"気泡を含有する不透明シリカガラスからなる外層と、実質的に気泡を含有しない透明シリカガラスからなる内層とを有し、底部、湾曲部、及び直胴部を有する単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器であって、前記内層の表面に、少なくとも前記底部の一部から前記湾曲部を経由して少なくとも前記直胴部の一部に至るまで連続した溝が形成されていることを特徴とする単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器。前記溝が前記底部の中心まで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器。前記溝が前記底部の中心部には形成されていないことを特徴とする請求項1に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器。前記溝が、前記底部及び前記湾曲部において、網目状のパターン又は前記底部の中心を中心とした放射状のパターンで形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器。前記溝が前記直胴部の上縁まで形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器。前記溝の断面形状がV字形、U字形及び方形のいずれかであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器。前記溝が少なくとも前記直胴部において間隔が1~30mmの範囲で形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器。前記外層のOH基濃度が10~300massppmであり、Al濃度が10~300massppmであることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器。前記内層のOH基濃度が1~100massppmであり、Al濃度が50massppm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器。シリカ粉の加熱溶融により、気泡を含有する不透明シリカガラスからなる外層と、実質的に気泡を含有しない透明シリカガラスからなる内層とを有し、底部、湾曲部、及び直胴部を有するシリカ容器を作製した後に、前記内層の表面に、少なくとも前記底部の一部から前記湾曲部を経由して少なくとも前記直胴部の一部に至るまで連続した溝を形成することを特徴とする単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法。前記シリカ粉の加熱溶融によるシリカ容器の作製を、第1の原料粉として、粒径10~1000μmのシリカ粉を作製する工程と、前記第1の原料粉を、回転対称性を有する型枠内に投入し、該型枠を回転させつつ該型枠の内壁に応じた所定の形状に仮成形して仮成形体とする工程と、前記仮成形体の内部に炭素電極を設置し、放電加熱溶融法により前記仮成形体を加熱溶融させ、少なくとも前記仮成形体の外側部分を前記不透明シリカガラスとし、内側部分を前記透明シリカガラスとする放電加熱溶融工程とにより行うことを特徴とする請求項10に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法。請求項11に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法であって、第2の原料粉として、粒径10~1000μmであり、前記第1の原料粉よりも高純度のシリカ粉を作製する工程と、少なくとも前記放電加熱溶融工程よりも後であり、かつ前記溝の形成よりも前に、前記第2の原料粉を前記シリカ容器の上部から散布しつつ放電加熱溶融法により加熱溶融させ、前記シリカ容器の内層の表面部分にさらに透明シリカガラスからなる層を形成し、該内層の厚さを厚くする工程とを有することを特徴とする単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法。前記放電加熱溶融工程において、前記仮成形体を前記型枠の外側から減圧して前記仮成形体を脱ガスすることを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法。前記放電加熱溶融工程において、前記仮成形体の内側から水素ガス1~10vol.を含有する不活性混合ガスを供給することを特徴とする請求項11ないし請求項13のいずれか1項に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法。前記溝の形成において使用する溝形成用研削器の回転研削板の先端断面形状がV字型、U字形及び方形のいずれかであることを特徴とする請求項10ないし請求項14のいずれか1項に記載の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法。本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、引き上げた単結晶シリコン中のボイドやピンホールと呼ばれる欠陥を低減することができる単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器、及び、そのようなシリカ容器の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、気泡を含有する不透明シリカガラスからなる外層と、実質的に気泡を含有しない透明シリカガラスからなる内層とを有し、底部、湾曲部、及び直胴部を有する単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器であって、前記内層の表面に、少なくとも前記底部の一部から前記湾曲部を経由して少なくとも前記直胴部の一部に至るまで連続した溝が形成されていることを特徴とする単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器を提供する。このようなシリカ容器であれば、単結晶シリコン製造中にシリコン融液中に含有されるアルゴンArガスや溶融シリコンとシリカ容器表面が反応して生成する一酸化ケイ素SiOガスが、気泡径の成長と供にシリカ容器の内表面の連続溝に沿って上昇し、シリカ容器の直胴部周辺から融液外部へ放出される。その結果、気泡が引き上げ中の結晶に取り込まれ難くなり、ボイドやピンホールの少ない単結晶シリコンを製造することができる。本発明に係る単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器では、前記溝が前記底部の中心まで形成されているものとすることができる。このように、溝がシリカ容器底部の中心まで形成されているものとすることにより、シリカ容器底部で生成する気泡も連続溝に沿ってシリコン融液外部へと放出させることができる。本発明に係る単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器では、前記溝が前記底部の中心部には形成されていないものとすることもできる。このように、溝がシリカ容器底部の中心部には形成されていないものとすることにより、引き上げる単結晶シリコンの真下に溝がないことから、単結晶シリコンに取り込まれる気泡の量を低減することができる場合がある。また、本発明に係る単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器では、前記溝が、前記底部及び前記湾曲部において、網目状のパターン又は前記底部の中心を中心とした放射状のパターンで形成されていることが好ましい。このようなパターンで溝が形成されていれば、より効率よく気泡をシリコン融液外部へと放出させることができる。また、前記溝が前記直胴部の上縁まで形成されていることが好ましい。このように、シリカ容器直胴部の上縁まで溝が形成されていれば、容器内のシリコン融液の深さにかかわりなく、より確実に気泡をシリコン融液外部へと放出させることができる。また、前記溝の断面形状がV字形、U字形及び方形のいずれかであることが好ましい。このような断面形状を有する溝であれば、より効率よく気泡を溝に沿ってシリコン融液外部へと放出させることができる。また、前記溝が少なくとも前記直胴部において間隔が1~30mmの範囲で形成されていることが好ましい。このような間隔でシリカ容器直胴部において溝が形成されているものとすることにより、より効率よく気泡をシリコン融液外部へと放出させることができる。また、前記外層のOH基濃度が10~300massppmであり、Al濃度が10~300massppmであることが好ましい。また、前記内層のOH基濃度が1~100massppmであり、Al濃度が50massppm以下であることが好ましい。これらのような濃度で外層又は内層にOH基とAlを含有するものであれば、シリカ容器の原料と成る原料粉が安価な低純度のものであっても、シリコン融液中への不純物の取り込みを低減することができる。また、本発明は、シリカ粉の加熱溶融により、気泡を含有する不透明シリカガラスからなる外層と、実質的に気泡を含有しない透明シリカガラスからなる内層とを有し、底部、湾曲部、及び直胴部を有するシリカ容器を作製した後に、前記内層の表面に、少なくとも前記底部の一部から前記湾曲部を経由して少なくとも前記直胴部の一部に至るまで連続した溝を形成することを特徴とする単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法を提供する。このような方法によって、シリカ容器の内層の表面に連続溝を形成することにより、低コストで連続溝を有するシリカ容器を製造することができる。このようなシリカ容器であれば、単結晶シリコン製造中にシリコン融液中に含有されるアルゴンArガスや溶融シリコンとシリカ容器表面が反応して生成する一酸化ケイ素SiOガスが、気泡径の成長と供に該内表面の連続溝に沿って上昇し、融液外部へ放出される。その結果、ボイドやピンホールの少ない単結晶シリコンを製造することができる。この場合、前記シリカ粉の加熱溶融によるシリカ容器の作製を、第1の原料粉として、粒径10~1000μmのシリカ粉を作製する工程と、前記第1の原料粉を、回転対称性を有する型枠内に投入し、該型枠を回転させつつ該型枠の内壁に応じた所定の形状に仮成形して仮成形体とする工程と、前記仮成形体の内部に炭素電極を設置し、放電加熱溶融法により前記仮成形体を加熱溶融させ、少なくとも前記仮成形体の外側部分を前記不透明シリカガラスとし、内側部分を前記透明シリカガラスとする放電加熱溶融工程とにより行うことができる。さらにこの場合、単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法であって、第2の原料粉として、粒径10~1000μmであり、前記第1の原料粉よりも高純度のシリカ粉を作製する工程と、少なくとも前記放電加熱溶融工程よりも後であり、かつ前記溝の形成よりも前に、前記第2の原料粉を前記シリカ容器の上部から散布しつつ放電加熱溶融法により加熱溶融させ、前記シリカ容器の内層の表面部分にさらに透明シリカガラスからなる層を形成し、該内層の厚さを厚くする工程とを有することができる。また、本発明の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法では、前記放電加熱溶融工程において、前記仮成形体を前記型枠の外側から減圧して前記仮成形体を脱ガスすることが好ましい。このような工程により、溝を形成する前のシリカ容器を作製することにより、低コストで不透明シリカガラスからなる外層と透明シリカガラスからなる内層とを有するシリカ容器を作製することができる。また、前記放電加熱溶融工程において、前記仮成形体の内側から水素ガス1~10vol.を含有する不活性混合ガスを供給することが好ましい。放電加熱溶融工程においてこのようなガスを供給することにより、より気泡の少ない透明シリカガラスからなる内層が得られる。また、前記溝の形成において使用する溝形成用研削器の回転研削板の先端断面形状がV字型、U字形及び方形のいずれかであることが好ましい。このような形状の研削器を用いることにより、断面形状をV字型、U字形及び方形のいずれかとすることができ、このような断面形状を有する溝であれば、より効率よく気泡をシリコン融液外部へと放出させることができる。本発明に係る単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器であれば、単結晶シリコン製造中にシリコン融液中に含有されるアルゴンArガスや溶融シリコンとシリカ容器表面が反応して生成する一酸化ケイ素SiOガスが、気泡径の成長と供にシリカ容器内表面の連続溝に沿って上昇し、シリカ容器直胴部周辺から融液外部へ放出される。その結果、ボイドやピンホールの少ない単結晶シリコンを製造することができる。また、本発明に従う単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法であれば、そのようなシリカ容器を低コストで製造することができる。製造する単結晶シリコンの大口径化により、単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器が大型化され、また容器内に充填されるポリシリコン原料の重量が大きくなってきているため、シリコン融液中に含まれる気泡が融液中に残存し、製造中の単結晶シリコンにこれらの気泡が取り込まれ、単結晶シリコンの中に空隙ボイドや非貫通の小口径の穴ピンホールと呼ばれる欠陥の生成が多くなるという問題が生じている。これらの欠陥の原因は単結晶シリコン製造時に雰囲気ガスとして充填されるアルゴンAr等がシリカ容器内側表面に吸着するため、及び、シリカ容器と容器中で溶融されるシリコンSiが反応して生成する一酸化ケイ素SiOガスのためと推定されている。本発明では製造した単結晶シリコン中のボイドやピンホールと呼ばれる欠陥を低減することが課題である。以上の通り、本発明では上記の技術的課題を従来の製造方法による高純度単結晶シリコン引き上げ用ルツボよりも同程度以下の低コストで解決する必要があった。さらに、LSI用又はソーラー用の単結晶シリコン製造用のシリカ容器では、加熱高温雰囲気での容器内部の均熱性が必要とされる。そのためには少なくともシリカ容器を2重構造とし、外側は多孔質の不透明シリカ焼結体とし、内側は実質的に気泡を含まない透明シリカガラス体とする。また、単結晶シリコンの製造時にシリカ容器に含まれている不純物金属元素、例えばアルカリ金属元素Li、Na、Kのみならず、特にTi、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、W等が単結晶シリコンに取り込まれた場合、例えばソーラー用シリコンデバイスにおいて光電変換効率の低下を引き起こしてしまう。従って、シリカ容器に含まれる不純物がシリコン融液に拡散してこないようにシリカ容器の内表面は高純度とすることが好ましい。以下、本発明に係る単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法について図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。特に、以下では主に本発明を好適に適用できる一例として、太陽電池太陽光発電、ソーラー発電の材料とされる金属シリコン溶融用容器として使用することができるシリカ容器ソーラーグレードルツボとその製造方法の説明を行うが、本発明はこれに限定されることなく、大規模集積回路LSI用単結晶シリコンの引き上げ等にも適用することができる。本発明に係る単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器を、図5を参照して説明する。図5に示したように、本発明に係るシリカ容器71は、気泡を含有する不透明シリカガラスからなる外層51と、実質的に気泡を含有しない透明シリカガラスからなる内層52とを有する。また、シリカ容器71は、底部、湾曲部、及び直胴部を有する。このとき、シリカ容器71の外径D1の1/3D2を底部の直径とする。またシリカ容器71の高さH1の1/3下部分から底部までの間高さH2のうち、底部以外を湾曲部とする。本発明のシリカ容器では、さらに、内層52の表面に、少なくとも底部の一部から湾曲部を経由して少なくとも直胴部の一部に至るまで連続した溝が形成されている。本発明に係る単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器のような溝がない場合、単結晶シリコン製造中にシリコン融液中に含有されるアルゴンAr等のガスや溶融シリコンとシリカ容器表面が反応して生成する一酸化ケイ素SiOガスは、大部分がシリカ容器の内表面に付着する微小な気泡として発生し、その後徐々に気泡径が大きくなり、気泡の浮力の増大と供にシリコン融液中を上昇すると推定される。この時、気泡がシリカ容器の内表面に付着したまま容器内面に沿って上昇し、シリコン融液の外部へ放出されれば単結晶シリコンへの影響はなくなる。しかし該気泡がシリカ容器の内表面からそのまま離脱し対流しているシリコン融液の中心部位に含有されるような場合は、単結晶シリコンへ取り込まれボイドやピンホールを生成することになってしまう。本発明では、内層の表面に、少なくとも底部の一部から湾曲部を経由して少なくとも直胴部の一部に至るまで連続した溝が形成されているため、この連続溝の存在によりシリコン融液中のアルゴンガスやSiOガスは単結晶シリコン製造中にシリカ容器の内表面に付着し、気泡径の成長と供に該内表面の連続溝に沿って上昇し、融液外部へ放出される。またシリコン融液とシリカが反応して生成する一酸化ケイ素ガスSiOは当初シリカ容器内表面の連続溝に微小泡として発生し、同様に気泡径の成長と供に浮力増大し該内表面の連続溝に沿って上昇し、外部へ放出される。この連続溝は、容器の内表面に付着した気泡を効率よく内表面に沿って上昇させるため、シリカ容器底部及び湾曲部において、網目状のパターン又は底部の中心を中心とした放射状のパターンで形成されていることが好ましい。図1~3に、本発明のシリカ容器の内層表面に形成する連続溝のパターンの一例を展開図のように模式的に示した。ただし、曲面から構成される立体的形状のルツボを平面上に示したものなので、実際にこのように展開できるわけではない。図1~3中、左側の長方形内のパターンは直胴部から湾曲部の一部にかけて形成する溝のパターンを側面から見た展開図として示し、右側の円内のパターンは底部から湾曲部の一部にかけて形成する溝のパターンを上面から見た図として示している。溝のパターンは図1~3に示したように、対称性の高いパターンとすることが好ましい。図1には、シリカ容器底部及び湾曲部において底部の中心を中心とした放射状のパターンを形成した例を示した。底部の中心を中心とした放射状のパターン図1中24本の溝は、直胴部の溝に連続している。図2には、シリカ容器底部及び湾曲部において網目状のパターンを形成する例を示した。底部及び湾曲部において網目状のパターンを形成している各溝は、直胴部の溝に連続している。図3には、シリカ容器底部及び湾曲部において底部の中心を中心とした放射状のパターンを形成する別の例を示した。底部の中心を中心とした放射状のパターンは、直胴部の溝に連続している。図3に示したように、放射状パターンは、ルツボ上部から見て直線的なものではなく、渦を巻くようなパターンであってもよい。特に、単結晶シリコン製造時のルツボの回転に沿ったものとすることが好ましい。例えば、図3のパターンは、反時計回り図3中の矢印の向きにルツボが回転する場合に好適である。図4には、本発明に係るシリカ容器に形成された溝パターンの変形例を模式的に示す上面図を示した。図4a、c、eに示した溝パターンは、それぞれ、図1~3の溝パターンに対応する。本発明のシリカ容器の内層表面に形成する溝は、図4a、c、eに示したように、シリカ容器の底部の中心まで形成されていることとしてもよいが、図4b、d、fに示したように、シリカ容器の底部の中心部には形成されていなくてもよい。また、複数本の連続溝のうち一部がシリカ容器の底部の中心まで形成されており、その一部以外はシリカ容器の底部の中心部に形成されていないというものであってもよい。溝がシリカ容器底部の中心まで形成されているものとすることにより、シリカ容器底部で生成する気泡も連続溝に沿ってシリコン融液外部へと放出させることができる。これは、比較的丸底形状の容器の場合に適する。その一方で、溝がシリカ容器底部の中心部には形成されていないものとすることにより、引き上げる単結晶シリコンの真下に溝がないことから、気泡の生成付着が容器底部中心部ではなく、その周囲に形成された溝において優先的に行われることにより、単結晶シリコンに取り込まれる気泡の量を低減することができる場合がある。これは比較的平底形状の容器の場合に適する。連続溝は、直胴部においては、鉛直線すなわち、シリコン融液面に対する垂直線に対して0~45°の範囲とすることが好ましい。図1、2には、この角度傾斜角度が0°である場合を示している。図3には該角度が30°である場合を示している。この直胴部における溝の傾斜角度は、単結晶シリコン製造時のルツボの回転に沿ったものとすることが好ましい。例えば、図3のパターンは、反時計回りにルツボが回転する場合に好適である。連続溝は、シリコン融液面となる位置よりも上まで形成されていることが好ましく、シリカ容器の直胴部の上縁まで形成されていることがより好ましい。シリカ容器直胴部の上縁まで溝が形成されていれば、容器内に収容されるシリコン融液の深さにかかわらず、確実に気泡をシリコン融液外部へと放出させることができるからである。また、溝の断面形状は、より効率よく気泡をシリコン融液外部へと放出させるため、V字形、U字形及び方形のいずれかであることが好ましい。図6に、本発明に係るシリカ容器において形成する溝の断面形状を示した。図6a、bは、それぞれ、シリカ容器の内層52の表面にV字形、U字形の溝を形成した例である。図6cは、シリカ容器の内層52の表面に方形の溝を形成した例であり、この形状は凹形や箱形、角形とも呼ばれる。図6に示した断面形状を有する溝は、断面形状の幅が10~1000μm、深さが10~1000μmのものとすることが好ましい。このような範囲であれば、より効果的にシリコン融液中の気泡をシリコン融液外部へと放出させることができる。また、この溝の幅及び深さは、500~1000μm、深さ500~1000μmとすることがより好ましい。溝同士の間隔は、少なくとも直胴部において1~30mmの範囲の間隔ピッチで形成されていることが好ましい。この溝の間隔は3~10mmであることがより好ましい。また、直胴部においてほぼ等間隔とすることが好ましい。また、本発明の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器71は、上記のように、気泡を含有する不透明シリカガラスからなる外層51と、実質的に気泡を含有しない透明シリカガラスからなる内層52を有する。シリカ容器71が、このような外層51と内層52とを有することにより、加熱下においてシリカ容器内部の均熱性を向上させることが可能となる。外層51のかさ密度は例えば1.90~2.20g/cm3とすることができ、内層52のかさ密度は典型的には2.20g/cm3程度とすることができるが、本発明は特にこれらに限定されるものではない。また、外層51のOH基濃度が10~300massppmであり、Al濃度が10~300massppmであることが好ましい。また、内層52のOH基濃度が1~100massppmであり、Al濃度が50massppm以下であることが好ましい。これらのような濃度で外層51又は内層52にOH基とAlを含有するものであれば、シリカ容器の原料と成る原料粉が安価な低純度のものであっても、シリコン融液中への不純物の取り込みを低減することができる。例えば、外層51にアルカリ金属元素Li、Na、Kの合計値が5~50massppm含むような低純度のもであっても、外層51にAlを好ましくは10~300massppm、より好ましくは20~50massppm含有させることによりアルカリ金属元素の吸着、固定を行うことが可能となる。さらに、それに加えて外層51にOH基を10~300massppm、より好ましくは1~100massppm含有させることによって、さらに不純物の吸着、固定作用を大幅に向上させることができる。その他にAlを含有させる効果としては、シリカガラスの高温化での粘性度を上げて高温下におけるシリカ容器の耐熱変形性を向上させる。OH基濃度の増加は高温下におけるシリカガラスの粘性度を低下させるので、好ましくは100massppm以下である。内層52におけるAl濃度は、上記のように50massppm以下であることが好ましい。シリコン融液と接触する内層では、このような濃度にしておくことによりAl自身による単結晶シリコンへの汚染を防止しつつ、Alによるアルカリ金属元素の吸着、固定の効果を得ることができる。内層52におけるOH基濃度は、上記のように好ましくは1~100massppmである。OH基は不純物金属元素の拡散速度を低下させる効果があるが、耐エッチング性シリコン融液への溶けづらさを低下させる逆効果もあるため、シリコン融液と接触する内層52では適量濃度範囲が限定される。これらAl、OH基が不純物金属元素のシリカガラス中の移動、拡散を防止するメカニズムの詳細は不明であるが、AlはSiと置換することにより不純物金属元素の陽イオンカチオンをシリカガラスネットワークの電荷バランスを保つという点から吸着、拡散防止するものと推定される。またOH基は水素イオンと金属イオンが置換することにより、これら不純物金属元素を吸着ないし拡散防止する効果が生ずるものと推定される。内層52は不純物金属元素の含有量が少なく、高純度なものであることが好ましい。内層52の不純物金属元素であるLi、Na、Kの各々を60massppb以下、Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、Wを各々30massppb以下、好ましくは、Li、Na、Kの各々が20massppb以下、Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、Wの各々が10massppb以下とすることにより単結晶シリコンの品質を高くすることが可能となる。以下では、上記のようなシリカ容器71を製造することができる、本発明の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器の製造方法を具体的に説明する。まず、図5に示したような、シリカ粉の加熱溶融により、気泡を含有する不透明シリカガラスからなる外層51と、実質的に気泡を含有しない透明シリカガラスからなる内層52とを有し、底部、湾曲部、及び直胴部を有するシリカ容器71を作製する。その後、内層52の表面に、少なくとも底部の一部から湾曲部を経由して少なくとも直胴部の一部に至るまで連続した溝を形成する。溝を形成する前までの具体的なシリカ容器71の製造方法を図7、8を参照して説明する。まず、図7の1に示したように、第1の原料粉11として、粒径10~1000μmのシリカ粉を作製する。この第1の原料粉11は例えば以下のようにしてシリカ塊を粉砕、整粒することにより作製することができるが、これに限定されない。まず、直径5~50mm程度の天然シリカ塊天然に産出する水晶、石英、珪石、珪質岩石、オパール石等を大気雰囲気下、600~1000°Cの温度域にて1~10時間程度加熱する。次いで該天然シリカ塊を水中に投入し、急冷却後取出し、乾燥させる。この処理により、次のクラッシャー等による粉砕、整粒の処理を行いやすくできるが、この加熱急冷処理は行わずに粉砕処理へ進んでもよい。次いで、該天然シリカ塊をクラッシャー等により粉砕、整粒し、粒径を好ましくは10~1000μm、より好ましくは50~500μmに調整して天然シリカ粉を得る。次いで、この天然シリカ粉を、傾斜角度を有するシリカガラス製チューブから成るロータリーキルンの中に投入し、キルン内部を塩化水素HCl又は、塩素Cl2ガス含有雰囲気とし、700~1100°Cにて1~100時間程度加熱することにより高純度化処理を行う。ただし高純度を必要としない製品用途では、この高純度化処理を行わずに次処理へ進んでもよい。以上のような工程後に得られる第1の原料粉11は結晶質のシリカであるが、シリカ容器の使用目的によっては、第1の原料粉11として非晶質のシリカガラススクラップを使用することもできる。第1の原料粉11の粒径は、上記のように、10~1000μmとすることが好ましく、50~500μmとすることがより好ましい。第1の原料粉11のシリカ純度は、99.99mass以上とすることが好ましく、99.999mass以上とすることがさらに好ましい。また、本発明のシリカ容器の製造方法であれば、第1の原料粉11のシリカ純度を99.999mass未満と比較的低純度のものとしても、製造されるシリカ容器は、収容する収容物への不純物汚染を十分に防止することができる。そのため、従来よりも低コストでシリカ容器を製造することができることになる。なお、第1の原料粉11には、さらに、Alを好ましくは10~300massppmの範囲で含むものとしてもよい。Alは、例えば硝酸塩、酢酸塩、炭酸塩、塩化物等を水又はアルコール溶液として、これら溶液の中にシリカ粉を投入、浸漬させ、次いで乾燥することにより得ることができる。以上のように第1の原料粉11を作製した後、次に、図7の2に示すように、第1の原料粉11を、回転対称性を有する型枠内に投入し、該型枠を回転させつつ該型枠の内壁に応じた所定の形状に仮成形して仮成形体とする。図9に、第1の原料粉11を仮成形する型枠の概略を表す断面図を示した。本発明で用いる型枠101は、例えば、グラファイト等の部材から成り、回転対称性を有している。また、型枠101の内壁102には、減圧用の孔103が分配されて形成されていてもよい。減圧用の孔103は、減圧用の通路104に連なっている。また、型枠101を回転させるための回転軸106にも減圧用の通路105が通っており、ここから真空引きを行うことができるようになっている。この型枠101の内壁102に、第1の原料粉11を導入し、第1の原料粉11を型枠101の内壁102に応じた所定の形状に仮成形して仮成形体41とする図10参照。具体的には、型枠101を回転させつつ、徐々に第1の原料粉11を型枠101の内壁102に投入し、遠心力を利用して容器形状に成形する。また内側から板状の内型枠図示せずを、回転する粉体に接触させることにより、仮成形体41の肉厚を所定量に調整してもよい。また、この第1の原料粉11の型枠101への供給方法は特に限定されないが、例えば、攪拌用スクリューと計量フィーダを備えるホッパーを用いることができる。この場合、ホッパーに充填された第1の原料粉11を、攪拌用スクリューで攪拌し、計量フィーダで供給量を調節しながら供給する。次に、図7の3に示すように、仮成形体41の内部に炭素電極を設置し、放電加熱溶融法により仮成形体41を加熱溶融させ、少なくとも仮成形体41の外側部分を不透明シリカガラスからなる外層51とし、内側部分を透明シリカガラスからなる内層52とする。具体的には、図11、図12に示すように型枠101に形成されている減圧用の孔103によって減圧することにより、仮成形体41を、型枠102の外側から減圧して脱ガスするとともに、放電加熱溶融法により、仮成形体の内側から加熱することが好ましい。これによって、仮成形体41の外周部分を焼結体とするとともに、仮成形体41の内側部分を溶融ガラス体とし、シリカ容器71を作製する。シリカ容器71を作製する装置は、上記の回転軸対称性を有する回転可能な型枠101の他、回転モーター図示せず、及び放電加熱溶融アーク溶融、アーク放電溶融とも呼ばれるの熱源となる炭素電極カーボン電極212、電線212a、高圧電源ユニット211、蓋213等から成る。さらに、仮成形体の内側から供給する雰囲気ガスを調整するための構成要素、例えば、水素ガス供給用ボンベ411、不活性ガス供給用ボンベ412、混合ガス供給管420等を具備する。なお、この装置は、後述するように内層の表面部分にさらに透明シリカガラスからなる層を形成する場合にも、続けて使用することができる。仮成形体41の溶融、焼結手順としては、炭素電極212間に加電を開始する前に、まず、水素ガス1~10vol.を含有する不活性ガスとを含む混合ガスを、仮成形体41の内側から供給し始めることが好ましい。具体的には、図11に示したように、水素ガス供給用ボンベ411から水素ガスを、不活性ガス供給用ボンベ412から不活性ガス例えば、窒素N2やアルゴンAr、ヘリウムHeを供給して混合し、混合ガス供給管420を通じて、仮成形体41の内側から供給する。なお、符号510で示した白抜き矢印は混合ガスの流れを示す。次に、上記のように混合ガスの供給を続けた状態で、仮成形体41が入っている型枠101を一定速度で回転させつつ、脱ガス用真空ポンプ図示せずを起動させ、減圧用の孔103、減圧用の通路104、105を通じて仮成形体41の外側から減圧するとともに炭素電極212間に加電を開始する。炭素電極212間にアーク放電符号220で図示が開始されると、仮成形体41の内表面部はシリカ粉の溶融温度域1800~2000°C程度と推定となり、最表層部から溶融が始まる。最表層部が溶融すると脱ガス真空ポンプによる真空引きの減圧度が増加し急に圧力が低下し、第1の原料粉11に含まれている溶存ガスを脱ガスしつつ溶融シリカガラス層への変化が内側から外側へ進行することになる。そして、仮成形体の全厚さの内側半分程度が溶融し、透明シリカガラス層からなる内層52となり、残り外側半分程度が焼結した不透明シリカガラスからなる外層51となるまで加電による加熱と真空ポンプによる減圧を継続する。減圧度は104Pa以下とすることが好ましく、103Pa以下とすることがさらに好ましい。なお、この放電加熱溶融工程においては、減圧を行わず、常圧で放電加熱を行い、仮成形体41の外側部分を不透明シリカガラスとし、内側部分を透明シリカガラスとすることもできる。ここまでの工程で形成されたシリカ容器71に溝を形成することができるが、必要に応じて、溝を形成する前にシリカ容器71の内層52の表面部分にさらに透明シリカガラスからなる層を形成し、該内層の厚さを厚くすることもできる。この方法を図8を参照して説明する。この方法でも、上記の図7の1~3に示した工程1~3と同様に、シリカ容器71を形成する工程まで行う図81~3参照。これとは別に、第2の原料粉12として、粒径10~1000μmであり、第1の原料粉11よりも高純度のシリカ粉を作製する。第2の原料粉の作製方法は、より高純度とすること以外は、上記の第1の原料粉と同様としてもよい。また、第2の原料粉12の材質としては、高純度化処理された天然石英粉、天然水晶粉、又は合成クリストバライト粉、合成シリカガラス粉を使用できる。内層の気泡量を少なくする目的であれば結晶質シリカ粉が好ましく、あるいは高純度な透明シリカガラスからなる内層とする目的であれば、合成粉が望ましい。第2の原料粉12の粒径は、100~500μmとすることがより好ましい。第2の原料粉12の純度はシリカ成分SiO299.9999mass以上、かつアルカリ金属元素Li、Na、Kの各々が60massppb以下、好ましくは各20massppb以下、Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、Wの各々が30massppb以下、好ましくは各10massppb以下とすることが好ましい。次に、図8の4に示したように、第2の原料粉12を用いて、少なくとも放電加熱溶融工程図83よりも後であり、かつ溝の形成図85よりも前に、シリカ容器71の内層52の表面部分にさらに透明シリカガラスからなる層を形成し、該内層の厚さを厚くする。この工程は、第2の原料粉12をシリカ容器71の上部から散布しつつ放電加熱溶融法により加熱溶融させることにより行う。この工程の基本的な形成方法は、例えば特許文献6及び特許文献7に示される内容に従う。この工程を、図13を参照して説明する。シリカ容器71の表面部分にさらに透明シリカガラスからなる層を形成する装置は前工程と同様、回転軸対称性を有するシリカ容器71が設置されている回転可能な型枠101、回転モーター図示せず、及び第2の原料粉12が入った原料粉ホッパー303、攪拌用スクリュー304、計量フィーダ305、及び放電加熱溶融の熱源となる炭素電極212、電線212a、高圧電源ユニット211、蓋213等から成る。また、雰囲気ガスを調整する場合には、放電加熱溶融工程図83と同様に、さらに、水素ガス供給用ボンベ411、不活性ガス供給用ボンベ412、混合ガス供給管420等を具備していてもよい。内層52の厚さを厚くする方法としては、まず、型枠101を所定の回転速度に設定し、高圧電源ユニット211から徐々に高電圧を負荷するのと同時に原料ホッパー303から徐々に第2の原料粉12をシリカ容器71の上部から散布する。この時炭素電極212間に放電は開始されており、シリカ容器71内部はシリカ粉の溶融温度域1800~2000°C程度と推定にあるため、散布された第2の原料粉12はシリカの溶融粒子となってシリカ容器71の内表面に付着していく。シリカ容器71の上部開口部に設置されている炭素電極212、原料粉投入口、蓋213はシリカ容器71に対してある程度位置が変化させられる機構となっており、これらの位置を変化させることにより、シリカ容器71の全内表面に均一厚さで内層52を厚くすることができる。なお、内層52のうち、第2の原料粉12により厚くした部分を、図13中の内層追加層52’で示した。このようにしてシリカ容器71を作製した後、シリカ容器71の内層52に溝形成を行う図74、図85。連続溝の形成方法は、例えば、高速回転するダイヤモンド研削板を組み込んだ研削器を使用することができる。ダイヤモンド研削板ホイールは、ダイヤモンドを合金で固定したメタルボンド研削板が低コストで使用できるが、容器内表面の加工汚染を防止するためには、樹脂で固定したレジンボンド研削板や多成分系ガラスで固定したビトリファイドボンド研削板が使用できる。その他に、炭酸ガスCO2レーザー等を組み込んだ、レーザー加工機を使用することもできる。レーザー加工は非接触加工方法であることからシリカ容器内表面の加工汚染を防止することができる。以上のようにして、本発明の単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器71を得ることができる。以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1図7に示した工程1~4に従い、単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器を製造した。シリカSiO2純度99.999mass以上、粒径100~300μmであり、Alを50massppmドープした天然石英粉を第1の原料粉11として準備した。仮成形体の溶融時雰囲気ガスは乾燥させたN297vol.とH23vol.の混合ガスとした。シリカ容器の内層の表面に、図2及び図4cのような網目状のパターンでV字形連続溝を形成した。溝幅は700μm、溝深さは600μm、直胴部における溝の鉛直線に対する角度は0°であり、溝間隔は直胴部において20mmであった。その他の条件は表1中に記載した。実施例2実施例1と同様にシリカ容器を製造し、シリカ容器の内層の表面に図1ただし底部は図4bのような放射状のパターンでV字形溝を形成した。溝幅は700μm、溝深さは600μm、直胴部における溝の鉛直線に対する角度は0°であり、溝間隔は直胴部で15mmであった。実施例3図8に示した工程1~5に従い、単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器を製造した。第1の原料粉として、シリカ純度99.999mass以上、粒径100~300μmであり、Alを60massppmドープした天然石英粉を使用した。第2の原料粉はシリカ純度99.9999mass以上、粒径100~300μmの高純度合成クリストバライト粉とした。溶融時の雰囲気ガスは、乾燥させたHe90vol.とH210vol.の混合ガスとした。シリカ容器の内層の表面に図3及び図4eのような放射状放射渦状のパターンでU字形溝を形成した。溝幅は700μm、溝深さは500μm、直胴部における溝の鉛直線に対する角度は30°であり、溝間隔は直胴部で10mmであった。その他の条件は表2中に記載した。実施例4実施例3と同様のAlをドープした第1の原料粉と高純度の第2の原料粉を使用した。また、溶融時雰囲気ガスも実施例3と同様とした。シリカ容器の内側表面部分に図3ただし底部は図4fのような放射状放射渦状のパターンでU字形溝を形成した。溝幅は700μm、溝深さは500μm、直胴部における溝の鉛直線に対する角度は30°であり、溝間隔は直胴部で10mmであった。比較例1第1の原料粉としてシリカ純度99.999mass以上、粒径100~300μmの天然石英粉を使用した。仮成形体の溶融は空気中の減圧アーク溶融法により行った。シリカ容器の内側表面部分に溝は形成しなかった。比較例2第1の原料粉は比較例1と同じと、第2の原料粉は実施例3、4と同じとした。仮成形体の溶融は空気中の常圧アーク溶融法、内層の厚さを厚くする手法は第2の原料粉の散布による空気中の常圧アーク溶融法により行った。シリカ容器の内側表面部分に溝は形成しなかった。[実施例及び比較例における評価方法]各実施例及び比較例において用いた原料粉及びガス、並びに製造したシリカ容器の物性、特性評価を以下のようにして行った。各原料粉の粒径測定方法:光学顕微鏡又は電子顕微鏡で各原料粉の二次元的形状観察及び面積測定を行った。次いで、粒子の形状を真円と仮定し、その面積値から直径を計算して求めた。この手法を統計的に繰り返し行い、粒径の範囲この範囲の中に99mass以上の原料粉が含まれるの値として、表1~3に示した。層厚測定:シリカ容器の側壁の全高さの中央2分の1部分における容器断面をスケールで測定することにより、層の厚さを決めた。OH基濃度測定:赤外線吸収分光光度法で行った。OH基濃度への換算は、以下文献に従う。Dodd,D.M.andFraser,D.B.1966OpticaldeterminationofOHinfusedsilica.JournalofAppliedPhysics,vol.37,P.3911.内層の不純物金属元素濃度分析:不純物金属元素濃度が比較的低いガラスが高純度である場合は、プラズマ発光分析法ICP-AES又はプラズマ質量分析法ICP-MSで行い、不純物金属元素濃度が比較的高いガラスが低純度である場合は、原子吸光光度法AASで行った。その結果、アルカリ金属元素Li、Na、K、遷移金属元素Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、Wの13元素の合計濃度に応じて以下のような評価とした。300massppb未満○良好300~3000massppb△やや不良3000massppb以上×不良単結晶シリコン連続引き上げマルチ引き上げ評価:製造したシリカ容器の中に純度99.99999massの金属ポリシリコンを投入し、昇温を行いシリコン融液とし、次いで単結晶シリコンの引き上げを3回繰り返して行いマルチ引き上げ、単結晶育成の成功率として評価した。引き上げ条件は、引き上げ装置内をアルゴンArガス100雰囲気、引上げ速度0.5mm/分、回転数10rpm、単結晶シリコン寸法は直径300mm、長さ600mm、1バッチの操業時間は約100時間とした。単結晶育成3回繰り返しの成功比率の分類は以下の通りとした。3回成功○良好2回成功△やや不良1回以下×不良ボイドとピンホールの評価:前記の単結晶シリコン連続引き上げにおいて、各単結晶シリコンマルチ引き上げ後の1本目の単結晶シリコンの任意の部位から、直径300mm、厚さ200μmの両面研磨仕上げのシリコンウエーハ各200枚を作製した。次いで各々のシリコンウエーハの両面に存在するボイドとピンホールの個数を測定し、統計的に数値処理を行いシリコンウエーハ200枚当たりの欠陥の無い枚数を求めた。その結果、ボイドもピンホールも検出されないシリコンウエーハ枚数に応じて以下のような評価とした。ただし検出可能なボイドとピンホールの直径は50μm以上であった。無欠陥シリコンウエーハ枚数200枚○良好無欠陥シリコンウエーハ枚数199~198枚△やや不良無欠陥シリコンウエーハ枚数197枚以下×不良実施例1~4、比較例1、2で製造したそれぞれのシリカ容器の製造条件と、測定した物性値、評価結果をまとめ、下記の表1~4に示した。表4には、実施例1、3、比較例2の内層の不純物分析値を示した。表1~4からわかるように、実施例1~4では、ボイドやピンホールの少ない単結晶シリコンを製造することができた。特に、溝のパターンは、実施例3、4の渦巻き型の放射状のパターン図4e、fが効果的であることがわかった。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"