Alに、Al基準で、2.0~3.5wtのIn、0.2~0.5wtのSi、0.13~0.25wtのTiを添加してなることを特徴とする水反応性Al複合材料。Alに、Al基準で、2.0~3.5wtのIn、0.2~0.5wtのSi、及び0.13~0.25wtのTiを添加した材料を組成が均一になるように溶融し、この溶融材料を、基材表面に対して溶射して急冷凝固させることにより成膜することを特徴とする水反応性Al溶射膜の製造方法。請求項1記載の水反応性Al複合材料からなることを特徴とする水反応性Al溶射膜。請求項1記載の水反応性Al複合材料からなる水反応性Al溶射膜又は請求項2記載の方法により製造された水反応性Al溶射膜を表面に備えたことを特徴とする成膜装置の成膜室用構成部材。前記構成部材が、防着板、シャッター又はマスクであることを特徴とする請求項4記載の成膜室用構成部材。本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、水分の存在する雰囲気中で反応して溶解し得るIn、Si及びTiを添加したAl複合材料、このAl複合材料からなるAl溶射膜、このAl溶射膜の製造方法、及びこのAl溶射膜で覆われた成膜室用構成部材を提供することにある。本発明の水反応性Al複合材料は、Alに、Al基準で、2.0~3.5wt、好ましくは2.5~3.0wtのIn、0.2~0.5wtのSi、0.13~0.25wt、好ましくは0.15~0.25wt、さらに好ましくは0.17~0.23wtのTiを添加してなることを特徴とする。Al複合材料がこのような構成を有することにより、これらの材料から得られたAl溶射膜は、水分の存在する雰囲気中で容易に反応し水素を発生して溶解する。Inが2wt未満であるとAl溶射膜と水との反応性が低下する傾向があり、3.5wtを超えるとAl溶射膜と水との反応性が非常に高くなる傾向があり、大気中の水分と反応してしまい、Al溶射膜の取り扱いが難しくなる場合があると共に、In量が増すとコストが大となる。また、Siが0.2wt未満であるとAl溶射膜と水との反応性の制御効果が低下する傾向があり、0.5wtを超えるとAl溶射膜と水との反応性が低下しはじめる傾向があり、さらにSiが0.6wtを超えるとAl溶射膜と水との反応性そのものが低下する傾向がある。Tiが0.13wt未満であると、Al中の不純物の影響を受け、成膜プロセスからの熱履歴を経た後のAl溶射膜の溶解性が低下する傾向があり、0.25wtを超えると、Al複合材料中でのTiの偏析が大きくなる傾向があり、この材料を用いて溶射する場合に、溶射状態や得られたAl溶射膜の見た目の状態が悪化する要因となる。Ti添加量に関しては、Si添加量やCu等の不純物濃度を考慮すると、0.15wt以上が好ましく、0.17wt以上がさらに好ましく、また、Tiの偏析を考慮すると0.23wt以下が好ましい。本発明の水反応性Al溶射膜の製造方法は、Alに、Al基準で、2.0~3.5wt、好ましくは2.5~3.0wtのIn、0.2~0.5wtのSi、及び0.13~0.25wt、好ましくは0.15~0.25wt、さらに好ましくは0.17~0.23wtのTiを添加した材料を組成が均一になるように溶融し、この溶融材料を、基材表面に対して溶射して急冷凝固させることにより成膜することを特徴とする。本発明の水反応性Al溶射膜は、上記水反応性Al複合材料からなることを特徴とする。本発明の成膜装置の成膜室用構成部材は、表面に上記水反応性Al溶射膜を備えたことを特徴とする。上記構成部材は、防着板、シャッター又はマスクであることを特徴とする。本発明の水反応性Al複合材料からなるAl溶射膜は、簡単なプロセスで安いコストで容易に製造できる。このAl溶射膜はまた、250~300°C程度の成膜プロセスからの熱履歴を経た後でも、水分の存在する雰囲気中で反応して溶解し得る性質を持つと共に、所定量のSi及びTiの添加により、熱履歴を受ける前膜の形成時の初期反応性活性度溶解性をコントロールでき、また、熱履歴を受けた後のAl溶射膜の溶解性を維持できるという効果を奏する。また、本発明のAl溶射膜は、Siの添加により耐候性が向上すると共に、強度も向上するという効果を奏する。さらに、本発明のAl溶射膜は、水分の存在下で反応して水素を発生しながら効率的に溶解するので、この水反応性Al溶射膜で覆われた成膜室用構成部材例えば、防着板、シャッター及びマスク等を備えた成膜装置を用いて成膜すれば、成膜プロセス中に防着板等の表面に付着する成膜材料からなる不可避的な付着膜を、このAl溶射膜の反応溶解により除膜分離せしめ、この除膜された付着膜から成膜材料の有価金属を容易に回収することができ、また、構成部材の再使用回数が増えるという効果を奏する。成膜装置を用いてスパッタリング法等の各種成膜方法により薄膜を製造する場合、成膜室内は繰り返しの熱履歴を経る。そのため、本発明のAl溶射膜でコーティングされた防着板等の成膜室内に設けられた構成部材の表面も繰り返しの熱履歴を経る。従って、熱履歴を受ける前の溶射成膜時の膜が、安定で取り扱いやすいと共に、成膜プロセスにおける熱履歴を経た後の不可避的な付着膜の付着したAl溶射膜も、基材から付着膜ごと容易に除膜できるような溶解性活性を有し、かつ安定であることが必要である。本発明の水反応性Al溶射膜の場合、そのような溶解性を十分に満足するものである。上記成膜室内での熱履歴の上限温度は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、CVD法等による成膜の場合、250~300°C程度防着板の温度を測定して代用するであるので、一般に250°Cまでの熱履歴を経たAl溶射膜が水反応性を有するものであれば実用上十分であり、好ましくは300°Cまでの熱履歴を経たAl溶射膜が水反応性を有するものであればさらに良い。以下説明するように、本発明における水反応性Al溶射膜の場合、そのような溶解性を十分に満足するものである。上記溶解性については、Al溶射膜で覆われた基材を所定の温度40~130°C、好ましくは80~100°Cの温水に浸漬した際の液中の電流密度本発明では、溶解電流密度mA/cm2と称すで評価する。この測定方法は、サンプルの処理液浸漬前後の質量減少を測定し、表面積、処理液浸漬時間等から電流密度の値に換算する方法である。この方法により測定された溶解電流密度が、50mA/cm2以上あれば、成膜プロセスにおける熱履歴を経た後の不可避的な付着膜の付着したAl溶射膜が基材から付着膜ごと容易に除膜できる溶解性活性を有するものといえる。以下、本発明の実施の形態について説明する。本発明の水反応性Al複合材料からなるAl溶射膜は、Al中に所定量のInが均一に高度に分散しているので、水、水蒸気、水溶液等のような水分の存在する雰囲気中で容易に反応して溶解する。本発明で用いるAlは、純度2N99、3N99.9、4N99.99及び5N99.999であり、このうち4NAl及び5NAlは、例えば電解法により得られた2NAl、3NAlをさらに3層電解法によって、又は部分凝固法偏析法による凝固時の固相と液相との温度差を利用する方法等によって得られる。これらのAl中の主な不純物は、Fe、Siであり、その他にCu、Ni、C等が含まれている。本発明では、Fe<150ppm程度、Cu<40ppm程度の不純物を含むAlを用いることが好ましい。一般に、Al-In系においては、AlとInとの間の電気化学的電位差が非常に大きいが、Alの自然酸化膜が存在すると、Alのイオン化が進まない。しかし、一度自然酸化膜が破れ、AlがInと直接結合すると、その電位差がAlのイオン化を急激に促進させる。その際、Inは、化学的に変化することなく、そのままの状態でAl結晶粒中に高度に分散して存在している。Inは、低融点157°Cで、かつAlとは固溶体化しないので、AlとInとの密度差に注意を払いつつ、AlとInとを組成が均一になるように溶融せしめた材料を溶射法に従って基材に対して溶射すると、急冷凝固とその圧縮効果により所望の膜が得られる。添加されたInは溶射プロセスによってAl結晶粒中に高度に分散し、Alと直接接触した状態を保っている。InはAlと安定層を作らないので、Al/In界面は高いエネルギーを保持しており、水分の存在する雰囲気中では水分との接触面で激しく反応する。また、添加元素であるInが高度な分散状態にあることに加えて、発生するH2気泡の膨張による機械的作用により、AlOOHを主体とする反応生成物は表面で皮膜化することなく微粉化して液中へ散り、溶解反応は次々に更新される反応界面で持続的、爆発的に進む。上記のようなAl-In系の挙動は、Al純度が高い程、すなわち、3Nよりも4N及び5Nの場合に特に顕著である。上記4NAl-In複合材料からなるAl溶射膜は、溶射プロセスを経て形成された状態で活性が高く、水分が存在する雰囲気中での溶解性が高くて取り扱い難い。しかし、この材料に所定量のSi及びTiを添加すると、得られるAl溶射膜は初期反応性活性が低下し、取り扱いが容易になると共に、Tiの添加により、熱履歴を経た後の溶射膜は活性になり、水分が存在する雰囲気中で高い溶解性活性を発現し、Al溶射膜の除膜が可能となる。また、Siの添加により、その添加量を増大させるにつれてAl溶射膜の強度が向上し、5NAl-3wtInからなるAl溶射膜と比べて1.7倍程度となり、耐候性も5NAl-3wtInからなるAl溶射膜と比べて明確な差が有る。以下、4NAl-In-Si-Tiからなる水反応性Al複合材料を例にとり説明する。Al溶射膜は、In、Si及びTiがAl中に一様に分散したAl-In-Si-Ti複合材料を用いて、溶射法に従って所定の雰囲気中で被処理基材の表面に成膜することにより製造される。得られたAl-In-Si-Ti溶射膜は、Al結晶粒の中にIn結晶粒粒径10nm以下等が均一に高度に分散した状態で含まれている。上記Al溶射膜は、例えば次のようにして製造される。4NAl、In、Si及びTiを用意し、このAlに対して、Al基準で、2.0~3.5wt、好ましくは2.5~3.0wtのIn、0.2~0.5wtのSi、及び0.13~0.25wt、好ましくは0.15~0.25wt、さらに好ましくは0.17~0.23wtのTiを配合し、Al中にIn、Si及びTiを均一溶解させて、ロッド又はワイヤー形状に加工した物を溶射材料として用い、例えばフレーム溶射法により、成膜装置の防着板等の成膜室用構成部材のような基材の表面に吹き付けて急冷凝固させ、被覆することにより所望の水反応性Al溶射膜を備えた基材を製造することができる。かくして得られた溶射膜は、上記したように、Al結晶粒中にIn等が均一に高度に分散した状態で存在している膜である。上記のようにしてAl-In系に所定量のSi及びTiを添加して得られたAl溶射膜の場合、溶射により形成したままでの膜の溶解性をコントロールすることが出来るので、雰囲気中の水分との反応による溶射膜の溶解を防止することが可能となり、取り扱いやすくなる。また、成膜室内の熱履歴による温度の上限が300°C程度又は350°C程度である場合であっても、所定量のIn、Si及びTiを添加したAl複合材料を用いてAl溶射膜を形成すれば、実用的な溶解性が得られる。上記したようにAl溶射膜で被覆された基材を温水脱イオン水中に浸漬し、又は水蒸気を吹きつけると、例えば所定の温度の温水中に浸漬した場合、浸漬直後から反応が始まって、水素ガスが発生し、さらに反応が進むと析出したIn等により水が黒色化し、最終的に、溶射膜は全て溶解し、温水中にはAl、In、Si及びTi等からなる沈殿物が残る。この反応は、水温が高いほど激しく進行する。上記溶射膜は、ロッド又はワイヤー形状の材料を用いたフレーム溶射で形成した例で説明したが、粉末状の材料を用いたフレーム溶射でもよく、さらにはアーク溶射、プラズマ溶射でもよい。本発明では、これらの溶射法に従って、公知のプロセス条件で、上記した原材料を溶融し、基材表面に吹き付けて急冷凝固させ、溶射膜を形成する。上記したように、成膜装置の成膜室内に設けられる防着板やシャッター等の成膜室用構成部材として、その表面を上記水反応性Al溶射膜で覆ったものを使用すれば、所定の回数の成膜プロセス後に、成膜材料が不可避的に付着した成膜室用構成部材からこの付着膜を簡単に除膜し、有価金属を容易に回収することができる。この場合、剥離処理液として、化学薬品を用いることなく、単に純水等の水や水蒸気や水溶液を用いるため、防着板等の成膜室用構成部材の溶解による損傷を回避することができ、これらの再利用回数が薬品を使用する場合と比べて飛躍的に増加する。また、薬品を使用しないため、処理コストの大幅削減や環境保全にもつながる。さらに、防着板等の成膜室用構成部材に付着する多くの成膜材料は水に溶解しないので、成膜材料と同じ組成のものが同じ形態のままの固体として回収できるというメリットもある。さらにまた、回収コストが劇的に下がるのみならず、回収工程も簡素化されるので、回収可能材料の範囲が広がるというメリットもある。例えば、成膜材料が貴金属やレアメタルのように高価な金属である場合、本発明の水反応性Al複合材料からなる膜を防着板等の成膜室用構成部材に適用しておけば、成膜中に不可避的に付着した膜を有する成膜室用構成部材を水中に浸漬し或いは水蒸気を吹き付けることによって、成膜材料からなる付着膜を除膜できるので、汚染を伴わずに、貴金属やレアメタル等の回収が可能である。回収コストが安価であると共に、成膜材料を高品質のまま回収できる。以下、参考例及び実施例により本発明を詳細に説明する。参考例14NAlとInとSiとを所定の割合で配合して、Al中にIn及びSiを均一に溶解させて得られた4NAl-3.0wtIn-0.1wtSiIn及びSiの添加量は、Al重量基準をロッド形状に加工した溶射材料を用い、溶棒式フレーム溶射熱源:C2H2-O2ガス、約3000°Cによって、大気雰囲気中で、アルミニウムからなる基材の表面に吹き付けてAl溶射膜を形成した。かくして得られたAl溶射膜に対して、成膜プロセスから受ける熱履歴の代わりに0~350°Cの熱処理大気中、1時間、炉冷を施した。熱処理を受ける前の状態0°CのAl溶射膜付基材及び熱処理を経た後のAl溶射膜付基材を80°Cの脱イオン水300ml中に浸漬し、Al溶射膜の溶解性を浸漬液の電流密度を測定して検討した。その結果、Si添加と得られたAl溶射膜の溶解性との関係は、所定量のSiを添加することにより、溶射により形成したままの熱処理を受ける前のAl溶射膜の活性度、すなわち溶解性をコントロールすることが出来ることが分かった。しかし、熱処理温度が高温、例えば250~350°Cでは、実用的な溶解性が得られない傾向があった。参考例2Alとして4NAlを用い、以下のAl-In-Ti組成a~dにおけるIn及びTi添加効果を検討した。In及びTiの添加量は、Al重量基準である。a4NAl-2.1wtIn-0.19wtTib4NAl-1.2wtIn-0.18wtTic4NAl-1.8wtIn-0.20wtTid4NAl-3.0wtIn-0.17wtTiAlとInとTiとを、所定の割合で配合し、Al中にIn及びTiを均一に溶解させてロッド形状に加工した溶射材料を用い、溶棒式フレーム溶射熱源:C2H2-O2ガス、約3000°Cによって、大気雰囲気中で、アルミニウムからなる基材の表面に吹き付けてAl溶射膜を形成した。かくして得られた各Al溶射膜に対して、成膜プロセスから受ける熱履歴の代わりに0~350°Cの熱処理大気中、1時間、炉冷を施した。熱処理を受ける前の状態0°CのAl溶射膜付基材及び熱処理を経た後のAl溶射膜付基材を80°Cの脱イオン水300ml中に浸漬し、各Al溶射膜の溶解性を浸漬液の電流密度を測定して検討した。得られた結果を、図1に示す。図1において、横軸は熱処理温度°Cであり、縦軸は溶解電流密度mA/cm2である。図1から明らかなように、Al-In-Ti系の場合、得られたAl溶射膜の溶解性は、In濃度2wt程度から大きく変化する傾向があり、特に250°C以上の熱処理を施したAl溶射膜の溶解性は、2wt程度と3wt程度とでほぼ同じ値を示す。一方、In濃度が2wt未満であると250°C以上の熱処理を施したAl溶射膜の溶解性は低くなる傾向がある。このことから、図1には示していないが、参考例1に示したSi等のAl溶射膜の溶解性を低下させる元素を添加する場合には、In濃度は少なくとも2wt程度以上、3.5wt程度以下が本発明の目的を達成するには妥当であると思われる。上記したように、Inの分散性が良く、その分散量が多ければ、高温で熱処理されたAl溶射膜の反応性は高い。すなわち、In濃度が多い方が反応性は高い傾向がある。従って、Al-In-Si-Ti系の場合、In濃度は2~3wt程度の範囲内にあれば、高温での熱処理を施したAl溶射膜の溶解性は好ましいものであると思われる。4NAlとInとSiとTiとを所定の割合で配合して、Al中にIn、Si及びTiを均一に溶解せしめて得られた4NAl-3.0wtIn-0.2wtSi-0.2wtTiIn、Si及びTiの添加量は、Al重量基準をロッド形状に加工した溶射材料を用い、溶棒式フレーム溶射熱源:C2H2-O2ガス、約3000°Cによって、大気雰囲気中で、アルミニウムからなる基材の表面に吹き付けてAl溶射膜を形成した。かくして得られたAl溶射膜疑似デポ膜に対して、大気中、250°Cでの熱処理時間0~500時間と80°C脱イオン水への浸漬による除膜性除膜時間時間との関係を検討した。また、比較のために、5NAl-3.0wtInからなるAl溶射膜従来のAl溶射膜疑似デポ膜の場合についても、上記と同様にして除膜性を検討した。かくして得られた結果を図2に示す。図2において、横軸は250°Cでの熱処理時間時間であり、縦軸は疑似デポ膜の除膜時間時間である。図2から明らかなように、従来のAl溶射膜疑似デポ膜は熱処理時間が160時間程度で除膜しなくなったが、本発明のAl溶射膜疑似デポ膜は熱処理時間250時間程度までは30分程度以下で除膜できたことが分かる。この傾向から考えて、図2中に示す近似式y=0.0014x0.2462から、400時間程度まで熱処理されたAl溶射膜でも48分程度で除膜できるものと推定された。4NAlとInとSiとTiとを所定の割合で配合して、Al中にIn、Si及びTiを均一に溶解せしめて得られた4NAl-3.0wtIn-0.58wtSi-0.18wtTiIn、Si及びTiの添加量は、Al重量基準、4NAl-3.0wtIn-0.54wtSi-0.18wtTi、及び4NAl-2.77wtIn-0.42wtSi-0.21wtTiのそれぞれをロッド形状に加工した溶射材料を用い、溶棒式フレーム溶射熱源:C2H2-O2ガス、約3000°Cによって、大気雰囲気中で、アルミニウムからなる基材の表面に吹き付けてAl溶射膜を形成した。かくして得られたAl溶射膜疑似デポ膜に対して、大気中、250°Cでの熱処理時間0~250時間と80°C脱イオン水への浸漬による除膜性除膜時間時間との関係を検討した。また、比較のために、5NAl-3.0wtInからなるAl溶射膜従来のAl溶射膜疑似デポ膜の場合についても、上記と同様にして除膜性を検討した。かくして得られた結果を図3に示す。図3において、横軸は250°Cでの熱処理時間時間であり、縦軸は疑似デポ膜除膜時間時間である。図3から明らかなように、0.5wtを超える量のSiを含有するAl溶射膜疑似デポ膜も従来のAl溶射膜も熱処理時間が160時間程度を超えると除膜しなくなったが、0.5wt以下のSiを含有する本発明のAl溶射膜疑似デポ膜は熱処理時間250時間程度までは30分程度以下で除膜できたことが分かる。参考例2の結果に鑑み、3NAl又は4NAlを用い、以下の組成割合を有するIn-Ti系、In-Cu-Ti系、In-Si-Ti系におけるIn添加量、Si添加量、Ti添加量と、得られたAl溶射膜の溶解性との関係を検討した。In、Cu、Si及びTiの添加量は、Al重量基準である。a3NAl-2.09wtIn-0.1wtTib4NAl-2.89wtIn-0.13wtTic4NAl-3.33wtIn-0.004wtCu-0.17wtTid4NAl-3.09wtIn-0.17wtTie3NAl-3.1wtIn-0.11wtTif3NAl-2.78wtIn-0.11wtTig4NAl-2.9wtIn-0.12Si-0.06wtTih4NAl-2.8wtIn-0.22wtSi-0.21wtTii4NAl-3.0wtIn-0.2wtSi-0.13wtTij4NAl-2.8wtIn-0.28wtSi-0.15wtTik4NAl-3.0wtIn-0.30wtSi-0.23wtTil4NAl-3.0wtIn-0.21wtSi-0.21wtTim4NAl-2.0wtIn-0.40wtSi-0.17wtTin4NAl-2.5wtIn-0.50wtSi-0.25wtTio4NAl-2.0wtIn-0.55wtSi-0.30wtTip4NAl-2.5wtIn-0.18wtSi-0.1wtTiAl、In、Si、Ti、Cuを所定の割合で配合し、Al中にIn、Si、Ti、Cuを均一に溶解させてロッド形状に加工した溶射材料を用い、溶棒式フレーム溶射熱源:C2H2-O2ガス、約3000°Cによって、大気雰囲気中で、アルミニウム製基材の表面に吹き付けてAl溶射膜を形成した。かくして得られた各Al溶射膜に対して、成膜プロセスから受ける熱履歴の代わりに0~350°Cでの熱処理大気中、1時間、炉冷を施した。熱処理を受ける前の状態0°CのAl溶射膜付基材及び熱処理を経た後熱履歴を経た後のAl溶射膜付基材を80°Cの脱イオン水300ml中に浸漬し、各Al溶射膜の溶解性を浸漬液の電流密度を測定して検討した。得られた結果を、上記a~lについて図4に示す。図4において、横軸は熱処理温度°Cであり、縦軸は溶解電流密度mA/cm2である。なお、上記m及びnに関しては、上記kの場合と同様な挙動を示し、また、上記o及びpに関しては、上記gの場合と同様な挙動を示した。図4から、Ti添加量が0.1wt前後では、熱処理を受けた段階でのAl溶射膜の溶解性が低下することから、少なくとも0.13wtのTi添加量が必要であることが分かる。Tiが0.13wt未満であると、Al中の不純物の影響を受け、成膜プロセスからの熱履歴を経た後のAl溶射膜の溶解性が低下する傾向があり、0.25wtを超えると、Al複合材料中でのTiの偏析が大きくなる傾向があり、この材料を用いて溶射する場合に、溶射状態や得られたAl溶射膜の見た目の状態が悪化する要因となる。そのため、Ti添加量に関しては、Si添加量やCu等の不純物濃度を考慮すると、0.15wt以上が好ましく、0.17wt以上がさらに好ましく、また、Tiの偏析を考慮すると0.23wt以下が好ましい。また、Siが0.2wt未満であるとAl溶射膜と水との反応性の制御効果が低下する傾向があり、0.5wtを超えるとAl溶射膜と水との反応性が低下しはじめる傾向がある。所望量のSi及びTiを添加することにより、溶射により形成したままの熱処理を受ける前のAl溶射膜の初期反応性活性度、すなわちAl溶射膜の溶解性をコントロールすることが出来るので、大気雰囲気中の水分との反応によるAl溶射膜の溶解を防止することが可能となる。また、成膜室内の熱履歴による温度の上限が300~350°C程度である場合には、2~3wtのIn、0.2~0.5wtのSi、0.13~0.25wtのTiを添加したAl複合材料を用いてAl溶射膜を形成すれば、実用的な溶解性が得られる。上記熱処理を経た後の、Al-In-Si-Ti系の溶解性の良好なAl溶射膜で被覆された基材を80°Cの脱イオン水中に浸漬した場合、浸漬直後から反応が始まって、水素ガスが激しく発生し、さらに反応が進むと析出したIn等により水が黒色化し、最終的に、このAl溶射膜は、水との激しい反応により微粉化し、Al溶射膜が溶解していく。かくして、本発明のAl複合材料は水反応性であるということができる。上記したように、本発明におけるAl溶射膜は、溶射により成膜したままの熱処理を受ける前の段階では溶解性が高くなく、また、熱処理を受けた後の段階では溶解性がある程度高い物性を有することが必要である。実施例3記載の方法に準じて得られた4NAl-3.0wtIn-0.2wtSi-0.2wtTiからなるAl溶射膜膜厚200μmで表面が被覆されたアルミニウム製基材表面に凹凸のある基材及び表面がフラットな基材を使用に対して、Cuスパッタ成膜を所定の時間、公知の条件下10-3Pa、DCプラズマで実施した。その後、Al溶射膜上にこのCu膜の付着した各基材を、80°C又は90~96°Cの温水脱イオン水により所定の時間処理し、除膜性を検討した。また、比較のために、5NAl-3.0wtInからなるAl溶射膜以下、従来のAl溶射膜と称すの場合についても、その上にCuスパッタ成膜し、上記と同様にして除膜性を検討した。これらの結果を以下に纏める。Cuスパッタ除膜テスト:Al溶射膜厚:150~200μm基材温度:280°CCuスパッタ膜厚:2.5mmスパッタ時間:130時間スパッタ成膜中の状態及び除膜性の結果:本発明のAl溶射膜の場合、凹凸のある基材及びフラットな基材の両方とも、スパッタ成膜中にスパッタ膜の剥がれは観察されなかったが凹凸のある基材を使用した場合を図5aに示し、フラット基材を使用した場合を図5bに示す、従来のAl溶射膜の場合、凹凸のある基材及びフラットな基材の両方とも、スパッタ成膜中にスパッタ膜の剥がれが観察された凹凸のある基材を使用した場合を図6aに示し、フラット基材を使用した場合を図6bに示す。すなわち、図6aに示す基材上に成膜されたCuスパッタ膜付きAl溶射膜の一部が剥がれ、また、図6bに示す基材上に成膜されたCuスパッタ膜付きAl溶射膜の右端部が捲れ上がって剥がれている。また、本発明のAl溶射膜の場合、Cuスパッタ膜付きAl溶射膜は80°C、19分で容易に除膜され図7a参照、96°Cでは6分で容易に除膜されたが、従来のAl溶射膜の場合、Cuスパッタ膜付きAl溶射膜は80°C、3時間でも除膜されず図7b参照、96°C、3時間でも除膜されなかった。本発明の場合、温水中にはAlOOHが沈殿しており、Cuを容易に回収できた。実施例4におけるCuスパッタ成膜の代わりに、ITOスパッタ成膜を行ったことを除いて実施例3記載の方法を繰り返し、Al溶射膜上にITO膜の付着した基材を、所定の温度の脱イオン水により所定の時間処理し、除膜性を検討した。また、比較のために、上記した従来のAl溶射膜の場合についても、その上にITOスパッタ成膜し、上記と同様にして除膜性を検討した。これらの結果を以下に纏める。ITOスパッタ除膜テスト:Al溶射膜厚:150~200μm基材温度:280°CITOスパッタ膜厚:0.7mmスパッタ時間:72時間スパッタ成膜中の状態及び除膜性の結果:本発明のAl溶射膜の場合、スパッタ成膜中にスパッタ膜の剥がれは観察されなかった図8a参照。しかし、従来のAl溶射膜の場合、スパッタ成膜中にスパッタ膜の剥がれが観察された図8b参照。また、本発明のAl溶射膜の場合、ITOスパッタ膜付きAl溶射膜は80°Cで容易に除膜されたが、従来のAl溶射膜の場合、80°Cでも96°Cでも除膜されなかった。本発明の場合、温水中にはAlOOHが沈殿しており、ITO膜In、Snを容易に回収できた。実施例4におけるCuスパッタ成膜の代わりに、Moスパッタ成膜を行ったことを除いて実施例4記載の方法を繰り返し、Al溶射膜上にMo膜の付着した基材を、所定の温度の脱イオン水により所定の時間処理し、除膜性を検討した。また、比較のために、上記した従来のAl溶射膜の場合についても、その上にMoスパッタ成膜し、上記と同様にして除膜性を検討した。これらの結果を以下に纏める。Moスパッタ除膜テスト:Al溶射膜厚:150~200μm基材温度:220°CMoスパッタ膜厚:0.7mmスパッタ時間:72時間スパッタ成膜中の状態及び除膜性の結果:本発明のAl溶射膜の場合、表面に凹凸のある基材及び表面がフラットな基材の両方とも、スパッタ成膜中にスパッタ膜の剥がれは観察されなかったフラット基材を使用した場合を図9aに示し、凹凸のある基材を使用した場合を図9bに示す。しかし、従来のAl溶射膜の場合、凹凸のある基材及びフラットな基材の両方とも、スパッタ成膜中にスパッタ膜の剥がれが観察された。また、本発明のAl溶射膜の場合、Moスパッタ膜付きAl溶射膜は80°C、8分程度で容易に除膜されたが図10a、b及びc参照、従来のAl溶射膜の場合、Moスパッタ膜付きAl溶射膜は80°C、96°Cでも除膜されなかった。図10aはMoスパッタ膜付きAl溶射膜の80°C脱イオン水中への浸漬直後の状態を示し、図10bは反応中の状態を示し、図10cは、Moスパッタ膜付きAl溶射膜が母材基材から除膜された状態を示す。この際、温水中にはAlOOHが沈殿しており、かくしてMoを容易に回収できた。実施例1記載の方法に準じて得られた4NAl-3.0wtIn-0.2wtSi-0.2wtTiからなるAl溶射膜膜厚200μmで表面が被覆されたアルミニウム製基材40mm×40mm×20mm厚さを用い、その耐候性を検討した。耐候性の試験は、温度:40°C、湿度:85RHに設定した恒温恒湿炉内にサンプルを入れ、6時間放置し、その表面状態を観察することにより行った。また、比較のために、5NAl-3.0wtInからなるAl溶射膜従来のAl溶射膜の場合についても、上記と同様にして耐候性を検討した。これらの結果を図11a-1、a-2、b-1及びb-2に示す。従来のAl溶射膜の場合、試験前の基材の表面には黒点の発生は観察されないが図11a-1、試験後の基材の表面には無数の黒点が発生していることが観察された図11a-2。一方、本発明のAl溶射膜の場合、試験前の基材図11b-1も試験後の基材図11b-2も、その表面には黒点の発生は観察されなかった。かくして、Siを添加した本発明のAl溶射膜の場合は、長期間の保存が可能であると共に、黒点の発生がないことから、このAl溶射膜を使用しても、成膜中にパーティクルが発生する可能性は低いものと考えられる。