光源から出射される光の光パワーを検出するパワー検出部を用いて、前記光パワーを制御する方法であって、前記パワー検出部の周辺温度が異なる2以上のタイミングで、前記パワー検出部の出力値を取得して、前記パワー検出部の温度ドリフト特性を取得する第1のステップと、前記温度ドリフト特性に基づいて、前記パワー検出部のゲインを変更するか否かを決定する第2のステップと、前記ゲインが変更されない場合には、先に取得した前記温度ドリフト特性に基づいて前記パワー検出部に関わる温度補正を行うことに決定し、前記ゲインが変更される場合には、前記温度ドリフト特性を新たに取得し直して、前記新たに取得した温度ドリフト特性に基づいて前記パワー検出部に関わる温度補正を行うことに決定する第3のステップと、決定された前記温度補正に用いる温度ドリフト特性と、測定された前記パワー検出部の周辺温度とに基づいて前記温度補正を行いながら前記光パワーの制御を行う第4のステップと、を備える、光パワーの制御方法。前記温度補正に用いる温度ドリフト特性から得られる温度補正情報が記憶部に記憶されている、請求項1に記載の光パワー制御方法。前記第1から第3のステップが、前記パワー検出部を備える装置の組み立て時に行われ、前記第4のステップが組み立てられた装置において実行される、請求項1又は2に記載の光パワーの制御方法。前記温度ドリフト特性を取得する際に、前記パワー検出部の周辺温度を変動させるために前記光源が発光される、請求項1から3のいずれかに記載の光パワーの制御方法。光源と、前記光源から出射される光の光パワーを検出するパワー検出部と、前記パワー検出部の周辺温度を検出する温度検出部と、前記パワー検出部の温度ドリフト特性に関わる情報が記憶される記憶部と、前記記憶部に記憶される前記情報を利用して前記パワー検出部に関わる温度補正を行いながら、前記光パワーを制御する制御部と、を備える光ディスク装置であって、前記記憶部に記憶される前記情報が更新される、光ディスク装置。前記制御部は、所定のタイミングで前記パワー検出部の温度ドリフト特性を取得して、前記記憶部に記憶される前記情報を更新する、請求項5に記載の光ディスク装置。前記制御部は、所定のタイミングで前記パワー検出部の温度ドリフト特性を取得して、前記パワー検出部のゲインを変更するか否かを決定するとともに、前記ゲインを変更する場合に、変更後のゲインを用いて前記温度ドリフト特性を新たに取得して前記記憶部に記憶される前記情報を更新する、請求項5又は6に記載の光ディスク装置。パワー検出部から出力される出力値電圧は、温度パワー検出部の周辺温度変化に応じて変動する。このため、温度変化が生じた場合に、APCを行っているにもかかわらず、光ディスクに照射される光のパワーが変動して、記録や再生の品質がばらつくことが懸念される。すなわち、パワー検出部から出力される出力値が温度変化に伴って変動する影響を抑制して、光ディスクに照射する光のパワーの変動を小さくすることが望まれる。また、例えば、光ディスク装置が使用されているうちに、パワー検出部の温度特性が変動することも考えられる。この場合、単に予め記憶させておいたデータを使用して補正するだけでは、正しい補正ができない可能性がある。このような温度特性の経年変化も加味して温度変化による影響を正しく補正し、光ディスクに照射する光のパワーの変動を小さくすることが望まれる。以上の点に鑑みて、本発明の目的は、環境温度の変化による影響を適切に抑制して、光パワーを適切に制御できる、光ディスク装置及び光パワーの制御方法を提供することである。上記目的を達成するために本発明の光パワー制御方法は、光源から出射される光の光パワーを検出するパワー検出部を用いて、前記光パワーを制御する方法であって、前記パワー検出部の周辺温度が異なる2以上のタイミングで、前記パワー検出部の出力値を取得して、前記パワー検出部の温度ドリフト特性を取得する第1のステップと、前記温度ドリフト特性に基づいて、前記パワー検出部のゲインを変更するか否かを決定する第2のステップと、前記ゲインが変更されない場合には、先に取得した前記温度ドリフト特性に基づいて前記パワー検出部に関わる温度補正を行うことに決定し、前記ゲインが変更される場合には、前記温度ドリフト特性を新たに取得し直して、前記新たに取得した温度ドリフト特性に基づいて前記パワー検出部に関わる温度補正を行うことに決定する第3のステップと、決定された前記温度補正に用いる温度ドリフト特性と、測定された前記パワー検出部の周辺温度とに基づいて前記温度補正を行いながら前記光パワーの制御を行う第4のステップと、を備える構成第1の構成とされる。なお、前記第1のステップにおいて前記パワー検出部の出力を取得するに際しては、前記光源は無発光であってよい。本構成によれば、パワー検出部のゲインが適切に設定された状態で光パワーの制御が行われる。また、本構成によれば、パワー検出部の周辺温度の変動に合わせてパワー検出部に関わる温度補正パワー検出部からの出力値の補正のみならず、光パワーの制御目標値の補正も含む趣旨であるが適切に行われつつ、光パワーの制御が行われることになる。すなわち、本構成によれば、環境温度の変化による影響を適切に抑制して、光パワーを適切に制御できる。上記第1の構成の光パワーの制御方法において、前記温度補正に用いる温度ドリフト特性から得られる温度補正情報が記憶部に記憶されている構成第2の構成としてもよい。上記第1又は第2の構成の光パワー制御方法において、前記第1から第3のステップが、前記パワー検出部を備える装置の組み立て時に行われ、前記第4のステップが組み立てられた装置において実行される構成第3の構成であっても構わない。上記第1から第3のいずれかの構成の光パワーの制御方法において、前記温度ドリフト特性を取得する際に、前記パワー検出部の周辺温度を変動させるために前記光源が発光される構成第4の構成であってもよい。上記目的を達成するために本発明の光ディスク装置は、光源と、前記光源から出射される光の光パワーを検出するパワー検出部と、前記パワー検出部の周辺温度を検出する温度検出部と、前記パワー検出部の温度ドリフト特性に関わる情報が記憶される記憶部と、前記記憶部に記憶される前記情報を利用して前記パワー検出部に関わる温度補正を行いながら、前記光パワーを制御する制御部と、を備える光ディスク装置であって、前記記憶部に記憶される前記情報が更新される構成第5の構成になっている。本構成によれば、パワー検出部の温度ドリフト特性が、例えば装置の長年の使用等によって変動した場合でも、環境温度の変化による影響を適切に抑制して、光ディスクに照射する光の光パワーを適切に制御可能である。上記第5の構成の光ディスク装置において、前記制御部は、所定のタイミングで前記パワー検出部の温度ドリフト特性を取得して、前記記憶部に記憶される前記情報を更新する構成第6の構成であってもよい。上記第5又は第6の構成の光ディスク装置において、前記制御部は、所定のタイミングで前記パワー検出部の温度ドリフト特性を取得して、前記パワー検出部のゲインを変更するか否かを決定するとともに、前記ゲインを変更する場合に、変更後のゲインを用いて前記温度ドリフト特性を新たに取得して前記記憶部に記憶される前記情報を更新する構成第7の構成であってもよい。本発明によれば、環境温度の変化による影響を適切に抑制して、光パワーを適切に制御できる、光ディスク装置及び光パワーの制御方法を提供できる。以下、本発明の光ディスク装置、及び、光パワーの制御方法の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る光ディスク装置1の構成を示すブロック図である。図1においては、理解を容易にするために、光ディスクDも合わせて示している。図1に示すように、光ディスク装置1はスピンドルモータ11を備える。このスピンドルモータ11は、その出力軸が光ディスクDを着脱自在に保持するターンテーブル図示せずに連結されている。このため、スピンドルモータ11を駆動させることによって、ターンテーブルに保持された光ディスクDが回転される。光ディスク装置1は、光ディスクDに光を照射するとともに光ディスクDで反射される光を受光する光ピックアップ12を備える。この光ピックアップ12は、光ディスクDに記録される情報を読み取ったり、光ディスクDに情報を書き込んだりするための装置である。以下、図2及び図3を参照しながら、光ピックアップ12の構成について詳細に説明する。なお、図2は、第1実施形態に係る光ディスク装置1が備える光ピックアップ12の外観構成を示す概略平面図である。図2に示される光ピックアップ12で光ディスクDから情報を読み取ったり、光ディスクDに情報を書き込んだりする場合、光ディスクDは紙面手前側に配置されることになる。また、図3は、第1実施形態に係る光ディスク装置1が備える光ピックアップ12の光学構成を説明するための概略平面図である。図3においては、理解を容易にするために、光ディスクDの一部も合わせて示している。光ピックアップ12は、情報の読み取りや書き込みを行う上で必要となる各種の部材が搭載されるベース部121を有する。ベース部121は、その左右の端部に設けられる軸受け部121a、121bを利用して、光ディスク装置1内に配置される2本のガイドシャフトGSに摺動可能に支持される。なお、2本のガイドシャフトGSは、光ディスクDの半径方向ラジアル方向と平行に配置されている。本実施形態では、ベース部121の移動はスレッドモータ13図1参照を用いて行われる。例えば、スレッドモータ13の駆動によってリードスクリュ不図示が回転される構成が採用される。そして、リードスクリュの回転を直線方向の動きに変換する変換機構不図示;例えばティースやナット部材を利用する機構を利用して、ベース部121がラジアル方向に移動される構成が採用される。ベース部121がラジアル方向に移動されることで、光ピックアップ12は、回転する光ディスクDの所望のアドレスにアクセス可能になる。図3に示すように、ベース部121に搭載される各種の部材には、半導体レーザ122本発明の光源の一例と、第1のビームスプリッタ123と、コリメートレンズ124と、第2のビームスプリッタ125と、対物レンズ126と、光検出器127と、ミラー128と、パワー検出器129本発明のパワー検出部の一例と、が含まれる。なお、図3において半導体レーザ122が破線で示されているのは、半導体レーザ122が紙面手前側に位置するためである。半導体レーザ122から出射された光は、その全部或いは一部が第1のビームスプリッタ123で反射され、コリメートレンズ124を透過する。コリメートレンズ124を透過した光は、その一部が第2のビームスプリッタ125で反射されて対物レンズ126に送られる。対物レンズ126は、第2のビームスプリッタ125で反射された光を光ディスクDの情報記録面RSに集光する。光ディスクDで反射された戻り光は、対物レンズ126を透過した後、第2のビームスプリッタ125で反射される。その後、戻り光は、コリメートレンズ124、第1のビームスプリッタ123を順に透過して、光検出器127に至る。光検出器127は、入射した光を光電変換して、信号処理部14図1参照に出力する。コリメートレンズ124から第2のビームスプリッタ125に入射された光の一部は、第2のビームスプリッタ125を透過する。第2のビームスプリッタ125を透過した光は、ミラー128によって反射されてパワー検出器129に至る。パワー検出器129は、半導体レーザ122から出射される光の光パワーレーザパワーを検出するために配置され、いわゆるフロントモニタ用のディタクタとして機能する。パワー検出器129は、ベース部121に取り付けられる図1において裏面側に取り付けられる回路基板PB上に配置される。パワー検出器129周辺の回路基板PB上には、サーミスタ30図1参照;本発明の温度検出部の一例が配置される。対物レンズ126は、ベース部121内に埋め込まれるようにして取り付けられるアクチュエータ120図2参照に搭載され、フォーカス方向光ディスクDに対して接離する方向;図2において紙面に垂直な方向やトラッキング方向ラジアル方向に平行な方向;図2において上下方向への移動が可能になっている。なお、アクチュエータ120は、対物レンズ126を保持するレンズホルダ120aを有し、レンズホルダ120aをワイヤ120bで揺動可能に支持する構成のものである。そして、コイル及び磁石を利用して発生させた力でレンズホルダ120aすなわち対物レンズ126を動かすものである。このようなタイプのアクチュエータは公知であるので、ここでは、その構成に関する詳細な説明は省略する。図1に戻って、信号処理部14は、光検出器127図2及び図3参照から出力される電気信号を演算処理して、再生RF信号、フォーカスエラーFE信号、トラッキングエラーTE信号等を生成する。記録再生部15は、デコーダ及びエンコーダを備える。記録再生部15は、信号処理部14から出力された再生RF信号を復号化して再生データを取り出し、インターフェース不図示を介して外部に再生データの出力を行う。また、記録再生部15は、インターフェースを介して外部から入力されたデータを符号化して記録信号に変換する。サーボ制御部16は、FE信号に基づいてフォーカスドライブ信号を生成したり、TE信号に基づいてトラッキングドライブ信号を生成したりする。生成されたフォーカスドライブ信号及びトラッキングドライブ信号はドライバ17に出力される。ドライバ17は、これらの信号に基づいてアクチュエータ120図2参照を駆動する。ドライバ17は、その他、コントローラ20及びサーボ制御部16からの指令に基づいて、スピンドルモータ11やスレッドモータ13を駆動させる。LDDLaserDiodeDriver18は、光ピックアップ12の半導体レーザ122図3参照に対してレーザ発光のための駆動信号を供給する。レーザパワー制御部19は、コントローラ20からの指令に従って半導体レーザ122から出射される光の光パワーレーザパワーが、一定の目標値になるようにLDD18に対して制御信号を送る。レーザパワー制御部19は、いわゆるAPC駆動回路として機能する。コントローラ20本発明の制御部の一例は、例えばマイクロコンピュータによって構成され、光ディスク装置1を構成する各部が実行すべき動作に応じて適宜制御処理を実行したり、また、制御に必要となる演算処理を実行したりする。コントローラ20には、ROMReadOnlyMemory及びRAMRandomAccessMemoryを含むメモリ20aが含まれる。ROMには、コントローラ20が各種処理を行う上で必要となる各種のパラメータや動作プラグラムが記憶されている。RAMはワーク領域として用いられ、また、各種情報の格納領域とされる。このコントローラ20には、光ピックアップ12のパワー検出器129図3参照からの出力値が入力される。また、コントローラ20には、光ピックアップ12の回路基板PB図2参照上に配置されるサーミスタ30で検出される温度情報が入力される。コントローラ20は、入力されたパワー検出器129の出力情報及び温度情報に基づいてレーザパワー制御部19に指令を出す。次に、以上のように構成される光ディスク装置1における、パワー検出器129に関わる温度補正を行うための調整について、図4を参照しながら説明する。なお、図4は、第1実施形態に係る光ディスク装置1が備えるパワー検出器129に関わる調整フローを示すフローチャートである。図4に示す調整フローは、光ディスク装置1の組み立て時に行われるものであるが、光ディスク装置1によって実行される光パワーの制御方法パワー検出器129の温度特性による影響を抑制して光パワーを制御する方法に含まれるものである。パワー検出器129に関わる調整を行うにあたって、まず、パワー検出器129の感度が予め設定される範囲性能範囲内に収まっているか否かが確認されるステップS1。ここで言う感度は、入力光量に対する出力電圧量の比である。パワー検出器129に所定の光量の光を入射して、所定の範囲内の感度が得られるか否かが確認される。ゲインパワー検出器129のアンプゲイン調整によって得られる感度が、所定の範囲から外れる場合にはステップS1でNo、そのパワー検出器は不良品として使用されない。パワー検出器129の感度が所定の範囲内である場合ステップS1でYes、パワー検出器129から出力される電圧値、及び、パワー検出器129の周辺温度が測定されるステップS2。この際、半導体レーザLD122は発光していない。また、パワー検出器129のゲインは、ステップS1で所定の範囲内の感度が得られたゲインとされている。更に、パワー検出器129の周辺温度は光ピックアップ12に備えられるサーミスタ30によって測定される。次に、半導体レーザ122が所定の期間、発光されるステップS3。これは、パワー検出器129の周辺温度を変化させる目的で行われる。半導体レーザ122が所定の期間、発光された後半導体レーザ122オフ、パワー検出器129から出力される電圧値、及び、パワー検出器129の周辺温度が測定されるステップS4。この場合のパワー検出器129のゲインはステップS1と同じである。また、パワー検出器129の周辺温度はサーミスタ30によって測定される。ステップS2とステップS4の測定結果に基づいて、パワー検出器129から出力される電圧値に関する温度ドリフト特性電圧値と温度との関係を取得するステップS5。取得した温度ドリフト特性を利用して、パワー検出器129の基準温度例えば25°C等における感度を求め、当該感度が所定の範囲内であるか否かを確認するステップS6。基準温度の感度が容易に求められるように、ステップS1において感度の取得時において、パワー検出器129の周辺温度の測定をしておいてもよい。また、基準温度の感度を求めるために、パワー検出器129の周辺温度を測定しつつ、パワー検出器129に所定光量の光を入射してパワー検出器129からの出力値電圧値を測定してもよい。基準温度における感度が所定の範囲内である場合ステップS6でYes、ステップS2及びS4時に使用したゲインでパワー検出器129が使用されること、及び、ステップS5で取得された温度ドリフト特性に基づいてパワー検出器129から出力される電圧値の補正を行うことが決定される。そして、決定された温度ドリフト特性に基づいて、パワー検出器129から出力される電圧値に対する補正式或いは補正テーブルが求められ、当該温度補正情報補正式或いはテーブルがメモリ20a詳細にはROMに記憶されるステップS7。基準温度における感度が所定の範囲外である場合ステップS6でNo、パワー検出器129のゲインが変更されるステップS8。変更したゲインを用いて、ステップS2からステップS6と同様の手順で、ステップS9からステップS13が行われる。ステップS13で基準温度における感度が所定の範囲内である場合にはステップS13でYes、ステップS7に進んで、新たに得られた温度ドリフト特性に基づいて、パワー検出器129から出力される電圧値に対する補正式或いは補正テーブルが求められ、当該温度補正情報補正式或いはテーブルがメモリ20a詳細にはROMに記憶される。一方、ステップS13で基準温度における感度が所定の範囲外である場合にはステップS13でNo、基準温度における感度が所定の範囲内となるまで、ステップS8以降が繰り返される。次に、以上のようにメモリ20aに記憶された温度補正情報を用いて実行される、光ディスク装置1の自動パワー制御APCについて図5を参照しながら説明する。なお、図5は、第1実施形態に係る光ディスク装置1において実行されるAPCの処理フローを示すフローチャートである。コントローラ20は、再生や記録の指令を受けると、APCを開始させる。APCの開始にあたって、コントローラ20は、サーミスタ30から温度パワー検出器129の周辺温度を取得するステップS21。そして、コントローラ20は、取得した温度情報と、メモリ20aに記憶される温度補正情報上述のパワー検出器129の調整フローでメモリ20aに記憶した情報とに基づいて、パワー検出器129から出力される出力値電圧値を補正するステップS22。コントローラ20からの指令にしたがってレーザパワー制御部19は、補正した電圧値と、目標の電圧値とを比較して、比較結果に基づいてLDD18を制御する。これによって、半導体レーザ122LDの出力が調整されるステップS23。目標の電圧値は、例えば、再生指令や記録指令を受けたコントローラ20によって適宜決定される。補正した電圧値が目標の電圧値と同一であると判断される場合には、現在の半導体レーザ122の出力が維持される。補正した電圧値が目標の電圧値とずれていると判断される場合には、ずれ量に応じて現在の半導体レーザ122の出力が変更される。半導体レーザ122の出力をどの程度変更するかは、例えば予め実験等によって得られた式にしたがって決定されればよい。LDの出力調整が行われると、コントローラ20は再生或いは記録が終了であるか否かを確認するステップS24。再生或いは記録が終了である場合ステップS24でYes、コントローラ20はAPCを終了させる。再生或いは記録が終了でない場合ステップS24でNo、コントローラ20は温度取得のタイミングであるか否かを確認するステップS25。温度取得のタイミングは、例えば予め決められた一定期間毎等とされる。温度取得のタイミングであると判断された場合、コントローラ20は、新たにサーミスタ30から温度パワー検出器129の周辺温度を取得するステップS26。新たに温度が取得されると、ステップS22に戻って、新たに取得した温度情報にしたがって、ステップS22以降が行われる。本実施形態の構成では、光ディスク装置1の組み立て時に、パワー検出器129のゲイン調整が適切に行われている。そして、APCが実行されている場合において、パワー検出器129の周辺温度の変動に合わせてパワー検出器129の出力値が補正されつつ、半導体レーザ122から出射される光の光パワーが制御される構成になっている。このために、本実施形態の光ディスク装置1では、環境温度の変化による影響を適切に抑制して、光ディスクDに照射する光の光パワーを適切に制御可能である。第2実施形態次に、第2実施形態の光ディスク装置について説明する。第2実施形態の光ディスク装置の構成は、第1実施形態の光ディスク装置1の構成と概ね同様である。第2実施形態の光ディスク装置の説明にあたっては、第1実施形態と重複する部分については同一の符号を付して説明する。以下、第1実施形態と異なる点に絞って説明を行う。第2実施形態の光ディスク装置1は、パワー検出器129のゲイン設定と、メモリ20aに記憶される温度補正情報が適宜更新される点に特徴を有する。これについて、図6を参照しながら説明する。図6は、第2実施形態の光ディスク装置1において実行される、パワー検出器129に関わる調整の手順を示すフローチャートである。なお、図6に示す調整フローは、組み立て済みの光ディスク装置によって実行されるものである。コントローラ20は、パワー検出器129に関わる調整が実行される所定のタイミングであるか否かを確認するステップS31。この所定のタイミングとしては、例えば、光ディスク装置1の電源オン時、電源オフ時、電源オン時において検出される温度が所定の範囲内でない場合、再生や記録の開始前、使用開始から一定期間を経過した場合など、様々なタイミングが挙げられる。コントローラ20は、所定の調整タイミングであると判断すると、パワー検出器129から出力される出力値電圧値の温度ドリフト特性を取得するステップS32。温度ドリフト特性は、第1実施形態における装置組み立て時の調整フロー図4参照と同様に、半導体レーザ122の発光前後における、温度パワー検出器129の周辺温度及び出力電圧無発光時のパワー検出器129の出力電圧を測定して取得してもよい。また、例えば、再生や記録の終了後に、半導体レーザ122が無発光である場合の温度及び出力電圧を測定してメモリ20aに記憶しておき、これと、所定のタイミング例えば電源オン時における無発光時の温度及び出力電圧の測定結果とから、温度ドリフト特性を得るようにしてもよい。温度ドリフト特性を取得すると、コントローラ20は、取得した温度ドリフト特性を利用して、パワー検出器129の基準温度例えば25°C等における感度を求め、当該感度が所定の範囲内であるか否かを確認するステップS33。基準温度の感度を計算で求められるように、例えば、装置組み立て時における温度ドリフト特性と基準温度における感度とをメモリ20aに記憶しておくようにしてもよい。また、組み立て時に、感度とゲインとの関係を調べて、これらの関係式をメモリ20aに記憶しておくようにしてもよい。基準温度における感度が所定の範囲内である場合ステップS33でYes、コントローラ20は、ステップS32で取得した温度ドリフト特性に基づいて、パワー検出器129から出力される電圧値に対する補正式或いは補正テーブルを求める。そして、コントローラ20は、メモリ20aに既に記憶されている温度補正情報補正式或いはテーブルを、新たに求めた温度補正情報に更新するステップS34。これにより、パワー検出器129に関わる調整フローが終了する。一方、基準温度における感度が所定の範囲外である場合ステップS33でNo、コントローラ20は、パワー検出器129のゲインを変更させるステップS35。変更されたゲインを用いて、コントローラ20は、パワー検出器129の温度ドリフト特性を取得するステップS36。温度ドリフト特性は、半導体レーザ122の発光前後における、温度パワー検出器129の周辺温度及び出力電圧無発光時のパワー検出器129の出力電圧を測定して取得すればよい。コントローラ20は、取得した温度ドリフト特性から得られる、パワー検出器129の基準温度における感度が所定の範囲内である場合にはステップS37でYes、新たに得られた温度ドリフト特性に基づいて、パワー検出器129から出力される電圧値に対する補正式或いは補正テーブルを求める。そして、コントローラ20は、メモリ20aに既に記憶されている温度補正情報補正式或いはテーブルを、新たに求めた温度補正情報に更新するステップS34。一方、取得した温度ドリフト特性から得られる、パワー検出器129の基準温度における感度が所定の範囲外である場合にはステップS37でNo、コントローラ20は、基準温度における感度が所定の範囲内となるまで、ステップS35以降を繰り返し実行する。なお、以上のように得られる温度補正情報を用いた自動パワー制御APCは、第1実施形態の場合と同様図5参照であるので、ここでは説明を省略する。本実施形態では、パワー検出器129のゲイン設定、及び、メモリ20aに記憶される温度補正情報パワー検出器129から出力される出力値を補正するための情報が適宜更新される。このために、本実施形態の光ディスク装置1では、環境温度の変化による影響を適切に抑制して、光ディスクDに照射する光の光パワーを適切に制御可能である。その他以上に示した実施形態は本発明の例示であり、本発明の適用範囲は、以上に示した実施形態の構成に限定されるものではない。例えば、以上においては、パワー検出器129における温度ドリフト特性による影響を抑制するために、パワー検出器129から出力される出力値を補正する構成にした。しかし、本発明はこの構成に限定される趣旨ではない。すなわち、パワー検出器129における温度ドリフト特性に基づいてAPCの目標値を変更する構成にして、温度ドリフト特性による影響を抑制しても構わない。本発明のパワー検出部に関わる温度補正には、このような態様も含まれる。また、以上においては、温度ドリフト特性を得る際の温度が2点のみとされた。しかし、これに限らず、温度ドリフト特性を得る際の温度は3点以上であっても構わない。また、以上においては、光ディスク装置に備えられる、光源半導体レーザや対物レンズの数が1つとされたが、これらの数は適宜変更されて構わない。また、以上に示した実施形態では、光ディスク装置が再生及び記録が可能である構成としたが、再生と記録とのうち、いずれか一方のみを行う光ディスク装置にも本発明は適用可能である。