"表面に多数の微細凹凸を有した半導体基板に対し液状の塗布剤を塗布し乾燥して上記表面を塗布剤で覆う際、液状の塗布剤の塗布後に基板の塗布面を下向きにした状態を保持したまま乾燥することを特徴とする塗布膜形成方法。基板の塗布面とは反対面側から加熱することを特徴とする請求項1記載の塗布膜形成方法。基板が太陽電池用基板であり、多数の微細凹凸がテクスチャであり、液状の塗布剤が拡散剤である請求項1又は2記載の塗布膜形成方法。テクスチャが形成された太陽電池用基板に請求項3記載の塗布膜形成方法により拡散剤を塗布する工程を含む太陽電池の製造方法。請求項4記載の製造方法によって作製された太陽電池。基板保持部と液状塗布剤の吐出部を有し、該吐出部の吐出ノズルが基板保持部の下側に配置され、かつ塗布された塗布剤の乾燥部を基板塗布面と反対面側に有することを特徴とする塗布膜形成装置。本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、表面に微細なピラミット状突起が形成された太陽電池用基板に対し塗布剤がテクスチャ頂点を含め基板を均一に覆うことを可能にするなど、液状塗布剤を多数の微小凹凸を有する半導体基板に可及的均一に塗布することができる塗布膜形成方法及び形成装置並びに太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とするものである。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、塗布剤のスピン塗布後、塗布面を下向きにした状態を保持したまま乾燥を行うことが有効であり、この方法により、塗布剤が自重によりテクスチャの頂点部分まで伝わり、太陽電池用基板に対し面内均一な塗布膜を形成することが可能となることを見出したものである。従って、本発明は、下記の塗布膜形成方法及び装置並びに太陽電池及びその製造方法を提供する。即ち、本発明は、表面に多数の微細凹凸を有した半導体基板に対し液状の塗布剤を塗布し乾燥して上記表面を塗布剤で覆う際、液状の塗布剤の塗布後に基板の塗布面を下向きにした状態を保持したまま乾燥することを特徴とする塗布膜形成方法を提供する。塗布剤のスピン塗布後、塗布面を下向きにした状態を保持したまま乾燥することにより、塗布剤が自重により凹凸面を伝わり、基板を塗布剤で覆うことが可能となる請求項1。この場合、基板の塗布面とは反対面側から加熱することが好ましい。塗布面とは逆の面に対して送風し乾燥することで、塗布剤が自重でテクスチャの頂上まで移動することを送風が妨げないため、面内均一塗布することができる請求項2。ここで、本発明は、基板が太陽電池用基板であり、多数の微細凹凸がテクスチャであり、液状の塗布剤が拡散剤である塗布膜形成方法請求項3、及びかかる塗布膜形成方法によるテクスチャが形成された太陽電池用基板に拡散剤を塗布する工程を含む太陽電池の製造方法請求項4、更にかかる製造方法によって作製された太陽電池請求項5を提供する。また、本発明は、基板保持部と液状塗布剤の吐出部を有し、該吐出部の吐出ノズルが基板保持部の下側に配置され、かつ塗布された塗布剤の乾燥部を基板塗布面と反対面側に有することを特徴とする塗布膜形成装置請求項6を提供する。かかる装置を用いてスピン塗布を行うことで、上記目的が有効に達成される。本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置を用いることで、表面に凹凸を有した基板に対し面内均一な塗布膜を形成することができ、太陽電池製造工程への利用が有効である。拡散剤を塗布する場合に用いれば、テクスチャ頂点を含め基板を塗布剤で覆うことができるため形状因子が改善するだけでなく、汚染物質の混入量も低減し短絡電流及び開放電圧も改善し、変換効率が向上する。本発明の塗布膜形成方法を図3をもとに説明する。スピン塗布には回転用モーターと真空ポンプと連結した空孔を有した基板保持部を持ち、拡散剤塗布剤吐出ノズルが基板上部に配置された図5に示す一般的なスピンコーターを用いる場合、図4に示したように、スピン塗布後、塗布面を上向きに保持したまま乾燥する通常の塗布膜形成方法では、太陽電池基板1上にスピン塗布された塗布剤は、スピン塗布後自重によりテクスチャ6の凹部6aに溜ってしまい、テクスチャ頂点が塗布剤で覆われない。これに対し、図3に示す本発明のように、塗布剤スピン塗布後、塗布面を下向きにした状態[図3a]を保持して乾燥させると、塗布剤7は自重によりテクスチャ頂点6bまで伝わり、図3bのように太陽電池用基板1のテクスチャ6全面を塗布剤7で覆うことが可能となる。塗布剤の乾燥には、塗布面とは逆の面側に配置した送風乾燥機8を用いて乾燥を実施する。これにより、送風が塗布剤の自重による移動を阻害しない。塗布面を下向きにしても、基板と塗布剤には表面張力が働くため、塗布剤の全てが下方向に移動するわけではなく、一部はテクスチャの凹部に留まる。これにより表面に膜厚が均一な塗布剤7が形成される。また、本発明の塗布膜形成方法は以下のような塗布膜形成装置を用いることによって具現化することができる。図5をもとにその一例を具体的に記述する。本発明の塗布膜形成装置は、基板保持部と、塗布剤吐出部を有し、塗布剤吐出ノズルが基板保持部下側に配置された塗布膜形成装置であって、基板の上方に乾燥部を有した構成をとる。図5において、11は上端が開放した椀状の塗布膜形成装置スピンコーター本体で、その上端開放部を覆って逆椀状の蓋体12が装着され、上記本体11内に基板1を固定するステージ13が配設されている。このステージ13は蓋体12の外側に配置されたモーター14の上記蓋体12を貫通する回転軸15と連結され、モーター14の駆動により回転する回転軸15と一体に高速回転し、このステージ13に保持された基板1が回転されるようになっている。ステージ13は数~数十個の空孔を有し、図示していないが真空ポンプ等を用いて真空吸着することで基板を保持する。毎分100~10,000回転程度で高速回転することで、塗布剤を基板全面に展開する役割を果たす。ステージ13及びモーター14は、本体蓋体12と連結されていても構わない。塗布剤吐出部は、塗布剤吐出ノズル16、塗布剤供給ポンプ17、及びこれらを連結する配管18から構成される。上記ノズル16は、上記ステージ13の下方に配置され、本体11の外側に配置されたポンプ17に一端が連結された配管18の本体1を貫通して本体1内に突出する他端部と連結されている。塗布剤吐出ノズル16は、先端が0.1~数mmの大きさに開口されており、塗布剤を基板の第一主表面に吐出する。塗布剤供給ポンプ17は、基板1とノズル16の間隔分以上の水頭を塗布剤に与え、塗布剤を基板に到達させ付着させる役割を果たす。なお、ノズル16は本体11と連結されていても構わない。塗布剤供給ポンプ17は塗布剤供給タンク19と配管18で連結しておき、塗布剤供給タンク19には塗布剤を追加で供給できるようにしておく。乾燥部は送風乾燥機20を備え、例えば蓋体12上に配置する。乾燥部からは温風が送風され、塗布膜21は乾燥される。送風乾燥機20は塗布面に直接温風が当たらないよう風除け板等を別途導入すれば蓋体12及び本体11上のどこに設置しても構わない。塗布剤吐出部が基板面の鉛直上方に配置された図6の従来の一般的なスピンコーターで本発明の塗布膜を形成する場合、スピン塗布後、塗布面を下向きに反転させる動作が別途必要となり反転用器具等が必要になる。しかし、図4記載の本発明の塗布膜形成装置を用いれば反転動作が不要なため、より簡易に目的の塗布膜を形成することが可能となる。また、本発明の塗布膜形成装置は、塗布剤吐出部を基板保持部よりも鉛直下側に配置することで、余剰塗布剤は反対面に回り込む前に遠心力で飛散するため、塗布剤が塗布される第一主表面と反対面の第二主表面への回りこみを防止できる。本発明の塗布膜形成方法は太陽電池の作製において有効に利用できる。本発明の塗布膜形成方法を用いた太陽電池の作製方法の一例を図7をもとに以下に述べる。但し、本発明の利用はこの方法で作製された太陽電池に限られるものではない。高純度シリコンにホウ素あるいはガリウムのようなIII族元素をドープし、比抵抗0.1~5Ωcmとしたアズカット単結晶{100}P型シリコン基板31を用意し[図7a]、この基板31の表面のスライスダメージを濃度5~60質量の水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのような高濃度のアルカリ、もしくは、ふっ酸と硝酸の混酸等を用いてエッチングする。単結晶シリコン基板は、CZ法、FZ法のいずれの方法によって作製されてもよい。引き続き、基板31表面に図示はしていないが、ランダムピラミット構造を有するテクスチャの形成を行う。テクスチャは太陽電池の反射率を低下させるための有効な方法である。テクスチャは、加熱した水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ溶液濃度1~10質量、温度60~100°C中に10~30分程度浸漬することで形成される。上記溶液中に、所定量の2-プロパノールを溶解させ、反応を促進させることが多い。テクスチャ形成後、塩酸、硫酸、硝酸、ふっ酸等、もしくはこれらの混合液の酸性水溶液中で洗浄する。経済的及び効率的見地から、塩酸中での洗浄が好ましい。清浄度を向上するため、塩酸溶液中に、0.5~5質量の過酸化水素を混合させ、60~90°Cに加温して洗浄してもよい。このようにして用意した基板31に対し、拡散剤塗布剤を塗布する際、本発明の塗布膜形成方法が利用できる。即ち、上記基板31の一方の面上に、リンを含有させた0.5~5ミリリットルの塗布剤を、毎分1,000~5,000回転の速度でスピンコーターを用いて塗布する。その後、従来のスピンコーターを用いた場合は、塗布面とは逆の面を真空ピンセット等を用いて塗布面を下向きにし、図5に示す本発明に係るスピンコーター塗布膜形成装置を用いた場合は、この状態を保持したまま乾燥を実施する。温風送風により乾燥を行う際には、送風を塗布面とは反対側の面に対して行う。これにより、送風が塗布剤の自重による移動を阻害しない。なお、塗布面を下向きに保持したままであれば、50~80°Cに保たれたオーブン内で数秒保持して乾燥を行っても何ら問題ない。なお、これら拡散剤塗布一連の工程は図5の塗布膜形成装置を用いることで容易に行うことができる。この基板を800~1,000°Cの温度雰囲気中で熱処理してリンを基板中に拡散させ、基板31の表面近傍にのみ薄いn型層拡散層32を形成する[図7b]。本発明の塗布膜形成方法は、テクスチャ基板面に対し均一な塗布膜を形成することができるため、面内均一な拡散層が形成され、部分的なシート抵抗値の増大が起こらず、太陽電池を形成した際に変換効率の低下が生じない。また、均一な塗布膜形成により基板露出部が低減し、重金属等の汚染物質の混入を防止することができ、太陽電池特性の向上に寄与する。拡散工程の後、表面に形成したリンガラスを数~数十のふっ酸等で除去後、受光面の反射防止膜33の形成を行う[図7c]。製膜にはプラズマCVD装置を用いSiNx膜を約100nm製膜する。反応ガスとして、モノシランSiH4及びアンモニアNH3を混合して用いることが多いが、NH3の代わりに窒素を用いることも可能であり、また、プロセス圧力の調整、反応ガスの希釈、更には、基板に多結晶シリコンを用いた場合には基板のバルクパッシベーション効果を促進するため、反応ガスに水素を混合することもある。次に、裏面のほぼ全面に、アルミニウム粉末を有機物バインダで混合したペーストを、スクリーン印刷法等で印刷し、アルミニウムAl層34を製膜する[図7d]。印刷後、5~30分間,700~850°Cの温度で焼成して裏面電極が形成される。裏面電極形成は製造コスト観点からは印刷法によるほうが好ましいが、蒸着法、スパッタ法等で作製することも可能である。受光面電極35も蒸着法、スパッタ法、スクリーン印刷法のいずれかの方法で形成される[図7e]。スクリーン印刷法の場合は、銀Ag粉末とガラスフリットを有機物バインダと混合した銀ペーストをスクリーン印刷した後、熱処理によりSiNx膜に銀粉末を貫通させファイアースルー、電極とシリコンを導通させる。なお、工数の削減という観点から、裏面電極及び受光面電極35の焼成は一度に行うことも可能であり、望ましい。このように作製された太陽電池は、上述のように、テクスチャ基板面に対し均一な塗布膜を形成することができるため、部分的なシート抵抗値の増大に伴う変換効率の低下が生じない。更に、基板露出部低減に伴い、重金属汚染を防ぐことができ、変換効率は更に向上する。以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。本発明の有効性を確認するため、図5に示す塗布膜形成装置を用いて実際に太陽電池を作製し、太陽電池特性の比較を行った。比較例として、図6に示す通常の塗布膜形成装置を用いた太陽電池も作製した。厚さ250μm、比抵抗1Ωcmの、ホウ素ドープ{100}P型アズカットシリコン基板18枚に対し、熱濃水酸化カリウム水溶液によりダメージ層を除去後、水酸化カリウム/2-プロパノール水溶液中に浸漬してテクスチャ形成を行い、引き続き塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。次に、燐酸を拡散源とする拡散剤を、それぞれのスピンコーターを用い、各9枚ずつ塗布した。条件を等しくするため、塗布量は基板1枚あたり5ミリリットル、毎秒3,000回転で10秒間処理を行った。本発明の塗布膜形成装置を用いると、テクスチャ頂点は塗布剤で覆われ、基板露出部が激減することがSEMによって観察された。この基板を870°Cで熱処理し、エミッタ層を形成した。拡散後、ふっ酸にてガラスを除去し、洗浄、乾燥させた。以上の処理の後、プラズマCVD装置を用いてSiNx膜を受光面反射防止膜として全試料に対し形成した。次に、全試料に対し、裏面電極としてアルミニウムペーストを裏面全面にスクリーン印刷し乾燥した。次いで、受光面の第一電極層として銀ペーストをスクリーン印刷後、乾燥した。最後に780°Cの空気雰囲気下で焼成し、太陽電池を作製した。作製された太陽電池を25°C、100mW/cm2、スペクトルAM1.5グローバルの擬似太陽光照射時の電気特性測定結果9枚の平均値を表1に示す。本発明の塗布膜形成装置を用いることで、リン拡散剤を均一に基板に塗布することができ、内部並列抵抗の改善により形状因子が大幅に改善した。また、同時に、拡散剤によって基板露出部が激減し汚染物質の混入量が低減したことで、バルクライフタイムが改善され短絡電流及び開放電圧も向上して、変換効率が向上した。"