"第1及び第2の回折格子分割器であって、それぞれは、媒体中に浸漬され且つ基板上に配置された第1の材料の分散された複数の格子素子で形成され、前記各格子分割器の形状は実質的に同じである、第1及び第2の回折格子分割器を備え、前記格子分割器は相互に反転した関係で配置され、前記第1及び第2の分割器の横方向整合は、これらを透過する入射光の光量を変更するために、変更することができる、光学装置。請求項1に記載の光学装置であって、前記媒体は空気である、光学装置。請求項1に記載の光学装置であって、前記第1及び第2の格子分割器は液晶の体積だけ離間している、光学装置。請求項1に記載の光学装置であって、前記格子素子はTiO2で形成されている、光学装置。請求項1に記載の光学装置であって、前記基板は溶融SiO2で形成されている、光学装置。請求項1に記載の光学装置であって、前記格子分割器は、周期p、高さh及び曲線因子rを有する一連の突起部と溝とによって定義され、ここで、pは約0.87から0.93λの範囲であり、rは約0.22から0.32の範囲であり、hは約0.24から0.34λである、光学装置。第1及び第2の回折格子分割器であって、それぞれは、媒体中に浸漬され且つ第2の材料の基板上に配置された第1の材料の分散された複数の格子素子で形成され、前記各格子分割器及び素子の形状は実質的に同じであり、且つ、前記媒体中で前記第2の材料の臨界角よりも大きな屈折角を形成する、第1及び第2の回折格子分割器を備え、前記格子は相互に反転した関係で配置され、前記第1の格子分割器の一側面は入射光に対して入力を提供し、前記第2の格子分割器の反対面は透過光に対して出力を提供し、前記第1及び第2の分割器の素子は横方向の整合において変化を生じるように配置され、それによって、光が前記格子を通過する程度を変化させる、光学装置。請求項7に記載の光バルブであって、前記媒体は空気である、光バルブ。請求項7に記載の光バルブであって、前記第1及び第2の基板間には液晶の体積が存在する、光バルブ。請求項7に記載の光バルブであって、前記格子素子はTiO2で形成される、光バルブ。請求項7に記載の光バルブであって、前記基板はSiO2で形成される、光バルブ。請求項7に記載の光バルブであって、変化させる手段は少なくとも1個のMEMSを備えている、光バルブ。請求項7に記載の光バルブであって、前記手段は熱膨張装置を備え、横方向の整合における前記変化は温度の関数である、光バルブ。可変光透過窓であって、第1及び第2の回折格子分割器であって、それぞれは、媒体中に浸漬され、且つ、第2の材料の基板上に取り付けられた第1の材料の分散された複数の格子素子で形成され、前記格子と素子の形状は実質的に同じであり、且つ、前記媒体中における前記第2の材料の臨界角よりも大きな屈折角を形成する、第1及び第2の回折格子を備え、前記各格子分割器は相互に反転して離間する関係に配置され、その間に約1の屈折率を有するインターフェース物質を有し、前記第1の格子分割器の一面は入射光に対して入力面を提供し、前記第2の格子分割器の対応する面は透過光に対して出力面を提供し、さらに、前記第1及び第2の格子分割器の素子間で横方向整合を変化させるための手段を備え、それによって可視光が前記格子を透過する程度を変化させる、可変光透過窓。請求項15に記載の可変光透過窓であって、前記媒体は空気である、可変光透過窓。請求項14に記載の可変光透過窓であって、前記物質は液晶である、可変光透過窓。請求項14に記載の可変光透過窓であって、前記格子素子はTiO2で形成される、可変光透過窓。請求項14に記載の可変光透過窓であって、前記基板はSiO2で形成される、可変光透過窓。請求項14に記載の可変光透過窓であって、変化させるための手段は、少なくとも1個のMEMSを含む、可変光透過窓。請求項14に記載の可変光透過窓であって、前記手段は熱膨張装置を備え、それによって横方向整合における前記変化は温度の関数である、可変光透過窓。以下の説明において、同様の参照符号は同様の部品を示す。図1を参照すると、相互に反転し且つ横方向に整合する回折格子分割器12,14を備えた両面性素子10が示されている。格子分割器12は溶融SiO2の基板16を備え、基板16の上面上には、TiO2で形成された同一の回折格子素子18,20,22が、周期pが540nm、高さhが175nm、幅が145nmの規則的な周期形式で融合されあるいは取り付けられている。要素18,20,22はこの場合、空気中に浸漬されて空気/TiO2インターフェースを形成する。固体物質を含むその他の周辺媒体を使用することも出来る。幅wを周期pで割ることにより、フィルファクタ曲線因子r=0.27を決定することが出来る。その形状は、TiO2空気インターフェースの臨界角43.6°より大きい屈折角を形成するように、選択される。実用的な実施例では、周期pは、約0.87から約0.93λの範囲でありうる。ここでλは入射光24の波長であり、フィルファクタrは、約0.22から約0.32の範囲であり、hは、約0.24から0.34λの範囲である。図1に示すように、これらの数値により、一次の屈折成分は、充分に臨界角よりも大きい、約50°の角度で回折される。下部回折格子分割器14は、SiO2の基板26と周期的に配列された格子素子28、30、32を備えている。これらの格子素子も空気中に浸漬され、且つ、格子素子18、20、22と正確に同じ形状を有している。即ち、格子分割器14は格子分割器12と同じものであるが反転している。図1の事例では、光24を入力即ち入射光と考えることができ、一方、光34は透過する出力光、即ち、以下に説明するように、透過率10がオンレベルで動作している場合、出力光成分である。図2は、上部回折格子分割器12の回折格子素子18、20,22が、下部回折格子分割器14の格子素子28、30、32と完全に横方向に整合している場合の、s偏光入射光24の0次の透過率の大きさを示す概略図である。s偏光はy軸に電界を有する。約550nmと約670nmの間、即ち、オンゾーン36において、透過率は95以上である。図3を参照すると、両面性格子分割器素子10がオフ状態で示されており、ここで下部格子素子28,30,32は上部格子素子18,20,22に対して距離dだけシフトしており、この場合、dは約p/4である。図4は、約550から650nmの波長範囲の垂直入射非偏光の0次成分の透過率がオフゾーンにあることを示しており、ここでその透過率はほぼ0、即ち、約5以下である。図5を参照すると、本発明の現象の第1の実際的な応用が、SiO2多層生成プロセスのための整合マーカーにおいて示されている。この装置は、上部平坦基板40と、これと間隔をおいて平行な関係にある下部SiO2基板42を備えている。上部基板40は、その4隅に、実質的に図1及び3に示す方法で整合されたTiO2格子素子44,46,48,50を支持している。下部SiO2基板42は、回折格子素子52、54、56と、且つ、図5では隠れて見えないが、上部左手隅に4番目の回折格子分割器とを支持している。例えば、回折格子素子48、52は、基板40,42が正しく整合している場合、実質的に互いに整合する様に配置される。しかしながら、基板40,42の間を通り抜ける横軸に沿って基板が整合していない場合、互いにシフトされる。同様の整合状態が、格子素子50,56と格子素子46,54に対して、且つ、同様に、上部格子素子44のみが見えている上部左手隅における格子素子に対して存在する。図2によって示されるオン状態を提示するために格子素子が横方向に整合している場合、0次の入射光成分がパスし、即ち実質的に完全に透過して検出器60に達し整合された状態を示すように、レーザからの光58は、上部基板40に向かって垂直に指向される。反対に、基板40,42が整合せず、製造プロセスにおけるエラーを示す場合、レーザ58からの光は実質的に検出器に到達せず、その製造プロセスはその後終了しあるいは適切な整合調整を行うために一時停止される。同様の整合検出が直行軸に対して達成可能である。図6を参照すると、入射光バルブ即ちスイッチ62の形をした光学装置が示されており、この素子は、周期的に配置されたTiO2回折格子素子66を支持する平坦な上部SiO2基板64と、これに間隔を置いて並列な関係の、回折格子素子72を有する下部平坦SiO2基板とを備えている。下部基板70はフレーム68中に固定されており、一方、上部基板64は、マイクロ電気機械システムMEMS素子74,76間に挟まれており、それによって、基板64が下部基板70に対してシフトして回折格子素子66,72を整合し及び/又はシフトすることにより、バルブとして動作させることができる。これによって、入射光78は、出力光80が実質的に0である低透過状態と、出力成分80がほぼ100である高透過状態との間でスイッチされる。基板64,70の横方向シフトは、液晶層82によって促進される。この液晶層82は、反転基板64,70間の空間に存在し、約1.6の屈折率を有している。この層は、屈折率1の空気層によって置き換えることができる。図7を参照すると、部屋86のための温度感知天窓84が示されている。天窓84は、その上に周期的に離間した回折格子素子90を有し、且つ、入射光104に露出された、上部平坦SiO2基板88を有している。熱応答性天窓84は、さらに、図1と3に関して上述した形でその上に規則的に配置された回折格子素子94を有する下部平坦SiO2基板92を備えている。この2つの基板88、92は、液晶層98によって分離されており、この液晶層は適切に収容され、且つ、図6の実施例における層82の動作と同じように、2つの基板88、92間で光学的に透明なベアリングとして動作する。フレーム96と基板88の左側面との間には、既知の熱膨張係数を有する金属素子がある。この熱膨張は、隣接するフレーム96に対する基板88の位置に対して、横シフトを創りだす。同様に、第2の素子102は、フレーム96と基板92の右端との間に取り付けられており、それによって、基板と格子素子94の横方向シフトを、周囲温度変化に応答するようにして生成する。金属素子100、102によって生成される2つのシフトは累積的であり、対象とする温度範囲にわたって格子90,94の周期の4分の1のシフトを達成するように正確に調整された場合、バルブ機能、即ち、スイッチ機能を形成し、入射する太陽光104を温度が低い状態で完全に透過し、周囲温度が高くなった場合実質的に完全に遮蔽する。図7の実施例は、選択された波長に対して、スパッタ堆積によるフィルタを追加して用いることもできる。本発明は特定の材料及び特定の実用的な応用を参照して記載されているが、これらの記載は限定ではなく説明のためであることを理解すべきである。発明の定義については、添付の請求の範囲を採用すべきである。"