"式を持つ化合物であって、式中、R’1、R’2およびR’3は、水素、重水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールキル、アリールおよびヘテロアリールからなる群より独立して選択され、式中、各R’1、R’2およびR’3は、モノ、ジ、トリまたはテトラ置換基を表してよく、前記化合物がさらに、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、またはジベンゾセレノフェン部位のベンゾ環に融合した、さらなる芳香族またはヘテロ芳香族環をさらに含む、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、またはジベンゾセレノフェン部位を含む、化合物。前記芳香族またはヘテロ芳香族環が、6-員炭素環状またはヘテロ環状である、請求項1に記載の化合物。前記芳香族環がベンゼン環である、請求項2に記載の化合物。前記化合物が、からなる群より選択され、式中、XはO、SまたはSeであり、式中、R1、R2およびRaは、水素、重水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールキル、アリールおよびヘテロアリールから独立して選択され、式中各R1およびR2は、モノ、ジ、トリまたはテトラ置換基を表してよく、式中R1またはR2の少なくとも2つの置換基が、一緒に融合環を形成し、式中Raは、ベンゾ環を形成するために融合不可能である、モノまたはジ置換基を表し、式中Lはスペーサー、またはさらなる融合環を持つベンゾフラン、ベンゾチオフェン、またはベンゾセレノフェン部位への直接結合を表す、請求項1に記載の化合物。前記化合物が、式を持つ、請求項4に記載の化合物。XがSである、請求項4に記載の化合物。XがOである、請求項4に記載の化合物。Lが直接結合である、請求項4に記載の化合物。Lが式を持ち、式中A、B、CおよびDが、からなる群より独立して選択され、式中A、B、CおよびDは任意に、さらにRaにて置換され、式中各p、q、rおよびsは、0、1、2、3または4であり、式中pqrsは少なくとも1である、請求項4に記載の化合物。Lがフェニルである、請求項4に記載の化合物。前記さらなる融合環を持つベンゾフラン、ベンゾチオフェン、またはベンゾセレノフェン部位が、からなる群より選択される、請求項1に記載の化合物。前記化合物が、からなる群より選択され、式中XはO、SまたはSeであり、式中R1、R2、R3、R4、R5、R’1、R’2およびR’3は、水素、重水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールキル、アリールおよびヘテロアリールからなる群より独立して選択され、式中各R1、R2、R3、R4、R5、R’1、R’2およびR’3は、モノ、ジ、トリまたはテトラ置換基を表してよく、式中Lはスペーサーまたは直接結合である、請求項1に記載の化合物。前記化合物が、からなる群より選択され、式中XがO、SまたはSeである、請求項1に記載の化合物。有機発光デバイスを含む第一デバイスであって、さらに陽極陰極および陽極と陰極の間に配置される有機層を含み、前記有機層が、式を含む化合物を含み、式中R’1、R’2およびR’3は、水素、重水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールキル、アリールおよびヘテロアリールからなる群より独立して選択され、式中各R’1、R’2およびR’3は、モノ、ジ、トリまたはテトラ置換基を表してよく、前記化合物がさらに、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、またはジベンゾセレノフェン部位のベンゾ環に融合した、さらなる芳香族またはヘテロ芳香族環をさらに含む、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、またはジベンゾセレノフェン部位を含む、第一デバイス。前記化合物が、からなる群より選択され、式中XはO、SまたはSeであり、式中R1、R2およびRaは、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールキル、アリールおよびヘテロアリールから独立して選択され、式中各R1およびR2は、モノ、ジ、トリまたはテトラ置換基を表してよく、式中R1またはR2の少なくとも2つの置換基が、一緒に融合環を形成し、式中Raは、ベンゾ環を形成するために融合不可能である、モノまたはジ置換基を表し、式中Lはスペーサー、またはさらなる融合環を持つ、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、またはベンゾセレノフェン部位への直接結合を表す、請求項14に記載の第一デバイス。前記有機層が発光層であり、式Iを持つ化合物がホストである、請求項14に記載の第一デバイス。前記有機層がさらに、発光性化合物を含む、請求項16に記載の第一デバイス。前記発光性化合物が、からなる群より選択される少なくとも1つのリガンドを持つ、遷移金属錯体であり、式中R’a、R’bおよびR’cは、モノ、ジ、トリまたはテトラ置換基を表してよく、式中R’a、R’bおよびR’c置換基は、水素、重水素、アルキル、ヘテロアルキル、アリールおよびヘテロアリールからなる群より独立して選択され、2つの隣接置換基が、環を形成してよい、請求項17に記載の第一デバイス。前記デバイスが、非発光性の第二有機層を含み、式Iを含む化合物が、第二有機層中の非発光性物質である、請求項14に記載の第一デバイス。前記第一デバイスが、有機発光デバイスである、請求項14に記載の第一デバイス。前記第一デバイスが、民生製品である、請求項14に記載の第一デバイス。一般的に、OLEDは、陽極および陰極の間に位置し、そして電子的に連結する、少なくとも1つの有機層を含む。電流が適用された時に、陽極が空孔を注入し、陰極が有機層内に電子を注入する。注入された空孔および電子はそれぞれ、反対に帯電した電極に向かって移動する。電子と空孔が同一の分子上に局在化する場合、励起エネルギー状態を持つ、局在か電子-空孔対である、励起子が形成される。励起子が、光放射性機構を介して緩和する時に、光が放射される。いくつかの場合で、励起子は、エキシマーまたはエキシプレックス上に局在してよい。熱緩和のような非発光機構がまた発生してよいが、一般的には望ましくないと考えられる。初期OLEDは、たとえば、そのすべてが参照により組み込まれている、米国特許第4,769,292号明細書にて開示されたような、その一重項状態から光を放射した蛍光発光分子を利用した。蛍光発光は一般的に、10ナノ秒未満のタイムフレームにて発生する。より最近、三重項状態から光を放射するリン光発光物質を持つOLEDが論証されてきた。そのすべてが参照により組み込まれている、Baldoetal.,HighlyEfficientPhosphorescentEmissionfromOrganicElectroluminescentDevices,Nature,vol.395,151-154,1998;Baldo-IおよびBaldoetal.,Veryhigh-efficiencygreenorganiclight-emittingdevicesbasedonelectrophosphorescence,Appl.Phys.Lett.,vol.75,No.3,4-61999Baldo-II。リン光は、参照により組み込まれている、米国特許第7,279,704号明細書、cols.5~6にてより詳細に記述されている。図1は、有機発光デバイス100を示している。この図は、必ずしも縮尺通りに描かれてはいない。デバイス100は、基質110、陽極115、空孔注入層120、空孔輸送層125、電子ブロッキング層130、発光性層135、空孔ブロッキング層140、電子輸送層145、電子注入層150、保護層155および陰極160を含んでよい。陽極160は、第一伝導層162と第二伝導層164を持つ複合陰極である。デバイス100は、順番に、記述された層を堆積させることによって加工してよい。これらの種々の層、ならびに例示的物質の特性および機能は、参照により組み込まれている、米国特許第7,279,704号明細書、cols.6~10にてより詳細に記述されている。これらの層それぞれのさらなる例が入手可能である。たとえば、弾力性があり、透明な基質-陽極の組み合わせが、そのすべてが参照により組み込まれている、米国特許第5,844,363号明細書にて開示されている。p-ド-プ空孔輸送層の例は、そのすべてが参照により組み込まれている、米国特許出願第2003/0230980号明細書にて開示されたように、50:1のモル比にて、F.sub.4-TCNQによってドープされたm-MTDATAである。発光性およびホスト物質の例は、そのすべてが参照により組み込まれている、Thompsonetal.,に付与された米国特許第6,303,238号明細書にて開示されている。n-ドープ電子輸送層の例は、そのすべてが参照により組み込まれている、米国特許出願第2003/0230980号明細書にて開示されたような、モル比1:1にて、LiにてドープされたBPhenである。そのすべてが参照により組み込まれた、米国特許第5,703,436号明細書および第5,707,745号明細書は、オーバーレイ透明、導電性、スパッタ堆積ITO層を含む、Mg:Agのような、金属の薄層を持つ複合陰極を含む陰極の例を開示している。ブロッキング層の理論と利用が、そのすべてが参照により組み込まれている、米国特許第6,097,147号明細書および米国特許出願第2003/0230980号明細書にてより詳細に記述されている。注入層の例は、そのすべてが参照により組み込まれている、米国特許出願第2004/0174116号明細書中で提供されている。保護層の記述がそのすべてが参照により組み込まれている、米国特許第2004/0174116号明細書にて見ることが出来る。図2は、逆位OLED200を示している。本デバイスは、基質210、陰極215、発光層220、空孔輸送層225および陽極230を含む。デバイス200は、順番に、記述した層を堆積することによって加工してよい。最も一般的なOLED配置が、陽極上に堆積した陰極を持つので、デバイス200は、陽極230下に堆積した陰極215を持ち、デバイス200は、逆位OLEDと呼ばれてよい。デバイス100に関して記述されたものと同様の物質を、デバイス200の相当する層で使用してよい。図2は、デバイス100の構造から、どのようにしていくつかの層を除外してよいかどうかの1つの例を提供する。図1および2で図解している単純な層化構造が、非限定例として提供されており、本発明の実施形態が、広く種々の他の構造に関連して使用してよいことが理解される。記述された特定の物質および構造は、本質的に例であり、他の物質および構造を使用してよい。機能的OLEDは、異なる方法によって記述された種々の層を組み合わせることによって達成してよく、または層を、デザイン、性能およびコスト因子に基づいて、完全に除外してよい。特に記述されていない他の層が含まれてよい。特に記述されたもの以外の物質を使用してよい。本明細書で提供された例の多くが、単一の物質を含むように種々の層を記述しているけれども、ホストとドーパントの混合物、またはより一般的に混合物のような、物質の組み合わせを使用してよいことが理解される。また、層は種々の亜層をもってよい。本明細書で種々の層に対して与えられた名前は、厳密に制限している意図はない。たとえば、デバイス200中、空孔輸送層225は、空孔を輸送し、空孔を発光層220内に注入し、空孔輸送層または空孔注入層として記述されてよい。1つの実施形態において、OLEDは、陰極と陽極の間に堆積する有機層をもつように記述されてよい。この有機層は、単一層を含んでよく、またはさらに、たとえば図1および2に関して記述されたような、異なる有機物質の多数の層を含んでよい。そのすべてが参照により組み込まれている、Friendetal.に付与された米国特許第5,247,190号明細書にて開示されたような、重合体物質からなるOLEDPLEDのように、特に記述されない構造および物質をまた使用してもよい。さらなる例として、単一有機層を持つOLEDを使用してよい。OLEDは、たとえば、そのすべてが参照により組み込まれている、Forrestetal.に付与された、米国特許第5,707,745号明細書にて開示されたように、積層であってよい。OLED構造は、図1および2にて図解された、単純な層化構造から逸脱してよい。たとえば、基質は、そのすべてが参照により組み込まれている、Forrestetal.に付与された米国特許第6,091,195号明細書にて記述されたようなメサ構造、および/またはBulovicetal.に付与された米国特許第5,834,893号明細書にて記述されたピット構造のような、アウト-カップリングを改善するために角度ある反射表面を含んでよい。他に特定しない限り、種々の実施形態の任意の層が、任意の好適な方法によって堆積されてよい。有機層に関して、好ましい方法には、そのすべてが参照により組み込まれている、米国特許第6,013,982号明細書および第6,087,196号明細書にて記述されたような、熱蒸発、インクジェット、そのすべてが参照により組み込まれている、Forrestetal.に付与された米国特許第6,337,102号明細書にて記述されているような、有機蒸気層堆積OVPD、およびそのすべてが参照により組み込まれている、米国特許出願第10/233,470号明細書に記述されたような、有機蒸気ジェット印刷OVJPによる堆積が含まれる。他の好適な堆積方法には、スピンコーティングおよび他の溶液に基づく工程が含まれる。溶液に基づく工程は、窒素または不活性雰囲気中で好ましく実施される。他の層に関して、好ましい方法には、熱蒸着が含まれる。好ましいパターン化方法には、マスクを介した堆積、そのすべてが参照により組み込まれている、米国特許第6,294,398号明細書および第6,468,819号明細書にて記述されたような冷間圧接、およびインクジェットならびにOVJDのようないくつかの堆積方法に関連したパターン化が含まれる。他の方法もまた使用してよい。堆積すべき物質は、特定の堆積方法に適合可能にするように改変してよい。たとえば、分岐または未分岐の、そして好ましくは少なくとも3つの炭素を含むアルキルおよびアリール基のような置換基を、低分子中で、その溶液加工を受ける能力を増強させるために使用してよい。20またはそれ以上の炭素を持つ置換基を使用してよく、3~20炭素が好ましい範囲である。非対称物質は、再結晶化する性質が低いので、非対称構造を持つ物質が、対象構造を持つものよりも、より溶液加工しやすくてよい。デンドリマー置換基を使用して、低分子の、溶液加工をうける能力を増強してよい。本発明の実施形態にしたがって加工したデバイスを、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、テレビ、ビルボード、インテリアまたはエクステリアイルミネーションおよび/またはシグナリングのための光、ヘッドアップディスプレイ、完全透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザープリンタ、電話、携帯電話、携帯端末PDAs、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、マイクロディスプレイ、乗り物、大面積壁、映画館またはスタジアムスクリーン、またはネオンサインを含む、広く種々の民生製品内に組み込んでよい。受動マトリックスおよび能動マトリックスを含む、種々の制御機構を使用して、本発明にしたがって加工したデバイスを制御してよい。多くのデバイスは、18°C~30°Cのような、人間に心地よい温度範囲、より好ましくは室温20~25°Cでの使用が意図されている。本明細書で記述した物質および構造は、OLED以外のデバイスでの適用を持ってよい。たとえば、有機ソーラーセルおよび有機光検出器のような他の光電子デバイスが、物質および構造を利用してよい。より一般的に、有機トランジスタのような有機デバイスが、物質および構造を利用してよい。語句ハロ、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリールキル、ヘテロ環状基、アリール、芳香族基およびヘテロアリールは、当業者に公知であり、参照により本明細書にて組み込まれている、米国特許第7,279,704号明細書、cols.31~32にて定義されている。トリフェニレン-含有ベンゾ-融合フラン、チオフェンまたはセレノフェンを含む化合物が提供される。トリフェニレンは、高三重項エネルギー、また高いπ-共役、および第一一重項および第一三重項レベルの間に比較的小さなエネルギー差を持つ、ポリ芳香族炭化水素である。このことは、トリフェニレンが、同様の三重項エネルギーを持つ他の芳香族化合物たとえば、ビフェニルと比較して、比較的簡単に到達可能なHOMOおよびLUMOレベルを持つことを示唆している。トリフェニレンおよびその誘導体をホストとして使用する利点は、エネルギー消失なしに、高い効率を与えるために、赤色、緑色および青色リン光ドーパントさえ供給可能であることである。トリフェニレンホストを、高効率および安定性PHOLEDを提供するために使用してよい。そのすべてが参照により本明細書に組み込まれている、KwongおよびAlleyene,TriphenyleneHostsinPhosphorescentLightEmittingDiodes、米国特許第2006/0280965号明細書を参照のこと。ベンゾ-融合チオフェン類を、空孔輸送有機コンダクターとして使用してよい。さらに、ベンゾチオフェン類、すなわちジベンゾ[b、d]チオフェン本明細書では、ジベンゾチオフェンと呼ぶ、ベンゾ[b]チオフェンおよびベンゾ[c]チオフェンの三重項エネルギーは比較的高い。ベンゾ-融合チオフェン類およびトリフェニレンの組み合わせを持つ化合物が、PHOLED中のホストとして有益に利用されうる。よりとりわけ、ベンゾ-融合チオフェン類は典型的に、電子輸送よりも、より空孔輸送であり、一方トリフェニレンは、空孔輸送よりもより電子輸送である。したがって、1つの分子内でこれらの2つの部位を組み合わせることにより、電荷バランスの改善がもたらされ、寿命、効率および低電圧に関して、デバイスの性能を改善しうる。得られる化合物の特性を、特定のリン光発光体、デバイスアーキテクチャ、および/または加工工程に対してもっとも適切になるように調整するために、2つの部位の異なる化学結合を使用可能である。たとえば、m-フェニレン結合は、結果としてより高い三重項エネルギーとより高い溶解度となることが予想され、一方で、p-フェニレン結合は、より低い三重項エネルギーならびにより低い溶解度となることが予想される。ベンゾ-融合チオフェン類の特性と同様に、ベンゾ-融合フラン類がまた典型的に、比較的高い三重項エネルギーを持つ空孔輸送物質である。ベンゾ-融合フラン類の例には、ベンゾフランおよびジベンゾフランが含まれる。したがって、トリフェニレンおよびベンゾフラン両方を含む物質は、PHOLED内で、ホストまたは空孔ブロッキング物質として都合よく使用されてよい。これら2つの基を含む化合物が、電圧を低めることによって、デバイスの安定性および効率を改善しうる、改善された電子安定性を提供しうる。トリフェニレンおよびベンゾフランを連結するために、異なる化学結合を用いることによって、トリフェニレン含有ベンゾフラン化合物の特徴を必要に応じて調整してよい。トリフェニレン部位およびベンゾフラン、ベンゾチオフェンまたはベンゾセレノフェン部位を持つ化合物を含む有機発光デバイスが、良好な性能および安定性を提供することが報告されてきた。たとえば、国際公開第2009021126号パンフレットおよび第2010036765号パンフレットを参照のこと。さらなる融合環とともに、トリフェニレン-ベンゾフラン/ベンゾチオフェン/ベンゾセレノフェンを組み込むデバイスがまた、芳香族融合環が、化合物の共役を増加させ、分子の酸化または還元状態における、より伸長したπ-電子非局在化と、電荷の安定性を導くので、特に融合環が芳香族またはヘテロ芳香族環である場合に、良好な性能および安定性を示しうる。融合置換基を持つ、トリフェニレン部位およびベンゾ-またはジベンゾ-フラン、ベンゾ-またはジベンゾ-チオフェン、またはベンゾ-またはジベンゾ-セレノフェン部位を含む化合物が提供される図3にて図解される。化合物は、式を含む。R’1、R’2およびR’3は、水素、重水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールキル、アリールおよびヘテロアリールからなる群より独立して選択される。各R’1、R’2およびR’3は、モノ、ジ、トリまたはテトラ置換基を表してよい。化合物にはさらに、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、またはジベンゾセレノフェン部位のベンゾ環に融合した、さらなる芳香族またはヘテロ芳香族環をさらに含む、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、またはジベンゾセレノフェン部位を含む。1つの様態において、芳香族またはヘテロ芳香族環は、6-員炭素環状またはヘテロ環状である。他の様態において、芳香環はベンゼン環である。1つの様態において、化合物は、からなる群より選択される。XはO、SまたはSeである。1つの様態において、XはSである。他の様態において、XはOである。R1、R2およびRaは、水素、重水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールキル、アリールおよびヘテロアリールから独立して選択される。各R1およびR2は、モノ、ジ、トリまたはテトラ置換基を表してよい。R1およびR2のすくなくとも2つの置換基は、一緒に融合環を形成する。Raは、ベンゾ環を形成するために融合不可能である、モノまたはジ置換基を表す。Lはスペーサー、またはさらなる融合環を持つ、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、またはベンゾセレノフェン部位への直接結合を表す。好ましくは、化合物は式を持つ。1つの様態において、Lは直接結合である。他の様態において、Lは式を持つスペーサーである。A、B、CおよびDは、からなる群より独立して選択される。A、B、CおよびDは任意に、さらにRaにて置換される。各p、q、rおよびsは、0、1、2、3または4である。pqrsは少なくとも1である。好ましくはLはフェニルである。1つの様態において、さらなる融合環を持つベンゾフラン、ベンゾチオフェン、またはベンゾセレノフェン部位はからなる群より選択される。化合物の例が提供され、からなる群より選択される化合物が含まれる。XはO、SまたはSeである。R1、R2、R3、R4、R5、R’1、R’2およびR’3は、水素、重水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールキル、アリールおよびヘテロアリールからなる群より独立して選択される。各R1、R2、R3、R4、R5、R’1、R’2およびR’3は、モノ、ジ、トリまたはテトラ置換基を表してよい。Lはスペーサーまたは直接結合である。化合物の特定の例が提供され、からなる群より選択される化合物が含まれる。XはO、SまたはSeである。さらに、有機発光デバイスを含む第一デバイスが提供される。有機発光デバイスはさらに、陽極、陰極、および陽極と陰極の間に配置される有機層を含む。有機層は、式を含む化合物を含む。R’1、R’2およびR’3は、水素、重水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールキル、アリールおよびヘテロアリールからなる群より独立して選択される。各R’1、R’2およびR’3は、モノ、ジ、トリまたはテトラ置換基を表してよい。化合物にはさらに、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、またはジベンゾセレノフェン部位のベンゾ環に融合した、さらなる芳香族またはヘテロ芳香族環をさらに含む、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、またはジベンゾセレノフェン部位が含まれる。1つの様態において、化合物は、からなる群より選択される。XはO、SまたはSeである。R1、R2およびRaは、水素、重水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールキル、アリールおよびヘテロアリールから独立して選択される。各R1およびR2は、モノ、ジ、トリまたはテトラ置換基を表してよい。R1およびR2のすくなくとも2つの置換基は、一緒に融合環を形成する。Raは、ベンゾ環を形成するために融合不可能である、モノまたはジ置換基を表す。Lはスペーサー、またはさらなる融合環を持つ、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、またはジベンゾセレノフェン部位への直接結合を表す。1つの様態において、有機層は発光層であり、式Iを持つ化合物がホストである。他の様態において、有機層はさらに、発光性化合物を含む。また他の様態において、発光性化合物は、からなる群より選択される少なくとも1つのリガンドを持つ、遷移金属錯体である。R’a、R’bおよびR’cのそれぞれは、モノ、ジ、トリまたはテトラ置換基を表してよい。各R’a、R’bおよびR’cは、水素、重水素、アルキル、ヘテロアルキル、アリールおよびヘテロアリールからなる群より独立して選択される。2つの隣接置換基が、環を形成してよい。他の様態において、デバイスには、非発光性である第二有機層が含まれ、式Iを含む化合物は、第二有機層中、非発光性物質である。1つの様態において、第一デバイスは、有機発光デバイスである。他の様態において、第一デバイスは、民生用製品である。他の物質との組み合わせ有機発光デバイス中の特定の層のために有用であるとして本明細書で記述される物質は、デバイス中に存在する広く種々の他の物質との組み合わせで使用してよい。たとえば、本明細書で開示された発光性ドーパントは、広く種々のホスト、輸送層、ブロッキング層、注入層、電極および存在しうる他の層と連結して使用してよい。以下で記述するか、または言及する物質は、本明細書で開示された化合物との組み合わせで有用でありうる物質の非限定例であり、当業者は簡単に、組み合わせで有用でありえる他の物質を同定するために、文献を参考にすることが可能である。HIL/HTL:本発明の実施形態中で使用されるべき空孔注入/輸送物質は特に限定はされず、その化合物が典型的に、空孔注入/輸送物質として使用される限り、任意の化合物を使用してよい。物質の例には、フタロシアニンまたはポリフィリン誘導体、芳香族アミン誘導体、インドロカルバゾール誘導体、フッ化炭化水素を含むポリマー、伝導性ドーパントを添加したポリマー、PEDOT/PSSのような伝導ポリマー、リン酸およびシラン誘導体のような化合物から由来する自己アセンブリモノマー、MoOxのような酸化金属誘導体、1,4,5,8,9,12-ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリルのようなp型半導体有機化合物、金属錯体および架橋可能化合物が含まれるが、これらに限定はされない。HILまたはHTL中で使用される芳香族アミン誘導体の例には、以下の一般式が含まれるが、これらに限定はされない。Ar1~Ar9のそれぞれが、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレンのような芳香族炭化水素環状化合物からなる群、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジリンドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾキサゾール、ベンジソキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シノリン、キナゾリン、キナザリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジンおよびセレノフェノジピリジンのような、芳香族ヘテロ環状化合物からなる群、および芳香族炭化水素環状基、および芳香族ヘテロ環状基から選択される、同一の型、または異なる型の群であり、互いに直接、または酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造ユニットおよび脂肪族環状基の少なくとも1つを介して結合する、2~10環状構造ユニットを含む基から選択される。ここで各Arはさらに、水素、重水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールアルキル、ヘテロアルキル、アリールおよびヘテロアリールからなる群より選択される置換基によって置換される。1つの様態において、Ar1~Ar9は、からなる群より独立して選択される。kは1~20の整数であり、X1~X8はCHまたはNであり、Ar1は以上で定義した同一の基である。HILまたはHTLにて使用する金属錯体の例には、以下の一般式が含まれるが、限定はされない。Mは金属であり、40以上の原子量を持ち、Y1-Y2は二座リガンドであり、Y1およびY2は、C、N、O、PおよびSから独立して選択され、Lは補助リガンドであり、mは1からその金属に結合しうるリガンドの最大数の整数であり、mnは、金属に結合しうるリガンドの最大数である。1つの様態において、Y1-Y2は2-フェニルピリジン誘導体である。他の様態において、Y1-Y2はカルベンリガンドである。他の様態において、MはIr、Pt、OsおよびZnから選択される。さらなる様態において、金属錯体は、約0.6V未満の、溶液対Fc/Fc中、最も小さな酸化潜在力を持つ。ホスト:本発明のいくつかの実施形態における有機ELデバイスの光発光層は好ましくは、光発光物質として、少なくとも1つの金属錯体を持ち、ドーパント物質として、金属錯体を用いるホスト物質を含んでよい。ホスト物質の例は、とくに限定はされず、ホストの三重項エネルギーが、ドーパントのものよりも大きい限り、任意の金属錯体または有機化合物を使用してよい。ホストとして使用される金属錯体の例は、好ましくは以下の一般式を持つ。Mは金属であり、Y3-Y4は二座リガンドであり、Y3およびY4はC、N、O、PおよびSから独立して選択され、Lは補助リガンドであり、mは1からその金属に結合しうるリガンドの最大数の整数であり、mnは、金属に結合しうるリガンドの最大数である。1つの様態において、金属錯体は、である。O-Nは二座リガンドであり、原子OおよびNに連携する金属を持つ。他の様態において、MはIrおよびPtから選択される。さらなる様態において、Y3-Y4はカルベンリガンドである。ホストとして使用される有機化合物の例は、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレンのような芳香族炭化水素環状化合物からなる群、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジリンドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾキサゾール、ベンジソキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シノリン、キナゾリン、キナザリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジンおよびセレノフェノジピリジンのような、芳香族ヘテロ環状化合物からなる群、および芳香族炭化水素環状基、および芳香族ヘテロ環状基から選択される、同一の型、または異なる型の群であり、互いに直接、または酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造ユニットおよび脂肪族環状基の少なくとも1つを介して結合する、2~10環状構造ユニットを含む基から選択される。ここで各基はさらに、水素、重水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールアルキル、ヘテロアルキル、アリールおよびヘテロアリールからなる群より選択される置換基によって置換される。1つの様態において、ホスト化合物は、分子中少なくとも1つの以下の基を含む。R1~R7は、水素、重水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールアルキル、ヘテロアルキル、アリールおよびヘテロアリールからなる群より独立して選択され、アリールまたはヘテロアリールである場合、以上で言及したArと同様の定義を持つ。kは0~20の整数である。X1~X8はCHまたはNから選択される。HBL:空孔ブロッキング層HBLを、発光層を離れる空孔および/またはエキシトンの数を減少させるために使用してよい。デバイス中のそのようなブロッキング層の存在により、結果として、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して、本質的により効率が高くなる。また、ブロッキング層を、OLEDの望む領域に発光を限定するために使用してよい。1つの様態において、HBL中で使用される化合物には、以上で記述したホストとして使用されるものと同一の分子が含まれる。他の様態において、HBL中で使用される化合物には、分子中少なくとも1つの以下の基が含まれる。kは0~20の整数であり、Lは補助リガンドであり、mは1~3の整数である。ETL:電子輸送層ETLには、電子を輸送可能な物質が含まれうる。電子輸送層は、内因性ドープされていないか、またはドープされていてよい。ドープ化を、伝導性を増強するために使用してよい。ETL物質の例は特に限定はされないが、電子を輸送するために典型的に使用される限り、任意の金属錯体または有機化合物が使用されてよい。1つの様態において、ETL中で使用する化合物には、分子中少なくとも1つの以下の基が含まれる。R1は、水素、重水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールアルキル、ヘテロアルキル、アリールおよびヘテロアリールからなる群より選択され、アリールまたはヘテロアリールである場合、以上で言及したArと同様の定義を持つ。Ar1~Ar3は、以上で言及したArと同様の定義を持つ。kは0~20の整数である。X1~X8はCHまたはNから選択される。他の様態において、ETL中で使用される金属錯体には、以下の一般式が含まれるが、限定はされない。O-NまたはN-Nは二座リガンドであり、原子O、NまたはN、Nと連携する金属を持ち、Lは補助リガンドであり、mは、1からその金属に連結しうるリガンドの最大数の整数である。OLEDデバイスの各層にて使用される任意の上記化合物中、水素原子は、部分的に、または完全に重水素化されている。本明細書で開示された物質に加えて、および/または組み合わせて、多くの空孔注入物質、空孔輸送物質、ホスト物質、ドーパント物質、エキシトン/空孔ブロッキング層物質、電子輸送および電子注入物質をOLEDで使用してよい。本明細書で開示した物質との組み合わせで、OLEDにて使用してよい物質の非限定例を以下表1にて列記する。表1は、物質の非限定クラス、各クラスに対する化合物の非限定例、および物質を開示している参考文献を列記している。実験化合物実施例実施例15-3-トリフェニレン-2-イルフェニルベンゾ[b]ナフト[2,1-d]チオフェンまたは化合物69Sの合成3-スチリルベンゾ[b]チオフェンの合成本合成は、JournalofHeterocyclicChemistry,185,967-72,1981に基づいている。NaH1.3g、28mmolを、0°CにてN2下、50mLの1,2-ジメトキシエタン中の3-カルボアルデヒドベンゾ[b]チオフェン4.27g、25mmol、ジエチルベンジルホスフォネート5.76g、25mmolの混合液に加え、0°Cにて15分間および室温にて3時間攪拌した。ついで反応混合液を氷水中に注ぎ、濾過した。濾過からの固体を、エタノールより再結晶して、収量4.5gで望む産物を、黄色固体として得た。ベンゾ[b]ナフタ[2,1-d]チオフェンの合成3-スチリルベンゾ[b]チオフェン13.8g、58mmol、I20.13g、3mmolおよび1.1Lのトルエンを、光反応フラスコ中に加えた。混合液を、6時間攪拌しながら、中間圧水銀ランプで照射した。ついで混合液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフイーヘキサン中15EtOAcによって精製した。さらに産物を、メタノール中20EtOAcより再結晶して、12.9gの純粋な産物を得た。5-ブロモベンゾ[b]ナフト[2,1-d]チオフェンの合成~50mLのCHCl3中のBr21.53g、9.4mmolを、室温にて、300mLのCHCl3中のベンゾ[b]ナフタ[2,1-d]チオフェン2.2g、9.4mmolの溶液に滴下して加えた。混合液を22時間攪拌した。反応を水性Na2SO3によってクエンチした。処理、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン中50CH2Cl2および最小量のメタノールおよびヘキサンでの洗浄の後、2.8gの産物を得た。化合物69Sの合成5-ブロモベンゾ[b]ナフト[2,1-d]チオフェン1.45g、4.6mmol、4,4,5,5-テトラメチル-2-3-トリフェニレン-2-イルフェニル-1,3,2-ジオキサボロラン2.4g、5.58mmol、K3PO45.85g、27.6mmol、100mLのトルエンおよび10mLの水の混合液を、15分間、N2で泡立てた。ついでPd2dba3212mg、0.23mmolおよび2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシビフェニル378mg、0.92mmolを加えた。混合液を、さらに20分間、N2で泡立て、ついで一晩還流まで持っていった。処理、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン中40CH2Cl2の後、2.2gの産物を白色固体として得た。化合物4Sは、2-メチルTHF中77Kにて491nmの三重項エネルギーを示した。実施例27-3-トリフェニレン-2-イルフェニルトリフェニレノ[1,12-bcd]チオフェンまたは化合物67Sの合成トリフェニレノ[1,12-bcd]チオフェンの合成コンデンサーと2つのゴム隔膜を備えるオーブン乾燥三首250mL丸底フラスコに、100mLの乾燥ヘキサンをカニューレを介して加えた。フラスコを、アセトン/乾燥氷浴を用いて-50°Cまで冷却した。TMEDA3.3mL、21.0mmolを、シリンジを介して加え、続いて、n-BuLi1.6M、13.7mL、21.9mmolをシリンジを介して加えた。溶液を室温まで温めた。30分間の攪拌の後、トリフェニレン1.0g、4.38mmolを加え、N2下還流まで熱した。混合液が暗赤色になり、3時間還流した。S2Cl20.9mL、10.95mmolを冷却した溶液に加えた。激しい反応が起こり、続いて固体の沈殿が発生した。ついで水を加え、混合液をCH2Cl2にて2回抽出した。有機溶出液をMgSO4上で乾燥させ、濾過し、蒸発させて、残余物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン中0~2.5CH2Cl2によって精製した。0.5gのトリフェニレノ[1,12-bcd]チオフェンを回収した。7-ブロモトリフェニレノ[1,12-bcd]チオフェンの合成トリフェニレノ[1,12-bcd]チオフェン1.5g、5.8mmolを、100mLのクロロホルム中に溶解した。Br2を反応溶液中にゆっくり加えた。反応液を室温にて3日間攪拌した後、混合液をセライトプラグを通して濾過し、CH2Cl2によって洗浄した。濾液を集めて濃縮し、2.2gの7-ブロモトリフェニレノ[1,12-bcd]チオフェンを得、さらなる精製なしに、次の段階のために使用した。4,4,5,5-テトラメチル-2-トリフェニレノ[1,12-bcd]チオフェン-3-イル-1,3,2-ジオキサボロランの合成7-ブロモトリフェニレノ[1,12-bcd]チオフェン2.2g、6.5mmol、KOAc1.6g、20mmolおよび300mLのジオキサンの混合液を、25分間N2にて泡立てた。ついで、PddppfCl20.16g、0.2mmolを加え、混合液をさらに25分間、N2で泡立てた。反応液を90°Cまで一晩熱した。混合液をついで室温まで冷却し、セライトプラグを通して濾過し、CH2Cl2によって洗浄した。濾液をあわせて濃縮した。未精製産物を、ヘキサン中3EtOAcを溶出液として、シリカゲルシリカカラムクロマトグラフィーによって精製して0.25gの産物を得た。化合物67Sの合成4,4,5,5-テトラメチル-2-トリフェニレノ[1,12-bcd]チオフェン-7-イル-1,3,2-ジオキサボロラン0.24g、0.62mmol、3-トリフェニレン-2-イルフェニルトリフルオロメタンスルホン酸塩0.26g、0.57mmol、K3PO40.36g、1.7mmol、ジオキサン30mLおよび水3mLの混合液を、N2によって1時間泡立てた。ついで、Pd2dba35.2mg、0.0057mmolおよびビフェニル-2-イルジシクロヘキシルホスフィン8mg、0.023mmolを加え、混合液をさらに15分間N2で泡立てた。室温にて一晩の攪拌の後、さらなるPd2dba35.2mg、0.0057mmolとビフェニル-2-イルジシクロヘキシルホスフィン8mg、0.023mmolを加えた。反応液を室温にて3日間攪拌した。沈殿物を濾過して回収し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン中0~40のCH2Cl2によって精製して、2-メチルTHF中77Kにて、490nmの三重項エネルギーを示した、白色固体として、50mgの産物を得た。実施例3フェナンスロ[4,5-bcd]チオフェンの合成本合成は、HeteroatomChemistry,52,113-19,1994に基づいている。コンデンサーと滴下漏斗を備える、オーブン乾燥三首1L丸底フラスコに、フェナンスレン5.7g、32mmolと220mLの乾燥ヘキサンを加えた。TMEDA24mL、160mmolを加え、続いてn-BuLi1.6M、100mL、160mmolを、滴下漏斗を介して滴下して加えた。溶液をN2下3時間、還流まで熱した。反応混合液を氷浴中で冷却し、S2Cl26.4mL、80.0mmolをゆっくりと加えた。反応混合液を、室温にて一晩攪拌し続けた。水およびCH2Cl2を加え、層を分離した。水層をCH2Cl2で抽出した。有機抽出液をMgSO4上で乾燥させ、濾過し、蒸発させた。物質を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン中、0~10CH2Cl2によって精製し、硫黄が共雑した2.3gのオフホワイト色固体を得た。ヘキサンで溶出する他のカラムクロマトグラフィーによって0.42gの純粋な物質が得られた。フェナンスロ[4,5-bcd]チオフェンは、2-メチルTHF中77Kにて、508nmの三重項エネルギーを示した。実施例4ベンゾ[b]フェナンスロ[9,10-d]チオフェンの合成本合成は、Tetrahedron,371,75-81,1981に基づいた。500mL三首丸底フラスコに、2,3-ジブロモベンゾ[b]チオフェン5.0g、17.12mmol、フェニルボロン酸5.2g、42.81mmol、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシビフェニル281mg、0.68mmol、K3PO411.8g、51.36mmol、150mLのトルエンおよび5mLの水を加えた。N2を、フラスコ内に直接20分間泡立てた。Pd2dba3157mg、0.171mmolを反応混合液に加え、ついで5時間還流まで熱した。水を、冷却した反応混合液に加え、層を分離した。水層をCH2Cl2にて2回抽出し、有機溶出液をMgSO4上で乾燥させ、濾過し、蒸発させ、赤色油を得、これを乾燥させて、5.71gの赤色固体を得た。固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン中10~20CH2Cl2によって精製して、4.81gの産物を白色固体として得た。光反応器に、2,3-ジフェニルベンゾ[b]チオフェン4.81g、16.8mmolと800mLのトルエンをロードした。溶液を、中間圧水銀ランプを用いて12時間照射した。溶媒を蒸発させ、残余物をシリカゲルクロマトグラフィーヘキサン中0~20EtOAcによって精製した。産物を回収し、最初に物質を溶解させるために少量のEtOAcとともにヘキサンから再結晶化し、1.61gの産物をオフホワイト固体として得た。ベンゾ[b]フェナンスロ[9,10-d]チオフェンは、2-メチルTHF中77Kにて、488nmの三重項エネルギーを示した。実施例5ベンゾ[b]トリフェニレノ[2,1-d]チオフェンの合成本合成は、JournalofHeterocyclicChemistry,216,1775-9,1984に基づく。9-メチルフェナンスレンの合成9-ブロモフェナンスレン27g、102mmolを、400mLの乾燥エーテル中に溶解し、-78°Cまで冷却した。170mLのBuLiヘキサン中1.6Mを45分間で、本溶液にゆっくりと加えた。反応混合液を室温まで温めた。ついで混合液を、室温にて2時間攪拌し、その後-78°Cまで再び冷却し、エーテル中のMe2SO417.6g、133mmolをゆっくりと加えた。混合液を室温にて10時間攪拌した。混合液を、15HCl水溶液中に注ぎ、CH2Cl2で抽出し、MgSO4上で乾燥させた.溶媒を蒸発させて、残余物を得、ヘキサンより再結晶化して、14.2gの産物を、白色固体として得た。9-ブロモメチルフェナンスレンの合成210mLのベンゼン中の9-メチルナフタレン14.2g、74mmol、ベンゾイルペルオキシド40mg、0.16mmolおよびNBS13.3g、74.6mmolの混合液を5時間還流した。反応混合液を0°Cまで冷却し、沈殿したスクシンイミドを濾過によって除去した。濾液を15NaOHによって洗浄し、MgSO4上で乾燥させ、濃縮して18gの産物を得、さらなる精製なしに次のステップのために使用した。ジエチルフェナンスレン-9-イルメチルホスホネートの合成9-ブロモメチルフェナンスレン18g、66.4mmolとトリエチルホスファイト10.7gを混合し、N2下4時間150°Cまで熱した.反応混合液を濃縮し、残余物をシリカゲルクロマトグラフィーによって精製して、12gの産物を得た。3-2-フェナンスレン-9-イルビニルベンゾ[b]チオフェンの合成ジエチルフェナンスレン-9-イルメチルホスホネート11g、33.5mmolと3-カルボアルデヒドベンゾ[b]チオフェン5.5g、33.5mmolを250mLの1,2-ジメトキシエタン中に溶解した。混合液を0°Cまで冷却し、NaH6g、150mmolを分割して加えた。反応混合液を室温まで温め、2.5時間還流まで熱した。反応混合液を濃縮し、残余物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン中30CH2Cl2によって精製して、6gの産物を得た。ベンゾ[b]トリフェレノ[2,1-d]チオフェンの合成3-2-フェナンスレン-9-イルビニルベンゾ[b]チオフェン0.5g、1.5mmol、I238mg、0.15mmolおよび250mLのトルエンを、光反応器中にチャージした。反応混合液を、3.5時間、中間圧水銀ランプで照射した。反応混合液を濃縮して、残余物を得、シリカゲルクロマトグラフィーヘキサン中10CH2Cl2によって精製し、0.3gの産物を得た。ベンゾ[b]トリフェレノ[2,1-d]チオフェンは、2-メチルTHF中77Kにて、463nmの三重項エネルギーを示した。デバイス実施例すべてのデバイス実施例を、高吸引<10-7Torr温度蒸発によって加工した。陽極電極は、1200Åの酸化インジウムスズITOである。陰極は、10ÅのLiFとそれに続く1,000ÅのAlからなる。すべてのデバイスを、加工の直後、窒素グローブボックス<1ppmのH2OとO2中エポキシ樹脂で密封したガラス蓋でカプセル封入し、湿気吸収物をパッケージ内に組み込んだ。表1中のデバイス実施例1~4の有機スタックは、連続して、ITO表面、空孔注入層HILとして100Åの化合物A、空孔輸送層HTLとしての300Åの4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニルα-NPD、発光層EMLとしての、300Åの10または15wtの化合物Aでドープした化合物4S、ETL2としての100Åまたは50Åの化合物69Sまたは化合物B、およびETL1としての400Åまたは450ÅのAlq3トリス-8-ヒドロキシキノリンアルミニウムからなる。比較デバイス実施例1を、CBPをホストとして使用したことを除いて、デバイス実施例3と同様に加工した。デバイス実施例および比較デバイス実施例に対するデバイスデータを表2に示す。Ex.は実施例の略語である。Comp.は比較の略語である。Cmpd.は化合物の略語である。本明細書において、以下の化合物は以下の構造を持つ。デバイス実施例は、ホストとして化合物69Sを使用する。外部量子効率は8.8~12.9であり、これは、CBPをホストとして使用する比較デバイス実施例の効率より低い。理由は、同様の三重項エネルギー化合物69ST1=491nm、化合物AT1=525nmのために、化合物69Sによる化合物Aのリン光が、ある程度蛍光クエンチされるためでありうる。しかしながら、デバイス実施例の運用寿命は、比較デバイス実施例のものと比較して匹敵する。デバイス実施例2は、141時間のLT80初期輝度L0から80まで落ちるために必要な時間を持ち、一方で比較デバイス実施例1は、82時間のLT80を持つ。この結果は、融合環を持つトリフェニレン-ベンゾ-/ジベンゾ-部位化合物の安定性を示唆している。ベンゾ融合環を持つトリフェニレン-ベンゾ-/ジベンゾ-部位化合物の三重項エネルギーが490nm未満であり得るため、これらは黄色、オレンジ色、赤色またはIRリン光発光体に対するホスト物質として特に好適であり得る。本明細書で記述した種々の実施形態が、例示の目的のためだけであり、本発明の範囲を制限する意図がないことが理解される。たとえば、本明細書で記述した多くの物質および構造が、本発明の目的を逸脱することなしに、他の物質および構造で置換されてよい。請求されたような本発明はしたがって、当業者に明らかなように、本明細書で記述された特定の実施例および好ましい実施形態からの変化を含んでよい。なぜ本発明が働くのかについての種々の原理が、制限されることを意図していないことが理解される。"