"第1部材と、前記第1部材に載置され、かつ、一方の面側に設けられた孔部と他方の面側に設けられたキャビティーとを備えたシリコン製の第2部材と、前記キャビティーに収容された機能素子と、前記孔部に配置された封止部材と、を含み、前記孔部は、平面視で多角形の開口を有し、かつ、前記孔部の底面の一部に設けられた連通口によって前記キャビティーに連通している、電子デバイス。請求項1において前記孔部の底面は、平坦である、電子デバイス。請求項1または2において、前記連通口の面積は、前記開口の面積よりも小さい、電子デバイス。請求項1ないし3のいずれか1項において、前記連通口は、平面視で前記機能素子とは重なっていない、電子デバイス。請求項1ないし4のいずれか1項において、前記孔部の側面は、4つの平坦面によって構成されている、電子デバイス。請求項1ないし5のいずれか1項において、前記第1部材は、絶縁材料が用いられ、前記機能素子は、シリコンを用いた物理量センサーである、電子デバイス。第1部材に機能素子を載置する工程と、一方の面側に設けられた孔部と他方の面側に設けられたキャビティーとを備えたシリコン製の第2部材を前記第1部材に載置して、前記キャビティーに前記機能素子を収容する工程と、前記孔部に封止部材を配置する工程と、前記封止部材を溶融して前記孔部を塞ぐ工程と、を含み、前記孔部は、平面視で多角形の開口を有し、かつ、前記孔部の底面の一部に設けられた連通口によって前記キャビティーに連通するように形成される、電子デバイスの製造方法。請求項7において、基板の第1面側をエッチングして、前記孔部を形成する工程と、前記第1面と反対側の前記基板の第2面側をエッチングして、前記キャビティーとなる凹部を形成する工程と、をさらに含む、電子デバイスの製造方法。請求項7または8において、前記キャビティーを封止する工程では、前記孔部および前記連通口を通して前記キャビティーを減圧した後に、前記封止部材を溶融する、電子デバイスの製造方法。請求項7または8において、前記キャビティーを封止する工程では、前記孔部および前記連通口を通して前記キャビティーに不活性気体を充填した後に、前記封止部材を溶融する、電子デバイスの製造方法。請求項1ないし6のいずれか1項に記載の電子デバイスを含む、電子機器。しかしながら、例えば上記のような技術において封止部材を溶融させる際に、封止部材の一部がパッケージ内に飛散して、慣性センサーなどの機能素子に付着する場合がある。機能素子に封止部材の一部が付着すると、例えば、機能素子の周波数変化やQ値の低下が発生する場合がある。そのため、このような機能素子をパッケージ内に収容してなる電子デバイスの周波数やQ値等の特性が悪化してしまう場合がある。本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、封止部材が機能素子に付着することを抑制して、良好な特性を得ることができる電子デバイスおよびその製造方法を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、上記電子デバイスを含む電子機器を提供することにある。本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。[適用例1]本発明に係る電子デバイスは、第1部材と、前記第1部材に載置され、かつ、一方の面側に設けられた孔部と他方の面側に設けられたキャビティーとを備えたシリコン製の第2部材と、前記キャビティーに収容された機能素子と、前記孔部に配置された封止部材と、を含み、前記孔部は、平面視で多角形の開口を有し、かつ、前記孔部の底面の一部に設けられた連通口によって前記キャビティーに連通している。このような電子デバイスによれば、孔部に配置された封止部材を溶融させてキャビティーを封止する際に、封止部材の一部がキャビティー内に飛散して機能素子に付着することを抑制できる。その結果、このような電子デバイスは、良好な特性を有することができる。[適用例2]本発明に係る電子デバイスにおいて、前記孔部の底面は、平坦であってもよい。このような電子デバイスによれば、例えば球状の封止部材を孔部内に配置した状態で、孔部の底面と封止部材との間に、間隙を設けることができる。これにより、キャビティーを減圧状態にする際に、封止部材が飛び出すことを抑制できる。例えば、球状の封止部材を孔部内に配置した状態で、間隙が設けられていないと、パッケージ内外の圧力差によって、封止部材がパッケージ外部に飛び出してしまう場合がある。[適用例3]本発明に係る電子デバイスにおいて、前記連通口の面積は、前記開口の面積よりも小さくてもよい。このような電子デバイスによれば、キャビティーに封止部材が飛散したとしても、飛散した封止部材が機能素子に付着することを抑制できる。[適用例4]本発明に係る電子デバイスにおいて、前記連通口は、平面視で前記機能素子とは重なっていなくてもよい。このような電子デバイスによれば、キャビティーに封止部材が飛散したとしても、飛散した封止部材が機能素子に付着することを抑制できる。[適用例5]本発明に係る電子デバイスにおいて、前記孔部の側面は、4つの平坦面によって構成されていてもよい。このような電子デバイスによれば、例えば球状の封止部材を孔部内に配置した状態で、孔部の側面と封止部材との間に、間隙を設けることができる。これにより、キャビティーを減圧状態にする際に、封止部材が飛び出すことを抑制できる。[適用例6]本発明に係る電子デバイスにおいて、前記第1部材は、絶縁材料が用いられ、前記機能素子は、シリコンを用いた物理量センサーであってもよい。このような電子デバイスによれば、ジャイロセンサーをシリコンのMEMS加工で形成する場合に、第1部材をシリコンとすると、例えばジャイロセンサーと第1部材間の絶縁性を保つために絶縁膜を介在させる必要があるが、第1部材を絶縁材料にすることにより絶縁膜を介在させる必要が無く、容易に絶縁分離をすることができる。[適用例7]本発明に係る電子デバイスの製造方法は、第1部材に機能素子を載置する工程と、一方の面側に設けられた孔部と他方の面側に設けられたキャビティーとを備えたシリコン製の第2部材を前記第1部材に載置して、前記キャビティーに前記機能素子を収容する工程と、前記孔部に封止部材を配置する工程と、前記封止部材を溶融して前記孔部を塞ぐ工程と、を含み、前記孔部は、平面視で多角形の開口を有し、かつ、前記孔部の底面の一部に設けられた連通口によって前記キャビティーに連通するように形成される。このような電子デバイスの製造方法によれば、孔部に配置された封止部材を溶融させてキャビティーを封止する際に、封止部材の一部がキャビティー内に飛散して機能素子に付着することを抑制できる。その結果、良好な特性を有する電子デバイスを形成することができる。[適用例8]本発明に係る電子デバイスの製造方法において、基板の第1面側をエッチングして、前記孔部を形成する工程と、前記第1面と反対側の前記基板の第2面側をエッチングして、前記キャビティーとなる凹部を形成する工程と、をさらに含んでいてもよい。このような電子デバイスの製造方法によれば、孔部を有する第2部材を、容易に形成することができる。[適用例9]本発明に係る電子デバイスの製造方法において、前記キャビティーを封止する工程では、前記孔部を通して前記キャビティーを減圧した後に、前記封止部材を溶融してもよい。このような電子デバイスの製造方法によれば、キャビティーを減圧状態として密閉することができる。[適用例10]本発明に係る電子デバイスの製造方法において、前記キャビティーを封止する工程では、前記孔部および前記連通孔を通して前記キャビティーに不活性気体を充填しながら、前記封止部材を溶融してもよい。このような電子デバイスの製造方法によれば、キャビティーを不活性気体雰囲気として密閉することができる。[適用例11]本発明に係る電子機器は、本発明に係る電子デバイスを含む。このような電子機器によれば、本発明に係る電子デバイスを含むため、良好な特性を有することができる。以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。1.電子デバイスまず、本実施形態に係る電子デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る電子デバイス100を模式的に示す断面図である。図2は、本実施形態に係る電子デバイス100を模式的に示す平面図である。図3は、本実施形態に係る電子デバイス100を模式的に示す断面斜視図である。なお、図1は図2のA-A線断面図であり、図3は図2のA-A線断面斜視図である。また、便宜上、図1~図3では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、Z軸を図示している。電子デバイス100は、図1~図3に示すように、第1部材としての基体10および第2部材としての蓋体20を有するパッケージ30と、封止部材60と、機能素子102と、を含む。電子デバイス100は、さらに、導電層50を含むことができる。なお、便宜上、図1および図2では機能素子102を簡略化して図示している。また、図2では、封止部材60を省略して図示している。また、図3では蓋体20以外の部材の図示を省略している。基体10としては、例えば、ガラス基板、シリコン基板、水晶基板を用いることができる。基体10は、機能素子102を支持している。より具体的には、基体10には、凹部12が形成されており、凹部12の上方に機能素子102が配置されている。凹部12によって、機能素子102は、基体10に妨害されることなく、所望の方向にのみ可動することができる。蓋体20は、基体10上に載置されている。蓋体20は、基体10に接合されていてもよい。場合によっては、機能素子102の一部に接合されていてもよい。蓋体20としては、シリコン基板シリコン製の基板を用いる。基体10としてガラス基板を用いた場合、基体10と蓋体20とは、陽極接合によって接合されていてもよい。なお、基体10と蓋体20との接合方法は、特に限定されず、例えば、低融点ガラスガラスペーストなどの接着剤による接合でもよいし、半田による接合でもよい。または、基体10および蓋体20の各々の接合部分に金属薄膜図示せずを形成し、該金属薄膜同士を加熱し共晶接合させることにより、基体10と蓋体20とを接合させてもよい。基体10および蓋体20は、機能素子102を収容するキャビティー32を形成している。図示の例では、蓋体20の第2面24側に凹部が形成されており、該凹部は、基体10によって封止されてキャビティー32となる。基体10および蓋体20の平面形状Z軸方向から見た形状は、キャビティー32に機能素子102を収容できれば特に限定されない。基体10および蓋体20の平面形状は、例えば、四角形より具体的には長方形である。キャビティー32は、減圧状態や不活性ガス例えば窒素ガス雰囲気で密閉されている。特に、機能素子102として振動型ジャイロセンサーを用いる場合、キャビティー32は、減圧状態であることが望ましい。これにより、振動型ジャイロセンサーの振動現象が空気粘性によって減衰することを抑制できる。なお、図示の例では、キャビティー32となる凹部は、蓋体20に形成されているが、基体10に形成されていてもよく、基体10に形成された凹部を蓋体20によって封止することによって、キャビティー32を形成してもよい。蓋体20の第1面22側には、孔部40が設けられている。孔部40は、蓋体20の第1面22に設けられた開口42を有している。蓋体20の第1面22は、蓋体20の表面であり、パッケージ30の外形を形成する面である。蓋体20の第1面22は、蓋体20の第2面24の反対側の面である。なお、蓋体20の第2面24は、キャビティー32キャビティーとなる蓋体20の凹部の底面を規定する面である。孔部40は、底面41から開口42に向かうに従って、徐々に断面積XY平面における面積が大きくなる形状を有している。すなわち、開口42の面積は、底面41の面積よりも大きい。孔部40は、孔部40の底面41の一部に設けられた連通口70によってキャビティー32と連通している。孔部40の底面41は、孔部40の底を規定する蓋体20の面ともいえる。孔部40の底面41は、例えば、平坦である。図示の例では、孔部40の底面41は、蓋体20の第1面22に平行である。連通口70は、キャビティー32側では、第2面24に設けられている。連通口70の面積は、孔部40の開口42の面積よりも小さい。連通口70は、図2に示すように平面視において、孔部40の底面41と蓋体20の第2面24との重ね合わせられた部分で形成されている。更に、連通口70は、機能素子102と、平面視において重ならない位置に配置されている。すなわち、連通口70は、機能素子102の外縁の外側に配置されている。孔部40の開口42の形状は、図2に示すように、多角形である。図示の例では、開口42の形状は、矩形より具体的には正方形である。孔部40の底面41の形状は、例えば、多角形であり、図示の例では、開口42と同様に、矩形より具体的には正方形である。連通口70の形状は、例えば、多角形である。連通口70の形状は、例えば、開口42の形状と異なっている。図示の例では、連通口70の形状はY軸に沿う長辺を有する長方形であり、開口42の形状は正方形である。孔部40の側面孔部40の側面を規定する蓋体20の面は、例えば、4つの平坦面43,44,45,46によって構成されている。100シリコン基板からなる蓋体20をウェットエッチングすることによって孔部40を形成する場合、平坦面43,44,45,46は、111面である。この場合、平坦面43,44,45,46は、蓋体20の第2面24に対して、所定の角度54.7°程度傾いて形成されている。図3に示すように、孔部40の開口42のX軸に沿う長さL1と、孔部40の底面41のX軸に沿う長さL2と、連通口70のX軸に沿う長さL3とは、L3<L2<L1の関係を有する。孔部40の開口42のX軸に沿う長さL1は、例えば、426μm程度である。孔部40の底面41のX軸に沿う長さL2は、例えば、100μmである。連通口70のX軸に沿う長さL3は、例えば、10μm程度である。また、蓋体20の第1面22と第2面24との間の距離Dは、例えば、230μm程度である。キャビティー32の深さキャビティーとなる蓋体20の凹部の深さHは、例えば、50μm程度である。導電層50は、図1~図3に示すように、孔部40の側面平坦面43,44,45,46および底面41に形成されている。導電層50としては、例えば、孔部40の内面側から、クロム層および金層をこの順で積層されたものを用いることができる。導電層50によって、孔部40の側面および底面と封止部材60との密着性を向上させることができる。導電層50の厚みは、特に限定されないが、例えば、30~200nm程度である。なお、導電層50の材質は、封止部材60の材質によって、適宜変更されることができる。また、図示はしないが、導電層50は、蓋体20の全面に形成されていてもよい。封止部材60は、孔部40に配置され、キャビティー32を封止している。封止部材60の材質は、例えば、AuGe、AuSi、AuSn、SnPb、PbAg、SnAgCu、SnZnBiなどの合金である。機能素子102は、基体10上に搭載されている。機能素子102は、基体10および蓋体20によって形成される基体10および蓋体20に囲まれるキャビティー32に載置収容されている。機能素子102は、例えば、陽極接合や直接接合によって、基体10に接合されていてもよいし、接着剤によって接合されていてもよい。機能素子102の形態としては、減圧状態や不活性ガス雰囲気で密閉されたキャビティー32内で動作するものであれば、特に限定されず、例えば、ジャイロセンサー、加速度センサー、振動子、SAW弾性表面波素子、マイクロアクチュエーターなどの各種の機能素子を挙げることができる。以下では、機能素子102として、ジャイロセンサーを用いた例について、説明する。図4は、本実施形態に係る電子デバイス100の機能素子102を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図4では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、Z軸を図示している。このことは、後述する図5~図8でも同様である。機能素子102は、図4に示すように、振動系構造体104と、駆動用固定電極130と、検出用固定電極140と、固定部150と、を有することができる。振動系構造体104は、例えば、基体10に接合されたシリコン基板を加工することにより、一体的に形成されている。これにより、シリコン半導体デバイスの製造に用いられる微細な加工技術の適用が可能となり、振動系構造体104の小型化を図ることができる。振動系構造体104は、基体10図1参照に固定された固定部150によって、支持されており、基体10と離間して配置されている。振動系構造体104は、第1振動体106と、第2振動体108と、を有することができる。第1振動体106および第2振動体108は、X軸に沿って互いに連結されている。第1振動体106および第2振動体108は、両者の境界線BY軸に沿った直線に対して、対称となる形状を有することができる。したがって、以下では、第1振動体106の構成について説明し、第2振動体108の構成の説明については、省略する。第1振動体106は、駆動部110と、検出部120と、を有する。駆動部110は、駆動用支持部112と、駆動用バネ部114と、駆動用可動電極116と、を有することができる。駆動用支持部112は、例えば、フレーム状の形状を有し、駆動用支持部112の内側には、検出部120が配置されている。図示の例では、駆動用支持部112は、X軸に沿って延在する第1延在部112aと、Y軸に沿って延在する第2延在部112bと、によって構成されている。駆動用バネ部114は、駆動用支持部112の外側に配置されている。図示の例では、駆動用バネ部114の一端は、駆動用支持部112の角部第1延在部112aと第2延在部112bとの接続部近傍に接続されている。駆動用バネ部114の他端は、固定部150に接続されている。図示の例では、駆動用バネ部114は、第1振動体106において、4つ設けられている。そのため、第1振動体106は、4つの固定部150によって、支持されている。なお、第1振動体106と第2振動体108との境界線B上の固定部150は、設けられていなくてもよい。駆動用バネ部114は、Y軸に沿って往復しながらX軸に沿って延在する形状を有している。複数の駆動用バネ部114は、駆動用支持部112の中心を通るX軸に沿った仮想線図示せず、および駆動用支持部112の中心を通るY軸に沿った仮想線図示せずに対して、対称に設けられている。駆動用バネ部114を上記のような形状とすることにより、駆動用バネ部114が、Y軸方向およびZ軸方向に変形することを抑制し、駆動用バネ部114を、駆動部110の振動方向であるX軸方向にスムーズに伸縮させることができる。そして、駆動用バネ部114の伸縮に伴い、駆動用支持部112を駆動部110を、X軸に沿って振動させることができる。なお、駆動用バネ部114は、駆動用支持部112をX軸に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。駆動用可動電極116は、駆動用支持部112の外側に、駆動用支持部112に接続されて配置されている。より具体的には、駆動用可動電極116は、駆動用支持部112の第1延在部112aに接続されている。駆動用固定電極130は、駆動用支持部112の外側に配置されている。駆動用固定電極130は、基体10図1参照上に固定されている。図示の例では、駆動用固定電極130は、複数設けられ、駆動用可動電極116を介して、対向配置されている。図示の例では、駆動用固定電極130は、櫛歯状の形状を有しており、駆動用可動電極116は、駆動用固定電極130の櫛歯の間に挿入可能な突出部116aを有している。駆動用固定電極130と突出部116aとの距離ギャップを小さくすることにより、駆動用固定電極130と駆動用可動電極116との間に作用する静電力を、大きくすることができる。駆動用固定電極130および駆動用可動電極116に、電圧を印加すると、駆動用固定電極130と駆動用可動電極116との間に静電力を発生させることができる。これにより、駆動用バネ部114がX軸に沿って伸縮し、駆動用支持部112駆動部110を、X軸に沿って振動させることができる。なお、図示の例では、駆動用可動電極116は、第1振動体106において、4つ設けられているが、駆動用支持部116をX軸に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。また、図示の例では、駆動用固定電極130は、駆動用可動電極116を介して、対向配置されているが、駆動用支持部112をX軸に沿って振動させることができれば、駆動用固定電極130は、駆動用可動電極116の一方側にのみ配置されていてもよい。検出部120は、駆動部110に連結されている。図示の例では、検出部120は、駆動用支持部112の内側に配置されている。検出部120は、検出用支持部122と、検出用バネ部124と、検出用可動電極126と、を有することができる。なお、図示はしないが、検出部120は、駆動部110に連結されていれば、駆動用支持部112の外側に配置されていてもよい。検出用支持部122は、例えば、フレーム状の形状を有している。図示の例では、検出用支持部122は、X軸に沿って延在する第3延在部122aと、Y軸に沿って延在する第4延在部122bと、によって構成されている。検出用バネ部124は、検出用支持部122の外側に配置されている。検出用バネ部124は、検出用支持部122と駆動用支持部112とを接続している。より具体的には、検出用バネ部124の一端は、検出用支持部122の角部第3延在部122aと第4延在部122bとの接続部近傍に接続されている。検出用バネ部124の他端は、駆動用支持部112の第1延在部112aに接続されている。検出用バネ部124は、X軸に沿って往復しながらY軸に沿って延在する形状を有している。図示の例では、検出用バネ部124は、第1振動体106において、4つ設けられている。複数の検出用バネ部124は、検出用支持部122の中心を通るX軸に沿った仮想線図示せず、および検出用支持部122の中心を通るY軸に沿った仮想線図示せずに対して、対称に設けられている。検出用バネ部124を上記のような形状とすることにより、検出用バネ部124が、X軸方向およびZ軸方向に変形することを抑制し、検出用バネ部124を、検出部120の振動方向であるY軸方向にスムーズに伸縮させることができる。そして、検出用バネ部124の伸縮に伴い、検出用支持部122を検出部120を、Y軸に沿って振動させることができる。なお、検出用バネ部124は、検出用支持部122をY軸に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。検出用可動電極126は、検出用支持部122の内側に、検出用支持部122に接続されて配置されている。図示の例では、検出用可動電極126は、X軸に沿って延在しており、検出用支持部122の2つの第4延在部122bに、接続されている。検出用固定電極140は、検出用支持部122の内側に配置されている。検出用固定電極140は、基体10図1参照上に固定されている。図示の例では、検出用固定電極140は、複数設けられ、検出用可動電極126を介して、対向配置されている。検出用可動電極126および検出用固定電極140の数および形状は、検出用可動電極126と検出用固定電極140との間の静電容量の変化を検出することができれば、特に限定されない。次に、機能素子102の動作について説明する。図5~図8は、本実施形態に係る電子デバイス100の機能素子102の動作を説明するための図である。なお、便宜上、図5~図8では、機能素子102の各部分を、簡略化して図示している。駆動用固定電極130および駆動用可動電極116に、図示しない電源によって、電圧を印加すると、駆動用固定電極130と駆動用可動電極116との間に静電力を発生させることができる。これにより、図5および図6に示すように、駆動用バネ部114をX軸に沿って伸縮させることができ、駆動部110をX軸に沿って振動させることができる。より具体的には、第1振動体106の駆動用可動電極116と固定電極130との間に第1交番電圧を印加し、第2振動体108の駆動用可動電極116と固定電極130との間に第1交番電圧と位相が180度ずれた第2交番電圧を印加する。これにより、第1振動体106の第1駆動部110a、および第2振動体108の第2駆動部110bを、互いに逆位相でかつ所定の周波数で、X軸に沿って振動させることができる。すなわち、X軸に沿って互いに連結された第1駆動部110aおよび第2駆動部110bは、X軸に沿って、互いに逆位相で振動第1振動する。例えば、まず、図5に示すように、第1駆動部110aはα1方向に変位し、第2駆動部110bはα1方向と反対方向のα2方向に変位する。次に、図6に示すように、第1駆動部110aはα2方向に変位し、第2駆動部110bはα1方向に変位する。第1駆動部110aおよび第2駆動部110bは、この動作を繰り返す。このようにして、第1駆動部110aおよび第2駆動部110bは、互いに逆位相で振動する。なお、検出部120は、駆動部110に連結されているため、検出部120も駆動部110の振動に伴い、X軸に沿って振動する。すなわち、第1振動体106および第2振動体108は、X軸に沿って、互いに逆位相で振動する。図7および図8に示すように、駆動部110a,110bが第1振動を行っている状態で、機能素子102にZ軸回りの角速度ωが加わると、コリオリの力が働き、検出部120は、Y軸に沿って変位する。すなわち、第1駆動部110aに連結された第1検出部120a、および第2駆動部110bに連結された第2検出部120bは、第1振動およびコリオリ力によって、Y軸に沿って、互いに反対方向に変位する。例えば、まず、図7に示すように、第1検出部120aはβ1方向に変位し、第2検出部120bはβ1方向と反対方向のβ2方向に変位する。次に、図8に示すように、第1検出部120aはβ2方向に変位し、第2検出部120bはβ1方向に変位する。第1検出部120aおよび第2検出部120bは、コリオリ力を受けている間、この動作を繰り返す。検出部120a,120bがY軸に沿って変位することにより、検出用可動電極126と検出用固定電極140との間の距離Lは、変化する。そのため、検出用可動電極126と検出用固定電極140との間の静電容量は、変化する。機能素子102では、検出用可動電極126および検出用固定電極140に電圧を印加することにより、検出用可動電極126と検出用固定電極140との間の静電容量の変化量を検出し、Z軸回りの角速度ωを求めることができる。なお、上記では、静電力によって、駆動部110を駆動させる形態静電駆動方式について説明したが、駆動部110を駆動させる方法は、特に限定されず、圧電駆動方式や、磁場のローレンツ力を利用した電磁駆動方式等を適用することができる。本実施形態に係る電子デバイス100は、例えば、以下の特徴を有する。電子デバイス100では、孔部40は、孔部40の底面41の一部に設けられた連通口70によってキャビティー32と連通している。これにより、孔部40に配置された封止部材を溶融させてキャビティー32を封止する際に、例えば孔部40の底面41が蓋体20の第2面24に平面視において含有されるような場合孔部の底面の全部に連通口が設けられた場合と比べて、封止部材の一部がキャビティー32内に飛散して機能素子102に付着することを抑制できる。その結果、電子デバイス100は、良好な特性を有することができる。さらに、連通口70の面積を孔部40の底面41の面積より小さくすることができるので、孔部40に配置された封止部材を溶融させてキャビティー32を封止する際に、封止部材から発生したガスがキャビティー32に侵入するのを抑制できる。これにより、機能素子を収容するキャビティーの真空度を高めることができる。電子デバイス100では、孔部40の側面が、4つの平坦面43,44,45,46によって構成されている。そのため、例えば球状の封止部材60aを孔部40内に配置した状態で、平坦面43,44,45,46と封止部材60aとの間に、間隙48を設けることができる図14b参照。これにより、キャビティー32を減圧状態にする際に、封止部材60aが飛び出すことを抑制できる。例えば、球状の封止部材を孔部内に配置した状態で、間隙が設けられていないと、パッケージ内外の圧力差によって、封止部材がパッケージ外部に飛び出してしまう場合がある。さらに、電子デバイス100では、孔部40の底面41が平坦である。そのため、例えば球状の封止部材60aを孔部40内に配置した際に、封止部材60aが底面41と接触する部分を小さくすることができ、底面41と封止部材60aとの間に、間隙49を設けることができる図14a参照。これにより、キャビティー32を減圧状態にする際に、より確実に、封止部材60aが飛び出すことを抑制できる。さらに、電子デバイス100によれば、キャビティー32を減圧状態にする際に、間隙48,49を介して、キャビティー32内のガスを排出することができる。したがって、キャビティー32の真空度を高めることができる。電子デバイス100では、孔部40は、連通口40の面積が開口42の面積よりも小さい形状を有しているので、例えば、連通口の面積が開口の面積と同じ場合に比べて、飛散する封止部材の範囲を小さくすることができる。これにより、キャビティー32に封止部材が飛散したとしても、より確実に、飛散した封止部材が機能素子102に付着することを抑制できる。電子デバイス100によれば、連通口70と機能素子102とは、平面視において、重なる位置に配置されていない。これにより、キャビティー32に封止部材が飛散したとしても、より確実に、飛散した封止部材が機能素子102に付着することを抑制できる。電子デバイス100によれば、孔部40が形成されている蓋体20は、シリコン基板であることができる。これにより、孔部40を形成する際には、シリコン半導体デバイスの作製に用いられる加工技術の適用が可能となる。その結果、微細かつ高い精度で孔部40を形成することができる。電子デバイス100によれば、基体10の材質は、絶縁材料であり、機能素子102は、シリコンを用いたジャイロセンサーである。そのため、ジャイロセンサーをシリコンのMEMS加工で形成する場合に、基体をシリコンとすると、例えば、ジャイロセンサーと基体間の絶縁性を保つために絶縁膜を介在させる必要があるが、基体10を絶縁材料にすることにより絶縁膜を介在させる必要がなく、容易に絶縁分離することができる。2.電子デバイスの製造方法次に、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図9~図14は、本実施形態に係る電子デバイス100の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図14では、断面図図14aの他に、電子デバイス100の製造工程を模式的に示す平面図図14bも示している。また、便宜上、図10,13,14では、機能素子102を簡略化して図示している。図9に示すように、例えばガラス基板をパターニングして、凹部12を形成し、基体10を得る。次に、基体10に、機能素子102となるシリコン基板102aを接合させる。基体10とシリコン基板102aとの接合は、例えば、陽極接合や直接接合、または接着剤を用いて行われる。図10に示すように、シリコン基板102aを、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、所望の形状にパターニングして機能素子102を形成する。これにより、基体10に機能素子102を搭載することができる。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュBosch法を用いることができる。これにより、微細な加工が可能となり、機能素子102の小型化を図ることができる。図11に示すように、第1面21aと第2面21bとを備えたシリコン基板20aの第2面21b側をパターニングして、キャビティー32となる凹部32aを形成する。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって行われ、より具体的なエッチング技術としては、ウェットエッチングを用いることができる。図12に示すように、シリコン基板20aの第2面21bと反対側の第1面21a側をエッチングして、孔部40および連通口70を形成する。孔部40および連通口70は、第1面21a側からウェットエッチングされることにより形成される。連通口70は、このウェットエッチングによって、孔部40の底の一部が凹部32aに到達して、孔部40と凹部32aとが連通することにより形成される連通口70は、平面視における底面41と第2面24とが重なる部分に形成される。このウェットエッチングにより、孔部40の側面を、111面を有する平坦面とすることができ、開口42の形状を、多角形より具体的には四角形とすることができる。また、孔部40を、開口42の面積よりも連通口41の面積の方が小さくなるように形成することができる。また、孔部40の底面41を平坦な面とすることができる。なお、孔部40を形成する工程と凹部32aを形成する工程の順序は特に限定されず。孔部40を形成してから凹部32aを形成してもよい。また、孔部40と凹部32aとは、同時に形成されてもよい。次に、孔部40の内面に導電層50を形成する。導電層50は、例えば、スパッタ法によって導電層図示せずを成膜し、該導電層をパターニングすることによって形成される。図13に示すように、基体10に蓋体20を接合して、基体10および蓋体20によって形成されるキャビティー32に機能素子102を収容する。基体10と蓋体20との接合は、例えば、陽極接合や接着剤等を用いて行われる。基体10と蓋体20との接合は、平面視において、連通口70と機能素子102とが重ならないように行われる。図14に示すように、孔部40に、封止部材60aを配置する。図示の例では、封止部材60aは、球状であり、いわゆる半田ボールである。上述のように、孔部40の側面は、4つの平坦面43,44,45,46で構成されている。そのため、図14bに示すように平面視において、封止部材60aを孔部40内に配置した状態で、孔部40の側面と封止部材60aとの間に、間隙48を設けることができる。また、孔部40の底面41は、平坦である。そのため、図14aに示すように、封止部材60aを孔部40内に配置した際に、封止部材60aが孔部40の底面41と接触する部分を小さくすることができ、底面41と封止部材60aとの間に、間隙49を設けることができる。図示の例では、封止部材60aは、孔部40の底面41に点で接触している。次に、封止部材60aを、エネルギービーム例えばレーザー照射によって溶融させ、孔部40を塞いでキャビティー32を封止する図1参照。これにより、キャビティー32を密閉することができる。レーザーの種類としては、特に限定されず、例えばYAGレーザーやCO2レーザーを用いることができる。封止部材60aの溶融は、例えば、孔部40および連通口70を通してキャビティー32を減圧した後に真空引きした後に行われる。例えば、真空チャンバー内で、レーザーを照射して封止部材60aを溶融させ、孔部40を塞いでもよい。なお、上記では、基体10に機能素子102を搭載した後に図10参照、孔部40およびキャビティー32となる凹部32aを形成して蓋体20を得る例図11,12参照について説明したが、まず、孔部40等を形成して蓋体20を得て、次に基体10に機能素子102を搭載してもよい。また、上述したキャビティー32を封止する工程では、孔部40および連通口70を通してキャビティー32を減圧した後に封止部材60aを溶融させたが、孔部40および連通口70を通してキャビティー32に不活性気体具体的には窒素ガスを充填した後に封止部材60aを溶融させてもよい。これにより、キャビティー32を大気圧状態不活性気体雰囲気にすることができる。機能素子102として、例えば加速度センサーを用いた場合、キャビティー32は大気圧状態であることが望ましい。加速度センサーの場合は、不活性気体の粘性がダンピング効果として感度特性に大きく寄与するためである。以上の工程により、電子デバイス100を製造することができる。本実施形態に係る電子デバイス100の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。電子デバイス100の製造方法によれば、孔部40が、孔部40の底面41の一部に設けられた連通口70によってキャビティー32と連通するように形成される。これにより、孔部40に配置された封止部材を溶融させてキャビティー32を封止する際に、孔部40の底面41が蓋体20の第2面24に平面視において含有されるような場合孔部の底面の全部に連通口が設けられた場合と比べて、封止部材の一部がキャビティー32内に飛散して機能素子102に付着することを抑制できる。その結果、良好な特性を有する電子デバイスを形成することができる。さらに、連通口70の面積を孔部40の底面41の面積より小さくすることができるので、孔部40に配置された封止部材を溶融させてキャビティー32を封止する際に、封止部材から発生したガスがキャビティー32に侵入するのを抑制できる。これにより、機能素子を収容するキャビティーの真空度を高めることができる。電子デバイス100の製造方法によれば、孔部40の側面が、4つの平坦面43,44,45,46によって構成されているため、例えば球状の封止部材60aを孔部40内に配置した状態で、平坦面43,44,45,46と封止部材60aとの間に、間隙48を設けることができる。これにより、キャビティー32を減圧状態にする際に、封止部材60aが飛び出すことを抑制できる。さらに、電子デバイス100の製造方法によれば、孔部40の底面41が平坦である。そのため、例えば球状の封止部材60aを孔部40内に配置した際に、封止部材60aが底面41と接触する部分を小さくすることができ、底面41と封止部材60aとの間に、間隙49を設けることができる。これにより、キャビティー32を減圧状態にする際に、より確実に、封止部材60aが飛び出すことを抑制できる。さらに、電子デバイス100の製造方法によれば、キャビティー32を減圧状態にする際に、間隙48,49を介して、キャビティー32内のガスを排出することができる。したがって、キャビティー32内の真空度を高めることができる。電子デバイス100の製造方法によれば、蓋部20を形成する工程は、シリコン基板20aの第2面21b側をエッチングして、キャビティー32となる凹部32aを形成する工程と、シリコン基板20aの第1面21a側をエッチングして孔部40および連通口70を形成する工程と、を含む。これにより、蓋部20を容易に形成することができる。電子デバイス100の製造方法によれば、孔部40を通してキャビティー32を減圧した後に、封止部材60aを溶融することができる。これにより、キャビティー32を減圧状態として密閉することができ、空気粘性によって、機能素子102より具体的には、ジャイロセンサーの振動が減衰することを抑制できる。電子デバイス100の製造方法によれば、平面視において、連通口70と機能素子102とが、重ならないように配置することができる。これにより、封止部材60aを溶融させる際に、封止部材60aの一部がキャビティー32に飛散したとしても、より確実に、飛散した封止部材が機能素子102に付着することを抑制できる。3.電子デバイスの変形例次に、本実施形態の変形例に係る電子デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図15は、本実施形態の変形例に係る電子デバイス200を模式的に示す断面図であって、図1に対応するものである。以下、本実施形態の変形例に係る電子デバイス200において、本実施形態に係る電子デバイス100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。電子デバイス100の例では、図1に示すように、孔部40は、蓋体20に形成されていた。これに対し、電子デバイス200では、図15に示すように、孔部40は、基体10に形成されている。電子デバイス200では、基体10として、シリコン基板を用いることができる。基体10としてシリコン基板を用いることにより、基体10に孔部40を形成する際には、シリコン半導体デバイスの作製に用いられる加工技術の適用が可能となる。その結果、微細かつ高い精度で孔部40を形成することができる。蓋体20としては、例えば、ガラス基板、シリコン基板、水晶基板を用いることができる。電子デバイス200では、孔部40の開口42は、基体10の第3面14に設けられている。基体10の第3面14は、基体10の表面であり、パッケージ30の外形を形成する面である。孔部40の底面41は、孔部40の底を規定する基体10の面ともいえる。また、電子デバイス200では、キャビティー32となる凹部が基体10に形成されている。電子デバイス200の製造方法としては、上述した電子デバイス100の製造方法を、基本的に適用することができる。よって、その詳細な説明を省略する。電子デバイス200によれば、電子デバイス100と同様に、孔部40は、孔部40の底面41の一部に設けられた連通口70によってキャビティー32と連通している。これにより、孔部40に配置された封止部材を溶融させてキャビティー32を封止する際に、孔部が貫通孔であって底面を有さない場合孔部の底面の全部に連通口が設けられた場合と比べて、封止部材の一部がキャビティー32内に飛散して機能素子102に付着することを抑制できる。その結果、電子デバイス200は、良好な特性を有することができる。4.電子機器次に、本実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る電子機器は、本発明に係る電子デバイスを含む。以下では、本発明に係る電子デバイスとして、電子デバイス100を含む電子機器について、説明する。図16は、本実施形態に係る電子機器として、モバイル型またはノート型のパーソナルコンピューター1100を模式的に示す斜視図である。図16に示すように、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を有する表示ユニット1106と、により構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター1100には、電子デバイス100が内蔵されている。図17は、本実施形態に係る電子機器として、携帯電話機PHSも含む1200を模式的に示す斜視図である。図17に示すように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1208が配置されている。このような携帯電話機1200には、電子デバイス100が内蔵されている。図18は、本実施形態に係る電子機器として、デジタルスチルカメラ1300を模式的に示す斜視図である。なお、図18には、外部機器との接続についても簡易的に示している。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCDChargeCoupledDeviceなどの撮像素子により光電変換して撮像信号画像信号を生成する。デジタルスチルカメラ1300におけるケースボディー1302の背面には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース1302の正面側図中裏面側には、光学レンズ撮像光学系やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送格納される。また、このデジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子1312には、テレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314には、パーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。このようなデジタルスチルカメラ1300には、電子デバイス100が内蔵されている。以上のような電気機器1100,1200,1300は、良好な特性を有する電子デバイス100を含む。そのため、電気機器1100,1200,1300は、良好な特性を有することができる。なお、上記電子デバイス100を備えた電子機器は、図16に示すパーソナルコンピューターモバイル型パーソナルコンピューター、図17に示す携帯電話機、図18に示すデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置例えばインクジェットプリンター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳通信機能付も含む、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡、魚群探知機、各種測定機器、計器類例えば、車両、航空機、船舶の計器類、フライトシミュレーターなどに適用することができる。上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。"