"アA酸の作用により極性が増大し、アルカリ現像液であるポジ型現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤を含有するネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及びC溶剤を含有し、前記B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物から発生する酸のlogP値が、1.5以上12.0以下であるネガ型現像用レジスト組成物を塗布する工程、イ露光工程及びエ前記ネガ型現像液を用いて現像する工程のみからなる現像工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。前記B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、そのアニオン構造中に炭素数2以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する基を有する化合物であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。前記B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、下記一般式I又はI’で表されるスルホン酸を発生する化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。一般式I及びI’に於いて、A1は、2価の連結基を表す。A2及びA3は、各々独立に、単結合、酸素原子又は-NRxb-を表す。Rxbは、水素原子、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。A4は、単結合又は-C=O-を表す。Raは、水素原子又は有機基を表す。nは、2又は3を表す。Rbは、n価の連結基を表す。A3が-NRxb-の時、RaとRxb又はRbとRxbが結合して環を形成してもよい。前記B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、下記一般式IIで表されるスルホン酸を発生する化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。一般式IIに於いて、Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基を表す。Ra1及びRb1は、各々独立に、有機基を表す。Arは、芳香族基を表す。Xは、-SO-、-SO2-、-S-又は-O-を表す。l’は、0~6の整数を表す。m’は、0~5の整数を表す。n’は、0~5の整数を表す。前記ネガ型現像液が含有する有機溶剤が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤及び炭化水素系溶剤から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記ネガ型現像液が含有する有機溶剤がエステル系溶剤であることを特徴とする請求項5に記載のパターン形成方法。前記エステル系溶剤が酢酸ブチル又は酢酸イソアミルであることを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。前記ネガ型現像液が、20°Cに於ける蒸気圧が5kPa以下の有機溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を含有することを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記樹脂Aが、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、かつ、ラクトン基を有することを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記ラクトン基が、下記一般式LC1-4で表される基であることを特徴とする、請求項9に記載のパターン形成方法。式中、Rb2は置換基を表す。n2は、0~4の整数を表す。前記樹脂Aが、下記一般式pI~一般式pVで示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を有する樹脂であることを特徴とする、請求項1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。一般式pI~pV中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。R12~R16は、各々独立に、炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R12~R14のうち少なくとも1つ、及びR15、R16のいずれかは、シクロアルキル基を表す。R17~R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R17~R21のうち少なくとも1つは、シクロアルキル基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。R22~R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R22~R25のうち少なくとも1つは、シクロアルキル基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。本発明は、上記課題を解決し、高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、ラインエッジラフネスを低減し、パターン寸法の面内均一性を高め、更にはブリッジマージンに優れたネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的としている。本発明は、下記の構成であり、これにより本発明の上記目的が達成される。1アA酸の作用により極性が増大し、アルカリ現像液であるポジ型現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤を含有するネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及びC溶剤を含有し、前記B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物から発生する酸のlogP値が、1.5以上12.0以下であるネガ型現像用レジスト組成物を塗布する工程、イ露光工程及びエ前記ネガ型現像液を用いて現像する工程のみからなる現像工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。2前記B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、そのアニオン構造中に炭素数2以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する基を有する化合物であることを特徴とする上記1に記載のパターン形成方法。3前記B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、下記一般式I又はI’で表されるスルホン酸を発生する化合物であることを特徴とする上記1又は2に記載のパターン形成方法。一般式I及びI’に於いて、A1は、2価の連結基を表す。A2及びA3は、各々独立に、単結合、酸素原子又は-NRxb-を表す。Rxbは、水素原子、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。A4は、単結合又は-C=O-を表す。Raは、水素原子又は有機基を表す。nは、2又は3を表す。Rbは、n価の連結基を表す。A3が-NRxb-の時、RaとRxb又はRbとRxbが結合して環を形成してもよい。4前記B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、下記一般式IIで表されるスルホン酸を発生する化合物であることを特徴とする上記1又は2に記載のパターン形成方法。一般式IIに於いて、Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基を表す。Ra1及びRb1は、各々独立に、有機基を表す。Arは、芳香族基を表す。Xは、-SO-、-SO2-、-S-又は-O-を表す。l’は、0~6の整数を表す。m’は、0~5の整数を表す。n’は、0~5の整数を表す。5前記ネガ型現像液が含有する有機溶剤が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤及び炭化水素系溶剤から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする上記1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。6前記ネガ型現像液が含有する有機溶剤がエステル系溶剤であることを特徴とする上記5に記載のパターン形成方法。7前記エステル系溶剤が酢酸ブチル又は酢酸イソアミルであることを特徴とする上記6に記載のパターン形成方法。8前記ネガ型現像液が、20°Cに於ける蒸気圧が5kPa以下の有機溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を含有することを特徴とする上記1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。9前記樹脂Aが、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、かつ、ラクトン基を有することを特徴とする上記1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。10前記ラクトン基が、下記一般式LC1-4で表される基であることを特徴とする、上記9に記載のパターン形成方法。式中、Rb2は置換基を表す。n2は、0~4の整数を表す。11前記樹脂Aが、下記一般式pI~一般式pVで示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を有する樹脂であることを特徴とする、上記1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。一般式pI~pV中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。R12~R16は、各々独立に、炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R12~R14のうち少なくとも1つ、及びR15、R16のいずれかは、シクロアルキル基を表す。R17~R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R17~R21のうち少なくとも1つは、シクロアルキル基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。R22~R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R22~R25のうち少なくとも1つは、シクロアルキル基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。尚、本発明は、上記1~10に係る発明であるが、以下、その他についても参考のため記載した。1A酸の作用により極性が増大し、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及びC溶剤を含有し、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物から発生する酸のlogP値が、1.5以上12.0以下であることを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。2B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、そのアニオン構造中に炭素数2以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する基を有する化合物であることを特徴とする1に記載のネガ型現像用レジスト組成物。3B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、下記一般式I又はI’で表されるスルホン酸を発生する化合物であることを特徴とする1又は2に記載のネガ型現像用レジスト組成物。一般式I及びI’に於いて、A1は、2価の連結基を表す。A2及びA3は、各々独立に、単結合、酸素原子又は-NRxb-を表す。Rxbは、水素原子、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。A4は、単結合又は-C=O-を表す。Raは、水素原子又は有機基を表す。nは、2又は3を表す。Rbは、n価の連結基を表す。A3が-NRxb-の時、RaとRxb又はRbとRxbが結合して環を形成してもよい。4B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、下記一般式IIで表されるスルホン酸を発生する化合物であることを特徴とする1又は2に記載のネガ型現像用レジスト組成物。一般式IIに於いて、Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基を表す。Ra1及びRb1は、各々独立に、有機基を表す。Arは、芳香族基を表す。Xは、-SO-、-SO2-、-S-又は-O-を表す。l’は、0~6の整数を表す。m’は、0~5の整数を表す。n’は、0~5の整数を表す。5ネガ型現像が、20°Cに於ける蒸気圧が5kPa以下の有機溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を含有するネガ型現像液を用いて行われることを特徴とする1~4のいずれかに記載のネガ型現像用レジスト組成物。6アA酸の作用により極性が増大し、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及びC溶剤を含有し、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物から発生する酸のlogP値が、1.5以上12.0以下であるネガ型現像用レジスト組成物を塗布する工程、イ露光工程及びエネガ型現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。7更に、ウポジ型現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とする6に記載のパターン形成方法。本発明により、高精度で、ラインエッジラフネスが小さく、パターン寸法の面内均一性が高く、更にはブリッジマージンに優れたネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供することができる。以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。まず、本明細書で用いられる用語について説明する。パターンを形成する方式としては、ポジ型とネガ型があり、何れも、光照射を契機とした化学反応によって、レジスト膜の現像液に対する溶解性が変化することを利用しているが、光照射部が現像液に溶解する場合をポジ型方式、非照射部が現像液に溶解する場合をネガ型方式と呼ぶ。その場合に用いる現像液としては、ポジ型現像液とネガ型現像液の2つがある。ポジ型現像液とは、図1に実線で示す所定の閾値以上の露光部を選択的に溶解除去させる現像液であり、ネガ型現像液とは、前記所定の閾値以下の露光部を選択的に溶解除去させる現像液のことである。ポジ型現像液を用いた現像工程のことをポジ型現像ポジ型現像工程ともいうと呼び、ネガ型現像液を用いた現像工程のことをネガ型現像ネガ型現像工程ともいうと呼ぶ。多重現像多重現像工程ともいうとは、上記ポジ型現像液を用いた現像工程と上記ネガ型現像液を用いた現像工程とを組み合わせた現像方式のことである。本発明ではネガ型現像に用いるレジスト組成物のことをネガ型現像用レジスト組成物と呼び、多重現像に用いるレジスト組成物のことを多重現像用レジスト組成物と呼ぶ。以下、単にレジスト組成物と記載されている場合は、ネガ型現像用レジスト組成物のことを示す。ネガ型現像用リンス液とは、ネガ型現像工程の後の洗浄工程に用いられる、有機溶剤を含むリンス液のことを表す。本発明では、解像力を高める技術として、図3に示すように、所定の閾値b以下の露光部を選択的に溶解除去させる現像液ネガ型現像液と、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液好ましくはアルカリ現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液好ましくは有機系現像液に対する溶解度が減少する膜を形成するネガ型現像用レジスト組成物とを組合わせた、新しいパターン形成方法を提示する。本発明のネガ型現像用レジスト組成物は、所定の閾値a以上の露光部を選択的に溶解除去させる現像液ポジ型現像液に対しても優れた現像特性を示し、所定の閾値a以上の露光部を選択的に溶解除去させる現像液ポジ型現像液と所定の閾値b以下の露光部を選択的に溶解除去させる現像液ネガ型現像液、及びネガ型現像用レジスト組成物を組合わせることで、多重現像によるパターン形成が可能である。即ち、図3に示すように、露光マスク上のパターン要素を、光照射によって、ウエハー上に投影したときに、光照射強度の強い領域所定の閾値a以上の露光部を、ポジ型現像液を用いて溶解除去し、光照射強度の弱い領域所定の閾値b以下の露光部を、ネガ型現像液を用いて溶解除去することにより、光学空間像光強度分布の周波数の2倍の解像度のパターンを得ることができる。従って、本発明のネガ型現像用レジスト組成物は多重現像用レジスト組成物としても好適に使用することができる。本発明を実施するのに、必要なパターン形成プロセスは、以下の工程を含む。アA酸の作用により極性が増大し、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及びC溶剤を含有し、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が発生する酸のlogP値が、1.5以上12.0以下であるネガ型現像用レジスト組成物を塗布する工程、イ露光工程及びエネガ型現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。本発明のパターン形成方法は、更に、カ有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。本発明のパターン形成方法は、更に、ウポジ型現像液を用いて現像する工程を含むことが好ましい。本発明のパターン形成方法は、イ露光工程の後に、オ加熱工程を有することが好ましい。本発明のパターン形成方法は、イ露光工程を、複数回有することができる。本発明のパターン形成方法は、オ加熱工程を、複数回有することができる。本発明を実施するには、A酸の作用により極性が増大し、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及びC溶剤を含有し、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が発生する酸のlogP値が、1.5以上12.0以下であるネガ型現像用レジスト組成物及びAbネガ型現像液好ましくは有機系現像液が必要である。本発明を実施するには、更に、Acポジ型現像液好ましくはアルカリ現像液を使用することが好ましい。本発明を実施するには、更に、Ad有機溶剤を含むネガ型現像用リンス液を使用することが好ましい。ポジ型現像液、ネガ型現像液の2種類の現像液を用いたパターン形成プロセスを行う場合、その現像の順序は特に限定されないが、1回目の露光を行った後、ポジ型現像液もしくはネガ型現像液を用いて現像を行い、次に、最初の現像とは異なる現像液にて、ネガ型もしくはポジ型の現像を行うことが好ましい。更に、ネガ型の現像を行った後には、有機溶剤を含むネガ型現像用リンス液を用いて洗浄することが好ましい。パターンを形成する方式としては、a極性変換等の化学反応を利用する方式と、b架橋反応や重合反応等の分子間の結合生成を利用する方式が挙げられる。架橋反応や重合反応等の分子間の結合により、樹脂の分子量が増大するレジスト材料系では、一つのレジスト材料が、ある現像液に対してはポジ型に、また、別の現像液に対してはネガ型に作用する様な系を構築するのが難しかった。本発明では、ひとつのレジスト組成物が、同時に、ポジ型現像液に対してはポジ型として作用し、また、ネガ型現像液に対してはネガ型として作用する。本発明では、ポジ型現像液として、アルカリ現像液水系を、ネガ型現像液として、有機溶剤を含む有機系現像液を用いることができる。また、レジスト組成物は、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する膜を形成する樹脂組成物である。本発明に於けるレジスト組成物は、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解性が低減するだけでなく、特に、アルカリ現像液に対する溶解度の増大と、有機溶剤を含む現像液に対する溶解度の減少を同時にもたらすものである。本発明に於いて、重要なのは、露光量の閾値光照射領域の中で、膜が現像液に可溶化、あるいは不溶化する露光量を制御することである。即ち、パターン形成を行うに際し、所望の線幅が得られるように、ポジ型現像液に対し可溶化する最小の露光量、および、ネガ型現像液対し不溶化する最小の露光量、が閾値である。閾値は、以下の様にして求めることが出来る。即ち、パターン形成を行うに際し、所望の線幅が得られるように、ポジ型現像液に対し可溶化する最小の露光量、および、ネガ型現像液対し不溶化する最小の露光量、が閾値である。より厳密には、閾値は、以下の様に定義される。レジスト膜の露光量に対する残膜率を測定した時に、図4にあるように、ポジ型現像液に対し、残膜率が0となる露光量を、閾値aと、ネガ型現像液に対し、残膜率が100となる露光量を、閾値とする。例えば、図5に示すように、ポジ型現像液に対し可溶化する露光量の閾値aを、ネガ型現像液対し可溶化する露光量の閾値bより、高くすることにより、1回の露光で、パターン形成が可能となる。即ち、図6に示すように、まずレジストをウェハに塗布し、露光を行い、まずポジ型現像液で露光量の閾値a以上を溶解し、続いてネガ型現像液で露光量の閾値b以下を溶解することで、1回の露光でパターン形成が可能になる。この場合の、ポジ型現像液による現像とネガ型現像液による現像の順序はどちらが先でも良い。ネガ型現像の後、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄すると、より良好なパターン形成が可能になる。閾値を制御する方法としては、レジスト組成物および現像液の材料関連パラメータや、プロセスと関連するパラメータを制御する方法がある。材料関連パラメータとしては、レジスト組成物の現像液、及び、有機溶剤に対する溶解性と関連する様々な物性値、即ち、SP値溶解度パラメータ、LogP値、等の制御が有効である。具体的には、レジスト組成物に含まれる、ポリマーの重量平均分子量、分子量分散度、モノマー組成比、モノマーの極性、モノマーシーケンス、ポリマーブレンド、低分子添加剤の添加、また、現像液については、現像液濃度、低分子添加剤の添加、界面活性剤の添加、等がある。また、プロセス関連パラメータとしては、製膜温度、製膜時間、露光後後加熱時の温度、時間、現像時の温度、現像時間、現像装置のノズル方式液盛り方法、現像後のリンス方法等が挙げられる。従って、ネガ型現像を用いたパターン形成方法及びネガ型現像とポジ型現像を併用した多重現像によるパターン形成方法に於いて、良好なパターンを得るためには、上記材料関連パラメータやプロセスパラメータを適切に制御し、それらを組み合わせることが重要である。ポジ型現像液、ネガ型現像液の2種類の現像液を用いたパターン形成プロセスは、上記の様に1回の露光でおこなってもよいし、2回以上の露光を行うプロセスで行ってもよい。即ち、1回目の露光を行った後、ポジ型現像液もしくはネガ型現像液を用いて現像を行い、次に、2回目の露光を行った後、最初の現像とは異なる現像液にて、ネガ型もしくはポジ型の現像を行う。露光を2回以上行うメリットとしては、1回目の露光後の現像における閾値の制御と、2回目の露光後の現像における閾値の制御の自由度が増大する、というメリットがある。2回以上露光を行う場合、2回目の露光量を1回目の露光量より大きくすることが望ましい。図7に示すように、2回目の現像においては、1回目および2回目の露光量の履歴が加算された量を基に、閾値が決定されるが、2回目の露光量が1回目の露光量より十分大きい場合、1回目の露光量の影響は小さくなり、場合によっては無視できるからである。1回目の露光を行う工程における露光量Eo1mJcm2は、2回目の露光を行う工程における露光量Eo2mJcm2より、5mJcm2以上小さい方が望ましい。これは、1回目の露光の履歴の影響が、2回目の露光によりパターン形成を行う過程に及ぼす影響を小さくすることができる。1回目の露光量と2回目の露光量を変更するには、前述の材料プロセスの様々なパラメータを調整する方法が有効であるが、特に、1回目の加熱をする工程の温度と、2回目の加熱をする工程の温度を制御することが有効である。即ち、1回目の露光量を2回目の露光量より小さくするには、1回目の加熱をする工程の温度を2回目の加熱をする工程の温度より高くすることが有効である。ポジ型現像に於ける、閾値aは、実際のリソグラフィ工程においては、以下の様に対応する。基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物による膜を形成した後、所望の照明条件で、所望のパターンサイズのフォトマスクを介して露光を行う。この時、露光の焦点フォーカスを005μm、露光量を05mJcm2刻みで振りながら、露光を行う。露光後、所望の温度で、所望時間加熱を行い、所望の濃度のアルカリ現像液で、所望時間現像を行う。現像後、パターンの線幅を、CD-SEMを用いて計測し、所望の線幅を形成する露光量AmJcm2、フォーカス位置を決定する。次に、特定露光量AmJcm2、特定フォーカス位置で、先のフォトマスクを照射した時の光学像の強度分布を計算する。計算は、シミュレーションソフトウエアKLA社製Prolithver92015を用いて行うことができる。計算方法の詳細は、InsidePROLITHに記載されている。計算結果の一例として、図8に示す様な光学像の空間強度分布が得られる。ここで、図9に示すように、光学像の空間強度分布の極小値から、得られたパターン線幅の12の分だけ空間位置をずらした位置における光強度が、閾値aに対応する。ネガ型現像に於ける、閾値bは、実際のリソグラフィ工程においては、以下の様に対応する。基板上に、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物による膜を形成した後、所望の照明条件で、所望のパターンサイズのフォトマスクを介して露光を行う。この時、露光の焦点フォーカスを005μm、露光量を05mJcm2刻みで振りながら、露光を行う。露光後、所望の温度で、所望時間加熱を行い、所望の濃度の有機系現像液で、所望時間現像を行う。現像後、パターンの線幅を、CD-SEMを用いて計測し、所望の線幅を形成する露光量AmJcm2、フォーカス位置を決定する。次に、特定露光量AmJcm2、特定フォーカス位置で、先のフォトマスクを照射した時の光学像の強度分布を計算する。計算はシミュレーションソフトウエアKLA社製Prolithを用いて行う。例えば、図10に示す様な光学像の空間強度分布が得られる。ここで、図11に示すように、光学像の空間強度分布の極大値から、得られたパターン線幅の12の分だけ空間位置をずらした位置における光強度を閾値bとする。閾値は、01~100mJcm2が好ましく、より好ましくは、05~50mJcm2であり、更に好ましくは、1~30mJcm2である。閾値は、01~100mJcm2が好ましく、より好ましくは、05~50mJcm2であり、更に好ましくは、1~30mJcm2である。閾値とbとの差は、01~80mJcm2が好ましく、より好ましくは、05~50mJcm2であり、更に好ましくは、1~30mJcm2である。本発明に於いて、基板上に形成する膜は、A酸の作用により極性が増大し、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及びC溶剤を含有し、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が発生する酸のlogP値が、1.5以上12.0以下であるネガ型現像用レジスト組成物を塗布することにより形成される膜である。以下、本発明で使用し得るレジスト組成物について説明する。A酸の作用により極性が増大し、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂本発明のレジスト組成物に用いられる、酸の作用により極性が増大し、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂は、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを有する樹脂以下、酸分解性樹脂又は樹脂Aともいうであり、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により極性が増大し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂以下、脂環炭化水素系酸分解性樹脂ともいうであることが好ましい。その理由は明らかではないが、恐らく、活性光線又は放射線の照射の前後において、樹脂の極性が大きく変化することにより、ポジ型現像液好ましくは、アルカリ現像液及びネガ型現像液好ましくは、有機溶剤を用いて現像した場合の溶解コントラストが向上することに起因するものと考えられる。さらには、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有する樹脂は、高い疎水性を有し、ネガ型現像液好ましくは、有機溶剤によりレジスト膜の光照射強度の弱い領域を現像する場合の現像性が向上するものと考えられる。樹脂Aを含有する本発明のネガ型現像用レジスト組成物は、ArFエキシマレーザー光を照射する場合に好適に使用することができる。酸分解性樹脂は、酸分解性基を有する繰り返し単位を有する。酸分解性基として好ましい基は、アルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基を有する基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基、スルホン酸基が挙げられる。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01~R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。脂環炭化水素系酸分解性樹脂としては、下記一般式pI~一般式pVで示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位及び下記一般式IIABで示される繰り返し単位の群から選択される少なくとも1種を有する樹脂であることが好ましい。一般式pI~pV中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。R12~R16は、各々独立に、炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R12~R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは、シクロアルキル基を表す。R17~R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R17~R21のうち少なくとも1つは、シクロアルキル基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。R22~R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R22~R25のうち少なくとも1つは、シクロアルキル基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。一般式II-AB中、R11及びR12は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zは、結合した2つの炭素原子C-Cを含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。また、上記一般式II-ABは、下記一般式II-AB1又は一般式II-AB2であることが更に好ましい。式II-AB1及びII-AB2中、R13~R16は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、-COOH、-COOR5、酸分解性基、-C=O-X-A-R17、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rl3~R16のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。ここで、R5は、アルキル基、シクロアルキル基又はラクトン構造を有する基を表す。Xは、酸素原子、硫黄原子、-NH-、-NHSO2-又は-NHSO2NH-を表す。Aは、単結合又は2価の連結基を表す。R17は、-COOH、-COOR5、-CN、水酸基、アルコキシ基、-CO-NH-R6、-CO-NH-SO2-R6又はラクトン構造を有する基を表す。R6は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。nは、0又は1を表す。一般式pI~pV、R12~R25における、1~4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基等を挙げることができる。R12~R25における、シクロアルキル基或いはZと炭素原子が形成するシクロアルキル基は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6~30個が好ましく、特に炭素数7~25個が好ましい。これらのシクロアルキル基は置換基を有していてもよい。好ましいシクロアルキル基としては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、テトラシクロドデカニル基、トリシクロデカニル基を挙げることができる。これらのアルキル基、シクロアルキル基の更なる置換基としては、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6が挙げられる。上記のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基等が、更に有していてもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。一般式pI~pVで示される構造は、アルカリ可溶性基の保護に使用することができる。アルカリ可溶性基としては、この技術分野において公知の種々の基が挙げられる。具体的には、カルボキシル基、スルホン酸基、フェノール性水酸基、チオール基の水素原子が一般式pI~pVで表される構造で置換された構造などが挙げられ、好ましくはカルボキシル基、スルホン酸基の水素原子が一般式pI~pVで表される構造で置換された構造である。一般式pI~pVで示される構造で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式pAで示される繰り返し単位が好ましい。ここで、Rは、水素原子、ハロゲン原子又は1~4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のRは、各々同じでも異なっていてもよい。Aは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。好ましくは単結合である。Rp1は、上記式pI~pVのいずれかの基を表す。一般式pAで表される繰り返し単位は、特に好ましくは、2-アルキル-2-アダマンチルメタアクリレート、ジアルキル1-アダマンチルメチルメタアクリレートによる繰り返し単位である。以下、酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。前記一般式II-AB、R11、R12におけるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子を挙げることができる。上記R11、R12におけるアルキル基としては、炭素数1~10個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が挙げられる。上記Zの脂環式構造を形成するための原子団は、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素の繰り返し単位を樹脂に形成する原子団であり、中でも有橋式の脂環式炭化水素の繰り返し単位を形成する有橋式脂環式構造を形成するための原子団が好ましい。形成される脂環式炭化水素の骨格としては、一般式pI~pVに於けるR12~R25の脂環式炭化水素基と同様のものが挙げられる。上記脂環式炭化水素の骨格には置換基を有していてもよい。そのような置換基としては、前記一般式II-AB1あるいはII-AB2中のR13~R16を挙げることができる。脂環炭化水素系酸分解性樹脂においては、酸の作用により分解する基は、前記一般式pI~一般式pVで示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位、一般式II-ABで表される繰り返し単位、及び後記共重合成分の繰り返し単位のうち少なくとも1種の繰り返し単位に含有することができる。酸の作用により分解する基は、一般式pI~一般式pVで示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位に含まれることが好ましい。上記一般式II-AB1あるいは一般式II-AB2におけるR13~R16の各種置換基は、上記一般式II-ABにおける脂環式構造を形成するための原子団ないし有橋式脂環式構造を形成するための原子団Z’の置換基ともなり得る。上記一般式II-AB1あるいは一般式II-AB2で表される繰り返し単位として、下記具体例が挙げられるが、本発明はこれらの具体例に限定されない。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、ラクトン基を有することが好ましい。ラクトン基としては、ラクトン構造を有していればいずれの基でも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造を有する基であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-16のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造を有する基が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としては一般式LC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14で表される基であり、特定のラクトン構造を用いることでラインエッジラフネス、現像欠陥が良好になる。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。一般式LC1-1~LC1-16のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、上記一般式II-AB1又はII-AB2中のR13~R16のうち少なくとも1つが一般式LC1-1~LC1-16で表される基を有するもの例えば-COOR5のR5が一般式LC1-1~LC1-16で表される基を表す又は下記一般式AIで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AI中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Abは、単結合、アルキレン基、単環または多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。好ましくは、単結合、-Ab1-CO2-で表される連結基である。Ab1は、直鎖若しくは分岐状アルキレン基、単環若しくは多環のシクロアルキレン基であり、好ましくは、メチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。Vは、一般式LC1-1~LC1-16のうちのいずれかで示される基を表す。ラクトン構造を有する繰り返し単位は通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、極性基を有する有機基を有する繰り返し単位、特に、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を有していることが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。極性基で置換された脂環炭化水素構造の脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。極性基としては水酸基、シアノ基が好ましい。極性基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましい。一般式VIIa~VIIc中、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cのうち少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cのうち1つまたは2つが水酸基で残りが水素原子である。一般式VIIaにおいて、更に好ましくはR2c~R4cのうち2つが水酸基で残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される基を有する繰り返し単位としては、上記一般式II-AB1又はII-AB2中のR13~R16のうち少なくとも1つが上記一般式VIIa~VIIdで表される基を有するもの例えば、-COOR5におけるR5が一般式VIIa~VIIdで表される基を表す又は下記一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位等を挙げることができる。一般式AIIa~AIId中、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcにおけるR2c~R4cと同義である。一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、下記一般式VIIIで表される繰り返し単位を有してもよい。一般式VIIIに於いて、Z2は、-O-又は-NR41-を表す。R41は、水素原子、水酸基、アルキル基又は-OSO2-R42を表す。R42は、アルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。R41及びR42のアルキル基は、ハロゲン原子好ましくはフッ素原子等で置換されていてもよい。一般式VIIIで表される繰り返し単位として、以下の具体例が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有することが好ましく、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。これを有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。カルボキシル基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接カルボキシル基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にカルボキシル基が結合している繰り返し単位、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環または多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、更に、下記一般式F1で表される基を1~3個有する繰り返し単位を有していてもよい。これによりラインエッジラフネス性能が向上する。一般式F1中、R50~R55は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R50~R55の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。Rxaは、水素原子または有機基好ましくは酸分解性保護基、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基を表す。R50~R55のアルキル基は、フッ素原子等のハロゲン原子、シアノ基等で置換されていてもよく、好ましくは炭素数1~3のアルキル基、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基を挙げることができる。R50~R55は、すべてフッ素原子であることが好ましい。Rxaが表わす有機基としては、酸分解性保護基、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルメチル基、アルコキシメチル基、1-アルコキシエチル基が好ましい。一般式F1で表される基を有する繰り返し単位として好ましくは下記一般式F1aで表される繰り返し単位である。一般式F1a中、Rxは、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。Rxのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Faは、単結合又は直鎖若しくは分岐のアルキレン基を表し、好ましくは単結合である。Fbは、単環若しくは多環の環状炭化水素基を表す。Fcは、単結合又は直鎖若しくは分岐のアルキレン基好ましくは、単結合、メチレン基を表す。F1は、一般式F1で表される基を表す。p1は、1~3を表す。Fbにおける環状炭化水素基としてはシクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、ノルボルニレン基が好ましい。一般式F1で表される基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、更に、脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有してもよい。これにより液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できる。このような繰り返し単位として、例えば1-アダマンチルメタアクリレート、トリシクロデカニルメタアクリレート、シクロヘキシルメタアクリレートなどによる繰り返し単位が挙げられる。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、上記の繰り返し単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、脂環炭化水素系酸分解性樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移温度、3ポジ型現像液及びネガ型現像液に対する溶解性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。脂環炭化水素系酸分解性樹脂において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。脂環炭化水素系酸分解性樹脂の好ましい態様としては、以下のものが挙げられる。1上記一般式pI~で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を有するもの側鎖型。好ましくはpI~の構造を有するメタアクリレート系繰り返し単位を有するもの。2一般式IIABで表される繰り返し単位を有するもの主鎖型。但し、2においては例えば、更に以下のものが挙げられる。3一般式IIABで表される繰り返し単位、無水マレイン酸誘導体系繰り返し単位及びメタアクリレート系繰り返し単位を有するものハイブリッド型。脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10~60モルが好ましく、より好ましくは20~50モル、更に好ましくは25~40モルである。脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、一般式pI~で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中20~70モルが好ましく、より好ましくは20~50モル、更に好ましくは25~40モルである。脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、一般式II-ABで表される繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10~60モルが好ましく、より好ましくは15~55モル、更に好ましくは20~50モルである。脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10~70モルが好ましく、より好ましくは20~60モル、更に好ましくは25~40モルである。脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、極性基を有する有機基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中1~40モルが好ましく、より好ましくは5~30モル、更に好ましくは5~20モルである。また、上記更なる共重合成分の単量体に基づく繰り返し構造単位の樹脂中の含有量も、所望のレジストの性能に応じて適宜設定することができるが、一般的に、上記一般式pI~で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し構造単位と上記一般式II-ABで表される繰り返し単位の合計した総モル数に対して99モル以下が好ましく、より好ましくは90モル以下、さらに好ましくは80モル以下である。本発明のネガ型現像用レジスト組成物がArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から樹脂は芳香族基を有さないことが好ましい。脂環炭化水素系酸分解性樹脂として好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位/アクリレート系繰り返し単位の混合のいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol以下であることが好ましい。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、少なくとも、ラクトン構造を有する基を有するメタアクリレート系繰り返し単位、水酸基及びシアノ基の少なくともいずれかで置換された有機基を有するメタアクリレート系繰り返し単位、並びに、酸分解性基を有するメタアクリレート系繰り返し単位の3種類の繰り返し単位を有する共重合体であることが好ましい。好ましくは一般式pI~で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位20~50モル、ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位20~50モル、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位5~30含有する3元共重合ポリマー、または更にその他の繰り返し単位を0~20含む4元共重合ポリマーである。特に好ましい樹脂としては、下記一般式ARA-1~ARA-7で表される酸分解性基を有する繰り返し単位20~50モル、下記一般式ARL-1~ARL-7で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位20~50モル、下記一般式ARH-1~ARH-3で表される極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位5~30モル含有する3元共重合ポリマー、または更にカルボキシル基、あるいは一般式F1で表される構造を有する繰り返し単位、又は脂環炭化水素構造を有し酸分解性を示さない繰り返し単位を5~20モル含む4元共重合ポリマーである。式中、Rxy1は、水素原子またはメチル基を表し、Rxa1及びRxb1は、各々独立に、メチル基またはエチル基を表し、Rxc1は、水素原子またはメチル基を表す。式中、Rxy1は水素原子又はメチル基を、Rxd1は水素原子又はメチル基を、Rxe1はトリフルオロメチル基、水酸基又はシアノ基を表す。式中、Rxy1は水素原子又はメチル基を表す。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種および開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明のレジスト組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応液中のモノマー、重合開始剤等の溶質の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、さらに好ましくは60~100°Cである。精製は、後述の樹脂Dと同様の方法を用いることができ、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液液抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈殿法や、濾別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。樹脂Aの重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、更に好ましくは1,000~20,000、特に好ましくは1,000~15,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1~5であり、好ましくは1~3、更に好ましくは1.2~3.0、特に好ましくは1.2~2.0の範囲のものが使用される。分散度の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明のレジスト組成物において、本発明に係わる全ての樹脂の組成物全体中の配合量は、全固形分中50~99.9質量が好ましく、より好ましくは60~99.0質量である。また、本発明において、樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、樹脂Dとの相溶性の観点から、フッ素原子および珪素原子を有さないことが好ましい。B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物本発明のレジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により、logP値が1.5以上12.0以下の酸を発生する化合物光酸発生剤又は化合物Bともいうを含有する。本発明において、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が発生する酸のlogP値は、1.5以上12.0以下であり、好ましくは2.0以上11.0以下、更に好ましくは2.5以上10.5以下である。logP値を1.5以上12.0以下とすることで、ネガ型現像液好ましくは有機溶剤を用いたネガ型現像によるパターン形成に於いて、ラインエッジラフネスが良好で、線幅の面内均一性及びブリッジマージンに優れたパターンを得ることができる。その理由は明らかではないが、logP値を前記範囲とすることで、ネガ型現像液に対する発生酸及び光酸発生剤の溶解がより均一かつスムーズに進行したことが要因であると推定される。すなわち、logP値を12.0以下とすることで、発生酸及び光酸発生剤のアニオン部の疎水性が適切な範囲に最適化され、その結果、ネガ型現像工程に於いて、発生酸及び光酸発生剤同士の疎水凝集が抑制され、均一に現像が進行し、前記の良好な性能が得られたと考えられる。一方、logP値を1.5以上とすることで、発生酸及び光酸発生剤がネガ型現像液に十分に溶解するようになり、その結果、不溶物が析出してしまうのを抑制し、前記の良好な性能が得られたと考えられる。更には、logP値を1.5以上12.0以下とすることで、ブリッジマージンが良好なパターンを得ることができるが、その一因としては、現像均一性が向上したことで、ラインパターンが膨潤しにくくなり、その結果として、パターン同士の繋がりブリッジが低減し、ブリッジマージンが向上したものと推定される。ポジ型現像液通常はアルカリ水溶液を用いたパターン形成方法に於いても、ラインエッジラフネスや線幅の面内均一性の問題が同様に指摘されていたが、これらはレジスト組成物の現像時の溶解性に大きく影響を受ける性能であり、ネガ型現像液好ましくは有機溶剤を用いた場合には、当然、レジスト組成物として好適に用いられる光酸発生剤の最適範囲も変化するものと考えられる。ここで、logP値とは、オクタノール/水の分配係数の対数値であり、分子の親疎水性を表す重要なパラメータとして知られている。化合物のlogP値を求める方法としては、大別すると、実験的に実測して求める方法と、計算により求める方法とが知られている。以下、logP値の算出方法について説明する。logP値を実測する場合、下記文献に記載の方法により、実測して求めることができる。また、計算によりlogP値を算出する場合、計算により算出したlogP値CLogP値というは下記の文献記載のフラグメント法、又は下記市販のソフトウェアパッケージ1及び2を用いて計算により求めることができる。本明細書においては、logP値を議論するときはいつでも、このCLogP値のことを指し、明細書中に記載したlogP値の数値は下記ソフトウェアパッケージ2を用いて計算したClogP値の数値である。文献:C.HanschおよびA.Leo、SubstituentConstantsforCorrelationAnalysisinChemistryandBiologyJohnWileySons,NewYork,1969ソフトウェアパッケージ1:MedChemSoftwareRelease3.54,1991年8月、MedicinalChemistryProject,PomonaCollege,Claremont,CAソフトウェアパッケージ2:ChemDrawUltraver.8.0.2003年4月、CambridgeSoftCorporation,USAlogP値が1.5以上12.0以下の酸を発生する化合物としては、そのアニオン構造中に炭素数2以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する基を有する化合物であることが好ましい。これにより、ネガ型現像液好ましくは有機溶剤を用いたネガ型現像によるパターン形成に於いて、ラインエッジラフネスがより良好になり、線幅の面内均一性及びブリッジマージンも更に良好になる。前記化合物としてより好ましくは、そのアニオン構造中に炭素数3以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する基を有する化合物が挙げられ、特に好ましくは、そのアニオン構造中に炭素数4以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する基を有する化合物が挙げられる。炭素数2以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する基としては、例えば、炭素数2以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する、直鎖、分岐若しくは環状アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アシルアミノ基、オキソアルキル基、アルキルスルホニルオキシ基、アルキルスルホニル基、アルキルスルホニルアミノ基、アルキルアミノスルホニル基などを挙げることができる。また、炭素数2以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する、2価若しくは3価の連結基であってもよい。炭素数2以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する基として、好ましくは、フッ素置換されていない、エチル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、ネオペンチル基、t-アミル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-オクチル基、n-ドデシル基、n-ヘキサデシル基、n-オクタデシル基、2-エチルヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メンチル基、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基などのアルキル基、フッ素置換されていない、エトキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、t-アミルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n-オクチルオキシ基、n-ドデシルオキシ基、n-ヘキサデシルオキシ基、n-オクタデシルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、アダマンチルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、メンチルオキシ基、アダマンチルメトキシ基、アダマンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基などのアルコキシ基、上記アルコキシ基がカルボニル基と連結したアルコキシカルボニル基、上記アルコキシ基の酸素原子を硫黄原子に置き換えたアルキルチオ基、上記アルキル基の任意の位置にオキソ基が置換したオキソアルキル基、上記アルキル基が-C=ONRx1-基と連結したアシルアミノ基式中、Rx1は、水素原子又は、アルキル基を表す、上記アルキル基が-SO2O-基と連結したアルキルスルホニルオキシ基、上記アルキル基が-SO2-基と連結したアルキルスルホニル基、上記アルキル基が-SO2NRx1-基と連結したアルキルスルホニルアミノ基、Rx1Rx2NSO2-で表されるアルキルアミノスルホニル基式中、Rx2は、炭素数2以上のフッ素置換されていないアルキル基を表し、Rx1とRx2が結合して、単環若しくは多環の、炭素数2以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する環構造を形成してもよいなどを挙げることができる。炭素数2以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格は、分子中のいずれの位置に有していても良いが、分子末端に有する方が好ましい。そのアニオン構造中に炭素数2以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する基を有する、logP値が1.5以上12.0以下の酸を発生する化合物としては、下記に示す酸を発生する化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。logP値が1.5以上12.0以下の酸を発生する化合物の好ましい別の形態としては、下記一般式I又はI’で表されるスルホン酸を発生する化合物が挙げられる。一般式I及びI’において、A1は2価の連結基を表す。A2及びA3は、各々独立に、単結合、酸素原子又は-NRxb-を表す。Rxbは水素原子、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。A4は単結合又は-C=O-を表す。Raは水素原子又は有機基を表す。nは2又は3を表す。Rbはn価の連結基を表す。A3が-NRxb-の時、RaとRxb又はRbとRxbが結合して環を形成してもよい。A1としての2価の連結基は、好ましくは炭素数1~20の有機基であり、より好ましくはアルキレン基好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数2~6、更に好ましくは炭素数3~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子、-C=O-基、エステル基などの連結基を有していてもよい。A1としての2価の連結基は、更に好ましくはフッ素原子で置換されたアルキレン基であり、特に水素原子数の30~100がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましい。フッ素原子で置換されたアルキレン基の場合、-SO3H基と結合した炭素原子がフッ素原子を有することが好ましい。更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、パーフロロエチレン基、パーフロロプロピレン基、パーフロロブチレン基が最も好ましい。Rxbにおけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基であり、例えばフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。Rxbとしてのアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~20の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子を有していてもよい。具体的にはメチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ドデシル基、n-テトラデシル基、n-オクタデシル基などの直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、t-ブチル基、ネオペンチル基、2-エチルヘキシル基などの分岐アルキル基を挙げることができる。なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基にシクロアルキル基が置換した基例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基などを挙げることができる。Rxbとしてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。具体的には、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基などを挙げることができる。Raは水素原子又は1価の有機基を表す。Raとしての1価の有機基は、好ましくは炭素数1~20であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。Raとしてのアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基は、Rxbとして挙げたものと同様である。Raとしてのアラルキル基は、好ましくは炭素数7~20のアラルキル基が挙げられ、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基が挙げられる。Raとしてのアルケニル基は、Rxbとして挙げたアルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。Rbとしてのn価の連結基は、好ましくは炭素数1~20である。一般式Iにおいてn=2である場合の、Rbとしての2価の連結基は、例えば、アルキレン基好ましくは炭素数1~20、アリーレン基好ましくは炭素数6~10、アラルキレン基好ましくは炭素数7~13、アルケニレン基好ましくは炭素数2~12が挙げられる。これらは置換基を有していてもよい。n=3である場合のRbとしての3価の連結基は、上記2価の連結基の任意の水素原子を除いた3価の基を挙げることができる。A3が-NRxb-の時、RaとRxb又はRbとRxbが結合して形成する環としては、窒素原子を含む炭素数4~10の環が好ましく、単環でも多環でもよい。また、環内に酸素原子を有していてもよい。上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~20、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~20などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~20を挙げることができる。一般式I及びI’のスルホン酸は、下記一般式IA~IC及びI’A~I’Cで表されるスルホン酸であることが好ましい。一般式IA~IC及びI’A~I’C中、Ra’は一般式IにおけるRaと同義である。Rb及びnは、一般式I’におけるRb及びnと同義である。Raはアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。Rx’は一般式I及びI’におけるRxbと同義である。n1は1~10の整数を表す。n2は0~10の整数を表す。A5は、単結合、-O-、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表す。A5としてのアルキレン基、シクロアルキレン基は、フッ素置換されていない、アルキレン基、シクロアルキレン基が好ましい。一般式IAにおいてRa’とRx’が結合して環を形成していることが好ましい。環構造を形成することによって、安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。形成される環としては、炭素数4~20が好ましく、単環式でも多環式でもよく、環内に酸素原子を含んでいてもよい。Raとしてのアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基は、Raとしてのアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基と同様のものが挙げられる。n1n2は2~8が好ましく、更に好ましくは2~6である。一般式I又はI’で表されるスルホン酸の好ましい具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。これらの中でも、そのアニオン構造中に炭素数2以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する化合物がより好ましい。この例としては、下記に示す化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。logP値が1.5以上12.0以下の酸を発生する化合物の好ましいさらに別の形態としては、下記一般式IIで表されるスルホン酸を発生する化合物が挙げられる。一般式IIに於いて、Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基を表す。Ra1及びRb1は、各々独立に、有機基を表す。Arは、芳香族基を表す。Xは、-SO-、-SO2-、-S-又は-O-を表す。l’は、0~6の整数を表す。m’は、0~5の整数を表す。n’は、0~5の整数を表す。一般式IIにおいて、Ra1及びRb1の有機基としては、例えば、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、シクロアルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、アシルアミノ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルアミノカルボニル基、アルキルカルボニルアミノ基、アルキルシリルオキシ基、シアノ基等を挙げることができる。これら有機基は、複数が単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、スルフィド結合、ウレア結合等で連結されていてもよい。Ra1及びRb1の有機基は、好ましくは炭素数2~30であり、より好ましくは炭素数4~30であり、更により好ましくは炭素数6~30であり、特に好ましくは炭素数8~24である。Ra1及びRb1の有機基に於けるアルキル基は、炭素数1~30の直鎖又は分岐状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、nブチル基、secブチル基、tブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等を挙げることができる。アルキル基は、置換基を有していてもよい。アルキル基の好ましい置換基としては、例えば、アルコキシ基、シクロアルキル基、アシル基、アシロキシ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、カルボキシル基等を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアリール基としては、フェニル基、トリル基、メシチル基、ナフチル基などが挙げられる。アリール基の好ましい置換基としては例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシロキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシカルボニル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、カルボキシル基、シアノ基が挙げられる。Ra1及びRb1の有機基に於けるシクロアルキル基は、炭素数3~30の単環又は多環のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基、アダマンチル基等を挙げることができる。シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基の好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、カルボキシル基等を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアルコキシ基は、炭素数1~30の直鎖又は分岐状アルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、nブトキシ基、イソブトキシ基、secブトキシ基、tブトキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等を挙げることができる。アルコキシ基は、置換基を有していてもよい。アルコキシ基の好ましい置換基としては、例えば、アルコキシ基、アリール基、アシル基、アシロキシ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、シロキサン基、水酸基、カルボキシル基等を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアリールオキシ基は、炭素数6~20のアリールオキシ基が好ましく、例えば、フェノキシ基等を挙げることができる。アリールオキシ基は、置換基を有していてもよい。アリールオキシ基の好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアラルキル基は、炭素数7~12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基もしくはフェネチル基のような等を挙げることができる。アラルキル基は、置換基を有していてもよい。アラルキル基の好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基を挙げることができる。アラルキルオキシ基は、炭素数6~20のアラルキルオキシ基が好ましく、例えば、ベンジルオキシ基、フェネチル基のようなアラルキルオキシ基が挙げられる。アラルキルオキシ基は、置換基を有していてもよい。アラルキルオキシ基の好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるシクロアルコキシ基は、炭素数3~30の単環又は多環のシクロアルコキシ基が好ましく、例えば、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、メンチルオキシ基、アダマンチルオキシ基等を挙げることができる。シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよい。シクロアルコキシ基の好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基等を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアルコキシカルボニル基は、炭素数1~30のアルコキシカルボニル基が好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシカルボニル基は、置換基を有してもよい。アルコキシカルボニル基の好ましい置換基としては、例えば、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、カルボキシル基等を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアリールオキシカルボニル基は、炭素数6~20のアリールオキシカルボニル基が好ましく、例えば、フェノキシカルボニル基等を挙げることができる。アリールオキシカルボニル基は、置換基を有していてもよい。アリールオキシカルボニル基の好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアシルオキシ基は、炭素数1~30のアシルオキシ基が好ましく、例えば、アセトキシ基、メチルブチノイルオキシ基、メチルデシノイルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、パルミトイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等を挙げることができる。アシルオキシ基は、置換基を有していてもよい。アシルオキシ基の好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアルキルチオ基は、炭素数1~30のアルキルチオ基が好ましく、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、nブチルチオ基、secブチルチオ基、tブチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ウンデシルチオ基、ドデシルチオ基等を挙げることができる。アルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の好ましい置換基としては、例えば、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、カルボキシル基等を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアリールチオ基は、炭素数6~20のアリールチオ基が好ましく、例えば、フェニルチオ基等を挙げることができる。アリールチオ基は、置換基を有していてもよい。アリールチオ基の好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基等を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアシル基は、炭素数1~30のアシル基が好ましく、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ピバロイル基、ブチリル基、バレリル基、パルミトイル基、ベンゾイル基等を挙げることができる。アシル基は、置換基を有していてもよい。アシル基の好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアシルアミノ基は、炭素数1~30のアシルアミノ基が好ましく、例えば、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ブチリルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等を挙げることができる。アシルアミノ基は、置換基を有していてもよい。アシルアミノ基の好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアルケニル基は、炭素数1~30のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基等を挙げることができる。アルケニル基は、置換基を有していてもよい。アルケニル基の好ましい置換基としては、例えば、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基等を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアルケニルオキシ基は、炭素数1~30のアルケニルオキシ基が好ましく、例えば、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基等を挙げることができる。アルケニルオキシ基は、置換基を有していてもよい。アルケニルオキシ基の好ましい置換基としては、例えば、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基等を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアリールカルボニルオキシ基は、炭素数6~20のアリールカルボニルオキシ基が好ましく、例えば、フェニルカルボニルオキシ基等を挙げることができる。アリールカルボニルオキシ基は、置換基を有していてもよい。アリールカルボニルオキシ基の好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基等を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアルキルカルボニルオキシ基は、炭素数1~30のアルキルカルボニルオキシ基が好ましく、例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基等を挙げることができる。アルキルカルボニルオキシ基は、置換基を有していてもよい。アルキルカルボニルオキシ基の好ましい置換基としては、例えば、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基等を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアルキルアミノカルボニル基は、炭素数1~30のアルキルアミノカルボニル基が好ましく、例えば、メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基等を挙げることができる。アルキルアミノカルボニル基は、置換基を有していてもよい。アルキルアミノカルボニル基の好ましい置換基としては、例えば、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基等を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアルキルカルボニルアミノ基は、炭素数1~30のアルキルカルボニルアミノ基が好ましく、例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ブチルカルボニルアミノ基等を挙げることができる。アルキルカルボニルアミノ基は、置換基を有していてもよい。アルキルカルボニルアミノ基の好ましい置換基としては、例えば、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基等を挙げることができる。Ra1及びRb1の有機基に於けるアルキルシリルオキシ基は、炭素数1~30のアルキルシリルオキシ基が好ましく、例えば、トリメチルシリルオキシ基、t-ブチルジメチルシリルオキシ基等を挙げることができる。アルキルシリルオキシ基は、置換基を有していてもよい。アルキルシリルオキシ基の好ましい置換基としては、例えば、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基等を挙げることができる。これらアルキル基、シクロアルキル基、及びアルコキシ基、アラルキルオキシ基、シクロアルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アシルアミノ基が有するアルキル基、シクロアルキル基は、アルキル鎖中、シクロアルキル鎖中に、酸素原子、硫黄原子、エステル基などの連結基を一つまたは複数有していてもよい。好ましいRa1及びRb1としては、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、シクロアルコキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、アシルアミノ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルカルボニルアミノ基、アルキルシリルオキシ基、が挙げられる。より好ましいRa1及びRb1としては、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、シクロアルコキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、アシルアミノ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキルカルボニルアミノ基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、シクロアルコキシ基、アシルアミノ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキルカルボニルアミノ基である。l’及びn’が2以上の整数の場合に、複数のRa1及びRb1は、同一でも異なっていてもよい。Rfはフッ素原子又はフッ素原子を有する有機基を表し、フッソ原子を有する有機基は、Ra1及びRb1に於ける有機基の水素原子の一部若しくは全てがフッソ原子によって置換されたものが挙げられる。m’が2以上の整数の場合に、複数のRfは、同一でも異なっていてもよい。RfとRa1及びRb1の炭素数の和は、好ましくは炭素数4~34であり、より好ましくは炭素数6~30であり、更により好ましくは炭素数8~24である。RfとRa1及びRb1の炭素数を調整することによって酸の拡散性を調整することができ、解像力が向上する。Arの芳香族基は、炭素数6~20の芳香族基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基等を挙げることができる。芳香族基は、更に、置換基を有していてもよい。芳香族基の好ましい更なる置換基としては、例えば、ニトロ基、スルホニルアミノ基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、カルボキシル基等を挙げることができる。l’は、好ましくは0~3であり、より好ましくは0~2であり、更に好ましくは1又は2である。n’は、好ましくは0~3であり、より好ましくは0~2であり、更に好ましくは0又は1である。m’は、好ましくは2~5であり、より好ましくは3又は4であり、更に好ましくは4である。一般式IIで表されるスルホン酸は、下記一般式IIaで表されることが好ましく、一般式IIbで表されることがより好ましく、一般式IIcで表されることが更により好ましい。ここで、Ra1、Rf、X、l’、m’、n’は、一般式IIに於けるRa1、Rf、X、l’、m’、n’と同義である。RはRa1と同様のものである。以下、一般式IIで表されるスルホン酸の好ましい具体例を挙げるが本発明はこれに限定されるものではない。これらの中でも、そのアニオン構造中に炭素数2以上のフッ素置換されていない炭化水素骨格を有する化合物がより好ましい。活性光線または放射線の照射により一般式I又はI’又はIIで表されるスルホン酸を発生する化合物としては、一般式I又はI’又はIIで表されるスルホン酸のスルホニウム塩化合物またはヨードニウム塩化合物から選ばれる1種、若しくはI又はI’又はIIで表されるスルホン酸のエステル化合物から選ばれる1種が好ましく、更に好ましくは一般式B1~B5で表される化合物である。一般式B1において、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。X-は、一般式I、I’又はIIのスルホン酸-SO3Hの水素原子がとれたスルホン酸アニオンを表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。R201、R202及びR203としての有機基の具体例としては、後述する化合物B1a、B1b及びB1cにおける対応する基を挙げることができる。尚、一般式B1で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式B1で表される化合物のR201~R203の少なくともひとつが、一般式B1で表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいB1成分として、以下に説明する化合物B1a、B1b及びB1cを挙げることができる。化合物B1aは、一般式B1のR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基、シクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくは、フェニル基である。アリールスルホニム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基は、炭素数1~15の直鎖、分岐状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているシクロアルキル基は、炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては、炭素数1~12の直鎖、分岐状アルキル基、炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物B1bについて説明する。化合物B1bは、一般式B1におけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を有さない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖、分岐、環状2-オキソアルキル基、特に好ましくは直鎖、分岐状2-オキソアルキル基である。R201~R203としてのアルキル基は、直鎖、分岐状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1~20の直鎖又は分岐アルキル基を挙げることができる。R201~R203としてのアルキル基は、直鎖、分岐状2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基であることがより好ましい。R201~R203としてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。R201~R203としてのシクロアルキル基は、環状2-オキソアルキル基であることがより好ましい。R201~R203としての直鎖、分岐、環状の2-オキソアルキル基は、好ましくは、上記のアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。R201~R203としての直鎖、分岐、環状の2-オキソアルキル基は、鎖中に2重結合を有していてもよい。R201~R203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。化合物B1cとは、以下の一般式B1cで表される化合物であり、アリールアシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式B1cに於いて、R213は、置換していてもよいアリール基を表し、好ましくはフェニル基、ナフチル基である。R213上の好ましい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、水酸基、アルコキシカルボニル基、カルボキシ基が挙げられる。R214及びR215は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Y201及びY202は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はビニル基を表す。R213とR214は結合して環構造を形成しても良く、R214とR215は結合して環構造を形成しても良く、Y201とY202は、それぞれ結合して環構造を形成しても良い。これらの環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R213とR214、R214とR215及びY201とY202が、結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。X-は、一般式I、I’又はIIのスルホン酸-SO3Hの水素原子がとれたスルホン酸アニオンを表す。R214及びR215としてのアルキル基は、炭素数1~20の直鎖、分岐状アルキル基が好ましい。R214及びR215としてのシクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。Y201及びY202としてのアルキル基は、炭素数1~20の直鎖、分岐状アルキル基が好ましい。Y201及びY202としてのアルキル基は、直鎖、分岐状2-オキソアルキル基であることが好ましい。Y201及びY202としてのアルキル基は、アルコキシカルボニル基、カルボニル基等で置換されていてもよい。Y201及びY202としてのシクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。Y201及びY202としてのシクロアルキル基は、環状2-オキソアルキル基であることが好ましい。Y201及びY202としての直鎖、分岐若しくは環状2-オキソアルキル基は、Y201及びY202としてのアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。Y201及びY202は、好ましくは、炭素数4個以上のアルキル基であり、より好ましくは4~16、更に好ましくは4~12のアルキル基である。R214またはR215の少なくとも1つはアルキル基であることが好ましく、更に好ましくはR214、R215の両方がアルキル基である前記一般式B2中、R204及びR205は、各々独立に、置換基を有していてもよい、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。X-は、一般式I、I’又はIIのスルホン酸-SO3Hの水素原子がとれたスルホン酸アニオンを表す。一般式B2に於ける、R204及びR205のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204及びR205としてのアルキル基は、直鎖、分岐状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基製、フロラードFC430、431、4430製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08大日本インキ化学工業株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204D、208G、218G、230G、208D、212D、218D、222D株ネオス製等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれるもしくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと、ポリオキシアルキレンアクリレート及び/又はポリオキシアルキレンメタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリオキシアルキレン基としては、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基などが挙げられ、また、ポリオキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体やポリオキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上のポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートなどを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472大日本インキ化学工業株製を挙げることができる。さらに、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体などを挙げることができる。また、本発明では、フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ-ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。界面活性剤の使用量は、レジスト組成物全量溶剤を除くに対して、好ましくは0.01~10質量、より好ましくは0.1~5質量である。Gカルボン酸オニウム塩本発明におけるレジスト組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有しても良い。カルボン酸オニウム塩としては、カルボン酸スルホニウム塩、カルボン酸ヨードニウム塩、カルボン酸アンモニウム塩などを挙げることができる。特に、カルボン酸オニウム塩としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩が好ましい。本発明のカルボン酸オニウム塩のカルボキシレート残基は、芳香族基、炭素-炭素2重結合を有さないことが好ましい。特に好ましいアニオン部としては、炭素数1~30の直鎖若しくは分岐、単環若しくは多環のアルカンカルボン酸アニオンが好ましい。さらに好ましくはこれらのアルキル基の一部または全てがフッ素置換されたカルボン酸のアニオンが好ましい。アルキル鎖中に酸素原子を含んでいても良い。これにより220nm以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。フッ素置換されたカルボン酸のアニオンとしては、フロロ酢酸、ジフロロ酢酸、トリフロロ酢酸、ペンタフロロプロピオン酸、ヘプタフロロ酪酸、ノナフロロペンタン酸、パーフロロドデカン酸、パーフロロトリデカン酸、パーフロロシクロヘキサンカルボン酸、2,2-ビストリフロロメチルプロピオン酸のアニオン等が挙げられる。これらのカルボン酸オニウム塩は、スルホニウムヒドロキシド、ヨードニウムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシドとカルボン酸を適当な溶剤中酸化銀と反応させることによって合成できる。カルボン酸オニウム塩の組成物中の含量は、組成物の全固形分に対し、一般的には0.1~20質量、好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。Hその他の添加剤本発明のレジスト組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物等を含有させることができる。このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4-122938号、特開平2-28531号、米国特許第4,916,210、欧州特許第219294等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。本発明のレジスト組成物の固形分濃度は、通常1.0~10質量であり、好ましくは、2.0~5.7質量、更に好ましくは2.0~5.3質量である。固形分濃度を前記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更にはラインエッジラフネスに優れたレジストパターンを形成することが可能になる。その理由は明らかではないが、恐らく、固形分濃度を10質量以下、好ましくは5.7質量以下とすることで、レジスト溶液中での素材、特には光酸発生剤の凝集が抑制され、その結果として、均一なレジスト膜が形成できたものと考えられる。固形分濃度とは、レジスト組成物の総重量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の重量の重量百分率である。本発明のパターン形成方法に於いて、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、樹脂組成物による膜を基板上に形成する工程、膜に露光する工程、膜を加熱する工程及び膜をポジ型現像する工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。本発明における露光装置に用いられる光源波長に制限は無いが、KrFエキシマレーザー波長248nm、ArFエキシマレーザー波長193nmとF2エキシマレーザー波長157nm等を適用できる。また、本発明の露光を行う工程においては液浸露光方法を適用することができる。液浸露光方法とは、解像力を高める技術として、投影レンズと試料の間に高屈折率の液体以下、液浸液ともいうで満たし露光する技術である。この液浸の効果はλ0を露光光の空気中での波長とし、nを空気に対する液浸液の屈折率、θを光線の収束半角としNA0=sinθとすると、液浸した場合、解像力及び焦点深度は次式で表すことができる。解像力=k1λ0/n/NA0焦点深度=±k2λ0/n/NA02すなわち、液浸の効果は波長が1/nの露光波長を使用するのと等価である。言い換えれば、同じNAの投影光学系の場合、液浸により、焦点深度をn倍にすることができる。これは、あらゆるパターン形状に対して有効であり、更に、現在検討されている位相シフト法、変形照明法などの超解像技術と組み合わせることが可能である。液浸露光を行う場合には、1基板上に膜を形成した後、露光する工程の前に、及び/又は2液浸液を介して膜に露光する工程の後、膜を加熱する工程の前に、膜の表面を水系の薬液で洗浄する工程を実施してもよい。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー波長;193nmである場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させる添加剤液体を僅かな割合で添加しても良い。この添加剤はウエハー上のレジスト層を溶解させず、且つレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できるものが好ましい。このような添加剤としては、例えば、水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。本発明において膜を形成する基板は特に限定されるものではなく、シリコン、SiN、SiO2やSiN等の無機基板、SOG等の塗布系無機基板等、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造工程、さらにはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。更に、必要に応じて有機反射防止膜を膜と基板の間に形成させても良い。ポジ型現像を行う際には、アルカリ現像液を使用することが好ましい。ポジ型現像を行う際に使用するアルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。さらに、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。特に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38の水溶液が望ましい。ポジ型現像の後に行うリンス処理におけるリンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。ネガ型現像を行う際には、有機溶剤を含有する有機系現像液を使用することが好ましい。ネガ型現像を行う際に使用し得る有機系現像液としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。ケトン系溶剤としては、例えば、1オクタノン、2オクタノン、1ノナノン、2ノナノン、アセトン、4ヘプタノン、1ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルー3-エトキシプロピオネート、3メトキシブチルアセテート、3メチル3メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等を挙げることができる。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、nヘキシルアルコール、nヘプチルアルコール、nオクチルアルコール、nデカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等が使用できる。炭化水素系系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。ネガ型現像液の蒸気圧は、20°Cに於いて、5kPa以下が好ましく、3kPa以下が更に好ましく、2kPa以下が特に好ましい。ネガ型現像液の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。5kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1オクタノン、2オクタノン、1ノナノン、2ノナノン、4ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3メトキシブチルアセテート、3メチル3メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、nヘキシルアルコール、nヘプチルアルコール、nオクチルアルコール、nデカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。特に好ましい範囲である2kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1オクタノン、2オクタノン、1ノナノン、2ノナノン、4ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3メトキシブチルアセテート、3メチル3メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、nヘキシルアルコール、nヘプチルアルコール、nオクチルアルコール、nデカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。ネガ型現像を行う際に使用しうる現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては特に限定されないが、例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、好ましくは、非イオン性の界面活性剤である。非イオン性の界面活性剤としては特に限定されないが、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることが更に好ましい。界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。また、ネガ型現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。ネガ型現像の後には、有機溶剤を含むネガ型現像用リンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。ネガ型現像後のリンス工程に用いるリンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。前記リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。より好ましくは、ネガ型現像の後に、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。更により好ましくは、ネガ型現像の後に、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。特に好ましくは、ネガ型現像の後に、1価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。ここで、ネガ型現像後のリンス工程で用いられる1価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の1価アルコールが挙げられ、具体的には、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert―ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノールなどを用いることができ、好ましくは、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、1-ペンタノール、3-メチル-1-ブタノールである。前記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。リンス液中の含水率は、10質量以下が好ましく、より好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下である。含水率を10質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。ネガ型現像後に用いるリンス液の蒸気圧は、20°Cに於いて0.05kPa以上、5kPa以下が好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下が更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下が最も好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。リンス液には、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。リンス工程においては、ネガ型の現像を行ったウェハを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を塗出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。合成例1樹脂A1の合成窒素気流下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルの6/4質量比の混合溶剤20gを3つ口フラスコに入れ、これを80°Cに加熱した溶剤1。γ―ブチロラクトンメタクリレート、ヒドロキシアダマンタンメタクリレート、2-メチル-2-アダマンチルメタクリレートをモル比40/25/35の割合でプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルの6/4質量比の混合溶剤に溶解し、22質量のモノマー溶液200gを調製した。更に、重合開始剤V-601和光純薬工業製をモノマーに対し8molを加え、溶解させた溶液を、上記溶剤1に対して6時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに80°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン1800ml/酢酸エチル200mlに注ぎ、析出した紛体をろ取、乾燥すると、樹脂A1が37g得られた。得られた樹脂A1の重量平均分子量は、5500、分散度Mw/Mnは、1.65であった。同様にして、樹脂A2~A15を合成した。以下、樹脂A2~A15の構造を示す。樹脂A2~A15の組成比モル比、重量平均分子量、分散度を、表1に示す。合成例2トリフェニルスルホニウムアセテートの合成トリフェニルスルホニウムヨージド5.07g13mmol、酢酸銀2.25g13.5mmol、アセトニトリル120mL、水60mLを加え室温で1時間攪拌した。反応溶液を濾過し、トリフェニルスルホニウムアセテート溶液を得た。合成例3化合物b1の合成I-1:112233ヘキサフロロ3ピペリジン1スルホニルプロパン1スルホン酸トリフェニルスルホニウムTriphenylsulfonium112233hexafluoro3propane1sulfonate窒素気流下112233ヘキサフルオロプロパン13ジスルホニルジフロリド4.0g12.65mmol、トリエチルアミン2.56g25.3mmol、ジイソプロピルエーテル30mLを氷冷し、これにピペリジン1.08g12.6mmolとジイソプロピルエーテル15mLの混合溶液を30分かけて滴下した。氷冷下1時間攪拌し、さらに室温で1時間攪拌した。有機層を水、飽和塩化アンモニウム水溶液、水で順次洗浄し、有機層を硫酸ナトリウムによって乾燥した。溶媒を除去し、エタノール20mL、水酸化ナトリウム200mgを加え室温で2時間攪拌した。希塩酸を加え反応溶液を中和し、下式で表されるスルホン酸のエタノール溶液を得た。上記スルホン酸溶液に、合成例2で調製したトリフェニルスルホニウムアセテート溶液を加え室温で2時間攪拌した。クロロホルム300mLを加え、有機層を水、飽和塩化アンモニウム水溶液、水で順次洗浄した。カラムクロマトグラフィーSiO2、クロロホルム/メタノール5/1により精製して白色固体状の化合物b13.0g4.68mmolを得た。1HNMRδ16432936477019FNMRδ111111431194活性光線又は放射線の照射により一般式I又はI’で表される酸を発生する化合物は、上記方法と同様の方法で合成した。合成例4化合物b49の合成メチルプロパニルペンタフルオロベンゼンスルホン酸エステル132g、1-ドデカノール121g、硫酸水素テトラブチルアンモニウム147g、1M-水酸化ナトリウム水溶液130mL、トルエン130mLを70°Cで12時間攪拌した。反応溶液を希硫酸を加えて中性にし、有機層を硫酸マグネシウムによって乾燥した。溶媒を除去しカラムクロマトグラフィーSiO2酢酸エチルヘキサン101により精製して無色透明オイルを得た。これをアセトニトリル160mLに溶解しヨウ化ナトリウム593g396mmolを加え室温で6時間攪拌した。反応溶液を氷冷し析出固体を濾過、真空乾燥して白黄色固体状の4ドデシルオキシ2356テトラフルオロベンゼンスルホン酸174g37mmol85を得た。1HNMR2SOδ0854124313921655421219FNMR2SOδ1371115266次いで、4ドデシルオキシ2356テトラフルオロベンゼンスルホン酸を、4ドデシルオキシ2356テトラフルオロベンゼンスルホン酸ナトリウムとした。トリフェニルスルホニウムヨージド282g、酢酸銀126g、アセトニトリル80mL、水40mLを加え室温で1時間攪拌した。反応溶液を濾過し、トリフェニルスルホニウムアセテイト溶液を得た。これに4ドデシルオキシ2356テトラフルオロベンゼンスルホン酸ナトリウム300gを加え室温で3時間攪拌した。クロロホルム300mLを加え、有機層を水、飽和塩化アンモニウム水溶液、水で順次洗浄した。有機層を01μmのフィルターでろ過後溶媒を除去して無色透明オイル状の化合物b49を得た。1HNMRδ087712621427172941777662781319FNMRδ1400115621活性光線又は放射線の照射により一般式IIで表される酸を発生する化合物は、上記方法と同様の方法で合成した。また、他のB成分は、上述した方法と同様に合成した。<レジスト調製>下記表1に示す成分を表1に示す溶剤に溶解させ、レジスト組成物Ra1~Ra5、Ra7~Ra16、Ra18~Ra22、Ra24~Ra29については固形分濃度5.3質量、レジスト組成物Ra6については固形分濃度3.7質量、レジスト組成物Ra17、Ra23については固形分濃度7.3質量、レジスト組成物Ra30~Ra31については固形分濃度5.7質量、レジスト組成物Rb1~Rb3については固形分濃度7.5質量の溶液を調製し、それぞれを0.05μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過してレジスト組成物Ra1~Ra31及びRb1~Rb3を調製した。表1における略号は、次の通りである。P-1~P-3:各々下記化合物を示す。N-1:N,N-ジフェニルアニリンN-2:ジアザビシクロ[4.3.0]ノネンN-3:4-ジメチルアミノピリジンW-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製シリコン系W-4:PF6320OMNOVA社製フッ素系SL-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートSL-2:プロピレングリコールモノメチルエーテル調製したレジスト組成物を下記の方法で評価した。なお、実施例32及び実施例33は参考例である。実施例1シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚78nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ra1を塗布し、120°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚150nmのレジスト膜を形成した。得られたウェハーをArFエキシマレーザースキャナーNA0.75を用い、パターン露光を行った。その後120°Cで、60秒間加熱した後、酢酸ブチルで30秒間現像し、1-ヘキサノールでリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハーを回転させることにより、150nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。実施例2~31及び比較例1~3レジスト組成物Ra2~Ra31及びRb1~Rb3を用いた以外は、実施例1の方法と同様にして、150nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。但し、実施例6については、レジスト膜の膜厚を100nmとした。実施例32シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚78nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ra1を塗布し、120°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚150nmのレジスト膜を形成した。得られたウェハをArFエキシマレーザースキャナーNA0.75を用い、パターン露光を行った。その後120°Cで、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスし、ピッチ600nm、線幅450nmのパターンを得た。次に、酢酸ブチルで30秒間現像し、1-ヘキサノールでリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、150nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。実施例33シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚78nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ra1を塗布し、120°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚150nmのレジスト膜を形成した。得られたウェハをArFエキシマレーザースキャナーNA0.75を用い、パターン露光を行った。その後120°Cで、60秒間加熱した後、酢酸ブチルで30秒間現像し、1-ヘキサノールでリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、ピッチ600nm、線幅450nmのパターンを得た。次に、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスして、150nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。実施例34~43及び比較例4、5レジスト組成物及びネガ型現像液及びネガ型現像用リンス液の組合せを下記表2に示す組み合わせにした以外は、実施例1の方法と同様にして、150nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。表2において、質量比は、ネガ型現像液として2種類の有機溶剤を併用した時及びネガ型現像用リンス液として2種類の有機溶剤を併用した時の、2種類の溶剤の混合質量比を表す。この際、ネガ型現像液又はネガ型現像用リンス液が単独の有機溶剤からなる場合の質量比は100である。本実施例で用いたネガ型現像用の溶剤と、ネガ型現像用のリンス液用の溶剤の蒸気圧及び沸点を下記表3に示す。ラインエッジラフネスLERの評価実施例1~43及び比較例1~5で得られた150nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを測長走査型電子顕微鏡日立社製S-9260を使用して観察し、150nmラインパターンの長手方向のエッジ2μmの範囲について、エッジがあるべき基準線からの距離を50ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。結果を下記表4に示す。寸法の面内均一性の評価実施例1~43及び比較例1~5で得られた150nm1:1のラインアンドスペースレジストパターンに対して、走査型電子顕微鏡日立社製S-9260を用いて、2μm間隔で50箇所の寸法を測定し、50箇所の標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。結果を表4に示す。ブリッジマージンの評価実施例1~30及び実施例33~43及び比較例1~5で得られた150nm1:1のラインアンドスペースレジストパターンを解像する露光量E0最適露光量を走査型電子顕微鏡日立社製S-9260を用いて算出し、前記露光量E0から露光量を多くした時にブリッジが発生する露光量E1を求め、下記式で得られる値を算出し、それをブリッジマージンの指標とした。ブリッジマージン=[E1-E0/E0]×100上記で算出した値が大きいほど性能が良好である事を示す。結果を表4に示す。表4から、本発明のネガ型現像用レジスト組成物により、ラインエッジラフネスが低減され、更には寸法の面内均一性、ブリッジマージンに優れた高精度な微細パターンを安定的に形成できることは明らかである。"