"露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う方法において、前記基板を処理容器内のステージに載置する工程と、前記パターンマスクを膨潤させるために前記基板の中央部に溶剤ガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、次いで当該基板の中央部に、基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、を複数回繰り返す工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う方法において、前記基板を処理容器内のステージに載置する工程と、前記パターンマスクを膨潤させるために前記基板の周囲に溶剤ガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、次いで当該基板の周囲に、基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、を複数回繰り返す工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う方法において、前記基板を処理容器内のステージに載置する工程と、前記パターンマスクを膨潤させるために、前記基板の一端側に溶剤ガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、次いで当該基板の一端側に、基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、を複数回繰り返す工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。前記基板は、処理容器内のステージに載置された後、溶剤ガスが供給される前に温調されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の基板処理方法。基板に対して前記溶剤ガスを供給するステップと前記乾燥用のガスを供給するステップとを行った後、次の溶剤ガスを供給するステップを行う前に、これらのステップを行うときの温度以上の温度に基板を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理方法。第1の基板に対して溶剤ガスを供給する前記ステップと乾燥用のガスを供給する前記ステップとを行った後、当該第1の基板を処理容器の外に搬出すると共に処理容器の外から第2の基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器の外に搬出された第1の基板を第1の加熱板上において加熱する一方で、第2の基板に対して溶剤ガスを供給する前記ステップと乾燥用のガスを供給する前記ステップとを行う工程と、を含み、第1の基板及び第2の基板を交互に処理容器内に搬入し、処理容器の外の基板に対しては加熱板により加熱することを特徴とする請求項5に記載の基板処理方法。第1の基板を処理容器内に対して搬入搬出する機能を備え、第1の基板を加熱するための第1の加熱板と、第2の基板を処理容器内に対して搬入搬出する機能を備え、第2の基板を加熱するための第2の加熱板と、を用いることを特徴とする請求項6記載の基板処理方法。露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、処理容器と、当該処理容器内に設けられたステージと、前記パターンマスクを膨潤させるための溶剤ガスを前記ステージに載置された基板の中央部に供給する溶剤ガス供給部と、基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを、前記ステージに載置された基板の中央部に供給する乾燥用ガス供給部と、前記溶剤ガス及び乾燥用ガスを前記基板の周囲から排気するために設けられた排気口と、前記溶剤ガス供給部による溶剤ガスの供給と、前記乾燥用ガス供給部による乾燥用ガスの供給と、前記排気口からの排気とを制御するために制御信号を出力する制御部と、を備え、前記制御部は、基板の中央部に前記溶剤ガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、次いで当該基板の中央部に、前記乾燥用のガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、を複数回繰り返すように制御信号を出力することを特徴とする基板処理装置。露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、処理容器と、当該処理容器内に設けられたステージと、前記パターンマスクを膨潤させるための溶剤ガスを前記ステージに載置された基板の周囲に供給する溶剤ガス供給部と、基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを、前記ステージに載置された基板の周囲に供給する乾燥用ガス供給部と、前記溶剤ガス及び乾燥用ガスを前記基板の中央部の上方から排気するために設けられた排気口と、前記溶剤ガス供給部による溶剤ガスの供給と、前記乾燥用ガス供給部による乾燥用ガスの供給と前記排気口からの排気とを制御するために制御信号を出力する制御部と、を備え、前記制御部は、基板の周囲に前記溶剤ガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、次いで当該基板の周囲に前記乾燥用のガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、を複数回繰り返すように制御信号を出力することを特徴とする基板処理装置。露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、処理容器と、当該処理容器内に設けられたステージと、前記パターンマスクを膨潤させるための溶剤ガスを前記ステージに載置された基板の一端側に供給する溶剤ガス供給部と、基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを、前記ステージに載置された基板の一端側に供給する乾燥用ガス供給部と、前記溶剤ガス及び乾燥用ガスを前記基板の他端側から排気するために設けられた排気口と、前記溶剤ガス供給部による溶剤ガスの供給と、前記乾燥用ガス供給部による乾燥用ガスの供給と前記排気口からの排気とを制御するために制御信号を出力する制御部と、を備え、前記制御部は、基板の一端側に前記溶剤ガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、次いで当該基板の一端側に前記乾燥用のガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、を複数回繰り返すように制御信号を出力することを特徴とする基板処理装置。前記ステージは基板を温調する温調機構を備えることを特徴とする請求項8ないし10のいずれか一項に記載の基板処理装置。処理容器内に対して基板を搬入搬出すると共に基板を加熱する加熱板を備えることを特徴とする請求項8ないし11のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記加熱板は、第1の基板の前記搬入搬出を行うための第1の加熱板と、第2の基板の前記搬入搬出を行うための第2の加熱板とからなり、第1の基板に対して溶剤ガス及び乾燥用のガスを供給する間に、第2の加熱板が処理容器の外に搬出した第2の基板を加熱し、第2の基板に対して溶剤ガス及び乾燥用のガスを供給する間に、第1の加熱板が処理容器の外に搬出した第1の基板を加熱することを特徴とする請求項12記載の基板処理装置。露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし7のいずれか一つに記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は基板に形成されたパターンマスクの溶解を防ぐと共に、基板の面内で当該パターンマスクの表面を均一に平滑化させることができる技術を提供することである。本発明の基板処理方法は、露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う方法において、前記基板を処理容器内のステージに載置する工程と、前記パターンマスクを膨潤させるために前記基板の中央部に溶剤ガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、次いで当該基板の中央部に、溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、を複数回繰り返す工程と、を含むことを特徴とする。本発明の他の基板処理方法は、露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う方法において、前記基板を処理容器内のステージに載置する工程と、前記パターンマスクを膨潤させるために前記基板の周囲に溶剤ガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、次いで当該基板の周囲に、溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、を複数回繰り返す工程と、を含むことを特徴とする。本発明のさらに他の基板処理方法は、露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う方法において、前記基板を処理容器内のステージに載置する工程と、前記パターンマスクを膨潤させるために、前記基板の一端側に溶剤ガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、次いで当該基板の一端側に、溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、を複数回繰り返す工程と、を含むことを特徴とする。本発明の具体的態様は、例えば下記の通りである。a前記基板は、処理容器内に載置された後、溶剤が供給される前に温調される。b基板に対して前記溶剤を供給するステップと前記乾燥用のガスを供給するステップとを行った後、次の溶剤を供給するステップを行う前に、これらのステップを行うときの温度以上の温度に基板を加熱する工程を含む。c第1の基板に対して溶剤を供給する前記ステップと乾燥用のガスを供給する前記ステップとを行った後、当該第1の基板を処理容器の外に搬出すると共に処理容器の外から第2の基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器の外に搬出された第1の基板を第1の加熱板上において加熱する一方で、第2の基板に対して溶剤を供給する前記ステップと乾燥用のガスを供給する前記ステップとを行う工程と、を含み、第1の基板及び第2の基板を交互に処理容器内に搬入し、処理容器の外の基板に対しては加熱板により加熱する。d第1の基板を処理容器内に対して搬入搬出する機能を備え、第1の基板を加熱するための第1の加熱板と、第2の基板を処理容器内に対して搬入搬出する機能を備え、第2の基板を加熱するための第2の加熱板と、を用いる。本発明の基板処理装置は、露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、処理容器と、当該処理容器内に設けられたステージと、前記パターンマスクを膨潤させるための溶剤ガスを前記ステージに載置された基板の中央部に供給する溶剤ガス供給部と、基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを、前記ステージに載置された基板の中央部に供給する乾燥用ガス供給部と、前記溶剤ガス及び乾燥用ガスを前記基板の周囲から排気するために設けられた排気口と、前記溶剤ガス供給部による溶剤ガスの供給と、前記乾燥用ガス供給部による乾燥用ガスの供給と、前記排気口からの排気とを制御するために制御信号を出力する制御部と、を備え、前記制御部は、基板の中央部に前記溶剤ガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、次いで当該基板の中央部に、前記乾燥用のガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、を複数回繰り返すように制御信号を出力することを特徴とする。本発明の他の基板処理装置は、露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、処理容器と、当該処理容器内に設けられたステージと、前記パターンマスクを膨潤させるための溶剤ガスを前記ステージに載置された基板の周囲に供給する溶剤ガス供給部と、基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを、前記ステージに載置された基板の周囲に供給する乾燥用ガス供給部と、前記溶剤ガス及び乾燥用ガスを前記基板の中央部の上方から排気するために設けられた排気口と、前記溶剤ガス供給部による溶剤ガスの供給と、前記乾燥用ガス供給部による乾燥用ガスの供給と前記排気口からの排気とを制御するために制御信号を出力する制御部と、を備え、前記制御部は、基板の周囲に前記溶剤ガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、次いで当該基板の周囲に前記乾燥用のガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、を複数回繰り返すように制御信号を出力することを特徴とする。本発明の更に他の基板処理装置は、露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、処理容器と、当該処理容器内に設けられたステージと、前記パターンマスクを膨潤させるための溶剤ガスを前記ステージに載置された基板の一端側に供給する溶剤ガス供給部と、基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを、前記ステージに載置された基板の一端側に供給する乾燥用ガス供給部と、前記溶剤ガス及び乾燥用ガスを前記基板の他端側から排気するために設けられた排気口と、前記溶剤ガス供給部による溶剤ガスの供給と、前記乾燥用ガス供給部による乾燥用ガスの供給と前記排気口からの排気とを制御するために制御信号を出力する制御部と、を備え、前記制御部は、基板の一端側に前記溶剤ガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、次いで当該基板の一端側に前記乾燥用のガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、を複数回繰り返すように制御信号を出力することを特徴とする。本発明の記憶媒体は、露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。本発明によれば、溶剤ガスが基板上を流れる方向と乾燥用のガスが基板上を流れる方向とが互いに揃うことで、基板の面内で溶剤が多く供給される箇所が乾燥用のガスにより早く乾燥し、溶剤ガスの供給と乾燥用のガスの供給とを繰り返すことで、パターンマスク内部への溶剤の浸透を抑えることができる。従って、パターンマスクの溶解を防ぎ、その表面を均一性高く平滑化させることができるので、歩留りの低下を抑えることができる。第1の実施形態本発明の実施の形態に係る溶剤供給装置1について、その縦断側面図、横断平面図である図1、図2を参照しながら説明する。溶剤供給装置1は、ウエハWを処理するための処理容器2と、処理容器2と溶剤供給装置1の外部との間で基板であるウエハWを搬送する搬送機構6と、を備えている。この処理容器2に搬送されるウエハW表面にはレジスト膜が形成されている。レジスト膜は露光、現像処理を受けており、パターンマスクであるレジストパターンが形成されている。処理容器2は扁平な円形状に形成され、容器本体21と、蓋体41とを備えている。容器本体21は、その周縁部をなす側壁部22と、側壁部22の下端から内側方向に突出した底壁部23と、を備えており、底壁部23上にはウエハWを水平に載置するステージ24が設けられている。ステージ24には当該ステージ24の温調機構をなすヒータ25が設けられており、載置されたウエハWを予め設定した温度に加熱する。ステージ24に設けられた3つの各孔26にはピン27が挿通されている。これらピン27は、昇降機構28によりステージ24上にて突没し、搬送機構6との間でウエハWを受け渡す。側壁部22の表面にはその周方向に沿って多数のパージガス吐出口29が開口している。側壁部22の下方にはパージガス吐出口29に連通するリング状の空間31が形成され、当該空間31の下方には周方向に間隔をおいて、複数のパージガス供給管32の一端が接続されている。各パージガス供給管32の他端は、パージガスとしてN2ガスを圧送する不図示の供給機構に接続され、供給機構から空間31に供給されたパージガスは、当該空間31を広がって各パージガス吐出口29から吐出される。蓋体41は昇降機構11により昇降自在に構成されている。蓋体41は、その周縁部をなす側壁部42と、その側壁部42に囲まれる上壁部43とを備えており、側壁部42の下端は上壁部43の下端よりも下方に位置している。ウエハWに処理を行うときには、蓋体41が図1に示す処理位置に移動し、上壁部43の下端と、容器本体21の側壁部22の上端とが隙間12を介して互いに近接する。上壁部43の裏面側中央部は下方に突出し、ガス供給部4を形成している。図3に示すように、このガス供給部4の側周には周方向に沿って多数のガス吐出口44が開口し、ステージ24に載置されたウエハWの中央部から周縁部に向かってガスを吐出し、ウエハW全体にガスを供給することができる。図2中では点線の矢印でガス吐出口44から吐出されるガスの流れを示している。蓋体41の上部にはガス供給管45の下流端が接続され、ガス供給管45の上流側は分岐してガス供給管45A、45Bを構成している。ガス供給管45Aの上流側は、流量制御機構47Aを介して溶剤供給源48Aに接続されている。溶剤供給源48Aはレジストを膨潤させることができる溶剤が貯留されたタンクをなし、貯留された溶剤の液相にN2ガスを供給するN2ガス供給部49に接続されている。N2ガス供給部49からN2ガスが前記タンク内に供給されると当該タンク内が加圧されると共に溶剤が気化し、気化した溶剤と前記N2ガスとからなる処理ガスが、流量制御機構47Aでその流量が制御され、ガス吐出口44からウエハWに供給される。また、ガス供給管45Bの上流側はガス流量制御機構47Bを介して、乾燥用ガスであるN2ガスを下流側に圧送するN2ガス供給源48Bに接続されている。圧送された乾燥用ガスは、ガス流量制御機構47Bでその流量が制御されてガス吐出口44からウエハWに供給される。蓋体41の側壁部42の下端には、パージガス吐出口29に重なる位置にリング状の凹部51が形成されている。複数の排気路52を介して処理容器蓋体41の上部に開放されており、各排気路52は前記周方向に複数設けられている。また、側壁部42の下端において、凹部51の内側には多数の排気口53がウエハWの周方向に配列されている。この排気口53は排気機構54に接続されている。図4ではウエハW処理中の処理容器2の処理ガスの流れを実線の矢印で、パージガスの流れを点線の矢印で各々示している。パージガス吐出口29から吐出されたパージガスは、その一部が凹部51に流れ込んで処理容器2の外部へと流通すると共にその一部が排気口53により吸引されて処理容器2の内側へ向かい、当該排気口53に流れ込んで排気される。このようにパージガスの流れが形成されている状態で、処理ガスがガス吐出口44から吐出され、ウエハWの中央部から周縁部へと横方向に広がり、排気口53へ向かう。排気口53の外側では、上記のようにパージガスの外側から内側へ向かう流れが形成されているため、処理ガスはこの流れに阻まれて排気口53の外側へ出ることなく、当該排気口53により除去される。処理ガスの流れについて説明したが、乾燥用ガスをウエハWに供給するときにも、パージガスが同様に処理容器2に供給され、当該乾燥用ガスは処理ガスと同様に処理容器2を流れて排気される。図1、図2に戻って説明する。処理容器2の外部には基台61が設けられ、この基台61に前記搬送機構6が設けられている。搬送機構6は、水平な移動プレート62と、移動プレート62を基台61上に支持する支持部63と、移動機構64とにより構成されている。支持部63は移動プレート62から基台61の下方に伸び、移動機構64に接続されている。図1及び図2に示した移動プレート62の位置を待機位置とすると、当該移動機構64により移動プレート62は待機位置と、処理容器2のステージ24上との間で水平に移動することができる。図中65は、この移動を妨げないように基台61に設けられたスリットである。移動プレート62について説明する。移動プレート62の内部にはヒータ66が設けられており、表面に載置されたウエハWを予め設定された温度に加熱する。図中67はスリットであり、ステージ24との間でウエハWを受け渡すためにピン27が通過する。図中68は切り欠きであり、溶剤供給装置1にウエハWを搬送する搬送アーム13との間でウエハWを受け渡すために設けられている。図2に示す搬送アーム13は、搬送アーム13は、ウエハWの側周を囲む扁平なフォーク14と、当該フォーク14から内側に突出してウエハWの裏面を支持する支持部15と、を備えている。搬送アーム13は、移動プレート62に対して前後図2中上下移動、昇降移動自在に構成され、これらの動作を組み合わせて移動プレート62との間でウエハWを受け渡す。溶剤供給装置1は、コンピュータからなる制御部10を備えている。制御部10は、制御部10は溶剤供給装置1の各部に制御信号を送り、各種のガスの給断及び各ガスの供給量、移動プレート62及びステージ24でのウエハWの温度、処理容器2と移動プレート62とステージ24との間でのウエハWの受け渡し、処理容器2内の排気などの動作を制御して、後述のように溶剤供給装置1での処理を進行させるように命令各ステップが組み込まれている。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO光磁気ディスク等の記憶媒体に格納されて制御部10にインストールされる。上記の溶剤供給装置1の処理の概要を説明するために、図5のグラフを参照しながら、溶剤供給装置1によりウエハWに既述の処理ガスを供給したときのウエハW表面のレジストパターン中の溶剤の濃度とレジストを構成するポリマーの動きやすさとの関係を説明する。グラフの縦軸、横軸が前記動きやすさ、溶剤濃度を夫々示している。レジストパターンに処理ガスを供給するとき、処理ガスの持つ温度エネルギーに応じて溶剤の分子は運動しているが、当該溶剤の分子がレジストパターンに衝突すると、その瞬間にこの分子とレジストパターンとの間で熱の授受が起こる。それによって、溶剤ガスは速やかにウエハWの温度になり、分子はレジストパターンの表面に付着する。つまり、レジストパターンの表面に溶剤が浸透する。しかし、処理ガスの供給量が少なく、レジストパターン中の溶剤濃度が所定の閾値以下の範囲グラフ中範囲L1であると、前記ポリマーはほとんど流動しない。例えばグラフ中の点Aの状態のレジストパターンは溶剤濃度が前記閾値にあり、そのようにポリマーがほとんど流動しない状態にある。前記閾値よりもレジストパターン中の溶剤濃度が高くなると、前記ポリマーの流動性が高くなり、レジストパターンの表面が膨潤し、前記荒れが改善される。例えばグラフ中の点Bでは、最適なポリマーの流動性が得られる状態を示している。処理ガスの供給が続けられ、溶剤濃度が高くなりすぎると、溶剤はレジストパターンの内部に向けて浸透し、レジストパターンの膨潤量が過大になる。このように過大に膨潤したレジストパターンはその形状を保てずに湾曲し、背景技術の項目で説明したように溶解してしまう。グラフ中の点Cではパターンの形状が保たれているが、さらに溶剤濃度が高くなると、そのようなパターンの溶解が起こる。グラフ中ではパターンが改善される溶剤濃度の範囲をL2で示し、パターンの溶解が起こる溶剤濃度の範囲をL3で夫々示している。従って、ウエハWの面内においてレジストパターンの荒れを均一性高く改善するには、レジストパターン中の溶剤濃度をグラフ中L2で示す範囲内の所定の濃度に揃うように処理を行うことが求められる。ここで、溶剤供給装置1は、吐出口43から連続して処理ガスを吐出すると、当該吐出口43付近、つまりウエハWの中央部では、ウエハWの周縁部に比べて処理ガスが供給される量が多くなるので、当該中央部の溶剤の濃度が周縁部の溶剤の濃度よりも高くなってしまう。より具体的に説明すると、吐出口43に近いウエハW中央部では比較的処理ガスの流速が高く、処理ガスの濃度が高くなるため、上記のように溶剤の分子がレジストパターンへ衝突し、付着する割合確率が高くなり、結果としてウエハWの中央部ではレジストパターンの膨潤が進む。しかし、処理ガスは周縁部へと拡散するため、周縁部では処理ガスの流速が低下し、その濃度が低くなる。従って、溶剤の分子がレジストパターンへ衝突し、付着する割合が低く、中央部に比べてレジストパターンが膨潤しにくい。また、処理ガスの供給時間が長くなることにより、溶剤がレジストパターンの内部に浸透するため、この供給時間を抑えることが求められる。そこで、溶剤供給装置1では、吐出口43からの処理ガスの供給に次いで、吐出口43から乾燥用ガスN2ガスの供給を行う。乾燥用ガスは処理ガスと同じく吐出口43から吐出されるため、処理ガスと同様にウエハWの周縁部に比べて中央部の供給量が多くなり、置換効率が高くなる。より詳しく説明すると、上記のようにレジストパターンに衝突し、付着した溶剤の分子がレジストパターンから離れる量、つまり溶剤ガスとしてレジストパターンから揮発する量は、ウエハW直上の気層の溶剤濃度とレジストパターン中の溶剤濃度とのつり合いに影響される。このつり合いとは、レジストパターン中の液体の溶剤と前記気層中の気体の溶剤との気液平衡である。吐出口43から供給される乾燥用ガスは、溶剤ガス同様に吐出口43に近いウエハWの中央部側の流速が高くなるため、ウエハWの中央部直上の気層の溶剤濃度がウエハWの周縁部直上の溶剤濃度よりも低くなり、前記揮発が促進される。つまり、ウエハWの中央部の方が周縁部よりも溶剤が乾燥して除去される速度が速いため、前記中央部と周縁部との間でレジストパターン中での溶剤濃度が揃う。そして、前記処理ガスの供給と、前記乾燥用ガスの供給及び移動プレート62による加熱とからなる乾燥処理とを繰り返し行うことで、レジストパターンの内部に溶剤が浸透することを防ぎ、且つレジストパターンの表面の溶剤濃度が前記グラフ中の範囲L2に収まる時間を十分に確保してレジストパターンの荒れを改善する。前記乾燥用ガスは、本実施形態ではN2ガスを用いているが、これに限られず例えばドライエアでもよい。また、ウエハWの温度を上昇させることによっても、ウエハW直上の雰囲気の溶剤濃度は低くなるため、前記気液平衡によりレジストパターンから溶剤の揮発が進行する。そこで、本実施形態では、上記のように乾燥用ガス供給の他に移動プレート62を用いた加熱によってもレジストパターンの乾燥を行う。以下、各工程の溶剤供給装置1の動作を示す図6~図12と、処理の各段階におけるレジストパターンの模式図である図13とを参照しながら溶剤供給装置1の作用について具体的に説明する。図13中上段は、処理中の各段階におけるウエハWの中央部のレジストパターンの模式図であり、下段は処理中の各段階におけるウエハWの周縁部のレジストパターンの模式図である。また、図14も適宜参照しながら説明を行う。図14は、処理ガスが供給される区間と、N2ガスが供給される区間と、ステージ24上のウエハWの有無と、移動プレート62の位置及び移動方向とを互いに対応付けて示したタイムチャートである。このタイムチャート中、移動プレート62の位置及び移動方向については、ステージ24上に位置しているとき及びステージ24に向かって移動しているときをINとして示し、前記待機位置に位置しているとき及びステージ24上から当該待機位置に移動しているときをOUTとして示している。先ず、搬送アーム13により、ウエハWが待機位置にある移動プレート62に受け渡される。図14に状態1として示すように、ウエハWのレジストパターン71の表面72は荒れており、凹凸が形成されている。図6に示すように移動プレート62がステージ24上へと移動する図14中時刻t1ステップS1。そして、ピン27が上昇してウエハWを受け取ると、移動プレート62が待機位置に戻り、図7に示すように前記ピン27が下降してウエハWが、所定の温度に制御されたステージ24に載置される図14中時刻t2。処理ガス供給時に当該処理ガスを構成する溶剤の分子がレジストパターン表面に付着するように、載置されたウエハWは18度~50度に温調されるステップS2。ウエハWの温調に並行して蓋体41の下降、パージガス吐出口29からのパージガスが吐出及び排気口53からの排気が行われる。ウエハWがステージ24に載置されてから例えば10秒経過すると、図8に示すようにガス供給部4のガス吐出口44から処理ガスがウエハWの中央部に供給され図14中時刻t3、ウエハWの周縁部へと流れてパージガスと共に排気されるステップS3。なお、この図8などの作用図では、図が煩雑化することを防ぐためにウエハWの周囲のガスの流れのみ矢印で示しているが、実際には処理容器2内では図4に示すようにガス流が形成される。処理ガスを構成する溶剤の分子がレジストパターン71の表面72に付着、浸透し、図13の状態2に示すように当該表面72が膨潤し、レジストポリマーが流動する。このとき、既述のようにウエハWの中央部では周縁部に比べて処理ガスの供給量が多くなるため、中央部の前記表面72の膨潤量は、前記表面72の膨潤量よりも大きくなる。処理ガス供給開始後、所定の時間例えば5~10秒経過すると、処理ガスの供給が停止し、図9に示すようにガス吐出口44から乾燥用ガスがウエハWの中央部に吐出され、周縁部へと流れてパージガスと共に排気される図14中時刻t4ステップS4。この乾燥用ガスに曝されることでレジストパターン71の表面に浸透した溶剤が揮発し、乾燥する。このとき既述のようにウエハWの中央部では周縁部に比べて溶剤の乾燥速度が速いため、図13に状態3として示すように中央部の前記表面72の膨潤量と、周縁部の前記表面72の膨潤量とが揃う。乾燥用ガス供給開始後、例えば5~10秒経過するとガス吐出口44から乾燥用ガスの供給及びパージガス吐出口29からのパージガスの供給が停止し、蓋体41が上昇して処理容器2が開放される。図10に示すようにピン27がウエハWを上昇させ、移動プレート62がステージ24上に移動する図13中時刻t5ステップS4。ヒータ66により移動プレート62がステージ24よりも高い温度に制御され、ピン27が下降して図11に示すように移動プレート62にウエハWが載置されると、ウエハW全体が例えば60度に加熱される。それによって、図12の状態4に示すようにウエハWの中央部及び周縁部におけるレジストパターン71の表面72がさらに乾燥すると共にウエハWの温度が上昇することでレジストパターンを構成するポリマーの流動性が高くなり、凹凸の改善が進行する。そして、表面72の乾燥が進行すると、前記ポリマーの流動性が低下し、レジストパターン71内への溶剤の浸透が抑制されるステップS5。ウエハWが移動プレート62に載置されてから例えば10~60秒経過すると、ピン27が上昇してウエハWが移動プレート62から持ち上げられ、移動プレート62は待機位置へ移動する図14中時刻t6。ピン27が下降してウエハWがステージ24に載置されると共に図14中時刻t7、処理容器2の蓋体41が下降し、図12に示すようにステージ24によりウエハWが温調されるステップS7。つまり再度上記ステップS2が行われる。以降、図14のタイムチャートに示すようにステップS3の処理ガスの供給図14中時刻t8、ステップS4の乾燥用ガスの供給図14中時刻t9、ステップS5の移動プレート62へのウエハWの受け渡し図14中時刻t10、ステップS6のウエハWの加熱が行われ、前記ステップS6終了後は、さらにステップS2~S6の処理が繰り返し行われる。それによって、ウエハWの中央部及び周縁部でレジストパターン71は、図13の状態2~状態4の各状態に繰り返しおかれ、次第にレジストパターンの凹凸が均され、状態5のように表面72が平滑化される。予め設定された所定の回数のステップS2~S6が行われると、移動プレート62はウエハWを載置したまま待機位置へと戻り図14中時刻t11、搬送アーム13がウエハWを受け取り、当該ウエハWを溶剤供給装置1の外部へと搬送する。その後、溶剤を完全に除去するために、ウエハWは例えば加熱装置に搬送され、移動プレート62の加熱温度よりも高い温度で加熱される。この溶剤供給装置1によれば、ガス供給部4により溶剤からなる処理ガスをウエハWの中央部から周縁部に供給し、続いてガス供給部4により乾燥用ガスをウエハWの中央部から周縁部に供給しており、この処理ガス及び乾燥用ガスの供給を1枚のウエハWに繰り返し行う。それによって前記処理ガスによるウエハWの面内の膨潤量を均一性高く制御し、溶剤のレジストパターン内への過度な浸透を防ぐことができる。従って、レジストパターンが溶解することを防ぎ、且つウエハWの面内で均一性高くレジストパターンの表面の荒れを改善することができる。また、この溶剤供給装置1では乾燥用ガスの供給後、移動プレート62によりウエハWの加熱を行うことで、溶剤の乾燥速度が大きくなるためスループットが向上する。移動プレート62により加熱を行う代わりにステージ24の温度を高く設定してもよいが、処理ガス供給時にウエハWからの溶剤の揮発量が多くなりすぎてしまうことを防ぐため、このようにステージ24よりも高く温度調整した移動プレート62にウエハWを移動させて乾燥を行うことが有効である。ただし、この移動プレート62にウエハWを移動させず、乾燥用ガスの供給を続けることでレジストパターンを乾燥させてもよいし、乾燥用ガスの供給後、ウエハWをステージ24に載置したままウエハWを加熱してもよい。このとき加熱されるウエハWの温度は、処理ガス及び乾燥用ガスを供給したときの温度以上の温度である。第2の実施形態図15には第2の実施形態である溶剤供給装置8を示している。この溶剤供給装置8において、溶剤供給装置1と同様に構成されている箇所には同じ符号を付し、説明を省略する。この溶剤供給装置8における溶剤供給装置1との差異点は、搬送機構6が2枚の移動プレートにより構成されている点である。図16にはこれら移動プレート62A、62Bの斜視図を示している。これら移動プレート62A、62Bは移動プレート62と同様に構成されており、移動機構64により互いに独立して移動できるように構成されている。図中63A、63Bは支持部であり、第1の実施形態の支持部63に相当する。上側の移動プレート62Aを支持する支持部63Aは、移動プレート62A、62Bの独立移動を妨げないように下方側から外方側へ屈曲し、さらに下方へ向けて屈曲して形成されている。また、以降の説明では図14に示す各移動プレート62A,62Bの位置を、各移動プレート62A,62Bの待機位置とする。この溶剤供給装置8は、2枚のウエハW1、ウエハW2を同時に処理するように制御され、ウエハW1が処理容器2内で処理ガス及び乾燥用ガスの供給を受けている間、ウエハW2が処理容器2の外で移動プレート62Bにより乾燥処理される。逆に、ウエハW2が処理容器2内で処理ガス及び乾燥用ガスの供給を受けている間、ウエハW1が処理容器2の外で移動プレート62Aにより乾燥処理される。ウエハW1は溶剤供給装置1に先に搬入されるウエハWであり、ウエハW2は溶剤供給装置にウエハW1の次に搬入されるウエハWである。以下、溶剤供給装置8の動作を示す図17~図24と、図25のタイムチャートとを参照しながら第1の実施形態の作用との差異点を中心に、第2の実施形態の作用について説明する。図25のタイムチャートは、第1の実施形態で説明したタイムチャートと同様に各ガスが供給される区間と、ステージ24上のウエハWの有無と、各移動プレート62A、62Bの動作とを互いに対応付けて示しているが、ウエハW1に対して各ガスを供給する区間及びウエハW1がステージ24に載置される区間に斜線を付して示している。そして、ウエハW2に対して各ガスを供給する区間及び前記ウエハW2がステージ24に載置される区間に多数の点を付して示している。また、この例では移動プレート62A、62Bが夫々ウエハW1、W2の搬送を行うため、タイムチャートでは移動プレート62Aの動作については斜線で、移動プレート62Bの動作については多数の点を付して夫々示している。先ず、待機位置にある移動プレート62AにウエハW1が受け渡され、図17に示すように移動プレート62Aがステージ24上に移動すると共にウエハW2が待機位置にある移動プレート62Bに受け渡される図25中時刻v1。第1の実施形態と同様にウエハW1がステージ24で温調された後、当該ウエハW1に処理ガスが供給され図25中時刻v2図18、続いて乾燥用ガスが供給される図19図25中時刻v3。乾燥用ガスの供給終了後、ステージ24上に移動した移動プレート62AにウエハW1が受け渡され、ウエハW1が加熱される。移動プレート62Aが待機位置に移動すると共に移動プレート62Bがステージ24上に移動する図20図25中時刻v4。ウエハW2がステージ24で温調された後、当該ウエハW2に処理ガスが供給され図25中時刻v5図21、続いて乾燥用ガスが供給される図22図25中時刻v6。ウエハW2のこれら温調、処理ガス供給及び乾燥用ガス供給に並行して移動プレート62AでウエハW1の乾燥処理が続けられる。ウエハW2の乾燥用ガス供給が終了すると、ステージ24上に移動した移動プレート62BにウエハW2が受け渡され、ウエハW2が加熱される。移動プレート62Bが待機位置に移動すると共に移動プレート62Aがステージ24上に移動する図23図25中時刻v7。ウエハW1がステージ24上に受け渡され図25中時刻v8、移動プレート62Aが待機位置に戻る。ウエハW1が再び温調され、図24に示すように処理ガスの供給図25中時刻v9、次いで乾燥用ガスの供給図25中時刻v10が順に行われる間に、移動プレート62BによるウエハW2の加熱が続けられる。その後は、ウエハW2がステージ24上に受け渡され図25中時刻v11、当該ウエハW2が再度温調され、処理ガス供給図25中時刻v12、乾燥用ガス供給図25中時刻v13が順に行われる間に移動プレート62AによるウエハW1の加熱が続けられる。以降は上記のように、ウエハW1、W2についてステージ24と移動プレート62A、62Bとの間での受け渡しが繰り返され、各ウエハW1、W2は、例えば第1の実施形態同様に20回処理ガス及び乾燥用ガスの供給を受けた後、溶剤供給装置1から搬出される。この第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果が得られる他に、ウエハW1、W2のうち一方を処理容器2内で処理する間、他方を移動プレート62で乾燥処理するため、スループットを向上させることができる。なお、移動プレート62の枚数は3枚以上であってもよい。各実施形態において、1枚のウエハWへの処理ガス及び乾燥用ガスの供給は、2回以上繰り返せばよい。ところで、図5で説明したようにレジストパターン中の溶剤濃度が所定の濃度よりも高くならないと、レジストパターンの凹凸が均され難い。そこで、各実施形態で処理ガス及び乾燥用ガスの供給サイクルをX回X≧2行うとすると、前半のn回1≦n<Xのサイクルでは処理ガスの供給量は比較的多く、後半のX-n回のサイクルでは処理ガスの供給量を前半のサイクルよりも少なくするように処理を行ってもよい。前半のサイクルでは、各サイクルを行うたびにレジストパターン中の溶剤濃度が大きく上昇し、速やかに図5に示すレジストパターン形状が改善されるL2の範囲に到達するのでスループットを向上させることができる。そして、後半のサイクルでは前記溶剤濃度の上昇が抑えられ、レジストパターンに過剰に溶剤ガスが供給されることを防ぐことができるので、より確実にレジストパターンの溶解を防ぐことができる。上記のように処理ガス供給前にウエハWは例えば18度~50度に温調される。溶剤供給装置1が設置されるクリーンルームよりも低い温度に前記ウエハWを温調する場合は、ステージ24にヒータ25の代わりに冷媒の流路を設けて、ステージ24の表面を冷却する。なお、このような流路を設ける場合、移動プレート62によらず、ヒータ25の出力を制御して乾燥処理を行ってもよい。例えば処理ガス供給後に乾燥ガスを行うときには前記流路に冷媒を流さず、ヒータ25の出力を処理ガスの供給時よりも上昇させて乾燥を行う。そして、乾燥ガス供給後はヒータ25の出力を低下させ、前記流路に冷媒を流通させてステージ24を降温させた後、処理ガスを供給する。これによってステージ24と移動プレート62の受け渡し時間を省いてもよい。レジストパターンの膨潤及び乾燥を繰り返し行うにあたっては、第1及び第2の実施形態のようにウエハWの中央部に各ガスを供給しながらウエハWの周囲から排気することに限られない。以下他のガス供給及び排気を行う例について説明する。図26は処理容器81の縦断側面図である。この処理容器81を構成する蓋体82にはウエハWの外方に、当該ウエハWを囲むようにリング状のガス吐出口83が設けられている。また、ウエハWの中央部の上方には排気口84が開口しており、ガス吐出口83から吐出された処理ガス及び乾燥用ガスは図中矢印で示すようにウエハWの中央部に向かい、排気口84から排気される。図中85はシール部材である。ガス吐出口83から吐出された処理ガスは、ウエハWの中央部に集まってくるため、ウエハWの中央部では周縁部よりも処理ガスの流速が高くなり、それによって当該処理ガスの濃度が大きくなるため、レジストパターンに処理ガスの分子が衝突する割合が大きくなる。その結果として、ウエハWの中央部では周縁部よりもレジストパターンの膨潤量が大きくなる。しかしその後、乾燥用ガスが処理ガスと同方向に供給される。処理ガスを供給する場合と同様にウエハWの中央部では、乾燥用ガスの流速及び濃度が高くなるので、当該乾燥ガスによる乾燥力が強い。つまり、ウエハWの周縁部よりも中央部の方が、乾燥速度が大きいため、ウエハWの面内でレジストパターンの膨潤量を揃えることができる。図27、図28には処理容器91の縦断側面図、横断平面図を夫々示している。図中92はステージ24の一端側に設けられたガス供給部であり、その上面にはガス吐出口93が形成されている。図中94はステージ24の他端側に設けられた排気部であり、排気口95を備えている。ガス吐出口93から吐出された処理ガス及び乾燥用ガスは、ステージ24と処理容器91の蓋体96の天板との間をウエハWの一端側から他端側へ向かい、排気される。このように処理ガスを一方向に流す処理容器91では、処理ガスを周縁部側から中央部側または中央部側から周縁部側へと流す処理容器に比べてウエハW表面における流速の分布が抑えられるため、ウエハWの面内においてレジストパターンの溶剤濃度の勾配が形成されにくいが、ガス吐出口93から吐出された処理ガスは、含まれる溶剤分子がウエハWに吸収されながら排気口95へと向かっていく。従って、ウエハWの表面上において処理ガスの下流側に向かうほど僅かずつ溶剤の濃度が低くなる。つまり、ガス吐出口93に近いウエハWの一端部では溶剤分子の衝突する割合確率が、排気口95に近いウエハWの他端部における溶剤分子の衝突する割合確率に比べて高くなり、膨潤量が大きくなる。しかしその後、ガス吐出口93から乾燥用ガスを供給する時には、乾燥用ガスは溶剤雰囲気を取り込みながら排気口95へと向かっていくことで、前記一端部の方が他端部よりもその濃度が高くなるため、ウエハWの一端部の乾燥力が他端部よりも高くなる。結果として、ウエハWの面内で溶剤濃度を揃えることができる。また、処理ガスの温度が高いと処理ガス中の溶剤分子の運動が活発になる。処理ガスの温度とウエハWの温度とに差があるとき、下流側に行くほど処理ガスの温度はウエハWの温度に近づく。処理ガスの温度が低い場合、ガス吐出口付近では分子の運動が抑えられ、下流では活発になる。そして処理ガスの温度が高いほど、分子がレジストパターンに衝突する確率が上がり、吐出口側と排気口側での膨潤量が変わる。つまり、各実施形態では処理ガスの温度を制御して吐出口側と排気口側との間で膨潤量を調整することができる。上記の各例では処理ガスの吐出口と乾燥用ガスの吐出口とが共用されているが、処理ガスの流通方向と乾燥用ガスの流通方向とが同じであれば、本発明の効果が得られるので、これら吐出口は別々に形成してもよい。また各処理容器を排気して真空雰囲気とし、その真空雰囲気に各ガスを供給してもよい。また、ウエハWの中央部から周縁部に向けて処理ガス及び乾燥用ガスを供給する場合、第1及び第2の実施形態のようにウエハWの全周に排気口を設けることに限られず、ウエハWの一端側、他端側に排気口を設け、これら一端側及び他端側から排気を行ってもよい。評価試験続いて本発明に関連して行った評価試験について説明する。レジストパターンが形成されたウエハWウエハA1とするの径方向に沿った複数箇所において、当該レジストパターンの測定寸法のばらつきLWRを測定した。LWRはばらつきの標準偏差の3倍3シグマで示す。また、ウエハA1と同様にレジストパターンが形成されたウエハA2、A3を用意した。ウエハA2については第1の実施形態に従って処理し、ウエハA1と同様に測定を行って、各部のレジストパターンの粗さの3シグマを算出した。また、ウエハA3については本発明の手法を用いず連続して所定の時間ウエハWに処理ガスを供給した後、加熱処理を行い、ウエハA1、A2と同様に各部の3シグマを算出した。図29のグラフは、この評価試験の結果を示している。横軸はウエハWの測定位置を示している。横軸中の-150、150が夫々ウエハWの一端、他端であり、0がウエハWの中心である。縦軸が算出された3シグマを示し、単位はnmである。このグラフに示すようにウエハA2は、ウエハA1に比べて各測定箇所の3シグマが小さい。即ちウエハWの面内でレジストパターンの粗さのばらつきが小さい。また、ウエハA3はウエハWの中央部の3シグマがウエハA1の値よりも大きくなっていた。これはウエハA3の中央部ではレジストパターンの溶解が起きたためである。この評価試験の結果から、ウエハWの面内で均一性高くレジストパターンの粗さを改善するために、本発明の手法が有効であることが示された。"