半導体シリコン基板を用いる太陽電池用の導電性ペーストであって、該導電性ペーストに含まれるガラスフリットの組成は、実質的に鉛成分を含まず、質量でSiO2を5~15、B2O3を20~40、Al2O3を0~10、ZnOを30~45、ROMgO、CaO、SrO、及びBaOからなる群から選ばれる少なくとも1種の合計を5~30、R2OLi2O、Na2O、及びK2Oからなる群から選ばれる少なくとも1種の合計を0.1~6、を含むことを特徴とする導電性ペースト。前記ガラスフリットは、30°C~300°Cにおける熱膨張係数が55~85×107/°C、軟化点が550°C以上650°C以下であることを特徴とする請求項1に記載の導電性ペースト。請求項1又は請求項2に記載の導電性ペーストを用いることを特徴とする太陽電池素子。請求項1又は請求項2に記載の導電性ペーストを用いることを特徴とする電子材料用基板。一般的に、p層の表面抵抗とBSF効果には相関があり、p層の表面抵抗が低いほどBSF効果が高く、太陽電池素子としての変換効率が高いとされている。前述した鉛成分を含むガラスフリットは、アルミニウムペースト材料のような導電性ペーストに使用することにより、高いBSF効果を得ることができ、さらに上記導電性ペーストを低融点とする上で重要な成分であるものの、人体や環境に与える弊害が大きい。前述した特許文献1及び特許文献2は導電性ペーストに鉛成分を含むという問題がある。そこで本発明は、半導体シリコン太陽電池に形成される電極として使用可能な鉛を含まない導電性ペーストを得ることを目的とした。本発明は、半導体シリコン基板を用いる太陽電池用の導電性ペーストであって、該導電性ペーストに含まれるガラスフリットの組成は、実質的に鉛成分を含まず、質量でSiO2を5~15、B2O3を20~40、Al2O3を0~10、ZnOを30~45、ROMgO、CaO、SrO、及びBaOからなる群から選ばれる少なくとも1種の合計を5~30、R2OLi2O、Na2O、及びK2Oからなる群から選ばれる少なくとも1種の合計を0.1~6、を含むことを特徴とする導電性ペーストである。鉛を含有するガラスフリットを使用した導電性ペーストを用いた場合、p層の表面抵抗は20~30Ω/□程度を示すことから、本発明の導電性ペーストを用いた際のp層の表面抵抗は、30Ω/□以下とすることが好ましい。該表面抵抗が低いほど太陽電池素子として用いた場合、変換効率が向上する。本発明において、ガラスフリットに含有するR2O量を増加させることにより、p層の表面抵抗を30Ω/□より低い値にすることが可能であるが、該R2Oを6質量越えて含む場合、該R2Oのアルカリ成分が多くなることにより潮解性を呈することがあるため、本発明では該R2Oを6質量以下とする。また本発明の前記ガラスフリットは、30°C~300°Cにおける熱膨張係数が55~85×107/°C、軟化点が550°C以上650°C以下であることを特徴とする。また、本発明において上記の熱膨張係数は線膨張係数を意味するものである。本発明により、鉛を含まないガラスフリットを含む導電性ペーストを得ることが可能である。本発明の導電性ペーストを太陽電池素子として使用することにより、高いBSF効果を得ることができる。また、半導体シリコン基板と良好な密着性を得ることができる。さらに、実質的に鉛成分を含まないため人体や環境に与える弊害がない。本発明の導電性ペーストは、アルミニウム粉末とエチルセルロースやアクリル樹脂などのバインダーを含む有機ビヒクルに加えて、ガラスフリットを含み、該ガラスフリットが実質的に鉛成分を含まず、質量でSiO2を5~15、B2O3を20~40、Al2O3を0~10、ZnOを30~45、ROMgO、CaO、SrO、及びBaOからなる群から選ばれる少なくとも1種の合計を5~30、R2OLi2O、Na2O、及びK2Oからなる群から選ばれる少なくとも1種の合計を0.1~6、を含む導電性ペーストである。本発明のガラスフリットにおいて、SiO2はガラス形成成分であり、別のガラス形成成分であるB2O3と共存させることにより、安定したガラスを形成することが可能であり、5~15質量、以下においても同様である含有させる。15を越えると、ガラスの軟化点が上昇し導電性ペーストとして使用し難くなる。より好ましくは7~13の範囲である。B2O3はガラス形成成分であり、ガラス溶融を容易とし、ガラスの熱膨張係数の過度の上昇を抑え、かつ、焼成時にガラスに流動性を与え、ガラスの誘電率を低下させるものであり、ガラス中に20~40含有させる。20未満ではガラスの流動性が不充分となることにより焼結性が損なわれ、一方で40を越えるとガラスの安定性が低下する。また、より好ましくは25~35の範囲である。Al2O3は、ガラスの結晶化を抑制する成分である。ガラス中に0~10含有させるが、10を超えるとガラスの軟化点が上昇し導電性ペーストとして使用し難くなる。ZnOはガラスの軟化点を下げる成分で、ガラス中に30~45含有させる。30未満では上記作用を発揮し得ず、45を超えるとガラスが不安定となり結晶を生じ易くなる。また、好ましくは35~42の範囲である。ROMgO、CaO、SrO、及びBaOからなる群から選ばれる少なくとも1種の合計はガラスの軟化点を下げるものであり、ガラス中に5~30含有させる。5未満ではガラスの軟化点の低下が不十分となり焼結性が損なわれる。一方で30を越えるとガラスの熱膨張係数が高くなりすぎることがある。より好ましくは10~27の範囲である。R2OLi2O、Na2O、及びK2Oからなる群から選ばれる少なくとも1種の合計はガラスの軟化点を下げ熱膨張係数を適宜範囲に調整するものであり、0.1~6の範囲で含有させる。0.1未満ではガラスの軟化点の低下が不十分となり焼結性が損なわれる。一方で6を越えると熱膨張係数を過度に上昇させることがある。より好ましくは2~6の範囲である。なおR2Oとして少なくともK2Oを含むのが好ましい。この他にも、一般的な酸化物で表すCuO、TiO2、In2O3、Bi2O3、SnO2、TeO2などを加えてもよい。実質的に鉛以下PbOと記載することもあるを含まないことにより、人体や環境に与える影響を皆無とすることができる。ここで、実質的にPbOを含まないとは、PbOがガラス原料中に不純物として混入する程度の量を意味する。例えば、低融点ガラス中における0.3以下の範囲であれば、先述した弊害、すなわち人体、環境に対する影響、絶縁特性等に与える影響は殆どなく、実質的にPbOの影響を受けないことになる。前記ガラスフリットを用いることにより、30°C~300°Cにおける熱膨張係数が55~80×107/°C、軟化点が550°C以上650°C以下の導電性ペーストを得ることが可能となる。熱膨張係数が55~85×107/°Cを外れると電極形成時に剥離、基板の反り等の問題が発生する。好ましくは、60~75×107/°Cの範囲である。また、軟化点が650°Cを越えると焼成時に十分に流動しないため、半導体シリコン基板との密着性が悪くなる等の問題が発生する。好ましくは上記軟化点が580°C以上630°C以下である。本発明の導電性ペーストは、前述したように太陽電池素子に使用することが可能である。またさらに、該導電性ペーストは低温で焼成が可能であることから、銀やアルミ等を用いた配線パターンの形成材料や各種電極等、電子材料用基板としても使用できる。以下、実施例に基づき、説明する。導電性ペーストまず、ガラス粉末は、実施例に記載した所定組成となるように各種無機原料を秤量、混合して原料バッチを作製した。この原料バッチを白金ルツボに投入し、電気加熱炉内で1000~1300°C、1~2時間で加熱溶融して表1の実施例1~5、表2の比較例1~4に示す組成のガラスを得た。ガラスの一部は型に流し込み、ブロック状にして熱物性測定用に供した。残余のガラスは急冷双ロール成形機にてフレーク状とし、粉砕装置で平均粒径1~4μm、最大粒径10μm未満の粉末状に整粒した。なお、上記の軟化点は、熱分析装置TG―DTAリガク株製を用いて測定した。また、上記の熱膨張係数は熱膨張計を用い、5°C/分で昇温したときの30~300°Cでの伸び量から線膨張係数を求めた。次いで、αテルピネオールとブチルカルビトールアセテートからなるペーストオイルにバインダーとしてのエチルセルロースと上記ガラス粉、また導電性粉末としてアルミニウム粉末を所定比で混合し、粘度、500±50ポイズ程度の導電性ペーストを調製した。次に、p型半導体シリコン基板1を準備し、その上部に上記で作製した導電性ペーストをスクリーン印刷した。これらの試験片を、140°Cのオーブンで10分間乾燥させ、次に電気炉にて800°C条件下で1分間焼成し、p型半導体シリコン基板1にアルミニウム電極層5とBSF層6を形成した構造を得た。次に、アルミニウム電極層5のp型半導体シリコン基板1との密着性を調べるために、メンディングテープニチバン製をアルミニウム電極層5に貼り付け、剥離したときのアルミニウム電極層5の剥がれ状態を目視にて評価した。その後、アルミニウム電極層5を形成したp型半導体シリコン基板1を水酸化ナトリウム水溶液に浸漬して、アルミニウム電極層5およびBSF層6をエッチングすることでp層7を表面に露出させ、p層7の表面抵抗を4探針式表面抵抗測定器で測定した。結果無鉛低融点ガラス組成および、各種試験結果を表に示す。なお表1及び2の接着強度の欄において、Aは接着強度が良好であったことを示し、Bは接着強度がどちらかというと良好であったことを示し、Cは接着強度が不十分であったことを示す。表1における実施例1~5に示すように、本発明の組成範囲内においては、軟化点が550°C~650°Cであり、好適な熱膨張係数55~85×107/°Cを有しており、p型半導体シリコン基板1との密着性も良好であった。更には、太陽電池素子の変換効率に関係するp層7の抵抗値も26Ω/□以下となり、半導体シリコン太陽電池用の導電性ペーストとして用いることが可能である。他方、本発明の組成範囲を外れる表2における比較例1~4は、p型半導体シリコン基板1との良好な密着性が得られない、p層7の抵抗値が高い、または溶解後にガラスが潮解性を示すなど、半導体シリコン太陽電池用の導電性ペーストとしては適用し得ないものであった。