"光学系と液体とを介してエネルギビームにより物体を露光する露光装置であって、物体を保持して所定平面内で移動する移動体と、前記物体と前記光学系との間に供給口から液体を供給し、該液体を回収口から回収する液浸用のノズル装置と、前記移動体の移動経路上で前記移動体に対向し、前記移動体及び該移動体上の前記物体の少なくとも一方に光を照射して所定の計測を行う光学センサと、前記ノズル装置及び前記光学センサの少なくとも一方の近傍に配置され、前記物体を含む前記移動体上に存在する液体を吸液する吸液性部材を含む吸液装置と、を備える露光装置。前記吸液装置は、前記物体が露光される際に前記移動体が移動する方向に関して、前記光学センサの少なくとも一側に配置される請求項1に記載の露光装置。前記吸液装置は、前記光学センサの周囲を取り囲む状態で配置される請求項1に記載の露光装置。前記光学センサは、前記物体が露光される際に前記移動体が移動する方向及びこれに交差する方向の少なくとも一方の方向に並んで複数配置され、前記吸液装置は、前記複数のセンサの全体を、前記ノズル装置と反対側の一部を除いて、取り囲んで配置されている請求項1に記載の露光装置。前記吸液装置は、前記ノズル装置の近傍で前記光学センサとの間に配置されている請求項1に記載の露光装置。前記吸液装置は、前記物体が露光される際に前記移動体が移動する方向に関して、前記ノズル装置の一側と他側に配置されている請求項1に記載の露光装置。前記吸液装置は、前記移動体の移動軌跡を想定して、外部に液体を流出させないような配置で配置されている請求項6に記載の露光装置。前記吸液装置は、前記ノズル装置の近傍及び前記光学センサの近傍にそれぞれ配置されている請求項1に記載の露光装置。前記光学センサは前記物体が露光される際に前記移動体が移動する方向に交差する方向に関して複数配置され、前記吸液装置の少なくとも1つは、前記複数の光学センサと前記ノズル装置との間に配置されている請求項8に記載の露光装置。前記光学センサは、前記移動体上及び前記物体上に存在するマークを検出するマーク検出系を含む請求項1~9のいずれか一項に記載の露光装置。前記光学センサは、前記移動体の位置情報を計測するエンコーダヘッドを含む請求項1~10のいずれか一項に記載の露光装置。前記吸液装置は、前記吸液性部材と、該吸液性部材の下端を除く部分をカバーする非通気性のカバー部材と、該カバー部材に設けられ一端が前記吸液性部材に接続され、他端が吸引装置に接続された管状部材と、を含む請求項1~11のいずれか一項に記載の露光装置。前記吸液性部材を目標温度に加熱するヒータをさらに備える請求項12に記載の露光装置。前記吸液装置は、支持部材によって前記光学系が支持された光学系ベースに直接的又は間接的に吊り下げ支持されている請求項1~13のいずれか一項に記載の露光装置。前記吸液装置は、前記光学センサとは、振動的に分離して前記光学ベースに吊り下げ支持されている請求項14に記載の露光装置。前記支持部材は、前記所定平面に平行な面内の剛性が前記所定平面に垂直な方向の剛性に比べて低い部材である請求項14又は15に記載の露光装置。前記吸液装置は、その下端がその近傍にある前記ノズル装置及び前記光学センサの少なくとも一方と同程度又はわずかに低くなる高さで吊り下げ支持されている請求項14~16のいずれか一項に記載の露光装置。前記吸液性部材は、前記液浸液の通路となる複数の孔を有するメッシュ部材又は多孔質部材である請求項1~17のいずれか一項に記載の露光装置。請求項1~18のいずれか一項に記載の露光装置を用いて物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。本発明の第1の態様によれば、光学系と液体とを介してエネルギビームにより物体を露光する露光装置であって、物体を保持して所定平面内で移動する移動体と、前記物体と前記光学系との間に供給口から液体を供給し、該液体を回収口から回収する液浸用のノズル装置と、前記移動体の移動経路上で前記移動体に対向し、前記移動体及び該移動体上の前記物体の少なくとも一方に光を照射して所定の計測を行う光学センサと、前記ノズル装置及び前記光学センサの少なくとも一方の近傍に配置され、前記物体を含む前記移動体上に存在する液体を吸液する吸液性部材を含む吸液装置と、を備える露光装置が、提供される。これによれば、吸液性部材により、移動体の移動により物体又は移動体上に存在する液体が吸液される。これにより、液体が光学センサの計測光を遮ったり、光学センサに付着したりすることが効果的に抑制される。本発明の第2の態様によれば、本発明の露光装置を用いて物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。以下、本発明の一実施形態について、図1~図9に基づいて説明する。図1には、本実施形態に係る露光装置100の構成が概略的に示されている。露光装置100は、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。後述するように本実施形態では、投影光学系PLが設けられており、以下においては、この投影光学系PLの光軸AXと平行な方向をZ軸方向、これに直交する面内でレチクルとウエハとが相対走査される方向をY軸方向、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転傾斜方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。露光装置100は、照明系10、レチクルステージRST、投影ユニットPU、ウエハステージWST及び計測ステージMSTを有するステージ装置50、及びこれらの制御系等を備えている。図1において、ウエハステージWST上には、ウエハWが載置されている。照明系10は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源と、オプティカルインテグレータを有する照度均一化光学系、及びレチクルブラインドいずれも不図示を有する照明光学系とを含む。照明系10は、レチクルブラインドマスキングシステムで設定されたレチクルR上のスリット状の照明領域IARを照明光露光光ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとして、例えばArFエキシマレーザ光波長193nmが用いられる。レチクルステージRST上には、回路パターンなどがそのパターン面図1における下面に形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系11図1では不図示、図9参照によって、XY平面内で微少駆動可能であるとともに、走査方向図1における紙面内左右方向であるY軸方向に所定の走査速度で駆動可能となっている。レチクルステージRSTのXY平面内の位置情報θz方向の位置θz回転量を含むの情報を含むは、レチクルレーザ干渉計以下、レチクル干渉計という116によって、移動鏡15実際には、Y軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡あるいは、レトロリフレクタとX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設けられているを介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計116の計測値は、主制御装置20図1では不図示、図9参照に送られる。投影ユニットPUは、レチクルステージRSTの図1における下方に配置されている。投影ユニットPUは、鏡筒40と、鏡筒40内に格納された投影光学系PLと、を含む。投影光学系PLとして、例えば、Z軸方向と平行な光軸AXに沿って配列される複数の光学素子レンズエレメントから成る屈折光学系が用いられている。投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックで、所定の投影倍率例えば1/4、1/5又は1/8などを有する。このため、照明系10によってレチクルR上の照明領域IARが照明されると、投影光学系PLの第1面物体面とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PL投影ユニットPUを介してその照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの縮小像回路パターンの一部の縮小像が、投影光学系PLの第2面像面側に配置される、表面にレジスト感応剤が塗布されたウエハW上の前記照明領域IARに共役な領域以下、露光領域とも呼ぶIAに形成される。そして、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとの同期駆動によって、照明領域IAR照明光ILに対してレチクルRを走査方向Y軸方向に相対移動させるとともに、露光領域IA照明光ILに対してウエハWを走査方向Y軸方向に相対移動させることで、ウエハW上の1つのショット領域区画領域の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。すなわち、本実施形態では照明系10、レチクルR及び投影光学系PLによってウエハW上にパターンが生成され、照明光ILによるウエハW上の感応層レジスト層の露光によってウエハW上にそのパターンが形成される。本実施形態の露光装置100には、液浸方式の露光を行うために、局所液浸装置8が設けられている。局所液浸装置8は、液体供給装置5、液体回収装置6いずれも図1では不図示、図9参照、液体供給管31A、液体回収管31B、及びノズルユニット32等を含む。ノズルユニット32は、図1に示されるように、投影光学系PLを構成する最も像面側ウエハW側の光学素子、ここではレンズ以下、先端レンズともいう191を保持する鏡筒40の下端部周囲を取り囲むように、投影ユニットPUを保持する不図示のメインフレームに吊り下げ支持されている。本実施形態では、ノズルユニット32は、図1に示されるように、その下端面が先端レンズ191の下端面とほぼ同一面に設定されている。また、ノズルユニット32は、液体Lqの供給口及び回収口と、ウエハWが対向して配置され、かつ回収口が設けられる下面と、液体供給管31A及び液体回収管31Bとそれぞれ接続される供給流路及び回収流路とを備えている。液体供給管31Aと液体回収管31Bとは、図5に示されるように、平面視で上方から見てX軸方向及びY軸方向に対してほぼ45°傾斜し、投影ユニットPUの中心投影光学系PLの光軸AX、本実施形態では前述の露光領域IAの中心とも一致を通りかつY軸と平行な直線基準軸LV0に関して対称な配置となっている。液体供給管31Aは、液体供給装置5図1では不図示、図9参照に接続されている。液体回収管31Bは、液体回収装置6図1では不図示、図9参照に接続されている。ここで、液体供給装置5には、液体を貯蔵するタンク、加圧ポンプ、温度制御装置、液体の流量を制御するためのバルブ等が備えられている。液体回収装置6には、回収した液体を貯蔵するタンク、吸引ポンプ、液体の流量を制御するためのバルブ等が備えられている。主制御装置20図9参照は、液体供給装置5を制御して、液体供給管31Aを介して先端レンズ191とウエハWとの間に液体Lqを供給するとともに、液体回収装置6を制御して、液体回収管31Bを介して先端レンズ191とウエハWとの間から液体Lqを回収する。このとき、主制御装置20は、供給される液体Lqの量と回収される液体Lqの量とが常に等しくなるように、液体供給装置5と液体回収装置6とを制御する。従って、先端レンズ191とウエハWとの間には、一定量の液体Lq図1参照が常に入れ替わって保持され、それにより液浸領域14図5等参照が形成される。なお、投影ユニットPUの下方に後述する計測ステージMSTが位置する場合にも、同様に先端レンズ191と計測テーブルとの間に液浸領域14を形成することができる。本実施形態では、上記の液体として、ArFエキシマレーザ光波長193nmの光が透過する純水以下、特に必要な場合を除いて、単に水と記述するを用いるものとする。なお、ArFエキシマレーザ光に対する水の屈折率nは、ほぼ1.44であり、水の中では、照明光ILの波長は、193nm×1/n=約134nmに短波長化される。ステージ装置50は、図1に示されるように、ベース盤12の上方に配置されたウエハステージWSTと計測ステージMST、これらのステージWST,MSTの位置情報を計測する計測システム200図9参照、及びステージWST,MSTを駆動するステージ駆動系124図9参照等を備えている。計測システム200は、図9に示されるように、干渉計システム118、エンコーダシステム150及び面位置計測システム180などを含む。ウエハステージWST及び計測ステージMSTは、それぞれの底面に固定された不図示の非接触軸受、例えばエアベアリングにより、数μm程度のクリアランス隙間又はギャップを介して、ベース盤12の上方に支持されている。また、ステージWST,MSTは、リニアモータ等を含むステージ駆動系124図9参照によって、XY平面内で独立して駆動可能である。ウエハステージWSTは、ステージ本体91と、該ステージ本体91上に搭載されたウエハテーブルWTBとを含む。ウエハテーブルWTB及びステージ本体91は、リニアモータ及びZレベリング機構ボイスコイルモータなどを含むいずれも不図示を含む駆動系によって、ベース盤12に対し、6自由度方向X、Y、Z、θx,θy,θzに駆動可能に構成されている。ウエハテーブルWTBの上面の中央には、ウエハWを真空吸着等によって保持するウエハホルダ不図示が設けられている。ウエハホルダウエハの載置領域の外側には、図2に示されるように、ウエハホルダよりも一回り大きな円形の開口が中央に形成され、かつ矩形状の外形輪郭を有するプレート撥液板28が設けられている。このプレート28の表面は、液体Lqに対して撥液化処理されている。なお、プレート28は、その表面の全部あるいは一部がウエハWの表面と同一面となるように設置されている。プレート28は、中央に前記開口が形成された矩形の外形輪郭を有する第1撥液領域28aと、該第1撥液領域28aの周囲に設けられた矩形枠状の第2撥液領域28bとを有している。なお、本実施形態では、前述の如く液体Lqとして水を用いるので、以下では第1及び第2撥液領域28a,28bをそれぞれ第1及び第2撥水板28a,28bとも呼ぶ。第1撥水板28aのY側の端部には、計測プレート30が設けられている。この計測プレート30には、中央に基準マークFMが設けられ、該基準マークFMを挟むように一対の空間像計測スリットパターンスリット状の計測用パターンSLが設けられている。そして、各空間像計測スリットパターンSLに対応して、それらを透過した照明光ILを、ウエハステージWSTの外部後述する計測ステージMSTに設けられる受光系に導くための送光系不図示が設けられている。第2撥水板28bには、その上面のX軸方向図2における紙面内左右方向の一側と他側の領域に、Yスケール39Y1,39Y2がそれぞれ形成されている。Yスケール39Y1,39Y2はそれぞれ、例えばX軸方向を長手方向とする格子線38が所定ピッチでY軸に平行な方向Y軸方向に沿って配置される、Y軸方向を周期方向とする反射型の格子例えば回折格子によって構成されている。同様に、第2撥水板28bの上面におけるY軸方向図2における紙面内上下方向の一側と他側の領域には、Xスケール39X1,39X2がそれぞれ形成されている。Xスケール39X1,39X2はそれぞれ、例えばY軸方向を長手方向とする格子線37が所定ピッチでX軸に平行な方向X軸方向に沿って配置される、X軸方向を周期方向とする反射型の格子例えば回折格子によって構成されている。各スケールは、例えば薄板状のガラスに上記回折格子の目盛りを、例えば138nm~4μmの間のピッチ、例えば1μmピッチで刻んで作製されている。これらのスケールは前述の撥液膜撥水膜で覆われている。なお、図2では、図示の便宜上から、格子のピッチは、実際のピッチに比べて格段に広く図示されている。その他の図においても同様である。また、回折格子を保護するために、撥水性を備えた低熱膨張率のガラス板で、その表面がウエハの表面と同じ高さ面位置になるようにして回折格子をカバーしても良い。ウエハテーブルWTBの-Y端面,-X端面には、図2及び図4等に示されるように、後述する干渉計システムで用いられる反射面17a,反射面17bが形成されている。計測ステージMSTは、図1に示されるように、不図示のリニアモータ等によってXY平面内で駆動されるステージ本体92と、ステージ本体92上に搭載された計測テーブルMTBとを有している。計測ステージMSTは、不図示の駆動系によりベース盤12に対し、少なくとも3自由度方向X、Y、θzに駆動可能に構成されている。なお、図9では、ウエハステージWSTの駆動系と計測ステージMSTの駆動系とを含んで、ステージ駆動系124として示されている。計測テーブルMTB及びステージ本体92には、各種計測用部材が設けられている。この計測用部材としては、例えば、図3に示されるように、照度むらセンサ94、空間像計測器96、波面収差計測器98、照度モニタ不図示などが設けられている。また、ステージ本体92には、前述の一対の送光系不図示に対向する配置で、一対の受光系不図示が設けられている。本実施形態では、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとがY軸方向に関して所定距離以内に近接した状態接触状態を含むにおいて、ウエハステージWST上の計測プレート30の各空間像計測スリットパターンSLを透過した照明光ILを各送光系不図示で案内し、計測ステージMST内の各受光系不図示の受光素子で受光する、空間像計測装置45図9参照が構成される。計測テーブルMTBの-Y側端面には、図3に示されるように、フィデューシャルバー以下、FDバーと略述する46がX軸方向に延設されている。このFDバー46は、フルキネマティックマウント構造によって、計測ステージMST上にキネマティックに支持されている。FDバー46は、原器計測基準となるため、低熱膨張率の光学ガラスセラミックス、例えば、ショット社のゼロデュア商品名などがその素材として採用されている。FDバー46の長手方向の一側と他側の端部近傍には、センターラインCLに関して対称な配置で、Y軸方向を周期方向とする基準格子例えば回折格子52がそれぞれ形成されている。また、FDバー46の上面には、複数の基準マークMが形成されている。各基準マークMとしては、後述するプライマリアライメント系、セカンダリアライメント系によって検出可能な寸法の2次元マークが用いられている。なお、FDバー46の表面及び計測テーブルMTBの表面も撥液膜撥水膜で覆われている。計測テーブルMTBのY側の端面及び-X側端面には、ウエハテーブルWTBと同様の反射面19a及び反射面19bが形成されている図3参照。本実施形態の露光装置100では、図6に示されるように、前述の基準軸LV0上で、投影ユニットPUの中心投影光学系PLの光軸AXから-Y側に所定距離隔てた位置に検出中心を有するプライマリアライメント系AL1が設けられている。プライマリアライメント系AL1は、不図示のメインフレームの下面に固定されている。プライマリアライメント系AL1を挟んで、X軸方向の一側と他側には、基準軸LV0に関してほぼ対称に検出中心が配置されるセカンダリアライメント系AL21,AL22と、AL23,AL24とがそれぞれ設けられている。セカンダリアライメント系AL21~AL24は、不図示の可動式の支持部材を介してメインフレーム不図示の下面に固定されており、駆動機構601~604図9参照を用いて、X軸方向に関してそれらの検出領域の相対位置が調整可能となっている。なお、図6等に示されるプライマリアライメント系AL1の検出中心を通るX軸に平行な直線基準軸LAは、後述する干渉計127からの測長ビームB6の光軸に一致する。本実施形態では、各アライメント系AL1,AL21~AL24として、例えば画像処理方式のFIAFieldImageAlignment系が用いられている。アライメント系AL1,AL21~AL24のそれぞれからの撮像信号は、不図示の信号処理系を介して主制御装置20に供給される。次に、ウエハステージWST及び計測ステージMSTの位置情報を計測する干渉計システム118図9参照の構成等について説明する。干渉計システム118は、図4に示されるように、ウエハステージWSTの位置計測用のY干渉計16、X干渉計126、127、128、及びZ干渉計43A,43B、並びに計測ステージMSTの位置計測用のY干渉計18及びX干渉計130等を含む。Y干渉計16及び3つのX干渉計126、127、128は、ウエハテーブルWTBの反射面17a,17bに、それぞれ干渉計ビーム測長ビームB4B41,B42、B5B51,B52、B6、B7を照射する。そして、Y干渉計16、及び3つのX干渉計126、127、128は、それぞれの反射光を受光して、ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報を計測し、この計測した位置情報を主制御装置20に供給する。ここで、例えば、X干渉計126は、投影光学系PLの光軸AX本実施形態では前述の露光領域IAの中心とも一致を通りかつX軸と平行な直線基準軸LH図5等参照に関して対称な一対の測長ビームB51,B52を含む少なくとも3つのX軸に平行な測長ビームを反射面17bに照射する。また、Y干渉計16は、前述の基準軸LV0に関して対称な一対の測長ビームB41,B42、及び基準軸LV0を通る測長ビームB3図1参照を含む少なくとも3つのY軸に平行な測長ビームを反射面17a、及び後述する移動鏡41に照射する。このように、本実施形態では、上記各干渉計として、一部例えば干渉計128を除いて、測長軸を複数有する多軸干渉計が用いられている。そこで、主制御装置20は、Y干渉計16と、X干渉計126又は127との計測結果に基づいて、ウエハテーブルWTBウエハステージWSTのX,Y位置に加え、θx方向の位置θx回転回転量、θy方向の位置θy回転量、及びθz回転量をも算出することができる。また、図1に示されるように、ステージ本体91の-Y側の側面に、凹形状の反射面を有する移動鏡41が取り付けられている。移動鏡41は、図2からわかるように、X軸方向の長さがウエハテーブルWTBの反射面17aよりも、長く設定されている。移動鏡41に対向して、一対のZ干渉計43A,43Bが設けられている図1及び図4参照。Z干渉計43A,43Bは、移動鏡41を介して、例えば投影ユニットPUを支持するメインフレーム不図示に固定された固定鏡47A,47Bにそれぞれ2つの測長ビームB1,B2を照射する。そして、それぞれの反射光を受光して、測長ビームB1,B2の光路長を計測する。その結果より、主制御装置20は、ウエハステージWSTの4自由度Y,Z,θy,θz方向の位置を算出する。本実施形態では、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのXY平面内の位置θz方向の回転情報を含むは、主として、後述するエンコーダシステムを用いて計測される。干渉計システム118は、ウエハステージWSTがエンコーダシステムの計測領域外例えば、図5等に示されるアンローディングポジションUP及びローディングポジションLP付近に位置する際に、使用される。また、エンコーダシステムの計測結果の長期的変動例えばスケールの経時的な変形などによるを補正較正する場合、あるいはエンコーダシステムの出力異常時のバックアップ用などとして補助的に使用される。勿論、干渉計システム118とエンコーダシステムとを併用して、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBの位置を制御することとしても良い。干渉計システム118のY干渉計18、X干渉計130は、図4に示されるように、計測テーブルMTBの反射面19a,19bに、干渉計ビーム測長ビームを照射して、それぞれの反射光を受光することにより、計測ステージMSTの位置情報例えば、少なくともX軸及びY軸方向の位置とθz方向の回転情報とを含むを計測し、その計測結果を、主制御装置20に供給する。次に、ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報θz方向の回転情報を含むを計測するエンコーダシステム150図9参照の構成等について説明する。露光装置100では、図5に示されるように、ノズルユニット32のX側、Y側、-X側、及びプライマリアライメント系AL1の-Y側に、4つのヘッドユニット62A、62B、62C、及び62Dが、それぞれ配置されている。また、ヘッドユニット62C、62Aそれぞれの-Y側でかつプライマリアライメント系AL1とほぼ同一のY位置に、ヘッドユニット62E、62Fが、それぞれ設けられている。ヘッドユニット62A~62Fは、支持部材不図示を介して、投影ユニットPUを保持するメインフレーム不図示に吊り下げ状態で固定されている。ヘッドユニット62Aは、図6に示されるように、ノズルユニット32のX側に配置され、X軸方向に沿って前述の基準軸LH上に間隔WDで配置された複数ここでは4個のYヘッド651~654を備えている。ヘッドユニット62Cは、図6に示されるように、ヘッドユニット62Aと左右対称に構成され、前述の基準軸LV0に関して対称に配置されている。ヘッドユニット62Cは、Yヘッド654~651と、基準軸LV0に関して対称に配置された4つのYヘッド641~644を備えている。以下では、適宜、Yヘッド651~654、641~644を、それぞれ、Yヘッド65、64とも表記する。ヘッドユニット62Aは、前述のYスケール39Y1を用いて、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのY軸方向の位置Y位置を計測する多眼ここでは、4眼のYリニアエンコーダ以下、適宜Yエンコーダ又はエンコーダと略記する70A図9参照を構成する。同様に、ヘッドユニット62Cは、前述のYスケール39Y2を用いて、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのY位置を計測する多眼ここでは、4眼のYエンコーダ70C図9参照を構成する。ここで、ヘッドユニット62C,62Aがそれぞれ備える4個のYヘッド64i,65ji,j=1~4のうち隣接するYヘッドより正確には、各Yヘッドが発する計測ビームのスケール上の照射点のX軸方向の間隔WDは、Yスケール39Y2,39Y1のX軸方向の幅より正確には、格子線38の長さより僅かに狭く設定されている。従って、露光時などには、それぞれ4個のYヘッド65j,64iのうち、少なくとも各1つのヘッドが、常に、対応するYスケール39Y1,39Y2に対向する。ヘッドユニット62Bは、図6に示されるように、ノズルユニット32投影ユニットPUのY側に配置され、前述の基準軸LV0上にY軸方向に沿って間隔WDで配置された複数、ここでは4個のXヘッド665~668を備えている。また、ヘッドユニット62Dは、プライマリアライメント系AL1の-Y側に配置され、基準軸LV0上に間隔WDで配置された複数、ここでは4個のXヘッド661~664を備えている。以下では、適宜、Xヘッド661~668を、Xヘッド66とも表記する。ヘッドユニット62Bは、前述のXスケール39X1を用いて、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのX軸方向の位置X位置を計測する、多眼ここでは、4眼のXリニアエンコーダ以下、適宜エンコーダと略記する70B図9参照を構成する。また、ヘッドユニット62Dは、前述のXスケール39X2を用いて、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのX位置を計測する多眼ここでは、4眼のXリニアエンコーダ70D図9参照を構成する。ここでヘッドユニット62B,62Dがそれぞれ備える4個Xヘッド661~664、665~668のうち、隣接するXヘッド66より正確には、Xヘッドが発する計測ビームのスケール上の照射点のY軸方向の間隔WDは、前述のXスケール39X1,39X2のY軸方向の幅より正確には、格子線37の長さよりも狭く設定されている。従って、露光時又はウエハアライメント時などには、ヘッドユニット62B,62Dがそれぞれ備える各4つのXヘッド66、すなわち8つのXヘッド66のうち少なくとも1つのヘッドが、常に、対応するXスケール39X1又は39X2に対向する。なお、ヘッドユニット62Bの最も-Y側のXヘッド665とヘッドユニット62Dの最もY側のXヘッド664との間隔は、ウエハステージWSTのY軸方向の移動により、その2つのXヘッド間で切り換えつなぎが可能となるように、ウエハテーブルWTBのY軸方向の幅よりも狭く設定されている。ヘッドユニット62Eは、図6に示されるように、セカンダリアライメント系AL21の-X側に配置され、前述の基準軸LA上に間隔WDとほぼ同一間隔で配置された4つのYヘッド671~674を備えている。以下では、Yヘッド671~674を、適宜、Yヘッド67とも記述する。ヘッドユニット62Fは、前述の基準軸LV0に関して、ヘッドユニット62Eと対称であり、上記4つのYヘッド674~671と基準軸LV0に関して対称に配置された4つのYヘッド681~684を備えている。以下では、Yヘッド681~684を、適宜、Yヘッド68とも記述する。アライメント系AL1、AL21~AL24を用いてウエハW上のアライメントマークを検出するアライメント動作の際などには、Yスケール39Y2,39Y1にYヘッド67p,68qp,q=1~4のうちの少なくとも各1つがそれぞれ対向する。このYヘッド67p,68qすなわち、これらYヘッド67p,68qによって構成されるYエンコーダ70E、70FによってウエハステージWSTのY位置及びθz回転が計測される。また、本実施形態では、セカンダリアライメント系のベースライン計測時などに、セカンダリアライメント系AL21、AL24にX軸方向で隣接するYヘッド674,681が、FDバー46の一対の基準格子52とそれぞれ対向し、その一対の基準格子52と対向するYヘッド674,681によって、FDバー46のY位置が、それぞれの基準格子52の位置で計測される。以下では、一対の基準格子52にそれぞれ対向するYヘッド674,681によって構成されるエンコーダを、Yエンコーダ70E2,70F2と呼び、これとの識別のため前述のYスケール39Y2,39Y1に対向するYヘッド67,68によって構成されるYエンコーダ70E,70Fを、Yエンコーダ70E1,70F1と呼ぶ。上述したエンコーダ70A~70Fの計測値は、主制御装置20に供給され、主制御装置20は、エンコーダ70A~70Dのうちの3つ、又は70B、70D、70E1、70F1のうちの3つの計測値に基づいて、ウエハステージWSTのXY平面内の位置を制御するとともに、エンコーダ70E2,70F2の計測値に基づいて、FDバー46計測ステージMSTのθz方向の回転ヨーイングを制御する。図5及び図6等に示されるように、Yヘッド64,65,67,68及びXヘッド66のそれぞれには、液浸領域14を通過したプレート28及び/又はウエハW上に残存する液体Lqを吸収する吸液性部材80が配置されている。図7Aには、Yヘッド64,65,67,68及びXヘッド66を代表してYヘッド65及びこれに近接して配置された吸液装置85の平面図が示されている。図7Bには、図7AのB-B線断面図が示され、図7Cには、図7A中のC-C線に沿って切断した吸液装置85の斜視図が示されている。吸液装置85は、図7Aに示されるように、平面視で矩形枠形状を有する吸液性部材80を有し、Yヘッド65の筐体の周囲を取り囲むようにかつ近接して配置されている。吸液性部材80は、多孔質セラミックス等の吸液性に優れた多孔質部材から成る。ここで、吸液性部材80とYヘッド65の筐体との間には、所定の隙間が設けられている。この隙間の存在により、ウエハテーブルWTBがXY平面内で移動した際にウエハW等の上面上に残存する液体が、Yヘッド65に触れる到達する前に吸液性部材80によって吸い取られるようになっている。換言すれば、このようになるように、上記の所定の隙間の寸法が定められている。吸液装置85吸液性部材80は、図7A及び図7Bに示されるように、四隅の部分に接続された4本の線状の支持部材800を介してサブフレーム882に吊り下げ支持されている。サブフレーム882は、投影光学系PLを支持する不図示のメインフレームに取り付けられている。この場合、吸液装置85吸液性部材80は、Yヘッド65が取り付けられたサブフレーム881とは別のサブフレーム882を介して、不図示のメインフレームに取り付けられている。吸液装置85吸液性部材80は、図7B中に点線で示されるように、その底面の高さがYヘッド65の下端と同程度の高さより僅かに低くなるように設定されている。なお、これに限らず、吸液装置85吸液性部材80の底面の高さは、Yヘッド65の下端と同程度の高さから底面がウエハステージWST上に載置されたウエハWと接触しない程度の高さまでの範囲内に定めることができる。支持部材800は、例えばワイヤ等の線状の部材から構成されている。支持部材800は、重力方向上下方向、Z軸方向の剛性が高く、水平方向XY面と平行な方向の剛性が低い。従って、吸液装置85吸液性部材80は、4本の支持部材800によって、水平面内で移動可能に、かつ上下方向には移動不能に支持されている。なお、吸液装置85吸液性部材80をアクチュエータによって上下方向に駆動することとしても良い。かかる場合、Yヘッド65に対する液体Lqの付着が生じるおそれがある露光時には、アクチュエータによって吸液装置85吸液性部材80を下方に駆動して上述の高さに位置決めして、上述した吸液を行わせる。この一方、露光時以外のときには、吸液性部材80をより効果的に乾燥させるため、アクチュエータによって吸液装置85吸液性部材80を上方に退避させるなどしても良い。なお、これまでは、一例として、Yヘッド65の周囲を囲む吸液装置85について説明したが、その他のYヘッド64,67,68及びXヘッド66のそれぞれの周囲にも吸液装置85が、個別に設けられている。説明が前後するが、図5では、計測ステージMSTの図示が省略されるとともに、その計測ステージMSTと先端レンズ191との間に保持される液体Lqで形成される液浸領域が符号14で示されている。また、図5において、符号UP、LPは、基準軸LV0に関して対称に設定された、ウエハテーブルWTB上のウエハのアンロードが行われるアンローディングポジション、ウエハテーブルWTB上へのウエハのロードが行われるローディングポジションを、それぞれ示す。なお、アンローディングポジションUPとローディングポジションLPとを同一位置としても良い。本実施形態の露光装置100では、図5及び図8に示されるように、例えば米国特許第5,448,332号明細書などに開示されるものと同様の構成の照射系90a及び受光系90bから成る斜入射方式の多点焦点位置検出系以下、多点AF系と略述するが設けられている。本実施形態では、一例として、前述のヘッドユニット62Eの-X端部のY側に照射系90aが配置され、これに対峙する状態で、前述のヘッドユニット62FのX端部のY側に受光系90bが配置されている。なお、多点AF系90a,90bは、前述した投影ユニットPUを保持するメインフレームの下面に固定されている。この多点AF系90a,90bの複数の検出点は、被検面上でX軸方向に沿って所定間隔で配置されている。本実施形態では、複数の検出点は、例えば、1行M列Mは検出点の総数又は2行N列N=M/2のマトリックス状に配置される。図5及び図8では、それぞれ検出ビームが照射される複数の検出点が、個別に図示されず、照射系90a及び受光系90bの間でX軸方向に延びる細長い検出領域ビーム領域AFとして示されている。この検出領域AFは、X軸方向の長さがウエハWの直径と同程度に設定されているので、ウエハWをY軸方向に1回スキャンするだけで、ウエハWのほぼ全面でZ軸方向の位置情報面位置情報を計測できる。図8に示されるように、多点AF系90a,90bの検出領域AFの両端部近傍に、基準軸LV0に関して対称な配置で、各一対のZ位置計測用の面位置センサのヘッド以下、Zヘッドと略述する72a,72b、及び72c,72dが設けられている。Zヘッド72a~72dは、不図示のメインフレームの下面に固定されている。Zヘッド72a~72dとしては、例えば、CDドライブ装置などで用いられる光ピックアップと同様の光学式の変位センサのヘッドが用いられている。Zヘッド72a~72dは、ウエハテーブルWTBに対し上方から計測ビームを照射し、その反射光を受光して、照射点におけるウエハテーブルWTBの面位置を計測する。なお、本実施形態では、Zヘッドの計測ビームは、前述のYスケール39Y1,39Y2を構成する反射型回折格子によって反射される構成を採用している。さらに、前述のヘッドユニット62A,62Cは、図6及び図8に示されるように、それぞれが備える4つのYヘッド65j,64ii,j=1~4と同じX位置に、ただしY位置をずらして、それぞれ4つのZヘッド76j,74ii,j=1~4を備えている。ここで、ヘッドユニット62A,62Cのそれぞれに属する外側の3つのZヘッド762~764,741~743は、基準軸LHからY方向に所定距離隔てて、基準軸LHと平行に配置されている。また、ヘッドユニット62A,62Cのそれぞれに属する最も内側のZヘッド761,744はそれぞれYヘッド651,644の-Y側に、配置されている。そして、ヘッドユニット62A,62Cのそれぞれに属する4つのZヘッド76j,74iは、互いに基準軸LV0に関して対称に配置されている。なお、各Zヘッド76j,74iとしては、前述のZヘッド72a~72dと同様の光学式変位センサのヘッドが採用される。ヘッドユニット62A,62Cがそれぞれ備える4つのZヘッド76j,74iのうち隣接するZヘッドより正確には、各Zヘッドが発する計測ビームのスケール上の照射点のX軸方向の間隔は、Yヘッドの65,64のX軸方向の間隔WDと等しく設定されている。従って、露光時などには、Yヘッド65j,64iと同様に、それぞれ4つのZヘッド76j,74iのうち、少なくとも各1つが、常に、対応するYスケール39Y1,39Y2に対向する。上述したZヘッド72a~72d,741~744,761~764は、図9に示されるように、信号処理選択装置160を介して主制御装置20に接続されている。主制御装置20は、信号処理選択装置160を介してZヘッド72a~72d,741~744,761~764の中から任意のZヘッドを選択して作動状態とし、その作動状態としたZヘッドで検出した面位置情報を信号処理選択装置160を介して受け取る。本実施形態では、Zヘッド72a~72d,741~744,761~764と、信号処理選択装置160とを含んでウエハステージWSTのZ軸方向及びXY平面に対する傾斜方向の位置情報を計測する面位置計測システム180が構成されている。図9には、露光装置100の制御系の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体を統括的に制御するマイクロコンピュータ又はワークステーションから成る主制御装置20を中心として構成されている。なお、図9においては、前述した照度むらセンサ94、空間像計測器96及び波面収差計測器98など、計測ステージMSTに設けられた各種センサが、纏めてセンサ群99として示されている。上述のようにして構成された本実施形態の露光装置では、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書の実施形態中に開示されている手順と同様の手順に従って、ウエハステージWSTを用いた通常のシーケンスの処理が、主制御装置20によって実行される。以上詳細に説明したように、本実施形態の露光装置100によると、ウエハステージWST上に設けられた計測面Yスケール39Y1,39Y2及びXスケール39X1,39X2に光を照射し、その反射光を受光するエンコーダヘッドの近傍に周囲を取り囲んで、液体Lqを吸引する吸液性部材80を有する吸液装置85が配置されている。このため、液浸領域14を通過した後、ウエハW及び/又はプレート28上に残存する液体Lqが、吸液性部材80により吸液される。これにより、Yヘッド64,65,67,68及びXヘッド66のそれぞれ、すなわちエンコーダ70A、70C、70E1、70F1、及び70B、70Dのそれぞれに、ウエハW及び/又はプレート28上に残存する液体Lqに起因する無視できないレベルの計測誤差が生じることを効果的に防止することができる。同様の理由により、エンコーダ70E2、70F2に、計測テーブルMTB、FDバー46上に残存する液体Lqに起因する無視できないレベルの計測誤差が生じることを効果的に防止することができる。従って、本実施形態によると、エンコーダシステム150の計測結果に基づいて、露光時及びウエハアライメント時のウエハステージWSTの高精度な位置制御が可能となり、セカンダリアライメント系のベースライン計測時におけるFDバーの高精度な位置計測が可能となる。なお、上記本実施形態では、矩形枠形状を有する吸液性部材80を用いる場合を例示したが、一軸方向に伸びる柱状の吸液性部材を用いても良い。この場合、例えば4つの吸液性部材を、各エンコーダヘッドの筐体の周囲を囲むように、その四方に配置しても良い。また、吸液性部材は、各エンコーダヘッドの筐体の周囲を取り囲むことのできる形状であれば、その形状は問わない。また、上記実施形態では、吸液性部材80が、多孔質部材である場合について例示したが、これに限らず、吸液性部材80は、液浸液の通路となる複数多数の孔開口部を有し、ウエハW及び/又はプレート28上に残存する液体Lqを、ウエハテーブルWTBの移動に伴って、吸収できるものであれば良く、例えばその少なくとも一部がメッシュ部材で構成されていても良い。また、上記実施形態では、エンコーダヘッドの近傍に吸液装置85を配置する場合について例示したが、これに代えて、あるいはこれとともに、例えばアライメント系AL1,AL21~AL24、Zヘッド72a~72d,741~744,761~764等、その他ウエハステージWST上に設けられた計測面又はウエハステージWST上のウエハWに光を照射し、その反射光を受光する光学センサの近傍にも吸液装置85を配置することとしても良い。ここで、アライメント系AL1,AL21~AL24、Zヘッド72a~72d,741~744,761~764のそれぞれについて、それらの筐体を囲むように吸液装置85を配置しても良い。《変形例1》ここで、吸液装置として、図10A及び図10Bに示されるような構成の吸液装置85’を採用しても良い。図10Aは、図7Cに対応する吸液装置85’の斜視図であり、図10Bは、吸液装置85’の機能を説明するための図である。吸液装置85’は、4本の支持部材800によって前述のサブフレーム882に吊り下げ支持された吸液性部材80と、該吸液性部材80の下端部底面、あるいは底面及び側面の下部以外の部分を覆う非通気性のカバー部材82と、該カバー部材82の上面に設けられた開口を介して上方から差し込まれ、一端下端が吸液性部材80に接続された内部に差し込まれた複数、例えば4本の管状部材84とを備えている。4本の管状部材84のそれぞれは、吸液性部材80の四辺のそれぞれの上部中央に配置されている。各管状部材84の他端上端は、不図示の排気装置例えば真空ポンプに接続されている。本実施形態では、例えば主制御装置20により排気装置が作動されることにより、吸液性部材80に吸収された液体Lqが、図10B中の矢印で示されるように、管状部材84を介して吸液性部材80から外部に空気とともに排出される。この場合、吸液装置85’が吊り下げ支持された前述のサブフレーム882は、メインフレーム不図示とは、防振部材等を介して振動的に分離される。さらには、メインフレームと前述のサブフレーム881とを、振動的に分離しても良い。いずれにしても、排気装置が液体Lqを吸引することにより発生する振動が、メインフレームに支持された投影光学系PLに伝わったり、メインフレームを介してサブフレーム881、すなわちYヘッド65に伝わって、Yヘッド65の無視できない程度の計測誤差を生じさせたりすることがないようになっている。また、排気装置の作動により管状部材84を介して吸液性部材80から空気とともに液体Lqを外部に排出することにより、液体Lqが気化し、その気化熱により、吸液性部材80及びその周辺雰囲気の温度が低下する可能性がある。従って、気化熱により無視できない程度の温度低下が生じないように、吸液性部材80を一定温度に保つ温度制御系を設けても良い。この温度制御系は、例えば吸液性部材80又はその周辺雰囲気の温度を測定する温度センサ不図示と、吸液性部材80を加熱するヒータ不図示と、温度センサの測定結果に基づいてヒータを稼動して吸液性部材80の温度を制御するコントローラとによって構築することができる。勿論、気化熱による温度低下が無視できる程度であれば、このような温度制御系は、設けなくても良い。《変形例2》上記実施形態及び変形例1では、エンコーダヘッドYヘッド64,65,67,68及びXヘッド66のそれぞれについて筐体を囲むように吸液装置85又は85’を配置したが、これに代えて、例えば図11に示される変形例2のように、ヘッドユニット62A~62F毎にそれらの周囲のうち、ノズルユニット32から最も離れた側の1方向を除く3方向を囲むように吸液装置85又は85’の吸液性部材80を配置することとしても良い。ここで、ノズルユニット32から最も離れた側の1方向に吸液性部材80が配置されていないのは、ウエハステージWSTの移動範囲を考慮して、液体Lqがその方向から各ヘッドユニットに対して接近するおそれがない、あるいはそのおそれが小さいと予想されるからである。例えば、図11では、ヘッドユニット62A,62FのX側、ヘッドユニット62C,62Eの-X側、ヘッドユニット62BのY側、及びヘッドユニット62Dの-Y側を除いて、各ヘッドユニットの周囲に吸液装置85又は85’の吸液性部材80が配置されている。同様に、互いに隣接する複数の光学センサのグループ毎に、例えばアライメント系AL1,AL21~AL24のグループ、Zヘッド741~744のグループ、Zヘッド761~764のグループ、又はYヘッド651~654だけでなくZヘッド761~764も含めたヘッドユニット62A、Yヘッド641~644だけでなくZヘッド741~744も含めたヘッドユニット62C毎に、それらの周囲を囲むように吸液装置85又は85’の吸液性部材80を配置しても良い。また、走査露光時のウエハステージWSTの移動方向走査方向、すなわち、残存する液体Lqが移動し得る方向を考慮して、各光学センサの走査方向の少なくとも一側に吸液装置85又は85’の吸液性部材80を配置することとしても良い。《変形例3》また、光学センサの周囲に代えて、例えば図12に示される変形例3のように、ノズルユニット32の周囲に吸液装置85又は85’吸液性部材80を配置することとしても良い。この場合、走査露光時のウエハステージWSTの移動方向走査方向を考慮して、例えばノズルユニット32に接続されている液体供給管31A及び液体回収管31Bの延接方向を除く、その周囲に吸液装置85又は85’の吸液性部材80を配置することとしても良い。《その他の変形例》この他、図13に示される変形例のように、図11に示される光学センサのグループ毎に吸液装置85又は85’の吸液性部材80を設ける例と、図12に示されるノズルユニット32の近傍に吸液装置85又は85’の吸液性部材80を設ける例とを併用しても良い。図13では、ノズルユニット32とその走査方向の一側、すなわちY側に位置するヘッドユニット62Bとに対し、ノズルユニット32とヘッドユニット62Bとのそれぞれの走査方向の他側、すなわち-Y側に吸液装置85又は85’の吸液性部材80が配置されている。この図13とは反対に、ノズルユニット32とその-Y側に位置するヘッドユニット62Dとに対し、ノズルユニット32とヘッドユニット62DとのそれぞれのY側に吸液装置85又は85’の吸液性部材80を配置することとしても良い。この場合、ノズルユニット32の非走査方向の両側にあるヘッドユニット62A,62C62E,62Fとに対し、走査方向に関して、ヘッドユニット62A,62C62E,62Fの他側図13の例ではY側に、それぞれ吸液装置85又は85’の吸液性部材80が配置されている。なお、上記実施形態で説明したエンコーダシステム及び面位置計測システムの構成は一例に過ぎないことは勿論である。例えば、上記実施形態では、ウエハテーブルウエハステージ上に格子部Yスケール、Xスケールを設け、これに対向してYヘッド、Xヘッドをウエハステージの外部に配置する構成のエンコーダシステムを採用した場合について例示したが、これに限らず、例えば米国特許出願公開第2006/0227309号明細書などに開示されているように、ウエハステージにエンコーダヘッドを設け、これに対向してウエハステージの外部に格子部例えば2次元格子又は2次元に配置された1次元の格子部を配置する構成のエンコーダシステムを採用しても良い。この場合において、Zヘッドもウエハステージに設け、その格子部の面を、Zヘッドの計測ビームが照射される反射面としても良い。また、上記実施形態では、例えばヘッドユニット62A,62Cの内部にエンコーダヘッドとZヘッドとが、別々に設けられている場合について説明したが、エンコーダヘッドとZヘッドとの機能を備えた単一のヘッドを、エンコーダヘッドとZヘッドの組に代えて用いても良い。また、上記実施形態では、1軸方向を計測方向とする1次元エンコーダヘッドXヘッド、Yヘッドが設けられている場合について説明したが、互いに直交する2軸方向を計測方向とする2次元エンコーダヘッドあるいは互いに直交する2軸方向をそれぞれ計測方向とする2つの1次元エンコーダヘッドの組を用いても良い。係る場合、エンコーダヘッドの配置に対応してウエハテーブルウエハステージ上に設けられる格子部Yスケール、Xスケールに代えて、2次元格子を設けることとなる。また、上記実施形態及び各変形例以下、単に上記実施形態と総称するに係る露光装置における投影光学系は縮小系のみならず等倍及び拡大系のいずれでも良いし、投影光学系PLは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。また、前述の照明領域及び露光領域はその形状が矩形であるものとしたが、これに限らず、例えば円弧、台形、あるいは平行四辺形などでも良い。なお、上記実施形態に係る露光装置の光源は、ArFエキシマレーザに限らず、KrFエキシマレーザ出力波長248nm、F2レーザ出力波長157nmなどのパルスレーザ光源、g線波長436nm、i線波長365nmなどの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、YAGレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第7023610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム又はエルビウムとイッテルビウムの両方がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。いずれにしても、その光源から発せられる光を用いて、空気より屈折率が高い液体を用いて液浸露光が可能な光源であれば良い。また、上記実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン又は位相パターン減光パターンを形成した光透過型マスクレチクルを用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子空間光変調器の一種であるDMDDigitalMicromirrorDeviceなどを含むを用いても良い。また、例えば干渉縞をウエハ上に形成することによって、ウエハ上にラインアンドスペースパターンを形成する露光装置リソグラフィシステムにも上記実施形態は適用することができる。さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体エネルギビームが照射される露光対象の物体はウエハに限られるものではなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD等、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記実施形態を適用できる。半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態に係る露光装置パターン形成装置によりマスクレチクルのパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態に係る露光装置を用いて液浸露光が行われ、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。"