"光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するMOSトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素が水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第1の画素グループと、前記第1の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略1/2ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素が配列された第2の画素グループとを備え、前記第1の画素グループと前記第2の画素グループは、光電変換に寄与する半導体領域の深さが異なるようにして成り、前記第1の画素グループの各画素は青色成分信号及び赤色成分信号が分離して検出される構成とされ、前記第2の画素グループの各画素は緑色成分信号が検出される構成とされる半導体イメージセンサ。光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するMOSトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素が水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第1の画素グループと、前記第1の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略1/2ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素が配列された第2の画素グループとを備え、前記第1の画素グループに対応するオンチップカラーフィルタに補色フィルタを用いて成り、前記第1の画素グループの各画素は青色成分信号及び赤色成分信号が分離して検出される構成とされ、前記第2の画素グループの各画素は緑色成分信号が検出される構成とされる半導体イメージセンサ。光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するMOSトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素が水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第1の画素グループと、前記第1の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略1/2ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素が配列された第2の画素グループとを備え、前記第1の画素グループの光電変換手段は複数の積層構造を有し、同一画素からピーク波長の異なる2つの光電変換信号を取り出すようにして成り、前記第1の画素グループの各画素は青色成分信号及び赤色成分信号が分離して検出される構成とされ、前記第2の画素グループの各画素は緑色成分信号が検出される構成とされる半導体イメージセンサ。光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するMOSトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素が水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第1の画素グループと、前記第1の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略1/2ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素が配列された第2の画素グループとを備え、前記第1の画素グループの各第1画素は異なる原色の第1及び第2の色成分信号が分離して検出される構成とされ、前記第2の画素グループの各第2画素は前記原色と異なる原色の第3の色成分信号が検出される構成とされ、隣り合う前記第1画素と前記第2画素とに跨がる領域を仮想画素として、該仮想画素を中心に前記画素グループの画素の1ピッチ未満の長さを半径とした円内に含む第1画素及び第2画素の色成分信号から演算処理して色信号を検出し、前記第1の色成分信号が青色成分信号であり、前記第2の色成分信号が赤色成分信号であり、かつ、前記第3の色成分信号が緑色成分信号である半導体イメージセンサ。光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するMOSトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素が水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第1の画素グループと、前記第1の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略1/2ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素が配列された第2の画素グループとを備え、前記第1の画素グループの各第1画素は異なる原色の第1及び第2の色成分信号が分離して検出される構成とされ、前記第2の画素グループの各第2画素は前記原色と異なる原色の第3の色成分信号が検出される構成とされ、隣り合う前記第1画素と前記第2画素とに跨がる領域を仮想画素として、該仮想画素を中心に前記画素グループの画素の1ピッチの長さを半径とした円に接した画素を含んで該円内に含む第1画素及び第2画素の色成分信号から演算処理して色信号を検出し、前記第1の色成分信号が青色成分信号であり、前記第2の色成分信号が赤色成分信号であり、かつ、前記第3の色成分信号が緑色成分信号である半導体イメージセンサ。前記第1の画素グループと前記第2の画素グループとの複数の画素において、前記MOSトランジスタのうちの増幅トランジスタを共有して成る請求項1、2、3、4又は5記載の半導体イメージセンサ。前記第1の画素グループと前記第2の画素グループとの複数の画素において、前記MOSトランジスタのうちのリセットトランジスタを共有して成る請求項1、2、3、4又は5記載の半導体イメージセンサ。前記第1の画素グループと前記第2の画素グループとの複数の画素において、前記MOSトランジスタのうちの選択トランジスタを共有して成る請求項1、2、3、4又は5記載の半導体イメージセンサ。ところで、上述のようなMOS型の半導体イメージセンサにおいては、混色、ノイズを抑え、高い色分離性を有しながら更なる解像度化の向上が望まれている。また、信号処理の高速化、簡略化のためには、色信号を検出するための演算式の更なる簡略化が望まれている。本発明は、上述の点に鑑み、解像度の更なる向上を図り、色信号の演算式の簡略化を図った半導体イメージセンサを提供するものである。本発明に係る半導体イメージセンサは、光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するMOSトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素が水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第1の画素グループと、第1の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略1/2ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素が配列された第2の画素グループとを備え、第1の画素グループと第2の画素グループは、光電変換に寄与する半導体領域の深さが異なるようにして成り、第1の画素グループの各画素は青色成分信号及び赤色成分信号が分離して検出される構成とされ、第2の画素グループの各画素は緑色成分信号が検出される構成とされることを特徴とする。本発明の半導体イメージセンサでは、複数の画素が水平及び垂直方向にそれぞれ所定ピッチで配列された第1の画素グループと、第1の画素グループに対して水平及び垂直方向に略1/2ピッチずらした状態で複数の画素を配列した第2の画素グループとを備えることにより、記録画素数を有効画素数の2倍になり、解像度の向上が図れる。第1の画素グループと第2の画素グループは、光電変換に寄与する半導体領域の深さが異なるように成されているので、いわゆる斜め画素ずらしにおける色信号を形成する演算式の簡略化が図れる。本発明に係る半導体イメージセンサは、光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するMOSトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素が水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第1の画素グループと、第1の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略1/2ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素が配列された第2の画素グループとを備え、第1の画素グループに対応するオンチップカラーフィルタに補色フィルタを用いて成り、第1の画素グループの各画素は青色成分信号及び赤色成分信号が分離して検出される構成とされ、第2の画素グループの各画素は緑色成分信号が検出される構成とされることを特徴とする。本発明の半導体イメージセンサでは、複数の画素が水平及び垂直方向にそれぞれ所定ピッチで配列された第1の画素グループと、第1の画素グループに対して水平及び垂直方向に略1/2ピッチずらした状態で複数の画素を配列した第2の画素グループとを備えることにより、記録画素数を有効画素数の2倍になり、解像度の向上が図れる。第1の画素グループに対応するオンチップカラーフィルタに補色フィルタを用いることにより、いわゆる斜め画素ずらしにおける色信号を形成する演算式の簡略化が図れる。本発明に係る半導体イメージセンサは、光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するMOSトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素が水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第1の画素グループと、第1の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略1/2ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素が配列された第2の画素グループとを備え、第1の画素グループの光電変換手段は複数の積層構造を有し、同一画素からピーク波長の異なる2つの光電変換信号を取り出すようにして成り、第1の画素グループの各画素は青色成分信号及び赤色成分信号が分離して検出される構成とされ、第2の画素グループの各画素は緑色成分信号が検出される構成とされることを特徴とする。本発明の半導体イメージセンサでは、複数の画素が水平及び垂直方向にそれぞれ所定ピッチで配列された第1の画素グループと、第1の画素グループに対して水平及び垂直方向に略1/2ピッチずらした状態で複数の画素を配列した第2の画素グループとを備えることにより、記録画素数を有効画素数の2倍になり、解像度の向上が図れる。第1の画素グループの光電変換手段は複数の積層構造を有し、同一画素からピーク波長の異なる2つの光電変換信号を取り出すようにして成るので、いわゆる斜め画素ずらしにおける色信号を形成する演算式の簡略化が図れる。本発明に係る半導体イメージセンサは、光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するMOSトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素が水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第1の画素グループと、第1の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略1/2ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素が配列された第2の画素グループとを備え、第1の画素グループの各第1画素は異なる原色の第1及び第2の色成分信号が分離して検出される構成とされ、第2の画素グループの各第2画素は前記原色と異なる原色の第3の色成分信号が検出される構成とされ、隣り合う第1画素と第2画素とに跨がる領域を仮想画素として、該仮想画素を中心に前記画素グループの画素の1ピッチ未満の長さを半径とした円内に含む第1画素及び第2画素の色成分信号から演算処理して色信号を検出し、第1の色成分信号が青色成分信号であり、第2の色成分信号が赤色成分信号であり、かつ、第3の色成分信号が緑色成分信号であることを特徴とする。本発明の半導体イメージセンサでは、複数の画素が水平及び垂直方向にそれぞれ所定ピッチで配列された第1の画素グループと、第1の画素グループに対して水平及び垂直方向に略1/2ピッチずらした状態で複数の画素を配列した第2の画素グループとを備えることにより、記録画素数を有効画素数の2倍になり、解像度の向上が図れる。第1画素を異なる原色の第1、第2の色成分信号が検出できる構成とし、第2画素を原色の第3の色成分信号が検出できる構成とし、隣り合う第1画素と第2画素とに跨がる領域を仮想画素として、この仮想画素を中心に画素グループの画素の1ピッチ未満の長さを半径とした円内に含む第1画素及び第2画素の色成分信号から演算処理して色信号を検出することにより、色信号を形成する演算式の簡略化が図れる。本発明に係る半導体イメージセンサは、光電変換手段と該光電変換手段を選択読み出するMOSトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、二次元的に複数の画素が水平方向及び垂直方向のそれぞれに所定ピッチで配列された第1の画素グループと、第1の画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチの略1/2ピッチずらした状態で、二次元的に複数の画素が配列された第2の画素グループとを備え、第1の画素グループの各第1画素は異なる原色の第1及び第2の信号成分が分離して検出される構成とされ、第2の画素グループの各第2画素は前記原色とは異なる原色の第3の色成分信号が検出される構成とされ、隣り合う第1画素と第2画素とに跨がる領域を仮想画素として、該仮想画素を中心に画素グループの画素の1ピッチの長さを半径とした円に接した画素を含んで該円内に含む第1画素及び第2画素の色成分信号から演算処理して色信号を検出し、第1の色成分信号が青色成分信号であり、第2の色成分信号が赤色成分信号であり、かつ、第3の色成分信号が緑色成分信号であることを特徴とする。本発明の半導体イメージセンサでは、複数の画素が水平及び垂直方向にそれぞれ所定ピッチで配列された第1の画素グループと、第1の画素グループに対して水平及び垂直方向に略1/2ピッチずらした状態で複数の画素を配列した第2の画素グループとを備えることにより、記録画素数を有効画素数の2倍になり、解像度の向上が図れる。第1画素を異なる原色の第1、第2の色成分信号が検出できる構成とし、第2画素を原色の第3の色成分信号が検出できる構成とし、隣り合う第1画素と第2画素とに跨がる領域を仮想画素として、この仮想画素を中心に画素グループの画素の1ピッチの長さを半径とした円に接した画素を含んで該円内に含む第1画素及び第2画素の色成分信号から演算処理して色信号を検出することにより、色信号を形成する演算式の簡略化が図れる。本発明に係る半導体イメージセンサによれば、解像度を更に向上することができるので、一般的な正方画素配列よりも水平、垂直方向の情報をより緻密に再現し、より鮮明な画像を再現することができる。また、色信号の演算式を簡略化することができるので、後段の信号処理を高速化、簡略化し易くなる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明の第1実施の形態に係る半導体イメージセンサ、いわゆるCMOSイメージセンサの概略構成を示す。本実施の形態の半導体イメージセンサは、オンチップカラーフィルタを用いないで色分離する例である。本実施の形態に係る半導体イメージセンサ61は、同一半導体基板62の表面上に形成した、複数の画素63を二次元的に配列した受光領域となる撮像領域64と、この撮像領域64の外側に配置した画素63の選択と信号出力のための周辺回路65、66を備えて成る。一方の周辺回路65は、撮像領域64の側辺に位置する垂直走査回路いわゆる垂直レジスタ回路にて構成される。他方の周辺回路66は、撮像領域64の下側に位置する水平走査回路いわゆる水平レジスタ回路及び出力回路等信号増幅回路、A/D変換回路、同期信号発生回路等を含むにて構成される。撮像領域64では、複数の画素がいわゆる斜め配列される。すなわち、二次元的に複数の画素63Aを水平方向及び垂直方向にそれぞれ所定ピッチW1で略格子状に配置した第1画素グループと、第1画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチW1の略1/2のピッチだけずらした状態で二次元的に複数の画素63Bを配置した第2画素グループとにより構成され、丁度画素63A,63Bが斜めにずらした正方格子状に配列形成されている。本例では、奇数行に画素63Bが配列され、1/2ピッチずれて偶数行に画素63Aが配列される。第1画素グループの各画素いわゆる第1画素63Aは、同一画素から異なる原色の2つの色成分信号、本例では赤R色と青B色に対応したそれぞれの赤色成分信号と青色成分信号を分離して検出する画素構造を有して構成される。図3に、この第1画素63Aの半導体断面構造を示す。第1導電型の半導体基板、本例ではn型のシリコン半導体基板71に第2導電型の半導体ウェル領域、本例ではp型半導体ウェル領域72が形成され、このp型半導体ウェル領域72の表面に所要の深さ方向の幅h1、本例では0.1μm~0.3μmの幅h1を有する青色光の光電変換領域となるn型半導体領域73が形成される。さらに、p型半導体ウェル領域72内の深部において、所要の深さ方向の幅h2、本例では表面からの深さで表すと0.8μm~2.5μmの幅h2を有する赤色光の光電変換領域となるn型半導体領域74が形成される。さらに、n型半導体ウェル領域73の表面及びn型半導体領域74の一部基板表面側に延びる領域の表面とにわたるように、暗電流を抑制するためのp型アキュミュレーション領域75が形成される。n型半導体領域73とpアキュミュレーション領域75とp型半導体ウェル領域74とにより青色光電変換手段であるフォトダイオードPDbが形成され、n型半導体領域74とp型アキュミュレーション領域75とp型半導体ウェル領域72とにより赤色光電変換手段であるフォトダイオードPDrが形成される。これらフォトダイオードPDb,PDrは、基板表面の界面にp型アキュミュレーション領域75が形成された所謂HADセンサHoleAccumulationDiodeとして構成される。p型半導体ウェル領域72のフォトダイオードPDb及びPDrを挟む両側の領域、すなわち基板表面側に、それぞれフローティングディフージョンFDとなるn型半導体領域77及び78が形成される。そして、基板表面において青色用フォトダイオードPDbを構成するn型半導体領域73と一方のフローティングディフージョンとなるn型半導体領域77との間、すなわち、n型半導体領域73に連続して基板表面に臨むチャネル領域79上にゲート絶縁膜を介してゲート電極80が形成されて、転送用トランジスタTr1bが形成される。また、基板表面において赤色用フォトダイオードPDrを構成するn型半導体領域74と他方のフローティングディフージョンとなるn型半導体領域78との間、すなわち、n型半導体領域74に連続して基板表面に臨むチャネル領域81上にゲート絶縁膜を介してゲート電極82が形成されて、転送用トランジスタTr1rが形成される。画素63Aは、p型半導体ウェル領域72に形成された例えば選択酸化層による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域等による素子分離領域84により隣接画素と分離される。この画素63Aは、1つの画素構造内に青色光と赤色光をそれぞれ分離して光電変換する2つのフォトダイオードPDb及びPDrが積層された構造になっている。この画素63Aによれば、波長の短い青色光は浅い領域に形成したフォトダイオードPDbで光電変換されて浅い位置のn型半導体領域73に信号電荷が蓄積される。信号読み出し時には転送用トランジスタTr1bがオンして信号電荷が、一方のゲート電極80下のチャネル領域79を通して一方のフローティングディフージョンとなるn型半導体領域77に転送される。波長の長い赤色光は深い領域に形成されたフォトダイオードPDrで光電変換され深い位置のn型半導体領域74に信号電荷が蓄積される。信号読み出し時には転送用トランジスタTr1rがオンして信号電荷が、他方のゲート電極82下のチャネル領域81を通して他方のフローティングディフージョンとなるn型半導体領域78に転送される。第2画素グループの各画素いわゆる第2画素63Bは、さらに異なる原色の色成分信号、本例では緑G色に対応した緑色成分信号が検出される画素構造を有して構成される。図2に、この第2画素63Bの半導体断面構造を示す。前述と同一のn型のシリコン半導体基板71に第2導電型のp型半導体ウェル領域72が形成される。このp型半導体ウェル領域72の所要の深さ方向の幅h3、すなわち図3で説明したn型半導体領域73とn型半導体領域74との間の中間の位置に対応して、本例では表面からの深さで表すと0.3μm~0/8μmの深さ方向の幅h3を有する緑色光の光電変換領域となるn型半導体領域86が形成される。n型半導体領域86より基板表面に至る領域には、暗電流を抑制するためのp型アキュミュレーション領域87が形成される。n型半導体領域86とp型アキュミュレーション領域87とp型半導体ウェル領域72と5より緑色光電変換手段であるフォトダイオードPDgが形成される。このフォトダイオードPDgは、基板表面の界面にp型アキュミュレーション領域87が形成された所謂HADセンサとして構成される。p型半導体ウェル領域72には、フローティングディフージョンFDとなるn型半導体領域88が形成される。そして、基板表面において緑色用フォトダイオードPDgを構成するn型半導体領域86とフローティングディフージョンとなるn型半導体領域88との間、すなわちn型半導体領域86に連続して基板表面に臨むちゃねる領域89上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極90が形成されて、転送用トランジスタTr1gが形成される。画素63Bは前述と同様の素子分離領域84により隣接画素と分離される。この第2画素63Bによれば、緑色光は中間の深さ領域に形成したフォトダイオードPDgで光電変換されてn型半導体領域86に信号電荷が蓄積される。信号読み出し時には転送用トランジスタTr1gがオンして信号電荷が、ゲート電極90下のチャネル領域89を通してフローティングディフージョンとなるn型半導体領域88に転送される。第1実施の形態の半導体イメージセンサ61によれば、複数の第1画素63Aを水平、垂直方向にそれぞれ所定ピッチW1で略格子状に配列した第1画素グループと、この第1画素グループに対して水平、垂直方向共にピッチW1の略1/2のピッチずらした状態で二次元的に複数の第2画素63Bを配列した第2画素グループとを備えた、いわゆる斜め画素ずらし配列を用いているので、記録画素数後述の仮想画素の数に対応するを有効画素数いわゆる物理画素の数に対応するの2倍にすることができる。つまり、1画素当たりの画素サイズを大きくとれるので、飽和電荷量ダイナミックレンジと感度を低下させることなく、記録画素数を増大させて解像度を向上することができる。人間の網膜は、垂直、水平方向に感度がよく、斜め方向に対する感度は垂直、水平方向よりも劣るとされている。同じ画素数であれば、斜め画素配列の方が記録画素数を縦横方向により多くすることができる。したがって、一般的な正方画素配列よりも垂直、水平方向の情報をより緻密に再現することができ、より鮮明なイメージの画像を再現することができる。また、画素63A及び63Bを構成するフォトダイオードPDb,PDr、及びPDgがHAD構造であるので、ノイズの発生を著しく抑えることができる。特に、画素63Aにおいて、リセット動作を行っても、赤R,青Bの電荷蓄積領域であるn型半導体領域74、73にノイズがのることはない。したがって、S/Nが向上する。画素63A,63Bにおいては、それぞれ波長を異にする各色光の光電変換に寄与するn型半導体領域73、74、86の深さ方向の位置を波長に応じて異ならした構成であるので、混色が抑えられ、色分離性が高くなる。オンチップカラーフィルタを有しない構成としても、色分解が可能であり、低コスト化ができ、感度を向上することができる。更に、赤/青用の第1画素63Aと緑用の第2画素63Bとを斜め配列した構成であるので、後述するように撮像する画素から、R,G,Bの色信号を演算する演算式を簡略化できるので、後段の信号処理を高速化、簡略化し易い。図4は、本発明の第2実施の形態に係る半導体イメージセンサ、いわゆるCMOSイメージセンサ概略構成を示す。本実施の形態の半導体イメージセンサは、補色と原色からなるオンチップカラーフィルタを用いて色分離する例である。本例のオンチップカラーフィルタは、補色フィルタであるマゼンタMgフィルタと、原色フィルタである緑Gフィルタの2色のオンチップカラーフィルタが用いられる。なお、第2実施の形態では、図1~図3の第1実施の形態と対応する部分は、同一符号を付して説明する。本実施の形態に係る半導体イメージセンサ100は、オンチップカラーフィルタを除いて、図1と同様に構成される。すなわち、同一半導体基板62の表面上に形成した、複数の画素103を二次元的に配列した受光領域となる撮像領域64と、この撮像領域64の外側に配置した画素103の選択と信号出力のための周辺回路65、66を備えて成る。一方の周辺回路65は、撮像領域64の側辺に位置する垂直走査回路いわゆる垂直レジスタ回路にて構成される。他方の周辺回路66は、撮像領域64の下側に位置する水平走査回路いわゆる水平レジスタ回路及び出力回路等信号増幅回路、A/D変換回路、同期信号発生回路等を含むにて構成される。撮像領域64では、複数の画素103がいわゆる斜め配列される。すなわち、二次元的に複数の画素103Aを水平方向及び垂直方向にそれぞれ所定ピッチW1で略格子状に配置した第1画素グループと、第1画素グループに対して水平方向及び垂直方向共に前記ピッチW1の略1/2のピッチだけずらした状態で二次元的に複数の画素103Bを配置した第2画素グループとにより構成され、丁度画素1063A,103Bが斜めにずらした正方格子状に配列形成されている。そして、撮像領域64上には、第1画素グループの各画素103Aに補色フィルタであるマゼンタMgフィルタが対応し、第2画素グループの各画素103Bに原色フィルタである緑Gフィルタが対応するように、MgフィルタとGフィルタの2色のオンチップフィルタが配置される。本例では、奇数行に画素103Bが配列され、1/2ピッチずれて偶数行に画素103Aが配列される。第1画素グループの各画素いわゆる第1画素:以下、Mg画素という103Aは、同一画素から異なる原色の2つの色成分信号、すなわち本例では赤R色と青B色に対応したそれぞれの赤色成分信号と青色成分信号を分離して検出する画素構造を有して構成される。図6に、このMg画素103Aの半導体断面構造を示す。前述の図3の構成と同様に、第1導電型の半導体基板、本例ではn型のシリコン半導体基板71に第2導電型の半導体ウェル領域、本例ではp型半導体ウェル領域72が形成され、このp型半導体ウェル領域72の表面に所要の深さ方向の幅h1、本例では0.1μm~0.8μmの幅h1を有する青色光の光電変換領域となるn型半導体領域73が形成される。さらに、p型半導体ウェル領域72内の深部において、所要の深さ方向の幅h2、本例では表面からの深さで表すと0.8μm~2.5μmの幅h2を有する赤色光の光電変換領域となるn型半導体領域74が形成される。さらに、n型半導体ウェル領域73の表面及びn型半導体領域74の一部基板表面側に延びる領域の表面とにわたるように、暗電流を抑制するためのp型アキュミュレーション領域75が形成される。n型半導体領域73とpアキュミュレーション領域75とp型半導体ウェル領域74とにより青色光電変換手段となるフォトダイオードPDbが形成され、n型半導体領域74とp型アキュミュレーション領域75とp型半導体ウェル領域72とにより赤色光電変換手段となるフォトダイオードPDrが形成される。これらフォトダイオードPDb,PDrは、基板表面の界面にp型アキュミュレーション領域75が形成された所謂HADセンサとして構成される。p型半導体ウェル領域72のフォトダイオードPDb及びPDrを挟む両側の領域、すなわち基板表面側に、それぞれフローティングディフージョンFDとなるn型半導体領域77及び78が形成される。そして、基板表面において青色用フォトダイオードPDbを構成するn型半導体領域73と一方のフローティングディフージョンとなるn型半導体領域77との間、すなわち、n型半導体領域73に連続して基板表面に臨むチャネル領域79上にゲート絶縁膜を介してゲート電極80が形成されて、転送用トランジスタTr1bが形成される。また、基板表面において赤色用フォトダイオードPDrを構成するn型半導体領域74と他方のフローティングディフージョンとなるn型半導体領域78との間、すなわち、n型半導体領域74に連続して基板表面に臨むチャネル領域81上にゲート絶縁膜を介してゲート電極82が形成されて、転送用トランジスタTr1rが形成される。Mg画素103Aは、p型半導体ウェル領域72に形成された例えば選択酸化層による絶縁分離領域あるいはトレンチ分離領域等による素子分離領域84により隣接画素と分離される。そして、各Mg画素102A上に平坦化膜を介してオンチップカラーフィルタのうちの、マゼンタMgフィルタ105が形成される。このMg画素103Aは、1つの画素構造内に、Mgフィルタ105を透過して入射された青色光と赤色光をそれぞれ分離して光電変換する2つのフォトダイオードPDb及びPDrが積層された構造になっている。このMg画素103Aによれば、Mgフィルタ105を透過した波長の短い青色光は、浅い領域に形成したフォトダイオードPDbで光電変換されて浅い位置のn型半導体領域73に信号電荷が蓄積される。信号読み出し時には転送用トランジスタTr1bがオンして信号電荷が、一方のゲート電極80下のチャネル領域79を通して一方のフローティングディフージョンとなるn型半導体領域77に転送される。また、Mgフィルタ105を透過した波長の長い赤色光は、深い領域に形成されたフォトダイオードPDrで光電変換され深い位置のn型半導体領域74に信号電荷が蓄積される。信号読み出し時には転送用トランジスタTr1rがオンして信号電荷が、他方のゲート電極82下のチャネル領域81を通して他方のフローティングディフージョンとなるn型半導体領域78に転送される。第2画素グループの各画素いわゆる第2画素:以下、G画素という103Bは、さらに異なる原色の色成分信号、すなわち本例では緑G色に対応した緑色成分信号を検出する画素構造を有して構成される。図5に、この第2画素63Bの半導体断面構造を示す。前述の図2の構成と同様に、同一のn型のシリコン半導体基板71に第2導電型のp型半導体ウェル領域72が形成される。このp型半導体ウェル領域72の所要の深さ方向の幅h3、すなわち図2で説明したn型半導体領域73とn型半導体領域74との間の中間の位置に対応して、本例では表面からの深さで表すと0.1μm~2.5μmの深さ方向の幅h3を有する緑色光の光電変換領域となるn型半導体領域86が形成される。n型半導体領域86より基板表面に至る領域には、暗電流を抑制するためのp型アキュミュレーション領域87が形成される。n型半導体領域86とp型アキュミュレーション領域87とp型半導体ウェル領域72と5より緑色光電変換手段となるフォトダイオードPDgが形成される。このフォトダイオードPDgは、基板表面の界面にp型アキュミュレーション領域87が形成された所謂HADセンサとして構成される。p型半導体ウェル領域72には、フローティングディフージョンFDとなるn型半導体領域88が形成される。そして、基板表面において緑色用フォトダイオードPDgを構成するn型半導体領域86とフローティングディフージョンとなるn型半導体領域88との間、すなわちn型半導体領域86に連続して基板表面に臨むちゃねる領域89上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極90が形成されて、転送用トランジスタTr1gが形成される。G画素103Bは前述と同様の素子分離領域84により隣接画素と分離される。そして、各G画素103B上に平坦化膜を介してオンチップカラーフィルタのうちの、緑Gフィルタ106が形成される。このG画素103Bによれば、Gフィルタ106を透過した緑色光は中間の深さ領域に形成したフォトダイオードPDgで光電変換されてn型半導体領域86に信号電荷が蓄積される。信号読み出し時には転送用トランジスタTr1gがオンして信号電荷が、ゲート電極90下のチャネル領域89を通してフローティングディフージョンとなるn型半導体領域88に転送される。第2実施の形態の半導体イメージセンサ100によれば、前述の第1実施の形態と同様の効果を奏する。すなわち、複数のMg画素103Aを水平、垂直方向にそれぞれ所定ピッチW1で略格子状に配列した第1画素グループと、この第1画素グループに対して水平、垂直方向共にピッチW1の略1/2のピッチずらした状態で二次元的に複数のG画素103Bを配列した第2画素グループとを備えた、いわゆる斜め画素ずらし配列を用いているので、記録画素数後述の仮想画素の数に対応するを有効画素数いわゆる物理画素の数に対応するの2倍にすることができる。つまり、1画素当たりの画素サイズを大きくとれるので、飽和電荷量ダイナミックレンジと感度を低下させることなく、記録画素数を増大させて解像度を向上することができる。したがって、一般的な正方画素配列よりも垂直、水平方向の情報をより緻密に再現することができ、より鮮明なイメージの画像を再現することができる。また、Mg画素103A及びG画素103Bを構成するフォトダイオードPDb,PDr、及びPDgがHAD構造であるので、ノイズの発生を著しく抑えることができる。特に、Mg画素103Aにおいて、リセット動作を行っても、赤R,青Bの電荷蓄積領域であるn型半導体領域74、73にノイズがのることはない。したがって、S/Nが向上する。Mg画素103A、G画素103Bにおいては、それぞれ波長を異にする各色光の光電変換に寄与するn型半導体領域73、74、86の深さ方向の位置を波長に応じて異ならした構成であるので、混色が抑えられ、色分離性が高くなる。補色フィルタであるマゼンタMgと原色フィルタである緑Gの2色のオンチップカラーフィルタが用いられ、奇数行にはGフィルタが、偶数行にはMgフィルタが交互に配列されている。このオンチップカラーフィルタを用いることにより、混色を低減することができる。更に、青色と赤色の検出センサとしてマゼンタMgの補色フィルタを用いた積層フォトダイオードを用いることにより、原色フィルタを用いるフォトダイオードの場合よりも、光がフィルタに吸収されることを抑えることができるので、感度が低下しない。検出するセンサ、すなわちフォトダイオードの断面構造は、オンチプカラーフィルタ無しの第1実施の形態と概ね同じであるが、オンチップカラーフィルタを用いているので、n型半導体領域の深さに幅をラフに設計できる。例えば緑G用フォトダイオードの光電変換領域となるn型半導体領域は0.1μm~2.5μmの幅で形成でき、青B用フォトダイオードの光電変換領域となるn型半導体領域は0.1μm~0.8μmの幅で形成でき、赤R用フォトダイオードの光電変換領域となるn型半導体領域は0.8μm~2.5μmに幅で形成することができる。更に、Mg画素103AとG画素103Bとを斜め配列した構成であるので、後述するように撮像する画素から、R,G,Bの色信号を演算する演算式を簡略化できるので、後段の信号処理を高速化、簡略化し易い。次に、図7~図12を用いて、上述の第1実施の形態及び第2実施の形態に係る半導体イメージセンサに適用されるR,G,Bの色信号を演算する演算式について説明する。本演算式は、Mg画素とG画素を用いた第2実施の形態の半導体イメージセンサに適用したが、第1実施の形態についても同様に適用できる。ここで、本発明に係る演算式の説明に先立ち、本発明の演算式の理解を容易にするために、従来から広く用いられているベイヤ配列の場合の演算式について図15を用いて説明する。図15にベイヤ式カラーフィルタを用いた半導体イメージセンサの要部を示す。このベイヤー式カラーフィルタの原理を示す。カラーフィルタの基本的なレイアウトは、撮像素子の左上が赤のフィルタで始まる。色情報は、4つの画素5151R,51Ga,51Gb,51Bに囲まれた真ん中に仮想画素52を設ける。仮想画素52の周りの4つのフィルタ付き画素51は、緑Gに画素51Ga,51Gb2つと、赤Rの画素51R、青Bの画素51Bそれぞれ1つで構成される。緑の占める割合が多いことがわかる。これは人間に視感度が緑に対して効率が良いためフィルタも余分に光を与えてバランス取っているためである。図15の仮想画素52である中央の仮想画素Pxに注目してみる。仮想画素Pxの色情報PxG,PxR,PxBは、近傍の画素の色情報からマトリックス計算によって得られる。緑Gは近傍の緑の画素G7と画素G10を足して2で割る。赤Rは赤の画素R11を優先してその周りの赤色情報も加味する。青Bも赤と同様にする。このような形で任意のセルの色を特定して行く。演算式は次のようになる。PxG=G7G10/2PxR=9R113R33R9R1/16PxB=9B63B83B14B16/16ここで、PxR,PxBの上記演算の詳細は次の通りである。PxRについては、赤の画素R11と、青の画素B6,緑の画素G7,G10のそれぞれの周りの赤の画素との赤色情報を加味する。R11Ra画素B6の周りの赤色情報=R1R3R9R11/4Rb画素G7の周りの赤色情報=R3R11/2Rc画素G10の周りの赤色情報=R9R11/2∴PxR=RaRbRcR11/4={R1R3R9R11/4}{R3R11/2}{R9R11/2}R11/4=R1R3R9R112R32R112R92R114R11/16=9R113R33R9R1/16PxBについては、青の画素B6と、緑の画素G7,G10のそれぞれの周りの青の画素との青色情報を加味する。B6Ba画素R11の周りの青色情報=B6B8B14B16/4Bb画素G7の周りの青色情報=B6B8/2Bc画素G10の周りの青色情報=B6B14/2∴PxB=BaBbBcB6/4={B6B8B13B16/4}{2B62B8/2}/4{2B62B14/44B6/16=B6B8B14B162B62B82B62B144B6/16=9B63B83B14B16/16この演算の手法は、簡単に彩色できるという画期的な方法ではある。しかし、斜め画素ずらしに場合は、仮想画素をまず画素の交差部に仮想し、その仮想画素を用いて4画素の中心に最終仮想画素を演算するという2ステップの演算を行う。このとき、R,G,Bの画素がG列とRBが交互に配列された列からなり、仮想画素がR画素に接する場合とB画素に接する場合とで、演算式が異なり、演算式が複雑になる。次に、本実施の形態の演算式を説明する。図9~図12に示すように、Mg画素画素Mg11、Mg12,Mg21,Mg22103AとG画素画素G11,G12,G21,G22103Bによる斜め画素ずらしに場合は、隣合うMg画素103AとG画素103Bとに跨がる領域を仮想画素記録画素に相当するP1~P9とする。今、仮想画素P5の緑G,赤R,青Bの色信号GP5,RP5,BP5を演算する。G11~G22はそれぞれ画素G11~G22の緑色成分信号、Mg11R~Mg22Rはそれぞれ画素Mg11~Mg22の赤色成分信号、Mg11B~Mg22Bはそれぞれ画素Mg11~Mg22の青色成分信号とする。図9及び図10は、それぞれ図7A,Bに示すように、模式的に正方形の1画素物理画素103の1辺の長さを1ピッチp1としたとき、仮想画素P5の中心画素Mg11と画素G22の境界線上になるから1ピッチp1未満の半径R1の円C1内に含まれる画素の信号を演算する例である。図9は、その演算式の第1実施の形態である。仮想画素P5の緑G,赤R,青Bの色信号GP5,RP5,BP5は、次の数1で示す演算式で求まる。数1GP5=G22Mg11G/2Mg11G=G21G12/2GP5={G22G21G12/2}/2∴GP5=G21G122G22/4RP5=Mg11RG22R/2G22R=Mg21RMg12R/2RP5={g11RMg21RMg12R/2}/2∴RP5=2Mg11RMg21RMg12R/4BP5=Mg11BG22B/2G22B=Mg21BMg12B/2BP5={Mg11BMg21BMg12B/2}/2∴BP5=2Mg11BMg21BMg12B/4図10は、その演算式の第2実施の形態である。仮想画素P5の演算を行うために、先ず斜め画素ずらしの仮想画素K1,K2の色成分信号を求めて、この仮想画素K1,K2から仮想画素P5の色信号GP5,RP5,BP5を求める。すなわち、次の数2で示す演算式で求まる。GK1,RK1,BK1はそれぞれ仮想画素K1の緑色成分信号,赤色成分信号,青色成分信号、GK2,RK2,BK2はそれぞれ仮想画素K2の緑色成分信号,赤色成分信号,青色成分信号とする。数2GK1=G21G22/2GK2=G12G22/2∴GP5=GK1GK2/2RK1=Mg11RMg21R/2RK2=Mg11RMg12R/2∴RP5=RK1RK2/2BK1=Mg11BMg21B/2BK2=Mg11BMg12B/2∴BP5=BK1BK2/2数2の演算式GP5,RP5,BP5により数1を算出することができる。GP5=GK1GK2/2={G21G22/2}{G12G22/2}/2=G21G122G22/4RP5=RK1RK2/2={Mg11RMg21R/2}{Mg11RMg12R/2}/2=2Mg11RMg21RMg12R/4BP5=BK1BK2/2={Mg11BMg21B/2}{Mg11BMg12B/2}/2=2Mg11BMg21BMg12B/4このように、本実施の形態では、同一画素からR信号、B信号を取出すことができるので、数1、数2に示すようにR,G,Bの色信号の演算式を簡略化することができる。数2の演算式は、数1よりさらに演算を簡略化することができる。図11及び図12は、それぞれ図8に示すように、仮想画素P5の中心画素Mg11と画素G22の境界線上になるから1ピッチp1を半径R2とする円C2以内に接する画素の信号、すなわち半径R2の円C2に接する画素を含む円C2内の画素の信号を演算する例である。図11は、その演算式の第3実施の形態である。仮想画素P5の緑G,赤R,青Bの色信号GP5,RP5,BP5は、次の数3で示す演算式で求まる。数3GP5={G22Mg11GG12G22/2G21G22/2}/4Mg11G=G11G21G21G22/4GP5=[G22{G11G21G21G22/4}{2G122G22/4}{2212G22/4}]/4∴GP5=G113G213G129G22/16RP5=Mg11RG22RG12RG21R/4G22R=Mg11RMg21RMg12RMg22R/4G12R=Mg11RMg12R/2G21R=Mg11RMg21R/2RP5=[Mg11R{Mg11RMg21RMg12RMg22R/4}{Mg11RMg12R/2}{Mg11RMg21R/2}]/4∴RP5=9Mg11R3Mg21R3Mg12RMg22R/16BP5=Mg11BG22BG12BG21B/4G22B=Mg11BMg21BMg12BMg22B/4G12B=Mg11BMg12B/2G21BMg11BMg21B/2BP5=[Mg11B{Mg11BMg21BMg12BMg22B/4}{Mg11BMg12B/2}{Mg11BMg21B/2}]/4∴BP5=9Mg11B3Mg21B3Mg12BMg22B/16図12は、その演算式の第4実施の形態である。仮想画素P5の演算を行うために、先ず斜め画素ずらしの仮想画素K1,K2の色成分信号を求めて、この仮想画素K1,K2と画素Mg11と画素G22とから仮想画素P5の色信号GP5,RP5,BP5を求める。すなわち、次の数4で示す演算式で求まる。なお、Mg11Gは画素Mg11を仮想画素としたときの、これに接する画素G11~G22から得られた緑色成分信号、G22R,G22Bは画素G22を仮想画素としたときの、これに接する画素Mg11~Mg22から得られた赤色成分信号、青色成分信号である。数4GK1=G21G22/2GK2=G12G22/2Mg11G=G11G12G21G22/4G22∴GP5=GK1GK2Mg11GG22/4RK1=Mg11RMg21R/2RK2=Mg11RMg12R/2G22R=Mg11RMg12RMg21RMg22R/4Mg11R∴RP5=RK1RK2Mg11RG22R/4BK1=Mg11BMg21B/2BK2=Mg11BMg12B/2G22B=Mg11BMg12BMg21BMg22B/4Mg11B∴BP5=BK1BK2Mg11BG22B/4数4の演算式GP5,RP5,BP5により数3を算出することができる。GP5=GK1GK2Mg11GG22/4={G21G22/2}{G12G22/2}{G1112G21G22/4}G22/4=G113G213G129G22/16RP5=RK1RK2Mg11RG22R/4={Mg11RMg21R/2}{Mg11RMg12R/2}Mg11R{Mg11RMg12RMg21RMg22R/4}/4=9Mg11R3Mg21R3Mg12RMg22R/16BP5=BK1BK2Mg11BG22B/4={Mg11BMg21B/2{Mg11BMg12B/2}Mg11B{Mg11BMg12BMg21BMg22B/4}=9Mg11B3Mg21B3Mg12BMg22B/16このように、本実施の形態では、同一画素からR信号、B信号を取出すことができるので、数3、数4に示すようにR,G,Bの色信号の演算式を簡略化することができる。数4の演算式は、数3よりさらに演算を簡略化することができる。一方、本発明に係る半導体イメージセンサは、第1画素グループと第2画素グループの複数の画素において、画素を構成するMOSトランジスタを共有することができる。すなわち、MOSトランジスタ4個の場合に、例えば選択トランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタの夫々、あるいはこれらトランジスタの全てを共有するように構成することがでる。また、MOSトランジスタ3個の場合に、リセットトランジスタ、増幅トランジスタの夫々、あるいはこれらのトランジスタの全てを共有するように構成することができる。図13及び図14にその実施の形態を示す。図13は、Mg画素とG画素の2画素で増幅トランジスタとリセットトランジスタと選択トランジスタを共有した実施の形態である。本実施の形態は、G画素による緑色用フォトダイオードPDgと、Mg画素による赤色用フォトダイオードPDr及び青色用フォトダイオードPDbとに対してそれぞれ対応する転送用トランジスタTr1g,Tr1r,Tr1bのソースが接続される。各転送用トランジスタTr1g,Tr1r,Tr1bの各ゲートには転送配線111G,111MgR,111MgBが接続される。各転送トランジスタTr1g,Tr1r,Tr1bのドレインは、共通接続されて1つのリセットトランジスタTrRESに接続されると共に、転送用トランジスタのドレインとリセットトランジスタのソース間のいわゆるフローティングディフージョンFDが1つの増幅トランジスタTrAMPのゲートに接続される。リセットトランジスタTrRESのドレインと増幅トランジスタTrAMPのドレインは電源配線112Vccに接続される。リセットトランジスタTrRESのゲートはリセット配線113に接続される。さらに、増幅トランジスタTrAMPのソースが1つの選択トランジスタTrSELのドレインに接続される。選択トランジスタTrSELのソースは垂直信号線115に接続され、そのゲートに選択配線114が接続される。このように、Mg画素とG画素の2つの画素に対してリセットトランジスタTrRES、増幅トランジスタTrAMP及び選択トランジスタTrSELを共有することにより、前述のMg画素及びG画素を斜めずらし配列したことによる効果に加えて、画素のMOSトランジスタの面積を縮小することができる。従って、フォトダイオード面積受光部の開口面積を更に大きくすることができるので、飽和電荷量、感度をさらに向上することができる。図14は、2つのMg画素と2つのG画素の計4画素で増幅トランジスタとリセットトランジスタと選択トランジスタを共有した実施の形態である。本実施の形態は、2つのG画素による緑色用フォトダイオードPDg1,PDg2と、2つのMg画素による赤色用フォトダイオードPDr1,PDr2及び青色用フォトダイオードPDb1,PDb2とに対してそれぞれ対応する転送用トランジスタTr1g,Tr2g,Tr1r,Tr2r,Tr1b,Tr2bのソースが接続される。この場合転送用トランジスタは6個となる。各転送用トランジスタTr1g,Tr2g,Tr1r,Tr2r,Tr1b,Tr2bの各ゲートには転送配線111G1,111G2,111MgR1,111MgR2,111MgB1,111MgB2が接続される。各転送トランジスタTr1g,Tr2g,Tr1r,Tr2r,Tr1b,Tr2bのドレインは、共通接続されて1つのリセットトランジスタTrSELに接続されると共に、転送用トランジスタのドレインとリセットトランジスタTrRESのソース間のいわゆるフローティングディフージョンFDが1つの増幅トランジスタTrAMPのゲートに接続される。リセットトランジスタTrRESのドレインと増幅トランジスタTrAMPのドレインは電源配線112Vccに接続される。リセットトランジスタTrRESのゲートはリセット配線113に接続される。さらに、増幅トランジスタTrAMPのソースが1つの選択トランジスタTrSELのドレインに接続される。選択トランジスタTrSELのソースは垂直信号線115に接続され、そのゲートに選択配線114が接続される。このように、2つのMg画素と2つのG画素の計4つの画素に対してリセットトランジスタTrRES、増幅トランジスタTrAMP及び選択トランジスタTrSELを共有することにより、前述のMg画素及びG画素を斜めずらし配列したことによる効果に加えて、画素のMOSトランジスタの面積をさらに縮小することができる。従って、フォトダイオード面積受光部の開口面積を更に大きくすることができるので、飽和電荷量、感度をさらに向上することができる。なお、図13、図14は画素トランジスタとして4つのMOSトランジスタを有した場合であるが、前述の図17に示す画素トランジスタとして3つのMOSトランジスタを有した場合にも適用できえる。その場合には、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ等を共有した構成とすることができる。上述したように本実施の形態によれば、2×2の分光構造すなわち、G検出センサと、B,R検出センサを分けて、B,Rは同一画素から検出できる構造を用いて、かつ斜め画素ずらしを用いる構成としたので、さらなる高感度化、解像度の向上を図ることができる。HAD構造を用いてB,Rの検出が可能になり、ノイズを低減することができる。複数画素に対して信号を読出すためのMOSトランジスタを共有することにより、受光部の開口率を向上することができる。仮想画素のR,G,Bの各色信号を求める演算式を簡略化することができる。第1実施の形態のオンチップカラーフィルタを有しない構成としても、色分解が可能であり、低コスト化ができ、感度を向上することができる。上例では、原色フィルタとして緑Gフィルタを、補色フィルタとしてマゼンタMgフィルタを用いたが、その他の原色フィルタと補色フィルタの組み合わせにも本発明は適用できる。"