"少なくとも、電気分解による現場での元素状フッ素の製造の工程と、元素状フッ素をエッチング剤として使用するチャンバ内の物品のエッチングおよび元素状フッ素をチャンバ洗浄剤として使用するチャンバの洗浄の群から選択された少なくとも1つの工程とを含む電子デバイスの製造のための方法であって、元素状フッ素が、その製造後およびエッチングまたはチャンバの洗浄のためのその適用前に周囲圧力を超える圧力において低温処理に供され、同伴されたフッ化水素の少なくとも一部を除去する、方法。前記処理の間の前記圧力が1.5Barabs以上である、請求項1に記載の方法。前記処理の間の前記圧力が20Barabs以下である、請求項1または2に記載の方法。前記電子デバイスが、半導体、光起電力セル、MEMS、およびTFTからなる群から選択される、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記圧力が1.5~4.5Baraの範囲である、光起電力セルの製造のための請求項4に記載の方法。前記圧力が4.5~11Baraの範囲である、TFTの製造のための請求項4に記載の方法。前記元素状フッ素が-50°C以下の温度に前記低温処理において冷却される、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。前記元素状フッ素が-60°C以下の温度に前記低温処理において冷却される、請求項8に記載の方法。前記元素状フッ素が、少なくとも1つの吸着工程、少なくとも1つの吸収工程および/または少なくとも1つの蒸留工程にさらに供される、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。前記元素状フッ素が、電解質塩としてKFの溶融HF付加物の存在下でHFの電気分解によって製造される、請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。元素状フッ素が発生器中で製造され、元素状フッ素のための前記発生器が前記チャンバと流体連通状態である、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。エッチングチャンバおよび/または洗浄されるチャンバが耐熱またはプラズマ補助チャンバである、請求項1~11のいずれか一項に記載の方法。前記洗浄が熱的に行われるかまたはプラズマ補助される、請求項1に記載の方法。前記フッ素がカセット内で製造される、請求項1~13のいずれか一項に記載の方法。前記フッ素がスキッド内で製造される、請求項1~13のいずれか一項に記載の方法。本発明の目的は、高純度試薬を使用することが望ましい電子デバイスの製造のためのプロセスに、精製されたフッ素を作用物質として供給するための改良されたプロセスを提供することである。本発明は、元素状フッ素をエッチング剤として使用するチャンバ内の物品のエッチング、および元素状フッ素をチャンバ洗浄剤として使用するチャンバの洗浄からなる群から選択された少なくとも1つの工程を含み、少なくとも、電気分解による元素状フッ素の製造の工程を含む、電子デバイス、特に半導体、光起電力セル、MEMS、またはTFTの製造のための方法に関し、フッ素が、その製造後およびエッチングまたはチャンバ洗浄剤としてのその適用前に周囲圧力を超える圧力において低温処理に供され、同伴されたフッ化水素の少なくとも一部を除去する。用語低温処理は、精製されたフッ素と冷却装置、例えば冷却されたトラップまたは冷却された熱交換器の冷却された表面との接触を意味し、冷却された表面は-50°C以下の温度に冷却される。好ましくは、それらは-60°C以下の温度に冷却される。周囲圧力においてフッ素の沸点が約-188°Cであるので、温度は好ましくは-185°C以上である。この温度範囲のための冷却液は概して、例えばR.E.Rondeau,J.Chem.Eng.Data,II,1241966年から公知である。米国特許出願公開第2009-0026410号明細書は、-115°Cしかない温度において運転する熱交換器において適しているエーテルとアルキルベンゼンとを含む熱媒液を提供する。標準圧力100kPa下のHFの融点は-83.6°Cである。したがって、本発明の方法の条件下で、そして圧力に応じて、それぞれ温度が低くなる場合、トラップ中のHFが固化する。圧力が高くなると、HFが固化する温度が低くなる。低温処理の間のフッ素の圧力は好ましくは、1.5絶対バールBarabsolute150kPaabs.以上である。用語Barabs.は、Baraに等しい。より好ましくは、圧力が2barabs以上である。圧力は好ましくは20Bara2.000kPaabs.以下であり、より好ましくは15Bara1.500kPaabs以下である。所定の温度において、上側の範囲の圧力、例えば6~20barabs.においてプロセスを実施することによって、より高い圧力ではHFの分圧が低くなり、したがって処理されたフッ素中のHFの残留含有量が低くなるので、同伴されたHFの分離を改善する。他方、実用上の理由のために、F2は非常に活発な化合物であるのでより低い圧力において、例えば2~4barabs.の範囲でプロセスを実施することが好ましい場合がある。できる限り低い温度においてプロセスを実施することはHFの分圧がより低いので分離因子を改良するが、分離されたHFは、固体状態にあるHFよりも液体状態においてより容易にトラップから除去されうるので、分離されたHFが固化しないような圧力および温度を選択することが好ましい。凝縮されたHFが液体である条件においてHFを除去することが好ましい。上述のように、周囲圧力において、HFは約-83.6°Cにおいて固化する。本発明のプロセスの高圧下では、固化温度はより低く、したがって、-83.6°Cよりもさらに低い温度においてプロセスを実施することができる。低温においての処理のための好ましい範囲は、-70°C以上~-82°C以上である。必要ならばフッ素を現場で製造することができる。これは本発明の好ましい実施形態である。それは、1つまたは複数のサテライトプラント内で、例えば国際公開第2004/009873号パンフレットに記載されているようにフッ素発生カセット内で製造されてもよい。必要ならば、各々のカセットをエッチングが行われる1つまたは複数のプロセスチャンバに割り当てることができる。あるいは複数のフッ素発生カセットは、チャンバに接続されているフッ素ガス分配システムに接続される。低温精製のための本発明の方法を実施するための手段、例えば冷却されたトラップをカセットに組み込むことができる。また、プロセスは、共にSolvaySAの名称で出願された2010年9月15日に出願された未公開の米国特許仮出願第61/383204号明細書、および2010年9月16日に出願された米国特許仮出願第61/383533号明細書に記載されたスキッド概念によるプラント構造において行われてもよい。現場で製造される場合、1つの実施形態は、光起電力デバイス、例えば、光起電力セルの製造のためのフッ素の製造を提供する。光起電力セルの製造とそこにおいて有用なF2を含むエッチング剤およびエッチング剤組成物は、国際公開第2009/092453号パンフレットおよび欧州特許出願公開第2159829号明細書に記載されている。この実施形態において、器具へのフッ素の供給圧力は好ましくは1.5Barabs以上である。それは好ましくは5Bara以下である。この実施形態において圧力の好ましい範囲は1.5~4.5Baraである。本発明の方法を同じ圧力において実施することができる。必要ならば、本発明の方法は、上に説明されたように、HFの分離が高めの圧力においてより良好であるので、高めの圧力において、好ましくは8~12Baraにおいて実施される。次に、フッ素を1.5~5Baraの好ましい範囲の圧力に減圧する。フッ素の需要が大きい現場生産の別の実施形態において、特に、LCDのためのTFTの製造において、器具へのフッ素の供給圧力は好ましくは3Bara300kPaabs.以上、特に好ましくは、4.5Bara450kPaabs以上である。この実施形態において、圧力は好ましくは12Bara1.200kPaabs以下、より好ましくは、11Bara1.100kPaabs以下である。この実施形態において特に好ましい範囲は、4.5~11Bara450~1.100kPaabsである。この実施形態において、本発明の方法および器具への供給は好ましくは、8~12Bara800~1200hPaの範囲の圧力において実施される。利点は、付加的な加圧が必要とされないということである。本発明の方法が器具へのフッ素供給工程よりも低い圧力において実施される場合、フッ素は、圧縮機または他の手段で加圧されなければならない。TFTの製造とそこにおいて有用なF2を含むエッチング剤は、2010年10月26日に出願された未公開の国際特許出願PCT/EP2010/066109号に相当する2009年10月26日に出願された未公開の欧州特許出願第09174034.0号に記載されている。低温処理によって、電気分解によって製造されたF2に通常は同伴されているHFを有効に除去することができる。必要ならば、吸着剤または吸収剤、例えばNaFによるさらなる処理を低温処理後に実施することができる。フッ素を低温においてそれからHFを除去するために適用された同じ圧力下で吸着剤または吸収剤と接触させることができる。別の選択肢として、フッ素をより高い圧力に加圧するかまたはより低い圧力に減圧してそれを吸収剤と接触させることができる。別の選択肢としてまたはさらに、加圧蒸留工程を実施することができる。固化された電解質塩から主に構成されている同伴された固形分をF2耐性材料、特にステンレス鋼、ニッケルまたはモネルメタルから製造されたフリット中で除去することができる。1つの実施形態によって、電気分解によって製造されたF2からの固形分の除去は、低温の液体HFを用いて、例えば-70°C以下~-82°Cまでの温度の液体HFを用いて運転されるジェットスクラバーにF2を送ることによって行われてもよい。このような処理は、SolvaySAの名称で2010年8月05日に出願された欧州特許出願第10172034.0号明細書に記載されている。低温処理と吸収とのこのような組み合わせにおいて、利点は、再生される必要がある吸収剤が少なくなることである。除去されたHFを電気分解反応器に再循環させることができる。チャンバは、その中で電子デバイスが熱的にまたは遠隔および/または内部プラズマによって補助されてエッチングされるチャンバであるか、またはそれは例えば化学蒸着CVDによって層の堆積のために使用されるチャンバ、特に、プラズマ強化CVDチャンバPECVDであり、壁および内部の部品上に蓄積する望ましくない堆積物を除去するために時々または計画的に洗浄される。本発明の方法および精製されたフッ素の供給は、使用する場所でまたはその使用場所から離れた場所で実施されてもよい。使用する場所から離れて実施される場合、フッ素は輸送目的のために貯蔵タンク内に貯蔵される。フッ素が現場で製造される場合、それは貯蔵タンク内に貯蔵されてもよい。また、貯蔵タンクをバッファタンクとして用いることができる。フッ素発生器がフッ素の適用器具に十分に近い場合、フッ素は貯蔵タンク内に集めてはならない。精製工程は貯蔵またはバッファリングの工程が用いられる場合貯蔵またはバッファリングの前または後に実施されてもよい。必要ならば、フッ素を貯蔵前および後に精製することができる。その製造および精製後に、フッ素を使用場所に供給する。これは好ましくは、周囲圧力よりも大きい圧力下で実施される。好ましい実施形態において、フッ素を圧縮機によって加圧することができる。所期の目的のために容認できる場合、不活性加圧ガス、例えば、窒素、酸素、ヘリウムまたはアルゴンを用いることができる。好ましくは、加圧ガスとして元素状フッ素以外に加圧ガスを用いない。貯蔵工程は、用いられる場合、適したタンク、例えばステンレス鋼瓶内の元素状フッ素の貯蔵を好ましくは意味する。フッ素は好ましくは、プロセスチャンバと流体連通状態である装置内で電気分解によってその使用現場で発生される。これは、発生された元素状フッ素が貯蔵タンク内にまたはその時に供給ラインから切り離されている加圧された瓶内に充填されないことを意味する。必要ならば、フッ素は貯蔵タンク、バッファタンクまたは供給ラインに接続されたままになっている瓶だけに貯蔵される。しばしば、フッ素発生器は、それがそこにおいて使用される器具と同じプラントに、すなわち製造器具から500m未満の距離に配置される。発生器はしばしば、器具の近くに、例えば器具から100m以下の距離に配置される。器具は使用場所としてプロセスチャンバに十分に近接して配置されることも可能であり、例えば距離は10m以下であってもよい。供給工程は好ましくは、フッ素を製造装置から使用場所にパイプを通して、特に、フッ素中への空気の混入を防ぐと共にフッ素が漏出するのを防ぐために永久的に接続されたままであるパイプを通して送ることを意味する。好ましい実施形態において、HFを除去するための低温処理の工程、処理されたF2を使用場所に供給する工程、任意の貯蔵工程、および同伴された固形分の除去および吸着または吸収による、好ましくはF2をNaFと接触させることによる一切の残留HFの除去のための任意選択的であるが実施されるのが好ましい工程が、周囲圧力よりも大きい圧力において実施される。好ましくは、工程は、1.5barabs以上の圧力において、より好ましくは、2barabs以上の圧力において実施される。好ましくは、前記工程は20barabs以下の圧力において実施される。1つの実施形態によって、光起電力デバイス、例えば、光起電力セルが製造される場合、前記工程は、より低い範囲、特に1.5~4.5Bara150~450hPaの範囲の圧力において実施される。フッ素の需要が大きい現場生産の別の実施形態において、特に、LCDのためのTFTの製造において、器具への前記工程においてのフッ素の圧力は好ましくは3Bara以上である。本発明の方法は、HFの低含有量で、またはHFを全く有さずに元素状フッ素を使用場所に供給することを可能にする。参照によって本願に組み込まれる一切の特許、特許出願、および刊行物の開示内容が、用語を不明確にする程度まで本出願の説明と対立する場合、本願の説明が優先されるものとする。以下の実施例は、本発明を制限せずにそれを詳細に説明することを意図する。実施例1チャンバの洗浄のために元素状フッ素をHFの低含有量で使用現場に提供1.元素状フッ素の製造およそKF2HFの組成を有する電解質塩を電解槽に充填し、約80~120°Cに加熱し、そこにおいて溶融する。HFを電解槽に導入する。8~10Vの電圧を印加し、電流を溶融電解質塩とフッ化水素との組成物に通す。電解槽の内容物は約80~100°Cの範囲に維持される。元素状フッ素および元素水素がそれぞれの電極区画に形成される。発生された元素状フッ素をモネルメタルフリット中を通過させて固形分を除去し、圧縮機によって約10Barabs.に加圧して、次に、-80°Cに冷却されたトラップを通過させる。このトラップ中で、同伴されたHFが凝縮する。トラップを出る気体F2がNaF層を通過させられて、一切の残留HFを除去する。2.チャンバへの精製されたF2の供給次に、圧縮されたフッ素を、必要ならば約2~3Barabs.に減圧した後、現場に配置された半導体製造器具に直接に、パイプで送る。この器具内に、プラズマチャンバの内壁の洗浄のために元素状フッ素を適用して、半導体の製造プロセスにおいてPECVDプラズマ強化蒸着の間に層に堆積されたシリコン含有残留物を除去する。実施例2エッチングのために元素状フッ素をHFの低含有量で使用現場に提供1.元素状フッ素の製造低温処理を含めて元素状フッ素の製造は実施例1.1に説明されたように行われる。2.器具への精製されたF2の供給次に、実施例2.1において得られた圧縮されたフッ素を現場に配置された半導体製造器具に直接に、パイプを通して2~3Barabs.の圧力下で送る。半導体の製造プロセスにおいてプラズマチャンバ内のSiウエハ上にSixNy層xが約3であり、vが約4であるをエッチングするために、この器具内に、元素状フッ素を10:70:20のAr:N2:F2の体積比でN2およびArと混合して加える。実施例3TFTの製造のためにF2を非常に低いHF含有量で提供1.元素状フッ素の製造およそKF2HFの組成を有する電解質塩を電解槽に充填し、約80~120°Cに加熱し、そこにおいて溶融する。HFを電解槽に導入する。8~10Vの電圧を印加し、電流を溶融電解質塩とフッ化水素との組成物に通す。元素状フッ素および元素水素がそれぞれの電極区画に形成される。2.器具への精製F2の供給発生された元素状フッ素をモネルメタルフリット中を通過させて固形分を除去し、圧縮機によって約10Barabs.に加圧して、次に、-100°Cに冷却されたトラップを通過させる。このトラップ中で、同伴されたHFが凝縮する。トラップを出る気体F2がNaF層を通過させられて、一切の残留HFを除去し、次いで約10Baraの圧力下で、液晶ディスプレイ用の薄膜トランジスタTFT-LCDの製造器具に供給される。実施例4光起電力セルの製造のためにF2を非常に低いHF含有量で提供1.元素状フッ素の製造およそKF2HFの組成を有する電解質塩を電解槽に充填し、約80~120°Cに加熱し、そこにおいて溶融する。HFを電解槽に導入する。8~10Vの電圧を印加し、電流を溶融電解質塩とフッ化水素との組成物に通す。元素状フッ素および元素水素がそれぞれの電極区画に形成される。2.器具への精製F2の供給発生された元素状フッ素をモネルメタルフリット中を通過させて固形分を除去し、圧縮機によって約4Barabs.に加圧して、次に、-100°Cに冷却されたトラップを通過させる。このトラップ中で、同伴されたHFが凝縮する。トラップを出る気体F2がNaF層を通過させられて、一切の残留HFを除去し、次いで約4Baraの圧力下で光起電力セルの製造器具に供給される。実施例5光起電力セルの製造のためにF2を非常に低いHF含有量で提供1.元素状フッ素の製造およそKF2HFの組成を有する電解質塩を電解槽に充填し、約80~120°Cに加熱し、そこにおいて溶融する。HFを電解槽に導入する。8~10Vの電圧を印加し、電流を溶融電解質塩とフッ化水素との組成物に通す。元素状フッ素および元素水素がそれぞれの電極区画に形成される。2.器具への精製F2の供給発生された元素状フッ素をモネルメタルフリット中を通過させて固形分を除去し、圧縮機によって約4barabs.に加圧して、次に、冷却液を通過させる熱交換器によって、-80°Cに冷却されたトラップを通過させる。このトラップ中で、同伴されたHFが凝縮する。トラップを出る気体F2を4barabsの圧力においてNaF層中を通過させて一切の残留HFを除去し、モネルメタルフリット中を再び通過させてまだ含有されている一切の固形分を除去し、次に、約4Baraの圧力下で光起電力セルの製造器具に供給する。"