"外周に面取り部を有するウエーハを所定厚みへと薄化するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面を支持基板上に貼り付けて積層ウエーハを形成する積層ウエーハ形成ステップと、該積層ウエーハ形成ステップで形成した積層ウエーハの積層方向と平行な回転軸を有する切削ブレードを該ウエーハの表面側の外周側面に位置付けて、該積層ウエーハの外周側から中心に向かって切り込ませ、該ウエーハの表面から該所定厚みに至る面取り部を除去する面取り部除去ステップと、該面取り部除去ステップを実施した後、該積層ウエーハの該ウエーハの裏面側を研削してウエーハを所定厚みへと薄化する薄化ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。該面取り部除去ステップを実施する前に、該積層ウエーハの該支持基板側を切削装置のチャックテーブルで保持する保持ステップを更に具備し、該面取り部除去ステップでは、該チャックテーブルの回転軸と平行な回転軸を有する切削ブレードを該ウエーハの表面側の外周側面に位置付けて、該積層ウエーハの外周側から中心に向かって切り込ませ、該チャックテーブルを少なくとも1回転させることにより該ウエーハの表面から該所定厚みに至る面取り部を除去する請求項1記載のウエーハの加工方法。しかし、特許文献2に開示された半導体装置の製造方法のように、ウエーハを支持基板又は表面保護テープに貼り付ける前にウエーハの表面側からウエーハの面取り部と平端部との境界を切削すると、切削屑がウエーハの表面に漂いデバイスの表面に付着してその品質を低下させるという問題がある。特に、CCD、CMOS等の固体イメージセンサが複数形成されたウエーハにおいては、固体イメージセンサの撮像性能を低下させるという致命的な問題となる。表面に付着した切削屑を除去するためには過度の洗浄が必要となる。ウエーハを支持基板に貼り付けた後に面取り部分を除去する場合は、ウエーハの裏面側から表面に至る面取り部を除去する必要があるため、加工に時間がかかる。更に、面取り部の幅より厚い切削ブレードが必要となり、切削ブレード自体の費用が高くつく上、連続加工に伴い切削ブレードに偏磨耗が発生し易くなるため、頻繁に切削ブレードの交換が必要となる。一方、面取り部の幅より薄い切削ブレードを使用した場合、ウエーハの外周部に複数回円形切削加工を施す必要があり、生産性が悪いという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハを破損させることなく従来に比べて比較的短時間及び安価にウエーハを所定の厚みに薄化することのできるウエーハの加工方法を提供することである。本発明によると、外周に面取り部を有するウエーハを所定厚みへと薄化するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面を支持基板上に貼り付けて積層ウエーハを形成する積層ウエーハ形成ステップと、該積層ウエーハ形成ステップで形成した積層ウエーハの積層方向と平行な回転軸を有する切削ブレードを該ウエーハの表面側の外周側面に位置付けて、該積層ウエーハの外周側から中心に向かって切り込ませ、該ウエーハの表面から該所定厚みに至る面取り部を除去する面取り部除去ステップと、該面取り部除去ステップを実施した後、該積層ウエーハの該ウエーハの裏面側を研削してウエーハを所定厚みへと薄化する薄化ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。好ましくは、該面取り部除去ステップを実施する前に、該積層ウエーハの該支持基板側を切削装置のチャックテーブルで保持する保持ステップを更に具備し、該面取り部除去ステップでは、該チャックテーブルの回転軸と平行な回転軸を有する切削ブレードを該ウエーハの表面側の外周側面に位置付けて、該積層ウエーハの外周側から中心に向かって切り込ませ、該チャックテーブルを少なくとも1回転させることにより該ウエーハの表面から該所定厚みに至る面取り部を除去する。本発明のウエーハの加工方法では、切削ブレードをチャックテーブルに保持されたウエーハの表面側側方に位置付け積層ウエーハの外周側から中心に向かって切り込ませてウエーハの表面から所定厚みに至る面取り部を除去する面取り部除去ステップを含んでいるので、ウエーハを破損させることなく従来に比べて比較的短時間及び安価にウエーハの裏面を研削してウエーハを所定厚みに薄化することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、積層ウエーハ形成ステップを示す斜視図が示されている。半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ラインストリート13が格子状に形成されているとともに、複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面の平端部に備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。本発明のウエーハの加工方法によると、第1ステップとして、図1に示すようにウエーハ11の表面11aに保護部材としての支持基板23を貼着して図2に示すような積層ウエーハ25を形成する積層ウエーハ形成ステップを実施する。支持基板23としては、例えばシリコンウエーハ、ガラス基板等を採用することができる。また、薄化ステップ実施後に支持基板23をウエーハ11から剥離する必要があるため、接着剤として例えば温水に浸漬することにより接着力が低下する温水湿潤型接着剤を用いるのが好ましい。この積層ウエーハ形成ステップでは、接着剤を用いた貼着に限らず、支持基板上にウエーハを直接接合させてSOISilicononInsulatorウエーハを形成するようにしてもよい。積層ウエーハ25を形成後、図2に示すように、切削装置2のチャックテーブル4で積層ウエーハ25の支持基板23側を吸引保持する保持ステップを実施する。ウエーハ11の外周には表面11aから裏面11bに至る円弧状の面取り部12が形成されている。6は切削装置2の切削ユニットであり、スピンドルハウジング8中に回転可能に収容されたスピンドル10の先端部に切削ブレード14が固定されている。スピンドル10の軸心回転軸10aが積層ウエーハ25の積層方向と平行となる様に切削ユニット6が配設されており、本実施形態では、切削ユニット6はチャックテーブル4の回転軸4aと平行になっている。切削装置2のチャックテーブル4で積層ウエーハ25の支持基板23側を吸引保持する保持ステップを実施した後、切削ブレード14をウエーハ11の表面側11aの側方に位置付けるとともに、切削ブレード14がウエーハ11の表面11aから所定厚みt1を除去するように所定の高さ位置に位置付ける。この時、チャックテーブル4は図2に示すように回転した状態でもよいし、停止した状態でもよい。そして、面取り部除去ステップを実施する。具体的には、図3に示すように、切削ブレード14を高速例えば30000rpmで回転させながら、チャックテーブル4と切削ユニット6とを水平方向に所定距離相対移動させることで切削ブレード14をウエーハ11の外周側から中心に向かって切り込ませる。次いで、チャックテーブル4を少なくとも1回転することにより、ウエーハ11の表面11aから所定厚みt1に至る面取り部12を除去する。面取り部除去ステップを実施して、ウエーハ11の外周に円形切削溝29を形成した状態の側面図が図6に示されている。図2及び図3に示す実施形態においては、切削ブレード14は所定の厚みt1を有している。よって、切削ブレード14をウエーハ11の外周側から中心に向かって切り込ませてチャックテーブル4を少なくとも1回転すると、ウエーハ11の外周部にはその表面11aから所定厚みt1の円形切削溝29が形成される。図4を参照すると、本発明第2実施形態の面取り部除去ステップを示す側面図が示されている。本実施形態の面取り部除去ステップでは、所定厚みt1未満の厚さを有する切削ブレード14Aを使用する。この場合には、一度面取り部除去ステップを実施してウエーハ11の外周に所定厚みt1に至らない円形切削溝27を形成した後、同様な面取り部除去ステップを複数回実施して、図6に示すように、所定厚みt1の円形切削溝29を形成する。図5を参照すると、面取り部除去ステップの第3実施形態を示す切削装置2Aの要部側面図が示されている。本実施形態の面取り部除去ステップでは、水平な回転軸4aを有するチャックテーブル4Aで積層ウエーハ25の支持基板23側を吸引保持する。よって、積層方向が水平方向となるよう積層ウエーハ25は吸引保持される。切削ユニット6Aは、水平方向の回転軸10aを有するスピンドル10の先端に切削ブレード14が装着された一般的な切削ユニットである。本実施形態の面取り部除去ステップでは、切削ブレード14ウエーハ11の表面11a側の外周の所定位置に位置付け、切削ブレード14とチャックテーブル4Aとを鉛直方向で所定距離相対移動させることで切削ブレード14でウエーハ11の外周側から中心に向かって切り込ませ、切り込んだ状態でチャックテーブル4Aを少なくとも1回転させることにより、ウエーハ11の表面11aから所定厚みt1に至る面取り部12を除去する。切削ブレード14が所定厚みt1を有しているため、切削ブレード14をウエーハ11の外周側に切り込ませた状態でチャックテーブル4を少なくとも1回転させることにより、図6に示すように、ウエーハ11の表面11aから所定幅t1の円形切削溝29を形成することができる。面取り部除去ステップ実施後、図7に示すような研削装置22を使用して、積層ウエーハ25のウエーハ11の裏面側を研削してウエーハ11を所定厚みへと薄化する薄化ステップを実施する。図7に示す研削装置22のベース24の後方にはコラム26が立設されている。コラム26には、上下方向に伸びる一対のガイドレール28が固定されている。研削ユニット30は、スピンドルハウジング32中に回転可能に収容されたスピンドル38と、スピンドル38を回転駆動するモータ40と、スピンドル38の先端に固定されたホイールマウント42と、ホイールマウント42に着脱可能に装着された研削ホイール44とを含んでいる。研削装置22は、研削ユニット30を一対の案内レール28に沿って上下方向に移動するボールねじ50と、パルスモータ52とから構成される研削ユニット送り機構54を備えている。パルスモータ52を駆動すると、ボールねじ50が回転し、移動基台36が上下方向に移動される。ベース24の上面には凹部24aが形成されており、この凹部24aにチャックテーブル機構56が配設されている。チャックテーブル機構56はチャックテーブル58を有し、図示しない移動機構によりウエーハ着脱位置Aと、研削ユニット32に対向する研削位置Bとの間でY軸方向に移動される。60,62は蛇腹である。ベース24の前方側には、研削装置22のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル64が配設されている。ウエーハ11の裏面11b側を研削してウエーハ11を所定厚みへと薄化する薄化ステップでは、図8に示すように、研削装置22のチャックテーブル58で積層ウエーハ25の支持基板23側を吸引保持して、ウエーハ11の裏面11bを露出させる。図8において、研削ユニット30のスピンドル38の先端に固定されたホイールマウント42には、図示しない複数のねじにより研削ホイール44が着脱可能に装着されている。研削ホイール44は、ホイール基台46の自由端部下端部に複数の研削砥石48を環状に配設して構成されている。薄化ステップでは、チャックテーブル58を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール44を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構54を駆動して研削ホイール44の研削砥石48をウエーハ11の裏面11bに接触させる。そして、研削ホイール44を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでウエーハ11の厚みを測定しながら、ウエーハ11を所望の厚みt1に研削する。ウエーハ11を所望の厚みt1に研削すると、面取り部12は研削により全て除去される。従ってウエーハ薄化に伴ってナイフエッジが形成されることがなく、ウエーハが破損することが防止できる。"