"金属箔と、前記金属箔上に直接設けられるグラフェン層とを備える電極箔。前記金属箔が、銅箔である、請求項1に記載の電極箔。有機デバイス素子の電極として用いられる、請求項1又は2に記載の電極箔。有機太陽電池の電極として用いられる、請求項1又は2に記載の電極箔。前記金属箔の前記グラフェン層側の表面が、JISB0601-2001に準拠して測定される、3nm以下の算術平均粗さRaを有する超平坦面である、請求項1~4のいずれか一項に記載の電極箔。前記金属箔の前記グラフェン層側の表面が、JISB0601-2001に準拠して測定される、1.5nm以下の算術平均粗さRaを有する超平坦面である、請求項1~4のいずれか一項に記載の電極箔。前記金属箔が、1~100μmの厚さを有する、請求項1~6のいずれか一項に記載の電極箔。前記グラフェン層は、5層以下のグラフェンの積層からなる、請求項1~7のいずれか一項に記載の電極箔。前記グラフェン層の表面が、JISB0601-2001に準拠して測定される、3nm以下の算術平均粗さRaを有する超平坦面である、請求項1~8のいずれか一項に記載の電極箔。請求項1~9のいずれか一項に記載の電極箔と、前記グラフェン層に直接設けられる、有機EL層および/または有機太陽電池活性層からなる有機半導体層と、前記有機半導体層上に設けられる、透明又は半透明の対向電極と、を備えた、有機EL素子および/または有機太陽電池である、有機デバイス。前記有機半導体層が、50~1000nmの厚さを有する、請求項10に記載の有機デバイス。請求項10又は11に記載の有機デバイスを備えてなる、有機太陽電池。電極箔図1に本発明による電極箔の一例の模式断面図を示す。図1に示される電極箔10は、金属箔12と、金属箔12上に直接設けられるグラフェン層13とを備えてなる。本発明者の知るかぎり、上記のような金属箔12およびグラフェン層13を備える電極箔10を、有機太陽電池等の有機デバイス素子の電極そのものとして用いるという試みは今までなされていなかった。というのも、触媒金属としての金属箔上にグラフェンを成長させることは従来知られていたが、非特許文献1に開示されるように、グラフェン単膜を電極に使用すべく、金属箔は最終的に溶解により除去されなければならないと信じられてきたからである。すなわち、従来、金属箔はグラフェンを成長させるための触媒金属として位置付けられており、グラフェンを担持するための支持基材としての使用、さらにはそれを電極および場合によっては反射層としても同時に使用しようとするいかなる試みも本発明者の知るかぎり今までなされていなかった。この点、本発明による電極箔10は、支持基材、電極および所望により反射層としての機能を兼ね備え、かつ、フレキシブル、軽量、薄型の有機太陽電池等の有機デバイス素子に有用な電極となることができる。また、電極を形成する際、グラフェンのみを剥離もしくは分離する必要がないため、グラフェンにダメージが入ることを避け、ひいてはグラフェンの電気特性が悪化することを避けることができる。金属箔12は、支持基材としての強度、電極として必要な電気的特性、反射層として許容可能な光反射特性を有し、さらに、グラフェン層13の形成の際に触媒として作用する箔状金属材料であれば特に限定されない。好ましい金属箔12は、ニッケル箔、鉄箔、および銅箔である。より好ましい金属箔12は銅箔である。銅箔は比較的安価でありながら、強度、フレキシブル性、耐湿性、耐酸素透過性および電気的特性に優れ、加えて、グラフェン層13の形成の際に、他の金属と比べてグラファイトが生成されにくいという好ましい特性を有する。さらに、銅箔は、長波長の光の反射率が高く、反射膜、特に太陽電池の反射膜として好ましい特性を有する。本発明の好ましい態様によれば、グラフェン層13が設けられる金属箔12の表面12aは、JISB0601-2001に準拠して測定される、3.0nm以下、好ましくは2.0nm以下、より好ましくは1.5nm以下の算術平均粗さRaを有する超平坦面である。算術平均粗さRaの下限は特に限定されずゼロであってもよいが、平坦化処理の効率を考慮すると0.5nmが下限値の目安として挙げられる。この算術平均粗さRaは、JISB0601-2001に準拠して市販の粗さ測定装置を用いて測定することができる。なお、グラフェン層13が全面にわたって積層されてしまい、金属箔12の露出部分が無い場合は、電極箔10の表面からFIBFocusedIonBeam加工にて断面を作製し、その断面を透過型電子顕微鏡TEMにて観察することにより、金属箔12の表面12aの算術平均粗さRaを評価することができる。本発明者の知るかぎり、このような超平坦表面を有する金属箔特に銅箔は今まで工業的に製造されていなかった。また、表面を平坦化した銅箔は市販されているが、銅箔の平坦化レベルはグラフェン層を形成するための表面としては不十分なものであり、このような銅箔の上にグラフェンを成長させると、結晶連続性が悪くなることから、高い伝導性を有するグラフェンを得ることができない。さらに、このような銅箔の上にグラフェンを成長させ、その上に、例えば有機太陽電池等として直接有機半導体を塗布もしくは蒸着すると、銅箔の表面の凹凸により短絡を起こしてしまい、発電できないおそれがある。これに対し、本発明の好ましい態様によれば、触媒となる金属箔12上にグラフェン層13を設けるだけでなく、さらに、上述のごとく極めて小さな算術平均粗さRaを有する金属箔12の超平坦面12a上にグラフェン層13を設けることにより、結晶連続性の高い、均一なグラフェンを得ることができ、それによりグラフェンの利点を生かした好ましい電極を得ることができる。さらに、グラフェン層13の形成の際に熱処理が行われても、超平坦の金属箔表面が維持されるため、その上のグラフェンの結晶の連続性が悪化することを避けることができる。また、有機太陽電池等の電極として用いても対向電極等との間で起こりうる短絡を効果的に防止できる。このような超平坦面12aは、CMPChemicalMechanicalPolishing処理により金属箔を研磨することにより実現することができる。CMP処理は、公知の研磨液および公知の研磨パッドを用いて、公知の条件に従って行うことができる。好ましい研磨液としては、セリア、シリカ、アルミナ、ジルコニア等から選択される1種以上の研磨砥粒約0.5~2重量程度を含んでなり、かつ、ベンゾトリアゾールBTA等の酸化剤と、さらに/または、キナルシン酸、キノリン酸、ニコチン酸等の有機錯体形成剤と、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤等の界面活性剤と、所望により防食剤とをさらに含むものが挙げられる。好ましい研磨パッドとしては、ウレタン製のパッドが挙げられる。研磨条件は、パッド回転速度、ワーク荷重、研磨液塗布流量等を適宜調整すればよく特に限定されないが、回転速度を20~1000rpmの範囲内に、ワーク荷重を100~500gf/cm2の範囲内に、研磨液塗布流量を20~200cc/min範囲内に調整するのが好ましい。超平坦面12aは、電解研磨法、バフ研磨法、薬液研磨法、およびこれらの組み合わせ等を用いて金属箔12を研磨することによっても実現することができる。薬液研磨法は、薬液、薬液温度、薬液浸漬時間等を適宜調整して行えばよく特に限定されないが、例えば、銅箔の薬液研磨は、2-アミノエタノールと塩化アンモニウムとの混合物を使用することにより行うことができる。薬液温度は室温が好ましく、浸漬法Dip法を用いるのが好ましい。また、薬液浸漬時間は、長くなると平坦性が悪化する傾向があるため、10~120秒間が好ましく、30~90秒間がより好ましい。薬液研磨後の金属箔12は流水により洗浄されるのが好ましい。このような平坦化処理によれば、Ra算術平均粗さRa12nm程度の表面をRa3.0nm以下の程度にまで平坦化することができる。超平坦面12aは、金属箔12の表面をブラストにより研磨する方法や、金属箔12の表面をレーザー、抵抗加熱、ランプ加熱等の手法により溶融させた後に急冷させる方法等によっても実現することもできる。また、金属箔12として、銅、ニッケルのようにメッキが可能な金属箔を用いた場合には、転写法を用いて超平坦面を実現することもできる。転写法は、公知の手法および公知の条件に基づいて行えばよい。例えば、電解研磨法およびバフ研磨法を用いて、SUS、チタン等の電極板の表面を算術平均粗さRaが3.0nm以下になるよう平坦化しておく。この平坦化された電極板の表面に金属箔12の材料をめっきし、所望の厚さに達した時点で金属箔12の材料を電極板より剥離する。こうして金属箔12の剥離面に電極板表面の平坦性を転写させることで、超平坦面を実現することができる。金属箔12の厚さは、フレキシブル性を損なうことなく、箔として単独でハンドリングが可能な厚さである限り特に限定されないが、1~100μm、好ましくは10~80μm、より好ましくは20~70μmである。このような厚さであれば、市販の裁断機を用いて簡単に切断することが可能である。また、金属箔12は、ガラス基板と異なり、割れ、欠け等の問題が無く、また、切断時のパーティクルが発生しづらい等の利点も有する。金属箔12は、四角形以外の形状、例えば、円形、三角形、多角形といった様々な形状とすることができ、しかも切断および溶接も可能なことから、切り貼りによりキュービック状やボール状といった立体的な形状の発電体もしくは発光体を作製することも可能である。この場合、金属箔12の切断部や溶接部には、有機半導体層を形成しないことが好ましい。超平坦面12aはアルカリ溶液で洗浄することが好ましい。そのようなアルカリ溶液としては、アンモニアを含有した溶液、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液等の公知のアルカリ溶液が使用可能である。好ましいアルカリ溶液はアンモニアを含有した溶液であり、より好ましくはアンモニアを含有した有機系アルカリ溶液、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドTMAH溶液である。TMAH溶液の好ましい濃度は0.1~3.0wtである。そのような洗浄の一例としては、0.4TMAH溶液を用いて23°Cで1分間の洗浄を行うことが挙げられる。このようなアルカリ溶液による洗浄と併せて、または、アルカリ溶液による洗浄の代わりに、UVUltraViolet処理を行っても同様の洗浄効果を得ることができる。さらに、銅箔等の場合、希硫酸等の酸性洗浄液を用いて、銅表面に形成されうる酸化物を除去することも可能である。酸洗浄の一例としては、希硫酸を用いて30秒間の洗浄を行うことが挙げられる。グラフェン層13の成膜前に、超平坦面12a上に存在するパーティクルを除去することが好ましい。有効なパーティクル除去の手法としては、超純水によるソニック洗浄法やドライアイスブラスト法等が挙げられるが、ドライアイスブラスト法がより効果的である。ドライアイスブラスト法は、高圧に圧縮した炭酸ガスを細いノズルから噴射させることにより、低温固化した炭酸を超平坦面12aに吹き付けてパーティクルを除去する方法である。このドライアイスブラスト法は、ウェット工程とは異なり、乾燥工程を省くことができ、また有機物の除去ができる等の利点を有する。ドライアイスブラスト法は、例えばドライアイススノーシステムエアウォーター社製等の市販の装置を用いて行うことができる。金属箔12の超平坦面12a上にはグラフェン層13が直接設けられる。グラフェン層13は、好ましくは5層以下、より好ましくは3層以下であり、さらに好ましくは1層のグラフェンからなる。グラフェンを金属箔12上に形成する方法は、μ波を利用したCVDChemicalVaperDepositionや、熱高温CVD、エタノール中で高電圧を印加する液層プラズマにより生成する方法等、種々の公知技術を使用することが出来る。例えば、金属箔12を1000°Cに加熱し、CH4/H2=25/10sccmの流量にて、0.5torrの圧力になるようにした状態で30分放置した後、0.1torrの圧力下の水素雰囲気中で10°C/secの速度で冷却を行うことにより、グラフェン層13を得ることができる。なお、グラフェン層13の形成の確認は、一般的にラマンスペクトルを測定することにより行う。詳細には、測定されるラマンスペクトルにおいて、2DバンドとGバンドの比が1以上になるものが望ましい。グラフェン層13の表面13aは、JISB0601-2001に準拠して測定される、3.0nm以下、好ましくは2.0nm以下、より好ましくは1.5nm以下の算術平均粗さRaを有する。前述のとおり、本発明の電極箔10においては超平坦な金属箔表面12a上に、5層以下のグラフェンからなる薄いグラフェン層13が形成されるため、グラフェン層13の表面13aにおいても算術平均粗さRaを小さくして高い平坦性を実現できる。これにより、過度な凹凸の発生に起因する有機半導体層間における短絡のリスクを低減することができる。本発明による電極箔10は、金属箔12をベースとしているため、支持基材を特に必要とすることなく、例えばロールトゥロールroll-to-rollプロセスによって効率的に製造することができる。本発明による電極箔10は、フレキシブル、軽量、薄型であることから、各種フレキシブル電子デバイス用特にフレキシブル発光または発電デバイスのアノードまたはカソードとして好ましく用いることができ、それにより電極として機能することができる。そのようなフレキシブル電子デバイスの例としては、有機EL素子、有機EL照明、有機ELディスプレイ、電子ペーパー、薄膜太陽電池、液晶ディスプレイ、無機EL素子、無機ELディスプレイ、LED照明、LEDディスプレイが挙げられるが、好ましくは有機EL素子、有機EL照明、有機ELディスプレイ、有機太陽電池、色素増感太陽電池であり、より好ましくはフレキシブル、軽量、薄型であることが求められている有機太陽電池、色素増感太陽電池である。すなわち、本発明による電極箔上に積層させる有機半導体層の種類を公知の技術に従い適宜選択することにより、有機デバイスを有機太陽電池および有機EL素子のいずれにも構成することが可能となる。また、同一電極上に発光素子および発電素子を同時に形成することも可能となり、それによって有機太陽電池の機能と有機EL素子の機能を併せ持った複合デバイスを作製することもできる。有機デバイス本発明による電極箔を電極として用いて、有機太陽電池等の有機デバイスを構築することができる。図2に、本発明の電極箔をアノードとして用いた有機太陽電池用有機デバイスの層構成の一例を示す。図2に示される有機デバイスは、金属箔22およびグラフェン層23を備えたアノード電極箔20と、グラフェン層23上に直接設けられる有機半導体層24と、有機半導体層24上に直接設けられる対向電極としてのカソード26とを備えてなる。有機半導体層24としては、有機太陽電池に使用される公知の種々の有機太陽電池活性層の構成が使用可能であり、所望により正孔輸送層、有機半導体層を、アノード電極箔20からカソード26に向かって順次備えてなることができる。正孔輸送層、有機半導体層としては、それぞれ公知の種々の構成ないし組成の層が適宜使用可能であり特に限定されるものではない。有機半導体層は、波長2000nm~250nm範囲の光を受光することで電位差が生じて、電流を流すものが好ましい。本発明の電極箔をアノードとして用いる有機太陽電池用有機デバイスの場合、例えば、グラフェン層上に、正孔輸送層PEDOT:PSS30nm、有機半導体層例えばPCBMフラーレン誘導体とP3HTポリ3-ヘキシルチオフェンの複合膜を順次積層させることができる。また、有機半導体層の厚さは、50nm以下であると電極間ショートが発生し易くなるばかりか、光の吸収が不十分となり発電効率が低下するため、50nm以上1000nm以下であり、好ましくは100nmから800nm、より好ましくは200nmから500nmである。また、有機半導体層24上に直接設けられる対向電極としてのカソード26は、光を透過する必要があるため、半透明金属層、透明酸化物層により形成することが好ましい。特に好ましいカソード26は、導電性酸化物膜からなるカソード層としての透明酸化物層に、マグネシウム系合金膜および/またはフッ化物膜からなるバッファ層としての半透過金属層を積層させた2層構造であり、抵抗の観点からも実用性が高い。この場合、カソード26の半透過金属層バッファ層側を有機半導体層24と接触させて用いることにより、高い光透過性と低い仕事関数がもたらされ、有機太陽電池の発電効率を向上することができる。最も好ましい例としては、IZOインジウム亜鉛酸化物からなる透明酸化物層カソード層とMg-Agからなる半透過金属層バッファ層が積層されてなるカソード構造体が挙げられる。また、カソード構造体は、2層以上の透明酸化物層および/または2層以上の半透過金属層を備えるものであってもよい。図3に、本発明の電極箔をアノードとして用いた有機太陽電池用有機デバイスの層構成の他の一例を示す。図3に示される有機デバイスにおいて、有機デバイスは、金属箔22を介して電源30に電気的に接続可能とされる。グラフェン層23上の、有機半導体層24と非接触の領域は層間絶縁膜29で被覆される。層間絶縁膜29としては、CVD成膜したSi系絶縁膜が、有機半導体層を劣化させる原因となる水分および酸素に対するバリア性が高いことから好ましく、より好ましくはSiN系絶縁膜である。さらに好ましい層間絶縁膜は、膜の内部応力が小さく、屈曲性に優れる点で、SiNO系絶縁膜である。また、ポリイミド等の樹脂を層間絶縁膜29として用いることも可能である。材料、プロセスコストを考慮すると、今後、耐湿性、密閉性が高い樹脂が開発された場合、樹脂系絶縁膜を用いることが好ましい。対向電極26の上には封止材32が設けられ、封止材32と対向電極26との間には封止用樹脂が充填されて封止膜34を形成することができる。封止材32としては、ガラスやフィルムを用いることができる。ガラスの場合は、封止膜34上に疎水性粘着テープを用いて直接接着することができる。フィルムの場合は、両面および端面をSi系絶縁膜で被覆して用いることが可能である。将来的にバリア性の高いフィルムが開発された場合には、被覆処理を行うことなく封止することが可能となり、量産性に優れたものになることが予想される。封止材32としては、フレキシブル性を付与する観点からはフィルムの方が望ましいが、厚さ20~100μmの非常に薄いガラスにフィルムを接着させた封止材を使用して所望の性能を得ることも可能である。さらに、封止膜34としては、樹脂、窒化ケイ素等を用いることができる。なお、電極箔20の裏面22bすなわちグラフェン層23が積層されている金属箔22の面の反対側の面には、使用形態に応じて補助的な基材不図示を適宜設置してもよい。この部分は、発光特性に影響を与えない為、材料選択の自由度は高い。例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリイミドPI、ポリカーボネートPC、ポリエーテルサルフォンPES、ポリエーテルニトリルPEN等の樹脂フィルムを使用すればフレキシブル性を損なうことが無いので最適といえる。また、有機半導体層24を公知の有機EL層で置き換えることにより、有機EL素子を構成することができる。有機半導体層24としては、有機EL素子に使用される公知の種々のEL層構成が使用可能であり、有機半導体層24として、所望により正孔注入層および/または正孔輸送層、発光層、ならびに所望により電子輸送層および/または電子注入層を、を順次積層させることができる。正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層としては、それぞれ公知の種々の構成ないし組成の層が適宜使用可能であり特に限定されるものではない。本発明を以下の実施例によってさらに具体的に説明する。例1:電極箔の作製金属箔として、厚さ64μmの市販の両面平坦電解銅箔三井金属鉱業社製DFFDualFlatFoilを用意した。銅箔表面の粗さを走査型プローブ顕微鏡Veeco社製、NanoScopeVを用いてJISB0601-2001に準拠して測定したところ、算術平均粗さRa:12.20nmであった。この測定は、10μm平方の範囲について、TappingModeAFMにて行った。この銅箔を、エムエーティー社製研磨機を用いたCMP処理に付した。このCMP処理は、XY溝付き研磨パットおよびコロイダルシリカ系研磨液を用いて、パッド回転数:30rpm、荷重:200gf/cm2、液供給量:100cc/分の条件で行った。こうしてCMP処理された銅箔表面の粗さを走査型プローブ顕微鏡Veeco社製、NanoScopeVを用いてJISB0601-2001に準拠して測定したところ、算術平均粗さRaは0.7nmであった。この測定は、10μm平方の範囲について、TappingModeAFMにて行った。CMP処理後の銅箔の厚さは48μmであった。CMP処理された銅箔の表面に、1層のグラフェンからなるグラフェン層を熱CVD法によりゴールドファーネス炉で成膜した。このゴールドファーネス炉は、金蒸着を行ったガラス管に覆われた直径200mmの石英管反応管を備え、ターボ分子ポンプ、メカニカルブースターポンプ、およびロータリーポンプに接続されている。ターボ分子ポンプにより石英管内を5×10-6torr以下まで真空に排気した。ターボ分子ポンプと炉の間のバルブを閉じ、銅箔を1000°Cに加熱した状態でCH4/H2=25/10sccmの流量にて、約0.5torrの圧力になるようにメカニカルブースターポンプと炉の間のバルブの調整を行った。この状態で30分間反応を行った後、10°C/秒の速度で冷却を行った。この冷却は、水素雰囲気下、約0.1torrの圧力で行った。例2:有機太陽電池用有機デバイスの作製例1で作製された電極箔をアノードとして用いて、図2および図3に示されるような構造の有機太陽電池用有機デバイスを作製した。まず、厚さ0.1mm、幅2mmおよび長さ10mmの薄ガラスを2mm間隔で、5cm平方の電極箔20の上に並べて、電極箔20上の受光部となるべき個所を覆った。この状態のまま、窒化ケイ素からなる層間絶縁膜29をプラズマCVD法により形成した。このプラズマCVDは、メカニカルブースターポンプMBPおよびロータリーポンプRPが接続されたプラズマCVD装置PD-2202L、サムコ社製を用い、成膜領域:直径8インチの有効領域、投入パワーRF:250W0.8W/cm2、到達真空度:<5×10-3Pa、スパッタリング圧力:80Pa、雰囲気:SiH4H2希釈10:NH3:N2=100:10:200sccm、基板温度:250°Cの条件で行った。その後、薄ガラスを電極箔22から除去した。次に、層間絶縁膜が形成された電極箔の表面を40~50°Cに加熱したイソプロピルアルコール溶液以下IPAで洗浄し、窒素ガス雰囲気下で乾燥させた。こうして洗浄された電極箔20上に、有機半導体層24、カソードとしての対向電極26、封止膜34および封止材32の積層を以下のとおり行った。まず、電極箔の表面に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホン酸PEDOT:PSS分散溶液1.3重量を5000rpmの回転速度でスピンコートにより塗布した。塗布された電極箔をホットプレート上にて180°Cで30分間乾燥させた。次に、シグマアルドリッチ社製のP3HTおよびPCBMを各々10mg/mlの割合でクロロベンゼン溶液に加え、25°C前後の環境下で24時間放置して完全に溶解させた。このP3HTおよびPCBMが溶解した混合クロロベンゼン溶液を1500rpmの回転速度で電極箔にスピンコートして、厚さ100nmの有機半導体層24を得た。得られた有機半導体層24の上に、カソード26として、厚さ10nmのMg-Ag半透過膜層Mg:Ag=1:9、および厚さ100nmのIZOIn-Zn-O透明酸化物層を成膜した。Ar等の不活性雰囲気にて150°Cで30分間焼成を行った後、厚さ300nmの窒化ケイ素パシベーション膜封止膜34、厚さ2000nmの有機接着層、および厚さ200μmの封止ガラス封止材32を順に積層した。なお、封止ガラス層の積層は両面テープで行った。この両面テープが接着層に相当する。こうして、図2および図3に示されるような構造の有機太陽電池用有機デバイスを得た。"