基板上に互いに交差するように設けられたデータ線及び走査線と、前記基板上に前記データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、前記画素電極に対向するように設けられ、所定の基準電位が供給される対向電極と、前記基板と前記画素電極との間に、前記走査線と重なるように設けられ、且つ前記データ線が延びる方向で互いに隣り合う画素電極間に位置する間隙領域を含む領域に重なるように形成された導電電極と、前記基準電位に対して極性が所定期間毎に反転する画像信号を前記データ線に供給する画像信号供給部と、前記導電電極に導電電極電位を供給する導電電極電位供給部とを備え、前記導電電極電位供給部は、前記画素電極に供給される前記画像信号と同一極性の電位を有するように、前記導電電極電位を制御する第1動作モードと、前記導電電極が前記基準電位と同一の電位を有するように前記導電電極電位を制御する第2動作モードとを有することを特徴とする電気光学装置。前記第1及び第2動作モードのうちいずれの動作モードで前記導電電極電位供給部が動作すべきかを指定する指定部を備えることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。当該電気光学装置は、ノーマリーホワイトモードの液晶装置であり、前記指定部は、前記第1動作モードを、コントラストを重視すべきコントラスト重視モードとして設定し、前記第2動作モードを、明るさを重視すべき明るさ重視モードとして設定することを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。当該電気光学装置は、ノーマリーブラックモードの液晶装置であり、前記指定部は、前記第1動作モードを、明るさを重視すべき明るさ重視モードとして設定し、前記第2動作モードを、コントラストを重視すべきコントラスト重視モードとして設定することを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。前記基板と前記導電電極との間にに誘電体膜を介して前記導電電極に対向するように配置されるとともに、前記画素電極に電気的に接続された画素電位側容量電極を備え、前記導電電極は容量線を構成することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。請求項1から5のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。しかしながら、前述したようにシールド電極が対向電極と同一の電位に維持される場合即ち、シールド電極及び対向電極の両方が所定の基準電位に維持される場合、シールド電極の電位によって、互いに隣り合う画素電極間に位置する液晶に、印加すべき印加電圧を十分に印加することが困難になるおそれがある。即ち、この場合、互いに隣り合う画素電極間に位置する液晶に印加される印加電圧に、シールド電極の電位が悪影響を及ぼしてしまうおそれがある。このため、液晶装置が例えばTNTwistedNematic液晶等が用いられるノーマリーホワイトモードである場合には、例えば、互いに隣り合う画素電極間の黒さを高めることが困難となり、表示画像のコントラストが低下してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。また、液晶装置が例えばVAVerticalAlignment液晶等が用いられるノーマリーブラックモードである場合には、例えば、互いに隣り合う画素電極間の白さ言い換えれば、明るさを高めることが困難となり、表示画像の明るさが低下してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。本発明は、例えば前述した問題点に鑑みなされたものであり、例えばコントラスト及び明るさを選択的に高めることができ、高品位な表示を行うことが可能な電気光学装置、及びこのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に互いに交差するように設けられたデータ線及び走査線と、前記基板上に前記データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、前記画素電極に対向するように設けられ、所定の基準電位が供給される対向電極と、前記基板と前記画素電極との間に、前記走査線と重なるように設けられ、且つ前記データ線が延びる方向で互いに隣り合う画素電極間に位置する間隙領域を含む領域に重なるように形成された導電電極と、前記基準電位に対して極性が所定期間毎に反転する画像信号を前記データ線に供給する画像信号供給部と、前記導電電極に導電電極電位を供給する導電電極電位供給部とを備え、前記導電電極電位供給部は、前記画素電極に供給される前記画像信号と同一極性の電位を有するように、前記導電電極電位を制御する第1動作モードと、前記導電電極が前記基準電位と同一の電位を有するように前記導電電極電位を制御する第2動作モードとを有する。本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、対向電極に所定の基準電位が供給されるとともに、画素電極に画像信号が供給され、各画素では、画素電極及び対向電極間の電位差に応じた電圧が例えば液晶等の電気光学物質に印加される。これにより、画素電極が設けられた表示領域における画像表示が可能となる。この際、画像信号は、画像信号供給部によって、所定の基準電位に対して、正極性及び負極性のいずれかに極性反転されて画素電極に供給される。ここで、本発明に係る正極性は、画像信号の電位が所定の基準電位よりも高いことを意味し、正極性の画像信号は、所定の基準電位よりも高い電位を有する。また、本発明に係る負極性とは、画像信号の電位が所定の基準電位よりも低いことを意味し、負極性の画像信号は、所定の基準電位よりも低い電位を有する。本発明では、基板と画素電極との間言い換えれば、基板上の積層構造における画素電極よりも下層側に、導電電極が設けられている。導電電極は、走査線と重なるように設けられている。例えば、導電電極は、複数の走査線の各々と対をなすように設けられ、走査線が延びる方向例えばX方向に沿って延びるように形成されている。更に、導電電極は、データ線が延びる方向例えばY方向で互いに隣り合う画素電極間に位置する間隙領域を含む領域に重なるように形成されている。例えば、複数の導電電極の各々は、当該導電電極と対をなす走査線に概ね重なるように形成されることで、データ線が延びる方向で互いに隣り合う画素電極間の間隙領域を含む領域に形成される。導電電極には、導電電極電位供給部によって導電電極電位が供給される。導電電極に導電電極電位が供給されることにより、間隙領域において、導電電極の下層側例えばデータ線などと導電電極の上層側に設けられる画素電極との電気的或いは電磁気的なカップリングを防止できる。本発明では特に、導電電極電位供給部は、画素電極に供給される画像信号と同一極性の電位を有するように、導電電極電位を制御する第1動作モードと、導電電極が基準電位と同一の電位を有するように導電電極電位を制御する第2動作モードとを有する。よって、導電電極電位供給部が第1動作モードで動作することにより、画素電極が設けられた領域と間隙領域とで、電気光学物質に印加される電圧の差を小さくすることができる。したがって、例えば、当該電気光学装置が、電気光学物質として例えばTN液晶等が用いられるノーマリーホワイトモードの液晶装置である場合には、間隙領域における黒さを高めることができ、表示画像のコントラストを向上させることができる。また、例えば、当該電気光学装置が、電気光学物質として例えばVA液晶等が用いられるノーマリーブラックモードの液晶装置である場合には、間隙領域における白さ言い換えれば、明るさを高めることができ、表示画像の明るさを向上させることができる。一方、導電電極電位供給部が第2動作モードで動作することにより、間隙領域に位置する電気光学物質に印加される電圧を、画素電極が設けられた領域に位置する電圧よりも低くすることができる。したがって、例えば、当該電気光学装置が、電気光学物質として例えばTN液晶等が用いられるノーマリーホワイトモードの液晶装置である場合には、間隙領域における白さを高めることができ、表示画像の明るさを向上させることができる。また、例えば、当該電気光学装置が、電気光学物質として例えばVA液晶等が用いられるノーマリーブラックモードの液晶装置である場合には、間隙領域における黒さを高めることができ、表示画像のコントラストを向上させることができる。したがって、導電電極電位供給部が第1及び第2動作モードのいずれかで動作することにより、表示画像のコントラスト及び明るさのいずれかを高めることができる。即ち、例えばユーザーがコントラスト及び明るさのいずれを重視するかに応じて、導電電極電位供給部が第1及び第2動作モードのいずれかで動作することにより、コントラスト及び明るさが選択的に高められた高品位な画像を表示することが可能となる。以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、コントラスト及び明るさを選択的に高めることができ、高品位な表示を行うことが可能となる。本発明の電気光学装置の一態様では、前記第1及び第2動作モードのうちいずれの動作モードで前記導電電極電位供給部が動作すべきかを指定する指定部を備える。この態様によれば、導電電極電位供給部は、指定部によって指定された動作モードで動作する。よって、ユーザーは、指定部によって第1及び第2動作モードのいずれかを選択することができる。したがって、例えばユーザーがコントラスト及び明るさのいずれを重視するかに応じた表示を確実に行うことが可能となる。即ち、ユーザーが表示画像のコントラストを重視する場合には、表示画像のコントラストを確実に高めることができるとともに、ユーザーが表示画像の明るさを重視する場合には、表示画像の明るさを確実に高めることができる。前述した指定部を備える態様では、当該電気光学装置は、ノーマリーホワイトモードの液晶装置であり、前記指定部は、前記第1動作モードを、コントラストを重視すべきコントラスト重視モードとして設定し、前記第2動作モードを、明るさを重視すべき明るさ重視モードとして設定してもよい。この場合には、ユーザーがコントラスト及び明るさのいずれを重視するかに応じた表示を確実に行うことが可能なノーマリーホワイトモードの液晶装置を実現することができる。前述した指定部を備える態様では、当該電気光学装置は、ノーマリーブラックモードの液晶装置であり、前記指定部は、前記第1動作モードを、明るさを重視すべき明るさ重視モードとして設定し、前記第2動作モードを、コントラストを重視すべきコントラスト重視モードとして設定してもよい。この場合には、ユーザーがコントラスト及び明るさのいずれを重視するかに応じた表示を確実に行うことが可能なノーマリーブラックモードの液晶装置を実現することができる。本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板と前記導電電極との間にに誘電体膜を介して前記導電電極に対向するように配置されるとともに、前記画素電極に電気的に接続された画素電位側容量電極を備え、前記導電電極は容量線を構成する。この態様によれば、導電電極、誘電体膜及び画素電位側容量電極によって蓄積容量が構成される。蓄積容量によって、画素電極に保持された画像信号がリークすることを低減或いは防止でき、コントラストを高めることができる。更に、導電電極が、蓄積容量を構成する一対の容量電極の一方を兼ねるので、例えば、基板上の積層構造において導電電極と蓄積容量とを別個に設ける場合と比較して、基板上の積層構造の単純化を図ることができる。加えて、蓄積容量に所定電位を供給するための容量線が導電電極によって構成されるので、基板上の積層構造をより単純化することができる。本発明の電子機器は上記課題を解決するために、前述した本発明の電気光学装置但し、その各種態様も含むを備える。本発明の電子機器によれば、前述した本発明の電気光学装置を備えるので、高品位な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置、電子放出装置FieldEmissionDisplay及びConductionElectronEmitterDisplay、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例であるTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。<第1実施形態>第1実施形態に係る液晶装置について、図1から図7を参照して説明する。先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図2は、図1のII-II’線断面図である。図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置100では、TFTアレイ基板10と対向基板20とが互いに対向するように配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域52aに設けられたシール材52により相互に接着されている。なお、TFTアレイ基板10は本発明に係る基板の一例である。図1において、シール材52が配置されたシール領域52aの内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域52aの外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域52aよりも内側に、サンプリング回路7が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する辺に沿ったシール領域52aの内側に、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路104が設けられた辺に対向する辺に沿って、シールド電位制御回路300が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。TFTアレイ基板10上には、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材107で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。TFTアレイ基板10上には、外部回路接続端子102と、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、シールド電位制御回路300、上下導通端子106等とを電気的に接続するための引回配線90が形成されている。図2において、TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域10aには、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線の上層に、ITOIndiumTinOxide等の透明導電材料からなる画素電極9がマトリクス状に設けられている。画素電極9上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板20上の画像表示領域10a内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜23上に、ITO等の透明導電材料からなる対向電極21が複数の画素電極9と対向してベタ状に形成されている。対向電極21上には配向膜が形成されている。また、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。なお、ここでは図示しないが、TFTアレイ基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。次に、本実施形態に係る液晶装置100の電気的な構成について、図3を参照して説明する。図3は、本実施形態に係る液晶装置100の電気的な構成を示すブロック図である。図3に示すように、本実施形態に係る液晶装置100には、そのTFTアレイ基板10上の周辺領域に、走査線駆動回路104、データ線駆動回路101、サンプリング回路7及びシールド電位制御回路300を含む駆動回路或いは周辺回路並びに画像信号線95が設けられている。なお、シールド電位制御回路300は、本発明に係る導電電極電位供給部の一例であり、データ線駆動回路101、サンプリング回路7及び画像信号線95は、本発明に係る画像信号供給部の一例を構成する。走査線駆動回路104には、Yクロック信号CLY、反転Yクロック信号CLYinv及びYスタートパルスDYが供給される。走査線駆動回路104は、YスタートパルスDYが入力されると、Yクロック信号CLY及び反転Yクロック信号CLYinvに基づくタイミングで、走査信号を順次生成して走査線11に出力する。データ線駆動回路101には、Xクロック信号CLX、反転Xクロック信号CLXinv及びXスタートパルスDXが供給される。データ線駆動回路101は、XスタートパルスDXが入力されると、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号XCLXinvに基づくタイミングで、サンプリング信号Si但し、i=1、2、...、nを順次生成してサンプリング信号線97に出力する。サンプリング回路7は、データ線6毎に設けられた複数のサンプリング用TFT171を備えている。サンプリング用TFT171は、例えばPチャネル型又はNチャネル型の片チャネル型TFTから構成されている。尚、サンプリング用TFT171は、相補型のTFTから構成されるようにしてもよい。サンプリング用TFT171のソース配線171Sは、画像信号線95に電気的に接続されており、サンプリング用TFT171のゲート配線171Gは、サンプリング信号線97に電気的に接続されており、サンプリング用TFT171のドレイン配線171Dは、データ線6に電気的に接続されている。各サンプリング用TFT171は、画像信号線95を介して画像信号VIDが入力されると共にサンプリング信号線97を介してデータ線駆動回路101からサンプリング信号Si但し、i=1、2、...、nが入力されると、画像信号VIDをサンプリングして、各データ線6にデータ信号Di但し、i=1、2、...、nとして印加するように構成されている。図3に示すように、本実施形態に係る液晶装置100は、TFTアレイ基板10における画像表示領域10aに、複数の画素900と、互いに交差するように配線されたm本の走査線11即ち、走査線G1、G2、...、Gm及びn本のデータ線6とを備えている。ここで、m、nはそれぞれ自然数である。更に、本実施形態に係る液晶装置100は、TFTアレイ基板10における画像表示領域10aに、m本のシールド線400即ち、シールド線SH1、SH2、...、SHmを備えている。m本の走査線の各々は、X方向に沿って延びるように形成されている。n本のデータ線の各々は、Y方向に沿って延びるように形成されている。m本のシールド線400の各々は、m本の走査線11の各々と対をなすように設けられている。即ち、シールド線SHi但し、i=1、2、...、mは、走査線Gi但し、i=1、2、...、mと対をなしている。m本のシールド線400の各々は、m本の走査線11と同様に、X方向に沿って延びるように形成されている。なお、シールド線400は、本発明に係る導電電極の一例である。画素900は、画像表示領域10aにm行×n列のマトリクス状に2次元に配置されている。より具体的には、画素900は、画像表示領域10aにおける左側から第1列、第2列、...、第n列で、上側から第1行、第2行、...、第m行のマトリクス状に配置されている。即ち、走査線G1、...、Gmとn本のデータ線6との交点に対応して単位表示素子である画素900が設けられている。画素900は、TFT30、液晶容量Clc及び蓄積容量70を備えている。液晶容量Clcは、画素電極9、対向電極21及び液晶層50図2参照による容量である。対向電極21には所定の中間電位或いは共通電位Vcom例えば7ボルトが供給される。具体的には、対向電極21には、外部電源から、図2を参照して前述した外部回路接続端子102、引回配線90、上下導通端子106及び上下導通材107を介して所定の中間電位Vcomが供給される。ここで、中間電位Vcomは、本発明に係る基準電位の一例であり、例えば7ボルトVなどの固定電位である。なお、図6を参照して後述するように、本実施形態では、いわゆる線反転駆動方式が採用されており、画像信号VIDは、所定周期で、中間電位Vcom例えば7ボルトに対して高位側の正極性と低位側の負極性とで極性反転される。即ち、各画素900には、正極性の電位即ち、プラスフィールドの電位、例えば7~12ボルトと、負極性の電位即ち、マイナスフィールドの電位、例えば2~7ボルトとが交互に供給される。より具体的には、画像信号VIDは、1本の走査線に対応する表示を行う間即ち、1水平走査期間、画素900には中間電位Vcomよりも高い正極性の電位で供給され、これに続く次の1本の走査線に対応する表示を行う間は、逆に画素900には中間電位Vcomよりも低い負極性の電位で供給されるように、電位が極性反転される。また、画像信号VIDの極性が反転される所定の周期は、特に限定されず、例えば、m本の走査線に対応する表示を行う期間即ち、1画面表示期間であってもよい。TFT30は、Nチャネル型又はPチャネル型のTFTである。TFT30のソースはデータ線6に電気的に接続されている。TFT30のゲートは走査線11に電気的に接続されている。より具体的には、第i行但し、i=1、2、...、mをなす画素900のTFT30のゲートは、第i番の走査線Gi但し、i=1、2、...、mに電気的に接続されている。TFT30は、走査線線駆動回路104から供給される走査信号によってオンオフが切り換えられる。TFT30のドレインは、液晶容量Clc及び蓄積容量70の各々の一端に電気的に接続されている。蓄積容量70は、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、液晶容量Clcに並列に電気的に接続されている。蓄積容量70を構成する一対の容量電極の一方は、TFT30のドレインに電気的に接続されている。蓄積容量70を構成する一対の容量電極の他方は、シールド線400に電気的に接続されている。より具体的には、蓄積容量70を構成する一対の容量電極の他方は、シールド線400の一部によって構成されている。TFT30のゲートに走査信号が入力されてTFT30がオン状態になると、データ線6に電気的に接続されたTFT30のソースに印加されている電圧が液晶容量Clc及び蓄積容量70に印加され、供給されたデータ信号の電位が維持される。これにより、画像表示が行われる際に画素900に供給されたデータ信号の電位を長時間保持することが可能となる。なお、データ線6に書き込むデータ信号D1、D2、...、Dnは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。液晶容量Clcを構成する液晶に書き込まれた所定レベルのデータ信号Di但し、i=1、2、...、nは一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置100の画像表示領域10aからは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。なお、本実施形態では、説明の簡単のため、走査信号G1、G2、...、Gmがこの順に線順次で走査線11に印加されるように構成しているが、走査信号Gi但し、i=1、2、...、mが走査線11に印加される順序は、任意の順序であってもよい。シールド電位制御回路300は、m本のシールド線400の各々にシールド電位を供給する。シールド電位制御回路300は、シールド線SHiが、走査線Giに対応する画素900に書き込まれるデータ信号と同一極性の電位を有するように、シールド電位を制御する第1動作モードと、m本のシールド線400の各々に、シールド電位として中間電位Vcomを供給する第2動作モードとを有している。シールド電位制御回路300が第1及び第2動作モードのいずれで動作するかは、後述する選択部500によって指定される。なお、シールド電位は、本発明に係る導電電極電位の一例である。選択部500は、例えば外部回路の一部として設けられ、ユーザーからの入力に応じて、シールド電位制御回路300が第1及び第2動作モードのうちいずれの動作モードで動作すべきかを指定する。なお、図7を参照して後述するように、例えば、液晶装置100がノーマリーホワイトモードである場合には、第1動作モードは、コントラストを重視するコントラスト重視モードとして設定され、第2動作モードは、明るさを重視する明るさ重視モードとして設定される。ユーザーがコントラスト重視モードを選択すると、選択部500によって第1動作モードが指定され、シールド電位制御回路300は第1動作モードで動作する。一方、ユーザーが明るさ重視モードを選択すると、選択部500によって第2動作モードが指定され、シールド電位制御回路300は第2動作モードで動作する。また、例えば、液晶装置100がノーマリーブラックモードである場合には、第1動作モードは、明るさ重視モードとして設定され、第2動作モードは、コントラスト重視モードとして設定される。ユーザーがコントラスト重視モードを選択すると、選択部500によって第2動作モードが指定され、シールド電位制御回路300は第2動作モードで動作する。一方、ユーザーが明るさ重視モードを選択すると、選択部500によって第1動作モードが指定され、シールド電位制御回路300は第1動作モードで動作する。即ち、選択部500は、ユーザーがコントラスト及び明るさのいずれを重視するかに応じて、シールド電位制御回路300の動作モードを第1動作モードと第2動作モードとの間で切り替えるための切り替えスイッチとして機能する。次に、本実施形態に係る液晶装置100のシールド線400の具体的な構成について、図4及び図5を参照して説明する。図4は、シールド線400の構成を、画素電極9、データ線6及び走査線11の構成とともに示す平面図である。図5は、図4のV-V’線断面図である。なお、図4においては、説明の便宜上、図5に示す容量電極71の図示を省略している。図5においては、説明の便宜上、液晶層50及び対向電極21を図示している。また、図5においては、各層各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図4及び図5において、TFTアレイ基板10上には、データ線6、走査線11、シールド線400及び画素電極9が設けられている。走査線11は、TFTアレイ基板10上に、X方向に沿って延びるように且つY方向で互いに隣り合う画素電極9間に位置する間隙領域Rcに重なるように形成されている。走査線11は、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタンTi、クロムCr、タングステンW、タンタルTa、モリブデンMo等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。走査線11の上層側には下地絶縁膜12が設けられている。下地絶縁膜12上には、TFT30図4及び図5において図示省略。図3参照が、例えばデータ線6及び走査線11が互いに交差する交差部に重なるように設けられている。データ線6は、TFT30の上層側に設けられた層間絶縁膜上に、Y方向に沿って延びるように形成されている図4参照。図5において図示省略。データ線6は、例えばアルミニウムAl等の導電材料からなる。データ線6の上層側には層間絶縁膜42が設けられている。層間絶縁膜42上には、蓄積容量70が設けられている。蓄積容量70は、層間絶縁膜42上に設けられた容量電極71と、容量電極71の上層側に設けられた誘電体膜72と、誘電体膜72の上層側に設けられたシールド線400とから構成されている。容量電極71は、本発明に係る画素電位側容量電極の一例であり、誘電体膜72を介してシールド線400の一部と対向するように、画素900毎に島状に設けられている。容量電極71は、誘電体膜72及び層間絶縁膜43を貫通するコンタクトホールを介して画素電極9に電気的に接続されている。誘電体膜72は、例えば窒化シリコン等の透明な誘電性材料から形成されている。誘電体膜72は、画像表示領域10aの略全体に重なるように形成されている。なお、誘電体膜72は例えば窒化シリコン等の透明な誘電性材料で構成されるため、誘電体膜72を、画像表示領域10aに広く形成しても、開口領域における光透過率を殆ど或いは実践上全く低下させることはない。ここで本実施形態では特に、シールド線400は、蓄積容量70に所定電位を供給するための容量線を構成している。即ち、本実施形態では特に、シールド線400は、各画素900の蓄積容量70を構成する一対の容量電極の一方の容量電極として機能する部分と、該一方の容量電極に所定電位本実施形態ではシールド電位を供給するための容量線として機能する部分とを有している。よって、シールド線400とは別個に容量線を設ける場合と比較して、基板上の積層構造の単純化を図ることができる。シールド線400は、誘電体膜72上に、走査線11と概ね同様に、X方向に沿って延びるように且つY方向で互いに隣り合う画素電極9間に位置する間隙領域Rcに重なるように形成されている。シールド線400は、走査線11と重なるように設けられている。シールド線400は、例えばAl等の導電材料からなる。シールド線400の上層側には層間絶縁膜43が設けられている。層間絶縁膜43上には、複数の画素電極9がマトリクス状に設けられている。画素電極9は、画素900の各々に配置され、その境界にデータ線6及び走査線11が格子状に配列するように形成されている図4参照。画素電極9は、例えばITO等の透明導電材料からなる。画素電極9の上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。他方、対向基板20図2参照には、液晶層50を介して複数の画素電極9に対向するように対向電極21が設けられている。対向電極21は、画素電極9と同様、例えばITO等の透明導電材料からなる。次に、シールド電位制御回路300の動作について、図3から図5に加えて、図6及び図7を参照して説明する。図6は、シールド電位制御回路300が第1動作モードで動作する場合におけるシールド線SHiの電位の経時変化を示すタイミングチャートである。なお、図6には、シールド線400の電位に加えて、走査線11の電位及び画像信号VIDの電位が示されている。図6において、液晶装置100の動作時には、走査線G1、G2、...、Gmに対してこの順にパルス状の走査信号が供給され、走査線G1、G2、...、Gmは、この順に、所定期間だけ、TFT30をオン状態にするための電位例えば15.5ボルトとされる。走査線G1、...、Gmは、走査信号が供給される期間以外の期間では、TFT30をオフ状態にするための電位例えば0ボルトに維持される。本実施形態では、いわゆる線反転駆動方式が採用されており、画像信号VIDは、所定周期で、基準電位例えば7ボルトに対して高位側の正極性と低位側の負極性とで極性反転される。即ち、各画素900には、正極性の電位即ち、プラスフィールドの電位、例えば12ボルトと、負極性の電位即ち、マイナスフィールドの電位、例えば2ボルトとが交互に供給される。即ち、各画素900の画素電極9には、正極性の電位即ち、プラスフィールドの電位、例えば7~12ボルトと、負極性の電位即ち、マイナスフィールドの電位、例えば2~7ボルトとが交互に供給される。より具体的には、画像信号VIDは、1本の走査線11に対応する表示を行う間即ち、1水平走査期間、画素900には正極性の電位即ち、中間電位Vcomよりも高い電位で供給され、これに続く次の1本の走査線に対応する表示を行う間は、逆に画素900には負極性の電位中間電位Vcomよりも低い電位で供給されるように、電位が極性反転される。図6の例では、走査線G1に走査信号が供給される期間即ち、走査線G1がTFT30をオン状態とするための電位にされる期間には、データ信号D1、D2、...、Dnは正極性の電位であり、走査線G2に走査信号が供給される期間には、データ信号D1、D2、...、Dnは負極性の電位であり、走査線G3に走査信号が供給される期間には、データ信号D1、D2、...、Dnは正極性の電位であり、走査線G4に走査信号が供給される期間には、データ信号D1、D2、...、Dnは負極性の電位である。図3及び図6において、本実施形態では特に、シールド電位制御回路300は、第1動作モードでは、シールド線SHiが、走査線Giに対応する画素900に書き込まれるデータ信号と同一極性の電位を有するように、シールド電位を制御する。即ち、図6に示すように、シールド線SHi但し、i=1、2...、mは、シールド電位制御回路300からシールド電位が供給されることにより、当該シールド線SHiが対をなす走査線Giに対応する画素900即ち、第i行の画素900に書き込まれるデータ信号と同一極性の電位とされる。図6の例では、走査線G1に対応する画素900即ち、第1行の画素900に正極性のデータ信号D1、D2、...、Dnが書き込まれるのに対応して、走査線G1に走査信号が供給されるタイミングでシールド線SH1にシールド電位として正極性の電位が供給される。その後、次に走査線G1に走査信号が供給されるタイミングまで即ち、走査線G1に対応する画素900に負極性のデータ信号D1、D2、...、Dnが書き込まれる前まで、シールド線SH1に供給されるシールド電位は正極性のまま維持される。走査線G2に対応する画素900即ち、第2行の画素900に負極性のデータ信号D1、D2、...、Dnが書き込まれるのに対応して、走査線G2に走査信号が供給されるタイミングでシールド線SH2にシールド電位として負極性の電位が供給される。その後、次に走査線G2に走査信号が供給されるタイミングまで即ち、走査線G2に対応する画素900に正極性のデータ信号D1、D2、...、Dnが書き込まれる前まで、シールド線SH2に供給されるシールド電位は正極性のまま維持される。図5において、このような第1動作モードでシールド電位制御部300が動作することにより、画素電極9が設けられた画素電極領域Rpと間隙領域Rcとで、液晶層50に印加される電圧の差を小さくすることができる。ここで、例えば、m本のシールド線400の各々にシールド電位として中間電位Vcom例えば7ボルトが供給される場合には、シールド線400及び対向電極21のいずれもが中間電位Vcomとなり、シールド線400及び対向電極21間の電位差がゼロとなるので、液晶層50のうち間隙領域Rcに位置する部分に印加される電圧が、液晶層50のうち画素電極領域Rpに位置する部分に印加される電圧よりも低くなりやすい。即ち、シールド電位制御部300は、第1動作モードでは、シールド線SHiが、走査線Giに対応する画素電極9の電位と同一極性の電位を有するように、シールド電位を制御するので、画素電極領域Rpと間隙領域Rcとで、液晶層50に印加される電圧の差を小さくすることができる。したがって、例えば、液晶層50を構成する液晶が例えばTN液晶等であり、液晶装置100がノーマリーホワイトモードの液晶装置である場合には、間隙領域Rcにおける黒さを高めることができ、表示画像のコントラストを向上させることができる。また、例えば、液晶層50を構成する液晶が例えばVA液晶等がであり、液晶装置100がノーマリーブラックモードの液晶装置である場合には、間隙領域Rcにおける白さ言い換えれば、明るさを高めることができ、表示画像の明るさを向上させることができる。更に、本実施形態では特に、シールド電位制御回路300は、第2動作モードでは、m本のシールド線400の各々に、シールド電位として中間電位Vcomを供給する。よって、シールド電位制御回路300が第2動作モードで動作することにより、液晶層50のうち間隙領域Rcに位置する部分に印加される電圧を、液晶層50のうち画素電極領域Rpに位置する部分に印加される電圧よりも低くすることができる。したがって、例えば、液晶装置100がノーマリーホワイトモードの液晶装置である場合には、間隙領域Rcにおける白さを高めることができ、表示画像の明るさを向上させることができる。また、例えば、液晶装置100がノーマリーブラックモードの液晶装置である場合には、間隙領域Rcにおける黒さを高めることができ、表示画像のコントラストを向上させることができる。図7は、明るさ重視モードが指定されたときのシールド線400の電位とコントラスト重視モードが指定されたときのシールド線400の電位とを比較して示す表である。図7aは、液晶装置100がノーマリーホワイトモードの液晶装置である場合を示し、図7bは、液晶装置100がノーマリーブラックモードの液晶装置である場合を示している。図7aに示すように、液晶装置100がノーマリーホワイトモードの液晶装置である場合には、選択部500では、前述したように、第2動作モードが明るさ重視モードとして設定され、第1動作モードがコントラスト重視モードとして設定される。即ち、ユーザーが選択部500において明るさ重視モードを選択すると、選択部500は、シールド電位制御回路300の動作モードとして第2動作モードを指定する。これに応じて、シールド電位制御回路300が第2動作モードで動作することで、m本のシールド線400は、画像信号VIDの極性にかかわらず即ち、データ信号がプラスフィールドであってもマイナスフィールドであっても、中間電位Vcomとされる。これにより、前述したように、表示画像の明るさを向上させることができる。一方、ユーザーが選択部500においてコントラスト重視モードを選択すると、選択部500は、シールド電位制御回路300の動作モードとして第1動作モードを指定する。これに応じて、シールド電位制御回路300が第1動作モードで動作することで、m本のシールド線400の各々は、対をなす走査線11に対応する画素電極9の電位と同一極性の電位とされる、即ち、対をなす走査線11に対応する画素900に書き込まれるデータ信号がプラスフィールド即ち、正極性である場合には、正極性の電位とされ、対をなす走査線11に対応する画素900に書き込まれるデータ信号がマイナスフィールド即ち、負極性である場合には、負極性の電位とされる。これにより、前述したように、表示画像のコントラストを向上させることができる。一方、図7bに示すように、液晶装置100がノーマリーブラックモードの液晶装置である場合には、選択部500では、前述したように、第1動作モードが明るさ重視モードとして設定され、第2動作モードがコントラスト重視モードとして設定される。即ち、ユーザーが選択部500において明るさ重視モードを選択すると、選択部500は、シールド電位制御回路300の動作モードとして第1動作モードを指定する。これに応じて、シールド電位制御回路300が第1動作モードで動作することで、m本のシールド線400は、m本のシールド線400の各々は、対をなす走査線11に対応する画素電極9の電位と同一極性の電位とされる、即ち、対をなす走査線11に対応する画素900に書き込まれるデータ信号がプラスフィールド即ち、正極性である場合には、正極性の電位とされ、対をなす走査線11に対応する画素900に書き込まれるデータ信号がマイナスフィールド即ち、負極性である場合には、負極性の電位とされる。これにより、前述したように、表示画像の明るさを向上させることができる。一方、ユーザーが選択部500においてコントラスト重視モードを選択すると、選択部500は、シールド電位制御回路300の動作モードとして第2動作モードを指定する。これに応じて、シールド電位制御回路300が第2動作モードで動作することで、m本のシールド線400は、画像信号VIDの極性にかかわらず即ち、データ信号がプラスフィールドであってもマイナスフィールドであっても、中間電位Vcomとされる。これにより、前述したように、表示画像のコントラストを向上させることができる。このように本実施形態に係る液晶装置100によれば、ユーザーがコントラスト及び明るさのいずれを重視するかに応じた表示を行うことが可能となる。即ち、ユーザーが表示画像のコントラストを重視する場合即ち、コントラスト重視モードが選択された場合には、表示画像のコントラストを確実に高めることができるとともに、ユーザーが表示画像の明るさを重視する場合即ち、明るさ重視モードが選択された場合には、表示画像の明るさを確実に高めることができる。以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置100によれば、表示画像のコントラスト及び明るさを選択的に高めることができ、高品位な表示を行うことが可能となる。<第2実施形態>第2実施形態に係る液晶装置について、図8及び図9を参照して説明する。図8は、本実施形態に係る液晶装置100bの電気的な構成を示すブロック図である。図9は、本実施形態に係る液晶装置100bのシールド線420及び蓄積容量70の構成を示す断面図であり、図5と同趣旨の断面図である。なお、図8及び図9において、図1から図7に示した第1実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。図8及び図9において、第2実施形態に係る液晶装置100bは、前述した第1実施形態におけるシールド線400に代えてシールド線420を備える点、及び容量線600を更に備える点で、前述した第1実施形態に係る液晶装置100と異なり、その他の点については、前述した第1実施形態に係る液晶装置100と概ね同様に構成されている。容量線600は、誘電体膜72上に、走査線11と概ね同様に、X方向に沿って延びるように且つY方向で互いに隣り合う画素電極9間に位置する間隙領域Rcに重なるように形成されている。容量線600には中間電位Vcomが供給される。容量線600の一部は、誘電体膜72を介して容量電極71と対向しており、蓄積容量70の固定電位側容量電極として構成されている。即ち、前述した第1実施形態では、蓄積容量70は、容量電極71と、誘電体膜72と、シールド線400の一部とから構成されるのに対して、第2実施形態では、蓄積容量70は、容量電極71と、誘電体膜と、容量線600の一部とから構成される。容量線600は、例えばAl等の導電材料からなる。容量線600の上層側には層間絶縁膜43が設けられている。シールド線420は、層間絶縁膜43上に、走査線11と概ね同様に、X方向に沿って延びるように且つY方向で互いに隣り合う画素電極9間に位置する間隙領域Rcに重なるように形成されている。シールド線420は、例えばAl等の導電材料からなる。シールド線420の上層側には層間絶縁膜44が設けられている。層間絶縁膜44上には、複数の画素電極9がマトリクス状に設けられている。以上のように構成された第2実施形態に係る液晶装置100bによっても、シールド電位制御回路300が第1動作モード及び第2動作モードを有することにより、前述した第1実施形態に係る液晶装置100と概ね同様に、表示画像のコントラスト及び明るさを選択的に高めることができ、高品位な表示を行うことが可能となる。<電子機器>次に、前述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。図10は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。図10に示されるように、プロジェクター1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル1110R、1110B及び1110Gに入射される。液晶パネル1110R、1110B及び1110Gの構成は、前述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。このダイクロイックプリズム1112においては、R及びBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。ここで、各液晶パネル1110R、1110B及び1110Gによる表示像について着目すると、液晶パネル1110Gによる表示像は、液晶パネル1110R、1110Bによる表示像に対して左右反転することが必要となる。なお、液晶パネル1110R、1110B及び1110Gには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。なお、図10を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピューターや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置LCOS、プラズマディスプレイPDP、電界放出型ディスプレイFED、SED、有機ELディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイスDMD、電気泳動装置等にも適用可能である。本発明は、前述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。