"露光光で基板を露光する露光方法であって、前記基板の端を含む外縁領域の第1部分の変形に関する情報を取得することと、前記取得した結果と、所定の関係式とに基づいて、前記第1部分と異なる前記外縁領域の第2部分の変形に関する情報を取得することと、取得した前記第1部分及び前記第2部分の変形に関する情報に基づいて、前記基板を露光することと、を含む露光方法。前記第1部分は、前記基板の中心に対する一方側及び他方側のそれぞれに配置される請求項1記載の露光方法。前記第1部分は、第1方向に長く、前記第2部分は、前記第1方向と交差する第2方向に長い請求項1又は2記載の露光方法。前記基板の外形は、四角形であり、前記第1部分は、前記第1方向に長い前記基板の2つの辺を含み、前記第2部分は、前記第2方向に長い前記基板の2つの辺を含む請求項1~3のいずれか一項記載の露光方法。前記基板は、前記第1部分に配置される複数のアライメントマークを有し、前記第1部分の変形に関する情報を取得することは、前記アライメントマークを計測することを含む請求項1~4のいずれか一項記載の露光方法。前記アライメントマークは、前記基板の外縁領域の変形に応じて変位する請求項5記載の露光方法。前記第1部分の変形に応じた複数の前記関係式が予め用意され、前記第1部分の変形状態に応じて、複数の関係式から所定の関係式が選択される請求項1~6のいずれか一項記載の露光方法。複数の前記関係式は、次数が異なる請求項7記載の露光方法。前記外縁領域の変形に関する情報を取得した後、前記外縁領域の内側の前記基板の内部領域の変形に関する情報を取得することを含む請求項1~8のいずれか一項記載の露光方法。前記外縁領域の変形に関する情報、及び前記内部領域の変形に関する情報の少なくとも一方に基づいて、露光条件を調整することを含む請求項9記載の露光方法。請求項1~10のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。露光光で基板を露光する露光装置であって、前記基板の端を含む外縁領域の第1部分の変形に関する情報を取得する第1取得装置と、前記第1取得装置で取得した結果と、所定の関係式とに基づいて、前記第1部分と異なる前記外縁領域の第2部分の変形に関する情報を取得する第2取得装置と、を備え、取得した前記第1部分及び前記第2部分の変形に関する情報に基づいて、前記基板を露光する露光装置。請求項12記載の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。露光処理において、基板が変形すると、パターンの重ね合わせ精度が低下し、その結果、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生をもたらす。基板が変形した場合でも、パターンの重ね合わせ精度の低下を抑制するために、基板の変形に関する情報を精確に取得することが有効である。基板の変形が非線形成分非線形歪みを含む場合、アライメントマークの計測点数を多くすることによって、その非線形歪みを含む基板の変形に関する情報を精確に取得することができる。しかし、アライメントマークの計測点数を多くした場合、その計測のために時間を要し、スループットが低下してしまう可能性がある。本発明の態様は、スループットの低下を抑制しつつ、基板の変形に関する情報を精確に取得して露光不良の発生を抑制できる露光方法及び露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、スループットの低下を抑制しつつ、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。本発明の第1の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光方法であって、基板の端を含む外縁領域の第1部分の変形に関する情報を取得することと、取得した結果と、所定の関係式とに基づいて、第1部分と異なる外縁領域の第2部分の変形に関する情報を取得することと、取得した第1部分及び第2部分の変形に関する情報に基づいて、基板を露光することと、を含む露光方法が提供される。本発明の第2の態様に従えば、第1の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。本発明の第3の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置であって、基板の端を含む外縁領域の第1部分の変形に関する情報を取得する第1取得装置と、第1取得装置で取得した結果と、所定の関係式とに基づいて、第1部分と異なる外縁領域の第2部分の変形に関する情報を取得する第2取得装置と、を備え、取得した第1部分及び第2部分の変形に関する情報に基づいて、基板を露光する露光装置が提供される。本発明の第4の態様に従えば、第3の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。本発明の態様によれば、スループットの低下を抑制しつつ、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、スループットの低下を抑制しつつ、不良デバイスの発生を抑制できる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向すなわち鉛直方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転傾斜方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。<第1実施形態>第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図、図2は、斜視図である。図1及び図2において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、マスクステージ1を移動する駆動システム3と、基板ステージ2を移動する駆動システム4と、マスクMを露光光ELで照明する照明システムISと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影システムPSと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置5と、制御装置5に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置5Rとを備えている。マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Pは、例えばガラスプレート等の基材と、その基材上に形成された感光膜塗布された感光剤とを含む。本実施形態において、基板Pの外形は、四角形である。本実施形態において、基板Pは、大型のガラスプレートを含み、その基板Pの一辺のサイズは、例えば500mm以上である。本実施形態においては、基板Pの基材として、一辺が約3000mmの四角形のガラスプレートを用いる。また、本実施形態の露光装置EXは、マスクステージ1及び基板ステージ2の位置情報を計測する干渉計システム6と、マスクMの表面下面、パターン形成面の位置情報を検出する第1検出システム7と、基板Pの表面露光面、感光面の位置情報を検出する第2検出システム8と、基板P上のアライメントマーク計測を実行するアライメントシステム9とを備えている。また、露光装置EXは、ボディ13を備えている。ボディ13は、例えばクリーンルーム内の支持面例えば床面FL上に防振台BLを介して配置されたベースプレート10と、ベースプレート10上に配置された第1コラム11と、第1コラム11上に配置された第2コラム12とを有する。本実施形態において、ボディ13は、投影システムPS、マスクステージ1、及び基板ステージ2のそれぞれを支持する。本実施形態において、投影システムPSは、定盤14を介して、第1コラム11に支持される。マスクステージ1は、第2コラム12に対して移動可能に支持される。基板ステージ2は、ベースプレート10に対して移動可能に支持される。本実施形態において、投影システムPSは、複数の投影光学系を有する。照明システムISは、複数の投影光学系に対応する複数の照明モジュールを有する。また、本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しながら、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する。すなわち、本実施形態の露光装置EXは、所謂、マルチレンズ型スキャン露光装置である。本実施形態において、投影システムPSは、7つの投影光学系PL1~PL7を有し、照明システムISは、7つの照明モジュールIL1~IL7を有する。なお、投影光学系及び照明モジュールの数は7つに限定されず、例えば投影システムPSが、投影光学系を11個有し、照明システムISが、照明モジュールを11個有してもよい。照明システムISは、所定の照明領域IR1~IR7に露光光ELを照射可能である。照明領域IR1~IR7は、各照明モジュールIL1~IL7から射出される露光光ELの照射領域に含まれている。本実施形態において、照明システムISは、異なる7つの照明領域IR1~IR7のそれぞれを露光光ELで照明する。照明システムISは、マスクMのうち照明領域IR1~IR7に配置された部分を、均一な照度分布の露光光ELで照明する。本実施形態においては、照明システムISから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線g線、h線、i線を用いる。マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、照明領域IR1~IR7に対して移動可能である。マスクステージ1は、マスクMを保持可能なマスク保持部15を有する。マスク保持部15は、マスクMを真空吸着可能なチャック機構を含み、マスクMをリリース可能に保持する。本実施形態において、マスク保持部15は、マスクMの下面パターン形成面とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。駆動システム3は、例えばリニアモータを含み、第2コラム12のガイド面12G上においてマスクステージ1を移動可能である。本実施形態において、マスクステージ1は、駆動システム3の作動により、マスク保持部15でマスクMを保持した状態で、ガイド面12G上を、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。投影システムPSは、所定の投影領域PR1~PR7に露光光ELを照射可能である。投影領域PR1~PR7は、各投影光学系PL1~PL7から射出される露光光ELの照射領域に相当する。本実施形態において、投影システムPSは、異なる7つの投影領域PR1~PR7のそれぞれにパターンの像を投影する。投影光学システムPSは、基板Pのうち投影領域PR1~PR7に配置された部分に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、投影領域PR1~PR7に対して移動可能である。基板ステージ2は、基板Pを保持可能な基板保持部16を有する。基板保持部16は、基板Pを真空吸着可能なチャック機構を含み、基板Pをリリース可能に保持する。本実施形態において、基板保持部16は、基板Pの表面露光面とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。駆動システム4は、例えばリニアモータを含み、ベースプレート10のガイド面10G上において基板ステージ2を移動可能である。本実施形態において、基板ステージ2は、駆動システム4の作動により、基板保持部16で基板Pを保持した状態で、ガイド面10G上を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。干渉計システム6は、マスクステージ1の位置情報を計測するレーザ干渉計ユニット6Aと、基板ステージ2の位置情報を計測するレーザ干渉計ユニット6Bとを有する。レーザ干渉計ユニット6Aは、マスクステージ1に配置された計測ミラー1Rを用いて、マスクステージ1の位置情報を計測可能である。レーザ干渉計ユニット6Bは、基板ステージ2に配置された計測ミラー2Rを用いて、基板ステージ2の位置情報を計測可能である。本実施形態において、干渉計システム6は、レーザ干渉計ユニット6A,6Bを用いて、X軸、Y軸、及びθX方向に関するマスクステージ1及び基板ステージ2それぞれの位置情報を計測可能である。基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置5は、干渉計システム6の計測結果に基づいて、駆動システム3,4を作動し、マスクステージ1マスクM、及び基板ステージ2基板Pの位置制御を実行する。アライメントシステム9は、基板Pに設けられているアライメントマークを計測する。アライメントシステム9は、所謂、オフアクシス方式のアライメントシステムであり、基板ステージ2に保持された基板Pの表面と対向配置される複数の顕微鏡9A~9Fを有する。顕微鏡9A~9Fのそれぞれは、検出領域AL1~AL6に検出光を照射する投射部と、検出領域AL1~AL6に配置されたアライメントマークの光学像を取得可能な受光部とを有する。制御装置5は、投影システムPSにより形成されるマスクMのパターンの像を、基板Pに既に形成されているパターンに重ね合わせるように、露光処理を実行する。露光処理の際、制御装置5は、基板Pのアライメントマークを計測し、そのアライメントマークの計測結果に基づいて、基板PとマスクMのパターンの像との位置合わせを行うアライメント処理を実行する。図3は、投影システムPSの投影領域PR1~PR7と、アライメントシステム9の検出領域AL1~AL6と、基板Pとの位置関係の一例を示す模式図であり、基板Pの表面を含む平面内の位置関係を示している。図3に示すように、本実施形態において、基板Pの外形は、四角形である。本実施形態において、基板Pの外形は、X軸方向に長い長方形である。なお、基板Pの外形が、正方形でもよいし、Y軸方向に長い長方形でもよい。基板Pは、4つの辺を有する。基板Pは、X軸方向とほぼ平行な2つの辺S1、S2と、Y軸方向とほぼ平行な2つの辺S3、S4とを有する。以下の説明において、基板Pが有するX軸方向とほぼ平行な2つの辺S1、S2のうち、一方の辺を適宜、第1辺S1と称し、他方の辺を適宜、第2辺S2と称する。本実施形態において、第1辺S1は、Y側の辺であり、第2辺S2は、-Y側の辺である。また、基板Pが有するY軸方向とほぼ平行な2つの辺S3、S4のうち、一方の辺を適宜、第3辺S3、と称し、他方の辺を適宜、第4辺S4、と称する。本実施形態において、第3辺S3は、-X側の辺であり、第4辺S4は、X側の辺である。また、以下の説明において、基板Pの端辺を含む基板Pの外縁の領域を適宜、外縁領域GA、と称する。また、基板Pのうち、外縁領域GAの内側の領域を適宜、内部領域UA、と称する。内部領域UAは、基板Pの中心を含む領域である。外縁領域GAは、内部領域UAの周囲に配置される領域である。また、外縁領域GAのうち、Y軸方向に長い部分を適宜、Y部分GAy、と称し、X軸方向に長い部分を適宜、X部分GAx、と称する。本実施形態において、Y部分GAyは、Y軸方向に長い第3辺S3を含む第1Y部分GAy1と、Y軸方向に長い第4辺S4を含む第2Y部分GAy2とを含む。X部分GAxは、X軸方向に長い第1辺S1を含む第1X部分GAx1と、X軸方向に長い第2辺S2を含む第2X部分GAx2とを含む。Y部分GAyのうち、第1Y部分GAy1は、基板Pの中心に対して-X側に配置され、第2Y部分GAy2は、基板Pの中心に対してX側に配置される。X部分GAxのうち、第1X部分GAx1は、基板Pの中心に対してY側に配置され、第2X部分GAx2は、基板Pの中心に対して-Y側に配置される。図3に示すように、本実施形態おいて、基板Pの表面は、マスクMのパターンの像が投影される複数の露光領域被処理領域PA1~PA6を有する。本実施形態において、基板Pの表面は、6つの露光領域PA1~PA6を有する。露光領域PA1、PA2、PA3が、Y軸方向にほぼ等間隔で離れて配置され、露光領域PA4、PA5、PA6が、Y軸方向にほぼ等間隔で離れて配置されている。露光領域PA1、PA2、PA3は、露光領域PA4、PA5、PA6に対してX側に配置されている。露光領域PA1~PA6は、基板Pの内部領域UAに配置される。本実施形態において、投影領域PR1~PR7のそれぞれは、XY平面内において台形である。本実施形態において、投影光学系PL1、PL3、PL5、PL7による投影領域PR1、PR3、PR5、PR7が、Y軸方向にほぼ等間隔で配置され、投影光学系PL2、PL4、PL6による投影領域PR2、PR4、PR6が、Y軸方向にほぼ等間隔で配置されている。投影領域PR1、PR3、PR5、PR7は、投影領域PR2、PR4、PR6に対して-X側に配置されている。また、Y軸方向に関して、投影領域PR1、PR3、PR5、PR7の間に、投影領域PR2、PR4、PR6が配置される。本実施形態において、顕微鏡9A~9Fによる検出領域AL1~AL6が、投影領域PR1~PR7に対して-X側に配置されている。検出領域AL1~AL6は、Y軸方向に離れて配置される。複数の検出領域AL1~AL6のうち、Y軸方向に関して外側2つの検出領域AL1と検出領域AL6との間隔は、複数の露光領域PA1~PA6のうち、Y軸方向に関して外側2つの露光領域PA1PA4の-Y側のエッジと露光領域PA3PA6のY側のエッジとの間隔とほぼ等しい。アライメントシステム9は、基板Pに設けられている複数のアライメントマークm1~m6を検出可能である。本実施形態において、基板P上にはY軸方向に6つのアライメントマークm1~m6が配置され、それらアライメントマークm1~m6のグループが、X軸方向に4箇所に配置されている。1つのグループにおいて、アライメントマークm1~m6のそれぞれは、X軸方向に関して離れて配置される。4つのグループのそれぞれは、Y軸方向に関して離れて配置される。以下の説明において、アライメントマークm1~m6の4つのグループのうち、最も-X側のグループを適宜、第1グループG1、と称し、第1グループG1に次いで-X側のグループを適宜、第2グループG2、と称し、第2グループG2に次いで-X側のグループを適宜、第3グループG3、と称し、最もX側のグループを適宜、第4グループG4、と称する。第1~第4グループG1~G4のアライメントマークm1~m6のうち、第1グループG1のアライメントマークm1~m4が、最も第3辺S3に近く、第4グループG4のアライメントマークm1~m4が、最も第4辺S4に近い。第2、第3グループG2、G3のアライメントマークm1~m6は、基板Pの内部領域UAに配置される。第1、第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6は、基板Pの外縁領域GAに配置される。本実施形態において、第1,第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6は、外縁領域GAのうち、Y部分GAyに配置される。本実施形態において、第1グループG1のアライメントマークm1~m6は、Y部分GAyのうち、第1Y部分GAy1に配置され、第4グループG4のアライメントマークm1~m6は、Y部分GAyのうち、第2Y部分GAy2に配置される。なお、アライメントマークm1~m6のうち、アライメントマークm1,m2は、露光領域PA1,PA4の各両端部に隣接して設けられ、アライメントマークm3,m4は、露光領域PA2,PA5の各両端部に隣接して設けられ、アライメントマークm5,m6は、露光領域PA3,PA6の各両端部に隣接して設けられている。本実施形態においては、基板P上においてY軸方向に離れて配置された6つのアライメントマークm1~m6に対応して、顕微鏡9A~9F検出領域AL1~AL6が配置されている。顕微鏡9A~9Fは、アライメントマークm1~m6が検出領域AL1~AL6に同時に配置されるように設けられている。アライメントシステム9は、顕微鏡9A~9Fを用いて、6つのアライメントマークm1~m6を同時に検出可能である。換言すれば、アライメントシステム9は、第1グループG1のアライメントマークm1~m6を同時に検出可能であり、第2グループG2のアライメントマークm1~m6を同時に検出可能であり、第3グループG3のアライメントマークm1~m6を同時に検出可能であり、第4グループG4のアライメントマークm1~m6を同時に検出可能である。ところで、基板Pは、変形する可能性がある。基板Pは、例えば露光処理の前後に行われる各種のプロセス処理によって加熱される場合がある。その結果、基板Pの変形熱変形が発生する可能性がある。また、基板保持部16の保持状態に起因して、基板Pの変形歪み変形が発生する可能性がある。なお、基板保持部16の保持状態は、例えば基板保持部16に設けられている吸着機構の吸着むらを含む。なお、基板Pが変形する原因は、プロセス処理、及び基板保持部16の保持状態に限られない。例えば特開2001-332600号公報等に開示されているようなトレイに基板Pを載せた状態で基板保持部16に基板Pを搬入ロードする場合、そのトレイの形状、変形等に依存して、基板保持部16に搬入されて保持された基板Pが変形する可能性もある。図4Aは、基板Pが変形している状態の一例を模式的に示す図である。図4Bは、図4Aに示すように基板Pが変形しているときの露光領域PA1~PA6それぞれの変形の状態、及び第1,第4グループG1,G4のアライメントマークm1~m6の位置の一例を模式的に示す図である。同様に、図5A、図6A、図7Aは、基板Pが変形している状態の一例を模式的に示す図であり、図5B、図6B、図7Bは、図5A、図6A、図7Aに示すように基板Pが変形しているときの露光領域PA1~PA6それぞれの変形の状態、及び第1,第4グループG1,G4のアライメントマークm1~m6の位置の一例を模式的に示す図である。なお、図4A~図7Aにおいて、変形していない状態の基板Pが破線で示されている。図4B~図7Bにおいて、変形していない状態の露光領域PA1~PA6が破線で示されている。本出願に係る発明の発明者は、基板Pが変形する場合、その基板Pの変形パターンは、図4A~図7Aのそれぞれに示すように、主に4つの変形パターンに分類類型化されることを見出した。図4Aに示す変形パターンは、第1X部分GAx1第1辺S1及び第2X部分GAx2第2辺S2が、基板Pの中心に対して外側に向かって曲がるように変形し、第1Y部分GAy1第3辺S3及び第2Y部分GAy2第4辺S4が、基板Pの中心に対して内側に向かって曲がるように変形する変形パターンである。図5Aに示す変形パターンは、第1X部分GAx1第1辺S1及び第2X部分GAx2第2辺S2が、基板Pの中心に対して内側に向かって曲がるように変形し、第1Y部分GAy1第3辺S3及び第2Y部分GAy2第4辺S4が、基板Pの中心に対して外側に向かって曲がるように変形する変形パターンである。図6Aに示す変形パターンは、第1X部分GAx1第1辺S1の中央部が、基板Pの中心に対して外側に向かって突出するように変形し、第2X部分GAx2第2辺S2の中央部が、基板Pの中心に対して内側に向かって突出するように変形し、第1Y部分GAy1第3辺S3のY側の端が、-Y側の端よりも-X側に位置し、第2Y部分GAy2第4辺S4のY側の端が、-Y側の端よりもX側に位置する変形パターンである。図7Aに示す変形パターンは、第1X部分GAx1第1辺S1の中央部が、基板Pの中心に対して内側に向かって突出するように変形し、第2X部分GAx2第2辺S2の中央部が、基板Pの中心に対して外側に向かって突出するように変形し、第1Y部分GAy1第3辺S3のY側の端が、-Y側の端よりもX側に位置し、第2Y部分GAy2第4辺S4のY側の端が、-Y側の端よりも-X側に位置する変形パターンである。以下の説明において、図4Aに示す基板Pの変形パターンを適宜、第1変形パターン、と称し、図5Aに示す基板Pの変形パターンを適宜、第2変形パターン、と称し、図6Aに示す基板Pの変形パターンを適宜、第3変形パターン、と称し、図7Aに示す基板Pの変形パターンを適宜、第4変形パターン、と称する。また、以下の説明においては、簡単のため、外縁領域GAの変形が、第1辺S1、第2辺S2、第3辺S3、及び第4辺S4の少なくとも一つの変形である場合を例にして説明するが、第1辺S1の変形は、第1X部分GAx1の変形を含む概念であり、第2辺S2の変形は、第2X部分GAx2の変形を含む概念であり、第3辺S3の変形は、第1Y部分GAy1の変形を含む概念であり、第4辺S4の変形は、第2Y部分GAx2の変形を含む概念である。図4B、図5B、図6B、図7Bに示すように、基板Pの露光領域PA1~PA6のそれぞれは、基板Pの第1、第2、第3、第4変形パターンに応じて変形する。また、アライメントマークm1~m6のそれぞれは、基板Pの第1、第2、第3、第4変形パターンに応じて変位する。第1グループG1のアライメントマークm1~m6は、外縁領域GAの第1Y部分GAy1の変形に応じて変位し、第4グループG4のアライメントマークm1~m6は、外縁領域GAの第2Y部分GAy2の変形に応じて変位する。図4Aに示すように、本実施形態において、第1変形パターンは、基板Pの第3辺S3及び第4辺S4のそれぞれが2次曲線を描くように変形する変形パターンである。換言すれば、第1変形パターンは、第3辺S3及び第4辺S4のそれぞれを2次式で表すことができる変形パターンである。図5Aに示すように、本実施形態において、第2変形パターンは、基板Pの第3辺S3及び第4辺S4のそれぞれが2次曲線を描くように変形する変形パターンである。換言すれば、第2変形パターンは、第3辺S3及び第4辺S4のそれぞれを2次式で表すことができる変形パターンである。図6Aに示すように、本実施形態において、第3変形パターンは、基板Pの第3辺S3及び第4辺S4のそれぞれがY軸に対して傾斜した直線を描くように変形する変形パターンである。換言すれば、第3変形パターンは、第3辺S3及び第4辺S4のそれぞれを1次式で表すことができる変形パターンである。図7Aに示すように、本実施形態において、第4変形パターンは、基板Pの第3辺S3及び第4辺S4のそれぞれがY軸に対して傾斜した直線を描くように変形する変形パターンである。換言すれば、第4変形パターンは、第3辺S3及び第4辺S4のそれぞれを1次式で表すことができる変形パターンである。本出願に係る発明の発明者は、第3辺S3及び第4辺S4の変形状態に応じて、第1辺S1及び第2辺S2の変形状態が決定されることを見出した。換言すれば、発明者は、第1辺S1及び第2辺S2の変形状態と、第3辺S3及び第4辺S4の変形状態とに相関関係があることを見出した。すなわち、発明者は、第3辺S3及び第4辺S4の変形に関する情報を取得することによって、その取得した結果と、予め定められている所定の関係式相関式とに基づいて、第1辺S1及び第2辺S2の変形に関する情報を取得する推定することができることを見出した。なお、本実施形態において、変形状態とは、変形の度合い、変形後の形状、及び変形量変形していない状態と変形している状態との差の少なくとも一つを含む。本実施形態において、第3辺S3及び第4辺S4の変形に関する情報は、アライメントマークm1~m6を計測することによって取得可能である。アライメントマークm1~m6は、基板Pの変形に応じて変位する。第3辺S3を含む第1Y部分GAy1に配置された第1グループG1のアライメントマークm1~m6は、第3辺S3第1Y部分GAy1の変形に応じて変位し、第4辺S4を含む第2Y部分GAy2に配置された第4グループG4のアライメントマークm1~m6は、第4辺S4第2Y部分GAy2の変形に応じて変位する。本実施形態において、アライメントシステム9が、アライメントマークm1~m6を計測可能である。したがって、制御装置5は、アライメントシステム9を用いて、基板Pの第1グループG1のアライメントマークm1~m6を計測することによって、その計測結果に基づいて、第3辺S3の変形に関する情報を取得することができる。また、制御装置5は、アライメントシステム9を用いて、基板Pの第4グループG4のアライメントマークm1~m6を計測することによって、その計測結果に基づいて、第4辺S4の変形に関する情報を取得することができる。所定の関係式は、例えば予備実験、あるいはシミュレーションの結果に基づいて定めることができる。所定の関係式は、1次式でもよいし、2次式でもよい。また、所定の関係式が、3次以上の多項式でもよい。本実施形態においては、基板Pの第3辺S3及び第4辺S4が2次曲線を描くように変形する場合、関係式として2次式を採用する。換言すれば、基板Pの変形が第1変形パターン及び第2変形パターンの少なくとも一方である場合、関係式として2次式を採用する。また、本実施形態においては、基板Pの第3辺S3及び第4辺S4が直線を描くように変形する場合、関係式として1次式を採用する。換言すれば、基板Pの変形が第3変形パターン及び第4変形パターンの少なくとも一方である場合、関係式として1次式を採用する。すなわち、本実施形態においては、第3辺S3第1Y部分GAy1及び第4辺S4第2Y部分GAy2の変形に応じた複数の関係式が予め用意される。それら複数の関係式は、次数が異なる。本実施形態においては、少なくとも1次式の関係式と、2次式の関係式とが予め用意され、第3辺S3及び第4辺S4の変形状態に応じて、複数の関係式から所定の関係式が選択される。すなわち、第3辺S3及び第4辺S4が2次曲線を描くように変形する場合、予め用意されている1次式の関係式及び2次式の関係式のうち、2次式の関係式が選択され、第1辺S1及び第2辺S2が直線を描くように変形する場合、予め用意されている1次式の関係式及び2次式の関係式のうち、1次式の関係式が選択される。例えば、アライメントシステム9の計測結果に基づいて、基板Pの第3辺S3及び第4辺S4の変形状態が、所定の2次曲線を描く変形状態であることを取得した場合、制御装置5は、その取得した結果所定の2次曲線に関する情報と、予め定められている所定の関係式2次式とに基づいて、第1辺S1及び第2辺S2の変形状態を取得する推定することができる。また、アライメントシステム9の計測結果に基づいて、基板Pの第3辺S3及び第4辺S4の変形状態が、所定の直線を描く変形状態であることを取得した場合、制御装置5は、その取得した結果所定の直線に関する情報と、予め定められている所定の関係式1次式とに基づいて、第1辺S1及び第2辺S2の変形状態を取得する推定することができる。なお、所定の関係式を2次式とした場合、その関係式に基づいて定められる第1辺S1及び第2辺S2の変形状態は、2次式で表される。換言すれば、所定の関係式を2次式とした場合、第1辺S1及び第2辺S2は、所定の2次曲線を描くように変形することとする。なお、所定の関係式を1次式とした場合、その関係式に基づいて定められる第1辺S1及び第2辺S2の変形状態は、1次式で表される。換言すれば、所定の関係式を1次式とした場合、第1辺S1及び第2辺S2は、所定の直線2つ以上の直線を含むを描くように変形することとする。次に、本実施形態に係る露光方法の一例について、図8のフローチャート、及び図9~図12の模式図を参照して説明する。露光前の基板Pが所定の搬送装置によって基板保持部16に搬送ロードされる。基板Pにはアライメントマークm1~m6が設けられている。制御装置5は、基板保持部16に保持された基板Pの変形に関する情報を取得するために、アライメントシステム9を用いて、その基板保持部16に保持された基板Pの第1グループG1のアライメントマークm1~m6、及び第4グループG4のアライメントマークm1~m6を計測する。まず、制御装置5は、アライメントシステム9の検出領域AL1~AL6に第1グループG1のアライメントマークm1~m6が配置されるように、基板保持部16で基板Pを保持している基板ステージ2の位置を制御する。制御装置5は、レーザ干渉システム6を用いて基板ステージ2の位置を計測しつつ、アライメントシステム9を用いて、第1グループG1のアライメントマークm1~m6を計測するステップSA1。次に、制御装置5は、アライメントシステム6の検出領域AL1~AL6に第4グループG4のアライメントマークm1~m6が配置されるように、基板保持部16で基板Pを保持している基板ステージ2の位置を制御する。制御装置5は、レーザ干渉システム6を用いて基板ステージ2の位置を計測しつつ、アライメントシステム9を用いて、第4グループG4のアライメントマークm1~m6を計測するステップSA2。これにより、制御装置5は、レーザ干渉計システム6で規定される座標系における第1グループG1のアライメントマークm1~m6それぞれの位置と、レーザ干渉計システム6で規定される座標系における第4グループG4のアライメントマークm1~m6それぞれの位置とを求めることができる。また、制御装置5は、ステップSA1で計測した、第1グループG1のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、第3辺S3の変形に関する情報を取得することができる。また、制御装置5は、ステップSA2で計測した、第4グループG4のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、第4辺S4の変形に関する情報を取得することができる。また、制御装置5は、第1グループG1のアライメントマークm1~m6の計測結果、及び第4グループG4のアライメントマークm1~m6の計測結果の少なくとも一方に基づいて、基板Pの変形に関する情報を取得することができる。また、制御装置5は、アライメントシステム9の計測結果に基づいて、第1グループG1のアライメントマークm1~m6の変位量、及び第4グループG4のアライメントマークm1~m6の変位量を求めることができる。なお、アライメントマークm1~m6の変位量とは、基板Pが変形していない状態における基板P上におけるアライメントマークm1~m6の位置と、基板Pが変形している状態における基板P上におけるアライメントマークm1~m6の位置との差をいう。なお、本実施形態においては、第1グループG1のアライメントマークm1~m6を計測した後、第4グループG4のアライメントマークm1~m6を計測することとしたが、もちろん、第4グループG4のアライメントマークm1~m6を計測した後、第1グループG1のアライメントマークm1~m6を計測してもよい。次に、制御装置5は、第1,第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、基板Pの変形の線形成分を求めるステップSA3。基板Pの変形は、線形成分と非線型成分とに分けることができる。制御装置5は、線形成分及び非線形成分のうち、まず、線形成分を求める。なお、基板Pの変形の線形成分とは、例えばレーザ干渉計システム6で規定される座標系における基準の格子点からの変位量を含み、その格子点に対する基板PのX軸方向に関するシフト成分、Y軸方向に関するシフト成分、θZ方向に関する回転成分、X軸方向に関するスケーリング成分、Y軸方向に関するスケーリング成分、及び直交度の少なくとも一つをいう。次に、制御装置5は、ステップSA3において求めた、基板Pの変形の線形成分に基づいて、基板Pの露光時においてその線形成分を補正するための基板Pに対する線形補正値線形補正量を求めるステップSA4。以下の説明において、ステップSA4で求めた線形補正値を適宜、プレート線形補正値、と称する。次に、制御装置5は、第1、第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、基板Pの変形の非線形成分を求めるステップSA5。本実施形態においては、制御装置5は、ステップSA3で求めた基板Pの変形の線形成分と、第1、第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6の計測結果とに基づいて、基板Pの変形の非線形成分を求めることができる。本実施形態において、制御装置5は、第1、第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、線形成分及び非線形成分の両方を含む基板Pの変形に関する情報を取得することができる。制御装置5は、アライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて求めた基板Pの変形に関する情報と、ステップSA3で求めた基板Pの変形の線形成分との差に基づいて、基板Pの変形の非線形成分を求めることができる。上述のように、アライメントマークm1~m6は、基板Pの変形に応じて変位する。第1グループG1のアライメントマークm1~m6は、主に第3辺S3の変形状態に応じて変位し、第4辺S4に近い第4グループG4のアライメントマークm1~m6は、主に第4辺S4の変形状態に応じて変位する。したがって、制御装置5は、アライメントシステム9を用いて、第1、第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6の位置例えばレーザ干渉計システム6によって規定される座標系における位置を計測した結果に基づいて、第3、第4辺S3、S4が2次曲線及び直線のいずれの変形状態で変形しているかを求めることができる。また、制御装置5は、第1、第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、基板Pが第1変形パターン、第2変形パターン、第3変形パターン、及び第4変形パターンのいずれの変形パターンで変形しているかを求めることができる例えば、アライメントシステム9の計測結果に基づいて、第1、第4グループG1、G4それぞれのアライメントマークm1~m6を結ぶラインが2次曲線を描くと判断した場合、制御装置5は、第3、第4辺S3、S4が2次曲線を描くように変形していると判断し、基板Pが第1変形パターン及び第2変形パターンの少なくとも一方で変形していると判断することができる。具体的には、アライメントマークm1~m6を結ぶラインが、図4Bに示したように、基板Pの中心に対して内側に向かって曲がっていると判断した場合、制御装置5は、基板Pが第1変形パターンで変形していると判断し、図5Bに示したように、外側に向かって曲がっていると判断した場合、基板Pが第2変形パターンで変形していると判断することができる。また、アライメントシステム9の計測結果に基づいて、第1、第4グループG1、G4それぞれのアライメントマークm1~m6を結ぶラインが直線を描き、そのラインがY軸に対して傾斜していると判断した場合、制御装置5は、第3、第4辺S3、S4がY軸に対して傾斜した直線を描くように変形していると判断し、基板Pが第3変形パターン及び第4変形パターンの少なくとも一方で変形していると判断することができる。具体的には、アライメントマークm1~m6を結ぶラインが、図6Bに示したように傾斜していると判断した場合、制御装置5は、基板Pが第3変形パターンで変形していると判断し、図7Bに示したように傾斜していると判断した場合、基板Pが第4変形パターンで変形していると判断することができる。制御装置5は、アライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、基板Pが第1変形パターン、第2変形パターン、第3変形パターン、及び第4変形パターンのいずれの変形パターンで変形しているかを求めるステップSA6。以下、一例として、基板Pの変形の非線形成分が第2変形パターンの非線形成分を含む場合を例にして説明する。図9及び図10は、基板保持部16に保持され、第2変形パターンで変形している基板Pの変形の非線形成分の一例を模式的に示す図である。図9は、基板Pが第2変形パターンで変形した場合における第3辺S3及び第4辺S4の変形の非線形成分の一例を示す模式図であり、図10は、基板Pが第2変形パターンで変形した場合における第1辺S1及び第2辺S2の非変形成分の一例を示す模式図である。上述したように、基板Pが第2変形パターンで変形している状態において、第3辺S3及び第4辺S4は、2次曲線を描き、2次式で表すことができることとする。基板Pが第2変形パターンで変形している状態において、その基板Pの変形の非線形成分を抽出した場合においても、第3辺S3及び第4辺S4は、2次曲線を描き、2次式で表すことができる。図9において、第3辺S3におけるX軸方向に関する非線形成分を、以下の2次式で表すこととする。Δx1PY=a×PY2b×PYc...1図9において、第4辺S4におけるX軸方向に関する非線形成分を、以下の2次式で表すこととする。Δx2PY=d×PY2e×PYf...2ここで、PYは、基板P上における座標系基板座標系でのY軸方向成分を示す。制御装置5は、アライメントシステム9でアライメントマークm1~m6を計測した結果に基づいて、第3辺S3を表す2次式である1式の係数a、b、c、及び第4辺S4を表す2次式である2式の係数d、e、fを決定することができる。制御装置5は、第1グループG1のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、1式に関してフィッティング処理例えば最小二乗法を用いるフィッティング処理を含む所定の演算処理を実行することによって、1式の係数a、b、cを求めることができる。また、制御装置5は、第4グループG4のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、2式に関してフィティング処理を含む所定の演算処理を実行することによって、2式の係数d、e、fを求めることができる。以上により、基板Pの非線形成分において、第3辺S3を表す2次式である1式、及び第4辺S4を表す2次式である2式が決定されるステップSA7。以上により、アライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、第3辺S3及び第4辺S4の非線形成分の変形に関する情報を取得したことになる。次に、制御装置5は、第3辺S3及び第4辺S4を表す1式及び2式と、予め定められている所定の関係式とに基づいて、第1辺S1及び第2辺S2を表す2次式を決定する。上述のように、所定の関係式は、例えば予備実験、あるいはシミュレーションの結果に基づいて予め定めることができ、その関係式に関する情報は、記憶装置5Rに記憶される。また、記憶装置5Rには、第3辺S3及び第4辺S4の変形に応じた複数の関係式が予め記憶されている。制御装置5は、アライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて取得された第3辺S3及び第4辺S4の変形状態に応じて、複数の関係式から所定の関係式を選択するステップSA8。すなわち、制御装置5は、第3辺S3及び第4辺S4の変形状態に応じて、第1辺S1及び第2辺S2の変形に関する情報を取得するために使用する関係式を、複数の関係式のなかから決定する。本実施形態においては、基板Pが第2変形パターンで変形したと判断した場合、すなわち、基板Pの第3辺S3及び第4辺S4が2次曲線を描くように変形したと判断した場合、制御装置5は、所定の関係式として2次式を選択する。制御装置5は、取得した第3辺S3及び第4辺の変形に関する情報と、所定の関係式である以下の3式とに基づいて、第1辺S1の変形に関する情報を取得するステップSA9。具体的には、制御装置5は、アライメントシステム9の計測結果及び演算処理フィッティング処理等を用いて取得した第3辺S3及び第4辺S4の変形状態を示す上述の1、2式と、以下の3式とに基づいて、第1辺S1を表す2次曲線2次式を求める。なお、3式は、第1辺S1におけるX軸方向に関する非線形成分を表した2次式である。Δy1PX=α×d-a/2×PX2h×PXi...3また、制御装置5は、取得した第3辺S3及び第4辺の変形に関する情報と、所定の関係式である以下の4式とに基づいて、第2辺S2の変形に関する情報を取得するステップSA10。具体的には、制御装置5は、アライメントシステム9の計測結果及び演算処理フィッティング処理等を用いて取得した第3辺S3及び第4辺S4の変形状態を示す上述の1、2式と、以下の4式とに基づいて、第2辺S2を表す2次曲線2次式を求める。なお、4式は、第2辺S2におけるX軸方向に関する非線形成分を表した2次式である。Δy2PX=β×a-d/2×PX2j×PXk...43式及び4式において、PXは、基板P上における座標系基板座標系でのX軸方向成分を示す。また、係数α、βは、予備実験又はシミュレーション等から求められる所定の値比例計数である。なお、図10に、上述の3式で表される第1辺S1、及び4式で表される第2辺S2を模式的に示す。このように、第3辺S3及び第4辺S4の変形に関する情報を取得することによって得られる係数a、dと、予備実験又はシミュレーション等から求められる係数α、βとに基づいて、第1辺S1及び第2辺S2を2次式で表す場合において、その2次の係数α×d-a、β×a-dを求めることができる。なお、3式及び4式において、1次の係数h、j、及び0次の係数i、kは、基板Pの外形、あるいは第1、第6グループG1、G6のアライメントマークm6、m1の位置から一義的に定めることができる。以上により、第1、第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、第3辺S3及び第4辺S4の変形に関する情報を取得することができ、第1、第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6の計測結果と、所定の関係式とに基づいて、第1辺S1及び第2辺S2の変形に関する情報を取得することができる。すなわち、本実施形態においては、制御装置5は、第1、第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、第1~第4辺S1~S4を含む、基板Pの外縁領域GAの変形に関する情報を取得することができる。次に、制御装置5は、基板Pの内部領域UAの変形に関する情報を取得するステップSA11。本実施形態において、制御装置5は、基板Pの内部領域UAに配置されている複数の露光領域PA1~PA6のそれぞれにおける変形の非線形成分を求める。本実施形態においては、図11及び図12に示すように、複数の露光領域PA1~PA6のそれぞれに、代表する複数の位置D1~D6が定められる。本実施形態においては、1つの露光領域PA1PA2、PA3、PA4、PA5、PA6に関して、6つの第表する位置D1~D6を定めているが、その位置は、5つ以下でもよいし、7つ以上でもよい。図11に示す模式図のように、本実施形態において、制御装置5は、1式及び2式で表した2つの2次式Δx1PY、Δx2PYに基づいて、線形補完によって、複数の位置D1~D6のそれぞれにおけるX軸方向に関する非線形成分を算出する。また、図12に示す模式図のように、制御装置5は、3式及び4式で表した2つの2次式Δy1PX、Δy2PXに基づいて、線形補完によって、複数の位置D1~D6のそれぞれにおけるY軸方向に関する非線形成分を算出する。次に、制御装置5は、露光領域PA1~PA6のそれぞれにおける変形の非線形成分に基づいて、基板Pの露光時において露光領域PA1~PA6のそれぞれにおける変形の非線形成分を補正するための露光領域PA1~PA6のそれぞれに対する非線形補正値非線形補正量を求めるステップSA12。また、制御装置5は、露光領域PA1~PA6のそれぞれにおける基板Pの変形の非線形成分に基づいて、基板Pの露光時において露光領域PA1~PA6のそれぞれにおける線形成分を補正するための露光領域PA1~PA6のそれぞれに対する線形補正値線形補正量を求めるステップSA13。以下の説明において、ステップSA12で求めた非線形補正値を適宜、スキャン非線形補正値、と称し、ステップSA13で求めた線形補正値を適宜、スキャン線形補正値、と称する。プレート線形補正値、スキャン非線形補正値、及びスキャン線形補正値を求めた後、制御装置5は、基板保持部16に保持されている基板Pの露光を開始するステップSA14。制御装置5は、求めた補正値に基づいて、露光条件を調整して、基板Pを露光する。制御装置5は、基板Pに既に形成されているパターンに次のパターンの像が良好に重ね合わせられるように、露光条件を調整する。露光条件の調整は、例えば投影領域PR1~PR7に対する基板Pの移動条件、及び投影光学系PL1~PL7のパターンの像の投影条件の少なくとも一方を含む。基板Pの移動条件は、基板Pの移動速度スキャン速度、加速度、及び移動方向の少なくとも一つを含む。パターンの像の投影条件は、投影領域PR1~PR7それぞれのXY平面内における位置シフト、ローテーション、大きさ倍率、及び形状の少なくとも一つを含む。パターンの像の投影条件は、例えば特開2003-151880号公報、及び特開2003-309053号公報等に開示されているような、シフト調整機構、ローテーション調整機構、及びスケーリング調整機構等を含む調整機構によって調整可能である。上述のように、本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しながら、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する露光装置マルチレンズ型スキャン露光装置である。基板Pの露光時、制御装置5は、マスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、マスクM及び基板Pを、XY平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Pの走査方向同期移動方向をX軸方向とし、マスクMの走査方向同期移動方向もX軸方向とする。制御装置5は、基板Pを投影システムPSの第1~第7投影領域PR1~PR7に対してX軸方向に移動するとともに、その基板PのX軸方向への移動と同期して、照明システムISの第1~第7照明領域IR1~IR7に対してマスクMをX軸方向に移動しつつ、照明システムISによりマスクMを露光光ELで照明し、投影システムPSを介して、マスクMからの露光光ELを基板Pに照射する。これにより、第1~第7投影光学系PL1~PL7の第1~第7投影領域PR1~PR7に照射されたマスクMからの露光光ELで基板Pが露光され、マスクMのパターンの像が基板Pに投影される。以上説明したように、本実施形態によれば、アライメントマークの計測点数を抑制しつつ、基板Pの変形に関する情報を取得することができる。したがって、スループットの低下を抑制しつつ基板Pの変形に関する情報を精確に取得して、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制できる。なお、本実施形態においては、ステップSA6以降の処理において、基板Pが第2変形パターンで変形した場合を例にして説明したが、第1変形パターンで変形している場合においても、上述と同様の処理を実行して、基板Pの変形に関する情報を取得することができる。<第2実施形態>次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。上述の第1実施形態においては、基板Pの変形の非線形成分が第2変形パターン又は第1変形パターンの非線形成分を含む場合を例にして、ステップSA6以降の処理について説明した。第2実施形態においては、一例として、基板Pの変形の非線形成分が第4変形パターンの非線形成分を含む場合を例にして説明する。図13は、第2実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。なお、図13に示すステップSA1~SA6に係る処理は、上述の第1実施形態で説明した処理と同様であるため、説明を省略する。図14及び図15は、基板保持部16に保持され、第4変形パターンで変形している基板Pの変形の非線形成分の一例を模式的に示す図である。図14は、基板Pが第4変形パターンで変形した場合における第3辺S3及び第4辺S4の変形の非線形成分の一例を示す模式図であり、図15は、基板Pが第4変形パターンで変形した場合における第1辺S1及び第2辺S2の非変形成分の一例を示す模式図である。基板Pが第4変形パターンで変形している状態において、第3辺S3及び第4辺S4は、直線を描き、1次式で表すことができることとする。基板Pが第4変形パターンで変形している状態において、その基板Pの変形の非線形成分を抽出した場合においても、第3辺S3及び第4辺S4は、直線を描き、1次式で表すことができる。図14において、第3辺S3におけるX軸方向に関する非線形成分を、以下の1次式で表すこととする。Δx1PY=a×PYb...5図14において、第4辺S4におけるX軸方向に関する非線形成分を、以下の1次式で表すこととする。Δx2PY=c×PYd...6ここで、PYは、基板P上における座標系基板座標系でのY軸方向成分を示す。制御装置5は、アライメントシステム9でアライメントマークm1~m6を計測した結果に基づいて、第3辺S3を表す1次式である5式の係数a、b、及び第4辺S4を表す1次式である6式の係数c、dを決定することができる。制御装置5は、第1グループG1のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、5式に関してフィッティング処理を含む所定の演算処理を実行することによって、5式の係数a、bを求めることができる。また、制御装置5は、第4グルーG4のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、6式に関してフィティング処理を含む所定の演算処理を実行することによって、6式の係数c、dを求めることができる。以上により、基板Pの非線形成分において、第3辺S3を表す1次式である5式、及び第4辺S4を表す1次式である6式が決定されるステップSB7。これにより、アライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、第3辺S3及び第4辺S4の非線形成分の変形に関する情報を取得したことになる。次に、制御装置5は、第3辺S3及び第4辺S4を表す5式及び6式と、予め定められている所定の関係式とに基づいて、第1辺S1及び第2辺S2を表す1次式を決定する。上述のように、所定の関係式は、例えば予備実験、あるいはシミュレーションの結果に基づいて予め定めることができ、その関係式に関する情報は、記憶装置5Rに記憶される。また、記憶装置5Rには、第3辺S3及び第4辺S4の変形に応じた複数の関係式が予め記憶されている。制御装置5は、アライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて取得された第3辺S3及び第4辺S4の変形状態に応じて、複数の関係式から所定の関係式を選択するステップSB8。すなわち、制御装置5は、第3辺S3及び第4辺S4の変形状態に応じて、第1辺S1及び第2辺S2の変形に関する情報を取得するために使用する関係式を、複数の関係式のなかから決定する。本実施形態においては、基板Pが第4変形パターンで変形したと判断した場合、すなわち、基板Pの第3辺S3及び第4辺S4が直線を描くように変形したと判断した場合、制御装置5は、所定の関係式として1次式を選択する。制御装置5は、取得した第3辺S3及び第4辺の変形に関する情報と、所定の関係式である以下の7式とに基づいて、第1辺S1の変形に関する情報を取得するステップSB9。具体的には、制御装置5は、アライメントシステム9の計測結果及び演算処理フィッティング処理等を用いて取得した第3辺S3及び第4辺S4の変形状態を示す上述の5、6式と、以下の7式とに基づいて、第1辺S1を表す2つの直線1次式を求める。なお、7式は、第1辺S1におけるX軸方向に関する非線形成分を表した1次式である。ΔyPX=α×c-a/2×L/2-|PX|...77式において、Lは、X軸方向に関する基板Pの寸法であり、係数αは、予備実験又はシミュレーション等から求められる所定の値比例計数である。また、制御装置5は、取得した第3辺S3及び第4辺の変形に関する情報と、所定の関係式である上述の7式とに基づいて、第2辺S2の変形に関する情報を取得するステップSB10。本実施形態においては、第1辺S1の変形に関する情報及び第2辺S2の変形に関する情報のそれぞれが、7式で表される。なお、図15に、上述の7式で表される第1辺S1及び第2辺S2を模式的に示す。このように、第3辺S3及び第4辺S4の変形に関する情報を取得することによって得られる係数a、cと、予備実験又はシミュレーション等から求められる係数αとに基づいて、第1辺S1及び第2辺S2を1次式で表す場合において、その1次の係数α×c-a/2を求めることができる。また、7式において、0次の係数は、基板Pの外形、あるいは第1、第6グループG1、G6のアライメントマークm6、m1の位置から一義的に定めることができる。以上により、第1、第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、第3辺S3及び第4辺S4の変形に関する情報を取得することができ、第1、第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6の計測結果と、所定の関係式とに基づいて、第1辺S1及び第4辺S4の変形に関する情報を取得することができる。すなわち、本実施形態においては、制御装置5は、第1、第4グループG1、G4のアライメントマークm1~m6の計測結果に基づいて、第1~第4辺S1~S4を含む、基板Pの外縁領域GAの変形に関する情報を取得することができる。次に、制御装置5は、基板Pの内部領域UAの変形に関する情報を取得するステップSB11。本実施形態において、制御装置5は、基板Pの内部領域UAに配置されている複数の露光領域PA1~PA6のそれぞれにおける変形の非線形成分を求める。本実施形態においては、図16及び図17に示すように、複数の露光領域PA1~PA6のそれぞれに、代表する複数の位置D1~D6が定められる。本実施形態においては、1つの露光領域PA1PA2、PA3、PA4、PA5、PA6に関して、6つの第表する位置D1~D6を定めているが、その位置は、5つ以下でもよいし、7つ以上でもよい。図16に示す模式図のように、本実施形態において、制御装置5は、5式及び6式で表した2つの1次式Δx1PY、Δx2PYに基づいて、線形補完によって、複数の位置D1~D6のそれぞれにおけるX軸方向に関する非線形成分を算出する。また、図17に示す模式図のように、制御装置5は、7式で表した1次式ΔyPXに基づいて、線形補完によって、複数の位置D1~D6のそれぞれにおけるY軸方向に関する非線形成分を算出する。次に、制御装置5は、露光領域PA1~PA6のそれぞれにおける変形の非線形成分に基づいて、基板Pの露光時において露光領域PA1~PA6のそれぞれにおける変形の非線形成分を補正するための露光領域PA1~PA6のそれぞれに対するスキャン非線形補正値を求めるステップSB12。また、制御装置5は、露光領域PA1~PA6のそれぞれにおける基板Pの変形の非線形成分に基づいて、基板Pの露光時において露光領域PA1~PA6のそれぞれにおける線形成分を補正するための露光領域PA1~PA6のそれぞれに対するスキャン線形補正値を求めるステップSB13。プレート線形補正値、スキャン非線形補正値、及びスキャン線形補正値を求めた後、制御装置5は、基板保持部16に保持されている基板Pの露光を開始するステップSB14。制御装置5は、求めた補正値に基づいて、露光条件を調整して、基板Pを露光する。制御装置5は、基板Pに既に形成されているパターンに次のパターンの像が良好に重ね合わせられるように、露光条件を調整する。以上説明したように、本実施形態においても、スループットの低下を抑制しつつ、基板Pの変形に関する情報を精確に取得して露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制できる、なお、本実施形態においては、ステップSA6以降の処理において、基板Pが第4変形パターンで変形した場合を例にして説明したが、第3変形パターンで変形している場合においても、上述と同様の処理を実行して、基板Pの変形に関する情報を取得することができる。なお、上述の実施形態においては、基板Pの中心に対して-X側に配置される第1Y部分GAy1の変形に関する情報とX側に配置される第2Y部分GAy2の変形に関する情報とを取得した結果と所定の関係式とに基づいて、X部分GAxの変形に関する情報を取得することとしたが、基板Pの中心に対してY側に配置される第1X部分GAx1の変形に関する情報と-Y側に配置される第2X部分GAx2の変形に関する情報とを取得した結果と所定の関係式とに基づいて、Y部分GAyの変形に関する情報を取得してもよい。なお、上述の実施形態においては、Y軸方向に長いY部分GAyの変形に関する情報を取得し、その取得した結果と所定の関係式とに基づいて、X軸方向に長いX部分GAxの変形に関する情報を取得することとしたが、例えばY軸方向に長いY部分GAyの変形に関する情報を取得した結果と所定の関係式とに基づいて、X軸及びY軸とは異なる方向例えばY軸に対して45度傾斜した方向に長い部分の変形に関する情報を取得することとしてもよい。所定の関係式を調整することによって、基板Pの外縁領域GAのうち、第1の部分の変形に関する情報と所定の関係式とに基づいて、第1の部分とは異なる第2の部分の変形に関する情報を取得することができる。なお、上述の実施形態においては、基板Pの外縁領域のうち、基板Pの中心に対して一方側例えば-X側に配置される部分の変形に関する情報と他方側例えばX方向に配置される部分の変形に関する情報とを取得することとしたが、いずれか一方のみの変形に関する情報を取得してもよい。所定の関係式を調整することによって、基板Pの外縁領域GAのうち、第1の部分の変形に関する情報と所定の関係式とに基づいて、第1の部分とは異なる第2の部分の変形に関する情報を取得することができる。なお、上述の実施形態においては、基板Pの外形が長方形又は正方形であることとしたが、菱形でもよいし、平行四辺形でもよい。また、基板Pの外形は四角形でなくてもよく、半導体ウエハのような円形でもよいし、楕円形でもよい。なお、上述の実施形態においては、基板Pの変形に関する情報を、基板Pに配置されたアライメントマークm1~m6を計測することによって取得することとしたが、例えば基板Pの端外形を光学的に計測可能な計測装置を用いて、基板Pの変形に関する情報を取得することとしてもよい。なお、上述の実施形態の基板Pとしては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版合成石英、シリコンウエハ等が適用される。なお、露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを介した露光光ELで基板Pを走査露光するステップアンドスキャン方式の走査型露光装置スキャニングステッパの他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパにも適用することができる。また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。また、本発明は、米国特許第6897963号明細書、欧州特許出願公開第1713113号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。露光装置EXの種類としては、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置に限られず、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール回折格子を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン又は位相パターン減光パターンを形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれるを用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。上述の実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図18に示すように、マイクロデバイスの機能性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板感光材を現像することを含む基板処理露光処理を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む205、検査ステップ206等を経て製造される。なお、ステップ204では、感光材を現像することで、マスクのパターンに対応する露光パターン層現像された感光材の層を形成し、この露光パターン層を介して基板を加工することが含まれる。なお、上述の実施形態及び変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。"