"窒化物半導体発光素子を作製する方法であって、窒化物半導体領域の半極性主面の上に設けられた金属層の上に樹脂を塗布して、樹脂膜を形成する工程と、誘電体膜を前記樹脂膜の上に成長する工程と、リッジのためのパターンを有するマスクを前記誘電体膜の上に形成する工程と、前記マスクを用いて前記誘電体膜のエッチングを行って、誘電体マスクを形成する工程と、前記誘電体マスクを用いて前記樹脂膜の異方性エッチングを行って、樹脂犠牲層を形成する工程と、前記樹脂犠牲層を形成した後に、前記誘電体マスクを用いて前記金属層の異方性エッチングを行って、電極を形成する工程と、前記電極を形成した後に、前記誘電体マスクを用いて前記窒化物半導体領域の異方性エッチングを行って、エッチングされた窒化物半導体領域を形成する工程と、前記誘電体マスク、前記樹脂犠牲層、及び前記電極並びに前記エッチングされた窒化物半導体領域の上に、絶縁膜の第1部分及び第2部分を成長する工程と、前記樹脂犠牲層を除去することによって前記絶縁膜の前記第1部分を除去して、前記絶縁膜の前記第2部分からなる保護層を前記エッチングされた窒化物半導体領域の上にリフトオフ法により形成する工程と、を備え、前記窒化物半導体領域は活性層を含み、前記エッチングされた窒化物半導体領域は半導体リッジを含み、前記絶縁膜を成長する前記工程では、前記誘電体マスク、前記樹脂犠牲層及び前記電極が前記半導体リッジの上に位置し、前記保護層は、前記電極の上に位置する開口を有する、窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記窒化物半導体領域は、III族窒化物半導体層及び別のIII族窒化物半導体層を含み、前記別のIII族窒化物半導体層は、前記III族窒化物半導体層の上に設けられ前記金属層と接触を成し、前記窒化物半導体領域の異方性エッチングでは、前記III族窒化物半導体層及び前記別のIII族窒化物半導体層がエッチングされ、前記III族窒化物半導体層の材料は前記別のIII族窒化物半導体層の材料と異なり、前記別のIII族窒化物半導体層のc軸と前記窒化物半導体領域の前記半極性主面の法線軸との成す角度は63度以上80度以下又は100度以上117度以下の角度範囲にあり、前記電極は前記半導体リッジの上面に接触を成す、請求項1に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記保護層を形成した後に、パッド電極のための導電膜を前記保護層及び前記電極上に蒸着する工程を更に備える、請求項1又は請求項2に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記誘電体膜はシリコン系無機絶縁体からなる、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記誘電体膜は電子ビーム蒸着法で形成される、請求項1~請求項4のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記樹脂膜、前記金属層及び前記窒化物半導体領域の前記異方性エッチングは、インダクティブカップリングプラズマ反応性イオンエッチング法で行われる、請求項1~請求項5のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記樹脂膜の異方性エッチング、前記金属層の異方性エッチング、及び前記窒化物半導体領域の異方性エッチングにおける基板温度は、摂氏150度以下である、請求項1~請求項6のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記金属層は金層、パラジウム層、白金層、及びチタン層の少なくともいずれかを含む、請求項1~請求項7のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記金属層の厚さは10nm以上であり、前記金属層の厚さは200nm以下である、請求項1~請求項8のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記金属層のエッチングではArが用いられる、請求項1~請求項9のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記樹脂犠牲層を形成した工程から絶縁膜を成長する工程までのプロセスでは、前記樹脂犠牲層の幅が狭められることがなく、前記樹脂膜は前記金属層に接触しており、前記絶縁膜を成長する工程では、前記樹脂犠牲層は前記電極の上面の全体を覆う、請求項1~請求項10のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記樹脂膜はレジスト層を含む、請求項1~請求項11のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記樹脂膜はポリイミド樹脂層を含む、請求項1~請求項11のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記樹脂膜はベンゾシクロブテン樹脂層を含む、請求項1~請求項11のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記樹脂膜のエッチングにおけるエッチャントはフッ素系ガスを含む、請求項1~請求項14のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記樹脂膜のエッチングにおけるエッチャントは、CF4、CHF3、及びAr/CHF3を含む、請求項1~請求項15のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記樹脂膜のエッチングにおけるエッチャントは酸素を含む、請求項1~請求項14のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記窒化物半導体領域の前記半極性主面の酸洗浄を行うと共に、前記半極性主面の酸洗浄の後に、前記窒化物半導体領域の前記半極性主面の上に前記金属層を成長する工程を更に備える、請求項1~請求項17のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。III族窒化物半導体基板の主面の上に前記窒化物半導体領域を成長する工程を更に備え、前記III族窒化物半導体基板のc軸と前記主面の法線軸との成す角度は63度以上80度以下又は100度以上117度以下の角度範囲にあり、前記III族窒化物半導体基板のc軸と前記窒化物半導体領域の前記半極性主面の法線軸との成す角度は63度以上80度以下又は100度以上117度以下の角度範囲にある、請求項1~請求項18のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。前記活性層の発光スペクトルのピーク波長は500nm以上570nm以下の波長範囲内にある、請求項1~請求項19のいずれか一項に記載された窒化物半導体発光素子を作製する方法。c面と異なる面方位の半極性面上に窒化物半導体発光素子を作製するとき、III族窒化物半導体のエッチングは、エピタキシャル成長後のエピタキシャルウエハ上に発光素子のための電極を形成する際の工程で用いられる。特許文献1では、リフトオフ用のAl犠牲層の側面がコンタクト電極部の幅に比べて後退させ、この結果、コンタクト電極部の上面の一部が露出する。この後に、基板上面全域に絶縁層を成長する。この後退のため、Al犠牲層の側面上に絶縁層が堆積されることを避けることができる。犠牲層の側面上に成長される絶縁層は、リフトオフの際に犠牲層の除去を邪魔する。しかしながら、絶縁層はコンタクト電極部の側面だけでなく、コンタクト電極部の露出された上面に成長されて突起部を成し、この突出部はAl犠牲層の後退した側面に至る。Al犠牲層が完全に除去された際に、コンタクト電極部の上面の大部分は露出されているけれども、突起部は、エッチングされずに残されて、コンタクト電極部の側面上に成長された絶縁層からコンタクト電極部の上面に突出する。発明者らの実験によれば、コンタクト電極部の上面の一部に犠牲層が設けられるとき、コンタクト電極部に接触を成すパッド電極が、絶縁層の突起部において断切れする。絶縁層の突起部がコンタクト電極部の上面上に成長することを避けるためには、Al犠牲層の後退量を調整することが必要である。しかしながら、Al犠牲層の後退はサイドエッチングにより形成するので、後退量の調整が容易ではなく、後退量はばらつく。これ故に、リフトオフを確実に行うためには、十分な後退量を確保することになる。また、リッジ構造形成のための加工に加えて、電極の形成も必要である。発明者らの知見によれば、III族窒化物半導体の半極性面に接触を成す電極を形成する際には、良好なオーミック接触を得ることもまた容易ではない。本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、半極性面上に作製される半導体発光素子において、窒化物半導体領域に接触を成す電極上へ保護層のせり出しを低減することを可能にする、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供することを目的とする。また、本発明は、半極性面上の発光素子において、良好なコンタクト抵抗を歩留まりよく得ることを目的とする。また、本発明は、半極性面上に特に緑色領域の発光素子を歩留まりよく得ることを目的とする。本発明は、窒化物半導体発光素子を作製する方法に係る。この製造方法は、a窒化物半導体領域の半極性主面上に設けられた金属層上に樹脂を塗布して、樹脂膜を形成する工程と、b誘電体膜を前記樹脂膜上に成長する工程と、cリッジのためのパターンを有するマスクを前記誘電体膜上に形成する工程と、d前記マスクを用いて前記誘電体膜のエッチングを行って、誘電体マスクを形成する工程と、e前記誘電体マスクを用いて前記樹脂膜の異方性エッチングを行って、樹脂犠牲層を形成する工程と、f前記樹脂犠牲層を形成した後に、前記誘電体マスクを用いて前記金属層の異方性エッチングを行って、電極を形成する工程と、g前記電極を形成した後に、前記誘電体マスクを用いて前記窒化物半導体領域の異方性エッチングを行って、エッチングされた窒化物半導体領域を形成する工程と、h前記誘電体マスク、前記樹脂犠牲層、及び前記電極並びに前記エッチングされた窒化物半導体領域上に、絶縁膜の第1部分及び第2部分を成長する工程と、i前記樹脂犠牲層を除去することによって前記絶縁膜の前記第1部分を除去して、前記絶縁膜の前記第2部分からなる保護層を前記エッチングされた窒化物半導体領域上にリフトオフ法により形成する工程を備える。前記窒化物半導体領域は活性層を含み、前記エッチングされた窒化物半導体領域は半導体リッジを含み、前記絶縁膜を成長する前記工程では、前記誘電体マスク、前記樹脂犠牲層及び前記電極が前記半導体リッジ上に位置し、前記保護層は前記電極上に位置する開口を有する。この窒化物半導体発光素子を作製する方法によれば、樹脂膜上の誘電体マスクを用いて、樹脂膜、金属層及び窒化物半導体領域の異方性エッチングを行った後に、誘電体マスク、樹脂犠牲層、及び電極並びにエッチングされた窒化物半導体領域上に絶縁膜を成長する。樹脂膜、金属層及び窒化物半導体領域が異方性エッチングを用いて加工されるので、樹脂膜から形成される樹脂犠牲層のサイドエッチングを避けることができる。また、リフトオフに際して樹脂犠牲層にのためのセットバックが形成されない。これ故に、絶縁膜の形成の際に、電極の上面に絶縁膜の堆積が生じない。半導体リッジ形成に先立って、金属層が窒化物半導体領域の半極性主面上に、既に設けられている。この手順によれば、電極接合を成す窒化物半導体半極性主面が、直接に、半導体リッジ形成や保護膜の形成のためのプロセスにさらされることを防ぐことができる。本発明に係る作製方法では、前記窒化物半導体領域は、第1III族窒化物半導体層及び第2III族窒化物半導体層を含み、前記第2III族窒化物半導体層は、前記第1III族窒化物半導体層上に設けられ前記金属層と接触を成し、前記窒化物半導体領域の異方性エッチングでは、前記第1III族窒化物半導体層及び前記第2III族窒化物半導体層がエッチングされ、前記第1III族窒化物半導体層の材料は前記第2III族窒化物半導体層の材料と異なり、前記第2III族窒化物半導体層のc軸と前記窒化物半導体領域の前記半極性主面の法線軸との成す角度は63度以上80度以下又は100度以上117度以下の角度範囲にあり、前記電極は前記半導体リッジの前記上面に接触を成すことができる。この作製方法によれば、上記の範囲の酸化されやすい窒化物半導体半極性面が、電極の形成の際に、半導体リッジ形成や保護膜の形成のためのプロセスにさらされることを防ぐことができる。本発明に係る製造方法は、前記保護層を形成した後に、パッド電極のための導電膜を前記保護層及び前記電極上に蒸着する工程を更に備えることができる。この作製方法によれば、パッド電極が電極の上面に接触を成すと共にリッジ側面上の保護層端部を覆って設けられる。リッジ側面上に断線のないパッド電極を形成することができる。本発明に係る製造方法では、前記誘電体膜はシリコン系無機絶縁体からなることができる。この作製方法によれば、誘電体膜は、ハードマスクのために堆積される。シリコン系無機絶縁体は、樹脂膜、金属層及び窒化物半導体領域のエッチングにおいてハードマスクとして使用されることができる。本発明に係る製造方法では、前記誘電体膜は電子ビーム蒸着法で形成されることができる。この作製方法によれば、電子ビーム蒸着法の使用により、誘電体膜を比較的低温で成膜でき、成膜時の熱から樹脂膜を保護できる。本発明に係る製造方法では、前記樹脂膜、前記金属層及び前記窒化物半導体領域の前記異方性エッチングは、インダクティブカップリングプラズマ反応性イオンエッチング法で行われることができる。この作製方法によれば、樹脂膜、金属層及び窒化物半導体領域の異方性エッチングを単一のエッチング法で可能になる。本発明に係る製造方法では、前記樹脂膜の異方性エッチング、前記金属層の異方性エッチング、及び前記窒化物半導体領域の異方性エッチングにおける基板温度は、摂氏150度以下であることができる。この作製方法によれば、摂氏150度以下の温度の使用により、エッチング時の熱から樹脂膜を保護できる。本発明に係る製造方法では、前記金属層は金層、パラジウム層、白金層、及びチタン層の少なくともいずれかを含むことができる。この作製方法によれば、金、パラジウム、白金、及びチタンは、窒化物半導体領域の半極性面に良好なオーミック接触を提供できる。本発明に係る製造方法では、前記金属層の厚さは10nm以上であり、前記金属層の厚さは200nm以下であることができる。この作製方法によれば、金属層のエッチングの際に樹脂膜が硬化していき、厚さ200nm以下の金属層のエッチングでは樹脂硬化が少なく、これ故にリフトオフを容易にする。本発明に係る製造方法では、前記金属層のエッチングではArが用いられることが好適である。この作製方法によれば、金、パラジウム、及び白金といった金属層のエッチングをArイオンを用いた物理的な加工により行うことができる。本発明に係る製造方法では、前記樹脂犠牲層を形成した工程から絶縁膜を成長する工程までのプロセスでは、前記樹脂犠牲層の幅が狭められることがなく、前記樹脂膜は前記金属層に接触しており、前記絶縁膜を成長する工程では、前記樹脂犠牲層は前記電極の上面の全体を覆う。この作製方法によれば、樹脂犠牲層の側面には、絶縁膜が成長されにくく、リフトオフにより容易に樹脂犠牲層の側面上の絶縁膜を除去できる。本発明に係る製造方法では、前記樹脂膜はレジスト層を含むことができる。また、本発明に係る製造方法では、前記樹脂膜はポリイミド樹脂層を含むことができる。さらに、本発明に係る製造方法では、前記樹脂膜はベンゾシクロブテン樹脂層を含むことができる。これらの作製方法によれば、樹脂膜が誘電体膜と金属層との間に設けられるので、樹脂膜は誘電体膜から金属層への応力を低減でき、また樹脂膜から金属層への応力を避けることができる。本発明に係る製造方法では、前記樹脂膜のエッチングにおけるエッチャントはフッ素系ガスを含むことができる。この作製方法によれば、サイドエッチングを低減しながら、誘電体マスクのパターンを樹脂膜に転写できる。また、本発明に係る製造方法では、前記樹脂膜の前記エッチャントは、CF4、CHF3、及びAr/CHF3を含むことができる。この作製方法によれば、フッ素系ガスとして、上記のガスを用いることができる。本発明に係る製造方法では、前記樹脂膜のエッチングにおけるエッチャントは酸素を含むことができる。この作製方法によれば、酸素プラズマを用いた異方性エッチングにより、サイドエッチングを低減しながら、誘電体マスクのパターンを樹脂膜に転写できる。本発明に係る製造方法は、前記窒化物半導体領域の前記半極性主面の酸洗浄を行うと共に、前記半極性主面の酸洗浄の後に、前記窒化物半導体領域の前記半極性主面上に前記金属層を成長する工程を更に備えることができる。この作製方法によれば、半極性主面の酸洗浄の後にこの酸洗浄された半極性主面上に金属層を成長するので、表面の酸化物層を除去してコンタクト層をより低減できる。かつ、窒化物半導体領域の半極性主面が、後のプロセスにさらされることを避けることができる。本発明に係る製造方法では、前記活性層の発光スペクトルのピーク波長は500nm以上570nm以下の波長範囲内にあることができる。この作製方法によれば、上記の波長範囲の発光素子を作製できる。本発明に係る製造方法では、III族窒化物半導体基板の主面上に前記窒化物半導体領域を成長する工程を更に備えることができる。前記III族窒化物半導体基板のc軸と前記主面の法線軸との成す角度は63度以上80度以下又は100度以上117度以下の角度範囲にあり、前記III族窒化物半導体基板のc軸と前記窒化物半導体領域の前記半極性主面の法線軸との成す角度は63度以上80度以下又は100度以上117度以下の角度範囲にあることができる。この作製方法によれば、複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体領域をIII族窒化物半導体基板の半極性面上に成長して、特に500nm以上540nm以下の発光波長である半導体発光素子を歩留まりよく高品質に作製できる。以上説明したように、本発明によれば、窒化物半導体発光素子を作製する方法が提供される。この作製方法は、半極性面上に作製され半導体発光素子において、窒化物半導体領域に接触を成す電極上へ保護層のせり出しを低減することを可能にする。添付図面を参照しながら、本発明の窒化物半導体発光素子を作製する方法及び電極を形成する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。図1~図7は、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子を作製する方法及び窒化物半導体発光素子のための電極を形成する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。図1~図5及び図7の模式図では、矩形の基板が描かれているが、基板の形状はこれに限定されない。また、理解を容易にするために、引き続く説明では、一素子のサイズの基板上に窒化物半導体発光素子を作成する手順を説明する。この方法では、最初の工程で、窒化物半導体発光素子のためのエピタキシャル成長層を形成するための基板を準備する。基板図1のa部における参照符号12は、例えば六方晶系III族窒化物からなる主面図1のa部における参照符号12aを有する。基板12は、例えば六方晶系III族窒化物からなることができ、六方晶系III族窒化物は、例えば窒化ガリウム系半導体からなることができ、窒化ガリウム系半導体は例えばGaN、AlNを含む。図1のa部に示されるように、工程S101において、基板12を成長炉10aに置いた後に、基板12上に窒化物半導体発光素子のためのエピタキシャル積層14を形成する。エピタキシャル積層14は複数のIII族窒化物層を含む。基板12は六方晶系III族窒化物からなる主面12aを有し、またこの主面12aは半極性を示す。エピタキシャル積層14は、六方晶系III族窒化物の半極性主面12aに対してエピタキシャルに成長される。エピタキシャル積層14のIII族窒化物層の各々におけるc軸の向きは、その下地の該六方晶系III族窒化物のc軸の向きに一致する。図1のa部を参照すると、六方晶系III族窒化物のc軸Cxを示すc軸ベクトルCVが描かれており、結晶方位を示す結晶座標系CRが示されている。結晶座標系CRは、六方晶系III族窒化物のc軸、a軸及びm軸を示す軸を有する。本実施例では、基板12のc軸Cxは、基板主面12aの法線ベクトルNVで表される法線軸Nxを基準にしてm軸に向けて角度ALPHAで傾斜している。引き続く工程によって作製されるリッジ構造は、m軸及びc軸によって規定されるm-c面に沿って延在する。基板12のc軸Cxと基板主面12aの法線軸Nxとの成す角度ALPHAは63度以上80度以下又は100度以上117度以下の角度範囲にある。この角度範囲の窒化ガリウム系半導体の半極性面はc面に比べて酸化されやすい。基板12のc軸Cxとエピタキシャル積層14の半極性主面14aの法線軸本実施例では、法線軸Nxと同じとの成す角度は45度以上80度以下又は100度以上135度以下の角度範囲にあることができる。引き続く説明によって示されるように、上記の角度範囲の酸化されやすい窒化物半導体半極性面が、電極の形成の際に、半導体リッジ形成や保護膜の形成のためのプロセスにさらされることを防ぐことができる。成長炉10aでは、エピタキシャル積層14の複数のIII族窒化物層が、例えば有機金属気相成長MOCVD法で成長されて、法線軸Nxの方向に順に配列される。エピタキシャル積層14は、例えば以下の半導体層を含むことができる:n型窒化ガリウム系半導体層16;n型窒化ガリウム系半導体クラッド層18;n側窒化ガリウム系半導体光ガイド層20;活性層22;p側窒化ガリウム系半導体光ガイド層24;窒化ガリウム系半導体電子ブロック層26;p側窒化ガリウム系半導体光ガイド層28;p型窒化ガリウム系半導体クラッド層30;及びp型窒化ガリウム系半導体コンタクト層32。活性層22は、井戸層22a及び障壁層22bを含み、これら井戸層22a及び障壁層22bが、法線軸Nxの方向に交互に配列されている。エピタキシャル積層14の一例。n型窒化ガリウム系半導体層16:Siドープn型GaN。n型窒化ガリウム系半導体クラッド層18:Siドープn型AlGaN。n側窒化ガリウム系半導体光ガイド層20:Siドープn型GaN、アンドープInGaN。活性層22:単一又は多重量子井戸構造。井戸層22a:アンドープInGaN。障壁層22b:アンドープInGaN又はアンドープGaN。p側窒化ガリウム系半導体光ガイド層24:アンドープInGaN。窒化ガリウム系半導体電子ブロック層26:Znドープp型AlGaN。p側窒化ガリウム系半導体光ガイド層28:Znドープp型GaN。p型窒化ガリウム系半導体クラッド層30:Znドープp型AlGaN。p型窒化ガリウム系半導体コンタクト層32:Znドープp型GaN。活性層22の発光スペクトルのピーク波長は500nm以上であり570nm以下の波長範囲内にあることができる。エピタキシャル積層14の成長が完了した後に、成長炉10aからエピタキシャルウエハE1を取り出す。エピタキシャルウエハE1の窒化物半導体領域は、基板主面12aの面方位を引き継いで半極性主面を示す。エピタキシャルウエハE1の窒化物半導体領域は活性層22を含み、活性層22も半極性に従う性質を有する。この半極性の利点を生かして、500nm以上540nm以下の波長範囲内に発光スペクトルのピーク波長を有する発光素子を提供することが好ましい。取り出されたエピタキシャルウエハE1は、酸素を含む大気にさらされる。これ故に、その表面に自然酸化膜が形成される。発明者らの実験によれば、窒化ガリウム系半導体の半極性主面は酸素と結合しやすく、c面に比べて厚い自然酸化膜が成長する。次いで、エピタキシャルウエハE1の表面14aの自然酸化膜やコンタミネーションを除去するために、図1のb部に示されるように、電極のための金属層の成長に先立って、エピタキシャルウエハE1を処理装置10bに配置する。工程S102では、処理装置10bを用いて自然酸化膜やコンタミネーションを除去するためのウエット処理11を行う。好適な処理例では、エピタキシャルウエハE1は酸溶液に浸される。この酸溶液は例えば塩酸、フッ酸、王水、リン酸を含むことが好ましい。図2のa部に示されるように、エピタキシャルウエハE1の酸洗浄の後に、速やかに例えば10分以内に該エピタキシャルウエハE1を成膜装置10cに配置する。工程S103では、成膜装置10cにおいて該酸洗浄された主面14a上に金属層34の堆積例えば蒸着を行う。金属層34は、例えば金層、パラジウム層、白金層、及びチタン層の少なくともいずれかを含むことができる。これらの金属は、窒化物半導体半極性面に良好なコンタクト抵抗を提供できる。金属層34は、例えば蒸着法、MBE法、スパッタ法で形成されることができる。金属層34の厚さDMは例えば10nm以上であり、例えば200nm以下であることができる。金属層34のエッチングの際に、金属層34上に次に形成される樹脂膜36が硬化していき、厚さ200nm以下の金属層34のエッチングでは樹脂硬化が少なく、この結果、リフトオフが容易になる。工程S104では、図2のb部に示されるように、金属層34上に、リフトオフのための樹脂膜36を形成する。樹脂膜36は、誘電体マスクから金属層への応力を低減できる。樹脂膜36は、例えばレジスト、ポリイミド、及びベンゾシクロブテンの少なくともいずれかを含むことができる。これらの樹脂を異方性エッチングにより加工して樹脂犠牲層を形成でき、またこれをリフトオフのために使用できる。樹脂膜36の形成は、例えばスピナーといった塗布装置10dを用いた塗布により行われる。樹脂膜36の厚さDRは例えば200nm以上であり、例えば500nm以下であることができる。樹脂膜36は金属層34に接触している。樹脂膜36は例えば絶縁性を示すことが好ましい。樹脂膜36の形成の処理温度は、摂氏200度以下、好ましく摂氏150度以下である。工程S105では、図3のa部に示されるように、また、金属層34及び樹脂膜36上に、誘電体膜38を成長する。誘電体膜38を成長の結果として、樹脂膜36は誘電体膜38と金属層34との間に設けられる。誘電体膜38はシリコン系無機絶縁層を含むことができ、シリコン系無機絶縁層は例えばシリコン酸化物具体的にはSiO2、SiN等からなることができる。誘電体膜38は例えば電子ビーム法、スパッタ法を適用可能な成膜装置10eで成長されることが好ましい。この方法によれば、成膜の際の熱から樹脂膜36を保護するように、電子ビーム蒸着法でシリコン系無機絶縁層を成長できる。誘電体膜38の厚さDIは例えば300nm以上であり、例えば500nm以下であることができる。誘電体膜38は、ハードマスクのために堆積される。シリコン系無機絶縁体は、樹脂膜36、金属層34及びエピタキシャルウエハE1の窒化物半導体領域のエッチングにおいてハードマスクとして使用されることができる。シリコン系無機絶縁体として、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物等を用いることができる。この工程の処理温度は、摂氏200度以下、好ましく摂氏150度以下である。工程S106では、図3のb部に示されるように、リッジのためのパターンを有するマスク40を誘電体膜38上に形成する。マスク40は例えばフォトレジストからなることができる。このレジストマスクの作成は例えば以下のように行われる。塗布器10fを用いてフォトレジストを誘電体膜38上に塗布した後に、露光装置10gでフォトマスクを介してフォトレジストに露光し、さらに露光したフォトレジストを現像装置10hで現像する。図3のb部に示される実施例では、マスク40は例えばストライプ形状を成す。ストライプは例えば2μmである。マスク40の厚さは例えば500nm以上であり、例えば2000nm以下であることができる。工程S107では、図4のa部に示されるように、マスク40を用いて誘電体膜38をエッチング装置10jでエッチングして、誘電体マスク38aを形成する。このエッチングは、例えばインダクティブカップリングプラズマ反応性イオンエッチング法ICP-RIE法で行われることが好ましい。このエッチング法によれば、エッチングにおける異方性を実現できる。誘電体膜38がシリコン系無機絶縁体からなるときは、エッチャントとしてCHF3といったフッ素系ガスを用いることができる。エッチャントとして、CHF3に加えて、CF4、CHF3Ar,CF4Arを使用できる。誘電体膜38がシリコン酸化物具体的にはSiO2からなるときは、エッチャントとしてCHF3を用いることができる。誘電体マスク38aの厚さは例えば200nm以上であり、例えば500nm以下であることができる。工程S108では、図4のb部に示されるように、誘電体マスク38aを用いて樹脂膜36のエッチングをエッチング装置10jで行って、樹脂犠牲層36aを形成する。樹脂膜36のエッチングにおけるエッチャントはフッ素系ガス又は酸素を含むことが好ましい。フッ素系ガスとして、CF4、CHF3、Ar/CHF3の少なくともいずれかを使用できる。サイドエッチングを低減しながら、誘電体マスク38aのパターンを樹脂膜36に転写できる。また、樹脂膜36のエッチングにおけるエッチャントは酸素を含むことが好ましい。酸素プラズマを用いた異方性エッチングにより、サイドエッチングを低減しながら、誘電体マスク38aのパターンを樹脂膜36に転写できる。また酸素を使うことにより樹脂犠牲層の硬化を抑制することができる。このエッチングは、例えばICP-RIE法で行われることが好ましい。このエッチング法によれば、エッチングにおける異方性を実現できる。これ故に、樹脂犠牲層36aの幅は誘電体マスク38aの幅とほぼ同じであり、保護膜がコンタクト開口を狭めるような実質的なサイドエッチは、樹脂犠牲層36aに生じない。樹脂犠牲層36aの厚さは例えば200nm以上であり、例えば500nm以下であることができる。樹脂犠牲層36aは、例えばレジスト層、ポリイミド樹脂層、及びベンゾシクロブテン樹脂層の少なくともいずれかを含むことができる。なお、樹脂膜36のエッチングの際にレジスト製のマスク40もエッチャントにさらされる。誘電体マスク38aの形成から窒化物半導体領域のエッチングまでのエッチングにおいて不都合がなければ、マスク40を除去することなく、樹脂膜36から窒化物半導体領域までのエッチングを行うことができる。引き続く工程の処理においてマスク40の一部が残ることがあるが、理解を容易にするために、積層マスクの最上層に誘電体マスク38aを描く。工程S109では、図5のa部に示されるように、誘電体マスク38aを用いて金属層34のエッチングをエッチング装置10jで行って、電極34aを形成する。電極34aは、金層、パラジウム層、及びチタン層の少なくともいずれかを含むことができる。金属層34のエッチングは例えばアルゴンAr、Cl2等を用いることができる。アルゴンArを用いるエッチングは反応性ではないが、異方的エッチングである。金及びパラジウムといった金属層34のエッチングをArイオンを用いた物理的な加工により行うことができる。次いで、工程S110では、図5のb部に示されるように、金属層34のエッチングが完了した後に、窒化物半導体領域40のエッチングをエッチング装置10jで行って、エッチングされた窒化物半導体領域42を形成する。このエッチングは、ICP-RIE法で行われることが好ましい。このエッチング法によれば、エッチングにおける異方性及び所望の大きなリッジ高を実現できる。本実施例では、リッジ高HRは、例えば0.5μm以上であり、例えば1μm以下であることができる。またICP-RIE法は平行平板型の一般的なRIEと比較するとより低ダメージなエッチングであり、レジスト硬化を抑制してリフトオフ性を向上できる。本実施例では、エッチング装置10jにおいて、誘電体マスク38aを用いて樹脂膜36から金属層34を介して窒化物半導体領域40までのエッチングを行って、樹脂犠牲層36a、電極34a及びエッチングされた窒化物半導体領域42を形成できる。エッチングされた窒化物半導体領域42は半導体リッジ42aを含む。この一連のエッチングにおいて、エッチングの異方性を利用して、各エッチングにおけるサイドエッチングを抑制できる。誘電体マスク38aを用いて樹脂膜36から金属層34を介して窒化物半導体領域40までのエッチングを行って、樹脂犠牲層36a、電極34a及びエッチングされた窒化物半導体領域42を形成するとき、窒化物半導体領域40の半極性主面40aをエッチングして半導体リッジ42aを形成する。エッチング装置10jを用いた一連のエッチングにおける基板温度は、例えば摂氏150度以下であることが好ましい。エッチング中の熱的な影響から樹脂膜36及び樹脂犠牲層36aを保護することができる。図6は、エピタキシャル積層14の一例から形成したエッチングされたエピタキシャル積層を示す図面である。エピタキシャル積層14は、半極性面上にエピタキシャル成長された半導体層を含むので、エピタキシャル積層14内の半導体層界面接合は、基板の結晶軸に従った半極性面にある。エッチング及びリフトオフのための積層マスクをエピタキシャルウエハ上に形成した後に、エッチングのために、装置10jのステージ9上に搭載される。ステージ9は基板温度の調整を行うことができる。本実施例では、エピタキシャル積層14に含まれる3つの半導体層図5のa部に示されたIII族窒化物半導体層A、III族窒化物半導体層B及びIII族窒化物半導体層Cがエッチングされる。これら3つの半導層の材料は互いに異なる。エピタキシャル積層14の一例に基づいて説明すると、p型窒化ガリウム系半導体コンタクト層32例えば、Znドープp型GaN、p型窒化ガリウム系半導体クラッド層30例えば、Znドープp型AlGaN及びp側窒化ガリウム系半導体光ガイド層28例えば、Znドープp型GaNがエッチングされて、それぞれ、p型窒化ガリウム系半導体コンタクト層32a、p型窒化ガリウム系半導体クラッド層30a及びp側窒化ガリウム系半導体光ガイド層28aが形成される。p型窒化ガリウム系半導体コンタクト層32は例えばGaN、InGaN等からなることができ、p型窒化ガリウム系半導体クラッド層30例えばAlGaN、InAlGaN、GaN等からなることができ、p側窒化ガリウム系半導体光ガイド層28例えばGaN、InGaN、InAlGaN等からなることができる。半導体リッジ42aは、p型窒化ガリウム系半導体コンタクト層32a、p型窒化ガリウム系半導体クラッド層30a及びp側窒化ガリウム系半導体光ガイド層28aを含む。半導体リッジを形成する際にエッチングの結果、III族窒化物半導体層A~Cがエッチングされて、これらのIII族窒化物半導体層A~Cが、エッチングされた窒化物半導体領域42の表面42b及び半導体リッジ42aの側面42cに現れる。また、この作製方法によれば、窒化物半導体領域40の半極性主面40aの酸洗浄を行うと共に金属層34の蒸着により該酸洗浄された主面を覆うので、酸化されやすい窒化物半導体半極性主面14aをリッジ形成のためのプロセスさらすことなく、半極性主面14aは、電極34aのための金属層34で覆われる。これ故に、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。必要な場合には、金属層34は、リッジ上面として残されるエリア及びその周囲を含む領域上に設けられていればよい。次の工程S110では、図7のa部に示されるように、エッチングされた窒化物半導体領域42の半導体リッジ42aを形成した後に、成膜装置10kを用いて、エッチングされた窒化物半導体領域42の表面42b、42c及び誘電体マスク38a上に絶縁膜46を形成する。これによって、基板生産物SP1が形成される。絶縁膜46は、第1部分46a及び第2部分46bを含む。第1部分46aは、半導体リッジ42a上の誘電体マスク38aの上面38b及び側面38c並びに樹脂犠牲層36aの側面36c上に成長され、これらを覆う。第2部分46bは、エッチングされた窒化物半導体領域42のエッチングされた表面42b、半導体リッジ42aの側面42c、電極34aの側面34c上に成長され、これらを覆う。成膜装置10kは、例えば電子ビーム蒸着法、スパッタ法等による成膜を適用できる。例えば、絶縁膜46は、電子ビーム蒸着法で成長されたシリコン系無機絶縁膜等を含むことができる。この方法によれば、樹脂犠牲層36aを保護するように、絶縁膜45のためのシリコン系無機絶縁層を成長できる。このシリコン系無機絶縁層は例えばシリコン酸化物具体的にはSiO2、SiN等からなることができる。成膜等の処理は、例えば摂氏200度以下、好ましくは摂氏150度以下の温度で行われる。工程S112では、図7のb部に示されるように、樹脂犠牲層36aを用いて絶縁膜45のリフトオフを装置10mで行う。具体的には、樹脂犠牲層36aをリフトオフにより除去することによって絶縁膜46の第1部分46aを除去して、絶縁膜46の第2部分46bからなる保護層48をエッチングされた窒化物半導体領域42上に形成する。このリフトオフにより、誘電体マスク38aの上面38b及び側面38c上の第1部分46が消失すると共に、残った第2部分45bがエッチングされた窒化物半導体領域42のエッチングされた表面42b、半導体リッジ42aの側面42c、及び電極34aの側面34cを覆う。第2部分45bからなる保護層48が、エッチングされた窒化物半導体領域42のエッチングされた表面42b、半導体リッジ42aの側面42c、及び電極34aの側面34c上に形成される。保護層47は、半導体リッジ42a上の電極34a上に開口48aを有する。絶縁膜46の堆積に際して、樹脂犠牲層36aが電極34の上面34bの全体を覆っているので、保護層47の開口47aは、電極34aに対して自己整合的に位置決め可能である。保護層47の厚さD1は例えば200nm以上であり、例えば500nm以下であることができる。この作製方法によれば、樹脂膜36上の誘電体マスク38aを用いて、樹脂膜36、金属層34及び窒化物半導体領域40の異方性エッチングを行った後に、誘電体マスク38a、樹脂犠牲層36a、及び電極34a並びにエッチングされた窒化物半導体領域42上に、絶縁膜46を成長する。この工程によって、基板生産物SP2が形成される。樹脂膜36、金属層34及び窒化物半導体領域40が異方性エッチングを用いて行われるので、樹脂膜36から形成される樹脂犠牲層36aのサイドエッチングを避けることができる。これ故に、絶縁膜46の形成の際に、電極34aの上面34bに絶縁膜46の堆積が生じない。また、半導体リッジ形成に先立って、金属層34が既に窒化物半導体領域40の半極性主面40a上に設けられている。この手順によれば、電極接合を形成する窒化物半導体の半極性主面40aが半導体リッジ形成や保護膜49の形成のためのプロセスに、直接に、さらされることを防止できる。また、電極34aと半導体リッジ42aの上面42dとの接合J1のエッジを覆う。樹脂犠牲層36aを形成した工程から絶縁膜46を成長する工程までのプロセスでは、樹脂犠牲層36aの幅が狭められることがなく、樹脂膜36は金属層34に接触しており、絶縁膜46を成長する際には、樹脂犠牲層36aが電極34aの上面の全体を覆う。これ故に、樹脂犠牲層36aの側面には、絶縁膜46が成長されにくく、リフトオフにより容易に樹脂犠牲層36aの側面上の絶縁膜46を除去できる。図8を参照しながら、電極34aの上面34bの全体を樹脂犠牲層36aが覆うことの技術的寄与を説明する。本実施の形態では、樹脂犠牲層36aは誘電体マスク38aを用いて異方性エッチングで形成され、この後に樹脂犠牲層36aにサイドエッチングを生じさせるようなエッチング工程を樹脂犠牲層36aに行わない。これ故に、図8のa部に示されるように、樹脂犠牲層36aの形状は、半導体リッジを形成するための窒化物半導体エッチングが完了した際に、サイドエッチに因る細りが樹脂犠牲層36aになく、樹脂犠牲層36aが電極34aの上面をしっかりと覆う。誘電体マスク38a及び樹脂犠牲層36aを残した状態で、基板の全面に絶縁膜46を堆積する。絶縁膜46の第1部分46aは、誘電体マスク38aの上面及び側面並びに樹脂犠牲層36aの側面に堆積するけれども、電極34aの上面には堆積されない。そして、第1部分46aはリフトオフにより除去される。この結果、図8のb部に示されるように、電極34aの上面は、しっかりと保護膜48の開口48aに露出される。開口48aは、図8のa部に示されるように、電極34aの上面に自己整合的に位置決めされる。一方、犠牲層にサイドエッチングが形成される製造方法では、リフトオフ用のマスクは、犠牲層35aが電極33a上に形成される。例えば特許文献1では、犠牲層35aは例えばAl層といった金属膜からなり、またこのAl膜に意図的にサイドエッチングを施している。犠牲層35a上に、このAl膜をエッチングにより加工するためのマスク層37aが形成される。マスク37a及び犠牲層35aを残した状態で、基板の全面に絶縁膜47を堆積する。絶縁膜47の第1部分47aは、マスク37aの上面及び側面並びに犠牲層35aの側面に堆積し、更には、電極33aの上面の一部にも絶縁膜47が堆積される。そして、第1部分47aはリフトオフにより除去される。この結果、図8のd部に示されるように、電極33aの上面の一部には、半導体リッジの側面に成長された絶縁膜47bの延長部47cが残る。延長部47cは、電極33aの開口エリアを狭めるだけでなく、パッド電極と電極33aとの接続に段切れを引き起こす。工程S113では、図9のa部に示されるように、基板生産物SP2のパッド電極49を電極34a及び保護層48上に形成する。これにより、基板生産物SP3が形成される。パッド電極50は例えばAu、Ti/Pt/Auからなることができる。パッド電極50の導電膜の堆積は、堆積装置10nを用いて蒸着法で行われることができ、導電膜のパターン形成はリフトオフ法を用いることができる。パッド電極50は保護層48上に形成され、電極34aの上面34bに接触を成す。工程S114では、図9のb部に示されるように、基板生産物SP3に電極52を形成する。必要な場合には、基板12の裏面研磨により、研磨された基板12を形成した後に、基板12の研磨面12bに電極52を形成する。これらの工程により、窒化物半導体発光素子が形成される。実施例まず、犠牲層にレジストを用いる一製造例について説明する。電極の形成では、これまで、厚さ1~2μmの厚膜レジストをフォトリソグラフィーで露光して、リフトオフ用のレジストマスクを形成している。このレジストマスクは、電極を形成すべき部分に開口を有し、この開口には下地の窒化物半導体領域又は絶縁膜が露出する。このレジストマスクを形成した後に、基板の全面に金属を蒸着する。しかしながら、発明者らの知見によれば、窒化物半導体のある面方位は、c面に比べて酸化されやすい。このため、様々な実験を行ったけれども、上記のリフトオフ法では、良好なコンタクト抵抗が安定して得られない。上記のリフトオフ法では、レジスト現像の後にレジスト残りを除去するためにO2プラズマを用いたデスカムを行う。この酸素プラズマ雰囲気では、ストライプ開口に酸化されやすい面方位の窒化ガリウム系半導体が露出されており、この微細なコンタクト層表面がO2プラズマにさらされると、その表面に酸化層が形成される。酸化層は、オーミックコンタクトの形成に大きな障壁となる。このような酸化されやすい窒化ガリウム系半導体を扱うために、エピタキシャルウエハのエピ成長完成の直後に、自然酸化膜の除去のために王水等の酸洗浄の前処理を行うと共に、酸洗浄に直ちに金属層の堆積を行うプロセスを採用することが好適である。このプロセスの適用には、エピタキシャルウエハの全面のうちリッジ上面になるエリアを少なくとも覆う金属層上に、リッジ形成のためのマスクを形成することが必要になる。リッジ形成のためのマスクに、犠牲層としてアルミニウム層を用いた場合を説明する。エピタキシャルウエハに、厚さ30nmのパラジウム層を蒸着した後に、厚さ50nmのアルミニウム層を蒸着する。さらに、このアルミニウム層上に、厚さ300nmのSiO2膜を蒸着する。このSiO2膜上にフォトリソグラフィーで、2μm幅のリッジストライプのレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いてCHF3ガスをエッチャントとして反応性イオンエッチングRIEでSiO2膜をエッチングして、SiO2マスクを形成する。その後に、Cl2/BCl3ガスを用いてアルミニウム層をエッチングして、Al犠牲層を形成する。Pd層はArでエッチングして電極を形成する。その後に、GaNエピタキシャル層をCl2/BCl3ガスを用いたRIE法でエッチングして、リッジ構造を形成する。試料1では、リッジ形成後に、Al犠牲層のサイドエッチングのために、アルカリ性溶液でAl犠牲層に0.1μmのサイドエッチングを導入する。また、試料2では、サイドエッチングを導入しない。これらの試料1及び2において、電子ビーム蒸着法を用いて、保護膜のためのSiO2膜を全面に堆積する。保護膜のためのSiO2膜の厚さは、300nmである。SiO2膜の堆積の後に、これらの試料1及び2をアルカリ性溶液に1時間浸漬してリフトオフを行う。試料1は基板の80の領域でリフトオフが生じ、試料2では基板の10の領域でリフトオフが生じる。また、試料1では、リフトオフできた領域においてもパラジウム層のはがれが生じている。発明者らの検討によれば、AlとPdとが反応して、反応したPd層がA犠牲層と一緒にリフトオフされていると推測される。またAl/SiO2による応力により、よりはがれやすい状況にあると考えられる。一方、本実施の形態に従って、樹脂犠牲層を用いたリフトオフでは、Pd層の剥がれも生じることなく、基板のほぼ100の領域でリフトオフが行われる。樹脂層を用いることで、反応抑制とともに応力も緩和されることで電極はがれを抑制できる。金属層上に樹脂膜を設けるプロセスでは、レジストといった樹脂の熱耐性を考慮して、樹脂膜の形成からリフトオフ直前までのプロセスを摂氏150度以下の処理温度で行うことが好ましい。例えば、レジスト塗布後のベーク温度は摂氏150度以下であり、誘電体膜の成長では、電子ビーム蒸着法といった低温成膜摂氏150度以下の基板温度の成膜を使用することが好ましい。一連のエッチングでの基板温度は摂氏150度以下であることが好ましい。安定したリフトオフを可能にするために、リフトオフのための樹脂犠牲層の厚さは、例えば0.2μm以上であることが好ましい。リフトオフのための樹脂犠牲層の厚さは、例えば1μm以下であることが好ましい。厚い樹脂膜のエッチングには、RIEによる長いエッチング時間が必要である。樹脂膜のRIEエッチング中に既にエッチングされた樹脂部分の側面がプラズマダメージを受けて、硬化していく。著しく硬化した樹脂犠牲層はリフトオフには不向きである。図10は、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子の構造を模式的に示す図面である。窒化物半導体発光素子61は、III族窒化物からなる半極性主面63aを有する基板63と、半極性主面63a上に設けられIII族窒化物半導体からなる半導体積層65と、半導体積層65上に設けられた電極67と、半導体積層65の表面65aを覆う保護層69と、電極67及び保護膜69上に設けられたパッド電極71と、基板裏面63b上の裏面電極73を備える。基板63はIII族窒化物半導体基板を含むことができる。半導体積層65は、第1、第2及び第3部分65a、65b、65c並びにリッジ部65dを含む。第1、第2及び第3部分65a、65b、65cは、半極性主面63aに沿って配列され、第2部分65bは第1部分65aと第3部分65cとの間に設けられる。リッジ部65dは第2部分65b上に位置する。第1及び第3部分65a、65cの表面は保護層69で覆われる。保護層69は、リッジ部65dの上面65eに開口69aを有する。電極67は保護層69の開口69aを介してリッジ部65dの上面65eに接合を成す。リッジ部65dはIII族窒化物半導体エピタキシャル層として、以下のものを含む:p型窒化ガリウム系半導体コンタクト層73例えばGaN、p型窒化ガリウム系半導体クラッド層75例えばAlGaN、及びp型窒化ガリウム系半導体光ガイド層77例えばInGaN。リッジ部65dの側面は、窒化ガリウム系半導体コンタクト層73の側面、窒化ガリウム系半導体クラッド層75の側面、窒化ガリウム系半導体光ガイド層77の側面から構成される。窒化物半導体領域図5のb部における参照符号42の表面42bは、窒化ガリウム系半導体光ガイド層77の上面及び側面から構成される。半導体積層65は、リッジ部65dのIII族窒化物半導体エピタキシャル層73、75、77に加えて、以下のIII族窒化物半導体エピタキシャル層を含む:p型窒化ガリウム系半導体電子ブロック層79例えばAlGaN、窒化ガリウム系半導体光ガイド層81例えばInGaN、窒化ガリウム系半導体活性層83例えばInGaN、GaN、n型窒化ガリウム系半導体光ガイド層85例えばInGaN、n型窒化ガリウム系半導体クラッド層87例えばAlGaN、及びn型窒化ガリウム系半導体バッファ層89例えばGaN。これらのIII族窒化物半導体エピタキシャル層のc軸とリッジ上面65e又は基板63の半極性主面63aの法線軸との成す角度は、63度以上80度以下又は100度以上117度以下の角度範囲にある。電極67はリッジ部65dの上面65eの全体を覆い、保護層69はリッジ部65dの側面65fを覆ってリッジ部65dの上面65eのエッジを覆うように設けられる。電極67は、リッジ部65dの上面65e全体を覆って自己整合的に形成される。保護層69がリッジ部65dの上面65eのエッジを覆うように設けられるので、保護層69がリッジ部65dの上面65eと電極67との界面J0が側面65fに現れる部位65gを覆って、該部分65gを保護できる。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。"