"弁金属の陽極酸化物よりもヤング率が小さい絶縁材料からなる絶縁材料層によって上面及び下面が覆われ、前記上面及び下面を貫く多数の貫通孔が設けられた板状の基材と、前記多数の貫通孔に充填され、電子部品と直接又は間接に導電接続される内部電極と、を備える応力緩衝層であって、前記内部電極の両端が、前記電子部品と接続される前の時点で、前記基材の上面及び下面と実質的に面一に形成されている応力緩衝層。前記板状の基材が、前記絶縁材料層の間に、弁金属の陽極酸化物よりなる酸化物層を備える請求項1記載の応力緩衝層。前記絶縁材料が、樹脂である請求項1又は2に記載の応力緩衝層。前記板状の基材の上面又は下面の少なくとも一方に設けられ、前記多数の内部電極のうちの少なくとも一つと導電接続される外部導体層をさらに備える請求項1又は2に記載の応力緩衝層。弁金属の陽極酸化により得られ、その上面と下面とが多数の貫通孔により貫かれた酸化物基材を準備する工程と、前記多数の貫通孔に内部電極を充填する工程と、前記酸化物基材の上面と下面の少なくとも一部を除去する工程と、少なくとも前記酸化物基材が除去された部分に、前記酸化物基材よりもヤング率の小さな絶縁材料からなる絶縁材料層を、前記内部電極の端部を覆うように設ける工程と、前記絶縁材料層の一部を除去し、前記内部電極の両端を露出させる工程と、を備える応力緩衝層の作製方法。前記絶縁材料層表面に、前記内部電極の端部と導電接続されるように外部導体層を設ける工程をさらに含む請求項5に記載の応力緩衝層の作製方法。弁金属の陽極酸化により得られ、その上面と下面とが多数の貫通孔により貫かれた酸化物基材を準備する工程と、前記多数の貫通孔に内部電極を充填する工程と、前記酸化物基材の上面及び下面に、前記内部電極の両端と導電接続されるように外部導体層を設ける工程と、前記酸化物基材の少なくとも一部を除去する工程と、少なくとも前記酸化物基材が除去された部分に、前記酸化物基材よりもヤング率の小さな絶縁材料からなる絶縁材料層を設ける工程と、を備える応力緩衝層の作製方法。しかしながら、以上のような背景技術には、次のような不都合がある。まず、前記特許文献1あるいは特許文献2に記載の技術においては、応力緩和の効果が接合部に対して間接的であり、接合部応力を直接的に緩和することができず、高い効果が得られないという課題があった。また、前記特許文献3の技術においては、応力を緩和する部位のサイズが、電極サイズと同等程度に大きいため、応力の緩和に十分な変位量を発生することができず、接合部の応力を完全には吸収しきれないという課題があった。本発明の一実施態様によって、接合部における応力を十分に緩和し、実装信頼性を高めることができる応力緩衝層が提供される。本発明の一実施形態に係る応力緩衝層は、電子部品の実装が可能であって、厚み方向に貫通する多数の孔が設けられた板状の基材の孔に、導電体が充填された多数の内部電極を有する貫通電極層を備えるとともに、前記板状の基材は、弁金属の陽極酸化により得られた多孔質の酸化物基材の少なくとも一部を、該酸化物基材よりもヤング率が低い絶縁材料で置き換えてなることを特徴とする。本発明の一実施形態に係る応力緩衝層は、前記板状の基材の両主面の近傍に、前記酸化物基材よりもヤング率が小さい絶縁材料を設けたことを特徴とする。他の形態は、前記ヤング率の低い絶縁材料が、樹脂であることを特徴とする。更に他の形態は、前記貫通電極層の両主面のそれぞれに設けられており、前記多数の内部電極のうちの少なくとも一部の内部電極を介して互いに導電接続される外部導体層,を備えたことを特徴とする。更に他の形態は、前記貫通電極層の両主面に、前記外部導体層と接続しない内部電極の端部を被覆する可撓性樹脂の層を設けたことを特徴とする。本発明の前記及び他の目的,特徴,利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。本発明の一実施態様によれば、接合部における応力を十分に緩和し、実装信頼性を高めることができる応力緩衝層が提供される。以下、本発明を実施するための形態を、実施例に基づいて詳細に説明する。最初に、図1~図3を参照しながら本発明の実施例1を説明する。本実施例は、配線基板と電子部品の接合部材として利用される応力緩衝シートに、本発明を適用したものである。図1は、本実施例を部品実装に適用した状態を示す図,図1は本実施例の応力緩衝シートの主要断面図,図1は前記応力緩衝シートの作用を示す断面図である。図2は、本実施例の応力緩衝シートの製造工程の一例を示す断面図,図3は、図2の工程で形成された金属ナノピラーアレイを示すSEM画像である。本実施例の応力緩衝シート10は、例えば、図1に示すように、配線基板20の端子部22A,22Bと、電子部品24の端子部24A,24B間の接合部材として用いられ、前記配線基板20に電子部品24を実装するプロセスや使用環境条件における熱により、部材間の熱膨張係数の相違により生じる応力を吸収ないし緩和することにより、実装信頼性の向上を図るものである。図1に示すように、本実施例の応力緩衝シート10は、多数の柱状の内部電極金属ピラー14の間に樹脂12が充填された貫通電極層13と、貫通電極層13の表裏の主面つまり、上面及び下面に設けられた外部導体層16A,16Bとを備える。前記多数の内部電極14は、後述するように弁金属の陽極酸化により得られる多孔質の酸化物基材30図2参照を利用して形成されたもので、該内部電極14の形成後に酸化物基材30が除去され、その代わりに前記酸化物基材30よりもヤング率が低い樹脂12が充填されている。前記内部電極14は、高アスペクト比であって、顕著な可撓性を有する。本明細書における内部電極14のアスペクト比とは、内部電極14の径と長さ厚みの比率である。また、前記樹脂12も、ヤング率が低いため、前記内部電極14とともに変形が可能である。このため、前記配線基板20と電子部品24間を、前記応力緩衝シート10で接続することにより、応力が接合部にかかった際には、図1に示すように、内部電極14及び樹脂12,すなわち、貫通電極層13全体が、同図に矢印で示すように変形して応力を吸収する。次に、図2も参照しながら、本実施例の製造方法の一例を説明する。まず、図2に示すように、弁金属の陽極酸化により高アスペクト比の多数の孔32が形成された酸化物基材30を用意する。本実施例では、弁金属としてAlアルミニウムを利用し、酸化物基材30ポーラスAl2O3を得た。なお、陽極酸化による孔32の形成手法は公知である。次に、前記酸化物基材30の主面30Bに、図2に示すようにシード層34を形成する。そして、前記シード層34をシードとして、図2に示すように、前記孔32の内側に電極材料であるメッキ導体を埋め込み、多数の内部電極14を形成する。内部電極14は、酸化物基材30の多数の孔32の全てに形成される必要はなく、成型後の応力緩衝シート10の上面と下面との間で用途に応じて十分に低い電気抵抗が得られるように充填されればよい。内部電極14の両端は、図2から明らかなように、酸化物基材30の上面及び下面と実質的に面一に形成される。次に、前記図2に点線で示す位置で前記シード層34を除去し、図2に示すように、酸化物基材30の両主面30A,30Bに、外部導体層16A,16Bを設ける。外部導体層16A,16Bは、酸化物基材30の両主面30A,30Bの少なくとも一方に、内部電極14と電気的に接続するように設けられる。内部電極14は、酸化物基材30の両主面30A,30Bと実質的に面一に構成されているので、外部導体層16A,16Bを酸化物基材30の両主面30A,30Bに載置することにより、内部電極14との電気的接続が確保される。そして、図2に示すように前記酸化物基材30を選択的に除去すると、径が数10~数100nm,長さ厚みが数100nm~数10μmの内部電極14からなる金属ナノピラーアレイが形成される。図2にには、酸化物基材30が全て除去された例が示されているが、酸化物基材30の一部のみを除去してもよい。図3には、前記図2の工程において、メッキ導体がNiであって、選択除去の薬液としてNaOHを利用した場合の金属ナノピラーアレイのSEM画像が示されている。最後に、前記図2に示す空隙36つまり、酸化物基材30が除去された部分に、樹脂12を含浸させると、応力緩衝シート10が得られる。前記図2に示す工程で除去される酸化物基材30は、本実施例では、アルミナであり、そのおおよそのヤング率は、400GPaである。一方、前記図2の工程で空隙36に充填される樹脂12のヤング率は、例えば、エポキシの場合で0.01~1GPa,Si樹脂の場合で1~5GPa,ポリイミドの場合で1~5GPa,BCBの場合で1~5GPa程度である。このように、樹脂12は前記酸化物基材30よりもヤング率が低いため、内部電極14の可撓性による変形を妨げることなく、内部電極14と一体となって弾性変形可能となっている。該応力緩衝シート10を、例えば、半導体チップの外部接続端子部図1の電子部品24の端子部24A,24Bなどに搭載し、ユーザに提供する。ユーザ側で前記応力緩衝シート10付きの半導体チップを、配線基板20に実装するときに、熱膨張等による基板/チップ間の変位量の差異が発生した場合にも、図1に示すように、応力緩衝シート10が変形してその差異を吸収し、良好な端子接続が確保される。なお、前記樹脂12としては、例えば、エポキシ,Si樹脂,ポリイミド,BCBベンゾシクロブテン樹脂などが利用される。また、本実施例では、実装性を向上させるため、前記外部導体層16A,16Bを半田で形成した。内部電極14を形成するメッキ導体としては、メッキが可能な延性の強い低抵抗金属であることが好ましく、Au,CuやAgなどが利用される。なお、上述したように、本実施例の応力緩衝シート10を搭載した状態でチップ電子部品を提供できると、ユーザ側での実装プロセスの変更を必要としないため、好ましい。あるいは、チップのパッド端子部上に、内部電極14を直接形成してもよい。更に、応力緩衝シート10の化学的/機械的強度を確保するため、内部電極14と外部導体層16A,16Bの間に、他の導体を挿入してもよい。以上のように配線基板20に搭載された応力緩衝シート10では、電流経路の実効的な断面積は、シート面積の例えば1/2~1/3程度になるが、金属である複数の内部電極14を利用して接合するため、十分に低い抵抗値が確保できる。応力緩衝シート10の総厚は、例えば、数100nm~数10μ程度,内部電極14のアスペクト比AR比が数10~数1000である。このように、実施例1によれば、弁金属の陽極酸化により得られた多孔質の酸化物基材30を鋳型として利用し、厚み方向に貫通する多数の内部電極14を形成した後、前記酸化物基材30を選択的に除去して金属ナノピラーアレイを形成し、前記酸化物基材30よりもヤング率が小さい樹脂12を、前記金属ナノピラーアレイの空隙36に充填し、貫通電極層13を得る。そして、前記貫通電極層13の表裏両面に設けた外部導体層16A,16Bを介して、配線基板20と電子部品24に接合することとした。このため、プロセスや使用環境条件における熱により、部材間の熱膨張係数の相違により生じる応力を、可撓性を有する内部電極14の変形を利用した応力緩衝シート10が吸収し、両者の接合信頼性を高めることができる。また、前記内部電極14をアレイ状とすることにより、接続数が増えるため、接合部の機械的強度と、十分に低い接続抵抗を確保することができる。次に、図4~図6を参照しながら本発明の実施例2を説明する。本実施例は、本発明をインターポーザに適用した例である。図4は、本実施例のインターポーザを示す図であり、は主要断面図,は応力がかかった状態を示す断面図である。図5は、本実施例のインターポーザの製造工程の一例を示す図,図6は、本実施例のインターポーザを利用した回路モジュールの一例を示す断面図である。なお、上述した実施例1と同一ないし対応する構成要素には、同一の符号を用いることとする。図4に示すように、本実施例のインターポーザ50は、多数の柱状の内部電極14が厚み方向に貫通した貫通電極層52と、該貫通電極層52の表裏の主面52A,52Bに前記多数の内部電極14の一部と導電接続するように設けられた外部導体層56,58とを備える。本実施例では、前記貫通電極層52は、弁金属を陽極酸化して得られる多孔質の酸化物基材30と、その表裏面上下面近傍に設けられた樹脂12によって形成された応力緩衝部54A,54Bを含んでいる。該応力緩衝部54A,54Bでは、前記酸化物基材30よりもヤング率が低い樹脂12が、内部電極14の可撓性を妨げることがないため、応力がかかると、図4に示すように変形し、応力を吸収ないし緩和することができる。次に、図5を参照しながら、本実施例の製造工程の一例を説明する。まず、上述した実施例1の図2~に示す工程と同様にして、図5に示すように、弁金属の陽極酸化により得られた酸化物基材30の多数の孔を利用して、厚み方向に貫通した多数の内部電極14を形成する。酸化物基材30や内部電極14の材料としては、前記実施例1と同様のものが利用される。次に、図5に示すように、前記酸化物基材30に埋め込み形成された内部電極14の端部14A,14Bが所定の長さで露出するように、前記酸化物基材30の表裏の主面30A,30Bを所定の厚さで削る。次に、図5に示すように、前記工程で露出させた部分を覆うように、樹脂12を含浸させる。そして、同図5に点線で示す位置で、樹脂12を切除し、前記内部電極14の両端部14A,14Bを露出させる図5。これにより、図5から明らかなように、内部電極14は、その端部14A,14Bが、基材の表面に設けられた樹脂12の表面と実質的に面一になるように構成される。最後に、図5に示すように、複数の内部電極14のうちの一部を貫通電極層52の表裏で電気的に接続するように、主面52A,52Bの一部に外部導体層56,58を形成し、本実施例のインターポーザ50を得る。前記樹脂12としては、前記実施例1と同様の材料が利用され、外部導体層56,58としては、例えば、Cu,Ni,半田及びこれらの積層電極が利用される。以上のようにして得られたインターポーザ50は、例えば、総厚が数10μm~数100μmであって、応力緩衝部54A,54Bの厚さが数100nm~数10μm程度である。なお、図5に示す工程では省略したが、外部導体層56,58と接続しない内部電極14を保護するために、前記外部導体層56,58を形成する前に、貫通電極層52の主面52A,52Bを、図示しない可撓性樹脂で一旦被覆し、その後、外部導体層56,58を設ける部位のみに、開口窓を設ける工程を追加してもよい。次に、図6を参照して、本実施例の応用例を説明する。図6に示す回路モジュール60は、本実施例のインターポーザ50と、その表面に実装された電子部品24,26とを備える。図示の例では、インターポーザ50には、貫通電極層52の表裏の主面52A,52Bに、外部導体層56,58と接続しない内部電極14を保護するための可撓性樹脂からなる絶縁層62が設けられている。インターポーザ50の表面側の外部導体層56は、電子部品24の端子部24A,24B及び電子部品26の端子部図示せずに、接合部25A,25B,26A,26Bを介して接続されている。前記接合部25A,25B,26A,26Bとしては、例えば、半田などが利用される。一方、前記インターポーザ50の裏面側の外部導体層58は、前記電子部品24,26と接続された内部電極14と接続する配線あるいは電極パッドとして利用される。前記外部導体層58は、実装用ランドとしての機能を有しており、例えば、図示しないマザーボードの表面のランド上に、導電性接合材を介して導電接続される。あるいは、外部導体層58は、電子部品24,26とマザーボードとの配線ピッチ変換のための再配線層として用いられる。このように、実施例2によれば、電子部品24,26と基板図示しないマザーボードなどの間を、インターポーザ50の多数の内部電極14で接続することとした。このため、上述した実施例1と同様の作用により、電子部品24,26及び基板の応力が、インターポーザ50の応力緩衝部54A,54Bによって吸収されるため、実装信頼性を高めることができる。なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることができる。例えば、以下のものも含まれる。前記実施例における形状,寸法は一例であり、必要に応じて適宜変更してよい。前記実施例で示した材料も一例であり、同様の効果を奏する範囲内で適宜変更してよい。例えば、前記実施例1では、酸化物基材30を得るための弁金属としてアルミニウムを利用したが、陽極酸化が可能な金属であれば、公知の各種の金属が適用可能である。前記実施例1では、酸化物基材30を鋳型として利用し、該酸化物基材30を全て除去し、その代わりに樹脂12を内部電極14間の空隙36に充填し、前記実施例2では、酸化物基材30の表裏面近傍のみを樹脂12で置き換えた応力緩衝部54A,54Bを設けることとしたが、酸化物基材30と樹脂12の置き換え程度は、必要に応じて適宜変更可能である。つまり、酸化物基材30の全部又は一部を樹脂12で置換することが可能であり、酸化物基材30の置換される部分は適宜変更可能である。前記実施例で示した電子部品24,26や配線基板20との接続形態も一例であり、同様の効果を奏するように適宜設計変更可能である。前記実施例2では、本発明を回路モジュール60のインターポーザ50として利用することとしたが、これも一例であり、例えば、インターポーザを兼ねつつ、配線設計可能なモジュール基板としての利用や、インピーダンス素子として利用してもよい。"