エピタキシャル層の気相成長を行う際に半導体基板を支持するサセプタであって、該サセプタの上面には、内部に前記半導体基板が配置される座ぐりが形成され、該座ぐりは、前記半導体基板の外周縁部を支持する上段座ぐり部と、該上段座ぐり部よりも下段でかつ中心側に形成された下段座ぐり部とを有する二段構造を成し、前記下段座ぐり部には、前記サセプタの裏面まで貫通し、前記気相成長を行う際にも開放状態となる孔部が形成されており、前記サセプタの裏面側には、少なくとも前記上段座ぐり部に対応する位置に突出部が設けられているものであることを特徴とするサセプタ。前記突出部の厚みが、前記上段座ぐり部に対応する位置における、前記突出部以外のサセプタの厚みの3倍以下であることを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。前記突出部に溝が施されているものであることを特徴とする請求項1または2に記載のサセプタ。前記溝が、格子状であることを特徴とする請求項3に記載のサセプタ。前記溝の深さが、前記上段座ぐり部に対応する位置のサセプタの厚みの1/10以上であることを特徴とする請求項3または4に記載のサセプタ。エピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のサセプタを用いて、該サセプタの座ぐりにウェーハを載置し、原料ガスを流しながら前記ウェーハ上にエピタキシャル層の気相成長を行うことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。本発明者は、これまでの実験結果や経験から、裏面デポはウェーハとサセプタとの間に生じる熱伝達に密接な関係が有ると推察し、すなわち、ウェーハ外周部は、ウェーハとサセプタとが接触し、あるいはウェーハとサセプタとが近接しているため、ウェーハ内周部よりも温度が高くなることによって裏面デポが発生しやすくなると推察し、ウェーハ外周部と内周部との熱的条件を一定にすることで問題の解決を試みた。すなわち、本発明は、上記問題を解消するために、サセプタの厚さを増大させることによって、サセプタ外周部の熱容量を増大させ、ウェーハの外周部と内周部とにおける熱的条件を等しくすることができるサセプタを提供し、さらにそのサセプタを用いてエピタキシャル層の気相成長を行うエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明では、エピタキシャル層の気相成長を行う際に半導体基板を支持するサセプタであって、該サセプタの上面には、内部に前記半導体基板が配置される座ぐりが形成され、該座ぐりは、前記半導体基板の外周縁部を支持する上段座ぐり部と、該上段座ぐり部よりも下段でかつ中心側に形成された下段座ぐり部とを有する二段構造を成し、前記下段座ぐり部には、前記サセプタの裏面まで貫通し、前記気相成長を行う際にも開放状態となる孔部が形成されており、前記サセプタの裏面側には、少なくとも前記上段座ぐり部に対応する位置に突出部が設けられているものであることを特徴とするサセプタを提供する。このようにすることによって、前記サセプタは、前記上段座ぐり部に対応する位置の厚みが増大されることで熱容量も増大されているので、ウェーハ外周部の温度が上がりにくくなるため、ウェーハ外周部と内周部との熱的条件を一定にすることができ、ウェーハ表面のナノトポロジー品質や外周抵抗率分布品質を損ねることなく裏面デポの発生を抑制することができる。またこのとき、前記突出部の厚みが、前記上段座ぐり部に対応する位置における、前記突出部以外のサセプタの厚みの3倍以下であることが好ましい。このようにすることによって、ウェーハ外周部と内周部との熱的条件をより正確に一定とすることができるため、本発明の効果である裏面デポをより効果的に抑制することができる。またこのとき、前記突出部に溝が施されていることが好ましい。このようにすることによって、ランプ加熱に対して影となるような部分を前記突出部上に必然的に作ることができ、また表面積が大きくなることによって放熱もし易いことから前記突出部の温度を下げることができるため、本発明の効果である裏面デポの抑制をより効果的に行うことができる。またこのとき、前記溝が格子状であることが好ましい。このようにすることにより、さらに効果的に前記突出部の温度を下げることができ、裏面デポを抑制することができる。またこのとき、前記溝の深さが、前記上段座ぐり部に対応する位置のサセプタの厚みの1/10以上であることが好ましい。このようにすることによって、さらに効果的に前記突出部の温度を下げることができ、裏面デポの発生を抑制することができる。また、本発明は、エピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記本発明のサセプタを用いて、該サセプタの座ぐりにウェーハを載置し、原料ガスを流しながら前記ウェーハ上にエピタキシャル層の気相成長を行うことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。このように気相成長を行うことによって、ウェーハ表面のナノトポロジー品質や外周抵抗率分布品質を損ねることなく、裏面デポの発生が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することができる。以上説明したように、本発明によれば、ウェーハ表面上にエピタキシャル層を気相成長させる際に、ウェーハ外周部と内周部との熱的条件を一定にすることができ、ウェーハ表面のナノトポロジー品質や外周抵抗率分布品質を損ねることなく裏面デポの発生を抑制することができる。また、こういったサセプタを用いてウェーハ表面上にエピタキシャル層の気相成長を行うことにより、裏面デポの発生が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することができる。以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明が適用されるエピタキシャルウェーハの製造方法の手順のフロー図を図5に示す。まず、工程aでは、エピタキシャル層を成長させるウェーハシリコンウェーハを準備する。ここで、本発明はシリコンウェーハに限らず、シリコンカーバイドウェーハや、GaPウェーハ、GaAsウェーハなどの化合物半導体ウェーハ等にも用いることができる。次に、工程bにおいて、シリコンウェーハに対し、適宜RCA洗浄等の洗浄を行う。この洗浄工程における洗浄法は、典型的なRCA洗浄の他、薬液の濃度や種類を通常行われる範囲で変更したものを用いることもできる。工程c以降では、エピタキシャル成長装置にシリコンウェーハを移送して処理を行う。工程c以降で用いるエピタキシャル成長装置の一例の概略図を図1に示した。エピタキシャル成長装置51は、チャンバー52と、チャンバー内部に配置されたサセプタ71、サセプタを下方から支持し、回転上下動自在なサセプタ支持手段53、チャンバー52内にウェーハを搬入したり、逆に外へと搬出したりするためのウェーハ搬送口54、チャンバー内に各種ガスを供給するガス導入管55、ガス導入管55に接続され、チャンバー内に水素ガスを供給する図示しない水素ガス供給手段及びシラン等の原料ガスを供給する図示しない原料ガス供給手段、チャンバー内から各種ガスを排出するガス排出管57、チャンバー52の外部に備えられた加熱手段58、チャンバー内にシリコンウェーハを移送し、また、チャンバー52内からシリコンウェーハを移送する図示しないウェーハ移送手段等から構成される。尚、サセプタ71には、リフトピン用貫通孔73が形成されているものであってもよい。リフトピン用貫通孔73には、リフトピン75が挿通される。また、チャンバー52の内部にはリフトピン75をサセプタに対して相対的に上下させることができるリフトピン昇降手段を設けてもよい。さらに、本発明であるサセプタ71の拡大概略図を図2に示した。図2aは底面図であり、図2bは断面図である。また、図2cは、突出部76の1部分を拡大した図である。サセプタ71には、載置するシリコンウェーハを位置決めする座ぐり72が形成され、該座ぐり72はウェーハWの外周縁部を支持する上段座ぐり部72aと、該上段座ぐり部よりも下段でかつ中心側に形成された下段座ぐり部72bとを有する二段構造を成している。また、下段座ぐり部72bの略全面に多数の貫通孔74が形成されている。また、サセプタ裏面の上段座ぐり部に対応する位置には突出部76以下、ブロックと呼ぶこともあるが設けられている。尚、突出部76は、サセプタ裏面にブロック状の突起物を密着させることによって形成することもできるし、サセプタ自体の形成時に裏面加工して、予めサセプタ裏面に突起物を形成してもよい。上記突出部76を設けたことにより、サセプタの前記上段座ぐり部に対応する位置の厚みが増大されるとともに熱容量も増大されるので、この部分の温度を上がりにくくし、ウェーハ外周部と内周部との熱的条件を一定にすることができ、ウェーハ主表面のナノトポロジー品質や外周抵抗率分布品質を損ねることなく裏面デポの発生を抑制することができる。また、突出部76の厚みが、前記上段座ぐり部に対応する位置における、前記突出部以外のサセプタの厚みの3倍以下とすることにより、熱容量差が大きくなりすぎることによる加熱時のサセプタの破損を防止できる。さらに、図2cに示すように、前記突出部に溝77が施されているものを用いることができる。またさらに、前記溝77が、格子状であるものを用いることができる。またさらには、前記溝77の深さが、前記上段座ぐり部に対応する位置のサセプタの厚みの1/10以上であるものを用いることができる。前記突出部76に前記溝77が施されていることにより、ランプ加熱に対して影となるような部分を前記突出部上に必然的に作ることができ、また、前記溝77により表面積が大きくなって放熱し易くなり、それによって前記突出部の温度を下げることができるため、本発明の効果である裏面デポの抑制をより効果的に行うことができる。さらに前記溝77が格子状であるものを用いることや、前記溝77の深さが、前記上段座ぐり部72aに対応する位置のサセプタの厚みの1/10以上であるものを用いることにより、さらに効果的に裏面デポを抑制することができる。このようなサセプタ71を具備したエピタキシャル成長装置51を用いて、以下のようにして、シリコンウェーハ表面上にエピタキシャル層を気相成長させる。まず、工程cにおいて、図示しないウェーハ移送手段を用いてチャンバー52内にシリコンウェーハを移送し、サセプタ71の座ぐり部72に載置する。シリコンウェーハのサセプタ71への載置方法は、リフトピン75を用いる方法の他、通常用いられる載置方法を適用できる。次に、自然酸化膜除去工程dでは、チャンバー52内に、水素ガス供給手段からガス導入管55を通して、チャンバー52内に水素ガスを導入し、加熱手段58によって加熱して水素処理を行い、シリコンウェーハ表面に生じた自然酸化膜を除去する。次に、工程eにおいて、シリコンウェーハの表面に、エピタキシャル層の気相成長を行う。このエピタキシャル層の気相成長は、モノシランやトリクロロシラン、四塩化珪素などの原料ガスと、キャリアガスとなる水素ガスとをチャンバー52内に導入し、加熱することによって行う。このようにして、シリコンウェーハの表面上にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハを製造することができる。ここで用いられたエピタキシャル成長装置において、サセプタ裏面の上段座ぐり部に対応する部分には突出部が設けられており、サセプタの前記上段座ぐり部に対応する位置の厚みが増大されるとともに熱容量も増大されるので、ウェーハ外周部と内周部との熱的条件を一定にすることができ、ウェーハ主表面のナノトポロジー品質や外周抵抗率分布品質を損ねることなく裏面デポの発生を抑制することができる。以下、実験例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実験例サセプタの座ぐりにシリコンウェーハを載置し、原料ガスを流しながら前記シリコンウェーハ表面上にエピタキシャル層の気相成長を行うエピタキシャル成長装置において、図4に示すように、ひとつのサセプタ裏面の、厚みが4mmである上段座ぐり部に対応する部分の円周方向上に、厚さ3.8mmのブロック、厚さ7.6mmのブロック、3.8mmの深さの溝が施された厚さ7.6mmのブロック及びブロックを設けない部分を均等に設け、反応圧力を常圧、反応温度を1100°C、成長速度を2.7μm/minとして、直径300mmのシリコンウェーハ表面上に厚さ5μmのエピタキシャル層の気相成長を行った。このようにすることで、サセプタ裏面の突出部の有無等以外の条件を完全に一致させて、本発明の効果を検証することができる。このとき、シリコンウェーハ裏面の中心から半径145mm~149mm程度の範囲、すなわち、シリコンウェーハ裏面において、本発明である突出部が設けられているサセプタの裏面部分に対応する範囲をそれぞれ評価装置であるWaferSightパナソニック株製及びUA3PKLA-TencorCorporation製を用いて評価し、裏面デポの高さを測定した。このときのWaferSightによる測定結果を図3に、UA3Pによる測定結果を図4に、さらにこの実験結果を下記表1に示す。ここで、WaferSightとは、ウェーハに光を入射し、ウェーハからの反射光と基準面からの反射光との光学干渉によって生じる干渉縞の数と幅から、ウェーハ表面の変位量を計測することを原理とする測定器である。実際の測定においては、ウェーハ両面に前述の計測を行い、予め測定しておいた、ある特定の1点の厚みから全体の厚み変化を算出する。また、UA3Pは触針式表面変位量によって測定を行う測定機である。探針を微弱な一定荷重で対象に押し当て、対象の凹凸に応じて動く針の変位量をレーザーで計測することを原理とする。図3、図4及び表1からわかるように、裏面の上段座ぐり部に対応する部分にブロックが設けられていない従来サセプタ部分に比べ、ブロックが設けられている本発明のサセプタ部分の方が裏面デポの高さが低くなっている。また、サセプタ裏面にブロックを設けた場合であっても、該ブロックの厚さが、前記上段座ぐり部に対応する位置における前記突出部以外のサセプタの厚みの3倍以下であれば、熱容量差が大きくなりすぎることによる加熱時のサセプタの破損を防止できる。さらに、ブロックに溝が施されていれば、ランプ加熱に対して影となるような部分をブロック上に必然的に作ることができ、また表面積が大きくなることによって放熱もし易いことからブロックの温度を下げることができるため、裏面デポの発生をさらに効果的に抑制することができる。このとき、ブロックを設けない部分における実験結果は、上記エピタキシャル成長条件と同じ条件で、全周突出部が設けられていない従来サセプタを用いてエピタキシャル層の気相成長を行った場合と同様の結果となった。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。