互いに重ねられ、電気的に接続され、光学的に直列の少なくとも2つのサブセル1、2を含み、これらのサブセルのそれぞれはp導体層p1、p2、真性半導体層i1、i2及びn導体層n1、n2からなる少なくとも1つの多接合太陽電池を有する検査されるべき光起電デバイスのパラメータを決定するために、検査されるべき光起電デバイスの少なくとも1つの多接合太陽電池の少なくとも2つのサブセル1、2のそれぞれについて、少なくとも2つのサブセル1、2を有する基準セルRb、Rtが形成されており、それぞれの基準セルRb、Rtの一つのサブセル2、1は、検査されるべき光起電デバイスの少なくとも1つの多接合太陽電池の少なくとも2つのサブセル1、2の一つのサブセル2、1と対応しており、他方、それぞれの基準セルRb、Rtの少なくとももう1つのサブセル1、2は、少なくとも1つの層l1、l2を有し、それは検査されるべき光起電デバイスの少なくとも1つの多接合太陽電池の少なくとももう1つのサブセル1、2の真性半導体層i1、i2と対応するが、ドーピングにより導電層l1、l2に変換されているところ、基準セルRb、Rtのスペクトル感度を計測し、かつ、少なくとも1つの多接合太陽電池のパラメータを決定するために、基準セルRb、Rtのパラメータ及び少なくとも1つの多接合太陽電池のパラメータを、同一の条件において基準セルRb、Rtに合わせて較正した太陽光シミュレータにより計測する、前記光起電デバイスのパラメータを決定するための方法。基準セルRb、Rtの少なくとももう1つのサブセル1、2は、真性半導体層i1、i2をドーピングにより導電層l1、l2に変換した層並びに検査されるべき光起電デバイスの少なくとも1つの多接合太陽電池の少なくとももう1つのサブセル1、2のp導体層p1、p2及び/又はn導体層n1、n2を含んでいることを特徴とする、請求項1の方法。シリコン多接合太陽電池のパラメータを決定することを特徴とする、請求項1又は2の方法。シリコン多接合太陽電池の真性半導体層i1、i2は、同一又は異なるバンドギャップのシリコン材料により形成されていることを特徴とする、請求項3の方法。ドーピングにより導電層l1、l2に変換された真性半導体層i1、i2の暗導電率は、少なくとも1つの10E-5S/cmであることを特徴とする、請求項1から4までのいずれかの請求項の方法。放射スペクトルが基準太陽光スペクトルからずれている太陽光シミュレータを使用することを特徴とする、請求項1から5までのいずれかの請求項の方法。基準セル及び少なくとも1つの多接合太陽電池の性能を決定するのに必要なパラメータを決定することを特徴とする、請求項1から6までのいずれかの請求項の方法。光起電デバイスは複数の単セルを含む光起電モジュールからなることを特徴とする、請求項1の方法。少なくとも2つのサブセル1、2を有し、基準セルRb、Rtのうちの1つのサブセル2、1は、検査されるべき光起電デバイスの少なくとも1つの多接合太陽電池の少なくとも2つのサブセル1、2のうちの1つのサブセル2、1に対応し、他方、それぞれの基準セルRb、Rtの少なくとももう1つのサブセル1、2は、少なくとも1つの層l1、l2を有し、その層は、検査されるべき光起電デバイスの少なくとも1つの多接合太陽電池の少なくとも1つのサブセル1、2の真性半導体層i1、i2と対応するが、ドーピングにより導電層l1、l2に変換されていることを特徴とする。請求項1から7までのいずれか請求項の方法を実施するための基準セル基準セルRb、Rtの少なくとももう1つのサブセル2、1は、検査されるべき光起電デバイスの少なくとも1つの多接合太陽電池の少なくとも2つのサブセル1、2の1つのサブセル2、1に対応しており、かつ、基準セルRb、Rtの少なくとも2つのサブセル2、1のうちの1つの少なくとも1つの導電層l1、l2は、検査されるべき光起電デバイスの1つの多接合太陽電池の少なくとももう1つのサブセル1、2の真性半導体層i1、i2と対応するが、これらの層は、ドーピングにより導電層l1、l2に変換されていることを特徴とする、請求項9の基準セル。基準セルRb、Rtの少なくとももう1つのサブセル1、2は、真性半導体層i1、i2をドーピングにより導電層l1、l2に変換した層並びに多接合太陽電池の少なくとももう1つのサブセル1、2のp導体層p1、p2及び/又はn導体層n1、n2を含んでいることを特徴とする、請求項9の基準セル。基準セルは、複数の単セルを有し、それぞれ、互いに重ねられた層をなしており、かつ、電気的及び光学的に直列に接続された、少なくとも2つのサブセルを有する多接合太陽電池からなり、それぞれの単セルは少なくとも2つのサブセルを有し、少なくとも2つのサブセルのうちの1つは少なくとも1つの導電層l1、l2を有することを特徴とする、請求項8の方法を実施するための基準モジュール。それぞれの単セルの1つのサブセルは、検査されるべき光起電デバイスの多接合太陽電池の少なくとも2つのサブセルのうちの1つのサブセルに対応し、他方、単セルの少なくともさらに1つのサブセルは、検査されるべき光起電デバイスの1つの多接合太陽電池のうちの少なくとももう1つのサブセルの真性半導体層に対応するが、ドーピングにより導電層に変換されている少なくとも1つの層を有することを特徴とする、請求項8の方法を実施するための基準モジュール。多接合太陽電池の単セルの少なくとももう1つのサブセルは、真性半導体層のドーピングにより導電層に変換した層並びに多接合太陽電池の単セルの少なくとももう1つのサブセルのp導体層及び/又はn導体層を有することを特徴とする、請求項13の基準モジュール。しかしながら、多接合太陽電池多接合デバイスの電気的計測は、単太陽電池よりも、はるかに困難である。それは、サブセルへの電気的アクセスが不可能であること、並びに多接合太陽電池は、このようにして、2つの接続部を介して1つの電気的及び光学的な単位としてしか、計測することができないからである。確かに、DINEN60904-7には、スペクトルミスマッチファクタについての方程式は、多接合太陽電池にも適用することができると記載されている。しかし、このようなミスマッチを多接合太陽電池に適用することは実際には困難である。多接合太陽電池を較正する場合、基準セルと多接合太陽電池の対応するサブセルとの間のスペクトルミスマッチを考慮するためには、複数の光源を太陽光シミュレータとして使用しなければならない。この較正は、時間を要する反復的な手順である。それは、部分光源の放射強度を調節するとスペクトル累積分布が変化することから、通常、ミスマッチファクタの再計算が必要となることによる。それ以外には、互いに独立したn個の部分光源について、n個の方程式を含む連立1次方程式を解くことは、それほど複雑ではない。しかしながら、そのためには、部分光源のスペクトル分布が強度の変化により変わらないことが必要とされる。これが可能であるのは、1次近似がわずかに変化する場合のみである。さらに、フィルタを備えた基準太陽電池の縦横が小さく、数平方センチメートルに過ぎないことも不利である。スペクトル及び強度が局所的に不均等であるため、面積が大きい太陽光シミュレータは、計測に関するかなりの労力及び時間を費やさなければ、このような小面積の基準セルについて較正することができない。特に薄膜光電池モジュールの生産において、このような労力は望ましくない。このようにして、本発明の技術的課題は、多接合太陽電池及び多接合太陽電池を含む光起電モジュールのパラメータ、特に多接合太陽電池の性能を正確に決定するための方法並びに基準セル及び基準モジュールを提供することにある。本発明においては、この課題は、請求項1に記載の方法により達成される。本発明による方法の有利な実施態様は、請求項2から8までに記載されている。基準セルは、請求項9から11までにその特徴が記載されており、本発明における方法を実施するための基準モジュールは、請求項12及び13において特定されている。本発明においては、互いに重ねたられた少なくとも2つのサブセルを含み、これらのサブセルが電気的及び光学的に直列に接続されており、各サブセルがp層、i層及びn層を有する少なくとも1つの多接合太陽電池を持つ光起電デバイスのパラメータを決定するために、本発明においては、多接合太陽電池のそれぞれのサブセルについて基準セルが形成される。それぞれの基準セルは、多接合太陽電池と同数のサブセル、したがって、少なくとも2つのサブセルを含む。各基準セルの少なくとも2つのサブセルのうちの1つが、多接合太陽電池の少なくとも2つのサブセルのうちの1つに、特に、基準セルの位置、材料及び層の厚さ並びに好ましくはドーピング、光学的バンドギャップ、バンドギャップのグレージング、結晶性、特にラマン結晶性、欠陥密度及びバッファ層について、対応する。これが意味することは、それぞれの基準セルの少なくとも2つのサブセルのうちの1つにが、基準セルにおいて積層されているサブセルにおける位置が、多接合太陽電池の少なくとも2つのサブセルのうちの1つと同じ位置を有するということである。ダブルセルすなわちタンデムセルの多接合太陽電池においては、このようにして、2つの基準セルが形成され、1つの基準セルとしてのボトムセルがタンデムセルのボトムセルと対応し、もう1つの基準セルとしてのトップセルがタンデムセルのトップセルと対応する。また、それぞれの基準セルの少なくとも2つのサブセルのうちの1つが、多接合太陽電池の少なくとも2つのサブセルのうちの1つと同じ材料からなり、したがって、同じ半導体材料及びドーパント濃度を含めて同じドーパントからなる。さらに、それぞれの基準セルの少なくとも2つのサブセルのうちの1つの層の厚さ、すなわち、p層、i層及びn層の層の厚さは、多接合太陽電池の1つのサブセルと同じである。また、このほかの全ての特徴も、特に、基準セルの少なくとも2つのサブセルのうちの1つの光学的バンドギャップ、バンドギャップのグレージング、結晶性、特にラマン結晶性、欠陥密度及びバッファ層は、多接合太陽電池の少なくとも2つのサブセルのうちの1つと同じであることが好ましい。すなわち、多接合太陽電池としてのタンデムセルにおいては、2つの基準セルが形成され、基準セルのうちの1つがボトムセルとして、かつ、基準セルのうちのもう1つがトップセルとして、特にタンデムセルのボトムセル及び/又はトップセルと同じ材料及び同じ層の厚さからなり、基準セルのうちの1つのボトムセル及び基準セルのうちのもう1つのトップセルの光学的バンドギャップ、バンドギャップのグレージング、結晶性、特にラマン結晶性は、タンデムセルのボトムセル及び/又はトップセルと一致するように対応することが好ましい。これとは対照的に、それぞれの基準セルのうちの少なくとももう1つサブセルは、少なくとも1つの層を有しており、その層は、多接合太陽電池のうちの少なくとももう1つのサブセルのi層に対応しているが、ドーピングにより導電層に変換されている。さらなるサブセル、又は2つより多いサブセルを有する多接合太陽電池におけるそれぞれの基準セルについてのさらなるサブセルは、ドーピングにより導電層に変換されているが、したがって、光起電的に不活性である。これが意味することは、本発明においては、多接合太陽電池のそれぞれのサブセルについて基準セルが形成されるが、その際、多接合太陽電池の少なくとももう1つのサブセルの真性半導体層はドーピングにより導電層に変換されるが、基準セルについての少なくとももう1つのサブセルのp導体層若しくはn導体層又はp導体層及びn導体層についてはそのようにはされないということである。したがって、それぞれの基準セルは、1つのp-i-n構造の第1のサブセルと、光起電的に不活性の少なくとも1つのサブセルを有するが、この光起電的に不活性のサブセルは、導体層を有するが、多接合太陽電池の少なくとももう1つのサブセルと同じ半導体材料からなり、かつ、同じ層の厚さを有する。しかし、基準セルの少なくとももう1つのサブセルは、i層のドーピングにより導電層に変換した層並びに多接合太陽電池の少なくとももう1つのサブセルのp導体層及び/又はn導体層を含むことが好ましく、特に基準セルが、もう1つのサブセルがi層をドーピングにより導電層に変換した層並びに多接合太陽電池の少なくとももう1つのサブセルのp導体層及びn導体層からなるときは、多接合太陽電池のパラメータ、特にその性能を正確に決定することができる。すなわち、ダブルセルすなわちタンデムセルの太陽電池においては、基準セルが、2つのサブセルのそれぞれについて、別のサブセルの真性半導体層をドーピングにより導電層に変換することにより形成されることが好ましいが、他方、2つよりも多いサブ層を有する多接合太陽電池においては、基準セルが、多接合太陽電池のさらなるサブセルの真性半導体層をドーピングすることにより、すなわち、導電層に変換することにより、それぞれのサブセルについて形成される。このようにして形成された基準セルの量子効率又はスペクトル感度を太陽光シミュレータによって計測する。さらに、基準セルのパラメータ及び多接合太陽電池のパラメータを、太陽光シミュレータにより同じ条件で計測する。多接合太陽電池のパラメータを基準セルのパラメータと比較することにより、特に多接合太陽電池の性能を決定することができる。本発明においては、サブセルに対する基準セルのスペクトル感度は、このようにして、多接合太陽電池の前記のサブセルのスペクトル感度とほぼ同じになるように調節される。本発明における方法は、特に、シリコン薄膜多接合太陽電池のパラメータの決定に適している。シリコン薄膜多接合太陽電池の少なくとも1つのサブセルのp層及び/又はn層は、ンドギャップを増大するため、炭素、酸素及び/又は窒素を混ぜてもよい。サブセルのp層をドーピングするため、例えば、ホウ素を使用することもできるし、n層をドーピングするため、リンを使用することもできる。多接合太陽電池を形成するためには、CVD法によること、特にプラズマCVD法によることが好ましい。個々のサブセルの層は、プラズマ中においてシリコンを含有するガスを分解することにより形成される。通常、シラン又はジシランが蒸着ガスとして用いられる。ドーピングがなされていないi層に加えて、ドーピングしたp層及びn層が蒸着されるが、それぞれのサブセルのi層まで光を透過するp層は、通常、ジボラン又はトリメチルホウ素を蒸着ガスと混合することにより形成され、n層は、蒸着ガスにリンを混合することにより形成される。サブセルのi層は、同じバンドギャップのシリコン材料、例えば、もっぱらアモルフォスシリコンで形成されていてもよく、バンドギャップが異なるシリコン材料、例えば、多接合太陽電池における、1つ若しくはそれより多くのサブセルにおいてアモルフォスシリコン及びそのサブセル若しくは別のサブセルにおいて微晶質シリコン、又はそのサブセル若しくはそれより多くのサブセルにおいてアモルフォスシリコン及びそのサブセル若しくは別のサブセルにおいてアモルフォスシリコンゲルマニウムSi-Ge混合物により形成されていてもよい。本発明においては、タンデム太陽電池において、ボトムセル又はトップセルは単セルとして光学的感度又は量子効率をほぼ完全に再現し、それは基準セル及び/又は大面積基準モジュールとして使用される。タンデムセル内のこのようなサブセルの量子効率は、層の厚さが約5ナノメートルから3000ナノメートルの10枚を超える単一の層の平滑でない表面における薄膜システムの光学的な相互作用の複合的な結果である。したがって、従来技術による光学的フィルタを用いて量子効率の再現をしようとすることは無意味である。本発明においては、多接合太陽電池のそれ以外のサブセルの真性で通常はドーピングがされていない層は、すなわち、上述したタンデム太陽電池の例における真性で通常はドーピングがされていないトップセルの層は、nドーピング又はpドーピングされており、その程度は、pドーピング層の暗導電率が少なくとも10E-5S/cmであり、少なくとも特に10E-4S/cmである。同じことが、ボトムセルのi層についてもいえる。本発明における方法は、特に、多接合太陽電池及び光起電モジュールの性能を決定しようとするものである。標準的な試験条件としては、多接合太陽電池及び/又はモジュールの層に対する太陽光シミュレータの放射照度は、例えば、1000W/m2であり、太陽電池の定常の温度は、例えば、25度であり、及び、例えば、AM1.5Gのスペクトル、すなわち、垂直方向に48度の入射角での全天日射スペクトルが適用される。その性能は、太陽光シミュレータにより照光された太陽電池のIV特性を計測する場合、その最大作動点における電流及び電圧の積から得られる。本発明においては、タンデム太陽電池においては、2つの基準セルが形成され、これらの基準セルは、タンデム太陽電池と同じ順序の層を有するが、トップセル及び/又はボトムセルのi層は、ドーピングによって導電層に変換されており、ボトムセル及び/又はトップセル用の基準セルを構成する。次いで、2つの基準セルとこのようにしてボトムセル及びトップセルのスペクトル感度が決定され、それは、性能が決定されるべきタンデム太陽電池のボトムセル及びトップセルのスペクトル感度と一致する。2つの基準セルの性能は、太陽光基準スペクトル、例えば、AM1.5Gの場合においては、決定されたスペクトル感度に基づいて計測又は計算することができる。代表的には、このような較正の方法は、計測学の研究所、例えば、PhysikalischTechnischeBundesanstaltPTB連邦物理学計測学研究所など、又は認定された試験所、例えば、フラウンホーファー太陽エネルギシステム研究所ISEなどで実施されている。パラメータ、すなわち、検査されるべきタンデム太陽電池の性能の決定については、スペクトルの調節が可能な太陽光シミュレータを使用するが、その放射スペクトルは、基準となる太陽光スペクトルと一致する必要はない。しかし、太陽光シミュレータの放射スペクトルは、タンデムセルにおいては、2つの基準セルの性能が、較正の方法により決定された性能と一致するように調節される。その目的のために、放射の周波数のスペクトルが異なる2つ又はそれより多くの光源からの混合光を太陽光シミュレータを用いて発生させることができるが、その際、必要があれば、混合光をフィルタにより追加的に変更することもできる。混合光を発生するための太陽光シミュレータは、例えば、キセノンランプ、メタルハライドランプなどがあり、様々な放射スペクトルを有していてもよく、フラッシュライトシミュレータでもよい。このことから、このように調節された太陽光シミュレータは、太陽光の基準スペクトルから大幅に乖離することも可能であり、すなわち、太陽光シミュレータをスペクトル精度クラスB若しくはC又はそれより劣るものとも適合することもできる。さらに、太陽光シミュレータの放射スペクトルを計測することも本発明における方法においては必ずしも必要ではない。したがって、例えば、タンデム太陽電池のトップセル及び/又はボトムセルの2つの基準セルの性能は、基準となる太陽光スペクトル、例えば、AM1.5Gのスペクトルにおけるタンデム太陽電池の性能に一致する。放射照度を、例えば、1000W/m2に設定することも、太陽光シミュレータの距離及び/又はその性能により可能である。検査されるべきタンデム太陽電池の性能は、同じ条件において、太陽光シミュレータにより計測される。したがって、検査されるべきタンデム太陽電池又は多接合太陽電池の性能の基準セル全体の性能からのずれを高い精度5かそれよりも大幅に低い。により決定することができる。本発明においては、同じような正確性により、直列に相互に連結された複数の単セルを含み、必要により、すり板、ケーブル、後側封入体などとともにすぐに使用可能なもモジュールを構成する光起電モジュールの性能を計測することができる。このような目的のために、基準モジュールが、直列に相互に連結されたモジュールの単セルを構成する多接合太陽電池のそれぞれのサブセルについて、形成される。個々の基準モジュールの相互の相違点は、いずれの場合においても、モジュールの多接合太陽電池のある別のサブセルはp-i-nの順序の層を有するが、他方、モジュールの多接合太陽電池のそれ以外のサブセルにおいては、そのi層が導電層に変換されている点、すなわち短絡されているという点にある。したがって、本発明における方法は、どのような大きさ及び設計であれ、同じように構成された大面積のモジュールにも適している。さらに、本発明における方法は、プロセスの開発及び/又はモジュールの製造におけるプロセスの制御のための評価及び監視手段としての応用にもよく適している。願書に添付した図面を参照しながら、本発明について、例を示しながらより詳細に説明する。図1においては、タンデム太陽電池は、透明で導電性のある前面の電極層TCO、光が当たる第1のサブセルすなわちトップセル1、第2のサブセルすなわちボトムセル2及び後面の電極層すなわち反射層3を含む。トップセル1及びボトムセル2は、それぞれ、p-i-nセルとして形成され、p層であるp1、p2を前面側、すなわち、光が入射する側に有しており、かつ、n層であるn1、n2を後面側に有している。真性半導体層すなわちi層であるi1、i2は、それぞれサブセル1、2のp層であるp1、p2と、n層であるn1、n2との間に設けられている。p層であるp1、p2及びn層であるn1、n2は、それぞれ、非晶質シリコンからなり、トップセル1のi層i1も同様である。ボトムセル2のi層であるi2は、例えば、微晶質シリコンからなる。後面側の電極かつ反射層3は、いくつかの積層された金属層であるMe1、Me2及びMe3、例えば、CuMe1、AgMe2及びNiVMe3からなる。図2においては、図1におけるタンデム太陽電池のボトムセル2のパラメータを決定するために、基準セルであるRbは、図1におけるタンデム太陽電池と同じ順序の層を有しているが、トップセル1のi層であるi1が導電層l1に変換されている点、すなわち短絡されている点において異なる。図3においては、図1におけるタンデム太陽電池のトップセル1のパラメータを決定するため、基準セルであるRtもまた図1におけるタンデム太陽電池と同じ順序の層を有しているが、ボトムセル2のi層であるi2が導電層l2に変換されている点、すなわち短絡されている点において異なる。図4の曲線4は、図1におけるタンデム太陽電池のボトムセル2のスペクトル感度すなわち量子効率を示しており、曲線5は、図1におけるタンデム太陽電池と同じi層であるi2を有する図2における基準セルであるRbのボトムセル2のスペクトル感度又は量子効率を示している。図1におけるタンデム太陽電池のボトムセル2のスペクトル感度は、基準セルであるRbのボトムセル2のスペクトル感度とほぼ一致することが明らかである。これが意味することは、図1におけるように形成された、検査されるべきタンデム太陽電池のパラメータ並びに基準セルであるRb及びRtのパラメータが、同一の条件において基準セルであるRb及びRtに合わせて較正された太陽光シミュレータにより計測されたとき、検査されるべきタンデム太陽電池のパラメータを、特にタンデム太陽電池の性能について、高い精度において、かつ、スペクトルミスマッチファクタを加えることなく、決定することができるということである。同じことが、検査されるべきタンデム太陽電池のトップセル1のスペクトル感度についても、基準セルであるRtとの関係において、当てはまり、図4の曲線6は、図1におけるタンデム太陽電池のトップセル1のスペクトル感度を示している。これに対し、図4において破線で示されている曲線7は、従来の技術において使用されていた着色ガラスによりフィルタがされた基準セルのスペクトル感度を示している。図2及び図3においては、基準セルであるRb及びRtは、それぞれ、トップセル1及び/又はボトムセル2を有しており、この場合、トップセル1及び/又はボトムセル2の真性半導体層を導電性かつ光起電不活性層l1及び/又はl2に変換してあるが、p導電層であるp1及び/又はp2並びにn導体層であるn1及び/又はn2は、図1におけるタンデム太陽電池におけるものと同様のものが設けられている。しかし、多接合太陽電池のパラメータ、特にその性能の正確な決定に大きな影響を及ぼすことなく、基準セルであるRbのトップセル1のp導体層であるp1及びn導体層であるn1並びに基準セルであるRtのp導体層であるp2及びn導体層であるn2を省略することも、真性半導体層が導電層であるl1及び/又はl2に変換してある場合には可能である。しかし、この場合には、層l1及び/又はl2の層の厚さは、図1におけるタンデム太陽電池のサブセル1及び/又は2におけるものと同じである。すなわち、基準セルであるRb及び/又はRtのサブセル1及び/又は2からなる半導体層全体は、導電層l1及びl2にドーピングされている。このようにして、導電層l1及びl2は、図1におけるタンデム太陽電池のサブセル1及び/又は2と同じ厚さの層を有する。