"AIR1SiO32で表されるシロキサン単位T単位を40~99モル、IIR2R3SiO22で表されるシロキサン単位D単位を0~49モル、IIIR4R5R6SiO12で表されるシロキサン単位M単位を1~25モル式中、R1~R6は非置換又は置換の炭素原子数1~10の1価炭化水素基を表す含有し、且つ重量平均分子量が2000を超えるオルガノポリシロキサン、B沸点220°C以下の有機溶剤、を含有してなる仮接着材組成物。A成分のオルガノポリシロキサンが、I前記T単位40~98.9モル、II前記D単位0~48.9モル、III前記Q単位0.1~30モル、及びIV前記M単位1~25モルからなるオルガノポリシロキサンである、請求項1に係る仮接着材組成物。a回路形成面及び回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、請求項1又は2に記載の仮接着材組成物からなる接着層を介して、支持体に接合する工程、b支持体と接合したウエハの回路非形成面を研削する工程、c回路非形成面を研削したウエハの回路非形成面に加工を施す工程、d加工を施したウエハを支持体から剥離する工程、ならびにe剥離したウエハの回路形成面に残存する接着材組成物を除去する工程を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。そこで、本発明は、仮接着が容易であり、且つ、剥離も容易で、生産性を高めることができる仮接着材及びこれを使用する薄型ウエハの製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、オルガノポリシロキサンと、希釈溶剤である有機溶媒とからなる組成物が上記目的の達成に有効であることを見出した。即ち、本発明は、AIR1SiO32で表されるシロキサン単位T単位を40~99モル、IIR2R3SiO22で表されるシロキサン単位D単位を0~49モル、IIIR4R5R6SiO12で表されるシロキサン単位M単位を1~25モル式中、R1~R6は非置換又は置換の炭素原子数1~10の1価炭化水素基を表す含有し、且つ重量平均分子量が2000を超えるオルガノポリシロキサン、B沸点220°C以下の有機溶剤、を含有してなる仮接着材組成物を提供する。本発明の仮接着材は、加熱によって接合と剥離をコントロールすることができる。該仮接着材は200°C以下の温度で対象どうしを貼り合わせることが可能で、且つ200°C以上での熱安定性に優れている。該仮接着材組成物用いた本発明の薄型ウエハの製造方法は生産性に優れる。以下、本発明を詳細に説明する。<仮接着材組成物>-Aオルガノポリシロキサン-A成分のオルガノポリシロキサンは実質的に非反応性であり、R1SiO32で表されるシロキサン単位T単位を40~99モル、好ましくは50~95モル、R2R3SiO22で表されるシロキサン単位D単位を0~49モル、好ましくは10~40モル、R4R5R6SiO12で表されるシロキサン単位M単位を1~25モル、好ましくは3~20モル含有する。上記において、有機置換基R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、非置換又は置換の炭素原子数1~10の1価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチル基、nプロピル基、イソプロピル基、nブチル基、tブチル基、nペンチル基、nヘキシル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、ビニル基、アリル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基などの炭化水素基、並びに、これらの炭化水素基の水素原子の少なくとも一部が、例えば塩素、臭素等のハロゲン原子、シアノ基などにより置換された置換炭化水素基、例えば、シアノメチル基、トリフルオロプロピル基等があげられる。置換基は非反応性であることが必要である。好ましくはメチル基、ビニル基、nプロピル基及びフェニル基である。特に高い耐熱性を維持する上でフェニル基の含有量は重要であり、フェニル基含有量は全有機置換基の40モル以上であることが好ましく、より好ましくは50~90モルである。該オルガノポリシロキサンは、好ましくは40~300°C、より好ましくは40~230°C、さらに好ましくは40~200°Cの温度範囲内に軟化点を有し、かつ40°Cを越えない温度、好ましくは0~30°Cの範囲で固体であることものが適する。該オルガノポリシロキサンにおいて、T単位が40モルより少ない場合、40°Cを超えない温度で固体となり難く、かつ有機溶剤への溶解度が低下し溶解性不十分ないしは難溶となるため好ましくない。また本発明のオルガノポリシロキサンは、反応性の末端基、即ちシラノールや加水分解性残基を有することは、後述する熱安定性の観点から好ましくない。従って末端に非反応性のM単位を導入する構造が好ましく、該M単位の含有量は1モル以上であることが好ましい。D単位は任意的に存在してもよい非反応性の構造単位であるが、49モルより多くなる場合、該オルガノポリシロキサンは40°Cを超えない温度で固体になり難く、流動性のある粘ちょう物質、或いは液状物になりやすい。従って支持体とウエハとの接合が不十分となり、裏面研削、或いはその後の加工で積層体を構成するウエハと支持体がずれる等の不具合が生じる恐れがある。M単位は非反応性であり、その含有量は、1モル以上、25モル以下であり、好ましくは3~20モルである。1モルより少ない場合、該オルガノポリシロキサンは有機溶剤に可溶で、且つ、シラノールや加水分解性残基等の反応性末端基を十分低減した構造とすることが困難である。25モルより多い場合、該オルガノポリシロキサンは多くの末端を有する構造になり、相対的に分子量が小さくなるため不適である。該オルガノポリシロキサンは実質的に非反応性であり、たとえその分子中に非反応性M単位にて封止されていない分子末端基、即ちシラノール基、又はアルコキシシリル基等の加水分解性残基が残存するとしても、これら反応性末端基の含有量は可能な限り少ない方が好ましい。シラノール基、及びアルコキシシリル基の末端残基が分子内に多量に存在すると、熱がかかった際に縮合反応による架橋が生成し、基板の剥離性が大きく変化してしまうため好ましくない。シラノール基のOH基、及びアルコキシシリル基Si-OR;ORは原料として用いたアルコキシシランのアルコキシ基残基、例えばメトキシ基、エトキシ基、nプロポキシ基、イソプロポキシ基等のOR基の総量が、全オルガノポリシロキサン中の4質量以下、より好ましくは2質量以下であることが好ましい。M単位の導入は、このような反応性末端基を所望の量まで減じることができる。加水分解性基やシラノール基は合計で2質量以下であることが望ましい。該オルガノポリシロキサンの分子量は、GPCゲル浸透クロマトグラフィーにて、ポリスチレン標準物質によって作製した検量線に則って得られる重量平均分子量本明細書では、重量平均分子量とはこれを意味する。の値で、2000より大きいことが好ましい。2000以下であると、10~20°Cで固体化しなかったり、耐熱性が損なわれたりするため適さない。より好ましい重量平均分子量の範囲としては、3000~80,000程度、さらに好ましくは3000~50,000程度が好ましい。また、本発明のオルガノポリシロキサンは、T単位、D単位、M単位に加え、SiO42で表されるシロキサン単位Q単位を含有してもよい。Q単位の含有量としては、0.1~30モルが好ましく、0.2~20モルがより好ましい。Q単位が30モルより多くなる場合、生成したオルガノポリシロキサンは固形になりやすいが、分子内部での架橋が高度に進むため、溶剤に対する溶解性が低下するか、軟化点の最適範囲内での制御が困難になるため適さない。Q単位を含有するA成分のオルガノポリシロキサンの典型例として、I前記T単位40~98.9モル、II前記D単位0~48.9モル、III前記Q単位0.1~30モル、及びIV前記M単位1~25モルからなるオルガノポリシロキサンがあげられるA成分のオルガノポリシロキサンは公知の方法で製造できる。例えば、加水分解縮合反応により、所望のシロキサン単位に対応し、形成し得るオルガノクロロシラン及び/又はオルガノアルコキシシラン、あるいはその部分加水分解縮合物を、すべての加水分解性基塩素原子、アルコキシ基等を加水分解するのに過剰の水と、原料シラン化合物及び生成するオルガノポリシロキサンを溶解可能な有機溶剤との混合溶液中へ混合し、加水分解縮合反応させることで得られる。所望の重量平均分子量のオルガノポリシロキサンを得るには、反応温度及び時間、水、有機溶剤の配合量を調節することで可能である。使用する際、不要な有機溶剤を除去し、粉体化して使用してもよい。-B有機溶剤-成分Bは、成分Aのオルガノポリシロキサンを溶解し、スピンコート等、公知の塗膜形成方法によって膜厚1~100μmの薄膜を形成できるものであれば好ましい。より好ましい膜厚は5~80μm、より好ましくは10~60μmである。また、沸点が220°Cを超える有機溶剤は、塗工後の加熱乾燥によっても揮発しにくく、膜内に留まる可能性があり、これが基板接合後の加熱プロセスで高温に晒される際、界面で気泡を形成する要因になりうるので好ましくない。成分Bとして使用可能な、沸点220°C以下の、好ましくは50~220°Cの有機溶剤の例としては、次のものが挙げられ、成分Bはこれらの二種以上の混合物でもよい。成分Bは好ましくは下記に例示の有機溶剤から選択される少なくとも1種である。炭化水素系:ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソドデカン、リモネン;ケトン系:アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン;エステル系:酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート;エーテル系:テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテル;アルコール系:エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。中でもイソドデカン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルが適する。成分Bの有機溶剤の配合量は、作業性と所要の膜厚の形成し易さの観点から、一般に、成分Aのオルガノポリシロキサン100質量部当たり11~150質量部、好ましくは25~100質量部である。-その他の成分-上記A成分及びB成分の他、必要に応じて、例えば塗布性を向上させるため、公知の界面活性剤を添加してもよい。具体的には、非イオン性のものが好ましく、例えばフッ素系界面活性剤、パーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイド、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が挙げられる。また、耐熱性をさらに高めるため、公知の酸化防止剤、シリカ等のフィラーを添加してもよい。<薄型ウエハの製造方法>本発明の薄型ウエハの製造方法は、半導体回路を有するウエハと該ウエハの厚みを薄くするために用いる支持体との接着層として、前述のオルガノポリシロキサンを用いることを特徴とする。本発明の製造方法により得られる薄型ウエハの厚さは、典型的には5~300μm、より典型的には10~100μmである。本発明の薄型ウエハの製造方法はa~eの工程を有する。[工程a]工程aは、回路形成面及び回路非形成面を有するウエハの回路形成面を、上述した仮接着材組成物からなる接着層を介して支持体と接合する工程である。回路形成面及び回路非形成面を有するウエハは、一方の面が回路形成面であり、他方の面が回路非形成面であるウエハである。本発明が適用できるウエハは、通常、半導体ウエハである。該半導体ウエハの例としては、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウムウエハ、ガリウム-ヒ素ウエハ、ガリウム-リンウエハ、ガリウム-ヒ素-アルミニウムウエハ等が挙げられる。該ウエハの厚さは、特に制限はないが、典型的には600~800μm、より典型的には625~775μmである。支持体としては、シリコン板、ガラス板、石英板等が使用可能である。本発明においては、支持体を通して接着層に放射エネルギー線を照射する必要はなく、支持体の光線透過性は不要である。接着層は、上述した仮接着材組成物からなる層である。接着層はウエハの回路形成面と支持体の片面のどちらか一方又は両方に形成され、その後ウエハの回路形成面が接着層を介して支持体表面と接合される。接着層のウエハ回路形成面又は支持体表面への形成は、前記仮接着材組成物を当該面に塗布し、乾燥してB成分の有機溶剤を除去して形成する。乾燥は80~200°Cで加熱すればよい。本発明の接着層は加熱によって軟化する。接着層中の樹脂オルガノポリシロキサンが軟化する温度範囲は好ましくは40~300°C、より好ましくは40~230°C、さらに好ましくは40~200°Cであり、この温度にて減圧下、ウエハと支持体を均一に圧着することで、ウエハが支持体と接合した積層体が形成される。より具体的には、ウエハと支持体を設置したチャンバー内を、減圧下、上記温度範囲に加熱することで接着層中のオルガノポリシロキサンが軟化又は融解した後、ウエハと支持体を接触させ、加熱圧着することで、界面に気泡を挟むことなく、一様な接合界面を形成できる。接着層を介してウエハを支持体と接合するとき、支持体の温度は上記温度範囲であることが好ましい。これら接合温度にて接着層中のオルガノポリシロキサンが十分軟化するため、ウエハの貼り合わせされる面に存在する凹凸を隙間なく埋め込むことができる。圧着は、63N/cm2以下、好ましくは1~32N/cm2以下の圧力下、より好ましくは2~23N/cm2以下の圧力下で行う。即ち、例えば8インチウエハの場合には20kN以下、好ましくは10kN以下、より好ましくは7kN以下の荷重下で貼り合わせ可能である。ウエハ貼り合わせ装置としては、市販のウエハ接合装置、例えばEVG社のEVG520IS、850TB;SUSS社のXBC300等が挙げられる。[工程b]工程bは、支持体と接合したウエハの回路非形成面を研削する工程、即ち、工程aにて貼り合わせて得られた積層体のウエハ裏面側を研削して、該ウエハの厚みを薄くしていく工程である。ウエハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、ウエハと砥石に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウエハ裏面を研削加工する装置としては、例えば株ディスコ製DAG-810商品名等が挙げられる。[工程c]工程cは、回路非形成面を研削したウエハ、即ち、裏面研削によって薄型化されたウエハの回路非形成面に加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、TSV形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。[工程d]工程dは、工程cで加工を施したウエハを支持体から剥離する工程、即ち、薄型化したウエハに様々な加工を施した後、ダイシングする前に支持体から剥離する工程である。剥離方法としては、主にウエハと支持体を、加熱しながら、水平反対の方向にスライドさせることにより両者を分離する方法、積層体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、加熱しながら他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式で剥離する方法等、特に制限なく採用することができる。本発明には、これらの剥離方法すべてに適用可能であるが、水平スライド剥離方式がより適している。積層体は加熱され、接着層が融解、或いは軟化した状態で力をかけることでウエハは支持体から剥離される。加熱温度は、本発明で用いる接着材では好ましくは50~300°C、より好ましくは60~230°C、更により好ましくは70~200°Cである。これらの剥離を行う装置としては、EVG社のEVG805、850DB、SUSS社のXBC300いずれも商品名等が挙げられる。[工程e]工程eは、剥離したウエハの回路形成面に残存する接着材を除去する工程である。残存する接着材の除去は、例えば、ウエハを洗浄することにより行うことができる。工程eには、接着層中のオルガノポリシロキサンを溶解するような洗浄液であればすべて使用可能であり、具体的には、アセトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-ブタノン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン、2-オクタノン等のケトン類、酢酸ブチル、安息香酸メチル、γ-ブチロラクトン等のエステル類、ブチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のセロソルブ類、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン等のアミド類、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類が挙げられ、好ましくはケトン類、エステル類、セロソルブ類、アルコール類であり、特に好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、n-メチル-2-ピロリドン、アセトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-ブタノン、メチルイソブチルケトン、イソプロパノールである。これらの溶剤は、1種単独でも2種以上組み合わせて用いてもよい。また、除去しにくい場合は、上記溶剤に、塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類としては、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などの有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で、0.01~10質量、好ましくは0.1~5質量である。また、残存物の除去性を向上させるため、既存の界面活性剤を添加してもよい。洗浄方法としては、上記液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が可能である。温度は10~80°C、好ましくは15~65°Cが適する。[オルガノポリシロキサンの合成]調製例1攪拌装置、冷却装置、温度計を取り付けた1Lフラスコに、水234g13モル、トルエン35g、を仕込み、オイルバスにて80°Cに加熱した。滴下ロートにフェニルトリクロルシラン148g0.7モル、ジフェニルジクロルシラン51g0.20モル、トリメチルクロルシラン9g0.1モルを仕込み、フラスコ内に攪拌しながら1時間で滴下し、滴下終了後、さらに80°Cで1時間攪拌熟成を行った。室温まで冷却しながら静置して分離してきた水相を除去し、引き続き10質量硫酸ナトリウム水溶液を混合して10分間撹拌後、30分間静置し、分離してきた水相を除去する水洗浄操作をトルエン相が中性になるまで繰り返して反応を停止した。エステルアダプターを取り付け、オルガノポリシロキサンを含むトルエン相を加熱還流してトルエン相から水を除去し、内温が110°Cに達してから更に1時間続けた後、室温まで冷却した。得られたオルガノポリシロキサン溶液を濾過して不溶物を除去し、引き続き減圧蒸留によりトルエンを除去して、固体のオルガノポリシロキサン樹脂1125gを得た。得られたオルガノポリシロキサンは、T単位70モルとD単位20モルとM単位10モルとを含み、Si原子上の有機置換基の79モルがフェニル基であり、末端はオルガノポリシロキサン100gあたりシラノール基を0.03モル含有し、外観は無色透明の固体で重量平均分子量は9600であった。また、この樹脂の軟化点は90°Cであった。調製例2調製例1と同様の装置をセットし、1Lフラスコに、水234g13モル、トルエン35gを仕込み、オイルバスにて80°Cに加熱した。滴下ロートにフェニルトリクロルシラン116g0.55モル、ジフェニルジクロルシラン51g0.2モル、ジメチルジクロルシラン13g0.1モル、トリメチルクロルシラン16g0.15モルを仕込んだ以外は同様に調製して、固体のオルガノポリシロキサン樹脂2132gを得た。得られたオルガノポリシロキサンは、T単位55モルとD単位30モルとM単位15モルとを含み、Si原子上の有機置換基の59モルがフェニル基であり、末端はオルガノポリシロキサン100gあたりシラノール基を0.02モル含有し、外観は無色透明の固体で重量平均分子量は11200であった。また、この樹脂の軟化点は78°Cであった。調製例3調製例1と同様の装置をセットし、1Lフラスコに、水234g13モル、トルエン35g、メタンスルホン酸1gを仕込み、オイルバスにて80°Cに加熱した。滴下ロートにフェニルトリメトキシシラン119g0.6モル、ジフェニルジメトキシシラン24g0.1モル、ジメチルジメトキシシラン6g0.05モル、テトラメトキシシラン15g0.1モル、トリメチルメトキシシラン16g0.15モルを仕込んだ以外は同様に調製して、固体のオルガノポリシロキサン樹脂3123gを得た。得られたオルガノポリシロキサンは、T単位60モルとD単位15モル、Q単位10モル、M単位15モルとを含み、Si原子上の有機置換基の59モルがフェニル基であり、末端はオルガノポリシロキサン100gあたりシラノール基を0.04モル含有し、外観は無色透明の固体で重量平均分子量は10200であった。また、この樹脂の軟化点は110°Cであった。比較調製例1調製例1と同様の装置をセットし、1Lフラスコに、水234g13モル、トルエン35gを仕込み、オイルバスにて80°Cに加熱した。滴下ロートにフェニルトリクロルシラン53g0.25モル、ジフェニルジクロルシラン101g0.4モル、ジメチルジクロルシラン32g0.25モル、トリメチルクロルシラン11g0.1モルを仕込んだ以外は同様に調製して、粘ちょうなオルガノポリシロキサン比較樹脂1143gを得た。得られたオルガノポリシロキサンは、T単位25モルとD単位65モルとM単位10モルとを含み、Si原子上の有機置換基の57モルがフェニル基であり、末端はオルガノポリシロキサン100gあたりシラノール基を0.01モル含有し、外観は無色透明の固体で重量平均分子量は11700であった。また、この樹脂は室温で流動性があるものであり、冷却して作製した試料から観測された軟化点は23°Cであった。比較調製例2調製例1と同様の装置をセットし、1Lフラスコに、水234g13モル、トルエン35gを仕込み、オイルバスにて80°Cに加熱した。滴下ロートにフェニルトリクロルシラン137g0.65モル、ジフェニルジクロルシラン63g0.25モル、ジメチルジクロルシラン13g0.1モルを仕込んだ以外は同様に調製して、固体のオルガノポリシロキサン比較樹脂2123gを得た。得られたオルガノポリシロキサンは、T単位65モルとD単位35モルとを含み、Si原子上の有機置換基の85モルがフェニル基であり、末端はオルガノポリシロキサン100gあたりシラノール基を0.3モル含有し、外観は無色透明の固体で重量平均分子量は8200であった。また、この樹脂の軟化点は83°Cであった。上記の調製例及び比較調製例で得られた樹脂の組成と重量平均分子量を表1に示す。[実施例1~3、比較例1~2]8インチシリコンウエハ厚さ:725μmの片面全面にオルガノポリシロキサン樹脂1~3及び比較樹脂1、2を表2に示す溶剤、濃度にて溶解した溶液を用い、スピンコートにて表1記載の膜厚乾燥後を有する接着層を全面に形成した。直径8インチのガラス板を支持体とし、この支持体と、接着層を有するシリコンウエハを真空貼り合わせ装置内で表2に示す条件にて貼り合わせ、積層体を作製した。その後、下記試験を行った。また、剥離性、洗浄除去性については、別途実験基板を作製し評価を行った。結果を表2に示す。-接着性試験-8インチのウエハ接合は、EVG社のウエハ接合装置520ISを用いて行った。接合温度は表2に接着温度として記載の値、接合時のチャンバー内圧力は10-3mbar以下、荷重は5kNで実施した。接合後、室温まで冷却した後の界面の接着状況を目視で確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して○で示し、異常が発生した場合を不良と評価して×で示した。-裏面研削耐性試験-グラインダーDAG810DISCO製を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚50μmまでグラインドした後、光学顕微鏡にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して○で示し、異常が発生した場合を不良と評価して×で示した。-耐熱性試験-シリコンウエハを裏面研削した後の積層体を窒素雰囲気下の250°Cオーブンに2時間入れた後、270°Cのホットプレート上で10分加熱した後の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して○で示し、外観異常が発生した場合を不良と評価して×で示した。-剥離性試験-基板の剥離性は、模擬的に以下の実験によって評価を行った。別途6インチシリコンウエハ上に上記接着層を形成し、このウエハをホットプレート上で表2に接着温度として示す温度で加熱しながら、35mm×35mm×厚さ0725mmにカットされたシリコン基板以下、シリコン小片というを押し当て接着させた。その後、上記耐熱試験と同様の条件に晒したのち、ボンドテスターDAGE製、シリーズ4000を用いて以下の剥離性試験を実施した。図1は剥離性試験の方法を示す図である。図1に示すとおり、シリコンウエハ1と、シリコンウエハ1上に形成した接着層2と、接着層2を介してシリコンウエハ1上に接着させたシリコン小片3とからなる試験体を真空チャックつきヒータ4に固定した。180°Cに加熱しながら上記ボンドテスターのプローブ5を矢印6の方向に動かしてシリコン小片3の側部に水平方向に押し当てて、徐々に押す力を増加させて行き、シリコン小片3がスライドし始めたときの力を計測した。水平方向の押す力が1N以下でシリコン小片がスライドしたものを良好と評価して○で示し、1Nより大きい力が必要だったものを不良と評価して×で示した。-洗浄除去性試験-別途8インチシリコンウエハを用いて上記接着試験に供したものと同様の積層体を上述の耐熱性試験における同じ条件で加熱処理に供した後、EVG社の熱スライドウエハデボンダーEVG805を用いて180°Cにてウエハのスライド剥離を実施した。この剥離後のウエハの接合面には接着層が残存している。このウエハを用いて、下記洗浄除去性試験を行った。ウエハの接着層が残存している側を上にしてスピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルを噴霧し、ウエハ上にプロピレングリコールモノメチルエーテルを載せ、23°Cで2分静置した後、ウエハを回転させてウエハ上のプロピレングリコールモノメチルエーテルを除去し、新たに同様にしてプロピレングリコールモノメチルエーテルを噴霧して載せ、23°Cで2分静置する同様の操作をさらに2回繰り返した後、ウエハを回転させながらイソプロピルアルコールIPAを噴霧してリンスを行なった。その後、外観を観察し残存する接着材樹脂の有無を目視でチェックした。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して○で示し、樹脂の残存が認められたものを不良と評価して×で示した。注:のPGMEA=プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート"