"平板状のステム部と、前記ステム部の表面から起立する形状のサブマウント部と、を有し、前記サブマウント部の側面に、非冷却型半導体レーザと、一端が前記非冷却型半導体レーザと接続される抵抗素子と、一端が接地される容量素子と、が直列接続されて構成される終端抵抗回路と、が設けられた基板を有することを特徴とする光送信モジュール。請求項1に記載の光送信モジュールにおいて、前記ステム部の表面は直径が5.6mm以下の円形状であることを特徴とする光送信モジュール。最近ではより小型化と低消費電力化の要求がより高まってきており、最新の10Gbit/s光送受信モジュールのMSAであるSFPで要求されるTOSAサイズは同軸型の場合、φ5.6mm、全長15mm程度、消費電力は1.5W程度である。これらの要求のいずれについても、上記従来技術では満たすことが出来ない。一般的に電波吸収型光変調器付半導体レーザを使用する場合、温調機能をもつ部品たとえばペルチェクーラ等の部品上に電波吸収型光変調器付半導体レーザを搭載するのが一般的である。しかしながらペルチェクーラは消費電力が大きく、ペルチェクーラを搭載した場合、SFPで要求される消費電力を達成することができない。また、ペルチェクーラを搭載する場合、搭載部分の金属ステムに通電用のピンが配置してあるがそれらに干渉しないよう搭載せねばならないためTOSA内部の部品搭載空間が圧迫される。そのため終端抵抗回路の容量素子等は、光送信モジュールに搭載できない。また、ペルチェクーラを使用する場合、ペルチェクーラを搭載している部分のここでは金属ステムのベース部分放熱特性を、ペルチェクーラを搭載しない場合に比べ十分に得ねばならない。十分な放熱特性を得られなければ、ペルチェクーラが過剰に冷却または過剰に過熱を実行するためその分消費電力が大きくなってしまう。十分な放熱特性を得るためには放熱部分の面積を大きくすることが効果的であるが、放熱部分の面積を大きくするとペルチェクーラを搭載している金属ステムのベース部分の厚みが増大する。よって同軸型TOSAの全長が長くなってしまい小型化を阻害する要因となっている。本発明の目的の1つは、小型かつ外部素子の削減が可能な光送信モジュールを提供することにある。上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、平板状のステム部と、前記ステム部の表面から起立する形状のサブマウント部と、を有し、前記サブマウント部の側面に、非冷却型半導体レーザと、一端が前記非冷却型半導体レーザと接続される抵抗素子と、一端が接地される容量素子と、が直列接続されて構成される終端抵抗回路と、が設けられた基板を有することを特徴とする光送信モジュールである。また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の光送信モジュールにおいて、前記ステム部の表面は直径が5.6mm以下の円形状であることを特徴とする光送信モジュールである。本発明によれば、半導体光変調器付半導体レーザとして非冷却型半導体レーザを設けたことによりペルチェクーラが不要になり、ペルチェクーラを搭載する部品の放熱性を考慮しなくてよく、小型化が実現される。また、ペルチェクーラを設けないことで低消費電力も実現される。さらに、金属ステム上に光変調器を集積した発光素子と、その終端抵抗回路である抵抗素子を、ペルチェクーラ等を搭載しない非冷却構造にて実装することにより、金属ステムの部品搭載部分の拡充が出来る。非冷却構造にて実装することにより、金属ステムの部品搭載部分の拡充部を利用することで発光素子、および終端抵抗回路の抵抗素子、容量素子を一直線に備えることが出来、より小型で低消費電力化を達成した光送信器を得ることが出来る。図1は、本実施形態に係る光送信モジュール100の構成を示す図である。光送信モジュール100は、平板状のステム部である金属ステム101、ステムガイド102、ホルダ103、レセプタクル104、およびフレキシブル基板105を備えて構成されている。図2および3は、本実施形態に係る光送信モジュール100の内部の構成を示す図である。光送信モジュール100は、さらにレンズキャップ106、サブマウント部107、中継基板108、非冷却型半導体レーザである半導体レーザ109、半導体レーザ搭載用基板110、モニタフォトダイオードMPD111、薄膜抵抗112、および容量素子113を有する。図2は、図1に示される光送信モジュール100において、ステムガイド102、ホルダ103、およびレセプタクル104を外した状態を示す図である。また図3は、図2に示される状態において、さらにレンズキャップ106を外した状態を示す図である。サブマウント部107は、金属ステム101の表面から起立した形状を有し、その側面に半導体レーザ搭載用基板110等が設けられる部材であり、金属ステム101と一体、もしくは別体で形成される。金属ステム101には通電用のピンが配置されている。通電用のピンは各部品と図示しないワイヤボンディングで必要に応じて接続されている。また、高周波の伝送線路が形成された中継基板108、半導体レーザ109、半導体レーザ搭載用基板110、および半導体レーザ109の後方光出力をモニタするモニタフォトダイオード111が、サブマウント部107の側面に配置されている。また薄膜抵抗112は、終端抵抗回路を構成する抵抗であり、半導体レーザ搭載用基板110上に配置されている。これらは、小型化要求から来る制限により搭載位置が限定される。なお、SFP用TOSAに要求されるTOSAサイズは同軸型TOSAの場合、概ねφ5.6mm長さ15mm程度以内に収めなければならない。φ5.6mmは部品搭載の基準となる金属ステム101の直径にて決定されている。長さ15mmは構成として以下の3部分に分けられる。A:金属ステム101のベース、B:レセプタクル104、C:A,Bを差し引いた部分Aの金属ステム101のベース部分は放熱性を考慮し、冷却用にペルチェクーラを使用する場合より薄い1.2mmとしている。Bのレセプタクル104の部分については、レセプタクルの規格に基づき、その寸法は7.85mmである。Cは全長15mmよりA,Bを差し引いた寸法であるため、概ね6mm程度となる。よって、C部を構成する部品は6mm程度にて最大の特性を引き出せる部品搭載位置に配置される。本実施形態ではC部を6mm程度にするため金属ステム101-レンズキャップ106のレンズ入射面間を1.7mm、半導体レーザ109―レンズキャップ106のレンズ入射面間を0.4mmとした。上記を決定すると金属ステム101-半導体レーザ109間の寸法が決まる。本実施例では1.3mmである。またサブマウント部107の幅は、ペルチェクーラが設けられた従来の構成では、サブマウント部107はペルチェクーラ上に設けられていたために金属ステム101よりも幅が狭いペルチェクーラの幅以下であることが求められていたのに対し、本実施形態では半導体レーザ109が非冷却型半導体レーザであることによりペルチェクーラが設けられないため、金属ステム101の幅以下であればよく、その結果、2.8mmとすることが出来た。半導体レーザ109の搭載位置はTOSA全体をφ5.6mmにするため金属ステム101の部品等細部中央に配置される。また、半導体レーザ搭載用基板110上にある終端抵抗回路を形成する薄膜抵抗112は十分な高周波特性を得るため半導体レーザ109と近接に配置し、抵抗値は50オームとする。また、バイアス電圧の印加による不必要な直流電流を除去する容量素子113を金属ステム上に搭載し、容量値は0.01uFとした。ペルチェクーラ等を用いない非冷却構造としているため容量素子113の搭載スペースを問題なく確保することが出来る。光送信モジュール100を上記の構成とすることで、TOSAの小型化と、薄膜抵抗112および容量素子113を有する終端抵抗回路の搭載スペースの確保が実現される。"