"硫黄原子を含む有機基をゲルマニウム原子と結合する基として含む、ポリゲルマン化合物。硫黄原子を含む有機基が式[1]で表される基である、請求項1に記載のポリゲルマン化合物。-L-Z[1]式中、Lは単結合、炭素原子数1乃至6のアルキレン基、又は炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数4乃至20のアリーレン基を表し、Zは炭素原子数1乃至20のスルフィド基、炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数1乃至14の環状スルフィド基、スルフィド結合を含む炭素原子数2乃至20のアルキル基、又はスルフィド結合を含む炭素原子数5乃至20のアラルキル基を表す。ただしLが単結合を表し、同時にZが炭素原子数1乃至20のスルフィド基を表すことはない。前記Zが炭素原子数1乃至20のスルフィド基を表す、請求項2に記載のポリゲルマン化合物。前記Zが炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数1乃至4の5員環の環状スルフィド基を表す、請求項2に記載のポリゲルマン化合物。前記Lが炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよいチエニレン基を表す、請求項2に記載のポリゲルマン化合物。アルカリ金属又はアルカリ土類金属と、ゲルマニウム四ハロゲン化物とを反応させ、更にそれに式[2]で表される硫黄原子を含むハロゲン化物を反応させて得られる、式[1]で表される硫黄原子を含む有機基をゲルマニウム原子と結合する基として含む、ポリゲルマン化合物。-L-Z[1]X-L-Z[2]式中、Lは単結合、炭素原子数1乃至6のアルキレン基、又は炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数4乃至20のアリーレン基を表し、Zは炭素原子数1乃至20のスルフィド基、炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数1乃至14の環状スルフィド基、スルフィド結合を含む炭素原子数2乃至20のアルキル基、又はスルフィド結合を含む炭素原子数5乃至20のアラルキル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。ただしLが単結合を表し、同時にZが炭素原子数1乃至20のスルフィド基を表すことはない。前記Zが炭素原子数1乃至20のスルフィド基を表す、請求項6に記載のポリゲルマン化合物。前記Zが炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数1乃至4の5員環の環状スルフィド基を表す、請求項6に記載のポリゲルマン化合物。前記Lが炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよいチエニレン基を表す、請求項6に記載のポリゲルマン化合物。請求項1乃至9の何れか一項に記載のポリゲルマン化合物を含むワニス。請求項1乃至9の何れか一項に記載のポリゲルマン化合物からなる薄膜。請求項1乃至9の何れか一項に記載のポリゲルマン化合物、並びに熱可塑性樹脂及び/又は硬化性樹脂を含む、樹脂組成物。請求項12に記載の樹脂組成物から作られる、樹脂成形体。しかし、特許文献3に記載の膜は熱安定性が低いため、加熱処理後又は高温条件での使用時に屈折率が低下してしまうという問題があった。本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、非常に高い屈折率、及び高温においても屈折率が低下しない熱安定性を有する膜を形成する、硫黄原子を含む有機基をゲルマニウム原子と結合する基として含む、ポリゲルマン化合物を提供することを目的とする。また、本発明は、樹脂と混合した際に凝集しない、優れた分散性を有する、硫黄原子を含む有機基をゲルマニウム原子と結合する基として含む、ポリゲルマン化合物、並びに該ポリゲルマン化合物を含有する樹脂組成物及びそれから作られる屈折率の向上した透明性の高い樹脂を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、硫黄原子を含む有機基をゲルマニウム原子と結合する基として含むポリゲルマン化合物からなる薄膜が、高屈折率を有し、かつ加熱処理後又は高温条件での使用時にも屈折率が低下しないという耐熱性を有することを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、第1観点として、硫黄原子を含む有機基をゲルマニウム原子と結合する基として含む、ポリゲルマン化合物に関する。第2観点として硫黄原子を含む有機基が式[1]で表される基である、第1観点に記載のポリゲルマン化合物に関する。-L-Z[1]式中、Lは単結合、炭素原子数1乃至6のアルキレン基、又は炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数4乃至20のアリーレン基を表し、Zは炭素原子数1乃至20のスルフィド基、炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数1乃至14の環状スルフィド基、スルフィド結合を含む炭素原子数2乃至20のアルキル基、又はスルフィド結合を含む炭素原子数5乃至20のアラルキル基を表す。ただしLが単結合を表し、同時にZが炭素原子数1乃至20のスルフィド基を表すことはない。第3観点として、前記Zが炭素原子数1乃至20のスルフィド基を表す、第2観点に記載のポリゲルマン化合物に関する。第4観点として、前記Zが炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数1乃至4の5員環の環状スルフィド基を表す、第2観点に記載のポリゲルマン化合物に関する。第5観点として、前記Lが炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよいチエニレン基を表す、第2観点に記載のポリゲルマン化合物に関する。第6観点として、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と、ゲルマニウム四ハロゲン化物とを反応させ、更にそれに式[2]で表される硫黄原子を含むハロゲン化物を反応させて得られる、式[1]で表される硫黄原子を含む有機基をゲルマニウム原子と結合する基として含む、ポリゲルマン化合物に関する。-L-Z[1]X-L-Z[2]式中、Lは単結合、炭素原子数1乃至6のアルキレン基、又は炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数4乃至20のアリーレン基を表し、Zは炭素原子数1乃至20のスルフィド基、炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数1乃至14の環状スルフィド基、スルフィド結合を含む炭素原子数2乃至20のアルキル基、又はスルフィド結合を含む炭素原子数5乃至20のアラルキル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。ただしLが単結合を表し、同時にZが炭素原子数1乃至20のスルフィド基を表すことはない。第7観点として前記Zが炭素原子数1乃至20のスルフィド基を表す、第6観点に記載のポリゲルマン化合物に関する。第8観点として、前記Zが炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数1乃至4の5員環の環状スルフィド基を表す、第6観点に記載のポリゲルマン化合物に関する。第9観点として、前記Lが炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよいチエニレン基を表す、第6観点に記載のポリゲルマン化合物に関する。第10観点として、第1観点乃至第9観点の何れか一項に記載のポリゲルマン化合物を含むワニスに関する。第11観点として第1観点乃至第9観点の何れか一項に記載のポリゲルマン化合物からなる薄膜に関する。第12観点として、第1観点乃至第9観点の何れか一項に記載のポリゲルマン化合物、並びに熱可塑性樹脂及び/又は硬化性樹脂を含む、樹脂組成物に関する。第13観点として、第12観点に記載の樹脂組成物から作られる、樹脂成形体に関する。本発明の硫黄原子を含む有機基をゲルマニウム原子と結合する基として含むポリゲルマン化合物からなる薄膜は透明性を有し、更に従来のポリゲルマン化合物からなる薄膜より高い屈折率及び加熱処理後又は高温条件下での使用においても屈折率の低下の少ない熱安定性を有する。また、本発明の硫黄原子を含む有機基をゲルマニウム原子と結合する基として含むポリゲルマン化合物は、樹脂に対して優れた分散性を有するため、樹脂と混合した際に凝集を起こさず、且つ、それを含む樹脂組成物から得られる樹脂は高い透明性、屈折率及び熱安定性を有する。そのため、本発明のポリゲルマン化合物からなる薄膜、及び本発明のポリゲルマン化合物を含む樹脂は、マイクロレンズ等の光学材料、光導波路のコア材料、高密度な光電子デバイス用材料及び大容量記録材料などへ利用できる。以下、本発明について更に詳しく説明する。<ポリゲルマン化合物>本発明のポリゲルマン化合物とはGe-Ge結合を主鎖とする高分子である。本発明のポリゲルマン化合物は、直鎖構造又は分岐構造のどちらでもよいが、分岐構造を有するのが好ましい。また、下記式[1]で表される基と結合したゲルマニウム原子を含む。-L-Z[1]式[1]中、Lは単結合、炭素原子数1乃至6のアルキレン基、又は炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数4乃至20のアリーレン基を表す。式[1]中、Zは炭素原子数1乃至20のスルフィド基、炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数1乃至14の環状スルフィド基、スルフィド結合を含む炭素原子数2乃至20のアルキル基、又はスルフィド結合を含む炭素原子数5乃至20のアラルキル基を表す。ただし、式[1]中、Lが単結合を表し、同時にZが炭素原子数1乃至20のスルフィド基を表すことはない。前記Lにおける炭素原子数1乃至6のアルキレン基としては、直鎖、分岐及び環構造の何れの構造の基でもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ジメチルメチレン基、メチルエチレン基、ジメチルエチレン基、ジメチルプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロヘキシレン基等が挙げられる。前記Lにおける炭素原子数4乃至20のアリーレン基としては、芳香族化合物の二価の置換基であり、例えば、ベンゼン、ビフェニル、o-テルフェニル、m-テルフェニル、p-テルフェニル、フルオレン、ナフタレン、1-フェニルナフタレン、2-フェニルナフタレン、アントラセン、ピレン、フラン、ベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン等の二価の置換基が挙げられる。前記Lにおける炭素原子数4乃至20のアリーレン基を置換しても良い炭素原子数1乃至6のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロブチル基、n-ペンチル基、2-メチルブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、sec-イソアミル基、tert-ペンチル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、1-メチルペンチル基、イソヘキシル基、ネオヘキシル基、2,3-ジメチルブチル基、1,1,2-トリメチルプロピル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。前記Lとしては、単結合、フェニレン基、チエニレン基が好ましい。前記Zにおける、炭素原子数1乃至20のスルフィド基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロプロピルチオ基、n-ブチルチオ基、イソブチルチオ基、sec-ブチルチオ基、tert-ブチルチオ基、シクロブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチオ基、イソペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、sec-イソアミルチオ基、tert-ペンチルチオ基、シクロペンチルチオ基、n-ヘキシルチオ基、1-メチルペンチルチオ基、イソヘキシルチオ基、ネオヘキシルチオ基、2,3-ジメチルブチルチオ基、1,1,2-トリメチルプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ウンデシルチオ基、ドデシルチオ基、イコシルチオ基、アダマンチルチオ基、ベンジルチオ基、フェネチルチオ基、1-ナフチルメチルチオ基、2-ナフチルメチルチオ基、2-チエニルメチルチオ基、3-チエニルメチルチオ基、フェニルチオ基、1-ナフチルチオ基、2-ナフチルチオ基、2-チエニルチオ基、3-チエニルチオ基等が挙げられる。前記Zにおける、炭素原子数1乃至14の環状スルフィド基としては、例えば環を構成する原子に硫黄原子を含む、単環式、縮合環式、多環式及び架橋環式の環状構造を有する置換基が挙げられる。環状構造を有する置換基としては例えば、チイラニル基、ジチイラニル基、チエタニル基、1,2-ジチエタニル基、1,3-ジチエタニル基、トリチエタニル基、2-チオラニル基、3-チオラニル基、1,2-ジチオラニル基、1,3-ジチオラニル基、1,2,3-トリチオラニル基、1,2,4-トリチオラニル基、テトラチオラニル基、チアニル基、1,2-ジチアニル基、1,3-ジチアニル基、1,4-ジチアニル基、1,2,3-トリチアニル基、1,2,4-トリチアニル基、1,3,5-トリチアニル基、1,2,3,4-テトラチアニル基、1,2,4,5-テトラチアニル基、ペンタチアニル基、チエパニル基、1,2-ジチエパニル基、1,3-ジチエパニル基、1,4-ジチエパニル基、1,2,3-トリチエパニル基、1,2,4-トリチエパニル基、1,2,5-トリチエパニル基、1,3,5-トリチエパニル基、1,2,3,4-テトラチエパニル基、1,2,3,5-テトラチエパニル基、1,2,4,5-テトラチエパニル基、1,2,4,6-テトラチエパニル基、1,2,3,4,5-ペンタチエパニル基、1,2,3,4,6-ペンタチエパニル基、1,2,3,5,6-ペンタチエパニル基、ヘキサチエパニル基、2-チエニル基、3-チエニル基、2-ベンゾチエニル基、3-ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基等が挙げられる。前記Zにおける、炭素原子数1乃至14の環状スルフィド基を置換しても良い炭素原子数1乃至6のアルキル基としては、上記の炭素原子数4乃至20のアリーレン基を置換しても良い炭素原子数1乃至6のアルキル基と同じである。前記Zにおける、スルフィド結合を含む炭素原子数2乃至20のアルキル基としては、例えば、メチルチオメチル基、エチルチオメチル基、n-プロピルチオメチル基、イソプロピルチオメチル基、シクロプロピルチオメチル基、n-ブチルチオメチル基、イソブチルチオメチル基、sec-ブチルチオメチル基、tert-ブチルチオメチル基、シクロブチルチオメチル基、n-ペンチルチオメチル基、2-メチルブチルチオメチル基、イソペンチルチオメチル基、ネオペンチルチオメチル基、sec-イソアミルチオメチル基、tert-ペンチルチオメチル基、シクロペンチルチオメチル基、n-ヘキシルチオメチル基、1-メチルペンチルチオメチル基、イソヘキシルチオメチル基、ネオヘキシルチオメチル基、2,3-ジメチルブチルチオメチル基、1,1,2-トリメチルプロピルチオメチル基、シクロヘキシルチオメチル基、アダマンチルチオメチル基、メチルチオメチルチオメチル基、エチルチオメチルチオメチル基、メチルチオメチルチオメチルチオメチル基、エチルチオメチルチオメチルチオメチル基、2-エチルチオエチル基、2-2-メチルチオエチルチオエチル基、2-2-エチルチオエチルチオエチル基、2-2-プロピルチオエチルチオエチル基、2-2-2-エチルチオエチルチオエチルチオエチル基等が挙げられる。前記Zにおける、スルフィド結合を含む炭素原子数5乃至20のアラルキル基としては、例えば、フェニルチオメチル基、1-ナフチルチオメチル基、2-ナフチルチオメチル基、2-チエニルチオメチル基、3-チエニルチオメチル基、ベンジルチオメチル基、フェネチルチオメチル基、1-ナフチルメチルチオメチル基、2-ナフチルメチルチオメチル基、2-チエニルメチルチオメチル基、3-チエニルメチルチオメチル基等が挙げられる。前記Zとしては、スルフィド基及び環状スルフィド基が好ましい。特に炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基及び5員環の環状スルフィド基が好ましく、ことさらにメチルチオ基、2-チエニル基及び5-メチル-2-チエニル基が好ましい。前記L及び前記Zの組み合わせとしては、Lは単結合を表し、且つ、Zが炭素原子数1乃至14の環状スルフィド基、好ましくは芳香族である環状スルフィド基を表す組み合わせ、及びLが炭素原子数1乃至6のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数4乃至20のアリーレン基、好ましくはフェニレン基又はチエニレン基を表し、且つ、Zが炭素原子数1乃至20のスルフィド基を表す組み合わせが好ましい。前記-L-Z基としては、-L-Z基中の、ゲルマニウム原子と結合する原子が環構造、より好ましくは芳香族環構造を構成する原子である、硫黄原子を含む有機基が好ましい。<ポリゲルマン化合物の製造方法>本発明の硫黄原子を含む有機基をゲルマニウム原子と結合する基として含むポリゲルマン化合物の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ金属又はアルカリ土類金属存在下でゲルマニウムハロゲン化物を反応させ、更に硫黄原子を含むハロゲン化物を反応させる方法が挙げられる。上記原料として用いられるゲルマニウムハロゲン化物としては、ゲルマニウム四ハロゲン化物、ゲルマニウム三ハロゲン化物、ゲルマニウム二ハロゲン化物を用いることができる。ゲルマニウムハロゲン化物は1種類を単独で使用してもよく、あるいは2種類以上を混合して使用することもできる。結合数の観点から、四フッ化ゲルマニウム、四塩化ゲルマニウム、四臭化ゲルマニウム、及び四ヨウ化ゲルマニウムのゲルマニウム四ハロゲン化物が好ましく、特に反応制御とコストの観点からゲルマニウム四塩化物が好ましい。上記ゲルマニウムハロゲン化物をアルカリ金属又はアルカリ土類金属存在下で反応させることにより、Ge-Ge結合を有するポリゲルマンを得ることができる。ここで使用するアルカリ金属としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム等が挙げられ、アルカリ土類金属としては、例えばベリリウム、マグネシウム、カルシウム等が挙げられる。ハンドリング性の観点からマグネシウムを使用するのが好ましい。使用するアルカリ金属又はアルカリ土類金属の量は特に限定されないが、ゲルマニウムハロゲン化物に対して、2乃至8モル当量で使用することが好ましい。次に得られたポリゲルマンの末端をハロゲンから硫黄原子を含む有機基に置換する。この置換反応は、例えば、アルカリ金属又はアルカリ土類金属存在下、ハロゲン末端を有するポリゲルマン化合物と硫黄原子を含むハロゲン化物を反応させることによって行う。反応に使用する硫黄原子を含むハロゲン化物は下記式[2]で表される化合物が挙げられる。X-L-Z[2]式[2]中、Xはハロゲン原子を表し、L及びZは上記で定義した通りである。式[2]中のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。特に、反応制御の観点から臭素原子が好ましい。反応に使用する式[2]で表される硫黄原子を含むハロゲン化物の量は特に限定されないが、ゲルマニウム四ハロゲン化物に対し、0.5乃至4モル当量であることが好ましい。また、反応に用いる溶媒としては、反応に影響を及ぼさない限りにおいて各種の溶媒類が使用できる。使用できる溶媒としては、例えば、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらの溶媒は単独で用いても良いし、必要に応じて2種以上の混合溶媒として用いても良い。反応に用いる溶媒量は反応物を溶解できれば特に限定されないが、ゲルマニウム四ハロゲン化物の質量に対して、3乃至30倍量であることが好ましい。3倍量より少ないと、副生する無機塩により反応系が固体化し反応が進行しにくくなり、30倍量を超えると過度の希釈により反応性が著しく低下する場合がある。反応時の温度は10°C以上、溶媒の沸点以下であることが好ましい。これより低温では反応速度が著しく低下する。反応時間は使用する原料、特に硫黄原子を含むハロゲン化物によって異なるが、概ね3乃至24時間であることが好ましい。また、必要に応じて反応を活性化する活性化剤を添加しても良い。活性化剤としては、臭素、ヨウ素等のハロゲン分子、ジブロモエタン、ジヨードエタン等のハロゲン化アルキルなどが挙げられる。また活性化剤の量は、特に限定されないが、前記アルカリ金属及びアルカリ土類金属に対し0.5モル当量以下であることが好ましい。反応後得られた生成物の精製方法としては、特に限定されないが、再沈殿による精製が好ましい。<ポリゲルマン化合物を含むワニス>本発明のポリゲルマン化合物は溶媒に溶解させてワニスとして用いることができる。ワニスに用いられる溶媒としては、ポリゲルマン化合物を凝集することなく分散させることができればよく、例えば、ジエチルオキサラート、エチルアセトアセタート、酢酸エチル、酢酸イソブチル、酪酸エチル、乳酸エチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、4-ブチロラクトン等のエステル系溶媒、エチルメチルケトン、イソブチルメチルケトン、2-ヘキサノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート等のプロピレングリコール系溶媒、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセタート等のセロソルブ系溶媒、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等のエーテル系溶媒、エタノール、イソプロパノール、イソペンチルアルコール等のアルコール系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2-ジクロロエタン、トリクロロエチレン等のハロゲン化炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらの溶媒は単独で用いても良いし、必要に応じて2種以上の混合溶媒として用いても良い。また、反応終了後の溶液をそのままポリゲルマン化合物を単離することなくワニスとしても良い。その際、上記溶媒を更に添加することも可能である。本発明で得られるワニスにおいて、ワニス全質量中のポリゲルマン化合物の濃度が1乃至50質量が好ましく、さらに好ましくは5乃至30質量である。<ポリゲルマン化合物からなる薄膜>本発明のポリゲルマン化合物からなる薄膜は、上記のポリゲルマン化合物を含むワニスを基材に塗布し、その後必要に応じて乾燥することで得ることができる。ワニスを塗布する基材としては、例えばポリカーボネート、ポリメタクリレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル、メラミン、トリアセチルセルロース、ABS、AS、ノルボルネン系樹脂等のプラスチック、金属、ガラス、セラミックス、シリコンなどが挙げられる。ワニスの基材への塗布方法は周知の方法でよく、例えば、ロールコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、フローコート法、バーコート法、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ドクターブレード法、ラングミュア-ブロジェット法等が挙げられる。これらの塗布方法の中から、生産性、膜厚のコントロール性、歩留まり等のバランスを考慮して、最適な塗布方法を決定することができる。また、乾燥温度は限定されないが、40乃至150°Cであることが好ましい。これらの温度の中から、溶媒種、溶媒量、生産性等を考慮して、最適な乾燥温度を決定することができる。本発明のポリゲルマン化合物からなる薄膜は、屈折率が高く、加熱処理後又は高温条件での使用の際に屈折率の低下が小さいという熱安定性を有する。<樹脂組成物>本発明はまた、上記ポリゲルマン化合物と熱可塑性樹脂及び/又は硬化性樹脂との組成物にも関する。本発明において、熱可塑性樹脂とは、ガラス転移温度または融点まで加熱することによって軟らかくなり、目的の形に成形できる樹脂又は該樹脂の混合物をいい、任意の添加剤を適宜含有しうる。また、本発明において、硬化性樹脂とは、加熱により重合を起こして高分子の網目構造を形成する熱硬化性樹脂、光照射により重合を起こして高分子の網目構造を形成する光硬化性樹脂、及びこれら樹脂の混合物を指し、架橋剤、開始剤等の添加剤を含みうる。上記ポリゲルマン化合物と混合して用いられる樹脂の具体例としては、特に限定されるものではないが、例えば、熱可塑性樹脂としては、PEポリエチレン、PPポリプロピレン、EVAエチレン-酢酸ビニル共重合体、EEAエチレン-アクリル酸エチル共重合体等のポリオレフィン系樹脂、PSポリスチレン、HIPSハイインパクトポリスチレン、ASアクリロニトリル-スチレン共重合体、ABSアクリロニトリル-ブタジエン-スチレン共重合体、MSメタクリル酸メチル-スチレン共重合体等のポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、PMMAポリメチルメタクリレート等のメタアクリル樹脂、PETポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、PLAポリ乳酸、ポリ-3-ヒドロキシ酪酸、ポリカプロラクトン、ポリブチレンサクシネート、ポリエチレンサクシネート/アジペート等のポリエステル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリグルコール酸、変性でんぷん、酢酸セルロース、三酢酸セルロース、キチン、キトサン、リグニンなどが挙げられる。硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等の熱硬化性樹脂、アクリル樹脂、エポキシアクリル樹脂、シリコン樹脂等の光硬化性樹脂などが挙げられる。上記樹脂と、本発明のポリゲルマン化合物を混合し、樹脂組成物が得られる。得られた樹脂を基材等に塗布し硬化させることで、ポリゲルマン化合物を含む硬化膜が形成される。本発明の樹脂組成物中の樹脂の量は、特に限定されるものではないが、ポリゲルマン化合物100質量部に対して、1~10,000質量部の範囲で使用することが好ましく、1~1,000質量部の範囲がより好ましい。樹脂組成物中のポリゲルマン化合物と樹脂の混合比率の調節により、形成される樹脂の屈折率、熱安定性及び透明度を適宜調節することができる。本発明ポリゲルマン化合物と混合する樹脂としては、制限はないが、例えば光学材料として透明性、高屈折率及び耐熱性を求められる樹脂、例えば、メタアクリル樹脂等が挙げられる。前記メタアクリル樹脂との組成物の場合、メタアクリレート化合物と前記のポリゲルマン化合物を混合し、該メタアクリレート化合物を重合させることにより得ることができる。メタアクリル樹脂に用いるメタアクリレート化合物の例としては、メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、エチレングリコールジメタアクリレート、テトラエチレングリコールジメタアクリレート、ポリエチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、ポリプロピレングリコールジメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリオキシエチルメタアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタアクリレート、トリシクロデカニルジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリオキシプロピルメタアクリレート、トリス-2-ヒドロキシエチルイソシアヌレートトリメタアクリレート、トリス-2-ヒドロキシエチルイソシアヌレートジメタアクリレート、1,9-ノナンジオールジメタアクリレート、ペンタエリトリトールジメタアクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリトリトールトリメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、メタアクリル酸アリル、メタアクリル酸ビニル、エポキシメタアクリレート、ポリエステルメタアクリレート、ウレタンメタアクリレート等が挙げられる。これらのメタアクリレート化合物の重合は、必要に応じて光ラジカル開始剤あるいは熱ラジカル開始剤の存在下、光照射又は加熱により行うことができる。光ラジカル重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ミヒラーズケトン類、アミロキシムエステル、テトラメチルチウラムモノサルファイド、チオキサントン類等が挙げられる。特に、光開裂型の光ラジカル重合開始剤が好ましい。光開裂型の光ラジカル重合開始剤については、最新UV硬化技術159頁、発行人:高薄一弘、発行所:株技術情報協会、1991年発行に記載されている。市販の光ラジカル重合開始剤としては、例えば、BASF社製商品名:イルガキュア184、369、651、500、819、907、784、2959、CGI1700、CGI1750、CGI1850、CG24-61、ダロキュア1116、1173、ルシリンTPO;UCB社製商品名:ユベクリルP36;フラテツリランベルティ社製商品名:エザキュアーKIP150、KIP65LT、KIP100F、KT37、KT55、KTO46、KIP75/B等を挙げることができる。使用する光重合開始剤の量は、メタアクリレート化合物100質量部に対して、15質量部以下の範囲で使用することが好ましく、より好ましくは10質量部以下の範囲である。熱ラジカル重合開始剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、アセチルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、メチルエチルケトンペルオキシド、シクロヘキサノンペルオキシド、過酸化水素、tert-ブチルヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド、ジtert-ブチルペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ジラウロイルペルオキシド、tert-ブチルペルオキシアセテート、tert-ブチルペルオキシピバラート、tertブチルペルオキシ-2-エチルヘキサノエート等の過酸化物類、2,2 ́-アゾビスイソブチロニトリル、2,2 ́-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、1-フェニルエチルアゾジフェニルメタン、2,2 ́-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2 ́-アゾビスイソブチラート、2,2 ́-アゾビス2-メチルブチロニトリル、1,1 ́-アゾビス1-シクロヘキサンカルボニトリル、2-カルバモイルアゾイソブチロニトリル、2,2 ́-アゾビス2,4,4-トリメチルペンタン、2-フェニルアゾ-2,4-ジメチル-4-メトキシバレロニトリル、2,2 ́-アゾビス2-メチルプロパン等のアゾ系化合物類、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩類などが挙げられる。使用する熱重合開始剤の量は、メタアクリレート化合物100質量部に対して、15質部以下の範囲で使用することが好ましく、より好ましくは10質量部以下の範囲である。<樹脂成形体>本発明の樹脂成形体は、上記のポリゲルマン化合物を含む樹脂組成物を、従来からの一般的な樹脂成形法に従い、成形することで得られる。具体的には、樹脂として熱可塑性樹脂を含む樹脂組成物の場合、それを加熱により溶融もしくは軟化させ、又は硬化性樹脂を含む樹脂組成物の場合、その成形体を、熱又は光照射により熱硬化又は光硬化することにより得られる。とりわけ、本発明の樹脂組成物は、上記ポリゲルマン化合物の含有により、高い熱安定性を有するため、上述の加熱又は硬化処理を行ったとしても、高い屈折率及び透明性が維持された樹脂成形体が得られる。さらに、本発明の樹脂成形体は、ポリゲルマン化合物の含有により、高温条件下で使用したとしても高い屈折率及び透明性が維持される。以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、実施例で用いた各測定装置は以下のとおりである。[1HNMR]機種:日本電子株製JNM-ECX300測定溶媒:CDCl3基準物質:テトラメチルシラン0.00ppm[GPC]装置:東ソー株製HLC-8200GPCカラム:Shodex登録商標KF-804LKF-805Lリファレンスカラム:Shodex登録商標GPCKF-800RH×2本カラム温度:40°C検出器:RI溶離液:テトラヒドロフランカラム流速:1.0mL/分リファレンスカラム流速:1.0mL/分[スピンコーター]機種:ミカサ株製1H-D7[エリプソメーター]機種:ジェーエーウーラムジャパン株製高速分光エリプソメトリーM2000-VI[プリズムカプラ]機種:メトリコン社製MODEL2010[実施例1]<2-チエニル基置換ポリゲルマン化合物の合成>窒素雰囲気下、100mL四口フラスコに粉末マグネシウム[関東化学株製]1.8g75mmol及びテトラヒドロフラン以下、THFと略す40gを加えた後、ジブロモエタン[東京化成工業株製]3.5g19mmolを滴下し、室温およそ25°Cで10分間撹拌した。次いでこの反応液へ、四塩化ゲルマニウム[ヤマナカヒューテック株製]4.0g19mmol及びTHF12gの混合物を滴下し、室温およそ25°Cで30分間撹拌した。この反応液へ、2-ブロモチオフェン[東京化成工業株製]4.7g28mmol及びTHF2gの混合物をさらに滴下した。室温およそ25°Cで18時間撹拌後、反応溶液をメタノール200gに加え再沈殿させ、析出した固体を濾取した。得られた固体を80gのトルエンに溶解させ、濾過により不溶物を除去した。濾液の溶媒を留去した後、得られた残渣を4gのクロロホルムに再溶解させ、メタノール100gに加え再度再沈殿させた。析出した固体を濾取することで、目的物である2-チエニル基置換ポリゲルマン化合物以下、PGe-Thと略す1.0gを得た。得られたPGe-Thの1HNMRスペクトルの測定結果を図1に示す。GPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは800、分散度:Mw重量平均分子量/Mn数平均分子量は1.14であった。[実施例2]<5-メチルチオフェン-2-イル基置換ポリゲルマン化合物の合成>実施例1において、2-ブロモチオフェンを2-ブロモ-5-メチルチオフェン[東京化成工業株製]5.0g28mmolに変更した以外は同様の操作を行い、5-メチルチオフェン-2-イル基置換ポリゲルマン化合物以下、PGe-ThMと略す1.3gを得た。得られたPGe-ThMの1HNMRスペクトルの測定結果を図2に示す。GPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは900、分散度:Mw重量平均分子量/Mn数平均分子量は1.18であった。[実施例3]<p-チオアニシル基置換ポリゲルマン化合物の合成>実施例1において、2-ブロモチオフェンを、4-ブロモチオアニソール[東京化成工業株製]5.7g28mmolに変更した以外は同様の操作を行い、p-チオアニシル基置換ポリゲルマン化合物以下、PGe-Taと略す3.3gを得た。得られたPGe-Taの1HNMRスペクトルの測定結果を図3に示す。GPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは1,300、分散度:Mw重量平均分子量/Mn数平均分子量は1.21であった。[比較例1]<フェニル基置換ポリゲルマン化合物の合成>実施例1において、2-ブロモチオフェンを、ブロモベンゼン[東京化成工業株製]6.0g28mmolに変更した以外は同様の操作を行い、フェニル基置換ポリゲルマン化合物以下、PGe-Phと略す1.2gを得た。得られたPGe-Phの1HNMRスペクトルの測定結果を図4に示す。GPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは900、分散度:Mw重量平均分子量/Mn数平均分子量は1.13であった。[実施例4]<ポリゲルマン化合物の耐熱性試験>実施例1乃至3、及び比較例1において合成したポリゲルマン化合物を、それぞれトルエンに溶解させ、ポリゲルマン化合物濃度が3質量のワニスを調製した。このワニスをガラス基板上にスピンコート法1,500rpm、30秒によって塗布した。この塗布膜を、80°Cのホットプレートで10分間プリベークすることで薄膜中の溶媒を除去し、それぞれの薄膜を得た。各薄膜を200°Cのホットプレートで加熱し、加熱前、加熱1分後、及び加熱5分後の各薄膜の波長633nmにおける屈折率をエリプソメーターにより測定した。それぞれの薄膜の加熱前の膜厚及び加熱による屈折率変化率を表1に示す。なお、屈折率変化率は次式により求めた。屈折率変化率=加熱前屈折率-加熱5分後屈折率÷加熱前屈折率×100表1の結果より、実施例1乃至3のポリゲルマン化合物からなる薄膜の加熱前後の屈折率変化率は、比較例1のポリゲルマン化合物からなる薄膜の加熱前後における屈折率変化率より小さく、本発明の優位性が確認された。[実施例5]<ポリゲルマン化合物含有アクリル樹脂膜の作製>実施例1及び2、並びに比較例1において合成したポリゲルマン化合物0.15gを、それぞれ重合性アクリレート化合物であるトリシクロデカンジメタノールジアクリレート[新中村化学工業株製、商品名:A-DCP]0.35g、及びトルエン2mLと混合した。得られた混合溶液のトルエンをエバポレーターにより留去した後、過酸化物系熱ラジカル重合開始剤カヤエステルO-50E商品名[化薬アグゾ株製]0.007gを加え撹拌することで、ポリゲルマン化合物とA-DCPの樹脂組成物ポリゲルマン化合物:A-DCP=30:70質量比を調製した。調製した樹脂組成物を、それぞれスライドガラス中央に滴下し、上からスライドガラスを被せた後、120°Cのホットプレートで10分間加熱し、樹脂組成物を熱硬化熱重合させた。室温およそ25°Cに冷却後、上部のスライドガラスを剥離することで、スライドガラス上にポリゲルマン化合物含有アクリル樹脂膜熱硬化膜を作製した。また、A-DCP0.50gとカヤエステルO-50E0.010gを混合した、ポリゲルマン化合物を含まない樹脂組成物を調製し、同様の操作によりポリゲルマン化合物を含まないアクリル樹脂膜熱硬化膜を作製した。各熱硬化膜を200°Cのホットプレートで加熱し、加熱前、加熱5分後の各薄膜の波長633nmにおける屈折率をプリズムカプラにより測定した。それぞれの熱硬化膜の加熱前の膜厚及び加熱による屈折率変化率を表2に示す。なお、屈折率変化率は実施例4と同様の計算により求めた。表2の結果より、実施例1及び実施例2のポリゲルマン化合物を含むアクリル樹脂膜熱硬化膜の加熱前後の屈折率変化率は、比較例1のポリゲルマン化合物を含むアクリル樹脂膜熱硬化膜の加熱前後の屈折率変化率より小さく、本発明の優位性が確認された。また、実施例1及び2のポリゲルマン化合物を含有させることで、アクリル樹脂膜の屈折率を上昇させ得ることが確認された。"