基板と、前記基板上に接合された絶縁層と、前記絶縁層上に接合された金属板と、複数の発光素子と、を備え、前記金属板は離間部を有し、前記複数の発光素子は前記金属板上に設置されており、前記複数の発光素子は1つの封止樹脂で覆われ、前記絶縁層は前記発光素子からの光を反射する機能を有し、前記絶縁層上の前記封止樹脂で覆われていない部分に正電極外部接続部および負電極外部接続部を備える発光装置。前記離間部の前記絶縁層上に反射層が設けられている請求項1に記載の発光装置。前記絶縁層または前記反射層は、熱可塑性樹脂で形成されている請求項1または2に記載の発光装置。前記絶縁層または前記反射層は、合成繊維および/または天然繊維で形成されている請求項1または2に記載の発光装置。前記熱可塑性樹脂は、無機系充填剤が配合されている請求項3に記載の発光装置。前記熱可塑性樹脂は、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリ-p-キシリレン系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、ポリアクリル酸エステル系樹脂、ポリメタクリル酸エステル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリアクリロニトリル系樹脂、ポリビニルエーテル系樹脂、ポリビニルケトン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ジエン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアセタール、芳香族ポリアミド、ポリフェニレン、ポリアリレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンスルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリキナゾリンジオン、ポリベンゾオキサジノン、ポリアセン、ポリイミダゾピロロン、ポリキノリン、ポリナフチリジン、ポリキノキサリンもしくはこれらの少なくとも2種の混合物からなる請求項3に記載の発光装置。前記合成繊維は、ポリプロピレン繊維、ポリエチレン繊維、アクリル繊維、ナイロン繊維、ビニロン繊維、ポリエチレンとポリプロピレンの複合繊維、ポリエステルとポリオレフィンの複合繊維、ポリオレフィン合成パルプまたはこれらの混合物であり、前記天然繊維は、広葉樹晒クラフトパルプ、針葉樹晒クラフトパルプ、砕木パルプ、サーモメカニカルパルプ、ケナフ、またはこれらの混合物である請求項4に記載の発光装置。前記無機系充填剤は、金属塩、金属水酸化物または金属酸化物である請求項5に記載の発光装置。前記封止樹脂は、蛍光体を含有する請求項1~8のいずれかに記載の発光装置。他の部材に取り付けるための取り付け部を端部に有する請求項1~9のいずれかに記載の発光装置。前記発光素子は、前記金属板にボンディングワイヤで電気的に接続される請求項1~10のいずれかに記載の発光装置。前記金属板上面の前記発光素子の周辺は、ソルダーレジストが設けられ、前記発光素子および前記ボンディングワイヤは、前記ソルダーレジスト上面より高い位置まで、封止樹脂で覆われている請求項11に記載の発光装置。従来の発光装置800は、Cu基板200とLEDチップ100とを電気的に絶縁するための絶縁層300を有し、また、LEDチップ100が搭載されるCu配線層400を電気的に絶縁するための離間部500を有している。一般的に絶縁層300には反射率の低い材料が用いられている。そして、Cu配線層400を電気的に絶縁するための離間部500にLEDチップ100から発生した一部の光が入射された場合、その入射された光は、ほとんど発光装置の外に放出されない。これは、離間部500が孔形状になっていることと、孔形状である離間部500の底面における絶縁層300は反射率が低いことが原因である。このため、例えば、直並列配置した複数個のLEDチップ100を備える発光装置800において、LEDチップ100の引き出し電極間の離間部500での光損失による輝度低下などが発生する。ひいては、発光装置800自体の輝度低下が発生する。本発明は上述の事由に鑑みて為されたものである。本発明の目的は、直並列配置した複数個のLEDチップを備える発光装置において、金属板であるCu配線層と絶縁層とで囲まれた離間部での光損失による輝度低下などを抑制できる発光装置を提供することである。本発明は、基板と、基板上に接合された絶縁層と、絶縁層上に接合された金属板と、複数の発光素子とを備える発光装置において、金属板は離間部を有し、発光素子は、金属板上に、離間部に接する端から離れて設置された発光装置である。本構成により、発光素子からの光のうち、離間部内に吸収されずに金属板にて反射される光量が増えるので、離間部での光損失を抑え、外部へ光を効率よく放出することが可能となる。また、本発明の発光装置において、離間部に接する端から発光素子までの距離は、発光素子の上面の幅よりも大きいか、または発光素子の上面の幅と同じであることが好ましい。本構成により、発光素子から離間部の間に十分な距離を設けることができ、離間部での光損失を抑えて、外部へ光をより効率よく放出することが可能となる。また、本発明の発光装置において、発光素子は、金属板に設けられた凹部の底面に設置されていることが好ましい。本構成によると発光素子から発光した光が凹部を有する金属板表面で反射され、外部に効率よく放出される。また、本発明の発光装置において、金属板の表面に、高さ方向に100~500nmの凸形状を有していることが好ましい。本構成によると、凸形状を持つ金属板表面で発光素子から発光した光の一部が反射され、外部に効率よく放出される。また、本発明の発光装置において、絶縁層は、発光素子からの光を反射する機能を有することが好ましい。本構成により、発光素子から離間部へ入射した光が絶縁層にて反射されるため、光損失を抑えられ、さらに、光の拡散を確保することが可能となる。また、本発明の発光装置において、離間部の絶縁層上に反射層を設けることが好ましい。本構成により、発光素子から離間部へ入射した光が、絶縁層上に反射層にて反射されるため、光損失が抑えられ、光の拡散を確保することが可能となる。また、本発明の発光装置において、絶縁層または反射層は、熱可塑性樹脂で形成されていることが好ましい。特に、該熱可塑性樹脂は、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリ-p-キシリレン系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、ポリアクリル酸エステル系樹脂、ポリメタクリル酸エステル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリアクリロニトリル系樹脂、ポリビニルエーテル系樹脂、ポリビニルケトン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ジエン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアセタール、芳香族ポリアミド、ポリフェニレン、ポリアリレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンスルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリキナゾリンジオン、ポリベンゾオキサジノン、ポリアセン、ポリイミダゾピロロン、ポリキノリン、ポリナフチリジン、ポリキノキサリンもしくはこれらの少なくとも2種の混合物であることが好ましい。また、本発明の発光装置において、絶縁層または反射層は、合成繊維および/または天然繊維で形成されていることが好ましい。特に、該合成繊維は、ポリプロピレン繊維、ポリエチレン繊維、アクリル繊維、ナイロン繊維、ビニロン繊維、ポリエチレンとポリプロピレンの複合繊維、ポリエステルとポリオレフィンの複合繊維、ポリオレフィン合成パルプまたはこれらの混合物であり、天然繊維は、広葉樹晒クラフトパルプ、針葉樹晒クラフトパルプ、砕木パルプ、サーモメカニカルパルプ、ケナフ、またはこれらの混合物であることが好ましい。また、本発明の発光装置において、熱可塑性樹脂は、無機系充填剤が配合されていることが好ましい。特に、無機系充填剤は、金属塩、金属水酸化物、金属酸化物であることが好ましく、これらのものを例示すると、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸アルミニウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、塩化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム等の金属塩、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム等の金属水酸化物、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、アルミナ、シリカ等の金属酸化物等が挙げられる。さらに、ケイ酸カルシウム類、セメント類、ゼオライト類、タルク等の粘土類も使用できる。また、本発明の発光装置において、発光素子は、金属板にボンディングワイヤで電気的に接続され、金属板上面の発光素子の周辺は、ソルダーレジストが設けられ、発光素子およびボンディングワイヤは、ソルダーレジスト上面より高い位置まで、封止樹脂で覆われていることが好ましい。本発明において、上面および上部とは、発光装置の基板設置面に対して高さ方向により正の方向を示す面とし、底面とは、上面および上部と対比して該基板設置面に対して高さ方向に負の方向を示す面とする。また、本発明において、ボンディングワイヤとは、LEDチップの正極電極および負極電極双方を電気的にボンディングする針金のようなワイヤのほか、LEDチップ6の一方の面に正極電極またはそれに対向する面に負極電極を形成した場合に、底面に接する電極を該底面とを電気的に直接ボンディングする際の導電性接着剤なども含む概念とする。また、本明細書において、発光素子としてLEDチップを例に挙げて説明する。また、本明細書において、金属板に金属メッキが形成されている場合を例に説明するが、金属メッキは、必ずしも形成されなくてよい。本発明は、複数個のLEDチップを備える発光装置において、LEDチップの引き出し電極間における離間部での光損失による輝度低下などが抑制された発光装置を提供することができる。以下、本願の図面において、同一の符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。また、図面における長さ、大きさ、幅などの寸法関係は、図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法を表してはいない。<実施形態1>図1は、本実施形態の発光装置の模式的な平面図である。図2は、本実施形態の発光装置における発光部の一部の模式的な断面図である。図3は、図2に示した発光部の一部の模式的な平面図である。まず、図1に基づいて本発明の実施形態の発光装置の構造について説明する。発光装置1000は、複数の発光部1001を備えており、各発光部1001はそれぞれ直並列配置して電気的に接続されている。発光装置1001は、他の部材に取り付けるための取り付け部11や発光装置1000の取り付け用位置102合わせの穴を備える。取り付け部11は、発光装置1000の端部に備えられ、該穴は、発光装置1001のほぼ中心に備えられる。そして、発光装置1000は、直並列配置している複数の発光部1001と電気的に接続された正電極外部接続部91および負電極外部接続部101を備える。次に、図2に基づいて発光部1001の構造について説明する。発光部1001は、基板1と、その上に接合される絶縁層2と、絶縁層2の上に離間部8を形成して積層される一対の金属板としてのCu金属板3と、Cu金属板3の表面に形成される金属メッキとしての銀メッキ4と、銀メッキ4の上に離間したCu金属板3の離間部8に接する端から所定の距離Dだけ離れて搭載されるLEDチップ6と、銀メッキ4が形成されたCu金属板3とLEDチップ6とを接続するボンディングワイヤWと、LEDチップ6とボンディングワイヤWを覆うように封止した封止樹脂としての蛍光体を含有した透光性樹脂7とを備える。Cu金属板3は、LEDチップ6の引き出し電極としての役割を果たし、該引き出し電極間を電気的に絶縁するための離間部8を有する。そして、LEDチップ6の搭載面の周囲には、ソルダーレジスト5が設けられている。ここで、図2に示すように、距離DはLEDチップ6が搭載されているCu金属板3のLEDチップ6側の端から、LEDチップ6搭載位置のCu金属板3側の端までの距離であり、距離dは、搭載されたLEDチップ6における離間部8側の端から逆側の端までのLEDチップ6の幅を示す。本実施形態の発光部1001において、絶縁層2は、LEDチップ6からの光を反射する機能を有し、可視光に対する高反射率の材料で形成されている。そして、透光性樹脂7の上面はソルダーレジスト5上面より上に配置されている。図2に示すようにCu金属板3の端からLEDチップ6搭載位置までの距離DとLEDチップ6の幅dとの関係が、D≧dであることが好ましい。つまり、Cu金属板3上の離間部8に接する端からLEDチップ6までの距離は、LEDチップ6の上面の幅よりも大きい、または該LEDチップ6の上面の幅と同じことが好ましい。LEDチップ6までの距離DがD≧dを満たす程度の十分な距離があれば、LEDチップ6からの光が離間部8に入射する前に銀メッキ4に反射されるため、離間部8による光損失が回避される。なお、本発明において、金属メッキとしての銀メッキ4がCu金属板3に形成されていない場合には、Cu金属板3の表面においてLEDチップ6からの光が反射する。次に、図3に基づいて発光部1001の構造についてさらに説明する。LEDチップ6の、正極電極および負極電極は、それぞれ、Cu金属板の表面に形成された銀メッキ4図2参照から構成される正電極配線パターン9および負電極配線パターン10に、ボンディングワイヤWによって電気的に接続されている。発光装置1000は、発光部1001を複数備えることから、輝度の高い発光を提供することができる。これは、LEDチップ6から発光した光の一部が、銀メッキ4表面で反射され外部に効率よく放出されるためである。離間部8より一定距離Dだけ離してLEDチップ6を載置することで、LEDチップ6の発光層および素子側面基板含むから外部に放射された光の一部が効率よく反射されるためである。また、外部に放射された光の一部が再び離間部8に入射しないようにすることが望ましい。そして、本実施形態の発光部1001において、絶縁層2は、可視光に対する高反射率の材料で形成されているため、離間部8に入射した光を離間部8における底面で効率よく反射することができる。したがって、発光装置1000は光損失が少ない。さらに、透光性樹脂7の上面は基板のソルダーレジスト5の上面より高い位置に配置されていることで、LEDチップ6から発光した光の一部が、外部に効率よく放出されるので好ましい。図4は、本実施形態の発光装置の各製造工程を表わした断面図である。まず、図4aに示すように、例えばアルミニウム等の金属を含む基板1を準備する。次に、図4bに示すように、基板1上に、例えば、ポリイミド等の熱可塑性樹脂を含む絶縁層2を形成する。次に、図4cに示すように、銀メッキ4が表面に形成されたCu金属板3が、絶縁層2に接合される。LEDチップが搭載配置される銀メッキ4が形成されたCu金属板3は、LEDチップにおける引き出し電極としての役割を果たすため、絶縁性を持たすために離間部8を形成する。次に、LEDチップおよびボンディングワイヤを配置するための貫通孔12が形成した状態でソルダーレジスト5、シリコーンゴムシート51を銀メッキ4が形成されたCu金属板3上に配置する。次に、図4dに示すように、Cu金属板3上に離間部8から距離Dだけ離した位置にLEDチップ6を透光性樹脂で接合する。次に、LEDチップ6の表面のパッド図示せずとボンディングワイヤWにて電気的接続を行なう。次に、図4eに示すように、該貫通孔12に、封止樹脂としての蛍光体を含む透光性樹脂7を注入し、硬化させる。次に、図4fに示すように、シリコーンゴムシート51を取り除くと、LEDチップ6とボンディングワイヤWを覆い、かつ、ソルダーレジスト5上面より上面が高い蛍光体を含む透光性樹脂7が形成される。上述のようにして、図1に示すような発光部1001が例えば36個並んだ発光装置1000が製造される。LEDチップ6としては、LEDチップ6として例えばサファイア基板上に窒化ガリウム系の発光部1001を形成した窒化ガリウム系化合物半導体よりなる青色系LEDチップを使用してもよいし、ZnO酸化亜鉛系化合物半導体よりなる青色系のLEDチップを使用してもよい。また、InGaAlP系、AlGaAs系化合物半導体のLEDチップを用いてもよい。また、LEDチップ6の一方の面に正極電極および負極電極が形成され、その面を上面として2本のワイヤーボンディングを行なった状態を示したが、LEDチップ6の一方の面に正極電極、それに対向する面に負極電極を形成したものを用いても良く、この場合は上面となる側の電極について1本のワイヤーボンディングを行なえばよい。また、LEDチップとして青色発光を示したが、発光色はこれに限定されず、例えば紫外線発光のものや緑色発光のものを用いてもよい。また、LEDチップから発する光を蛍光体によって変換して白色を得る方法を示したが、蛍光体を用いずに例えば赤、緑および青の3色のLEDチップをそれぞれ用いて白色など照明に必要な色を得ても良い。また、上述した封止樹脂は、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの透光性樹脂7であることが好ましい。また、透光性樹脂7を形成する際にモールド用の該樹脂の材料を滴下していてもよい。また、金型を用いて封止樹脂を形成してもよく、この封止樹脂の形状として、封止樹脂を例えば上方に凸となる半球状の形状に形成して封止樹脂にレンズとしての機能を持たせることも可能になる。また、封止樹脂としての透光性樹脂に含有させる蛍光体としては、Ce:YAGセリウム賦活イットリウムアルミニウムガーネット蛍光体、Eu:BOSEあるいはSOSEユーロピウム賦活ストロンチウムガーネット蛍光体、ユーロピウム賦活αサイアロン蛍光体等を好適に用いることができる。<実施形態2>図5は、本実施形態の発光装置における発光部の一部の模式的な断面図である。図5に基づいて発光部2000の構造について説明する。発光部2000は、基板1と、その上に接合される絶縁層としての高反射率絶縁層21と、高反射率絶縁層21の上に離間部8を形成して積層される一対の金属板としてのCu金属板3と、Cu金属板3の表面に形成される金属メッキとしての銀メッキ4と、銀メッキ4の上に離間したCu金属板3の端から所定の距離Dだけ離れて搭載されるLEDチップ6と、銀メッキ4が形成されたCu金属板3とLEDチップ6とを接続するボンディングワイヤWと、LEDチップ6とボンディングワイヤWを覆うように封止した封止樹脂としての蛍光体を含有した透光性樹脂7とを備える。そして、LEDチップ6の搭載面の周囲には、ソルダーレジスト5が設けられている。本実施形態の発光部2000において、高反射率絶縁層21は、可視光に対する高反射率の材料で形成されている。実施形態1における絶縁層2の代わりに高反射率絶縁層21を用いる以外は、実施形態1と同様の製造工程で本実施形態の発光装置を作製することができる。高反射率絶縁層21は、可視光に対する高反射率の材料で形成され、該材料は合成繊維および/または天然繊維を使用することができる。具体的には例えば、ポリプロピレン繊維を使用することができる。その他にも例えば、高反射率絶縁層21として、ポリプロピレン繊維、ポリエチレン繊維、アクリル繊維、ナイロン繊維、ビニロン繊維、ポリエチレンとポリプロピレンの複合繊維、ポリエステルとポリオレフィンの複合繊維、ポリオレフィン合成パルプ、またはこれらの混合物であることは好ましい態様の1つである。また、天然繊維であれば、広葉樹晒クラフトパルプ、針葉樹晒クラフトパルプ、砕木パルプ、サーモメカニカルパルプ、ケナフ、およびこれらの混合物が挙げられる。ここで、LEDチップ6、蛍光体、封止樹脂およびボンディングワイヤの形態等は、実施形態1で説明したものを適宜選択して使用することができる。本実施形態による発光装置では、LEDチップ6から発光した一部の光が離間部8に照射された光が高反射率絶縁層21で反射されて外部に放射されることになる。このことより輝度の高い発光部2000が作製できる。したがって、発光装置による光損失を抑制することができる。なお、本明細書で定義される反射率は、例えば全反射率測定から得られた反射率であり、本発明に用いられる高反射率絶縁層21は、反射率が約90以上であり、離間部に入射した絶縁層に達する光を従来の絶縁層以上に効率よく反射することができる。<実施形態3>図6は、本実施形態の発光装置における発光部の一部の模式的な断面図である。図6に基づいて発光部3000の構造について説明する。発光部3000は、基板1と、その上に接合される絶縁層としての高反射率絶縁層22と、高反射率絶縁層22の上に離間部8を形成して積層される一対の金属板としてのCu金属板3と、Cu金属板3の表面に形成される金属メッキとしての銀メッキ4と、銀メッキ4の上に離間したCu金属板3の端から所定の距離Dだけ離れて搭載されるLEDチップ6と、銀メッキ4が形成されたCu金属板3とLEDチップ6とを接続するボンディングワイヤWと、LEDチップ6とボンディングワイヤWを覆うように封止した封止樹脂としての蛍光体を含有した透光性樹脂7とを備える。そして、LEDチップ6の搭載面の周囲には、ソルダーレジスト5が設けられている。本実施形態の発光部3000において、高反射率絶縁層22は、可視光に対する高反射率の材料で形成されている。実施形態1における絶縁層2の代わりに高反射率絶縁層22を用いる以外は、実施形態1と同様の製造工程で本実施形態の発光装置を作製することができる。高反射率絶縁層22を形成する可視光に対する高反射率の材料は、熱可塑性樹脂であることが好ましく、無機系充填剤が配合された熱可塑性樹脂であることが特に好ましい。本実施形態においては、例えば、無機系充填剤として酸化チタンを、熱可塑性樹脂としてポリエチレンテレフタレートを使用することができる。その他に熱可塑性樹脂として、例えば、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、エチレンとα-オレフィンとの共重合体である線形低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン-プロピレン共重合体、ポリ4-メチルペンテン系樹脂等に代表されるポリオレフィン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等に代表されるポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリ-p-キシリレン系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル等に代表されるポリアクリル酸エステル系樹脂、ポリメタクリル酸メチル等に代表されるポリメタクリル酸エステル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリテトラフルオルエチレン、ポリクロルトリフルオルエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、テトラフルオルエチレンとヘキサフルオルプロピレンとの共重合体等に代表されるフッ素系樹脂、ポリアクリロニトリル系樹脂、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニル-n-ブチルエーテル、ポリビニルイソプロピルエーテル、ポリビニルイソブチルエーテル等に代表されるポリビニルエーテル系樹脂、ポリメチルビニルケトン、ポリメチルイソブロペニルケトン、ポリエチルビニルケトン、ポリフェニルビニルケトン、ポリナフチルビニルケトン、ポリ-p-クロルフェニルケトン、ポリオキシアルキルビニルケトン等に代表されるポリビニルケトン系樹脂、ポリアセトアルデヒド、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド等に代表されるポリエーテル系樹脂、ナイロン6、ナイロン6-6、ナイロン6-10、ナイロン11、ナイロン12等に代表されるポリアミド系樹脂、ポリイソプレン、ポリブタジエン等に代表されるジエン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアセタール、芳香族ポリアミド、ポリフェニレン、ポリアリレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンスルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリキナゾリンジオン、ポリベンゾオキサジノン、ポリアセン、ポリイミダゾピロロン、ポリキノリン、ポリナフチリジン、ポリキノキサリン等に代表される耐熱性樹脂等が挙げられる。そして、該無機系充填剤としては、金属塩、金属水酸化物、金属酸化物等が好ましく用いられる。これらのものを例示すると、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸アルミニウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、塩化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム等の金属塩、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム等の金属水酸化物、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、アルミナ、シリカ等の金属酸化物等が挙げられる。さらに、ケイ酸カルシウム類、セメント類、ゼオライト類、タルク等の粘土類も使用できる。これらのうち、熱可塑性樹脂との混合性または分散性を総合的に勘案すると、該無機系充填剤には、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、アルミナ、水酸化マグネシウムを含むことが好ましい。さらに好ましくは該無機系充填剤は、硫酸バリウム、炭酸カルシウムであり、硫酸バリウムであることが特に好ましい。硫酸バリウムを用いる場合には、熱可塑性樹脂との分散性、混合性がよい沈降性硫酸バリウムが好ましい。また、無機系充填剤の粒度は、0.1~7μm程度の平均粒子径を有する無機系充填剤が好ましい。さらに好ましくは0.2~5μmである。ここで、LEDチップ6、蛍光体、封止樹脂およびボンディングワイヤの形態等は、実施形態1で説明したものを適宜選択して使用することができる。上述した熱可塑性樹脂と無機系充填剤との混合においては、例えばミキサー等を用いることができる。混合の際には、室温またはその近傍の温度において混合する。混合した後スクリュー型押出機を用いて、熱可塑性樹脂の融点または軟化点以上の温度、好ましくは融点または軟化点20°C以上、熱可塑性樹脂の分解温度未満の温度範囲において混練、溶融押出して、冷却した後、切断して適宜所望の形にペレット状に成形する。熱可塑性樹脂組成物からのシートの成形は、スクリュー型押出機による押出成形法を用いることができる。本実施形態による発光装置では、LEDチップ6から発光した一部の光が離間部8に照射された光が高反射率絶縁層22で反射されて外部に放射されることになる。このことより輝度の高い発光部3000が作製できる。したがって、発光装置による光損失を抑制することができる。<実施形態4>図7は、本実施形態の発光装置における発光部の一部の模式的な断面図である。図7に基づいて発光部4000の構造について説明する。発光部4000は、基板1と、その上に接合される絶縁層2と、絶縁層2の上に離間部8を形成して積層される一対の金属板としてのCu金属板3と、Cu金属板3の表面に形成される金属メッキとしての銀メッキ4と、銀メッキ4の上に離間したCu金属板3の端から所定の距離Dだけ離れて搭載されるLEDチップ6と、銀メッキ4が形成されたCu金属板3とLEDチップ6とを接続するボンディングワイヤWと、LEDチップ6とボンディングワイヤWを覆うように封止した封止樹脂としての蛍光体を含有した透光性樹脂7とを備える。そして、LEDチップ6の搭載面の周囲には、ソルダーレジスト5が設けられている。本実施形態の発光部4000においては、離間部8の絶縁層2上に可視光に対する高反射率の反射層23が設けられている。反射層23としては、例えば無機系充填剤を配合した熱可塑性樹脂であることが好ましく、無機系充填剤として硫酸バリウムを、熱可塑性樹脂としてはポリプロピレン系樹脂を用いることができる。本実施形態の発光装置は、実施形態1における製造工程にさらに反射層23を設ける工程を備えることで作製することができる。該反射層23を設ける工程を、熱可塑性樹脂としてのポリプロピレン系樹脂と無機系充填剤としての硫酸バリウムを例に説明する。熱可塑性樹脂と無機系充填剤との混合においては、例えばミキサー等を用いることができる。混合の際には、室温またはその近傍の温度において混合する。混合した後スクリュー型押出機を用いて、ポリオレフィン系樹脂の融点例えば135°Cまたは軟化点以上の温度例えば150°C、好ましくは融点または軟化点20°C以上、ポリオレフィン系樹脂の分解温度未満例えば280°Cの温度範囲において混練、溶融押出して、冷却した後、切断して適宜所望の形にペレット状に成形する。ポリオレフィン系樹脂組成物からのシートの成形は、スクリュー型押出機による押出成形法を用いることができる。シートの成形温度は、用いるポリオレフィン系樹脂により異なるが、通常、用いる樹脂の融点または軟化点以上の温度、好ましくは、融点または軟化点20°C以上、分解温度未満の温度範囲である。得られたシートは、ロール法で少なくとも一軸方向に少なくとも厚さ50μmに延伸する。この延伸されたシートを幅が少なくとも250μm以上になるように切断する。このシートを離間部8の上部で絶縁層2に囲まれた領域に圧着することで反射層23を設ける。または接着剤を用いて該シートを離間部8の上部で絶縁層2に囲まれた領域に接着することで反射層23を設ける。その他の熱可塑性樹脂として、実施形態3で例示したものを用いることができる。また、その他の無機系充填剤として、実施形態3で例示したものを用いることができる。そして、可視光に対する高反射率の材料として、実施形態2で例示したものを用いることができる。ここで、LEDチップ6、蛍光体、封止樹脂およびボンディングワイヤの形態等は、実施形態1で説明したものを適宜選択して使用することができる。本実施形態による発光装置では、LEDチップ6から発光した一部の光で離間部8に照射されるはずである光が反射層23で反射されて外部に放射されることになる。このことより輝度の高い発光部4000が作製できる。したがって、発光装置による光損失を抑制することができる。<実施形態5>図8は、本実施形態の発光装置における発光部の一部の模式的な断面図である。図8に基づいて発光部5000の構造について説明する。発光部5000は、基板1と、その上に接合される絶縁層2と、絶縁層2の上に離間部8を形成して積層される一対の金属板としてのCu金属板3と、Cu金属板3の表面に形成される金属メッキとしての銀メッキ4と、銀メッキ4の上に離間したCu金属板3の端から所定の距離Dだけ離れて搭載されるLEDチップ6と、銀メッキ4が形成されたCu金属板3とLEDチップ6とを接続するボンディングワイヤWと、LEDチップ6とボンディングワイヤWを覆うように封止した封止樹脂としての蛍光体を含有した透光性樹脂7とを備える。そして、LEDチップ6の搭載面の周囲には、ソルダーレジスト5が設けられている。本実施形態の発光部5000においては、LEDチップ6を搭載する位置のCu金属板3は、LEDチップ6の幅d以上の底面幅を有する凹部13が形成されている。実施形態1における銀メッキ4が形成されたCu金属板3にLEDチップ6の幅d以上の底面幅を有する凹部13を適宜設ける以外は、実施形態1と同様の製造工程で本実施形態の発光装置を作製することができる。該凹部13の深さは、例えばLEDチップ6の高さの1.5~3倍とすることができる。LEDチップ6から発光した光の一部が、この凹部13を持つ金属メッキ表面で反射され外部に効率よく放出される。また金属板の表面の銀メッキ表面が後述する凸形状を有している場合には、発光ダイオードチップから発光した光の一部が、外部に効率よく放出される。このことより輝度の高い発光部5000が作製できる。したがって、発光装置による光損失を抑制することができる。ここで、LEDチップ6、蛍光体、封止樹脂およびボンディングワイヤの形態等は、実施形態1で説明したものを適宜選択して使用することができる。<実施形態6>図9は、本実施形態の発光装置における発光部の一部の模式的な断面図である。図9に基づいて発光部6000の構造について説明する。発光部6000は、基板1と、その上に接合される絶縁層2と、絶縁層2の上に離間部8を形成して積層される一対の金属板としてのCu金属板3と、Cu金属板3の表面に形成される金属メッキとしての銀メッキ4と、銀メッキ4の上に離間したCu金属板3の端から所定の距離Dだけ離れて搭載されるLEDチップ6と、銀メッキ4が形成されたCu金属板3とLEDチップ6とを接続するボンディングワイヤWと、LEDチップ6とボンディングワイヤWを覆うように封止した封止樹脂としての蛍光体を含有した透光性樹脂7とを備える。そして、LEDチップ6の搭載面の周囲には、ソルダーレジスト5が設けられている。本実施形態の発光部6000においては、Cu金属板3上の表面の銀メッキ4表面が高さ方向に100~500nm、より好ましくは150~350nmの凸形状41を有している。銀メッキ4がCu金属板3の表面に形成されていないときには、Cu金属板3の表面に凸形状が形成される。該凸形状41を設ける以外は、実施形態1と同様の製造工程で本実施形態の発光装置を作製することができる。ここで、LEDチップ6、蛍光体、封止樹脂およびボンディングワイヤの形態等は、実施形態1で説明したものを適宜選択して使用することができる。LEDチップ6から発光した光の一部が、この凸形状41における凸部を持つ金属メッキ表面で反射され外部に効率よく放出される。このことより輝度の高い発光部6000が作製できる。したがって、発光装置による光損失を抑制することができる。なお、凸形状41は100nm未満であるとLEDチップからの光が金属メッキ表面で効率よく反射されない虞があり、500nmを超える場合にはLEDチップから光が十分に拡散されない虞がある。また、実施形態6および7に、上述の実施形態1~5に記載の絶縁層または反射層を用いることにより、さらに効率よく光を外部に放出することが可能となる。<実施形態7>図11は、本実施形態の発光装置における発光部の一部の模式的な断面図である。図11に基づいて発光部1002の構造について説明する。発光部1002は、基板1と、その上に接合される絶縁層2と、絶縁層2の上に離間部8を形成して積層される一対の金属板としてのCu金属板3と、Cu金属板3の表面に形成される金属メッキとしての銀メッキ4と、銀メッキ4の上に離間したCu金属板3の端から所定の距離Dだけ離れて搭載されるLEDチップ6と、銀メッキ4が形成されたCu金属板3とLEDチップ6とを接続するボンディングワイヤWと、LEDチップ6とボンディングワイヤWを覆うように封止した封止樹脂としての蛍光体を含有した透光性樹脂7とを備える。そして、LEDチップ6の搭載面の周囲には、ソルダーレジスト5が設けられている。本実施形態は、実施形態1を応用したものである。ただし、実施形態1との差異点は、透光性樹脂7により個々のLEDチップ6と個々のLEDチップ6間にあるソルダーレジスト5の表面を覆っている点である。本実施形態によると、透光性樹脂7の形成をより簡便に行なうことができる。<実施形態8>図12は、図1における発光部の形状を六角形にした発光装置の平面図である。図13は、図1における発光部の形状を円形にした発光装置の平面図である。図14は、図1における発光部の形状を長方形にした発光装置の平面図である。図12のように透光性樹脂7で六角形を形成し、発光装置1003を作製することができる。また、図13のように透光性樹脂7で円形を形成し、発光装置1004を作製することができる。また、図14のように透光性樹脂7で複数の長方形を複数形成し、それらを電気的に接続することで発光装置1005を形成することが可能である。ここで、発光部の形状は、例示であって、六角形、円形、長方形状としたが、どのような形状をしていてもよい。<LEDランプ>図10aは、蛍光灯形LEDランプの模式的な斜視図である。図10bは、電球形LEDランプの模式的な斜視図である。図10cは、蛍光灯形LEDランプの模式的な斜視図である。図10a、bについては、実施形態1で説明した図1における発光装置1000を用いて作製した照明装置の応用例である。図10aのように、発光装置を複数組合せることで蛍光灯形LEDランプ7000を作製することができる。また、図10bにように、図1の発光装置を用いた電球形LEDランプ8000を作製することも可能である。また、図10cのように、発光部1001を複数組合せることで蛍光灯形LEDランプ9000を作製することも可能である。なお、LEDランプは、実施形態1の発光装置および発光部以外に、上述した発光装置および発光部の形態、材料等を適宜組合せて作製することが可能である。また、本願の発光素子から発せられる光は可視光に限らず、紫外等の波長の光であっても、絶縁層および反射層の材料を適宜組合せて作製することにより、本願効果を得ることが可能である。今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。