液晶層を支持する導光板及び基板、前記導光板の入射面に沿って配置された発光素子、前記導光板から放出する光を感知するために配置された受光素子を有し、前記導光板は光が全反射によって伝達されるようにすることを特徴とする、タッチ感知表示装置。前記導光板においてタッチされた位置を決定するために、受光素子から信号を受信するコンピュータをさらに有すことを特徴とする、請求項1に記載のタッチ感知表示装置。前記受光素子は前記導光板の一側面に沿って配置され、全反射によって前記導光板を透過した光の量を測定することを特徴とする、請求項1に記載のタッチ感知表示装置。前記受光素子は、前記入射面と平行な前記導光板の一面に配置されていることを特徴とする、請求項1に記載のタッチ感知表示装置。前記受光素子は、前記導光板において物体によって散乱した光の量を測定することを特徴とする、請求項1に記載のタッチ感知表示装置。前記受光素子は、前記入射面と接触している面に配置されていることを特徴とする、請求項5に記載のタッチ感知表示装置。前記受光素子は、前記入射面に垂直な前記導光板の面に配置されていることを特徴とする、請求項5に記載のタッチ感知表示装置。前記受光素子は、前記導光板と前記液晶層との間に配置されていることを特徴とする、請求項5に記載のタッチ感知表示装置。前記受光素子は、2次元配列された複数のセンサーを含むことを特徴とする、請求項5に記載のタッチ感知表示装置。前記受光素子はマトリックス状で配置され、前記各センサーは基板上の画素に対応して形成されていることを特徴とする、請求項9に記載のタッチ感知表示装置。そこで、本発明は上記従来のタッチ感知表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、製造原価を節減できてシステム構成を単純化できるタッチ感知表示装置を提供することにある。上記目的を達成するためになされた本発明によるタッチ感知表示装置は、液晶層を支持する導光板及び基板、前記導光板の入射面に沿って配置された発光素子、前記導光板から放出する光を感知するために配置された受光素子を含み、前記導光板は光が全反射により伝達されることを特徴とする。前記導光板においてタッチが行われた位置を決定するために受光素子から信号を受信するコンピュータをさらに含んでもよい。前記受光素子は前記導光板の一側面に沿って配置され、全反射により前記導光板を透過した光の量を測定してもよい。前記受光素子は前記入射面と平行な前記導光板の一面に配置してもよい。前記受光素子は前記導光板で物体によって散乱した光の量を測定してもよい。前記受光素子は前記入射面と接触している面に配置してもよい。前記受光素子は前記入射面と垂直する前記導光板の面に配置してもよい。前記受光素子は前記導光板と前記液晶層との間に配置してもよい。前記受光素子は2次元配列された複数のセンサーを含んでもよい。前記受光素子はマトリックス状に配置され、前記各センサーは基板上の画素に対応して形成されてもよい。前記タッチ感知表示装置は、前記導光板上に配置された補助層をさらに含み、前記補助層の屈折率は前記導光板の屈折率より小さくてもよい。前記受光素子は前記補助層上に配置してもよい。前記タッチ感知表示装置は、前記基板上に形成された遮光部材をさらに含んでもよい。前記遮光部材は前記受光素子と重なってもよい。前記基板は薄膜トランジスターと画素を含んでもよい。前記導光板は有機物質、ガラス、及びPMMAのうちの一つで形成されてもよい。前記導光板は0.5~1mmの厚さを有してもよい。前記受光素子は光ダイオード、光トランジスター、CCD、及びカメラのうちの一つであってもよい。前記受光素子は第1基板上に形成されてもよい。前記受光素子は一列に配列されている複数のセンサーを含んでもよい。また、上記目的を達成するためになされた本発明によるタッチ感知表示装置は、第1終端から第2終端まで全反射により光を伝達する導光板、前記導光板の第1終端に配置された発光素子、及び前記導光板の第2終端に配置された受光素子を含み、前記導光板の第1及び第2終端でない他の終端は前記受光素子及び前記発光素子が配置されないことを特徴とする。前記タッチ感知表示装置は、前記導光板にタッチが行われた位置を判断するために、前記受光素子から信号を受信するコンピュータをさらに含んでもよい。前記受光素子は前記導光板の第2終端に沿って形成され、前記導光板から全反射により伝達された光の量を感知してもよい。前記受光素子は前記発光素子から放出した光が入射する入射面に平行な面に配置してもよい。前記タッチ感知表示装置は、前記導光板上に配置された補助層をさらに含み、前記補助層は前記導光板より小さい屈折率を有してもよい。また、上記目的を達成するためになされた本発明によるタッチ感知表示装置は、第1終端から第2終端まで全反射により光を伝達する導光板、前記導光板の第1終端に配置された発光素子、前記導光板の第2終端に配置された受光素子、前記導光板上に形成されている共通電極、及び画素電極を有する薄膜トランジスターアレイ基板を含み、前記導光板の第1及び第2終端でない他の終端は前記受光素子及び前記発光素子が配置されず、前記画素電極と前記共通電極との間には液晶層が配置されていることを特徴とする。本発明の一実施形態に係るコンピュータ用記録媒体は、X軸に沿って位置する多様な点から光の強さに応じたデータを得る段階、及びY軸座標を得るためにX方向の光の強さ変化率を利用し、X軸座標を得るために最小光の強さの位置を利用する段階を含むX-Y平面においてタッチの位置を決定するための方法を実行するための内容を含む。本発明に係るタッチ感知表示装置は、導光板に発光素子と受光素子を配置し、接触体の位置を判別できる。また、本発明に係るタッチ感知表示装置は、導光板と薄膜トランジスター基板との間に液晶層を配置し、タッチ感知表示装置の構造を単純化できる。また、本発明に係るタッチ感知表示装置は、導光板とフォトエッチング工程で形成した受光素子を利用して多数の接触体の位置を算出でき、装置の構造を単純化できる。さらに、本発明に係るタッチ感知表示装置は、導光板上部で発生する複数の接触体の位置を算出できる。次に、本発明に係るタッチ感知表示装置を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。前記本発明の目的、特徴、及び効果は添付した図面に係る実施形態によって容易に理解できる。但し、本発明はここで説明する実施形態に限定されず、多様な形態に応用されて変形することもできる。寧ろ、下記の実施形態は本発明によって開示された技術思想をより明確にし、さらに本発明が属する分野において平均的な知識を有する当業者に本発明の技術思想が十分に伝わるように提供されるものである。従って、本発明の範囲が下記で詳述する実施形態によって限定されるものと解釈されてはならない。一方、下記の実施形態と共に提示された図面は明確な説明のために多少簡略化されたり誇張されたものであり、図面上において同一する参照番号は同一する構成要素を示す。図1は本発明の一実施形態に係るタッチ感知表示装置の断面図である。本発明の一実施形態に係るタッチ感知表示装置は、導光板100、発光素子110、受光素子120、液晶層200、薄膜トランジスター基板300、補助層130、上下部偏光板401、402、カラーフィルター層301、遮光部材302を含む。導光板は空気より屈折率が大きい物質で形成されてもよく、多様な有機物質で形成されてもよい。例えば、PMMAPolymethylmethacrylateという物質で形成されてもよい。また、ガラスで形成されてもよい。導光板100の厚さは0.5~1mmである。前記導光板100と前記薄膜トランジスター基板300との間に液晶層200が介在している。前記薄膜トランジスター基板300には、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び維持電極、画素電極等で構成された回路基板が形成されており、外部の基板から信号を受けて画素電極に電圧を印加して映像を表示する。前記薄膜トランジスター基板300の上部にはカラーフィルター層301と遮光部材302が形成されており、前記カラーフィルター層301と遮光部材302の上部には画素電極図示せずが形成されてもよい。前記導光板の下面には補助層130が形成されており、補助層130の下部には共通電極270が形成されてもよい。前記共通電極270は前記薄膜トランジスター基板300の画素電極と共に電界を形成する。前記補助層130は低屈折率層であり、前記導光板100の屈折率より小さい屈折率を有する物質で形成される。前記補助層130は導光板物質より屈折率が低い低屈折率物質で形成され、導光板100に入射した光が全反射によって進む。図1の101は全反射によって進む光を示している。前記導光板100の一側面には発光素子110が配置されている。発光素子110は光を発散し、発光素子110から発散した光は前記導光板100を介して受光素子120でセンシングされる。前記導光板は導光板の屈折率に応じて入射した光を全反射して受光素子に伝達するが、この時、外部から指、ペン、スタイラス等の接触体600によって接触タッチがなされると、全反射が崩れて散乱するようになり、散乱光102が形成されて全反射が減少する。接触がない時の受光程度を基準として、接触体600の接触がある時の散乱によって光の減少する量をセンシングして接触地点の位置を判別してもよい。前記導光板100と薄膜トランジスター基板300との間に液晶層200が介在しているため、タッチ感知表示装置の厚さが減少して軽薄短小化が可能となる。また、液晶層を介在させるための別途の基板が必要ないため、費用が削減されて構成が簡単になる。薄膜トランジスター基板300に付着した下部偏光板402の外側にはバックライトユニット図示せずが配置されてもよい。バックライトユニットには液晶層200に光を提供する光源図示せず、光源から放出した光を液晶層200に導く導光部材図示せず、及び輝度向上フィルムを含むフィルム層図示せず等を含んでもよい。図2はタッチ感知表示装置10の斜視図である。導光板100の入射面103に沿って配置された発光素子110は、PCB上に実装された赤外線発光ダイオードLEDまたはランプであってもよい。放出された光の波長は850nm乃至980nmである。発光素子110は入射面103に接しており、発光素子110と導光板100との間に空気層が存在しないようにしてもよい。導光板100は空気より屈折率の高い物質で形成され、多様な有機物質、ガラスPMMAで形成されてもよい。導光板100の厚さは0.5乃至1mmであってもよい。受光素子120は赤外線感知光ダイオード、CCD、光トランジスター、画像カメラなどであってもよく、PCB上に実装されてもよい。受光素子120と導光板も接触していることが望ましい。コンピュータはPCBと接続しており、受光素子120が感知した光の量を受信してタッチが発生した位置を決定する。図3は図1に示したタッチ感知表示装置のうちの導光板100、発光素子110、及び受光素子120を中心に示した図面であり、上部から見た平面図を示した。導光板100の一側面には一列に配置した複数の発光素子110が備えられ、他側面には一列に配置した複数の受光素子120が配置されている。前記発光素子110と受光素子120は互いに対向する位置に配置されてもよい。発光素子から発散した光は導光板100の側面に入射して上部面及び下部面で全反射によって進み101参照、受光素子120に入射する。この時、受光素子120は入射する光の感度を測定する。発光素子110から出射した光はθ角度に拡散しながら進んでもよい。ここで、θは光軸を基準として光量が50に落ちる配向角を示す。導光板は空気より屈折率が大きい物質で形成されてもよく、多様な有機物質で形成されてもよい。例えば、PMMAPolymethylmethacrylateという物質で構成されてもよく、その屈折率は1.49であってもよい空気の屈折率は1である。発光素子110としては各種波長帯の光を発散する装置が用いられてもよく、例えば、約850nm~980nm波長帯の赤外線を発散するLED素子、ランプ等が用いられてもよい。受光素子120はCCD素子またはphoto-トランジスターThinFilmTransistor、photo-diode、imageカメラ等が用いられてもよい。図4~図8は本発明の実施形態に係るタッチ感知表示装置において、タッチによって受光素子120で感知する光の強度intensityを示した図である。これを利用すると、タッチが行われた位置のX座標及びY座標を算出できる。図4~図8の曲線は、位置を基準として一列に配置した受光素子120で感知した光の強度を示したものであり、受光素子120が導光板100の一側面に連続的に配置していると仮定して表示したグラフである。その結果、連続的な曲線で示されている。まず、図4を参照して、接触体の位置を判別する動作について説明する。本発明の一実施形態に係るタッチ感知表示装置の表面にAX1、Y1の位置に接触体によってタッチが行われると、受光素子120は図4に示したような曲線状でセンシング結果を算出する。この時、平らな部分は接触が行われなかった部分であり、発光素子からの光が全反射して受光素子に入射した領域であり、基準強度となる。基準強度より小さい部分は、接触体によって全反射が崩れて光が散乱することにより、受光素子に入射する光の強度が低下して基準強度より小さいことを示している。図4に示した曲線において、強度が最小に相当する部分が接触地点のX方向位置のX1に相当する。次に、図5を参照して、接触体の位置を判別する方法についてさらに説明する。本発明の一実施形態に係るタッチ感知表示装置の表面にBX2、Y1の位置に接触体によってタッチが行われると前記図4とY方向位置はY1で同一である、受光素子120は図5に示したような曲線状でセンシング結果を算出する。図5に示した曲線において、強度が最小に相当する部分が接触地点のX方向位置のX2に相当する。図4の曲線と比較すると、本発明の実施形態に係るタッチ感知表示装置においては、互いに異なるX方向位置に対する判別が可能であることが分かる。また、図4及び図5のグラフから分かるように、Y方向の位置が同一であるためX方向の位置だけが異なり、強度が減る曲線の大きさ及び曲率は同一であることが確認できる。以下、図6を利用してY方向の位置判断について説明する。図6を参照すると、同一X座標X3と互いに異なるY座標Y2、Y3、Y4を有するC、D、Eの位置に接触体が接触した場合に対して各々の位置を算出する過程を示している。接触地点C、D、Eに対して互いに異なる時間に接触が起こる場合、本発明の一実施形態に係るタッチ感知表示装置は、図6に示した三つのグラフを算出する。図6に示した三つの曲線において、強度が最小に相当する部分が接触地点のX方向位置のX3に相当する。各接触地点C、D、Eは順に接触位置が受光素子120に近くなる。受光素子120と最も近い部分をY座標上0と指定した時、Y2>Y3>Y4の大きさ順となる。受光素子120から近い位置においてタッチが行われた時には、遠い距離でタッチが行われた時と比べて狭い領域の受光素子120にだけ影響を及ぼす。図6の導光板100上に示された破線は、発光素子110から放出される光の経路を示したものである。当該破線を参照すると、受光素子120から近い位置でタッチがなされた時にはより狭い領域の受光素子120にだけ影響を及ぼすことを容易に確認できる。この時、タッチによって発生する散乱光102が全て同一であると仮定すると、基準強度を基準として減った領域の面積は三つのグラフで同一であってもよい。その結果、図6に示したように受光素子120と近いE地点の曲線は傾斜が急な曲線を形成し、受光素子120から遠いC地点の曲線は傾斜が緩い曲線を形成するようになる。また、C地点とE地点との間に位置するD地点の場合には、Cの曲線とEの曲線の中間に相当する傾斜を有する。このような受光素子120の特徴を利用して、Y方向位置に応じて受光素子120に入射した光の最低強度または曲線の形態によって接触地点のY座標を算出できる。図7には本発明の実施形態に係るタッチ感知表示装置に互いに異なる二つの接触体が接触マルチタッチした場合においても位置を算出できることを示している。F地点とG地点で接触体が同時に接触した場合、図7のFGの曲線のような結果を得るようになる。曲線の最低強度に相当するX座標が各F、G地点のX方向位置、つまり、X4、X5に相当する。このような曲線を各々のグラフに分離すると、F地点に相当するグラフ、G地点に相当するグラフに変換することができる。Y方向位置は図6に示して説明したように、曲線の傾き程度または最低強度によって計算できる。これにより、タッチ感知表示装置に接触した二つ地点である、F地点X4、Y5、G地点X5、Y6を算出できる。図8は図7のように互いに異なる二つの接触体が同時に接触マルチタッチされた場合に位置を算出する図面であり、図7とは異なってX方向位置が同一である場合を示している。同一X方向位置を有するH地点とI地点に接触体が接触した場合、図8のHIのグラフのような結果を得るようになる。曲線の最低強度に相当するX座標が各H、I地点のX方向位置、つまり、X6に相当する。このようなグラフを各々のグラフに分離すると、H地点に相当するグラフ、I地点に相当するグラフに変換することができる。HIグラフを関数として把握して微分値を求めてグラフの傾き緩い程度を計算でき、これによってグラフを各々HグラフとIグラフに分離できる。分離されたグラフによって各々のY方向位置、Y7、Y8を知ることができる。従って、本発明の実施形態に係るタッチ感知表示装置に接触した二つ地点である、H地点X6、Y7、I地点X6、Y8を算出できる。図9乃至図17は本発明の他の実施形態に係るタッチ感知表示装置を各々示している。図9は本発明の第2実施形態に係るタッチ感知表示装置の断面図である。図9に係るタッチ感知表示装置は、導光板100、発光素子110、受光素子120、液晶層200、薄膜トランジスター基板300、補助層130、上下部偏光板401、402、カラーフィルター層301、遮光部材302を含む。導光板100は空気より屈折率が大きい物質で形成されてもよく、多様な有機物質で形成されてもよい。前記導光板100と前記薄膜トランジスター基板300との間に液晶層200が介在している。前記薄膜トランジスター基板300にはゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、ピクセル電極、及び維持電極などで構成された回路基板が形成されており、外部の基板から信号を受けて画素電極に電圧を印加して映像を表示する。前記導光板の下面には補助層130が形成されており、前記導光板100及び補助層130の下にはカラーフィルター層301と遮光部材302が形成されている。前記カラーフィルター層301と遮光部材302の上部または下部には共通電極図示せずが形成されてもよい。前記共通電極は前記薄膜トランジスター基板300の画素電極と共に電界を形成する。前記補助層130は低屈折率層であり、前記導光板100の屈折率より小さい屈折率を有する物質で形成される。前記補助層130は導光板100周辺に導光板物質より屈折率が低い低屈折率物質で充填し、導光板100に入射した光が全反射によって進むようにする。図9の101は全反射によって進む光を示し、102はタッチによって散乱する光を示している。前記導光板の一側面には発光素子110が配置されている。発光素子110は光を発散し、発光素子110から発散した光は前記導光板100を介して受光素子120でセンシングされる。前記導光板は導光板の屈折率に応じて入射した光が全反射して受光素子に伝達されるが、この時、外部から指、ペン、スタイラス等の接触体600が接触されると、全反射が崩れて散乱して散乱光102が形成されて全反射が減少するようになる。接触がない時の受光程度を基準として、接触体600の接触がある時の散乱によって光の減少する量をセンシングし、接触地点の位置を判別することができる。前記導光板100と薄膜トランジスター基板300との間に液晶層200が介在しているため、タッチ感知表示装置の厚さが減少して軽薄短小化が可能となる。また、液晶層を介在させるための別途の基板を必要としないため、費用が減少して構成が簡単になる。図9の実施形態が図1の実施形態と異なる点は、カラーフィルター層301及び遮光部材302の位置にある。図1の実施形態においてはカラーフィルター層301と遮光部材302が薄膜トランジスター基板300の上部に位置して画素電極の下に位置してもよいが、図9の実施形態においてはカラーフィルター層301と遮光部材302が導光板100及び補助層130の下に位置して共通電極の上部に位置してもよい。図10は本発明の他の実施形態に係るタッチ感知表示装置の断面図である。本発明の他の実施形態に係るタッチ感知表示装置は、導光板100、発光素子110、受光素子120、液晶層200、薄膜トランジスター基板300、上部基板500、補助層130、上下部偏光板401、402、カラーフィルター層301、遮光部材302を含む。前記薄膜トランジスター基板300と前記上部基板500との間に液晶層200が介在している。前記薄膜トランジスター基板300は、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、ピクセル電極、及び維持電極等で構成された回路基板が形成されており、外部の基板から信号を受けて画素電極に電圧を印加して映像を表示する。前記上部基板500にはカラーフィルター層301と遮光部材302が形成されており、前記カラーフィルター層301と遮光部材302の上部または下部には共通電極図示せずが形成されてもよい。前記共通電極は前記薄膜トランジスター基板300の画素電極と共に電界を形成する。本実施形態においては薄膜トランジスター基板300が下部に形成されているが、薄膜トランジスター基板300が上部に形成されてカラーフィルター層301及び遮光部材302が下部基板上に形成されてもよい。導光板は空気より屈折率が大きい物質で形成されてもよく、多様な有機物質で形成されてもよい。前記導光板100の下面には補助層130が形成されている。前記補助層130は低屈折率層であり、前記導光板100の屈折率より小さい屈折率を有する物質で形成される。前記補助層130は導光板周辺に導光板物質より屈折率が低い低屈折率物質で充填し、導光板100に入射した光が全反射によって進むようにする。図10の101は全反射によって進む光を示し、102はタッチによって散乱する光を示している。前記導光板の一側面には発光素子110が配置されている。発光素子110は光を発散し、発光素子110から発散した光は前記導光板100を介して全反射によって進み、受光素子120でセンシングされる。前記導光板100は導光板の屈折率に応じて入射した光が全反射して受光素子に伝達されるが、この時、外部から指、ペン、スタイラス等の接触体600によって接触されると、全反射が崩れて散乱して散乱光102が形成されて全反射が減少するようになる。接触がない時の受光程度を基準として、接触体600の接触がある時の散乱によって光の減少する量をセンシングし、接触地点の位置を判別できる。図10の実施形態は図1及び図9とは異なり、追加的に基板、つまり、図10では上部基板500をさらに含むことが特徴である。また、図10の実施形態は図1、図9とは異なり、上部偏光板401が導光板100の上部でない下部、つまり、導光板100と保護層130の下部に形成されて上部基板500の上に付着している。図11は本発明の他の実施形態に係るタッチ感知表示装置の斜視図である。本実施形態は図2の実施形態と類似しているが、受光素子120がフォトリソグラフィ工程によって導光板100上に形成される点が異なる。図2の実施形態においては受光素子120がPCB上に実装されている。図12は本発明の他の実施形態に係るタッチ感知表示装置の断面図である。本発明の他の実施形態に係るタッチ感知表示装置は、導光板100、発光素子110、液晶層200、薄膜トランジスター基板300、補助層130、上下部偏光板401、402、カラーフィルター層301、遮光部材302、受光素子120を含む。導光板100は空気より屈折率が大きい物質で形成されてもよく、多様な有機物質で形成されてもよい。前記導光板100と前記薄膜トランジスター基板300との間に液晶層200が介在している。前記薄膜トランジスター基板300にはゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、画素電極、及び維持電極等で構成された回路基板が形成されており、外部の基板から信号を受けて画素電極に電圧を印加して映像を表示する。前記薄膜トランジスター基板300の上部にはカラーフィルター層301と遮光部材302が形成されており、前記カラーフィルター層301と遮光部材302の上部には画素電極図示せずが形成されてもよい。前記導光板100の下面には補助層130が形成されており、補助層130の下部には共通電極図示せずが形成されてもよい。前記共通電極は前記薄膜トランジスター基板300の画素電極と共に電界を形成する。前記カラーフィルター層301と前記遮光部材302は導光板100及び補助層130の下部に形成されてもよい。前記補助層130は低屈折率層であり、前記導光板100の屈折率より小さい屈折率を有する物質で形成される。前記補助層130は導光板周辺に導光板物質より屈折率が低い低屈折率物質で充填し、導光板100に入射した光が全反射によって進むようにする。前記カラーフィルター層及び遮光部材は前記補助層上に形成されてもよい。図12の101は全反射によって進む光を示し、102はタッチによって散乱する光を示している。前記導光板100の一側面には発光素子110が配置されている。発光素子110は光を発散し、発光素子110から発散した光は前記導光板100を介して受光素子120にセンシングされる。前記導光板100は導光板100の屈折率に応じて入射した光が全反射して伝達されるが、この時、外部から指、ペン、スタイラス等の接触体600によって接触されると、全反射が崩れて散乱して散乱光102が形成される。このように散乱した散乱光102は受光素子120によって感知される。前記受光素子120は補助層130と液晶層200との間に形成されている。前記受光素子120はPhoto-diode、Phototransistor、CCD等の素子で形成されてもよい。薄膜工程を利用して形成する場合には、フォトリソグラフィフォトエッチング工程、薄膜蒸着工程等によって形成されてもよい。前記受光素子120は導光板100の下面に形成されてもよい。発光素子110から発生した光が導光板を通って全反射する時、外部の接触体600がタッチ感知表示装置、つまり、前記導光板100に接触すると全反射光101が崩れて散乱光102が形成される。前記受光素子120はこのような散乱光102をセンシングする。前記受光素子120は前記薄膜トランジスター基板300に形成されている遮光部材302と対応する位置に形成されてもよい。その結果、タッチ感知表示装置の開口率が落ちることなく遮光部材領域に受光素子120を形成できる。前記カラーフィルター層301が導光板100に形成される場合には、前記受光素子120の上部にカラーフィルター層301と遮光部材302が形成されてもよく、前記遮光部材302は前記受光素子120と対応する位置に形成されてもよいが、受光素子120に光が入射することを防ぐことのないように形成する。導光板100の下面に受光素子120を配置する場合には、導光板100側面等の領域に受光素子図1、図8、及び図9の120参照を配置する場合に比べて大きさを減少できるため、タッチ感知表示装置の軽量化を図ることができる。また、薄膜工程で形成できるため、費用を減らすこともできる。図12の実施形態の特徴は、図1、図9、及び図10の実施形態とは異なり、受光素子120が導光板100の側面でない下側に配置されていることである。図13は本発明の一実施形態に係るタッチ感知表示装置の平面図であり、図12の実施形態に係る受光素子120が平面的に配置される一例を示している。図13を参照すると、導光板100の下部に受光素子120が2次元アレイまたはマトリックス状で配置されている。前記受光素子120はタッチ感知表示装置のピクセルの数と同じ数で形成されてもよく、ピクセルの数より少ない数で形成されてもよい。一方、図13の実施形態においては、前記導光板100の一側面に形成される発光素子110は、光源111、導波部材112、マイクロレンズ図示せず等を含む。前記導光板100の一側面は導波部材112と当接し、導波部材112の両側面には光源111が配置されている。光源111としては各種波長帯の光を発散する装置が用いられてもよく、例えば、約850nm~980nm波長帯の赤外線を発散するLED素子、ランプ等が用いられてもよい。前記光源111から出射した光は前記導波部材112を介してZ方向に進むようになる。導光板100に入射した光は全反射によって進み、導光板100に接触体による接触がある時、全反射によって進んでいた光が散乱するようになり、このように散乱した散乱光は導光板の下部に配置された受光素子120に吸収され、その位置を判別できる。図14は本発明の他の実施形態に係るタッチ感知表示装置の断面図である。本発明の他の実施形態に係るタッチ感知表示装置は、導光板100、発光素子110、受光素子120、液晶層200、薄膜トランジスター基板300、上部基板500、上下部偏光板401、402、カラーフィルター層301、遮光部材302を含む。前記薄膜トランジスター基板300と上部基板500との間に液晶層200が介在している。前記薄膜トランジスター基板300にはゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、画素電極、及び維持電極等で構成された回路基板が形成されており、外部の基板から信号を受けて画素電極に電圧を印加して映像を表示する。前記上部基板500にはカラーフィルター層301と遮光部材302が形成されており、前記カラーフィルター層301と遮光部材302の上部または下部には共通電極図示せずが形成されてもよい。前記共通電極は前記薄膜トランジスター基板300の画素電極と共に電界を形成する。前記カラーフィルター層301及び前記遮光部材302は前記薄膜トランジスター基板300上に形成されてもよい。また、本実施形態においては、薄膜トランジスター基板300が下部に形成されているが、薄膜トランジスター基板300が上部に形成され、カラーフィルター層301及び遮光部材302が下部基板上に形成されてもよい。前記導光板100の一側面には発光素子110が配置されている。発光素子110は光を発散し、発光素子110から発散した光は前記導光板100を介して受光素子120でセンシングされる。前記導光板100は導光板100の屈折率に応じて入射した光が全反射して伝達されるが、この時、外部から指、ペン、スタイラス等の接触体600によって接触されると、全反射が崩れて散乱して散乱光102が形成される。前記上部基板500と液晶層200との間には受光素子120が形成されている。受光素子はPhoto-diode、Phototransistor、CCD等の素子で形成されてもよい。薄膜工程を利用して形成する場合には、フォトリソグラフィフォトエッチング工程、薄膜蒸着工程等によって形成されてもよい。前記受光素子120は導光板100の下面に形成されてもよい。発光素子110から発生した光が導光板100を通って全反射する時、外部の接触体600がタッチ感知表示装置、つまり、前記導光板100に接触すると全反射光101が崩れて散乱光102が形成される。前記受光素子120はこのような散乱光102をセンシングする。前記受光素子120は前記上部基板500に形成されている遮光部材302と対応する位置に形成されてもよい。その結果、タッチ感知表示装置の開口率が落ちることなく遮光部材領域に受光素子120を形成できる。導光板100の下部に受光素子120を配置する場合には、導光板の側面等の領域に受光素子を配置することに比べて大きさを減少することができるため、タッチ感知表示装置の軽量化を図ることができる。また、薄膜工程で形成できるため、費用を減らすこともできる。図14の実施形態は図12の実施形態とは異なり、追加的に基板図14の上部基板500をさらに含むことが特徴であり、さらに、上部偏光板401が導光板100の上部でない下部、つまり、導光板100と補助層130の下部に形成されて上部基板500の上に付着する点が相違点である。図15は本発明の他の実施形態に係るタッチ感知表示装置の断面図であり、図13に対応する実施形態の断面図のうちの一つである。本発明の他の実施形態に係るタッチ感知表示装置は、導光板100、光源111、導波部材112、マイクロレンズ113、受光素子120、液晶層200、薄膜トランジスター基板300、補助層130、上下部偏光板401、402、カラーフィルター層301、遮光部材302等を含む。前記導光板100と前記薄膜トランジスター基板300との間に液晶層200が介在している。前記薄膜トランジスター基板300にはゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、画素電極、及び維持電極等で構成された回路基板が形成されており、外部の基板から信号を受けて画素電極に電圧を印加して映像を表示する。前記薄膜トランジスター基板300の上部にはカラーフィルター層301と遮光部材302が形成されており、前記カラーフィルター層301と遮光部材302の上部には画素電極図示せずが形成されてもよい。前記導光板100には補助層130が形成されており、補助層130の下部には受光素子120と共通電極図示せずが形成されてもよい。前記共通電極は前記薄膜トランジスター基板300の画素電極と共に電界を形成する。前記導光板100の一側面には光源111、導波部材112、マイクロレンズ113等が配置されている。光源111は光を発散し、光源111から発散した光は前記導波部材112を介して導光板100側に進み、前記導光板100を通して全反射によって進む。マイクロレンズ113は導波部材112から導光板100側に進む光を均一に集めて導光板100に伝達する役割を果たす。前記導光板100は導光板100の屈折率に応じて入射した光が全反射して伝達されるが、この時、外部から指、ペン、スタイラス等の接触体600によって接触がなさると、全反射が崩れて散乱して散乱光102が形成される。前記導光板100と液晶層200との間には受光素子120が形成されている。受光素子120はPhoto-diode、Phototransistor、CCD等の素子で形成されてもよい。薄膜工程を利用して形成する場合には、フォトリソグラフィフォトエッチング工程、薄膜蒸着工程などによって形成されてもよい。前記受光素子120は導光板100の下面に形成されてもよい。光源111から発生した光が導光板100を通って全反射する時、外部の接触体600がタッチ感知表示装置、つまり、前記導光板100に接触すると全反射光101が崩れて散乱光102が形成される。前記受光素子120はこのような散乱光102をセンシングする。前記受光素子120は前記薄膜トランジスター基板300に形成されている遮光部材302と対応する位置に形成される。つまり、タッチ感知表示装置の開口率が落ちることなく遮光部材領域に受光素子120を形成できる。導光板100の下面に受光素子120を配置する場合には、導光板の側面等の領域に受光素子を配置することに比べて大きさを減少できるため、タッチ感知表示装置の軽量化を図ることができる。また、薄膜工程で形成できるため、費用を減らすこともできる。前記導光板100の上下部には補助層130が形成されてもよい。前記補助層は低屈折率層であり、前記導光板100の屈折率より小さい屈折率を有する物質で形成される。前記補助層130は導光板周辺に導光板物質より屈折率が低い低屈折率物質で充填し、導光板100に入射した光が全反射によって進むようにする。図16は本発明の一実施形態に係るタッチ感知表示装置の受光素子を拡大した断面図であり、図12乃至図15及び図17の実施形態において使用可能な受光素子120である。導光板100の下面には薄膜トランジスター形成工程によって受光素子120が形成されてもよい。まず、受光素子120を形成しようとする基板例えば、導光板100の一面や、薄膜トランジスター基板300、上部基板500等にSiやGeまたはSi-Ge等の物質でアクティブ層受光層120-aを形成する。前記アクティブ層を形成する前に所定波長の領域を除去するためにバンドパスフィルター図示せずを形成してもよい。前記アクティブ層120-aの上部に抵抗性接触層図示せずを形成してもよい。前記アクティブ層120-aの上部に受光ソース電極120-sと受光ドレイン電極120-dを形成する。前記受光ソース電極120-sと受光ドレイン電極120-dの上部に絶縁膜120-iを形成した後に受光ゲート電極120-gを形成する。このような受光素子120は、接触体手、ペン、スタイラス等によって散乱光102が入射すると、信号を伝達してタッチ感知表示装置に接触体の位置を判別できるようにする。前記導光板100の下部面に形成する場合には、導光板100と受光素子120との間には低屈折率層で形成された補助層が配置されてもよい。図17は本発明の他の実施形態に係るタッチ感知表示装置の断面図であり、図13に対応する実施形態の断面図のうちの一つである。本発明の他の実施形態に係るタッチ感知表示装置は、導光板100、光源111、導波部材112、マイクロレンズ113、受光素子120、液晶層200、薄膜トランジスター基板300、補助層130、吸収型偏光板140、下部偏光板402、カラーフィルター層301、遮光部材302等を含む。前記導光板100と前記薄膜トランジスター基板300との間に液晶層200が介在している。前記薄膜トランジスター基板300にはゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、画素電極、及び維持電極等で構成された回路基板が形成されており、外部の基板から信号を受けて画素電極に電圧を印加して映像を表示する。前記薄膜トランジスター基板300の上部にはカラーフィルター層301と遮光部材302が形成されており、前記カラーフィルター層301と遮光部材302の上部には画素電極図示せずが形成されてもよい。前記導光板100には補助層130が形成されており、補助層130の下部には受光素子120と共通電極図示せずが形成されてもよい。前記共通電極は前記薄膜トランジスター基板300の画素電極と共に電界を形成する。ここで、吸収型偏光板140はタッチ感知表示装置の内部に形成される層であり、外側面に付着する偏光板とは異なり、コーティング工程等で内側に形成される偏光板であってもよい。前記導光板100の一側面には光源111、導波部材112、マイクロレンズ113等が配置されている。光源111は光を発散し、光源111から発散した光は前記導波部材112を通して導光板100側に進み、前記導光板100を介して全反射によって進む。マイクロレンズ113は導波部材112から導光板100側に進む光を均一に集めて導光板100に伝達する役割を果たす。前記導光板100は導光板100の屈折率に応じて入射した光が全反射して伝達されるが、この時、外部から指、ペン、スタイラス等の接触体600によって接触がなされると、全反射が崩れて散乱して散乱光102が形成される。前記導光板100と液晶層200との間には受光素子120が形成されている。受光素子120はPhoto-diode、Phototransistor、CCD等の素子で形成されてもよい。薄膜工程を利用して形成する場合には、フォトリソグラフィ、薄膜蒸着工程などによって形成されてもよい。前記受光素子120は導光板100の下面に形成されてもよい。発光素子110から発生した光が導光板100を通って全反射する時、外部の接触体がタッチ感知表示装置、つまり、前記導光板100に接触すると全反射光101が崩れて散乱光102が形成される。前記受光素子120はこのような散乱光102をセンシングする。前記受光素子120は前記薄膜トランジスター基板300に形成されている遮光部材302と対応する位置に形成される。つまり、タッチ感知表示装置の開口率を落とすことなく遮光部材領域に受光素子120を形成できる。導光板の下面に受光素子を配置する場合には、導光板の側面等の領域に受光素子を配置することに比べて大きさを減少できるため、タッチ感知表示装置の軽量化を図ることができる。また、薄膜工程で形成できるため、費用を減らすこともできる。前記導光板100の上下部には補助層130が形成されてもよい。前記補助層は低屈折率層であり、前記導光板100の屈折率より小さい屈折率を有する物質で形成される。前記補助層130は導光板周辺に導光板物質より屈折率が低い低屈折率物質で充填し、導光板100に入射した光が全反射によって進むようにする。また、前記低屈折率層の下部には吸収型偏光板140が形成されてもよい。前記吸収型偏光板140はコーティング等の工程で形成され、タッチ感知表示装置の厚さを減少できる。図17の実施形態は図15の実施形態とは異なり、上側偏光板が導光板100の下に配置されている。図18は本発明のさらに他の実施形態に係るタッチ感知表示装置の断面図である。図18の実施形態も図12乃至図17のように、導光板100の下部に受光素子120が形成される。しかし、図18の実施形態は、図12乃至図17の実施形態は図13で示したように2次元配列つまり、x軸及びy軸方向に配列しない。図18の実施形態は発光素子110が配置された面の反対側面以下、反対面とするに近接した下部面に反対面に沿って一列に配列された受光素子120を有することを特徴とする。受光素子120が形成される導光板100の下部面には補助層130が取り除かれ、下部面で全反射せずに受光素子120に光が入射するようにする。図18において受光素子120は、図16で示している受光素子120を用いてもよく、その他にも光ダイオード、光トランジスター、CCD、及びカメラ等が用いられてもよい。図18では補助層130と受光素子120が一定間隔をおいて配置されていることを示しているが、実施形態によっては互いに接していてもよい。また、図18では反対面を通して光が放出され、一部だけが受光素子120に入射するため、図18で使用される受光素子120は感度が図12乃至図17の実施形態において使用される受光素子120より良いことが望ましい。以上、実施形態を参照して説明したが、当該技術分野の当業者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることが可能である。