半導体フリップチップパッケージ基板において、基板の主面に設けられた電極パッドの上面に配設されるバンプ電極の形成方法であって、以下の工程をこの順に有することを特徴とするバンプ電極の形成方法。前記基板の主面に金属配線によって電極パッドを形成する工程。前記基板の主面にソルダーレジスト層を設ける工程。前記ソルダーレジスト層上面を覆うようにめっきレジスト層を形成する工程。前記電極パッドに位置を合わせて前記ソルダーレジスト層と前記めっきレジスト層を一括で開口させ前記電極パッドを露出させる工程。電解めっきの給電層として用いる金属層を基板主面の全面に形成する工程。前記給電層を利用して、電解めっきにより基板主面の全面に金属層を形成する工程。電解めっきにより形成した金属層と給電層を、前記開口内部だけを残し除去してバンプ電極を形成する工程。前記開口内部に金属層と給電層とを残存させたまま前記めっきレジストを除去する工程。前記ソルダーレジスト層とめっきレジスト層の両方を感光性樹脂で構成し、これら両層を一括で開口させて電極パッドを露出させる前記工程が、フォトリソグラフィ法によって開口させる方法であることを特徴とする請求項1に記載の方法。ソルダーレジスト層とめっきレジスト層を一括で開口させて電極パッドを露出させる前記工程が、レーザーによって孔を開ける方法であることを特徴とする請求項1に記載の方法。本発明は以上のような背景に鑑みてなされたものであり、微細化、狭ピッチ化に対応して、精度良くバンプ電極を形成することができる半導体チップ接続用バンプ電極の形成方法の提供を目的とする。請求項1に記載の発明は、半導体フリップチップパッケージ基板において、基板の主面に設けられた電極パッドの上面に配設されるバンプ電極の形成方法であって、以下の工程をこの順に有することを特徴とするバンプ電極の形成方法である。前記基板の主面に金属配線によって電極パッドを形成する工程。前記基板の主面にソルダーレジスト層を設ける工程。前記ソルダーレジスト層上面を覆うようにめっきレジスト層を形成する工程。前記電極パッドに位置を合わせて前記ソルダーレジスト層と前記めっきレジスト層を一括で開口させ前記電極パッドを露出させる工程。電解めっきの給電層として用いる金属層を基板主面の全面に形成する工程。前記給電層を利用して、電解めっきにより基板主面の全面に金属層を形成する工程。電解めっきにより形成した金属層と給電層を、前記開口内部だけを残し除去してバンプ電極を形成する工程。前記開口内部に金属層と給電層とを残存させたまま前記めっきレジストを除去する工程。また、請求項2に記載の発明は、前記ソルダーレジスト層とめっきレジスト層の両方を感光性樹脂で構成し、これら両層を一括で開口させて電極パッドを露出させる前記工程が、フォトリソグラフィ法によって開口させる方法であることを特徴とする請求項1に記載の方法である。また、請求項3に記載の発明は、ソルダーレジスト層とめっきレジスト層を一括で開口させて電極パッドを露出させる前記工程が、レーザーによって孔を開ける方法であることを特徴とする請求項1に記載の方法である。本発明によれば、電極パッドに位置を合わせてソルダーレジスト層とめっきレジスト層の両方を一括で開口させて電極パッドを露出させ、金属層と給電層の両者を、この開口内部だけを残し除去してバンプ電極を形成するので、ソルダーレジスト開口とバンプ電極の位置ズレが無く、なおかつソルダーレジスト開口と等しい径までバンプ電極の径を細くできる。すなわち、このようにバンプ電極の位置ずれマージンを確保する必要がなくなるので、バンプ電極の微細化、狭ピッチ化に適した半導体フリップチップパッケージ基板を製造することができる。図7を用いて本発明の解決原理を説明する。図7はフリップチップ半導体パッケージ基板の半導体チップとの接続用バンプ電極形成部の拡大断面図である。図7aは絶縁層6上に電極パッド8を形成し、絶縁層6と電極パッド8を覆うようにソルダーレジスト層7を形成し、さらにソルダーレジスト層7を覆うようにめっきレジスト層15を形成し、ソルダーレジスト層7とめっきレジスト層15を一括で開口し、開口21を設け電極パッド8を露出させたところを示している。この方法によれば、ソルダーレジスト層7とめっきレジスト層15を一括で開口するのでソルダーレジスト層の開口とめっきレジスト層の開口は位置ズレが発生せず、めっきレジストの開口径に位置ズレマージンを確保する必要がなくなる。次に図7bに示すように給電層14を形成し電解めっきにより金属層22を形成する。次に図7cに示すように開口21の内部以外の電解めっき層22及び給電層14を除去し、めっきレジスト15を除去し、電極バンプ23が完成する。電極バンプ23はソルダーレジスト開口との位置ズレがなく、ソルダーレジスト開口と同じ径で形成されるので、微細化、狭ピッチ化に適したパッケージ基板を提供できる。次に、図8を用いて本発明の具体的な実施の形態を説明する。図8はフリップチップ半導体パッケージ基板の半導体チップとの接続用バンプ電極形成部の拡大断面図である。図8aは絶縁層6の上面に電極パッド8を形成しソルダーレジスト層7を形成したところを示している。これらの工程には公知の方法を利用できる。例えば絶縁層6にはエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が用いられ、電極パッド8には銅などの金属が用いられる。電極パッド8のパターン形成にはサブトラクティブ法またはセミアディティブ法などの方法が用いられる。ソルダーレジスト層7は感光性樹脂や熱硬化性樹脂が用いられることが多いが、非感光性の樹脂も利用可能である。形成法としては、液状レジストであればロールコート法、半硬化のBステージ樹脂であれば真空プレス法などを使用できる。次に図8bに示すようにめっきレジスト15を形成する。この工程も公知の方法が利用できる。めっきレジスト15の材質はめっきに耐えるものであり、フィルム状の樹脂が用いられる。形成法としてはロールラミネートなどの方法が利用できる。次にソルダーレジスト7とめっきレジスト15を一括で開口する。一括で開口する方法として、以下の2つを例としてあげる。一括で開口する方法の1つは図8c-1に示すフォトリソグラフィ法による方式である。ここではソルダーレジスト7及びめっきレジスト15にネガ型の感光性樹脂を用いるものとする。金属パッド8に合わせてマスク24を設置し露光を行うことで露光光を吸収した部分のソルダーレジストとめっきレジストが硬化し、その後現像を行うことで図8dに示す開口21を得る。25は露光光を示す。例えば、ソルダーレジスト7として感光性の熱硬化性エポキシ樹脂を使用し、めっきレジスト15として感光性のアクリル系樹脂を使用すれば、露光現像によって一括して開口21を形成することが可能であり、しかも、後述するように、水酸化ナトリウム等のアルカリ溶液で処理することにより、ソルダーレジスト7を残存させたままめっきレジスト15だけを除去することができる。一括で開口する方法の2つ目は図8c-2に示すレーザーによる穴明け方式である。この方式ではソルダーレジスト7及びめっきレジスト15には感光性は必要ない。例えばソルダーレジストには非感光性の熱硬化性エポキシ樹脂などが利用できる。ただしめっきレジストは後の工程で剥離可能なものを選択する必要がある。レーザー光としては一般的に樹脂基板の加工に用いられる、YAGレーザーの高調波を利用したUV波長のレーザーや、赤外波長の炭酸ガスレーザーなどが利用できる。レーザーによる穴明け加工後、図8dに示す開口21を得る。次に図8eに示すように給電層14を形成する。給電層の形成には無電解銅めっきなどを使用する。ここで従来技術では図4bに示すように給電層をソルダーレジスト上に形成していた。しかし本発明ではソルダーレジストとめっきレジストを一括で開口するため給電層がソルダーレジスト上にあると給電層が断線してしまい、開口21内部への給電が充分にできなくなる。そこで本発明では給電層の形成は開口21の形成後に行うこととしている。給電層形成後は給電層より給電することで電解めっきを行い、図8に示すように電解めっき層22を形成する。このとき、開口21の内部を埋めるように電解めっき層22が形成されるため、この開口21内部の電解めっき層22に厚みは、開口21の内部以外の電解めっき層22の厚みより厚く形成される。なお、電解めっきには銅めっきなどが使用できる。次に図8gに示すように、開口21以外の部分の電解めっき層22と給電層14を除去する。電解めっき層、無電解めっき層ともに銅の場合、エッチング液として塩化第二鉄水溶液などを使用できる。このとき、開口21内部の電解めっき層22もエッチングされるが、その厚みが厚いため、開口21以外の部分の電解めっき層22と給電層14とが除去された後にも、開口21内部には電解めっき層22が残存している。なお、図示のように、開口21内部の電解めっき層22の上面は、めっきレジスト15の上面に比べて凹んでいる。最後に、例えばアルカリ溶液で処理することによりめっきレジスト15を除去し、残存する電解めっき層22をソルダーレジスト7の上面から突出させて、金属バンプ23を得る。