"多結晶シリコン製造工程で発生する汚泥中に含まれる塩素成分を低減させてセメント原料を製造するセメント原料化処理方法であって、上部を開放状態とした攪拌槽内で前記汚泥と水とを攪拌することにより、スラリー状態を形成する攪拌工程と、前記攪拌槽に堆積した汚泥中に含まれる固形物を取り出し、該固形物を解砕して前記攪拌槽に投入する解砕工程と、前記スラリーを脱水して水分を除去することによりセメント原料を製造する脱水工程とを備えることを特徴とするセメント原料化処理方法。多結晶シリコン製造工程で発生する汚泥中に含まれる塩素成分を低減させてセメント原料を製造する装置であって、前記汚泥と水とを攪拌することにより、スラリー状態を形成する、上部を開放状態とした攪拌槽と、前記攪拌槽の底部に堆積した汚泥中に含まれる固形物を取り出し、該固形物を解砕する解砕機と、前記解砕機から抜き出した処理物を前記攪拌槽に投入する循環配管と、前記スラリーを脱水して水分を除去することによりセメント原料を製造する脱水機とを備えることを特徴とするセメント原料製造装置。しかしながら、多結晶シリコン製造工程で発生する残渣物中には、クロロシラン系ポリマー以外にも金属塩化物や多結晶シリコン微粉末などの製造過程で生じる副産物や、多結晶シリコン加工時の切削粉なども含まれる場合があり、塊状の固形物が形成されやすくなることから、その後の処理において発生する汚泥を特許文献2のように攪拌して濾過するだけでは十分に塩素成分を低減することができない。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、多結晶シリコン製造工程で発生する汚泥に含まれる塩素成分を十分に低減させ、セメント原料として再利用するセメント原料化処理方法及びセメント原料製造装置を提供することを目的とする。本発明は、多結晶シリコン製造工程で発生する汚泥中に含まれる塩素成分を低減させてセメント原料を製造するセメント原料化処理方法であって、上部を開放状態とした攪拌槽内で前記汚泥と水とを攪拌することにより、スラリー状態を形成する攪拌工程と、前記攪拌槽に堆積した汚泥中に含まれる固形物を取り出し、該固形物を解砕して前記攪拌槽に投入する解砕工程と、前記スラリーを脱水して水分を除去することによりセメント原料を製造する脱水工程とを備えることを特徴とする。汚泥と水とを攪拌することで流動化させ、スラリー状態とすることで、汚泥中に含まれる塩素成分を効率よく溶出させるとともに、攪拌槽の底部に堆積した汚泥中に含まれる形状の大きな固形物を取り出し、その固形物を解砕して小径化させた後に攪拌工程に戻すことで塩素成分を溶出し易くしており、洗浄効率を向上させている。また、上述のように、汚泥中に多結晶シリコン加工時の多結晶シリコン切削粉等が含まれる場合、攪拌時に多結晶シリコン切削粉と水とが接触すると水素が発生するが、攪拌槽を開放状態に設けたので、攪拌中の槽内の水素濃度が高くなることを防止できる。さらに、攪拌工程と解砕工程とを組み合わせることで、汚泥中の固形物に含まれる多結晶シリコン切削粉と水との接触を効率的に行うことができる。したがって、攪拌槽内及び工程系内で水素濃度が高くなることを防止でき、水素爆発等のトラブルが発生することを未然に防止することができる。本発明のセメント原料製造装置は、多結晶シリコン製造工程で発生する汚泥中に含まれる塩素成分を低減させてセメント原料を製造する装置であって、前記汚泥と水とを攪拌することにより、スラリー状態を形成する、上部を開放状態とした攪拌槽と、前記攪拌槽の底部に堆積した汚泥中に含まれる固形物を取り出し、該固形物を解砕する解砕機と、前記解砕機から抜き出した処理物を前記攪拌槽に投入する循環配管と、前記スラリーを脱水して水分を除去することによりセメント原料を製造する脱水機とを備えることを特徴とする。本発明によれば、汚泥と水とを攪拌することで流動化させ、スラリー状態とした後に、そのスラリー状態の汚泥中に含まれる固形物を取り出して解砕し、攪拌工程に戻すこととしたので、解砕機の閉塞等を防止できるとともに、小径化した固形物から塩素成分を十分に低減することができる。また、多結晶シリコン切削粉を含む汚泥においては、開放状態の攪拌槽で攪拌することで、汚泥中に含まれる多結晶シリコン切削粉が水と接触することで発生する水素を除去することができるので、攪拌槽内および工程系内で水素濃度が高くなることを防止することができる。以下、本発明のセメント原料化処理方法の実施形態について説明する。図1は、セメント原料製造装置の全体の概略構成を示している。セメント原料製造装置100は、汚泥と水とを攪拌することにより、汚泥中に含まれる塩素成分を溶出させたスラリー状態を形成する攪拌槽10と、この攪拌槽10の下部に堆積した汚泥中に含まれる固形物を取り出し、その固形物を解砕する解砕機20と、解砕後の処理物が送られる貯留容器21と、貯留容器21から処理物を取り出して再度、攪拌槽10に導入する循環配管22と、攪拌槽10から排出されるスラリーを水で希釈して洗浄する水槽30と、水槽30を通過したスラリーを脱水して水分を除去することによりセメント原料を製造する脱水機40とを備えている。攪拌槽10に供給される汚泥は、多結晶シリコン製造工程で発生する汚泥を、脱水機等で水分を除去して固形化したものであり、このような汚泥には、塩素成分塩素イオンが多く存在している。攪拌槽10は、図2に示すように、上部が開放状態の容器13と回転羽根を有する攪拌器15とで構成されており、この容器13に、汚泥と水例えば、工業用水とを投入し、これらを攪拌器15で攪拌することにより、汚泥中に含まれる塩素成分を溶出させてスラリー状態を形成することができる。また、容器13には、その深さ方向に3枚のバッフル板14が180°間隔で2列備えられている。このようにバッフル板14を配置することで、攪拌器15の回転羽根によって発生する旋回流を制御し、上下方向の循環流と下部放射流とを形成することができる。これにより、槽内で汚泥と水とを効率よく攪拌できるようになっている。なお、これらバッフル板14の容器側面からの高さhは、容器13の内周径Dに対して7/100~1/5程度に設定されており、固形物の細粒化や分散を生じさせ易くなっている。また、最も下方に配置されるバッフル板14と容器13の底面との間には、間隙sが設けられており、容器13の下部に汚泥が堆積することを防止している。この間隙sが狭いと汚泥が堆積するばかりでなく、容器13の底部にある汚泥中の固形物が旋回流により容器13内で攪拌される際に凝集しやすくなり、旋回流を妨げる原因にもなる。また、間隙sが広いと、容器13の底部にある汚泥中の固形物がバッフル板14に衝突しにくくなり、固形物の解砕が促進されなくなることから、処理時間がかかることになる。このため、間隔sは、20mm以上に設定することが望ましく、より好ましくは30mm~70mm程度に設定することが望ましい。なお、スラリーを水槽30に送り出す排出口12aは、容器13の内底面より、容器13内に投入される水位の0.03倍以上上方に設けられており、この排出口12aから排出されるスラリーに、形状の大きな固形物が含まれないようにしている。排出口12aの位置が低いと、大きい固形物が排出口12aに入ることがあり、排出口12aを塞いでスラリーの排出を妨げることとなり、安定したスラリーの排出ができなくなる。また、排出口12aが容器13の底面に対して高い位置にあると、汚泥中の比較的小さい粒径のスラリーが優先的に排出されるため、容器13の底部に比較的粒径の大きいスラリーが集まりやすく、容器13内で塩素成分のばらつきが生じやすくなる。このため、排出口12aの容器13の底面からの高さは、容器13内に投入される水位の0.2倍までが望ましい。解砕機20は、図3に示すように、ローター25により回転させられる回転羽根26と、その回転羽根26の間に配置された固定羽根27とにより構成されている。解砕機20の上部から供給される汚泥中に含まれる固形物を、これら羽根26,27によって解砕して小径化するものである。羽根26,27はそれぞれ間隔をあけて配置されており、攪拌槽10から取り出された汚泥中に含まれる固形物を例えば数mm以下の大きさに解砕することができる。この場合、固形物を細かく解砕することで塩素成分を溶出し易くしており、洗浄効率を向上させることができる。なお、固形物を細かく解砕するほど塩素成分の溶出を容易にでき、汚泥の洗浄効率を向上させることができるため、より細かく解砕することが好ましいが、一方で、細かく解砕するほど解砕にかける時間が長くなってしまう。そのため、固形物の解砕の大きさは、必要とする洗浄効率と時間との関係で適宜設定するとよい。そして、解砕機20の下部から抜き出された解砕後の処理物スラリーと解砕物との混合物は、開放状態の貯留容器21に送られ、ポンプ23によって循環配管22を通じて攪拌槽10に戻される。水槽30は、攪拌槽10から排出される汚泥から溶出した塩素成分を含むスラリーを水で希釈して洗浄するものである。なお、水槽30には、攪拌槽10の上流側に配置された水槽50から工業用水が供給されるようになっており、この工業用水によりスラリーが希釈、洗浄される。また、工業用水は、汚泥よりも塩素イオン濃度が十分に低い水である。例えば、汚泥の塩素イオン濃度が5000ppm~20000ppmに対して、工業用水の塩素イオン濃度は5ppm~850ppmとされる。脱水機40は、水槽30を通過して希釈、洗浄されたスラリーから水分を除去することにより脱水ケーキを製造するものであり、例えばフィルタープレスを用いることができる。なお、図1及び図2に示す符号11,12は配管に設けられた開閉バルブである。次に、このセメント原料製造装置100により、セメント原料を製造する方法について説明する。図1に示すセメント原料製造装置100においては、攪拌槽10の容器13内に汚泥を投入するとともに、水槽50から工業用水を供給して、所定時間、汚泥と工業用水との攪拌を行い流動化させて攪拌洗浄処理を行う攪拌工程。そして、図2に示すように、汚泥と工業用水とを攪拌して流動化させた後に、容器13の下部に設けられたバルブ11を開放状態とし、抜出口11aから堆積した汚泥を解砕機20に送り、この汚泥中に含まれる固形物を解砕した後に、その処理物を攪拌槽10に戻して循環させる解砕工程。これにより、汚泥中に含まれる塩素成分が溶出し易くするとともに、固形物中に多結晶シリコン切削粉等が含まれる場合は、水素が発生する。なお、水素は、開放状態に設けられた攪拌槽10の容器13の上部から放散される。汚泥と工業用水とを10分間程度攪拌した後に、攪拌槽10の容器13の下部に設けられたバルブ12を開き、排出口12aから水槽30にスラリーを送る。この際、水槽50から水槽30へ工業用水が供給される。そして、スラリーと工業用水とを混合して希釈、洗浄された後に、脱水機40へ希釈、洗浄されたスラリーを供給し、脱水することにより塩素成分を含む水分を除去して脱水ケーキを製造する脱水工程。このようにして製造された脱水ケーキは、十分に塩素成分が低減されており、セメント原料の一部として使用することができる。上述したように、本実施形態のセメント原料製造装置100においては、汚泥と水とを攪拌して流動化させ、汚泥中に含まれる塩素成分を溶出させるとともに、攪拌槽10の下部に堆積した汚泥中に含まれる形状の大きな固形物を取り出し、その固形物を解砕して小径化させた後に攪拌工程に戻すことにより塩素成分を溶出し易くしており、洗浄効率を向上させることができる。また、形状の大きな固形物の解砕を、汚泥と水とを攪拌し流動化させた後に行うことにより、解砕機の閉塞等を防止でき、効率的に解砕させることができる。さらに、汚泥中に多結晶シリコン加工時の多結晶シリコン切削粉が含まれる場合、攪拌時に多結晶シリコン切削粉と水とが接触すると水素が発生するが、攪拌槽の上部を開放状態に設けたので、攪拌中の槽内の水素濃度が高くなることを防止できる。さらに、攪拌工程と解砕工程とを組み合わせることで、汚泥中の固形物に含まれる多結晶シリコン切削粉等と水との接触を効率的に行うことができ、水素を円滑に除去することができる。したがって、攪拌槽内や各工程系内で水素濃度が高くなることを防止でき、水素爆発等のトラブルが発生することを未然に防止することができる。次に、本発明のセメント原料化処理方法の実施例について説明する。表1に示す条件の汚泥と工業用水とを攪拌槽の容器に投入して10分間の攪拌を行い流動化させた後に、容器下部に堆積した汚泥を約300lずつ取り出して、汚泥中に含まれる固形物を解砕し、攪拌槽に戻す作業を7回行った。そして、攪拌後のスラリー状態の汚泥を取り出し、脱水機により0.5MPaGの圧力をかけて約1時間の打ち込みを行い、スラリーを脱水して脱水ケーキを製造した。得られた脱水ケーキの成分及び濾過された濾液の成分は、表2に示す。なお、表1及び表2の塩素イオン濃度の測定は、イオンクロマトグラフにより行った。そして、本実施例で使用した解砕機においては、固定羽根及び回転羽根同士の間隔は、17mmに設定した。また、攪拌槽は、内径が1.26mの容器を用い、その容器内で最も下方に配置されるバッフル板と、容器の底面との間の間隙sを50mmに設定し、排出口12aを容器の内底面から15cm上方位置に配置した。そして、容器の約1.4m水位まで汚泥と工業用水とを投入して攪拌を行った。表2の結果からわかるように、処理後の脱水ケーキは、処理前の汚泥と比べて、塩素イオン濃度が大幅に低減しており、本発明によれば、汚泥中に含まれる塩素成分を大幅に低減できることが確認できた。また、解砕機や循環配管系等の閉塞は生じなかった。試料4,5では、試料1~3で用いた工業用水よりも塩素イオン濃度の高い工業用水を用いたが、この工業用水は投入される汚泥の塩素イオン濃度に比べて十分に低いものであり、このような工業用水を用いた場合でも、塩素成分を十分に低減できることがわかった。したがって、塩素イオン濃度の高い工業用水を用いた場合でも、エコセメント等に使用できるレベルの塩素イオン濃度の低減が可能であることがわかった。なお、本発明は上記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、細部構成においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。上記実施形態では、一定量の汚泥を取り出して解砕したものを攪拌槽に戻していたが、水槽30内のスラリーおよび脱水後の脱水ケーキを連続的にモニタリングしながら、これらの処理を自動的に連続して行う構成としてもよい。"