"物理的支持を与える支持基板と、前記支持基板上に形成され、前記支持基板表面に垂直方向の支持部を有する、1対のアンカと、前記1対のアンカの支持部に支持され、対向する第1、第2の側面が電極面を構成し、少なくとも一部弾性変形可能な可動電極と、前記支持基板上に支持され、前記可動電極の第1の側面に対向する第1の電極面を有する第1の固定電極と、前記支持基板上に支持され、前記可動電極の第2の側面に対向する第2の電極面を有する第2の固定電極と、を有する可変容量素子を有する電子機器。前記第1の固定電極の第1の電極面上に配置された第1の絶縁膜と、前記第2の固定電極の第2の電極面上に配置された第2の絶縁膜と、をさらに有する請求項1記載の可変容量素子を有する電子機器。前記可動電極は金属シートで形成された、請求項2記載の可変容量素子を有する電子機器。前記第1の固定電極の第1の電極面と前記第2の固定電極の第2の電極面との間の空間において、前記可動電極は1端では前記第2の電極面より前記第1の電極面に近く、他端では前記第1の電極面より前記第2の電極面に近く配置されている、請求項3記載の可変容量素子を有する電子機器。前記1対のアンカの一方の支持部は前記第2の電極面より前記第1の電極面に近く配置され、前記1対のアンカの他方の支持部は前記第1の電極面より前記第2の電極面に近く配置されて、前記可動電極を支持している請求項4記載の可変容量素子を有する電子機器。前記第1の電極面と前記第2の電極面とが平行であり、前記1対のアンカが前記第1の電極面と前記第2の電極面との間の空間において、前記可動電極を前記第1、第2の電極面に対して斜めに配置する請求項4記載の可変容量素子を有する電子機器。前記第1、第2の固定電極、前記1対のアンカ、前記可動電極は同一の金属材料から形成されている、請求項4記載の可変容量素子を有する電子機器。前記金属材料はAuまたはCuを含む、請求項7記載の可変容量素子を有する電子機器。前記1対のアンカの内側領域で、前記可動電極の位置を前記第1の固定電極側及び前記第2の固定電極側に規制する第1及び第2のストッパ、をさらに有する請求項2記載の可変容量素子を有する電子機器。前記第1及び第2のストッパは、前記支持基板上に形成されたボンディング酸化シリコン膜、前記ボンディング酸化シリコン膜上に形成されたシリコン層を含む請求項9記載の可変容量素子を有する電子機器。前記第1、第2の固定電極の一方に接続された固定容量、をさらに有する、請求項2記載の可変容量素子を有する電子機器。前記第1、第2の固定電極に接続された第1、第2の抵抗素子、をさらに有する、請求項2記載の可変容量素子を有する電子機器。支持基板上に犠牲層を有する基板を準備し、前記基板の表面に対向する固定電極形状の開口を有する第1マスクを形成し、前記第1マスクの開口に露出した前記犠牲層をエッチングして、固定電極収容用のトレンチを形成し、前記基板の表面に、前記固定電極間に配置される可動電極形状のスリット状開口を有する第2マスクを形成し、前記スリット状開口に露出した前記犠牲膜をエッチングして、可動電極収容用のスリットを形成し、前記トレンチ内、及び前記スリット内に金属材料を堆積すること、を含む可変容量を有する電子機器を製造する方法。前記トレンチを形成した後、前記トレンチ内面上に絶縁膜を形成し、その後、前記第2マスクを形成し、前記スリットを形成する、請求項13記載の可変容量を有する電子機器を製造する方法。前記金属材料を堆積する際、前記トレンチ、前記トレンチ内面を覆うシード層を形成し、不要部分の上にレジストパターンを形成し、金属材料の電解メッキを行い、レジストパターンを除去し、露出したシード層を除去する、請求項14記載の可変容量を有する電子機器を製造する方法。前記金属材料を堆積した後、前記固定電極の一方の上に誘電体膜を形成し、前記誘電体膜の上に導電層を形成して固定容量を形成する、請求項15記載の可変容量を有する電子機器を製造する方法。前記導電層を形成する前に、前記固定電極に接続された抵抗素子を形成し、前記導電層を形成する際、前記抵抗素子に接続される電極も形成する、請求項16記載の可変容量を有する電子機器を製造する方法。前記誘電体膜の形成、前記導電層の形成、前記抵抗素子の形成の少なくとも1つは、所定形状の開口を有するレジストパターンを形成し、前記誘電体膜、前記導電層、または前記抵抗素子の層をスパッタリングで形成し、前記レジストパターンを除去すると共に、その上の膜をリフトオフする、請求項17記載の可変容量を有する電子機器を製造する方法。前記犠牲層がエッチング特性の異なる、下部犠牲膜と上部犠牲層の積層であり、前記導電層を形成した後、前記固定電極間の前記上部犠牲層をエッチング除去し、露出した下部犠牲膜に対し、サイドエッチングを含むエッチングを行なうことにより、前記可動電極と前記支持基板との間に空間を形成する、請求項14記載の可変容量を有する電子機器を製造する方法。前記下部犠牲膜が酸化シリコンで形成され、前記上部犠牲層がシリコン層で形成されている請求項19記載の可変容量を有する電子機器を製造する方法。固定電極が誘電体膜で覆われている場合でも、オンオフ動作を繰り返すうちに、誘電体膜がチャージアップし、外部電源をオフにしても可動電極が誘電体膜から離れなくなるスティッキング現象が起こる。駆動波形による対策も検討されているが、解決には至っていない。また、高周波信号のエンベロープを信号波形で変調し可動電極に印加する場合、信号波形に基づく電位差により可動電極が動くセルフアクチュエーションと呼ばれる現象がある。セルフアクチュエーションを防止するために、投入信号の電力に応じて駆動電圧を高くする方法がある。駆動電圧を高くすると、スティッキング現象がより生じやすくなる。また、より高い電圧を確保するために昇圧回路が必要になることもある。本発明者らは、可動電極の両側に第1、第2固定電極を配置し、オン状態で可動電極は第1の固定電極に絶縁膜を介して引き寄せられ、オフ状態で可動電極は第2の固定電極に絶縁膜を介して引き寄せられる構成を考えた。オン状態でもオフ状態でも、可動電極は2つの固定電極の一方に引き付けられ、容量が変化しなくなる。オフ状態からオン状態への移行も、オン状態からオフ状態への移行も、可動電極と第1又は第2の固定電極との間に印加する電圧による静電引力により積極的に行う。一方の固定電極に可動電極が引き付けられて電源をオフにしても可動電極が離れなくなるスティッキング現象が生じる場合にも、他方の固定電極と可動電極の間に電圧を印加することにより、静電引力を利用して可動電極を離すことが容易となる。スティッキングを抑制しやすい。過渡状態をのぞき、可動電極は変位しないので、基本的にセルフアクチュエーションも防止できる。駆動信頼性の向上と駆動電圧の低電圧化が図れる。第1、第2の固定電極の一方は電気回路的には機能しないダミー電極でよい。勿論オン/オフが対照的な2つの可変容量として積極的に利用してもよい。第1、第2の固定電極を平行に配置し、可動電極を1端では第1の固定電極に近く、他端では第2の固定電極に近く配置すると、更なる効果も得られよう。可動電極が第1固定電極に引き寄せられている場合、第2固定電極と可動電極との間に電圧を印加すると、可動電極と第2の固定電極が近い領域可動電極他端において、この電圧は距離に反比例した強い静電引力を発生する。従って、他端から可動電極を話すことが容易となる。可動電極が第2固定電極に引き寄せられている場合、第1固定電極と可動電極との間に電圧を印加することにより、同様の原理により可動電極の一端から可動電極を離すことが容易となる。半導体基板表面上に板状電極を形成する場合、固定電極表面に対して斜めの関係になる可動電極を形成することは容易でないであろうが、SOI基板を用い、半導体基板表面に対してほぼ垂直方向の電極を作成する場合には、平行電極間の斜め電極もパターン形状の変更のみで実現できるであろう。以下、図面を参照して実施例による可変容量素子を説明する。図1A、1Bは、実施例による可変容量素子の基本的構成を示す概略平面図及び概略断面図である。アンカANC1,ANC2の間に少なくとも部分的に可撓部を有する可動電極MEが支持されている。図1Bに示すように、アンカANC1,ANC2は支持基板SS上に支持され、導電体で形成されている。可動電極MEは、例えば支持基板SS表面に垂直に配向した弾性変形可能な金属シートで形成され、アンカANC1,ANC2に支持されている。可動電極MEの下辺と支持基板SSとの間にはギャップが形成され、可動電極を変位可能にしている。図1Aに示すように、可動電極MEの両側に、可動電極の両電極面に対向する側面を有し、対向側面上に絶縁層IF1,IF2を備える固定電極FE1,FE2が配置され、支持基板SSに支持されている。可動電極MEと固定電極FE1,FE2の間には、図1A中、CVで示すキャビティCV自由空間が形成され、可動電極の変位可能空間を確保している。このような構成は、例えば支持基板上、レジストマスクで画定した空間にメッキを行うことで固定電極を形成し、絶縁膜を形成し、再度支持基板上、レジストマスクで画定した空間にメッキを行うことでアンカと可動電極を形成して作製することができる。なお、金属シートは積層金属層を含んでもよく、合金層を含んでもよい。図1Cに示すように、固定電極FE1と可動電極MEとの間に直流電圧を印加すると、固定電極FE1と可動電極MEとの間に静電引力が生じ、可動電極MEを固定電極FE1に引き付ける。可動電極MEを十分変形可能な形態に形成することにより、固定電極FE1と対向する可動電極MEの大部分の面積は、絶縁膜IF1を介して、固定電極FE1に密着する。図1Dに示すように、固定電極FE1と可動電極MEの間のバイアス電源をオフにし、固定電極FE2と可動電極MEの間に直流電圧を印加する。可動電極MEと固定電極FE1との間の静電引力は消滅し、新たに可動電極MEと固定電極FE2との間に静電引力が生じる。可動電極MEは、固定電極FE1を離れ、絶縁膜IF2を介して固定電極FE2に引き寄せられ、密着する。従来、可動電極の弾性復元力のみによって可動電極を固定電極から引き離していた場合と較べると、弾性復元力と静電引力とによって可動電極を固定電極から強制的に引き離すので動作の信頼性は向上するであろう。図1Cの状態では可動電極MEは第2の固定電極FE2から引き離された位置にあり、図1Dの状態では可動電極MEは第1の電極FE1から引き離された位置にある。距離が増大していると、静電引力は減少する。可動電極の一部は第1の固定電極に近い位置に規制し、他の一部は第2の固定電極に近い位置に規制すれば、確実に静電引力が作用する位置を確保することができる。図2Aは、第2の実施例による可変容量素子の概略斜視図である。支持Si基板51の上に、活性Si層53がボンディング酸化シリコン膜52で結合されたSOIsilicononinsulator基板を用いる。例えば、支持Si基板51は300μm~500μmの厚さを有し、ボンディング酸化シリコン膜52は2μm~7μmの厚さを有する。活性Si層53は、500Ωcm以上の高抵抗率の単結晶Si層であり、20μm~30μmの厚さを有する。活性Si層53の全厚さを貫通するトレンチを埋め込んで、固定電極11,12が可動電極10を挟んで、対向側面を平行にして形成されている。可動電極10、固定電極11,12の対向側面の高さは、活性Si層53の厚さと同じ20μm~30μmである。固定電極11,12は、例えば長さ500μmで、20μmの距離を置いて対向配置される。固定電極11,12の間の活性Si層53は除去され、その空間内に可動電極10が配置されている。可動電極10収容空間の下のボンディング酸化シリコン膜52は除去され、可動電極10の自由度を確保している。可動電極10は、例えば厚さ2μm~5μmで、固定電極11,12より長い長さを有する。可動電極10は両端でアンカ16,17に支持されている。可動電極10、固定電極11,12、アンカ16,17は、例えばAuまたはCuを主成分とし、同一のメッキ工程で形成される。可変容量は固定電極11,12、可動電極10、可動電極を支持するアンカ16,17で構成されている。一方の固定電極11の可動電極と対向しない上面容量としては側面上には、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ等の誘電体膜18が厚さ0.2μm~0.5μm形成され、その上にAu,Al等を主成分とする電極19が形成され、固定容量を形成している。さらに、固定電極11,12の上面から外部に延在するSi-Cr合金膜の抵抗素子21,22が形成され、抵抗素子の他端には電極23,24が接続されている。アンカ16は高周波信号線路31,32間の電極25に接続されている。図2Bを参照する。電極間の短絡を防止するため、固定電極の表面に絶縁膜13が形成されている。固定電極11,12の表面を、例えば窒化シリコンの絶縁膜13で覆い、可動電極10と固定電極11、12間の短絡が防止されている。本実施例では、アンカ16,17の表面にも絶縁膜13を形成し、可変容量の電極と周囲の活性Si層53との間の絶縁を促進している。可動電極10の表面には絶縁膜を形成せず、可動電極の柔軟性を確保し、絶縁膜の剥離を回避している。可動電極10は、平行に配置された固定電極11,12の側壁間で、非対称に、図中左側で低く、右側で高く配置されている。可動電極10はアンカ16の図中下端からアンカ17の図中上端に延在するように形成されている。即ち、アンカ16に近い可動電極10左部分は、固定電極11より固定電極12に近く配置され、アンカ17に近い可動電極10右部分は、固定電極12より固定電極11に近く配置される。可動電極10と固定電極12との間に電圧を印加すると、静電引力により可動電極10は固定電極12に引き寄せられる。距離が近い可動電極10の左部分で、固定電極12に可動電極10が引き寄せられ、次第に可動電極10の右側部分も固定電極12に引き寄せられる。可動電極10の右端は、固定電極12より固定電極11に近く配置されているので、固定電極12から離れている。図2Cを参照する。可動電極10と固定電極11との間に電圧を印加すると、静電引力により可動電極10は固定電極11に引き寄せられる。可動電極10の右端は固定電極12より固定電極11に近く配置されているので、速やかに固定電極11に引き寄せられ、次第に可動電極10の左側部分も固定電極11に引き寄せられる。このように、配向配置された固定電極11、12間で、可動電極は一方で固定電極11に近く、他方で固定電極12に近く、斜めに配置されるので、いずれの固定電極に引き寄せられる場合にも、引力が作用しやすい部分が有り、速やかに変更動作が行える。以下、図3A~3Lを参照して、図2Aに示す可変容量素子を含む半導体装置の製造方法の主要プロセスを説明する。図3Aに示すように、例えば厚さ300μm~500μmのSi基板51上に、例えば、厚さ約5μmのボンディング酸化シリコン膜52を介して、500Ωcm以上の高抵抗率を有する、厚さ25μmの活性Si層53が結合されたSOI基板を用意する。図3Bに示すように、活性Si層53上に固定電極収容用のトレンチTR1,TR2を画定する開口を有するレジストパターンPR1を形成する。レジストパターンPR1はアンカを画定する開口も有する。レジストパターンをマスクとして、例えばディープRIEにより活性Si層53の全厚さをエッチングする。ディープRIEは、SiエッチングガスとしてCF4O2、SF6O2又はH2を用いる。その後、レジストパターンPR1は除去する。図4Aに示すように、例えば、トレンチTR1,TR2は距離20μmで対向配置された長さ500μmの平行な側面を有する。右側のトレンチTR2が幅広なのは、その上に固定容量を形成するためである。アンカ用トレンチTR3,TR4は固定電極間に可動電極を支持する構成を有する。上側のアンカには、電極が接続される。図3Cに示すように、モノシラン、ジシラン等のシラン系ガスとアンモニアガスを用いたCVD又は低圧LPCVDにより、基板表面上に厚さ0.1μm~0.5μmの窒化シリコン膜54を堆積する。露出している活性Si層53、ボンディング酸化シリコン膜52表面は窒化シリコン膜54で覆われる。この窒化シリコン膜54は固定電極表面を覆う絶縁膜として機能する。図4Aは透視した形で、トレンチ表面に堆積した窒化シリコン膜54を示す。図3Dに示すように、窒化シリコン膜54上に、可動電極を画定する開口を有するレジストパターンPR2を形成し、開口内に露出した活性Si層53の全厚さをディープRIEによりエッチングする。図4Bは開口の平面形状を示す。窒化シリコン膜54堆積後に可動電極用のスリットを形成することにより、可動電極表面には絶縁膜を形成しない。アンカ形成用トレンチ側壁の一部とオーバーラップさせることにより、可動電極とアンカの電気的導通を確保する。レジストパターンPR2を除去して図3E,4Cに示す状態とする。トレンチTR1~TR4は活性Si層53の全厚さを除去し、その内面上に窒化シリコン膜54が堆積されている。スリットSは窒化シリコン膜54を有さず、一定の幅、例えば約2μm、で活性Si層53の全厚さを貫通する。図3Fに示すように、基板表面に、例えばTi層を厚さ50nm程度堆積し、その上にAu層を厚さ500nm程度堆積してシード層55を形成する。Ti層の代わりに、厚さ50nm程度のCr層を用いることもできる。シード層55は、電解メッキ時の給電層となる。図3Gに示すように、メッキ不要部分のシード層55を覆うレジストパターンPR3を形成し、電解メッキでAu層56を堆積し、トレンチTR、スリットSを埋め戻す。なお、Auに代え、Cuを電解メッキすることもできる。その後、レジストパターンPR3は除去し、露出したシード層55はエッチング又はミリングなどにより除去する。図3Hに示すように、電極を形成した基板上に、誘電体膜パターニング用のレジストパターンPR4を形成し、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は酸化アルミニウム膜等の誘電体膜18を厚さ0.2μm~0.5μmスパッタリングで堆積し、レジストパターンPR4上に堆積した誘電体膜はレジストパターンPR4と共にリフトオフする。図3Iに示すように、レジストパターンPR4を除去した基板上に、抵抗素子パターニング用のレジストパターンPR5を形成し、Cr-Si合金膜をスパッタリングで堆積し、レジストパターンPR5上のCr-Si合金膜はリフトオフして除去する。例えば、Si70-90:Cr30-10のスパッタリングターゲットを用いて厚さ0.2μm程度シート抵抗300-600Ω□のSi-Cr合金膜を形成し、抵抗素子21,22を形成する。なお、誘電体膜形成前に抵抗膜を形成してもよい。図3Jに示すように、レジストパターンPR5を除去した基板上に、電極パターニング用のレジストパターンPR6を形成し、Ti/Au積層又はTi/Al積層の電極をスパッタリングで厚さ1μm程度堆積し、レジストパターンPR6上の電極はリフトオフして除去する。図4Dに示す電極19,23,24,25がこのようにして形成される。図3Kに示すように、固定電極間の領域に開口を有するレジストパターンPR7を基板上に形成し、CHF3ガスを用いたドライエッチングで窒化シリコン膜54をエッチングし、露出したシリコン層をSF6ガスとCF4ガスとを用いたディープRIEにより除去する。図4Eにおいて、斜線を付した領域がエッチング対象領域となる。図3Lに示すように、露出した酸化シリコン膜52をCF4ガスを用いたドライエッチングで除去する。なお、酸化シリコン膜のエッチングはバッファード弗酸を用いたウェットエッチングやベーパード弗酸による気相エッチングで除去することもできる。等方性を有するエッチングで酸化シリコン膜を除去すると、サイドエッチングにより、露出領域から周囲に入り込んだ領域で酸化シリコン膜が除去される。このようにして、図2Aに示す、可変容量を有する半導体装置を作製することができる。可変容量は、オン状態とオフ状態とで、例えば0.9pFオフ状態~5.6pFオン状態程度の、容量変化を示す。図5Aは、このようにして構成された可変容量の応用回路の1例を示す等価回路図である。高周波線路31-25-32のノード25に可動電極10が接続され、固定電極11,12との間に可変容量33,34を形成している。固定電極11は、固定容量35を介して接地されると共に、抵抗素子21を介してスイッチSWの端子24に接続される。他方の固定電極12は抵抗素子22を介してスイッチSWの他方の端子23に接続され、可変容量回路39を構成している。スイッチSWの切り換え端子と高周波線路との間に直流電源36とインダクタ37の直列接続が接続される。リークを実質的に防止するため、抵抗素子21,22は10kΩ以上であり、インダクタは約100nH以上である。高周波信号線路31-25-32に可変容量33,34を接続し、可変容量33とグランドとの間に固定容量35を接続し、可変容量33,34と外部電源36との間に抵抗素子21,22が接続される。外部電源36の他方の極と高周波信号線路31-25-32との間にはインダクタ37が接続され、高周波成分を遮断している。抵抗素子21,22により、高周波信号線路31-25-32に流れる信号の外部電源36への漏れを防止している。固定容量35により外部電源とグランドとの間の短絡を防止している。可動電極10が、固定電極11側に引き寄せられるか、固定電極12側に引き寄せられるかで2つのデジタル状態の一方が選択される。図5Bは、応用回路の他の構成例を示す等価回路図である。高周波信号線路31-25-32に複数の可変容量回路39-1、39-iが接続され、外部電源36-1、36-iを介して共通インダクタ37に接続されている。複数の可変容量回路は容量値に差があり、複数ビットに対応する。多ビット回路に適した構成である。第2の実施例においては、アンカと可動電極の接続位置により、可動電極を対向固定電極間の空間において斜めに配置し、可動電極の位置変更を容易にした。さらに、可動電極の移動範囲を制限するストッパを設けることもできる。図6Aに示すように、アンカ16,17に並べてストッパ41a。41bを配置する。ストッパ41aはアンカ16と共に、可動電極10を固定電極12近傍の空間内に配置させる。ストッパ41bはアンカ17と共に、可動電極10を固定電極11近傍の空間内に配置させる。言い換えれば、可動電極10が固定電極11に近い右端部分で、可動電極10と固定電極12の間にストッパ41bが配置され、可動電極10が固定電極12に近づくのを防止する。可動電極10が固定電極12に近い左端部分で、可動電極10と固定電極11の間にストッパ41aが配置され、可動電極10が固定電極11に近づくのを防止する。各固定電極近傍に配置される幅を確保することにより、駆動時に確実に可動電極に駆動力を印加することができよう。ストッパ41は、図3Bに示すエッチング時のパターンを変更することで形成できる。図3C,4Aに示す工程においてストッパ表面には絶縁膜が形成される。なお、ストッパを4角柱形状にすると、角部が可動電極に過度の応力を印加氏、可動電極を変形させる可能性もある。図6Bに示すように、角部を丸め込んだり、図6Cに示すように円柱形上にしたり、図6Dに示すように多角柱形状にして、可動電極に印加され得る応力を緩和することもできる。以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限られるものではない。例示としてあげた材料、数値は限定的なものではない。例えば、SOI基板に代えて、支持基板上にエッチング特性の異なる2層の犠牲層を有する積層基板を用いて、図3A~3Lに示す如き工程を行い、図1A,図2Aに示す如き構成を製造することも可能である。その場合、図2Aに示すボンディング酸化シリコン膜52、活性シリコン層53をエッチング特性の異なる犠牲膜とする。コントロールエッチング等を利用することにより支持基板上に単層の犠牲膜を有する積層基板を用いることもできる。種々の周知技術を取り込むことも可能である。その他、種々の変更、置換、改良、修正、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。"