フォトマスク上に形成された披測定パターンの2次電子強度又は反射電子強度の2次元分布情報を走査型電子顕微鏡によって取得する工程と、前記2次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジについて第1の方法によってエッジ位置を抽出する工程と、前記2次元分布情報に基づき、前記補正値取得用エッジについて第2の方法によってエッジ位置を抽出する工程と、前記第1の方法によって抽出されたエッジ位置と前記第2の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として取得する工程と、前記2次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を前記第2の方法によって抽出する工程と、前記所望エッジのエッジ位置を前記補正値に基づいて補正する工程と、を備えたことを特徴とするフォトマスクのパターンの輪郭抽出方法。前記第1の方法は、前記2次元分布情報に含まれるホワイトバンドの強度分布のピーク強度位置を求めることを含むことを特徴とする請求項1に記載の輪郭抽出方法。前記第2の方法は、前記2次元分布情報に含まれるホワイトバンドの強度分布の中間強度位置を求めることを含むことを特徴とする請求項1に記載の輪郭抽出方法。前記補正値取得用エッジは、前記補正値取得用エッジが属するパターンの幅に基づいて決められることを特徴とする請求項1に記載の輪郭抽出方法。前記補正値取得用エッジは、前記補正値取得用エッジと前記補正値取得用エッジに隣接するエッジとの距離に基づいて決められることを特徴とする請求項1に記載の輪郭抽出方法。前記補正値取得用エッジは、前記披測定パターンの設計データに基づいて決められることを特徴とする請求項1に記載の輪郭抽出方法。フォトマスク上に形成された披測定パターンの2次電子強度又は反射電子強度の2次元分布情報を取得するための走査型電子顕微鏡と、前記2次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジについて第1の方法によってエッジ位置を抽出する第1のエッジ位置抽出部と、前記2次元分布情報に基づき、前記補正値取得用エッジについて第2の方法によってエッジ位置を抽出する第2のエッジ位置抽出部と、前記第1の方法によって抽出されたエッジ位置と前記第2の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として所得する補正値取得部と、前記2次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を前記第2の方法によって抽出する所望エッジ位置抽出部と、前記所望エッジのエッジ位置を前記補正値に基づいて補正する補正部と、を備えたことを特徴とするフォトマスクのパターンの輪郭抽出装置。請求項1の方法によって抽出された輪郭のデータに基づいて、マスクパターンを保証することを特徴とするフォトマスクの保証方法。請求項8の方法によって保証されたフォトマスクを用いて半導体基板上にパターンを転写することを特徴とする半導体装置の製造方法。フォトマスクのパターンの輪郭を的確に抽出することが可能な輪郭抽出方法及び輪郭抽出装置等を提供する。実施形態に係るフォトマスクのパターンの輪郭抽出方法は、フォトマスク上に形成された披測定パターンの2次電子強度又は反射電子強度の2次元分布情報を走査型電子顕微鏡によって取得する工程と、前記2次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジについて第1の方法によってエッジ位置を抽出する工程と、前記2次元分布情報に基づき、前記補正値取得用エッジについて第2の方法によってエッジ位置を抽出する工程と、前記第1の方法によって抽出されたエッジ位置と前記第2の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として取得する工程と、前記2次元分布情報に基づき、前記披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を前記第2の方法によって抽出する工程と、前記所望エッジのエッジ位置を前記補正値に基づいて補正する工程と、を備える。以下、実施形態を図面を参照して説明する。実施形態1図1は、本実施形態に係るフォトマスクのパターンの輪郭抽出方法を示したフローチャートである。まず、フォトマスクのパターンマスクパターンの測定位置情報を取得するS1。続いて、フォトマスク上に形成された披測定パターンの2次電子強度又は反射電子強度の2次元分布情報を、荷電粒子線を用いた走査型電子顕微鏡SEMによって取得するために、測定位置を中心とした領域についてマスクパターンの走査型電子顕微鏡画像SEM画像を取得するS2。なお、2次元分布情報は、2次電子強度のみの2次元分布情報でもよいし、反射電子強度のみの2次元分布情報でもよいし、両電子強度の合計の2次元分布情報でもよい。一方、披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジのエッジ位置を抽出するために、披測定パターンの設計データから、披測定パターンが含まれる領域のマスクパターンデータを取得するS9、S10。マスクパターンデータの取得領域は、目的に応じて決められる。例えば、最終的に得られたマスクパターンの輪郭情報に基づいてリソグラフィシミュレーションを行う場合には、光学的な影響を考慮するために十分な領域であることが望ましい。また、そのような目的では、メモリセルアレイパターンの端の領域や、パターンの規則性が変化するようなリソグラフィ尤度の低い領域での測定が求められる。そのような領域には、SRAFと呼ばれる微細なパターンが含まれることが多い。このSRAFは、露光の際にウェハ上には転写されない補助パターンであり、パターンサイズが非常に小さい。そのため、SRAFの両側のエッジでそれぞれ生成されたホワイトバンドどうしが重なり合うことがある。このような場合には、ピーク法によってエッジ位置を検出することは難しい。上述したような問題を回避するために、本実施形態では、以下に示すように、ピーク法と閾値法とを組み合わせてエッジ位置の検出を行う。まず、隣接するエッジ同一パターンの両側のエッジ、或いは隣接するパターンの互いに対向するエッジでそれぞれ生成されるホワイトバンドの強度分布が十分に分離される領域を求め、その領域に含まれるエッジを補正値取得用エッジとして抽出する。なお、パターンのコーナー部でのホワイトバンド幅は、パターンの直線部でのホワイトバンド幅とは異なる。そのため、パターンのコーナー部近傍は、補正値取得用エッジから除くことが好ましい。図2は、補正値取得用エッジについて示した図である。11は、露光の際にウェハ上にパターンが転写されるパターンを示している。12は、SRAFパターンであり、露光の際にウェハ上には転写されない補助パターンを示している。13は、補正値取得用エッジを示している。補正値取得用エッジは、披測定パターンの設計データに基づき、隣接パターン間の距離に基づいて決められる。すなわち、補正値取得用エッジが属するパターンの幅や、補正値取得用エッジと補正値取得用エッジに隣接するエッジとの距離に基づいて決められる。補正値取得用エッジの抽出条件S11、隣接パターン間の距離、パターンのコーナー部近傍の除外領域等は、SEMの解像性、マスクパターンの材質、及びマスクパターンを形成するためのプロセス条件等に依存する。そのため、SEMの測定条件と測定対象との組み合わせ毎に予め評価された結果に基づいて、補正値取得用エッジの抽出条件を決めておくことが望ましい。上述した事項に基づき、補正値取得用エッジを抽出するS12。さらに、補正値取得用エッジ情報S13に基づき、補正値取得用エッジ領域のホワイトバンドの強度分布を解析する。図3は、ホワイトバンドの強度分布を説明するための図である。図3aは、ホワイトバンドが観察される領域近傍の様子を示した図であり、図3bは、ホワイトバンドの強度分布情報を示した図である。なお、強度分布情報は2次元分布情報として得られるが、ここでは説明の簡単化のため、1次元分布情報として示している。図3aにおいて、16は、非パターン領域であり、通常はクオーツ領域クオーツ基板の表面が露出した領域である。17は、パターン領域であり、通常は遮光領域クオーツ基板上に遮光膜が形成された領域である。18は、ホワイトバンド領域を示している。図3bは、図3aのX-Xに沿った強度分布を示している。本実施形態では、補正値取得用エッジのホワイトバンドについて、第1の方法によるエッジ位置抽出と第2の方法によるエッジ位置抽出とを行う。実際には、強度分布の2次元分布情報に基づいてエッジ位置を抽出するが、ここでは説明の簡単化のため、1次元分布情報に基づいてエッジ位置を抽出するものとして説明を行う。第1の方法は、強度分布の最大強度Pの位置Ppをパターンのエッジとして抽出するものである。代表的な第1の方法としては、強度分布のピーク強度位置を抽出するピーク法があげられる。第2の方法は、強度分布の中間強度位置Ptをパターンのエッジとして抽出するものである。代表的な第2の方法としては、強度分布の最大値Pと最小値Bとの中間値Tの位置を抽出する閾値法があげられる。中間値Tは特に限定されるものではないが、与えられた測定条件において最も測定再現性に優れた値を選択することが望ましい。以後の説明では、第1の方法としてピーク法を用い、第2の方法として閾値法を用いるものとして、説明を行う。上記のようにして、ピーク法及び閾値法によってそれぞれエッジ位置を検出するS3、S4。さらに、ピーク法よって抽出されたエッジ位置と閾値法によって抽出されたエッジ位置との差Dを補正値として求めるS5。なお、補正値取得用エッジが複数存在する場合には、複数の補正値取得用エッジそれぞれで取得された差Dの平均値を補正値としてもよい。さらに、披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を閾値法によって検出する。具体的には、披測定パターンに含まれる全てのエッジのエッジ位置を閾値法によって検出するS6。閾値法を用いるため、隣接するエッジそれぞれのホワイトバンドが互いに重なりあっていても、エッジ位置を検出することが可能である。上記のようにして、閾値法によって検出された全てのエッジ位置について、S5のステップで得られた補正値を用いて補正を行うS7。具体的には、全てのエッジ位置について、S5のステップで得られた差Dの値をプラス又はマイナスの符号を含めて加算する。これにより、全てのエッジについて補正されたエッジ位置が算出される。その結果、最終的にマスクパターンの輪郭データS8が得られる。以上のように、本実施形態では、隣接するエッジでそれぞれ生成されるホワイトバンドの強度分布が十分に分離される領域を求め、その領域に含まれるエッジを補正値取得用エッジとして抽出する。そして、補正値取得用エッジについて、第1の方法ピーク法及び第2の方法閾値法によって、それぞれエッジ位置を抽出する。さらに、ピーク法及び閾値法で得られた2つのエッジ位置の差を補正値として用い、閾値法で得られた全てのエッジのエッジ位置を補正する。すでに述べたように、ピーク法は長期的な安定性に優れているが、隣接するエッジのホワイトバンドどうしが重なり合うような場合には、ピーク位置を検出することが困難である。一方、閾値法は、隣接するエッジのホワイトバンドどうしが重なり合うような場合でも、エッジ位置を抽出することが可能であるが、長期的な安定性に劣るという欠点がある。すなわち、閾値法では、検出されるエッジ位置がホワイトバンド幅の変化の影響を受けるという欠点がある。ホワイトバンド幅の変化は、電子光学系の変化、フォーカス誤差、外乱による像の揺らぎ等に起因し、完全に無くすことはできない。本実施形態では、ピーク法によるピーク位置を確実に取得可能なエッジ補正値取得用エッジについて、ピーク法によるエッジ位置と閾値法によるエッジ位置との差Dを求めておき、閾値法で求めた全てのエッジに対して差Dを加算する。そのため、全てのエッジに対して、ピーク法でエッジ位置を求めた場合と同等の、安定性に優れた高精度のエッジ位置検出を行うことができる。したがって、本実施形態によれば、フォトマスクのパターンの輪郭抽出を的確に高精度で行うことが可能である。なお、SEM画像に基づいて検出されたエッジ位置と実際のエッジ位置との間には、誤差が生じる場合がある。そのような誤差を校正するためには、以下のような方法を用いることができる。まず、エッジ位置が既知である基準パターンのSEM画像を取得し、そのSEM画像からピーク法によってエッジ位置を抽出する。そして、ピーク法によって抽出したエッジ位置と既知のエッジ位置との差を求め、その差を校正値とする。この校正値を、上述した本実施形態の方法に反映させることで、上述した誤差を校正することが可能である。例えば、上述した本実施形態の方法よって得られたエッジ位置に対して、校正値を加算すればよい。実施形態2次に、第2の実施形態について説明する。本実施形態は、第1の実施形態で説明した輪郭抽出方法を行うための輪郭抽出装置に関するものである。図4は、本実施形態に係る輪郭抽出装置の構成を示した説明図である。第1の実施形態で説明した各種機能は、図4に示した装置によって実現される。本装置は、大きく分けて、走査型電子顕微鏡SEM22と、SEM22の制御とSEM22で取得された画像に対する処理を行うための電子計算機及び電子回路とで構成されている。SEM22は、XYステージ25と、電子銃23と、電子光学系24と、2次電子検出部26とを備えている。XYステージ25は、フォトマスク21を載置して、任意の位置に移動するものである。電子銃23は、電子を放出するものである。電子光学系24は、電子銃23から放出された1次電子ビーム33を制御して、フォトマスク21に導くものである。2次電子検出部26は、フォトマスク21から放出される2次電子34を検出するものである。SEM22の各部は、制御計算機27から制御回路システム30を介して制御信号を受けることで制御される。電子計算機及び電子回路は、SEMを制御する制御回路システム30、制御回路システム30に制御信号を送る制御計算機27を備えている。制御計算機27には、各種データを記憶するデータ記憶装置31と、SEM画像の解析を行う画像処理システム32が接続されている。なお、画像処理システム32は、処理の高速化のために設けられており、必ずしも必要ではない。例えば、制御計算機27、或いは別の計算機により、ソフトウェアで画像処理システム32の機能を置き換えることも可能である。また、制御計算機27には、操作者のために情報を表示する表示装置28と、操作者による情報入力を可能にする入力装置29が接続されている。以下、図4の装置を用いた動作について説明する。まず、操作者が、フォトマスク21をXYステージ25に載置するための操作を行う。制御計算機27は、データ記憶装置31に記憶された測定位置情報に基づき、制御回路システム30を介してXYステージ25に制御信号を送る。これにより、フォトマスク21上の披測定パターンが、SEM22の画像取得領域の中央に位置するようにする。続いて、制御計算機27は、制御回路システム30を介して電子光学系24を制御し、適切な画像が得られる状態にする。すなわち、画像の歪みや焦点のずれ等が無く、マスクパターンの画像を正確に取得できるようにする。さらに、制御計算機27は、マスクパターンの2次電子画像を取得するために、制御回路システム30を介してSEM22に指令を送る。取得された画像は、データ記憶装置31に記憶される。上記のようにして得られたSEM画像に基づき、マスクパターンの輪郭抽出処理が行われる。輪郭抽出処理に際しては、まず、データ記憶装置31に記憶されている設計データと測定位置情報とから、SEM画像に含まれるマスクパターンのデータが取り出される。そして、補正値取得用エッジの抽出条件にしたがって、補正値取得用エッジの抽出処理が行われる。この抽出処理は、図1のステップ12の処理と同様である。すなわち、隣接するエッジでそれぞれ生成されるホワイトバンドの強度分布が十分に分離され、強度分布のピーク位置を正確に検出できるようなエッジを抽出する。画像処理システム32は、データ記憶装置31に記憶されたSEM画像に基づき、エッチ位置の抽出処理を行う。エッチ位置の抽出処理に際しては、補正値取得用エッジについて、ホワイトバンドの強度分布情報の解析処理が行われる。この解析処理では、図1のステップS3、S4及びS5の処理と同様である。すなわち、ピーク法によるエッジ位置検出処理、閾値法によるエッジ位置検出処理、及び両エッジ位置の差を補正値として求める処理が行われる。次に、データ記憶装置31に記憶されたSEM画像に含まれる全てのエッジ位置の閾値法による抽出処理が、画像処理システム32によって行われる。さらに、閾値法によって抽出された全てのエッジ位置は、先に求められたエッジ位置の差補正値によって補正される。これにより、最終的なマスクパターンの輪郭データが得られる。以上のように、本実施形態の装置を用いることにより、第1の実施形態と同様に、安定性に優れた高精度のエッジ位置検出を行うことができ、フォトマスクのパターンの輪郭抽出を的確に高精度で行うことが可能である。なお、SEM画像に基づいて検出されたエッジ位置と実際のエッジ位置との間に誤差が生じる場合には、第1の実施形態で述べたように、校正値を用いた校正を行うようにしてもよい。また、上述した説明からわかるように、SEMによって取得された画像の2次元分布情報に基づく輪郭抽出は、主として、制御計算機27、制御回路システム30、データ記憶装置31及び画像処理システム32によって行われる。図5は、そのような輪郭抽出を行う機能ブロック図を示している。補正値取得用エッジ位置抽出部41では、披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジのエッジ位置を抽出するために、披測定パターンの設計データに基づき、披測定パターンが含まれる補正値取得用エッジを取得する。第1のエッジ位置抽出部42では、補正値取得用エッジについて、SEMによって取得された2次元分布情報に基づき、第1の方法によってエッジ位置を抽出する。すなわち、ピーク法によってエッジ位置を抽出する。第2のエッジ位置抽出部43では、補正値取得用エッジについて、SEMによって取得された2次元分布情報に基づき、第2の方法によってエッジ位置を抽出する。すなわち、閾値法によってエッジ位置を抽出する。補正値取得部44では、第1の方法によって抽出されたエッジ位置と第2の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として取得する。所望エッジ位置抽出部45では、SEMによって取得された2次元分布情報に基づき、披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を第2の方法によって抽出する。補正部46では、所望エッジ位置抽出部45で抽出した所望エッジのエッジ位置を、補正値取得部44で取得した補正値に基づいて補正する。なお、上述した実施形態において、第1の方法、すなわちホワイトバンドの強度分布のピーク位置を求める方法として、強度分布の2次微分を求めるようにしてもよい。また、第2の方法、すなわちホワイトバンドの強度分布の周辺位置を求める方法として、強度分布の微分を求めるようにしてもよい。また、上述した実施形態の方法は、一般的に以下のような場合に適用可能である。すなわち、隣接するエッジ同一パターンの両側のエッジ、或いは隣接するパターンの互いに対向するエッジでそれぞれ生成されるホワイトバンドの強度分布が十分に分離される領域と、隣接するエッジでそれぞれ生成されるホワイトバンドの強度分布を分離することが困難な領域とを含んでいるような場合に、上述した実施形態の方法が有効である。このような場合、強度分布が十分に分離される領域について、第1及び第2の方法によってエッジ位置を求め、両エッジ位置の差を補正値として求める。また、強度分布を分離することが困難な領域について、第2の方法によってエッジ位置を求め、上記補正値によって補正を行うようにすればよい。なお、上述した方法は、フォトマスクの保証方法及び半導体装置の製造方法に適用可能である。図6は、フォトマスクの保証方法及び半導体装置の製造方法を示したフローチャートである。まず、上述した実施形態の方法に基づいて、フォトマスクのパターンの輪郭抽出を行うS21。次に、抽出された輪郭のデータに基づいてマスクパターンを検査し、検査結果に基づいてマスクパターンを保証するS22。次に、保証されたフォトマスクを用いて半導体基板上にパターンを転写するS23。すなわち、半導体基板上に形成されたフォトレジストにパターンを転写し、フォトレジストにパターンを形成する。さらに、フォトレジストにパターンをマスクとして用いて、導電膜、絶縁膜或いは半導体膜等のエッチングを行うS24。以上のようにして、フォトマスクの保証及び半導体装置の製造が行われる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。