スイッチング素子とこれに逆並列に接続されたダイオードとを有する上アーム及び下アームを直列に接続した1つ又は複数のアーム直列回路を備える半導体装置であって、グラウンド上に絶縁基板が配置され、前記絶縁基板上に前記アーム直列回路の正極端子、負極端子、上アーム用制御端子及び下アーム用制御端子が形成され、前記負極端子と前記下アーム用制御端子が隣り合って配置され、前記絶縁基板上に設けられた凸状の絶縁部材を介して前記アーム直列回路の出力端子が配置され、前記上アーム及び前記下アームの前記スイッチング素子は、第1の面に形成された正極電極と、前記第1の面とは反対側の第2の面に形成された負極電極及び制御電極とを備え、前記上アームの前記スイッチング素子では、前記正極電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の正極端子に接合され、前記負極電極が負極側配線を介して前記アーム直列回路の出力端子に接続され、前記制御電極が制御用配線を介して前記アーム直列回路の前記上アーム用制御端子に接続され、前記下アームの前記スイッチング素子では、前記負極電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の負極端子に接合され、前記正極電極が正極側配線を介して前記アーム直列回路の出力端子に接続され、前記制御電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の前記下アーム用制御端子に接合されることを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、前記下アーム用制御端子は、前記下アームの前記スイッチング素子の前記制御電極に対応して突出する凸部を備え、前記アーム直列回路の積層方向に見たとき、前記下アーム用制御端子のうち前記凸部のみが前記下アームの前記スイッチング素子と重なることを特徴とする半導体装置。スイッチング素子とこれに逆並列に接続されたダイオードとを有する上アーム及び下アームを直列に接続した1つ又は複数のアーム直列回路を備える半導体装置であって、グラウンド上に絶縁基板が配置され、前記絶縁基板上に前記アーム直列回路の正極端子、負極端子、上アーム用制御端子及び下アーム用制御端子が形成され、前記正極端子と前記上アーム用制御端子が隣り合って配置され、前記絶縁基板上に設けられた凸状の絶縁部材を介して前記アーム直列回路の出力端子が配置され、前記上アーム及び前記下アームの前記スイッチング素子は、第1の面に形成された正極電極及び制御電極と、前記第1の面とは反対側の第2の面に形成された負極電極とを備え、前記上アームの前記スイッチング素子では、前記正極電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の正極端子に接合され、前記負極電極が負極側配線を介して前記アーム直列回路の出力端子に接続され、前記制御電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の前記上アーム用制御端子に接合され、前記下アームの前記スイッチング素子では、前記負極電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の負極端子に接合され、前記正極電極が正極側配線を介して前記アーム直列回路の出力端子に接続され、前記制御電極が制御用配線を介して前記アーム直列回路の前記下アーム用制御端子に接続されることを特徴とする半導体装置。請求項3記載の半導体装置において、前記上アーム用制御端子は、前記上アームの前記スイッチング素子の前記制御電極に対応して突出する凸部を備え、前記アーム直列回路の積層方向に見たとき、前記上アーム用制御端子のうち前記凸部のみが前記上アームの前記スイッチング素子と重なることを特徴とする半導体装置。請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記アーム直列回路の積層方向に見たとき、前記上アームの前記スイッチング素子の前記負極電極の位置及び前記下アームの前記スイッチング素子の前記正極電極の位置が、前記出力端子の位置に対してずれていることを特徴とする半導体装置。請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記アーム直列回路の積層方向に見たとき、前記アーム直列回路の前記出力端子は前記正極端子と前記負極端子の中央に配置されていることを特徴とする半導体装置。スイッチング素子とこれに逆並列に接続されたダイオードとを有する上アーム及び下アームを直列に接続した1つ又は複数のアーム直列回路を備える半導体装置であって、グラウンド上に絶縁基板が配置され、前記絶縁基板上に前記アーム直列回路の正極端子、負極端子、上アーム用制御端子及び下アーム用制御端子が配置され、前記絶縁基板上に設けられた凸状の絶縁部材を介して前記アーム直列回路の出力端子が前記絶縁基板の上方に配置されることを特徴とする半導体装置。上記のように、特許文献1では、下アーム6が実装される銅パターン4の面積を、上アーム5が実装される銅パターン3の面積より小さくすることでコモンモード電流を抑制することによって伝導ノイズ及び放射ノイズを小さくするが、伝導ノイズ及び放射ノイズを低減する方法には更なる改善の余地がある。この発明は、このような課題を考慮してなされたものであり、伝導ノイズ及び伝導ノイズをさらに低減することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。この発明に係る半導体装置は、スイッチング素子とこれに逆並列に接続されたダイオードとを有する上アーム及び下アームを直列に接続した1つ又は複数のアーム直列回路を備えるものであって、グラウンド上に絶縁基板が配置され、前記絶縁基板上に前記アーム直列回路の正極端子、負極端子、上アーム用制御端子及び下アーム用制御端子が形成され、前記負極端子と前記下アーム用制御端子が隣り合って配置され、前記絶縁基板上に設けられた凸状の絶縁部材を介して前記アーム直列回路の出力端子が配置され、前記上アーム及び前記下アームの前記スイッチング素子は、第1の面に形成された正極電極と、前記第1の面とは反対側の第2の面に形成された負極電極及び制御電極とを備え、前記上アームの前記スイッチング素子では、前記正極電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の正極端子に接合され、前記負極電極が負極側配線を介して前記アーム直列回路の出力端子に接続され、前記制御電極が制御用配線を介して前記アーム直列回路の前記上アーム用制御端子に接続され、前記下アームの前記スイッチング素子では、前記負極電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の負極端子に接合され、前記正極電極が正極側配線を介して前記アーム直列回路の出力端子に接続され、前記制御電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の前記下アーム用制御端子に接合されることを特徴とする。この発明によれば、コモンモード電流に起因する伝導ノイズ及び放射ノイズを低減することが可能になると共に、下アームのスイッチング素子の制御電極をアーム直列回路の下アーム用制御端子に接続することが容易となる。すなわち、この発明によれば、絶縁基板上の凸状の絶縁部材を介してアーム直列回路の出力端子が配置されるため、絶縁部材の高さ分だけ出力端子を絶縁基板及びグラウンドから離間させることが可能となる。従って、出力端子とグラウンドとの間の浮遊容量を低減することができる。これにより、電圧変動が比較的激しい出力端子とグラウンドとの間のインピーダンスを大きくすることが可能となり、電圧変動によって出力端子とグラウンドとの間に流れる電流を小さくすることができる。従って、電源側又は出力側へ流れるコモンモード電流を小さくすることが可能となる。その結果、コモンモード電流に起因する伝導ノイズ及び放射ノイズを低減することができる。また、この発明によれば、下アームのスイッチング素子の制御電極が配線を介さずにアーム直列回路の下アーム用制御端子に接合される。従って、制御電極が負極電極と同じ側第2の面に形成され、負極電極がアーム直列回路の負極端子に配線ワイヤボンディングやバスバー等を介さずに接合されている場合でも、制御電極を下アーム用制御端子に接続することが容易となる。前記下アーム用制御端子は、前記下アームの前記スイッチング素子の前記制御電極に対応して突出する凸部を備え、前記アーム直列回路の積層方向に見たとき、前記下アーム用制御端子のうち前記凸部のみが前記下アームの前記スイッチング素子と重なってもよい。これにより、下アームのスイッチング素子において、例えば、対向する2方向から制御電極が負極電極に挟まれた位置に形成されている場合や3方向から制御電極が負極電極に囲まれた位置に形成されている場合であっても、制御電極を下アーム用制御端子に容易に接続することが可能となる。この発明に係る半導体装置は、スイッチング素子とこれに逆並列に接続されたダイオードとを有する上アーム及び下アームを直列に接続した1つ又は複数のアーム直列回路を備えるものであって、グラウンド上に絶縁基板が配置され、前記絶縁基板上に前記アーム直列回路の正極端子、負極端子、上アーム用制御端子及び下アーム用制御端子が形成され、前記正極端子と前記上アーム用制御端子が隣り合って配置され、前記絶縁基板上に設けられた凸状の絶縁部材を介して前記アーム直列回路の出力端子が配置され、前記上アーム及び前記下アームの前記スイッチング素子は、第1の面に形成された正極電極及び制御電極と、前記第1の面とは反対側の第2の面に形成された負極電極とを備え、前記上アームの前記スイッチング素子では、前記正極電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の正極端子に接合され、前記負極電極が負極側配線を介して前記アーム直列回路の出力端子に接続され、前記制御電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の前記上アーム用制御端子に接合され、前記下アームの前記スイッチング素子では、前記負極電極が配線を介さずに前記アーム直列回路の負極端子に接合され、前記正極電極が正極側配線を介して前記アーム直列回路の出力端子に接続され、前記制御電極が制御用配線を介して前記アーム直列回路の前記下アーム用制御端子に接続されることを特徴とする。この発明によれば、コモンモード電流に起因する伝導ノイズ及び放射ノイズを低減することが可能になると共に、上アームのスイッチング素子の制御電極をアーム直列回路の上アーム用制御端子に接続することが容易となる。すなわち、この発明によれば、絶縁基板上の凸状の絶縁部材を介してアーム直列回路の出力端子が配置されるため、絶縁部材の高さ分だけ出力端子を絶縁基板及びグラウンドから離間させることが可能となる。従って、出力端子とグラウンドとの間の浮遊容量を低減することができる。これにより、電圧変動が比較的激しい出力端子とグラウンドとの間のインピーダンスを大きくすることが可能となり、電圧変動によって出力端子とグラウンドとの間に流れる電流を小さくすることができる。従って、電源側又は出力側へ流れるコモンモード電流を小さくすることが可能となる。その結果、コモンモード電流に起因する伝導ノイズ及び放射ノイズを低減することができる。また、この発明によれば、上アームのスイッチング素子の制御電極が配線を介さずにアーム直列回路の上アーム用制御端子に接合される。従って、制御電極が正極電極と同じ側第1の面に形成され、正極電極がアーム直列回路の正極端子に配線を介さずに接合されている場合でも、制御電極を上アーム用制御端子に接続することが容易となる。前記上アーム用制御端子は、前記上アームの前記スイッチング素子の前記制御電極に対応して突出する凸部を備え、前記アーム直列回路の積層方向に見たとき、前記上アーム用制御端子のうち前記凸部のみが前記上アームの前記スイッチング素子と重なってもよい。これにより、上アームのスイッチング素子において、例えば、対向する2方向から制御電極が正極電極に挟まれた位置に形成されている場合や3方向から制御電極が正極電極に囲まれた位置に形成されている場合であっても、制御電極を上アーム用制御端子に容易に接続することが可能となる。前記アーム直列回路の積層方向に見たとき、前記上アームの前記スイッチング素子の前記負極電極の位置及び前記下アームの前記スイッチング素子の前記正極電極の位置が、前記出力端子の位置に対してずれていてもよい。これにより、前記積層方向に見たとき、上アームのスイッチング素子の負極電極上アーム側負極電極の位置及び下アームのスイッチング素子の正極電極下アーム側正極電極の位置が、出力端子の位置に対して重なっている場合と比べて、上アーム側負極電極と出力端子との間に負極側配線を引き易くなると共に、下アーム側正極電極と出力端子との間に正極側配線を引き易くなる。前記アーム直列回路の積層方向に見たとき、前記アーム直列回路の前記出力端子は前記正極端子と前記負極端子の中央に配置されていてもよい。これにより、上アーム及び下アームのスイッチング素子と出力端子との間の配線長を等しくし易くなり、配線によるインダクタンス成分に差が生じるのを抑制することが可能となる。その結果、伝導ノイズ及び放射ノイズの発生を抑制することが可能となる。この発明に係る半導体装置は、スイッチング素子とこれに逆並列に接続されたダイオードとを有する上アーム及び下アームを直列に接続した1つ又は複数のアーム直列回路を備えるものであって、グラウンド上に絶縁基板が配置され、前記絶縁基板上に前記アーム直列回路の正極端子、負極端子、上アーム用制御端子及び下アーム用制御端子が配置され、前記絶縁基板上に設けられた凸状の絶縁部材を介して前記アーム直列回路の出力端子が前記絶縁基板の上方に配置されることを特徴とする。この発明によれば、コモンモード電流に起因する伝導ノイズ及び放射ノイズを低減することが可能になると共に、下アームのスイッチング素子の制御電極をアーム直列回路の下アーム用制御端子に接続することが容易となる。I.一実施形態A.構成の説明1.駆動システム10の構成1-1全体構成図1は、この発明の一実施形態に係る半導体装置としてのインバータ16を搭載した駆動システム10の回路構成図である。図1に示すように、駆動システム10は、インバータ16に加え、モータ12と、直流電源14以下電源14ともいう。と、コンデンサ18と、電子制御装置20以下ECU20という。とを有する。1-2モータ12モータ12は、3相交流ブラシレス式であり、ECU20に制御されるインバータ16を介して電源14から電力が供給される。そして、当該電力に応じた駆動力を生成する。モータ12は、例えば、車両の走行モータ又は電動パワーステアリング装置のアシスト力生成用のモータに用いることができる。或いは、後述するような別の用途に用いることも可能である。1-3直流電源14直流電源14は、駆動システム10の用途に応じて適宜選択されるものであり、一次電池又は二次電池のいずれともすることができる。例えば、モータ12が比較的高出力を要する用途で用いられる場合例えば、車両の走行用モータとして用いられる場合、電源14は、リチウムイオン2次電池、ニッケル水素2次電池又はキャパシタ等の蓄電装置エネルギストレージとすることができる。また、モータ12が比較的低出力を要する用途で用いられる場合例えば、車両の電動パワーステアリング装置として用いられる場合、電源14は、鉛蓄電池等の蓄電装置とすることができる。1-4インバータ16インバータ16は、3相ブリッジ型の構成とされて、直流/交流変換を行い、電源14からの直流を3相の交流に変換してモータ12に供給する。図1に示すように、インバータ16は、3相のアーム直列回路30u、30v、30wを有する。U相のアーム直列回路30uは、スイッチング素子34u以下上SW素子34uという。及び逆並列ダイオード36u以下上ダイオード36uを有する上アーム32uと、スイッチング素子40u以下下SW素子40uという。及び逆並列ダイオード42u以下下ダイオード42uという。とを有する下アーム38uとで構成される。同様に、V相のアーム直列回路30vは、上スイッチング素子34v以下上SW素子34vという。及び逆並列ダイオード36v以下上ダイオード36vという。を有する上アーム32vと、下スイッチング素子40v以下下SW素子40vという。及び逆並列ダイオード42v以下下ダイオード42vという。を有する下アーム38vとで構成される。W相のアーム直列回路30wは、上スイッチング素子34w以下上SW素子34wという。と逆並列ダイオード36w以下上ダイオード36wという。を有する上アーム32wと、下スイッチング素子40w以下下SW素子40wという。と逆並列ダイオード42w以下下ダイオード42wという。を有する下アーム38wとで構成される。上SW素子34u、34v、34wと下SW素子40u、40v、40wは、例えば、1つ又は複数のMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT等のスイッチング素子から構成することができる。本実施形態では、上SW素子34u、34v、34w及び下SW素子40u、40v、40wはそれぞれ4つのスイッチング素子50a~50d、54a~54dから構成される詳細は後述する。。同様に、上ダイオード36u、36v、36w及び下ダイオード42u、42v、42wはそれぞれ1つ又は複数のダイオードから構成することができ、本実施形態ではそれぞれ2つのダイオード52a、52b、56a、56bから構成される詳細は後述する。。なお、以下では、各アーム直列回路30u、30v、30wをアーム直列回路30と総称し、各上アーム32u、32v、32wを上アーム32と総称し、各下アーム38u、38v、38wを下アーム38と総称し、各上SW素子34u、34v、34wを上SW素子34と総称し、各下SW素子40u、40v、40wを下SW素子40と総称し、各上ダイオード36u、36v、36wを上ダイオード36と総称し、各下ダイオード42u、42v、42wを下ダイオード42と総称する。各アーム直列回路30において、上アーム32u、32v、32wと下アーム38u、38v、38wの中点44u、44v、44wは、モータ12の巻線46u、46v、46wに連結されている。以下では、中点44u、44v、44wを中点44と総称し、巻線46u、46v、46wを巻線46と総称する。各上SW素子34及び各下SW素子40は、ECU20からの駆動信号UH、VH、WH、UL、VL、WLにより駆動される。1-5ECU20ECU20は、図示しない各種センサからの出力値に基づき、モータ12の出力を制御する。ECU20は、ハードウェアの構成として、入出力部、演算部及び記憶部いずれも図示せずを有する。2.インバータ16の詳細2-1全体構成図2は、1つのアーム直列回路30及びその周辺の簡略的な外観構成図である。図3は、図2のIII-III線における断面図である。本実施形態では、図2及び図3に示すアーム直列回路30を3組並列に配置することによりインバータ16を構成する図1参照。なお、図2中のPは正極側を示し、Nは負極側を示し、Dはダイオードを示す。図2及び図3に示すように、アーム直列回路30は、上アーム32側のスイッチング素子50a~50d以下上SW素子50a~50dといい、上SW素子50と総称する。と、上アーム32側のダイオード52a、52b以下上ダイオード52a、52bといい、上ダイオード52と総称する。と、下アーム38側のスイッチング素子54a~54d以下下SW素子54a~54dといい、下SW素子54と総称する。と、下アーム38側のダイオード56a、56b以下下ダイオード56a、56bといい、下ダイオード56と総称する。とを有する。上記の通り、上SW素子50a~50dは、図1の回路図中の1つの上SW素子34を構成する。このため、上SW素子34を上スイッチング素子部34ともいう。また、上ダイオード52a、52bは、図1の回路図中の1つの上ダイオード36を構成する。このため、上ダイオード36を上ダイオード部36ともいう。さらに、下SW素子54a~54dは、図1の回路図中の1つの下SW素子40を構成する。このため、下SW素子40を下スイッチング素子部40ともいう。さらにまた、下ダイオード56a、56bは、図1の回路図中の1つの下ダイオード42を構成する。このため、下ダイオード42を下ダイオード部42ともいう。このように図1の回路中の1つの構成要素上スイッチング素子部34、上ダイオード部36、下スイッチング素子部40及び下ダイオード部42に対応して図2では複数の構成要素上SW素子50a~50d、上ダイオード52a、52b、下SW素子54a~54d及び下ダイオード56a、56bを用いることで、大電流を流すことが可能となる。なお、上SW素子50a~50d、上ダイオード52a、52b、下SW素子54a~54d及び下ダイオード56a、56bの数は、これに限定されず、仕様に応じて1つ以上であればよい。本実施形態において、上SW素子50と下SW素子54には、同一の仕様のスイッチング素子例えば、MOSFET又はIGBTが用いられる。また、図4A及び図4Bに示すように、本実施形態の上SW素子50と下SW素子54は、第1の面60ドレイン面に複数の正極電極62が形成され、第1の面60と反対側の第2の面64ソース面に複数の負極電極66及びゲート電極68制御電極が形成される。なお、図4A中のPは正極側を示し、図4B中のNは負極側を示す。正極電極62及び負極電極66が複数設けられているのは、大電流を流す等のためであり、仕様に応じて正極電極62及び負極電極66は1、2又は4以上とすることも可能である。以下では、上SW素子50と下SW素子54の構成要素を区別するため、上SW素子50の正極電極62、負極電極66、ゲート電極68を、上正極電極62up、上負極電極66up、上ゲート電極68upと呼び、下SW素子54の正極電極62、負極電極66、ゲート電極68を、下正極電極62low、下負極電極66low、下ゲート電極68lowと呼ぶ。なお、図2では、正極電極62、負極電極66、ゲート電極68の図示を省略している。図2及び図3に示すように、アーム直列回路30の周囲には、インバータ16の正極端子70、負極端子72、上ゲートライン74上アーム用制御端子、下ゲートライン76下アーム用制御端子及び出力端子78が配置されている。正極端子70、負極端子72、上ゲートライン74及び下ゲートライン76はいずれも絶縁基板80上に形成されている。絶縁基板80は、ヒートシンク82上に形成された板状の部材であり、例えば、セラミック製である。ヒートシンク82は、インバータ16を冷却するものであり、グラウンドGNDに接続されている。正極端子70は、上SW素子50が設けられる上側第1板状部84と、ワイヤボンディング88を介して上側第1板状部84に接続される上側第2板状部86とを有する。上側第2板状部86は、電源14の正極側に接続される図1参照。負極端子72は、下SW素子54が設けられる下側第1板状部90と、ワイヤボンディング94を介して下側第1板状部90に接続される下側第2板状部92とを有する。下側第2板状部92は、電源14の負極側に接続される図1参照。図2に示すように、上側第1板状部84、下側第1板状部90、上ゲートライン74及び下ゲートライン76は、長さ図2中、X方向が等しい板状に形成されている。また、アーム直列回路30の積層方向図2中、Z方向から見たとき、幅方向図2中、Y方向に向かって、上ゲートライン74、上側第1板状部84、出力端子78、下側第1板状部90及び下ゲートライン76の順に配置されている。上側第1板状部84、上側第2板状部86、下側第1板状部90及び下側第2板状部92は、DBCDirectBondingCopperとして絶縁基板80に直接形成されている。また、絶縁基板80のうちヒートシンク82側の面には、図示しない銅製のベタパターンがDBCとして形成されている。さらに、前記ベタパターンとヒートシンク82の間には、半田、銅板及びサーマルグリスいずれも図示せずが配置されている。すなわち、前記ベタパターンは、前記半田を介して前記銅板に接合され、前記銅板は前記サーマルグリスを介してヒートシンク82に接合されている。2-2上アーム32各上SW素子50の正極電極62上正極電極62upは、インバータ16の正極端子70上側第1板状部84に半田図示せずを介して接合されている図3。当該接合はろう付け等の接合方法であってもよい。上正極電極62upと正極端子70の接合にワイヤボンディングやバスバー等の配線配線部材は用いられない。各上SW素子50の負極電極66上負極電極66upは、インバータ16の出力端子78にワイヤボンディング96負極側配線を介して接続されている。なお、図2において、各上SW素子50において3箇所のワイヤボンディング96が形成されているのは、各上SW素子50には3箇所の負極電極66が形成されているためである図4B参照。各上SW素子50のゲート電極68上ゲート電極68upは、ECU20と接続される上ゲートライン74にワイヤボンディング98制御用配線を介して接続されている。従って、各上ゲート電極68upには、同一の駆動信号が供給され、上SW素子50は同一のオンオフ動作を行う。なお、1つ又は2つの上ゲート電極68up毎に上ゲートライン74を設ける等の構成も可能である。2-3下アーム38各下SW素子54の負極電極66下負極電極66lowは、インバータ16の負極端子72下側第1板状部90に半田図示せずを介して接合されている図3。当該接合はろう付け等の接合方法であってもよい。下負極電極66lowと負極端子72の接合にワイヤボンディングやバスバー等の配線配線部材は用いられない。各下SW素子54の正極電極62下正極電極62lowは、インバータ16の出力端子78にワイヤボンディング100正極側配線を介して接続されている。各下SW素子54のゲート電極68下ゲート電極68lowは、ECU20と接続される下ゲートライン76に半田図示せずを介して接合されている。当該接合はろう付け等の接合方法であってもよい。下ゲート電極68lowと下ゲートライン76の接合にワイヤボンディングやバスバー等の配線は用いられない。すなわち、本実施形態では、図4Bに示すように、下負極電極66lowとゲート電極68とが同一の面第2の面64に形成され、図2及び図3に示すように、且つ負極端子72と下ゲートライン76とが隣り合って配置されている。このため、下負極電極66lowを負極端子72に配線なしで接合すると共に、下ゲート電極68lowを下ゲートライン76に配線なしで接合することが可能となっている。また、各下ゲート電極68lowは同一の下ゲートライン76に接合されているため、各下ゲート電極68lowにはECU20から同一の駆動信号が供給され、下SW素子54は同一のオンオフ動作を行う。なお、1つ又は2つの下ゲート電極68low毎に下ゲートライン76を設ける等の構成も可能である。2-4出力端子78図2に示すように、出力端子78は、絶縁基板80上に形成された絶縁柱102凸状の絶縁部材により絶縁基板80から離間して設けられる。絶縁柱102は、シリコン酸化層等の絶縁部材から形成される。絶縁柱102を構成する素材は、絶縁基板80と同じであっても異なっていてもよい。また、アーム直列回路30の積層方向図2中、Z方向に見て、絶縁柱102は、正極端子70の上側第1板状部84と負極端子72の下側第1板状部90の両端側に配置されている。これにより、出力端子78は、積層方向図2中、Z方向に見て、正極端子70の上側第1板状部84と負極端子72の下側第1板状部90の間に位置するように配置されている。B.浮遊容量図5は、1つのアーム直列回路30に着目して複数の地点P1~P3での浮遊容量C1~C3を示す回路図である。以下では、主として、図3及び図5を参照しながら、地点P1~P3における浮遊容量C1~C3について説明する。アーム直列回路30を動作させると、地点P1~P3とグラウンドGNDヒートシンク82間において、浮遊容量C1~C3が発生する可能性がある。これらの浮遊容量C1~C3が存在するため、上SW素子50及び下SW素子54のスイッチング時にノイズがグラウンドGNDヒートシンク82を介してコモン電源14側又は他の機器側に伝わり、伝導ノイズ及び放射ノイズが発生する可能性がある伝導ノイズ及び放射ノイズの発生の仕組みについては、特許文献1の段落[0008]、[0009]参照。一般に、キャパシタのインピーダンスXcは、次の式1により求められる。Xc=1/jωC1上記において、jは虚数単位、ωは角周波数[Hz]、Cは静電容量[F]である。上記式1によれば、アーム直列回路30の場合、上SW素子50及び下SW素子54のスイッチング周波数[Hz]が高くなるほど浮遊容量C1~C3に電流が流れ易くなるが、容量値Cを小さくすることで浮遊容量C1~C3に電流を流れ難くすることができる。特に、スイッチングにより電位変動が起こる地点P2中点44を構成する出力端子78とグラウンドGNDヒートシンク82との間の浮遊容量C2からコモン側へ流れるコモンモード電流Icomの影響が大きいため、浮遊容量C2のインピーダンスを大きくすることが重要である。また、一般に、平行平板極板間の静電容量C[F]は、次の式2により表される。C=ε0εsS/d2上記式2において、ε0は、真空の誘電率[F/m]、εsは、比誘電率、Sは、極板の面積[m2]、dは、平行平板極板間の間隙[m]を示す。上記式2によれば、平行平板極板の間隙dが大きくなるほど、静電容量Cは小さくなる。出力端子78を絶縁基板80上に形成する場合と比べ、本実施形態では、出力端子78が絶縁柱102を介して絶縁基板80及びグラウンドGNDヒートシンク82から遠ざかる。このため、出力端子78とグラウンドGNDヒートシンク82との間隙上記間隙dに対応は大きくなる。このため、上記式2より、浮遊容量C2は相対的に小さくなる。また、浮遊容量C2が相対的に小さくなると、上記式1より、インピーダンスXcが相対的に大きくなる。その結果、コモンモード電流Icomを小さくすることが可能となり、コモンモード電流Icomに起因する伝導ノイズ及び放射ノイズを抑制することができる。C.本実施形態の効果以上のように、本実施形態によれば、コモンモード電流Icomに起因する伝導ノイズ及び放射ノイズを低減することが可能になると共に、下SW素子40のゲート電極68下ゲート電極68lowをアーム直列回路30の下ゲートライン76に接続することが容易となる。すなわち、本実施形態によれば、絶縁基板80上の絶縁柱102を介してアーム直列回路30の出力端子78が配置されるため、絶縁柱102の高さ分だけ出力端子78を絶縁基板80及びヒートシンク82グラウンドGNDから離間させることが可能となる。従って、出力端子78とグラウンドGNDとの間の浮遊容量C2を低減することができる。これにより、電圧変動が比較的激しい出力端子78とグラウンドGNDとの間のインピーダンスを大きくすることが可能となり、電圧変動によって出力端子78とグラウンドGNDとの間に流れる電流を小さくすることができる。従って、電源側又は出力側へ流れるコモンモード電流Icomを小さくすることが可能となる。その結果、コモンモード電流Icomに起因する伝導ノイズ及び放射ノイズを低減することができる。また、本実施形態によれば、下SW素子40のゲート電極68下ゲート電極68lowが配線を介さずに下ゲートライン76に接合される。従って、下ゲート電極68lowが下負極電極66lowと同じ側第2の面64に形成され、下負極電極66lowが負極端子72に配線を介さずに接合されている場合でも、下ゲート電極68lowを下ゲートライン76に接続することが容易となる。本実施形態では、アーム直列回路30の積層方向図2及び図3のZ方向に見たとき、上SW素子34の負極電極66上負極電極66upの位置及び下SW素子40の正極電極62下正極電極62lowの位置が、出力端子78の位置に対してずれている。これにより、前記積層方向に見たとき、上負極電極66upの位置及び下正極電極62lowの位置が、出力端子78の位置に対してずれていない場合積層方向に見たとき、上負極電極66up又は下正極電極62lowの大部分が出力端子78により隠れてしまう場合と比べて、上負極電極66upと出力端子78との間にワイヤボンディング96を引き易くなると共に、下正極電極62lowと出力端子78との間にワイヤボンディング100を引き易くなる。本実施形態では、アーム直列回路30の積層方向図2及び図3のZ方向に見たとき、アーム直列回路30の出力端子78は正極端子70と負極端子72の中央に配置されている。これにより、上SW素子34及び下SW素子40と出力端子78との間の配線長を等しくし易くなり、ワイヤボンディング96、100によるインダクタンス成分に差が生じるのを抑制することが可能となる。その結果、伝導ノイズ及び放射ノイズの発生を抑制することが可能となる。II.変形例なお、この発明は、上記実施形態に限らず、この明細書の記載内容に基づき、種々の構成を採り得ることはもちろんである。例えば、以下の構成を採用することができる。A.インバータ16及び駆動システム10上記実施形態では、3相ブリッジ式のインバータ16を用いたが、スイッチング素子と逆並列ダイオードとを有する上アーム及び下アームを直列に接続した単相又は多相のアーム直列回路を備えるインバータであれば、これに限らない。例えば、図6に示すように、単相ブリッジ式のインバータ16aに適用することもできる。図6のインバータ16aは、直流電源14からの直流を交流に変換して巻線46a負荷及び抵抗110に供給する。インバータ16aは、2つのアーム直列回路30a、30bを有する。アーム直列回路30aは、スイッチング素子34a以下上SW素子34aという。及び逆並列ダイオード36a以下上ダイオード36aという。を有する上アーム32aと、スイッチング素子40a以下下SW素子40aという。及び逆並列ダイオード42a以下下ダイオード42aという。とを有する下アーム38aとで構成される。同様に、アーム直列回路30bは、スイッチング素子34b以下上SW素子34bという。及び逆並列ダイオード36b以下上ダイオード36bという。を有する上アーム32bと、スイッチング素子40b以下下SW素子40bという。及び逆並列ダイオード42b以下下ダイオード42bという。とを有する下アーム38bとで構成される。インバータ16aにおいても、上アーム32a、32bと下アーム38a、38bの中点44a、44bの位置に対応する出力端子を絶縁柱によりグラウンドGNDヒートシンクから離間させることにより、中点44a、44bにおける浮遊容量C2を低減し、伝導ノイズ及び放射ノイズを抑制することが可能となる。上記実施形態及び図6の変形例では、インバータ16、16aに本発明を適用した事例について説明したが、スイッチング素子と逆並列ダイオードとを有する上アーム及び下アームを直列に接続した単相又は多相のアーム直列回路を備える半導体装置であれば、これに限らない。例えば、昇降圧式且つチョッパ型のDC/DCコンバータ例えば、特開2009-153343号公報の図1及び図9参照に適用することもできる。上記実施形態では、図1の回路図中の1つの上SW素子34及び下SW素子40に対応するものとして、それぞれ4つの上アーム素子50a~50d及び下アーム素子54a~54dを示したが図2、これらの数は、仕様に合わせて1つ以上あればよい。同様に、図1の回路図中の1つの上ダイオード36及び下ダイオード42に対応するものとして、それぞれ2つの上ダイオード52a、52b及び下ダイオード56a、56bを示したが図2、これらの数は、仕様に合わせて1つ以上あればよい。上記実施形態では、駆動システム10のモータ12は、例えば、車両の駆動用又は電動パワーステアリング用のものとしたが、上アーム32と下アーム38の中点44において浮遊容量C2が発生する構成であれば、これに限らない。例えば、洗濯機、掃除機、エアコンディショナ、冷蔵庫、電磁調理器、交流ACサーボ、鉄道車両及びエレベータにおけるモータに用いるものであってもよい。上記実施形態では、駆動システム10は、モータ12を駆動するものであったが、上アーム32と下アーム38の中点44において浮遊容量C2が発生する構成であれば、これに限らない。例えば、駆動システム10は、無停電電源装置、太陽光発電又は風力発電用のパワーコンディショナにおけるインバータ例えば、特開2011-103497号公報の図4参照に用いることも可能である。B.ゲート電極68とゲートライン74、76の接合構造上記実施形態では、上SW素子50及び下SW素子54では、ゲート電極68を負極電極66と同じ面第2の面64に形成したが図4B、ゲート電極68の位置はこれに限らない。例えば、図7A及び図7Bに示すように、ゲート電極68を正極電極62と同じ面第1の面60に形成し、負極電極66と同じ面第2の面64にはゲート電極68を形成しない構成も可能である。図8は、図7A及び図7Bの上SW素子50及び下SW素子54を用いた1つのアーム直列回路30a及びその周辺の簡略的な外観構成図である。図9は、図8のIX-IX線における断面図である。図8及び図9に示すように、アーム直列回路30aでは、上SW素子50のゲート電極68上ゲート電極68upを半田図示せずを介して上ゲートライン74に接合する。この際、ワイヤボンディングやバスバー等の配線配線部材は用いない。代わりに、下SW素子54のゲート電極68下ゲート電極68lowをワイヤボンディング104制御用配線を用いて下ゲートライン76に接続する。図8及び図9の構成によれば、上記実施形態と同様の作用及び効果を奏することができる。すなわち、コモンモード電流Icomに起因する伝導ノイズ及び放射ノイズを低減することが可能になると共に、上SW素子50のゲート電極68上ゲート電極68upをアーム直列回路30aの上ゲートライン74に接続することが容易となる。或いは、スイッチング素子上SW素子50及び下SW素子54は、図10に示すように、第2の面64において、負極電極66によりゲート電極68を三方から囲むように形成した構成とすることもできる。この場合、第1の面60は、図4Aと同様である。図11は、下SW素子54を透視させた状態での下側第1板状部90と下ゲートライン76の周辺ゲート取出し箇所を示す平面図である図2も参照。図12は、図11のXII―XII線の断面図であり、図13は、図11のXIII-XIII線の断面図である。図10に示すスイッチング素子を下SW素子54として用いる場合、図11~図13に示すように、下ゲートライン76には、ゲート電極68に対応して突出する凸部120を形成することができる。図12に示すように、凸部120は、半田122を介してゲート電極68に接合され、負極端子72の下側第1板状部90は、半田122を介して負極電極66に接合される。図11~図13に示す下ゲートライン76では、アーム直列回路30の積層方向図12中、Z方向に見たとき、凸部120のみが下SW素子54と重なり、その他の部分は下SW素子54と重ならない図11参照。このように、凸部120を設けることにより、第2の面64において、ゲート電極68が負極電極66により三方から囲まれている場合であっても、ゲート電極68を下ゲートライン76に容易に接合することが可能となる。或いは、図10と同様の構成を、正極電極62とゲート電極68との組合せで実現することもできる。すなわち、図10の負極電極66を正極電極62に置き換えてもよい図8も参照。この場合、図11~図13と同様、上ゲートライン74に凸部120を設け、半田122を介して凸部120をゲート電極68に接合すると共に、半田122を介して正極端子70の上側第1板状部84を正極電極62に接合する。これにより、第1の面60において、ゲート電極68が正極電極62により三方から囲まれている場合であっても、ゲート電極68を上ゲートライン74に容易に接合することが可能となる。なお、凸部120を設ける構成は、ゲート電極68を正極電極62又は負極電極66により三方から囲む場合のみならず、二方向例えば、図10の左右両側のみから挟む場合にも適用可能である。或いは、ゲート電極68を第1の面60又は第2の面64の隅部に設ける場合例えば、図10の右上又は左上の隅部に設ける場合にも適用可能である。或いは、スイッチング素子上SW素子50及び下SW素子54は、図14に示すように、第2の面64において、負極電極66によりゲート電極68を三方から囲むと共に、第2の面64の外縁にガードリング130を形成した構成とすることもできる。この場合、第1の面60は、図4Aと同様である。ガードリング130は、負極電極66及びゲート電極68からの漏れ電流を防止する環状のパターンである。図15は、下SW素子54を透視させた状態での下側第1板状部90と下ゲートライン76の周辺ゲート取出し箇所を示す図2も参照。図16は、図15のXVI―XVI線の断面図であり、図17は、図15のXVII-XVII線の断面図である。図14に示すスイッチング素子を下SW素子54として用いる場合、図15及び図16に示すように、下ゲートライン76には、ゲート電極68に対応して突出する凸部120が形成されると共に、ガードリング130に対応させて溝部132を設ける。図15に示すように、凸部120は、半田122を介してゲート電極68に接合され、負極端子72の下側第1板状部90は、半田122を介して負極電極66に接合される。また、溝部132は、ガードリング130の直下に形成される。図15及び図16に示す下ゲートライン76の凸部120は、図11~図13と同様の作用及び効果を奏することができる。また、溝部132が設けられていることにより、溝部132の位置に半田122を配置することが困難となる、又は溝部132の位置の半田122の高さがその他の部位よりも低くなる。このため、ガードリング130に半田122が付き難くなる。加えて、下SW素子54を配置する際、ガードリング130が下ゲートライン76に接触し難くなる。例えば、下SW素子54が斜めに傾いた状態図16中、下SW素子54の左側が下にある状態で下SW素子54を図16中、上から配置すると、溝部132がない場合には下SW素子54の外縁に設けられたガードリング130と下ゲートライン76とが接触し易くなるが、溝部132の存在により当該接触を避けることが可能となる。これらにより、ガードリング130の損傷を抑制することができる。ガードリング130に傷が入ると、漏れ電流が増加するため、ガードリング130の損傷を抑制することにより、漏れ電流の増加を回避することが可能となる。C.出力端子78及び絶縁柱102上記実施形態では、出力端子78をグラウンドGNDから離間させるための凸状の絶縁部材として、角柱状の絶縁柱102を用いたが、出力端子78を絶縁基板80及びグラウンドGNDヒートシンク82から離間させることができる凸状の絶縁部材であれば、これに限らない。例えば、絶縁柱102の代わりの絶縁部材を円柱状、錐台状又は樽状とすることもできる。上記実施形態では、2本の絶縁柱102を用いて出力端子78をグラウンドGNDヒートシンク82から離間させたが、出力端子78を絶縁基板80及びグラウンドGNDヒートシンク82から離間させることができるものであれば、1本又は3本以上であってもよい。D.その他上記実施形態では、下ゲート電極68lowを下ゲートライン76に直接接合する構成と絶縁柱102を用いる構成とを組み合わせて用いたが、いずれか一方のみを用いる構成も可能である。