"基板上に金属の裏面電極層を形成し、前記裏面電極層上に当該裏面電極層材料の酸化膜を形成し、前記酸化膜上にp型CZTS系光吸収層を形成し、前記p型CZTS系光吸収層上にn型透明導電膜を形成する、各ステップを備える、CZTS系薄膜太陽電池の製造方法。請求項1に記載の方法において、前記裏面電極層はモリブデンで形成され、前記酸化膜は酸化モリブデン膜である、CZTS系薄膜太陽電池の製造方法。請求項2に記載の方法において、前記酸化モリブデン膜は、モリブデンの前記裏面電極層を大気中でアニールすることによって形成される、CZTS系薄膜太陽電池の製造方法。請求項3に記載の方法において、前記アニールは、雰囲気温度250°C以上で且つ5分以上に亘って行われる、CZTS系薄膜太陽電池の製造方法。請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法において、前記p型CZTS系光吸収層は、Cu2ZnSnS4、Cu2ZnSnSe4、Cu2ZnSnS,Se4のいずれかで形成される、CZTS系薄膜太陽電池の製造方法。上述したように、CZTS系薄膜太陽電池はその潜在的な可能性は高いが、現在のところ実用に耐え得る高い光電変換効率を有する製品は得られておらず、製造技術の一層の進歩が求められている。本発明は係る点に関してなされたもので、高効率のCZTS系薄膜太陽電池を製造することが可能な、新規な製造方法を提供することを課題とする。前記課題を解決するために、本発明の第1の態様では、基板上に金属の裏面電極層を形成し、前記裏面電極層上に当該裏面電極層材料の酸化膜を形成し、前記酸化膜上にp型CZTS系光吸収層を形成し、前記p型CZTS系光吸収層上にn型透明導電膜を形成する、各ステップを備える、CZTS系薄膜太陽電池の製造方法を提供する。前記態様において、前記裏面電極層はモリブデンで形成され、前記酸化膜は酸化モリブデン膜であっても良い。更に、前記酸化モリブデン膜は、モリブデンの前記裏面電極層を大気中でアニールすることによって形成しても良い。このアニールは、雰囲気温度250°C以上で且つ5分以上に亘って行うようにしても良い。前記の態様において、前記p型CZTS系光吸収層は、Cu2ZnSnS4、Cu2ZnSnSe4、Cu2ZnSnS,Se4のいずれかで形成しても良い。本発明の方法によれば、裏面電極層上にこの裏面電極層材料の酸化物の膜が形成され、その後、この酸化膜上にp型CZTS系光吸収層が形成される。従って、裏面電極層の上面は比較的化学的に安定した酸化物の層で被覆されることとなり、その後、p型CZTS系光吸収層を形成するための硫化及び/又はセレン化を行っても、裏面電極層表面の硫化及び/又はセレン化は抑制される。これによって、裏面電極層とp型CZTS系光吸収層との界面で、開放電圧Vocを低下させる要因であると考えられる、電極層材料、例えばモリブデン、と硫黄及び/又はセレンとの化合物薄膜の形成が抑制され、その結果、最終製品である太陽電池の開放電圧Vocが向上する。以下に、図面を参照して本発明の種々の実施形態を説明するが、これらの実施形態は単に一例であって、本発明を限定するものでは無い。また、全図面を通して、同じ符号は同一または類似の構成要素を示す。更に、図1及び図4において、図示する各層厚は実際の層厚の縮尺に対応するものではない。本発明の理解を容易にするために、先ず、図4を参照して一般的なCZTS系薄膜太陽電池の製造方法を簡単に説明する。図4において、1はガラス基板、2はMo等の金属を材料とする裏面電極層、3はp型CZTS系光吸収層、4は高抵抗バッファ層、6は透明導電膜である。p型CZTS系光吸収層3は、一般に、Cu、Zn、Snを個別のスパッタ源として用いて裏面電極層2上にCu、Zn、Snのプリカーサ膜を形成し、これを、500~600°Cで硫化/セレン化することにより形成される。本発明者等は、このようなCZTS系薄膜太陽電池を種々の方法で製造しその光電変換効率を測定していく過程で、最終製品である太陽電池の開放電圧Voc値が容易に改善されないことに気がついた。開放電圧Vocは、短絡電流、曲線因子フィルファクタと共に太陽電池の光電変換効率を左右する重要因子であり、この値を向上させることは、光電変換効率の高い太陽電池を得る上で不可欠である。ここで、製造後のCZTS系薄膜太陽電池で開放電圧が低い理由を、本発明者等は次の様に考えた。即ち、Moの裏面電極層2上にp型CZTS系光吸収層3を形成する際、電極層表面のMoと硫化/セレン化のためのVI族元素、即ち硫黄S/セレンSe、とが反応し、界面にMoとSあるいはSeとの化合物薄膜MoSe2、MoS2を形成する。これらの化合物薄膜は弱いn型の導電型を示すため、p型であるCZTS系光吸収層3との界面にpn接合が形成され、これが電極層2によるキャリアの収集を阻害し、更にこの化合物薄膜MoSe2、MoS2がMo裏面電極層2とp型CZTS系光吸収層3との間の接合性を悪化させること等により、開放電圧Vocの向上が阻害されると考えた。そこで、裏面電極層2とp型CZTS系光吸収層3との界面における化合物薄膜の形成を抑制するために、Mo裏面電極層2の形成後であってp型CZTS系光吸収層3の成膜以前に、Mo裏面電極層2上に酸化モリブデン膜を形成し、製造後の太陽電池の開放電圧Vocを向上させることを考えた。本発明では、この考えに基づいて、以下の製造方法を提案する。図1は、本発明の一実施例に係る方法によって製造されたCZTS系薄膜太陽電池の概略構成を示す断面図である。図1において、1は太陽電池基板であり、例えば、青板ガラス、低アルカリガラス等のガラス基板、ステンレス板等の金属基板、ポリイミド樹脂基板等を用いることができる。2は、基板1上に形成されたMo裏面電極層を示す。裏面電極層2は200nm~500nmの厚さを有する薄膜であり、高耐蝕性でかつ高融点のMoを、例えばDCスパッタする事によって形成する事ができる。20は酸化モリブデン膜であり、Mo裏面電極層2を形成した基板1を大気中でアニールする事により形成される。酸化モリブデン膜20中には、MoO2、MoO3等が含まれる。また、この膜20は、CZTS系薄膜太陽電池を完成した時点で膜20として識別可能な状態で存在してはおらず、例えば、p型CZTS系光吸収層の形成のための熱処理過程でこの層中に吸収されてしまうことが多い。しかしながら、本実施形態の製造方法では、製造過程の一工程としてMo裏面電極層2上に酸化モリブデン膜20を形成する工程を積極的に備える。酸化モリブデン膜20は、Mo裏面電極層2を大気中でアニールすることによって形成するのみならず、例えば、Mo裏面電極層2上に、酸化モリブデンをターゲットとするスパッタを行って形成しても良い。あるいは、酸化モリブデンの蒸着方法、原子層堆積法ALD法等を利用しても形成することが可能である。図1において、3はp型CZTS系光吸収層であって、例えば、Cu2ZnSnS4、Cu2ZnSnSe4、Cu2ZnSnS,Se4等の厚さ1~3μmの薄膜である。p型CZTS系光吸収層3は、酸化モリブデン膜20上に、Cu、Zn、Snのプリカーサ膜を形成し、その後、500~600°Cで60分の硫化及び/またはセレン化を行うことにより形成することができる。その他の製造方法としては、Cu、Zn、Sn、Se/Sを蒸着源とする蒸着法によって成膜してもよく、また、Cu、Zn、Sn、Se/Sを含むインクを酸化モリブデン膜20上に塗布し、塗布された溶液に対し熱処理を行うインク塗布法によって成膜しても良い。4は、n型の高抵抗バッファ層であって、n型の導電性を有する禁制帯幅が広く透明でかつ高抵抗の、膜厚10~50nm程度の極薄膜である。高低低バッファ層4は、例えば、Cd、Zn、Inを含む化合物により構成され、代表的にはCdS、ZnO、ZnS、ZnOH2、In2O3、In2S3、あるいはこれらの混晶であるZnO、S、OHで形成される。一般的には溶液成長法CBD法により製膜されるが、ドライプロセスとして有機金属気相成長法MOCVD法、原子層堆積法ALD法も適用可能である。CBD法とは、プリカーサとなる化学種を含む溶液に基材を浸し、溶液と基材表面との間で不均一反応を進行させることによって薄膜を基材上に析出させるものである。なお、この高抵抗バッファ層4はCZTS系薄膜太陽電池を製造するに当たって、必ずしも必要ではなく、この層を形成することなく、p型CZTS系光吸収層3上に直接後述するn型透明導電膜5を形成しても良い。5はn型透明導電膜であり、n型の導電性を有し、禁制帯幅が広く、透明でかつ低抵抗の膜厚0.05から2.5μmの透明導電膜である。代表的には酸化亜鉛系薄膜ZnOあるいはITO薄膜で形成される。ZnO膜の場合、III族元素例えばAl、Ga、Bをドーパントとして添加することで低抵抗膜とする。n型透明導電膜5はスパッタ法DC、RF、MOCVD法等で形成される。以上の様に、本発明の製造方法においては、例えばMoの裏面電極層2上に酸化モリブデン膜20を形成し、その後、p型CZTS系光吸収層3を形成することを特徴としている。この酸化モリブデン膜20の形成によって、後述する実験結果から明らかなように、製造されたCZTS系薄膜太陽電池の、特に、開放電圧Vocにおいて大きな改善が可能となった。図2は、本発明の方法と従来の方法で作成されたCZTS系薄膜太陽電池のサンプル1~サンプル9についての実験結果を示す。サンプル1~サンプル3は、Mo裏面電極層2上に酸化モリブデン膜20を形成しない従来の製造方法で作成され、サンプル4~サンプル9は、Mo裏面電極層2上に酸化モリブデン膜20を形成した後p型CZTS系光吸収層3の硫化/セレン化を行う本発明の一実施形態の方法で作成されたものである。図2では、これら9個のサンプルについて、その開放電圧Vocの測定値を示している。サンプル4~サンプル9では、酸化モリブデン膜20を、Mo裏面電極層2を形成した基板1を大気中でアニールすることによって形成しているので、そのアニール温度とアニールに要した時間を共に示している。図2に示す様に、サンプル4~サンプル6は温度250°Cで5分間のアニールを行い、サンプル7~サンプル9は温度250°Cで30分間のアニールを行って形成されている。なお、サンプル1~サンプル9の、Mo裏面電極層2のアニール以外の成膜条件は全て同じであり、具体的には、以下の表1に要約する製造方法、成膜パラメータを採用して形成された。図3は、図2の結果をグラフで示すものであり、横軸にアニール時間を分で、縦軸に各太陽電池サンプルの開放電圧VocをmVで示している。図2及び図3に示す様に、酸化モリブデン膜20を形成しないサンプル1~サンプル3の開放電圧Vocは約500mV以下であるのに対して、Mo裏面電極層2のアニールを5分行ったサンプル4~サンプル6では開放電圧Vocが約500~600mV程度に向上しており、更にアニールを30分行ったサンプル7~サンプル9では約600mV以上の開放電圧Vocを得ることができた。また、アニール時間5分と30分では、明らかに30分の場合の方が開放電圧Vocが優れていることがわかる。アニール時間は、酸化モリブデン膜20の膜厚に関係していると思われるので、比較的厚い酸化モリブデン膜20を形成した方が、より改良された開放電圧Vocを得ることができると考えられる。また、図3から明らかなように、アニールを行わなかったサンプル1~サンプル3図3のアニール時間0分のサンプルでは、各サンプルの開放電圧Vocの値にばらつきが大きいが、5分のアニールを行ったサンプルではそのばらつきが小さくなっている。更に、30分のアニールを行ったサンプルでは開放電圧Vocのばらつきが非常に小さくなっている。このことから、本発明の方法によってCZTS系薄膜太陽電池を製造することにより、高い性能を有する太陽電池製品を、再現性よく得ることが可能となるものと思われる。以上の実験結果から明らかなように、裏面電極層上に電極層材料の酸化膜を形成し、その後p型CZTS系光吸収層を形成したサンプル4~9では、明らかにその開放電圧Vocにおいて、酸化膜を形成しないサンプル1~3に比べて顕著な改善が見られた。裏面電極層上に酸化膜が存在することで開放電圧Vocが向上する理由は明らかでは無いが、その理由として、p型CZTS系光吸収層を形成する時点での、裏面電極層とIV族元素との反応生成物、例えば、MoSe2、MoS2の形成が抑制されることを挙げることができる。なお、酸化物層20は、最終製品としての太陽電池中ではp型CZTS系光吸収層に吸収されてしまい、識別可能な状態で残っていない場合が多い。以上に説明した実験例では、裏面電極層の材料としてモリブデンを採用しているが、裏面電極層は高耐蝕性でかつ高融点金属、例えばクロムCr、チタンTi等を材料として形成することもできる。このような場合には、裏面電極層上に酸化クロムCrO2あるいは酸化チタンTiO2を形成すれば良い。また、これらの酸化物層も、裏面電極層の大気中でのアニールに限定することなく、酸化クロムあるいは酸化チタンをターゲット材料とするスパッタによって形成することもできる。"