コアとなる樹脂の表面の長手方向に沿う複数箇所が金属からなる導電膜で覆われた構造を有するバンプ電極を備えた電子部品と、金属端子を備えた基板とを電気的に接続してなる電子部品の実装構造体であって、前記樹脂の前記金属端子と対応する位置に、前記金属端子の幅以上の幅を有して前記長手方向と交差する方向に延びる溝部が形成され、前記溝部の少なくとも底面に前記導電膜が形成されていることを特徴とする電子部品の実装構造体。前記溝部の深さが、前記金属端子の高さとほぼ一致していることを特徴とする請求項1に記載の電子部品の実装構造体。前記溝部の側壁上に前記導電膜が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品の実装構造体。前記溝部の側壁が、前記電子部品と前記基板とが対向する方向に対して傾斜した傾斜面であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電子部品の実装構造体。前記溝部の幅が、前記金属端子の幅よりも大きいことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電子部品の実装構造体。コアとなる樹脂の表面の長手方向に沿う複数箇所が金属からなる導電膜で覆われた構造を有するバンプ電極を備えた電子部品と、金属端子を備えた基板とを電気的に接続する電子部品の実装方法であって、前記樹脂の前記金属端子と対応する位置に、前記金属端子の幅以上の幅を有して前記長手方向と交差する方向に延びる溝部が形成され、前記溝部の少なくとも底面に前記導電膜が形成されている前記電子部品を用い、前記基板の前記金属端子が形成された面と、前記電子部品の前記バンプ電極が形成された面とを対向させた状態で前記電子部品を前記基板に押圧し、前記金属端子を前記溝部に挿入させることで、前記金属端子の先端面を前記溝部の底面に形成された前記導電膜に接触させるとともに、前記溝部が形成されていない部位の前記樹脂又は前記導電膜を前記基板の面に当接させ、前記金属端子と前記バンプ電極とを接続することを特徴とする電子部品の実装方法。上記特許文献1記載の電子部品の実装構造体では、バンプ電極樹脂コアを変形させて基板との接続を行うが、樹脂コア上に形成された導電膜が薄すぎたり、バンプ電極の変形度が大きすぎると、バンプ電極の導電膜にクラックが生じやすくなるため、実装条件の設定が難しくなる場合があった。本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、接続部に不具合の生じにくい構造を備えた電子部品の実装構造体を提供することを目的の一つとする。本発明の電子部品の実装構造体は、コアとなる樹脂の表面の長手方向に沿う複数箇所が金属からなる導電膜で覆われた構造を有するバンプ電極を備えた電子部品と、金属端子を備えた基板とを電気的に接続してなる電子部品の実装構造体であって、前記樹脂の前記金属端子と対応する位置に、前記金属端子の幅以上の幅を有して前記長手方向と交差する方向に延びる溝部が形成され、前記溝部の少なくとも底面に前記導電膜が形成されていることを特徴とする。この構成によれば、バンプ電極に形成された溝部に金属端子を嵌め込むようにして実装する構造を採用したことで、金属端子と接続される部位の樹脂及び導電膜の変形量を少なくすることができる。また、樹脂に溝部が形成されていることで、溝部が形成されていない部位は必然的に実装対象の基板側へ突出することになり、実装時に基板の表面に突き当てられて緩衝層となる。かかる作用により、溝部の底壁に作用する金属端子の圧力を低減することができる。これらにより、導電膜にクラックが生じるのを抑制することができ、接続部に不具合の生じにくい実装構造体となる。前記溝部の深さが、前記金属端子の高さとほぼ一致している構成としてもよい。このような構成とすることで、樹脂及び導電膜の変形量を抑えつつ、導電膜と金属端子とを接続させることができる。前記溝部の側壁上に前記導電膜が形成されている構成としてもよい。このような構成とすることで、金属端子と導電膜との接触面積を増大させることができるので、低抵抗かつ信頼性に優れた接続構造を得やすくなる。前記溝部の側壁が、前記電子部品と前記基板とが対向する方向に対して傾斜した傾斜面である構成としてもよい。このような構成とすることで、上記側壁への導電膜の形成が容易になる。前記溝部の幅が、前記金属端子の幅よりも大きい構成としてもよい。このような構成とすることで、溝部と金属端子との嵌め合いに関する位置合わせが容易になる。本発明の電子部品の実装方法は、コアとなる樹脂の表面の長手方向に沿う複数箇所が金属からなる導電膜で覆われた構造を有するバンプ電極を備えた電子部品と、金属端子を備えた基板とを電気的に接続する電子部品の実装方法であって、前記樹脂の前記金属端子と対応する位置に、前記金属端子の幅以上の幅を有して前記長手方向と交差する方向に延びる溝部が形成され、前記溝部の少なくとも底面に前記導電膜が形成されている前記電子部品を用い、前記基板の前記金属端子が形成された面と、前記電子部品の前記バンプ電極が形成された面とを対向させた状態で前記電子部品を前記基板に押圧し、前記金属端子を前記溝部に挿入させることで、前記金属端子の先端面を前記溝部の底面に形成された前記導電膜に接触させるとともに、前記溝部が形成されていない部位の前記樹脂又は前記導電膜を前記基板の面に当接させ、前記金属端子と前記バンプ電極とを接続することを特徴とする。この実装方法によれば、バンプ電極に形成された溝部に金属端子を嵌め込むようにして実装するので、金属端子と接続される部位の樹脂及び導電膜の変形量を少なくすることができる。また、溝部が形成されていない部位の樹脂を、実装時に基板の表面に突き当てて緩衝層とするので、溝部の底壁に作用する金属端子の圧力を低減することができる。これらにより、導電膜にクラックが生じるのを抑制することができる。以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。図1は、本発明の一実施形態である、電子部品と可撓性基板との実装構造体を示す側面図である。図2は、図1のA-A線に沿う断面図である。図3は、電子部品及びフレキシブル基板を示す図である。実装構造体10は、図1及び図2に示すように、フレキシブル基板可撓性基板2と電子部品4とを、封止樹脂層3により接着固定することで一体化した構成を備えている。フレキシブル基板2は、プラスチックフィルム基板等の可撓性を有する基板11と、基板11上に配線パターンに導通してその一部を構成する複数の金属端子12と、を備えている。なお、基板11は、ガラス基板やプリント基板、半導体基板などの可撓性を有しない基板であってもよい。金属端子12は、Au、Sn、Al、Cu等の単体金属や、Au合金、Sn合金、Al合金、Cu合金等の合金により形成されたストライプ状の金属膜により形成されている。金属端子12は数μm程度の厚い金属膜からなり、その横断面幅方向の断面の形状は、略台形状である。封止樹脂層3は、本実施形態の場合、接着剤としての機能及び封止材としての機能を兼ね備えるものである。封止樹脂層3はフレキシブル基板2と電子部品4との導電接触部分の周囲を覆うように充填され、硬化されることにより形成される。封止樹脂層3を構成する樹脂は、封止機能と接着機能を備えた樹脂であればよく、樹脂の種類は特に制限されず、絶縁特性、取り扱いの容易性等を勘案して好適な樹脂系接着剤を選択すればよい。具体的には、エポキシ樹脂系の接着剤等を挙げることができる。電子部品4は、ドライバーIC等の半導体素子図示略が内蔵された絶縁材料からなるパッケージ21と、パッケージ21の能動面21aに形成された絶縁膜22と、絶縁膜22上に突設されるとともに上記半導体素子と導通するバンプ電極23と、を備えている。なお、本実施形態では能動面21a上にバンプ電極23が形成された電子部品4を例示しているが、能動面21aと反対側の面にバンプ電極23が形成された構成であってもよい。またバンプ電極23が、半導体素子ではなくパッケージ上に併設されたキャパシタやインダクタなどの受動素子に接続されている構成であってもよい。バンプ電極23は、図2及び図3に示すように、絶縁膜22上に形成された断面略半円状の凸条である樹脂24と、樹脂24の外周面に所定間隔で形成された複数の溝部24aと、溝部24aの形成位置に対応して樹脂24の外周面に形成された複数の帯状の導電膜25と、を備えている。バンプ電極23は、樹脂24をコアとし、その表面に形成された導電膜25を電極とする樹脂コアバンプである。樹脂24は、絶縁性を有する感光性樹脂や熱硬化性樹脂からなるもので、具体的には、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。樹脂24は、公知のリソグラフィ技術やエッチング技術により断面半円状の凸条に形成されている。なお、樹脂の材質硬度や形状については、フレキシブル基板2の金属端子12の形状や大きさ等により適宜、選択設計される。例えば、樹脂24は、断面半楕円状、断面略台形状の凸条であってもよい。溝部24aは、樹脂24の長手方向延在方向と交差する方向に延びる溝として樹脂24の表面に形成されている。したがって、溝部24aは、樹脂24の長手方向において対向する側壁121及び側壁122と、それらの側壁の間に形成された底壁底面123と、を有する。本実施形態の場合、樹脂24が断面半円状の凸条であるから、側壁121、122は扇形状の面であり、底壁123は矩形状の面である。さらに、底壁123は、絶縁膜22とほぼ平行な平坦面に形成されている。なお、溝部24aの延在方向は、溝部24aに嵌め込まれる金属端子12の延在方向に合わせて設定されるものであり、樹脂24の幅方向長手方向と直行する方向に限定されるものではない。したがって、複数の金属端子12においてそれらの延在方向が互いに異なる場合には、それらに対応する溝部24aの延在方向も金属端子12に合わせて互いに異なる方向となる。本実施形態において、導電膜25は、溝部24aの内壁面と、溝部24aの周囲の樹脂24の外周面とに形成されるとともに、樹脂24の幅方向樹脂24の長手方向と交差する方向の両側へ延びている。そして、導電膜25は、絶縁膜22に形成された図示略のコンタクトホールを介して、能動面21aの半導体素子等と電気的に接続されている。したがって導電膜25は、電子部品4の外部接続端子として機能する。また複数の導電膜25は樹脂24の長手方向に沿って間隔を空けて設けられており、各々の導電膜25が能動面21aに形成された半導体素子の端子に接続されている。導電膜25は、金属又は合金により構成され、例えば、Au、Cu、Cr、Ni、Ti、W、Al、Pd、及びそれらの合金例えば、TiW、NiV等を用いることができる。また場合によっては、鉛フリーはんだ等により形成してもよい。導電膜25は、単層の金属からなるものとしてもよく、複数の金属膜を積層した積層膜としてもよい。導電膜25の形成方法は特に限定されず、スパッタ法等の公知の成膜法で成膜し、その後帯状にパターニングしたものであってもよく、無電解メッキにより選択的に形成したものであってもよい。また、スパッタ法や無電解メッキにより下地膜を形成し、その後電解メッキにより下地膜上に上層膜を形成し、これら下地膜と上層膜とからなる積層膜により導電膜25を形成してもよい。導電膜25を構成する金属あるいは合金の種類、層構造、形成方法、膜厚、幅等については、上述した樹脂24と同様に、フレキシブル基板2の金属端子12の形状や大きさ等により適宜、選択設計される。上記構成を備えた電子部品4とフレキシブル基板2との接続構造は、図2に示すように、バンプ電極23の溝部24aにフレキシブル基板2の金属端子12が嵌め込まれ、金属端子12の上面及び2つの側面に、溝部24a内に形成された導電膜25が当接している。かかる構造により、導電膜25と金属端子12とが電気的に接続されている。なお、金属端子12及び導電膜25の少なくとも一方がAuからなり、他方がAu又はSnからなるものである場合には、Au接合又はAuSn接合により簡便に低抵抗の接合部を形成することができる。一方、バンプ電極23の溝部24aが形成されていない部位は、フレキシブル基板2の表面に突き当てられた状態で、パッケージ21とフレキシブル基板2との間に充填された樹脂接着剤からなる封止樹脂層3により接着固定されている。これは、後述する実装工程において、上記の溝部24aが形成されていない部位が、押圧時の緩衝層として使用されるためである。次に、本実施形態の電子部品の実装方法について、図3及び図4に基づき説明する。図4は、実装工程の説明図である。まず、フレキシブル基板2と、電子部品4とを用意する。電子部品4は、図3a及び図4aに示すように、断面半円状の凸条である樹脂24の上面に開口する複数の溝部24aが形成されており、かかる溝部24aの形成位置に対応して帯状の導電膜25が形成されたものである。本実施形態の場合、従来のバンプ電極とは異なり、樹脂24は、実装前から溝部24aの部分が凹んだ形状である。樹脂24の溝部24aは、エキシマレーザー等によるレーザー加工、ワイヤーソーなどを用いた切削加工、型材を用いたスタンプ加工などにより形成することができる。図4aに示すように、溝部24aの幅W1は、対応する金属端子12の幅W2とほぼ同等に形成され、溝部24aの深さDは、対応する金属端子12の高さHとほぼ同等に形成される。幅W1と幅W2の大小関係はいずれが大きくても構わないが、導電膜25の変形量を少なくするためには幅W1を幅W2よりも大きくした方がよい。また、深さDと高さHの大小関係もいずれが大きくても構わないが、導電接続の確実性の点から、溝部24aの深さDを金属端子12の高さHよりも小さくする方がよい。導電膜25は溝部24aを形成した後、金属膜を成膜し、これをパターニングすることにより形成することができる。フレキシブル基板2は、図3b及び図4aに示すように、基板11上に、先端に金属端子12を有する複数の配線が形成された構成を備えている。図3cに示すように、基板11の辺縁から基板中央部へ向かって延びる配線が互いに対向して配置された領域が、電子部品4の実装領域11Aである。電子部品4及びフレキシブル基板2を用意したならば、図3c及び図4aに示すように、電子部品4のバンプ電極23が形成された面と、フレキシブル基板2の金属端子12が形成された面とを対向させて配置する。このとき、図4aに示すように、バンプ電極23の溝部24aが、フレキシブル基板2の金属端子12に対して位置合わせされる。その後、図4bに示すように、図示略の加圧加熱工具に保持した電子部品4を降下させてフレキシブル基板2に密着させる。これにより、金属端子12がバンプ電極23の溝部24aに嵌め込まれるとともに、溝部24aが形成されていない部位の樹脂24ないし導電膜25がフレキシブル基板2の表面に突き当てられる。本実施形態では、溝部24aの深さDと金属端子12の高さHとがほぼ同等であるため、溝部24aに嵌め込まれた金属端子12の上面が溝部24aの底壁に形成された導電膜25に当接される。また本実施形態では、溝部24aの幅W1と金属端子12の幅W2とがほぼ同等であるため、金属端子12の側面が溝部24aの側壁に形成された導電膜25に当接される。そして、上記のように導電膜25と金属端子12とが当接した状態で、加圧加熱されることにより、導電膜25と金属端子12とが接合され、電子部品4とフレキシブル基板2とが電気的に接続される。ここで、上記の加圧加熱に際して、金属端子12がほぼ同等の寸法の溝部24aに嵌め込まれているため、金属端子12は樹脂24にあまり押し込まれず、導電膜25もほとんど変形しない。従来の溝部24aを有しないバンプ電極と比較すると、本実施形態に係るバンプ電極23では、溝部24aの深さDの分だけ実装時の樹脂24の変形量が小さくなる。さらに、本実施形態では、溝部24aが形成されていない部位の樹脂24又は導電膜25がフレキシブル基板2に突き当てられているため、この突き当てられた部位の樹脂24が加圧時の応力を一部吸収する緩衝層として機能し、導電膜25の変形がさらに抑制される。以上により、金属端子12と導電膜25との接続部位及びその近傍において、導電膜25の変形が抑制され、導電膜25におけるクラック発生を効果的に抑制することができる。その後、電子部品4とフレキシブル基板2との隙間に、ディスペンサーなどを用いて樹脂系接着剤を充填し、これを硬化させることで、電子部品4とフレキシブル基板2とを接着固定するとともに両者の接続部を封止する封止樹脂層3を形成することができる。以上の工程により、電子部品4のバンプ電極23の導電膜25がフレキシブル基板2の金属端子12に電気的に接続され、かつ、電子部品4がフレキシブル基板2上に封止樹脂層3により接着固定された実装構造体10を作製することができる。以上、詳細に説明したように、本実施形態の実装構造体では、バンプ電極23に形成された溝部24aに金属端子12を嵌め込むようにして実装する構造を採用したことで、金属端子12と接続される部位の樹脂24及び導電膜25の変形量を少なくすることができる。また、樹脂24に溝部24aが形成されていることで、溝部24aが形成されていない部位は必然的にフレキシブル基板2側へ突出することになり、実装時にフレキシブル基板2の表面に突き当てられて緩衝層となる。かかる作用により、溝部24aの底壁123に作用する金属端子12の圧力を低減することができる。これらにより、導電膜25にクラックが生じるのを抑制することができ、接続部に不具合の生じにくい実装構造体となる。また本実施形態の電子部品の実装方法によれば、バンプ電極23の導電膜25の変形を防止しつつ導電膜25と金属端子12とを接続させることができ、導電膜25にクラックを生じさせることなく電子部品4をフレキシブル基板2に実装することができる。なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更することができる。以下、図5を参照しつつ実施形態の変形例について説明する。上記実施形態では、樹脂24に形成された溝部24aの側壁と、金属端子12の側面がいずれも傾斜面である場合について説明したが、図5aに示すように、溝部24a、金属端子12とが断面矩形状である構成としてもよい。このような構成とすれば、溝部24a及び金属端子12の平面領域を比較的小さくできるため、高密度に配置された導電膜25と金属端子12とを接続する構造として好適である。ただし、図示のように、溝部24aの側壁を樹脂24の表面に対して垂直な面とすると、スパッタ法などを用いて導電膜25を形成した場合に、溝部24aの側壁上における膜の付き回りが悪くなり、側壁上の導電膜25sは他の部位よりも薄い膜となりやすい。これに対して、先の実施形態のように溝部24aの側壁を傾斜面としておくと、膜の付き周りが良好なものとなり、溝部24aの内壁全体に均一に導電膜25を形成することができる。また、溝部24aの側壁と金属端子12の側面がいずれも傾斜面であれば、電子部品4をフレキシブル基板2とを押圧したときに、溝部24aの側壁と金属端子12の側面とを容易に当接させることができるため、導電膜25と金属端子12との接触面積が増大し、低抵抗で信頼性に優れた接続構造を形成しやすくなる。また上記実施形態では、溝部24aの幅を、金属端子12の幅W2と同等としたが、図5bに示すように、溝部24aを、金属端子12の幅W2よりも大きい幅W3を有するものとして形成してもよい。この場合に、溝部24aを広げた分だけ導電膜25を大きくしているため、電子部品4上における導電膜25の配置密度が低くなるが、溝部24aと金属端子12との位置合わせの許容範囲が大幅に広がるため、電子部品4の実装が容易になる。また、図5cに示すように、導電膜25を溝部24aよりも狭い幅に形成することもできる。この場合、溝部24aの幅を広げることができるため、導電膜25の幅が同じであっても、溝部24aと金属端子12との嵌め合いの位置合わせは容易になる。ただし、導電膜25の幅を広げない場合、図示のように溝部24aに導電膜25を形成しない構成となることもあり、導電膜25と金属端子12との接合面積が小さくなりやすい。