炭化珪素半導体装置の製造方法であって、基板上に、主表面が設けられた炭化珪素層を形成する工程と、前記炭化珪素層の前記主表面の一部を覆うマスクを形成する工程と、前記主表面に対して傾斜した側面が前記炭化珪素層に設けられるように、前記マスクが形成された前記炭化珪素層の前記主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングを行う工程とを備え、前記熱エッチングを行う工程は、前記塩素系ガスの分圧が50以下である雰囲気下で行われる、炭化珪素半導体装置の製造方法。前記熱エッチングを行う工程は、減圧雰囲気下で行われる、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記熱エッチングを行う工程は1000°C以上で行われる、請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。炭化珪素半導体装置の製造方法であって、基板上に、主表面が設けられた炭化珪素層を形成する工程と、前記炭化珪素層の前記主表面の一部を覆うマスクを形成する工程と、前記主表面に対して傾斜した側面が前記炭化珪素層に設けられるように、前記マスクが形成された前記炭化珪素層の前記主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングを行う工程とを備え、前記熱エッチングを行う工程は、減圧雰囲気下で行われる、炭化珪素半導体装置の製造方法。前記減圧雰囲気は大気圧の1/10以下の圧力を有する、請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記熱エッチングを行う工程は、前記塩素系ガスの分圧が50以下である雰囲気下で行われる、請求項4または5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記熱エッチングを行う工程は1000°C以上で行われる、請求項4~6のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。炭化珪素半導体装置の製造方法であって、基板上に、主表面が設けられた炭化珪素層を形成する工程と、前記炭化珪素層の前記主表面の一部を覆うマスクを形成する工程と、前記主表面に対して傾斜した側面が前記炭化珪素層に設けられるように、前記マスクが形成された前記炭化珪素層の前記主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングを行う工程とを備え、前記熱エッチングを行う工程は1000°C以上で行われる、炭化珪素半導体装置の製造方法。前記熱エッチングを行う工程は、前記塩素系ガスの分圧が50以下である雰囲気下で行われる、請求項8に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記熱エッチングを行う工程は、減圧雰囲気下で行われる、請求項8または9に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記炭化珪素層の前記側面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜を介して前記炭化珪素層の前記側面に対向するゲート電極を形成する工程とをさらに備える、請求項1~10のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記炭化珪素半導体装置は、前記炭化珪素層の前記主表面と前記基板との間において前記炭化珪素層の厚さ方向に沿った電流経路を有するダイオードである、請求項1~10のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。この公報に開示されているようにゲートトレンチの側壁側面の形成が等方性エッチングにより行われる場合、側面の面方位を、特定の結晶面に十分に近いものとすることが困難であった。側面の面方位を特定の結晶面に近づけることができれば、様々な利点が得られ得る。たとえば、電子の移動度が高い結晶面が選択されれば、チャネル移動度を高めることで、低いオン抵抗を有するMOSFETを得ることができる。本発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、その目的は、炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素層の側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することである。本発明の一の局面に従う炭化珪素半導体装置の製造方法は、次の工程を有する。基板上に、主表面が設けられた炭化珪素層が形成される。炭化珪素層の主表面の一部を覆うマスクが形成される。主表面に対して傾斜した側面が炭化珪素層に設けられるように、マスクが形成された炭化珪素層の主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングが行われる。熱エッチングを行う工程は、塩素系ガスの分圧が50以下である雰囲気下で行われる。上記一の局面に従う製造方法によれば、熱エッチングが、塩素系ガスの分圧が50以下である雰囲気下で行われる。これにより、エッチングされる面に供給される塩素系ガスの量が抑えられる。この結果、化学的安定性が高い部分のエッチングの進行が抑えられ、化学的安定性の低い部分のエッチングが主に進行する。よってエッチングによって炭化珪素層に形成される側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる。上記一の局面に従う製造方法において好ましくは、熱エッチングを行う工程は減圧雰囲気下で行われる。これにより、エッチングされる面に供給される塩素系ガスの量が抑えられる。この結果、化学的安定性が高い部分のエッチングの進行が抑えられ、化学的安定性の低い部分のエッチングが主に進行する。よってエッチングによって炭化珪素層に形成される側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる。上記一の局面に従う製造方法において好ましくは、熱エッチングを行う工程は1000°C以上で行われる。これにより、エッチングされる面が化学的に活性化されるので、この面におけるエッチングによる塩素系ガスの消費量が大きくなる。よって、エッチングされる面上に存在する、エッチング能力を有する塩素系ガスの量が抑えられる。この結果、化学的安定性が高い部分のエッチングの進行が抑えられ、化学的安定性の低い部分のエッチングが主に進行する。よってエッチングによって炭化珪素層に形成される側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる。本発明の他の局面に従う炭化珪素半導体装置の製造方法は、次の工程を有する。基板上に、主表面が設けられた炭化珪素層が形成される。炭化珪素層の主表面の一部を覆うマスクが形成される。主表面に対して傾斜した側面が炭化珪素層に設けられるように、マスクが形成された炭化珪素層の主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングが行われる。熱エッチングを行う工程は減圧雰囲気下で行われる。上記他の局面に従う製造方法によれば、熱エッチングが、減圧雰囲気下で行われる。これにより、エッチングされる面に供給される塩素系ガスの量が抑えられる。この結果、化学的安定性が高い部分のエッチングの進行が抑えられ、化学的安定性の低い部分のエッチングが主に進行する。よってエッチングによって炭化珪素層に形成される側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる。上記他の局面に従う製造方法において好ましくは、減圧雰囲気は大気圧の1/10以下の圧力を有する。これにより、エッチングされる面に供給される塩素系ガスの量が十分に抑えられる。上記他の局面に従う製造方法において好ましくは、熱エッチングを行う工程は、塩素系ガスの分圧が50以下である雰囲気下で行われる。これにより、エッチングされる面に供給される塩素系ガスの量が抑えられる。この結果、化学的安定性が高い部分のエッチングの進行が抑えられ、化学的安定性の低い部分のエッチングが主に進行する。よってエッチングによって炭化珪素層に形成される側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる。上記他の局面に従う製造方法において好ましくは、熱エッチングを行う工程は1000°C以上で行われる。これにより、エッチングされる面が化学的に活性化されるので、この面におけるエッチングによる塩素系ガスの消費量が大きくなる。よって、エッチングされる面上に存在する、エッチング能力を有する塩素系ガスの量が抑えられる。この結果、化学的安定性が高い部分のエッチングの進行が抑えられ、化学的安定性の低い部分のエッチングが主に進行する。よってエッチングによって炭化珪素層に形成される側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる。本発明のさらに他の局面に従う炭化珪素半導体装置の製造方法は、次の工程を有する。基板上に、主表面が設けられた炭化珪素層が形成される。炭化珪素層の主表面の一部を覆うマスクが形成される。主表面に対して傾斜した側面が炭化珪素層に設けられるように、マスクが形成された炭化珪素層の主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングが行われる。熱エッチングを行う工程は1000°C以上で行われる。上記さらに他の局面に従う製造方法によれば、熱エッチングが1000°C以上で行われる。これにより、エッチングされる面が化学的に活性化されるので、この面におけるエッチングによる塩素系ガスの消費量が大きくなる。よって、エッチングされる面上に存在する、エッチング能力を有する塩素系ガスの量が抑えられる。この結果、化学的安定性が高い部分のエッチングの進行が抑えられ、化学的安定性の低い部分のエッチングが主に進行する。よってエッチングによって炭化珪素層に形成される側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる。上記さらに他の局面に従う製造方法において好ましくは、熱エッチングを行う工程は、塩素系ガスの分圧が50以下である雰囲気下で行われる。これにより、エッチングされる面に供給される塩素系ガスの量がより抑えられる。この結果、化学的安定性が高い部分のエッチングの進行が抑えられ、化学的安定性の低い部分のエッチングが主に進行する。よってエッチングによって炭化珪素層に形成される側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる。上記さらに他の局面に従う製造方法において好ましくは、熱エッチングを行う工程は、減圧雰囲気下で行われる。これにより、エッチングされる面に供給される塩素系ガスの量が抑えられる。この結果、化学的安定性が高い部分のエッチングの進行が抑えられ、化学的安定性の低い部分のエッチングが主に進行する。よってエッチングによって炭化珪素層に形成される側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる。好ましくは、炭化珪素半導体装置の製造方法は、次の工程をさらに有する。炭化珪素層の側面上にゲート絶縁膜が形成される。次にゲート絶縁膜を介して炭化珪素層の側面に対向するゲート電極が形成される。これにより、特定の結晶面により近い面方位を有する側面を、ゲート電極によって制御されるチャネル面として用いることができる。よってチャネル移動度のばらつきを抑えることができる。また上記特定の結晶面がチャネル移動度の高いものとされることで、安定的に高いチャネル移動度が得られる。好ましくは、炭化珪素半導体装置は、炭化珪素層の主表面と基板との間において炭化珪素層の厚さ方向に沿った電流経路を有するダイオードである。この場合、上記側面は、ダイオードの両端に対応する主表面側および基板側の間に位置する。よって、炭化珪素層の表面を経路とするリーク電流は、側面上を通る。側面が、上述したようにより特定の結晶面に近い面方位を有するものとされることで、側面上における電流の流れやすさを安定的に抑えることができる。これによりダイオードのリーク電流を安定的に低い値に抑えることができる。また上記特定の結晶面が界面準位密度の低いものとされることで、安定的にリーク電流を抑えることができる。上述したように、本発明によれば、炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素層の側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。また、本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を、集合面を{}でそれぞれ示している。また、負の指数については、結晶学上、-バーを数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。また角度の記載には、全方位角を360度とする系を用いている。実施の形態1図1および図2に示すように、本実施の形態の炭化珪素半導体装置は、トレンチゲートを有する縦型のMOSFET101である。MOSFET101は、n型の導電型を有する基板1と、基板1の主表面MS上にエピタキシャルに形成された炭化珪素層19とを有する。炭化珪素層19は、n型の導電型を有する耐圧保持層2と、p型ボディ層3と、n型ソースコンタクト層4と、p型の導電型を有するコンタクト領域5とを含む。基板1は、六方晶系および立方晶系のいずれかの単結晶構造を有する炭化珪素から作られている。また基板1には、基準面から5度以内のオフ角を有する主表面MSが設けられている。基準面は、六方晶系の場合は{000-1}面であり、より好ましくは000-1面である。また基準面は立方晶系の場合は{111}面である。好ましくは、オフ角は0.5度以上である。炭化珪素層19は、基板1の主表面MSと実質的に平行な主表面TSを有する。トレンチ6は側面SSを有する。トレンチ6は、開口に向かって広がるようなテーパ形状を有し、よって主表面TSに対して側面SSは傾いている。側面SSのうちp型ボディ層3によって形成されている部分は、MOSFET101のチャネル面を構成している。側面SSは特定の結晶面を有する。具体的には、側面SSは、六方晶系の場合は実質的に0-33-8面および{01-1-4}面のいずれか一方を含み、立方晶系の場合は実質的に{100}面を含む。なおトレンチ6の存在は、逆の見方をすれば、主表面TSを頂面とするメサ構造の存在に対応している。好ましくはこの頂面の形状は、六方晶の場合、図2に示すように六角形であり、立方晶の場合、長方形または正方形である。また半導体装置は、ゲート絶縁膜8と、ゲート電極9と、層間絶縁膜10と、ソース電極12と、ソース配線電極13と、ドレイン電極14と、裏面保護電極15とを有する。次に半導体装置の詳細について説明する。耐圧保持層2は、基板1の一方の主表面上に形成されている。耐圧保持層2上にはp型ボディ層3が形成されている。p型ボディ層3上には、n型ソースコンタクト層4が形成されている。このn型ソースコンタクト層4に取囲まれるように、p型のコンタクト領域5が形成されている。n型ソースコンタクト層4、p型ボディ層3および耐圧保持層2を部分的に除去することにより、トレンチ6により囲まれたメサ構造が形成されている。トレンチ6の側面SSおよび底面上にはゲート絶縁膜8が形成されている。このゲート絶縁膜8はn型ソースコンタクト層4の上部表面上にまで延在している。このゲート絶縁膜8上であって、トレンチ6の内部を充填するようにつまり隣接するメサ構造の間の空間を充填するようにゲート電極9が形成されている。ゲート電極9の上部表面は、ゲート絶縁膜8においてn型ソースコンタクト層4の上部表面上に位置する部分の上面とほぼ同じ高さになっている。ゲート絶縁膜8のうちn型ソースコンタクト層4の上部表面上にまで延在する部分とゲート電極9とを覆うように層間絶縁膜10が形成されている。層間絶縁膜10とゲート絶縁膜8の一部とを除去することにより、n型ソースコンタクト層4の一部とp型のコンタクト領域5とを露出するように開口部11が形成されている。この開口部11の内部を充填するとともに、p型のコンタクト領域5およびn型ソースコンタクト層4の一部と接触するようにソース電極12が形成されている。ソース電極12の上部表面と接触するとともに、層間絶縁膜10の上部表面上に延在するようにソース配線電極13が形成されている。また、基板1において耐圧保持層2が形成された主表面とは反対側の裏面上には、ドレイン電極14が形成されている。このドレイン電極14はオーミック電極である。このドレイン電極14において、基板1と対向する面とは反対側の面上に裏面保護電極15が形成されている。トレンチ6の側面SSメサ構造の側壁は、炭化珪素層19の結晶構造が六方晶の場合には実質的に0-33-8面となっている。具体的には、側面SSを構成する結晶面について、<1-100>方向における{0-33-8}面に対するオフ角が-3°以上3°以下の面、より好ましくは-1°以上1°以下の面となっている。このような側面SSは、安定な結晶面であるため、チャネル面として利用された場合、他の結晶面たとえば0001面が利用された場合に比して、高いチャネル移動度が得られるとともに、リーク電流が低減され、また高い耐圧が得られる。次にMOSFET101の製造方法について説明する。まず炭化珪素から作られた基板1図3が準備される。基板1の主表面MSは、六方晶系の場合はほぼ{000-1}面であり、立方晶系の場合はほぼ{111}面である。図3に示すように、基板1上に、主表面TSが設けられた炭化珪素層19が形成される。具体的には、基板1の主表面MS上におけるエピタキシャル成長によって、導電型がn型である炭化珪素層19が形成される。このエピタキシャル成長は、たとえば原料ガスとしてシランSiH4とプロパンC3H8との混合ガスを用い、キャリアガスとしてたとえば水素ガスH2を用いたCVDChemicalVaporDeposition法により実施することができる。また、このとき炭化珪素層19にn型を付与するための不純物としてたとえば窒素NやリンPを導入することが好ましい。不純物の濃度は、たとえば5×1015cm3以上5×1016cm3以下とすることができる。図4に示すように、炭化珪素層19から、耐圧保持層2、p型ボディ層3およびn型ソースコンタクト層4が形成される。具体的には、炭化珪素層19の上部表面層にイオン注入を行なうことにより、p型ボディ層3およびn型ソースコンタクト層4が形成され、イオン注入がなされなかった部分が耐圧保持層2となる。p型ボディ層3を形成するためのイオン注入においては、たとえばアルミニウムAlなどのp型を付与するための不純物イオンが注入される。このとき、注入するイオンの加速エネルギーを調整することによりp型ボディ層3が形成される領域の深さを調整することができる。またn型を付与するための不純物イオンを、p型ボディ層3が形成された耐圧保持層2へイオン注入することにより、n型ソースコンタクト層4が形成される。n型を付与するための不純物としては、たとえばリンPなどを用いることができる。図5および図6に示すように、炭化珪素層19の主表面TSの一部を覆うマスク17が形成される。マスク17として、たとえばシリコン酸化膜などの絶縁膜を用いることができる。マスク17の形成方法としては、たとえば以下のような工程を用いることができる。すなわち、n型ソースコンタクト層4の上部表面上に、CVD法などを用いてシリコン酸化膜を形成する。そして、このシリコン酸化膜上にフォトリソグラフィ法を用いて所定の開口パターンを有するレジスト膜図示せずを形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、シリコン酸化膜をエッチングにより除去する。その後レジスト膜を除去する。この結果、開口パターンを有するマスク17が形成される。図7に示すように、基板1の主表面TSに対してほぼ垂直な側面を有する凹部16が形成される。具体的には、マスク17を用いて、n型ソースコンタクト層4、p型ボディ層3および耐圧保持層2の一部がエッチングされる。エッチングとしてはたとえば反応性イオンエッチングRIEまたはイオンミリングを用いることができる。RIEとしては特に誘導結合プラズマICPRIEを用いることができる。具体的には、たとえば反応ガスとしてSF6またはSF6とO2との混合ガスを用いたICP-RIEを用いることができる。図8および図9に示すように、主表面TSに対して傾斜した側面SSが炭化珪素層19に設けられるように、トレンチ6が形成される。具体的には、マスク17が形成された炭化珪素層19の主表面TSに対して、熱エッチングが行われる。ここで熱エッチングとは、加熱されたエッチング対象へ反応性ガスを含むプロセスガス供給することによって生じる化学反応を用いて行われるエッチングである。本実施の形態においては、反応性ガスとして塩素系ガスが用いられ、好ましくは塩素ガスが用いられる。また熱エッチングは、好ましくは、塩素系ガスの分圧が50以下である雰囲気下で行われる。また熱エッチングは、好ましくは、減圧雰囲気下で行われ、より好ましくは、減圧雰囲気は大気圧の1/10以下の圧力を有する。また熱エッチングは、好ましくは、炭化珪素層19が設けられた基板1の温度熱処理温度を1000°C以上とする条件で行われる。次に熱エッチングの詳細の一例について、以下に説明する。プロセスガスとしては、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを反応ガスとして用い、熱処理温度をたとえば700°C以上1200°C以下としたエッチングを行なう。熱処理温度は、好ましくは700°C以上1200°C以下である。1200°C以下の場合、熱処理のための装置に石英部材を用いることができる。温度の上限は、より好ましくは1100°C、さらに好ましくは1000°Cである。温度の下限は、より好ましくは800°C、さらに好ましくは900°Cである。この場合、上記0-33-8面、01-1-4面または100面を含む面を形成する熱エッチング工程でのエッチング速度を十分実用的な値とすることができるので、当該工程の処理時間を十分短くすることができる。ここで、上記熱エッチング工程の条件については、SiCmO2nCl2→SiClxCOyただし、m、n、x、yは正の数と表される反応式において、0.5≦x≦2.0、1.0≦y≦2.0というxおよびyの条件が満たされる場合に主な反応が進み、x=4、y=2という条件の場合が最も反応であってもよい。また上述した構成におけるp型とn型とが入れ替えられた構成が用いられてもよい。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の特許請求の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。