"基板と;基板上に形成された導電部と;導電部と電気接続されるとともに基板上に実装された複数の発光素子と;発光素子を覆うように設けられた蛍光体含有の封止部材と;封止部材からの出射する光が入射するように封止部材を覆って設けられているとともに、封止部材の表面側に対して垂直な円柱部を複数有する拡散層と;を具備することを特徴とする発光装置複数の発光素子の周囲であって、複数の発光素子を囲うように設けられた枠部を有し、封止部材は、枠部の内側に設けらされ、拡散層は、枠部の外面を全て覆うように形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。封止部材は、枠部の上部よりも低い位置で形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の発光装置。請求項1ないし3いずれか一記載の発光装置と;発光装置が設けられる器具本体と;を具備することを特徴とする照明装置。しかしながら、従来の方法では、色ムラを解消するため拡散層を封止部材の表面に設けるだけでは、充分な表面積が得らないため可視光へ変換する際に生じる熱を放熱することができず、光出力が低下してしまうことがあった。特にハイパワー系のLEDチップを用いる場合には発光時の熱も大きくなるため、光出力が高いままで効率的に光を取り出すことが重要である。また、従来の構成であっても色ムラは軽減することができるが、封止部材の側面方向からも光が放射されるため、配光が広がりすぎてしまうこともあり、投光器やスポットライト等の投光器などのビーム角を必要とする器具では器具効率の低下を招くものであった。本発明は、上記に鑑みなされたものであり、色ムラを抑制するとともに光束の低下を抑制することができる発光装置及びこの発光装置を備えた照明器具を提供することを目的とする。本発明の本実施形態における発光装置は、基板と;基板上に形成された導電部と;導電部と電気接続されるとともに基板上に実装された複数の発光素子と;発光素子を覆うように設けられた蛍光体含有の封止部材と;封止部材からの出射する光が入射するように封止部材を覆って設けられているとともに、封止部材の表面側に対して垂直な円柱部を複数有する拡散層と;とからなる。本発明の実施形態によれば、封止部材とは別体で円柱部を有する拡散層を備えたため、色ムラを抑制できるとともに光束の低下も抑制することができる発光装置及びこの発光装置を備えた照明器具を提供できる。実施形態に係る発光装置において、基板には、金属ベース基板やセラミックベース基板及びガラエポからなる樹脂製材料基板等のいずれでも実施可能である。また、例えばDCBDirectCopperBonding基板、DBADirectBrazingAluminum基板、AMCActiveMetalBrazedCopper基板等を用いることもできる。また、実施形態において、セラミックス基材には、Al2O3、ALN、SiN等の材料を用いることができる。また、実施形態において、半導体発光素子には、例えばLEDチップや有機EL等を用いることができる。以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。本実施形態の図1に示す照明器具100は、発光装置10を2つ有したスポットライトである。この照明器具100は、2つの発光装置10と、被取付部材3と、凹面反射鏡4と、鏡支持部材5とを含む。発光装置10は、COBchiponboard型である。凹面反射鏡4は、アルミニウムで作られた一対の凹面鏡部材41で構成される。各凹面鏡部材41の反射面は、放物面に形成されているとともに、鏡面に仕上げられている。凹面鏡部材41は、光出射側に位置する半円弧状の縁41aと、ヒートシンク31のベース32側に位置する座部41bを有している。座部41bは、ベース32に沿う平らに形成されている。凹面鏡部材41は、座部41bをヒートシンク31のベース32の正面に接触させて装着されるネジ42によってに装着される。ヒートシンク31の正面側に固定された一対の凹面鏡部材41は、受熱部35の両側に発光装置10に面しており、この受熱部35を境に面対称に配置されている。発光装置10の発光部は、凹面鏡部材41の放物面によって構成される反射面に対向する。この発光装置10の発光部中心部Pは、凹面鏡部材41の焦点に位置するように配置されている。照明器具100から放射される光束の中心から半径方向に離れた受熱部35の端部は正面側から鏡押え45がビスで固定される。鏡押え45は、受熱部35に当接される取付片部45aと、反射面に沿って折れ曲がった塞ぎ片部45bとを一体に有している。一対の凹面鏡部材41は、間に受熱部35が挿入されている分だけ、反射面が離れている。取付片部45aが受熱部35にネジ止めされると、塞ぎ片部45bが凹面鏡部材41の間の隙間を塞ぐように配置される。これにより、凹面鏡部材41の縁41aと塞ぎ片部45bの先端縁45cとは、円形に近似した形を形成する。凹面反射鏡4のカバーを兼ねる鏡支持部材5は、円筒形の基部5aと、この一端からラッパ状に拡がった支え部5bとで構成される。支え部5bは、基部5aより大径なテーパー形状であり、正面側から見ると円形である。鏡支持部材5は、基部5aをベース32の正面に突き当て、かつ、支え部5bを凹面反射鏡4の外周部裏面に接触させることによって、ベース32と凹面反射鏡4の周部との間に保持される。鏡支持部材5は、凹面反射鏡4を裏側から支持する。鏡支持部材5は、予めベース32の正面側に配置されたのち、ベース32に固定される凹面鏡部材41よって、保持される。鏡支持部材5の支え部5bに形成される開口縁5cは、凹面鏡部材41の縁41a及び鏡押さえ45の先端縁45cよりも前側、つまり、光出射側に位置されている。凹面反射鏡4及び鏡押え45は、鏡支持部材5内に収納される。ケーブル孔5dは、給電端子に接続される絶縁被覆電線を通すために設けられている。次に発光装置10について図2、3を参照して説明する。発光装置10は、COBchiponboard型のものであって、図2,3に示すように基板11と、複数の半導体発光素子例えばLEDチップ21と、枠部25と、透光性の封止部材27、拡散層6を具備している。基板11は例えばDCB基板からなる。具体的には、図3等に示すように基材12と、正面金属部材14と、給電部16と、裏面金属部材18を備えている。基材12は、Al2O3、ALN、SiN等のセラミックス材料の平板で形成されている。図3に示すように基材12の正面をなす一面はLEDチップ21が実装される実装面12bであり、基材12の裏面12cは実装面12bと反対側の他面からなり、これら両面は平行である。正面金属部材14及び給電部16は基材12に対してその正面側に配置されている。詳しくは、基材12の実装面12bにDCB法により正面金属部材14及び給電部16が直接接合されている。正面金属部材14はLEDチップ21の放熱及びこのチップの光りを反射するために設けられている。裏面金属部材18は基材12に対してその裏面12c側に配置されている。詳しくは、基材12の裏面12cにDCB法により裏面金属部材18が直接接合されている。正面金属部材14、給電部16、及び裏面金属部材18はいずれも銅板である。DCB法による直接接合では、銅板の一面に酸化銅被膜を形成し、この酸化銅被膜をセラミックス製の基材12に向けて基材12に前記銅板を配置し、加熱炉において銅板の溶融温度より低く酸化銅被膜の溶融温度より高い温度で加熱することにより、銅板とセラミックス製の基材12の接合界面に共晶溶融物を形成して、この共晶溶融物により前記銅板を基材12の実装面12b又は裏面12cに接合する。実装面12bに直接接合された正面金属部材14は、マトリクス状に分割された複数のパターン部14aからなる。各パターン部14aは複数のLEDチップ21の実装位置に対応して縦横に間隔的に並べられ既述のようにマトリクス状に配設されている。実装面12bに直接接合された給電部16は、パターン部14aの配列方向例えば図5において左右方向にこれらパターン部14aを間に置いて、これらパターン部14aの両側に隣接して配置されている。これら一対の給電部16の一端部が実装面12bに直接接合されていて、パターン部14aの配列方向の端に配置されたパターン部14aに夫々隣接して設けられている。正面金属部材14及び給電部16の表面には、これら正面金属部材14及び給電部16より遥かに薄い図示しない金属層が積層されている。この金属層は、前記表面に例えば略3μmの厚みでメッキされたニッケルメッキ層等からなる下地メッキ層と、この上に例えば略03μmの厚みでメッキされた表層メッキ層とからなり、表層メッキ層は例えば銅又は銀或いは金等のメッキ層からなる。表層メッキ層を銀メッキ層で形成することは、正面金属部材14をなす各パターン部14aでの光反射性能を高く確保できる点で好ましい。基材12の裏面12cにDCB法により直接接合された裏面金属部材18は、基板11の反り防止及び放熱等のために設けられていて、好ましくは図3に示すように基材12の裏面12cの略全域を覆っている。この裏面金属部材18は、平板であるとともに、図1~図3に示すように複数例えば2箇所に固定部18aを一体に有している。固定部18aは、基材12の周部より突出されている。この固定部18aにねじ通し部例えばねじ通孔19が形成されている。ねじ通し部は切り欠き状の凹みで形成することもできる。板状の金属素材を材料として基材12に接合された正面金属部材14、給電部16、及び裏面金属部材18の厚みは、これらが基材12に直接接合して設けられることにより所望の厚みとすることができ、例えば200μm~500μmの範囲で選択される。各LEDチップ21には例えば青色発光をするLEDチップが用いられている。これらのLEDチップ21は、サファイア等からなる素子基板上に単色の青色発光をする半導体発光層が積層され、この半導体発光層上に正負一対の素子電極が互いに配置された半導体ベアチップである。LEDチップ21は、その半導体発光層21bと反対側に位置する素子基板21aの裏面をダイボンド材22で各パターン部14aに夫々固定することによって基材12の実装面12b上に実装されている。ダイボンド材22は、銀ベースト又は樹脂接着剤例えば透明シリコーン樹脂等からなる。各LEDチップ21の実装は約300°Cの温度をかけながら行われる。この場合、正面金属部材14及び給電部16が基材12の実装面12bに占める面積と、裏面金属部材18が基材12の裏面12cに占める面積との差、言い換えれば、これらの面積と厚みを元に換算が可能な基材表裏面での金属材のボリューム差に基づいて、基材12の実装面12b側が凸となり裏面12c側が凹となるように基材12が反ることを、正面金属部材14及び給電部16の厚みより裏面金属部材18の厚みが薄いことにより抑制できる。枠部25は、複数のLEDチップ21、LEDチップ21が実装されている正面金属部材14及び給電部16の周囲を覆うように基材12上に設けられている。そして、この枠部25は、光反射率が高くなるように形成されているものであって、本実施形態では、白色のシリコーン樹脂及びフィラーを備えて形成されており、可視光反射率が80以上となっている。この枠部25の内側には、複数のLEDチップ21を覆うように封止部材27が充填されて設けられている。この封止部材27はガス透過性を有する透光性合成樹脂例えば透明シリコーン樹脂で作られている。そして、封止部材27には図示しない蛍光体が適量混ぜられている。蛍光体は、LEDチップ21が発する光で励起されて、LEDチップ21が発する光の色とは異なる色の光を放射する。LEDチップ21が青色光を発する本実施例1では、発光装置10が白色光を出射できるようにするために、蛍光体に青色の光とは補色の関係にある黄色系の光を放射する黄色蛍光体が使用されている。このように蛍光体が混ぜられた封止部材27は、その蛍光体が発光するので、発光装置10の発光部をなす。また、封止部材27の表面側27aは、枠部25の頂部25aよりも低い位置となるように形成されている。拡散層6は、封止部材27の表面側27aを覆うように設けられており、さらに枠部25の外側に露出する部分である外面全体及び枠部25の外側の基材12の一部を覆うような周囲拡散部62が設けられている。この拡散層6は、透明樹脂であるシリコーン樹脂から成り、内部にはセラミックスからなるフィラーを添加して形成されている。このフィラーは、シリカ、炭酸カルシウム、中空シリカなどを用いることができるが、本実施形態においては、粒子中央に空気層をもつ平均粒径3μmの中空SiO2を15wt添加したジメチルシリコーンを用いた。さらに、拡散層6には、複数の柱状である円柱部61が一体で形成されている。この円柱部61は、その中心部分が個々のLEDチップ21の直上に位置するように設けられていることが望ましい。この円柱部61は、トランスファモールドにより16個が形成されており、これら各円柱部61の側面には約5度のテーパーを設けてある。本実施形態の照明装置100の動作について説明する。照明器具100が点灯されると、発光装置10の各LEDチップ21が発光する。蛍光体入りの封止部材27は、LEDチップ21の光に励起されて白色発光する。封止部材27が放射する光は、この封止部材27に対向している凹面鏡部材41によって反射されて、照明器具100の光放射方向へ出射される。この一対の凹面鏡部材41で反射された光の投射パターンは、略円形であり、かつ、これらのパターンは、照明器具100に対して十分遠方の照射対象上においてほぼ合致してスポットライトのような照射光を実現することができる。そして、本実施形態の発光装置10は、封止部材27の表面側27aを覆うように拡散層6を備えているとともに、この拡散層6には円柱部61が形成されているため、拡散層6のフィラーによる拡散作用に加えて、円柱部61内で蛍光体からの可視光と蛍光体では変換されなかった青色光との混色が図られるとともに、円柱形状による集光作用によって各円柱部61から出射する出射光の配光が広がり過ぎないように抑制することができる。さらに、蛍光体によって変換されなかった青色光が円柱部61で散乱して再び封止部材内に戻ることにもなり、目的とする相関色温度にするための蛍光体量を抑制することもできる。したがって、封止部材27と別体に円柱部61を有する拡散層6を有することによって容易に色ムラを抑制できると共に光束の低下の抑制を実現することができる。また、本実施形態においては、LEDチップ21に対して円柱部61の中心部位置するように設けられているため、各円柱部61からの出射光にばらつきがないため、総合的な光ムラの抑制効果を高いレベルで得ることができる。また、本実施形態においては、封止部材27と拡散層6とを別体で形成していることによって、拡散層6を構成するフィラーとシリコーンが封止部材27と比較して空気との屈折率差が小さくなることから、封止部材27のみの場合に比較して光束を向上することができる。また、仮に蛍光体含有の封止部材と拡散層とを一体で形成する場合と比較しても屈折率差は本実施形態のような構成の方が小さくなるため、光束を向上しやすくすることができる。さらに、封止部材27内で蛍光体に変換されなかった青色光が拡散層6を散乱した後に再び封止部材27内に入射するため、所望の色温度を実現する場合の蛍光体量が仮に封止部材と拡散層とを一体で形成する場合と比較しても少なくてよい場合がある。いずれにしても設計及び製造において別体で構成する場合の方が効果的である。また、本実施形態においては、拡散層6は、封止部材27の表面側27aを覆うように設けられており、さらに枠部25の外側に露出する部分である外面全体及び枠部25の外側の基材12の一部を覆うように周囲拡散部62が設けられている。この構成によって、封止部材の表面側27aの枠部25側から出射した光であって、枠部25に反射せず直接外方へ出射するような光路の光であっても、周囲拡散部62によって配光が広がることを抑制するとともに、この光が蛍光体で変換されなかった青色光であるとしても、この周囲拡散部62によって、再び封止部材27内に散乱されて戻ることになり、色ムラをさらに抑制することができる。また、本実施形態においては、封止部材27の表面側27aは、枠部25の頂部25aよりも低い位置となるように形成されているため、封止部材27内における側面方向又は斜め上方方向の光路となる光は、枠部25によって内側方向に反射されるため、配光が広がりすぎることを抑制することができるとともに、円柱部61が形成されている拡散層6に光が入射されやすくなるため、色ムラの抑制、光束の低下抑制及び配光角度の抑制化を容易に実現できることになる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"