"音響エネルギーを発生するための、MEMSおよび/またはNEMSタイプ、またはcMUTタイプのデバイスであって、前記デバイスの平面と称される、平面xy内に延在する、少なくとも第1の層または第1の基板100内に作られた、少なくとも1つの第1の変形可能なキャビティ20、20’、20’’、20’’’であって、少なくとも1つの移動可能な、または変形可能な側壁25、25’、25’’、25’’’、および手段21、210によって画成され、前記第1のキャビティ内で発生する、少なくとも1つの圧力または負圧または不完全真空パルスを外気に伝達するための、少なくとも1つの第1の変形可能なキャビティ20、20’、20’’、20’’’と、前記移動可能な、または変形可能な壁もしくは膜の、センサーの平面内の、変位もしくは変形を引き起こすための手段24、24’、241、24’1、24a、24’a、241a、24’1a、66、66’とを備えるデバイス。前記第1のキャビティと部分的に連通する、少なくとも1つの二次キャビティ、または緩衝キャビティ28、28’、28’’をさらに備える請求項1に記載のデバイス。少なくとも1つの二次キャビティが、前記デバイスの平面に平行な平面内で延在する、第2の基板101、102の平面内に形成され、前記第2の基板は前記第1の基板と異なるか、または前記少なくとも1つの二次キャビティは前記第1の基板の平面内に形成される請求項2に記載のデバイス。前記二次キャビティは、前記デバイスの平面に平行な平面内で延在する、第2の基板101、102の平面内に形成され、前記第2の基板は前記第1の基板と異なり、前記第2の基板102は前記第1のキャビティを外気と連通させるための手段21、210を備えるか、または前記第2の基板101は、前記デバイスの平面に平行な、前記第1の基板の片面に配置され、第3の基板102が、前記デバイスの平面に平行な、前記第1の基板の反対側の面に配置され、この第3の基板は前記第1のキャビティ内に発生する少なくとも1つの圧力または負圧または不完全真空パルスを外気へ伝達するための手段21、210を備える請求項3に記載のデバイス。作動手段は、例えばバイモルフもしくは非対称効果による、容量型手段または熱励起型手段を備える請求項1から4のいずれか一項に記載のデバイス。それ自体が前記センサーの平面内で移動可能な第1のコーム、および静止している第2のコームを備え、前記第1のコームの歯と前記第2のコームの歯とが交互に並ぶ、少なくとも1つの第1の一組の静電コームと前記静止しているコームに関して前記移動可能なコームを移動させる作動電圧を印加するための手段26、26’、30、30’,32とを備える容量性手段を具備する請求項5に記載のデバイス。前記第1の基板100の平面内の前記第1の変形可能なキャビティのいずれかの側に配置され、前記移動可能な、または変形可能な壁を2つの反対の方向に作動させることを可能にする、第1の活性化手段24、24’と第2の活性化手段241、24’1とを備える請求項1から6のいずれか一項に記載のデバイス。前記移動可能な、または変形可能な壁の変位もしくは変形を引き起こすための前記手段24、24’、241、24’1、24a、24’a、241a、24’1aは、前記壁に実質的に垂直な第1の方向に少なくとも第1の力を発生させるための手段24、24’、241、24’1と、前記第1の方向に実質的に垂直な第2の方向に少なくとも第2の力を発生させるための手段24a、24’a、241a、24’1aと、前記第2の力を前記第1の方向にそった力に変換するための手段41a、41b、41c、41dとを備える請求項1から7のいずれか一項に記載のデバイス。第2の一組の容量性コームであって、前記第1の一組の容量性コームおよび前記第2の一組の容量性コームが前記第1の基板100の平面内の前記第1の変形可能なキャビティのいずれかの側に配置され、それぞれが前記第1の方向に移動することができるコームを備える、第2の一組の容量性コームと、前記第1の基板100の平面内にもある、1つの移動可能なコームが前記第1の方向に垂直な方向に移動することができる、少なくとも第3の一組の容量性コームとを備える請求項6に記載のデバイス。複数の第1の平行な変形可能なキャビティ20、20’、20’’、20’’’を備え、それらのキャビティのうちの少なくとも2つのキャビティは共有活性化手段を有する請求項1から9のいずれか一項に記載のデバイス。外気において、前記第1のキャビティ内で発生する、少なくとも1つの圧力または負圧または不完全真空パルスを伝達するための前記手段21は、それぞれの変形可能なキャビティ20、20’、20’’、20’’’に対する単一の開口部21、または前記変形可能なキャビティ上に配置されるか、またはそれと反対側に配置された膜281を備える請求項1から9のいずれか一項に記載のデバイス。少なくとも1つの移動可能な、または変形可能な壁は2つの側端部を備え、その2つの側端部のところに埋め込まれるか、または固定されるか、または剛性を有し、その2つの側端部のところに変形可能な素子253、255によって保持されるか、または剛性を有し、平行移動可能である請求項1から11のいずれか一項に記載のデバイス。音響エネルギーを発生するための、MEMSおよび/またはNEMSタイプ、またはcMUTタイプのデバイスであって、前記デバイスの平面と称される、平面xy内に延在する、少なくとも第1の層または第1の基板内に作られた、少なくとも1つの第1の変形可能なキャビティであって、少なくとも1つの移動可能な、または変形可能な側壁、および少なくとも1つの開口部によって画成され、前記第1のキャビティ内で発生する、少なくとも1つの圧力または負圧または不完全真空パルスを外気に伝達するための、少なくとも1つの第1の変形可能なキャビティと、前記移動可能な、または変形可能な壁もしくは膜の、センサーの平面内の、変位もしくは変形を発生するためのアクチュエータとを備えるデバイス。音響エネルギーを発生するための、例えばMEMSおよび/またはNEMSタイプ、またはcMUTタイプのデバイスを製作するための方法であって、以下の順序または別の順序で、少なくとも1つの移動可能な、または変形可能な側壁25、25’、25’’、25’’’によって画成される、外気を受け入れるための少なくとも1つの第1の変形可能なキャビティ20、20’、20’’、20’’’を、前記デバイスの平面と称される、平面xy内で延在する、少なくとも第1の層または第1の基板100内で形成するステップと、前記デバイスの平面内の前記移動可能な、または変形可能な側壁の変位もしくは変形を引き起こすための手段24、24’、241、24’1、24a、24’a、241a、24’1a、66、66’を製作するステップと、前記第1のキャビティを外気と連通させるための手段21を製作するステップとを含む方法。前記第1のキャビティと部分的に連通する、少なくとも1つの二次キャビティ28、28、28、180または緩衝キャビティを形成するステップをさらに含む請求項14に記載の方法。少なくとも1つの二次キャビティが、前記デバイスの平面に平行な平面内で延在する、第2の基板の平面内に形成され、前記第2の基板は前記第1の基板と異なるか、または前記第1の基板の平面内に形成される請求項15に記載の方法。前記第1の基板および前記第2の基板は、誘電体層103を介して組み立てられ、これによりSOI基板を形成することができる請求項16に記載の方法。前記デバイスの平面に平行な平面内で延在する、第3の基板とともに第1の基板を組み立てて、前記第1のキャビティを外気と連通させるための前記手段21を形成するステップを含む請求項17に記載の方法。前記移動可能な、または変形可能な壁の変位もしくは変形を引き起こすための前記手段24、24’、241、24’1、24a、24’a、241a、24’1a、66、66’は、少なくとも部分的に前記第1の基板内に形成される請求項14から18のいずれか一項に記載の方法。本発明は、まず最初に、例えば音響エネルギーを発生するためのMEMSおよび/またはNEMSタイプ、またはcMUTタイプのデバイスに関係し、これは、-センサーの平面と称される、第1の基板内に形成された少なくとも1つの第1の変形可能なキャビティであって、このキャビティは少なくとも1つの移動可能な、または変形可能な壁もしくは膜、および外気中で、少なくとも1つの圧力または負圧または不完全真空パルスを伝達するために、第1のキャビティ内に形成された手段、または第1のキャビティを外気に連通させるための手段によって画成されるキャビティと、-前記移動可能な、または変形可能な壁もしくは膜の、センサーの平面内の、変位もしくは変形を引き起こすための手段とを備える。したがって、本発明は、例えばMEMSタイプおよび/またはNEMSタイプの発生器構造に関するものであり、移動可能な、または変形可能な壁もしくは膜は、最新技術から知られている構造内の場合のように、基板の平面内において移動するが、平面を外れては移動しない。本発明によれば、例えば容量性または熱励起型の作動もしくは励起部分は、移動可能な、または変形可能な壁もしくは膜から無相関である。したがって、これら2つの部分を個別に最適化することが可能である。したがって、本発明により、それぞれがその移動可能な、または変形可能な壁の剛性に適合されたアクチュエータを有する2つまたはそれ以上のデバイス構造を実装することが可能である。作動手段を使用して、移動可能な、または変形可能な壁もしくは膜の変位または変形を、両方向に作動させることができる圧力および真空。本発明によるデバイスは、第1のキャビティと部分的に連通する、少なくとも1つの二次キャビティ、または緩衝キャビティも備えることもできる。第1のキャビティ内の圧力および移動可能な、または変形可能な壁の位置に関係なく、第1のキャビティは第2のキャビティと直接的には連通しないが、間接的連通は、例えば第1の基板と第2の基板との間の、および/または第1の基板と第3の基板との間の1つまたは複数の空間空隙を介して、例えばここでもまた、壁または変形可能な膜のいくつかのエッジにおいて、それにもかかわらず存在する。この第2のキャビティにより、壁または膜が作動したときに、センサーの平面内の圧力発生手段の移動もしくは変位の過剰な減衰を防ぐことが可能になる。より具体的には、空隙は、移動可能な部分と静止部分との間の小さな空間であってよい。これは、例えば、基板と移動可能な、または変形可能な部分との間、または移動可能な、または変形可能な部分と上側基板との間に配置される。そのインピーダンス損失機能とは別に、この空間により、移動可能な、または変更可能な部分を平面内で移動させることができる。ここでもまた、この第2のキャビティは、背室容積back-volumeと称されるものを形成し、作動または励起手段を形成する部分から分離して最適化されうる。この第2のキャビティがあるため、この背室容積内のガス圧縮効果、圧力発生器の有効性を制限することになる圧縮、を制限することによって移動可能な、または変形可能な壁もしくは膜の減衰を制限することが可能である。その目的は、実際には、第1のキャビティ内に過度の圧力または負圧もしくは不完全真空を発生させるが、そのキャビティの外では発生させない特に背室容積内では発生させないことである。少なくとも1つの二次キャビティは、第1の基板と異なる第2の基板の平面内に形成されうるか、または第1の基板の平面内に形成されうる。二次キャビティが、第1の基板と異なる、第2の基板の平面内に形成される場合、-第2の基板は、少なくとも1つの圧力または真空パルスを伝達するための手段、および/または第1のキャビティを外気と連通させるための手段も備えることができ、言い換えると、第2のキャビティおよび少なくとも1つの圧力または真空パルスを外気へ伝達させるか、または第1のキャビティを外気と連通させるための手段は、第1の基板とともに組み立てられうる、同じ第2の基板内に形成することができ、その場合、これは好ましくは閉じられており、その閉じる操作は膜によって行うことができるか、-または、第2の基板は、第1の基板の片面に配置することができ、第3の基板が第1の基板の反対側の面に配置され、この第3の基板は第1のキャビティを外気に連通させるための手段および/または第1のキャビティ内に発生する少なくとも1つの圧力または負圧または不完全真空パルスを外気へ伝達するための手段を備える。言い換えると、あるいは、第2の基板は、第1の基板の片面に配置され、第3の基板が第1の基板の反対側の面に配置され、この第3の基板は少なくとも1つの圧力または負圧または不完全真空パルスを伝達するか、または第1のキャビティを外気と連通させるための手段を有する。次いで、第1の基板を第2の基板と第3の基板との間に配置することができる。少なくとも第2のキャビティは、開いているか、または閉じているものとしてよく、またこれはデバイスの上側または下側に形成することができるが、第1のキャビティと同じ側では、開いていないか、または外気と連通していない。閉じている場合、その閉じる操作は柔軟膜によって行うことができる。この第2のキャビティが閉じられた場合、その容積は、好ましくは、背室容積の役割を完全に果たせる十分な大きさである典型的にはその容積は第1のキャビティの容積の10倍大きい。この場合、この第2の閉じたキャビティは、第1のキャビティまたは前記第1のキャビティが形成されている第1の基板の一方の側または他方の側に配置されうる。本発明により、圧力パルスと真空パルスの両方に対し、移動可能な、または変形可能な壁もしくは膜の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジを監視することが可能になる。作動手段は、例えばバイモルフもしくは非対称効果による、容量型手段または熱励起型手段を備えることができる。作動が、表面変化によって、または作動の場合には熱効果によって、静電気的に行われるときに、本発明は、印加電圧の関数として変化する非線形膜の変形振幅の問題を解決する。これは、それぞれの圧力または負圧または不完全真空パルスの立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの効果的な監視にも寄与する。容量性手段を作動手段とすることで、良好な応答線形性例えば、作動手段に印加される電圧と膜の変位振幅との比によって測定されるを有することが可能になり、したがって、キャビティ内に引き起こされる圧力パルスの形状を容易に監視することができる。容量性手段は、それ自体がセンサーの平面内で移動可能な第1のコーム、および静止している第2のコームを備え、第1のコームの歯と第2のコームの歯とが交互に並ぶ、少なくとも1つの第1の一組の静電コームelectrostaticcombsおよび静止しているコームに関して移動可能なコームを移動させる活性化電圧を印加するための手段を備えることができる。本発明によるデバイスは、第1の基板の平面内の第1の変形可能なキャビティのいずれかの側に配置されている、第1の活性化手段および第2の活性化手段を備えることができる。これら2組の手段により、移動可能な、または変形可能な壁を2つの反対方向に作動させることが可能である。本発明の他の実施形態では、移動可能な、または変形可能な壁の変位または変形を引き起こすための手段は、-前記壁に実質的に垂直な第1の方向に少なくとも第1の力を発生させるための手段と、-第1の方向に実質的に垂直な第2の方向に少なくとも第2の力を発生させるための手段と、-前記第2の力を前記第1の方向にそった力に変換するための手段とを備える。言い換えると、本発明によるデバイスは、変形可能なキャビティの周りのデバイスの平面内に配置された複数の作動アセンブリを備えることができる。したがって、より複雑なスキームに従って、例えば、他の作動アセンブリが変形可能なキャビティの負圧もしくは不完全真空下で動作する間、変形可能なキャビティの圧縮において動作する作動アセンブリにより移動可能な、または変形可能な壁の活性化を達成することが可能である。そこで、容量性作動の場合、本発明によるデバイスは、-第2の一組の容量性コームであって、第1の一組の容量性コームおよび第2の一組の容量性コームが第1の基板100の平面内の第1の変形可能なキャビティのいずれかの側に配置され、それぞれが第1の方向に移動することができるコームを備える、第2の一組の容量性コームと、-第1の基板の平面内にもある、1つの移動可能なコームが第1の方向に垂直な方向に移動することができる、少なくとも第3の一組の容量性コームとを備えることができる。本発明によるデバイスは、複数の第1の変形可能なキャビティを備えることができ、それらのキャビティのうちの少なくとも2つのキャビティは共有作動手段を有する。外気において、第1のキャビティ内で生成される、少なくとも1つの圧力または負圧または不完全真空パルスを伝達するか、または第1のキャビティを外気と連通させるための手段は、例えばそれぞれの変形可能なキャビティの反対側に配置されたそれぞれの変形可能なキャビティに対する単一の開口部、または前記変形可能なキャビティ上に配置されるか、またはそれと反対側に配置された膜を備えることができる。好ましい一実施形態によれば、少なくとも1つの移動可能な、または変形可能な壁は、2つの側端部を備え、その2つの側端部のところに埋め込まれるか、または固定される。あるいは、これは剛性を有し、その2つの側端部のところに変形可能な素子によって保持される。本発明によるデバイスは、第1の面前面と称されるまたは第2の面後面と称される上に、電気接点を形成する手段も備えることができる。本発明は、例えば音響エネルギーを発生するためのMEMSおよび/またはNEMSタイプのデバイスを製作するための方法にも関係し、これは、-少なくとも1つの移動可能な、または変形可能な壁によって画成される、外気を受け入れるための少なくとも1つの第1の変形可能なキャビティを、デバイスの平面と称される、平面を画定する第1の基板内で、形成することと、-デバイスの平面内で前記移動可能な、または変形可能な壁の変位または変形を引き起こすための手段を製作することと、-第1のキャビティ内に発生する、少なくとも1つの圧力または負圧または不完全真空パルスを外気に伝達するか、または第1のキャビティを外気と連通させるための手段を製作することとを含む。本発明による方法は、第1のキャビティと部分的に連通する、背室容積と称される少なくとも1つの二次キャビティ、または緩衝キャビティを、少なくとも部分的には第2の基板内に、形成することも含みうる。少なくとも1つの二次キャビティが、すでに上で説明されているように、第1の基板と異なる、第2の基板の平面内に形成されうる。誘電体層を介して第1の基板および第2の基板を組み立ててSOI基板を形成することができる。本発明による方法は、第1の基板を第3の基板とともに組み立てることを含むことができる。第1のキャビティ内に発生する、少なくとも1つの圧力または負圧または不完全真空パルスを外気に伝達するか、または第1のキャビティを外気と連通させるための手段をその中に作り込むことができる。好ましくは、励起手段または検出手段を少なくとも部分的には第1の基板内に形成する。本発明を使用すれば、オリジナルのラウドスピーカー構造、またはデジタルラウドスピーカー、またはcMUT構造を製作することが可能になり、この場合、圧力パルスまたはスピークレットspeakletを発生するアクチュエータ手段はもはや基板の平面の外側で移動せず、平面内で移動する。この構成には多くの利点があり、そのうち最も重要なのは、圧力および負圧または不完全真空パルスの両方を発生することが可能である点でありラウドスピーカーの場合、圧力または負圧または不完全真空を発生するための類似の手段を使用し、これにより、同じ圧力または負圧または不完全真空レベルを有することが可能であるか、または高圧レベルを発生することができるcMUTの場合。本発明は、他にもいくつかの利点を有し、例えば、-キャビティ内に生じた圧力により構造全体を変位させることができる埋め込まれている膜については当てはまらない。実際、最新技術では、全周囲にわたって埋め込まれている膜によって圧力を発生する。この実施形態の付近では、膜は実際には変形せず、したがって、圧力の発生には実際には関わらない。本発明において、梁または壁は、その両端に埋め込まれるだけである。この変形可能な素子のより大きな部分が、結果として、圧力の発生に寄与する。したがって、同等の膜表面でありながら効果が得られる。したがって、本発明により、圧力パルス発生効果を高めることが可能であり、-本発明は、プルインのリスクを未然に防ぐ。表面変化による静電励起の場合、壁の変位量は、容量性コームのアーマチュア間の電圧に比例する。システムを不安定にし、構造の付着および/または静電アクチュエータの短絡を引き起こす可能性がある非線形効果は本発明によって防止される。本発明による構造の第1の例は、図2Aに示されており、これはある平面にそった断面図であり、その輪郭線AA’は図2B上面図に示されている。この構造により、圧力または負圧または不完全真空パルスを発生することが可能である。これ以降、基板100、101、102について言及する場合、これは層として理解してもよい。その結果、これら3つの素子に対し、これらの用語は両方とも入れ替えて使用することもできる。本発明による構造は、互いに重ね合わされ、組み立てられている2または3つの基板100、101、102図2Aの場合は3つの基板を使用する内に形成することができ、基板100は基板101と基板102との間に配置される。基板100、102のそれぞれは、例えば数μmから数十μmまで、例えば1μmまたは5μmから10μmまたは50μmまでの範囲の厚さを有する。基板101は、例えば数十μmから数百μmまで、例えば100μmまたは500μmから1000μmまでの範囲、例えば、750μmに実質的に近い厚さを有する。これらの寸法は、後述のデバイスのすべてに対して使用することができる。これらの基板のそれぞれは、平面xy内に延在し、z軸はx、y軸のそれぞれに垂直である。このz軸に沿って測定したそれぞれの基板の厚さは、いくつかの場合において、デバイスの側方延長部の前、つまり、平面xy内で測定したデバイスの寸法pおよびlの前では小さいか、または非常に小さいものとしてよく、px軸に沿って測定したは、例えば、100μmから1mmまでの範囲内であり、ly軸に沿って測定したは、例えば、数百マイクロメートル程度、例えば、100μmから500μmまたは1mmまでの範囲内である。基板は、半導体材料からそれぞれ製作することができる例えば、シリコンまたはSiGeから作られる。これらは、後述のような移動性を有するゾーン内を除き、2つの基板の界面のところで、例えば、酸化ケイ素の層など、接着に都合のよい1つまたは複数の層を介して、接着ゾーンによって互いに接続される。これ以降、平面xyは、デバイスの平面と称する。この構造は、以下に示す他の実施形態において見られる。本発明のこれらの態様は、後述のデバイスのすべてに対して使用されうる。これ以降、デバイスの下側部分または下側は、基板101に面する部分であり、デバイスの上側部分または上側は、基板102に向かう、その反対側に面する部分である。デバイスは、最初に、上側部分内に開口部を備える、基板100内に形成されたキャビティ20を具備する。開口部21は、基板100の開口部と連通しており、基板102内にも形成される。これにより、周囲の外気へ、キャビティ20内で生じる圧力または負圧または不完全真空パルスを伝達することが可能である。あるいはその例は以下に示される、この開口部は、例えば、キャビティ20内に、ほこりなどの異物が入り込むのを制限するために、グリッドを形成する複数のオリフィスを備える。したがって、これは、フィルターとしても働きうる。またあるいは、キャビティは、図7Aにされている膜281などの、柔軟膜によって閉じられる。基板100の平面内で、キャビティ20は、側壁23、231、232、25によって画成され、そのうちの一部壁23、231、232は静止しており、残りのうちの少なくとも1つここでは壁または膜25はデバイスの平面xy内で移動可能であるか、または変形可能である。図2Aおよび2Bに示されている例では、キャビティ20は、デバイスの平面内で矩形であるが、他の形状にすることもできる。アーム40が通過する、図2Bの壁23’がない構造も、本発明の背景状況において形成することができる。実施形態が以下で説明される作動手段24の影響下で、移動可能な壁もしくは膜25は、平面xy内で変位されるか、または変形される。示されている例では、移動可能な壁25の端部は、2つの静止している壁231、232に固定され、したがって、静止している壁23’のうちの1つを通るアーム40を介して、作動手段の影響下で生じるのは、移動可能な壁のここでの変形である。したがって、壁は、ここでは、埋め込み-埋め込み型である、つまり、その側端部の両方が、デバイスの静止部分内に埋め込まれる。この壁は、ほぼ以下の幾何学的特性を有するものとしてよい。-高さz軸に沿って測定した:基板100の厚さに実質的に等しい、したがって、数十μmから数百μmまでの範囲内であるが、いくつかの実施形態では、数μmから数十μmまでの範囲内例えば、5μmから50μmまでの範囲内とすることができる。-幅y軸に沿って測定した:例えば、0.5μmから10μmまでの範囲内であり、この幅は、壁25が作動手段24の影響下で作動に対する望ましい感度を有するのに十分小さい。-長さx軸に沿って測定した:例えば、100μmから1mmまでの範囲内である。あるいは、移動可能な壁は、図4Aおよび4Bに関して、以下に示すタイプのものとしてよい。そこで、これは、圧力の影響下で移動する剛性のある主要部分を備え、少なくとも1つまたは2つの側方部分253、255はそれぞれバネを形成し、静止している部分と変形可能な部分を接続する。この実施形態では、以下の実施形態と同様に、提示されたばかりの、またはこの文章の続きの中に提示される、異なるタイプの変形可能な壁もしくは膜のうちの一方または他方を使用することが可能である。あるいは、いくつかのキャビティを構造100内に形成することができ、その例については後の方で示す。したがって、作動手段24は、静止しているかもしくは接続されているか、またはより一般的には、これらの移動可能な壁に関連付けられており、この手段はここでは静電励起手段の形態、より具体的には容量性コームの形態を取る。これらの容量性コームは、以下で説明する、特定の構成に従って配置され、コームの移動可能な部分はy軸とコームの歯の延在方向に沿って変位する。しかし、コームの歯の延在方向がx軸に沿っているおよびコームの部分がy軸に沿って移動する、図10の構成など、他の構成も可能である。ここでは、表面変化による静電励起を取りあげるが、代替として、空隙変化による静電励起を行わせることも可能である。この代替的形態の例は、図11に示されており、そこでは、空隙の分配は、例えば、1/3~2/3で行われ、静止しているコームの2つの歯の間の空隙はdであり、アイドル状態であれば、移動可能なコームの歯は、静止しているコームの2つの歯の間にあり、移動可能なコームの歯と静止しているコームのこれら2つの歯のうちの一方との間の距離は、d1距離dの約1/3に等しいであり、移動可能なコームの同じ歯と静止しているコームのこれら2つの歯のうちの他方との間の距離は、d2距離dの約2/3に等しいである。この場合のコームの歯は、変形可能な膜またはピストンの変位の方向に垂直である。またあるいは、この手段は、熱効果によって動作する手段を含むこともでき、その例を以下にさらに示す。作動手段の性質と関係なく、後で説明するように、キャビティのいずれかの側に配置されている、少なくとも二組の作動手段によって作動させることができる。これは、特に、キャビティ20が2つの移動可能な、または変形可能な壁を備える場合、または移動可能な壁をいずれかの方向に作動させつまり、圧力または負圧または不完全真空波を発生することができるようにしたい場合である。手段24は、物理的パラメータを変化させることによって活性化し、これにより、キャビティ20の容積の変化を引き起こすことが可能である。したがって、これは、この物理的パラメータの変化、ここでは、結果として容量変化をもたらす電圧変化、したがって2つのコームの相対的移動を引き起こすことを可能にする手段26に関連付けられうる。この結果、壁25の対応する変位もしくは変形、または容積20の対応する変化が生じる。この例では、以下の例と同様に、キャビティ20および手段24が中間基板100内に形成される。本発明によるデバイスは、静止部分、つまりその位置が作動手段の影響下で発展しない部分、および移動可能な部分、つまり、その位置が作動手段の影響下で発展するか、または修正される部分を備える。移動可能な部分は、静止部分に接続される。手段例えば、アーム56、58などの1つまたは複数のアーム、または移動可能なもしくは変形可能な壁25それ自体または壁の端部253、255図4Bの場合の弾性は、作動手段がその初期状態に戻るまたはもはや電力を供給されていないときに手段を壁に相対的に初期位置に戻すことを可能にすることができる。キャビティ20は、作動手段によってもたらされる変位を受ける。膜または壁25の一方の側は平均周囲圧力、例えば大気圧と接する。そのために、デバイスは、下側基板101内に形成される、少なくとも1つの下側二次キャビティ28、28’を備えることができる。このキャビティは、デバイスの下に開いている。あるいは、後でさらに詳しく説明するが、閉じた二次キャビティをデバイスの上または下に形成するが、そのときに好ましくは十分な容積を持たせその容積はキャビティ20の容積の少なくとも数倍、例えば、その容積の少なくとも5倍、例えば、そのキャビティ20の容積の10倍とすることができる、移動可能な、または変形可能な壁もしくは膜が過剰な減衰を生じることなく作動手段の影響下で移動できるようにすることが可能である。さらに他の代替的形態によれば、1つまたは複数の二次キャビティ28、28’は、側部が開いていてもよくまたは閉じられていてもよく、例えば、このタイプの少なくとも1つのキャビティを中間基板100内に形成する。側方キャビティの例が図2C、12A~12Bに示されている。デバイス内の形状および位置に関係なく、この二次キャビティは、背室容積という表現でも指示される。これは、図2Aおよび2Bにおいて、また他の例示されている実施形態の大半において、キャビティ20および手段24と異なる平面または基板101または102内に置かれている。しかし、図2C、16A~16Bの場合、これは、主キャビティ20と同じ基板内に形成されている。本発明の例では、この二次キャビティは、キャビティ20に関してその自平面内で、オフセットされる。言い換えると、主キャビティ20の、基板101の平面内における、突出部と二次キャビティ28の輪郭との間に交差はないということである。しかし、壁25の上側部分250および/または下側部分25’0および基板101の上側表面101’および基板102の下側表面102’の間にかなり小さい空間が保持されるので、これら2つのキャビティ間に、またはより一般的には、主キャビティといくつかの二次キャビティのうちの少なくとも1つとの間に連通もある。そのため、2つのキャビティ20と28との間の漏れが確実にある。このようにして、また活性化手段の状態または位置および移動可能な壁の位置に関係なく、開口部21を介して外気と連通しているキャビティ20は、二次キャビティ28、28’のうちの1つとも連通する。これらの二次キャビティのうちの1つまたは複数により、膜の変位時にガスの圧縮効果を低減することが可能であるが、これは、そのような圧縮がデバイスの感度を低下させる傾向があるため、有利である。これらのキャビティは、減衰キャビティと称することもできる。したがって、変形可能なキャビティ20、および1つまたは複数の二次もしくは減衰キャビティ28、28’は、部分的に連通し、少なくとも壁または膜25によって部分的に隔てられ、それ自体作動手段の影響下で基板の平面内で移動するまたは変形することができる。デバイスは、接触ゾーン30、30’、32も備える。これらの接触ゾーンにより、手段26、26’を接続して作動手段を活性化することが可能になり、したがってキャビティ20内に負圧または不完全真空または圧力を引き起こすように適合された、好適な電圧変化を印加することが可能になる。ここでは、静電コームの形態の作動手段の例では、手段26、26’による電圧変化は、コームの変位を引き起こす。示されている例では、デバイスの前面に接点が配置される、つまり、基板102内に形成された開口部を通してそれらの接点にアクセスすることが可能であるか、またはその開口部内に接点を形成することができる。しかし、その代わりに、以下の例に示されているように、接点を後面に形成することも可能である。次に、上に提示した実施形態に対する作動手段として使用される容量性コーム24の構造の少し詳しい説明を行うことにする。実質的にy軸に沿って延在するアーム40を介して第1のコームを移動可能な壁25に接続する。移動可能なコーム24が、手段26によって印加された電圧Vの変動により、図2Bに示されている方向および実際には方向yに沿っても移動されたときに、壁25は、アーム40によって引かれ、アーム40それ自体はコームによって引かれる。ここで、このコンポーネントはアクチュエータとして使用され、センサーとしては使用されないことに留意されたい。したがって、アクチュエータの供給電圧は、壁もしくは膜25の過剰な変位を防ぐように適合されている。しかしながら、この壁もしくは膜25の変位を制限するか、またはデバイスに対する衝撃を吸収するようにストッパー43、43’を設けることが可能であるが、あるいは、それと同じ機能を実行するために、壁23’をストッパーとして使用することも可能である。コーム24は、互いに平行で、それぞれの歯が平面zy内に延在する、いくつかの歯を有する。これらの歯は、基板100内に形成される。これらはすべて、平面zyに実質的に垂直に配置された、アーム42に固定され、したがって、むしろ、x軸に沿い、アーム40に垂直である。空隙変化容量性作動の代替的形態については後で説明する。アーム42に実質的に平行なアームの形態でも作られている、デバイスの静止部分52も、コーム24’に固定されるか、または接続され、またコームそれ自体も互いに平行な一列の歯を有し、それぞれの歯も方向zyの平面内に配置されている。静止部分のこれらの歯も、基板100内に形成される。コーム24、24’の2列の歯は、コーム24のそれぞれの歯の一部潜在的に一列の歯の末端に配置されている歯を除くがコーム24’の2つの隣接する歯の間に配置されるという形で交互に並ぶ。そしてコーム24’のそれぞれの歯の一部潜在的に一列の歯の末端に配置されている歯を除くが、コーム24の2つの隣接する歯の間に配置される。それぞれの歯は、2μmまたは5μmから10μmまたは100μmまでの範囲の、x軸に沿って測定した厚さを有することができる。同じコームの2つの隣接する歯は、0.5μmまたは1μmから3μmまたは10μmまでの範囲の距離で隔てられている。2つのコームの歯は、導電性を有する。デバイスがアイドル状態である場合、また好適な電位差が2列の歯の間に確定された場合、一組の平行板コンデンサが形成される。電圧Vを変化させると、移動可能なコーム24の歯が静止しているコーム24’の歯に相対的に移動し、例えば、図2Bの矢印で示されている方向に移動し、したがって、アーム40が変位して、壁25の変位もしくは変形が生じる。図2Bの実施形態は、アーム42が、実際に、キャビティ20を画成する壁23、231、232、25を囲む3つの他のアームまたは側部44、46、48を備えるフレームの側部のうちの1つの側部を構成することを示している。したがって、電圧Vが変化することで移動可能なコーム24が変位したときに移動させられるのは、このフレーム全体である。アーム42の反対側にある、側部もしくはアーム48も、y軸に沿って配向されているアーム40’によって、移動可能なコーム241に接続することができ、したがって、この移動可能なコーム241も、その移動可能なコーム241に印加される電圧V’が変化すると、例えば、アーム40の方向と反対の方向に変位されうる。コーム241も、基板100内に形成される。その歯はすべて、平面zyに実質的に垂直に配置された、アーム42’に固定され、したがって、むしろ、x軸に沿い、アーム40’に垂直である。最後に、このコーム241には静止しているコーム24’1が付随し、その歯はデバイスの静止部分52’に固定され、移動可能なコーム24が静止しているコーム24’と連携するのと同様にしてコーム241はコーム42’1と連携する。これら2つのコーム241、24’1の歯の交互に並ぶ相対的配置構成は、2つのコーム24、24’について上ですでに説明されているものと類似しているか、または同一である。静止部分52’は、アーム42’に実質的に平行なアームの形態でも形成される。この静止部分52’に、互いに平行な1列の歯として配置されている、コーム24’の歯が固定もしくは接続され、それぞれの歯も方向zyの平面内に配置される。アーム52’および静止しているコーム24’1の歯も、基板100内に形成される。それぞれのコーム241、24’1のそれぞれの歯は、2μmまたは5μmから10μmまたは100μmまでの範囲の、x軸に沿って測定した厚さを有することができる。同じコームの2つの隣接する歯は、0.5μmまたは1μmから3μmまたは10μmまでの範囲の距離で隔てられている。2つのコーム241、24’1の歯は、導電性を有する。デバイスがアイドル状態の場合、および電圧V’の好適なゼロでない差が2つのコーム241、24’1の2列の歯の間に確定された場合、一組の平行板コンデンサが形成され、これら2つのコームは電圧V’の値に応じて互いに関して平衡位置を取る。電圧V’の変化により、移動可能なコーム241の歯が静止しているコーム24’1の歯に相対的に変位し、例えば、図2Bの矢印で示されている方向に変位し、したがって、アーム40’が変位し、アーム40、42、44、46、48、40’を介して、壁25の変位もしくは変形が生じる。このデバイスは、移動可能な、もしくは変形可能な壁の膜さらには検出手段が移動する平面xy内で、ガイド手段56、58も備えることができる。この手段は、ここでは、平面xz内で、それぞれ実質的に方向xに配置された少なくとも1つのアーム56、58の形態、例えば、2つのアームの形態を取るが、方向yの幅1μmから10μmまでの範囲とすることができるはその同じ方向xにおいて壁25の変位の結果生じる移動の際に十分な柔軟性をアームのそれぞれに持たせられるよう十分に小さい。アーム56は、図2Aに例示されているように、キャビティ20の周りに形成された移動可能なフレームの側部48と第2の移動可能なコーム241のアーム42’との間に配置されうる。デバイスの静止部分に機械的に接続されるので、基板100の平面内の移動可能な部分の変位を誘導すること、および励起する前に活性化手段がその初期状態に戻った後その移動可能な部分をその開始位置に戻すことが可能になる。y軸に平行な軸に関してアーム56と対称的なものとすることができる、またデバイスの静止部分34にも接続される、第2のアーム58を使用することで、移動可能な部分を誘導するこの機能を実行することも可能になる。アーム58は、アーム56と同じ幾何学的特性および弾性特性を有するものとしてよい。さらに、手段により、適当な電圧をデバイスの移動可能な部分に印加し、静電コームのそれぞれがその役割を果たすようにすることも可能である。電圧を印加するためのこの手段は、アーム56、58のうちの少なくとも一方を使用するか、または組み合わせることができる。例えば、アーム56は、所望の電圧を印加できる接触スタッド32の1つにそれ自体機械的に、かつ電気的に接続される。スタッド30、30’も、デバイスの他の静止部分、例えば、部分52、52’内に備えられる。デバイスが、上述のように、デバイスのそれぞれの側にコームの2つのシステムを備える場合、移動可能なコームのうちの1つを使用して、キャビティ20内に圧力パルスを発生させることができるが、他の移動可能なコームを使用して、その同じキャビティ20内に負圧もしくは不完全真空パルスを発生させることができる。供給電圧V、V’の一方および/または他方の影響下で、アクチュエータの一方および/または他方が基板の平面内に力を発生する。その結果生じる力が膜25を押すか、または引く。その膜の変位により、上側キャビティ20内に圧力または負圧もしくは不完全真空パルスを発生し、そのパルスは上側ベント21を介して放出される。コーム手段、キャビティ20の壁の周りにフレームを形成するアーム42、44、46、48、アーム40、40’が、同じ基板100内に形成される。上述の例は、コームの単一システムのみを含むものとしてよい。本発明によるデバイスの他の例を、以下に提示する。図3に示されている第2の例によれば、壁25は、変形可能ではないが、y軸に沿って平行移動することができる壁250で置き換えられる。この壁は、所望の圧力変化を発生させるために静止している壁23、231、232と連携するピストンを形成する突出部251も備えることができる。より正確に言うと、この突出部251は容積20を貫通し、これにより、その中に存在する大気の圧縮を発生しうる。ここでもまた、基板102の頂部に、またはその上に、またはその中に、接点がある。作動手段は、前記の例と同じものである。したがって、デバイスは、すでに上で説明されているのと同じ仕方で動作する。コームの第2のシステムの作動は、側部48および側部44、46を介して移動可能なフレームにも作用し、したがって、壁250およびピストン251にも作用する。この実施形態は、コームの単一システムと連携動作することも可能である。図4Aおよび4Bの側面図および上面図に第3の実施形態が示されている。図4Aは、平面にそった断面図であり、その輪郭A1A’1は図4B上面図内に見えている。図2A~2Bに関する相違は、接点301、30’1、321にあり、これらはここでは後面、つまり、基板101上または基板101内にある他の相違は、壁25の構造にある。壁25の構造は、バネを形成し、変形可能な2つの部分253、255をフレームとする剛性のある中心部を有するタイプである。作動手段の影響下で、剛性部分が移動し、部分253、255が変形する。これらの部分は、励起後に作動手段が初期状態に戻るときに、剛性部分も初期位置に戻す。これらの部分253、255は、剛性部分の端部にバネ接続部を形成する。ここでは、移動可能な部分のいわゆるピストン効果または移動がある。しかし、この実施形態では、前記の図に関連して上で提示されている変形可能な膜または壁形態を使用することも可能である。変形可能な壁図2A~2Cに示されているようなに対するピストン構造図3または図4A~4Bに示されているようなの利点は、ピストン構造により排出することが可能になる空気の量が壁の変位振幅に対してより著しいものであるという点である。しかし、図3の場合には、部分253、255がこの図のバネを形成するので、図4のピストン25上に存在しないピストン251の端部にインピーダンス損失が生じる。作動手段は、前記の例と同じものである。ガイドアーム56、58は、ここでは、移動可能なフレーム内に配置され、これにより、図2Bのアーム56および58のように、移動可能な壁、フレーム、およびコームによって形成されるアセンブリの移動を誘導することが可能になる。それらをフレームの内側に置くことで、コンパクトにすることが可能である。この代替的形態は、ここでは、後面上の電気接点特に接点321の占有により許容される。これは、図2A~2Cには当てはまらなかった。第4の例図5、上面図では、2つの変形可能な部材25、25’に加えられる容量性励起を使用する。キャビティ20の構造は、上記のものと異なるが、それは、2つの移動可能な、または変形可能な壁25、25’を備え、両方ともy軸に沿って移動もしくは変形できるように配置されているからである。移動可能な壁25、25’のそれぞれの端部は、2つの平行な静止している壁231、232に固定され、したがって、これは、これから生じる移動可能な壁の変形である。これらの移動可能な壁のそれぞれは、y軸に沿って測定された、デバイスの平面内の作動手段によって引き起こされる移動に対する所望の感度を持つように十分な厚さを有する。したがって、キャビティは、壁23’に平行で、壁231、232に垂直な静止している壁23’’を有し、この壁23’’には第2の移動可能な壁25とその一方が移動可能であり、他方が静止している少なくとも第2の一組のコーム241、24’1を接続するアーム40’を通すことができる開口部が設けられている。壁23’、23’’のないデバイスは、一般的には、発明の背景状況において形成され、キャビティは壁23、25’および静止している壁231、232によって閉じられている。このようにして、2つのアーム40、40’は、各組のコームに印加される電圧に応じて同じy軸に沿って移動する。電圧供給手段26、26’が同じ電圧をコームの両方のシステムに印加すると、2つの壁25、25’は互いから離れる方向に移動する。このようなデバイスは、二組のコーム24、24’または241、24’1のうちの一方のみおよび1つの変形可能な壁のみとともに作り、動作させることもできるが、図5の二組のコーム24、24’および241、24’1と比べて効率が劣る。この例では、デバイスは、追加の二組のコームも備え、それぞれx軸にそった変位を有する。それぞれは、上ですでに説明されているコームの例のように、静止しているコーム24’a、241aおよび移動可能なコーム24’1a、24aを備え、一方のコームの歯は他方のコームの歯と交互に並ぶ。それぞれの静止しているコームは、電圧供給手段26a、26’aの接続手段を形成する手段30a、30a’を含む、デバイスの静止している部分52a、52’aに接続される。このようなデバイスは、追加の二組のコーム24a、24’aまたは241a、24’1aのうちの一方のみとともに作り、動作させることもできるが、図5の追加の二組のコーム24a、24’aおよび241a、24’1aと比べて効率が劣る。これらの二組の追加のコームのそれぞれは、その歯が平面zx内に配置されるように、また移動可能なコームの移動がx軸に沿って生じるように、配置される。したがって、二組の追加のコームは、二組のコーム24、24’、241、24’1のz軸の周りの90°の回転によって形成されうる。このデバイスは、ここではキャビティ20を画成する静止している壁23の近くにある、静止している部分に接続される接続ラグ32も備える。二組の追加のコームと移動可能な壁25、25’とを接続するために、特定の結合手段41a、41b、41c、41dも備えられる。より具体的には、それぞれの追加の移動可能なコーム24a、24’1aについて、移動可能なコーム24a用のアーム41a、41b、および移動可能なコーム24’1a用のアーム41c、41dの2つのアームが一組用意される。アーム41a、41bのそれぞれは、移動可能なコーム24a、例えば、アーム42aの中点D、およびアーム40、40’のうちの一方のゾーン、例えば、-壁25の反対側にあり、アームの中点Cのところの、またはその中点Cの近くの、移動可能なコーム24のアーム42の近くに、またはそのアーム42上に配置されている、アーム40の端部、および-壁25’の反対側にあり、アーム42’の中点C’のところの、またはその中点C’の近くの、移動可能なコーム241のアーム42’の近くに、またはそのアーム42’上に配置されている、アーム40’の端部を接続する。アーム41c、41dのそれぞれは、移動可能なコーム24’1a、例えば、アーム42’aの中点D’、およびここでもまたアーム40、40’のうちの一方のゾーン、例えば、-壁25の反対側にあり、アーム42の中点C、またはその中点Cの近くの、移動可能なコーム24のアーム42の近くに、またはそのアーム42上に配置されている、アーム40の端部、および-壁25’の反対側にあり、アーム42’の中点C’のところの、またはその中点C’の近くの、移動可能なコーム241のアーム42’の近くに、またはそのアーム42’上に配置されている、アーム40’の端部を接続する。言い換えると、4つのトランスミッションアーム41a、41b、41c、41dは、xおよびy軸に関して傾斜しており例えば、前記軸に関して45°、アーム42a、42’aのエッジにそれぞれ置かれている、点DおよびD’のところで、アーム42、42’のエッジ上にそれぞれ配置されている、点CおよびC’を接続する。これら4つのトランスミッションアームは、実質的に菱形を形成する。有利には、アイドル状態のときに、点DとD’との間の距離は、CとC’との間の距離と同じであり、したがって、トランスミッションアームは正方形をなす。手段26a、26’aを介して電圧を印加し、これにより、x軸に沿って、デバイスの平面内の移動可能なコーム24a、24’1aに移動を適用することが可能であり、これらのコームをキャビティ20から遠ざける傾向がある場合、アーム41a、41b、41c、41dおよびアーム40、40’の組み合わせた作用によって、壁25、25’が、y軸に沿って、キャビティ20の中心の方へ戻る傾向があるアーム41d、41bの長さが一定であるため。好ましくは、電圧が手段26a、26’aを介して印加されると、キャビティ20内に圧力パルスを発生する傾向があるが、電圧が手段26、26’に印加されると、負圧または不完全真空パルスをキャビティ20内に印加する傾向がある。この実施形態では、前記の実施形態と同様に、ここで4対のコーム一組を備える、キャビティ20、その壁、および作動手段が、中間基板100内に形成される。2つの変形可能な膜25、25’を持つ構造は、図2Bの代替的実施形態の背景状況において実装することができる、つまり、その図に示されているように二組のコームのみで実装できる。しかし、この場合、膜を作動させて、負圧もしくは不完全真空パルスを発生することのみ可能である。図6の上面図において例示されている、第5の実施形態は、変形可能な膜に施される熱励起をバイモルフまたは非対称効果を通じて引き起こすための手段を備える。この手段は、例えば、熱アクチュエータまたは圧電タイプである。この手段の構造およびその動作は、例えば、論文Timeandfrequencyresponseoftwo-armmicromachinedthermalactuators、RHickeyら、2003年、J.Micromech.Microeng.13~40頁において説明されている。バイモルフアクチュエータの動作に関する情報は、http://www.pi-france.fr/PI20Universite/Page2020.htmを参照されたい。要約すると、多層スタックの複数の層のうちの1つの層の平面内の制約2つある場合に、バイモルフと称される、これらの層の平面に垂直な方向にこのスタックの変位が生じる。熱励起を発生するための二組の手段が図6に示されているが、1つしかありえず、この場合、一方向でのみ作動する圧力または負圧または不完全真空。図7A側断面図および7B上面図に第6の実施形態が示されている。これは、複数の平行なキャビティ20、20’、20’’、20’’’上でフラットピストン型の静電作動を行わせるための手段を備える特にcMUTに対し。これらのキャビティ、または対応する開口部21は、柔軟膜281によって閉じることができ、これにより、例えば、ラウドスピーカータイプの動作の場合に、ほこりまたは湿気がデバイス内に入り込むのを防ぐことが可能になる。cMUTの動作の場合、この膜は、デバイスに対し真空シールまたは不完全真空シールを施すことができるcMUTは共振で動作する。この膜281は、図7Aにおいて破線により膜281’で示されているような基板102の他の面に配置することもできる。キャビティ21の閉じるシステムは、前記の実施形態の背景状況において実装することもできる。このデバイスは、基板102内に閉じられ、コンポーネントの頂部側に、配置される、それぞれ背室容積を形成する、2つのキャビティ280、280’も備える。これら2つの態様、つまり、1つまたは複数のキャビティまたは対応する開口部21を閉じる柔軟膜およびコンポーネントの頂部側上で閉じられ、配置される、背室容積を形成するキャビティは、本発明の他の実施形態にも適用することができる。この実施形態では、ピストン251が配置された図3の構造を見ることができるが、今回は、1つのキャビティ20ではなく、4つのキャビティ20’、20’’、20’’’が方向xに、つまり、移動可能なコーム24、241の移動に垂直な方向に、互いに隣り合って平行に配置される。2つの隣接するキャビティは、共有する側壁を有することができる。このようにして、キャビティ20および20’は壁23’を共有し、キャビティ20’および20’’は壁23’’を共有し、キャビティ20’’および20’’’は壁23’’’を共有する。それぞれのキャビティは、ピストン251に面する開口部を有し、ピストン251はキャビティのすべてを同時に徐々に開閉する。単一の壁23は、その開口部およびピストン250の反対側のキャビティを画成する。第2の対のアーム56’、58’が、フレームの移動を誘導する端部に追加される。このタイプのコンポーネントがcMUT用途に使用される場合、インターデジタルコームは超音波を発生させるため前述のように伝送時に動作だけでなく、分析に役立つ反射した超音波を検出するためにも使用される受信時に動作。cMUTの場合、構造共振周波数は、約数MHz、例えば、1MHzから10MHzの範囲内である。cMUT用途では、キャビティ20、280は、真空シール、または不完全真空シールが施される膜281を介して。図10は、さらに他の実施形態を示しており、そこでは、ここでも容量性タイプの活性化手段は、コームのシステムによって形成され、その歯は、このときには、x軸に沿って配向され、図2A~2Bに示されているようにy軸に沿って配向されない。壁25に実質的に垂直なアーム40は、コーム27の移動可能な部分の歯を支持し、コームの2つの静止している部分27’、27’’は、歯のそれぞれの列に関して、図2Bに関してすでに上で説明されているように、配置される。この実施形態の一代替的形態によれば、静止している部分は、異なる電圧V1およびV2を受けることが意図されている、静止している部分27’、27’’、および27’1、27’’1と一列に並ぶ。ガイドアーム56、58は、例えば、電圧V1が印加されうる手段と電圧V2が印加されうる手段との間に備えることができる。2つの異なる電圧を印加することができるため、それらの電圧のうちの一方の電圧を使って、キャビティ20の圧縮において、例えば右の方向に膜を作動させ、他方の電圧を使って、キャビティ20の負圧または不完全真空において、他の方向、例えば左の方向に膜を作動させることが可能である。好ましくは、図11に例示されているように、非対称の空隙を、アイドル時に、それぞれの移動可能な電極とそのフレームとなる静止している電極との間に形成する。例えば、移動可能な電極240’と第1の隣接する静止している電極2401それぞれ、第1の隣接する静止している電極2402との間の空隙は、それら2つの隣接する電極の間の距離の1/3それぞれ、2/3程度である。図8A~8Gは、本発明によるデバイスを製造する方法を示している。この例では、前面に接点があり、後面にキャビティ28がある。この方法は、第2の基板を取り付けることを伴う。図8AにおいてSOI基板から始める例えば厚さ0.5μmの埋め込み酸化物BOX103を使用して。あるいは、犠牲層酸化物の蒸着103および半導体材料、例えば、シリコンまたは多結晶SiGeの蒸着100が実行される、標準基板101から始める。次いで、金属蒸着例えば、Ti/Au、またはAISi...が実行され、さらには、接点30、30’のリソグラフィおよびエッチングが実行される。同じ技術を使用して後面に接点を形成することも可能である。次いで、シリコン表層のリソグラフィおよびエッチングを実行して図8B、特に移動可能な、または変形可能な壁25および作動素子容量性コームまたは熱励起手段を含む、音響キャビティ20および機械的活性化構造を画成するが、その詳細はここには示されておらず、使用されるエッチングマスクは実行される作動のタイプに応じて適切な手段を構成するように適合される。さらに、従来のSi基板102の基部に、酸化ケイ素SiO2の蒸着104を厚さ約0.8μmで行う図8C。次いで、酸化物104およびシリコン102のリソグラフィおよびエッチング部分的または完全を実行して、圧力の入口および接点の開口部用に開口部106、106’、106’’を形成する。次いで、2つの基板を整列し図8D、シールする直接シール、共晶、またはポリマー、または陽極などにより。次いで、後面背室容積上で、キャビティ28、28’の開口部のリソグラフィおよびエッチング図8Eを実行する。前面を薄くすること裏面研削によって、キャビティ21の開口部および接点30、30’を形成する図8F。最後に、HFエッチング例えば、蒸気で酸化物犠牲層103、104の一部を除去することによって移動可能な構造図8Gを解放する。同じ進行に従って、この方法は、例えば、シリコンなどの半導体材料から作られた、標準的な基板300図9Aから始まる。その基板上に、犠牲層301の蒸着を実行するが図9B、例えば、ここでもまた一例にある酸化物層の厚さは約0.5μmに等しいものとしてよい。次いで、犠牲層301上に、ポリSiまたはポリSiGeの活性層302図9Cを蒸着するが、その厚さは、例えば、約10μmとしてよい。次いで、図8Aから前の方法に戻る。一般に、犠牲層103、104は、例えば数十nmから数ミクロンまで、例えば100nmまたは500nmから1μmまたは2μmまでの範囲内である。活性層100、101、102それぞれ例えば、Si、またはSiGe、などから作られるは、例えば数μmから数十μm、さらには数百μmまで、例えば5μmから10μmまたは50μmまたは200μmまでの範囲である。基板102上に作られた閉じたキャビティの場合図7Aの構造、開口部21をエッチングするステップを活用することが可能であり、キャビティ280、280’は、この開口部21と同時にエッチングすることができる。基板101内で開いているキャビティの場合例えば、図4の構造、基板101の全厚にわたって開口部28をエッチングする必要がある。このため、製造方法が複雑になるが、背室容積は、この場合には、図7Aの場合に比べて効果的である。本発明は、デジタルラウドスピーカー用の、特に一般大衆向け用途携帯電話、ゲーム機、MP3プレーヤー、テレビなどの圧力パルス発生器の製造に応用される。また、cMUT用の、特に、医療または工業用途超音波プローブ、超音波検査、非破壊検査などの超音波パルス発生器にも応用される。また、空気圧式アクチュエータ例えば、ポンプなどとして使用することもできる。"