"式Iで表される塩。[式I中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。X1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。R1は、炭素数1~20の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよく、該炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Z1は、有機カチオンを表す。]R1が、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基又は炭素数3~20のシクロアルキルアルキル基である請求項1記載の塩。X1が、カルボニル基である請求項1又は2記載の塩。Z1が、トリアリールスルホニウムカチオンである請求項1~3のいずれか記載の塩。請求項1~4のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。請求項5記載の酸発生剤と樹脂とを含み、該樹脂は酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であるレジスト組成物。さらに、塩基性化合物を含有する請求項6記載のレジスト組成物。1請求項6又は7記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、及び5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来のレジスト組成物では、得られるレジストパターンのラインウィズスラフネスLWRが必ずしも満足できない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式Iで表される塩。[式I中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。X1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。R1は、炭素数1~20の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよく、該炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Z1は、有機カチオンを表す。]2R1が、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基又は炭素数3~20のシクロアルキルアルキル基である前記1記載の塩。3X1が、カルボニル基である前記1又は2記載の塩。4Z1が、トリアリールスルホニウムカチオンである前記1~3のいずれか記載の塩。5前記1~4のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。6前記5記載の酸発生剤と樹脂とを含み、該樹脂は酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であるレジスト組成物。7さらに、塩基性化合物を含有する前記6記載のレジスト組成物。81前記6又は7記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、及び5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明の塩を酸発生剤として含むレジスト組成物を用いれば、優れたラインウィズスラフネスLWRを有するレジストパターンを製造することができる。<塩>本発明の塩は、式Iで表される塩以下塩Iという場合があるである。[式I中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。X1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。R1は、炭素数1~20の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよく、該炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Z1は、有機カチオンを表す。]なお、以下の説明において、塩Iのうち、正電荷を有する側を有機カチオンと、負電荷を有する側をスルホン酸アニオンと、それぞれ称することがある。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。ペルフルオロアルキル基としては、例えばペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。X1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表す。2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分枝鎖状アルカンジイル基、及び環状飽和炭化水素基が挙げられる。直鎖状アルカンジイル基としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基が挙げられる。分枝鎖状アルカンジイル基としては、例えば、前記直鎖状アルカンジイル基に、炭素数1~4のアルキル基例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を付け加えたものが挙げられる。2価の環状飽和炭化水素基としては、シクロアルカンジイル基例えばシクロヘキサンジイル基、2価の橋かけ環状炭化水素基例えばアダマンタンジイル基が挙げられる。X1の-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。X1は、好ましくは式X1-A~式X1-F、より好ましくは式X1-A又は式X1-B、さらに好ましくは式X1-Aである。なお、式X1-A~式X1-Fで表される基においては結合手を表し、左側でCR3R4と結合し、右側で酸素原子と結合する。[X11は、炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。X12は、炭素数1~14の飽和炭化水素基を表す。X13~X18は、それぞれ独立に、炭素数1~12の飽和炭化水素基を表す。但し、X13とX14との合計炭素数、X15とX16との合計炭素数、及び、X15とX16との合計炭素数は、それぞれ13を上限とする。]X11~X18は-CH2-、-CH22-、-CH24-、-CH28-又は-CH212-であることが好ましい。式X1-Bで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式X1-Cで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式X1-Dで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式X1-Eで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式X1-Fで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。R1における炭素数1~20の炭化水素基としては、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキルアルキル基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基又は炭素数7~20のアラルキル基が挙げられる。なかでも、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基又は炭素数3~20のシクロアルキルアルキル基が好ましい。炭素数1~20のアルキル基としてはメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。炭素数3~20のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、イソボルニル基、及び、以下に示す基等が挙げられる。炭素数3~20のシクロアルキルアルキル基としては、シクロプロピルメチル基、シクロブチルメチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチルメチル基、シクロオクチルメチル基、シクロノニルメチル基、シクロデシル基メチル、ノルボルニルメチル基、1-アダマンチルメチル基、1-アダマンチルエチル基、2-アダマンチルメチル基、及び、以下に示す基等が挙げられる。炭素数6~20芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基等が挙げられる。炭素数7~20のアラルキル基としては、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、フェニルメチル基、フェニルアダマンチル基、ベンジル基等が挙げられる。R1で表される炭化水素基に含まれる水素原子がヒドロキシ基で置換された基としては、以下の基が挙げられる。R1で表される炭化水素基に含まれる水素原子がシアノ基で置換された基としては、以下の基が挙げられる。R1で表される炭化水素基に含まれる水素原子がニトロ基で置換された基としては、以下の基が挙げられる。R1で表される炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子に置き換わった基としては、以下の基が挙げられる。R1で表される炭化水素基に含まれるメチレン基がカルボニル基に置き換わった基としては、以下の基が挙げられる。R1で表される炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子とカルボニル基にそれぞれ置き換わった基としては、以下の基が挙げられる。なお、上記R1の各例示において、は結合手を表す。塩Iにおけるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Z1で表される有機カチオンとしては、でオニウムカチオン、例えば、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。Z1は、好ましくは式b2-1~式b2-4のいずれかで表される。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の炭化水素基を表し、この炭化水素基のうちでは、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。前記アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、前記脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11以下、Rb9~Rb11のように表記する。は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、この脂肪族炭化水素基がアルキル基である場合、その炭素数は1~12であると好ましく、この脂肪族炭化水素基が脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であると好ましく、4~12であるとさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。この炭化水素基のうち、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10との組み合わせ、及び/又は、Rb11とRb12との組み合わせは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環好ましくは3員環~7員環は脂環又は、該脂環に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっている環である。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18以下、Rb13~Rb18と表記することがある。は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13はそれぞれ独立であり、p2が2以上であるとき、複数のRb14はそれぞれ独立であり、s2が2以上であるとき、複数のRb15はそれぞれ独立であり、t2が2以上であるとき、複数のRb18はそれぞれ独立である。Rb12のアルキルカルボニルオキシ基としては、すでに例示したアシル基と酸素原子とが結合したものである。Rb9~Rb12のアルキル基の好適例は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基などである。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基の好適例は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基及びイソボルニル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基の好適例は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基とアルキル基が結合したものは、典型的にはアラルキル基である。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。式b2-1~式b2-4で表される有機カチオンの具体例は、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。例示した有機カチオンの中でも、式b2-1で表される有機カチオンが好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。この脂肪族炭化水素基の炭素数は1~12であると好ましく、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基がより好ましく、さらには置換基として、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19はそれぞれ独立であり、w2が2以上のとき、複数のRb20はそれぞれ独立であり、x2が2以上のとき、複数のRb21はそれぞれ独立である。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基である。有機カチオンとしては、具体的には、式IB-1~式IB-21で表されるトリアリールスルホニウムカチオン、式IC-31~式IC-67で表されるスルホニウムカチオン、並びに、特開2010-204646号公報に記載されたカチオンが挙げられ、式IB-1~式IB-21で表されるトリアリールスルホニウム塩が好ましく、式IB-1、式IB-2又は式IB-10で表されるトリアリールスルホニウム塩がさらに好ましい。塩Iとしては、表1~5に示すスルホン酸アニオンと有機カチオンとからなる塩が挙げられる。上記の塩うち、式I-1、式I-32、式I-35、式I-38、式I-41、式I-45、式I-49、式I-52、式I-62、式I-66、式I-69、式I-75、式I-97又は式I-140でそれぞれ表される塩が好ましく、式I-1、式I-52、式I-75、式I-97又は式I-140でそれぞれ表される塩がより好ましい。式Iで表される塩の製造方法を下記に示す。式Iで表される塩のうち、式b1で表される塩の製造方法を下記に示す。Q1、Q2、R1及びZ1は、それぞれ上記と同義である。式b1-aで表される塩と式b1-bで表される化合物とを溶媒中、塩基性条件で反応させることにより、式b1で表される塩を得ることができる。溶媒としてはアセトニトリル、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン等の有機溶媒が挙げられる。使用する塩基としては炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水素化ナトリウム等無機塩及び、トリエチルアミン、DBU、ジメチルアミノピリジン、ピリジン等が挙げられる。式b1-aで表される塩は、例えば、特開2008-13551号公報に記載された方法で合成することができる。Q1、Q2、R1及びZ1は、それぞれ上記と同義である。Xhalは塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるハロゲン原子を表す。<酸発生剤>本発明の酸発生剤は、塩Iを含有する。塩Iは、酸発生剤として使用する時、単独でも複数種を同時に用いてもよい。また、本発明の酸発生剤は、さらに、塩I以外の公知の塩例えば、塩Iに含まれる有機カチオン及び公知のアニオン塩Iに含まれるスルホン酸アニオン以外のアニオンからなる塩並びに塩Iに含まれるスルホン酸アニオン及び公知のカチオン塩Iに含まれる有機カチオン以外のカチオンからなる塩等を含んでいてもよい。以下、かかる本発明の酸発生剤に含まれる塩I以外の塩を酸発生剤Bということもある。塩Iと併用する酸発生剤Bとしては、塩Iに含まれるスルホン酸アニオンとトリアリールスルホニウムカチオンとからなる化合物が挙げられる。例えば、式B1-1~式B1-17で表されるものが挙げられる。中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式B1-1、式B1-2、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13及び式B1-14でそれぞれ選ばれる塩がさらに好ましい。塩Iの含有量は、酸発生剤全量100質量部に対して、好ましくは10質量部以上より好ましくは30質量部以上、好ましくは90質量部以下より好ましくは70質量部以下である。<レジスト組成物>次に、本発明のレジスト組成物について説明する。本発明のレジスト組成物は、上記本発明の酸発生剤と樹脂とを含み、該樹脂は酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂以下、樹脂Aという。である。<樹脂A>樹脂Aは、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶の樹脂に転化するという特性を有する。酸の作用によりアルカリ可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。このような樹脂Aは、分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されているものであり、樹脂Aが酸と接触すると当該保護基が脱離して、樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶な樹脂に転化する。当該保護基により保護されている親水性基を以下、酸不安定基ということにする。該親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。該樹脂Aは、酸不安定基を有するモノマー以下、モノマーa1という。を重合することによって製造できる。かかる重合の際には、モノマーa1を1種のみ使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。<モノマーa1>すでに説明したように、モノマーa1は酸不安定基を有する。親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、該カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、オキシ基と結合する該有機残基の原子が3級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式1で表されるもの以下、場合により酸不安定基1という。である。式1中、Ra1、Ra2及びRa3以下、場合によりRa1~Ra3のように表記する。は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ra1及びRa2は互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Ra1及びRa2が互いに結合して形成される環、該アルキル基又は該脂環式炭化水素基がメチレン基を有する場合、そのメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Ra1~Ra3のアルキル基の具体例は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基などである。Ra1~Ra3の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及びメチルノルボルニル基、並びに下記に示す基などが挙げられる。Ra1~Ra3の脂環式炭化水素基は、その炭素数が1~16の範囲であると好ましい。Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合とは、-CRa1Ra2Ra3で表される基が、下記に示すいずれかのものとなる。このような環の炭素数は、好ましくは3~12である。酸不安定基1の具体例は、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブトキシカルボニル基であると好ましい。、2-アルキル-2-アダマンチルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-1-アダマンチル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。一方、親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、該ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式2で表されるもの以下、場合により酸不安定基2という。である。式2中、Rb1及びRb2以下、場合によりRb1~Rb2のように表記する。は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、或いは、Rb2及びRb3は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Rb2及びRb3は互いに結合して形成される環又は該炭化水素基メチレン基を有する場合、そのメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Rb1~Rb3の炭化水素基は例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。ここで、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基は、Ra1~Ra3の基として説明したものと同じである。該芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。Rb1~Rb2のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。酸不安定基2の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸不安定基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーである。モノマーa1は好ましくは、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2と、炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーである。酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の脂環を部分構造とするものが好ましい。このような立体的に嵩高い脂環基を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂Aを含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。脂環を部分構造とする酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー以下、モノマーa1-1という。又は式a1-2で表されるモノマー以下、モノマーa1-2という。が好ましい。樹脂Aを製造する際、これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表し、n1は0~10の整数を表す。なお、式a1-1においてアダマンタン環にある-CH3m1の表記は、アダマンタン環にあるメチレン基及び/又はメチン基の水素原子が、メチル基に置き換わっており、アダマンタン環に結合しているメチル基の個数がm1個であることを意味する。La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は-O-CH2f1-CO-O-但し、f1は1~4の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。で表される基であり、より好ましくは酸素原子である。f1は、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキル基が挙げられ、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基等が挙げられる。Ra6又はRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下の基である。Ra6又はRa7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下であり、より好ましくは6以下である。Ra6又はRa7が脂環式炭化水素基である場合、当該脂環式炭化水素基は単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、及び下記のような基等が挙げられる。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。は、アダマンタン環又はシクロヘキサン環との結合手を表す。式a1-1で表されるモノマーとしては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a1-1-1~a1-1-6で表されるモノマーが好ましく、下式a1-1-1~a1-1-3で表されるモノマーがより好ましい。式a1-2で表されるモノマーとしては、例えば、1-エチル-1-シクロペンチルメタアクリレート、1-エチル-1-シクロヘキシルメタアクリレート、1-エチル-1-シクロヘプチルメタアクリレート、1-メチル-1-シクロペンチルメタアクリレート、1-イソプロピル-1-シクロペンチルメタアクリレート等が挙げられる。下式a1-2-1~a1-2-6で表されるモノマーが好ましく、下式a1-2-3~a1-2-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a1-2-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂Aをモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2を用いて製造する場合、得られる樹脂Aの全構造単位を100モルとしたとき、これらモノマーに由来する構造単位の含有量の合計は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲が一層好ましい。モノマーa1-1に由来する構造単位及び/又はモノマーa1-2に由来する構造単位の含有量の合計を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対するモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2の使用量を調整すればよい。以上、モノマーa1として好適なメタアクリル系モノマーについて説明したが、樹脂Aの製造には、該メタアクリル系モノマー以外に、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とを分子内に有する他のモノマーを用いることもできる。以下、このような他のモノマーの代表例について説明する。かかる他のモノマーとして例えば、以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、モノマーa1-3という。が挙げられる。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~8のアルコキシカルボニル基-COORa13、ここで、Ra13は、炭素数1~8のアルキル基、炭素数3~20の脂環式炭化水素基、又は、炭素数1~8のアルキル基と炭素数3~20の脂環式炭化水素基とからなる基を表す。該アルキル基及び該脂環式炭化水素基にある水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。を表し、Ra10、Ra11及びRa12以下、Ra10~Ra12のように表記する。は、それぞれ独立に、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ra10及びRa11が互いに結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成している。なお、ここに示すアルキル基及び脂環式炭化水素基についても、これらの基にある水素原子は、ヒドロキシ基等で置換されていてもよく、これらの基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。ここで、Ra9のアルコキシカルボニル基は、例えば、メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。Ra9のヒドロキシ基を有していてもよいアルキル基は例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra13のアルキル基、脂環式炭化水素基及び炭素数1~8のアルキル基と炭素数3~20の脂環式炭化水素基とからなる基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロペンチル基、シクロプロピル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、1-アダマンチル-1-メチルエチル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。Ra10~Ra12は、例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基及びアダマンチル基等が挙げられる。Ra10及びRa11が互いに結合して形成される環は脂環が好ましく、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環等が挙げられる。モノマーa1-3を具体的に例示すると、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチル等が挙げられる。モノマーa1-3を用いて樹脂Aを製造した場合、この樹脂Aにはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになる。この構造単位を有する樹脂Aを含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを得ることができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂Aの主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、該樹脂Aを含む本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。上述のように、良好な解像度でレジストパターンを製造できることや、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという点では、樹脂Aの全構造単位100モルに対する、モノマーa1-3に由来する構造単位の含有量は10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。前記他のモノマーとしては、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という。を用いることもできる。[式a1-4中、Ra32は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33はそれぞれ独立である。Ra34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基-SO2-又は-NRc-で示される基で置き換わっていてもよい。ここで、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基であり、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基の各々に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。]式a1-4のRa32、Ra33、Ra34、Ra35及びXa2の具体例を挙げる。Ra32及びRa33のハロゲン原子は例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などである。Ra32のハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペルヨードメチル基などが挙げられる。Ra33のアルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基及びn-ヘキトキシ基などが挙げられる。Ra33のアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。Ra33のアシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基などが挙げられる。Ra34及びRa35の炭化水素基は、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれかである。該アルキル基は、炭素数の上限が異なる以外は、モノマーa1-1のRa6及びRa7のアルキル基として説明したものを含み、その具体例もRa6及びRa7のアルキル基として例示したものを含む。該アルキル基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましい。該脂環式炭化水素基も、炭素数の上限が異なる以外は、モノマーa1-1のRa6及びRa7の脂環基として説明したものを含み、その具体例もRa6及びRa7の脂環基として例示したものを含む。該脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基及びイソボルニル基等が好ましい。該芳香族炭化水素基は典型的にはアリール基であり、具体的にいえば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニル等である。Ra32及びRa33としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra33としては、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。Ra34及びRa35としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基及びイソボルニル基等が好ましい。上述したように、Xa2及びYa3は、これらに含まれる水素原子がハロゲン原子、ヒドロキシ基等に置換されていてもよいが、このように水素原子が置換されている場合、その置換基は好ましくはヒドロキシ基である。ここで、モノマーa1-4の具体例を挙げておく。樹脂Aが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。以上、酸不安定基1を有するモノマーa1を説明したが、酸不安定基2を有するモノマーa1についても具体例を示して説明する。この酸不安定基2を有するモノマーa1もメタアクリル系モノマーが好ましく、例えば、式a1-5で表されるモノマー以下、モノマーa1-5という。が挙げられる。式a1-5中、R31としては、R5と同じものが挙げられ、水素原子又はメチル基であることが好ましい。L2及びL3は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であることが好ましい。L4は、酸素原子又は硫黄原子であり、酸素原子が好ましい。s1は、1が好ましい。s2は、0~2の整数が好ましい。Z1は、単結合、-CH2n4-O-又は-CH2n4-CO-O-各n4は1~4の整数であり、1が好ましい。各は、L4との結合手を表す。である。モノマーa1-5の具体例としては、以下のとおりである。樹脂Aが、モノマーa1-5に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマー>以上、樹脂A製造用のモノマーa1、特に好適なメタアクリル系モノマー、及び該メタアクリル系モノマー以外の他のモノマーa1について説明したが、後述のレジスト組成物に用いる樹脂Aとしては、モノマーa1に加えて、酸不安定基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるを用いて得られる共重合体であると好ましい。また、レジスト組成物に用いる添加物として、酸安定モノマーから得られる樹脂を用いることもある。以下、樹脂A製造に好ましく用いられる酸安定モノマーの各々について説明する。酸安定モノマーを併用して樹脂Aを製造する場合、モノマーa1の使用量を基準にして、酸安定性モノマーの使用量を定めるとよい。モノマーa1の使用量と酸安定モノマーの使用量の割合は、モノマーa1/酸安定モノマーで表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に、モノマーa1-1を、モノマーa1に用いる場合、該モノマーa1の使用量の総量100モルに対して、アダマンチル基を有するモノマーの使用量を15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Aを含むレジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。酸安定モノマーの第1好適例は、ヒドロキシ基又はラクトン環を分子内に有するものである。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa2という。及び/又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa3という。に由来する構造単位を有する樹脂Aは、当該樹脂Aを含むレジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜、又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなり、このレジスト組成物は良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。なお、ここでいうレジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法に関しては後述する。まず、酸安定モノマーとして好適な、酸安定モノマーa2及び酸安定モノマーa3に関して具体例を挙げつつ説明する。<酸安定モノマーa2>酸安定モノマーa2を樹脂Aの製造に用いる場合、当該樹脂Aを含む本レジスト組成物からレジストパターンを得る際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定モノマーa2を挙げることができる。すなわち、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光波長:248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合には、酸安定モノマーa2として、フェノール性水酸基を有する酸安定モノマーa2-0例えば、ヒドロキシスチレン類等を樹脂Aの製造に用いることが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光波長:193nmを用いる場合は、酸安定モノマーa2として、後述の式a2-1で表される酸安定モノマーを樹脂Aの製造に用いることが好ましい。このように、樹脂A製造に用いる酸安定モノマーa2は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、当該酸安定モノマーa2は、露光源の種類に応じて好適なモノマー1種のみを用いて樹脂Aを製造してもよく、露光源の種類に応じて好適なモノマー2種以上を用いて樹脂Aを製造してもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適なモノマーと、それ以外の酸安定モノマーa2とを組み合わせた2種以上を用いて樹脂Aを製造してもよい。酸安定モノマーa2としては、以下の式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマー以下、酸安定モノマーa2-0という。が挙げられる。なお、この式a2-0は、フェノール性水酸基が適当な保護基で保護されていない形式で示すものである。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31はそれぞれ独立である。]Ra30のハロゲン原子及びハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基の具体例は、前記モノマーa1-4のRa32の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ra31のアルコキシ基の具体例は、前記モノマーa1-4のRa33の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0がさらに好ましい。このような酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、該当するメタアクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン、及びスチレンをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることができる。酸安定モノマーa2-0としては、例えば、特開2010-204634号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a2-0-1及びa2-0-2で表されるモノマーが好ましい。樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性水酸基が適当な保護基で保護したものを用いることもできる。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。次に、酸安定モノマーa2-1について具体例を挙げる。酸安定モノマーa2-1は以下の式a2-1で示されるものである。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、酸素原子又は-O-CH2f2-CO-O-ここでf2は、1~4の整数であるであり、より好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa2-1としては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a2-1-1~a2-1-6で表されるモノマーが好ましく、下式a2-1-1~a2-1-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a2-1-1又はa2-1-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~45モルの範囲が好ましく、5~40モルの範囲がより好ましく、5~35モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa3>酸安定モノマーa3は、ラクトン環を含有する酸安定モノマーである。かかるラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定モノマーa3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aの製造においては、これらのうち1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-1といい、式a3-2で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-2といい、式a3-3で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-3という。式a3-1、式a3-2及び式a3-3のいずれか中、La4、La5及びLa6以下、Ra18~Ra20のように表記する。は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18、Ra19及びRa20以下、Ra18~Ra20のように表記する。は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、それぞれ独立である。式a3-1~式a3-3において、La4~La6は、La3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2d1-CO-O-であることが好ましくここでd1は、1~4の整数である、より好ましくは酸素原子である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa3としては、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a3-1-1~a3-1-4、a3-2-1~a3-2-4、a3-3-1~a3-3-4で表されるモノマーが好ましく、下式a3-1-1~a3-1-2、a3-2-3~a3-2-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a3-1-1又はa3-2-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂Aが、モノマーa3-1に由来する構造単位、モノマーa3-2に由来する構造単位及びモノマーa3-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位酸安定モノマーa3に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~70モルの範囲が好ましく、10~65モルの範囲がより好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa4>すでに、樹脂A製造に用いることのできる酸安定モノマーの第1好適例として、酸安定モノマーa2及び酸安定モノマーa3について具体例を示しつつ説明したが、該樹脂A製造には、これら以外の酸安定モノマー、すなわち酸安定モノマーの第2好適例を用いることもできる。以下、このような酸安定モノマーを酸安定モノマーa4という。以下、この酸安定モノマーa4として用いることができるものについて示していく。酸安定モノマーa4の代表例としては、下記式a4-1で表される無水マレイン酸、下記式a4-2で表される無水イタコン酸、及び、下記式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-3という。などが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、シアノ基、カルボキシ基又はアルコキシカルボニル基-COORa27、ここで、Ra27は、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~20の脂環式炭化水素基、又は、炭素数1~8のアルキル基と炭素数3~20の脂環式炭化水素基とからなる基を表す。該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く即ちRa27は、3級炭素原子が-O-と結合するものを含まないを表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。モノマーa4-3のRa25及びRa26において、ヒドロキシ基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra27のアルキル基は、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは炭素数1~6の基である。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18、より好ましくは炭素数4~12の基である。このRa27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロペンチル基、シクロプロピル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、1-アダマンチル-1-メチルエチル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。ノルボルネン環を有する酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが、式a4-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a4-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及びモノマーa4-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位酸安定モノマーa4に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~30モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。更に、酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-4で表されるスルトン環を有するものなどが挙げられる。式a4-4中、La7は、酸素原子又は-O-CH2k4-CO-O-を表し、k4は1~7の整数を表す。はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W16は、置換基を有していてもよいスルトン環を含む残基を表す。スルトン環としては、下記に示すものが挙げられる。スルトン環を含む残基の代表例は、下記スルトン環にある水素原子の1つが、La7に置き換わったものである。置換基を有していてもよいスルトン環を含む残基とは、上述のLa7に置き換わった以外の水素原子がさらに置換基で置換されたものであり、該置換基は、水酸基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ素化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基及び炭素数1~8のアシルオキシ基からなる群より選ばれる。式a4-4で表されるスルトン環を有する酸安定モノマーa4の具体例を示す。樹脂Aが、式a4-4で表されるスルトン環を有する酸安定モノマーa4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定モノマーa4としては、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有するモノマー以下、モノマーa4-5という。も使用できる。モノマーa4-5の中でも、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂Aが、モノマーa4-5に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~20モルの範囲が好ましく、2~15モルの範囲がより好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。好ましい樹脂Aは、モノマーa1と、酸安定モノマーa2及び/又は酸安定モノマーa3とを重合させて得られる共重合体である。この好ましい共重合体において、モノマーa1として、上述のモノマーa1-1及びモノマーa1-2の少なくとも1種を用いることが好ましく、モノマーa1-1を用いることがさらに好ましい。酸安定モノマーa2としては、酸安定モノマーa2-1が好ましく、酸安定モノマーa3としては、酸安定モノマーa3-1及び酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種が好ましい。樹脂Aは、モノマーa1と、必要に応じて、酸安定モノマーa2、酸安定モノマーa3及び酸安定モノマーa4からなる群より選ばれる酸安定モノマーとを用い、これらが上述のとおりの樹脂Aの全構造単位に対する好適な含有量になるようにして使用量を調節した後、公知の重合法例えばラジカル重合法により製造することができる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは2,500以上であり、より好ましくは3,000以上である。該重量平均分子量の上限は50,000以下が好ましく、30,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。<塩基性化合物以下塩基性化合物Cという。>本発明のレジスト組成物は、塩Iの他に塩基性化合物Cを含有していることが好ましい。ここでいう塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物以下、クエンチャーということもある。、特に、既に説明した酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味する。この塩基性化合物Cの含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、0.01~1質量程度であることが好ましい。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えば、アミン及びアンモニウム塩を挙げることができる。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、1級アミン、2級アミン及び3級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香族環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、以下の式C2で表される芳香族アミン、より好ましい塩基性化合物Cとして、以下の式C2-1で表されるアニリン類が挙げられる。ここで、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基好ましくは、炭素数1~6のアルキル基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10の脂環式炭化水素基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10の芳香族炭化水素基である。を表す。但し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基にある水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、このアミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。Rc7は、アルキル基好ましくは、炭素数1~6のアルキル基である。、炭素数1~6のアルコキシ基、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10の脂環式炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数5~10のシクロアルキル基である。、芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10の芳香族炭化水素基である。又はニトロ基を表す。但し、ここでいうアルキル基、アルコキシ基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基にある水素原子も、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、このアミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なってもよい。式C2で表される芳香族アミンは例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミン等が挙げられる。式C2-1で表されるアニリン類は例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン及びジフェニルアミン等が挙げられる。また、以下の式C3、式C4、式C5、式C6、式C7、式C8、式C9、式C10及び式C11のいずれかで表される化合物以下、ここでいう化合物を、式番号に応じて、化合物C3~化合物C11のように表記する。も用いることができる。ここで、Rc8と、芳香族炭素と結合するRc20、Rc21、Rc23、Rc24、Rc25、Rc26、Rc27及びRc28とは前記Rc7と同義のものである。窒素原子と結合するRc9、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13、Rc14、Rc16、Rc19及びRc22は、それぞれ独立であり、前記のRc5及びRc6と同義のものである。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上であるとき、複数のRc20はそれぞれ独立であり、p3が2以上であるとき、複数のRc21はそれぞれ独立であり、q3が2以上であるとき、複数のRc24はそれぞれ独立であり、r3が2以上であるとき、複数のRc25はそれぞれ独立であり、s3が2以上であるとき、複数のRc26はそれぞれ独立であり、t3が2以上であるとき、複数のRc27はそれぞれ独立であり、u3が2以上であるとき、複数のRc28はそれぞれ独立である。Rc15は、アルキル基好ましくは、炭素数1~6のアルキル基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数3~6の脂環式炭化水素基である。又はアルカノイル基好ましくは、炭素数2~6のアルカノイル基である。を表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価のアルキレン基好ましくは、炭素数1~6のアルキレン基である。、カルボニル基、-C=NH-、-C=NRc3-但し、Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す。、チオキシ基、ジスルフィド結合-S-S-又はこれらの組合せを表す。化合物C3としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。化合物C4としては、例えば、ピペラジンなどが挙げられる。化合物C5としては、例えば、モルホリンなどが挙げられる。化合物C6としては、例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。化合物C7としては、例えば、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。化合物C8としては、例えば、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。化合物C9としては、例えば、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。化合物C10としては、例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミンなどが挙げられる。化合物C11としては、例えば、ビピリジンなどが挙げられる。すでに述べたように、塩基性化合物Cとしてアンモニウム塩も使用することができる。ここでいうアンモニウム塩の具体例は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等である。以上、塩基性化合物Cの具体例を示したが、本レジスト組成物に用いる塩基性化合物Cとしては、これらの中でもジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンがより好ましい。<溶剤以下、溶剤Dという。>本レジスト組成物は、通常、溶剤Dを含む。かかる溶剤Dは、用いる塩Iの種類及びその量と、樹脂Aの種類及びその量と、酸発生剤Bの種類及びその量とに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。好適な溶剤Dの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類;γ-ブチロラクトン等の環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、必要に応じて、塩I、樹脂A、溶剤D並びに必要に応じて用いられる酸発生剤B及び塩基性化合物C以外の構成成分を含んでいてもよい。この構成成分を成分Fという。かかる成分Fとしては、本技術分野で広く用いられている添加剤であり、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料等である。<本レジスト組成物及びその調製方法>本レジスト組成物は、塩I、樹脂A及び溶剤Dを混合することで調製することができる。さらに、上述のとおり必要に応じて酸発生剤B、塩基性化合物C及び/又は成分Fを混合することもある。塩基性化合物Cを混合することが好ましい。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、用いる塩I等の種類や塩I等の溶剤Dに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。次に、本レジスト組成物において、塩I、樹脂A及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる酸発生剤B及び塩基性化合物Cの好ましい含有質量割合以下、含有量ということもある。について説明する。溶剤Dの含有量は、上述のとおり、塩Iの種類等に応じて適宜調節できるが、本レジスト組成物総質量に対して90質量以上であると好ましい。なお、溶剤Dの含有量が90質量である本レジスト組成物では、該本レジスト組成物総質量に対する固形分の含有量は10質量に該当する。このような含有量で溶剤Dを含む本レジスト組成物は、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成可能な薄膜レジストとして適している。この観点からは、本レジスト組成物総質量に対する溶剤Dの含有量は、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上である。該溶剤Dの含有量の上限は例えば、99.9質量以下であり、好ましくは99質量以下である。この溶剤Dの含有量は、本レジスト組成物を調製する際の溶剤Dの使用量により制御可能であり、本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。本レジスト組成物に対する樹脂Aの含有量は、該本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的にいうと、該固形分の総質量に対する樹脂Aの含有量は、80質量以上であると好ましい。本レジスト組成物に対する塩Iの含有量は、本レジスト組成物に含まれる樹脂Aの総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的には、樹脂A100質量部に対して、塩Iが好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上である。また、樹脂A100質量部に対して、塩Iが好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。本レジスト組成物に酸発生剤Bを用いる場合、その含有質量は、本レジスト組成物に含まれる樹脂Aの総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的には、樹脂A100質量部に対して、酸発生剤Bが好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上である。また、樹脂A100質量部に対して、酸発生剤Bが好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。本レジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、その含有量も該本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的にいうと、該固形分の総質量に対する塩基性化合物Cの含有量は、0.01~1質量程度であると好ましい。なお、上述のとおり、塩基性化合物Cの含有量は、塩I及び酸発生剤Bの合計含有量よりも低くしておくことが好ましい。これら塩I及び樹脂A並びに必要に応じて用いられる酸発生剤B及び塩基性化合物Cの各々の好適な含有量も、本レジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能である。本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー等の公知の分析手段に供して求めることもできる。なお、成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。このように、塩I及び樹脂A及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる酸発生剤B、塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本レジスト組成物は調製できる。<レジストパターンの製造方法>続いて、本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法について説明する。本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、及び5加熱後の組成物層現像する工程を含むものである。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成しておいたりすることもできる。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類等に応じて調整されるが、例えばホットプレートを用いる加熱手段ホットプレート加熱では、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にしておけばよい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜を乾燥させることにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンに応じたマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2レーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる塩I及び酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸の作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応を生じ、結果として露光部の組成物層にある樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理が行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段等が採用される。なお、工程4におけるホットプレート加熱では、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がさらに好ましい。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させ、未露光部の組成物層を基板上に残すことにより、当該基板上にレジストパターンが製造される。ここで用いられるアルカリ水溶液は、アルカリ現像液と称されて、本技術分野で用いられるものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。以上により基板上に製造されたレジストパターンは、好ましくは超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去する。<用途>本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、EB用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物として好適である。次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。実施例及び比較例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。また重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型、カラムはTSKgelMultiporeHXL-M3本、溶媒はテトラヒドロフランにより求めた値である。また、化合物の構造はNMRGX-270型又はEX-270型;日本電子製、質量分析LC;Agilent製1100型、MASS;Agilent製LC/MSD型又はLC/MSDTOF型で確認した。実施例1:式I-1で表される塩の合成式I-1-aで表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式I-1-aで表される塩10.8部とジメチルホルムアミド60部との溶液に、炭酸カリウム3.4部とヨウ化カリウム1.0部とを加えて、40°Cで1時間攪拌した。反応混合溶液に式I-1-bで表される化合物東京化成株社製を加えて80°Cで12時間攪拌した。反応混合溶液を室温まで冷却した後、5シュウ酸水溶液60部の溶液に加え、クロロホルム350部で抽出した。抽出された有機層をイオン交換水で洗浄した後、減圧濃縮した。得られた残渣をアセトニトリルと2-メトキシ-2-メチルプロパンとの混合溶液で再結晶し、式I-1で表される塩9.9部を得た。MSESISpectrum:M=263.1C18H15S=263.1MSESI-Spectrum:M-=323.0C11H9F2O7S-=323.0実施例2:式I-75で表される塩の合成式I-75-aで表される化合物15部とテトラヒドロフラン82部との溶液に、トリエチルアミン9.6部を加え、5°Cで攪拌した。反応混合溶液に式1-75-bで表される化合物東京化成株社製16.3部を加えて5°Cで1時間攪拌した。反応混合溶液を2塩酸水溶液120部の溶液に加え、攪拌した後、酢酸エチル350部で抽出した。抽出された有機層をイオン交換水で洗浄した後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー酢酸エチル:n-ヘプタン=5:1にて精製し、式I-75-cで表される塩16.5部を得た。式I-75-dで表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式I-75-dで表される塩7.8部とジメチルホルムアミド40部との溶液に、炭酸カリウム2.5部とヨウ化カリウム0.7部とを加えて、40°Cで1時間攪拌した。反応混合溶液に式I-75-cで表される化合物を加えて60°Cで22時間攪拌した。反応混合溶液を室温まで冷却した後、5シュウ酸水溶液45部の溶液に加え、クロロホルム270部で抽出した。抽出された有機層をイオン交換水で洗浄した後、減圧濃縮した。得られた残渣をアセトニトリルと2-メトキシ-2-メチルプロパンとの混合溶液で再結晶し、式I-75で表される塩5.9部を得た。MSESISpectrum:M=263.1C18H15S=263.1MSESI-Spectrum:M-=473.1C21H23F2O8S-=473.1実施例3:式I-97で表される塩の合成式I-97-aで表される化合物15部とテトラヒドロフラン89部との溶液に、トリエチルアミン10.5部を加え、5°Cで攪拌した。反応混合溶液に式1-97-bで表される化合物東京化成株社製17.9部を加えて5°Cで1時間攪拌した。反応混合溶液を2塩酸水溶液120部の溶液に加え、攪拌した後、酢酸エチル350部で抽出した。抽出された有機層をイオン交換水で洗浄した後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー酢酸エチル:n-ヘプタン=5:1にて精製を行ない、式I-97-cで表される化合物22.9部を得た。式I-97-dで表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式I-97-dで表される塩3.0部とジメチルホルムアミド15部との溶液に、炭酸カリウム0.94部とヨウ化カリウム0.28部とを加えて、40°Cで1時間攪拌した。反応混合溶液に式I-97-cで表される化合物を加えて60°Cで16時間攪拌した。反応混合溶液を室温まで冷却した後、5シュウ酸水溶液45部の溶液に加え、クロロホルム200部で抽出した。抽出された有機層をイオン交換水で洗浄した後、減圧濃縮した。得られた残渣をアセトニトリルと2-メトキシ-2-メチルプロパンとの混合溶液で再結晶し、式I-97で表される塩2.5部を得た。MSESISpectrum:M=263.1C18H15S=263.1MSESI-Spectrum:M-=457.1C20H19F2O8S-=457.1実施例4:式I-140で表される塩の合成式I-140-aで表される化合物10部とテトラヒドロフラン250部との溶液に、n-ブチルリチウム2.7mol/L21.8部を-40°Cで攪拌しながら加えた。反応混合溶液に式1-140-bで表される化合物東京化成株社製11.60部を加えて室温で2時間攪拌した。反応混合溶液にイオン交換水400部を加え、攪拌した後、酢酸エチル800部で抽出した。抽出された有機層をイオン交換水で洗浄した後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー酢酸エチル:n-ヘプタン=5:1にて精製を行ない、式I-140-cで表される化合物14.3部を得た。式I-140-dで表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式I-140-dで表される塩3.0部とジメチルホルムアミド15部との溶液に、炭酸カリウム0.94部とヨウ化カリウム0.28部とを加えて、40°Cで1時間攪拌した。反応混合溶液に式I-140-cで表される化合物を加えて60°Cで16時間攪拌した。反応混合溶液を室温まで冷却した後、5シュウ酸水溶液45部の溶液に加え、クロロホルム200部で抽出した。抽出された有機層をイオン交換水で洗浄した後、減圧濃縮した。得られた残渣をアセトニトリルと2-メトキシ-2-メチルプロパンとの混合溶液で再結晶し、式I-140で表される塩2.3部を得た。MSESISpectrum:M=263.1C18H15S=263.1MSESI-Spectrum:M-=457.1C21H23F2O7S-=457.1合成例:樹脂A1の合成使用したモノマーを下記に示す。以下、これらのモノマーをモノマーA~モノマーCという。モノマーA、モノマーB及びモノマーCを、モル比50:25:25の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1molと3molとの割合で添加し、これを77°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒3:1に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約8.0×103である共重合体を収率60で得た。この共重合体は、次式の各モノマーに由来する繰り返し単位を有するものであり、これを樹脂A1とした。実施例5~8及び比較例1<レジスト組成物の調製>表6に示すように、以下の各成分を混合し、得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。<樹脂>樹脂A1<酸発生剤>酸発生剤B1:酸発生剤I-1:酸発生剤I-97:酸発生剤I-75:酸発生剤I-140:<塩基性化合物>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤1>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150.0部2-ヘプタノン20.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部γ-ブチロラクトン5.0部<レジストパターンの製造及びその評価>12インチのシリコン製ウェハー上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29SR;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ930Åの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が150nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表6のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハーに、液浸露光用ArFエキシマスキャナー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=120、3/4Annularσout/σin=0.9/0.675X-Y偏向]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。露光後、ホットプレート上にて、表6のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。各レジスト膜において、55nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量となる露光量を実効感度とした。ラインウィズスラフネス評価LWR:リソグラフィプロセス後のレジストパターンの線幅を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの線幅のばらつき3σが5.0nm未満であるものを◎、5.0nm以上6.0nm未満であるものを○、6.0nm以上であるものを×とした。結果を表7に示す。焦点深度評価DOF:55nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる実効感度におけるフォーカスマージンを評価した。フォーカスを振った場合、線幅が55nm±2nmの範囲でかつ、LWRが6.0以下になるフォーカス範囲をDOFとし、DOFが120nmを超えるものを○、120nm以下のものを×とした。結果を表8に示す。"