"以下のA、B、E及びDを含有するレジスト組成物。Aアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂;Bスルホニウム塩又はヨードニウム塩からなる酸発生剤;E式Iで示される化合物;[式I中、環Xは、環を構成する原子として4級窒素原子を1つ含む、5員環又は6員環の複素環を表す。nは1~3の整数を表す。R3は、置換基を有していてもよい炭素数1~12のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~24の脂環式飽和炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数2~12のアルケニル基を表す。nが2以上である場合、複数存在するR3は互いに同一又は相異なる。R4及びR5は、それぞれ独立に、フッ素原子を有する炭素数1~4のアルキル基を表す。]D溶剤前記Eは、R4及びR5が、それぞれ独立に、炭素数1~4のペルフルオロアルキル基の前記式Iで表される化合物を含む請求項1記載のレジスト組成物。前記Bが、式B1で表される酸発生剤である請求項1又は2記載のレジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、炭素数1~17の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の1価の脂肪族炭化水素基を表し、該1価の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表す。]前記式B1のLb1が、式b1-1で表される基である請求項3記載のレジスト組成物。[式b1-1中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15のアルカンジイル基を表す。左側のは、CQ1Q2の炭素原子と結合する結合手であり、右側のは、Yと結合する結合手である。]前記式B1のYが、置換基を有していてもよい炭素数3~18の1価の脂環式炭化水素基である請求項3又は4記載のレジスト組成物。さらに、以下のGを含有する請求項1~5のいずれか記載のレジスト組成物。G式bで表される化合物;式b中、Rg1、Rg2、Rg3及びRg4はそれぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。A1は、置換基を有していてもよい炭素数3~36の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~20の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数5~20の複素環基を表す。1請求項1~6のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程;2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程;3組成物層を露光する工程;4露光後の組成物層を加熱する工程;及び5加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。レジスト組成物によるレジストパターンの製造では、得られるレジストパターンの断面形状がより矩形に近く、現像残渣スカムの発生がより少ないことが求められる。本発明者は鋭意検討した結果、特定のスルホニルイミド化合物と、特定の酸発生剤とを含有する新規なレジスト組成物が、スカムの発生が十分軽減され、断面形状に優れるレジストパターンが得られることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明は、以下の発明を含む。1以下のA、B、E及びDを含有するレジスト組成物。Aアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂;Bスルホニウム塩又はヨードニウム塩からなる酸発生剤;E式Iで示される化合物;[式I中、環Xは、環を構成する原子として4級窒素原子を1つ含む、5員環又は6員環の複素環を表す。nは1~3の整数を表す。R3は、置換基を有していてもよい炭素数1~12のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~24の脂環式飽和炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数2~12のアルケニル基を表す。nが2以上である場合、複数存在するR3は互いに同一又は相異なる。R4及びR5は、それぞれ独立に、フッ素原子を有する炭素数1~4のアルキル基wp表す。]D溶剤2前記Eは、R4及びR5が、それぞれ独立に、炭素数1~4のペルフルオロアルキル基の前記式Iで表される化合物を含む前記1記載のレジスト組成物。3前記Bが、式B1で表される酸発生剤である前記1又は2記載のレジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、炭素数1~17の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の1価の脂肪族炭化水素基を表し、該1価の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表す。]4前記式B1のLb1が、式b1-1で表される基である前記3記載のレジスト組成物。[式b1-1中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15のアルカンジイル基を表す。左側のは、CQ1Q2の炭素原子と結合する結合手であり、右側のは、Yと結合する結合手である。]5前記式B1のYが、置換基を有していてもよい炭素数3~18の1価の脂環式炭化水素基である前記3又は4記載のレジスト組成物。6さらに、以下のGを含有する前記1~5のいずれか記載のレジスト組成物。G式bで表される化合物;式b中、Rg1、Rg2、Rg3及びRg4はそれぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。A1は、置換基を有していてもよい炭素数3~36の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~20の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数5~20の複素環基を表す。71前記1~6のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程;2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程;3組成物層を露光する工程;4露光後の組成物層を加熱する工程;及び5加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。本発明によれば、スカムの発生が軽減され、良好な形状のレジストパターンを製造し得る新規なレジスト組成物が提供できる。本発明のレジスト組成物以下、場合により本レジスト組成物という。は、上述のA樹脂以下、場合により樹脂Aという。、B酸発生剤以下、場合により酸発生剤Bという。、D溶剤以下、場合により溶剤Dという。及びE前記式Iで表される化合物以下、場合により化合物Eという。を必須の構成成分として含有する。以下、これら本レジスト組成物の構成成分の各々について説明し、これらを含有する本レジスト組成物の調製方法及び当該本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法について説明する。本レジスト組成物の構成成分である化合物Eなどを説明するに当たり、本明細書に示す種々の化合物などにおいて、官能基基を例示することがあるが、ここで共通する基を定義しておく。このような定義において、Cに付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。本明細書において、炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基をいう。該脂肪族炭化水素基はさらに鎖式及び脂環式に分類される。本明細書でいう脂肪族炭化水素基とは、特に定義しない限り、鎖式及び脂環式の脂肪族炭化水素基が組み合わさった脂肪族炭化水素基を含む。鎖式の脂肪族炭化水素基鎖式炭化水素基のうち1価のものは、典型的にはアルキル基である。当該アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられ、これらは直鎖でも分岐していてもよい。この鎖式炭化水素基は特に限定しない限り、ここに例示したアルキル基の一部に炭素炭素二重結合を含んでいてもよいが、このような炭素炭素二重結合などを有さない、飽和の鎖式炭化水素基脂肪族飽和炭化水素基、特にアルキル基が好ましい。2価の鎖式炭化水素基は、典型的には、ここに示したアルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が該当する。部分的に炭素-炭素二重結合を含む鎖式炭化水素基は典型的には、炭素-炭素二重結合を1つ含むアルケニル基である。当該アルケニル基としては、エテニル基C2、プロペニル基C3、ブテニル基C4、ペンテニル基C5、ヘキセニル基C6、ヘプテニル基C7、オクテニル基C8、デセニル基C10及びドデセニル基C12などが挙げられ、これらは直鎖でも分岐していてもよい。脂環式の脂肪族炭化水素基脂環式炭化水素基のうち1価のものは、典型的には、脂環式炭化水素から水素原子1個を取り去った基である。当該脂環式炭化水素基には、炭素炭素不飽和結合1個程度を含む不飽和脂環式炭化水素基でもよく、このような炭素炭素不飽和結合を含まない飽和脂環式炭化水素基でもよいが、本明細書でいう脂環式炭化水素基は飽和であると好ましい。また、脂環式炭化水素基は単環式のものであっても、多環式のものであってもよい。ここでは、水素原子を取り去る前の脂環式炭化水素を例示することにより、脂環式炭化水素基を例示することにする。単環式の脂環式炭化水素は典型的にはシクロアルカンであり、その具体例を示すと、式KA-1で表されるシクロプロパンC3、式KA-2で表されるシクロブタンC4、式KA-3で表されるシクロペンタンC5、式KA-4で表されるシクロヘキサンC6、式KA-5で表されるシクロヘプタンC7、式KA-6で表されるシクロオクタンC8、及び、式KA-7で表されるシクロドデカンC12などが挙げられる。多環式の脂環式炭化水素は例えば、式KA-8で示されるノルボルネンC7、式KA-9で示されるアダマンタンC10、式KA-10で示される脂環式炭化水素C10、式KA-11で示される脂環式炭化水素C14、式KA-12で示される脂環式炭化水素C17、などが挙げられる。なお、ここに示した脂環式炭化水素を式KA-1~式KA-12の脂環式炭化水素ということがある。2価の脂環式炭化水素基とは、式KA-1~式KA-12の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が該当する。本明細書において、芳香族炭化水素基は1価又は2価の芳香族炭化水素基であり、典型的にはアリール基又はアリーレン基である。具体的にいえば、1価の芳香族炭化水素基、すなわちアリール基としては、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントニル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などが挙げられる。2価の芳香族炭化水素基、すなわちアリーレン基は、ここに示すアリール基からさらに、水素原子を1個取り去ったものが該当する。脂肪族炭化水素基は置換基を有することがある。このような置換基はそのつど定義するが、ここで当該置換基の代表例を挙げておく。置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。ハロゲン原子は特に限定のない限り、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子である。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などであり、これらアルコキシ基は直鎖でも分岐していてもよい。アシル基の具体例は、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキシルカルボニル基C6、ヘプチルカルボニル基C7、オクチルカルボニル基C8、デシルカルボニル基C10及びドデシルカルボニル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したものに加え、ベンゾイル基C7などのようにアリール基とカルボニル基とが結合したものを含む。これらアシル基のうち、アルキル基とカルボニル基とが結合したものの該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。アリール基の具体例は、上述の芳香族炭化水素基のアリール基として例示したものと同じであり、アリールオキシ基の具体例は、当該アリール基と酸素原子とが結合したものである。アラルキル基の具体例は、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などである。芳香族炭化水素基も置換基を有することがある。このような置換基はそのつど定義するが、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。これらのうち、アルキル基は、鎖式脂肪族炭化水素基として例示したものと同じであり、芳香族炭化水素基に任意に有する置換基のうち、アルキル基以外のものは、脂肪族炭化水素基の置換基として例示したものと同じものを含む。<化合物E>上述のとおり、化合物Eは式Iで表される。式Iの環Xは、環を構成する原子環構成原子として4級窒素原子を1つ含む、5員環又は6員環の複素環であり、当該複素環は芳香族性であっても、非芳香族性であってもよい。なお、非芳香族性の複素環は、環を構成する結合に不飽和結合を有さない飽和複素環であることが好ましい。また、該複素環は環構成原子に1つの4級窒素原子を有していれば、当該4級窒素原子以外のヘテロ原子を環構成原子として有していてもよい。5員環の芳香族複素環を、具体的に例示すると、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、イソオキサゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環及びトリアゾール環などにおいて、環構成原子のうちの1つの窒素原子が、4級窒素原子である環が挙げられる。これらの中でも、好ましくは、オキサゾール環、チアゾール環及びイミダゾール環、より好ましくはオキサゾール環及びイミダゾール環、特に好ましくはイミダゾール環の環構成原子のうちの1つの窒素原子が、4級窒素原子である環が挙げられる。一方、6員環の芳香族複素環を、具体的に例示すると、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環及びトリアジン環などにおいて、環構成原子のうちの1つが4級窒素原子である環が挙げられる。これらの中でも、好ましくは、ピリジン環の環構成原子のうちの1つが4級窒素原子である環が挙げられる。非芳香族性の5員環又は6員環の飽和複素環を具体的に例示すると、ピロリジン環、ピペリジン環及びモルホリン環などにおいて、環構成原子のうちの1つの窒素原子が4級窒素原子である環を挙げることができる。これらの中でも好ましくは、ピロリジン環の環構成原子のうちの1つの窒素原子が4級窒素原子である環が挙げられる。次に、式IのR3について説明する。R3のうちの1つはXの環構成原子である4級窒素原子に結合している1価の基であり、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい脂環式飽和炭化水素基又は置換基を有してもよいアルケニル基である。該アルキル基としては、その炭素数が1~12の範囲において、すでに例示したものを含む。該脂環式飽和炭化水素基も、炭素数3~24の範囲であり、且つ炭素炭素不飽和結合を有さない範囲で、すでに例示したものを含む。該アルケニル基は、炭素数2~12の範囲内ですでに例示したものを含む。また、ここに示したアルキル基、脂肪族飽和炭化水素基及びアルケニル基は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては例えば、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシ基好ましくは、メトキシ基及びエトキシ基など、アリール基好ましくは、フェニル基及びトルイル基など、アラルキル基好ましくは、ベンジル基など、アリールオキシ基好ましくは、フェノキシ基など、アルキルチオ基好ましくは、メチルチオ基及びエチルチオ基など、カルボキシアルキル基好ましくは、2-カルボキシエチル基など、アルコキシカルボニル基好ましくは、エトキシカルボニル基など、炭酸エステル基好ましくは、エトキシカルボニルオキシ基など、アシル基好ましくは、アセチル基、プロピオニル基及びベンゾイル基など、スルホニル基好ましくは、メタンスルホニル基及びベンゼンスルホニル基など、アシルオキシ基好ましくは、アセトキシ基及びベンゾイルオキシ基など、スルホニルオキシ基好ましくは、メタンスルホニルオキシ基及びトルエンスルホニルオキシ基など、ホスホニル基好ましくは、ジエチルホスホニル基など、アミド基好ましくは、アセチルアミノ基及びベンゾイルアミノ基など、カルバモイル基好ましくは、N,N-ジメチルカルバモイル基など及び複素環基好ましくは、ピリジル基、イミダゾリル基及びフラニル基などなどが挙げられるが、化合物Eの製造上の容易さなどを考慮すると、R3が置換基を有さないアルキル基、置換基を有さない脂環式飽和炭化水素基又は置換基を有さないアルケニル基であると好ましい。R3の置換数であるnは、1~3の範囲であり、2又は3が好ましく、2であるとさらに好ましい。なお、nが2以上の場合、複数のR3は互いに同一又は相異なる。ここで化合物Eを構成するカチオン以下、場合によりカチオンEという。の具体例を挙げる。次に、化合物Eを構成するアニオン以下、場合によりアニオンEという。について具体例を示しつつ説明する。R4及びR5のフッ素原子を有するアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状のいずれであってもよいが、、直鎖状であることが好ましい。このフッ素原子を有するアルキル基とは、すでに例示した炭素数1~4のアルキル基に含まれる水素原子のうち少なくとも1つがフッ素原子に置換されたものが該当し、その他の水素原子が、フッ素原子以外の原子又は置換基に置換されていてもよい。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基及びtert-ブチル基などのアルキル基に含まれる水素原子のうち少なくとも1つがフッ素原子に置換されたものが該当する。フッ素原子を有するアルキル基のフッ素化率は40~100が好ましく、80~100がより好ましく、85~100が特に好ましい。ここでいうフッ素化率とは、R4及びR5に含まれるフッ素原子及び水素原子の合計数に対するフッ素原子の数の割合をいう。この原子又は置換基としては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子ただし、フッ素原子を除く。、ヒドロキシ基及びアシル基などが挙げられる。アルコキシ基の炭素数1~5であると好ましく、該アルコキシ基の具体例は、炭素数1~5の範囲ですでに例示したものを含み、メトキシ基及びエトキシ基が特に好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子以外ですでに例示したもののいずれでもよい。ここまで、R4及びR5について具体例を挙げて説明したが、これらの中でも、R4及びR5がそれぞれ独立にペルフルオロアルキル基、特に好ましくはペルフルオロメチル基又はペルフルオロエチル基である化合物Eを用いると、、スカム発生が十分軽減され、断面形状がより良好なレジストパターンを製造し得る本レジスト組成物が得られ易いので特に好ましい。より具体的に、化合物Eを構成する好適なアニオンを例示すると、以下のとおりである。化合物Eは例えば、例示したカチオンEとアニオンEとを任意に組み合わせることができるが、ここで、その好適な組み合わせを示す。該組み合わせは、例えば表1に示すものなどである。なお、表1において、式E-C-1で表されるカチオンEなどを、その式番号に応じて、E-C-1などと表し、式E-A-1で表されるアニオンEなどを、その式番号に応じてE-A-1などと表す。化合物Eは、公知の製造方法などにより製造することもできるし、市場から入手できる市販品を用いることもできる。前記表1に示した化合物Eの具体例の中でも、1-ブチル-3-メチルピリジニウムビストリフルオロメチルスルホニルイミドE-1、1-ブチル-1-メチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホニルイミドE-4がさらに好ましい。これらは市場から容易に市販品を入手できる点でも一層好ましい化合物Eである。<樹脂A>本レジスト組成物に含有される樹脂Aは上述のとおり、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る特性以下、場合により酸作用特性という。を有する。かかる樹脂Aを含有することにより、本レジスト組成物は、後述する酸発生剤Bから発生される酸の作用により、レジストパターンを製造することができる。なお、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得るとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。酸作用特性を有する樹脂Aは、その分子内に酸に不安定な基以下、場合により酸不安定基という。を有する。このような樹脂Aは、酸不安定基を有するモノマー以下、このモノマーを場合によりモノマーa1といい、該モノマーa1由来の構造単位を構造単位a1という。を重合することによって製造できる。酸作用特性を有する樹脂Aを製造する際には、モノマーa1を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<酸不安定基>酸不安定基とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を形成する基を意味する。酸不安定基としては、例えば、式1で表される基酸不安定基1、式2で表される基酸不安定基2などが挙げられる。[式1中、Ra1、Ra2及びRa3Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。は結合手を表す。][式2中、Ra1及びRa2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の1価の炭化水素基を表し、Ra3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、Ra2及びRa3は互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。該1価の炭化水素基及び該2価の炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又は硫黄原子に置き換わってもよい。は結合手を表す。]酸不安定基1のRa1~Ra3のアルキル基及び脂環式炭化水素基は、炭素数1~20の範囲において、すでに例示したものを含む。ただし、該脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは3~16の範囲である。Ra1及びRa2が、互いに結合して環を形成する場合とは、-CRa1Ra2Ra3で表される基が、以下のいずれかの基となる場合である。Ra1及びRa2が結合して形成される環の炭素数は、好ましくは3~12の範囲である。酸不安定基1としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert-ブトキシカルボニル基、2-アルキル-2-アダマンチルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が結合することで、アダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-1-アダマンチル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。酸不安定基2のRa1及びRa2の炭化水素基は、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基などである。これらの基もすでに例示したもののうち、炭素数20以下の範囲で同じものを含む。ただし、Ra1及びRa2のうち少なくとも1つは水素原子であると好ましい。酸不安定基2の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸不安定基[好ましくは、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2]を有するモノマーa1は、好ましくは、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーである。酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーのうち、炭素数5~20の脂環式炭化水素基を有するモノマーa1が好ましい。このようなモノマーa1を用いて得られる樹脂Aは、脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するものとなるので、該樹脂Aを含有する本レジスト組成物の解像度が一層良好となる傾向がある。<好適な構造単位a1>かかる脂環式炭化水素基を有するモノマーa1を用いて得られる好適な樹脂Aについて、さらに詳述する。該樹脂Aの中でも、式a1-1で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-1という。又は式a1-2で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-2という。を有する樹脂が好ましい。かかる樹脂Aには、構造単位a1-1を単独種で有していてもよく、複数種有していてもよく、構造単位a1-2を単独種で有していてもよく、複数種有していてもよく、構造単位a1-1と構造単位a1-2とを合わせて有していてもよい。[式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基との結合手を表す。で表される基を表す。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は前記と同義である。で表される基を表す。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表す。]La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は、k1が1~4の整数である-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、より好ましくは酸素原子又は-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基のうち、好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基であり、この炭素数の上限以下の範囲で、すでに例示したものと同じものを含む。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基はそれぞれ独立に、好ましくは炭素数8以下のアルキル基又は炭素数8以下の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数6以下のアルキル基又は炭素数6以下の脂環式炭化水素基である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。構造単位a1-1を誘導し得るモノマーa1は、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたものなどが挙げられる。これらに由来する構造単位a1-1のうち、以下の式a1-1-1、式a1-1-2、式a1-1-3、式a1-1-4、式a1-1-5、式a1-1-6、式a1-1-7及び式a1-1-8[式a1-1-1~式a1-1-8]でそれぞれ表される構造単位a1-1が好ましく、式a1-1-1~式a1-1-4でそれぞれ表される構造単位a1-1がより好ましい。式a1-1で表されるモノマーとしては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a1-1-1~a1-1-8でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、下式a1-1-1~a1-1-4でそれぞれ表されるモノマーがより好ましい。一方、構造単位a1-2を誘導し得るモノマーa1としては、例えば、1-エチル-1-シクロペンチルメタアクリレート、1-エチル-1-シクロヘキシルメタアクリレート、1-エチル-1-シクロヘプチルメタアクリレート、1-メチル-1-シクロペンチルメタアクリレート及び1-イソプロピル-1-シクロペンチルメタアクリレートなどが挙げられる。構造単位a1-2としては、以下の式a1-2-1、式a1-2-2式a1-2-3、式a1-2-4、式a1-2-5及び式a1-2-6[式a1-2-1~式a1-2-6]でそれぞれ表されるものが好ましい。これらのなかでも、式a1-2-3又はa1-2-4で表される構造単位a1-2であるとより好ましく、式a1-2-3で表される構造単位a1-2がさらに好ましい。樹脂Aが構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を有する場合、これらの合計含有割合は、該樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲が一層好ましく、20~60モルの範囲が特に好ましい。また、構造単位a1として、アダマンチル基を有する構造単位a1特に好ましくは、構造単位a1-1を有する場合には、樹脂A中の構造単位a1の合計100モルに対して、アダマンチル基を有する構造単位a1が15モル以上であることが好ましい。このような含有割合で、アダマンチル基を有する構造単位a1を有する樹脂Aは、該樹脂Aを含有するレジスト組成物から製造されるレジストパターンのドライエッチング耐性が良好となる傾向がある。なお、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合を、上述の範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対する、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーの使用量を調整すればよい。以上、好適な構造単位a1である、構造単位a1-1及び構造単位a1-2について説明したが、樹脂Aはこれらの以外の構造単位a1を有していてもよい。以下、構造単位a1-1及び構造単位a1-2以外の構造単位a1を、当該構造単位a1を誘導するモノマーを挙げることで説明する。樹脂Aには、以下の式a1-3で表されるモノマー以下、場合によりモノマーa1-3という。に由来する構造単位a1を有していてもよい。該モノマーa1-3に由来する構造単位a1を有する樹脂Aは、当該構造単位a1が、樹脂Aの主鎖に剛直なノルボルナン環を含むものとなるので、このような樹脂Aを含有する本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンを製造できる傾向がある。[式a1-3中、Ra9は、水素原子、置換基例えばヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基、又は-COORa13で表される基を表し、Ra13は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra10、Ra11及びRa12は、それぞれ独立に、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基を表すか、或いはRa10及びRa11は互いに結合して環を形成している。該脂肪族炭化水素基及に含まれる水素原子はヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。]Ra9の置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基は典型的には、置換基を有していてもよいアルキル基であり、かかるアルキル基のうち、置換基を有さないアルキル基は、その炭素数が1~8の範囲ですでに例示したものを含む。置換基、特にヒドロキシ基を有する脂肪族炭化水素基アルキル基としては例えば、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などである。Ra10~Ra12の脂肪族炭化水素基も典型的には、アルキル基であり、その具体例はRa9の場合と同じである。Ra10とRa11とが結合し、これらが結合する炭素原子とともに形成される環は、シクロへキシル環及びアダマンチル環などである。モノマーa1-3としては例えば、特開2010-204646号公報に記載されたものが用いられる。これらの中でも、以下の式a1-3-1、式a1-3-2、式a1-3-3及び式a1-3-4でそれぞれ表されるモノマーa1-3が好ましく、式a1-3-2又はa1-3-4で表されるモノマーa1-3であるとより好ましく、式a1-3-2で表されるモノマーa1-3がさらに好ましい。樹脂Aが、モノマーa1-3に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位に対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。さらに、樹脂Aは以下の式a1-4で表されるモノマー以下、場合によりモノマーa1-4という。に由来する構造単位a1を有していてもよい。[式a1-4中、R10は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。laは0~4の整数を表す。R11は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表し、laが2以上である場合、複数のR11は互いに同一であっても異なってもよい。R12及びR13はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、置換基を有していてもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基又は単結合を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又は-NRc-ただし、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表すで表される基に置き換わっていてもよい。Ya3は、置換基を有していてもよい炭素数1~18の炭化水素基を表す。]ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基のうち、アルキル基としては、炭素数が1~6の範囲ですでに例示したものを含む。ハロゲン原子を有するアルキル基としては、フッ素原子を有するアルキル基が好ましく、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。これらの中でも、R10としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R11のアルコキシ基は、炭素数1~6の範囲においてすでに例示したものを含むが、中でも、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。R11のアシル基及びアシルオキシ基も、その炭素数が2~4の範囲において、すでに例示したものを含む。R12及びR13の炭化水素基は、その炭素数が1~12の範囲において、Ya3の炭化水素基は、その炭素数が1~18の範囲において、すでに例示した脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれかを含む。Xa2の脂肪族炭化水素基は2価の鎖式炭化水素基、2価の脂環式炭化水素基又は、鎖式炭化水素基と脂環式炭化水素基とが組み合わさった2価の基であり、炭素数1~17の範囲ですでに例示した基を適宜組み合わせた基を挙げることができる。モノマーa1-4としては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。以下の式a1-4-1、式a1-4-2、式a1-4-3、式a1-4-4、式a1-4-5、式a1-4-6、及び式a1-4-7[式a1-4-1~式a1-4-7]でそれぞれ表されるいずれかのモノマーが好ましく、式a1-4-1~式a1-4-5でそれぞれ表されるモノマーがより好ましい。樹脂Aがモノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位に対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲が、より好ましく、20~85モルの範囲が特に好ましい。<酸安定構造単位>樹脂Aは、酸不安定基を有する構造単位a1に加え、酸不安定基を有さない構造単位以下、場合により酸安定構造単位といい、該酸安定構造単位を誘導し得るモノマーを、酸安定モノマーという。を有していると好ましい。該樹脂A中、酸安定構造単位は1種のみを有していてもよく、複数種を有していてもよい。樹脂Aが酸安定構造単位を有する場合、構造単位a1の含有割合を基準にして、酸安定性構造単位の含有割合を定めるとよい。構造単位a1の含有割合と酸安定性構造単位の含有割合との比は、構造単位a1/酸安定構造単位で表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。このようにすると、樹脂Aを含有する本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより一層良好になる傾向がある。次に、酸安定構造単位のうち、好ましいものを説明する。酸安定構造単位は、ヒドロキシ基又はラクトン環を有する構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位以下、酸安定構造単位a2という。及び/又はラクトン環を有する酸安定構造単位以下、酸安定構造単位a3という。を有する樹脂Aは、当該樹脂Aを含有する本レジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜、又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなり、この本レジスト組成物は良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。なお、ここでいう本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法に関しては後述する。まず、酸安定構造単位として好適な、酸安定構造単位a2及び酸安定構造単位a3に関して具体例を挙げつつ説明する。<酸安定構造単位a2>酸安定構造単位a2を樹脂Aに導入する場合、当該樹脂Aを含有する本レジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定構造単位a2を選択することができる。すなわち、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ波長:248nmを露光源とする露光、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線を露光源とする露光に用いる場合には、酸安定構造単位a2として、フェノール性水酸基を有する酸安定構造単位a2-0を樹脂Aに導入することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ波長:193nmを露光源とする露光を用いる場合は、酸安定構造単位a2として、後述の式a2-1で表される酸安定構造単位を樹脂Aに導入することが好ましい。このように、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a21種のみを有していてもよく、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a22種以上を有していてもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a2と、それ以外の酸安定構造単位a2とを組み合わせて有していてもよい。酸安定構造単位a2の具体例の1つは、以下の式a2-1で表されるもの以下、場合により酸安定構造単位a2-1という。である。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-k2は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。La3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1~4の整数である-O-CH2k2-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。以上、例示した酸安定構造単位a2-1は、例えば、特開2010-204646号公報に記載された酸安定モノマーから誘導される。これらの中でも、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-3及び式a2-1-4でそれぞれ表される酸安定構造単位a2-1がより好ましく、式a2-1-1又はa2-1-3で表される酸安定構造単位a2-1であるとさらに好ましい。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-1を有する場合、その含有割合は、該樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~45モルの範囲が好ましく、5~40モルの範囲がより好ましく、5~35モルの範囲がさらに好ましい。次に、ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位のうち、フェノール性水酸基を有する酸安定構造単位について説明する。該酸安定構造単位は、以下の式a2-0で表されるもの以下、場合により酸安定構造単位a2-0という。が好ましい。式a2-0中、Ra30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一でも異なっていてもよい。Ra30のハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基における炭素数1~6のアルキル基の具体例は、炭素数がこの範囲において、すでに例示したものを含む。ハロゲン原子を有する炭素数1~6のアルキル基とは、該炭素数1~6のアルキル基に含まれる水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換されたものである。なお、ハロゲン原子の具体例もすでに説明したとおりである。これらのうち、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルコキシ基の具体例は、炭素数1~6の範囲で、すでに例示したものを含む。これらのうち、Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。酸安定構造単位a2-0の中でも、以下の式a2-0-1、式a2-0-2、式a2-0-3及び式a2-0-4でそれぞれ表されるものが好ましい。かかる構造単位を誘導し得るモノマーa1は、例えば、特開2010-204634号公報に記載されている。p-ヒドロキシスチレンやp-ヒドロキシ-α-メチルスチレンといった酸安定構造単位a2-0を誘導し得る酸安定モノマー[以下、場合により酸安定モノマーa2という。]を、樹脂A製造に用いることにより、式a2-0-1又は式a2-0-2で表される酸安定構造単位a2-0を、樹脂Aに導入することができるが、該酸安定モノマーa2にあるフェノール性水酸基を例えば、アセチル基のような保護基で保護し、保護化酸安定モノマーa2とした後、この保護化酸安定モノマーa2を用いて樹脂Aを製造することもできる。保護化酸安定モノマーa2に由来する構造単位を有する樹脂を脱保護処理して、保護基を脱離することにより、酸安定構造単位a2-0を有する樹脂Aを製造できる。ただし、脱保護処理を実施する際には、他の構造単位a1を著しく損なわないようにして、該脱保護処理を実施する必要がある。樹脂Aが酸安定構造単位a2-0を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全単位に対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~85モルの範囲が、より好ましく、15~80モルの範囲が特に好ましい。<酸安定構造単位a3>酸安定構造単位a3が有するラクトン環は例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定構造単位a3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aは、これらのうち1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示されるものを酸安定構造単位a3-1といい、式a3-2で示されるものを酸安定構造単位a3-2といい、式a3-3で示されるものを酸安定構造単位a3-3という。[式a3-1中、La4は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra21は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21は同一でも異なっていてもよい。式a3-2中、La5は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。q1は、0~3の整数を表す。Ra22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は同一でも異なっていてもよい。式a3-3中、La6は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra20は、水素原子又はメチル基を表す。r1は、0~3の整数を表す。Ra23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、r1が2以上の場合、複数のRa23は同一でも異なっていてもよい。]式a3-1~式a3-3において、La4~La6は、式a2-1のLa3で説明したものと同じものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、酸素原子又は、k3が1~4の整数である-O-CH2k3-CO-O-で表される基が好ましく、酸素原子及び、-O-CH2-CO-O-がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。なお、p1が2である場合、2つのRa21は互いに同一でも異なっていてもよく、q1が2である場合、2つのRa22は互いに同一でも異なっていてもよく、r1が2である場合、2つのRa23は互いに同一でも異なっていてもよい。以下、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3の各々の好適例を示す。酸安定構造単位a3-1の好適例は、以下の式a3-1-1、式a3-1-2、式a3-1-3及び式a3-1-4でそれぞれ表されるものである。酸安定構造単位a3-2の好適例は、以下の式a3-2-1、式a3-2-2、式a3-2-3及び式a3-2-4でそれぞれ表されるものである。酸安定構造単位a3-3の好適例は、以下の式a3-3-1、式a3-3-2、式a3-3-3及び式a3-3-4でそれぞれ表されるものである。なお、該酸安定構造単位a3-3を誘導し得る酸安定モノマーとしては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。樹脂Aが、酸安定構造単位a3-3を有する場合、その含有割合は、該樹脂Aの全構造単位に対して、5~70モルの範囲が好ましく、10~65モルの範囲がより好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましい。以上、樹脂Aが有する構造単位a1として好適な構造単位a1-1又は構造単位a1-2、酸安定構造単位として好適な酸安定構造単位a2又は酸安定構造単位a3について詳述したが、これら以外の構造単位を有していてもよく、かかる構造単位としては、当技術分野で周知の構造単位を挙げることができる。また、ここでは、分子内に酸不安定基を有する樹脂Aを説明したが、本レジスト組成物には、樹脂A以外に、酸不安定基を有さない樹脂を含有していてもよい。<樹脂Aの製造方法>樹脂Aは、構造単位a1を誘導するモノマーa1を、さらに好ましくは、該モノマーa1と、酸安定構造単位を誘導する酸安定モノマーとを共重合させたものであり、より好ましくは、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーa1と、酸安定構造単位a2及び/又は酸安定構造単位a3を誘導する酸安定モノマーとを共重合させたものである。なお、本レジスト組成物を例えば、EUV露光用とするうえでは、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーa1と、酸安定構造単位a2-0を誘導する酸安定モノマーとを共重合させたものを挙げることができる。樹脂Aは、構造単位a1として、アダマンチル基を有する構造単位a1-1を有することがさらに好ましい。樹脂Aは、上述したようなモノマーを公知の重合法例えばラジカル重合法に供し、重合共重合することにより製造できる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上30,000以下より好ましくは3,000以上、30,000以下より好ましくは15,000以下、さらに好ましくは、,000以下、特に好ましくは6,000以下である。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものである。この分析の詳細な分析条件は、本願の実施例に記載する。<酸発生剤B>次に、本レジスト組成物に含有される酸発生剤Bについて説明する。該酸発生剤Bは、スルホニウム塩又はヨードニウム塩からなる酸発生剤であり、酸発生剤Bのアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオンなどがある。該酸発生剤Bは、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式B1で表される酸発生剤以下、場合により酸発生剤B1という。である。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、前記2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の1価の脂肪族炭化水素基を表し、該1価の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表す。]Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基の具体例は、すでに例示したアルキル基のうち、炭素数1~6のアルキル基において、該アルキル基を構成する水素原子の全部がフッ素原子に置き換わったものが該当する。具体的にいうと、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。本レジスト組成物に含有される酸発生剤B1としては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子の酸発生剤B1が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1がさらに好ましい。Lb1の脂肪族炭化水素基の具体例は、すでに例示したアルカンジイル基、及び、上述の式KA-1~式KA-19の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基などである。Lb1の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6式b1-1~式b1-6でそれぞれ示される基が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6における、結合手を示すは、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2の炭素原子と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb4は、炭素数1~13の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15のの脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。本レジスト組成物に用いる酸発生剤としては、これらの中でも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基を、Lb1として有する酸発生剤B1がより好ましい。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4でそれぞれ表される基であり、さらに好ましくは式b1-1~式b1-3でそれぞれ表される基であり、特に好ましくは、式b1-1で表される基である。式b1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。上述のとおり、Yは置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。この脂肪族炭化水素基のうち、Yはアルキル基又は脂環式炭化水素基であると好ましく、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数3~12の脂環式炭化水素基であると、さらに好ましく、炭素数3~12の脂環式炭化水素基であると特に好ましい。Yの脂肪族炭化水素基が置換基を有する場合、この置換基は例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。ここでいう芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基をさらに有していてもよい。Yの脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基及びカルボニル基からなる群より選ばれる基2価の基に置き換わっていてもよい。脂環式炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。特に、Yの脂環式炭化水素基としては、式Y1~式Y26でそれぞれ表される基が挙げられる。これらの中でも、好ましくは式Y1~式Y19でそれぞれ表される基であり、より好ましくは式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基であり、さらに好ましくは式Y11又は式Y14で表される基である。Yとしては、例えば以下のものが挙げられる。すでに説明したとおり、Yの脂環式炭化水素基は、式Y1及び式Y2で示したようにアダマンタン環を有する基であると好ましく、これらが置換基を有する場合、その置換基はヒドロキシ基又はオキソ基が好ましい。すなわち、置換基を有する脂環式炭化水素基としては、ヒドロキシアダマンチル基及びオキソアダマンチル基がYとして特に好ましい。スルホン酸アニオンの好適例を具体的に示すと、式b1-1-1、式b1-1-2、式b1-1-3、式b1-1-4、式b1-1-5、式b1-1-6、式b1-1-7、式b1-1-8及び式b1-1-9以下、式b1-1-1~式b1-1-1-9のように表記する。でそれぞれ表されるスルホン酸アニオンを挙げることができる。この式b1-1-1~式b1-1-1-9のそれぞれ表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。式b1-1-1~式b1-1-9でそれぞれ表されるスルホン酸アニオンの具体例は例えば、特開2010-204646号公報に記載されているスルホン酸アニオンを挙げることができる。以下、好ましいスルホン酸アニオンとして、Lb1が、式b1-1で表される基であり、Yが、式Y1又は式で表される脂環式炭化水素基である具体例を挙げる。Yが無置換の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-1~式b1-s-9でそれぞれ表されるものが挙げられる。Yがヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-10~式b1-s-18でそれぞれ表されるものが挙げられる。Yが環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-19~式b1-s-29でそれぞれ表されるものが挙げられる。Yが芳香族基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-30~式b1-s-35でそれぞれ表されるものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基又は前記スルホン酸環基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-36~式b1-s-41でそれぞれ表されるものが挙げられる。また、Yはアルキル基であってもよい。このようなスルホン酸アニオンとしては例えば、以下の式b1-s-42で表されるものが挙げられる。酸発生剤Bに含まれるカチオンZは、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンであり、好ましくは、スルホニウムカチオン、より好ましくは、アリールスルホニウムカチオンである。式B1中のZは、好ましくは式b2-1~式b2-4でそれぞれ表される。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~18の炭化水素基を表し、この炭化水素基のうちでは、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。前記アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、前記脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11Rb9~Rb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、この脂肪族炭化水素基がアルキル基である場合、その炭素数は1~12であると好ましく、この脂肪族炭化水素基が脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であると好ましく、4~12であるとさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。この炭化水素基のうち、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10との組み合わせ、及び/又は、Rb11とRb12との組み合わせは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環好ましくは3員環~7員環は脂肪族環又は、該脂肪族環を構成するメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっている環である。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は同一でも異なっていてもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14はそれぞれ独立であり、s2が2以上であるとき、複数のRb15は同一でも異なっていてもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は同一でも異なっていてもよい。Rb12のアルキルカルボニルオキシ基としては、すでに例示したアシル基と酸素原子とが結合したものである。Rb9~Rb12のアルキル基の好適例は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基などである。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基の好適例は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基及びイソボルニル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基の好適例は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基とアルキル基が結合したものは、典型的にはアラルキル基である。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。かかるスルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンの具体例は、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。例示した有機カチオンの中でも、式b2-1で表されるものが好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、R19、R20及びR21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。この脂肪族炭化水素基の炭素数は1~12であると好ましく、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基がより好ましく、さらには置換基として、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は同一でも異なっていてもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は同一でも異なっていてもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は同一でも異なっていてもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基である。酸発生剤B1は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができ、好ましくは、式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかのスルホン酸アニオンと、式b2-1-1の有機カチオンとの組合せ、並びに、式b1-1-3~式b1-1-5のいずれかのスルホン酸アニオンと、式b2-3の有機カチオンとの組合せが挙げられる。酸発生剤B1としては、好ましくは、式B1-1~式B1-17でそれぞれ表される塩が挙げられ、より好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1[式B1-1、式B1-2、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13及び式B1-14でそれぞれ表される酸発生剤B1]が挙げられる。<塩基性化合物C>本レジスト組成物には、レジスト分野でクエンチャーとして公知の塩基性化合物Cを含有していてもよい。本レジスト組成物に、この塩基性化合物Cを含有する場合、塩基性化合物Cの含有量は、化合物Eの総含有量100質量部に対して、好ましくは200質量部以下、より好ましくは150質量部以下、さらに好ましくは100質量部以下にすることが好ましい。また、塩基性化合物Cを含有する場合、該塩基性化合物Cと化合物Eとの合計含有割合は、本レジスト組成物の固形分中、好ましくは1質量以上5質量以下、より好ましくは1.5質量以上3質量以下である。なお、ここでいう固形分については後述する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性のアミン、アンモニウム塩又はこれらの組み合わせであり、該アミン及び該アンモニウム塩はその分子内に硫黄原子を有さないものが好ましい。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、1級アミン、2級アミン及び3級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1~式C8でそれぞれ表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、前記と同義である。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一でも異なってもよい。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同義である。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一でも異なってもよい。][式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同義である。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同義である。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は互いに同一でも異なってもよい。p3が2以上であるとき、複数のRc15は互いに同一でも異なってもよい。Lc1は、炭素数1~6のアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同義である。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は互いに同一でも異なってもよい。r3が2以上であるとき、複数のRc19は互いに同一でも異なってもよい。s3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一でも異なってもよい。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、及び4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6-ジイソプロピルアニリンが挙げられる。式C2で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール及び4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン及び4-メチルピリジンなどが挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン及び2,2’-ジピコリルアミン、ビピリジンなどが挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリンなどが挙げられる。さらに、本レジスト組成物には、以下のGを含有させることも好ましい。このGを含有させることにより本レジスト組成物の高感度化が期待される。G式bで表される化合物以下、場合により化合物Gという。[式b中、Rg1、Rg2、Rg3及びRg4はそれぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。A1は、置換基を有していてもよい炭素数3~36の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~20の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数5~20の複素環基を表す。]Rg1~Rg4のアルキル基は、炭素数が1~6の範囲においてすでに例示したものを含む。具体的に化合物Gのカチオン部アンモニウムイオンを例示すると、以下の式G-C1~式G-C6で表されるものが挙げられる。A1の脂環式炭化水素基は、炭素数3~20の範囲であると好ましく、炭素数3~12の範囲であると、より好ましく、アダマンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基又はノルボルネンジイル基であると、さらに好ましい。かかる脂環式炭化水素基は、炭素数がこのような範囲において、すでに例示したものを含む。A1の芳香族炭化水素基は、炭素数6~12の範囲であると好ましく、フェニレン基がさらに好ましい。かかる芳香族炭化水素基は、炭素数がこのような範囲において、すでに例示したものを含む。A1の複素環基は、炭素数5~20の範囲である範囲であれば、芳香族性であっても、非芳香族性であってもよい。芳香族性の複素環基としては、ピリジンジイル基及びビピリジンジイル基などが挙げられる。非芳香族性の複素環基としては、ピロリジンジイル基、ピラゾリンジイル基、イミダゾリンジイル基、イソオキサゾリンジイル基、イソチアゾリンジイル基、ピペリジンジイル基、ピペラジンジイル基、モルフォリンジイル基、チオモルフォリンジイル基、トリアゾールジイル基及びテトラゾールジイル基などが挙げられる。なお、A1の脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及び複素環基は、置換基を有していてもよく、当該置換基としてはアルキル基、アシル基などが挙げられるが、置換基を有さない脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及び複素環基はより好ましい。以上、A1について説明したが、これらの中でも、A1は脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基であると好ましい。化合物Gのアニオン部カルボキルイオンを例示すると、以下の式G-A1~式G-A5で表されるものが挙げられる。好適な化合物Gを上述のカチオン部式G-C1~式G-C6のいずれかで表されるアンモニウムイオンと、アニオン部式G-A1~式G-A5で表されるカルボキルイオンのいずれかとの組み合わせを表2に示す。なお、表2において、式G-C1で表されるカチオン部などを、その式番号に応じて、G-C1などと表し、式G-A1で表されるアニオン部などを、その式番号に応じて、G-A1などと表すことにする。<溶剤D>本レジスト組成物に含有される溶剤Dは、用いる樹脂Aの種類及びその量、酸発生剤Bの種類及びその量などに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。好適な溶剤Dの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類;γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、必要に応じて、化合物E、樹脂A、酸発生剤B、溶剤D及び必要に応じて用いられる塩基性化合物C以外の構成成分を含有していてもよい。この構成成分を成分Fという。かかる成分Fとしては、本技術分野で広く用いられている添加剤であり、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などである。<本レジスト組成物及びその調製方法>本レジスト組成物は、R1樹脂A、酸発生剤B、化合物E及び溶剤Dの組み合わせR2樹脂A、酸発生剤B、化合物E、塩基性化合物C及び溶剤Dの組み合わせR3樹脂A、酸発生剤B、化合物E、化合物G及び溶剤Dの組み合わせR4樹脂A、酸発生剤B、化合物E、塩基性化合物C、化合物G及び溶剤Dの組み合わせのいずれかの組み合わせを混合することで調製することができる。さらに、必要に応じて成分Fを混合することもある。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、用いる樹脂Aなどの種類や樹脂Aの溶剤Dに対する溶解度などに応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。次に、本レジスト組成物において、化合物E、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物Cや化合物Gの好ましい含有割合について説明する。なお、以下の説明において、本レジスト組成物から、溶剤Dを除去したものを、本レジスト組成物の固形分ということがある。溶剤Dの含有割合は、上述のとおり、樹脂Aの種類などに応じて適宜調節できるが、本レジスト組成物総質量に対して90質量以上であると好ましい。なお、溶剤Dの含有割合が90質量である本レジスト組成物では、該本レジスト組成物総質量に対する固形分の含有量は10質量に該当する。このような含有割合で溶剤Dを含む本レジスト組成物は、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成可能な薄膜レジストとして適している。この観点からは、本レジスト組成物総質量に対する溶剤Dの含有量は、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上である。該溶剤Dの含有量の上限は例えば、99.9質量以下であり、好ましくは99質量以下である。この溶剤Dの含有量は、本レジスト組成物を調製する際の溶剤Dの使用量により制御可能であり、本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。樹脂Aの本レジスト組成物に対する含有割合は、該本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的にいうと、該固形分の総質量に対する樹脂Aの含有割合は、80質量以上であると好ましい。本レジスト組成物に対する酸発生剤Bの含有量は、本レジスト組成物に含有される樹脂Aの総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的には、樹脂A100質量部に対して、酸発生剤Bが好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上である。また、樹脂A100質量部に対して、酸発生剤Bが好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。本レジスト組成物に対する化合物Eの含有量は、本レジスト組成物に含有される樹脂Aの総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的には、樹脂A100質量部に対して、化合物Eが好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは2質量部以上である。また、樹脂A100質量部に対して、化合物Eが好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。本レジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、その含有割合も本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的にいうと、該固形分の総質量に対する塩基性化合物Cの含有割合は、0.01~2.5質量程度であると好ましい。本レジスト組成物に化合物Gを用いる場合、その含有割合は、本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的にいうと、該固形分の総質量に対する化合物Gの含有割合は、0.01~5質量程度であると好ましい。これら樹脂A、酸発生剤B、化合物E並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物Cや化合物Gの各々の好適な含有割合も、本レジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能である。本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー等の公知の分析手段に供して求めることもできる。なお、成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。このように、化合物E、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C、化合物G及び/又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本レジスト組成物は調製できる。<レジストパターンの製造方法>本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法を具体的に示すと、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、及び5加熱後の組成物層を、現像する工程を含むものである。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上に、本レジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験などを行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成しておいたりすることもできる。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレートなどの加熱装置を用いた加熱手段、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤Dを蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含有される溶剤Dの種類などに応じて調整されるが、例えばホットプレートを用いる加熱手段ホットプレート加熱では、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にしておけばよい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤Dを除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンに応じたマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2レーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線電子ビームにより直接描画するものなど、種々のものを用いることができる。本レジスト組成物は、特に電子線リソグラフィーによるレジストパターンの製造に極めて有用である。そのため、露光機の露光光源としては、電子線ビームであることが好ましい。また、該露光機は液浸露光機液浸媒体は例えば、超純水であるであってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤B好ましくは、酸発生剤B1が露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸の作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応を生じ、結果として露光部の組成物層にある樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。なお、ここではマスクを介して露光することにより、組成物層中に露光部及び未露光部を形成する方法について記したが、組成物層を、電子線を露光源として用い、直接描画を行うことにより、該組成物層中に露光部及び未露光部を形成することもできる。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理が行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段などが採用される。なお、工程4におけるホットプレート加熱では、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がさらに好ましい。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させ、未露光部の組成物層を基板上に残すことにより、当該基板上にレジストパターンが製造される。ここで用いられるアルカリ水溶液は、アルカリ現像液と称されて、本技術分野で用いられるものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。以上により基板上に製造されたレジストパターンは、好ましくは超純水などでリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去する。以上のような工程1~工程5を含むレジストパターン製造方法によれば、本レジスト組成物は、良好な断面形状、すなわち略矩形の断面形状を有するレジストパターンを製造できる。特に、本レジスト組成物は、電子線EB描画又はEUV露光によるレジストパターン製造において、断面形状が極めて優れたレジストパターンを得ることができる。かかる効果の発現のメカニズムは必ずしも明確ではなく、本発明者の独自の知見にに基づくものである。<用途>上述のように、本レジスト組成物は、電子線描画用又はEUV露光用のレジスト組成物として好適であるのみならず、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物としても有用である。以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型により求めた値である。カラム:TSKgelMultiporeHXL-Mx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μL分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製合成例樹脂Aの合成以下のモノマーを用いて樹脂Aの合成を実施した。以下、ここに示すモノマーをその式番号に応じて、モノマーA-Bなどという。合成例1樹脂A1の合成合成例1樹脂A1の合成冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート19.59部を仕込み、窒素置換した後、75°Cまで昇温した。別の容器を用い、モノマーA-B16.00部、モノマーA-C5.50部、モノマーA-D2.57部、モノマーA-E11.86部、モノマーA-F12.21部、アゾビスイソブチロニトリル0.72部、2,2’-アゾビス3.25部及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート57.76部を混合してモノマー溶液を準備した。このモノマー溶液を、75°Cに保温したプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中に1時間掛けて滴下し、滴下終了後75°Cで5時間保温した。冷却後、反応液をメタノール501部とイオン交換水125部との混合液に注いで重合物を沈殿させ、沈殿した重合物をろ過により反応液から分離した。分離した重合物にメタノール313部を加えて撹拌後、これをろ過するという操作を3回繰り返した。最終的に得られた重合物を乾燥して樹脂この樹脂を樹脂A1とする。39.10部を得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有するものであり、重量平均分子量は約5.8×103であった。合成例2樹脂A2の合成冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに1,4-ジオキサン92.81部を仕込み、窒素置換した後、85°Cまで昇温した。別の容器を用い、モノマーA-A39.06部、モノマー60.00部、モノマーA-D9.22部、モノマーA-H4.06部、モノマーA-E26.55部、アゾビスイソブチロニトリル11.53部及び1,4-ジオキサン138.55部を混合してモノマー溶液を準備した。このモノマー溶液を、85°Cに保温した1,4-ジオキサン中に1時間掛けて滴下し、滴下終了後、85°Cで6時間保温した。冷却後、反応液を、メタノール1609部とイオン交換水402部との混合液に注いで重合物を沈殿させ、沈殿した重合物をろ過により反応液から分離した。分離した重合物を、メチルイソブチルケトン464部に溶解し、得られた混合液に1のp-トルエンスルホン酸水溶液312.46部を投入した後、室温で6時間攪拌した。反応後の反応液に、イオン交換水309部を添加し、攪拌静置分液するという水洗操作を3回繰り返した。水洗後の有機層を、n-ヘプタン2011部に注ぎ、析出した樹脂を濾過した。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものであり、得量は129.16部、重量平均分子量は約5.2×103であった。実施例1~5及び参考例1~2以下の表3の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂A>合成例1~2で得られた樹脂A1、樹脂A2<酸発生剤B>酸発生剤B111<化合物G>G-17:テトラブチルアンモニウム3-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸<化合物E>E-1:1-ブチル-3-メチルピリジニウムビストリフルオロメチルスルホニルイミドE-4:1-ブチル-1-メチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホニルイミド<溶剤D>D1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート410.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル150.0部γ-ブチロラクトン5.0部レジスト組成物の評価シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理した上で、表3記載のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が0.04μmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表3のPB欄記載の温度で60秒間プリベークPBした。こうしてレジスト膜組成物層を形成したそれぞれのウェハーに、電子線描画機株日立製作所製のHL-800D50keVを用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表3のPEB欄記載の温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。<形状評価>100nmのラインアンドスペースパターンを走査型電子顕微鏡で観察した。そのパターンの断面形状が矩形に近く良好なもの図1のaをggood、トップ形状がT字型に近いもの図1のbをbbadとする2水準で評価した。その結果を表4に示す。なお、図1に示すレジストパターンの概念図は、ラインアンドスペースパターン1つを切断したときの断面形状を模式的に示すものである。gに該当する、断面形状が優れたレジストパターンとは、複数箇所の断面を上述のようにして観察したとき、全ての断面形状が矩形に近く良好なものであったことを意味する。<スカム発生の評価>100nmのラインアンドスペースパターンを走査型電子顕微鏡で観察した。基板上にスカムが確認されなかったものをggood、スカムが確認されたものをbbadとする2水準で評価した。その結果を表4に示す。"