"導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁されたリード端子と、前記ステムに搭載された光素子を有する光モジュールにおいて、一端が前記ステムに電気的に接続されたキャパシタを備え、前記キャパシタの他端を前記リード端子及び前記光素子に電気的に接続したことを特徴とする光モジュール。導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第1のリード端子と、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第2のリード端子と、前記ステムに搭載された光素子を有する光モジュールにおいて、一端が前記ステムに電気的に接続された第1のキャパシタと、一端が前記ステムに電気的に接続された第2のキャパシタを備え、前記第1のキャパシタの他端を、前記光素子の一端及び前記第1のリード端子に電気的に接続し、前記第2のキャパシタの他端を、前記光素子の他端及び前記第2のリード端子に電気的に接続したことを特徴とする光モジュール。請求項1または請求項2に記載の光モジュールにおいて、前記キャパシタは、チップコンデンサまたはMIMキャパシタであることを特徴とする光モジュール。請求項2に記載の光モジュールにおいて、前記光素子はレーザダイオードであり、前記第1のキャパシタはチップコンデンサであり、その一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端が前記第1のリード端子及び前記レーザダイオードのカソードまたはアノードに接続されており、前記第2のキャパシタはチップコンデンサであり、その一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端が前記第2のリード端子及び前記レーザダイオードのアノードまたはカソードに接続されていることを特徴とする光モジュール。請求項4に記載の光モジュールにおいて、前記レーザダイオードと前記ステムとの間に、第1の誘電体基板を具備し、かつ前記第1の誘電体基板の下面は全面にメタライズが形成され、前記ステムと電気的に接続され、かつ前記第1の誘電体基板の上面は前記第1のリード端子もしくは第2のリード端子と前記レーザダイオードとを電気的に接続するための第2の配線パタンを有し、かつ前記レーザダイオードのカソードまたはアノードが前記第2の配線パタンと電気的に接続され、前記第1のキャパシタであるチップコンデンサは、その一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端がワイヤを介して前記第1のリード端子に接続され且つワイヤ及び第2の配線パタンを介して前記レーザダイオードのカソードまたはアノードに接続されており、前記第2のキャパシタはチップコンデンサであり、その一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端がワイヤを介して前記第2のリード端子に接続され且つワイヤを介して前記レーザダイオードのアノードまたはカソードに接続されていることを特徴とする光モジュール。請求項4または請求項5に記載の光モジュールにおいて、さらに1個以上の第3のキャパシタであるチップコンデンサと1個以上の第4のキャパシタであるチップコンデンサを備え、前記第3のチップコンデンサは、一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、他端がワイヤを介して前記第1のリード端子の、前記第1のチップコンデンサと接続されている箇所とは互いに別の箇所に接続され、かつ前記第1のリード端子と第1のチップコンデンサ及び第3のチップコンデンサの他端とを接続する各ワイヤの長さが互いに等しくなるように配置され、前記第4のチップコンデンサは、一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、他端がワイヤを介して前記第2のリード端子の、前記第2のチップコンデンサと接続されている箇所とは互いに別の箇所に接続され、かつ前記第2のリード端子と第2のチップコンデンサ及び第4のチップコンデンサの他端とを接続する各ワイヤの長さが互いに等しくなるように配置されていることを特徴とする光モジュール。請求項6に記載の光モジュールにおいて、第1のチップコンデンサ及び第3のチップコンデンサが全て同一の容量値を有し、かつ第1のチップコンデンサ及び第3のチップコンデンサと、前記第1のリード端子とを接続する各接続点が等間隔であり、かつ、第2のチップコンデンサ及び第4のチップコンデンサが全て同一の容量値を有し、かつ第2のチップコンデンサ及び第4のチップコンデンサと、前記第2のリード端子とを接続する各接続点が等間隔であることを特徴とする光モジュール。請求項2に記載の光モジュールにおいて、前記光素子はレーザダイオードであり、前記第1のキャパシタは前記第1の誘電体基板もしくは前記第1の誘電体基板とは別の第2の誘電体基板上に形成されたMIMキャパシタであり、その一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端が前記第1のリード端子及び前記レーザダイオードのカソードまたはアノードに接続されており、前記第2のキャパシタは前記第1の誘電体基板もしくは前記第2の誘電体基板上に形成されたMIMキャパシタであり、その一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端が前記第2のリード端子及び前記レーザダイオードのアノードまたはカソードに接続されていることを特徴とする光モジュール。請求項8に記載の光モジュールにおいて、前記第1のキャパシタであるMIMキャパシタは、その一端が配線パタンを介して前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端がワイヤを介して前記第1のリード端子に接続され且つ配線パタンを介して前記レーザダイオードのカソードまたはアノードに電気的に接続されており、前記第2のキャパシタであるMIMキャパシタは、その一端が配線パタンを介して前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端がワイヤを介して前記第2のリード端子に接続され且つ配線パタンならびにワイヤを介して前記レーザダイオードのアノードまたはカソードに電気的に接続されていることを特徴とする光モジュール。請求項8または請求項9に記載の光モジュールにおいて、さらに1個以上の第3のキャパシタであるMIMキャパシタと1個以上の第4のキャパシタであるMIMキャパシタを備え、前記第3のMIMキャパシタは、一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、他端がワイヤを介して前記第1のリード端子に接続され、かつ前記第1のリード端子と第1のMIMキャパシタ及び第3のMIMキャパシタの他端とを接続する各ワイヤの長さが互いに等しくなるように配置され、前記第4のMIMキャパシタは、一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、他端がワイヤを介して前記第2のリード端子に接続され、かつ前記第2のリード端子と第2のMIMキャパシタ及び第4のMIMキャパシタの他端とを接続する各ワイヤの長さが互いに等しくなるように配置されていることを特徴とする光モジュール。請求項10に記載の光モジュールにおいて、第1のMIMキャパシタ及び第3のMIMキャパシタが全て同一の容量値を有し、かつ第1のMIMキャパシタ及び第3のMIMキャパシタと、前記第1のリード端子とを接続する各接続点が等間隔であり、かつ、第2のMIMキャパシタ及び第4のMIMキャパシタが全て同一の容量値を有し、かつ第2のMIMキャパシタ及び第4のMIMキャパシタと、前記第2のリード端子とを接続する各接続点が等間隔であることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記光素子、前記キャパシタ、前記リード端子のうち前記光素子及び前記キャパシタが配置されている側に突出している部分、前記ステムの面のうち前記光素子及び前記キャパシタが配置されている側の面が、キャップにより封止されていることを特徴とする光モジュール。上述したように従来技術では、入力された高周波電気信号は、伝送線路12aを経由した後、伝送線路12aと伝送線路13aの界面で反射を受けるため、伝送線路12a~13aの高周波特性が悪くなってしまうという問題があった。本発明は、上記従来技術に鑑み、従来の安価なキャン型パッケージを用いても、10Gbits級の高速信号で駆動できる、高周波特性に優れた光モジュールを提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の構成は、導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁されたリード端子と、前記ステムに搭載された光素子を有する光モジュールにおいて、一端が前記ステムに電気的に接続されたキャパシタを備え、前記キャパシタの他端を前記リード端子及び前記光素子に電気的に接続したことを特徴とする。また本発明の構成は、導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第1のリード端子と、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第2のリード端子と、前記ステムに搭載された光素子を有する光モジュールにおいて、一端が前記ステムに電気的に接続された第1のキャパシタと、一端が前記ステムに電気的に接続された第2のキャパシタを備え、前記第1のキャパシタの他端を、前記光素子の一端及び前記第1のリード端子に電気的に接続し、前記第2のキャパシタの他端を、前記光素子の他端及び前記第2のリード端子に電気的に接続したことを特徴とする。また本発明の構成は、前記キャパシタは、チップコンデンサまたはMIMキャパシタであることを特徴とする。また本発明の構成は、前記光素子はレーザダイオードであり、前記第1のキャパシタはチップコンデンサであり、その一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端が前記第1のリード端子及び前記レーザダイオードのカソードまたはアノードに接続されており、前記第2のキャパシタはチップコンデンサであり、その一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端が前記第2のリード端子及び前記レーザダイオードのアノードまたはカソードに接続されていることを特徴とする。また本発明の構成は、前記レーザダイオードと前記ステムとの間に、第1の誘電体基板を具備し、かつ前記第1の誘電体基板の下面は全面にメタライズが形成され、前記ステムと電気的に接続され、かつ前記第1の誘電体基板の上面は前記第1のリード端子もしくは第2のリード端子と前記レーザダイオードとを電気的に接続するための第2の配線パタンを有し、かつ前記レーザダイオードのカソードまたはアノードが前記第2の配線パタンと電気的に接続され、前記第1のキャパシタであるチップコンデンサは、その一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端がワイヤを介して前記第1のリード端子に接続され且つワイヤ及び第2の配線パタンを介して前記レーザダイオードのカソードまたはアノードに接続されており、前記第2のキャパシタはチップコンデンサであり、その一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端がワイヤを介して前記第2のリード端子に接続され且つワイヤを介して前記レーザダイオードのアノードまたはカソードに接続されていることを特徴とする。また本発明の構成は、さらに1個以上の第3のキャパシタであるチップコンデンサと1個以上の第4のキャパシタであるチップコンデンサを備え、前記第3のチップコンデンサは、一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、他端がワイヤを介して前記第1のリード端子の、前記第1のチップコンデンサと接続されている箇所とは互いに別の箇所に接続され、かつ前記第1のリード端子と第1のチップコンデンサ及び第3のチップコンデンサの他端とを接続する各ワイヤの長さが互いに等しくなるように配置され、前記第4のチップコンデンサは、一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、他端がワイヤを介して前記第2のリード端子の、前記第2のチップコンデンサと接続されている箇所とは互いに別の箇所に接続され、かつ前記第2のリード端子と第2のチップコンデンサ及び第4のチップコンデンサの他端とを接続する各ワイヤの長さが互いに等しくなるように配置されていることを特徴とする。また本発明の構成は、第1のチップコンデンサ及び第3のチップコンデンサが全て同一の容量値を有し、かつ第1のチップコンデンサ及び第3のチップコンデンサと、前記第1のリード端子とを接続する各接続点が等間隔であり、かつ、第2のチップコンデンサ及び第4のチップコンデンサが全て同一の容量値を有し、かつ第2のチップコンデンサ及び第4のチップコンデンサと、前記第2のリード端子とを接続する各接続点が等間隔であることを特徴とする。また本発明の構成は、前記光素子はレーザダイオードであり、前記第1のキャパシタは前記第1の誘電体基板もしくは前記第1の誘電体基板とは別の第2の誘電体基板上に形成されたMIMキャパシタであり、その一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端が前記第1のリード端子及び前記レーザダイオードのカソードまたはアノードに接続されており、前記第2のキャパシタは前記第1の誘電体基板もしくは前記第2の誘電体基板上に形成されたMIMキャパシタであり、その一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端が前記第2のリード端子及び前記レーザダイオードのアノードまたはカソードに接続されていることを特徴とする。また本発明の構成は、前記第1のキャパシタであるMIMキャパシタは、その一端が配線パタンを介して前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端がワイヤを介して前記第1のリード端子に接続され且つエアブリッジ及び配線パタンを介して前記レーザダイオードのカソードまたはアノードに電気的に接続されており、前記第2のキャパシタであるMIMキャパシタは、その一端が配線パタンを介して前記ステムに電気的に接続されると共に、その他端がワイヤを介して前記第2のリード端子に接続され且つエアブリッジ及び配線パタンならびにワイヤを介して前記レーザダイオードのアノードまたはカソードに電気的に接続されていることを特徴とする。また本発明の構成は、さらに1個以上の第3のキャパシタであるMIMキャパシタと1個以上の第4のキャパシタであるMIMキャパシタを備え、前記第3のMIMキャパシタは、一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、他端がワイヤを介して前記第1のリード端子に接続され、かつ前記第1のリード端子と第1のMIMキャパシタ及び第3のMIMキャパシタの他端とを接続する各ワイヤの長さが互いに等しくなるように配置され、前記第4のMIMキャパシタは、一端が前記ステムに電気的に接続されると共に、他端がワイヤを介して前記第2のリード端子に接続され、かつ前記第2のリード端子と第2のMIMキャパシタ及び第4のMIMキャパシタの他端とを接続する各ワイヤの長さが互いに等しくなるように配置されていることを特徴とする。また本発明の構成は、第1のMIMキャパシタ及び第3のMIMキャパシタが全て同一の容量値を有し、かつ第1のMIMキャパシタ及び第3のMIMキャパシタと、前記第1のリード端子とを接続する各接続点が等間隔であり、かつ、第2のMIMキャパシタ及び第4のMIMキャパシタが全て同一の容量値を有し、かつ第2のMIMキャパシタ及び第4のMIMキャパシタと、前記第2のリード端子とを接続する各接続点が等間隔であることを特徴とする。また本発明の構成は、前記光素子、前記キャパシタ、前記リード端子のうち前記光素子及び前記キャパシタが配置されている側に突出している部分、前記ステムの面のうち前記光素子及び前記キャパシタが配置されている側の面が、キャップにより封止されていることを特徴とする。本発明によれば、10Gbits級の高速信号伝送が可能な高周波特性が良好で、かつ既存のパッケージにより構成される安価な光モジュールを提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、実施例に基づき詳細に説明する。チップコンデンサを用いた光モジュール以下、図1に基づいて本発明の第1実施形態である光モジュールについて詳細に説明する。図1a,bはそれぞれ、第1実施形態の光モジュールの側面図、上面図である。図1において、チップコンデンサ10a,10bと、ワイヤ4a1,4a2,4b1,4b2を導入した以外は、図7に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている図7及び図1において同一の部材には、図7と図1で共通の番号を振っている。そのため、チップコンデンサ10a,10bの追加やワイヤの配置を変更しただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。更に第1実施形態の特徴的な構成を説明すると、チップコンデンサ10a,10bは,上下面にそれぞれ電気接続用の電極を有し,チップコンデンサ10a,10bの一端下面は、導電材からなるステム1のステムマウント1cに電気的に接続され、グランドに接続されている。ワイヤ4a-1は、チップコンデンサ10aの他端上面とリード端子2aとを電気的に接続している。ワイヤ4a―2は、チップコンデンサ10aの他端上面とヒートシンク6aの上面に形成されたワイヤ配線用の配線パタン6bとを電気的に接続している。なお、配線パタン6bは、LD素子5の下面に形成されたカソードに電気的に接続されている。結局、チップコンデンサ10aの他端上面は、リード端子2a及びLD素子5の下面のカソードに電気的に接続されている。ワイヤ4b-1は、チップコンデンサ10bの他端上面とリード端子2bとを電気的に接続している。ワイヤ4b―2は、チップコンデンサ10bの他端上面とLD素子5の上面に形成されたアノードに電気的に接続されている。結局、チップコンデンサ10bの他端上面は、リード端子2b及びLD素子5の上面のアノードに電気的に接続されている。図1に示す光モジュールは、10Gbits級の高速光信号を送信するための光通信システム用モジュールであり、光半導体素子としてLD素子5が搭載されている。LD素子5としては、温度特性に優れるInGaAlAsを含む多重量子井戸構造を活性層に有する分布帰還型LDDFBLDが好適である。図1に示す第1実施形態の光モジュールにおいて、ステム外部からの10Gbits級の差動駆動電気信号N信号、P信号のうち、N信号は、伝送線路11a,12a,13aを経由し、ワイヤ4a1、チップコンデンサ10a、ワイヤ4a2、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6bを介してLD素子5の下面図示せずに形成されたカソード側に供給される。P信号も同様に、伝送線路11b,12b,13bを経由し、ワイヤ4b1、チップコンデンサ10b、ワイヤ4b2を介してLD素子5のアノード側に供給される。ここで、N信号に着目すると、シャントキャパシタ成分となるチップコンデンサ10aの導入により、伝送線路13aの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路12a13a間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路12a13a間のN信号の反射を抑制することが可能となる。同様に、P信号においては、シャントキャパシタ成分となるチップコンデンサ10bの導入により、伝送線路13bの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路12b13b間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路12b13b間のP信号の反射を抑制することが可能となる。このように駆動電気信号N信号、P信号の反射を抑制することができるため、高周波特性を向上することができる。図2に、実際にチップコンデンサを導入したキャン型LDパッケージの高周波特性を示す。測定は、N信号側について行った。図2に示すように、チップコンデンサを導入しない従来の方式では周波数10GHzにおいて、S21透過特性-3dB、S11反射特性-3dBと非常に劣化した。一方、チップコンデンサを導入し、容量を02pF、の場合、S21-2dB、S11-5dBと改善した。さらに、容量を04pF,06pFと増加することにより、S21約-1dB、S11-7~-10dBとさらに改善した。よって、高周波特性の悪い安価なキャン型パッケージを用いても、非常に安価なチップコンデンサを追加するだけの本実施形態により、10Gbits級の高速信号で駆動しても良好な高周波特性が得られる。なお、チップコンデンサ10a,10bは、それぞれ01pF~1pF程度の容量を有することが望ましく、02~06pFの範囲が最も効果的である。MIMキャパシタを用いた光半導体素子用モジュール以下、図3に基づいて本発明の第2実施形態である光モジュールについて詳細に説明する。図3a,bはそれぞれ、第2実施形態の光モジュールの側面図、上面図である。図3において、MIM金属―絶縁体-金属キャパシタ10c,10dと、ワイヤ4a,4b1,4b2と、ヒートシンク6aの配線パタン6b,6c,6dを導入した以外は、図7に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている図7及び図3において同一の部材には、図7と図3で共通の番号を振っている。そのため、MIMキャパシタ10c,10dの追加やヒートシンク6aの配線パタン配線パタン6b,6c,6dの変更などを行っただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。なお、MIMキャパシタ10c,10dは、誘電体薄膜を二枚の金属膜で挟んだ構成とすることで基板上に容易に作成でき、かつ誘電体薄膜の誘電率や厚さを制御することで100μm角の小さなサイズでも01~1pF程度の容量を実現できることを特徴とする。また、AlN等のLD用ヒートシンク材料上にも形成することができるため、MIMキャパシタ10c,10dの上下面電極の一方を、ヒートシンク6a上の配線パタンとワイヤ接続することなく電気的に接続することができる。そのため、図1に示した第1実施形態におけるワイヤ4a2は不要となるため、容量を有する素子チップコンデンサ、MIMキャパシタ、フォトダイオードなどとLD用ヒートシンクのワイヤ接続部における寄生インダクタンスの発生を防ぐことができる点で有利である。更に第2実施形態の特徴的な構成を説明すると、ヒートシンク6aには配線用の配線パタン6b,6c,6dが形成されている。配線パタン6b,6cはヒートシンク6aの表面に形成されている。配線パタン6dは、ヒートシンク6aの表面から側面を通じてヒートシンク6aの下面にまで形成導通されており、下面側でステムマウント1cステム1に接続されることによりグランドに接続されている。MIMキャパシタ10cの下面は、配線パタン6dに接続されている。このため、MIMキャパシタ10cの下面は、配線パタン6dを介してグランドに接続されている。MIMキャパシタ10cの上面は、ワイヤ4aを介してリード端子2aに接続され、キャパシタ上部電極エアブリッジ10c1を介して配線パタン6bに接続されている。このようなエアブリッジ配線はMIMキャパシタ作成技術との一体プロセスで実現できるが、エアブリッジに代わりワイヤなどで接続する形態であっても構まわない。この配線パタン6bにはLD素子5のカソード下面が接続されている。結局、MIMキャパシタ10cの上面は、リード端子2a及びLD素子5のカソード下面に電気的に接続されている。なおキャパシタ上部電極エアブリッジ10c1は、MIMキャパシタ10cの上面から配線パタン6b方向に伸び、配線パタン6bの上方から下方に伸びて配線パタン6bに接続されている。MIMキャパシタ10dの下面は、配線パタン6dに接続されている。このため、MIMキャパシタ10dの下面は、配線パタン6dを介してグランドに接続されている。MIMキャパシタ10dの上面は、ワイヤ4b-1を介してリード端子2bに接続され、キャパシタ上部電極エアブリッジ10d1を介して配線パタン6cに接続されている。配線パタン6cは、ワイヤ4b-2を介してLD素子5のアノード上面に接続されている。結局、MIMキャパシタ10dの上面は、リード端子2b及びLD素子5のアノード上面に電気的に接続されている。なおキャパシタ上部電極エアブリッジ10d1は、MIMキャパシタ10dの上面から配線パタン6c方向に伸び、配線パタン6cの上方から下方に伸びて配線パタン6cに接続されている。図3に示す光モジュールは、10Gbits級の高速光信号を送信するための光通信システム用モジュールであり、光半導体素子としてLD素子5が搭載されている。LD素子5としては、温度特性に優れるInGaAlAsを含む多重量子井戸構造を活性層に有する分布帰還型LDDFBLDが好適である。図3に示す第2実施形態の光モジュールにおいて、ステム外部からの10Gbits級の差動駆動電気信号N信号,P信号のうち、N信号は、伝送線路11a,12a,13aを経由し、ワイヤ4a、MIMキャパシタ10cの上面、エアブリッジ10c-1、ヒートシンク6aの配線パタン6bを介してLD素子5の下面図示せずに形成されたカソード側に供給される。P信号も同様に、伝送線路11b,12b,13bを経由し、ワイヤ4b1、MIMキャパシタ10dの上面、エアブリッジ10d-1、ヒートシンク6aの配線パタン6c、ワイヤ4b2を介してLD素子5のアノード側に供給される。ここで、N信号に着目すると、シャントキャパシタ成分となるMIMキャパシタ10cの導入により、伝送線路13aの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路12a13a間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路12a13a間のN信号の反射を抑制することが可能となる。同様に、P信号においては、シャントキャパシタ成分となるMIMキャパシタ10dの導入により、伝送線路13bの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路12b13b間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路12b13b間のP信号の反射を抑制することが可能となる。このように駆動電気信号N信号、P信号の反射を抑制することができるため、高周波特性を向上することができる。図4に、実際にMIMキャパシタを導入したキャン型LDパッケージの高周波特性を示す。測定は、N信号側について行った。図4に示すように、MIMキャパシタを導入しない従来の方式では周波数10GHzにおいて、S21透過特性-3dB、S11反射特性-3dBと非常に劣化した。一方、MIMキャパシタを導入し、容量を04pF、の場合、S21-1dB、S11-75dBと改善した。よって、高周波特性の悪い安価なキャン型パッケージを用いても、ヒートシンクにMIMキャパシタを形成するだけの非常に安価な本実施形態により、10Gbits級の高速信号で駆動しても良好な高周波特性が得られる。なお、MIMキャパシタ10c,10dは、それぞれ01pF~1pF程度の容量を有することが望ましく、02~06pFの範囲が最も効果的である。複数チップコンデンサを用いた光モジュール以下、図5に基づいて本発明の第3実施形態の光モジュールについて詳細に説明する。図5a,bはそれぞれ、第3実施形態の光モジュールの側面図、上面図である。図5において、チップコンデンサ10a1,10a2,10a3,10b1,10b2,10b3と、ワイヤ4a1,4a2,4a3,4a4,4b1,4b2,4b3,4b4を導入した以外は、図7に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている図7及び図5において同一の部材には、図7と図5で共通の番号を振っている。そのため、チップコンデンサ10a1,10a2,10a3,10b1,10b2,10b3の追加やワイヤの配置を変更しただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。更に第3実施形態の特徴的な構成を説明すると、チップコンデンサ10a1に隣接してチップコンデンサ10a2,10a3を一列に配置すると共に、チップコンデンサ10b1に隣接してチップコンデンサ10b2,10b3を一列に配置し、しかもチップコンデンサ10a1,10a2,10a3,10b1,10b2,10b3は、互いに等しい容量値を有すると共に、各チップコンデンサとリード端子との接続点を等間隔となるように配置している。さらに,各チップコンデンサとリード端子とを接続するワイヤの長さも等しくなるように接続している。このような配置にすることにより、伝送線路13a13bを高周波伝送回路として好適な擬似分布定数回路とすることが可能となる。なお、チップコンデンサ10a1,10a2,10a3,10b1,10b2,10b3の容量間隔は、それぞれ0.1pF~1.0pF、50μm~500μmが好適であるが、これに限るものではない。チップコンデンサ10a1,10a2,10a3,10b1,10b2,10b3の一端下面は、導電材からなるステム1のステムマウント1cに電気的に接続され、グランドに接続されている。チップコンデンサ10a1,10a2,10a3の他端上面と、リード端子2aとは、それぞれワイヤ4a1,4a2,4a3により接続されている。更に、チップコンデンサ10a1の他端上面と、配線パタン6bとは、ワイヤ4a4により接続されている。なお、配線パタン6bは、LD素子5の下面に形成されたカソードに電気的に接続されている。このため、チップコンデンサ10a1の他端上面は、リード端子2a及びLD素子5の下面のカソードに電気的に接続されている。チップコンデンサ10b1,10b2,10b3の他端上面と、リード端子2bとは、それぞれワイヤ4b1,4b2,4b3により接続されている。更に、チップコンデンサ10b1の他端上面は、ワイヤ4b4によりLD素子5の下面に形成されたアノードに電気的に接続されている。このため、チップコンデンサ10b1の他端上面は、リード端子2b及びLD素子5の上面のアノードに電気的に接続されている。図5に示す光モジュールは、10Gbits級の高速光信号を送信するための光通信システム用モジュールであり、光半導体素子としてLD素子5が搭載されている。LD素子5としては、温度特性に優れるInGaAlAsを含む多重量子井戸構造を活性層に有する分布帰還型LDDFBLDが好適である。図5に示す第3実施形態の光モジュールにおいて、ステム外部からの10Gbits級の差動駆動電気信号N信号,P信号のうち、N信号は、伝送線路11a,12a,13aを経由する。伝送線路13aにおいては、チップコンデンサ10a1,10a2,10a3の上面と、リード端子2aとがそれぞれワイヤ4a1,4a2,4a3により接続されている。チップコンデンサ10a1,10a2,10a3の下面は、ステムグランド1に接続されるため、接地している。そのため、本実施例における伝送線路13aは、高周波伝送に好適なリード端子2aと3個のチップコンデンサで構成されたLC3段構成の疑似分布定数線路となっている。なお、本実施例におけるワイヤ4a1,4a2,4a3は、z軸方向に沿って300μm間隔で配置されている。伝送線路13aを通過したN信号は、ワイヤ4a1、チップコンデンサ10a1、ワイヤ4a4、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6bを介してLD素子5の下面図示せずに形成されたカソード側に供給される。伝送線路13bにおいては、チップコンデンサ10b1,10b2,10b3の上面と、リード端子2bとがそれぞれワイヤ4b1,4b2,4b3により接続されている。チップコンデンサ10b1,10b2,10b3の下面は、ステムグランド1に接続されるため、接地している。そのため、本実施例における伝送線路13bは、伝送線路13aと同様に高周波伝送に好適なリード端子2bと3個のチップコンデンサで構成されたLC3段構成の疑似分布定数線路となっている。なお、本実施例におけるワイヤ4b1,4b2,4b3は、z軸方向に沿って300μm間隔で配置されている。伝送線路13bを通過したP信号は、ワイヤ4b1、チップコンデンサ10b1、ワイヤ4b4を介してLD素子5のアノード側に供給される。ここで、N信号に着目すると、シャントキャパシタ成分となるチップコンデンサ10a1,10a2,10a3の導入により、伝送線路13aの特性インピーダンスを高周波領域までほぼ一様に低下させ、その結果伝送線路12a13a間の特性インピーダンス差が小さくできるため、伝送線路12a13a間のN信号の反射を大幅に抑制することが可能となる。同様に、P信号においては、シャントキャパシタ成分となるチップコンデンサ10b1,10b2,10b3の導入により、伝送線路13bの特性インピーダンスを高周波領域までほぼ一様に低下させ、その結果伝送線路12b13b間の特性インピーダンス差が小さくできるため、伝送線路12b13b間のP信号の反射を大幅に抑制することが可能となる。このように駆動電気信号N信号、P信号の反射を抑制することができるため、高周波特性を向上することができる。図6に、実際に複数のチップコンデンサN側、P側にそれぞれ3個ずつを導入したキャン型LDパッケージの高周波特性を示す。測定は、N信号側について行った。図6に示すように、複数のチップコンデンサを導入しない従来の方式では周波数10GHzにおいて、S21透過特性-3dB、S11反射特性-3dBと非常に劣化した。一方、複数のチップコンデンサを導入し、各チップコンデンサの容量02pF、の場合、S21-1dB、S11-11dBと大幅に改善した。よって、高周波特性の悪い安価なキャン型パッケージを用いても、非常に安価なチップコンデンサを追加するだけの本実施形態により、10Gbits級の高速信号で駆動しても良好な高周波特性が得られる。なお、チップコンデンサ10a1,10a2,10a3,10b1,10b2,10b3は、それぞれ01pF~1pF程度の範囲で等しい容量値を有することが望ましく、01~05pFの範囲が最も効果的である。なお、本実施例ではN信号側、P信号側に各3個のコンデンサを用いたが、疑似分布定数線路効果が得るためには、これに限定されることなく各2個、あるいは4個以上用いても構わない。疑似分布定数線路効果を最大にするためには、各コンデンサとリード端子との接続点は等間隔に配置し、各コンデンサとリード端子とを接続するワイヤの長さも等しくするように接続することが好適であるが、等間隔や等長でなくても一定の効果を奏するため、必ずしもこれに限定されるものではない。また、チップコンデンサの一部または全てを、ヒートシンク6a上に形成した複数のMIMキャパシタにより置き換えても同様の効果が得られることは明らかである。"