮固定用組成物等が残存している場合がある。剥離後の基材上に残存する接着剤層は、ピール処理により容易に剥離することができる。また、剥離後の基材上に残存する仮固定用組成物は、上述の仮固定用組成物を調製する際に使用されうる溶剤洗浄液で洗浄して除去することができる。接着剤層の剥離には、好ましくは、基材と接着剤層との接着力よりも高い接着力を接着剤層との間に形成することができる粘着テープを用いることができる。粘着テープを接着剤層の上に接着させ、次いで、ピール処理することにより、接着剤層を剥離することができる。洗浄方法としては、例えば、基材を洗浄液に浸漬する方法、基材に洗浄液をスプレーする方法、基材を洗浄液に浸漬しながら超音波を加える方法が挙げられる。洗浄液の温度は特に限定されないが、好ましくは20~80°C、より好ましくは20~50°Cである。半導体装置本発明の半導体装置は、基材を、本発明の基材の処理方法によって加工して得られる。上述の仮固定材は半導体素子等の半導体装置の剥離時に容易に除去されるため、前記半導体素子等の半導体装置は仮固定材による汚染例:シミ、焦げが極めて低減されたものとなっている。また、本発明の半導体装置は、基材自体や基材が有する各部材の破損損耗が極めて低減されたものとなっている。以下、本発明の一実施態様を、実施例をもとにより具体的に説明する。なお、特に言及しない限り、部は質量部を表す。重合体の重量平均分子量Mwおよび数平均分子量Mnは、例えば、東ソー株製のGPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を使用し、測定することができる。1.仮固定用組成物の準備[調製例1]黒色剤分散液1の調製20部のカーボンブラック光散乱法による粒子径:10~200nm、5部の変性アクリル系ブロック共重合体ビックケミージャパン社製、商品名DISPERBYK-2001、および75部の3-メトキシブチルアセテートをビーズミルにより混合して、黒色剤分散液1を調製した。[合成例1]重合体溶液1の調製フラスコに、6部の2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、200部のジエチレングリコールエチルメチルエーテル、14部のメタクリル酸、26部のスチレン、29部のメタクリル酸グリシジル、31部のトリシクロ[5.2.1.026]デカン-8-イルメタクリレートおよび3部のα-メチルスチレンダイマーを仕込み、窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70°Cに上昇させ、この温度を5時間保持し、重合体を35質量含む重合体溶液1を得た。重合体のゲルパーミエーションカラムクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の重量平均分子量は13,000であった。[実施例1]仮固定用組成物1の調製80部のシクロオレフィン重合体商品名ARTONRX4500、JSR株製と、20部のテルペン系水素添加樹脂商品名CLEARONP150、ヤスハラケミカル株製と、20部の液状スチレンブタジエンゴム商品名L-SBR-820、クラレ株製と、3部のヒンダードフェノール系酸化防止剤商品名IRGANOX1010、BASF社製と、125部のカーボンブラック分散液商品名MHIブラック209、御国色素株製、固形分35質量と、367部のメシチレンとを混合することにより、仮固定用組成物1を調製した。[実施例2、4]仮固定用組成物2および仮固定用組成物4の調製実施例1において、配合成分を表1に記載のとおりに変更したこと以外は実施例1と同様にして、仮固定用組成物2および仮固定用組成物4を調製した。[実施例3]仮固定用組成物3の調製36部の調製例1で調整した黒色剤分散液1と、100部の合成例1で調整した重合体溶液1と、45部のアクリロイルオリゴマー商品名アロニックスM-520、東亜合成株製と、15部のビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂商品名エピコート157S65、ジャパンエポキシレジン株製と、20部の3-グリシドキシプロピルトリメトキシシランと、0.25部のポリエーテル変性シリコーン溶液商品名DOWCORNINGTORAY8019ADDITIVE、東レダウコーニング株製と、0.05部のアルミニウムN-ニトロソフェニルヒドロキシアミンと、680部のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとを混合することにより、仮固定用組成物3を調整した。2.評価[実施例5]仮固定用組成物4を、スピンコート法でシリコンウエハ1基材上に塗布し、ホットプレートを用いて、大気下、160°Cで5分間加熱し、次いで、窒素雰囲気下、230°Cで10分加熱し、シリコンウエハ1と厚さ40μmの塗膜接着剤層とを有する基板を得た。得られた基板を縦1cm、横1cmに切断し、接着剤層を有する基板1を得た。仮固定用組成物1を、スピンコート法でシリコンウエハ2厚さ750μm、支持体上に塗布し、ホットプレートを用いて、大気下、160°Cで5分間加熱し、次いで、窒素雰囲気下、230°Cで10分加熱し、シリコンウエハ2と厚さ3μmの塗膜光熱変換層とを有する基板を得た。得られた基板を縦1cm、横1cmに切断し、光熱変換層を有する基板2を得た。上述の基板1および基板2を接着剤層と光熱変換層とが接するように貼り合わせ、ダイボンダー装置を用いて、230°Cで15Nの力を120秒間加え、シリコンウエハ1とシリコンウエハ2とが接着剤層および光熱変換層からなる仮固定材を介して積層された、試験用積層体を得た。すなわち、試験用積層体は、シリコンウエハ1基材接着剤層光熱変換層シリコンウエハ2支持体という層構成を有する。試験用積層体を、オープンを用いて、200°Cで3時間加熱した後、ピール試験機を用いて、シリコンウエハ1と垂直方向に力200μm/秒の速度で、23°Cで20N/cm2を加えたが、シリコンウエハ1およびシリコンウエハ2はずれずに固定されていることが確認できた。次いで、試験用積層体を全固体連続発振赤外線レーザー装置商品名MARTIX1064CW、コヒレントジャパン株製にて、出力7W、焦点を光熱変換層に絞り、シリコンウエハ2側から赤外線レーザー波長は1064nmを試験用積層体に照射した。照射は、つづら折り250往復に走査走査速度は100mm/秒して行った。照射後の試験用積層体を、ピール試験機を用いて、シリコンウエハ1と垂直方向に力200μm/秒の速度で、25°Cで15N/cm2を加え、シリコンウエハ1とシリコンウエハ2とを剥離できるかを評価した。評価結果を表2に示す。[実施例6~9、比較例1および2]実施例5において、接着剤層および光熱変換層を表2に示す仮固定用組成物をそれぞれ用いて形成し、かつ、表2に示す焦点の絞り位置および走査速度で照射を行い、剥離の際に表2に示す力を加えたこと以外は実施例5と同様の手法にて、評価を行った。評価結果を表2に示す。"