基板と、前記基板上に実装され、内部に回路が形成された半導体より成る第1の素子と、前記第1の素子の上にさらに積層された第2の素子と、前記第1の素子上における前記第2の素子が積層されている領域の外側に形成された1または複数の電極を有する内側電極部と、前記内側電極部よりもさらに外側に形成された複数の電極を有する外側電極部と、から成る第1の接続電極部と、前記第2の素子上に形成された1または複数の電極を有する第2の接続電極部と、前記基板上における前記第1の素子が実装されている領域の外側に形成された複数の電極を有する第3の接続電極部と、を備え、前記内側電極部の電極、前記第2の接続電極部の電極、および前記第3の接続電極部の電極は、それぞれ電源供給用電極を含み、前記内側電極部の電源供給用電極および前記第3の接続電極部の電源供給用電極は、それぞれ前記第2の接続電極部の電源供給用電極とボンディングワイヤにより電気的に接続されており、前記外側電極部の電極は、前記第3の接続電極部の電極とボンディングワイヤにより接続されていることを特徴とする半導体装置。前記内側電極部の電源供給用電極、前記第2の接続電極部の電源供給用電極、および前記第3の接続電極部の電源供給用電極は、それぞれ電源電位供給用電極であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記内側電極部の電源供給用電極、前記第2の接続電極部の電源供給用電極、および前記第3の接続電極部の電源供給用電極は、それぞれGND電位供給用電極であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記内側電極部の電源供給用電極、前記第2の接続電極部の電源供給用電極、および前記第3の接続電極部の電源供給用電極は、それぞれ電源電位供給用電極およびGND電位供給用電極であり、前記内側電極部の電源電位供給用電極および前記第3の接続電極部の電源電位供給用電極は、それぞれ前記第2の接続電極部の電源電位供給用電極とボンディングワイヤにより電気的に接続され、前記内側電極部のGND電位供給用電極および前記第3の接続電極部のGND電位供給用電極は、それぞれ前記第2の接続電極部のGND電位供給用電極とボンディングワイヤにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第3の接続電極部の電極は、複数の信号供給用の電極をさらに含み、前記第3の接続電極部の電源供給用電極と、前記第3の接続電極部の信号供給用電極とが、前記第1の素子の周縁の少なくとも一部に沿って同列に配置されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の接続電極部の電極および第3の接続電極部の電極は、それぞれ信号供給用電極をさらに含み、前記第3の接続電極部の信号供給用電極は、前記第3の接続電極部の電源供給用電極よりも前記第1の素子に近い側に配置されており、前記第1の接続電極部の信号供給用電極は、前記第3の接続電極部の信号供給用電極とボンディングワイヤにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。内部に回路が形成された半導体より成り、表面上において周縁部に形成された外側電極部と、当該外側電極部よりも内側に形成され、電源供給用電極を有する内側電極部とから成る第1の接続電極部を備えた第1の素子の表面において、前記内側電極部よりも中央側に、電源供給用電極を備えた第2の接続電極部が形成された第2の素子を積層する工程と、電源供給用電極を有する第3の接続電極部が表面に形成された基板上に、前記第2の素子が積層された第1の素子を、前記第3の接続電極部が前記第1の素子の外側に位置するように搭載する工程と、前記第2の接続電極部の電源供給用電極と、前記内側電極部の電源供給用電極および前記第3の接続電極部の電源供給用電極とをそれぞれボンディングワイヤにより接続し、前記外側電極部と前記第3の接続電極部とをボンディングワイヤにより接続する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第3の接続電極部は、さらに信号供給用電極を有し、前記第3の接続電極部の電源供給用電極と、前記第3の接続電極部の信号供給用電極とが、前記第1の素子の周縁の少なくとも一部に沿って同列に配置されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、回路基板上に搭載された半導体素子において、接続電極が設けられた周縁部から電圧降下が大きくなる箇所例えば、中央部の間においても電圧降下は発生する。さらには、消費電力の削減を図るために、より低い電圧で作動する回路を備えた半導体装置が開発されており、そのような半導体装置においては、電圧降下の影響がより大きなものとなる。そこで、このような電圧降下を抑制するために、回路基板上に搭載された半導体素子周縁部により多くの電源供給用接続電極電源電位供給用電極、GND電位供給用電極を配置し、ひとつの電源電位供給用電極から供給される電力の流路を短くして負荷を低減させ、上記電圧降下を抑制している。ところが、回路基板上に搭載された半導体素子周縁部に設けられる接続電極数が増加すると、当該半導体素子のサイズ増大を招くこととなり、サイズ増大を抑制しようとすると、各接続電極間の間隔ピッチを狭くしなくてはならない。接続電極間のピッチが狭くなると、ボンディングワイヤを接続する際により精密な制御が必要になり、組立生産性の低下につながる。また、隣り合うボンディングワイヤ同士の間隔も狭くなり、配線が混み合ってボンディングワイヤ同士が接触して、半導体装置の品質や信頼性の低下といった問題を引き起こす虞が高くなる。本発明は、基板上に第1の素子が実装され、その上にさらに第2の素子が積層された構成を有する半導体装置における第1の素子において、基板から電源電位等の供給を受けるための接続電極数が増加した場合においても、半導体素子サイズの増大および接続電極の狭ピッチ化を抑制し、ボンディングワイヤの配線混雑を緩和して、良好な組立生産性および高い品質信頼性を備えた半導体装置、およびそのような半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するため、本発明に係る半導体装置は、基板と、前記基板上に実装され、内部に回路が形成された半導体より成る第1の素子と、前記第1の素子の上にさらに積層された第2の素子と、前記第1の素子上における前記第2の素子が積層されている領域の外側に形成された1または複数の電極を有する内側電極部と、前記内側電極部よりもさらに外側に形成された複数の電極を有する外側電極部と、から成る第1の接続電極部と、前記第2の素子上に形成された1または複数の電極を有する第2の接続電極部と、前記基板上における前記第1の素子が実装されている領域の外側に形成された複数の電極を有する第3の接続電極部と、を備え、前記内側電極部の電極、前記第2の接続電極部の電極、および前記第3の接続電極部の電極は、それぞれ電源供給用電極を含み、前記内側電極部の電源供給用電極および前記第3の接続電極部の電源供給用電極は、それぞれ前記第2の接続電極部の電源供給用電極とボンディングワイヤにより電気的に接続されており、前記外側電極部の電極は、前記第3の接続電極部の電極とボンディングワイヤにより接続されていることを特徴とする。上記構成により、第1の素子上に設けられる接続電極が内側電極部と外側電極部とに分けられるため、外側電極部に配置される電極数が低減され、第1の素子サイズの増大が抑制されると共に、電極間の狭ピッチ化が抑制される。また、外側電極部は第3の接続電極部とボンディングワイヤにより接続されるが、内側電極部の電源供給用電極は、第2の接続電極部の電源供給用電極と接続されるため、内側電極部の電源供給用電極からの配線ボンディングワイヤは内側へ、外側電極部からの配線は外側へと繋げられることとなり、配線の混雑が緩和される。また、前記内側電極部の電源供給用電極、前記第2の接続電極部の電源供給用電極、および前記第3の接続電極部の電源供給用電極は、それぞれ電源電位供給用電極であってもよい。これにより、第1の素子へ配置される電極の数が増加した場合においても、電源電位供給用電極を内側電極部に配して電源電位の供給を第2の接続電極部を介して行うことができるため、第1の素子サイズの増大および電極間の狭ピッチ化の抑制、並びに配線の混雑緩和を図ることができる。ここで、前記内側電極部の電源供給用電極、前記第2の接続電極部の電源供給用電極、および前記第3の接続電極部の電源供給用電極は、それぞれGND電位供給用電極であってもよい。これにより、第1の素子へ配置される電極の数が増加した場合においても、GND電位供給用電極を内側電極部に配してGND電位の供給を第2の接続電極部を介して行うことができるため、第1の素子サイズの増大および電極間の狭ピッチ化の抑制、並びに配線の混雑緩和を図ることができる。ここでまた、前記内側電極部の電源供給用電極、前記第2の接続電極部の電源供給用電極、および前記第3の接続電極部の電源供給用電極は、それぞれ電源電位供給用電極およびGND電位供給用電極であり、前記内側電極部の電源電位供給用電極および前記第3の接続電極部の電源電位供給用電極は、それぞれ前記第2の接続電極部の電源電位供給用電極とボンディングワイヤにより電気的に接続され、前記内側電極部のGND電位供給用電極および前記第3の接続電極部のGND電位供給用電極は、それぞれ前記第2の接続電極部のGND電位供給用電極とボンディングワイヤにより電気的に接続されてもよい。これにより、第1の素子へ配置される電極の数が増加した場合においても、電源電位供給用電極およびGND電位供給用電極を内側電極部に配して電源電位およびGND電位の供給を第2の接続電極部を介して行うことができるため、第1の素子サイズの増大および電極間の狭ピッチ化の抑制、並びに配線の混雑緩和を図ることができる。さらに、前記第3の接続電極部の電極は、複数の信号供給用の電極をさらに含み、前記第3の接続電極部の電源供給用電極と、前記第3の接続電極部の信号供給用電極とが、前記第1の素子の周縁の少なくとも一部に沿って同列に配置されてもよい。これにより、基板上における第3の接続電極部の配置スペースを縮小させて、半導体装置の小型化に資することができる。ここでさらに、前記第1の接続電極部の電極および第3の接続電極部の電極は、それぞれ信号供給用電極をさらに含み、前記第3の接続電極部の信号供給用電極は、前記第3の接続電極部の電源供給用電極よりも前記第1の素子に近い側に配置されており、前記第1の接続電極部の信号供給用電極は、前記第3の接続電極部の信号供給用電極とボンディングワイヤにより電気的に接続されてもよい。これにより、第1の接続電極部の信号供給用電極と第3の接続電極部の信号供給用電極とを接続するボンディングワイヤの長さが短くなり、コスト抑制に資することができる。また、本発明に係る半導体装置は、内部に回路が形成された半導体より成り、表面上において周縁部に形成された外側電極部と、当該外側電極部よりも内側に形成され、電源供給用電極を有する内側電極部とから成る第1の接続電極部を備えた第1の素子の表面において、前記内側電極部よりも中央側に、電源供給用電極を備えた第2の接続電極部が形成された第2の素子を積層する工程と、電源供給用電極を有する第3の接続電極部が表面に形成された基板上に、前記第2の素子が積層された第1の素子を、前記第3の接続電極部が前記第1の素子の外側に位置するように搭載する工程と、前記第2の接続電極部の電源供給用電極と、前記内側電極部の電源供給用電極および前記第3の接続電極部の電源供給用電極とをそれぞれボンディングワイヤにより接続し、前記外側電極部と前記第3の接続電極部とをボンディングワイヤにより接続する工程と、を含む製造方法により製造されてもよい。ここでまた、前記第1の素子を基板上に搭載する工程において、前記第3の接続電極部は、さらに信号供給用電極を有し、前記第3の接続電極部の電源供給用電極と、前記第3の接続電極部の信号供給用電極とが、前記第1の素子の周縁の少なくとも一部に沿って同列に配置されていてもよい。以下、本発明に係る実施の形態を、図面を参照しながら説明する。<実施の形態>1.半導体装置の構成図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置100の概略構成を示す平面図であり、図2は、図1のA-A’線における断面図である。図3は、図1において矢印B方向から見たときの半導体装置100の一部を示す斜視図である。なお、図1および図2においては、半導体装置100の構成をなるべく大きく表示してわかりやすく示すために、半導体装置100の右半分のみを示し、左半分については、右半分と同様の構成であるため、図示を省略している。以下、図4から図12においても、同様である。半導体装置100は、BGA型半導体装置である。回路基板3は、BGA型半導体装置を構成するための半導体素子搭載基板であり、ガラスエポキシ樹脂等からなる有機基板により形成されている。回路基板3の表面には銅Cu等の金属により複数の接続電極が形成されており、回路基板3の裏面には銅Cu等の金属により格子状に配列した外部接続電極が形成され、回路基板3の内部において、銅Cu等の金属配線パターンにより、回路基板3表面の接続電極と裏面の外部接続電極とが接続されている。半導体装置100は、回路基板3上に実装された第1の半導体素子1の上にさらに第2の半導体素子2が積層されて構成されている。第1の半導体素子1の表面上には、複数の接続電極が形成されている。第2の半導体素子2の表面上および裏面上には、複数の接続電極が形成されており、当該裏面上の接続電極と表面上の接続電極とは、第2の半導体素子2内部の金属配線により接続されている。第2の半導体素子2表面上の接続電極には、はんだ等により接続端子4が形成されており、当該接続端子4が第1の半導体素子1の接続電極に接続されるよう、第2の半導体素子2が第1の半導体素子1上にフリップチップ接続され、第1の半導体素子1と第2の半導体素子2との間の隙間に、エポキシ樹脂等からなるアンダーフィル樹脂5が注入されている。ここで、上記半導体装置100においては、2つの半導体素子1および2を有する構成であるが、これに限定されず、3つ以上の半導体素子を有する構成としても実現可能である。第1の半導体素子1は、回路基板3表面上にエポキシ樹脂等からなる接着剤17により固着されており、第1の半導体素子1の表面上に形成された第1の接続電極部10および第2の半導体素子2の裏面上に形成された第2の接続電極部20は、金Au等の金属性のボンディングワイヤ7により、回路基板3表面上に形成された第3の接続電極部と電気的に接続されており、上記第1の半導体素子1、第2の半導体素子2、およびボンディングワイヤ7は、外部からの保護のために、エポキシ樹脂等からなる封止樹脂16により被覆されている。なお、図2においては、各接続電極およびボンディングワイヤ7の配置をわかりやすく示すために、封止樹脂16の断面の輪郭を破線で示し、断面についてはハッチングを省略して示しており、図1および図3においては、封止樹脂16については図示を省略している。ここで、図2に示す半導体装置100では、個々の半導体装置を個別に封止樹脂16にて被覆しているが、複数の半導体装置を1つの回路基板上に搭載し、これら複数の半導体装置を一括して封止樹脂16にて被覆する構成としても実現可能である。回路基板3裏面の接続電極上には、半導体装置100を外部回路基板上へ実装するために、はんだ等により外部電極端子6が形成されている。第2の半導体素子2の裏面には、金属薄膜等により第2の接続電極部20が形成されている。第2の接続電極部20は、環状の形状を有するGND電位供給用電極21と、その内側に絶縁膜を介して配置され環状の形状を有する電源電位供給用電極22とから成る。GND電位供給用電極21と電源電位供給用電極22とは、上記絶縁膜により互いに絶縁されている。また、GND電位供給用電極21および電源電位供給用電極22は、第2の半導体素子2の周縁に沿うように、四角環状の形状となっている。なお、電源電位供給用電極およびGND電位供給用電極は、電源供給用電極である。第1の半導体素子1の表面において、第2の半導体素子2が積層されている領域の外側には、内側電極部11が形成されており、その外側、即ち第2の半導体素子2から遠い側であり、第1の半導体素子1の周縁に近い側には、絶縁膜を介して外側電極部12が形成されている。内側電極部11と外側電極部12とにより、第1の接続電極部10が構成されている。内側電極部11には、パッド状のGND電位供給用電極13および電源電位供給用電極14が、それぞれ複数、GND電位供給用電極21の各辺に略沿う方向本実施の形態においては、第2の半導体素子2の周縁に略沿う方向でもあるに列状に配置されており、外側電極部12には、複数のパッド状の信号供給用電極15が内側電極部11に略沿う方向に列状に配置されている。GND電位供給用電極13、電源電位供給用電極14、および信号供給用電極15は、それぞれ金属薄膜等により形成されており、隣り合う電極同士は、互いの間に絶縁膜を介して配置されており、これにより、個々の電極は互いに絶縁されている。また、本実施の形態においては、内側電極部11のGND電位供給用電極13と電源電位供給用電極14は交互に配置されているが、これに限られない。例えば、内側電極部11およびGND電位供給用電極13が連続して配置されていてもよい。回路基板3の表面において、第1の半導体素子1が実装されている領域の外側には、GND電位供給用電極31が環状に形成されており、そのさらに外側、即ち第1の半導体素子から遠い側には、第1の半導体素子1から間隔をあけて、電源電位供給用電極32が環状に形成されている。GND電位供給用電極31および電源電位供給用電極32は、それぞれ外側電極部12そして、電源電位供給用電極32のさらに外側、即ち第1の半導体素子から遠い側には、電源電位供給用電極32から間隔をあけて、パッド状の信号供給用電極33が複数、電源電位供給用電極32に沿う方向に列状に形成されている。信号供給用電極33は、互いに間隔をあけて配置されており、これにより、個々の信号供給用電極33は、互いに絶縁されている。外側電極部12の信号供給用電極15は、第3の接続電極部30の信号供給用電極33とボンディングワイヤ73により1対1で電気的に接続されている。また、内側電極部11のGND電位供給用電極13は、第2の接続電極部20のGND電位供給用電極21とボンディングワイヤ71bにより電気的に接続されており、電源電位供給用電極14は、電源電位供給用電極22とボンディングワイヤ71aにより電気的に接続されている。そしてさらに、第3の接続電極部30のGND電位供給用電極31は、第2の接続電極部20のGND電位供給用電極21とボンディングワイヤ72bにより電気的に接続されており、電源電位供給用電極32は、電源電位供給用電極22とボンディングワイヤ72aにより電気的に接続されている。回路基板3から第1の半導体素子1への電源電位の供給は、第3の接続電極部30の電源電位供給用電極32から直接電源電位が供給される代わりに、第2の接続電極部20の電源電位供給用電極22へと供給され、そこから内側電極部11の電源電位供給用電極14へと供給される。また、同様に、回路基板3から第1の半導体素子1へのGND電位の供給は、先ずGND電位供給用電極31からGND電位供給用電極21へと供給され、そこから内側電極部11のGND電位供給用電極13へと供給される。即ち、電源電位およびGND電位は、回路基板3上の第3の接続電極部30から第2の半導体素子2上の第2の接続電極部20を経由して第1の半導体素子1上の第1の接続電極部10本実施の形態においては、より具体的には、内側電極部11へと供給される。この場合、第2の接続電極部20は、第3の接続電極部30から第1の接続電極部10への電源電位およびGND電位供給の際の中継ポートの役割を果たす。従来のように、回路基板3上の第3の接続電極部30から直接電源電位およびGND電位を供給する構成においては、第1の半導体素子1上に配置される電源電位およびGND電位供給用の電極数が増加した場合、その分、第1の半導体素子のサイズが大きくなるのであるが、サイズ増加を抑制しようとすると、各電極間の間隔を狭くせざるを得なくなり、その結果、電源電位およびGND電位を供給するための配線ボンディングワイヤおよび信号供給用の配線が互いに極近い距離で多数配置されることとなり、配線が非常に混雑して、ボンディングワイヤ同士が接触する危険性が高くなり、半導体装置の品質や信頼性の低下といった問題が生じる。一方、本実施の形態の構成によると、第1の半導体素子1上の第1の接続電極部10における電源電位供給用電極14およびGND電位供給用電極13を信号供給用電極15から分けて信号供給用電極15の内側に内側電極部11として配置し、ボンディングワイヤ7により第2の接続電極部20と接続して電源電位およびGND電位を供給するため、従来の構成の場合のような配線ボンディングワイヤの混雑の問題を回避することができ、その結果、半導体装置の良好な品質や信頼性を維持することができる。なお、本実施の形態においては、ボンディングワイヤ71ボンディングワイヤ71aおよび71bの数と比較して、ボンディングワイヤ72ボンディングワイヤ72aおよび72bの数は少ない。そこで、ボンディングワイヤ72をボンディングワイヤ71よりも太くして、電源電位およびGND電位供給能をより高めてもよい。上記説明したように、第1の半導体素子上の電源電位供給用電極14、GND電位供給用電極13、および信号供給用電極15を、従来のように一列に配置する代わりに、電源電位供給用電極14とGND電位供給用電極13とを内側電極部11として内側に、信号供給用電極15を外側電極部12として外側に、2列に配置することにより、半導体素子サイズの大型化を抑制しつつ、接続電極の狭ピッチ化を抑制することができる。また、外側に配置された信号供給用電極は、その外側の回路基板3上の信号供給用電極33と接続され、内側に配置されたGND電位供給用電極13および電源電位供給用電極14は、その内側の第2の半導体素子上のGND電位供給用電極21および電源電位供給用電極22とそれぞれ接続される構成とすることにより、ボンディングワイヤ7の配線の混雑が緩和され、配線同士が接触する危険性が低減される。さらには、図2および図3に示すように、回路基板3上に第1の半導体素子1および第2の半導体素子2が積層される方向を上とした場合、ボンディングワイヤ71aおよび72a、ボンディングワイヤ71bおよび72b、ボンディングワイヤ73は、それぞれ高さの異なる階層を通るように配置されているため、水平方向の配線の混雑緩和のみならず、垂直方向においても配線の混雑が緩和されている。具体的には、以下に説明する。第2の接続電極部20のGND電位供給用電極21に接続されているボンディングワイヤ71bおよび72bにおいて、GND電位供給用電極21の表面から上方に延出されている部分の長さをLbとし、電源電位供給用電極22に接続されているボンディングワイヤ71aおよび72aにおいて、電源電位供給用電極22の表面から上方に延出されている部分の長さをLaとすると、La>Lbとなっているため、ボンディングワイヤ71aおよび72aの方が、ボンディングワイヤ71bおよび72bよりも高い上方の層において水平方向に延ばされることとなる。また、第2の半導体素子2の裏面上において内側に配置されている電源電位供給用電極22に接続されるボンディングワイヤ71a、72aの方が延出距離が長いため、外側に配置されているGND電位供給用電極21に接続されているボンディングワイヤ71b、72bと高さ方向上下方向において交差することがないため、双方のボンディングワイヤが接触する危険性をさらに低減させることができる。さらには、外側電極部12が形成されている第1の半導体素子1は、第2の接続電極部20が形成されている第2の半導体素子2よりも下方に位置しているため、ボンディングワイヤ73は、ボンディングワイヤ71b、72bよりも低い下方の層において水平方向に延ばされることとなる。このようにして、垂直方向においても配線の混雑が緩和されている。以上説明したように、本実施の形態の半導体装置100の構成によると、半導体素子の大型化を抑制しつつ、接続電極間の狭ピッチ化を抑制して、良好な組立生産性および高い品質信頼性を備えた半導体装置を得ることができる。2.半導体装置の製造方法次に、本発明に係る半導体装置100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図4は、半導体装置100の製造工程を示したものである。図4a~図4gは、半導体装置100の右半分の概略断面図である。図4aは、第1の半導体素子1の表面上に、第2の半導体素子2がフリップチップ接続された状態を示す図である。同図に示す状態において、第1の半導体素子1表面上に複数の接続電極が形成されており、第2の半導体素子2の裏面上および表面上にもそれぞれ接続電極が形成され、双方の接続電極は、第2の半導体素子2内部の金属配線不図示により電気的に接続されている。そして、第2の半導体素子2の表面上の接続電極に、例えば、はんだ等により接続端子4が形成され、当該接続端子4と第1の半導体素子1表面上の接続電極とが対応するように、第1の半導体素子1上に第2の半導体素子2がフリップチップ接続される。次に、図4bに示すように、第2の半導体素子2表面および、第2の半導体素子2表面に形成された複数の接続端子4を保護するために、エポキシ樹脂等のアンダーフィル樹脂5を第1の半導体素子1と第2の半導体素子2との間の隙間に注入する。続いて、図4cに示すように、第2の半導体素子2がフリップチップ接続された第1の半導体素子1が回路基板3の表面上に実装される。同図において、回路基板3の表面には、例えば、銅Cu等の金属により複数の接続電極が形成されており、裏面には、例えば、銅Cu等の金属により、接続電極が格子状に配列されて形成されている。また、回路基板3表面上の配線パターンを保護するためにソルダーレジストが形成されている。そして、回路基板3表面上にエポキシ樹脂等からなる接着剤17により第1の半導体素子1が固定され搭載される。次に、図4dに示すように、第1の半導体素子1の表面上の外側電極部12の複数の信号供給用電極15と回路基板3表面上の第3の接続電極部30の複数の信号供給用電極33とが、Au等による金属性のボンディングワイヤ7により電気的に接続される。また、第2の半導体素子2の裏面上の第2の接続電極部20のGND電位供給用電極21と、回路基板3表面上の第3の接続電極部30のGND電位供給用電極31および第1の半導体素子1の表面上の内側電極部11のGND電位供給用電極13とが、Au等による金属性のボンディングワイヤ7により電気的に接続される。さらに、第2の半導体素子2の裏面上の第2の接続電極部20の電源電位供給用電極22と、回路基板3表面上の第3の接続電極部30の電源電位供給用電極32および第1の半導体素子1の表面上の内側電極部11の電源電位供給用電極14とが、Au等による金属性のボンディングワイヤ7により電気的に接続される。次に、図4eに示すように、第1の半導体素子1、第2の半導体素子2、およびボンディングワイヤ7を外部から保護するために、エポキシ樹脂等の封止樹脂16により被覆する。封止工法としては、例えば金型を用いたトランスファー成型方法や液状樹脂を用いた印刷工法等により、封止する。次に、図4fに示すように、回路基板3裏面上の接続電極表面上に、はんだ等により外部電極端子6が形成される。外部電極端子6の形成方法としては、例えば接続電極上にはんだボールの搭載或いは、はんだペーストの印刷を行い、リフロー等の温度を加えることで接続電極部分と溶着させて、外部電極端子6を形成する。次に、図4fにおいて破線18および19で示す位置において回路基板3を切断し、図4gに示すように、フレーム内に複数形成された半導体装置100を、個片に分割する。分割方法としては、例えばダイシングブレードを用いた方法や、金型による打ち抜き方法を用いてもよい。上記のような製造方法により、本発明の実施の形態に係る半導体装置100を提供する事ができる。<変形例>以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、上記実施形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る半導体装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれ、以下のような変形例を実施することが出来る。1上記実施の形態においては、第1の半導体素子1上に配置されるGND電位供給用電極13および電源電位供給用電極14は全て内側電極部11に配置される構成としたが、これに限られず、その一部のみが内側電極部に配置され、残りは外側電極部に配置されてもよい。例えば、図5に示す半導体装置200のように、電源電位供給用電極14は内側電極部11に配置されるが、GND電位供給用電極13は外側電極部12に配置されてもよい。この場合においても、電源電位供給用電極14およびGND電位供給用電極13を信号供給用電極15と共に全て一列に配置する場合と比較して、第1の半導体素子1上に配される接続電極の狭ピッチ化をある程度低減することができる。2また、図6に示す半導体装置300のように、GND電位供給用電極13が内側電極部11に配置され、電源電位供給用電極14が外側電極部12に配置されてもよい。この場合においても、上記変形例1の場合と同様、第1の半導体素子1上に配される接続電極の狭ピッチ化をある程度低減することができる。3上記実施の形態においては、ボンディングワイヤ73は、ボンディングワイヤ71よりも長く、ボンディングワイヤ72よりも数が多い。そこで、回路基板3上において、最も外側に配置されている信号供給用電極33を、図7に示す半導体装置400のように、GND電位供給用電極31および電源電位供給用電極32と配置を入れ替えて、GND電位供給用電極31および電源電位供給用電極32よりも内側、即ち、外側電極部12の信号供給用電極15に近い側に配置することにより、ボンディングワイヤ73のワイヤ長低減を図ることができる。この場合、ボンディングワイヤ72のワイヤ長は増加することとなるが、ボンディングワイヤ72はボンディングワイヤ73よりも数が少ないため、全体としてはボンディングワイヤ長の低減を図ることができる。4上記変形例3においては、第3の接続電極部30において、信号供給用電極33をGND電位供給用電極31および電源電位供給用電極32よりも内側に配置する例を示したが、これに限られない。例えば、図8に示す半導体装置500のように、信号供給用電極33と電源電位供給用電極32の配置を入れ替えて、信号供給用電極33が、GND電位供給用電極31と電源電位供給用電極32の間の位置に配置されてもよい。この場合においても、信号供給用電極33が最も外側に配置されている場合と比較して、ボンディングワイヤ73のワイヤ長をある程度低減することができる。5また、上記変形例4の構成において、図9に示す半導体装置600のように、GND電位供給用電極31と電源電位供給用電極32の配置が入れ替わってもよい。この場合においても、信号供給用電極33が最も外側に配置されている場合と比較して、ボンディングワイヤ73のワイヤ長をある程度低減することができる。6上記実施の形態および変形例1~5においては、回路基板3上の第3の接続電極部30におけるGND電位供給用電極31および電源電位供給用電極32は、環状四角環状の形状を有し、第1の半導体素子1の周囲に配置されるとしたが、これに限られない。例えば、図10に示す半導体装置700のように、三角形のパッド状の形状を有するGND電位供給用電極31および電源電位供給用電極32がそれぞれ一組ずつ回路基板3の対角領域に配置されてもよい。ここで、それぞれの組のGND電位供給用電極31および電源電位供給用電極32は、互いの間および信号供給用電極33との間に絶縁膜を介して配置されており、これにより、互いに絶縁されている。このとき、同図に示すように、電極の組と組との間に信号供給用電極33を配置することにより、回路基板3のサイズを低減させることができ、その結果、半導体装置700のサイズを低減させることができる。さらには、ボンディングワイヤ72のワイヤ長を低減させることができる。これにより、装置小型化およびコスト抑制に資することができる。なお、同図においては、GND電位供給用電極31および電源電位供給用電極32の形状は、組として配置しやすいように三角形としたが、これに限られない。例えば、四角形等の多角形や円形、不定形の形状であってもよい。7上記変形例6においては、GND電位供給用電極31および電源電位供給用電極32の両方が回路基板3の対角領域に配置されるとしたが、これに限られない。例えば、図11に示す半導体装置800のように、四角形のパッド状の電源電位供給用電極32が回路基板3の対角領域に配置され、四角環状のGND電位供給用電極31がその外側に配置されてもよい。この場合においても、環状の電源電位供給用電極32が配置された場合に要する回路基板3上のスペースを省略して、第3の接続電極部30を全体的に第1の半導体素子1により近い位置に配置することができるため、回路基板3のサイズをある程度低減させて、半導体装置800のサイズをある程度低減させることができ、これにより、装置小型化およびコスト抑制に資することができる。なお、同図においては、電源電位供給用電極32の形状は、四角形としたが、これに限られない。例えば、多角形や円形、不定形の形状であってもよい。8また、上記変形例7の構成において、図12に示す半導体装置900のように、GND電位供給用電極31と電源電位供給用電極32の配置が入れ替わってもよい。即ち、四角形のパッド状のGND電位供給用電極31が回路基板3の対角領域に配置され、四角環状の電源電位供給用電極32がその外側に配置されてもよい。この場合においても、上記変形例7と同様に、回路基板3のサイズをある程度低減させて、半導体装置800のサイズをある程度低減させることができ、これにより、装置小型化およびコスト抑制に資することができる。なお、同図においては、GND電位供給用電極31の形状は、四角形としたが、これに限られない。例えば、多角形や円形、不定形の形状であってもよい。上記変形例6、7、8における半導体装置700、800、900の製造の際には、実施の形態において説明した半導体装置100の製造方法において、電源電位供給用電極およびGND電位供給用電極のいずれか一方、または両方が、回路基板3表面における対角領域に位置するように形成される。9上記変形例7においては、GND電位供給用電極31は電源電位供給用電極32の外側に配置されるとしたが、これに限られず、電源電位供給用電極32および信号供給用電極33の内側に配置されてもよい。また、上記変形例8においては、電源電位供給用電極32はGND電位供給用電極31の外側に配置されるとしたが、これに限られず、GND電位供給用電極31および信号供給用電極33の内側に配置されてもよい。これらの場合、変形例7および変形例8の場合よりも回路基板3のサイズをより低減させて、半導体装置のサイズをより低減させることができる。10上記実施の形態および各変形例においては、第2の半導体素子2は、その表面上および裏面上に複数の接続電極が形成されており、裏面上の接続電極と表面上の接続電極とは、第2の半導体素子2内部の金属配線により接続されているとしたが、これに限られない。例えば、裏面上に第2の接続電極部20が形成された板状やブロック状等の形状を有する絶縁体が第1の半導体素子1上に接着剤等により固定されてもよい。この場合においては、接続端子4も省略することができる。当変形例の構成においても、第2の接続電極部20は、回路基板3の第3の接続電極部30から第1の半導体素子1上の第1の接続電極部10へと供給される電源電位およびGND電位の中継ポートとしての役割を果たすことができ、半導体素子1の外側電極部12に配置される接続電極の狭ピッチ化を低減させることができる。11上記実施の形態および各変形例においては、電源電位供給用およびGND電位供給用の接続電極が環状に形成されているが、信号供給用の接続電極と同様にパッド状の形状を有する複数個の電極で構成されてもよい。12上記変形例6、7、8においては、第3の接続電極部30において、電源電位供給用電極32およびGND電位供給用電極31のいずれか一方もしくは両方が、回路基板3の対角領域に配置され、その間に複数の信号供給用電極33が列状に配置されていたが、これに限られない。例えば、信号供給用電極33の列の両端を除くいずれかの位置に、さらに別の電源供給用電極が配置されていてもよい。さらには、第1の半導体素子の辺に沿って電源供給用電極と信号供給用電極とが同列に配置されていれば、電源供給用電極が各辺に沿って配置された電極の列の必ずしも両端部対角領域に配置されていなくてもよく、例えば、端部には信号供給用電極が1つ配置され、その隣に電源供給用電極が配置されてもよい。さらには、上記電源供給用電極と信号供給用電極との列は、第1の半導体素子の全周に亘って形成されていなくてもよく、その一部であってもよい。