"ネマティック液晶にカイラル材及び紫外線硬化型液晶を添加したことを特徴とする液晶組成物。正の誘電異方性を有する液晶にカイラル材及び紫外線硬化型液晶を添加したことを特徴とする液晶組成物。請求項1又は請求項2において、前記液晶組成物中の前記紫外線硬化型液晶の添加量は5wtから10wtであることを特徴とする液晶組成物。しかしながら特許文献1に記載の技術では、液晶の応答速度が不十分であるため、動画表示を行う場合や、フィールドシーケンシャル方式等の高速応答が必要な動作モードを、TNモードで駆動させると液晶の応答が追いつかなくなる。本発明は上記のような従来技術の問題点に鑑みて、TNモードの応答速度を速くするようにした液晶電気光学装置を提供することを目的とする。カイラル材が添加されたネマティック液晶と紫外線硬化型液晶の混合体からなることを特徴とする液晶組成物及び電極を有する一対の基板間に支持された調光層を有し、前記調光層はカイラル材が添加されたネマティック液晶と紫外線硬化型液晶の混合体を有していることを特徴とする液晶電気光学装置であり、このことにより、液晶の応答を速め、液晶電気光学装置としての問題を解決したものである。ネマティック液晶はビフェニル系、ターフェニル系、フェニシクロヘキサン系、ビリミジン系、フッ素系、トラン系、フッ素系等の化合物で、正の誘電異方性を有する材料を用いればよい。また、TNモードにおいて上下基板のラビング方向を90°に位置するようにずらすことにより、液晶分子の配向方向を上下基板間で90°捩れた状態を得るが、ネマティック液晶単体では安定な捩れ状態を得ることは不十分となり、コントラストの低減等の表示品位に影響する。従って、液晶分子に右方向もしくは左方向のどちらか一方の回転を与えられるように、キラル化合物を有するシアノビフェニル誘導体、ビスアリール誘導体、エステル誘導体等から成る初めから捩れた分子構造を持つカイラル材を、材料によって異なるが0.05から0.5添加したネマティック液晶を用いればよい。但し、プレチルトの傾き方向とカイラル材による捩れの方向を一致させる必要があることは言うまでもない。紫外線硬化型液晶はアクリレート、メタクリレート等の化合物を含有し、液晶相発現温度が高いと熱重合を起こし易いなど取り扱いが困難となるため、室温付近において液晶相を有する材料を用いればよい。紫外線硬化型液晶の添加量が少ない場合、応答速度が遅くなり、また添加量が多い場合、コントラストが低下するため、材料によって異なるが5wtから10wtの添加量で使用することが望ましい。上記のように構成された本発明の液晶電気光学装置によれば、TNモードで液晶を駆動させた場合の応答を速くできるので、動画表示を行う場合や、フィールドシーケンシャル方式等の高速応答が必要な動作モードでの、液晶の応答速度を向上させることができる。以下に発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は本実施例の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、各図面において共通の部分は同じ符号を付して詳しい説明を省略する。第1実施形態本実施形態においては、カイラル材が添加されたネマティック液晶と紫外線硬化型液晶の混合体で構成される液晶電気光学装置の作製方法を、図1を用いて示す。始めに、図1Aに示すようにガラス基板、石英基板、プラスチック基板等の透光性を有する基板101、102上に透明導電膜103をスパッタリング法または蒸着法で成膜する。透明導電膜103としては、インジウムと錫の酸化膜Indium-Tin-Oxide、酸化錫、酸化亜鉛等を用いればよい。次に、透明導電膜103の上にレジスト樹脂104紫外線感光性樹脂をスピンコート法にて塗布し仮焼きした後、公知の露光機で電極マスクを用いてレジスト樹脂104の露光を行い、アルカリ現像液で現像、流水洗浄を行う。アルカリ現像液としては、トリメチルアンモニウムハイドライドやテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなどの有機アルカリや炭酸ナトリウム等を用いればよい。次いで、図1Bに示すように透明導電膜103の非被覆部のエッチングをエッチャントにより行い、電極のパターンを形成する。エッチャントとしては塩酸水溶液、塩酸と硝酸の水溶液、塩化第2鉄等を用いて、必要に応じて加熱を行い、反応性を高めてもよい。また、ガスプラズマを用いるケミカルドライエッチング方式を用いてもよい。エッチング後、図1Cに示すように剥離液を用いてレジスト樹脂104の除去を行い、透明導電膜103の透過率を上げ、抵抗率を下げるため焼成を行う。ここでは、透明導電膜103の電極を形成した基板101、102をそれぞれ、電極を有する基板110、111という。図1Dに示すように、電極を有する基板110、111の洗浄を行い、電極上にポリイミド樹脂105をオフセット印刷にて印刷または、スピナーにてスピン塗布し、焼成を行う。焼成後、ポリイミド樹脂105の膜表面をフェルトや木綿等のラビング布で擦るラビング法、光配向等を用いて配向処理を行い、洗浄を行う。ポリイミド樹脂105としては、N-メチル-2-ピロリドンなどとセロソルブアセテートなどを混ぜた溶媒にポリアミック酸を溶解させたポリイミド樹脂、ポリアミック酸をイミド化させて溶媒に溶かしたポリイミド樹脂等を用いればよい。次に、円柱状または球状のシリカ系のギャップ保持材を混合したシール材106を一方の電極を有する基板110に、ディスペンサー又は、スクリーン印刷にて電極の外側にシール材106でパターンを形成する。シール材106としてはエポキシ樹脂系、フェノール樹脂系、アクリル樹脂系の熱硬化性または、紫外線硬化性の材料を用いればよい。アルコール系の溶媒にセル内のギャップを保持するためのスペーサーの混合を行う。溶媒は、水/アルコール系の混合溶媒を用いてもよい。この混合した溶媒を、もう一方の電極を有する基板111上にスピンコート法を用いてスペーサー図示しない。の散布を行う。散布するスペーサーは球状タイプであれば樹脂系スペーサーでもシリカ系スペーサーでも良い。散布は前記湿式散布に限らず、ドライエアーや圧搾ドライ窒素などの気流で粉体状のスペーサーを基板上に散布するドライ式散布でも構わない。また、基板上に公知の方法でフォトスペーサーを形成しても構わない。次に、シール材106のパターンを形成した電極を有する基板110と、スペーサーを散布した電極を有する基板111のラビング方向が90°ずれるように貼り合わせを行い、液晶パネルシール焼成治具にて圧力をかけながら、クリーンオーブンにて熱プレスを行う。または、ホットプレート上で圧力をかけながら熱プレスを行う。熱プレス後の基板を、電極を取り出せるようにパネルサイズに切り出す。カイラル材が添加されたネマティック液晶に紫外線硬化型液晶の添加し、液晶組成物112を作製する。紫外線硬化型液晶の添加量が少ない場合、応答速度が遅くなることが確認されており、添加量が多い場合、コントラストがとれなくなることが確認されていることから、材料によって異なるが5wtから10wtの添加量で使用することが望ましい。ネマティック液晶はビフェニル系、ターフェニル系、フェニシクロヘキサン系、ビリミジン系、フッ素系、トラン系、フッ素系等の化合物で、正の誘電異方性を有する材料を用いればよい。また、TNモードにおいて上下基板のラビング方向を90°に位置するようにずらすことにより、液晶分子の配向方向を上下基板間で90°捩れた状態を得るが、ネマティック液晶単体では安定な捩れ状態を得ることは不十分となり、コントラストの低減等の表示品位に影響する。従って、液晶分子に右方向もしくは左方向のどちらか一方の回転を与えられるように、キラル化合物を有するシアノビフェニル誘導体、ビスアリール誘導体、エステル誘導体等から成る初めから捩れた分子構造を持つカイラル材を、材料によって異なるが0.05から0.5添加したネマティック液晶を用いればよい。但し、プレチルトの傾き方向とカイラル材による捩れの方向を一致させる必要がある。紫外線硬化型液晶はアクリレート、メタクリレート等の化合物を含有し、液晶相発現温度が高いと熱重合を起こし易いなど取り扱いが困難となるため、室温付近において液晶相を有する材料を用いればよい。液晶組成物112のN-I転移温度以上に加熱しながら攪拌することにより、カイラル材が添加されたネマティック液晶と紫外線硬化型液晶が混合し易くなる。また、超音波を加えることも混合に有効である。前記パネルに前記液晶組成物112をN-I転移温度以上に加熱しながら毛細管現象を利用して注入を行う。または、真空注入法、液晶滴下法を用いても構わない。次に、液晶分子の長軸が基板に対して垂直に並ぶよう電極間に直流の電圧を印加しながら、紫外光を照射し紫外線硬化型液晶の光重合硬化を行う。以上の工程により、カイラル材が添加されたネマティック液晶と紫外線硬化型液晶の混合体で構成される液晶電気光学装置を作製することができ、TNモードで液晶を駆動させた場合の応答を速くできる。本発明を用いて、カイラル材の添加された屈折率1.7243、Δn0.2042のネマティック液晶TL215と紫外線硬化型液晶の混合体で構成される液晶電気光学装置について、図1を用いて説明する。図1Aに示すようにガラス基板101、102上に、透明導電膜103をスパッタリング法で1000Å成膜を行った。本実施例では透明導電膜103の材料にITOIndium-Tin-Oxideを使用した。レジスト樹脂104を塗布し仮焼きした後、電極マスクを用いて露光し、現像液でレジスト樹脂の現像を行った。次に、図1Bに示すように、透明導電膜103の非被覆部のエッチングをウェットエッチング法で行った。エッチング後、図1Cに示すように、剥離液でレジスト樹脂104の除去を行った。レジスト樹脂104の除去後、透明導電膜103の焼成を250°C1時間で行い、電極を有する基板110、111を得た。次に、電極を有する基板110,111の洗浄を行い、ポリイミド樹脂105日産化学工業製SE7792をオフセット印刷により400から500Åの厚さに印刷し、焼成を200°C90分で行った。ポリイミド樹脂105の焼成後、ラビング法によりポリイミド樹脂105の配向処理を行い、洗浄を行った。次に、電極を有する基板110上に、2.2μmのギャップ保持材を1.5wt混合した熱硬化型のシール材106で、電極の外側にパターンの形成を、ディスペンサーを用いて行った。もう一方の電極を有する基板111には、イソプロピルアルコール50gに2μmのスペーサーを20g混合して、30分超音波にかけた水溶液を、スピナーを用いて湿式散布を行った。次に、スペーサーの散布を行った電極を有する基板111の対角に、プレス時に基板がずれるのを防止するための紫外線硬化型のシール材図示しない。を滴下し、熱硬化型のシール材106でパターンの形成を行った電極を有する基板110とラビング方向が90°ずれるように貼り合せを行った。次に、1.0kgf/cm2の圧力で15分間プレスを行い、紫外光を1分間照射させ紫外線硬化型のシール材の硬化を行った。プレス後、液晶パネルシール焼成治具にて1.0kgf/cm2の圧力で熱プレスを行い、貼り合せた基板を、スクライバーを用いてパネルサイズに切り出した。熱プレス後にセルギャップの測定を行った結果、セルギャップは2.0から2.5μmとなっていた。液晶組成物112の作製には、カイラル材が添加されたネマティック液晶TL215メルク製と紫外線硬化型液晶を使用した。本実施例では、屈折率1.655、Δnが0.142のアクリレート化合物から成る紫外線硬化型液晶を使用した。カイラル材が添加されたネマティック液晶に対して紫外線硬化型液晶を2.5,5.0,7.5,10wtの割合で混合し、液晶材料が等方相液体状態になるよう100°Cで加熱しながら1時間攪拌を行い、液晶組成物112を得た。前記パネルを100°Cのホットプレート上で加熱しながら、毛細管現象を利用して液晶組成物112の注入を行った。注入後、電極間に5Vの直流電圧を印加しながら、約8mW/cm2のUV照射強度で180秒間紫外光の照射を行い、パネルの電極に半田でリード線の接続を行った。液晶組成物112の注入されたパネルを、偏光板をクロスニコルにした偏光顕微鏡に挟み、リード線を通して電極間に電圧を印加した状態で、液晶の応答の観察をオシロスコープで行った。電極間には0V-10V、周波数100mHzの矩形波の電圧を波形発生装置で発生させ印加を行った。カイラル材が添加されたネマティック液晶TL215の応答に対し、紫外線硬化型液晶の添加量が5.0,7.5wtの場合、入力電圧がOFFからONに切り替わった時の液晶の応答に変化はないが、入力電圧がONからOFFに切り替わった時の液晶の応答は速くなり、前記2つの応答速度の平均値が速くなっていることから、全体の応答速度が速くなることが確認された。図2本発明を用いて、カイラル材の添加された屈折率1.513、Δn0.094のネマティック液晶ZLI-4792と紫外線硬化型液晶の混合体で構成される液晶電気光学装置について、図1を用いて説明する。図1Aに示すように、ガラス基板101、102上に、透明導電膜103をスパッタリング法で1000Å成膜を行った。本実施例では透明導電膜材料にITOIndium-Tin-Oxideを使用した。レジスト樹脂104を塗布し仮焼きした後、電極マスクを用いて露光し、現像液でレジスト樹脂の現像を行った。次に、図1Bに示すように、透明導電膜103の非被覆部のエッチングをウェットエッチング法で行った。エッチング後、図1Cに示すように剥離液でレジスト樹脂104の除去を行った。レジスト樹脂104の除去後、透明導電膜103の焼成を250°C1時間で行い、電極を有する基板110、111を得た。次に、電極を有する基板110,111の洗浄を行い、ポリイミド樹脂105日産化学工業製SE7792をオフセット印刷により400から500Åの厚さに印刷し、焼成を200°C90分で行った。ポリイミド樹脂105焼成後、ラビング法によりポリイミド樹脂105の配向処理を行い、洗浄を行った。次に、電極を有する基板110に、2.2μmのギャップ保持材を1.5wt混合した熱硬化型のシール材で、電極の外側にパターンの形成を、ディスペンサーを用いて行った。もう一方の電極を有する基板111には、イソプロピルアルコール50gに2μmのスペーサーを20g混合して、30分超音波にかけた水溶液を、スピナーを用いて湿式散布を行った。次に、スペーサーの散布を行った電極を有する基板111の対角に、プレス時に基板がずれるのを防止するための紫外線硬化型のシール材図示しない。を滴下し、熱硬化型のシール材106でパターンの形成を行った電極を有する基板110とラビング方向が90°ずれるように貼り合せを行った。次に、1.0kgf/cm2の圧力で15分間プレスを行い、紫外光を1分間照射させ紫外線硬化型のシール材の硬化を行った。プレス後、液晶パネルシール焼成治具にて1.0kgf/cm2の圧力で熱プレスを行い、貼り合せた基板を、スクライバーを用いてパネルサイズに切り出した。熱プレス後にセルギャップの測定を行った結果、セルギャップは2.0から2.5μmとなっていた。液晶組成物112の作製には、カイラル材が添加されたネマティック液晶ZLI-4792メルク製と紫外線硬化型液晶を使用した。本実施例では、屈折率1.655、Δnが0.142のアクリレート化合物から成る紫外線硬化型液晶を使用した。カイラル材が添加されたネマティック液晶に対して紫外線硬化型液晶を2.5,5,7.5,10wtの割合で混合し、液晶材料が等方相液体状態になるよう100°Cで加熱しながら1時間攪拌を行い、液晶組成物112を得た。前記パネルを100°Cのホットプレート上で加熱しながら、毛細管現象を利用して液晶組成物112の注入を行った。注入後、電極間に5Vの直流電圧を印加しながら、約8mW/cm2のUV照射強度で180秒間紫外光の照射を行い、パネルの電極に半田でリード線の接続を行った。液晶組成物112の注入されたパネルを、偏光板をクロスニコルにした偏光顕微鏡に挟み、リード線を通して電極間に電圧を印加した状態で、液晶の応答の観察をオシロスコープで行った。電極間には0V-10V、周波数100mHzの矩形波の電圧を波形発生装置で発生させ印加を行った。カイラル材が添加されたネマティック液晶ZLI-4792の応答に対し、紫外線硬化型液晶の添加量が5.0,7.5,10wtの場合、入力電圧がOFFからONに切り替わった時の液晶の応答は若干遅くなるが、入力電圧がONからOFFに切り替わった時の液晶の応答は速くなり、前記2つの応答速度の平均値が速くなっていることから、全体の応答速度が速くなることが確認された。図3本実施例では本発明をアクティブマトリクス表示装置に適用する場合に画素に設けられるTFTの作製方法について説明する。まず図4Aに示すように、基板500上に下地膜501を成膜する。基板500には、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、ステンレス基板等を用いることができる。また、PET、PES、PENに代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。下地膜501は基板500中に含まれるNaなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、半導体膜中に拡散し、半導体素子の特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設ける。よってアルカリ金属やアルカリ土類金属の半導体膜への拡散を抑えることができる窒化珪素、窒素を含む酸化珪素などの絶縁膜を用いて形成する。本実施例では、プラズマCVD法を用いて窒素を含む酸化珪素膜を10nm~400nm好ましくは50nm~300nmの膜厚になるように成膜する。なお下地膜501は窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素などの絶縁膜単層であっても、酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素などの絶縁膜を複数積層したものであっても良い。またガラス基板、ステンレス基板またはプラスチック基板のように、アルカリ金属やアルカリ土類金属が多少なりとも含まれている基板を用いる場合、不純物の拡散を防ぐという観点から下地膜を設けることは有効であるが、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、必ずしも設ける必要はない。次に下地膜501上に半導体膜502を形成する。半導体膜502の膜厚は25nm~100nm好ましくは30nm~60nmとする。なお半導体膜502は、非晶質半導体であっても良いし、多結晶半導体であっても良い。また半導体はシリコンSiだけではなくシリコンゲルマニウムSiGeも用いることができる。シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は0.01~4.5atomic程度であることが好ましい。次に図4Bに示すように、半導体膜502に線状レーザ499を照射し、結晶化を行なう。レーザ結晶化を行なう場合、レーザ結晶化の前に、レーザに対する半導体膜502の耐性を高めるために、500°C、1時間の加熱処理を該半導体膜502に加えてもよい。レーザ結晶化は、連続発振のレーザ、または擬似CWレーザとして、発振周波数が10MHz以上、好ましくは80MHz以上のパルス発振レーザを用いることができる。具体的には、連続発振のレーザとして、Arレーザ、Krレーザ、CO2レーザ、YAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、GdVO4レーザ、Y2O3レーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ti:サファイアレーザ、ヘリウムカドミウムレーザなどが挙げられる。また擬似CWレーザとして、発振周波数が10MHz以上、好ましくは80MHz以上のパルス発振させることができるのであれば、Arレーザ、Krレーザ、エキシマレーザ、CO2レーザ、YAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、GdVO4レーザ、Y2O3レーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ti:サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのようなパルス発振レーザを用いることができる。このようなパルス発振レーザは、発振周波数を増加させていくと、いずれは連続発振レーザと同等の効果を示すものである。例えば連続発振が可能な固体レーザを用いる場合、第2高調波~第4高調波のレーザ光を照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。代表的には、YAGレーザ基本波1064nmの第2高調波532nmや第3高調波355nmを用いるのが望ましい。例えば、連続発振のYAGレーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換して、半導体膜502に照射する。エネルギー密度は0.01~100MW/cm2程度好ましくは0.1~10MW/cm2とすれば良い。なお、希ガスや窒素などの不活性ガスを含む雰囲気中でレーザ光を照射するようにしても良い。これにより、レーザ光照射による半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密度のばらつきによって生じる閾値電圧のばらつきを抑えることができる。上述した半導体膜502へのレーザ光の照射により、結晶性がより高められた結晶性半導体膜504が形成される。次に、図4Cに示すように結晶性半導体膜504をパターニングすることで、島状半導体膜507~509が形成される。この島状半導体膜507~509には、以降の工程でTFTのソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域等が形成される。次に島状半導体膜にしきい値制御のための不純物を導入する。本実施例においてはジボランB2H6をドープすることによってボロンBを島状半導体膜中に導入する。次に島状半導体膜507~509を覆うように絶縁膜510を成膜する。絶縁膜510には、例えば酸化珪素SiO、窒化珪素SiNまたは窒素を含んだ酸化珪素SiON等を用いることができる。また成膜方法は、プラズマCVD法、スパッタ法などを用いることができる。次に、絶縁膜510上に導電膜を成膜した後、導電膜をパターニングすることで、ゲート電極570~572を形成する。ゲート電極570~572は、導電膜を単層または2層以上積層させた構造を用いて形成する。導電膜を2層以上積層させている場合は、タンタルTa、タングステンW、チタンTi、モリブデンMo、アルミニウムAlから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料、若しくは化合物材料を積層させてゲート電極570~572を形成してもよい。また、リンP等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてゲート電極を形成してもよい。本実施例では、ゲート電極570~572は以下のようにして形成される。まず第1の導電膜511として、例えば窒化タンタルTaN膜を10~50nm、例えば30nmの膜厚で形成する。そして第1の導電膜511上に第2の導電膜512として、例えばタングステンW膜を200~400nm、例えば370nmの膜厚で形成し、第1の導電膜511及び第2の導電膜512の積層膜を形成する図4D。次に第2の導電膜512を異方性エッチングでエッチングし、上層ゲート電極560~562を形成する図5A。次いで第1の導電膜511を等方性エッチングでエッチングし、下層ゲート電極563~565を形成する図5B。以上よりゲート電極570~572を形成する。ゲート電極570~572は、ゲート配線の一部として形成してもよいし、別にゲート配線を形成して、そのゲート配線にゲート電極570~572を接続してもよい。そして、ゲート電極570~572や、あるいはレジストを成膜してパターニングしたものをマスクとして用い、島状半導体膜507~509それぞれに一導電性n型またはp型の導電性を付与する不純物を添加し、ソース領域、ドレイン領域、さらには低濃度不純物領域等を形成する。まず、フォスフィンPH3を用いて、リンPを、加速電圧を60~120keV、ドーズ量を1×1013~1×1015cm2として島状半導体膜中に導入する。この不純物導入の際にnチャネル型TFT550及び552のチャネル形成領域522及び527が形成される。またpチャネル型TFT551を作製するために、ジボランB2H6を印加電圧60~100keV、例えば80keV、ドーズ量1×1013~5×1015cm2、例えば3×1015cm2の条件で、島状半導体膜中にボロンBを導入する。これによりpチャネル型TFTのソース領域又はドレイン領域523、またこの不純物導入の際にチャネル形成領域524が形成される図5C。次に絶縁膜510をパターニングしてゲート絶縁膜580~582を形成する。ゲート絶縁膜580~582形成後、nチャネル型TFTと550及び552なる島状半導体膜中に、フォスフィンPH3を用いて、印加電圧40~80keV、例えば50keV、ドーズ量1.0×1015~2.5×1016cm2、例えば3.0×1015cm2で、リンPを導入する。これによりnチャネル型TFTの低濃度不純物領域521、526、及びソース領域又はドレイン領域520、525が形成される図6A。本実施例においては、nチャネル型TFT550及び552のソース領域又はドレイン領域520、525のそれぞれには、1×1019~5×1021cm3の濃度でリンPが含まれることとなる。またnチャネル型TFT550及び552の低濃度不純物領域521及び526のそれぞれには、1×1018~5×1019cm3の濃度でリンPが含まれる。さらに、pチャネル型TFT551のソース又はドレイン領域523には、1×1019~5×1021cm3の濃度でボロンBが含まれる。次に島状半導体膜507~509、ゲート電極570~572を覆って、第1層間絶縁膜530を形成する図6B。第1層間絶縁膜530としては、プラズマCVD法またはスパッタ法を用いて、シリコンを含む絶縁膜、例えば酸化珪素膜SiO、窒化珪素膜SiN、窒素を含む酸化珪素膜SiON、またはその積層膜で形成する。勿論、第1層間絶縁膜530は窒素を含む酸化珪素膜や窒化珪素膜、またはその積層膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。本実施例では、不純物を導入した後、窒素を含む酸化珪素膜SiON膜をプラズマCVD法により50nm形成し、レーザ照射方法によって不純物を活性化する。又は窒素を含む酸化珪素膜形成後、窒素雰囲気中550°Cで4時間加熱して、不純物を活性化してもよい。次にプラズマCVD法により窒化珪素膜SiN膜を50nm形成し、更に窒素を含む酸化珪素膜SiON膜を600nm形成する。この、窒素を含む酸化珪素膜、窒化珪素膜及び窒素を含む酸化珪素膜の積層膜が第1層間絶縁膜530である。次に全体を410°Cで1時間加熱し、窒化珪素膜から水素を放出させることにより水素化を行う。次に第1層間絶縁膜530を覆って、平坦化膜として機能する第2層間絶縁膜531を形成する。第2層間絶縁膜531としては、感光性または非感光性の有機材料ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン、珪素Siと酸素Oとの結合Si-O-Si結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む、または置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有する材料、いわゆるシロキサン、及びそれらの積層構造を用いることができる。有機材料として、ポジ型感光性有機樹脂又はネガ型感光性有機樹脂を用いることができる。本実施例では、第2層間絶縁膜531としてシロキサンをスピンコート法で形成する。第1層間絶縁膜530及び第2層間絶縁膜531をエッチングして、第1層間絶縁膜530及び第2層間絶縁膜531に、島状半導体膜507~509に到達するコンタクトホールを形成する。なお、第2層間絶縁膜531上に第3層間絶縁膜を形成し、第1層間絶縁膜~第3層間絶縁膜にコンタクトホールを形成してもよい。第3の層間絶縁膜としては、水分や酸素などを他の絶縁膜と比較して透過させにくい膜を用いる。代表的には、スパッタ法またはCVD法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜SiNO膜組成比N>OまたはSiON膜組成比N<O、炭素を主成分とする薄膜例えばDLC膜、CN膜などを用いることができる。第2層間絶縁膜531上にコンタクトホールを介して、第3の導電膜を形成し、第1の導電膜をパターニングして、電極又は配線540~544を形成する。本実施例として、第3の導電膜は金属膜を用いる。該金属膜は、アルミニウムAl、チタンTi、モリブデンMo、タングステンWもしくはシリコンSiの元素からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜を用いればよい。本実施例では、チタン膜Ti、窒化チタン膜TiN、シリコン-アルミニウム合金膜Al-Si、チタン膜Tiをそれぞれ60nm、40nm、300nm、100nmに積層したのち、所望の形状にパターニング及びエッチングして電極又は配線540~544を形成する。またこの電極又は配線540~544を、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも1種の元素、及び炭素を含むアルミニウム合金膜で形成してもよい。このようなアルミニウム合金膜は、シリコンと接触してもシリコンとアルミニウムの相互拡散が防止できる。またこのようなアルミニウム合金膜は、透明導電膜、例えばITOIndiumTinOxide膜と接触しても酸化還元反応が起こらないため、両者を直接接触させることができる。さらにこのようなアルミ合金膜は、比抵抗が低く耐熱性にも優れているので、配線材料としては有用である。また電極又は配線540~544はそれぞれ、電極と配線を一体化して形成してもよいし、電極と配線を別々に形成してそれらを接続させてもよい。上記一連の工程によってnチャネル型TFT550及びpチャネル型TFT551を含むCMOS回路553、及びnチャネル型TFT552を含む半導体装置を形成することができる図6C。なお半導体装置の作製方法は上述した作製工程に限定されないことはいうまでもない。本実施例では、本発明を用いて液晶表示装置LiquidCrystalDisplayLCDを作製する例を示す。本実施例で説明する表示装置の作製方法は画素TFTを含む画素部とその周辺に設けられる駆動回路部のTFTを同時に作製する方法である。但し、説明を簡単にするために、駆動回路に関しては基本単位であるCMOS回路を図示することとする。まず実施例3に基づいて図6Cにおける電極又は配線540~544形成までを行う。なお、上記実施例と同じものは同じ符号で表す。次に第2層間絶縁膜531及び電極又は配線540~544上に第3層間絶縁膜610を形成する。なお第3層間絶縁膜610は、第2層間絶縁膜531と同様の材料を用いて形成することが可能である。次いで、フォトマスクを用いてレジストマスクを形成し、第3層間絶縁膜610の一部をドライエッチングにより除去して開孔コンタクトホールを形成する。このコンタクトホール形成においては、エッチングガスとして四フッ化炭素CF4、酸素O2、ヘリウムHeを、CF4、O2、Heをそれぞれ50sccm、50sccm、30sccmの流量で用いた。なお、コンタクトホールの底部は電極又は配線544に達している。次いで、レジストマスクを除去した後、全面に第2の導電膜を成膜する。次いでフォトマスクを用いて、第2の導電膜のパターニングを行い、電極又は配線544に電気的に接続される画素電極623を形成する図7。本実施例では、反射型の液晶表示パネルを作製するので、画素電極623スパッタ法によりAg銀、Au金、Cu銅、Wタングステン、Alアルミニウム等の光反射性を有する金属材料を用いて形成すればよい。また、透過型の液晶表示パネルを作製する場合は、インジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化亜鉛ZnO、酸化スズSnO2などの透明導電膜を用い、画素電極623を形成する。なお、図9に画素TFTを含む画素部650の一部を拡大した上面図を示す。また、図9は画素電極の形成途中を示しており、左側の画素においては画素電極が形成されているが、右側の画素においては画素電極を形成していない状態を示している。図9において、実線A-A’で切断した図が、図7の画素部の断面と対応しており、図7と対応する箇所には同じ符号を用いている。図9に示すように、ゲート電極572はゲート配線630に接続されている。また電極543はソース配線と一体形成されている。また、容量配線631が設けてあり、保持容量は、第1層間絶縁膜530を誘電体とし、画素電極623と、該画素電極と重なる容量配線631とで形成されている。なお本実施例においては、画素電極623と容量配線631が重なる領域は、第2層間絶縁膜531及び第3層間絶縁膜610をエッチングし、保持容量は画素電極623,第1層間絶縁膜530及び容量配線631によって形成されている。しかし第2層間絶縁膜531及び第3層間絶縁膜610も誘電体として用いることが可能であれば、第2層間絶縁膜531及び第3層間絶縁膜610をエッチングしなくてもよい。その場合第1層間絶縁膜530及び第2層間絶縁膜531及び第3層間絶縁膜610が誘電体として機能する。もしくは第3層間絶縁膜610のみをエッチングして、第1層間絶縁膜530と第2層間絶縁膜531を誘電体として用いてもよい。以上の工程により、基板500上にトップゲート型の画素TFT552、トップゲイト型TFT550及び551からなるCMOS回路553および画素電極623が形成された液晶表示装置のTFT基板が完成する。本実施例では、トップゲート型TFTを形成したが、ボトムゲート型TFTを適宜用いることができる。次いで、画素電極623を覆うように、配向膜624aを形成する。なお、配向膜624aは、液滴吐出法やスクリーン印刷法やオフセット印刷法を用いればよい。その後、配向膜624aの表面にラビング処理を行う。そして、対向基板625には、着色層626a、遮光層ブラックマトリクス626b、及びオーバーコート層627からなるカラーフィルタを設け、さらに透明電極もしくは反射電極からなる対向電極628と、その上に配向膜624bを形成する図8。そして、閉パターンであるシール材600を液滴吐出法により画素TFTを含む画素部650と重なる領域を囲むように形成する図10A。ここでは液晶を滴下するため、閉パターンのシール材600を描画する例を示すが、開口部を有するシールパターンを設け、基板500を貼りあわせた後に毛細管現象を用いて液晶を注入するディップ式汲み上げ式を用いてもよい。次いで、気泡が入らないように減圧下で液晶組成物629の滴下を行い図10B、両方の基板500及び625を貼り合わせる図10C。閉ループのシールパターン内に液晶を1回若しくは複数回滴下する。液晶組成物としては、上記実施形態および上記実施例に示したものを用いればよい。液晶組成物629の配向モードとしては、液晶分子の配列が光の入射から出射に向かって90°ツイスト配向したTNモードを用いる。そして基板のラビング方向が直交するように貼り合わせる。なお、一対の基板間隔は、球状のスペーサを散布したり、樹脂からなる柱状のスペーサを形成したり、シール材600にフィラーを含ませることによって維持すればよい。上記柱状のスペーサは、アクリル、ポリイミド、ポリイミドアミド、エポキシの少なくとも1つを主成分とする有機樹脂材料、もしくは酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素のいずれか一種の材料、或いはこれらの積層膜からなる無機材料であることを特徴としている。次いで、基板の分断を行う。多面取りの場合、それぞれのパネルを分断する。また、1面取りの場合、予めカットされている対向基板を貼り合わせることによって、分断工程を省略することもできる図10D。そして、異方性導電体層を介し、公知の技術を用いてFPCFlexiblePrintedCircuitを貼りつける。以上の工程で液晶表示装置が完成する。また、必要があれば光学フィルムを貼り付ける。透過型の液晶表示装置とする場合、偏光板は、TFT基板と対向基板の両方に貼り付ける。以上の工程によって得られた液晶表示装置の上面図を図15Aに示すとともに、他の液晶表示装置の上面図の例を図15Bに示す。図15A中、500はTFT基板、625は対向基板、650は画素部、600はシール材、801はFPCである。なお、液晶組成物を液滴吐出法により吐出させ、減圧下で一対の基板500及び625をシール材600で貼り合わせている。図15B中、500はTFT基板、625は対向基板、802はソース信号線駆動回路、803はゲート信号線駆動回路、650は画素部、600aは第1シール材、801はFPCである。なお、液晶組成物を液滴吐出法により吐出させ、一対の基板500及び625を第1シール材600aおよび第2シール材600bで貼り合わせている。駆動回路部802及び803には液晶は不要であるため、画素部650のみに液晶を保持させており、第2シール材600bはパネル全体の補強のために設けられている。以上示したように、本実施例では、本発明の液晶組成物を用い、結晶性半導体膜を有するTFTを用いて、応答速度の速い液晶表示装置を作製することができる。本実施例で作製される液晶表示装置は各種電子機器の表示部として用いることができる。なお、本実施例では、TFTをトップゲート型TFTとしたが、この構造に限定されるものではなく、適宜ボトムゲート型逆スタガ型TFTや、順スタガ型TFTを用いることが可能である。また、シングルゲート構造のTFTに限定されず、複数のチャネル形成領域を有するマルチゲート型TFT、例えばダブルゲート型TFTとしてもよい。また、本実施例は、必要であれば上記実施の形態及び上記実施例のいかなる記載とも自由に組み合わせることが可能である。本実施例では、液晶滴下に液滴吐出法を用いる例を示す。本実施例では、大面積基板1110を用い、パネル4枚取りの作製例を示す。図11Aは、ディスペンサまたはインクジェットによる液晶層形成の途中の断面図を示しており、シール材1112で囲まれた画素部1111を覆うように液晶組成物1114を液滴吐出装置1116のノズル1118から吐出、噴射、または滴下させている。液滴吐出装置1116は、図11A中の矢印方向に移動させる。なお、ここではノズル1118を移動させた例を示したが、ノズルを固定し、基板を移動させることによって液晶層を形成してもよい。また、図11Bには斜視図を示している。シール材1112で囲まれた領域のみに選択的に液晶組成物1114を吐出、噴射、または滴下させ、ノズル走査方向1113に合わせて滴下面1115が移動している様子を示している。また、図11Aの点線で囲まれた部分1119を拡大した断面図が図11C、図11Dである。液晶組成物の粘性が高い場合は、連続的に吐出され、図11Cのように繋がったまま付着される。一方、液晶組成物の粘性が低い場合には、間欠的に吐出され、図11Dに示すように液滴が滴下される。なお、図11C中、1120はトップゲート型TFT、1121は画素電極をそれぞれ指している。画素部1111は、マトリクス状に配置された画素電極と、該画素電極と接続されているスイッチング素子、ここではトップゲート型TFTと、保持容量とで構成されている。なお本実施例ではトップゲート型TFTを用いたが、ボトムゲート型TFTを用いてもよい。ここで、図12及び図13を用いて、パネル作製の流れを以下に説明する。まず、絶縁表面に画素部1111が形成された第1基板1110を用意する。第1基板1110は、予め、配向膜の形成、ラビング処理、球状スペーサ散布、或いは柱状スペーサ形成、またはカラーフィルタの形成などを行っておく。次いで、図12Aに示すように、不活性気体雰囲気または減圧下で第1基板1110上にディスペンサ装置またはインクジェット装置でシール材1112を所定の位置画素部1111を囲むパターンに形成する。半透明なシール材1112としてはフィラー直径6μm~24μmを含み、且つ、粘度40~400Pasのものを用いる。なお、後に接する液晶に溶解しない材料を選択することが好ましい。シール材1112としては、アクリル系光硬化樹脂やアクリル系熱硬化樹脂を用いればよい。また、簡単なシールパターンであるのでシール材1112は、印刷法で形成することもできる。次いで、シール材1112に囲まれた領域に液晶組成物1114をインクジェット法により滴下する図12B。液晶組成物1114としては、上記実施例に示したものを液晶組成物を用いればよい。また、液晶組成物は温度を調節することによって粘度を設定することができるため、インクジェット法に適している。インクジェット法により無駄なく必要な量だけの液晶組成物1114をシール材1112に囲まれた領域に保持することができる。次いで、画素部1111が設けられた第1基板1110と、対向電極や配向膜が設けられた第2基板1031とを気泡が入らないように減圧下で貼りあわせる。図13Aここでは、貼りあわせると同時に紫外線照射や熱処理を行って、シール材1112を硬化させる。なお、紫外線照射に加えて、熱処理を行ってもよい。また、図14に貼り合わせ時または貼り合わせ後に紫外線照射や熱処理が可能な貼り合わせ装置の例を示す。図14A及び図14B中、1041は第1基板支持台、1042は第2基板支持台、1044は透光性の窓、1048は下側定盤、1049は紫外光の光源である。なお、図14A~図14Bにおいて、図11A~図11D、図12A~図12B及び図13A~図13Bと対応する部分は同一の符号を用いている。下側定盤1048は加熱ヒータが内蔵されており、シール材1112を硬化させる。また、第2基板支持台1042には透光性の窓1044が設けられており、光源1049からの紫外光などを通過させるようになっている。ここでは図示していないが窓1044を通して基板の位置アライメントを行う。また、対向基板となる第2基板1031は予め、所望のサイズに切断しておき、第2基板支持台1042に真空チャックなどで固定しておく。図14Aは貼り合わせ前の状態を示している。貼り合わせ時には、第1基板支持台1041と第2基板支持台1042とを下降させた後、圧力をかけて第1基板1110と第2基板1031を貼り合わせ、そのまま紫外光を照射することによって硬化させる。貼り合わせ後の状態を図14Bに示す。次いで、スクライバー装置、ブレイカー装置、ロールカッターなどの切断装置を用いて第1基板1110を切断する図13B。こうして、1枚の基板から4つのパネルを作製することができる。そして、公知の技術を用いてFPCを貼りつける。なお、第1基板1110、第2基板1031としてはガラス基板、またはプラスチック基板を用いることができる。また、本実施例は、必要であれば上記実施の形態及び上記実施例のいかなる記載と自由に組み合わせることが可能である。本発明が適用される電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオコンポ等、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図16、図17、図18A~図18B、図19A~図19B、図20、図21A~図21Eに示す。図16は表示パネル5001と、回路基板5011を組み合わせた液晶モジュールを示している。回路基板5011には、コントロール回路5012や信号分割回路5013などが形成されており、接続配線5014によって表示パネル5001と電気的に接続されている。この表示パネル5001には、複数の画素が設けられた画素部5002と、走査線駆動回路5003、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路5004を備えている。なお液晶モジュールを作製する場合は上記実施の形態および上記実施例を用いて表示パネル5001を作製すればよい。また、走査線駆動回路5003や信号線駆動回路5004等制御用駆動回路部を、上記実施例形成されたTFTを用いて作製することが可能である。図16に示す液晶モジュールにより液晶テレビ受像機を完成させることができる。図17は、液晶テレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ5101は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路5102と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路5103と、その映像信号をドライバICの入力仕様に変換するためのコントロール回路5012により処理される。コントロール回路5012は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路5013を設け、入力デジタル信号をm個に分割して供給する構成としても良い。チューナ5101で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路5105に送られ、その出力は音声信号処理回路5106を経てスピーカ5107に供給される。制御回路5108は受信局受信周波数や音量の制御情報を入力部5109から受け、チューナ5101や音声信号処理回路5106に信号を送出する。図18Aに示すように、液晶モジュールを筐体5201に組みこんで、テレビ受像機を完成させることができる。液晶モジュールにより、表示画面5202が形成される。また、スピーカー5203、操作スイッチ5204などが適宜備えられている。また図18Bに、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なテレビ受像器を示す。筐体5212にはバッテリー及び信号受信器が内蔵されており、そのバッテリーで表示部5213やスピーカ部5217を駆動させる。バッテリーは充電器5210で繰り返し充電が可能となっている。また、充電器5210は映像信号を送受信することが可能で、その映像信号をディスプレイの信号受信器に送信することでができる。筐体5212は操作キー5216によって制御する。また、図18Bに示す装置は、操作キー5216を操作することによって、筐体5212から充電器5210に信号を送ることも可能であるため映像音声双方向通信装置とも言える。また、操作キー5216を操作することによって、筐体5212から充電器5210に信号を送り、さらに充電器5210が送信できる信号を他の電子機器に受信させることによって、他の電子機器の通信制御も可能であり、汎用遠隔制御装置とも言える。本発明は表示部5213及び制御用回路部等に適用することができる。本発明を図16、図17、図18A~図18Bに示すテレビ受像器使用することにより、高速応答速度を有する本テレビ受像器を作製することができる。勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。図19Aは表示パネル5301とプリント配線基板5302を組み合わせたモジュールを示している。表示パネル5301は、複数の画素が設けられた画素部5303と、第1の走査線駆動回路5304、第2の走査線駆動回路5305と、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路5306を備えている。プリント配線基板5302には、コントローラ5307、中央処理装置CPU5308、メモリ5309、電源回路5310、音声処理回路5311及び送受信回路5312などが備えられている。プリント配線基板5302と表示パネル5301は、フレキシブル配線基板FPC5313により接続されている。プリント配線基板5302には、容量素子、バッファ回路などを設け、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍ったりすることを防ぐ構成としても良い。また、コントローラ5307、音声処理回路5311、メモリ5309、CPU5308、電源回路5310などは、COGChipOnGlass方式を用いて表示パネル5301に実装することもできる。COG方式により、プリント配線基板5302の規模を縮小することができる。プリント配線基板5302に備えられたインターフェースI/F部5314を介して、各種制御信号の入出力が行われる。また、アンテナとの間の信号の送受信を行なうためのアンテナ用ポート5315が、プリント配線基板5302に設けられている。図19Bは、図19Aに示したモジュールのブロック図を示す。このモジュールは、メモリ5309としてVRAM5316、DRAM5317、フラッシュメモリ5318などが含まれている。VRAM5316にはパネルに表示する画像のデータが、DRAM5317には画像データまたは音声データが、フラッシュメモリには各種プログラムが記憶されている。電源回路5310は、表示パネル5301、コントローラ5307、CPU5308、音声処理回路5311、メモリ5309、送受信回路5312を動作させる電力を供給する。またパネルの仕様によっては、電源回路5310に電流源が備えられている場合もある。CPU5308は、制御信号生成回路5320、デコーダ5321、レジスタ5322、演算回路5323、RAM5324、CPU5308用のインターフェース5366などを有している。インターフェース5366を介してCPU5308に入力された各種信号は、一旦レジスタ5322に保持された後、演算回路5323、デコーダ5321などに入力される。演算回路5323では、入力された信号に基づき演算を行ない、各種命令を送る場所を指定する。一方デコーダ5321に入力された信号はデコードされ、制御信号生成回路5320に入力される。制御信号生成回路5320は入力された信号に基づき、各種命令を含む信号を生成し、演算回路5323において指定された場所、具体的にはメモリ5309、送受信回路5312、音声処理回路5311、コントローラ5307などに送る。メモリ5309、送受信回路5312、音声処理回路5311、コントローラ5307は、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に説明する。入力手段5325から入力された信号は、I/F部5314を介してプリント配線基板5302に実装されたCPU5308に送られる。制御信号生成回路5320は、ポインティングデバイスやキーボードなどの入力手段5325から送られてきた信号に従い、VRAM5316に格納してある画像データを所定のフォーマットに変換し、コントローラ5307に送付する。コントローラ5307は、パネルの仕様に合わせてCPU5308から送られてきた画像データを含む信号にデータ処理を施し、表示パネル5301に供給する。またコントローラ5307は、電源回路5310から入力された電源電圧やCPU5308から入力された各種信号をもとに、Hsync信号、Vsync信号、クロック信号CLK、交流電圧ACCont、切り替え信号L/Rを生成し、表示パネル5301に供給する。送受信回路5312では、アンテナ5328において電波として送受信される信号が処理されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、VCOVoltageControlledOscillator、LPFLowPassFilter、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいる。送受信回路5312において送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、CPU5308からの命令に従って、音声処理回路5311に送られる。CPU5308の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は、音声処理回路5311において音声信号に復調され、スピーカー5327に送られる。またマイク5326から送られてきた音声信号は、音声処理回路5311において変調され、CPU5308からの命令に従って、送受信回路5312に送られる。コントローラ5307、CPU5308、電源回路5310、音声処理回路5311、メモリ5309を、本実施例のパッケージとして実装することができる。本実施例は、アイソレータ、バンドパスフィルタ、VCOVoltageControlledOscillator、LPFLowPassFilter、カプラ、バランなどの高周波回路以外であれば、どのような回路にも応用することができる。図20は、図19A~図19Bに示すモジュールを含む携帯電話機の一態様を示している。表示パネル5301はハウジング5330に脱着自在に組み込まれる。ハウジング5330は表示パネル5301のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。表示パネル5301を固定したハウジング5330はプリント基板5331に嵌着されモジュールとして組み立てられる。表示パネル5301はFPC5313を介してプリント基板5331に接続される。プリント基板5331には、スピーカー5332、マイクロフォン5333、送受信回路5334、CPU及びコントローラなどを含む信号処理回路5335が形成されている。このようなモジュールと、入力手段5336、バッテリ5337、アンテナ5340を組み合わせ、筐体5339に収納する。表示パネル5301の画素部は筐体5339に形成された開口窓から視認できように配置する。本実施例に係る携帯電話機は、その機能や用途に応じてさまざまな態様に変容し得る。例えば、表示パネルを複数備えたり、筐体を適宜複数に分割して蝶番により開閉式とした構成としても、上記した作用効果を奏することができる。できる。本発明を図19A~図19B、図20に示す携帯電話に使用することにより、高速応答の携帯電話を作製することができる。図21Aは液晶ディスプレイであり、筐体6001、支持台6002、表示部6003などによって構成されている。本発明は図16に示す液晶モジュール、図19Aに示す表示パネルの構成を用いて、表示部6003に適用が可能である。また、本発明を制御用回路部等に用いることも可能である。本発明を使用することにより、高速応答のディスプレイを作製することができる。図21Bはコンピュータであり、本体6101、筐体6102、表示部6103、キーボード6104、外部接続ポート6105、ポインティングマウス6106等を含む。本発明は図16に示す液晶モジュール、図19Aに示す表示パネルの構成を用いて、表示部6103に適用することができる。また、本発明を制御用回路部等に用いることも可能である。本発明を使用することにより、高速応答速度を有する本コンピュータを作製することができる。図21Cは携帯可能なコンピュータであり、本体6201、表示部6202、スイッチ6203、操作キー6204、赤外線ポート6205等を含む。本発明は図16に示す液晶モジュール、図19Aに示す表示パネルの構成を用いて、表示部6202に適用することができる。また、本発明を制御用回路部等に用いることも可能である。本発明を使用することにより、高速応答速度を有する本コンピュータを作製することができる。図21Dは携帯型のゲーム機であり、筐体6301、表示部6302、スピーカー部6303、操作キー6304、記録媒体挿入部6305等を含む。本発明は図16に示す液晶モジュール、図19Aに示す表示パネルの構成を用いて、表示部6302に適用することができる。本発明を使用することにより、高速応答速度を有する本ゲーム機を作製することができる。図21Eは記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置具体的にはDVD再生装置であり、本体6401、筐体6402、表示部A6403、表示部B6404、記録媒体DVD等読込部6405、操作キー6406、スピーカー部6407等を含む。表示部A6403は主として画像情報を表示し、表示部B6404は主として文字情報を表示する。本発明は図16に示す液晶モジュール、図19Aに示す表示パネルの構成を用いて、表示部A6403、表示部B6404及び制御用回路部等に適用することができる。また、本発明を制御用回路部等に用いることも可能である。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。本発明を使用することにより、高速応答速度を有する本画像再生装置を作製することができる。これらの電子機器に使われる表示装置は、大きさや強度、または使用目的に応じて、ガラス基板だけでなく耐熱性のプラスチック基板を用いることも可能である。それによってよりいっそうの軽量化を図ることができる。なお、本実施例に示した例はごく一例であり、これらの用途に限定するものではないことを付記する。また本実施例は、上記実施の形態及び上記実施例のいかなる記載とも自由に組み合せて実施することが可能である。"