"基材上に導電性の金属細線のパターンを設け、更にその上に導電性ポリマー含有層を設けた有機電子デバイス用電極において、該金属細線のある部分の上の該導電性ポリマー含有層の膜厚が100nm~2000nmであり、かつ、該金属細線のある部分の上の該導電性ポリマー含有層の表面と、該金属細線のパターンを設けた領域で該金属細線のない部分の該導電性ポリマー含有層の表面との段差が100nm以上800nm以下であることを特徴とする有機電子デバイス用電極。前記金属細線のある部分の上の導電性ポリマー含有層の最表面と、前記金属細線のパターンのない部分の導電性ポリマー含有層の最表面との段差が150nm以上600nm以下であることを特徴とする請求項1記載の有機電子デバイス用電極。前記金属細線のない部分の導電性ポリマー含有層の膜厚が200nm以上1500nm以下であることを特徴とする請求項1または2記載の有機電子デバイス用電極。前記金属細線の最表面の基材面からの高さが、200nm以上2000nm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載の有機電子デバイス用電極。前記導電性ポリマー含有層が、さらに水溶性ポリマーを含有することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項記載の有機電子デバイス用電極。前記水溶性ポリマーが下記ポリマーAであることを特徴とする請求項5記載の有機電子デバイス用電極。式中、X1、X2、X3は、それぞれ独立に、水素原子またはメチル基を表し、R1、R2、R3はそれぞれ独立に、炭素数5以下のアルキレン基を表す。l、m、nは構成率molを示し、50≦lmn≦100であり、l、m、nはそれぞれ0~100である。前記金属細線のパターンおよび前記導電性ポリマー含有層がウエット製膜法により形成されていることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項記載の有機電子デバイス用電極。本発明の目的は、電極間のリークや金属細線のパターン周辺部のデバイス性能の乱れなどを生じることなく、光学的な性能を改善した有機電子デバイス用電極を提供することにある。本発明の上記目的は、以下の構成により達成することができる。1.基材上に導電性の金属細線のパターンを設け、更にその上に導電性ポリマー含有層を設けた有機電子デバイス用電極において、該金属細線のある部分の上の該導電性ポリマー含有層の膜厚が100nm~2000nmであり、かつ、該金属細線のある部分の上の該導電性ポリマー含有層の表面と、該金属細線のパターンを設けた領域で該金属細線のない部分の該導電性ポリマー含有層の表面との段差が100nm以上800nm以下であることを特徴とする有機電子デバイス用電極。2.前記金属細線のある部分の上の導電性ポリマー含有層の最表面と、前記金属細線のパターンのない部分の導電性ポリマー含有層の最表面との段差が150nm以上600nm以下であることを特徴とする前記1記載の有機電子デバイス用電極。3.前記金属細線のない部分の導電性ポリマー含有層の膜厚が200nm以上1500nm以下であることを特徴とする前記1または2記載の有機電子デバイス用電極。4.前記金属細線の最表面の基材面からの高さが、200nm以上2000nm以下であることを特徴とする前記1~3のいずれか1項記載の有機電子デバイス用電極。5.前記導電性ポリマー含有層が、さらに水溶性ポリマーを含有することを特徴とする前記1~4のいずれか1項記載の有機電子デバイス用電極。6.前記水溶性ポリマーが下記ポリマーAであることを特徴とする前記5記載の有機電子デバイス用電極。式中、X1、X2、X3は、それぞれ独立に、水素原子またはメチル基を表し、R1、R2、R3はそれぞれ独立に、炭素数5以下のアルキレン基を表す。l、m、nは構成率molを示し、50≦lmn≦100であり、l、m、nはそれぞれ0~100である。7.前記金属細線のパターンおよび前記導電性ポリマー含有層がウエット製膜法により形成されていることを特徴とする前記1~6のいずれか1項記載の有機電子デバイス用電極。本発明によれば、電極間のリークや金属細線のパターン周辺部のデバイス性能の乱れなどを生じることなく、光学的な性能を改善した有機電子デバイス用電極を提供することができる。本発明において、面積の大きなデバイスにも対応するために、電極での電圧降下を抑制するために導電性の金属細線のパターンを用いる。さらに、金属細線のパターンのない部分にも電気が流れるようにするために、金属細線のパターンのない部分の少なくとも一部に導電性ポリマー含有層を設けている。これにより、面電極として機能させることができる。有機ELや有機太陽電池のような有機電子デバイスは、通常、その機能層が数百nm以下の薄膜である。そのため、金属細線のパターンのような凸部があるとリークの原因となるために、前述の特許文献3のように、金属細線のパターン部を平滑にすることが考えられるが、本発明においては、あえて、金属細線部を完全には平滑にせず、金属細線のパターン部上の導電性ポリマー含有層の上部が金属細線のパターンのない部分の導電性ポリマー含有層の上部よりも100nm以上高くする。これにより、有機ELや有機太陽電池のような有機電子デバイスの別な課題である金属細線のパターンの光取り出し、光取り込みなど、光学特性に有効であることを見出した。これは、例えば有機ELにおいては、高屈折率を有する発光層表裏面で全反射を繰り返し、閉じ込められた光が、金属細線のパターン部周辺で表裏面への入射角が大きく変わることや、金属表面の散乱の効果により、光取り出し性能が発現していると考えている。さらに、金属細線のパターン部上の導電性ポリマー含有層の上部と金属細線のパターンのない部分の導電性ポリマー含有層の上部との段差を800nm以下とし、さらに、金属細線のパターン部上の導電性ポリマー含有層の膜厚を100nm~2000nmとすることで、電子デバイスの効率を保ちながら、リーク防止や金属細線のパターン部周辺でのデバイス性能の乱れを防止可能となることを見出し、本発明にいたった。《本発明の有機電子デバイス用電極の製造方法》本発明の有機電子デバイス用電極の製造方法を、図を用いて説明する。図1において、インクジェット用金属微粒子含有インキを、インクジェット塗布装置を用いて、易接済み基材の上に以下のようにプリントする。金属ベタ部の取り出し電極1及び4と、該取り出し電極1に接する金属細線のパターン2及び、金属細線のパターン2と取り出し電極4間に金属細線のパターンのないブランク部3を設ける。金属細線のパターンは、加熱処理をして固定化する。次に、図2に示すように、金属細線のパターン2の上に、導電性ポリマー含有層5を塗布により設ける。次いで、図3に示すように、導電性ポリマー含有層5であって、金属細線のパターンのない領域を、純水により、導電性ポリマー含有層を拭き取り除去して導電性ポリマー含有層5′とする。導電性ポリマー含有層5′も加熱処理をして固定化して、有機電子デバイス用電極10とする。尚、図4は、本発明の有機電子デバイス用電極10の上に有機EL素子として必要な有機層を形成した後の最後に作製するカソード電極6を示す。以下本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。《導電性ポリマー》本発明に係る導電性ポリマーはπ共役系導電性高分子とポリアニオンとを含んで成る導電性ポリマーであることが好ましい。こうした導電性ポリマーは、後述するπ共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを、適切な酸化剤と酸化触媒と後述のポリアニオンの存在下で化学酸化重合することによって容易に製造できる。《π共役系導電性高分子》本発明に用いられるπ共役系導電性高分子としては、特に限定されず、ポリチオフェン基本のポリチオフェンを含む、以下同様類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、ポリチアジル類の鎖状導電性ポリマーを利用することができる。中でも、導電性、透明性、安定性等の観点からポリチオフェン類やポリアニリン類が好ましい。ポリエチレンジオキシチオフェンであることが最も好ましい。π共役系導電性高分子前駆体モノマー前駆体モノマーは、分子内にπ共役系を有し、適切な酸化剤の作用によって高分子化した際にもその主鎖にπ共役系が形成されるものである。例えば、ピロール類及びその誘導体、チオフェン類及びその誘導体、アニリン類及びその誘導体等が挙げられる。前駆体モノマーの具体例としては、ピロール、3-メチルピロール、3-エチルピロール、3-n-プロピルピロール、3-ブチルピロール、3-オクチルピロール、3-デシルピロール、3-ドデシルピロール、3,4-ジメチルピロール、3,4-ジブチルピロール、3-カルボキシルピロール、3-メチル-4-カルボキシルピロール、3-メチル-4-カルボキシエチルピロール、3-メチル-4-カルボキシブチルピロール、3-ヒドロキシピロール、3-メトキシピロール、3-エトキシピロール、3-ブトキシピロール、3-ヘキシルオキシピロール、3-メチル-4-ヘキシルオキシピロール、チオフェン、3-メチルチオフェン、3-エチルチオフェン、3-プロピルチオフェン、3-ブチルチオフェン、3-ヘキシルチオフェン、3-ヘプチルチオフェン、3-オクチルチオフェン、3-デシルチオフェン、3-ドデシルチオフェン、3-オクタデシルチオフェン、3-ブロモチオフェン、3-クロロチオフェン、3-ヨードチオフェン、3-シアノチオフェン、3-フェニルチオフェン、3,4-ジメチルチオフェン、3,4-ジブチルチオフェン、3-ヒドロキシチオフェン、3-メトキシチオフェン、3-エトキシチオフェン、3-ブトキシチオフェン、3-ヘキシルオキシチオフェン、3-ヘプチルオキシチオフェン、3-オクチルオキシチオフェン、3-デシルオキシチオフェン、3-ドデシルオキシチオフェン、3-オクタデシルオキシチオフェン、3,4-ジヒドロキシチオフェン、3,4-ジメトキシチオフェン、3,4-ジエトキシチオフェン、3,4-ジプロポキシチオフェン、3,4-ジブトキシチオフェン、3,4-ジヘキシルオキシチオフェン、3,4-ジヘプチルオキシチオフェン、3,4-ジオクチルオキシチオフェン、3,4-ジデシルオキシチオフェン、3,4-ジドデシルオキシチオフェン、3,4-エチレンジオキシチオフェン、3,4-プロピレンジオキシチオフェン、3,4-ブテンジオキシチオフェン、3-メチル-4-メトキシチオフェン、3-メチル-4-エトキシチオフェン、3-カルボキシチオフェン、3-メチル-4-カルボキシチオフェン、3-メチル-4-カルボキシエチルチオフェン、3-メチル-4-カルボキシブチルチオフェン、アニリン、2-メチルアニリン、3-イソブチルアニリン、2-アニリンスルホン酸、3-アニリンスルホン酸等が挙げられる。《ポリアニオン》ポリアニオンは、置換若しくは未置換のポリアルキレン、置換若しくは未置換のポリアルケニレン、置換若しくは未置換のポリイミド、置換若しくは未置換のポリアミド、置換若しくは未置換のポリエステル及びこれらの共重合体であって、アニオン基を有する構成単位とアニオン基を有さない構成単位とからなるものである。このポリアニオンは、π共役系導電性高分子を溶媒に可溶化させる可溶化高分子である。また、ポリアニオンのアニオン基は、π共役系導電性高分子に対するドーパントとして機能して、π共役系導電性高分子の導電性と耐熱性を向上させる。ポリアニオンのアニオン基としては、π共役系導電性高分子への化学酸化ドープが起こりうる官能基であればよいが、中でも、製造の容易さ及び安定性の観点からは、一置換硫酸エステル基、一置換リン酸エステル基、リン酸基、カルボキシ基、スルホ基等が好ましい。さらに、官能基のπ共役系導電性高分子へのドープ効果の観点より、スルホ基、一置換硫酸エステル基、カルボキシ基がより好ましい。ポリアニオンの具体例としては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ-2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ-2-アクリルアミド-2-メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等が挙げられる。これらの単独重合体であってもよいし、2種以上の共重合体であってもよい。また、化合物内にFを有するポリアニオンであっても良い。具体的には、パーフルオロスルホン酸基を含有するナフィオンDupont社製、カルボン酸基を含有するパーフルオロ型ビニルエーテルからなるフレミオン旭硝子社製などをあげることができる。これらのうち、スルホン酸を有する化合物であると、導電性ポリマー含有層を塗布、乾燥することによって形成した後に、100°C以上200°C以下の温度で5分以上の加熱処理を施した場合、この塗布膜の洗浄耐性や溶媒耐性が著しく向上することから、より好ましい。さらに、これらの中でも、ポリスチレンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸が好ましい。これらのポリアニオンは、バインダー樹脂との相溶性が高く、また、得られる導電性ポリマーの導電性をより高くできる。ポリアニオンの重合度は、モノマー単位が10~100000個の範囲であることが好ましく、溶媒溶解性及び導電性の点からは、50~10000個の範囲がより好ましい。ポリアニオンの製造方法としては、例えば、酸を用いてアニオン基を有さないポリマーにアニオン基を直接導入する方法、アニオン基を有さないポリマーをスルホ化剤によりスルホン酸化する方法、アニオン基含有重合性モノマーの重合により製造する方法が挙げられる。アニオン基含有重合性モノマーの重合により製造する方法は、溶媒中、アニオン基含有重合性モノマーを、酸化剤及び/又は重合触媒の存在下で、酸化重合又はラジカル重合によって製造する方法が挙げられる。具体的には、所定量のアニオン基含有重合性モノマーを溶媒に溶解させ、これを一定温度に保ち、それに予め溶媒に所定量の酸化剤及び/又は重合触媒を溶解した溶液を添加し、所定時間で反応させる。その反応により得られたポリマーは溶媒によって一定の濃度に調整される。この製造方法において、アニオン基含有重合性モノマーにアニオン基を有さない重合性モノマーを共重合させてもよい。アニオン基含有重合性モノマーの重合に際して使用する酸化剤及び酸化触媒、溶媒は、π共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを重合する際に使用するものと同様である。得られたポリマーがポリアニオン塩である場合には、ポリアニオン酸に変質させることが好ましい。アニオン酸に変質させる方法としては、イオン交換樹脂を用いたイオン交換法、透析法、限外ろ過法等が挙げられ、これらの中でも、作業が容易な点から限外ろ過法が好ましい。こうした導電性ポリマーは市販の材料も好ましく利用できる。例えば、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸からなる導電性ポリマーPEDOT-PSSと略すが、H.C.Starck社からCLEVIOSシリーズとして、Aldrich社からPEDOT-PASS483095、560598として、NagaseChemtex社からDenatronシリーズとして市販されている。また、ポリアニリンが、日産化学社からORMECONシリーズとして市販されている。本発明において、こうした剤も好ましく用いることが出来る。前記ポリアニオンを第一のドーパントとするとき、第二のドーパントとして水溶性有機化合物を含有してもよい。本発明で用いることができる水溶性有機化合物には特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、酸素含有化合物が好適に挙げられる。前記酸素含有化合物としては、酸素を含有する限り特に制限はなく、例えば、ヒドロキシ基含有化合物、カルボニル基含有化合物、エーテル基含有化合物、スルホキシド基含有化合物などが挙げられる。前記ヒドロキシ基含有化合物としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、1,4-ブタンジオール、グリセリンなどが挙げられ、これらの中でも、エチレングリコール、ジエチレングリコールが好ましい。前記カルボニル基含有化合物としては、例えば、イソホロン、プロピレンカーボネート、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。前記エーテル基含有化合物としては、例えば、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、などが挙げられる。前記スルホキシド基含有化合物としては、例えば、ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよいが、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、ジエチレングリコールから選ばれる少なくとも1種を用いることが好ましい。《水溶性ポリマー》本発明においては、導電性ポリマー含有層に水溶性ポリマーを併用することで、透過率を低下させずに膜厚をアップすることが可能となり、表面に付着した異物等を埋め込むこと電極間の短絡を抑制可能となり、好ましい実施形態である。本発明に用いる水溶性ポリマーとは、水系溶媒後述に溶解、あるいは、分散できるポリマーでれば特に制限はなく、例えば、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリルウレタン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、セルロース系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂等をあげることができる。具体的な化合物としては、例えば、ポリエステル系樹脂としてバイロナールMD1200、MD1400、MD1480以上、東洋紡社製をあげることができる。本発明に係る水溶性ポリマーとしては、後述する架橋剤と反応する基を有する化合物であれば、より強固な膜を形成することから、より好ましい。こうした水溶性ポリマーとしては、架橋剤と反応する基としては架橋剤によって異なるが、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基などをあげることができる。中でも、側鎖にヒドロキシ基を有することが最も好ましい。本発明に係る水溶性ポリマーの具体的な化合物としては、ポリビニルアルコールPVA-203、PVA-224、PVA-420以上、クレハ社製、ヒドロキシプロピルメチルセルロース60SH-06、60SH-50、60SH-4000、90SH-100以上、信越化学工業社製、メチルセルロースSM-100信越化学工業社製、酢酸セルロースL-20、L-40、L-70以上、ダイセル化学工業社製、カルボキシメチルセルロースCMC-1160ダイセル化学工業社製、ヒドロキシエチルセルロースSP-200、SP-600以上、ダイセル化学工業社製、アクリル酸アルキル共重合体ジュリマーAT-210、AT-510以上、東亞合成社製、ポリヒドロキシエチルアクリレート、ポリヒドロキシエチルメタクリレートなどをあげることができる。中でも、水溶性ポリマーが前記ポリマーAを一定量含む場合、第二ドーパントを利用しなくても、この化合物を利用することで導電性ポリマー含有層の導電性を向上させることが可能で、さらに、導電性ポリマーとの相溶性も良好で高い透明性と平滑性が達成できる。さらに、ポリアニオンがスルホ基を有する場合は、前記ポリマーAであれば、スルホ基が効果的に脱水触媒として働き、架橋剤などの追加の剤を利用しなくても、緻密な架橋層を形成できることからより好ましい実施形態である。本発明における水溶性ポリマーAとは、主たる共重合成分が下記モノマーM1、M2、M3からなり、共重合成分の50mol以上の成分が該モノマーのいずれか、あるいは、合計が50mol以上ある共重合ポリマーである。該モノマー成分の合計が80mol以上であることがより好ましく、さらに、いずれか単独のモノマーから形成されたホモポリマーであっても良く、また、好ましい実施形態である。式中、X1、X2、X3は、それぞれ独立に、水素原子またはメチル基を表し、R1、R2、R3はそれぞれ独立に、炭素数5以下のアルキレン基を表す。ポリマーAにおいては、水系溶媒に可溶である範囲において、他のモノマー成分が共重合されていてもかまわないが、親水性の高いモノマー成分であることがより好ましい。また、ポリマーAは数平均分子量において、1000以下の含有量が0~5以下であることが好ましい。このポリマーAの数平均分子量において、1000以下の含有量が0~5以下とする方法としては、再沈殿法や分取GPCにより、或いはリビング重合による単分散のポリマーを合成等により、低分子量成分を除去する、または低分子量成分の生成を抑制する方法を用いることができる。再沈殿法は、ポリマーが溶解可能な溶媒へ溶解し、ポリマーを溶解した溶媒より溶解性の低い溶媒中へ滴下することにより、ポリマーを析出させ、モノマー、触媒、オリゴマー等の低分子量成分を除去する方法である。また、分取GPCは例えばリサイクル分取GPCLC-9100日本分析工業社製、ポリスチレンゲルカラムで、ポリマーを溶解した溶液をカラムに通すことにより分子量で分けることができ、所望の低分子量をカットすることができる方法である。リビング重合は、開始種の生成が経時で変化せず、また停止反応等の副反応が少なく、分子量の揃ったポリマーが得られる。分子量はモノマーの添加量により調整できるため、例えば分子量を2万のポリマーを合成すれば、低分子量体の生成を抑制することができる。生産適正から、再沈殿法、リビング重合が好ましい。本発明の水溶性ポリマーの数平均分子量、重量平均分子量の測定は、一般的に知られているゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより行うことができる。分子量分布は重量平均分子量/数平均分子量の比で表すことができる。使用する溶媒は、水溶性バインダー樹脂が溶解すれば特に制限はなく、THF、DMF、CH2Cl2が好ましく、より好ましくはTHF、DMFであり、更に好ましくはDMFである。また、測定温度も特に制限はないが40°Cが好ましい。本発明に係るポリマーAの数平均分子量は3,000~2,000,000の範囲が好ましく、より好ましくは4,000~500,000、更に好ましくは5000~100000の範囲内である。本発明に係るポリマーAの数平均分子量分布は1.01~1.30が好ましく、より好ましくは1.01~1.25である。数平均分子量1000以下の含有量はGPCにより得られた分布において、数平均分子量1000以下の面積を積算し、分布全体の面積で割ることで割合を換算した。リビング重合溶剤は、反応条件下で不活性であり、モノマー、生成するポリマーを溶解できれば特に制限はないが、アルコール系溶媒と水の混合溶媒が好ましい。リビング重合温度は、使用する開始剤によって異なるが、一般に-10~250°C、好ましくは0~200°C、より好ましくは10~100°Cで実施される。導電性ポリマー含有層の形成導電性ポリマー含有層は、例えば、π共役系導電性高分子成分とポリアニオン成分とを含んで成る導電性ポリマーと溶媒とを少なくとも含んでなる、更に好ましくは、水溶性ポリマーを含有する、塗布液を塗布、乾燥することで形成することができる。溶媒としては、水系溶媒を好ましく用いることが出来る。ここで、水系溶媒とは、50質量以上が水である溶媒を表す。もちろん、他の溶媒を含有しない純水であっても良い。水系溶媒の水以外の成分は、水に相溶する溶剤であれば特に制限はないが、アルコール系の溶媒を好ましく用いることができ、中でも、沸点が比較的水に近いイソプロピルアルコールを用いることが形成する膜の平滑性などには有利である。塗布法としては、ロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、凸版活版印刷法、孔版スクリーン印刷法、平版オフセット印刷法、凹版グラビア印刷法、スプレー印刷法、インクジェット印刷法等を用いることができる。導電性ポリマー含有層の乾燥膜厚は、金属細線のある部分の上では、金属細線と対向電極間のリークを防止するために100nm以上必要である。また、金属細線のない部分の導電性ポリマー含有層の膜厚が200nm以上1500nm以下であることが好ましい。200nm以上とすることで異物などに起因するリークを防ぐことができる。また、1500nmを超えると導電性ポリマーの着色の影響や金属細線のパターンの散乱効果が小さくなり、本発明の光学的な効果が小さくなってくる。より高い効果のためには300nm以上1000nm以下であることがより好ましい。金属細線のある部分の上の導電性ポリマー含有層の最表面が金属細線のない部分の導電性ポリマー含有層の最表面よりも100nm以上高く、より好ましくは150nm以上高い。これにより、有機ELや有機太陽電池のような有機電子デバイスの光取り出し、光取り込みなどの光学特性を改善できる。また、上限としては800nm以下であり、好ましくは600nm以下である。こうすることにより、段差部での機能層の乱れを最小限に抑え、リークや金属細線のパターン部周辺の異常発光や寿命の低下を抑えることができる。金属細線のない部分の導電性ポリマー含有層は、塗布液の固形分、付き量で調整できる。さらに、塗布液の粘度を調整することで、金属細線のある部分の上の導電性ポリマー含有層の膜厚、および、金属細線のある部分の上の導電性ポリマー含有層の最表面と、前記金属細線のない部分の上の導電性ポリマー含有層の最表面との段差を調整できる。粘度をあげると金属細線のある部分の上の導電性ポリマー含有層の膜厚が厚く、また、段差が大きくなる。逆に、粘度を低下させると金属細線のある部分の上の導電性ポリマー含有層の膜厚が薄く、また、段差が小さくなる。塗布液の粘度は、固形分を上げる、水溶性ポリマーを併用する、併用する水溶性ポリマーの数平均分子量を高くする、水酸基を有する水に可溶な溶媒、例えば、アルコールを添加することなどで高くすることができ、低下させるにはその逆である。さらに、後述の乾燥条件によっても調整可能で、乾燥を強くすると金属細線のある部分の上の導電性ポリマー含有層の上部の膜厚が厚く、また、段差が大きくなる方向で、弱くするとその逆である。塗布した後、溶媒を揮発させるために、適宜乾燥処理を施す。乾燥処理の条件として特に制限はないが、基板や導電性ポリマー含有層が損傷しない範囲の温度で乾燥処理することが好ましい。例えば、80から150°Cで10秒から10分の乾燥処理をすることができる。金属細線のパターン本発明の金属細線のパターンにおいては、パターン形状としては特に制限はないが、例えば、三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形等の四角形、正六角形、正八角形等を組み合わせた幾何学図形からなるメッシュ状のパターンを上げることができる。また、複数の平行なラインからなるストライプ状あっても良い。例えば、線幅10~200μm、線間隔が200から3000μmのストライプや格子状をあげることができる。金属細線のパターンの高さは、導電性ポリマー含有層の関係を満たすことができれば特に制限はないが、本発明の関係を容易に満足するには200nm以上2000nm以下であることが好ましく、300nm以上1000nm以下であることがより好ましい。金属細線のパターンは導電性ポリマー含有層を併用しない、単独のフィルムで30Ω/□以下の導電性を有することが好ましく、さらに5Ω/□以下であることが好ましく、1Ω/□以下であることが最も好ましい。金属材料としては、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケル、クロム等が挙げられる。またあ、金属は合金でも良く、金属細線のパターンは単層でも多層でも良い。導電部がストライプ状、あるいはメッシュ状の補助電極を形成する方法としては、特に、制限はなく、従来公知な方法が利用できる。例えば、基材全面に金属層を形成し、公知のフォトリソ法によって形成できる。具体的には、基材上に全面に、蒸着、スパッタ、めっき等の1或いは2以上の物理的或いは化学的形成手法を用いて導電体層を形成する、あるいは、金属箔を接着剤で基材に積層した後、公知のフォトリソ法を用いて、エッチングすることにより、所望のストライプ状、あるいはメッシュ状に加工できる。別な方法としては、金属微粒子を含有するインクをスクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、あるいは、インクジェット方式などの各種印刷法により所望の形状に印刷する方法や、めっき可能な触媒インクを同様な各種印刷法で所望の形状に塗布した後、めっき処理する方法、さらに別な方法としては、銀塩写真技術を応用した方法も利用できる。こうした方法の中でも、金属微粒子を含有するインクを各種印刷法により所望の形状に印刷する方法は簡便な工程で製造できることから製造時にリークの原因となるような異物の巻き込みを低減でき、また、必要個所にしかインクを使用しないので液のロスが少なく、さらに、めっきのような特殊な化学的な処理を必要としないため、除去しきれない薬品のコンタミの懸念もないことから、本発明においては最も好ましい実施形態である。金属微粒子含有インキ金属微粒子含有インキは公知のものを利用できる。金属微粒子としては、例えば、銀、金、銅、パラジウム、白金、アルミニウム及びニッケルなどのいずれかを含有する金属微粒子、または、これらの金属を含む合金の微粒子を挙げることができる。これらの金属微粒子には、分散性を向上させるために表面に有機物などの被膜コーティング材がコーティングされている。金属微粒子の粒径は1nm以上1μm以下であることが好ましく、0.1μm以下であることがより好ましい。1μmをこえると金属細線のパターン部の凹凸が大きく、リークに不利になる。0.1μm以下とすることで低温の焼成でも粒子間の融着が進み、高い導電性が得られる。また、特開2008-091250号公報に記載のような0.1μm以下の粒子と0.1μm以上の粒子を併用することも好ましい。0.1μm以下の金属微粒子を用いるには、有機保護コロイドで被覆した状態で使用することが好ましい。この有機保護コロイドとしては、分解温度あるいは沸点が70~250°Cの範囲のものを用いるものである。この分解温度あるいは沸点とは、分解温度と沸点のうち低いほうの温度をいうものである。そして有機保護コロイドの分解温度あるいは沸点が250°Cを超えるものであると、低温の熱処理で有機保護コロイドを分解あるいは蒸発させることができず、低温焼成をおこなうことができない。また有機保護コロイドの分解温度あるいは沸点が70°C未満のものであると、銀ペーストを保存する間に有機保護コロイドが分解あるいは蒸発するおそれがあり、銀ペーストの保存安定性に問題が生じる。また有機保護コロイドとしては、炭素数3~18の炭化水素類を用いるのが好ましい。炭素数が19以上であると、分解温度あるいは沸点が高くなって、低温の熱処理で有機保護コロイドを分解あるいは蒸発させることができなくなるおそれがあり、また炭素数が2以下であると、分解温度あるいは沸点が低くなり過ぎて、銀ペーストの保存安定性に問題が生じるおそれがある。上記のような条件満たす有機保護コロイドとしては、特に限定されるものではないが、オクチルアミン沸点178~179°C、6-メチル-2-ヘプチルアミン沸点154~156°C、ジブチルアミン沸点160~162°C、ヘキシルアミン沸点130~132°C、ジプロピルアミン沸点105°C、ジイソプロピルアミン沸点83~84°C、ブチルアミン沸点76~78°C、ステアリン酸沸点232°C;19.95hPa、パルミチン酸沸点271.4°C;133hPa、ミリスチン酸沸点250°C;133hPa、ラウリン酸沸点131°C;1.3hPa、オクタン酸沸点238°C、ヘキサン酸沸点206°C、酪酸沸点162~165°C、オクタデカジエン酸229~230°Cなどを例示することができ、これらを一種単独で用いる他、二種以上を併用することもできるものである。これらのなかでも、有機保護コロイドとしては、アミンアミノ基を含むものが特に好ましい。アミン類を含むことによって、有機保護コロイドで金属ナノ粒子を保護する効果を高く得ることができるものであり、また焼成の際に有機保護コロイドが残留することがなくなり、有機物残渣で比抵抗に悪影響を及ぼすことを防ぐことができるものである。有機保護コロイドで金属ナノ粒子の表面を被覆する方法は、任意の方法を採用することができるが、例えば、金属ナノ粒子を調製する際に有機保護コロイドを共存させることによって、金属ナノ粒子の表面を有機保護コロイドで容易に被覆することができるものである。また有機保護コロイドによる金属ナノ粒子の被覆量は、特に限定されるものではないが、金属ナノ粒子100質量部に対して1~40質量部の範囲に設定するのが望ましい。分散媒についても、分解温度あるいは沸点が70~250°Cの範囲のものを用いるものであり、この分解温度あるいは沸点とは、分解温度と沸点のうち低いほうの温度をいうものである。そして分散媒の分解温度あるいは沸点が250°Cを超えるものであると、低温の熱処理で分散媒を分解あるいは蒸発させることができず、低温焼成をおこなうことができない。また分散媒の分解温度あるいは沸点が70°C未満のものであると、銀ペーストを保存する間に分散媒が分解あるいは蒸発するおそれがあり、銀ペーストの保存安定性に問題が生じる。また分散媒としては、炭素数3~18の炭化水素類を用いるのが好ましい。炭素数が19以上であると、分解温度あるいは沸点が高くなって、低温の熱処理で分散媒を分解あるいは蒸発させることができなくなるおそれがあり、また炭素数が2以下であると、分解温度あるいは沸点が低くなり過ぎて、銀ペーストの保存安定性に問題が生じるおそれがある。このような分散媒としては、特に限定されるものではないが、ミリスチルアルコール沸点167°C;20hPa、ラウリルアルコール沸点258~265°C、ウンデカノール沸点129~131°C;16hPa、デカノール沸点220~235°C、ノナノール沸点214~216°C、オクタノール沸点188~198°Cなどを例示することができ、これらを一種単独で用いる他、二種以上を併用することもできるものである。これらの中でも、分散媒としてデカノールを用いることが特に好ましい。分散媒としてデカノールを用いることによって、スクリーン印刷等で描画するのに適した銀ペーストを得ることができるものである。上記の有機保護コロイドで覆われた金属ナノ粒子、銀フィラー、分散媒を配合して混合することによって、本発明に係る銀ペーストを調製することができるものである。金属ナノ粒子を被覆する有機保護コロイドはバインダーとしての役割も果たすので、バインダーを配合することは不要であり、従って、金属ナノ粒子、銀フィラー、分散媒の3成分のみで銀ペーストを調製することができるものである。銀ペースト中の分散媒の量は、銀ペーストの塗布方法によって異なるものであり、塗布方法に応じた粘度や流動性を得ることができるように、適宜設定されるものである。そしてこのようにして調製した銀ペーストは、スクリーン印刷、インクジェット印刷、ディッピング、アプリケータ塗布、スピンコート塗布など従来公知の方法で基板等の表面に塗布することができる。上記のように金属ナノ粒子を被覆する有機保護コロイドがバインダーとしての役割も果たすので、バインダーを配合する必要なく、銀ペーストの印刷によって塗布膜を形成することができるものである。前記金属微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は1質量以上80質量以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整することができる。80質量を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜が得にくい。触媒インキ触媒インキについては、バインダー樹脂と無電解めっき触媒を含む触媒インキを用いる。無電解めっき触媒としては、無電解めっきで金属を成長させることが出来るものであれば特に制限はないが、貴金属コロイド粒子を用いるのが好ましい。貴金属コロイド粒子としては、無電解めっきに用いる公知の触媒粒子、例えば、パラジウム、金、銀、白金等の貴金属のコロイド状の微粒子を用いることができる。なかでも、貴金属としてはパラジウムが代表的である。なお、貴金属コロイド粒子を用いる場合は、該粒子と反対の表面電荷を有する粒子として微細アルミナゲル、シリカゲル等の触媒担持体に、貴金属コロイド粒子を担持させて用いることが望ましい。触媒担持体の利用により、貴金属コロイド粒子は、触媒インキパターンの表面に露出し易くなる上、これら触媒担持体は、触媒インキにチキソトロピー性を与える事が出来、画線部の輪郭におけるインキの切れをシャープにし、滲みや太りを起こし難くする。なお、触媒インキのバインダー樹脂としては、例えば、2液硬化型ウレタン樹脂等のウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキド樹脂、ポリエステル樹脂等を一種又は二種以上の混合樹脂として用いる。また、触媒インキは、この様なバインダー樹脂と、前記貴金属からなる無電解めっき触媒、及び適宜な溶剤等からなるが、この他、印刷適性を調整する等の為に、必要に応じ更に、体質顔料、界面活性剤、着色剤等の添加剤を含有させても良い。体質顔料としては、例えば、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、シリカ等の粉末を用いる。なお、着色剤を含有させることで、無電解めっき前の段階で、パターン状に印刷形成された触媒インキパターンの出来具合の品質確認を行い易く出来る。着色剤には、カーボンブラック等の公知の着色剤を用いれば良い。また、触媒インキは、有機溶剤系、水系、エマルション系等いずれでも良い。めっき処理本発明においては、導電性を高めるためにめっき処理を行っても良い。前述のめっき触媒を静電インクジェット法や印刷法で塗布する場合は無電解めっき施す、あるいは無電解めっきに続けて電界めっき処理を施す。本発明において、めっき処理には従来公知の種々のめっき方法を用いることができ、例えば電解めっき及び無電解めっきを単独、あるいは組み合わせて実施することができ、めっきに用いることができる金属としては、例えば銅、ニッケル、コバルト、すず、銀、金、白金、その他各種合金を用いることができるが、例えば、電解硫酸銅めっき処理を好ましく利用できる。加圧または加圧加熱処理本発明においては、さらに高い平滑性が求められる場合やメッシュ部の導電性向上の目的で加圧または加圧加熱処理を施すことも好ましく用いられ、少なくとも透明導電膜設置前に実施するのが好ましい。この処理により、導電性金属パターン上部や透光窓部の樹脂表面を平滑化することが可能であり、また、導電性金属パターンと透光窓部の樹脂との段差をさらに低減することが可能となる。さらに、導電性金属パターン部の金属粒子密度が高くなり、粒子界面密着も向上することから導電性も向上さえることができる。加圧に際しては、プレート上でプレートで加圧する面/面加圧やロールとロールの間に基材フィルムを通過させながら加圧させるニップロール加圧や、プレート上をロールで加圧する組み合わせた加圧を採用することができる。加圧の大きさは1kPから100MPaの範囲で任意に可能であるが、好ましくは10kPa~10Mpaの範囲、より好ましくは、50kPa~5MPaである。加圧が1kPより少ないと粒子同士の接触の効果が得られないし、100MPa以上では、面を平滑に保つことができにくくヘイズが上昇するので好ましくない。また、加圧に際して加熱すると効果的になるので、40°C~300°Cの範囲で加熱することが好ましい。特に透光窓部の樹脂表面平滑および金属パターンとの段差低減には樹脂のTg以上に加熱することが好ましい。加熱の時間は温度との関係で調節されて、高い温度では、短く、低温では長くというようにすることができる。加熱の方法は、ニップロールの場合には、ロールを予め所定の温度に加熱しておく方法やオートクレーブ室のような加熱室内で過熱する方法がある。所定の大きさの試料を複数枚枚葉積層して一度に加熱する方法は、生産性が高いので好適である。基材本発明の有機電子デバイス用電極に用いられる基材は透明基材が好ましい。透明基材としては、高い光透過性を有していればそれ以外に特に制限はない。例えば、基材としての硬度に優れ、またその表面への導電層の形成のし易さ等の点で、ガラス基板、樹脂基板、樹脂フィルムなどが好適に挙げられるが、軽量性と柔軟性の観点から透明樹脂フィルムを用いることが好ましい。本発明で透明基材として好ましく用いることができる透明樹脂フィルムには特に制限はなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレンPE樹脂フィルム、ポリプロピレンPP樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトンPEEK樹脂フィルム、ポリサルホンPSF樹脂フィルム、ポリエーテルサルホンPES樹脂フィルム、ポリカーボネートPC樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロースTAC樹脂フィルム等を挙げることができるが、可視域の波長380~780nmにおける透過率が80以上である樹脂フィルムであれば、本発明に係る透明樹脂フィルムに好ましく適用することができる。中でも透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度及びコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリカーボネートフィルムであることが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムであることがより好ましい。本発明に用いられる透明基材には、塗布液の濡れ性や接着性を確保するために、表面処理を施すことや易接着層を設けることができる。表面処理や易接着層については従来公知の技術を使用できる。例えば、表面処理としては、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理、レーザー処理等の表面活性化処理を挙げることができる。また、易接着層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ビニル系共重合体、ブタジエン系共重合体、アクリル系共重合体、ビニリデン系共重合体、エポキシ系共重合体等を挙げることができる。易接着層は単層でもよいが、接着性を向上させるためには2層以上の構成にしてもよい。本発明の有機電子デバイス用電極は有機電子デバイスの電極として用いることができる。以下、有機EL素子について、説明する。有機EL素子本発明の有機EL素子は、有機発光層に加えて、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層、ホールブロック層、電子ブロック層などの有機発光層と併用して発光を制御する層を有しても良い。本発明の導電性ポリマー含有層はホール注入層として働くことも可能であるので、ホール注入層を兼ねることも可能だが、独立にホール注入層を設けても良い。構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。i第一電極部/発光層/電子輸送層/第二電極部ii第一電極部/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/第二電極部iii第一電極部/正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/第二電極部iv第一電極部/正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極バッファー層/第二電極部v第一電極部/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極バッファー層/第二電極部ここで、発光層は、発光極大波長が各々430~480nm、510~550nm、600~640nmの範囲にある単色発光層であってもよく、また、これらの少なくとも3層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよく、さらに発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の有機EL素子としては、白色発光層であることが好ましい。また、本発明において有機発光層に使用できる発光材料またはドーピング材料としては、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス8-ヒドロキシキノリナートアルミニウム錯体、トリス4-メチル-8-キノリナートアルミニウム錯体、トリス5-フェニル-8-キノリナートアルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ-p-ターフェニル-4-イルアミン、1-アリール-2,5-ジ2-チエニルピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチルベンゼン誘導体、ジスチルアリーレン誘導体、及び各種蛍光色素及び希土類金属錯体、燐光発光材料等があるが、これらに限定されるものではない。またこれらの化合物のうちから選択される発光材料を90~99.5質量部、ドーピング材料を0.5~10質量部含むようにすることも好ましい。有機発光層は上記の材料等を用いて公知の方法によって作製されるものであり、蒸着、塗布、転写などの方法が挙げられる。この有機発光層の厚みは0.5~500nmが好ましく、特に、0.5~200nmが好ましい。第二電極部第二電極は有機EL素子においては陰極となる。第二電極部は導電材単独層であっても良いが、導電性を有する材料に加えて、これらを保持する樹脂を併用してもよい。第二電極部の導電材としては、仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。有機光電変換素子有機光電変換素子は、第1電極部、バルクヘテロジャンクション構造p型半導体層およびn型半導体層を有する光電変換層以下、バルクヘテロジャンクション層とも呼ぶ、第二電極部が積層された構造を有する。光電変換層と第二電極部との間に電子輸送層などの中間層を有しても良い。光電変換層光電変換層は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する層であって、p型半導体材料とn型半導体材料とを一様に混合したバルクヘテロジャンクション層を構成している。p型半導体材料は、相対的に電子供与体ドナーとして機能し、n型半導体材料は、相対的に電子受容体アクセプターとして機能する。ここで、電子供与体及び電子受容体は、光を吸収した際に、電子供与体から電子受容体に電子が移動し、正孔と電子のペア電荷分離状態を形成する電子供与体及び電子受容体であり、電極のように単に電子を供与あるいは受容するものではなく、光反応によって、電子を供与あるいは受容するものである。p型半導体材料としては、種々の縮合多環芳香族化合物や共役系化合物が挙げられる。縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、クリセン、ピセン、フルミネン、ピレン、ペロピレン、ペリレン、テリレン、クオテリレン、コロネン、オバレン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、ゼスレン、ヘプタゼスレン、ピランスレン、ビオランテン、イソビオランテン、サーコビフェニル、アントラジチオフェン等の化合物、及びこれらの誘導体や前駆体が挙げられる。共役系化合物としては、例えば、ポリチオフェン及びそのオリゴマー、ポリピロール及びそのオリゴマー、ポリアニリン、ポリフェニレン及びそのオリゴマー、ポリフェニレンビニレン及びそのオリゴマー、ポリチエニレンビニレン及びそのオリゴマー、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、テトラチアフルバレン化合物、キノン化合物、テトラシアノキノジメタン等のシアノ化合物、フラーレン及びこれらの誘導体あるいは混合物を挙げることができる。また、特にポリチオフェン及びそのオリゴマーのうち、チオフェン6量体であるα-セクシチオフェンα,ω-ジヘキシル-α-セクシチオフェン、α,ω-ジヘキシル-α-キンケチオフェン、α,ω-ビス3-ブトキシプロピル-α-セクシチオフェン、等のオリゴマーが好適に用いることができる。その他、高分子p型半導体の例としては、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリピロール、ポリパラフェニレンスルフィド、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリカルバゾール、ポリイソチアナフテン、ポリヘプタジイン、ポリキノリン、ポリアニリンなどが挙げられ、更には特開2006-36755号公報などの置換-無置換交互共重合ポリチオフェン、特開2007-51289号公報、特開2005-76030号公報、J.Amer.Chem.Soc.,2007,p4112、J.Amer.Chem.Soc.,2007,p7246などの縮環チオフェン構造を有するポリマー、WO2008/000664、Adv.Mater.,2007,p4160、Macromolecules,2007,Vol.40,p1981などのチオフェン共重合体などを挙げることができる。さらに、ポルフィリンや銅フタロシアニン、テトラチアフルバレンTTF-テトラシアノキノジメタンTCNQ錯体、ビスエチレンジチオテトラチアフルバレンBEDTTTF-過塩素酸錯体、BEDTTTF-ヨウ素錯体、TCNQ-ヨウ素錯体、等の有機分子錯体、C60、C70、C76、C78、C84等のフラーレン類、SWNT等のカーボンナノチューブ、メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類等の色素等、さらにポリシラン、ポリゲルマン等のσ共役系ポリマーや特開2000-260999号に記載の有機無機混成材料も用いることができる。これらのπ共役系材料のうちでも、ペンタセン等の縮合多環芳香族化合物、フラーレン類、縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、金属フタロシアニン、金属ポルフィリンよりなる群から選ばれた少なくとも1種が好ましい。また、ペンタセン類がより好ましい。ペンタセン類の例としては、国際公開第03/16599号パンフレット、国際公開第03/28125号パンフレット、米国特許第6,690,029号明細書、特開2004-107216号公報等に記載の置換基をもったペンタセン誘導体、米国特許出願公開第2003/136964号明細書等に記載のペンタセンプレカーサ、J.Amer.Chem.Soc.,vol127.No14.4986等に記載の置換アセン類及びその誘導体等が挙げられる。これらの化合物の中でも、溶液プロセスが可能な程度に有機溶剤への溶解性が高く、かつ乾燥後は結晶性薄膜を形成し、高い移動度を達成することが可能な化合物が好ましい。そのような化合物としては、J.Amer.Chem.Soc.,vol.123、p9482、J.Amer.Chem.Soc.,vol.1302008、No.9、2706等に記載のトリアルキルシリルエチニル基で置換されたアセン系化合物、及び米国特許出願公開第2003/136964号明細書等に記載のペンタセンプレカーサ、特開2007-224019号公報等に記載のポルフィリンプレカーサー等のような、プレカーサータイプの化合物前駆体が挙げられる。これらの中でも、後者のプリカーサータイプの方が好ましく用いることができる。これは、プリカーサータイプの方が、変換後に不溶化するため、バルクヘテロジャンクション層の上に正孔輸送層電子輸送層正孔ブロック層電子ブロック層等を溶液プロセスで形成する際に、バルクヘテロジャンクション層が溶解してしまうことがなくなるため、前記の層を構成する材料とバルクヘテロジャンクション層を形成する材料とが混合することがなくなり、一層の効率向上寿命向上を達成することができるためである。p型半導体材料としては、p型半導体材料前駆体に熱光放射線化学反応を引き起こす化合物の蒸気に晒す、等の方法によって化学構造変化を起こし、p型半導体材料に変換された化合物であることが好ましい。中でも熱によって化学構造変化を起こす化合物が好ましい。n型半導体材料の例としては、フラーレン、オクタアザポルフィリン、p型半導体のパーフルオロ体パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物を骨格として含む、高分子化合物が挙げられる。中でも、フラーレン含有高分子化合物が好ましい。フラーレン含有高分子化合物としては、フラーレンC60、フラーレンC70、フラーレンC76、フラーレンC78、フラーレンC84、フラーレンC240、フラーレンC540、ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブ、多層ナノチューブ、単層ナノチューブ、ナノホーン円錐型等を骨格に持つ高分子化合物が挙げられる。フラーレン含有高分子化合物では、フラーレンC60を骨格に持つ高分子化合物誘導体が好ましい。フラーレン含有ポリマーとしては、大別してフラーレンが高分子主鎖からペンダントされたポリマーと、フラーレンが高分子主鎖に含有されるポリマーとに大別されるが、フラーレンがポリマーの主鎖に含有されている化合物が好ましい。これは、フラーレンが主鎖に含有されているポリマーは、ポリマーが分岐構造を有さないため、固体化した際に高密度なパッキングができ、結果として高い移動度を得ることができるためではないかと推定される。電子受容体と電子供与体とが混合されたバルクヘテロジャンクション層の形成方法としては、蒸着法、塗布法キャスト法、スピンコート法を含む等を例示することができる。本発明の光電変換素子を、太陽電池などの光電変換材料として用いる形態としては、光電変換素子を単層で利用してもよいし、積層してタンデム型利用してもよい。また、光電変換材料は、環境中の酸素、水分等で劣化しないために、公知の手法によって封止することが好ましい。以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。なお、実施例においての表示を用いるが、特に断りがない限り質量を表す。有機電子デバイス用電極D001の作製膜厚125μmのポリエチレンナフタレートフィルム帝人デュポンフィルム株式会社製、極低熱収PENQ83を4cm×4cmに切り出した。易接着層として下記<易接着層塗布液-1>をスピンコーターにより、乾燥膜厚が50nmとなるように回転数を調整して塗設し、110°C-3分の熱処理を施し、易接済み基材とした。<易接着層塗布液-1>バイロナールMD1200東洋紡社製0.6gH2O4.7gイソプロピルアルコール4.7gインクジェット用銀ナノペーストNPS-JLハリマ化成社製を、インクジェット記録ヘッドとして、圧力印加手段と電界印加手段とを有し、ノズル口径25μm、駆動周波数12kHz、ノズル数128、ノズル密度180dpidpiとは1インチ、即ち2.54cm当たりのドット数を表すのピエゾ型ヘッドを搭載したインクジェットプリント装置に装填し、前記易接済み基材に図1のように印刷した。図1の1、4は1.2cm×5mmの銀ベタ部で取り出し電極として利用する。図1の2は1.2cm×1.2cmの範囲に印画した線幅50μm、線間隔950μmの金属メッシュパターン部で1に接している。3は1.2cm×2mmの銀のない部分である。形成した、金属細線のパターンは、130°Cで60分加熱処理をした。金属細線のパターンの基材からの高さ以後、金属細線高さとするは、600nmであった。次に、塗布幅1.2cm、ギャップ間隔100μmのアプリケータを用いて110cm/分の速度で、図1の2の金属細線のパターンの上を通るように、図2の5の領域に下記の導電性ポリマー含有塗布液1を塗布した。80°Cの温風で1分乾燥し、塗布済みの試料の、金属細線のパターンのない領域2以外の領域は、純水で導電性ポリマー含有層を拭き取り除去して2の領域に導電性ポリマー含有層を設けた図3の5′。さらに、130°Cのオーブンで30分の熱処理を施し、有機電子デバイス用電極D001とした。得られた、有機電子デバイス用電極の、金属細線のパターンのある部分の上の導電性ポリマー含有層の膜厚以後、金属細線部の膜厚とするは200nmで、金属細線のパターンのない部分の導電性ポリマー含有層の膜厚以後、金属なし部の膜厚とするは500nmであった。導電性ポリマー含有塗布液1PEDOT-PSSCLEVIOSPH510固形分1.89H.C.Starck社製1.59gポリヒドロキシエチルアクリレート合成例2、固形分20水溶液0.35gジメチルスルホキシドDMSO0.08g開始剤の合成合成例150ml三口フラスコに2-ブロモイソブチリルブロミド7.3g、35mmolとトリエチルアミン2.48g、35mmol及びTHF20mlを加え、アイスバスにより内温を0°Cに保持した。この溶液内にオリゴエチレングリコール10g、23mmol、エチレングリコールユニット7~8、LaporteSpecialties社製の33THF溶液30mlを滴下した。30分攪拌後、溶液を室温にし、更に4時間攪拌した。THFをロータリーエバポレーターにより減圧除去後、残渣をジエチルエーテルに溶解し、分駅ロートに移した。水を加えエーテル層を3回洗浄後、エーテル層をMgSO4により乾燥させた。エーテルをロータリーエバポレーターにより減圧留去し、開始剤1を8.2g収率73得た。リビング重合ATRPによる水溶性ポリマー樹脂の合成合成例2ポリ2-ヒドロキシエチルアクリレートの合成開始剤1500mg、1.02mmol、2-ヒドロキシエチルアクリレート4.64g、40mmol、東京化成社製、50:50v/vメタノール/水混合溶媒を5mlをシュレンク管に投入し、減圧下液体窒素に10分間シュレンク管を浸した。シュレンク管を液体窒素から出し、5分後に窒素置換を行った。この操作を3回行った後、窒素下で、ビピリジン400mg、2.56mmol、CuBr147mg、1.02mmolを加え、20°Cで攪拌した。30分後、ろ紙とシリカを敷いた4cm桐山ロート上に反応溶液を滴下し、減圧で反応溶液を回収した。ロータリーエバポレーターにより溶媒を減圧留去後、50°Cで3時間減圧乾燥した。その結果、数平均分子量13100、分子量分布1.17、数平均分子量<1000の含量0、の水溶性ポリマー樹脂1を2.60g収率84得た。構造、数平均分子量は各々1H-NMR400MHz、日本電子社製、GPCWaters2695、Waters社製で測定した。<GPC測定条件>装置:Wagers2695SeparationsModule検出器:Waters2414RefractiveIndexDetectorカラム:ShodexAsahipakGF-7MHQ溶離液:ジメチルホルムアミド20mMLiBr流速:1.0ml/min温度:40°C有機電子デバイス用電極D002の作製有機電子デバイス用電極D001作製の際、アプリケータの速度を125cm/分に変えて、導電性ポリマー含有塗布液1の付き量を増加した以外は同様にして有機電子デバイス用電極D002を作製した。有機電子デバイス用電極D003~D005の作製有機電子デバイス用電極D002作製の際、導電性ポリマー含有塗布液1に純水を加えて固形分を1割、2割、3割それぞれ低下させることにより、塗布液の粘度を低下させて、それぞれアプリケータの速度を増加させて金属なし部の膜厚は変わらないように調整した以外は同様にして、金属なし部の膜厚は一定で金属細線部の膜厚の異なる有機電子デバイス用電極D003、D004、D005を作製した。有機電子デバイス用電極D006~D008の作製有機電子デバイス用電極D001作製の際、ポリヒドロキシエチルアクリレートを固形分40質量で数平均分子量が約10万のポリヒドロキシエチルアクリレートに変更することで塗布液粘度を増加させた導電性ポリマー含有塗布液2を用いて、さらに、アプリケータの速度をそれぞれ120cm/分、130cm/分、140cm/分と変えることにより、金属なし部の膜厚、金属細線部の膜厚をともにアップさせた以外は同様にして、有機電子デバイス用電極D006~D008を作製した。有機電子デバイス用電極D009~D011の作製導電性ポリマー含有塗布液を導電性ポリマー含有塗布液1において、PH510H.C.Starck社製を真空下に置くことで固形分を2.64質量まで高濃度化したPEDOT-PSSを用いて、さらにポリヒドロキシエチルアクリレートを除いた、電性ポリマー含有塗布液3を用いて、アプリケータ速度を140cm/分、120cm/分、115cm/分に変えることにより、それ以外は有機電子デバイス用電極D001と同様にして有機電子デバイス用電極D009~D011を作製した。有機電子デバイス用電極D012の作製D011から、インクジェットのインク吐出量を増加させて、金属細線のパターンの高さを800nmと厚くし、さらに、アプリケータ速度を105cm/分に変えることにより、導電性ポリマー含有塗布液の付き量を低下させた以外は同様にして、有機電子デバイス用電極D012を作製した。有機電子デバイス用電極D013の作製D012において、導電性ポリマー含有塗布液2に変更し、アプリケータ速度を80cm/分に変えることにより、有機電子デバイス用電極D013を作製した。有機電子デバイス用電極D014の作製D013において、導電性ポリマー含有塗布液2に純水を3割加えることで固形分を低下させ、アプリケータの速度を増加させて金属なし部の膜厚は変わらないように調整した以外は同様にして有機電子デバイス用電極D014を作製した。有機電子デバイス用電極D015~D017の作製有機電子デバイス用電極D013作製の際、インクジェットのインク吐出量を増加させることで金属細線のパターンの高さを変え、導電性ポリマー含有塗布液2に純水を3割加えることで固形分を低下させ、さらに、アプリケータの速度を増加させて金属なし部の膜厚は変わらないように調整した以外は同様にして、有機電子デバイス用電極D015を作製した。さらに、インクジェットのインク吐出量を増加させて金属細線のパターンの高さを変えた以外はD015と同様にしてD016を作製した。さらに有機電子デバイス用電極D016作製の際、金属なし部の膜厚が表1記載の値になるようにアプリケータの速度を増加させてD017を作製した。有機電子デバイス用電極D018、D019の作製有機電子デバイス用電極D001作製の際、インクジェットのインク吐出量をそれぞれ減少させて金属細線のパターンの高さを変え、アプリケータの速度を90cm/分に変更して、導電性ポリマー含有塗布液1の付き量を減少させた以外は同様にして有機電子デバイス用電極D018、D019を作製した。有機電子デバイス用電極D020の作製有機電子デバイス用電極D001作製の際、金属細線のパターンを三ツ星ベルト社製銀ナノ粒子ペーストMDot-SLPを松尾産業株式会社製K303マルチコーターを用いてグラビア印刷した以外は、有機電子デバイス用電極D001と同様にして有機電子デバイス用電極D020を作製した。有機電子デバイス用電極D021の作製有機電子デバイス用電極D001作製の際、金属細線のパターンを下記<無電解めっき用触媒含有インク>をグラビア印刷し、引き続いて下記<無電解めっき液>を用いて45°Cで無電解銅めっき処理を行ってめっきした以外は、有機電子デバイス用電極D001と同様にして有機電子デバイス用電極D021を作製した。<無電解めっき用触媒含有インク>水100質量部に対し塩化カリウム0.03質量部を攪拌しながら溶解させ、この中にさらに塩化パラジウム0.015質量部を溶解させる。得られたパラジウムイオン含有水溶液にクエン酸三ナトリウム0.06質量部を加えて溶解させた後、ここへさらに水10質量部に対して0.003質量部の水素化ホウ素ナトリウムを溶解させた水溶液を加えることでパラジウムコロイド分散液を得た。このパラジウムコロイド液を限外ろ過により脱塩し、ろ過済みのコロイド液にアルミナ5質量部を加えてヘテロ凝集、沈殿したところをろ過、解砕することでアルミナ担持パラジウム粒子を得た。次に、トルエン100質量部に対してエチルセルロース樹脂を8質量部溶解させ、この液中に先ほど作製したパラジウム粒子を1質量部加えることで無電解めっき用触媒含有インクを得た。<無電解めっき液>硫酸銅0.04モルホルムアルデヒド370.08モル水酸化ナトリウム0.10モルトリエタノールアミン0.05モルポリエチレングリコール100ppm水を加えて全量を1リットルとする。有機電子デバイス用電極D022の作製有機電子デバイス用電極D001作製の際、金属細線のパターンを、線幅50μm、線間隔950μmのラインとした以外は、有機電子デバイス用電極D001と同様にして有機電子デバイス用電極D022を作製した。有機電子デバイス用電極D030の作製反応容器内で下記溶液Aを34°Cに保ち、特開昭62-160128号公報記載の混合撹拌装置を用いて高速に撹拌しながら、硝酸濃度6を用いてpHを2.95に調整した。引き続き、ダブルジェット法を用いて下記溶液Bと下記溶液Cを一定の流量で8分6秒間かけて添加した。添加終了後に、炭酸ナトリウム濃度5を用いてpHを5.90に調整し、続いて下記溶液Dと溶液Eを添加した。溶液Aアルカリ処理不活性ゼラチン平均分子量10万18.7g塩化ナトリウム0.31g溶液I下記1.59ml純水1246ml溶液B硝酸銀169.9g硝酸濃度65.89ml純水にて317.1mlに仕上げる。溶液Cアルカリ処理不活性ゼラチン平均分子量10万5.66g塩化ナトリウム58.8g臭化カリウム13.3g溶液I下記0.85ml溶液II下記2.72ml純水にて317.1mlに仕上げる。溶液D2-メチル-4-ヒドロキシ-1,3,3a,7-テトラアザインデン0.56g純水112.1ml溶液Eアルカリ処理不活性ゼラチン平均分子量10万3.96g溶液I下記0.40ml純水128.5ml溶液I界面活性剤:ポリイソプロピレンポリエチレンオキシジコハク酸エステルナトリウム塩の10質量メタノール溶液溶液II六塩化ロジウム錯体の10質量水溶液上記操作終了後に、常法に従い40°Cにてフロキュレーション法を用いて脱塩及び水洗処理を施し、溶液Fと防バイ剤を加えて60°Cでよく分散し、40°CにてpHを5.90に調整して、最終的に臭化銀を10モル含む平均粒子径0.09μm、変動係数10の塩臭化銀立方体粒子乳剤を得た。溶液Fアルカリ処理不活性ゼラチン平均分子量10万16.5g純水139.8ml上記ハロゲン化銀乳剤に対し、チオ硫酸ナトリウムをハロゲン化銀1モル当たり20mg用い、40°Cにて80分間化学増感を行い、化学増感終了後に4-ヒドロキシ-6-メチル-1,3,3a,7-テトラザインデンTAIをハロゲン化銀1モル当たり500mg、1-フェニル-5-メルカプトテトラゾールをハロゲン化銀1モル当たり150mg添加して、ハロゲン化銀乳剤EM-1を得た。このハロゲン化銀乳剤EM-1のハロゲン化銀粒子とゼラチンの体積比ハロゲン化銀粒子/ゼラチンは0.625であった。さらに硬膜剤H-1:テトラキスビニルスルホニルメチルメタンをゼラチン1g当たり200mgの比率となるようにして添加し、また塗布助剤として、界面活性剤SU-2:スルホ琥珀酸ジ2-エチルヘキシルナトリウムを添加し、表面張力を調整した。こうして得られた塗布液を、基材の片方の面上に塗布した後、50°C、24時間のキュア処理を実施した。上述のようにして作製した基材に対して、ライン幅が6μm、ライン同士の間隔が244μmの1cm四方の格子状のフォトマスクを介して、紫外線ランプを用いて露光を行い、下記現像液DEV-1を用いて25°Cで60秒間現像処理を行った後、下記定着液FIX-1を用いて25°Cで120秒間の定着処理を行った。さらに、下記物理現像液PDEV-1を用いて25°Cで10分間物理現像を行った後、水洗、乾燥処理を行い、金属細線のパターンとした。以降は有機電子デバイス用電極D012と同様に作製して、有機電子デバイス用電極D030を作製した。DEV-1純水500mlメトール2g無水亜硫酸ナトリウム80gハイドロキノン4gホウ砂4gチオ硫酸ナトリウム10g臭化カリウム0.5g水を加えて全量を1リットルとする。FIX-1純水750mlチオ硫酸ナトリウム250g無水亜硫酸ナトリウム15g氷酢酸15mlカリミョウバン15g水を加えて全量を1リットルとする。PDEV-1下記A液、B液を処理の直前に混合する。A液純水400mlクエン酸10gリン酸水素2ナトリウム1gアンモニア水28水溶液1.2mlハイドロキノン3gB液純水10ml硝酸銀0.4g有機電子デバイス用電極D031の作製基材上に真空蒸着法によりアルミニウムを図1の金属細線のパターン2の領域に幅5ミクロン、高さ2.5μmでD001と同様のパターンになるようにアルミニウム細線のパターンを蒸着した。さらに、図1の取り出し電極1及び4の領域の全面に高さ2.5μmとなるようにアルミニウムを均一に蒸着した。次に、導電ポリマー含有層の替わりに、透明導電膜層としてITO層をスパッタにより上記アルミニウム細線のパターンを蒸着した領域の全面に40nmの厚さに均一に付着させて、有機電子デバイス用電極D031を作製した。なおD031において、導電ポリマー含有層の膜厚、段差は、ITO層を導電ポリマー含有層に置き換えて、同様に求めた。有機電子デバイス用電極D032の作製両面に膜厚50nmの窒化シリコン膜が形成された厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム支持体の片面側に、接着層として紫外線硬化性樹脂UVPOTミディアム0、帝国インキ株製を30μmの厚みに塗布して、接着基板を作製した。作製した接着基板とD030と同様に作製した金属銀パターンとを、接着層と金属銀パターンとが対面するように圧着し、積層体を形成した。次いで接着基板の側から紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化させ、接着基板と金属銀パターンとを接合した。接合した接着基板と金属銀パターンとを、下記の酵素液に40°Cで5分間浸せきし、水洗乾燥させた。酵素液のpHは7.0であった。酵素液水900ml85オルトリン酸7.4gトリエタノールアミン20gタンパク質分解酵素2g水を加えて総量を1000mlに仕上げる。細菌プロティナーゼ:長瀬産業株製、ビオプラーゼAL15酵素液処理を行った後、金属銀パターン側のポリエチレンテレフタレートフィルム支持体を剥離して、金属銀パターンを作製した。金属銀パターンは接着基板に埋め込まれており平滑であった。以降は有機電子デバイス用電極D012と同様に作製して、有機電子デバイス用電極D032を作製した。以上のようにして得られた有機電子デバイス用電極D002~D022及びD030~D032の金属細線高さ、金属細線部の膜厚、及び、金属なし部の膜厚は、それぞれ、表1に示す。導電性ポリマー含有塗布液1を塗布した際、塗布液の粘度が低いので、高さの高い金属細線部から、高さの低い金属なし部に塗布液は流れ込み、それぞれの高さは、表1の数値となった。得られた、有機電子デバイス用電極D001~D022及びD030~D032を有機EL素子の電極とした。有機EL素子1の作製得られた有機電子デバイス用電極D001を、金属細線のパターンの上に以下の各層を形成して有機EL素子1とした。正孔注入層の形成PEDOT-PSSCLEVIOSPAI4083固形分1.5H.C.Starck社製をギャップ間隙40μmのバーコーターを用いて、導電性ポリマー含有塗布液と同様の領域にし、乾燥膜厚が30nmとなるように塗布し、導電性ポリマー含有塗布液と同様に不要領域の拭き取りを行った。さらに、ホットプレートで130°C、30分の熱処理を施して正孔注入層とした。正孔輸送層の形成市販の真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼは、モリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。真空度1×10-4Paまで減圧した後、化合物1の入った前記蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で金属細線のパターンのある領域に蒸着し、30nmの正孔輸送層を設けた。発光層の形成次に、以下の手順で各発光層を設けた。形成した正孔輸送層上に、化合物2が13質量、化合物3が3.7質量の濃度になるように、化合物2、化合物3及び化合物5を蒸着速度0.1nm/秒で金属細線のパターンのある領域に共蒸着し、発光極大波長が622nm、厚さ10nmの緑赤色燐光発光層を形成した。次いで、化合物4が10質量になるように、化合物4及び化合物5を蒸着速度0.1nm/秒で金属細線のパターンのある領域に共蒸着し、発光極大波長が471nm、厚さ15nmの青色燐光発光層を形成した。正孔ブロック層の形成さらに、形成した発光層上、金属細線のパターンのある領域に、化合物6を膜厚5nmに蒸着して正孔阻止層を形成した。電子輸送層の形成引き続き、形成した正孔阻止層上、金属細線のパターンのある領域に、CsFを膜厚比で10になるように化合物6と共蒸着し、厚さ45nmの電子輸送層を形成した。カソード電極の形成形成した電子輸送層の上に、Alを5×10-4Paの真空下にて、図4の6の領域1.0×1.4cmに蒸着し、厚さ100nmのカソード電極を形成し、有機EL素子1を作製した。なお、有機EL素子は、蒸着後も大気下には出さずに窒素下で以降の評価を行った。有機EL素子2~32の作製有機EL素子1と同様にして、有機電子デバイス用電極1を有機電子デバイス用電極D002~D022及びD030~D032に変えて、有機EL素子2~22及び30~32を作製した。EL素子評価得られた、各有機EL素子について、KEITHLEY製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流電圧を印加して1000cd/m2で発光させた。整流比印加電圧のプラスマイナスを反転させる。発光時の電流の絶対値/反転時の電流の絶対値を整流比とした。異物や突起の影響がある、あるいは、グリッド部での段差が大きすぎるとこの比率が小さくなる。この比率が1だと完全にリーク状態、EL素子としては、100以上であることが好ましく、1000以上であることがより好ましい。以下の指標で評価した。4:1000以上3:500以上1000未満2:100以上500未満1:100未満発光ムラ発光状態を目視、および50倍の光学顕微鏡で観察し、以下の指標で評価した。レベル2が最低限必要で、3以上が好ましい。4:光学顕微鏡でも全面均一発光に見える3:光学顕微鏡では金属細線のパターン部周辺部が他よりも高輝度であることが分かるが、目視では全面均一発光に見える2:面全体が発光しているが、金属細線のパターン部周辺部が高輝度になっているのが目視でも分かる1:金属細線のパターン部周辺部しか発光していない0:全く発光しない、あるいは、一部のみ輝点状に発光発光効率KEITHLEY製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流電圧を印加し300cdで発光させたときの発光効率ルーメン/Wを測定し、有機EL素子32の発光効率に対するレベルで以下の指標で評価した。3:改善幅15以上2:改善幅10以上15未満1:改善幅3以上10以下0:改善幅3未満本発明の電極を用いた有機EL素子は整流比や発光ムラなどの性能破たんすることなく発光効率が改善されていることが分かる。特に、金属細線のパターンのある部分の上の導電性ポリマー含有層の最表面と、前記金属細線のパターンのない部分の導電性ポリマー含有層の最表面との段差が150nm以上600nm以下である電極を用いた場合、発光ムラの劣化を生じることなく発光効率が改善されていることが分かる。また、金属細線のパターンのない部分の導電性ポリマー含有層の膜厚が1500nmを超えると発光効率の改善幅が若干低下してくることが分かり、また、200nmを下回ると整流比が低下してくることが分かる。導電性ポリマー含有層が、さらに水溶性ポリマーを含有すると発光効率の改善幅を低下させずに整流比を良くできることが分かる。"