バンドギャップが3eV以上の硬化樹脂材または無機材からなるマトリクス層と、前記マトリクス層内に設けられ、吸収した光の特定の波長領域に対して前記吸収した光よりも低いエネルギーの光に波長変換する波長変換組成物からなり、かつ粒経が3nm~20nmである粒子とを備える波長変換層を少なくとも1層有し、前記粒子は、隣り合う粒子との間隔が前記粒子の粒径以下に配置されており、前記波長変換層は前記特定の波長領域以外の他の波長領域の光の反射を防止することを特徴とする波長変換素子。前記波長変換層が複数積層されており、前記粒子は、積層方向の各マトリクス層の粒子についても、積層方向において隣接する粒子との間隔が前記粒子の粒径以下に配置されている請求項1に記載の波長変換素子。前記粒子は、隣り合う粒子との間隔が10nm以下であり、前記粒子は、粒径のバラツキσdが、1<σd<10nmであり、前記粒子の粒径は前記バラツキの範囲で異なる請求項1または2に記載の波長変換素子。前記粒子は、Si、Ge、SiGe混晶、InNまたはInGaN混晶で構成される請求項1~3のいずれか1項に記載の波長変換素子。前記無機材は、SiOx0<x<2、SiNx0<x<3/4またはInGaN混晶である請求項1~4のいずれか1項に記載の光電変換装置。請求項1~5のいずれか1項に記載の波長変換素子が、光電変換層の入射光側に配置されており、前記波長変換素子は、前記光電変換層のバンドギャップの2倍以上のエネルギーの特定の波長領域に対して前記光電変換層のバンドギャップのエネルギーの光に波長変換するとともに、前記特定の波長領域以外の他の波長領域の光の反射を防止することを特徴とする光電変換装置。前記波長変換素子は、実効屈折率が、前記光電変換層の屈折率と空気の屈折率との中間の屈折率である請求項6に記載の光電変換装置。前記波長変換素子は、波長533nmにおける実効屈折率nが、1.7<n<3.0である請求項7に記載の光電変換装置。前記波長変換素子のマトリクス層内に設けられる粒子は、バンドギャップが前記光電変換層のバンドギャップより大きい請求項6~8のいずれか1項に記載の光電変換装置。しかしながら、上述のようにダウンコンバージョン光-光変換膜は、光電変換層のEgの2倍以上のエネルギーの波長領域に対して波長変換する機能を有するものの、光電変換層のEgの2倍以下のエネルギーの波長領域に対しては波長変換の効果がない。このようなことから、波長変換しない特定の波長領域においても波長変換できる波長変換膜が望まれており、これにより、変換効率を改善し太陽電池トータルの発電効率効果を改善することが望まれている。特許文献1においては、波長変換層を光起電層上、または光起電層内に凹凸状に形成する場合、波長変換層を凹凸状に形成するためにコストがかかる。また光起電層上、または光起電層内に均一に凹凸形状を形成することが難しく、凹凸による反射ロス改善等の効果が得られにくい。なお、特許文献2においては、入射光に対して何ら考慮されていない。また、非特許文献1においては、効率よく発光するには、反転分布状態を形成しなければならない。このためには、微粒子をこれに適した配列にする必要があるが、ポリマーに微粒子を混ぜて形成したシートは、特別なことをしないかぎり、ランダムに配列することが多い。また、NaYF:Er等の希土類は、吸収断面積が小さく、粒径が直径5μmと量子効果も発現しないため、外部量子効率が比較的低く、比較的厚膜にする必要がある。非特許文献2においては、MEG効果による改善のみでは、光電変換層のEgの2倍以下のエネルギーの波長領域に対して効果がないため、太陽光の一部の波長のみにしか寄与しない。このため、太陽電池トータルの発電効率を上げる効果としては小さい。本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、波長変換領域を改善するともに、更に入射光の反射ロスも改善した波長変換素子およびこの波長変換素子を備える光電変換装置を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の第1の態様は、バンドギャップが3eV以上の硬化樹脂材または無機材からなるマトリクス層と、前記マトリクス層内に設けられ、吸収した光の特定の波長領域に対して前記吸収した光よりも低いエネルギーの光に波長変換する波長変換組成物からなり、かつ粒経が3nm~20nmである粒子とを備える波長変換層を少なくとも1層有し、前記粒子は、隣り合う粒子との間隔が前記粒子の粒径以下に配置されており、前記波長変換層は前記特定の波長領域以外の他の波長領域の光の反射を防止することを特徴とする波長変換素子を提供するものである。前記波長変換層が複数積層されており、前記粒子は、積層方向の各マトリクス層の粒子についても、積層方向において隣接する粒子との間隔が前記粒子の粒径以下に配置されていることが好ましい。また、前記粒子は、隣り合う粒子との間隔が10nm以下であり、前記粒子は、粒径のバラツキσdが、1<σd<10nmであり、前記粒子の粒径は前記バラツキの範囲で異なることが好ましい。前記粒子は、例えば、Si、Ge、SiGe混晶、InNまたはInGaN混晶で構成される。前記無機材は、例えば、SiOx0<x<2、SiNx0<x<3/4またはInGaN混晶である。また、本発明の第2の態様は、本発明の第1の態様の波長変換素子が、光電変換層の入射光側に配置されており、前記波長変換素子は、前記光電変換層のバンドギャップの2倍以上のエネルギーの特定の波長領域に対して前記光電変換層のバンドギャップのエネルギーの光に波長変換するとともに、前記特定の波長領域以外の他の波長領域の光の反射を防止することを特徴とする光電変換装置を提供するものである。前記波長変換素子は、実効屈折率が、前記光電変換層の屈折率と空気の屈折率との中間の屈折率であることが好ましい。この場合、前記波長変換素子は、例えば、波長533nmにおける実効屈折率nが、1.7<n<3.0である。また、前記波長変換素子のマトリクス層内に設けられる粒子は、バンドギャップが前記光電変換層のバンドギャップより大きいことが好ましい。本発明によれば、吸収した光の特定の波長領域に対して前記吸収した光よりも低いエネルギーの光に波長変換することができ、この特定の波長領域以外の他の波長領域の光の反射を防止することができる。これにより、例えば、光電変換装置の光電変換層の入射光側に波長変換素子を配置することで、光電変換装置の発電効率を改善することができる。なお、光電変換層に多結晶シリコンを用いた場合、様々な面方位が出現するため、反射率が均一ではない。このため、ある面方位に有効な反射防止膜を形成しても、光電変換層全体では有効ではない。しかしながら、波長変換素子は、特定の波長領域以外の他の波長領域の光の反射を防止し、反射ロスを低く抑えることができるため、光電変換層に多結晶シリコンを用いた場合でも、発電効率をより改善することができる。また、波長変換素子を設ける場合に、単に配置すればよく、エッチング等が不要である。このため、光電変換装置にエッチング等によるダメージを与えることもない。これにより、製造不良の発生を抑制することができる。以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の波長変換素子および光電変換装置を詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態の波長変換素子を示す模式的断面図である。図1に示す波長変換素子10は、波長変換膜12が、例えば、複数積層された多層構造を有するものである。波長変換膜12は、マトリクス層14と、このマトリクス層14中に、複数の量子ドット16が設けられている。波長変換膜12においては、例えば、量子ドット16は、1列設けられている。量子ドット16は、マトリクス層14に1列設けられるものに限定されるものではない。なお、波長変換素子10は、波長変換膜12が少なくとも1層あればよく、波長変換膜12が1層である場合でも波長変換素子10という。波長変換素子10波長変換膜12は、入射した光Lを吸収し、この吸収した光の特定の波長領域に対して、吸収した光よりも低いエネルギーの光に波長変換する機能以下、波長変換機能というを備えるとともに、および入射した光Lを閉じ込める機能以下、光閉込め機能というを備えるものである。波長変換素子10波長変換膜12において、波長変換機能とは、具体的には、ダウンコンバージョン機能のことである。このダウンコンバージョン機能は、マルチエキシトン効果を呼ばれる、吸収された光子当たり1個以上の光子を生成する効果により発揮される。例えば、図2に示すように、量子ドット16により量子井戸が構成され、EgQD量子ドットのバンドギャップ以上のエネルギーをもつ光子フォトンが量子ドット16に入射された場合、低いエネルギー準位E1にある電子が上位のエネルギー準位E4に励起され、その後、下位のエネルギー準位E3に落ちる際に、入射された光子よりも低いエネルギーの光子が放出される。また、低いエネルギー準位E2にある電子が上位のエネルギー準位E3に励起された際に、入射された光子よりも低いエネルギーの光子が放出される。このように、1つの光子に対して、光子よりもエネルギーの電子を2つ放出させることにより、波長変換がなされる。波長変換素子10の波長変換機能については、波長変換素子10の用途により、適宜その変換する波長域および変換後の波長が選択される。波長変換素子10が、例えば、Egバンドギャップが1.2eVのシリコン太陽電池の光電変換層上に配置された場合、この1.2eVの2倍以上のエネルギー2.4eV以上の波長領域に対して、バンドギャップに相当するエネルギーの波長の光に波長変換する機能を有するものとする。図3に示すように、太陽光スペクトルと結晶Siの分光感度曲線とを比べると、太陽スペクトルには結晶Siのバンドギャップの波長域の強度が低い。このため、太陽光のうち、結晶Siのバンドギャップの2倍以上のエネルギー2.4eV以上の波長領域に対して、低いエネルギーの光子、例えば、1.2eVの光波長約1100nmに波長変換することにより、光電変換に有効な光を、結晶Siからなる光電変換層に供給することができる。これにより、太陽電池の変換効率を高くすることができる。波長変換素子10において、光閉込め機能とは、反射防止機能のことである。波長変換素子10波長変換膜12が配置される光電変換層が、結晶Siの場合には屈折率nPVは3.6である。また、これらが配置される空間の空気の屈折率nairは1.0である。ここで、波長変換素子10を反射防止膜として考えた場合、例えば、図4に示すように、屈折率が1.9の単層膜符号A1、屈折率が1.46/2.35の2層膜符号A2、屈折率が1.36/1.46/2.35の3層膜符号A3を比較すると、屈折率が2.35のものがあると、反射率を低減することができる。このように、波長変換素子10波長変換膜12において、反射防止機能を発揮するためには、波長変換素子10波長変換膜12の実効屈折率nが、光電変換層の屈折率nPV結晶シリコンで3.6と、空気の屈折率とのほぼ中間の屈折率とすることができれば、反射防止機能を発揮することができる。本実施形態では、波長変換素子10波長変換素膜12の用途等を考慮して、波長変換素子10波長変換膜12の実効屈折率nは、例えば、波長533nmにおいて、1.7<n<3.0とする。実効屈折率nは、好ましくは、波長533nmにおいて1.7<n<2.5である。波長変換素子10において、以上のような波長変換機能および光閉込め機能を発揮するために、波長変換膜12は以下のような構成を有する。波長変換膜12において、マトリクス層14は、バンドギャップが3eV以上の透明ない硬化樹脂材または無機材により構成される。マトリクス層14の硬化樹脂材には、例えば、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂が用いられ、光を透過するものであれば特に限定されるものではない。光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エチレンビニルアセテートEVA樹脂等を用いることができる。シリコーン樹脂としては、市販のLED用シリコーン樹脂等が挙げられる。エチレンビニルアセテートEVA樹脂としては、例えば、三井化学ファブロ株式会社のソーラーエバ商標等を用いることができる。さらには、アイオノマー樹脂なども使用することができる。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂またはこれらの水添化物、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート骨格を有するエポキシ樹脂、カルド骨格を有するエポキシ樹脂、ポリシロキサン構造を有するエポキシ樹脂が挙げられる。アクリル樹脂としては2つ以上の官能基を有するメタアクリレートを用いることができる。また、アクリル樹脂として水分散型アクリル樹脂を用いることができる。この水分散型アクリル樹脂とは、水を主成分とする分散媒に分散したアクリルモノマー、オリゴマー、またはポリマーで、水分散液のような希薄な状態では架橋反応がほとんど進行しないが、水を蒸発させると常温でも架橋反応が進行し固化するタイプ、または、自己架橋可能な官能基を有し、触媒や重合開始剤、反応促進剤などの添加剤を用いなくとも加熱のみで架橋し固化するタイプのアクリル樹脂である。マトリクス層14は、無機材で構成する場合、例えば、SiOx0<x<2、SiNx0<x<3/4、GaN、Ga2O3、ZnOおよびInGaN混晶を用いることができる。量子ドット16は、吸収した光の特定の波長領域に対して吸収した光よりも低いエネルギーの光に波長変換する波長変換組成物からなるものである。この量子ドット16が、波長変換膜12波長変換素子10の波長変換機能を担う。量子ドット16は、マトリクス層14の面内方向およびマトリクス層14が複数積層されている場合には積層方向のうち、少なくとも一方の方向において、例えば、隣り合う量子ドット16との間隔が量子ドット16の粒径以下に配置される。量子ドット16は、粒子状のものであり、粒径が3nm~20nm、好ましくは2nm~15nmであり、より好ましくは2nm~5nmである。量子ドット16は、バンドギャップが波長変換素子10が設けられる光電変換装置の光電変換層のバンドギャップより大きいもので構成される。量子ドット16は、例えば、Si、Ge、SiGe混晶、InNまたはInGaN混晶により構成される。量子ドット16は、例えば、波長変換素子10が設けられる光電変換層のEgの2倍以上のエネルギーの波長領域に対して、光電変換層のEgの光に波長変換する機能を有する。このため、量子ドット16を構成する材料としては、光電変換層のEgの2倍以上のエネルギーを吸収し、かつ光電変換バンドキャップの2倍以上に、光吸収のためのエネルギー準位が存在している材料が選択される。また、量子ドット16には、光電変換層のEgより高いエネルギーで発光する材料の選択がされる。この場合、光電変換層のEg以上にエネルギー準位が離散化している箇所あるものであり、エネルギー準位間のエネルギー遷移確率の高い箇所が光電変換層のEgより大きい。また、光電変換層で利用可能な光に変換するには、基底状態に対して、励起状態のフォトンの存在確率が高くなる反転分布状態を形成するように、量子ドット16が配列される必要がある。そこで、量子ドット16を規則配列し、ABABAは量子ドット、Bはマトリクス層の周期配列とする。この場合、量子ドット16の周期間隔が10nm以下であり、好ましくは2nm~5nmである。これにより、励起状態のフォトンがエネルギー移動できる量子ドット16の配列となる。また、エネルギーの局在を生じさせるために、量子ドット16の特定の周期間隔が、量子ドット16の粒径のバラツキを有する。また、光電変換層で利用可能な光に変換するには、波長変換素子10が多層構造である場合、量子ドット16の垂直方向積層方向と水平方向積層方向と直交するマトリクス層の面に平行な方向の配列を異ならせることにより、エネルギーの局在を生じせることにより実現できる。この場合、量子ドット16が上記ABABの周期配列と異なる配列を有し、20nm角以下の3次元量子サイズ空間での粒子密度の偏りを有することにより、フォトンの存在確率を変えることができる。量子ドット16の粒径バラツキσdが、1<σd<10nmの範囲で異なること、好ましくは、1<σd<5nmである。さらに、光電変換層で利用可能な光に変換するには、波長変換素子10が多層構造である場合、量子ドット16の積層方向と、この積層方向と直交する方向の配列が同様な場合、すなわち、量子ドット16が波長変換素子10内で、3次元的に上記ABABの周期配列のように均一に等間隔に配列されている場合、量子ドット16の粒径の偏りによりエネルギーの局在を生じさせてフォトンの存在確率を変えることにより実現することもできる。この場合でも、量子ドット16の粒径がばらつきを有し、量子ドット16の粒径のバラツキσdが、1<σd<10nm、好ましくは1<σd<5nmであり、量子ドット16は、前述のバラツキの範囲で異ならせる。上述のように、反射防止機能を得るために、波長変換素子10の実効屈折率nを、例えば、光電変換層と空気との中間の値の2.4にする必要がある。そこで、マトリクス層14をSiO2で構成し、量子ドット16をSiで構成した波長変換膜12を備える波長変換素子10における屈折率をシミュレーション計算により調べた。その結果、図5aに示すように、量子ドット16の含有量が多くなると屈折率が高くなる。さらに、量子ドット16の間隔と屈折率との関係をシミュレーション計算により調べた。その結果、図5bに示すように、屈折率を高くするには、量子ドット16の間隔を狭くする必要がある。図5a、bに示すように、例えば、波長変換素子10の実効屈折率nを2.4にするには、量子ドット16の間隔を狭く、かつ高い密度でマトリクス層14内に配置する必要がある。次に、Si基板上に波長変換素子10を形成し、この波長変換素子10上にSiO2膜を形成したものについて反射率を求めた。波長変換素子10は、SiO2のマトリクス層14にSiの量子ドット16が設けられたものSiQD/SiO2Matであり、量子ドット16の粒径を均一である。このとき、波長変換素子10の屈折率は1.80である。この場合、図6に示すように、反射率を約10にすることができる。なお、反射率は、分光反射測定器日立製U4000を用いて測定した。また、量子ドット16の粒径を不均一にすることにより、充填率を高くし、波長変換素子10の屈折率を2.35と高くした。この場合、波長変換素子10は、SiO2のマトリクス層14にSiの量子ドット16が設けられたものSiQD/SiO2Matである。その結果を図7に示す。なお、反射率は、分光反射測定器日立製U4000を用いて測定した。図7に示すように、反射率を図6に比して、更に低くすることができる。このように、量子ドット16の充填率を高くすることにより、屈折率が高くなり、その結果、反射率を低くすることができる。このため、波長変換素子10に入射した光Lの利用効率を高くすることができる。量子ドット16の粒径を均一にしたままで、充填率を高くし、波長変換素子10の実効屈折率を2.4と高くした。粒径が均一である波長変換素子10の実効屈折率は1.80である。上述の実効屈折率が2.4の波長変換素子10と、実効屈折率が1.8の波長変換素子10について、励起波長350nmの光を照射したところ、図8に示す発光スペクトルが得られた。図8において、符号B1は実効屈折率が1.8の波長変換素子10であり、符号B2は実効屈折率が2.4の波長変換素子10である。波長変換素子10においては、図8に示すように、発光強度については、量子ドット16の粒径を均一にしたままで単に屈折率を高くすると、屈折率が低いものよりも小さくなる。これは、量子ドット16を高密度充填した場合、例えば、量子間が5nm以下の非常に近い間隔になると、量子ドット16間でエネルギー移動しやすくなり、かつ量子ドット16の粒径が均一な場合、エネルギーの偏りが起こりにくいため、発光せずにエネルギーの移動を繰り返す。また、マトリクス層14が、非結晶質で欠陥等を含んでいるため、マトリクス層14の欠陥等で非発光再結合を生じるため、量子ドット16が均一であると発光効率が低下する。そこで、量子ドット16をGeで構成し、マトリクス層をSiO2で構成して、量子ドット16の粒径を、約5nmに均一にした波長変換素子10を形成した。また、量子ドット16の粒径を不均一にした波長変換素子10を形成した。各波長変換素子10について、励起波長533nmの光を照射したところ、図9aに示す発光スペクトルが得られた。図9aにおいて、符号C1は、量子ドットが不均一なものであり、符号C2は量子ドットが均一なものである。なお、図9bは、量子ドットが不均一なもののTEM像を示す図面代用写真であり、図9cは、量子ドットが一なもののTEM像を示す図面代用写真である。図9aに示すように、量子ドットの粒径が不均一なものの方が、均一なものよりも高い発光強度が得られている。以上のことから、図8および図9aに示すように、量子ドットの粒径が不均一なものの方が高い発光強度が得られる。本実施形態の波長変換素子10においては、マトリクス層14および量子ドット16の組成、および量子ドット16の配列状態により、波長変換機能と光閉込め機能の両方を実現することができる。これにより、後述するように光電変換装置に用いた場合には、従来、光電変換に利用されていない光を、光電変換に利用可能な光とし太陽光等の入射光の利用効率を高めることができるとともに、波長変換されない光の反射を抑制することができるため、光電変換層における変換効率を改善することができる。さらには、量子ドット16の配列および組成を適宜選択することにより、波長変換された光の発光強度を高めることもできる。次に、本実施形態の波長変換素子10の製造方法について説明する。なお、基板図示せずにSi基板を用いてこのSi基板上に、マトリクス層14をSiO2で構成し、量子ドット16をSiで構成した波長変換素子10を形成することを例にして、波長変換素子10の形成方法を説明する。初めに、基板図示せずとして、例えば、Si基板を用意する。次に、マトリクス層14となるSiO2膜、量子ドット16となるSi膜を交互に、設計値で5nm、5nm、5nm、3nm、5nm、5nm、5nm、3nmと、61層形成する。その後、常時、窒素ガスを流量1sccmでフローした雰囲気にて、1000°Cの温度で2時間加熱処理をすることにより、結晶化を行う。これにより、SiO2からなるマトリクス層14中にSiからなる量子ドット16が形成された波長変換膜12が61層積層されてなる波長変換素子10が形成される。この場合、マトリクス層14となるSiO2膜の成膜条件は、例えば、ターゲットにSiO2を用い、投入電力が100W、成膜圧力が0.3Paであり、ガス流量はArガスについては15sccm、02ガスについては1sccmである。また、量子ドット16となるSi膜の成膜条件は、例えば、ターゲットにSiを用い、投入電力が50W、成膜圧力が0.3Paであり、ガス流量はArガスについては15sccm、02ガスについては0.35sccmである。なお、SiO2膜、およびSi膜の成膜において、いずれも到達真空度は3×10-4Pa以下であり、基板温度は室温である。また、本実施形態においては、量子ドット16とマトリクス層14の界面、およびマトリクス層14の欠陥の発生を防止するため、パッシベーション工程を有することが好ましい。このパッシベーション工程としては、硫化アンモニウム溶液もしくはシアン溶液に浸す方法、または水素ガス、フッ化水素ガス、臭素化水素ガスもしくはリン化水素ガスのガス雰囲気にて熱処理する方法がある。これらの方法は、量子ドット16の構成材により選択される。例えば、Si系の量子ドットでは、シアン溶液に浸漬後、アセトン、エタノール、超純水で洗浄する方法が用いられる。本実施形態の波長変換素子10は、例えば、後述するように太陽電池に利用することができる。また、波長変換素子10は、例えば、533nmの波長の光を、1100nmの波長の光に波長変換することができるため、赤外線光源として利用可能である。この場合、量子ドット16の配列および組成を適宜選択することにより、波長変換された光の発光強度を高めること、すなわち、赤外線の発光強度を高くすることもできる。また、量子ドット16のバンドギャップを適宜変えることにより、例えば、3.5eV波長350nmとすることにより、1.75eVのエネルギーの光波長800nmに波長変換することができ、紫外線防止膜としても利用可能である。次に、本実施形態の波長変換素子10を用いた光電変換装置について説明する。図10は、本発明の実施形態の波長変換素子を有する光電変換装置を示す模式的断面図である。図10に示す光電変換装置30は、基板32の表面32aに光電変換素子40が設けられている。光電変換素子40は、基板32側から電極層42とP型半導体層光電変換層44とN型半導体層46と透明電極層48とが積層されてなるものである。このP型半導体層44は、例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコンにより構成される。本実施形態においては、光電変換素子40のP型半導体層光電変換層44側の表面40aに波長変換素子10が設けられている。この場合、波長変換素子10は、P型半導体層44を構成するSiのバンドギャップ1.2eVの2倍以上のエネルギーの波長域に対して、その半分のSiのバンドギャップに相当する1.2eVのエネルギーの光波長533nmに波長変換する波長変換機能を有し、更には波長変換素子10の実効屈折率がSiの屈折率と空気の屈折率との中間の屈折率にされている。これにより、反射光が少なくなり、更には光電変換に寄与しない特定の波長領域の光を波長変換し、光電変換に利用可能な波長の光量が多くなるため、光電変換素子40の変換効率を改善し、光電変換装置30全体の発電効率を改善することができる。ここで、光電変換素子40のP型半導体層光電変換層44に多結晶シリコンを用いた場合、様々な面方位が出現するため、反射率が均一ではない。このため、ある面方位に有効な反射防止膜を形成しても、光電変換層全体では有効ではない。しかしながら、波長変換素子10は、特定の波長領域以外の他の波長領域の光の反射を防止し、反射ロスを低く抑えることができる。この点からも、光電変換装置30全体の発電効率を改善することができる。また、波長変換素子10を設ける場合、光電変換素子40の表面40aに単に配置すればよく、エッチング等が不要である。このため、光電変換装置にエッチング等によるダメージを与えることもない。これにより、製造不良の発生を抑制することができる。なお、光電変換装置30において、P型半導体層44に多結晶シリコンを用いて、波長変換素子10の屈折率の違いによる外部量子効率の違いを調べた。なお、波長変換素子10の屈折率は1.65と2.35のものを用いた。その結果、図11に示すように、波長変換素子10の屈折率が2.35符号D1の方が、屈折率が1.65符号D2よりも波長変換による外部量子効率を改善することができた。また、本発明においては、光電変換層は、シリコンを用いるものに限定されるものではなく、CIGS系光電変換層、CIS系光電変換層、CdTe系光電変換層、色素増感系光電変換層、または有機系光電変換層であってもよい。本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の波長変換素子および光電変換装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。