セラミック基板を装着するための焼成セッターと、前記セラミック基板の上部に位置する焼成加圧板と、前記焼成加圧板と前記セラミック基板との間に一定間隔を置くように前記焼成セッターと前記焼成加圧板との間に配置され、前記セラミック基板より焼成時の厚さ収縮率が大きいセラミック支柱と、を含むセラミック基板焼成装置。前記セラミック支柱は、か焼工程段階では前記セラミック基板の厚さより高い高さを有し、焼成工程段階では前記セラミック基板の厚さより低い高さを有する請求項1に記載のセラミック基板焼成装置。前記セラミック基板は、か焼工程段階では前記焼成加圧板と互いに離隔され、焼成工程段階では前記焼成加圧板と接する請求項1に記載のセラミック基板焼成装置。前記か焼工程段階は500°C未満の温度範囲で行われる請求項2または3に記載のセラミック基板焼成装置。前記焼成工程段階は500°C以上の温度範囲で行われる請求項2または3に記載のセラミック基板焼成装置。前記セラミック支柱は前記セラミック基板と同一の材質である請求項1に記載のセラミック基板焼成装置。前記セラミック支柱は前記セラミック基板より融点が低い材質である請求項1に記載のセラミック基板焼成装置。前記焼成加圧板は前記焼成セッターと同一の材質である請求項1に記載のセラミック基板焼成装置。前記焼成加圧板は前記焼成セッターより密度が高い材質である請求項1に記載のセラミック基板焼成装置。前記セラミック支柱は前記焼成セッターの各辺に沿って夫々位置する請求項1に記載のセラミック基板焼成装置。前記セラミック支柱は前記焼成セッターの各角部に夫々位置する請求項1に記載のセラミック基板焼成装置。前記セラミック支柱は前記焼成セッターの対向する辺に夫々位置し、二つ以上のセラミック基板の間に夫々一つがさらに位置する請求項1に記載のセラミック基板焼成装置。焼成セッターと、セラミック基板と、焼成加圧板とを設ける段階と、前記セラミック基板より焼成時の厚さ収縮率が大きいセラミック支柱を設ける段階と、前記焼成セッターの上部に前記セラミック基板を位置させる段階と、前記焼成加圧板と前記セラミック基板との間に一定間隔を置くように、前記焼成セッター上に前記セラミック支柱と前記焼成加圧板とを配置する段階と、を含むセラミック基板焼成方法。前記セラミック支柱は、か焼工程段階では前記セラミック基板の厚さより高い高さを有し、焼成工程段階では前記セラミック基板の厚さより低い高さを有する請求項13に記載のセラミック基板焼成方法。前記セラミック基板は、か焼工程段階では前記焼成加圧板と互いに離隔され、焼成工程段階では前記焼成加圧板と接する請求項13に記載のセラミック基板焼成方法。前記か焼工程段階は500°C未満の温度範囲で行われる請求項14または15に記載のセラミック基板焼成方法。前記焼成工程段階は500°C以上の温度範囲で行われる請求項14または15に記載のセラミック基板焼成方法。前記セラミック支柱は前記セラミック基板と同一の材質である請求項13に記載のセラミック基板焼成方法。前記セラミック支柱は前記セラミック基板より融点が低い材質である請求項13に記載のセラミック基板焼成方法。前記焼成加圧板は前記焼成セッターと同一の材質である請求項13に記載のセラミック基板焼成方法。前記焼成加圧板は前記焼成セッターより密度が高い材質である請求項13に記載のセラミック基板焼成方法。前記セラミック支柱は前記焼成セッターの各辺に沿って夫々位置する請求項13に記載のセラミック基板焼成方法。前記セラミック支柱は前記焼成セッターの各角部に夫々位置する請求項13に記載のセラミック基板焼成方法。前記セラミック支柱は前記焼成セッターの対向する辺に夫々位置し、二つ以上のセラミック基板の間に夫々一つがさらに位置する請求項13に記載のセラミック基板焼成方法。本発明は、反りを生じさせることなく、大型セラミック基板を焼成することができるセラミック基板焼成装置及びこれを利用したセラミック基板焼成方法を提供する。本発明の一実施形態によると、セラミック基板を装着するための焼成セッターと、上記セラミック基板の上部に位置する焼成加圧板と、上記焼成加圧板と上記セラミック基板との間に一定間隔を置くように上記焼成セッターと上記焼成加圧板との間に配置され、上記セラミック基板より焼成時の厚さ収縮率が大きいセラミック支柱と、を含むセラミック基板焼成装置が提供される。上記セラミック支柱は、か焼工程段階では上記セラミック基板の厚さより高い高さを有し、焼成工程段階では上記セラミック基板の厚さより低い高さを有することを特徴とする。また、上記セラミック基板は、か焼工程段階では上記焼成加圧板と互いに離隔され、焼成工程段階では上記焼成加圧板と接することを特徴とする。上記か焼工程段階は500°C未満の温度範囲で行われることができる。上記焼成工程段階は500°C以上の温度範囲で行われることができる。上記セラミック支柱は上記セラミック基板と同一の材質であることができる。また、セラミック支柱は上記セラミック基板より融点が低い材質であることができる。上記焼成加圧板は上記焼成セッターと同一の材質であることができる。また、上記焼成加圧板は上記焼成セッターより密度が高い材質であることができる。上記セラミック支柱は、上記焼成セッターの各辺に沿って夫々位置することができ、各角部に夫々位置することができ、上記焼成セッターの対向する辺に夫々位置し、二つ以上のセラミック基板の間に夫々一つがさらに位置することができる。一方、本発明の他の実施形態によると、焼成セッターと、セラミック基板と、焼成加圧板とを設ける段階と、上記セラミック基板より焼成時の厚さ収縮率が大きいセラミック支柱を設ける段階と、上記焼成セッターの上部に上記セラミック基板を位置させる段階と、上記焼成加圧板と上記セラミック基板との間に一定間隔を置くように、上記焼成セッター上に上記セラミック支柱と上記焼成加圧板とを配置する段階と、を含むセラミック基板焼成方法が提供される。本発明によると、セラミック基板より収縮率が大きいセラミック支柱と焼成加圧板を用いて大型セラミック基板を加圧焼成することにより、反りを生じさせることなく焼成することができる。特に、本発明によると、焼成前にはセラミック支柱がセラミック基板より厚いため、か焼時に脱バインダ通路を確保し、焼成時にはセラミック支柱の収縮率がセラミック基板より大きいため、焼成加圧板がセラミック基板を加圧することにより、反りを生じることなくセラミック基板が焼成される。本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさ等はより明確な説明のために誇張されることがあり、図面上において同一の符号で表される要素は同一の要素である。以下、添付された図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。図1は本発明の一実施形態によるセラミック基板焼成用装置を概略的に示す斜視図である。本発明の一実施形態によると、セラミック基板2を装着するための焼成セッター1と、上記セラミック基板2の上部に位置する焼成加圧板3と、上記焼成加圧板3と上記セラミック基板2との間に一定間隔を置くように上記焼成セッター1と上記焼成加圧板3との間に配置され、上記セラミック基板2より焼成時の厚さ収縮率が大きいセラミック支柱4と、を含むセラミック基板焼成用装置10が提供される。従来のセラミック-ガラスを利用した大面積多層セラミック基板は、焼成時に基板の不均一収縮によって基板が変形しやすいという問題点があった。これを改善するために、従来は、多層セラミック基板を表裏面を貫通する貫通孔が多数個形成されている多孔質セラミック焼成体の間に挟んで焼成する方法が用いられていた。しかし、上記の方法で多層セラミック基板を焼成する場合、貫通孔の形成にも関わらずセラミック基板の表面を覆っている領域が15~70程度存在するため、脱バインダを妨害するようになり、これはセラミック基板の厚さが増加するほどさらに悪化する。本発明の一実施形態によるセラミック基板焼成用装置10は、上記の問題点を解決するために、焼成セッター1、焼成加圧板3及びセラミック基板2より収縮率が大きいセラミック支柱4を含む。セラミック基板2とセラミック支柱4は同一の材質であってもよく、収縮率をより大きくするために、セラミック支柱4が上記セラミック基板2より融点が低い材質であってもよい。また、本発明の一実施形態によると、セラミック支柱4は未焼結焼成支柱であり、焼成前のか焼工程でセラミック基板2から脱バインダ通路を確保するために、セラミック基板2より厚さが厚くZ軸方向高さがより高く製作される。図4はセラミック基板とセラミック支柱の温度毎の厚さ収縮率を示すグラフである。図4を参照すると、セラミック基板2とセラミック支柱4は両方ともか焼完了区間である500°C以前には収縮挙動を示さない。従って、未焼結状態のセラミック支柱4がセラミック基板2より厚さが厚い状態で焼成加圧板3を支持しているため、セラミック基板2と焼成加圧板3が接触せず、脱バインダ通路が確保された状態でか焼工程が進行される。上記か焼工程が完了した後、700°C付近で焼結収縮挙動が始まる。本発明の一実施形態によるセラミック基板焼成用装置10では、セラミック支柱4のZ軸収縮率がセラミック基板2のZ軸収縮率より大きいため、焼結収縮時のセラミック支柱4の厚さ減少量はセラミック基板2の厚さ減少量より遥かに大きい。従って、焼成前にはセラミック基板2より特定サイズだけ厚かったセラミック支柱4が焼成後にはセラミック基板2の厚さと同一であるかまたはより薄くなる。これにより、焼成前にはセラミック基板2と接触しなかった焼成加圧板3が焼成過程でセラミック基板2と接触し、加圧した状態で焼成が進行される。即ち、500°C未満の温度範囲では上記セラミック支柱4の厚さが上記セラミック基板2の厚さより大きいが、500°C以上の温度範囲では上記セラミック支柱4の厚さが上記セラミック基板2の厚さと同一であるかまたは小さくなる。従って、500°C未満の温度範囲では上記セラミック基板2と上記焼成加圧板3が互いに離隔されてか焼工程で脱バインダ通路を確保し、500°C以上の温度範囲では上記セラミック基板2と上記焼成加圧板3が互いに接するようになり、加圧焼成が可能となる。上記焼成加圧板3は上記焼成セッター1と同一の材質であることができ、加圧によるセラミック基板2の平坦化効果を高めるために、上記焼成セッター1より密度が高い材質であることができる。図2aは本発明の他の実施形態によるセラミック基板焼成工程のうち、か焼工程を示す断面図である。図2bは本発明の他の実施形態によるセラミック基板焼成工程のうち、焼成工程を示す断面図である。図3は本発明の他の実施形態によるセラミック基板焼成工程のフローチャートである。図2a、図2b及び図3を参照すると、本発明の他の実施形態によると、焼成セッター1、セラミック基板2と焼成加圧板3とを設ける段階S1と、上記セラミック基板2より焼成時の厚さ収縮率が大きいセラミック支柱4を設ける段階S2と、上記焼成セッター1の上部に上記セラミック基板2を位置させる段階S3と、上記焼成加圧板3と上記セラミック基板2との間に一定間隔を置くように、上記焼成セッター1と上記焼成加圧板3との間に上記セラミック支柱4を配置させる段階S4と、上記焼成加圧板3をセラミック支柱4の上部に位置させる段階S5と、を含むセラミック基板焼成方法が提供される。本発明の他の実施形態によるセラミック基板焼成方法は、まず焼成セッター1、セラミック基板2と焼成加圧板3とを設けるS1。セラミック基板2は面積が広くて厚い大型低温同時焼成用セラミック基板であり、焼成セッター1と焼成加圧板3は同一の材質であってもよく、加圧によるセラミック基板2の平坦化効果を高めるために、上記焼成セッター1より密度が高い材質であってもよい。次に、セラミック基板2より焼成時の厚さ収縮率が大きいセラミック支柱4を設けるS2。セラミック基板2とセラミック支柱4は同一の材質であってもよく、厚さ収縮率をより大きくするために、セラミック支柱4が上記セラミック基板2より融点が低い材質であってもよい。また、セラミック支柱4は未焼結焼成支柱であり、焼成前のか焼工程でセラミック基板2から脱バインダ通路を確保するために、セラミック基板2より厚さが厚くZ軸方向高さがより高く準備される。次に、上記焼成セッター1の上部に上記セラミック基板2を位置させるS3。上記焼成セッター1の上部に上記セラミック基板2を位置させる段階は、通常のセラミック基板の焼成工程と同一である。次に、上記焼成加圧板3と上記セラミック基板2との間に一定間隔を置くように、上記焼成セッター1と上記焼成加圧板3との間に上記セラミック支柱4を配置させS4、上記焼成加圧板3をセラミック支柱4の上部に位置させるS5。これにより、焼成セッター1の上部に位置するセラミック基板2は、その周りに位置するセラミック支柱4によって焼成加圧板3が支持されるため、焼成加圧板3と一定間隔で離隔される。上述した配置状態で、か焼工程と焼成工程が進行されるS6。か焼工程の間には、セラミック基板2より厚さが厚いセラミック支柱4が焼成加圧板3を支持しており、セラミック基板2とセラミック支柱4は両方ともか焼完了区間である500°C以前では収縮挙動を示さないため、セラミック基板2の脱バインダ通路を十分に確保するようになる。上記か焼工程が完了した後、700°C付近でセラミック基板2とセラミック支柱4の焼結収縮挙動が始まる。セラミック支柱4の収縮率がセラミック基板2の収縮率より大きいため、焼結収縮時のセラミック支柱4の厚さ減少量はセラミック基板2の厚さ減少量より遥かに大きくなる。従って、上記か焼工程中に離隔されていたセラミック基板2と焼成加圧板3は、上記焼成加圧板3を支持していたセラミック支柱4の厚さがセラミック基板2の厚さより遥かに大きく減少することにより、セラミック基板2の厚さと同一であるかまたはより低くなるため、互いに接触するようになる。上述のように焼成加圧板3がセラミック基板2を加圧しながら焼成が進行されるため、セラミック基板が反りを生じることなく焼成される。以下、比較例及び実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれによって制限されない。下記表1は本発明の適用結果を比較するための実験の組み合わせ及びその結果を示している。実験1では横×縦×厚さが250mm×250mm×2mmであるセラミック基板を使用し、実験2では横×縦×厚さが250mm×250mm×10mmであるセラミック基板を使用した。比較例1は基板平坦化のための焼成加圧板を使用しない場合であり、比較例2は焼成加圧板は使用してセラミック支柱を使用せず、焼成前から焼成加圧板がセラミック基板の上部を加圧するようにした場合である。実施例1は焼成加圧板を使用し、本発明のグリーンセラミック支柱を使用した場合である。実施例1において、実験1の焼成後のセラミック基板厚さは1.7mm、実験2の焼成後のセラミック基板厚さは8.43mmであった。実験1における比較例1の結果を参照すると、セラミック基板の上部に焼成加圧板を使用しないため、基板の残炭量は少なかったが、基板反りの程度が激しく、大型基板の品質が低下した。実験1における比較例2は、セラミック基板の焼成前から焼成加圧板が上部を加圧したため、焼成後の基板反りの程度は低かったが、脱バインダ通路が不十分であったため残炭量が多かった。これに対し、実験1における実施例1は、セラミック支柱がか焼完了後まで焼成加圧板をセラミック基板から離隔させて脱バインダ通路を提供することにより、最終セラミック基板の残炭量は少なかった。また、焼結収縮区間では、セラミック支柱の厚さ収縮により焼成加圧板がセラミック基板を加圧するため、最終セラミックの基板反りの程度も低く、基板残炭量と基板反りの程度が両方とも改善された結果を示した。実験2でもグリーンセラミック支柱の使用によって同一の効果が得られた。特に、基板の厚さがより厚いほどセラミック支柱の厚さも厚くなり、セラミック支柱とセラミック基板の間隔が大きくなることができるため、脱バインダ通路がより容易に確保され、これによる残炭量の減少効果も増加した。従って、本発明のセラミック支柱による脱バインダ通路の確保及び基板平坦化の効果はセラミック基板が厚いほどより効果的である。図5aから図5cは本発明の一実施形態によるセラミック基板焼成用装置の配置図である。セラミック支柱4の横×縦×厚さ及びその配置方法は、焼成セッター1とセラミック基板2のサイズに応じて自由に変更することができ、例えば、図5aから図5cに示すように変更できる。図5aに図示されたように、セラミック支柱4は焼成セッター1の各辺に沿って夫々位置してもよく、図5bに図示されたように、焼成セッター1の各角部に夫々位置してもよい。また、図5cに図示されたように、セラミック支柱4は焼成セッター1の対向する辺に夫々位置してもよく、二つ以上のセラミック基板2の間に夫々一つがさらに位置してもよい。本発明は上述の実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求範囲により限定される。従って、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた本発明の範囲に属するといえる。