上下に主表面を有し、一方の主表面が放熱基板と接着させるための接着面として利用され、もう一方の主表面がリードに接着されたヒートシンクであって、前記ヒートシンクの樹脂封止される部分が、極性基と無極性基を有する化合物からなる撥水性被膜で被覆されていることを特徴とするヒートシンク。前記ヒートシンクは、前記撥水性被膜で被覆されている部分が樹脂封止されていることを特徴とする請求項1記載のヒートシンク。前記リードにおける、前記主表面との接着面と反対側の面には、さらに、半導体素子が固着されていることを特徴とする請求項2記載のヒートシンク。一方、リードとヒートシンクとが封止樹脂で一体成形される場合、リードの一方の主面にヒートシンクを接着した後図7a参照、ヒートシンクにおける、放熱基板と接着させる主面以下、接着面という。を除く部分が封止樹脂で樹脂成形され図7b、図7c参照、さらに、リードにおける、ヒートシンクとの接着面と反対側のもう一方の主面に半導体素子が固着され図7d、ヒートシンク付き半導体装置中間体が作成される図7e参照。しかしながら、上記のヒートシンクにおいては、作成された半導体装置中間体のリードの半田付け時において、ヒートシンクの接着面に塗布される、放熱性に優れたシリコーン系等の極性を有する接着剤が、半田付け時に発生する高熱により融解して樹脂封止後のヒートシンクにおいて、融解した接着剤が封止樹脂とヒートシンクの表面との間に侵入し、ヒートシンクの周囲が当該接着剤で汚染されてしまうという問題が生じる。本発明は、上記課題に鑑み、ヒートシンクの接着面に塗布される極性を有する接着剤が、リードの半田付け時に発生する高熱により融解し、樹脂封止後のヒートシンクにおいて、接着剤による汚染がヒートシンクの周囲に広がるのを防止することが可能なヒートシンクを提供することを目的とする。本発明は、上下に主表面を有し、一方の主表面が放熱基板と接着させるための接着面として利用され、もう一方の主表面がリードに接着されたヒートシンクであって、前記ヒートシンクの樹脂封止される部分が、極性基と無極性基を有する化合物からなる撥水性被膜で被覆されているという構成を備える。前記ヒートシンクは、前記撥水性被膜で被覆されている部分が樹脂封止されていることとすることができる。又、前記リードにおける、前記主表面との接着面と反対側の面には、さらに、半導体素子が固着されていることとすることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態<構成>図1は、本実施の形態における半導体装置10の断面図である。同図に示す様に、半導体装置10は、リード11、半導体素子12、電気接続用ワイヤー13、封止樹脂14から構成される。リード11リード11は、銅、銅合金、鉄、鉄合金などの金属薄板材で構成され、表面が後述する金属被膜21で覆われている。リード11における、図1の符号15で示す、封止樹脂14で封止された部分の周辺部分の外表面は、撥水性の有機化合物の被膜以下、撥水性被膜という。で覆われている。符号15で示す部分は、背景技術で説明したように、樹脂バリが生ずる部分である。図2は、撥水性被膜で覆われた部分のリード11の構造を示す断面図である。リード11は、外表面が金属被膜21と撥水性被膜22の2層の被膜で覆われている。金属被膜21は、例えば、ニッケル、パラジウム、銀、金などの金属をリードの表面にメッキすることにより形成される。撥水性被膜22は、金属と結合可能な極性の官能基例えば、チオール、チオール誘導体、含窒素複素環化合物などと無極性疎水性のアルキル鎖若しくはフルオロアルキル鎖若しくはアリール基若しくはフルオロアリール基とを含む撥水性被膜剤から形成される。撥水性被膜剤は、例えば、C6H13SH、C8H17SH、C10H21SH、C12H25SH、C18H37SH、C6F13SH、C8F17SH、C10F21SH、C12F25SH、C18F37SH、C6H5SH、C6F5SHから形成される。又、前記撥水性皮膜剤の末端は、上記のSH基と置き換えて含窒素複素環化合物でもよく、例えば、イミダゾール化合物、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、ジアジン化合物、トリアジン化合物、テトラジン化合物から形成されても良い。又、図3に示す、含窒素複素環化合物にチオールまたはチオール塩を修飾したトリアジンチオール化合物から形成されることとしてもよい。図3のaの化学式において、Rは、炭素数1~18のアルキル基であることを示し、図3のbの化学式において、R1、R2は、H又は炭素数1~8のアルキル基であることを示し、図3のa、bにおいて、X1、X2は、SH又はSNaであることを示す。図4は、撥水性被膜22を構成する化合物によって、金属被膜21の表面に形成された自己組織化単分子膜の具体例を模式的に表した図である。図4では、チオール又はチオール誘導体を含む化合物が、チオールSH基符号40で示すを介して金属被膜21の表面の金属と結合し、それに伴ってアルキル鎖41が外方に向いた状態で金属被膜21表面に配列される。ここで、となり合う化合物同士は、当該化合物の有するアルキル鎖符号41で示す間のファンデルワールス力符号42で示すによって弱く結合している。このように、自己組織化単分子膜が金属被膜21の表面上において、高密度に形成され、当該金属被膜21の表面に、アルキル鎖41が露出されることにより、撥水性となる。これにより、封止樹脂の化学構造に含まれる極性基例えば、封止樹脂として汎用されているエポキシ樹脂の場合には、エポキシ基が、金属被膜21の表面の金属と、極性基を介して化学的に結合できなくなり、リード11における、撥水性被膜22が形成された領域において封止樹脂の結合力が弱められ、当該領域において樹脂バリが形成された場合においても、容易に取り除くことができる。図5は、撥水性被膜22の存否による、エポキシ樹脂分子と金属被膜21との結合様式の相違点を示す模式図である。図5aは、撥水性被膜22非存在下における、符号51で示す各エポキシ樹脂分子と、金属被膜21との結合様式を示す。図5に示すように、各エポキシ樹脂分子51は、金属被膜21の表面の金属と、符号52で示すエポキシ基を介して結合する。図5bは、撥水性被膜22存在下における、各エポキシ樹脂分子51と、金属被膜21との結合様式を示す。撥水性被膜22存在下では、金属被膜21表面の、エポキシ基と結合できる金属原子が、撥水性被膜22に含まれるチオール基40によって占有され、疎水性のアルキル鎖41が撥水性被膜22の表面側に表出されるので、エポキシ基52は、疎水性のアルキル鎖41の反発力によって金属被膜21から遠ざけられ、金属被膜21表面の金属原子と結合することができず、エポキシ樹脂分子51の疎水性を有する部位が、表面側に表出されたアルキル鎖41とエポキシ樹脂分子51間に働く、金属原子との結合に比べ結合力が弱いファンデルワールス力により弱く撥水性被膜22と結合する。なお、リード11の製造工程を簡略化するため、撥水性被膜22は、リード11全体に形成することとしてもよい。半導体素子12リード11上に、ダイボンディングされて固定され、電気接続用ワイヤー13でリード11の接続部とワイヤーボンディングされて、接続部と電気的に接続されている。電気接続用ワイヤー13半導体素子12とリード11とを電気的に接続する。電気接続用ワイヤー13としては、接続部とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが望ましい。例えば、金、銅、白金、アルミニウム等及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤーを用いることができる。このような導電性ワイヤーは、ワイヤーボンディング機器によって容易に接続部と接続させることができる。封止樹脂14半導体素子12及びリード11を封止する樹脂であり、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリマーパーフルオロスルホン酸系ポリマーなどから構成される。<製法>リード11のコーティング工程銅、銅合金、鉄、鉄合金等の金属薄板材をプレス加工又はエッチング加工してリード11を形成し、リード11の表面をニッケル、パラジウム、銀、金などの金属で金属メッキ処理をして、金属被膜21を形成した後、さらに上記に示す何れかの撥水性被膜剤を用いて、以下に示す条件で表面のコーティング処理を行い、金属被膜21の上に撥水性被膜22を形成して、その後、前記撥水性皮膜剤を含有しない水やアルコール等の溶媒により、洗浄する事により、余分な撥水皮膜22を除去し、リード11を完成する。コーティング処理に用いる撥水性被膜剤の濃度は、撥水性被膜剤の種類によって異なるが、概ね01mgL~100gLの範囲内で調製される。上記撥水皮膜剤の濃度は、低すぎると処理に時間を要し、高すぎても一定以上の効果は期待できず、短分子皮膜が形成されるとそれ以上は皮膜形成反応が進行しない。撥水性被膜剤を溶解させる溶剤として、水、アルコール類例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ケトン類例えば、アセトン、メチルエチルケトンを用いることができる。望ましくは、親水性、例えば、脱イオン水や純水を用いることができる。又、金属への皮膜形成を安定させる為に、必要に応じてホウ酸系、リン酸系のpH緩衝剤を添加しても良い。更に、前記撥水性被膜剤の溶解性分散性を高める為に、必要に応じて、アニオン系、カチオン系、ノニオン系のいずれか、またはこれらの混合物を添加しても良い。又、コーティング処理は、リード11を、撥水性被膜剤を溶剤に溶解させた溶液に所定時間、浸漬させることにより行っても良いし、上記溶液を、リード11に塗布したり、噴霧したりすることによって行うこととしてもよい。例えば、金属メッキ処理の後、リード11の図1の符号15で示す部分に、調整した撥水性被膜剤を塗布又は噴霧することにより、符号15で示す部分のみに、撥水性被膜を形成させることができる。パッケージ工程コーティング処理後のリード11に半導体素子12を導電性ペースト銀ペーストにより、リード11に接着し、ワイヤーボンディング機器を用いて、電気接続用ワイヤー13をリード11の接続部にワイヤボンドし、半導体素子12と接続部とを電気的に接続した後、封止樹脂14を成型するための金型を用いて、コーティング処理後のリード11に、封止樹脂14を成型し、乾式又は湿式ブラスト装置を用いて、樹脂バリを除去するためのブラスト処理を行い、半導体装置10を完成する。<補足>1本実施の形態に係る撥水性被膜22で被覆されたリード11は、図6eに示すように、中空樹脂封止型の半導体装置にも適用できる。具体的には、以下のイ~の各工程により、中空樹脂封止型の半導体装置を製造することができる。リード11における樹脂封止が行われる部分の周辺部分符号61で示す部分を、半導体装置100におけるリード11のコーティング工程と同様に、コーティング処理して撥水性被膜22を形成した後、コーティング処理後のリード11を、図6bに示す金型31、32間に挿入し、樹脂注入口30からモールド樹脂を注入して、リード11にモールド樹脂33を成型し、図6cに示すリード11の樹脂成型体を作成し、乾式又は湿式ブラスト装置を用いて、樹脂バリを除去するためのブラスト処理を行った後、図6dに示すように、半導体素子12を導電性ペースト例えば、銀ペーストにより、リード11に固着し、ワイヤーボンディング機器を用いて、電気接続用ワイヤー13をリード11の接続部にワイヤボンドし、半導体素子12と接続部とを電気的に接続し、最後に図6eに示すように、上部の開口部を、樹脂製の蓋34で封止する。又、上記のリード11の樹脂成型体は、LED等の光半導体装置にも適用できる。この場合には、リード11に発光素子を固着させた後、開口部をエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の透明性の樹脂で樹脂封止して、光半導体装置を作成する。又、のブラスト処理後、リード11の撥水性被膜22で被覆された部分を銀や金などの金属でメッキするメッキ処理工程をの工程の前に挿入することとしてもよい。これにより、上記半導体装置や上記光半導体装置において、リード11の撥水性被膜22で被覆された部分の半田性を向上させることができ、プリント基板への固着を容易に行うことができる。なお、リード11の製造工程を簡略化するため、撥水性被膜22は、リード11全体に形成することとしてもよい。2本実施の形態及び1の実施の形態のように、撥水性被膜22で被覆されたリード11を用いることで、得られる効果は、撥水性被膜22が形成された領域において、樹脂バリが形成された場合においても、樹脂バリを容易にとり除けるということだけではなく、リード11における撥水性被膜22が形成された領域以下、被膜領域という。と封止樹脂との間の界面に、封止樹脂が吸湿した水分がたまるのを防止できる。従って、撥水性被膜22で被覆されていないリードを用いた場合には、リードの半田付け等の高温処理が行われると、封止樹脂とリードとの間の界面にたまった水分が、蒸発し、界面周辺にクラックが生じやすいのに対し、撥水性被膜22で被覆されたリードを用いた場合には、上記界面に水分がたまらないので、リードの半田付け等の高温処理が行われても、界面周辺に、封止樹脂が吸湿した水分によるクラックが生ずるのを防止することができる。3本実施の形態に係る撥水性被膜22は、ヒートシンクを有する半導体装置にも利用することができる。図7は、撥水性被膜22でコーティングされたヒートシンクを有する中空樹脂封止型の半導体装置以下、ヒートシンク付中空半導体装置という。の製造過程を示す図である。以下、図7を参照して、ヒートシンク付中空半導体装置の製造方法について説明する。コーティング処理前のリード11に、銀ロウを用いて図7aに示すように、ヒートシンク72を接着し、接着後のリードーヒートシンク結合体以下、結合体という。の符号71で示す部分、すなわち、熱可塑性樹脂により樹脂封止が行われる部分を、半導体装置100におけるリード11のコーティング工程と同様に、コーティング処理して、リードとヒートシンクの一部に撥水性被膜22を形成する。撥水性被膜22形成後の製造工程は、図7b~図7eに示すように、補足1のロ~に記載の製造工程と同じであるので、説明を省略する。上記製造工程により、製造されたヒートシンク付中空半導体装置においては、リード11の、封止樹脂で封止されていない、図7eの符号73で示す部分の半田付けにより、放熱基板と接合された際に、図7eの符号74で示す、ヒートシンクと放熱基板不図示との接合部に塗布される、放熱性に優れたシリコーン系等の極性を有する接着剤が、半田付け時に発生する高熱により、図7eの符号75で示す、撥水性被膜22で被覆された部分のヒートシンクの表面と当該表面を覆う封止樹脂との間及び図7eの符号76で示す撥水性被膜22で被覆された部分のリードと当該部分のリード表面を覆う封止樹脂との間に隙間が入り、それらの隙間を通って上記接合部に塗布された接着剤が毛細管現象により、接合部から半導体素子12へと流出し、半導体素子12が接着剤で汚染されるのを防ぐことができる。すなわち、撥水性被膜22が極性を有する接着剤と反発し合うことにより、上記隙間に接着剤が接合部から流出されるのを防止することができる。上記効果は、中空樹脂封止型の半導体装置に限らず、補足1に記載のLED等の光半導体装置、実施の形態に記載の半導体装置10においても、同様にヒートシンクを接合して、半導体装置100におけるリード11のコーティング工程と同様に、コーティング処理を行うことにより、実現することができる。