基板を処理する方法であって、処理チャンバ内に基板を配置するステップであって、該基板が1つ以上のパターン形成低k誘電体層とその中に形成された導電材料を含む、前記ステップと、シリコンベースの化合物を該処理チャンバに導入するステップと、該導電材料のシリサイド層を形成するステップと、該シリサイド層上に炭化シリコン層を真空を破壊せずに堆積させるステップと、を含む、前記方法。該シリサイドが、該シリコンベースの化合物と該導電材料を熱増強プロセス、プラズマ増強プロセス、又はその双方によって反応させることにより形成される、請求項1記載の方法。該炭化シリコン層の堆積前に、該シリサイド層を窒素と水素を含む還元化合物のプラズマに曝すステップを更に含む、請求項1記載の方法。該シリコンベースの化合物が炭素を含まないシリコンベースの化合物を含む、請求項1記載の方法。該炭素を含まないシリコンベースの化合物がシランを含む、請求項4記載の方法。該炭化シリコン層が、トリメチルシラン、2468テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ジメチルフェニルシラン、ジフェニルメチルシラン、及びそれらの組合せの群より選ばれる有機ケイ素化合物を導入するステップと、該有機ケイ素化合物のプラズマを生成させるステップと、によって堆積される、請求項1記載の方法。該炭化シリコン層の堆積中、不活性ガス、還元化合物、シリコンベースの化合物、又はそれらの組合せを導入するステップを更に含む、請求項6記載の方法。該シリコンベースの化合物が、炭素含有シリコンベースの化合物を含む、請求項1記載の方法。該炭素含有シリコンベースの化合物が、トリメチルシラン、ジメチルフェニルシラン、ジメチルメチルシラン、及びそれらの組合せを含む、請求項8記載の方法。該炭素含有シリコンベースの化合物とともに不活性ガスを導入するステップを更に含む、請求項9記載の方法。該不活性ガスがヘリウム、アルゴン、又はそれらの組合せを含む、請求項10記載の方法。該シリサイドが、該炭素含有シリコンベースの化合物と該導電材料を不活性ガスの存在下にプラズマ増強プロセスによって反応させることにより形成される、請求項10記載の方法。窒素と水素を含む還元化合物を該処理チャンバに導入するステップと、該還元化合物のプラズマを該処理チャンバ内で開始させるステップと、該シリコンベースの化合物を該処理チャンバに導入する前に、該導電材料を該還元化合物の該プラズマに曝すステップと、を更に含む、請求項1記載の方法。該還元化合物が、アンモニア又は窒素ガスと水素ガスの混合物を含む、請求項13記載の方法。該還元化合物とともに不活性ガスを導入するステップを更に含む、請求項13記載の方法。該シリコンベースの化合物とともに窒素と水素を含む還元化合物を導入するステップを更に含む、請求項1記載の方法。基板を処理する方法であって、該基板を処理チャンバ内に配置するステップであって、該基板が1つ以上のパターン形成低k誘電体層とその中に形成された導電材料を含む、前記ステップと、シリコンベースの化合物と還元化合物を該処理チャンバに導入するステップと、該導電材料のシリサイド層を形成するステップと、該シリコンベースの化合物と還元化合物のプラズマを開始させるステップと、窒化シリコン層を堆積させるステップと、該窒化シリコン層上に炭化シリコン層を真空を破壊せずに堆積させるステップと、を含む、前記方法。該シリサイドが、該シリコンベースの化合物と該導電材料を熱増強プロセス、プラズマ増強プロセス、又はその双方によって反応させることにより形成される、請求項17記載の方法。該シリコンベースの化合物が、炭素を含まないシリコンベースの化合物を含む、請求項17記載の方法。該炭素を含まないシリコンベースの化合物がシランを含む、請求項19記載の方法。該炭化シリコン層が、トリメチルシラン、2468テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ジメチルフェニルシラン、ジフェニルメチルシラン、及びそれらの組合せの群より選ばれる有機ケイ素化合物を導入するステップと、該有機ケイ素化合物のプラズマを生成させるステップと、によって堆積される、請求項17記載の方法。該炭化シリコン層の堆積中、不活性ガス、還元化合物、シリコンベースの化合物、又はそれらの組合せを導入するステップを更に含む、請求項21記載の方法。該シリコンベースの化合物が、炭素含有シリコンベースの化合物を含む、請求項17記載の方法。該炭素含有シリコンベースの化合物が、トリメチルシラン、ジメチルフェニルシラン、ジフェニルメチルシラン、及びそれらの組合せを含む、請求項17記載の方法。該炭素含有シリコンベースの化合物とともに不活性ガスを導入するステップであって、該不活性ガスがヘリウム、アルゴン、又はそれらの組合せを含む、前記ステップを更に含む、請求項24記載の方法。該窒化シリコン層の堆積前に、該シリサイド層を窒素と水素を含む還元化合物のプラズマに曝すステップを更に含む、請求項17記載の方法。該シリサイドが、該炭素含有シリコンベースの化合物と該導電材料を不活性ガスの存在下にプラズマ増強プロセスによって反応させることにより形成される、請求項25記載の方法。窒素と水素を含む還元化合物を該処理チャンバに導入するステップと、該還元化合物のプラズマを該処理チャンバ内で開始させるステップと、該シリコンベースの化合物を該処理チャンバに導入する前に、該導電材料を該還元化合物の該プラズマに曝すステップと、を更に含む、請求項17記載の方法。該還元化合物が、アンモニア又は窒素ガスと水素ガスの混合物を含む、請求項28記載の方法。該還元化合物とともに不活性ガスを導入するステップを更に含む、請求項28記載の方法。基板を処理する方法であって、該基板を処理チャンバ内に配置するステップであって、該基板が1つ以上のパターン形成低k誘電体層とその中に形成された導電材料を含む、前記ステップと、窒素と水素を含む還元化合物を該処理チャンバに導入するステップと、該還元化合物のプラズマを該処理チャンバ内で開始させるステップと、該導電材料を該還元化合物の該プラズマに曝すステップと、有機ケイ素前駆物質を該処理チャンバに導入するステップと、該有機ケイ素前駆物質と該還元化合物とを反応させるステップと、窒素ドープされた炭化シリコン誘電材料を該1つ以上のパターン形成低k誘電体層と導電材料上に堆積させるステップと、炭化シリコン層を該ドープされた炭化シリコン層上に真空を破壊せずに堆積させるステップと、を含む前記方法。該還元化合物が、アンモニア又は窒素ガスと水素ガスの混合物を含む、請求項31記載の方法。該還元化合物とともに不活性ガスを導入するステップを更に含む、請求項31記載の方法。該有機ケイ素化合物が、トリメチルシラン、2468テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ジメチルフェニルシラン、ジフェニルメチルシラン、及びそれらの組合せの群より選ばれる、請求項31記載の方法。該有機ケイ素化合物とともに不活性ガス、水素ガス、該還元化合物、又はそれらの組合せを導入するステップを更に含む、請求項31記載の方法。プラズマを開始させる該ステップが、単一周波数RF電源又はデュアル周波数RF電源によってプラズマを生成させる工程を含む、請求項31記載の方法。該導電材料が、銅、ドープされた銅、又は銅合金を含む、請求項31記載の方法。該1つ以上のパターン形成低k誘電体層が、炭化シリコン、ドープされた炭化シリコン、シリコンオキシカーバイド、又はそれらの組合せを含む、請求項31記載の方法。基板を処理する方法であって、該基板を処理チャンバ内に配置するステップであって、該基板が1つ以上のパターン形成低k誘電体層とその中に形成された導電材料を含む、前記ステップと、窒素と水素を含む還元化合物を該処理チャンバに導入するステップと、該還元化合物の第1プラズマを該処理チャンバ内で開始させるステップと、該導電材料を該還元化合物の該プラズマに曝すステップと、該第1プラズマと還元化合物を停止させるステップと、有機ケイ素前駆物質を該処理チャンバ内に導入するステップと、該有機ケイ素前駆物質の第2プラズマを該処理チャンバ内で開始させるステップと、該有機ケイ素化合物とともに該還元化合物を導入するステップと、窒素ドープされた炭化シリコン誘電材料を該1つ以上のパターン形成低k誘電体層と導電材料上に真空を破壊せずに堆積させるステップと、を含む前記方法。該還元化合物が、アンモニア又は窒素ガスと水素ガスの混合物を含む、請求項39記載の方法。該還元化合物とともに不活性ガスを導入するステップを更に含む、請求項39記載の方法。該有機ケイ素化合物が、トリメチルシラン、2468テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ジメチルフェニルシラン、ジフェニルメチルシラン、及びそれらの組合せの群より選ばれる、請求項39記載の方法。該有機ケイ素化合物とともに、不活性ガス、水素ガス、該還元化合物、又はそれらの組合せを導入するステップを更に含む、請求項39記載の方法。プラズマを開始させる該ステップが、単一周波数RF電源又はデュアル周波数RF電源によってプラズマを生成させる工程を含む、請求項39記載の方法。該導電材料が、銅、ドープされた銅、又は銅合金を含む、請求項39記載の方法。該1つ以上のパターン形成低k誘電体層が、炭化シリコン、ドープされた炭化シリコン、シリコンオキシカーバイド、又はそれらの組合せを含む、請求項39記載の方法。基板を処理する方法であって、該基板を処理チャンバ内に配置するステップであって、該基板が1つ以上のパターン形成低k誘電体層とその中に形成された導電材料を含む前記ステップと、窒素と水素を含む還元化合物を第1流量で該処理チャンバに導入するステップと、該還元化合物の第1プラズマを該処理チャンバ内で開始させるステップと、該導電材料を該還元化合物の該プラズマに曝すステップと、該第1プラズマを停止させるステップと、有機ケイ素前駆物質を該処理チャンバに導入するステップと、該還元化合物を該第1流量を超える第2流量で導入するステップと、該有機ケイ素前駆物質と該還元化合物の第2プラズマを該処理チャンバ内で開始させるステップと、炭素ドープされた窒化シリコン誘電材料を該1つ以上のパターン形成低k誘電体層と導電材料上に堆積させるステップと、該第2プラズマを停止させるステップと、該有機ケイ素前駆物質を該処理チャンバに導入するステップと、該還元化合物を該第2流量未満の第3流量で導入するステップと、該有機ケイ素前駆物質と該還元化合物の第3プラズマを該処理チャンバ内で開始させるステップと、窒素ドープされた炭化ケイ素誘電材料を該1つ以上のパターン形成低k誘電体層と導電材料上に真空を破壊せずに堆積させるステップと、を含む、前記方法。