"外部と電磁的に結合するコイルを少なくとも含む回路と、前記コイルの温度を検出する温度検出部と、前記回路のQ値を測定する検知部と、前記温度検出部により検出された温度情報に基づいて、前記検知部が測定したQ値を補正する補正部と、を有する検知装置。補正後のQ値と閾値を比較し、該補正後のQ値が閾値を超えている場合に前記コイルと外部との間に金属異物が存在すると判定する判定部、をさらに備える請求項1に記載の検知装置。前記補正部は、前記温度情報に基づいて閾値を補正し、前記判定部は、前記補正後のQ値が補正後の閾値を超えている場合に前記コイルと外部との間に金属異物が存在すると判定する請求項2に記載の検知装置。前記補正後のQ値は下記式で求められる補正Q値=定常温度Q値×{1-測定温度-定常温度×金属温度係数}請求項1に記載の検知装置。前記補正後の閾値は下記式で求められる補正閾値=定常温度閾値×{1-測定温度-定常温度×金属温度係数}請求項3に記載の検知装置。前記補正後のコイル間効率は補正Q値を用いて下記式で求められる補正コイル間効率値=補正1次側Q値×補正2次側Q値×k/{1√1補正1次側Q値×補正2次側Q値×k}2請求項1に記載の検知装置。結合係数が小さい場合、前記補正後のコイル間効率は下記式で近似される補正コイル間効率値=定常温度コイル間効率値-{0.2×√1次側測定温度×2次側測定温度-定常温度}請求項6に記載の検知装置。前記閾値を保存するメモリを備え、前記判定部は、前記メモリに保存されている閾値を読み出し、前記補正後のQ値と比較する請求項2に記載の検知装置。前記温度検出部により検出された前記コイルの温度が所定値を超えている場合、前記コイルと外部との電磁的な結合を停止させる制御部、を更に有する請求項1に記載の検知装置。前記温度検出部はサーミスタ用いて構成され、前記検知部は、前記温度検出部から前記コイルの温度に応じた電圧値を取得し、該電圧値を用いて前記コイルの温度を検出する請求項1に記載の検知装置。外部から受電するのに用いられるコイルと、前記コイルを少なくとも含む回路と、前記コイルの温度を検出する温度検出部と、前記回路のQ値を測定する検知部と、前記温度検出部により検出された温度情報に基づいて、前記検知部が測定したQ値を補正する補正部と、を有する受電装置。外部へ送電するのに用いられるコイルと、前記コイルを少なくとも含む回路と、前記コイルの温度を検出する温度検出部と、前記回路のQ値を測定する検知部と、前記温度検出部により検出された温度情報に基づいて、前記検知部が測定したQ値を補正する補正部と、を有する送電装置。電力を無線により送電する送電装置と、該送電装置からの電力を受電する受電装置を含んで構成され、前記送電装置又は前記受電装置の少なくとも一方は、外部と電磁的に結合するコイルと、前記コイルを少なくとも含む回路と、前記コイルの温度を検出する温度検出部と、前記回路のQ値を測定する検知部と、前記温度検出部により検出された温度情報に基づいて、前記検知部が測定したQ値を補正する補正部と、を有する非接触電力伝送システム。温度検出部により送電又は受電に使用するコイルの温度を検出することと、検知部により前記コイルを含む回路のQ値を測定することと、前記温度検出部により検出された温度情報に基づいて、前記検知部が測定したQ値を補正することを含む検知方法。しかしながら、特許文献1、2により提案された手法は、受電側の金属筺体の影響が加味されていない。一般的な携帯機器への充電を考えた場合、携帯機器に何らかの金属金属筐体、金属部品等が使われている可能性が高く、パラメータの変化が金属筺体等の影響によるものか、あるいは金属異物が混入したことによるものなのかの切り分けが困難である。特許文献2を例に挙げると、渦電流損が携帯機器の金属筺体で発生しているのか、それとも送電側と受電側との間に金属異物が混入して発生しているのかがわからない。このように、特許文献1,2で提案された手法は、金属異物を精度よく検知できているとは言えない。本開示は、上記の状況を考慮してなされたものであり、送電側と受電側との間に存在する金属異物の検出精度を向上させるものである。本開示の一側面は、検知装置の温度検出部により送電又は受電に使用するコイルの温度を検出し、検知部によりコイルを含む回路のQ値を測定し、温度検出部により検出された温度情報に基づいて、金属異物の検出のために用いるQ値を補正する。本開示の一側面によれば、外部と電磁結合するコイルの温度上昇による抵抗値の変化分だけ当該コイルを含む回路のQ値が補正される。すなわち、コイルの温度コイル温度を、該コイルを含む回路のQ値に反映できる。本開示によれば、外部と電磁結合するコイルの温度コイル温度を、該コイルを含む回路のQ値に反映し、送電側と受電側との間に存在する金属異物の検出精度を向上させることができる。以下に添付図面を参照しながら、本開示を実施するための形態の例について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能又は構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。なお、説明は以下の順序で行うものとする。1.一実施形態温度検出部:コイル温度に基づいてQ値及び閾値を補正する例2.その他検知部:変形例<1.一実施形態>[導入説明]本開示における金属異物検出の技術は、前述のQ値の変化を用いて金属異物を検出する手法である。Q値は、エネルギーの保持と損失の関係を表す指標であり、一般的に共振回路の共振のピークの鋭さ共振の強さを表す値として用いられる。金属異物には、送電側1次側と受電側2次側の間に存在する金属などの導体を指し、導体には、広義の導体すなわち半導体も含まれる。[Q値測定の原理]ここで、Q値測定の原理について、図1を参照して説明する。図1は、非接触電力伝送システムにおいて行われるQ値測定の説明に供する概略回路図である。この図1に示した送電装置10の回路は、Q値の測定原理を表した最も基本的な回路構成磁界結合の場合の一例である。図1は直列共振回路を備える回路を示したものであるが、共振回路の機能を備えていれば詳細な構成は種々の形態が考えられる。この共振回路のQ値測定は、測定器LCRメータでも用いられている手法である。送電装置10の1次側コイル15の近くに金属異物として例えば金属片があると、磁力線が金属片を通過して金属片に渦電流が発生する。これは1次側コイル15からは、金属片と1次側コイル15が電磁的に結合して、1次側コイル15に実抵抗負荷がついたように見え、1次側のQ値を変化させる。このQ値を測定することで、1次側コイル15の近くにある金属異物電磁結合している状態の検知につなげる。送電装置10は、交流信号正弦波を発生させる交流電源12及び抵抗素子13を含む信号源11と、キャパシタコンデンサとも呼ばれる14と、1次側コイル15送電コイル、コイルの一例を備える。抵抗素子13は、交流電源12の内部抵抗出力インピーダンスを図示化したものである。信号源11に対しキャパシタ14と1次側コイル15が直列共振回路共振回路の一例を形成するように接続されている。そして、測定したい周波数において共振するように、キャパシタ14のキャパシタンスの値C値、及び1次側コイル15のインダクタンスの値L値が調整されている。信号源11とキャパシタ14を含む送電部は、負荷変調方式などを利用して1次側コイル15を通じて外部へ非接触で電力を伝送する。直列共振回路を構成する1次側コイル15とキャパシタ14の両端間の電圧をV1共振回路に掛かる電圧の一例、1次側コイル15両端の電圧をV2とすると、直列共振回路のQ値は、式1で表される。rs:周波数fにおける実効抵抗値電圧V1がQ倍されて電圧V2が得られる。1次側コイル15に金属片が近づくと実効抵抗値rsが大きくなり、Q値が下がる。このように金属片が1次側コイル15に近づくと、測定されるQ値電磁結合している状態が多くの場合に減少する方向へ変化するので、この変化を検知することにより、1次側コイル15の近くにある金属片を検知できる。Q値測定の説明において直列共振回路に接続して適用した例を説明したが、共振回路としてその他の共振回路を用いてもよい。図2A,2Bにそれぞれ回路例を示す。図2Aの例では、キャパシタ14Bと1次側コイル15の並列共振回路に対し、キャパシタ14Aを直列に接続して共振回路を構成している。また、図2Bの例では、キャパシタ14Aと1次側コイル15の直列共振回路に対し、キャパシタ14Bを並列に接続して共振回路を構成している。図2A,2Bに示す共振回路に得られる、1次側コイル15及びキャパシタ14A間の電圧V1と、1次側コイル15両端の電圧V2を利用して、Q値を計算する。以上、説明した直列共振回路及びその他の共振回路は、本開示の電磁結合状態検知方法の原理を説明するために例示したのであり、共振回路の構成をこれらの例に限定するものではない。なお、送電装置1次側の共振回路の例を説明したが、この測定原理は受電装置2次側の共振回路にも同様に適用できる。本開示の概要上述したQ値の変化を用いて金属異物を検出することにより、電磁誘導方式又は磁界共鳴方式によらず高精度で異物を取り除くことが可能である。しかしながら、この方法では外部と電磁結合するコイルの温度変化によって検出精度が劣化する可能性がある。一般的にコイルの発熱量はジュールの法則により次式で決まる。すなわち、コイルの抵抗成分に流れる電流量で決まるのである。非接触電力電送システムは2つの装置間で給電及び充電することが目的のため、通信を目的とした無線通信システムと比較して給電時にはるかに大きな電流が流れる。それゆえ非接触電力伝送システムは、他のシステムと比較するとコイルの発熱量が大きくなる傾向にある。図3に、非接触電力電送システムにおけるコイル表面温度コイル温度の測定結果を示す。測定時のコイルの周囲温度は25°C、コイルに流した電流は500mAである。図3より周囲温度が一定の環境下においてもコイルに電流が流れることにより、コイルの温度が使用中に時間の経過に伴い大きく変化することがわかる。コイルの温度が変化すると金属の性質でコイルの抵抗値が変化するという問題がある。表1に主要な金属の温度係数を示す。温度別の数値は抵抗ρ10-8Ωmを表している。温度係数は1°C当たりで金属の抵抗値がどの程度変化するかを示している。例えばコイルに一般的に使用されている銅を例にとると、温度係数が0.00439であるから温度が1°C上がるとコイルの抵抗値が約0.44低下することを示している。すなわち銅のコイルを用いたときにコイル温度の変化量が100°Cであると仮定すると、このコイルの抵抗値は約44低下することになる。次に、コイル温度とコイルのQ値との関連を説明する。一般的にコイルのQ値は上述した式以外にも次式で表わされる。Q値と抵抗値Rは反比例の関係にあり、抵抗値Rが変化するとQ値も変化することになる。すなわち、コイルの温度上昇によって抵抗値Rが変化することによりQ値も大きく変化してしまい、Q値による金属異物検出の精度を損なう恐れがある。実際に、磁性体の有無ごとにコイル温度を変化させて共振回路のQ値を測定した結果を、表2に示す。表2中の各数値は、ある周波数でQ値を測定したときの測定温度ごとの値である。LはコイルのインダクタンスH、QはQ値、Rsはコイルのその周波数における抵抗値を表している。ここで磁性体は、スパイラルコイルの裏面に敷いた所定厚さのフェライト材である。式1にも記載したとおり、Q値は抵抗値Rsによって決まる反比例するパラメータである。よって抵抗値Rsが上昇することはQ値の低下と等価である。表2においても、磁性体の有無に関わらず、抵抗成分の変化上昇に伴いQ値が変化減少しており、Q値の変化要因は確かに抵抗成分が支配的であることがわかる。例えば磁性体なしの場合、-20°Cから60°CまでのQ値の変化分も約32と前述の温度係数とほぼ等しい結果となっている。温度係数約0.4、温度変化80°Cの条件。なお、表2の右側は、温度25°Cのときとその他の温度のときとの各項目の差をパーセントで表したものである。以上の結果より、非接触電力電送システムにおいては多くの電流が流れることによってコイルが発熱し、抵抗値およびQ値が給電中に大きく変化する可能性がある。そのような場合、Q値および渦電流値特許文献2参照等の変化で異物を検出しようとした場合、精度劣化の原因となりうる。そこで、本開示では、外部と電磁結合するコイルの温度コイル温度を、該コイルを含む回路のQ値に反映して金属異物の検査を行うようにする。以下、図4~図7を参照して、コイルを含む回路のQ値にコイル温度を反映するための構成例を説明する。図4は、コイル温度検出機能を備える受電装置2次側の内部構成例を示す概略ブロック図である。本例では、Q値測定時には、Q値検出部38とコイル温度検出部39と異物判定部40により、金属異物の有無を検知する。この受電装置30は、検知装置の一例である。受電装置30は、一例として2次側コイル31と、キャパシタ32,33と、整流部34と、給電部35と、給電制御部36と、負荷変調部37と、Q値検出部38検知部の一例と、コイル温度検出部39温度検出部の一例と、異物判定部40補正部、判定部の一例を備える。受電装置30では、並列接続した2次側コイル31とキャパシタ32の一端が該2次側コイル31と直列接続したキャパシタ33の一端に接続し、共振回路が構成されている。そして、この共振回路が、給電部35に対し、整流部34を介して接続されている。測定したい周波数において共振するように、2次側コイル31のインダクタンスの値L値、及びキャパシタ32,33のキャパシタンスの値C値が調整されている。キャパシタ32,33及び整流部34で構成される受電部は、2次側コイル31を通じて外部から非接触で電力を受電する。2次側コイル31の交流の誘起電圧は、整流部34により直流電圧に変換されて給電部35へ供給される。給電部35は、整流部34での変換で得られた直流電圧の電圧レベルを調整して電源電圧を生成し、負荷35A又は各ブロックへ電力を供給する。負荷35Aは、例えばキャパシタ二次電池あるいは電気信号を処理する電子回路などである。給電制御部36は、給電部35での電源電圧の生成や負荷35A等への電力の供給を制御する。また、給電制御部36は、負荷変調部37の動作を制御する。負荷変調部37は、給電制御部36の制御に従い負荷変調処理を行う。なお、送電装置1次側でQ値を測定してもよいが、測定の際に、受電装置302次側の負荷が変化する条件下では1次側Q値が変化し、誤差となってしまう。そのため2次側の負荷が一定の条件下において、1次側の負荷を計測できることが望ましい。そこで、本例では、直列接続した抵抗素子37Rとスイッチング素子37Tで構成した負荷変調部37を、給電部35の前段に並列に接続している。そして、送電装置がQ値測定中である場合は、給電制御部36が、図示しない通信部を介して送電装置が測定中であるという通知を受信し、スイッチング素子をオンする。抵抗素子37Rの抵抗値を負荷35Aの抵抗値と比較して十分に大きいものとすることにより、負荷35Aの影響を抑えられる。このように、給電部35前段の負荷変調部37を制御することによって、1次側Q値を測定する際に2次側の負荷抵抗値を一定にすることが可能となる。これにより1次側Q値の測定精度を向上させることができる。なお、スイッチング素子37Tには、一例としてパワーMOSトランジスタ等のトランジスタを用いることができる。Q値検出部38は、キャパシタ33の両端の地点における電圧図2Aの電圧V1,V2に相当を検出し、検出結果を異物判定部40へ出力するものである。コイル温度検出部39は、コイル31の温度を検出し、検出結果を異物判定部40へ出力するものである。コイル温度検出部39は、一例としてサーミスタを用いた温度検出回路により実現できる。サーミスタを用いた温度検出回路の一例を、図5に示す。この例では、サーミスタ39Aと抵抗素子39Bが直列接続し、そのうちサーミスタ39A側が電源ラインに接続し、抵抗素子39B側が接地端子に接続している。この温度検出回路に電圧VDDを印加し、このときサーミスタ39Aと抵抗素子39Bの接続中点から出力される電圧Voutを計測する。サーミスタは、図6にサーミスタ特性例を示すように、温度によって抵抗値の変化量が決まっている。そのため、図5の電圧Voutを計測することによってサーミスタ39Aの抵抗値が求められ、サーミスタ39Aの温度を検出することができる。検出結果は、アナログ信号としてコイル温度検出部39から異物判定部40へそのまま出力する構成としてもよいし、コイル温度検出部39でデジタル信号に変換した後、異物判定部40へ出力する構成としてもよい。2次側コイル31の温度を測定するにあたり、図7のサーミスタ実装例に示すように、サーミスタ39Aを2次側コイル31に極力接近させて配置する。今回の測定では、2次側コイル31として例えばリッツ線を巻いたスパイラルコイルを用い、スパイラルコイルの裏面には、所定厚さのフェライト材の磁性体31aが敷いてある。2次側コイル31の一部にサーミスタ39Aを当接させて配置することにより、2次側コイル31の正確な温度を取得するようにしている。本例では、負温度係数NTC:NegativeTemperatureCoefficientの特性を持つNTCサーミスタを用いているがこれに限られない。例えば、正温度係数PTC:PositiveTemperatureCoefficientのPTCサーミスタや、ある温度を超えると急激に抵抗値が減少するCTRCriticalTemperatureResistorサーミスタを使用してもよい。なお、コイルの温度を計測するために本例ではサーミスタを用いた方法を採用したが、気圧を用いて測る方法や赤外線を用いて測る方法等の一般的に知られる他の方法を用いても構わない。図4の受電装置30の内部構成例の説明に戻る。異物判定部40は、コイル温度検出部39において検出されたコイル温度に基づいてQ値検出部38において検出されたQ値を補正し、補正後のQ値と閾値を比較して金属異物の有無を判定する。このとき、閾値についてもコイル温度に基づいて補正することが好適である。そして、金属異物有りと判定した場合、異物判定部40は、給電制御部36に対し給電部35の動作を停止させるための制御信号を送信する。非接触電力伝送システムの構成例次に、本開示の非接触電力伝送システムに係る送電装置1次側及び受電装置2次側の具体的な構成例を説明する。本開示の非接触電力伝送システムは、一例として送電装置と受電装置の両方にQ値検出機能検知部の一例を有し、受電装置にコイル温度検出部を設けている。送電装置の構成例まず、送電装置について説明する。図8は、非接触電力伝送システムに用いられる送電装置の内部構成例を示すブロック図である。図8に示した送電装置10Aは、図1に示した送電装置10の具体的な構成例であり、検知装置の一例でもある。以下、図1との違いを中心に図8を説明する。送電装置10Aは、検知部を構成する要素の一例として、整流部21A,21Bと、アナログ-デジタル変換器以下、ADCという22A,22Bと、メイン制御部23を備えている。検知部を構成する各要素を含む送電装置10Aの各ブロックは、信号源11もしくは図示しないバッテリーから供給される電力により動作する。整流部21Aは、1次側コイル15とキャパシタ14との間から入力される交流信号交流電圧を直流信号直流電圧に変換して出力する。同様に整流部21Bは、信号源11とキャパシタ5の間から入力される交流信号交流電圧を直流信号直流電圧に変換する。変換された各直流信号はそれぞれ、ADC22A,22Bへ入力される。ADC22A,22Bの各々は、整流部21A,21Bから入力されるアナログの直流信号をデジタルの直流信号に変換して、メイン制御部23へ出力する。メイン制御部23は、制御部の一例であり、例えばMPUMicroProcessingUnitから構成され送電装置10A全体の制御を行う。このメイン制御部23は、演算処理部23Aと判定部23Bとしての機能を備える。演算処理部23Aは、所定の演算処理を行うブロックであり、本例では、ADC22A,22Bより入力される直流信号から電圧V1と電圧V2の比、すなわちQ値を計算し、計算の結果を判定部23Bへ出力する。また、演算処理部23Aは、受電側2次側より金属異物の検知に係わる情報電圧値、コイル温度などの物理量を取得し、該情報に基づいて2次側のQ値を計算することもできる。判定部23Bは、演算処理部23Aから入力される計算の結果Q値を、不揮発性のメモリ24に保存されている閾値と比較し、比較の結果に基づいて金属異物が近くにあるか否かを判定する。また、判定部23Bは、上記受電側のQ値と閾値を比較し、金属異物が近くにあるか否かを判定することもできる。メモリ24は、1次側コイル15の近傍に何もない又は1次側コイル15に何も置かれていない状態で予め測定された1次側Q値の閾値RefQ1を保存している。また、1次側と2次側との間の結合係数が保存されている。また、メモリ24に、受電側2次側より取得した2次側Q値の閾値が保存されていてもよい。なお、後述するDC-DC効率コイル間効率を用いて金属異物の検出を行う場合は、メモリ24にコイル間効率の閾値を保存しておく。通信部25は、1次側通信部の一例であり、後述する図9参照受電装置30Aの通信部60との間で通信を行う。例えば受電装置の2次側コイルを含む共振回路のQ値や金属異物の有無の判定結果など、金属異物の検知に係わる情報の送受信を行う。また、メイン制御部23の制御に従い信号源11に交流電圧の発生及び停止を指示したりする。なお、通信部25を介さず、メイン制御部23から信号源11へ直接指示を出すようにしてもよい。受電装置との通信における通信規格としては、例えばIEEE802.11規格の無線LANやBluetooth登録商標等を使用することができる。なお、1次側コイル15と受電装置の2次側コイルを介して情報を伝送する構成としてもよい。入力部26は、ユーザ操作に応じた入力信号を生成し、メイン制御部23に出力する。送電装置10AにQ値検出機能検知部を設けたが、受電装置にQ値検出機能があれば送電装置10Aに必ずしもQ値検出機能を設けなくてよい。受電装置の構成例次に、受電装置について説明する。図9は、非接触電力伝送システムに用いられる受電装置の内部構成例を示すブロック図である。図9に示した受電装置30Aは、図4に示した受電装置30のより具体的な構成例であり、検知装置の一例でもある。本例の受電装置30Aは、給電時とQ値測定時の回路をスイッチングにより切り替える構成としている。以下、図4との違いを中心に図9を説明する。受電装置30Aは、2次側コイル31と、キャパシタ32,33から構成される共振回路と、整流部34を備え、負荷35Aへ電力を供給する構成を有する点は、図4と同じである。キャパシタ33の他端は整流部34の一の入力端に接続し、並列接続した2次側コイル31とキャパシタ32の他端は整流部34の他の入力端に接続している。また、キャパシタ41と第1スイッチ42が直列に接続され、キャパシタ41の一端が整流部34の一の出力端に接続し、第1スイッチ42の一端が整流部34の他の出力端に接続している。そして、整流部34の一の出力端が第2スイッチ43を介して第1レギュレータ52の入力端に接続し、第1レギュレータ52の出力端は負荷35Aに接続し、他方、整流部34の他の出力端がグラウンド端子に接続している。整流部34の一の出力端には、第2レギュレータ53も接続している。第1レギュレータ52は、出力する電圧や電流を常に一定に保つように制御しており、一例として5Vの電圧を負荷35Aへ供給する。同様に第2レギュレータ53は、電圧や電流を一定に保ち、一例として3Vの電圧を各ブロックや各スイッチへ供給する。キャパシタ33の他端は、第3スイッチ54A、抵抗素子72及び増幅器71を介して、交流電源70発振回路と接続している。また、キャパシタ33の他端には、第3スイッチ54Bを介して増幅器55Aの入力端が接続している。一方、キャパシタ33の一端には、第3スイッチ54Cを介して増幅器55Bの入力端が接続している。また並列接続した2次側コイル31とキャパシタ32の他端が、第3スイッチ54Dを介してグラウンド端子に接続している。第1スイッチ42第1切替部の一例,第2スイッチ43第2切替部の一例,第3スイッチ54A~54D第3切替部の一例には、トランジスタやMOSFET等のスイッチング素子が適用される。本例ではMOSFETを用いている。本例では、図4のQ値検出部38検知部に相当する構成の一例として、増幅器55A,55Bと、その後段のエンベロープ検出部56A,56Bと、アナログ-デジタル変換器以下、ADCという57A,57Bと、メイン制御部58演算処理部58A、判定部58Bを備えている。増幅器55Aの出力端は、エンベロープ検出部56Aと接続している。エンベロープ検出部56Aは、キャパシタ33の他端から第3スイッチ54B及び増幅器55Aを経由して入力される交流信号電圧V1に対応の包絡線を検波し、検波信号をADC57Aに供給する。一方、増幅器55Bの出力端は、エンベロープ検出部56Bと接続している。エンベロープ検出部56Bは、キャパシタ33の一端から第3スイッチ54C及び増幅器55Bを経由して入力される交流信号電圧V2に対応の包絡線を検波し、検波信号をADC57Bに供給する。ADC57A,57Bの各々は、エンベロープ検出部56A,56Bから入力されるアナログの検波信号をデジタルの検波信号に変換して、メイン制御部58へ出力する。メイン制御部58は、制御部の一例であり、例えばMPUMicroProcessingUnitから構成され受電装置30A全体の制御を行う。このメイン制御部58は、演算処理部58Aと判定部58Bとしての機能を備える。メイン制御部58は、第2レギュレータ53から供給される電力を利用して各スイッチ例えばMOSFETのゲート端子に駆動信号を供給し、オン/オフを制御する。演算処理部58Aは、図4の異物判定部40を構成する要素の一例として、ADC57A,57Bより入力される検波信号から電圧V1と電圧V2の比、すなわちQ値を計算する。そして、コイル温度検出部39において検出されたコイル温度に基づいてQ値を補正し、補正後のQ値を判定部58Bへ出力する。また、コイル温度に基づいて金属異物の検出に用いる閾値を補正し、メモリ59へ保存する。なお、演算処理部58Aは、設定に応じて、入力された検波信号の情報電圧値などを送電側1次側へ送信することもできる。さらに、金属異物の検知処理のときに周波数スイープ処理を実施するようにしてもよいスイープ処理機能。判定部58Bは、図4の異物判定部40を構成する要素の一例として、演算処理部58Aから入力されるQ値を、不揮発性のメモリ59に保存されている閾値と比較し、比較の結果に基づいて金属異物が近くにあるか否かを判定するブロックである。後述するように、測定した情報を送電装置10Aへ送信し、送電装置10Aで2次側Q値の計算及び金属異物の有無を判定することも可能である。メモリ59は、2次側コイル31の近傍に何もない又は2次側コイル31に何も置かれていない状態で予め測定された、2次側Q値の閾値RefQ2を保存している。またコイル温度に基づいて補正された閾値を保存してもよい。また、1次側と2次側との間の結合係数が保存されている。また、送電側1次側より取得した1次側Q値の閾値が保存されていてもよい。通信部60は、2次側通信部の一例であり、送電装置10Aの通信部25との間で通信を行う。例えば受電装置30Aの2次側コイル31を含む共振回路のQ値や金属異物の有無の判定結果など、金属異物の検知に係わる情報の送受信を行う。通信部60に適用される通信規格は、送電装置10Aの通信部25に適用される通信規格と同様である。なお、2次側コイル31と送電装置10Aの1次側コイル15を介して情報を伝送する構成としてもよい。入力部61は、ユーザ操作に応じた入力信号を生成し、メイン制御部58に出力する。交流電源70は、メイン制御部58の制御信号に基づいてQ値測定時に交流電圧正弦波を発生させ、増幅器71及び抵抗素子72を介してキャパシタ33の他端に供給する。上述のように構成された受電装置30Aの検知部は、3つのスイッチ群、すなわち第1スイッチ42、第2スイッチ43、第3スイッチ群54第3スイッチ54A~54Dのオン/オフが切り替えられることにより制御される。以下、各スイッチの切り替えに注目して受電装置30Aの動作を説明する。まず2次側コイル31により送電装置10Aから受電した電力を、整流部34の後段に設けられたキャパシタ41蓄電部の一例に充電する。キャパシタに充電された電力で動作できる電流値及び時間は、CV=itで決まる。ここで、Cはキャパシタの静電容量、Vはキャパシタの電圧値、iはキャパシタの電流値、tは時間を表す。すなわち10μFのキャパシタにチャージした電圧値が例えば9Vから4Vに変化するとき、50mAの電流を1msec流すことが可能である。キャパシタの静電容量値が大きければより大きな電流を流すか、または電流を流す時間を延ばすことが可能である。ただし、整流部34の後段に静電容量値の大きなキャパシタ41を入れると、受電装置30Aと外部装置との通信の際に不具合が発生することも考えられるため、第1スイッチ42で制御することが望ましい。すなわちQ値測定の際にのみ第1スイッチ42のドレイン-ソース間を導通し、キャパシタ41を電気的に接続することによってその悪影響を無くすようにする。検知部の消費電流がある程度小さい、かつQ値測定の時間が短ければ、送電装置10Aからキャリア信号を止めている間にQ値を測定することは可能である。なお、送電装置10から出力するキャリア信号を止める際Q値測定時には、確実に検知部から負荷を電気的に切り離す必要がある。例えば第2スイッチ43にPチャネルMOSFETを用い、受電装置30Aにキャリア信号が入力するとオフになる制御や、第1レギュレータ52のイネーブル機能を用いて制御すればよい。それ以外のキャパシタ41に充電しているときや、通信部60を通じて通信を行っているときは、検知部から負荷を切り離さなくても問題ない。Q値測定の際には、上述した測定器LCRメータの手法と同じくキャパシタ33の両端の電圧値を測定する。具体的にはキャリア信号を止めたタイミングで第3スイッチ54A~54Dをオンし、交流電源70から出力された正弦波を整流した、キャパシタ33の一端及び他端に検出される2つの電圧波形電圧V1,V2よりQ値を算出する。算出したQ値と予め設定した閾値を比較することにより、金属異物の検知を行う。本例の受電装置30Aは、Q値を測定する都度、キャパシタを充電し、その電力で検知部を駆動することによって、1次側から2次側に給電が行われない場合に、2次側のバッテリーを利用しなくても、Q値の測定を行うことができる。したがって、2次側に異物金属検知のための大型のバッテリーやその電力を制御するための複雑な回路を必要とせず、携帯機器等の小型化や軽量化、コスト削減が期待できる。また、給電時とQ値測定時において第3スイッチ54A~54Dを適宜切り替えることにより、Q値測定に使用する2次側の交流電源が出力する測定用信号正弦波信号と、1次側から給電された給電信号とが干渉することを防止して、精度の高いQ値を計算することができる。Q値補正次に、Q値を補正する手法について説明する。金属異物の検出にQ値を用いる場合、例えば次式によってQ値の補正を行うことが考えられる。補正したQ値を、金属異物の検出に用いることで検出精度を向上させることが可能である。例えば、定常温度25°C、この定常温度でのQ値が80、材質が銅であるコイルを仮定する。このとき測定したコイル温度が100°Cだったならば補正後のQ値は次式で示される。補正Q値=80×{1100―25×4.4×1000}=106.4図10に、補正Q値による金属異物検出のフローチャートを示す。ここでは、受電装置30Aにより金属異物を検出する場合を説明する。まず、メイン制御部58の演算処理部58Aは、コイル温度検出部39より出力された電圧値から2次側コイル31の温度を検出するステップS1。これと並行して、演算処理部58Aは、共振回路のキャパシタ33の両端の地点における電圧V1V2を取得し、Q値を検出するステップS2。そして、演算処理部58Aは、温度情報とQ値情報を用いて補正Q値を算出するステップS3。ここで、コイル温度に応じて閾値を補正し、閾値を適応的に変化させてもよいステップS4。第1の方法として、演算処理部58Aが、Q値のバラツキを考慮して設定したQ値閾値をメモリ59から呼び出し、検出した温度情報を用いて式4に基づき補正Q値閾値を算出する手法が考えられる。式4を閾値の補正に利用する場合、式4の定常温度Q値を定常温度閾値に置き換える。なお、バラツキを考慮するとは、一例を挙げると、想定されるQ値の中央値最大値が80である場合に、80にバラツキ20を掛けた64でスレッショルドを引くといったことである。また、閾値を補正する簡易的な手法としては、メモリ59に閾値テーブルを登録しておき、演算処理部58Aが、算出した温度情報より閾値テーブルから適切な閾値を呼び出す方法などが考えられる。閾値を呼び出す方法としては、例えば温度を所定の間隔例えば5°C間隔で複数区間に区切って一つの区間に一つの閾値を設定し、測定温度が含まれる区間に紐づけて設定した閾値を呼び出すようにする。このような構成とした場合、金属異物検出を行うたびに式4を用いて閾値を補正することなく、コイル温度を基に該当する閾値をメモリ59から呼び出すだけで補正閾値が得られるので、演算処理部58Aの処理負荷を軽減できる。演算処理部58AによりQ値及び閾値が補正された後、判定部58Bは、補正Q値と補正閾値を比較し、補正Q値が補正閾値を超えているか否かを判定するステップS5。その結果、補正Q値が補正閾値を超えていない場合は、2次側コイル31の近傍に金属異物が無いと判定し、補正Q値が補正閾値を超えている場合には、2次側コイル31の近傍に金属異物が有ると判定する。効果上述した実施形態によれば、外部と電磁結合するコイルの温度上昇による抵抗値の変化分だけ当該コイルを含む回路のQ値を補正するので、Q値を用いた金属異物の検出精度が向上する。また、コイルの温度に追従してQ値だけでなく目標スレッショルドを変更することもできるため、Q値を用いた金属異物の検出精度がさらに向上する。これはQ値を用いた金属異物の検出だけではなく、効率を用いた検出手法や変調度合いの変化を見る手法においても同様に精度を向上させることが可能である。さらに、本開示のコイル温度に応じてQ値を補正する手法は、ワイヤレス給電の方式電磁誘導方式又は磁界共鳴方式によらず活用することができ、かつ大電力の用途においてはさらなる効果が期待できる。[変形例1]本開示のQ値補正に関する手法は、DC-DC効率を用いて金属異物を検出する手法にも同様に応用が可能である。DC-DC効率は、コイル間効率に整流等の回路効率が積算されて決定される。DC-DC効率=送電側回路効率×受電側回路効率×コイル間効率各回路効率は、主に半導体のON抵抗に流れる電流等で電力を損失することにより発生する。例えば、送電側回路効率80、受電側回路効率80、コイル間効率90の場合、DC-DC効率は0.8×0.8×0.9=57.6となる。ここで、コイル間効率理論最大値ηは、下記の式5で示されることが知られている。Sは以下の式で表される。Qは非接触電力伝送システム全体のQ値、Q1は1次側のQ値、Q2は2次側のQ値を示す。すなわち磁界共鳴方式において、コイル間効率ηは、1次側コイルと2次側コイルの電磁結合の度合いである結合係数kと、それぞれ無負荷の共振回路のQ値である1次側のQ値Q1と、2次側のQ値Q2から理論的に一意に求められる。このように、DC-DC効率は、1次側コイル及び2次側コイルのQ値と相関がある。図11に、複数の結合係数におけるQ値とコイル間効率の関係例を示す。図11より、例えば結合係数kが0.05のときに、トータルのQ値が100から50に変化した場合、コイル間効率は約65から約45に変化する。この変化率はDC-DC効率にそのまま影響するため、Q値閾値を補正することによりDC-DC効率による金属異物検出手法においても検出精度を向上させることが可能となる。具体的な補正方法としては、コイル間効率を求めるための式7をそのまま利用した式8によりコイル間効率の補正値を求める。式8中に補正1次側Q値及び補正2次側Q値とあるように、DC-DC効率コイル間効率を用いて金属異物の検出を行う場合、送電装置10Aに受電側のコイル温度検出部39を設ける必要がある。また、送電装置10Aのメイン制御部23演算処理部23Aに、受電装置30Aのメイン制御部58演算処理部58AのようなQ値補正機能及び閾値補正機能を付与する。上記構成とすることにより、送電装置10Aにてコイル温度に基づく1次側Q値の補正を行うとともに、送電装置10Aの通信部25は、受電装置30Aの通信部60より補正2次側Q値を受信する。そして、式8に従って、コイル間効率を補正し、補正後のコイル間効率を用いて金属異物の検出を行う。また、コイル温度に基づいて、メモリ24に保存してある補正コイル間効率の閾値を補正するとよい。なお、上記では、受電装置30Aから送電装置10Aへ補正2次側Q値を送信し、送電装置10Aにて補正コイル間効率を求めているが、その逆でもよい。つまり、送電装置10Aから受電装置30Aへ補正1次側Q値を送信し、受電装置30Aにてコイル間効率及びその閾値を補正するようにしてもよい。あるいは、受電装置30Aから送電装置10Aへ測定データ電圧V1V2、2次側コイルの温度を送る。送電装置10Aは、受信した電圧V1V2から受電装置30Aの2次側Q値を算出し、この2次側Q値を受信したコイル温度に応じて補正し、補正2次側Q値を得る。そして、補正1次側Q値と補正2次側Q値を用いて、コイル間効率を補正する。逆に、送電装置10Aから受電装置30Aへ測定データ電圧V1V2、1次側コイルの温度を送り、受電装置30Aにて1次側Q値、補正1次側Q値、及び補正コイル間効率を算出するようにしてもよい。このように、測定データ電圧V1V2、送信元のコイルの温度を送信し、送信先において送信元の補正Q値を算出したり、補正コイル間効率を算出したりすることにより、送信元の処理負荷を軽減できる。あるいは、1次側及び2次側の各々のQ値の積に対する閾値を受電装置30Aのメモリ59又は送電装置10Aのメモリ24に格納しておき、必要に応じて呼び出す方法が考えられる。さらに、結合係数の値によっては簡易な近次式で補正する手法が考えられる。図12に、結合係数0.01におけるQ値とコイル間効率との関係例、及び近似した1次式を示す。図11に示したように、結合係数kが0.01以下になると、トータルQ値とコイル間効率の関係は線形に近づく。すなわち、簡易な1次式で補正することも可能である。図12に示す1次式は結合係数0.01における近次式の例であって、y=0.19x-1.86である。例えば、式9に示すような簡易な式で補正を行っても検出精度の向上が見込める。定常コイル間効率とは、定常温度におけるコイル間効率である。補正式については演算量との兼ね合いであり、補正式が複雑なほど演算に必要なハードウェアにかかる負荷が大きくなる。すなわち補正に関しては、式8のを用いて正確な値を算出してもよいし、式9を用いて演算量を削減してもよい。あるいは、メモリ59に、例えば式9に基づいて補正コイル間効率値と各測定温度等とを対応づけたテーブルを持っておくだけでもよい。[変形例2]本開示のQ値補正に関する手法は、給電又は充電処理に対する強制終了処理にも応用が可能である。すなわち、コイル温度が異常な場合に強制終了する機能を検知装置に付加する。図13は、本開示の一実施形態に係るコイル異常温度検出機能が付加された非接触電力伝送システムのフローチャートである。まずコイル温度に閾値X値を設定し、メイン制御部58の判定部58Bは、コイル温度がその閾値を超えているかどうかを判定するステップS11。コイル温度がその閾値を超えている場合は、無条件に給電もしくは充電を終了する。コイル温度が閾値以上であるときは、コイルに異常な電流が流れている可能性があるためである。本機能が受電装置にあれば、受電装置の充電を停止するか、通信部を通じて送電装置にコイル温度の異常を通知して給電を停止させる。次に、コイルの温度が閾値以下であることを確認した後、上記式4に従ってコイル温度に基づくQ値の補正を行い、補正Q値により金属異物の検出を行うステップS12。ステップS12の判定処理において、金属異物がある場合は、給電もしくは充電を終了する。一方、金属異物がない場合には、送電装置による給電及び受電装置による充電を行うステップS13。そして、所定時間間隔で受電装置は満充電かどうかを判定するステップS14。満充電である場合は、一連の処理を終了する。一方、満充電でない場合は、ステップS11の判定処理に戻り、コイル温度が閾値以下であるかを確認し、確認結果に応じて上述のステップS12~S14の処理を繰り返す。このように、コイル温度が一定値以下であることを確認した後、前述のコイル温度による補正Q値を使って金属異物を検出するので、より安全な非接触電力伝送システムを確立できる。<2.その他>第1例上述の一実施形態例では、送電装置10Aの検知部演算処理部23A及び受電装置30Aの検知部演算処理部58Aは、共振回路のコイルとキャパシタ間の電圧V1、コイル両端の電圧V2からQ値を求めているが、半値幅法によりQ値を求めてもよい。半値幅法では、直列共振回路を構成した場合において、図14のグラフに示すように共振周波数f0でのインピーダンスZpeakの絶対値に対して√2倍のインピーダンスとなる帯域周波数f1~f2より、下記の式10で求められる。また、並列共振回路を構成した場合では、図15のグラフに示すように共振周波数f0でのインピーダンスZpeakの絶対値に対して1/√2倍のインピーダンスとなる帯域周波数f1~f2より、式10で求められる。第2例本例は、一実施形態例と異なり、演算処理部23A,58Aが、共振回路のインピーダンスの実部成分と虚部成分の比からQ値を計算する例である。本例では、自動平衡ブリッジ回路及びベクトル比検出器を用いてインピーダンスの実部成分と虚部成分を求める。図16は、インピーダンスの実部成分と虚部成分の比からQ値を計算するための自動平衡ブリッジの回路図である。図16に示す自動平衡ブリッジ回路80は一般によく知られた反転増幅回路と同様の構成である。反転増幅器83の反転入力端子-にコイル82を接続し、非反転入力端子をグラウンドに接続する。そして帰還抵抗素子84によって反転増幅器83の出力端子より反転入力端子-に負帰還をかける。また、コイル82に交流信号を入力する交流電源81の出力電圧V1と、反転増幅器83の出力電圧V2をベクトル比検出器85に入力する。コイル82は、図1,図8の1次側コイル15又は図4、図9の2次側コイル31に対応する。この自動平衡ブリッジ回路80は、負帰還の作用によって常に反転入力端子-の電圧がゼロになるように動作する。また、交流電源81にからコイル82に流れた電流は、反転増幅器83の入力インピーダンスが大きいことから、ほぼ全てが帰還抵抗素子84に流れ込む。その結果、コイル82にかかる電圧は交流電源81の電圧V1と同じになると共に、反転増幅器83の出力電圧はコイル82を流れる電流Iと帰還抵抗値Rsの積になる。この帰還抵抗値Rsは、既知のリファレンス抵抗値である。したがって、電圧V1と電圧V2を検出してその比をとればインピーダンスが求まる。ベクトル比検出器85は、電圧V1と電圧V2を複素数として求めるため、交流電源81の位相情報一点鎖線を利用する。本例では、このような自動平衡ブリッジ回路80及びベクトル比検出器85などを用いて共振回路のインピーダンスZLの実部成分RL、虚部成分XLを求め、その比からQ値を求める。下記の式11及び式12は、Q値を求める過程を表した計算式である。なお、上述した一実施形態例では、磁界共鳴方式の非接触電力伝送システムを想定して説明をした。しかし、既述したように、本開示は、磁界共鳴方式に限定されるものではなく、結合係数kを高くしてQ値を低く抑えた電磁誘導方式にも適用可能である。また、一実施形態では、受電装置にコイル温度検出部を設けていたが、送電装置にコイル温度検出部を設け、送電装置のメイン制御部23が該コイル温度検出部により検出された温度情報に基づいて、測定したQ値もしくは閾値を補正するようにしてもよい。また、一実施形態例では、送電装置10Aは送電機能のみ、また受電装置30Aは受電機能のみを有する構成として説明したが、これに限られない。例えば送電装置10Aが受電機能を有し、1次側コイル15を通じて外部から電力を受電できるようにしてもよいし、逆に受電装置30Aが送電機能を有し、2次側コイル31を通じて外部へ電力を送電できるようにしてもよい。また、一実施形態では、受電装置30Aのキャパシタ41図9参照に充電した小電力を使用してQ値測定を行う例としているが、給電時とQ値測定時の間で共振回路の構成が切り替えられればよいから、バッテリーの電力を使用してQ値測定を行う構成としてもよい。この場合はキャパシタ41が必要なくなる。また、一実施形態例では、共振周波数におけるQ値を測定しているが、Q値を測定する周波数は共振周波数と必ずしも一致していなくてもよい。共振周波数から許容できる範囲にずれた周波数を用いてQ値を測定した場合でも、本開示の技術を利用することにより、送電側と受電側との間に存在する金属異物の検出精度を向上させることは可能である。また、1次側コイル又は2次側コイルに、金属などの導体が近づくことでQ値だけでなく、L値が変化し共振周波数がずれることになるが、そのL値の変化による共振周波数のずれ量とQ値を併用して、電磁結合している状態を検知してもよい。また、1次側コイルと2次側コイル間に金属異物が挟まれたときに結合係数k値も変化するが、電磁結合している状態を検知するのに、結合係数k値とQ値の変化を併用してもよい。また、一実施形態例では、1次側コイル及び2次側コイルとしてコアを有していないコイルの例を説明したが、磁性体を有したコアに巻きつけられた構造のコイルを採用してもよい。さらにまた、本開示の一実施形態例では、2次側の携帯機器に携帯電話機を適用した例を説明したが、この例に限定されることなく、携帯音楽プレーヤ、デジタルスチルカメラ等、電力を必要とする種々の機器に適用できる。なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。1外部と電磁的に結合するコイルを少なくとも含む回路と、前記コイルの温度を検出する温度検出部と、前記回路のQ値を測定する検知部と、前記温度検出部により検出された温度情報に基づいて、前記検知部が測定したQ値を補正する補正部と、を有する検知装置。2補正後のQ値と閾値を比較し、該補正後のQ値が閾値を超えている場合に前記コイルと外部との間に金属異物が存在すると判定する判定部、をさらに備える前記1に記載の検知装置。3前記補正部は、前記温度情報に基づいて閾値を補正し、前記判定部は、前記補正後のQ値が補正後の閾値を超えている場合に前記コイルと外部との間に金属異物が存在すると判定する前記2に記載の検知装置。4前記補正後のQ値は下記式で求められる補正Q値=定常温度Q値×{1-測定温度-定常温度×金属温度係数}前記1~3のいずれかに記載の検知装置。5前記補正後の閾値は下記式で求められる補正閾値=定常温度閾値×{1-測定温度-定常温度×金属温度係数}前記1~3のいずれかに記載の検知装置。6前記補正後のコイル間効率は補正Q値を用いて下記式で求められる補正コイル間効率値=補正1次側Q値×補正2次側Q値×k/{1√1補正1次側Q値×補正2次側Q値×k}2前記1~5のいずれかに記載の検知装置。7結合係数が小さい場合、前記補正後のコイル間効率は下記式で近似される補正コイル間効率値=定常温度コイル間効率値-{0.2×√1次側測定温度×2次側測定温度-定常温度}前記6に記載の検知装置。8前記閾値を保存するメモリを備え、前記判定部は、前記メモリに保存されている閾値を読み出し、前記補正後のQ値と比較する前記2~7のいずれかに記載の検知装置。9前記温度検出部により検出された前記コイルの温度が所定値を超えている場合、前記コイルと外部との電磁的な結合を停止させる制御部、を更に有する前記1~8のいずれかに記載の検知装置。10前記温度検出部はサーミスタ用いて構成され、前記検知部は、前記温度検出部から前記コイルの温度に応じた電圧値を取得し、該電圧値を用いて前記コイルの温度を検出する前記1~9のいずれかに記載の検知装置。11外部から受電するのに用いられるコイルと、前記コイルを少なくとも含む回路と、前記コイルの温度を検出する温度検出部と、前記回路のQ値を測定する検知部と、前記温度検出部により検出された温度情報に基づいて、前記検知部が測定したQ値を補正する補正部と、を有する受電装置。12外部へ送電するのに用いられるコイルと、前記コイルを少なくとも含む回路と、前記コイルの温度を検出する温度検出部と、前記回路のQ値を測定する検知部と、前記温度検出部により検出された温度情報に基づいて、前記検知部が測定したQ値を補正する補正部と、を有する送電装置。13電力を無線により送電する送電装置と、該送電装置からの電力を受電する受電装置を含んで構成され、前記送電装置又は前記受電装置の少なくとも一方は、外部と電磁的に結合するコイルと、前記コイルを少なくとも含む回路と、前記コイルの温度を検出する温度検出部と、前記回路のQ値を測定する検知部と、前記温度検出部により検出された温度情報に基づいて、前記検知部が測定したQ値を補正する補正部と、を有する非接触電力伝送システム。14温度検出部により送電又は受電に使用するコイルの温度を検出することと、検知部により前記コイルを含む回路のQ値を測定することと、前記温度検出部により検出された温度情報に基づいて、前記検知部が測定したQ値を補正することを含む検知方法。なお、上述した一実施形態例における一連の処理は、ハードウェアにより実行することができるが、一部をソフトウェアにより実行させることもできる。一連の処理の一部をソフトウェアにより実行させる場合には、そのソフトウェアを構成するプログラムが専用のハードウェアに組み込まれているコンピュータ、または、各種の機能を実行するためのプログラムをインストールしたコンピュータにより、実行可能である。例えば汎用のパーソナルコンピュータなどに所望のソフトウェアを構成するプログラムをインストールして実行させればよい。また、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記録媒体を、システムあるいは装置に供給してもよい。また、そのシステムあるいは装置のコンピュータまたはCPU等の制御装置が記録媒体メモリ等に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても、機能が実現されることは言うまでもない。この場合のプログラムコードを供給するための記録媒体としては、例えば、フレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、CD-ROM、CD-R、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROMなどを用いることができる。また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した実施の形態の機能が実現される。加えて、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているOSなどが実際の処理の一部又は全部を行う。その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。また、本明細書において、時系列的な処理を記述する処理ステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理例えば、並列処理あるいはオブジェクトによる処理をも含むものである。以上、本開示は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された要旨を逸脱しない限りにおいて、その他種々の変形例、応用例を取り得ることは勿論である。すなわち、上述した各実施形態の例は、本開示の好適な具体例であるため、技術的に好ましい種々の限定が付されている。しかしながら、本開示の技術範囲は、各説明において特に本開示を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。例えば、以下の説明で挙げる使用材料とその使用量、処理時間、処理順序および各パラメータの数値的条件等は好適例に過ぎず、また説明に用いた各図における寸法、形状および配置関係も概略的なものである。"