"一主面に素子領域が設けられた半導体基板と、前記素子領域上に設けられた金属電極層と、該金属電極層上を覆う保護膜と、該保護膜の一部を開口して設けられた電極パッド部と、該電極パッド部と該電極パッド部に直近の前記半導体基板の端部との間の前記保護膜に設けられた少なくとも1つの溝部と、を具備することを特徴とする半導体装置。前記溝部は上部より下部が狭いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記溝部は前記下部に向かって階段状に狭くなることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記溝部は前記電極パッド部の周囲に設けられることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置。前記溝部は前記電極パッド部と同心の閉ループに配置されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置。前記電極パッド部に導電性接着材が充填され、該導電性接着材を介して金属接続板が固着されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体装置。前記溝部内に導電性接着材が埋め込まれることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装置。前記導電性接着材は銀ペーストであることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の半導体装置。半導体基板の一主面に素子領域を形成する工程と、前記素子領域上を覆う金属電極層を形成する工程と、前記金属電極層上に保護膜を形成する工程と、該保護膜の一部を開口して電極パッド部を形成し、該電極パッド部と該電極パッド部に直近の前記半導体基板の端部との間の前記保護膜に溝部を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記溝部は第1のエッチング工程と第2のエッチング工程によって上部より下部が狭い階段状に形成されることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記第1のエッチング工程は等方性エッチングであり、前記第2のエッチング工程は異方性エッチングであることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の半導体装置の製造方法。前記電極パッド部と前記溝部は同一の工程で形成されることを特徴とする請求項9から請求項11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記電極パッド部に導電性接着材を供給し、該導電性接着材の上に金属接続板を載置し、前記導電性接着材を溶融して前記金属接続板を前記電極パッド部に電気的に接続することを特徴とする請求項9から請求項12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記導電性接着材は銀ペーストであることを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。図8は、従来の電極パッド部108を説明する図であり、図8Aが平面図であり、図8Bが図8Aのc-c線断面図である。従来の半導体装置100では、一点鎖線で示す金属電極層104の略全面に保護膜105を設け、その一部に開口部OPを設けて下層の金属電極層104を露出させ、必要に応じて多層金属層110を蒸着して電極パッド部108を形成している。すなわち電極パッド部108以外の金属電極層104表面は保護膜105で覆われている。ここで、半導体装置100に採用される導電性固着材111の一つに、Agペーストがあり、Pbフリー半田無鉛半田対策の観点で優位性がある。ところが、Agペーストは溶融時に半田半田ワイヤを溶融する場合よりより広がり易い問題がある。図8Aを参照して、MOSFETなどの場合、オン抵抗を低減するためには金属接続板不図示と金属電極層104との当接面積破線四角の領域はなるべく大きい方が望ましい。そうなると特にチップが小さい場合には、電極パッド部108がチップ上で占有する面積割合は大きくなり、電極パッド部108の端部保護膜105の開口部OP端部から直近の最も近接する半導体チップ101の端部以下直近端部ENまでの距離は小さくなる。電極パッド部108から直近端部ENまでの距離が小さい場合に、金属接続板112を接続する導電性固着材111としてAgペーストを採用すると、図8ABの如く溶融した導電性固着材111が電極パッド部108の中心から外側に広がり、保護膜105保護膜の端部105Eを越えて半導体チップ101の側面に達するなどし、短絡する問題が生じる。一例として、図8に示すMOSFETにおいて、導電性固着材111としてAgペーストを採用した場合、溶融した導電性固着材111が保護膜105の端部を越えて半導体チップ101の側面、すなわちドレイン領域にまで達するとドレイン-ソース間が短絡してしまう。溶融した導電性固着材111の広がり対策としては、第1に保護膜105の膜厚を厚くし、電極パッド部108からの流れ出しを防止する方法、第2に半導体チップ101の周辺領域において開口部OP付近の主面105S図8B参照より上方に突出する段差が形成されるように保護膜105を形成し、周辺部への流れ出しを防止する方法、第3に、周辺領域において金属電極層104で段差を形成し、その上に保護膜105を形成することで開口部OP付近の主面105Sより上方に突出する段差を形成する方法、などが知られているが、それぞれに問題点がある。まず第1の方法では、マスクの追加なく実施できるが、保護膜105は硬質な窒化膜であり、この膜厚を厚くすることでストレスが増加する。半導体ウエハ101は最終的に例えば130μm程度まで裏面研削されるため、保護膜105を厚くする場合は別途ウエハの反り対策が必要となる。第2および第3の方法ではそれぞれ、2段目の保護膜105あるいは2段目の電極金属層104を形成する際に別のマスクが必要となる。つまりマスク1枚分のコストが増加してしまう問題がある。本発明はかかる課題に鑑みてなされ、第1に一主面に素子領域が設けられた半導体基板と、前記素子領域上に設けられた金属電極層と、該金属電極層上を覆う保護膜と、該保護膜の一部を開口して設けられた電極パッド部と、該電極パッド部と該電極パッド部に直近の前記半導体基板の端部との間の前記保護膜に設けられた少なくとも1つの溝部と、を具備することにより解決するものである。第2に、半導体基板の一主面に素子領域を形成する工程と、前記素子領域上を覆う金属電極層を形成する工程と、前記金属電極層上に保護膜を形成する工程と、該保護膜の一部を開口して電極パッド部を形成し、該電極パッド部と該電極パッド部に直近の前記半導体基板の端部との間の前記保護膜に溝部を形成する工程とを具備することにより解決するものである。本発明の半導体装置に依れば、第1に、保護膜に設ける溝部によって、導電性接着材Agペースト溶融時の広がりを抑制できる。溝部は電極パッド部と、これに直近の半導体基板の端部との間に設ける。電極パッド部に供給されたAgペーストが溶融して電極パッド部の外側へ広がった場合であっても、溝部に流れ込み、充填されることによって横方向それより外側への広がりが抑制される。すなわち導電性固着材の半導体基板の周辺領域及び半導体基板の端部側面への到達、および到達によるショートを防止できる。第2に、溝部を上部が広く下部が狭い段差形状にすることで、溝部の間の幅の狭い保護膜と金属電極層との密着性の劣化を抑制できる。溝部は特に電極パッド部と半導体基板端部が近接した領域保護膜の被覆面積少ない領域に設けるため、溝部を形成することによって溝部の周囲に残る保護膜の面積も更に小さくなる。しかし本実施形態では、溝部の断面形状を上部が広く底部が狭い形状に形成することで、溝部の周囲に残存する保護膜と金属電極層との密着面積を最大限に確保する。また上方は広く開口されるので、溶融した導電性固着材の流れ込みが容易となり、溝部への充填が確実となり、半導体基板の端部への流れ出しを防止できる。第3に、電極パッド部とこれに直近の半導体基板の端部との間に溝部を設けるので、電極パッド部の形成位置やその形状は従来構造のまま維持でき、これらの設計変更や、電極パッド部に接続する金属接続板の変更等を行うことなく、溶融した導電性固着材の過剰な広がりを防止できる。また、本発明の製造方法によれば、第1に、溝部は従来の保護膜のマスクパターンを変更するのみで形成できるので、マスク枚数の増加、及びこれによるコストの増加を防止できる。第2に、保護膜の膜厚も従来通りでよく、すなわち保護膜を厚くする必要がないのでこれによる新たなウエハの反り対策を講じることも不要となる。第3に、溝部の形成に等方性エッチングと異方性エッチングを用いることで、同一のマスクで、溝部の形状を上部が広く下部が狭い段差形状を形成できるので、これにおいてもマスク枚数の増加を回避できる。本発明の実施の形態を、図1から図6を参照して説明する。まず、図1および図2を参照して本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、本実施形態の半導体装置50を示す図であり、図1Aが半導体装置50の平面図、図1Bは図1Aのa-a線断面図である。図1Aを参照して、半導体装置半導体チップ50は、半導体基板1と、素子領域2と、金属電極層4と、保護膜5と、電極パッド部8と、溝部9と、を有する。半導体基板1は、一主面に細実線の如く素子領域2が設けられて半導体チップ50を構成する。半導体チップ50は例えばディスクリート型の素子であり、素子領域2には例えばMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorあるいはMOSFETとトランジスタを組み合わせた複合素子であるIGBTInsulatedGateBipolarTransistorやバイポーラトランジスタのトランジスタセルあるいはダイオードなどの所望の拡散領域が設けられる。本実施形態では、素子領域2にMOSFETが設けられる場合を例に説明する。素子領域2上にはこれを覆い、素子領域2の一部と電気的に接続する金属電極層4一点鎖線で示すが設けられる。金属電極層4は例えばアルミニウムAl層またはAl合金層からなり、ここではMOSFETのソース領域に接続するソース電極層である。金属電極層4は平面視において半導体チップ50半導体基板1の大部分の面積を占有して配置される。そして金属電極層4の表面にはこれとほぼ重畳してこれを覆う保護膜5が設けられる。電極パッド部8は、半導体チップ50の中央付近に例えば略円形に設けられる。電極パッド部8は、金属電極層4と外部接続手段である金属接続板ここでは不図示とを電気的に接続する領域であって、金属電極層4の全面を覆う保護膜5に例えば略円形の第1開口部OP1を形成することによって導電層を露出させた領域である。ここで導電層とは金属電極層4および必要に応じてこれに重畳して設けられた他の金属層の総称である。本実施形態では金属電極層4と金属接続板と間の接続抵抗を低減したり、これらの密着性を向上させるため金属電極層4の上に多層金属層10aを設ける。すなわち、図1Aに示す最終構造において、第1開口部OP1からは多層金属層10aが主に露出する。つまり、ここでは、第1開口部OP1から露出する多層金属層10a及びその下方の金属電極層4の一部略円形の領域が電極パッド部8である。しかし本実施形態の電極パッド部8は、多層金属層10aの有無によらず、第1開口部OP1を介して金属電極層4との電気的接続を可能とする領域第1開口部OP1から露出した導電層をいう。金属接続板は破線矩形の当接領域にて電極パッド部8と固着する。そして電極パッド部8と、半導体チップ50の電極パッド部8に直近の最も近接する端部EN以下直近端部ENと称するとの間の保護膜5には少なくとも1つの溝部9が設けられる。溝部9は保護膜5に設けられた第2開口部OP2である。第2開口部OP2は、第1開口部OP1の直径W1方向において、当該直径W1例えば500μm~1000μm程度よりもその幅W2が狭い。溝部9は、電極パッド部8に供給される導電性固着材ここでは不図示が溶融した場合の過剰な広がりを抑制するが、これについては後述する。溝部9は、電極パッド部8と、半導体チップ50の直近端部ENとの間だけでなく、電極パッド部8と半導体チップ50の他の端部EOとの間に設けられてもよい。ここでは溝部9は、電極パッド部8の周りを囲む閉ループ状で、すなわち電極パッド部8と同心円の環状に配置される。溝部9はここでは電極パッド部8の外側に2つ2周設けられているが、1つまたは3つ以上であってもよい。また溝部9の平面視における形状は、電極パッド部8と同心の多角形状であってもよい。溝部9複数の場合、最外周の溝部9は、半導体チップ50の直近端部ENに沿う保護膜5の端部5Eより内側に配置される。一例として金属電極層4の外周を囲む半導体基板1の周辺領域には素子領域2の他の部分と電気的に接続する導電体18が配置される。導電体18は配線および/又は他の電極パッド部である。すなわち導電体18はここではゲート配線18wおよびゲートパッド部18pでありゲート配線18wはMOSFETのゲート電極不図示とゲートパッド部18pを電気的に接続する。図1Bは電極パッド部8付近の断面図である。まず半導体基板1の主面に設けられる素子領域2は既知の構成と同様であるので図示は省略するが、MOSFETを例に簡単に説明すると半導体基板1はn型半導体基板1上にn-型半導体層が積層されてドレイン領域を構成し、n-型半導体層の表面にp型のチャネル層が設けられ、チャネル層とゲート絶縁膜を介して接するゲート電極が設けられる。ゲート電極に隣接するチャネル層表面にはソース領域が設けられ、ゲート電極で囲まれた領域が1つのトランジスタセルとなる。尚図示された素子領域2はそれぞれの素子の既知の構造に応じて各種不純物領域および他の導電領域等が形成されるものとし、また素子領域2および金属電極層4ゲート配線18wも同様は既知の構成と同様に絶縁膜などで適宜絶縁されているとする。素子領域2の表面にはソース領域とコンタクトする金属電極層ソース電極層4が設けられる。また、半導体基板1の他の主面裏面には蒸着金属層などにより裏面電極層19が設けられる。裏面電極層19はここではドレイン電極層である。保護膜5は金属電極層4上の厚みt1が例えば1.0μm~1.5μm程度で金属電極層4を覆って設けられ図1A参照、第1開口部OP1と第2開口部OP2が形成される。第1開口部OP1によって電極パッド部8が設けられ区画され、第2開口部OP2は溝部9となる。溝部9第2開口部OP2はこの断面形状において、その上部の幅W2例えば5μm~12μmより下部の幅W3例えば3μm~10μmが狭い。より具体的には、上部から厚み深さt2までは広い幅W2で、その下は金属電極層4表面まで狭い幅W3となるように、下部に向かって階段状に狭くなる。すなわち溝部9の側壁は段差が形成されている。また、第1開口部OP1も同様に上部から下部に向かって階段状に狭くなり、第1開口部OP1の側壁は段差が形成されている。換言すると、溝部9と電極パッド部8の間で残存する保護膜5R、5R’は、下部の幅W4が上部の幅W5より広く、上に凸状に形成される。残存する保護膜5Rの下部の幅W4は、溝部9第2開口部OP2の下部の幅W3と同等で例えば3μm~10μmである。この段差形状の奏する効果については後述する。尚、ここでは溝部9間の保護膜5R、と電極パッド部8周囲の保護膜5R’の幅は互いに上部、下部共に異なっているが、これらは同等保護膜5R、5R’が同じ形状であってもよい。溝部9複数の場合、最外周の溝部9は、半導体チップ50の直近端部ENに沿う保護膜5の端部5Eより内側に配置されており、最外周の溝部9の外側側壁は保護膜5により構成される。第1開口部OP1底部の金属電極層4表面には、多層金属層10aが設けられ金属電極層4とともに電極パッド部8を構成する。多層金属層10aは例えば金属蒸着により下層からチタンTi/ニッケルNi/金Auを順次積層した金属層である。また溝部9に露出する金属電極層4表面にも多層金属層10bが設けられる。後に詳述するが、溝部9の多層金属層10bは電極パッド部8の多層金属層10aと同一工程にて形成されるものである。本実施形態では、電極パッド部8と半導体基板1半導体チップ50の直近端部ENとの間の保護膜5に設けられた溝部9によって、半導体チップ50を実装する際、電極パッド部8に供給される導電性固着材の溶融時の広がりを抑制できるものである。以下これについて説明する。図2は、図1に示す半導体チップ50をリードフレーム21に実装し絶縁樹脂層15にて封止した半導体装置51を示す図であり、図2Aが平面図、図2Bが図2Aのb-b線断面図、図2Cが図2Bの電極パッド部8を拡大した断面図である。ここでは銅Cuなどの導電材料の打ち抜き加工などによってアイランド22、リード23A、23B、23Cが形成されたリードフレーム21に上記の半導体チップ50を実装する場合を例に説明する。半導体チップ50はアイランド22上に固着材30によって固着される。固着材30は例えばAgペーストである。リード23Aはその一端がアイランド22と接続するように一体的に成形され、他端は絶縁樹脂層15の外部に導出する。リード23B、23Cはそれぞれ一端がアイランド22と離間して対向配置され、他端が絶縁樹脂層15の外部に導出する。半導体チップ50の電極パッド部8には導電性固着材不図示を介して金属接続板12が固着される。金属接続板12は例えばCuなどの導電材料によって平面視において略矩形状に成形され、一端は半導体チップ50の電極パッド部8に固着し、他端はアイランド22とは非接続のリード23Bに接続する。金属接続板12の電極パッド部8との固着面積図1Aの破線矩形参照は例えば100μm×100μm程度である。また半導体チップ50の他の電極パッド部ゲートパッド部18pも他の金属接続板13によってリード23Cと接続される。他の電極パッド部18pは金属接続板13に代えて金属細線によってリード23Cと接続されてもよい。半導体チップ50、アイランド22、金属接続板12、13および各リード23A、23Bの一部は絶縁樹脂層15により一体に被覆支持される。尚、金属接続板12の他端がリード23Bと固着せず、直接、絶縁樹脂層15の外部に導出してリードとなる構成であってもよい。図2Bを参照して、金属接続板12は所定の折り曲げ加工が施され、一端が導電性固着材11を介して電極パッド部8と接続し、他端が同じく導電性固着材不図示を介してリード23Bと接続する。導電性固着材11は例えばAgペーストであり、電極パッド部8の略中央に供給される。導電性固着材11は供給時には所定の粘性を持った固形ペースト状であるが、金属接続板12を載置後、加熱処理を施すことでペーストの成分である樹脂が溶融して液状となり、冷却によって固化し金属接続板12を固着する。溶融した導電性固着材11は電極パッド部8第1開口部OP1の内側に充填される。ここで、電極パッド部8と金属接続板12とを確実に固着するため、一般的に溶融時に第1開口部OP1の体積容積を超える量の導電性固着材11が供給される。加えて、導電性固着材11の上には金属接続板12が載置されている。従って、導電性固着材11は溶融すると電極パッド部8の中心から外側半導体チップ50の端部方向へ広がる。そして電極パッド部8周囲の保護膜5R’を超えた導電性固着材11は溝部9に流れ込む。溝部9はその幅W2、W3は第1開口部OP1より狭いが深さが1.0μm~1.5μm程度あり、ここに溶融した導電性固着材11が流れ込むことでその分、横外側方向への広がりが抑制される。また導電性固着材11が最内周の溝部9に完全に充填され更に保護膜5Rを超えてその外側へ広がった場合でも、2周目の溝部9に流れ込み、ここでも同様に横外側方向への広がりが抑制される。これによって最終的に、溶融した導電性固着材11は最外周の溝部9から外側へは広がらず、半導体チップ50の側面に達することを防止できる。また溝部9を電極パッド部8の周囲に環状に設けることで、溶融した導電性固着材11が電極パッド部8の中心から略円形状に広がった場合でも、電極パッド部8の全周方向においてその広がりを抑制できる。溝部9第2開口部OP2は断面形状においてその上部の幅W2が広く、下部の幅W3が狭い階段状に形成される。上部の幅W2を広くすることで、溶融した導電性固着材11の流れ込みを容易にする。一方、溝部9の幅W3が下部まで広い場合には残存する保護膜5Rの幅が狭くなり、当該保護膜5Rと金属電極層4の密着性が劣化する。そこで、残存する保護膜5Rと金属電極層4との密着性を向上させるため、その接触面積を確保すべく、溝部9の下部の幅W3を狭くしている。これにより例えば、電極パッド部8の第1開口部OP1と従来の開口部OP1の面積容積が同等で、導電性固着材11の供給量も従来と同等とすると、従来構造において開口部OPから外側に広がっていた導電性固着材は溝部9に順次充填され、溝部9の容積分の広がりは略確実に抑制される。溝部9の数は導電性固着材11の広がり量供給量を考慮して適宜選択する。複数設ける場合は例えば、溝部9間の距離や溝部9の幅W2、W3を適宜選択し、最外周の溝部9が保護膜5の端部5Eに達しないように、且つ溶融した導電性固着材11が保護膜5の端部5Eに達しないようにする。電極パッド部8における導電性固着材11aは、金属接続板12を十分に固着させるためにも、第1開口部OP1に略完全に充填される。これに対し溝部9の導電性固着材11bはそこに埋め込まれることによって横方向への広がりが規制されればよく、導電性固着材11の供給量によっては上部まで略完全に充填される場合もあるし、上部まで充填されない場合もある。また溝部9が複数設けられている場合は、導電性固着材11bの埋め込まれる量が外側に行くほど少なくなってもよい。更に導電性固着材11の供給量によっては溝部9にほとんど埋め込まれない場合もある。本実施形態では溝部9によって導電性固着材11の過剰な広がりと、半導体チップ50の直近端部ENへの到達を抑制できればよい。従って、導電性固着材11が埋め込まれないものがあっても全ての溝部9に埋め込まれなくても半導体装置51の動作において何ら問題はない。逆に、例えば最外周の溝部9と保護膜5の端部5Eの間の保護膜5主面に導電性固着材11が到達する場合があってもよい。また後述するが、本実施形態では第1開口部OP1と第2開口部OP2を同一工程にて形成しているので溝部9の底部は保護膜5が残存しない。導電性固着材11としては、導電材料を樹脂ペーストに混合させた導電性ペーストであれば同様に実施できる。例えばPb鉛を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田無鉛半田ペーストなどであってもよく、また半田ペーストでも実施できる。更には半田ワイヤを溶融にて固着させる場合であっても、Agペーストほどでないにしろ溶融半田の広がりは生じるので、本実施形態によって同様に広がりを抑制することはできる。更に、金属接続板12を固着する場合を例に説明したが、導電性固着材11によって電極パッド部8にCuワイヤなどを固着する場合であっても同様に実施できる。図3を参照して本発明の第2の実施形態について説明する。図3では溝部9の他のパターンを示しており、例えば溝部9は電極パッド部8と同心状に設けられなくてもよい。溝部9は、導電性固着材11の半導体チップ50の端部への広がりを抑制するものである。すなわち少なくとも、電極パッド部8と半導体チップ50の直近端部ENとの間に配置されればよい。図3Aは溝部9が半導体チップ50の直近端部ENとの間に直線状に設けられる場合を示す。直近端部ENが例えば1つ1辺であり、それ以外の半導体チップ50の端部EOまでの距離が十分確保されている場合導電性固着材11が広がっても端部EOに達しない場合は、図3Aの如く電極パッド部8と直近端部ENとの間に直線状に溝部9を配置できる。尚この場合の溝部9は平行に複数本配置してもよい。また図3Bは半導体チップ50の2つの直近端部ENと電極パッド部8との間に溝部9をL字状に配置した場合を示す。この場合L字状のコーナー部において溝部9を分離してもよいし、電極パッド部8との間に複数配置してもよい。また図示は省略するが、溝部9をコの字U字状に配置してもよい。図3に示すいずれの場合も溝部9は保護膜5の端部5Eより内側に配置する。図4から図6を参照して、本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。まず図4および図5を参照して図1に示す第1の実施形態の半導体装置半導体チップ50の製造方法を説明する。図4Aを参照して、半導体基板1の主面に所望の拡散領域を形成するなどして素子領域2を形成する。図示は省略してMOSFETの場合を例に説明すると、例えばn型半導体基板1上にn-型半導体層を積層し、該n-型半導体層の主面にp型のチャネル層を形成する。チャネル層とゲート絶縁膜を介して接するゲート電極を形成し、ゲート電極に隣接するチャネル層表面にn型のソース領域を形成する。ゲート電極上を層間絶縁膜で被覆して素子領域2を形成する。その後素子領域2上にこれの一部と接続する金属電極層ソース電極層4を形成する。金属電極層4は、例えばAl層又はこれの合金層であり、素子領域2のソース領域とコンタクトする。また不図示のゲート配線およびゲートパッド部を形成する。その後、金属電極層4の全面に例えば窒化膜を厚みt1例えば1.0μm~1.5μm程度で形成し、金属電極層4上を覆う保護膜5を形成する。図4Bを参照して、保護膜5上に、レジスト膜PRを形成し、フォトリソグラフィによって第1開口部および第2開口部の形成領域のレジスト膜PRを除去し、当該領域の保護膜5を露出させる。図4Cを参照して、露出した保護膜5の一部を等方性エッチングにより除去する。等方性エッチングのガス種は例えば六フッ化硫黄SF6とヘリウムHeであり、エッチング量厚みt2は、保護膜5の総厚t1みの2分の1から3分の2程度までとする。一例として保護膜5の総厚みt1が1.2μmの場合、0.6μm~0.8μmの厚みt2をエッチングし、第1開口部OP1と第2開口部OP2を同時に形成する。第1開口部OP1と第2開口部OP2の底部は厚みt3=0.4μm~0.6μmの保護膜5が残存する。図4Dを参照して、レジスト膜PRはそのままにガス種をパーフルオロシクロブタンC4F8に変更し、残りの厚みt30.4μm~0.6μmの保護膜5を異方性エッチングにより除去する。これにより、金属電極層4が露出する第1開口部OP1と第2開口部OP2を形成する。第1開口部OP1は電極パッド部8を区画する領域となり、第2開口部OP2は溝部9となる。第1開口部OP1は略円形状に、第2開口部OP2は第1開口部OP1と同心円の環状にここでは2つ2周設けられる。同一のレジスト膜PRによるマスクを用いて、等方性エッチングと異方性エッチングの2つのエッチング工程を連続して行うことにより、第1開口部OP1および第2開口部OP2の側壁は上部の幅W2より下部の幅W3が狭い階段状に形成されるこれにより、溝部9第2開口部OP2は断面形状においてその上部の幅W2を広く形成することができる。溝部9の上部の幅W2を広くすることで、後の工程で、溶融した導電性固着材11の流れ込みを容易にする。一方、溝部9の下部の幅W3を狭くすることで、溝部9の間に残存する保護膜5Rと金属電極層4の接触面積幅W4を確保し、これらの密着性を向上させることができる。次に、図5Aを参照して、リフトオフ法によって金属電極層4上に選択的に多層金属層を形成する。すなわち、レジスト膜PRはそのままに全面にチタンTi/白金Pt/金Auをこの順で蒸着し、多層金属層10を形成する。その後、レジスト膜PRを除去する。これにより第1開口部OP1から露出した金属電極層4上に略円形状の多層金属層10aが形成され、第2開口部OP2から露出した金属電極層4上に幅の細い多層金属層10bが形成される図1B参照。第1開口部OPには、金属電極層4および多層金属層10aによって電極パッド部8が形成される。その後、図5Bの如く半導体基板1は裏面側から所望の厚み例えば120μm~150μm程度まで研削バックグラインドされた後、当該裏面に、金属蒸着などにより裏面電極層ドレイン電極層19が形成される。そして電極パッド部8と少なくとも半導体基板1の直近端部ENとの間に溝部9が形成された図1に示す最終構造を得る。更に図6を参照して、上記の半導体チップ50を実装する半導体装置51図2の製造方法を説明する。図4および図5の工程は、半導体ウエハ不図示上にマトリクス状に多数個配列される素子領域2の1つを示したものである。つまり半導体ウエハの状態で図5までの工程を終えた後、スクライブライン上をダイシングソーでダイシングされて、個別の半導体チップ50として分離される。そして、ダイボンド工程において、個々の半導体チップ50がリードフレームのアイランドに実装される。すなわち、図6Aを参照して、アイランド22上に固着材例えばAgペースト30を供給し、その上に半導体チップ50を載置する。そして電極パッド部8に導電性固着材11例えばAgペーストを供給する。同時に、図示は省略するが、金属接続板が固着するリードの先端にも同様の導電性固着材を供給する。その後金属接続板12を一端が電極パッド部8上に、他端がリード23Bの先端上になるように載置する。そして熱処理を施して導電性固着材11を溶融冷却し、金属接続板12を電極パッド部8およびリード23Bの先端に固着する。同時に半導体チップ50をアイランド22に固着する図2参照。図6Bを参照して、導電性固着材11の溶融時には第1開口部OP1に導電性固着材11aが充填される。そして第1開口部OP1から保護膜5R’を超えて外側半導体チップ50の端部方向に広がった導電性固着材11bは溝部9に流れ込み、溝部9に充填されまたは溝部9の一部に埋め込まれることで外側への広がりが抑制される。尚、ここでの図示は省略するが、MOSFETのゲートパッド部と他のリードを同様の方法で他の金属接続板で接続する図2A参照。あるいは、これらを金属細線などによって接続する。そして、アイランド22、半導体チップ50およびリード23A23Bの一部とをエポキシ等の絶縁樹脂層でトランスファーモールドなどを行いこれらを一括で被覆、支持し、図2に示す最終構造を得る。また、絶縁樹脂層15から導出したリード23A、23Bに回路基板に表面実装するためのめっき工程を行う。そして、切断金型によりリードフレーム不図示から各リード23A,22B等を切断して、個別の半導体チップ50に分離する。その後必要な場合は、絶縁樹脂層15から導出したリード3を所望の形状にプレスで成形する。"