絶縁性のある基板である絶縁基板と、前記絶縁基板上に表示部を形成する複数の画素とを有し、前記複数の画素の各画素には、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタによって電気的に駆動され、前記各画素の光の透過を制御するシャッター機構部と、前記絶縁基板上に形成された第1の導電層とを備え、前記シャッター機構部は、構造的部分であるメカニカル層と、前記メカニカル層上に形成された第2の導電層とを有し、前記メカニカル層と前記第2の導電層とは共に、前記第1の導電層に直に接触して固定されている、ことを特徴とする表示装置。前記シャッター機構部は、光を遮断するためのシャッター部と、前記シャッター部を駆動するために動作し、前記絶縁基板の基板面と平行な方向に延びる梁状構造物であるビーム部と、前記ビーム部を固定し支えるためのアンカー部と、を備え、前記シャッター部、前記ビーム部及び前記アンカー部のそれぞれは、前記メカニカル層と前記第2の導電層とを有し、前記アンカー部の前記メカニカル層と前記第2の導電層とが、前記第1の導電層に直に接触して固定されている、ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。前記アンカー部は椀型形状であり、前記第2の導電層は、前記椀型形状をした前記メカニカル層の外側周囲に形成されている、ことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。前記第2の導電層は、更に、前記椀型形状をした前記メカニカル層の内側にも形成されている、ことを特徴とする請求項3に記載の表示装置。前記アンカー部は椀型形状であり、前記メカニカル層は、前記椀型形状をした前記第2の導電層の外側周囲に形成されると共に、前記導電層の内側にも形成されている、ことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。このMEMSのシャッター機構を利用した表示装置において、画素内のシャッター機構の可動部分は、光の透過及び遮断を短時間で制御するため、高速で動作することが要求される。このため、この可動部分と基板との電気的及び機械的な接続を確保するための接続部分には構造上大きな負荷がかかることになり、接続部分の強度が弱い場合には、表示装置の動作や耐久性に大きな影響を与える恐れがある。本発明は、上述の事情を鑑みてしたものであり、画素のシャッタ機構により表示制御を行う表示装置において、より構造的に強化されると共に、耐久性が向上した表示装置を提供することを目的とする。本発明の表示装置は、絶縁性のある基板である絶縁基板と、前記絶縁基板上に表示部を形成する複数の画素とを有し、前記複数の画素の各画素には、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタによって電気的に駆動され、前記各画素の光の透過を制御するシャッター機構部と、前記絶縁基板上に形成された第1の導電層とを備え、前記シャッター機構部は、構造的部分であるメカニカル層と、前記メカニカル層上に形成された第2の導電層とを有し、前記メカニカル層と前記第2の導電層とは共に、前記第1の導電層に直に接触して固定されている、ことを特徴とする表示装置である。また、本発明の表示装置は、前記シャッター機構部は、光を遮断するためのシャッター部と、前記シャッター部を駆動するために動作し、前記絶縁基板の基板面と平行な方向に延びる梁状構造物であるビーム部と、前記ビーム部を固定し支えるためのアンカー部と、を備え、前記シャッター部、前記ビーム部及び前記アンカー部のそれぞれは、前記メカニカル層と前記第2の導電層とを有し、前記アンカー部の前記メカニカル層と前記第2の導電層とが、前記第1の導電層に直に接触して固定されている、とすることができる。また、本発明の表示装置は、前記アンカー部が椀型形状であり、前記第2の導電層は、前記椀型形状をした前記メカニカル層の外側周囲に形成されている、とすることができる。また、更に、前記第2の導電層は、前記椀型形状をした前記メカニカル層の内側にも形成されている、こととしてもよい。また、本発明の表示装置は、前記アンカー部が椀型形状であり、前記メカニカル層は、前記椀型形状をした前記第2の導電層の外側周囲に形成されると共に、前記第2の導電層の内側にも形成されている、とすることができる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面において、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。[第1実施形態]図1は、本発明の第1実施形態に係る各画素のシャッター機構により表示画像の制御を行うMEMSシャッター表示装置100について示す図である。この図1に示されるように、MEMSシャッター表示装置100は、光を透過する開口部不図示を各画素ごとに有するバックライト光源150と、バックライト光源150からの光の透過を後述するシャッター機構部300により制御するTFTThinFilmTransistor基板200と、バックライト光源150のR赤G緑B青の3色の光を時間をずらして発光させるための制御を行う発光制御回路102と、TFT基板200のシャッター機構部300の動作を、パネル制御線108を介して制御する表示制御回路106と、発光制御回路102及び表示制御回路106の統括的な制御を行うシステム制御回路104とを有している。図2は、図1のTFT基板200の構成を示す図である。TFT基板200の表示領域には画素210がマトリクス状に配置されており、画素210には行方向に走査線204、列方向に信号線202が接続されている。走査線204の一端には走査線走査回路203が接続されており、信号線202の一端には信号入力回路201が設けられている。なお信号入力回路201は走査線走査回路203を制御し、信号入力回路201にはパネル制御線108が入力されている。TFT基板200にパネル制御線108から画像データと駆動タイミングが入力されると、信号入力回路201は所定のタイミングで走査線走査回路203を制御しつつ、デジタル画像データを信号線202に入力する。各画素210は走査線204によって走査線走査回路203から動作を制御され、所定のタイミングで信号線202からデジタル画像データを取り込む。図3は、図2の一画素210部分のTFT基板200を拡大して示す斜視図である。この図に示されるように、画素210は、絶縁性のガラス基板215と、ガラス基板215上に形成された薄膜トランジスタ、信号線202及び走査線204を有する薄膜トランジスタ部220と、薄膜トランジスタ部220上に形成され、薄膜トランジスタ部220内の薄膜トランジスタに電気的に制御され、機械的な動作を行うシャッター機構部300と、を有している。シャッター機構部300は、開口部311を有し、移動することによりバックライト光源150からの光を透過又は遮断するシャッター部310と、シャッター部310を光を透過させる位置と、遮断する位置とで移動させるための第1アクチュエータ部320及び第2アクチュエータ部330とを有している。第1アクチュエータ部320及び第2アクチュエータ部330のそれぞれは、シャッター部310を支持すると共に、シャッター部310と電気的に接続される第1ビーム部342と、第1ビーム部342を薄膜トランジスタ部220に固定すると共に、薄膜トランジスタ部220の所定の配線と電気的に接続される第1アンカー部344と、第1ビーム部342と異なる電荷に帯電させることにより、第1ビーム部342を引き寄せ、シャッター部310を動作させる第2ビーム部346と、第2ビーム部346を薄膜トランジスタ部220に固定すると共に、薄膜トランジスタ部220の所定の配線と電気的に接続される第2アンカー部348と、を有している。図4は、図3のシャッター機構部300の上面図である。シャッター機構部300は、シャッター部310に対して対称となる形状であり、第1アクチュエータ部320が駆動してシャッター部310が第1アクチュエータ部320に近づく方向に移動した場合には、バックライト光源150からの光を開口部311から透過させ、第2アクチュエータ部330が駆動してシャッター部310が第2アクチュエータ部330に近づく方向に移動した場合には、バックライト光源150からの光をシャッター部310により遮断するようになっている。図5は、図4のV-V線における断面図である。この図に示されるように、シャッター部310、第1ビーム部342、第2ビーム部346及びアンカー部344は、それぞれ主に構造的強度を担うメカニカル層352と、主に電気的特性を担う導体層354第2の導電層と、メカニカル層352及び導体層354を覆い、電気的な絶縁性を確保するための誘電体層356とを有している。ここで、メカニカル層352を形成する材料としては、Al、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Ta、Nb、Nd等の金属又は合金、Al2O3、SiO2、Ta2O5、またはSi3N4などの誘電体材料、あるいは、ダイヤモンド状炭素、Si、Ge、GaAs、CdTeなどの半導体材料又はその合金が挙げられる。また、導体層354を形成する材料としては、Al、Cu、Ni、Cr、Mo、Ti、Ta、Nb、Nd、またはその合金、あるいは、ダイヤモンド状炭素、Si、Ge、GaAs、CdTeなどの半導体材料またはその合金が挙げられる。ガラス基板215上の薄膜トランジスタ部220は、配線224、保護層222及びアンカー部344の導体層354と配線224とを電気的に接続する導電部226第1の導電層を有している。ここで、配線224は、例えば、Al、Cu等の材料により形成され、導電部226は、例えば、ITOIndiumTinOxide等の透明電極により形成される。この図に示されるように、アンカー部344の導体層354とメカニカル層352は、共に、薄膜トランジスタ部220の導電部226に直に接触して固定されている。また、第2アンカー部348も第1アンカー部344と同様に主に構造的強度を担うメカニカル層と、主に電気的特性を担う導体層と、メカニカル層及び導体層を覆い、電気的な絶縁性を確保するための誘電体層とを有し、第2アンカー部348の導体層とメカニカル層は共に図示しない薄膜トランジスタ部の導電部に接して固定されている。薄膜トランジスタ部220によって導電部226を介して第1アンカー部344の導体層354に電圧が印加されると、第1アンカー部344と電気的に接続されている第1ビーム部342と、第2アンカー部348と電気的に接続されている第2ビーム346の間に電位差が生じ、第1ビーム部342と第2ビーム部346とが静電力によって互いに引き合うことでシャッター部310を移動させることができる。このとき、第1アンカー部344と導電部226との界面にその反力が加わるが、導体層354だけでなく、メカニカル層352についても薄膜トランジスタ部220の導電部226に接して固定されているため、構造的に強化されると共に、耐久性の向上が図られている。また、第2アンカー部についても同様に反力が加わるが、第2アンカー部の導体層と第2アンカー部のメカニカル層が、図示しない薄膜トランジスタ部の導電部に接して固定されていることで、構造的に強化されると共に、耐久性の向上が図られている。詳述すると、本第1実施形態の導体層354とメカニカル層352の両方を導電部226に直に接触して固定させる構造とすることで、導体層354のみが固定される場合に比べて、シャッター部310が動いた際にアンカー部の底部に掛かる引っ張りやねじれの力をメカニカル層352が直接受け止めることができるので、安定したシャッター動作を行うことができる。また、メカニカル層352のみが固定される場合に比べて、アンカー部の底部から供給されるシャッター駆動のための電圧を導体層354に直接印加できるので、安定したシャッター動作を行うことができる。なお、本実施形態においては、第1ビーム部342及び第2ビーム部346におけるメカニカル層352及び導体層354は、図6のシャッター機構部700の第1ビーム部742及び第2ビーム部746に示されるように、逆の配置となっていてもよい。[第2実施形態]次に、第2実施形態に係るMEMSシャッター表示装置について説明する。第2実施形態に係るMEMSシャッター表示装置は、MEMSシャッター表示装置、TFT基板、画素及びシャッター機構部のそれぞれの構成において、図1~4を用いて説明した第1実施形態と同様であり、説明を省略する。図7には、第1実施形態の図5と同じ視野における、第2実施形態に係るシャッター機構部400の断面図が示されている。第1実施形態と同様に、シャッター機構部400は、シャッター部410と、シャッター部410を支持すると共に、シャッター部410と電気的に接続される第1ビーム部442と、第1ビーム部442を薄膜トランジスタ部220に固定すると共に、薄膜トランジスタ部220の配線224と電気的に接続される第1アンカー部444と、第1ビーム部442と異なる電荷に帯電させることにより、第1ビーム部442を引き寄せ、シャッター部410を動作させる第2ビーム部446と、第2ビーム部446を薄膜トランジスタ部220に固定すると共に、薄膜トランジスタ部220の所定の配線と電気的に接続される不図示の第2アンカー部と、を有している。ここで、第1実施形態の図5との違いは、図5のアンカー部344におけるメカニカル層352の内側に更に導体層354を有することにより、本実施形態のアンカー部444においては、メカニカル層352が導体層354にサンドイッチ状に挟まれる構造となっており、メカニカル層352と外側の導体層とが薄膜トランジスタ部220の導電部226に接して固定されている。メカニカル層352を挟む導体層354は、互いに図示しないビアホールviaholeにより接続されている。したがって、シャッター部410が駆動する際に、第1ビーム部442と第2ビーム部446とが互いに引き寄せられ、アンカー部444と導電部226との界面にその反力が加わるが、第1実施形態と同様に第2実施形態のシャッター機構部400においても、導体層354だけでなく、メカニカル層352についても薄膜トランジスタ部220の導電部226に接して固定されているため、構造的に強化されると共に、耐久性の向上が図られている。[第3実施形態]次に、第3実施形態に係るMEMSシャッター表示装置について説明する。第3実施形態に係るMEMSシャッター表示装置は、MEMSシャッター表示装置、TFT基板、画素及びシャッター機構部のそれぞれの構成において、図1~4を用いて説明した第1実施形態と同様であり、説明を省略する。図8には、第1実施形態の図5と同じ視野における、第3実施形態のシャッター機構部500の断面図が示されている。第1実施形態と同様に、シャッター機構部500は、シャッター部510と、シャッター部510を支持すると共に、シャッター部510と電気的に接続される第1ビーム部542と、第1ビーム部542を薄膜トランジスタ部220に固定すると共に、薄膜トランジスタ部220の配線224と電気的に接続される第1アンカー部544と、第1ビーム部542と異なる電荷に帯電させることにより、第1ビーム部542を引き寄せ、シャッター部510を動作させる第2ビーム部546と、第2ビーム部546を薄膜トランジスタ部220に固定すると共に、薄膜トランジスタ部220の所定の配線と電気的に接続される不図示の第2アンカー部と、を有している。ここで、第1実施形態の図5との違いは、導体層354がメカニカル層352にサンドイッチ状に挟まれる構造となっており、アンカー部544においては、導体層354と外側のメカニカル層352とが、薄膜トランジスタ部220の導電部226に接して固定されている。したがって、シャッター部510が駆動する際に、第1ビーム部542と第2ビーム部546が互いに引き寄せられ、アンカー部544と導電部226との界面にその反力が加わることとなるが、第1実施形態と同様に、導体層354だけでなく、メカニカル層352についても薄膜トランジスタ部220の導電部226に接して固定されているため、構造的に強化されると共に、耐久性の向上が図られている。なお、上述の各実施形態においては、2つのアクチュエータを使用してシャッター部を動作させることとしたが、1つのアクチュエータであってもよいし、その他のシャッター機構を有する表示装置であって、基板との接続機構を有する構造であればよい。また、上述の各実施形態においては、メカニカル層及び導体層の接する導電性のある同一の層は、導電部としたが、配線に直接的に接するようにしてもよいし、その他の導電性のある層を介するようにしてもよい。