下部電極層上に設けられた、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む光吸収層と、該光吸収層上に設けられたII-B族元素およびIII-B族元素の少なくとも1つを含む半導体層とを有する光電変換素子であって、前記光吸収層の前記半導体層側の主面の大部分は、112面および004面の少なくとも一方を含む配向面によって占められている光電変換素子。前記半導体層の少なくとも前記光吸収層側は、エピタキシャル成長したものである請求項1に記載の光電変換素子。前記半導体層の少なくとも前記光吸収層側は、112面、111面、200面のいずれかの方向にエピタキシャル成長したものである請求項1または2に記載の光電変換素子。前記半導体層のエピタキシャル成長した領域は、5nm以上の厚さである請求項1~3のいずれかに記載の光電変換素子。前記半導体層の厚みは5~60nmである請求項1~4のいずれかに記載の光電変換素子。前記半導体層はCdS、ZnSまたはIn2S3を含む請求項1~5のいずれかに記載の光電変換素子。前記光吸収層において、前記I-B族元素はCuを含み、前記III-B族元素はInおよびGaを含み、前記VI-B族元素はSeを含んでいる請求項1~6のいずれかに記載の光電変換素子。前記光吸収層の主面の112面または004面以外の配向面は、該光吸収層と同一の組成、かつ112面または004面の配向面を有する被覆層で被覆されている請求項1~7のいずれかに記載の光電変換素子。前記光吸収層の主面と前記被覆層との間には、前記光吸収層と同一の組成の付着物を有する請求項1~8のいずれかに記載の光電変換素子。前記光吸収層の主面と前記付着物の主面とは、大部分で平行である請求項9に記載の光電変換素子。請求項1~10のいずれかに記載の光電変換素子を用いた光電変換装置。請求項1~10のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法であって、下部電極層上に、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む光吸収層を形成する第1工程と、前記光吸収層の表面をアンモニア水中で超音波洗浄した後に、該超音波洗浄を停止して前記光吸収層から解離した粒子を前記光吸収層の表面に再付着させる第2工程と、前記光吸収層上にII-B族元素およびIII-B族元素の少なくとも1つを含む半導体層をCBD法にて形成する第3工程とを有し、前記第2工程において、前記アンモニア水の温度を前記第3工程におけるCBD法での形成温度よりも低く制御するとともに、前記アンモニア水の濃度を2~3mol/Lに制御する光電変換素子の製造方法。しかしながら、特許文献1では、光吸収層の表面の不純物を除去することができても、光吸収層の表面性状は粗いままであり、光吸収層の表面に露出する結晶面配向面が不均一になっている場合があった。例えば図8のように、バッファ層は光吸収層の配向面112上にはエピタキシャル成長するが、この配向面の占有率は70未満しかないため、それ以外の領域では、エピタキシャル成長しないことがわかっている。そのため、そのままバッファ層を形成したとしても、バッファ層がエピタキシャル成長をすることができず、光電変換効率が向上しない場合があった。また特許文献2では、プレリンス処理工程の終了直前半導体層の成膜工程の開始直前に、光吸収層の表面に付着していた付着物がプレリンス液により除去されてしてしまった場合、付着物が除去された部位の光吸収層の表面の結晶面配向面と、最初から露出していた光吸収層の表面の結晶面配向面とが不均一になる場合があった。そのためそのまま半導体層を形成したとしても、半導体層が均一なエピタキシャル成長をすることができず、光電変換効率が向上しない場合があった。しかしながら、異物を早く除去できるほどの強い条件でプレリンス処理してしまうと、光吸収層の表面が極端に削れ過ぎてしまい、表面性状が荒れてリーク電流の原因となる場合があった。本発明の光電変換素子は、下部電極層上に設けられた、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む光吸収層と、該光吸収層上に設けられたII-B族元素およびIII-B族元素の少なくとも1つを含む半導体層とを有する光電変換素子であって、前記光吸収層の前記半導体層側の主面の大部分は、112面および004面の少なくとも一方を含む配向面によって占められている。また、本発明の光電変換装置は、前記光電変換素子を用いたものである。また、本発明の光電変換素子の製造方法であって、下部電極層上に、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む光吸収層を形成する第1工程と、前記光吸収層の表面をアンモニア水中で超音波洗浄した後に、該超音波洗浄を停止して前記光吸収層から解離した粒子を前記光吸収層の表面に再付着させる第2工程と、前記光吸収層上にII-B族元素およびIII-B族元素の少なくとも1つを含む半導体層をCBD法にて形成する第3工程とを有し、前記第2工程において前記アンモニア水の温度を第3工程におけるCBD法での形成温度よりも低く制御するとともに、前記アンモニア水の濃度を2~3mol/Lに制御する。本発明によれば、半導体層のエピタキシャル成長における配向性を容易に高くできるので、光電変換素子の光電変換効率を向上させることが容易になる。また、本発明によれば、従来よりもさらに高い光電変換効率の光電変換装置を提供することが容易になる。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。<光電変換素子の概略構成>以下、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の構成を図を用いて説明する。図1において、各光電変換素子10は、基板9上に下部電極層5と、光吸収層4と、第1半導体層1と、第2半導体層2と、上部電極層7と、グリッド電極8とを主として備える。<基板>基板9は、複数の光電変換素子10を支持するためのものである。基板9に用いられる材料としては、ガラス、セラミックス、樹脂、および金属などが挙げられる。ここでは、基板9として、厚さ1~3mm程度の青板ガラスソーダライムガラスが用いられているものとする。<下部電極層>下部電極層5は、基板9の一主面上に設けられた、Mo、Al、Ti、Ta、またはAuなどの金属、あるいはこれらの金属の積層構造体からなる導体である。下部電極層5は、スパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成方法を用いて、0.2~1μm程度の厚みに形成される。<光吸収層>光吸収層4は、下部電極層5の上に設けられた、カルコパイライト系以下CIS系とも言うのI-III-VI族化合物からなる、p型の導電型を有する半導体層である。この光吸収層4は、1~3μm程度の厚みを有している。ここで、I-III-VI族化合物とは、I-B族元素と、III-B族元素とVI-B族元素換言すれば、11族元素、13族元素、16族元素ともいうとの化合物であり、本実施形態としては、CuIn、GaSe2以下、CIGSとも言うなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。このような光吸収層4については、スパッタリング法、蒸着法などのいわゆる真空プロセスによって形成可能であるほか、光吸収層4の構成元素を含む溶液を下部電極層5の上に塗布し、その後、乾燥熱処理を行う、いわゆる塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによって形成することもできる。<第1半導体層>第1半導体層1は、光吸収層4の上に設けられた、該光吸収層4の導電型とは異なるn型の導電型を有する半導体層である。第1半導体層1は光吸収層4上に設けられたII-B族元素、III-B族元素の少なくとも1つを含む半導体層を有する化合物半導体によって構成される場合に、光吸収層4とヘテロ接合する態様で設けられる。光電変換素子10では、このヘテロ接合を構成する光吸収層4と第1半導体層1とにおいて光電変換が生じることから、光吸収層4と第1半導体層1とが光電変換層となっている。また、本実施形態においては、第1半導体層1はCBD法ケミカルバス成膜法によって、例えば、In2S3系、ZnS系、CdS系の組成で構成され、1~30nmの厚みに形成されることが好ましいが、薄膜法、メッキ法などの他の手段によって形成されても構わない。<第2半導体層>第2半導体層2は、第1半導体層1の上に設けられたn型の半導体層で、本実施形態においては、例えば、第2半導体層2はスパッタ法、蒸着法などによって形成され、図4に示される高抵抗の酸化亜鉛i-ZnOなどを用いて構成されるもの等もある。このような第2半導体層2は必須ではないが、上部電極層7と光吸収層4との間におけるリーク電流の発生が抑制され易くなる。<上部電極層>上部電極層7は、第2半導体層2の上に設けられた、n型の導電型を有する透明導電膜である。上部電極層7は、光電変換層において生じた電荷を第2半導体層2を介して取り出す電極として設けられている。また、上部電極層7は第1半導体層1および第2半導体層2よりも低い抵抗率を有する物質、例えば錫を含んだ酸化インジウムITOなどによって構成されるものであり、上部電極層7は、スパッタリング法、蒸着法などによって形成される。なお、第1半導体層1、第2半導体層2、上部電極層7は、光吸収層4が吸収する光の波長領域に対して光透過性を有する物質によって構成されることが好ましく、また、第1半導体層1、第2半導体層2、上部電極層7は、絶対屈折率が略同一であることが好ましい。これにより、光吸収層4での光の吸収効率の低下が抑制される。<グリッド電極>図7に示されるように、グリッド電極8はAgなどの金属からなる集電部8aと連結部8bとからなり、光電変換素子10において発生して上部電極層7において取り出された電荷を集電する役割を担う。これにより上部電極層7の薄層化が可能となる。グリッド電極8は、導電性と、光吸収層4への光透過性とを考慮すると、50~400μmの幅を有することが好ましい。以下、本実施形態の光電変換素子について詳細に説明する。本実施形態は、下部電極層上に設けられた、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む光吸収層と、該光吸収層上に設けられたII-B族元素およびIII-B族元素の少なくとも1つを含む半導体層とを有する光電変換素子であって、前記光吸収層の前記半導体層側の主面大部分は、112面および004面の少なくとも一方を含む配向面によって占められているここで半導体層は以下において第1半導体層1ともいう。これにより第1半導体層1のエピタキシャル成長における配向性を容易に高くすることが実現できるので、光電変換素子10の光電変換効率を向上させることが容易になる。ここで、112面とは、図2のように光吸収層4の主面を50000倍のSEM写真で撮影したときに、結晶の稜辺が60度、あるいは120度で交わっている面であり、004面とは、図2に示されるように光吸収層4の主面を50000倍のSEM写真で撮影したときに、結晶の稜辺が90度で交わっている面である。特に、光吸収層4の半導体層1側の主面が単一の配向面であり、さらに112面であれば、基板9の面と平行、かつ、平坦となり易い点で好ましい。ここで、光吸収層4の半導体層1側の主面の大部分は、112面および004面の少なくとも一方を含む配向面としたが、これは112面または004面が光吸収層4の半導体層1側の主面を占める占有率が95以上であることに相当することを意味する。この占有率は、光吸収層4と第1半導体層1との界面における断面を図8のTEM写真のように60nm四方の範囲で観察して求めることができる。すなわち後述するように、光吸収層4の主面の格子面間隔から112面または004面となっている領域を求めて、さらにこの領域が光吸収層4と第1半導体層1との界面に対して占める割合から求めることができる。図8において、光吸収層4の半導体層1側の主面が112面の配向面ではない領域点線の円内では、第1半導体層1がエピタキシャル成長していないこともわかる。さらに本実施形態は、前記半導体層の少なくとも前記光吸収層側は、エピタキシャル成長したものであることが好ましい。またさらに本実施形態は前記半導体層の少なくとも前記光吸収層側は、112面、111面、200面のいずれかの方向にエピタキシャル成長したものであることが好ましい。特に、111面、200面であればエピタキシャル成長の再現性に優れ好ましい。これらの半導体層の光吸収層4側における面方位は、格子面の間隔を測定することで、結晶面の面方位を同定できる。例えば図3では、112面の光吸収層4上にIn2S3を第1半導体層1として設けた場合であり、光電変換効率は11.3となった。ここで図4は、図3の点線の円内を拡大した写真であり、第1半導体層1の初期層であるエピタキシャル成長領域3においてIn2S3が規則配列している、すなわち、エピタキシャル成長していることが判る。In2S315nmのうちエピタキシャル成長領域3は4nmは、格子面の間隔が3.1オングストロームであることから111面となっていることがわかる。また例えば図5では、112面の光吸収層4上に111面のZnSを第1半導体層1として設けた場合であり、光電変換効率は12.5となった。ZnSのエピタキシャル成長している領域は、格子面の間隔が3.1オングストロームであることから111面となっていることがわかる。また例えば図6では、004面の光吸収層4上に200面のCdSを第1半導体層1として設けた場合であり、光電変換効率は14.2となった。CdSがエピタキシャル成長している領域は、格子面の間隔が2.9オングストロームであることから200面となっていることがわかる。このように、第1半導体層1の材質に応じてエピタキシャル成長における配向性を高くすることで、光電変換素子10の光電変換効率を向上させることが容易になる。さらに本実施形態は前記半導体層のエピタキシャル成長した領域は、5nm以上の厚さであることが好ましい。第1半導体層1におけるエピタキシャル成長領域3が5nm以上の厚さであれば、光電変換により生成した電荷が再結合することを低減でき、光電変換効率を向上させることができる。ここで、光電変換効率に影響するのは、第1半導体層1の厚さに対するエピタキシャル成長領域3の厚さの比率ではなく、エピタキシャル成長領域3自体の厚さが支配的となる。さらに本実施形態は前記半導体層の厚みは5~60nmであることが好ましい。例えば図3では、In2S315nmのうちエピタキシャル成長領域3は4nm、図5ではZnSが20~30nmのうちエピタキシャル成長領域3は5~10nm、図6ではCdSがエピタキシャル成長領域3は60nm全域となっている。第1半導体層1の厚みが1nm以上であれば、電荷の再結合による光電変換効率の低下を抑制でき、また、第2半導体層2や上部電極層7を形成する際のダメージが、光吸収層4に到達して光吸収層4の結晶性を劣化させることを低減できる。また、第1半導体層1の厚みが60nm以下であれば、直列抵抗成分の増大による光電変換効率の低下を抑制でき、透過率の低下も抑制できる。さらに本実施形態では、前記半導体層はCdS、ZnS、In2S3のいずれかを含むことが好ましいが、これらの材質に限定されるものではなく、ZnO、ZnOH2、ZnSe、ZnMgOなどのZn化合物、In2O3、InOH3、In2Se3などのIn化合物、およびこれらとCdS、ZnS、In2S3との混合物であってもよい。さらに本実施形態は前記光吸収層において、I-B族元素はCuを含み、前記III-B族元素はInおよびGaを含み、前記VI-B族元素はSeを含んでいることが好ましい。これにより112面、004面を露出しやすくなり、第1半導体層1のエピタキシャル成長における配向性を容易に高くすることができるので、光電変換素子10の光電変換効率を向上させることが容易になる。さらに本実施形態では、前記光吸収層の主面の112面または004面以外の配向面は、該光吸収層と同一の組成、かつ112面または004面の配向面を有する被覆層で被覆されていることが好ましい。特に、前記光吸収層4の前記半導体層1側の主面の大部分が、112面の配向面である場合、前記光吸収層4の主面の112面以外の配向面は、該光吸収層4と同一の組成、かつ、112面の配向面を有する被覆層12で被覆されていることがさらに好ましい。あるいは、前記光吸収層4の前記半導体層1側の主面の大部分が、004面の配向面である場合、前記光吸収層4の主面の004面以外の配向面は、該光吸収層4と同一の組成、かつ、004面の配向面を有する被覆層12で被覆されていることがさらに好ましい。これにより、光吸収層4の主面に異なる配向面が露出していても、被覆層12で被覆することで、被覆層12上に半導体層1をエピタキシャル成長させることができる。よって、光吸収層4の全面の配向面を揃えるために、過度に光吸収層4を劈開させて損傷を与えてしまうことなく、光吸収層4の主面の配向面を揃えることができるので、光電変換効率を向上させることができる。さらに本実施形態では、前記光吸収層の主面と前記被覆層との間には、前記光吸収層と同一の組成の付着物を有していてもよい。ここで付着物11とは、殆どが光吸収層4あるいは下部電極層5や基板9の場合もあるを発塵源とする残渣である。これにより、光吸収層4の主面に付着物11が付着していたとしても、付着物11を被覆層12で被覆することで、被覆層12上に半導体層1をエピタキシャル成長させることができる。例えば、本実施形態の図9のように、光吸収層4上と被覆層12上とを比較すると、半導体層1は均一にエピタキシャル成長している。仮にこの付着物11を除去するような条件で処理をしてしまうと、付着物11があった部位において、面方位が揃っていない状態の光吸収層4の主面が露出してしまう場合があるため、均一なエピタキシャル成長ができない場合がある。例えば、従来例である図10のように、光吸収層4上と、付着物11の除去された部位上とを比較すると、半導体層A1aに対して配向面が異なる半導体層B1bが干渉するために、半導体層1全体として均一な配向面が得られない。さらに本実施形態では、前記光吸収層の主面と前記付着物の主面とは、大部分で平行であることが好ましい。例えば、光吸収層4と被覆層12との面方位が同じであっても、被覆層12の主面が傾いている場合では、光吸収層4上の半導体層A1aと、被覆層12上の半導体層B1bとが交差して干渉する場合、半導体層1全体として均一な配向面が得られない。付着物11は光吸収層4から劈開した殆どが扁平形状のものであるので、この扁平な面で光吸収層4に付着することになるので、付着物11の主面と光吸収層4とは平行になり易い。以上のような付着物11は、TEMの断面写真によって、光吸収層4を構成している粒子よりも扁平な粒子として、その配向面まで観察することができ、その粒子の組成については、EDS分析で測定することができる。また、被覆層12は、その全面表裏の主面において配向面が揃っているので、剥離していない光吸収層4の粒子と区別して観察することができる。<光電変換素子の製造方法>以下においては光電変換素子の製造方法における概略の説明であり、I-III-VI族化合物半導体からなる光吸収層4例えば、Cu、In、GaおよびSeを含むCIGS等が塗布法を用いて形成され、さらに、第1半導体層1以降が形成される場合を例として説明する。まず、洗浄された基板1の略全面に、スパッタリング法でMoからなる下部電極層5が成膜される。下部電極層5上に光吸収層4と第1半導体層1とが順次形成される。下部電極層5が形成された後、光吸収層4を形成するための溶液が下部電極層5の表面に塗布され、乾燥によって被膜が形成された後、該被膜が熱処理されることで光吸収層4が形成される。光吸収層4を形成するための溶液は、カルコゲン元素含有機化合物と塩基性有機溶剤とを含む溶媒に、I-B族金属およびIII-B族金属を直接溶解することで作成され、I-B族金属およびIII-B族金属の合計濃度が10重量以上の溶液とされる。なお、溶液の塗布にはスピンコーター、スクリーン印刷、ディッピング、スプレー、ダイコータなど様々な方法の適用が可能である。カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物である。カルコゲン元素としては、VI-B族元素のうちのS、Se、Teをいう。カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、チオール、スルフィド、セレノール、テルノール等が挙げられる。金属を混合溶媒に直接溶解させるというのは、単体金属または合金の地金を、直接、混合溶媒に混入し、溶解させることをいう。乾燥は、還元雰囲気下で行われることが望ましい。乾燥温度は例えば、50~300°Cである。熱処理は、酸化防止のために水素雰囲気や窒素雰囲気などの還元雰囲気下で行われることが望ましい。熱処理温度は、例えば、400~600°Cである。光吸収層4が形成された後、第1半導体層1はCBD法ケミカルバス成膜法によって形成されるが、後工程で第2半導体層2や上部電極層7をスパッタリング法で形成する場合には、光吸収層4をダメージから保護できる程度の厚みであることが好ましい。第1半導体層1が形成された後、必要に応じて第2半導体層2として酸化亜鉛ZnOなどがスパッタ法、蒸着法で形成される。第2半導体層2が形成された後、上部電極層7として錫を含んだ酸化インジウムITOなどがスパッタ法、蒸着法で形成される。上部電極層7が形成された後、グリッド電極8がAgなどの金属粉を樹脂バインダーなどに分散させた導電性ペーストをパターン状に印刷し、これを乾燥固化することで形成される。次に本実施形態の光電変換素子の製造方法の詳細について説明する。本実施形態は前述の光電変換素子の製造方法であって、下部電極層上に、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む光吸収層を形成する第1工程と、前記光吸収層の表面をアンモニア水中で超音波洗浄した後に、該超音波洗浄を停止して前記光吸収層から解離した粒子を前記光吸収層の表面に再付着させる第2工程と、前記光吸収層上にII-B族元素およびIII-B族元素の少なくとも1つを含む半導体層をCBD法にて形成する第3工程とを有し、前記第2工程において前記アンモニア水の温度を第3工程におけるCBD法での形成温度よりも低く制御するとともに、前記アンモニア水の濃度を2~3mol/Lに制御する。本実施形態の製造方法では、第2工程で光吸収層4の表面の配向面をアンモニア水で整える際に、付着物11を光吸収層4から除去させないで、光吸収層4の表面から粒子を劈開させることを優先的に行って配向面を整えるとともに、光吸収層4の表面から解離した粒子を付着物11の表面等に再付着させ、第3工程でCBD法ケミカルバス成膜法により半導体層1を形成している。第2工程において超音波洗浄することによって、低い温度のアンモニア水であっても、扁平状の粒子を光吸収層4から劈開させることを促進することができる。このような劈開を促進するには、アンモニア水中で超音波洗浄の周波数40kHzとする場合、ワット密度を0.2~2.0W/cm2とすることが、光吸収層4に損傷を与えずに表面からの劈開を促せる点で好ましい。光吸収層4から剥離した粒子は、例えば全面に112面の面方位が露出するように劈開しながら浮遊して、超音波洗浄停止後に光吸収層4に再付着する。付着物11は扁平状のものが多く。その主面は光吸収層4の面と平行であることが殆どであるので、半導体層1を全体的に同一方向にエピタキシャル成長させることができる。このような光吸収層4から劈開させることや、付着物11等への粒子の再付着を促す条件としては、例えば以下のような条件で実現することができる。すなわち、図1のように光吸収層4を形成した後に、図9aのようにアンモニア水中に光吸収層4の主面を浸漬して光吸収層4の主面から粒子を剥離不図示させて、図9bのように付着物11の主面上を被覆層12で被覆してから、図9cのように第1半導体層1を形成するものであって、前記第2工程については、例えば、温度20~30°C、濃度2~3mol/Lのアンモニア水を2~4L使用して、12cm角の基板4枚を面積1cm2あたり5mlで10~60分間、浸漬して処理する。第2工程において、温度20~30°C、濃度2~3mol/Lにアンモニア水を制御すれば、極端に光吸収層4の主面を荒らすことなく、適度に粒子を劈開させつつ再付着もさせるという平衡状態にすることができる。第2工程後は、第3工程へ使用済みのNH3が混入するのを防ぐために水中に浸漬して保管して、第1半導体層1の表面酸化も防いでいる。ここで濯がずに浸漬する理由は、再付着した粒子の剥離を低減するためである。さらに本実施形態は、前記第3工程においては、前記半導体層をCBD法ケミカルバス成膜法で形成することが好ましく、第3工程での半導体成長槽の温度は40~70°Cが適当である。これにより、光電変換素子10の歩留まりを向上させることが容易になるとともに、低コストで光電変換素子10を形成することが容易になる。第3工程のCBD法ケミカルバス成膜法はでは、第1半導体層1は、例えば、In2S3系、ZnS系、CdS系などの組成で構成され、1~30nmの厚みに形成されることが好ましいが、薄膜法、メッキ法などの他の手段によって形成されてもエピタキシャル成長すれば構わない。<光電変換装置の概略構成>また本実施形態は前記光電変換素子を用いた光電変換装置である。図7のように光電変換装置20においては、上部電極7およびグリッド電極88aは集電部、8bは接続部が設けられた側の主面が受光面側となっている。また、光電変換装置20には、第一溝部、第二溝部、および第三溝部という、3種類の溝部が設けられている不図示。上記のような光電変換素子10を光電変換装置20に用いたことにより、従来よりもさらに高い光電変換効率を提供することが容易になる。なお、本発明の光電変換装置20は上記のような一実施形態に限られたものではない。試料作製実施例としては、以下の手順で試料1~24を用意した。洗浄された12cm角の基板1の略全面に、スパッタリング法でMoからなる下部電極層5を厚さ800nm成膜した。光吸収層4として、カルコゲン元素含有有機化合物にチオールを用い、Cu、In、GaおよびSeを含むCIGSをスピンコーターで形成し、乾燥によって被膜を形成し、該被膜を熱処理して光吸収層4を厚さ600nm形成した。ここで乾燥は還元雰囲気下で300°Cで行った。またここで、熱処理は水素雰囲気で400~600°Cで行ったが、光吸収層4の配向面は、熱処理温度以外に、熱処理時間、昇温速度、冷却速度によってそれぞれ制御されたものである。光吸収層4が形成された後、アンモニア水で光吸収層4の表面を処理して、光吸収層4の配向面が112面または004面のものを用意した。また、ここでアンモニア水は、温度25°C。濃度2.5mol/Lとし、周波数40kHz、ワット密度1W/cm2で基板1に8~20分間で条件を変えて浸漬しながら超音波洗浄した。アンモニア水で処理した後、第1半導体層1はCBD法ケミカルバス成膜法によって、In2S3、ZnS、CdSを各条件の厚さで形成し、111面、200面など、それぞれ第1半導体層1が配向し易い方向にエピタキシャル成長させた。比較例としては、実施例と同様に形成した光吸収層4に対してアンモニア水処理せずに、第1半導体層1としてIn2S3実施例1、ZnS実施例2、CdS実施例3を30nm形成した試料25、26、27を用意した。これら実施例および比較例に対応する各試料に対して、上部電極層7として錫を含んだ酸化インジウムITOをスパッタリング法で厚さ100nm形成した。上部電極層7が形成された後、グリッド電極8をAgの金属粉を樹脂バインダーなどに分散させた導電性ペーストによって、上部電極層7上にパターン状に印刷し、これを乾燥固化することで形成した。試料評価これら実施例および比較例の各試料の光電変換素子10を用いて、図7のような光電変換装置20を作製して、それぞれの光電変換効率を評価した結果を、以下の実施例1~3にて説明する。実施例1以下、光吸収層4の半導体層1側の主面の配向面を112面、第1半導体層1の組成をIn2S3とした結果を表1に示す。光吸収層4の半導体層1側の主面の配向面を112面112面の占有率は95より高い、第1半導体層1の組成をIn2S3とした場合は、第1半導体層1は111面となり易い111面の占有率は95より高い。試料1~4より、第1半導体層1は111面でエピタキシャル成長し、エピタキシャル成長領域3の厚さが5nm以上で、著しく光電変換効率が向上することがわかる。また試料5~8より、第1半導体層1の厚さは、5nm以上あればエピタキシャル成長領域3を確保することができており、60nmまでは光電変換効率が飽和することなく光電変換効率が向上することがわかる。一方、比較例として試料25では、光吸収層4の半導体層1側の主面での配向面が112面となっている領域は60程度に留まり、それ以外では不特定な配向面となっていたため、第1半導体層1の配向面が111面で揃っている部分は60程度に留まり、第1半導体層1のエピタキシャル成長の厚さも不安定となり、判別して測定できる状態ではなかった。そのため光電変換効率は、5未満に留まる結果となった。実施例2次に、光吸収層4の半導体層1側の主面の配向面を112面、半導体層の組成をZnSとした結果を表2に示す。光吸収層4の半導体層1側の主面の配向面を112面112面の占有率は95より高い、第1半導体層1の組成をZnSとした場合は、第1半導体層1は111面となり易い111面の占有率は95より高い。試料9~12より、第1半導体層1は111面でエピタキシャル成長し、エピタキシャル成長領域3の厚さが5nm以上で、著しく光電変換効率が向上することがわかる。また試料13~16より、第1半導体層1の厚さは、5nm以上あればエピタキシャル成長領域3を確保することができており、60nmまでは光電変換効率が飽和することなく光電変換効率が向上することがわかる。一方、比較例として試料26では、光吸収層4の半導体層1側の主面での配向面が112面となっている領域は60程度に留まり、それ以外では不特定な配向面となっていたため、第1半導体層1の配向面が111面で揃っている部分は60程度に留まり、第1半導体層1のエピタキシャル成長の厚さも不安定となり、判別して測定できる状態ではなかった。そのため光電変換効率は、5未満に留まる結果となった。実施例3次に、光吸収層4の半導体層1側の主面の配向面を004面、半導体層の組成をCdSとした結果を表3に示す。光吸収層4の半導体層1側の主面の配向面を004面004面の占有率は95より高い、第1半導体層1の組成をCdSとした場合は、第1半導体層1は200面となり易い200面の占有率は95より高い。試料17~20より、第1半導体層1は200面でエピタキシャル成長し、エピタキシャル成長領域3の厚さが5nm以上で、著しく光電変換効率が向上することがわかる。また試料21~24より、第1半導体層1の厚さは、5nm以上あればエピタキシャル成長領域3を確保することができており、60nmまでは光電変換効率が飽和することなく光電変換効率が向上することがわかる。一方、比較例として試料27では、光吸収層4の半導体層1側の主面での配向面が004面となっている領域は65程度に留まり、それ以外では不特定な配向面となっていたため、第1半導体層1の配向面が200面で揃っている部分は60程度に留まり、第1半導体層1のエピタキシャル成長の厚さも不安定となり、判別して測定できる状態ではなかった。そのため光電変換効率は、5未満に留まる結果となった。また、表1~3の結果より、エピタキシャル成長領域3の厚さはアンモニア水処理時間に依存するが、20分間を超えると飽和する傾向があることがわかった。なお、本実施例においては、第1半導体層1が112面となる場合については、実施例1~3と同様の傾向を示すものであったため記載していない。