半導体素子と、前記半導体素子の電極形成面の反対面及び側面を覆う封止樹脂と、を備え、前記半導体素子の電極形成面の外周部分に前記封止樹脂が入り込む導入路が形成されていることを特徴とする半導体装置。前記半導体素子の電極形成面の中央部分と前記導入路との間に、前記封止樹脂が入り込む溝が形成され、前記溝の底面は、前記導入路の底面よりも前記電極形成面から深い位置であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。複数の前記半導体素子を備え、一方の前記半導体素子の高さと、他方の前記半導体素子の高さとが異なることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。図18のAは、半導体チップ100を配置したモールド基板101の断面図である。図18のBは、半導体チップ100を配置したモールド基板101の拡大断面図である。図18に示すモールド基板101は、支持基板に半導体チップ100を貼り付けた後、モールド樹脂102を被着して、半導体チップ100及びモールド樹脂102を支持基板から剥離することによって製造されている。図18に示すモールド基板101は、モールド基板101に半導体チップ100を配置している。そのため、半導体チップ100及びモールド樹脂102の線膨張係数に大きな差がある場合、モールド樹脂102の形成の際の昇温に伴う膨張及び降温に伴う収縮により、図18のBに示すように、半導体チップ100とモールド樹脂102との界面に隙間が形成される。図18に示すモールド基板101においては、半導体チップ100とモールド樹脂102との界面に深さが5μm以上の隙間が発生してしまう。半導体チップ100とモールド樹脂102との界面に隙間が部分的に集中して形成されると、その後の配線形成プロセスの歩留まりが低くなり、配線の微細加工が困難になるという問題がある。半導体チップ100とモールド樹脂102との界面に隙間が部分的に集中して形成されると、例えば、図19に示すように、各半導体チップ100を接続する配線103が形成されなかったり、配線103が細くなったりする場合がある。図19のAは、各半導体チップ100を接続する配線103を形成した場合のモールド基板101の平面模式図である。図19のBは、図19のAのG-G’断面における模式図である。図19のCは、図19のAのH-H’断面における模式図である。半導体チップ100とモールド樹脂102との界面に隙間が部分的に集中して形成されると、配線103の形成に用いられるレジストパターンを形成する際のフォトリソグラフィでデフォーカス焦点ぼけが発生し、レジストパターンが形成されなかったり、レジストパターンが細くなったりする。このようなレジストパターンを用いて、配線103を形成すると、配線103が形成されなかったり、配線103が細くなったりする。本件は、半導体装置が有する半導体素子と封止樹脂との界面に形成される隙間を分散する技術を提供する。本件の一観点による半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の電極形成面の反対面及び側面を覆う封止樹脂と、を備え、前記半導体素子の電極形成面の外周部分に前記封止樹脂が入り込む導入路が形成されている。本件によれば、半導体装置が有する半導体素子と封止樹脂との界面に形成される隙間を分散することができる。以下、図面を参照して、発明を実施するための形態以下、実施形態というに係る半導体装置及び半導体装置の製造方法について説明する。図1のAは、本実施形態に係る樹脂封止装置1の平面模式図である。図1のBは、図1のAのA-A’断面における模式図である。樹脂封止装置1は、複数個の半導体チップ半導体素子が載置される載置台2と、載置台2を支持する載置ホルダ3と、載置台2の外周部分に設置された樹脂材型枠4とを、有する。載置台2は、熱膨張係数が小さく、熱プロセスによる変形の小さい材料を用いることが好ましい。載置台2として、例えば、石英基板、シリコンウェーハ、ガラス基板、セラミック基板等を用いてもよい。樹脂材型枠4は、載置台2を囲むように設置されていればよく、例えば、樹脂材型枠4は、立方体形状の部材を組み合わせて載置台2を囲んでいてもよいし、リング状の部材によって載置台2を囲んでいてもよい。樹脂材型枠4の材料は、例えば、ステンレスである。樹脂材型枠4の高さは、任意の値を設定してもよい。樹脂材型枠4の高さに応じて、製造する半導体装置の高さが決まる。例えば、製造する半導体装置の高さを625μmとする場合、樹脂材型枠4の高さを625μmに設定する。以下、本実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法について、実施例を挙げて説明する。以下の実施例の構成は例示であり、本実施形態は実施例の構成に限定されない。まず、図2に示すように、複数の半導体チップ半導体素子10を、粘着シート11を介して載置台2に仮固定する。複数の半導体チップ10は、同じ種類であってもよいし、異なる種類であってもよい。図2では、3個の半導体チップ10を載置台2に配置する例を示しているが、半導体チップ10の個数は図2に示す例に限定されず、他の個数であってもよい。また、半導体チップ10は、半導体ウェーハから切り出された後、特性測定の結果、良品と確認された製品を使用してもよい。複数の半導体チップ10の高さ厚みは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。ここでは、複数の半導体チップ10の高さを同じとしている。例えば、フリップチップボンダー等のダイボンディング装置を用いて、半導体チップ10の電極形成面表面を載置台2に向け、半導体チップ10と載置台2との位置合わせを行い、半導体チップ10を載置台2に配置する。複数の半導体チップ10は、所定間隔で載置台2に配置されている。所定間隔は、例えば、200μm以上500μm以下であるが、所定間隔は、この数値に限定されるものではない。ダイボンディング装置は、アライメント精度が良いものが好ましい。アライメント精度の良いダイボンディング装置を使用することにより、載置台2に配置される各半導体チップ10間の距離を微小にすることができ、各半導体チップ10間の配線をより微細化することができる。各半導体チップ10間を微細配線で接続することができれば、配線数を増やすことができ、小型高密度でより高速の半導体装置を形成することができる。次に、図3に示すように、例えば、スピンコート法又は印刷法により、載置台2の上に配置された複数の半導体チップ10を覆うように、保護材としてのモールド樹脂12を形成する。図3に示すように、半導体チップ10の側面及び半導体チップ10の裏面半導体チップ10の電極形成面の反対面が、モールド樹脂12によって覆われている。モールド樹脂12は、例えば、アクリル系樹脂やエポキシ樹脂等の有機系絶縁性樹脂や無機系絶縁性樹脂である。液状樹脂タイプのモールド樹脂12として、例えば、長瀬産業株式会社製のR4212を用いてもよい。顆粒タイプのモールド樹脂12として、例えば、住友ベークライト株式会社製のEME-X83592を用いてもよい。モールド樹脂12は、封止樹脂の一例である。そして、図4に示すように、載置台2の上方に、モールド樹脂12に荷重をかけるための裏面形成金型5を配置する。裏面形成金型5として、例えば、石英基板、シリコンウェーハ、ガラス基板、セラミック基板等を用いてもよい。次いで、図5に示すように、例えば、ラミネータやプレス機等の装置を用いて、モールド樹脂12と裏面形成金型5とを接触させ、裏面形成金型5を載置台2に近づけることにより、モールド樹脂12に対して均一に荷重をかける。この場合、載置台2の外周部分に形成された樹脂材型枠4と裏面形成金型5とが接触するまで、裏面形成金型5を載置台2に近づけることにより、載置台2の上に形成されたモールド樹脂12の厚みが一定になる。この場合、載置台2の上に形成されたモールド樹脂12の厚みが一定となるモールド樹脂12の量を、実験又はシミュレーションによって求めておき、モールド樹脂12の厚みが一定となるモールド樹脂12の量を載置台2の上に形成すればよい。また、例えば、裏面形成金型5の上面に溝を形成しておいてもよい。載置台2の上に形成されたモールド樹脂12の量が少ないと、モールド樹脂12に荷重をかけた際に、モールド樹脂12において気泡の巻き込みが発生する。そのため、モールド樹脂12の量を多めにして載置台2の上に形成し、裏面形成金型5の上面に形成された溝から余剰量のモールド樹脂12を裏面形成金型5の外側に流出させる。これにより、モールド樹脂12における気泡の巻き込みの発生を抑制することができる。また、真空プレス機等を用いて、真空状態下でモールド樹脂12に荷重をかけることにより、モールド樹脂12における気泡の巻き込みの発生をより抑制することができる。なお、モールド樹脂12に荷重をかける際に加熱処理を行うことにより、モールド樹脂12を硬化させる。また、モールド樹脂12の種類によっては、更に紫外線処理を行うことにより、モールド樹脂12を硬化させてもよい。図6に示すように、半導体チップ10の電極形成面には、樹脂導入路21及び樹脂溝22が形成されている。図6のAは、実施例1に係る半導体チップ10の平面模式図である。図6のBは、図6のAのB-B’断面における模式図である。樹脂導入路21は、半導体チップ10の電極形成面の外周部分をハーフダイシングすることによって形成された溝凹みである。図6に示すように、樹脂導入路21は、半導体チップ10の側面と接している。樹脂溝22は、半導体チップ10の側面から所定距離を離した位置をハーフダイシングすることによって形成された溝凹みである。図6に示すように、樹脂溝22は、半導体チップ10の電極形成面のうちハーフダイシングによって処理されていない部分を囲むように形成された溝である。明細書では、半導体チップ10の電極形成面のうちハーフダイシングによって処理されていない部分を、半導体チップ10の電極形成面の中央部分と表記する。図6に示すように、樹脂導入路21及び樹脂溝22は隣接して形成されている。したがって、図6に示すように、半導体チップ10の電極形成面には、樹脂導入路21及び樹脂溝22が、半導体チップ10電極形成面の中央部分から外周部分に向かって樹脂溝22、樹脂導入路21の順で形成されている。すなわち、図6に示すように、半導体チップ10の電極形成面には、半導体チップ10の中央部分を囲むようにして、樹脂導入路21及び樹脂溝22が隣接して形成されている。樹脂溝22の底面は、樹脂導入路21の底面よりも、半導体チップ10の電極形成面から深い位置となっている。樹脂導入路21の深さは、例えば、30μm以上50μm以下である。樹脂導入路21の深さは、半導体チップ10の電極形成面に対して樹脂導入路21を形成する前の半導体チップ10の電極形成面からの距離である。樹脂溝22の深さは、例えば、60μm以上100μm以下である。樹脂溝22の深さは、半導体チップ10の電極形成面に対して樹脂溝22を形成する前の半導体チップ10の電極形成面からの距離である。樹脂導入路21の幅は、例えば、30μm以上50μm以下である。樹脂溝22の幅は、例えば、30μm以上50μm以下である。図7は、モールド樹脂12に荷重をかけてモールド樹脂12の厚みを一定にした場合における半導体チップ10の要部断面図である。モールド樹脂12に荷重をかける前は、モールド樹脂12は、半導体チップ10に形成された樹脂導入路21及び樹脂溝22には完全には入り込んでいない。モールド樹脂12に荷重をかけることにより、図7に示すように、モールド樹脂12が、半導体チップ10に形成された樹脂導入路21及び樹脂溝22に入り込み、樹脂導入路21及び樹脂溝22はモールド樹脂12によって満たされる。次に、図8に示すように、モールド樹脂12上の裏面形成金型5を取り外すとともに、載置台2の上の樹脂材型枠4を取り外す。樹脂材型枠4をモールド樹脂12との離型性の良い材料にしたり、樹脂材型枠4に予め離型材を塗布したりしておくことで、載置台2の上の樹脂材型枠4を容易に取り外すことが可能である。そして、図9に示すように、載置台2の裏面から紫外線を照射することにより、粘着シート11の粘着力を弱くした状態で、複数の半導体チップ10及びモールド樹脂12と、載置台2とを分離する。これにより、モールド樹脂12の下面に複数の半導体チップ10が配置され、各半導体チップ10の側面及び裏面がモールド樹脂12によって覆われたモールド基板30が形成される。モールド基板30は、半導体装置の一例である。次いで、図10に示すように、半導体チップ10の電極形成面が上になるように、モールド基板30をひっくり返す。図10に拡大して示すように、モールド基板30が有する半導体チップ10の上部には、電極31及びパッシベーション膜32が形成されている。電極31は、例えば、アルミニウムAlである。パッシベーション膜32には、電極31の一部を露出する開口が形成されている。パッシベーション膜32は、例えば、酸化シリコンSiO2又は窒化シリコンSiN等である。次に、図11に示すように、モールド基板30の上に、パッシベーション膜40、半導体チップ10同士を接続する配線41、及び、半導体チップ10に形成された電極31と導通する引き出しパッド42を形成する。パッシベーション膜40は、例えば、シリコン窒化膜及びポリイミド膜の積層膜である。例えば、化学気相堆積CVD、chemicalvapordeposition法により、シリコン窒化膜及びポリイミド膜を堆積することにより、パッシベーション膜40を形成する。配線41及び引き出しパッド42は、例えば、アルミニウムAlである。例えば、物理気相堆積PVD、physicalvapordeposition法により、例えば、アルミニウムAlを堆積し、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、配線41及び引き出しパッド42を形成する。そして、図12に示すように、パッシベーション膜40、配線41及び引き出しパッド42が形成されたモールド基板30を、ダイシングブレード50によってダイシングすることにより、モールド基板30を分割する。図13のAは、モールド基板30の上にパッシベーション膜40及び配線41を形成した場合のモールド基板30の平面模式図である。図13のBは、図13のAのC-C’断面における模式図である。モールド樹脂12を硬化させる際の加熱処理によるモールド樹脂12の膨張及びモールド樹脂12の温度が低下した際のモールド樹脂12の収縮によって、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面に隙間が発生する。半導体チップ10の電極形成面には、樹脂導入路21及び樹脂溝22が形成されており、モールド樹脂12が、半導体チップ10の電極形成面に形成された樹脂導入路21及び樹脂溝22に入り込んでいる。したがって、モールド樹脂12の収縮が、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面に集中することが抑制される。すなわち、モールド樹脂12の収縮が、半導体チップ10の側面、半導体チップ10の電極形成面に形成された樹脂導入路21及び樹脂溝22で発生することにより、モールド樹脂12の収縮の発生が分散される。その結果、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面における隙間が分散され、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面に隙間が部分的に集中して形成されることが抑制される。また、半導体チップ10の電極形成面に形成された樹脂導入路21及び樹脂溝22に入り込んだモールド樹脂12は鉤状になる。鉤状になったモールド樹脂12の先端が樹脂導入路21に引っかかることにより、モールド樹脂12の収縮が抑制され、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面における隙間が減少する。実施例1に係る半導体装置によれば、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面に発生する隙間の深さを1μm未満にすることが可能となる。半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面における隙間が分散及び減少することにより、半導体チップ10の上に形成されるパッシベーション膜40の凹みが浅くなる。半導体チップ10の上に形成されるパッシベーション膜40の凹みが浅くなると、パッシベーション膜40の上に堆積されるアルミニウムAlの凹みも浅くなる。これにより、フォトリソグラフィ法によって、配線41を形成するためのレジストパターンを露光する際のデフォーカス焦点ぼけが抑制される。したがって、レジストパターンが形成されなかったり、レジストパターンが細くなったりすることが抑制される。この結果、レジストパターンをマスクとしてエッチングした場合において、配線41が形成されなかったり、配線41が細くなったりすることが抑制される。一方、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面における隙間が深いと、半導体チップ10の上に形成されるパッシベーション膜40の凹みが深くなる。半導体チップ10の上に形成されるパッシベーション膜40の凹みが深くなると、パッシベーション膜40の上に堆積されるアルミニウムAlの凹みも深くなる。パッシベーション膜40の上に堆積されるアルミニウムAlの凹みが深いと、配線41を形成するためのレジストパターンを露光する際のデフォーカス焦点ぼけによりレジストパターンが形成されなかったり、レジストパターンが細くなったりする。その結果、配線41が形成されなかったり、配線41が細くなったりする。上記では、複数の半導体チップ10の高さを同じにした場合の例を示した。複数の半導体チップ10の高さが異なる場合の例を図14に示す。図14においては、半導体チップ10Aの高さと、半導体チップ10Bの高さとが異なっている。半導体チップ10Aの高さは、例えば、300μmであり、半導体チップ10Bの高さは、例えば、200μmである。半導体チップ10Bの高さは、半導体チップ10Aの高さよりも低いので、半導体チップ10Bの裏面側に形成されているモールド樹脂12の量が、半導体チップ10Aの裏面側に形成されているモールド樹脂12の量よりも多い。半導体チップ10Bの高さが半導体チップ10Aの高さよりも低い場合、半導体チップ10Aの高さと半導体チップ10Bの高さが同じ場合と比較して、半導体チップ10Aと半導体チップ10Bとの間に存在するモールド樹脂12は、半導体チップ10Bの裏面側に引っ張られる。そのため、半導体チップ10Bの高さが半導体チップ10Aの高さよりも低い場合、半導体チップ10Aの高さと半導体チップ10Bの高さが同じ場合と比較して、半導体チップ10Aの側面とモールド樹脂12との界面における隙間は大きくなる。半導体チップ10の電極形成面に樹脂導入路21及び樹脂溝22が形成されていない場合、隣接する半導体チップ10の高さが異なっていると、隣接する半導体チップ10の高さが同じ場合と比較して、高さが高い方の半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面における隙間は大きくなる。実施例1に係る半導体装置においては、半導体チップ10の電極形成面に樹脂導入路21及び樹脂溝22が形成されている。そのため、隣接する半導体チップ10の高さが異なっていても、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面における隙間が分散されるとともに、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面における隙間が減少する。実施例2に係る半導体装置について説明する。実施例2では、半導体チップ10の電極形成面に樹脂導入路61を形成し、半導体チップ10の電極形成面に樹脂溝22を形成しない点が、実施例1と異なっており、他の点については実施例1と同様である。なお、実施例1と同一の構成要素については、実施例1と同一の符号を付し、その説明を省略する。図15のAは、実施例2に係る半導体チップ10の平面模式図であり、図15のBは、図15のAのD-D’断面における模式図である。図15に示すように、半導体チップ10の電極形成面には、樹脂導入路61が形成されている。樹脂導入路61は、半導体チップ10の電極形成面の外周部分をハーフダイシングすることによって形成された溝凹みであり、図15に示すように、樹脂導入路61は、半導体チップ10の側面と接している。図15に示すように、樹脂導入路61は、半導体チップ10の電極形成面のうちハーフダイシングによって処理されていない部分を囲むように形成された溝である。樹脂導入路61の深さは、例えば、30μm以上50μm以下である。樹脂導入路61の深さは、半導体チップ10の電極形成面に対して樹脂導入路61を形成する前の半導体チップ10の電極形成面からの距離である。樹脂導入路61の幅は、例えば、90μm以上150μm以下である。モールド樹脂12を硬化させる際の加熱処理によるモールド樹脂12の膨張及びモールド樹脂12の温度が低下した際のモールド樹脂12の収縮によって、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面に隙間が発生する。半導体チップ10の電極形成面には、樹脂導入路61が形成されており、モールド樹脂12が、半導体チップ10の電極形成面に形成された樹脂導入路61に入り込む。したがって、モールド樹脂12の収縮が、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面に部分的に集中することが抑制される。すなわち、モールド樹脂12の収縮が、半導体チップ10の側面及び半導体チップ10の電極形成面に形成された樹脂導入路61で発生することにより、モールド樹脂12の収縮の発生が分散される。その結果、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面における隙間が分散され、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面に隙間が部分的に集中して形成されることが抑制される。実施例2に係る半導体装置によれば、半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面に発生する隙間の深さを1μm未満にすることが可能となる。半導体チップ10の側面とモールド樹脂12との界面における隙間が分散することにより、半導体チップ10の上に形成されるパッシベーション膜40の凹みが浅くなる。半導体チップ10の上に形成されるパッシベーション膜40の凹みが浅くなると、パッシベーション膜40の上に堆積されるアルミニウムAlの凹みも浅くなる。これにより、フォトリソグラフィ法によって、配線41を形成するためのレジストパターンを露光する際のデフォーカス焦点ぼけが抑制される。したがって、レジストパターンが形成されなかったり、レジストパターンが細くなったりすることが抑制される。この結果、レジストパターンをマスクとしてエッチングした場合において、配線41が形成されなかったり、配線41が細くなったりすることが抑制される。変形例実施例1では、樹脂導入路21を半導体チップ10の電極面の外周部分に形成し、樹脂溝22を半導体チップ10の電極面の中央部分と樹脂導入路21との間に形成する例を示した。本実施形態は、これに限定されず、樹脂導入路21及び樹脂溝22の形成位置を、図16に示す半導体チップ10のように変更してもよい。図16のAは、実施例1の変形例に係る半導体チップ10の平面模式図であり、図16のBは、図16のAのE-E’断面における模式図である。図16に示すように、樹脂導入路21Aと、樹脂導入路21Bとが対向するように、樹脂導入路21A及び21Bを半導体チップ10の電極面の外周部分に形成してもよい。図16に示すように、樹脂溝22Aと樹脂溝22Bとが対向するように、樹脂溝22Aを半導体チップ10の電極面の中央部分と樹脂導入路21Aとの間に形成し、樹脂溝22Bを半導体チップ10の電極面の中央部分と樹脂導入路21Bとの間に形成してもよい。半導体チップ10の電極面に樹脂導入路21A及び樹脂溝22Aを形成し、半導体チップ10の電極面に樹脂導入路21B及び樹脂溝22Bを形成しないようにしてもよい。すなわち、半導体チップ10の電極面の外周部分の四辺のうちのいずれか一辺に樹脂導入路21Aを形成し、半導体チップ10の電極面の中央部分と樹脂導入路21Aとの間に樹脂溝22Aを形成するようにしてもよい。また、半導体チップ10の電極面の外周部分の四辺のうちのいずれか三辺に樹脂導入路21を形成し、半導体チップ10の電極面の中央部分と樹脂導入路21との間に樹脂溝22を形成するようにしてもよい。実施例2では、樹脂導入路61を半導体チップ10の電極面の外周部分に形成する例を示した。本実施形態は、これに限定されず、樹脂導入路61の形成位置を、図17に示す半導体チップ10のように変更してもよい。図17のAは、実施例2の変形例に係る半導体チップ10の平面模式図であり、図17のBは、図17のAのF-F’断面における模式図である。図17に示すように、樹脂導入路61Aと、樹脂導入路61Bとが対向するように、樹脂導入路61A及び61Bを半導体チップ10の電極面の外周部分に形成してもよい。半導体チップ10の電極面に樹脂導入路61Aを形成し、半導体チップ10の電極面に樹脂導入路61Bを形成しないようにしてもよい。すなわち、半導体チップ10の電極面の外周部分の四辺のうちのいずれか一辺に樹脂導入路61Aを形成するようにしてもよい。また、半導体チップ10の電極面の外周部分の四辺のうちのいずれか三辺に樹脂導入路61を形成するようにしてもよい。