硫化物固体電解質材料の粗粒材料にエーテル化合物を添加し、前記粗粒材料を粉砕処理により微粒化する微粒化工程を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。前記エーテル化合物が、酸素元素に結合した2つの炭化水素基を有し、前記炭化水素基の炭素数が、それぞれ10以下であることを特徴とする請求項1に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。前記粗粒材料が、Li、AAは、P、Si、Ge、AlおよびBの少なくとも一種である、Sを有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。前記粗粒材料が、さらにXXは、ハロゲン元素であるを有することを特徴とする請求項3に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。前記粉砕処理がメディア型粉砕処理であり、下記式1で定義される、前記粗粒材料の単位重量当たりの総粉砕エネルギーEが、50Jsec/g~450Jsec/gの範囲内であることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。E=1/2nmv2/st式1nはメディアの数個、mはメディア1個当たりの重量kg、vはメディアの速度m/s、sは粗粒材料の量g、tは処理時間秒である硫化物固体電解質材料は、硫黄Sを含有するため、例えば酸化物固体電解質材料に比べて、軟らかい材料である。そのため、硫化物固体電解質材料は、固体/固体界面を形成しやすく、界面抵抗を低減しやすいという利点を有する。一方、硫化物固体電解質材料は軟らかい材料であるため、微粒化が困難であるという問題がある。この理由の一つとして、後述するように、粉砕と同時に造粒が生じることが挙げられる。また、例えばメディア型粉砕処理例えばボールミル処理により硫化物固体電解質材料を粉砕すると、メディアに硫化物固体電解質材料が付着し、硫化物固体電解質材料の回収率が低いという問題がある。さらに、粉砕時における硫化物固体電解質材料の造粒、および、メディアへの硫化物固体電解質材料の付着を防止するために分散剤を用いることが考えられるが、従来の分散剤では、硫化物固体電解質材料のイオン伝導度を低下させてしまうという問題がある。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、硫化物固体電解質材料の微粒化、高回収率化およびイオン伝導度の維持を同時に達成可能な硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することを主目的とする。上記課題を解決するために、本発明においては、硫化物固体電解質材料の粗粒材料にエーテル化合物を添加し、上記粗粒材料を粉砕処理により微粒化する微粒化工程を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供する。本発明によれば、エーテル化合物を分散剤として用いることで、硫化物固体電解質材料の微粒化、高回収率化およびイオン伝導度の維持を同時に達成することができる。上記発明においては、上記エーテル化合物が、酸素元素に結合した2つの炭化水素基を有し、上記炭化水素基の炭素数が、それぞれ10以下であることが好ましい。炭素数が大きすぎると、乾燥によるエーテル化合物の除去が困難になる可能性があるからである。上記発明においては、上記粗粒材料が、Li、AAは、P、Si、Ge、AlおよびBの少なくとも一種である、Sを有することが好ましい。Liイオン伝導性が良好な粗粒材料とすることができるからである。上記発明においては、上記粗粒材料が、さらにXXは、ハロゲン元素であるを有することが好ましい。粗粒材料のLiイオン伝導性を向上させることができるからである。上記発明においては、上記粉砕処理がメディア型粉砕処理であり、下記式1で定義される、上記粗粒材料の単位重量当たりの総粉砕エネルギーEが、50Jsec/g~450Jsec/gの範囲内であることが好ましい。より微粒化した硫化物固体電解質材料を得ることができるからである。E=1/2nmv2/st式1nはメディアの数個、mはメディア1個当たりの重量kg、vはメディアの速度m/s、sは粗粒材料の量g、tは処理時間秒である本発明においては、硫化物固体電解質材料の微粒化、高回収率化およびイオン伝導度の維持を同時に達成できるという効果を奏する。以下、本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法について、詳細に説明する。本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法は、硫化物固体電解質材料の粗粒材料にエーテル化合物を添加し、上記粗粒材料を粉砕処理により微粒化する微粒化工程を有することを特徴とするものである。図1は、本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法の一例を示すフローチャートである。図1においては、まず、硫化物固体電解質材料の粗粒材料例えばLiI-Li2S-P2S5ガラスと、エーテル化合物例えばジブチルエーテルと、溶媒例えば脱水ヘプタンとを混合し、混合物分散液を調製する調製工程。次に、混合物をジルコニアポットに投入し、さらにジルコニアボールを投入し、ポットを密閉する。その後、このポットを遊星型ボールミル機に取り付け、所定の条件でメカニカルミリングを行い、粗粒材料を粉砕する微粒化工程。これにより、微粒化された硫化物固体電解質材料を得ることができる。また、図示しないが、本発明においては、混合液を調製せず、粗粒材料の粉砕処理時にエーテル化合物および必要に応じて溶媒を添加しても良い。図2は、固体電解質材料の硬さの違いによる粉砕の状況を説明する模式図である。図2aに示すように、酸化物固体電解質材料のような硬い固体電解質材料1を粉砕する場合、初期の粉砕により粒子1aとなり、さらなる粉砕により微粒子1bとなる。そして、微粒化がある程度進行すると、微粒子同士が凝集し、二次粒子1cが生じる。これに対して、図2bに示すように、硫化物固体電解質材料のような軟らかい固体電解質材料2を粉砕する場合、初期の粉砕により粒子2aとなり、さらなる粉砕により微粒子2bとなる。そして、微粒化がある程度進行すると、微粒子2bが軟らかいため、練りあがるようにして造粒が生じ、再び粒径が大きい粒子2cが生じてしまう。このように、硫化物固体電解質材料を粉砕する場合、粉砕と同時に造粒が生じ、微粒化が困難になる。本発明においては、エーテル化合物を用いることで、造粒を防止でき、微粒化した硫化物固体電解質材料を得ることができる。本発明によれば、エーテル化合物を分散剤として用いることで、硫化物固体電解質材料の微粒化、高回収率化およびイオン伝導度の維持を同時に達成することができる。エーテル化合物の添加により、硫化物固体電解質材料の微粒化および高回収率化を図れる理由は、以下の通りであると考えられる。すなわち、粉砕時に、エーテル化合物が粗粒材料の粒子表面に位置することにより、粒子表面が帯電し、他の粒子およびメディアに対して電気的な反発が生じるためであると考えられる。その結果、粉砕が進んでも、粒子同士が造粒すること、および、粒子がメディアに付着することを防止でき、硫化物固体電解質材料の微粒化および高回収率化を図れる。また、エーテル化合物の添加により、硫化物固体電解質材料のイオン伝導度が維持される理由は、エーテル化合物が、硫化物固体電解質材料と反応せず、硫化物固体電解質材料の劣化が生じないためであると考えられる。また、本発明者等は、エーテル化合物以外の化合物として、低分子化合物を分散剤として用いて種々検討したが、粉砕時における硫化物固体電解質材料の造粒、および、メディアへの硫化物固体電解質材料の付着を防止する機能を有しない場合が多かった。一方、電気的な反発を付与するために、極性を有する低分子化合物を用いたところ、硫化物固体電解質材料と反応し、硫化物固体電解質材料の劣化が生じてしまった。これに対して、エーテル化合物を用いた場合には、粉砕時における硫化物固体電解質材料の造粒、および、メディアへの硫化物固体電解質材料の付着を防止する機能が確認され、さらに、硫化物固体電解質材料の劣化も抑制された。また、本発明においては、微粒化した硫化物固体電解質材料を得ることができるため、電池のエネルギー密度および出力密度の向上が図れるという利点がある。また、本発明においては、微粒化した硫化物固体電解質材料を高回収率で得ることができるという利点がある。なお、回収率とは、粗粒材料の投入量に対する、微粒化した硫化物固体電解質材料の回収量の割合をいう。さらに、本発明においては、イオン伝導度の低下を抑制した硫化物固体電解質材料を得ることができるため、電池の出力密度の向上が図れるという利点がある。以下、本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法について、工程ごとに説明する。1.微粒化工程本発明における微粒化工程は、硫化物固体電解質材料の粗粒材料にエーテル化合物を添加し、上記粗粒材料を粉砕処理により微粒化する工程である。本発明においては、硫化物固体電解質材料の粗粒材料、および、エーテル化合物を含有する混合物を調製することが好ましい。この混合物は、必要に応じて溶媒を含有していても良い。また、この混合物は、硫化物固体電解質材料の粗粒材料が、エーテル化合物および溶媒に分散した分散液またはスラリーであることが好ましい。一方、上述したように、本発明においては、混合液を調製せず、粗粒材料の粉砕処理時にエーテル化合物および必要に応じて溶媒を添加しても良い。1エーテル化合物本発明におけるエーテル化合物は、エーテル基C-O-Cを有するものであれば特に限定されるものではない。中でも、エーテル化合物は、酸素元素に結合した2つの炭化水素基を有することが好ましい。粗粒材料との反応性が低いからである。また、上記炭化水素基の炭素数は、それぞれ10以下であることが好ましい。炭素数が大きすぎると、乾燥によるエーテル化合物の除去が困難になる可能性があるからである。上記炭化水素基は、鎖状であっても良く、環状であっても良い。また、上記炭化水素基は、飽和炭化水素基または芳香族炭化水素基であることが好ましい。上記炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、ベンジル基等の芳香族炭化水素基等を挙げることができる。エーテル化合物の具体例としては、ジメチルエーテル、メチルエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、アニソール等を挙げることができる。また、エーテル化合物の分子量は、例えば46~278の範囲内であることが好ましく、74~186の範囲内であることがより好ましい。また、エーテル化合物の添加量は、微粒化した硫化物固体電解質材料を得ることができる割合であれば特に限定されるものではない。中でも、エーテル化合物の添加量は、粗粒材料に対して、例えば0.01重量~100重量の範囲内であることが好ましく、0.1重量~100重量の範囲内であることがより好ましく、1重量~50重量の範囲内であることがさらに好ましい。エーテル化合物の添加量が少なすぎると、粉砕時における硫化物固体電解質材料の造粒、および、メディアへの硫化物固体電解質材料の付着を防止することが困難になる可能性があり、エーテル化合物の添加量が多すぎると、エーテル化合物の除去が困難になる可能性があるからである。2粗粒材料次に、本発明における粗粒材料について説明する。本発明における粗粒材料は、硫化物固体電解質材料から構成され、微粒化される前の材料である。本発明における粗粒材料は、S硫黄を含有し、イオン伝導性を有するものであれば特に限定されるものではない。中でも、粗粒材料は、Li、AAは、P、Si、Ge、AlおよびBの少なくとも一種である、Sを有することが好ましい。Liイオン伝導性が良好な粗粒材料とすることができるからである。また、粗粒材料は、Li、AおよびSを主成分とするものである。なお、主成分とするとは、粗粒材料におけるLi、AおよびSの総含有量が、50mol以上であることをいい、中でも、60mol以上であることが好ましく、70mol以上であることがより好ましい。また、本発明における粗粒材料は、Li、AおよびSを有するイオン伝導体を少なくとも備えることが好ましい。さらに、このイオン伝導体は、後述するオルト組成のアニオン構造PS43-構造、SiS44-構造、GeS44-構造、AlS33-構造、BS33-構造を主体とすることが好ましい。化学安定性の高い粗粒材料とすることができるからである。オルト組成のアニオン構造の割合は、イオン伝導体における全アニオン構造に対して、60mol以上であることが好ましく、70mol以上であることがより好ましく、80mol以上であることがさらに好ましく、90mol以上であることが特に好ましい。なお、オルト組成のアニオン構造の割合は、ラマン分光法、NMR、XPS等により決定することができる。粗粒材料は、上記イオン伝導体と、LiXXは、ハロゲン元素うである成分とを有するものであることが好ましい。また、本発明における粗粒材料は、Li、AおよびSを主成分とするものであることが好ましく、Li、AおよびSのみを含有するものであっても良く、他の成分をさらに含有するものであっても良い。本発明においては、粗粒材料が、XXは、ハロゲン元素であるおよびOの少なくとも一つを含有していても良い。ハロゲン元素を含有することにより、粗粒材料のLiイオン伝導性を向上させることができる。また、Oを含有することにより、粗粒材料に含まれる架橋硫黄を切断することができ、硫化水素発生量を少なくすることができる。また、粗粒材料は、Li2Sと、Aの硫化物とを含有する原料組成物を用いてなるものであることが好ましい。上記原料組成物は、F含有化合物、Cl含有化合物、Br含有化合物、I含有化合物およびO含有化合物の少なくとも一つをさらに含有していても良い。原料組成物に含まれるLi2Sは、不純物が少ないことが好ましい。副反応を抑制することができるからである。Li2Sの合成方法としては、例えば、特開平7-330312号公報に記載された方法等を挙げることができる。さらに、Li2Sは、WO2005/040039に記載された方法等を用いて精製されていることが好ましい。一方、原料組成物に含まれるAの硫化物としては、例えば、P2S3、P2S5、SiS2、GeS2、Al2S3、B2S3等を挙げることができる。原料組成物に含まれるF含有化合物としては、フッ素を含有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、LiF、LiPF6等を挙げることができる。また、原料組成物に含まれるCl含有化合物としては、塩素を含有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、LiCl等を挙げることができる。また、原料組成物に含まれるBr含有化合物としては、臭素を含有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、LiBr等を挙げることができる。また、原料組成物に含まれるI含有化合物としては、ヨウ素を含有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、LiI等を挙げることができる。また、原料組成物に含まれるO含有化合物としては、粗粒材料に含まれる架橋硫黄の結合を切断することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、Li2O、Li2O2、Na2O、K2O、MgO、CaO等を挙げることができ、中でも、Li2Oが好ましい。Li2OにおけるOが、粗粒材料に含まれる架橋硫黄を効率良く切断することができるからである。また、例えば、過剰に添加したLi2Oは、未反応で存在しても硫化水素を発生しないという利点がある。さらに、Li2Oは、Liを有することから、架橋硫黄を切断して得られる粗粒材料のLiイオン伝導性を向上させることができる。また、上記粗粒材料は、Li2Sを実質的に含有しないことが好ましい。硫化水素発生量の少ない粗粒材料とすることができるからである。Li2Sは、水と反応することで、硫化水素が発生する。例えば、原料組成物に含まれるLi2Sの割合が大きいと、Li2Sが残存しやすい。Li2Sを実質的に含有しないことは、X線回折により確認することができる。具体的には、Li2Sのピーク2θ=27.0°、31.2°、44.8°、53.1°を有しない場合は、Li2Sを実質的に含有しないと判断することができる。また、上記粗粒材料は、架橋硫黄を実質的に含有しないことが好ましい。硫化水素発生量の少ない粗粒材料とすることができるからである。架橋硫黄とは、Li2SとAの硫化物とが反応してなる化合物における架橋硫黄をいう。例えば、Li2SおよびP2S5が反応してなるS3P-S-PS3構造の架橋硫黄が該当する。このような架橋硫黄は、水と反応しやすく、硫化水素が発生しやすい。さらに、架橋硫黄を実質的に含有しないことは、ラマン分光スペクトルの測定により、確認することができる。例えば、Li2S-P2S5系の粗粒材料の場合、S3P-S-PS3構造のピークが、通常402cm-1に現れる。そのため、このピークが検出されないことが好ましい。また、PS43-構造のピークは、通常417cm-1に現れる。本発明においては、402cm-1における強度I402が、417cm-1における強度I417よりも小さいことが好ましい。より具体的には、強度I417に対して、強度I402は、例えば、70以下であることが好ましく、50以下であることがより好ましく、35以下であることがさらに好ましい。また、Li2S-P2S5系以外の粗粒材料についても、架橋硫黄を含有するユニットを特定し、そのユニットのピークを測定することにより、架橋硫黄を実質的に含有していないことを判断することができる。また、上記粗粒材料が、Li2Sおよび架橋硫黄を実質的に含有しない場合、通常、粗粒材料は、オルト組成またはその近傍の組成を有している。ここで、オルトとは、一般的に、同じ酸化物を水和して得られるオキソ酸の中で、最も水和度の高いものをいう。本発明においては、硫化物で最もLi2Sが付加している結晶組成をオルト組成という。例えば、Li2S-P2S5系ではLi3PS4がオルト組成に該当し、Li2S-Al2S3系ではLi3AlS3がオルト組成に該当し、Li2S-B2S3系ではLi3BS3がオルト組成に該当し、Li2S-SiS2系ではLi4SiS4がオルト組成に該当し、Li2S-GeS2系ではLi4GeS4がオルト組成に該当する。なお、上記粗粒材料がOを含有する場合、上記オルト組成におけるSの一部がOに置換されている。例えば、Li2S-P2S5系の粗粒材料の場合、オルト組成を得るLi2SおよびP2S5の割合は、モル基準で、Li2S:P2S5=75:25である。Li2S-Al2S3系の粗粒材料の場合、Li2S-B2S3系の粗粒材料の場合も同様である。一方、Li2S-SiS2系の粗粒材料の場合、オルト組成を得るLi2SおよびSiS2の割合は、モル基準で、Li2S:SiS2=66.7:33.3である。Li2S-GeS2系の粗粒材料の場合も同様である。上記原料組成物が、Li2SおよびP2S5を含有する場合、Li2SおよびP2S5の合計に対するLi2Sの割合は、70mol~80molの範囲内であることが好ましく、72mol~78molの範囲内であることがより好ましく、74mol~76molの範囲内であることがさらに好ましい。なお、上記原料組成物が、Li2SおよびAl2S3を含有する場合、Li2SおよびB2S3を含有する場合も同様である。一方、上記原料組成物が、Li2SおよびSiS2を含有する場合、Li2SおよびSiS2の合計に対するLi2Sの割合は、62.5mol~70.9molの範囲内であることが好ましく、63mol~70molの範囲内であることがより好ましく、64mol~68molの範囲内であることがさらに好ましい。なお、上記原料組成物が、Li2SおよびGeS2を含有する場合も同様である。また、本発明における粗粒材料が、LiXX=F、Cl、Br、Iを含有する原料組成物を用いてなるものである場合、LiXの割合は、例えば、1mol~60molの範囲内であることが好ましく、5mol~50molの範囲内であることがより好ましく、10mol~40molの範囲内であることがさらに好ましい。本発明においては、上記XがCl、BrおよびIの少なくとも一種であることが好ましい。粗粒材料のLiイオン伝導性をより向上させることができるからである。また、例えば、Li2S-Li2O-P2S5系の粗粒材料の場合、オルト組成を得るLi2S、Li2OおよびP2S5の割合は、モル基準で、Li2SLi2O:P2S5=75:25である。上記原料組成物が、Li2S、Li2OおよびP2S5を含有する場合、Li2S、Li2OおよびP2S5の合計に対するLi2SおよびLi2Oの割合は、70mol~80molの範囲内であることが好ましく、72mol~78molの範囲内であることがより好ましく、74mol~76molの範囲内であることがさらに好ましい。Li2SおよびLi2Oの合計に対するLi2Oの割合は、例えば、1.3mol~33.3molの範囲内であることが好ましく、4.0mol~20.0molの範囲内であることがより好ましい。Li2Oの割合が少なすぎると、硫化水素発生量が大幅に増加する可能性があり、Li2Oの割合が多すぎると、Liイオン伝導性が大幅に低下する可能性があるからである。また、Li2S、Li2OおよびP2S5の合計に対するLi2Oの割合は、例えば、1mol~25molの範囲内であることが好ましく、3mol~15molの範囲内であることがより好ましい。粗粒材料の形状としては、例えば粒子状を挙げることができる。粗粒材料の平均粒径D50は、例えば、5μm~200μmの範囲内であることが好ましく、10μm~100μmの範囲内であることがより好ましい。なお、上記平均粒径は、例えば、粒度分布計により決定することができる。また、上記粗粒材料は、イオン伝導性が高いことが好ましく、常温におけるイオン伝導性は、例えば、1×10-4S/cm以上であることが好ましく、1×10-3S/cm以上であることがより好ましい。また、粗粒材料は、硫化物ガラスであっても良く、結晶化硫化物ガラスガラスセラミックスであっても良く、固相法により得られる結晶質材料であっても良い。なお、硫化物ガラスは、例えば原料組成物に対してメカニカルミリングボールミル等を行うことにより得ることができる。また、結晶化硫化物ガラスは、例えば硫化物ガラスを結晶化温度以上の温度で熱処理を行うことにより得ることができる。また、粗粒材料が硫化物ガラスである場合、特に軟らかい材料となるため、粉砕時における硫化物固体電解質材料の造粒、および、メディアへの硫化物固体電解質材料の付着を防止する効果を発揮しやすいという利点がある。また、粗粒材料が硫化物ガラスである場合、粗粒材料に大きなエネルギーを付与できない場合がある。例えば、付与するエネルギーの熱によって硫化物ガラスがガラスセラミックスになり、イオン伝導性が低下する場合には、粗粒材料に大きなエネルギーを付与できない。このような場合、微粒化のために付与するエネルギーの上限が限定されるため、より少ないエネルギーで微粒化を図る必要が生じるが、エーテル化合物を用いれば、過度に高いエネルギーを付与することなく、微粒化した硫化物固体電解質材料を得ることができる。3溶媒本発明においては、エーテル化合物に加えて、溶媒を添加しても良い。溶媒を用いて湿式粉砕することで、粉砕時における硫化物固体電解質材料の造粒、および、メディアへの硫化物固体電解質材料の付着を防止できるからである。上記溶媒としては、例えば、ヘプタン、ヘキサン、オクタン等のアルカン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等を挙げることができる。なお、上記液体の添加量は、特に限定されるものではなく、所望の硫化物固体電解質材料を得ることができる程度の量であれば良い。また、上記溶媒は、水分量が少ないものであることが好ましい。硫化水素の発生硫化物固体電解質材料の劣化を抑制できるからである。4粉砕処理本発明における粉砕処理としては、所望の大きさに微粒化できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、ビーズミル、遊星型ボールミル等のメディア型粉砕、ジェット粉砕、キャビテーション粉砕等を挙げることができる。粉砕条件は、粗粒材料を所望の粒子径に粉砕することができるように設定する。例えば、遊星型ボールミルを用いる場合、粗粒材料、エーテル化合物、溶媒および粉砕用ボールを加え、所定の回転数および時間で処理を行う。粉砕用ボールのボール径φとしては、例えば、0.05mm~2mmの範囲内であることが好ましく、0.3mm~1mmの範囲内であることがより好ましい。上記ボール径が小さすぎると、粉砕用ボールのハンドリングが難しく、コンタミの原因となる可能性があるからであり、上記ボール径が大きすぎると、粗粒材料を所望の粒子径に粉砕することが困難になる可能性があるからである。また、遊星型ボールミルを行う際の台盤回転数としては、例えば、100rpm~400rpmの範囲内であることが好ましく、150rpm~300rpmの範囲内であることがより好ましい。また、遊星型ボールミルを行う際の処理時間は、例えば、0.5時間~5時間の範囲内であることが好ましく、1時間~4時間の範囲内であることがより好ましい。また、本発明においては、粉砕処理がメディア型粉砕処理であり、下記式1で定義される、粗粒材料の単位重量当たりの総粉砕エネルギーEが、50Jsec/g~450Jsec/gの範囲内であることが好ましく、100Jsec/g~300Jsec/gの範囲内であることがより好ましい。より微粒化した硫化物固体電解質材料を得ることができるからである。なお、本発明においては、粗粒材料の単位重量当たりの総粉砕エネルギーを、単に総粉砕エネルギーと称する場合がある。E=1/2nmv2/st式1式1において、nはメディアの数個、mはメディア1個当たりの重量kg、vはメディアの速度m/s、sは粗粒材料の量g、tは処理時間秒である。式1は、メディア例えばビーズ、ボールの運動エネルギーが、全て粗粒材料の粉砕に用いられたと仮定した場合の総粉砕エネルギーを示すものである。なお、メディアの速度vは、メディア型粉砕処理の種類に応じて、適宜求めることができる。例えば遊星型ボールミルである場合、メディアの速度vは式2で求めることができる。v=dπRα/1000/60式2式2において、dはポット容器の直径mm、Rは台盤回転数rpm、αは自公転比である。一方、粉砕処理がキャビテーション粉砕である場合、回転数は、例えば1000rpm~3000rpmの範囲内であることが好ましい。また、流量は、例えば1.0g/min.~3.0g/min.の範囲内であることが好ましい。本発明においては、粗粒材料を粉砕する際にエーテル化合物を用いているため、エーテル化合物が粗粒材料の分散剤として機能し、粗粒材料の付着および造粒を防止することができる。その結果、微粒化した硫化物固体電解質材料を高い回収率で得ることができる。硫化物固体電解質材料の回収率としては、例えば、90以上であることが好ましく、95以上であることがより好ましい。なお、上記回収率は、微粒化した硫化物固体電解質材料の回収量/粗粒材料の投入量により算出することができる。2.その他の工程本発明においては、微粒化工程の後に、エーテル化合物を除去する乾燥工程を有することが好ましい。エーテル化合物が残留していると、硫化物固体電解質材料のイオン伝導度を低下させる要因になるからである。なお、溶媒を添加して微粒化工程を行う場合は、乾燥工程により溶媒も除去することが好ましい。乾燥温度は、特に限定されるものではないが、例えば、硫化物ガラスを合成する場合には、結晶化温度未満の温度で乾燥を行う必要がある。特に、硫化物ガラスが結晶化することによってイオン伝導度が低下する場合には、乾燥温度に留意する必要がある。一方、本発明においては、微粒化工程の後または乾燥工程の後に、微粒化した材料を、結晶化温度以上の温度で加熱する熱処理工程を有していても良い。微粒化された結晶化硫化物ガラスガラスセラミックスを得ることができるからである。特に、硫化物ガラスが結晶化することによってイオン伝導度が向上する場合には、熱処理工程を行うことが好ましい。熱処理温度は、結晶化温度以上の温度であれば特に限定されるものではないが、イオン伝導度の高い結晶相が生成するように不要な結晶相が生成しないように調整することが好ましい。なお、熱処理時間についても同様である。3.微粒化した硫化物固体電解質材料微粒化工程により得られる硫化硫物固体電解質材料の平均粒径D50は、粗粒材料よりも小さければ特に限定されるものではないが、例えば、0.1μm~5μmの範囲内であることが好ましく、0.5μm~4μmの範囲内であることがより好ましい。なお、上記平均粒径は、例えば、粒度分布計により決定することができる。また、微粒化した硫化物固体電解質材料は、粗粒材料のイオン伝導度が維持されていることが好ましい。具体的には、粗粒材料のイオン伝導度に対して、例えば50以上であることが好ましく、70以上であることがより好ましく、80以上であることがさらに好ましく、90以上であることが特に好ましい。なお、硫化物固体電解質材料のイオン伝導度は、例えば、交流インピーダンス法により決定することができる。また、本発明により得られる硫化物固体電解質材料は、イオン伝導性を必要とする任意の用途に用いることができる。中でも、上記硫化物固体電解質材料は、全固体電池特に全固体二次電池に用いられることが好ましい。さらに、上記硫化物固体電解質材料を全固体電池に用いる場合、正極活物質層に用いても良く、負極活物質層に用いても良く、固体電解質層に用いても良い。また、本発明においては、上述した製造方法により得られることを特徴とする硫化物固体電解質材料を提供することもできる。さらに、上記硫化物固体電解質材料を、正極活物質層、負極活物質層および固体電解質層の少なくともいずれかに含有することを特徴とする全固体電池を提供することもできる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。以下に実施例を示して、本発明をさらに具体的に説明する。[製造例]出発原料として、硫化リチウムLi2S、日本化学工業製、純度99.9、五硫化二リンP2S5、Aldrich製、純度99.9およびヨウ化リチウムLiI、アルドリッチ製を用いた。次に、Li2SおよびP2S5を、75Li2S25P2S5のモル比Li3PS4、オルト組成となるように秤量した。次に、LiIの割合が30molとなるようにLiIを秤量した。その混合物2gを遊星型ボールミルの容器45cc、ZrO2製に投入し、脱水ヘプタン水分量30ppm以下、4gを投入し、さらにZrO2ボールφ=5mm、53gを投入し、容器を完全に密閉した。この容器を遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数500rpmで、40時間メカニカルミリングを行った。その後、100°Cで乾燥することによりヘプタンを除去し、硫化物ガラス粗粒材料を得た。得られた硫化物ガラスの組成は、一般式xLiI100-xyLi2S1-yP2S5における、x=30、y=0.75である。[実施例1]製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボールφ1mm40g、脱水ヘプタン8.9g、ジブチルエーテル0.1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数150rpmにて5時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[実施例2]ジブチルエーテルの代わりに、ジプロピルエーテルを用いたこと以外は、実施例1と同様にして硫化物固体電解質材料を得た。[実施例3]製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボールφ0.3mm40g、脱水ヘプタン8g、ジブチルエーテル1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数150rpmにて15時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[実施例4]製造例で得られた粗粒材料3.5g、脱水ヘプタン500ml、ジブチルエーテル3.5gを混合し、混合物を得た。この混合物を用いて、キャビテーション粉砕機エムテクニック製SS5にて粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。なお、キャビテーション粉砕機の条件は、回転数1000rpm、流量1.7g/min.、背圧0.14MPaG、プロセス圧0.35MPaGとした。[実施例5]製造例で得られた粗粒材料40g、ZrO2ボールφ1mm800g、脱水ヘプタン156g、ジブチルエーテル4gを500mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P5に取り付け、台盤回転数90rpmにて8時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[比較例1]製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボールφ1mm40g、脱水ヘプタン10gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数300rpmにて1時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[比較例2]製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボールφ1mm40g、脱水ヘプタン9g、ブチレンゴム0.014gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数300rpmにて1時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[比較例3]製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボールφ1mm40g、脱水ヘプタン8.9g、2-エチルヘキサノール0.1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数800rpmにて5時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[評価1]SEM観察実施例1~5および比較例1~3で得られた硫化物固体電解質材料を走査型電子顕微鏡SEMで観察した。その結果を図3、図4に示す。図3、図4に示されるように、いずれも、微粒化された硫化物固体電解質材料が得られた。粒度分布測定実施例1~5および比較例1~3で得られた硫化物固体電解質材料、ならびに製造例で得られた粗粒材料を少量サンプリングし、レーザー散乱回折式粒度分布測定機日機装製マイクロトラックMT3300EXIIで粒度分布測定を行い、平均粒径D50を決定した。その結果を表1に示す。回収率測定実施例1~5および比較例1~3で得られた硫化物固体電解質材料の回収率を求めた。微粒化工程後に、ZrO2ボールを分離し、ZrO2ボールの付着物を数回ヘプタンで洗浄してから、回収したスラリーを乾燥させることにより、硫化物固体電解質材料硫化物ガラスの回収量を測定した。得られた硫化物固体電解質材料の回収量を微粒化工程で投入した硫化物ガラスの投入量で除することにより、回収率を算出した。その結果を表1に示す。Liイオン伝導度測定実施例1~5および比較例1~3で得られた硫化物固体電解質材料、ならびに製造例で得られた粗粒材料のLiイオン伝導度を測定した。硫化物固体電解質材料については、上記の回収したスラリーを100°Cで30分間乾燥させ、粉体を回収後、1cm2、厚さ0.5mmのペレットを作製し、4.3tonで成型した。また、粗粒材料についても、粉体を回収後、1cm2、厚さ0.5mmのペレットを作製し、4.3tonで成型した。成型後のペレットに対して、交流インピーダンス法によりLiイオン伝導度常温を測定した。なお、測定にはソーラトロン1260を用い、測定条件は、印加電圧5mV、測定周波数域0.01MHz~1MHzとし、100kHzの抵抗値を読み、厚さで補正し、Liイオン伝導度へ換算した。その結果を表1に示す。表1に示されるように、製造例で得られた粗粒材料に対して、実施例1~5で得られた硫化物固体電解質材料は、いずれも、平均粒径が小さく、回収率が高く、かつ、Liイオン伝導度の低下が低かった。一方、比較例1~3においては、これら全てを同時に達成することはできなかった。なお、比較例1では、微粒化工程後に、ZrO2ボールに硫化物ガラスがガムのように付着し、粒子状のものが得られなかったため、硫化物固体電解質材料の回収率が極めて低かった。[実施例6]製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボールφ1mm40g、脱水ヘプタン8.9g、ジブチルエーテル0.1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数150rpmにて7時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[実施例7]製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボールφ1mm40g、脱水ヘプタン8.9g、ジプロピルエーテル0.1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数150rpmにて5時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[実施例8]製造例で得られた粗粒材料40g、ZrO2ボールφ1mm800g、脱水ヘプタン156g、ジブチルエーテル4gを500mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P5に取り付け、台盤回転数90rpmにて8時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[実施例9]製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボールφ1mm40g、脱水ヘプタン8.9g、ジブチルエーテル0.1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数800rpmにて4時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[実施例10]製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボールφ1mm40g、脱水ヘプタン8.9g、ジブチルエーテル0.1gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数100rpmにて1時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[参考例1]製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボールφ1mm40g、脱水ヘプタン8g、ブチレンゴム0.014gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数300rpmにて1時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[参考例2]製造例で得られた粗粒材料40g、ZrO2ボールφ1mm400g、脱水ヘプタン160g、ブチレンゴム0.56gを500mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P5に取り付け、台盤回転数100rpmにて5時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[参考例3]製造例で得られた粗粒材料1g、ZrO2ボールφ1mm40g、脱水ヘプタン9g、ブチレンゴム0.014gを45mlのZrO2ポットに投入し、ポットを完全に密閉したAr雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数400rpmにて5時間湿式メカニカルミリングを行うことにより、粗粒材料を粉砕し、硫化物固体電解質材料を得た。[評価2]実施例6~10および参考例1~3で得られた硫化物固体電解質材料を少量サンプリングし、レーザー散乱回折式粒度分布測定機日機装製マイクロトラックMT3300EXIIで粒度分布測定を行い、平均粒径D50を決定した。その結果を表2に示す。また、総粉砕エネルギーと、平均粒径との関係を図5に示す。表2および図5に示すように、50Jsec/g~450Jsec/gの範囲内であるときに、平均粒径が5μm以下である硫化物固体電解質材料が得られることが確認された。