"下記一般式1で表される、アルカリ現像液不溶であって、酸の作用によりアルカリ現像液可溶となる、ステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とするポジ型化学増幅レジスト材料。式中、R1は、炭素原子数と酸素原子数の和が6~20の、酸の作用により-COOR1が分解してカルボキシル基を生じる酸不安定基を表す。Xはそれぞれ独立に、カルボニル基-CO-又はメチレン基-CH2-を表す。Yはそれぞれ独立に、単結合、又は炭素数1~6のアルキレン基を表す。nは0~2の整数である。A下記一般式1で表される、アルカリ現像液不溶であって、酸の作用によりアルカリ現像液可溶となる、ステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物の1種又は2種以上、B有機溶剤、C酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ現像液不溶又は難溶の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ現像液可溶となるベース樹脂、D酸発生剤を含有することを特徴とする請求項1記載のポジ型化学増幅レジスト材料。式中、R1は、炭素原子数と酸素原子数の和が6~20の、酸の作用により-COOR1が分解してカルボキシル基を生じる酸不安定基を表す。Xはそれぞれ独立に、カルボニル基-CO-又はメチレン基-CH2-を表す。Yはそれぞれ独立に、単結合、又は炭素数1~6のアルキレン基を表す。nは0~2の整数である。更に、Eクエンチャー及び/又はF界面活性剤を含有する請求項2記載のポジ型化学増幅レジスト材料。酸分解性ケトエステル化合物が、下記一般式2で表されるものである請求項1乃至3のいずれか1項記載のポジ型化学増幅レジスト材料。式中、R1は、炭素原子数と酸素原子数の和が6~20の、酸の作用により-COOR1が分解してカルボキシル基を生じる酸不安定基を表す。酸分解性ケトエステル化合物が、下記一般式3で表されるものである請求項4記載のポジ型化学増幅レジスト材料。式中、R2は、炭素原子数と酸素原子数の和が1~15の、直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を有してもよいアルキル基を表す。1請求項1乃至5のいずれか1項記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、2次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、3加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。下記一般式3で表される、アルカリ現像液不溶であって、酸の作用によりアルカリ現像液可溶となる、ステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物。式中、R2は、炭素原子数と酸素原子数の和が1~15の、直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を有してもよいアルキル基を表す。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザーに代表される遠紫外線、EUV極端紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線等の荷電粒子線の如き各種の放射線を使用する微細加工のためのリソグラフィーにおいて、高解像性と低LERを両立したポジ型化学増幅レジスト材料、これを用いたパターン形成方法、及び、これらに好適に用いられる新規な酸分解性ケトエステル化合物を提供することを目的とする。本発明は、上記目的を解決するため、下記一般式1で表される、アルカリ現像液不溶であって、酸の作用によりアルカリ現像液可溶となる、ステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とするポジ型化学増幅レジスト材料を提供する請求項1。式中、R1は、炭素原子数と酸素原子数の和が6~20の、酸の作用により-COOR1が分解してカルボキシル基を生じる酸不安定基を表す。Xはそれぞれ独立に、カルボニル基-CO-又はメチレン基-CH2-を表す。Yはそれぞれ独立に、単結合、又は炭素数1~6のアルキレン基を表す。nは0~2の整数である。更に、本発明は、A下記一般式1で表される、アルカリ現像液不溶であって、酸の作用によりアルカリ現像液可溶となる、ステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物の1種又は2種以上、B有機溶剤、C酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ現像液不溶又は難溶の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ現像液可溶となるベース樹脂、D酸発生剤を必須成分として、Eクエンチャー、F界面活性剤を任意成分として、含有することを特徴とするポジ型化学増幅レジスト材料を提供する請求項2,3。式中、R1は、炭素原子数と酸素原子数の和が6~20の、酸の作用により-COOR1が分解してカルボキシル基を生じる酸不安定基を表す。Xはそれぞれ独立に、カルボニル基-CO-又はメチレン基-CH2-を表す。Yはそれぞれ独立に、単結合、又は炭素数1~6のアルキレン基を表す。nは0~2の整数である。更に、本発明は、下記一般式2で表される、アルカリ現像液不溶であって、酸の作用によりアルカリ現像液可溶となる、ステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のポジ型化学増幅レジスト材料を提供する請求項4。式中、R1は、炭素原子数と酸素原子数の和が6~20の、酸の作用により-COOR1が分解してカルボキシル基を生じる酸不安定基を表す。更に、本発明は、下記一般式3で表される、アルカリ現像液不溶であって、酸の作用によりアルカリ現像液可溶となる、ステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする請求項4記載のポジ型化学増幅レジスト材料を提供する請求項5。式中、R2は、炭素原子数と酸素原子数の和が1~15の、直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を有してもよいアルキル基を表す。本発明の、上記ポジ型化学増幅レジスト材料は、解像性に優れ、かつLERが小さく、フォトリソグラフィーによる微細加工に好適に用いられる。更に、本発明は、1請求項1乃至5のいずれか1項記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、2次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、3加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する請求項6。本発明のポジ型化学増幅レジスト材料を用いた上記パターン形成方法により、解像性に優れ、かつLERが小さいレジストパターンを形成することができるものであり、フォトリソグラフィーによる微細加工に好適である。更に、本発明は、下記一般式3で表される、アルカリ現像液不溶であって、酸の作用によりアルカリ現像液可溶となる、ステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物を提供する。式中、R2は、炭素原子数と酸素原子数の和が1~15の、直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を有してもよいアルキル基を表す。上記一般式3で示されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物は、後述の方法により高収率かつ簡便に得られ、かつポジ型化学増幅レジスト材料に適正量添加した場合に、高い解像性と、良好なLERを与えるものである。更に、用途に応じてR2として最適なものを選択することにより、例えばパターン形状、解像性とLERのバランスなどのレジスト性能を最適に調整することができるものである。本発明のポジ型化学増幅レジスト材料は、高い解像性と良好なLERパターンラインエッジラフネスを与えるものであり、電子線、遠紫外線、極端紫外線などを用いた微細加工に有用である。KrFレジスト材料、ArFレジスト材料、EUVレジスト材料、EBレジスト材料、X線レジスト材料において高い配合効果を与え、特に超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。また、通常の露光法の他、液浸露光にも好適である。以下、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明者らは、ポジ型化学増幅レジスト材料への配合により、高い解像性と良好なLERを与える化合物について鋭意検討を重ねた。その結果、下記一般式1、好ましくは下記一般式2、更により好ましくは下記一般式3で表されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物を配合して用いれば、高い解像性と良好なLERを与えるポジ型化学増幅レジスト材料が得られることを見出し、本発明を完成させたものである。ここで、本発明のポジ型化学増幅レジスト材料に1種又は2種以上配合される酸分解性ケトエステル化合物は、上述したように、下記一般式1で表されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物である。式中、R1は、炭素原子数と酸素原子数の和が6~20の、酸の作用により-COOR1が分解してカルボキシル基を生じる酸不安定基を表す。Xはそれぞれ独立に、カルボニル基-CO-又はメチレン基-CH2-を表す。Yはそれぞれ独立に、単結合、又は炭素数1~6のアルキレン基を表す。nは0~2の整数である。一般式1中、R1は、炭素原子数と酸素原子数の和が6~20の、酸の作用により-COOR1が分解してカルボキシル基を生じる酸不安定基を表し、多重結合、水酸基、カルボニル基、エステル基、又はエーテル基を含んでもよい。R1の炭素原子数と酸素原子数の和が6未満の場合、これを配合したポジ型化学増幅レジスト材料につき、溶解コントラストが不十分であるために解像性が劣化したり、当該ケトエステル化合物が溶剤溶解性に劣るために成膜時に欠陥を生じたりする場合がある。一方、R1の炭素原子数と酸素原子数の和が20を超える場合、これを配合したポジ型化学増幅レジスト材料につき、酸拡散過大などのため解像性が劣化したり、パターンの矩形性に劣る場合がある。R1として、具体的には以下の構造を例示できるが、これらに限定されない。下記式中の破線は結合手を表し、以下同様である。一般式1中、Xはそれぞれ独立に、カルボニル基-CO-又はメチレン基-CH2-を表し、二つのXが共にカルボニル基-CO-であることがより好ましい。Yはそれぞれ独立に、単結合、又は炭素数1~6のアルキレン基を表し、単結合がより好ましい。Yとして具体的には、単結合、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、エチリデン基、イソプロピリデン基を例示できるが、これらに限定されない。nは0~2の整数であり、n=0又は1がより好ましく、n=0が更に好ましい。前記一般式1で表されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物として、具体的には、後述する一般式2、3の具体例に加えて、以下の化合物を例示できるが、これらに限定されない。ここで、本発明のポジ型化学増幅レジスト材料に1種又は2種以上配合される前記一般式1で表されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物は、下記一般式2で表されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物であることがより好ましい。式中、R1は、炭素原子数と酸素原子数の和が6~20の、酸の作用により-COOR1が分解してカルボキシル基を生じる酸不安定基を表す。一般式2中、R1は前記と同様である。前記一般式2で表されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物として、具体的には、後述する一般式3の具体例に加えて、以下の化合物を例示できるが、これらに限定されない。ここで、本発明のポジ型化学増幅レジスト材料に1種又は2種以上配合される前記一般式1又は2で表されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物は、下記一般式3で表されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物であることが更に好ましい。下記一般式3で表されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物は、LER向上、解像性向上などの配合効果が特に優れる。式中、R2は、炭素原子数と酸素原子数の和が1~15の、直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を有してもよいアルキレン鎖中に酸素が介在していても、カルボニル基の形態で酸素が含まれていてもよいアルキル基を表す。一般式3中、R2は炭素原子数と酸素原子数の和が1~15の、直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を有してもよいアルキレン鎖中に酸素が介在していても、カルボニル基の形態で酸素が含まれていてもよいアルキル基を表す。R2として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、デシル基、ペンタデシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、テトラシクロドデカニルメチル基、ベンジル基、テトラヒドロフルフリル基を例示できるが、これらに限定されない。前記一般式3で表されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物として、具体的には以下の化合物を例示できるが、これらに限定されない。本発明で使用される、一般式1、2、3で表されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物において、ステロイド骨格の存在は十分な溶解阻止性、エッチング耐性の発現に寄与しているものと考えられる。ケト基カルボニル基の存在は分子に適度な極性親水性を付与し、ベース樹脂との親和性相溶性を確保することにより、LERの向上に寄与していると考えることができる。更に、ケト基は酸発生剤からの発生酸と適度な親和性を有するために酸拡散制御にも相当の効果があるものと考えられる。ケト基がなく、代わりにメチレン基、又は、エステル基が存在する場合は、酸拡散の制御が不十分となり、微細化が進むにつれ解像性が劣化し易くなる場合が多い。ケト基の代わりに水酸基が存在する場合は、親水性過大となることにより溶解阻止性が低下し、溶解コントラスト低下、解像性劣化につながり易い。分子内の酸分解性基の存在は溶解コントラスト発現のために必須であり、レジスト膜の露光部において酸発生剤からの発生酸の作用により酸分解性基が分解してカルボン酸を発生し、アルカリ現像液への溶解性が増大することにより、解像性向上に寄与するものである。前記一般式1、2、3中のR1、R2、Y、nの可能な選択肢の中から適切なものを選ぶことにより、本発明で使用されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物の、溶解阻止性、溶解コントラスト、分解反応性、極性、親水性、拡散速度、溶剤溶解性、酸との親和性、ベース樹脂との相溶性などの特性を、用いるレジストベース樹脂、酸発生剤、露光方法などに応じて調節することができ、ひいてはパターン形状などのレジスト材料の性能を最適に調整することができるものである。本発明で使用される、一般式1、2、3で表されるステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物は、このものをベースとした分子レジストとして用いてもよいし、酸不安定基を有し酸によってアルカリに溶解する高分子化合物をブレンドして溶解阻止剤として用いてもよい。上記一般式3で示される本発明のステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物は、化合物の構造に応じて最適な方法を選択して製造される。具体的には、ハロゲン化物を用いたデヒドロコール酸のO-アルキル化反応、及び、デヒドロコール酸のビニルエーテル化合物への付加反応を用いる方法を例示できるが、これらの方法に限定されない。以下、詳しく説明する。まず、第1の方法として、下記式に示す、ハロゲン化物を用いたデヒドロコール酸のO-アルキル化反応が挙げられる。式中、R2は、前記の通り。X’はハロゲン原子を表す。本反応のO-アルキル化剤であるハロゲン化物5中のハロゲン原子X’としては、ハロゲン化物5の保存安定性の観点から、塩素原子が最も工業的に好ましい。ハロゲン化物5の使用量は、デヒドロコール酸41モルに対し、0.5~5モル、特に0.9~2モルとすることが望ましい。反応は溶剤中で行うことが望ましく、反応溶剤としては、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジグリムなどのエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム、1,2-ジクロロエチレンなどの塩素系溶剤類、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドンなどの非プロトン性極性溶剤類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、アセトン、2-ブタノンなどのケトン類、アセトニトリルなどのニトリル類、ピリジン、トリエチルアミンなどのアミン類、イソプロピルアルコール、t-ブチルアルコールなどのアルコール類、水の中から反応条件により選択して単独又は混合して用いることができる。反応温度は反応速度に応じて0°Cから溶剤の還流温度までの範囲で選択する。必要に応じて反応に塩基を添加してもよく、その場合の塩基としては、ピリジン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、4-ジメチルアミノピリジン、イミダゾールなどのアミン類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムt-ブトキシドなどの金属アルコキシド類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムなどの炭酸塩類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどの水酸化物類、水素化ナトリウム、水素化カリウムなどの金属水素化物類、ブチルリチウム、エチルマグネシウムブロミドなどの有機金属類、リチウムジイソプロピルアミドなどの金属アミド類の中から反応条件により選択して単独又は混合して用いることができる。塩基の使用量はデヒドロコール酸41モルに対し、0.1~10モル、特に0.9~5モルとすることが望ましい。反応には反応速度向上のために触媒としてヨウ化ナトリウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウムなどのヨウ化物、臭化ナトリウム、臭化リチウム、臭化テトラブチルアンモニウムなどの臭化物を加えてもよい。触媒を加える場合の添加量は、デヒドロコール酸41モルに対し、0.001~2モル、特に0.005~0.5モルとすることが望ましい。反応時間は液体クロマトグラフィーLCや薄層クロマトグラフィーTLCにより反応を追跡して反応を完結させることが収率の点で望ましいが、通常0.5~24時間程度である。反応混合物から通常の水系後処理aqueouswork-upにより目的物である3を得る。必要があれば化合物3はクロマトグラフィー、再結晶などの常法により精製することができる。あるいは水系後処理aqueouswork-upを行わず、反応で生じた塩を濾別後又は反応液を直接精製にかけることが可能な場合もある。第2の方法として、下記式に示す、デヒドロコール酸のビニルエーテル化合物への付加反応を用いる製造法を挙げることができる。式中、R2は、前記の通り。本反応におけるビニルエーテル化合物6の使用量は、デヒドロコール酸41モルに対し、0.5~10モル、特に0.9~5モルとすることが望ましい。反応は溶剤中で行うことが望ましく、反応溶剤としては、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジグリムなどのエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム、1,2-ジクロロエチレンなどの塩素系溶剤類、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドンなどの非プロトン性極性溶剤類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、アセトン、2-ブタノンなどのケトン類、アセトニトリルなどのニトリル類の中から反応条件により選択して単独又は混合して用いることができる。反応温度は反応速度に応じて0°Cから溶剤の還流温度までの範囲で選択することが望ましい。必要に応じて反応に酸触媒を添加してもよく、その場合の酸触媒としては、硫酸、塩酸、リン酸、過塩素酸などの鉱酸類、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、ジブチルスズオキシド、塩化アルミニウム、塩化亜鉛、テトラクロロチタン、テトラメトキシチタンなどのルイス酸類、メタンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸などのスルホン酸類、硫酸水素カリウム、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、p-トルエンスルホン酸ピリジニウムなどの塩類、シュウ酸、トリフルオロ酢酸などのカルボン酸類、陽イオン交換樹脂などの酸性樹脂類の中から反応条件により選択して単独又は混合して用いることができる。酸触媒の使用量はデヒドロコール酸41モルに対し、0.1~10モル、特に0.9~5モルとすることが望ましい。反応時間は液体クロマトグラフィーLCや薄層クロマトグラフィーTLCにより反応を追跡して反応を完結させることが収率の点で望ましいが、通常0.5~24時間程度である。反応混合物から通常の水系後処理aqueouswork-upにより目的物である3を得る。必要があれば化合物3はクロマトグラフィー、再結晶などの常法により精製することができる。あるいは水系後処理aqueouswork-upを行わず、反応液を直接精製にかけることが可能な場合もある。本発明のレジスト材料には、上述したステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物が配合されるが、典型的には下記の組成のポジ型化学増幅レジスト材料とすることが好ましい。A前記一般式1~3で表される、アルカリ現像液不溶であって、酸の作用によりアルカリ現像液可溶となる、ステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物の1種又は2種以上、B有機溶剤、C酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ現像液不溶又は難溶の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ現像液可溶となるベース樹脂、D酸発生剤を必須成分として、Eクエンチャー、F界面活性剤を任意成分として、含有する。この場合、A成分の配合量は、C成分のベース樹脂100部質量部、以下同様に対し0.5~100部、特に1~30部であることが好ましい。少なすぎると、配合効果がなく、多すぎると、成膜性に劣る場合がある。A成分は単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。本発明で使用されるB成分の有機溶剤としては、A成分のケトエステル化合物、ベース樹脂、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、4-メチル-2-ペンタノン、メチルアミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、n-プロパノール、イソプロピルアルコール、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、アニソール、ジイソプロピルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、ジ-sec-ブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-t-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中のベース樹脂、酸発生剤の溶解性に優れるプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトン、乳酸エチル、及びその混合溶剤が好ましく使用される。有機溶剤の使用量は、目標膜厚などに応じて設定すべきものであるが、概ねベース樹脂100部に対して200~15,000部、特に400~8,000部が好適である。本発明で使用されるCベースポリマーベース樹脂は、KrFエキシマレーザー用レジスト材料としては、ポリヒドロキシスチレンPHS、及びスチレン誘導体、メタアクリル酸エステル、その他の重合性オレフィン化合物などの共重合体、ArFエキシマレーザー用レジスト材料としては、メタアクリル酸エステル系ポリマー、シクロオレフィンと無水マレイン酸との交互共重合系ポリマー及び更にこの交互共重合系ポリマーにビニルエーテル類又はメタアクリル酸エステルを共重合した共重合系ポリマー、ポリノルボルネン系ポリマー、シクロオレフィン開環メタセシス重合系、F2レーザー用として上記KrF、ArF用ポリマーのフッ素置換体のほか、フッ素化ジエンを用いた閉環重合系ポリマーなど、2層レジスト用としては上記ポリマーの珪素置換体及びポリシルセスキオキサンポリマーなどが挙げられるが、これらの重合系ポリマーに限定されることはない。ベースポリマーは単独であるいは2種以上混合して用いることができる。ポジ型レジスト材料の場合、フェノールあるいはカルボキシル基あるいはフッ素化アルキルアルコールの水酸基を酸不安定基で置換することによって、未露光部の溶解速度を下げる場合が一般的である。ベースポリマーの酸不安定基は、種々選定されるが、特に下記一般式C1、C2で示される炭素数2~30のアセタール基、炭素数4~30の三級アルキル基等であることが好ましい。上記式C1、C2においてR11、R12は水素原子又は炭素数1~20、特に1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、R13、R14、R15、R16は炭素数1~20、特に1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよい。またR11とR12、R11とR13、R12とR13、R14とR15、R14とR16、R15とR16はそれぞれ結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に炭素数3~20、特に3~12の非芳香環を形成してもよい。式C1で示されるアセタール基として具体的には、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、イソプロポキメチル基、t-ブトキシメチル基、ネオペンチルオキシメチル基、1-メチルシクロヘキシルメトキシメチル基、2-アダマンチルオキシメチル基、1-アダマンチルメトキシメチル基、フェンキルオキシメチル基、2-メチル-2-ノルボルニルメトキシメチル基、1-メトキシエチル基、1-メトキシプロピル基、1-メトキシブチル基、1-エトキシエチル基、1-エトキシプロピル基、1-エトキシブチル基、1-プロポキシエチル基、1-プロポキシプロピル基、1-プロポキシブチル基、1-シクロペンチルオキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、2-メトキシイソプロピル基、2-エトキシイソプロピル基、1-フェノキシエチル基、1-ベンジルオキシエチル基、1-フェノキシプロピル基、1-ベンジルオキシプロピル基、1-アダマンチルオキシエチル基、1-アダマンチルオキシプロピル基、2-テトラヒドロフリル基、2-テトラヒドロ-2H-ピラニル基、1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシエトキシエチル基、1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシエトキシプロピル基、1-[2-1-アダマンチルカルボニルオキシエトキシ]エチル基、1-[2-1-アダマンチルカルボニルオキシエトキシ]プロピル基を例示できるが、これらに限定されない。式C2で示される三級アルキル基として具体的には、t-ブチル基、t-ペンチル基、1-エチル-1-メチルプロピル基、1,1-ジエチルプロピル基、1,1,2-トリメチルプロピル基、1-アダマンチル-1-メチルエチル基、1-メチル-1-2-ノルボルニルエチル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、1-メチル-1-7-オキサナルボルナン-2-イルエチル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-プロピルシクロペンチル基、1-シクロペンチルシクロペンチル基、1-シクロヘキシルシクロペンチル基、1-2-テトラヒドロフリルシクロペンチル基、1-7-オキサナルボルナン-2-イルシクロペンチル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-シクロペンチルシクロヘキシル基、1-シクロヘキシルシクロヘキシル基、2-メチル-2-ノルボニル基、2-エチル-2-ノルボニル基、8-メチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、8-エチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、3-メチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125,1710]ドデシル基、3-エチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125,1710]ドデシル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、1-メチル-3-オキソ-1-シクロヘキシル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、5-ヒドロキシ-2-メチル-2-アダマンチル基、5-ヒドロキシ-2-エチル-2-アダマンチル基を例示できるが、これらに限定されない。また、ベース樹脂の水酸基の一部が下記一般式C3aあるいはC3bで表される酸不安定基によって分子間あるいは分子内架橋されていてもよい。上記式中、R17、R18は水素原子又は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R17とR18は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはR17、R18は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R19は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、bは0又は1~10の整数である。Aは、a1価の炭素数1~50の鎖状もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又は水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。aは1~7の整数である。一般式C3a、C3bに示される架橋型アセタールとして、具体的には下記C3-1~C3-8が挙げられるが、これらに限定されない。ベースポリマーの重量平均分子量は、溶剤としてテトラヒドロフランを用いたゲル浸透クロマトグラフィーGPCによる測定法でポリスチレン換算2,000~100,000とすることが好ましく、2,000に満たないと成膜性、解像性に劣る場合があり、100,000を超えると解像性に劣るかあるいはパターン形成時に異物が発生する場合がある。本発明のポジ型化学増幅レジスト材料をArFエキシマレーザー用レジスト材料として用いる場合に、特に好適に用いられるベース樹脂としては、特開2008-111103号公報の段落[0072]~[0121]に記載されている樹脂を挙げることができる。具体的には、下記一般式R1及び/又は下記一般式R2から選ばれる高分子化合物を挙げることができる。上記式中、R001は、水素原子、メチル基又は-CH2CO2R003を示す。R002は、水素原子、メチル基又は-CO2R003を示す。R003は、炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシクロペンチル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、エチルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基等を例示できる。R004は、水素原子、又は炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシル基及び水酸基から選ばれる1種以上を含有する1価の炭化水素基を示し、具体的には水素原子、カルボキシエチル、カルボキシブチル、カルボキシシクロペンチル、カルボキシシクロヘキシル、カルボキシノルボルニル、カルボキシアダマンチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシシクロペンチル、ヒドロキシシクロヘキシル、ヒドロキシノルボルニル、ヒドロキシアダマンチル、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシル、ジヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシル等が例示できる。R005~R008の少なくとも1個は炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシル基及び水酸基から選ばれる1種以上を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシル基及び水酸基から選ばれる1種以上を含有する1価の炭化水素基としては、具体的にはカルボキシ、カルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチル、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシブチル、2-カルボキシエトキシカルボニル、4-カルボキシブトキシカルボニル、2-ヒドロキシエトキシカルボニル、4-ヒドロキシブトキシカルボニル、カルボキシシクロペンチルオキシカルボニル、カルボキシシクロヘキシルオキシカルボニル、カルボキシノルボルニルオキシカルボニル、カルボキシアダマンチルオキシカルボニル、ヒドロキシシクロペンチルオキシカルボニル、ヒドロキシシクロヘキシルオキシカルボニル、ヒドロキシノルボルニルオキシカルボニル、ヒドロキシアダマンチルオキシカルボニル、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシルオキシカルボニル、ジヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシルオキシカルボニル等が例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、具体的にはR003で例示したものと同様のものが例示できる。R005~R008のうち2個例えばR005とR006、R006とR007は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく、その場合には環の形成に関与するR005~R008の少なくとも1個は炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシル基及び水酸基から選ばれる1種以上を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシル基及び水酸基から選ばれる1種以上を含有する2価の炭化水素基としては、具体的には上記含フッ素置換基、カルボキシル基及び水酸基から選ばれる1種以上を含有する1価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基としては、具体的にはR003で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。R009は、炭素数3~15の-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基を示し、具体的には2-オキソオキソラン-3-イル、4,4-ジメチル-2-オキソオキソラン-3-イル、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル、2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-イルメチル、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル等を例示できる。R010~R013の少なくとも1個は炭素数2~15の-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。炭素数2~15の-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基としては、具体的には2-オキソオキソラン-3-イルオキシカルボニル、4,4-ジメチル-2-オキソオキソラン-3-イルオキシカルボニル、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イルオキシカルボニル、2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-イルメチルオキシカルボニル、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イルオキシカルボニル等を例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、具体的にはR003で例示したものと同様のものが例示できる。R010~R013のうち2個例えばR010とR011、R011とR012は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく、その場合には環の形成に関与するR010~R013の少なくとも1個は炭素数1~15の-CO2-部分構造を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。炭素数1~15の-CO2-部分構造を含有する2価の炭化水素基としては、具体的には1-オキソ-2-オキサプロパン-1,3-ジイル、1,3-ジオキソ-2-オキサプロパン-1,3-ジイル、1-オキソ-2-オキサブタン-1,4-ジイル、1,3-ジオキソ-2-オキサブタン-1,4-ジイル等の他、上記-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基としては、具体的にはR003で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。R014は、炭素数7~15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示し、具体的にはノルボルニル、ビシクロ[3.3.1]ノニル、トリシクロ[5.2.1.026]デシル、アダマンチル、エチルアダマンチル、ブチルアダマンチル、ノルボルニルメチル、アダマンチルメチル等を例示できる。R015は、酸不安定基を示し、具体例については後述する。Xは、-CH2又は酸素原子を示す。kは、0又は1である。R016は、水素原子又はメチル基を示す。R017は、炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R1において、a1’、a2’、a3’、b1’、b2’、b3’、c1’、c2’、c3’、d1’、d2’、d3’、e’は0以上1未満の数であり、a1’a2’a3’b1’b2’b3’c1’c2’c3’d1’d2’d3’e’=1を満足する。R2において、f’、g’、h’、i’、j’は0以上1未満の数であり、f’g’h’i’j’=1を満足する。x’、y’、z’は0~3の整数であり、1≦x’y’z’≦5、1≦y’z’≦3を満足する。R015の酸不安定基としては、種々用いることができるが、具体的には下記一般式L1~L4で示される基、炭素数4~20、好ましくは4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基等を挙げることができる。上記式中、破線は結合手を示す。また、式L1において、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、アダマンチル基等が例示できる。RL03は炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては上記RL01、RL02と同様のものが例示でき、置換アルキル基としては下記の基等が例示できる。RL01とRL02、RL01とRL03、RL02とRL03とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合には環の形成に関与するRL01、RL02、RL03はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。式L2において、RL04は炭素数4~20、好ましくは炭素数4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基又は上記一般式L1で示される基を示し、三級アルキル基としては、具体的にはtert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、2-シクロペンチルプロパン-2-イル基、2-シクロヘキシルプロパン-2-イル基、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルプロパン-2-イル基、2-アダマンタン-1-イルプロパン-2-イル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基等が例示でき、トリアルキルシリル基としては、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル-tert-ブチルシリル基等が例示でき、オキソアルキル基としては、具体的には3-オキソシクロヘキシル基、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル基、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル基等が例示できる。yは0~6の整数である。式L3において、RL05は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、置換されていてもよいアルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの、又はこれらのメチレン基の一部が酸素原子又は硫黄原子に置換されたもの等が例示でき、置換されていてもよいアリール基としては、具体的にはフェニル基、メチルフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基等が例示できる。mは0又は1、nは0,1,2,3のいずれかであり、2mn=2又は3を満足する数である。式L4において、RL06は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL05と同様のもの等が例示できる。RL07~RL16はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の1価の炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等が例示できる。RL07~RL16は互いに結合して環を形成していてもよく例えば、RL07とRL08、RL07とRL09、RL08とRL10、RL09とRL10、RL11とRL12、RL13とRL14等、その場合には環の形成に関与する基は炭素数1~15の2価の炭化水素基を示し、具体的には上記1価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等が例示できる。また、RL07~RL16は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい例えば、RL07とRL09、RL09とRL15、RL13とRL15等。D成分の酸発生剤として光酸発生剤を添加する場合は、紫外線、遠紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線等の高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでもかまわない。好適な光酸発生剤としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシジカルボキシイミド、O-アリ-ルスルホニルオキシム、O-アルキルスルホニルオキシム等の光酸発生剤等がある。これらは単独あるいは2種以上を混合して用いることができる。酸発生剤の具体例としては、特開2008-111103号公報の段落[0122]~[0142]に記載されている化合物を挙げることができる。本発明では、これらの酸発生剤の中でも、下記一般式PAGAで表される酸発生剤が好ましく使用される。これらは他の酸発生剤と併用してもよい。上記式中、RPCは、Ar、又はハロゲン、酸素、窒素もしくは硫黄原子を含んでもよい直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1~20のアルキル基であるか、又はRPC同士が結合して、両末端で結合する硫黄原子と共に炭素数5~8の環を形成する。Arはハロゲン、酸素、窒素もしくは硫黄原子を含んでもよい置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基である。RPAは、ハロゲン、酸素、窒素もしくは硫黄原子を含んでもよい直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1~50のアルキル基、ハロゲン、酸素、窒素もしくは硫黄原子を含んでもよい置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、ハロゲン、酸素、窒素もしくは硫黄原子を含んでもよい置換もしくは非置換の炭素数7~30のアラルキル基、-CnF、RPA1CO2CHRPA2-、RPA1OCO-であり、このうち最も好ましくはRPA1CO2CHRPA2-であり、細線での解像性能に優れる。nは0~10の整数である。RPA1はハロゲン、酸素、窒素もしくは硫黄原子を含んでもよい直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1~50のアルキル基、ハロゲン、酸素、窒素もしくは硫黄原子を含んでもよい置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基、ハロゲン、酸素、窒素もしくは硫黄原子を含んでもよい置換もしくは非置換の炭素数7~30のアラルキル基である。RPA2は水素原子又はトリフルオロメチル基である。光酸発生剤の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲であればいずれでもよいが、レジスト材料中のベース樹脂100部に対し0.1~80部、好ましくは1~40部である。光酸発生剤の割合が多すぎる場合には、解像性の劣化や、現像/レジスト膜剥離時の異物の問題が起きる可能性がある。上記光酸発生剤は、単独でも2種以上混合して用いることもできる。更に、露光波長における透過率が低い光酸発生剤を用い、その添加量でレジスト膜中の透過率を制御することもできる。更に、本発明のレジスト材料には、クエンチャーEを1種又は2種以上配合することができる。クエンチャーとは、本技術分野において広く一般的に用いられる用語であり、酸発生剤より発生する酸などがレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物を言う。クエンチャーの配合により、レジスト感度の調整が容易となることに加え、レジスト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向上することができる。このようなクエンチャーとしては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、N-オキシド類、アミド類、イミド類、カーバメート類、アンモニウム塩類等が好適に用いられる。クエンチャーとしては、上記の配合効果のいずれかを有する物質であれば特に限定されないが、例えば、特開平11-084639号公報、特開2001-166476号公報、特開2001-194776号公報、特開2001-296659号公報、特開2002-226470号公報、特開2002-249478号公報、特開2002-363146号公報、特開2002-363148号公報、特開2002-363152号公報、特開2003-12621号公報、特開2004-347735号公報、特開2004-347736号公報、特開2004-347738号公報、特開2005-132749号公報、特開2005-165295号公報、特開2005-306812号公報、特開2006-176468号公報、特開2007-108451号公報、特開2008-107513号公報、特開2010-164933号公報記載の塩基性化合物含窒素有機化合物を使用することができる。以下、本発明のレジスト材料に好適に用いられるクエンチャーを更に具体的に例示するが、これらに限定されるものではない。第一級の脂肪族アミン類として、セチルアミン、テトラエチレンペンタミン等、第二級の脂肪族アミン類として、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、第三級の脂肪族アミン類として、トリオクチルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、N,N-ジシクロヘキシルメチルアミンが例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体例えばN,N-ビス2-ヒドロキシエチルアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン、ピロール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、イミダゾール誘導体例えば、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール誘導体例えばベンズイミダゾール、2-メチルベンズイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体、ピロリジン誘導体、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体例えばジメチルアミノピリジン、2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルピリジン、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、1H-インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,10-フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体が例示される。カルボキシル基を有する含窒素化合物としては、例えばアミノ安息香酸誘導体4-ジメチルアミノ安息香酸、4-ジブチルアミノ安息香酸、アミノ酸誘導体が例示され、水酸基を有する含窒素化合物としては、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、4-2-ヒドロキシエチルモルホリン、3-クイヌクリジノールが例示される。N-オキシド類としては、トリブチルアミン-N-オキシド、N-メチルモルホリン-N-オキシド、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン-N-オキシドが例示される。アミド類としては、1-シクロヘキシルピロリドン、N-ピバロイル-2-フェニルベンズイミダゾールが例示される。イミド類としては、フタルイミドが例示される。カーバメート類としては、N-t-ブトキシカルボニル-N,N-ジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N-ベンジルオキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N-アリルオキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾールが例示される。アンモニウム塩類としては、トリエチルアンモニウム=カンファースルホナート、酢酸テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム=p-トルエンスルホナート、テトラブチルアンモニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホナート、テトラブチルアンモニウム=カンファースルホナート、ベンジルトリメチルアンモニウム=カンファースルホナート、トリメチルオクタデシルアンモニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホナート、4-2-シクロへキサンカルボキシエチルモルホリニウム=カンファースルホナートが例示される。更に、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス2-アセトキシエチルアミン、トリス2-プロピオニルオキシエチルアミン、トリス2-ベンゾイルオキシエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-メトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、1-[2-メトキシメトキシエチル]-2-フェニルベンズイミダゾール、1-ドデシルピペリジン、1-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピロリジン、4-ドデシルモルホリン、1-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピペリジン、4-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]モルホリン、4-[2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]エチル]モルホリン、1-[2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]エチル]ベンズイミダゾール、4-[2-[2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]エトキシ]エチル]モルホリン、酢酸2-1-ピロリジニルエチル、酢酸2-ピペリジノエチル、酢酸2-モルホリノエチル、酢酸2-1-イミダゾリルエチル、酢酸2-1-ベンズイミダゾリルエチル、酢酸2-2-フェニル-1-ベンズイミダゾリルエチル、2-2-メトキシエトキシ酢酸2-ピペリジノエチル、2-2-メトキシエトキシ酢酸2-モルホリノエチル、2-2-メトキシエトキシ酢酸2-1-ベンズイミダゾリルエチル、2-2-メトキシエトキシ酢酸2-2-フェニル-1-ベンズイミダゾリルエチル、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]酢酸2-1-ピロリジニルエチル、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]酢酸2-ピペリジノエチル、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]酢酸2-モルホリノエチル、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]酢酸2-1-ベンズイミダゾリルエチル、ヘキサン酸2-モルホリノエチル、オクタン酸2-モルホリノエチル、デカン酸2-モルホリノエチル、ラウリン酸2-モルホリノエチル、ミリスチン酸2-モルホリノエチル、パルミチン酸2-モルホリノエチル、ステアリン酸2-モルホリノエチル、ベヘン酸2-モルホリノエチル、コール酸2-モルホリノエチル、トリスO-アセチルコール酸2-モルホリノエチル、トリスO-ホルミルコール酸2-モルホリノエチル、デヒドロコール酸2-モルホリノエチル、シクロペンタンカルボン酸2-モルホリノエチル、シクロヘキサンカルボン酸2-モルホリノエチル、2-ナフタレンカルボン酸2-モルホリノエチル、7-オキサノルボルナン-2-カルボン酸2-モルホリノエチル、が例示される。なお、クエンチャーの配合量は全ベース樹脂100部に対して0.01~20部、特に0.1~10部が好適である。配合量が0.01部より少ないと配合効果がなく、20部を超えると感度が低下しすぎる場合がある。更に、本発明のレジスト材料には、任意成分として、F成分の界面活性剤を添加することができる。上記界面活性剤としては、特に限定されず、広範な公知物質を使用可能であるが、例えば、特開2009-269953号公報の段落[0142]~[0149]を参照することができる。レジスト材料に添加される界面活性剤には大きく分けて2種類あり、一つは、塗布性を向上させるために慣用される界面活性剤F1であり、いま一つは、特に水を用いた液浸露光においてレジスト保護膜を用いない場合などに添加される界面活性剤F2である。本発明においては、界面活性剤F1の中で、FC-4430住友スリーエム株式会社製、サーフロンS-381AGCセイミケミカル株式会社製、サーフィノールE1004AGCセイミケミカル株式会社製、KH-20AGCセイミケミカル株式会社製、KH-30AGCセイミケミカル株式会社製、及び部分フッ素化オキセタン開環重合物が特に好適である。これらは単独あるいは2種以上の組み合わせで用いることができる。本発明の化学増幅型レジスト材料中の界面活性剤F1の添加量は、レジスト材料中のベース樹脂100部に対し2部以下、好ましくは1部以下である。界面活性剤F2としては、レジスト材料に配合された場合に、スピンコート後のレジスト表面に配向することによって水液浸露光時のレジスト膜への水のしみ込みやレジスト膜からのリーチングを低減させる機能を有するものであれば特に限定されず、広範な公知物質を使用可能である。この界面活性剤は高分子型の界面活性剤であって、水に溶解せずアルカリ現像液に溶解する性質を有し、特に撥水性が高く滑水性を向上させるものが好ましい。界面活性剤F2としては、特開2007-297590号公報、特開2008-122932号公報、特開2009-98638号公報、特開2009-191151号公報、特開2009-192784号公報、特開2009-276363号公報、特開2010-107695号公報、特開2010-134012号公報記載の高分子化合物を使用することもできる。本発明の化学増幅型レジスト材料中に界面活性剤F2を添加する場合の添加量は、レジストのベースポリマー100部に対して0.001~20部、好ましくは0.01~10部の範囲である。これらは特開2007-297590号公報に詳しい。本発明のレジスト材料には、必要に応じて、この他に既知の溶解制御剤、アセチレンアルコール類、酸性化合物、色素、熱架橋剤、安定剤などを加えてもよい。このうち、溶解制御剤としては特開2008-122932号公報の段落[0155]~[0178]、アセチレンアルコール類としては段落[0179]~[0182]に記載されている材料を用いることができる。本発明のレジスト材料を使用してパターンを形成するには、特に限定されないが公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができる。集積回路製造用の基板Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜、Cr、CrO、CrON、MoSi等上にスピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により膜厚が0.05~2.0μmとなるように塗布し、これをホットプレート上で60~150°C、0.1~10分間、好ましくは80~140°C、0.5~5分間プリベークする。次いで、目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、紫外線、遠紫外線、極端紫外線、エキシマレーザー、電子線、X線、γ線、シンクロトロン放射線等から選ばれる光源、好ましくは300nm以下の露光波長で露光量1~200mJ/cm2、好ましくは10~100mJ/cm2となるように照射する。露光は通常の露光法の他、必要に応じて投影レンズとレジスト膜の間を水などの液体で満たす液浸露光ImmersionLithographyを用いることも可能である。液浸露光の場合は、必要に応じて露光前にレジスト上に更にトップコートを塗布した後に露光を行うことTopCoatProcessも可能である。次いで、ホットプレート上で60~150°C、0.1~5分間、好ましくは80~140°C、0.5~3分間ポストエクスポージャーベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは、2~3質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像して、基板上に目的のパターンが形成される。また必要に応じて現像後の更なる加熱処理thermalflow、あるいは化学シュリンク剤処理chemicalshrinkによるパターンサイズの調整も可能である。また、本発明のレジスト材料は、ダブルパターニングプロセス用のポジ型レジストとして使用してもよい。なお、本発明のレジスト材料は、特に高エネルギー線の中でも260~120nmの遠紫外線又はエキシマレーザー、極端紫外線、X線及び電子線による微細パターニングに最適である。以下、合成例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。なお、下記例において、Meはメチル基を示す。[合成例]本発明のレジスト材料に含有される、ステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物を以下に示す方法で合成した。[合成例1]デヒドロコール酸1-エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルA-1の合成デヒドロコール酸S-14.0g、クロロ酢酸1-エチルシクロペンチルS-22.9g、トリエチルアミン1.2g、ヨウ化ナトリウム0.2g、ジメチルホルムアミド24gの混合物を80°Cで48時間撹拌した。反応混合物を塩化メチレンで希釈、通常の水系後処理aqueouswork-upを行った後、カラムクロマトグラフィーにより精製を行い、4.3gのデヒドロコール酸1-エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルA-1を得た。[合成例2]デヒドロコール酸1-エチルシクロペンチルA-2の合成デヒドロコール酸クロリドS-34.2g、1-エチルシクロペンタノールS-41.7g、4-ジメチルアミノピリジン0.1g、ピリジン16gの混合物を60°Cで16時間撹拌した。反応混合物を塩化メチレンで希釈、通常の水系後処理aqueouswork-upを行った後、カラムクロマトグラフィーにより精製を行い、3.5gのデヒドロコール酸1-エチルシクロペンチルA-2を得た。[合成例3]デヒドロコール酸1-メトキシ-2-メチルプロピルA-3の合成デヒドロコール酸S-120.0g、トリエチルアミン6.0g、テトラヒドロフラン100gの混合物に、1-クロロ-2-メチルプロピルメチルエーテルS-56.1gを室温で滴下し、1時間撹拌した。反応混合物をトルエンで希釈、通常の水系後処理aqueouswork-upを行った後、溶剤を減圧留去した。生じた固体をイソプロピルエーテルで洗浄後、減圧乾燥し、21.9gのデヒドロコール酸1-メトキシ-2-メチルプロピルA-3を得た。得られた目的物の赤外吸収スペクトルIR及び核磁気共鳴スペクトル1H-NMRの測定結果を下記に示す。なお、本化合物は、存在比1:1の2種のジアステレオマー混合物である。IRD-ATR:ν=2964、2931、2872、1740、1720、1705、1470、1426、1384、1314、1299、1277、1250、1220、1170、1138、1120、1097、972、946、911cm11H-NMR600MHz、THF-d8:δ=0.863H,d,J=6.4Hz、0.88-0.926H,m、1.083H,s、1.22-1.42[1.403H,sを含む7H,m]、1.551H,dt,J=14.7,4.1Hz、1.76-2.069H,m、2.091H,dd,J=12.4,5.5Hz、2.201H,t,J=13.2Hz、2.23-2.526H,m、2.861H,t,J=12.8Hz、2.961H,dd,J=13.3,5.5Hz、2.991H,t,J=11.9Hz、3.321.5H,s、3.331.5H,s、5.521H,d,J=5.0Hz.[合成例4]デヒドロコール酸[2-メチル-1-トリシクロ[5.2.1.026]デカン-8-イルオキシプロピル]A-4の合成1-クロロ-2-メチルプロピルメチルエーテルS-5の代わりに同モルの1-クロロ-2-メチルプロピルトリシクロ[5.2.1.026]デカン-8-イルエーテルS-6を用いた以外は、[合成例3]に準じた方法により、デヒドロコール酸[2-メチル-1-トリシクロ[5.2.1.026]デカン-8-イルオキシプロピル]A-4を合成した。[実施例、比較例]上で合成した酸分解性ケトエステル化合物を配合した、本発明のレジスト材料を調製し、次いで本発明のパターン形成方法を実施し、その解像性、及びLERの評価を行った。下記実施例及び比較例で使用したベースポリマー、酸発生剤、クエンチャー、酸分解性エステル化合物の構造式を以下に示す。なお、下記例でMw、Mnはテトラヒドロフランを溶離液としたゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定したポリスチレン換算の値である。[実施例1]合成例1で得られた酸分解性ケトエステル化合物A-1を用いて、以下に示す組成で混合した後、孔径0.2μmのテフロン登録商標フィルターを用いて濾過し、レジスト材料を調製した。A酸分解性ケトエステル化合物:A-16.0質量部B有機溶剤:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート400質量部Cベースポリマー:Polymer1100質量部D酸発生剤:PAG11.5質量部、PAG20.5質量部Eクエンチャー:quencher10.25質量部F界面活性剤:住友3M製FC-44300.01質量部[実施例2,3及び比較例1~3]実施例1に準じて、合成例2,3で合成した酸分解性ケトエステル化合物A-2,3、比較となる酸分解性エステル化合物A-5,6について、それぞれこれらを等質量部配合したレジスト材料、及び酸分解性エステル化合物を配合しないレジスト材料を調製した。評価例実施例1~3及び比較評価例比較例1~3[解像性評価]:KrF露光これらレジスト材料を、反射防止膜日産化学工業株製DUV30、55nmを塗布したシリコンウエハー上へ回転塗布し、115°Cで90秒間の熱処理を施して、厚さ550nmのレジスト膜を形成した。これをKrFエキシマレーザーステッパー株ニコン製、NSR-S203B、NA=0.68、σ=0.75、2/3輪帯照明を用いて露光し、露光後110°Cで90秒間熱処理を施した後、23°Cまで冷却し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、23°Cで60秒間パドル現像を行い、1:1のラインアンドスペースパターンを形成した。現像済みウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡により観察し、180nmの1:1密集ラインアンドスペースパターンを解像する露光量最適露光量において、150nmのラインアンドスペースパターンを剥がれなく、分離解像したかどうかを評価した。加えて、パターン形状を断面SEM走査型電子顕微鏡により観察し、解像性の指標矩形であれば良好、裾引きトップロス等があれば不良とした。更に、180nmラインアンドスペースパターンのラインエッジラフネスLERを観察し、良好、可、不良の3段階で評価した。本発明のレジスト材料及び比較用のレジスト材料の評価結果限界解像性、LERを下記表1に示す。[実施例4]合成例1で得られた酸分解性エステル化合物を用いて、以下に示す組成で混合した後、孔径0.2μmのテフロン登録商標フィルターを用いて濾過し、レジスト材料を調製した。A酸分解性ケトエステル化合物:A-17.5質量部B有機溶剤:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート800質量部Cベースポリマー:Polymer2100質量部D酸発生剤:PAG22.5質量部Eクエンチャー:quencher10.25質量部F界面活性剤:住友3M製FC-44300.01質量部[実施例5,6及び比較例4~6]実施例4に準じて、合成例2,3で合成した酸分解性ケトエステル化合物A-2,3、比較となる酸分解性エステル化合物A-5,6について、それぞれこれらを等質量部配合したレジスト材料、及び酸分解性エステル化合物を配合しないレジスト材料を調製した。評価例実施例4~6及び比較評価例比較例4~6[解像性及びラインエッジラフネスLERの評価]:ArF露光これらレジスト材料を、反射防止膜日産化学工業株製、ARC29A、78nmを塗布したシリコンウエハー上へ回転塗布し、100°C、60秒間の熱処理を施して、厚さ100nmのレジスト膜を形成した。これをArFエキシマレーザーステッパー株ニコン製、307E、NA=0.85、σ0.93/0.70、3/4輪帯照明、6ハーフトーンマスクを用いて露光し、110°C、60秒間の熱処理PEBを施した後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて30秒間パドル現像を行い、1:1のラインアンドスペースパターンを形成した。作製したパターン付きウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡で観察し、90nmのラインアンドスペースパターンを1:1で解像する露光量最適露光量において分離解像している1:1のラインアンドスペースパターンの最小寸法を限界解像性マスク上寸法、5nm刻み、寸法が小さいほど良好とした。また、株日立製作所製測長SEMS-9380を用いて、90nmラインアンドスペースパターンのラインエッジラフネスLERを観察し、良好、可、不良の3段階で評価した。本発明のレジスト材料及び比較用のレジスト材料の評価結果限界解像性、LERを下記表2に示す。[実施例7、比較例7]合成例4で得られた酸分解性ケトエステル化合物A-4を用いて、以下に示す組成で混合した後、孔径0.2μmのテフロン登録商標フィルターを用いて濾過し、分子レジスト材料を調製した。A酸分解性ケトエステル化合物:A-4100質量部B有機溶剤:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート3000質量部D酸発生剤:PAG35.0質量部Eクエンチャー:quencher10.25質量部F界面活性剤:住友3M製FC-44300.01質量部比較例として、酸分解性ケトエステル化合物を前記ポリマー1に変えたレジスト材料を調製した。[電子ビーム描画評価]これらのポジ型レジスト材料を、90°CでヘキサメチルジシラザンHMDSをベーパープライムした直径6インチφのSi基板上に、クリーントラックMark5東京エレクトロン株製を用いてスピンコートし、ホットプレート上で110°Cで60秒間プリベークして60nmのレジスト膜を作製した。これに、株日立製作所製HL-800Dを用いてHV電圧50keVで真空チャンバー内描画を行った。描画後直ちにクリーントラックMark5東京エレクトロン株製を用いてホットプレート上で70°Cで60秒間ポストエクスポージャーベークPEBを行い、2.38質量のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行い、ポジ型のパターンを得た。得られたレジストパターンを次のように評価した。120nmのラインアンドスペースパターンを1:1で解像する露光量における、最小の寸法を解像力とし、120nmラインアンドスペースパターンのエッジラフネスLERをSEMで測定した。本発明のレジスト材料及び比較用のレジスト材料の電子ビーム露光評価結果限界解像性、LERを下記表3に示す。上記の結果より、本発明のレジスト材料が、高解像性と良好なLERを両立し、微細加工のためのフォトリソグラフィーに好適であることが確認された。また、特に本発明のステロイド骨格を有する酸分解性ケトエステル化合物は、その配合効果が高いことが明らかとなった。"