粉末サンプル測定のための回折装置であり、前記回折装置は:前記粉末サンプルを保持するためのサンプル台;X線ビームを放射するX線源;単色化結晶であり、回折表面を持ち、前記回折表面が単色化X線ビームを前記回折表面へ5°未満のグレージング放出角度で前記サンプル台へ回折し、前記サンプル台で60μm未満のスポット幅を持つように設けられる、単色化結晶;少なくとも1つの検出装置結晶であり、前記粉末サンプルからの回折されたX線強度を、複数の回折角度で同時に測定するための検出装置結晶;及び前記測定されたX線からの回折パターンを計算するための処理手段を含む、回折装置。請求項1に記載の回折装置であり、前記それぞれの検出装置結晶が、前記サンプル台から300mm以下に設けられる、回折装置。請求項1又は2のいずれか一項に記載の回折装置であり、前記単色化結晶が、前記単色化X線ビームを0.005°から0.02°の広がり角で前記サンプル上に入射させるように設けられる、回折装置。請求項1乃至3のいずれか一項に記載の回折装置であり、さらに放物面鏡を含み、前記ミラーは、X線源からのX線ビームを単色化結晶へ方向付ける、回折装置。請求項1乃至4のいずれか一項に記載の回折装置であり、前記それぞれの検出装置結晶が平面上である、回折装置。請求項1乃至5のいずれか一項に記載の回折装置であり、前記サンプル台が前記粉末サンプルの薄層を接着するための接着材料の配置表面を含む、回折装置。請求項1乃至6のいずれか一項に記載の回折装置であり、複数の検出装置結晶を含み、前記検出装置結晶が前記単色化結晶からの前記単色化X線ビームの線に沿って前記サンプル台を通過する線の交互の側に設けられる、回折装置。請求項1乃至7のいずれか一項に記載の回折装置であり、さらに、データ収集の間に前記サンプル台で前記サンプルを移動させる手段を含み;前記処理手段が、測定がなされている間はX線強度を処理し、十分なデータが収集された場合にはデータ収集を停止するように適合される、回折装置。回折測定方法であり、前記方法は:サンプル台に粉末サンプルを配置し;X線源からX線ビームを単色化結晶へ放射し、前記単色化結晶は回折表面を持ち、前記回折表面が単色化X線ビームを前記回折表面へ5°未満のグレージング放出角度で前記サンプル台へ回折し、前記サンプル台で60μm未満のスポット幅を持つように設けられ;前記粉末サンプルを通過して回折されるX線の強度を、少なくとも1つの検出装置結晶を用いて複数の回折角で同時に測定し;及び前記測定されたX線から回折パターンを計算する、方法。請求項9に記載の方法であり、前記検出装置結晶が前記サンプル台から300mm以下に配置される、方法。請求項9又は10のいずれか一項に記載の方位であり、前記単色化結晶が、前記単色化X線ビームを0.005°から0.02°の広がり角で前記サンプル上に入射させるように設けられる、方法。請求項9乃至11のいずれか一項に記載の方法であり、前記粉末サンプルが、10μm未満の厚さである、方法。請求項9乃至12のいずれか一項に記載の方法であり、前記粉末サンプルを、前記サンプル台上の接着材料の表面に配置する、方法。請求項9乃至13のいずれか一項に記載の方法であり、前記単色化結晶から前記サンプルへの単色化X線ビームの線に沿ってサンプルを通過する線の交互の側に設けられる複数の検出装置結晶を用いて強度を測定することを含む、方法。請求項9乃至14のいずれか一項に記載の方法であり、さらに、データ収集の間に、前記サンプル台を移動させることを含む、方法。請求項9乃至15のいずれか一項に記載の方法であり、さらに、データ収集の間に前記サンプル台で前記サンプルを移動させる手段を含み;前記処理手段が、測定がなされている間はX線強度を処理し、十分なデータが収集された場合にはデータ収集を停止することを含む、方法。本発明は、高分解能で、優れた強度を与え、適切なサイズのサンプルが使用でき、短い時間で測定できる、小さくサイズの装置を達成することを目的とする。本発明によれば請求するに記載の回折装置が提供される。サンプルでの小さいビームと、反射よりはむしろ透過を用いることで、前記入射ビームが前記サンプルのサイズではなく前記サンプル領域を定める。これにより、複雑な焦点構造の必要性を避け、曲面検出器よりは平面型の位置検知型検出装置の使用を可能とするものである。好ましくは、単色化結晶を、前記サンプルに0.005°から0.02°の角度で、単色化X線ビームを回折させるために設ける。本発明者は、このようなビームがここで記載の構成において非常に適していることを見出した。放物面鏡が、X線源から前記単色化結晶へ方向付けるために設けられてよい。該放物面鏡はX線源からのビームの広がりをカバーして大きな平行ビームを生成する。前記検出装置は、検出ストリップの位置検知型アレイであり、前記サンプル台から0.1m以下の距離、好ましくは0.075m以下に設けられる。これにより優れた分解能を維持しつつコンパクトな装置が可能となる。55μmストリップを持つ検出装置については、これは最大分解能0.03°及び0.042°それぞれを与え-通常の高分解能装置は通常0.05°から0.1°のピーク幅を有する。選択された構成はこの検出装置を平面とすることができる。サンプル台は、薄い粉末サンプルを接着するための接着材料の配置表面を持つ。これにより粉末サンプルは収集され非常に簡単に配置され得ることとなる。回折装置は複数の検出装置を含み、これらは前記入射ビーム方向に沿った前記サンプルを通過する線上の交互の側に設けられる。このようにして、完全な角度範囲がカバーされる。というのは該線上のひとつの側の検出結晶間のギャップでの角は前記線の反対側の検出装置により測定され得るからである。回折装置は、データ取得の際に、前記X線ビームのついて垂直に前記サンプル台を移動させる手段又は前記サンプル台で前記X線ビームに平行な軸について回転させる手段を含み、前記処理手段が前記測定されたX線強度を処理するように適合され、また測定は実行され、十分なデータが収集された際に停止される。本発明はまた、請求項9に記載のデータ取得方法に関する。本発明をより理解するために、以下実施態様が例示として、添付の図面を参照しつつ説明される。図面は模式的に描かれており寸法通りではない。図1に模式的に示されるように、本発明の粉末回折装置は焦点4を持つX線管2を含み、X線ビーム6を発生し、これは収束スリット8により限定される。ビーム6は放物面鏡10へ向けられ、これによりX線を結晶単色化装置12へ方向付けされる。この場合放物面鏡は周期性多層ミラーである。X線ビームは結晶単色化装置から回折されてサンプル14へグレージング条件で放出される。前記サンプルはサンプル台17上のサンプルホルダとしての接着テープ16上に配置されている。検出チップ18はサンプルから回折されたX線を測定するように設けられている。サンプル台17はロック又は回転可能となっている。この構成について以下より詳しく説明する。理想的にはできるだけ多くのデータが、平行に収集されることである。焦点構成の複雑性を避けることができ、これにより本発明の回折装置ではより小さいサンプルと検出装置半径をより許容するものとなり、これによりコンパクトとされ得る。目的は、単色化された、小さくかつ強いビームを生成することであり、該ビームは充分な結晶子を散乱可能な位置へ導入し、位置感知性検出装置により平行に収集可能とするものである。入射ビームは従って、サンプルサイズよりはむしろ散乱領域を定めるものである。この構成では、全サンプル容積はまたサンプル厚さで定められる。ビームが充分小さい場合には、焦点構造は、波長分散が最小化されるならば、非常にコンパクトな構成で高分解能を達成するため、不要である。小さい入射ビームは、前記結晶単色化装置12のグレージング放出条件をもちいて達成できる。結晶単色化装置12のX線のスポットは前記サンプルから真向きに見え、これは効果的スポットサイズを低減する。具体的例が研究された。粉末サンプルを研究するための適切な広がりの小さなビームを生成する目的で、001表面方向を持つ単結晶GaAsから113反射が結晶単色化装置として使用された。GaAsから放出ビームの角度の広がりは0.0110°と決定された。これはこの単色化装置からのビームの広がりである。ミラー10を出るビームは1.2mmの幅で広がりは約0.040°を持ち、CuKα1及びCuKα2を共にカバーするスペクトル分布を含む。この広がりの正確な大きさは関係ない。というのはGaAsコリメーション結晶の続く広がりの許容性はこれよりもずっと少ない。言い換えると結晶単色化装置12は、該結晶を出るX線はCuKα1のみを含むことが確実となる。充分な広がりを持つビーム、コリメーション結晶12としてGaAs結晶で低角度のグレージング放出条件により生成されるビームを使用することは、充分な結晶子を相当に迅速な測定のための位置へ導入するに充分である。粉末サンプルをいくらかの接着テープに付着させ前記ビームの通常の位置においた。データは、55mmの検出装置半径へのサンプルの検出領域で収集された。前記検出装置の直前に0.02ラジアンのSollerスリット20を用いて、非制御の軸性広がりからの妨害を除去した。Sollerスリット20は図1の平面内に方向付けされ、軸性広がりであって、測定回折線のブロードニングの原因となり得るものを低減させた。種々のSollerスリットサイズが使用された。例えば0.08、0.04及び0.02ラジアンであった。後者のものは強度を相当損失はしたがシグナル/ノイズ比は優れていた。低散乱角度で非常に高分解能であるためにはより小さいSollerスリットが必要であるが、しかし迅速な測定のためには、0.04又は0.08ラジアンSollerスリットが所与の例ではピーク位置での強度が、0.02ラジアンSollerスリットを用いる場合と比べて約2倍及び3倍改良され、2θが25°でのピークの幅は10から20増加するものとなった。粉末サンプルは、GaAs結晶単色化装置12を出るビームの粉末サンプル14への距離が約30mmとなるように配置した。実験はまた、20mm及び実際40mmでも実施され、共に良好な結果を得た。計算により粉末サンプル位置での強度の分配が得られ、図2に示される。スポットサイズは有効35μmである。高分解能を維持するためにサンプルの小さい容積を維持するために、試験した粉末は接着テープ上に集められサンプル層とした。これはLaB6NIST660a標準を用いる場合にほぼ1つの結晶子3.5μmの厚さであり、2から5μmの結晶子サイズを持つものであった。これは散乱平面上でビーム高さが15mmでの散乱可能な領域約40μmx3.5μmを与えた。強度はこれらの実験で、光子係数半導体ピクセル検出装置で測定され、ピクセルは55μmx55μm寸法で半径は55μmから240mmまでであった。256x256ピクセルが存在し、これは55mm半径で2θの角度範囲14°に等しく、散乱面へ垂直なピクセルからのシグナルはストリップに積算される。データはこのモードで静的検出装置を用いて収集された。一方サンプルはロックされている。この構成で、入射ビームは2θ位置で直接観測された。強度は1秒約90Mカウントであり、波長は純粋なCuKα1であり、このビームは一列のピクセル内に含まれる<0.05470。この幅はビームサイズ35μmおよび角度の広がりからなり、上記のようにサンプリ上に当たる広がりは0.0110である。検出装置のピクセルサイズは角分解能を定め、散乱ビームはこの幅よりも狭く、検出装置の応答は種々の条件により異なり得る。例えば光子がピクセルの端近くに到達する際にはピーク高さ、形状及び幅が変更され得る。ここで次の点が理解されることが重要である。即ち、粉末回折パターンは、Braggピークの幅内というよりはむしろ、結晶子からの散乱のテール部とビームとの交差をほとんど完全に含むということである。従って散乱は、それぞれの結晶子が受けるビームの広がりとより関係し、サンプル全体を横切る広がりとは関係しないということである。従ってそれぞれの結晶子例えば数μmの結晶子は、例えば40μm離れたX線源との組み合わせにおいて、効果的に高分解性の散乱プロフィルを生成する。ここで、ビームがより多くの結晶子を照射する限り、その広がりを持つことは重要ではない。この後者の点により、従来のBragg-Brentano構成と比較して、前記パターンについてのスケール因子を評価することができる。種々の計算が、従来のBragg-Brentano構成との強度の比較を行うために実施され、これらを実験結果と比較した。計算された強度比は、これはコンパクト構成での小さい検出装置サイズ及びより小さいX線開口部の効果を考慮に入れる前で0.236であった。ここで説明したコンパクト構成として14mmの検出装置サイズとBragg-Brentano構成の27mmとを考慮すると、このコンパクト構成は従来の強度の強度約12となる。これは、非常に不利のように見える。というのは、最初見ると、データがBragg-Brentano構成よりも約8倍も遅い速度で収集されることになるだろうと考えられるからである。しかしこれは次の点を理解すると違うということが分かる。即ち、コンパクトな構成においては、データは平行して単一の検出装置又は実際には複数の検出装置で多重ピクセル異なる角度でを用いて収集され得る、ということである。このことを考慮すると、データ収集速度は多重ピクセルを用いた単一の検出装置を用いる場合と類似するものである。しかし、コンパクト構成のための多重14mm検出装置を配置することは容易であり、これにより非常に速いデータ収集を可能とする結果となる。図3は多重検出装置チップ18を持つ構成を示す。この場合、検出装置チップ18は、非散乱線22のいずれかの側に設けられる。その線はX線ビーム6がサンプル上へ入射する線に沿って直線に伸びる。一般に検出装置チップ18はエッジ領域を有し、そこでは入射X線を検出しない。従って、検出されるべき領域にギャップを持たせて検出チップを単純に並べることはできない。しかし非散乱線22のいずれかの側に検出装置チップを設けることで、他の側の検出装置チップ18間のギャップに応じた、非散乱線の一方の側の散乱角2θをカバーすることが可能となる。従って、単一検出装置チップ18の角度範囲に比べてより広い範囲を連続的に与えることが可能となる。本発明の場合においてさらに有利な点は、この構成ではBragg-Brentano構成とは異なるサンプルが存在しない場合でも作用するということである。これにより、バックグラウンドの較正および補正がずっと容易になる。コンパクト構成の小サイズは、検出装置の中心でのサンプル14の正確な位置が非常に重要となる、ということを意味する。50μmの精度で水平及び垂直の位置が、90°の2θ角で必要とされる。より低い2θ角では許容範囲はさらに大きくなる。例えば2θ角が20°では垂直許容範囲は120μmで、水平許容範囲が600μmとなる。測定は説明された装置で実施された。図4には、NIST660標準サンプルであるLaB6での測定結果が示される。実線は、本発明の回折装置を用いて測定された強度を表し、点線は従来の大きな遅い回折装置でBragg-Brentano構成を用いて測定された強度を表す。留意すべきは、ピーク形状は十分一致している、ということである。72.0°のピークと24.3°のコブはCuKα2によるものであり本コンンパクト装置には見られない。図5は、弱く散乱するサンプル、ここではパラセタモールからのサンプルの測定結果を示す。主グラフは本発明の回折装置により得られた結果である。次のことが見出された。即ち、データは非常に迅速に-測定はほんの10秒の測定時間を用いて挿入図繰り返されて得られたということ、及び得られた結果は非常に優れたものであった、ということである。コンパクト構成での測定においてはさらなる考慮がされる。特に利点となるのは、測定は、サンプルが存在しなくても可能であるということである。これにより、サンプルに関連しない全てのコンポーネントの測定が可能となり、従ってサンプルが存在する場合の測定データからこれらのデータを差し引くことが可能となる。これは透過よりも反射を用いる従来技術方法には当てはまらない。検出装置の使用は、検出装置の中心での1つのピクセルが、検出装置のエッジと正確には同じではない角度と相対することを意味する。しかしこれは構成上の計算により補正され得る。より重要な因子は、提案される構成においてはサンプルの位置が非常に重要である、ということである。検出装置の軸中心とサンプル位置との全ての差は2θ測定に不正確性をもたらす結果となり得る。従って、装置の初期設定、位置合わせには注意が必要であり、特に正確な位置へ移動可能なサンプル台の使用が便利である。他の問題は平均化である。サンプルは入射ビームスポットの与えられた小さいサイズの小さい容積について測定されるのみである。この小容積中の粉末結晶の数は比較的少ない。平均される量を増やすために、サンプル台は、測定中又は測定間のいずれかに交差的可動又は入射X線ビームに対して回転可能にされてよい。より容易には、サンプルロックがその代わりに又はそれとともに使用され得る。かかる動きは平均化に寄与するとともに、本発明者は、入射ビームに垂直な軸周りのサンプルの回転は平均強度をも改良するということを見出した。LaB6及びパラセタモールについての測定がミクロ構造分析の装置を用いて研究された。使用された装置の最終的分解能は0.01°であるがこれは最終的ビームサイズ及びピクセルサイズに依存する。ピークブロードニングは種々のサンプルと検出装置間距離で測定された。55mmではLaB6の001プロフィルが約0.13°と見出された。しかしこれは110mmでは約0.079°に、240mmと300mmでは約0.05°で安定したブロードニングであることが見出された。これらの測定はロックされたサンプルで行われた。静的サンプルについては、サンプル間にいくらかのばらつきがあり、0.023°および0.026°の幅のあることが測定された。装置的なブロードニングは0.019°であり、これは測定された幅と近く、全装置的ブロードニングは観測されておらず、特に測定に対する結晶子は平均に35μmビームスポットに分布されていると考えられる。計算により、測定されたブロードニングは、測定が1つの結晶子でなされるとすると、装置ブロードニングが0.0115°の寄与、及び結晶子サイズが0.7μmとした場合に結晶子からさらに0.0115°の寄与であることが明らかにされた。CuKα1波長が使用される場合、LaB6の吸収長さは約1μmであり、LaB6結晶子に入射して出るビームについては、深さは約0.7μmとなるであろう。この場合には分離された結晶子により鋭いピークが主となり、Braggの条件に近くなる。サンプルロックを用いて測定されたブロードなピークは、Bragg条件に近いかかる分離された結晶子に主により生じるとは思われない。というのはそのような場合には静的サンプルを用いて測定されたより低いブロードニングを与えるであるからである。このことは、散乱は主に回折テーリングの交差から依るものであることを示唆する。これは、詳細なミクロ構造情報を抽出できることを示唆す留意すべきは、これらの優れたピーク幅は、これらの小さな半径サンプルから検出装置間距離で達成される、ということである。というのはこの方法は焦点化に依存するものではないからである。たとえサンプルが少量でも、十分な粒子が測定され、特にロック条件で、信頼性のある強度を生成する。当業者であれば、示された構成及び配置の変更等が可能である。特に本発明者は、放物面鏡が省略され、かつ優れた結果が得られる、ということを見出した。