"基板に回路素子薄膜を形成する工程と、前記基板上に反射層兼画素電極を形成する工程と、前記反射層兼画素電極上に発光層を形成する工程と、前記発光層上に対向電極を形成する工程とを備え、前記反射層兼画素電極と対向電極の間の光路長をD、前記反射層兼画素電極上での反射における位相シフトをφL、前記対向電極での反射における位相シフトをφU、前記反射層兼画素電極と対向電極の間に発生する定在波のピーク波長をλ、2以下の整数をmとしたとき、D=/4πλを満たすように前記光路長Dが設定された発光装置の製造方法において、少なくとも一色の画素については、前記反射層兼画素電極を形成する工程は、前記回路素子薄膜に直接接触するように前記反射層兼画素電極を形成する工程であり、他の色の画素については、前記回路素子薄膜に直接接触するように上下導通層を形成する工程をさらに備え、前記他の色の画素について前記反射層兼画素電極を形成する工程は、前記上下導通層上に反射層兼画素電極を形成する工程であり、前記少なくとも一色の画素について前記反射層兼画素電極を形成する工程と、前記他の色の画素について前記上下導通層を形成する工程とは、同一の工程であり、前記少なくとも一色の画素について前記反射層兼画素電極を形成する工程は、前記他の色の画素について前記反射層兼画素電極を形成する工程に用いる金属材料とは異種の金属材料を用いて前記反射層兼画素電極を形成する工程である、ことを特徴とする発光装置の製造方法。前記少なくとも一色の画素について前記反射層兼画素電極を形成する工程は、位相シフト量をφ、前記発光層の屈折率をn1、前記反射層兼画素電極の屈折率をn2、前記反射層兼画素電極の消衰係数をk2としたとき、φ=tan-12n1k2/n12-n22-k22を満たすように、前記他の色の画素よりも長波長の色の画素における前記反射層兼画素電極を、前記他の色の画素における前記反射層兼画素電極よりも位相シフト量φが小さな金属材料で形成する工程であることを特徴とする請求項1記載の発光装置の製造方法。前記少なくとも一色の画素は、赤色画素、または、赤色画素と緑色画素であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の発光装置の製造方法。前記少なくとも一色の画素について前記反射層兼画素電極を形成する工程は、赤色画素、または、赤色画素と緑色画素について、Cu、Au、Agまたはこれらを主成分とする金属材料で前記反射層兼画素電極を形成する工程であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一記載の発光装置の製造方法。前記少なくとも一色の画素について前記反射層兼画素電極を形成する工程と、前記他の色の画素について前記上下導通層を形成する工程は、ダマシン法により前記反射層兼画素電極および前記上下導通層を形成する工程であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一記載の発光装置の製造方法。前記他の色の画素についての前記上下導通層と前記反射層兼画素電極との間に拡散防止層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一記載の発光装置の製造方法。前記拡散防止層を形成する工程は、Ti、TiN、W、Ta、Moもしくはこれらを主成分とする合金で前記拡散防止層を形成する工程であることを特徴とする請求項6記載の発光装置の製造方法。前記対向電極上にカラーフィルターを形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか一記載の発光装置の製造方法。しかしながら、前記1式においてm=0とした光学構造の発光装置では、赤色領域、緑色領域、および、青色領域の全ての領域の光を取り出すため、赤色画素、緑色画素、および、青色画素の色分離はカラーフィルターなどで行う必要がある。したがって、観測側での発光スペクトルの帯域幅が広くなり、色純度が悪いという問題があった。また、赤色、緑色、および、青色の各波長領域で比較した場合、光取り出し効率が低いという問題があった。その結果、発光装置の消費電力が高くなり、パネル特性として不利になるという問題があった。また、光取り出し効率を向上させるためには、例えば各色の画素ごとに上記光学的距離Dを変える等、各色の画素ごとに構造を変えることも考えられるが、従来の製造方法では製造工程が増えてしまい、製造コストが増加するという問題があった。このような事情を背景として、本発明は、白色の有機EL素子と共振構造を組み合わせたトップエミッション方式の発光装置の製造方法において、製造工程を簡略化することができ、かつ、低コストで光取り出し効率を高めるという課題の解決を目的としている。以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置の製造方法は、基板に回路素子薄膜を形成する工程と、前記基板上に反射層兼画素電極を形成する工程と、前記反射層兼画素電極上に発光層を形成する工程と、前記発光層上に対向電極を形成する工程とを備え、前記反射層兼画素電極と対向電極の間の光路長をD、前記反射層兼画素電極上での反射における位相シフトをφL、前記対向電極での反射における位相シフトをφU、前記反射層兼画素電極と対向電極の間に発生する定在波のピーク波長をλ、2以下の整数をmとしたとき、D=/4πλ2を満たすように前記光路長Dが設定された発光装置の製造方法において、少なくとも一色の画素については、前記反射層兼画素電極を形成する工程は、前記回路素子薄膜に直接接触するように前記反射層兼画素電極を形成する工程であり、他の色の画素については、前記回路素子薄膜に直接接触するように上下導通層を形成する工程をさらに備え、前記他の色の画素について前記反射層兼画素電極を形成する工程は、前記上下導通層上に反射層兼画素電極を形成する工程であり、前記少なくとも一色の画素について前記反射層兼画素電極を形成する工程と、前記他の色の画素について前記上下導通層を形成する工程とは、同一の工程であり、前記少なくとも一色の画素について前記反射層兼画素電極を形成する工程は、前記他の色の画素について前記反射層兼画素電極を形成する工程に用いる金属材料とは異種の金属材料を用いて前記反射層兼画素電極を形成する工程であることを特徴とする。本発明においては、前記2式を満たし、赤色画素、緑色画素、および、青色画素の前記反射層兼画素電極のうち、少なくとも一色の画素の反射層兼画素電極は、他色の画素の反射層兼画素電極に用いられた金属材料とは異なる金属材料で形成されている。しかも、前記少なくとも一色の画素の反射層兼画素電極の形成工程と、前記他色の画素の上下導通層の形成工程とは同一工程である。したがって、全ての色の画素の反射層兼画素電極を同一の金属材料で形成した場合に比べて、少なくとも一色の画素の反射層兼画素電極において位相シフト量が異なり、光取り出し効率も異なる。また、前記少なくとも一色の画素の反射層兼画素電極の形成工程と、前記他色の画素の上下導通層の形成工程とが同一工程なので、製造工程の簡略化が可能となる。本発明に係る発光装置の製造方法として、前記少なくとも一色の画素について前記反射層兼画素電極を形成する工程は、位相シフト量をφ、前記発光層の屈折率をn1、前記反射層兼画素電極の屈折率をn2、前記反射層兼画素電極の消衰係数をk2としたとき、φ=tan-12n1k2/n12-n22-k223を満たすように、前記他の色の画素よりも長波長の色の画素における前記反射層兼画素電極を、前記他の色の画素における前記反射層兼画素電極よりも位相シフト量φが小さな金属材料で形成する工程とすることもできる。本発明に係る発光装置の製造方法においては、前記3式を満たし、他の色の画素よりも長波長の色の画素における反射層兼画素電極は、他の色の画素における反射層兼画素電極よりも位相シフト量φが小さな金属材料で形成するので、長波長側の光の取り出し効率を改善でき、消費電力を低減させることができる。本発明に係る発光装置の製造方法として、前記少なくとも一色の画素を、赤色画素、または、赤色画素と緑色画素とすることもできる。本発明に係る発光装置の製造方法においては、緑色画素と青色画素の反射層兼画素電極、または、赤色画素と緑色画素の反射層兼画素電極を、共通の金属材料で形成するので、消費電力に影響与える発光色の光取り出し効率を改善でき、消費電力を低減させることができる。本発明に係る発光装置の製造方法として、少なくとも一色の画素について反射層兼画素電極を形成する工程を、赤色画素、または、赤色画素と緑色画素について、Cu、Au、Agまたはこれらを主成分とする金属材料で前記反射層兼画素電極を形成する工程とすることもできる。本発明に係る発光装置の製造方法においては、全ての色の画素における反射層をAlで形成する場合に比べて、長波長側の光の取り出し効率を改善でき、消費電力を低減させることができる。本発明に係る発光装置の製造方法として、前記他の色の画素についての前記上下導通層と前記反射層兼画素電極との間に拡散防止層を形成する工程をさらに備えるようにしてもよい。本発明によれば、界面において拡散による反射率の低下を防止できる。本発明に係る発光装置の製造方法として、Ti、TiN、W、Ta、Moもしくはこれらを主成分とする合金で前記拡散防止層を形成するようにしてもよい。本発明によれば、界面において拡散による反射率の低下を防止できる。本発明に係る発光装置の製造方法として、対向電極上にカラーフィルターを形成するようにしてもよい。本発明に係る発光装置の製造方法においては、前記電極の上層にカラーフィルターを設けた簡単な構造を実現にしつつ、光の取り出し効率を改善でき、消費電力を低減させることができる。以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る様々な実施の形態を説明する。図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。<A:発光装置の構造>図1は、本発明の一実施形態に係る発光装置E1の概要を示す模式的な断面図である。発光装置E1は、赤色発光素子U1、緑色発光素子U2および青色発光素子U3が第1基板10の面上に配列された構成である。本実施形態の発光装置E1は、トップエミッション型であり、赤色発光素子U1、緑色発光素子U2および青色発光素子U3にて発生した光は第1基板10とは反対側に向かって進行する。第1基板10には、ガラスなどの光透過性を有する板材のほか、セラミックスや金属のシートなど不透明な板材を用いることができる。本実施形態では、第1基板10の厚さを0.5mmとした。第1基板10には、赤色発光素子U1、緑色発光素子U2および青色発光素子U3に給電して発光させるための配線が配置されているが、図1では配線の図示は省略する。また、第1基板10には、赤色発光素子U1、緑色発光素子U2および青色発光素子U3に給電するための回路が配置されているが、図1では回路の図示は省略する。赤色発光素子U1は、第1基板10の上に形成された反射層兼画素電極12第1電極と、画素電極12の上に配置された光取り出し側半透明反射層としての対向電極30第2電極と、反射層兼画素電極12と対向電極30との間に配置されたOLED層16とを備える。緑色発光素子U2と青色発光素子U3も赤色発光素子U1と同様の構成であるが、後述するように、緑色発光素子U2と青色発光素子U3の反射層兼画素電極13第1電極には、赤色発光素子U1の反射層兼画素電極12第1電極とは異なる金属が用いられている。以下、詳細に説明する。図1に示すように、第1基板10上には赤色発光素子U1においては反射層兼画素電極12が、また、緑色発光素子U2および青色発光素子U3においては反射層兼画素電極13が形成される。反射層兼画素電極12および反射層兼画素電極13は、光反射性を有する材料によって形成される。この種の材料としては、例えばAlアルミニウム、Ag銀、Au金、Cu銅などの単体金属、またはAu、CuまたはAgを主成分とする合金などが好適に採用される。本実施形態では、赤色発光素子U1の反射層兼画素電極12はCuで形成され、緑色発光素子U2および青色発光素子U3の反射層兼画素電極13はAlで形成される。本実施形態では、反射層兼画素電極12および反射層兼画素電極13の膜厚を80nmとした。図1に示すように、OLED層16は、反射層兼画素電極12および反射層兼画素電極13上に形成された正孔注入層HIL:HoleInjectionLayer22と、正孔注入層22上に形成された正孔輸送層HTL:Holetransportlayer24と、正孔輸送層24上に形成された発光層26EML:EmittingLayerと、発光層26上に形成された電子輸送層28ETL:ElectronTransportLayerとからなる。本実施形態では、正孔注入層22はMoOx酸化モリブデンで形成され、正孔輸送層24は図2に示すようにα-NPDで形成される。本実施形態では、正孔注入層22の膜厚を2nmとし、正孔輸送層24の膜厚を25nmとした。なお、正孔注入層22および正孔輸送層24を、正孔注入層22と正孔輸送層24の機能を兼ねる単一の層で形成することもできる。発光層26は、正孔と電子が結合して発光する有機EL物質から形成されている。本実施形態では、有機EL物質は低分子材料であって、白色光を発する。赤色のホスト材料および赤色のドーパント材料、ならびに緑色および青色のホスト材料としては図2に示すものが使用される。さらに、青色のドーパント材料としてはDPAVBi4,4 ́-ビス[2-{4-N,N-ジフェニルアミノフェニル}ビニル]ビフェニル、が使用される。緑色のドーパント材料としてはキナクリドンが使用される。本実施形態では、発光機能層26の膜厚を50nmとした。電子輸送層28は図2に示すように、Alq3トリス8-キノリノラトアルミニウム錯体で形成される。本実施形態では、電子輸送層28の膜厚を25nmとした。対向電極30は陰極であり、発光層16を覆うように形成される。対向電極30は赤色発光素子U1、緑色発光素子U2および青色発光素子U3に渡って連続している。対向電極30は、その表面に到達した光の一部を透過するとともに他の一部を反射する性質すなわち半透過反射性を持った半透過反射層として機能し、例えばマグネシウムや銀などの単体金属、またはマグネシウムや銀を主成分とする合金から形成される。本実施形態では、対向電極30は、MgAgマグネシウム銀合金で形成される。対向電極30の膜厚は、10nmとした。本実施形態では、第1基板10上に形成された複数の赤色発光素子U1、緑色発光素子U2および青色発光素子U3と対向するように、第2基板50が配置される。第2基板50はガラスなどの光透過性を有する材料で形成される。第2基板50の厚さは0.5mmとした。第2基板50のうち第1基板10との対向面には、図示しないカラーフィルターおよび遮光膜が形成される。遮光膜は、赤色発光素子U1、緑色発光素子U2および青色発光素子U3のそれぞれに対向して開口が形成された遮光体の膜体である。開口内にはカラーフィルターが形成される。本実施形態では、赤色発光素子U1に対応する開口内には赤色光を選択的に透過させる赤色用カラーフィルターが形成され、緑色発光素子U2に対応する開口内には緑色光を選択的に透過させる緑色用カラーフィルターが形成され、青色発光素子U3に対応する開口内には青色光を選択的に透過させる青色用カラーフィルターが形成される。本実施形態の赤色発光素子U1、緑色発光素子U2および青色発光素子U3においては、反射層兼画素電極12および反射層兼画素電極13と光取り出し側半透明反射層としての対向電極30との間でOLED層16が発する光を共振させる共振器構造が形成される。これにより、特定の波長の光を効率良く取り出すことができる。カラーフィルターおよび遮光膜が形成された第2基板50は、封止層33を介して第1基板10と貼り合わされる。封止層は、透明の樹脂材料、例えばエポキシ樹脂などの硬化性樹脂から形成される。以上が本実施形態の発光装置の構造である。<B:反射層兼画素電極の構成>次に、本実施形態の発光装置E1における反射層兼画素電極12および反射層兼画素電極13の構成について説明する。本実施形態における発光装置E1は、反射層兼画素電極12および反射層兼画素電極13から光取り出し側半透明反射層としての対向電極30までの光学的距離を所定値に設定することにより、反射層兼画素電極12から対向電極30に定在波を発生させる共振構造を採用している。具体的には、反射層兼画素電極12および反射層兼画素電極13から対向電極30間の光学的距離をD、下辺電極である反射層兼画素電極12および反射層兼画素電極13での反射における位相シフトをφL、上辺電極である対向電極30での反射における位相シフトをφU、定在波のピーク波長をλ、整数をmとすると、下記の式を満たす構造となっている。D=/4πλ4この4式を変形すると、λ=4Dπ/5となる。つまり、同一膜厚であっても、反射界面での位相シフトが小さい場合、定在波のピーク波長は長波長側へシフトする。特に、m=0の場合、λ=4Dπ/6であり、反射界面での位相シフトの影響が大きくなる。位相シフトは、位相シフト量をφrad、発光層16の屈折率をn1、対向電極30の屈折率をn2、対向電極30の消衰係数をk2とすると、下記の式で表すことができる。φ=tan-12n1k2/n12-n22-k227OLED層16の屈折率をn1を1.8として、代表的な金属材料であるAl、Cu、Au、Agで位相シフト量を計算した結果を図3に示す。なお、各金属材料であるAl、Cu、Au、Agの各波長に対する屈折率nの変化を図4に、また、消衰係数kの変化を図5に示す。図3から明らかなように、金属材料としてAlを使用した場合に比べて、Cu、Au、Agを使用した方が、位相シフト量が小さいことがわかる。共振構造における位相シフト量の影響を調べるために、図6に示すようなシュミレーションモデルE2を想定し、発光層26の光取り出し効率を計算した。なお、図6に示すシュミレーションモデルE2は、図1に示す発光装置E1とほぼ同様の構成であるが、電子輸送層28と対向電極30との間に、電子注入層29が設けられているところが図1に示す発光装置E1と異なっている。電子注入層29はLiFからなり、OLED層17における電子輸送層28上に形成される。また、封止層33としてSiON酸窒化珪素を用いてるところも図1に示す発光装置E1とは異なっている。シュミレーションモデルE2においては、第1基板10の厚さを0.5mm、反射層兼画素電極12、13の膜厚を150nm、正孔注入層22の膜厚を15nm、正孔輸送層24の膜厚を25nm、発光層26の膜厚を20nm、電子輸送層28の膜厚を35nm、電子注入層29の膜厚を1nm、対向電極30の膜厚を10nm、封止層33の膜厚を400nm、および、第2基板50の厚さを0.5mmとした。図6に示すシミュレーションモデルE2において、反射層兼画素電極12および反射層兼画素電極13にAl、Cu、Au、Agを使用して、発光層26の光取り出し効率を計算した結果を図7に示す。なお、この計算においては、反射層兼画素電極12および反射層兼画素電極13と光取り出し側半透明反射層としての対向電極30の距離Dは96nmとした。図6から明らかなように、位相シフトが小さいCu、Au、Agを反射層兼画素電極12に用いた場合には、Alを用いた場合に比べて、600nm以上の長波長側で光取り出し効率が改善されることがわかる。そこで、本実施形態においては、赤色発光素子U1に用いる反射層兼画素電極12には、位相シフトが小さいCuを採用することにより、600nm以上の長波長側である赤色の光の取出し効率を改善するように構成した。520~560nmの波長である緑色を発光する緑色発光素子U2、および、450~470nmの波長である青色を発光する青色発光素子U3に用いる反射層については、いずれもAlを採用した。このように構成することにより、前記4式においてm=0とした場合の光学構造を採用した本実施形態の発光装置E1においても、赤色の光の取出し効率を改善することができ、消費電力を著しく低減させることができる。図8に、m=0、1、2、3とした場合の各光学構造において、ピーク波長を490nmとした時の光取り出し効率を計算した結果を示す。なお、この計算前提条件は、反射層兼画素電極13をAlとして膜厚100nm、発光層26を膜厚20nm、電子輸送層28と電子注入層29を合わせた膜厚を40nm、対向電極30をMgAgとして膜厚10nm、および、封止層33をSiNとして膜厚を400nmにそれぞれ設定し、正孔注入層22と正孔輸送層24を合わせた膜厚を、ピーク波長が490nmになるように調整したものである。また、反射層兼画素電極13と対向電極30の間の各層の屈折率は1.8としている。図8に示すように、m=1、2、3とした場合の光学構造よりも、m=0とした場合の光学構造の方が、高い光取り出し効率を得られる波長の範囲が広くなることがわかる。<C:パネルシミュレーション>次に、赤色発光素子U1に用いる反射層兼画素電極12に位相シフトが小さいCu、Au、または、Agを用いた際の消費電力の低減を確認するために行ったパネルシミュレーションについて説明する。なお、このパネルシミュレーションでは、緑色発光素子U2および青色発光素子U3の反射層兼画素電極13にはAlを用いた。また、このシミュレーションにおいては、図1に示した発光装置E1とほぼ同様の構成を有し、いずれの色の発光素子にも反射層兼画素電極としてAlを採用したものを比較例1とした。また、このシミュレーションにおいては、図9に示すように、赤色のカラーフィルターとして、600nm以上の光に対する透過率が90のカラーフィルターを用いた。緑色のカラーフィルターとしては、520~560nmの光に対する透過率が65~70のカラーフィルターを用いた。青色のカラーフィルターとしては、430~470nmの光に対する透過率が60~65のカラーフィルターを用いた。<C-1:比較例1の構造>比較例1における有機層の構造は図1に示した構造と同じ構造で、図10に示すように、膜厚は100nmとした。また、赤色発光素子、緑色発光素子、および、青色発光素子のいずれの画素についても、反射層兼画素電極はAlで構成した。<C-2:実施例1の構造>実施例1における有機層の構造は図1に示した構造と同じ構造で、図10に示すように、膜厚は100nmとした。赤色発光素子U1の反射層兼画素電極12としてAuを採用し、緑色発光素子U2および青色発光素子U3の反射層兼画素電極13にはAlを採用した。<C-3:実施例2の構造>実施例2における有機層の構造は図1に示した構造と同じ構造で、図10に示すように、膜厚は100nmとした。赤色発光素子U1の反射層兼画素電極12としてCuを採用し、緑色発光素子U2および青色発光素子U3の反射層兼画素電極13にはAlを採用した。<C-4:実施例3の構造>実施例3における有機層の構造は図1に示した構造と同じ構造で、図10に示すように、膜厚は100nmとした。赤色発光素子の反射層兼画素電極12としてAgを採用し、緑色発光素子U2および青色発光素子U3の反射層兼画素電極13にはAlを採用した。即ち、比較例1の赤色画素、緑色画素および青色画素と、実施例1~3の緑色画素および青色画素は同一構造である。<C-5:パネルシミュレーションの結果>図11に示すように、比較例1の消費電力を1.00として規格化すると、実施例1の消費電力は0.80、実施例2の消費電力は0.82、実施例3の消費電力は0.85と、いずれも約20程度、消費電力を低減できることがわかる。また、色域xy色度図におけるNTSCカバー率についても、比較例1の75.14に比べて、実施例1が76.42、実施例2が76.28、実施例3が75.69と、いずれも色域が広がっていることがわかる。さらに、図12に、比較例1、実施例1、実施例2、および、実施例3における赤色発光素子、緑色発光素子、および青色発光素子の光の強度を示す。図12からわかるように、実施例1、実施例2、および、実施例3の赤色発光素子においては、緑色と青色の光の強度は比較例1と比較して低下しているのに対して、赤色の波長である600nm付近の光の強度が他の波長に比べて強くなっていることがわかる。つまり、本実施形態では、赤色の光の取り出し効率が改善されている。また、実施例1、実施例2、および、実施例3における緑色画素と青色画素における緑色の領域520~560nmおよび青色の領域450~470nmの光の強度は、比較例1と変わらないことがわかる。このことは、図13に示す反射率のグラフからもわかる。図13は、OLED層16の屈折率を1.8とし、Al、Ag、Cu、およびAuの各種金属反射層の界面における反射率を示すグラフである。光取り出し効率を上げるためには、反射率が高い方が良いが、図13に示すように、反射層にAuとCuを用いた場合には、600nm以上の波長の赤色の領域において高い反射率を示していることがわかる。特に、Cuは、赤色の領域よりも短い波長の領域において反射率が低いので、赤色の画素における反射層に用いるのが適していると言える。Auは550nm以下の波長の領域で大きく反射率が低下するため、緑色の画素の反射層か、赤色の画素の反射層に用いるのが適している。また、Auは青色領域での反射率が低いので、赤色画素における青色発光成分を低下させ、カラーフィルター透過前の色純度を良くすることができるという利点もある。以上のように、本実施形態によれば、赤色の画素に用いる反射層兼画素電極として、位相シフトが小さいCu、Au、または、Agを採用したので、前記4式においてm=0とした場合の光学構造を有する発光装置で赤色の発光素子に用いる反射層兼画素電極としてAlを用いた場合に比べて、赤色の光取り出し効率を改善することができ、その結果、消費電力を著しく低減させることができる。<D:製造プロセス>次に、赤色の発光素子の反射層12の材料を、他の色の画素の反射層とは異なる材料で発光装置を製造するプロセスについて説明する。一例として、赤色発光素子の反射層をCuで形成し、緑色発光素子および青色発光素子の反射層をAlで形成する例について説明する。まず、図14Aに示すように第1基板10の上に、回路素子薄膜11および層間絶縁膜301が形成される。層間絶縁膜301は、SiO2またはSiNで形成される。これらのいずれの成膜においても、既知であるところの、例えばPVD法、CVD法やスパッタ法等の成膜方法や、あるいはフォトリソグラフィー法等が適宜利用される。その際、回路素子薄膜11の成膜では、TFTThinFilmTransistorの製造が含まれるから、その半導体層へのドーピング工程等も行われ、絶縁膜301の成膜では、そこにコンタクトホール360を形成するために、適当なエッチング工程等も行われる。次に、図14Bに示すように、画素間にSiO2やSiNで隔離膜302が形成される。なお、上述した絶縁膜301をSiO2で形成した場合には、隔離膜302をSiNで形成し、絶縁膜301をSiNで形成した場合には、隔離膜302をSiO2で形成すればよい。この隔離膜302の成膜においても、例えばPVD法、CVD法やスパッタ法等の成膜方法や、あるいはフォトリソグラフィー法等が適宜利用される。隔離膜302の形成後、図15Aに示すように、Cuでスパッタ法または電解メッキを用いたダマシン法などにより上下導通膜303を形成する。そして、図15Bに示すように、この上下導通膜303をCMPChemicalMechanicalPolishing化学的機械研磨法などにより、前記隔離膜302の位置まで平坦化する。この上下導通膜303は、赤色発光素子U1においては、反射層兼画素電極12として機能することになる。このように、本実施形態においては、赤色発光素子の反射層兼画素電極12と、緑色発光素子U2および青色発光素子U3の上下導通膜303が同一プロセスによって形成されている。そして、図16Aに示すように、緑色発光素子U2と青色発光素子U3の上下導通膜303上に、Alをスパッタ法で成膜し、フォトリソグラフィーとウェットエッチングまたはドライエッチングでパターニングし、レジスト剥離を行って反射膜13を形成する。緑色発光素子U2の反射膜13と青色発光素子U3の反射膜13は、緑色発光素子U2と青色発光素子U3の間の隔離膜302上で隔離するように形成する。続いて、図16Bに示すように、画素間に隔離膜320を形成される。隔離膜320は、例えば感光性ポリイミドの塗布後、露光工程、現像工程を経て、その外形形状が形成される。また、隔離膜320は、その断面形状が、図16Bに示すようにテーパー形状に形作られる。なお、隔離膜320は、SiO2やSiNに対してフォトリソグラフおよびエッチング工程を実施することにより形成してもよい。次に、図17Aに示すように、蒸着法によりOLED層16を形成する。さらに、、図17Bに示すように、蒸着法によりMgAgを成膜し、対向電極30を形成する。また、図18Aに示すように、SiNをCVD法により成膜して封止膜33を形成する。さらにその上へフォトリソグラフィーで赤色、緑色、青色のカラーフィルター40、41、42および遮光膜31を形成する。そして、第2基板50を貼りあわせる。以上が本実施形態の発光装置E1の製造方法である。以上のように、本実施形態の製造方法によれば、赤色発光素子の反射層兼画素電極12と、緑色発光素子U2および青色発光素子U3の上下導通膜303を同一プロセスによって形成することができるので、製造工程数を従来よりも削減することがができる。また、赤色発光素子U1の反射層兼画素電極12として用いたCuは、LSIなどのプロセスルールが100nm以下の半導体製造ラインにおいて、配線材料に使われることが多い材料である。そのため、上下導通配線の形成技術、平坦化技術など、半導体製造ラインにおいて利用されてきた技術を利用することができ、製造プロセス上有利である。なお、緑色発光素子U2と青色発光素子U3のCuの上下導通層上にAlの反射層を形成する際には、CuとAlの選択比が高い、ドライエッチング、ウェットエッチング等でパターニングすると良い。また、Cu/Al界面の合金化で、Al表面の反射率が下がる場合には、Cu/Al間に拡散防止膜Ti、TiN、W、Ta、Moなどを形成しても良い。なお、上述した実施形態においては、赤色発光素子U1の反射層兼画素電極をCu、Au、Agまたはこれらを主成分とする金属材料で形成し、緑色発光素子U2および青色発光素子U3の反射層兼画素電極をAlで形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものでない。例えば、赤色発光素子U1と緑色発光素子U2の反射層兼画素電極をCu、Au、Agまたはこれらを主成分とする金属材料で形成し、青色発光素子U3の反射層兼画素電極をAlで形成するようにしてもよい。また、上述した実施形態においては、前記4式において、整数mが0となる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものでなく、整数mが1または2となる場合にも適用可能である。さらに、上述した実施形態においては、赤色画素の反射層兼画素電極として、Cu、Au、Agを用いた例について説明したが、本発明はこれに限定されるものでなく、赤色画素と緑色画素の反射層兼画素電極として、Cu、Au、またはAgのうち少なくとも一つを主成分とする合金であればよく、例えば、Cu、Mg、およびCaを含む合金、あるいはAuおよびCuを含む合金を用いるようにしてもよい。また、上述した実施形態においては、上下導通層の材料をAuにして、めっき法もしくはスパッタ法や蒸着法とCMP法を組み合わせて形成するようにしてもよい。さらに、上下導通層と反射層をAl青色発光素子、緑色発光素子用にして、スパッタ法とCMPを組み合わせて形成するようにしてもよい。この場合には、Ag、Cu、Auを赤色発光素子用として後工程で形成する。なお、Agを用いる場合には、ITO/Ag/ITOの3層構造とするのが好ましい。また、ITOとAlを用いる場合には、ITOとAlの電蝕防止のためにTi、TiN、W、Ta、Moもしくはこれらを主成分とする合金を介するようにしてもよい。"