"Siからなるサブマウント基板、および上記サブマウント基板上に積層された半導体層を有する、1以上のLEDチップと、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層された面につながる側面の少なくとも一部を覆っており、かつ上記半導体層からの光を透過しない不透明樹脂と、を備える、LEDモジュール。上記不透明樹脂は、白色である、請求項1に記載のLEDモジュール。上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の側面のすべてを覆っており、かつ上記半導体層を露出させている、請求項1または2に記載のLEDモジュール。上記サブマウント基板には、上記半導体層に過大な逆電圧が印加されることを回避するためのツェナーダイオードが作りこまれている、請求項1ないし3のいずれかに記載のLEDモジュール。上記半導体層は、青色光または緑色光を発する、請求項4に記載のLEDモジュール。基材および配線パターンを有する基板をさらに備えており、上記LEDチップは、上記基板に搭載されている、請求項1ないし5のいずれかに記載のLEDモジュール。上記サブマウント基板と上記配線パターンとを接続する2つのワイヤを備えており、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記配線パターンとの接合部に達しない領域に設けられている、請求項6に記載のLEDモジュール。上記サブマウント基板と上記配線パターンとを接続する1つのワイヤを備えているとともに、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面と上記配線パターンとは導通接合されており、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記配線パターンとの接合部に達しない領域に設けられている、請求項6に記載のLEDモジュール。上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面には、2つの電極パッドが形成されているとともに、これらの電極パッドが上記配線パターンと導通接合されている、請求項6に記載のLEDモジュール。上記基板に取り付けられており、かつ上記LEDチップを囲む反射面を有するリフレクタと、上記LEDチップを覆い、かつ上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備えている、請求項6ないし9のいずれかに記載のLEDモジュール。上記基板上に形成されており、かつ上記LEDチップを覆っているとともに、上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂をさらに備える、請求項6ないし9のいずれかに記載のLEDモジュール。複数のリードを備えており、上記LEDチップは、上記複数のリードのいずれかに搭載されている、請求項1ないし5のいずれかに記載のLEDモジュール。上記サブマウント基板と上記複数のリードとを接続する2つのワイヤを備えており、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記複数のリードとの接合部に達しない領域に設けられている、請求項12に記載のLEDモジュール。上記サブマウント基板と上記複数のリードとを接続する1つのワイヤを備えているとともに、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面と上記複数のリードのいずれかとは導通接合されており、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記複数のリードとの接合部に達しない領域に設けられている、請求項12に記載のLEDモジュール。上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面には、2つの電極パッドが形成されているとともに、これらの電極パッドが上記複数のリードと導通接合されている、請求項12に記載のLEDモジュール。上記複数のリードの少なくとも一部ずつを覆っており、かつ上記LEDチップを囲む反射面を有するリフレクタと、上記LEDチップを覆い、かつ上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備えている、請求項12ないし15のいずれかに記載のLEDモジュール。上記複数のリードの少なくとも一部ずつおよび上記LEDチップを覆っているとともに、上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂をさらに備える、請求項12ないし15のいずれかに記載のLEDモジュール。2つのリードを備えており、一方の上記リードの先端には、上記LEDチップが搭載されており、他方の上記リードの先端には、上記サブマウント基板と導通させるワイヤが接合されており、上記2つのリードの先端および上記LEDチップを覆っているとともに、上記LEDチップからの光を透過させ、かつ上記LEDチップからの光の指向性を高めるレンズを有する封止樹脂を備える、請求項1ないし5のいずれかに記載のLEDモジュール。上記一方のリードの先端には、底面に上記LEDチップが搭載されたカップ部が形成されており、上記底面のうち上記LEDチップに覆われていない部分は、上記不透明樹脂によって覆われている、請求項18に記載のLEDモジュール。2つの上記LEDチップと、一方の面が導通接続される電極面とされ、この一方の面と反対側を向く面にワイヤが接続された追加のLEDチップと、を備えており、上記不透明樹脂は、上記追加のLEDチップを露出させている、請求項1ないし5のいずれかに記載のLEDモジュール。2つの上記LEDチップの一方は青色光を発し、他方は緑色光を発するとともに、上記追加のLEDチップは、赤色光を発する、請求項20に記載のLEDモジュール。本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、高輝度化図ることが可能なLEDモジュールを提供することをその課題とする。本発明によって提供されるLEDモジュールは、Siからなるサブマウント基板、および上記サブマウント基板上に積層された半導体層を有する、1以上のLEDチップと、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層された面につながる側面の少なくとも一部を覆っており、かつ上記半導体層からの光を透過しない不透明樹脂と、を備える。本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、白色である。本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の側面のすべてを覆っており、かつ上記半導体層を露出させている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板には、上記半導体層に過大な逆電圧が印加されることを回避するためのツェナーダイオードが作りこまれている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体層は、青色光または緑色光を発する。本発明の好ましい実施の形態においては、基材および配線パターンを有する基板をさらに備えており、上記LEDチップは、上記基板に搭載されている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板と上記配線パターンとを接続する2つのワイヤを備えており、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記配線パターンとの接合部に達しない領域に設けられている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板と上記配線パターンとを接続する1つのワイヤを備えているとともに、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面と上記配線パターンとは導通接合されており、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記配線パターンとの接合部に達しない領域に設けられている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面には、2つの電極パッドが形成されているとともに、これらの電極パッドが上記配線パターンと導通接合されている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板に取り付けられており、かつ上記LEDチップを囲む反射面を有するリフレクタと、上記LEDチップを覆い、かつ上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備えている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板上に形成されており、かつ上記LEDチップを覆っているとともに、上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂をさらに備える。本発明の好ましい実施の形態においては、複数のリードを備えており、上記LEDチップは、上記複数のリードのいずれかに搭載されている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板と上記複数のリードとを接続する2つのワイヤを備えており、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記複数のリードとの接合部に達しない領域に設けられている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板と上記複数のリードとを接続する1つのワイヤを備えているとともに、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面と上記複数のリードのいずれかとは導通接合されており、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記複数のリードとの接合部に達しない領域に設けられている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面には、2つの電極パッドが形成されているとともに、これらの電極パッドが上記複数のリードと導通接合されている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数のリードの少なくとも一部ずつを覆っており、かつ上記LEDチップを囲む反射面を有するリフレクタと、上記LEDチップを覆い、かつ上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備えている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数のリードの少なくとも一部ずつおよび上記LEDチップを覆っているとともに、上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂をさらに備える。本発明の好ましい実施の形態においては、2つのリードを備えており、一方の上記リードの先端には、上記LEDチップが搭載されており、他方の上記リードの先端には、上記サブマウント基板と導通させるワイヤが接合されており、上記2つのリードの先端および上記LEDチップを覆っているとともに、上記LEDチップからの光を透過させ、かつ上記LEDチップからの光の指向性を高めるレンズを有する封止樹脂を備える。本発明の好ましい実施の形態においては、上記一方のリードの先端には、底面に上記LEDチップが搭載されたカップ部が形成されており、上記底面のうち上記LEDチップに覆われていない部分は、上記不透明樹脂によって覆われている。本発明の好ましい実施の形態においては、2つの上記LEDチップと、一方の面が導通接続される電極面とされ、この一方の面と反対側を向く面にワイヤが接続された追加のLEDチップと、を備えており、上記不透明樹脂は、上記追加のLEDチップを露出させている。本発明の好ましい実施の形態においては、2つの上記LEDチップの一方は青色光を発し、他方は緑色光を発するとともに、上記追加のLEDチップは、赤色光を発する。本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。図1~図4は、本発明の第1実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール101は、基板300、LEDチップ200、2つのワイヤ500、白色樹脂280、リフレクタ600、および封止樹脂700を備えている。なお、理解の便宜上、図1および図2においては、封止樹脂700を省略している。基板300は、基材310および基材310に形成された配線パターン320からなる。基材310は、矩形状であり、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。配線パターン320は、たとえばCuまたはAgなどの金属からなり、ボンディング部321,322、迂回部323,324、および実装端子325,326を有する。ボンディング部321,322は、基材310の上面に形成されている。迂回部323,324は、ボンディング部321,322につながっており、基材310の両側面に形成されている。実装端子325,326は、基材310の下面に形成されており、迂回部323,324につながっている。実装端子325,326は、LEDモジュール101をたとえば回路基板に実装するために用いられる。LEDチップ200は、Siからなるサブマウント基板210とたとえばGaN系半導体からなるn型半導体層、活性層およびp型半導体層が積層された半導体層220とを有する構造とされており、たとえば青色光を発する。図4に示すように、半導体層220には、サブマウント基板210側に2つの電極パッド230230A,230Bが形成されている。これらの電極パッド230は、サブマウント基板210に形成された配線パターン図示略に導電性ペースト231やバンプ234によって接合されている。サブマウント基板210は、絶縁性ペースト251によってボンディング部321に接合されている。サブマウント基板210には2つの電極図示略が形成されている。これらの電極には、2つのワイヤ500それぞれの一端がボンディングされており、LEDチップ200は、いわゆる2ワイヤタイプとして構成されている。一方のワイヤ500の他端は、ボンディング部321にボンディングされており、他方のワイヤ500の他端は、ボンディング部322にボンディングされている。また、サブマウント基板210には、半導体層220に過大な逆電圧が印加されることを防止するためのツェナーダイオード図示略が作りこまれている。白色樹脂280は、LEDチップ200からの光を透過しない、白色を呈する樹脂材料からなり、本発明で言う不透明樹脂の一例に相当する。白色樹脂280は、サブマウント基板210の側面のすべてを覆っている。一方、半導体層220は、白色樹脂280によっては覆われていない。また、図2~図4から理解されるように、白色樹脂280は、平面視でLEDチップ200を囲んでおり、その外周縁がワイヤ500とボンディング部321,322との接合部からLEDチップ200側に若干退避している。このため、ワイヤ500は、白色樹脂280によっては覆われていない。リフレクタ600は、たとえば白色樹脂からなり、LEDチップ200を囲む枠状である。リフレクタ600には、反射面601が形成されている。反射面601は、LEDチップ200を囲んでいる。本実施形態においては、反射面601は、基板300の厚さ方向において基板300から離間するほど、基板300の厚さ方向に対して直角である方向においてLEDチップ200から遠ざかるように傾斜している。封止樹脂700は、LEDチップ200を覆っており、反射面601によって囲まれた空間を埋めている。封止樹脂700は、たとえば透明なエポキシ樹脂に蛍光体材料が混入された材質からなる。この蛍光体材料は、たとえばLEDチップ200の半導体層220から発せられる青色光によって励起されることにより黄色光を発する。これらの青色光と黄色光とを混色することにより、LEDモジュール101は、白色光を発する。なお、上記蛍光体材料としては、青色光によって励起されることにより赤色光を発するものと、緑色光を発するものを用いてもよい。LEDモジュール101の製造方法の一例を挙げる。まず、サブマウント基板210に半導体層220を接合する。ついで、基板300にリフレクタ600を形成する。ついで、基板300にLEDチップ200を搭載する。ついで、LEDチップ200にワイヤ500をボンディングする。次いで、白色の液体樹脂材料を塗布することにより、白色樹脂280を形成する。そして、封止樹脂700を形成することにより、LEDモジュール101が完成する。なお、ワイヤ500をボンディングする前に、白色樹脂280を形成してもよい。あるいは、ボンディング部321のうちLEDチップ200が接合される領域に液状の絶縁樹脂材料を塗布し、その周辺に液状の白色樹脂材料を塗布した後に、LEDチップ200を搭載してもよい。次に、LEDモジュール101の作用について説明する。本実施形態によれば、半導体層220からの光のうち、サブマウント基板210の側面へと向かう光は、白色樹脂280によって遮蔽される。これにより、これらの光がサブマウント基板210に吸収されることを抑制することができる。しかも、白色樹脂280は、たとえばSiと比べて反射率が高いため、半導体層220からの光を好適に反射する。したがって、LEDチップ200から発せられた光のうち封止樹脂700から出射される割合を高めることが可能であり、LEDモジュール101の高輝度化を図ることができる。サブマウント基板210に作りこまれたツェナーダイオードにより、半導体層220に過大な逆電圧が印加されることを防止することができる。特に、青色光を発する半導体層220は、一般的にGaN系の半導体からなり、逆電圧の印加によって損傷を受けやすい。本実施形態によれば、青色光を発するLEDチップ200を適切に保護することができる。反射面601を有するリフレクタ600を備えることにより、LEDモジュール101の直上方向をより明るく照らすことができる。図5~図32は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。図5~図7は、本発明の第2実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール102は、LEDチップ200の構成、および白色樹脂280の形成範囲が、上述したLEDモジュール101と異なっている。図7に示すように、本実施形態においては、LEDチップ200のサブマウント基板210には、1つのワイヤ500のみがボンディングされており、サブマウント基板210は、いわゆる1ワイヤタイプとして構成されている。このワイヤ500は、ボンディング部322に接続されている。サブマウント基板210の下面には、図示しない電極が形成されている。この電極は、導電性ペースト252によって、ボンディング部321に導通接合されている。白色樹脂280は、図5~図7に示すように、外周縁の図中左側部分がサブマウント基板210とワイヤ500のボンディング部322への接合部分との間に位置している。白色樹脂280の外周縁のその他の部分は、リフレクタ600の反射面601に到達している。このため、図5において、LEDチップ200から反射面601へと図中上下方向および右方向に広がる領域は、白色樹脂280によって埋められている。このような実施形態によっても、LEDモジュール102の高輝度化を図ることができる。また、白色樹脂280の面積がより大きいことは、LEDモジュール102の高輝度化に有利である。図8~図10は、本発明の第3実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール103は、LEDチップ200の構成、および白色樹脂280の形成範囲が、上述したLEDモジュール101,102と異なっている。図10に示すように、本実施形態においては、LEDチップ200のサブマウント基板210の下面には、2つの電極パッド232が形成されている。これらの電極パッド232は、サブマウント基板210内に形成された導通経路図示略を介して、2つの電極パッド230と導通している。2つの電極パッド232は、導電性ペースト252を介してボンディング部321,322に導通接続されている。このような構成のサブマウント基板210は、いわゆるフリップチップタイプと称される。白色樹脂280は、図8および図9に示すように、サブマウント基板210からリフレクタ600の反射面601にいたる環状領域のすべてを覆っている。このような実施形態によっても、LEDモジュール103の高輝度化を図ることができる。特に、反射面601に囲まれた領域は、LEDチップ200が占める領域を除き、白色樹脂280によって覆われている。これにより、LEDチップ200の半導体層220からの光をより多く反射することが可能である。これは、LEDモジュール103の高輝度化に好適である。図11および図12は、本発明の第4実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール104は、リフレクタ600を備えない点が、上述したLEDモジュール101,102,103と異なっている。封止樹脂700は、平面視矩形状であり、基板300よりも若干小とされている。封止樹脂700は、LEDチップ200および2つのワイヤ500を覆っている。このような実施形態によっても、LEDモジュール104の高輝度化を図ることができる。また、LEDチップ200によって発せられた光は、封止樹脂700の上面および側面から出射する。これにより、LEDモジュール104の照射範囲を拡げることができる。図13は、本発明の第5実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール105は、LEDチップ200の構成が、上述したLEDモジュール104と異なっている。本実施形態においては、サブマウント基板210は、図7に示されたいわゆる1ワイヤタイプとして構成されている。白色樹脂280の外周縁右端は、封止樹脂700の右端に近い位置にある。このような実施形態によっても、LEDモジュール105の高輝度化を図ることができる。図14は、本発明の第6実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール106は、LEDチップ200の構成が、上述したLEDモジュール104,105と異なっている。本実施形態においては、サブマウント基板210は、図10に示されたいわゆるフリップチップタイプとして構成されている。白色樹脂280の外周縁両端は、封止樹脂700の両端に近い位置にある。このような実施形態によっても、LEDモジュール106の高輝度化を図ることができる。図15~図17は、本発明の第7実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール107は、リード410,420を備える点、およびリフレクタ600の構成が、上述したLEDモジュール101~103と異なる。リード41,420は、たとえばCuまたはCu合金からなるプレートに対して打ち抜き加工および曲げ加工を施すことによって形成されている。リード410は、ボンディング部411、迂回部412、実装端子413を有している。リード420は、ボンディング部421、迂回部422、実装端子423を有している。ボンディング部411には、LEDチップ200がボンディングされている。ボンディング部411と実装端子413とは互いに略平行であり、迂回部412によって互いに連結されている。ボンディング部421と実装端子423とは互いに略平行であり、迂回部422によって互いに連結されている。本実施形態のLEDチップ200は、図4に示された2ワイヤタイプとして構成されている。2つのワイヤ500の一方はボンディング部411にボンディングされており、他方はボンディング部421にボンディングされている。リフレクタ600は、枠状部602と土台部603とを有している。枠状部602は、反射面601が形成された部分であり、LEDチップ200を囲んでいる。土台部603は、枠状部602の下方につながっており、リード410,420によって抱え込まれた格好となっている。このような実施形態によっても、LEDモジュール107の高輝度化を図ることができる。また、金属プレートからなるリード410,420は、比較的熱伝導に優れる。このため、LEDチップ200から発せられた熱をより効率よくLEDモジュール107外へと放散することができる。図18は、本発明の第8実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール108は、サブマウント基板210の構成が、上述したLEDモジュール107と異なっている。本実施形態においては、サブマウント基板210は、図7に示された1ワイヤタイプとして構成されている。白色樹脂280の外周縁右端は、反射面601に到達している。このような実施形態によっても、LEDモジュール108の高輝度化を図ることができる。また、白色樹脂280の面積が大きい分、LEDモジュール107よりもさらに高輝度化を促進することができる。図19は、本発明の第9実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール109は、サブマウント基板210の構成が、上述したLEDモジュール107,108と異なっている。本実施形態においては、サブマウント基板210は、図10に示されたいわゆるフリップチップタイプとして構成されている。白色樹脂280の外周縁両端は、ともに反射面601に到達している。このような実施形態によっても、LEDモジュール109の高輝度化を図ることができる。また、白色樹脂280の面積が大きい分、LEDモジュール108よりもさらに高輝度化を促進することができる。図20および図21は、本発明の第10実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール110は、リード410,420の構成、ベース樹脂を備える点、およびリフレクタ600を備えない点が、上述したLEDモジュール107~109と異なっている。本実施形態においては、リード410は、ボンディング部411、実装端子413、ひさし部414、延出部415を有しており、リード420は、ボンディング部421、実装端子423、ひさし部424、延出部425を有している。リード410,420のうちボンディング部411,421および実装端子413,423を除く部分のほとんどは、ベース樹脂701によって覆われている。ベース樹脂701は、たとえば白色の樹脂からなる。ひさし部414は、ボンディング部411から、リード420に向かって延出しているものと、リード420とは反対側に延出しているものがある。ひさし部424は、ボンディング部421からリード410に向かって延出しているものと、リード410とは反対側に延出しているものがある。ひさし部414,424は、ベース樹脂701内に埋まっている。延出部415,425は、ボンディング部411,421から延出しており、その先端面がベース樹脂701から露出している。ボンディング部411,421には、Ag層418,428が形成されている。Ag層418,428は、その表面が比較的粗い面とされている。封止樹脂700は、ベース樹脂701と平面視において一致する形状およびサイズとなっており、LEDチップ200およびワイヤ500を覆っている。このような実施形態によっても、LEDモジュール110の高輝度化を図ることができる。また、リード410,420によって、LEDチップ200からの放熱を好適に促進することができる。さらに、ひさし部414,424と延出部415,425とが形成されていることにより、リード410,420がベース樹脂701から抜け落ちてしまうことを防止することができる。図22は、本発明の第11実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール111は、サブマウント基板210の構成が、上述したLEDモジュール110と異なっている。本実施形態においては、サブマウント基板210は、図7に示されたいわゆる1ワイヤタイプとして構成されている。白色樹脂280の外周縁右端は、封止樹脂700の右端に近い位置にある。このような実施形態によっても、LEDモジュール111の高輝度化を図ることができる。図23は、本発明の第12実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール112は、サブマウント基板210の構成が、上述したLEDモジュール110,111と異なっている。本実施形態においては、サブマウント基板210は、図10に示されたいわゆるフリップチップタイプとして構成されている。白色樹脂280の外周縁両端は、封止樹脂700の両端に近い位置にある。このような実施形態によっても、LEDモジュール112の高輝度化を図ることができる。図24~図27は、本発明の第13実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール113は、3つのLEDチップ200,201を備えている点が、上述したLEDモジュール101~112と異なっている。LEDモジュール113は、リード430,431,432,433,434,435、3つのLEDチップ200,201、リフレクタ600、および樹脂パッケージ600を備えている。なお、図24および図25においては、理解の便宜上封止樹脂700を省略している。リード430,431,432,433,434,435は、たとえばCuまたはCu合金からなり、その一部ずつがリフレクタ600に覆われている。2つのLEDチップ200は、図7に示した2ワイヤタイプのものであり、一方が青色光を発し、他方が緑色光を発する。LEDチップ201は、本発明で言う追加のLEDチップの一例であり、赤色光を発する。3つのLEDチップ200,201は、リード430に一列に搭載されている。図24中上方のLEDチップ200にボンディングされた2つのワイヤ500は、リード431,432にボンディングされている。図24中下方のLEDチップ200にボンディングされた2つのワイヤ500は、リード433,434にボンディングされている。LEDチップ201は、下面が電極が形成された電極面とされており、リード430と導通接合されている。LEDチップ201の上面には、ワイヤ500の一端がボンディングされている。このワイヤ500の他端は、リード435にボンディングされている。白色樹脂280は、各LEDチップ200の周囲に設けられており、各サブマウント基板210の側面を覆っている。一方、LEDチップ201は、白色樹脂280によって覆われていない。封止樹脂700は、たとえば透明なエポキシ樹脂からなる。本実施形態においては、封止樹脂700には、蛍光体材料は混入されていない。このような実施形態によっても、LEDモジュール113の高輝度化を図ることができる。また、3つのLEDチップ200,201からの赤色光、緑色光、青色光を混色させることにより、白色光を出射することができる。また、3つのLEDチップ200,201に流れる電流の大きさを個別に調整することにより、さまざまな色調の光を出射することができる。白色樹脂280は、サブマウント基板210に光が吸収させることを防止する一方、LEDチップ201からの赤色光の進行を不当に妨げるおそれが少ない。図28~図30は、本発明の第14実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール114は、リフレクタ600に、ボンディングパッド451,452,453,454,455,456,457,458と、貫通導体部461,462,463,464,465,466,467,468貫通導体部464,465,466は図示略と、実装端子471,472とが形成されている点が、上述したLEDモジュール113と異なる。ボンディングパッド451,452,453,454,455,456,457,458は、たとえばAgまたはCuからなる。ボンディングパッド451,454には、2つのLEDチップ201が各別に搭載されている。ボンディングパッド452,453には、一方のLEDチップ200につながる2つのワイヤ500がボンディングされている。ボンディングパッド455,456には、他方のLEDチップ200につながる2つのワイヤ500がボンディングされている。ボンディングパッド457には、LEDチップ200が搭載されており、ボンディングパッド458には、LEDチップ201につながるワイヤ500がボンディングされている。このような実施形態によっても、LEDモジュール114の高輝度化を図ることができる。また、3つのLEDチップ200,201からの赤色光、緑色光、青色光を混色させることにより、白色光を出射することができる。図31および図32は、本発明の第15実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール115は、2つのリード441,442と、LEDチップ200と、樹脂パッケージ700と、を備えており、いわゆる砲弾タイプのLEDモジュールとして構成されている点が上述したLEDモジュール101~114と異なる。リード441,442は、互いに略平行に延びる棒状であり、一部ずつが樹脂パッケージ700から露出している。これらの露出した部分は、LEDモジュール115を回路基板などに実装するために用いられる。リード441には、カップ部443およびボンディング部444が形成されている。カップ部443は、リード441の上端付近に形成されており、その底面にLEDチップ200が搭載されている。この底面のうちLEDチップ200によって覆われていない部分は、白色樹脂280によって覆われている。ボンディング部444は、カップ部443に隣り合った位置にあり、LEDチップ200に接続された2つのワイヤ500の一方がボンディングされている。リード442の上端には、ボンディング部445が形成されている。ボンディング部445には、LEDチップ200に接続された2つのワイヤ500の他方がボンディングされている。封止樹脂700は、LEDチップ200とリード441,442の一部ずつとを覆っており、円柱状の部分とドーム状の部分とを有する。このドーム状の部分は、レンズ702とされている。レンズ702は、LEDチップ200からの光の指向性を高めるためのものである。このような実施形態によっても、LEDモジュール115の高輝度化を図ることができる。本発明に係るLEDモジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るLEDモジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。"