"コンデンサを2個直列接続したコンデンサ直列回路と、それぞれダイオードを逆並列接続したスイッチ素子を2個直列接続した第1のスイッチ素子直列回路と、それぞれダイオードを逆並列接続したスイッチ素子を2個直列接続した第2のスイッチ素子直列回路と、を直流電源と並列に接続し、前記コンデンサ直列回路内部の接続点と前記第1のスイッチ素子直列回路内部の接続点との間に第1の双方向スイッチを、前記コンデンサ直列回路内部の接続点と前記第2のスイッチ素子直列回路内部の接続点との間に第2の双方向スイッチを、各々接続し、前記第1のスイッチ素子直列回路内部の接続点と前記第2のスイッチ素子直列回路内部の接続点との間を高周波交流電圧出力とすることを特徴とする直流-交流変換回路。前記コンデンサ直列回路全体の電圧を高周波交流電圧として出力する第1の制御手段を備えることを特徴とする請求項1に記載の直流-交流変換回路。前記第1の制御手段は、コンデンサ直列回路の各コンデンサ電圧を出力する第1ステップ波形と前記コンデンサ直列回路全体の電圧を出力する第2ステップ波形との合成波形を高周波交流電圧として出力する制御手段を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の直流-交流変換回路。前記第1の制御手段は、コンデンサ直列回路の各コンデンサ電圧を出力する第1ステップ波形と前記コンデンサ直列回路全体の電圧を出力する第2ステップ波形との合成波形を高周波電圧として出力する制御手段を備え、前記各コンデンサの電圧差が小さくなるように前記第1ステップ波形又は第2ステップ波形のパルス幅を調整することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の直流-交流変換回路。前記第1の制御手段は、高周波交流電圧の正の電圧から負の電圧又は負の電圧から正の電圧への切替に際し、前記第1及び第2の双方向スイッチをオンさせることにより、零電圧期間を設けることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の直流-交流変換回路。前記コンデンサ直列回路の各コンデンサ電圧を高周波交流電圧として出力する第2の制御手段を備えることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の直流-交流変換回路。前記第2の制御手段は、高周波交流電圧の正の電圧から負の電圧又は負の電圧から正の電圧への切替に際し、前記第1及び第2の双方向スイッチをオンさせることにより、零電圧期間を設けることを特徴とする請求項6に記載の直流-交流変換回路。前記直流入力電圧の大きさに応じて、前記コンデンサ直列回路全体の電圧を高周波交流電圧として出力する第1の制御手段と前記コンデンサ直列回路の各コンデンサ電圧を高周波交流電圧として出力する第2の制御手段とを切替えることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の直流-交流変換回路。請求項1~8のいずれか1項に記載の前記高周波交流出力電圧を高周波変圧器で絶縁変換し、整流回路及び平滑回路を介して直流電圧に変換し、これを直流出力とすることを特徴とする直流電源装置。請求項1~8のいずれか1項に記載の前記高周波交流電圧を高周波変圧器で絶縁変換し、同期整流回路及び平滑回路を介して低周波数の交流電圧に変換し、これを交流出力とすることを特徴とする交流電源装置。上述のように、従来例では直電源電圧の大きさに応じて、フルブリッジ回路とハーフブリッジ回路をスイッチで切替える構成であったが、いずれの回路構成においても、半導体スイッチの遮断時に高周波変圧器の一次巻線の電圧が大きく変化するため、ノイズの発生量が大きいという課題があった。また、高周波変圧器一次側回路の半導体スイッチ素子が全てオフの状態で、二次側回路のダイオード電流が零になると高周波変圧器の端子間が浮遊状態となり共振などの高周波ノイズが発生するという問題が生じる。従って、本発明の課題は、スイッチング時の電圧変化幅を小さくしノイズの発生を抑制し、また高周波変圧器一次側回路の半導体スイッチ素子が全てオフの状態で、二次側回路のダイオード電流が零になっても高周波変圧器の端子間の高周波振動電圧を抑制することにある。上述の課題を解決するために、第1の発明においては、コンデンサを2個直列接続したコンデンサ直列回路と、それぞれダイオードを逆並列接続したスイッチ素子を2個直列接続した第1のスイッチ素子直列回路と、それぞれダイオードを逆並列接続したスイッチ素子を2個直列接続した第2のスイッチ素子直列回路と、を直流電源と並列に接続し、前記コンデンサ直列回路内部の接続点と前記第1のスイッチ素子直列回路内部の接続点との間に第1の双方向スイッチを、前記コンデンサ直列回路内部の接続点と前記第2のスイッチ素子直列回路内部の接続点との間に第2の双方向スイッチを、各々接続し、前記第1のスイッチ素子直列回路内部の接続点と前記第2のスイッチ素子直列回路内部の接続点との間を高周波交流電圧出力とする。第2の発明においては、前記コンデンサ直列回路全体の電圧を高周波交流電圧として出力する第1の制御手段を備える。第3の発明においては、第2の発明における前記第1の制御手段は、コンデンサ直列回路の各コンデンサ電圧を出力する第1ステップ波形と前記コンデンサ直列回路全体の電圧を出力する第2ステップ波形との合成波形を高周波交流電圧として出力する制御手段を備える。第4の発明においては、第2の発明における前記第1の制御手段は、コンデンサ直列回路の各コンデンサ電圧を出力する第1ステップ波形と前記コンデンサ直列回路全体の電圧を出力する第2ステップ波形との合成波形を高周波電圧として出力する制御手段を備え、前記各コンデンサの電圧差が小さくなるように前記第1ステップ波形又は第2ステップ波形のパルス幅を調整する。第5の発明においては、第2~第4の発明における前記第1の制御手段は、高周波交流電圧の正の電圧から負の電圧又は負の電圧から正の電圧への切替に際し、前記第1及び第2の双方向スイッチをオンさせることにより、零電圧期間を設ける。第6の発明においては、第1~第5の発明において、前記コンデンサ直列回路の各コンデンサ電圧を高周波交流電圧として出力する第2の制御手段を備える。第7の発明においては、第6の発明における前記第2の制御手段は、高周波交流電圧の正の電圧から負の電圧又は負の電圧から正の電圧への切替に際し、前記第1及び第2の双方向スイッチをオンさせることにより、零電圧期間を設ける。第8の発明においては、第1~第7の発明において、前記直流入力電圧の大きさに応じて、前記コンデンサ直列回路全体の電圧を高周波交流電圧として出力する第1の制御手段と前記コンデンサ直列回路の各コンデンサ電圧を高周波交流電圧として出力する第2の制御手段とを切替える。第9の発明は、請求項1~8のいずれか1項に記載の前記高周波交流出力電圧を高周波変圧器で絶縁変換し、整流回路及び平滑回路を介して直流電圧に変換し、これを直流出力とすることを特徴とする直流電源装置である。第10の発明は、請求項1~8のいずれか1項に記載の前記高周波交流電圧を高周波変圧器で絶縁変換し、同期整流回路及び平滑回路を介して低周波数の交流電圧に変換し、これを交流出力とすることを特徴とする交流電源装置である。本発明では、ハーフブリッジ回路及びフルブリッジ回路の動作における、交流出力電圧の極性切替えに際し、第1及び第2の双方向スイッチをオンさせ高周波変圧器の一次巻線を短絡する期間を設けている。また、フルブリッジ回路動作においては、コンデンサ直列回路の各コンデンサ電圧を出力する第1ステップ波形とコンデンサ直列回路全体の電圧を出力する第2ステップ波形との合成波形を高周波交流電圧として出力する制御手段を備えている。この結果、高周波変圧器二次側整流回路の電流が断続しても高周波変圧器の巻線間電圧は零となり、浮遊状態でなくなり、共振電圧が発生しないのでノイズが低減される。また、半導体スイッチ素子遮断時の交流出力電圧波形は零電圧を経由して極性が切替わるので、電圧変化量が小さくなり、ノイズ発生量が減少する。さらに、フルブリッジ回路動作においては、零電圧から2ステップ動作で電圧が変化するため、電圧変化量がさらに小さくなり、一層のノイズ発生量低減が可能となる。また、二次側の整流ダイオードの逆回復に対しては、電圧印加が2段階になるので、逆回復時のサージ電圧低減と損失低減が可能となる。本発明の要点は、コンデンサを2個直列接続したコンデンサ直列回路と、それぞれダイオードを逆並列接続した半導体スイッチ素子を2個直列接続した第1の半導体スイッチ直列回路と、それぞれダイオードを逆並列接続した半導体スイッチ素子を2個直列接続した第2の半導体スイッチ直列回路と、を直流電源と並列に接続し、前記コンデンサ直列回路内部の接続点と前記第1の半導体スイッチ直列回路内部の接続点との間に第1の双方向スイッチを、前記コンデンサ直列回路内部の接続点と前記第2の半導体スイッチ直列回路内部の接続点との間に第2の双方向スイッチを、各々接続し、前記第1の半導体スイッチ直列回路内部の接続点と前記第2の半導体スイッチ直列回路内部の接続点との間に高周波交流電圧を出力する点である。高周波交流電圧の極性切替に際しては、第1及び第2の双方向スイッチをオンさせて、高周波交流電圧を零電圧にする期間を設ける。さらに、フルブリッジ回路動作においては、コンデンサ直列回路の各コンデンサ電圧を出力する第1ステップ波形とコンデンサ直列回路全体の電圧を出力する第2ステップ波形との合成波形を高周波交流電圧として出力する。図1に、本発明の第1の実施例を示す。直流電源電圧を高周波交流電圧に変換し、高周波変圧器TRで絶縁変換後、整流回路DRと平滑フィルタFを介して直流電圧を負荷LDに供給する実施例である。コンデンサC1、C2を2個直列接続したコンデンサ直列回路と、ダイオードD1を逆並列接続した第1の半導体スイッチ素子S1及びダイオードD2を逆並列接続した第2の半導体スイッチ素子S2を直列接続した第1の半導体スイッチ直列回路と、ダイオードD3を逆並列接続した第3の半導体スイッチ素子S3及びダイオードD4を逆並列接続した第4の半導体スイッチ素子S4を直列接続した第2の半導体スイッチ直列回路と、を各々直流電源Edと並列に接続する。また、前記コンデンサ直列回路内部の接続点と前記第1の半導体スイッチ直列回路内部の接続点との間に逆阻止型IGBTS5aとS5bを逆並列接続した第1の双方向スイッチを、前記コンデンサ直列回路内部の接続点と前記第2の双方向スイッチ直列回路内部の接続点との間に逆阻止型IGBTS6aとS6bを逆並列接続した第2の双方向スイッチを、各々接続する。前記第1の半導体スイッチ直列回路内部の接続点と前記第2の半導体スイッチ直列回路内部の接続点との間に高周波変圧器TRの一次巻線を接続する。高周波変圧器TRの二次巻線はダイオードD5~D8で構成されたダイオード整流回路DRの交流入力に、ダイオード整流回路DRの直流出力はリアクトルLoとコンデンサCoで構成された平滑フィルタFと並列接続され、さらにコンデンサCoと並列に負荷LDが接続される。また、コンデンサC1,C2の直列回路と並列に電圧検出器VD1が接続され、電圧検出器VD1の出力は、直接又はレベル判定回路RJを介して制御回路CNT1に接続される。このような構成における動作を図2及び図3に示す。図2はフルブリッジ回路での動作、図3はハーフブリッジ回路での動作図である。図2はフルブリッジ回路での動作である。交流出力電圧を正側に出力する場合の動作モードは2種類ある。モード1では、IGBTS6bがオンの状態でIGBTS1をオンさせると交流出力電圧はコンデンサC1の電圧Vc1となり、次にIGBTS4をオンさせると交流出力電圧はコンデンサC1の電圧Vc1コンデンサC2の電圧Vc2となる。次にIGBTS4をオフさせると交流出力電圧はコンデンサC1の電圧Vc1となり、さらにIGBTS1をオフさせ、IGBTS5aをオンさせると交流出力電圧は零となる。ここでIGBTS5aへのオン信号はIGBTS1をオフさせる時点より前の時刻に与えるとスムーズに電流を転流させることができる。この結果、交流出力電圧は正側に2ステップ状のパルス波形となる。モード2では、IGBTS5aがオンの状態でIGBTS4をオンさせると交流出力電圧はコンデンサC2の電圧Vc2となり、次にIGBTS1をオンさせると交流出力電圧はコンデンサC1の電圧Vc1コンデンサC2の電圧Vc2となる。次にIGBTS1をオフさせると交流出力電圧はコンデンサC2の電圧Vc2となり、さらにIGBTS4をオフさせ、IGBTS6bをオンさせると交流出力電圧は零となる。ここでIGBTS6bへのオン信号はIGBTS4をオフさせる時点より前の時刻に与えるとスムーズに電流を転流させることができる。この結果、交流出力電圧は正側に2ステップ状のパルス波形となる。同様に、交流出力電圧を負側に出力する動作モードも2種類ある。モード1では、IGBTS6aがオンの状態でIGBTS2をオンさせると交流出力電圧はコンデンサC2の電圧Vc2となり、次にIGBTS3をオンさせると交流出力電圧はコンデンサC1の電圧Vc1コンデンサC2の電圧Vc2となる。次にIGBTS3をオフさせると交流出力電圧はコンデンサC2の電圧Vc2となり、さらにIGBTS2をオフさせ、IGBTS5bをオンさせると交流出力電圧は零となる。ここでIGBTS5bへのオン信号はIGBTS2をオフさせる時点より前の時刻に与えるとスムーズに電流を転流させることができる。この結果、交流出力電圧は負側に2ステップ状のパルス波形となる。モード2では、IGBTS5bがオンの状態でIGBTS3をオンさせると交流出力電圧はコンデンサC1の電圧Vc1となり、次にIGBTS2をオンさせると交流出力電圧はコンデンサC1の電圧Vc1コンデンサC2の電圧Vc2となる。次にIGBTS2をオフさせると交流出力電圧はコンデンサC1の電圧Vc1となり、さらにIGBTS3をオフさせ、IGBTS6aをオンさせると交流出力電圧は零となる。ここでIGBTS6aへのオン信号はIGBTS3をオフさせる時点より前の時刻に与えるとスムーズに電流を転流させることができる。この結果、交流出力電圧は負側に2ステップ状のパルス波形となる。モード1の動作とモード2の動作を交流出力電圧の正出力のパルス列で交互に又は負出力のパルス列で交互に使い分けることにより、正出力のパルス列及び負出力のパルス列はコンデンサC1の電圧Vc1とコンデンサC2の電圧Vc2が交互に存在することになり、結果的に、コンデンサC1とC2の電圧を均等化することになる。また、高周波変圧器の高周波的な励磁は均等化され、偏磁を抑制することができる。図3は、ハーフブリッジ回路での動作図である。図1に示す回路構成において、ハーフブリッジ回路動作としては、双方向スイッチS6IGBTS6aとS6bで構成をオン状態として、半導体スイッチS1と半導体スイッチS2とを交互にオンオフする動作モード1と、双方向スイッチS5IGBTS5aとS5bで構成をオン状態として、半導体スイッチS3と半導体スイッチS4と、を交互にオンオフする動作モード2とがある。動作モード1では、双方向スイッチS6IGBTS6aとS6bで構成をオン状態として、半導体スイッチS1と半導体スイッチS2とを交互にオンオフする。半導体スイッチIGBTS1をオンすると交流出力電圧はコンデンサC1の電圧Vc1正の極性の電圧となり、半導体スイッチIGBTS1を遮断し、IGBTS5aをオンすると高周波出力電圧は零となる。この時、IGBTS5aへのオン信号は半導体スイッチIGBTS1を遮断する時点より前の時刻に与えると電流をスムーズに転流させることができる。次に、半導体スイッチIGBTS2をオンすると交流出力電圧はコンデンサC2の電圧Vc2負の極性の電圧となり、半導体スイッチIGBTS2を遮断し、IGBTS5bをオンすると高周波出力電圧は零となる。この時、IGBTS5bへのオン信号は半導体スイッチIGBTS2を遮断する時点より前の時刻に与えると電流をスムーズに転流させることができる。動作モード2では、双方向スイッチS5IGBTS5aとS5bで構成をオン状態として、半導体スイッチS3と半導体スイッチS4とを交互にオンオフする。半導体スイッチIGBTS4をオンすると交流出力電圧はコンデンサC2の電圧Vc2正の極性の電圧となり、半導体スイッチIGBTS4を遮断し、IGBTS6bをオンすると高周波出力電圧は零となる。この時、IGBTS6bへのオン信号は半導体スイッチIGBTS4を遮断する時点より前の時刻に与えると電流をスムーズに転流させることができる。次に、半導体スイッチIGBTS3をオンすると交流出力電圧はコンデンサC1の電圧Vc1負の極性の電圧となり、半導体スイッチIGBTS3を遮断し、IGBTS6aをオンすると高周波出力電圧は零となる。この時、IGBTS6aへのオン信号は半導体スイッチIGBTS3を遮断する時点より前の時刻に与えると電流をスムーズに転流させることができる。モード1の動作とモード2の動作を交互に組合せることにより、導通するIGBT素子を分散させることが可能で、従来に比べて発生損失が分散するので、冷却装置の小型化が可能となり、また出力容量の大容量化が容易となる。図1に示す電圧検出器VD1とレベル判定回路RJは、コンデンサC1、C2の電圧差を検出し、電圧が均等になるように制御するための電圧均等化制御と、直流電源Edの電圧の大きさを判定してフルブリッジ動作とハーフブリッジ動作を切替える切替制御に用いる。電圧均等化制御は、電圧が高い方のコンデンサからのエネルギーの放出が多くなるようにパルス幅を制御する。また、切替制御は、直流入力電圧の変動範囲の中間点を検出し、電圧がこの中間点付近の電圧より低い時にはフルブリッジ回路の動作に、高い時にはハーフブリッジ回路の動作となるように、制御方式を切替える。その結果、直流電源の電圧変動が大きい場合でも、高周波出力電圧のピーク値変動を小さくすることが可能となり、高周波変圧器の小型化が可能となる。図4に第2の実施例を示す。第1の実施例との違いはダイオードD5~D8と逆並列に半導体スイッチB1~B4を各々接続した双方向性の整流回路BDRを用いている点である。負荷として蓄電装置などが接続され、この電力を直流電源Ed側に回生する場合に有効である。ダイオードD5~D7が導通するタイミングで半導体スイッチB1~B4をオンさせれば、実現できる。その他の動作は実施例1と同様である。図5に、本発明の第3の実施例を示す。高周波変圧器の出力を同期整流して低周波の交流出力を得る場合の構成である。第1の実施例との違いは、高周波変圧器TRの二次巻線側の回路構成である。第1の実施例におけるダイオード整流回路DRの代わりに同期整流回路SRを用い、同期整流回路SRの出力にリアクトルLoaとコンデンサCoaからなる波形整形用交流フィルタACFを、コンデンサCoaと並列に交流負荷ALDを、各々接続した構成である。同期整流回路SRは、逆阻止型IGBTを逆並列接続した双方向スイッチを4個用いたブリッジ回路である。即ち双方向スイッチB1B1aとB1bで構成とB2B2aとB2bで構成の直列回路Aと、双方向スイッチB3B3aとB3bで構成とB4B4aとB4bで構成の直列回路Bとが並列接続された構成である。このような構成における動作を図6に示す。高周波変圧器一次側回路の動作がハーフブリッジ回路動作の場合の動作例である。高周波変圧器TRのパルス列状の電圧を同期整流回路の双方向スイッチで正方向に整流し、低周波の正の半サイクル期間0~πのパルス列を作り、同期整流回路の双方向スイッチで負方向に整流し、低周波の負の半サイクル期間π~2πのパルス列を作る。この時、高周波変圧器一次側の電圧波形が均等パルスの場合は、二次側の同期整流回路で正弦波変調された波形となるようにパルス幅変調PMWする。この波形を波形整形用交流フィルタACFに通すことにより、歪の小さな交流電圧を得ることができる。ここで、高周波変圧器一次側の電圧波形が正弦波PWMされたパルスの場合は、低周波の半サイクル毎に正方向又は負方向に同期整流すれば良い。尚、上記実施例には双方向スイッチとして逆阻止型IGBTを逆並列接続した場合の例を示したが、逆耐圧のないIGBTとダイオードを組合せた場合でも同様に実現可能である。"