チャンバーと、前記チャンバーに設けられ、アルミナ融液を収容するるつぼと、前記るつぼの外側に設けられ、前記るつぼを加熱するヒーターと、前記るつぼ内で成長するインゴットの上側に設けられ、前記インゴットに熱を加える熱供給部と、を含むサファイアインゴットの成長装置。前記熱供給部は、前記アルミナ融液の表面に対して水平である請求項1に記載のサファイアインゴットの成長装置。前記熱供給部は、前記アルミナ融液の表面に対して30°~30°の角度で配置される請求項1に記載のサファイアインゴットの成長装置。前記熱供給部は、発熱する上部ヒーターを含む請求項1に記載のサファイアインゴットの成長装置。前記上部ヒーターは、抵抗加熱上部ヒーターを具備する請求項4に記載のサファイアインゴットの成長装置。前記熱供給部は、前記チャンバーから発生する熱を前記インゴットの上側に向けて反射させるリフレクターを含む請求項1に記載のサファイアインゴットの成長装置。前記リフレクターはモリブデンを含む請求項1に記載のサファイアインゴットの成長装置。本発明は、サファイア単結晶の転位品質を制御できるサファイアインゴットの成長装置を提供しようとする。本発明のサファイアインゴットの成長装置は、チャンバーと、前記チャンバーに設けられ、アルミナ融液を収容するるつぼと、前記るつぼの外側に設けられ、前記るつぼを加熱するヒーターと、前記るつぼ内で成長するインゴットの上側に設けられ、前記インゴットに熱を加える熱供給部と、を含む。本発明によれば、サファイア単結晶インゴットの上部にヒーターやリフレクター等のような熱供給部を具備することで、サファイア単結晶の上部と下部の温度偏差を減らすことで、熱応力を減少させ、これにより転位発生を抑制することができる。また、本発明によれば、熱応力の制御によってサファイア単結晶成長時の構造欠陥のような問題を解決できるだけでなく、熱応力によって発生する転位濃度を制御することで、高品質のサファイア単結晶を成長させることができる。実施例の説明において、各ウェハ、装置、チャック、部材、部、領域または面などが、各ウェハ、装置、チャック、部材、部、領域または面などの上または下に形成されると記載される場合、上と下は直接または他の構成要素を介在して形成されるものを全部含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面での各構成要素の大きさは、説明の便宜を図って誇張される場合があり、実際に適用される大きさを意味するものではない。実施例図1は実施例に係るサファイアインゴットの成長装置100の例示図であり、図2は実施例に係るサファイアインゴットの成長装置100の部分拡大例示図あり、図3は実施例に係るサファイアインゴットの成長装置100の平面図の例示図である。実施例に係るサファイアインゴットの成長装置100は、CZ法またはKyropoulos法を適用できるが、これに限定されるものではない。実施例に係るサファイアインゴットの成長装置100は、チャンバー110と、前記チャンバー110内に設けられ、アルミナ融液Mを収容するるつぼ120と、前記るつぼ120外側に設けられ、前記るつぼ120を加熱するヒーター130と、前記るつぼ120内で成長するインゴットIGの上側に設けられ、前記インゴットIGに熱を加える熱供給部150と、を含むことができる。前記チャンバー110は、サファイアインゴットIGを成長させるための工程が行われる空間を提供する。前記るつぼ120は、アルミナ融液を収容できるように前記チャンバー110の内部に設けられ、タングステンWまたはモリブデンMo等の材質からなることができるが、これに限定されるものではない。前記ヒーター130は、側面ヒーター132と下部ヒーター134を含むことができるが、これに限定されるものではない。前記ヒーター130は、抵抗加熱ヒーターまたは誘導加熱ヒーターからなることができるが、これに限定されるものではない。例えば、前記ヒーター130が抵抗加熱ヒーターである場合、前記ヒーター130はグラファイトC、タングステンW、モリブデンMo等から形成できるが、これに限定されるものではない。一方、前記ヒーター130が誘導加熱ヒーターである場合、RFコイルを具備し、前記るつぼ120はイリジウムるつぼからなることができる。前記RFコイルは、高電圧電流の方向が無線周波に変わりながら、Irるつぼの表面に誘導電流を発生させる。前記Irるつぼは、誘導電流の方向変化によるるつぼ表面のストレスに起因した熱を発生させることができる。前記Irるつぼは、溶融した高温のアルミナを収容している鎔湯としての役割をすることができる。実施例に係るサファイアインゴットの成長装置は、前記チャンバー110の内側に存在する、ヒーター130の熱が外部に放出されないようにする、輻射断熱材140をさらに含むことができる。前記断熱材140は、るつぼ120の側面に配置される側面断熱材142とるつぼ120の下側に配置される下部断熱材144を含むことができるが、これに限定されるものではない。前記断熱材140は、ヒーター130及びるつぼ120が最適な熱的分布を持つようにすると共に、その熱エネルギーの損失が最大限発生しないようにする材質と形状に設計される。一般的に、高温のサファイア融液において単結晶を成長させる方法では、インゴットの内部に温度偏差が発生することになり、これによって熱応力が発生することになる。実施例は、このような熱応力を制御するために、サファイアインゴットIGの上部に上部ヒーターやリフレクター等のような熱供給部150を設置することで、サファイアインゴットIGの温度偏差を最小化することができる。実施例において、熱供給部150として上部ヒーターが使用される場合、上部ヒーターのサイズはインゴットサイズに比例して増加し、よって、上部ヒーターの最大直径はインゴットの直径と等しくなることができるが、これに限定されるものではない。前記上部ヒーターは、タングステンやグラファイトの材質から形成されるが、これに限定されるものではない。前記上部ヒーターは、抵抗加熱式からなることができ、よって、電極152から前記上部ヒーターに直接電源が供給されて、上部ヒーター自体が発熱される。一方、前記チャンバー110から発生する熱を前記インゴットIGの上側で反射させるためのリフレクターが前記熱供給部150として使用される場合、前記リフレクターはモリブデン等のような反射率が高い物質によって製造されるが、これに限定されるものではない。実施例で、前記熱供給部150は、前記アルミナ融液Mの表面に対して水平となるように、または前記アルミナ融液Mの表面に対して略30°~略30°の角度で傾くように配置されることで、インゴットへの熱供給を効率的に行うことができる。図4は比較例に係るインゴットの結晶の内部及び外部の温度偏差の例示図であり、図5及び図6は実施例に係るサファイアインゴットの成長装置を適用した時のインゴットの結晶内外部の温度偏差の例示図である。例えば、図5はリフレクターを設置した場合のインゴットの内外部の温度偏差を示すものであり、図6は上部ヒーターを設置して、約5KWのパワーを加えた場合のインゴットの内外部の温度偏差を示すものである。実施例によれば、リフレクターと上部ヒーターを設置した場合、軸方向の温度勾配であるΔTy値及び水平方向の温度勾配であるΔTx値が減ることが分かる。図7は比較例に係る熱応力分布の例示図であり、図8及び図9は実施例に係るサファイアインゴットの成長装置を適用した時の熱応力分布の例示図である。例えば、図8はリフレクターを設置した場合の熱応力分布の例示図であり、図9は上部ヒーターを設置した場合の熱応力分布の例示図である。上述したように、熱供給部150の採用による温度勾配の減少は、図8及び図9のような熱応力の差として現れる。図7の比較例に比べて図8及び図9で熱応力値が減ることを確認でき、これにより転位濃度を制御することができる。実施例に係るサファイアインゴットの成長装置によれば、サファイア単結晶インゴットの上部にヒーターやリフレクター等のような熱供給部を具備することで、サファイア単結晶の上部と下部の温度偏差を減らすことで熱応力を減少させ、これにより転位発生を抑制することができる。また、実施例によれば、熱応力の制御によってサファイア単結晶成長時の構造欠陥のような問題を解決できるだけでなく、熱応力によって発生する転位濃度を制御することで、高品質のサファイア単結晶を成長させることができる。以上の実施例で説明された特徴、構造、効果などは少なくとも一つの実施例に含まれ、必ず一つの実施例に限定されるものではない。また、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは、本発明が属する分野で通常の知識を持つ者によって、他の実施例に対しても組合または変形されて実施が可能である。従って、このような組合と変形に係る内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。以上、本発明を特定の実施例を中心に説明したが、本発明はこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。