"少なくとも、最表面にクロム化合物膜が形成されたフォトマスクブランク上に、化学増幅型レジスト組成物を塗布し、塗布膜に残存する過剰の溶剤成分を加熱により除去してレジスト膜を得る工程と、高エネルギー線をパターン露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含む最表面にクロム化合物膜が形成されたフォトマスクブランク上におけるレジストパターンの形成方法において、前記化学増幅型レジスト組成物として、少なくとも、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物アミンの窒素原子が芳香環の環構造に含まれるものを除くであり、該カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物の窒素原子は、それぞれ異なる炭素原子と結合する3本の単結合を持つものであるアミン化合物を1種又は2種以上を含有するものを用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法。上記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物として、下記一般式1で示されるカルボキシル基を有するアミン化合物を用いることを特徴とする請求項1に記載のレジストパターンの形成方法。式中、R1、R2はそれぞれ炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基のいずれかである。またR1とR2が結合して環構造を形成してもよい。R3は、水素、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基、ハロゲン基のいずれかである。R4は炭素数0~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基である。上記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物として、下記一般式3で示されるカルボキシル基を有するアミン化合物を用いることを特徴とする請求項1に記載のレジストパターンの形成方法。式中、R5は炭素数2~20の直鎖状又は分岐状の置換可アルキレン基であり、ただしアルキレン基の炭素-炭素間にカルボニル基、エーテル基、エステル基、スルフィドを1個あるいは複数個含んでいてもよい。また、R6は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基である。前記化学増幅型レジスト組成物として、更に、下記一般式4で示されるアミン化合物の1種又は2種以上を含有するものを用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレジストパターンの形成方法。式中、R7、R8、R9は、それぞれ水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基のいずれかである。またR7、R8、R9の2個が結合して環構造もしくは芳香族環を形成してもよい。前記化学増幅型レジスト組成物として、更に、下記一般式5で示されるアミンオキシド化合物の1種又は2種以上を含有するものを用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレジストパターンの形成方法。式中、R7、R8、R9は、それぞれ水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基のいずれかである。またR7、R8、R9の2個が結合して環構造もしくは芳香族環を形成してもよい。前記化学増幅型レジスト組成物として、更に、主要成分としてA1酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂B酸発生剤を含有するものを用いることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のレジストパターンの形成方法。前記化学増幅型レジスト組成物として、更に、主要成分としてA2アルカリ可溶性であり、酸触媒によりアルカリ不溶性となるベース樹脂、及び/または、アルカリ可溶性であり、酸触媒により架橋剤と反応してアルカリ不溶性になるベース樹脂と架橋剤の組み合わせB酸発生剤を含有するものを用いることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のレジストパターンの形成方法。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にKrFレーザー、ArFレーザー、F2レーザー、極短紫外線、電子線、X線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、上記塩基性成分を添加することにより、高解像性と共に、基板界面においても良好なパターン形状を与える、1酸触媒により酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となる化学増幅ポジ型レジスト材料、あるいは、2酸触媒によりアルカリ不溶性となる、及び/または、酸触媒により架橋剤と反応してアルカリ不溶性になる化学増幅ネガ型レジスト材料のレジスト材料を提供するとともに、これを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、レジスト材料に添加する塩基性成分としてカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物を使用することにより、高解像性を与え、基板界面においてもラインパターンの垂直性が大幅に改善することができ、しかもパターン形状由来の優れたエッチング耐性を与えるレジスト膜を形成し得ることを知見し、本発明をなすに至った。即ち、本発明は、少なくともカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物アミン及びアミンオキシドの窒素原子が芳香環の環構造に含まれるものを除くの1種又は2種以上を含有するものであることを特徴とする化学増幅型レジスト組成物である。アミノ基とカルボキシル基を持つ化合物の添加は、すでにアミノ酸や3-アミノピラジン-2-カルボン酸の添加が提案されている特許文献4が、より高い解像性を得る目的で使用した場合には、これらのものでは高解像性を得ることはできない。しかし、本発明のように塩基性成分としてカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物を用いた場合には、高解像性のみならず、基板表面の材料に対する依存性の小さな、良好なパターン形状を実現することができる。この場合、上記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物の窒素原子は、それぞれ異なる炭素原子と結合する3本の単結合を持つものであることが好ましい。そして、上記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物の好ましい一態様として、下記一般式1で示されるカルボキシル基を有するアミン化合物を挙げることができる。このようなアミン化合物の添加は、基板依存性の低い良好な形状のレジストパターンの形成に特に有利である。式中、R1、R2はそれぞれ炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基のいずれかである。またR1とR2が結合して環構造を形成してもよい。R3は、水素、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基、ハロゲン基のいずれかである。R4は炭素数0~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基である。また、上記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミンオキシド化合物の一態様として、下記一般式2で示されるカルボキシル基を有するアミンオキシド化合物を挙げることができる。このようなアミンオキシド化合物の添加も、基板依存性の低い良好な形状のレジストパターンの形成に特に有利である。式中、R1、R2はそれぞれ炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基のいずれかである。またR1とR2が結合して環構造を形成してもよい。R3は水素、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基、ハロゲン基のいずれかである。R4は炭素数0~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基である。上記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物の別態様としては、下記一般式3で示されるカルボキシル基を有するアミン化合物を挙げることができる。このようなアミン化合物の添加も、基板依存性の低い良好な形状のレジストパターンの形成に特に有利である。式中、R5は炭素数2~20の直鎖状又は分岐状の置換可アルキレン基であり、ただしアルキレン基の炭素-炭素間にカルボニル基、エーテル基、エステル基、スルフィドを1個あるいは複数個含んでいてもよい。また、R6は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基である。更に本発明のレジスト組成物には、下記一般式4で示されるアミン化合物の1種又は2種以上を更に含有させることもできる。ポリマーや酸発生剤等の組み合わせによっては、このような塩基を組み合わせることが有利な場合もある。式中、R7、R8、R9は、それぞれ水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基のいずれかである。またR7、R8、R9の2個が結合して環構造もしくは芳香族環を形成してもよい。また、下記一般式5で示されるアミンオキシド化合物の1種又は2種以上を更に含有させても良い。このようなアミンオキシド化合物との組み合わせが有利な場合もある。式中、R7、R8、R9は、それぞれ水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基のいずれかである。またR7、R8、R9の2個が結合して環構造もしくは芳香族環を形成してもよい。また本発明ではA1酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂B酸発生剤C塩基性成分として上記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物を主要成分として含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物が提供される。上記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物は、ポジ型レジスト組成物に添加する塩基性物質として極めて有効である。更に本発明は、A2アルカリ可溶性であり、酸触媒によりアルカリ不溶性となるベース樹脂、及び/または、アルカリ可溶性であり、酸触媒により架橋剤と反応してアルカリ不溶性になるベース樹脂と架橋剤の組み合わせB酸発生剤C塩基性成分として上記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物を主要成分として含有するものであることを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト組成物も提供される。上記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物は、ネガ型レジスト組成物に添加する塩基性物質としても極めて有効である。本発明では、少なくとも、上述のレジスト組成物を被加工基板上に塗布し、塗布膜に残存する過剰の溶剤成分を加熱により除去してレジスト膜を得る工程と、高エネルギー線をパターン露光する工程と、必要に応じて露光後加熱処理を行った後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法が提供される。本発明のレジストパターンの形成方法における特に有用な態様としては、上述のレジスト組成物をクロム化合物膜が形成されたマスクブランクス上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線によるフォトマスクを介したパターン露光、あるいは高エネルギー線ビームによるパターン露光を行う工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を挙げることができる。クロム化合物膜上では、クロム化合物との界面付近におけるレジストパターンの形状制御は極めて難しいが、本発明のレジストパターンの形成方法を用いることにより、好ましい形状のレジストパターンを形成することができる。本発明は、塩基性成分としてカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物をレジスト材料に配合することにより、高解像性を有し、基板界面においてもラインパターンの垂直性が大幅に改善することができ、パターン形状由来の優れたエッチング耐性を示す。特に、超LSI製造用、フォトマスク製造用の微細パターン形成材料として好適なカルボキシル基を有するアミン化合物又はアミンオキシド化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することが可能である。以下、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明者らは、レジスト材料への配合により、高い解像性と基板界面で良好なパターン形状を与える未知の化合物について鋭意検討を重ねた。その結果、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物を配合して用いれば、高い解像性と基板界面でも良好なパターン形状を与える化学増幅型フォトレジスト材料が得られた。このようなカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物としては、3つの異なる炭素原子が置換したアミンいわゆる3級アミン化合物またはそのオキシド化合物、2つの異なる炭素原子が置換したイミン化合物またはそのオキシド化合物等を挙げることができるが、なかでも下記一般式1~3で示されるカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物は、高収率かつ簡便に得られ、かつ配合効果が高いことを見出し、本発明を完成させたものである。特に、電子線で露光後、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像した場合、従来のレジスト材料では、基板界面において、ポジのスペースパターンではすそ引きで微細なパターンが解像しない、ネガのラインパターンではアンダーカットが顕著になり、せっかく微細なパターンを解像していても、現像後のアンダーカットに起因するパターン倒れにより、実質的に意味をなさない結果となることがある。本発明のレジスト材料を用いればこれを防止でき、改善効果が非常に高い。ここで、本発明のレジスト材料に配合される含窒素化合物としては、上述したように、下記一般式1~3の少なくともカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物が好ましいが、これに限られるものではなく、上記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物に加えて、通常用いられるカルボキシル基をもたないアミン化合物およびそれが酸化されたアミンオキシドアミンオキサイド構造を有する化合物をレジスト材料に配合してもよい。式中、R1、R2はそれぞれ炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基のいずれかである。またR1とR2が結合して環構造を形成してもよい。R3は水素、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基、ハロゲン基のいずれかである。R4は炭素数0~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基である。R5は炭素数2~20の直鎖状又は分岐状の置換可アルキレン基であり、ただしアルキレン基の炭素-炭素間にカルボニル基、エーテル基、エステル基、スルフィドを1個あるいは複数個含んでいてもよい。また、R6は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基である。上記の炭素数6~20のアリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、ナフタセニル基、フルオレニル基を、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、デシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、デカヒドロナフタレニル基を、炭素数7~20のアラルキル基として具体的には、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、アントラセニルメチル基を、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基としては具体的には、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基を、炭素数2~10のアルコキシアルキル基として具体的には、メトキシメチル基、2-メトキシエチル基、エトキシメチル基、2-エトキシエチル基、プロポキシメチル基、2-プロポキシエチル基、ブトキシメチル基、2-ブトキシエチル基、アミロキシメチル基、2-アミロキシエチル基、シクロヘキシルオキシメチル基、2-シクロヘキシルオキシエチル基、シクロペンチルオキシメチル基、2-シクロペンチルオキシエチル基及びそのアルキル部の異性体を、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基として具体的には、ホルミルオキシメチル基、アセトキシメチル基、プロピオニルオキシメチル基、ブチリルオキシメチル基、ピバロイルオキシメチル基、シクロヘキサンカルボニルオキシメチル基、デカノイルオキシメチル基を、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基として具体的には、メチルチオメチル基、エチルチオメチル基、プロピルチオメチル基、イソプロピルチオメチル基、ブチルチオメチル基、イソブチルチオメチル基、t-ブチルチオメチル基、t-アミルチオメチル基、デシルチオメチル基、シクロヘキシルチオメチル基を、それぞれ例示できるが、これらに限定されない。一般式1で示される本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。すなわち、o-ジメチルアミノ安息香酸、p-ジメチルアミノ安息香酸、m-ジメチルアミノ安息香酸、p-ジエチルアミノ安息香酸、p-ジプロピルアミノ安息香酸、p-ジブチルアミノ安息香酸、p-ジブチルアミノ安息香酸、p-ジペンチルアミノ安息香酸、p-ジヘキシルアミノ安息香酸、p-ジエタノールアミノ安息香酸、p-ジイソプロパノールアミノ安息香酸、p-ジメタノールアミノ安息香酸、2-メチル-4-ジエチルアミノ安息香酸、2-メトキシ-4-ジエチルアミノ安息香酸、3-ジメチルアミノ-2-ナフタレン酸、3-ジエチルアミノ-2-ナフタレン酸、2-ジメチルアミノ-5-ブロモ安息香酸、2-ジメチルアミノ-5-クロロ安息香酸、2-ジメチルアミノ-5-ヨード安息香酸、2-ジメチルアミノ-5-ヒドロキシ安息香酸、4-ジメチルアミノフェニル酢酸、4-ジメチルアミノフェニルプロピオン酸、4-ジメチルアミノフェニル酪酸、4-ジメチルアミノフェニルリンゴ酸、4-ジメチルアミノフェニルピルビン酸、4-ジメチルアミノフェニル乳酸、2-4-ジメチルアミノフェニル安息香酸、2-4-ジブチルアミノ-2-ヒドロキシベンゾイル安息香酸等が挙げられる。一般式2で示される本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミンオキシド化合物は上記の具体的に例示されたアミン化合物を酸化したものであるが、これらに限定されない。一般式3で示される本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。すなわち、1-ピペリジンプロピオン酸、1-ピペリジン酪酸、1-ピペリジンリンゴ酸、1-ピペリジンピルビン酸、1-ピペリジン乳酸等が挙げられる。一般式2で示されるアミンオキシド構造は、既存物質又は新規化合物であり、これらアミンオキシド構造を有する化合物は、化合物の構造に応じた最適な方法を選択して製造される。例として、窒素含有化合物の酸化剤を使用した酸化反応を用いる方法、あるいは含窒素化合物の過酸化水素水希釈溶液中での酸化反応を用いる方法を例示できるが、これらに限定されない。以下、詳しく説明する。窒素含有アルコール化合物のエステル化反応による製造法は、例えば下記に示すとおりであり、一般式2で示される化合物の合成へも適用可能である。上記式中、本反応は酸化剤m-クロロ過安息香酸を用いたアミンの酸化反応であり、酸化反応の常法となる他の酸化剤を用いて反応を行うこともできる。反応後は、反応混合物を必要に応じて蒸留、クロマトグラフフィー、再結晶などの常法により精製することができる詳細は特開2008-102383号公報参照。本発明によれば、これらの分子内にカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物において、窒素原子に置換された官能基の存在により発生酸の速やかな捕捉を実現せしめ、一方カルボキシル基が基板側に配列され発生酸が基板へ拡散して失活することを防止すると予想され、これらの結果として本発明のカルボキシル基を有するアミン化合物又はアミンオキシド化合物を添加したフォトレジストにおける高解像性と基板界面での垂直性に優れたパターン形状を達成可能にするものと考えられる。また、本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物の可能な構造の中から適切なものを選ぶことにより、本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物の揮発性、塩基性度、酸の捕捉速度、レジスト中での拡散速度などを、用いるレジストポリマー及び酸発生剤の組み合わせに応じて適当に調節することができ、ひいてはパターン形状などのレジスト材料の性質を最適に調整することができるカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド添加剤を提供可能にするものと考えられる。第1級アミンのように塩基性中心である窒素に共有結合する水素を有するアミン化合物は上記基板に対するすそ引きおよびアンダーカットの改善効果がなく、効果を最大限発揮するには塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含まない第3級アミンが好ましい。また、2-キノリンカルボン酸やニコチン酸のような芳香環に含まれる窒素を有するアミン化合物は塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含まないが、弱塩基であるためカルボキシル基が基板側にうまく配列されないと考えられる。このため、発生酸が基板へ拡散して失活することを防止することが出来ない。本発明のレジスト組成物で使用される有機溶剤としては、ベース樹脂、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、メチル-n-アミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジメチルエーテルや1-エトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく使用される。有機溶剤の使用量は、ベース樹脂100部に対して200~5,000部、特に400~3600部が好適である。本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物は、上述したようにレジスト材料に配合されて用いられるが、化学増幅型レジスト材料としては、ポジ型でもネガ型でもよく、化学増幅ポジ型材料としては、典型的には、上記溶剤の他A-1酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、B酸発生剤Cカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物アミンの窒素原子は芳香環構造に含まれない、あるいはカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物とカルボキシル基を含有しない塩基性化合物との混合物を含有する。本発明で化学増幅ポジ型レジスト用として使用されるA-1成分のベースポリマーベース樹脂は、KrFエキシマレーザー用レジスト用、または電子線用レジスト用としては、ポリヒドロキシスチレンPHS、及びPHSとスチレン、メタアクリル酸エステルその他重合性オレフィン化合物などとの共重合体例えば特開2005-326833号公報、ArFエキシマレーザー用レジストとしては、メタアクリル酸エステル系、シクロオレフィンと無水マレイン酸との交互共重合系及び更にビニルエーテル類又はメタアクリル酸エステルを含む共重合系例えば特開2008-111103号公報、ポリノルボルネン系、シクロオレフィン開環メタセシス重合系、F2レーザー用として上記KrF、ArF用ポリマーのフッ素置換体のほかフッ素化ジエンを用いた閉環重合系ポリマーなど、2層レジスト用としては上記ポリマーの珪素置換体及びポリシルセスキオキサンポリマーなど極めて多数が知られているが、いずれをも用いることができるし、これらの重合系ポリマーに限定されることもない。ベースポリマーは単独であるいは2種以上混合して用いることができる。ポジ型レジストの場合、フェノールあるいはカルボキシル基あるいはフッ素化アルキルアルコールの水酸基を酸不安定基で置換することによって、未露光部の溶解速度を下げる場合が一般的である。ベースポリマーの酸不安定基は、種々選定されるが、特に下記式P1、P2で示される炭素数2~30のアセタール基、炭素数4~30の3級アルキル基等であることが好ましい。上記式P1、P2においてR11、R12は水素原子又は炭素数1~20、特に1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、R13、R14、R15、R16は炭素数1~20、特に1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよい。またR11とR12、R11とR13、R12とR13、R14とR15、R14とR16、R15とR16はそれぞれ結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に炭素数3~20、特に3~12の環を形成してもよい。式P1で示されるアセタール基として具体的には、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、t-ブトキシメチル基、1-メトキシエチル基、1-メトキシプロピル基、1-メトキシブチル基、1-エトキシエチル基、1-エトキシプロピル基、1-エトキシブチル基、1-プロポキシエチル基、1-プロポキシプロピル基、1-プロポキシブチル基、1-シクロペンチルオキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、2-メトキシイソプロピル基、2-エトキシイソプロピル基、1-フェノキシエチル基、1-ベンジルオキシエチル基、1-フェノキシプロピル基、1-ベンジルオキシプロピル基、1-アダマンチルオキシエチル基、1-アダマンチルオキシプロピル基、2-テトラヒドロフリル基、2-テトラヒドロ-2H-ピラニル基、1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシエトキシエチル基、1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシエトキシプロピル基、1-[2-1-アダマンチルカルボニルオキシエトキシ]エチル基、1-[2-1-アダマンチルカルボニルオキシエトキシ]プロピル基を例示できるがこれらに限定されない。式P2で示される3級アルキル基として具体的には、t-ブチル基、t-ペンチル基、1-エチル-1-メチルプロピル基、1,1-ジエチルプロピル基、1,1,2-トリメチルプロピル基、1-アダマンチル-1-メチルエチル基、1-メチル-1-2-ノルボルニルエチル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、1-メチル-1-7-オキサナルボルナン-2-イルエチル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-プロピルシクロペンチル基、1-シクロペンチルシクロペンチル基、1-シクロヘキシルシクロペンチル基、1-2-テトラヒドロフリルシクロペンチル基、1-7-オキサナルボルナン-2-イルシクロペンチル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-シクロペンチルシクロヘキシル基、1-シクロヘキシルシクロヘキシル基、2-メチル-2-ノルボニル基、2-エチル-2-ノルボニル基、8-メチル-8-トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル基、8-エチル-8-トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル基、3-メチル-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5,17,10]ドデシル基、3-エチル-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5,17,10]ドデシル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、1-メチル-3-オキソ-1-シクロヘキシル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、5-ヒドロキシ-2-メチル-2-アダマンチル基、5-ヒドロキシ-2-エチル-2-アダマンチル基を例示できるが、これらに限定されない。また、ベース樹脂の水酸基の一部が一般式P3aあるいはP3bで表される酸不安定基によって分子間あるいは分子内架橋されていてもよい。上記式中、R17、R18は水素原子又は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R17とR18は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはR17、R18は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R19は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、bは0又は1~10の整数である。Aは、a1価の炭素数1~50の鎖状もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又は水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。aは1~7の整数である。一般式P3a、P3bに示される架橋型アセタールとして、具体的には下記P3-1~P3-8が挙げられるが、これらに限定されない。ベースポリマーの質量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフフィーGPCによる測定法でポリスチレン換算2,000~100,000とすることが好ましく、2,000に満たないと成膜性、解像性に劣る場合があり、100,000を超えると解像性に劣るかあるいはパターン形成時に異物が発生する場合がある。本発明で化学増幅ネガ型レジスト用として使用されるA-2成分のベースポリマーは、KrFエキシマレーザー用レジスト用、または電子線用レジスト用としては、ポリヒドロキシスチレンPHS、及びPHSとスチレン、メタアクリル酸エステルその他重合性オレフィン化合物などとの共重合体が挙げられ、ArFエキシマレーザー用レジストとしては、メタアクリル酸エステル系、シクロオレフィンと無水マレイン酸との交互共重合系及び更にビニルエーテル類又はメタアクリル酸エステルを含む共重合系、ポリノルボルネン系、シクロオレフィン開環メタセシス重合系が挙げられ、F2レーザー用として上記KrF、ArF用ポリマーのフッ素置換体のほかフッ素化ジエンを用いた閉環重合系ポリマーなどが挙げられ、2層レジスト用としては上記ポリマーの珪素置換体及びポリシルセスキオキサンポリマーなどが挙げられるが、これらの重合系ポリマーに限定されることはない。ベースポリマーは単独であるいは2種以上混合して用いることができる。ネガ型レジストの場合、フェノールあるいはカルボキシル基あるいはフッ素化アルキルアルコールの水酸基を用いてアルカリ可溶性を得ると共に、酸が発生した際に、ポリマー中に求電子的に他のユニットとの間で結合を形成できる置換基、例えばエポキシ基やアセタール基を持つユニット、又は架橋剤によりポリマー間を架橋させることによって、露光部の溶解速度を下げる場合が一般的である。KrFエキシマレーザー用あるいは電子線用に用いられるベースポリマーの好ましく用い得る例特開2006-201532号公報を以下に示す。この例では、フェノール性水酸基の酸性によってアルカリ可溶性が得られ、例えばXにグリシジル基を使用すれば、酸触媒下でのポリマー間の架橋反応性を付与することができる。また、架橋反応性を与えるユニットは、アクリル酸エステルのエステル基に持たせたものを共重合しても良い。また、アルカリ可溶性ベース樹脂を架橋剤と組み合わせて用いる場合には、ベースポリマーに求電子反応性を持たせなくてもよい。上記化学増幅ネガ型レジストに配合される架橋剤としては、光酸発生剤より発生した酸でアルカリ可溶性ベースポリマーの分子内及び分子間を架橋するものであれば、いずれのものでも構わない。好適な架橋剤としては、アルコキシメチルグリコールウリル類、アルコキシメチルメラミン類がある。好ましいアルコキシメチルメラミン類としては、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサエトキシメチルメラミンが挙げられる。本発明の化学増幅型レジスト組成物のB成分として、高エネルギー線により分解して中性物質から酸性物質となる酸発生剤、所謂光酸発生剤が含まれる。ここでは光に限らず高エネルギー線一般によって酸を発生するものを光酸発生剤と呼ぶが、これは熱硬化樹脂等に使用する熱酸発生剤と区別するための呼び方である。光酸発生剤の成分としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であれば基本的にはいずれのものも使用可能である。常用される光酸発生剤としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシジカルボキシイミド、O-アリールスルホニルオキシム、O-アルキルスルホニルオキシム等の光酸発生剤等がある。以下に好適なものについて詳述するが、これらは単独又は2種以上を混合して用いることができる。スルホニウム塩は、スルホニウムカチオンとスルホネート又はビス置換アルキルスルホニルイミド、トリス置換アルキルスルホニルメチドの塩であり、スルホニウムカチオンとしてトリフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、ジフェニル4-チオフェノキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルビス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、トリス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-メチルフェニルフェニルスルホニウム、ビス4-tert-ブチルフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-メチルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウム、トリスフェニルメチルスルホニウム、2-ナフチルジフェニルスルホニウム、ジメチル2-ナフチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、4-メトキシフェニルジメチルスルホニウム、トリメチルスルホニウム、2-オキソシクロヘキシルシクロヘキシルメチルスルホニウム、トリナフチルスルホニウム、トリベンジルスルホニウム、ジフェニルメチルスルホニウム、ジメチルフェニルスルホニウム、2-オキソプロピルチアシクロペンタニウム、2-オキソブチルチアシクロペンタニウム、2-オキソ-3,3-ジメチルブチルチアシクロペンタニウム、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム、4-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、2-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム等が挙げられ、スルホネートとしては、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ヘプタフルオロプロパンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-p-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-p-トルエンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-p-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、5-p-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、8-p-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等が挙げられ、ビス置換アルキルスルホニルイミドとしてはビストリフルオロメチルスルホニルイミド、ビスペンタフルオロエチルスルホニルイミド、ビスヘプタフルオロプロピルスルホニルイミド、パーフルオロ1,3-プロピレンビススルホニルイミド等が挙げられ、トリス置換アルキルスルホニルメチドとしてはトリストリフルオロメチルスルホニルメチドが挙げられ、これらの組み合わせのスルホニウム塩が挙げられる。ヨードニウム塩はヨードニウムカチオンとスルホネート又はビス置換アルキルスルホニルイミド、トリス置換アルキルスルホニルメチドの塩であり、ヨードニウムカチオンとしてはジフェニルヨードニウム、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム、4-tert-ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウム等が挙げられ、スルホネートとしてはトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ヘプタフルオロプロパンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-p-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-p-トルエンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-p-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、5-p-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、8-p-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等が挙げられ、ビス置換アルキルスルホニルイミドとしてはビストリフルオロメチルスルホニルイミド、ビスペンタフルオロエチルスルホニルイミド、ビスヘプタフルオロプロピルスルホニルイミド、パーフルオロ1,3-プロピレンビススルホニルイミド等が挙げられ、トリス置換アルキルスルホニルメチドとしてはトリストリフルオロメチルスルホニルメチドが挙げられ、これらの組み合わせのヨードニウム塩が挙げられる。スルホニルジアゾメタンとしては、ビスエチルスルホニルジアゾメタン、ビス1-メチルプロピルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチルプロピルスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスパーフルオロイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-アセチルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-メタンスルホニルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-p-トルエンスルホニルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス3,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-5-イソプロピル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-ナフチルスルホニルジアゾメタン、4-メチルフェニルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、tert-ブチルカルボニル-4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、2-ナフチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、4-メチルフェニルスルホニル-2-ナフトイルジアゾメタン、メチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、tert-ブトキシカルボニル-4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタンとスルホニルカルボニルジアゾメタンが挙げられる。N-スルホニルオキシジカルボキシイミド型光酸発生剤としては、コハク酸イミド、ナフタレンジカルボキシイミド、フタル酸イミド、シクロヘキシルジカルボキシイミド、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド、7-オキサビシクロ[2.2.1]-5-ヘプテン-2,3-ジカルボキシイミド等のイミド骨格とトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ヘプタフルオロプロパンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-p-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-p-トルエンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-p-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、5-p-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、8-p-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等の組み合わせの化合物が挙げられる。O-アリールスルホニルオキシム化合物又はO-アルキルスルホニルオキシム化合物オキシムスルホネート型光酸発生剤としては、グリオキシム誘導体型、チオフェンやシクロヘキサジエンを介した共役系の長いオキシムスルホネート型、トリフルオロメチル基のような電子吸引基で化合物の安定性を増したオキシムスルホネート型、フェニルアセトニトリル、置換アセトニトリル誘導体を用いたオキシムスルホネート型、また、ビスオキシムスルホネート型等が挙げられる。グリオキシム誘導体型の光酸発生剤としては、ビス-O-p-トルエンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-p-トルエンスルホニル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-O-p-トルエンスルホニル-α-ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス-O-p-トルエンスルホニル-2,3-ペンタンジオン=ジオキシム、ビス-O-n-ブタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-n-ブタンスルホニル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-O-n-ブタンスルホニル-α-ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス-O-メタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-トリフルオロメタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-2,2,2-トリフルオロエタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-10-カンファースルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-ベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-4-フルオロベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-キシレンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-トリフルオロメタンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-2,2,2-トリフルオロエタンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-10-カンファースルホニル-ニオキシム、ビス-O-ベンゼンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-4-フルオロベンゼンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-キシレンスルホニル-ニオキシム等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。チオフェンやシクロヘキサジエンを介した共役系の長いオキシムスルホネート型光酸発生剤として、5-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-10-カンファースルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-n-オクタンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-10-カンファースルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-n-オクタンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-4-p-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-2,5-ビスp-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。トリフルオロメチル基のような電子吸引基で化合物の安定性を増したオキシムスルホネート型酸発生剤として、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-4-メトキシベンゼンスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-1-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-2-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-メチルフェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニルエタノン=O-1-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニルエタノン=O-2-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニルエタノン=O-1-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニルエタノン=O-2-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルチオフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-3,4-ジメトキシフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-4-メチルフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-4-メトキシフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-4-ドデシルフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-オクチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニルエタノン=O-4-メトキシフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニルエタノン=O-4-ドデシルフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニルエタノン=O-オクチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニルエタノン=O-2-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-メチルフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニルエタノン=O-フェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-クロロフェニルエタノン=O-フェニルスルホニルオキシム、2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロ-1-フェニルブタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-1-ナフチルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-ナフチルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-ベンジルフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-フェニル-1,4-ジオキサ-ブト-1-イルフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-1-ナフチルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-ナフチルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-ベンジルフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルスルホニルフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルスルホニルオキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルカルボニルオキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-6H,7H-5,8-ジオキソナフト-2-イルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシカルボニルメトキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシカルボニル-4-アミノ-1-オキサ-ペンタ-1-イルフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-3,5-ジメチル-4-エトキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-ベンジルオキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-チオフェニルエタノン=O-プロピルスルホネートオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-1-ジオキサチオフェン-2-イルエタノン=O-プロピルスルホネートオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメタンスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-トリフルオロメタンスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-1-プロパンスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-1-ブタンスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-ブチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-4-4-メチルフェニルスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-4-4-メチルフェニルスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-2,5-ビス4-メチルフェニルスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-2,5-ビス4-メチルフェニルスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシム等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。また、下記式Ox-1で示されるオキシムスルホネートが挙げられる。式中、R401は置換又は非置換の炭素数1~10のハロアルキルスルホニル基又はハロベンゼンスルホニル基を表す。R402は炭素数1~11のハロアルキル基を表す。Ar401は置換又は非置換の芳香族基又はヘテロ芳香族基を表す。具体的には、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノペンチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノブチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノペンチル-4-ビフェニル、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノブチル-4-ビフェニル、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシル-4-ビフェニルなどが挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。置換アセトニトリル誘導体を用いたオキシムスルホネート型として、α-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-p-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-4-ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-4-ニトロ-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-クロロフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,4-ジクロロフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,6-ジクロロフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-2-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2-チエニルアセトニトリル、α-4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-4-トルエンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トシルオキシイミノ-3-チエニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。また、ビスオキシムスルホネートとして、ビスα-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-メタンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリルビスα-ブタンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-10-カンファースルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-トリフルオロメタンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-4-メトキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-メタンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-ブタンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-10-カンファースルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-トリフルオロメタンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-4-メトキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。上記のうち、感度と安定性が好ましく得られるものとしては、スルホニウム塩、ビススルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネートを挙げることができる。上述のうち、より好ましい具体例としては、スルホニウム塩ではトリフェニルスルホニウム=p-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=4-p-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム=p-トルエンスルホネート、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム=4-p-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トリス4-メチルフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、10-フェニルフェノキサチイニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=トリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ペンタフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ヘプタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=トリデカフルオロヘキサンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=ヘプタフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-ヒドロキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-ヒドロキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等を挙げることができる。また、ビススルホニルジアゾメタン類としては、ビスtert-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロへキシルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス3,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-5-イソプロピル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-tert-ブチルフェニルスルホニルジアゾメタンを挙げることができる。更に、N-スルホニルオキシイミド類としては、N-カンファースルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸イミド、N-p-トルエンスルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸イミド、5-10-カンファースルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル等が挙げられる。そして、オキシム-O-スルホネート類としては、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=パーフルオロ1,3-プロピレンビススルホニルイミド、トリフェニルスルホニウム=ビスペンタフルオロエチルスルホニルイミド、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノペンチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノブチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホニルオキシイミノペンチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホニルオキシイミノブチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシルフルオレン等が挙げられる。本発明の化学増幅型レジスト材料における光酸発生剤の添加量は特に制限されないが、レジスト材料中のベース樹脂即ちA成分100質量部に対して0.4~20質量部、好ましくは0.8~15質量部である。光酸発生剤添加量と塩基性物質の添加量を同時に増加させることで感度の確保とラインエッジラフネスの低減が期待できるが、一般に20質量部を超える場合には、さらなる感度向上効果が低く不経済となるおそれがある。また、0.4質量部未満である場合、要求感度を満たすためには塩基性物質量を低く抑えなければならないため、形成されるレジストパターンのラフネスが大きくなるおそれがある。特に放射線照射用や電子線照射用のレジスト膜とする場合には、光酸発生剤の添加による膜中での照射線のエネルギー減衰が問題にならない一方、高感度が得難いため、光酸発生剤の添加量はエキシマレーザー光を使用する場合に比べて高濃度に添加され、2.0~20質量部程度加えられることが好ましい。本発明の化学増幅型レジスト組成物に配合されるC成分である、塩基性成分としては上述のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物を単独、またはそれらを混合して使用してもよいが、上述の本発明者らにより推定されたメカニズムにより、カルボキシル基を有しないもの等、その他の塩基性化合物と混合して用いることもできる。混合して用いる場合のカルボキシル基を有しない塩基性化合物としては、従来からレジスト材料、特に化学増幅レジスト材料で用いられている公知のいずれの含窒素有機化合物であってもよく、例示すると、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド類、イミド類、カーバメート類等が挙げられる。具体的には、第一級の脂肪族アミン類として、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、n-プロピルアミン、イソプロピルアミン、n-ブチルアミン、イソブチルアミン、sec-ブチルアミン、tert-ブチルアミン、ペンチルアミン、tert-アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示され、第二級の脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ-n-ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ-sec-ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N-ジメチルメチレンジアミン、N,N-ジメチルエチレンジアミン、N,N-ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示され、第三級の脂肪族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ-sec-ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。また、混成アミン類としては、例えばジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体例えばアニリン、N-メチルアニリン、N-エチルアニリン、N-プロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、2-ニトロアニリン、3-ニトロアニリン、4-ニトロアニリン、2,4-ジニトロアニリン、2,6-ジニトロアニリン、3,5-ジニトロアニリン、N,N-ジメチルトルイジン等、ジフェニルp-トリルアミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体例えばピロール、2H-ピロール、1-メチルピロール、2,4-ジメチルピロール、2,5-ジメチルピロール、N-メチルピロール等、オキサゾール誘導体例えばオキサゾール、イソオキサゾール等、チアゾール誘導体例えばチアゾール、イソチアゾール等、イミダゾール誘導体例えばイミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール等、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体例えばピロリン、2-メチル-1-ピロリン等、ピロリジン誘導体例えばピロリジン、N-メチルピロリジン、ピロリジノン、N-メチルピロリドン等、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、4-1-ブチルペンチルピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、3-メチル-2-フェニルピリジン、4-tert-ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、4-ピロリジノピリジン、2-1-エチルプロピルピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、1H-インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体例えばキノリン、3-キノリンカルボニトリル等、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,10-フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。また、スルホニル基を有する含窒素化合物として3-ピリジンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示され、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物としては、2-ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、2,4-キノリンジオール、3-インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、2,2’-イミノジエタノール、2-アミノエタノ-ル、3-アミノ-1-プロパノール、4-アミノ-1-ブタノール、4-2-ヒドロキシエチルモルホリン、2-2-ヒドロキシエチルピリジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン、1-[2-2-ヒドロキシエトキシエチル]ピペラジン、ピペリジンエタノール、1-2-ヒドロキシエチルピロリジン、1-2-ヒドロキシエチル-2-ピロリジノン、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、3-ピロリジノ-1,2-プロパンジオール、8-ヒドロキシユロリジン、3-クイヌクリジノール、3-トロパノール、1-メチル-2-ピロリジンエタノール、1-アジリジンエタノール、N-2-ヒドロキシエチルフタルイミド、N-2-ヒドロキシエチルイソニコチンアミド等が例示される。アミド類としては、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、1-シクロヘキシルピロリドン等が例示される。イミド類としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。カーバメート類としては、N-t-ブトキシカルボニル-N,N-ジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、オキサゾリジノン等が例示される。更に、下記一般式B-1で示される含窒素有機化合物が例示される。NX’nY3-nB-1上式中、n=1、2又は3である。側鎖X ́は同一でも異なっていてもよく、下記一般式X’1~X’3で表すことができる。側鎖Yは同一又は異種の、水素原子、又は直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1~20のアルキル基を示し、エーテル基もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、X’同士が結合して環を形成してもよい。ここで、R300、R302、R305は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R301、R304は水素原子、又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、ラクトン環いずれかを1あるいは複数含んでいてもよい。R303は単結合、又は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R306は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、ラクトン環を1あるいは複数含んでいてもよい。上記一般式B-1で表される化合物として具体的には、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチル]アミン、4,7,13,16,21,24-ヘキサオキサ-1,10-ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサン、4,7,13,18-テトラオキサ-1,10-ジアザビシクロ[8.5.5]エイコサン、1,4,10,13-テトラオキサ-7,16-ジアザビシクロオクタデカン、1-アザ-12-クラウン-4、1-アザ-15-クラウン-5、1-アザ-18-クラウン-6、トリス2-ホルミルオキシエチルアミン、トリス2-アセトキシエチルアミン、トリス2-プロピオニルオキシエチルアミン、トリス2-ブチリルオキシエチルアミン、トリス2-イソブチリルオキシエチルアミン、トリス2-バレリルオキシエチルアミン、トリス2-ピバロイルオキシエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-アセトキシアセトキシエチルアミン、トリス2-メトキシカルボニルオキシエチルアミン、トリス2-tert-ブトキシカルボニルオキシエチルアミン、トリス[2-2-オキソプロポキシエチル]アミン、トリス[2-メトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス2-メトキシカルボニルエチルアミン、トリス2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-メトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-メトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-ヒドロキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-アセトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-[メトキシカルボニルメトキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-[メトキシカルボニルメトキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-オキソプロポキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-オキソプロポキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-[2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルオキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-[2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルオキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-4-ヒドロキシブトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル2-4-ホルミルオキシブトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル2-2-ホルミルオキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-メトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N-2-ヒドロキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-アセトキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-ヒドロキシエチルビス[2-エトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-アセトキシエチルビス[2-エトキシカルボニルエチル]アミン、N-3-ヒドロキシ-1-プロピルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-3-アセトキシ-1-プロピルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-メトキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-ブチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-ブチルビス[2-2-メトキシエトキシカルボニルエチル]アミン、N-メチルビス2-アセトキシエチルアミン、N-エチルビス2-アセトキシエチルアミン、N-メチルビス2-ピバロイルオキシエチルアミン、N-エチルビス[2-メトキシカルボニルオキシエチル]アミン、N-エチルビス[2-tert-ブトキシカルボニルオキシエチル]アミン、トリスメトキシカルボニルメチルアミン、トリスエトキシカルボニルメチルアミン、N-ブチルビスメトキシカルボニルメチルアミン、N-ヘキシルビスメトキシカルボニルメチルアミン、β-ジエチルアミノ-δ-バレロラクトンが例示される。更に、下記一般式B-2に示される環状構造を持つ含窒素有機化合物が例示される。上式中、X’は前述の通り、R307は炭素数2~20の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、カルボニル基、エーテル基、エステル基、スルフィドを1個あるいは複数個含んでいてもよい。上記一般式B-2として具体的には、1-[2-メトキシメトキシエチル]ピロリジン、1-[2-メトキシメトキシエチル]ピペリジン、4-[2-メトキシメトキシエチル]モルホリン、1-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピロリジン、1-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピペリジン、4-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]モルホリン、酢酸2-1-ピロリジニルエチル、酢酸2-ピペリジノエチル、酢酸2-モルホリノエチル、ギ酸2-1-ピロリジニルエチル、プロピオン酸2-ピペリジノエチル、アセトキシ酢酸2-モルホリノエチル、メトキシ酢酸2-1-ピロリジニルエチル、4-[2-メトキシカルボニルオキシエチル]モルホリン、1-[2-t-ブトキシカルボニルオキシエチル]ピペリジン、4-[2-2-メトキシエトキシカルボニルオキシエチル]モルホリン、3-1-ピロリジニルプロピオン酸メチル、3-ピペリジノプロピオン酸メチル、3-モルホリノプロピオン酸メチル、3-チオモルホリノプロピオン酸メチル、2-メチル-3-1-ピロリジニルプロピオン酸メチル、3-モルホリノプロピオン酸エチル、3-ピペリジノプロピオン酸メトキシカルボニルメチル、3-1-ピロリジニルプロピオン酸2-ヒドロキシエチル、3-モルホリノプロピオン酸2-アセトキシエチル、3-1-ピロリジニルプロピオン酸2-オキソテトラヒドロフラン-3-イル、3-モルホリノプロピオン酸テトラヒドロフルフリル、3-ピペリジノプロピオン酸グリシジル、3-モルホリノプロピオン酸2-メトキシエチル、3-1-ピロリジニルプロピオン酸2-2-メトキシエトキシエチル、3-モルホリノプロピオン酸ブチル、3-ピペリジノプロピオン酸シクロヘキシル、α-1-ピロリジニルメチル-γ-ブチロラクトン、β-ピペリジノ-γ-ブチロラクトン、β-モルホリノ-δ-バレロラクトン、1-ピロリジニル酢酸メチル、ピペリジノ酢酸メチル、モルホリノ酢酸メチル、チオモルホリノ酢酸メチル、1-ピロリジニル酢酸エチル、モルホリノ酢酸2-メトキシエチル、2-メトキシ酢酸2-モルホリノエチル、2-2-メトキシエトキシ酢酸2-モルホリノエチル、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]酢酸2-モルホリノエチル、ヘキサン酸2-モルホリノエチル、オクタン酸2-モルホリノエチル、デカン酸2-モルホリノエチル、ラウリン酸2-モルホリノエチル、ミリスチン酸2-モルホリノエチル、パルミチン酸2-モルホリノエチル、ステアリン酸2-モルホリノエチルが例示される。更に、一般式B-3~B-6で表されるシアノ基を含む含窒素有機化合物が例示される。上式中、X’、R307、nは前述の通り、R308、R309は同一又は異種の炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。上記一般式B-3~B-6で表されるシアノ基を含む含窒素有機化合物として具体的には、3-ジエチルアミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-アセトキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-メトキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-シアノエチル-N-2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-アセトキシエチル-N-2-シアノエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-シアノエチル-N-エチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-アセトキシエチル-N-2-シアノエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-メトキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-3-ヒドロキシ-1-プロピル-3-アミノプロピオノニトリル、N-3-アセトキシ-1-プロピル-N-2-シアノエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-3-ホルミルオキシ-1-プロピル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-テトラヒドロフルフリル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-シアノエチル-3-アミノプロピオノニトリル、ジエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-アセトキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-メトキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]アミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-シアノメチル-N-2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-アセトキシエチル-N-シアノメチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-シアノメチル-N-2-ヒドロキシエチルアミノアセトニトリル、N-2-アセトキシエチル-N-シアノメチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-2-ホルミルオキシエチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-2-メトキシエチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-[2-メトキシメトキシエチル]アミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-3-ヒドロキシ-1-プロピルアミノアセトニトリル、N-3-アセトキシ-1-プロピル-N-シアノメチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-3-ホルミルオキシ-1-プロピルアミノアセトニトリル、N,N-ビスシアノメチルアミノアセトニトリル、1-ピロリジンプロピオノニトリル、1-ピペリジンプロピオノニトリル、4-モルホリンプロピオノニトリル、1-ピロリジンアセトニトリル、1-ピペリジンアセトニトリル、4-モルホリンアセトニトリル、3-ジエチルアミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-アセトキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、3-ジエチルアミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-アセトキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、1-ピロリジンプロピオン酸シアノメチル、1-ピペリジンプロピオン酸シアノメチル、4-モルホリンプロピオン酸シアノメチル、1-ピロリジンプロピオン酸2-シアノエチル、1-ピペリジンプロピオン酸2-シアノエチル、4-モルホリンプロピオン酸2-シアノエチルが例示される。更に、下記一般式B-7で表されるイミダゾール骨格及び極性官能基を有する含窒素有機化合物が例示される。上式中、R310は炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としては水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基、シアノ基、アセタール基のいずれかを1個あるいは複数個含む。R311、R312、R313はそれぞれ水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基、アラルキル基のいずれかである。更に、下記一般式B-8で示されるベンズイミダゾール骨格及び極性官能基を有する含窒素有機化合物が例示される。上式中、R314は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基、又はアラルキル基である。R315は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としてエステル基、アセタール基、シアノ基のいずれかを一つ以上含み、その他に水酸基、カルボニル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基のいずれかを一つ以上含んでいてもよい。更に、下記一般式B-9及びB-10で示される極性官能基を有する含窒素複素環化合物が例示される。上式中、Aは窒素原子又は≡C-R322である。Bは窒素原子又は≡C-R323である。R316は炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としては水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基、シアノ基又はアセタール基を一つ以上含む。R317、R318、R319、R320は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はアリール基であるか、又はR317とR318、R319とR320はそれぞれ結合してベンゼン環、ナフタレン環あるいはピリジン環を形成してもよい。R321は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はアリール基である。R322、R323は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はアリール基である。R321とR323は結合してベンゼン環又はナフタレン環を形成してもよい。なお≡は3重結合を表わすものではなく単に3つの結合性軌道を表わす記号であり、ここでは隣接するNとBとの結合を合わせたものを示す。更に、下記一般式B-11~B-14で示される芳香族カルボン酸エステル構造を有する含窒素有機化合物が例示される。上式中、R324は炭素数6~20のアリール基又は炭素数4~20のヘテロ芳香族基であって、水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、炭素数1~10のアシルオキシ基、又は、炭素数1~10のアルキルチオ基で置換されていてもよい。R325はCO2R326、OR327又はシアノ基である。R326は一部のメチレン基が酸素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルキル基である。R327は一部のメチレン基が酸素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルキル基又はアシル基である。R328は単結合、メチレン基、エチレン基、硫黄原子又は-OCH2CH2On-基である。n=0、1、2、3又は4である。R329は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基である。X’’は窒素原子又はCR330である。Y’は窒素原子又はCR331である。Zは窒素原子又はCR332である。R330、R331、R332はそれぞれ独立に水素原子、メチル基又はフェニル基であるか、あるいはR330とR331又はR331とR332が結合して、炭素数6~20の芳香環又は炭素数2~20のヘテロ芳香環を形成してもよい。更に、下記一般式B-15で示される7-オキサノルボルナン-2-カルボン酸エステル構造を有する含窒素有機化合物が例示される。上式中、R333は水素、又は炭素数1~10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基である。R334及びR335はそれぞれ独立に、エーテル、カルボニル、エステル、アルコール、スルフィド、ニトリル、アミン、イミン、アミドなどの極性官能基を一つ又は複数含んでいてもよい炭素数1~20のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、又は炭素数7~20のアラルキル基であって、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されていてもよい。R334とR335は互いに結合して、炭素数2~20のヘテロ環又はヘテロ芳香環を形成してもよい。また、更に上記アミン化合物の酸化物であるアミンオキシド化合物も利用できる。なおアミンオキシドの塩基性化合物としての適用については特開2008-102383に開示されている。これらのうち、下記一般式4で表わされるアミン化合物およびその酸化物であるアミンオキシド化合物は、特に上述のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物と好ましく組み合わせることができる。式中、R7、R8、R9は、それぞれ水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基のいずれかである。またR7、R8、R9の2個が結合して環構造もしくは芳香族環を形成してもよい。C成分の配合量は、A成分のベース樹脂100部質量部、以下同様に対し0.01~2部、特に0.01~1部であることが好ましい。少なすぎると、配合効果がなく、多すぎると、感度が低下しすぎる場合がある。また本発明の効果を好ましく得るためには、配合されるC成分は、上述のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物と、その他のアミン化合物又はアミンオキシド化合物の配合比質量/質量は100:0~20:80の範囲であることが好ましい。また、レジスト膜成膜後、露光までの引き置き時間や、露光前加熱プリベーク条件の変動に対して安定した高精度のレジストパターンを得る効果を高いレベルで獲得するには上記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物の添加される全塩基性化合物の40質量以上であることが好ましい。本発明のレジスト材料には、上記成分以外に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤Dを添加することができる。なお、任意成分の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量とすることができる。界面活性剤の例としては、特に限定されるものではないが、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステリアルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン系界面活性剤、エフトップEF301,EF303,EF352株ジェムコ製、メガファックF171,F172,F173,R08,R30、R90、R94大日本インキ化学工業株製、フロラードFC-430,FC-431,FC-4430,FC-4432住友スリーエム株製、アサヒガードAG710,サーフロンS-381,S-382,S-386,SC101,SC102,SC103,SC104,SC105,SC106,サーフィノールE1004,KH-10,KH-20,KH-30,KH-40旭硝子株製等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341,X-70-092,X-70-093信越化学工業株製、アクリル酸系又はメタクリル酸系ポリフローNo.75,No.95共栄社油脂化学工業株製が挙げられ、また、下記構造の部分フッ素化オキセタン開環重合物系の界面活性剤も好ましく用いられる。ここで、R、Rf、A、B、C、m、nは上述の界面活性剤以外の記載に関わらず、上記surf-1式のみに適用される。Rは2から4価の炭素数2から5の脂肪族基を示し、具体的には2価のものとしてエチレン、1,4-ブチレン、1,2-プロピレン、2,2-ジメチル-1,3-プロピレン、1,5-ペンチレンがあげられ、3から4価のものとしては下記式のものが上げられる。式中、破線は結合手を示し、それぞれグリセロール、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールから派生した部分構造である。これらの中で好ましく用いられるのは1,4-ブチレンまたは2,2-ジメチル-1,3-プロピレンである。Rfはトリフルオロメチル基またはペンタフルオロエチル基を示し、好ましくはトリフルオロメチル基である。mは0から3の整数、nは1から4の整数であり、nとmの和はRの価数を示し2から4の整数である。Aは1、Bは2から25の整数、Cは0から10の整数を示す。好ましくはBは4から20、Cは0から1を示す。また上記構造の各構成単位はその並びを規定したものではなくブロック的でもランダム的に結合しても良い。部分フッ素化オキセタン開環重合物系の界面活性剤の製造に関しては米国特許第5,650,483号などに詳しい。これらの中でもFC-4430、サーフロンS-381、サーフィノールE1004、KH-20、KH-30、及び上記構造式にて示したオキセタン開環重合物が好適である。これらは単独あるいは2種以上の組み合わせで用いることができる。本発明の化学増幅型レジスト材料中の界面活性剤の添加量としては、レジスト材料中のベース樹脂A100部に対し2部以下、好ましくは1部以下である。本発明のレジスト組成物を使用した被加工基板上へのレジスト膜の形成は、被加工基板上へのレジスト組成物の塗付工程、ついでプリベーク工程を経て行うが、これらはいずれも公知の方法を用い、目的に応じて、膜厚が10~2000nmのレジスト膜を形成することができる。塗付工程は、スピンコーティング以外にもいくつかの方法が知られているが、レジスト膜厚が150nm程度、あるいはそれよりも薄い膜を形成する場合、均一な膜厚を得るためはスピンコーティングが最も好ましい。被加工基板が半導体ウエハである場合、スピンコーティング時の塗布条件はウエハの大きさ、目標の膜厚、レジスト組成物の組成等により条件を調整する必要があるが、8インチウエハ直径200mmを用いて、レジスト膜厚が100nm程度のものを得る場合には、レジスト組成物をウエハ上にキャストした後、回転数4000~5000rpmで40秒間回転させることで、均一性の高いレジスト膜が得られる。ここで、レジスト組成物を調製する際に使用する溶剤の使用量は、ベース樹脂100部に対して1400~1,600部である。さらに、上記の方法で得られたレジスト膜は、膜中に残存する過剰の溶剤を除去するため、プリベークが行われる。プリベークの条件は、ホットプレート上で行った場合、通常80~130°Cで1~10分間、より好ましくは90~110°Cで3~5分間行われる。また、被加工基板がフォトマスクブランクである場合、同様に塗布条件はブランクの大きさ、目標の膜厚、レジスト組成物の組成等により条件を調整する必要があるが、15.2cmx15.2cmの角型ブランク上でレジスト膜厚が100nm程度のものを得る場合には、レジスト組成物をブランク上にキャストした後、回転数1500~3000rpmで2秒間、その後800rpm以下で30秒間回転させることで均一性の高い膜が得られる。ここで、レジスト組成物を調製する際に使用する溶剤の使用量は、ベース樹脂100部に対して2000~2,700部である。さらに、上記の方法で得られたレジスト膜は、膜中に残存する過剰の溶剤を除去するため、プリベークが行われる。プリベークの条件は、ホットプレート上で行った場合、通常80~130°Cで4~20分間、より好ましくは90~110°Cで8~12分間行われる。次いで上記で得たレジスト膜に対し、目的のパターンを形成するためにパターン露光を行う。露光方法としては、半導体加工を行う場合には、目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、遠紫外線、エキシマレーザー、X線等の高エネルギー線又は電子線を露光量1~100μC/cm2、好ましくは10~100μC/cm2となるように照射する。露光は通常の露光法の他、必要に応じて投影レンズとレジストの間を液浸するImmersion法を用いることも可能である。また、フォトマスクブランクの加工を行う場合には、加工によって同一のものを多数製造するものではないため、通常ビーム露光によってパターン露光が行われる。使用される高エネルギー線は一般的には電子線であるが、上述のその他の光源をビームとしたものも同様に使用可能である。通常露光後に、酸を拡散させて化学増幅反応を行うため、例えばホットプレート上で、60~150°C、4~20分間、好ましくは80~140°C、8~12分間ポストエクスポージャーベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは、2~3質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像して、基板上に目的のパターンが形成される。また必要に応じて現像後に更に加熱処理を行ってパターンサイズの調整を行うことthermalflowも可能である。なお、本発明のレジスト材料は、特に高エネルギー線の中でも250~120nmの遠紫外線又はエキシマレーザー、極短紫外線、X線及び電子線による微細パターニングに最適である。本発明のレジストパターンの形成方法を適用するリソグラフィーの対象となる被加工基板は、例えば半導体ウエハーや半導体製造中間体基板、フォトマスク基板等のフォトレジストによるリソグラフィーを用いるものであればいずれでも良いが、特に金属化合物をスパッタリング等の方法で成膜した基板においては本発明の効果を有利に得ることができる。中でも最表面に遮光膜あるいはエッチングマスク膜としてクロム化合物膜を成膜したフォトマスクブランクでは、レジストパターンの基板界面における形状制御が難しく、本発明の効果が特に有用である。上記本発明が有用に適用される基板最表面材料のクロム化合物の例としては、金属クロム、酸化クロム、窒化クロム、炭化クロム、酸化窒化クロム、酸化炭化クロム、窒化炭化クロム、酸化窒化炭化クロム等が挙げられる。以下、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物を配合したレジスト材料について、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。本発明で使用したレジスト組成物の構成材料である、ベースポリマーPolymer1~2、酸発生剤PAG-1,2の構造式を以下に示す。下記例でMw、Mnはゲル浸透クロマトグラフフィーGPCにより測定したポリスチレン換算の値である。溶剤AプロピレングリコールメチルエーテルアセテートPGMEA溶剤B乳酸エチルELまた、下記実施例、比較例で使用したカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物あるいはこれには該当しない塩基性化合物Quencherは、以下の化合物である。Quencher-1:m-ジメチルアミノ安息香酸Quencher-2:p-ジエチルアミノ安息香酸Quencher-3:p-ジブチルアミノ安息香酸Quencher-4:p-ジヘキシルアミノ安息香酸Quencher-5:2-4-ジブチルアミノ-2-ヒドロキシベンゾイル安息香酸Quencher-6:4-ジメチルアミノフェニル酢酸Quencher-7:1-ピペリジンプロピオン酸Quencher-9:p-アミノ安息香酸Quencher-9’:2-キノリンカルボン酸Quencher-10:トリス2-メトキシメトキシエチルアミンQuencher-11:トリス2-メトキシメトキシエチルアミンの酸化物Quencher-12:テトラブチルアンモニウムアセテートQuencher-13:2-4-モルホリニルエチルオクタノエートQuencher-14:2-1H-ベンゾイミダゾール-1-イルエチルベンゾエートQuencher-15:m-ジメチルアミノ安息香酸の酸化物Quencher-16:p-ジエチルアミノ安息香酸の酸化物Quencher-17:p-ジブチルアミノ安息香酸の酸化物Quencher-18:p-ジヘキシルアミノ安息香酸の酸化物カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はその酸化物ではない塩基性化合物界面活性剤A:KH-20旭硝子社製界面活性剤B:PF-636オムノバ社製架橋剤1:テトラメトキシメチルグリコールウリル[実施例1から実施例6、比較例1から3]下記表1に記載した各レジスト原料を記載の溶剤に溶解し、得られたレジスト組成物を0.04μmのナイロン樹脂製フィルターで濾過した後、このレジスト液を152mm角の最表面が酸化窒化クロム膜であるマスクブランク上へ2500rpmの回転数でスピンコーティングし、厚さ150nmに塗布した。次いで、このマスクブランクを90°Cのホットプレートで10分間ベークした。得られたレジスト膜の膜厚の測定は光学式測定器ナノスペックナノメトリックス社製を用いて行った。測定はブランク外周から10mm内側までの外縁部分を除くブランク基板の面内81ケ所で行い、膜厚平均値と膜厚範囲を算出した。更に、電子線露光装置NuFLARE社製EBM5000加速電圧50keVを用いて露光し、110°Cで10分間ベークPEB:postexposurebakeを施し、2.38のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ポジ型のパターン実施例1~6、比較例1~3を得ることができた。得られたレジストパターンを次のように評価した。200nmのラインアンドスペースのトップとボトムを1:1で解像する露光量を最適露光量感度:Eopとして、この露光量における分離しているラインアンドスペースの最小線幅を評価レジストの解像度とした。また、解像したレジストパターンの形状は、特に基板界面におけるすそ引きの有無を走査型電子顕微鏡を用いてレジスト断面を観察した。ラインエッジラフネスは100nmのラインパターンの長手方向5μmを50ポイント測定日立製S-8840し3σを算出した。値が小さいほど良好性能であることを示す。プリベーク温度依存性はプリベーク温度を10°C上げたときのパターン寸法変化を測定した。そして、1°Cあたりのパターン寸法変化量を算出した。解像性およびパターンの断面形状、ラインエッジラフネス、およびプリベーク温度依存性の評価結果を表2に示す。塩基性中心である窒素に共有結合する水素を有するp-アミノ安息香酸比較例1、窒素原子が芳香環の環構造に含まれる2-キノリンカルボン酸比較例2、およびカルボキシル基を含有しないトリス2-メトキシメトキシエチルアミンの酸化物比較例3ではすそ引きが改善できないが、実施例1から6まで、すそ引きのない良好なパターン形状が得られた。実施例1はプリベーク温度依存性が大きいが、解像度、断面形状、ラインエッジラフネスは許容できる範囲であった。[実施例7から実施例15]本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物と従来のアミン化合物を配合した下記表3に示すレジスト材料を調製し、実施例1から6と同様にして、本発明のパターン形成方法を実施し、その解像性及びパターン形状の評価を行った。表4にその結果を示す。いずれの例においても良好な解像性、裾引きのないパターン形状、良好なラインエッジラフネスが得られた。[実施例16から実施例24]本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物を配合した下記表5に示すレジスト材料を調製し、実施例1から6と同様にして、本発明のパターン形成方法を実施し、その解像性及びパターン形状の評価を行った。表6にその結果を示す。ここでも上記と同様良好な結果が得られた。[実施例25~30、比較例4~6]本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物を使用した下記表7に示す化学増幅型ネガ型レジスト材料を調製し、次いで本発明のパターン形成方法を実施して、その解像性及びパターン形状の評価を行った。パターン形成方法については、このレジスト液をマスクブランク上へスピンコーティングし、実施例1と同様に行った。解像性およびパターンの断面形状アンダーカットの有無、ラインエッジラフネス、プリベーク温度依存性の評価結果を表8に示す。上記の結果より、化学増幅型ネガ型レジスト組成物においても、ポジ型レジストの場合と同様、本発明のレジスト組成物とすることにより、期待されるプリベーク温度依存性を確保すると共に、改善された断面形状、特に基板界面におけるアンダーカットのない微細なパターンが得られることが示された。比較例では微細なパターンがアンダーカットにより倒壊した。[実施例31から実施例39]本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物と従来のアミン化合物を配合した下記表9に示すレジスト材料を調製し、実施例25から30と同様にして、本発明のパターン形成方法を実施し、その解像性及びパターン形状の評価を行った。表10に示された通り、いずれの実施例からも、良好な解像度、ラインエッジラフネスと共にアンダーカットのないパターン形状が得られた。[実施例40から実施例48]本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物を配合した下記表11に示すレジスト材料を調製し、実施例25から30と同様にして、本発明のパターン形成方法を実施し、その解像性及びパターン形状の評価を行った。表12にその結果を示す。ここでも上記と同様良好な結果が得られた。[実施例26、実施例49から実施例51]実施例26におけるカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物、Quencher-2:p-ジエチルアミノ安息香酸の量を変化させた表13に示すレジスト材料を調製し、実施例25から30と同様にして、本発明のパターン形成方法を実施し、その解像性及びパターン形状及びエッジラフネス、電子線感度の評価を行った。表14にその結果を示す。p-ジエチルアミノ安息香酸の量を増加させると電子線感度は低下するが、解像性およびエッジラフネスが大幅に改善される。マスク製造のスループットから感度は高いほど良いので、スループットと解像性およびエッジラフネスとの関係から材料組成は最適化することが可能であることが分かる。[実施例52から実施例57]本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物を配合した下記表15に示すレジスト材料を調製し、実施例25から30と同様にして、本発明のパターン形成方法を実施し、その解像性及びパターン形状の評価を行った。表16にその結果を示す。いずれの実施例においても良好な解像度、エッチングラフネスと共に良好なパターン形状が得られた。また実施例52は実施例1で使用したアミンの酸化物を使用した結果であるが、プリベーク温度依存性nm/°Cが改善された。アミンを酸化することによりレジスト膜から蒸発し難くなると推察される。[実施例58から実施例63]本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物を配合した下記表17に示すレジスト材料を調製し、実施例25から30と同様にして、本発明のパターン形成方法を実施し、その解像性及びパターン形状の評価を行った。ここで使用した界面活性BPF-636は以下の構造である。表18にその結果を示す。すなわち、3-メチル-3-2,2,2-トリフルオロエトキシメチルオキセタンテトラヒドロフラン2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール共重合物オムノバ社製。ただし、a:bb’:cc’=1:4~7:0.01~1モル比重量平均分子量1500この結果からも上述の実施例と同様、良好な解像度、ラインエッジラフネスに加え、良好なパターン形状が得られた。[実施例64から実施例72]本発明のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物と従来のアミン化合物を配合した下記表19に示すレジスト材料を調製し、実施例25から30と同様にして、本発明のパターン形成方法を実施し、その解像性及びパターン形状の評価を行った。評価結果を表20に示す。表20に示された通り、何れの実施例からも、良好な解像度、ラインエッジラフネスと共にアンダーカットのないパターン形状が得られた。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"