a分散媒及び前記分散媒中に分散しているシリコン粒子を含有するシリコン粒子分散体を、基材上に塗布して、シリコン粒子分散体膜を形成する工程、b前記シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及びc前記未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、前記未焼結半導体シリコン膜中の前記シリコン粒子を焼結させ、それによって半導体シリコン膜を形成する工程、を含む、基材及び前記基材上に積層されている半導体シリコン膜を有する半導体積層体の製造方法。前記基材が、ポリマー材料を有する、請求項1に記載の方法。前記ポリマー材料のガラス転移温度が、300°C以下である、請求項1又は2に記載の方法。前記シリコン粒子の平均一次粒子径が100nm以下である、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。a’第2の分散媒及び前記第2の分散媒中に分散している第2のシリコン粒子を含有する第2のシリコン粒子分散体を、工程cにおいて得られた前記半導体シリコン膜に塗布して、第2のシリコン粒子分散体膜を形成する工程、b’前記第2のシリコン粒子分散体膜を乾燥して、第2の未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及びc’前記第2の未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、前記第2の未焼結半導体シリコン膜中の前記第2のシリコン粒子を焼結させ、それによって半導体シリコン膜を形成する工程、を更に含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。a第3の分散媒及び前記第3の分散媒中に分散している第3のシリコン粒子を含有する第3のシリコン粒子分散体を、工程c又はc’において得られた前記半導体シリコン膜の選択された領域に塗布して、第3のシリコン粒子分散体膜を形成する工程であって、前記第3のシリコン粒子が、p型又はn型ドーパントによってドープされている工程、b前記第3のシリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結ドーパント注入膜を形成する工程、及びc前記未焼結ドーパント注入膜に光を照射することによって、前記未焼結ドーパント注入膜中の前記第3のシリコン粒子を焼結させてドーパント注入膜を形成し、かつ前記半導体シリコン膜の選択された領域を、前記p型又はn型ドーパントによってドープする工程、を更に含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記ドーパントが、B、Al、Ga、In、Ti、P、As、Sb、又はそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。前記粒子が、前記ドーパントを1×1020atoms/cm3以上含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。前記ドーパント注入膜上に、電極を形成することを更に含む、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。最終的に得られる前記半導体シリコン膜のキャリア移動度が、0.1cm2/Vs以上である、請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。最終的に得られる前記半導体シリコン膜のオン-オフ比が、102以上である、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。前記シリコン粒子が、レーザー熱分解法によって得られたシリコン粒子である、請求項1~11のいずれか一項に記載の方法。前記未焼結半導体シリコン膜が、50~2000nmの厚さを有する、請求項1~12のいずれか一項に記載の方法。前記光照射をパルス状の光を用いて行い、且つ前記パルス状の光の照射エネルギーが、15mJ/cm2shot~250mJ/cm2shotである、請求項1~13のいずれか一項に記載の方法。前記光照射をパルス状の光を用いて行い、且つ前記パルス状の光の照射回数が、5~100回である、請求項1~14のいずれか一項に記載の方法。前記光照射をパルス状の光を用いて行い、且つ前記パルス状の光の照射時間が、200ナノ秒/shot以下である、請求項1~15のいずれか一項に記載の方法。前記光照射を、レーザーを用いて行なう、請求項1~16のいずれか一項に記載の方法。前記レーザーの波長が600nm以下である、請求項17に記載の方法。前記光照射を非酸化性雰囲気下で行なう、請求項1~18のいずれか一項に記載の方法。請求項1~19のいずれか一項に記載の方法によって半導体積層体を作ることを含む、半導体デバイスの製造方法。請求項1~19のいずれか一項に記載の方法によって得られる、半導体積層体。請求項20に記載の方法によって得られる、半導体デバイス。基材及び前記基材上に積層されている半導体シリコン膜を有する半導体積層体であって、前記基材が、ポリマー材料を有し、前記半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ前記半導体シリコン膜のキャリア移動度が、1.0cm2/Vs以上である、半導体積層体。前記半導体シリコン膜上に、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られているドーパント注入膜を更に有する、請求項23に記載の半導体積層体。基材、前記基材上に積層されている半導体シリコン膜、及び前記半導体シリコン膜上に積層されているドーパント注入膜を有する半導体積層体であって、前記半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ前記ドーパント注入膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られている、半導体積層体。請求項23~25のいずれか一項に記載の半導体積層体を有する、半導体デバイス。本発明の目的は、比較的低温において効率的に半導体シリコン膜を製造する方法を提供することである。より具体的には、本発明の目的は、高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせずに、プラスチック基板等の比較的耐熱性が低い基板上に半導体膜を形成できる、半導体積層体の製造方法を提供することである。また、本発明の目的は、ポリマー材料を有する基材、及びこの基材上に積層されている半導体シリコン膜を有する半導体積層体を提供することである。さらに、本発明の目的は、フォトリソグラフィ工程を用いずに、選択された領域に拡散領域を形成することができる半導体積層体の製造方法を提供することである。本発明の他の目的は、本願の明細書及び特許請求の範囲の記載から明らかになる。基材及びこの基材上に積層されている半導体シリコン膜を有する半導体積層体を製造する本発明の方法は、下記の工程a~cを含む:a分散媒及び上記分散媒中に分散しているシリコン粒子を含有するシリコン粒子分散体を、基材上に塗布して、シリコン粒子分散体膜を形成する工程、b上記シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及びc上記未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、上記未焼結半導体シリコン膜中の上記シリコン粒子を焼結させ、それによって半導体シリコン膜を形成する工程、また、本発明の半導体積層体は、ポリマー材料を有する基材、及びこの基材上に積層されている半導体シリコン膜を有する。ここで、この半導体積層体では、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が1.0cm2/Vs以上である。また、本発明の半導体積層体は、基材、この基材上に積層されている半導体シリコン膜、及びこの半導体シリコン膜上に積層されているドーパント注入膜を有する。ここで、この半導体積層体では、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つドーパント注入膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られている。半導体積層体を製造する本発明の方法によれば、所望の半導体特性を有する半導体積層体を簡便な方法により形成できる。具体的には、この本発明の方法によれば、従来技術のプロセス温度と比較して低温で、良好な半導体特性を有する半導体積層体を製造することができる。また、本発明の半導体積層体は、半導体特性、コスト、可撓性、及び/又は軽量性に関して好ましい半導体デバイスのために利用することができる。《半導体積層体の製造方法》基材及びこの基材上に積層されている半導体シリコン膜を有する半導体積層体を製造する本発明の方法は、下記の工程a~cを含む:a分散媒及び上記分散媒中に分散しているシリコン粒子を含有するシリコン粒子分散体を、基材上に塗布して、シリコン粒子分散体膜を形成する工程、b上記シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及びc上記未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、上記未焼結半導体シリコン膜中の上記シリコン粒子を焼結させ、それによって半導体シリコン膜を形成する工程。《半導体積層体の製造方法-工程a》本発明の方法の工程aでは、分散媒及び上記分散媒中に分散しているシリコン粒子を含有するシリコン粒子分散体を、基材上に塗布して、シリコン粒子分散体膜を形成する。分散媒シリコン粒子分散体の分散媒は、本発明の目的及び効果を損なわない限り制限されるものではなく、したがって例えばシリコン粒子と反応しない有機溶媒を用いることができる。具体的にはこの分散媒は、非水系溶媒、例えばアルコール、アルカン、アルケン、アルキン、ケトン、エーテル、エステル、芳香族化合物、又は含窒素環化合物、特にイソプロピルアルコールIPA、N-メチル-2-ピロリドンNMP等であってよい。また、アルコールとしては、エチレングリコールのようなグリコール2価アルコールを用いることもできる。なお、分散媒は、シリコン粒子の酸化を抑制するために、脱水溶媒であることが好ましい。シリコン粒子シリコン粒子分散体のシリコン粒子は、本発明の目的及び効果を損なわない限り制限されるものではなく、例えば特許文献4で示されるようなシリコン粒子を用いることができる。具体的には、このシリコン粒子としては、レーザー熱分解法、特にCO2レーザーを用いたレーザー熱分解法によって得られたシリコン粒子を挙げることができる。このシリコン粒子は、多結晶又は単結晶のコア、及びアモルファスの外側層からなるシリコン粒子であってよい。この場合には、多結晶又は単結晶のコアによる半導体特性と、アモルファスの外側層による焼結容易性との組合せを利用することができる。また、シリコン粒子は好ましくは、平均一次粒子径が、100nm以下である。したがってシリコン粒子は例えば、1nm以上、又は5nm以上であって、100nm以下、50nm以下、又は30nm以下であってよい。平均一次粒子径が100nm以下であることは、光によるシリコン粒子の焼結を行うために好ましい。なお、シリコン粒子の平均一次粒子径は、走査型電子顕微鏡SEM、透過型電子顕微鏡TEM等による観察によって、撮影した画像を元に直接粒子径を計測し、集合数100以上からなる粒子群を解析することで、数平均平均一次粒子径として求めることができる。本発明の方法で用いられるシリコン粒子分散体は、上記の分散媒及びシリコン粒子以外に、リン、ホウ素等のドーパントや公知の添加剤を含んでいてもよい。基材本発明の方法で用いられる基材は、本発明の目的及び効果を損なわない限り制限されるものではない。しかしながら、本発明の方法では、比較的低温において、基材上で半導体シリコン膜を形成することができるので、耐熱性が比較的低い基材、例えばポリマー材料を有する基材を用いることができる。ポリマー材料を有する基材としては特に、表面に導電性膜を付与されたポリマー材料からなる基材を用いることができる。また、導電性膜は、金属、金属酸化物、特にインジウム亜鉛酸化物IZO、インジウムスズ酸化物ITOのような透明導電性酸化物であってよい。本発明の製造方法は低温プロセスで行うことができるため、基材のためのポリマー材料としては、ガラス転移温度が、300°C以下、250°C以下、200°C以下、100°C以下、又は50°C以下であるポリマー材料を用いることができる。したがって例えばポリマー材料としては、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、及びポリエチレンナフタレートからなる群から選択される少なくとも1種を含むポリマー材料を用いることができる。また、これらのうちで、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナフタレートからなる群から選択される少なくとも1種を含むポリマー材料、特にポリカーボネートを50質量以上含むポリマー材料は、これらのポリマーが汎用性であり、かつ安価である点で好ましい。塗布シリコン粒子分散体の塗布は、シリコン粒子分散体を所望の厚さ及び均一性で塗布できる方法であれば特に限定されず、例えばインクジェット法、スピンコーティング法等によって行うことができる。また、この塗布は、シリコン粒子分散体膜を乾燥したときに得られる未焼結半導体シリコン膜の厚さが、50nm以上、100nm以上、又は200nm以上であって、2000nm以下、1000nm以下、500nm以下、又は300nm以下であるように行うことができる。具体的には、例えば電界効果トランジスタFETを得る場合には、未焼結半導体シリコン膜の厚さが、50nm以上、100nm以上であって、500nm以下、300nm以下であるように塗布を行うことができる。また、太陽電池を得る場合には、未焼結半導体シリコン膜の厚さが、100nm以上、200nm以上であって、2000nm以下、1000nm以下、500nm以下、又は300nm以下であるように塗布を行うことができる。《半導体積層体の製造方法-工程b》本発明の方法の工程bでは、シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する。乾燥この乾燥は、シリコン粒子分散体膜から分散媒を実質的に除去することができる方法であれば特に限定されず、例えばシリコン粒子分散体膜を有する基材を、ホットプレート上に配置して行うことができる。乾燥温度は例えば、基材を変形、劣化等させないように選択することができ、例えば50°C以上、70°C以上、90°C以上であって、100°C以下、150°C以下、200°C以下、又は250°C以下であるように選択できる。《半導体積層体の製造方法-工程c》本発明の方法の工程cでは、未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、未焼結半導体シリコン膜中のシリコン粒子を焼結させ、それによって半導体シリコン膜を形成する。照射される光ここで照射される光としては、未焼結半導体シリコン膜中のシリコン粒子の焼結を達成できれば任意の光を用いることができ、例えばレーザー光、特に波長600nm以下、500nm以下又は400nm以下であって、300nm以上のレーザーを用いて行なうことができる。また、シリコン粒子の焼結は、キセノンフラッシュランプのようなフラッシュランプを用いて行うこともできる。光照射をパルス状の光を用いて行う場合、パルス状の光の照射回数は例えば、1回以上、2回以上、5回以上、又は10回以上であって、100回以下、80回以下、又は50回以下にすることができる。また、パルス状の光の照射エネルギーは例えば、15mJ/cm2shot以上、50mJ/cm2shot以上、100mJ/cm2shot以上、150mJ/cm2shot以上、又は200mJ/cm2shot以上であって、500mJ/cm2shot以下、300mJ/cm2shot以下、又は250mJ/cm2shot以下にすることができる。さらに、パルス状の光の照射時間は、例えば200ナノ秒/shot以下、100ナノ秒/shot以下、50ナノ秒/shot以下にすることができる。ここで、光の照射回数が少なすぎる場合には、所望の焼結を達成するために必要とされる1回のパルス当たりのエネルギーが大きくなり、したがって半導体シリコン膜が破損する恐れがある。また、光の照射回数が少なすぎる場合には、必要とされる処理時間が過度に長くなる恐れがある。また、上記のようにパルス状の光の照射回数、照射エネルギー、及び照射時間を選択することは、特に基材がポリマー材料を有する場合に、熱によるポリマー材料の劣化を抑制しつつ、シリコン粒子の焼結を達成するために好ましいことがある。照射雰囲気シリコン粒子を焼結するための光照射は、非酸化性雰囲気、例えば水素、希ガス、窒素、及びそれらの組合せからなる雰囲気において行うことが、シリコン粒子の酸化を防ぐために好ましい。ここで、希ガスとしては、特にアルゴン、ヘリウム、及びネオンを挙げることができる。なお、雰囲気が水素を含有することは、未焼結半導体シリコン膜のシリコン粒子の酸化を抑制するために好ましい。また、非酸化性雰囲気とするために、雰囲気の酸素含有率は、1体積以下、0.5体積以下、0.1体積以下、又は0.01体積以下とすることができる。《半導体積層体の製造方法-追加の工程第2の半導体シリコン膜》また、半導体積層体を製造する本発明の方法は、下記の工程a’~c’を更に含むことができる:a’第2の分散媒及び上記第2の分散媒中に分散している第2のシリコン粒子を含有する第2のシリコン粒子分散体を、工程cにおいて得られた上記半導体シリコン膜に塗布して、第2のシリコン粒子分散体膜を形成する工程、b’上記第2のシリコン粒子分散体膜を乾燥して、第2の未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及びc’上記第2の未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、上記第2の未焼結半導体シリコン膜中の上記第2のシリコン粒子を焼結させ、それによって半導体シリコン膜を形成する工程。このように工程a’~c’を更に含む本発明の方法では、半導体特性が更に優れた半導体シリコン膜を得ることができる。本発明は原理によって限定されるものではないが、これは、工程a~cによって得られた半導体シリコン膜の空隙を、工程a’及びb’において塗布及び乾燥された第2のシリコン粒子分散体中のシリコン粒子が充填し、そして工程c’においてこのシリコン粒子が焼結して半導体シリコン膜の一部となることによって、緻密な半導体シリコン膜が得られることによると考えられる。なお、工程a’~c’の詳細及びそこで言及されている材料については、工程a~cに関する上記の記載をそれぞれ参照できる。《半導体積層体の製造方法-追加の工程ドーパント注入膜》また、半導体積層体を製造する本発明の方法は、下記の工程a~cを更に含むことができる:a第3の分散媒及び上記第3の分散媒中に分散している第3のシリコン粒子を含有する第3のシリコン粒子分散体を、工程c又はc’において得られた上記半導体シリコン膜の選択された領域に塗布して、第3のシリコン粒子分散体膜を形成する工程であって、上記第3のシリコン粒子が、p型又はn型ドーパントによってドープされている工程、b上記第3のシリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結ドーパント注入膜を形成する工程、及びc上記未焼結ドーパント注入膜に光を照射することによって、上記未焼結ドーパント注入膜中の上記第3のシリコン粒子を焼結させてドーパント注入膜を形成し、かつ上記半導体シリコン膜の選択された領域を、上記p型又はn型ドーパントによってドープする工程。このように工程a~cを更に含む本発明の方法では、フォトリソグラフィ工程を用いずに、選択された領域に拡散領域を形成することができる。具体的には例えば、本発明の方法を用いて得られるセレクティブエミッタ型太陽電池500aでは、図4に示すように、n型半導体層12、12a及びp型半導体層14、14aを有する半導体基板10、半導体基板10の受光面側の受光面側電極22及び保護層24、半導体基板10の裏面側の裏面側電極32及び保護層34を有し、n型半導体層12、12aのうちの電極22に接触する領域12aが、ドーパント注入膜52に由来するn型ドーパントによって、ドーパント濃度を高められている。なお、本発明に関して、半導体基板10は、半導体シリコン膜、特に複数のシリコン粒子が互いに焼結されて形成された半導体シリコン膜であってよい。また、ドーパント注入膜52は、領域12aにドーパント注入した後は除去されてもよい。また例えば、本発明の方法を用いて得られるバックコンタクト型太陽電池600aでは、図5に示すように、n型又はp型半導体からなる半導体基板10、半導体基板10の受光面側の保護層24、半導体基板10の裏面側の裏面側電極22、32及び保護層34を有し、n型半導体からなる半導体基板10のうちの電極22、32に接触する領域12a、14aが、ドーパント注入膜52、62に由来するn型及びp型ドーパントによって、ドーパント濃度を高められている。なお、本発明に関して、半導体基板10は、半導体シリコン膜、特に複数のシリコン粒子が互いに焼結されて形成された半導体シリコン膜であってよい。また、ドーパント注入膜52、62は、領域12a、14aにドーパント注入した後は除去されてもよい。本発明の方法によって、セレクティブエミッタ型太陽電池500aを作成する場合、例えば図6~9で示すようにして作成することができる。すなわち例えば、本発明の方法を用いて、セレクティブエミッタ型太陽電池500aを作成する場合、n型半導体層12の特定の領域に、p型又はn型ドーパントによってドープされている粒子を含有する分散体を適用し、これを乾燥して、未焼結ドーパント注入膜52aとし図3、そしてこの未焼結ドーパント注入膜52aに光照射200を行うことによって、半導体層又は基板の特定の領域12aを、p型又はn型ドーパントによってドープすると共に、未焼結ドーパント注入膜を焼結させて、半導体層又は基板12と一体化したドーパント注入膜52とすることができる。また、その後、随意に、保護層24を形成し図8、その上から電極22を形成し、熱拡散によってこの電極がドーパント注入膜52に達するようにすることができる。また、例えば本発明の方法を用いて得られる電界効果トランジスタでは、図12に示すように、基材72、半導体シリコン膜である半導体層78、ゲート絶縁膜73、ゲート電極74、ソース電極75及びドレイン電極76を有し、かつソース電極及びドレイン電極と半導体層とが接触する箇所において、半導体層78が、n型又はp型にドープされているドープ領域78bを有している。ここで、ドープ領域78bは、ドーパント注入膜78aに由来するドーパントによって、ドーパント濃度を高められている。本発明の方法を用いて、図12で示される電界効果トランジスタを作製する場合、半導体層78の特定の領域に、ドーパントによってドープされている粒子を含有する分散体を適用し、これを乾燥して、未焼結ドーパント注入膜とし、そしてこの未焼結ドーパント注入膜に光照射を行うことによって、半導体層の特定の領域を、n型又はp型ドーパントによってドープすると共に、未焼結ドーパント注入膜を焼結させて、半導体層と一体化したドーパント注入膜78aとすることができる。なお、本発明の方法においては、p型又はn型ドーパントによってドープされているシリコン粒子を用いて、ドーパント注入膜を形成するのと併せて、このシリコン粒子のドーパントとは異なる型のドーパントによってドープされている他のシリコン粒子を用いて、他の型のドーパント注入膜を形成することもできる。ドーパントは、p型又はn型ドーパントのいずれであってもよく、例えばホウ素B、アルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、チタンTi、リンP、ヒ素As、アンチモンSb、又はそれらの組み合わせからなる群より選択される。第3のシリコン粒子がドーピングされている程度は、ドーパント注入膜、及び真性半導体元素からなる半導体層又は基板における所望のドーパント濃度等に依存して決定することができる。具体的には例えば、第3のシリコン粒子は、ドーパントを、1×1019atoms/cm3以上、1×1020atoms/cm3以上、5×1020atoms/cm3以上、又は1×1021atoms/cm3以上含むことができる。なお、工程a~cの詳細及びそこで言及されている材料については、工程a~cに関する上記の記載をそれぞれ参照できる。《半導体積層体の製造方法-半導体シリコン膜》本発明の方法によって製造された半導体積層体の半導体シリコン膜は、キャリア移動度が、例えば0.1cm2/Vs以上、0.5cm2/Vs以上、1.0cm2/Vs以上、2.0cm2/Vs以上、5.0cm2/Vs以上、又は10.0cm2/Vs以上である。またこの半導体シリコン膜は、オン-オフ比が、例えば102以上、103以上、又は104以上である。《半導体デバイスの製造方法》半導体デバイス、例えば電界効果トランジスタFET又は太陽電池を製造する本発明の方法は、本発明の方法によって半導体積層体を作る工程を含む。例えば、電界効果トランジスタを製造する本発明の方法は更に、ゲート絶縁体を製造する工程、ソース及びドレイン電極を製造する工程等を含むことができる。また例えば、太陽電池を製造する本発明の方法は、本発明の方法によってN型及びP型半導体の少なくとも一方を製造する工程、集電電極を形成する工程等を含むことができる。《本発明の半導体積層体及び半導体デバイス》本発明の半導体積層体は、ポリマー材料を有する基材、及びこの基材上に積層されている半導体シリコン膜を有する。ここで、この半導体積層体では、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が1.0cm2/Vs以上である。このような半導体積層体は、半導体シリコン膜による有益な半導体特性を提供しつつも、基材としてポリマー材料を有する基材を用いることによって、可撓性、軽量性及び/又は低コスト性を有することができる。このような半導体積層体は、半導体積層体を製造する本発明の方法によって製造することができる。本発明の半導体デバイスは、本発明の半導体積層体を有する。本発明の半導体デバイスは例えば、電界効果トランジスタ、太陽電池等であってよい。なお、本発明の半導体積層体及び半導体デバイスに関して、基材、シリコン粒子、キャリア移動度、オン-オフ比等については、半導体積層体を製造する本発明の方法に関する記載を参照することができる。以下では、実施例1~5において、図1に示すボトムゲート/ボトムコンタクト構造の電界効果トランジスタFETを製造し、また実施例6~8において、図2に示すボトムゲート/ボトムコンタクト構造の電界効果トランジスタFETを製造した。実施例1シリコン粒子分散体の調製シリコン粒子は、SiH4ガスを原料として、CO2レーザーを用いたレーザー熱分解LP:LaserPyrolysis法により作製した。得られたシリコン粒子は、平均一次粒子径が約20nmであった。このシリコン粒子を、イソプロピルアルコールIPA中に超音波分散させて、固形分濃度3wtのシリコン粒子分散体を得た。基材の準備SiO21000nm付きリンPドープシリコン基材オプトスター社製、比抵抗0.005Ωcm以下を、アセトン及びイソプロピルアルコール中で各5分間ずつ超音波洗浄し、そして30分間にわたって紫外線UV-オゾン洗浄して、清浄化された基材を準備した。その後、抵抗加熱式の真空蒸着装置を用いて、基材に銀を真空蒸着して、FETのためのソース電極及びドレイン電極チャネル長50μm及びチャネル幅1.5mmを形成した。シリコン粒子分散体の塗布シリコン粒子分散体を基材上に数滴滴下し、500rpmで5秒間にわたって、そして4000rpmで10秒間にわたって、スピンコートすることにより、基材にシリコン粒子分散体を塗布した。シリコン粒子分散体の乾燥シリコン粒子分散体が塗布された基材を、70°Cのホットプレート上で乾燥させることによって、シリコン粒子分散体中の分散媒であるイソプロピルアルコールを除去し、それによってシリコン粒子平均一次粒子径約20nmを含む未焼結シリコン粒子膜膜厚300nmを形成した。光照射次に、この未焼結シリコン粒子膜に対して、レーザー光照射装置Quantronix社製、商品名Osprey355-2-0を用いてYVO4レーザー波長355nmを照射して、未焼結シリコン粒子膜中のシリコン粒子を焼結し、それによって図1に示すFETを作製した。次に、この未焼結シリコン粒子膜に対して、レーザー光照射装置Quantronix社製、商品名Osprey355-2-0を用いてYVO4レーザー波長355nmを照射して、未焼結シリコン粒子膜中のシリコン粒子を焼結し、それによって図1に示すFETを作製した。評価作製されたFETの電気的特性評価を、半導体特性評価装置KEITHLEY社製、商品名2636A型2chシステムソースメータを用いて行った。銀のソース及びドレイン電極間に10~50V程度の一定電圧を印加した状態で、ゲートであるリンPドープシリコン基材に-50~50Vの可変電圧を印加して、ソース及びドレイン電極間に流れる電流ドレイン電流のゲート電圧に対する応答性を調べた。このFETの電気的特性評価の結果を表1に示す。実施例2シリコン粒子分散体の固形分濃度を1wtとし、それによって未焼結シリコン膜の厚さを100nmにしたこと、及び光照射を以下のように行なったこと以外は実施例1と同様にして、図1に示すFETを作製した。このFETの電気的特性評価の結果を表1に示す。光照射この実施例で使用したYVO4レーザー波長355nmは、断面が幅72μm及び長さ130μmの楕円形であり、それを基材上で走査させることにより、アルゴン雰囲気においてシリコン粒子を焼結した。レーザー光照射条件は、照射エネルギー75mJ/cm2shot、ショット数33回、及び1ショットあたりの照射時間30ナノ秒とした。実施例3光照射の際の照射エネルギーを105mJ/cm2shotにしたこと以外は実施例2と同様にして、図1に示すFETを作製した。このFETの電気的特性評価の結果を表1に示す。実施例4光照射の際の照射エネルギーを104mJ/cm2shotにしたこと、及び光照射後の半導体シリコン膜を下記のようにして更に処理したこと以外は実施例2と同様にして、図1に示すFETを作製した。このFETの電気的特性評価の結果を表1に示す。光照射後の半導体シリコン膜の更なる処理光照射の後の半導体シリコン膜上に、固形分濃度1wtのシリコン粒子分散体を数滴滴下し、500rpmで5秒間にわたって、そして4000rpmで10秒間にわたってスピンコートして、シリコン粒子分散体を塗布した。その後、シリコン粒子分散体を、70°Cのホットプレートで乾燥させ、再度、104mJ/cm2shotの照射エネルギーで光照射を行った。実施例5光照射を行なう雰囲気を水素H2を約2含有する窒素N2雰囲気としたこと、照射エネルギーを104mJ/cm2shotにしたこと以外は実施例2と同様にして、図1に示すFETを作製した。このFETの電気的特性評価の結果を表1に示す。実施例6シリコン粒子分散体の調製固形分濃度を1wtとしたこと以外は実施例1と同様にして、シリコン粒子分散体を得た。基材の準備インジウム亜鉛酸化物IZO電極付き耐熱性ポリカーボネート基材帝人株式会社製、SS120-B30、ガラス転移温度:215°Cを、30分間にわたって紫外線UV-オゾン洗浄して、清浄化された基材を準備した。その後、この基材上に、FETのゲート絶縁膜となるメチルシルセスキオキサンMSQ膜を作製した。具体的には、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA中にMSQが溶解した固形分濃度30wtの溶液Honeywell社製、商品名PTSR-6を、IZO電極付きポリカーボネート基材に数滴滴下し、500rpmで5秒間にわたって、そして3200rpmで20秒間にわたってスピンコートし、そしてその後で、炉中で80°Cで5分間にわたって、そして大気中で180°Cで30分間にわたって加熱及び乾燥して、MSQ膜を得た。MSQ膜の膜厚は800nmであった。その後、実施例1と同様にして、基材に銀を真空蒸着して、FETのためのソース電極及びドレイン電極を形成した。シリコン粒子分散体の塗布及び乾燥実施例1と同様にして、基材にシリコン粒子分散体を塗布し、そして乾燥した。ただし、この実施例では、得られた未焼結シリコン粒子膜の膜厚は100nmであった。光照射次に、実施例1と同様にして、光照射を行って、図2に示すFETを作製した。ただし、ここで、照射したYVO4レーザーは、断面が幅72μm及び長さ130μmの楕円形であり、それを基材上で走査させることにより、アルゴン雰囲気中においてシリコン粒子を焼結した。レーザー光照射条件は、照射エネルギー75mJ/cm2shot、ショット数33回であり、及び1ショットあたりの照射時間30ナノ秒とした。評価このFETの電気的特性評価の結果を表1に示す。実施例7光照射の際の照射エネルギーを89mJ/cm2shotにしたこと以外は実施例6と同様にして、図2に示すFETを作製した。このFETの電気的特性評価の結果を表1に示す。実施例8光照射の際の照射エネルギーを104mJ/cm2shotにしたこと以外は実施例6と同様にして、図2に示すFETを作製した。このFETの電気的特性評価の結果を表1に示す。実施例9シリコン粒子分散体の調製シリコン粒子の平均一次粒子径が約7nmであること、シリコン粒子分散体の固形分濃度が2.7wtであること以外は実施例1と同様にして、シリコン粒子分散体を調製した。基材の準備基材としては実施例6と同様に、IZO電極付きポリカーボネート基材上にMSQ膜膜厚800nmを積層したものを用いた。シリコン粒子分散体の塗布及び乾燥実施例1と同様にして、基材にシリコン粒子分散体を塗布し、そして乾燥した。未焼結シリコン粒子膜の膜厚は300nmであった。光照射照射エネルギーが140mJ/cm2Shotであること、ショット数20回であること以外は実施例1と同様にして、YVO4レーザー照射を行って、半導体シリコン膜を得た。リンドープシリコン層の形成得られた半導体シリコン膜上に、固形分濃度2.6wtのリンPでドープされたシリコン粒子の分散体を数滴滴下し、実施例1と同様に塗布及び乾燥を行って、リンドープシリコン粒子からなる未焼結シリコン粒子膜を得た。得られた未焼結シリコン粒子膜の厚さは250nmであった。その後、ソース電極及びドレイン電極を配置する予定の領域を、照射エネルギー120mJ/cm2shot及びショット数20回の条件で光照射した。その後、前記光照射を行った領域に、抵抗加熱式の真空蒸着装置を用いて、銀を真空蒸着して、ソース電極およびドレイン電極チャネル長120μ及びチャネル幅1.5mmを形成した。このようにして得られたリンドープシリコン層は、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と半導体シリコン層との間のコンタクトを容易にするために有益である。得られたFETを図3に示す。このFETの電気的特性評価の結果を表1に示す。