"励起光を受け、第1テラヘルツ波を発生する第1テラヘルツ波発生部と、前記第1テラヘルツ波と前記第1テラヘルツ波発生部を透過した透過光とを分離する光分離手段と、前記第1テラヘルツ波発生部を透過した前記透過光を受け、第2テラヘルツ波を発生する第2テラヘルツ波発生部とを備えるテラヘルツ波発生装置。前記第1テラヘルツ波発生部は、非線形光学結晶であり、前記第2テラヘルツ波発生部は、光伝導アンテナである請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置。前記非線形光学結晶の表面が反射防止膜でコーティングされている請求項2に記載のテラヘルツ波発生装置。前記非線形光学結晶は、有機イオン性材料である請求項2または3のいずれか1項に記載のテラヘルツ波発生装置。第1励起光を発信する第1励起光発振器と、第2励起光を発信する第2励起光発振器と、前記第1励起光と前記第2励起光を合成し、分波するカプラと、前記第1励起光と前記第2励起光を合成し、分波された一方の第1の光を受けてテラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置と、被対象物に放射された前記テラヘルツ波の透過波または反射波を検出し、かつ前記第1励起光と前記第2励起光を合成し、分波された他方の第2の光を受けて駆動するディテクタとを備え、前記テラヘルツ波発生装置が、前記第1の光を受け、第1テラヘルツ波を発生する第1テラヘルツ波発生部と、前記第1テラヘルツ波と前記第1テラヘルツ波発生部を透過した透過光とを分離する光分離手段と、前記第1テラヘルツ波発生部を透過した前記透過光を受け、第2テラヘルツ波を発生する第2テラヘルツ波発生部とを備える測定装置。前記第1テラヘルツ波と前記第2テラヘルツ波を合成する合成手段を備える請求項5に記載の測定装置。前記第1テラヘルツ波発生部は、非線形光学結晶であり、前記第2テラヘルツ波発生部は、光伝導アンテナである請求項5または6のいずれか1項に記載の測定装置。前記非線形光学結晶の表面が反射防止膜でコーティングされている請求項7に記載の測定装置。前記非線形光学結晶は、有機イオン性材料である請求項7または8のいずれか1項に記載の測定装置。前記第1励起光発振器は、波長が固定された光を発振し、前記第2励起光発振器は、波長を可変して光を発振する請求項5~9のいずれか1項に記載の測定装置。特許文献1では、テラヘルツ波の検出部におけるエネルギ効率をあげるために波長を変換し、波長変換されたレーザ光をテラヘルツ波検出のプローブ光とし、波長変換されないレーザ光をテラヘルツ発生の励起光として半導体結晶に入射している。特許文献2では、波長変換されたレーザ光を光伝導スイッチに入射しテラヘルツ波を発生し、波長変換されないレーザ光をDAST結晶に入射しテラヘルツ波を発生している。しかしながら、特許文献1の技術では、波長変換手段として高価な結晶を必要とし、また、この結晶の吸湿防止や温度安定化のためにヒータを必要とするなど、コストがかかる。さらに、特許文献2の技術では、テラヘルツ波発生素子を透過する光とテラヘルツ波として放射される光との割合が、1001以下と、非常に効率が悪く、透過する光が有効利用されないままであった。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的の一例は、簡素な構成によって、テラヘルツ波発生素子を透過する透過光を効率的に利用し、エネルギの効率を向上可能なテラヘルツ波発生装置および測定装置を提供することである。課題を解決するための手段上記課題を解決するために、本発明のテラヘルツ波発生装置は、励起光を受け、第1テラヘルツ波を発生する第1テラヘルツ波発生部と、前記第1テラヘルツ波と前記第1テラヘルツ波発生部を透過した透過光とを分離する光分離手段と、前記第1テラヘルツ波発生部を透過した前記透過光を受け、第2テラヘルツ波を発生する第2テラヘルツ波発生部とを備える。また、上記課題を解決するために、本発明の測定装置は、第1励起光を発信する第1励起光発振器と、第2励起光を発信する第2励起光発振器と、前記第1励起光と前記第2励起光を合成し、分波するカプラと、前記第1励起光と前記第2励起光を合成し、分波された一方の第1の光を受けてテラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置と、被対象物に放射された前記テラヘルツ波の透過波または反射波を検出し、かつ前記第1励起光と前記第2励起光を合成し、分波された他方の第2の光を受けて駆動するディテクタとを備え、前記テラヘルツ波発生装置が、前記第1の光を受け、第1テラヘルツ波を発生する第1テラヘルツ波発生部と、前記第1テラヘルツ波と前記第1テラヘルツ波発生部を透過した透過光とを分離する光分離手段と、前記第1テラヘルツ波発生部を透過した前記透過光を受け、第2テラヘルツ波を発生する第2テラヘルツ波発生部とを備える。以下、本発明の実施形態を、図面を用いて詳細に説明する。図1は、本実施形態の測定装置の構成を示すブロック図である。本発明の測定装置の実施形態の構成を、図1を参照しながら説明する。測定装置は、波長固定レーザ10、波長可変レーザ11、光ファイバ増幅器12,13、ファイバーカプラ14、光変調器15、ディテクタ16、コンピュータ200、波長制御部201、ロックインアンプ202から構成される。波長固定レーザ10は、予め固定された波長のレーザ光を放射する。波長可変レーザ11は、波長制御部201によって波長を制御され、制御信号に応じた波長を放射する。ここで、固定されたレーザ光の波長は、例えば、1530nmであり、可変されるレーザ光は1530~1565nmの範囲である。このようにレーザ光の波長を可変することで、4THz程度までのテラヘルツ波を得ることができる。光ファイバ増幅器12,13は、それぞれ、波長固定レーザ10からの波長が固定されたレーザ光、波長可変レーザ11からの波長が可変されたレーザ光を増幅し、出力する。これは、各々のレーザ光が途中で減衰するのを補うためのものであり、長距離伝送でない場合や、レーザ出力が十分であれば、使用しなくてもよい。光ファイバ増幅器12,13から出力された光は、ファイバーカプラ14にて、合成され、さらに分波される。ここで、合成された光は、光変調器15とディテクタ16に対してエネルギ的に半分ずつに分波される。光変調器15は、入射された光をAM変調し、ロックインアンプ202によってノイズが減らされた状態の光をテラヘルツ波発生装置1へ出力する。テラヘルツ波発生装置1は、後述するようにテラヘルツ波を出力する。ディテクタ16は、入射した光の周波数に応じて駆動し、テラヘルツ波発生装置1から出力され、被対象物Aを透過したテラヘルツ波を検出する。コンピュータ200は、波長制御部201を制御し、波長可変レーザ11から出力されるレーザ光の波長を制御する。また、コンピュータ200は、ロックインアンプ202を制御し、ディテクタ16が得るべき検出信号を得られるように、ノイズを低減する。テラヘルツ波発生装置1には、波長が異なるレーザ光、つまり、波長固定レーザ10および波長可変レーザ11とから、光ファイバ増幅器12,13とファイバーカプラ14と光変調器15を介して入射される。これにより、テラヘルツ波発生装置1は、波長の差、つまり周波数の差に応じて、テラヘルツ波を発生する。このため、波長可変レーザ11の波長を変更することで、テラヘルツ波発生装置1が出力するテラヘルツ波の周波数を変更することが可能となる。図2は、本発明の第1実施形態のテラヘルツ波発生装置の概略構成図である。次に本発明の第1実施形態のテラヘルツ波発生装置1について図2を参照して説明する。第1実施形態のテラヘルツ波発生装置1は、レンズ100,103,104,107,110,113と、ハーフミラー102,112と、ミラー108,109と、第1テラヘルツ波発生部101と、第2テラヘルツ波発生部105と、半球レンズ106と、位相差調整プリズム111とを含んで構成される。第1テラヘルツ波発生部101には、光ファイバ増幅器12,13とファイバーカプラ14と光変調器15を介して、波長固定レーザ10および波長可変レーザ11とから、波長が異なるレーザ光が、入射される。第1テラヘルツ波発生部101は、このレーザ光の波長の差に応じて、テラヘルツ波を発生する。このような差周波を利用したテラヘルツ発生素子としては、例えば、2methyl4nitroanilineMNAや、Nbenxyl2methyl4mitroanilineBNA、25nitropyridineや4dimethylaminoNmethyl4stilbazoliumtosylateDASTなどの有機イオン性材料の結晶や、GaP、GaSe、ZnGeP2ZGP、InSb半導体基板、ニオブリチウム結晶LiNbO3を用いることが可能である。本実施形態では、第1テラヘルツ波発生部101としてDASTを用いる。レンズ100は、第1テラヘルツ波発生部101へ入射するレーザ光の入射角度、拡散度を定める。第1テラヘルツ波発生部101に入射したレーザ光は、大部分が透過し、一部分が第1テラヘルツ波として出力される。第1テラヘルツ波発生部101に入射するレーザ光は、互いにわずかに波長の異なる近赤外光であり、フォノンポラリトンを励起して差周波数に相当する第1テラヘルツ波になる。DASTは、特に3THz以上の高周波領域において分散、吸収ともに比較的小さく、広帯域なテラヘルツ波発生に有効な結晶である。第1テラヘルツ波発生部101から出力される光は、第1テラヘルツ波発生部101を透過した透過光と第1テラヘルツ波からなる。ハーフミラー102は、透過光をそのまま直進させ、第1テラヘルツ波の進行を別の方向へ変える光分離手段として機能する。ハーフミラー102によって進行方向を変えられた第1テラヘルツ波は、ミラー109により進行方向を変え、レンズ110に入射される。レンズ110を伝播した第1テラヘルツ波は、位相差調整プリズム111で、後述する第2テラヘルツ波との位相差がゼロになるように調整され、ハーフミラー112へ入射する。第1テラヘルツ波発生部101を透過した透過光は、第1テラヘルツ波発生部101に入射した光の99程度のエネルギを有する。この透過光がレンズ103,104を伝播し、第2テラヘルツ波発生部105に入射される。第2テラヘルツ波発生部105は透過光である赤外光を受け、第2テラヘルツ波を発生する。本実施形態では、第2テラヘルツ波発生部105は赤外光を吸収する光伝導アンテナから構成される。光伝導アンテナは、光伝導性を示す半導体基板上に2つの金属電極を対向させて作製したものである。光伝導アンテナ中央の電極間隔は510μm程度であり、微小大ポールとして働く。この電極間に直流電圧を印加した状態で、パルス幅100fs以下で半導体のバンドギャップよりも高いエネルギを持ったレーザーパルスを電極間に入射すると、光吸収により自由キャリア電子と正孔が生成され、瞬時電流が流れ、この時間変化に比例した光電場テラヘルツ波が放出双極子放射される。この発生した光電場は、パルス幅が1ps以下で、スペクトルが数THzまで広がったコヒーレントな放射となる。なお、テラヘルツ光源としての光電導アンテナの性能を決める要素は、バイアス電圧とキャリア移動度である。このため、より移動度が大きく、耐電圧が高い材料が好ましい。このような光伝導アンテナとしては、GaAs系で、分子線エピタキシーMBEを用いて低温で成長するLTGaAsやInAs半導体基板、ZnTe電気光学結晶が用いられる。第2テラヘルツ波発生部105から発生したテラヘルツ波は、第2テラヘルツ波発生部105に密着して配置された半球レンズ106を介して空気中へ放射される。光電導アンテナから発生したテラヘルツ波は誘電率がより大きい方向へ向かって放射される性質がある。このため、光電導アンテナの表面から空気中誘電率ε1へ放射されるよりも、基板側例えば、GaAsの場合:誘電率ε12へと放射されてしまう。従って、半球レンズを表面に密着させ、半球レンズを介して空気中へ放射させるようにしている。第2テラヘルツ波発生部105から発生したテラヘルツ波は、半球レンズ106、レンズ107を伝播し、ミラー108によって進行方向を変えられ、ハーフミラー112へ入射する。ハーフミラー112で、第1テラヘルツ波は進行方向を変え、第2テラヘルツ波と合成されて、レンズ113に入射する。このように、第1テラヘルツ波を発生する第1テラヘルツ波発生部101を透過した透過光を第2テラヘルツ波発生部105でさらに第2テラヘルツ波を発生するための励起光として使用し、吸収させるため、全体としてエネルギ効率がよくテラヘルツを発生することができる。また、第1テラヘルツ波発生部101と第2テラヘルツ波発生部105の特性、発生原理が異なるので、異なる周波数のテラヘルツ波を発生させることができる。これら異なる周波数のテラヘルツ波を合成し、使用することができるので、広帯域なスペクトルを持つテラヘルツ波を発生することができる。図3は、本発明のテラヘルツ波発生装置1におけるテラヘルツ波発生部101の概略構成図である。テラヘルツ波発生部101は、光の進行方向に対して垂直な面に反射防止膜101aと反射防止膜101bがコーティングされている。反射防止膜101aと反射防止膜101bは、レンズ100から光に対して反射率がゼロ近くになるようにコーティングされる。これにより、テラヘルツ波発生部101に入射する光は、反射が少なく、透過していく。このため、より多くの透過光を下流側で利用することができる。図4は、本発明の第2実施形態のテラヘルツ波発生装置の概略構成図である。次に本発明の第2実施形態のテラヘルツ波発生装置1aについて図4を参照して説明する。第2実施形態のテラヘルツ波発生装置1aは、レンズ100,103,104,107,110,115と、ハーフミラー102と、ミラー108,109,114と、第1テラヘルツ波発生部101と、第2テラヘルツ波発生部105と、半球レンズ106と、位相差調整プリズム111とを含んで構成される。第2実施形態のテラヘルツ波発生装置1aにおいて、第1実施形態のテラヘルツ波発生装置1と同じ構成については、同一の符号を用い、説明を省略する。テラヘルツ波発生装置1aでは、第1テラヘルツ波と第2テラヘルツ波を合成せずに、第1テラヘルツ波の進行をミラー114によって変更し、レンズ115に入射し、第2テラヘルツ波をレンズ115に入射する構成となっている。このように構成することで、第1テラヘルツ波はミラー114によって、ハーフミラーでの反射に比べてエネルギロスを少なく反射され、また第2テラヘルツ波も、ハーフミラーがないので、エネルギロスがなくレンズ115へ入射されることになる。図5は、本発明の第3実施形態のテラヘルツ波発生装置の概略構成図である。次に本発明の第3実施形態のテラヘルツ波発生装置1bについて図5を参照して説明する。第3実施形態のテラヘルツ波発生装置1bは、レンズ100,103,104,107,110,113と、ハーフミラー102,112と、ミラー108,109と、第1テラヘルツ波発生部101と、第2テラヘルツ波発生部105と、半球レンズ106とを含んで構成される。第3実施形態のテラヘルツ波発生装置1bにおいて、第1実施形態のテラヘルツ波発生装置1と同じ構成については、同一の符号を用い、説明を省略する。テラヘルツ波発生装置1bでは、テラヘルツ波発生装置1aと異なり位相差調整プリズムを備えていない。レーザ光によって位相差を考慮しなくてもよい場合などに、装置構成を簡略化できる。図6は、本発明の第4実施形態のテラヘルツ波発生装置を含む測定部の一部概略構成図である。図7は、本発明の第4実施形態のテラヘルツ波発生装置の概略構成図である。次に本発明の第4実施形態のテラヘルツ波発生装置1cを含む測定部の一部と第4実施形態のテラヘルツ波発生装置1cについて図6,7を参照して説明する。図6は、測定部において、被対象物を測定する部分を示す。テラヘルツ波発生装置1cから発生する3本のテラヘルツ波は各々、レンズ113a,113b,113cを伝播し、被対象物A’に入射されている。被対象物A’を透過した3本のテラヘルツ波は各々、ディテクタ16a,16b,16cに入射され、検出される。レンズ116a,116b,116cは、ファイバーカプラ14から入射されるレーザ光を調整するためのレンズである。図7は、第4実施形態のテラヘルツ波発生装置1cの中身を示す概略構成図である。テラヘルツ波発生装置1cは、テラヘルツ波発生部121,125,129と、レンズ120,123,124,127,128,131と、ハーフミラー122,126,130とを備える。テラヘルツ波発生装置1cは3本のテラヘルツ波を被対象物A’へ照射するために、直列に3つのテラヘルツ波発生部121,125,129を備える。テラヘルツ波発生部125はテラヘルツ波発生部121を透過した光を受けて、テラヘルツ波を発生する。さらに、テラヘルツ波発生部129はテラヘルツ波発生部125を透過した光を受けて、テラヘルツ波を発生する。このため、テラヘルツ波発生部121,125,129はそれぞれ周波数特性が異なる素子であることが好ましい。また、被対象物A’に対して照射される周波数が異なることによって、より広帯域のテラヘルツ波で被対象物A’を測定することができる。また、本実施形態では3つのテラヘルツ発生部としたが、さらに4つ、5つとすることにより、さらに広帯域のテラヘルツ波で被対象物A’を測定することもできる。なお、エネルギの効率的利用の観点から、最下流にあるテラヘルツ発生部を光伝導アンテナで構成することが好ましい。最下流にあるテラヘルツ発生部を光伝導アンテナで構成することにより、上流側のテラヘルツ発生部を透過した光を最下流の光伝導アンテナで吸収することが可能となる。図8は、他の本実施形態の測定装置の構成を示すブロック図である。本発明の測定装置の他の実施形態の構成を、図8を参照しながら説明する。測定装置は、波長固定レーザ10、波長可変レーザ11、光ファイバ増幅器12,13、ファイバーカプラ14、光変調器15、ディテクタ16、コンピュータ200、波長制御部201、ロックインアンプ202から構成される。他の本実施形態の測定装置では、被対象物Aに対してテラヘルツ波発生装置1とディテクタ16の位置を変えることで、透過光のテラヘルツ波ではなく、反射光のテラヘルツ波を検出することで、被対象物Aの物性などを測定する。<実施形態の構成及び効果>本実施形態におけるテラヘルツ波発生装置は、励起光を受け、第1テラヘルツ波を発生するDASTからなる第1テラヘルツ波発生部101と、第1テラヘルツ波とDASTを透過した透過光とを分離するハーフミラー102と、DASTを透過した透過光を受け、第2テラヘルツ波を発生する光伝導アンテナからなる第2テラヘルツ波発生部105とを備える。上記のように構成したことで、第1テラヘルツ波発生部101を透過した透過光を、第2テラヘルツ波発生部105で利用することができ、エネルギの効率利用ができる。第1テラヘルツ波発生部101は、非線形光学結晶であり、第2テラヘルツ波発生部105は、光伝導アンテナである。上記のように構成したことで、第1テラヘルツ波発生部101で透過した透過光を、光を吸収する特性を持つ第2テラヘルツ波発生部105である光伝導アンテナで吸収でき、光を効率的に使用できる。非線形光学結晶の表面は反射防止膜でコーティングされている。反射防止膜でコーティングしたので、非線形光学結晶を透過する光を多くすることができ、さらに効率的に光を利用することができる。さらに非線形光学結晶は、有機イオン性材料である。本実施形態における測定装置は、第1励起光を発信する第1励起光発振器と、第2励起光を発信する第2励起光発振器と、第1励起光と第2励起光を合成し、分波するカプラと、第1励起光と第2励起光を合成し、分波された一方の第1の光を受けてテラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置と、被対象物に放射されたテラヘルツ波の透過波または反射波を検出し、かつ第1励起光と第2励起光を合成し、分波された他方の第2の光を受けて駆動するディテクタとを備え、テラヘルツ波発生装置が、第1の光を受け、第1テラヘルツ波を発生する第1テラヘルツ波発生部と、第1テラヘルツ波と前記第1テラヘルツ波発生部を透過した透過光とを分離する光分離手段と、前記第1テラヘルツ波発生部を透過した前記透過光を受け、第2テラヘルツ波を発生する第2テラヘルツ波発生部とを備える。上記のように構成したことで、第1テラヘルツ波発生部101を透過した透過光を、第2テラヘルツ波発生部105で利用することができ、エネルギの効率利用ができる測定装置で被対象物を測定できる。さらに、第1テラヘルツ波と第2テラヘルツ波を合成する合成手段を備える。このように構成したことで、被対象物に対して広帯域のテラヘルツ波を一度に照射し、測定することができる。第1テラヘルツ波発生部は、非線形光学結晶であり、第2テラヘルツ波発生部は、光伝導アンテナである。上記のように構成したことで、第1テラヘルツ波発生部101で透過した透過光を、光を吸収する特性を持つ第2テラヘルツ波発生部105である光伝導アンテナで吸収でき、光を効率的に使用できる測定装置で被対象物を測定できる。さらに、非線形光学結晶の表面は反射防止膜でコーティングされている。非線形光学結晶の表面を反射防止膜でコーティングしたので、非線形光学結晶を透過する光を多くすることができ、さらに効率的に光を利用することができる測定装置で被対象物を測定できる。さらに、第1励起光発振器は、波長が固定された光を発振し、第2励起光発振器は、波長を可変して光を発振する。上記のように構成したことで、可変された波長に応じて、より広帯域の領域のテラヘルツ波を発生することができる。<定義部>本発明において、第1テラヘルツ波発生部は、テラヘルツ波を発生すると同時にテラヘルツ波以外の光を透過する素子であれば、どのような素子であってもよい。本発明において、第2テラヘルツ波発生部は、テラヘルツ波を発生すると同時に、入射された光を吸収する素子であれば、どのような素子であってもよい。本発明において、第1テラヘルツ波発生部および第2テラヘルツ波発生部は、各々、複数で構成されてもよい。"