"基板と、この基板上に実装されたLEDチップと、前記基板の表面に形成された、前記LEDチップを包囲する枠状金属膜と、この枠状金属膜によって包囲される領域内において前記LEDチップを覆うよう形成された、略半球状の透光性樹脂層とを有してなることを特徴とするLED光源装置。前記基板には、前記LEDチップに給電するための給電用配線が形成されており、当該給電用配線の一部によって、前記枠状金属膜が構成されていることを特徴とする請求項1に記載のLED光源装置。前記枠状金属膜の平面形状が円環状または部分円環状であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のLED光源装置。前記LEDチップの平面形状が矩形であり、前記枠状金属膜の平面形状に係る円環または部分円環の内径が、前記LEDチップの平面形状に係る矩形の対角線の長さの1.1~1.5倍であることを特徴とする請求項3に記載のLED光源装置。前記透光性樹脂層は、前記基板の表面にポッティング加工を施すことによって形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のLED光源装置。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、LEDチップを覆う透光性樹脂層を簡単な工程で形成することができ、しかも、LEDチップからの光の取り出し効率が高いLED光源装置を提供することにある。本発明のLED光源装置は、基板と、この基板上に実装されたLEDチップと、前記基板の表面に形成された、前記LEDチップを包囲する枠状金属膜と、この枠状金属膜によって包囲される領域内において前記LEDチップを覆うよう形成された、略半球状の透光性樹脂層とを有してなることを特徴とする。本発明のLED光源装置においては、前記基板には、前記LEDチップに給電するための給電用配線が形成されており、当該給電用配線の一部によって、前記枠状金属膜が構成されていることが好ましい。また、本発明のLED光源装置においては、前記枠状金属膜の平面形状が円環状または部分円環状であることが好ましい。このようなLED光源装置においては、前記LEDチップの平面形状が矩形であり、前記枠状金属膜の平面形状に係る円環または部分円環の内径が、前記LEDチップの平面形状に係る矩形の対角線の長さの1.1~1.5倍であることが好ましい。また、本発明のLED光源装置においては、前記透光性樹脂層は、前記基板の表面にポッティング加工を施すことによって形成されていることが好ましい。本発明のLED光源装置によれば、基板の表面にLEDチップを包囲する枠状金属膜が形成されていることにより、ポッティング加工によって透光性樹脂層を形成する際に、枠状金属膜が液状の硬化性樹脂のダムとして機能する、すなわち基板の表面に滴下された液状の硬化性樹脂が枠状金属膜によって塞き止められるため、樹脂層成型用枠部材を用いることなしに、略半球状の透光性樹脂層を所要の位置に確実に形成することができ、従って、透光性樹脂層を簡単な工程で形成することができると共に、LEDチップからの光について高い取り出し効率が得られる。以下、本発明のLED光源装置の実施の形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態に係るLED光源装置の構成を示す平面図であり、図2は、図1に示すLED光源装置における要部を拡大して示す説明図であって、aは平面図、bは断面図である。このLED光源装置においては、絶縁性の基板15の表面上に、それぞれ平面形状が矩形の板状の複数図示の例では16個のLEDチップ10が、縦横に並んだ状態で、それぞれ接着材11によって固定されて配置されている。基板15の表面には、LEDチップ10の各々に給電するための給電用配線16が形成されており、この給電用配線16によって、例えば8個のLEDチップ10が直列に接続されている。図示の例では、給電用配線16の一部によって、LEDチップ10の各々を包囲する、それぞれ平面形状が部分円環状の複数の枠状金属膜17が形成されている。この例のLEDチップ10は、上面にカソード電極図示省略を有すると共に下面にアノード電極図示省略を有するものであり、LEDチップ10のカソード電極は、ボンディングワイヤ18によって、給電用配線16の一部である枠状金属膜17に電気的に接続され、LEDチップ10のアノード電極は、例えば半田等によって枠状金属膜17以外のアノード側の給電用配線16に電気的に接続されている。そして、基板15の表面上には、複数の透光性樹脂層20が、それぞれ枠状金属膜17によって包囲される領域内において、当該枠状金属膜17の内周縁に当該透光性樹脂層20の周縁が接した状態で、LEDチップ10を覆うよう形成されている。LEDチップ10としては、インジウムIn、アルミニウムAlを含む窒化ガリウムGaN系の発光層を有するものを用いることができる。また、LEDチップ10の発光波長は、特に限定されず、青色波長域、緑色波長域、赤色波長域などの可視光域の発光波長を有するもの、紫外線域に発光波長を有するもの、赤外線域に発光波長を有するもののいずれであってもよい。LEDチップ10としては、平面の縦横の寸法がそれぞれ0.2~2.0mmのものを用いることが好ましい。この寸法が過大である場合には、後述するポッティング加工によって透光性樹脂層20を形成することが困難となることがある。また、LEDチップ10の厚みは、例えば50~300μmである。基板15を構成する材料としては、窒化アルミニウム、アルミナセラミックス、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、シリコンなどを用いることができる。枠状金属膜17を含む給電用配線16としては、銅よりなるもの、または銅よりなる配線基材の表面に、ニッケル、パラジウム、金またはこれらの複数がメッキされてなるものを用いることができ、具体的な一例を挙げると、厚みが例えば20μmの銅よりなる配線基材の表面に、厚みが例えば3μmのニッケル、厚みが例えば0.1μmのパラジウムおよび厚みが例えば0.1μmの金がこの順でメッキされてなるものである。配線16を形成する方法としては、蒸着法、スクリーン印刷法、メッキ法などを利用することができる。また、ボンディングワイヤ18は、例えば金によって構成され、その線径は例えば30μmである。枠状金属膜17の平面形状に係る部分円環の内径は、LEDチップ10の平面形状に係る矩形の対角線の長さの1.1~1.5倍であることが好ましい。この内径が過小である場合には、枠状金属膜17がLEDチップ10の接着材11と接触し、アノードとカソードとが短絡する可能性がある。一方、この内径が過大である場合には、硬化性樹脂の滴下量が多くて塞き止める効果がなくなり、硬化性樹脂が流延し略半球状の透光性樹脂層20が形成されない。枠状金属膜17の内径および外径の具体的な値を示すと、内径が例えば0.3~4.2mm、外径が例えば0.4~4.7mm、枠状金属膜17の幅が例えば0.1~0.5mmである。また、枠状金属膜17における基板15の表面からの突出高さは、20~40μmであることが好ましい。この突出高さが過小である場合には、後述するポティング加工によって透光性樹脂層20を形成する際に、枠状金属膜17が熱硬化性樹脂のダムとして機能せず、得られる透光性樹脂層20に位置ずれが生じやすくなる。透光性樹脂層20は、基板15の表面に液状の熱硬化型または光硬化型の硬化性樹脂を用いたポッティング樹脂盛り加工を施すことによって形成されている。具体的には、基板15の表面にLEDチップ10を実装した後、当該基板15の表面における枠状金属膜17によって包囲される領域内に、液状の硬化性樹脂を滴下することにより、LEDチップ10およびその周辺領域を覆う液状樹脂層を形成した後、加熱処理または光照射処理によって液状樹脂層を硬化させることにより、透光性樹脂層20が形成される。透光性樹脂層20を形成するための硬化性樹脂としては、得られる硬化樹脂が透明なものであればよく、その具体例としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などを挙げることができる。また、透光性樹脂層20を形成するための熱硬化性樹脂は、基板15の表面に滴下したときに略半球状の液滴が形成される程度の高い粘度を有するものを用いることが好ましい。また、透光性樹脂層20は、LEDチップ10を中心とする略半球状に形成されている。具体的には、基板15の面方向における透光性樹脂層20の半径rと、透光性樹脂層20におけるLEDチップ10の基板15の表面からの突出高さhとの比r/hが0.3~1.2であることが好ましく、より好ましくは0.7~1.0である。透光性樹脂層20における半径rおよび突出高さhの具体的な値を示すと、半径rが例えば0.2~2.1mm、突出高さhが例えば0.2~2.4mmである。このようなLED光源装置によれば、基板15の表面にLEDチップ10を包囲する枠状金属膜17が形成されていることにより、ポッティング加工によって透光性樹脂層20を形成する際に、枠状金属膜17が液状の硬化性樹脂のダムとして機能する、すなわち基板15の滴下された液状の硬化性樹脂が枠状金属膜17によって塞き止められるため、樹脂層成型用枠部材を用いることなしに、略半球状の透光性樹脂層20を所要の位置に確実に形成することができ、従って、透光性樹脂層20を簡単な工程で形成することができると共に、LEDチップ10からの光について高い取り出し効率が得られる。図3は、本発明の第2の実施の形態に係るLED光源装置における要部を拡大して示す説明図であって、aは平面図、bは断面図である。このLED光源装置においては、給電用配線16が形成された絶縁性の基板15の表面に、それぞれ平面形状が矩形の板状の複数のLEDチップ10が、縦横に並んだ状態で、それぞれフリップチップ実装されている。具体的に説明すると、この例のLEDチップ10は、下面にカソード電極図示省略およびアノード電極図示省略を有するものであり、カソード電極およびアノード電極の各々の表面には半田ボール12が形成されており、LEDチップ10のカソード電極およびアノード電極の各々は、半田ボール12および基板15に形成された当該基板15の厚み方向に貫通して伸びるバイアホール19を介して基板15の裏面に形成された給電用配線16に電気的接続されている。基板15の表面には、LEDチップ10の各々を包囲する、それぞれ平面形状が円環状の複数の枠状金属膜17が形成されている。この例の枠状金属膜17は、給電用配線16とは別体のものである。そして、基板15の表面上には、LEDチップ10を中心とする略半球状の複数の透光性樹脂層20が、それぞれ枠状金属膜17によって包囲される領域内において、当該枠状金属膜17の内周縁に当該透光性樹脂層20の周縁が接した状態で、LEDチップ10を覆うよう形成されている。この第2の実施の形態に係るLED光源装置におけるその他の具体的な構成は、第1の実施の形態に係るLED光源装置と同様である。このようなLED光源装置によれば、基板15の表面にLEDチップ10を包囲する枠状金属膜17が形成されていることにより、ポッティング加工によって透光性樹脂層20を形成する際に、枠状金属膜17が液状の硬化性樹脂のダムとして機能する、すなわち基板15の表面に滴下された液状の硬化性樹脂が枠状金属膜17によって塞き止められるため、樹脂層成型用枠部材を用いることなしに、略半球状の透光性樹脂層20を所要の位置に確実に形成することができ、従って、透光性樹脂層20を簡単な工程で形成することができると共に、LEDチップ10からの光について高い取り出し効率が得られる。本発明のLED光源装置は、上記の実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能である。例えば、LEDチップ10は、その表面にアノード電極およびカソード電極の両方を有するものであってもよい。このようなLEDチップ10を用いる場合には、図4に示すように、2つの半円環状金属膜17a,17bがLEDチップ10を中心とする円上に沿って互いに離間して配置されてなる枠状金属膜17を形成し、一方の半円環状金属膜17aをアノード側の給電用配線16の一部として構成すると共に、他方の半円環状金属膜17bをカソード側の給電用配線16の一部として構成し、アノード電極をボンディングワイヤ18によって一方の半円環状金属膜17aに電気的に接続し、カソード電極をボンディングワイヤ18によって他方の半円環状金属膜17bに電気的に接続することができる。また、図5に示すように、下面にアノード電極図示省略およびカソード電極図示省略を有するLEDチップ10を例えばフリップチップ実装する場合には、アノード側の給電用配線16が一方の半円環状金属膜17aを交差し、カソード側の給電用配線16が、他方の半円環状金属膜17bを交差するよう形成されていてもよい。また、図6に示すように、給電用配線16と別体の枠状金属膜17を設ける場合において、上面にカソード電極図示省略を有すると共に下面にアノード電極図示省略を有するLEDチップ10を用いるときには、アノード電極が、基板15に形成された当該基板15の厚み方向に貫通して伸びるバイアホール19を介して、基板15の裏面に形成された給電用配線16に電気的に接続され、カソード電極が、ボンディングワイヤ18、基板15の表面における枠状金属膜17によって包囲される領域内に形成された端子電極14、および基板15に形成された当該基板15の厚み方向に貫通して伸びるバイアホール19を介して、基板15の裏面に形成された給電用配線16に電気的に接続されていてもよい。また、図2および図6の各々に示すLED光源装置において、アノード電極およびカソード電極の接続構造が逆のものであってもよい。以下、本発明のLED光源装置の具体的な実施例について説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。実施例1図1および図2の構成に従い、以下のようにしてLED光源装置を製造した。厚みが0.635mmの窒化アルミニウムよりなる基板15の表面に、スクリーン印刷法によって厚みが20μmの銅よりなる配線基材を形成し、この配線基材の表面に、メッキ法により、厚みが3.0μmのニッケルメッキ層、厚みが0.1μmのパラジウムメッキ層、および厚みが0.1μmの金メッキ層をこの順で形成することにより、部分円環状の枠状金属膜17を含む給電用配線16を形成した。得られた給電用配線16の配線パターンは、18個のLEDチップが直列に接続されるものであり、枠状金属膜17の平面形状に係る円環の内径が2mmで外径が2.2mmのものである。次いで、上面にカソード電極を有すると共に下面にアノード電極を有し、平面形状が1mm×1mmの矩形対角線の長さが約1.41mmで、厚みが250μmのLEDチップ10を合計で18個用意した。このLEDチップ10は、窒化ガリウムGaN系の発光層を有する、発光ピーク波長が395nmのものである。これらのLEDチップ10の各々を、基板15の表面における枠状金属膜17に包囲される領域内の所要の位置に配置し、アノード電極をCuSn半田によって給電用配線16に電気的に接続すると共に、カソード電極を線径が30μmの金よりなるボンディングワイヤ18によって枠状金属膜17に電気的に接続した。そして、基板15の表面における枠状金属膜17によって包囲される領域内に、液状の硬化型のシリコーン樹脂を滴下することにより、LEDチップ10およびその周辺領域を覆う液状樹脂層を形成した後、85°Cで20分間、150°Cで1時間の加熱処理を施すことによって液状樹脂層を硬化させることにより、透光性樹脂層20を形成し、以て、LED光源装置を製造した。得られたLED光源装置における透光性樹脂層20の各々は、いずれもLEDチップ10を中心とする略半球状のものであり、基板15の面方向における直径2rが約2.0mmで、基板15の表面からの突出高さhが1.9mmの略半球状のものであった。このLED光源装置における基板15の裏面に、ヒートシンクおよびファンを設置し、当該LED光源装置に1.0Aの直流電流を供給して点灯させ、基板15から10mm離間した位置における照度を測定したところ、2.0W/cm2であった。この照度の値は、透光性樹脂層が形成されていないLED光源装置による照度の値と同等のものであり、上記のLED光源装置は、LEDチップ10からの光の取り出し効率が高いものであることが確認された。"