"電源端子と接地端子との間に3以上奇数個のダイオードと容量素子を直列接続し、外部振動に応じて静電容量が差動で変位する振動センサから逆位相の検知信号を、電源端子から偶数段のダイオードのアノードとカソードに入力し、最終段のダイオードと容量素子の接続点から出力を取り出す構成の容量変化積分回路と、前記容量変化積分回路の出力と所定の閾値とを比較した結果を出力する閾値回路とを備えたセンサ回路において、前記容量変化積分回路の電源端子に接続されるダイオードの閾値電圧に対して、それ以外のダイオードの閾値電圧を低く設定する構成であることを特徴とするセンサ回路。電源端子と接地端子との間に偶数個のダイオードと容量素子を直列接続し、外部振動に応じて静電容量が変位する振動センサから検知信号を、電源端子から偶数段のダイオードのアノードに入力し、最終段のダイオードと容量素子の接続点から出力を取り出す構成の容量変化積分回路と、前記容量変化積分回路の出力と所定の閾値とを比較した結果を出力する閾値回路とを備えたセンサ回路において、前記容量変化積分回路の電源端子に接続されるダイオードの閾値電圧に対して、それ以外のダイオードの閾値電圧を低く設定する構成であることを特徴とするセンサ回路。請求項1または請求項2に記載のセンサ回路において、前記容量変化積分回路の電源端子に接続されるダイオードの閾値電圧を、電源電圧と前記閾値回路の論理閾値との差電圧から電源電圧までの間の電圧に設定する構成であることを特徴とするセンサ回路。請求項1または請求項2に記載のセンサ回路において、前記容量変化積分回路の電源端子に接続されるダイオードを構成するトランジスタの閾値電圧と、前記閾値回路の電源端子に接続されるトランジスタの閾値電圧を同一に設定する構成であることを特徴とするセンサ回路。従来のセンサ回路52に用いられる容量変化積分回路521は、ダイオードの閾値電圧を超えて電荷を転送する必要があるので、振動センサ51が出力する電荷を大きくする必要があった。そのため、振動センサ51の可動構造体で生じる容量変化をサブピコファラッドレベル以上にする必要があり、結果として振動センサ51のサイズを大きくする必要があった。本発明は、振動センサの可動構造体で振動により生じるサブピコファラッドレベル以下の容量変化を検出することができるセンサ回路を提供することを目的とする。第1の発明は、電源端子と接地端子との間に3以上奇数個のダイオードと容量素子を直列接続し、外部振動に応じて静電容量が差動で変位する振動センサから逆位相の検知信号を、電源端子から偶数段のダイオードのアノードとカソードに入力し、最終段のダイオードと容量素子の接続点から出力を取り出す構成の容量変化積分回路と、容量変化積分回路の出力と所定の閾値とを比較した結果を出力する閾値回路とを備えたセンサ回路において、容量変化積分回路の電源端子に接続されるダイオードの閾値電圧に対して、それ以外のダイオードの閾値電圧を低く設定する構成である。第2の発明は、電源端子と接地端子との間に偶数個のダイオードと容量素子を直列接続し、外部振動に応じて静電容量が変位する振動センサから検知信号を、電源端子から偶数段のダイオードのアノードに入力し、最終段のダイオードと容量素子の接続点から出力を取り出す構成の容量変化積分回路と、容量変化積分回路の出力と所定の閾値とを比較した結果を出力する閾値回路とを備えたセンサ回路において、容量変化積分回路の電源端子に接続されるダイオードの閾値電圧に対して、それ以外のダイオードの閾値電圧を低く設定する構成である。第1の発明または第2の発明のセンサ回路において、容量変化積分回路の電源端子に接続されるダイオードの閾値電圧を、電源電圧と閾値回路の論理閾値との差電圧から電源電圧までの間の電圧に設定する構成である。また、容量変化積分回路の電源端子に接続されるダイオードを構成するトランジスタの閾値電圧と、閾値回路の電源端子に接続されるトランジスタの閾値電圧を同一に設定する構成である。本発明のセンサ回路は、容量変化積分回路の多段ダイオードの電源電圧に接続されるダイオードの閾値電圧に対して、その他のダイオードの閾値電圧を小さく設定することにより、振動センサの可動構造体に生じる容量変化がサブピコファラッドレベル以下であっても、その容量変化による生成される電荷を転送することができる。したがって、振動センサのサイズを小さくすることができ、当該振動センサを搭載した振動センサノードのサイズを小型化することができ、製造コストを低減できるとともに、当該振動センサノードの適用範囲を広げることができる。図1は、本発明のセンサ回路の実施例1の構成を示す。図1において、センサ回路10は、容量変化積分回路11と閾値回路12により構成される。容量変化積分回路11を構成するダイオードD1,D2,D3、容量素子C0、初期化スイッチSWと、閾値回路12を構成するPMOSトランジスタQ1、電流制限部I、容量素子C1は、図5に示す従来のセンサ回路52の構成および動作と同様である。実施例1の容量変化積分回路11の特徴は、電源端子に接続されるダイオードD1として、高い閾値電圧例えば05VのMOSFETを用い、それ以外のダイオードD2,D3の閾値電圧をダイオードD1の閾値電圧よりも低くする例えば01V。このように、電源端子に接続されるダイオードD1の閾値電圧に対して、その他のダイオードD2,D3の閾値電圧を小さく設定することにより、振動センサ51の可動構造体に生じる容量変化がサブピコファラッドレベル以下でも電荷の転送が可能になり、振動の検出が可能になる。なお、容量変化積分回路11の初期化時の出力電圧SOは、閾値回路12の論理閾値VDD-Vthよりも低く設定する必要がある。仮に、電源端子に接続するダイオードD1の閾値電圧を小さくすると、初期化時の出力電圧SOが高くなるので、閾値回路12の論理閾値の設定が困難になる。そのため、容量変化積分回路11のダイオードD1の閾値電圧を高くしている。例えば、ダイオードD1の閾値電圧を、電源電圧VDDと閾値回路12の論理閾値VDD-Vthの差電圧Vthから電源電圧VDDまでの間の電圧に設定すればよい。また、ダイオードD1,D2,D3として用いるダイオード接続のMOSFETは、電源電圧が例えば5V、33V、18Vなどが準備されている場合、順に閾値電圧が低く設定される。したがって、電源端子に接続されるダイオードD1として用いる閾値電圧の高いMOSFETは33V用を用い、その他のダイオードD2,D3として用いる閾値電圧の低いMOSFETは18V用を用いる。また、電源端子と接地端子との間に3以上奇数個のダイオードを接続する構成としてもよい。その場合には、振動センサ51の逆位相の検知信号BP,BNを電源端子から偶数段のダイオードのアノードとカソードに接続する。実施例1のセンサ回路10は、図4に示す振動センサ51から逆位相の検知信号BP,BNを入力する構成になっており、容量変化積分回路11に3つのダイオードD1,D2,D3が用いられる構成であった。実施例2は、図6に示すように、振動センサ51が支持基板510に対して固定電極51Pと可動電極51Mが平行になる構成とし、固定電極51Pから単相の検知信号BPが出力される場合のセンサ回路10の構成を示す。図2は、本発明のセンサ回路の実施例2の構成を示す。図2において、センサ回路10は、容量変化積分回路11と閾値回路12により構成される。容量変化積分回路11は、電源電位VDDと出力端子との間に順方向に直列接続されたダイオードD1,D2と、出力端子と接地電位との間に接続された容量素子C0と、初期化時に出力端子の電圧を接地電位にする初期化スイッチSWとを備え、振動センサ51の単相の検知信号BPがダイオードD1,D2間ダイオードD2のアノードに接続される。閾値回路12を構成するPMOSトランジスタQ1、電流制限部I1、容量素子C1は、図5に示す従来のセンサ回路52の構成および動作と同様である。実施例2の容量変化積分回路11の特徴は、電源端子に接続されるダイオードD1として、高い閾値電圧例えば05VのMOSFETを用い、ダイオードD2の閾値電圧をダイオードD1の閾値電圧よりも低くする例えば01V。このように、電源端子に接続されるダイオードD1以外のダイオードD2の閾値電圧を小さく設定することにより、振動センサ51の可動構造体に生じる容量変化がサブピコファラッドレベル以下でも電荷の転送が可能になり、振動の検出が可能になる。また、電源端子と接地端子との間に偶数個のダイオードを接続する構成としてもよい。その場合には、振動センサ51の検知信号BPを電源端子から偶数段のダイオードのアノードに接続する。また、このような出力端子と接地端子の2端子構成の振動センサ51は、実施例1に示す3端子構成の振動センサ51に比べて電極構造を容易に作製することができ、製造コストを低減することができる。実施例3のセンサ回路は、実施例1または実施例2の構成において、容量変化積分回路11の電源端子に接続されるダイオードD1に使用するトランジスタの閾値電圧と、閾値回路12の電源端子に接続するトランジスタQ1の閾値電圧を同一とする構成である。これにより、トランジスタの閾値電圧が製造プロセスに依存してバラツキが生じた場合でも、容量変化積分回路11の初期化時の出力電圧と、閾値回路12の論理閾値を同様に変化させることができる。すなわち、トランジスタのバラツキによるLSIチップの歩留り低下を抑制することができ、結果として製造コストの低減が可能となる。以上説明した各実施例のセンサ回路は、発電素子で発生させた微弱な電流を容量素子に蓄電したエネルギーで動作させるセンサノードとして用いることができる。また、当該センサノードは、振動検知に要する消費電力をサブナノワットレベルに低減できるので、センサノードの動作時間を延ばすことができる。"