オプトエレクトロニクス半導体チップ1であって、-第1の導電型の第1の半導体領域3と、第2の導電型の第2の半導体領域5と、前記第1の半導体領域3と前記第2の半導体領域5との間に配置されている活性ゾーン4と、を有する半導体積層体2と、-キャリア基板10であって、前記半導体積層体2が、前記キャリア基板10の側の第1の主領域11と、反対側に位置する第2の主領域12とを有する、前記キャリア基板10と、-第1の電気的接触層7および第2の電気的接触層8であって、少なくとも一部分が、前記キャリア基板10と、前記半導体積層体2の前記第1の主領域11との間に配置されており、前記第2の電気的接触層8が、前記第1の半導体領域3および前記活性ゾーン4における貫通孔18を通じて前記第2の半導体領域5まで延在している、前記第1の電気的接触層7および前記第2の電気的接触層8と、-前記第1の電気的接触層7と前記第2の電気的接触層8を互いに電気的に絶縁している電気的絶縁層9と、-前記半導体積層体2と前記キャリア基板10との間に配置されているミラー層6と、を備えており、-前記ミラー層6が、前記第1の電気的接触層7の部分領域と前記電気的絶縁層9の部分領域19とに隣接しており、前記キャリア基板10の側の前記ミラー層6の界面16の大部分が、前記第1の電気的接触層7によって覆われており、-前記電気的絶縁層9のうち前記ミラー層6に隣接している前記部分領域19が前記オプトエレクトロニクス半導体チップ1の周囲の媒体にまったく隣接することがないように、前記部分領域19が前記第2の電気的接触層8によって覆われており、-前記半導体積層体2が切り取り部17を有し、前記切り取り部17において、接続コンタクト14を形成する目的で前記第1の電気的接触層7が露出している、オプトエレクトロニクス半導体チップ。前記第1の電気的接触層7が、金、チタン、クロム、窒化チタン、窒化チタンタングステン、またはニッケルを含んでいる、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。前記ミラー層6が、銀、アルミニウム、または銀合金あるいはアルミニウム合金を含んでいる、請求項1または請求項2のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。前記第2の電気的接触層8が、銀、アルミニウム、または銀合金あるいはアルミニウム合金を含んでいる、請求項1から請求項3のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。前記電気的絶縁層9が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、または酸化アルミニウムを含んでいる、請求項1から請求項4のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。前記第1の電気的接触層7が、前記第1の半導体領域3のうち前記接続コンタクト14に並んで配置されている部分領域13に、直接隣接している、請求項1から請求項5のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。前記第2の半導体領域5の部分領域15が、前記第1の半導体領域3よりも横方向に突き出している、請求項1から請求項6のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。前記第2の半導体領域5が前記第1の半導体領域3よりも横方向に突き出している前記部分領域15において、前記第2の電気的接触層8の少なくとも一部分が、前記第2の半導体領域5に直接隣接している、請求項7に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。前記第2の電気的接触層8が、前記半導体積層体2の前記第2の半導体領域5との接触部として、前記第1の半導体領域3の周囲を完全に囲むように延在する接触部、を形成している、請求項8に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。前記接続コンタクト14が、前記半導体チップ1の中央よりも外側に配置されている、請求項1から請求項9のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。前記接続コンタクト14が、横方向に見たとき全方向において前記半導体積層体2の一部分によって囲まれている、請求項1から請求項10のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。前記第1の半導体領域3がp型半導体領域である、請求項1から請求項11のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。前記第2の半導体領域5がn型半導体領域である、請求項1から請求項12のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。前記半導体積層体2が成長基板20を備えていない、請求項1から請求項13のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。前記半導体チップ1が、はんだ層21によって前記キャリア基板10に結合されている、請求項1から請求項14のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。本発明の目的は、水分の浸入に対してミラー層が効果的に保護されると同時に、半導体チップの極めて効率的な電気的接触接続が比較的小さい製造コストで得られる、改良されたオプトエレクトロニクス半導体チップを開示することである。この目的は、請求項1の特徴を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップによって達成される。従属請求項は、本発明の有利な構造形態および発展形態に関する。一構造形態によると、本オプトエレクトロニクス半導体チップは、第1の導電型の第1の半導体領域と、第2の導電型の第2の半導体領域と、これら第1の半導体領域と第2の半導体領域との間に配置されている活性ゾーンと、を有する半導体積層体、を備えている。さらに、本オプトエレクトロニクス半導体チップは、キャリア基板を備えており、半導体積層体は、キャリア基板の側の第1の主領域と、反対側に位置する第2の主領域とを有する。第1の電気的接触層および第2の電気的接触層の少なくとも一部分が、キャリア基板と、半導体積層体の第1の主領域との間に配置されており、第2の電気的接触層は、第1の半導体領域および活性ゾーンにおける貫通孔を通じて半導体領域まで延在している。第1の電気的接触層と第2のコンタクト層は、電気的絶縁層によって互いに絶縁されている。半導体積層体とキャリア基板との間には、ミラー層が配置されている。このミラー層は、特に、第1の主領域において半導体積層体に隣接していることができる。ミラー層は、活性ゾーンによってキャリア基板の方向に放出された放射を、半導体積層体の第2の主領域放射取り出し領域の役割を果たすの方に反射することが有利である。ミラー層は、第1の電気的接触層の部分領域と、電気的絶縁層の部分領域とに隣接しており、キャリア基板の側のミラー層の界面の大部分は、第1の電気的接触層によって覆われている。電気的絶縁層のうちミラー層に隣接している部分領域は、これらの部分領域がオプトエレクトロニクス半導体チップの周囲の媒体にまったく隣接することがないように、第2の電気的接触層によって覆われていることが有利である。半導体積層体は切り取り部を有することが好ましく、この切り取り部においては、接続コンタクトを形成する目的で、第1の電気的接触層が露出している。キャリア基板の側のミラー層の界面の大部分が第1の電気的接触層によって覆われていることによって、ミラー層の大部分が電気的絶縁層から隔てられており、したがって、半導体チップの側面sideflankから電気的絶縁層に浸入しうる水分に対して保護されている。このようにすることで、ミラー層の劣化が減少し、これは有利である。電気的絶縁層のうちミラー層に隣接している部分領域が、オプトエレクトロニクス半導体チップの周囲の媒体にまったく隣接することがないように、これらの部分領域が第2の電気的接触層によって覆われていることによって、ミラー層は、電気的絶縁層のうち半導体チップの側面まで延在している部分領域とまったく接触していない。したがって、ミラー層は、第1の電気的接触層および第2の電気的接触層によって密封状態に封止されており、水分の浸入に対して保護されている。第1の電気的接触層および第2の電気的接触層は、第一の役割として、半導体チップとの電気的接触接続を形成し、第二の役割として、腐食に対してミラー層を保護する。特に、第1の電気的接触層は、半導体積層体における切り取り部に配置されている接続コンタクトを形成している。切り取り部においては、半導体積層体が第1の電気的接触層まで除去されており、したがって、切り取り部において第1の電気的接触層に外部から接触接続することができる。接続コンタクトは、特に、ボンディングワイヤを接続できるボンディングパッドを形成していることができる。第1の電気的接触層は、金、チタン、クロム、窒化チタン、窒化チタンタングステン、またはニッケルを含んでいる、またはこれらの材料からなることが好ましい。これらの材料の特徴として、第一に、良好な導電率を有し、第二に、拡散障壁として適しており、これは有利である。ミラー層は、銀、アルミニウム、または銀合金あるいはアルミニウム合金を含んでいる、またはこれらの材料からなることが好ましい。銀およびアルミニウムは、その特徴として、可視スペクトル領域における反射率が高い。さらに、これらの材料は、良好な導電率を有し、接触抵抗の小さい金属-半導体間の接触を形成する。この特性は有利であり、なぜなら、ミラー層は半導体積層体に隣接していることが好ましく、それによって第1の半導体領域を第1の電気的接触層に導電接続するためである。第2の電気的接触層は、ミラー層と同様に、銀、アルミニウム、または銀合金あるいはアルミニウム合金を含んでいる、またはこれらの材料からなることが好ましい。可視スペクトル領域における高い反射率と良好な導電率は、第2の電気的接触層においても有利であり、なぜなら、第2の電気的接触層は、少なくとも一部分が半導体積層体に隣接しており、それによって第2の半導体領域との電気的接触を形成するためである。電気的絶縁層第1の電気的接触層と第2の電気的接触層とを互いに絶縁しているは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、または酸化アルミニウムを含んでいることが好ましい。有利な一構造形態においては、第1の電気的接触層は、接続コンタクトに並んで配置されている、半導体積層体の第1の半導体領域の部分領域に、直接隣接している。したがって、この構造形態においては、第1の電気的接触層は、ミラー層を介して半導体積層体に接続されているのみならず、少なくとも一部分が半導体積層体に直接隣接している。特に、第1の電気的接触層は、半導体積層体との接触部であって、接続コンタクトの周囲を囲むように延在する接触部、を形成することができる。第1の電気的接触層が直接隣接している第1の半導体領域の部分領域は、例えば環状に、あるいは長方形または正方形の形で、接続コンタクトを囲んでいることができる。さらなる有利な構造形態においては、第2の半導体領域の少なくとも1つの部分領域は、第1の半導体領域よりも横方向に突き出している。したがって、半導体積層体の第2の半導体領域は、第1の半導体領域よりも横方向の範囲が大きいことが好ましい。第1の半導体領域よりも横方向に突き出している、第2の半導体領域の少なくとも1つの部分領域は、半導体チップの側面に隣接していることが好ましい。第2の半導体領域が第1の半導体領域よりも横方向に突き出している領域において、第2の電気的接触層は、少なくとも一部分が、第2の半導体領域に直接隣接していることが好ましい。この構造の利点として、第2の電気的接触層は、自身が第1の半導体領域および活性ゾーンを貫いて第2の半導体領域まで延在している貫通孔においてのみならず、第2の半導体領域が第1の半導体領域よりも横方向に突き出している領域においても、第2の半導体領域との接触を形成している。特に、第2の電気的接触層は、半導体積層体の第2の領域との接触部であって、周囲を囲むように延在する接触部を形成することができる。この場合、周囲を囲むように延在する接触部とは、第1の半導体領域の周囲全体にわたり延在し、第1の半導体領域を例えば環状または長方形状に囲んでいる接触部であるものと理解されたい。好ましい一構造形態においては、接続コンタクトは、半導体チップの中央よりも外側に配置されている。特に、接続コンタクトの中点midpointは、半導体積層体の少なくとも1つの側面からよりも、半導体積層体の中点から離れた距離にある。接続コンタクトは、半導体チップの角部の近傍に配置されていることが特に有利であり、接続コンタクトの中点は、半導体チップの中点よりも、半導体チップの少なくとも2つの側面に近い距離にあることが有利である。接続コンタクトが半導体積層体の縁部領域に配置されている、または特に好ましくは半導体積層体の角部の近傍に配置されていることによって、半導体チップの中央領域が接続コンタクトの陰にならず、結果として半導体チップの効率が高まり、これは有利である。好ましい一構造形態においては、接続コンタクトは、半導体積層体の側面または角部に直接隣接しているのではなく、横方向に見て全方向において半導体積層体の一部分によって囲まれている。この構造の利点として、第1の電気的接触層と半導体積層体の第1の領域とを直接接触させることが可能であり、この直接的な接触部は、接続コンタクトの周囲を囲むように延在している。このようにすることで、半導体チップに電流が良好に印加される。好ましい一実施形態においては、第1の半導体領域がp型半導体領域であり、第2の半導体領域がn型半導体領域である。したがって、この構造形態においては、ミラー層はp型半導体領域に隣接しており、第2の電気的接触層は貫通孔の中をn型半導体領域まで延在している。p型半導体領域はキャリア基板の側にあり、n型半導体領域は、半導体積層体の第2の主領域放射出口領域としての役割を果たすの側にある。キャリア基板とは反対側に位置する第2の半導体領域の表面には、接続コンタクトが存在しないことが好ましい。この構造の利点として、半導体積層体における切り取り部の中の接続コンタクトを除いて、半導体積層体の第2の主領域の表面の全領域を通じて放射を取り出すことができる。放射の取り出しをさらに改善する目的で、特に、半導体積層体の第2の主領域に、粗面化部または取り出し構造を設けることができる。さらなる有利な構造形態においては、本オプトエレクトロニクス半導体チップの半導体積層体は、成長基板を備えていない。この場合、本半導体チップはいわゆる薄膜発光ダイオードチップであり、半導体積層体をエピタキシャル成長させるために使用された成長基板は、半導体積層体をキャリア基板に結合した後に剥離されている。本半導体チップは、はんだ層によってキャリア基板に結合されていることが好ましい。特に、本半導体チップは、元の成長基板とは反対側に位置する面において、キャリア基板に結合することができる。以下では、本発明について、例示的な実施形態に基づき、図1~図3を参照しながらさらに詳しく説明する。図面において、同じ構成要素または同じ機能の構成要素には、同じ参照数字を付してある。図示した構成要素と、構成要素の互いのサイズの関係は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。図1Aの断面図および図1Bの平面図に示したオプトエレクトロニクス半導体チップ1は、第1の導電型の第1の半導体領域3と、第2の導電型の第2の半導体領域5とを有する半導体積層体2を含んでいる。第1の半導体領域3がp型半導体領域であり、第2の半導体領域5がn型半導体領域であることが好ましい。第1の半導体領域3と第2の半導体領域5との間に活性ゾーン4が配置されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ1の活性ゾーン4は、特に、放射を放出するのに適している活性ゾーンとすることができる。この場合、オプトエレクトロニクス半導体チップ1は、ルミネセンスダイオード、特に、LEDである。これに代えて、活性ゾーン4を放射検出層とすることも考えられ、この場合、オプトエレクトロニクス半導体チップ1は検出器部品である。活性ゾーン4は、例えば、pn接合部、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造、または多重量子井戸構造として、具体化することができる。半導体チップ1の半導体積層体2は、III-V族化合物半導体材料、特に、ヒ化物化合物半導体材料、窒化物化合物半導体材料、またはリン化物化合物半導体材料をベースとしていることが好ましい。一例として、半導体積層体2は、InxAlyGa1-x-yN、InxAlyGa1-x-yP、またはInxAlyGa1-x-yAsを含んでいることができ、いずれの場合も0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1である。この場合、III-V族化合物半導体材料は、上記の化学式のいずれかに従った数学的に正確な組成を有する必要はない。そうではなく、III-V族化合物半導体材料は、1種類または複数のドーパントと、この材料の物理特性を実質的に変化させることのない追加の構成成分とを含んでいることができる。しかしながら、説明を簡潔にする目的で、上記の化学式は、結晶格子の本質的な構成成分のみを含んでおり、これらの構成成分は、その一部分を少量のさらなる物質によって置き換えることができる。半導体チップ1は、結合層21によってキャリア基板10に結合されており、結合層21は、特に、金属または金属合金からなるはんだ層とすることができる。電気的接触接続を目的として、半導体チップ1は、第1の電気的接触層7および第2の電気的接触層8を有する。第1の電気的接触層7は第1の半導体領域3に導電接続されており、第2の電気的接触層8は第2の半導体領域5に導電接続されている。第1の電気的接触層7および第2の電気的接触層8の両方は、少なくとも一部分が、半導体積層体2の第1の主領域11キャリア基板10の側にあるとキャリア基板10との間に配置されている。第1の電気的接触層7と第2の電気的接触層8は、電気的絶縁層9によって互いに電気的に絶縁されている。電気的絶縁層9は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、または酸化アルミニウムを含んでいる、またはこれらの材料からなることが好ましい。これに代えて、電気的絶縁層9は、別の酸化物または窒化物を含んでいることもできる。半導体積層体2の第2の主領域12キャリア基板10とは反対側に位置するは、オプトエレクトロニクス半導体チップ1の放射取り出し領域としての役割を果たし、第2の主領域12には電気的接触層が存在しないことが有利である。放射の取り出しを改善する目的で、第2の主領域12に、放射取り出し構造23または粗面化部を設けることができる。オプトエレクトロニクス半導体チップの放射効率を改善する目的で、半導体積層体2とキャリア基板10との間にミラー層6が配置されている。ミラー層6は、第1の半導体領域3の下流、キャリア基板10の側の面に配置されており、特に、半導体積層体2の第1の主領域11に隣接していることができる。第1の半導体領域3とミラー層6との間に、中間層例えば薄い接着促進層を配置することも可能である。ミラー層6は、特に、銀、アルミニウム、または、銀あるいはアルミニウムを含有する金属合金を含んでいる。これらの材料は、その特徴として、可視スペクトル領域における反射率が高く、良好な導電率を有する。ミラー層6は、第一の機能として、活性ゾーン4によってキャリア基板10の方向に放出された放射を放射取り出し領域12の方に反射する。さらに、ミラー層6は、第1の半導体領域3との電気的接触接続を形成する役割を果たす。特に、ミラー層6は、キャリア基板10の側の面において第1の電気的接触層7に隣接しており、したがって、第1の電気的接触層7に導電接続されている。第1の電気的接触層7は、キャリア基板10の側のミラー層の界面16の大部分を覆っていることが好ましい。第1の電気的接触層7は、金、チタン、クロム、窒化チタン、窒化チタンタングステン、またはニッケルを含んでいる、またはこれらの材料からなることが好ましい。これらの材料は、その特徴として、導電性であり、さらには、化学的に不活性である。このようにすることで、ミラー層6は、第1の電気的接触層7によって覆われている領域において、腐食に対して保護され、これは有利である。さらに、ミラー層6は、第1の電気的接触層7と第2の電気的接触層8を互いに絶縁している電気的絶縁層9の部分領域19に隣接している。電気的絶縁層9のうちミラー層6に隣接している部分領域19は、これらの部分領域がオプトエレクトロニクス半導体チップ1の周囲の媒体にまったく隣接することがないように、第2の電気的接触層8によって覆われていることが有利である。このようにすることで、電気的絶縁層9のうちミラー層6に隣接している部分領域19は、密封状態に封止されており、したがって特に、水分が半導体チップ1の側面から電気的絶縁層9を通じてミラー層6まで到達することができない。このようにして、水分の影響を受けるミラー層6の腐食が防止される。半導体積層体2は切り取り部17を有し、この切り取り部17においては、半導体積層体2が第1の電気的接触層7まで除去されている。結果として、切り取り部17の中に配置された外部からアクセス可能な接続コンタクト14を、第1の電気的接触層7が形成している。接続コンタクト14は、特に、ボンディングワイヤを接続するように設けられたボンディングパッドとすることができる。切り取り部17は、エッチング法によって形成することができ、例えば傾斜側面28を有する。第2の電気的接触層8には、例えば半導体チップ1の裏面を介して特に、導電性のキャリア基板10およびはんだ層21を介して、外部から電気的に接続することができる。はんだ層21と第2の電気的接触層8との間には障壁層22を配置することができ、障壁層は、特に、はんだ層21の成分が第2の電気的接触層8の中に拡散すること、またはこの逆の拡散を防止する。第2の電気的接触層8は、第1の半導体領域3および活性ゾーン4を貫いて延びる貫通孔18を通じて、第2の半導体領域5に導電接続されている。貫通孔18の領域においては、活性ゾーン4、第1の半導体領域3、ミラー層6、および第1の電気的接触層7が、電気的絶縁層9によって第2の電気的接触層8から絶縁されている。第2の半導体領域5の部分領域15は、第1の半導体領域3よりも横方向に突き出していることが有利である。第2の半導体領域5のうち第1の半導体領域3よりも横方向に突き出している部分領域15は、半導体チップ1の側面に隣接していることが好ましい。第2の電気的接触層8の少なくとも一部分は、第2の半導体領域5のうち第1の半導体領域3よりも横方向に突き出している部分領域15において、第2の半導体領域5に直接隣接していることが好ましい。このようにすることで、特に、第2の電気的接触層8が第2の半導体領域5との直接接触部を形成し、この直接接触部は、半導体チップ1の縁部において周囲を囲むように延在している。したがって、第2の電気的接触層8と第2の半導体領域5との間の導電接続は、第一に、貫通孔18の領域に存在し、第二に、第2の半導体領域5が第1の半導体領域3よりも横方向に突き出している部分領域15に存在する。このようにすることで、半導体チップ1に電流が特に効率的に印加される。第2の電気接触層8は、自身が第2の半導体領域5の部分領域15に直接隣接している領域において、接触層として機能するのみならず、キャリア基板10の方向に放出された放射の一部を、半導体積層体2の第2の主領域12放射出口領域としての役割を果たすの方に反射する反射層としても機能し、これは有利である。したがって、第2の電気接触層は、高い反射率を有する金属または金属合金、特に、銀、アルミニウム、または、銀あるいはアルミニウムを含有する合金を含んでいることが有利である。さらには、第1の電気的接触層7の少なくとも一部分が第1の半導体領域3に直接隣接しているならば有利である。この構造は、特に、キャリア基板10の側の第1の半導体領域3の界面全体をミラー層6が覆うのではなく、第1の半導体領域3の少なくとも1つの部分領域13にミラー層6が存在しないようにすることによって、達成することができる。ミラー層によって覆われていない第1の半導体領域3の部分領域13においては、第1の電気的接触層7が第1の半導体領域3に直接隣接している。第1の電気的接触層7に直接隣接している第1の半導体領域3の部分領域13は、接続コンタクト14に並んで配置されていることが好ましい。このようにすることで、接続コンタクト14から第1の半導体領域3に電流が特に効率的に印加される。第1の電気的接触層7が第1の半導体領域3に直接隣接している部分領域13は、特に、接続コンタクト14の周囲を囲むように延在する領域とすることができ、すなわち、部分領域13は、特に、接続コンタクト14の周囲に環状または枠状に延在することができる。接続コンタクト14は、半導体チップ1の中央よりも外側に配置されていることが好ましい。図1Bの平面図において理解できるように、接続コンタクト14は、半導体チップ1の角部の近傍に配置されていることが好ましい。接続コンタクト14は、半導体積層体2の側面24に直接隣接していないことが有利である。横方向に見たとき、接続コンタクト14は、全方向において半導体積層体2の一部分によって囲まれていることが好ましい。これによって、第1の半導体領域3に電流が特に効率的に印加されるようにする目的で、第1の電気的接触層7と第1の半導体領域3の部分領域13との間の接触部を、接続コンタクト14の周囲に延在するように具体化することが可能である。以下では、本オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法の例示的な実施形態について、図2A~図2Mを参照しながら説明する。本オプトエレクトロニクス半導体チップの個々の構成要素の上述した有利な構造形態は、以下に説明する本方法にもあてはまり、逆も同様である。図2Aに示した本方法の中間ステップにおいては、第1の半導体領域3と、活性ゾーン4と、第2の半導体領域5とを備えた半導体積層体2を、成長基板20の上に成長させる。この成長は、エピタキシャルに特に、MOVPEによって行うことが好ましい。半導体積層体2は、例えば窒化物化合物半導体材料を含んでいることができ、成長基板20は、サファイア基板とすることができる。第1の半導体領域3がp型半導体領域であることが好ましく、第2の半導体領域5がn型半導体領域であることが好ましい。図2Bに示した方法ステップにおいては、第2の半導体領域5に、酸化物層25例えば酸化ケイ素層を形成する。酸化物層25は、後からのフォトリソグラフィ工程およびエッチング工程において第1の半導体領域3を保護する役割を果たす。図2Cに示した中間ステップにおいては、半導体積層体2を、フォトリソグラフィによって特に、反応性イオンエッチングRIEによってパターニングし、この場合、半導体積層体2を、一部の領域において、第2の半導体領域5まで除去し、すなわち、これらの領域においては、第1の半導体領域3および活性ゾーン4が完全に除去される。このようにして一部の領域において露出した第2の半導体領域5の表面には、後から接続コンタクトを形成するための準備処理として、誘導結合型プラズマエッチングICPを行うことができる。図2Dに示した方法ステップにおいては、前に形成した酸化物層を、例えば、バッファードフッ酸によるエッチングBOE:BufferedOxideEtchによって、再び除去する。さらに、前にパターニングした半導体積層体2に、メタライゼーション26を形成し、このメタライゼーションは、銀またはアルミニウムを含んでいることが好ましく、完成時の半導体チップにおいてミラー層および第2の電気的接触層の一部を形成する。銀またはアルミニウムを含有しているメタライゼーション26には、保護層例えばPt-Ti-Pt積層体図示していないを形成することが有利である。図2Eに示した方法ステップにおいては、第1の半導体領域3および第2の半導体領域5に対応する個別のコンタクトを形成する目的で、メタライゼーション26を、例えばフォトリソグラフィによってパターニングする。パターニングの後に第1の半導体領域3の上に配置されているメタライゼーションの部分領域は、完成時の半導体チップにおいてミラー層6を形成する。第2の半導体領域5の上に配置されているメタライゼーションの部分領域8aは、完成時の半導体チップにおいて第2の電気的接触層の一部を形成する。図2Fに示した中間ステップにおいては、このようにして形成された構造に、電気的絶縁層9を形成する。電気的絶縁層9は、特に、酸化ケイ素層または窒化ケイ素層とすることができる。図2Gに示した中間ステップにおいては、特に、ミラー層6を露出させる目的で、電気的絶縁層9に開口部を形成する。これらの開口部はフォトリソグラフィによって形成することができ、特に、BOEによるエッチングを行うことができる。これにより、後の方法ステップにおいて、半導体積層体2とは反対側のミラー層6の界面16に電気的接触層を形成することが可能になる。電気的絶縁層9は、一部の領域において、第1の半導体領域3の部分領域13まで除去する。図2Hに示した中間ステップにおいては、第1の電気的接触層7を形成し、フォトリソグラフィによってパターニングする。第1の電気的接触層7は、ミラー層6の表面を覆っており、これにより、第一に、第1の半導体領域3との電気的接続を形成しており、第二に、ミラー層6の材料を封止する役割を果たしている。第1の電気的接触層7は、特に、金、チタン、クロム、窒化チタン、窒化チタンタングステン、またはニッケルを含んでいる、またはこれらの材料からなることができる。第1の電気的接触層7が複数の部分層を備えていることも可能である。一例として、第1の電気的接触層7は、チタン層と、隣接する金層とを備えていることができる。図2Iに示した中間ステップにおいては、前に形成した第1の電気的接触層7を絶縁する目的で、電気的絶縁層9を形成する。図2Jに示した中間ステップにおいては、前に形成した第2の電気的接触層の部分領域8aを露出させる目的で、電気的絶縁層9に開口部を形成する。このステップは、例えば、BOEエッチングと組み合わせてフォトリソグラフィによって行うことができる。図2Kに示した中間ステップにおいては、ここまでに形成した層構造全体を、第2の電気的接触層8によって覆う。第2の電気的接触層8は、銀、アルミニウム、または、銀あるいはアルミニウムを含有する合金を含んでいることが好ましい。第2の電気的接触層8は、第2の半導体領域5特に、n型半導体領域とすることができるとの電気的接触を形成する役割を果たす。第2の半導体領域5との接触を形成する目的で、第2の電気的接触層8は、第一に、第1の半導体領域3および活性ゾーン4を貫いて延びる貫通孔18において、第2の半導体領域5に隣接している。さらに、第2の電気的接触層8は、半導体チップ1の縁部に沿って延在する、第2の半導体領域5の部分領域15において、第2の半導体領域5に隣接している。特に、第2の電気的接触層8と第2の半導体領域5との間の接触部半導体チップ1の縁部近傍に全周にわたり延在するは、このようにして形成される。このようにすることで、半導体チップ1に電流が特に効率的に印加される。図2Lに示した中間ステップにおいては、半導体チップ1を、成長基板20とは反対側の面において、はんだ層21によってキャリア基板10に結合する。好ましくは銀またはアルミニウムを含有している第2の電気的接触層8を、はんだ層21の成分の拡散に対して保護する目的で、キャリア基板10を半導体チップに結合する前に、第2の電気的接触層8に障壁層22を形成することが好ましい。はんだ層21は、特に、AuSnを含んでいることができる。障壁層22は、例えば、TiWNを含んでいることができる。キャリア基板10は、導電性の基板例えば、シリコンまたはゲルマニウムからなるドープされた半導体ウェハであることが好ましい。図2Mに示した中間ステップにおいては、半導体チップ1から成長基板20を剥離する。この半導体チップ1は、前の図と比較して180 ゚回転した状態で示してあり、なぜなら、この段階では、元の成長基板とは反対側に位置するキャリア基板10が、半導体チップ1の単一のキャリアとして機能しているためである。成長基板特にサファイア基板は、例えばレーザリフトオフ工程によって半導体積層体2から剥離することができる。図2Mに示した中間ステップにおいては、成長基板20が剥離された側の半導体チップ1の主領域12に、例えばKOHを使用するエッチングによって、放射取り出し構造23をさらに設ける。これは有利であり、なぜなら、半導体チップ1の第2の主領域12は、完成時のオプトエレクトロニクス半導体チップ1において放射取り出し領域の役割を果たすためである。さらなる方法ステップにおいては、図1Aに示したように、第2の半導体領域5にメサ構造を設け、したがって、半導体チップ1は、特に、第2の半導体領域5における傾斜側面24を有することができる。さらに、第2の半導体領域5に切り取り部17を形成し、この切り取り部においては、第2の半導体領域5を第1の電気的接触層7まで除去する。切り取り部17は、傾斜側面28を有することができる。メサ構造および切り取り部17は、湿式化学エッチング工程によって、または乾式エッチングによって形成することができる。切り取り部17において第1の電気的接触層7が露出していることにより、この領域において第1の電気的接触層7は、外部からアクセス可能な電気接続コンタクト14を形成しており、このコンタクト14は、特に、ワイヤ接続を形成するためのボンディングパッドとしての役割を果たすことができる。第2の電気的接触層8を電気的に接続する目的で、好ましくは導電性のキャリア基板10の裏面に、さらなる電気的接続部を設けることができる。図1Aに示したオプトエレクトロニクス半導体チップ1の例示的な実施形態は、以上のようにして製造される。図3Aの断面図および図3Bの平面図は、オプトエレクトロニクス半導体チップの第2の例示的な実施形態を示しており、図1Aに示した第1の例示的な実施形態と異なる点として、半導体積層体2における切り取り部17が、半導体積層体2全体を貫いて第1の電気的接触層7に達している。したがって、接続コンタクト14は、半導体積層体2の元の表面の高さに位置している。以下では、図1Aに示した例示的な実施形態と比較したときの、図3Aに示した例示的な実施形態の利点について説明する。図1Aに示した例示的な実施形態においては、第1の電気的接触層7は、電気的絶縁層9のうち接続コンタクト14の縁部領域に隣接する部分領域に密着する形で成形されており、電気的絶縁層9のうちミラー層6に接触している部分領域19は、この第1の電気的接触層に密着する形で成形されている。電気的絶縁層9のうち接続コンタクトに隣接する領域によって形成される段の下に、電気的接触層7が十分に形成されていない場合、電気的絶縁層9のこれらの部分領域が、その下方に配置される電気的絶縁層9に接触する危険性があり、その場合、水分が、電気的絶縁層9のうち周囲の媒体に隣接している部分領域を通じてミラー層6に達する危険性がある。図3Aに示した例示的な実施形態においては、この危険性が回避され、なぜなら、ミラー層6に接触している電気的絶縁層9の上方には、周囲の媒体に接触するさらなる電気的絶縁層が成形されていないためである。しかしながら、図3Aに示した例示的な実施形態では、切り取り部17において露出している活性ゾーン4を保護する目的で、少なくとも切り取り部17の側面28に、さらなる電気的絶縁層27を形成する必要がある。この追加の電気的絶縁層27は、例えば、キャリア基板10とは反対側の半導体チップ1の第2の主領域12全体に、接続コンタクト14を除いて形成することができる。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。