閃光放電ランプ点灯装置であって、入力電圧を昇圧する昇圧回路、前記昇圧回路の出力を充電する蓄電素子及び該蓄電素子の充電電圧を検出する電圧検出回路を有する蓄電回路、閃光放電ランプを絶縁破壊させて前記蓄電素子からのエネルギーを該閃光放電ランプに投入させるためのイグナイタ回路、及び前記充電電圧が昇圧設定値に達するまで前記昇圧回路を動作させ、その後前記イグナイタ回路を起動させる制御部を備え、前記制御部が、前記蓄電素子の容量低下量を検出する容量低下検出手段、及び該容量低下量に基づいて前記昇圧設定値を上昇させる昇圧設定手段を備えた閃光放電ランプ点灯装置。請求項1に記載の閃光放電ランプ点灯装置において、前記容量低下検出手段が、充電開始から充電完了までにかかる充電時間と閾値とを比較して、該充電時間が該閾値以下となった場合に容量低下信号を出力し、前記昇圧設定手段が該容量低下信号を受けて前記昇圧設定値を上昇させるように構成された閃光放電ランプ点灯装置。請求項1に記載の閃光放電ランプ点灯装置において、前記容量低下検出手段は前記蓄電素子の充電速度を演算するように構成され、前記昇圧設定手段が該充電速度の上昇幅に基づいて前記昇圧設定値を上昇させるように構成された閃光放電ランプ点灯装置。請求項1に記載の閃光放電ランプ点灯装置であって、前記容量低下量が所定値以上であることに基づく情報を報知する報知手段をさらに備えた閃光放電ランプ点灯装置。請求項4に記載の閃光放電ランプ点灯装置において、前記昇圧設定手段が前記昇圧設定値を段階的に上昇させるように構成され、前記報知手段が、該昇圧設定手段が該昇圧設定値を少なくとも1段階上昇させたことを報知するように構成された閃光放電ランプ点灯装置。請求項1から5いずれか一項に記載の閃光放電ランプ点灯装置、該閃光放電ランプ点灯装置に接続される前記閃光放電ランプ、及び該閃光放電ランプが設置される照射器本体を備えた光照射器。上記のような点灯装置においては、使用回数即ち、使用時間に応じて蓄電コンデンサの容量が低下する。言い換えると、いずれは蓄電コンデンサの容量は低下してしまう。蓄電コンデンサの容量が低下した場合、一回の点灯で放出できるエネルギーが減り、一回の点灯による照射エネルギーが規定値よりも低下してしまう場合がある。これにより、半導体ウェハー上のテープ又は塗料の硬化が充分にされず、歩留まりが低下するという問題がある。従って、蓄電コンデンサの容量が低下した場合には、その容量低下をユーザに報知して蓄電コンデンサの交換を促すことが望ましい。特に、高耐圧、高電流容量のオイルコンデンサの場合、容量低下が始まるとその進行が速いため、正確に容量低下を検出して早めにコンデンサを交換することが望ましい。ここで、例えば、照度計をランプ近傍に設置して測定照度の低下に応じてコンデンサの交換時期を報知する構成が検討される。しかし、閃光点灯における短時間発光照度の測定は連続発光照度の測定と比較して精度が低く、また、照度の低下が蓄電コンデンサの容量低下に起因する場合だけでなくランプの劣化に起因する場合もあり、正確に蓄電コンデンサの容量低下を検出できないという問題がある。そこで、本発明は、閃光放電ランプ点灯装置において、蓄電コンデンサの容量低下を正確に検出し、容量低下に応じて適切な充電制御を行うことを課題とする。本発明の閃光放電ランプ点灯装置は、入力電圧を昇圧する昇圧回路、昇圧回路の出力を充電する蓄電素子及び蓄電素子の充電電圧を検出する電圧検出回路を有する蓄電回路、閃光放電ランプを絶縁破壊させて蓄電素子からのエネルギーを閃光放電ランプに投入させるためのイグナイタ回路、及び充電電圧が昇圧設定値に達するまで昇圧回路を動作させ、その後イグナイタ回路を起動させる制御部を備え、制御部が、蓄電素子の容量低下量を検出する容量低下検出手段、及び容量低下量に基づいて昇圧設定値を上昇させる昇圧設定手段を備える。ここで、容量低下検出手段が、充電開始から充電完了までにかかる充電時間と閾値とを比較して、充電時間が閾値以下となった場合に容量低下信号を出力し、昇圧設定手段が容量低下信号を受けて昇圧設定値を上昇させるように構成することができる。また、容量低下検出手段は蓄電素子の充電速度を演算するように構成され、昇圧設定手段が充電速度の上昇幅に基づいて昇圧設定値を上昇させるように構成するようにしてもよい。さらに、容量低下量が所定値以上であることに基づく情報を報知する報知手段を備える構成としてもよい。ここで、昇圧設定手段が昇圧設定値を段階的に上昇させるように構成され、昇圧設定手段が昇圧設定値を少なくとも1段階上昇させたことを報知手段が報知する構成とすることができる。本発明の光照射器は、上記の閃光放電ランプ点灯装置、閃光放電ランプ点灯装置に接続される閃光放電ランプ、及び閃光放電ランプが設置される照射器本体を備える。実施例.図1は本発明の実施例による閃光放電ランプ点灯装置以下、点灯装置というの回路構成図である。点灯装置は、交流電源1を整流平滑化する整流平滑回路10、整流部の出力を昇圧する昇圧回路20、昇圧回路20の出力を充電する蓄電回路30、閃光放電ランプ100以下、ランプ100というを絶縁破壊させて蓄電回路30からのエネルギーをランプ100に投入するためのイグナイタ回路40、ランプ100に複数回にわたる一連の点灯を行わせるために昇圧回路20及びイグナイタ回路40を制御する制御部60、並びに蓄電回路30の蓄電容量の低下量が所定値以上となった場合にその情報を報知する報知手段70を備える。なお、各回路素子が上記のどの回路に属するかは便宜的なものであり、本発明を拘束するものではない。図1において、入力電源として単相電源を図示しているが三相電源であってもよい。また、整流平滑回路10は整流回路11及び平滑コンデンサ12で構成したものを図示しているが、昇圧チョッパ回路等で構成してもよい。なお、入力電源として直流電源が接続される場合には整流平滑回路10はなくてもよい。整流平滑回路10が昇圧チョッパ回路で構成される場合は、昇圧回路20の昇圧機能を昇圧チョッパ回路に持たせてもよい。昇圧回路20は、整流平滑回路10の出力を交流変換するフルブリッジ回路21-24を備える昇圧インバータ回路からなる。フルブリッジ回路では、制御部60ドライバ61によってトランジスタ21及び24とトランジスタ22及び23が50kHz程度の高周波で交互にオン/オフされる。このスイッチング動作によって整流平滑回路10からの直流入力が交流変換される。フルブリッジ回路の交流出力はインダクタ25によって電流制限されて昇圧トランス26の1次巻線に入力され、昇圧トランス26の巻数比に従って昇圧された電圧が2次巻線に発生する。充電回路30では、昇圧トランス26の2次巻線に発生した電圧がダイオードブリッジ31-33によって整流され、整流出力が蓄電コンデンサ蓄電素子34に充電される。本実施例は、蓄電コンデンサ34としてフィルムコンデンサを用いるものとする。充電速度は、昇圧回路20の入力電圧値、すなわち整流平滑回路10の出力電圧値と、インダクタ25及び昇圧トランス26の1次巻線側のインダクタンスと、フルブリッジ回路のスイッチングパルス幅又はスイッチング周波数と充電電圧値によって決まる。充電電圧値は例えば、2000~3000Vdc程度であればよく、電圧検出回路35は、蓄電コンデンサ34の充電電圧を検出して検出電圧を制御部60の電圧入力手段62に入力し充電動作により蓄電コンデンサ34の充電電圧値が充電電圧設定値に到達すると、制御部60は昇圧回路20の動作を停止する。イグナイタ回路40は、制御部60からの点灯指令を受けて外部トリガ45に10k~20kVの高圧パルス電圧を発生させる。外部トリガ45からの高圧パルスによってランプ100が絶縁破壊されると、蓄電コンデンサ34に充電されていたエネルギーが放電電流ピーク制御インダクタ50によって限流されつつランプ100に投入される。これにより、ランプ100の一回の閃光点灯が行われる。この充電から点灯までの動作が、設定されたタイミングで繰り返されて複数回にわたる一連の点灯が行われる。図2は図1のランプ100の具体的構成を示す。ランプ100は、石英発光管101、石英発光管101の一端内部に配置された陽極102、石英発光管101の他端内部に配置された陰極103、石英発光管101の両端部を封止するシール部104、石英発光管に近接配置されたトリガワイヤ105外部トリガ45に対応するもの、並びに陽極102及び陰極103にそれぞれ接続された電極芯棒106からなる。陽極102はタングステン製であり、陰極103はタングステン製電極の先端に焼結電極を溶接したものである。なお、焼結電極とはタングステンに酸化バリウムBaOや酸化アルミニウムAL203をドープし、焼き固めたものである。図1に戻り、制御部60はマイコン、パソコン等のコンピュータからなる。制御部60はドライバ61、電圧入力手段62、CPU63、メモリ64、入出力インターフェイスI/F65、充電完了検出手段66、容量低下検出手段67、及び昇圧設定手段68を備え、各々はコントロールバス600によって相互接続される。CPU63は制御部60内の信号のやりとりを制御し、メモリ64はプログラム及びデータを記憶する。制御部60は、上述したように所定のタイミング点灯サイクル、点灯回数等及びエネルギーでランプ100を点灯させるように構成される。従って、この所定のタイミング及びエネルギーは、メモリ64にプログラムしておいてもよいし、挿抜可能な記憶媒体から読み込まれるようにしてもよいし、通信機器から伝送媒体を介して読み込まれるようにしてもよい。また、制御部60がパソコンからなる場合には、製造工程に応じてユーザが入出力インターフェイス65を介して所望のタイミング及びエネルギーを入力できるようにしてもよい。上述したように、ドライバ61はCPU63から充電開始信号を受けてから充電完了信号を受けるまで、CPU63に指定されたPWM幅及びスイッチング周波数でフルブリッジ回路21-24をスイッチングする。充電完了検出手段66は、電圧入力手段62によって入力される検出電圧が昇圧設定値に達したことを検出して充電完了信号を出力する。充電完了検出手段66が充電完了を検出してから所定時間経過後に点灯指令をイグナイタ回路40に出力する。あるいは、CPU63が、充電完了信号を受けて点灯指令を充電完了検出手段66からイグナイタ回路40に出力させるようにしてもよい。充電完了信号は、後述の容量低下検出手段67によってコンデンサ容量低下を判断する際にも使用される。容量低下検出手段67は、電圧入力手段62によって入力される検出電圧の上昇速度、即ち、充電速度を特定し、充電速度が上昇したことに応じて容量低下信号を出力する。この充電速度は、充電開始から充電完了までの時間を計測することによって特定してもよいし、所定時間あたりの電圧上昇速度を演算することによって特定してもよい。本実施例では、充電時間を計測する構成を示す。充電時間を計測する場合、CPU63から充電開始信号が出力されてから充電完了検出手段66から充電完了信号が出力されるまでの時間を計測し、容量低下検出手段67は、充電時間が閾値以下となった時に容量低下量を表す容量低下信号を出力する。昇圧設定手段68は、容量低下信号によって示される容量低下量に基づいて昇圧設定値を上昇させる。本実施例では、充電時間が所与の昇圧設定値において閾値以下となる毎に昇圧設定値を1ステップずつ上昇させる。また、電圧上昇速度によって容量低下を検出する場合には、電圧上昇速度が第1の閾値以上となると昇圧設定手段68が昇圧設定値を1ステップ上昇させ、さらに電圧上昇速度が第2の閾値以上となると昇圧設定手段68が昇圧設定値をさらに1ステップを上昇させるようにすればよい。なお、この閾値及び昇圧設定値の段数は2段のものに限られず、1段であってもよいし、3段以上であってもよいが、最終ステップ上昇時の最大昇圧設定値が昇圧回路20及び充電回路30の最大定格電圧値以下となるようにする。以上の充電制御により、蓄電コンデンサの容量が低下した場合にも、一回の点灯で要求されるエネルギーを確保することができる。これにより、コンデンサ容量低下状態においても半導体ウェハー上のテープ又は塗料の硬化を充分に行うことができ、歩留まりを向上することができる。報知手段70は、容量低下量が所定値以上である場合に蓄電コンデンサ34の交換を促すための情報をユーザに報知する。本実施例では、昇圧設定値が少なくとも1ステップ上昇された場合に、CPU63は報知手段70に報知動作を行うように指示する。報知手段70は、ランプ、液晶表示等の視覚的表示であってもよいし、ブザー、音声案内等の音声出力であってもよいし、それらの組合せであってもよい。なお、図面においては制御部60から報知手段70への信号は有線で示してあるが、無線通信によって行うようにしてもよい。報知手段70が昇圧設定値の上昇幅に応じて報知態様を変化させるようにしてもよい。例えば、報知手段70がランプからなる場合、昇圧設定値の上昇幅又は上昇段数に応じてランプの発光色を変えるようにしてもよい。これにより、ユーザは蓄電コンデンサ34の交換時期がどの程度近くに迫っているかを具体的に把握することができる。また、ユーザが入出力インターフェイス65から諸設定を入力する構成の場合、上記報知動作と併せて、又は上記報知動作とは別に、入出力インターフェイス65からユーザが点灯タイミング等の設定値を入力する際に、コンデンサ容量が低下したことを示す警告を入出力インターフェイス65に出力するようにしてもよい。あるいは、コンデンサ容量が所定値以下となった場合には入出力インターフェイス65がユーザ入力を受け付けないようにしてもよい。また、CPU63が容量低下量本実施例では昇圧設定値に基づいて暫定的な点灯可能回数を算出し、報知手段70がその暫定的な点灯可能回数を表示するようにしてもよい。またさらに、CPU63が昇圧設定値の上昇後の点灯回数をカウントし、暫定的な点灯回数から上昇後の点灯回数を減算して残存点灯可能回数を決定し、報知手段70がその残存点灯可能回数を報知するようにしてもよい。これにより、ユーザは蓄電コンデンサ34を最大限長く使用することができる。また、ユーザは製造計画に合わせて、蓄電コンデンサ34を最大限長く使用しつつも区切りの良いところで蓄電コンデンサ34を交換することができる。また逆に、ユーザは残存点灯可能回数に合わせて製造工程を決定することができる。図3は本発明の光照射器を示すものであり、上段が上面図、下段が側面図である。光照射器は、ランプを内包する照射器301、ランプ300ランプ100に対応するものとする、反射板302、及びダクト303を備える。照射対象となる半導体ウェハー等の基板304がランプ324及び反射鏡302に対して対向配置される。また、上述のイグナイタ回路40からの高圧パルスが減衰しないように、ランプ300に付されるトリガワイヤとイグナイタ回路40との間の配線は短い方が好ましい。従って、照射器301にイグナイタ回路40が設けられるものとする。反射板302はランプからの放電光を被照射物に対して効率よく反射させるためのものであり、ダクト303はランプを冷却空冷するための吸気用又は排気用のダクトである。上述した充電制御を行う点灯装置を光照射器に導入することにより、一回の点灯で放出される照射エネルギーを安定的に確保することができる。これにより、蓄電容量低下にかかわらず、光照射器内の半導体ウェハーの処理を安定的に行うことができ、製造の歩留まりを向上することができる。<設計例>以下に、具体的な設計例を示す。各設計例における前提は以下の通りである。蓄電コンデンサ34の容量を50μFとする。充電電圧として3200V~3600Vが設定可能であるものとする。タクトタイムライン搬送との関係により、照射可能な時間は2秒である。昇圧回路20の能力から、ランプ100の点灯可能レートは5pps1回の照射について、10回点灯/2秒であるものとする。充電開始から充電完了までの充電時間の変化率と蓄電コンデンサ容量の変化率はほぼ等しい例えば、コンデンサ容量が5低下すれば、充電時間は5短くなるものとする。<設計例1>本設計例では、テープ又は塗料の硬化に要する積算エネルギーは240J×10回=2400Jである。初期昇圧設定値は3200Vであり、1回の放電エネルギーはE=1/2×50μF×3200V2=256Jである240Jに対してマージンをもたせている。なお、コンデンサ容量の低下量ΔCが5の場合でも1回の放電エネルギーE=256J×0.95=243.2Jであるので、ΔCが5となるまでは必要積算エネルギー2400Jを確保できることになる。図4は本設計例における充電サイクルを説明する図である。ここで、容量低下量ΔCが0であれば、3200Vを充電するのに要する充電時間は180msとなる。従って、蓄電コンデンサ34が新品の場合、制御部60では、t0においてCPU63から充電開始信号が出力されると、t1=180msにおいて充電完了検出手段66から充電完了信号が出力される。そして、その20ms後に点灯指令がイグナイタ回路40に出力されてランプ100が閃光点灯される。図5に示すように、△Cが5の場合には、充電時間は171mst1 ́となる。制御部60の容量低下検出手段67は、充電時間が171ms以下になったこと、即ち、ΔCが5以上となったことを検出すると容量低下信号を出力する。昇圧設定手段68は容量低下信号を受けて昇圧設定値を3200Vから3300Vに上昇させ、補償モードに入る。補償モードΔC=5、昇圧設定値3300Vの場合、1回の放電エネルギーE=1/2×50μF×0.95×3300V2=258.6Jとなり、これは初期状態ΔC=0、昇圧設定値3200Vの256Jとほぼ同じ値であるので、問題なく照射工程を実行することができる。報知手段70は、容量低下量が所定値以上となったこと、即ち、昇圧設定値が1段階上昇されて3300Vになったことを受けて、動作が補償モードに入ったことをユーザに報知する。この報知は、単に動作が補償モードに入ったことのみを、例えば、ランプの点灯又は点滅によって報知してもよいし、昇圧設定値が3300Vであることを数値表示するようにしてもよい。これにより、ユーザに対して早期に蓄電コンデンサ34を新しいものと交換するように促すことができる。<設計例2>本設計例では、テープ又は塗料の硬化に要する積算エネルギーは270J×10回=2700Jである。初期昇圧設定値は3400Vであり、1回の放電エネルギーはE=1/2×50μF×3400V2=289Jである270Jに対してマージンをもたせている。なお、コンデンサ容量の低下量ΔCが5の場合でも1回の放電エネルギーE=289J×0.95=274.6Jであるので、ΔCが5となるまでは必要積算エネルギー2700Jを確保できることになる。ここで、容量低下量ΔCが0の場合には3400Vを充電するのに要する充電時間は191msであるのに対し、△Cが5の場合には182msとなる。制御部60の容量低下検出手段67は、充電時間が182ms以下になったこと、即ち、ΔCが5以上となったことを検出すると容量低下信号を出力する。昇圧設定手段68は容量低下信号を受けて昇圧設定値を3400Vから3500Vに上昇させ、補償モードに入る。補償モードΔC=5、昇圧設定値3500Vの場合、1回の放電エネルギーE=1/2×50μF×0.95×3500V2=290.9Jとなり、これは初期状態ΔC=0、昇圧設定値3400Vの289Jとほぼ同じ値であるので、問題なく照射工程を実行することができる。設計例1と同様に、報知手段70は、昇圧設定値が1段階上昇されて3500Vになったことを受けて、動作が補償モードに入ったことをユーザに報知する。この報知は、単に動作が補償モードに入ったことのみを報知してもよいし、昇圧設定値が3500Vであることを数値表示するようにしてもよい。これにより、ユーザに対して早期に蓄電コンデンサ34を新しいものと交換するように促すことができる。<設計例3>本設計例では、テープ又は塗料の硬化に要する積算エネルギーは290J×10回=2900Jである。初期昇圧設定値は3500Vであり、1回の放電エネルギーはE=1/2×50μF×3500V2=306.3Jである290Jに対してマージンをもたせている。なお、コンデンサ容量の低下量ΔCが5の場合でも1回の放電エネルギーE=306.3J×0.95=291.0Jであるので、ΔCが5となるまでは必要積算エネルギー2900Jを確保できることになる。ここで、容量低下量ΔCが0の場合には3500Vを充電するのに要する充電時間は197msであるのに対し、△Cが5の場合には187msとなる。制御部60の容量低下検出手段67は、充電時間が187ms以下になったこと、即ち、ΔCが5以上となったことを検出すると容量低下信号を出力する。昇圧設定手段68は容量低下信号を受けて昇圧設定値を3500Vから3600Vに上昇させ、補償モードに入る。補償モードΔC=5、昇圧設定値3600Vの場合、1回の放電エネルギーE=1/2×50μF×0.95×3600V2=307.8Jとなり、これは初期状態ΔC=0、昇圧設定値3500Vの306.3Jとほぼ同じ値であるので、問題なく照射工程を実行することができる。設計例1又は2と同様に、報知手段70は、昇圧設定値が3600Vになったことを受けて、動作が補償モードに入ったこと、又はこれと併せてこの昇圧設定値が上限であることをユーザに報知する。この報知は、単に動作が補償モードに入ったことのみを報知してもよいし、昇圧設定値が上限値であることを表示するようにしてもよいし、コンデンサ交換を促すメッセージを表示するようにしてもよい。これにより、ユーザに対して早期に蓄電コンデンサ34を新しいものと交換するように促すことができる。なお、上記設計例1乃至3においては、容量低下の検出閾値及び昇圧設定値の上昇ステップを1段としたが、複数段としてもよい。例えば、m段の昇圧設定値がある場合、充電時間がk段目1≦k≦m-1の昇圧設定値における初期充電時間の所定割合例えば95となった場合に昇圧設定値をk1段目に上昇させる構成としてもよい。そして、充電時間がm段目の昇圧設定値における初期充電時間の所定割合例えば95となった場合に、点灯装置の動作を停止させる構成としてもよい。具体的には、設計例1において、図6に示すように3200V~3600Vの5段の昇圧設定値が設けられる場合に、充電時間が1段目の昇圧設定値3200Vにおける初期充電時間の95ΔC=5となった時点T1に昇圧設定値を2段目3300Vに上昇させ、充電時間が2段目の昇圧設定値3300Vにおける初期充電時間の95ΔC=5となった時点T2に昇圧設定値を3段目3400Vに上昇させ、これを繰り返して充電時間が5段目の昇圧設定値3600Vにおける初期充電時間の95ΔC=5となった時点T5に、CPU63がドライバ61を停止させる構成としてもよい。また、報知手段70が昇圧設定値に応じて報知態様を変化させる構成としてもよい。なお、昇圧設定値を変更するための閾値となるΔCの設定は常に5でなくてもよく、昇圧設定値が上昇する毎に増加させるようにしてもよいし、減少させるようにしてもよい。図7に上述の動作をまとめたフローチャートを示す。なお、ステップS05より前に、メモリ64には点灯サイクル、必要点灯回数N、初期昇圧設定値V1等の情報が入力されているものとする。ステップS05において、CPU63がメモリ64から、昇圧設定値V=V1、必要点灯回数カウンタn=Nを読み出す。ステップS10において、CPU63が充電開始信号を出力する。ステップS11において、ドライバ61が昇圧回路20を動作させ、昇圧動作を行う。ステップS12において、充電電圧検出手段66が、電圧入力手段62からの検出電圧が昇圧設定値Vに到達したか否かを検出し、処理は、Yesの場合にはステップS15に進み、Noの場合にはステップS11に戻る。ステップS15において、充電電圧検出手段66が充電完了信号を出力する。ステップS20において、容量低下検出手段67が、充電開始信号が出力されてから充電完了信号が出力されるまでの時間を算出し、この充電時間と閾値とを比較する。充電時間が閾値以下となった場合Yesの場合には、処理はステップS25に進み、それ以外の場合Noの場合には、処理はステップS40に進む。なお、上記閾値は昇圧設定値毎に異なる値あってもよいし、昇圧設定値にかかわらず同じものであってもよい。ステップS25において、容量低下検出手段67が容量低下信号を出力する。ステップS30において、CPU63は昇圧設定値Vが上限値例えば、3600Vに達しているか否かを判断する。処理は、昇圧設定値が上限値である場合Yesの場合にはステップS31に進み、上限値でない場合Noの場合にはステップS32に進む。ステップS31では、CPU63は停止信号を出力してドライバ61の動作を停止させ、カウンタをn=1とし即ち、充電済みのエネルギーを放電することにより1回だけ点灯させて終了するための設定を行い、処理はステップS40に進む。ステップS32では、昇圧設定手段68が昇圧設定値Vを上昇させる。例えば上記設計例1においては、V=V1=3200Vである場合、昇圧設定値はV1=3200VからV2=3300Vに上昇される。ステップS35において、CPU63は蓄電容量が低下したことに基づく情報例えば、昇圧設定値が少なくとも1段上昇されたこと、補償モードに入ったこと等を報知手段70に報知させる。この報知は一度開始されるとその状態がその後継続するようにしてもよい。ステップS40において、充電電圧検出手段66がイグナイタ回路40に点灯指令を出力し、ランプ100を点灯させる。ステップS45において、CPU63はカウンタ値をn=n-1として、ステップS46においてカウンタ値n=0であれば処理は終了し、それ以外の場合には処理はステップS10に戻る。以上に説明した実施例によると、蓄電コンデンサの容量低下を正確に検出し、容量低下に応じて適切な充電制御を行うことができる閃光放電ランプ点灯装置及び光照射器を提供することができる。なお、上記実施例は本発明の最も好適な例として示したものであるが、以下を注記しておく。例えば、上記実施例では昇圧回路20にフルブリッジ回路及び昇圧トランスからなる構成を用いたが、必要な充電電圧まで昇圧することができれば昇圧チョッパ回路等の他の構成を適用してもよい。また、上記実施例では、蓄電素子としてフィルムコンデンサからなる蓄電コンデンサ34を用いたが、バッテリー、電気二重層コンデンサ等、他の蓄電素子を用いることもできる。また、本発明の点灯装置及び照射装置は半導体チップの製造工程におけるテープ又は塗料の硬化の用途だけでなく、DVDの貼り合せ工程における接着剤工程等にも適用できる。