使用周波数帯域の異なる複数の通信システムの送信と受信を切り換えるための高周波回路であって、前記複数の通信システムには、時分割複信の第1の通信システムおよび周波数分割複信の第2および第3の通信システムが少なくとも含まれ、前記第1および第2の通信システムの無線通信をするための第1のアンテナ端子と、前記第3の通信システムの無線通信をするための第2のアンテナ端子と、共通端子と少なくとも三つの切り換え端子を有する第1のFETスイッチとを有し、前記第1のFETスイッチの共通端子は前記第1のアンテナ端子に接続されるとともに、前記三つの切り換え端子には、それぞれ前記第1の通信システムの第1の送信経路、前記第1の通信システムの第1の受信経路および前記第2の通信システムの第1の送受信経路が接続され、前記第2のアンテナ端子には前記第3の通信システムの第1の送受信経路が接続され、前記第2および第3の通信システムの送受信経路は、それぞれデュプレクサを用いて送信経路と第1の受信経路とに分岐されることを特徴とする高周波回路。前記複数の通信システムには、さらに送信と受信を異なるタイミングで行う第4の通信システムが含まれ、共通端子と少なくとも三つの切り換え端子を有する第2のFETスイッチとを有し、前記第2のFETスイッチの共通端子は前記第2のアンテナ端子に接続されるとともに、前記第2のFETスイッチの三つの切り換え端子には、それぞれ前記第3の通信システムの第1の送受信経路、前記第4の通信システムの送信経路および受信経路が接続されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波回路。前記複数の通信システムには、さらに送信と受信を異なるタイミングで行う第5の通信システムが含まれ、前記第1のFETスイッチは前記第1のアンテナ端子と前記第5の通信システムの送信経路または受信経路との接続の切り換えも行うことを特徴とする請求項1または2に記載の高周波回路。前記第1および第2の通信システムの無線通信をするための第3のアンテナ端子と、共通端子と少なくとも二つの切り換え端子を有する第3のFETスイッチとを有し、前記第3のFETスイッチの共通端子は前記第3のアンテナ端子に接続されるとともに、前記第3のFETスイッチの二つの切り換え端子には、それぞれ前記第1の通信システムの第2の受信経路および前記第2の通信システムの第2の受信経路が接続されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の高周波回路。共通端子と少なくとも二つの切り換え端子を有する第4のFETスイッチを有し、前記第1のFETスイッチの三つの切り換え端子のうちの一つには前記第1の通信システムの第1の送信経路の代わりに前記第4のFETスイッチの一方の切り換え端子が接続され、前記第4のFETスイッチの他方の切り換え端子は、前記第3のFETスイッチの前記二つの切り換え端子とは別の切り換え端子に接続され、前記第1の通信システムの送信端子は、前記第4のFETスイッチの共通端子に接続されて、前記第4のFETスイッチを介して、前記第1のアンテナ端子または前記第2のアンテナ端子を選択して接続されることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の高周波回路。前記第3の通信システムの無線通信をするための第4のアンテナ端子を有し、前記第3の通信システムの第2の受信経路が前記第4のアンテナ端子に接続されていることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の高周波回路。前記複数の通信システムには周波数分割複信の第6の通信システムが含まれ、共通端子と少なくとも二つの切り換え端子を有する第5のFETスイッチを有し、前記第2のFETスイッチの前記三つの切り換え端子とは別の切り換え端子に、前記第6の通信システムの送受信経路が接続され、前記第5のFETスイッチの共通端子は前記第4のアンテナ端子に接続されるとともに、前記第3の通信システムの第2の受信経路と前記第6の通信システムの受信経路が、それぞれ前記前記第5のFETスイッチの切り換え端子に接続されていることを特徴とする請求項6に記載の高周波回路。請求項1~7のいずれか一項に記載の高周波回路を構成した回路基板であって、前記第2の通信システムの第1の送受信経路を含む回路と、前記第2のアンテナ端子に接続された前記第3の通信システムの送受信経路を含む回路は、それぞれ別々のモジュールで構成されて、前記回路基板に実装されていることを特徴とする回路基板。請求項4~7のいずれか一項に記載の高周波回路を構成した回路基板であって、前記各FETスイッチを含む回路はそれぞれ別々のモジュールで構成されて、前記回路基板に実装されていることを特徴とする回路基板。請求項8または9に記載の回路基板を用いた通信装置。上記第3世代のW-CDMA、UMTS等は送信と受信を異なる周波数帯で行い同時送受信を行う周波数分割複信を採用している。一方、LTEのうち、TD-LTEは全二重化のモードとしてTDD時分割複信を採用している。この場合は、多重化技術だけでなく、全二重化モードも異なる通信システムが混在することとなる。携帯端末はその性格上、小型であることが常に求められる。そのような中で、上記のように多種多様な通信システムが混在する場合、送受信の切り換えを行う回路の小型化は、よりいっそう重要かつ困難な課題となっていた。しかしながら、特許文献1に示すアンテナスイッチモジュールは、周波数帯域や多重化技術の異なる通信システムを対象としており、全二重化モードが異なる通信システムまでもが混在する場合について明示されているものではない。すなわち特許文献1に代表される従来技術では、周波数分割複信の通信システムと時分割複信の通信システムが混在する複数の通信システムの送受信の切り換えに対して、それを実現する具体的な手段を提供するには至っていなかった。そこで、本発明では、回路全体の大型化を抑えつつ、周波数分割複信の通信システムと時分割複信の通信システムが混在する複数の通信システムの送受信の切り換えが可能な高周波回路、回路基板およびこれを用いた通信装置を提供することを目的とする。本発明の高周波回路は、使用周波数帯域の異なる複数の通信システムの送信と受信を切り換えるための高周波回路であって、前記複数の通信システムには、時分割複信の第1の通信システムおよび周波数分割複信の第2および第3の通信システムが少なくとも含まれ、前記第1および第2の通信システムの無線通信をするための第1のアンテナ端子と、前記第3の通信システムの無線通信をするための第2のアンテナ端子と、共通端子と少なくとも三つの切り換え端子を有する第1のFETスイッチとを有し、前記第1のFETスイッチの共通端子は前記第1のアンテナ端子に接続されるとともに、前記三つの切り換え端子には、それぞれ前記第1の通信システムの第1の送信経路、前記第1の通信システムの第1の受信経路および前記第2の通信システムの第1の送受信経路が接続され、前記第2のアンテナ端子には前記第3の通信システムの第1の送受信経路が接続され、前記第2および第3の通信システムの送受信経路は、それぞれデュプレクサを用いて送信経路と第1の受信経路とに分岐されることを特徴とする。第1の通信システムは時分割複信の通信システムであるため送受信の切り換えはスイッチ回路を用いる必要がある。一方、第2、第3の通信システムは第1の通信システムと周波数帯域が異なるため、各通信システムの切り換えはダイプレクサを用いることも可能ではある。しかし、本願発明においては、各通信システムの切り換えを、ダイプレクサを用いず、第1の通信システムの送受信の切り換えに用いるスイッチ回路と、それぞれ別々のアンテナに接続される複数のアンテナ端子を利用することで、第2、第3の通信システムの切り換えも可能な高周波回路を提供する。これによって、回路全体の大型化を抑えつつ、周波数分割複信の通信システムと時分割複信の通信システムが混在する複数の通信システムの送受信の切り換えが可能になる。また、ダイプレクサを省略すると、損失低減の効果も発揮される。さらに、前記高周波回路において、前記複数の通信システムには、さらに送信と受信を異なるタイミングで行う第4の通信システムが含まれ、共通端子と少なくとも三つの切り換え端子を有する第2のFETスイッチとを有し、前記第2のFETスイッチの共通端子は前記第2のアンテナ端子に接続されるとともに、前記第2のFETスイッチの三つの切り換え端子には、それぞれ前記第3の通信システムの第1の送受信経路、前記第4の通信システムの送信経路および受信経路が接続されていることが好ましい。FETスイッチを用いた通信システムの拡張によって、回路全体の大型化を抑えつつ、より多くの通信システムを取り扱うことが可能となる。また、前記高周波回路において、前記複数の通信システムには、さらに送信と受信を異なるタイミングで行う第5の通信システムが含まれ、前記第1のFETスイッチは前記第1のアンテナ端子と前記第5の通信システムの送信経路または受信経路との接続の切り換えも行うことが好ましい。切り換え端子を増設してFETスイッチの切り換え機能を拡張することにより、回路全体の大型化を抑えつつ、より多くの通信システムを取り扱うことができる。さらに、前記高周波回路において、前記第1および第2の通信システムの無線通信をするための第3のアンテナ端子と、共通端子と少なくとも二つの切り換え端子を有する第3のFETスイッチとを有し、前記第3のFETスイッチの共通端子は前記第3のアンテナ端子に接続されるとともに、前記第3のFETスイッチの二つの切り換え端子には、それぞれ前記第1の通信システムの第2の受信経路および前記第2の通信システムの第2の受信経路が接続されていることが好ましい。かかる構成によって、第1の通信システムおよび第2の通信システムにおいて、異なるアンテナからの同時受信が可能となり、質の高い通信が可能となり、高速データ通信に対応できる。さらに、前記高周波回路において、共通端子と少なくとも二つの切り換え端子を有する第4のFETスイッチを有し、前記第1のFETスイッチの三つの切り換え端子のうちの一つには前記第1の通信システムの第1の送信経路の代わりに前記第4のFETスイッチの一方の切り換え端子が接続され、前記第4のFETスイッチの他方の切り換え端子は、前記第3のFETスイッチの切り換え端子の一つに接続され、前記第1の通信システムの送信端子は、前記第4のFETスイッチの共通端子に接続されて、前記第4のFETスイッチを介して、前記第1のアンテナ端子または前記第2のアンテナ端子を選択して接続されることが好ましい。かかる構成によって、第1の通信システムにおいて、ダイバーシティ送信が可能となるため、感度の良いアンテナを使用することができ、送信の通信品質を向上させ、高速データ通信に対応できる。さらに、前記高周波回路において、前記第3の通信システムの無線通信をするための第4のアンテナ端子を有し、前記第3の通信システムの第2の受信経路が前記第4のアンテナ端子に接続されていることが好ましい。かかる構成によって、第1の通信システムと周波数帯域が異なる第3の通信システムにおいても、異なるアンテナからの同時受信が可能となる。さらに、前記高周波回路において、前記複数の通信システムには、さらに周波数分割複信の第6の通信システムが含まれ、共通端子と少なくとも二つの切り換え端子を有する第5のFETスイッチを有し、前記第2のFETスイッチの前記三つの切り換え端子とは別の切り換え端子に、前記第6の通信システムの送受信経路が接続され、前記第5のFETスイッチの共通端子は前記第4のアンテナ端子に接続されるとともに、前記第3の通信システムの第2の受信経路と前記第6の通信システムの受信経路が、それぞれ前記第5のFETスイッチの切り換え端子に接続されていることが好ましい。FETスイッチを用いた通信システムの拡張によって、回路全体の大型化を抑えつつ、より多くの通信システムを取り扱うことが可能となる。また、前記構成によって、第6の通信システムにおいても、異なるアンテナからの同時受信が可能となり、質の高い通信が提供される。本発明の回路基板は、前記高周波回路を構成した回路基板であって、前記第2の通信システムの第1の送受信経路を含む回路と、前記第2のアンテナ端子に接続された前記第3の通信システムの送受信経路を含む回路は、それぞれ別々のモジュールで構成されて、前記回路基板に実装されていることを特徴とする。かかる構成によれば、回路基板全体の大型化を抑えつつ、周波数分割複信の通信システムと時分割複信の通信システムが混在する複数の通信システムの送受信の切り換えが可能である。また、第1のアンテナ端子に接続された信号経路と第2のアンテナ端子に接続された信号経路間の相互干渉を抑制することにも寄与する。また、本発明の別の回路基板は、前記高周波回路を構成した回路基板であって、前記各FETスイッチを含む回路はそれぞれ別々のモジュールで構成されて、前記回路基板に実装されていることを特徴とする。かかる構成によって、特定のモジュールだけが大型化することを回避できる。本発明によれば、回路全体の大型化を抑えつつ、周波数分割複信の通信システムと時分割複信の通信システムが混在する複数の通信システムの送受信の切り換えが可能な高周波回路、回路基板およびこれを用いた通信装置を提供することが可能となる。本発明は、使用周波数帯域の異なる複数の通信システムの送信と受信を切り換えるための高周波回路に係る。以下、図面を参照しつつ、本発明の高周波回路の実施形態について説明するが、本発明がこれに限定されるものではない。第1の実施形態図1は本発明に係る高周波回路の第1の実施形態の構成を示す回路ブロック図である。前記複数の通信システムには、時分割複信の第1の通信システムおよび周波数分割複信の第2および第3の通信システムが少なくとも含まれる。以下の実施形態では、第1の通信システムの周波数帯域よりも第2の通信システムの周波数帯域が、第2の通信システムの周波数帯域よりも第3の通信システムの通信システムの周波数帯域の方が低くなっている。特に、第1の通信システムと第2の通信システムの周波数帯域の差よりも、第2の通信システムと第3の通信システムの周波数帯域の差が大きい。具体的には、時分割複信の第1の通信システムの例として2570~2620MHz帯を使用するTD-LTEを想定している。また、周波数分割複信の第2の通信システムの例として送信1920~1980MHz帯/受信2110~2170MHz帯を使用するUMTSを、周波数分割複信の第3の通信システムの例として送信880~915MHz帯/受信925~960MHz帯を使用するUMTSを想定している。図1に示す実施形態は、第1および第2の通信システムの無線通信をするための第1のアンテナ端子ANT-H1と、第3の通信システムの無線通信をするための第2のアンテナ端子ANT-L1と、共通端子と少なくとも三つの切り換え端子を有する第1のFETスイッチSW1とを有する。第1のFETスイッチSW1の共通端子は第1のアンテナ端子ANT-H1に接続されるとともに、三つの切り換え端子には、それぞれ第1の通信システムの第1の送信経路、第1の通信システムの第1の受信経路および第2の通信システムの第1の送受信経路が接続されている。かかる構成により、第1のアンテナ端子ANT-H1に接続された信号経路は、第1のFETスイッチSW1を用いて、第1の通信システムの第1の送信経路、第1の通信システムの第1の受信経路または第2の通信システムの第1の送受信経路に切り換えられる。一方、第2のアンテナ端子ANT-L1には第3の通信システムの第1の送受信経路が接続されている。第2および第3の通信システムの送受信経路は、それぞれデュプレクサDup1、Dup2を用いて送信経路と第1の受信経路とに分岐される。第2の通信システムの送信信号は第1の送信端子UTx1から入力され、受信信号はデュプレクサDup1によって不平衡-平衡変換されて平衡端子である第1の受信端子URx1-1から出力される。第3の通信システムの送信信号は第1の送信端子UTx8から入力され、受信信号はデュプレクサDup2によって不平衡-平衡変換されて平衡端子である第1の受信端子URx8-1から出力される。図1に示す、かかる構成によって、周波数分割複信の通信システムと時分割複信の通信システムが混在する複数の通信システムの送受信の切り換えが可能となっている。第1のFETスイッチSW1の切り換え端子に接続された回路についてさらに詳述する。第1の通信システムの第1の送信経路には、第1のFETスイッチSW1側から順にローパスフィルタLPF、高周波増幅器HPA、バンドパスフィルタBPFおよびバランBALが配置されている。平衡端子である第1の通信システムの送信端子TDTxはバランBALを介して高周波増幅器HPAへと接続されている。第1の通信システムの送信端子TDTxから入力する送信信号は高周波増幅器HPAによって増幅される。高周波増幅器HPAの入力側に設けられたBPFは高周波増幅器HPAに不要な信号が入力することを防ぎ、高周波増幅器HPAの出力側に設けられたLPFは高周波増幅器HPAで発生する高調波を減衰させる。また、高周波増幅器HPAの出力側には高周波信号の出力電力を検出するための検波回路が設けられ、該検波回路からの出力を検波端子DETで検出する。一方、第1の通信システムの第1の受信経路には、第1のFETスイッチSW1側から順にバンドパスフィルタBPF、低雑音増幅器LNA、バンドパスフィルタBPFおよびバランBALが配置されている。低雑音増幅器LNAで増幅された受信信号は、バランBALを介して平衡端子である第1の受信端子TDRx1に出力される。低雑音増幅器LNAの入力側および出力側に設けられたバンドパスフィルタBPFは、それぞれ低雑音増幅器LNAに不要な信号が入力すること、不要な信号が第1の受信端子TDRx1から出力されることを抑制する。上記の各フィルタ、検波回路、バランは、用途や必要とされる特性等に応じて、省略したり、配置を変更したりすることができる。上述のように第1の通信システムの周波数帯域と第2および第3の通信システムの周波数帯域とは400MHz以上の差があり、第1、第2の通信システムの周波数帯域と第3の通信システムの周波数帯域とは1000MHz以上の差がある。これらの周波数帯域の差を利用してダイプレクサによって、例えば第2の通信システムの信号経路と第3の通信システムの信号経路を分岐する方法もあるが、図1に示す構成では、ダイプレクサを用いずに、第2の通信システムの信号経路と第3の通信システムの信号経路を別々のアンテナ端子に接続している。かかる構成によってダイプレクサを用いる場合に比べて低損失化が図られている。また、1700MHz以上の高周波帯域を使用する第1、第2の通信システムの信号経路を第1のアンテナ端子ANT-H1に接続し、1000MHz以下の低周波帯域を使用する第3の通信システムの信号経路を第2のアンテナ端子ANT-L1に接続することで、それぞれの帯域に最適化されたアンテナを接続することができ、損失を低減することにも寄与している。ANT-L1は700MHz~1000MHzの周波数帯域の通信システムで使用し、ANT-H1は1700MHz~2700MHzの周波数帯域の通信システムで使用することが好ましい。また、第1の通信システムの周波数帯域と第2の通信システムの周波数帯域とは400MHz以上の差があり、これらの周波数帯域の差を利用してダイプレクサによって、第1の通信システムの信号経路と第2の通信システムの信号経路を分岐する方法もあるが、図1に示す構成では、ダイプレクサを用いずに第1のFETスイッチSW1によって第1の通信システムの信号経路と第2の通信システムの信号経路の切り換えを行う。かかる構成もよりいっそうの低損失化に寄与している。第1の通信システムは時分割複信であるため、第1のアンテナ端子ANT-H1に接続される送受信経路は第1のFETスイッチSW1を用いて送信経路と受信経路とに切り換える。さらに第1のFETスイッチSW1はSP3T型のFETスイッチであり、第2の通信システムの送受信信号経路への切り換えの機能も有しているため、高周波回路の大型化が抑制されている。特に、FETスイッチを用いることには、さらに別の通信システムにも対応可能な回路を構成する場合にも拡張しやすく、回路の大型化を抑制できるという利点がある。図1に示す実施形態ではFETスイッチSW1はSP3T型のスイッチを用いているが、SP3Tの機能に加えてさらに切り換え端子等を備えたmPnTmは1以上、nは3以上の自然数スイッチを用いてもよい。本発明に係る回路基板においては、スイッチ回路はGaAs、Si、サファイヤ等の電界効果トランジスタで構成されたFETスイッチを用いる。回路基板に構成される高周波回路自体は、FETスイッチ以外のスイッチ例えばダイオードスイッチを用いて構成することも可能であるが、高周波回路全体の小型化を図るためにFETスイッチを用いている。かかる高周波回路を構成した回路基板について以下説明する。図1に示す実施形態では、第1のアンテナ端子ANT-H1に接続された第1のFETスイッチSW1を含む回路、すなわち第2の通信システムの第1の送受信経路を含む回路と、第2のアンテナ端子ANT-L1に接続された回路、すなわち第3の通信システムの送受信経路を含む回路とは、それぞれ別々のモジュールで構成されている。具体的には、モジュール1に構成されているのは、第1のFETスイッチSW1から、その切り換え端子に接続された第2の通信システムの送信端子UTx1および第1の受信端子URx1-1までの、破線で囲まれた回路部分である。また、モジュール2に構成されているのは、第1のFETスイッチSW1の切り換え端子に接続される、第1の通信システムの送信端子TDTxまでの送信経路および第1の受信端子TDRx1までの受信経路であり、図の一点鎖線で囲まれた回路部分である。さらに、モジュール3に構成されているのは、第2のアンテナ端子ANT-L1に接続された、第3の通信システムの第1の送信端子UTx8および第1の受信端子URx8-1までの信号経路であり、図の二点鎖線で囲まれた回路部分である。後述する実施形態の場合も含め、各モジュールはセラミックス、樹脂等の誘電体または絶縁体で構成された基板部品である。かかる基板部品は、LTCC低温同時焼成セラミックスの製法等、従来から知られている基板部品の製法によって製造することができる。図1に示す実施形態の各モジュールは、複数の誘電体層を用いて構成された積層基板であるが、各モジュールの構成はこれに限定されるものではない。モジュール1においては、FETスイッチSW1およびデュプレクサDup1はチップ部品あるいはベアチップとして積層基板の表面に実装されている。積層基板の裏面には、第1のFETスイッチSW1の共通端子が接続される第1のアンテナ端子ANT-H1、第2の通信システムの送信端子UTx1および第1の受信端子URx1-1等、他の回路に接続するための端子が形成されている。モジュール2においては、バンドパスフィルタBPF、ローパスフィルタLPFおよびバランBALは、誘電体層に形成された電極パターンを用いて積層基板の中に構成され、高周波増幅器HPAおよび低雑音増幅器LNAはチップ部品あるいはベアチップとして前記積層基板の表面に実装されている。バンドパスフィルタBPFは必要な特性に応じて、SAWSurfaceAcousticWaveフィルタやBAWBulkAcousticWaveフィルタが使用され、チップ部品あるいはベアチップとして前記積層基板の表面に実装される。また、バランBALの機能はSAWフィルタやBAWフィルタに含まれている場合もある。インダクタンス素子、キャパスタンス素子、抵抗素子等の回路素子のうち、積層体に構成されないものは積層基板上にチップ部品として実装される。なお、チップ部品が実装されたモジュール表面は樹脂封止等が施されるかあるいは金属製の上部パッケージが搭載される場合が多いが、かかる樹脂封止等した場合であっても、チップ部品の実装面をもって表面と称することとする。積層基板の裏面には、第1のFETスイッチSW1に接続するための端子、第1の通信システムの送信端子TDTxおよび第1の受信端子TDRx1等、他の回路に接続するための端子が、裏面の周縁に沿って形成されている。また、モジュール3において、Dup2はチップ部品あるいはベアチップとして積層基板の表面に実装されている。モジュール1および2と同様に、積層基板の裏面には、第2のアンテナ端子ANT-L1並びに第3の通信システムの送信端子UTx8および第1の受信端子URx8-1等、他の回路に接続するための端子が形成されている。モジュール1等が回路基板に実装されて、図1に示す高周波回路を有する回路基板が構成される。図1に示す実施形態を有する高周波回路では、高周波増幅器HPA、低雑音増幅器LNAなどのICチップを備えている他、回路規模が大きいデュプレクサDup1をチップ素子として備えており、これらを一つのモジュールに構成しようとすると、実装素子の増大によってモジュールが大型化してしまうとともに、各信号経路間のアイソレーションも取りづらくなってしまう。また、高周波増幅器HPAの発生する熱により、デュプレクサDup1の特性変動を引き起してしまう。図1に示す実施形態のように、高周波増幅器HPA、低雑音増幅器LNAなどの増幅器と、デュプレクサは互いに別々のモジュールに搭載されるように構成されているので、かかる点においてモジュールの大型化などが抑制されている。また、各モジュールに配置されたFETスイッチは、各モジュールに構成された回路の末端に位置しており、モジュールの表面においても端に寄せて配置しやすい。より好ましくは、他のチップ素子を介さずにモジュール表面の周縁に寄せて配置するとよい。モジュール表面で大きな占有面積を占めるFETスイッチを端に寄せることで、高周波増幅器、低雑音増幅器、デュプレクサ、表面弾性波フィルタ等、他の大きなチップ素子も同時に搭載する際に、配置面積のロスを少なくすることができる。また、FETスイッチを表面の周縁に寄せて配置することによって、裏面の周縁に沿って形成された共通端子との接続距離を短くし、低損失化にも寄与する。なお、上記各デュプレクサは上記モジュール以外の部分に配置することもできる。また、バンドパスフィルタ等の各フィルタの構成素子についても、要求される特性等に応じてモジュール内への内蔵とチップ素子の使用とを選択することができる。以下の他の実施形態においては、上記第1の実施形態と、構成、機能、作用効果が同様のものはその説明を適宜省略している。各FETスイッチは各実施形態で示した切り換え端子数よりも多くの切り換え端子を備えてもよいのは言うまでもない。また、以下の実施形態は上記第1の実施形態を変形拡張しているものであるが、その変形拡張部分については相互に組み合わせることが可能である。第2の実施形態次に図2を参照しつつ第2の実施形態について説明する。図2は第2の実施形態の高周波回路の構成を示す回路ブロック図である。かかる第2の実施形態では、複数の通信システムに、さらに送信と受信を異なるタイミングで行う第4の通信システムを含む。第4の通信システムとして想定しているのは、例えば送信824~849MHz帯/受信869~894MHz帯を使用するGSM850である。第2の実施形態では、第2のアンテナ端子ANT-L1に接続されている部分の構成が、第1の実施形態のそれと異なる。他の部分は図1に示す第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。第2の実施形態では第2のアンテナ端子ANT-L1にSP3T型の第2のFETスイッチSW2の共通端子が接続されている。かかる第2のFETスイッチSW2の切り換え端子の一つには第3の通信システムの送受信経路が接続され、他の二つの切り換え端子には第4の通信システムの送信経路および受信経路が接続され、第2のFETスイッチはこれらと第2のアンテナ端子ANT-L1との接続の切り換えを行う。すなわち、第2のアンテナ端子ANT-L1には、1000MHz以下の低周波帯域を使用する複数の通信システムの送受信経路が接続される。第4の通信システムの受信経路には不平衡-平衡型の表面弾性波フィルタSAWが配置され、第4の通信システムの受信信号は平衡端子である受信端子Rx1から出力される。一方、第4の通信システムの送信経路にはローパスフィルタLPFが配置され、送信端子Tx1から入力される送信信号の高調波等が抑制される。図2に示すように、モジュール3に構成されているのは、第2のアンテナ端子ANT-L1に接続される第2のFETスイッチSW2の共通端子から、第3の通信システムの送信端子UTx8および第1の受信端子URx8-1、並びに第4の通信システムの送信端子Tx1および受信端子Rx1までの二点鎖線で囲まれた回路部分である。第4の通信システムの受信経路に配置された表面弾性波フィルタSAWはモジュール3の表面に実装され、第4の通信システムの送信経路に配置されたローパスフィルタLPFは、誘電体層に形成された電極パターンを用いてモジュール3の内部に構成されている。第2のFETスイッチSW2が第4の通信システムの送信受信の切り換えも兼ねているので、回路基板が大型化するのを抑えつつ、さらに多くの通信システムの送受信に対応可能な回路基板が提供される。また、図2に示すように、表面弾性波フィルタSAWは、高周波増幅器HPAが搭載されていないモジュールにおいて用い、高周波増幅器HPAが搭載されているモジュールでは用いない構成がより好ましい。これによって高周波増幅器HPAの発熱による特性変動が抑制される。かかる構成は図2に示す実施形態に限らず、以下の実施形態においても有効である。また、第2のFETスイッチSW2を含む回路は、第1のFETスイッチSW1を含む回路が構成されたモジュール1とは別のモジュール3に構成されて回路基板に実装されている。特定のモジュールだけに多くの機能を集積すると、特定のモジュールだけが大型化することで回路基板上における回路全体の配置スペースのロスが生じたり、信号経路間の干渉を招くおそれがある。これに対して、複数のFETスイッチを互いに別のモジュールに実装することで、特定のモジュールだけが大型化すること等を回避できる。第3の実施形態次に、図3を参照しつつ第3の実施形態について説明する。図3は第3の実施形態の高周波回路の構成を示す回路ブロック図である。かかる第3の実施形態では、複数の通信システムに、さらに送信と受信を異なるタイミングで行う第5の通信システムを含む。第5の通信システムとして想定しているのは、例えば送信1710~1785MHz帯/受信1805~1880MHz帯を使用するGSM1800である。第3の実施形態では、第1のアンテナ端子ANT-H1に接続されている部分の構成が、第2の実施形態のそれと異なる。他の部分は図2に示す第2の実施形態と同様であるので説明を省略する。第3の実施形態では第1のアンテナ端子ANT-H1に、切り換え端子を増設したSP5T型の第1のFETスイッチSW1’が接続されている。かかる第1のFETスイッチSW1’の切り換え端子のうち三つには実施形態2と同様に、第1の通信システムの送信経路および第1の受信経路並びに第2の通信システムの第1の送受信経路が接続され、増設した他の二つの切り換え端子にはそれぞれ第5の通信システムの送信経路、受信経路が接続される。第1のFETスイッチはこれらの信号経路の接続の切り換えも行う。すなわち、第1のアンテナ端子ANT-H1には、1700MHz以上の高周波帯域を使用する複数の通信システムの送受信経路が接続される。第5の通信システムの受信経路には不平衡-平衡型の表面弾性波フィルタSAWが配置され、第5の通信システムの受信信号は平衡端子である受信端子Rx2から出力される。一方、第5の通信システムの送信経路にはローパスフィルタLPFが配置され、送信端子Tx2から入力される送信信号の高調波等が抑制される。図3に示すように、モジュール1に構成されているのは、第1のFETスイッチSW1’から、その切り換え端子に接続された第2の通信システムの送信端子UTx1および第1の受信端子URx1-1、並びに第5の通信システムの送信端子Tx2および受信端子Rx2までの、破線で囲まれた回路部分である。第5の通信システムの受信経路に配置された表面弾性波フィルタSAWはモジュール1の表面に実装され、第5の通信システムの送信経路に配置されたローパスフィルタLPFは、誘電体層に形成された電極パターンを用いてモジュール1の内部に構成されている。第1のFETスイッチSW1’が第5の通信システムの送信受信の切り換えも兼ねているので、高周波回路およびそれを構成した回路基板が大型化するのを抑えつつ、さらに多くの通信システムの送受信に対応可能な回路基板が提供される。第4の実施形態次に、図4を参照しつつ第4の実施形態について説明する。図4は第4の実施形態の高周波回路の構成を示す回路ブロック図である。かかる第4の実施形態では、上記第3の実施形態に対して、第1、第2の通信システムの無線通信をするための第3のアンテナ端子ANT-H2と、共通端子と二つの切り換え端子を有する第3のFETスイッチSW3とをさらに有する。なお、第1のアンテナ端子ANT-H1および第2のアンテナ端子ANT-L1に接続されている回路部分は図3に示す第3の実施形態と同様であるので、説明を省略する。第3のFETスイッチSW3の共通端子は第3のアンテナ端子ANT-H2に接続されるとともに、第3のFETスイッチSW3の一方の切り換え端子には第1の通信システムの第2の受信経路が接続されている。第1の通信システムの第2の受信経路には、第3のFETスイッチSW3側から順にバンドパスフィルタBPF、低雑音増幅器LNA、バンドパスフィルタBPFおよびバランBALが配置されている。低雑音増幅器LNAで増幅された受信信号は、バランBALを介して平衡端子である第2の受信端子TDRx2に出力される。また、第3のFETスイッチSW3の他方の切り換え端子には第2の通信システムの第2の受信経路が接続されている。第2の通信システムの第2の受信経路には不平衡-平衡型の表面弾性波フィルタSAWが配置され、第2通信システムの受信信号は平衡端子である第2の通信システムの第2の受信端子URx1-2から出力される。図4に示す実施形態では、第1の通信システムの第2の受信経路は、第1の受信経路が接続された第1のアンテナ端子とは別の、第2のアンテナ端子に接続されており、それぞれ異なるアンテナ端子に接続された二つの受信端子に同時に受信信号を出力することが可能になっている。すなわち、第1の通信システムに対して1T2R型のMIMOなお、ここでは、送信は一つであるが、受信が二以上のものも便宜的にMIMOと称することとする。以下同じ。の送受信が可能な回路が実現されている。第3のFETスイッチSW3は第1の通信システムの第2の受信経路と第2の通信システムの第2の受信経路との切り換えを行うため、第2の通信システムにおいても、それぞれ異なるアンテナ端子に接続された二つの受信端子に同時に受信信号を出力することが可能になっている。すなわち、第2の通信システムに対しても1T2R型の送受信が可能な回路が実現されている。なお、図4に示す実施形態は、第1の通信システムと第2の通信システムの両方を1T2R型の送受信が可能な構成であるが、それらの一方だけについて1T2R型の送受信が可能な構成にしてもよい。第3のFETスイッチSW3の切り換え端子に接続された第1の通信システムの第2の受信経路はモジュール2に構成されている。モジュール2に構成されている、バンドパスフィルタBPFから第2の受信端子TDRx2までの回路のうち、低雑音増幅器LNAはモジュール2を構成する積層基板の表面に実装され、二つのバンドパスフィルタおよびバランBALは誘電体層に形成された電極パターンを用いてモジュール2を構成する積層基板の内部に設けられている。バンドパスフィルタBPFは必要な特性に応じて、SAWSurfaceAcousticWaveフィルタやBAWBulkAcousticWaveフィルタが使用され、チップ部品あるいはベアチップとして前記積層基板の表面に実装される。また、バランBALの機能はSAWフィルタやBAWフィルタに含まれている場合もある。一方、第3のFETスイッチSW3の他方の切り換え端子に接続された、第2の通信システムの第2の受信経路はモジュール4に構成されている。モジュール4に構成されているのは、第3のアンテナ端子ANT-H2に接続される第3のFETスイッチSW3の共通端子から、第2の通信システムの第2の受信端子URx1-2までの点線で囲まれた回路部分である。第2の通信システムの第2の受信経路に配置された表面弾性波フィルタSAWはモジュール4の表面に実装されている。第3のFETスイッチSW3を含む回路は、第1および第2のFETスイッチSW1’、SW2を含む回路が構成されたモジュール1、3とは別のモジュール4に構成されて回路基板に実装されている。第3のFETスイッチを含む第3の実施形態においても、複数のFETスイッチを互いに別のモジュールに実装することで、特定のモジュールだけが大型化することを回避できる。第5の実施形態次に、図5を参照しつつ第5の実施形態について説明する。図5に示す第5の実施形態は、図4に示した第4の実施形態とは、第1の通信システムの送信経路に係る部分が異なる。すなわち、第5の実施形態は、共通端子と二つの切り換え端子を有するSPDT型の第4のFETスイッチSW4をさらに有し、第3のFETスイッチSW3’として三つの切り換え端子を備えるSP3T型のFETスイッチを有する。第1の通信システムの送信端子TDTxは、第4のFETスイッチSW4の共通端子に接続されている。第1のFETスイッチSW1’の三つの切り換え端子のうちの一つには第1の通信システムの第1の送信経路の代わりに第4のFETスイッチSW4の一方の切り換え端子が接続され、第4のFETスイッチSW4の他方の切り換え端子は第3のFETスイッチSW3’の切り換え端子の一つに接続されている。第1の通信システムの送信端子TDTxは、第4のFETスイッチSW4を介して、第1のアンテナ端子ANT-H1または第2のアンテナ端子ANT-H2を選択して接続される。すなわち、第1~第3のFETスイッチの切り換えによって、第1の通信システムの送信に関しては、第1のアンテナ端子ANT-H1と第3のアンテナ端子ANT-H2とを選択して接続する、ダイバーシティ送信が可能である。第4のFETスイッチSW4を含む第1の通信システムの送受信経路は、まとめて一つのモジュールモジュール2に構成されている。第6の実施形態次に、図6を参照しつつ第6の実施形態について説明する。図6は第6の実施形態の高周波回路の構成を示す回路ブロック図である。かかる第6の実施形態では、上記第5の実施形態に対して、さらに第3の通信システムの無線通信をするための第4のアンテナ端子ANT-L2と、該アンテナ端子に接続される第3の通信システムの第2の受信経路を有する。すなわち第4のアンテナ端子ANT-L2は、第2のアンテナ端子ANT-L1と同様、1000MHz以下の低周波帯域を使用する通信システムの受信経路が接続される。なお、第4のアンテナ端子ANT-L2に接続されている回路部分以外は図5に示す第5の実施形態と同様であるので、説明を省略する。第3の通信システムの第2の受信経路には、不平衡-平衡型の表面弾性波フィルタSAWが配置され、第3の通信システムの受信信号は平衡端子である第2の受信端子URx8-2から出力される。第3の通信システムにおいても、それぞれ異なるアンテナ端子に接続された二つの受信端子に同時に受信信号を出力することが可能になっている。すなわち、第1と第2の通信システムに加えて第3の通信システムに対しても1T2R型のMIMOの送受信が可能な回路が実現されている。第4のアンテナ端子ANT-L2に接続された第3の通信システムの第2の受信経路はモジュール5に構成されている。モジュール5に構成されているのは、第4のアンテナ端子ANT-L2から、第3の通信システムの第2の受信端子URx8-2までの実線で囲まれた回路部分である。第3の通信システムの第2の受信経路に配置された表面弾性波フィルタSAWはモジュール5の表面に実装されている。異なるアンテナに接続される第3の通信システムの二つの受信経路は、それぞれ別々のモジュールに構成されており、これらの相互干渉が抑制されている。第7の実施形態次に、図7を参照しつつ第7の実施形態について説明する。図7は第7の実施形態の高周波回路の構成を示す回路ブロック図である。かかる第7の実施形態は、上記第6の実施形態に加えて、さらに第4のアンテナ端子ANT-L2に接続される、共通端子と二つの切り換え端子を有する第5のFETスイッチSW5を備え、該第5のFETスイッチSW5と、切り換え端子をさらに増やした第2のFETスイッチSW2’とを用いて、さらに多くの通信システムに対応可能な構成である。すなわち、第2のFETスイッチSW2’はSP4T型であり、第6の実施形態の三つの切り換え端子とは別の、追加された切り換え端子には周波数分割複信の第6の通信システムの送受信経路が接続されている。すなわち第2のFETスイッチSW2’によって、第2のアンテナ端子ANT-L1と、第3の通信システムの第1の送受信経路、第4の通信システムの送信経路および受信経路、並びに第6の通信システムの送受信経路との接続の切り換えが可能になっている。なお、モジュール3における、第2のFETSW2’から送受信端子UTRx5までの第6の通信システムの送受信経路には、デュプレクサは配置されていないが、これはモジュール3以外の部分に設ければよい。一方、SPDT型の第5のFETスイッチSW5の二つの切り換え端子には、それぞれ第6の実施形態において説明した第3の通信システムの第2の受信経路と、第6の通信システムの第2の受信経路が接続されている。第3の通信システムの第2の受信経路と、第6の通信システムの第2の受信経路には、それぞれ不平衡-平衡型の表面弾性波フィルタSAWが配置され、第3の通信システムの受信信号は平衡端子である第2の受信端子URx8-2から、第6の通信システムの受信信号は平衡端子である第2の受信端子URx5から出力される。第6の通信システムとして想定しているのは、例えば送信824~849MHz帯/受信869~894MHz帯を使用するUMTSである。すなわち第4のアンテナ端子ANT-L2は、第2のアンテナ端子ANT-L1と同様、1000MHz以下の低周波帯域を使用する複数の通信システムの受信経路が接続される。図7に示す実施形態においても第2のアンテナ端子ANT-L1に接続された二点鎖線で囲まれた回路部分はモジュール3に、第4のアンテナ端子ANT-L2に接続された実線で囲まれた回路部分はモジュール5に構成されている。第3の通信システムの第2の受信経路と第6の通信システムの第2の受信経路に配置された表面弾性波フィルタSAWはモジュール5の表面に実装されている。第3の通信システムの受信経路に加えて、異なるアンテナに接続される第6の通信システムの二つの受信経路も、それぞれ別々のモジュールに構成されており、これらの相互干渉が抑制されている。なお、上述の各実施形態に対して、さらにFETスイッチの切り換え端子の数を増やすなどして、さらに多くの通信システムの送信受信経路の接続切り換えが可能な構成にしてもよい。次に上記各実施形態における各モジュールの回路基板上の配置について、特に高周波回路部分について説明する。各モジュールはLGA、BGA等の態様で回路基板に実装される。図8は、図6および7に示すモジュール1~5の、回路基板面に垂直な方向から見た回路基板上の配置を示している。上から、第3のアンテナ端子ANT-H2図8では矢印で示したように図の左側に位置する。図8では回路基板側のアンテナ端子にも、それに接続されるモジュールのアンテナ端子と同じ符号を付している。に接続されるモジュール4、第1のアンテナ端子ANT-H1に接続されるモジュール1、第4のアンテナ端子ANT-L2に接続されるモジュール5、第2のアンテナ端子ANT-L1に接続されるモジュール3の順に並べられている。モジュール2はモジュール4の右側かつモジュール1の右上に配置されている。また、モジュール1~5を挟んで第1~4のアンテナ端子の反対側には、上からIC1~3が順に並べられている。第2の通信システムなどのUMTS系と第5の通信システムなどのGSM系の回路が構成されたモジュール1と、第2の通信システムなどのUMTS系の回路が構成されたモジュール4は並べて配置される。更に第3の通信システムなどのUMTS系と第4の通信システムなどのGSM系の回路が構成されたモジュール3と、第3の通信システムなどのUMTS系の回路が構成されたモジュール5は並べて配置される。それぞれ共通の高周波信号の変調/復調を行なうRF-ICIC2、HPAIC3に接続されて、回路全体の大型化が抑えられている。一方、第1の通信システムであるTD-LTEの回路が構成されたモジュール2は、上端に配置され、それに接続するTD-LTEを取り扱うRF-ICIC1も対応して上端に配置されている。GSM系およびUMTS系のRF-ICIC2および/あるいはTD-LTEのRF-ICIC1は、それらの後段に接続されるデジタル信号の処理を行なうBB-IC図示せずと一体化される場合もある。図9は、図6および図7に示すモジュール1~5の別の配置形態を示している。上から、第3のアンテナ端子ANT-H2に接続されるモジュール4、第4のアンテナ端子ANT-L2に接続されるモジュール5、第1のアンテナ端子ANT-H1に接続されるモジュール1、第2のアンテナ端子ANT-L1に接続されるモジュール3の順に並べられている。またモジュール2はモジュール4の右下かつモジュール1の右上に配置されている。また、モジュール1~5を挟んで第1~4のアンテナ端子の反対側には、上からIC4、3が順に並べられている。図9示す実施形態では、図8に示すTD-LTE系のRF-ICIC1とGSM/UMTS系のRF-ICIC2の機能がIC4に一体化され、回路全体のいっそうの小型化が図られている。また、図8に示す実施形態の場合は、MIMOに対応するための第1のアンテナ端子ANT-H1と第3のアンテナ端子ANT-H2第2のアンテナ端子ANT-L1と第4のアンテナ端子ANT-L2が隣り合って配置されていたが、図9に示す実施形態の場合は離れて配置されている。そのため図9の実施形態の構成は、MIMO用アンテナ間のアイソレーションを確保しやすく、MIMO特性の安定化にも寄与する。各モジュールが搭載される回路基板は、例えば携帯電話のメインボードであり、通常、樹脂基板が用いられる。信号線路やFETスイッチの制御電源線路を交差させる場合など、各線路の配置が複雑になる場合には、回路基板として積層樹脂基板を用いることが好ましい。本発明に係る回路基板は、携帯電話等の携帯端末をはじめとした各種通信装置に用いることができる。本発明に係る回路基板を用いることによって、通信装置の小型化に寄与する。