"複数の電子部品が実装される回路基板と、該回路基板に取り付けられる筐体とを備える電子装置において、前記回路基板上には、前記電子部品を含んで且つ互いに離間する複数の回路領域と、該複数の回路領域のうち互いに隣り合う回路領域間を絶縁する絶縁領域とが設けられ、前記筐体を前記回路基板に取り付けるための取付部を備え、前記回路基板上において前記取付部が取り付けられる取付領域は、前記筐体が前記回路基板に取り付けられた状態において、前記隣り合う回路領域間に位置する前記絶縁領域に設けられることを特徴とする電子装置。前記複数の回路領域のうち互いに隣り合う回路領域間を、該隣り合う回路領域間の電位差が高い水準となる高電位差領域間と、該隣り合う回路領域間の電位差が低い水準となる低電位差領域間とに分け、前記取付領域は、前記高電位差領域間に位置する前記絶縁領域に設けられることを特徴とする請求項1記載の電子装置。前記隣り合う回路領域間に位置する絶縁領域には、螺子が挿入される貫通穴が形成され、前記取付部には、前記螺子が挿入される螺子穴が形成され、前記取付領域は、前記螺子が前記貫通穴を介して前記螺子穴に挿入されることで前記筐体が前記回路基板に取り付けられた状態において、前記取付部のうち前記回路基板と接触する部分の外縁によって囲まれる領域であり、前記隣り合う回路領域の対向する一対の境界線上のうち互いに平行となる部分を通る一対の線を描き、該一対の線間の中央を通る中央線上に前記貫通穴の中心を位置させることを特徴とする請求項1又は2記載の電子装置。前記取付部は、導電性材料からなり、前記絶縁領域には、前記回路基板上において、前記取付領域の外縁と、該取付領域に対して前記外縁から外側に位置して且つ前記取付領域を囲う所定の閉曲線とによって囲まれる領域が含まれることを特徴とする請求項3記載の電子装置。前記取付部は、非導電性材料からなり、前記取付領域は、前記筐体が前記回路基板に取り付けられた状態において、前記取付部のうち前記回路基板と接触する部分の外縁によって囲まれる領域であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の電子装置。前記回路基板は、第1面及び該第1面の裏面である第2面のそれぞれに複数の電子部品が実装される両面基板であり、前記第1面及び前記第2面のそれぞれに、前記回路領域及び前記絶縁領域が設けられ、前記隣り合う回路領域間に位置する絶縁領域には、螺子が挿入される貫通穴が形成され、前記取付部には、前記螺子が挿入される螺子穴が形成され、前記筐体は、前記第2面側から前記第1面側に向かって前記螺子が前記貫通穴を介して前記螺子穴に挿入されることで前記回路基板に取り付けられ、前記取付領域は、前記筐体が前記回路基板に取り付けられた状態において、前記取付部のうち前記第1面と接触する部分の外縁によって囲まれる領域である第1の領域と、前記筐体が前記回路基板に取り付けられた状態において、前記螺子の頭部のうち前記第2面と接触する部分の外縁によって囲まれる領域である第2の領域とを含み、前記第1面において前記第1の領域を挟む前記回路領域間の絶縁距離と、前記第2面において前記第2の領域を挟む前記回路領域間の絶縁距離とが各別に定められることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の電子装置。前記隣り合う回路領域間に位置する絶縁領域には、螺子が挿入される貫通穴が形成され、前記取付部には、前記螺子が挿入される螺子穴が形成され、前記筐体は、前記螺子が前記貫通穴を介して前記螺子穴に挿入されることで前記回路基板に取り付けられ、前記貫通穴は、前記回路基板上において一直線に並ぶ位置に形成されることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の電子装置。ところで、回路基板の電磁波シールド等を目的として、回路基板に筐体が取り付けられることがある。ここで、回路基板への筐体の取り付けには、筐体を回路基板に取り付けるための取付部が用いられ、取付部を取り付けるための領域取付領域が回路基板上に設けられる。しかし、取付領域を設けると、回路基板上における電子部品の実装面積が小さくなり、ひいては回路基板の集積度が低下する懸念がある。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、回路基板上における電子部品の実装面積を増大させることのできる電子装置を提供することにある。以下、上記課題を解決するための手段、及びその作用効果について記載する。請求項1記載の発明は、複数の電子部品が実装される回路基板と、該回路基板に取り付けられる筐体とを備える電子装置において、前記回路基板上には、前記電子部品を含んで且つ互いに離間する複数の回路領域と、該複数の回路領域のうち互いに隣り合う回路領域間を絶縁する絶縁領域とが設けられ、前記筐体を前記回路基板に取り付けるための取付部を備え、前記回路基板上において前記取付部が取り付けられる取付領域は、前記筐体が前記回路基板に取り付けられた状態において、前記隣り合う回路領域間に位置する前記絶縁領域に設けられることを特徴とする。上記発明では、隣り合う回路領域間の絶縁破壊が生じることによって電子部品が正常に機能しない等、電子装置の信頼性の低下を回避すべく、回路基板上において、隣り合う回路領域間を絶縁する絶縁領域が設けられている。そして、上記発明では、筐体が回路基板に取り付けられた状態において、上記隣り合う回路領域間に位置する絶縁領域に取付領域を設ける。これにより、回路基板上の絶縁領域を取付領域として有効利用することができ、回路基板上における電子部品の実装面積を増大させることができる。なお、上記複数の回路領域のうち少なくとも1つは、例えば、スイッチング素子を駆動する駆動回路と、上記スイッチング素子の端子を上記駆動回路に接続する電気経路配線パターンとを含む領域とすればよい。請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記複数の回路領域のうち互いに隣り合う回路領域間を、該隣り合う回路領域間の電位差が高い水準となる高電位差領域間と、該隣り合う回路領域間の電位差が低い水準となる低電位差領域間とに分け、前記取付領域は、前記高電位差領域間に位置する前記絶縁領域に設けられることを特徴とする。隣り合う回路領域間の絶縁破壊を回避するために必要な距離絶縁距離は、回路領域間の電位差が大きいほど長くなる傾向にある。このため、電位差の大きい回路領域間に位置する絶縁領域の面積は、電位差の小さい回路領域間に位置する絶縁領域の面積よりも大きくなる傾向にある。この点に鑑み、上記発明では、上記高電位差領域間に位置する絶縁領域に取付領域を設ける。これにより、取付領域を設けることによって回路基板上の電子部品の実装面積が制限されることを好適に抑制することができる。すなわち、電子部品の実装面積の増大を図ることができる。さらに、高電位差領域間に位置する絶縁領域の面積が大きくなる傾向にあることから、回路基板上において取付領域として選択可能な面積が大きくなり、取付領域の設定自由度を向上させることもできる。請求項3記載の発明は、請求項1又は2記載の発明において、前記隣り合う回路領域間に位置する絶縁領域には、螺子が挿入される貫通穴が形成され、前記取付部には、前記螺子が挿入される螺子穴が形成され、前記取付領域は、前記螺子が前記貫通穴を介して前記螺子穴に挿入されることで前記筐体が前記回路基板に取り付けられた状態において、前記取付部のうち前記回路基板と接触する部分の外縁によって囲まれる領域であり、前記隣り合う回路領域の対向する一対の境界線上のうち互いに平行となる部分を通る一対の線を描き、該一対の線間の中央を通る中央線上に前記貫通穴の中心を位置させることを特徴とする。回路基板上に取付領域を設ける場合、回路領域間の絶縁破壊の発生を回避するために、取付領域付近の所定領域を絶縁領域とすることが要求され得る。このとき、絶縁領域が拡大し、電子部品の実装面積が制限されることが懸念される。ここで、上記発明では、貫通穴の中心を上記中央線上に位置させることで、回路基板上に取付領域が設けられることによって絶縁領域が拡大することを好適に抑制できる。これにより、回路基板上の電子部品の実装面積が制限されることをより好適に抑制することができる。請求項4記載の発明は、請求項3記載の発明において、前記取付部は、導電性材料からなり、前記絶縁領域には、前記回路基板上において、前記取付領域の外縁と、該取付領域に対して前記外縁から外側に位置して且つ前記取付領域を囲う所定の閉曲線とによって区画される領域が含まれることを特徴とする。上記発明では、取付部によって隣り合う回路領域間の絶縁破壊が生じることを回避すべく、回路基板上において、取付領域の外縁と上記閉曲線とによって囲まれる領域を絶縁領域に含めている。請求項5記載の発明は、請求項1~3のいずれか1項に記載の発明において、前記取付部は、非導電性材料からなり、前記取付領域は、前記筐体が前記回路基板に取り付けられた状態において、前記取付部のうち前記回路基板と接触する部分の外縁によって囲まれる領域であることを特徴とする。上記発明では、非導電性材料からなる取付部を採用することで、取付領域及び回路領域の間の絶縁距離を短縮することができる。このため、取付領域を設けることによって回路基板上の電子部品の実装面積が制限されることを好適に抑制することができる。請求項6記載の発明は、請求項1~5のいずれか1項に記載の発明において、前記回路基板は、第1面及び該第1面の裏面である第2面のそれぞれに複数の電子部品が実装される両面基板であり、前記第1面及び前記第2面のそれぞれに、前記回路領域及び前記絶縁領域が設けられ、前記隣り合う回路領域間に位置する絶縁領域には、螺子が挿入される貫通穴が形成され、前記取付部には、前記螺子が挿入される螺子穴が形成され、前記筐体は、前記第2面側から前記第1面側に向かって前記螺子が前記貫通穴を介して前記螺子穴に挿入されることで前記回路基板に取り付けられ、前記取付領域は、前記筐体が前記回路基板に取り付けられた状態において、前記取付部のうち前記第1面と接触する部分の外縁によって囲まれる領域である第1の領域と、前記筐体が前記回路基板に取り付けられた状態において、前記螺子の頭部のうち前記第2面と接触する部分の外縁によって囲まれる領域である第2の領域とを含み、前記第1面において前記第1の領域を挟む前記回路領域間の絶縁距離と、前記第2面において前記第2の領域を挟む前記回路領域間の絶縁距離とが各別に定められることを特徴とする。上記発明では、両面基板の第1面及び第2面のそれぞれにおける回路領域間の絶縁距離の設定自由度を向上させることができる。請求項7記載の発明は、請求項1~6のいずれか1項に記載の発明において、前記隣り合う回路領域間に位置する絶縁領域には、螺子が挿入される貫通穴が形成され、前記取付部には、前記螺子が挿入される螺子穴が形成され、前記筐体は、前記螺子が前記貫通穴を介して前記螺子穴に挿入されることで前記回路基板に取り付けられ、前記貫通穴は、前記回路基板上において一直線に並ぶ位置に形成されることを特徴とする。上記発明では、上記態様にて貫通穴を形成することで、回路基板の耐震性を最大にすることなどができる。ちなみに、回路基板の耐震性とは、例えば、電子装置に外力が加わる場合に回路基板の信頼性を維持可能な回路基板の耐力のことをいう。第1の実施形態以下、本発明にかかる電子装置を、プラグインハイブリッド車両PHVの主機回転機の電力変換装置に適用した第1の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図1に、本実施形態にかかる制御システムの全体構成を示す。図示されるように、電力変換装置は、インバータINVと、インバータINVを駆動する駆動回路ドライブユニット等が設けられる回路基板10と、この基板を自身の内部空間に収容する筐体図示せずとを備えて構成されている。インバータINV及び昇圧コンバータCNVは、車載主機としてのモータジェネレータ12と高電圧バッテリ14とを電気的に接続している。ここで、昇圧コンバータCNVは、コンデンサと、コンデンサに並列接続された一対のスイッチング素子Scp,Scnと、一対のスイッチング素子Scp,Scnの接続点及び高電圧バッテリ14の正極を接続するリアクトルとを備えて構成されている。昇圧コンバータCNVは、スイッチング素子Scp,Scnのオンオフ操作によって、高電圧バッテリ14の電圧例えば百V以上を所定の電圧例えば666Vを上限として昇圧するものである。一方、インバータINVは、スイッチング素子Sup,Sunの直列接続体と、スイッチング素子Svp,Svnの直列接続体と、スイッチング素子Swp,Swnの直列接続体とを備えて構成されており、これら各直列接続体の接続点がモータジェネレータ12のU,V,W相にそれぞれ接続されている。なお、本実施形態では、これらスイッチング素子S=u,v,w,c;=p,nとして、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTを想定している。また、これらスイッチング素子Sにはそれぞれ、ダイオードが逆並列に接続されている。ちなみに、昇圧コンバータCNVには、上記インバータINVとは別に、車載補機であって且つ上記モータジェネレータ12とは別のモータジェネレータと電力の授受を行う第2のインバータ図示せずも接続されている。回路基板10は、樹脂等からなる絶縁基材に、銅などの導電材料からなる配線パターンを配置してなる平面矩形状長方形状の部材である。回路基板10には、スイッチング素子Sを駆動するためのドライブユニットDU、及び制御回路16等が実装されている。制御回路16は、高電圧バッテリ14よりも端子電圧が非常に低い低電圧バッテリ18例えば十数Vを電源として駆動される。制御回路16は、モータジェネレータ12を制御対象とし、その制御量を所望に制御すべく、インバータINVや昇圧コンバータCNVを操作する。詳しくは、制御回路16は、フォトカプラ等の絶縁素子を備える図示しないインターフェースを介してドライブユニットDUに操作信号を出力することで、昇圧コンバータCNVのスイッチング素子Scp,Scnや、インバータINVのスイッチング素子Sup,Sun,Svp,Svn,Swp,Swnを操作する。なお、高電位側のスイッチング素子Spと、対応する低電位側のスイッチング素子Snとは、交互にオン状態とされる。回路基板10には、この基板を筐体に取り付けるための複数の貫通穴20が形成されている。詳しくは、貫通穴20は、回路基板10の厚み方向に貫通する穴であり、この基板の平面視において円形状真円形状に形成されている。ここで、本実施形態では、回路基板10上に、1つの低電圧回路領域22と、複数の高電圧回路領域24とが設けられている。詳しくは、これら回路領域は、略矩形状長方形状又は正方形状をなしている。より具体的には、低電圧回路領域22は、制御回路16と、この回路及び低電圧バッテリ18を接続する電気経路配線パターンとを含む領域であり、電力変換装置のうち低電圧バッテリ18を電力供給源とする低電圧システムの一部を構成している。一方、高電圧回路領域24は、ドライブユニットDUと、ドライブユニットDU及びスイッチング素子Sのゲートエミッタを接続する電気経路配線パターンとを含む領域であり、電力変換装置のうち高電圧バッテリ14を電力供給源とする高電圧システムの一部を構成している。より詳しくは、高電圧回路領域24は、低電位側のスイッチング素子Snに対応するドライブユニットDnを含む領域24a、及びスイッチング素子Scp,Sup,Svp,Swpに対応するドライブユニットDUcp,DUup,DUvp,DUwpを含む領域24b,24c,24d,24e等からなる。なお、本実施形態では、低電圧回路領域22において、制御回路16と低電圧バッテリ18の負極とを接続する電気経路の電位を基準電位VLとする。また、高電圧回路領域24aにおいて、低電位側のスイッチング素子Snのエミッタ端子側の電位を基準電位VH1とする。さらに、高電圧回路領域24b~24eにおいて、高電圧側のスイッチング素子Spのエミッタ端子側の電位を基準電位VH2~VH5とする。次に、図2を用いて、回路基板10上における低電圧回路領域22及び高電圧回路領域24の配置態様と、貫通穴20の形成位置について詳述する。なお、図2は、回路基板10の平面図である。また、図中、回路基板10を覆う筐体の図示を省略している。まず、低電圧回路領域22及び高電圧回路領域24の配置態様について説明する。図示されるように、低電圧回路領域22と、高電圧回路領域24a~24eとのそれぞれは、図中斜線にて示すように、互いに隣り合う回路領域間の絶縁破壊が生じることを回避するための絶縁領域26を介して、互いに離間して設けられている。詳しくは、高電圧回路領域24b~24e,28のうち互いに隣り合う回路領域同士は、回路基板10の長手方向図中、左右方向において、第1の絶縁距離d1離間して設けられている。なお、高電圧回路領域28は、高電圧回路領域24a~24e以外の高電圧回路領域例えば上記第2のインバータの有するスイッチング素子に対応する回路領域である。また、高電圧回路領域24aと、高電圧回路領域24b~24e,28とは、回路基板10の幅方向図中、上下方向において、第2の絶縁距離d2離間して設けられ、低電圧回路領域22と高電圧回路領域24eとは、回路基板10の長手方向において、第3の絶縁距離d3離間して設けられている。さらに、低電圧回路領域22と高電圧回路領域24aとは、回路基板10の長手方向において、第4の絶縁距離d4離間して設けられている。なお、これら絶縁距離は、隣り合う回路領域間において絶縁破壊が生じることを回避可能な距離に設定されている。ここで、本実施形態にかかる上記絶縁距離の設定を、低電圧回路領域22及び高電圧回路領域24a~24eを用いて説明する。本実施形態では、低電圧回路領域22の基準電位VLは、高電圧回路領域24b~24eが取りうる基準電位VH2~VH5の最小値Vminよりも高く設定されて且つ、上記基準電位VH2~VH5の最大値Vmaxよりも低く設定されている。詳しくは、低電圧回路領域22の基準電位VLは、上記最小値Vminよりもやや高い値に設定され、より具体的には、上記最大値Vmax及び上記最小値Vminの平均値よりも低い値に設定されている。このため、低電位側のスイッチング素子Snのエミッタ及びドライブユニットDUnを接続する配線パターンを含む高電圧回路領域24aの基準電位VH1は、高電圧回路領域24b~24eが取りうる基準電位VH2~VH5の最小値Vminとなる。こうした基準電位の設定により、低電圧回路領域22及び高電圧回路領域24e間において生じ得る電位差の最大値は、Vmax-VLとなる。これは、低電圧回路領域22の基準電位VLに対して、スイッチング素子Swpのオン又はオフによって高電圧回路領域24eの基準電位VH5がVmin又はVmaxとなるからである。また、低電圧回路領域22及び高電圧回路領域24a間における電位差は、VL―Vminとなる。これは、低電圧回路領域22の基準電位VLに対して、高電圧回路領域24aの基準電位VH1がVminとなるからである。また、高電圧回路領域24a及び高電圧回路領域24b~24e間において生じ得る電位差の最大値は、Vmaxとなる。これは、高電圧回路領域24aの基準電位VH1がVminであるのに対して、高電位側のスイッチング素子Spのオン又はオフによって高電圧回路領域24b~24eの基準電位VH2~VH5がVmin又はVmaxとなるからである。さらに、高電圧回路領域24b~24eのうち互いに隣り合う回路領域間において生じ得る電位差の最大値は、Vmax-Vminとなる。これは、高電圧回路領域24b~24eのうち互いに隣り合う回路領域に対応するスイッチング素子のオン又はオフによって、上記互いに隣り合う回路領域のそれぞれの基準電位がVmin又はVmaxとなるからである。ここで、絶縁距離は、回路領域間の電位差が大きいほど長くなる傾向にある。本実施形態では、隣り合う回路領域間において生じる上述した電位差の最大値の大小関係から、第2の絶縁距離d2,第1の絶縁距離d1,第3の絶縁距離d3,第4の絶縁距離d4の順で、絶縁距離が長く設定されている。続いて、貫通穴20の形成位置について説明する。本実施形態では、回路基板10の四隅にそれぞれ1つ、回路基板10の幅方向に対向する2辺の中央付近にそれぞれ1つ、及び回路基板10の中央部に3つ貫通穴20が形成されている。ここで、中央部のこれら貫通穴20を、図示されるように、高電圧回路領域24b~24e,28間の絶縁領域に回路基板10の長手方向に一直線に並ぶように形成する。より詳しくは、貫通穴20のそれぞれを、複数個図中3個を例示の高電圧回路領域を挟んで回路基板10の長手方向に一直線に並ぶように形成する。これら形成位置は、本実施形態における回路基板10の耐震性を最大とすることを条件とした計算結果に基づくものである。ここで、耐震性とは、車両の走行に伴い電力変換装置に外力が加わる場合に、回路基板10の信頼性を維持できる回路基板10の耐力のことをいう。耐震性が高いと、配線パターンの断線や、はんだ付け実装されているコンデンサ等の電子部品の脱落等を防止することができる。次に、図3及び図4を用いて、本実施形態にかかる回路基板10と筐体との取付態様について説明する。まず、図3に、先の図2のA-A断面図を示す。より詳しくは、図3は、回路基板10の長手方向に沿って且つ、筐体30が回路基板10に取り付けられた状態において回路基板10と平行な平面に略直交する螺子34の中心軸線を通る面で、この基板を切断した断面図である。図示されるように、筐体30は、回路基板10を収容して車両に搭載するための機能や、回路基板10と外部との電磁波の流通を防ぐ機能等を有している。筐体30の形状は、箱形状であり、より詳しくは、直方体のうち一面が開放された形状である。ちなみに、本実施形態では、筐体30として、導電性材料例えば金属材料からなるものを想定している。筐体30には、複数の取付部ボス部32が一体形成されている。詳しくは、ボス部32は、回路基板10と同じく導電性材料からなり、回路基板10の貫通穴20に対応する位置に形成されている。より具体的には、ボス部32は、筐体30が回路基板10に取り付けられた状態で、回路基板10と平行な平面に略直交する中心軸線図中一点鎖線方向に筐体30筐体30の内部上面側から回路基板10側へと延びる円筒状の部分であり、その内部に上記中心軸線に沿って螺子穴32aが形成されている。ここで、回路基板10への筐体30の取付手法について説明すると、回路基板10の裏面図中、回路基板10の下面側から表面図中、回路基板10の上面側に向かって貫通穴20を介して螺子穴32aに螺子34を挿入し、ボス部32を回路基板10に取り付ける固定することで、筐体30が回路基板10に取り付けられる。なお、本実施形態では、以降、ボス部32のうち回路基板10と接触する領域を接触領域36先の図2において、貫通穴20の内縁とその付近の鎖線とで囲まれた領域と称すこととする。また、螺子34は、導電性材料金属材料からなるものとする。続いて、図4に、先の図2における高電圧回路領域24b,24c間の貫通穴20近傍の拡大図を示す。なお、図中、斜線にて示す領域は、絶縁領域26である。図示されるように、隣り合う高電圧回路領域24b,24cの対向する一対の境界線上のうち第1の絶縁距離d1を保って互いに平行となる部分を一対の直線部分38,40とする。そして、一対の直線部分38,40を通る一対の仮想線L1,L2を描き、一対の仮想線L1,L2間の中央を通る中央線L3上に貫通穴20の中心Oを位置させるように貫通穴20が形成されている。このため、接触領域36は、回路基板10上において、貫通穴20の内縁と、ボス部32のうち回路基板10と接触する部分の外縁図中2点鎖線とで囲まれる領域となる。なお、本実施形態では、以降、回路基板10上において、ボス部32のうち回路基板10と接触する部分の外縁によって囲まれる領域を取付領域41換言すれば、貫通穴20と接触領域36とを合わせた領域と称すこととする。ここで、導電性材料からなるボス部32が接触する接触領域36を介して、高電圧回路領域24b,24c間の絶縁破壊が生じる事態を回避することが要求される。このため、本実施形態では、貫通穴20の中心Oを中心とし、この中心Oから取付領域41接触領域36の外縁までの距離よりも大きい半径w1d1/2を有する円の外縁と、取付領域41接触領域36の外縁とで囲まれる領域を絶縁領域26に含むこととする。ここで、w1は、取付領域41接触領域36の外縁及び高電圧回路領域24b間の距離である。なお、本実施形態では、接触領域36の外縁及び高電圧回路領域24bの距離w1と、接触領域36の外縁及び高電圧回路領域24cの距離w2との和が、第1の絶縁距離d1とされている。より詳しくは、スイッチング素子Scp,Supのオンオフによって、これらスイッチング素子のそれぞれに対応する高電圧回路領域24b,24cと、ボス部32との間において生じ得る電位差の最大値が同一であることから、w1=w2としている。以上詳述した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。1上記中央線L3上に貫通穴20の中心Oを位置させた。これにより、取付領域41を設けることによって回路基板10上の電子部品の実装面積が制限されることを好適に抑制することができる。すなわち、電子部品の実装面積の増大を図ることができる。2高電圧回路領域間に位置する絶縁領域26にも貫通穴20を形成した。高電圧回路領域間に位置する絶縁領域26の面積が大きくなる傾向にあることから、上記態様にて貫通穴20を形成することで、取付領域41を設けることによって回路基板10上の電子部品の実装面積が制限されることを好適に抑制することができる。なお、上述したように、回路領域間の電位差が大きいほど、上記回路領域間に位置する絶縁領域26の面積が大きくなる傾向にある。このため、例えば、回路基板10の耐震性を最大とすることを条件に、貫通穴20を形成する場合、回路基板10上において貫通穴20の形成位置として選択可能な領域が大きくなる。したがって、貫通穴20の位置の設定の制約を極力排除することもできる。すなわち、取付領域41の設定自由度を向上させることができる。3回路基板10上において、この基板の耐震性が最大となる位置に貫通穴20を形成した。これにより、回路基板10の信頼性を向上させることができる。第2の実施形態以下、第2の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、回路基板10として、電子部品が表裏に実装可能な両面基板を用いる。図5に、本実施形態にかかる回路基板10aの断面図を示す。詳しくは、図5は、先の図2に相当する図である。なお、図中、低電圧回路領域及び高電圧回路領域に厚みを持たせてこれら回路領域を表示している。図示されるように、回路基板10aの表面及び裏面のそれぞれには、低電圧回路領域及び高電圧回路領域のそれぞれが設けられている。詳しくは、表面には、低電圧回路領域42a及び高電圧回路領域44aが設けられており、裏面には、低電圧回路領域42b及び高電圧回路領域44bが設けられている。本実施形態では、回路基板10aの表面の平面視において、接触領域36の外縁から低電圧回路領域42aまでの距離をLsl、接触領域36の外縁から高電圧回路領域44aまでの距離をLshとする。また、回路基板10aの裏面の平面視において、螺子34の頭部34aの外縁から低電圧回路領域42bまでの距離をLrl、上記頭部34aの外縁から高電圧回路領域44bまでの距離をLrhとする。ちなみに、本実施形態では、上記第1の実施形態の低電圧回路領域22と同様に、低電圧回路領域42a,42bの基準電位をVLとし、高電圧回路領域44a,44bが取りうる基準電位の最小値をVminとし、高電圧回路領域44a,44bが取りうる基準電位の最大値をVmaxとしている。ここで、導電性材料からなるボス部32及び低電圧回路領域42a間において生じ得る電位差の最大値と、導電性材料からなる螺子34の頭部34a及び低電圧回路領域42b間において生じ得る電位差の最大値とは同一である。このため、本実施形態では、Lsl=Lrlとしている。なお、裏面におけるLrlは、螺子34の頭部34aの形状によって変化する。また、ボス部32及び高電圧回路領域44a間において生じ得る電位差の最大値と、螺子34の頭部34a及び高電圧回路領域44b間において生じ得る電位差の最大値とは同一である。このため、本実施形態では、Lsh=Lrhとしている。なお、裏面におけるLrhは、上記Lrlと同様に、螺子34の頭部34aの形状によって変化する。このように、本実施形態では、両面基板の表面における接触領域36の外縁及び回路領域42a44aの間の絶縁距離LslLshと、裏面における螺子34の頭部34a及び回路領域42b44bの間の絶縁距離LrlLrhとを各別に定めるため、絶縁距離の設定自由度を向上させることができる。第3の実施形態以下、第3の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、ボス部32を非導電性材料例えば樹脂からなるものとする。すなわち、回路基板10上の接触領域36が非導電性とされる。図6に、本実施形態にかかる回路基板10上の絶縁領域26における接触領域36の配置態様を示す。詳しくは、図6は、先の図2における高電圧回路領域24b,24cの貫通穴20近傍の拡大図に相当する図である。なお、図中、斜線にて示す領域は、絶縁領域26である。図示されるように、本実施形態では、接触領域36が高電圧回路領域24b,24cに隣接する場合であっても、接触領域36を介して高電圧回路領域24b,24c間の絶縁破壊が生じるおそれが少ない。このため、接触領域36取付領域41を、隣り合う高電圧回路領域24b,24cの対向する一対の境界線に隣接させることができる。なお、本実施形態において、上記一対の境界線のそれぞれと、上記仮想線L1,L2のそれぞれとは一致する。このように、本実施形態では、ボス部32を非導電性材料からなるものとすることで、取付領域41によって回路基板10上の電子部品の実装面積が制限されることを好適に抑制することができる。その他の実施形態なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。貫通穴20の形成位置としては、上記第1の実施形態に例示したものに限らない。例えば、図7に示すように、上記中央線L3に平行であって且つこの中央線L3からずれた位置を通る基準線L4上に貫通穴20の中心Oが位置するように貫通穴20を形成してもよい。ただし、この場合、貫通穴20の中心Oを中心とし、この中心Oから取付領域41の外縁までの距離よりも大きい半径w1=w2d1/2を有する円の外縁と、取付領域41の外縁とで囲まれる領域が絶縁領域26に含まれることとなる。このため、電子部品の実装面積が制限されることを極力回避すべく、上記中心Oを通る基準線L4を、中央線L3からずらす度合いを極力小さくすることが望ましい。上記第2の実施形態において、ボス部32を非導電性材料からなるものとする場合、上記接触領域36の外縁から低電圧回路領域42aまでの距離をLsl、及び接触領域36の外縁から高電圧回路領域44aまでの距離をLshの設定の制約が小さくなる。このため、Lsl,Lshを、上記第2の実施形態における値よりも短くすることができる。ちなみに、ボス部32の先端部のみを非導電性材料にて構成してもよい。筐体の有する取付部ボス部は、筐体と一体形成されるものに限らず、例えば筐体とは別部材で設けられるものであってもよい。貫通穴の形状としては、円形状真円形状に限らず、例えば楕円形状であったり、矩形状であってもよい。また、ボス部の形状としては、ボス部の中心軸線方向に延びる円筒形状に限らず矩形状であってもよい。回路基板への筐体の取付手法としては、上記各実施形態に例示したものに限らない。例えば、筐体から回路基板側へと延びて且つ筐体と一体形成される柱状部の先端に、この柱状部の中心軸線方向から斜め外方へと延びる爪部を形成し、この爪部を回路基板上に形成された貫通穴に挿入して回路基板に係止することで、筐体を回路基板に取り付ける手法を採用してもよい。また、例えば、筐体から回路基板側へと延びて且つ筐体と一体形成される柱状部の先端と回路基板との間に接着手段接着剤を介在させることで、筐体を回路基板に取り付ける手法を採用してもよい。上記第1の実施形態では、互いに隣り合う回路領域間において生じ得る電位差の最大値が4通りVmax,Vmax-Vmin,Vmax-VL,VL-Vminとなる回路構成としたがこれに限らない。例えば、N通りNは5以上の整数であってもよい。この場合、例えば、互いに隣り合う回路領域間の電位差の最大値の平均値を平均電位差と定義し、高電位差領域間を、平均電位差よりも高い電位差の最大値を有する回路領域間とし、低電位差領域間を、上記平均電位差よりも低い電位差の最大値を有する回路領域間とすればよい。隣り合う回路領域の対向する一対の境界線例えば、先の図6のL1,L2としては、直線に限らず曲線であってもよい。本願発明が適用される車両としては、PHVに限らず、例えば車載主機として回転機のみを備える電動車両EVであってもよい。"