"複数の異形の絶縁基板を平坦な放熱板に半田付けして、前記絶縁基板側に凸状の湾曲を前記放熱板に形成する工程と、前記の凸状の湾曲を反転した凹状の第1の湾曲を取得する工程と、半田付け後の放熱板の凹状の湾曲を設定し、該湾曲の底部が前記の絶縁基板同士の間の隙間に位置し、前記絶縁基板側に凹状となる第2の湾曲を設定する工程と、前記第1の湾曲と前記第2の湾曲を加算して前記絶縁基板側に凹状の第3の湾曲を算出する工程と、平板に前記第3の湾曲を形成して半田付け前の放熱板を形成する工程と、を含むことを特徴とした半導体モジュール用放熱板の製造方法。請求の範囲第1項に記載の半導体モジュール用放熱板の製造方法で製造された半導体モジュール用放熱板において、前記第3の湾曲の底部が前記異形の絶縁基板の内面積の大きい方の絶縁基板の下側に位置し、前記絶縁基板の内面積の小さい方の絶縁基板の下側に位置する放熱板の曲率が大きい方の絶縁基板の下側に位置する放熱板の曲率より小さいことを特徴とする半導体モジュール用放熱板。請求の範囲第2項に記載の半導体モジュール用放熱板を用いて製造した半導体モジュールにおいて、該半導体モジュールを構成する放熱板の湾曲が、前記絶縁基板側に凹状の湾曲になり、該凹状の湾曲の底部が前記絶縁基板同士の間の隙間に位置することを特徴とする半導体モジュール。前記放熱板の材質が、銅または銅合金であることを特徴とする請求の範囲第2項記載の半導体モジュール用放熱板。前記絶縁基板を構成する絶縁板の材質が、アルミナ、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素であることを特徴とする請求の範囲第3項記載の半導体モジュール。前記した図10において、放熱板51に半田付けされる絶縁基板56が同形で左右対称に配置される場合には、半田付けにより放熱板51は左右対称で中心が絶縁基板56側に凸状になるように反る。そのため、この湾曲を相殺する凹状の湾曲69もその底部69aを放熱板の中心に位置させるため、放熱板51に形成する凹状の湾曲69の管理は放熱板51の中心の深さで管理すればよく、管理が簡便にできる。つぎに、左右異形の絶縁基板を放熱板に半田付けした場合について説明する。図12は、左右異形の絶縁基板を放熱板に半田付けした場合の模式断面図である。左右異形の絶縁基板81,82を平坦な状態の放熱板83に半田84で固着すると、半田付けした後の絶縁基板81,82側に凸状の湾曲85が左右で異なる。そのため、これを相殺するため、左右別々の曲率R3,R4を有する凹状の湾曲86を放熱板83に予め形成する必要がある。この湾曲86を有する放熱板83に絶縁基板81,82を半田付けすると、底部87aが絶縁基板82の下側に位置する凹状の湾曲87を有する放熱板83に変形する。このように凹状の湾曲86を形成する方法では、曲率が左右で異なる曲率R3,R4の湾曲の接続位置が中心からずれ不明瞭となり、湾曲86の管理が困難になる。また、左右異形な絶縁基板81,82の凸状の湾曲85に対応してそれを相殺する左右で別々の曲率R3,R4を有する湾曲86を放熱板83に形成する必要があり、湾曲の管理が複雑になる。図13は、図12の放熱板を冷却フィンに固定する前後の模式図であり、同図aは固定前の図、同図bは固定後の図である。図中の符号92は締め付け穴である。図13aに示すように、剛性が大きいリジッドな絶縁基板82の下側に凹状の湾曲87の底部87aが位置するため、剛性が弱い、絶縁基板同士の間の隙間88に応力が集中して図13bに示すように半田84にクラック89および絶縁基板を構成するセラミックの割れ図示せずが発生し易くなる。また、絶縁基板81,82同士の間で絶縁基板82の端部が持ち上げられて放熱板83と冷却フィン90の間91に隙間が発生じ易くなる。前記の特許文献1において、放熱板73全体の湾曲を考慮しないで、個々の絶縁基板71,72に対応して湾曲を形成するため、放熱板73全体の反り変形が大きくなる可能性がある。初期反り付けが大きいと、組立時に絶縁基板71,72上に搭載する半導体チップがずれやすくなったり、絶縁基板71,72と放熱板73との間の半田にボイドが発生しやすいなどの問題が生じやすくなる。さらに、絶縁基板71,72同士の間の隙間75に放熱板73の凹状の湾曲の底部が位置するようには意識的にしていないので、図13で説明したように、剛性が大きいリジッドな絶縁基板72の下側に凹状の湾曲の底部が位置する場合がある。そうすると、剛性の弱い絶縁基板71,72同士の間の隙間75に応力が集中して、絶縁基板72と放熱板73を固着する半田にクラックが発生し易くなる。また、絶縁基板71,72同士の間の隙間75で絶縁基板72の端部が持ち上げられて放熱板73と冷却フィンの間に隙間が発生し易くなる。また、前記の特許文献2において、前記の不具合を防止するために、異形の絶縁基板を放熱板に半田付けする場合に、半田付けする前の放熱板に形成する湾曲初期反り付けの底部が絶縁基板同士の間の隙間に位置させることについては記載されていない。この発明の目的は、前記の課題を解決して、異形の絶縁基板、例えば面積の異なる複数の絶縁基板、面積が同じで外形の異なる複数の絶縁基板や、面積も外形も異なる複数の絶縁基板を放熱板に半田付けする場合に、半田付け前の放熱板に形成する湾曲初期反り付けの管理が容易にでき、半田に入るクラックを防止でき、さらに、放熱板と冷却フィンの間の隙間を小さくできる半導体モジュール用放熱板の製造方法、その放熱板およびその放熱板を用いた半導体モジュールを提供することにある。前記の目的を達成するために、請求の範囲の第1項に記載の発明によれば、複数の異形の絶縁基板を平坦な放熱板に半田付けして、前記絶縁基板側に凸状の湾曲を前記放熱板に形成する工程と、前記の凸状の湾曲を反転した凹状の第1の湾曲を取得する工程と、半田付け後の放熱板の凹状の湾曲を設定し、該湾曲の底部が前記の絶縁基板同士の間の隙間に位置し、前記絶縁基板側に凹状となる第2の湾曲を設定する工程と、前記第1の湾曲と前記第2の湾曲を加算して前記絶縁基板側に凹状の第3の湾曲を算出する工程と、平板に前記第3の湾曲を形成して半田付け前の放熱板を形成する工程と、を含む半導体モジュール用放熱板の製造方法とする。また、請求の範囲の第2項記載の発明によれば、第1項に記載の半導体モジュール用放熱板の製造方法で製造された半導体モジュール用放熱板において、前記第3の湾曲の底部が前記異形の絶縁基板の内面積の大きい方の絶縁基板の下側に位置し、前記絶縁基板の内面積の小さい方の絶縁基板の下側に位置する放熱板の曲率が大きい方の絶縁基板の下側に位置する放熱板の曲率より小さいとよい。また、請求の範囲の第3項記載の発明によれば、第2項に記載の半導体モジュール用放熱板を用いて製造した半導体モジュールにおいて、該半導体モジュールを構成する放熱板の湾曲が、前記絶縁基板側に凹状の湾曲になり、該凹状の湾曲の底部が前記絶縁基板同士の間の隙間に位置するとよい。また、請求の範囲の第4項に記載の発明によれば、第2項に記載の発明において、前記放熱板の材質が、銅または銅合金であるとよい。また、請求の範囲の第5項に記載の発明によれば、第3項に記載の発明において、前記絶縁基板を構成する絶縁板の材質が、アルミナ、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素であるとよい。この発明によれば、異形の絶縁基板を放熱板に半田付けする場合に、放熱板に予め絶縁基板側が凹状となる第3の湾曲を形成する。この第3の湾曲は、平坦な放熱板に異形の絶縁基板を半田付けしたときの凸状の湾曲を上下逆転させた凹状の第2の湾曲に、異形の絶縁基板を放熱板に実際に半田付けしたときに想定される凹状の第2の湾曲を加えて決定される。この第3の湾曲の底部は大きな絶縁基板の下側に位置し、この底部と放熱板の締め付けに基づいて決められる基準点との距離が広い側の曲率を狭い側の曲率より小さくする。放熱板の凹部の底部の位置を絶縁基板同士の間に位置させることで、放熱板を冷却フィンに取り付けた場合に、半田にクラックが入らず、また、放熱板と放熱フィンの間の隙間を小さくすることができて、放熱性の向上を図ることができる。また、第3の湾曲は、実測から求めた第1の湾曲と設定した第2の湾曲から算出されるので、第3の湾曲の管理は、従来の場合ほど複雑でなく、容易である。本発明の上記および他の目的、特徴および利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。実施の形態を以下の実施例で説明する。図1は、この発明の第1実施例の半導体モジュール用放熱板の製造方法であり、同図a~同図dは工程順に示した要部製造工程断面図である。2枚の異形の絶縁基板を放熱板に半田付けした場合を例として示す。尚、最上段の図は異形の2枚の絶縁基板1,2と放熱板3の配置を示す図である。以下の説明において、各放熱板には符号3を統一して付与した。先ず、データ取得用の平坦な放熱板と面積の異なる異形の2枚の絶縁基板1,2とを用意し、絶縁基板1,2を放熱板の一方の面の所定の位置に半田付けして、同図aに示すように、絶縁基板1,2側に凸状に形成された頂点4aを有する放熱板3の凸状の湾曲4を測定する。ここでは絶縁基板1,2、放熱板3ともに平面視した形状は長方形であり、絶縁基板1,2は、それぞれの1辺が放熱板3の長辺に平行になるように配置されている。凸状の湾曲4の頂点4aは大きな絶縁基板2の下側に位置し、この頂点4aと小さな絶縁基板1側にある基準点5aとの距離L11は大きな絶縁基板2側にある基準点5bとの距離L21よりも広くなる。尚、凸状の湾曲4の測定は、図2に示すように、放熱板3の裏面15側で、放熱板3の周囲に形成された締め付け穴5の中心を結んだ直線Y方向と湾曲の底部を通るX方向の直線の交点を測定の基準点5a,5bとし、この基準点5a,5bを結んだX-X線上を図示しない測定器のプローブで走査し、深さプロファイルを取得して行った。以下に説明する各湾曲の場合も同様である。つぎに、同図bに示すように、同図aの測定した凸状の湾曲4に対して、上下を逆にした凹状の湾曲湾曲4をX-X線もしくは基準点5a,5bを含むX-Y平面に関して反転した凹状の湾曲を第1の湾曲6として取得する。この第1の湾曲6の底部6aは大きな絶縁基板2の下側に位置する。この第1の湾曲6の底部6aと基準点5a,5bとの間隔が広い方L11の曲率R11は、間隔が狭い方L21の曲率R21に比べて小さくなる。つまり曲率R11曲線が緩やか<曲率R21曲線が急峻になる。つぎに、同図cに示すように、絶縁基板1,2を所定の位置に半田付けしたときに実現したい放熱板3の凹状の湾曲を規定する。この規定された凹状の湾曲を第2の湾曲7として設定する。この場合、第2の湾曲7の底部7aを2枚の絶縁基板1,2同士の間の隙間8に位置させ、絶縁基板1,2側に凹状になるように第2の湾曲7を規定する。この第2の湾曲7が実際に異形の絶縁基板1,2を放熱板に半田付けしたときの第3の湾曲11の湾曲にほぼ一致する。3枚以上の多数の絶縁基板を放熱板に半田付けするときは第2の湾曲7の底部7aを放熱板3の中心近傍にある絶縁基板1,2等の間の隙間に位置させるとよい。また、第2の湾曲7の底部7aと基準点5a,5bの間を点線で示すように2本の直線9,10とする場合もある。このときは、面で表すと第2の平面となる。しかし、この2本の直線9,10より上方へ凸状に湾曲させると、放熱板3を冷却フィンに固定するときに隙間が発生するのでそれは避けなければならない。第2の湾曲7を2本の直線9,10とした場合は、同図dで示す第3の湾曲11で曲率R1<曲率R2の関係はさらに際立ってくる。つぎに、同図dに示すように、第1の湾曲6のプロファイルに第2の湾曲7のプロファイルを重ね合わせ、加算して凹状の第3の湾曲11のプロファイルを算出して決める。この第3の湾曲11の底部11aの位置は第1の湾曲6の底部6a近傍にある。この第3の湾曲11は半田付けしたときに絶縁基板1,2側に凸状に湾曲するのを相殺してさらに凹状の第2の湾曲7にするための形状である。この第3の湾曲11が半田付け前の放熱板3の湾曲となる初期反り付け。この第3の湾曲11において底部11aと基準点5a,5bとの間隔が広い方L1の曲率R1は、間隔が狭い方L2の曲率R2に比べて小さくなる。つまり曲率R1曲線が緩やか<曲率R2曲線が急峻になる。また、第3の湾曲11の底部11aの位置は、第1の湾曲6の底部6aの位置にほぼ一致する。この第3の湾曲11を有する放熱板3に異形の絶縁基板1,2を所定の位置で半田付けすると、第2の湾曲7に近い第4の湾曲21図5参照を有する放熱板3になる。この放熱板3が半導体モジュールを構成する放熱板となる。前記は一次元に単純化して説明したが、実際は二次元的に凹状の湾曲を測定して第1、第2、第3の湾曲6,7,11を得る。前記したように、本発明では、第3の湾曲11の形状を放熱板3の全体の湾曲から決めているため、特許文献1のように各絶縁基板毎に個別に湾曲を決めてそれらの湾曲を合わせて全体の湾曲が決まる場合に比べて、湾曲11が大きくなり過ぎて、放熱板3を冷却フィン33に固定したときに、絶縁基板1,2と放熱板3の間の半田にクラックが発生することを防止できる。また、第3の湾曲11の管理は、前記したように、実験で求めた第1の湾曲6と設定した第2の湾曲7から導きだされるので、従来の場合ほど複雑ではなく、また容易にできる。図3は、この発明の第2実施例の半導体モジュール用放熱板の構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。図1dではX方向の湾曲のみを示したが、本実施例では第1実施例の製造方法を面に拡張し、同様の手法で、Y方向の湾曲も測定し図3aに示すような二次元の湾曲を得る。この二次元の湾曲の底部11aは第3の湾曲11の底部11aと同じである。ここでは第3の湾曲11を二次元の湾曲にも用いることにする。図中の符号16は第3の湾曲の等高線を示す。図3に示す凹状の第3の湾曲11が形成された放熱板3において、第3の湾曲11の底部11aは前記の第1の湾曲6の底部6a近傍に位置し、基準点5a,5bとこの湾曲の底部11aの間の間隔が広い方L1の湾曲の曲率R1は狭い方L2の湾曲の曲率R2より小さいR1<R2。これは図1bの第1の湾曲6において、凹状の底部6aと基準点5a,5bの間隔が広い方L11の湾曲の曲率R11が、狭い方L21の湾曲の曲率R21より小さくなることも起因している。図4は、図3で示す放熱板を製造する具体的な方法を説明した図で、同図aは平板を金型に挟んだ図、同図bは金型でプレスした後の放熱板の図である。前記の第3の湾曲11を有する凹金型17と凸金型18を作り、この凹凸の金型17,18で銅や銅合金の平板19を挟んでプレスすることで、第3の湾曲11を有する放熱板を製造する。この放熱板3の周囲には締め付け穴5が形成される。この締め付け穴5同士の中心を結ぶ直線は第3の湾曲11の曲率R1,R2を測定するための基準点5a,5b図2、図3を参照のことを決めるために必要になる。図5は、この発明の第3実施例の半導体モジュールの要部断面図であり、同図aは全体図、同図bは同図aの放熱板の裏面の湾曲を示した図である。この半導体モジュール100に用いられている放熱板は図3で示した放熱板3である。この半導体モジュール100は、放熱板3と、この放熱板3上に半田25を介して図示しない裏面導電膜が固着する導電パターン付絶縁基板前記の絶縁基板1、2のことと、放熱板3の図示しない導電パターンに半田26を介して固着する半導体チップ27と、半導体チップ27の図示しない表面電極と導電パターンを接続するボンディングワイヤ28と、導電パターンに一端が接続する配線導体29と、配線導体29の他端が固着する外部導出端子30と、外部導出端子30が固着する樹脂ケース31と、樹脂ケース31内を充填するゲル32とで構成される。この第3の湾曲を有する放熱板3に絶縁基板1,2を半田付けすることで、絶縁基板1,2同士の間の隙間8に放熱板3の凹状の第4の湾曲21の底部21aが位置する。この第4の湾曲21は前記の第2の湾曲7に極めて近い湾曲になる。図6は、図5の半導体モジュールの放熱板を締め付け穴を利用して冷却フィンに固定した要部断面図であり、同図aは全体図、同図bは放熱板の裏面が湾曲を示す図、同図cは冷却フィンに放熱板が固定したときに放熱板の裏面が平坦になった図である。放熱板3の凹状の第4の湾曲21の底部21aが絶縁基板1,2同士の間の隙間8に位置しているため、剛性の小さな第4の湾曲21の底部21aと放熱板3の締め付け穴5を支点に放熱板3が冷却フィン33に押さえ付けられる。このとき、剛性の大きい絶縁基板2内に支点湾曲の底部21aがないため、放熱板3の裏面15全域は冷却フィン33に密着し、放熱板3と冷却フィン33の間の隙間は抑制される。本発明では、前記したように、第3の湾曲11の形状を放熱板3の全体の湾曲から決めているため、湾曲11が大きくなり過ぎることない。その結果、放熱板3を冷却フィン33に固定したときに、絶縁基板1,2と放熱板3の間の半田25にクラックが発生することは防止される。尚、前記の放熱板3の材質としては、銅または銅合金例えば、銅合金NoがC19220やC19210などなどである。また、放熱板3上に搭載される絶縁基板1,2を構成する絶縁板としては、アルミナ、窒化アルミニウムおよび窒化ケイ素などである。上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例および均等物は、添付の請求項およびその均等物による本発明の範囲とみなされる。"