半導体基板1を用意し、当該半導体基板1に半導体デバイスを形成する工程と、前記半導体基板1の上に層間絶縁膜2、4、6を形成すると共に、該層間絶縁膜2、4、6を介して配線層3、5、7を形成する工程と、前記配線層3、5、7および前記層間絶縁膜2、4、6を覆う保護膜8を形成する工程と、前記保護膜8の形成後に、ダイシングブレードを用いて前記半導体基板1をスクライブラインで切断することで、チップ単位に分割して半導体チップとする工程と、を含む半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜2、4、6および前記配線層3、5、7を形成する工程は、前記層間絶縁膜2、4、6を成膜したのち、前記スクライブライン上において、該スクライブラインの両側で前記層間絶縁膜2、4、6を除去して溝Tを形成しつつ、該溝Tの間において前記層間絶縁膜2、4、6を残す工程と、前記層間絶縁膜2、4、6の上に前記配線層3、5、7を構成する金属層20を成膜したのち、該金属層20の上にこの金属層20のパターニング用のマスクとなるレジスト21を成膜し、該レジスト21を露光機によって露光することでパターニングする工程と、前記レジスト21をマスクとして前記金属層20をパターニングして、前記配線層3、5、7を形成する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記保護膜8を形成する工程は、前記チップ側において前記層間絶縁膜2、4、6の端面を覆いつつ、前記スクライブライン上に形成された前記層間絶縁膜2、4、6からは離間するように前記保護膜8を形成する工程であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記溝Tの間において前記層間絶縁膜2、4、6を残す工程では、前記層間絶縁膜2、4、6を前記スクライブラインのうち前記ダイシングブレードが通過するライン上において除去することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記保護膜8を形成する工程では、前記スクライブライン上においても、前記スクライブライン上に形成された前記層間絶縁膜2、4、6の端面のうち前記スクライブラインに沿う面を覆うように前記保護膜8を形成し、該スクライブライン上に形成された前記保護膜8を前記チップ側に形成された前記保護膜8から離間させることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記溝Tの間において前記層間絶縁膜2、4、6を残す工程では、前記層間絶縁膜2、4、6を前記スクライブラインの長手方向に対する垂直方向において複数に分断することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。スクライブラインに溝を作る専用工程を作らず、かつ、コストアップなく溝を掘るためには各層の配線間を繋ぐビアホールエッチングの際、スクライブライン上の層間絶縁膜もエッチングする必要がある。しかしながら、このようにスクライブライン上の層間絶縁膜を予めエッチングしておいた場合、各層の配線をパターニングする際にスクライブラインに大きな溝が存在することになり、配線のパターンニング用のレジストがチップ端面において膜減りを起こす。図9は、この様子を示した半導体装置の製造工程中の断面図である。この図に示されるように、スクライブラインに大きな溝Tが存在するため、スクライブラインとチップとの境界位置においてレジストJ1が傾斜した状態となり、この境界位置近傍においてレジストJ1の膜厚が他の位置よりも薄くなる膜減りを起こす。このため、配線J2のパターニング時にスクライブラインに近い側において遠い側よりもレジストJ1の膜厚が薄くなっているため、膜厚が薄くなっている箇所が他の箇所よりも先にエッチングされ尽くし、その下の配線J2までエッチングされてしまい、チップ外周部にて残すはずの配線J2までエッチングされる。また、露光機によるレジストJ1のパターンニングの際も、スクライブラインに大きな深い溝があるためフォーカスがずれ、配線J2の線幅にバラツキが生じる。このような現象は、チップサイズが小さくウエハ内に占めるスクライブラインの占有面積が大きい時に顕著に現れる。また、スクライブラインの幅は工程出来栄え管理用のスクライブTEGが配置してある為に、幅を縮小することは不可能であり、幅を縮小して上記問題を解決することができない。本発明は上記点に鑑みて、レジストの膜減りによって残すべき配線がエッチングされることを防止すると共に、露光機による配線パターニング時のフォーカスずれを抑制し、配線の線幅にバラツキが生じることを防止できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明は、層間絶縁膜2、4、6および配線層3、5、7を形成する工程として、層間絶縁膜2、4、6を成膜したのち、スクライブライン上において、該スクライブラインの両側で層間絶縁膜2、4、6を除去して溝Tを形成しつつ、該溝Tの間において層間絶縁膜2、4、6を残す工程と、層間絶縁膜2、4、6の上に配線層3、5、7を構成する金属層20を成膜したのち、該金属層20の上にこの金属層20のパターニング用のマスクとなるレジスト21を成膜し、該レジスト21を露光機によって露光することでパターニングする工程と、レジスト21をマスクとして金属層20をパターニングして、配線層3、5、7を形成する工程とを行うことを特徴としている。このように、スクライブライン内において、スクライブラインの両側、つまりチップとなる部分との境界位置では層間絶縁膜2、4、6が存在せず半導体基板1の表面が露出する領域を設け、スクライブラインのうち溝Tの間に挟まれた領域には層間絶縁膜2、4、6を残すようにしている。このため、スクライブラインとチップとの境界位置近傍において、配線層3、5、7を形成する際のマスクとして用いるレジスト21が膜減りすることを抑制できる。したがって、レジスト21の膜減りによって残すべき配線がエッチングされることを防止することができると共に、露光機による配線層3、5、7のパターニング時のフォーカスずれを抑制でき、配線層3、5、7の線幅にバラツキが生じることを防止することが可能となる。請求項2に記載の発明は、保護膜8を形成する工程として、チップ側において層間絶縁膜2、4、6の端面を覆いつつ、スクライブライン上に形成された層間絶縁膜2、4、6からは離間するように保護膜8を形成する工程を行うことを特徴としている。このように、層間絶縁膜2、4、6がスクライブラインの両側において、チップ上に形成される層間絶縁膜2、4、6および保護膜8から離間した状態となっていることから、スクライブライン上の層間絶縁膜2、4、6にチッピングが発生しても、チップ上に形成される層間絶縁膜2、4、6および保護膜8についてはチッピングが発生しないようにできる。また、保護膜8でチップ端面を覆うことで水分の浸入も抑制できる。請求項3に記載の発明は、溝Tの間において層間絶縁膜2、4、6を残す工程では、層間絶縁膜2、4、6をスクライブラインのうちダイシングブレードが通過するライン上において除去することを特徴としている。このようにすれば、ダイシングブレードが層間絶縁膜2、4、6にも触れないで済むようにできる。したがって、比較的硬い層間絶縁膜2、4、6によってダイシングブレードの劣化が早まることを抑制することが可能となる。また、ダイシング時に層間絶縁膜2、4、6の削り粕によるパーティクルも発生しないようにすることもできる。請求項4に記載の発明は、保護膜8を形成する工程では、スクライブライン上においても、スクライブライン上に形成された層間絶縁膜2、4、6の端面のうちスクライブラインに沿う面を覆うように保護膜8を形成し、該スクライブライン上に形成された保護膜8をチップ側に形成された保護膜8から離間させることを特徴としている。このように、スクライブライン上に形成された層間絶縁膜2、4、6の端面のうちスクライブラインに沿う面を覆うように保護膜8を形成している。このため、層間絶縁膜2、4、6と半導体基板1とによって形成されるコーナー部を保護膜8によって覆うことができる。このため、配線層3、5、7のエッチング残り20aが存在していたとしても、保護膜8によって覆うことで、エッチング残り20aが後工程で剥がれてパーティクルとなることを防止することが可能となる。また、保護膜8をパターニングする際に、層間絶縁膜2、4、6のうち保護膜8と同材料で構成される部分、または保護膜8とのエッチング選択比が低い層間絶縁膜2、4、6が横方向エッチングされることでその部分から膜剥がれが発生することを防止できる。請求項5に記載の発明は、溝Tの間において層間絶縁膜2、4、6を残す工程では、層間絶縁膜2、4、6をスクライブラインの長手方向に対する垂直方向において複数に分断することを特徴としている。このように、層間絶縁膜2、4、6をスクライブラインの長手方向に対する垂直方向において複数に分断した構造としても良い。なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。第1実施形態本発明の第1実施形態にかかる半導体装置の製造方法ついて説明する。図1および図2は、本実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示した断面図である。図3は、本実施形態にかかる半導体装置の製造工程中のレイアウト図である。図3は、図2cの工程における半導体装置の上面を部分的に拡大したレイアウト図に相当し、図3のA-A’断面が図2cに相当している。以下、これらの図を参照して、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図1aに示す工程まず、半導体基板1を用意する。半導体基板1としては、シリコン基板や炭化珪素基板など、どのような半導体材料が用いられているものであっても構わないが、ここではシリコン基板を用いるようにしている。この半導体基板1の表層部に、図示しないが、不純物のイオン注入等によって半導体デバイスを形成したのち、BPSG等によって構成される層間絶縁膜2を成膜する。そして、層間絶縁膜2に対して半導体デバイスとの電気的接続を行うためのコンタクトホール図示せずを形成したのち、層間絶縁膜2の表面にAl層などの配線材料で構成される第1金属層1stAl層を成膜し、さらに、マスクとなるレジストを用いたパターニングを行うことで第1配線層3を形成する。このとき、本実施形態では第1配線層3がスクライグライン上に残らないようにしている。その後、層間絶縁膜2の表面上を含め、第1配線層3の表面を覆うように層間絶縁膜4を成膜する。層間絶縁膜4については、例えばTEOS等によって構成される1層目の薄い絶縁膜4aと、その上に形成されたSOG等のような平坦化用の2層目の絶縁膜4bと、さらにその上に形成されたTEOS等によって構成される3層目の絶縁膜4cとによって構成している。なお、図1a中において、スクライブラインとなる領域およびその両側においてチップとされる領域を示したが、以下の図1b、cおよび図2a~cにおいても同様のである。また、スクライブラインは、図3に示すように半導体基板1の縦方向および横方向に複数本形成され、スクライブライン間において四角形状のチップが形成されるようにレイアウトされる。図1bに示す工程層間絶縁膜4の上に図示しないエッチング用のマスクを配置した後、そのマスクを用いたエッチングを行うことで層間絶縁膜4およびその下層に位置する層間絶縁膜2をパターニングする。これにより、層間絶縁膜4に対して第1配線層3との電気的接続を行うためのコンタクトホール図示せずを形成する。また、このとき、スクライブラインの両端において、半導体基板1の表面が露出するまで層間絶縁膜2、4が除去されるようにして溝Tを形成し、スクライグラインの中央部では層間絶縁膜2、4が残るようにしている。図1cに示す工程層間絶縁膜4の表面にAl層などの配線材料で構成される第2金属層2ndAl層を成膜し、さらに、マスクとなるレジストを用いたパターニングを行うことで第2配線層5を形成する。このとき、本実施形態では第2配線層5がスクライグライン上に残らないようにしている。その後、層間絶縁膜4の表面上を含め、第2配線層5の表面を覆うように層間絶縁膜6を成膜する。層間絶縁膜6については、例えばTEOS等によって構成される1層目の薄い絶縁膜6aと、その上に形成されたSOG等ののような平坦化用の2層目の絶縁膜6bと、さらにその上に形成されたTEOS等によって構成される3層目の絶縁膜6cとによって構成している。図2aに示す工程層間絶縁膜6の上に図示しないエッチング用のマスクを配置した後、そのマスクを用いたエッチングを行うことで層間絶縁膜6をパターニングする。これにより、層間絶縁膜6に対して第2配線層5との電気的接続を行うためのコンタクトホール図示せずを形成する。また、このとき、図1bに示す工程と同様、スクライブラインの両端において、半導体基板1の表面が露出するまで層間絶縁膜6が除去されるようにして溝Tが再び形成されるようにし、スクライグラインの中央部では層間絶縁膜2、4、6が残るようにしている。この層間絶縁膜6をパターニングする際に溝Tを形成しさえすれば、溝Tの側壁面の位置等については特に規定はないが、本実施形態では、チップ端部において、溝Tの側壁面が層間絶縁膜4をパターニングしたときに形成した溝Tの側壁面よりもスクライブラインの内側に配置されるようにしている。このようにすることで、層間絶縁膜6によって層間絶縁膜2、4の端面を覆うことが可能となる。図2bに示す工程層間絶縁膜6の表面にAl層などの配線材料で構成される第3金属層3rdAl層20を成膜し、さらに、マスクとなるレジスト21を成膜する。そして、図示しない露光機を用いてレジスト21をパターニングし、この後形成する第3配線層7図2c参照と同じレイアウトでレジスト21を残す。このとき、本実施形態では、スクライグライン上にも層間絶縁膜2、4、6を残した状態としていることから、溝Tが存在していても、図中破線で示したようにレジスト21がほぼ膜減りすることなく形成される。このため、パターニング後のレジスト21は、スクライブラインに近い側でも遠い側と比較して、あまり膜厚に差がない状態となる。図2cに示す工程レジスト21をマスクとして第3金属層20をパターニングを行うことで第3配線層7を形成する。このときにも、本実施形態では第3配線層7がスクライグライン上に残らないようにしている。そして、層間絶縁膜6の表面を含め、第3金属層20の表面を覆うようにシリコン窒化膜等で構成される保護膜8を配置し、これを図示しないマスクを用いてパターニングする。これにより、各チップが保護膜8で覆われる。このとき、スクライブライン上には保護膜8が残らず、保護膜8の端部とスクライブライン上に残してある層間絶縁膜2、4、6との間が離間した状態となるようにしている。また、各チップの端部において、層間絶縁膜6の端面などが保護膜8で覆われるようにし、層間絶縁膜6などの表面が保護膜8から露出しないようにしている。この後の工程については図示していないが、ダイシングブレードを用いてスクライブラインにおいて半導体基板1をチップ単位に分割して半導体チップとし、例えばリードフレームや実装基板上に半導体チップを搭載したのち樹脂モールドすることで、半導体装置が完成する。以上説明した本実施形態の半導体装置の製造方法では、スクライブライン内において、スクライブラインの両側、つまりチップとなる部分との境界位置では層間絶縁膜2、4、6が存在せず半導体基板1の表面が露出する領域を設け、スクライブラインの中央位置、つまり溝Tの間に挟まれた領域には層間絶縁膜2、4、6を残すようにしている。このため、スクライブラインとチップとの境界位置近傍において、第3配線層7を形成する際のマスクとして用いるレジスト21が膜減りすることを抑制できる。したがって、レジスト21の膜減りによって残すべき配線がエッチングされることを防止することができると共に、露光機による第3配線層7のパターニング時のフォーカスずれを抑制でき、第3配線層7の線幅にバラツキが生じることを防止することが可能となる。なお、本実施形態では、スクライブライン内に層間絶縁膜2、4、6を残すことになるため、チップ単位に切断する際にダイシングブレードによって比較的硬い層間絶縁膜2、4、6も切断することになる。このため、チッピングの問題が懸念される。しかしながら、層間絶縁膜2、4、6がスクライブラインの両側において、チップ上に形成される層間絶縁膜2、4、6および保護膜8から離間した状態となっていることから、スクライブライン上の層間絶縁膜2、4、6にチッピングが発生しても、チップ上に形成される層間絶縁膜2、4、6および保護膜8についてはチッピングが発生することはない。また、ここでは第3配線層7の形成に用いるレジスト21の膜減りについて説明したが、それよりも下層に位置する第1、第2配線層3、5を形成する際に用いるレジストについても、同様のことが言える。つまり、ここでは多層配線構造とされる場合によりレジストの膜減りが顕著になる上層配線を例に挙げて説明したが、それよりも下層でも、レジストの膜減りによる問題は発生し得る。これについても、本実施形態のように、スクライブラインの中央位置に層間絶縁膜2、4を残すことで、レジストの膜減りを抑制でき、上記効果を得ることができる。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してスクライブライン内に残す層間絶縁膜2、4、6のパターンを変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図4は、本実施形態にかかる半導体装置の製造工程中の断面図である。また、図5は、本実施形態にかかる半導体装置の製造工程中のレイアウト図である。図4は、第1実施形態で説明した図2cに示す工程での断面図に相当する。また、図5は、図4の工程における半導体装置の上面を部分的に拡大したレイアウト図に相当し、図5のB-B’断面が図4に相当している。図4および図5に示すように、本実施形態では、基本的に第1実施形態と同様の製造方法とするものの、スクライブラインのうちダイシングブレードが通過するライン上において、層間絶縁膜2、4、6を除去して半導体基板1を露出させるようにしている。このようにすれば、ダイシングブレードが層間絶縁膜2、4、6にも触れないで済むようにできる。したがって、比較的硬い層間絶縁膜2、4、6によってダイシングブレードの劣化が早まることを抑制することが可能となる。また、ダイシング時に層間絶縁膜2、4、6の削り粕によるパーティクルも発生しないようにすることもできる。なお、第1実施形態では、第1~第3配線層3、5、7について、スクライブライン内において残さないようにしている。これは、第1~第3配線層3、5、7をダイシングした時の削り粕やダイシング面での残り粕などによってチップ内で短絡箇所が生じるなど電気的な故障原因となり得るため、それを排除するために行っている。しかしながら、本実施形態のように、ダイシング箇所において層間絶縁膜2、4、6を残さないようにする場合、第1~第3配線層3、5、7も同様にダイシング箇所については残さないようにしつつ、それ以外の場所で残るようにすることで、上記問題が発生することを防止しつつ、よりスクライブライン上での層間絶縁膜2、4、6などの高さをチップ部に近づけることが可能となる。これにより、よりレジスト21の膜減りを抑制でき、より上記効果を得ることが可能となる。第3実施形態本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して保護膜8も部分的にスクライブライン内に残すようにしたものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図6は、本実施形態にかかる半導体装置の製造工程中の断面図である。この図は、第1実施形態で説明した図2cに示す工程での断面図に相当する。図6に示すように、本実施形態では、基本的に第1実施形態と同様の製造方法とするものの、スクライブライン内においても、層間絶縁膜2、4、6の端面のうちスクライブラインの長手方向に沿う面を覆うように保護膜8を残すようにしている。ただし、スクライブライン内の保護膜8は、層間絶縁膜2、4、6のうちダイシングブレードが通過するライン上およびスクライブラインの両側については残されないようにされ、ダイシングブレードによって保護膜8を切断しなくても済むようにしてあると共に、スクライブラインの両側においてチップ側の保護膜8から離間する構造とされている。このような構造によれば、特に硬い保護膜8をダイシングブレードで切断しなくてもいいため、ダイシングブレードの劣化を早めることなく、以下の効果を得ることが可能となる。これについて、図7に示す半導体装置の製造工程中の部分拡大断面図を参照して説明する。上記第1実施形態で説明したように、図2b~cに示す工程において、第3金属層20をパターニングしている。このとき、図7aに示すように、層間絶縁膜2、4、6と半導体基板1とによって形成されるコーナー部などに第3金属層20のエッチング残り20aが発生することがある。このようなエッチング残り20aは、後工程で剥がれてパーティクルとなる可能性があり、チップ内で短絡箇所が生じるなど電気的な故障原因となり得る。これに対して、本実施形態では、チップ部だけでなくスクライブライン内においても、層間絶縁膜2、4、6と半導体基板1とによって形成されるコーナー部を保護膜8によって覆うことができる。このため、図7bに示すように、エッチング残り20aが存在していたとしても、保護膜8によって覆うことで、配線層Alのエッチング残り20aが後工程で剥がれてパーティクルとなることを防止することが可能となる。また、第1実施形態では、層間絶縁膜2、4、6の構成材料としてTEOSやSOGなどのようなシリコン酸化膜を例に挙げて説明したが、これらを保護膜8と同材料、例えばシリコン窒化膜によって構成することもできる。そのような場合、図2cに示す工程において保護膜8をパターニングすると、例えば図7cに示したように、シリコン窒化膜によって構成された部分が横方向エッチングによって後退し、その部分から膜剥がれが発生し、それがパーティクルとなる可能性がある。これに対して、本実施形態では、チップ部だけでなくスクライブライン内においても、層間絶縁膜2、4、6の側壁面を保護膜8によって覆うことができる。このため、図7dに示すように、保護膜8をパターニングする際に、層間絶縁膜2、4、6のうち保護膜8と同材料で構成される部分が横方向エッチングされることでその部分から膜剥がれが発生することを防止できる。他の実施形態上記各実施形態では、3層の配線構造とされる多層配線構造の半導体装置の製造方法について説明したが、3層である必要はなく、様々な層数の配線構造を有する半導体装置の製造方法として本発明を適用することができる。また、上記各実施形態では、半導体基板1に対して半導体デバイスを形成した構造のみについて説明したが、配線構造を構成する層間絶縁膜の間に薄膜抵抗を備えるような構造など、他の素子が形成されるような半導体装置の製造方法としても、本発明を適用することができる。上記第2実施形態では、スクライブライン上に残す層間絶縁膜2、4、6について、ダイシングブレードが通過するライン上では層間絶縁膜2、4、6を残さないようにする場合の一例を示した。しかしながら、これは単なる構造例の一例を示したに過ぎず、スクライブラインの両側およびダイシングブレードが通過するライン上において層間絶縁膜2、4、6が残らないようにしつつ、スクライブライン上の他の箇所に層間絶縁膜2、4、6を残すようにした構造であれば、他の構造であっても構わない。例えば、図8は、そのような構造例の一例を示したものであり、この図に示すように層間絶縁膜2、4、6がスクライブラインの長手方向に対する垂直方向において複数に分断された構造とされていても構わない。勿論、このように層間絶縁膜2、4、6をスクライブラインの長手方向に対する垂直方向において複数に分断する構造は、第1実施形態のように、ダイシングブレードが通過するライン上において層間絶縁膜2、4、6が除去された構造とする場合についても適用できる。