"1分子当たりに2個もしくは3個もしくは4個のβ-ヒドロキシアルキルアミド基を有する、式I[式中、R1、R2は、互いに独立して、同一もしくは異なる、1~24個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基もしくはアルケニル基から選択される基であり、その際、前記基は、ヘテロ原子及び/又は官能基を有してもよく、かつR1は、水素であってもよく、かつR2は、であってもよく、かつAは、であり、R3は、互いに独立して、同一もしくは異なる、水素、1~24個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基もしくはアルケニル基から選択される基であり、その際、前記基は、ヘテロ原子及び/又は官能基を有してもよく、かつ2もしくはそれより多くの置換基R3は、互いに結合して環を形成してよい]で示される、β-ヒドロキシアルキルアミドであって、150°C未満では固体形で存在するβ-ヒドロキシアルキルアミド。炭化水素骨格中に少なくとも2から10個までの炭素原子を有するアルキル基を有するβ-ヒドロキシアルキルアミンが出発化合物として使用され、その際、前記アルキル基は、直鎖状、分枝鎖状、又は環式であってもよく、かつ前記アルキル基は、ヘテロ原子、好ましくは、酸素、窒素で置換されていてよく、これらのアルキル基は、また官能基、好ましくはカルボニル基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ウレタン基を含んでいてよく、かつ付加的なアルキル基を窒素上に有していてよいことを特徴とする、請求項1に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。N-アルキル-1,2-アルカノールアミン及び/又はN,N-ビス-2-ヒドロキシアルキルアミンと、シクロヘキサンジカルボン酸のエステルから得られることを特徴とする、請求項1又は2に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。式II及び/又はIII:[式中、R1は、水素、メチル、エチル、プロピルであり、R2は、メチルである][式中、R1は、同時にもしくは互いに独立して、水素、メチル、エチル、プロピルである]のβ-ヒドロキシアルキルアミンが、出発化合物として使用されることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。以下の化合物:ジエタノールアミンDEA、ジイソプロパノールアミンDIPA、ジ-s-ブタノールアミン、N-メチルエタノールアミン、N-メチル-イソプロパノールアミンが、β-ヒドロキシアルキルアミドの製造のための出発物質として使用されることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。β-ヒドロキシアルキルアミドの製造のための置換基Aのための出発化合物として、1,2-置換された、1,3-置換された、及び1,4-置換されたシクロヘキサンジカルボン酸誘導体、特にシクロヘキサンジカルボン酸ジアルキルエステルが使用されることを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。β-ヒドロキシアルキルアミドの製造のために、式IV[式中、R4は、同時に又は互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチルである]の化合物が使用されることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。1,4-置換されたシクロヘキサンジカルボン酸エステル、好ましくはジメチル-1,4-シクロヘキシルジカルボキシレートが、出発化合物として使用されることを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。β-ヒドロキシアルキルアミドが、以下の式:[式中、R2は、メチル又はであり、その際、R1Aは、水素であり、かつR1Bは、メチル、エチル、プロピルであるか、又はR1Aは、メチル、エチル、プロピルであり、かつR1Bは、水素であり、かつAは、式の1,4-二置換されたシクロヘキサン環であり、その際、Aのトランス含量は、70モル以上である]を有し、かつ該β-ヒドロキシアルキルアミドは、150°C未満で固体形で存在することを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。70モル以上の、好ましくは80モルを上回る、特に好ましくは85モルを上回る、シクロヘキシル環上のカルボキシル基の位置に対するトランス含量を有する、ジアルキル-1,4-シクロヘキシルジカルボキシレートからの、好ましくはジメチル-1,4-シクロヘキシルジカルボキシレートからの、請求項1から9までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。ジメチル-1,4-シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンとからの、1分子当たりに4つのβ-ヒドロキシアルキルアミド基を有する、式XIIで示される、70モル以上の、好ましくは80モルを上回る、特に好ましくは85モルを上回るシクロヘキシル環でのトランス含量を有する、請求項1から10までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。150°C未満で、好ましくは170°C未満で、特に好ましくは180°C未満で、固体形で存在することを特徴とする、請求項1から11までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。1分子当たり少なくとも2個もしくは3個もしくは4個のβ-ヒドロキシアルキルアミド基を有する、式I:[式中、R1、R2は、互いに独立して、同一もしくは異なる、水素、1~24個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基もしくはアルケニル基から選択される基であり、その際、前記基は、ヘテロ原子及び/又は官能基を有してもよく、かつR1は、水素であってもよく、かつR2は、であってもよく、かつAは、式の1,4-二置換されたシクロヘキサン環であり、その際、Aのトランス含量は、70モル以上である]で示され、かつ150°C未満で固体形で存在するβ-ヒドロキシアルキルアミドを、押出機、流動管、強力ニーダー、強力ミキサー又は静的ミキサーにおいて、溶剤を用いずに連続的に製造する方法。70モル以上の、好ましくは80モルを上回る、特に好ましくは85モルを上回るシクロヘキシル環でのトランス含量を有する、ジアルキル-1,4-シクロヘキシルジカルボキシレートからの、特にジメチル-1,4-シクロヘキシルジカルボキシレートからの、150°C未満で固体形で存在する、請求項13に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミドの溶剤を用いない連続的な製造方法。使用されるジアルキル-1,4-シクロヘキシルジカルボキシレートが、任意のトランス含量を有することを特徴とする、請求項13又は14に記載の方法。熱供給により50°Cを上回る温度で強力に混和し、かつ短時間で反応させ、引き続き冷却を通じて最終生成物を単離することによる、請求項13から15までのいずれか1項に記載の方法。使用物質の滞留時間が、3秒~15分であることを特徴とする、請求項13から16までのいずれか1項に記載の方法。反応を、一軸スクリュー押出機、二軸スクリュー押出機もしくは多軸スクリュー押出機、リング押出機又は遊星ロール型押出機において、好ましくは二軸スクリュー押出機において行うことを特徴とする、請求項13から17までのいずれか1項に記載の方法。押出機、強力ニーダー、強力ミキサー又は静的ミキサー中の温度が、50~325°Cであることを特徴とする、請求項13から18までのいずれか1項に記載の方法。ジメチル-1,4-シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンとからの、1分子当たり4つのβ-ヒドロキシアルキルアミド基を有する、式XIIで示される、70モル以上の、好ましくは80モルを上回る、特に好ましくは85モルを上回るシクロヘキシル環でのトランス含量を有するβ-ヒドロキシアルキルアミドの製造のための、請求項13から19までのいずれか1項に記載の方法。1分子当たりに2個もしくは3個もしくは4個のβ-ヒドロキシアルキルアミド基を有する、式I[式中、R1、R2は、互いに独立して、同一もしくは異なる、1~24個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基もしくはアルケニル基から選択される基であり、その際、前記基は、ヘテロ原子及び/又は官能基を有してもよく、かつR1は、水素であってもよく、かつR2は、であってもよく、かつAは、であり、R3は、互いに独立して、同一もしくは異なる、水素、1~24個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基もしくはアルケニル基から選択される基であり、その際、前記基は、ヘテロ原子及び/又は官能基を有してもよく、かつ2もしくはそれより多くの置換基R3は、互いに結合して環を形成してよい]で示され、150°C未満では固体形で存在するβ-ヒドロキシアルキルアミドを、艶消し表面を有するコーティングを製造するために用いる使用。1分子当たりに2個もしくは3個もしくは4個のβ-ヒドロキシアルキルアミド基を有する、式I[式中、R1、R2は、互いに独立して、同一もしくは異なる、1~24個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基もしくはアルケニル基から選択される基であり、その際、前記基は、ヘテロ原子及び/又は官能基を有してもよく、かつR1は、水素であってもよく、かつR2は、であってもよく、かつAは、であり、R3は、互いに独立して、同一もしくは異なる、水素、1~24個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基もしくはアルケニル基から選択される基であり、その際、前記基は、ヘテロ原子及び/又は官能基を有してもよく、かつ2もしくはそれより多くの置換基R3は、互いに結合して環を形成してよい]で示され、150°C未満では固体形で存在するβ-ヒドロキシアルキルアミドを、カルボキシル基を有するポリマーのための、好ましくはカルボキシル基を有するポリエステルのための架橋剤として用いる、請求項1から13までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミドの使用。粉末塗料における、好ましくはカルボキシル基を有するポリエステル粉末塗料における、請求項22に記載の使用。60°の入射角でDIN67530/ISO2813に従って反射率計値として測定された50単位未満の光沢を有する艶消しコーティングの製造のための粉末塗料における、請求項1から13までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミドの使用。式XIIAによるN,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドであって、以下のパラメータ:1.N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、70モル以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ2.DSC分析示差走査熱量測定による2つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク1は、140~170°Cの範囲にあり、155~165°Cの極大値を有し、ピーク2は、170~210°Cの範囲にあり、175~207°Cの極大値を有し、かつ3.吸熱ピーク1と吸熱ピーク2とのエンタルピーの比率は、1:1~1:5であり、かつ4.CuKα線1.541Åを用いて測定されたX線回折計での粉末状試料のXRPDスペクトルは、以下のピーク:を有するβ-ヒドロキシアルキルアミド。N,N,N′,N′-テトラキス2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの存在する全ての異性体の全体量に対して、92モル以上の、好ましくは94モルを上回る、特に好ましくは96モルを上回る、殊に好ましくは98モルを上回る、シクロヘキシル環でのトランス含量を有する、請求項25に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。式XIIAのβ-ヒドロキシアルキルアミドが、175°C未満で、好ましくは180°C未満で、特に好ましくは185°C未満で固体形で存在することを特徴とする、請求項25又は26に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。N,N,N′,N′-テトラキス2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドのその製造後の最終生成物中の全ての異性体の濃度が、75質量、好ましくは80質量、特に好ましくは85質量であることを特徴とする、請求項25から27までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。吸熱ピーク1約160°C対吸熱ピーク2約190°Cのエンタルピーの比率が、1:1~1:3である、請求項25から28までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。式XIIAで示され、以下のパラメータ:1.N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、70モル以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ2.DSC分析示差走査熱量測定による2つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク1は、140~170°Cの範囲にあり、155~165°Cの極大値を有し、ピーク2は、170~210°Cの範囲にあり、175~207°Cの極大値を有し、かつ3.吸熱ピーク1と吸熱ピーク2とのエンタルピーの比率は、1:1~1:5であり、かつ4.CuKα線1.541Åを用いて測定されたX線回折計での粉末状試料のXRPDスペクトルは、以下のピーク:を有し、かつ5.単結晶のX線構造解析によれば、以下のパラメータ:を有する、請求項25から29までのいずれか1項に記載のβ-ヒドロキシアルキルアミド。式XIIAで示され、ジメチル-1,4-シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンからの、1分子当たりに4つのβ-ヒドロキシアルキルアミド基を有し、以下のパラメータ:1.N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、70モル以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ2.DSC分析示差走査熱量測定による2つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク1は、140~170°Cの範囲にあり、155~165°Cの極大値を有し、ピーク2は、170~210°Cの範囲にあり、175~207°Cの極大値を有し、かつ3.吸熱ピーク1と吸熱ピーク2とのエンタルピーの比率は、1:1~1:5であり、かつ4.CuKα線1.541Åを用いて測定されたX線回折計での粉末状試料のXRPDスペクトルは、以下のピーク:を有するN,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドを、溶剤中で断続的に製造する方法。20~120°Cの温度で、好ましくは60~90°Cの温度で、特に好ましくは70~85°Cの温度での、請求項31に記載の断続的な製造方法。添加される溶剤の量が、使用される全ての出発物質の全量に対して、10質量を上回る、好ましくは15質量を上回る、請求項31又は32に記載の断続的な製造方法。式XIIAで示され、ジメチル-1,4-シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンからの、1分子当たりに4つのβ-ヒドロキシアルキルアミド基を有し、以下のパラメータ:1.N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、70モル以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ2.DSC分析示差走査熱量測定による2つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク1は、140~170°Cの範囲にあり、155~165°Cの極大値を有し、ピーク2は、170~210°Cの範囲にあり、175~207°Cの極大値を有し、かつ3.吸熱ピーク1と吸熱ピーク2とのエンタルピーの比率は、1:1~1:5であり、かつ4.CuKα線1.541Åを用いて測定されたX線回折計での粉末状試料のXRPDスペクトルは、以下のピーク:を有するN,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドを、閉じた装置中で圧力下に60~140°Cの温度で溶剤を添加せずに断続的に製造する方法。式XIIAで示され、ジメチル-1,4-シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンからの、1分子当たりに4つのβ-ヒドロキシアルキルアミド基を有し、以下のパラメータ:1.N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、70モル以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ2.DSC分析示差走査熱量測定による2つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク1は、140~170°Cの範囲にあり、155~165°Cの極大値を有し、ピーク2は、170~210°Cの範囲にあり、175~207°Cの極大値を有し、かつ3.吸熱ピーク1と吸熱ピーク2とのエンタルピーの比率は、1:1~1:5であり、かつ4.CuKα線1.541Åを用いて測定されたX線回折計での粉末状試料のXRPDスペクトルは、以下のピーク:を有するN,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドを、20~140°Cの、好ましくは60~90°Cの、特に好ましくは70~85°Cの温度で溶剤を添加せずに断続的に製造し、こうして得られた生成物を再結晶化させる、前記N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの製造方法。式XIIAで示され、ジメチル-1,4-シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンからの、1分子当たりに4つのβ-ヒドロキシアルキルアミド基を有し、以下のパラメータ:1.N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、70モル以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ2.DSC分析示差走査熱量測定による2つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク1は、140~170°Cの範囲にあり、155~165°Cの極大値を有し、ピーク2は、170~210°Cの範囲にあり、175~207°Cの極大値を有し、かつ3.吸熱ピーク1と吸熱ピーク2とのエンタルピーの比率は、1:1~1:5であり、かつ4.CuKα線1.541Åを用いて測定されたX線回折計での粉末状試料のXRPDスペクトルは、以下のピーク:を有するN,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドを、押出機、強力ニーダー、強力ミキサー又は静的ミキサー中で溶剤を用いずに連続的に製造し、こうして得られた生成物を、a再結晶化させるか、又はb50~100°Cの温度で熱処理し、その際、その時間は、6時間を上回る、請求項13から20までのいずれか1項に記載の前記N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの製造方法。式XIIAで示され、以下のパラメータ:1.N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、70モル以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ2.DSC分析示差走査熱量測定による2つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク1は、140~170°Cの範囲にあり、155~165°Cの極大値を有し、ピーク2は、170~210°Cの範囲にあり、175~207°Cの極大値を有し、かつ3.吸熱ピーク1と吸熱ピーク2とのエンタルピーの比率は、1:1~1:5であり、かつ4.CuKα線1.541Åを用いて測定されたX線回折計での粉末状試料のXRPDスペクトルは、以下のピーク:を有し、5.単結晶のX線構造解析によれば、以下のパラメータ:を有するN,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドを製造するための、請求項31から36までのいずれか1項に記載の前記N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの製造方法。式XIIAで示され、以下のパラメータ:1.N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、70モル以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ2.DSC分析示差走査熱量測定による2つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク1は、140~170°Cの範囲にあり、155~165°Cの極大値を有し、ピーク2は、170~210°Cの範囲にあり、175~207°Cの極大値を有し、かつ3.吸熱ピーク1と吸熱ピーク2とのエンタルピーの比率は、1:1~1:5であり、かつ4.CuKα線1.541Åを用いて測定されたX線回折計での粉末状試料のXRPDスペクトルは、以下のピーク:を有するN,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドを、艶消し表面を有するコーティングの製造のための用いる、請求項25から37までのいずれか1項に記載の前記N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの使用。式XIIAで示され、以下のパラメータ:1.N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、70モル以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ2.DSC分析示差走査熱量測定による2つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク1は、140~170°Cの範囲にあり、155~165°Cの極大値を有し、ピーク2は、170~210°Cの範囲にあり、175~207°Cの極大値を有し、かつ3.吸熱ピーク1と吸熱ピーク2とのエンタルピーの比率は、1:1~1:5であり、かつ4.CuKα線1.541Åを用いて測定されたX線回折計での粉末状試料のXRPDスペクトルは、以下のピーク:を有し、かつ5.単結晶のX線構造解析によれば、以下のパラメータ:を有するN,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドを使用する、請求項38に記載の前記N,N,N′,N′-テトラキス-2-ヒドロキシエチルシクロヘキシル-1,4-ジアミドの使用。粉末塗料における、好ましくはカルボキシル基を有するポリエステル粉末塗料における、請求項38又は39に記載の使用。60°の入射角でDIN67530/ISO2813に従って反射率計値として測定された50単位未満の光沢を有する艶消し表面を有するコーティングの製造のための、請求項38から40までのいずれか1項に記載の使用。"