a不純物が添加されたSiC基板を準備する工程と、b前記SiC基板に、炭酸ガスレーザから出射された9μm~10.3μmの範囲内のいずれかの波長のレーザビームを照射して、前記SiC基板に添加された不純物を活性化させる工程とを有するレーザアニール方法。前記工程bにおいて、前記炭酸ガスレーザから出射され、SiC基板に照射されるレーザビームの波長が10.2μmである請求項1に記載のレーザアニール方法。a表面にメタル膜を形成し、該メタル膜上にシリコン膜を形成したSiC基板を準備する工程と、b前記SiC基板に、炭酸ガスレーザから出射された9μm~10.3μmの範囲内のいずれかの波長のレーザビームを照射して、前記SiC基板の表面にシリサイドを形成することにより、前記SiC基板との間でオーミック接合を得る工程とを有するレーザアニール方法。9μm~10.3μmの範囲内のいずれかの波長のレーザビームを出射可能な炭酸ガスレーザと、SiC基板を保持するステージと、前記炭酸ガスレーザを出射したレーザビームを、前記ステージに保持されたSiC基板に伝搬する伝搬光学系とを有するレーザアニール装置。前記炭酸ガスレーザは、波長10.2μmのレーザビームを出射する請求項4に記載のレーザアニール装置。本発明の目的は、高エネルギ効率でレーザアニールが可能なレーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供することである。本発明の一観点によると、a不純物が添加されたSiC基板を準備する工程と、b前記SiC基板に、炭酸ガスレーザから出射された9μm~10.3μmの範囲内のいずれかの波長のレーザビームを照射して、前記SiC基板に添加された不純物を活性化させる工程とを有するレーザアニール方法が提供される。また、本発明の他の観点によると、a表面にメタル膜を形成し、該メタル膜上にシリコン膜を形成したSiC基板を準備する工程と、b前記SiC基板に、炭酸ガスレーザから出射された9μm~10.3μmの範囲内のいずれかの波長のレーザビームを照射して、前記SiC基板の表面にシリサイドを形成することにより、前記SiC基板との間でオーミック接合を得る工程とを有するレーザアニール方法が提供される。更に、本発明の他の観点によると、9μm~10.3μmの範囲内のいずれかの波長のレーザビームを出射可能な炭酸ガスレーザと、SiC基板を保持するステージと、前記炭酸ガスレーザを出射したレーザビームを、前記ステージに保持されたSiC基板に伝搬する伝搬光学系とを有するレーザアニール装置が提供される。本発明によれば、高エネルギ効率でレーザアニールが可能なレーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供することができる。図1は、実施例によるレーザアニール装置を示す概略図である。実施例によるレーザアニール装置は、炭酸ガスCO2レーザ発振器10、アッテネータ11、テレスコープ12、ホモジナイザ13、折り返しミラー14、イメージングレンズ15、ステージ20、及び制御装置30を含んで構成される。CO2レーザ発振器10は、制御装置30からの制御信号に応じて、9μm~10.3μmの範囲内のいずれかの波長、たとえば波長10.2μmのレーザビーム40を出射する。レーザビーム40は、一例としてパルス幅100μsのパルスレーザビームである。パルスレーザビーム40は、入射するレーザビームの光強度を減衰率可変に減衰して出射するアッテネータ11で光強度を減衰され、テレスコープ12を通過してホモジナイザ13に入射する。ホモジナイザ13は入射するレーザビームを分割し、重ね合わせることにより、加工面レーザ照射面におけるパルスレーザビーム40の形状を、たとえば矩形状に整形するとともに、面内における光強度を均一化する。ホモジナイザ13を出射したパルスレーザビーム40は、折り返しミラー14で反射され、イメージングレンズ15で集光されて、たとえばXYステージであるステージ20に、2次元方向X軸方向及びY軸方向に移動可能に保持されたSiC基板50に入射する。パルスレーザビーム40は、SiC基板50上において、たとえば長軸方向X軸方向の長さが3mm、短軸方向Y軸方向の長さが0.25mmの矩形状の入射領域を形成する。制御装置30は、CO2レーザ発振器10からのレーザビーム40の出射を制御する。また、ステージ20の動作を制御することで、ステージ20に保持されたSiC基板50上におけるレーザビーム40の入射位置を制御する。SiC基板50は、4H-SiC基板に、不純物、たとえばAlが500°Cでイオン注入された半導体基板である。レーザビームの照射により、注入された不純物を活性化させるレーザアニールが行われる。SiC基板50表面における矩形状ビーム入射領域の短軸方向Y軸方向にSiC基板50を移動させることにより、ビーム入射領域の長軸方向X軸方向の長さを幅とする帯状の領域をアニールすることができる。パルスレーザビーム40をSiC基板50の端部まで照射したところで、SiC基板50を、ビーム入射領域の長軸方向X軸方向にずらす。その後、SiC基板50上のY軸方向にビーム入射領域を移動させて、帯状の領域をアニールする処理を繰り返すことにより、SiC基板50の表面全体をアニールすることができる。アニールにおいて、パルスレーザビーム40は、たとえば80の重複率でSiC基板50に照射される。アニールに際しては、たとえばアッテネータ11の減衰率を調整し、Alが注入された層が1800K以上の温度に加熱されるように、SiC基板50表面におけるパルスレーザビーム40のエネルギ密度を調節する。図2は、波長8μm~12μmの垂直入射光の、SiCに対する侵入長と反射率を示すグラフである。グラフの横軸は、光の波長を単位μmで表し、縦軸は、侵入長及び反射率を、それぞれ単位μm、で表す。黒三角を結んだ曲線で、光の波長と侵入長との関係を示し、黒四角を結んだ曲線で、光の波長と反射率との関係を示す。なお、本グラフは、本願発明者が、EdwardDPalik編集のHandbookofOpticalConstantsofSolidsに記載された光学定数をもとに作成したものである。波長が10.2μm以下の光の反射率は、約10以下と小さい。また、波長が10.3μmの光の反射率は約30である。しかし波長が10.4μmの光の反射率は約80であり、波長10.3μmを境として、それを超えると反射率は著しく上昇するということができるであろう。高反射率の波長の光をSiC基板に照射してレーザアニールを行うと、不純物が活性化する温度までSiC基板を加熱するのに、必要なエネルギが大きくなるため、高出力のレーザ光源が要求される。また、投入エネルギの多くが無駄になるため、ランニングコストが増大する。更に、SiC基板表面で反射された光が、レーザアニール装置に悪影響を及ぼす可能性もある。図2に示すグラフによると、CO2レーザで最も発振効率が高く、一般的に用いられる波長10.6μmの光は、SiCによる反射率が約90と高く、レーザアニールに利用するには好ましくないことがわかる。実施例によるレーザアニール装置のCO2レーザ発振器10は、9μm~10.3μmの範囲内のいずれかの波長のレーザビーム、たとえば波長10.2μmのレーザビームを出射可能なレーザ光源である。CO2レーザ発振器からは、波長10.6μmの光以外にも、オプティクスを変えることで、9.3μm、9.6μm、10.2μm等の波長の光を取り出すことができることが知られている。SiC基板に照射するレーザビームの波長を、反射率の低い10.3μm以下とすることで、低出力のレーザ光源を用い、低コスト、高エネルギ効率で、装置への悪影響の可能性の小さいレーザアニールを行うことができる。9μm~10.3μmの範囲内でも特に、反射率が5弱と低く、侵入長が約12μmの、波長10.2μmのCO2レーザを用いるのが、最も効果的であろう。SiCの深さを考慮して侵入長が適するものとなるように、CO2レーザの波長を選択することもできる。たとえばSiC基板表面の温度を上昇させたい場合には、侵入長が浅く、かつ反射率が低い10μm~10.3μmの波長のCO2レーザを用いるのがよいであろう。図1に示す実施例によるレーザアニール装置を用いて行うレーザアニールにおいては、CO2レーザ発振器10からパルスレーザビーム40を出射し、ホモジナイザ13で、SiC基板50上におけるビーム入射領域を矩形状に整形するとともに、ビーム入射領域内における光強度分布を均一化した。CO2レーザ発振器10から連続波のレーザビームを出射してアニールを行ってもよいし、ホモジナイザ13を用いず、ビーム形状が円形、ビームプロファイルがガウシアン型のレーザビームをSiC基板50に照射してアニールを行うことも可能である。たとえば、4H-SiC基板に不純物としてリンPをイオン注入した後、波長9.4μmの連続波のCO2レーザを照射する。波長9.4μmの光は、図2に示すように、SiCに対する侵入長が60μm~70μmと深く、SiC基板表面の温度が上昇しにくいので、SiC基板を一例として400°Cに予熱した状態でレーザ照射を行うことが望ましい。予熱により、光の吸収率が高くなって、基板表面で吸収されるCO2レーザのエネルギが増加し、SiC基板の表面温度が上昇する。SiC基板に入射させるレーザビームは、たとえば直径が200μmの円形状で、ガウシアン型のビームプロファイルを有するレーザビームである。レーザビームを照射しながら、SiC基板をステージで、たとえば300mm/sの速度で移動させて、基板全面のアニールを行う。円形状のレーザビームの入射領域の中心部と端部とでは、レーザビームの照射時間が異なるため、たとえばビームの走査方向と直交する方向送り方向の重複率を80として、次のラインにビームを照射することが好ましい。不純物がイオン注入された層が1800K以上に加熱され、不純物が活性化される。実施例によるレーザアニール装置は、たとえばSiC半導体の表面に電極を形成するためのシリサイドを形成する用途にも利用することができる。通常このようなシリサイドは、SiCの表面に成膜したNiなどのメタル膜に、レーザビームを照射し加熱して形成する。しかし実施例によるレーザアニール装置のCO2レーザ発振器10から出射される波長域のレーザビーム40は、メタル膜に対して比較的高い反射率を示す。たとえばNiであれば、反射率は98以上である。このため、レーザビーム40のエネルギのほとんどはメタル膜で反射され、シリサイドの形成がうまくいかない。そこで、SiC上のメタル膜表面にシリサイドの材料であるシリコン膜を成膜し、メタル-シリコンの複層膜を形成して、複層膜にCO2レーザを照射する。こうすることにより、照射面におけるレーザビーム40の反射率は大きく低下し、たとえば高エネルギ効率でシリサイドが形成される。一例として、以下のようなシリサイド形成が可能である。4H-SiC基板表面にメタル層としてNiを100nmの厚さに成膜し、Ni層の上に厚さ25nmのSi膜を形成した基板を準備する。この基板のSi膜上に、CO2レーザ発振器から出射された波長9μm~10.3μmの範囲内のいずれかの波長、たとえば波長10.2μmのパルスレーザビーム40を照射する。たとえばパルス幅が20μsのパルスレーザビーム40を、長軸方向の長さが3mm、短軸方向の長さが0.25mmの矩形状の入射領域を形成して、Si膜上に入射させる。実施例によるレーザアニール方法と同様に、パルスレーザビーム40を、たとえば80の重複率でSi膜に照射することで、Niをシリサイド化させ、SiC基板との間でオーミック接合を得ることができる。なお、レーザビーム40の照射にあたっては、アッテネータ11の減衰率を調整して、Ni層が約1000°Cとなるように、レーザビーム40のエネルギ密度を調節する。なお、Niに限らず、シリサイドを形成する他の金属を用いてメタル層を形成することができる。また、メタル層、Si層の厚さは、求められる特性に応じて適宜調整される。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。