"aヨードニウム塩およびスルホニウム塩からなる群から選択される、1つまたは複数のオニウム塩、およびb有機媒体、を含み、前記1つまたは複数のオニウム塩が、前記有機媒体に分散しているか溶解している、エッチング組成物。前記ヨードニウム塩が、ジアリールヨードニウム塩である、請求項1に記載のエッチング組成物。前記スルホニウム塩が、トリアリールスルホニウム塩である、請求項1に記載のエッチング組成物。前記有機媒体が、カーボンブラック粉末を含有する、請求項1に記載のエッチング組成物。aシリコン基板であって、その前面に拡散層、および前記拡散層の表面に重ねられた反射防止コーティングを有するシリコン基板を提供するステップと、biヨードニウム塩およびスルホニウム塩からなる群から選択される、1つまたは複数のオニウム塩、およびii有機媒体、を含み、前記1つまたは複数のオニウム塩が、前記有機媒体に分散しているか溶解している、エッチング組成物を提供するステップと、c前記反射防止コーティングの、エッチングされる予定の部分の上に前記エッチング組成物を堆積するステップと、d前記エッチング組成物を硬化し、それによって前面電極のための接点として機能する前記拡散層の露出表面を提供するために、前記反射防止コーティングの部分を除去するステップとを含む、光電池を作製する方法。前記ヨードニウム塩が、ジアリールヨードニウム塩であり、前記スルホニウム塩が、トリアリールスルホニウム塩である、請求項5に記載の方法。前記エッチング組成物が、光開始剤をさらに含み、それによって前記エッチング組成物が、紫外線硬化性となり、前記硬化が、前記エッチング組成物を紫外線に露出することにより遂行される、請求項6に記載の方法。前記硬化が、前記エッチング組成物を300°C~900°Cの温度にさらすことにより遂行される、請求項6に記載の方法。e前記拡散層の前記露出表面上に前面電極形成ペーストを堆積するステップと、f前記前面電極を形成するために前記前面電極形成ペーストを焼成するステップとをさらに含む、請求項5に記載の方法。前記ヨードニウム塩がジアリールヨードニウム塩であり、前記スルホニウム塩がトリアリールスルホニウム塩である、請求項9に記載の方法。前記エッチング組成物が、光開始剤をさらに含み、それによって前記エッチング組成物が、紫外線硬化性となり、前記硬化が、前記エッチング組成物を紫外線に露出することにより遂行される、請求項10に記載の方法。前記硬化が、前記エッチング組成物を300°C~900°Cの温度にさらすことにより遂行される、請求項10に記載の方法。請求項5に記載の方法によって作製される光電池。請求項6に記載の方法によって作製される光電池。請求項7に記載の方法によって作製される光電池。請求項8に記載の方法によって作製される光電池。請求項9に記載の方法によって作製される光電池。請求項10に記載の方法によって作製される光電池。請求項11に記載の方法によって作製される光電池。請求項12に記載の方法によって作製される光電池。エッチングは、費用がかかるレーザーの使用によって、および、MerckKGaADarmstadt,Germanyから市販のisishape登録商標、Solaretch登録商標製品などのエッチング組成物の使用によって遂行されてきた。反射防止コーティングの選択された部分を除去することができる非腐食性エッチング組成物、および、特に熱硬化性と紫外線硬化性の両方を備えるような組成物が必要である。本発明は、aヨードニウム塩およびスルホニウム塩からなる群から選択される、1つまたは複数のオニウム塩、およびb有機媒体、を含み、1つまたは複数のオニウム塩が有機媒体に分散しているか溶解しているエッチング組成物を提供する。一エンドイメントemdoimentにおいて、ヨードニウム塩は、ジアリールヨードニウム塩である。別の実施形態において、スルホニウム塩はトリアリールスルホニウム塩である。エッチング組成物は、光電池焼成条件へさらすこと、または紫外線へ露出することによって硬化することができる。エッチング組成物は、光電池の反射防止コーティングをエッチングし、それによって、前面電極ペーストおよび焼成後には前面電極に対して、反射防止コーティングに隣接するシリコン電池表面への直接の物理的な接触を提供するために使用することができる。これは、前面電極の、シリコン電池に対する良好な電気的接触を提供する。さらに、aシリコン基板であって、その前面に拡散層、およびその拡散層の表面に重ねられた反射防止コーティングを有するシリコン基板を提供するステップ、biヨードニウム塩およびスルホニウム塩からなる群から選択される、1つまたは複数のオニウム塩、およびii有機媒体、を含み、1つまたは複数のオニウム塩が有機媒体に分散しているか溶解している、エッチング組成物を提供するステップ、c反射防止コーティングの、エッチングされる予定の部分の上に前記エッチング組成物を堆積するステップ、およびdエッチング組成物を硬化し、それによって、前面電極のための接点として機能する拡散層の露出表面を提供するために、反射防止コーティングの部分を除去するステップ、を含む、光電池を作製する方法が提供される。また、e拡散層の露出表面上に前面電極形成ペーストを堆積するステップ、および、f前面電極を形成するために、前面電極形成ペーストを焼成するステップ、をさらに含む、上述の方法が提供される。さらに、上記のプロセスによって作製された光電池が提供される。本発明は、有機媒体に分散したか溶解した、1つまたは複数のオニウム塩で構成されたエッチング組成物を提供する。1つまたは複数のオニウム塩は、ヨードニウム塩およびスルホニウム塩からなる群から選択される。組成物は、オニウム塩のエッチング特性を活性化し、エッチングされる予定の材料、例えば光電池の反射防止コーティングの所望の部分をエッチングするために硬化される。エッチングは、光起電力焼成条件の下での熱処理、または紫外線へ露出することによって生じる得る。紫外線硬化は、薄膜光電池に関して特に有利である。オニウム塩オニウム塩は、ヨードニウム塩およびスルホニウム塩からなる群から選択される。組成物のいくつかの実施形態において、ヨードニウム塩は、構造Iを有するジアリールヨードニウム塩である。また、スルホニウム塩は、構造IIを有するトリアリールスルホニウム塩である。ここで、両方の構造において、例えば、XはSbF6、PF6、BPh4、CF3SO3またはCF3SO23Cであり、R1、R2およびR3は、独立に、H、アルキル基またはアリール基である。有用なヨードニウム塩およびスルホニウム塩の具体的な例として、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモン酸塩、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフラート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムカンホスルホネート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトシラート、[4-オクチロキシフェニル]フェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート、[4-オクチロキシフェニル]フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモン酸塩、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモン酸塩、トリフェニルヘキサフルオロホスファート、UVACURE登録商標1600フェニル-p-オクチロキシフェニル-ヨードニウムヘキサフルオロアンチモン酸塩で、CytecIndustriesSmyrna,GAから入手される、Ciba登録商標、Irgacure登録商標250ヨードニウム,4-メチルフェニル[4-2メチルプロピルフェニル]ヘキサフルオロホスファートの、プロピレンカーボネート中の75の溶液で、CibaSpecialtyChemicalsBASFから入手される、およびトリフェニルスルホンイウムペルフルオロ-1-ブタンスルフォナートTPS-nfが挙げられるが、これらに限定はされない。オニウム塩は、標準的な保存温度で安定である。数ppmの安定剤により、オニウム塩の早期デコンポジオンdecomposionを防止することができる。ヨードニウム塩およびスルホニウム塩は腐食性ではなく、また、多数が米国においてTSCAToxicSubstanceControlAct、有害物質規制法の登録がされている。有機媒体1つまたは複数のオニウム塩は、印刷に適したコンシステンシー粘稠度およびレオロジー流動性を有するペーストと呼ばれる粘性の組成物を形成するために、機械的な混合によって有機媒体中に分散されるか溶解される。有機媒体は、様々な不活性の粘性物質を含んでもよい。一実施形態において、有機媒体は、粘性を調節し、それによってペーストの広がりを抑えるために、カーボンブラック粉末を含む。結果として得られる配線にはより良好な鮮明度がある。有機媒体は、オニウム塩が、適切な安定度を有して分散可能または溶解可能であるものである。媒体のレオロジー特性は、組成物に良好な適用特性を与え得るもので、エッチング組成物を堆積する特定の方法、例えばスクリーン印刷に対して適切な粘度およびチキソトロピー、エッチングされる予定の材料の適切なぬれた能力、ならびに良好な乾燥速度を含む。一実施形態において、本発明のエッチング組成物において用いられる有機媒体は、非水性の不活性液である。様々な有機媒体の使用が考えられ、シックナー、安定剤および/または他の一般的な添加剤を含んでもよく、含まなくてもよい。有機媒体は、溶媒中のポリマーの溶液であり得る。一実施形態において、ポリマーは、低級アルコールのポリメタクリレートである。別の実施形態において、ポリマーは、エチルセルロースである。さらに、有機ビヒクルは、基板上に適用の後の急速な硬化を促進するために揮発性の液体を含んでもよい。添加剤上記の主要な成分に加えて、本発明のエッチング組成物は、エラストマーのポリマー、組成物を熱的にまたは紫外線により硬化性にするフリーラジカル開始剤、ならびに、均染剤、消泡剤およびシックナーなどの様々な印刷助剤など、その特性に加える、またはその特性を強化する様々な副次的な材料をさらに含んでもよい。これらの材料は当該技術分野において周知である。通常、使用される光開始剤の量は、エッチング組成物の全重量に対して0.1~10wtである。通常、使用される印刷助剤の量は、エッチング組成物の全重量に対して0.1~2.0wtである。半導体デバイスを作製する方法良好な光電池性能を達成するために、前面電極は、シリコン電池に対して良好な電気的接触をしなければならない。本発明は、この良好な電気的接触を可能にする方法を提供する。本発明は、光電池を作製する方法を提供し、シリコン基板であって、その前面に拡散層、および拡散層に重ねられた反射防止コーティングを有するシリコン基板を提供するステップと、反射防止コーティングの、エッチングされる予定の部分の上に本発明のエッチング組成物を堆積するステップと、およびエッチング組成物を硬化し、それによって、前面電極のための接点として機能する拡散層の露出表面を提供するために、反射防止コーティングのそれらの部分を除去するステップと、を含む。また、拡散層の露出表面上に、前面電極形成ペースト、例えば銀ペーストを堆積するステップと、前面電極を形成するために、前面電極形成ペーストを焼成するステップと、をさらに含む、上述の方法が提供される。本発明は、上記の光電池を作製する方法の実施形態のいずれかにより作製された光電池も提供する。光電池を作製する方法の一例を、図1を併用して以下に説明する。図1Aは、p型シリコン基板10を示す。図1Bにおいては、n型拡散層20p型シリコン基板の反対型が、リンPまたは同種のものの熱拡散によって形成される。オキシ塩化リンPOCl3が、リン拡散源として一般に使用される。特別な変更を何もしない場合は、拡散層20は、シリコン基板10の表面全体に形成される。この拡散層は、おおよそ数十オーム/スクエアΩ/μのシート抵抗率、および約0.3~0.5μmの厚さを有する。レジストなどによりこの拡散層の1つの面を保護した後、図1Cに示すように拡散層20は、それが1つの主面、この場合は光電池の前面にのみ残るように、エッチングによってほとんどの表面から除去される。次いで、レジストは有機溶媒などを使用して除去される。次に、窒化ケイ素膜30が、反射防止コーティングARCとして、n型拡散層20上に、約70nm~90nmの厚さに、図1Dにおいて示す方法でプラズマ化学的気相成長法CVDなどのプロセスによって形成される。図1Eに示すように、光開始剤500を含む本発明のエッチング組成物は、窒化ケイ素膜30の、エッチングされる予定である部分上にスクリーン印刷される。次いで、エッチング組成物は乾燥される。次いで、エッチング組成物は、紫外線にそれを露出することによって硬化され、それによって窒化ケイ素膜600のそれらの部分を除去し、図1Fに示すようにn型拡散層表面を露出する。別の選択肢として、エッチング組成物が熱的に硬化される場合、それは、300°C~900°Cの温度にさらされる。図1Gに示すように、前面電極形成ペースト700は、露出したn型拡散層表面上にスクリーン印刷され、次いで、乾燥される。さらに、アルミニウムペースト60、および背面の銀または、銀/アルミニウムのペースト70が、基板の背面上に、次いでスクリーン印刷され、引き続いて乾燥される。次いで、焼成が、約700°C~975°Cの温度領域で数分~数十分の間、赤外炉において通常実行される。その結果として図1Hに示すように、アルミニウムは、焼成中にドーパントとしてアルミニウムペーストからシリコン基板10へ拡散し、高濃度のアルミニウムドーパントを含有するp層40を形成する。この層は、裏面電界BSF層と一般に呼ばれ、太陽電池のエネルギー変換効率を改善するのに役立つ。アルミニウムペーストは、焼成により乾燥状態60からアルミニウム背面電極61へ転換される。背面の銀または銀/アルミニウムのペースト70は、同時に焼成され、銀または銀/アルミニウムの背面電極71になる。焼成中に、背面アルミニウム電極と、背面の銀または、銀/アルミニウムの電極との間の境界は、合金状態を呈し、かつ電気的にも接続される。アルミニウム電極は、背面電極のほとんどの面積を占めるが、ひとつにはp層40を形成する必要があるためである。アルミニウム電極へのはんだ付けは不可能であるので、銀の背面電極が、銅リボンなどによって太陽電池を相互に連結させるための電極として、背面の一部分上に形成される。さらに、焼成中に、前面電極形成ペースト700は、同じく図1Hに示すように前面電極701に転換される。それによって、前面電極は、n型拡散層20に対して電気的接触をすることができる。太陽電池の変換効率およびモウイスチャーmouisture耐性の信頼性は、前面電極のn型拡散層に対する電気的接触に左右される。当該のエッチング組成物におけるオニウム塩の使用により得られた、太陽電池性能における改善は、達成された良好な電気的接触の結果であると考えられる。本明細書で記述される方法およびデバイスに有用な半導体基板の具体例として、単結晶シリコン、多結晶シリコンおよびリボンシリコンが挙げられるが、これらに限定はされない。p/n接合を形成するために、半導体基板はリンおよびホウ素でドープされてもよい。半導体基板は、寸法長さ×幅および厚さにおいて変化することができる。一例として、半導体基板の厚さは、50~500μm、100~300μm、または140~200μmである。半導体基板の長さおよび幅は、各々、100~250mm、125~200mm、または125~156mmである。通常、先に論じたように、反射防止コーティングが、太陽電池の前面上に形成される。本明細書で記述される方法およびデバイスに有用なリフェクション防止anti-refectionコーティングの具体例として、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化チタン、SiNx:H、水素添加アモルファス窒化ケイ素、および酸化ケイ素/酸化チタン膜が挙げられるが、これらに限定はされない。コーティングは、プラズマ強化化学的気相成長法PECVD、化学的気相成長法CVD、熱CVDまたは他の公知技術によって形成することができる。コーティングが窒化ケイ素である一実施形態において、窒化ケイ素膜は、減圧CVD、PECVD、熱CVDまたは物理的気相成長法PVDによって形成することができる。絶縁膜が酸化ケイ素である一実施形態において、酸化ケイ素膜は、熱酸化、熱CVD、プラズマCVDまたはPVDによって形成することができる。エッチング組成物は、スクリーン印刷、インクジェット印刷、共押し出し法、シリンジディスペンス、直接描画およびエアロゾルインクジェット印刷などの様々な方法によってARCに適用することができる。前面電極形成ペーストは、スクリーン印刷、インクジェット印刷、共押し出し法、シリンジディスペンス、直接描画およびエアロゾルインクジェット印刷などの様々な方法によって露出したn型拡散層表面に適用することができる。一実施形態において、ペースト組成物は、前面電極の伝導性フィンガーおよびバスバーの両方を形成するために使用される。そのような実施形態において、伝導性フィンガーの配線の幅は、20~200μmである。露出したn型拡散層表面上にコーティングされた前面電極形成ペーストは、有機媒体の揮発分が除去される時間、例えば、0.5分~10分の間乾燥することができる。乾燥された前面電極形成ペーストは、1秒から2分の間、500°C~940°Cの間の、ある最高温度へ加熱することによって焼成される。一実施形態において、このシリコンウェハの最高温度は、焼成中に1~10秒の間、650°C~800°Cの範囲に到達した。別の実施形態において、前面電極形成ペーストから形成された電極は、酸素および窒素の混合ガスで構成される雰囲気中で焼成される。別の実施形態において、前面電極形成ペーストから形成された電極は、酸素を含まない不活性雰囲気において、有機媒体除去温度を超える温度で、焼成される。通常、焼成はベルト炉において実行される。その温度領域にある期間中に、残存する有機媒体が除去される温度範囲は、500°C~700°Cの間であり、次いで、温度は860°C~940°Cの間に上げられる。焼成された電極は、焼成および焼結のプロセスから結果として得られる成分および組成物を含み得る。例えば、ZnOがペースト組成物内の成分である実施形態において、焼成された電極は、ケイ酸亜鉛鉱Zn2SiO4、およびZn17SiO4xここでxは0~1などのケイ酸亜鉛を含み得る。先に述べたとおり、他の伝導性でかつデバイスを増進する材料が、半導体デバイスの背面に適用され、前面電極形成ペーストと共に同時焼成される。これらの材料は、電気的接点、安定化層およびはんだ付け可能タブ領域として機能する。別の選択肢として、これらの材料は、前面電極形成ペーストの焼成の前に、または、そのすぐ後に適用し、焼成することができる。一実施形態において、背面伝導性材料は、アルミニウム、またはアルミニウムおよび銀を含む。以下の実施例において、使用した光起電力ウェハは、156mm×156mm65Ω/□の多結晶シリコンウェハQ-CellsSEBitterfeld-Wolfen,Germanyから入手した、またはこれらのウェハの一部分であった。これらのウェハは、前面に窒化ケイ素反射防止コーティングを備えていた。実施例1この実施例は、反射防止コーティングのエッチングにおけるオニウム塩の有効性を実証する。Irgacure登録商標250溶液CibaSpecialtyChemicalsBASFから入手した、ヨードニウム,4-メチルフェニル[4-2メチルプロピルフェニル]ヘキサフルオロホスファートのプロピレンカーボネート中の75の溶液を、滴下ピペットで使用し、2.5cm×2.5cmの寸法の光起電力ウェハ上に文字Pを描いた。ウェハを、80°Cで10分間乾燥した。文字Pは、下層にある窒化ケイ素反射防止コーティングの青い色を有していた。次いで、ウェハを、500-550-610-700-880-900°Cのゾーン温度、および220インチ/分のベルト速度を有する、Despatch6ゾーンベルト炉において焼成した。文字Pの青い色は、シリコンのグレー色に変化し、それによって、反射防止コーティングがエッチング除去され、シリコンが露出されたことを示した。実施例2この実施例は、反射防止コーティングのエッチングにおけるオニウム塩の有効性を実証する。8グラムのUVACURE登録商標1600CytecIndustriesSmyrna,GAから入手した、フェニル-p-オクチロキシフェニル-ヨードニウムヘキサフルオロアンチモン酸塩を、VWRBridgeport,NJから入手した、2グラムのイソプロピルアルコール、および、EastmanChemicalCompanyKingsport,TNから入手した、0.2グラムのPMMA/PMAAポリメタクリル酸メチル/ポリメタクリル酸共重合体の、Texanol登録商標エステルアルコール中の溶液と混合した。この高分子溶液は、重量平均分子量が6700であるPMMAを42.5wt、およびPMAAを20wt含んでいた。その混合物を、5分間、手撹拌した。滴下ピペットでその混合物を使用し、2.5cm×2.5cm寸法の光起電力ウェハ上に文字Vを描いた。ウェハを80°Cで10分間乾燥した。文字Vは、下層にある窒化ケイ素反射防止コーティングの青い色を有していた。次いで、ウェハを、500-550-610-700-880-900°Cのゾーン温度、および220インチ/分のベルト速度を有する、Despatch6ゾーンベルト炉において焼成した。文字Vの青い色は、シリコンのグレー色に変化し、それによって、反射防止コーティングがエッチング除去され、シリコンが露出されたことを示した。実施例3この実施例は、反射防止コーティングのエッチングにおけるオニウム塩の有効性を実証する。0.25グラムのUVACURE登録商標1600CytecIndustriesSmyrna,GAから入手した、フェニル-p-オクチロキシフェニル-ヨードニウムヘキサフルオロアンチモン酸塩を、VWRBridgeport,NJから入手した、20グラムのイソプロピルアルコールと混合した。その混合物を、2分間、手撹拌した。滴下ピペットでその混合物を使用し、2.5cm×2.5cm寸法の光起電力ウェハ上に文字Xを描いた。ウェハを80°Cで10分間乾燥した。文字Xは、下層にある窒化ケイ素反射防止コーティングの青い色を有していた。次いで、ウェハを、箱オーブンにおいて350°Cで1時間焼成した。文字Xの青い色は、シリコンのグレー色に変化し、それによって、反射防止コーティングがエッチング除去され、シリコンが露出されたことを示した。実施例4この実施例は、反射防止コーティングのエッチングにおけるオニウム塩の有効性を実証する。Irgacure登録商標250溶液CibaSpecialtyChemicalsBASFから入手した、ヨードニウム,4-メチルフェニル[4-2メチルプロピルフェニル]ヘキサフルオロホスファートのプロピレンカーボネート中の75の溶液を156mm×156mmのシリコンウェハ上に、図3に示すパターンでスクリーン印刷した。ウェハを、80°Cで10分間乾燥した。スクリーン印刷されたパターンは、下層にある窒化ケイ素反射防止コーティングの青い色を有していた。次いで、ウェハを、500-550-610-700-880-900°Cのゾーン温度、および220インチ/分のベルト速度を有する、Despatch6ゾーンベルト炉において焼成した。スクリーン印刷されたパターンの青い色は、シリコンのグレー色に変化し、それによって、反射防止コーティングがエッチング除去され、シリコンが露出されたことを示した。サンプルを、化学分析用電子分光法ESCAによって分析した。パターン付きの場所は、窒素をほとんど示さないか、またはまったく示さず、窒化ケイ素ARCが、ほとんど完全に、または完全に除去されたことを示した。実施例5この実施例は、反射防止コーティングのエッチング用のエッチング組成物におけるオニウム塩の有効性、および熱硬化の使用を実証する。20グラムのエチルセルロースN-22、EastmanChemicalCompanyKingsport,TNから入手した、80グラムのTexanol登録商標エステルアルコール、およびElementisSpecialties,Inc.Highstown,NJから入手した、0.5グラムのThixatrol登録商標STを混合し、その混合物を、機械的な撹拌機によって100°Cで1.5時間撹拌した。その結果は、透明な粘性の溶液だった。その溶液を60°Cまで冷却し、10グラムのUVACURE登録商標1600CytecIndustriesSmyrna,GAから入手した、フェニル-p-オクチロキシフェニル-ヨードニウムヘキサフルオロアンチモン酸塩を追加し、20分間撹拌した。上記の溶液を、156mm×156mmのシリコンウェハ上に図3に示すパターンでスクリーン印刷した。ウェハを、80°Cで10分間乾燥した。スクリーン印刷されたパターンは、下層にある窒化ケイ素反射防止コーティングの青い色を有していた。次いで、ウェハを、500-550-610-700-880-900°Cのゾーン温度、および220インチ/分のベルト速度を有する、Despatch6ゾーンベルト炉において焼成した。スクリーン印刷されたパターンの青い色は、シリコンのグレー色に変化し、それによって、反射防止コーティングがエッチング除去され、シリコンが露出されたことを示した。実施例6この実施例は、反射防止コーティングのエッチングにおけるオニウム塩の有効性、および紫外線硬化の使用を実証する。10グラムのIrgacure登録商標250溶液CibaSpecialtyChemicalsBASFから入手した、ヨードニウム,4-メチルフェニル[4-2メチルプロピルフェニル]ヘキサフルオロホスファートのプロピレンカーボネート中の75の溶液に、0.5グラムの光開始剤ベンゾフェノンを追加した。その混合物を、室温で10分間、磁気撹拌機棒によって撹拌した。その混合物を、図3に示すパターンで、156mm×156mmのシリコンウェハ上にスクリーン印刷した。ウェハは150°Cで10分間乾燥した。スクリーン印刷されたパターンは、下層にある窒化ケイ素反射防止コーティングの青い色を有していた。次いで、ウェハを、600mJ/cm2の照射線量の紫外線に露出した。露出の後、ウェハを、150°Cで10分間焼成した。電池を冷水中に1時間置いた。次いで、印刷された混合物を、ウェハから剥離すると、印刷されたパターンは、シリコンのグレー色で残り、それによって、反射防止コーティングがエッチング除去され、シリコンが露出されたことを示した。実施例7この実施例は、反射防止コーティングのエッチング用のエッチング組成物におけるオニウム塩の有効性、熱硬化の使用、およびエッチング組成物にカーボンブラック粉末を含有する利点を実証する。CabotBoston,MAから入手した2グラムのカーボンブラック粉末、3グラムのIrgacure登録商標250溶液CibaSpecialtyChemicalsBASFから入手した、ヨードニウム,4-メチルフェニル[4-2メチルプロピルフェニル]ヘキサフルオロホスファートのプロピレンカーボネート中の75の溶液、および5グラムのEastmanChemicalCompanyKingsport,TNから入手したTexanol登録商標エステルアルコールを、混合した。結果として得たペーストを使用し、ウェハ上に3本の線を引き、これらを80°Cで10分間乾燥し、次いで、500-550-610-700-850-880°Cのゾーン温度、および220インチ/分のベルト速度を有する、Despatch6ゾーンベルト炉において焼成した。この3つは黒色からシリコンのグレー色へ変化し、それによって、反射防止コーティングがエッチング除去され、シリコンが露出されたことを示した。結果として得られる配線は、エッチング組成物内のカーボンブラック粉末の使用の結果として、より良好なエッジ鮮明度を有している。"