"処理容器内に基板を配置し、前記基板の温度を160~300°Cとし、前記処理容器内に気体状のCo2CO8を供給し、前記基板上でCo2CO8を熱分解させて前記基板上にCo膜を成膜することを特徴とする成膜方法。成膜の際の少なくとも一部の期間、Co2CO8の分解反応がCo2CO8の供給量に律速されていることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。原料容器内で成膜原料として固体状のCo2CO8をその分解開始温度未満の温度で気化させて前記処理容器内に供給することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の成膜方法。前記原料容器内にCOガスを供給することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の成膜方法。前記Co膜を成膜後、その上に電解メッキによりCuを堆積させることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の成膜方法。コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項5のいずれかの成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。しかしながら、原料としてCo2CO8を用いてCVD法でCo膜を成膜する場合に、反応に対し原料の供給が不足すると、Co膜が針状に異常成長が発生することがあり、このような異常成長が生じるとシート抵抗が上昇するという問題がある。反応に対し原料の供給量が足りている場合でも、成膜プロセス開始時終了時原料供給開始時終了時のような非定常状態の期間中には供給が不安定となって原料の供給量が不足することがあり、同様の問題が発生することがある。また、原料供給量にてフィールドとホールの段差被覆性を制御する場合にも上記問題が発生する。本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、成膜原料としてCo2CO8を用いてCo膜を成膜する場合に、Co膜の針状の異常成長を抑制することができる成膜方法を提供することを課題とする。また、そのような成膜方法を実行するためのプログラムを記憶した記憶媒体を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明は、処理容器内に基板を配置し、前記基板の温度を160~300°Cとし、前記処理容器内に気体状のCo2CO8を供給し、前記基板上でCo2CO8を熱分解させて前記基板上にCo膜を成膜することを特徴とする成膜方法を提供する。また、本発明は、コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。本発明によれば、気体状のCo2CO8を用いて基板上にCo膜を成膜するにあたり、基板の温度を160~300°Cにするので、Co2CO8の分解反応に対してCo2CO8の供給量が不足する場合でもCO膜の針状の異常成長を抑制することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。<本発明の一実施形態に係る成膜方法を実施するための成膜装置の構成例>図1は、本発明の一実施形態に係る成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す略断面である。この成膜装置100は、気密に構成された略円筒状のチャンバー1を有しており、その中には被処理基板である半導体ウエハWを水平に支持するためのサセプタ2が、後述する排気室の底部からその中央下部に達する円筒状の支持部材3により支持された状態で配置されている。このサセプタ2はAlN等のセラミックスからなっている。また、サセプタ2にはヒーター5が埋め込まれており、このヒーター5にはヒーター電源6が接続されている。一方、サセプタ2の上面近傍には熱電対7が設けられている。熱電対7の信号は後述する温度コントローラ60に伝送されるようになっている。そして、温度コントローラ60は熱電対7の信号に応じてヒーター電源6に指令を送信し、ヒーター5の加熱を制御してウエハWを所定の温度に制御するようになっている。なお、サセプタ2には3本のウエハ昇降ピン図示せずがサセプタ2の表面に対して突没可能に設けられており、ウエハWを搬送する際に、サセプタ2の表面から突出した状態にされる。チャンバー1の天壁1aには、円形の孔1bが形成されており、そこからチャンバー1内へ突出するようにシャワーヘッド10が嵌め込まれている。シャワーヘッド10は、後述するガス供給機構30から供給された成膜用のガスをチャンバー1内に吐出するためのものであり、その天板11には成膜原料ガスが導入されるガス導入口12が設けられている。シャワーヘッド10の内部にはガス拡散空間13が形成されており、シャワーヘッド10の底板14には多数のガス吐出孔15が設けられている。そして、ガス導入口12からガス拡散空間13に導入されたガスがガス吐出孔15からチャンバー1内に吐出されるようになっている。チャンバー1の底壁には、下方に向けて突出する排気室21が設けられている。排気室21の側面には排気管22が接続されており、この排気管22には真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気装置23が接続されている。そしてこの排気装置23を作動させることによりチャンバー1内を所定の真空度まで減圧することが可能となっている。チャンバー1の側壁には、ウエハ搬送室図示せずとの間でウエハWの搬入出を行うための搬入出口24と、この搬入出口24を開閉するゲートバルブGとが設けられている。また、チャンバー1の壁部には、ヒーター26が設けられており、成膜処理の際にチャンバー1の内壁を加熱することが可能となっている。ヒーター26にはヒーター電源27から給電されるようになっている。ガス供給機構30は、成膜原料である固体状のコバルトカルボニルであるCo2CO8を貯留する成膜原料容器31を有している。成膜原料容器31の周囲にはヒーター32が設けられ、これにより成膜原料であるCo2CO8を加熱して気化するようになっている。ヒーター32にはヒーター電源48から給電されるようになっている。成膜原料容器31には、上方からガス導入配管33が挿入されている。ガス導入配管33にはバルブ34が介装されている。ガス導入配管33はCOガス配管35とキャリアガス配管36に分岐されており、COガス配管35にはCOガス供給源37が、キャリアガス配管36にはキャリアガス供給源38が接続されている。COガス配管35には流量制御器としてのマスフローコントローラ39およびその前後のバルブ40が介装されており、キャリアガス配管36には流量制御器としてのマスフローコントローラ41およびその前後のバルブ42が介装されている。キャリアガスとしてはArガスまたはN2ガスを好適に用いることができる。COガスは、気化したコバルトカルボニルCo2CO8の分解を抑制するために導入される。すなわち、Co2CO8は分解されることによりCOを生成するが、成膜原料容器31にCOを供給してCO濃度を高くすることにより、Co2CO8が分解してCOを生成する反応が抑制される。一方、キャリアガスは成膜原料容器31内で気化して生成されたCo2CO8ガスをチャンバー1に搬送するために導入される。なお、COガスにキャリアガスの機能を持たせてもよく、その場合には別途のキャリアガスは不要である。成膜原料容器31には、上方から成膜原料ガス供給配管43が挿入されており、成膜原料ガス供給配管43の他端はガス導入口12に接続されている。そして、ヒーター32により加熱されて気化されたCo2CO8ガスがキャリアガスにより成膜原料ガス供給配管43内を搬送されてガス導入口12を経てシャワーヘッド10へ供給される。成膜原料ガス供給配管43の周囲には、ヒーター44が設けられている。ヒーター44にはヒーター電源49から給電される。また、成膜原料ガス供給配管43には、流量調整バルブ45と、そのすぐ下流側の開閉バルブ46と、ガス導入口12の直近の開閉バルブ47とが設けられている。成膜原料ガス供給配管43のバルブ47の上流には、希釈ガス供給配管61が接続されている。希釈ガス配管61の他端には、希釈ガスとして例えばArガスまたはN2ガス等を供給する希釈ガス供給源62が接続されている。希釈ガス配管61には流量制御器としてのマスフローコントローラ63およびその前後のバルブ64が介装されている。なお、希釈ガスはパージガスや安定化ガスとしても機能する。上記チャンバー1の壁部には熱電対51が取り付けられ、上記成膜原料容器31内には熱電対52が取り付けられ、上記成膜原料ガス供給配管43には熱電対53が取り付けられており、これら熱電対51、52、53は温度コントローラ60に接続されている。上述した熱電対7も含めて、これら熱電対が検出した温度検出信号は温度コントローラ60に送られる。温度コントローラ60には上述のヒーター電源6、27、48、49が接続されている。そして、温度コントローラ60は、上述した熱電対7,51,52,53の検出信号に応じてヒーター電源6、27、48、49に制御信号を送り、サセプタ2の温度、チャンバー1の壁部の温度、成膜原料容器31内の温度、成膜原料ガス供給配管43内の温度を制御するようになっている。成膜原料であるCo2CO8は、成膜原料容器31においてヒーター32で加熱されて気化され、成膜原料ガス供給配管43内をヒーター44で加熱されることで気体状のままチャンバー1内に供給されるが、この時のCo2CO8の加熱温度は、温度コントローラ60によって分解開始温度未満の温度に制御される。具体的には、後述するように、コバルトカルボニルの減圧TG熱重量分析計で把握される分解開始温度は45°Cであるため、45°C未満に制御することが好ましい。チャンバー1の壁部内壁の温度も、Co2CO8ガスの分解温度未満に制御されることが好ましい。本実施形態においては、成膜の際のウエハWの温度成膜温度は、160~300°Cに制御される。後述するように、160°C未満ではCo2CO8ガスの分解反応に対して原料の供給量が少ない場合に、形成されるCo膜が針状に異常成長してしまい、300°Cを超えるとCoが凝集してしまう。成膜装置100は制御部70を有し、この制御部70により各構成部、例えば温度コントローラ60、排気装置23、マスフローコントローラ、流量調整バルブ、バルブ等の制御等を行うようになっている。温度コントローラ60に関しては、温度コントローラ60により制御すべき部分の温度設定等を行う。この制御部70は、マイクロプロセッサコンピュータを備えたプロセスコントローラ71と、ユーザーインターフェース72と、記憶部73とを有している。プロセスコントローラ71には成膜装置100の各構成部が電気的に接続されて制御される構成となっている。ユーザーインターフェース72は、プロセスコントローラ71に接続されており、オペレータが成膜装置100の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボードや、成膜装置100の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなっている。記憶部73もプロセスコントローラ71に接続されており、この記憶部73には、成膜装置100で実行される各種処理をプロセスコントローラ71の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置100の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわち処理レシピや、各種データベース等が格納されている。処理レシピは記憶部73の中の記憶媒体図示せずに記憶されている。記憶媒体は、ハードディスク等の固定的に設けられているものであってもよいし、CD-ROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース72からの指示等にて所定の処理レシピを記憶部73から呼び出してプロセスコントローラ71に実行させることで、プロセスコントローラ71の制御下で、成膜装置100での所望の処理が行われる。<本発明の一実施形態に係る成膜方法>次に、以上のように構成された成膜装置を用いて行われる本発明の一実施形態に係る成膜方法について説明する。本実施形態では、例えば、電解メッキによるCu配線のシードとして用いるCo膜を成膜する。Cu配線のシードとしてCo膜を用いる場合には、ウエハWとして、例えば図2、3に示すような構造のものを用いる。図2は、シリコン基板101に、下層の配線層103に達するホール102が形成され、全面に絶縁膜104が形成された構造であり、図3は、絶縁膜104の上にバリア膜105が形成された構造である。下層の配線層103としては、Al膜、W膜、Cu膜等を挙げることができる。絶縁膜104としては、SiO2膜、SiOxCy系絶縁膜x、yは正の数、有機物系絶縁膜を用いることができる。バリア膜105としては、TiN/Tiの2層膜上層がTiN膜、Ti膜、TiN膜、Ta膜等を用いることができる。Co膜の成膜にあたっては、成膜原料容器31内に、成膜原料として固体状のCo2CO8を装入した状態とし、さらに、チャンバー1内のサセプタ2の温度、およびチャンバー1の壁部の温度を成膜の際の温度に制御する。次いで、ゲートバルブGを開け、図示しない搬送装置により上記図2または図3の構造のウエハWをチャンバー1内に導入し、サセプタ2上に載置する。次いで、チャンバー1内を排気装置23により排気してチャンバー1内の圧力を133~1333Pa1~10Torrとし、ヒーター5によりサセプタ2を加熱してサセプタ2半導体ウエハWの温度の温度を160~300°Cに制御する。そして、バルブ46を閉じバルブ47、64を開けて希釈ガス供給源62からチャンバー1内に希釈ガスを供給して安定化を行う。一方、ヒーター32および44により、成膜原料容器31および成膜原料ガス供給配管43をコバルトカルボニルCo2CO8の分解開始温度未満の所定温度に厳密に温度制御しつつ加熱しておき、所定時間希釈ガスによる安定化を行った後、希釈ガスの供給を停止し、または所定流量で希釈ガスを供給したまま、COガスおよび/またはキャリアガスを成膜原料容器31に供給するとともに、バルブ46を開けて成膜原料容器31内で気化したCo2CO8ガスをキャリアガスにより成膜原料ガス供給配管43内を搬送させ、シャワーヘッド10を介してチャンバー1内に供給する。このとき、成膜原料容器31内の圧力を1200~101300Pa9~760Torrとする。チャンバー1内に供給されたCo2CO8ガスは、サセプタ2内のヒーター5により所定温度に加熱されたウエハWの表面に至り、そこで熱分解してCo膜が形成される。このようにしてCo膜を成膜した後、パージ工程を行う。パージ工程では、成膜原料タンク31へのキャリアガスの供給を停止してCo2CO8の供給を停止した後、排気装置23の真空ポンプを引き切り状態とし、希釈ガス供給源62から希釈ガスをパージガスとしてチャンバー1内に流してチャンバー1内をパージする。この場合に、できる限り迅速にチャンバー1内をパージする観点から、キャリアガスの供給は断続的に行うことが好ましい。パージ工程が終了後、ゲートバルブGを開け、図示しない搬送装置により、搬入出口24を介してウエハWを搬出する。これにより、1枚のウエハWの一連の工程が終了する。このようなCo膜を成膜する際に用いる原料ガスであるCo2CO8は、80°C以上で自己分解し、Coを堆積することが知られているが、Co2CO8の分解反応が供給律速の場合、すなわちCo2CO8の分解反応に対してCo2CO8の供給量が不足する場合、成膜温度が低いとCo膜成膜時に、優先方向に異常成長してしまい、Co膜が針状に堆積することが判明した。このような異常成長が生じると、膜の平滑性が低下し、シート抵抗が上昇するといった問題を生じる。そこで、このようなCo膜の針状の異常成長を生じない条件を検討した結果、成膜の際のウエハW温度成膜温度が160°C以上であれば、Co2CO8の分解反応が供給律速であっても、Coの表面マイグレーションを発生させることができ、Co膜の優先成長方向への異常成長を抑制することができることが見出された。このように異常成長が抑制されることにより、平滑でシート抵抗の低いCo膜が得られる。一方、成膜温度が300°Cを超えるとCoが凝集してしまい、良好な膜が得られない。このため、成膜温度を160~300°Cとする。反応律速となる量のCo2CO8を供給しても、成膜プロセスの開始時や終了時原料供給開始時や終了時のような非定常状態では、一時的に供給律速になることがあるが、そのような場合でもこのように成膜温度を160°C以上にすることにより、異常成長の問題を解消することができる。また、Co2CO8の供給量を変化させて段差被覆性を制御する場合には、供給量が少ない領域で供給律速となり、成膜温度が低いとCo膜に異常成長が生じるおそれがあったが、このように成膜温度を160°C以上とすることにより、Co膜の異常成長を発生させずに供給量による段差被覆性の制御が可能となる。これにより、フィールドとホール側壁において最適なCo膜を堆積することができるため、Cuの堆積量を増加させることができ、配線抵抗を低減することができる他、供給律速領域において異常成長を抑制できるため、原料の使用量を低減することができる。このようにしてCo膜を成膜するに際し、成膜原料容器31および成膜原料ガス供給配管43は、Co2CO8ガスの分解開始温度未満の温度に制御することにより、成膜原料容器31内で気化により生成されたCo2CO8ガスが成膜原料容器31から成膜原料ガス供給配管43を経てチャンバー1内に至るまでの間、その温度が分解開始温度未満となりCo2CO8の分解を抑制することができる。Co2CO8ガスのような化合物の分解温度については、通常、DTA示差熱分析で把握され、DTAで求めたCo2CO8ガスの分解開始温度は51°Cであるが、減圧TGによる重量変化から、より厳密に分解温度を把握したところ、分解開始温度は45°Cであった。この結果より、成膜原料容器31および成膜原料ガス供給配管43の加熱温度を45°C未満に制御することが好ましい。下限は事実上室温となるので、室温以上45°C未満に制御することが好ましい。また、このように、成膜原料容器31および成膜原料ガス供給配管43は、Co2CO8ガスの分解開始温度未満の温度に制御することに加えて、成膜原料容器31内にCOガスを導入することにより、その中のCO濃度が高くなり、Co2CO8が分解してCOを生成する反応を抑制することができ、Co2CO8を気化させてチャンバー内に供給する過程での分解反応をより効果的に抑制することができる。チャンバー1の壁部内壁の温度はCo2CO8ガスの分解温度未満であることが好ましい。これによりチャンバー1の内壁に達したCo2CO8ガスが分解してCo膜中の不純物が増加することを防止することができる。以上のようにして図2、3に示す構造のウエハWにシード膜としてCo膜106を形成した後、ホール102内に電解メッキでCu膜を形成し、CMPにより平坦化することによりCu配線107とすることにより、図4、5の構造を得る。なお、本実施形態のCo膜は、CVD-Cu膜の下地膜として用いることもできる。さらには、Cu拡散バリア膜や、コンタクト層として用いることもできる。Co膜をコンタクト層として用いる場合には、シリコン基板表面またはポリシリコン膜の表面に以上のようにしてCo膜を成膜した後、不活性ガス雰囲気または還元ガス雰囲気でシリサイド化のための熱処理を行う。この際の熱処理の温度は、450~800°Cが好ましい。<本発明の効果を示すための実験>次に、本発明の効果を示すための実験を行った結果について説明する。ここでは、Co2CO8を用い、成膜温度を変化させて上記手順でCo膜を成膜した。Co2CO8の供給量は、反応に対して供給が不足する供給律速量である0.03sccmmL/minとした。成膜温度は120°C、160°C、190°Cとした。なお、Co2CO8の供給量は、キャリアガスとして用いたCO流量およびCo2CO8の飽和蒸気圧に基づいて求めた。例えば、原料容器温度:室温、容器圧力:760Torr、CO流量:500sccmの条件でCo2CO8を供給した場合、この際のCo2CO8の飽和蒸気圧は60mTorrであるから、Co2CO8の供給量Fは以下の式で求めることができる。F=CO流量×蒸気圧/全圧-蒸気圧これに上記数値を代入すると、F=500×0.06/760-0.06=0.03となる。この値は飽和蒸気圧からの理想値であり、実際はこの値以下となる。図6は各温度での成膜初期と平均膜厚が60nmのときのCo膜表面の走査型電子顕微鏡SEM写真である。なお、SEM写真は、25°傾斜させた状態を示しており、また、平均膜厚はCoの強度X線強度から換算した値を用いた。図6で示すように、成膜温度が120°Cの場合には、成膜初期の段階から優先成長方向への成長が顕在化しており、60nm成膜時には、針状の異常成長が顕著に現れたが、成膜温度が160°Cおよび190°Cのものは、成膜初期において優先成長方向への成長が認められず、190°Cのものについて60nm成膜時の異常成長は認められなかった。これと同様の傾向は、下地がAl膜以外でも、TiN/Ti膜、SiO2膜、ポリイミドでも同様に認められ、下地によらず、成膜温度が160°C以上で針状の異常成長が抑制されることが確認された。<本発明の他の適用>なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、成膜原料であるCo2CO8の供給手法は上記実施形態の手法に限定する必要はなく、種々の方法を適用することができる。また、被処理基板として半導体ウエハを用いた場合を説明したが、これに限らず、フラットパネルディスプレイFPD基板等の他の基板であってもよい。"