"第一の電極、第二の電極、前記第一の電極および前記第二の電極の間に存在する、n型有機半導体およびp型有機半導体を含む光電変換層、および前記第一の電極または前記第二の電極と、前記光電変換層と、の間に存在する正孔輸送層を有し、前記光電変換層および前記正孔輸送層の少なくとも一方は、ポリアルキレンイミンを含む、有機光電変換素子。前記ポリアルキレンイミンが、分岐鎖状のポリアルキレンイミンであり、前記分岐鎖状のポリアルキレンイミンは、第1級アミノ基、第2級アミノ基、および第3級アミノ基を含み、前記第1級アミノ基は、前記分岐鎖状のポリアルキレンイミン中の全アミノ基100モルに対し、10モル~50モルである、請求項1に記載の有機光電変換素子。前記ポリアルキレンイミンは、下記一般式1~7で表される基からなる群から選択される少なくとも1種が窒素原子の少なくとも一部に付加されてなる変性ポリアルキレンイミンを含む、請求項1または2に記載の有機光電変換素子;式中、R1~R4は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1~4の直鎖または分岐鎖アルキル基を表す;式中、R5は、それぞれ独立して、炭素原子数1~30の直鎖または分岐鎖アルキル基を表す;式中、R6およびR7は、それぞれ独立して、水素原子または炭素原子数1~30の直鎖または分岐鎖アルキル基を表す;式中、R8~R11は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1~4の直鎖または分岐鎖アルキル基を表す;式中、R12は、それぞれ独立して、炭素原子数1~30の直鎖または分岐鎖アルキル基を表す;式中、R13は、それぞれ独立して、炭素原子数1~30の直鎖または分岐鎖アルキル基を表す;式中、R14は、それぞれ独立して、炭素原子数1~30の直鎖または分岐鎖アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基を表す。前記光電変換層は、前記ポリアルキレンイミンを含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。前記光電変換層および前記正孔輸送層は、前記ポリアルキレンイミンを含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。前記ポリアルキレンイミンが、ポリエチレンイミン、ポリプロピレンイミン、およびこれらの共重合体からなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。前記正孔輸送層は、π共役系導電性高分子とポリアニオンを含む、請求項1~6のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。請求項1~7のいずれか1項に記載の有機光電変換素子を有する、太陽電池。しかしながら、本発明者らが検討したところ、上記文献に記載された技術を以てしても、十分な耐久性または光電変換効率が得られないことが判明した。すなわち、上記非特許文献2に記載された技術によると、PSSの中和で仕事関数が変動することや、中和時に生じる塩成分が素子中に残存することにより、十分な耐久性および光電変換効率が発揮できないことが分かった。また、非特許文献3および4に記載された技術では、架橋反応を進行させるために外部から高い温度に加熱する必要があるため、モルフォロジーの粗大化が起こり、所望の光電変換効率が得られないことが分かった。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、耐久性に優れ、かつ十分な光電変換効率を発揮することができる光電変換素子を提供することを目的とする。本発明者らが、上記課題を解決すべく鋭意研究を行ったところ、光電変換層および正孔輸送層の少なくとも一方に、ポリアルキレンイミンを添加することにより、耐久性に優れ、かつ十分な光電変換効率が発揮されることを知得して、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、第一の電極;第二の電極;第一の電極および第二の電極の間に存在する、n型有機半導体およびp型有機半導体を含む光電変換層;ならびに第一の電極または第二の電極と、光電変換層と、の間に存在する正孔輸送層;を有する有機光電変換素子において、光電変換層および正孔輸送層の少なくとも一方が、ポリアルキレンイミンを含むことを特徴とする。本発明によれば、耐久性に優れ、かつ十分な光電変換効率を発揮することができる有機光電変換素子を提供することが可能となる。本発明は、第一の電極;第二の電極;第一の電極および第二の電極の間に存在する、n型有機半導体およびp型有機半導体を含む光電変換層;ならびに第一の電極または第二の電極と、光電変換層と、の間に存在する正孔輸送層;を有する有機光電変換素子において、光電変換層および正孔輸送層の少なくとも一方にポリアルキレンイミンが添加されてなる点に特徴を有する。このように光電変換層および正孔輸送層の少なくとも一方にアルキレンイミンを添加することにより、素子の耐久性が向上するという効果が得られるメカニズムについては定かではないが、本発明者らは以下のように推測している。すなわち、有機光電変換素子中には、各種のイオン性成分例えば、PEDOT:PSSのPSS由来のアニオン成分や、電極材料であるAgのマイグレーションにより生じる成分、ポリマー材料の合成時に使用した触媒由来の成分などが存在しており、素子の劣化は、光照射中発電中に電極間を移動するこれらのイオン性成分により引き起こされると考えらえる。これに対し、本発明では、ポリアルキレンイミンを光電変換層およびまたは正孔輸送層に添加する。ポリアルキレンイミンはイオン性成分を補足する機能を有するため、光照射中発電中のイオン性成分の移動を防止し、素子の劣化を抑制することができると推測される。さらに、前記光電変換層にポリアルキレンイミンを添加した場合、後述の実施例でも示すように、光電変換効率が有意に向上するという効果も得られる。この光電変換効率の向上は、ポリアルキレンイミンの存在により、光電変換層のモルフォロジーが良好に形成されることによるものと推測される。以下、添付した図面を参照しながら本発明の有機光電変換素子を説明するが、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲の記載により定められるべきものであり、以下の形態のみに制限されない。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。図1は、本発明の一実施形態に係る、有機光電変換素子を模式的に表した断面概略図である。具体的には、図1の有機光電変換素子10は、基板25上に、陽極11、正孔輸送層26、光電変換層14、電子輸送層27、および陰極12がこの順に積層されてなる構成を有する。図1に示す有機光電変換素子10の作動時において、光は基板25側から照射される。本実施形態において、陽極11は、照射された光が光電変換層14へと届くようにするため、透明な電極材料例えば、ITOで構成される。基板25側から照射された光は、透明な陽極11および正孔輸送層26を経て光電変換層14へと届く。図1において、基板25を経て陽極11から入射された光は、光電変換層14における電子受容体あるいは電子供与体で吸収され、電子供与体から電子受容体に電子が移動し、正孔と電子のペア電荷分離状態が形成される。発生した電荷は内部電界、例えば、陽極11と陰極12との仕事関数が異なる場合では陽極11と陰極12との電位差によって、電子は電子受容体間を通り、また正孔は電子供与体間を通り、それぞれ異なる電極へ運ばれ、光電流が検出される。なお、正孔輸送層26は、正孔の移動度が高い材料で形成されており、光電変換層14のpn接合界面で生成した正孔を効率よく陽極11へと輸送する機能を担っている。一方、電子輸送層27は、電子の移動度が高い材料で形成されており、光電変換層14のpn接合界面で生成した電子を効率よく陰極12へと輸送する機能を担っている。図2は、本発明の他の一実施形態に係る有機光電変換素子を模式的に表した断面概略図である。図2の有機光電変換素子20は、図1の有機光電変換素子10と比較して、陽極11と陰極12とが逆の位置に配置され、また、正孔輸送層26と電子輸送層27とが逆の位置に配置されている点が異なる。すなわち、図2の有機光電変換素子20は、基板25上に、陰極12、電子輸送層27、光電変換層14、正孔輸送層26、および陽極11がこの順に積層されてなる構成を有している。このような構成を有することにより、光電変換層14のpn接合界面で生成される電子は電子輸送層27を経て陰極12へと輸送され、正孔は正孔輸送層26を経て陽極11へと輸送される。図3は、本発明の他の一実施形態に係る、タンデム型多接合型の光電変換層を備えた有機光電変換素子を模式的に表した断面概略図である。図3の有機光電変換素子30は、図1の有機光電変換素子10と比較して、光電変換層14に代えて、第1の光電変換層14aと、第2の光電変換層14bと、これら2つの光電変換層の間に介在する電荷再結合層38との積層体が配置されている点が異なる。図3に示すタンデム型の有機光電変換素子30では、第1の光電変換層14aおよび第2の光電変換層14bに、それぞれ吸収波長の異なる光電変換材料p型有機半導体およびn型有機半導体を用いることにより、より広い波長域の光を効率よく電気に変換することが可能となる。以下、本発明に係る有機光電変換素子の各構成要素について詳細に説明する。[電極]本形態の有機光電変換素子は、第一の電極および第二の電極を必須に含む。第一の電極および第二の電極は、各々、陽極または陰極として機能する。本明細書において、第一のおよび第二のとは、陽極または陰極としての機能を区別するための用語である。したがって、第一の電極が陽極として機能し、第二の電極が陰極として機能する場合もあるし、逆に、第一の電極が陰極として機能し、第二の電極が陽極として機能する場合もある。光電変換層14で生成されるキャリア正孔電子は、電極間を移動し、正孔は陽極12へ、電子は陰極16へと到達する。なお、本発明においては主に正孔が流れる電極を陽極と呼び、主に電子が流れる電極を陰極と呼ぶ。また、タンデム構成をとる場合には電荷再結合層中間電極を用いることでタンデム構成を達成することができる。さらに、電極が透光性を有するものであるか否かという機能面から、透光性を有する電極を透明電極と呼び、透光性のない電極を対電極と呼び分ける場合もある。図1の形態の場合、通常、陽極は透光性のある透明電極であり、陰極は透光性のない対電極である。本形態の電極に使用される材料は、光電変換素子として駆動する限りにおいては特に制限はなく、本技術分野で使用されうる電極材料を適宜採用することができる。なかでも、陽極は陰極と比較して相対的に仕事関数が大きい材料から構成されることが好ましく、逆に陰極は陽極と比較して相対的に仕事関数が小さい材料から構成されることが好ましい。なお、電荷輸送層正孔輸送層または電子輸送層が存在する場合は、上記以外の形態であっても十分に光電変換素子として機能する。上述の図1に示す有機光電変換素子10において、陽極11は、相対的に仕事関数が大きく、透明な好ましくは、380~800nmの可視光に対して80以上の透過率を有する電極材料から構成されることが好ましい。一方、陰極12は、相対的に仕事関数が小さく例えば、4eV以下、通常、透光性の低い電極材料から構成されうる。このような、図1に示す有機光電変換素子10において、陽極透明電極に使用される電極材料としては、例えば、金、銀、白金等の金属;インジウムスズ酸化物ITO、SnO2、ZnO等の透明な導電性金属酸化物;金属ナノワイヤー、カーボンナノチューブ等の炭素材料等が挙げられる。また、陽極の電極材料として導電性高分子を用いることも可能である。陽極に使用されうる導電性高分子としては、例えば、PEDOT:PSS、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリアズレン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、ポリフェニルアセチレン、ポリジアセチレン、ポリナフタレンおよびこれらの誘導体等が挙げられる。これらの電極材料は、1種のみを単独で使用してもよいし、2種以上の材料を混合して使用してもよい。また、これらの材料の形状も特に制限はなく、ナノ粒子、ナノワイヤー、極薄膜等の形状で使用されうる。さらに、各材料からなる層を2種以上積層させて電極を構成することも可能である。一方、図1の有機光電変換素子において、陰極対電極に使用される電極材料としては、合金、電子伝導性化合物、およびこれらの混合物が使用されうる。具体的には、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。このうち、電子の取り出し性能や、酸化等に対する耐久性の観点から、仕事関数が低い第一の金属と、第一の金属よりも仕事関数が大きく安定な金属である第二の金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物や、安定な金属であるアルミニウム等を用いることが好ましい。また、これらの材料のうち金属を用いることも好ましく、これにより、第一の電極側から入射し光電変換層で吸収されずに透過した光を、第二の電極で反射させて光電変換に再利用することができ、光電変換効率を向上させることが可能である。また、これらの材料の形状も特に制限はなく、ナノ粒子、ナノワイヤー、極薄膜等の形状で使用されうる。さらに、各材料からなる層を2種以上積層させて電極を構成することも可能である。また、図2に示す有機光電変換素子では、光が入射する基板25側に陰極12が位置し、反対側に陽極11が位置する。したがって、図2に示す陽極11は、相対的に仕事関数が大きく、通常、透光性の低い電極材料から構成されることが好ましい。一方、陰極12は、相対的に仕事関数が小さく、透明な電極材料から構成される。図2の有機光電変換素子において、陰極透明電極に使用される電極材料としては、例えば、金、銀、銅、白金、ロジウム、ルテニウム、アルミニウム、マグネシウム、インジウム、スズ、亜鉛等の金属、金属化合物、および合金具体的には、インジウムスズ酸化物ITO、SnO2、ZnO、IDIXOIn2O3-ZnO;カーボンナノ粒子、カーボンナノワイヤー、カーボンナノ構造体等の炭素材料;が挙げられる。これらの電極材料は、1種のみを単独で使用してもよいし、2種以上の材料を混合して使用してもよい。また、これらの材料の形状も特に制限はなく、ナノ粒子、ナノワイヤー、極薄膜等の形状で使用されうる。さらに、各材料からなる層を2種以上積層させて電極を構成することも可能である。このうち、カーボンナノワイヤーを用いることにより、透明で導電性の高い陰極を塗布法により形成できるため好ましい。また、金属系の材料を使用する場合、陽極対電極と対向する側に、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、またはこれらの合金アルミニウム合金、金属化合物銀化合物等を用いて、補助電極グリッド電極、バスライン電極とも称されるを作製した後、上述の図1の有機光電変換素子の陽極透明電極材料として例示した導電性高分子の膜を設けることで、陰極透明電極とすることができる。このように補助電極を設けることにより、素子を大面積化した場合に起こる曲線因子FFの低減を抑えることができる。補助電極の形状は特に制限はないが、例えば、導電部がストライプ状もしくはメッシュ状、またはランダムな網目状である。導電部がストライプ状またはメッシュ状の補助電極を形成する方法としては、特に制限はなく、従来公知の方法が利用できる。例えば、基板全面に金属層を形成し、公知のフォトリソグラフィ法によって形成できる。具体的には、基板上に全面に、蒸着、スパッタ、めっき等の1もしくは2以上の物理的または化学的形成手法を用いて導電体層を形成する方法や、金属箔を接着剤で基板に積層した後、公知のフォトリソグラフィ法を用いてエッチングする方法等により、所望のストライプ状またはメッシュ状に加工できる。別の方法としては、金属微粒子を含有するインクをスクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、インクジェット方式等の各種印刷法により所望の形状に印刷する方法や、めっき可能な触媒インクを同様な各種印刷法で所望の形状に塗布した後、めっき処理する方法、さらに別な方法としては、銀塩写真技術を応用した方法も利用できる。こうした方法の中でも、金属微粒子を含有するインクを各種印刷法により所望の形状に印刷する方法は簡便な工程で製造できることから製造時にリークの原因となるような異物の巻き込みを低減でき、また、必要個所にしかインクを使用しないので液のロスが少ないことから最も好ましい。一方、図2の有機光電変換素子において、陽極対電極に使用される電極材料としては、例えば、銀、ニッケル、モリブデン、金、白金、タングステン、および銅等が挙げられる。第一の電極および第二の電極のシート抵抗は、特に制限はないが、数百Ω/□以下が好ましく、50Ω/□以下がより好ましく、15Ω/□以下がさらに好ましい。また、それぞれの電極の膜厚も特に制限はなく、材料によって異なるが、通常10~1000nmであり、好ましくは100~200nmであり、光の透過率または抵抗の観点から当業者により適宜設定されうる。また、補助電極を有する場合のシート抵抗は、10Ω/□以下であることが好ましく、0.01~8Ω/□であることがより好ましい。この場合、シート抵抗は補助電極の形状線幅、高さ、ピッチ、形状によって決まり、補助電極よりも抵抗の高い材料を使用する場合であっても窓部の抵抗影響はほとんど受けない。[光電変換層]n型有機半導体およびp型有機半導体光電変換層は、光起電力効果を利用して光エネルギーを電気エネルギーに変換する機能を有する。これらの光電変換材料に光が吸収されると、励起子が発生し、これがpn接合界面において、正孔と電子とに電荷分離される。本形態の光電変換層に使用されるp型有機半導体は、ドナー性電子供与性の有機化合物であれば特に制限はなく、本技術分野で使用されうる材料を適宜採用することができる。このような化合物のうち縮合多環芳香族低分子化合物としては、例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、へプタセン、クリセン、ピセン、フルミネン、ピレン、ペロピレン、ペリレン、テリレン、クオテリレン、コロネン、オバレン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、ゼスレン、ヘプタゼスレン、ピランスレン、ビオランテン、イソビオランテン、サーコビフェニル、アントラジチオフェン等の化合物、ポルフィリンや銅フタロシアニン、テトラチアフルバレンTTF-テトラシアノキノジメタンTCNQ錯体、ビスエチレンジチオテトラチアフルバレンBEDTTTF-過塩素酸錯体、およびこれらの誘導体や前駆体が挙げられる。また上記の縮合多環を有する誘導体の例としては、国際公開第03/16599号パンフレット、国際公開第03/28125号パンフレット、米国特許第6,690,029号明細書、特開2004-107216号公報等に記載の置換基をもったペンタセン誘導体、米国特許出願公開第2003/136964号明細書等に記載のペンタセンプレカーサ、J.Amer.Chem.Soc.,vol127.No14.4986、J.Amer.Chem.Soc.,vol.123、p9482、J.Amer.Chem.Soc.,vol.1302008、No.9、2706等に記載のトリアルキルシリルエチニル基で置換されたアセン系化合物等が挙げられる。共役系ポリマーとしては、例えば、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT等のポリチオフェンおよびそのオリゴマー、またはTechnicalDigestoftheInternationalPVSEC-17,Fukuoka,Japan,2007,P1225に記載の重合性基を有するようなポリチオフェン、NatureMaterial,2006vol.5,p328に記載のポリチオフェン-チエノチオフェン共重合体、WO2008000664に記載のポリチオフェン-ジケトピロロピロール共重合体、AdvMater,2007p4160に記載のポリチオフェン-チアゾロチアゾール共重合体,NatureMat.vol.62007,p497に記載のPCPDTBT等のようなポリチオフェン共重合体、Adv.Mater.,vol.19,2007p2295に記載のポリチオフェン-カルバゾール-ベンゾチアジアゾール共重合体PCDTBT、Macromolecules2009,42,p1610-1618に記載のビニル基置換ポリヘキシルチオフェンP3HNT、ポリピロールおよびそのオリゴマー、ポリアニリン、ポリフェニレンおよびそのオリゴマー、ポリフェニレンビニレンおよびそのオリゴマー、ポリチエニレンビニレンおよびそのオリゴマー、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリシラン、ポリゲルマン等のσ共役系ポリマー等のポリマー材料が挙げられる。また、ポリマー材料ではなくオリゴマー材料としては、チオフェン6量体であるα-セクシチオフェンα,ω-ジヘキシル-α-セクシチオフェン、α,ω-ジヘキシル-α-キンケチオフェン、α,ω-ビス3-ブトキシプロピル-α-セクシチオフェン、等のオリゴマーが好適に用いることができる。これらの化合物の中でも、溶液プロセスが可能な程度に有機溶剤への溶解性が高く、かつ乾燥後は結晶性薄膜を形成し、高い移動度を達成することが可能な化合物が好ましい。より好ましくは、後述のn型有機半導体材料であるフラーレン誘導体と適度な相溶性を有するような化合物適度な相分離構造形成し得る化合物であることが好ましい。またバルクへテロジャンクション層上にさらに溶液プロセスで電子輸送層や正孔ブロック層を形成する際には、一度塗布した層の上にさらに塗布することができれば、容易に積層することができるが、通常溶解性のよい材料からなる層の上にさらに層を溶液プロセスによって積層使用とすると、下地の層を溶かしてしまうために積層することができないという課題を有していた。したがって、溶液プロセスで塗布した後に不溶化できるような材料が好ましい。このような材料としては、TechnicalDigestoftheInternationalPVSEC-17,Fukuoka,Japan,2007,P1225に記載の重合性基を有するようなポリチオフェンのような、塗布後に塗布膜を重合架橋して不溶化できる材料、または米国特許出願公開第2003/136964号、および特開2008-16834等に記載されているような、熱等のエネルギーを加えることによって可溶性置換基が反応して不溶化する顔料化する材料等を挙げることができる。一方、本形態の光電変換層に使用されるn型有機半導体も、アクセプター性電子受容性の有機化合物であれば特に制限はなく、本技術分野で使用されうる材料を適宜採用することができる。このような化合物としては、例えば、フラーレン、カーボンナノチューブ、オクタアザポルフィリン等、上記p型有機半導体の水素原子をフッ素原子に置換したパーフルオロ体例えば、パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物を骨格として含む高分子化合物等が挙げられる。このうち、p型有機半導体と高速~50fsかつ効率的に電荷分離を行うことができるという観点から、フラーレンもしくはカーボンナノチューブまたはこれらの誘導体を用いることが好ましい。より具体的には、フラーレンC60、フラーレンC70、フラーレンC76、フラーレンC78、フラーレンC84、フラーレンC240、フラーレンC540、ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、単層カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン円錐型等、およびこれらの一部が水素原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、置換されたまたは非置換の、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、シリル基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基等によって置換されたフラーレン誘導体が挙げられる。特に、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッドメチルエステル略称PCBM、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッド-nブチルエステルPCBnB、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッド-イソブチルエステルPCBiB、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッド-nヘキシルエステルPCBH、[6,6]-フェニルC71-ブチリックアシッドメチルエステル略称PC71BM、Adv.Mater.,vol.202008,p2116に記載のbis-PCBM、特開2006-199674号公報に記載のアミノ化フラーレン、特開2008-130889号公報に記載のメタロセン化フラーレン、米国特許第7,329,709号明細書に記載の環状エーテル基を有するフラーレン等のような、置換基により溶解性が向上されてなるフラーレン誘導体を用いることが好ましい。なお、本形態において、n型有機半導体は、1種のみを単独で使用してもよいし、2種以上を併用しても構わない。本形態の光電変換層における、p型有機半導体およびn型有機半導体の接合形態は、特に制限はなく、平面へテロ接合であってもよいし、バルクへテロ接合バルクヘテロジャンクションであってもよい。平面ヘテロ接合とは、p型有機半導体を含むp型有機半導体層と、n型有機半導体を含むn型有機半導体層とが積層され、これら2つの層が接触する面がpn接合界面となる接合形態である。一方、バルクヘテロジャンクションとは、p型有機半導体とn型有機半導体との混合物を塗布することにより形成され、この単一の層中において、p型有機半導体のドメインとn型有機半導体のドメインとがミクロ相分離構造をとっている。したがって、バルクヘテロジャンクションでは、平面へテロ接合と比較して、pn接合界面が層全体にわたって数多く存在することになる。よって、光吸収により生成した励起子の多くがpn接合界面に到達できることになり、電荷分離に至る効率を高めることができる。このような理由から、本形態の光電変換層における、p型有機半導体とn型有機半導体との接合は、バルクヘテロジャンクションであることが好ましい。また、バルクヘテロジャンクション層は、通常の、p型有機半導体材料とn型有機半導体層が混合されてなる単一の層i層からなる場合の他に、当該i層がp型有機半導体からなるp層およびn型有機半導体からなるn層により挟持されてなる3層構造p-i-n構造を有する場合がある。このようなp-i-n構造は、正孔および電子の整流性がより高くなり、電荷分離した正孔電子の再結合等によるロスが低減され、一層高い光電変換効率を得ることができる。本発明において、光電変換層に含まれるp型有機半導体とn型有機半導体との混合比は、質量比で2:8~8:2の範囲が好ましく、より好ましくは4:6~6:4の範囲である。ポリアルキレンイミン本形態の有機光電変換素子は、光電変換層および後述の正孔輸送層の少なくとも一方にポリアルキレンイミンを必須に含む点に特徴を有する。以下、光電変換層にポリアルキレンイミンが含まれる実施形態について説明する。本発明において、ポリアルキレンイミンとは、アミノアルキレン基を繰り返し単位として有する直鎖状または分岐鎖状の重合体を意味する。なお、本明細書では二量体、三量体等のオリゴマーもポリアルキレンイミンに含むものとする。本形態で使用されるポリアルキレンイミンの一例として、アミノエチレン基を繰り返し単位とする分岐鎖状の重合体であるポリエチレンイミンを下記化学式1に示す。上記化学式1に示すポリエチレンイミンは、第1級アミノ基NH2-CH2CH2-、第2級アミノ基NH-CH2CH2-2、第3級アミノ基N-CH2CH2-3を含む。このうち、第1級アミノ基は鎖の末端を構成し、第3級アミノ基は鎖の分岐点を構成している。本形態のポリアルキレンイミンは、上述のようにアミノアルキレン基を繰り返し単位として有する重合体である限りにおいて、特に制限はない。当該アミノアルキレン基に含まれるアルキレン基としては、例えば、メチレン基-CH2-、エチレン基-CH2CH2-、トリメチレン基-CH2CH2CH2-、プロピレン基-CHCH3CH2-、テトラメチレン基-CH2CH2CH2CH2-、1,2-ジメチルエチレン基-CHCH3CHCH3-等が挙げられる。このうち、合成の容易さ入手し易さの観点、または塗布液への相溶性の観点から、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基が好ましく、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基がさらに好ましい。なお、末端の構造は特に制限はないが、通常、第1級アミノ基-NH2またはアルキル基例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基等でありうる。本形態のポリアルキレンイミンは、直鎖状すなわち、第3級アミノ基を含まないであっても分岐鎖状であってもよいが、反応性向上の観点から分岐鎖状のポリアルキレンイミンであることが好ましい。また、ポリアルキレンイミンが分岐鎖状の場合の分岐構造も特に制限はなく、網目型の構造であってもよいし、デンドリマー型の構造であってもよい。分岐鎖状のポリアルキレンイミンである場合の第1級アミノ基、第2級アミノ基、および第3級アミノ基のそれぞれの含有割合は特に制限はないが、第1級アミノ基の含有割合は、カチオン密度の上昇により反応性を向上させる観点から、全アミノ基100モルに対して、5~60モルであることが好ましく、20~50であることがより好ましく、30~45であることがさらに好ましい。また、重合体のネットワークを良好に形成させる観点から、全アミノ基100モルに対して、第2級アミノ基の含有割合は25~55モルであることが好ましく、30~45であることがより好ましく、第3級アミノ基の含有割合は15~45モルであることが好ましく、15~35であることがより好ましい。なお、本明細書において、ポリアルキレンイミンの第1級アミノ基、第2級アミノ基、および第3級アミノ基の含有割合は、後述の実施例に記載の方法により求める値を採用する。ポリアルキレンイミンのアミン価第1アミノ基、第2級アミノ基、および第3級アミノ基の総量を示すもので、試料1gを中和するのに要する塩酸に当量の水酸化カリウムのmg数で表わすは、通常2~40mmol/gであり、好ましくは10~30mmol/gである。アミン価が2mmol/g以上であると、拡散物質との反応性が得られ、40mmol/g以下であると、塗布液の粘度上昇を抑制できる。本明細書において、ポリアルキレンイミンのアミン価の測定方法は以下の通りである。試料約1gを精秤し試料量:Sg、トルエン20mlを加えて溶解し、イソプロピルアルコール20mlおよびブロムフェノールブルー溶液を数滴加えて、1/10N塩酸イソプロピルアルコール溶液力価:fで滴定し、終点までの滴定量を読み取る。滴定量:A[ml]この滴定量から下記の式1によりアミン価を算出する。本発明において好ましく用いることが出来るポリアルキレンイミンの分子量は、本発明の効果が発揮される限りにおいて特に制限はないが、通常は数平均分子量で100~50000であり、好ましくは300~10000、更に好ましくは500~5000程度が好ましい。数平均分子量はGPC例えばTOSOH社製HLC-8220などによって測定された値からポリスチレン換算により評価することができる。本形態で使用されるポリアルキレンイミンは、市販されているものを使用してもよいし、合成により得たものを使用しても構わない。合成によりポリアルキレンイミンを調製する場合、特公昭49-33120号公報に記載の方法等により合成することができる。具体的には、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、モノエタノールアミン等を原料に、塩酸、硫酸、p-トルエンスルホン酸等の酸触媒下にアルキレンイミンを反応させ、ポリアルキレンイミンを得ることができる。また、市販品としては、例えば直鎖状のポリエチレンイミンは和光純薬工業製、関東化学社製等から入手可能である。また、例えば分岐状のポリエチレンイミンは日本触媒社製のエポミン登録商標SP-003、SP-006、SP-012、SP-018、SP-200、P-1000等を使用することができる。本形態で使用されるポリアルキレンイミンは、光電変換層または正孔輸送層を形成する際の塗布液への溶解性を高めるため、第1級アミノ基または第2級アミノ基の一部が変性されたものであってもよい。具体的には、下記一般式1~7で表される基からなる群から選択される少なくとも1種が窒素原子の少なくとも一部と結合してなる変性ポリアルキレンイミン等を好ましく用いることができる。式中、R1~R4は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1~4の直鎖または分岐鎖アルキル基を表す。当該一般式1で表される基により変性されてなるポリアルキレンイミンは、ポリアルキレンイミンを対応するエポキシドと反応させることにより得られる。式中、R5は、それぞれ独立して、炭素原子数1~30の直鎖または分岐鎖アルキル基を表す。当該一般式2で表される基により変性されてなるポリアルキレンイミンは、ポリアルキレンイミンを対応するイソシアネートと反応させることにより得られる。式中、R6およびR7は、それぞれ独立して、水素原子または炭素原子数1~30の直鎖または分岐鎖アルキル基を表す。当該一般式3で表される基により変性されてなるポリアルキレンイミンは、ポリアルキレンイミンを対応するアルデヒドまたはケトンと反応させることにより得られる。式中、R8~R11は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1~4の直鎖または分岐鎖アルキル基を表す。当該一般式4で表される基により変性されてなるポリアルキレンイミンは、ポリアルキレンイミンを対応するアルケンと反応させることにより得られる。式中、R12は、それぞれ独立して、炭素原子数1~30の直鎖または分岐鎖アルキル基を表す。当該一般式5で表される基により変性されてなるポリアルキレンイミンは、ポリアルキレンイミンを対応するハロゲン化アルキルと反応させることにより得られる。式中、R13は、それぞれ独立して、炭素原子数1~30の直鎖または分岐鎖アルキル基を表す。当該一般式6で表される基により変性されてなるポリアルキレンイミンは、ポリアルキレンイミンを対応するカルボン酸等と反応させることにより得られる。式中、R14は、それぞれ独立して、炭素原子数1~30の直鎖または分岐鎖アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基を表す。当該一般式7で表される基により変性されてなるポリアルキレンイミンは、ポリアルキレンイミンを対応するカルボン酸無水物等と反応させることにより得られる。上記変性ポリアルキレンイミンの変性率変性前の第1級アミノ基および第2級アミノ基総数に対する、変性後の上記置換基が付加されてなるアミノ基の割合は、好ましくは10~90であり、より好ましくは15~70であり、さらに好ましくは20~50である。変性率が10以上あれば、塗布液に溶解させるのに十分な溶解性を確保することができる。一方、変性率が90以下であれば、活性なアミノ基第1級アミノ基および第2級アミノ基を含むため本発明の効果をより一層顕著に発揮させることができる。なお、本明細書において、変性率は、13C-NMR測定により算出することができる。本形態のポリアルキレンイミンは、アミノアルキレンユニットのみからなるホモポリマーであってもよいし、2種以上のアミノアルキレンユニットを含む共重合体ヘテロポリマーであってもよい。また、アミノアルキレンユニット以外の他のユニットを含む共重合体であってもよい。他のユニットは、本発明の作用効果を著しく低減させない限りにおいては特に制限はなく、例えば、ポリエステル化合物ユニット、アクリル化合物ユニット、ポリウレタン化合物ユニット、アクリルウレタン化合物ユニット、ポリカーボネート化合物ユニット、セルロース化合物ユニット、ポリビニルアセタール化合物ユニット、ポリビニルアルコール化合物ユニット等を挙げることができる。なお、本発明において、共重合体とは、ランダム共重合体、ブロック共重合体のいずれであってもよく、好ましくは、ブロック共重合体である。これらの他のユニットの含有割合は塗布溶媒や溶質との相溶性の観点で選択することができ、アミノアルキレンユニットの総数100モルに対して、50モル以下であることが好ましく、20モル以下であることがより好ましい。なお、光電変換層1層に含まれるポリアルキレンイミンは、1種のみが単独で使用されてもよいし、2種以上が組み合わされて使用されてもよい。また、2種以上のポリアルキレンイミンが含まれていてもよい。また、上述の図3のタンデム型の有機光電変換素子のように光電変換層を2以上含む場合は、1の光電変換層のみにポリアルキレンイミンが含まれていてもよいし、2以上の光電変換層にポリアルキレンイミンが含まれていてもよい。このうち、本発明の作用効果をより一層顕著に発揮させる観点から、全ての光電変換層にポリアルキレンイミンが含まれている形態が最も好ましい。また、2以上の光電変換層にポリアルキレンイミンが含まれる形態において、それぞれの光電変換層に含まれるポリアルキレンイミンは、互いに同一のものであってもよいし、異なるものであってもよい。また、光電変換層1層の膜厚は、好ましくは50~400nmであり、より好ましくは80~300nmであり、特に好ましくは100~200nmである。一般に、より多くの光を吸収させる観点から、光電変換層の膜厚は大きい方が好ましいが、膜厚が大きくなるとキャリア正孔電子の取り出し効率が低下するために光電変換効率が低下する傾向がある。本形態において、光電変換層1層分に含まれるポリアルキレンイミンの含有量は、抗伝変換層膜の固形分100質量に対して、0.1~10質量であることが好ましく、1~5質量であることがより好ましい。ポリアルキレンイミンの含有量が0.1質量以上であると、所望の耐久性および光電変換効率を得ることができる。一方、ポリアルキレンイミンの含有量が10質量以下であると素子効率の低下が起きず好ましい。[基板]基板側から光電変換される光が入射する場合、基板はこの光電変換される光を透過させることが可能な、即ちこの光電変換すべき光の波長に対して透明な部材であることが好ましい。ここで透明とは、380~800nmの可視光に対して80以上の透過率を示すことを意味する。基板は、例えば、ガラス基板や樹脂基板等が好適に挙げられるが、軽量性と柔軟性の観点から透明樹脂フィルムを用いることが望ましい。本発明で透明基板として好ましく用いることができる透明樹脂フィルムには特に制限がなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレンPE樹脂フィルム、ポリプロピレンPP樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトンPEEK樹脂フィルム、ポリサルホンPSF樹脂フィルム、ポリエーテルサルホンPES樹脂フィルム、ポリカーボネートPC樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロースTAC樹脂フィルム等を挙げることができるが、可視域の波長380~800nmにおける透過率が80以上である樹脂フィルムであれば、本発明に係る透明樹脂フィルムに好ましく適用することができる。なかでも透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度およびコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリカーボネートフィルムであることが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムであることがより好ましい。本発明に用いられる透明基板には、塗布液の濡れ性や接着性を確保するために、表面処理を施すことや易接着層を設けることができる。表面処理や易接着層については従来公知の技術を使用できる。例えば、表面処理としては、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理、レーザー処理等の表面活性化処理を挙げることができる。また、易接着層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ビニル系共重合体、ブタジエン系共重合体、アクリル系共重合体、ビニリデン系共重合体、エポキシ系共重合体等を挙げることができる。また、酸素および水蒸気の透過を抑制する目的で、透明基板にはバリアコート層が予め形成されていてもよいし、透明導電層を転写する反対側にはハードコート層が予め形成されていてもよい。[正孔輸送層]本形態の有機光電変換素子は、正孔輸送層を必須に含む。正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有し、かつ電子を輸送する能力が著しく小さい例えば、正孔の移動度の10分の1以下という性質を有する。正孔輸送層は、光電変換層と陽極との間に設けられ、正孔を陽極へと輸送しつつ、電子の移動を阻止することで、電子と正孔とが再結合するのを防ぐことができる。よって、本明細書では、正孔注入層、電子ブロック層等も正孔輸送層の概念に含む。正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料は、特に制限はなく、本技術分野で使用されうる材料を適宜採用することができる。本発明で好ましく用いられる導電性高分子は、特に限定されないが、π共役系高分子とポリアニオンとを有してなることが好ましい。こうした高分子は、π共役系高分子を形成する前駆体モノマーを、適切な酸化剤と酸化触媒と後述のポリアニオンの存在下で化学酸化重合することによって容易に製造できる。本発明に用いることができるπ共役系高分子としては、ポリチオフェン基本のポリチオフェンを含む、以下同様類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、ポリチアジル類、の鎖状導電性ポリマーを利用することができる。中でも、導電性、透明性、安定性等の観点からポリチオフェン類やポリアニリン類が好ましい。更にはポリエチレンジオキシチオフェン類であることが好ましい。本発明で好ましく用いられるポリアニオンは特に限定されないが、アニオン性基として、スルホ基を有することがより好ましい。ポリアニオンの具体例としては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ-2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸等が挙げられる。これらの単独重合体であってもよいし、2種以上の共重合体であってもよい。また、化合物内にフッ素Fを有するポリアニオンであってもよい。具体的には、パーフルオロスルホン酸基を含有するナフィオンDupont社製、カルボン酸基を含有するパーフルオロ型ビニルエーテルからなるフレミオン旭硝子社製等を挙げることができる。こうした導電性ポリマーは公知な材料や市販の材料も好ましく利用できる。例えば、一例を挙げると、ヘレウス社製、商品名CLEVIOS―P等のPEDOT:PSS、欧州特許第1546237号、特開2009-132897号公報等に記載のフッ素系ポリアニオン類ナフィオン等含有、または特開2006-225658号公報のようなフッ素系ポリアニオン添加構成、欧州特許第1647566号等に記載のポリチエノチオフェン類、特開2010-206146号に記載のスルホン化ポリチオフェン類、ポリアニリンおよびそのドープ材料、国際公開第2006/019270号パンフレット等に記載のシアン化合物等、Aldrich社からPEDOT-PASS483095、560598として、NagaseChemtex社からDenatronシリーズとして市販されている。また、ポリアニリンが、日産化学社からORMECONシリーズとして市販されている。本発明において、こうした剤も好ましく用いることができる。また、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等もまた、用いられうる。また、これら以外にも、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物、およびスチリルアミン化合物等が使用可能であり、これらのうちでは、芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。なお、場合によっては、p型-Si、p型-SiC、酸化ニッケル、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン等の無機化合物を用いて正孔輸送層を形成してもよい。さらに上記化合物に含まれる構造単位を高分子鎖に導入した、あるいは、上記化合物を高分子の主鎖とした高分子材料を正孔輸送材料として用いることもできる。また、特開平11-251067号公報、J.Huanget.al.,AppliedPhysicsLetters,802002,p.139に記載されているような、p型正孔輸送材料を用いることもできる。さらに、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送材料を用いることもできる。一例を挙げると、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公報、特開2001-102175号公報、J.Appl.Phys.,95,57732004、Appl.Phys.Let.,98,0733112011等に記載された材料、および構成が挙げられる。なお、これらの正孔輸送材料は、1種のみを単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。また、各材料からなる層を2種以上積層させて正孔輸送層を構成することも可能である。正孔輸送層の厚さは、特に制限はないが、通常1~2000nmである。リーク防止効果をより高める観点からは、厚さは5nm以上であることが好ましい。また、高い透過率と低い抵抗を維持する観点からは、厚さは1000nm以下であることが好ましく、200nm以下であることがより好ましい。正孔輸送層の導電率は、一般的に高い方が好ましいが、高くなりすぎると電子が移動するのを阻止する能力が低下し、整流性が低くなりうる。したがって、正孔輸送層の導電率は、105~1S/cmであることが好ましく、104~102S/cmであることがより好ましい。本形態の有機光電変換素子は、光電変換層および後述の正孔輸送層の少なくとも一方にポリアルキレンイミンを必須に含む点に特徴を有する。以下、正孔輸送層にポリアルキレンイミンが含まれる実施形態について説明する。正孔輸送層にポリアルキレンイミンが含まれる場合の、当該ポリアルキレンイミンは、上述の光電変換層にポリアルキレンイミンが含まれる形態におけるポリアルキレンイミンと同様のものを制限なく使用することができる。よって、本実施形態で使用可能なポリアルキレンイミンの具体的な説明についての詳細な説明は、ここでは省略する。正孔輸送層に含まれるポリアルキレンイミンは、1種のみが単独で使用されてもよいし、2種以上が組み合わされて使用されてもよい。また、2種以上のポリアルキレンイミンが含まれていてもよい。また、正孔輸送層が、2以上の正孔輸送機能あるいは、正孔注入機能、電子ブロック機能を有する層の積層体である場合は、1の層のみにポリアルキレンイミンが含まれていてもよいし、2以上の層にポリアルキレンイミンが含まれていてもよい。また、2以上の層にポリアルキレンイミンが含まれる形態において、それぞれの光電変換層に含まれるポリアルキレンイミンは、互いに同一のものであってもよいし、異なるものであってもよい。本形態において、正孔輸送層に含まれるポリアルキレンイミンの含有量は、正孔輸送層材料の固形分100質量に対して、0.05~10質量であることが好ましく、0.1~5質量であることがより好ましく、0.5~3質量であることがさらに好ましい。ポリアルキレンイミンの含有量が0.05質量以上であると、所望の耐久性および光電変換効率を得ることができる。一方、ポリアルキレンイミンの含有量が10質量以下であると初期の光電変換効率を著しく低下させるおそれがない。さらに、本形態の有機光電変換素子は、光電変換効率および素子の耐久性をより一層向上させる観点から、上述の光電変換層および正孔輸送層の両方にポリアルキレンイミンを含むことが好ましい。この場合、光電変換層および正孔輸送層のそれぞれに含まれるポリアルキレンイミンは、同一であってもよいし、異なるものであってもよい。電子輸送層本形態の有機光電変換素子は、必要に応じて電子輸送層を含みうる。電子輸送層は、電子を輸送する機能を有し、かつ正孔を輸送する能力が著しく小さいという性質を有する。電子輸送層は、光電変換層と陰極との間に設けられ、電子を陰極へと輸送しつつ、正孔の移動を阻止することで、電子と正孔とが再結合するのを防ぐことができる。よって、本明細書では、電子注入層、正孔ブロック層、励起子ブロック層等も電子輸送層の概念に含む。電子輸送層に用いられる電子輸送材料は、特に制限はなく、本技術分野で使用されうる材料を適宜採用することができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。また、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、8-キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス8-キノリノールアルミニウムAlq3、トリス5,7-ジクロロ-8-キノリノールアルミニウム、トリス5,7-ジブロモ-8-キノリノールアルミニウム、トリス2-メチル-8-キノリノールアルミニウム、トリス5-メチル-8-キノリノールアルミニウム、ビス8-キノリノール亜鉛Znq等、およびこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。上述の正孔輸送層と同様に、n型-Si、n型-SiC等の無機半導体や、n型の伝導性を有する無機酸化物酸化チタン、酸化亜鉛等も電子輸送材料として用いることができる。更には電極に双極子材料を結合させることで界面双極子を形成し、電荷の取り出しを向上させる材料種、例えばWO2008/134492に記載の3-2-アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシランAEAP-TMOSなどを挙げることができる。また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、同10-270172号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。具体例としては、N,N′-ビス3-メチルフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミンTPDや4,4′-ビス[N-ナフチル-N-フェニル-アミノ]ビフェニルα-NPD等の芳香族ジアミン化合物やその誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、4,4′,4′′-トリスN-3-メチルフェニルN-フェニルアミノトリフェニルアミンm-MTDATA、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポリフィリン化合物、トリアゾール誘導体、オキサジザゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アニールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体等を用いることができ、高分子材料では、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、ジアセチレン等の重合体や、その誘導体等を好ましく用いることができる。電子輸送層の厚さは、特に制限はないが、通常1~2000nmである。リーク防止効果をより高める観点からは、厚さは5nm以上であることが好ましい。また、高い透過率と低い抵抗を維持する観点からは、厚さは1000nm以下であることが好ましく、200nm以下であることがより好ましい。電荷再結合層;中間電極図3で示すような、2以上の光電変換層を有するタンデム型多接合型の有機光電変換素子において、光電変換層間には、電荷再結合層中間電極が配置される。電荷再結合層中間電極に用いられる材料は、導電性および透光性を併せ持つ材料であれば、特に制限はなく、上述の電極材料として例示した、ITO、AZO、FTO、酸化チタン等の透明金属酸化物、Ag、Al、Au等の金属、およびカーボンナノ粒子、カーボンナノワイヤー等の炭素材料、PEDOT:PSS、ポリアニリン等の導電性高分子等が用いられうる。これらの材料は、1種のみを単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。また、各材料からなる層を2種以上積層させて電荷再結合層を構成することも可能である。なお前述した正孔輸送層と電子輸送層の中には、適切に組み合わせて積層することで中間電極電荷再結合層として働く組み合わせもあり、このような構成とすると電荷再結合層中間電極1層分を形成する工程を省くことができ好ましい。電荷再結合層の導電率は、高い変換効率を得る観点から、高いことが好ましく、具体的には、5~50000S/cmであることが好ましく、100~10,000S/cmであることがより好ましい。また、電荷再結合層の厚さは、特に制限はないが、1~1000nmであることが好ましく、5~50nmであることが好ましい。厚さが1nm以上とすることにより、膜面を平滑化することができる。一方、厚さが1000nm以下とすることにより、短絡電流密度JscmA/cm2の低下を軽減することができる。その他の層本形態の有機光電変換素子は、上記の各部材各層の他に、光電変換効率の向上や、素子の寿命の向上のために、他の部材他の層をさらに設けてもよい。その他の部材としては、例えば、励起子ブロック層、UV吸収層、光反射層、波長変換層、平滑化層等が挙げられる。また、上層に偏在した金属酸化物微粒子をより安定にするため等にシランカップリング剤等の層を設けてもよい。さらに本発明の光電変換層に隣接して金属酸化物の層を積層してもよい。また、本発明の有機光電変換素子は、太陽光のより効率的な受光を目的として、各種の光学機能層を有していてもよい。光学機能層としては、例えば、反射防止膜、マイクロレンズアレイ等の集光層、陰極で反射した光を散乱させて再度発電層に入射させることができるような光拡散層等が挙げられる。反射防止層としては、各種公知の反射防止層を設けることができるが、例えば、透明樹脂フィルムが二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムである場合は、フィルムに隣接する易接着層の屈折率を1.57~1.63とすることで、フィルム基板と易接着層との界面反射を低減して透過率を向上させることができるのでより好ましい。屈折率を調整する方法としては、酸化スズゾルや酸化セリウムゾル等の比較的屈折率の高い酸化物ゾルとバインダー樹脂との比率を適宜調整して塗設することで実施できる。易接着層は単層でもよいが、接着性を向上させるためには2層以上の構成にしてもよい。集光層としては、例えば、支持基板の太陽光受光側にマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせたりすることにより特定方向からの受光量を高めたり、逆に太陽光の入射角度依存性を低減することができる。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10~100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付き、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。また光散乱層としては、各種のアンチグレア層、金属または各種無機酸化物等のナノ粒子ナノワイヤー等を無色透明なポリマーに分散した層等を挙げることができる。<有機光電変換素子の製造方法>上述の本形態の有機光電変換素子の製造方法は特に制限はなく、従来公知の手法を適宜参照することにより製造することができる。以下、図2に示す有機光電変換素子の製造方法を例に挙げて、本形態の有機光電変換素子の好ましい製造方法を説明する。ただし、当該製造方法における各工程は、図2の有機光電変換素子のみならず、図1に示す有機光電変換素子や、図3に示すようなタンデム型の製造に適用可能である。本形態の有機光電変換素子の製造方法は、陰極を形成する工程と、前記陰極の上に、p型有機半導体材料およびn型有機半導体材料を含む光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層の上に、陽極を形成する工程とを含む。以下、本形態の有機光電変換素子の製造方法の各工程について、詳細に説明する。本形態の製造方法では、まず、陰極を形成する。陰極を形成する方法は、特に制限はないが、操作の容易性や、ダイコータ等の装置を用いてロールツーロールで生産可能なことから、基板の上に、陰極の構成材料を含む液体を塗布し、乾燥させる方法であることが好ましい。またこれ以外にも、市販の薄膜状の電極材料をそのまま使用しても構わない。上記で陰極を形成した後、必要に応じて、この陰極上に、電子輸送層を形成してもよい。電子輸送層を形成する手段としては、蒸着法、溶液塗布法のいずれであってもよいが、好ましくは溶液塗布法である。溶液塗布法を用いて電子輸送層を形成する場合には、上述した電子輸送材料を適当な溶剤に溶解分散させた溶液を、適当な塗布法を用いて陰極上に塗布し、乾燥させればよい。溶液塗布法に用いられる塗布法としては、キャスト法、スピンコート法、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、グラビアコート法、スプレーコーティング法、ディッピング浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法、インクジェット法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法等の印刷法、Langmuir-BlodgettLB法等の通常の方法を用いることができる。なかでも、ブレードコーティング法を用いることが特に好ましい。なお、塗布法に使用する溶液の固形分濃度は、塗布方法や膜厚によっても変動しうるが、0.5~15質量が好ましく、より好ましくは1.0~10質量である。また、なお、塗布の際の塗布液および/または塗布面の温度は、特に制限はないが、塗布乾燥時の温度変動による析出、ムラを防ぐといった観点から、好ましくは30~120°Cであり、より好ましくは50~110°Cである。さらに、乾燥の具体的な形態についても特に制限はなく、従来公知の知見が適宜参照されうる。乾燥条件の一例を挙げると90~140°C程度の温度で、数分間~数十分間程度といった条件が例示される。乾燥に使用する装置としては、ホットプレート、温風乾燥、赤外線ヒーター、マイクロウエーブ、真空乾燥機等が挙げられるが、これ以外の乾燥装置を用いることも勿論可能である。続いて、上記で形成した陰極または電子輸送層上に、p型有機半導体およびn型有機半導体を含む光電変換層を形成する。光電変換層を形成するための具体的な手法について特に制限はないが、好ましくは、p型有機半導体およびn型有機半導体をそれぞれ、または一括して、適当な溶剤に溶解分散させた溶液を、適当な塗布法具体的な形態については、上述した通りであるを用いて陰極上に塗布し、乾燥させればよい。その後、残留溶媒および水分、ガスの除去、および半導体材料の結晶化による移動度向上吸収長波化を引き起こすために加熱を行うことが好ましい。製造工程中において所定の温度でアニール処理されると、微視的に一部が凝集または結晶化が促進され、光電変換層を適切な相分離構造とすることができる。その結果、光電変換層の正孔と電子キャリアの移動度が向上し、高い効率を得ることができるようになる。このようにして、p型有機半導体およびn型有機半導体が一様に混合され、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子とすることができる。一方、p型有機半導体とn型有機半導体の混合比の異なる複数層からなる光電変換層例えば、p-i-n構造を形成する場合には、一の層を塗布後に、当該層を不溶化顔料化し、その後、他の層を塗布することにより形成することが可能である。なお、ポリアルキレンイミンを含む光電変換層を形成する場合、例えば、P型有機半導体および/またはn型有機半導体とポリアルキレンイミンと適当な溶媒に溶解分散させた溶液を調製し、これを塗布、乾燥すればよい。当該光電変換層を形成する工程は、酸素や水分に曝さないようにするために窒素雰囲気下のグローブボックス内で行うことが好ましい。このように、窒素雰囲気下で行うことにより、大気中の酸素または水分によりp型有機半導体が劣化するのを防ぎ、素子の耐久性を高めることができる。次に、光電変換層と陽極との間に正孔輸送層を、蒸着法または溶液塗布法、好ましくは溶液塗布法を用いて形成する。なお、当該正孔輸送層を形成する工程は、上記光電変換層を形成する工程と同様、窒素雰囲気下のグローブボックス内で行うことが好ましい。このように、窒素雰囲気下で行うことにより、大気中の酸素または水分により光電変換層が劣化するのを防ぎ、素子の耐久性を高めることができる。なお、ポリアルキレンイミンを含む正孔輸送層を形成する場合の方法も特に制限はなく、例えば、正孔輸送材料とポリアルキレンイミンと適当な溶媒に溶解分散させた溶液を調製し、これを塗布、乾燥することにより形成される。その後、上記で形成した正孔輸送層上に、陽極を形成する。陽極を形成するための手段についても特に制限はなく、蒸着法、溶液塗布法のいずれであってもよいが、好ましくは蒸着法例えば、真空蒸着法が用いられる。さらに、上述した各種の層以外の層が含まれる場合には、これらの層を形成するための工程を、溶液塗布法や蒸着法等を用いることで適宜追加して行うことができる。上記電極陰極陽極、光電変換層、正孔輸送層、電子輸送層等は、必要に応じてパターニングされうる。パターニングの方法は特に制限はなく、公知の手法を適宜適用することができる。例えば、バルクへテロジャンクション型の光電変換層や正孔輸送層電子輸送層等で使用される可溶性の材料をパターニングする場合には、ダイコート、ディップコート等の全面塗布後に不要部だけ拭き取ってもよいし、製膜後に炭酸レーザー等を用いてアブレーションする方法、スクライバで直接削り取る方法等でパターニングしてもよいし、インクジェット法やスクリーン印刷等の方法を使用して塗布時に直接パターニングしてもよい。一方、電極等で使用される不溶性の材料の場合は、真空蒸着法や真空スパッタ法、プラズマCVD法、電極材料の微粒子を分散させたインキを用いたスクリーン印刷法やグラビア印刷法、インクジェット法等の各種印刷方法、蒸着膜に対しエッチング又はリフトオフする等の公知の方法を用いることができる。また、別の基板上に形成したパターンを転写することによってパターンを形成してもよい。また、本形態の有機光電変換素子は、環境中の酸素、水分等による劣化を防止するために、必要に応じて封止されうる。封止の方法は特に制限はなく、有機光電変換素子や有機エレクトロルミネッセンス素子等で用いられる公知の手法によって行われうる。例えば、1アルミニウムまたはガラス等でできたキャップを接着剤によって接着することによって封止する手法;2アルミニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等のガスバリア層が形成されたプラスチックフィルムと有機光電変換素子上を接着剤で貼合する手法;3ガスバリア性の高い有機高分子材料ポリビニルアルコール等をスピンコートする方法;4ガスバリア性の高い無機薄膜酸化ケイ素、酸化アルミニウム等または有機膜パリレン等を真空下で堆積する方法;ならびに5これらを複合的用いて積層する方法等が挙げられる。さらに、本形態の有機光電変換素子は、エネルギー変換効率と素子寿命向上の観点から、素子全体を2枚のバリア付き基板で封止した構成でもよく、好ましくは、水分ゲッター、酸素ゲッター等を同封した構成であることがより好ましい。<有機光電変換素子の用途>本発明の他の形態によれば、上述の第1の形態に係る有機光電変換素子や、第2の形態に係る製造方法により得られる有機光電変換素子を有する太陽電池が提供される。本形態の有機光電変換素子は、優れた光電変換効率、耐久性を有するため、これを発電素子とする太陽電池に好適に使用されうる。また、本発明のさらに他の形態によれば、上述した有機光電変換素子がアレイ状に配列されてなる光センサアレイが提供される。すなわち、本形態の有機光電変換素子は、その光電変換機能を利用して、光センサアレイ上に投影された画像を電気的な信号に変換する光センサアレイとして利用することもできる。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。<p型半導体材料PCDTBTの調製>p型半導体材料として、ポリチオフェン-カルバゾール-ベンゾチアジアゾール共重合体PCDTBTを、Adv.Mater.,vol.19,2007p2295に記載の方法にしたがって合成した。得られた重合体をソックスレー抽出により精製し、数平均分子量Mn:35,000、PDI:2.0であるPCDTBTを得た。<p型半導体材料P3HNTの調製>p型半導体材料として、ビニル基置換ポリヘキシルチオフェンP3HNTを、Macromolecules2009,42,p1610-1618に記載の方法を参考に合成した。重合反応を濃塩酸を用いて停止させた後、得られた重合体をソックスレー抽出により精製し、数平均分子量Mn:42,000、PDI:1.7であるP3HNTを得た。<アルキレンイミン類の準備とアミノ基含有割合の評価>本実施例で使用したアルキレンイミン類は以下の通り準備した;1低分子のポリエチレンイミンエチレンイミンオリゴマーとして、東京化成工業株製のペンタエチレンヘキサミンを使用した以下、化合物1と称する。2直鎖構造を有するポリエチレンイミンとして、和光純薬工業株製の24313-2Mw~2,500を使用した以下、化合物2と称する。3分岐鎖構造を有するポリエチレンイミンとして、株日本触媒製のエポミン登録商標SP-003を使用した以下、化合物3と称する。4分岐鎖構造を有するポリエチレンイミンとして、株日本触媒製のエポミン登録商標SP-006を使用した以下、化合物4と称する。。5分岐鎖構造を有し、オクタデシルイソシアネート変性されたポリエチレンイミンとして、株日本触媒製のエポミン登録商標RP-20変性率:約40を使用した以下、化合物5と称する。なお、当該オクタデシルイソシアネート変性されたポリエチレンイミンの部分構造を下記化学式2に示す。6分岐鎖構造を有し、プロピレンオキシド変性されたポリエチレンイミンとして、株日本触媒製のエポミン登録商標PP-061変性率:約90を使用した以下、化合物6と称する。なお、当該プロピレンオキシド変性されたポリエチレンイミンの部分構造を下記化学式3に示す。7分岐鎖デンドリマー構造を有するポリトリメチレンイミンとして、シグマアルドリッチジャパン株製のプロピレンイミンオクタアミンデンドリマーカタログにおける化合物名を使用した以下、化合物7と称する。上記アルキレンイミン類について、第1級、第2級、および第3級アミノ基の含有割合を、13C-NMR測定により算出した。13C-NMRは、FT―NMR装置Lambda400日本電子社製を用いてスペクトルを測定し、第1級、第2級、および第3級アミノ基と結合する炭素に由来する各ピーク面積の比を、各アミノ基の比率として算出た。結果を表1に示す。<有機光電変換素子の作製>[比較例1]有機光電変換素子SC-101の作製ガラス基板上に、インジウムスズ酸化物ITO透明導電膜を150nm堆積させたものシート抵抗:10Ω/□を、フォトリソグラフィおよび塩酸を用いた湿式エッチングとを用いて20mm幅にパターニングし、第一の電極透明電極;陰極を形成した。パターン形成した第1の電極を、界面活性剤と超純水の混合液を用いて超音波洗浄した後、さらに超純水を用いて超音波洗浄し、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。次に、上記第一の電極透明電極が形成された基板をグローブボックス酸素濃度10ppm、露点温度-80度に入れ、窒素雰囲気下で、150mMのTiOx前駆体溶液を透明電極上にスピンコート回転速度5000rpm、回転時間60秒間し、所定のパターンに拭き取った。そして、これを空気中で2時間放置して、TiOx前駆体を加水分解させた後、150°Cで1時間加熱処理することにより膜厚約10nmのTiOx層からなる電子輸送層を形成した。なお、上記150mMのTiOx前駆体溶液は、次の方法ゾルゲル法により調製した。100mL三口フラスコに、2-メトキシエタノール12.5mLと、6.25mmolのチタニウムテトライソプロポキシドとを入れ、氷浴中で10分間冷却した。次に、12.5mmolのアセチルアセトンをゆっくり加えて、氷浴中で10分間撹拌した。次に、この混合溶液を80°Cで2時間加熱後、1時間還流した。これを室温25°Cまで冷却し、2-メトキシエタノールを用いて濃度150mMに調整し、TiOx前駆体溶液を得た。なお、上記工程は全て窒素雰囲気で行った。続けて、o-ジクロロベンゼンに、上記で合成したPCDTBTと、PC60BMフロンティアカーボン社製、E100H:6,6-フェニル-C61-ブチリックアシッドメチルエステルと1:1質量比で混合したものを3.0質量の割合で溶解させた溶液Aを調製した。これを乾燥膜厚が約100nmになるよう上記電子輸送層上に製膜し、光電変換層を形成した。その後、導電性高分子およびポリアニオンからなるPEDOT:PSSClevios登録商標P4083、ヘレウス社製1質量部に対し、花王ケミカル株式会社製のエマルゲン0.1wt、イソプロパノール2質量部を含む溶液Bを調製した。得られた溶液Bを上記光電変換層上に、乾燥膜厚が約30nmになるように塗布し、乾燥させた。さらに100°Cで10分間加熱処理し、正孔輸送層を製膜した。なお、以上のプロセスは全て窒素雰囲気下で行った。次に、上記一連の機能層を製膜した基板を真空蒸着装置チャンバー内に移動させ、1×104Pa以下にまで真空蒸着装置内を減圧した後、蒸着速度1.0nm/秒でAgメタルを200nm積層することで第2の電極を形成した。得られた有機光電変換素子を窒素チャンバーに移動させ、封止用キャビティグラスとUV硬化樹脂を用いて封止を行い、受光部が約5×20mmサイズの有機光電変換素子SC-101を完成させた。[比較例2]有機光電変換素子SC-102の作製PEDOT:PSS層の製膜後に、CuPc銅フタロシアニン、シグマアルドリッチ社製を30nm厚になるよう蒸着し、2層からなる正孔輸送層を形成したこと以外は、上記SC-101と同様にしてSC-102を作製した。なお、下記表2において、CuPc層をブロック層と称する。[比較例3]有機光電変換素子SC-103の作製光電変換層の製膜において、p型半導体材料として、PCDTBTに換えてP3HNTを使用した以外は、上記SC-101と同様にしてSC-103を作製した。[実施例1~7]有機光電変換素子SC-104~SC-110の作製正孔輸送層の製膜において、溶液Bの調製の際に、表2に示すようにアルキレンイミン類を添加した以外は上記SC-101と同様にしてSC-104~SC-110を作製した。[実施例8~9]有機光電変換素子SC-111~SC-112光電変換層の製膜において、溶液Aの調製の際に、表2に示すようにアルキレンイミン類を添加した以外は上記SC-101と同様にしてSC-111~SC-112を作製した。[実施例10]有機光電変換素子SC-113の作製光電変換層および正孔輸送層の製膜において、溶液Aおよび溶液Bの調製の際に、表2に示すようにアルキレンイミン類を添加した以外は上記SC-101の作製と同様にしてSC-113を作製した。<光電変換率の評価>上記で作製した光電変換素子について、ソーラーシミュレーターAM1.5Gフィルタの100mW/cm2の強度の光を照射し、有効面積を1cm2にしたマスクを受光部に重ね、I-V特性を評価することで、短絡電流密度JscmA/cm2、開放電圧VocV及びフィルファクターFFを測定し、また光電変換効率ηを下記式2より算出した。結果を表2に示す。<光安定性の評価>上記で作製した光電変換素子を85°Cのホットプレート上に置き、2波長タイプの白色LED東芝製小型SMDを光源に用い、上記光電変換効率の評価において測定された短絡電流密度Jscとほぼ同じ値約1SunになるようLEDの光量を調整し、1000時間光照射した。光照射後の短絡電流密度Jscを、上記光電変換効率の評価における測定方法に従って測定し、初期Jscに対する劣化後のJscの割合を求めた。結果を表2に示す。表2の結果より、正孔輸送層および光電変換層のいずれか一方にポリアルキレンイミンを含む実施例1~10の有機光電変換素子SC-104~SC-113は、正孔輸送層および光電変換層のどちらにもポリアルキレンイミンを含まない比較例1~3の有機光電変換素子SC-101~SC-103と比べて、光安定性が高く、優れた耐久性を有するこことが示された。これは、ポリアルキレンイミンが有するイオン性成分の捕捉能により、素子中のイオン性成分の移動が抑制されたことによるものと考えられた。また、光電変換層にポリアルキレンイミンを含む実施例8~10の有機光電変換素子SC-111~SC-113は、初期の光電変換効率が有意に向上することが示された。これは、光電変換層の作製の際に、ポリアルキレンイミンの存在によりモルフォロジーが良好に形成されることによるものと考えられた。特に、正孔輸送層および光電変換層の両方にポリアルキレンイミンを含む実施例10の有機光電変換素子SC-113では、素子の耐久性および初期の光電変換効率が著しく向上することが示された。"