"マイクロ波用磁性体と、前記マイクロ波用磁性体に電気的に絶縁状態で互いに交差させて配置された第1中心電極及び第2中心電極と、前記第1中心電極及び前記第2中心電極の交差部分に直流磁界を印加する永久磁石と、を備え、前記第1中心電極の一端は第1開口とされ、前記第1中心電極の他端と前記第2中心電極の一端とが接続されて第2開口とされ、前記第2中心電極の他端はグランドに接続され、前記第1開口とグラントとの間に容量素子が接続され、前記第1開口と前記第2開口との間には前記第1中心電極のみが接続されていること、を特徴とする非可逆位相器。前記第1開口と入出力端子電極との間、及び、前記第2開口と入出力端子電極との間に、インピーダンス整合用の容量素子が電気的に接続されていること、を特徴とする請求項1に記載の非可逆位相器。そこで、本発明の目的は、挿入損失が小さくかつ部品点数が少なくて済む非可逆位相器を提供することにある。本発明の一形態である非可逆位相器は、マイクロ波用磁性体と、前記マイクロ波用磁性体に電気的に絶縁状態で互いに交差させて配置された第1中心電極及び第2中心電極と、前記第1中心電極及び前記第2中心電極の交差部分に直流磁界を印加する永久磁石と、を備え、前記第1中心電極の一端は第1開口とされ、前記第1中心電極の他端と前記第2中心電極の一端とが接続されて第2開口とされ、前記第2中心電極の他端はグランドに接続され、前記第1開口とグランドとの間に容量素子が接続され、前記第1開口と前記第2開口との間には前記第1中心電極のみが接続されていること、を特徴とする。前記非可逆位相器において、第1中心電極と第2中心電極とは直流磁界によって磁気的に結合されており、第1開口から入力された高周波電流は第2開口から所定の位相で出力される。一方、第2開口から入力された高周波電流は第1開口から所定の位相で出力される。この場合、第1中心電極と第2中心電極のいずれか一方のみが共振するため、挿入損失が小さくなる。また、構成部品としては、永久磁石とマイクロ波用磁性体と該磁性体に設けた第1及び第2中心電極と一つの容量素子で済み、部品点数が減少する。本発明によれば、挿入損失が小さくかつ部品点数が少ない非可逆位相器を得ることができる。以下、本発明に係る非可逆位相器の実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各図において、同じ部品、部分には共通する符号を付し、重複する説明は省略する。第1実施例、図1~図3及び図7参照第1実施例である非可逆位相器1Aは図1及び図3に示すように、概略、回路基板20と、マイクロ波用磁性体以下、フェライト32と記すと一対の永久磁石41とからなるフェライト磁石素子30と、チップタイプのコンデンサ素子Cとで構成されている。フェライト32には、図7に示すように、互いに電気的に絶縁された状態で第1中心電極35及び第2中心電極36が巻回されている。一対の永久磁石41はフェライト32に対して直流磁界を厚み方向に印加するように、例えば、エポキシ系の接着剤層42を介して接着されている。第1中心電極35は導体膜にて形成され、図7に示すように、フェライト32に4ターン巻回されている。即ち、第1中心電極35の一端はフェライト32の下面に形成された接続用電極35aに接続されて第1開口P1とされ、他端はフェライト32の下面に形成された接続用電極35bに接続されて第2開口P2とされている。第2中心電極36は導体膜にて形成され、フェライト32の表面側において右下から立ち上がって長辺と略平行に左方に延在されて立ち上がり、上面から裏面側に回り込み、裏面側において表面側と透視状態で略重なるように形成されている。第2中心電極36の一端は前記接続用電極35b第2開口P2に接続され、他端はフェライト32の下面に形成された接続用電極36aに接続されて第3開口P3とされている。このように、第2中心電極36はフェライト32に1ターン巻回されている。そして、第1中心電極35と第2中心電極36とは、間に絶縁膜が形成されて互いに絶縁された状態で交差している。なお、図7では煩雑さを避けるためにフェライト32の背面側の電極は図示を省略している。第1及び第2中心電極35,36の交差角は必要に応じて設定され、入力インピーダンスや挿入損失が調整されることになる。このように、第1中心電極35をフェライト32に複数回巻回することにより、第1中心電極35のインダクタンスが大きくなり、挿入損失が低下し、動作周波数帯域も拡大する。なお、第1中心電極35の巻回数は任意であり、以下に説明する特性において、図8に示す特性は1ターン、図9に示す特性は3ターン、図10に示す特性は5ターンとしている。フェライト32としては、YIGフェライトなどが用いられている。第1及び第2中心電極35,36や各種電極は銀や銀合金の厚膜又は薄膜として印刷、転写、フォトリソグラフィなどで形成することができる。永久磁石41は、通常、ストロンチウム系、バリウム系、ランタン-コバルト系のフェライトマグネットが用いられる。永久磁石41とフェライト32とを接着する接着剤42としては、一液性の熱硬化型エポキシ接着剤を用いることが最適である。この非可逆位相器1Aは、図3に示す等価回路を有しており、第1中心電極35インダクタL1の一端は第1開口P1電極35aとされ、第1中心電極35の他端と第2中心電極36インダクタL2の一端とが接続されて第2開口P2電極35bとされ、第2中心電極36の他端電極36aは第3開口P3としてグランドに接続されている。第1開口P1とグランドとの間にコンデンサ素子Cが接続され、かつ、第1開口P1と第2開口P2との間には第1中心電極35のみが接続されている。前記フェライト磁石素子30は図1に示す回路基板20上に実装される。回路基板20上には、入出力端子電極21,22及びグランド端子電極23が形成されている。第1開口P1電極35aは入出力端子電極21に接続され、第2開口P2電極35bは入出力端子電極22に接続され、第2中心電極36の他端第3開口P3、電極36aはグランド端子電極23に接続されている。また、コンデンサ素子Cは入出力端子電極21とグランド端子電極23とに接続されている。これにて、図3に示す等価回路を構成する非可逆位相器1Aが得られる。以上の構成からなる非可逆位相器1Aにおいて、第1中心電極35インダクタL1と第2中心電極36インダクタL2とは永久磁石41から付与される直流磁界によって磁気的に結合されており、第1開口P1から入力された高周波電流は第2開口P2から所定の位相で出力される。一方、第2開口P2から入力された高周波電流は第1開口P1から所定の位相で出力される。この場合、第1中心電極35と第2中心電極36のいずれか一方のみが共振するため、挿入損失が小さくなる。また、構成部品としては、永久磁石41とフェライト32と該フェライト32に設けた第1及び第2中心電極35,36と一つのコンデンサ素子Cで済み、部品点数が減少する。さらに、本非可逆位相器1Aにおいて、フェライト磁石素子30は、フェライト32と一対の永久磁石41が接着剤42で一体化されていることで、機械的に安定となり、振動や衝撃で変形破損しない堅牢な構成となる。第2実施例、図4~図7参照第2実施例である非可逆位相器1Bは、図6の等価回路から明らかなように、前記第1実施例の構成を基本とし、入出力端子電極21と第1開口P1との間にインピーダンス整合用のコンデンサ素子CS1を接続し、第2開口P2と入出力端子電極22との間にインピーダンス整合用のコンデンサ素子CS2を接続し、かつ、第2中心電極36と並列にいま一つのインピーダンス整合用のコンデンサ素子CS3を接続したものである。これらのコンデンサ素子CS1,CS2,CS3によって入出力インピーダンスが50Ωに整合される。図4に示すように、回路基板20上には、入出力端子電極21,22、グランド端子電極23に加えて、中継端子電極24,25が形成されている。第1開口P1電極35aは中継端子電極24に接続され、第2開口P2電極35bは中継端子電極25に接続され、第2中心電極36の他端第3開口P3、電極36aはグランド端子電極23に接続されている。また、コンデンサ素子Cは中継端子電極24とグランド端子電極23とに接続されている。コンデンサ素子CS1は中継端子電極24と入出力端子電極21とに接続されている。コンデンサ素子CS2は中継端子電極25と入出力端子電極22とに接続されている。コンデンサ素子CS3は中継端子電極25とグランド端子電極23とに接続されている。以上の構成からなる非可逆位相器1Bにおいて、その作用効果は前記第1実施例と同様であり、以下に具体的な特性について説明する。第1中心電極35をフェライト32に1ターン巻回した場合、通過挿入損失特性は図8Aの曲線Aに示すとおりであり、通過位相特性は図8Bの曲線B1,B2に示すとおりである。第1中心電極35をフェライト32に3ターン巻回した場合、通過挿入損失特性は図9Aの曲線Aに示すとおりであり、通過位相特性は図9Bの曲線B1,B2に示すとおりである。図9A,Bには、図12に示した等価回路で構成した非可逆位相器第2中心電極136を3ターン巻回したものであり、かつ、コンデンサ素子CS1,CS2を端子121,122にそれぞれ付加しているを比較例としてその特性を曲線A’,B1’,B2’として併せて示している。曲線A,A’の比較から明らかなように、通過挿入損失に関して本発明例は比較例に対して大きく向上している。また、第1中心電極35をフェライト32に5ターン巻回した場合、通過挿入損失特性は図10Aの曲線Aに示すとおりであり、通過位相特性は図10Bの曲線B1,B2に示すとおりである。位相差に関しては第1中心電極35のターン数に比例して大きくなる傾向にある。他の実施例なお、本発明に係る非可逆位相器は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。例えば、第1及び第2中心電極35,36の形状は種々に変更することができる。また、回路基板20を多層基板とし、コンデンサ素子Cなどを内部電極で構成してもよい。"