"次の成分a、b、c及びdからなることを特徴とするシリコンウェハ用表面処理剤組成物。a下記一般式1で表されるエーテル型非イオン界面活性剤0.1~40重量R-O-AOn-H1但し、式1中、Rは炭素数8~24の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基を示し、AOは炭素数2~4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1~100である。b下記一般式2で表されるアルキルポリグルコシド5~40重量R-O-Gn-H2但し、式2中、Rは炭素数1~22の直鎖又は分岐のアルキル基を示し、Gは炭素数5~6の還元糖を示し、nは1~5である。cアルカリ剤1~30重量d水前記成分a、b、cとの合計量100重量中の残部前記a成分のエーテル型非イオン界面活性剤が、炭素数8~24の分岐型1級アルコールを用いて得られ、かつ下記一般式3で表される非イオン界面活性剤を含有することを特徴とする、請求項1に記載のシリコンウェハ用表面処理剤組成物。R1-CHR2-CH2O-AOn-H3但し、式3中、R1は炭素数1~20の分岐又は直鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、R2は炭素数1~20の分岐又は直鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、AOは炭素数2~4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1~100である。しかし、従来の太陽電池向けのシリコンウェハの洗浄剤は、クーラント、砥粒、あるいはシリコン粉の洗浄性に関して、洗浄後のウェハの目視レベルの評価においては一定の効果が認められても、その後のエッチング工程でテクスチャーの形成が不良になる等の問題がしばしば見受けられる。上記特許文献1に記載の炭化水素系溶剤を含有した洗浄剤は、水分が蒸発すると引火性を持つことや、すすぎ後水はじきによりシミ状の残存物が残るという問題点があり、その後のエッチング工程において悪影響を及ぼす懸念が残る。また、特許文献2に記載のグリコールエーテル系溶剤を含有した洗浄剤は、使用時に水とともにグリコールエーテル系溶剤が揮発するため、洗浄剤の濃度管理が難しい、作業者や環境への負荷が懸念される等の問題があり、またアルカリを含有していないという点から、十分な洗浄力が得られず、洗浄不良の結果として、同様にその後のエッチング工程で不具合が生じる懸念が残る。さらに、特許文献3に記載の洗浄剤は、無機アルカリと非イオン界面活性剤の性能により、本発明で対象になる切削物の洗浄において比較的良好な結果を示すものの、その後のエッチング工程において良好なシリコンウェハ表面を形成するために、非イオン界面活性剤の選択が非常に重要な要因であることに着目していない点で問題が残る。本発明は、これらの問題点を解決し、クーラント、砥粒、あるいはシリコン粉の洗浄性の目視レベルの向上にとどまらず、特に、洗浄後のエッチング工程を重視した表面処理剤を提供することを目的とする。より具体的には、遊離砥粒方式または固定砥粒方式のいずれのウェハスライス方法、あるいは単結晶または多結晶のいずれのシリコンウェハ、さらには水溶性クーラントまたは油性クーラントのいずれのクーラントを使用するスライス方法においても適用可能な優れた洗浄性能を有し、かつ、その後のエッチング工程において良好なテクスチャーを形成可能なウェハ表面を作り上げることができるため、太陽電池向けのシリコンウェハ用として使用するのに特に適した表面処理剤組成物を提供することを目的とする。本発明者らは、シリコンウェハのエッチング工程の前処理における上記課題を解決するために検討を重ねた結果、配合する界面活性剤の種類およびアルカリとの配合割合を最適化することによって、シリコンウェハ製造工程後のクーラント、砥粒、シリコン粉を有効に除去し、かつその後のエッチング工程において良好なテクスチャーを形成できる表面に仕上げることが可能であることを見出し、本発明の完成に至った。すなわち、本発明のシリコンウェハの表面処理剤組成物は、次の成分a、b、c及びdからなるものとする。a下記一般式1で表されるエーテル型非イオン界面活性剤0.1~40重量R-O-AOn-H1但し、式1中、Rは炭素数8~24の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基を示し、AOは炭素数2~4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1~100である。b下記一般式2で表されるアルキルポリグルコシド5~40重量R-O-Gn-H2但し、式2中、Rは炭素数1~22の直鎖又は分岐のアルキル基を示し、Gは炭素数5~6の還元糖を示し、nは1~5である。cアルカリ剤1~30重量d水前記成分a、b、cとの合計量100重量中の残部上記表面処理剤組成物において、a成分のエーテル型非イオン界面活性剤は、炭素数8~24の分岐型1級アルコールを用いて得られ、かつ下記一般式3で表される非イオン界面活性剤を含有することが好ましい。R1-CHR2-CH2O-AOn-H3但し、式3中、R1は炭素数1~20の分岐又は直鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、R2は炭素数1~20の分岐又は直鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、AOは炭素数2~4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1~100である。なお、本発明の表面処理剤組成物は、主としてエッチング工程の前において使用されるものである。本発明の表面処理剤組成物によれば、シリコンウェハの洗浄工程において、洗浄対象となるクーラント、砥粒、シリコン粉を有効に除去することができ、その後のエッチング工程において良好なテクスチャーを形成することができ、太陽電池用に特に適したシリコンウェハ表面を作り出すことできる。以下、本発明の表面処理剤組成物についてより詳細に説明する。本発明で使用する成分a~dは以下の通りである。aエーテル型非イオン界面活性剤本発明で使用するaエーテル型非イオン界面活性剤は、次の一般式1で表されるものである。R-O-AOn-H1式1中、Rで示される直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基は、炭素数8~24が好ましく、炭素数8~12がより好ましく、炭素数10が最も好ましい。炭素数が8未満であると洗浄力が不足し、炭素数が24を超える場合も洗浄力が不足し、かつすすぎ性も悪くなる。また、AOで表される炭素数2~4のオキシアルキレン基は、オキシエチレン基、オキシプロピレン基であることが好ましく、nで表されるオキシアルキレン基の平均付加モル数は1~100が好ましく、1~60がより好ましい。nが100を超えると洗浄性が低下し、エッチング工程において良好なテクスチャーを形成することも困難となる。このエーテル型非イオン界面活性剤のHLBは10以上19.5以下であることが好ましく、HLBが12以上16以下であるのがより好ましい。さらにHLB13以上15以下のものが最も好ましい。HLBが10未満であると洗浄力が不足し、すすぎ性も悪い、19.5を超えるとやはり洗浄力が不足する。上記a成分のエーテル型非イオン界面活性剤は、炭素数8~24の分岐型1級アルコールを用いて得られ、かつ下記一般式3で表される非イオン界面活性剤を含有することが望ましく、その含有量はエーテル型非イオン界面活性剤全重量のうち5重量以上であることが好ましい。R1-CHR2-CH2O-AOn-H3式3中、R1は炭素数1~20の分岐又は直鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、炭素数は2~8がより好ましい。また、R2は炭素数1~20の分岐又は直鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、炭素数は2~8がより好ましい。AOで表されるオキシアルキレン基は、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドが共重合して得られる基が好ましく、その場合の共重合はブロック付加重合でもランダム付加重合でもよい。エチレンオキサイドの付加モル数は1~100が好ましく、1~40がより好ましく、プロピレンオキサイドの付加モル数は1~50が好ましく、1~20がより好ましい。このような式3で表される非イオン界面活性剤を一定量以上含有することにより、非常に優れた洗浄性能を示し、かつ、アルカリ剤との相乗効果によりエッチングに適したウェハ表面に仕上げることが可能となる。なお、これらa成分のエーテル型非イオン界面活性剤は上記の構造的特徴を有するものであれば、2種以上を混合して使用することもできる。上記a成分は、本発明の表面処理剤組成物中に0.1~40重量の割合で含有されるのが好ましく、含有量は3~30重量がより好ましい。0.1重量未満の場合、併用するアルカリ剤の影響によりシリコンウェハのエッチングが必要以上に進みすぎる場合がある。また、40重量を超える場合、アルカリ剤との混合状態が不安定となり、表面処理剤として組成物の配合安定性に欠けるおそれが生じる。bアルキルポリグルコシド型非イオン界面活性剤本発明で使用するbアルキルポリグルコシドは下記一般式2で表されるものである。R-O-Gn-H2式2中、Rで表されるアルキルポリグルコシドの疎水基に相当するアルキル基は、炭素数1~22の直鎖または分岐の飽和炭化水素であり、炭素数3~14のアルキル基であることが好ましい。さらに、発泡性、洗浄性、アルカリ液中での可溶化能および安定性のバランスを考慮すると、炭素数4~12のアルキル基であることが特に好ましい。アルキルポリグルコシドは、上記の中で、炭素数3~6のアルキル基を分子構造中に持つ場合、発泡性が低く、幅広い洗浄方式に対応できるという特徴を有し、炭素数7~14であるアルキル基を分子構造中に持つ場合、表面処理剤組成物の表面張力を低下させる能力が高く、洗浄性の向上に寄与することが可能となる。また、一般式2中、Gで表される親水基であるサッカライド部分は、炭素数5~6の還元糖を基本単位とする。この還元糖としては、グルコース、ガラクトース、フルクトースが好ましい。また、アルキルポリグルコシドの糖残基Gの平均重合度DP、一般式2のnは1~5であり、その中でもアルカリ液中での可溶化能と起泡力のバランスの観点より平均重合度DPが1.2~1.8のものが80重量以上含有されることが好ましい。なお、平均重合度DPはプロトンNMR法により測定できる。アルキルグルコシド型非イオン界面活性剤の具体例としては、プロピルグルコシド、ブチルグルコシド、ヘキシルグルコシド、オクチルグルコシド、ノニルグルコシド、デシルグルコシド、デシルマルトシド、ドデシルマルトシド、トリデシルマルトシド等が挙げられる。上記アルキルグルコシドの合成法は特に限定されるものではないが、既知のKoening-Knorr法や、高級アルコールとグルコース、ガラクトース、マルトース等の還元糖から合成する方法米国特許3839318号、同3598865号などが挙げられる。また、これらのアルキルグルコシド型非イオン界面活性剤は、1種単独で用いても複数種組み合わせて用いてもよい。上記b成分は本発明の表面処理剤中に5~40重量含有されるのが好ましく、含有量は10~30重量がより好ましい。5重量未満の場合、組成物の配合安定性が得られ難く、また40重量を超える場合も、同様に配合安定性が低下する傾向を示す。cアルカリ剤本発明で使用可能なcアルカリ剤の例としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム、珪酸カリウム、珪酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、第二リン酸カリウム、第二リン酸ナトリウム、第三リン酸カリウム、第三リン酸ナトリウムなどの無機アルカリ、または、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モルホリン、シクロヘキシルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル-2-ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド通称コリン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、アミノエチルピペラジン、アミノエチルエタノールアミン、2-アミノ-2-メチル-1-プロパノール等のアミン系の有機アルカリが挙げられ、2種類以上のアルカリ剤を混合して使用することもできる。この中では、無機アルカリが好ましく、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムが最も好ましい。水酸化カリウム、水酸化ナトリウムはシリコンを溶解させる性能が高く、本発明の範囲にある界面活性剤との相乗効果により、シリコンウェハ表面を適度にエッチングし、太陽電池用シリコンウェハのエッチング工程で良好なエッチングをするのに適したウェハ表面を作り上げることができる。上記c成分は、表面処理剤組成物中に1~30重量含有されるのが好ましく、5~20重量含有されるのがより好ましい。1重量未満では表面のエッチング性能が不十分となり、本発明の目的が達成できない。また、30重量を超えると製品安定性が悪化する。d水本発明で使用可能な水としては、市水、井水、純水イオン交換樹脂などによって脱塩処理を行った水、超純水無機イオンのみでなく、有機物、生菌、微粒子、溶存気体等を除去した水、近年提案されている各種機能水等が挙げられるが、電子制御部に悪影響を与える金属イオン分の含有が少ないという点から、純水や超純水が好ましい。また、エッチング工程においては、界面活性剤等の不純物の混入によって、エッチングが著しく阻害されることから、表面処理後のすすぎ性が良いものであることが重要である。表面処理剤がすすぎ易いかどうかの指標として曇点が挙げられ、上記観点から組成物の曇点は高いものが望ましく、本発明の表面処理剤組成物は50°C以上の曇点を有することが好ましく、60°C以上の曇点を有することがより好ましい。水の含有量は、上記成分a、b、cとの合計量100重量中の残部とする。本発明の表面処理剤組成物は、上記成分a~dをそれぞれ上記配合量の範囲で混合することにより得られる。実際の使用時には、必要に応じて、この製品を水で2倍~2000倍に希釈して用いることもできる。本発明の表面処理剤組成物は、太陽電池用のシリコンウェハの仕上げ洗浄剤として非常に効果的であり、クーラント、砥粒、シリコン粉を有効に除去するだけでなく、その後のエッチング工程において良好なテクスチャー形成を行うのに適したシリコンウェハ表面を作り出すことができる。以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下においてとあるのは、特に指定する場合を除き重量を示すものとする。1.表面処理剤組成物の調製表1に示した構造を有する界面活性剤を使用して、表2実施例1~18及び表3比較例1~13に示す表面処理剤組成物をそれぞれ調製した。2.表面処理剤組成物の評価上記実施例及び比較例で得られた表面処理剤組成物につき、以下の試験a及びbを行った。但し、比較例12、13は組成物の配合安定性が悪く、評価不能であった。aシリコンウェハ洗浄試験1隙間洗浄性粗洗浄工程モデルワイヤーソーオイルパレス化学株式会社製PS-DWS-8とシリコン粉平均粒子径1μmを重量比90:10で混合したものを洗浄対象物のモデルとした。これを固定砥粒方式でスライスされた単結晶シリコンウェハ6インチ2枚の間にセットした。このとき、ウェハ間の間隔は150μmで固定し、テストピースとした。表2、表3に記載されている表面処理剤組成物を純水で20倍に希釈し、40°Cに調温して上記テストピースを浸漬した。これに38kHz、300Wの条件で10分間超音波を印加した。その後、テストピースを25°Cのイオン交換水に浸漬し、38kHz、300Wの条件で10分間超音波を印加した。上記処理後、2枚のウェハを開け、それぞれウェハ表面の洗浄対象物の除去面積率を判定し、その平均値を洗浄性とした。判定においてはウェハと同サイズの碁盤状の枠10×10マスを作成し、これを洗浄後ウェハに当てはめて面積を見積もった。また、この洗浄性を以下の基準で評価した。結果を表4に示す。○:良好洗浄性80以上△:一部洗浄残り洗浄性50以上80未満×:不良洗浄性50未満2一般洗浄性仕上げ洗浄工程モデル上記、粗洗浄工程モデルで用いたものと同様の洗浄対象物モデルに、単結晶シリコンウェハ2枚を完全に浸漬し、引き上げたものをテストピースとした。表2、表3に記載されている表面処理剤組成物を純水で20倍に希釈し、50°Cに調温して上記テストピースを浸漬した。これに38kHz、300Wの条件で10分間超音波を印加した。その後、テストピースを40°Cのイオン交換水に浸漬し、38kHz、300Wの条件で10分間超音波を印加した。その後、さらに25°Cのイオン交換水にテストピースを浸漬し、38kHz、300Wの条件で10分間超音波を印加した。上記処理後、ウェハを80°C乾燥機にて20分間乾燥した。それぞれウェハ表面の洗浄対象物の除去面積率を判定し、その平均値を洗浄性とした。判定においてはウェハと同サイズの碁盤状の枠10×10マスを作成し、これを洗浄後ウェハに当てはめて面積を見積もった。また、この洗浄性を以下の基準で評価した。結果を表4に示す。○:良好洗浄性98以上△:一部洗浄残り洗浄性90以上98未満×:不良洗浄性90未満b表面処理剤すすぎ性試験表2、表3の表面処理剤組成物を純水で20倍に希釈した。この希釈液1Lを恒温槽中で25°Cに温調し、これにクロム成膜されたガラス基板を完全に浸漬させた。60秒間浸漬した後にすばやくガラス基板を取り出し、40°Cに調温した1Lの純水中に30秒間浸漬した後、80°C乾燥機中で10分間乾燥した。乾燥後、ガラス基板の表面を高輝度ハロゲン光源装置山田光学工業株式会社製型式YP-151I,照度400000Lx以上で照らし、表面処理剤組成物の残渣を目視確認した。評価基準は以下に従った。○:残渣なし×:残渣ありcエッチング試験テクスチャー形成確認試験単結晶シリコンウェハをメタノールに浸漬し、38kHz、300Wで10分間超音波洗浄して表面の汚れを除去した。表2、表3に記載されている各表面処理剤組成物を純水で20倍に希釈して50°Cに調温した。本表面処理剤希釈液にこのシリコンウェハを浸漬させ、38kHz、300Wで25分間超音波を照射した。その後、このシリコンウェハをイオン交換水に浸漬して、40°Cで10分間の超音波照射を行い、さらに25°Cのイオン交換水に浸漬し、10分間超音波照射を実施した。上記処理後、ウェハを80°C乾燥機にて20分間乾燥した。このようにして得られたシリコンウェハをテストピースとした。5水酸化カリウム水溶液にイソプロピルアルコールIPAを添加してエッチング液を調製し、80°Cに調温した。本エッチング液に上記テストピースを浸漬し、エッチング処理を行った。その後イオン交換水を用いて40°Cで10分間の浸漬洗浄を行い、さらにイオン交換水を用いて、25°Cで10分間洗浄を実施した。ウェハを80°C乾燥機にて15分間乾燥し、ウェハの表面を走査電子顕微鏡日本電子株製、JSM-6380LVにて観察した。評価は、シリコンウェハ表面の等間隔に9箇所を観察し、表面のテクスチャー形成の様子に注目して、以下の基準で評価した。結果を表6に示す。また、実施例1、比較例1,2については、その電子顕微鏡写真を図1~3として示す。○:ウェハ表面に均一にテクスチャーが形成されている△:テクスチャーのサイズが著しく不均一になる×:エッチングむらが生じるウェハ表面に均一にテクスチャー形成ができないまた、表面反射率を紫外可視分光光度計にて測定した。結果を表6に併記する。表4~表6及び図1に示された実施例の結果から分かるように、本発明の組成物はシリコンウェハの洗浄性に優れるだけでなく、その後のウェハのテクスチャー外観も良好なものに仕上げることができ、反射率も太陽電池用シリコンウェハとして用いるのに充分な優れた値を得ることができる。一方で、同表4~表6、図2及び図3に示された比較例の結果から分かるように、本発明の組成物を用いない処理では、テクスチャー外観、反射率とも、本発明の組成物を用いた結果より劣る。比較例4に見られるように、洗浄性が良好であっても、すすぎ性が良くない表面処理剤を使用した場合、エッチング試験後のテクスチャー外観や反射率は十分な結果が得られない。また、比較例10に見られるように、非イオン界面活性剤S2のみで洗浄した場合、洗浄工程での評価は良好であり、さらにすすぎ性にも優れるが、エッチング試験後のテクスチャー外観や反射率は同様に十分な結果が得られなかった。以上の結果から、本願組成物による処理が単なる洗浄に留まらず、エッチング前処理として機能していることが分かる。"