強誘電体からなるコア層と、該コア層の上下に形成されたクラッド層とからなるコアにより形成された光導波路層と、前記光導波路層の上下面に形成された電極層からなる電気光学素子において、前記上下面の電極層の少なくとも一方はプリズム型の幾何形状とされており、前記強誘電体からなるコア層の負の自発分極電荷側を陽極とし、正の自発分極電荷側を陰極としたことを特徴とする電気光学素子。前記光導波路層と前記上下面の電極層との間に電子注入抑制層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学素子。前記電子注入抑制層は、SiO2Ta2O5HfO2TiBaO3のいずれかの材料からなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電気光学素子。前記コア層はニオブ酸リチウム、酸化マグネシウム添加ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムのうちのいずれか1つを電気光学材料とした請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の電気光学素子。前記下面の電極層と支持基板との間に接着層が設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の電気光学素子。前記光導波路層の入射側から出射側に向かって電極層が漸次拡大して配列されたプリズム配列体が前記光導波路層に形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の電気光学素子。前記光導波路層の入射側から出射側に向かって交互に電極層を構成する三角形状の向きが逆向きとされて光を逆方向に偏向させる一対のプリズム配列体が前記光導波路層に形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の電気光学素子。前記下面の電極層を前記コアに形成した後、支持基板に接着層を用いて前記コアを接着し、研磨により該コアを薄膜化して請求項5に記載の電気光学素子を製造することを特徴とする製造方法。しかしながら、クラッド層を介挿することによって生じるデメリットとして、式2を用いて述べたように、電子注入阻止層を設ける構造では、電気光学素子にかける電圧に対して電子注入阻止層にかかる電圧が発生するため、コアにかかる電圧が降下する。このため、デバイス動作の観点からすると、電子注入素子層の有無に関わらず、コア層に同等の電圧を印加しようとすると、電子注入素子層を設けた場合には不要な電力の消耗が生じ、また、クラッドにかかる電界が高くなるため、絶縁破壊を起こすリスクも高くなる。本発明は、上記の事情に鑑みて為されたもので、直流電圧印加時に電荷注入阻止層を設けることなく、電子注入を抑制することができ、光導波路層を伝搬する光ビームのプロファイルの劣化を防止することのできる電気光学素子及びその製造方法を提供することにある。本発明に係る電気光学素子は、強誘電体からなるコア層と、このコア層の上下に形成されたクラッド層とからなるコアにより形成された光導波路層と、この光導波路層の上下面に形成された電極層とからなり、上下の電極層のうち少なくとも一方はプリズム型の幾何学形状であるものにおいて、強誘電体からなるコア層の自発分極電荷側を陽極とし、正の自発分極電荷側を陰極としたことを特徴とする。本発明によれば、強誘電体からなるコア層の自発分極において、負の分極電荷側を陽極とし、正の分極電荷側を陰極として、電気光学素子に直流電圧を印加することにより、強誘電体表面に付着しているスクリーニング電荷の斥力により、電子を注入されにくくしたので、直流電圧印加時に電子注入素子層を設けることなく、電子の注入を抑制することができ、その結果、伝搬光のプロファイルの劣化を防ぐことができる。以下に、本発明に係る電気光学素子及びその製造方法の実施例を図面を参照しつつ説明する。実施例1:底辺一定プリズム電極本発明の実施例1に係る電気光学素子を図1ないし図6を参照しつつ説明する。図1において、符号1は、電気光学素子を示している。この電気光学素子1は上面の電極層11と光導波路層を形成するコア12と下面の電極層13とから構成される。コア12はコア層53とクラッド層52からなる。そのコア層53は電圧を印加することによって屈折率が変化する電気光学材料からなり、上下面の電極間に電圧を印加することによって屈折率を変化させることができる。そのコア層53に用いる材料には、ニオブ酸リチウムタンタル酸リチウムKTPSBNKTN等の電気光学材料がある。そのクラッド層52に用いる材料にはSiO2、Ta2O5、TIO2、Si3N4、Al2O3、HfO2等の誘電体等がある。この実施例1に係る電気光学素子1は、コア層53の屈折率がクラッド層の屈折率よりも高くなるように、コア層53に用いる材料、クラッド層52に用いる材料が選択される。この実施例1に係る電気光学素子1には、コア層53としてマグネシウム添加ニオブ酸リチウム、クラッド層52としてTa2O5を用いている。コア12は直方体の形状とされ、電極層13はコア12の下面の全面に形成されている。そのコア12は光Pが入射する入射面12aと光Pが出射する出射面12bとを有する。上面の電極層11は光偏向の機能を電気光学素子1に与えるためにプリズム型の幾何学形状とされ、この上面の電極層11が光Pの入射方向から出射方向に複数個配列されて、底辺一定のプリズム型の幾何学形状からなるプリズム配列体がコア12の表面に形成されている。上面の電極層11と下面の電極層13とに電圧を印加すると、電気光学効果によって電気光学材料からなるコア層53の屈折率が変化し、その結果、コア12の中にプリズム構造を生成することができる。これにより、コア12の内部を伝播する光Pが三角形状のプリズム領域の境界で屈折し、電気光学素子1の入射面12aに入射する光Pの進行方向に対して、電気光学素子1の出射面12bから出射する光Pの進行方向が異なることになり、光Pが電気光学素子1により偏向される。また、式1で示したように、印加電圧Vに応じて屈折率が変化するので、この電気光学素子1を光偏向器として利用することが可能となる。なお、この実施例1では、マグネシウム添加二オブ酸リチウム株式会社山寿セラミックス製のZcut板を用いているが、その理由は、マグネシウム添加二オブ酸リチウムが他の電気光学材料と比較して、光損傷耐性が高いからである。電極材料として、Au、Pt、Ti、Al、Ni、Cr等の金属材料を用いることができるが、この他に、ITO等の透明電極も用いることができ、ITO等の透明電極が好ましい。この電気光学素子1では、コア12の下面のクラッド層52は誘電体材料Ta2O5を1umの厚さにスパッタリング法で製膜し、続けて下面の電極層13は金属材料Tiを用いて200nmの厚さに製膜した。また、コア12の上面のクラッド層52は誘電体材料Ta2O5を1umの厚さにスパッタリング法で製膜し、続けて上面の電極層11は三角形形状の電極を形成するため、金属材料Tiを用いて200nmの厚さに製膜し、ダイシング工程で5mm×24mmのチップとして切り出し、端面を研磨することによって、光導波が可能な電気光学素子1を作成した。マグネシウム添加ニオブ酸リチウムからなるコア12のZcut板は、強誘電体であり、図2に模式的に示すように、外部から電界を加えなくても電気双極子14が存在するので、マグネシウム添加ニオブ酸リチウムの結晶全体の巨視的な現象として自発分極15が存在している。また、このマグネシウム添加ニオブ酸リチウムからなるコア12では、図2に模式的に示すように、その結晶内部に電荷の偏りが存在するため、結晶表面には浮遊電荷スクリーニング電荷16が付着しており、その結果、結晶全体の電気的中性が保たれている。このマグネシウム添加ニオブ酸リチウムからなるコア12の正の分極電荷側には、負の浮遊電荷-が付着しており、コア12の負の分極電荷側には正の浮遊電荷が付着している。この実施例1の電気光学素子1の自発分極の向きは、上面の電極層11はZ面、下面の電極層13は-Z面となっている。この実施例1に係る電気光学素子1を光偏向素子に用いる場合、図3aに示すように、交流電圧Vを印加すると、電気光学素子1に入射する光Pは、電気光学素子1の光導波路層コア12の内部を伝搬中にX方向に走査される。この実施例1に係る電気光学素子1は、コア12のコア層53の厚さが20umであり、印加電圧150V、周波数100kHzの正弦波の電圧信号を印加したとき、コア12の内部を伝搬して電気光学素子1から出射した光PのプロファイルProは、図3bに示すように、TEM00モードの良質なプロファイルであった。なお、このプロファイルProの試験に用いた光Pの波長λは633nmである。この実施例1に係る電気光学素子1に、図4aに示すように、100Vボルトの直流電圧V’を印加すると、電気光学素子1の光導波路層を伝搬した光PはX方向に偏向される。図4bは、上面の電極層三角形形状の電極11を陽極、下面の電極層13を陰極にしたときに、コア12の内部を伝搬して電気光学素子1から出射した光PのプロファイルProであり、図4cは上面の電極層三角形形状の電極11を陰極、下面の電極層13を陽極にしたときにコア12の内部を伝搬して電気光学素子1から出射した光PのプロファイルProである。すなわち、図4bは正電圧を上面の電極層11に印加し、負電圧を下面の電極層13に印加した場合の光PのプロファイルProであり、図4cは負電圧を上面の電極層11に印加し、正電圧を下面の電極層13に印加した場合のプロファイルである。なお、図4aには正電圧を上面の電極層11に印加し、負電圧を下面の電極層13に印加した状態が示されている。この実験により、直流電圧V’の極性の差によって、電気光学素子1から出射した光PのプロファイルProの乱れに差があることが分かった。すなわち、正電圧を上面の電極層11に印加し、負電圧を下面の電極層13に印加した場合の光PのプロファイルProは、図4bに示すように大きく乱れているが、負電圧を上面の電極層11に印加し、正電圧を下面の電極層13に印加した場合のプロファイルProは、図4cに示すようにほとんど乱れがなく、良質のプロファイルProを維持されている。以下に、この理由を図5a、図5bを参照しつつ詳述する。図5aは、電極層11に正電圧が印加され、電極層13には負電圧が印加されている状態を示す概念図である。電極層11に正電圧が印加され、電極層13に負電圧が印加されていると、電極層13から電極11層に向かう方向に電子が供給される。電極層13から飛び出した電子54は、クラッド層52内でホッピング伝導を繰り返してコア層53に到達する。しかしながら、スクリーニング電荷浮遊電荷55が存在し、このため、注入される電子54とスクリーニング電荷55との間にクーロン力が作用する。このスクリーニング電荷55の符号によって、印加する電圧Vの絶対値が同じでも、コア層53の内部へ電子注入量が異なると考えられる。そこで、この電気光学素子1について、印加すべき電圧の極性によるIV特性を測定したところ、図5bに示す電圧-電流の特性曲線Q1、Q2を得た。ここで、特性曲線Q1は、上面の電極層11に正電圧を印加しかつ下面の電極層13に負電圧を印加した場合の特性曲線であり、特性曲線Q2は上面の電極層11に負電圧を印加しかつ下面の電極層13に正電圧を印加した場合の特性曲線である。この図5bから明らかなように、特性曲線Q1はカーブ特性を示し、特性曲線Q2はほぼリニアー特性を示している。すなわち、特性曲線Q1は電圧100V付近から電流値が非線形的に上昇している。これは空間電荷制限電流量電子注入量が増加しているのと対応している。これに対して、特性曲線Q2では、電流値は電圧に線形的に比例している。よって、これらの結果から、直流電圧印加時の光偏向では、電極層11、13からコア層53への電子注入を抑制してプロファイルProの品質を維持するために、コア層53の負の分極電荷側を陽極、正の分極電荷側を陰極として動作させることが好ましい。なお、電気光学素子1の消費電力を問題としない場合には、クラッド層52と電極層11又は電極層13の間に電子注入を阻止するための絶縁層を設けることも可能である。この絶縁層の代表的な材料としては、電気抵抗率の高いSiO2、誘電率の高いTiBaO3等がある。また、電気光学素子1の製作の際に、光導波路層を形成するコア層53を研磨で薄く削ると、ハンドリング時に割れる可能性がある。そのため、光導波路層に図示を略す支持基板を接着し、これにより割れを防止する。下面の電極層13を作製後、接着剤を用いて下面の電極層13と図示を略す支持基板との接着を行う。接着層は面精度が1um以下となる均一な厚みである。この実施例1では、その後、研磨によりコア12のコア層53の薄膜化を行った。支持基板はコア層53に用いる材料と熱膨張係数が等しい基板が好ましい。熱膨張係数が異なる材料を用いると、接着後に熱膨張が発生した際、コア層53に内部応力による歪みが生じて、クラックが発生する原因になる。電気光学素子1の実際の製作においては、接着剤にはUV硬化性の樹脂接着剤を、支持基板には厚さ300umのニオブ酸リチウム基板を用いて接着を行った。その後、研磨によって、300umの厚さから20umのコア層53を作製した。ニオブ酸リチウムのX軸方向の熱膨張率は154×105Kであり、SUS303の熱膨張率は146×105Kであり、熱膨張率がほぼ等しいため、支持基板にはSUS303を使用することも可能である。なお、接着剤による支持基板の貼り付け以外に、支持基板に金属材料を用いて、下部電極層と支持基板を直接接合することも可能である。実施例2:ホーンプリズム電極図6は本発明に係る電気光学素子1の実施例2の説明図であり、三角形の電極層11のサイズが光導波路層の入射側から出射側に向かって段階的に漸次大きくなるホーン型のプリズム配列体を形成することにより、光Pの偏向角をより大きくすることを可能にしたものである。なお、符号11aは電極層11の三角形の頂点を概略結んでできる包絡線を示しており、この包絡線11a、11aの間に存在する領域が、光Pの偏向に用いるプリズム領域となっている。プリズム幅D、外部偏向角θは、非特許文献YiChiuetalJournalofLightwaveTechnologyVOL17No1Jan1999によると、進行距離z、入射側プリズム幅D0最大屈折変化量Δnmax、屈折率n0として、プリズム幅Dは、以下の式により求めることができる。また、このときの外部偏向角θは、以下の式により求めることができる。この実施例2では、D005mm、Δnmax383×103、屈折率n0=2203、プリズム長L20mmとして、2、3式からプリズム幅Dを逐次計算によって計算し、出射側プリズム幅は156mmとなっている。式3、4式によって求められたプリズム幅Dは、2つの包絡線11a、11a間の距離である。従って、ホーン型のプリズム配列体を作製するには、この包絡線11a、11aから正三角形の領域11a’、11b’、11c’、...で示すように、光Pの入射面12aの側から正三角形のサイズを順次決めて、隙間無くプリズム形状の電極層11を形成するのが好ましい。実施例3:噛み合わせ型プリズム電極図7a、図7bは、噛み合わせ型プリズムの上面の電極層11が形成された電気光学素子1を示している。その図7a、図7bにおいて、符号11bは一方のプリズム配列体を示し、符号11cは他方のプリズム配列体を示している。電極層11は光導波路の入射側から出射側に向かって交互に逆向きとされている。光PをX方向に偏向させる時には、プリズム配列体11bの電極層11に印加する電圧をOFFにし、プリズム配列体11cの電極層11に所望の電圧を印加する。その一方、光PをX方向に偏向させる時には、プリズム配列体11cの電極層11に印加する電圧をOFFにし、プリズム配列体11bの電極層11に所望の電圧を印加する。なお、プリズム配列体11bの電極層11とプリズム配列体11cの電極層11とは互いにショートしないように間隔を設ける必要がある。電圧印加時はコア12のコア層53の厚さ程度に電界がXY方向に染み出すことを考慮すると、プリズム配列体11b、11cの電極層11、11の間隔はコア12のコア層53の厚さ以上とすることが望ましい。この実施例3の電気光学素子1は、電極間隔を05mmとして、噛み合わせプリズム電極パターンを作製し、動作させてみたところ、光Pga±X方向に偏向され、実施例1に示す片側に電極層11を有する電気光学素子1と比較して、約2倍の偏向角度となることが確認された。すなわち、上面の電極層11を有するプリズム配列体11b、11c噛み合わせ型の電極層11にすることにより、光Pno偏向角度を約2倍にすることができた。なお、これらの実施例では、上面に三角形状の電極層11を形成することにしたが、下面に三角形状の電極層13を形成しても良い。