"重合体成分Aおよび溶剤Bを含む液浸上層膜形成用組成物であって、重合体成分Aが有する全繰り返し単位のうちの少なくとも一部として、カルボキシル基を有する繰り返し単位cと、スルホ基を有する繰り返し単位sとを有し、溶剤Bとして、炭素数が2以上8以下のエーテル系溶剤B1を含む、液浸上層膜形成用組成物。前記エーテル系溶剤B1が、下記式B-1で表される化合物、下記式B-2で表される化合物、及び下記式B-3で表される化合物のうち少なくとも1種を含む、請求項1に記載の液浸上層膜形成用組成物。式B-1中、Rb0及びRb1はそれぞれ独立に炭素数1~7の炭化水素基、又は炭素数1~7のハロゲン化炭化水素基を示すただし、Rb0及びRb1の炭素数の合計は炭素数2以上8以下である。。式B-2中、Rb2は炭素数3~8の2価の炭化水素基を示す。式B-3中、Rb3はそれぞれ独立に炭素数1~4の2価の炭化水素基を示す。前記エーテル系溶剤B1を溶剤全量中20~90質量含む請求項1または2に記載の液浸上層膜形成用組成物。前記カルボキシル基を有する繰り返し単位cが、下記一般式C-1で表される繰り返し単位、下記一般式C-2で表される繰り返し単位、及び下記一般式C-3で表される繰り返し単位のうちの少なくとも1種である、請求項1~3のいずれかに記載の液浸上層膜形成用組成物。[一般式C-1~C-3において、Rは、それぞれ独立に水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。Rc1及びRc2は、それぞれ独立に、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状の2価の炭化水素基、炭素数4~12の2価の脂環式炭化水素基、または炭素数6~12の2価の芳香族炭化水素基を示す。]前記スルホ基を有する繰り返し単位sが、下記一般式S-1で表される繰り返し単位、下記一般式S-2で表される繰り返し単位で表される繰り返し単位からなる群のうち少なくとも1種である、請求項1~4のいずれかに記載の液浸上層膜形成用組成物。[一般式S-1及びS-2において、Rは、それぞれ独立に水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示し、Rs1は、それぞれ独立に単結合、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状の2価の炭化水素基、炭素数4~12の2価の脂環式炭化水素基、または炭素数6~12の2価の芳香族炭化水素基を示す。]前記カルボキシル基を有する繰り返し単位cが、前記一般式C-3で表される繰り返し単位である、請求項1~5のいずれかに記載の液浸上層膜形成用組成物。前記スルホ基を有する繰り返し単位sが、前記一般式S-1で表される繰り返し単位である、請求項1~6のいずれかに記載の液浸上層膜形成用組成物。請求項1~7のいずれかに記載の液浸上層膜形成用組成物を用いて形成された液浸上層膜。基板上にフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する工程1と、請求項1~8のいずれか一項に記載の液浸上層膜形成用組成物を前記フォトレジスト膜上に塗布して前記フォトレジスト膜上に上層膜を形成する工程2と、前記上層膜上に液浸媒体を配し、所定のパターンを有するマスクおよび液浸液体を通過させた露光光を、前記上層膜及び前記フォトレジスト膜に照射することによって、前記上層膜及び前記フォトレジスト膜を露光する工程3と、露光された前記上層膜及び前記フォトレジスト膜を現像液で現像する工程4と、を備えるレジストパターン形成方法。ところで液浸用上層膜形成用組成物としてカルボキシル基を有する繰り返し単位およびスルホ基を有する繰り返し単位を含む重合体成分を用いる場合、この重合体に対する溶解性が良好であるアルコール系溶剤を主に用いているが、アルコール系溶剤よりも低粘度であるジイソアミルエーテル等のエーテル系溶剤を添加することで塗布量ウェハに均一膜を形成する際に必要な薬液量を低減させている。しかしながら、エーテル系溶剤としてジイソアミルエーテルを用いた場合には、上層膜形成用組成物の保存安定性が低いという課題があった。一方、保存安定性を向上させるために、カルボキシル基を有する繰り返し単位およびスルホ基を有する繰り返し単位を含む重合体成分を用いない場合には、レジストパターンを形成した際にBlob欠陥を生じる等の課題があった。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、レジストパターンを形成した際に生じるBlob欠陥を抑制することができ、かつ保存安定性に優れた液浸上層膜形成用組成物を提供することを目的とした。本発明者らは、上記のような従来技術の課題を解決すべく鋭意検討した結果、特定の繰り返し単位を有する重合体成分と特定のエーテル系溶剤を含む溶剤を含む液浸上層膜形成用組成物を用いることによって、上記課題を解決可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、以下の液浸上層膜形成用組成物等が提供される。[1]重合体成分Aおよび溶剤Bを含む液浸上層膜形成用組成物であって、重合体成分Aが有する全繰り返し単位のうちの少なくとも一部として、カルボキシル基を有する繰り返し単位cと、スルホ基を有する繰り返し単位sとを有し、溶剤Bとして、炭素数が2以上8以下のエーテル系溶剤B1を含む、液浸上層膜形成用組成物。[2]前記エーテル系溶剤B1が、下記式B-1で表される化合物、下記式B-2で表される化合物、及び下記式B-3で表される化合物のうち少なくとも1種を含む、前記[1]に記載の液浸上層膜形成用組成物。式B-1中、Rb0及びRb1はそれぞれ独立に炭素数1~7の炭化水素基、又は炭素数1~7のハロゲン化炭化水素基を示すただし、Rb0及びRb1の炭素数の合計は炭素数2以上8以下である。式B-2中、Rb2は炭素数3~8の2価の炭化水素基を示す。式B-3中、Rb3はそれぞれ独立に炭素数1~4の2価の炭化水素基を示す。[3]前記エーテル系溶剤B1を溶剤全量中20~90質量含む前記[1]または[2]に記載の液浸上層膜形成用組成物。[4]前記カルボキシル基を有する繰り返し単位cが、下記一般式C-1で表される繰り返し単位、下記一般式C-2で表される繰り返し単位、及び下記一般式C-3で表される繰り返し単位のうちの少なくとも1種である、前記[1]~[3]のいずれかに記載の液浸上層膜形成用組成物。[一般式C-1~C-3において、Rは、それぞれ独立に水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。Rc1及びRc2は、それぞれ独立に、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状の2価の炭化水素基、炭素数4~12の2価の脂環式炭化水素基、または炭素数6~12の2価の芳香族炭化水素基を示す。][5]前記スルホ基を有する繰り返し単位sが、下記一般式S-1で表される繰り返し単位、下記一般式S-2で表される繰り返し単位で表される繰り返し単位からなる群のうち少なくとも1種である、前記[1]~[4]のいずれかに記載の液浸上層膜形成用組成物。[一般式S-1及びS-2において、Rは、それぞれ独立に水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示し、Rs1は、それぞれ独立に単結合、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状の2価の炭化水素基、炭素数4~12の2価の脂環式炭化水素基、または炭素数6~12の2価の芳香族炭化水素基を示す。][6]前記カルボキシル基を有する繰り返し単位cが、前記一般式C-3で表される繰り返し単位である、前記[1]~[5]のいずれかに記載の液浸上層膜形成用組成物。[7]前記スルホ基を有する繰り返し単位sが、前記一般式S-1で表される繰り返し単位である、前記[1]~[6]のいずれかに記載の液浸上層膜形成用組成物。[8]前記[1]~[7]のいずれかに記載の液浸上層膜形成用組成物を用いて形成された液浸上層膜。[9]基板上にフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する工程1と、前記[1]~[8]のいずれか一項に記載の液浸上層膜形成用組成物を前記フォトレジスト膜上に塗布して前記フォトレジスト膜上に上層膜を形成する工程2と、前記上層膜上に液浸媒体を配し、所定のパターンを有するマスクおよび液浸液体を通過させた露光光を、前記上層膜及び前記フォトレジスト膜に照射することによって、前記上層膜及び前記フォトレジスト膜を露光する工程3と、露光された前記上層膜及び前記フォトレジスト膜を現像液で現像する工程4と、を備えるレジストパターン形成方法。本発明の液浸用上層膜形成用組成物以下、単に上層膜形成用組成物ともいう。によれば、特定の繰り返し単位を有する重合体成分と特定のエーテル系溶剤を含む溶剤を含む液浸上層膜形成用組成物を用いることで、保存安定性に優れ、かつレジストパターンを形成した際に生じるBlob欠陥を抑制することができる。以下、本発明を詳細に説明する。尚、本明細書において、メタアクリルとは、アクリル及びメタクリルを意味する。本発明の液浸上層膜形成用組成物以下、上層膜形成用組成物ともいうは、重合体成分Aおよび溶剤Bを含み、重合体成分Aが有する全繰り返し単位のうちの少なくとも一部として、カルボキシル基を有する繰り返し単位cと、スルホ基を有する繰り返し単位sとを有し、溶剤Bとして、炭素数が2以上8以下のエーテル系溶剤B1を含む。以下、本発明の液浸上層膜形成用組成物について詳しく説明する。[重合体成分A][カルボキシル基を有する繰り返し単位c]本発明における重合体成分は、その全繰り返し単位の一部として、カルボキシル基を有する繰り返し単位c以下、繰り返し単位cともいうを含んでいる。カルボキシル基を有する繰り返し単位としては、特に限定されるものではないが、下記一般式C-1で表される繰り返し単位、下記一般式C-2で表される繰り返し単位、及び下記一般式C-3で表される繰り返し単位のうちの少なくとも1種を挙げることができる。上記一般式C-1~C-3において、Rは、それぞれ独立に水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。Rc1及びRc2は、それぞれ独立に、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状の2価の炭化水素基、炭素数4~12の2価の脂環式炭化水素基、または炭素数6~12の2価の芳香族炭化水素基を示す。前記一般式C-1及びC-2における、Rc1及びRc2の炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状の2価の炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基;1,3-プロピレン基、1,2-プロピレン基等のプロピレン基;テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基、2-メチル-1,4-ブチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、2-プロピリデン基等を挙げることができる。また、前記Rc1及びRc2の炭素数4~12の2価の脂環式炭化水素基としては、例えば、単環式炭化水素基、架橋環式炭化水素基等が挙げられる。前記単環式炭化水素基としては、1,3-シクロブチレン基等のシクロブチレン基、1,3-シクロペンチレン基等のシクロペンチレン基、1,4-シクロヘキシレン基等のシクロヘキシレン基、1,5-シクロオクチレン基等のシクロオクチレン基等の炭素数4~12のシクロアルキレン基等が挙げられる。架橋環式炭化水素基としては、例えば、1,4-ノルボルニレン基、2,5-ノルボルニレン基等のノルボルニレン基、1,5-アダマンチレン基、2,6-アダマンチレン基等のアダマンチレン基等の炭素数4~12の2~4環式炭化水素基等が挙げられる。また、前記Rc1及びRc2の炭素数6~12の2価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、トリレン基等のアリーレン基等が挙げられる。前記式C-1またはC-2で表される繰り返し単位の具体例としては、下記式で表されるものを挙げることができる。上記各式において、Rは、それぞれ独立に水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。重合体成分Aにおける繰り返し単位cの含有量は、重合体成分Aが有する全繰り返し単位を100モルとして、好ましくは5~50モルであり、より好ましくは10~30モルである。繰り返し単位cの含有量がある上記範囲であると、アルカリ現像液への溶解性に優れ、溶け残り欠陥を抑制でき、また溶剤への溶解性に優れる。[スルホ基を有する繰り返し単位s]本発明における重合体成分は、その全繰り返し単位の一部として、スルホ基を有する繰り返し単位s以下、繰り返し単位sともいうを含んでいる。スルホ基を有する繰り返し単位としては、特に限定されるものではないが、下記一般式S-1またはS-2で表される繰り返し単位を挙げることができる。[一般式S-1及びS-2において、Rは、それぞれ独立に水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示し、Rs1は、それぞれ独立に単結合、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状の2価の炭化水素基、炭素数4~12の2価の脂環式炭化水素基、または炭素数6~12の2価の芳香族炭化水素基を示す。]前記一般式S-1及びS-2における、Rs1の炭素数1~6の直鎖状または分岐状の2価の炭化水素基、炭素数4~12の2価の脂環式炭化水素基、炭素数6~12の2価の芳香族炭化水素基については、前記一般式C-1のRc1における説明をそのまま適用することができる。これらの中でも、一般式S-1においては単結合、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状の2価の炭化水素基または炭素数6~12の2価の芳香族炭化水素が好ましく、単結合、メチレン基またはフェニレン基が特に好ましい。一般式S-2においては炭素数1~6の直鎖状または分岐状の2価の炭化水素基が好ましく、2-メチルプロパンー2,3-ジイル基が特に好ましい。繰り返し単位sの具体例としては、下記式で表されるものを挙げることができる。上記式においてRは水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。前記重合体成分Aにおける繰り返し単位sの含有量は、重合体成分Aが有する全繰り返し単位を100モルとして、好ましくは、0.1~10モルであり、より好ましくは0.1~5モルである。繰り返し単位sの含有量がある上記範囲であると、Blob欠陥を抑制でき、また、下地となるレジスト層に影響しにくい。[繰り返し単位f]繰り返し単位fは、フッ素原子を有しており、具体的には、下記式f-1で表される繰り返し単位f1や、下記式f-2で表される繰り返し単位f2を挙げることができる。上記式f-1中、Rf1は2価の連結基であり、上記式f-2中、Rf2はフッ素原子を含有する炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状の1価の炭化水素基又は炭素数3~10の1価の脂環式炭化水素基である。Rは、それぞれ独立に水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。上記式f-1におけるRf1の2価の連結基としては、炭素数1~6の直鎖状又は分岐状の2価の炭化水素基や、炭素数4~12の2価の脂環式炭化水素基を挙げることができ、前記一般式C-1のRc1における説明をそのまま適用することができる。また、上記炭化水素基及び脂環式炭化水素基中のメチレン基-CH2-は、酸素原子、カルボニル基、エステル基で置換されていてもよい。Rf1としては、炭素数1~3の直鎖状若しくは分岐状の2価の炭化水素基、ノルボルネン骨格を含む2価の基、又はアダマンタン骨格を含む2価の基が好ましい。繰り返し単位f1の具体例としては、下記式f1-1~f1-6で表される繰り返し単位を挙げることができる。上記式中、Rは、それぞれ独立に水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。また、上記繰り返し単位f2としては、Rf2のフッ素原子を含有する1価の直鎖状若しくは分岐状の炭化水素基において炭素数が2以上8以下のものか又は1価の脂環式炭化水素基において炭素数4~8のものがより好ましい。繰り返し単位f2の具体例としては、下記式のものを挙げることができる。上記式中、Rは、それぞれ独立に水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。前記重合体成分Aにおける繰り返し単位fの含有量は、重合体成分Aが有する全繰り返し単位を100モルとして、好ましくは、50~97モルであり、より好ましくは60~95モルである。繰り返し単位fの含有量がある上記範囲であると、上層膜表面と水滴との接触角を良好にすることができ、特に後退接触角を高くすることができる。また、本発明における重合体成分には、上記の繰り返し単位以外に、アルカリ現像液に対する溶解性を向上させる目的で、下記式n-1で表される繰り返し単位n1を含有させることもできる。式n-1中、Rn2は、炭素数1~20のフルオロアルキル基である。Rn1は、上記式f-1のRf1と同義であり、Rは、それぞれ独立に水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。また、本発明における重合体成分には、上記の繰り返し単位以外に、例えば、撥水性を向上させる目的で、下記式n-2で表される繰り返し単位n2を含有させたり、あるいは、重合体の分子量、ガラス転移点、溶媒への溶解性などを制御する目的で、酸の作用によって脱離可能な酸解離性基を有する繰り返し単位やそれ以外の繰り返し単位等を含有させたりすることができる。[一般式n-2において、Rn3は炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基の有する水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基を示し、Rは、それぞれ独立に水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。]前記繰り返し単位n2を得るための単量体としては、下記式で表される化合物等が挙げられる。[重合体]本発明における重合体成分中における上記繰り返し単位c及び上記繰り返し単位sの含有形態としては、I繰り返し単位cと繰り返し単位sとの共重合体以下、重合体A1とも言うとして1つの重合体中に含有されている場合、II繰り返し単位cと繰り返し単位sとがそれぞれ別の重合体に含有されている場合、を挙げることができる。[含有形態I][重合体A1]上記重合体成分中に重合体A1を含む場合、その重合体A1における繰り返し単位cの含有量は、重合体A1が有する全繰り返し単位を100モルとして、好ましくは99~10モルであり、より好ましくは98~20モルである。繰り返し単位cの含有量が10モル以上であると、重合体cの溶け残りが少なくなることで欠陥をより少なくすることができ、50モル以下であると、重合体cの親水性が高くなりすぎず、上層膜の撥水性をより良好にできる。また、重合体A1における繰り返し単位sの含有量は、重合体Aが有する全繰り返し単位を100モルとして、好ましくは、1~20モルであり、より好ましくは1~10モルである。繰り返し単位sの含有量が1モル以上であると、下地となるレジスト層における膜減り量が少なくなりすぎず、Blob欠陥を好適に抑制でき、20モル以下であると、膜減り量が多くなりすぎず、レジスト層のエッチング耐性を確保することができる。なお、重合体A1は、上記において、重合体成分中に含有されていてもよい繰り返し単位として例示したもののうち、繰り返し単位c及び繰り返し単位s以外の繰り返し単位を有していてもよい。重合体A1の含有量は、当該液浸上層膜形成用組成物に含有される重合体成分の全部を100質量とした場合に、3~40質量であるのが好ましく、5~30質量であるのがより好ましい。重合体A1の含有量が3質量以上であると、上層膜のアルカリ現像液への溶解速度をより高めることができ、上層膜の溶け残りに起因する欠陥をより少なくすることができる。また、40質量以下であると、重合体成分中において、後述する重合体A2を含む場合において重合体A2の高撥水性を維持しやすく、上層膜において後退接触角を高く維持することができる。[その他の重合体][重合体A2]本発明の上層膜形成用組成物には、重合体A1とは別の重合体以下、その他の重合体とも言うとして、重合体A1よりも撥水性が高い重合体A2を含んでいるのが好ましい。この場合、重合体A2が上層膜の表面に局在化しやすくなり、重合体A2が有する撥水性によって、上層膜表面と水滴との接触角を良好にすることができ、特に後退接触角を高くすることができる。一方、重合体A1については、レジスト被膜と上層膜との界面側に局在化しやすくなり、その界面において形成されるミキシング層の存在によって欠陥が抑制されるとともに、レジストの種類にかかわらず矩形状のレジスト形状を得ることができるレジスト形状の依存性を低減できる、また、ミキシング層における現像液溶解性をより高めることができ、欠陥の抑制効果を一層高めることができる。重合体A2は、フッ素原子の含有率質量が重合体A1よりも高いのが好ましい。また、重合体A2は、上記繰り返し単位fを備えるものが好ましく、具体的には、i上記繰り返し単位f1の単独重合体、ii上記繰り返し単位f1と上記繰り返し単位f2との共重合体、iiiメタアクリル酸アルキルにおける重合性不飽和結合が開裂した繰り返し単位と、上記繰り返し単位f1との共重合体等を挙げることができる。より具体的には、例えば、メタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル単独重合体、メタクリル酸2,2,2-トリフルオロエチルエステルメタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル共重合体、メタクリル酸2,2,2-トリフルオロエチルエステルメタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル共重合体、メタクリル酸ブチルメタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル共重合体、メタクリル酸ラウリルメタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル共重合体、メタクリル酸1,1,1,3,3,3,-ヘキサフルオロ-2-プロピルエステルメタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル共重合体等を挙げることができる。これらは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記重合体A2における上記繰り返し単位fの含有量は、重合体A2が有する全繰り返し単位を100モルとして、好ましくは10~100モルであり、より好ましくは20~100モルである。繰り返し単位fの含有量が10モル以上であると、重合体A2のアルカリ現像液への溶解性が低くなりすぎず、溶け残り欠陥の抑制効果が高い。重合体A2の含有量は、当該上層膜形成用組成物に含有される重合体成分Aの全部を100質量とした場合に、30~97質量であるのが好ましく、60~95質量であるのがより好ましい。上記範囲とすることにより、後退接触角を適度に高くすることができ、欠陥をより抑制できる。また、上記重合体成分Aは、その他の重合体として、上記重合体A2以外の重合体を含有していてもよい。具体的には、例えば、上記その他の重合体として、上記重合体A2と、フッ素原子含有率が重合体A2よりも低く重合体A1よりも高い重合体A3とを含有する形態を挙げることができる。重合体A3として具体的には、例えば、上記繰り返し単位f1などのアルカリ可溶性基と上記繰り返し単位sとの共重合体A3を挙げることができる。なお、本重合体成分は、その他の重合体を必ずしも含有している必要はなく、上記重合体A1単独で構成されていてもよい。[含有形態II]上記重合体成分A中において、上記繰り返し単位c及び上記繰り返し単位sは、それぞれ別の重合体P1,P2に含有されていてもよい。具体的には、例えば、重合体P1が、上記繰り返し単位cと上記繰り返し単位fとの共重合体であり、重合体P2が、上記繰り返し単位sとアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位但し、上記繰り返し単位cに該当するものを除く。との共重合体である構成を挙げることができる。前記重合体成分Aとして含まれる各重合体を製造する方法は特に限定されないが、例えば、適宜選択された開始剤や連鎖移動剤の存在下、重合溶媒中で、対応する一以上のラジカル重合性単量体をラジカル重合することによって製造することができる。前記重合溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等の多価アルコールのアルキルエーテル類;エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン、ジアセトンアルコール等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル等のエステル類を挙げることができる。これらのなかでも、環状エーテル類、多価アルコールのアルキルエーテル類、多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類、ケトン類、エステル類等が好ましい。尚、これらの溶剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。前記重合体成分Aとして含まれる各重合体の重量平均分子量以下、Mwともいう。は、それぞれ、2,000~100,000であることが好ましく、より好ましくは2,500~50,000、更に好ましくは3,000~20,000である。このMwが2,000未満である場合、上層膜としての耐水性及び機械的特性が著しく低くなるおそれがある。一方、100,000を超える場合、前記溶媒に対する溶解性が著しく悪くなるおそれがある。また、各重合体のMwと数平均分子量以下、Mnともいうとの比Mw/Mnは、1~5であることが好ましく、更に好ましくは1~3である。尚、本明細書における重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCで測定したポリスチレン換算による値である。また、重合体成分Aは、ハロゲンイオン、金属等の不純物が少ないほど好ましく、不純物を少なくすることにより、上層膜としての塗布性とアルカリ現像液への均一な溶解性を更に改善することができる。更に、重合体成分Aに含まれる重合体を精製する方法としては、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等を挙げることができる。本発明における重合体成分Aは、放射線照射時に水等の液浸媒体液浸液に対して安定な上層膜保護膜、つまり耐水性が高い上層膜を形成可能であるとともに、レジストパターンの形成に際して使用される現像液に溶解し得る。ここで、液浸液に対して安定とは、本発明の上層膜形成用組成物を用いて形成された塗膜に対し、ノズルから水例えば超純水を所定時間例えば60秒吐出させた後、所定回転速度例えば4,000rpmで所定時間例えば15秒間振り切りによりスピンドライしたときの膜厚の変化率が、初期膜厚の3以内であることを意味するものとする。[溶剤]また、本発明の液浸上層膜形成用組成物は、重合体成分等を溶解することを目的として溶剤が含まれ、具体的には、炭素数が2以上8以下のエーテル系溶剤B1が含まれる。[エーテル系溶剤B1]炭素数が2以上8以下のエーテル系溶剤としては、炭素数が4以上8以下であることが好ましく、炭素数6以上8以下であることがより好ましい。炭素数が2以上8以下のエーテル系溶剤としては、下記式B-1で表される化合物、下記式B-2で表される化合物、及び下記式B-3で表される化合物のうち少なくとも1種を挙げることができる。式B-1中、Rb0及びRb1はそれぞれ独立に炭素数1~7の炭化水素基、又は炭素数1~7のハロゲン化炭化水素基を示すただし、Rb0及びRb1の炭素数の合計は炭素数が2以上8以下である。。式B-2中、Rb2は炭素数3~8の2価の炭化水素基を示す。式B-3中、Rb3はそれぞれ独立に炭素数1~4の2価の炭化水素基を示す。上記式B-1におけるRb0及びRb1の炭素数1~7の炭化水素基としては、炭素数1~7のアルキル基、炭素数2~7のアルケニル基、炭素数3~7の脂環式炭化水素基を挙げることができ、炭素数3~5のアルキル基、炭素数3~4の脂環式炭化水素基であることが好ましく、炭素数3~4のアルキル基であることがより好ましい。また、B-1におけるRb0及びRb1の炭素数1~7のハロゲン化炭化水素基としては、炭素数1~7のハロゲン化アルキル基、炭素数2~7のハロゲン化アルケニル基、炭素数3~7の脂環式ハロゲン化炭化水素基を挙げることができる。溶剤B-1の具体例としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ブチルメチルエーテル、ブチルエチルエーテル、ブチルプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、tert-ブチルメチルエーテル、tert-ブチルエチルエーテル、tert-ブチルプロピルエーテル、ジ-tert-ブチルエーテル、プロピルペンチルエーテル、プロピルネオペンチルエーテル、ブロモメチルメチルエーテル、ヨードメチルメチルエーテル、α,α-ジクロロメチルメチルエーテル、クロロメチルエチルエーテル、2-クロロエチルメチルエーテル、2-ブロモエチルメチルエーテル、2,2-ジクロロエチルメチルエーテル、2-クロロエチルエチルエーテル、2-ブロモエチルエチルエーテル、±-1,2-ジクロロエチルエチルエーテル、ジ-2-ブロモエチルエーテル、ビス2,2,2-トリフルオロエチルエーテル、ジ-2-クロロエチルエーテル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、アリルエチルエーテル、アリルプロピルエーテル、アリルブチルエーテル、ジアリルエーテル、エチル-1-プロペニルエーテル、1-メトキシ-1,3-ブタジエン、cis-1-ブロモ-2-エトキシエチレン、2-クロロエチルビニルエーテル等を挙げることができる。これらエーテルの中でも、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ブチルメチルエーテル、ブチルエチルエーテル、ブチルプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、tert-ブチルメチルエーテル、tert-ブチルエチルエーテル、tert-ブチルプロピルエーテル、ジ-tert-ブチルエーテルが好ましい。なお、溶剤B-1としては、これらのエーテルを一種単独で、又は二種以上を混合して用いることができる。溶剤B-2の具体例としては、オキサシクロブタン、オキサシクロペンタン、オキサシクロヘキサン、オキサシクロヘプタン、オキサシクロオクタン等を挙げることができる。これらの中でも、オキサシクロブタン、オキサシクロペンタン、オキサシクロヘキサンが好ましい。なお、溶剤B-2としては、これらのエーテルを一種単独で、又は二種以上を混合して用いることができる。溶剤B-3の具体例としては、1,4-ジオキサシクロヘキサン、1,3-ジオキサシクロヘキサン、1,4-ジオキサシクロヘプタン、1,3-ジオキサシクロヘプタン、1,4-ジオキサシクロヘプタン、1,3-ジオキサシクロオクタン、1,4-ジオキサシクロオクタン、1,5-ジオキサシクロオクタン等を挙げることができる。これらエーテルの中でも、1,4-ジオキサシクロヘキサン、1,3-ジオキサシクロヘキサンが好ましい。なお、溶剤B-3としては、これらのエーテルを一種単独で、又は二種以上を混合して用いることができる。溶剤B中、炭素数が2以上8以下のエーテル系溶剤B1の含有割合は、溶剤Bの全量に対して、10質量以上95質量以下であることが好ましく、20質量以上90質量以下であることがより好ましく、40質量以上85質量以下であることがさらに好ましく、50質量以上80質量以下であることが特に好ましい。炭素数が2以上8以下のエーテル系溶剤B1の含有割合が上述の範囲内であることが、上層膜形成用組成物液中の異物が少なく、塗布量を抑制することができるという観点から好ましい。また、本発明の上層膜形成用組成物には、炭素数が2以上8以下のエーテル系溶剤B1以外の溶剤を含んでいてもよい。この溶剤は、フォトレジスト膜上に塗布する際に、フォトレジスト膜とインターミキシングを発生する等のリソグラフィ性能を劣化させることが殆どないものを好適に使用することができる。前記溶剤としては、例えば、1価アルコール類、多価アルコール類、多価アルコールのアルキルエーテル類、多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類、高級炭化水素類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類、炭素数9以上のエーテル類、水等を挙げることができる。前記1価アルコール類としては、例えば、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルあコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-ジエチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロヘキサノール等の炭素数4以上10以下の1価アルコールが挙げられる。前記多価アルコール類としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール等が挙げられる。前記多価アルコールのアルキルエーテル類としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。前記多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類としては、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。前記高級炭化水素類としては、例えば、デカン、ドデカン、ウンデカン等が挙げられる。前記芳香族炭化水素類としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられる。前記ケトン類としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン、ジアセトンアルコール等が挙げられる。前記エステル類としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル等が挙げられる。炭素数9以上のエーテル類としては、例えば、ジイソアミルエーテル等が挙げられる。これらの溶剤のなかでも、1価アルコール類、多価アルコールのアルキルエーテル類、多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類、高級炭化水素類が炭素数が2以上8以下のエーテル系溶剤B1以外として好ましい。特に、前記炭素数4以上10以下のアルコールを含有するものが好ましい。また、本発明の上層膜形成用組成物には、塗布性、消泡性、レベリング性等を向上させる目的で界面活性剤等の添加剤を更に配合することもできる。前記界面活性剤としては、例えば、全て商品名で、BM-1000、BM-1100以上、BMケミー社製、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183以上、大日本インキ化学工業社製、フロラードFC-135、同FC-170C、同FC-430、同FC-431以上、住友スリーエム社製、サーフロンS-112、同S-113、同S-131、同S-141、同S-145以上、旭硝子社製、SH-28PA、同-190、同-193、SZ-6032、SF-8428以上、東レダウコーニングシリコーン社製、エマルゲンA-60、104P、306P以上、花王社製等の市販されているフッ素系界面活性剤を使用することができる。これらは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。この界面活性剤の配合量は、重合体A及び重合体Bの合計量100質量部に対して、5質量部以下であることが好ましい。[フォトレジストパターン形成方法]次に、本発明のフォトレジストパターン形成方法の一実施形態について説明する。本発明のフォトレジストパターン形成方法は、基板上にフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する工程工程1と、上記フォトレジスト膜に、上述した上層膜形成組成物を塗布して上層膜を形成する工程工程2と、この上層膜とレンズとの間に液浸媒体を配置し、上記液浸媒体と所定のパターンを有するマスクとを介して上記フォトレジスト膜及び上記上層膜に露光光を照射し、次いで現像することによってレジストパターンを得る工程工程3と、を備えるものである。このような工程を備えることにより、本発明のフォトレジストパターン形成方法は、露光波長、特に248nmKrF及び193nmArFに対する十分な透過性を有し、フォトレジスト膜と殆どインターミキシングを起こすことなくフォトレジスト膜上に形成され、液浸露光時に、水などの媒体に極めて溶出し難く安定な被膜を維持し、高解像度のレジストパターンを形成可能でありつつ、十分に高い後退接触角を有する上層膜、即ち、通常のスキャンスピード例えば、500mm/sにおいてウォーターマーク欠陥やパターン不良欠陥の発生を効果的に抑制し、スキャンスピードが高速例えば、700mm/sであっても上記欠陥の発生を効果的に抑制することができる。工程1工程1は、基板上にフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する工程である。上記基板としては、通常、シリコンウェハ、アルミニウムで被覆したシリコンウェハ等が用いられる。フォトレジスト膜の特性を最大限に引き出すため、予め、基板の表面に有機系ないし無機系の反射防止膜を形成しておくことも好ましい形態の一つである例えば、特公平6-12452号公報等を参照。フォトレジスト膜を形成する物質の種類は、特に制限されるものではなく、従来、フォトレジスト膜を形成するために用いられていた物質の中から、レジストの使用目的に応じて適宜選択して使用すればよい。但し、酸発生剤を含有する化学増幅型のレジスト材料、特に、ポジ型レジスト材料を用いることが好ましい。化学増幅型のポジ型レジスト材料としては、例えば、酸解離性基修飾アルカリ可溶性樹脂と、感放射線性酸発生剤とを必須成分として含有する感放射線性の樹脂組成物等を挙げることができる。このような樹脂組成物は、放射線照射露光により酸発生剤から酸が発生し、その発生した酸の作用によって、樹脂の酸性基例えば、カルボキシル基を保護していた酸解離性基が解離して、酸性基が露出する。なお、酸性基が露出することにより、レジストの露光部のアルカリ溶解性が高くなり、その露光部がアルカリ現像液によって溶解、除去され、ポジ型のレジストパターンを形成することができる。フォトレジスト膜は、フォトレジスト膜を形成するための樹脂成分に溶剤を加えて、その全固形分濃度を0.2質量以上20質量以下に調整した溶液を得、得られた溶液を、孔径30nm程度のフィルターでろ過することにより塗工液を調製し、この塗工液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の従来公知の塗布方法を用いて基板上に塗布することによって形成することができる。このフォトレジスト膜は、溶媒を揮発させるために予備焼成以下PBと記す場合があるを行ってもよい。なお、フォトレジスト膜の形成に際しては、塗工液は自ら調製してもよいし、市販のレジスト溶液を塗工液として使用してもよい。工程2工程2は、フォトレジスト膜に、既に上述した上層膜形成組成物を塗布して上層膜を形成する工程である。この工程は、工程1で形成されたフォトレジスト膜の表面上に、上述した上層膜形成組成物を塗布し、好ましくは再度焼成することにより上層膜を形成する工程である。上層膜を形成することによって、液浸露光の際に液浸液がフォトレジスト膜と直接接触することが防止され、液浸液の浸透によってフォトレジスト膜のリソグラフィ性能が低下したり、フォトレジスト膜から溶出する成分により投影露光装置のレンズが汚染されたりする事態を効果的に防止することが可能となる。上層膜の厚さは、λ/4m但し、λ:放射線の波長、m:保護膜の屈折率の奇数倍にできる限り近づけることが好ましい。フォトレジスト膜の上側界面における反射抑制効果が大きくなるためである。工程3工程3は、上記上層膜とレンズとの間に液浸媒体を配置し、この液浸媒体と所定のパターンを有するマスクとを介して上記フォトレジスト膜及び上記上層膜に露光光を照射し、次いで現像することによってレジストパターンを得る工程である。上記液浸媒体としては、通常、空気より屈折率の高い液体を使用する。具体的には、水を用いることが好ましく、純水を用いることが更に好ましい。なお、必要に応じて液浸液のpHを調整してもよい。この液浸媒体を介在させた状態で即ち、露光装置のレンズとフォトレジスト膜との間に液浸媒体を満たした状態で、所定のパターンを有するマスクを通して放射線を照射し、フォトレジスト膜を露光させる。液浸露光の際に使用することができる放射線は、使用されるフォトレジスト膜や上層膜の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、可視光線;g線、i線等の紫外線;エキシマレーザ等の遠紫外線;シンクロトロン放射線等のX線;電子線等の荷電粒子線等の各種放射線を用いることができる。なかでも、ArFエキシマレーザ波長193nmまたはKrFエキシマレーザ波長248nmを用いることが好ましい。また、放射線量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成、添加剤の種類等に応じて適宜設定すればよい。フォトレジスト膜の解像度、パターン形状、及び現像性等を向上させるために、露光後に焼成PEBを行うことが好ましい。その焼成温度は、使用される感放射線性樹脂組成物の種類等によって適宜調節されるが、通常、30°C以上200°C以下、好ましくは50以上150°C以下である。露光後またはPEB後に現像を行い、必要に応じて洗浄すれば、所望のフォトレジストパターンを形成することができる。上層膜は、本発明の一実施形態である上層膜形成組成物によって形成されている。従って、この上層膜は、別途の剥離工程によって除去する必要はなく、現像中または現像後の洗浄中に容易に除去することができる。なお、現像に際しては、通常、アルカリ性の現像液を使用する。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノナン等のアルカリ性化合物を少なくとも一種溶解したアルカリ性水溶液を使用することが好ましい。なかでも、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類の水溶液を好適に用いることができる。現像液には、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類をはじめとする水溶性有機溶媒や、界面活性剤を適量添加することもできる。なお、上記のアルカリ性水溶液を用いて現像した場合は、通常、現像後に水洗する。なお、現像、または必要に応じた水洗後に適宜乾燥すれば、目的とするフォトレジストパターンを形成することができる。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例、比較例中の部及びは、特に断らない限り質量基準である。また、各種物性値の測定方法、及び諸特性の評価方法を以下に示す。[重合体の評価]1分子量Mw、Mn測定方法重合体A1~A3のMw及びMnは、東ソー社製の高速GPC装置型式HLC-8120に東ソー社製のGPCカラム商品名G2000HXL;2本、G3000HXL;1本、G4000HXL;1本を用い、流量1.0ml/分、溶出溶剤テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより測定した。[合成例1]重合体A1-1の合成ヘキサヒドロフタル酸2-メタクリロイルオキシエチル]46.95g85モル、及び開始剤[2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオン酸メチル]6.91gをイソプロパノール100gに溶解させた単量体溶液を準備した。一方、温度計及び滴下漏斗を備えた500mlの三つ口フラスコにイソプロパノール50gを投入し、30分間窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら、80°Cになるように加熱した。そして、滴下漏斗を用い、予め準備しておいた単量体溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、更に1時間反応を行い、ビニルスルホン酸3.05g15モルのイソプロパノール溶液10gを30分かけて滴下した。その後、更に1時間反応を行った後、30°C以下に冷却して、共重合液を得た。次いで、得られた前記共重合液を150gに濃縮した後、分液漏斗に移した。この分液漏斗にメタノール50gとn-ヘキサン600gを投入し、分離精製を実施した。分離後、下層液を回収した。この下層液をイソプロパノールで希釈して100gとし、再度、分液漏斗に移した。その後、メタノール50gとn-ヘキサン600gを前記分液漏斗に投入して、分離精製を実施し、分離後、下層液を回収した。回収した下層液を4-メチル-2-ペンタノールに置換し、全量を250gに調整した。調整後、水250gを加えて分離精製を実施し、分離後、上層液を回収した。回収した上層液は、4-メチル-2-ペンタノールに置換して重合体溶液とした。尚、前記4-メチル-2-ペンタノールに置換した後の試料重合体溶液の固形分濃度は、前記重合体溶液0.3gをアルミ皿に計量し、ホットプレート上で155°C×1時間加熱した後、前記重合体溶液の加熱前の質量と残渣加熱後の質量により算出した。この固形分濃度は、上層膜形成用組成物溶液の調製と収率計算に利用した。得られた重合体溶液に含有されている共重合体の、Mwは5600、Mw/Mnは1.55であり、収率は80であった。また、この共重合体に含有される、ヘキサヒドロフタル酸2-メタクリロイルオキシエチルに由来する繰り返し単位、及びビニルスルホン酸に由来する繰り返し単位の含有率は、96:4モルであった。この共重合体を重合体A1-1とする。合成例1と同様の方法を用いて、重合体A1-2~A1-4、重合体A’-5、重合体A’-6を表1に示した組成にて合成した。得られた重合体の組成を表2に示す。[合成例2]重合体A2-1の合成2,2-アゾビス2-メチルイソプロピオン酸メチル25.0gをメチルエチルケトン25.0gに溶解させた混合溶液を準備した。一方、温度計及び滴下漏斗を備えた2000mlの三つ口フラスコに、メタクリル酸1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロピルエステル104.6g、メタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル195.4g、及びメチルエチルケトン575.0gを投入し、30分間窒素パージした。窒素パージ後、フラスコ内をマグネティックスターラーで撹拌しながら80°Cになるように加熱した。そして、滴下漏斗を用い、予め準備しておいた混合体溶液を5分かけて滴下し、360分間熟成させた。その後、30°C以下に冷却して共重合液を得た。次いで、得られた共重合液を600gに濃縮し後、分液漏斗に移した。この分液漏斗にメタノール193g、及びn-ヘキサン1542gを投入し、分離精製を実施した。分離後、下層液を回収した。回収した下層液にメチルエチルケトン117g、及びn-ヘキサン1870gを投入し、分離精製を実施した。分離後、下層液を回収した。更に回収した下層液にメタノール93g、メチルエチルケトン77g、及びn-ヘキサン1238gを投入し、分離精製を実施した。分離後、下層液を回収した。回収した下層液を4-メチル-2-ペンタノールに置換し、この溶液を蒸留水にて洗浄して再度4-メチル-2-ペンタノールに置換して重合体溶液とした。尚、前記4-メチル-2-ペンタノールに置換した後の試料重合体溶液の固形分濃度は、前記重合体溶液0.3gをアルミ皿に計量し、ホットプレート上で140°C×1時間加熱した後、前記重合体溶液の加熱前の質量と残渣加熱後の質量により算出した。この固形分濃度は、上層膜形成用組成物溶液の調製と収率計算に利用した。得られた重合体溶液に含有されている共重合体の、Mwは10200、Mw/Mnは1.65であり、収率は65であった。また、この共重合体に含有されるメタクリル酸1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロピルエステルに由来する繰り返し単位、及びメタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステルに由来する繰り返し単位の含有率は、39.5:60.5モルであった。この共重合体を重合体A2-1とする。[合成例3]重合体A3-1の合成メタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル46.95g85モル、及び開始剤2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオン酸メチル6.91gをイソプロパノール100gに溶解させた単量体溶液を準備した。一方、温度計及び滴下漏斗を備えた500mlの三つ口フラスコにイソプロパノール50gを投入し、30分間窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら、80°Cになるように加熱した。そして、滴下漏斗を用い、予め準備しておいた単量体溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、更に1時間反応を行い、ビニルスルホン酸3.05g15モルのイソプロパノール溶液10gを30分かけて滴下した。その後、更に1時間反応を行った後、30°C以下に冷却して、共重合液を得た。次いで、得られた共重合液を150gに濃縮した後、分液漏斗に移した。この分液漏斗にメタノール50gとn-ヘキサン600gを投入し、分離精製を実施した。分離後、下層液を回収した。この下層液をイソプロパノールで希釈して100gとし、再度、分液漏斗に移した。その後、メタノール50gとn-ヘキサン600gを前記分液漏斗に投入して、分離精製を実施し、分離後、下層液を回収した。回収した下層液を4-メチル-2-ペンタノールに置換し、全量を250gに調整した。調整後、水250gを加えて分離精製を実施し、分離後、上層液を回収した。次いで、回収した上層液は、4-メチル-2-ペンタノールに置換して重合体溶液とした。尚、前記4-メチル-2-ペンタノールに置換した後の試料重合体溶液の固形分濃度は、前記重合体溶液0.5gをアルミ皿に計量し、ホットプレート上で155°Cに加熱したホットプレート上で30分間加熱した後、前記重合体溶液の加熱前の質量と残渣加熱後の質量により算出した。この固形分濃度は、上層膜形成用組成物溶液の調製と収率計算に利用した。得られた重合体溶液に含有されている共重合体のMwは9760、Mw/Mnは1.51であり、収率は65であった。また、この共重合体に含有される、メタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステルに由来する繰り返し単位、及びビニルスルホン酸に由来する繰り返し単位の含有率は、98:2モルであった。この共重合体を重合体A3-1とする。合成例3と同様の方法を用いて、重合体A3-2を表1に示した組成にて合成した。得られた重合体の組成を表2に示す。なお、表中、各単量体はそれぞれ下記のものを示す。c-a:ヘキサヒドロフタル酸2-メタクリロイルオキシエチルc-b:メタクリル酸s-a:ビニルスルホン酸f-1a:メタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ブチルエステルf-1b:メタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステルf-2a:メタクリル酸2,2,2-トリフルオロエチルエステルf-2b:メタクリル酸1-トリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチルエステルn2-a:トリシクロデシルメタクリレート[実施例1~実施例6]液浸用上層膜形成用組成物を上記実施例で得られた樹脂を用いて作製した。上記合成例で得られた重合体成分Aおよび溶媒Gをそれぞれ表3に示す重量比で混合し、2時間攪拌した後、孔径200nmのフィルターでろ過することにより、上層膜形成用組成物を得た。なお、表1において、4-メチル-2-ペンタノール以下、G-1を、ジブチルエーテル以下、G-2を、ジイソアミルエーテル以下、G-3をそれぞれ表す。表3において混合溶媒の場合の溶媒比は重量比を表す。得られた上層膜形成用組成物の評価を次に示す方法で行なった。結果を表4に示す。[比較例1~6]表3に示す成分を用いる以外は実施例1と同様の手法にて、比較例1~6の上層膜形成用組成物を得た。[調製例]フォトレジスト組成物の調製フォトレジスト膜を形成するためのフォトレジスト組成物を以下の方法により調製した。[合成例4]フォトレジスト組成物用重合体Mの合成例下記化合物M-153.93g50モル、化合物M-235.38g40モル、化合物M-510.69g10モルを2-ブタノン200gに溶解し、更にジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート5.58gを投入した単量体溶液を準備し、100gの2-ブタノンを投入した500mlの三口フラスコを30分窒素パージした。窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱し、事前に準備した上記単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液は水冷することにより30°C以下に冷却し、2000gのメタノールへ投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を2度400gのメタノールにてスラリー上で洗浄した後、ろ別し、50°Cにて17時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た74g、収率74。この重合体はMwが6900、Mw/Mn=1.70、13C-NMR分析の結果、化合物M-1、化合物M-2、化合物M-3に由来する各繰り返し単位の含有率が53.0:37.2:9.8モルの共重合体であった。この重合体をアクリル系重合体cとする。尚、この重合体中の各単量体由来の低分子量成分の含有量は、この重合体100質量に対して、0.03質量であった。これを重合体Mとする。フォトレジスト膜を形成するためのフォトレジスト組成物αは、フォトレジスト組成物用重合体M100質量部、酸発生剤Cとしてトリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート1.5質量部、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート6質量部、酸拡散制御剤DとしてR--tert-ブトキシカルボニル-2-ピペリジンメタノール0.65質量部を混合し、溶剤Eとしてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2900質量部、シクロヘキサノン120質量部、γ-ブチロラクトン100質量部を添加した後、孔径30nmのフィルターでろ過することにより調製した。[評価]実施例1~6および比較例1~6の上層膜形成用組成物について以下に示す各種評価を行った。評価結果を表4に示す。1溶剤への溶解性試験実施例1~6で得られた上層膜形成用組成物を2時間攪拌し、その後、目視で白濁している場合を×とし、白濁せずに溶解している場合を○と評価した。なお、溶解性試験が×となったものについてはその他の評価を行わなかった。2上層膜除去性の評価方法除去性CLEANTRACKACT8東京エレクトロン株製にて8インチシリコンウエハ上に実施例および比較例で得られた上層膜形成用組成物をスピンコート、90°C、60秒ベークを行ない、膜厚30nmの塗膜を形成した。膜厚はラムダエースVM90大日本スクリーン株を用いて測定した。本塗膜をCLEANTRACKACT8で60秒間パドル現像現像液2.38TMAH水溶液を行ない、振り切りによりスピンドライした後、ウエハ表面を観察した。このとき、残渣がなく現像されていれば、除去性○、残渣が観察されれば×とした。3後退接触角まず、8インチシリコンウエハ上に、実施例および比較例で得られた上層膜形成用組成物をスピンコートし、ホットプレート上で90°C、60秒PBを行い、膜厚30nmの塗膜上層膜を形成した。その後、商品名DSA-10KRUS社製を使用して、速やかに、室温:23°C、湿度:45、常圧の環境下で、次の手順により後退接触角を測定した。商品名DSA-10KRUS社製のウェハステージ位置を調整し、この調整したステージ上に上記ウェハをセットする。次に、針に水を注入し、上記セットしたウェハ上に水滴を形成可能な初期位置に上記針の位置を微調整する。その後、この針から水を排出させて上記ウェハ上に25μLの水滴を形成し、一旦、この水滴から針を引き抜き、再び上記初期位置に針を引き下げて水滴内に配置する。続いて、10μL/minの速度で90秒間、針によって水滴を吸引すると同時に接触角を毎秒1回測定する合計90回。このうち、接触角の測定値が安定した時点から20秒間の接触角についての平均値を算出して後退接触角°とした。4溶出量の測定溶出量予めCLEANTRACKACT8東京エレクトロン株式会社製にてHMDSヘキサメチルジシラザン処理100°C、60秒を行った8インチシリコンウェハ上の中心部に、中央部が直径11.3cmの円形状にくり抜かれたシリコンゴムシートクレハエラストマー社製、厚み;1.0mm、形状;1辺30cmの正方形を載せた。次いで、シリコンゴム中央部のくり抜き部に10mLホールピペットを用いて超純水10mlを満たした。予めCLEANTRACKACT8により、膜厚77nmの下層反射防止膜ARC29A、ブルワーサイエンス社製を形成し、次いで、上記感放射線性樹脂組成物Mを上記CLEANTRACKACT8にて、上記下層反射防止膜上にスピンコートし、ベーク115°C、60秒することにより膜厚205nmのレジスト被膜を形成し、さらに実施例および比較例で得られた上層膜形成用組成物をスピンコートし、ホットプレート上で90°C、60秒PBを行い、膜厚30nmの塗膜上層膜を形成したウェハを、上記シリコンゴムシート上に、上層膜面が上記超純水と接触するようあわせ、且つ超純水がシリコンゴムから漏れないように載せた。そして、その状態のまま10秒間保った。その後、前記8インチシリコンウェハを取り除き、超純水をガラス注射器にて回収し、これを分析用サンプルとした。尚、実験終了後の超純水の回収率は95以上であった。次いで、上記で得られた超純水中の光酸発生剤のアニオン部のピーク強度を、LC-MS液体クロマトグラフ質量分析計、LC部:AGILENT社製SERIES1100、MS部:PerseptiveBiosystems,Inc.社製Marinerを用いて下記の測定条件により測定した。その際、上記感放射線性樹脂組成物Mに用いている光酸発生剤の1ppb、10ppb、100ppb水溶液のピーク強度を前記測定条件で測定して検量線を作成し、この検量線を用いて上記ピーク強度から溶出量を算出した。また、同様にして、酸拡散制御剤の1ppb、10ppb、100ppb水溶液の各ピーク強度を前記測定条件で測定して検量線を作成し、この検量線を用いて前記ピーク強度から酸拡散制御剤の溶出量を算出した。その溶出量が、5.0×10-12mol/cm2以上であった場合は×、以下であった場合は○とした。カラム条件使用カラム;CAPCELLPAKMG、資生堂株式会社製、1本流量;0.2ml/分流出溶剤:水/メタノール3/7に0.1質量のギ酸を添加したもの測定温度;35°C5経時異物数試験パーティクルカウンターRION製:KE-40にて0.15μm以下の個数が100個/10mL以下であることを確認した上層膜溶液を5°Cで2週間保管した後、再びパーティクルカウンターRION製:KE-40で液中異物数を確認し、0.15μm以下の個数が100個/10mL以下である場合は○、それ以上である場合は×とした。6塗布量試験CLEANTRACKACT12東京エレクトロン社製を用いて、100°C×60秒の処理条件でHMDSヘキサメチルジシラザン処理を行った12インチシリコンウエハを用意した。この12インチシリコンウエハ上に、CLEANTRACKACT12のスモールディスペンスユニットを用いて、実施例および比較例で得られた上層膜形成用組成物をウエハーを回転させながら所定量スピンコートし、PB90°C×60秒の条件を行って膜厚30nmの塗膜を形成した。その後、3枚の塗布後のウェハを目視により確認し、ストリエーションがない場合の最低塗布量を評価した。7Blob欠陥予めCLEANTRACKACT8東京エレクトロン社製を用いて、100°C×60秒の処理条件でHMDSヘキサメチルジシラザン処理を行った8インチシリコンウェハを用意した。この8インチシリコンウェハ上に、前記感放射線性樹脂組成物Mをスピンコートし、ホットプレート上で90°C×60秒の条件でPBを行い、膜厚120nmの塗膜を形成した。この塗膜上に、実施例および比較例で得られた上層膜形成用組成物をスピンコートし、PB90°C×60秒の条件、又は110°C×60秒の条件を行って膜厚30nmの塗膜上層膜を形成した。その後、パターンが形成されていない擦りガラスを介して露光を行った。この8インチシリコンウェハをBlob欠陥Blob欠陥の評価に用いた。まず、前記8インチシリコンウェハの上層膜上にCLEANTRACKACT8のリンスノズルから超純水を60秒間吐出させ、4000rpmで15秒間振り切りによりスピンドライを行った。次に、前記CLEANTRACKACT8のLDノズルによってパドル現像を30秒間行い、前記上層膜を除去した。尚、このパドル現像では、現像液として2.38TMAH水溶液を使用した。現像後、上層膜の溶け残りの程度を、KLA2351KLAテンコール社製で測定して、Blob欠陥の測定とした。検出されたBlob欠陥が200個以下の場合を○とし、200個を超えた場合を×と評価した。8ハガレ耐性試験基板として、HMDS処理をしていない8インチシリコンウェハを用いた。前記基板上に、上層膜形成用組成物を前記CLEANTRACKACT8にて、スピンコートした後に90°C×60秒の条件でPBを行い、膜厚30nmの上層膜を得た。その後、CLEANTRACKACT8にて純水によるリンスを60秒間行い、振り切りによる乾燥を行った。目視によりリンス後にエッジ部でハガレが観測された場合を×とし、ハガレが観測されない場合を○と評価した。表4から明らかなように、実施例1~6の上層膜形成用組成物は、比較例2の組成物と比較して経時異物が少なくかつ塗布量が少ないことを確認できた。また、比較例3の組成物と比較して塗布量が少ないことを確認できた。また、比較例4の組成物と比較してハガレ耐性に優れることを確認できた。さらに、比較例5の組成物と比較してBlob欠陥を抑制できることを確認できた。以上のことから本発明の上層膜形成用組成物によって塗布量が軽減でき、経時での異物上昇が抑えられ、かつハガレ耐性が良好な上層膜が得られることがわかった。"