"成膜室内で有機材料からなる膜原料を気化させて基板の成膜面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記膜原料を収容する収容室を有し、貫通孔を有するとともに前記基板に配置されるマスクに向けて線状に開口する供給口が前記収容室に設けられた線状蒸着源と、前記収容室に収容される前記膜原料を加熱して気化させる加熱部と、前記マスクと前記供給口とを所定距離だけ離間させながら、前記基板の成膜面と平行な方向であって、かつ、前記線状蒸着源の長手方向に対して略直交する方向に、前記線状蒸着源及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させる第1移動機構部と、前記成膜室内の真空度を制御する真空度制御部とを備え、前記真空度制御部は、前記供給口から前記成膜面までの長さが、前記膜原料の分子量と前記成膜室の真空度とにより決定される前記膜原料の分子の平均自由行程よりも短くなるように、前記成膜室内の真空度を制御し、気化した前記膜原料の分子が存在する前記貫通孔と前記基板とによって構成される局所空間内の蒸気圧をPとし、気化した前記膜原料の分子の平衡蒸気圧をPeとしたときに、前記線状蒸着源は、PとPeの対数比であるlnP/Peが0.1~20となるように配置される薄膜形成装置。前記線状蒸着源及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させる移動方向において、前記線状蒸着源の前記マスクと対向する上端面の幅は、前記貫通孔の前記マスク側の開口幅よりも大きい請求項1に記載の薄膜形成装置。前記加熱部は、前記線状蒸着源と一体となって移動するように構成される請求項1又は2に記載の薄膜形成装置。前記線状蒸着源の長手方向を法線とする平面における前記収容室の断面形状は、前記供給口に向かって先細な形状である請求項1~3のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。さらに、前記基板保持部及び前記線状蒸着源の少なくとも一方を、前記成膜面と略直交する方向に移動させる第2移動機構部を備える請求項1~4のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。さらに、前記成膜室に隣接し開閉する仕切りを介して配置される減圧可能な予備室を備え、前記予備室は、前記基板を前記予備室と前記成膜室との間で進退させる基板進退機構部、及び、前記線状蒸着源を前記予備室と前記成膜室との間で進退させる蒸着源進退機構部の少なくとも一つを備える請求項1~5のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。前記基板が帯状のフィルム基板であり、さらに、前記成膜室は、前記フィルム基板を前記基板保持部に保持させながら、前記フィルム基板を挟み込んだ状態で閉じることができる基板導入口及び基板導出口を備え、前記成膜室の外部には、ロール状に巻回された前記フィルム基板を繰り出して、前記成膜室内に前記フィルム基板を供給する供給ローラと、前記成膜室内に供給された前記フィルム基板を前記成膜室外に回収してロール状に巻き取る巻取りローラと、を備える請求項1~5のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。成膜室内で有機材料からなる膜原料を気化させて基板の成膜面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記成膜室内に、前記基板を保持する基板保持部と、前記膜原料を収容する収容室を有し、貫通孔を有するとともに前記基板に配置されるマスクに向けて線状に開口する供給口が前記収容室に設けられた線状蒸着源と、前記収容室に収容される前記膜原料を加熱して気化させる加熱部と、前記線状蒸着源及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させる第1移動機構部と、前記成膜室内の真空度を制御する真空度制御部とが備えられており、前記第1移動機構部によって、前記マスクと前記供給口とを所定距離だけ離間させながら、前記基板の成膜面と平行な方向であって、かつ、前記線状蒸着源の長手方向に対して略直交する方向に、前記線状蒸着源及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させ、前記真空度制御部によって、前記供給口から前記成膜面までの長さが、前記膜原料の分子の分子量と前記成膜室の真空度とにより決定される前記膜原料の分子の平均自由行程よりも短くなるように、前記成膜室内の真空度を制御し、気化した前記膜原料の分子が存在する前記貫通孔と前記基板とによって構成される局所空間内の蒸気圧をPとし、気化した前記膜原料の分子の平衡蒸気圧をPeとしたときに、PとPeの対数比であるlnP/Peが0.1~20となるように、前記線状蒸着源を配置する薄膜形成方法。前記線状蒸着源及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させる移動方向において、前記線状蒸着源における前記マスクと対向する上端面の幅は、前記貫通孔の前記マスク側の開口幅よりも大きい請求項8に記載の薄膜形成方法。前記加熱部を、前記線状蒸着源と一体となって移動させる請求項8又は9に記載の薄膜形成方法。前記線状蒸着源の長手方向を法線とする平面における前記収容室の断面形状は、前記供給口に向かって先細な形状である請求項8~10のいずれか1項に記載の薄膜形成方法。前記成膜室内に、さらに、第2移動機構部が備えられており、前記第2移動機構部は、前記基板保持部及び前記線状蒸着源の少なくとも一方を、前記成膜面と略直交する方向に移動させる請求項8~11のいずれか1項に記載の薄膜形成方法。さらに、前記成膜室に隣接し開閉する仕切りを介して配置される減圧可能な予備室を備え、前記予備室には、基板進退機構部及び蒸着源進退機構部の少なくとも一つが備えられており、前記基板進退機構部によって、前記基板を前記予備室と前記成膜室との間を進退させ、前記蒸着源進退機構部によって、前記線状蒸着源を前記予備室と前記成膜室との間を進退させる請求項8~12のいずれか1項に記載の薄膜形成方法。前記基板が帯状のフィルム基板であり、前記成膜室は、前記フィルム基板を前記基板保持部に保持させながら、前記フィルム基板を挟み込んだ状態で閉じることができる基板導入口及び基板導出口を備えられており、前記成膜室の外部には、ロール状に巻回された前記フィルム基板を繰り出して前記成膜室内に供給する供給ローラと、前記成膜室内に供給された前記フィルム基板を前記成膜室外に回収してロール状に巻き取る巻取りローラとが備えられており、前記供給ローラから供給される前記フィルム基板を前記基板導入口から前記成膜室内に導入して前記フィルム基板に薄膜を形成し、連続して、薄膜が形成された前記フィルム基板を前記基板導出口から前記成膜室外に導出して前記巻取りローラによって回収する請求項8~12のいずれか1項に記載の薄膜形成方法。今後、デバイスの大型化又は量産化に伴って、有機薄膜の形成においては、基板のさらなる大型化大判化が要望されている。しかしながら、基板の大型化に対応させて蒸着源の面積を大型化すると、蒸着源の面積が大きくなることに伴って、蒸着源における膜原料の保持状態が不均一となる。すなわち、膜原料の分布状態が不均一となる。そのために、基板面内における膜厚や膜質のばらつきが大きくなるという問題がある。また、蒸着源の面積が大きくなると、膜原料を加熱蒸発させる加熱源も大面積化して、加熱源において温度不均一性温度ムラが発生する場合もある。この場合も、基板面内における膜厚や膜質のばらつきが大きくなるという問題がある。一方、このような大型の基板に成膜する方法としては、基板に対して相対的に移動可能な蒸着源を使用する方法が提案されている例えば、特許文献2参照。しかしながら、特許文献1のように断熱マスクと平面状の蒸着源とを密着させて密閉空間を形成して行う従来のHSD法では、断熱マスクに密着させながら蒸着源を移動させて基板に薄膜を形成することはできない。そこで本発明は、大型の基板に対しても、均一な膜厚及び膜質を有する有機薄膜を高い生産性で形成することができる薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明に係る薄膜形成装置は、成膜室内で有機材料からなる膜原料を気化させて基板の成膜面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記膜原料を収容する収容室を有し、貫通孔を有するとともに前記基板に配置されるマスクに向けて線状に開口する供給口が前記収容室に設けられた線状蒸着源と、前記収容室に収容される前記膜原料を加熱して気化させる加熱部と、前記マスクと前記供給口とを所定距離だけ離間させながら、前記基板の成膜面と平行な方向であって、かつ、前記線状蒸着源の長手方向に対して略直交する方向に、前記線状蒸着源及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させる第1移動機構部と、前記成膜室内の真空度を制御する真空度制御部とを備え、前記真空度制御部は、前記供給口から前記成膜面までの長さが、前記膜原料の分子量と前記成膜室の真空度とにより決定される前記膜原料の分子の平均自由行程よりも短くなるように、前記成膜室内の真空度を制御し、気化した前記膜原料の分子が存在する前記貫通孔と前記基板とによって構成される局所空間内の蒸気圧をPとし、気化した前記膜原料の分子の平衡蒸気圧をPeとしたときに、前記線状蒸着源は、PとPeの対数比であるlnP/Peが0.1~20となるように配置されるものである。また、本発明に係る薄膜形成方法は、成膜室内で有機材料からなる膜原料を気化させて基板の成膜面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記成膜室内に、前記基板を保持する基板保持部と、前記膜原料を収容する収容室を有し、貫通孔を有するとともに前記基板に配置されるマスクに向けて線状に開口する供給口が前記収容室に設けられた線状蒸着源と、前記収容室に収容される前記膜原料を加熱して気化させる加熱部と、前記線状蒸着源及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させる第1移動機構部と、前記成膜室内の真空度を制御する真空度制御部とが備えられており、前記第1移動機構部によって、前記マスクと前記供給口とを所定距離だけ離間させながら、前記基板の成膜面と平行な方向であって、かつ、前記線状蒸着源の長手方向に対して略直交する方向に、前記線状蒸着源及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させ、前記真空度制御部によって、前記供給口から前記成膜面までの長さが、前記膜原料の分子の分子量と前記成膜室の真空度とにより決定される前記膜原料の分子の平均自由行程よりも短くなるように、前記成膜室内の真空度を制御し、気化した前記膜原料の分子が存在する前記貫通孔と前記基板とによって構成される局所空間内の蒸気圧をPとし、気化した前記膜原料の分子の平衡蒸気圧をPeとしたときに、PとPeの対数比であるlnP/Peが0.1~20となるように、前記線状蒸着源を配置するものである。本発明によれば、大型の基板であっても、基板の成膜面全体にわたって、膜厚や膜質のばらつきを抑制して、均一な膜厚や膜質を有する高品位な薄膜を短時間で形成することができる。上述のとおり、大型の基板に薄膜を形成する方法としては、特許文献2のように、基板に対して相対的に移動可能な線状蒸着源を使用する方法がある。特許文献2の方法では、基板と線状蒸着源とを相対的に移動させる必要があるので、基板と線状蒸着源とを離間させている。一方、特許文献1の方法は、断熱マスクと平面状の蒸着源とを密着させて断熱マスクの貫通孔内を閉空間とすることによって気化速度を速くして、所望の薄膜を形成する技術である。したがって、特許文献1の方法に特許文献2の方法を適用しようとすると、断熱マスクに対して線状蒸着源を円滑に相対移動させるために、断熱マスクと線状蒸着源とを離間させる必要がある。しかしながら、特許文献1において断熱マスクと線状蒸着源とを離間させると、断熱マスクの貫通孔内を密閉空間とすることができないので、特許文献1の方法に特許文献2の方法を単純に適用することは困難であると考えられていた。ところが、本発明者等が鋭意検討した結果、線状蒸着源を用いて、基板の成膜面に配置されたマスクと線状蒸着源とを微小距離だけ離間させた状態で線状蒸着源を基板に対して相対移動させながら薄膜形成した場合であっても、予想に反して、均一な膜厚及び膜質を有する高品位な薄膜を形成することができるということをつきとめた。本発明は、このような驚くべき結果に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明に係る薄膜形成装置は、成膜室内で有機材料からなる膜原料を気化させて基板の成膜面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記膜原料を収容する収容室を有し、貫通孔を有するとともに前記基板に配置されるマスクに向けて線状に開口する供給口が前記収容室に設けられた線状蒸着源と、前記収容室に収容される前記膜原料を加熱して気化させる加熱部と、前記マスクと前記供給口とを所定距離だけ離間させながら、前記基板の成膜面と平行な方向であって、かつ、前記線状蒸着源の長手方向に対して略直交する方向に、前記線状蒸着源及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させる第1移動機構部と、前記成膜室内の真空度を制御する真空度制御部とを備え、前記真空度制御部は、前記供給口から前記成膜面までの長さが、前記膜原料の分子量と前記成膜室の真空度とにより決定される前記膜原料の分子の平均自由行程よりも短くなるように、前記成膜室内の真空度を制御し、気化した前記膜原料の分子が存在する前記貫通孔と前記基板とによって構成される局所空間内の蒸気圧をPとし、気化した前記膜原料の分子の平衡蒸気圧をPeとしたときに、前記線状蒸着源は、PとPeの対数比であるlnP/Peが0.1~20となるように配置されるものである。真空蒸着による薄膜形成のメカニズムは、成膜対象の基板近傍の気化分子の蒸気圧Pとの相関がある。一般に、この蒸気圧Pが気化分子のもつ平衡蒸気圧Peよりも大きくなると基板上で分子の凝結が起こり、核を形成する。そして、核形成後に基板に飛来した分子はその核を起点に集合し、薄膜成長が促される。このような核が形成されるには、気化分子の蒸気圧Pと平衡蒸気圧Peとの対数比lnP/Peを過飽和度σと定義すると、P>Pe、すなわち過飽和度σが0より大きいことが必要とされる。過飽和度σが0に近い領域で得られる薄膜は、基板との整合を伴うエピタキシャル成長となる。しかしながら、過飽和度σが極端に大きな場合は、基板との整合を伴わず、特定の核を有さないアモルファス膜もしくは微結晶膜となる。ここで、本発明に係る薄膜形成に用いられる膜原料としては、有機薄膜を形成するための膜原料が用いられる。膜原料の種類としては、特に限定されないが、例えば、ノルマルアルカン、脂肪酸等の炭素骨格を主鎖とする直鎖状化合物や、ポリシラン等のSi骨格を主鎖とする直鎖状化合物、アントラセン、ペンタセンをはじめとするポリアセン系化合物、オリゴチオフェンをはじめとするポリチオフェン系化合物及びその誘導体等の棒状分子;銅フタロシアニンCuPc等のフタロシアニン類やポルフィリン等の面状分子;4,4’,4-トリス3-メチルフェニルフェニルアミノトリフェニルアミンm-MTDATA、4,4’,4-トリス2-ナフチルフェニルアミノトリフェニルアミン2-TNATA、N,N’-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンTPD、ビス[N-ナフチル-N-フェニル]ベンジジンα-NPD等のアミン系化合物や、8≡ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物NTCDA等のナフタレン環を有する無水化合物等の有機EL用の材料;上述のフタロシアニン類、C60フラーレン、6,6-フェニル-C61酪酸メチルエステルPCBM等の有機薄膜太陽電池用の材料等が挙げられる。そして、本発明に係る薄膜形成装置では、供給口から成膜面までの長さが、膜原料が気化した分子の平均自由行程よりも短くなるように、すなわち低真空雰囲気となるように成膜室内の真空度圧力が制御されている。このような低真空度の成膜室内おいて、上記の膜材料を低い過飽和度雰囲気で蒸着させると、すなわち過飽和度σが0近傍から2~3程度の範囲内で蒸着させると、膜原料が棒状分子の場合は基板の成膜面に対して垂直配向した核成長を行い、膜原料が面状分子の場合は基板の成膜面と面状分子の面とが平行に配向した核成長を行う。一方、低真空度の成膜室内おいて、上記の膜材料を高い過飽和度雰囲気で蒸着させると、すなわち過飽和度σが3~15程度の範囲内で蒸着させると、膜原料が棒状分子の場合は基板の成膜面に対して平行配向し、膜原料が面状分子の場合は基板の成膜面に対して面状分子の面が垂直に立った状態である垂直配向する。なお、過飽和度σが0より小さい場合は、基板に滞在できる分子が核成長するには少ないために薄膜成長しない。また、蒸着レートをさらに速くする等して過飽和度σを大きくすることにより、有機ELや有機薄膜太陽電池に用いられる材料の膜原料を用いて、アモルファス性の薄膜を形成することもできる。本発明に係る薄膜形成装置では、線状蒸着源と貫通孔を有するマスクとによって、基板及び貫通孔で構成される局所空間内における気化分子の過飽和度σを、0.1~20までの広い範囲で制御することができる。そして、本発明では、成膜室内の真空度が上記のように低真空度であっても、過飽和度σを0.1~20の範囲内となるように制御することにより、蒸着膜における分子の配向を垂直配向から平行配向まで容易に制御することができる。ここで、上記の過飽和度σについて、さらに説明する。まず、過飽和度σと薄膜分子の配向との関係について説明する。過飽和度σが小さい場合は、薄膜分子は垂直配向となり、過飽和度σが大きい場合は、薄膜分子は平行配向となる。次に、過飽和度σと成膜条件との関係について説明する。基板近傍の過飽和度σは基板温度や蒸着速度蒸着レートに依存し、基板温度が高ければ高いほど過飽和度は小さくなり、基板温度が低ければ低いほど過飽和度が大きくなる。一方、蒸着速度が遅ければ遅いほど過飽和度は小さくなり、蒸着速度が速ければ速いほど過飽和度は大きくなる。基板と蒸着源との距離が遠く離れた一般的な真空蒸着法では気化分子が成膜室全体を満たすため、基板近傍の飽和蒸気圧を制御することが困難であった。特に、平行配向の有機薄膜を形成するためには、高い過飽和度σを実現する必要があるが、このためには、過剰な蒸着速度を必要とし、材料が無駄になったり雰囲気の安定性を保つのが難しかったりするという問題があった。また、基板温度を低くすれば過飽和度σを大きくすることができるが、この場合、基板温度を-150°C程度にまで冷却しなければならないという課題がある。従って、一般的な薄膜形成装置では、高い過飽和度を容易に得ることができず、平行配向の有機薄膜を容易に形成することが困難である。例えば、従来の一般的な真空蒸着の薄膜形成装置では、0~2程度の過飽和度しか発生させることができず、垂直配向の薄膜しか形成することができなかった。そこで、本発明では、基板と貫通孔とによって略閉空間を構成することで、基板近傍の過飽和度σを制御している。過飽和度σの値としては、成膜可能となるように0.1以上とし、さらには、薄膜の配向を垂直配向から平行配向まで制御可能なように20以下としており、過剰な膜原料を用いることなく少量の膜原料で安定して成膜が行えるようにしている。そして、このような過飽和度σの制御は、大型の基板に成膜する方法としては、基板に対して相対的に移動可能な線状蒸着源を用いて行うことができ、本発明では、基板の成膜面と平行な方向であって、かつ、線状蒸着源の長手方向に対して略直交する方向に、線状蒸着源及び基板保持部の少なくとも一方を移動させながら、線状蒸着源の供給口とマスクとを所定距離だけ離間させることによって行っている。なお、このように、本発明においては、線状蒸着源の供給口とマスクとを所定距離だけ離間させた状態で成膜を行っているので、特許文献1のようにマスクの貫通孔内が完全な閉空間とはなっていない。従って、線状蒸着源の供給口とマスクとを所定距離だけ離間させた状態では、蒸着速度を速くすることができないと考えられていた。しかしながら、本発明者らが鋭意検討した結果、線状蒸着源の供給口とマスクとを所定距離だけ離間させた状態であっても、供給口から連続的に気化した分子によって基板と貫通孔とによって構成される空間が満たされた蒸気圧空間となっているために、貫通孔内はその外周部と遮断された局所雰囲気となることをつきとめた。その結果、成膜過程において、貫通孔内には外周部とは異なる蒸気圧場が形成され、膜原料の気化速度及び蒸気圧を制御するのに充分な化学的に閉じた反応場が構築されることが分かった。したがって、本発明によれば、線状蒸発源の供給口とマスクとを所定距離だけ離間させながらも、所望に配向が制御された有機薄膜を、高い成膜速度で大面積で形成することができる。逆に、本発明のように、成膜時に、線状蒸着源の供給口とマスクの面とが所定距離だけ離間させることにより、基板上に形成される薄膜の膜厚や膜質を均一にすることができることも分かった。これは、線状蒸着源の供給口とマスクの面との間に形成された隙間が、マスクパターンが複雑な形状であっても、収容室からの気化した膜原料が均一な蒸気圧雰囲気を形成する緩和層として機能すると考えられるからである。すなわち、この隙間による緩和層によって、蒸気圧が均一化された膜原料を貫通孔内へと移動させることができるので、基板上に形成される薄膜の膜厚や膜質の均一化が促進されると推測される。なお、成膜待機時だけでなく成膜時においても線状蒸着源とマスクとを離間させることにより、特許文献1に開示された薄膜形成装置とは異なり、マスクに断熱性を持たせる必要がなくなる。また、本発明において、成膜時における成膜室内の真空度は、線状蒸着源の供給口から貫通孔を経由して基板に到達するまでの気化した膜原料の蒸着経路の長さが、膜原料気化した分子の分子量と成膜室の真空度とにより決定される分子の平均自由行程よりも短くなるように制御されている。このような条件を満たす成膜室内の真空度は、膜原料の種類、蒸着レート、膜原料の分子密度等に鑑み、所望の膜質配向状態、結晶化状態に合わせて、適宜決定することができる。また、本発明では、蒸着源として、蒸着源が線状である線状蒸着源を用いている。これにより、線状蒸着源に膜原料を均一に配置して、線状蒸着源における膜原料の保持状態を容易に均一にすることができるので、膜厚や膜質のばらつきが抑制され、均一な膜厚や膜質を有する高品位な薄膜を形成することができる。この結果、薄膜の歩留まりを向上し、生産性を高めることが可能となる。なお、蒸着源が従来のように平板状のものである場合、蒸着源を均一に加熱することが難しく、蒸着源の加熱ムラが生じやすい。そのため、加熱ムラに起因して、膜原料が突発的に気化し噴出するスプラッシュが発生してしまうことがある。さらに、スプラッシュによって膜原料に陥没等が形成され、陥没等に起因して膜原料の崩落が起こり、この結果、膜原料の気化状態が不安定となってしまうこともある。これらの点について、より詳細に説明する。スプラッシュとは、急激な膜原料の加熱や、膜原料の温度のばらつきによって、突発的に原料分子の昇華又は蒸発気化が起こることを意味する。このようなスプラッシュが起こると、成膜レートが不安定になるとともに、しばしば膜原料分子が集団クラスター状態で基板に到達することになり、膜厚や膜質が不均一化しやすい。また、崩落とは、膜原料固体を加熱して気化が進行する過程において、固体の形状変化によって、突発的に分子気化速度が変化して、膜原料が崩れてしまうことを意味する。このような崩落が起こると、成膜レートが不安定になり、膜厚や膜質の均一化が困難となる。これに対して、本発明のように蒸着源が線状であれば、蒸着源の加熱ムラが起こりにくくなるので、膜原料の気化状態を均一化しやすくなり、これによっても、薄膜の膜厚や膜質のばらつきを抑制することができる。また、本発明に係る薄膜形成装置において、前記線状蒸着源及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させる移動方向において、前記線状蒸着源の前記マスクと対向する上端面の幅は、前記貫通孔の前記マスク側の開口幅よりも大きいことが好ましい。このような構成とすることにより、マスクの貫通孔において、成膜における蒸着開始時から蒸着終了時まで一貫して、線状蒸着源における供給口側の面によって貫通孔内と外部とのコンダクタンスを維持することができ、化学的に閉じた反応系を形成することができる。その結果、配向が制御された有機薄膜を高い成膜速度で大面積で形成することができる。また、本発明に係る薄膜形成装置において、前記加熱部は、前記線状蒸着源と一体となって移動するように構成されることが好ましい。この場合、このような線状蒸着源を加熱する加熱部としては、例えば、線状蒸着源の長手方向における線状蒸着源の長さと略同じ長さの線状の加熱部であることが望ましい。また、本発明に係る薄膜形成装置において、前記線状蒸着源の長手方向を法線とする平面における前記収容室の断面形状は、前記供給口に向かって先細な形状であることが好ましい。このような構成にすることにより、さらに、薄膜の膜厚や膜質のばらつきを抑制することができる。以下、この点について説明する。蒸着源における収容室の底面から供給口に向かって開口幅が広がっているような場合、収容室内で気化した膜原料は直ちに収容室外に放出されてしまう。したがって、膜原料の気化状態がばらつきやすくなり、また、膜原料のスプラッシュや崩落が起こると、膜原料の気化状態が不均一になってしまうので、薄膜の膜厚や膜質のばらつきが生じやすい。これに対して、本発明の上記構成のように、蒸着源における収容室の底面から供給口に向かって先細である場合、すなわち、底面から供給口に向かって開口幅が狭まっている場合、収容室内に固相と気相との平衡状態が一旦形成されるので、均一な気化状態の膜原料を基板に向けて放出することができる。また、収容室の断面形状を供給口に向かって先細形状とすることにより、仮に膜原料のスプラッシュや崩落が起こったとしても、直ちに膜原料が収容室外に放出されることはなく、収容室内で気化状態を均一化することができる。また、この際、蒸着源の温度を調整することにより、膜原料の分子線強度を制御して、配向状態や結晶化状態を制御することも可能となる。また、本発明に係る薄膜形成装置において、前記基板保持部及び前記線状蒸着源の少なくとも一方を、前記成膜面と略直交する方向に移動させる第2移動機構部を備えるように構成しても構わない。これにより、第2移動機構部によって基板保持部及び線状蒸着源の少なくとも一方を、成膜面と略直交する方向例えば、垂直方向に移動させることができるので、成膜時以外は基板と蒸着源との距離を充分確保して離間させることができる。したがって、蒸着レートの設定時に膜原料が基板に付着するのを防ぐことができ、また、蒸着源とマスク及び基板との間を仕切る防着シャッタを設けるためにも都合がよい。また、本発明に係る薄膜形成装置において、前記成膜室に隣接し開閉する仕切りを介して配置される減圧可能な予備室を備え、前記予備室は、前記基板を前記予備室と前記成膜室との間で進退させる基板進退機構部、及び、前記線状蒸着源を前記予備室と前記成膜室との間で進退させる蒸着源進退機構部の少なくとも一つを備えることが好ましい。特許文献1に開示された装置では、基板を交換するたびに成膜室を大気開放する必要がある。成膜室を大気開放するためには、まず蒸着源を室温程度に冷却する必要がある。仮に蒸着源を冷却せずに成膜室を大気開放すれば、蒸着源に保持された膜原料が酸化してしまうので、次回の成膜時に使用することができず、また、成膜室内を構成する金属製の部品も酸化してしまう。そして、蒸着源を室温程度に冷却するには成膜時間の数十倍の時間を要する。また、真空蒸着法を用いて直鎖状有機化合物からなる薄膜を基板に形成する際に、基板の温度を-130°C以下に冷却すれば、直鎖状有機化合物の分子の基板に対する平行配向性が高まることが知られている特開2004-76108号公報。一方、成膜室に配置した基板を-130°C以下に冷却した場合、冷却した基板をただちに大気に曝せば大気中の水分が基板上に氷結してしまう。そのために、基板の温度が室温に戻るまで、成膜室の大気開放に時間を掛けなければならないといった問題がある。これに対して、本発明では、減圧可能な予備室が備えられているので、基板や蒸着源を予備室に退避させて徐冷等を施すことができる。また、このような予備室が備えられていることにより、蒸着源を高温な状態に維持したままで成膜室を大気開放させることなく、薄膜が形成された基板を予備室に取り出して、新たな基板を成膜室に搬入することができる。その結果、連続的な成膜が可能となり、一連の成膜処理に要する時間を大幅に短縮することができる。また、成膜時に基板を冷却した場合も、予備室内で基板の温度を室温に戻してから、基板を装置外に回収することができる。また、本発明に係る薄膜形成装置において、前記基板が帯状のフィルム基板であり、さらに、前記成膜室は、前記フィルム基板を前記基板保持部に保持させながら、前記フィルム基板を挟み込んだ状態で閉じることができる基板導入口及び基板導出口を備え、前記成膜室の外部には、ロール状に巻回された前記フィルム基板を繰り出して、前記成膜室内に前記フィルム基板を供給する供給ローラと、前記成膜室内に供給された前記フィルム基板を前記成膜室外に回収してロール状に巻き取る巻取りローラと、を備えるような構成としても構わない。このような構成によれば、基板導入口と基板導出口とにおいてフィルム基板を挟み込んだ状態で成膜室内を閉じた空間とすることができるので、成膜時における成膜室内を上記の低真空度に維持することができる。なお、成膜室が短時間大気開放されても、ロータリポンプやターボ分子ポンプ等の真空ポンプを用いれば、低真空雰囲気を迅速に回復することが可能である。さらに、フィルム基板を搬送する基板搬送機構として、ロール状に巻回されたフィルム基板を繰り出して成膜室内にフィルム基板を供給する供給ローラと、成膜室内に供給されたフィルム基板を成膜室外に回収してロール状に巻き取る巻取りローラとを備えている。このように、基板搬送機構を成膜室外に設けることにより、成膜室として容易に減圧することができる容積として比較的に小さい容積の成膜室を使用することができる。また、基板搬送機構を成膜室外に設けることにより、基板の交換に要する時間を大幅に短縮することができるとともに、基板の前処理や薄膜の後処理のための装置を簡便に接続することができるので、連続的な成膜処理を効率的に行うことができる。さらに、フィルム基板に対して所定の成膜を行った後に、基板導入口と基板導出口とにおけるフィルム基板を挟み込んでいる押圧力をわずかに開放するとともに、フィルム基板を巻き取るという一連の処理を繰り返すことによって、連続的にフィルムへの成膜を行うことができる。すなわち、供給ローラから繰り出されて巻取りローラへと回収される帯状のフィルム基板に対して連続的な成膜処理を効率的に行うことができる。なお、上述のとおり、従来の薄膜形成装置では、基板を交換するたびに成膜室を大気開放する必要があり、成膜室を大気開放するためには、まず蒸着源を室温程度に冷却する必要がある。仮に蒸着源を冷却せずに成膜室を大気開放すれば、蒸着源に保持された膜原料が酸化してしまう。膜原料が酸化すると、次の成膜時に使用することができず、また、成膜室内を構成する金属製の部品も酸化してしまう。さらに、蒸着源を室温程度に冷却するには成膜時間の数十倍の時間を要する。これに対して、本発明では、成膜時には成膜室内を閉じた空間とすることができるとともに、成膜後直ぐに基板搬送機構によって次に成膜するフィルム基板の導入と成膜後のフォルム基板の導出とを行うことができる。これにより、次のフィルム基板の成膜時において成膜後のフィルム基板の徐冷を行うことができ、連続的に薄膜形成処理を行うことができる。また、大きく大気開放することなく連続的な成膜処理を行うことができるので、膜原料が酸化してしまうこともない。また、本発明に係る薄膜形成方法は、成膜室内で有機材料からなる膜原料を気化させて基板の成膜面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記成膜室内に、前記基板を保持する基板保持部と、前記膜原料を収容する収容室を有し、貫通孔を有するとともに前記基板に配置されるマスクに向けて線状に開口する供給口が前記収容室に設けられた線状蒸着源と、前記収容室に収容される前記膜原料を加熱して気化させる加熱部と、前記線状蒸着源及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させる第1移動機構部と、前記成膜室内の真空度を制御する真空度制御部とが備えられており、前記第1移動機構部によって、前記マスクと前記供給口とを所定距離だけ離間させながら、前記基板の成膜面と平行な方向であって、かつ、前記線状蒸着源の長手方向に対して略直交する方向に、前記線状蒸着源及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させ、前記真空度制御部によって、前記供給口から前記成膜面までの長さが、前記膜原料の分子の分子量と前記成膜室の真空度とにより決定される前記膜原料の分子の平均自由行程よりも短くなるように、前記成膜室内の真空度を制御し、気化した前記膜原料の分子が存在する前記貫通孔と前記基板とによって構成される局所空間内の蒸気圧をPとし、気化した前記膜原料の分子の平衡蒸気圧をPeとしたときに、PとPeの対数比であるlnP/Peが0.1~20となるように、前記線状蒸着源を配置するものである。また、本発明に係る薄膜形成方法において、前記線状蒸着源及び前記基板保持部の少なくとも一方を移動させる移動方向において、前記線状蒸着源における前記マスクと対向する上端面の幅は、前記貫通孔の前記マスク側の開口幅よりも大きいことが好ましい。この構成により、上述のように、成膜室内を低真空雰囲気となるように、また、過飽和度σを0.1~20の範囲内となるように制御することにより、蒸着膜における分子の配向を垂直配向から平行配向まで容易に制御することができる。これにより、有機薄膜の生産性を向上させることができる。また、本発明に係る薄膜形成方法において、前記加熱部を、前記線状蒸着源と一体となって移動させることが好ましい。また、本発明に係る薄膜形成方法において、前記線状蒸着源の長手方向を法線とする平面における前記収容室の断面形状は、前記供給口に向かって先細な形状であることが好ましい。また、本発明に係る薄膜形成方法において、前記成膜室内に、さらに、第2移動機構部が備えられており、前記第2移動機構部は、前記基板保持部及び前記線状蒸着源の少なくとも一方を、前記成膜面と略直交する方向に移動させるように構成しても構わない。また、本発明に係る薄膜形成方法において、前記成膜室に隣接し開閉する仕切りを介して配置される減圧可能な予備室を備え、前記予備室には、基板進退機構部及び蒸着源進退機構部の少なくとも一つが備えられており、前記基板進退機構部によって、前記基板を前記予備室と前記成膜室との間を進退させ、前記蒸着源進退機構部によって、前記線状蒸着源を前記予備室と前記成膜室との間を進退させるように構成しても構わない。また、本発明に係る薄膜形成方法において、前記基板が帯状のフィルム基板であり、前記成膜室は、前記フィルム基板を前記基板保持部に保持させながら、前記フィルム基板を挟み込んだ状態で閉じることができる基板導入口及び基板導出口を備えられており、前記成膜室の外部には、ロール状に巻回された前記フィルム基板を繰り出して前記成膜室内に供給する供給ローラと、前記成膜室内に供給された前記フィルム基板を前記成膜室外に回収してロール状に巻き取る巻取りローラとが備えられており、前記供給ローラから供給される前記フィルム基板を前記基板導入口から前記成膜室内に導入して前記フィルム基板に薄膜を形成し、連続して、薄膜が形成された前記フィルム基板を前記基板導出口から前記成膜室外に導出して前記巻取りローラによって回収するように構成しても構わない。以下、本発明に係る薄膜形成装置及び薄膜形成方法について、実施形態に基づいて図面を参照しながら説明する。第1の実施形態まず、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置の構成について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置の構成を示す一部断面図であり、薄膜形成の準備段階における構成を示す図である。図1に示すように、本実施形態に係る薄膜形成装置100は、成膜室2と、ホルダ3と、鉛直移動機構4と、蒸着源5と、ヒータ6と、水平移動機構7と、真空度制御部不図示とを備える。薄膜形成装置100は、真空蒸着により基板S上に薄膜を形成する装置であり、蒸着源5から気化させた膜原料を基板Sの成膜面S1に付着させて薄膜を形成するものである。本実施形態において、ホルダ3は、鉛直移動機構4によって、成膜室2内において上下に昇降可能なように構成されている。また、蒸着源5は、水平移動機構7によって、成膜室2内において左右に水平移動可能なように構成されている。真空度制御部は、成膜室2内の真空度を制御するものであり、例えば、ロータリポンプ又はターボ分子ポンプとを組み合わせた複合排気系と真空計等からなる。以下、薄膜形成装置100の各構成要素について詳細に説明する。まず、成膜室2について説明する。成膜室2は、真空ポンプ等の真空制御部により、内部に所定の真空雰囲気を形成可能に構成されている。すなわち、成膜室2内の真空度は、真空制御部によって制御される。本実施形態において、成膜室2内の真空度は、蒸着源5の供給口52から基板Sの成膜面S1までの長さが、膜原料の分子量と成膜室2の真空度とにより決定される膜原料の分子の平均自由行程よりも短くなるように制御される。例えば、真空ポンプによって、薄膜形成において基板Sの成膜面S1と蒸着源5の供給口52との間隔が膜原料の分子の平均自由行程以下になるように減圧される。このような成膜室2内の真空度の一例として、例えば、膜原料が、直鎖状の炭素骨格を有する有機材料であって、その分子量が700~800程度の化合物である場合、0.3~1[Pa]程度である。なお、本実施形態において、成膜室2内の温度は特段調整されておらず、室温程度の温度になっている。また、成膜室2内には、成膜室2の高さ方向における中央付近に、シャッタ21が設けられている。シャッタ21は、開閉駆動部不図示によりスライドされて、図1に示すように、ホルダ3と蒸着源5との間を遮蔽した状態とすることができる。また、後述するように、薄膜形成時においては、図5に示すように、開閉駆動部によってシャッタ21を退避させて蒸着源5とホルダ3とを近接させるようにしている。次に、ホルダ3について説明する。ホルダ3は、基板Sを保持する基板保持部である。本実施形態におけるホルダ3は、平面視形状が略四角形である板部31と、板部31の縁部下面に設けられた固定爪32とから構成される。そして、基板Sをその下面にマスクMを密着させてマスクMを固定爪32で押さえた状態で、固定爪32と板部31とをねじ図示せず止めして固定している。また、ホルダ3は、ホルダ装着部42に着脱可能なように装着されている。ホルダ装着部42は、押しボルト421、引きボルト422、2枚のホルダ装着板424、及び、2枚のホルダ装着板424の間に介在する球面軸受423等により構成されている。引きボルト422によってホルダ装着板424とホルダ3の板部31とが固定され、さらに、押しボルト421と引きボルト422との調整によって、ホルダ3の傾斜を調整し、移動する蒸着源5との間隔が一定になるよう調整可能となっている。一方、ホルダ装着部42の上面中央には、鉛直移動機構4のアーム41が設けられている。次に、鉛直移動機構4について説明する。鉛直移動機構4は、ホルダ3及び蒸着源5の少なくとも一方を基板Sの成膜面S1と略直交する方向鉛直方向に移動させる第2移動機構部である。本実施形態において、鉛直移動機構4は、ホルダ3が上下方向に昇降できるように構成されている。具体的に、鉛直移動機構4は、鉛直に延びる円柱形のアーム41を備えており、アーム41には、当該アーム41を昇降させるための昇降駆動部不図示が備えられている。鉛直移動機構4により、ホルダ3が上下動すると、基板S及びマスクMが互いに密着した状態でホルダ3と共に成膜室2内を上下動する。なお、鉛直移動機構4に、ペルチェ素子、クライオスタット又は液体窒素ガス源等の冷却装置を設けることによって、ホルダ3を冷却できるように構成してもよい。また、鉛直移動機構4にヒータを設けることによって、ホルダ3を加熱できるように構成してもよい。鉛直移動機構4に冷却装置を設けることによって、ホルダ3を介して基板Sが冷却されて、温度と蒸着速度とにより支配される膜原料の成膜面S1に対する分子の配向を制御することができる。さらに、鉛直移動機構4にヒータを設けることによって、冷却されて温度が低下した基板Sを加熱することができ、基板Sの温度を迅速に室温に戻すことも可能となる。ここで、本実施形態で用いられる基板Sについて説明する。基板Sは、薄膜を形成するための薄膜形成用基板である。本実施形態における基板Sは、等厚な平板状のものであり、平面視形状が四角形に形成されたものを使用している。具体的な基板Sとしては、例えば、樹脂製フィルム基板、シリコン基板、石英基板が用いられる。基板SのマスクM側の面は、薄膜が形成される成膜面S1であり、本実施形態において、成膜面S1には電極として機能するメタルパターンが形成されている。次に、本実施形態で用いられるマスクMについて、図1とともに図2を用いて説明する。図2は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置で用いられるマスクMの平面図である。図1に示すように、マスクMは、平板状のマスクであって、一方の面上面が基板Sの成膜面S1に密接又は近接するように配置され、その一方の面とは反対側の面である他方の面下面が蒸着源5に対向するように配置される。さらに、図1及び図2に示すように、マスクMは、一方の面から他方の面まで貫通するように構成された複数の貫通孔M1を有する。すなわち、貫通孔M1は、マスクMの厚さ方向に貫通するように形成されている。なお、本実施形態において、マスクMには複数の貫通孔M1が設けられているが、貫通孔M1は1つであっても構わない。また、図1及び図2に示すように、本実施形態におけるマスクMは、側周面に段部が形成された平板であり、直径1mm程の円柱状の貫通孔M1が、互いの孔中心間の距離が2mm程となるように、縦横に6個ずつ計36個形成されている。なお、マスクMの材料としては、例えば、石英、セラミックス又は金属等で構成することができる。また、貫通孔M1の形状も円柱状に限らない。次に、蒸着源5について、図1とともに図3を用いて説明する。図3は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置における蒸着源5の構成を示す斜視図である。図1及び図3に示すように、蒸着源5は、成膜室2の下部に配置され、膜原料が収容される収容室51を有する蒸着源であって、所定の長さの線状形状長尺状をなす線状蒸着源である。さらに、蒸着源5は、図3に示すように、収容室51の上端部に、マスクMに向けて開口する供給口52が設けられた容器を構成している。供給口52は、線状の長溝スリットである。本実施形態において、蒸着源5の長手方向における供給口52の長さLは、基板Sの幅図1における奥行き方向の長さと同じ長さとなるように構成されている。また、蒸着源5は、例えば、ガラス製の長尺状のるつぼからなる本体と、その外表面を覆うように形成された、熱伝導性の高い金属銅、アルミニウム又はSUS等からなる薄板とで構成されている。なお、収容室51に収容される膜原料としては、有機薄膜を形成するための膜原料が用いられ、上述の膜原料が用いられる。また、本実施形態において、蒸着源5の長手方向を法線とする平面における収容室51の断面形状は、収容室51の底面から供給口52に向かって先細な形状である。すなわち、蒸着源5の収容室51は、供給口52に向かってマスクMに向かって開口幅が狭まっていくように構成されている。次に、ヒータ6について説明する。ヒータ6は、蒸着源5を加熱する蒸着源加熱機構として機能し、蒸着源5の収容室51に収容される膜原料を加熱して気化させる加熱部である。ヒータ6としては、例えば、セラミックヒータを用いることができる。本実施形態において、ヒータ6は、蒸着源5の下部において、蒸着源5の容器の裏面に密着して配置されている。これにより、ヒータ6は、蒸着源5と一体となって移動するように構成されている。また、ヒータ6は、蒸着源5と同様に、長尺状に構成されている。これにより、基板Sの大型化大判化に従って、ヒータ6を大型化大面積化する必要がなくなるので、ヒータ6の大型化に伴う温度不均一性温度ムラの発生を抑制することができる。これにより、基板面内における膜厚や膜質のばらつきの発生を抑制することができる。ヒータ6に電力を投入することにより蒸着源5を加熱することができる。これにより、収容室51内の膜原料が加熱されて気化し、気化した膜原料の分子が供給口52から外部に向かって放出される。なお、ヒータ6は、蒸着源5を高速に昇温することができるように構成されており、本実施形態においては、蒸着源5を3分で300°Cまで昇温することができる。次に、水平移動機構7について、図1とともに図4を用いて説明する。図4は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置における水平移動機構の構成を示す平面図である。図1及び図4に示すように、水平移動機構7は、基板Sの成膜面S1と平行な方向であって、かつ、蒸着源5の長手方向に対して略直交する方向に、蒸着源5を移動させる蒸着源移動機構第1移動機構部である。図1に示すように、ヒータ6が密着して配置された蒸着源5は、水平移動機構7に支持され、矢印Aに示す方向に水平移動可能とされている。図4に示すように、水平移動機構7は、モータ74、カップリング75、送りネジ72、水平方向に伸びるガイド71レール部材及びステージ73等により構成されている。蒸着源5がヒータ6とともにステージ73に固定され、水平移動機構7によって、矢印A方向に移動する。本実施形態に係る薄膜形成装置100は、さらに、蒸着源5からの膜原料の気化状態を計測するために2個の膜厚計131、132を備えている。これらの膜厚計131、132は水晶振動子を備えており、水晶振動子上に堆積した膜原料の質量に応じて変化した共振周波数の変化を検出することにより、膜厚を測定するものである。膜厚計131は、基板Sの幅方向に沿って移動可能に構成されており、成膜前における蒸着レートを設定する。また、膜厚計132は、成膜時における蒸着状況を監視する。本実施形態に係る薄膜形成装置100には、さらに、図示しない制御部が設けられており、当該制御部により、ホルダ3の上下駆動、蒸着源5の水平駆動又はヒータ6の昇熱等が制御される。なお、蒸着源5の水平駆動の制御には、一定速度での水平移動だけでなく、蒸着面積の制御や、所期の位置における停止発進の制御も含まれる。本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置100は、以上のように構成される。次に、基板Sに薄膜を形成する場合について、図5を用いて説明する。図5は、本発明の第1実施形態に係る薄膜形成装置の一部断面図であり、薄膜形成の成膜時における構成を示す図である。図5に示すように、成膜時では、成膜室2内のシャッタ21が退避させられ、マスクMと蒸着源5とが近接するように、ホルダ3に保持された基板S及びマスクMが、鉛直移動機構4によって下降させられる。この時、本実施形態では、蒸着源5の供給口52とマスクMとが所定距離だけ離間して配置され、蒸着源5の供給口52とマスクMの間には、図5に示すように、成膜室2内の真空度に応じて隙間L1が設定されている。このように、蒸着源5の供給口52とマスクMとを隙間L1だけ離間して配置することにより、蒸着源5は、水平移動機構7によって、基板Sの成膜面S1と平行な方向であって、かつ、蒸着源5の長手方向に対して略直交する方向に、水平移動することができる。さらに、この隙間L1は、上述したように、蒸着源5から気化した膜原料が均一な蒸気圧雰囲気を形成する緩和層として機能する。そして、この緩和層を経由した膜原料が貫通孔M1内へと移動することにより、基板S上に形成される薄膜の膜厚や膜質を均一にすることができる。次に、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置100を用いた薄膜形成方法について、図6を用いて説明する。図6は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置100を用いて薄膜形成を行う際のフローチャートである。以下、図1及び図5を参照しながら、図6を用いて、基板Sの成膜面S1上に薄膜を形成する手順を説明する。まず、初期設定ステップS101について説明する。初期設定ステップでは、図1に示すように、鉛直移動機構4によってホルダ3を最上位置に上昇させ、シャッタ21をホルダ3と蒸着源5との間に挿入した状態で、真空ポンプで成膜室2内を所定の真空雰囲気に減圧する。このとき、ホルダ3には成膜処理前の基板SとマスクMが固定されており、蒸着源5の収容室51には膜原料が収容されている。次に、ヒータ6の加熱を行うヒータ加熱ステップS102について説明する。ヒータ加熱ステップでは、まず、ヒータ6によって膜原料が気化しない温度で蒸着源5収容室51を予熱し、膜原料の乾燥や不純物の除去のためのベーク処理を行う。その後、膜厚計131を用いて膜原料の気化状態から蒸着レートを計測する。このとき、膜厚計131で計測した蒸着レートが予め設定した蒸着レートに到達しているかどうかを判別しステップS103、到達していなければ予め設定した蒸着レートになったことが確認されるまで加熱を続けるステップS103でNO。一方、蒸着レートが所定の値に達したならばステップS103でYES、シャッタ21を退避さるステップS104。シャッタ21を退避させた後は、図5に示すように、鉛直移動機構4によってホルダ3を下降させることにより、マスクMの下面と蒸着源5の上端面とが微小距離だけ離間させた状態となるように、マスクMと蒸着源5とを近接させるステップS105。この際、蒸着源5がマスクMの端部図5において、向かって右端に対向して配置するように、蒸着源5を移動させるステップS106。次に、水平移動機構7によって蒸着源5を所定の速度で水平移動させてステップS107、各貫通孔M1内に露出した基板Sの成膜面S1に対して膜原料を付着させ、基板Sの成膜面S1の所定領域において所定の膜厚の薄膜が形成されるまで成膜を続けるステップS107でNO。なお、本実施形態において、蒸着源5は、1~10[mm/s]の速度で水平移動させた。この際、蒸着源5が所定の貫通孔M1の下に移動すると、貫通孔M1は、基板Sの成膜面S1と蒸着源5の上端面又は収容室51の底面との間でほぼ閉ざされて、局所的な閉じた反応系を形成する。一方、成膜時において、蒸着源5の収容室51に収容された膜原料は、ヒータ6の熱を受けて気化し、収容室51から供給口52へと飛散気化して蒸着源5とマスクMとの間の隙間L1の領域に移行し、この隙間において均一な蒸気圧雰囲気を形成した後、貫通孔M1内に拡散する。このとき、貫通孔M1内は、上述のとおりほぼ閉じた狭小空間であるので、膜原料の蒸気圧が飽和蒸気圧を上回り、過飽和度σが0を超えた状態となる。このため、膜原料の気相から固相への相転移が進み、蒸着速度が十分大きい場合は、膜原料が棒状分子であれば平行配向が促進され、膜原料が面状分子であれば垂直配向が促進される。また、蒸着速度がより速い場合は、アモルファス化又は微結晶化が進行することが可能な状態になっている。ここで、上記のステップS106からステップS107における薄膜形成時の様子について、図7を用いて説明する。図7は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置100において、成膜時における蒸着源とマスクMとの位置関係を示す図である。なお、図7a~図7cは、蒸着源5がマスクMの貫通孔M1の近傍を通過するときの様子を示したものである。図7aに示すように、本実施形態では、蒸着源5の供給口52を挟んでその両側に位置する両上端面の幅W1が、貫通孔M1の開口幅開口直径W2よりも大きくなるように構成されている。すなわち、供給口52の幅W1が貫通孔M1の開口幅W2本実施形態では1mmより大きい。この場合、図7a~図7cに示すように、蒸着源5の供給口52が特定の1つの貫通孔M1の開口部分を通過させると、供給口52の幅W1が貫通孔M1の開口幅W2よりも大きいので、図7a~図7cに示される特定の貫通孔Mに対して、蒸着開始時から蒸着終了時まで一貫して、蒸着源5の上端面によって貫通孔M1における内部と外部との連絡が阻害される。したがって、貫通孔M1内には化学的に閉じた反応系が形成される。このようにすることにより、貫通孔M1内に、急な温度勾配を生成させることができる。例えば、膜原料としてノルマルアルカンを用いて蒸着する場合、貫通孔M1内の下方部蒸着源5側では高温120°C~180°C程度となり、貫通孔M1内の上方部基板S側では低温50°C程度以下になっている。これにより、蒸着レートを大きくなって過飽和度σを大きくすることができるので、分子が平行配向となった薄膜を容易に形成することができる。なお、この場合、配向性を高めるために、さらに基板Sを室温以下に冷却してもよい。これにより、過飽和度σをさらに大きくすることができる。特に、ステップS105においてホルダ3を下降した直後は、基板Sの温度が成膜室2内の雰囲気温度本実施形態においては室温となっており、また、蒸着源5の温度が100°C~150°C程度となっている。したがって、このときに、貫通孔M1内における上方部基板S側と下方部蒸着源5側とに著しく急峻な温度勾配が生成される。このような急峻な温度勾配を生成させることにより、蒸着源5から放出された膜原料は、貫通孔M1内で最も温度が低い基板Sの成膜面S1に付着し、成膜面S1に対して効率よく堆積していく。また、膜材料が気化して基板Sの成膜面S1に付着して成膜される様子について、図8A及び図8Bを用いて詳細に説明する。図8Aは、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置100において、膜原料が気化して基板Sに薄膜として形成される様子を説明するための図である。図8Bは、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置100において、成膜時における蒸着源5の斜視図である。図8Aに示すように、蒸着源5の収容室51に収容された膜原料は、ヒータ6によって加熱されて気化して昇華分子となる。このとき、図8Aに示すように、本実施形態における収容室51の断面形状が、収容室51の底面から供給口52に向かって先細形状、すなわち、収容室51の底面から供給口52に向かって開口幅が徐々に狭まっている形状である。したがって、気化した膜原料は、供給口52から直ぐに外部に放出されるのではなく収容室51内に一時滞留することになる。これにより、収容室51内には固相と気相との平衡状態が一旦生成されることになり、膜原料は、収容室51内で均一な気化状態となる。このため、仮に膜原料のスプラッシュや崩落が起こったとしても、直ちに膜原料が収容室51外に放出されないので、収容室51内で気化状態を均一化することができる。その後、収容室51内で均一な気化状態となった膜原料は、図8A及び図8Bに示すように、供給口52から基板Sに向けて放出され、蒸着源5の上端面とマスクMの下面との間の隙間L1の領域に拡散する。気化した膜原料の分子は、この隙間領域においてさらに均一な蒸気圧雰囲気となり、貫通孔M1の内部へと進入する。このとき、マスクMと蒸着源5とが近接されているので、貫通孔M1内は、上述のとおり、ほぼ閉じた狭小空間である局所空間となっている。これにより、貫通孔M1内における膜原料の蒸気圧が飽和蒸気圧を上回り、基板S及び貫通孔M1で構成される局所空間内における気化分子の過飽和度σが0を超えた状態となる。このため、膜原料は、気相から固相へと相転移が進み、基板Sの成膜面S1に付着して薄膜として成膜される。また、マスクMと蒸着源5とが近接させることによって、近接させない場合の従来の薄膜形成装置と比較して蒸着レートを100倍程度も速くすることができる。これにより、過飽和度σを容易に大きくすることができるので、分子が平行配向となった薄膜を容易に形成することができる。このように、薄膜の膜厚や膜質のばらつきが抑制され、均一な膜厚や膜質を有する高品位な薄膜を形成することができるとともに、薄膜分子の配向が垂直配向から平行配向までとなるように容易に制御することができる。また、隙間L1の距離を調整することによって、局所空間内における気化した膜原料の過飽和度σを0.1~20までの広い範囲で制御することができる。これにより、成膜された蒸着膜における分子の配向を、垂直配向から平行配向まで容易に制御することができる。なお、隙間L1は、0~5mm程度とすることができ、本実施形態では、2mmとした。さらに、本実施形態における蒸着源5は、図8Bに示すように、長尺状の線状蒸着源を用いている。これにより、蒸着源5の収容室51の長手方向に膜原料を均一に配置することで、図8Bに示すように、蒸着源5の長手方向において均一に、気化した膜原料を供給口52から基板Sに向けて放出させることができる。これにより、基板Sの成膜面S1と平行な方向であって、蒸着源5の長手方向移動方向と直交する方向においても、膜厚の膜厚や膜質のばらつきがさらに抑制され、より均一な膜厚や膜質を有する高品位な薄膜を形成することができる。このように、蒸着源5を基板Sの一方の端部から他方の端部に向かって移動させることによって、マスクMにおける全ての貫通孔M1に対応する薄膜を、基板Sの成膜面S1に形成することができる。図6に戻り、この場合、基板Sの成膜面S1に堆積した膜原料の厚さは膜厚計132により監視されており、蒸着源5は、膜厚計132に堆積した膜原料基板Sに形成された薄膜が所定の厚さに達するまで往復運動を繰り返すステップS107でNO。基板Sの所定領域に所定の膜厚の薄膜が形成されるとステップS107でYES、ヒータ6の加熱を停止するとともに、ホルダ3を所定位置まで上昇させるステップS108。その後、図5に示すように、シャッタ21をホルダ3と蒸着源5との間に挿入するステップS109。以上の工程により、本実施形態における薄膜形成が終了する。このように、本実施形態に係る薄膜形成装置100を用いた薄膜形成方法によれば、貫通孔M1のパターン形状と鏡面パターンとなる薄膜を、基板Sの成膜面S1に、均一な膜厚及び膜質で、短時間に効率よく形成することができる。以上、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置100は、線状の蒸着源5を用いて、基板Sに配置したマスクMと蒸着源5とを所定距離だけ離間させた状態で、蒸着源5を移動させながら膜原料を基板Sに蒸着させるものである。さらに、本実施形態に係る薄膜形成装置100は、成膜室2内の真空度を低真空雰囲気状態とし、マスクMの貫通孔M1内の過飽和度σが0.1~20となるように蒸着源とマスクMとの距離を制御するものである。これにより、基板Sの大きさによらず基板Sの成膜面S1全体にわたり薄膜を形成することができる。従って、大型の基板であっても、膜厚や膜質のばらつきが抑制され、均一な膜厚や膜質を有する高品位な薄膜を形成することができる。さらに、本実施形態では、基板S及び貫通孔M1で構成される局所空間内における気化した膜原料の過飽和度σを0.1~20までの広い範囲で制御することができることから、成膜された薄膜における分子の配向を、垂直配向から平行配向まで容易に制御することができる。また、本実施形態では、上述のとおり、成膜時においても、蒸着源5とマスクMとは微小距離だけ離間しているので、蒸着源5とマスクMとは接触密着しない。これにより、熱伝導による基板温度上昇を抑制するために、マスクMに断熱性を持たせる必要がない。このため、マスクMの構成部材を安価なものとすることができるので、成膜コストを低減することができる。次に、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置100を用いて実際に薄膜を形成したときの実験結果について、図9A及び図9Bを用いて説明する。図9Aは、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置100本発明及び特許文献1に記載された薄膜形成装置比較例を用いて、それぞれ薄膜を形成したときにおける膜厚のばらつきを示した図である。図9Bは、そのときに用いたマスクMと測定ポイントを示す図である。なお、本発明と比較例とにおいては、いずれも図9Bに示す同じマスクMを用いている。また、本発明及び比較例では、それぞれ3つの試料を用い、かつ、いずれも膜厚が300nmの薄膜を形成した。この実験において使用したマスクMは、図9Bに示すように、φ1mmで深さ高さ2mmのパターン開口を有する貫通孔Mが、2mmのピッチで6×6のマトリクス状に36個設けられたものである。また、測定ポイントは、図9Bに示すように、4つのコーナーの測定ポイントP1、P2、P4、P5及び1つのセンターの測定ポイントP3の合計5つとした。なお、各測定ポイントにおける膜厚の測定は、接触式膜厚計を用いて行った。図9Aは、その膜厚の測定結果を示したものである。図9Aに示すように、比較例における薄膜形成装置によって形成された薄膜については、膜厚が100~300nmとなり、ばらつきが大きいことが分かった。これに対し、本発明における薄膜形成装置100によって形成された薄膜については、膜厚が290~310nmとなり、設定膜厚300nmに対して±5以下の均一性の高い膜厚を形成することができることが分かった。次に、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置100によって実際に成膜した薄膜における分子の配向状態について、図10、図11A、図11B、図12A及び図12Bを用いて説明する。図10は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置100によって薄膜を形成したときの実施例において使用した膜原料の結晶構造を説明するための図である。図10において、a軸、b軸、c軸は、それぞれ単位格子ベクトルを表しており、また、αはb軸とc軸とのなす角、βはc軸とa軸とのなす角、γはa軸とb軸とのなす角を表している。図10に示すように、本実施例では、膜原料として、炭素直鎖からなる直鎖状の分子の一例であるノルマルアルカンC22H46を用いた。ノルマルアルカンは、三斜晶系の結晶構造であり、a軸方向の一辺の長さが0.4228[nm]で、b軸方向の一辺の長さが0.4828[nm]で、c軸方向の一辺の長さが2.9552[nm]で、αが86.424[°]で、βが70.775[°]で、γが72.199[°]である棒状分子である。図11Aは、図10のノルマルアルカンを膜原料として、基板と蒸着源が遠く離れており成膜面近傍に局所空間を生成させない一般的な薄膜形成装置比較例を用いて薄膜を形成したときのXRDX-RayDiffraction:X線回折の測定結果を示す図である。また、図11Bは、図11Aの比較例における薄膜の分子の配向を模式的に示した図である。なお、この比較例に係る実施例において、成膜室の真空度は10-3~10-4[Pa]の高真空度とし、成膜時間は8.3[min]とし、形成する膜厚は100[nm]とした。この比較例における薄膜においては、図11Aに示すように、複数の面指数が現れているが、その中でも001等のc軸方向に強いピークが現れていることが分かる。従って、図11Aに示すXRD測定の結果から推測される分子の配向モデルは、図11Bに示すように、001面が支配的となり、薄膜の棒状分子は基板Sに対して斜立して配向する状態、すなわち、比較例における薄膜の棒状分子は垂直配向していると考えられる。一方、図12Aは、図10のノルマルアルカンを膜原料として、本発明の第1の実施形態に係る薄膜形成装置100本発明を用いて薄膜を形成したときのXRDの測定結果を示す図である。また、図12Bは、図12Aの本発明における薄膜の分子の配向を模式的に示した図である。なお、この本発明に係る実施例において、成膜室の真空度は1~3[Pa]の低真空度とし、成膜時間は2[min]とし、形成する膜厚は100[nm]とした。また、成膜室2の温度は、室温程度である。本実施例によって形成された薄膜においては、図12Aに示すように、001等のc軸方向が弱く、100面に強いピークが現れていることが分かる。従って、図12Aに示すXRD測定の結果から推測される棒状分子の配向モデルは、図12Bに示すように、100面が基板Sに平行となり、分子鎖は基板Sに対して平行に配向する状態、すなわち、本発明における薄膜の棒状分子は平行配向していると考えられる。このように、本発明に係る薄膜形成装置100を用いることによって、基板Sを冷却する等を行うことなく、分子が平行配向となった薄膜を形成することができる。しかも、本発明に係る薄膜形成装置100では、低真空度で、かつ、短時間で、分子が平行配向となった所望の薄膜を形成できることも確認できた。なお、分子が平行配向となった有機薄膜は、強誘電体材料として利用することができので、電子デバイス等として有用である。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態に係る薄膜形成装置200の構成について、図13を用いて説明する。図13は、本発明の第2の実施形態に係る薄膜形成装置200の構成を示す一部断面図である。なお、本実施形態では、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。また、図13において、図1に示す構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付しており、詳しい説明は省略化又は簡略化する。本発明の第の2実施形態に係る薄膜形成装置200は、図13に示すように、第1の実施形態と比べて、ゲートバルブ8と予備室9とを備えている。さらに、本実施形態に係る薄膜形成装置200は、予備室9内に設けられたストッカー91と、水平方向に移動可能に構成されたトランスファーロッド10とを備える。予備室9は、内部を減圧可能に構成されており、ゲートバルブ8を介して成膜室2に隣接して配置される。ゲートバルブ8は、成膜室2と予備室9との仕切りであり、開閉可能に構成されている。ストッカー91は、基板Sとその成膜面S1を覆うように設けられたマスクMとを保持したホルダ3を収納する。トランスファーロッド10は、基板進退機構部であって、基板Sが保持されたホルダ3を水平方向に進退させるように可動する。本実施形態において、成膜処理前の基板Sについては、ゲートバルブ8が開いた状態で、ストッカー91に収納されたホルダ3とともにトランスファーロッド10により上下を反転させながら予備室9から成膜室2に送り出され、鉛直移動機構4に装着される。一方、成膜処理後の基板Sについては、ゲートバルブ8が開いた状態で、トランスファーロッド10により上下を反転させながら、マスクMとともにホルダ3ごと成膜室2から予備室9に回収され、ストッカー91に収納される。また、ストッカー91には複数枚の棚板が設けられており、当該棚板は上下に移動可能に構成されている。なお、ストッカー91には、ペルチェ素子、クライオスタット又は液体窒素ガス源等を設けることによって収納するホルダ3を冷却したり、あるいは、ヒータを設けることによって回収したホルダ3を加熱したりできるように構成してもよい。このように、成膜室2に供給するホルダ3を予め冷却したり、成膜室2から回収したホルダ3を予備室9内で加熱したりして、予備室9を大気開放してホルダ3を取り出す際に、室温に戻した状態のホルダ3を取り出すことが可能となる。本発明の第2の実施形態に係る薄膜形成装置200は、以上のように構成される。次に、本発明の第2の実施形態に係る薄膜形成装置200を用いた薄膜形成方法について、図14を用いて説明する。図14は、本発明の第2の実施形態に係る薄膜形成装置200を用いて薄膜形成を行う際のフローチャートである。なお、図14に示すフローチャートではストッカー91の棚板が2枚であり、その下段には図示しないヒータが設けられているとともにホルダ装着部42には図示しない冷却機構が設けられている場合について説明する。以下、図13を参照しながら、図14を用いて、基板Sの成膜面S1上に薄膜を連続的に形成する手順を説明する。まず、図6に示す第1の実施形態における初期設定ステップS101及びヒータ加熱ステップS102と同様にして、初期設定ステップS202及びヒータ加熱ステップS202を行う。その後、膜厚計131によって蒸着レートが予め設定した蒸着レートに到達しているかどうかを判別しステップS203、到達していなければ予め設定した蒸着レートになるまで加熱を続けるステップS203でNO。そして、本実施形態では、蒸着レートが所定の値に達したならばステップS203でYES、ゲートバルブ8を開けて、基板S及びマスクMを保持したホルダ3をトランスファーロッド10により上下を反転させながら予備室9から成膜室2に搬入し、鉛直移動機構4に装着するステップS204。ここで、鉛直移動機構4のホルダ装着部42は予め冷却されている。また、ホルダ3を鉛直移動機構4に装着した後は、ゲートバルブ8を閉めて、ステップS205以降の工程を行う。なお、予備室9は成膜室2と同様に予め真空ポンプにより所望の真空雰囲気に減圧されている。その後、図6に示す第1の実施形態におけるステップS104からステップS109までの工程と同様に、ステップS205からステップS210の各工程を経て成膜処理が終了する。そして、本実施形態では、ホルダ3を最上位置まで上昇させた後ステップS210、成膜処理を行った基板Sが奇数枚目かどうか判別するステップS211。例えば、成膜処理後の基板Sが1枚目奇数枚目のものであると判別された場合ステップS211でYES、ゲートバルブ8を開けて、トランスファーロッド10により上下を反転させながら、成膜処理後の基板S及びマスクMを、ホルダ3ごと予備室9に搬出しS213、ストッカー91の下段に収納して室温まで加熱する。引き続き、2枚目の基板Sを予備室9から成膜室2に搬入し、2枚目の基板Sに対しても、ステップS205からステップS210までの一連の工程を繰り返す。一方、成膜処理後の基板Sが2枚目偶数枚目のものであると判別された場合ステップS211でNo、成膜処理後の2枚目の基板Sを保持するホルダ3を予備室9に搬出する前に、予備室9を大気開放して、成膜処理後の1枚目の基板SをマスクMとともにホルダ3ごと本薄膜形成装置200外に取り出して、成膜処理後の1枚目の基板S及びマスクMを保持したホルダ3を、新たな基板S及びマスクMを保持したホルダ3に交換して、新たな基板S及びマスクMを保持したホルダ3を予備室9に格納するステップS212。その後、予備室9内を再び所望の真空雰囲気に減圧した後、ゲートバルブ8を開けて、トランスファーロッド10により、成膜処理後の2枚目の基板S及びマスクMをホルダ3ごと予備室9に搬出しS213、ストッカー91の下段に収納して室温まで加熱する。その後、予め定めた枚数の基板Sに対する成膜処理が終了するまでステップS205からの工程が繰り返えされる。なお、本実施形態において、成膜処理中は、成膜室2内は常に所望の真空雰囲気に減圧されている。また、蒸着源5は、常にヒータ6により加熱されており、収容室51に収容した膜原料がなくなるまで、繰り返し使用される。以上、本発明の第2の実施形態に係る薄膜形成装置200によれば、第1の実施形態に比べて、さらに予備室9を備えている。これにより、ホルダ装着部42基板Sが低温で蒸着源5が高温な状態を維持したままで成膜室2を大気開放することなく、薄膜が形成された基板Sを予備室9に取り出して、新たな基板Sを成膜室2内に搬入することができる。そのため、一連の成膜処理に要する時間を大幅に短縮することができる。なお、本実施形態において、予備室9に設けられたストッカー91の棚板の数は特に限定されず、ストッカー91の棚板の数は、成膜室2における成膜処理に要する時間又は予備室9の大気開放から減圧に要する時間に応じて、適宜選択することができる。第3の実施形態次に、本発明の第3の実施形態に係る薄膜形成装置300について、図15及び図16を用いて説明する。図15は、本発明の第3の実施形態に係る薄膜形成装置300の構成を示す一部断面図である。また、図16は、図15に示す薄膜形成装置300を矢印Aの方向から見たときの分解縦断面図である。なお、本実施形態では、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。また、図15及び図16において、図1に示す構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付しており、詳しい説明は省略化又は簡略化する。図15及び図16に示すように、本発明の第3の実施形態に係る薄膜形成装置300は、第1の実施形態と同様の低真空雰囲気下において、帯状で可撓性のフィルム基板からなる基板Pの成膜面P1上に薄膜を連続的に形成する装置である。薄膜形成装置300は、上下に分割可能な成膜室320と、成膜室320の外部に配置された基板搬送機構80とを備えている。さらに、薄膜形成装置300は、第1の実施形態と同様に、成膜室320内の真空度を制御する真空度制御部不図示を備えている。成膜室320は、互いに分離可能な上部成膜室321と下部成膜室322とで構成されており、下部成膜室322の上端縁にはOリングなどのシーリング部材が配置されている。そして、図15に示すように、上部成膜室321と下部成膜室322とは、基板Pを挟んで密閉することができ、上部成膜室321と下部成膜室322とが分離されることによって、基板Pを成膜室320内に導入する基板導入口350と基板Pを成膜室320外に導出する基板導出口351とが形成される。このように、基板導入口350及び基板導出口351は、基板Pをホルダ3に保持させながら、基板Pを挟み込んだ状態で成膜室320を閉じることができるように構成されている。成膜室320は、密閉された空間が形成された状態で、例えば真空ポンプからなる真空度制御部によって、基板Pの成膜面P1と蒸着源5の供給口52との間隔が膜原料の分子の平均自由行程以下になるように減圧されており、成膜室320内は、高くとも10[Pa]の低真空雰囲気である。なお、成膜室320内の真空度は、10[Pa]以下の低真空雰囲気範囲内で、膜原料の分子量に合わせて適宜調整される。このような成膜室2内の真空度の一例を挙げると、例えば、膜原料が、直鎖状の炭素骨格を有する有機材料であって、その分子量が700~800程度の化合物である場合、0.3~1[Pa]程度である。なお、本実施形態において、成膜室320内の温度は特段調整されておらず、室温程度の温度になっている。成膜処理時において、成膜室320は、図15に示すように、上部成膜室321と下部成膜室322とが、基板導入口350と基板導出口351とで基板Pを挟んで密閉空間を形成する。一方、成膜処理が終了すると、図16に示すように、上部成膜室321と下部成膜室322とが分離して、その間を基板Pが移動可能なように基板導入口350及び基板導出口351が開口する。上部成膜室321において、上壁中央にはアーム41が支持されており、アーム41の下部には略四角形状の2枚の板部材からなるホルダ装着部42が設けられている。ホルダ装着部42とホルダ3の板部31との間隔が、球面軸受423を介して押しボルト421と引きボルト422とを調整することにより調整される。本実施形態では、基板Pが押圧されて配置された板部31と蒸着源5との間隔が一定となるように調整される。さらに、アーム41には、第1の実施形態と同様に、当該アーム41を昇降させるための昇降駆動部不図示が備えられている。本実施形態において、鉛直移動機構4は、アーム41、ホルダ装着部42及び昇降駆動部によってホルダ3を上下に駆動する鉛直駆動機能を有するとともに、基板Pに押圧力を付与する基板押圧機能を有する。鉛直移動機構4を駆動してホルダ装着部42を下降させることによって、ホルダ3の板部31の下面に基板Pを密着させて基板Pを押圧して基板Pにテンションをかけることができる。このように、基板Pにテンションをかけることにより、基板Pのたわみを防止することができる。基板Pは、帯状のフィルムからなり、例えば、PETポリエチレンテレフタレート、PENポリエチレンナフタレート、ポリイミド等の樹脂等によって構成することができる。本実施形態における基板Pとしては、樹脂からなる帯状のフィルムがロール状に巻かれたものが使用される。なお、基板Pの下面マスクM側の面は、薄膜が形成される成膜面P1であり、本実施形態において、成膜面P1には電極として機能するメタルパターンが蒸着されている。また、上部成膜室321には、図示しない昇降駆動部を備えた成膜室開閉機構が設けられており、成膜室開閉機構を作動させて上部成膜室321を上下動させることにより、下部成膜室322の上端縁に設けられたシーリング部材との間で密閉状態と開口状態とを形成することができる。また、図15に示すように、成膜室320が密閉された状態においては、基板Pの下面にはホルダ3に保持されたマスクMが密着して固定されている。基板Pの下面にマスクMを固定する方法としては特に限定されず、例えば、ホルダ3の板部31下面に凹部を形成して当該凹部にマスクMを嵌合させる方法、粘着剤等を用いて貼付する方法、磁力により吸着させる方法又は静電吸着させる方法等が挙げられる。一方、図16に示すように、成膜室320が開口された状態においては、水平方向及び鉛直方向の2軸方向に駆動可能に設けられたアライメントユニット60が成膜室320内に差し込まれ、これにより、ホルダ3に保持されたマスクMが支持されている。アライメントユニット60は、水平方向に延びるアーム61と、アーム61の先端に連結されたステージ62とを備えるマスク移動機構である。ステージ62にはホルダ3に保持されたマスクMと嵌合する凹部が形成されている。ステージ62にはさらにCCDカメラ等の撮像装置63が設けられている。この撮像装置63により、基板Pの下面のメタルパターンとともに蒸着されたアライメントマークの画像を取得して、基板Pに対するマスクMの相対的位置を認識し、マスクMと基板Pとの位置合わせを行う。なお、本実施形態において、ホルダ3は、平面視形状が略四角形の枠体からなる。そして、マスクMの周縁部は、当該枠体によって固定される。また、マスクMは、図2に示す第1の実施形態におけるマスクMと同様であり、側周面に段部が形成された平板状の部材からなり、厚さ方向に貫通する貫通孔M1が複数形成されている。図17は、本発明の第3実施形態に係る薄膜形成装置300における下部成膜室322の構成を示す平面図である。図17に示すように、下部成膜室322の内部底面には、一対のガイド71レール部材及び送りネジ72が敷設されており、送りネジ72にはステージ73が装着されている。また、送りネジ72にはモータ74が連結されており、モータ74は、ガイド71及び送りネジ72とともに水平移動機構7蒸着源移動機構を構成している。ステージ73上には、底面にヒータ6が設けられた蒸着源5が配置されており、送りネジ72が回転することにより、ステージ73がガイド71に沿って水平に移動する。その際、ステージ73に載置されたヒータ6及び蒸着源5がステージ73とともに水平移動する。なお、送りネジ72としては、例えば、台形ネジやボールねじ等が用いられる。なお、本実施形態における蒸着源5は、第1の実施形態における蒸着源と同様である。また、第1の実施形態と同様に、蒸着源5とマスクMとの間には、成膜時における蒸着源5とマスクMとが近接した状態において、真空度に応じて数mm程度の隙間が設けてあり、当該隙間は、蒸着源5から気化した膜原料が均一な蒸気圧雰囲気を形成する緩和層として機能する。そして、この緩和層を経由した膜原料がマスクMの貫通孔M1内へと移動することにより、基板P上に形成される薄膜の膜厚や膜質を均一にすることができる。また、ヒータ6も第1の実施形態におけるヒータと同様である。一方、図16及び図17に示すように、下部成膜室322には、さらに、ゲートバルブ308を介して減圧可能な予備室309が連結されている。予備室309には、水平方向に進退可能なトランスファーロッド310が備えられている。トランスファーロッド310は、蒸着源進退機構部であって、蒸着源5を予備室309と下部成膜室322との間で進退させることができる。また、図15に示すように、成膜時において、成膜室320の上部成膜室321と下部成膜室322との間には、基板Pが所定の張力で張設されている。基板Pは、成膜室320外に設けられた基板搬送機構80により支持されており、成膜室320外から成膜室320内に供給されるともに、所定の成膜処理ごとに、成膜室320内から成膜室320外に回収される。図15に示すように、成膜室320の外部に設けられた基板搬送機構80は、供給ローラ81と巻取りローラ82とを備えている。供給ローラ81は、ロール状に巻回された基板Pを繰り出して成膜室320内に供給する。巻取りローラ82は、成膜室320内に供給された基板Pを成膜室320外に回収してロール状に巻き取る。基板Pに対して一定の成膜処理が終了する毎に上部成膜室321と下部成膜室322とが離間し、その間が開口した状態で、巻取りローラ82が回転する。この時、薄膜が形成された成膜処理後の基板Pが成膜室320内から回収されて巻取りローラ82に巻き取られると同時に、供給ローラ81にロール状に巻き付けられている基板Pが引き出されて、成膜室320内に供給される。なお、本実施形態における基板搬送機構80には、さらに補助ローラ83が備えられている。補助ローラ83は、供給ローラ81と巻取りローラ82との間を走行する基板Pに所定のテンションを印加することで、基板Pが円滑に走行するようにしている。また、図示しないが、供給ローラ81とその上流側の補助ローラ83との間には、下部電極上述のメタルパターンを作製するための装置が配置されている。さらに、巻取りローラ82とその下流側の補助ローラ83との間には、上部電極を作製するための装置や、さらに必要に応じてポーリング工程を行うためのコロナ放電装置などが配置されている。また、本実施形態に係る薄膜形成装置300は、図16に示すように、蒸着源5からの膜原料の気化状態を計測するために2個の膜厚計131、132を備えている。これらの膜厚計131、132は水晶振動子を備えており、水晶振動子上に堆積した膜原料の質量に応じて変化した共振周波数の変化を検出することにより、膜厚を測定するものである。膜厚計131は、予備室309に設けられて基板Pの長尺方向に沿って移動可能に構成されており、成膜前における蒸着レートを設定する。また、膜厚計132は、成膜室320に設けられており、成膜時における蒸着状況を監視する。次に、本発明の第3の実施形態に係る薄膜形成装置300を用いた薄膜形成方法について、図18を用いて説明する。図18は、本発明の第3の実施形態に係る薄膜形成装置300を用いて薄膜形成を行う際のフローチャートである。以下、図15及び図16を参照しながら、図18を用いて、基板Pの成膜面P1上に薄膜を形成する手順を説明する。図18に示すように、まず、ヒータ6を装着した蒸着源5が予備室309に収容されている状態で、ヒータ6の加熱を行うステップS301。この場合、まず、ヒータ6によって膜原料が気化しない温度で蒸着源5収容室51を予熱し、膜原料の乾燥や不純物の除去のためのベーク処理を行う。その後、膜厚計131を用いて膜原料の気化状態から蒸着レートを計測する。このとき、膜厚計131で計測した蒸着レートが予め設定した蒸着レートに到達しているかどうかを判別しステップS302、到達していなければ予め設定した蒸着レートになったことが確認されるまで加熱を続けるステップS302でNO。なお、予備室309は予め真空ポンプで所望の低真空雰囲気に減圧されており、また、蒸着源5の収容室51には膜原料が収容されている。その後、蒸着レートが所定の値に達したならばステップS302でYES、マスクMを基板Pに装着するステップS303。具体的には、図16に示すように、成膜室320の上部成膜室321と下部成膜室322とが離間した状態で、撮像装置63により、基板Pの下面に形成されたアライメントマークの画像を取得する。そして、基板Pに対するマスクMの相対的位置を認識し、マスクMと基板Pとの位置合わせを行いつつ、ホルダ3に保持されたマスクMを基板Pの下面に装着する。次に、図15に示すように、成膜室320の上部成膜室321を下降させステップS304、成膜室320の上部成膜室321と下部成膜室322とを接合して成膜室320内に密閉空間を形成した状態で、真空ポンプで成膜室320内を所望の低真空雰囲気に減圧するステップS305。次に、図16に示すゲートバルブ308を開けて、底面にヒータ6が設けられた蒸着源5を成膜室320に送り込んで、ステージ73に装着するステップS306。この際、蒸着源5を機械的にステージ73に固定するだけでなく、ヒータ6に通電可能なように電気的にも接続する。このとき、マスクMの下面と蒸着源5の上端面とが微小距離だけ離間させた状態となるようにマスクMと蒸着源5とを近接させ、この状態で蒸着源5がマスクMの端部図16において、向かって右端に対向して配置されるように蒸着源5を移動させる。次に、ゲートバルブ308を閉めた後、水平移動機構7によって蒸着源5の移動を開始して、蒸着源5を所定の速度で水平移動させてステップS307、各貫通孔M1内に露出した基板Pの成膜面P1に対して膜原料を付着させる。なお、本実施形態において、蒸着源5は、1~10[mm/s]の速度で移動させた。その後、基板Pの成膜面P1の所定領域において所定の膜厚の薄膜が形成されるまで成膜を続けるステップS308でNO。このとき、第1の実施形態と同様に、マスクMの貫通孔M1は、基板Pの成膜面P1と蒸着源5との間でほぼ閉ざされて局所的な閉じた反応系を形成する。また、第1の実施形態と同様に、蒸着源5の収容室51に収容された膜原料は、ヒータ6の熱を受けて気化し、蒸着源5の収容室51から放出して、蒸着源5とマスクMとの間の隙間の領域に移行し、この隙間において均一な蒸気圧雰囲気を形成した後に貫通孔M1内に拡散する。このとき、貫通孔M1内は、上述のとおりほぼ閉じた狭小空間であるので、膜原料の蒸気圧が飽和蒸気圧を上回り、過飽和度が高い状態となる。このため、膜原料の気相から固相への相転移が進み、膜原料が棒状分子であれば平行配向が促進され、膜原料が面状分子であれば垂直配向が促進される。また、蒸着レートがより速い場合は、アモルファス化又は微結晶化が進行することが可能な状態になっている。この際、貫通孔M1内には、急な温度勾配が生成されており、貫通孔M1内の下方部蒸着源5側では高温120°C~180°C程度となり、貫通孔M1内の上方部基板P側では低温50°C程度以下になっている。これにより、蒸着レートを大きくなって過飽和度σを大きくすることができるので、分子が平行配向となった薄膜を容易に形成することができる。なお、この場合、配向性を高めるために基板Pを-150°C程度に冷却してもよい。これにより、過飽和度σをさらに大きくすることができる。このような急な温度勾配が生成されるので、蒸着源5から放出された膜原料は、貫通孔M1内で最も温度が低い基板Pの成膜面P1に付着し、成膜面P1に対して効率よく堆積していく。なお、本実施形態において薄膜が形成される様子は、図7、図8A及び図8Bに示す第1の実施形態と同様であるので、その説明は省略する。また、基板Pの成膜面P1に堆積した膜原料の厚さは膜厚計132により監視されており、蒸着源5は、膜厚計132に堆積した膜原料基板Pに形成された薄膜が所定の厚さに達するまで往復運動を繰り返すステップS308でNO。そして、基板Pに所定の膜厚の薄膜が形成されるとステップS308でYES、ゲートバルブ308を開けて、蒸着源5をヒータ6とともに予備室309に退避させるステップS309。その後、ゲートバルブ308を閉めた後、上部成膜室321を上昇させてステップS310、上部成膜室321と下部成膜室322との間を離間させる。これにより、上部成膜室321と下部成膜室322との間に開口が形成され、マスクMを基板Pから分離するステップS311。その後、巻取りローラ82を回転させて、薄膜が形成された部分の基板Pを巻き取るステップS312。その後、予め定めた長さの基板Pに対する成膜処理が終了するまでステップS313でNO、ステップS303からの工程を繰り返す。なお、本実施形態において、蒸着源5は常にヒータ6により加熱されており、蒸着源5を予備室309に退避させた際に膜原料の残量を確認し、収容室51に収容された膜原料がなくなるまで、蒸着源5は繰り返し使用される。以上の工程により、本実施形態における薄膜形成が終了する。このように、本実施形態に係る薄膜形成装置300を用いた薄膜形成方法によれば、マスクMの貫通孔M1のパターン形状と鏡面パターンとなる薄膜を、基板Pの成膜面P1に、均一な膜厚及び膜質で、低真空雰囲気内で連続的に効率よく形成することができる。以上、本発明の第3の実施形態に係る薄膜形成装置300では、基板Pである帯状フィルムを上部成膜室321と下部成膜室322との間に挟み込んだ状態であり、成膜室320を高真空に維持することが難しくなる。したがって、成膜室320が低真空雰囲気下において成膜処理を行うことになる。しかしながら、本発明のHSD法は、実際の蒸着空間が局所的であるために蒸着空間周囲の成膜室320の密閉度が多少低くても支障がない。また、成膜室320が短時間大気開放されても、ロータリポンプやターボ分子ポンプ等の真空ポンプを用いれば、低真空雰囲気を迅速に回復することが可能である。そのため、基板Pとして帯状のフィルムからなるものを使用して、成膜室320として上部成膜室321と下部成膜室322とに分割可能で容易に減圧可能な容積の小さいものを使用することができる。また、本実施形態では、成膜室320に隣接して予備室309が備えられている。そのため、高温状態の蒸着源5を、成膜室320から予備室309に退避させることができる。したがって、蒸着源5が退避した状態で、成膜室320を開口して基板Pを走行させることにより、蒸着源5を室温程度に冷却する工程を省いて連続的な成膜が可能となる。その結果、成膜処理に要する時間を大幅に短縮することができる。また、本実施形態では、水平移動機構7により、蒸着源5の長手方向に略直交する方向に、蒸着源5を水平移動させることができる。そのため、蒸着源5が線状であっても、基板Pの大きさによらず基板Pの成膜面P1全体にわたり薄膜を形成することができる。また、蒸着源5が線状であるので、蒸着源5に膜原料を均一にセットして、蒸着源5における膜原料の保持状態を容易に均一にすることができる。その結果、膜厚や膜質のばらつきが抑制され、均一な膜厚や膜質を有する高品位な薄膜を形成することができる。したがって、薄膜の歩留まりが向上し、生産性を高めることが可能となる。また、本実施形態では、蒸着源5とマスクMとは微小距離だけ離間しているので、成膜時においても、蒸着源5とマスクMとは接触密着しない。これにより、マスクMに断熱性を持たせる必要がなくなるので、マスクMの構成部材を安価なものとすることができ、成膜コストを低減することができる。以上、本発明に係る薄膜形成装置及び薄膜形成方法について、各実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施形態において、マスクMにおける貫通孔M1の形状及び配置パターンは特に限定されず、基板に形成したい薄膜のパターンに合わせて適宜選択することができ、マスクMの上面基板側の面における貫通孔M1の形状及び配置パターンが、基板に形成したい薄膜のパターンに対して鏡面パターンとなるようにすればよい。例えば、貫通孔M1は角柱状であってもよい。また、第1及び第2の実施形態においては、ホルダ3の形状を工夫することにより、複数枚の小型の基板に対する蒸着を同時に行えるようにしてもよい。また、上記の実施形態において、蒸着源5の構成は、図8A及び図8Bに示されるようなものに限定されず、外部加熱によって供給口から均一な分子線を放射する構成のものであれば、いずれのものであってもよい。また、上記の実施形態において、ヒータ6はセラミックヒータに限定されるものではない。例えば、ヒータ6は、ガスの排出がなく、耐熱性に優れ、電流が流れることにより発熱する抵抗体等であっても構わない。あるいは、抵抗線をヒータとして用いたもの、赤外線照射による輻射熱を利用した加熱機構又はレーザによる加熱機構等であってもよい。また、ヒータ6の設置数及び設置箇所も上記の実施形態に限定されるものではない。また、上記の実施形態において、水平移動機構7は、蒸着源5を移動させるように構成したが、ホルダ3を移動させることによって基板と蒸着源とを相対的に移動させるように構成してもよい。また、水平移動機構としては、ボールねじを用いたものに限定されず、ベローズの伸縮により蒸着源5を移動させる方式のもの、あるいは、トランスファーロッドやマグネットスライダー等であってもよい。また、マスクMと蒸着源5との間隔L1隙間の幅を調整する調整機構としては、押しボルト421及び引きボルト422を用いたものに限定されず、ゴニオステージなどを用いたものであってもよい。また、上記の実施形態では、ホルダ3がマスク保持部を兼ねていたが、マスク保持部は別途設けられていてもよい。また、第1及び第2の実施形態において、さらに、蒸着源5を退避させるための退避場所を設けてもよい。この場合、蒸着源5の退避場所は成膜室2内に設けられていてもよいが、成膜室2とはゲートバルブにより仕切られた退避室を別途設けてもよい。また、第3の実施形態において、マスク移動機構としては、アライメントユニット60に限定されず、例えば、下部成膜室322内に設けられた、水平方向及び鉛直方向にそれぞれ駆動する2個のモータを用いてもよい。マスク移動機構がこのようなものである場合は、さらに、別途同時認識カメラからなる撮像装置を備えたアームを上部成膜室321と下部成膜室322との間に挿入することが好ましい。そして、この撮像装置により、基板Pの下面に蒸着されたアライメントマークの画像とマスクに形成されたアライメントマークの画像とを同時に認識して、マスク移動機構とともに必要に応じて鉛直移動機構4を駆動させつつ、これを基準にマスクMと基板Pとの位置合わせを行う。また、第3の実施形態において、成膜室320の下部成膜室322には、蒸着源5から放出された膜原料が基板Pに付着するのを防ぐための防着板を配置してもよい。これにより、蒸着開始前は蒸着源5を防着板の下に待機させて膜原料が基板Pに付着するのを防ぐことができる。また、第3の実施形態に係る薄膜形成装置300を用いて、ある膜原料を用いて基板P上に薄膜を形成した後、予備室309において、当該膜原料を収容する蒸着源5と異なる膜原料を収容する蒸着源とを交換してもよい。この場合、成膜室320を所定の真空状態に保ったまま、新たな膜原料の蒸着源を用いることにより、基板P上に種類の違う材料を重ねて蒸着し、多層膜を形成することも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。"