複数の素子部が1つの基板上に形成された半導体発光素子の製造方法であって、成長基板上に第1膜厚を有する半導体積層体を形成する半導体積層体形成工程と、前記成長基板に達する分離溝を前記半導体積層体に形成して前記半導体積層体を複数の素子部として分離しかつ前記成長基板の表面を露出させる素子分離工程と、前記半導体積層体の前記第1膜厚より小なる第2膜厚を有する絶縁犠牲層を前記分離溝の前記成長基板の表面上に形成する絶縁犠牲層形成工程と、前記絶縁犠牲層の材料と異なる絶縁材料で前記分離溝を埋めて、前記半導体積層体の第1膜厚に達する前記絶縁犠牲層の前記第2膜厚より厚い第3膜厚を有する絶縁支持部を、前記絶縁犠牲層上に形成する絶縁支持部形成工程と、前記成長基板に形成されている前記半導体積層体上に支持基板を貼り付ける接合工程と、前記半導体積層体から前記成長基板を剥離して前記絶縁犠牲層を露出させる工程と、エッチングにより前記絶縁犠牲層を除去し前記絶縁支持部を露出させる除去工程と、を含むことを特徴とする製造方法。前記絶縁犠牲層の前記第2膜厚は100nm乃至300nmであることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。前記素子分離工程と前記絶縁犠牲層形成工程との間に、前記複数の素子部毎に前記半導体積層体上に第1電極及び第2電極を形成する電極形成工程と前記第1電極及び前記第2電極を囲み電気的に絶縁すると共に前記分離溝における前記複数の素子部の前記半導体積層体の側面を覆う第1保護絶縁膜を形成する工程とを含むこと、並びに、前記絶縁犠牲層形成工程と前記接合工程との間に、前記半導体積層体の前記複数の素子部のうちの隣接する2つの前記第1電極及び前記第2電極を接続する配線電極を形成する電極配線工程と前記配線電極を覆う第2保護絶縁膜を形成する工程とを含むこと、を特徴とする請求項1又は2に記載の製造方法。前記除去工程において、前記エッチングにより前記複数の素子部の前記半導体積層体の表面に粗面を形成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1に記載の製造方法。前記素子分離工程と前記絶縁犠牲層形成工程との間に、前記複数の素子部毎に前記半導体積層体上に第1電極を形成する工程を含むこと、並びに、前記除去工程の後に、前記複数の素子部毎に前記半導体積層体上に第2電極を形成する工程を含むこと、を特徴とする請求項1又は2に記載の製造方法。従来の製造方法では、チップサイズを大きくすると、注入電流が増加する。その為、電流の損失発光に寄与しない電子が増加してしまう。発光に寄与しない電子は、熱に変換されるためチップサイズを大型化すると、発熱量が増加してしまうため、熱伝導性の低い基板例えばサファイアを用いた場合、発光効率が著しく低下してしまう。また、素子サイズを大きくしていくと注入電流の密度に分布ができてしまうため、均一な発光分布を得ることが難しい。そこで、発光半導体積層体を複数の素子部に分割した構造を半導体発光素子に採用することで、注入電流増加による発光分布の悪化の問題は回避できる。しかし、発光半導体積層体を分割することで素子部間に非発光の領域が発生してしまう。この非発光の領域が、発光の色むらや、デバイスの信頼性の低下の原因となる。例えば、特許文献1に開示の技術の場合、素子部の間にメタル電極があるため、素子部の間に輝度むらに起因する色むらが発生する。さらに、成長基板の除去工程に、ケミカルメカニカルポリッシュCMP工程を用いなければならないため、素子のクラック、素子部の間の絶縁層のクラックなど信頼性を著しく低下させてしまう。特許文献2に開示の技術の場合、素子を分割する際に成長基板までエッチングしないで、バッファー層を残し、その後、レーザーリフトオフLLOLaserLiftOff法で成長基板を剥離している。このプロセスの場合、LLO法でバッファー層のGaNが分解し窒素ガスが爆発的に増加することで素子部の間の絶縁体にクラックが発生してしまい、信頼性を大きく低下させてしまう。特許文献3では、半導体デバイスの素子部の間、電極間等、封止材料の候補に有機材料、ポリイミド溶液の印刷等を用い得ることが示唆されている。ポリイミドのような熱耐性の高い有機材料も使用可能あるが、有機材料は有色であり可視光を吸収してしまうため、除去しなければならない。白色LEDの色むらや、素子部の間の強度に対して対策がさらに織り込まれなければならないという問題がある。本発明は、上述した点に鑑みてなされたものであり、素子部の間の絶縁体へのクラックの侵入を防止することができる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決するために、本発明の半導体発光素子の製造方法は、複数の素子部が1つの基板上に形成された半導体発光素子の製造方法であって、成長基板上に第1膜厚を有する半導体積層体を形成する半導体積層体形成工程と、成長基板に達する分離溝を半導体積層体に形成して半導体積層体を複数の素子部として分離しかつ成長基板の表面を露出させる素子分離工程と、半導体積層体の第1膜厚より小なる第2膜厚を有する絶縁犠牲層を分離溝の成長基板の表面上に形成する絶縁犠牲層形成工程と、絶縁犠牲層の材料と異なる絶縁材料で分離溝を埋めて、半導体積層体の第1膜厚に達する絶縁犠牲層の第2膜厚より厚い第3膜厚を有する絶縁支持部を、絶縁犠牲層上に形成する絶縁支持部形成工程と、成長基板に形成されている半導体積層体上に支持基板を貼り付ける接合工程と、半導体積層体から成長基板を剥離して絶縁犠牲層を露出させる工程と、エッチングにより絶縁犠牲層を除去し絶縁支持部を露出させる除去工程と、を含むことを特徴とする。本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、素子部の間の成長基板側の絶縁犠牲層により絶縁支持部にクラックが入ることを防止することができ、さらに、透明絶縁無機材料を絶縁体層に用いることで、色むらを解消し、さらに、半導体発光素子の耐久性が向上する。以下、本発明による実施例のフリップチップタイプ半導体発光素子の製造方法について添付図面を参照しつつ説明する。なお、この実施例では基板上に複数のの素子部を製造する場合であってその内の2つの素子部を示している。[半導体積層体形成工程]図1aに示すように、半導体積層体形成工程では、サファイアからなる成長基板11が用意され、成長基板11上に、MOCVD有機金属化学気相成長法を用いて窒化物系半導体からなる半導体積層体12が形成される。例えば、半導体積層体12は、図示しないが、膜厚5μmのn型GaN層、膜厚0.5μmのInGaN量子井戸層を含む多重量子井戸発光層、及び膜厚0.5μmのp型GaN層がこの順序で積層された積層体である。半導体積層体12は成長基板11上に第1膜厚6μmを有するように形成される。なお、成長基板には、サファイア基板以外でもスピネル、SiC、ZnOなどの材料を用いることができる。[素子分離工程]素子分離工程では、半導体積層体を複数の素子部として分離するためにレジストマスクを用いたドライエッチングにより、図1bに示すように、成長基板11に達する複数の分離溝STが半導体積層体12に形成されて、成長基板11の表面が露出する。格子状の分離溝STが形成されることにより、半導体積層体12は矩形の素子領域に分割され、複数の半導体積層体12の素子部が画定される。[電極形成工程]また、電極形成工程では、導体積層体の一方の表面に第1及び2電極が形成される。例えば、第2電極n電極のためにレジストマスクを用いたドライエッチングが施され、半導体積層体12の複数の素子部ごとにn型GaN層図示せずの一部が表出するように、凹部Rccが形成される図1c。次に、図2dに示すように、第1電極13pが半導体積層体12のp型GaN層図示せずに形成される。例えば、第1電極として、レジストパターンを新たにフォトリソグラフィで形成した後、電子ビーム蒸着法により、Pt/Ag/Ti/Pt/Auからなる多層膜であるp電極が形成される。次に、レジストマスクを施し第1電極13pと分離溝STの底で露出している成長基板11の表面を除いて、図2eに示すように、第1電極13pを囲み、凹部から分離溝における複数の素子部の半導体積層体12の側面に亘り表面を覆うように、蒸着によりSiO2からなる第1保護絶縁膜14が形成される。次に、第2電極n電極のため開口が凹部の保護絶縁膜14に形成され、図2fに示すように、当該開口に第2電極13nがn型GaN層図示せずに接続されて形成される。例えば、第2電極として、レジストパターンを新たにフォトリソグラフィで形成した後、電子ビーム蒸着法により、Ti/Al/Ti/Pt/Auからなる多層膜であるn電極が形成される。[絶縁犠牲層形成工程]半導体積層体12の間のそれぞれの分離溝の底で露出している成長基板11の表面にスピンコーティング法などで絶縁犠牲層材料溶液を塗布して、アニール処理で硬化させて、図3gに示すように、絶縁犠牲層15が成長基板11の上に形成される。絶縁犠牲層15の効果は、後の成長基板剥離工程で形成される絶縁支持部16へのクラックの侵入を防止できることである。このクラック侵入防止機能を有する絶縁犠牲層15はSOGスピンオングラスのような100nm乃至300nm程度の膜厚を比較的容易に積層できる材料からなることが好ましい。かかる絶縁犠牲層15は半導体積層体12の有する第1膜厚6μmよりかなり小なる第2膜厚を有するように、形成される。絶縁犠牲層15の膜厚が、100nm未満であるとクラック侵入防止が不十分となり、300nmを超えると得られる光取り出し面の平坦性が損なわれる虞がある。[絶縁支持部形成工程]半導体積層体12の間の分離溝の底の絶縁犠牲層15にスピンコーティング法でなどで絶縁支持部材料溶液を塗布後、アニール処理で硬化して、図3hに示すように、絶縁支持部16が絶縁犠牲層15の上に形成される。すなわち、絶縁犠牲層15の材料と異なる絶縁体材料で保護絶縁膜14で覆われた分離溝を埋めて、半導体積層体12の第1膜厚6μmに達するように絶縁犠牲層15の第2膜厚100nm乃至300nmより厚い第3膜厚5900nm乃至5700nmを有する絶縁支持部16が絶縁犠牲層15の上に形成される。半導体積層体12の素子部の間を絶縁支持部16で埋める最も大きな理由は、後工程の熱伝導性基板支持基板のウエハボンディング工程の為の共晶金属を均一膜厚で蒸着するためである。また、本実施例の素子構造である薄膜フリップチップ構造の場合、絶縁支持部16には後工程の配線電極17を蒸着するための支持体としても効果がある。さらに、この絶縁支持部16は、その絶縁体材料が素子からの発光を透過する材料である場合、色むらを低減できる効果がある。また、絶縁体を用いることで素子部の間の絶縁性をより強固なものにし、デバイスの信頼性を向上させる効果も期待できる。絶縁支持部16はZnOのような厚膜積層が容易な絶縁材料を用いることが好ましい。上記の絶縁犠牲層及び絶縁支持部の絶縁体材料としては、酸化シリコン系材料、窒化シリコンSiNxや、ZnOや、金属酸化物高誘電絶縁膜などの無機系絶縁材料を用いることができ、これらの組み合わせを用いることもできる。例えば、酸化シリコン系材料として、酸化シリコンSiOx、酸化窒化シリコンSiON、SOGスピンオングラス、低誘電率SiOx系材料例えば、有機SOGが挙げられる。上記の絶縁犠牲層及び絶縁支持部の絶縁体材料の選択には、それぞれの成膜、積層の後に残留応力が異なったり、その応力差が大きくなったりするものを選び、それを利用して絶縁犠牲層の剥離を促進することができる。[電極配線工程]図3iに示すように、半導体積層体12の素子部の隣接する2つの第1電極13p及び第2電極13nの間の保護絶縁膜14及び絶縁支持部16上に亘り配線電極17が形成される。すなわち、電極配線工程において、半導体積層体12の隣接する2つの素子部が第1電極13p及び第2電極13nにて直列接続される。例えば、配線電極は、レジストパターンを新たにフォトリソグラフィで形成した後、電子ビーム蒸着法により、Pt/Ag/Ti/Pt/Auからなる多層膜として形成される。配線電極17は素子部の間の反射ミラーとしても作用するため反射率の高いp電極と同じ電極材料を用いる。[第2保護絶縁膜形成工程]図4jに示すように、配線電極17を覆う第2保護絶縁膜18を形成する。例えば、後のウエハボンディング工程にて貼り合わされる支持基板から電気的に絶縁状態とするために配線電極17上にSiO2からなる第2保護絶縁膜18を形成する。[接着層形成工程]図4kに示すように、後のウエハボンディング工程にて支持基板を貼り合わすための第1接着層19が第2保護絶縁膜18上に形成される。例えば、第1接着層19は、レジストパターンを新たにフォトリソグラフィで形成した後、電子ビーム蒸着法により、Ti/Pt/Au/AuSnからなる多層膜として形成される。[ウエハボンディング工程:接合工程]次に、半導体積層体を支持するためのSi単結晶などの支持基板を準備する。Siの支持基板20上には、例えば真空蒸着法によりAuSn共晶材の第2接着層21が形成されているメタライズSi基板。そして、図4lに示すように、成長基板11の半導体積層体12上の第1接着層19と支持基板20の第2接着層21とがAuSnの共晶を利用して張り合わされる。第1接着層19と第2接着層21と共晶となり接合層となる。例えば、圧力3MPaで加圧した状態で300°Cに加熱して10分間保持した後、室温まで冷却することにより融着接合が行われる。[成長基板剥離工程]次に、図5mに示すように、LLO法により、成長基板11の裏面側より半導体積層体12の全域に亘ってレーザ光を照射し、半導体積層体12から成長基板11を剥離する。レーザ光光源としてはKrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、Nd:YAGレーザが挙げられる。LLO法によるレーザ光はサファイア成長基板11に対しては透過し、半導体積層体12を構成するGaNに吸収され、成長基板11との界面付近で、GaNバッファ層の一部が金属Ga及びN2ガスに分解される。これにより、レーザ光照射部分においては、半導体積層体12から成長基板11が剥離される。その後、必要に応じて、半導体積層体12のn型GaN層の露出したGaN層の剥離面を研磨やエッチングを施してもよい。半導体積層体12から成長基板11が剥離され絶縁犠牲層15又は絶縁支持部16が露出する。絶縁犠牲層15があるので、LLO工程で以下の2点で、絶縁支持部16にクラックが入る原因が解消できる。第1に、絶縁犠牲層15とサファイア成長基板11の界面がLLO工程後も密着している状態である場合、サファイアに密着した絶縁犠牲層15の存在で、絶縁犠牲層15が絶縁支持部16から剥がれることで絶縁支持部16が砕けることを防ぐことができる。第2に、絶縁犠牲層15とサファイア成長基板11の界面にGaNの残渣がある場合には、LLO工程で、GaNがGaとN2に分解するためにガス体積が爆発的に増加することで絶縁支持部16にクラックが発生してしまう。しかし、絶縁犠牲層15にクラックが入ることはあるが、絶縁支持部16にまでクラックが入ることを防止することができる。これは、組成が異なる絶縁体層を2層積層することにより、N2ガスによる応力増加を、絶縁犠牲層15で緩和できるためである。[マイクロコーン形成工程除去工程]支持基板20の露出している半導体積層体12の表面に残る融解したGa残渣を塩酸でウエットエッチングを施し、除去する。続いて、図5nに示すように、半導体積層体12の表面にドライエッチングを施し、光取り出し面にマイクロコーン22を形成する。ここで、マイクロコーン形成前の半導体積層体12の表面は、剥離せず残った絶縁犠牲層が残渣として点在するが、これは、マイクロコーン形成の工程で除去される。よって、絶縁犠牲層を除去するための工程を必要としないが、必要であれば、絶縁犠牲層を除去するための工程を制限するものではない。よって、かかる除去工程において、エッチングにより複数の素子部の半導体積層体12の表面に粗面を形成することができる。[蛍光体塗布工程]図5oに示すように、半導体積層体12の表面上のマイクロコーン22の全面に、波長変換層23を形成する。たとえばシリコーン樹脂材料とYAG系蛍光体粒子を混合したもの材料混合液をディスペンサーなどで滴下する。蛍光塗布膜の表面の凹凸は平坦化される。また、1枚の膜として塗布膜が形成されるため、各LED素子21上部における蛍光体濃度が一定となる。塗布膜を、その形状を維持したまま硬化させて、波長変換層23が形成される。以上のプロセス工程で複数の発光半導体素子部が1つの基板上に形成された半導体発光素子が製造される。本実施例ではZnO、SOGなど絶縁支持部は、従来の有機透明絶縁膜、例えばポリイミドに比べ、可視光を吸収しないため、除去を必要としない。このため本実施例では蛍光体が溝に入り込むことがなく、色むらを防ぐことができる。また、従来、クラックが絶縁支持部に入ることで光の伝播経路がかわり、光取り出し量が変化してしまうが、クラック侵入を絶縁犠牲層により防止することで、発光半導体積層体を複数の素子部に分割する構造による潜在的な色むらを低減することができる。以上のように、本実施例により、絶縁犠牲層により素子部の間の絶縁支持部にクラックが入ることを防止できデバイス信頼性を高め、さらに、透明絶縁無機材料を絶縁体層に用いることで、色むらを解消することができる。[変形例]上記実施例では、フリップチップタイプ半導体発光素子を示したが、本発明は、これに限られず、半導体積層体の両面にそれぞれ第1電極と第2電極を形成する半導体発光素子の製造方法にも適用できる。すなわち、上記の素子分離工程と絶縁犠牲層形成工程との間に、複数の素子部毎に半導体積層体上に第1電極を形成する工程を実行し、上記の除去工程の後に複数の素子部毎に半導体積層体上に第2電極を形成する工程を実行しても、上記の同様の効果を得ることができる。この変形例では、上記実施例の[電極形成工程]において、半導体積層体の一方の表面に第1及び2電極が形成される代わりに、第1電極13pのみが半導体積層体12に形成され、保護絶縁膜が形成されずに、上記[絶縁犠牲層形成工程]と[絶縁支持部形成工程]が実行され、上記[電極配線工程]と[保護絶縁膜形成工程]が実行さずに、[接着層形成工程]と[ウエハボンディング工程]と[成長基板剥離工程]が実行される。図6aは、かかる[成長基板剥離工程]を説明するための基板を示す。図示するように、支持基板20の第2接着層21と第1接着層19とから共晶となった接合層に直接接触する第1電極13pのみが半導体積層体12に設けられている。半導体積層体12の素子部の間には絶縁犠牲層15及び絶縁支持部16が積層されている。半導体積層体12の第1電極13pの反対側絶縁犠牲層15の側から全域に亘ってレーザ光を照射し、半導体積層体12から成長基板11が剥離される。図6bに示すように、[マイクロコーン形成工程除去工程]では、支持基板20の露出している半導体積層体12の表面に残る融解したGa残渣を塩酸で除去し、半導体積層体12のn型GaN層図示せず表面にドライエッチングを施し、光取り出し面にマイクロコーン22を形成する。図6cに示すようにマイクロコーン形成工程除去工程の後に、第2電極13nが半導体積層体12のマイクロコーン22の上に形成される。例えば、第2電極として、レジストパターンを新たにフォトリソグラフィで形成した後、電子ビーム蒸着法により、Ti/Al/Ti/Pt/Auからなる多層膜であるn電極が形成される。