減圧処理室に、第一のガスを供給するための第一のガス導入機構を有し、かつ、前記減圧処理室の外部から誘電体窓を介して、電磁波を投入してプラズマを生成し、このプラズマにより前記第一のガスからラジカルを生成させ、このラジカルを試料台に載置された試料に照射し、かつ、前記試料台に接続された第一の高周波電源から高周波電力を投入して前記試料にバイアス電圧を発生させ、エッチングを行うプラズマエッチング装置において、前記第一のガス導入機構とは別に第二のガスを供給するためのガス導入機構を有しており、かつ、前記試料台に第一の高周波電源とは周波数が異なり、前記試料の外周周辺にラジカルを発生させる高周波電力を投入するための第二の高周波電源を有することを特徴とするプラズマエッチング装置。請求項1記載のプラズマエッチング装置において、前記第二のガスは、前記試料の最外周から前記試料直径の1/5以内の位置から供給されるものであることを特徴とするプラズマエッチング装置。請求項1記載のプラズマエッチング装置において、前記第二の高周波電源の周波数が4MHz以上でかつ、前記第一の高周波電源の周波数が前記第二の高周波電源の周波数より低いことを特徴とするプラズマエッチング装置。請求項1記載のプラズマエッチング装置において、前記電磁波がマイクロ波であって、かつ、前記減圧処理室内に磁場を生成させるための、ソレノイドコイルを有することを特徴とするプラズマエッチング装置。請求項1記載のプラズマエッチング装置において、前記試料台の外周部に誘電体製のリングを有しており、このリング上に前記第二のガスの導入穴を有することを特徴とするプラズマエッチング装置。請求項3に記載のプラズマエッチング装置において、前記試料台の外周部に誘電体製のリングを有しており、このリング上に前記第二のガス導入穴を有することを特徴とするプラズマエッチング装置。請求項5記載のプラズマエッチング装置において、前記第二のガスの導入穴は、前記リング内に設けられた円周状のスリットであることを特徴とするプラズマエッチング装置。請求項5記載のプラズマエッチング装置において、前記第二のガスの導入穴は、ピッチaで前記リングに沿い、かつ前記試料の最外周からの距離がbとなるように配置され、a/bが1以下であることを特徴とするプラズマエッチング装置。請求項5記載のプラズマエッチング装置において、前記第二のガス導入穴は、前記試料の最外周からの距離がb、前記誘電体窓からの距離がcとなるように配置され、b/bcが0.5以下であることを特徴とするプラズマエッチング装置。請求項1に記載のプラズマエッチング装置において、前記第二のガスは、酸素ガスもしくはフロロカーボンガスであることを特徴とするプラズマエッチング装置。減圧処理室に、第一のガスを供給するための第一のガス導入機構を有し、かつ、前記減圧処理室の外部から誘電体窓を介して、電磁波を投入してプラズマを生成し、このプラズマにより前記第一のガスからラジカルを生成させ、このラジカルを試料台に載置された試料に照射して、かつ、試料台に接続された第一の高周波電源から高周波電力を投入して試料にバイアス電圧を発生させて、エッチングを行うプラズマエッチング装置において、前記第一のガス導入機構とは別に第二のガスを供給するためのガス導入機構を有しており、かつ、前記試料の外周に前記試料台から絶縁された電極を有しており、かつ、前記電極に前記第一の高周波電源とは周波数が異なり、前記試料の外周周辺にラジカルを発生させる高周波電力を投入するための第二の高周波電源を有することを特徴とするプラズマエッチング装置。請求項11記載のプラズマエッチング装置において、前記第二のガスは、前記試料の最外周から前記試料直径の1/5以内の位置から供給されるものであることを特徴とするプラズマエッチング装置。近年の研究により、単に誘電体製の窓から試料を十分離す方法ではラジカルを十分均一化できないことが明らかになってきた。そこで発明者等は、特許文献1に記載されている技術、即ち微量の流量制御が必要な添加ガスを試料周囲に導入することによる均一性向上の効果について検討した。しかしながら、添加ガスとして所望のラジカルを発生しやすいガスを試料の外周から添加しても、均一性改善に関しては、ほとんど効果がないことがわかった。本発明の目的は、無電極方式のプラズマエッチング装置において、ラジカル密度を均一化し、エッチングの均一性を向上させることのできるプラズマエッチング装置を提供することにある。上記目的を達成するための一実施形態として、減圧処理室に、第一のガスを供給するための第一のガス導入機構を有し、かつ、前記減圧処理室の外部から誘電体窓を介して、電磁波を投入してプラズマを生成し、このプラズマにより前記第一のガスからラジカルを生成させ、このラジカルを試料台に載置された試料に照射し、かつ、前記試料台に接続された第一の高周波電源から高周波電力を投入して前記試料にバイアス電圧を発生させ、エッチングを行うプラズマエッチング装置において、前記第一のガス導入機構とは別に第二のガスを供給するためのガス導入機構を有しており、かつ、前記試料台に第一の高周波電源とは周波数が異なり、前記試料の外周周辺にラジカルを発生させる高周波電力を投入するための第二の高周波電源を有することを特徴とするプラズマエッチング装置とする。また、減圧処理室に、第一のガスを供給するための第一のガス導入機構を有し、かつ、前記減圧処理室の外部から誘電体窓を介して、電磁波を投入してプラズマを生成し、このプラズマにより前記第一のガスからラジカルを生成させ、このラジカルを試料台に載置された試料に照射して、かつ、試料台に接続された第一の高周波電源から高周波電力を投入して試料にバイアス電圧を発生させて、エッチングを行うプラズマエッチング装置において、前記第一のガス導入機構とは別に第二のガスを供給するためのガス導入機構を有しており、かつ、前記試料の外周に前記試料台から絶縁された電極を有しており、かつ、前記電極に前記第一の高周波電源とは周波数が異なり、前記試料の外周周辺にラジカルを発生させる高周波電力を投入するための第二の高周波電源を有することを特徴とするプラズマエッチング装置とする。本発明を適用すれば、試料外周部のラジカルの低下を補うことができるため、均一なエッチングが可能な無電極方式のプラズマエッチング装置を提供することができる。本発明者等は、添加ガスとして所望のラジカルを発生しやすいガスを試料外周から導入しても、均一性が改善されない理由について検討を行なった。その結果、例えば酸素ラジカルやフロロカーボン系のラジカルは、減圧処理室内壁における消滅確率が高いため、誘電体窓近傍のプラズマ発生領域から試料に拡散する間に減圧処理室内壁近傍のラジカルが消滅し、試料近傍では、外周部のラジカル密度が低下すること、このラジカル密度の低下のため、加工後のパターン寸法が試料外周部で細くなること、試料周辺から導入されたラジカルを発生しやすいガスは、試料周辺ではなく試料上方であって誘電体窓近傍のプラズマ発生領域で解離されてラジカルを生じるため、減圧処理室内全体のラジカル密度は高まるものの減圧処理室内壁近傍のみのラジカル密度を高める効果が無くラジカル密度は均一化されないこと、減圧処理室内壁近傍のみのラジカル密度を高めラジカル密度を均一化するためには、処理室内壁近傍、特に試料周辺においてプラズマ発生領域の形成が必要であることがわかった。本発明は、これら知見に基づいて生まれたものである。以下、実施例により詳細に説明する。本発明の第1の実施例について図1~図5Eを用いて説明する。図1は、無電極放電方式の一つである誘導結合プラズマ方式のプラズマエッチング装置の全体概略構成図である。なお、同一符号は同一構成要素を示す。このプラズマエッチング装置では、ガス供給機構16からガス導入機構19を介して、エッチングガスが減圧処理室20に供給される。また、ターボ分子ポンプ22と圧力制御用可変バルブ23によって減圧処理室の排気速度を調整することによって、圧力計24でモニタされる処理室内のエッチングガスの圧力を所望の値に設定することができる。また、アルミナ製の誘電体窓26の外部に設置されたアンテナコイル13に高周波電源15から例えば13.56MHzの高周波電力を印加することによって、アンテナコイル直下の誘電体窓26の減圧処理室側にリング状のプラズマ生成部17が形成される。このプラズマ生成部17でエッチングガスからイオンとラジカルを生成し、このイオンとラジカルを拡散により輸送し、試料台18に載置された試料21に照射できる構造になっている。また、試料台18にはバイアス印加用の400kHzの高周波電源29が整合器30とローパスフィルタ31を介して取り付けられており、この高周波電源29から高周波電圧を印加することによって、試料21に負電圧を発生させ、減圧処理室20の内部の正イオンを加速して照射することができる。これとは別に、プラズマ発生用の40MHzの高周波電源2が整合器32とハイパスフィルタ33を介して試料台18に接続されており、この高周波電源2から高周波電力を投入することによって試料21の外周部にリング状のプラズマ生成領域1を形成することができる。このように周波数の異なる二つの高周波電源2および29を試料台18に取り付けることによって、正イオンを加速するための負電圧とプラズマ発生を独立に制御できる特徴がある。また、試料台18の外周部には誘電体製の絶縁リング35が載置されている。この絶縁リング35には、図2Aに示すように同心円状に添加ガスを供給するためのガス導入用穴40が56個等間隔で配置されており、ガス供給機構36から供給される添加ガスを試料21の外周部に導入できる構造となっている。この装置を用いて、Φ300mmのシリコン基板上に100nm厚かつ50nm幅のラインパターンの酸化膜マスクを形成した試料をエッチングした。なお、ガス導入用穴は、前記試料の最外周から試料直径の1/5以内の位置が望ましい。まず、エッチングガスとして、塩素、臭化水素と酸素の混合ガスをガス導入機構19から導入し、ガス導入穴40からは添加ガスは供給せず、プラズマ発生用の高周波電源2からは高周波電圧は印加せず、バイアス用の高周波電源29から高周波電圧を印加してシリコン基板のエッチングを行った。この際の、試料表面近傍の酸素ラジカル濃度分布を図3Aに示す。試料21の中央部で酸素ラジカル濃度が高く、外周部で低くなっていることがわかる。この際の加工後の試料のパターンの寸法の径方向分布を図3Bに示す。パターン寸法は、酸素ラジカル濃度分布と同様に、シリコン基板の中央部で太く、試料の外周部で細くなっていることがわかる。したがって、試料21の外周部で酸素ラジカルの密度が低下していることが原因であることがわかった。そこで、試料外周部の酸素ラジカル密度を増やすべく、ガス導入穴40から酸素ガスを10sccm添加してエッチングした。この際の、試料表面近傍の酸素ラジカル濃度分布を図4Aに示す。酸素ラジカル濃度は全体に増加したが、試料の中央部で酸素ラジカル濃度が高く、外周部で低い状況は変わらない。この際の加工後の試料のパターンの寸法の径方向分布を図4Bに示す。パターン寸法は全体に太くなったが、試料21の中央部が太く、試料の外周部が細い状況は変わっていない。そこで、さらにプラズマ生成用の高周波電源2から100Wの高周波電力を投入してエッチングを行った。この際の、試料表面近傍の酸素ラジカル濃度分布を図5Aに示す。ウエハ試料中央部の酸素ラジカル濃度が減少するとともに外周部の酸素ラジカル濃度が増加して、酸素ラジカル濃度が均一になっていることがわかる。この際の加工後の試料のパターンの寸法の径方向分布を図5Bに示す。試料の外周部のパターンの寸法が増加し、パターン寸法が試料面内でほぼ均一になった。つぎに、ガス導入用穴40のピッチの影響について検討した。図2Bおよび図2Cは、ガス導入用穴40の個数がそれぞれ56個の場合および8個の場合のラジカル分布を等高線でそれぞれ表示している。いずれの場合も、穴近傍のラジカル密度が高く離れるにしたがって、低くなっている。図2Bの場合、穴数が多いため、ウエハ面内では同心円状のラジカル分布が実現できている。一方、図2C場合は穴数が少ないため、ウエハ面内でも、ラジカル分布は同心円ではなく、円周方向で濃度の高い部分と低い部分が見られる。この円周方向のラジカル濃度ムラは、穴のピッチaと穴とウエハ最外周の間の距離bの比率a/bと非常に密接な相関がある。この関係を調べた結果を図2Dに示す。a/bが小さくなるに従って、ラジカル濃度ムラは低減され、a/bが1以下ではほとんど濃度ムラがなくなっていることがわかる。すなわち、ガス導入用穴40のピッチはウエハと穴の間の距離より短くすることが望ましい。また、穴のピッチを極限まで短くした構造、すなわち、図2Eに示すようにスリット状のガス導入機構にすればさらに均一なガス供給ができると考えられる。つぎに、ガス導入穴40の位置の影響について検討した。前述の構成で、ガス導入穴40を誘電体窓26の最外周に設けて、図5Aと同様にウエハ近傍のラジカル濃度分布を調べた結果を図5Cに示す。ラジカル濃度は全体に増加するものの外周部のラジカル濃度が低い状況はそのままである。加工後の試料のパターンの寸法の径方向分布を図5Dに示す。パターン寸法は全体に太くなったが、試料の中央部が太く、試料の外周部が細い状況は変わっていない。すなわち、ガス導入穴40が試料の外周にあっても、試料から離れていると効果が得られないことがわかる。ガス添加の効果の有無を左右しているのが、ガス導入穴40とウエハの間の距離bとガス導入穴40と誘電体窓26の間の距離cである。ウエハ近傍のラジカル濃度分布の均一性とb/bcの関係を図5Eに示す。b/bcが0.5より小さい範囲では、b/bcに比例して、ラジカル濃度分布の均一性もよくなっていることがわかる。すなわち、ガス添加によるラジカル分布均一化の効果をうるには、ガス導入穴40が誘電体窓26よりウエハに近いということが必要条件になることがわかる。本実施例では、プラズマ発生用の高周波電源2の周波数を40MHzとしたが、4MHz以上の高周波電源であれば、いかなる周波数に設定しても同様の効果が得られる。また、本実施例では、バイアス印加用の高周波電源29の周波数を400kHzとしたが、100kHz以上で、かつ、プラズマ発生用の高周波電源2の周波数より低ければ、いかなる周波数に設定しても同様の効果が得られる。また、本実施例では試料台18の外周部に載置した絶縁リング35の上に、添加ガス用のガス導入穴40を設けたが、試料の外周でかつ、誘電体窓26より試料21に近い位置であれば同様の効果がある。ガス導入穴40のピッチに関しては、ガス導入穴40と試料間の距離よりも、ピッチが短ければ同様の効果が得られる。また、本実施例では、誘導結合プラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いたが、無電極放電方式のプラズマエッチング装置であれば、同様の効果が得られる。本実施例では、添加ガスとして酸素を用いたが、エッチングガスや試料構造が異なれば、他の添加ガスでも同様の効果が得られる。以上、本実施例によれば、無電極方式のプラズマエッチング装置において、試料外周周辺でラジカルを発生させることによりラジカル密度を均一化し、エッチングの均一性を向上させることのできるプラズマエッチング装置を提供することができる。また、バイアス印加用の高周波電圧とプラズマ発生用の高周波電電圧の両者を試料台に印加するため、構造が単純でありコストの増加を低減できる。本発明の第2の実施例について図6~図9Bを用いて説明する。なお、実施例1に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。図6は、本実施例に係る有磁場マイクロ波プラズマエッチング装置の全体概略構成図である。このプラズマエッチング装置では、エッチングガスは、ガス供給ユニット16から、石英製の誘電体窓26の内部に作られたガス貯め10を経て、誘電体窓26の減圧処理室側に設けられた複数の穴11シャワープレート構造から、減圧処理室20の内部に導入される。また、ターボ分子ポンプ22と圧力制御用可変バルブ23によって減圧処理室20の排気速度を調整することによって、処理室内のエッチングガスの圧力を所望のちに設定することができる。また、マグネトロン53で生成されたマイクロ波が導波管54、空洞共振部55、誘電体窓26を経て、減圧処理室内に供給される構造になっており、このマイクロ波が作る横方向の電界と、コイル56の作る縦方向の静磁場の相互作用によって処理室上部にプラズマ生成部17を形成できる構造になっている。このプラズマ生成部17でエッチングガスからイオンとラジカルを生成し、このイオンとラジカルを拡散により輸送し、試料台18に載置された試料21に照射できる構造になっている。また、試料台18にはバイアス印加用の400kHzの高周波電源29が整合器30とローパスフィルタ31を介して取り付けられており、この高周波電源29から高周波電圧を印加することによって、試料21に負電圧を発生させ、減圧処理室20の内部の正イオンを加速して照射することができる。これとは別に、プラズマ発生用の27MHzの高周波電源2が整合器32とハイパスフィルタ33を介して試料台18に接続されており、この高周波電源2から高周波電力を投入することによって試料21の外周部にリング状のプラズマ生成領域1を形成することができる。特に有磁場マイクロ波プラズマエッチング装置のように減圧処理室内に縦方向の静磁場を有する装置では、プラズマ発生用の高周波電源2から供給される電力が試料21の外周部に作る横方向の電界と、コイル56の作る縦方向の静磁場の相互作用によって、試料21の外周部のみに効率的にプラズマを生成することができる。このように周波数の異なる二つの高周波電源2および29を試料台18に取り付けることによって、正イオンを加速するための負電圧とプラズマ発生を独立に制御できる特徴がある。また、試料台18の外周部には誘電体製の絶縁リング35が載置されている。実施例1の図2Aと同様に、この絶縁リング35には、図2Aに示すように同心円状に添加ガスを供給するためのガス導入穴40が配置されており、ガス供給機構36から供給される添加ガスを試料21の外周部に導入できる構造となっている。この装置を用いて、Φ300mmのシリコンウエハ上に300nm厚のSi3N4膜を堆積させ、その上に200nm厚かつ50nm幅のラインパターンの有機材料のマスクを形成した試料をエッチングした。まず、エッチングガスとして、ガス供給機構16からCHF3とArの混合ガスを供給し、ガス導入穴40からは添加ガスは供給せず、プラズマ発生用の高周波電源2からは高周波電力を供給せず、バイアス用の400kHzの高周波電源29からのみ高周波電圧を印加してエッチングを行った。この際の、試料表面近傍のCxFy系ラジカル濃度分布を図7Aに示す。試料21の中央部でラジカル濃度が高く、外周部で低くなっていることがわかるこの際の加工後の試料21のパターンの寸法の径方向分布を図7Bに示す。パターン寸法は、CxFy系ラジカル濃度分布と同様に、試料21の中央部で太く、試料21の外周部で細くなっていることがわかる。すなわち、試料21の外周部でCxFy系のラジカルの密度が低下していることが原因であることがわかった。そこで、試料外周部のCxFy系のラジカルの密度を増やすべく、添加ガス導入用のガス導入穴40からCH2F2を10sccm添加してエッチングした。この際の、試料表面近傍のラジカル濃度分布を図8Aに示す。CxFy系ラジカル濃度は全体に増加したが、試料21の中央部でラジカル濃度が高く、外周部で低い状況は変わらない。この際の加工後の試料のパターンの寸法の径方向分布を図8Bに示す。パターン寸法は全体に太くなったが、試料21の中央部が太く、試料21の外周部が細い状況は変わっていない。そこで、さらにプラズマ生成用の高周波電源2から50Wの高周波電力を投入してエッチングを行った。試料21の外周部のパターンの寸法が増加し、パターン寸法が試料面内でほぼ均一になった。そこで、さらにプラズマ生成用の高周波電源2から100Wの高周波電力を投入してエッチングを行った。この際の、試料表面近傍のCxFy系ラジカル濃度分布を図9Aに示す。ウエハ中央部のラジカル濃度が減少するとともに外周部のラジカル濃度が増加して、ラジカル濃度が均一になっていることがわかる。この際の加工後の試料のパターンの寸法の径方向分布を図9Bに示す。試料の外周部のパターンの寸法が増加し、パターン寸法が試料面内でほぼ均一になった。本実施例では、プラズマ発生用の高周波電源2の周波数を27MHzとしたが、4MHz以上の高周波電源であれば、いかなる周波数に設定しても同様の効果が得られる。また、本実施例では、バイアス印加用の高周波電源29の周波数を400KHzとしたが、100kHz以上で、かつ、プラズマ発生用の高周波電源2の周波数より低ければ、いかなる周波数に設定しても同様の効果が得られる。また、本実施例では試料台18の外周部に載置した絶縁リング35の上に、添加ガス用のガス導入穴40を設けたが、試料の外周でかつ、誘電体窓26より試料21に近い位置であれば同様の効果がある。また、本実施例では、有磁場マイクロ波プラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いたが、無電極放電方式のプラズマエッチング装置であれば、同様の効果が得られる。本実施例では、添加ガスとしてCH2F2を用いたが、フロロカーボンガスであれば同様の効果が得られる。また、エッチングガスや試料構造が異なれば、他の添加ガスでも同様の効果が得られる。以上、本実施例によれば、無電極方式のプラズマエッチング装置において、試料外周周辺でラジカルを発生させることによりラジカル密度を均一化し、エッチングの均一性を向上させることのできるプラズマエッチング装置を提供することができる。また、バイアス印加用の高周波電圧とプラズマ発生用の高周波電電圧の両者を試料台に印加するため、構造が単純でありコストの増加を低減できる。本発明の第3の実施例について図10~図13を用いて説明する。なお、実施例1又は2に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。図10は、本実施例に係るマイクロ波エッチング装置の全体概略構成図である。このプラズマエッチング装置では、エッチングガスは、ガス供給ユニット16から、石英製の誘電体窓26の内部に作られたガス貯め10を経て、誘電体窓26の減圧処理室側に設けられた複数の穴11シャワープレート構造から、減圧処理室20の内部に導入される。また、ターボ分子ポンプ22と圧力制御用可変バルブ23によって減圧処理室20の排気速度を調整することによって、減圧処理室内のエッチングガスの圧力を所望のちに設定することができる。また、マグネトロン53で生成されたマイクロ波が導波管54、空洞共振部55、誘電体窓26を経て、減圧処理室内に供給される構造になっており、投入されたマイクロ波の電力によって誘電体窓26の近傍にプラズマ生成部17を形成できる構造になっている。このプラズマ生成部17でエッチングガスからイオンとラジカルを生成し、このイオンとラジカルを拡散により輸送し、試料台18に載置された試料21に照射できる構造になっている。また、試料台18にはバイアス印加用の400kHzの高周波電源29が整合器30とローパスフィルタ31を介して取り付けられており、この高周波電源29から高周波電圧を印加することによって、試料21に負電圧を発生させ、減圧処理室20の内部の正イオンを加速して照射することができる。また、試料台18の外周部には誘電体製の絶縁リング35が載置されている。実施例1の図と同様に、この絶縁リング35には、図2Aに示すように同心円状に添加ガスを供給するためのガス導入穴40が配置されており、ガス供給機構36から供給される添加ガスを試料21の外周部に導入できる構造となっている。また、絶縁リング上には、ガス導入穴40の外側には試料台18から絶縁された電極41が搭載されている。この電極41には、プラズマ発生用の27MHzの高周波電源2が整合器32とハイパスフィルタ33を介して試料台18に接続されており、この高周波電源2から高周波電力を投入することによって試料21の外周部にプラズマ生成領域1を形成することができる。このように試料台18および絶縁された電極41にそれぞれ周波数の異なる二つの高周波電源2および29を取り付けることによって、正イオンを加速するための負電圧とプラズマ発生を独立に制御できる特徴がある。この装置を用いて、Φ300mmのシリコンウエハ上に300nm厚の有機膜を堆積させ、その上に20nm厚かつ50nm幅のラインパターンのSiO2のマスクを形成した試料をエッチングした。まず、エッチングガスとして、O2とArの混合ガスを用い、添加ガスは供給せず、プラズマ発生用の27MHzの高周波電圧は印加せず、バイアス用の400kHzの高周波電圧を印加してエッチングを行った。加工後の試料21の外周部の有機膜の加工形状を図11に示す。有機膜のパターン60が試料21の中心部に向かって倒れていることがわかる。有機膜のパターンは酸素ラジカル密度分布が不均一になると倒れやすいことがわかっている。研究の結果、試料21の中央部に比べ、外周部の酸素ラジカル密度が低くなっており、酸素ラジカル密度分布が不均一になっていることが確認された。そこで、試料21の外周部の酸素ラジカルの密度を増やすべく、添加ガス導入用のガス導入穴40から酸素を10sccm添加してエッチングした。加工後の試料21の外周部の有機膜の加工形状を図12に示す。有機膜のパターン60が試料21の中心部に向かって倒れていることがわかる。研究の結果、この方法では、試料21の外周部の酸素ラジカル密度が十分増えないことがわかった。そこで、さらにプラズマ生成用の高周波電源2から100Wの高周波電力を投入してエッチングを行った。この際の加工後の形状を図13に示す。この場合には試料中心部へ向かう倒れは見られなかった。また、試料の外周部のパターンの寸法が増加し、パターン寸法が試料面内でほぼ均一になった。なお、加工後の断面形状に関し、実施例1におけるシリコン基板のエッチングや実施例2におけるSi3N4膜のエッチングでも同様である。本実施例では、プラズマ発生用の高周波電源2の周波数を27MHzとしたが、4MHz以上の高周波電源であれば、いかなる周波数に設定しても同様の効果が得られる。また、本実施例では、バイアス印加用の高周波電源29の周波数を400KHzとしたが、100kHz以上で、かつ、プラズマ発生用の高周波電源2の周波数より低ければ、いかなる周波数に設定しても同様の効果が得られる。また、本実施例では試料台18の外周部に載置した絶縁リング35の上に、添加ガス用のガス導入穴40を設けたが、試料の外周でかつ、誘電体窓26より試料21に近い位置であれば同様の効果がある。また、本実施例では、マイクロ波プラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いたが、無電極放電方式のプラズマエッチング装置であれば、同様の効果が得られる。本実施例では、添加ガスとして酸素を用いたが、エッチングガスや試料構造が異なれば、他の添加ガスでも同様の効果が得られる。以上、本実施例によれば、無電極方式のプラズマエッチング装置において、試料外周周辺でラジカルを発生させることによりラジカル密度を均一化し、エッチングの均一性を向上させることのできるプラズマエッチング装置を提供することができる。また、試料周辺のプラズマ発生領域形成用電極を試料台と絶縁して設けることにより、正イオンを加速するための負電圧とプラズマ発生を独立に制御することができる。なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることも可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加削除置換をすることが可能である。