第1支持基板の上面に圧電基板を接合する工程と、前記圧電基板を接合する工程の後に前記圧電基板を薄層化させて圧電層を形成する工程と、前記圧電層の上面に第1電極を形成する工程と、前記第1支持基板に前記第1電極の下方に位置する孔部を形成する工程と、前記孔部を形成する工程の後に前記第1支持基板の下面に第2支持基板を接合する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。前記第1電極を形成する工程の後に前記第1支持基板を薄層化する工程を有し、前記孔部を形成する工程は、薄層化した前記第1支持基板を下面から除去して前記孔部を形成する工程であることを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイスの製造方法。前記圧電基板を接合する工程の前に前記第1支持基板の上面に凹部を形成する工程と、前記凹部に犠牲層を埋め込む工程と、を有し、前記圧電基板を接合する工程は、前記第1支持基板の前記犠牲層が形成された上面に前記圧電基板を接合する工程であり、前記第1電極を形成する工程は、前記犠牲層の上方に位置する前記第1電極を形成する工程であり、前記第1電極を形成する工程の後に前記犠牲層が露出するまで前記第1支持基板を薄層化する工程を有し、前記孔部を形成する工程は、露出された前記犠牲層を除去して前記孔部を形成する工程であることを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイスの製造方法。前記圧電基板を接合する工程の前に前記圧電基板の下面に絶縁膜を形成する工程を有し、前記圧電基板を接合する工程は、前記第1支持基板の上面に前記圧電基板の前記絶縁膜が形成された下面を接合する工程であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。前記圧電基板を接合する工程の前に前記圧電基板の下面に第2電極を形成する工程を有し、前記圧電基板を接合する工程は、前記第1支持基板の上面に前記圧電基板の前記第2電極が形成された下面を接合する工程であり、前記第1電極を形成する工程は、前記第2電極の上方に位置する前記第1電極を形成する工程であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。前記圧電基板を接合する工程は、前記第1支持基板の上面に第1圧電基板を接合する工程と、前記第1圧電基板を接合した後に前記第1圧電基板を薄層化させて形成した第1圧電層の上面に、前記第1圧電基板と同じ材料で且つ分極方向が逆方向の第2圧電基板を接合する工程と、を有し、前記圧電層を形成する工程は、前記第2圧電基板を薄層化させて第2圧電層とすることで、前記第1圧電層と前記第2圧電層とからなる前記圧電層を形成する工程であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。前記圧電基板を接合する工程は、前記第1支持基板の上面に前記第1圧電基板を接合する工程であり、前記圧電層を形成する工程は、前記第1圧電基板を接合した後に前記第1圧電基板を薄層化させて第1圧電層を形成し、前記第1圧電層の上面に、前記第1圧電層と同じ材料で且つ分極方向が逆方向の第2圧電層を成膜することで、前記第1圧電層と前記第2圧電層とからなる前記圧電層を形成する工程であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。前記第1電極は、櫛歯電極を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。前記弾性波デバイスは、前記第1電極と前記第2電極との間に前記圧電層が設けられた圧電薄膜共振子であることを特徴とする請求項5記載の弾性波デバイスの製造方法。前記圧電層は、LiTaO3又はLiNbO3からなることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。前記第1支持基板及び前記第2支持基板は、Si基板又はSiを主成分とする基板からなることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。薄い圧電層を利用した弾性波デバイスの製造方法として様々な方法が提案されている。例えば、特許文献1では、支持基板に予め中空部となるべき領域に凹部を形成して、凹部を犠牲層で埋め込んでおく。そして、その支持基板に圧電基板を接合させた後、圧電基板を薄層化させて圧電層を形成し、圧電層の上面に電極を形成する。最後に、予め設けておいたバイアホールから犠牲層を除去して中空部を形成する製造方法が開示されている。このように、凹部内を犠牲層で埋め込んだ支持基板に圧電基板を接合させて圧電基板を薄層化することで、凹部内を犠牲層で埋め込まなかった支持基板に圧電基板を接合させて圧電基板を薄層化する場合に比べて、圧電層の膜厚が不均一になることを抑制できる特許文献1の0142段落及び図36。しかしながら、生産性、製造容易性の点を考慮すると、製造方法に未だ改善の余地が残されている。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、優れたデバイス特性を有する弾性波デバイスを、優れた生産性で容易に製造することが可能な弾性波デバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明は、第1支持基板の上面に圧電基板を接合する工程と、前記圧電基板を接合する工程の後に前記圧電基板を薄層化させて圧電層を形成する工程と、前記圧電層の上面に第1電極を形成する工程と、前記第1支持基板に前記第1電極の下方に位置する孔部を形成する工程と、前記孔部を形成する工程の後に前記第1支持基板の下面に第2支持基板を接合する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、圧電層の膜厚が均一で、圧電層の励振部が第1支持基板から離隔した、優れたデバイス特性を有する弾性波デバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。上記構成において、前記第1電極を形成する工程の後に前記第1支持基板を薄層化する工程を有し、前記孔部を形成する工程は、薄層化した前記第1支持基板を下面から除去して前記孔部を形成する工程である構成とすることができる。この構成によれば、孔部を形成する際の第1支持基板を除去する量が少なくて済むため、孔部の形成を容易に行うことができる。上記構成において、前記圧電基板を接合する工程の前に前記第1支持基板の上面に凹部を形成する工程と、前記凹部に犠牲層を埋め込む工程と、を有し、前記圧電基板を接合する工程は、前記第1支持基板の前記犠牲層が形成された上面に前記圧電基板を接合する工程であり、前記第1電極を形成する工程は、前記犠牲層の上方に位置する前記第1電極を形成する工程であり、前記第1電極を形成する工程の後に前記犠牲層が露出するまで前記第1支持基板を薄層化する工程を有し、前記孔部を形成する工程は、露出された前記犠牲層を除去して前記孔部を形成する工程である構成とすることができる。上記構成において、前記圧電基板を接合する工程の前に前記圧電基板の下面に絶縁膜を形成する工程を有し、前記圧電基板を接合する工程は、前記第1支持基板に前記圧電基板の前記絶縁膜が形成された下面を接合する工程である構成とすることができる。この構成によれば、膜厚が均一な圧電層を有し、圧電層の励振部が第1支持基板から離隔し、圧電層の下面に温度補償層として機能する絶縁膜を有するSAWデバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。上記構成において、前記圧電基板を接合する工程の前に前記圧電基板の下面に第2電極を形成する工程を有し、前記圧電基板を接合する工程は、前記第1支持基板に前記圧電基板の前記第2電極が形成された下面を接合する工程であり、前記第1電極を形成する工程は、前記第2電極の上方に位置する前記第1電極を形成する工程である構成とすることができる。この構成によれば、膜厚が均一な圧電層を有し、圧電層の励振部が第1支持基板から離隔した圧電薄膜共振子を、優れた生産性で容易に製造することができる。上記構成において、前記圧電基板を接合する工程は、前記第1支持基板の上面に第1圧電基板を接合する工程と、前記第1圧電基板を接合した後に前記第1圧電基板を薄層化させて形成した第1圧電層の上面に、前記第1圧電基板と同じ材料で且つ分極方向が逆方向の第2圧電基板を接合する工程と、を有し、前記圧電層を形成する工程は、前記第2圧電基板を薄層化させて第2圧電層とすることで、前記第1圧電層と前記第2圧電層とからなる前記圧電層を形成する工程である構成とすることができる。この構成によれば、分極方向が逆方向の第1圧電層と第2圧電層とからなる圧電層の膜厚が均一で、圧電層の励振部が第1支持基板から離隔した、優れたデバイス特性を有する弾性波デバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。上記構成において、前記圧電基板を接合する工程は、前記第1支持基板の上面に前記第1圧電基板を接合する工程であり、前記圧電層を形成する工程は、前記第1圧電基板を接合した後に前記第1圧電基板を薄層化させて第1圧電層を形成し、前記第1圧電層の上面に、前記第1圧電層と同じ材料で且つ分極方向が逆方向の第2圧電層を成膜することで、前記第1圧電層と前記第2圧電層とからなる前記圧電層を形成する工程である構成とすることができる。この構成によれば、分極方向が逆方向の第1圧電層と第2圧電層とからなる圧電層の膜厚が均一で、圧電層の励振部が第1支持基板から離隔した、優れたデバイス特性を有する弾性波デバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。上記構成において、前記第1電極は、櫛歯電極を含む構成とすることができる。上記構成において、前記弾性波デバイスは、前記第1電極と前記第2電極との間に前記圧電層が設けられた圧電薄膜共振子である構成とすることができる。上記構成において、前記圧電層は、LiTaO3又はLiNbO3からなる構成とすることができる。上記構成において、前記第1支持基板及び前記第2支持基板は、Si基板又はSiを主成分とする基板からなる構成とすることができる。本発明によれば、圧電層の膜厚が均一で、圧電層の励振部が第1支持基板から離隔した、優れたデバイス特性を有する弾性波デバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。実施例1に係る弾性波デバイスは、SAWデバイスの場合の例である。まず、図1aから図1fを用いて、実施例1に係る弾性波デバイスの第1の製造方法について説明する。図1aのように、第1支持基板12の上面に圧電基板10の下面を接合する。圧電基板10は、例えばLiTaO3LT基板やLiNbO3LN基板を用いることができる。第1支持基板12は、例えばSi基板を用いることができる。圧電基板10と第1支持基板12との接合方法は、例えば表面活性化接合、樹脂接合等を用いることができる。図1bのように、第1支持基板12に圧電基板10を接合させた状態で圧電基板10を薄層化させて、例えば厚さ5μmの圧電層14とする。圧電基板10を薄層化させる方法は、研削、研磨等の機械加工を用いることができる。図1cのように、圧電層14の上面に第1電極16を形成する。第1電極16の形成は、圧電層14の上面全面に、例えば厚さ0.1μm~0.5μmのAlアルミニウム又はCu銅等の金属膜を、例えばスパッタ法や蒸着法を用いて形成した後、エッチング等により不要部分を除去することで行う。図2a及び図2bに、第1電極16の例を示す。第1電極16は、図2aのように、櫛歯電極18である場合でもよいし、図2bのように、櫛歯電極18の弾性波伝搬方向における両側に反射器20が設けられている場合でもよい。図1dのように、第1支持基板12を薄層化させて、例えば厚さ50μmとする。第1支持基板12を薄層化させる方法は、図1bの圧電基板10を薄層化させる方法と同様に、研削、研磨等の機械加工を用いることができる。図1eのように、第1電極16の下方に位置する領域の第1支持基板12を除去して孔部22を形成する。孔部22が形成される領域は、第1電極16が形成された領域より大きくする。即ち、第1電極16が形成された領域において、圧電層14の下方に孔部22が形成される。孔部22の形成方法は、ドライエッチングやウエットエッチングを用いることができる。図1fのように、第1支持基板12の下面に第2支持基板24を接合する。これにより、孔部22は中空部26となり、中空部26の上方にあたる部分の圧電層14の上面に第1電極16が設けられた構成となる。圧電層14の第1電極16が設けられた領域は励振部となることから、圧電層14の励振部が第1支持基板12から離された構成となる。第2支持基板24は、例えばSi基板を用いることができ、第1支持基板12と第2支持基板24との接合方法は、図1aの圧電基板10と第1支持基板12との接合方法と同様に、表面活性化接合、樹脂接合等を用いることができる。図3aから図3dは、実施例1に係る弾性波デバイスをフィルタとして用いた場合の例を示す模式図である。図2a及び図2bに示した櫛歯電極18は共振器としての役割を果たすため、これらを組み合わせることでフィルタとして動作させることができる。図3a及び図3bは、ラダー型フィルタの例であり、図3aはシングルエンド型のラダー型フィルタの例であり、図3bはバランス型のラダー型フィルタの例である。図3cは、バランス型のラティス型フィルタの例である。図3dは、ダブルモード型SAWフィルタの例である。図3aのように、シングルエンド型のラダー型フィルタは、1つの不平衡入力端子28と1つの不平衡出力端子30との間に直列に接続された直列共振器S1からS3と、直列共振器に対して並列に接続された並列共振器P1、P2と、で構成される。図3bのように、バランス型のラダー型フィルタは、2つの平衡入力端子32と2つの平衡出力端子34とのそれぞれの間に直列に接続された直列共振器S1からS6と、直列共振器に対して並列に接続された並列共振器P1、P2と、で構成される。図3cのように、バランス型のラティス型フィルタは、2つの平衡入力端子32と2つの平衡出力端子34とのそれぞれの間に直列に直列共振器S1、S2が接続されている。直列共振器S1が接続する平衡入力端子32と直列共振器S2が接続する平衡出力端子34との間に並列共振器P1が接続されている。直列共振器S1が接続する平衡出力端子34と直列共振器S2が接続する平衡入力端子32との間に並列共振器P2が接続されている。図3dのように、ダブルモード型SAWフィルタは、弾性波伝搬方向に櫛歯電極18が3つ並んで配置され、その両側には反射器20が設けられている。1つの不平衡入力端子28が、3つの櫛歯電極18のうちの両側に位置する櫛歯電極18に接続している。2つの平衡出力端子34が、中央に位置する櫛歯電極18に接続している。次に、圧電基板10を薄層化させて圧電層14としたことが、インピーダンス特性にどのような効果を及ぼすかシミュレーションを行った。図4a及び図4bに、シミュレーションを行った構造の断面模式図を示す。図4aは、通常の厚い圧電基板10を用いた場合のシミュレーション構造の断面模式図であり、図4bは、圧電基板10を薄層化させた圧電層14を用いた場合のシミュレーション構造の断面模式図である。図4aのように、圧電基板10を用いた場合では、圧電基板10に42度回転Y板のLTを用い、その厚さを100λλは伝搬する弾性波の波長とし、圧電基板10の上面にAlからなる無限周期の櫛歯電極18を設けた構造でシミュレーションを行った。図4bのように、圧電層14を用いた場合では、圧電層14に42度回転Y板のLTを用い、その厚さを0.2λとし、圧電層14の上面にAlからなる無限周期の櫛歯電極18を設けた構造でシミュレーションを行った。図5にシミュレーション結果を示す。図5の横軸はf×p/Vbで規格化した規格化周波数でありfは周波数、pは電極ピッチ、Vbはバルク波の音速例えば42度回転Y板のLTで4226m/s、縦軸はインピーダンスである。図5中の実線は室温25°Cでのインピーダンス特性を、破線は高温125°Cでのインピーダンス特性を示している。図5のように、圧電基板10を用いた場合では図5中の細線、電気機械結合係数K2は10であり、共振周波数での速度温度係数TCV:TemperatureCoefficientofVelocityは-18.4ppm/°C、反共振周波数での速度温度係数TCVは-29.6ppm/°Cであった。一方、圧電層14を用いた場合では図5中の太線、電気機械結合係数K2は16.6であり、共振周波数での速度温度係数TCVは6.1ppm/°C、反共振周波数での速度温度係数TCVは-14.5ppm/°Cであった。このように、圧電層14を用いることで、電気機械結合係数K2は大きくなり、共振周波数及び反共振周波数における速度温度係数TCVは0に近づく結果となった。即ち、圧電層14を用いることで、電気機械結合係数K2と速度温度係数TCVとが改善され、良好なデバイス特性が得られる結果となった。以上説明したように、実施例1に係る弾性波デバイスの第1の製造方法によれば、図1bのように、凹部等が設けられていない第1支持基板12の上面に圧電基板10を接合させ、その後、圧電基板10を薄層化させて圧電層14とする。つまり、圧電基板10全面を第1支持基板12に接合させた状態で、圧電基板10を薄層化させて圧電層14とする。これにより、圧電層14の膜厚が不均一になることを抑制できる。図1e及び図1fのように、第1支持基板12の第1電極16の下方に位置する領域を除去して孔部22を形成し、その後、第1支持基板12の下面に第2支持基板24を接合させる。圧電層14において、第1電極16が設けられた領域は励振部となることから、圧電層14の励振部が第1支持基板12から離隔され、励振効率が向上したSAWデバイスを得ることができる。また、上述した特許文献1に記載された製造方法では、中空部となるべき領域に形成された凹部に犠牲層を埋め込んでいるため、この犠牲層を除去するためのバイアホールを圧電基板又は支持基板に設けている。しかしながら、実施例1の第1の製造方法では、犠牲層を用いていないため、バイアホールを設けずに済む。このように、実施例1に係る弾性波デバイスの第1の製造方法によれば、膜厚が均一な圧電層14を有し、圧電層14の励振部が第1支持基板12から離隔したSAWデバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。つまり、図5に示したように、温度特性や電気機械結合係数等のデバイス特性の優れたSAWデバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。また、図1d及び図1eのように、第1支持基板12を薄層化させた後に、第1支持基板12の第1電極16の下方に位置する領域を除去して孔部22を形成する場合が好ましい。これにより、孔部22を形成する際のエッチング量が少なくて済むため、孔部22つまり中空部26の形状の制御性等が向上し、中空部26の形成が容易に行える。図4bのシミュレーション構造のように、圧電層14に42度回転Y板のLTを用いることで、SHShearHorizontal波を効率良く励振できるため、良好なデバイス特性が得られる。また、LNを用いる場合でも、64度回転Y板を用いることで、良好なデバイス特性が得られる。さらに、LT、LNを薄層化することで、弾性波が圧電体の中に閉じこもり、漏洩弾性表面波独特のバルク波放射損が発生せず、低損失で高いQ値の弾性波デバイスが得られる。このように、圧電層14は、LT又はLNである場合が好ましい。実施例1において、第1支持基板12と第2支持基板24は、Si基板である場合を例に示したが、これに限られる訳ではなく、その他の材料の場合でもよい。例えば孔部22の加工や、圧電基板10との接合等が容易に行える材料である場合が好ましく、例えばSiO2基板等、Siを主成分とする基板である場合が好ましい。次に、図6aから図7dを用いて、実施例1に係る弾性波デバイスの第2の製造方法について説明する。図6aのように、第1支持基板12の上面をエッチングして、例えば深さ10μmの凹部36を予め形成する。エッチングは、ドライエッチング及びウエットエッチングのいずれも用いることができる。図6bのように、第1支持基板12の上面全面に、凹部36に埋め込まれるように、例えばシリコン酸化膜等の酸化物からなる犠牲層38を堆積した後、第1支持基板12の上面が露出するまで犠牲層38を研磨する。これにより、凹部36のみが犠牲層38で埋め込まれた第1支持基板12が形成される。なお、犠牲層38は、シリコン酸化膜以外であっても、後述する犠牲層38を除去する際に、第1支持基板12、圧電層14、第1電極16を除去したり損傷を与えたりせずに済む材料であればその他の材料を用いることができる。図6cのように、第1支持基板12の犠牲層38が形成されている上面に圧電基板10を接合する。図6dのように、第1支持基板12に圧電基板10を接合させた状態で圧電基板10を薄層化させて圧電層14とする。図7aのように、圧電層14の上面であって、犠牲層38が設けられた領域の上方に位置する部分に第1電極16を形成する。第1電極16と犠牲層38とは圧電層14を挟んで相対することとなるが、第1電極16が設けられた領域よりも、犠牲層38が設けられた領域の方が大きくなるよう、予め凹部36の形成の際に調整する。図7bのように、第1支持基板12を、犠牲層38が露出するまで薄層化させる。図7cのように、露出した犠牲層38をエッチングにより除去して、第1電極16の下方に位置する領域の第1支持基板12に、第1電極16が形成された領域よりも大きい孔部22を形成する。犠牲層38のエッチングは、ドライエッチング及びウエットエッチングのいずれも用いることができる。図7dのように、第1支持基板12の下面に第2支持基板24を接合する。これにより、孔部22は中空部26となり、中空部26の上方にあたる部分の圧電層14の上面に第1電極16が設けられた構成となる。以上説明したように、実施例1に係る弾性波デバイスの第2の製造方法によれば、図6a及び図6bのように、第1支持基板12の上面に凹部36を形成し、凹部36に犠牲層38を埋め込んだ後、図6cのように、第1支持基板12の犠牲層38が形成された上面に圧電基板10を接合させる。そして、図6dのように、圧電基板10を薄層化させて圧電層14とする。つまり、圧電基板10全面を第1支持基板12及び犠牲層38に接合させた状態で、圧電基板10を薄層化させて圧電層14としている。これにより、圧電層14の膜厚が不均一になることを抑制できる。図7bのように、犠牲層38が露出するまで第1支持基板12を薄層化させ、図7cのように、露出された犠牲層38を除去して、第1電極16の下方に孔部22を形成し、その後、図7dのように、第1支持基板12の下面に第2支持基板24を接合させる。これにより、特許文献1に記載された製造方法のように、犠牲層38を除去するためのバイアホールを設けずとも、犠牲層38を除去でき、圧電層14の励振部が第1支持基板12から離隔され、励振効率が向上したSAWデバイスを得ることができる。このように、実施例1に係る弾性波デバイスの第2の製造方法によれば、膜厚が均一な圧電層14を有し、圧電層14の励振部が第1支持基板12から離隔したSAWデバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。つまり、図5に示したように、温度特性や電気機械結合係数等の優れたデバイス特性を有するSAWデバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。実施例2に係る弾性波デバイスは、圧電薄膜共振子FBARの場合の例である。図8aから図9dは、実施例2に係る弾性波デバイスの第1の製造方法を示す断面模式図の例である。図8aのように、例えばLT又はLN基板である圧電基板10の下面全面に、例えば厚さ0.2μm~0.5μmのRu又はMo等の金属膜40を、例えばスパッタ法や蒸着法を用いて形成する。その後、図8bのように、エッチング等により金属膜40の不要部分を除去して、圧電薄膜共振子の下部電極となる第2電極42を形成する。図8cのように、例えばSi基板である第1支持基板12の上面に、圧電基板10の第2電極42が形成された下面を接合させる。図8dのように、第1支持基板12に圧電基板10を接合させた状態で圧電基板10を薄層化させて圧電層14を形成する。図9aのように、圧電層14の上面であって、第2電極42の上方に位置して第2電極42に重なるように、圧電薄膜共振子の上部電極となる第1電極16を形成する。図9bのように、第2電極42が露出しない程度まで、第1支持基板12を薄層化させる。図9cのように、第1電極16及び第2電極42の下方に位置する領域の第1支持基板12を除去して孔部22を形成する。孔部22が形成される領域は、第1電極16及び第2電極42が形成された領域より大きくする。即ち、第1電極16及び第2電極42が形成された領域において、圧電層14の下方に孔部22が形成される。図9dのように、第1支持基板12の下面に、例えばSi基板である第2支持基板24を接合する。これにより、孔部22は中空部26となり、中空部26の上方にあたる部分で、圧電層14を挟んで下部電極となる第2電極42と上部電極となる第1電極16とが対向した圧電薄膜共振子となる。圧電層14を挟んで第2電極42と第1電極16とが対向する領域が励振部となることから、圧電層14の励振部が第1支持基板12から離隔した構成となる。以上説明したように、実施例2に係る弾性波デバイスの第1の製造方法によれば、図8a及び図8bのように、圧電基板10の下面に第2電極42を形成した後、図8cのように、第1支持基板12の上面に、圧電基板10の第2電極42が形成された下面を接合する。そして、図8dのように、圧電基板10を薄層化させて圧電層14とした後、図9aのように、圧電層14の上面に、第2電極42の上方に位置する第1電極16を形成する。その後、図9cのように、第1電極16及び第2電極42の下方に位置する領域の第1支持基板12に孔部22を形成し、図9dのように、第1支持基板12の下面に第2支持基板24を接合する。このような実施例2に係る弾性波デバイスの第1の製造方法によれば、膜厚が均一な圧電層14を有し、圧電層14の励振部が第1支持基板12から離隔した圧電薄膜共振子を、優れた生産性で容易に製造することができる。実施例2に係る弾性波デバイスにおいて、圧電層14にLTのX板を用いることで、TSThicknessShear波を効率良く励振でき、温度特性及び電気機械結合係数等のデバイス特性の良好な圧電薄膜共振子を得ることができる。次に、図10aから図11dを用いて、実施例2に係る弾性波デバイスの第2の製造方法を説明する。図10aのように、圧電基板10の下面に、圧電薄膜共振子の下部電極となる第2電極42を形成する。図10bのように、第2電極42の形成と並行して、第1支持基板12の上面に凹部36を予め形成し、凹部36に犠牲層38を埋め込む。図10cのように、第1支持基板12の犠牲層38が形成された上面と圧電基板10の第2電極42が形成された下面とを接合する。この際、犠牲層38が設けられた領域と第2電極42が形成された領域が重なるように接合する。図10dのように、圧電基板10を第1支持基板12に接合させた状態で圧電基板10を薄層化させて圧電層14とする。図11aのように、圧電層14の上面であって、犠牲層38が形成された領域の上方に位置する部分に上部電極となる第1電極16を形成する。つまり、第1電極16と第2電極42とは重なるように設けられる。図11bのように、犠牲層38が露出するまで、第1支持基板12を薄層化させる。図11cのように、露出した犠牲層38を除去して、第1電極16及び第2電極42の下方に位置する領域の第1支持基板12に孔部22を形成する。図11dのように、第1支持基板12の下面に第2支持基板24を接合する。実施例2に係る弾性波デバイスの第2の製造方法は、犠牲層38を用いた製造方法であるが、実施例1に係る弾性波デバイスの第2の製造方法と同様に、膜厚が均一な圧電層14を有し、圧電層14の励振部が第1支持基板12から離隔した圧電薄膜共振子を、優れた生産性で容易に製造することができる。実施例3に係る弾性波デバイスは、圧電層14の下面にシリコン酸化膜が設けられたSAWデバイスの例である。図12aから図12eは、実施例3に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例である。図12aのように、例えばLT又はLN基板である圧電基板10の下面全面にシリコン酸化膜44を堆積する。シリコン酸化膜44の厚さは、例えば1μmである。図12bのように、例えばSi基板である第1支持基板12の上面に、圧電基板10のシリコン酸化膜44が形成された下面を接合する。図12cのように、第1支持基板12に圧電基板10を接合させた状態で圧電基板10を薄層化させて圧電層14を形成した後、圧電層14の上面に第1電極16を形成する。図12dのように、第1支持基板12を薄層化させた後、第1電極16の下方に位置する領域の第1支持基板12を除去して孔部22を形成する。図12eのように、第1支持基板12の下面に、例えばSi基板である第2支持基板24を接合する。実施例3に係る弾性波デバイスは、圧電層14の下面にシリコン酸化膜44が設けられている。圧電層14の厚さが例えば1λ以下のように薄い場合は、圧電層14の下面にシリコン酸化膜44を設けることで、温度補償効果が得られる。即ち、シリコン酸化膜44は温度補償膜として機能する。また、シリコン酸化膜44を、第1電極16上ではなく、圧電層14の下面に設けているため、シリコン酸化膜44に凹凸が発生せず、良好な伝搬特性が得られる。このように、実施例3に係る弾性波デバイスの製造方法によれば、図12aのように、圧電基板10の下面にシリコン酸化膜44を形成した後、図12bのように、第1支持基板12の上面に圧電基板10のシリコン酸化膜44が形成された下面を接合する。そして、図12cのように、圧電基板10を薄層化させて圧電層14とした後、圧電層14の上面に第1電極16を形成する。その後、図12dのように、第1電極16の下方に位置する領域の第1支持基板12に孔部22を形成し、図12eのように、第1支持基板12の下面に第2支持基板24を接合する。これにより、膜厚が均一な圧電層14を有し、圧電層14の励振部が第1支持基板12から離隔し、圧電層14の下面に温度補償層として機能するシリコン酸化膜44を有するSAWデバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。圧電層14の裏面に設けられる絶縁膜はシリコン酸化膜44に限られる訳ではなく、温度補償層として機能すればその他の絶縁膜を設ける場合でもよい。また、実施例3に係る弾性波デバイスの場合でも、図6aから図7dで説明した実施例1に係る弾性波デバイスの第2の製造方法のように、犠牲層38を用いた製造方法によっても製造することができる。この場合、図12aの工程を予め実施して圧電基板10の下面全面にシリコン酸化膜44を堆積した後、図6aから図7dで説明した製造方法を実施すればよい。実施例4に係る弾性波デバイスは、分極方向が逆方向の2層の圧電層が積層された構造の圧電層14を用いたSAWデバイスの例である。図13aから図14dは、実施例4に係る弾性波デバイスの第1の製造方法を示す断面模式図の例である。図13aのように、例えばSi基板である第1支持基板12の上面に、分極方向が上向き図13a中の矢印の例えばLT又はLN基板である第1圧電基板46の下面を接合する。図13bのように、第1圧電基板46を薄層化させて、例えば厚さ10λの第1圧電層48とする。図13cのように、第1圧電層48の上面に、分極方向が下向き図13c中の矢印で、第1圧電基板46と同じ材料からなる第2圧電基板50の下面を接合する。図13dのように、第2圧電基板50を薄層化させて、例えば厚さ0.2λの第2圧電層52とする。これにより、第1圧電層48と第2圧電層52とからなる圧電層14を形成する。図14aのように、圧電層14の上面に第1電極16を形成する。図14bのように、第1支持基板12を薄層化させた後、図14cのように、第1電極16の下方に位置する領域の第1支持基板12を除去して孔部22を形成する。図14dのように、第1支持基板12の下面に、例えばSi基板である第2支持基板24を接合する。次に、分極方向が逆方向の2層の圧電層が積層された構造の圧電層14を用いることで、インピーダンス特性にどのような効果を及ぼすかシミュレーションを行った。図15は、分極方向が逆方向図15中の矢印である第1圧電層48と第2圧電層52とからなる圧電層14を用いた場合のシミュレーション構造の断面模式図である。図15のように、第1圧電層48は、厚さが弾性波の波長に対して十分厚いと仮定し、222度回転Y板のLTを用い、第2圧電層52は、厚さが0.2λの42度回転Y板のLTを用い、圧電層14の上面にAlからなる無限周期の櫛歯電極18を設けた構造でシミュレーションを行った。なお、第1圧電層48の厚さは、1λ以上あればよい。図16にシミュレーション結果を示す。図16の横軸は規格化周波数であり、縦軸はインピーダンスである。図16中の実線は室温25°Cでのインピーダンス特性を、破線は高温125°Cでのインピーダンス特性を示している。また、比較のために、図4aに示した通常の厚さの圧電基板10を用いた場合のシミュレーション結果も示す。図16のように、圧電基板10を用いた場合では図16中の細線、電気機械結合係数K2は10であり、共振周波数での速度温度係数TCVは-18.4ppm/°C、反共振周波数での速度温度係数TCVは-29.6ppm/°Cであった。一方、分極方向が逆方向である第1圧電層48と第2圧電層52とからなる圧電層14を用いた場合では図16中の太線、電気機械結合係数K2は3.6であり、共振周波数での速度温度係数TCVは4.1ppm/°C、反共振周波数での速度温度係数TCVは-9.5ppm/°Cであった。このように、分極方向が逆方向である第1圧電層48と第2圧電層52とからなる圧電層14を用いることで、共振周波数及び反共振周波数における速度温度係数TCVが改善された良好なデバイス特性が得られる結果となった。以上説明したように、実施例4に係る弾性波デバイスの第1の製造方法によれば、図13aのように、第1支持基板12の上面に第1圧電基板46を接合させた後、図13bのように、第1圧電基板46を薄層化させて第1圧電層48を形成する。図13cのように、第1圧電層48の上面に、第1圧電基板46と同じ材料で且つ分極方向が逆方向の第2圧電基板50を接合させる。図13dのように、第2圧電基板50を薄層化させて第2圧電層52を形成することで、第1圧電層48と第2圧電層52とからなる圧電層14を形成する。そして、図14aのように、圧電層14の上面に、第1電極16を形成する。その後、図14cのように、第1電極16の下方に位置する領域の第1支持基板12に孔部22を形成し、図14dのように、第1支持基板12の下面に第2支持基板24を接合する。これにより、分極方向が逆方向の第1圧電層48と第2圧電層52とからなる圧電層14の膜厚が均一で、圧電層14の励振部が第1支持基板12から離隔したSAWデバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。つまり、図16に示したように、温度特性等の優れたデバイス特性を有するSAWデバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。実施例4に係る弾性波デバイスの場合であっても、図6aから図7dで説明した実施例1に係る弾性波デバイスの第2の製造方法のように、犠牲層38を用いた製造方法によっても製造することができる。この場合、図17aのように、予め設けられた凹部36に犠牲層38が埋め込まれた第1支持基板12を用意し、第1支持基板12の犠牲層38が形成されている上面に第1圧電基板46を接合させた後、図17bのように、第1圧電基板46を薄層化させて第1圧電層48を形成する。図17cのように、第1圧電層48の上面に第2圧電基板50を接合させた後、図17dのように、第2圧電基板50を薄層化させて第2圧電層52を形成することで、第1圧電層48と第2圧電層52とからなる圧電層14を形成する。その後は、実施例1に係る弾性波デバイスの第2の製造方法で図7aから図7dで説明した工程を実施することで、実施例4に係る弾性波デバイスが得られる。また、実施例4に係る弾性波デバイスはSAWデバイスの場合を例に説明したが、圧電薄膜共振子の場合でもよい。この場合は、第1圧電基板46の下面に圧電薄膜共振子の下部電極となる第2電極42を予め形成し、第1圧電基板46の第2電極42が形成された下面を第1支持基板12の上面に接合させ、その後は、図13bから図14dで説明した工程を実施することで製造できる。圧電層14を構成する第1圧電層48の厚さと第2圧電層52の厚さとは異なる場合でもよいが、第1圧電層48の厚さと第2圧電層52の厚さとが同等の場合、2次の高調波が励振されるため、周波数の高い共振器を製造する場合に好都合であることから、第1圧電層48と第2圧電層52の厚さとは同等の場合が好ましい。圧電層14を構成する第1圧電層48の分極方向は上向きで、第2圧電層52の分極方向は下向きである場合を例に示したが、第1圧電層48の分極方向は下向きで、第2圧電層52の分極方向は上向き等のように、第1圧電層48の分極方向と第2圧電層52の分極方向とが180°異なる逆方向の場合でもよい。次に、実施例4に係る弾性波デバイスの第2の製造方法について説明する。まず、図13a及び図13bで説明した第1の製造方法と同様に、第1支持基板12の上面に、第1圧電基板46を接合させた後、第1圧電基板46を薄層化させて第1圧電層48を形成する。次いで、第1圧電層48の上面に、例えばCVDChemicalVaporDeposition法を用いて、第1圧電層48と同じ材料で且つ分極方向が逆方向の第2圧電層52を成膜して、図13dに示すような、第1圧電層48と第2圧電層52とからなる圧電層14を形成する。その後は、図14aから図14dで説明した工程を実施することで、実施例4に係る弾性波デバイスが得られる。実施例4に係る弾性波デバイスの第2の製造方法であっても、分極方向が逆方向の第1圧電層48と第2圧電層52とからなる圧電層14の膜厚が均一で、圧電層14の励振部が第1支持基板12から離隔したSAWデバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。つまり、図16に示したように、温度特性等の優れたデバイス特性を有するSAWデバイスを、優れた生産性で容易に製造することができる。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。