シリコン基板の再結合ライフタイムを測定する前に行う前処理方法において、前記シリコン基板を熱処理炉内に搬入する工程と、前記熱処理炉内を酸化性雰囲気下で加熱して前記シリコン基板に酸化膜を形成する工程と、前記熱処理炉内から前記シリコン基板を搬出する工程と、前記シリコン基板から前記酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜を除去したシリコン基板の表面に対してケミカルパッシベーション処理を行う工程とを含むことを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法。前記酸化膜を形成する工程を、前記熱処理炉内を酸化性雰囲気下で800°C以上1250°C以下に加熱して行い、前記搬出工程では、前記熱処理炉内が600°C以上1000°C以下の範囲内の温度のときに、前記シリコン基板を前記熱処理炉から搬出することを特徴とする請求項1に記載のシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法。前記ケミカルパッシベーション処理を、前記シリコン基板の表面を、ヨウ素が溶解した有機溶液、又は、キンヒドロンが溶解した有機溶液に曝すことにより行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法。請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の前処理方法により前処理したシリコン基板の再結合ライフタイムを測定することを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイムの測定方法。再結合ライフタイムの測定は、シリコン基板に対する前処理条件、すなわち、酸化膜の形成条件により測定値がばらつき、シリコン基板が持つ本来のライフタイムを把握しにくいという課題がある。このため、熱処理炉が汚染されているのか、又は処理条件の問題なのかが、把握しづらいという課題がある。例えば特許文献1にも記載されているが、熱処理炉からの取り出し温度搬出温度を変化させると再結合ライフタイムが低下するが、追加熱処理を行うと回復することから、汚染ではない別要因が絡んでいることが知られている。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、シリコン基板に対して再結合ライフタイムの測定を行うにあたって、信頼性の高い測定値が得られるように前処理を行う方法を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、シリコン基板の再結合ライフタイムを測定する前に行う前処理方法において、前記シリコン基板を熱処理炉内に搬入する工程と、前記熱処理炉内を酸化性雰囲気下で加熱して前記シリコン基板に酸化膜を形成する工程と、前記熱処理炉内から前記シリコン基板を搬出する工程と、前記シリコン基板から前記酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜を除去したシリコン基板の表面に対してケミカルパッシベーション処理を行う工程とを含むことを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法を提供する。このようにシリコン基板を前処理することにより、酸化膜形成の際の条件に起因する表面準位の影響を排除することができる。その結果、前処理後に行う再結合ライフタイムの測定により、信頼性の高い測定値を得ることができる。この場合、前記酸化膜を形成する工程を、前記熱処理炉内を酸化性雰囲気下で800°C以上1250°C以下に加熱して行い、前記搬出工程では、前記熱処理炉内が600°C以上1000°C以下の範囲内の温度のときに、前記シリコン基板を前記熱処理炉から搬出することが好ましい。このような温度で酸化膜を形成する工程及び搬出工程を行うことにより、スリップの発生等を抑えつつ、酸化膜形成の際の条件に起因する表面準位の影響を排除することができる。また、前記ケミカルパッシベーション処理を、前記シリコン基板の表面を、ヨウ素が溶解した有機溶液、又は、キンヒドロンが溶解した有機溶液に曝すことにより行うことが好ましい。ケミカルパッシベーション処理をこのように行うことにより、簡便かつ効果的にシリコン基板の表面不活性化を行うことができる。また、本発明は、上記のいずれかの前処理方法により前処理したシリコン基板の再結合ライフタイムを測定することを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイムの測定方法を提供する。このように、本発明の前処理方法により前処理したシリコン基板の再結合ライフタイム測定を行うことにより、信頼性の高い測定値が得ることができる。本発明に係るシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法により、酸化膜形成の際の条件に起因する表面準位の影響を排除することができる。その結果、前処理後に行う再結合ライフタイムの測定において、信頼性の高い測定値を得ることができる。以下、図面を参照して本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。図1に、本発明に係るシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法の概略を示した。図1aに示したように、まず、再結合ライフタイムを測定しようとするシリコン基板を準備する工程a。シリコン基板は単結晶でも多結晶でもよいが、本発明は特に単結晶シリコン基板に好適である。次に、図1bに示したように、工程aで準備したシリコン基板を熱処理炉内に搬入する工程b。熱処理炉は、酸化雰囲気での処理が可能なものを用いる必要がある。シリコン基板の熱処理炉への搬入は、保持具に保持して行う。また、複数のシリコン基板を同時に熱処理炉に搬入して、その後の熱処理を複数のシリコン基板に対して同時に行うこともできる。シリコン基板の熱処理炉への搬入の時点で、熱処理炉内は酸化性雰囲気としておくことが好ましい。また、後述の熱処理を効率よく行うため、搬入の時点で所定の温度例えば600~800°C以上としておくことが好ましい。シリコン基板の熱処理炉への搬入後、図1cに示したように、熱処理炉内を酸化性雰囲気下で加熱してシリコン基板に酸化膜を形成する工程c。この工程は、熱処理炉内を酸化性雰囲気下で800°C以上1250°C以下に加熱して行うことが好ましい。また、熱処理温度はシリコン基板の熱処理炉への搬入時の温度と同じでもよく、また、搬入時の温度から昇温してもよい。熱処理温度が800°C以上であれば、再結合ライフタイムを効果的に改善することができ、1250°C以下であれば、一般的な熱処理炉で処理することができる。また、酸化性雰囲気とは、酸素100の雰囲気だけではなく、酸素を含有し、シリコン基板の表面に酸化膜を形成できるものであればよい。酸素濃度は例えば10以上とすることができる。熱処理時間は、シリコン基板の表面に酸化膜を形成できればよく、特に限定されるものではないが、例えば、10分以上2時間以下とすることができる。熱処理時間が10分以上であればシリコン基板の表面に必要な酸化膜を形成することができ、2時間以下であれば十分な酸化膜を生産性よく形成することができる。次に、図1dに示したように、熱処理炉内からシリコン基板を搬出する工程d。搬入の際と同様に、シリコン基板の熱処理炉からの搬出は、保持具に保持して行う。搬出の前に、熱処理温度から降温してもよいが、熱処理温度によっては、降温することなく搬出を行うこともできる。このシリコン基板の熱処理炉からの搬出は、熱処理炉内が600°C以上1000°C以下の範囲内の温度のときに行うことが好ましい。搬出温度が600°C以上であれば、再結合ライフタイムを効果的に改善することができ、1000°C以下であれば、一般的な熱処理炉でも搬出を行うことができるとともに、スリップ等の発生を抑制することができる。図2には、上記の工程b~工程dにおける、時間経過と熱処理炉の温度の関係の典型的な一例を示した。図2では、搬入してから昇温し、熱処理温度で一定時間保持した後、降温して搬出する例を示している。また、この例示では、搬入から搬出まで一貫して熱処理炉内を酸化性雰囲気としている。ただし、その他の条件で工程bと工程dを行うこともできる。熱処理炉からシリコン基板を搬出した後、図1eに示したように、シリコン基板から酸化膜を除去する工程e。ここでの酸化膜の除去は、例えば、フッ化水素酸水溶液フッ酸にシリコン基板を浸漬することにより行うことができる。次に、図1fに示したように。酸化膜を除去したシリコン基板の表面に対してケミカルパッシベーション処理を行う工程f。ケミカルパッシベーション処理は、非特許文献1及び特許文献2等に記載されているような、公知の種々の方法を用いることができる。例えば、ケミカルパッシベーション処理を、シリコン基板の表面を、ヨウ素が溶解した有機溶液、又は、キンヒドロンが溶解した有機溶液に曝すことにより、簡便かつ効果的にシリコン基板の表面不活性化を行うことができる。より具体的には、例えば、ヨウ素やキンヒドロンのエタノール又はメタノール溶液にシリコン基板を浸漬することにより行うことができる。酸化膜の除去及びケミカルパッシベーション処理により、再結合ライフタイムが改善されるのは、表面界面準位が大きく改善されるためと推定される。また、上述した工程dにおける搬出温度が600°C以上である場合のように、より高温である場合に再結合ライフタイムが特に改善されるのは、このような高温であれば、過剰な界面準位の導入が抑制され、界面準位の回復が十分に行われることを示唆していると考えられる。以上のようにして、本発明に係るシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法が完了する。前処理を行った後は、図1gに示したように、このように前処理したシリコン基板の再結合ライフタイムを測定する工程g。この再結合ライフタイムの測定は、μ-PCD法等の公知の方法を用いることができる。本発明に係る前処理方法により前処理されたシリコン基板は、酸化膜形成の際の条件に起因する表面準位の影響が排除されている。その結果、前処理後に行う再結合ライフタイムの測定により、信頼性の高い測定値を得ることができる。以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、これらは本発明を限定するものではない。実施例1まず、抵抗率10Ωcmのボロンドープ、直径200mmのシリコン基板を材料として準備した。このシリコン基板を800°Cの酸化性雰囲気下の熱処理炉に搬入し、1000°Cまで温度を上げ、1時間処理した後、800°Cまで降温して搬出を行った。この間のガス雰囲気はいずれも酸素である。搬出後は、5フッ酸でシリコン基板表面の酸化膜を除去した後、ヨウ素エタノール溶液に浸漬して、シリコン基板表面に対してケミカルパッシベーション処理を行って前処理を完了した。次に、この前処理を行ったシリコン基板の再結合ライフタイム測定を実施した。このとき使用した測定器は、セミラボ社のWT-2000を使用した。この結果を図3中に示した。本発明に係る処理をすることで、1200μs程度の数値が得られたことがわかる。なお、図3中のCP処理とは、ケミカルパッシベーション処理の略である。また、図3中の再結合ライフタイムの数値は、1枚のシリコン基板内の複数の箇所について測定した値の平均である。比較例1実施例1の比較例として、酸化膜除去及びケミカルパッシベーション処理を行わず、再結合ライフタイム測定を行った。すなわち、シリコン基板の準備、熱処理炉への搬入、酸化雰囲気下での熱処理、熱処理炉からの搬出は同様に行い、搬出後、すぐに再結合ライフタイム測定を実施した。この結果を図3中に示した。酸化膜除去及びケミカルパッシベーション処理を行わずそのまま測定すると、せいぜい400μs程度の数値しか得ることができなかった。実施例1及び比較例1の結果から、本発明の前処理方法により、酸化膜形成の際の条件に起因する表面準位の影響を排除され、前処理後の再結合ライフタイムの測定により、信頼性の高い測定値を得ることができることがわかる。実施例2、3搬出温度を600°C実施例2、400°C実施例3とした以外は、実施例1と同様にしてシリコン基板に前処理を行い、再結合ライフタイム測定を行った。この結果を図3中に示した。比較例2、3比較例2、3では、酸化膜除去及びケミカルパッシベーション処理を行わないこと以外は、それぞれ、実施例2、3と同じ条件で前処理を行い、再結合ライフタイム測定を行った。結果を図3中に示した。実施例1~3の結果から、搬出温度が低下するに従って再結合ライフタイムの数値は低下することがわかるが、比較例1~3との比較から、同じ搬出温度であれば、酸化膜除去及びケミカルパッシベーション処理を行った場合は、該処理を行わなかった場合よりも再結合ライフタイムの数値が上昇していることがわかる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。