支持基材上に、樹脂基材が設けられてなる薄膜デバイス用基材であって、前記支持基材側の樹脂基材の表面と、該樹脂基材の表面と接する面と、の界面が、JISK5600-5-7に準拠した付着性で、A0.03MPa以上0.12MPa以下の領域と、B0.14MPa以上の領域と、を有するように前記支持基材上の全部または一部に剥離調整層が設けられていることを特徴とする薄膜デバイス用基材。前記A0.03MPa以上0.12MPa以下の領域の周囲が、前記B0.14MPa以上の領域によって囲まれていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜デバイス用基材。薄膜デバイスの製造方法であって、支持基材上の全部または一部に、剥離調整層を形成する工程と、前記支持基材及び前記剥離調整層を覆うように、樹脂基材を形成する工程と、前記樹脂基材上に、薄膜機能層を形成する工程と、前記薄膜機能層を形成した後に、薄膜機能層が形成された樹脂基材を剥離する工程と、を有し、前記剥離調整層を形成する工程が、前記支持基材側の樹脂基材の表面と、該樹脂基材の表面と接する面と、の界面が、JISK5600-5-7に準拠した付着性で、A0.03MPa以上0.12MPa以下の領域と、B0.14MPa以上の領域と、を有するように剥離調整層を形成する工程であることを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、薄膜機能層の形成前に支持基材と樹脂基材との界面において意図しない剥離が生ずることがなく、かつ薄膜機能層の形成後には支持基材から薄膜機能層が形成された樹脂基材を容易に剥離することができ、薄膜デバイスを歩留まり良く製造することができる薄膜デバイス用基板、及び薄膜デバイスを簡便に歩留まりよく製造することができる製造方法を提供することを主たる課題とする。上記課題を解決するための本発明は、支持基材上に、樹脂基材が設けられてなる薄膜デバイス用基材であって、前記支持基材側の樹脂基材の表面と、該樹脂基材の表面と接する面と、の界面が、JISK5600-5-7に準拠した付着性プルオフ法で、A0.03MPa以上0.12MPa以下の領域と、B0.14MPa以上の領域と、を有するように前記支持基材上の全部または一部に剥離調整層が設けられていることを特徴とする。また、前記A0.03MPa以上0.12MPa以下の領域の周囲が、前記B0.14MPa以上の領域によって囲まれていてもよい。また、上記課題を解決するための本発明の方法は、薄膜デバイスの製造方法であって、支持基材上の全部または一部に、剥離調整層を形成する工程と、前記支持基材及び前記剥離調整層を覆うように、樹脂基材を形成する工程と、前記樹脂基材上に、薄膜機能層を形成する工程と、前記薄膜機能層を形成した後に、薄膜機能層が形成された樹脂基材を剥離する工程と、を有し、前記剥離調整層を形成する工程が、前記支持基材側の樹脂基材の表面と、該樹脂基材の表面と接する面と、の界面が、JISK5600-5-7に準拠した付着性プルオフ法で、A0.03MPa以上0.12MPa以下の領域と、B0.14MPa以上の領域と、を有するように剥離調整層を形成する工程であることを特徴とする。本発明によれば、薄膜機能層の形成前に支持基材と樹脂基材との界面において意図しない剥離が生ずることがなく、かつ薄膜機能層の形成後には支持基材から薄膜機能層が形成された樹脂基材を容易に剥離することができ、薄膜デバイスを歩留まり良く製造することができる薄膜デバイス用基板を提供することができる。また、本発明の方法によれば、薄膜デバイスを簡便で歩留まりよく製造することができる。以下に、本発明の薄膜デバイス用基板10について添付の図面を用いて具体的に説明する。なお、図1、図2は、本発明の薄膜デバイス用基板の支持基材と樹脂基材との界面における領域の一例を示す図である。また、図3~図5は、本発明の薄膜デバイス用基板の一例を示す概略断面図である。図3~図5に示すように、本発明の薄膜デバイス用基板10は、支持基材1上の一部又は全部に剥離調整層3が設けられ、支持基材1及び剥離調整層3を覆うように樹脂基材2が設けられてなる構成をとる。なお、図3、4に示す場合にあっては支持基材1上の一部に剥離調整層3が設けられており、図5に示す場合にあっては、支持基材1上の全部に樹脂基材2との密着性がそれぞれ異なる剥離調整層3A、剥離調整層3Bが設けられている。本発明は、支持基材1側の樹脂基材2の表面と、該樹脂基材2の表面と接する面との界面が、JISK5600-5-7に準拠した付着性プルオフ法で、A0.03MPa以上0.12MPa以下の領域と、B0.14MPa以上の領域と、を有するように剥離調整層3が設けられている。これにより、図1、2に例示するように、支持基材1側の樹脂基材2の表面と、該樹脂基材2の表面と接する面との界面において、密着性が異なる2つの領域であるA領域とB領域とを存在させている。以下、JISK5600-5-7に準拠した付着性プルオフ法で、A0.03MPa以上0.12MPa以下の領域をA領域といい、B0.14MPa以上の領域をB領域という場合がある。また、支持基材1側の樹脂基材2の表面と、該樹脂基材2の表面と接する面との界面を、樹脂基材2における界面という場合がある。なお、JISK5600-5-7に準拠した付着性プルオフ法とは、樹脂基材2の表面に直径20mmの試験円筒を接着剤で固定したのち、試験円筒に沿って樹脂基材2に切り込みを入れる。試験円筒を垂直に引っ張り上げ、樹脂基材2が支持基材1または剥離調整層3から剥離した際に加えた張力の値を読み取ることで付着性を評価する手法である。つまり、この値が大きいほど密着性が高いことを意味する。剥離調整層3は、樹脂基材2における界面に、密着性が異なる上記A領域と、B領域とが存在するように、支持基材1上に設けられていればよい。具体的には、支持基材1と樹脂基材2との密着性に応じて、剥離調整層3の大きさや形成位置を決定することができる。したがって、剥離調整層3は、A領域、B領域の何れか一方の領域に位置する支持基材1上に設けられていてもよく、A領域、B領域の双方の領域に位置する支持基材1上に設けられていてもよい。また、剥離調整層3は、A領域、及び/又はB領域に位置する支持基材1上の全面に設けられていてもよく、該領域に位置する支持基材1上の一部に設けられていてもよい。例えば、支持基材1と樹脂基材2との界面における密着性が、JISK5600-5-7に準拠した付着性プルオフ法で、0.03MPa以上0.12MPa以下である場合には、支持基材1と樹脂基材2との界面にA領域が存在していることとなる。したがって、B領域の形成を所望する位置において、密着性が、0.14MPa以上となるように支持基材1上の一部又は全部に所定の密着性を有する剥離調整層3を設けることで、樹脂基材2における界面に、A領域、及びB領域を存在させることができる。なお、この場合A領域を形成すべき位置に対応する支持基材1上に剥離調整層3を設ける必要は特にない。また、本発明における密着性は、上記で説明したように、直径20mmの範囲以下、直径20mmの範囲を、対象領域という場合がある。を測定することで得られる数値である。そして、対象領域の数値が、0.03MPa以上0.12MPa以下である場合には、該対象領域はA領域となり、対象領域の数値が0.14MPa以上である場合には、該対象領域はB領域となる。つまり、A領域や、B領域は、対象領域を上記の手法で測定した時の数値に基づくものである。したがって、対象領域の一部に0.14MPa未満の部分が存在していたとしても、該対象領域の密着性を測定した時の数値が0.14MPa以上であれば、該対象領域はB領域となる。A領域についても同様である。すなわち、本発明では、対象領域内に、該対象領域の密着性とは異なる密着性を有する部分が一部に存在していてもよく、A領域かB領域かは、対象領域を上記の手法で測定した時の数値に基づいて決定される。支持基材1と樹脂基材2との界面における密着性が、JISK5600-5-7に準拠した付着性プルオフ法で、0.14MPa以上である場合には、支持基材1と樹脂基材2との界面にはB領域が存在していることとなる。したがって、A領域の形成を所望する位置において、密着性が、0.03MPa以上0.12MPa以下となるように支持基材1上の全部または一部に所定の剥離調整層3を設けることで、樹脂基材2における界面に、A領域、及びB領域を存在させることができる。一方、支持基材1と樹脂基材2との界面における密着性が、JISK5600-5-7に準拠した付着性プルオフ法で、0.03MPa以上0.12MPa以下、0.14MPa以上のいずれでもない場合には、支持基材1と樹脂基材2との界面にA領域、B領域の双方が存在していないこととなる。したがって、A領域、B領域とすべき位置の支持基材1上に、樹脂基材2との所定の密着性を有する剥離調整層3を適宜設けることで、樹脂基材2における界面にA領域、及びB領域を存在させることができる。具体的には、選択する剥離調整層3の樹脂基材2との密着性に応じて、支持基材1上に設ける剥離調整層の形成位置や大きさを適宜調整することで、樹脂基材2における界面に、A領域、及びB領域を存在させることができる。なお、剥離調整層3は、樹脂基材2との密着性が、0.03MPa以上0.12MPa以下、又は0.14MPa以上であることは必ずしも必要とはされず、所定の密着性を有する剥離調整層3、例えば、0.03MPa未満の密着性を有する剥離調整層3と、0.12MPaより大きく0.14MPa未満の密着性を有する剥離調整層3の何れか一方を単独で、或いはこれらを組合せて用い、対象領域の密着性がA領域やB領域となるように調整することもできる。また、図5に示すように樹脂基材2との密着性が、0.03MPa以上0.12MPa以下の剥離調整層3AをA領域を形成すべき位置の支持基材1上に設け、0.14MPa以上の密着性を有する剥離調整層3BをB領域を形成すべき位置の支持基材1上に設けることで、樹脂基材2の界面にA領域とB領域とを存在させることとしてもよい。A領域上には、一般的に薄膜デバイスを構成する薄膜機能層が設けられるが、この構成に限定されるものではない。一方で、B領域は、薄膜デバイスを形成する際に支障とならない部分に設けられていることが好ましい。具体的には、図1に示すようにA領域の周囲は、B領域によって囲まれていることが好ましい。この場合、A領域とB領域との境界を切断等することで、A領域のみを残存させることができ、更に容易に剥離が可能となるからである。なお、図1に示す形態では、A領域上に薄膜機能層が形成され、B領域上には薄膜機能層は形成されない。また、図2に示すように、同一面内に複数のA領域が存在し、それぞれのA領域がB領域によって囲まれていてもよい。また、図2ではA領域の大きさが略同一となっているが、A領域の大きさは、所望する薄膜デバイスの大きさに応じて適宜設定することができ、A領域は、同一の大きさであってもよく、異なる大きさであってもよい図示しない。なお、図2では、A領域の全周を囲むようにB領域が形成されているが、A領域の外周の一部にB領域が形成されていてもよい。また、本発明の趣旨を妨げない範囲でA領域、B領域以外とは異なる領域が存在していてもよい。また、本発明において、支持基材1、樹脂基材2、剥離調整層3を構成する材料について特に限定はなく、A領域、B領域とすることができる材料を適宜選択して用いることができる。なお、本発明では支持基材1と樹脂基材2とを積層する構成とすることで、本発明の薄膜デバイス用基板を用いて形成される薄膜デバイスの寸法安定性を図っている。したがって、支持基材1は、耐熱性に優れるとともに樹脂基材2よりも製造時における寸法安定性に優れるものが好ましい。このような支持基材1としては、ガラス、ステンレス箔等の金属及び金属箔、金属化合物等を挙げることができる。支持基材1の厚さについても特に限定はないが、樹脂基材2を保持し、耐熱性と寸法安定性を考慮すると200μm~1500μm程度であることが好ましい。上記のように、樹脂基材2の材料について特に限定はないが、好ましい樹脂基材2としては、例えば、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等を挙げることができる。また、剥離調整層3としては、酸化シリコン、窒化シリコン、クロム、銅、アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン等を挙げることができるが、同様に、その材料について特に限定はなく、樹脂基材2の界面にA領域とB領域を存在させることができるあらゆる材料を使用可能である。樹脂基材2の厚みについても特に限定はないが、薄膜デバイスの基材として一般的な厚みである5μm~100μm程度である。剥離調整層3の厚みについても特に限定はないが、好ましくは0.01μm~3μm程度である。次に、本発明の薄膜デバイスの製造方法について説明する。本発明の製造方法本発明の薄膜デバイスの製造方法は、支持基材上の全部または一部に、剥離調整層を形成する工程と、支持基材及び剥離調整層を覆うように、樹脂基材を形成する工程と、樹脂基材上に、薄膜機能層を形成する工程と、薄膜機能層を形成した後に、薄膜機能層が形成された樹脂基材を剥離する工程と、を有し、剥離調整層を形成する工程が、支持基材側の樹脂基材の表面と、該樹脂基材の表面と接する面と、の界面が、JISK5600-5-7に準拠した付着性で、A0.03MPa以上0.12MPa以下の領域と、B0.14MPa以上の領域と、を有するように剥離調整層を形成する工程であることを特徴とする。以下、本発明の製造方法においても、JISK5600-5-7に準拠した付着性プルオフ法で、A0.03MPa以上0.12MPa以下の領域をA領域といい、B0.14MPa以上の領域をB領域という場合がある。また、支持基材1側の樹脂基材2の表面と、該樹脂基材2の表面と接する面との界面を、樹脂基材2における界面という場合がある。以下、各工程について具体的に説明する。剥離調整層を形成する工程剥離調整層を形成する工程は、支持基材上の全部または一部に、剥離調整層を形成する工程であり、本発明の製造方法では、さらに当該工程が、支持基材側の樹脂基材の表面と、該樹脂基材の表面と接する面と、の界面が、JISK5600-5-7に準拠した付着性プルオフ法で、A0.03MPa以上0.12MPa以下の領域と、B0.14MPa以上の領域と、を有するように剥離調整層を形成する工程であることを特徴とする。剥離調整層は、上記薄膜デバイス用基板において説明したように、その材料、形成位置、大きさについて限定はされることはなく、支持基材と後述する樹脂基材との密着性の関係に応じて適宜形成することができる。以下、支持基材と樹脂基材との密着性を場合分けして、該工程について具体的に説明する。なお、特に断りがない限りA領域、B領域については、上述した薄膜用デバイス基板で説明したものと同様の構成をとることができ、ここでの説明は省略する。i支持基材と樹脂基材との密着性が、0.03MPa以上0.12MPa以下である場合;この場合、支持基材と樹脂基材との界面にはA領域が存在することとなる。したがって、B領域を形成すべき位置に対応する支持基材上の全部または一部に剥離調整層を形成することで、樹脂基材における界面において、A領域とB領域とを存在させることができる。B領域を形成すべき位置に対応する支持基材上の全部に剥離調整層を設ける場合、対象領域の密着性を測定した時の数値が0.14MPa以上となるように剥離調整層が設けられていればよく、剥離調整層と樹脂基材との界面の一部において、0.14MPa未満の部分が存在していてもよい。また、B領域に位置する支持基材上の一部に剥離調整層を設ける場合、剥離調整層を設けない部分の密着性は、003MPa以上0.12MPa以下である。したがって、剥離調整層を設けない部分と、剥離調整層を設けた部分を含む対象領域の密着性が、0.14MPa以上となるように樹脂基材との所定の密着性を有する剥離調整層を適宜設ける必要がある。ii支持基材と樹脂基材との密着性が0.14MPa以上である場合;この場合、A領域を形成すべき位置に対応する支持基材上の全部または一部に剥離調整層を形成することで、樹脂基材における界面において、A領域とB領域とを存在させることができる。A領域を形成すべき位置に対応する支持基材上の全部に剥離調整層を形成する方法、及び支持基材上の一部に剥離調整層を形成する方法については、上記iと同様の方法を採用することができ、ここでの詳細な説明は省略する。iii支持基材と樹脂基材との密着性が、0.03MPa以上0.12MPa以下及び0.14MPa以上以外の場合;この場合、A領域、B領域とすべき位置の支持基材上に、樹脂基材と所定の密着性を有する剥離調整層を適宜形成することで、樹脂基材における界面にA領域、及びB領域を存在させることができる。例えば、図5に示すように、A領域を形成すべき位置に対応する支持基材上の全面に樹脂基材との密着性が0.03MPa以上0.12MPa以下の剥離調整層を形成し、B領域を形成すべき位置に対応する支持基材上の全面に樹脂基材との密着性がB0.14MPaの剥離調整層を形成することで、樹脂基材における界面に、A領域とB領域とを存在させることができる。また、上記i、iiで説明したように、それぞれの領域に対応する支持基材上の一部に剥離調整層を形成し、樹脂基材における界面において、A領域とB領域とを存在させることとしてもよい。支持基材上の全部または一部に剥離調整層を形成する方法について特に限定はないが、剥離調整層を構成する材料を適当な溶媒に溶解または分散した塗工液を、所定の形状で塗工乾燥する方法を挙げることができる。塗工方法についても特に限定はないが、例えば、グラビア印刷法、クラビア版を用いたリバースロールコーティング法、ロールコーター、バーコーター、ダイコーター、スピンコーター、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等の塗工手段を挙げることができる。これら以外の方法としては、スパッタ、真空蒸着、CVDなどの従来公知のドライの成膜プロセスを挙げることができる。また、剥離調整層は、乾燥時の厚みが0.01μm~3μm程度となるように形成することが好ましい。また、支持基材上に複数種の剥離調整層を形成する場合には、一般的なフォトリソグラフィーやメタルマスク、各種印刷法によるパターニングを用いることができる。樹脂基材を形成する工程樹脂基材を形成する工程は、支持基材及び剥離調整層を覆うように、樹脂基材を形成する工程である。樹脂基材の形成方法についても特に限定はなく、上記の剥離調整層の形成方法と同様の形成方法を適宜選択して形成可能である。また、樹脂基材は、乾燥時の厚みが5μm~50μm程度となるように形成することが好ましい。薄膜機能層を形成する工程薄膜機能層を形成する工程は、上記樹脂基材を形成した後に、該樹脂基材上の薄膜機能層を形成する工程である。薄膜機能層としては、薄膜デバイスの分野で従来公知のものを適宜選択して用いることができ、例えば、カラーフィルタ、TFTアレイ、タッチパネル、有機太陽電池、色素増感太陽電池等を挙げることができる。剥離工程剥離工程は、薄膜機能層を形成した後に、薄膜機能層が形成された樹脂基材を剥離する工程である。本発明の製造方法によれば、支持基材と樹脂基材との密着性、剥離調整層と樹脂基材との密着性をそれぞれ調整することにより、密着性と剥離性とを担保している。したがって、当該工程では物理的な方法、例えば、手や装置を用いて剥離することができる。また、A領域の周囲を囲むようにB領域が存在している場合には、A領域とB領域との界面を従来公知の切断手段、例えばダイシング等の手段で切断することで、さらに容易に剥離することが可能となる。以上、本発明の薄膜デバイス、及び薄膜デバイスの製造方法について具体的な例を挙げ説明を行ったが、本発明は上記各実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。次に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。以下、特に断りのない限り、部またはは質量基準である。実施例1一辺15cmのガラス基材上に、剥離調整層として窒化シリコン膜厚100nmをスパッタ蒸着して形成した。この際に4辺から幅2.5cmずつの領域に窒化シリコンを形成するために、ガラス基材の中央をメタルマスクを用いて遮蔽した。得られた剥離調整層付きガラス基材の全面にポリイミド溶液をスピンコートし、350°Cのオーブンで1時間加熱硬化させ、樹脂基材膜厚20μmを形成した。ガラス基材に密着したポリイミドの付着力、及び窒化シリコンに密着したポリイミドの付着力を、JISK5600-5-7に準拠した付着性試験プルオフ法に基づいて測定した。この測定では、直径20mmの試験円筒に2液硬化型のエポキシ樹脂を塗り、ポリイミドに密着させた状態で60°Cのホットプレートで3時間加熱硬化させ、試験円筒とポリイミドを接着した。次いで、試験円筒に沿ってポリイミドにカッターで切り込みを入れた。コーテック社のプルオフアドヒージョンテスターCA-2を用いて、試験円筒を基材に対して垂直方向に張力を加えていき、試験円筒が基材から剥れた際の張力を付着力とした。この測定を、ガラス基材とポリイミドとが直接的に接する領域と、窒化シリコンとポリイミドとが直接的に接する領域のそれぞれについて、ランダムに3点測定した。その結果、ガラス基材とポリイミドとの界面における付着力は、0.09MPa、窒化シリコンとポリイミドとの界面における付着力は0.19MPaであった。次いで、得られた基材の窒化シリコンを形成していない領域へのTFTアレイ作製を行った。樹脂基材上に、Al膜厚150nm、Cr膜厚20nmをこの順でスパッタ蒸着し基材全面に積層させた。次いでフォトリソグラフィー工程およびエッチング工程にてAlCr積層薄膜をパターニングしてデータライン引回し電極及びスキャンライン引回し電極を形成した。引回し電極上に紫外線感光性アクリル系樹脂をスピンコートし、フォトマスクを介した露光及びアルカリ現像工程を行い、スルーホールのパターニングを行った。次いで150°Cのオーブンにて加熱硬化させ、層間絶縁膜膜厚3μmを形成し、層間絶縁膜上にAl膜厚150nmをスパッタ蒸着し、次いでフォトリソグラフィー工程およびエッチング工程にてAl薄膜をパターニングして、スキャンライン、ゲート電極、Cs下部電極を形成した。この工程にて、スキャンライン引回し電極とスキャンラインを導通させた。次に、ゲート電極を形成した表面に紫外線感光性アクリル系樹脂をスピンコートし、フォトマスクを介した露光及びアルカリ現像工程を行い、データライン導通部のスルーホールのパターニングを行った。次いで150°Cのオーブンにて加熱硬化させ、ゲート絶縁膜膜厚1μmを形成し、ゲート絶縁層上にポジ型フォトレジストをスピンコートにて塗布し、フォトマスクを用いた露光および現像工程を経てデータライン、ソースおよびドレイン電極、Cs上部電極形成領域のフォトレジストを除去した。次いで、Au膜厚50nmをスパッタ蒸着してフォトレジスト上全面にAu薄膜を形成した。次いで、アセトンに浸漬させた状態で超音波浴槽にてフォトレジスト及びフォトレジスト上のAu薄膜を除去し、データライン、ソースおよびドレイン電極、Cs上部電極を形成した。この工程にて、データライン引回し電極とデータラインを導通させた。次に、チオフェン系ポリマーをモノクロロベンゼン溶液に固形分濃度1wtにて溶解させた有機半導体溶液を準備し、ソースドレイン電極を形成した表面にスピンコートにて膜厚50nmの有機半導体層を全面に形成した。この有機半導体層上に、紫外線感光性アクリル系樹脂を有機半導体層上にスピンコートし、フォトマスクを介した露光及びアルカリ現像工程を行い、トランジスタチャネル領域上にアクリル系樹脂をパターニングした。次いで150°Cのオーブンにて加熱硬化させ、トランジスタチャネル領域上にアクリル系樹脂を形成した。次に、大気下で真空紫外線波長172nm、照度3mW/cm2を60秒間照射し、アクリル系樹脂で覆われている以外の領域の有機半導体をアッシング除去し、半導体のパターニングを行った。次に、紫外線感光性アクリル系樹脂をスピンコートし、フォトマスクを介した露光及びアルカリ現像工程を行い、画素電極導通部のスルーホールのパターニングを行った。次いで150°Cのオーブンにて加熱硬化させ、封止層膜厚10μmを形成した。次に、カーボンペーストをスクリーン印刷にてデータライン及びスキャンライン導通部を覆うようにパターン印刷し、画素電極膜厚5μmを形成した。この工程にて、画素電極とCs上部電極を導通させた。得られたTFTアレイを用い、ゲート電圧を20Vから-50Vに掃引し、その後-50Vから50Vに戻して電流-電圧特性を測定した。測定は、2台のソース-メジャーユニットケースレー社製、型式:237を用い、ゲート電圧を変化させたときに得られた電流を測定して行った。ゲート電圧-50Vで電流値1.4E6A、キャリア移動度は3.6E2cm2/Vsであった。次いで、TFTアレイの形成部と未形成部の境界で樹脂基材を切断し、樹脂基材を引っ張ることでガラス基材上の樹脂基材を剥離した。次に、剥離した樹脂基材上のTFTアレイの特性を確認した。剥離時のTFTアレイの帯電の影響を除くため120°Cのオーブンで10分間加熱した。加熱後のTFTアレイを剥離前と同様に特性評価を行った。ゲート電圧-50Vで電流値1.4E6A、キャリア移動度は3.6E2cm2/Vsとなり、剥離前後で同等の特性が得られた。比較例1窒化シリコンを形成せずにガラス基材の全面にポリイミドを形成した以外はすべて実施例1と同様にしてTFTアレイの形成を行った。なお、TFTアレイの形成位置は実施例1と同様である。このとき、ゲート絶縁層上にポジ型フォトレジストをスピンコートにて塗布し、フォトマスクを用いた露光および現像工程を行ったところ、現像工程において樹脂基材がガラス基材から自然に剥離してしまいTFTアレイが得られなかった。比較例2ガラス基材の全面に窒化シリコンを形成した以外はすべて実施例1と同様にしてTFTアレイの形成を行った。なお、TFTアレイの形成位置は実施例1と同様である。TFTアレイの形成部と未形成部の境界で樹脂基材を切断した後、樹脂基材を引っ張ってガラス基材から剥離する際に樹脂基材に過度の力がかかり、樹脂基材の一部が裂けてしまった。