"半導体素子が半導体実装基板上に実装され、金属製のリッドが上記半導体素子を封止した状態で当該半導体実装基板上に取り付けられた半導体パッケージと、上記半導体パッケージが上面に実装され、グランドに電気的に接続されたグランド用ランドが当該半導体パッケージの周囲に配設されたプリント基板と、上記半導体パッケージの半導体素子の上面とリッドの下面との間に介設された熱伝導性部材と、その開口を介して上記リッドの上面の大部分を露出させた状態でリッドの上面周縁部に電気的に接触する環状のリッド接触部と、当該リッド接触部から上記グランド用ランド側に延出して、その下端部がグランド用ランドに電気的に接続するリード部とを有して成る金属製のシールド部材とを備えることを特徴とする半導体パッケージのシールド構造。請求項1に記載の半導体パッケージのシールド構造において、上記シールド部材全体を、1枚の金属板で形成した、ことを特徴とする半導体パッケージのシールド構造。請求項1又は請求項2に記載の半導体パッケージのシールド構造において、上記シールド部材のリッド接触部とリード部とに、ヒートシンク部を形成した、ことを特徴とする半導体パッケージのシールド構造。しかし、上記した従来の技術は、次のような問題がある。図13に示したシールド構造では、小信号増幅回路101や復調回路102からのノイズ輻射をシールドケース111やシールドケース112で遮蔽するので、EMC対策の面で優れている。しかし、復調回路102からの熱を、絶縁性放熱シート120を通じてシールドケース112に伝導させた後、さらに、絶縁性放熱シート121を通じて、モジュールケース130に伝導させる構造であるので、放熱効果が十分といえない。これに対して、図14に示したシールド構造では、電気伝導性手段221によりEMC対策が図られるだけでなく、フリップチップダイ210からの熱を、成型樹脂230の広い表面から放出するようにして、十分な放熱効果を得ている。しかしながら、この技術では、半導体素子であるフリップチップダイ210やEMC対策用の電気伝導性手段221等が、プリント基板である支持体200上に成型樹脂230によって完全固められた構造となっているので、電気伝導性手段221等を一度取り付けてしまうと、交換したり、その取り付け位置を調整したりすることができない。したがって、実際にEMC規格に準拠した評価を実施する義務のあるセットメーカーにとっては、EMC対策構造の再構築が不可能であり、非常に不便である。この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、EMC対策性と放熱性とに優れ、しかもEMC対策構造の構築と再構築とを容易に行うことができる半導体パッケージのシールド構造を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、請求項1の発明に係るアンテナ装置は、半導体素子が半導体実装基板上に実装され、金属製のリッドが半導体素子を封止した状態で半導体実装基板上に取り付けられた半導体パッケージと、半導体パッケージが上面に実装され、グランドに電気的に接続されたグランド用ランドが半導体パッケージの周囲に配設されたプリント基板と、半導体パッケージの半導体素子の上面とリッドの下面との間に介設された熱伝導性部材と、その開口を介してリッドの上面の大部分を露出させた状態でリッドの上面周縁部に電気的に接触する環状のリッド接触部と、リッド接触部からグランド用ランド側に延出して、その下端部がグランド用ランドに電気的に接続するリード部とを有して成る金属製のシールド部材とを備える構成とした。かかる構成により、半導体素子の熱が半導体素子の上面から熱伝導性部材に伝わり、この熱伝導性部材を伝導して、リッドに至る。このとき、リッドの上面の大部分が、シールド部材のリッド接触部の開口を介して露出した状態になっているので、リッドに至った熱は、リッド上面から外部に放出される。また、半導体素子からの電磁波が放射されると、ノイズ電流が金属製のリッドに誘起され、このノイズ電流による不要輻射が発生するおそれがある。しかし、この発明の半導体パッケージのシールド構造では、シールド部材のリッド接触部がリッドの上面周縁部に電気的に接触すると共に、シールド部材のリード部がグランド用ランドに電気的に接続されているので、リッドに誘起されたノイズ電流は、リッド接触部からリード部に流入し、グランド用ランドを通じて、グランドに排出される。この結果、半導体素子の電磁波で誘起されるノイズ電流は、全てシールド部材を通じてグランドに排出されるので、リッドにおける不要輻射は生ぜず、十分なシールディングが可能となる。また、インピーダンスの不整合等の理由により、最適なインピーダンスを有するシールド部材に交換する場合には、シールド部材のリッド接触部をリッド上面から離すと共に、リード部をグランド用ランドから取り外す。しかる後、新たなシールド部材を半導体パッケージに被せ、リッド接触部をリッドの上面周縁部に電気的に接触させると共に、リード部をグランド用ランドに電気的に接続することにより、新たなシールド部材に交換することができる。つまり、半導体パッケージをプリント基板に実装した後でも、シールド部材を交換又は調整することで、EMC対策の再構築を容易に行うことができる。請求項2の発明は、請求項1に記載の半導体パッケージのシールド構造において、シールド部材全体を、1枚の金属板で形成した構成とする。かかる構成により、半導体素子からの熱が、熱伝導性部材を伝導してリッドに至り、シールド部材に至ると、熱は、全体が1枚の金属板で形成された広表面のシールド部材から効率的に放熱される。また、シールド部材全体が1枚の金属板で形成されているので、抵抗値が低く、この結果、リッドに誘起されたノイズ電流がシールド部材を通じて効率的にグランドに排出される。請求項3の発明は、請求項1又は請求項2に記載の半導体パッケージのシールド構造において、シールド部材のリッド接触部とリード部とに、ヒートシンク部を形成した構成とする。かかる構成により、半導体素子からの熱が、熱伝導性部材を伝導してリッドに至り、シールド部材に至ると、熱は、シールド部材に形成されているヒートシンク部から効率的に放出される。以上詳しく説明したように、この発明の半導体パッケージのシールド構造によれば、EMC対策性と放熱性とに優れているだけでなく、シールド部材を交換又は調整することで、EMC対策構造の構築と再構築とを容易に行うことができるという優れた効果がある。また、請求項2の発明によれば、より高い放熱効果と不要輻射抑制とを得ることができるという効果がある。さらに、請求項3の発明によれば、放熱効果のさらなる向上を図ることができる。以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。実施例1図1は、この発明の第1実施例に係る半導体パッケージのシールド構造を示す分解斜視図であり、図2は、第1実施例に係る半導体パッケージのシールド構造を示す平面図であり、図3は、図2の矢視B-B断面図である。この実施例の半導体パッケージのシールド構造は、図1に示すように、半導体パッケージ1と、プリント基板2と、半導体パッケージ1内の熱伝導性部材3と、シールド部材4とを備えている。半導体パッケージ1は、図1に示すように、半導体実装基板5に実装された半導体素子10を、リッド6で封止した構造になっている。半導体実装基板5は、半導体素子10と電気的に接続した図示しない配線パターンを有し、配線パターンの端部が、半導体実装基板5の下面に列設された端子群50に接続されている、このような半導体実装基板5に実装されている半導体素子10としては、例えば、画像処理IC等である。リッド6は、図3に示すように、突出部60と鍔部61とを有する帽子状の金属体であり、鍔部61を半導体実装基板5の上面に密着させた状態で、半導体素子10の上に被さっている。プリント基板2は、半導体パッケージ1が実装された基板であり、端子群50が接続されたランド群20と、このランド群20を囲む方形状のグランド用ランド21とを上面に有している。グランド用ランド21は、ビアホール23を通じてプリント基板2裏面のグランド25に電気的に接続されている。一方、熱伝導性部材3は、半導体素子10で発生した熱をリッド6に伝導させるための部材であり、例えば、シリコンゴム等が用いられる。この熱伝導性部材3は、半導体素子10の上面とリッド6の突出部60裏面との間に介設されている。シールド部材4は、半導体パッケージ1のリッド6とプリント基板2のランド群20とを電気的に接続するための部材であり、銅等の金属で形成されている。具体的には、シールド部材4は、図1に示すように、1枚の銅板で形成された方形状の枠体であり、リッド接触部41とリード部42とを有している。リッド接触部41は、中央に開口40を有する環状の水平な部分であり、図2及び図3に示すように、リッド6の上面の大部分を開口40を通じて露出させている。また、このリッド接触部41は、半導体パッケージ1のリッド6に接触させる部分でもあり、8つのコンタクト43をその裏面41bに有している。図4は、コンタクトを示す斜視図であり、図5は、図1の矢視A-A断面図であり、コンタクト43の取り付け状態を拡大して示す。図4に示すように、コンタクト43は、バネ性の舌片部43aと取付部43bとで形成されており、図5に示すように、舌片部43aを下側にした状態で、取付部43bがリッド接触部41の裏面41bに固着されている。これにより、図5の実線及び破線に示すように、コンタクト43の舌片部43aが、図示しない下方の物体に触れると、物体の上方力に抗しながら上方に撓んで、物体に圧接する。このようなコンタクト43は、図2に示すように、リッド接触部41の裏面4隅とこれら隅と隅との中間にそれぞれ取り付けられ、図3に示すように、各コンタクト43の舌片部43aがリッド6の鍔部61上面の周縁部に圧接している。一方、リード部42は、図1及び図3に示すように、リッド接触部41と連続した面体であり、リッド接触部41からグランド用ランド21側に延出している。そして、リード部42の下端部に設けられたフランジ部42aが、半田26によってグランド用ランド21に電気的に接続されている。このようなシールド部材4の大きさや開口40の口径は、半導体パッケージ1の大きさに対応して設定される。リッド6を有した半導体パッケージ1の縦,横及び高さが、例えば、35mm,35mm及び1.5mmである場合には、シールド部材4の厚さ,縦,横及び高さを0.45mm,35mm,35mm及び2.5mmに設定すると共に、開口40の縦及び横を27mm,27mmに設定することが好ましい。次に、この実施例の半導体パッケージ1のシールド構造が示す作用及び効果について説明する。図6は、放熱効果を説明するための断面図であり、図7は、不要輻射抑制効果を説明するため断面図である。図6において、プリント基板2のランド群20,半導体パッケージ1の端子群50を通じて、半導体素子10に電源が供給され、半導体素子10が作動すると、半導体素子10の上面から熱Tが放出される。この熱Tは、熱伝導性部材3を伝導して、リッド6に至る。このとき、リッド6上面の大部分が、シールド部材4の開口40によって露出した状態になっている。このため、リッド6に至った熱Tは、リッド6の広面積の上面から外部に、効率的に放熱される。そして、リッド6からシールド部材4に至った熱Tは、全体が1枚の銅板で形成された広表面のシールド部材4から効率的に放熱される。また、半導体素子10が作動すると、半導体素子10から電磁波が放射され、図7に示すように、ノイズ電流Iが金属製のリッド6に誘起される。このノイズ電流Iは、不要輻射の原因となる。しかし、リッド6に誘起されたノイズ電流Iは、矢印で示すように、シールド部材4のコンタクト43を通じてリッド接触部41に至り、リード部42及び半田26を通じてプリント基板2のグランド用ランド21に至る。しかる後、ノイズ電流Iは、ビアホール23を通じてグランド25に排出される。この結果、半導体素子10の電磁波で誘起されるノイズ電流Iは、全てシールド部材4を通じてグランド25に排出されるので、不要輻射が効果的に抑制される。さらに、シールド部材4全体が1枚の銅属板で形成されているので、抵抗値が低い。したがって、ノイズ電流Iはシールド部材4を通じて効率的にグランド25に排出される。ところで、シールド部材4のインピーダンスとプリント基板2側のインピーダンスとが整合しないと、ノイズ電流Iを効果的にグランド25に排出させることができない。このような場合には、最適なインピーダンスを有するシールド部材4に交換する。シールド部材4の交換は非常に簡単である。フランジ部42aをグランド用ランド21に固着させている半田26を熱で溶かして、シールド部材4のリード部42をグランド用ランド21から外す。すると、リッド接触部41裏面のコンタクト43は、半導体パッケージ1のリッド6に接触しているだけであるので、リード部42をグランド用ランド21から外すと、リッド接触部41とリッド6との接触が自動的に解放され、シールド部材4全体が半導体パッケージ1とプリント基板2とから外れる。そして、シールド部材4を半導体パッケージ1から取り去った後、新たなシールド部材4を半導体パッケージ1に被せ、コンタクト43をリッド6に接触させた状態で、リード部42をグランド用ランド21に半田26で接続することにより、最適なインピーダンスを有した新たなシールド部材4に交換することができる。発明者は、不要輻射抑制効果を確認すべく、次のような実験を行った。図8は、実験の結果を示す線図である。この実験では半導体パッケージ1として、デジタルAV機器のメイン半導体パッケージを用い、この半導体パッケージ1にシールド部材4を接続した半導体パッケージのシールド構造と、シールド部材4を接続しない半導体パッケージのシールド構造とを、電波暗室3m法を用いて、放射ノイズレベルを測定した。まず、シールド部材4を接続しない半導体パッケージのシールド構造を測定したところ、図8の破線曲線S1で示すような測定結果を得た。そして、シールド部材4を接続したこの実施例の半導体パッケージのシールド構造を測定したところ、図8の実線曲線S2で示すような測定結果を得た。この結果から、この実施例のようにシールド部材4を接続した半導体パッケージのシールド構造を用いることにより、最大8.5dBのノイズ低減効果が得られることが確認された。実施例2次に、この発明の第2実施例について説明する。図9は、この発明の第2実施例に係る半導体パッケージのシールド構造を示す断面図である。図9に示すように、この実施例の半導体パッケージのシールド構造では、ヒートシンク部7が、シールド部材4のリッド接触部41とリード部42とに形成されている。具体的には、上を向く複数のフィン70をリッド接触部41の上面に突設すると共に、水平なフィン71をリード部42の側面に突設した。これにより、半導体素子10からの熱が、熱伝導性部材3を伝導してリッド6に至り、シールド部材4に至ると、熱は、ヒートシンク部7の多数のフィン70,71の広い表面から放出される。なお、ヒートシンク部7の構造は、図9に表されたものに限定されるものではない。例えば、図10に示すように、シールド部材4自体を断面蛇行状に曲げて、凹凸部72を設けることにより、ヒートシンク部7を形成することで、同様の効果を得ることができる。その他の構成、作用及び効果は、上記第1実施例と同様であるので、その記載は省略する。なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。例えば、上記実施例では、金属製のコンタクト43をシールド部材4のリッド接触部41の裏面に取り付け、このコンタクト43をリッド6の鍔部61に圧接することで、リッド6とシールド部材4とを電気的に接続させたが、コンタクト43の代わりに、図11に示すような接触片45を用いても良い。すなわち、シールド部材4のリッド接触部41に切り込みを入れて、舌状の接触片45を形成し、この接触片45を下方に曲げてバネ性を持たせることで、コンタクト43と同様の機能を持たせることができる。また、上記実施例では、シールド部材4を1枚の金属板で形成したが、ワイヤを組んでシールド部材4を構成しても良い。例えば、図12に示すように、リッド接触部41の外周に複数の導電性のワイヤ42′を等間隔で取り付けることで、シールド部材4を構成することもできる。"