"行列状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の列ごとに対応して設けられ、対応する列の前記画素からの出力信号を垂直方向に転送する垂直転送線と、前記垂直転送線により転送された出力信号を保持する保持回路と、前記保持回路で保持された出力信号を水平方向に転送する水平転送線と、前記水平転送線より下層の配線で前記水平転送線と半導体基板との間にて前記水平転送線に対して平行に形成された水平補助線とを有し、前記水平補助線の両線端には、前記水平転送線の同側の線端の信号がそれぞれバッファを介して印加された構成を有することを特徴とする固体撮像装置。請求項1記載の固体撮像装置において、前記水平転送線と前記半導体基板との間に、少なくとも1つのコンデンサを接続した構成を有することを特徴とする固体撮像装置。請求項1記載の固体撮像装置において、前記水平転送線と前記半導体基板との間に、スイッチにより回路への接続又は切り離しがなされる少なくとも1つのコンデンサを接続した構成を有することを特徴とする固体撮像装置。請求項1~3のいずれか1項に記載の固体撮像装置を用いた撮像装置。多画素のイメージセンサでは、必然的に水平転送線が長くなる。したがって、選択スイッチを通してカラムコンデンサの電荷の供給を受ける水平転送線に上記特許文献1の技術を転用して水平補助線を設ける場合には、水平転送線の配線抵抗により、カラムコンデンサの接続位置に応じて信号転送時間に違いが生じるという副作用がある。本発明の目的は、水平転送線における信号レベルの低下を軽減でき、かつ信号源となるカラムコンデンサの接続位置が異なっても信号転送時間の変動を軽減できる固体撮像装置及びそれを有する撮像装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明に係る固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の列ごとに対応して設けられ対応する列の前記画素からの出力信号を垂直方向に転送する垂直転送線と、前記垂直転送線により転送された出力信号を保持する保持回路と、前記保持回路で保持された出力信号を水平方向に転送する水平転送線と、前記水平転送線より下層の配線で前記水平転送線と半導体基板との間にて前記水平転送線に対して平行に形成された水平補助線とを有し、前記水平補助線の両線端には前記水平転送線の同側の線端の信号がそれぞれバッファを介して印加された構成を有することを特徴とするものである。これにより、信号転送時の水平転送線と水平補助線との間の電位差をほぼ一定に保つことで、水平転送線と水平補助線との間の線間容量への電荷の出入りをなくし、水平転送線での信号レベルが低下するのを軽減させる。つまり、固体撮像装置の水平転送に伴う、信号レベルの低下を軽減でき、かつ水平転送線への信号源電荷の接続位置による転送時間差を軽減できる。また、本発明は、固体撮像装置として実現できるだけでなく、このような固体撮像装置を有する撮像装置としても実現できる。本発明によれば、転送信号の減衰を軽減すると共に、水平転送線によるSN比劣化を防ぐことができ、また転送ゲインのばらつきを軽減させることができる。以下に、本発明に係る固体撮像装置及び撮像装置の実施形態について、図面を参照しながら説明する。《第1の実施形態》図1は、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。なお、一部の構成要素はブロックで示している。図1に示す固体撮像装置100は、行選択回路1、画素アレイ2、画素3、垂直転送線V1~Vn4、保持回路5、列選択回路6、制御信号線7、水平転送線8、水平補助線9、列選択線H1~Hn10、バッファ11,12等を有する。図1の固体撮像装置100は、画素アレイ2として行列状に配置された複数の画素3と、複数の画素3の列ごとに対応して設けられ、対応する列の画素3からの出力信号を垂直方向に転送する垂直転送線4と、垂直転送線4により転送された出力信号を保持する保持回路5と、保持回路5で保持された出力信号を水平方向に転送する水平転送線8と、水平転送線8より下層の配線で水平転送線8と半導体基板との間にて水平転送線8に対して平行に形成された水平補助線9とを有し、水平補助線9の両線端には、水平転送線8の同側の線端の信号がそれぞれバッファ11,12を介して印加された構成を有することを特徴とするものである。行選択回路1は、複数の画素3の行ごとに対応して設けられた制御信号線7を介して画素アレイ2に接続され、制御信号線7を介して制御信号SELECT,RESET及びTRANSを出力することにより、複数の画素3を行単位で走査する。画素3は、光電変換により電荷を生成するフォトダイオードPDと、行選択回路1から出力される制御信号TRANSに応じてフォトダイオードPDで生成された電荷を転送する転送トランジスタM1と、行選択回路1から出力される制御信号RESETに応じて転送された電荷をリセットするリセットトランジスタM2と、転送された電荷に応じた電圧である画素信号を出力する出力トランジスタM3と、行選択回路1から出力される制御信号SELECTに応じて画素信号を垂直転送線4に出力する選択トランジスタM4とを含む。この画素3の構成は、画素アレイ2に含まれる、縦横に複数配置されている複数の画素3において同一である。垂直転送線4は、同じ列の画素3に接続され、画素3から出力される画素信号を保持回路5に転送する。言い換えると、垂直転送線4は、画素アレイ2の各行に対して垂直方向に画素信号を転送する。以下、第k列の画素3に接続された垂直転送線4を垂直転送線Vkkは1~nとして記載する場合がある。保持回路5は、画素信号のオフセットのばらつきをキャンセルし、保持する回路である。具体的には、保持回路5は、複数の垂直転送線4のそれぞれに対応して設けられた、一端が対応する垂直転送線4に接続された相関二重サンプリングCorrelatedDoubleSampling:CDS用コンデンサCkkは1~nのいずれかと、CDS用コンデンサCkの他端と接地電位との間に挿入された画素信号を保持する信号保持用コンデンサChkと、CDS用コンデンサCkと信号保持用コンデンサChkとを接続している配線の電圧を制御信号CDSに応じて電圧VbとするトランジスタM104と、制御信号HSに応じて信号保持用コンデンサChkに画素信号を保持させるトランジスタM105と、列選択回路6から出力される列選択信号Hkに応じて保持された画素信号を水平転送線8に出力する列選択トランジスタM106とを有する。なお、信号保持用コンデンサChk、列選択トランジスタM106及び水平転送線8は、信号保持用コンデンサChkに保持された画素信号を水平方向に順次転送する水平転送部である。列選択回路6は、複数の画素3の列ごとに対応して設けられた列選択線10を介して保持回路5に接続され、列選択線10を介して列選択信号Hkを出力することにより、保持回路5で保持された画素信号を、水平転送線8を経由してバッファ11から出力される。水平補助線9は、水平転送線8とその下部半導体基板との中間位置に配置され、その長さは水平転送線8とほぼ同等で、幅については必要に応じて1倍から3倍程度の範囲で選択すればよく、水平補助線9の形状的な各両端には、水平転送線8の各形状的な両端に接続されたバッファ11,12を介してそれぞれの同じ側の水平転送線8の信号が印加され、水平転送線8と水平補助線9との間に存在する配線間容量を見かけ上ショートすることで、寄生容量を無くすことができ、信号源の電荷が水平転送線8に転送された時に、水平転送線8の対接地容量で減衰することを防ぐことが可能となる。図2は、図1中の水平補助線9及び一方のバッファ12を備えない場合の水平転送線8への悪影響を説明するためのチップ概略断面図である。図2にて、CFETは列選択トランジスタM106のドレイン又はソースの接合容量、CSUBは水平転送線8と半導体基板との間の寄生容量である。図2では、水平転送線8に電荷が転送されてきた場合、電荷は寄生容量CSUBに流れ込むことで、水平転送線8の信号レベルが低下してしまう。図3は、図1中の水平補助線9及び両バッファ11,12の効果を説明するためのチップ概略断面図である。図3では、水平転送線8の信号が水平補助線9にバッファ11,12を通して加えられているために、水平転送線8と水平補助線9との間の電位差が常に一定差に保たれるため、水平転送線8と水平補助線9との間の寄生容量CS1への電荷の出入りが発生せず、信号電荷が水平転送線8に転送されてきた時の信号の減衰は発生しない。また、水平補助線9と半導体基板との間の寄生容量CS2はバッファ11,12で駆動されているため、信号レベルには影響しない。水平転送線8には各々信号電荷転送用のMOSFETである複数の列選択トランジスタM106が接続されているため、これらの列選択トランジスタM106のドレイン又はソースの寄生容量CFETが水平転送線8に接続されており、水平補助線9で無効化できる容量は水平転送線8と半導体基板との間の寄生容量成分のみであるが、画素数が大きい場合には水平転送線8と半導体基板との間の寄生容量のウェイトは大きく、場合によっては50以上になるため、信号レベルの向上効果は大きい。また、このように水平転送線8から後段へ送られる信号レベルを大きくできるので、後段での信号増幅度を下げることができ、SN比を向上することができる。更に、多層配線プロセスにおいては、水平転送線8の上部にも、水平補助線9を同様に配置してもよく、更には、左右にも同様な対策を施してもよい。更に、水平補助線9は一直線に連続していなくてもよく、水平補助線9と同じレベルの配線層が水平補助線9を切断するような構造で横切る場合は、適時、水平補助線9の切断部分を別の層の配線で電気的接続を持たせればよい。以上のように、本実施形態に係る固体撮像装置100は、行列状に配置された複数の画素3と、複数の画素3の列ごとに対応して設けられ、対応する列の画素3からの画素信号を垂直方向に転送する垂直転送線4と、複数の垂直転送線4により転送された画素信号を保持する保持回路5と、保持回路5で保持された画素信号を水平方向に転送する水平転送線8と、水平転送線8とほぼ平行に水平転送線8と下部半導体基板との中間に配置され、かつ、水平転送線8とほぼ同じ長さを有する水平補助線9と、水平転送線8の信号を出力へ送る、又は、水平補助線9に転送するためのバッファ11,12とを有し、水平転送線8の信号を水平補助線9にも印加することで、水平転送線8での転送時の減衰を軽減することができる。次に、以上のように構成された固体撮像装置100の動作を詳細に説明する。まず、フォトダイオードPDは入射光を光電変換し電荷として蓄え、出力トランジスタM3のゲートはフォトダイオードPDが光電変換中にリセットトランジスタM2がオンされることで、VDDにリセットされる。その後、リセットトランジスタM2がオフし、転送トランジスタM1がオンすることで、フォトダイオードPDの電荷が出力トランジスタM3のゲート一般的にはゲート、配線容量等で構成されるフローティングディフュージョンに電気的に接続される。これにより、フォトダイオードPDで生成された電荷が電圧に変換され、更に選択トランジスタM4がオンすることでフローティングディフュージョンの電圧が各画素列に対応する垂直転送線4V1~Vnに転送される。このとき、事前にリセットトランジスタM2がオン、転送トランジスタM1がオフ、フォトダイオードPDが電荷蓄積状態にあるとき、制御信号CDSによりトランジスタM104がオン、制御信号HSによりトランジスタM105がオンすることで、CDS用コンデンサC1の他端はVb、一端は画素3から出力された電圧に遷移する。ここで、画素3から出力された電圧は、出力トランジスタM3のゲート、すなわちフローティングディフュージョンがVddにリセットされたことにより垂直転送線V1に出力される、Vddから出力トランジスタM3の閾値電圧分降下した電圧である。出力トランジスタM3の閾値電圧をVthとすると、CDS用コンデンサC1の両端間の電位差がVdd-Vth-Vbとなる。また、信号保持用コンデンサCh1の電位はVbとなる。次に、リセットトランジスタM2がオフし、同時にトランジスタM104もオフし、先に説明の転送トランジスタM1がオンすると、フローティングディフュージョンでフォトダイオードPDの電荷が電圧に変換され、その分垂直転送線V1の電位が変化し、その変化は信号保持用コンデンサCh1に伝わる。その後、トランジスタM105がオフすると、信号保持用コンデンサCh1には、[Vdd-VthΔV-Vdd-Vth-Vb]×C1/C1Ch1=VbΔV×C1/C1Ch1が保持される。なお、ΔVはフォトダイオードPDからの光電変換信号であるフローティングディフュージョンの電位変化分である。このとき、垂直転送線4の1列目の画素3の出力のリセット時の出力トランジスタM3及び選択トランジスタM4のオフセットはCDS用コンデンサC1に吸収される。このように、各列横方向の画素3の信号が各列に対応した信号保持用コンデンサCh1~Chnに保持され、次に列選択回路6から出力される列選択信号H1~Hnにより順次コンデンサCh1~Chnが水平転送線8に電気的に接続されることにより、水平転送線8に画素信号が出力される。更に、同様な動作で行選択回路1により、順次行を変え、次の行の画素3の画素信号を信号保持用コンデンサCh1~Chnに保持し、列選択回路6により信号保持用コンデンサCh1~Chnを水平転送線8に順次電気的に接続して信号を出力する動作を行う。これらの、光電変換から信号転送及び出力を行う、動作及びタイミングは任意で、本発明はこれらのタイミングを限定したものではない。図4は、図1の固体撮像装置100の動作を示すタイミングチャートである。図4には、上から順に、制御信号SELECT,TRANS,RESET,CDS及びHSと、列選択信号H1,H2及びHnと、水平リセット信号HRSTとの波形が示されている。時刻t1では、制御信号RESETをLOW以下、Lに切り替えることによりリセットトランジスタM2をオフする。また、制御信号SELECTをHIGH以下、Hに切り替えることにより選択トランジスタM4をオンさせ、画素アレイ2の1行目図1に示す画素部2の最上段を選択する。また、制御信号CDSをHにすることによりトランジスタM104をオンし、CDS用コンデンサC1~Cnに電圧Vbを供給し、制御信号HSをHにすることによりトランジスタM105をオンし、信号保持用コンデンサCh1~ChnをVbにリセットする。以上の動作により、CDSの準備動作を行う。時刻t2では、制御信号CDSをLに切り替えることによりトランジスタM104をオフし、1回目のCDSを終了する。時刻t3では、制御信号TRANSをHに切り替えることにより転送トランジスタM1をオンし、フォトダイオードPDの電荷を出力トランジスタM3のゲートに転送し、信号電圧を生成する。このとき、選択トランジスタM4がオンしているので、各列の画素信号が出力トランジスタM3から各列に対応した垂直転送線V1~Vnを通じて、各列に対応した信号保持用コンデンサCh1~Chnに伝えられる。時刻t4では、制御信号TRANSをLに切り替えることにより転送トランジスタM1をオフし、転送動作を終了する。時刻t5では、制御信号HSをLに切り替えることによりトランジスタM105をオフし、信号保持用コンデンサCh1~Chnでの電荷の移動を固定する。時刻t6では、制御信号RESETをHに切り替えることによりリセットトランジスタM2をオンし、フローティングディフュージョン出力トランジスタM3のゲートをリセットする。時刻t7では、制御信号TRANSをHに切り替えることにより転送トランジスタM1をオンし、フォトダイオードPDをリセットする。時刻t8では、水平リセット信号HRSTをHに切り替えることによりリセットトランジスタM107をオンし、水平転送線8の電位をVbにリセットする。その後、時刻t8~t9において、水平リセット信号HRSTをLに切り替えることによりリセットトランジスタM107をオフする。時刻t9では、第1列に対応する列選択信号H1をHに切り替えることにより、対応する列選択トランジスタM106をオンし、第1列の画素信号を保持している信号保持用コンデンサCh1を水平転送線8に接続し、第1行、第1列の画素信号を出力する。時刻t10以降では、水平リセット信号HRSTを一端Hに切り替えた後にLに切り替えることにより水平転送線8の電位をリセットし、列選択信号H2~Hnを順次変更しながらHにする動作を繰り返すことで、信号保持用コンデンサCh2~Chnを順次切り替えて、画素信号を出力する。上記時刻t1から時刻t5までの動作を、行選択回路1の制御を第2行図1に示す画素アレイ2の2段目に対し行い、更に順次行を変えて行う。このように、転送処理される過程での、水平転送線8で、従来は信号が減衰していたが、その減衰を軽減することができる。なお、本実施形態に係る固体撮像装置100の特徴は、水平方向の電荷転送に直接利用される形態の撮像装置の性能改善を行うことが目的であり、固体撮像装置100の構成は特に限定されるものではない。また、本実施形態で説明した、CDSの方法や実現するための回路構成は一例であり、他の方法及び構成も存在する。また、画素3から信号保持用コンデンサCh1~Chnまでの間にカラムアンプ等の増幅機能を持たせたものや、保持回路5にカラムアンプの機能を持たせた固体撮像装置の技術も知られており、本発明はそれらの固体撮像装置に適用することも可能である。また、本実施形態では、水平転送線8が1つで、出力が1チャンネルである固体撮像装置100を例として示したが、1画素アレイ当たりの画素出力が複数存在する多チャンネル出力の場合で、水平転送線が複数存在するようなときには、各水平転送線に対応して、それぞれに対応した水平補助線を設け、各対応した水平転送線の信号をバッファを通して印加すればよい。《第2の実施形態》図5は、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。第2の実施形態に係る固体撮像装置200は、第1の実施形態に係る固体撮像装置100と比較して、水平転送線8に、新たに実体的な寄生容量でないコンデンサ13を付け加えた点が異なる。具体的には、第1の実施形態の技術で回路特性上軽減された水平転送線8の寄生容量値に近い容量値のコンデンサ13を付け加える。第1の実施形態の技術は、水平転送線8の寄生容量による信号減衰を防ぐために実施するが、電荷転送後の水平転送線8に生じる信号電圧は、電荷転送元のコンデンサCh1~Chnの初期電荷量とその容量値とに対し、水平転送線8と半導体基板との間の寄生容量と、水平転送線8に接続された複数個の接続を切り替える列選択トランジスタM106のドレイン又はソースの接合容量の合計容量値との合成演算で決まるが、信号転送元のコンデンサCh1~Chnの容量値と水平転送線8の容量値すなわち半導体基板との間の寄生容量と列選択トランジスタM106のドレイン又はソース接合容量の値のばらつきには相関が無く、転送時の水平転送線8に生じる信号電圧のばらつきが大きい。このばらつきによる、信号の大きさのばらつき変動は、第1の実施形態による技術で、水平転送線8と半導体基板との間の寄生容量をなくしても、無くなるものではない。そこで、第2の実施形態の固体撮像装置200では、電荷転送元のコンデンサCh1~Chnと同じ構造の同じプロセスばらつきを持つコンデンサ13を水平転送線8に接続し、水平転送線8に付加される容量、すなわちコンデンサ13と列選択トランジスタM106のドレイン又はソース接合容量の合計容量値の中の、電荷転送元のコンデンサCh1~Chnと同じばらつき相関を持つコンデンサ13の容量値の比率を上げることで、転送時に水平転送線8に生じる信号電圧のプロセスばらつきによる変動を軽減させるものである。《第3の実施形態》図6は、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。第3の実施形態に係る固体撮像装置210は、第1の実施形態に係る固体撮像装置100と比較して、水平転送線8に実体的なコンデンサ13を付け加えると共に、このコンデンサ13の接地を切り替えるトランジスタ14を新たに付け加えた点が異なる。第2の実施形態は、電荷転送時の信号レベルのプロセスばらつきによる変動を軽減させるものである。これに対して、第3の実施形態の固体撮像装置210においては、トランジスタ14をオン/オフさせることでコンデンサ13の接地への接続を切り離すことを可能にし、水平転送線8に付加される、寄生容量を含めた容量合計値を切り替えることで、転送時の信号レベルが変化することを利用して、出力信号の信号レベルの切り替えを可能にするものである。なお、コンデンサ13とトランジスタ14との直列接続ペアを複数設け、又は第2の実施形態でのコンデンサ13単体を複数個を組み合わせて配置することで、切り替えられる出力信号レベルの値を複数にすることも可能である。《第4の実施形態》図7は、本発明の第4の実施形態に係る撮像装置の構造図である。図7に示す撮像装置300は、第1の実施形態に係る固体撮像装置100を有する。具体的には、図7には、固体撮像装置100が利用可能な多様なシステムの代表例として、デジタルカメラの構造図を示した。この撮像装置300は、固体撮像装置100、カメラ筐体301及びレンズ302等を有し、撮像装置300の前面からレンズ302を通過して入射する撮像光303を固体撮像装置100で光電変換することにより電気信号に変換し、図には記載していないが、撮像装置300に搭載され、又は外部に準備された信号処理回路により、画像データとして加工され、メモリ等に保存及びモニタに出力される。以上のように、本実施形態に係る撮像装置300は、図1に示す固体撮像装置100を用いることで、SN比の向上した高画質な画像を得ることができる。固体撮像装置100を前述の他の固体撮像装置200,210に置き換えることも可能である。なお、このような撮像装置300は、図8に外観を示すようなデジタルカメラだけでなく、図9に外観を示すようなビデオカメラとして実現することもできる。以上、本発明の第1~第4の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が想到する各種変形を本実施形態に施したものや、異なる実施形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。例えば、水平転送線8の出力をA/Dコンバータでデジタル信号化してから固体撮像装置100より出力することも可能である。"