"複数の試験機を有する統合型の半導体試験装置において、各試験機に対応して設けられ、供試デバイスのデバイス端子群と接続するための複数の試験機接続端子群と、前記試験機接続端子群と離れて配置され、前記供試デバイスのデバイス端子群と前記各試験機接続端子群とを電気的に接続するための主配線群と、前記各試験機に対応して少なくとも1つ設けられた複数の第1アクチュエータと、前記第1アクチュエータの先端に設けられ、前記各試験機接続端子群の端子と前記主配線群の端子との接続もしくは切り離しを行う短絡電極と、を備えたことを特徴とする半導体試験装置。前記供試デバイスを所定の位置に固定する第1可動構造部と、前記第1可動構造部を上下に移動可能とする第2アクチュエータと、前記各試験機接続端子群を固定する第2可動構造部と、前記第2可動構造部を上下に移動可能とする第3アクチュエータと、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。前記第1アクチュエータが前記第2可動構造部に固定されていることを特徴する請求項2に記載の半導体試験装置。前記試験機が、DC特性試験を行うDC試験機、AC特性試験を行なうAC試験機もしくは絶縁耐量を試験する絶縁試験機のいずれか一つであることを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。DC試験機とAC試験機を有する統合型の半導体試験装置において、前記DC試験機と、前記AC試験機と、第1シリンダと、第2シリンダと、第3シリンダと、第4シリンダと、第5シリンダと、第6シリンダと、前記第1シリンダの先端に付く第1短絡電極と、前記第2シリンダの先端に付く第2短絡電極と、前記第3シリンダの先端に付く第3短絡電極と、前記第4シリンダの先端に付く第4短絡電極と、前記第5シリンダの先端に付く第5短絡電極と、前記第6シリンダの先端に付く第6短絡電極とを備え、前記第1シリンダを伸ばすことで下降する上部可動構造部と、前記第2シリンダを伸ばすことで上昇する下部可動構造部と、前記上部可動構造部と前記下部可動構造部との間に配置される固定治具とを備え、前記上部可動構造部を構成する部品固定構造体と、該部品固定構造体に固定する前記第3シリンダ、第4シリンダ、第5シリンダ、第6シリンダ、第1端子群、第2端子群と、前記固定治具に固定する主配線群および制御配線群とを備え、前記下部可動構造体が供試デバイス支持台を備え、前記DC試験機と前記第1端子群を接続するDC配線と、前記AC試験機と前記第2端子群を接続するAC配線を備え、前記第1シリンダを伸ばし、前記第2シリンダを伸ばし、前記第3シリンダを伸ばすことでDC試験機と供試デバイスの主端子群および制御端子群が接続してDC特性試験が実施でき、前記第1シリンダを伸ばし、前記第2シリンダを伸ばし、前記第4シリンダを伸ばすことでAC試験機と供試デバイスの制御端子群および主端子群のうち電源端子と接続し、第5シリンダを伸ばすことで供試デバイスの主端子群のうち電源端子以外の主端子とインダクタもしくは抵抗に接続し、第6シリンダを伸ばすことで供試デバイスの主端子群のうち電源端子以外の主端子が短絡されて、AC特性試験が実施できることを特徴とする半導体試験装置。DC試験機と絶縁試験機を有する統合型の半導体試験装置において、前記DC試験機と、前記AC試験機と、第1シリンダと、第2シリンダと、第3シリンダと、第4シリンダーと、前記第1シリンダの先端に付く第1短絡電極と、前記第2シリンダの先端に付く第2短絡電極と、前記第3シリンダの先端に付く第3短絡電極と、前記第4シリンダの先端に付く第4短絡電極とを備え、前記第1シリンダを伸ばすことで下降する上部可動構造部と、前記第2シリンダを伸ばすことで上昇する下部可動構造部と、前記上部可動構造部と前記下部可動構造部との間に配置される固定治具とを備え、前記上部可動構造部を構成する部品固定構造体と、該部品固定構造体に固定する前記第3シリンダ、第4シリンダ、第1端子群、第2端子群と、前記固定治具に固定する主配線群および制御配線群とを備え、前記下部可動構造体が供試デバイス支持台を備え、前記DC試験機と前記第1端子群を接続するDC配線と、前記AC試験機と前記第2端子群を接続するAC配線を備え、前記第1シリンダを伸ばし、前記第2シリンダを伸ばし、前記第3シリンダを伸ばすことでDC試験機と供試デバイスの主端子群および制御端子群が接続してDC特性試験が実施でき、前記第1シリンダを伸ばし、前記第2シリンダを伸ばし、前記第4シリンダを伸ばすことで絶縁試験機と供試デバイスの制御端子群および主端子群のうち電源端子と接続し、供試デバイスの主端子群のうち電源端子以外の主端子および制御端子群が短絡されて、絶縁試験が実施できることを特徴とする半導体試験装置。前記第3シリンダが複数からなることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体試験装置。前記第4シリンダが複数からなることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか一項に記載の半導体試験装置。図12において、DC試験機やAC試験機による試験を実施する場合、切替時に上部可動構造部24及び26を上下させる必要がある。そうすると、AC試験機から上部可動構造部24に接続された複数の配線F1やDC試験機から上部可動構造部26に接続された複数の配線G1が上部可動構造部24又は26と同時に上下移動することになる。AC試験やDC試験の度にこの上下動作が繰り返され、その頻度は例えばAC試験とDC試験の合計試験時間が30秒である場合、約1000回/1日8時間×60分×60秒/30秒となり、1年では360000回1000回×30日×12ヶ月にも及ぶ。このように上下動作が繰り返されると、配線F1,G1の可動部分に金属疲労が起こり、最悪の場合、断線に至り、試験が出来なくなる。また、上部可動構造部24は重いため、上部シリンダ25の上下可動に時間が掛かり試験時間が長くなる。さらにバネ電極10P~10Wおよびバネ電極20P~20Wが相手電極に接触する頻度が高いため、磨耗が著しい。また、特許文献1では、DUT接続部、DUT制御駆動部およびDUT特性測定部を接続する配線について、可動することによる金属疲労については記載されていない。この発明の目的は、前記の課題を解決して、複数の試験機を有する統合型の半導体試験装置において、試験機と接続する配線の金属疲労を防止できる半導体試験装置を提供することにある。前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項1に記載の発明によれば、複数の試験機を有する統合型の半導体試験装置において、各試験機に対応して設けられ、供試デバイスのデバイス端子群と接続するための複数の試験機接続端子群と、前記試験機接続端子群と離れて配置され、前記供試デバイスのデバイス端子群と前記各試験機接続端子群とを電気的に接続するための主配線群と、前記各試験機に対応して少なくとも1つ設けられた複数の第1アクチュエータと、前記第1アクチュエータの先端に設けられ、前記各試験機接続端子群の端子と前記主配線群の端子との接続もしくは切り離しを行う短絡電極と、を備えた構成とする。また、特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記供試デバイスを所定の位置に固定する第1可動構造部と、前記第1可動構造部を上下に移動可能とする第2アクチュエータと、前記各試験機接続端子群を固定する第2可動構造部と、前記第2可動構造部を上下に移動可能とする第3アクチュエータと、を備えた構成とするとよい。また、特許請求の範囲の請求項3記載の発明によれば、請求項2に記載の発明において、前記第1アクチュエータが前記第2可動構造部に固定されているとよい。また、特許請求の範囲の請求項4記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記試験機が、DC特性試験を行うDC試験機、AC特性試験を行なうAC試験機もしくは絶縁耐量を試験する絶縁試験機のいずれか一つであるとよい。また、特許請求の範囲の請求項5記載の発明によれば、DC試験機とAC試験機を有する統合型の半導体試験装置において、前記DC試験機と、前記AC試験機と、第1シリンダと、第2シリンダと、第3シリンダと、第4シリンダと、第5シリンダと、第6シリンダと、前記第1シリンダの先端に付く第1短絡電極と、前記第2シリンダの先端に付く第2短絡電極と、前記第3シリンダの先端に付く第3短絡電極と、前記第4シリンダの先端に付く第4短絡電極と、前記第5シリンダの先端に付く第5短絡電極と、前記第6シリンダの先端に付く第6短絡電極とを備え、前記第1シリンダを伸ばすことで下降する上部可動構造部と、前記第2シリンダを伸ばすことで上昇する下部可動構造部と、前記上部可動構造部と前記下部可動構造部との間に配置される固定治具とを備え、前記上部可動構造部を構成する部品固定構造体と、該部品固定構造体に固定する前記第3シリンダ、第4シリンダ、第5シリンダ、第6シリンダ、第1端子群、第2端子群と、前記固定治具に固定する主配線群および制御配線群とを備え、前記下部可動構造体が供試デバイス支持台を備え、前記DC試験機と前記第1端子群を接続するDC配線と、前記AC試験機と前記第2端子群を接続するAC配線を備え、前記第1シリンダを伸ばし、前記第2シリンダを伸ばし、前記第3シリンダを伸ばすことでDC試験機と供試デバイスの主端子群および制御端子群が接続してDC特性試験が実施でき、前記第1シリンダを伸ばし、前記第2シリンダを伸ばし、前記第4シリンダを伸ばすことでAC試験機と供試デバイスの制御端子群および主端子群のうち電源端子と接続し、第5シリンダを伸ばすことで供試デバイスの主端子群のうち電源端子以外の主端子とインダクタもしくは抵抗に接続し、第6シリンダを伸ばすことで供試デバイスの主端子群のうち電源端子以外の主端子が短絡されて、AC特性試験が実施できる構成とする。また、特許請求の範囲の請求項6記載の発明によれば、DC試験機と絶縁試験機を有する統合型の半導体試験装置において、前記DC試験機と、前記AC試験機と、第1シリンダと、第2シリンダと、第3シリンダと、第4シリンダーと、前記第1シリンダの先端に付く第1短絡電極と、前記第2シリンダの先端に付く第2短絡電極と、前記第3シリンダの先端に付く第3短絡電極と、前記第4シリンダの先端に付く第4短絡電極とを備え、前記第1シリンダを伸ばすことで下降する上部可動構造部と、前記第2シリンダを伸ばすことで上昇する下部可動構造部と、前記上部可動構造部と前記下部可動構造部との間に配置される固定治具とを備え、前記上部可動構造部を構成する部品固定構造体と、該部品固定構造体に固定する前記第3シリンダ、第4シリンダ、第1端子群、第2端子群と、前記固定治具に固定する主配線群および制御配線群とを備え、前記下部可動構造体が供試デバイス支持台を備え、前記DC試験機と前記第1端子群を接続するDC配線と、前記AC試験機と前記第2端子群を接続するAC配線を備え、前記第1シリンダを伸ばし、前記第2シリンダを伸ばし、前記第3シリンダを伸ばすことでDC試験機と供試デバイスの主端子群および制御端子群が接続してDC特性試験が実施でき、前記第1シリンダを伸ばし、前記第2シリンダを伸ばし、前記第4シリンダを伸ばすことで絶縁試験機と供試デバイスの制御端子群および主端子群のうち電源端子と接続し、供試デバイスの主端子群のうち電源端子以外の主端子および制御端子群が短絡されて、絶縁試験が実施できる構成とする。また、特許請求の範囲の請求項7記載の発明によれば、請求項5または6に記載の発明において、前記第3シリンダが複数からなるとよい。また、特許請求の範囲の請求項8記載の発明によれば、請求項5ないし7のいずれか一項に記載の発明において、前記第4シリンダが複数からなるとよい。この発明によれば、複数の試験機を有する統合型の半導体試験装置において、各種試験の切替にシリンダなどのアクチュエータを用いることで、各試験機に接続する配線の移動頻度を減らすことができて、配線の金属疲労を防止できる。<第1の実施の形態>図1は、この発明の第1の実施の形態の半導体試験装置の模式構成図である。図1の半導体試験装置100は、DC試験機とAC試験機を有する統合型の半導体試験装置の例である。図9は、DUT供試デバイスである半導体モジュールの構成を示し、同図aは半導体モジュールを構成する3相インバータの回路図、同図bは半導体モジュールの斜視図である。3相インバータは6個のIGBTとそれと逆並列接続する6個のFWDで構成される。また、この半導体モジュールの樹脂ケース81の上部にはN端子、P端子、U端子、V端子、W端子および制御端子群74aが配置されている。また、図1では、測定のための配線や図12の電界コンデンサ、コネクタおよびダイオードやトランジスタで構成された回路などは図示されていない。また、点線で示したシリンダ53,54および端子群62は上部シリンダ52を伸ばして上部可動構造部59を矢印Zで示すように下方へ移動させた場合を示す。この半導体試験装置100は、シリンダ51~56、下部可動構造部57、固定治具58、上部可動構造部59、部品固定構造体60、主配線群61、端子群62、DC配線63、AC配線64、インダクタ65、DC試験機66およびAC試験機67を備える。前記シリンダ51~56はエアー式、電動式または油圧式がある。また、シリンダ51~56に限ることはなく、上下または左右に移動できる移動片を有するアクチュエータであればシリンダの代わりに適用できる。シリンダ51~56としては、下部シリンダ51、上部シリンダ52、DC試験用シリンダ53、AC試験用シリンダ54、インダクタ用シリンダ55および短絡用シリンダ56がある。ここではシリンダ51~56はエアー式を用いた。勿論、電動式や油圧式でも構わない。下部可動構造部57は、DUTである半導体モジュールを載置する供試デバイス支持台72であり、この供試デバイス支持台72は下部シリンダ51に固定されている。下部可動構造部57として下部シリンダ51を含めることもあるが、ここでは含めないことにする。固定治具58は、固定板73とこの固定板73を貫通して固定板73に固定される主配線群61N配線,P配線,U配線,V配線,W配線およびDC/AC制御配線74と接続され固定板73を貫通して固定板73に固定される制御配線群61aなどを備える。DC/AC制御配線74は、DC試験機66およびAC試験機67にリレー回路などを解して接続され、試験内容によって接続を切り替え可能とする。点線K内の上部可動構造部59は、部品固定構造体60とこの部品固定構造体60に固定される、端子群62N端子,P端子,U端子,V端子,W端子、DC試験用シリンダ53、AC試験用シリンダ54、インダクタ用シリンダ55、インダクタ65および短絡用シリンダ56を備えている。部品固定構造体60は厚い絶縁部材で形成され、金属部材の場合は前記の各部品と部品固定構造体60を絶縁する必要がある。また、この部品固定構造体60は上部シリンダ52に固定され上下に移動する。シリンダ53~56の各先端部には図2aに示す複数枚で構成された板バネ71aで構成された短絡電極71バネ電極が取り付けられている。この短絡電極71の材質はリン青銅などからなる。図1の例では、主配線群61と端子群62は上下に間隔を有して配置されており、紙面の手前にDC試験用シリンダ53およびAC試験用シリンダ54の短絡電極71との接触面が配置されている。主配線群61のそれぞれの端子は、一方の側が供試デバイスに接続され、他方がDC試験用およびAC試験用に2つに分かれている。図1ではDC試験機66とAC試験機67の2つの試験機を統合した試験装置となっているため、主配線群61の他方の側が2つに分かれているが、統合する試験機の数や試験の方法によって、主配線群61の他方の側の数を適宜2つ以上に分ければよい。図1では、DC試験用シリンダ53およびAC試験用シリンダ54は、端子群62の横に記載しているが、実際は、主配線群61および端子群62の手前に配置される。また、図1では、主配線群61と端子群62に対してDC試験用シリンダ53の短絡電極71およびAC試験用シリンダ54の短絡電極71はそれぞれ1つのみしか記載されていないが、短絡電極71は、端子群62の数である10個備えており、DC試験用シリンダ53は、DC試験用シリンダ53およびAC試験用シリンダ54は、短絡電極71を5つ備えたものを1つ用意しても、短絡電極71を1つ備えたものを5つ用意しても、短絡電極71を2つ備えたものと、短絡電極71を3つ備えたものを用意してもよく、主配線群61と端子群62の配置の仕方によって適宜構成することができる。また、図1では、主配線群61および端子群62の短絡電極71との接触面を図面の手前方向に向けて上下に配置しているが、図面の手前方向に向けて左右に配置しても、図面の上方に向けて配置してもよい。DC試験機66と端子群62のCグループの端子N端子,P端子,U端子,V端子,W端子はDC配線63で接続されている。また、AC試験機67と端子群62のDグループの端子N端子,P端子はAC配線64で接続されている。DC試験用シリンダ53の短絡電極71を介して、端子群62のCグループの端子N端子,P端子,U端子,V端子,W端子と主配線群61N配線,P配線,U配線,V配線,W配線と短絡接続する。AC試験用シリンダ54の短絡電極71を介して、端子群62のうちDグループの端子N端子,P端子と主配線群61N配線,P配線を短絡接続する。インダクタ用シリンダ55の短絡電極71を介して、インダクタ65に接続する端子群62aと端子群62のうちDグループの端子U端子、V端子、W端子を短絡接続する。このインダクタ65はコイルなどでなく抵抗や単なる配線の場合もある。単なる配線の場合は配線の浮遊インダクタンスをインダクタとして用いる。短絡用シリンダ56の短絡電極71を介して、端子群62のうちDグループの端子U端子、V端子、W端子を短絡接続する。この短絡により主配線群61のうちU配線、V配線、W配線が短絡される。前記DC配線63とAC配線64は、端子群62と図示しないソケットなどを介して固定される。また、これらの配線63,64は、止め金具を用いて部品固定構造体60やベース筐体80に固定される。ベース筐体80には下部シリンダ51、上部シリンダ52および固定板73が固定される。図1では前記の上部可動構造部59は部品固定構造体60の上方に配置され、ベース筐体80内を上下に可動する。しかし、前記上部可動構造部59の一部の部品端子群62とDC,AC試験用シリンダ53,54を部品固定構造体60の下側裏側に固定する場合もある。また、前記のDC試験用シリンダ53と前記のAC試験用シリンダ54を点線で示す端子群62の位置に対応するようにベース筐体80に取り付けてもよい。この場合は上部シリンダ52と一緒に下降、上昇はしない。また、DC/AC制御配線74はDC試験機およびAC試験機に接続されDUTの制御信号が伝送される信号配線である。図2は短絡電極71の要部斜視図であり、同図aは、DC試験用シリンダ53,AC試験用シリンダ54およびインダクタ用シリンダ55に取り付けられた短絡電極71の斜視図、同図bは主配線群61のDUT供試デバイス側の先端の短絡電極71の斜視図、同図cは短絡用シリンダ56に取り付けられた短絡電極71の斜視図である。短絡電極71は複数枚重ねた板バネ71aで構成され、同図aではU字型をしており、同図bでは、主配線群61のうちの1つの端子について示している。同図cでは先端がL字型で3本の熊手状をしており、根元で繋がっている。図1の短絡電極71は図2の先端箇所を示した。制御配線群61aのDUT供試デバイス側の先端の短絡電極71としては、僅かな電流しか流れないため、普通のスプリングコンタクトピンや、2枚の板バネによる挟み式コンタクトが用いられる。図10は、固定板73に固定された主配線群61の別の例を示す構成図であり、同図aは要部正面図、同図bは主配線群61の平面図であり、同図cは同図bの破線X-Xで切断した際の矢印Y方向から見た側断面図であり、同図dは端子群62、主配線群61およびシリンダ53の要部側面図、同図eはシリンダ53を部品固定構造体60に取り付く側から見た平面図である。端子群62のCグループとDグループの端子は図1では交互に配置されているが、図10ではそれぞれのグループに纏められて配置されている。それに対応して主配線群61もグループで纏められている。また、シリンダ53、54は部品固定構造体60の一面に列状に並んで固定されている。シリンダ55、56もシリンダ53、54と同一の面に並べて固定してもよいし、シリンダ55,56を部品固定構造体60の図示しない他の箇所に固定してもよい。DC試験用シリンダ53は、主配線群61のCグループの端子N配線,P配線,U配線,V配線,W配線に共通に1つ設けられており、5つの短絡電極71を備えている。主配線群61のDグループのN配線は、主配線群61のCグループのN配線と金属接続部材611により電気的に接続されている。また、主配線群61のDグループのU配線はCグループのU配線と金属接続部材612により電気的に接続されている。また、主配線群61のDグループのV配線とCグループのV配線はそれぞれ突出部614を備え、金属接続部材613を突出部614で接続されることにより主配線群61のDグループのV配線とCグループのV配線が電気的に接続される。主配線群61のDグループのP配線およびW配線は、それぞれ主配線群61のCグループのP配線およびW配線と接続部615により電気的に接続されている。AC試験用シリンダ54は主配線群61のDグループのN配線とP配線とに共通に設けられるものと、主配線群61のDグループのU配線、V配線およびW配線とに共通に設けられるものと2つ備えている。2つのAC試験用シリンダ54はDC試験用シリンダ53の両側にそれぞれ配置されている。主配線群61のDグループのN配線とP配線とに共通に設けられるものは2つの短絡電極71を備えており、主配線群61のDグループのU配線、V配線およびW配線とに共通に設けられるものは3つの短絡電極71を備えている。図10dに示すように、DC試験用シリンダ53の先端に絶縁されて取りつけられた5個の短絡電極71によって、端子群62のCグループの端子N端子,P端子,U端子,V端子,W端子と主配線群61の端子N配線,P配線,U配線,V配線,W配線は同時に短絡接続することができる。AC試験用シリンダ54のうちDC試験用シリンダ53の左側に配置されたAC試験用シリンダ54の先端に絶縁されて取りつけられた2個の短絡電極71によって、端子群62のDグループの端子N端子,P端子と主配線群61の端子N配線,P配線は同時に短絡接続する。AC試験用シリンダ54のうちDC試験用シリンダ53の右側に配置されたAC試験用シリンダ54の先端に絶縁されて取りつけられた3個の短絡電極71によって、端子群62のDグループの端子U配線,V配線,W配線と主配線群61の端子U配線,V配線,W配線は同時に短絡接続する。インダクタ用シリンダ55の先端に絶縁されて取りつけられた3個の短絡電極71によって、端子群62のDグループの端子U端子,V端子,W端子と端子群62aの端子U端子,V端子,W端子は同時に短絡接続する。短絡用シリンダ56の先端にそれぞれ電気的に接続している3個の短絡電極71によって、端子群62のDグループの端子U端子,V端子,W端子が短絡接続する。尚、図10では、図が煩雑になるのでDC配線63とAC配線64は省略した。図3~図6は、図1の半導体試験装置を用いて、図9で示すDUTを試験する方法であり、順を追った工程手順を示した図である。まず、図3において、上部シリンダ52を矢印Aのように下降させ上部可動構造部59を矢印Aのように下げる。これにより上部可動構造部59の部品固定構造体60に取り付けられた端子群62、DC試験用シリンダ53、AC試験用シリンダ54、インダクタ用シリンダ55、短絡用シリンダ56、インダクタ65、DC配線63およびAC配線64が同時に下がる。つぎに、図4において、新規のDUTを下部可動構造部57の供試デバイス支持台72にセットし搬送ロードした後、下部シリンダ51を矢印Bのように上昇させ下部可動構造部57を上げ、図9に示すDUTの主端子群75N端子、P端子、U端子、V端子、W端子および制御端子群74aを固定治具58の固定板73に設けられた主配線群61N配線、P配線、U配線、V配線、W配線および制御配線群61aの短絡電極71に押し当てることにより電気的に接続する。つぎに、図5において、DC試験機66によるDC特性試験例えば漏れ電流試験や耐圧試験などの静特性試験を実施する。このときAC配線64はAC試験機67内で開放状態AC試験機67内の回路と繋がっていない状態なっている。DC試験用シリンダ53を矢印C1の方向に伸ばし正確にはシリンダを構成する伸縮可動棒を伸ばす、上部可動構造部59のDC配線63に接続した端子群62のうちCグループの端子N端子、P端子、U端子、V端子、W端子と固定治具58の主配線群61N配線、P配線、U配線、V配線、W配線とをDC試験用シリンダ53の先端部に配置された短絡電極71を介して短絡し接続する。これによってDC試験機66によるDC特性試験が可能になる。具体的には、例えば、漏れ電流試験や耐圧試験を行なう場合は、DC試験機66内でP端子とU端子に電圧を印加できるようにすることで、インバータを構成するDUTのU相のうち上アームの素子図9のIGBTの試験ができる。U相のうち下アームの素子を試験する場合は、U端子とN端子に電圧を印加できるようにする。電圧を印加できる端子の選択動作はリレーなどを用いてDC試験機66内で行なう。このように端子を選択することで、インバータを構成する6個の素子IGBTの漏れ電流試験や耐圧試験が可能となる。但し、正確にはFWDフリーホイーリングダイオードの逆漏れ電流や逆耐圧も含まれる。また、この半導体試験装置100は、DC試験機66に熱抵抗測定回路を組み込みDC配線63の通電容量を大きくすることで熱抵抗測定試験も行なうことができる。つぎに、図6において、AC試験機67によるAC特性試験を実施する。DC試験用シリンダ53を矢印D1の方向に縮め、上部可動構造部59のDC配線63に接続されている端子群62のCグループの端子N端子、P端子、U端子、V端子、W端子と固定治具58の主配線群61N配線、P配線、U配線、V配線、W配線を開放し、更にAC試験用シリンダ54を矢印Eの方向に伸ばし、上部可動構造部59のAC配線64に接続されている端子群62のうちDグループの端子N端子およびP端子と固定治具58の主配線群61のうちDグループの配線N配線およびP配線をAC試験用シリンダ54の先端部に配置される短絡電極71を介して短絡し接続する。このときDC試験機66内でDC配線63と接続する配線は開放状態とする。AC特性試験のうちL負荷試験であれば、インダクタ用シリンダ55を矢印Fの方向に伸ばし、インダクタ65と接続する端子群62aのU端子、V端子、W端子と主配線群61のDグループのうちU配線、V配線、W配線をインダクタ用シリンダ55およびAC試験用シリンダ54のそれぞれの先端部に配置される短絡電極71を介して短絡し接続する。これでL負荷試験が可能になる。このL負荷試験でインバータを構成する各素子IGBTとFWDから出ている図示しない測定用配線IGBTとFWDで同一配線を用いると、各素子IGBTとFWDのスイッチング特性ターンオン特性、ターンオフ特性、逆回復特性などを測定できる。前記のインダクタ65を抵抗に代えると抵抗負荷試験ができる。試験が終了したら、インダクタ用シリンダ55を矢印Iの方向に縮めてインダクタ65を端子群62のDグループのうちU配線、V配線、W配線から切り離す。また、短絡試験であれば、短絡用シリンダ56を矢印Gにように下方へ伸ばし、短絡用シリンダ56の先端部に配置される短絡電極71で端子群62のDグループのうちU端子、V端子、W端子を短絡する。これで短絡負荷試験が可能になる。試験が終了したら、短絡用シリンダ56を縮めて端子群62のDグループのうちU端子、V端子、W端子から切り離す。このようにしてAC試験機67によるAC特性試験L負荷試験および短絡負荷試験が可能となる。AC特性試験が終了したら、AC試験用シリンダ54を矢印Hの方向に縮めて端子群62のDグループの端子N端子、P端子と主配線群61のDグループのうちN配線、P配線を切り離す。つぎに、図7において、通常量産ラインでは次々とDUTを交換し連続して試験を実施するが、DUTを交換する場合には、下部シリンダ51を矢印Jのように下降し下部可動構造部57を下げ、DUTの主端子群75N端子、P端子、U端子、V端子、W端子と固定治具58に設けられた主配線群61N配線、P配線、U配線、V配線、W配線の短絡電極71を切り離し、制御配線74もDUTの制御端子群74aから切り離し、アンロードした後、DUTを供試デバイス支持台72に載置し、図4の工程に移る。そして、新たなDUTによるDC試験機66による特性試験、AC試験機67による特性試験を図5および図6の工程に従い実施する。図8において、DUTの型式形状が変わった場合、上部シリンダ52を矢印Qのように上昇させ上部可動構造部59を上げる。これにより上部可動構造部59に設けられたDC試験用シリンダ53、AC試験用シリンダ54、DC配線63およびAC配線64が同時に破線の位置から実線の位置へ上がる。その後、新たなDUTが試験できる主配線群61bを有する固定治具58aに交換する。交換後の手順は図3~図7の工程に従って試験を行なう。前記の工程において、DUTが同一型式の場合は、DC試験機66およびAC試験機67と接続する上部可動構造部59は移動せずに固定された状態にある。その状態でDC特性試験とAC特性試験の切替はDC試験用シリンダ53とAC試験用シリンダ54で行なわれる。そのため、同一型式のDUTを試験する場合には、DC試験機66およびAC試験機67と端子群62を接続する配線63,64はDUTの交換ごとに移動することがなくなり、配線63,64での金属疲労が起こらない。その結果、配線63,64が断線することがなくなる。一方、型式が変わった時点で、固定治具58の交換があり、配線63,64の移動が起こる。しかし、交換頻度は極めて低く、配線63,64の金属疲労が起こる確率は低い。尚、配線63,64が部品固定構造体60に固定されている場合は、この部品固定構造体60に固定されている箇所からベース筐体80に固定されている間の配線63,64は移動することになるが、前記したように移動する頻度は極めて低いため、配線63,64の金属疲労が起こる確率は低い。また、DC特性試験とAC特性試験の切替は軽量のシリンダ53,54で行なわれるので、重量の大きな上部可動構造部59を移動させる必要がなく、切替時間が短縮される。また、端子群62と主配線群61を短絡接続するシリンダ53,54の先端に付いている短絡電極71は軽量であるため、短絡電極71の高精度に位置決めして移動させることが容易にできる。短絡電極71が高精度に位置決めされるため、短絡電極71の接触部には過度に大きな力が加わらない。その結果、短絡電極71の磨耗を少なくできる。また、磨耗が少ないので短絡電極71の交換頻度は大幅に低減できる。また、量産ラインにおいては、同一型式で連続して数百~数万個の製品を流す場合が一般的である。その場合、固定治具58の交換は通常は行なわない。そのため、この半導体試験装置100では、固定治具58の交換は主配線群61の短絡電極71が磨耗した場合などであり、交換頻度は従来の半導体試験装置500に比べて極めて低くできる。尚、第1の実施の形態で示す半導体試験装置100は、3相インバータが内蔵された半導体モジュール6in1を試験する場合を例に挙げて説明したが、DUTとして、単相インバータが内蔵された4個組4in1や2個組2in1の半導体モジュールの場合も配線を変更することで試験することができる。この場合も第1の実施の形態で説明した効果が得られる。尚、2個組のうち1個をダミー素子にして、試験することも可能である。<第2の実施の形態>図11は、この発明の第2の実施の形態の半導体試験装置の模式構成図である。この半導体試験装置200は、DC試験機と絶縁試験機を有する統合型の半導体試験装置である。図11の半導体試験装置200と図1の半導体試験装置100との違いは、第2テスターであるAC試験機67が、絶縁試験機78に変更されている点である。この変更に伴って、上部可動構造部59に設けられたAC配線64が絶縁試験機78用の配線79へと変更される。また、インダクタ用シリンダ55、短絡用シリンダ56は不要となり、絶縁試験用シリンダ77が必要になる。絶縁試験用シリンダ77は、1つでも複数から構成されてもよい。絶縁試験用シリンダ77の先端には図2aに示す短絡電極71が接続される。絶縁用配線79のうち一部は制御端子群74aを短絡するための切替SWに接続される図中の符号S同士が接続する。絶縁試験する場合は、上部シリンダ52を矢印Aの方向に伸ばし、下部シリンダ51を矢印Bの方向に伸ばし、絶縁試験用シリンダ77を矢印Eの方向に伸ばすことで、主配線群61とDUTの主端子群75および制御配線群61aとDUTの制御端子群74aがそれぞれ接続する。この接続により、DUTの制御端子群74aは短絡される。また、主端子群75のU端子、V端子、W端子は、絶縁試験機78内で短絡される。短絡した後、絶縁試験機78からDUTの主端子群75のうちP端子とN端子に規定の高い電圧が印加される。この電圧印加によりDUTの絶縁試験が可能になる。この絶縁試験では、DUTを構成する全ての素子IGBTとFWDに電圧が印加される。本実施の形態においても第1の実施の形態の効果と同じような効果が得られる。以上の実施の形態において、筐体80を上下逆さまにした構成、または、筐体80を90°傾けた構成としても同様の効果を得ることができる。"