"放熱用ベース上に位置決めされて載置され、実装基板を位置決めする外枠と、該外枠で位置決めされ前記実装基板上に載置される板状の内コマと、該内コマに形成された開口部で位置決めされ該内コマに対して上下に独立可動するチップコマと、を具備する半導体装置の組立治具であって、前記内コマの前記開口部を貫通する前記チップコマの長さ寸法が、前記内コマの厚さ寸法より大きいことを特徴とする半導体装置の組立治具。前記内コマの前記開口部を貫通する前記チップコマの長さ寸法が、該チップコマの底面の一部が前記実装基板の温度上昇で想定される湾曲面に接触する長さ寸法以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の組立治具。前記チップコマが、前記内コマの前記内コマの開口部を貫通する筒部と、該筒部上の庇部を有し、前記筒部の長さ寸法が該筒部の底面の一部が前記実装基板の温度上昇で想定される湾曲面に接触する長さ寸法以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の組立治具。前記外枠と前記内コマおよび前記チップコマがカーボンで形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の組立治具。放熱用ベース上に外枠を位置決めして載置する工程と、前記外枠内に第1の板半田を載置し、該第1の板半田上に前記外枠で位置決めされた実装基板を載置する工程と、前記実装基板上に前記外枠で内コマを位置決めし載置する工程と、前記内コマの開口部にチップコマの筒部を挿入し、前記実装基板に該チップコマの前記筒部の底面の一部を接触させて該チップコマを位置決めする工程と、前記チップコマの開口部に第2の板半田と半導体チップを積層して挿入し前記第2の板半田と前記半導体チップを位置決めする工程と全体を加熱炉に入れて、前記チップコマの筒部の底面の一部を熱応力で湾曲する前記実装基板に接触させながら前記第1の板半田および第2の板半田を溶融させる工程と、溶融した前記第1の板半田および第2の板半田を固化させ前記放熱用ベースと前記実装基板および半導体チップと前記実装基板をそれぞれ半田で固着する工程と、全体を加熱炉から取り出し、前記組立治具を前記放熱用ベースから取り外す工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の組立方法。前記チップコマの筒部の長さ寸法が、前記板半田が溶融する温度で湾曲した前記実装基板面に接触する長さ寸法以上であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の組立方法。前記チップコマの筒部の底面が、前記第1の板半田または第2の板半田が溶融する温度による前記実装基板の湾曲に追従して該実装基板面に常に接触することを特徴とする請求項5記載の半導体装置の組立方法。近年、半導体チップ55の特性改善が進むに従い、半導体チップ55の小型化薄型化が進んでいる。薄型化においては半導体チップ55の厚さは100μm程度である。図18は、半田付け時の温度で実装基板が湾曲した様子を示す図である。組立時に発生する実装基板53が熱変形して湾曲する。この湾曲により組立治具500を構成する内コマ61の裏面61a平板62の裏面と実装基板面53aの間に隙間Sができる。この隙間Sが薄型化が進んだ半導体チップ55の厚さと溶融半田54bの厚さ板半田54aの厚さにほぼ等しいを合わせた寸法T5より大きくなると、半田付け時の半導体チップ55がこの隙間Sから横方向へ位置ズレを起こし高精度に位置決めすることが困難になる。また、特許文献1~3では、半導体チップ1個に対して1個のチップコマを設けることで、実装基板の熱変形によって生じる組立治具チップコマの底面と実装基板面の隙間を半導体チップの厚さとこの半導体チップ下の半田の厚さを合わせた寸法以下にして、隙間から半導体チップが横方向に位置ズレを起すのを防止することについては記載されていない。また、前記文献3では、実装基板面の凹状の湾曲が大きくなると、前記の内コマでは隙間が大きくなり過ぎて、凹状の湾曲を吸収できず、隙間から半導体チップがはみ出してしまう。この発明の目的は、前記の課題を解決して、実装基板に半導体チップを半田付けする際に、組立治具と実装基板面の隙間寸法が半導体チップの厚みと半田の厚みを合わせた寸法以下にできる半導体装置の組立治具および半導体装置の組立方法を提供することにある。前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項1に記載の発明によれば、放熱用ベース上に位置決めされて載置され、実装基板を位置決めする外枠と、該外枠で位置決めされ前記実装基板上に載置される板状の内コマと、該内コマに形成された開口部で位置決めされ該内コマに対して上下に独立可動するチップコマと、を具備する半導体装置の組立治具であって、前記内コマの前記開口部を貫通する前記チップコマの長さ寸法が、前記内コマの厚さ寸法より大きい構成とする。また、特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記内コマの前記開口部を貫通する前記チップコマの長さ寸法が、該チップコマの底面の一部が前記実装基板の温度上昇で想定される湾曲面に接触する長さ寸法以上であるととい。また、特許請求の範囲の請求項3記載の発明によれば、請求項1または2に記載の発明において、前記チップコマが、前記内コマの前記内コマの開口部を貫通する筒部と、該筒部上の庇部を有し、前記筒部の長さ寸法が該筒部の底面の一部が前記実装基板の温度上昇で想定される湾曲面に接触する長さ寸法以上であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項4に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記外枠と前記内コマおよび前記チップコマがカーボンで形成されるとよい。また、特許請求の範囲の請求項5に記載の発明によれば、放熱用ベース上に外枠を位置決めして載置する工程と、前記外枠内に第1の板半田を載置し、該第1の板半田上に前記外枠で位置決めされた実装基板を載置する工程と、前記実装基板上に前記外枠で内コマを位置決めし載置する工程と、前記内コマの開口部にチップコマの筒部を挿入し、前記実装基板に該チップコマの前記筒部の底面の一部を接触させて該チップコマを位置決めする工程と、前記チップコマの開口部に第2の板半田と半導体チップを積層して挿入し前記第2の板半田と前記半導体チップを位置決めする工程と、全体を加熱炉に入れて、前記チップコマの筒部の底面の一部を熱応力で湾曲する前記実装基板に接触させながら前記第1の板半田および第2の板半田を溶融させる工程と、溶融した前記第1の板半田および第2の板半田を固化させ前記放熱用ベースと前記実装基板および半導体チップと前記実装基板をそれぞれ半田で固着する工程と、全体を加熱炉から取り出し、前記組立治具を前記放熱用ベースから取り外す工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の組立方法とする。また、特許請求の範囲の請求項6に記載の発明によれば、請求項5に記載の発明において、前記チップコマの筒部の長さ寸法が、前記板半田が溶融する温度で湾曲した前記実装基板面に接触する長さ寸法以上である半導体装置の組立方法とする。また、特許請求の範囲の請求項7に記載の発明によれば、請求項5に記載の発明において、前記チップコマの筒部の底面が、前記第1の板半田または第2の板半田が溶融する温度による前記実装基板の湾曲に追従して該実装基板面に常に接触する半導体装置の組立方法とする。この発明によれば、半田が溶融する温度で実装基板が凹状に湾曲した場合でもチップコマの底面の一部が実装基板面に常に自重で接触させることで、組立治具と実装基板の間の隙間を半導体チップの厚さと半田の厚さを合わせた寸法以下にできる。その結果、半田溶融時に半導体チップが横方向に位置ズレしてチップコマの開口部からはみ出ることがなく、半導体チップの実装基板への位置決めを精度よく行なうことができる。半導体チップを実装基板に組立治具を用いて位置決めし半田付けする場合、半田付け時の温度で実装基板が湾曲する。その変形量の大きさに係らず、組立治具と実装基板面の間の隙間寸法を半導体チップの厚さと溶融半田の厚みを合わせた寸法以下になるようにして、薄い半導体チップの位置ズレを防止することが本発明の要旨である。実施の形態を以下の実施例で説明する。図1~図4は、この発明の第1実施例の半導体装置の組立治具の構成図であり、図1はチップコマの構成図、図2は内コマの構成図、図3は外枠の構成図、図4は組立治具全体の構成図である。各図においてaは要部平面図、bはaのX-X線で切断した要部断面図である。図1において、チップコマ1は、筒部2と、この筒部2の上部に形成される庇部4からなる。筒部2と庇部4は平面形状が四角形のチップコマ1の開口部5が形成され、チップコマ1の筒部2と庇部4はこの開口部5を囲む4面の共通の側壁3を有する。この庇部4はチップコマ1が内コマ7の開口部9に挿入したときに抜け落ちないようにするために設けられている。チップコマ1の筒部2の外壁2bチップコマ1の外壁と内コマ7の開口部9の内壁10の間に0.05mm程度の隙間を設けて、チップコマ1が内コマ7に対して、上下に自由に独立可動できるようになっている。また、図示しないが、チップコマ1同士が直接接触する場合には、接触する側の庇部4は形成せず筒部2の外壁2bを庇部4まで伸ばして側壁3とする。この場合もチップコマ1の側壁3同士を滑りやすくするために、側壁3同士の間に0.05mm程度の隙間を設ける。また、内コマ7の開口部9を貫通するチップコマ1の筒部2の長さ寸法L1は、内コマ7の厚さ寸法L2より大きくする。さらに、この筒部2の長さ寸法L1は、半田付けの温度による湾曲した図示しない実装基板21に接触する長さ以上とするとよい。このように、チップコマ1の筒部2の底面2aの一部が実装基板21に常に接するようにすれば、チップコマ1の筒部2の底部2aと実装基板面22の間の隙間寸法T1が半導体チップ31の厚さW1と溶融半田の長さW2a板半田の厚さW2にほぼ等しいを合わせた寸法T2より小さくなり、位置ズレは起こらない。また、チップコマ1を自重で実装基板21に接触させるためには、庇部4を厚くするなどしてチップコマ1の重量を重くするとよい。また、チップコマ1に庇部4を設けない場合もある。尚、ここではチップコマ1の開口部5の平面形状は四角形であり、この開口部5の周囲が一体化した4面の側壁3で囲まれた例を示した。しかし、4面の側壁3はばらばらな1枚の平板を組み合わせたり、2面もしくは3面を一体化して、不足分の側壁を別のチップコマ1の側壁3で補っても構わない。図2において、内コマ7は平板8であり、開口部9が形成さている。この内コマ7の平板8は外枠13で図示しない放熱用ベースおよび実装基板の上に位置決めされ、開口部9にはチップコマ1の筒部2が挿入される。この内コマ7の開口部9はチップコマ1個に対して1つの場合の例を示したが、複数のチップコマ1を接触させて挿入できる大きな開口部とする場合もある。図3において、外枠13は、内コマ7の位置決めをする枠14と実装基板21を位置決めする爪17で構成される。また枠14の外周には位置決め用の穴16が形成されている。一方、半導体モジュールを構成する放熱用ベース25の外周にも位置決め用の穴26がある。この穴16,26同士を合せて、図示しないボルトとナットなどを用いて外枠13を放熱用ベース25に位置決めして固定する。また、図示しないが、枠14の外周に形成される位置決め用の穴16の代わりに位置決め用の金属ピン図16の金属ピン68に相当を設けて、この金属ピンを放熱用ベース25の位置決め用の穴26に差し込んで外枠13を放熱用ベース25上に位置決めしてもよい。尚、外枠13に爪が無い場合には、外枠13の内側15で前記の実装基板21と内コマ7を位置決めする。図4は、組立治具の全体の構成図である。この組立治具100は、外枠13と、外枠13を構成する枠14の内側15に位置決めされる内コマ7と、内コマ7の開口部9で位置決めされるチップコマ1で構成される。この組立治具100の材質は、例えば、高温、還元雰囲気の中フラックスを使用せずに半田付けを行なう場合には、加熱炉を汚染せず攻撃性がなく、熱変形が少なく、接触する半導体チップ31などの部品が割れなどの損傷を受け難い、加工性の優れたカーボンなどが好ましい。図5は、放熱用ベース上に板半田と実装基板および組立治具を位置決めした状態を示す図である。放熱用ベース25上に板半田24が載置され、板半田24上に組立治具100を構成する外枠13の爪部17で位置決めした実装基板21が載置される。また実装基板21上に組立治具100を構成する内コマ7で位置決めしたチップコマ1が載置される。放熱ベース25と外枠13は図示しない金属ピンを用いて従来と同様に位置決めされる。第1の板半田としての板半田24と図示しない半導体チップ31下の第2の板半田としての板半田32が溶融する温度で実装基板21の表側が凹状に湾曲する。その場合でも、チップコマ1が内コマ7に対して自由に上下に独立可動できる構造となっており、チップコマ1の長さ寸法L1が内コマ7の厚さ寸法L2より大きいため、チップコマ1の筒部2の底面2aの一部はチップコマ1の自重によって実装基板面22表側の面に常に接触している。また、組立治具100を放熱用ベース25から外す場合、外枠を放熱用ベースから外して持ち上げることで、外枠13の爪部17で内コマ7が持ち上げられ、内コマ7の開口部9の淵にチップコマ1の庇部4が接触してチップコマ1が持ち上げられ、放熱用ベース25から一緒に外すことができる。尚、外枠13の爪部17やチップコマ1の庇部4が無い場合には、それぞれを別々に放熱用ベース25から持ち上げて外すことになる。図11に示す半田付け状態において、チップコマ1の筒部2の底面2aと実装基板面22の間の隙間寸法T1を半導体チップ31の厚さW1と半導体チップ31下の溶融半田32aの厚さW2a板半田32の厚さW2にほぼ等しいを合わせた寸法T2以下にすることができる。その結果、板半田32が溶融して溶融半田32aになった時に半導体チップ31が横方向に位置ズレしてチップコマ1の開口部5から半導体チップ31がはみ出すことがなくなり、半導体チップ31の実装基板21への位置決めが精度よく行なうことができる。図6~図10は、この発明の第2実施例の半導体装置の組立方法について、工程順に示した要部工程断面図である。図6において、放熱用ベース25上に外枠13を位置決めして載置し、外枠13を構成する爪17突起で第1板半田としての板半田24とその上に実装基板21を位置決めして載置する。つぎに、図7において、実装基板21上に外枠13を構成する枠14の内側25で内コマ7を位置決めして載置し、続いて、内コマ7の開口部9にチップコマ1の筒部2を挿入しチップコマ1を位置決めして載置する。つぎに、図8において、チップコマ1の開口部5に第2板半田としての板半田32とその上に半導体チップ31を挿入して実装基板21上に位置決めし載置する。つぎに、図9において、前記の半導体チップ31、板半田32、チップコマ1、内コマ7、外枠13、実装基板21および板半田24などが載置された放熱用ベース25など全体33を加熱炉41に入れ、例えば、300°C程度の高温、還元雰囲気42で各板半田24,32を溶融させて溶融半田24a,32aの状態にする。つぎに、図10において、加熱炉41内で冷却し、溶融半田24a,32aを固化し放熱用ベース25と実装基板21および実装基板21と半導体チップ31を半田24b、32bでそれぞれ固着する。その後、組立治具100と、少なくとも放熱用ベース25、実装基板21、板半田24,32および半導体チップ31とを含む組立品の全体33を加熱炉41から取り出し、組立治具100を放熱用ベース25から外す。このようにして、放熱用ベース25と実装基板21および実装基板21と半導体チップ31の半田付け工程が終了する。図11は、図9の工程の板半田を溶融させた状態を示す拡大断面図である。実装基板面22は半田付け時の温度で凹状に湾曲する。この湾曲で内コマ7の底面7aは実装基板面22から離れて隙間Rができる。しかし、内コマ7の開口部9に挿入されたチップコマ1は内コマ7に拘束されずに自由に上下に独立可動する構造となっているため、チップコマ1の筒部2の底面2aの一部は常に湾曲する実装基板面22に追従して接触する。そのため、チップコマ1の筒部2の底面2aと実装基板面22との隙間寸法T1は極めて小さくなり、半導体チップ31はチップコマ1の開口部5から横方向にはみ出すことはなくなり、位置ズレは起こらない。さらに詳しく説明する。温度が上がるにつれて実装基板21の湾曲が大きくなるため、内コマ7と実装基板面22の隙間Rも大きくなる。この隙間Rは大きい場合には500μm程度になることもある。しかし、チップコマ1は内コマ7と独立して自重で常に実装基板面22にその一部が接触する構造となっているため、チップコマ1の筒部2の底面2aと実装基板面22の間の隙間寸法T1は小さくできる。例えば、10mm□程度の半導体チップ31の場合で、この隙間寸法T1は50μm程度以下にできる。一方、例えば、半導体チップ31の厚さW1を100μm、板半田32の厚さW2を100μmとすると、チップコマ1の筒部2の底面2aと実装基板面22との許容できる隙間寸法は200μm程度であり、チップコマ1を設けた場合の隙間寸法T1の50μmに対して、200μm-50μm=150μm以上の大幅な余裕でてくる。このように、チップコマ1の長さ寸法L1を内コマ7の厚さ寸法L2より大きくし、かつ、その差を内コマ7と実装基板面22の隙間R以上にして、チップコマ1の筒部2の底面2aの一部を実装基板面22に常に接触させることで、半導体チップ31の横方向への位置ズレを防止できて、位置合わせ精度を向上させることができる。。尚、前記の実装基板21の湾曲は、実装基板21を構成している図示しない絶縁基板と導電パターンおよび導電膜の熱膨張係数の違いで起こる。絶縁基板の裏面には導電膜が形成され、表側には導電パターンが形成されている。裏面の導電膜にはパターンが形成されず全面がべた導電膜であり、表面の導電パターンには複数の回路パターンが形成されているため、裏面の導電膜の面積が表側の導電パターンの面積より大きくなる。そのため、導電膜の熱膨張係数が絶縁基板より大きい場合、実装基板21は高温になると、表側の面上側の面が凹になるように湾曲する。"