"組成式CuxAyTe1-x-yAはAl、In及びGaからなる群より選ばれる少なくとも一つのIIIb族元素にて表され、0.08≦x≦0.25、且つ、0.3≦x/y≦0.8を満たすカルコパイライト構造を有する光吸収層と、前記光吸収層とpn接合するバッファー層を備え、前記光吸収層の前記pn接合界面における表面凹凸が10nm以上、100nm以下であることを特徴とする光電変換素子。前記pn接合界面の光吸収層の結晶粒子は、前記粒子の内接円半径をa、外接円半径をbと定義した場合において、a/bが、0.5<a/b≦1を満たすことを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。前記光吸収層は、前記Cu及び前記元素AAはAl、In及びGaからなる群より選ばれる少なくとも一つのIIIb族元素をスパッタ法により原料供給し、同時にTeを蒸着法により原料供給し、成膜されたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換素子。請求項1乃至請求項3いずれか1項記載の光電変換素子を用いてなることを特徴とする太陽電池。実施形態は、変換効率の高い光電変換素子および太陽電池を提供することを目的とする。実施形態の光電変換素子は、組成式CuxAyTe1-x-yAはAl、In及びGaからなる群より選ばれる少なくとも一つのIIIb族元素にて表され、0.08≦x≦0.25、且つ、0.3≦x/y≦0.8を満たすカルコパイライト構造を有する光吸収層と、前記光吸収層とpn接合するバッファー層を備え、前記光吸収層の前記pn接合界面における表面凹凸が10nm以上、100nm以下であることを特徴とする。また、他の実施形態の太陽電池は、前記実施形態の光電変換素子を用いてなることを特徴とする。以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して詳細に説明する。図1の概念図に示す光電変換素子10は、基板11と、前記基板上に設けられた裏面電極12と、前記裏面電極12上に設けられた第1の取り出し電極13と、前記裏面電極12上に設けられた光吸収層14と、前記光吸収層14上に設けられたバッファー層1515a、15bと、前記バッファー層15上に設けられた透明電極層16と、前記透明電極層16上に設けられた第2の取り出し電極17と、前記透明電極層16上に設けられた反射防止膜18とを少なくとも備えている。実施形態の光吸収層14はCuxAyTe1-x-yAはAl、In及びGaからなる群より選ばれる少なくとも一つのIIIb族元素にて表される薄膜である。結晶構造はカルコパイライト構造若しくは空孔配列型カルコパイライト構造を有することが望まれる。なお、実施形態において、カルコパイライト構造と空孔配列型カルコパイライト構造は、それぞれを別に説明している場合を除き、両者をカルコパイライト構造として記載する。光吸収層のxは、0.08≦x≦0.25を満たすことが好ましい。また、光吸収層14のx/yは、0.3≦x/y≦0.8を満たすことが好ましい。なお、光吸収層14の整流性の観点から、x/yは0.6以下であることが好ましい。ここでCu量であるxは、その量があまり多いとTe量が欠損することがあり、逆にあまり少ないとカルコパイライト構造を維持できないことがあるため、Cu量を示すxは、0.08≦x≦0.25とした。好ましいxは、0.1≦x≦0.25である。また、CuとIIIb族元素であるAのモル比x/yは、その比率があまり大きいと電気抵抗が低下してしまい、逆にあまり小さいとカルコパイライト構造を維持できないことがあるため、そのモル比x/yは、0.3≦x/y≦0.8とした。また、Teの50原子未満をSe及びSより選ばれる少なくとも一つの元素で置換してもよい。ここで、光吸収層14の表面平坦性と光電変換素子10の開放端電圧Vocの関係を説明する。下の式1で、光吸収層14のバッファー層15が形成される面の表面凹凸以下、表面凹凸と略記が大きくなると、バッファー層15とのpn接合の面積が増大し、光の入射面積あたりの見かけ上の逆方向飽和電流J0が増大する。一方で、入射光量と比例関係にある光電流JLは凹凸を考慮しない面積あたり同じであるので、JL/J0が減少し、結果として、開放端電圧Vocが低下する。すなわち、表面平坦性を向上することにより、開放端電圧Vocを改善することができる。Voc=nkT/qln[JL/J01]...式1n:ダイオード因子、k:ボルツマン定数、T:絶対温度、q:電荷なお、実施形態における、表面凹凸とはJISB0031:2003で規定される平均粗さRaを意味する。表面凹凸は、化合物薄膜太陽電池10をへき開によってその断面を切り出し、その断面SEMScanningElectronMicroscope:走査型電子顕微鏡観察により確認できる。光吸収層14とバッファー層15のpn接合の界面の中心部分の2万倍の断面SEM観察で2μm幅の観察像での平均凹凸から、表面凹凸を測定する。以上のことから、光吸収層14の表面凹凸は、小さい方が好ましく、具体的には100nm以下であることが好ましい。式1からは、開放端電圧を向上させるには、表面凹凸が小さいほど好ましいが、剥離耐性の観点からは、表面凹凸は小さすぎるのも好ましくなく、具体的には10nm以上であることが好ましい。表面凹凸を小さくするためには、光吸収層14の結晶粒子は、ファセット構造よりも球形に近い形状であることが好ましい。実施形態において、ファセット構造と球形あるいは球形に近い結晶粒子を区別するための基準について図2、図3を参照して説明する。結晶粒子の内接円半径をa、外接円半径をbと定義すると、図2示す完全な正三角形の形状の結晶粒子ではa/bが0.5となる。図3に示す球形あるいは球形に近い結晶形状の粒子は、内接円半径aと外接円半径bが等しい又は等しい値に近づくので、a/bが1又は1に近づく。表面凹凸を小さくするという観点から、光吸収層の結晶粒子が正三角形の形状より頂点が鋭い形態、言い換えると内接円半径と外接円半径の差が大きいことは短所になる。そこで、実施形態のpn界面の光吸収層14の結晶粒子は、その結晶粒子の内接円半径をa、外接円半径をbと定義した場合において、a/bが、0.5<a/b≦1を満たすことが好ましい。なお、実施形態における光吸収層14表面の結晶粒子の形状は、積層された光電変換素子10を反射防止膜18側からイオンミリングにより除去し、バッファー層15を除去した地点で表面SEM観察を行うことで確認できる。さらに、結晶粒子の形状は、化合物薄膜太陽電池10の中心部分の2万倍の表面SEM観察で2μm角の範囲で観察像中心と観察像の対角線上、観察像中心を通る水平線上及び観察像中心を通る垂直線上の4等分位置の全9箇所の結晶粒子のa/bを見積もり、最大値と最小値を除いた全7箇所のa/bの平均値で定義する。基板11としては、青板ガラスを用いることが望ましく、ステンレス、Ti又はCr等の金属板あるいはポリイミド等の樹脂を用いることもできる。裏面電極12としては、MoやW等の導電性の金属膜を用いることができる。その中でも、Mo膜を用いることが望ましい。取り出し電極13,17としては、例えば、Al、Ag或いはAu等の導電性の金属膜を用いることができる。さらに、透明電極15との密着性を向上させるために、Ni或いはCrを堆積させた後、Al、Ag或いはAuを堆積させてもよい。バッファー層15としては、CdS、ZnO,S,OH或いはMgを添加したZnOを用いることができる。光吸収層14であるカルコパイライト型化合物半導体はp型半導体として、CdSあるいはZnO:Mgに代表されるバッファー層15aはn型半導体として、ZnOに代表されるバッファー層15bはn型層として機能すると考えられる。pn接合界面で伝導帯不連続量CBOΔEcを誘起するようにバッファー層15aの材料を選定することによりキャリアの再結合を低減できる。また、開放端電位が向上するようにバッファー層15と光吸収層14の伝導体下端CBMやフェルミ準位が調整されるようなキャリアを添加したバッファー層15用いるとより好ましい。透明電極層16は太陽光のような光を透過し、尚且つ導電性を有することが必要であり、例えば、アルミナAl2O3を2wt含有したZnO:Al或いはジボランからのBをドーパントとしたZnO:Bを用いることができる。反射防止膜18としては、例えば、MgF2を用いることが望ましい。図1の光電変換素子10の製造方法としては、以下の方法を例として挙げる。なお、下記の製造方法の一例であり、適宜変更しても構わない。従って、工程の順序を変更してもよいし、複数の工程を併合してもよい。光電変換素子10の製造の全工程又は一部工程は、その製造装置においてシステム化されていてもよい。[基板に裏面電極を成膜する工程]基板11上に、裏面電極12を成膜する。成膜方法としては、例えば、導電性金属よりなるスパッタ法の薄膜形成方法が挙げられる。[裏面電極上に光吸収層を成膜する工程]裏面電極12を堆積後、光吸収層14となる化合物半導体薄膜を堆積する。実施形態の光吸収層14の成膜工程では、図4の概念図に示すTe源21がCuとIIIb族元素の両方を含むターゲット22と独立し、Teが蒸着可能な形態となっている成膜装置を用いることが好ましい。裏面電極12が形成された基板成膜対象23は、ヒーター24で加熱することができる。ターゲット22はRFDCスパッタ装置25によって、スパッタすることができる。また、チャンバー内にArや酸素を微量に含むArガスを導入するためのガス導入部26が備えられている。裏面電極12には光吸収層14と第1の取り出し電極13を堆積するため、第1の取り出し電極13を堆積する部位を少なくとも除く裏面電極12上の一部に光吸収層14を堆積する。成膜方法として、Ib族元素であるCuと、IIIb族元素であるAl、In及びGaからなる群より選ばれる少なくとも一つの元素は、両元素を含むターゲットを用いて、スパッタ法で、基板にCuとIIIb族元素を供給する。VIb族元素であるTeは真空蒸着法にて基板に原料供給して、スパッタと真空蒸着を同時に行って、光吸収層14を成膜する。Cu/IIIb族のモル比は、目的の組成比となるように、ターゲット仕込み組成を調整しておくことが望ましい。真空蒸着法で供給されるTe量は蒸着源の温度を変化させることで制御されることが望ましい。蒸着源の温度は、例えば、120°C以上150°C以下とする。蒸着源の温度が高ければ光吸収層14のTeの比率が大きくなる。蒸着源の温度が低ければ光吸収層14のTeの比率が小さくなる。また、成膜時の基板11は、ヒーターで加熱されていることが好ましい。成膜時の基板温度は400°C以上550°C以下であることが好ましい。基板11温度が550°Cより高いと、基板11上で光吸収層14の粒子成長が促進され、表面凹凸が顕著になる。また、成膜速度を遅くし、結晶面が出にくい条件で成膜することで、a/bを好適な範囲とすることができる。供給される粒子エネルギーが同じ、即ち、堆積速度が同程度の場合は、a/bにはそれ程影響を与えること無く成膜することが出来る。速い成膜速度で光吸収層14を堆積することにより、結晶面が出やすくなり、a/bは0.5より小さいが、成膜時の基板温度を400°C以上550°C以下としているため、表面凹凸が10nm以上100nm以下に調整できる。成膜速度を上げるために、スパッタからのCu及びIIIb族の供給量を増やした場合、それに対応して、蒸着源からのTe供給量も増やすことが好ましい。[光吸収層上にバッファー層を成膜する工程]得られた光吸収層14の上にバッファー層15a,bを堆積する。バッファー層15aの成膜方法としては、真空プロセスのスパッタ法、真空蒸着法或いは有機金属気相成長MOCVD、液相プロセスの化学析出CBD法などが挙げられる。バッファー層15bの成膜方法としては、真空プロセスのスパッタ法、真空蒸着法或いは有機金属気相成長MOCVDなどが挙げられる。[バッファー層上に透明電極を成膜する工程]続いて、バッファー層15b上に、透明電極16を堆積する。成膜方法としては真空プロセスのスパッタ法、真空蒸着法或いは有機金属気相成長MOCVDなどが挙げられる。[裏面電極上と透明電極上に取り出し電極を成膜する工程]第1の取り出し電極13を裏面電極12上の光吸収層14が成膜された部位を少なくとも除く部位に堆積する。第2の取り出し電極17を透明電極16上の反射防止膜18が成膜される部位を少なくとも除く部位に堆積する。成膜方法としてはスパッタ法、真空蒸着法などが挙げられる。第1と第2の取り出し電極の成膜は、1工程で行ってもよいし、それぞれ、別の工程として、任意の工程の後に行ってもよい。[透明電極上に反射防止膜を成膜する工程]最後に透明電極16上の第2の取り出し電極17が成膜された部位を少なくとも除く部位に反射防止膜18を堆積する。成膜方法としてはスパッタ法、真空蒸着法などが挙げられる。上記の工程を経て、図1の概念図に示した光電変換素子10を作製する。化合物薄膜太陽電池10のモジュールを作製する場合、基板11に裏面電極12を成膜する工程の後、レーザーにより裏面電極12を分断する工程、さらには光吸収層14上にバッファー層15を成膜する工程及びバッファー層15上に透明電極16を成膜する工程の後、それぞれメカニカルスクライブにより試料を分割する工程を挟むことにより集積化が可能となる。実施例1基板11として青板ガラス基板を用い、スパッタ法により裏面電極12となるMo薄膜を700nm程度堆積した。スパッタは、Moをターゲットとし、Arガス雰囲気中でRFで200W印加することにより行った。裏面電極12となるMo薄膜堆積後、光吸収層14となるCu-In-Te薄膜を2μm程度堆積した。成膜中の基板温度は500°Cとした。スパッタターゲットには、Cu/In=0.33となるCu-In固溶体を用い、Arガス雰囲気中でRFで200W印加することにより、原料供給した。また、Teはターゲット直上の基板方向にむけて設置した蒸着源から、140°Cに加熱して供給した。得られた光吸収層14の上にバッファー層15aとしてMgを添加したZnO薄膜を50nm程度堆積した。製膜はRFスパッタを用いたが、界面でのプラズマダメージを考慮して、50Wの出力で行った。このバッファー層15a上にバッファー層15bとして、ZnO薄膜を堆積し、続いて、透明電極16となるアルミナAl2O3を2wt含有するZnO:Alを1μm程度堆積した。取り出し電極13、17として、NiCr及びAuを蒸着法にて堆積した。膜厚はそれぞれ100nm及び300nmとした。最後に反射防止膜18としてMgF2をスパッタ法により堆積することにより、図1に示した光電変換素子を作製した。得られた光電変換素子の光吸収層の組成はであった。また、光吸収層の表面A及び断面BSEM像を図5に示す。表面凹凸は50nmであり、a/bが0.77の比較的円形に近い結晶粒子の形状の表面を確認した。実施例2光吸収層14となるCu-In-Te薄膜の製膜で、製膜中の基板温度を400°Cとすること以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造した。製膜温度を低くすることにより、表面凹凸を10nmとすることができる。実施例3光吸収層14となるCu-In-Te薄膜の製膜で、製膜中の基板温度を550°Cとすること以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造した。製膜温度が若干高くすることで、表面凹凸は100nmとなる。比較例1光吸収層14となるCu-In-Te薄膜の製膜で、製膜中の基板温度を600°Cとすること以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造した。製膜温度を非常に高く、表面凹凸を150nmまで大きくなる。比較例2光吸収層14となるCu-In-Te薄膜の製膜で、製膜中の基板温度を300°Cとすること以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造した。製膜温度を非常に低いために、表面凹凸を5nmまで小さくすることができるが、剥離耐性が低下する。実施例4光吸収層14となるCu-In-Te薄膜の製膜で、スパッタをRFで100W印加として製膜速度を1/2にすること以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造した。表面凹凸は50nmで、a/bが0.95となる。実施例5光吸収層14となるCu-In-Te薄膜の製膜で、Te原料供給の半分を蒸着法で、半分をスパッタ法で行うこと以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造した。表面凹凸は50nmで、a/bがほぼ0.55となる。実施例6光吸収層14となるCu-In-Te薄膜の製膜で、Te原料供給をスパッタ法で行うこと以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造した。表面凹凸は50nmで、a/bがほぼ0.45となる。比較例3光吸収層14となるCu-In-Te薄膜の製膜で、Te原料供給をスパッタ法で行うこと製膜中の基板温度を550°Cとすること以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造した。図6に光吸収層まで堆積した薄膜の表面A及び断面BSEM像を示す。表面凹凸は150nmと大きく、a/bは0.43となった。図7に実施例1、2、3及び比較例1、2から得られる変換効率と表面凹凸の関係を示す。比較例1では、Raが小さいため、変換効率が低いが、Raを大きくすることで、実施例のように、変換効率が向上することを確認することができる。また、Raが大きくなりすぎると、変換効率が下がるため、Raは10nm以上100nm以下が好ましい。図8に実施例1、4、5、6から得られる表面凹凸を50nmに固定したときの変換効率と結晶粒子の形状a/bの関係を示す。a/bが大きくなることで、変換効率が向上することを確認することができる。表1に表面凹凸Ra及びa/bと変換効率の相関をまとめる。表中の◎は、変換効率がかなりよい組み合わせ、○は変換効率がよい組み合わせ、△は変換効率があまりよくない組み合わせ、×は変換効率がよくない組み合わせを示している。実施形態の範囲のRa値とすることで、変換効率が悪くはないものが得られることがわかる。また、実施形態の範囲のRaのなかでも、a/bを1に近づけることで、変換効率が向上することを確認することができる。さらに、a/bが同程度である、実施例6と比較例3を比較すると、Raが実施形態の範囲か否かで、変換効率が変わることも確認できる。本発明の光電変換素子を太陽電池に用いることにより、変換効率の高い太陽電池を得ることができる。以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態そのままに限定解釈されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成することができる。例えば、変形例の様に異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせても良い"