"脂環式エポキシ化合物Aと、下記式1[式中、R1及びR2は水素原子または炭素数1~8のアルキル基を示す]で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bと、ポリカーボネートポリオールCと、硬化剤D又は硬化触媒Eとを含むことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物。前記脂環式エポキシ化合物Aの脂環エポキシ基がシクロヘキセンオキシド基である請求項1に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。前記脂環式エポキシ化合物Aが下記式I-1で表される化合物である請求項2に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。さらに、硬化促進剤Fを含む請求項1~3のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。さらに、ゴム粒子を含む請求項1~4のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。さらに、アクリルブロック共重合体を含む請求項1~5のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。請求項1~6のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化物。請求項1~6のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物からなる光半導体封止用樹脂組成物。請求項8に記載の光半導体封止用樹脂組成物で光半導体素子を封止した光半導体装置。高い耐熱性及び耐光性を有し、黄変しにくい封止樹脂として、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレートとε-カプロラクトンの付加物、1,2,8,9-ジエポキシリモネンなどの脂環骨格を有する液状の脂環式エポキシ樹脂が知られている。しかし、これらの脂環式エポキシ樹脂の硬化物は各種応力に弱く、冷熱サイクル加熱と冷却を繰り返すことのような熱衝撃が加えられた場合に、クラックひび割れが生じる等の問題を有していた。上記光半導体装置は、通常、はんだ付けにより該光半導体装置の電極を配線基板に接合するためのリフロー工程を経る。近年、接合材としてのはんだとして、融点の高い無鉛はんだが使用されるようになってきており、リフロー工程での加熱処理がより高温例えば、ピーク温度が240~260°Cになってきている。このような状況下、従来の光半導体装置においては、リフロー工程での加熱処理により封止樹脂が光半導体装置のリードフレームから剥離したり、封止樹脂にクラックが生じたりする等の劣化の問題が発生することが判明した。このため、光半導体装置における封止樹脂としては、高い耐熱性、耐光性、及び耐クラック性を兼ね備え、さらに耐リフロー性にも優れた透明な封止樹脂が求められているのが現状である。なお、本明細書において耐リフロー性とは、光半導体装置をリフロー工程で加熱処理した場合に、リードフレームからの封止樹脂の剥離やクラックなどを生じない特性をいう。従って、本発明の目的は、高い透明性、耐熱性、耐光性、及び耐クラック性を兼ね備え、さらに耐リフロー性にも優れた硬化物を与える硬化性エポキシ樹脂組成物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化してなる、高い透明性、耐熱性、耐光性、及び耐クラック性を兼ね備え、さらに耐リフロー性にも優れた硬化物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、リフロー工程の加熱処理による劣化や経時での光度低下が抑制された光半導体装置が得られる、上記硬化性エポキシ樹脂組成物からなる光半導体封止用樹脂組成物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記光半導体封止用樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止することにより得られる、リフロー工程の加熱処理による劣化や経時での光度低下が抑制された光半導体装置を提供することにある。本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、脂環式エポキシ化合物、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物、及びポリカーボネートポリオールを必須成分として含み、さらに硬化剤又は硬化触媒を含む硬化性エポキシ樹脂組成物が、高い透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、耐リフロー性を兼ね備えた硬化物を与え、該硬化物にて光半導体素子を封止した光半導体装置は、リフロー工程の加熱処理による劣化や経時での光度低下が生じにくいことを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明は、脂環式エポキシ化合物Aと、下記式1[式中、R1及びR2は水素原子または炭素数1~8のアルキル基を示す]で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bと、ポリカーボネートポリオールCと、硬化剤D又は硬化触媒Eとを含むことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。さらに、前記脂環式エポキシ化合物Aの脂環エポキシ基がシクロヘキセンオキシド基である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。さらに、前記脂環式エポキシ化合物Aが下記式I-1で表される化合物である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。さらに、硬化促進剤Fを含む前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。さらに、ゴム粒子を含む前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。さらに、アクリルブロック共重合体を含む前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。また、本発明は、前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化物を提供する。また、本発明は、前記の硬化性エポキシ樹脂組成物からなる光半導体封止用樹脂組成物を提供する。また、本発明は、前記の光半導体封止用樹脂組成物で光半導体素子を封止した光半導体装置を提供する。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は上記構成を有するため、該樹脂組成物を硬化させることにより、高い耐熱性、耐光性、透明性、及び耐クラック性を兼ね備え、さらに、耐リフロー性にも優れた硬化物を得ることができる。また、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止した光半導体装置は、リフロー工程での高温処理によっても劣化しにくく、かつ光度が経時で低下しにくいため、優れた品質及び耐久性を有する。<硬化性エポキシ樹脂組成物>本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、脂環式エポキシ化合物Aと、下記式1[式中、R1及びR2は水素原子または炭素数1~8のアルキル基を示す]で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bと、ポリカーボネートポリオールCと、硬化剤D又は硬化触媒Eとを含むことを特徴とする。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、必要であれば、さらに硬化促進剤Fを含んでいてもよい。<脂環式エポキシ化合物A>本発明で用いられる脂環式エポキシ化合物Aには、i脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基を有する化合物、及びii脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物が含まれる。i脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基脂環エポキシ基を有する化合物としては、公知乃至慣用のものの中から任意に選択して使用することができる。中でも、脂環エポキシ基としては、シクロヘキセンオキシド基が好ましい。i脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基を有する化合物としては、特に、透明性、耐熱性の点で下記式Iで表される脂環式エポキシ樹脂が好ましい。式I中、Xは単結合又は連結基1以上の原子を有する2価の基を示す。上記連結基としては、例えば、2価の炭化水素基、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、カーボネート基、アミド基、及びこれらが複数個連結した基等が挙げられる。式I中のXが単結合である脂環式エポキシ樹脂としては、下記式で表される化合物が挙げられる。このような脂環式エポキシ樹脂としては、例えば、セロキサイド8000株ダイセル製などの市販品を用いることもできる。2価の炭化水素基としては、炭素数が1~18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基等が挙げられる。炭素数が1~18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基としては、例えば、メチレン、メチルメチレン、ジメチルメチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン基等が挙げられる。2価の脂環式炭化水素基としては、例えば、1,2-シクロペンチレン、1,3-シクロペンチレン、シクロペンチリデン、1,2-シクロヘキシレン、1,3-シクロヘキシレン、1,4-シクロヘキシレン、シクロヘキシリデン基等の2価のシクロアルキレン基シクロアルキリデン基を含むなどが挙げられる。連結基Xとしては、酸素原子を含有する連結基が好ましく、具体的には、-CO-,-O-CO-O-,-COO-,-O-,-CONH-;これらの基が複数個連結した基;これらの基の1又は2以上と2価の炭化水素基の1又は2以上とが連結した基などが挙げられる。2価の炭化水素基としては前記の基が挙げられる。式Iで表される脂環式エポキシ化合物の代表的な例としては、下記式I-1~I-8で表される化合物などが挙げられる。例えば、セロキサイド2021P、セロキサイド2081株ダイセル製等の市販品を使用することもできる。なお、下記式I-1~I-8中、l、mは、1~30の整数を表す。Rは炭素数1~8のアルキレン基であり、メチレン、エチレン、プロピレン、イソプロピレン、ブチレン、イソブチレン、s-ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン基等の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基が挙げられる。これらの中でも、メチレン、エチレン、プロピレン、イソプロピレン基等の炭素数1~3の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基が好ましい。ii脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物としては、例えば下記式IIで表される化合物が挙げられる。式II中、Rはp価のアルコールからp個の-OHを除した基;p、nは自然数を表す。p価のアルコール[R-OHp]としては、2,2-ビスヒドロキシメチル-1-ブタノール等の多価アルコールなど炭素数1~15のアルコール等が挙げられる。pは1~6が好ましく、nは1~30が好ましい。pが2以上の場合、それぞれの内丸括弧内の基におけるnは同一であってもよいし、異なっていてもよい。上記化合物としては、具体的には、2,2-ビスヒドロキシメチル-1-ブタノールの1,2-エポキシ-4-2-オキシラニルシクロヘキサン付加物、EHPE3150株ダイセル製などが挙げられる。これらの脂環式エポキシ化合物Aは単独で、又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。脂環式エポキシ化合物Aとしては、上記式I-1で表される3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、セロキサイド2021Pが特に好ましい。脂環式エポキシ化合物Aの使用量含有量は、特に限定されないが、脂環式エポキシ化合物Aとモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bとの総量100重量に対して、50~90重量が好ましく、より好ましくは60~90重量、さらに好ましくは70~90重量である。脂環式エポキシ化合物Aの使用量が50重量未満では、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bの溶解性が十分でなく、室温に置くと析出しやすくなる場合がある。一方、脂環式エポキシ化合物Aの使用量が90重量を超えると、光半導体装置を作成したときにクラックが入りやすくなる場合がある。成分A、成分B、及び成分Cの総量100重量における、脂環式エポキシ化合物Aとモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bの含有量の総和総量は、特に限定されないが、50~99重量が好ましい。<モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物B>本発明で用いられるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bは、下記の一般式1で表すことができる。但し式中、R1及びR2は水素原子または炭素数1~8のアルキル基を示す。炭素数1~8のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s-ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル基等の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基が挙げられる。これらの中でも、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル基等の炭素数1~3の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基が好ましい。特に、R1及びR2が水素原子であることが好ましい。モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bの代表的なものとしては、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、1-アリル-3,5-ビス2-メチルエポキシプロピルイソシアヌレート、1-2-メチルプロペニル-3,5-ジグリシジルイソシアヌレート、1-2-メチルプロペニル-3,5-ビス2-メチルエポキシプロピルイソシアヌレート等が挙げられる。なお、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bは1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bは、上記脂環式エポキシ化合物Aに溶解する範囲で任意に混合でき、脂環式エポキシ化合物Aとモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bの割合は特に限定されないが、脂環式エポキシ化合物A:モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bが50:50~90:10重量比であることが好ましい。この範囲外では、溶解性が得られにくくなる。モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bは、アルコールや酸無水物など、エポキシ基と反応する化合物を加えて、あらかじめ変性して用いても良い。脂環式エポキシ化合物Aとモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bとの総量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂エポキシ基を有する化合物の総量100重量に対し、50~100重量であることが好ましい。<ポリカーボネートポリオールC>ポリカーボネートポリオールCは、分子内に2個以上の水酸基を有するポリカーボネートである。中でも、ポリカーボネートポリオールCとしては、分子内に2個の末端水酸基を有するポリカーボネートジオールが好ましい。なお、ポリカーボネートポリオールCにおける水酸基は、アルコール性水酸基でもあってもよいし、フェノール性水酸基であってもよい。ポリカーボネートポリオールCは、通常のポリカーボネートポリオールを製造する方法と同じく、ホスゲン法又は、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートのようなジアルキルカーボネート又はジフェニルカーボネートを用いるカーボネート交換反応例えば、特開昭62-187725号公報、特開平2-175721号公報、特開平2-49025号公報、特開平3-220233号公報、特開平3-252420号公報等を参照できるなどで合成される。ポリカーボネートポリオールCのカーボネート結合は熱分解を受けにくいため、ポリカーボネートポリオールを含む樹脂硬化物は高温高湿下でも優れた安定性を示す。なお、ポリカーボネートポリオールCは1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。上記ジアルキルカーボネート又はジフェニルカーボネートと共にカーボネート交換反応で用いられるポリオールとしては、1,6-ヘキサンジオール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、1,3-プロパンジオール、1,4-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、2,3-ブタンジオール、1,5-ペンタンジオール、3-メチル-1,5-ペンタンジオール、1,4-シクロヘキサンジメタノール、1,8-オクタンジオール、1,9-ノナンジオール、1,12-ドデカンジオール、ブタジエンジオール、ネオペンチルグリコール、テトラメチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等が挙げられる。ポリカーボネートポリオールCの数平均分子量は、特に限定されないが、200~10000が好ましく、より好ましくは300~5000、さらに好ましくは400~4000である。数平均分子量が200未満では、低弾性率化、曲げ強度向上の効果が得られにくい場合がある。一方、数平均分子量が10000を超えると、常温25°Cで液状ではなくなる場合があり、取り扱いにくくなる場合がある。なお、上記数平均分子量は、ポリカーボネートポリオールの水酸基価を用いて、下式より算出することができる。[数平均分子量]=56.11×n/[水酸基価]×1000但し、nは1分子のポリカーボネートポリオールに含まれる水酸基の数を表し、例えば、ポリカーボネートジオールの場合には、n=2として数平均分子量を算出する。ポリカーボネートポリオールCとしては、プラクセルCD205、CD210、CD220、CD205PL、CD205HL、CD210PL、CD210HL、CD220PL、CD220HL、CD220EC、CD221T以上、株ダイセル製、ETERNACOLLUH-CARB50、UH-CARB100、UH-CARB300、UH-CARB901/3、UH-CARB901/1、UH-CARB100以上、宇部興産株製、デュラノールT6002、T5652、T4672、T4692、G3452以上、旭化成ケミカルズ株製、クラレポリオールND、MPD以上、株クラレ等の市販品を用いることもできる。ポリカーボネートポリオールCの使用量含有量は、特に限定されないが、上記成分A及び成分Bの合計量100重量部に対して、1~50重量部が好ましく、より好ましくは1.5~30重量部、さらに好ましくは2~20重量部である。ポリカーボネートポリオールCの配合量が50重量部を超えると、硬化物のTgが低下し過ぎて、加熱による体積変化が大きくなり、光半導体装置の不点灯等の不具合が起こる場合がある。また、曲げ強度は向上するが透明性が低下する場合がある。ポリカーボネートポリオールCの配合量が1重量部未満であると、耐リフロー性が低下し、リフロー工程での加熱処理により、光半導体装置においてリードフレームからの封止樹脂の剥離やクラックが発生する場合がある。<硬化剤D>硬化剤Dは、エポキシ基を有する化合物を硬化させる働きを有する。本発明における硬化剤Dとしては、エポキシ樹脂用硬化剤として公知乃至慣用の硬化剤を使用することができる。硬化剤Dとしては、中でも、25°Cで液状の酸無水物が好ましく、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸などを挙げることができる。また、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物などの常温約25°Cで固体状の酸無水物は、常温約25°Cで液状の酸無水物に溶解させて液状の混合物とすることで、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物における硬化剤Dとして使用することができる。なお、硬化剤Dは1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。また、本発明においては、硬化剤Dとして、リカシッドMH-700新日本理化株製、HN-5500日立化成工業株製等の市販品を使用することもできる。硬化剤Dの含有量は、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量100重量部に対して、50~200重量部が好ましく、より好ましくは100~145重量部である。より具体的には、上記硬化性エポキシ樹脂組成物中に含有する全てのエポキシ基を有する化合物におけるエポキシ基1当量当たり、0.5~1.5当量となる割合で使用することが好ましい。硬化剤Dの使用量が50重量部を下回ると、硬化が不十分となり、硬化物の強靱性が低下する傾向があり、一方、硬化剤Dの使用量が200重量部を上回ると、硬化物が着色して色相が悪化する場合がある。<硬化触媒E>また、本発明においては、硬化触媒Eとして、紫外線照射又は加熱処理を施すことによりカチオン種を発生して、重合を開始させるカチオン触媒を用いることもできる。なお、硬化触媒Eは1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。紫外線照射によりカチオン種を発生するカチオン触媒としては、例えば、ヘキサフルオロアンチモネート塩、ペンタフルオロヒドロキシアンチモネート塩、ヘキサフルオロホスフェート塩、ヘキサフルオロアルゼネート塩などを挙げることができ、UVACURE1590ダイセルサイテック株製、CD-1010、CD-1011、CD-1012米国サートマー製、イルガキュア264チバジャパン株製、CIT-1682日本曹達株製等の市販品を好ましく使用することができる。加熱処理を施すことによりカチオン種を発生するカチオン触媒としては、例えば、アリールジアゾニウム塩、アリールヨードニウム塩、アリールスルホニウム塩、アレン-イオン錯体などを挙げることができ、PP-33、CP-66、CP-77株ADEKA製、FC-509スリーエム製、UVE1014G.E.製、サンエイドSI-60L、サンエイドSI-80L、サンエイドSI-100L、サンエイドSI-110L三新化学工業株製、CG-24-61チバジャパン株製等の市販品を好ましく使用することができる。さらに、アルミニウムやチタンなどの金属とアセト酢酸若しくはジケトン類とのキレート化合物とトリフェニルシラノール等のシラノールとの化合物、又は、アルミニウムやチタンなどの金属とアセト酢酸若しくはジケトン類とのキレート化合物とビスフェノールS等のフェノール類との化合物であってもよい。硬化触媒Eの含有量は、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量100重量部に対して、0.01~15重量部が好ましく、より好ましくは0.01~12重量部、さらに好ましくは0.05~10重量部、特に好ましくは0.1~10重量部である。硬化触媒Eをこの範囲内で使用することにより、耐熱性、耐光性、透明性に優れた硬化物を得ることができる。<硬化促進剤F>本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、硬化促進剤Fを含んでいてもよい。硬化促進剤Fは、エポキシ基を有する化合物が硬化剤により硬化する際に、硬化速度を促進する機能を有する化合物である。特に硬化剤Dと併用することが多い。硬化促進剤Fとしては、公知乃至慣用の硬化促進剤を使用することができ、例えば、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7DBU、及びその塩例えば、フェノール塩、オクチル酸塩、p-トルエンスルホン酸塩、ギ酸塩、テトラフェニルボレート塩;1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン-5DBN、及びその塩例えば、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、4級アンモニウム塩、ヨードニウム塩;ベンジルジメチルアミン、2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノール、N,N-ジメチルシクロヘキシルアミンなどの3級アミン;2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾールなどのイミダゾール;リン酸エステル、トリフェニルホスフィンなどのホスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラp-トリルボレートなどのホスホニウム化合物;オクチル酸スズ、オクチル酸亜鉛などの有機金属塩;金属キレートなどが挙げられる。上記硬化促進剤Fは単独で、又は2種以上を混合して使用することができる。また、本発明においては、硬化促進剤Fとして、U-CATSA506、U-CATSA102、U-CAT5003、U-CAT410、U-CAT18X、12XD開発品いずれもサンアプロ株製、TPP-K、TPP-MKいずれも北興化学工業株製、PX-4ET日本化学工業株製等の市販品を使用することもできる。硬化促進剤Fの含有量としては、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量100重量部に対して、0.05~5重量部が好ましく、より好ましくは0.1~3重量部、さらに好ましくは0.2~3重量部、特に好ましくは0.25~2.5重量部である。硬化促進剤Fの使用量が0.05重量部を下回ると、硬化促進効果が不十分となる場合がある。一方、硬化促進剤Fの使用量が5重量部を上回ると、硬化物が着色して色相が悪化する場合がある。<アクリルブロック共重合体>本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、光半導体装置の経時での光度低下を抑制する観点から、さらに、アクリルブロック共重合体を含むことが好ましい。より詳しくは、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物がアクリルブロック共重合体を含む場合、当該硬化性エポキシ樹脂組成物で封止した光半導体装置は、特に高輝度高出力の場合であっても光度が低下しにくい傾向にある。即ち、アクリルブロック共重合体を用いることにより、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化して得られる硬化物は、より高いレベルの耐熱性、耐光性、及び耐クラック性を発揮できる。上記アクリルブロック共重合体は、アクリル系モノマーを必須のモノマー成分として含有するブロック共重合体である。上記アクリル系モノマーとしては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸n-ブチル、アクリル酸t-ブチル、アクリル酸2-エチルヘキシル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n-ブチル、メタクリル酸t-ブチル、メタクリル酸2-エチルヘキシル、メタクリル酸ラウリル、メタクリル酸ステアリル等のメタアクリル酸アルキルエステル;アクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル等の脂環構造を有するメタアクリル酸エステル;メタクリル酸ベンジル等の芳香環を有するメタアクリル酸エステル;メタクリル酸2-トリフルオロエチル等のメタアクリル酸のフルオロアルキルエステル;アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等の分子中にカルボキシル基を有するカルボキシル基含有アクリル単量体;アクリル酸2-ヒドロキシエチル、アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、アクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタクリル酸4-ヒドロキシブチル、グリセリンのモノメタアクリル酸エステル等の分子中に水酸基を有する水酸基含有アクリル単量体;メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸メチルグリシジル、3,4-エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート等の分子中にエポキシ基を有するアクリル単量体;アクリル酸アリル、メタクリル酸アリル等の分子中にアリル基を有するアリル基含有アクリル単量体;γ-メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン等の分子中に加水分解性シリル基を有するシラン基含有アクリル単量体;2-2′-ヒドロキシ-5′-メタクリロキシエチルフェニル-2H-ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール系紫外線吸収性基を有する紫外線吸収性アクリル単量体などが挙げられる。なお、上記アクリルブロック共重合体には、上記アクリル系モノマー以外のモノマーがモノマー成分として用いられていてもよい。上記アクリル系モノマー以外のモノマーとしては、例えば、スチレン、α-メチルスチレンなどの芳香族ビニル化合物、ブタジエン、イソプレンなどの共役ジエン、エチレン、プロピレン、イソブテンなどのオレフィンなどが挙げられる。上記アクリルブロック共重合体としては、特に限定されないが、例えば、2つの重合体ブロックからなるジブロック共重合体や、3つの重合体ブロックからなるトリブロック共重合体、4つ以上の重合体ブロックより構成されるマルチブロック共重合体などが挙げられる。中でも、上記アクリルブロック共重合体としては、耐熱性、耐光性、及び耐クラック性向上の観点で、ガラス転移温度Tgが低い重合体ブロックSソフトブロックと、重合体ブロックSよりも高いTgを有する重合体ブロックHハードブロックが交互に並んだブロック共重合体が好ましく、より好ましくは重合体ブロックSを中間に有し、その両端に重合体ブロックHを有するH-S-H構造のトリブロック共重合体が好ましい。なお、上記アクリルブロック共重合体の重合体ブロックSを構成するポリマーのTgは、特に限定されないが、30°C未満が好ましい。また、重合体ブロックHを構成するポリマーのTgは、特に限定されないが、30°C以上が好ましい。上記アクリルブロック共重合体が複数の重合体ブロックHを有する場合には、それぞれの重合体ブロックHが同じ組成を有していてもよいし、異なっていてもよい。同様に、上記アクリルブロック共重合体が複数の重合体ブロックSを有する場合も、それぞれの重合体ブロックSが同じ組成を有していてもよいし、異なっていてもよい。上記アクリルブロック共重合体上記H-S-H構造のトリブロック共重合体等における、重合体ブロックHを構成するモノマー成分としては、特に限定されないが、例えば、ホモポリマーのTgが30°C以上であるモノマーが挙げられ、より詳しくは、メタクリル酸メチル、スチレン、アクリルアミド、アクリロニトリルなどが挙げられる。一方、上記アクリルブロック共重合体における、重合体ブロックSを構成するモノマー成分としては、特に限定されないが、例えば、ホモポリマーのTgが30°C未満であるモノマーが挙げられ、より詳しくは、アクリル酸ブチルやアクリル酸2-エチルヘキシル等のアクリル酸C210アルキルエステル、ブタジエン1,4-ブタジエンなどが挙げられる。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物におけるアクリルブロック共重合体の好ましい具体例としては、例えば、上記重合体ブロックSがブチルアクリレートBAを主たるモノマーとして構成された重合体であり、上記重合体ブロックHがメチルメタクリレートMMAを主たるモノマーとして構成された重合体である、ポリメチルメタクリレート-block-ポリブチルアクリレート-block-ポリメチルメタクリレートターポリマーPMMA-b-PBA-b-PMMA等が挙げられる。上記PMMA-b-PBA-b-PMMAは、耐熱性、耐光性、及び耐クラック性向上の点で好ましい。なお、上記PMMA-b-PBA-b-PMMAは、必要に応じて、成分A及び成分Bに対する相溶性向上を目的として、親水性基例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基などを有するモノマー、例えば、メタアクリル酸ヒドロキシエチル、メタアクリル酸ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸等を、PMMAブロック及び/又はPBAブロックに共重合させたものであってもよい。上記アクリルブロック共重合体の数平均分子量は、特に限定されないが、3000~500000が好ましく、より好ましくは10000~300000、さらに好ましくは30000~400000である。数平均分子量が3000未満特に10000未満であると、硬化物の強靭性が十分でなく、耐クラック性が低下する場合がある。一方、数平均分子量が500000を超えると、脂環式エポキシ化合物Aとの相溶性が低下し、硬化物の透明性が低下する場合がある。上記数平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法GPC法により測定される標準ポリスチレン換算の分子量より算出することができる。上記アクリルブロック共重合体は、公知乃至慣用のブロック共重合体の製造方法により製造することができる。上記アクリルブロック共重合体の製造方法としては、中でも、アクリルブロック共重合体の分子量、分子量分布及び末端構造などを制御のしやすさの観点で、リビング重合リビングラジカル重合、リビングアニオン重合、リビングカチオン重合などが好ましい。上記リビング重合は公知乃至慣用の方法により実施可能である。また、上記アクリルブロック共重合体としては、例えば、商品名ナノストレングスM52N、ナノストレングスM22N、ナノストレングスM51、ナノストレングスM52、ナノストレングスM53アルケマ株製、PMMA-b-PBA-b-PMMA、商品名ナノストレングスE21、ナノストレングスE41アルケマ株製、PStポリスチレン-b-PBA-b-PMMAなどの市販品を使用することもできる。上記アクリルブロック共重合体の使用量含有量としては、特に限定されないが、成分A及び成分Bの合計量100重量部に対して、1~30重量部が好ましく、より好ましくは3~15重量部、さらに好ましくは5~10重量部である。アクリルブロック共重合体の使用量が1重量部未満であると、硬化物の強靭性が十分でない場合があり、耐熱性、耐光性が低下する場合がある。一方、アクリルブロック共重合体の使用量が30重量部を超えると、脂環式エポキシ化合物Aとの相溶性が低下し、硬化物の透明性が低下する場合がある。<ゴム粒子>本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、さらに、ゴム粒子を含んでいてもよい。上記ゴム粒子としては、例えば、粒子状NBRアクリロニトリル-ブタジエンゴム、反応性末端カルボキシル基NBRCTBN、メタルフリーNBR、粒子状SBRスチレン-ブタジエンゴムなどのゴム粒子が挙げられる。上記ゴム粒子としては、ゴム弾性を有するコア部分と、該コア部分を被覆する少なくとも1層のシェル層とからなる多層構造コアシェル構造を有するゴム粒子が好ましい。上記ゴム粒子は、特に、メタアクリル酸エステルを必須モノマー成分とするポリマー重合体で構成されており、表面に脂環式エポキシ樹脂Aなどのエポキシ基を有する化合物と反応し得る官能基としてヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基ヒドロキシル基及びカルボキシル基のいずれか一方又は両方を有するゴム粒子が好ましい。上記ゴム粒子の表面にヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基が存在しない場合、冷熱サイクル等の熱衝撃により硬化物が白濁して透明性が低下するため好ましくない。上記ゴム粒子におけるゴム弾性を有するコア部分を構成するポリマーは、特に限定されないが、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチルなどのメタアクリル酸エステルを必須のモノマー成分とすることが好ましい。上記ゴム弾性を有するコア部分を構成するポリマーは、その他、例えば、スチレン、α-メチルスチレンなどの芳香族ビニル;アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのニトリル;ブタジエン、イソプレンなどの共役ジエン;エチレン、プロピレン、イソブテンなどのオレフィンなどをモノマー成分として含んでいてもよい。中でも、上記ゴム弾性を有するコア部分を構成するポリマーは、モノマー成分として、メタアクリル酸エステルと共に、芳香族ビニル、ニトリル、及び共役ジエンからなる群より選択された1種又は2種以上を組み合わせて含むことが好ましい。即ち、上記コア部分を構成するポリマーとしては、例えば、メタアクリル酸エステル/芳香族ビニル、メタアクリル酸エステル/共役ジエン等の二元共重合体;メタアクリル酸エステル/芳香族ビニル/共役ジエン等の三元共重合体などが挙げられる。なお、上記コア部分を構成するポリマーには、ポリジメチルシロキサンやポリフェニルメチルシロキサンなどのシリコーンやポリウレタン等が含まれていてもよい。上記コア部分を構成するポリマーは、その他のモノマー成分として、ジビニルベンゼン、アリルメタアクリレート、エチレングリコールジメタアクリレート、ジアリルマレエート、トリアリルシアヌレート、ジアリルフタレート、ブチレングリコールジアクリレートなどの1モノマー1分子中に2以上の反応性官能基を有する反応性架橋モノマーを含有していてもよい。上記ゴム粒子のコア部分は、中でも、メタアクリル酸エステル/芳香族ビニルの二元共重合体特に、アクリル酸ブチル/スチレンより構成されたコア部分であることが、ゴム粒子の屈折率を容易に調整できる点で好ましい。上記ゴム粒子のコア部分は、通常用いられる方法で製造することができ、例えば、上記モノマーを乳化重合法により重合する方法などにより製造することができる。乳化重合法においては、上記モノマーの全量を一括して仕込んで重合してもよく、上記モノマーの一部を重合した後、残りを連続的に又は断続的に添加して重合してもよく、さらに、シード粒子を使用する重合方法を使用してもよい。上記ゴム粒子のシェル層を構成するポリマーは、上記コア部分を構成するポリマーとは異種のポリマーであることが好ましい。また、上述のように、上記シェル層は、脂環式エポキシ化合物Aなどのエポキシ基を有する化合物と反応し得る官能基としてヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基を有することが好ましい。これにより、特に、脂環式エポキシ化合物Aとの界面で接着性を向上させることができ、該シェル層を有するゴム粒子を含む硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させた硬化物に対して、優れた耐クラック性を発揮させることができる。また、硬化物のガラス転移温度の低下を防止することもできる。上記シェル層を構成するポリマーは、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチルなどのメタアクリル酸エステルを必須のモノマー成分として含むことが好ましい。例えば、上記コア部分におけるメタアクリル酸エステルとしてアクリル酸ブチルを用いた場合、シェル層を構成するポリマーのモノマー成分として、アクリル酸ブチル以外のメタアクリル酸エステル例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタクリル酸ブチルなどを使用することが好ましい。メタアクリル酸エステル以外に含んでいてもよいモノマー成分としては、例えば、スチレン、α-メチルスチレンなどの芳香族ビニル、アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのニトリルなどが挙げられる。上記ゴム粒子においては、シェル層を構成するモノマー成分として、メタアクリル酸エステルと共に、上記モノマーを単独で、又は2種以上を組み合わせて含むことが好ましく、特に、少なくとも芳香族ビニルを含むことが、上記ゴム粒子の屈折率を容易に調整できる点で好ましい。さらに、上記シェル層を構成するポリマーは、モノマー成分として、脂環式エポキシ化合物Aなどのエポキシ基を有する化合物と反応し得る官能基としてのヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基を形成するために、2-ヒドロキシエチルメタアクリレートなどのヒドロキシアルキルメタアクリレートや、メタアクリル酸などのα,β-不飽和酸、マレイン酸無水物などのα,β-不飽和酸無水物などのモノマーを含有することが好ましい。上記ゴム粒子におけるシェル層を構成するポリマーは、モノマー成分として、メタアクリル酸エステルと共に、上記モノマーから選択された1種又は2種以上を組み合わせて含むことが好ましい。即ち、上記シェル層は、例えば、メタアクリル酸エステル/芳香族ビニル/ヒドロキシアルキルメタアクリレート、メタアクリル酸エステル/芳香族ビニル/α,β-不飽和酸等の三元共重合体などから構成されたシェル層であることが好ましい。また、上記シェル層を構成するポリマーは、その他のモノマー成分として、コア部分と同様に、上記モノマーの他にジビニルベンゼン、アリルメタアクリレート、エチレングリコールジメタアクリレート、ジアリルマレエート、トリアリルシアヌレート、ジアリルフタレート、ブチレングリコールジアクリレートなどの1モノマー1分子中に2以上の反応性官能基を有する反応性架橋モノマーを含有していてもよい。上記ゴム粒子コアシェル構造を有するゴム粒子は、上記コア部分をシェル層により被覆することで得られる。上記コア部分をシェル層で被覆する方法としては、例えば、上記方法により得られたゴム弾性を有するコア部分の表面に、シェル層を構成する共重合体を塗布することにより被覆する方法、上記方法により得られたゴム弾性を有するコア部分を幹成分とし、シェル層を構成する各成分を枝成分としてグラフト重合する方法などを挙げることができる。上記ゴム粒子の平均粒子径は、特に限定されないが、10~500nmが好ましく、より好ましくは20~400nmである。また、上記ゴム粒子の最大粒子径は、特に限定されないが、50~1000nmが好ましく、より好ましくは100~800nmである。平均粒子径が500nmを上回ると、又は、最大粒子径が1000nmを上回ると、硬化物におけるゴム粒子の分散性が低下し、耐クラック性が低下する場合がある。一方、平均粒子径が10nmを下回ると、又は、最大粒子径が50nmを下回ると、硬化物の耐クラック性向上の効果が得られにくくなる場合がある。上記ゴム粒子の屈折率は、特に限定されないが、1.40~1.60が好ましく、より好ましくは1.42~1.58である。また、ゴム粒子の屈折率と、該ゴム粒子を含む硬化性エポキシ樹脂組成物本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化して得られる硬化物の屈折率との差は、±0.03以内-0.03~0.03であることが好ましい。上記屈折率の差が±0.03を上回ると、硬化物の透明性が低下し、時には白濁して、光半導体装置の光度が低下する傾向があり、光半導体装置の機能を消失させてしまう場合がある。ゴム粒子の屈折率は、例えば、ゴム粒子1gを型に注型して210°C、4MPaで圧縮成形し、厚さ1mmの平板を得、得られた平板から、縦20mm×横6mmの試験片を切り出し、中間液としてモノブロモナフタレンを使用してプリズムと該試験片とを密着させた状態で、多波長アッベ屈折計商品名DR-M2、株アタゴ製を使用し、20°C、ナトリウムD線での屈折率を測定することにより求めることができる。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物の屈折率は、例えば、下記の光半導体装置の項に記載の加熱硬化方法により得られた硬化物から、縦20mm×横6mm×厚さ1mmの試験片を切り出し、中間液としてモノブロモナフタレンを使用してプリズムと該試験片とを密着させた状態で、多波長アッベ屈折計商品名DR-M2、株アタゴ製を使用し、20°C、ナトリウムD線での屈折率を測定することにより求めることができる。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物における上記ゴム粒子の含有量配合量は、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量100重量部に対して、0.5~30重量部が好ましく、より好ましくは1~20重量部である。ゴム粒子の含有量が0.5重量部を下回ると、硬化物の耐クラック性が低下する傾向がある。一方、ゴム粒子の含有量が30重量部を上回ると、硬化物の耐熱性が低下する傾向がある。<添加剤>本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物には、上記以外にも、本発明の効果を損なわない範囲内で各種添加剤を使用することができる。添加剤として、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンなどの水酸基を有する化合物を使用すると、反応を緩やかに進行させることができる。その他にも、粘度や透明性を損なわない範囲内で、シリコーン系やフッ素系消泡剤、レベリング剤、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤、界面活性剤、シリカ、アルミナなどの無機充填剤、難燃剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、イオン吸着体、顔料、蛍光体、離型剤などの慣用の添加剤を使用することができる。<硬化物>本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させることにより、耐熱性、耐光性、透明性、及び耐クラック性などの諸物性に優れ、さらに、耐リフロー性にも優れた硬化物を得ることができる。硬化の際の加熱温度硬化温度としては、特に限定されないが、45~200°Cが好ましく、より好ましくは100~190°C、さらに好ましくは100~180°Cである。また、硬化の際に加熱する時間硬化時間としては、特に限定されないが、30~600分が好ましく、より好ましくは45~540分、さらに好ましくは60~480分である。硬化温度と硬化時間が上記範囲の下限値より低い場合は、硬化が不十分となり、逆に上記範囲の上限値より高い場合は、樹脂成分の分解が起きる場合があるので、何れも好ましくない。硬化条件は種々の条件に依存するが、硬化温度が高い場合は硬化時間を短くし、硬化温度が低い場合は硬化時間を長くする等により、適宜調整することができる。<光半導体封止用樹脂組成物>本発明の光半導体封止用樹脂組成物は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物からなる。本発明の光半導体封止用樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止することにより、耐熱性、耐光性、透明性、及び耐クラック性などの諸物性に優れ、さらに、耐リフロー性にも優れた硬化物により光半導体素子が封止された光半導体装置が得られる。<光半導体装置>本発明の光半導体装置は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物光半導体封止用樹脂組成物で光半導体素子を封止することにより得られる。光半導体素子の封止は、上述の方法で調製された硬化性エポキシ樹脂組成物を所定の成形型内に注入し、所定の条件で加熱硬化して行う。これにより、硬化性エポキシ樹脂組成物によって光半導体素子が封止されてなる光半導体装置が得られる。硬化温度と硬化時間は、上記と同様にすることができる。本発明の光半導体装置は、リフロー工程での加熱処理により劣化しにくく、光度が経時で低下しにくい。一般的に、光半導体装置においては、図1に示すように、光半導体素子102がダイボンド材105によりリードフレームに固定されている。本発明者らは、光半導体装置におけるダイボンド材を最適化することによっても、耐リフロー性を向上させることができることを見出した。より詳しくは、光半導体装置をリフロー工程にて加熱処理した場合に、封止樹脂の体積変化により生じる応力によって、光半導体素子がリードフレームから剥離しないようなダイボンド材接着性耐久性の高いダイボンド材を選択することが重要である。光半導体素子がリードフレームから剥離した場合には、該半導体素子周辺の封止樹脂の剥離やクラックが発生しやすく、リフロー工程での加熱処理による光半導体装置の劣化が顕著となるためである。従って、耐リフロー性を向上させ、リフロー工程での加熱処理による光半導体装置の劣化を防止するためには、封止樹脂封止用樹脂として本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を用い、かつ、ダイボンド材として上述の接着性耐久性の高いものを用いることが有効である。上記ダイボンド材としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等のベースポリマーに、導電性粒子等例えば、銀粒子などを含有させたダイボンド材などが挙げられる。このようなダイボンド材としては、例えば、KER-3000M2、KER-3100O2、KER-3100信越化学工業株製、EH1600-G2稲畑産業株製、CT200、CT284、CT265京セラケミカル株製などが挙げられる。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上記の光半導体封止用途に限定されず、例えば、接着剤、電気絶縁材、積層板、コーティング、インク、塗料、シーラント、レジスト、複合材料、透明基材、透明シート、透明フィルム、光学素子、光学レンズ、光学部材、光造形、電子ペーパー、タッチパネル、太陽電池基板、光導波路、導光板、ホログラフィックメモリなどとしても利用することができる。以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。製造例1ゴム粒子の製造還流冷却器付きの1L重合容器に、イオン交換水500g、及びジオクチルスルホコハク酸ナトリウム0.68gを仕込み、窒素気流下に撹拌しながら、80°Cに昇温した。ここに、コア部分を形成するために必要とする量の約5重量分に該当するアクリル酸ブチル9.5g、スチレン2.57g、及びジビニルベンゼン0.39gからなる単量体混合物を一括添加し、20分間撹拌して乳化させた後、ペルオキソ二硫酸カリウム9.5mgを添加し、1時間撹拌して最初のシード重合を行った。続いて、ペルオキソ二硫酸カリウム180.5mgを添加し、5分間撹拌した。ここに、コア部分を形成するために必要とする量の残り約95重量分のアクリル酸ブチル180.5g、スチレン48.89g、ジビニルベンゼン7.33gにジオクチルスルホコハク酸ナトリウム0.95gを溶解させてなる単量体混合物を2時間かけて連続的に添加し、2度目のシード重合を行い、その後、1時間熟成してコア部分を得た。次いで、ペルオキソ二硫酸カリウム60mgを添加して5分間撹拌し、ここに、メタクリル酸メチル60g、アクリル酸1.5g、及びアリルメタクリレート0.3gにジオクチルスルホコハク酸ナトリウム0.3gを溶解させてなる単量体混合物を30分かけて連続的に添加し、シード重合を行った。その後、1時間熟成し、コア部分を被覆するシェル層を形成した。次いで、室温25°Cまで冷却し、目開き120μmのプラスチック製網で濾過することにより、コアシェル構造を有するゴム粒子を含むラテックスを得た。得られたラテックスをマイナス30°Cで凍結し、吸引濾過器で脱水洗浄した後、60°Cで一昼夜送風乾燥してゴム粒子を得た。得られたゴム粒子の平均粒子径は254nm、最大粒子径は486nmであった。なお、ゴム粒子の平均粒子径、最大粒子径は、動的光散乱法を測定原理としたNanotracTM形式のナノトラック粒度分布測定装置商品名UPA-EX150、日機装株製を使用して試料を測定し、得られた粒度分布曲線において、累積カーブが50となる時点の粒子径である累積平均径を平均粒子径、粒度分布測定結果の頻度が0.00を超えた時点の最大の粒子径を最大粒子径とした。なお、上記試料としては、下記製造例2で得られたゴム粒子分散エポキシ化合物1重量部をテトラヒドロフラン20重量部に分散させたものを用いた。製造例2ゴム粒子分散エポキシ化合物の製造製造例1で得られたゴム粒子10重量部を、窒素気流下、60°Cに加温した状態でディゾルバー1000rpm、60分間を使用して、商品名セロキサイド2021P3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、株ダイセル製70重量部に分散させ、真空脱泡して、ゴム粒子分散エポキシ化合物25°Cでの粘度:624mPasを得た。なお、製造例2で得られたゴム粒子分散エポキシ化合物10重量部のゴム粒子を70重量部のセロキサイド2021Pに分散させたものの粘度25°Cにおける粘度は、デジタル粘度計商品名DVU-EII型、株トキメック製を使用して測定した。製造例3エポキシ樹脂の製造:実施例1~7、比較例2、3モノアリジグリシジルイソシアヌレート商品名MA-DGIC、四国化成工業株製、脂環式エポキシ化合物商品名セロキサイド2021P、株ダイセル製、製造例2で得られたゴム粒子分散エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂商品名YD-128、新日鐵化学株製を、表1に示す配合処方配合割合単位:重量部に従って混合し、80°Cで1時間攪拌することでモノアリルジグリシジルイソシアヌレートを溶解させ、次にポリカーボネートジオール商品名CD220PL、株ダイセル製を表1に示す配合処方単位:重量部に従って混合し、60°Cで1時間攪拌することでエポキシ樹脂混合物を得た。なお、表1における-は、当該成分の配合を行わなかったことを示し、表2、表3においても同様である。製造例4硬化剤を少なくとも含む硬化剤組成物の製造:実施例1~7、比較例1~3硬化剤酸無水物商品名リカシッドMH-700、新日本理化株製100重量部、硬化促進剤商品名U-CAT18X、サンアプロ株製0.5重量部、添加剤商品名エチレングリコール、和光純薬工業株製1重量部を、自公転式攪拌装置商品名あわとり練太郎AR-250、株シンキー製を使用して均一に混合し、脱泡して硬化剤組成物を得た。実施例1~7、比較例1~3硬化性エポキシ樹脂組成物の製造表1に示す配合割合単位:重量部となるように、製造例3で得られたエポキシ樹脂、製造例4で得られた硬化剤組成物を、自公転式攪拌装置商品名あわとり練太郎AR-250、株シンキー製を使用して均一に混合し、脱泡して硬化性エポキシ樹脂組成物を得た。なお、比較例1の場合には、エポキシ樹脂として、商品名セロキサイド2021P株ダイセル製を使用した。光半導体装置の製造上記で得た硬化性エポキシ樹脂組成物を、図1に示す光半導体のリードフレームInGaN素子、3.5mm×2.8mmに注型した後、120°Cのオーブン樹脂硬化オーブンで5時間加熱し、硬化した樹脂硬化物で光半導体素子を封止した光半導体装置を得た。なお、図1において、100はリフレクター光反射用樹脂組成物、101は金属配線、102は光半導体素子、103はボンディングワイヤ、104は透明封止樹脂硬化物、105はダイボンド材を示す。製造例5エポキシ樹脂の製造:実施例8~14、比較例5、6モノアリジグリシジルイソシアヌレート商品名MA-DGIC、四国化成工業株製、脂環式エポキシ化合物商品名セロキサイド2021P、株ダイセル製、製造例2で得られたゴム粒子分散エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂商品名YD-128、新日鐵化学株製を、表2に示す配合処方配合割合単位:重量部に従って混合し、80°Cで1時間攪拌することでモノアリルジグリシジルイソシアヌレートを溶解させ、次にポリカーボネートジオール商品名CD220PL、株ダイセル製を表2に示す配合処方単位:重量部に従って混合し、60°Cで1時間攪拌することでエポキシ樹脂混合物を得た。実施例8~14、比較例4~6硬化性エポキシ樹脂組成物の製造表2に示す配合割合単位:重量部となるように、製造例5で得られたエポキシ樹脂、硬化触媒商品名サンエイドSI-100L、三新化学工業株製を、自公転式攪拌装置商品名あわとり練太郎AR-250、株シンキー製を使用して均一に混合し、脱泡して硬化性エポキシ樹脂組成物を得た。なお、比較例4の場合には、エポキシ樹脂として、商品名セロキサイド2021P株ダイセル製を使用した。光半導体装置の製造上記で得た硬化性エポキシ樹脂組成物を、図1に示す光半導体のリードフレームInGaN素子、3.5mm×2.8mmに注型した後、120°Cのオーブン樹脂硬化オーブンで5時間加熱し、硬化した樹脂硬化物で光半導体素子を封止した光半導体装置を得た。<評価>実施例1~14及び比較例1~6で得られた光半導体装置について、以下の方法で評価試験を行った。[はんだ耐熱性試験]実施例1~14及び比較例1~6で得た光半導体装置各硬化性エポキシ樹脂組成物につき2個用いたを、30°C、70RHの条件下で168時間静置して吸湿させた。次いで、上記光半導体装置をリフロー炉UNI-5016F、日本アントム株製に入れ、下記加熱条件にて加熱した。その後、上記光半導体装置を室温環境下に取り出して放冷した後、再度リフロー炉に入れて同条件で加熱した。即ち、当該はんだ耐熱性試験においては、光半導体装置に対して下記加熱条件による熱履歴を二度与えた。加熱条件光半導体装置の表面温度基準1予備加熱:150~190°Cで60~120秒2予備加熱後の本加熱:217°C以上で60~150秒、最高温度260°C但し、予備加熱から本加熱に移行する際の昇温速度は最大で3°C/秒に制御した。図2には、リフロー炉による加熱の際の光半導体装置の表面温度プロファイル二度の加熱のうち一方の加熱における温度プロファイルの一例を示す。その後、デジタルマイクロスコープVHX-900、株キーエンス製を使用して光半導体装置を観察し、光半導体装置2個のうち、どちらか一方又は両方において電極表面上に樹脂の剥離が観測された場合を不良耐リフロー性不良とし、試験に供した2個の光半導体装置のいずれにおいても剥離が認められなかった場合を良耐リフロー性良好と判定した。結果を表1、表2に示す。[通電試験]実施例1~14及び比較例1~6で得た光半導体装置の全光束を、全光束測定機を用いて測定した。さらに、60°C、90RHの恒温槽内で1000時間、光半導体装置に70mAの電流を流した後の全光束を測定した。次式から、光度保持率を算出した。結果を表1、表2に示す。{光度保持率}={1000時間後の全光束lm}/{0時間の全光束lm}×100[熱衝撃試験]実施例1~14及び比較例1~6で得た光半導体装置各硬化性エポキシ樹脂組成物につき2個用いたに、-40°Cで15分、続いて、120°Cで15分を1サイクルとした熱衝撃を、熱衝撃試験機を用いて1000サイクル分加えた。その後、光半導体装置に20mAの電流を通電して点灯確認を行い、点灯しなかった光半導体装置の個数不点灯発生数を計測した。結果を表1、表2に示す。[総合判定]はんだ耐熱性試験の判定が不良の場合には、総合判定×劣っているとした。はんだ耐熱性試験で良と判定されたもののうち、光度保持率が90以上かつ熱衝撃試験での不点灯発生数が0個のものを総合判定○非常に優れているとし、それ以外を総合判定△優れていると判定した。製造例6エポキシ樹脂の製造:実施例15~18モノアリジグリシジルイソシアヌレート商品名MA-DGIC、四国化成工業株製、脂環式エポキシ化合物商品名セロキサイド2021P、株ダイセル製、アクリルブロック共重合体商品名ナノストレングスM52N、アルケマ株製を、表3に示す配合処方配合割合単位:重量部に従って混合し、80°Cで1時間攪拌することでモノアリルジグリシジルイソシアヌレート及びアクリルブロック共重合体を溶解させ、次にポリカーボネートジオール商品名CD220PL、株ダイセル製を表3に示す配合処方単位:重量部に従って混合し、60°Cで1時間攪拌することでエポキシ樹脂混合物を得た。実施例15~18、比較例7、8硬化性エポキシ樹脂組成物の製造表3に示す配合割合単位:重量部となるように、製造例6で得られたエポキシ樹脂、製造例4で得られた硬化剤組成物、硬化触媒商品名サンエイドSI-100L、三新化学工業株製を、自公転式攪拌装置商品名あわとり練太郎AR-250、株シンキー製を使用して均一に混合し、脱泡して硬化性エポキシ樹脂組成物を得た。なお、比較例7、8の場合には、エポキシ樹脂として、商品名セロキサイド2021P株ダイセル製を使用した。光半導体装置の製造上記で得た硬化性エポキシ樹脂組成物を、図1に示す光半導体のリードフレームInGaN素子、3.5mm×2.8mmに注型した後、120°Cのオーブン樹脂硬化オーブンで5時間加熱し、硬化した樹脂硬化物で光半導体素子を封止した光半導体装置を得た。<評価>実施例15~18及び比較例7、8で得られた光半導体装置について、以下の方法で通電試験を行った。[通電試験]実施例15~18及び比較例7、8で得られた光半導体装置の全光束を、全光束測定機を用いて測定した。さらに、温度85°Cの恒温槽内で300時間、光半導体装置に60mAの電流を流した後の全光束を測定した。次式から、光度保持率を算出した。結果を表3に示す。{光度保持率}={300時間後の全光束lm}/{0時間の全光束lm}×100試験機器樹脂硬化オーブンエスペック株製GPHH-201恒温槽エスペック株製小型高温チャンバーST-120B1全光束測定機米国オプトロニックラボラトリーズ社製マルチ分光放射測定システムOL771熱衝撃試験機エスペック株製小型冷熱衝撃装置TSE-11-A"