露光対象試料の所定領域へ電子ビームを選択的に透過させるステンシルマスクであって、前記電子ビームを導入するための開口部が設けられた支持基板層と、前記支持基板上に設けられ、前記開口部から導入された電子ビームを選択的に透過させるステンシルパターンが形成されたメンブレン領域を有するステンシルパターン形成層と、前記ステンシルパターン形成層上に設けられ、前記メンブレン領域を物理的接触から保護するガード部とを備えることを特徴とするステンシルマスク。前記支持基板層と前記ガード部とが同一の材料で形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のステンシルマスク。前記ガード部は、前記支持基板層と平面視略同一形状に形成されていることを特徴とする、請求項1から2の何れか1項に記載のステンシルマスク。請求項1から3の何れか1項に記載されたステンシルマスクを露光対象試料と電子ビームを発振するビーム発振器との間に、前記ガード部が当該露光対象試料に対向するよう配置する配置ステップと、前記ビーム発振器から前記露光対象試料へ電子ビームを照射する露光ステップとを含む、露光方法。前記配置ステップにおいて前記ステンシルマスクと前記露光対象試料との距離を所定距離未満に配置し、前記露光ステップにおいて電子ビームを少なくとも前記メンブレン領域へ一括照射することにより一括等倍露光を行う、請求項4に記載の露光方法。通常ステンシルマスクに用いられるメンブレン領域の形状および材質等は、加速電圧や露光方式により異なるが、概ね、20μm以下の薄膜である場合が多い。すなわち、このようなメンブレン領域は、非常にもろく、わずかな衝撃でも破損してしまう。また、例えば、特許文献1のような等倍露光を行う場合、露光対象とステンシルマスク間の距離を数百μm程度まで接近させる必要がある。ここで露光対象がロールや湾曲した基板である場合、また露光対象の距離を一定の距離に合わせることが出来ない場合、露光対象とステンシルマスクとが接触し、露光が出来ないことに加えて、ステンシルマスクそのものが破損する可能性ある。また、ステンシルマスクの作製工程においても、ステンシルマスクが破損する可能性が取り除けず、取り扱いが難しい。そこで本発明では、ステンシルマスクの破損を防止し、また取り扱いを容易にするガードを設けたステンシルマスクを提供することを目的とする。第1の発明は、露光対象試料の所定領域へ電子ビームを選択的に透過させるステンシルマスクであって、電子ビームを導入するための開口部が設けられた支持基板層と、基板上に設けられ、開口部から導入された電子ビームを選択的に透過させるステンシルパターンが形成されたステンシルパターン形成層と、ステンシルパターン形成層上に設けられ、ステンシルパターン形成層のうちステンシルパターンが形成されているメンブレン領域を物理的接触から保護するガード部とを備えることを特徴とするステンシルマスクである。第2の発明は、第1の発明において、支持基板層とガード部が同一材料で構成されていることを特徴とする。第3の発明は、第1から2の発明の何れか1つにおいて、ガード部は、支持基板と平面視略同一形状を成すことを特徴とする。第4の発明は、第1から3の何れかの発明に係るステンシルマスクを露光対象試料と電子ビームを発振するビーム発振器との間に、ガード部が当該露光対象試料に対向するよう配置する配置ステップと、ビーム発振器から露光対象試料へ電子ビームを照射する露光ステップとを含む、露光方法である。第5の発明は、第4の発明において、配置ステップにおいてステンシルマスクと露光対象試料との距離を所定距離未満に配置し、露光ステップにおいて電子ビームを少なくともメンブレン領域へ一括照射することにより一括等倍露光を行うことを特徴とする。本発明によれば、薄膜メンブレン領域を有したステンシルマスクを、露光時および作製時において、外部からの物理的な衝撃に対し耐性を持った、取り扱いが容易なステンシルマスクとして提供することが可能となる。より具体的には、本発明に係るステンシルマスクはメンブレン領域を物理的な衝撃から保護するガード部を備えることによって、外部からの物理的な衝撃に対するステンシルマスクの耐性を向上することができる。以下、本発明の実施形態に係るステンシルマスク1およびその製造方法について説明する。先ず、図1および図2を参照してステンシルマスク1の構成について説明する。図1は、本発明の実施形態に係るステンシルマスク1を示す概略上面図である。図1に示すように、ステンシルマスク1は、バルク領域101に周囲を囲まれ、メンブレンエッジ部102で保持されるメンブレン領域105を有している。メンブレン領域105内にはステンシルパターン領域103が設けられており、ステンシルパターン領域には電子ビームを選択的に透過させるステンシルパターンが形成されている。またバルク領域内にはメンブレン領域を保護するためのメンブレンガード104が設けられている。図2は、本発明の実施形態に係るステンシルマスクを示す概略断面図である。図2は、図1のA-A断面を示す断面図である。図2に示すように、ステンシルマスク1は、支持基板203、ステンシルパターン形成層202、メンブレンガード104を備える。より具体的には、支持基板203上にステンシルパターンが形成されたステンシルパターン形成層202が形成され、ステンシルパターン形成層202上支持基板203と反対側にメンブレンガード104が形成されている。このようにメンブレンガード104を形成することによって、メンブレン領域105を物理的な衝撃から保護することができる。なお、メンブレンガード104の厚さは特に限定されないが、メンブレン構造体としての作製を考慮すると、500μm以下である事が望ましい。メンブレンガード104の間隔は特に限定されないが、間隔を短くすることで、メンブレンガード104の厚さを薄くすることが可能となる。例えば、曲率半径12.5mの凸形状の露光対象基板を接近させることを想定した場合、メンブレンガード104の厚さは以下のように決定すると良い。100mmの間隔でメンブレンガード104を作製した場合、メンブレン領域105に露光対象基板が触れないようにするためには、メンブレンガード104の厚さを100μm以上にすることが好ましい。一方、10mmの間隔でメンブレンガード104を配置した場合、厚さ4μm以上とすると良い。この時の、ステンシルマスク全体の厚さは特に限定されないが、取り扱い上、強度がある程度保たれる、300μm以上が望ましい。また、メンブレン領域105を有するステンシルパターン形成層202の厚さは、例えば0.1μmから100μmである。なお、支持基板203の材質は、特に限定されないが、シリコン、石英、ガラス、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムが好適に用いられる。また、メンブレンガード104は、例えば、シリコン結晶により形成可能である。この場合、ステンシルパターン形成層202をシリコン基板で挟み込んだ埋込基板を加工することによって本実施形態に係るステンシルマスクを製造することができる。したがって、メンブレンガード104を形成するために特別なプロセス加工工程を必要とせず、容易に本実施形態に係るステンシルマスクを作製することが可能となる。また、メンブレンガード104の形状は、支持基板203と同一形状であっても構わない。このような構成とした場合、SOISilicononInsulatorウエハ等を用いて製造した場合に発生し易いステンシルマスクの反りを抑制して、良好な平坦性を有するステンシルマスク1を作製することができる。より詳細には、内部応力の異なる材料が厚さ方向で不均一に積層形成されている場合、圧縮応力を有する材料層側例えば、酸化膜が形成されている薄膜側に上凸の反りが発生し易くなる。したがって、ステンシルパターン形成層202を中心としてメンブレンガード104と支持基板203とが厚さ方向で対称となるよう形成することによって応力の均衡をとれば、上記のような反りを抑制することができるのである。また、メンブレンガード104の平面視形成領域は、ステンシルパターン領域103にかからなければ良く、バルク領域101と同程度であっても良い。次いで、ステンシルマスク1の製造方法について図3、図4を参照して説明する。図3、図4は、本発明の実施形態に係るエッチングマスク1の作製方法の一例を部分断面図で示す説明図である。先ず、図3のaに示すように、支持基板203の上面にステンシルパターン形成層202を設ける。更にステンシルパターン形成層202の上面にメンブレンガード形成層201を設ける。この際、支持基板203とステンシルパターン形成層202との間にはエッチング停止層204bを設ける。同様に、ステンシルパターン形成層202とメンブレンガード形成層201との間にも同様にエッチング停止層204aを設ける。次に、図3のbに示すように、メンブレンガード形成層201の上面ステンシルパターン形成層202側と反対側の面において、メンブレンガードパターンレジスト層301を形成する。具体的には、メンブレンガード形成層201上に電子線レジストやフォトレジスト等のレジストを塗布し、電子線リソグラフィやフォトリソグラフィによってのメンブレンガード104を形成する予定領域にのみレジストを残すことによってメンブレンガードパターンレジスト層301を作製する。次に、図3のcに示すように、メンブレンガードパターンレジスト層301をエッチングマスクとしてドライエッチング等によって、メンブレンガード形成層201にメンブレンガード104を形成する。エッチングの方法としては、ドライエッチングのほかにウェットエッチング、イオンビームエッチング、超音波加工等も好適に用いる事ができる。ドライエッチングについては、ドライエッチング方法や条件等は特に制限されない。ドライエッチング装置としては、例えば、RIE、マグネトロンRIE、ECRElectronCyclotronResonance、ICPInductivelyCoupledPlasma、NLDNeutralLoopDischarge、マイクロ波、ヘリコン波等の任意の方式を用いたエッチング装置を使用可能である。次に、図3のdに示すように、メンブレンガードパターンレジスト層301を酸素プラズマアッシングや剥離液等によるウェット処理で除去してメンブレンガード104が形成された基板を形成する。また、メンブレンガード104が形成されていない領域のエッチング停止層204aをウェットエッチング等により除去する。次に、図4のaに示すように、ステンシルパターン形成層202上のステンシルパターン領域103において、形成予定のレジストパターンの形状に応じてレジストを塗布し、ステンシルパターンレジスト層303を形成する。ステンシルパターンレジスト層303を形成する方法としては、電子線リソグラフィやフォトリソグラフィを用いることができる。また、ステンシルパターン形成層202上において、メンブレンガード104およびステンシルパターン領域103以外の領域についてレジスト層302を形成する。次に、図4のbに示すように、ステンシルパターンレジスト層303およびレジスト層302をエッチングマスクとして、例えばドライエッチングによって、ステンシルパターン形成層202のステンシルパターン領域103にステンシルパターンを形成する。ステンシルパターンの側壁は、メンブレン領域105表面に対して垂直に近い方がステンシルマスク1を使用して露光した際のパターン転写性に優れる。したがって、メンブレン領域105表面に対するステンシルパターンの側壁の角度は85°±5°の範囲にある事が望ましい。なお、エッチングの際に残ったレジストは酸素プラズマアッシングや剥離液等によるウェット処理で除去される。次に、図4のcに示すように、支持基板203の下面ステンシルパターン形成層202が形成されている面とは逆側の面にフォトレジスト材料を塗布した後、フォトリソグラフィでステンシルパターン領域103に応じた箇所のフォトレジストを除去することによって、開口パターンレジスト層304を形成する。なお、上記図4のcの工程の説明では、後述の開口部106形成時図4のdにドライエッチングを用いることを想定してエッチングマスクとしてフォトレジストを用いる例を示したが、フォトレジストのほかにシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ニッケル膜等を用いて開口パターンレジスト層304を作製しても良い。また、後述の開口部106形成時図4のdに熱アルカリ溶液によるウェットエッチングを行う場合には、開口パターンレジスト層304を、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を用いて形成する。次いで、図4のdに示すように、開口パターンレジスト層304をエッチングマスクとしてプラズマエッチングや低温プラズマエッチングによって、エッチング停止層204bに達するまで支持基板203をエッチングして、開口部106を形成する。上記では支持基板203に開口部106を設ける方法としてドライエッチングを用いる例を示したが、他にウェットエッチング、超音波加工、サンドブラスト等を用いても良い。次に、図4のeに示すように、開口パターンレジスト層304を酸素プラズマアッシングや剥離液等によるウェット処理で除去する。また、ステンシルパターン形成層202と支持基板203との間のエッチング停止層204bをウェットエッチング等により除去する。以上に示した工程により、本発明の実施形態に係るステンシルマスク1が得られる。以上に示した通り、本発明の実施形態に係るステンシルマスク1によれば、メンブレン領域105の周囲を囲むようにメンブレンガード104が形成されていることにより、メンブレン領域105の破損を防止することができる。次いで本発明の実施形態に係るステンシルマスク1を用いた露光方法について説明する。先ず、ステンシルマスク1を露光対象試料と電子ビームを照射する電子ビーム発振器との間に配置する。この際、メンブレンガード104が露光対象試料と対向するよう配置する。ステンシルマスクから露光対象試料までの距離は任意に設定して良いが、等倍露光を行う場合には当該距離を1mm以下とすることが好ましい。この状態で、電子ビーム発振器から露光対象試料へ電子ビームを照射するメンブレン領域105へ一括照射する。このような露光方法によれば、露光対象試料にステンシルパターンを略等倍で高速に露光することができる。ステンシルマスク1にはメンブレンガード104が形成されているため、上記のような露光のため露光対象試料やステンシルマスク1の配置、または露光を行う際にメンブレン領域105が破損することを防止することができる。変形例1本発明の実施形態に係るステンシルマスクには必要に応じて導電膜501を形成しても良い。図5は、本発明の実施形態の変形例1に係るステンシルマスク2を示す概略断面図である。図5に示すように、変形例1に係るステンシルマスク2は、上述の実施形態に係るステンシルマスク1の表面全体を導電膜501で覆うことによって構成される。なお、導電膜501の材料は特に限定されず、各種金属膜等を用いても良い。導電膜501の材料としては、例えば、パラジウム白金合金Pd/Pt、金パラジウム合金Au/Pd、プラチナタングステン合金Pt/W、W、Au、Ti等や、これらを含む合金が好適である。このような導電膜501を形成することによって、本発明に係るステンシルマスクの導電性を向上することができる。変形例2上記の実施形態では、メンブレンガード104および支持基板203の開口部106が順次別工程で作製される例について説明したが、メンブレンガード104と開口部106は同時に作製してもよい。以下、図6を参照して、メンブレンガード104と開口部106が同時に作製されて成るステンシルマスク3の製造方法について説明する。図6は、本発明の実施形態の変形例2に係るステンシルマスク3の作製工程を示す概略断面図である。図6のaに示すように、先ず、図3のaと同様にして、支持基板603、エッチング停止層604b、ステンシルパターン形成層602、エッチング停止層604a、およびメンブレンガード形成層601を順次積層した積層基板を用意する。そして、メンブレンガード形成層601の上面ステンシルパターン形成層602が形成されている側と逆側の面にメンブレンガードパターンレジスト層701を作製する。また、支持基板601の下面ステンシルパターン形成層602が形成されている側と逆側の面に開口パターンレジスト層704を形成する。次に、図6のbに示すように、ウェットエッチング等で積層基板の表裏、すなわちメンブレンガード形成層601および支持基板603を各々加工し、メンブレンガード504および開口部506を形成する。この際、メンブレンガード形成層601および支持基板603を同時に加工しても良い。このように同時に加工を行う場合、予めメンブレンガード形成層601と支持基板603の厚さを略同じとしておくことが好ましい。このような構成とすることで、エッチング停止層604a、604bの応力の影響が低減され、最終的に反りの少ないステンシルマスクを得ることができる。次に、図6のcに示すように、支持基板603およびメンブレンガード形成層601の開口部506に形成された、エッチング停止層604bをウェットエッチングで除去する。次に、ステンシルパターン形成層602のステンシルパターン領域503上に電子線レジストやフォトレジストを塗布し、電子線リソグラフィやフォトリソグラフィによってステンシルパターンレジスト層703を形成する。なお、ステンシルマスクパターンレジスト層703以外の領域メンブレンガード形成層601の表面領域にもレジストを塗布してレジスト層702を形成する。次に、図6のdに示すように、ステンシルパターンレジスト層703をエッチングマスクとしてドライエッチングによって、ステンシルパターン領域503にステンシルパターンを形成する。そして、残ったレジストを酸素プラズマアッシングや剥離液等によるウェット処理で除去する。以上のような工程によれば、メンブレンガード504を有するステンシルマスク3を比較的少ない工程で製造することができる。なお、上述実施形態では、メンブレンガード形成層が予め一体形成された基板を加工してメンブレンガードを形成する例について説明したが、メンブレンガード形成層を後から個別形成しても構わない。このような製造方法を採用する場合、メンブレンガード形成層として金属材料を用い、メッキ法や、スパッタ法、プラズマ成膜法等を好適に用いて、メンブレンガードを後から作製することも可能である。なお、メッキ法を用いる場合には、メンブレンガード層として、ニッケル、スズ、銅、クロム、ニッケルタングステン合金NI/W等を用いることができる。また、スパッタ法を用いる場合には、タングステンをメンブレンガード層の材料として用いることができる。上述図3から図5に示した工程に基づいて本発明の実施形態の変形例1に係るステンシルマスク2の作製方法の実施例を説明する。まず、ステンシルパターン形成層202として厚さ5μmのシリコン薄膜層を、支持基板203として厚さ675μmのシリコン基板層を、メンブレンガード形成層201として厚さ50μmのシリコン薄膜層、更に各々の間にエッチング停止層204a、204bとして厚さ0.2μmの酸化シリコン層を用いて、直径200mmの5層基板を作製した。次に、メンブレンガード形成層201上に、フォトレジストを10μmの厚さとなるように塗布し、フォトリソグラフィによってメンブレンガードパターンレジスト層301を形成した。次いで、メンブレンガードパターンレジスト層301をエッチングマスクとして、側壁保護プラズマエッチング法によってエッチング停止層204aに到達するまで支持基板203をエッチングして、メンブレンガード104を形成した。次に、メンブレンガードパターンレジスト層301を酸素プラズマアッシングによって除去した。次に、露出したエッチング停止層204aを5のフッ酸水溶液によるウェットエッチングにより除去した。次に、メンブレンガード104およびステンシルパターン形成層202の露出部分に電子線レジストを厚さ0.5μmになるようにスプレーコートした。更に、電子線リソグラフィによってレジストを部分的に除去してステンシルパターンレジスト層303を形成した。なお、ステンシルマスクパターンレジスト層303以外の領域メンブレンガード形成層201の表面にもレジストを塗布してレジスト層302を形成する。次に、ステンシルパターンレジスト層303をエッチングマスクとしてSF6ガスを主体とした混合ガスによるドライエッチングによってエッチング停止層204bまでステンシルパターン形成層202のエッチングを進め、ステンシルパターン領域103にステンシルパターンを形成した。次いで、ステンシルパターンレジスト層303を含むレジスト層を酸素プラズマアッシングによって除去した。次に、支持基板203の下面にフォトレジストを15μmの厚に形成した。続いてフォトリソグラフィによってフォトレジストを部分的に除去し、開口パターンを有する開口パターンレジスト層304を形成した。次に、開口パターンレジスト層304をエッチングマスクとして、側壁保護プラズマエッチング法によって、エッチング停止層204bに達するまで支持基板203をエッチングして、開口部106を形成した。次に、開口パターンレジスト層304を酸素プラズマアッシングによって除去した。次に、露出したエッチング停止層204bである酸化シリコン層を、5のフッ酸水溶液よるウェットエッチングによって除去した。次いで、スパッタ法によって帯電防止層としてPt/Pdを厚さ30nm形成した。以上のようにして、メンブレン破損防止構造としてメンブレンガード104を備えるステンシルマスク2を得ることができた。次いで、作成したステンシルマスク2を等倍の近接露光装置に搭載し、当該マスクに形成されたステンシルパターンを被露光基板へ転写した。より詳細には、メンブレンガード104と湾曲した被露光基板とが対向するようステンシルマスク2を配置し、メンブレン領域105と被露光基板表面との距離を約100μmとして露光を行った。このような露光を行ったところ、露光後のステンシルマスク2のメンブレン領域105には傷や割れは発生せず、ステンシルマスク2の破損を防止することができた。