オブジェクトを保持するステージであって、基準構造に対してある運動範囲内で移動可能なステージと、前記運動範囲の少なくとも一部に空間的に変化する磁界を提供する磁石構造であって、前記基準構造及び前記ステージに対して移動可能な磁石構造と、前記ステージ、又は前記オブジェクト、あるいは前記ステージ及び前記オブジェクトの両方の前記基準構造に対する測定方向の位置に対応する第1の測定信号を提供する第1の位置測定システムと、前記ステージの前記磁石構造に対する位置に対応する第2の測定信号を提供する第2の位置測定システムと、前記第2の測定信号に依存する値で前記第1の測定信号を補正して、前記基準構造に対する前記ステージ、又は前記オブジェクト、あるいは前記ステージ及び前記オブジェクトの両方の前記測定方向の位置を表す第1の補正測定信号を提供するデータプロセッサと、を備えるリソグラフィ装置。前記磁石構造が、前記空間的に変化する磁界を提供する永久磁石を備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記第1の測定システムが、格子と、前記格子と協働するセンサヘッドとを備え、前記格子が、前記基準構造及び前記ステージの一方の上に提供され、前記センサヘッドが、前記基準構造及び前記ステージの他方の上に提供される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記格子が基準構造上に提供され、前記センサヘッドが前記ステージ上に提供される、請求項3に記載のリソグラフィ装置。前記第2の位置測定システムがセンサを備え、前記センサの出力が前記第2の測定信号を提供する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記第2の位置測定システムが2つのセンサとプロセッサとを備え、前記センサのうちの一方のセンサの出力が測定基準に対する前記ステージの位置を表し、前記センサのうちの他方のセンサの出力が前記測定基準に対する前記磁石構造の位置を表し、前記プロセッサが両方のセンサの出力を組み合わせて前記第2の測定信号を提供する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記基準構造が前記ステージと前記磁石構造とを支持するベースである、請求項1に記載のリソグラフィ装置。放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持する支持体と、基板を保持する基板テーブルと、前記基板のターゲット部分上に前記パターン付放射ビームを投影する投影システムと、を備え、前記ステージが前記基板テーブルを備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持する支持体と、基板を保持する基板テーブルと、前記基板のターゲット部分上に前記パターン付放射ビームを投影する投影システムとを備え、前記ステージが前記パターニングデバイスを保持する前記支持体を備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記ステージが直接的又は間接的にベースによって支持され、前記磁石構造が前記ベースに対して移動可能であり、前記ステージと前記磁石構造との間に前記ステージを移動させる作動システムが提供される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。別のステージを備え、前記別のステージと前記磁石構造との間に、前記別のステージを移動させる作動システムが提供される、請求項10に記載のリソグラフィ装置。前記基準構造に対する前記別のステージの前記測定方向の位置を測定する第3の測定システムを備え、前記第2の位置測定システムが、前記磁石構造に対する前記別のステージの位置を測定するセンサを備え、前記第2の位置測定システムが、前記第1の測定信号、前記第3の測定信号の出力、及び前記第2の測定信号のセンサの出力から前記第2の測定信号を導出する、請求項11に記載のリソグラフィ装置。基準構造に対するステージ、又はステージによって保持されたオブジェクト、あるいは前記ステージ及び前記オブジェクトの両方の測定方向の位置測定値を補正する方法であって、前記ステージが、空間的に変化する磁界内で移動可能であり、該磁界が、前記ステージ及び前記基準構造に対して移動可能であり、前記基準構造に対する前記ステージ、又は前記オブジェクト、あるいは前記ステージ及び前記オブジェクトの両方の前記測定方向の位置に対応する第1の測定信号を提供するステップと、前記磁界に対する前記ステージの位置に対応する第2の測定信号を提供するステップと、前記第2の測定信号に依存する値で前記第1の測定信号を補正して、前記基準構造に対する前記ステージ、又は前記オブジェクト、あるいは前記ステージ及び前記オブジェクトの両方の前記測定方向の位置を表す第1の補正測定信号を提供するステップと、を含む方法。a前記ステージを前記基準構造に対して静止状態に保つステップと、b前記磁界を前記ステージに対する様々な位置に位置決めするステップと、c前記第1の測定信号を前記ステージに対する前記磁界の様々な位置で読み取るステップと、d前記ステージに対する前記磁界の位置の関数としての前記第1の測定信号の不整合性を決定するステップと、e前記ステージに対する前記磁界の位置の関数としての不整合性から前記値を導出するステップとによって前記値が得られる、請求項13に記載の方法。前記ステージに対する前記磁界の位置の関数としての前記第1の測定信号の不整合性が、周期的挙動を示し、前記不整合性の1周期をカバーするためにbの位置が選択され、eの結果が、前記周期性を用いて前記他の位置に外挿される、請求項14に記載の方法。a前記磁界を第1の位置の基準構造に対して静止状態に保つステップと、b前記ステージを前記基準構造に対する様々な位置に位置決めするステップと、c前記第1の測定信号を前記基準構造に対する前記ステージの様々な各位置で読み取るステップと、d前記磁界が、前記第1の位置とは異なる第2の位置の基準構造に対して静止状態に保たれる時にa~cを繰り返すステップと、e前記磁界の前記様々な位置での前記第1の測定信号の読み取り値から前記基準構造に対する前記磁界の位置に依存する不整合性を導出するステップと、f前記ステージに対する前記磁界の位置の関数としての不整合性から前記値を導出するステップとによって前記値が得られる、請求項13に記載の方法。0007改良型リソグラフィ装置、特に向上したステージの位置決め精度を有するリソグラフィ装置を提供することが望ましい。0008本発明の第1の実施形態によれば、リソグラフィ装置であって、基準構造と、オブジェクトを保持するステージであって、上記基準構造に対してある運動範囲内で移動可能なステージと、上記運動範囲の少なくとも一部に空間的に変化する磁界を提供する磁石構造であって、上記基準構造及び上記ステージに対して移動可能な磁石構造と、上記基準構造に対する上記ステージ及び/又は上記オブジェクトの測定方向の位置に対応する第1の測定信号を提供する第1の位置測定システムと、上記磁石構造に対する上記ステージの位置に対応する第2の測定信号を提供する第2の位置測定システムと、上記第2の測定信号に依存する値で上記第1の測定信号を補正して、上記基準構造に対する上記ステージ及び/又は上記オブジェクトの上記測定方向の位置を表す第1の補正測定信号を提供するように構成されたデータプロセッサとを備えるリソグラフィ装置が提供される。0009本発明の別の実施形態によれば、基準構造に対するステージ及び/又はステージによって保持されたオブジェクトの測定方向の位置測定値を補正する方法であって、上記ステージは空間的に変化する磁界内で移動可能であり、該磁界は上記ステージ及び上記基準構造に対して移動可能であり、上記基準構造に対する上記ステージ及び/又は上記オブジェクトの上記測定方向の位置に対応する第1の測定信号を提供するステップと、上記磁界に対する上記ステージの位置に対応する第2の測定信号を提供するステップと、上記第2の測定信号に依存する値で上記第1の測定信号を補正して、上記基準構造に対する上記ステージ及び/又は上記オブジェクトの上記測定方向の位置を表す第1の補正測定信号を提供するステップとを含む方法が提供される。0018図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームB例えば、UV放射又は任意の他の適切な放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持するように構築され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に配置するように構成された第1の位置決めデバイスPMに接続されたパターニングデバイス支持体又はマスクステージ例えば、マスクテーブルMTとを含む。0019この装置は、また、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構築され、一定のパラメータに従って基板を正確に配置するように構成された第2の位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWT又は基板支持体を含む。さらに、この装置は、基板Wのターゲット部分C例えば、1つ又は複数のダイを含む上にパターニングデバイスMAによって放射ビームBへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム例えば、屈折投影レンズシステムPSを含む。0020照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。0021パターニングデバイス支持体又はマスクは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。このパターニングデバイス支持体又はマスクステージは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。パターニングデバイス支持体又はマスクステージは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。パターニングデバイス支持体又はマスクステージは、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0022本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。0023パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。0024本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なすことができる。0025本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。0026リソグラフィ装置は2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル又は基板支持体及び/又は2つ以上のマスクテーブル又はマスク支持体を有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブル又は支持体を並行して使用するか、又は1つ又は複数の他のテーブル又は支持体を露光に使用している間に1つ又は複数のテーブル又は支持体で予備工程を実行することができる。0027リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する液浸という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。0028図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源SOがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源SOがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0029イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータILの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。0030放射ビームBは、パターニングデバイス支持体例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス例えばマスクMAを横断した放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2の位置決めデバイスPWと位置センサIFの形態の第1の位置測定システム例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサの助けを借りて、基板テーブルWTは、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第1の位置決めデバイスPMと別の位置センサ図1には明示されていないを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してパターニングデバイス例えばマスクMAを正確に位置決めできる。一般に、パターニングデバイス支持体例えばマスクテーブルMTの移動は、第1の位置決めデバイスPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、パターニングデバイス支持体例えばマスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。同様に、基板テーブルWT又は基板支持体の移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。パターニングデバイス例えばマスクMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして周知である。同様に、パターニングデバイス例えばマスクMA上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。0031図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。1.ステップモードにおいては、パターニングデバイス支持体例えばマスクテーブルMT又はマスク支持体及び基板テーブルWT又は基板支持体は、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWT又は基板支持体がX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。2.スキャンモードにおいては、パターニングデバイス支持体例えばマスクテーブルMT又はマスク支持体及び基板テーブルWT又は基板支持体は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。パターニングデバイス支持体例えばマスクテーブルMT又はマスク支持体に対する基板テーブルWT又は基板支持体の速度及び方向は、投影システムPSの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分のスキャン方向における高さが決まる。3.別のモードでは、パターニングデバイス支持体例えばマスクテーブルMT又はマスク支持体はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWT又は基板支持体を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWT又は基板支持体を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。0032上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0033図2は、図1のリソグラフィ装置の一部の概略図を示す。共に基板を保持するステージSTを形成する第2の位置決めデバイスPW及び基板テーブルWTが示されている。さらに、基準構造RSを支持するベースBA及び要素又は磁石構造REが示されている。基準構造RSは、ばねKによって示されるようにベースに対して支持される低周波である。これによってベースを介して基準構造に侵入する擾乱、例えば、リソグラフィ装置を支持するグランドGRの振動の量が制限される。基準構造RSは、ベースBAによってではなくグランドGR上に支持されていてもよいことに留意されたい。0034ステージSTは、要素又は磁石構造REによって支持されている。あるいは、ステージは、直接ベースBAによって指示されていてもよい。ステージSTは、第2の位置決めデバイスPW上に配置されたコイル図示せずと要素又は磁石構造RE上に配置された永久磁石AMのアレイとを含み、コイル及び永久磁石が協働してステージに力Fを加えてステージを移動及び/又は位置決めする第2の位置決めデバイスPWのロングストロークモジュールによって位置決めされる。磁石構造は、他のタイプの磁石、例えば、非永久磁石を含んでいてもよいことに留意されたい。この構成によって、要素又は磁石構造REは、ステージに磁界MFを提供する。この実施形態では、永久磁石のアレイはステージを位置決めする作動システムの一部であるため、ステージの移動範囲全体に磁界が提供される。しかし、本発明のある実施形態は、また、ステージの移動範囲の一部にのみ磁界を提供する磁石構造に関する。さらに、永久磁石が第2の位置決めデバイスPW上に配置され、コイルが要素又は磁石構造RE上に配置される逆の構成もまた本発明のある実施形態に含まれる。0035要素又は磁石構造REによって提供される磁界MFは、その性質からして空間的に変化する磁界であり、したがって、ステージが見る、すなわち、曝される磁界はステージに対する要素又は磁石構造の位置に依存する。第2の位置決めデバイスでは、磁界MFはコイルと協働するだけでなく、ステージの他のコンポーネント、例えば、強磁性体を含むコンポーネントにも作用し、ステージの変形を引き起こすことがある。磁界は空間的に変化するため、上記変形はステージに対する要素又は磁石構造の位置の関数としても変化する。要素又は磁石構造によって提供される磁界によって引き起こされるこれらの変形は、基準構造に対するステージの測定方向Xの位置を測定する位置センサIFの測定精度に影響することが分かっている。これを図3に関連して説明する。0036図3に、ステージSTの一部が示されている。また、基準構造RSに対するステージSTの位置を測定する位置センサIFも示されている。ステージSTと磁界MFとの間の相互作用図2を参照によって、ステージSTは、図3に示すように変形する。0037位置センサIFは、基準構造から戻り、好適な検出器によって検出される光又は放射ビームを基準構造へ放出するセンサヘッドSHを含む。センサヘッドSHは、この実施形態ではステージST上に配置され、ステージSTが変形すると基準構造RSへ光又は放射ビームMB1を放出する。センサSHは、ステージSTの非変形状態で破線で示されている。その場合、センサヘッドは光又は放射ビームMB2を放出する。2つの光又は放射ビームMB1及びMB2を比較することで、当業者は磁界によるステージSTの変形が位置センサIFの位置測定値に影響していることを理解するであろう。ステージSTの変形は空間的に変わる磁界に依存し、したがって、ステージSTの変形は磁界、すなわち要素又は磁石構造REに対するステージSTの位置に依存するため、位置測定値、すなわち、位置センサIFの測定信号の不整合性も磁界に対するステージSTの位置に依存する。位置測定値の不整合性とステージSTに対する磁界の位置との間の関係に気付くことで本発明のある実施形態が考案された。このことに気付く瞬間まで、変動する不整合性の原因は不明であった。0038この実施形態では、位置センサIFは、基準構造RSに対するステージSTの位置を測定する。しかし、位置センサIFは、ステージSTによって保持されているオブジェクト、例えば基板の位置を測定するとも考えられる。例えば、位置センサはパターン付放射ビームに対する基板の焦点を測定するか、又は位置センサはレチクル、すなわちオーバレイ用のパターニングデバイスに対する基板のアライメントを測定する。基準構造は、必ずしも図1に示すフレーム部である必要はない。実際、基準構造は、位置センサがステージ及び/又はステージによって保持されるオブジェクトの構造に対する位置又は間接的に別のオブジェクト、例えばパターニングデバイスに対する位置を正確に決定することを可能にする任意の種類の構造であってもよい。0039図2を再度参照すると、ロングストロークモジュールの形態の作動システム又はアクチュエータが、要素又は磁石構造REとステージSTとの間に提供される。1つの利点は、それがベースBAに加えられた力を最小限にするということである。この実施形態では、要素又は磁石構造REは、要素又は磁石構造REとベースBAとの間の摩擦を最小限にするベアリングBEを介してベースBAによって支持されている。ステージのロングストロークモジュールによる力Fが第2の位置決めデバイスPWと要素又は磁石構造REとの間に印加される。その結果として、ステージはベース及び基準構造に対して移動し、要素又は磁石構造REは反対方向に移動する。要素又は磁石構造REはベアリングBEを介してベースBAによって支持されているので、力Fは完全には、又はある実施形態では全くベースBAに伝達されず、したがって、力Fから発生する擾乱はベースに関して吸収され、それによってベースを介して基準構造内に共振を引き起こすことができず、又は少なくとも共振の振幅を低減することができる。この構成の結果、ステージに対する要素又は磁石構造、したがって、磁界の位置は、基準構造に対するステージの位置だけでなく、要素又は磁石構造REとベースBAとの間の摩擦やステージの以前の移動/加速などのその他のパラメータにも依存する。デュアルステージ概念などのように、要素又は磁石構造REと他方のステージとの間に提供される別の作動システムを有する別のステージが提供される時にこの影響はさらに深刻である。ステージに対する要素又は磁石構造REの位置は、また、基準構造に対する他方のステージの位置にも依存する。0040リソグラフィ装置は、要素又は磁石構造REに対するステージの位置を測定し、それにより要素又は磁石構造REに対するステージの位置に対応する第2の測定信号O2を提供する第2の位置測定システムSMを含む。この第2の測定信号O2は、基準構造に対するステージの位置に対応する位置センサIFの第1の測定信号O1と共にデータ処理デバイス又はデータプロセッサDPDに提供される。0041図4は、図2のデータ処理デバイス又はデータプロセッサDPDの作動原理の概要を示す概略ブロック図を示す。データ処理デバイス又はデータプロセッサDPDには、それぞれ位置センサIF及び第2の位置測定システムSMの第1及び第2の測定信号O1及びO2が入力される。データ処理デバイス又はデータプロセッサDPDは、補正ユニット又は補正器が、値Vを第1の測定信号O1に追加することで不整合性について第1の位置測定システム、すなわち、位置センサIFの第1の測定信号O1を少なくとも部分的に補償する、すなわち、補正することができる値Vに変換するためのステージと要素又は磁石構造との間の相対位置の関数としての不整合性に関する情報を含む補正ユニット又は補正器CUを含む。データ処理デバイス又はデータプロセッサDPDは、基準構造に対するステージの測定方向Xの位置を表す較正、すなわち、補正測定信号O1Vを出力する。0042補正ユニット又は補正器に含まれる相対位置の関数としての不整合性に関する情報は、補間を用いて情報が得られるルックアップテーブルとして又は連続的もしくは離散的な数学関数として利用することができる。0043位置センサIFは、干渉計又はエンコーダタイプのセンサなどの光学センサであってもよい。後者の場合、センサは、基準構造及びステージの一方の上に提供された格子及び格子と協働し、基準構造及びステージの他方の上に提供されるセンサヘッドを含んでいてもよい。ある実施形態では、格子は基準構造上に提供され、センサヘッドはステージ上に提供される。0044図2で、第2の位置測定システムSMは、2つのセンサと、処理ユニット又はプロセッサとを含んでいてもよく、センサの一方は、その出力信号が測定基準としての役割を果たすベースに対するステージの位置を表すように配置され、センサの他方は、その出力信号がベースに対する要素又は磁石構造の位置を表すように配置され、処理ユニット又はプロセッサは、両方のセンサの出力を組み合わせて要素又は磁石構造に対するステージの位置を表す第2の測定信号を提供するように構成されている。この場合、ベースは測定基準としての役割を果たすが、リソグラフィ装置の他のコンポーネントも測定基準、例えば、基準構造としての役割を果たすと考えられる。0045補正値Vはいくつかの方法で入手することができる。一実施形態では、ステージSTは基準構造に対して静止状態を保ち、したがって、理想的な状況では、位置センサIFは常に同じ位置を測定しなければならない。ステージに対する要素又は磁石構造の位置を変えることで、磁界のステージへの影響も変化し、これによりステージの変形が変化する。図3に関連して示すように、ステージの変形は測定エラーを引き起こすことがある。ステージに対する要素又は磁石構造の異なる位置の第1の測定信号を測定することで、相対位置の関数としての測定エラーを入手することができる。測定エラーから補正値Vを導出することができる。0046永久磁石の規則的なアレイの場合などに磁界が周期的な挙動を示すことがある。磁界の1周期の測定エラーを決定することで、この周期性を用いて測定エラーすなわち補正値Vを磁界全体に外挿することができる。0047ある実施形態では、測定エラー/不整合性は異なる重なった範囲内で決定され、その後、重なった範囲の測定結果が組み合わされて磁界の全移動範囲又は周期の測定結果が得られる。0048別の実施形態では、ステージと要素又は磁石構造との間の2つの異なる相対位置に対して第1の位置測定システムを較正することで補正値Vが得られる。例えば、位置精度の観点から調整が不良の測定システムを用いてステージを一定の速度で移動させ、第1の位置測定システムの測定結果内の擾乱を登録することで第1の位置測定システムの較正を実行することができる。測定結果内の擾乱は第1の位置測定システム自体に関連し比較的一定であり、ステージの変形に関連する。ステージに対する要素又は磁石構造のずらした位置による較正を繰り返すことで、2つの測定結果を組み合わせてずらした位置に起因する擾乱を得ることができ、位置範囲全体に対して補正値を抽出することができる。ある実施形態では、さらにずらした位置を用いて相対位置の関数としての補正値をより正確に決定することができる。一例では、磁界、したがって、要素又は磁石構造は基準構造に対して第1の位置で静止状態を保ち、ステージは次いで様々な位置に配置され、その後、要素又は磁石構造は第1の位置とは異なる第2の位置で基準構造に対して静止状態を保ち、様々な位置で測定が繰り返される。第1及び第2の位置の測定結果を比較することで補正値を得ることができる。0049図5は、本発明の別の実施形態によるリソグラフィ装置の一部の概略平面図を示す。各々がオブジェクト図示せず、例えば、基板又はパターニングデバイスを保持することが可能な2つのステージST1、ST2を支持する要素又は磁石構造REを支持するベースBAが示されている。0050要素又は磁石構造REは、ベースBA及びステージに対して移動可能である。要素又は磁石構造REの質量は、個別のステージの質量よりも大きい。実際、要素又は磁石構造REの質量はステージとオブジェクトの合計の質量よりもはるかに大きい。0051各ステージと要素又は磁石構造REとの間に、対応するステージを移動させ、それにより基準構造図示せずに対してステージを位置決めする作動システム図示せず又はアクチュエータが配置されている。作動システム又はアクチュエータは、オブジェクトをX及びY方向の両方に位置決めできる。要素又は磁石構造REは、ある実施形態では、ベースに対して自由に移動することができ、したがって、要素又は磁石構造REとステージとの間に印加される作動力は要素又は磁石構造REとステージの両方を最小限の伝達力でベースBAへ移動させる。ステージを移動させる結果、要素又は磁石構造REも移動するので、要素又は磁石構造REの位置は両方のステージの移動に依存する。0052この実施形態の要素又は磁石構造REは、例えば、コイル又は永久磁石などの作動システムのコンポーネントを含むため、ステージの移動範囲内に空間的に変化する磁界を提供する。この磁界が個別のステージを変形させることがある。0053図5のリソグラフィ装置は、基準構造図示せず上の格子図示せずと協働する4つのセンサヘッドH1を含む第1の位置測定システムを有する。そのような協働の一例をセンサヘッドH1と格子の側面図である図6に示す。センサヘッドH1の出力は第1の処理ユニット又は第1のプロセッサPU1に提供され、第1の処理ユニット又は第1のプロセッサPU1は、センサヘッドH1の出力信号を測定基準に対する第1のステージSTのそれぞれX及びY方向の位置に対応する第1の測定信号X1と第2の測定信号Y1に変換する。0054リソグラフィ装置は、要素又は磁石構造に対する第1のステージST1のそれぞれX及びY方向の位置を測定するように配置された2つのセンサS1及びS2を含む第2の位置測定システムをさらに含む。0055第1及び第2の両方の測定信号が第1のデータ処理デバイス又は第1のデータプロセッサDPD1に提供され、ここで信号は第2の位置測定デバイスの出力O1、O2に基づいて補正され、測定基準に対する第1のオブジェクトのそれぞれX及びY方向の位置を表す第1の補正測定信号C1_X及び第2の補正測定信号C1_Yが提供される。補正は、磁界によって引き起こされる変形したステージに起因する測定エラーを補償するために実行される。0056同様に、図5のリソグラフィ装置は、基準構造図示せず上の格子図示せずと協働する4つのセンサヘッドH2を含む第3の位置測定システムを有する。そのような協働の一例を、センサヘッドHと格子GPの側面図である図6に示す。センサヘッドH2の出力は第2の処理ユニットPU2に提供され、第2の処理ユニットPU2はセンサヘッドH2の出力信号を基準構造に対する第2のステージST2のそれぞれX及びY方向の位置を表す第3の測定信号X2と第4の測定信号Y2に変換する。0057リソグラフィ装置は、要素又は磁石構造に対する第2のオブジェクトOB2のそれぞれX及びY方向の位置を測定するように配置された2つのセンサS3及びS4を含む第4の位置測定システムをさらに含む。0058第3及び第4の両方の測定信号が第2のデータ処理デバイス又はデータプロセッサDPD2に提供され、ここで信号は第4の位置測定デバイスの出力O3、O4に基づいて較正され、測定基準に対する第2のオブジェクトのそれぞれX及びY方向の位置を表す第3の較正測定信号C2_X及び第4の較正測定信号C2_Yが提供される。0059図6は、センサヘッドSHと、グリッドプレートGPとを含みグリッドプレートGPに対するセンサヘッドSHの位置を測定するように構成されたエンコーダ/センサを示す。この例では、インクリメントエンコーダが適用され、グリッドプレートに対してセンサヘッドを移動させる時に周期的なセンサヘッド出力信号が提供される。センサヘッドの対応するセンサヘッド出力信号の周期性及び位相から位置情報を入手することができる。図示の実施形態では、グリッドプレートへ向けて2つの測定ビームMBA、MBBを放出するセンサヘッドアセンブリが示されている。グリッドプレート上のパターンとの相互作用1次元又は2次元のによって、ビームは図6に概略を示すように、ある角度でセンサヘッドの方へ戻り、センサヘッドの好適なセンサ要素SE1、SE2によって検出される。したがって、センサヘッドは2回の測定、すなわち、グリッドプレートGP上のA及びBでの測定に備える。測定の各々は、水平及び垂直方向の感度を規定する。左側のセンサ要素SE1の感度がベクトルeaで図式的に示され、右側のセンサ要素SE2の感度がベクトルebで図式的に示されている。この実際の実施態様では、水平に対する角度ea及びebは小さく、図6に示すよりも小さい。実際、水平面に対する角度ea及びebは図示の目的で多少誇張されている。ea及びebを追加することで、水平位置の測定値を得ることができる。垂直位置の測定値は、以下の式で概要を示すように、ea及びebを減算して得ることができる。posXk12上式で、posXはエンコーダ水平位置情報を表し、k1はベクトルea及びebが正確には水平方向を向いていないという事実を補償する利得率である。0060図7は、図5のリソグラフィ装置の第1のデータ処理デバイスDPD1の詳細図を示す。データ処理デバイス又はデータプロセッサDPD1には、第1及び第2の測定信号X1及びY1と、第2の位置測定システムの出力O1及びO2とが入力される。第1の測定信号X1は、第1の測定信号X1自体に基づいて補正される。第1の補正ユニット又は補正器CU1は測定信号X1を第1の測定信号X1に追加される第1の補正値CV1に変換する。第1の補正値CV1は、基準構造に対するオブジェクトのX方向の位置によって変化し、センサヘッドH1のX方向の静的エラー、例えば、グリッドプレートの格子の線内のエラーを表す。同様に、第2の補正ユニット又は補正器CU2は、第2の測定信号Y1を、第2の測定信号Y1に追加される第2の補正値CV2に変換する。第2の補正値CV2は、センサヘッドH1のY方向の静的エラーを表す。0061第2の位置測定システムの出力O1及びO2は、第3の補正ユニット又は補正器CU3によって要素に対するステージの位置の関数としての不整合性を表す値VX及び値VYに変換される。値VXは第1の測定信号に追加され、VYは第2の測定信号に追加され、それにより測定基準に対する第1のオブジェクトのそれぞれX及びY方向の位置を表す第1の較正測定信号C1_X及び第2の較正測定信号C1_Yが提供される。0062図5の第2のデータ処理出力ユニット又は第2のデータプロセッサDPD2も第3及び第4の較正測定信号を出力する同様の構成を有する。00634つのセンサH1及びH2は各々2つの座標でステージの位置を測定できるため、対応する測定システム自体によってステージの変形を決定することができ、それにより例えば、基準構造に対してステージを固定し、要素又は磁石構造REを移動させることにより値VX及びVYを得ることができる。0064添付の図面に示す実施形態はオブジェクトとしての基板を支持する基板テーブルに関するが、同じことがオブジェクトとしてのパターニングデバイスを保持する支持体にもあてはまる。図1の第1の位置決めデバイスPM及びパターニングデバイスMTの支持体は、オブジェクトを保持するステージを形成する。0065さらに、図面では要素又は磁石構造が作動システムの一部として示されているが、この原理はステージを変形させ、それにより基準構造に対するステージの位置測定に影響する空間的に変化する磁界を提供する任意の要素又は磁石構造に適用することができる。0066また、補正値の導出がステージの変形工程のモデル化を含んでいてもよい。0067さらに、基準構造に対するステージの位置を測定する第1の位置測定システムが示されている。しかし、前述したように、本発明のある実施形態は、空間的に変化する磁界によるステージの変形によって影響される他の測定システムにも適用可能である。そのような測定システムの例として、パターニングデバイス、レベルセンサ、投影システムセンサなどに対して基板を整列させる測定システムがある。0068本発明の実施形態は第1の位置測定システムによって測定される全種類の自由度に適用可能であることは当業者には認識されるであろう。さらに、本発明のある実施形態は同時に測定された2つの自由度に適用可能であるが図5及び図7の実施形態に示すように、同時に測定された3以上の自由度にも適用可能である。例えば、ステージの位置は6自由度で測定することができ、各々の自由度に対応する測定信号は本発明のある実施形態に従ってすべて補正することができる。0069本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。0070光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィの分野でも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内の微細構成topographyが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスの微細構成は基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると内部にパターンが残される。0071本明細書で使用する放射及びビームという用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線UV放射例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有する及び極端紫外線光EUV放射例えば、5nm~20nmの範囲の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。0072レンズという用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。0073以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとることができる。0074上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。