"被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に対向して配置される第1電極および第2電極と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記第1電極または第2電極に高周波電力を供給して前記処理ガスのプラズマを形成するための高周波電源と、前記第1電極または第2電極に直流電圧を印加する直流電源と、前記高周波電源および前記直流電源を制御する制御部とを具備し、前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は被処理基板を載置する下部電極であり、前記直流電源は、前記第1電極に直流電圧を印加し、前記制御部は、前記高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの印加電圧が設定値となるように制御して、プラズマ形成時の異常放電を抑制することを特徴とするプラズマ処理装置。前記制御部は、前記高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの給電を開始するように制御することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記制御部は、前記高周波電源からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの印加電圧を前記設定値から下げるように制御することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記制御部は、前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを徐々に減少するように制御することを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。前記制御部は、前記高周波電源からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの給電を停止するように制御することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。前記高周波電源は、前記第1電極に高周波電力を供給することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に設けられ、上部電極として機能する第1電極と、前記処理容器内に前記第1電極に対向して設けられ、被処理基板を載置する下部電極として機能する第2電極と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記第1電極に高周波電力を供給して前記処理ガスのプラズマを形成するための第1高周波電源と、前記第2電極に被処理基板に対してイオンを引き込むための高周波電力を供給するための第2高周波電源と、前記第1電極に直流電圧を印加する直流電源と、前記第1および第2高周波電源ならびに前記直流電源を制御する制御部とを具備し、前記制御部は、前記第1高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの印加電圧が設定値となるように制御して、プラズマ形成時の異常放電を抑制することを特徴とするプラズマ処理装置。前記制御部は、前記第1高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの給電を開始するように制御することを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理装置。前記制御部は、前記第1高周波電源および第2高周波電源の少なくとも一方からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの印加電圧を前記設定値から下げるように制御することを特徴とする請求項7または請求項8に記載のプラズマ処理装置。前記制御部は、前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを徐々に減少するように制御することを特徴とする請求項9に記載のプラズマ処理装置。前記制御部は、前記第1高周波電源および第2高周波電源の少なくとも一方からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの給電を停止するように制御することを特徴とする請求項7から請求項10のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。前記制御部は、前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを、徐々に増加するように制御することを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。前記制御部は、前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかが徐々に増加している際に、印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかが所定値以上になった時点で前記直流電源からの給電を保持することを特徴とする請求項12に記載のプラズマ処理装置。被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に対向して配置される第1電極および第2電極と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記第1電極または第2電極に高周波電力を供給して前記処理ガスのプラズマを形成するための高周波電源と、前記第1電極または第2電極に直流電圧を印加する直流電源とを具備し、前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は被処理基板を載置する下部電極であり、前記直流電源は、前記第1電極に直流電圧を印加するプラズマ処理装置を用いて被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、前記高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの印加電圧を設定値として、プラズマ形成時の異常放電を抑制することを特徴とするプラズマ処理方法。前記高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの給電を開始することを特徴とする請求項14に記載のプラズマ処理方法。前記高周波電源からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの印加電圧を前記設定値から下げることを特徴とする請求項14または請求項15に記載のプラズマ処理方法。前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを徐々に減少させることを特徴とする請求項16に記載のプラズマ処理方法。前記高周波電源からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの給電を停止することを特徴とする請求項14から請求項17のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に設けられ、上部電極として機能する第1電極と、前記処理容器内に前記第1電極に対向して設けられ、被処理基板を載置する下部電極として機能する第2電極と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記第1電極に高周波電力を供給して前記処理ガスのプラズマを形成するための第1高周波電源と、前記第2電極に被処理基板に対してイオンを引き込むための高周波電力を供給するための第2高周波電源と、前記第1電極に直流電圧を印加する直流電源とを具備するプラズマ処理装置を用いて被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、前記第1高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの印加電圧を設定値として、プラズマ形成時の異常放電を抑制することを特徴とするプラズマ処理方法。前記第1高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの給電を開始することを特徴とする請求項19に記載のプラズマ処理方法。前記第1高周波電源および前記第2高周波電源の少なくとも一方からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの印加電圧を前記設定値から下げることを特徴とする請求項19または請求項20に記載のプラズマ処理方法。前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを徐々に減少させることを特徴とする請求項21に記載のプラズマ処理方法。前記第1高周波電源および前記第2高周波電源の少なくとも一方からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの給電を停止することを特徴とする請求項19から請求項22のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを徐々に増加させることを特徴とする請求項14から請求項23のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかが徐々に増加している際に、印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかが所定値以上になった時点で前記直流電源からの給電を保持することを特徴とする請求項24に記載のプラズマ処理方法。ところで、上記特許文献1のように直流電圧を印加する場合には、その印加タイミングがプラズマ形成に影響を与えるものと考えられるが、特許文献1には安定した良好なプラズマを得るための直流電圧の印加タイミングについては何ら記載されていない。本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、高周波電力の他に直流電圧を印加する容量結合型のプラズマ処理装置を前提として、良好なプラズマを得ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の第1の観点では、被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に対向して配置される第1電極および第2電極と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記第1電極または第2電極に高周波電力を供給して前記処理ガスのプラズマを形成するための高周波電源と、前記第1電極または第2電極に直流電圧を印加する直流電源と、前記高周波電源および前記直流電源を制御する制御部とを具備し、前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は被処理基板を載置する下部電極であり、前記直流電源は、前記第1電極に直流電圧を印加し、前記制御部は、前記高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの印加電圧が設定値となるように制御して、プラズマ形成時の異常放電を抑制することを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。上記第1の観点のプラズマ処理装置において、前記制御部は、前記高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの給電を開始するように制御することができる。また、上記いずれかの構成において、前記制御部は、前記高周波電源からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの印加電圧を前記設定値から下げるように制御することができる。この場合に、前記制御部は、前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを徐々に減少するように制御することができる。さらに、上記いずれかの構成において、前記制御部は、前記高周波電源からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの給電を停止するように制御することができる。さらにまた、上記いずれかの構成において、前記高周波電源は、前記第1電極に高周波電力を供給するように構成することができる。本発明の第2の観点では、被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に設けられ、上部電極として機能する第1電極と、前記処理容器内に前記第1電極に対向して設けられ、被処理基板を載置する下部電極として機能する第2電極と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記第1電極に高周波電力を供給して前記処理ガスのプラズマを形成するための第1高周波電源と、前記第2電極に被処理基板に対してイオンを引き込むための高周波電力を供給するための第2高周波電源と、前記第1電極に直流電圧を印加する直流電源と、前記第1および第2高周波電源ならびに前記直流電源を制御する制御部とを具備し、前記制御部は、前記第1高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの印加電圧が設定値となるように制御して、プラズマ形成時の異常放電を抑制することを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。上記本発明の第2の観点に係るプラズマ処理装置において、前記制御部は、前記第1高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの給電を開始するように制御することができる。また、上記いずれかの構成において、前記制御部は、最初に前記第2高周波電源から設定値より低い高周波電力が供給され、次いで前記第1高周波電源から設定値の高周波電力が供給され、その後、前記第2高周波電源の高周波電力が設定値になる前に、前記直流電源からの印加電圧が設定値となるように制御することができる。さらに、上記いずれかの構成において、前記制御部は、前記第1高周波電源および第2高周波電源の少なくとも一方からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの印加電圧を前記設定値から下げるように制御することができる。この場合に、前記制御部は、前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを徐々に減少するように制御することができる。さらに、上記いずれかの構成において、前記制御部は、前記第1高周波電源および第2高周波電源の少なくとも一方からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの給電を停止するように制御することができる。上記第1の観点または第2の観点のプラズマ処理装置において、前記制御部は、前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを、徐々に増加するように制御することができる。この場合に、前記制御部は、前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかが徐々に増加している際に、印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかが所定値以上になった時点で前記直流電源からの給電を保持するようにすることができる。本発明の第3の観点では、被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に対向して配置される第1電極および第2電極と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記第1電極または第2電極に高周波電力を供給して前記処理ガスのプラズマを形成するための高周波電源と、前記第1電極または第2電極に直流電圧を印加する直流電源とを具備し、前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は被処理基板を載置する下部電極であり、前記直流電源は、前記第1電極に直流電圧を印加するプラズマ処理装置を用いて被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、前記高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの印加電圧を設定値として、プラズマ形成時の異常放電を抑制することを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。上記本発明の第3の観点に係るプラズマ処理方法において、前記高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの給電を開始するようにすることができる。また、上記いずれかの構成において、前記高周波電源からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの印加電圧を前記設定値から下げるようにすることができる。この場合に、前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを徐々に減少させることができる。さらに、上記いずれかの構成において、前記高周波電源からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの給電を停止するようにすることができる。本発明の第4の観点では、被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に設けられ、上部電極として機能する第1電極と、前記処理容器内に前記第1電極に対向して設けられ、被処理基板を載置する下部電極として機能する第2電極と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記第1電極に高周波電力を供給して前記処理ガスのプラズマを形成するための第1高周波電源と、前記第2電極に被処理基板に対してイオンを引き込むための高周波電力を供給するための第2高周波電源と、前記第1電極に直流電圧を印加する直流電源とを具備するプラズマ処理装置を用いて被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、前記第1高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの印加電圧を設定値として、プラズマ形成時の異常放電を抑制することを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。上記第4の観点に係るプラズマ処理方法において、前記第1高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの給電を開始するようにすることができる。また、上記いずれかの構成において、最初に前記第2高周波電源から設定値より低い高周波電力を供給し、次いで前記第1高周波電源から設定値の高周波電力を供給し、その後前記直流電源からの印加電圧を設定値とし、その後、前記第2高周波電源の高周波電力を設定値にするようにすることができる。さらに、上記いずれかの構成において、前記第1高周波電源および前記第2高周波電源の少なくとも一方からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの印加電圧を前記設定値から下げるようにすることができる。この場合に、前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを徐々に減少させるようにすることができる。さらにまた、前記第1高周波電源および前記第2高周波電源の少なくとも一方からの給電を停止した時点またはそれ以前に、前記直流電源からの給電を停止するようにすることができる。上記第3の観点または第4の観点に係るプラズマ処理方法において、前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを徐々に増加させるようにすることができる。この場合に、前記直流電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかが徐々に増加している際に、印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかが所定値以上になった時点で前記直流電源からの給電を保持するようにすることができる。本発明によれば、高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、直流電源からの印加電圧が設定値となるようにするので、高周波電力を供給する他に直流電圧を印加してプラズマを形成する際に、異常放電を抑制して良好なプラズマを得ることができる。以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について具体的に説明する。図1は、本発明のプラズマ処理装置の一実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す概略断面図である。このプラズマエッチング装置は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されており、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる略円筒状のチャンバ処理容器10を有している。このチャンバ10は保安接地されている。チャンバ10の底部には、セラミックス等からなる絶縁板12を介して円柱状のサセプタ支持台14が配置され、このサセプタ支持台14の上に例えばアルミニウムからなるサセプタ16が設けられている。サセプタ16の上面には、被処理基板である半導体ウエハWを静電力で吸着保持する静電チャック18が設けられており、この静電チャック18上に半導体ウエハWが載置される。この静電チャック18は、導電膜からなる電極20を一対の絶縁層または絶縁シートで挟んだ構造を有するものであり、電極20には直流電源22が電気的に接続されており、オンオフスイッチ22aにより給電のオンオフが可能となっている。そして、直流電源22からの直流電圧により生じたクーロン力等の静電力により半導体ウエハWが静電チャック18に吸着保持される。オンオフスイッチ22aのオンオフはコントローラ23により制御されるようになっている。静電チャック18半導体ウエハWの周囲でサセプタ16の上面には、エッチングの均一性を向上させるための、例えばシリコンからなる導電性のフォーカスリング補正リング24が配置されている。サセプタ16およびサセプタ支持台14の側面には、例えば石英からなる円筒状の内壁部材26が設けられている。サセプタ支持台14の内部には、冷媒室28が設けられている。この冷媒室には、外部に設けられた図示しないチラーユニットより配管30a,30bを介して所定温度の冷媒、例えば冷却水が循環供給され、冷媒の温度によってサセプタ上の半導体ウエハWの処理温度を制御することができる。さらに、図示しない伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばHeガスがガス供給ライン32を介して静電チャック18の上面と半導体ウエハWの裏面との間に供給される。下部電極であるサセプタ16の空間を隔てた上方には、サセプタ16と対向するように平行に上部電極34が設けられている。そして、上部および下部電極34,16間の空間がプラズマ生成空間となる。上部電極34は、下部電極であるサセプタ16上の半導体ウエハWと対向してプラズマ生成空間と接する面、つまり対向面を形成する。この上部電極34は、絶縁性遮蔽部材42を介して、チャンバ10の上部に支持されており、サセプタ16との対向面を構成しかつ多数の吐出孔37を有する電極板36と、この電極板36を着脱自在に支持し、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる水冷構造の電極支持体38とによって構成されている。電極板36は、ジュール熱の少ない低抵抗の導電体または半導体が好ましく、また、後述するようにレジストを強化する観点からはシリコン含有物質が好ましい。このような観点から、電極板36はシリコンやSiCで構成されるのが好ましい。電極支持体38の内部には、ガス拡散室40が設けられ、このガス拡散室40からはガス吐出孔37に連通する多数のガス通流孔41が下方に延びている。電極支持体38にはガス拡散室40へ処理ガスを導くガス導入口62が形成されており、このガス導入口62にはガス供給管64が接続され、ガス供給管64には処理ガス供給源66が接続されている。ガス供給管64には、上流側から順にマスフローコントローラMFC68および開閉バルブ70が設けられている。そして、処理ガス供給源66から、エッチングのための処理ガスとして、例えばC4F8ガスのようなフロロカーボンガスCxFyがガス供給管64からガス拡散室40に至り、ガス通流孔41およびガス吐出孔37を介してシャワー状にプラズマ生成空間に吐出される。すなわち、上部電極34は処理ガスを供給するためのシャワーヘッドとして機能する。上部電極34には、整合器46および給電棒44を介して、第1の高周波電源48が電気的に接続されている。第1の高周波電源48は、13.56MHz以上の周波数、例えば60MHzの高周波電力を出力する。整合器46は、第1の高周波電源48の内部または出力インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるもので、チャンバ10内にプラズマが生成されている時に第1の高周波電源48の出力インピーダンスと負荷インピーダンスが見かけ上一致するように機能する。整合器46の出力端子は給電棒44の上端に接続されている。第1の高周波電源48のオンオフおよびパワーの制御はコントローラ49により制御されるようになっている。一方、上記上部電極34には、第1の高周波電源48の他、可変直流電源50が電気的に接続されている。可変直流電源50はバイポーラ電源で構成するのが好ましい。具体的には、この可変直流電源50は、上記整合器46および給電棒44を介して上部電極34に接続されており、リレー回路オンオフスイッチ52により給電のオンオフが可能となっている。可変直流電源50の極性および電流電圧ならびにリレー回路52のオンオフはコントローラ51により制御されるようになっている。整合器46は、図2に示すように、第1の高周波電源48の給電ライン49から分岐して設けられた第1の可変コンデンサ54と、給電ライン49のその分岐点の下流側に設けられた第2の可変コンデンサ56を有しており、これらにより上記機能を発揮する。また、整合器46には、直流電圧電流以下、単に直流電圧というが上部電極34に有効に供給可能なように、第1の高周波電源48からの高周波電力例えば60MHzおよび後述する第2の高周波電源からの高周波電力例えば2MHzをトラップするフィルタ58が設けられている。すなわち、直流電源50からの直流電流がフィルタ58を介して給電ライン49に接続される。このフィルタ58はコイル59とコンデンサ60とで構成されており、これらにより第1の高周波電源48からの高周波電力および後述する第2の高周波電源からの高周波電力がトラップされる。チャンバ10の側壁から上部電極34の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体10aが設けられており、この円筒状接地導体10aの天壁部分は筒状の絶縁部材44aにより上部給電棒44から電気的に絶縁されている。下部電極であるサセプタ16には、整合器88を介して第2の高周波電源90が電気的に接続されている。この第2の高周波電源90から下部電極16に高周波電力が供給されることにより、半導体ウエハW側にイオンが引き込まれる。第2の高周波電源90は、2~27MHzの範囲内の周波数、例えば2MHzの高周波電力を出力する。整合器88は第2の高周波電源90の内部または出力インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるためのもので、チャンバ10内にプラズマが生成されている時に第2の高周波電源90の内部インピーダンスと負荷インピーダンスが見かけ上一致するように機能する。第2の高周波電源90のオンオフおよびパワーの制御はコントローラ91により制御されるようになっている。上部電極34には、第1の高周波電源48からの高周波電力60MHzは通さずに第2の高周波電源90からの高周波電力2MHzをグランドへ通すためのローパスフィルタLPF92が電気的に接続されている。このローパスフィルタLPF92は、好適にはLRフィルタまたはLCフィルタで構成されるが、1本の導線だけでも第1の高周波電源48からの高周波電力60MHzに対しては十分大きなリアクタンスを与えることができるので、それで済ますこともできる。一方、下部電極であるサセプタ16には、第1の高周波電源48からの高周波電力60MHzをグランドに通すためのハイパスフィルタHPF94が電気的に接続されている。チャンバ10の底部には排気口80が設けられ、この排気口80に排気管82を介して排気装置84が接続されている。排気装置84は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ10内を所望の真空度まで減圧可能となっている。また、チャンバ10の側壁には半導体ウエハWの搬入出口85が設けられており、この搬入出口85はゲートバルブ86により開閉可能となっている。また、チャンバ10の内壁に沿ってチャンバ10にエッチング副生物デポが付着することを防止するためのデポシールド11が着脱自在に設けられている。すなわち、デポシールド11がチャンバ壁を構成している。また、デポシールド11は、内壁部材26の外周にも設けられている。チャンバ10の底部のチャンバ壁側のデポシールド11と内壁部材26側のデポシールド11との間には排気プレート83が設けられている。デポシールド11および排気プレート83としては、アルミニウム材にY2O3等のセラミックスを被覆したものを好適に用いることができる。デポシールド11のチャンバ内壁を構成する部分のウエハWとほぼ同じ高さ部分には、グランドにDC的に接続されたパーツGNDブロック87が設けられている。このGNDブロック87はプラズマ面に露出しており、デポシールド11の内部の導電部に電気的に接続されており、可変直流電源50から上部電極34に印加された直流電圧電流は、処理空間を経てGNDブロック87に到達し、デポシールド11を介して接地される。このGNDブロック87により、上記上部電極34にたまる電子を逃がすことができ、異常放電を防止することができる。GNDブロック87は導電体であり、Si,SiC等のシリコン含有物質であることが望ましい。Cも好適に用いることができる。なお、上記GNDブロック87は、プラズマ形成領域に設けられていれば、その位置は図1に限らず、例えばサセプタ16の周囲設ける等、サセプタ16側に設けてもよく、また上部電極34の外側にリング状に設ける等、上部電極34近傍に設けてもよい。プラズマエッチング装置の各構成部は、制御部プロセスコントローラ95に接続されて制御される構成となっている。本実施形態において、この制御部95は、第1の高周波電源48のオンオフおよびパワーの制御を行うコントローラ49、第2の高周波電源90のオンオフおよびパワーの制御を行うコントローラ91、および可変直流電源50の極性および電流電圧ならびにリレー回路52のオンオフの制御を行うコントローラ51、さらには直流電源22をオンオフするオンオフスイッチ22aのオンオフの制御を行うコントローラ23を制御し、これらの印加および停止のタイミングが制御されるようになっている。また、制御部95には、工程管理者がプラズマエッチング装置を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、プラズマ処理装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース96が接続されている。さらに、制御部95には、プラズマエッチング装置で実行される各種処理を制御部95の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマエッチング装置の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納された記憶部97が接続されている。レシピはハードディスクや半導体メモリーに記憶されていてもよいし、CDROM、DVD等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で記憶部97の所定位置にセットするようになっていてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース96からの指示等にて任意のレシピを記憶部97から呼び出して制御部95に実行させることで、制御部95の制御下で、プラズマエッチング装置での所望の処理が行われる。このように構成されるプラズマエッチング装置においてエッチング処理を行う際には、まず、ゲートバルブ86を開状態とし、搬入出口85を介してエッチング対象である半導体ウエハWをチャンバ10内に搬入し、サセプタ16上に載置する。そして、処理ガス供給源66からエッチングのための処理ガスを所定の流量でガス拡散室40へ供給し、ガス通流孔41およびガス吐出孔37を介してチャンバ10内へ供給しつつ、排気装置84によりチャンバ10内を排気し、その中の圧力を例えば0.1~150Paの範囲内の設定値とする。ここで、処理ガスとしては、従来用いられている種々のものを採用することができ、例えばC4F8ガスのようなフロロカーボンガスCxFyに代表されるハロゲン元素を含有するガスを好適に用いることができる。さらに、ArガスやO2ガス等の他のガスが含まれていてもよい。このようにチャンバ10内にエッチングガスを導入した状態で、第1の高周波電源48からプラズマ生成用の高周波電力を所定のパワーで上部電極34に印加するとともに、第2の高周波電源90よりイオン引き込み用の高周波電力を所定のパワーで下部電極であるサセプタ16に印加する。そして、可変直流電源50から所定の直流電圧を上部電極34に印加する。このときのこれらの印加タイミングは、制御部95によりコントローラ49,51,91を制御することにより行う。この場合に、第1の高周波電源48からの高周波電力の供給を開始した時点以降に可変直流電源50からの直流電圧が予めレシピで設定されている設定値になるように制御する。なお、ここでの設定値とはエッチング処理を行う際の可変直流電源50からの直流電圧値である。このように制御するのは、最初に第1の高周波電源48から高周波電力を供給してプラズマが着火し始めた以降に供給する直流電圧を設定値にすることにより、異常放電が生じ難くなるからである。チャンバ10内にプラズマが全く存在しない状態で直流電圧を設定値にすると、ウエハWに対するダメージへの影響はほとんどないものの、異常放電が極めて生じやすい。なお、可変直流電源50からの直流電圧の印加は、第1の高周波電源48の印加を開始した後に開始することが好ましい。第1高周波電源48から高周波電力を供給してプラズマが着火し始めた以降に直流電圧を供給し始めることにより、異常放電が生じ難くなるばかりでなく、電圧印加もスムーズに行くからである。また、第1の高周波電源48からの高周波パワーが設定値に達した後に直流電圧の印加を開始することが好ましい。これにより、より異常放電が生じ難くなる。可変直流電源50からの直流電圧印加および第1の高周波電源48からの高周波電力印加に加えて、第2の高周波電源90からの高周波電力印加も加味した好ましいシーケンスの例について図3を参照して説明する。まず、第2の高周波電源90から設定値よりも低い、例えば300Wの高周波電力を下部電極であるサセプタ16に供給開始し、その後、0.1~2.4sec、例えば0.5sec経過後に、第1の高周波電源48から設定値の例えば2400Wの高周波電力を上部電極34に供給し、その後、例えば2.0sec経過後に第2の高周波電源90からの印加電力を設定値の例えば3800Wにするが、それに先だって例えば、最初の第2の高周波電源90からの高周波電力供給後、2.3sec経過後可変直流電源50から上部電極34へ設定値の例えば-900Vの直流電圧を印加する。第2の高周波電源90の印加電力が設定値になった後に直流電圧を印加した場合には、プラズマがハンチングするおそれがある。また、第2の高周波電源90から設定値より低い高周波電力を先入れし、第1の高周波電源48の整合がとれた後例えば、第1の高周波電源から高周波電力供給後、1.5sec経過後に第2の高周波電源90の高周波電力を設定値フルパワーにすることにより、ウエハWに対するダメージを低くすることができる。また、直流電圧の印加前に、好ましくは第1および第2高周波電源48,90からの高周波電力の供給前に、上述のリレー回路52をオンにして直流電圧の給電を可能にしておく。なお、リレー回路52を常時オンにしておくことは好ましくなく、必要なときのみオンにするのがよい。なお、直流電圧を設定値にするタイミングは、第1高周波電源48からの高周波電力の供給を開始した時点以降でなく、高周波電力の供給を開始した時点であってもよい。そのシーケンスを図4に示す。まず、第1および第2高周波電源48,90からの高周波電力の供給前に、上述のリレー回路52をオンにして直流電圧の給電を可能にしておく。次に図3の場合と同様に、第2高周波電源90から設定値よりも低い高周波電力をサセプタ16に供給開始し、その後第1高周波電源48から設定値の高周波電力を上部電極34に供給するが、その第1高周波電源48からの高周波電力の供給と同時に、可変直流電源50から上部電極34へ直流電圧の設定値を印加する。そして、第2高周波電源90からの印加電力を設定値とする。上述の第1高周波電源48からの高周波電力の供給を開始した時点以降に直流電圧を設定値にする場合と同様に、異常放電を抑えることが可能となる。換言すれば、直流電圧を設定値にするタイミングは、第1高周波電源48からの高周波電力の供給を開始する前でなければよい。また、所定のタイミングで、制御部95からの指令に基づき、コントローラ23がオンオフスイッチ22aを操作して直流電源22をオンにし、直流電圧を静電チャック18の電極20に印加して、半導体ウエハWをサセプタ16に固定する。直流電源22からの直流電圧の印加タイミングは特に限定されるものではないが、第1の高周波電源48からの高周波電力供給後であって、可変直流電源50からの直流電圧印加後が例示される。上部電極34の電極板36に形成されたガス吐出孔37から吐出された処理ガスは、高周波電力により生じた上部電極34と下部電極であるサセプタ16間のグロー放電中でプラズマ化し、このプラズマで生成されるラジカルやイオンによって半導体ウエハWの被処理面がエッチングされる。このプラズマエッチング装置では、上部電極34に高い周波数領域イオンが追従できない10MHz以上の高周波電力を供給しているので、プラズマを好ましい解離状態で高密度化することができ、より低圧の条件下でも高密度プラズマを形成することができる。このようにプラズマが形成される際に、上記タイミングで上部電極34に可変直流電源50から所定の極性および大きさの直流電圧が印加されることにより、ウエハWへのダメージを増加させずに、安定した良好なプラズマが形成され、後述するような効果を奏することができる。この際に、可変直流電源50から上部電極34に印加される電圧は、図1に示すように、マイナス電圧であることが好ましい。プラス電圧でもよいが、この場合にはプラズマが不安定になりやすいので、プラスの電圧を印加する場合には、パルス状にする等の対策が必要となる。所定のエッチング処理が終了した後、第1および第2の高周波電源48,90、可変直流電源50をオフにしてプラズマを消火するが、そのタイミングは特に限定されないが、図5に示すように、可変直流電源50からの直流電圧の印加をオフにした後に、第1および第2高周波電源48,90からの高周波電力の印加をオフにするのがより好ましい。また、図6に示すように、可変直流電源50からの直流電圧の印加、第1高周波電源48からの高周波電力の印加および第2高周波電源90からの高周波電力の印加を、同時にオフにするのがより好ましい。これは、第1および第2高周波電源48,90からの高周波電力の印加をオフにした後、可変直流電源50からの直流電圧の印加をオフにした場合、高周波電力の印加をオフにした後のチャンバ10内はプラズマよりも抵抗の大きい真空となるので、直流電圧電流が通ると、オーバーシュートしてしまう可能性があるからである。なお、リレー回路52を保護するために、可変直流電源50からの直流電圧、第1および第2高周波電源48,90からの高周波電力の印加を停止した後に、リレー回路52をオフにする。また、処理条件に応じて、パーティクルがウエハWに付着し難いプラズマ消火シーケンスを選択することも重要である。パーティクルの付着を防止する観点から、可変直流電源50からの直流電圧をオフにする前に逆極性の電圧を印加することも有効である。次に、実際に図3に示すシーケンスを実施した実験結果について説明する。チャンバ内圧力を3.3Pa、エッチングガスとしてC4F8/Ar/N2=6/1000/180mL/minの流量でチャンバ内に導入し、周波数60MHzの第1の高周波電源のパワーの設定値を2400W、第2の高周波電源のパワーの設定値を3800Wとし、可変直流電源の電圧の設定値を-900Vとし、図3で説明したシーケンスで電力供給を行ってプラズマを形成し、ウエハWの酸化膜のエッチングを行った。具体的には、第2の高周波電源から設定値より低い300Wの高周波電力を下部電極であるサセプタ16に供給し、供給開始後0.5sec経過後に、第1の高周波電源から設定値である2400Wの高周波電力を上部電極34に供給し、その後、2.0sec経過後に第2の高周波電源からの印加電力を設定値の3800Wにした。また、これに先だって、最初の第2の高周波電源90からの高周波電力供給後、2.3sec経過後に可変直流電源50から上部電極34へ設定値の-900Vの直流電圧を印加した。その結果、安定的で良好なプラズマが形成された。この結果から、本実施形態のタイミングで直流電圧を印加することにより異常放電が生じずに安定した良好なプラズマを形成可能なことが確認された。次に、可変直流電源からの直流電圧、第1および第2の高周波電源からの高周波電力の好ましい印加シーケンスのさらに他の例について説明する。ここでは、図7に示すようなシーケンスを用いる。まず、図3の例と同様に、第2の高周波電源90から設定値よりも低い、例えば300Wの高周波電力を下部電極であるサセプタ16に供給開始し、その後、0.1~2.4sec、例えば0.5sec経過後に、第1の高周波電源48から設定値の高周波電力を上部電極34に供給し、その第1の高周波電源48からの高周波電力と同時またはそれより後に、可変直流電源50から上部電極34へ印加電圧を徐々に増加させていくように制御しスローアップ、最終的に設定値の例えば-900Vになるようにする。その後、第1の高周波電源48からの高周波電力印加後、例えば2.0sec経過後に第2の高周波電源90からの印加電力を設定値にする。このように可変直流電源50からの直流電圧をスローアップすることにより、ウエハWへのダメージを増加させることなく、可変直流電源50の給電回路へのダメージを軽減することができる。この際の電圧を昇圧する速度は特に限定されず、設定電圧に応じて適宜設定すればよく、例えば1kV/sec程度が例示される。なお、直流電圧の印加前に、好ましくは第1および第2高周波電源48,90からの高周波電力の供給前に、上述のリレー回路52をオンにして直流電圧の給電を可能にしておく。なお、以上は可変直流電源50の印加電圧をスローアップするように制御する例を示したが、印加電流または印加電力がスローアップするように制御して、最終的に設定電圧になるようにしてもよい。また、このように印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかをスローアップする場合には、インターロック機能を持たせることができる。すなわち、これらのいずれかをスローアップしている際に、いずれかの絶対値または増加分が設定値を超えた場合に電源を停止する機能をコントローラ51に持たせることができる。これにより、可変直流電源50およびその給電回路に過負荷がかかることを一層有効に防止することができる。次に、実際に電圧をスローアップした場合の実験結果について説明する。チャンバ内圧力を3.3Pa、エッチングガスとしてC4F8/Ar/O2=30/1000/20mL/minの流量でチャンバ内に導入し、周波数60MHzの第1の高周波電源のパワーの設定値を1800W、第2の高周波電源のパワーの設定値を3800Wとし、可変直流電源の電圧の設定値を-900Vとし、図7で説明したシーケンスで電力供給を行ってプラズマを形成し、ウエハWの酸化膜のエッチングを行った。具体的には、第2の高周波電源から設定値より低い300Wの高周波電力を下部電極であるサセプタ16に供給し、供給開始後0.5sec経過後に、第1の高周波電源から設定値である1400Wの高周波電力を上部電極34に供給し、それと同時に可変直流電源50から上部電極34への直流電圧印加を開始し、約0.8秒かけて設定値の-900Vとした。その後、第1の高周波電源からの高周波電力印加から2.0sec経過後に第2の高周波電源からの印加電力を設定値の3800Wにした実験A。比較のため、最初の第2の高周波電源90からの高周波電力供給後、2.3sec経過後に可変直流電源50から上部電極34へ設定値の-900Vの直流電圧をスローアップせずに一気に印加した実験B。その結果、プラズマによるウエハへのダメージを受けなかった素子の割合は、実験A,Bともにほぼ100でウエハへのダメージに関しては両者とも大差がなかった。また、プラズマの状態に関しても、実験A,Bともに安定的で良好なプラズマが形成された。したがって、スローアップを用いても、特性的に全く問題がなく、電源に対するダメージが軽減されるという効果の分だけ有利であることが確認された。また、可変直流電源50からの印加電圧をスローアップする他の例を図8に示す。まず、第2の高周波電源90から設定値よりも低い高周波電力をサセプタ16に供給開始するが、それと同時に可変直流電源50からの印加電圧を設定値よりも低い電圧値まで徐々に増加させ、到達後一定にする。その後第1高周波電源48から設定値の高周波電力を上部電極34に供給し、その第1高周波電源48からの高周波電力と同時に、可変直流電源50から上部電極34へ印加電圧を徐々に増加させていくように制御し、最終的に設定値にする。そして、第1高周波電源48からの高周波電力印加後に第2高周波電源90からの印加電力を設定値にする。リレー回路52は、図7の場合と同様である。このようなシーケンスであっても、ウエハWへのダメージを増加させることなく、可変直流電源50の給電回路へのダメージを軽減することができる。また、図9のようなシーケンスとしてもよい。まず、第2の高周波電源90から設定値よりも低い高周波電力をサセプタ16に供給開始するが、それと同時に可変直流電源50からの印加電圧を図示のようなsineカーブを描くように、徐々に増加させる。そして、第1高周波電源48から設定値の高周波電力を上部電極34に供給し、可変直流電源50からの印加電圧が設定値になった後に、第2高周波電源90からの印加電力を設定値にする。リレー回路52は、図7,8の場合と同様である。このようなシーケンスであっても、ウエハWへのダメージを増加させることなく、可変直流電源50の給電回路へのダメージを軽減することができる。以上のように、第1高周波電源48からの給電を開始した時点またはそれ以降に、可変直流電源50からの印加電圧が設定値になるように制御することが好ましい。また、第1高周波電源48からの給電を開始した時点またはそれ以降に、可変直流電源50からの給電を開始するように制御することが好ましい。また、可変直流電源50からの印加電圧をスローアップする例を説明してきたが、エッチング終了時に可変直流電源からの印加電圧をスローダウンさせてもよい。この場合、タイミングは特に限定されないが、第1高周波電力48および第2高周波電力90からの高周波電力の印加をオフした時点またはそれ以前に、可変直流電源50からの印加電圧を設定値から下げることが好ましい。また、第1高周波電力48および第2高周波電力90からの高周波電力の印加をオフした時点またはそれ以前に、可変直流電源50からの印加電圧を停止することが好ましい。なお、本実施形態の直流電圧印加タイミングは、複数の層を連続してエッチングする場合、例えば、SiO2膜をエッチングした後にSiCまたはSiNの膜をエッチングする場合にも同様に適用される。ただし、このような連続エッチングはプラズマを一旦切る場合、切らない場合等、種々のケースが考えられ、詳細なシーケンスについては特に限定されず、処理に応じて適宜設定すればよい。ただし、このように連続してエッチングする場合、リレー回路52はオフにせず、オンにしたままであることが好ましい。次に、上部電極34に可変直流電源50から直流電圧を印加した場合の作用および効果について説明する。可変直流電源50からの印加電圧を、印加電極である上部電極34の表面つまり電極板36の表面に対する所定の適度なスパッタ効果が得られる程度にその表面の自己バイアス電圧Vdcが深くなるように、つまり上部電極34表面でのVdcの絶対値が大きくなるように制御することが好ましい。第1の高周波電源48から印加される高周波のパワーが低い場合に、上部電極34にポリマーが付着するが、可変直流電源50から適切な直流電圧を印加することにより、上部電極34に付着したポリマーをスパッタして上部電極34の表面を清浄化することができる。それとともに、半導体ウエハW上に最適な量のポリマーを供給してフォトレジスト膜の表面荒れを解消することができる。また、可変直流電源50からの電圧を調整して上部電極34自体をスパッタして電極材料自体を半導体ウエハW表面に供給するようにすることにより、フォトレジスト膜表面でカーバイドを形成してフォトレジスト膜が強化され、かつスパッタされた電極材料がフロロカーボン系の処理ガス中のFと反応して排気されることによりプラズマ中のF比率が減少してフォトレジスト膜がエッチングされ難くなる。電極板36がシリコンやSiC等のシリコン含有物質の場合には、電極板36表面でスパッタされたシリコンがポリマーと反応してフォトレジスト膜表面にSiCが形成され、フォトレジスト膜が極めて強固なものとなり、しかも、SiはFと反応しやすいため、上記効果が特に大きい。したがって、電極板36の材料としてはシリコン含有物質が好ましい。このように上部電極34に直流電圧を印加して自己バイアス電圧Vdcが深くなった場合には、図10に示すように、上部電極34側に形成されるプラズマシースの厚さが大きくなる。そして、プラズマシースが厚くなると、その分だけプラズマが扁平化される。例えば、上部電極34に直流電圧を印加しない場合には上部電極側のVdcが例えば-300Vであり、図11のaに示すようにプラズマは薄いシース厚d0を有する状態である。しかし、上部電極34に-500Vの直流電圧を印加すると上部電極側のVdcが例えば-900Vとなり、プラズマシースの厚さは、Vdcの絶対値の3/4に比例するから、図11のbに示すように、より厚いプラズマシースd1が形成され、その分プラズマが扁平化する。このように厚いプラズマシースを形成して、プラズマを適切に扁平化することにより、半導体ウエハW上の実効レジデンスタイムが増加し、かつプラズマがウエハW上に集中して拡散が抑えられ解離空間が減少する。これらにより、フロロカーボン系の処理ガスの解離が抑えられ、フォトレジスト膜がエッチングされ難くなる。したがって、可変直流電源50からの印加電圧は、上部電極34におけるプラズマシースの厚さが所望の扁平状プラズマが形成される程度に厚くなるようにコントローラ51により制御することが好ましい。また、プラズマが形成される際には、上部電極34近傍に電子が生成される。上部電極34に可変直流電源50から直流電圧を印加すると、この電圧は電子を処理空間の鉛直方向へ加速させる働きを持つ電子はVppの影響によっても加速される。可変直流電源50の極性、電圧値、電流値を所望のものにすることにより、電子は半導体ウエハWに照射される。照射された電子は、マスクとしてのフォトレジスト膜の組成を改質させて、フォトレジスト膜は強化される。このように、上部電極34に印加する直流電圧を制御して、上記上部電極34のスパッタ機能またはプラズマの扁平化機能、さらには上記上部電極34で生成される多量の電子の半導体ウエハWへの供給機能が発揮されることにより、フォトレジスト膜の強化や最適ポリマーの供給、処理ガスの解離抑制等が図られ、フォトレジストの表面荒れ等を抑制することができ、フォトレジスト膜に対するエッチング対象層のエッチング選択比を高めることができる。それとともに、フォトレジストの開口部におけるCDの広がりを抑制することができ、より高精度のパターン形成を実現することができる。特に、これらスパッタ機能およびプラズマの扁平化機能および電子の供給機能の3つが適切に発揮されるように直流電圧を制御することにより、このような効果をより高めることができる。なお、上記各機能のうちいずれが優勢に生じるかは処理条件等により異なり、これら機能の一つ以上が発揮され、上記効果を有効に奏するように、可変直流電源50から印加される電圧をコントローラ51により制御することが好ましい。また、上部電極34に印加する直流電圧を制御することにより、プラズマポテンシャルを制御することができる。これを利用して、プラズマポテンシャルを低下させれば、上部電極34やチャンバ壁を構成するデポシールド11、内壁部材26、絶縁性遮蔽部材42へのエッチング副生物の付着を抑制することができる。エッチング副生物が上部電極34やチャンバ壁を構成するデポシールド11等に付着すると、プロセス特性の変化やパーティクルの懸念がある。特に、多層膜を連続してエッチングする場合には、各膜によってエッチング条件が異なるため、前の処理の影響が残存して次の処理に悪影響を与えるメモリー効果が生じてしまう。このようなエッチング副生物の付着はプラズマポテンシャルと上部電極34やチャンバ壁等との間のポテンシャル差によって影響するため、直流電圧を印加してプラズマポテンシャルを制御することにより、このようなエッチング生成物の付着を抑制することができる。また、上部電極34に印加する直流電圧を制御することにより、このようなプラズマポテンシャル制御機能と、上述の上部電極34のスパッタ機能およびプラズマの扁平化機能および電子の供給機能を有効に発揮させることも可能である。なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、上部電極および下部電極を対向して配置し、プラズマ生成用の高周波電力を上部電極に印加し、イオン引き込み用の高周波電力を下部電極に印加するタイプのプラズマエッチング装置について示したが、必ずしもこのタイプに限定する必要はない。例えば、図12に示すように、下部電極であるサセプタ16に第1の高周波電源48′からプラズマ生成用の例えば60MHzの高周波電力を印加するとともに、第2の高周波電源90′からイオン引き込み用の例えば2MHzの高周波電力を印加する下部2周波印加タイプのプラズマエッチング装置であっても適用することができる。図示のように上部電極134に可変直流電源101を接続して所定の直流電圧を印加することにより、実施形態1と同様の効果を得ることができる。また、この場合に、図13に示すように、直流電源102を下部電極であるサセプタ16に印加するようにしてもよい。さらに、図14に示すように、上部電極134′をチャンバ10を介して接地するようにし、下部電極であるサセプタ16に高周波電源110を接続し、この高周波電源110からプラズマ形成用の例えば13.56MHzの高周波電力を印加するタイプのプラズマエッチング装置であっても適用することができ、この場合には、図示のように下部電極であるサセプタ16に可変直流電源112を接続して所定の直流電圧を印加することにより、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。さらにまた、図15に示すように、図14の下部電極に接続された可変直流電源112の代わりに上部電極134′に接続された可変直流電源114を設けてもよい。上記実施形態では、本発明をプラズマエッチングに適用した場合について示したが、これに限らず、スパッタリングやプラズマCVD等、他のプラズマ処理に適用できることは言うまでもない。また、被処理基板も半導体ウエハに限らず、LCD用のガラス基板等、他の基板に対しても適用することができる。"