"式Iで表される化合物。[式I中、W1は、水素原子、-W3、-CH2u1-COv1-O-W3又は-CH2u1-COv1-O-W5-CO-O-W3を表し、複数存在するW1は互いに同じであっても異なっていてもよい。W2は、-W4、-CH2u2-COv2-O-W4又は-CH2u2-COv2-O-W6-CO-O-W4を表す。W3及びW4は、それぞれ独立に、炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシル基、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよい。W5及びW6は、それぞれ独立に、炭素数3~18の2価の脂環式炭化水素基を表し、該2価の脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよく、該2価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシル基、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよい。u1及びu2は、それぞれ独立に、1~6の整数を表す。v1及びv2は、それぞれ独立に、0又は1を表す。は結合手を表す。sは0~2を表し、複数のsは互いに同一でも異なってもよい。tは0~2を表す。]W3及びW4の少なくとも1つが、式I-aで表される基、式I-bで表される基又は式I-cで表される基である請求項1記載の化合物。式I-a中、R1は炭素数1~6のアルキル基を表し、W10は炭素数5~18の脂肪族環を表す。は、結合手を表す。[式I-b中、は、結合手を表す。][式I-c中、は、結合手を表す。]請求項1又は2記載の化合物と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。1請求項3記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥して組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、及び5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来の上述した化合物を含むレジスト組成物では、そのレジスト組成物から得られるレジストパターンの解像度が必ずしも満足できない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式Iで表される化合物。[式I中、W1は、水素原子、-W3、-CH2u1-COv1-O-W3又は-CH2u1-COv1-O-W5-CO-O-W3を表し、複数存在するW1は互いに同じであっても異なっていてもよい。W2は、-W4、-CH2u2-COv2-O-W4又は-CH2u2-COv2-O-W6-CO-O-W4を表す。W3及びW4は、それぞれ独立に、炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシル基、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよい。W5及びW6は、それぞれ独立に、炭素数3~18の2価の脂環式炭化水素基を表し、該2価の脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよく、該2価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシル基、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよい。u1及びu2は、それぞれ独立に、1~6の整数を表す。v1及びv2は、それぞれ独立に、0又は1を表す。は結合手を表す。sは0~2を表し、複数のsは互いに同一でも異なってもよい。tは0~2を表す。]2W3が、式I-aで表される基、式I-bで表される基又は式I-cで表される基である1記載の化合物。式I-a中、R1は炭素数1~6のアルキル基を表し、W10は炭素数5~18の脂肪族環を表す。は、結合手を表す。[式I-b中、は、結合手を表す。][式I-c中、は、結合手を表す。]3上記1又は2記載の化合物と酸発生剤とを含有するレジスト組成物。41上記3記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥して組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、及び5加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。本発明の化合物によれば、優れた解像度を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を得ることができる。本明細書では、各置換基の例示は、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。直鎖状、分岐状又は環状をとることができる置換基は、そのいずれをも含み、かつそれらが混在していてもよい。各置換基は、結合部位によって一価又は二価の置換基となり得る。立体異性体が存在する場合は、それらの立体異性体の全てを包含する。また、メタアクリル酸は、アクリル酸及び/又はメタクリル酸を表し、メタアクリレートは、アクリレート及び/又はメタクリレートを表す。<式Iで表される化合物>本発明の化合物は、式Iで表される以下化合物Iということがある。[式I中、W1は、水素原子、-W3、-CH2u1-COv1-O-W3又は-CH2u1-COv1-O-W5-CO-O-W3を表し、複数存在するW1は互いに同じであっても異なっていてもよい。W2は、-W4、-CH2u2-COv2-O-W4又は-CH2u2-COv2-O-W6-CO-O-W4を表す。W3及びW4は、それぞれ独立に、炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシル基、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよい。W5及びW6は、それぞれ独立に、炭素数3~18の2価の脂環式炭化水素基を表し、該2価の脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよく、該2価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシル基、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよい。u1及びu2は、それぞれ独立に、1~6の整数を表す。v1及びv2は、それぞれ独立に、0又は1を表す。は結合手を表す。sは0~2を表し、複数のsは互いに同一でも異なってもよい。tは0~2を表す。]脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基、n-ヘキトキシ基等が挙げられる。化合物Iにおける、W3及びW4の脂環式炭化水素基、又は該脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-が、-O-又は-CO-で置き換わったものの具体例としては、例えば、以下の式Y1~式Y25で表される基であり、これら式Y1~式Y25で表される基に含まれる水素原子は、上述のとおり、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよい。化合物Iにおける、W5及びW6の具体例は、式Y1~式Y25で表される基に含まれる水素原子1個を取り去った基が該当する。W3及びW4としては、以下の式I-a~式I-kで表される基が好ましい。これらの式においては、R1は炭素数1~6のアルキル基を表し、は、結合手を表す。式I-aで表される基のW10は炭素数5~18の脂肪族環であり、この炭素数は6~12であるとさらに好ましい。W10の脂肪族環は、アダマンタン環又はシクロヘキサン環が特に好ましく、具体的にいうと、式I-aで表される基は、式I-a-1又は式I-a-2で表される基が特に好ましい。なかでも、W3及びW4の少なくとも1つは、上記式I-aで表される基、式I-bで表される基、式I-cで表される基又は式I-hで表される基であることが好ましい。また、W5及びW6は、上記式I-dで表される基に含まれる水素原子1個を取り去った基であることが好ましい。化合物Iとしては、以下で表される化合物などが挙げられる。化合物Iは、例えば、式I-1aで表される化合物以下化合物I-1aということがある、式I-1bで表される化合物以下化合物I-1bということがある、式I-2aで表される化合物以下化合物I-2aということがある及び式I-2bで表される化合物以下化合物I-2bということがあるを、溶媒中、好ましくは触媒の存在下で反応させることにより製造することができる。この反応を反応式の形式で示すと以下のとおりである。なお、この反応式では各化合物の当量数は明記しないが、例えば、化合物I-2a及び化合物I-2bの当量数使用量を適宜変更することにより、所望のW1及びW2を有する化合物Iを製造することができる。溶媒としては、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム、ヨウ化カリウム等が挙げられる。[式中、W1、W2、s、tは上記と同義である。]なお、この反応式では各化合物を一括反応する形式で示したが、各化合物を逐次的に反応させて化合物Iを製造することもできる。例えば、化合物I-1a及び化合物I-2aを反応させて第1の反応生成物を得、さらに化合物I-1b及び化合物I-2bを反応させて第2の反応生成物を得てから、該第1の反応生成物と該第2の反応生成物とを反応させることにより化合物Iを製造することもできる。また、化合物I-1a及び化合物I-2aを反応させた後、この反応の反応生成物と、化合物1-2a及び化合物1-2bとを反応させることにより化合物Iを製造することもできる。化合物I-1aは、式I-3aで表される化合物と、式I-4で表される化合物又は式I-5で表される化合物とを塩基触媒の存在下で、反応させることにより製造することができる。溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。触媒としては、N,N-ジメチル-4-アミノピリジン、トリエチルアミン等が挙げられる。なお、化合物I-1bも、以下に示すように、化合物I-1aと実質的に同様の方法で製造することができる。<レジスト組成物>本発明のレジスト組成物以下本レジスト組成物ということがあるは、上述した化合物Iと酸発生剤とを含有する。また、本レジスト組成物は、アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解しうる特性以下酸作用特性ということがあるを有する樹脂以下樹脂Aということがあるを任意に含有していてもよい。本レジスト組成物における化合物Iの含有量は、本レジスト組成物の固形分に対する含有割合で表して、好ましくは1質量以上95質量以下であり、より好ましくは5質量以上90質量以下である。本レジスト組成物が、後述する樹脂Aを含有しない場合、本レジスト組成物の固形分に対する化合物Iの含有割合は、さらに好ましくは70質量以上90質量以下である。本明細書において組成物中の固形分とは、後述する溶剤Eを除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。レジスト組成物中の固形分の量及びこれに対する化合物Iの含有割合は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。<酸発生剤以下酸発生剤Bということがある>酸発生剤は、非イオン系とイオン系とに分類されるが、本レジスト組成物に含有される酸発生剤Bは、非イオン系酸発生剤であっても、イオン系酸発生剤であっても、これらの混合物でもよい。非イオン系酸発生剤としては、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン4-スルホネート、スルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等が挙げられる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩等が挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等が挙げられる。また、酸発生剤Bとしては、例えば特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用することができる。酸発生剤Bは、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式B1で表されるスルホン酸塩以下酸発生剤B1ということがあるである。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-NRc-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。酸発生剤B1においては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子であるものが好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子であるものがさらに好ましい。Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1を含有する本レジスト組成物は、より広いフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができる。Lb1の2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の2価の飽和環状炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。例えば、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基及びプロパン-2,2-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基特に、炭素数1~4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を有した分岐状アルキレン基、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,2-ジイル基、1-メチルシクロヘキサン-1,2-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基、シクロオクタン-1,2-ジイル基、シクロオクタン-1,5-ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の飽和環状炭化水素基;ノルボルナン-2,3-ジイル基、ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、アダマンタン-1,2-ジイル基、アダマンタン-1,5-ジイル基及びアダマンタン-2,6-ジイル基等の多環式の2価の飽和環状炭化水素基等が挙げられる。Lb1の2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-が、-O-、-NRc-又は-CO-で置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1~式b1-6でそれぞれ表される基が挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4でそれぞれ表される基であり、さらに好ましくは式b1-1で示される基又は式b1-2で表される基である。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6は、単結合又は炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb7は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb9は、単結合又は2価の炭素数1~11の飽和炭化水素基を表す。Lb10は、炭素数1~12の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。式b1-1で表される基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-4で表される基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-5で表される基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-6で表される基は、例えば、以下のものが挙げられる。なかでも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有するものが好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基をLb1として有するものがより好ましい。なお、式b1-1~式b1-6及びそれらを例示した基において、-O-が-NRc-に置き換わったものも、Lb1の例に含まれる。この場合、Rcは水素原子であることが好ましい。Lb1の2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。水素原子がフッ素原子で置換された基としては、例えば、以下のものが挙げられる。Yの飽和炭化水素基としては、アルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。Yのアルキル基としては、炭素数1~6のアルキル基が好ましい。Yの脂環式炭化水素基としては、炭素数3~18の脂環式炭化水素基が好ましく、単環式であっても、多環式であってもよい。また、環原子としてのみ炭素原子を有する基に留まらず、環原子の炭素原子にアルキル基が結合してなる基も脂環式炭化水素基とする。Yの脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基としては、例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-の1つ又は2つが-O-に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-の1つ又は2つが-CO-に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-のうち隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-基及び-SO2-基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-のうち隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-及び-CO-に置き換わった基等が挙げられる。Yの脂環式炭化水素基としては、上述した脂環式炭化水素基である式Y1~式Y25に加え、さらに、式Y26~式Y29のいずれかで表される基が挙げられる。なお、これら式Y1~式Y29で表される基において、はL1bとの結合手を表す。なかでも、式Y1~式Y19、式Y27~式Y29のいずれかで表される基が好ましく、式Y11、式Y14、式Y15、式Y19、式Y27、式Y28又は式Y29で表される基がより好ましく、式Y11又は式Y14で表される基がさらに好ましい。Yの飽和炭化水素基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16のアルキル基、炭素数3~16の飽和環状炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す等が挙げられる。この置換基である脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基がさらに置換されていてもよい。また、アルキル基に任意に有する置換基としては、炭素数3~16の脂環式炭化水素基でもよい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基;トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル等が挙げられる。飽和環状炭化水素基としては、上述した2価の飽和環状炭化水素基のいずれかの結合手を水素原子に置き換えたものが挙げられる。つまり、飽和環状炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の飽和環状炭化水素基としては、シクロアルキル基例えばシクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などが挙げられる。多環式の飽和環状炭化水素基としては、縮合芳香族炭化水素基を水素化して得られる基例えばヒドロナフチル基、橋かけ環状炭化水素基例えばアダマンチル基、ノルボルニル基などが挙げられる。さらに下記のような、橋かけ環例えばノルボルナン環と単環例えばシクロヘプタン環やシクロヘキサン環又は多環例えばデカヒドロナフタレン環とが縮合した形状の基、或いは橋かけ環同士が縮合した形状の基も、飽和環状炭化水素基に含まれる。置換基を有する飽和炭化水素基、特に脂環式炭化水素基としては、例えば、以下のものが挙げられる。Yとしては、ヒドロキシ基等を置換基として有していてもよいアダマンチル基であると好ましく、アダマンチル基又はヒドロキシアダマンチル基がより好ましい。酸発生剤B1を構成するスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開2010-204646号公報に記載されたアニオンが挙げられる。式B1で表されるスルホン酸アニオンとしては、Lb1が式b1-1で表される基であるアニオンを挙げることができ、例えば、式b1-1-1~式b1-1-9で表されるアニオンが好ましい。この式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb2、Q1及びQ2は上記と同義である。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yのアルキル基又は脂環式炭化水素基に任意に有することがある置換基として定義したものであり、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。より好ましいスルホン酸アニオンを以下に示す。酸発生剤B1を構成する有機カチオンZは、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオン等の有機オニウムカチオンが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。中でも、酸発生剤B1を構成する有機カチオンとしては、以下の式b2-1~式b2-4でそれぞれ表される有機カチオン以下、各式の番号に応じて、カチオンb2-1、カチオンb2-2、カチオンb2-3及びカチオンb2-4ということがあるが好ましい。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基又は炭素数1~12のアルコキシ基などで置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数4~36の脂環式炭化水素基で置換されていてもよい。Rb4、Rb5及びRb6から選ばれる2つが一緒になって、イオウ原子を含む環を形成してもよい。Rb4、Rb5及びRb6から選ばれる2つが一緒になって形成してもよい環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、イオウ原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上のイオウ原子及び/又は1以上の酸素原子を含んでいてもよい。該環としては、炭素数3~18の環が好ましく、炭素数4~13の環がより好ましい。Rb7及びRb8は、互いに独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表し、o2及びp2は、それぞれ独立に0又は1を表す。但しo2又はp2が0であるとは、それぞれの置換基が存在しないことを意味する。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。m2が2以上である場合、複数のRb7は互いに同一であっても異なってもよく、n2が2以上である場合、複数のRb8は互いに同一であっても異なってもよい。Rb9及びRb10は、互いに独立に、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数3~36の好ましくは炭素数4~12の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~12のアルキル基、炭素数4~36の脂環式炭化水素基又は炭素数6~20の芳香族炭化水素基を表し、好ましくは水素原子である。Rb9、Rb10及びRb11がアルキル基である場合、その炭素数は1~12であると好ましく、脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であると好ましく、4~12であるとさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10及び/又はRb11とRb12は、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環好ましくは3員環~7員環は、脂環式炭化水素環であるか、又は該脂環式炭化水素環に含まれる-CH2-が-O-、-S-又は-CO-基で置き換わっている環である。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、-S-又は-O-を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13はそれぞれ独立であり、p2が2以上であるとき、複数のRb14はそれぞれ独立であり、s2が2以上であるとき、複数のRb15はそれぞれ独立であり、t2が2以上であるとき、複数のRb18はそれぞれ独立である。アルキルカルボニルオキシ基としては、例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。Rb9~Rb12のアルキル基は、好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基等である。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基は、好ましくは、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基等である。Rb12の芳香族炭化水素基は、好ましくは、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基等である。Rb12のアルキル基を有する芳香族炭化水素基は、典型的にはアラルキル基であり、具体的にはベンジル基等が挙げられる。Rb9とRb10が結合して形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環等が挙げられる。Rb11とRb12とが結合して形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環等が挙げられる。例示した有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下カチオンb2-1-1というがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表し、Rb19、Rb20及びRb21から選ばれる2つが一緒になって単結合、-O-又は炭素数1~4の2価の脂肪族炭化水素基を表し、イオウ原子を含む環を形成してもよい。このアルキル基の炭素数は1~12であると好ましく、さらには置換基として、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよい。また、この脂環式炭化水素基の炭素数は4~18であると好ましく、置換基として、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一でも異なってもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なってもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なってもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基である。有機カチオンZとしては、具体的には、特開2010-204646号公報に記載されたカチオンが挙げられる。酸発生剤B1は、上述したスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。スルホン酸アニオンと有機カチオンとは任意に組み合わせることができるが、式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-1-1との組合せである酸発生剤B1、並びに式b1-1-3~式b1-1-5のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-3との組合せである酸発生剤B1が好ましい。このような酸発生剤B1と、化合物Iとを含有する本レジスト組成物は、より一層優れた解像度のレジストパターンを製造することができる。さらに好ましい酸発生剤B1を具体的に示す。このような酸発生剤B1は、以下の式B1-1~式B1-25でそれぞれ表されるものである。中でもトリフェニルスルホニウムカチオン、トリトリルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1である、式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13及びB1-14でそれぞれ表されるものがより好ましい。本レジスト組成物における酸発生剤Bの含有量は、化合物I100質量部に対して、1質量部以上50質量部以下が好ましく、5質量部以上40質量部以下がより好ましい。本レジスト組成物が、後述する樹脂Aを含有しない場合、酸発生剤Bの含有量は、化合物I100質量部に対して、10質量以上30質量以下が好ましい。<樹脂A>樹脂Aは、上述のとおり、酸作用特性を有する樹脂である。このような樹脂Aは、酸に不安定な基を有するモノマー以下酸に不安定な基を有するモノマーa1ということがあるを重合することによって製造できる。なお、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得るとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。酸に不安定な基を有するモノマーa1酸に不安定な基は、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を形成する。酸に不安定な基としては、例えば、式1で表される基、式2で表される基などが挙げられる。[式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成する。は結合手を表す。]式1では、脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数1~16である。[式2中、Ra1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成し、前記炭化水素基及び2価の基に含まれる-CH2-は、-O―又は―S-で置き換わってもよい。炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基が挙げられる。Ra1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合、-CRa1Ra2Ra3基としては、下記の基が挙げられる。2価の炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数3~12である。式1で表される酸に不安定な基としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert-ブトキシカルボニル基、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。式2においては、好ましくは、Ra1’及びRa2’のうち少なくとも1つが水素原子である。式2で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸に不安定な基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基を有するメタアクリル系モノマーである。酸に不安定な基を有するメタアクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数5~20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂Aを含有する本レジスト組成物によれば、よりドライエッチング耐性に優れたレジストパターンを製造することができる。酸に不安定な基と脂環式炭化水素基とを有するメタアクリル系モノマーとして、好ましくは式a1-1で表されるモノマーa1又は式a1-2で表されるモノマーa1が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。[式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-を表し、k1は1~7の整数を表し、は-CO-との結合手を表す。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n1’は0又は1の整数を表す。]La1及びLa2は、好ましくは、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-であり、より好ましくは-O-である。k1は、好ましくは1~4の整数、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1’は、好ましくは1である。式a1-1で表されるモノマーとしては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。なかでも、下式a1-1-1~a1-1-6で表されるモノマーが好ましく、下式a1-1-1~a1-1-3で表されるモノマーがより好ましい。式a1-2で表されるモノマーa1としては、例えば、1-エチルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレート、1-エチルシクロヘプタン-1-イルメタアクリレート、1-メチルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート、1-イソプロピルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート等が挙げられる。なかでも、下式a1-2-1~a1-2-6で表されるモノマーa1が好ましく、下式a1-2-3~a1-2-4で表されるモノマーa1がより好ましく、下式a1-2-3で表されるモノマーa1がさらに好ましい。樹脂における式a1-1で表されるモノマーa1及び/又は式a1-2で表されるモノマーa1に由来する構造単位の合計含有割合は、樹脂の全単位において、通常10~95モルの範囲であり、好ましくは15~90モルの範囲であり、より好ましくは20~85モルの範囲である。樹脂Aは、好ましくは、酸に不安定な基を有するモノマーa1と、酸に不安定な基を有さないモノマー以下酸安定モノマーということがあるとの共重合体である。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。樹脂Aが酸に不安定な基を有するモノマーa1と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位は、全構造単位100モルに対して、好ましくは10~95モルの範囲であり、さらに好ましくは10~85モルの範囲であり、より好ましくは20~60モルの範囲である。また、アダマンチル基を有するモノマー特に酸に不安定な基を有するモノマーa1-1に由来する構造単位の含有率は、好ましくは酸に不安定な基を有するモノマーa1に対して15モル以上である。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2ということがある又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下ラクトン環を有する酸安定モノマーa3ということがあるに由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光248nm、電子線又はEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0を使用する。短波長のArFエキシマレーザ露光193nmなどを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、好ましくは、式a2-1で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーa2-0として、式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一であっても異なってもよい。]ハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ等が挙げられる。Ra30におけるアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~4のアルキル基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルキル基であり、特に好ましくは、メチル基である。また、アルコキシ基としては、好ましくは、炭素数1~4のアルコキシ基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルコキシ基であり、特に好ましくは、メトキシ基である。maは、好ましくは、0~2であり、より好ましくは、0又は1であり、特に好ましくは、0である。このような酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する樹脂Aを製造する場合は、酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性ヒドロキシ基が保護基で保護されているモノマーを用いることもできる。例えば、酸又は塩基で脱離する保護基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、酸又は塩基との接触により脱保護されるため、これを用いて重合した重合体から容易に、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位と同じものを形成することができる。ただし、樹脂Aは上述のとおり、酸不安定基を有するモノマーa1に由来する構造単位を有しているので、フェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されてなるモノマーに由来する構造単位を脱保護する際には、この酸不安定基を著しく損なわないよう、塩基との接触により脱保護することが好ましい。塩基との接触により脱保護する保護基としては例えば、アセチル基、ベンゾイル基等が好ましい。塩基としては、例えば、4-ジメチルアミノピリジン、トリエチルアミン等が挙げられる。このようなフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、該当するメタアクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン及びスチレンをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることができる。フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーとしては、例えば、特開2010-204634号公報に記載されたモノマーが挙げられる。なかでも、下式a2-0-1及びa2-0-2で表されるモノマーが好ましい。樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護したものを用いることもできる。樹脂における式a2-0で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常5~90モルであり、好ましくは10~85モルであり、より好ましくは15~80モルである。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式a2-1で表されるモノマーが挙げられる。式a2-1中、La3は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、-O-、-O-CH2f1-CO-O-であり前記f1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1としては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。なかでも、下式a2-1-1~a2-1-6で表されるモノマーが好ましく、下式a2-1-1~a2-1-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a2-1-1又はa2-1-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂における式a2-1で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常3~40モルであり、好ましくは5~35モルであり、より好ましくは5~30モルである。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3酸安定モノマーa3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環、δ-バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ-ブチロラクトン環、又は、γ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、好ましくは、式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a3-1~式a3-3中、La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4のアルキル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4のアルキル基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。式a3-1~式a3-3では、La4~La6としては、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-であることが好ましく、より好ましくは-O-である。k3は、好ましくは1~4の整数であり、より好ましくは1である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1~r1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3としては、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。なかでも、下式a3-1-1~a3-1-4、a3-2-1~a3-2-4、a3-3-1~a3-3-4で表されるモノマーが好ましく、下式a3-1-1~a3-1-2、a3-2-3~a3-2-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a3-1-1又はa3-2-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂におけるラクトン環を有する酸安定モノマーa3に由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常5~50モルであり、好ましくは10~45モルであり、より好ましくは15~40モルである。その他のモノマーa4樹脂は、上記のモノマー以外のその他の公知のモノマーa4に由来する構造単位を有していてもよい。樹脂Aは、好ましくは、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマーa1、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマーa3を重合させた共重合体である。該共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマーa1は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1及びシクロへキシル基を有するモノマーa1-2の少なくとも1種さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1であり、ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、より好ましくはγ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種である。樹脂Aは、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、50,000以下より好ましくは30,000以下である。ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。樹脂Aの含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは10質量以上99質量以下であり、より好ましくは20質量以上95質量以下である。レジスト組成物中の固形分及びこれに対する樹脂Aの含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。<塩基性化合物以下塩基性化合物Cということがある>本レジスト組成物は、塩基性化合物Cを含むことが好ましい。塩基性化合物Cはクエンチャーとして作用する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えば、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1で表される化合物~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一でも異なってもよい。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一でも異なってもよい。]アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。[式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3又はp3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc14及びRc15は互いに同一でも異なってもよい。Lc1は、炭素数1~6のアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3、r3及びs3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc18、Rc19及びRc20は互いに同一でも異なってもよい。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6-ジイソプロピルアニリンが挙げられる。式C2で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリン等が挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール、4-メチルイミダゾール等が挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン、4-メチルピリジン等が挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。塩基性化合物Cの含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、0.01~5質量程度であり、より好ましく0.01~3質量程度であり、特に好ましく0.01~1質量程度である。溶剤以下溶剤Eということがある本レジスト組成物は、溶剤Eを含んでいてもよい。溶剤Eの含有率は、例えばレジスト組成物中90質量以上、好ましくは92質量以上、より好ましくは94質量以上であり、例えば99.9質量以下、好ましくは99質量以下である。溶剤Eの含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。溶剤Eとしては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ-ブチロラクトンのような環状エステル類;等を挙げることができる。溶剤Eは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。その他の成分以下その他の成分Fということがある本レジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分Fを含有していてもよい。成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。また、本発明の効果を著しく損なうことがなければ、樹脂A以外の高分子化合物を含有していてもよい。<本レジスト組成物の調製方法>本レジスト組成物の調製方法を、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤Eを含有する本レジスト組成物を例に取り説明する。本レジスト組成物は、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤Eを混合することにより又は樹脂A、酸発生剤B、塩基性化合物C及び溶剤Eを混合することにより調製することができる。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤Eに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。本レジスト組成物を調製する際に用いる各成分の使用量を選択することにより、本レジスト組成物中の各成分の含有量を調節することができる。このように、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤E、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本レジスト組成物は調製できる。レジストパターンの製造方法本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥して組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程を含む。本レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる塗布装置によって行うことができる。塗布後の組成物を乾燥させて溶剤Eを除去する。このような乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク、あるいは減圧装置を用いて行われる。加熱手段を用いる乾燥条件は、例えば、50~200°C程度の範囲のホットプレートを用いて行うことが好ましい。また、減圧手段を用いる乾燥では、圧力1~1.0×105Pa程度の減圧条件で行われることが好ましい。かくして基板上に組成物層が形成される。得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、露光機は、電子線、超紫外光EUVを照射するものであってもよい。本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して露光ということがある。露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。加熱温度としては、通常50~200°C程度、好ましくは70~150°C程度である。加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。用途本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記しないかぎり質量基準である。重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製化合物の構造は、質量分析LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型及びMicromass製Q-tofUltime型を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値をMASSで示す。実施例1式I1で表される化合物の合成2-メチル-2-アダマンタノール25.00部及びテトラヒドロフラン200部を反応器に仕込み、室温で攪拌した。2-メチル-2-アダマンタノールの溶解を確認後、ピリジン14.27部を添加し、40°Cに昇温した。さらに、クロロアセチルクロリド25.47部及びテトラヒドロフラン50部の混合溶液を1時間かけて滴下した。滴下後、40°Cで8時間攪拌した後、5°Cまで温度を下げた。5°Cに冷却したイオン交換水100部を添加、攪拌し、分液により水層を回収した。回収された水層に酢酸エチル65部を添加し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、5°Cの10炭酸カリウム水溶液65部を添加して洗浄し、分液して有機層を回収した。その後、回収された有機層にさらに、イオン交換水65部を添加して水洗し、分液を行って有機層を回収した。この水洗操作を3回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物にn-ヘプタン50部を添加し、攪拌した。析出物をろ過し、乾燥して、式I1-aで表される化合物17.86部を得た。式I1-bで表される化合物10.00部、式I1-cで表される化合物45.29部及びアセトニトリル200.00部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、N,N-ジメチル-4-アミノピリジン1.79部及びトリエチルアミン37.16部を添加し、23°Cで30分間攪拌した。その後、さらに、60°C程度まで昇温し、同温度で10時間撹拌した。得られた反応物を23°Cまで冷却し、35塩酸40.17部を添加した後、23°Cで30分間撹拌し、濃縮した。得られた濃縮物に、クロロホルム300部、アセトニトリル40部及びイオン交換水50部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を5回行った。回収された有機層を濃縮し、アセトニトリル100部を添加攪拌し、析出物をろ過することにより、式I1-dで表される化合物38.94部を得た。式I1-dで表される化合物10.00部、式I1-aで表される化合物14.97部及びジメチルホルムアミド100.00部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム11.38部及びヨウ化カリウム3.42部を添加し、23°Cで10時間撹拌した。反応物に、酢酸エチル250部及びイオン交換水100部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮し、酢酸エチル100部を添加攪拌し、濃縮した。得られた濃縮物に、n-ヘプタン500部を添加し、これを攪拌した。2層に分離したので上澄み液を除去して下層を取り出し、これを濃縮することにより、式I1で表される化合物16.59部を得た。MASS:1552.7実施例2式I2で表される化合物の合成式I1-dで表される化合物10.00部、式I1-aで表される化合物11.23部及びジメチルホルムアミド100.00部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム8.54部及びヨウ化カリウム2.56部を添加し、23°Cで10時間撹拌した。反応物に、酢酸エチル250部及びイオン交換水100部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート50部を添加攪拌した。これを濃縮することにより、式I2で表される化合物16.91部を得た。MASS:1346.5実施例3式I3で表される化合物の合成式I3-aで表される化合物23.19部及びテトラヒドロフラン200.00部を反応器に仕込み、室温で攪拌し、式I3-aで表される化合物を十分溶解させた。その後、ピリジン14.27部を添加し、40°Cに昇温した。さらに、クロロアセチルクロリド25.47部及びテトラヒドロフラン50部の混合溶液を1時間かけて滴下した。滴下後、40°Cで8時間攪拌した後、5°Cに温度を下げた。5°Cに冷却したイオン交換水100.00部を添加、攪拌し、分液により水層を回収した。回収された水層に酢酸エチル65.00部を添加し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、5°Cの10炭酸カリウム水溶液65.00部を添加して洗浄し、分液して有機層を回収した。回収された有機層にさらに、イオン交換水65.00部を添加して水洗し、分液を行って有機層を回収した。この水洗操作を3回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取固定床:シリカゲル60-200メッシュメルク社製,展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=2/1重量比することにより、式I3-bで表される化合物14.69部を得た。式I1-dで表される化合物5.00部、式I1-aで表される化合物5.61部及びジメチルホルムアミド50.00部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム5.69部及びヨウ化カリウム1.71部を添加し、23°Cで3時間撹拌した。得られた反応物に、式I3-bで表される化合物1.58部を添加し、23°Cで7時間撹拌した。酢酸エチル150部及びイオン交換水50部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮することにより、式I3で表される化合物10.17部を得た。MASS:1540.6実施例4式I4で表される化合物の合成式I1-dで表される化合物5.00部、式I1-aで表される化合物3.74部及びジメチルホルムアミド50.00部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム5.69部及びヨウ化カリウム1.17部を添加し、23°Cで3時間撹拌した。得られた反応物に、式I3-bで表される化合物3.17部を添加し、23°Cで7時間撹拌した。酢酸エチル150部及びイオン交換水50部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮することにより、式I4で表される化合物9.95部を得た。MASS:1528.5実施例5式I5で表される化合物の合成式I1-bで表される化合物20.00部、式I5-cで表される化合物116.44部及びアセトニトリル200.00部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、N,N-ジメチル-4-アミノピリジン3.59部及びトリエチルアミン74.32部を添加し、23°Cで30分間攪拌した。その後、60°C程度まで昇温し、同温度で10時間撹拌した。得られた反応物を23°Cまで冷却し、35塩酸80.34部を添加し、23°Cで30分間撹拌した後、濃縮した。得られた濃縮物に、クロロホルム300部、アセトニトリル40部及びイオン交換水50部を添加攪拌した。分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を5回行った。回収された有機層を濃縮し、アセトニトリル100部を添加攪拌し、析出物をろ過することにより、式I1-dで表される化合物89.60部を得た。式I5-dで表される化合物10.00部、式I1-aで表される化合物11.75部及びジメチルホルムアミド100.00部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム8.93部及びヨウ化カリウム2.68部を添加し、23°Cで10時間撹拌した。反応物に、酢酸エチル250部及びイオン交換水100部を添加攪拌した。分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮し、酢酸エチル100部を添加攪拌し、濃縮した。得られた濃縮物に、n-ヘプタン500部を添加し、これを攪拌した。2層に分離したので上澄み液を除去して下層を取り出し、これを濃縮することにより、式I5で表される化合物18.06部を得た。MASS:1752.7実施例6式I6で表される化合物の合成式I5-dで表される化合物5.00部、式I1-aで表される化合物2.61部及びジメチルホルムアミド50.00部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム4.46部及びヨウ化カリウム1.34部を添加し、23°Cで3時間撹拌した。得られた反応物に、式I6-aで表される化合物2.76部を添加し、23°Cで7時間撹拌した。酢酸エチル150部及びイオン交換水50部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮することにより、式I6で表される化合物9.01部を得た。MASS:2140.8実施例7式I7で表される化合物の合成式I5-dで表される化合物5.00部、式I1-aで表される化合物3.92部及びジメチルホルムアミド50.00部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム4.46部及びヨウ化カリウム1.34部を添加し、23°Cで3時間撹拌した。得られた反応物に、式I7-aで表される化合物1.32部を仕込み、23°Cで7時間撹拌した。酢酸エチル150部及びイオン交換水50部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮することにより、式I7で表される化合物8.45部を得た。MASS:1754.7実施例8式I8で表される化合物の合成式I5-dで表される化合物5.00部、式I1-aで表される化合物1.31部、式I7-aで表される化合物1.32部及びジメチルホルムアミド50.00部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム4.46部及びヨウ化カリウム1.34部を添加し、23°Cで3時間撹拌した。得られた反応物に、式I8-aで表される化合物4.70部を添加し、23°Cで7時間撹拌した。酢酸エチル150部及びイオン交換水50部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮することにより、式I8で表される化合物10.26部を得た。MASS:2142.8実施例9式I9で表される化合物の合成式I5-dで表される化合物5.00部、式I1-aで表される化合物1.31部、式I7-aで表される化合物1.32部及びジメチルホルムアミド50.00部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム4.46部及びヨウ化カリウム1.34部を添加し、23°Cで3時間撹拌した。得られた反応物に、式I8-aで表される化合物2.35部及び式I9-aで表される化合物2.07部を添加し、23°Cで7時間撹拌した。酢酸エチル150部及びイオン交換水50部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮することにより、式I9で表される化合物10.34部を得た。MASS:2090.8実施例10式I10で表される化合物の合成式I5-dで表される化合物5.00部、式I1-aで表される化合物2.61部及びジメチルホルムアミド50.00部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム4.46部及びヨウ化カリウム1.34部を添加し、23°Cで3時間撹拌した。得られた反応物に、式I9-aで表される化合物4.14部を添加し、23°Cで7時間撹拌した。酢酸エチル150部及びイオン交換水50部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮することにより、式I10で表される化合物9.98部を得た。MASS:2036.8実施例11式I11で表される化合物の合成式I5-dで表される化合物3.00部、式I9-aで表される化合物4.97部及びジメチルホルムアミド37.50部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム2.68部及びヨウ化カリウム0.80部を添加し、23°Cで12時間撹拌した。酢酸エチル150部及びイオン交換水50部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮することにより、式I11で表される化合物6.82部を得た。MASS:2320.8実施例12式I12で表される化合物の合成式I5-dで表される化合物3.00部、式I9-aで表される化合物3.37部及びジメチルホルムアミド37.50部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム2.68部及びヨウ化カリウム0.80部を添加し、23°Cで2時間撹拌した。得られた反応物に、式I7-aで表される化合物0.79部を添加し、23°Cで3時間撹拌した。酢酸エチル150部及びイオン交換水50部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮することにより、式I12で表される化合物6.41部を得た。MASS:2180.8実施例13式I13で表される化合物の合成式I5-dで表される化合物4.00部、式I8-aで表される化合物7.53部及びジメチルホルムアミド50.00部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム3.57部及びヨウ化カリウム1.07部を添加し、23°Cで12時間撹拌した。酢酸エチル150部及びイオン交換水50部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮することにより、式I13で表される化合物10.09部を得た。MASS:2528.9実施例14式I14で表される化合物の合成式I5-dで表される化合物3.00部、式I8-aで表される化合物4.23部及びジメチルホルムアミド37.50部を反応器に仕込み、23°Cで30分間撹拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム2.68部及びヨウ化カリウム0.80部を添加し、23°Cで4時間撹拌した。得られた反応物に、式I7-aで表される化合物0.79部を添加し、23°Cで8時間撹拌した。酢酸エチル150部及びイオン交換水50部を添加攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水を添加し、攪拌分液するという水洗操作を4回行った。回収された有機層を濃縮することにより、式I14で表される化合物6.67部を得た。MASS:2336.9合成例1[樹脂A1の合成]メタクリル酸2-エチル-2-アダマンチル39.7g0.16モルとp-アセトキシスチレン103.8g0.64モルとをイソプロパノール265gに溶解して、溶液とした。この溶液を窒素雰囲気下で75°Cまで昇温した。溶液に、ラジカル開始剤としてジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート11.05g0.048モルをイソプロパノール22.11gに溶解した液を滴下した。得られた反応液を12時間加熱還流した。冷却後、反応液を大量のメタノールに注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたメタクリル酸2-エチル-2-アダマンチルとp-アセトキシスチレンとの共重合体は250gメタノール含有であった。得られた共重合体250gと4-ジメチルアミノピリジン10.3g0.084モルとをメタノール202gに加えて20時間加熱還流した。冷却後、反応液を氷酢酸7.6g0.126モルで中和して、大量の水に注いで重合体を析出させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解した後、このアセトン溶液を大量の水に注いで沈殿させる操作を3回繰り返して精製した。得られたメタクリル酸2-エチル-2-アダマンチルとp-ヒドロキシスチレンとの共重合体は95.9gであった。重量平均分子量は約8.6×103GPCポリスチレン換算であり、共重合比は、メタクリル酸2-エチル-2-アダマンチル由来の構造単位:p-ヒドロキシスチレン由来の構造単位で表して、約20:80C13NMR測定であった。この樹脂を樹脂A1とする。合成例2[樹脂A2の合成]メタクリル酸2-エチル-2-アダマンチル及びp-アセトキシスチレンの使用量をそれぞれ、59.6g0.24モル及び90.8g0.56モルに変更したこと以外は、樹脂B1の合成と同様の操作を行って、メタクリル酸2-エチル-2-アダマンチルとp-ヒドロキシスチレンとの共重合体102.8gを得た。重量平均分子量は約8.2×103GPCポリスチレン換算であり、共重合比共重合比の定義は、合成例1と同じは約30:70C13NMR測定であった。この樹脂を樹脂A2とする。実施例及び比較例<レジスト組成物の調製>実施例で得られた化合物I1~I10、合成例1で得られた樹脂A1~A2、以下に示す酸発生剤B1~B3、以下に示す塩基性化合物C1~C2の各々を表1に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<化合物>X1:X2:X3:<酸発生剤>B1:B2:4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネートB3:トリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネート<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリンC2:テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート400.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル100.0部γ-ブチロラクトン5.0部<レジストパターンの製造及びその評価>シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理し、表1のレジスト組成物を、その乾燥後の膜厚が0.06μmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表1記載の温度で60秒間プリベークPBした。このようにしてレジスト膜を形成したそれぞれのシリコンウェハに、電子線描画機HL-800D;株日立製作所製;加速電圧50keVを用い、露光量を段階的に変化させて、ラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表1に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行った。さらに、2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。解像度評価:レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、0.5μmを解像しているものを○とし、0.5μmを解像していないものを×とした。これらの結果を表2に示す。括弧内の数値は解像度μmを示す。"