"回折格子が設けられたDBRDistributedBraggReflector領域と、前記回折格子が設けられていないFPFabryPerot領域とを有する半導体レーザにおいて、前記DBR領域と出射端面との間に配置された光導波路部を備え、共振器長方向において、前記光導波路部の長さは前記DBR領域の長さ以上であることを特徴とする半導体レーザ。前記回折格子は、回折格子層の一部を周期的にエッチングで除去し、その上に埋め込み層を成長させることで設けられ、前記回折格子層と前記埋め込み層の平均屈折率は、前記回折格子層と前記埋め込み層にそれぞれ隣接する半導体層の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。前記DBR領域と前記FP領域の間に設けられた第1のテーパ導波路と、前記DBR領域と前記光導波路部の間に設けられた第2のテーパ導波路とを更に備え、前記第1及び第2のテーパ導波路において、前記DBR領域に向かって半導体層が次第に薄くなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザ。前記DBR領域と前記FP領域の間に設けられた第1のテーパ導波路と、前記DBR領域と前記光導波路部の間に設けられた第2のテーパ導波路とを更に備え、前記DBR領域、前記FP領域、前記光導波路部、及び前記第1及び第2のテーパ導波路においてリッジが設けられ、前記第1及び第2のテーパ導波路において、前記DBR領域に向かって前記リッジの幅が次第に狭くなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザ。活性層と、前記活性層を挟むAlGaInPクラッド層と、前記AlGaInPクラッド層内に設けられた埋め込み層と、前記埋め込み層内に埋め込まれ、回折格子が形成された回折格子層とを備え、前記埋め込み層は、AlGaAs、又は前記AlGaInPクラッド層と異なるAl組成比を持つAlGaInPであり、前記回折格子層は、前記埋め込み層とAl組成比の異なるAlGaAs、InGaP、又は前記AlGaInPクラッド層及び前記埋め込み層と異なるAl組成比を持つAlGaInPであることを特徴とする半導体レーザ。DBR領域とそれ以外のFPFabryPerot領域とでは、積層方向の屈折率分布が異なる。このため、FP領域を伝搬して出射端面に向う光がDBR領域で屈折率差による摂動を受け、光強度分布である導波モードが摂動を受ける。従って、出射ビーム形状である遠視野像FFPが乱れ、その後の光学系に影響を与えるという問題があった。また、回折格子がAlGaAsクラッド層内に設けられていたので、レーザの温度特性が悪いという問題があった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、第1の目的は出射ビーム形状を安定にすることができる半導体レーザを得るものである。第2の目的は温度特性の良好な半導体レーザを得るものである。第1の発明に係る半導体レーザは、回折格子が設けられたDBRDistributedBraggReflector領域と、前記回折格子が設けられていないFPFabryPerot領域とを有する半導体レーザにおいて、前記DBR領域と出射端面との間に配置された光導波路部を備え、共振器長方向において、前記光導波路部の長さは前記DBR領域の長さ以上であることを特徴とする。第2の発明に係る半導体レーザは、活性層と、前記活性層を挟むAlGaInPクラッド層と、前記AlGaInPクラッド層内に設けられた埋め込み層と、前記埋め込み層内に埋め込まれ、回折格子が形成された回折格子層とを備え、前記埋め込み層は、AlGaAs、又は前記AlGaInPクラッド層と異なるAl組成比を持つAlGaInPであり、前記回折格子層は、前記埋め込み層とAl組成比の異なるAlGaAs、InGaP、又は前記AlGaInPクラッド層及び前記埋め込み層と異なるAl組成比を持つAlGaInPであることを特徴とする。第1の発明により、出射ビーム形状を安定にすることができる。第2の発明により、温度特性の良好な半導体レーザを得ることができる。本発明の実施の形態に係る半導体レーザについて図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザの共振器長方向に沿った断面図である。n型GaAs基板1上に、n型AlGaInPクラッド層2、光ガイド層3、活性層4、光ガイド層5、回折格子層6、埋め込み層7、p型AlGaInPクラッド層8、及びp型コンタクト層9が順番に積層されている。n型AlGaInPクラッド層2は厚さ2μmのAl0.30Ga0.700.51In0.49P層、光ガイド層3は厚さ15nmのアンドープAl0.4Ga0.6As層、活性層4は厚さ6nmのアンドープGaAs層、光ガイド層5は厚さ15nmのアンドープAl0.4Ga0.6As層、回折格子層6は厚さ25nmのp型Al0.6Ga0.4As層、埋め込み層7は厚さ50nmのp型Al0.4Ga0.6As層、p型AlGaInPクラッド層8は厚さ2μmのp型Al0.30Ga0.700.51In0.49P層、p型コンタクト層9は厚さ0.3μmのp型GaAs層である。回折格子層6の一部を周期的にエッチングで除去し、その上に埋め込み層7を成長させることで、回折格子10が設けられる。半導体レーザは、回折格子10が設けられたDBRDistributedBraggReflector領域11と、回折格子10が設けられていないFPFabryPerot領域12とを有する。DBR領域11と出射端面13との間に光導波路部14が配置されている。共振器長方向において、光導波路部14の長さLgはDBR領域11の長さLdbr以上であるLg≧Ldbr。DBR領域11で受けた摂動が光導波路部14において緩和されるため、出射ビーム形状を安定にすることができる。なお、この効果を高めるには、出射端面13の反射率を回折格子10で決まる反射率よりも小さくする必要があり、できれば出射端面13が無反射であることが望ましい。また、回折格子層6の厚さをte、屈折率をneとし、埋め込み層7の厚さをtb、屈折率をnbとすると、回折格子層6と埋め込み層7の平均屈折率はnetenbtb/tetbとなる。この平均屈折率を、回折格子層6と埋め込み層7にそれぞれ隣接するp型AlGaInPクラッド層8やアンドープ光ガイド層3の屈折率よりも高くする。これにより、回折格子層6と埋め込み層7を合わせた部分における光強度が大きくなるので、回折格子10での光強度分布導波モードの結合効率を高くすることができる。従って、DBR領域11を短くすることができるため、摂動を小さくすることができる。実施の形態2.図2は、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザの共振器長方向に沿った断面図である。DBR領域11とFP領域12の間に第1のテーパ導波路15が設けられ、DBR領域11と光導波路部14の間に第2のテーパ導波路16が設けられている。第1及び第2のテーパ導波路15,16において、DBR領域11に向かって半導体層が次第に薄くなる。FP領域12から伝搬してきた光は、第1のテーパ導波路15によりスムーズにDBR領域11に導かれる。そして、DBR領域11を伝搬した光は、第2のテーパ導波路16によりスムーズに光導波路部14に導かれる。従って、第1及び第2のテーパ導波路15,16を設けることで、出射ビーム形状を更に安定にすることができる。なお、第1及び第2のテーパ導波路15,16だけでは安定なモードに変換できないが、光導波路部14で最終的に安定なモードへと変換される。また、1回のエピタキシャル結晶成長で全ての半導体層を形成した後に、エッチングにより回折格子10を形成している。エピタキシャル結晶成長が1回なので、再成長界面に起因した非発光再結合センターによる特性劣化を回避することができる。実施の形態3.図3は、本発明の実施の形態3に係る半導体レーザの共振器長方向に沿った上面図である。図4は図3のA-A ́に沿った断面図であり、図5は図3のB-B ́に沿った断面図である。DBR領域11とFP領域12の間に第1のテーパ導波路15が設けられ、DBR領域11と光導波路部14の間に第2のテーパ導波路16が設けられている。DBR領域11、FP領域12、光導波路部14、及び第1及び第2のテーパ導波路15,16においてリッジ17が設けられている。第1及び第2のテーパ導波路15,16において、DBR領域11に向かってリッジ17の幅が次第に狭くなる。DBR領域11、FP領域12、及び光導波路部14では、リッジ17はストレート形状である。FP領域12から伝搬してきた光は、第1のテーパ導波路15によりスムーズにDBR領域11に導かれる。そして、DBR領域11を伝搬した光は、第2のテーパ導波路16によりスムーズに光導波路部14に導かれる。従って、第1及び第2のテーパ導波路15,16を設けることで、出射ビーム形状を更に安定にすることができる。なお、第1及び第2のテーパ導波路15,16だけでは安定なモードに変換できないが、光導波路部14で最終的に安定なモードへと変換される。また、回折格子10は、電流が流れるリッジ17中ではなく、リッジ17の両脇に配置されている。このため、回折格子10での非発光再結合センターによる特性劣化を防止することができる。なお、本実施の形態では回折格子10を埋め込んでいるが、埋め込まなくても同様な効果が得られる。なお、実施の形態1~3のレーザはAlGaInPクラッド層、AlGaAsガイド層、GaAs活性層を備えた発振波長830nm近傍の半導体レーザであるが、これに限らず活性層及びガイド層がInGaAsPでクラッド層がInPである通信用半導体レーザ、クラッド層及びガイド層がAlGaAsである800nm帯の半導体レーザ、InGaN系の青紫半導体レーザ、AlGaInP系の赤色半導体レーザ、その他の材料系を用いたDBR半導体レーザにも本発明は適用可能である。実施の形態4.図6は、本発明の実施の形態4に係る半導体レーザの共振器長方向に沿った断面図である。n型GaAs基板1上に、n型AlGaInPクラッド層2、光ガイド層3、活性層4、光ガイド層5、p型AlGaInPクラッド層18、回折格子層6、埋め込み層7、p型AlGaInPクラッド層8、及びp型コンタクト層9が順番に積層されている。n型AlGaInPクラッド層2は厚さ3μmのAl0.20Ga0.800.51In0.49P層、光ガイド層3は厚さ22nmのアンドープAl0.4Ga0.6As層、活性層4は厚さ6nmのアンドープGaAs層、光ガイド層5は厚さ22nmのアンドープAl0.4Ga0.6As層、p型AlGaInPクラッド層18は厚さ150nmのp型Al0.15Ga0.850.51In0.49P層、回折格子層6は厚さ45nmのp型Al0.5Ga0.5As層、埋め込み層7は厚さ90nmのp型Al0.35Ga0.65As層、p型AlGaInPクラッド層8は厚さ1.9μmのp型Al0.15Ga0.850.51In0.49P層、p型コンタクト層9は厚さ0.3μmのp型GaAs層である。埋め込み層7はp型AlGaInPクラッド層8,18内に設けられ、回折格子10が形成された回折格子層6は埋め込み層7内に埋め込まれている。p型AlGaInPクラッド層18は、従来のAlGaAsクラッド層よりもバンドギャップエネルギーが大きいため、光ガイド層5との電子障壁を高くすることができる。従って、活性層4に注入された電子がp型AlGaInPクラッド層18へオーバーフローし難くなるため、温度特性の良好な半導体レーザを得ることができる。また、本実施の形態の変形例として、回折格子層6として厚さ40nmのp型Ga0.51In0.49P層を用い、埋め込み層7として厚さ80nmのp型Al0.20Ga0.800.51In0.49P層を用いても同様の効果を得ることができる。また、埋め込み層7をAlGaAs、又はp型AlGaInPクラッド層8,18と異なるAl組成比を持つAlGaInPとし、回折格子層6を埋め込み層7とAl組成比の異なるAlGaAs、InGaP、又はp型AlGaInPクラッド層8,18及び埋め込み層7と異なるAl組成比を持つAlGaInPとすることにより、埋め込み層7と回折格子層6の屈折率差を任意に設定することができる。なお、本実施の形態ではDBRレーザを例に説明したが、共振器長方向全体に回折格子が存在するDFBレーザでも同様な効果が得られる。また、実施の形態1~3と同様に光導波路部14を設けてもよく、これにより出射ビーム形状を安定にすることができる。また、本実施の形態の半導体レーザの発振波長は830nm近傍であるが、これに限らず本発明はAlGaInPクラッド層を用いる他の半導体レーザにも適用可能である。"