"センサ基板10と、該センサ基板10の一面10aに形成され、印加磁界によって出力信号が変動する磁電変換素子20と、前記センサ基板10、及び、被測定電流が流れる被測定導体90それぞれの周囲を囲むことで、外部と内部とを磁気的に遮蔽する磁気シールド部30と、を有し、前記被測定電流から生じる磁界による前記磁電変換素子20の出力信号の変動に基づいて、前記被測定電流を測定する電流センサであって、前記磁電変換素子20は、前記センサ基板10の形成面10aに沿う印加磁界によって出力信号が変動する性質を有し、前記磁気シールド部30には、前記磁気シールド部30内の磁気飽和を抑制するための空隙31が少なくとも1つ形成され、前記形成面10aは、互いに直交の関係にあるx方向とy方向とによって規定されるx-y平面に平行し、z方向に直交しており、前記形成面10aを通る、前記x方向と前記z方向とによって規定されるx-z平面によって分断された前記磁気シールド部30の内壁面の成す輪郭線が、前記x方向に沿い、且つ前記形成面10aを通る基準線BLを介して対称な構造を成し、前記磁気シールド部30における、対称な構造を成す部位に、前記空隙31の少なくとも一部が形成され、前記z方向における、前記空隙31の高さ位置と、前記センサ基板10の高さ位置とが同一であることを特徴とする電流センサ。前記磁電変換素子20は、前記形成面10aに沿う印加磁界によって抵抗値が変動する磁気抵抗効果素子20であり、前記磁気抵抗効果素子20は、磁化方向が固定されたピン層と、前記形成面10aに沿う印加磁界に応じて磁化方向が変化する自由層と、該自由層と前記ピン層との間に設けられた非磁性の中間層と、を有し、前記磁気シールド部30内に、前記自由層にバイアス磁界を印加するバイアス磁石40が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。前記z方向における、前記空隙31全ての高さ位置と、前記センサ基板10の高さ位置とが同一であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電流センサ。前記z方向における、前記空隙31の中心の高さ位置と、前記形成面10aの高さ位置とが同一であることを特徴とする請求項1~3いずれか1項に記載の電流センサ。前記センサ基板10は、前記磁気シールド部30における、対称構造を成す部位の中心に位置し、2つの前記空隙31が、前記センサ基板10を介して対向配置されていることを特徴とする請求項1~4いずれか1項に記載の電流センサ。前記磁気シールド部30内に、前記磁電変換素子20の出力信号を処理する回路が形成された回路基板50が設けられていることを特徴とする請求項1~5いずれか1項に記載の電流センサ。前記センサ基板10、及び、前記回路基板50は、非磁性材料から成る支持基板60に固定されていることを特徴とする請求項6に記載の電流センサ。前記センサ基板10、前記回路基板50、及び、前記支持基板60は、モールド樹脂70によって被覆されていることを特徴とする請求項7に記載の電流センサ。前記被測定導体90、及び、前記モールド樹脂70によって被覆されたセンサ基板10、回路基板50、支持基板60は、非磁性材料からなるスペーサ80を介して、前記磁気シールド部30内に固定されていることを特徴とする請求項8に記載の電流センサ。前記磁電変換素子20は、前記形成面10aに沿う印加磁界によって抵抗値が変動する磁気抵抗効果素子20であり、複数の前記磁気抵抗効果素子20を有し、2つの前記磁気抵抗効果素子20によって、ハーフブリッジ回路が構成されていることを特徴とする請求項1~9いずれか1項に記載の電流センサ。2つの前記ハーフブリッジ回路によって、フルブリッジ回路が構成されていることを特徴とする請求項10に記載の電流センサ。上記したように、特許文献1に示される電流センサは、空隙の高さ方向の位置がバスバーの高さ方向の位置と同じ又は近傍となっている。磁気シールド体内を流れる磁束は空隙にて放出され、外部に磁界を形成する。空隙にて生じる磁界以下、空隙磁界と示すは、磁気シールド部の形状によって変化する。特許文献1の図1に示される構成の場合、2つの空隙を結ぶ線以下、基準線と示すに対して磁気シールド体が対称形状を成すので、基準線に対して直交するように、空隙磁界が形成される。特許文献1では、空隙の高さ方向の位置とバスバーの高さ方向の位置とが同じ又は近傍となっているが、磁気検出素子の高さ位置は、空隙の高さ位置と一致していない。このため、磁気検出素子に空隙磁界が斜めに印加され、バスバーの幅方向に沿う空隙磁界が感磁面に印加されることとなる。この結果、空隙磁界によって磁気抵抗効果素子の抵抗値が変動し、電流の検出精度が低下する虞がある。そこで、本発明は上記問題点に鑑み、電流の検出精度の低下が抑制された電流センサを提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、センサ基板10と、該センサ基板10の一面10aに形成され、印加磁界によって出力信号が変動する磁電変換素子20と、センサ基板10、及び、被測定電流が流れる被測定導体90それぞれの周囲を囲むことで、外部と内部とを磁気的に遮蔽する磁気シールド部30と、を有し、被測定電流から生じる磁界による磁電変換素子20の出力信号の変動に基づいて、被測定電流を測定する電流センサであって、磁電変換素子20は、センサ基板10の形成面10aに沿う印加磁界によって出力信号が変動する性質を有し、磁気シールド部30には、磁気シールド部30内の磁気飽和を抑制するための空隙31が少なくとも1つ形成され、形成面10aは、互いに直交の関係にあるx方向とy方向とによって規定されるx-y平面に平行し、z方向に直交しており、形成面10aを通る、x方向とz方向とによって規定されるx-z平面によって分断された磁気シールド部30の内壁面の成す輪郭線が、x方向に沿い、且つ形成面10aを通る基準線BLを介して対称な構造を成し、磁気シールド部30における、対称な構造を成す部位に、空隙31の少なくとも一部が形成され、z方向における、空隙31の高さ位置と、センサ基板10の高さ位置とが同一であることを特徴とする。磁気シールド部30内を流れる磁束は空隙31にて放出され、外部に磁界を形成する。空隙31にて生じる磁界以下、空隙磁界と示すは、磁気シールド部30の形状によって変化する。これに対して、本発明では、磁電変換素子20の形成面10aを通る、x-z平面によって分断された磁気シールド部30の内壁面の成す輪郭線が、基準線BLを介して対称な構造を成している。そして、磁気シールド部30における、対称な構造を成す部位に空隙31が形成され、z方向における、空隙31の高さ位置と、センサ基板10の高さ位置とが同一となっている。したがって、対称構造を成す部位によって囲まれた領域の空隙磁界は、基準線BLを介して対称となり、基準線BLでの向きが、基準線BLに直交する向きとなる。そのため、空隙磁界は、磁電変換素子20に対して垂直に印加されることとなる。本発明に係る磁電変換素子20は、形成面10aに沿う印加磁界によって抵抗値が変動する性質を有する。したがって、空隙磁界に対して、磁電変換素子20の出力信号は変動し難い。以上、示したように、空隙磁界による磁電変換素子20の出力信号の変動が抑制されるので、電流の検出精度の低下が抑制される。なお、請求項1に記載の高さ位置とは、ある基準例えば、基準線BLを原点とする、z方向の座標位置を意味している。請求項2に記載のように、磁電変換素子20は、形成面10aに沿う印加磁界によって抵抗値が変動する磁気抵抗効果素子20であり、磁気抵抗効果素子20は、磁化方向が固定されたピン層と、形成面10aに沿う印加磁界に応じて磁化方向が変化する自由層と、該自由層とピン層との間に設けられた非磁性の中間層と、を有し、磁気シールド部30内に、自由層にバイアス磁界を印加するバイアス磁石40が設けられた構成が好適である。これによれば、自由層の磁化方向の初期値ゼロ点がバイアス磁界によって定まる。なお、磁気抵抗効果素子20に印加される空隙磁界の印加方向を定めるために、磁気シールド部30内に集磁コアを配置する構成が考えられる。しかしながら、この構成の場合、上記したバイアス磁界が集磁コア内を通ることとなるので、自由層の磁化方向のゼロ点を定めることができなくなる。したがって、請求項2に係る電流センサは、磁気シールド部内に集磁コアが設けられた電流センサとは根本的な構成が異なる。z方向における、空隙31の一部の高さ位置と、センサ基板10の高さ位置とが同一である構成の場合、センサ基板10と高さ位置が異なる空隙31からも、空隙磁界が形成される。この空隙磁界における基準線BLでの向きは、基準線BLに直交する向きになるとは限らないので、磁電変換素子20に対して、形成面10aに沿う方向の空隙磁界が印加される虞がある。このような空隙磁界が印加されると、空隙磁界によって磁電変換素子20の出力信号が変動し、電流の検出精度が低下する虞がある。したがって、請求項3に記載のように、z方向における、空隙31全ての高さ位置と、センサ基板10の高さ位置とが同一である構成が好ましい。この場合、磁電変換素子20に対して、形成面10aに沿う方向の空隙磁界が印加されることが抑制され、電流の検出精度の低下が抑制される。空隙磁界は、空隙31の中心から、外に向って同心円状、楕円状に形成される。したがって、請求項4に記載のように、z方向における、空隙31の中心の高さ位置と、形成面10aの高さ位置とが同一である構成が良い。これによれば、z方向における、空隙の中心の高さ位置と、形成面の高さ位置とが異なる構成と比べて、空隙磁界における基準線BLでの向きが、基準線BLに直交する向きにより近づく。これにより、磁電変換素子20に対して、形成面10aに沿う方向の空隙磁界が印加されることが抑制され、電流の検出精度の低下が抑制される。請求項5に記載のように、センサ基板10は、磁気シールド部30における、対称構造を成す部位の中心に位置し、2つの空隙31が、センサ基板10を介して対向配置された構成が好ましい。被測定導体90から生じた磁界は、磁気シールド部30内に伝播した後、磁気シールド部30に集磁され、磁気シールド部30内を一方向に回転する。したがって、センサ基板10を介して対向配置された空隙31それぞれで発生する空隙磁界の向きが反転し、磁気シールド部30の中心に位置するセンサ基板10には、反対方向であり、強度が同一の空隙磁界が印加される。この結果、センサ基板10では、空隙磁界がキャンセルされる。このように、磁電変換素子20に対して、形成面10aに沿う方向の空隙磁界が印加されることが抑制されるので、電流の検出精度の低下が抑制される。請求項6に記載のように、磁気シールド部30内に、磁電変換素子20の出力信号を処理する回路が形成された回路基板50が設けられた構成が良い。これによれば、磁気シールド部外に回路基板が設けられた構成と比べて、電流センサの体格の増大が抑制される。また、回路基板50に外部磁界が印加されることが抑制される。センサ基板10、回路基板50の固定構造としては、請求項7に記載のように、センサ基板10、及び、回路基板50は、非磁性材料から成る支持基板60に固定された構成を採用することができる。請求項8に記載のように、センサ基板10、回路基板50、及び、支持基板60は、モールド樹脂70によって被覆された構成が良い。これによれば、導電性を有する異物を介して、意図しない部位が電気的に接続されることが抑制される。また、センサ基板10、回路基板50、及び、支持基板60の機械的な接続強度が向上される。請求項9に記載のように、被測定導体90、及び、モールド樹脂70によって被覆されたセンサ基板10、回路基板50、支持基板60は、非磁性材料からなるスペーサ80を介して、磁気シールド部30内に固定された構成が良い。これによれば、被測定導体とセンサ基板それぞれが独立して磁気シールド部に固定された構成と比べて、被測定導体90とセンサ基板10との相対位置の変動が抑制される。これにより、相対位置の変動による電流の検出精度の低下が抑制される。請求項10に記載のように、磁電変換素子20は、形成面10aに沿う印加磁界によって抵抗値が変動する磁気抵抗効果素子20であり、複数の磁気抵抗効果素子20を有し、2つの磁気抵抗効果素子20によって、ハーフブリッジ回路が構成された構成が良い。これによれば、ハーフブリッジ回路の中点電位を測定することで、被測定電流を測定することができる。請求項11に記載のように、2つのハーフブリッジ回路によって、フルブリッジ回路が構成された構成が良い。これによれば、2つの中点電位の変化量に基づいて、被測定電流を測定することができるので、ハーフブリッジ回路と比べて、電流の検出精度が向上される。以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。図2は、空隙磁界を説明するための断面図である。図3は、磁気抵抗効果素子に印加される磁界を説明するための断面図である。図4は、外部磁界による空隙磁界を説明するための断面図である。図5は、磁気抵抗効果素子に印加される磁界を説明するための断面図である。なお、図2,4では、空隙磁界を明瞭とするために、電流センサ100を簡略化している。以下においては、後述する形成面10aに沿い、互いに直交する方向をx方向、y方向と示し、形成面10aに直交する方向をz方向と示す。図1に示すように、電流センサ100は、要部として、センサ基板10と、該センサ基板10に形成された磁気抵抗効果素子20と、センサ基板10及び被測定電流が流れる被測定導体90それぞれの周囲を囲む磁気シールド部30と、を有する。電流センサ100は、被測定電流から生じる磁界以下、被測定磁界と示すによる磁気抵抗効果素子20の抵抗値の変動に基づいて、被測定電流を測定する。本実施形態に係る電流センサ100は、上記した構成要素10~30の他に、バイアス磁石40、回路基板50、支持基板60、モールド樹脂70、及び、スペーサ80を有する。センサ基板10は、半導体基板であり、その一面10aに、磁気抵抗効果素子20が形成されている以下、一面10aを形成面10aと示す。図1に示すように、センサ基板10は、形成面10aの裏面を搭載面として支持基板60に搭載されている。センサ基板10は、ワイヤ11を介して、回路基板50と電気的に接続されており、このワイヤ11を介して、磁気抵抗効果素子20の抵抗値変動を含む電気信号が回路基板50に出力される。磁気抵抗効果素子20は、形成面10aに沿う印加磁界のみによって抵抗値が変動する性質を有する。磁気抵抗効果素子20は、図示しないが、形成面10aに沿う印加磁界に応じて磁化方向が変化する自由層と、非磁性の中間層と、磁化方向が固定されたピン層と、ピン層の磁化方向を固定する磁石層と、が順次積層されて成る。本実施形態に係る中間層は、絶縁性を有しており、磁気抵抗効果素子20は、トンネル磁気抵抗効果素子である。自由層と固定層との間に電圧が印加されると、トンネル効果によって、自由層と固定層との間の中間層に電流トンネル電流が流れる。トンネル電流の流れ易さは、自由層と固定層の磁化方向に依存しており、自由層と固定層それぞれの磁化方向が平行の場合に最も流れ易く、反平行の場合に最も流れ難い。したがって、自由層と固定層それぞれの磁化方向が平行の場合に磁気抵抗効果素子20の抵抗値が最も小さく変化し、反平行の場合に抵抗値が最も大きく変化する。本実施形態では、2つの磁気抵抗効果素子20によって、ハーフブリッジ回路が構成され、2つのハーフブリッジ回路によって、フルブリッジ回路が構成されている。ハーフブリッジ回路を構成する2つの磁気抵抗効果素子20の固定層の磁化方向が反平行となっており、2つの磁気抵抗効果素子20の抵抗値の変化は、反対方向になっている。すなわち、2つの磁気抵抗効果素子20の内の一方の抵抗値が小さくなる場合、他方の抵抗値が大きくなるようになっている。フルブリッジ回路を構成する、2つのハーフブリッジ回路の中点電位の差分が、ワイヤ11を介して回路基板50に出力される。磁気シールド部30は、透磁率の高い材料から成り、筒状を成す。内部に、電流センサ100の構成要素10,20,40~80と、被測定導体90とが配置され、内部と外部とを磁気的に遮蔽する機能を果たす。図2に実線で示すように、被測定導体90から生じた被測定磁界は、磁気シールド部30内を伝播した後、磁気シールド部30内に集磁され、磁気シールド部30内を一方向に回転する。また、図4に実線で示すように、磁気シールド部30に集磁された外部磁界は、双方向に流動する。磁気シールド部30には、磁気シールド部30内の磁気飽和を抑制するための空隙31が形成されており、磁気シールド部30内を流れる磁束は空隙31にて放出される。図2及び図4に一点鎖線で示すように、空隙31にて放出された磁束は、外部に磁界以下、空隙磁界と示すを形成する。本実施形態では、2つの空隙31が磁気シールド部30に形成されており、2つの空隙磁界が磁気抵抗効果素子20に印加される構成となっている。バイアス磁石40は、永久磁石であり、自由層にバイアス磁界を印加する機能を果たす。バイアス磁界により、自由層の磁化方向の初期値ゼロ点が定まる。バイアス磁石40は、支持基板60を介してセンサ基板10と対向している。回路基板50は、半導体基板に、磁気抵抗効果素子20の出力信号を処理する回路が形成されたものである。回路基板50は、磁気抵抗効果素子20によって構成されたフルブリッジ回路の出力信号に基づいて、被測定電流の電流値を算出する機能を果たす。回路基板50は、センサ基板10と並んで、支持基板60に搭載されている。支持基板60は、非磁性材料から成るものである。モールド樹脂70は、センサ基板10、バイアス磁石40、回路基板50、及び、支持基板60を一体的に固定するとともに、被覆保護するものである。スペーサ80は、被測定導体90、及び、モールド樹脂70によって被覆されたセンサ基板10、バイアス磁石40、回路基板50、支持基板60を磁気シールド部30内に固定するものである。モールド樹脂70及びスペーサ80は、非磁性と絶縁性とを有する材料から成る。なお、図2に示すように、被測定電流は、y方向に流れている。次に、本実施形態に係る電流センサ100の特徴点を説明する。図1及び図2に示すように、形成面10a磁気抵抗効果素子20を通る、x方向とz方向とによって規定されるx-z平面によって分断された磁気シールド部30の内壁面の成す輪郭線、及び、断面形状は、x方向に沿い、且つ形成面10aを通る基準線BL図に示す破線を介して対称な構造を成している。そして、磁気シールド部30における対称な構造を成す部位に、空隙31が形成され、z方向における、空隙31の高さ位置と、センサ基板10の高さ位置とが同一となっている。本実施形態では、空隙31の全ての高さ位置と、センサ基板10の高さ位置とが同一となっており、更に、空隙31の中心の高さ位置と、形成面10aの高さ位置とが同一となっている。また、センサ基板10は、磁気シールド部30における対称構造を成す部位の中心に位置し、2つの空隙31が、センサ基板10を介して対向配置されている。次に、本実施形態に係る電流センサ100の作用効果を説明する。上記したように、被測定磁界は、磁気シールド部30内を伝播した後、磁気シールド部30内に集磁され、磁気シールド部30内を一方向に回転する。そして、磁気シールド部30内を流れる磁束は空隙31にて放出され、外部に空隙磁界が形成される。空隙磁界は、磁気シールド部30の形状によって変化するが、本発明では、磁気シールド部30における基準線BLを介して対称な構造を成す部位に空隙31が形成されている。したがって、対称構造を成す部位によって囲まれた領域の空隙磁界は、基準線BLを介して対称となり、基準線BLでの向きが、基準線BLに直交する向きとなる。これに対して、本実施形態では、z方向における、空隙31の高さ位置と、センサ基板10の高さ位置とが同一となっている。そのため、図3及び図5に示すように、空隙磁界は、磁気抵抗効果素子20に対して垂直に印加されることとなる。上記したように、磁気抵抗効果素子20は、形成面10aに沿う印加磁界によって抵抗値が変動する性質を有する。したがって、空隙磁界に対して、磁気抵抗効果素子20の抵抗値は変動し難くなっている。以上により、空隙磁界による磁気抵抗効果素子20の抵抗値の変動が抑制されるので、電流の検出精度の低下が抑制される。z方向における、空隙の一部の高さ位置と、センサ基板の高さ位置とが同一である構成の場合、センサ基板と高さ位置が異なる空隙からも、空隙磁界が形成される。この空隙磁界における基準線BLでの向きは、基準線BLに直交する向きになるとは限らないので、磁気抵抗効果素子20に対して、形成面10aに沿う方向の空隙磁界が印加される虞がある。このような空隙磁界が印加されると、空隙磁界によって磁気抵抗効果素子20の抵抗値が変動し、電流の検出精度が低下する虞がある。これに対して、本実施形態では、z方向における、空隙31全ての高さ位置と、センサ基板10の高さ位置とが同一となっている。この場合、磁気抵抗効果素子20に対して、形成面10aに沿う方向の空隙磁界が印加されることが抑制され、電流の検出精度の低下が抑制される。図2に示すように、空隙磁界は、空隙31の中心から、外に向って同心円状、楕円状に形成される。これに対して、本実施形態では、z方向における、空隙31の中心の高さ位置と、形成面10aの高さ位置とが同一となっている。これによれば、z方向における、空隙31の中心の高さ位置と、形成面10aの高さ位置とが異なる構成と比べて、空隙磁界における基準線BLでの向きが、基準線BLに直交する向きにより近づく。これにより、磁気抵抗効果素子20に対して、形成面10aに沿う方向の空隙磁界が印加されることが抑制され、電流の検出精度の低下が抑制される。センサ基板10は、磁気シールド部30における対称構造を成す部位の中心に位置し、2つの空隙31が、センサ基板10を介して対向配置されている。上記したように、被測定磁界は、磁気シールド部30内に伝播した後、磁気シールド部30に集磁され、磁気シールド部30内を一方向に回転する。したがって、図2及び図3に示すように、センサ基板10を介して対向配置された空隙31それぞれで発生する空隙磁界の向きが反転し、磁気シールド部30の中心に位置するセンサ基板10には、反対方向であり、強度が同一の空隙磁界が印加される。この結果、センサ基板10では、空隙磁界がキャンセルされる。このように、磁気抵抗効果素子20に対して、形成面10aに沿う方向の空隙磁界が印加されることが抑制されるので、電流の検出精度の低下が抑制される。なお、図4に示すように、磁気シールド部30に集磁された外部磁界は、磁気シールド部30内の一方向だけではなく双方向に流動する。したがって、図5に示すように、センサ基板10を介して対向配置された空隙31それぞれで発生する、外部磁界に起因する空隙磁界の向きが同一と成り、磁気シールド部30の中心に位置するセンサ基板10には、同一方向であり、強度が同一の空隙磁界が印加されることとなる。しかしながら、上記したように、磁気抵抗効果素子20は、形成面10aに沿う印加磁界によって抵抗値が変動する性質を有する。したがって、外部磁界に起因する空隙磁界に対して、磁気抵抗効果素子20の抵抗値は変動し難く、磁気抵抗効果素子20の抵抗値の変動が抑制されるので、電流の検出精度の低下が抑制される。磁気シールド部30内に、回路基板50が設けられている。これによれば、磁気シールド部外に回路基板が設けられた構成と比べて、電流センサ100の体格の増大が抑制される。また、回路基板50に外部磁界が印加されることが抑制される。センサ基板10、バイアス磁石40、回路基板50、及び、支持基板60がモールド樹脂70によって一体的に固定され、被覆保護されている。これによれば、導電性を有する異物を介して、意図しない部位が電気的に接続されることが抑制される。また、センサ基板10、バイアス磁石40、回路基板50、及び、支持基板60の機械的な接続強度が向上される。被測定導体90、及び、モールド樹脂70によって被覆されたセンサ基板10、バイアス磁石40、回路基板50、支持基板60は、スペーサ80を介して、磁気シールド部30内に固定されている。これによれば、被測定導体とセンサ基板それぞれが独立して磁気シールド部に固定された構成と比べて、被測定導体90とセンサ基板10との相対位置の変動が抑制される。これにより、相対位置の変動による電流の検出精度の低下が抑制される。2つの磁気抵抗効果素子20によって、ハーフブリッジ回路が構成され、2つのハーフブリッジ回路によって、フルブリッジ回路が構成されている。そして、フルブリッジ回路を構成する、2つのハーフブリッジ回路の中点電位の差分が、回路基板50に出力される。これによれば、1つのハーフブリッジ回路の中点電位に基づいて電流を検出する構成と比べて、電流の検出精度が向上される。本実施形態では、バイアス磁石40から発せられるバイアス磁界を自由層に印加することで、自由層の磁化方向の初期値ゼロ点を定めた構成となっている。これに対して、磁気抵抗効果素子に印加される空隙磁界の印加方向を定めるために、磁気シールド部内に集磁コアを配置する構成も考えられる。しかしながら、この構成の場合、上記したバイアス磁界が集磁コア内を通ることとなるので、自由層の磁化方向のゼロ点を定めることができなくなる。したがって、本実施形態に係る電流センサ100は、磁気シールド部内に集磁コアが設けられた電流センサとは根本的な構成が異なる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。本実施形態では、形成面10a磁気抵抗効果素子20を通るx-z平面によって分断された磁気シールド部30の断面形状が、基準線BLを介して対称な構造を成している例を示した。したがって、形成面10a磁気抵抗効果素子20を通らないx-z平面によって分断された磁気シールド部30の断面形状は、基準線BLを介して対称な構造となっていなくとも良い。すなわち、磁気シールド部30の全てが、基準線BLを介して対称な構造でなくとも良い。更に言えば、形成面10a磁気抵抗効果素子20を通るx-z平面によって分断された磁気シールド部30の外壁面の輪郭線が、基準線BLを介して対称な構造でなくとも良い。これによっても、対称構造を成す部位によって囲まれた領域形成面10aを通るx-z平面によって分断された磁気シールド部30の内壁面によって囲まれた領域の空隙磁界は、基準線BLを介して対称となり、基準線BLでの向きが、基準線BLに直交する向きとなる。そのため、空隙磁界は、磁気抵抗効果素子20に対して垂直に印加される。本実施形態では、空隙31の全ての高さ位置と、センサ基板10の高さ位置とが同一となっている例を示した。しかしながら、空隙31の一部の高さ位置と、センサ基板10の高さ位置とが同一の構成を採用することもできる。本実施形態では、空隙31の中心の高さ位置と、形成面10aの高さ位置とが同一となっている例を示した。しかしながら、空隙31の中心の高さ位置と、形成面10aの高さ位置とが異なっていても良い。本実施形態では、センサ基板10は、磁気シールド部30における対称構造を成す部位の中心に位置する例を示した。しかしながら、センサ基板10は、中心に位置していなくとも良い。本実施形態では、2つの空隙31が、センサ基板10を介して対向配置された例を示した。しかしながら、2つの空隙31は、センサ基板10を介して対向配置されていなくとも良い。本実施形態では、センサ基板10に磁気抵抗効果素子20が形成された例を示した。しかしながら、センサ基板10に形成される磁電変換素子としては、上記例に限定されない。たとえば、形成面10aに沿う印加磁界のみによって電圧値が変動するホール素子を採用することもできる。本実施形態では、中間層が絶縁性を有し、磁気抵抗効果素子20はトンネル磁気抵抗効果素子である例を示した。しかしながら、中間層が導電性を有し、磁気抵抗効果素子20は巨大磁気抵抗効果素子GMRでも良い。本実施形態では、磁気抵抗効果素子20によって、フルブリッジ回路が構成された例を示した。しかしながら、磁気抵抗効果素子20によって、ハーフブリッジ回路が構成された構成を採用することもできる。本実施形態では、バイアス磁石40が永久磁石である例を示した。しかしながら、バイアス磁石40はソレノイドでも良い。本実施形態では、回路基板50とセンサ基板10とがワイヤ11を介して電気的に接続され、回路基板50とセンサ基板10と並んで、支持基板60に搭載された例を示した。しかしながら、回路基板50にセンサ基板10が積層され、電気的及び機械的に接続されたスタック構造を採用することもできる。本実施形態では、2つの空隙31が磁気シールド部30に形成された例を示した。しかしながら、1つ、若しくは、3つ以上の空隙31が磁気シールド部30に形成された構成を採用することもできる。"