磁気ディスクと、磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触を検知するように構成された埋め込み接触センサと、前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触の検知を補助するように構成された熱式浮上量制御用の要素と、を含むハードディスクドライブ。前記埋め込み接触センサが検知する接触と、前記熱式浮上量制御用の要素が検知する接触とは、前記磁気ヘッドのうち読み出しヘッド及び書き込みヘッドを含む部分が前記磁気ディスクに接触する真正接触を含む、請求項1に記載のハードディスクドライブ。前記熱式浮上量制御用の要素が検知する接触は、前記磁気ヘッドのうち読み出しヘッド及び書き込みヘッドを含まない部分が前記磁気ディスクに接触する擬似接触を含む、請求項1に記載のハードディスクドライブ。磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触検知方法であって、前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触を検知するように構成された熱式浮上量制御用の要素に基づいて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触の検知を実行するステップと、前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触を検知するように構成された埋め込み接触センサに基づいて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触の検知を実行するステップと、前記熱式浮上量制御用の要素による接触の検知と、前記埋め込み接触センサによる接触の検知と、に応答して、前記磁気ヘッドのうち読み出しヘッド及び書き込みヘッドを含む部分が前記磁気ディスクに接触する真正接触を判定するステップと、を含む接触検知方法。前記埋め込み接触センサによる接触の検知と、前記熱式浮上量制御用の要素による接触の非検知と、に応答して、前記真正接触を判定するステップを含む、請求項4に記載の接触検知方法。前記熱式浮上量制御用の要素による接触の検知と、前記埋め込み接触センサによる接触の非検知と、に応答して、前記磁気ヘッドのうち前記読み出しヘッド及び前記書き込みヘッドを含まない部分が前記磁気ディスクに接触する疑似接触を判定するステップを含む、請求項4に記載の接触検知方法。磁気ヘッドのうち読み出しヘッド及び書き込みヘッドを含まない部分が磁気ディスクに接触する疑似接触を、前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触を検知するように構成された熱式浮上量制御用の要素による接触の検知と、前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触を検知するように構成された埋め込み接触センサによる接触の非検知と、に基づいて判定するステップに応答して、前記磁気ヘッドをバニシングしてエアベアリング面のフェンスを除去するステップを含むバニシング方法。前記埋め込み接触センサにより接触が検知されるまで前記磁気ヘッドをバニシングする、請求項7に記載のバニシング方法。前記磁気ディスクのバニシングゾーンで前記磁気ヘッドをバニシングする、請求項7に記載のバニシング方法。前記磁気ディスクの内径バニシングゾーンで前記磁気ヘッドをバニシングする、請求項9に記載のバニシング方法。前記磁気ディスクの外径バニシングゾーンで前記磁気ヘッドをバニシングする、請求項9に記載のバニシング方法。前記埋め込み接触センサにより接触が検知されるまで、前記熱式浮上量制御用の要素に供給する電力を増大させるステップを含む、請求項7に記載のバニシング方法。本発明は、上記課題を解決することを目的とする。本発明のハードディスクドライブは、磁気ディスクと、磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触を検知するように構成された埋め込み接触センサと、前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触の検知を補助するように構成された熱式浮上量制御用の要素と、を含む。特に強調する場合を除き、以下の記述で参照する図面は原寸大では描かれていないことを理解されたい。以下、本件技術の実施形態を詳細に参照し、その例を添付の図面に示す。本件技術について各種の実施形態と合わせて記述しているが、本件技術がこれらの実施形態に限定されないことを理解されたい。むしろ、本件技術は代替物、変型、および等価物を本願することを意図しており、添付の請求項に記載の各種実施形態の概念および範囲に含まれる。更に、実施形態の以下の記述において、本件技術を完全に理解いただけるよう多数の具体的な詳細事項を開示している。しかし、本件技術は、これらの具体的な詳細事項が無くても実施できる。他の例において、本実施形態の態様を無用に分かりにくくしないよう、公知の方法、手順、構成要素、および回路については詳述しない。ここで図1を参照するに、コンピュータシステム用の磁気ハードディスクドライブHDD100を含む情報記憶システムの一実施形態の模式図を示すが、1つのヘッドと1つのディスク表面の組合せのみを示している。1つのヘッド-ディスク組合せについて本明細書で記述する内容は複数のヘッド-ディスクの組合せにも適用できる。換言すれば、本件技術はヘッド-ディスクの組合せの数から独立している。一般に、HDD100は内部ベースプレート113および内部カバー図示せずを有する。一実施形態において、内部筐体113は、少なくとも1つの磁気ディスク媒体138を有するディスクパックを含んでいる。ディスク138で表すようにディスクパックは、ディスクパックが回転可能な回転軸および当該軸に対する半径方向を定める。中心駆動ハブ130を有するスピンドルモーターアセンブリが軸として動作してディスクパックのディスク138を内部ベースプレート113に対して円周方向に回転させる。アクチュエータアセンブリ115は、1つ以上のアクチュエータアーム116を含んでいる。多くのアクチュエータアーム116が存在する場合、それらは通常、ベース/筐体113に可動的にまたはピボット的に搭載されたくしの形状で表される。コントローラ150もまた、アクチュエータアーム116をディスク138に対して選択的に移動させる内部ベースプレート113に搭載されている。アクチュエータアセンブリ115は、アーム電子機器AEとHDD100が収められたコンピュータ等のホストシステムの間でデータを伝送する可撓ケーブル等のコネクタアセンブリに結合されていてもよい。一実施形態において、各アクチュエータアーム116は、自身から延びる少なくとも1つのカンチレバーを有する一体型リードサスペンションILS120を有する。ILS120は、データアクセス記憶装置で使用可能な任意の形状のリードサスペンションであってもよい。スライダまたは磁気ヘッド121、ILS120、および読み出し/書き込みヘッドを含む一体型のレベルをヘッドジンバルアセンブリHGAと呼ぶ。ILS120はバネに類した性質を有し、スライダ121のエアベアリング面をディスク138に向けて付勢または押圧して、スライダ121をディスク138から正確な距離で浮上させる。ILS120は、バネに類した性質を提供するヒンジ領域、および読み出しおよび書き込みトレースやヒンジ領域を介した電気接続をサポートする可撓ケーブル式の相互接続を有する。従来のボイスコイルモーターVCM磁石アセンブリ内で自由移動可能なボイスコイル112もまた、ヘッドジンバルアセンブリに対向してアクチュエータアーム116に搭載されている。コントローラ150によるアクチュエータアセンブリ115の移動により、ヘッドジンバルアセンブリがディスク138の表面に同心円状に設けられたトラックの円弧に沿って移動する。特に、ヘッドICであるAEは、HDD100に配置されたICパッケージ化ICを構成する。通常、AEはアクチュエータアセンブリ116の揺動軸の近くにあって、アクチュエータアセンブリ116の一部に連結された可撓プリント回路FPC図示せずに固定されている。AE回路の一部はヘッドスライダ121に電気的に接続されている。一実施形態において、AE回路の一部は、読込み/書き込みチャネルLSIに接続されている。AEは、制御データに基づいて磁気ディスク138にアクセス読み出しまたは書き込みするヘッドスライダ121磁気ヘッドを選択し、読み出し/書き込み信号を増幅する。また、読み出し/書き込みチャネルLSIコードは、書き込みデータを変調し、AEにデータを出力して、読み出された再生波形例:AEおよびコードの出力信号からデータを検知して、データをコード復調する。読み出し処理において、読み出し/書き込みチャネルが、AEから供給された読み出し信号からデータを抽出してデータを復号化する。書き込み処理において、読み出し/書き込みチャネルコードが書き込みデータを変調し、コード変調されたデータを書き込み信号に変換して、信号をAEに供給する。図2Aに、本発明の一実施形態による磁気ヘッド220Aヘッドスライダを示す。磁気ヘッド220Aは、エアベアリング面ABS225、熱式浮上量制御用の要素TFC230、埋め込み接触センサECS240、読み出しヘッド250、および書き込みヘッド260を含んでいる。TFC230は、磁気ヘッド220Aと磁気ディスク138の間の浮上高さを制御しやすくするために磁気ヘッド220Aを加熱するように構成されており、例えばヒーターからなる。例えば、TFC230に電力が供給された場合、磁気ヘッド220Aは浮上高さが下がるようにTFC230の領域内で膨張する。その上、TFC230は更に、磁気ディスク138と磁気ヘッド220Aの接触の検知を容易にするように構成される。上述のように、TFC230に供給される電力はHDD100の製造テスト中に段階的に増加される。磁気ヘッド220Aとディスク138の間で接触が検知された場合、指定された隙間に対応する電力が接触検知時の電力から減算されて、ヘッドに供給する標準的な電力として保存される。この較正手順を製造時接触検知と呼ぶ。従来の製造時接触検知では、熱式浮上量制御と合わせて、以下の方法を用いることができる。1VCM電流の平均、2VCM電流の標準偏差、3位置決め誤差信号PESの標準偏差、4サーボ可変ゲインアンプVGAの平均、または5サーボVGAの標準偏差。上述の方法により、現在の隙間は数ナノメートルnmに過ぎない。製造テスト中と使用中における条件の違いを考慮すれば、現在の隙間は限界に近い。従って、使用中の意図しない接触の危険性が増大する。読み出しヘッド250および書き込みヘッド260の近傍にECS240が配置されている。ECS240は、磁気ディスク138と磁気ヘッド220Aの接触の使用時接触検知および高精度の製造時接触検知を容易にするように構成されている。概念的に、ECS240は磁気ヘッド220Aに埋め込まれた抵抗素子である。ECS240は、ECS240の抵抗が摩擦に起因する熱により変化するサーマルアスペリティTA現象を通じて、磁気ヘッド220Aと磁気ディスク138の接触を確認できる。特に、固定電流または固定電圧がECS240に加えられた場合に、抵抗値の変化が電圧または電流から測定される。一実施形態において、ECS240は抵抗素子である。ECS240の抵抗は、ヘッド-ディスク接触により変化する。一般に、ECS240の抵抗値は、接触により生じる温度上昇により増大する。従って、ECS240に関連付けられた回路は、ECS240の抵抗を監視して、ヘッド-ディスク接触により生じたECS240の抵抗の変化を検知する。例えば、図2Aに示すように、ECS240の抵抗の変化は、磁気ディスク138に磁気ヘッド220Aが接触することにより生じる。ECS240は、自身の抵抗性により、上述の従来方法より高い接触感度を与える。しかし、ECS240は、従来の方法と組み合わせて、且つ同時に用いて製造時接触検知能力を向上させることができる。一実施形態において、1ECS240および2従来の接触方法例:VCM電流平均の両方が磁気ヘッド220Aと磁気ディスク138の接触を検知または報告した場合、真正現実の接触力が生起したものとみなされる。別の実施形態において、磁気ヘッド220Aと磁気ディスク138の接触の検知または報告を1ECS240は行なうが、2従来の接触の検知方法は行なわない場合、真正現実の接触力が生起したものとみなされる。真正現実の接触とは、1読み出しヘッド250または書き込みヘッド260と磁気ディスク138との物理的接触、または2読み出しヘッド250または書き込みヘッド260の近傍とディスク138との物理的接触である。例えば、真正の接触と考えられるのはECS240が磁気ディスク138と接触している場合であり、その理由はECS240が読み出しヘッド250および書き込みヘッド260と同等な位置関係にあるためである。別の例では、真正の接触が生じるのは、TFC230により生じた突出部の頂点が磁気ディスク138に接触した場合である。図2Bに、本発明の一実施形態による磁気ヘッド220Bを示す。磁気ヘッド220Bは、磁気ヘッド220Aに類似しているが、磁気ヘッド220BはABSフェンス280または汚染を含んでいる。ABSフェンス280は多くの場合、ABS溝またはポケット図示せずの近くに存在する。一実施形態において、磁気ヘッド220Bと磁気ディスク138の接触の検知または報告を1ECS240が行なわず、2従来の接触方法が行なう場合、疑似接触力が生じたとみなされる。例えば、図2Bに示すように、磁気ディスク138にABSフェンスが接触することにより、ECS240に近接する領域は磁気ディスク138に接触できないため、ECS240は接触を検知しない。疑似接触とは、ABSフェンス280またはABS上多くの場合ABS溝またはポケットの近傍にある異物汚染により生じる接触である。疑似接触では、読み出しヘッド250および書き込みヘッド260が磁気ディスク138の充分近くに存在しないため、所望の記録および再生性能が得られない確率が高い。従来の製造時接触検知では、真正接触に似た摩擦力および摩擦振動は疑似接触中にも作用するため、真正接触と疑似接触の区別は困難である。疑似接触が生じたならば、ABSフェンス280はヘッドのバニシングにより除去されなければならない。バニシングの結果、ABSフェンス280と磁気ディスク138の隙間は、ECS240と磁気ディスク138の隙間より大きくなる。従って、真正接触が生じ得る。ここで図1、図2Bを参照するに、ABSフェンス280を有する磁気ヘッド220Bが磁気ディスク138の内径IDと外径ODの間を移動する。通常、磁気ヘッド220Bは、スキューの為、IDおよびODで反対方向に傾く。このため、ABSフェンス280のバニシングは、ECS240に対するABSフェンス280の向きに応じてIDバニシングゾーン145またはODバニシングゾーン140のいずれかで行なうことがより適している。一実施形態において、ODバニシングゾーン140は、IDバニシングゾーン145より広い領域を有している。IDバニシングゾーン145およびODバニシングゾーン140がデータゾーンではないことを理解されたい。従って、データが失われる恐れがない。更に、IDと比較して、ODの方が周速が速いため、ODバニシングゾーン140でバニシングを行なう方がより適している場合がある。一実施形態において、ABSフェンス280のバニシングはIDバニシングゾーン145で生じる。例えば、磁気ディスク138のIDに近接して疑似接触が生じた場合、ABSフェンス280のバニシングはIDバニシングゾーン145で実行される。別の実施形態において、ABSフェンス280のバニシングはODバニシングゾーン140で生じる。例えば、磁気ディスク138のODに近接して疑似接触が生じた場合、ABSフェンス280のバニシングはODバニシングゾーン140で実行される。更に別の実施形態において、ABSフェンス280のバニシングはODバニシングゾーン140および/またはIDバニシングゾーン145で生じる。例えば、磁気ディスク138のIDおよびODに近接して疑似接触が生じた場合、ABSフェンス280のバニシングはODバニシングゾーン140および/またはIDバニシングゾーン145で実行される。図3に、本発明の一実施形態によるABSフェンス280を除去するフロー図を示す。310において、TFC230のヒーター出力が初期値で適用される。320においてECS240が接触を報告したならば、360において、適用されたヒーター出力の数値が接触電力として保存される。320においてECS240が接触を報告せず、330において従来方法により接触が報告されなかった場合、315においてヒーター出力を増大させる。これは接触が報告されるまで繰り返される。320においてECS240が接触を報告せず、しかし、330において従来方法により接触が報告された場合、疑似接触と判断される。この場合、340においてヒーター出力を増大させる。加熱により生じた膨張は通常より極めて大きく、350においてバニシング効果が得られる。バニシング処理が終了した時点で、疑似接触の前の真正接触の報告を確認するために初期接触確認のフローが復元される。図4に、本発明の一実施形態による接触の検知方法400を示す。各種の実施形態において、方法400は、コンピュータ可読且つコンピュータ実行可能な命令の制御下でプロセッサおよび電気的要素により実行される。コンピュータ可読且つコンピュータ実行可能な命令は、例えばコンピュータ使用可能な揮発性および不揮発性メモリ等のデータ記憶媒体に常駐している。しかし、コンピュータ可読且つコンピュータ実行可能な命令は、任意の種類のコンピュータ可読記憶媒体に常駐していてもよい。いくつかの実施形態において、方法400は少なくともHDD100により実行される。方法400の410において、磁気ディスクと磁気ヘッドの接触の検知が部分的にTFCに基づいて実行される。なお、410における接触検知では、位置決め誤差信号、あるいはボイスコイルモーター電流値、あるいはサーボ可変ゲインアンプによる接触検知を、TFCによる接触検知と組み合わせてもよい。方法400の420において、磁気ディスクと磁気ヘッドの接触の検知がECSに基づいて実行される。方法400の430において、TFCおよびECSに基づく接触の検知に応答して、接触は磁気ディスクと磁気ヘッドの真正接触であるとみなされる。一実施形態において、方法400の440において、ECSに基づくがTFCには基づかない接触の検知に応答して、接触は磁気ディスクと磁気ヘッドの真正接触であるとみなされる。別の実施形態において、方法400の450において、TFCに基づくがECSには基づかない接触の検知に応答して、接触は磁気ディスクと磁気ヘッドの疑似接触であるとみなされる。図5に、本発明の一実施形態によるバニシングの方法500を示す。各種の実施形態において、方法500はコンピュータ可読且つコンピュータ実行可能な命令の制御下でプロセッサおよび電気的要素により実施される。コンピュータ可読且つコンピュータ実行可能な命令は例えばコンピュータが使用可能な揮発性および不揮発性メモリ等のデータ記憶媒体に常駐している。しかし、コンピュータ可読且つコンピュータ実行可能な命令は、任意の種類のコンピュータ可読な記憶媒体に常駐していてもよい。いくつかの実施形態において、方法500は少なくともHDD100により実行される。方法500の510において、磁気ヘッドに配置されたTFCに基づくがECSには基づかない磁気ディスクと磁気ヘッドの接触の検知に応答して、磁気ヘッドがバニシングされてABSフェンスを除去する。一実施形態では、512において、ECSが接触を検知するまで磁気ヘッドをバニシングする。別の実施形態では、514において、磁気ディスクのバニシングゾーンで磁気ヘッドをバニシングする。例えば、516において、磁気ディスクの内径バニシングゾーンで磁気ヘッドをバニシングする。別の例では、518において、磁気ディスクの外径バニシングゾーンで磁気ヘッドをバニシングする。方法500の520において、ECSが接触を検知するまでTFCに対する電力を増大させる。本発明の各種の実施形態について上の通り記述してきた。本発明を具体例について記述しているが、本発明がそのような実施形態に限定されるものと解釈すべきではなく、以下の請求項に従い解釈すべきである。