"通電の可能性のある装置要素Lの状態、例えば、技術的装置の電気導体の状態を求める装置であって、監視すべき装置要素Lに接続されて、前記装置要素Lの周囲に磁場Hを形成する磁場形成装置Lと、前記監視すべき装置要素Lの周囲に定置された磁気抵抗性有機半導体素子22と、前記磁気抵抗性有機半導体素子の2つの電極24,26間に電圧を形成する電圧源28,29とを備えることを特徴とする装置。前記磁気抵抗性有機半導体素子22は、前記通電の可能性のある装置要素Lの少なくとも一部の領域を包囲する層として構成されており、該層は有利には中空円筒形状を有する、請求項1記載の装置。前記磁気抵抗性有機半導体素子22は可撓性基板上に配置されている、請求項1又は2記載の装置。前記磁気抵抗性有機半導体素子を通って流れる電流Iに比例するパラメータ及び/又は前記磁気抵抗性有機半導体素子に生じる電圧にU比例するパラメータUmを測定する測定装置が設けられている、請求項1から3までのいずれか1項記載の装置。前記電圧源28は定電圧源として構成されている、請求項1から4までのいずれか1項記載の装置。前記磁気抵抗性有機半導体素子22によってOLEDが形成されており、前記監視すべき装置要素が所定の基準を満たす場合にのみ発光するように、有利には前記電圧Uが所定の値U0へ調整されている、請求項1から5までのいずれか1項記載の装置。前記磁気抵抗性有機半導体素子22は、例えばクリップ付バンドもしくは鋲付バンドもしくは接着バンドOLEDの形態で、前記装置要素に可逆的に取り付けられている、請求項3から6までのいずれか1項記載の装置。通電の可能性のある装置要素Lの状態、例えば、技術的装置の電気導体の状態を求める方法であって、前記装置要素に対して磁場Hを形成するステップと、前記装置要素の周囲の前記磁場Hを磁気抵抗性有機半導体素子22によって検出するステップと、前記磁気抵抗性有機半導体素子によって検出された磁場Hに基づいて電気的パラメータUmを調整するステップとを含むことを特徴とする方法。前記磁気抵抗性有機半導体素子によってOLEDを形成することにより求められた前記状態を表示し、前記監視すべき装置要素が所定の基準を満たす場合にのみ発光するように、電圧Uを有利には所定の値U0へ調整する、請求項7記載の方法。"