"Cu合金からなる基材上の表面にSn系表面層が形成され、該Sn系表面層と前記基材との間にCuSn合金層が形成された錫めっき銅合金端子材であって、前記CuSn合金層は、Cu6Sn5を主成分とし、該Cu6Sn5のCuの一部がNi及びSiに置換した化合物を前記基材側界面付近に有する合金層であり、前記CuSn合金層の尖がり度Rkuが3を越え、かつ前記Sn系表面層の平均厚みが0.2μm以上0.4μm以下であり、前記Sn系表面層の表面に露出する前記CuSn合金層の面積率が10~40であり、動摩擦係数が0.3以下であることを特徴とする銅合金端子材。前記基材が、0.5~5質量のNi、0.1~1.5質量のSiを含有し、残部がCu及び不可避不純物から構成されるものであることを特徴とする請求項1記載の銅合金端子材。前記基材が、更にZn、Sn、Fe、Mgの群から選ばれた1種以上を合計で5質量以下含有することを特徴とする請求項2記載の銅合金端子材。Cu合金からなる基材上に、Cuめっき層及びSnめっき層をこの順で形成した後に、リフロー処理することにより、前記基材の上にCuSn合金層を介してSn系表面層を形成した錫めっき銅合金端子材を製造する方法であって、前記基材として、0.5~5質量のNi、0.1~1.5質量のSiを含有し、更に必要に応じてZn、Sn、Fe、Mgの群から選ばれた1種以上を合計で5質量以下含有し、残部がCu及び不可避不純物から構成されるものを用い、前記Cuめっき層の厚みを0.15μm以上0.3μm未満とし、前記Snめっき層の厚みと前記Cuめっき層の厚みの合計が0.8μm以上1.1μm未満とし、前記リフロー処理を基材の表面温度が240~360°Cになるまで昇温後、当該温度に6~12秒間保持した後急冷することにより行うことを特徴とする銅合金端子材の製造方法。錫めっき銅合金端子材の摩擦係数を低減させるには、表層のSn層を薄くし、Snに比べ硬いCuSn合金層の一部を表層に露出させると摩擦係数を非常に小さくすることができる。しかしながら、表層にCuSn合金層が露出するとCu酸化物が表層に形成され、その結果接触抵抗の増大、はんだ濡れ性の低下を引き起こしてしまう。またCuSn合金層の平均粗さを制御しても動摩擦係数を0.3以下にまで低減することはできない問題があった。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであって、優れた電気接続特性を発揮しながら動摩擦係数を0.3以下にまで低減して、挿抜性に優れた錫めっき銅合金端子材を提供することを目的とする。本発明者らは鋭意研究した結果、表層のSn層が薄く、その表面にわずかに下層のCuSn層が露出していることは、動摩擦係数の低下に有利であるとの認識の下、Sn層が薄くなることによる電気接続特性の低下を抑制するためには、CuSn合金層の表面露出を限られた範囲に制御することが必要であり、そのためには、Sn層とその下層のCuSn層との界面の形状が重要であるとの知見に至った。つまり、動摩擦係数は、表面から数百nmの深さの範囲の構造が大きな影響を与えており、研究の結果、表層付近をSnとCuSnの複合構造とすると、硬いCuSn合金層の間にある軟らかいSnが潤滑剤の作用を果たし動摩擦係数が下がることを見出した。この場合、Sn層とCuSn層との界面の凹凸形状が尖鋭であることが重要であり、その界面形状として尖り度Rkuに着目した。また、好ましい尖り度Rkuを得るためには、Ni及びSiの存在が重要であることも見出した。これらの知見の下、以下の解決手段とした。すなわち、本発明の錫めっき銅合金端子材は、Cu合金からなる基材上の表面にSn系表面層が形成され、該Sn系表面層と前記基材との間にCuSn合金層が形成された錫めっき銅合金端子材であって、前記CuSn合金層は、Cu6Sn5を主成分とし、該Cu6Sn5のCuの一部がNi及びSiに置換した化合物を前記基材側界面付近に有する合金層であり、前記CuSn合金層の尖り度Rkuが3を超え、かつ前記Sn系表面層の平均厚みが0.2μm以上0.4μm以下であり、前記Sn系表面層の表面に露出する前記CuSn合金層の面積率が10~40であり、動摩擦係数が0.3以下であることを特徴とする。CuSn合金層の尖り度Rkuが3を超え、かつSn系表面層の平均厚みを0.2μm以上0.4μm以下、Sn系表面層の表面におけるCuSn合金層の露出面積率を10~40とすることで動摩擦係数の0.3以下を実現することができ、この場合、CuSn合金層の下部に形成されるCuの一部がNi及びSiに置換したCu,Ni,Si6Sn5合金の存在により、CuSn合金層の凹凸を尖鋭にしてRkuが3を超え、表面に露出する面積率を限られた範囲に抑制している。CuSn合金層の尖り度Rkuが3以下ではCuSn間に存在するSnが少なく、動摩擦係数を0.3以下とすることができない。Sn系表面層の平均厚みが0.2μm以上0.4μm以下としたのは、0.2μm未満でははんだ濡れ性の低下、電気的接続信頼性の低下を招き、0.4μmを超えると表層をSnとCuSnの複合構造とすることができず、Snだけで占められるので動摩擦係数が増大するためである。Sn系表面層の表面におけるCuSn合金層の露出面積率が10未満では動摩擦係数を0.3以下とすることができず、40を超えると、はんだ濡れ性等の電気接続特性が低下する。より好ましい面積率は、10~30である。本発明の錫めっき銅合金端子材において、前記基材が、0.5~5質量のNi及び0.1~1.5質量のSiを含有し、残部がCu及び不可避不純物から構成されるものであるとよい。基材を0.5~5質量のNi及び0.1~1.5質量のSi含有と規定したのは、リフロー処理により形成されるCuSn系合金層の尖り度Rkuが3を超えるためには、リフロー時に基材よりNi及びSiが供給され、CuSn合金層中にNi及びSiが固溶することが必要なためである。Niが0.5質量未満、Siが0.1質量未満では、それぞれNi又はSiの効果が現れず、Niが5質量を越えると鋳造や熱間圧延時に割れを生じるおそれがあり、Siが1.5質量を超えると導電性が低下してしまうためである。この場合、CuSn合金層との界面側では、Ni及びSiがCuSn合金層に供給されるため、含有量が若干低下した状態となっている。本発明の錫めっき銅合金端子材において、前記基材が、更にZn、Sn、Fe、Mgの群から選ばれた1種以上を合計で5質量以下含有してもよい。Zn、Snは、強度、耐熱性向上のために添加するとよく、また、Fe、Mgは、応力緩和特性向上のために添加するとよいが、合計で5質量を超えると導電率が低下するので好ましくない。本発明の錫めっき銅合金端子材の製造方法は、Cu合金からなる基材上に、Cuめっき層及びSnめっき層をこの順で形成した後に、リフロー処理することにより、前記基材の上にCuSn合金層を介してSn系表面層を形成した錫めっき銅合金端子材を製造する方法であって、前記基材として、0.5~5質量のNi、0.1~1.5質量のSiを含有し、更に必要に応じてZn、Sn、Fe、Mgの群から選ばれた1種以上を合計で5質量以下含有し、残部がCu及び不可避不純物から構成されるものを用い、Cuめっき層の厚みを0.15μm以上0.3μm未満とするとともに、Snめっき層の厚みとCuめっき層の厚みの合計が0.8μm以上1.1μm未満とし、前記リフロー処理を基材の表面温度が240~360°Cになるまで昇温後、当該温度に6~12秒間保持した後、急冷することにより行うことを特徴とする。前述したように基材にNi及びSiを含有することにより、リフロー処理後のCuSn合金層の下部にCu,Ni,Si6Sn5合金を介在させ、これによりCuSn合金層の凹凸が尖鋭になって尖り度Rkuが3を超えることができる。Cuめっき層の厚みが0.15μm未満では、基材から供給されるNi及びSiの影響が大きくなり、場所によりバラツキが大きく、安定した動摩擦係数、外観が得られなくなり、0.3μm以上では、基材からのNiがCuSn合金層に供給されにくいために、尖がり度Rkuが3を超えることが難しくなる。Snめっき層の厚みとCuめっき層の厚みの合計が0.8μm未満であると、リフロー後のSn系表面層が薄くなって電気接続特性が損なわれ、1.1μm以上であると、表面へのCuSn合金層の露出が少なくなって動摩擦係数を0.3以下にすることが難しい。リフロー処理においては、基材の表面温度が240~360°Cになるまで昇温後、当該温度に6~12秒間保持した後、急冷することが重要である。この場合、保持時間は後述するようにCuめっき層及びSnめっき層のそれぞれの厚みに応じて6~12秒の範囲で適切な時間があり、めっき厚が薄いほど保持時間は少なく、厚くなると長い保持時間が必要になる。240°C未満あるいは保持時間が短すぎる場合にはCuSn合金の成長が進まず所望の形状をしたCuSn合金層を得ることができず、360°Cを超えあるいは保持時間が長すぎるとCuSn合金が成長し過ぎて表面への露出率が大きくなり過ぎ、またSn系表面層の酸化が進行して好ましくない。本発明によれば、動摩擦係数を低減したので、低接触抵抗、良好なはんだ濡れ性と低挿抜性を両立させることができ、小型端子に最適である。特に、自動車および電子部品等に使用される端子において、接合時の低い挿入力、安定した接触抵抗、良好なはんだ濡れ性を必要とする部位において優位性を持つ。本発明の一実施形態の錫めっき銅合金端子材を説明する。本実施形態の錫めっき銅合金端子材は、銅合金からなる基材の上に、Sn系表面層が形成され、Sn系表面層と基材との間にCuSn合金層が形成されている。基材は、Cu-Ni-Si系合金、Cu-Ni-Si-Zn系合金等、Ni及びSiを含有し、更に必要に応じてZn、Sn、Fe、Mgの群から選ばれた1種以上を合計で5質量以下含有し、残部がCu及び不可避不純物から構成される銅合金である。Ni及びSiを必須成分としたのは、後述するリフロー処理により形成されるCuSn合金層の尖がり度を3を越えて形成するためには、リフロー時に基材よりNi及びSiが供給され、CuSn合金層中にNi及びSiが固溶することが必要なためである。基材中のNiの含有量としては0.5~5質量が、Siの含有量としては0.1~1.5質量が好ましい。Niが0.5質量未満ではNiの効果、Siが0.1質量未満ではSiの効果がそれぞれ現れず、Niが5質量を越えると鋳造や熱間圧延時に割れを生じるおそれがあり、Siが1.5質量を超えると導電性が低下するためである。また、Zn、Snは、強度、耐熱性向上させ、Fe、Mgは、応力緩和特性を向上させる。これらZn、Sn、Fe、Mgのいずれか1種以上を添加する場合は、その合計の含有量が5質量を超えると導電性が低下するので好ましくない。特に、Zn、Sn、Fe、Mgの両方を含むことが好ましい。CuSn合金層は、後述するように基材の上にCuめっき層とSnめっき層とを形成してリフロー処理することにより形成されたものであり、その大部分はCu6Sn5であるが、基材との界面付近に、基材中のNi及びSiとCuの一部が置換したCu,Ni,Si6Sn5合金が薄く形成される。また、このCuSn合金層とSn系表面層との界面は、凹凸状に形成され、尖がり度が3を超えて形成される。JISB0601で規定される尖がり度Rkuは、測定対象物表面の基準長さlrにおけるころがり円うねり曲線Zxの四乗平均を二乗平均平方根高さRqの四乗によって無次元したもので、次式で表わされる。表面の鋭さの尺度で高さ分布の広がりを特徴づけるものであり、Rkuが3以下のときは表面凹凸の高さ分布が潰れているような形状をしており、Rkuが3を超えるときは高さ分布が尖っていることを示す。Sn系表面層は平均厚みが0.2μm以上0.4μm以下に形成される。その厚みが0.2μm未満でははんだ濡れ性の低下、電気的接続信頼性の低下を招き、0.4μmを超えると表層をSnとCuSnの複合構造とすることができず、Snだけで占められるので動摩擦係数が増大するためである。そして、このSn系表面層の表面に、下層のCuSn合金層の一部が露出しており、その露出部分の面積率が10~40とされる。露出面積率が10未満では動摩擦係数を0.3以下とすることができず、40を超えると、はんだ濡れ性等の電気接続特性が低下する。このような構造の端子材は、CuSn合金層とSn系表面層との界面が尖鋭な凹凸形状に形成されていることにより、Sn系表面層の表面から数百nmの深さの範囲で、硬いCuSn合金層の深い谷部に軟らかいSnが介在し、かつ表面においては、その硬いCuSn合金層の一部がSn系表面層にわずかに露出した状態とされ、谷部に介在する軟らかいSnが潤滑剤の作用を果たし、動摩擦係数0.3以下とされる。しかも、CuSn合金層の露出面積率は10~40の限られた範囲であるから、Sn系表面層の持つ優れた電気接続特性を損なうことはない。次に、この端子材の製造方法について説明する。基材として、Cu-Ni-Si系合金、Cu-Ni-Si-Zn系合金等、Ni及びSiを含有し、更に必要に応じてZn、Sn、Fe、Mgの群から選ばれた1種以上を合計で5質量以下含有し、残部がCu及び不可避不純物から構成される銅合金からなる板材を用意する。この板材に脱脂、酸洗等の処理をすることによって表面を清浄にした後、Cuめっき、Snめっきをこの順序で施す。Cuめっきは一般的なCuめっき浴を用いればよく、例えば硫酸銅CuSO4及び硫酸H2SO4を主成分とした硫酸銅浴等を用いることができる。めっき浴の温度は20~50°C、電流密度は1~20A/dm2とされる。このCuめっきにより形成されるCuめっき層の膜厚は0.15μm以上0.3μm未満とされる。0.15μm未満では合金基材の影響が大きく、表層にまでCuSn合金層が成長して光沢度、はんだ濡れ性の低下を招き、0.3μm以上であると、リフロー時に基材よりNi及びSiが十分に供給されず、所望のCuSn合金層の凹凸形状を得られないためである。Snめっき層形成のためのめっき浴としては、一般的なSnめっき浴を用いればよく、例えば硫酸H2SO4と硫酸第一錫SnSO4を主成分とした硫酸浴を用いることができる。めっき浴の温度は15~35°C、電流密度は1~30A/dm2とされる。Snめっき層の厚みとCuめっき層の厚みの合計が0.8μm以上1.1μm未満とされる。合計の厚みが0.8μm未満であると、リフロー後のSn系表面層が薄くなって電気接続特性が損なわれ、1.1μm以上であると、表面へのCuSn合金層の露出が少なくなって動摩擦係数を0.3以下にすることが難しい。リフロー処理条件としては、還元雰囲気中で基材の表面温度が240°C~360°Cとなる条件で6~12秒加熱し、急冷とされる。さらに望ましくは260~300°Cで6~10秒加熱後急冷である。この場合、保持時間は後述の表2に示すようにCuめっき層及びSnめっき層のそれぞれの厚みに応じて6~12秒の範囲で適切な時間があり、めっき厚が薄いほど保持時間は少なく、厚くなると長い保持時間が必要になる。240°C未満の温度、保持時間が表2に示す時間未満の加熱ではCuSn合金の成長が進まず所望の形状をしたCuSn合金層を得ることができず、360°Cを超える温度、保持時間が表2に示す時間を超える加熱ではCuSn合金結晶が大きく成長してしまい所望の形状を得られず、またCuSn合金層が表層にまで達し、表面に残留するSn系表面層が少なくなり過ぎるCuSn合金層の表面への露出率が大きくなり過ぎるためである。また、加熱条件が高いとSn系表面層の酸化が進行して好ましくない。板厚0.25mmの銅合金Ni;0.5~5.0質量-Zn;0.1~1.0質量-Sn;0~0.5質量―Si;0.1~1.5質量-Fe;0~0.03質量-Mg;0~0.005質量を基材とするものを主とし、Cuめっき、Snめっきを順に施した。この場合、Cuめっき及びSnめっきのめっき条件は実施例、比較例とも同じで、表1に示す通りとした。表1中、Dkはカソードの電流密度、ASDはA/dm2の略である。めっき処理後、実施例、比較例ともリフロー処理として、還元雰囲気中で、基材表面温度が240~360°Cになるまで昇温後、めっき層厚みに応じて表2に示す範囲内の時間加熱後、水冷した。比較例として、基材のNi及びSi濃度や、Cuめっき層の厚み、Snめっき層の厚みを変量したものも作製した。これら試料の条件を表3に示す。これらの試料について、リフロー後のSn系表面層の厚み、CuSn合金層の厚み、CuSn合金層の尖がり度Rku、CuSn合金層のSn系表面層上の露出面積率を測定するとともに、動摩擦係数、はんだ濡れ性、電気的信頼性を評価した。リフロー後のSn系表面層及びCuSn合金層の厚みは、エスエスアイナノテクノロジー株式会社製蛍光X線膜厚計SFT9400にて測定した。最初にリフロー後の試料の全Sn系表面層の厚みを測定した後、例えばレイボルド株式会社製のL80等の、純SnをエッチングしCuSn合金を腐食しない成分からなるめっき被膜剥離用のエッチング液に5分間浸漬することによりSn系表面層を除去し、その下層のCuSn合金層を露出させCuSn合金層の厚みを測定した後、全Sn系表面層の厚み-CuSn合金層の厚みをSn系表面層の厚みと定義した。CuSn合金層の尖がり度Rkuは、Snめっき被膜剥離用のエッチング液に浸漬してSn系表面層を除去し、その下層のCuSn合金層を露出させた後、株式会社キーエンス製レーザ顕微鏡を用い、対物レンズ150倍測定視野94μm×70μmの条件で、長手方向で5点、短手方向で5点、計10点測定したRkuの平均値より求めた。CuSn合金層の露出面積率は、表面酸化膜を除去後、100×100μmの領域を走査イオン顕微鏡により観察した。測定原理上、最表面から約20nmまでの深さ領域にCu6Sn5が存在すると、白くイメージングされるので、画像処理ソフトを使用し、測定領域の全面積に対する白い領域の面積の比率をCuSn合金の露出面積率とみなした。動摩擦係数については、嵌合型のコネクタのオス端子とメス端子の接点部を模擬するように、各試料について板状のオス試験片と内径1.5mmの半球状としたメス試験片とを作成し、株式会社トリニティーラボ製の摩擦測定機μV1000を用い、両試験片間の摩擦力を測定して動摩擦係数を求めた。図5により説明すると、水平な台11上にオス試験片12を固定し、その上にメス試験片13の半球凸面を置いてめっき面同士を接触させ、メス試験片13に錘14によって4.9N500gfの荷重Pをかけてオス試験片12を押さえた状態とする。この荷重Pをかけた状態で、オス試験片12を摺動速度80mm/分で矢印で示す水平方向に10mm引っ張ったときの摩擦力Fをロードセル15によって測定した。その摩擦力Fの平均値Favと荷重Pより動摩擦係数=Fav/Pを求めた。はんだ濡れ性については、試験片を10mm幅に切り出し、ロジン系フラックスを用いてメニスコグラフ法にてゼロクロスタイムを測定した。はんだ浴温230°CのSn-37Pbはんだに浸漬させ、浸漬速度2mm/sec、浸漬深さ2mm、浸漬時間10secの条件にて測定した。はんだゼロクロスタイムが3秒以下を○と評価し、3秒を超えた場合を×と評価した。電気的信頼性を評価するため、大気中で150°C×500時間加熱し、接触抵抗を測定した。測定方法はJIS-C-5402に準拠し、4端子接触抵抗試験機山崎精機研究所製:CRS-113-AUにより、摺動式1mmで0から50gまでの荷重変化-接触抵抗を測定し、荷重を50gとしたときの接触抵抗値で評価した。これらの測定結果、評価結果を表4に示す。この表4から明らかなように、実施例はいずれも動摩擦係数が0.3以下と小さく、はんだ濡れ性が良好で、接触抵抗も10mΩ以下を示した。これに対し比較例3,4,6,7は、Rkuが3未満のため動摩擦係数が0.3以上あり、比較例1、2、5は動摩擦係数が0.3以下だが、Sn系表面層が薄くCu6Sn5露出面積率が40を超えているためにはんだ濡れ性が悪く光沢度も低く、接触抵抗も10mΩを超え電気的信頼性が低下した。比較例3はRkuは3を超えているもののSn系表面層の厚みが0.4μmを超えているため、動摩擦係数が0.3以上ある。図1及び図2は実施例1の試料の顕微鏡写真であり、図3及び図4は比較例4の顕微鏡写真である。これらの写真を比較してわかるように、実施例のものは、CuSn合金層の凹凸が尖鋭であり、Sn系表面層にCuSn合金層の一部が分散して露出している。比較例のものは、図3に示されるように、CuSn合金層の下部に比較的厚いCu3Sn層が認められ、その上にCu6Sn5層が積層した構造とされており、CuSn合金層の凹凸も粗く緩やかで、表面への露出も少ない。"