"動作中に放射ビームで照射されて放射ビームの断面にパターンを付与するパターン形成部分を有するパターニングデバイスの操作方法であって、該方法が、a前記パターニングデバイスの周辺部に前記パターン形成部分の周囲に分布した複数の基準マークを提供し、前記マークの相対位置を測定するステップと、b前記パターニングデバイスの動作期間後に、前記周辺マークの位置を再度測定するステップと、c前記周辺マークの測定された位置を基準にして前記パターニングデバイスの前記パターン形成部分内の1つ又は複数の当該位置で前記放射ビームによるパターニングデバイスの加熱によって引き起こされる局所的位置偏差を計算するステップとを含む方法。計算ステップcが、c1前記パターン形成部分を横切る一組の線を画定して前記パターン形成部分内の複数のサブエリアについて各々のサブエリアが複数の前記線によって横切られるように前記周辺マークのペアを選択するステップと、c2各々が前記線の各々の両端の前記マークの間の位置偏差測定値を前記線に沿って配置された前記サブエリアの膨張に関連付ける式であって、各々のサブエリアの膨張を計算する式の体系を解くステップと、c3少なくとも1つの測定された周辺マークと当該位置との間のサブエリアについての膨張計算値を組み合わせることで前記当該位置での局所的位置偏差を計算するステップとを含む、請求項1に記載の方法。基板のターゲット部分を前記パターン付放射ビームで露光してリソグラフィ工程によって前記パターニングデバイスから前記基板にパターンを施す露光ステップdをさらに含む、請求項1又は2に記載の方法。露光のたびにステップb及びcを繰り返すことなく露光ステップdが繰り返されて前記パターンが1つ又は複数の基板の連続するターゲット部分に施される、請求項3に記載の方法。リソグラフィ装置内にロードされた連続する基板の各々について露光ステップが数回実行され、新しい基板が前記装置内にロードされる時にステップb及びcが主として実行される、請求項4に記載の方法。前記施されたパターンと前記基板上に存在するパターンとの間のオーバレイエラーを低減するためにステップdが、計算ステップcの結果に従って前記露光ステップの少なくとも1つのパラメータを修正するステップを含む、請求項3乃至請求項5のいずれか1項に記載の方法。ステップdが前記パターニングデバイスにエネルギーを印加して後続の露光のために前記局所的位置偏差の分布を低減又は修正するステップを含む、請求項3乃至請求項6のいずれか1項に記載の方法。加熱の予測進行に従って測定の間に位置偏差の計算値を更新するステップeをさらに含む、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の方法。前記パターニングデバイスの前記パターン形成部分が一般に矩形の広がりを有し、前記周辺マークが矩形の四辺すべてに沿って分布する、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の方法。リソグラフィ装置であって、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、各々が前記パターンを前記基板のターゲット部分に施す一連の露光動作を実行するために、前記基板テーブルと前記パターニングデバイスの相対運動と前記投影システムに対する運動とを制御するように構成されたコントローラとを備え、前記コントローラが、幾つかの露光動作の前後に前記パターニングデバイスの周辺部に分布した複数の基準マークの相対位置を測定し、周辺マークの前記測定値から前記パターニングデバイスの前記パターン形成部分内の1つ又は複数の当該位置で前記放射ビームによる前記パターニングデバイスの加熱によって引き起こされる局所的位置偏差を推定し、位置偏差の前記推定値に従って後続の露光動作の1つ又は複数のパラメータを修正するように構成されるリソグラフィ装置。コントローラが、前記パターン形成部分内の複数のサブエリアについて、各サブエリアが複数の前記線によって横切られるように前記パターン形成部分を横切る一組の線を画定するために前記周辺マークのペアを選択するステップと、各々が前記線の各々の両端のマークの間の位置偏差測定値を前記線に沿って配置された前記サブエリアの膨張に関連付ける式であって各サブエリアの膨張を計算する式の体系を解くステップと、少なくとも1つの測定された周辺マークと前記当該位置との間のサブエリアについての膨張計算値を組み合わせることで前記当該位置での前記局所的位置偏差を計算するステップとによって、前記局所的位置偏差を推定するように構成される、請求項10に記載の装置。前記コントローラが前記周辺マークの少なくとも1つのサブセットの測定を繰り返し、新しい基板が前記装置内にロードされた時に局所的位置偏差の前記推定値を更新するように構成される、請求項10又は請求項11に記載の装置。前記コントローラが、前記パターニングデバイスと前記基板とを整列させるマークの位置の測定と同時に前記周辺マークの少なくとも1つのサブセットの測定を繰り返すように構成される、請求項10乃至請求項12のいずれか一項に記載の装置。前記装置が、前記パターニングデバイスにエネルギーを印加して後続の露光のために前記局所的位置偏差の分布を低減又は修正する構成をさらに含む、請求項10乃至請求項13のいずれか1項に記載の装置。前記コントローラが、加熱の予測進行に従って測定の間に局所的位置偏差の前記推定値を更新するように構成される、請求項10乃至請求項14のいずれか1項に記載の装置。0006本発明の一態様は、装置のスループット及びコストへの影響とバランスをとったレチクルなどのパターニングデバイスの全体にわたる局所的歪みの測定を可能にする方法に関する。0007本発明の第1の態様によれば、動作中に放射ビームで照射されて放射ビームの断面にパターンを付与するパターン形成部分を有するパターニングデバイスの操作方法であって、該方法が、aパターニングデバイスの周辺部にパターン形成部分の周囲に分布した複数の基準マークを提供し、該マークの相対位置を測定するステップと、bパターニングデバイスの動作期間後に、上記周辺マークの位置を再度測定するステップと、c周辺マークの測定された位置を基準にしてパターニングデバイスのパターン形成部分内の1つ又は複数の当該位置で上記放射ビームによるパターニングデバイスの加熱によって引き起こされる局所的位置偏差を計算するステップとを含む方法が提供される。0008この方法によって、パターニングデバイスのパターン形成部分における時間によって変化する位置偏差をパターン形成部分内のマークを測定することなくモニタすることができる。0009ある実施形態では、上記パターン形成部分内の複数のサブエリアを画定することで計算ステップcが実行される。各々がパターン形成部分を横切る線の両端のマークの位置偏差測定値を上記線に沿って配置されたサブエリアの膨張に関連付ける式であって、各々のサブエリアの膨張を計算する式の体系を解くことができる。少なくとも1つの測定された周辺マークと当該位置との間のサブエリアについての膨張計算値を組み合わせることで当該位置での局所的位置偏差を計算できる。0010この方法は、リソグラフィ工程での露光動作に適用できる。そのような用途では、施されたパターンと基板上に存在するパターンとの間のオーバレイエラーを低減するために計算結果に従って露光動作のパラメータを修正することができる。代替的又は追加的に、エネルギーをパターニングデバイスに加えて例えば、熱の投入又は機械的アクチュエータによって後続の露光のために局所的位置偏差の分布を低減又は修正することができる。0011本発明の第2の態様によれば、リソグラフィ装置であって、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、各々がパターンを基板のターゲット部分に施す一連の露光動作を実行するために、基板テーブルとパターニングデバイスの相対運動と投影システムに対する運動とを制御するように構成されたコントローラとを備え、コントローラが、幾つかの露光動作の前後にパターニングデバイスの周辺部に分布した複数の基準マークの相対位置を測定し、周辺マークの該測定値からパターニングデバイスのパターン形成部分内の1つ又は複数の当該位置で上記放射ビームによるパターニングデバイスの加熱によって引き起こされる局所的位置偏差を推定し、位置偏差の推定値に従って後続の露光動作の1つ又は複数のパラメータを修正するように構成されるリソグラフィ装置が提供される。0012本発明の第3の態様は、パターニングデバイスから一連の基板にパターンを施すことによるデバイス製造方法であって、パターン形成部分を有するパターニングデバイスを提供するステップと、露光動作で上記パターン形成部分を放射ビームで照射して放射ビームの断面にパターンを付与し、基板のターゲット部分を上記パターン付放射ビームで露光してリソグラフィ工程によってパターニングデバイスから基板にパターンを施すステップと、上記露光動作を繰り返してパターンを連続する基板のターゲット部分に施すステップと、パターニングデバイスのパターン形成部分内の1つ又は複数の当該位置で上記放射ビームによるパターニングデバイスの加熱によって引き起こされる局所的位置偏差を、aパターニングデバイスの周辺部にパターン形成部分の周囲に分布した複数の基準マークを提供し、該マークの相対位置を測定することと、bパターニングデバイスの動作期間後に、上記周辺マークの位置を再度測定することと、c周辺マークの測定された位置を基準にして上記局所的位置偏差を計算することとによって計算するステップとを含むデバイス製造方法を提供する。0013本発明は、リソグラフィ装置又はその他のパターニングデバイスのコントローラに上記の本発明の態様による方法ステップを実行させる命令を含むコンピュータプログラムプロダクトをさらに提供する。0025図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、-放射ビームB例えばUV放射又はEUV放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、-パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMTと、-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ又は複数のダイを含むに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSと、-プログラマブル処理ユニットと、上記機能要素の各機能を制御し同期させるインタフェースとを含むリソグラフィ装置制御ユニットLACUとを備える。0026照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。0027支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支えている。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造MTは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0028本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。0029パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。0030本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なすことができる。0031本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。0032リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル及び/又は2つ以上のマスクテーブルを有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。0033リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する液浸という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。0034図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0035イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータILの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。0036放射ビームBは、マスク支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクMAを横断した放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2の位置決めデバイスPW及び位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサの助けにより、基板テーブルWTを、例えば様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第1の位置決めデバイスPMと別の位置センサ図1には明示されていないを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めできる。一般に、マスクテーブルMTの移動は、第1の位置決めデバイスPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。同様に、基板テーブルWT又は基板支持体の移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして周知である。同様に、マスクMA上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。0037実際、制御ユニットLACUは、各々が装置内のサブシステム又はコンポーネントのリアルタイムのデータ獲得、処理及び制御を取り扱う多数のサブユニットのシステムとして実現可能である。例えば、1つの処理サブシステムは、基板ポジショナPWのサーボ制御専用であってもよい。別々のユニットで粗動及び微動アクチュエータ又は異なる軸を取り扱ってもよい。別のユニットを位置センサIFの読み出し専用にしてもよい。装置全体の制御は、オペレータと他の装置をリソグラフィ製造工程に投入したままで上記サブシステム処理ユニットと通信する中央処理装置が実行することができる。0038図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分のスキャン方向における高さが決まる。3.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。0039上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0040図2は、本発明の方法を理解するために、パターニングデバイスMAと基板Wの装着をより明確に示す図1の装置の簡単な概略図である。マスクテーブルMTは概略が示され、第1のポジショナPMによって基準フレームに接続されている。ポジショナは、X-Y方向この図の向きで水平方向及びZ方向垂直方向に独立して動作する。当業者には周知であるが、高性能リソグラフィ装置内のコンポーネントの装着は極めて複雑で困難な問題である。この例では、簡略化されたバージョンが示されている。パターニングデバイスMAこの例では透過型マスク又はレチクル200は、真空チャック202によって移動式マスクテーブルMTに強く締め付けられている。垂直支持体204によってレチクルを位置決めしてZ方向に向けることができ、一方、X及びY方向の運動は独立して制御される。実際、ポジショナPMは粗動及び微動制御構造を備え、真空チャック202を搬送するマスクテーブルの部分は、例えば、Z方向に柔軟でX及びY方向に剛性のメンブレンであってもよい。0041図3aの平面図も簡潔に参照すると、他の2つの縁部では、比較的拘束がないレチクルエリアの2辺に沿って走る真空チャック202が示されている。レチクル200は、照明システムIL内で生成される放射ビームBにパターンを付与する明るい透明な部分と暗い不透明な部分206、208とをそれぞれ有する。基板テーブルWT上でレジストコーティング210を備えた半導体ウェーハなどの基板Wが支持され、投影システムPSを介してスケールダウンした形でレチクルパターンの像を受光する。ここでも粗動及び微動位置決め機構を備えてもよい第2のポジショナPWはX-Y位置及びZ位置と基板Wの向きを制御するので、レジスト層210内に最良の可能な像が形成されパターンの全フィーチャが所望の位置に施される。像が形成される絶対位置とは別に、以前の露光で画定されたフィーチャに対する像の位置は、最終製品にとって極めて重要である。別の層上のフィーチャの1つの層の位置エラーをオーバレイエラーと呼ぶ。0042図1に関して上述したように、様々なアライメントマーク及び互換センサ図示せずを用いて第1のポジショナPMの基準フレーム203に対して極めて安定した位置にある基準フレーム212に対する基板Wの正確な位置決めが確実に行われる。基板Wの基準フレームと基板テーブルWTとに対するパターニングデバイスMAの像のアライメントを提供するために、様々な方法を使用できる。この実施形態では、画像アライメントセンサ220が基板テーブル上に提供され、関連付けられた電子回路222が装置全体を制御する処理装置PUへ信号を供給する。このセンサはパターニングデバイス内に含まれる互換アライメントマークからの合焦した放射を受けるように設計されているため、2つのポジショナPW及びPMの基準フレームは相互に固定することができる。そのようなセンサと対応するマスクのレイアウトの例は、現在の優先日では未公開の出願番号12/860,229号を有する先行の米国出願に示されている。参照によりその内容を本明細書に組み込むものとする上記出願は、加熱による歪みを測定する画像アライメントセンサの使用についても記載している。0043図3aは、X及びY軸を示すレチクル200の形態の通常のパターニングデバイスMAの平面図である。例えばクロム金属のパターンを備えた石英基板であるレチクル200は、アクティブパターン搭載領域232を取り囲む周辺領域230を有する。周辺領域230の外側部分のクランピングエリアは、影付きの矩形で示す真空チャック202の場所に対応するY方向に平行な2つの辺に沿って延在する。領域232内には、1つ又は複数のデバイスパターン領域234が配置されているこの例では4つ。領域232は、基板Wの表面上に放射ビームBによって結像されると、図1の図面内の1つのターゲット部分Cのエリアに対応する。これらのターゲット部分は、好都合なことにフィールドと呼ばれる。各々のフィールドは、通常、リソグラフィ工程終了後に基板から切断されて個別のデバイスを形成する1つ又は複数のダイに対応する。この例のリソグラフィ装置は上記のスキャンタイプである。レチクル200を横切って大きい点の矢印で示すスキャン方向に移動する照明のスリット状の帯Sの概略が示されている。スキャン方向は、慣例に従ってY方向に平行である。0044デバイスパターンエリア234の周囲とその間にリソグラフィ工程を制御するアライメントマークとその他の試験及び測定フィーチャが提供されている。これらのフィーチャのうち、様々な形態であってもよく互いに同じ形態でなくともよいアライメントマーク236がある。図を見やすくするために十字で示す各マーク236は、X及びY軸の両方に粗及び微細位置情報を提供する幾つかの線及び/又は格子構造の複合物になる傾向がある。マーク238は、アクティブ領域232内のデバイス領域234の間に存在するスクライブレーン内に提供できる。空間は大変に貴重であるため、マークを複数の機能に利用できれば有益である。0045図3bは、レチクルがこの例のように透過型であろうが、別の実施形態のように反射型であろうが、光学リソグラフィで生起することがあるレチクルの加熱の問題を示す。図3bは、図3aと同一のレチクル200を示すが話を簡単にするためにアライメントマークの詳細を省いている。露光時にレチクル200によって部分的に吸収される放射ビームBの影響下で、レチクルの材料は加熱して3方向に熱膨張及び歪みを引き起こす傾向がある。斜め陰影を付けたラベル240を付与した加熱エリアは、一般にアクティブ領域232全体にわたって延在する。デバイス領域内の明るいフィーチャと暗いフィーチャの分布に応じて、陰影を付けたラベルを備えた増加した局所的加熱のエリア244、246があってもよい。X及びY方向のみを考慮するとレチクル平面内で、熱膨張は歪みを生み、レチクル上の任意のポイントの位置x,yの局所的運動Δx、Δyが引き起こされる。これらの運動はレチクル全体にわたって分布される矢印によって表されるが、当然これらの矢印は、実際の例で生じる微視的運動と比較すると長さが極端に強調されている。材料は真空チャック202によって、また全体及び局所的な温度変化例えば、レチクルの加熱のために抑制されるため、材料内に応力が生じ、X及びYだけでなく3方向に変形が存在することがある。本開示は、特に平面内X,Y歪みによって引き起こされるオーバレイエラーに関する。その他の技術を適用してZ方向の歪みを補正できる。0046本発明の目的は、装置のコストと性能に過度な影響を与えることなく、露光時のオーバレイエラーを低減できるように上記局所的歪みを測定するか、又は少なくとも推定することである。例えば、歪みを直接識別するために測定可能なアクティブ領域232内に追加のマークを埋め込むことが提案されている。しかし、この方法は時間とレチクル上の空間のオーバヘッドを含み、それらは共に望ましくない。別の提案は、レチクル上の局所的ポイントで温度を直接測定してそこから補正値を計算することである。これは、追加の検出装置を必要とし、再び装置コストの増加と空間の問題とを引き起こす。0047本出願は、周辺領域230内の変形を測定することでレチクル内の局所的変形を推定し、次に計算によってアクティブ領域232内の当該場所での変形を評価する代替解決策を提案する。一実施形態によるこの方法は、最初にレチクルの縁部周囲の様々な位置で位置偏差を測定し、次に逆投影アルゴリズムを用いて周辺部の間の場所でのレチクルの局所的変形を再構築するというものである。周辺測定は、例えば干渉計、距離センサで実行でき、又は多数のレチクル上にすでに存在する画像アライメントセンサマークを測定することで実行できる。周知のタイプの装置では、画像アライメントセンサ220は、幾つかのマーク、例えば、図3aに示すレチクルの上縁部及び下縁部にX方向に並んだ5つのマークを同時に測定することができる。0048図4a及び図4bは、コンピュータ断層撮影法CTスキャンX線装置で使用する再構築方法に似た逆投影法の基本を示す。CTスキャンでは、対象が円の直径である一連の線に沿って測定され、円の周囲の様々な角度に観察ポイントが置かれるという前提で、いわゆるラドン変換が使用される。マークが幾分まばらに矩形の対象の周囲に分布する現在の状況にこの原理を適合させる必要がある。0049レチクル200の周辺の周囲にn個のマークが分布している場合図では、n=16、X及びYの各々の方向のマークのn-1個の変位を適当なセンサ多くの場合に既存のセンサ及び/又は既存のマークを含むで測定できる。逆投影法を用いて一組の積分方程式を解くことでレチクルの小さい部分の局所的膨張Dx,yを再構築できる。2つの例示的なマークMiとMj間のx方向の距離は以下の通りである。xixj∫Dyex.ds......1上式で、exはX方向の単位ベクトル、sはマークiとマークjとを結ぶ直線経路である。レチクル200上の周辺マークを結ぶ線の幾つかを図4aに点線で示し、マークMiとMjとの間の経路sは太線で示す。0050周辺マークのすべてのペアに関して上記の式1のような式を構成することで,数値的に解ける12nn-1個の積分方程式が得られる。同じことをy方向の距離yi-yjについて実行できる。次に、数値的に各式を解くことで局所的膨張Dx,yを得ることができる。この少数のマークの場合であってもマークのすべてのペアの間の経路sの数は極めて多く、図ではそれら全部を示していない。丸で囲んだマークのみについて接続経路の組をすべて示している。8個の周辺マークのみを含む簡略化された計算例を以下に図6に関連して提示する。一方、この方法は図4bを参照することで理解できる。一組の積分方程式1を解く便利な方法は、積分対象のエリアを以下にセルと呼ぶサブエリアに分割し、セル上の均等な膨張を仮定することである。こうしてマークMiとMjとを結ぶ線が通過するセルの膨張を総計することによって積分を近似できる。0051図4bは、計算のために矩形のセルのアレイに分割されたレチクル200のエリアを示す。周辺マーク236は、これらのセルの一部のノードを形成する。計算の設計方法によっては、オプションとしてレチクルの被クランプ縁部に別のノード302を形成することができる。簡単な実施態様は、測定された周辺ノードとその間に位置するセルのみを使用する。レチクルの挙動のより高度なモデル化が必要な場合、測定された周辺ノードの外部のノード及びセルを画定することができる。これらのノードは測定されないが、周辺マークの測定値が処理される式の組の制約として表すことができ、設計者は実際のレチクルとその装着における一定の物理的制約をモデル化できる。セルへの分割によって上記積分方程式をそれぞれのセルに割り当てられた膨張値の総計によって近似することができる。2つの例示の経路s1及びs2が示され、そのうちs1は図4aの強調表示された経路Sと同じである。経路s1が横切るセルは一方向に斜めに陰影を付け、経路s2が横切るセルは逆方向に斜めに陰影を付けている。両方の経路が横切るセルは、両方向に陰影を付けている。実際には考慮できるそのような経路は1/2nn-1個あるので、十分な数の経路s内の各々のセルでは、個別の膨張を周辺マークのペアの相対変位から計算することができる。周辺マークで囲まれたエリア内の任意の場所の局所的位置偏差の有用な推定値を得るためにパターン領域234内の場所を直接測定する必要はない。0052図4bの下側に、セル膨張計算値を用いてxのマークが付いた個々のセルの位置を得る工程を示す。幾つかの周辺マーク236の測定位置から始めて、矢印で示すように経路を描画し、経路が横切ったセルの膨張値を当該セルに加算することができる。経路が横切ったセルは、経路を表す矢印上に点でマークを付けている。経路の組をすべて使用する必要はない。原則として、1つの経路はセルのX及びY方向の変位を提供する。しかし、互いに直交する向きの少なくとも2つの経路、おそらくは3つ以上の経路を使用してその結果の平均値を使用する方が良いであろう。特定のポイントの変位ではなく、歪みのパラメータを知ることが望まれる例では、特定の変位を介してではなく直接そのパラメータに達するように計算を行ってもよい。例えば、スキャンタイプのリソグラフィ装置内で使用する実施形態では、レチクルの照明されたストリップに対応するセルのストリップについてY方向の変位又はX方向の膨張の平均値を知ることを望んでもよい。制御装置が高次多項式例えば、3次、5次の形で補正を受け取るように構成された実施形態では、適当な高次多項式曲線が逆投影法によって推定された膨張に一致すると好都合である。計算は、周辺マークから直接上記多項式のパラメータに達する形式で、次に制御ユニットが容易に解釈し適用できる形式で表すことができる。不必要な計算が回避される。0053図5のフローチャートを参照すると、図3及び図4を参照して上述した原則を用いる測定工程が示されている。500で、周辺マーク、デバイスパターン及びその他のアライメント/メトロロジーフィーチャを備えたレチクルがパターニングデバイス支持体MT上にロードされ、真空チャック202によってクランプされる。502で、将来の使用のために基準として周辺マークの位置が測定される。これらの位置は、例えば、上記US6277532号のように、クランプによって引き起こされたレチクルの変形を識別するためにも使用される。同じ周辺マークが正常なアライメントマークの一部として機能するならば、上記測定値を一般に露光工程の設定にも使用できる。0054一定期間後、特にレチクル加熱が発生する可能性がある露光動作の期間後、ステップ504で周辺マークの位置が再び測定される。これらの値は、ステップ502で測定された基準位置と比較され、マークの位置の偏差が識別される。これらの偏差は、例えば各マークについて別々のΔx及びΔyの値として記録できる。あるいは、各々のマークペア各々の経路のx及びy方向の偏差を直ちに計算して記憶することができる。ステップ506で、逆投影法を用いて、アクティブ領域232内のセルエリアの個々の膨張値が得られる。これを実行するために、図4に関連して上述したタイプの式の完全な組又は十分なサブセットが作成され、解かれて各セルの個別の膨張が得られる。0055ステップ508で、セル膨張の計算値が適用されてレチクルのエリア全体にわたる1つ又は複数の当該ポイントでの推定位置又は偏差が得られる。ステップ510で、これらの局所的位置偏差が露光動作制御で適用され、基板Wの所望の位置でのレチクルからのパターンの位置決めが加熱によって引き起こされる位置の偏差に合わせて補正される。スキャン露光中、装置を制御してレチクル及び基板のX方向及びY方向の位置を変化させ、投影システムPSの倍率を変化させてレチクルパターン上のデバイスフィーチャの位置と以前の露光から基板上にすでに存在するフィーチャとの整合を改善することができる。オプションとして、機械的及び/又は熱エネルギーをレチクルの部分に向けて熱歪みに能動的に対抗することができる。そのような手段の目的は、全体の歪み量を低減するか、又は特定のリソグラフィ装置の利用可能な制御パラメータを用いてより効果的に又はより容易に補正できる形状に歪みを再分布させることであってもよい。例えば、US7683351号には、スキャンタイプのリソグラフィ装置の制御システムがスキャン経路に沿った領域内の画像の局所的歪みをその領域内の画像の時間的調整によって補正するように構成されている。不定期な測定と測定歪み値をフィードバックして追加の熱の印加を制御することで、歪みの形状をそのような補正方法又はその他の任意の利用可能な補正方法に適用できる形態に維持できる。0056図6は、8つの周辺マークに囲まれた9つのセルの簡単な例についての積分方程式の計算の幾つかの代替方法を示す。行と列にインデックス1、2、3を用いて、上縁部に沿って11~13のラベルが付いた同じインデックスによって、また右縁部に沿って13~33のラベルが付いた同じインデックスによって、等々、周辺マークを識別することができる。所与の方向の各々のマークの測定位置は、測定が関連するマークを識別するe11、e12等の表記の文字eによって表される。各々のセルは、その熱膨張又は収縮温度が上昇し、隣接するセルの膨張の影響下で一般に収縮が発生すると仮定してを表す膨張dX及びY方向のそれぞれのを有する。膨張は別々に記録された幾つかの初期位置に対する差分形態で表すことができるが、これは必要ない。膨張d11~d13は、例えば第1の行のセルが経験する。縁部位置eを膨張dに関連付ける積分が最大28個の異なるマークペア、すなわち、水平縁部に沿った6つの経路2つがフルレングス、4つが短い、垂直縁部に沿った6つの経路、1つの中央の水平経路、1つの中央の垂直経路、6つの1:1の対角線、4つの2:1の対角線、4つの1:2の対角線を結ぶ経路について画定される。比率1:1、1:2等は対角線の勾配、すなわち、下りステップに対する横断ステップの数を指す。鎖線で強調表示された経路11~23は2:1の対角線である。各々の積分は、原則として3つのセルの膨張の総和であり、例えば、マーク11から33までの1:1の対角線経路は以下のような積分の近似を定義する。e11e33d11d22d33......20057幾つかの経路、例えば、図で強調表示のマーク11からマーク23までの2:1の勾配の対角線経路は4つ以上のセルを通過し、他の経路と比較して幾つかのセルの中央寄りを通過する。式3は、マーク11からマーク23までの2:1の対角線経路に沿った積分を計算する1つの方法を示す。e11e23d111212d23......30058この方法では、経路は、2つのセルの間の境界を有効にまたがるという事実を反映してセル12及び22の膨張が各々半分の重みだけ積分に加算される。同じ原理が他のすべての経路に適用される。所望であれば、隅と縁部のセル強調表示経路の例では11及び23により低い重み付けを与えて、レチクルエリアをセルに分割するこの具体的な方法でそれらが小さいということを反映してもよい。0059図6bは、各セルがネットワーク内のノードとして扱われ、2つの代替経路をたどり、結果が以下のように総計される積分近似の別の方法を示す。2......40060結局、理想的な連続する積分の近似に過ぎない結果に対して多数の多くの公式化が可能である。膨張が未知のセルが9つあり、それらのセルを特徴とする16の経路の積分があるため、式の組は重複決定され自動的に解かれる。変数の数より多くの式を有する重複決定された体系ことでセルの膨張推定内のノイズが低減される。そのような式の組の解は一意である。直線方程式の重複決定された組を高速且つロバストな方法で解く数値的な方法に関する教科書に標準の数値ルーチンが記載されている。例は、Gramm-Schmidtの直交化及び単一値の分解を示す。解は測定値から直接計算され、例えば、有限要素解析の形の反復工程ではないことに留意されたい。逆投影アルゴリズムによって実施されるモデルはレチクル材料それ自体の熱挙動のモデル化に依存しないため、周辺マークが測定された時点で実際に発生した歪みだけが考慮される。周辺マークの数を増やし、その結果としてセルを小さくすることで任意の所望の精度を達成できる。積分内の各セルの膨張に与えられる重み付けは、適宜より大きい又はより小さい繊細さで決定できる。値は、各矩形のセル内の経路の長さに従って重み付けできる当然、セルは矩形である必要はない。値は、経路がセルの中心点に近づく程度に従って重み付けできる。0061図7は、レチクルのアクティブ領域及び周辺領域のレチクルの各部分の熱拡張を推定するのに適切なセルへの分割の別の例を示す。セルの幾何学的、機械的及び/又は熱に関する相互関係の違いを考慮して、セルの膨張値の様々な重み付けを様々なセルに適用することができる。例えば、セル702はレチクル本体内部にあり、他のセルによってすべての辺で拘束され、セル704はレチクルの自由縁部又はその付近にあるため低減された拘束を受ける。一方、セル706は、このモデルでは線708によって表される被クランプ部付近にあるため増大した拘束を受けることがある。0062図3のマーク238の例のようにマークがアクティブ領域232内にもある場合、これらの中間マークを測定し、追加の経路を画定して精度を高めることができる。0063図8の方法で、ステップ900~910は、図5の基本的な方法で同様の番号が付いたステップ500~510と同じである。追加のステップは、リソグラフィ製造工程と並列に実行されるこの方法の性能の状況を示す。この製造工程では、ステップ920で基板W半導体ウェーハ又はその他の基板がリソグラフィ装置内にロードされる。基板と共に、工程パラメータのレシピが制御ユニットLACUによって受け取られ、それに従って装置が設定され運用される。1ロットの同様の基板に幾つかのパラメータを設定し、その他のパラメータを個々の基板に固有のパラメータとしてもよい。ステップ922で、図1に関連して上述したようにメトロロジー機能が実行されて基板の正確な位置が測定され、基板が投影システムPSに整列する。X、Y方向の位置及び高さZ方向の位置は、所望の解と基板表面全体にわたる精度でマッピングされる。メトロロジーの結果は、露光動作の制御に用いるため制御ユニットによって記憶される。924で、レシピとメトロロジーの結果に従って露光パラメータが設定される。926で、通常連続するフィールド図1のターゲット部分CをパターニングデバイスMAによってパターニングされた放射ビームBで露光することで露光工程が進行する。ステップ928で、パターニングされた製品基板が排出され、930でステップ920に戻ることで次の基板がロードされる。0064幾つかの実施形態では、メトロロジーステップ922の実行結果としての中断は、2つの基板テーブルWTが提供されるデュアルステージ構成の使用によって低減される。こうして、以前の基板の露光が第2の基板テーブル上で進行中の間に各々の新しい基板上で実行される測定の大半を第1の基板テーブルWT上の露光ステーションから離れた場所で実行できる。第1の基板テーブルが投影システムPSの下の所定位置にスワップされると、新しい基板についてアライメント工程を完了するのに数回の測定しか必要でない。本発明は、デュアルステージ動作と何か別の構成のいずれが適用されるかにかかわらず適用可能である。0065図示のように、レチクルの歪みをモニタしてそれに応じて露光パラメータを修正するステップ904~910は、上記露光動作924、926とある程度並列に実行される。実際、露光が終わるたびにレチクルの歪みを測定することは、スループットを害するため望まれない。さらに、加熱とその結果としてのレチクルの歪みは正常動作中に極めてゆっくりと変化することがあるので、その場合に頻繁な測定は意味がない。したがって、この実際の実施形態では、周辺マークの偏差は、スループットが過度に低下しない時には間欠的にのみ測定される。レチクル又はその他のパターニングデバイスMAの漸進的な加熱は必要に応じてモデル化できるため、測定の間の偏差は合理的なレベルの精度まで補間することができる。したがって、ステップ926での複数のターゲット部分の露光と並行してステップ940が実行されて露光回数及び経験から得たモデルパラメータに従って漸進加熱がモデル化される。942で、908で計算された局所的位置偏差がモデルの予測に従って更新される。944で、露光パラメータが更新された局所的偏差に従って修正される。0066946で、周辺マークの偏差を更新するか、又は新しい測定を実行することなくモデルを用いた推定を継続するかが決定される。後者の場合に経路948が選択され、時折、経路950が選択され、周辺マークの偏差の新たな測定が実行される。多くのメトロロジーステップが新しい基板のロードステップ922と共に実行されるため、新しい基板のロード時にレチクル上の周辺マークの偏差測定値を更新することは比較的容易である。より正常なレチクルと基板とのアライメント工程の場合と同じマークがレチクルの歪みの測定に使用される場合、実際の測定のオーバヘッドは極めて小さい。その場合、ステップ900~910及び940~948の工程は、例えば既存の制御ユニットLACU内の追加の動作を必要とする処理オーバヘッドだけを表す。所与の実施態様では、露光されたパターンのアライメント精度のゲインがスループットの犠牲を正当化する異なるターゲット部分フィールドの露光の間を含む他の瞬間に測定を更新することが許容されることは言うまでもない。0067図9は、図8の工程の実行時の通常の基板内の加熱の進行を示すグラフである。垂直軸は、任意のスケールでの温度の上昇ΔTを表す。括弧内に示すように、温度上昇は、膨張Dの変化とその結果としての位置偏差Δx、Δyにほぼ比例している。上述したように、温度上昇はレチクルの異なる部分で異なる場合があるが、曲線の一般的な形態は同じである。0068水平軸上では、Nexpのラベルが付いた露光回数にも広い意味で対応する時間が表される。水平軸の底に沿って、幾つかの目盛り960が、W1、W2、W3等のラベルが付いた一連の基板でのターゲット部分フィールドの個々の露光を表す。図示の簡単な動作ルーチンでは、時間軸は新しい基板がロードされるたびに生起する露光シーケンス内の中断962を表す。これらの中断は、図8のフローチャートのステップ920とメトロロジーステップ922で実行される物理的に基板をロードするまた適宜、以前の基板を取り除く作業に対応する。中断は一定の縮尺で描かれておらず、露光回数の目盛り960も特定の例を表したものではない。0069図9に示すグラフでは、実線の曲線964がレチクルのある部分の実際の温度プロファイルの時間変化を表す。図から分かるように、通常のレチクルは多数の露光動作にわたって温度上昇を示し、何回かの露光とウェーハのロード動作の後で徐々に定常状態に達する。言うまでもないが、時間定数の正確な値とその露光回数と露光されたウェーハの数との関係は、照明ビーム内のエネルギー、特定のタイプのレチクルの吸収及び施されるパターンの性質、レチクル材料の耐熱性及び動作速度を含むリソグラフィ工程の正確な詳細に大きく依存している。点線の曲線966は、露光がメトロロジーのための中断、基板の交換等がなく連続したと仮定した場合に予測される状態をモデル化した理論的加熱プロファイルを示す。実際の曲線964は一般にこのプロファイルをたどるが、時折発生する中断のために多少潰れている。したがって、実際の曲線は第2の点線の曲線968によって表されるモデル曲線966のわずかに遅延したバージョンをたどる。0070曲線964上で、点902及び904は、ステップ902~910の方法を用いて周辺マークの偏差が実際に測定され、局所的な偏差の計算値が更新されるたびにマークされる。これらの測定の間に、上記のように、加熱挙動のモデルが適用されて局所的偏差が更新される。このモデルの性能レベルは設計上の選択である。実際のレチクルの加熱の測定値、及び/又は実際のレチクル歪みの測定値に基づいて、曲線966をその後露光回数を積分するための幾つかのパラメータで表すことができ、実際の曲線964にかなり近い軌跡をたどる。実際の測定を行う904時はいつでも、モデルを更新でき、所望であれば、モデル化に使用するパラメータを修正して以降のウェーハ、バッチ等のモデル化を改善することができる。動作の初期段階では、温度上昇が最速であり、基板W1の露光中に図示のように追加の測定904を実行できる。測定にかかる時間に応じて、いくらかの中断とスループットの低下が発生する。これらの中間測定中に周辺マークの一部のみを測定し、完全な計算を実行しないとしてもこれらの結果を用いて膨張の補間値を計算するオプションがある。0071所与のレチクルについて、モデルパラメータをその設計に基づいて推定し、次に実際の露光中の経験に基づいて更新することができる。あるいは、精度が十分な場合、すべてのレチクルに、又は一般のタイプのレチクルに単一のモデルを使用できる。これらは、当業者であれば可能な詳細な実施態様に属する。0072なお、上記本発明は、リソグラフィ制御ユニットLACUの適切なプログラミングを用いて既存の装置内で実施できる。制御ユニットLACUは、図10に示すコンピュータアセンブリに基づいてもよい。コンピュータアセンブリは、本発明のアセンブリの実施形態における制御ユニットの形態の専用のコンピュータであってもよく、あるいは、リソグラフィ装置を制御する中央コンピュータであってもよい。コンピュータアセンブリは、コンピュータ実行可能コードを含むコンピュータプログラムプロダクトをロードする構成であってもよい。これによって、コンピュータプログラムプロダクトがダウンロードされた時に、コンピュータアセンブリは、上記方法に従ってリソグラフィ装置の新しい動作を実施することができる。0073プロセッサ1227に接続されたメモリ1229は、ハードディスク1261、読み出し専用メモリROM1262、電気的に消去可能なプログラマブルROMEEPROM1263及びランダムアクセスメモリRAM1264等の幾つかのメモリコンポーネントを備えてもよい。上記メモリコンポーネントのすべてが存在している必要はない。さらに、上記メモリコンポーネントは、プロセッサ1227の物理的に近くにあるか又は互いに近くにあることは必須ではない。0074プロセッサ1227は、ある種のユーザインタフェース、例えば、キーボード1265又はマウス1266に接続されてもよい。タッチスクリーン、トラックボール、音声変換装置又は当業者には周知のその他のインタフェースも使用できる。0075プロセッサ1227は、例えば、コンピュータ実行可能コードの形式のデータを着脱式ディスク1268又はCDROM1269などのデータキャリアから読み出し、場合によってはそこにデータを記憶するように構成された読み出しユニット1267に接続されてもよい。また、DVD、又は当業者には周知のその他のデータキャリアを使用してもよい。0076また、プロセッサ1227は、出力データを紙に印刷するプリンタ1270と、ディスプレイ1271、例えば、モニタ又はLCD液晶ディスプレイ、あるいは当業者には周知の別のタイプの任意のディスプレイに接続されてもよい。0077プロセッサ1227は、通信ネットワーク1272、例えば、公衆交換電話網PSTN、ローカルエリアネットワークLAN、ワイドエリアネットワークWAN等に入出力I/Oを処理する送受信機1273によって接続されてもよい。プロセッサ1227は、通信ネットワーク1272を介して他の通信システムと通信するように構成されてもよい。本発明のある実施形態では、外部コンピュータ図示せず、例えば、オペレータのパーソナルコンピュータから通信ネットワーク1272を介してプロセッサ1227にログインできる。0078プロセッサ1227は、独立したシステム又は各々がより大きいプログラムのサブタスクを実行するように構成された並列に動作する幾つかの処理装置として実施できる。処理装置は、幾つかのサブ処理装置を備えた1つ又は複数のメイン処理装置内に分割してもよい。プロセッサ1227の幾つかの処理装置は他の処理装置から離れた距離にあって、通信ネットワーク1272を介して通信してもよい。リソグラフィ装置の外部の別々の処理装置を用いて上記のような工程の修正を実行してもよい。0079図面のすべての接続は物理的な接続として示されているが、これらの接続の1つ又は複数は無線方式であってもよい。それらは、接続されたユニットが相互に何らかの方法で通信するように構成されていることを示すことを単に意図している。コンピュータシステムは、上記各機能を実行するように構成されたアナログ及び/又はディジタル及び/又はソフトウェア技術を備えた任意の信号処理システムであってもよい。0080本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。0081光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。0082本明細書で使用する放射及びビームという用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線UV放射例えば、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有する及び極端紫外線光EUV放射例えば、5nm~20nmの範囲の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。0083レンズという用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。0084以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとることができる。0085上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す条項の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。1.動作中に放射ビームで照射されて放射ビームの断面にパターンを付与するパターン形成部分を有するパターニングデバイスの操作方法であって、該方法が、a前記パターニングデバイスの周辺部に前記パターン形成部分の周囲に分布した複数の基準マークを提供し、前記マークの相対位置を測定するステップと、b前記パターニングデバイスの動作期間後に、前記周辺マークの位置を再度測定するステップと、c前記周辺マークの測定された位置を基準にして前記パターニングデバイスの前記パターン形成部分内の1つ又は複数の当該位置で前記放射ビームによるパターニングデバイスの加熱によって引き起こされる局所的位置偏差を計算するステップとを含む方法。2.計算ステップcが、c1前記パターン形成部分を横切る一組の線を画定して前記パターン形成部分内の複数のサブエリアについて各々のサブエリアが複数の前記線によって横切られるように前記周辺マークのペアを選択するステップと、c2各々が前記線の各々の両端の前記マークの間の位置偏差測定値を前記線に沿って配置された前記サブエリアの膨張に関連付ける式であって、各々のサブエリアの膨張を計算する式の体系を解くステップと、c3少なくとも1つの測定された周辺マークと当該位置との間のサブエリアについての膨張計算値を組み合わせることで前記当該位置での局所的位置偏差を計算するステップとを含む、実施形態1に記載の方法。3.基板のターゲット部分を前記パターン付放射ビームで露光してリソグラフィ工程によって前記パターニングデバイスから前記基板にパターンを施す露光ステップdをさらに含む、実施形態1又は2に記載の方法。4.露光のたびにステップb及びcを繰り返すことなく露光ステップdが繰り返されて前記パターンが1つ又は複数の基板の連続するターゲット部分に施される、実施形態3に記載の方法。5.リソグラフィ装置内にロードされた連続する基板の各々について露光ステップが数回実行され、新しい基板が前記装置内にロードされる時にステップb及びcが主として実行される、実施形態4に記載の方法。6.ステップbがパターニングデバイスと基板とを整列させるマークの位置の測定と同時に実行される、実施形態3、4又は5に記載の方法。7.パターニングデバイスと基板とを整列させる同じ周辺マークの少なくとも幾つかが測定される、実施形態3、4、5又は6に記載の方法。8.ステップdが、施されたパターンと基板上に存在するパターンとの間のオーバレイエラーを低減するために、計算ステップcの結果に従って露光ステップの少なくとも1つのパラメータを修正するステップを含む、実施形態3~7のいずれか1項に記載の方法。9.ステップdが前記パターニングデバイスにエネルギーを印加して後続の露光のために前記局所的位置偏差の分布を低減又は修正するステップを含む、実施形態3~8のいずれか1項に記載の方法。10.ステップbとcの実行の間の間隔が連続して実行される露光回数が増加するにつれて長くなる、実施形態3~9のいずれか1項に記載の方法。11.加熱の予測進行に従って測定の間に位置偏差の計算値を更新するステップeをさらに含む、前記実施形態のいずれか1項に記載の方法。12.ステップbが、空間感知検出器の付近に各周辺マークの空間像を形成するステップと、検出器を用いて空間像をスキャンして1つ又は複数の方向の位置情報を入手するステップとを含む、前記実施形態のいずれか1項に記載の方法。13.位置情報が複数の空間像を並列に検出する複数の空間感知検出器を用いて複数の前記周辺マークについて並列に入手される、実施形態12に記載の方法。14.前記パターニングデバイスの前記パターン形成部分が一般に矩形の広がりを有し、前記周辺マークが矩形の四辺すべてに沿って分布する、前記実施形態のいずれか1項に記載の方法。15.ステップcで計算された局所的位置偏差が、パターニングデバイスが使用されるリソグラフィ装置の制御パラメータに適合する歪みパラメータによって間接的に表される、前記実施形態のいずれか1項に記載の方法。16.パターニングデバイスが前記パターン付き部分内の別のマークを備え、前記別のマークがステップbの測定に含まれ、ステップcの計算に含まれる、前記実施形態のいずれか1項に記載の方法。17.ステップbとステップcが周期的に繰り返され、前記別のマークが前記周辺マークよりも測定頻度が低い、実施形態16に記載の方法。18.リソグラフィ装置であって、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、各々が前記パターンを前記基板のターゲット部分に施す一連の露光動作を実行するために、前記基板テーブルと前記パターニングデバイスの相対運動と前記投影システムに対する運動とを制御するように構成されたコントローラとを備え、前記コントローラが、幾つかの露光動作の前後に前記パターニングデバイスの周辺部に分布した複数の基準マークの相対位置を測定し、周辺マークの前記測定値から前記パターニングデバイスの前記パターン形成部分内の1つ又は複数の当該位置で前記放射ビームによる前記パターニングデバイスの加熱によって引き起こされる局所的位置偏差を推定し、位置偏差の前記推定値に従って後続の露光動作の1つ又は複数のパラメータを修正するように構成されるリソグラフィ装置。19.コントローラが、前記パターン形成部分内の複数のサブエリアについて、各サブエリアが複数の前記線によって横切られるように前記パターン形成部分を横切る一組の線を画定するために前記周辺マークのペアを選択するステップと、各々が前記線の各々の両端のマークの間の位置偏差測定値を前記線に沿って配置された前記サブエリアの膨張に関連付ける式であって各サブエリアの膨張を計算する式の体系を解くステップと、少なくとも1つの測定された周辺マークと前記当該位置との間のサブエリアについての膨張計算値を組み合わせることで前記当該位置での前記局所的位置偏差を計算するステップとによって、前記局所的位置偏差を推定するように構成される、実施形態18に記載の装置。20.前記コントローラが前記周辺マークの少なくとも1つのサブセットの測定を繰り返し、新しい基板が前記装置内にロードされた時に局所的位置偏差の前記推定値を更新するように構成される、実施形態18又は19に記載の装置。21.前記コントローラが、前記パターニングデバイスと前記基板とを整列させるマークの位置の測定と同時に前記周辺マークの少なくとも1つのサブセットの測定を繰り返すように構成される、実施形態18、19、又は20に記載の装置。22.前記コントローラがパターニングデバイスと基板とを整列させる周辺マークの同じ測定値のうち少なくとも幾つかを使用するように構成される、実施形態18、19、20又は21に記載の方法。23.前記装置が、前記パターニングデバイスにエネルギーを印加して後続の露光のために前記局所的位置偏差の分布を低減又は修正する構成をさらに含む、実施形態18~22のいずれか1項に記載の装置。24.前記コントローラが、加熱の予測進行に従って測定の間に局所的位置偏差の前記推定値を更新するように構成される、実施形態18~23のいずれか1項に記載の装置。25.前記装置が少なくとも1つの空間感知検出器を備え、前記コントローラが前記空間感知検出器を用いて各周辺マークの空間像をスキャンすることで各周辺マークの位置を測定するように構成される、実施形態18~24のいずれか1項に記載の装置。26.前記装置が複数の空間感知検出器を備え、前記コントローラが複数の空間像を並列に検出する複数の空間感知検出器を用いて複数の前記周辺マークについて前記位置情報を並列に入手するように構成される、実施形態25に記載の装置。27.パターニングデバイスから一連の基板へパターンを施すことによるデバイス製造方法であって、該方法が、パターン形成部分を有するパターニングデバイスを提供するステップと、露光動作で前記パターン形成部分を放射ビームで照射して放射ビームの断面にパターンを付与し、基板のターゲット部分を前記パターン付放射ビームで露光してリソグラフィ工程によって前記パターニングデバイスから前記基板にパターンを施すステップと、前記露光動作を繰り返して前記パターンを連続する基板のターゲット部分に施すステップと、前記パターニングデバイスの前記パターン形成部分内の1つ又は複数の当該位置で前記放射ビームによる前記パターニングデバイスの加熱によって引き起こされる局所的位置偏差を、a前記パターニングデバイスの周辺部に前記パターン形成部分の周囲に分布した複数の基準マークを提供し、前記マークの相対位置を測定することと、bパターニングデバイスの動作期間後に、前記周辺マークの位置を再度測定することと、c周辺マークの測定された位置を基準にして前記局所的位置偏差を計算することとによって計算するステップとを含むデバイス製造方法。28.前記施されたパターンと前記基板上に存在するパターンとの間のオーバレイエラーを低減するために、局所的位置偏差の計算値に従って露光動作の少なくとも1つのパラメータが修正される、実施形態27に記載の方法。29.リソグラフィ装置又はその他のパターニングデバイスのコントローラに実施形態1~17,27及び28のいずれか1項に記載の方法のステップを実行させるマシン実行可能命令を有する有体のコンピュータ可読媒体。"