"金属級シリコンまたはシリカ粉末を、オゾン含有酸素ガス雰囲気のプラズマ領域に投入し、前記粉末に含まれるボロンを酸化して気化物として除去し、粉末として回収し、ボロン除去後の粉末を、還元性雰囲気のプラズマ領域に投入し、還元処理により酸素を除去して、シリコン粉末として回収し、前記シリコン粉末を加熱して溶湯となし、電磁石の磁場中に前記溶湯を流すことで、金属不純物元素をトラップして除去する、ことを特徴とする連続的にシリコンを精製する方法。金属不純物元素をトラップして除去したシリコンの溶湯を、遠心噴霧によりシリコンの粉末となし、回収することを特徴とする請求項1に記載の方法。金属不純物元素をトラップして除去したシリコンの溶湯に、ドーピング材料を添加し、前記溶湯をP型またはN型にドーピングすることを特徴とする請求項1に記載の方法。ボロン除去後の粉末にカーボン粉末を加え、プラズマ領域に投入し、還元処理をすることを特徴とする請求項1に記載の方法。しかしながら、前者の方法では、ボロン除去の効率が良くなく、設備が大掛かりとなり量産性に問題がある。また、後者の方法では、大量にスラグが発生し、産業廃棄物処理上問題がある。本発明は、上述の事情に基づいてなされたもので、金属級シリコン材料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で、高純度シリコンの量産が可能なシリコンの精製方法を提供することを目的とする。本発明のシリコンの精製方法は、金属級シリコンまたはシリカ粉末を、オゾン含有酸素ガス雰囲気のプラズマ領域に投入し、前記粉末に含まれるボロンを酸化して気化物として除去し、粉末として回収し、ボロン除去後の粉末を、還元性雰囲気のプラズマ領域に投入し、還元処理により酸素を除去して、シリコン粉末として回収し、前記シリコン粉末を加熱して溶湯となし、電磁石の磁場中に前記溶湯を流すことで、金属不純物元素をトラップして除去する、ことを特徴とする。これにより、金属級シリコンまたはシリカ粉末から、含有する不純物元素の大部分を効率的に取り除くことができ、産業廃棄物が一切生ぜず、クリーンで環境に優しいシステムとすることができる。さらに、比較的コンパクトな装置構成で連続的に操業が可能で、高純度シリコン粉末の量産が可能となる。以下、本発明の実施形態について、図1乃至図3を参照して説明する。なお、各図中、同一または相当する部材または要素には、同一の符号を付して説明する。図1は本発明の一実施例のボロン除去方法を示す。まず、金属級シリコンSiまたはシリカSiO2粉末材料1を準備し、送入機2により連続的に反応管3の内部に投入する。反応管3の内部には上部からアルゴンArと酸素O2の混合ガスが供給され、反応管3の周辺部3aにも冷却用のArとO2の混合ガスが供給される。そして、反応管3の下部にはプラズマ発生用高周波コイル5により酸素がオゾンになるが更にはオゾンO3の供給配管4を備え、オゾンを供給できるようになっている。反応管3の下部にはプラズマ発生用高周波コイル5を備え、コイル5に高周波電力を供給し、反応管3の内部に不活性ガスを供給することで、高周波誘導熱プラズマを形成できる。反応管3の下方には高周波コイル6を備え、高周波電流を供給することで、落下してくる粉末材料1に対して上向きの力を与えることができ、その落下速度を制御する事ができる。以上の構成により、反応管3の下部に高温のオゾン含有酸素ガス雰囲気のアルゴンプラズマ領域8を形成し、送入機2により粉末材料1を該領域中に投入することで、粉末材料1は瞬間的に溶け、粉砕される。領域8には酸素およびオゾンが存在し、粉砕され表面積が拡大した粉末材料1に含まれるボロンBが瞬時に酸化され、B2O3等の酸化物となり、気体となり蒸発して除去される。粉末材料1はプラズマ領域8にて1500-2400°C程度に加熱されることが好ましい。領域8を通過した粉末材料1aは瞬間的に冷却され、粉末状態に戻り、落下して傾転可能水冷ルツボ7に収容される。この粉末状態は、元の粉末が熱プラズマにより小さく分裂しているので、元の粉末より小さなサイズの粉末となる。以上の処理により、元のシリコンまたはシリカ粉末材料1中に含まれるボロンを0.3ppm以下に除去することも可能である。反応管3の内部上方に純水の霧吹き9を備えてもよい。霧水分中を粉末材料1が落下していくことで、粉末は水分と混ざり、領域8にて水は酸素と水素に分解され更に酸素はオゾンになりボロンの酸化反応を促進する。なお、酸素雰囲気によりシリコンも酸化されるが後述の還元処理により、シリコン粉末に戻すことができる。ボロン除去後の粉末材料1aを、ゲート11を開き準備室12の傾転可能水冷ルツボ13に移送する。そして、ゲート11を閉じて真空排気後アルゴンと水素の混合ガスで置換し、置換後下部のゲート14を開き、図2に示す還元室20の材料送入機21に移送する。還元室20では粉末材料1aの還元処理が行われる。還元室20においても同様に熱プラズマの生成装置を備え、アルゴンと水素の混合ガスを用い水素ガス雰囲気還元性雰囲気の高温のプラズマ領域28を生成する。なお、粉末材料1aにカーボン粉末を添加し、還元材としてカーボン粉末を水素に代えて用いても良い。これにより、低コストで還元処理を行える。材料送入機21から投入した粉末材料1aは反応管22下部のプラズマ領域28で、高温により粉砕され、小さく分裂し、水素またはカーボンと反応し、酸素はH2OまたはCO2として除去され、シリコンに還元される。以上2つの工程で、リン、アルミ等は0.1ppm以下に取り除かれる。粉末材料1aはプラズマ領域28にて1700-2400°C程度に加熱されることが好ましい。領域28を通過した粉末材料1bは瞬間的に冷却され、粉末状態に戻り、落下して傾転可能水冷ルツボ23に収容される。この状態で粉末材料1bは、ボロン、リン、アルミ等および二酸化硅素成分を含まないシリコン粉末となる。粉末材料1bを、ゲート24を開き、準備室25の傾転可能水冷ルツボ26に移送する。そして、ゲート24を閉じて真空排気後アルゴンガス雰囲気に置換し、置換後下部のゲート27を開き、図3に示す磁気分離室30の漏斗31に移送する。磁気分離室30では漏斗31から粉末材料1bをカーボン材からなる炉心管32内にその開口32aから移送する。炉心管32の外周には同軸状に水冷石英管33を備える。そして、炉心管32の両端には電極34a,34bを備え、カーボン材からなる炉心管32に通電可能となっている。このため、カーボン材に通電することで、炉心管32を1500°C以上に加熱し、炉心管内部に移送した粉末材料1bをシリコン溶湯にすることができる。炉心管32の両端には堰37a,37bを備える。堰37aは炉心管32の下側を堰き止める堰であり、堰37bは炉心管32の全面を堰き止める堰である。従って、漏斗31から連続的に供給される粉末材料1bが連続的にシリコン溶湯1cとなり、堰37aを越えた溶湯1cがルツボ38に収容される。ルツボ38にはヒータ38aを備え、溶湯状態を維持する。水冷石英管33の外側には電磁石35を備え、その磁力により鉄、クロム等の上記処理で取り切れなかった金属元素をトラップする。実際には鉄クロム等の強磁性体に限らず、これら強磁性体に接合している非磁性体の元素も共にトラップされ、シリコン中に残留する不純物元素全般の除去が可能である。金属シリコン純度99台中には比透磁率の小さなものから大きいものまで、種々の元素が入っている。例えば、以下が含まれる。Si≒1、C≒1、Al≒1、Fe≒2000、Cu≒1、Ni≒600、Pd≒1、Co≒250単位ppmこれら含有物を含んだシリコン溶湯を強力な磁石の磁場中を通過させれば、シリコン溶湯中の金属不純物を磁場中にトラップさせ、シリコンだけを通過させる事が出来る。試験は、純度99.3のシリコンFe≒2500ppm、Al≒50ppm、Ti≒35ppm、Cu≒1ppm、Ni≒0.1ppm、Cr≒1ppm、V≒1ppm含有を用い、脱ボロン、脱酸素還元処理を施したシリコン溶湯を、磁石常温電磁石、最大0.3Tテスラの磁場中を通過させた。すると、金属不純物は磁石の磁場の周りに滞留し、流れ出すシリコン溶湯中の金属不純物が減少することが分かった。磁石の強さが0.3Tでは、磁石の磁場通過後の残留不純物は、Fe≒0.1ppm以下、AL≒0.1ppm以下、Ti≒0.1ppm以下、Cu≒0.1ppm以下、Ni≒0.1ppm以下、Cr≒0.1ppm以下、V≒0.1ppm以下と殆どの金属元素に減少が見られた。従って、磁石の磁力をより大きくすることで、シリコン中の全ての金属含有量を減少できる事が分かる。なお、全ての金属元素は、透磁率の高い金属元素も低い金属元素も、それぞれが分離して存在するのでなく、何らかのかたちで結合して存在していると思われる。従って、透磁率の高い元素が磁場にトラップされると、これに結合した透磁率の低い元素もトラップされ、全元素が磁場にトラップされると考えられる。従って、炉心管32において、ボロンの除去処理処理室10および酸素還元処理処理室20で除去できなかった鉄およびクロム等の金属元素は磁石35の磁場によりトラップされ、これら元素が取り除かれたシリコン溶湯1cが堰37aを越え、ルツボ38に貯留される。トラップされた不純物元素は磁石35の磁場周辺に滞留するので、定期的にこれを除去する。この除去は、電磁石の通電を切り磁場を解消し、炉心管32を180度回転させ、開口部32aを下向きにし、不純物を多量に含む溶湯を受けルツボ39に流出させることによって行う。受けルツボ39からは適宜ゲート39aを開き、外部に排出する。ルツボ38の上部にはドーピング材料投入機40を備える。上述のように、ルツボ38には、ボロン、リン、アルミ、チタン、鉄、クロム等の不純物元素が除去されたシリコン溶湯が貯留される。この溶湯にボロンまたはリンのドーパントを投入機40から投入することで、P型またはN型のシリコンを生成することができる。ルツボ38の底には開口38bを備える。開口38bからシリコン溶湯が落下し、溶湯を遠心噴霧室41の回転ルツボ42で受ける。回転ルツボ42は溶湯を高温の状態に維持しつつ高速回転することで、ルツボ上端面より溶湯を遠心噴霧する。遠心噴霧されたシリコン溶湯の液滴はアルゴンガス雰囲気中で冷却され、球形の固形物粉末となり、高純度シリコン粉末材料1dとして容器43に回収される。以上の工程により、金属級シリコンまたはシリカ粉末から、プラズマ酸化処理によりボロンを除去し、次にプラズマ還元処理により二酸化硅素成分を還元してシリコンとし、これらの処理でリンやアルミを除去し、最後に電磁石の磁場により鉄、クロム、チタン等の金属元素を除去することで、高純度シリコンに精製できる。上記シリコンの精製方法によれば、アルゴンガス、酸素ガス、水素ガスおよび電力を供給するのみで、金属級シリコンまたはシリカ粉末から高純度シリコン粉末に連続的に精製できるので、原料粉末が無駄なく略100不純物除去して回収される。そして、従来のアルカリ金属の炭酸塩等を投入する方法と比較して、産業廃棄物が一切生ぜず、クリーンで環境に優しいシステムとすることができる。さらに、比較的コンパクトな装置構成で連続的に操業が可能で、高純度シリコン粉末の量産が可能となる。これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。"