"基板のレーザ熱処理のための直角に集積された切断装置であって、前記装置は、前記基板を支持する処理表面に面する取付上部と、少なくとも1つのレーザ源と、前記取付上部によって規定されるそれぞれの垂直面上の前記取付上部に取付けられた第一の切断装置及び第二の切断装置であって、前記垂直面は前記処理表面に直角である第一の切断装置及び第二の切断装置と、前記第一の切断装置を使用して前記基板を処理するように前記第一の切断装置の前記切断軸に沿って前記取付上部と前記処理面の一つを移動させるために駆動する第一のモータと、前記第二の切断装置を使用して前記基板を処理するように前記第二の切断装置の前記切断軸に沿って前記取付上部と前記処理面の一つを移動させるために駆動する第二のモータと、制御器とから構成され、前記第一及び第二の切断装置は、それぞれ、前記基板の表面上に涙状の形状を有するレーザ加熱ビームを生成するアセンブリ、前記基板の前記表面上に冷却霧を噴出するノズルであって、前記レーザ加熱ビームによって規定される切断軸に沿って位置し、前記切断軸に沿った切断方向において前記アセンブリの次に位置するノズル、前記冷却霧を真空にひく真空ピックアップであって、前記切断軸に沿って、前記切断方向において前記ノズルの次に位置する真空ピックアップ、前記切断軸に沿って前記基板表面上のレーザ加熱スポットを生成する再加熱アセンブリであって、前記切断方向において前記真空ピックアップの次に位置される前記再加熱アセンブリ、から構成され、前記制御器は、前記第一のモータが駆動している間前記第一の切断装置を制御し、前記第二のモータが駆動している間前記第二の切断装置を制御し、少なくとも一つのレーザ源を制御して前記アセンブリにレーザエネルギを供給し、前記第一の切断装置及び前記第二の切断装置のどちらかの再加熱アセンブリが制御される、ことを特徴とする基板のレーザ熱処理のための直角に集積された切断装置。前記取付上部は前記第一の切断装置の切断軸及び第二の切断装置の切断軸に沿って移動する構台に取付けられていることを特徴とする請求項1に記載の装置。請求項1又は2に記載の装置であって、前記第一の切断装置のアセンブリは、前記第一の切断装置の前記切断軸に沿って前記レーザ加熱ビームを生成する少なくとも一つの検流計及びレンズから構成され、前記レンズは前記少なくとも一つの検流計と前記処理表面の間に位置し、前記第二の切断装置のアセンブリは、前記第二の切断装置の前記切断軸に沿って前記レーザ加熱ビームを生成する少なくとも一つの検流計及びレンズから構成され、前記レンズは前記少なくとも一つの検流計と前記処理表面の間に位置し、前記請求項1又は2に記載の装置は、さらに、前記検流計を収容する検流計ブロックと、前記処理表面に面する前記検流計ブロックの表面に取付けられた前記レンズから構成されることを特徴とする請求項2に記載の装置。前記レンズは、F-θスキャンレンズであることを特徴とする請求項3に記載の装置。前記第一の切断装置の前記少なくとも一つの検流計及び前記第二の切断装置の前記少なくとも一つの検流計は、一対の検流計から構成されることを特徴とする請求項3に記載の装置。前記各アセンブリは、レーザエネルギを前記少なくとも一つのレーザ源から第二の鏡に向けるように配列された第一の鏡と、前記レーザエネルギを前記第一の鏡からレーザ焦点調整補助器に向けるように配列された前記第二の鏡と、前記第二の鏡からの前記レーザエネルギを使用して、前記基板の前記表面に前記レーザ加熱ビームを向ける前記焦点調整補助器とから構成される請求項1又は2に記載の装置。前記第一のモータが、前記少なくとも一つのレーザ源を使用して前記第一の切断装置の前記アセンブリにレーザエネルギを供給し、水供給を制御して前記第一の切断装置の前記ノズルに水を供給し、真空ポンプを制御して前記第一の切断装置の前記真空ピックアップを真空にし、かつ前記少なくとも一つのレーザ源を使用して前記第一の切断装置の前記アセンブリにレーザエネルギを供給することにより、前記第一のモータが駆動する間、前記第一の切断装置を制御するように、前記制御器が構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の装置。前記第一の切断装置の前記切断軸に沿った前記切断方向において、前記第一の切断装置の前記アセンブリの次に前記取付上部上に取付けられた第一の点検カメラと、前記第二の切断装置の前記切断軸に沿った前記切断方向において、前記第二の切断装置の前記アセンブリの次に前記取付上部上に取付けられた第二の点検カメラとをさらに有する請求項1又は2に記載の装置。前記再加熱アセンブリは、前記少なくとも一つのレーザ源からのレーザエネルギを第二の鏡に向けるように配置される第一の鏡と、前記第一の鏡からの前記レーザエネルギをレーザ焦点調整補助器に向けるように配置される前記第二の鏡と、前記第二の鏡からの前記レーザエネルギを使用して前記基板の前記表面にレーザ加熱スポットを向ける前記レーザ焦点調整補助器とから構成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の装置。基板のレーザ熱処理のための直角に集積された切断装置であって、前記切断装置は、前記基板を支持する処理表面に面する取付上部、少なくとも1つのレーザ源、前記取付上部によって規定される第一面であって前記処理面に垂直な第一面上の取付上部に取り付けられた第一の切断装置、前記取付上部によって規定される第二面であって前記第一面及び前記処理面に垂直な第二面上の取付上部に取り付けられた第二の切断装置、前記第一の切断装置を使用して前記第一の切断装置の切断方向に前記基板を処理するために前記第一の切断装置の切断軸に沿って前記取付上部の及び前記処理表面の一つを動かすために駆動する第一のモータ、前記第二の切断装置を使用して前記第二切断装置の切断方向に前記基板を処理するために前記第二の切断装置の切断軸に沿って前記取付上部及び前記処理表面の一つを動かすために駆動する第二のモータ、及び制御器、から構成され、前記第一の切断装置は、前記少なくとも一つのレーザ源を使用して前記基板の表面上の涙状の形状を有するレーザ加熱ビームを生成する少なくとも一つの検流計であって、前記レーザビームは前記第一の切断軸を規定する少なくとも一つの検流計、前記少なくとも一つの検流計と前記処理表面の間に位置するF-θレンズ、前記切断軸に沿って前記基板の前記表面上に冷却霧を噴出する第一のノズルであって、前記第一の切断装置の切断方向において前記少なくとも一つの検流計の次に位置する前記第一のノズル、前記冷却霧を真空引きする第一の真空ピックアップであって、前記第一の切断装置の前記切断方向において前記第一のノズルに隣接して位置される第一の真空ピックアップ、前記切断軸に沿った前記基板表面上のレーザ加熱スポットを生成する第一の再加熱アセンブリであって、前記第一の切断装置の前記切断方向に沿って前記第一の真空ピックアップの次に位置される前記再加熱アセンブリ、から構成され、前記第二の切断装置は、前記少なくとも一つのレーザ源を使用して前記基板の表面上の涙状の形状を有するレーザ加熱ビームを生成する少なくとも一つの検流計であって、前記レーザビームは前記第二の切断軸を規定する少なくとも一つの検流計、前記少なくとも一つの検流計と前記処理表面の間に位置する前記F-θレンズ、前記切断軸に沿って前記基板の前記表面上に冷却霧を噴出する第二のノズルであって、前記第二の切断装置の切断方向において前記少なくとも一つの検流計の次に位置する前記第二のノズル、前記冷却霧を真空引きする第二の真空ピックアップであって、前記第二の切断装置の前記切断方向において前記第二のノズルに隣接して位置される第二の真空ピックアップ、前記切断軸に沿った前記基板表面上にレーザ加熱スポットを生成する第二の再加熱アセンブリであって、前記第二の切断装置の前記切断方向に沿って前記第二の真空ピックアップの次に位置される前記再加熱アセンブリ、から構成され、前記制御器は、前記第一のモータが駆動している間前記第一の切断装置を制御し、前記第二のモータが駆動している間前記第二の切断装置を制御し、前記制御器が前記第一の切断装置を制御している間、前記少なくとも一つのレーザ源を制御して、前記第一の切断装置の前記少なくとも一つの検流計及び前記第一の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給し、かつ前記制御器が前記第二の切断装置を制御している間、前記少なくとも一つのレーザ源を制御して、前記第二の切断装置の前記少なくとも一つの検流計及び前記第二の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給することを特徴とする基板のレーザ熱処理のための直角に集積された切断装置。前記少なくとも一つのレーザ源は第一のレーザ源及び第二のレーザ源から構成され、前記制御器が前記第一のレーザ源を制御して前記第一の切断装置の少なくとも一つの検流計及び前記第一の再加熱アセンブリに前記レーザエネルギを供給することによって前記第一の切断装置を制御する間、前記制御器は前記少なくとも一つのレーザ源を制御して前記第一の切断装置の少なくとも一つの検流計及び前記第一の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給するように構成され、前記制御器が前記第二のレーザ源を制御して前記第二の切断装置の少なくとも一つの検流計及び前記第二の再加熱アセンブリに前記レーザエネルギを供給することによって前記第二の切断装置を制御する間、前記制御器は前記少なくとも一つのレーザ源を制御して前記第二の切断装置の少なくとも一つの検流計及び前記第二の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給するように構成されることを特徴とする請求項10に記載の装置。前記少なくとも一つのレーザ源は少なくとも第一のレーザ源及び第二のレーザ源から構成され、前記制御器が前記第一のレーザ源を制御して前記第一の切断装置の少なくとも一つの検流計に前記レーザエネルギを供給すること、及び前記第二のレーザ源を制御して前記第一の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給することによって前記第一の切断装置を制御する間、前記制御器は前記少なくとも一つのレーザ源を制御して前記第一の切断装置の少なくとも一つの検流計及び前記第一の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給するように構成され、前記制御器が前記第一のレーザ源を制御して前記第二の切断装置の少なくとも一つの検流計に前記レーザエネルギを供給すること、及び前記第二のレーザ源を制御して前記第二の再加熱アセンブリに前記レーザエネルギを供給することによって前記第二の切断装置を制御する間、前記制御器は前記少なくとも一つのレーザ源を制御して前記第二の切断装置の少なくとも一つの検流計及び前記第二の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給するように構成されることを特徴とする請求項10に記載の装置。前記第一の切断装置の前記少なくとも一つの検流計及び前記第二の切断装置の前記少なくとも一つの検流計は一対の検流計から構成されることを特徴とする請求項10に記載の装置。本発明は、ガラスを他のシステムに再適合するかまたは輸送することなく2つの軸に沿って切断することを可能にすることによって、処理量を改善することを目的とする。これによって、特定のケースにおいて、床面積およびコストを節約するために、第二のシステムの省略を可能にする。本願明細書において記載される基板のレーザ熱処理のための直角に集積された切断装置の一実施例は、基板を支持する処理表面に面する取付上部、少なくとも1つのレーザ源、取付上部によって規定されるそれぞれの垂直面上の取付上部上の第一の切断装置と第二の切断装置を有し、垂直面は処理表面に垂直である。各切断装置は、基板の表面上に涙状の形状を有するレーザ加熱ビームを生成するためのアセンブリ、基板の表面上に冷却霧を放出するノズル、レーザ加熱ビームによって規定される切断軸に沿って位置されるノズル、切断軸に沿った切断方向において生成手段の次に位置されるノズル、冷却霧を真空引きする真空ピックアップであって、切断軸に沿って位置され切断方向においてノズルの次に位置される真空ピックアップ、切断軸に沿った基板表面上のレーザ加熱スポットを生成する再加熱アセンブリであって、切断方向に沿って真空ピックアップの次に位置される再加熱アセンブリから構成される。切断装置は、また、第一の切断装置を使用して基板を処理するために第一の切断装置の切断軸にそって取付上部及び処理表面の一つを動かすための第一のモータ、及び第二の切断装置を使用して基板を処理するために第二の切断装置の切断軸に沿って取付上部及び処理表面の一つを動かすための第二のモータを有する。本装置の制御器は、第一のモータが駆動している間第一の切断装置を制御し、第二のモータが駆動している間第二の切断装置を制御し、アセンブリにレーザエネルギを供給するための少なくとも1つのレーザ源を制御し、第一の切断装置及び第二の切断装置のどちらかの再加熱アセンブリが制御されるように構成されている。本明細書に開示される基板のレーザ熱処理のための他の垂直に集積された切断装置は、基板を支持する処理表面に面する取付上部、少なくとも1つのレーザ源、取付上部によって規定される第一の平面上の取付上部に取り付けられた第一の切断装置、処理表面に垂直な第一の面、取付上部によって規定される第二の平面上の取付上部に取り付けられた第二の切断装置を有し、第二の平面は第一の平面及び処理表面に垂直である。第一の切断装置は、少なくとも一つのレーザ源を使用して基板表面上に涙状の形状レーザ加熱ビームを生成する少なくとも一つの検流計、第一の切断装置の切断軸を規定するレーザ加熱ビーム、少なくとも一つの検流計と処理表面の間に位置するF-θレンズ、切断軸に沿って基板表面上に冷却霧を放射する第一のノズルであって第一の切断装置の切断方向において少なくとも一つの検流計の次に位置する第一のノズル、第一の切断装置の切断方向において第一のノズルに隣接して位置し冷却露を真空引きする第一の真空ピックアップ及び切断軸に沿って基板上にレーザ加熱スポットを生成する第一の再加熱アセンブリを有し、第一の再加熱アセンブリは第一の切断装置の切断方向において第一の真空ピックアップの次に位置する。第二の切断装置は、同様に、少なくとも一つのレーザ源を使用して基板表面上に涙状の形状レーザ加熱ビームを生成する少なくとも一つの検流計、第二の切断装置の切断軸を規定するレーザ加熱ビーム、少なくとも一つの検流計と処理表面の間に位置するF-θレンズ、切断軸に沿って基板表面上に冷却霧を放射する第二のノズルであって第二の切断装置の切断方向において少なくとも一つの検流計の次に位置する第二のノズル、第二の切断装置の切断方向において第二のノズルに隣接して位置する第二の真空ピックアップ及び切断軸に沿って基板上にレーザ加熱スポットを生成する第二の再加熱アセンブリを有し、第二の再加熱アセンブリは第二の切断装置の切断方向において第二の真空ピックアップの次に位置する。例示の装置は、第一の切断装置を使用して第一の切断装置の切断方向に基板を処理するために取付上部及び処理表面の一つを第一の切断装置の切断軸に沿って動かす第一のモータ、第二の切断装置を使用して第二の切断装置の切断方向に基板を処理するために取付上部及び処理表面の一つを第二の切断装置の切断軸に沿って動かす第二のモータ、及び第一のモータが駆動する間第一の切断装置を制御するように構成された制御器を有し、制御器は第二の切断装置を制御する間、制御器が第一の切断装置を制御している間少なくとも一つのレーザ源を制御して少なくとも一つの検流計及び第一の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給し、制御器が第二の切断装置を制御している間少なくとも一つのレーザ源を制御して少なくとも一つの検流計及び第二の再加熱アセンブリにレーザエネルギを供給する。これらの実施形態及び他の実施形態に関する詳細及び変形について以下に説明する。本発明の一つの実施態様は、最初に図1及び図2を引用して説明する。直角に集積された切断装置10は従来の技術を用いることにより2本の軸に沿って装置10の上面14の動きのための構台12に載置される。上面14がアーム12aリニアモータにより上面14を構台12のアーム12aに結合して、腕12aおよび上面14がレール12bを移動させるように上面14が一つ以上のリニアモータ図7を参照を有する構台12のレール12bに腕12aおよび結合腕12aに沿って移動するように、例えば上面14をリニアモータ図7を参照を有する構台12の腕12aに連結する。この場合、x軸は、処理表面16の平面に沿って、第一の方向に伸び、y軸は、上下方向に処理表面16に垂直に延び、z軸は、x軸及びy軸それぞれに直交する。直角に集積された切断装置10は、上面14上で互いに対して直角で配置される2台の切断装置18、20で形成される。本実施例において、装置18、20は、それぞれx軸及びz軸に沿った切断方向に同じ配置を有する同じ部品を有する。x軸に沿った切断方向は矢Aによって示され、切断方向Aへの移動は構台12の腕12aに沿って上面14を移動することによって成し遂げられる。z軸に沿った切断方向は矢印Bによって示され、切断方向Bは移動アーム12a、構台12のレール12bに沿った上面14によって達成される。なお、支持部図示しないを上記と類似のレール及びリニアモータの基礎として、処理表面16は2軸に沿った移動のために取り付けられ、上面は処理表面16の上に固定して取り付けられる。更に、上面14はx軸及びz軸のうちの1本に沿った移動のために取り付けられ、一方で、処理表面は他の軸に沿った移動のため取り付けられる。上面14はy軸に沿ってそれらを移動する装置18、20のための取付面を有することができるが、これは必要ではない。切断装置18、20は、亀裂開始機22、レーザ加熱アセンブリ24、霧および真空アセンブリ26、切断方向A又はBに沿って配置されたレーザ再加熱アセンブリ28及び点検カメラ30を有している。亀裂開始機22は、ガラス基板に亀裂を開始させるためにガラス基板に向けて下方に押される小さな炭化物ディスクを有する。一つの例示の亀裂開始機22は、パートNo.01500―200―006MとしてPortkand,ORのElectroScientificIndustries社ESIから入手可能である。本明細書において、基板はガラスとして記載されるが、本発明は、他の非金属及び/又はもろい材料から構成される基板に使用される。このような用途において、亀裂開始機22は省略することができる。レーザ加熱アセンブリ24は、涙形状の最初の加熱光線を形成する。具体的には、レーザ加熱組立て24は、第2の鏡34にレーザビームを導いている第1の鏡32を有する。第2の鏡34は、基板38上へレーザ焦点調節補助器36による反射レーザビームに単一化されるか、切られるか、切断されるかまたは、さもなければ切り離されるように指示する。レーザ焦点調節補助器36は、レンズ素子を支持していて、固定して上面14に取り付けられるベース36bの中でレーザビームの経路の方向に沿って調節可能なレンズマウント36aを有する。例を挙げると、ESIからのパートNo.01500―202―000―3を有するレーザ焦束スクライブレンズ装置が、レンズを支持するレーザ加熱アセンブリ24として用いられることができる。1つの可能なレンズ素子はESIから入手可能なパートNo.250381であり、これは丸い光線を受信して細長い涙形状に成形するように設計されている。レーザビームは、一つ以上のレーザ源40図7に示されるによって供給される。レーザ源40は、上面14に典型的に載置されるかまたは遠隔で上面14からも間隔を置いて配置されて、第1の鏡32に対する追加鏡によって、以下に述べられるレーザを再加熱しているアセンブリ28の第1の鏡48に向けられる。望ましくは、1つのレーザ源40はエネルギーを各切断装置18、20の第1の鏡32へ供給する。その一方で、第2のレーザ源40はエネルギーを各切断装置18、20の第1の鏡48へ供給する。レーザ源40は、基板38の材料に基づいて選択される。材料がガラスであるときは、例えば、レーザ源40は持続波CWモードで使用するC02レーザ源またはYAGレーザ源であり得、レーザ源40のデューティサイクルを変えることによって制御される。霧および真空アセンブリ26は、冷却霧ノズル42および半円形の真空ノズル44を有する。真空ノズル44は、切断方向A又はBを部分的に囲み、冷却霧ノズル42の後方に配置される。全てのコネクタ88、90を収容するハウジング46の末端に取り付けられる冷却霧ノズル42及び真空ノズルは、冷却露ノズル22に水及び/又は空気を供給し、真空ノズル44に真空を供給する必要がある。一般的に、水/空気82、84の供給、真空を供給する真空ポンプ86は上面14の内側に取り付けられる図7参照。市販されており、この組合せにおいて使用される一つのアセンブリは、ESIからのパートNo.01500―203―000である。アセンブリ28を再加熱しているレーザは、一般的に切断方向A又はBに垂直に延びている細長い長さを有する卵型形状を有するがレーザスポットを形成する。具体的には、レーザ再加熱アセンブリ28は、第2の鏡50にレーザビームを導いている第1の鏡48を有する。レーザ加熱アセンブリ24のレーザおよび霧および真空アセンブリ26の水によってつくられるスクライブ線に沿って基板38を手で破壊する必要がないように、第2の鏡50はガラス基板38上へレーザ焦点調節補助器52による反射レーザビームを導き、基板38の切断を完了する。レーザ焦点調節補助器52は、上面14に固定して取り付けられるベース52b内のレーザビームの経路の方向に沿って調節可能なレンズマウント52aを有する。レンズマウント52aはレンズ52cを支持し、好ましくはドーナツ型であって、実施例のESIパートNo.250746でもよい。上記したように、レーザビームは、レーザ源40によって供給される。点検カメラ30は、分離の領域の方向を目指して、その画像を捕えるために用いることができる。点検カメラ30用の特定のマウントは、必要とされない。更に、それが詳細の所望のレベルを提供する能力を有する限り、点検カメラ30はいかなる従来のイメージングカメラでもあり得る。図3~5は、図1および2について述べたように構台12に載置することができる直角に集積された切断装置10の他の実施例を例示する。それがx軸に沿って作動するので、図4の装置18はx軸切断装置18と呼ばれる。他方、それがz軸に沿って作動するので、図5の装置20はz軸切断装置20と呼ばれている。見られるように、ガラス基板38の最初の加熱は比較的大きなF―θ走査レンズ56を支持している検流計ブロック54により実行されることを除いては、この実施例は図1および2のそれと類似している。それが形成する図6を参照走査フィールド58が2つの霧および真空アセンブリ26との間に最大の領域を含むように、F―θ走査レンズ56は大きさを設定される。テレセントリック光学系レンズがF―θ走査レンズ56の代わりに用いられることができる、しかし、この種のレンズはシステムのコストを上げる。本実施例において、各軸のための亀裂開始機22は、それぞれの点検カメラ30を有して取り付けられる。この様な亀裂開始機22を必要としているガラスまたは他の基板を有する装置を作動するために、切断装置18、20は、その亀裂開始機を基板38に適用し、次いで再配置されることができ、残りの要素を使用してレーザシンギュレーションを実行する。検流計ブロック54は、共通して検流計と呼ばれる2台の検流計ベースのスキャナ78、80を収容する。各検流計は、システムを制御する、3つの主要部品、検流計、鏡及びサーボドライバボードを有する。基本的に、一方向へ連続的に回転する代わりに、検流計78、80は、それぞれの軸に沿って配置されて、左右に高速でそれぞれの鏡を回転させる。検流計ブロック54は、レーザ源40からのレーザビームが追加した鏡、例えば鏡61によってそれぞれの検流計の方向に向くレーザビーム開口60を有する。また、複数のレーザ源40が、図1について述べたように用いることができる。図6に示すように、検流計78、80と共に使われるときに、F―θ走査レンズ56は走査フィールド58を形成する。F―θ走査レンズ56の概略が図6に含まれる。各検流計78、80は、第1の加熱光線62を形成するためにレーザビーム開口60にレーザ源40から出力されるレーザビームに向かせる。加熱光線62は、用途に応じた高周波により検流計78及び/又は80をディザ処理することによって、裂け目形状に形成される。考慮される変数は、速度、ガラス/基板合成および厚みおよびレーザ力を横断している。霧および真空アセンブリ26は、比較的集中領域の水霧スプレー64を形成して、冷却した後に水霧を取り除くための真空ピックアップ域66を形成する。レーザ再加熱アセンブリ28は、前述したように卵型の再加熱ビーム68を形成する。図6において、加熱光線62、水霧スプレー64、真空ピックアップ領域66および再加熱ビーム68によって規定される処理用経路は、x軸及びz軸の両者上に示される。しかしながら、作動中に、基板38は、一度に1本の軸だけ上の処理を受ける。前述したように、鏡を方向転換することにより結果として生じるレーザビームが1本の軸からもう一方まで切替えられるように、レーザ源40は2台の装置18、20で分配されることができる。方向転換鏡は自動制御のためのモータに連結することができるが、単に追加鏡を提供するだけであるか又は方向を切る際の変更に応じて光線を再転換するために必要に応じて手動で鏡を再転換するだけにすると通常コストがかからない。この実施例が涙状の形状のそれぞれの加熱光線62を形成するために2台の検流計を組み込んでいる検流計ブロック54を使用するが、他の実施例も可能である。例えば、単一鏡は、2008年4月24日公開で本発明の所有者に譲渡された米国特許公開2008/0093349Al号公報に記載されるように、音声コイルアクチュエータ又は圧電性アクチュエータによって2本の軸のまわりに傾けることができる。加熱光線62を形成するためにディザリングを使用する代わりに、レーザ焦点調節補助器36に取り付けられるそれらと類似のレンズを組み込むことによって加熱光線62を形成することである。図3―5の直角に集積された切断装置10の構成要素間の制御リンクは、図7に示される。制御器70は、以下に記載するように、例えば、中央演算処理装置CPU、ランダムアクセスメモリRAM、読出し専用メモリROM及びランダム入力信号を受信し構成要素に指令信号を送るおよび入出力ポーを含むマイクロコントローなのどのいかなる制御器でもあり得る。指令信号は通常、メモリに保存されるプログラミング命令に基づく出力であり、プログラミング命令の各々の機能はCPUの論理によって実行される。各種要素は、通信経路に沿った主制御器としてデータを制御器70に発信する自分自身の制御器を含むことができる。さらに、制御器70は、コンピュータ、例えばパーソナルコンピュータに組み込まれることができる。制御器70は、外部メモリを使用して一つ以上マイクロプロセッサによって行うことができる。制御器70は、入力装置72と連絡する。この例における入力装置72はタッチスクリーンコンピュータであるが、入力装置72はキーボード、その他であり得、別々のモニタは制御器70と連絡する。制御器70は、いつレーザ40をつけるべきで、遮るべきかについて指示を提供して、どんな制御パラメータが使われなければならないかについて指示を提供することもできる。上記したように、x軸およびz軸に対する上面14の動きは2台以上のリニアモータ、ここでは、x軸リニアモータ74およびz軸リニアモータ76を制御することによって本実施例が達成される。リニアモータ74、76のための制御コマンドは、制御器70によって供給される。検流計ブロック52に対する内臓はx軸検流計78およびz軸検流計80である、そして、これらの検流計もいつ作動するべきかについて制御器70から命令を受け取る。霧および真空アセンブリ26は、給水82および空気供給源84からコネクタまたは供給ライン88による水および任意に空気を受け取る。具体的には、空気および水は、供給ライン88によって冷却霧ノズル42に提供される。上記したように、これらの供給口82、84は通常、上面14に取り付けられる、そして、それらは制御器70からオン/オフ動作の命令を受け取る。通常、上面14によって収納される真空ポンプ86は、コネクタまたは供給線90により真空を霧および空気供給源84の真空ノズル44に提供する。真空ポンプ86は、制御器70から命令によって制御される。上記の実施例は、本発明の簡単な理解を許容するために記載されていて、本発明を制限しない。これに反して、本発明は添付の請求項の範囲内で、含まれるさまざまな変更態様および等価な準備をカバーすることを目的とする。そして、それは、範囲は法律によってできるようにされているように、すべてのこの種の変更態様および等価な構造を含むために最も幅広い解釈を与えられることである。"