低熱膨張基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層を具備する反射型マスクにおいて、回路パターン領域の外側にEUV光の反射率の低い遮光枠を有することを特徴とする反射型マスクブランク。前記反射型マスクブランクの遮光枠は、多層反射層がないことを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランク。請求項1又は2に記載の反射型マスクブランクを製造する反射型マスクブランクの製造方法において、反射型マスクブランクの遮光枠は、多層反射層の成膜時に遮蔽物を用いる事を特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。前記反射型マスクブランクの遮光枠は、多層反射層の成膜前に遮光枠領域にレジストを塗布し、成膜後にウェット処理を行う事により、多層反射層をリフトオフする事を特徴とする請求項3に記載の反射型マスクブランクの製造方法。前記反射型マスクブランクの遮光枠は、ドライエッチングまたは物理的方法またはその両方を用い、パターン領域の外側を選択的に多層反射層を取り去る事を特徴とする請求項3に記載の反射型マスクブランクの製造方法。反射型マスクブランクの遮光枠は、ウェットエッチングを用い、パターン領域の外側を選択的に多層反射層を取り去る事を特徴とする請求項3に記載の反射型マスクブランクの製造方法。反射型マスクブランクの遮光枠は、レーザまたはイオンビームまたはその両方を用い、熱による多層反射層のミキシングを起こす事により、その反射率を低減させる事を特徴とする請求項3に記載の反射型マスクブランクの製造方法。請求項3乃至7の何れか1項に記載の反射型マスクブランクの製造方法により製造される反射型マスクブランクを用いた反射型マスク。しかしながら、マスクパターン作成後の多層反射層の掘り込みはシリコンSiとモリブデンMoの合計80層を加工する必要があり、加工面からのパーティクル発生は避けられず、欠陥面でのマスク品質の低下を招いてしまう。さらにこの方法では、上層の吸収層を除去した後に、多層反射層を除去することから、多層反射層がほんの数層残ってしまった場合は、逆に反射率を高くしてしまう懸念がある。また、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで遮光枠を形成する場合、多層反射層以外によるレーザ光もしくはイオンの損失があるため、この損失分を考慮したレーザ光もしくはイオンを照射しなくてはならない。また多層反射層以外の膜にはレーザ光もしくはイオンの照射によるダメージが生じ、吸収層の露光光源波長の吸収率の低下してしまうことが懸念される。そこで、本発明は遮光枠の形成において、その作成をパターニング前のブランク段階で行う事により、パーティクル起因の欠陥によるマスク品質低下を防ぎ、且つ吸収層へのダメージや光学的性質の変化のない、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク及び反射型マスク、その製造方法を提供することを目的とする。本発明の請求項1に係る反射型マスクブランクは、低熱膨張基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層を具備する反射型マスクにおいて、回路パターン領域の外側に極端紫外光の反射率の低い遮光枠を有することを特徴とする。請求項2に係る発明は、請求項1記載の反射型マスクブランクにおいて、反射型マスクブランクの遮光枠は、多層反射層がないことを特徴とする。請求項3に係る発明は、請求項1又は2に記載の反射型マスクブランクを製造する反射型マスクブランクの製造方法において、反射型マスクブランクの遮光枠は、多層反射層の成膜時に遮蔽物を用いる事を特徴とする。請求項4に係る発明は、請求項3に記載の反射型マスクブランクの製造方法において、多層反射層の成膜前に遮光枠領域にレジストを塗布し、成膜後にウェット処理を行う事により、多層反射層をリフトオフする事を特徴とする。請求項5に係る発明は、請求項3に記載の反射型マスクブランクの製造方法において、反射型マスクブランクの遮光枠は、ドライエッチングまたは物理的方法またはその両方を用い、パターン領域の外側を選択的に多層反射層を取り去る事を特徴とする。請求項6に係る発明は、請求項3に記載の反射型マスクブランクの製造方法において、反射型マスクブランクの遮光枠は、ウェットエッチングを用い、パターン領域の外側を選択的に多層反射層を取り去る事を特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。請求項7に係る発明は、請求項3に記載の反射型マスクブランクの製造方法において、反射型マスクブランクの遮光枠は、レーザまたはイオンビームまたはその両方を用い、熱による多層反射層のミキシングを起こす事により、その反射率を低減させる事を特徴とする。請求項8に係る反射型マスクは、請求項3乃至7の何れか1項に記載の反射型マスクブランクの製造方法により製造される反射型マスクブランクを用いたことを特徴とする。本発明は、マスクの回路パターニング前段階において多層反射層を除去し遮光枠を形成する事から、回路パターンにパーティクルが付着する事は原理的に無い。その為、マスク欠陥品質の低下を抑えることが可能である。また、吸収層形成の前段階で多層反射層の処理が出来る為、多層反射層が数層残ってしまう懸念が無く、反射層から発生する反射光の強度を抑制し、遮光性の高い遮光枠を形成することができる。これらの事から、本発明の反射型マスクを用いることで、高い精度で転写パターンを形成できるという効果を奏する。本発明の反射型マスクブランクの構成以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。まず、本発明の反射型マスクブランクの構成について説明する。図1a~dは、本発明の反射型マスクブランク100、200、300、400の断面を示している。即ち、本発明のブランクの構成は、100、200、300、400のいずれを用いてもよい。図2は、図1a~dの本発明の反射型マスクブランク100、200、300、400を上面から見た図である。図1aに示す反射型マスクブランク100は、基板11の表面に、多層反射層21、吸収層51が順次形成されている。図1bに示す反射型マスクブランク200は基板11の表面に、多層反射層21、吸収層51が順次形成されていると共に、基板11の裏面に導電膜71が形成された構造となっている。つまり、図1bの反射型マスクブランク200は、図1aの反射型マスクブランク100の基板11の裏面に導電膜71が形成されている。図1cの反射型マスクブランク300は、基板11の表面に多層反射層21、緩衝層41、吸収層51が順次形成されている。図1dの反射型マスクブランク400は、図1cの反射型マスクブランク300の基板11の裏面に導電膜71が形成された構造となっている。図1a~dの基板11上の多層反射体層21の周辺部には、多層反射層除去部21aを有する。次いで形成された吸収層51も前記多層反射層21の形状を引き継ぎ、最終的に遮光枠25に形成されている。図1c、dの場合は、緩衝層41が多層反射層21と吸収層51の間にある構造となっている。図1a~dの本発明の反射型マスクブランク100、200、300、400を上面から見ると図2のように、通常の吸収層領域80と遮光枠領域90が形成されている。ミキシング型の構造の説明あるいは、図3a~dの基板11上の多層反射体層21の周辺部には、多層反射層ミキシング部21bを有する構造でも良い。この場合、形成された吸収層51は前記多層反射層21の形状を引き継がず、フラットに形成される。図3c、dの場合は、緩衝層41が多層反射層21と吸収層51の間にある構造となっている。図3a~dの本発明の反射型マスクブランク100、200、300、400を上面から見ると、図1の多層反射層除去時と同様に図2のように、通常の吸収層領域80と遮光枠領域90が形成されている。本発明の多層反射層21に多層反射層除去部21aを形成する方法次に、本発明の多層反射層除去部21aを形成する方法について説明する。多層反射層除去部21aの形成には、スパッタリング、リフトオフ、ドライエッチング、ウェットエッチング、熱処理のいずれか、もしくは組み合わせが可能である。スパッタリングによって、多層反射層除去部21aを形成する方法は、図1に示す基板11を用意し、その表面に対し、多層反射層21のスパッタリングを行う。その際、スパッタリング装置内に上から見て遮光枠領域90と同様の形状をした長方形リング状の遮蔽板を設置し成膜する事により、多層反射層除去部21aを形成する。スパッタリングの方式は、マグネトロンスパッタ方式やDCスパッタ方式など、いずれの方式を用いても良い。リフトオフによって、多層反射層除去部21aを形成する方法は、多層反射層21形成前に基板11上において、遮光枠領域90と同様の形状をした長方形リング状にレジストを塗布し、その上からスパッタリングを行い、多層反射層形成後、レジスト剥離液に浸漬しリフトオフする事により、多層反射層除去部21aを形成する。この際用いるレジスト剥離液は、有機酸系、有機アミン、極性溶剤、硫酸等が有効である。ドライエッチングによって、多層反射層除去部21aを形成する方法は、多層反射層形成後に、リソグラフィ等により遮光枠となる部分のみを開口部としたレジストパターニングを行い、ドライエッチング処理を行なうことにより、多層反射層除去部21aを形成するものである。エッチングガスには、多層反射層の材料であるMoとSiのエッチングに適している塩素、フッ素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子を含むガスを用いたプラズマエッチング法が可能であるが、MoとSiの両方に対してエッチング効果が得られるフッ素を使うのが望ましい。ウェットエッチングによって、多層反射層除去部21aを形成する方法は、多層反射層形成後に、リソグラフィ等により遮光枠となる部分のみを開口部としたレジストパターニングを行い、ウェットエッチング処理を行うことにより、多層反射層除去部21aを形成するものである。エッチング液には、多層反射層の材料であるMoとSiのエッチングに適している硝酸またはフッ硝酸が有効である。本発明のミキシング層を形成する方法次に、本発明のミキシング層を形成する方法について説明する。遮光枠となる領域の多層反射層に熱処理を施すことにより各層のミキシングを発生させ、EUV光の反射率を低下させることが可能である。熱処理の方法としてはレーザまたはイオンビームまたは直接ヒーター等により200°C程度まで加熱する方法がある。本発明の反射型マスクブランクの構成の詳細:多層反射層図1a、bの多層反射層21は、13.5nm近傍のEUV光に対して60程度の反射率を達成できるように設計されており、MoとSiが交互に40~50ペア積層した積層膜で、さらに最上層はルテニウムRuで構成されている。Ru層の下に隣接する層はSi層である。MoやSiが使われている理由は、EUV光に対する吸収消衰係数が小さく、且つMoとSiのEUV光での屈折率差が大きいために、SiとMoの界面での反射率を高く出来るためである。多層反射層の最上層のRuは、吸収層の加工におけるストッパーやマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。図1c、dの多層反射層21は、13.5nm近傍のEUV光に対して60程度の反射率を達成できるように設計されており、MoとSiが交互に40~50ペア積層した積層膜で、最上層はSi層で構成されている。この場合の多層反射層の最上層のSiも、上述したRuと同様の役割を果たす。本発明の反射型マスクブランクの構成の詳細:緩衝層図1c、dの緩衝層41は、吸収層51のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層21の最上層であるSi層を保護するために設けられており、クロムCrの窒素化合物CrNで構成されている。本発明の反射型マスクブランクの構成の詳細:吸収層図1a~dの吸収層51は、13.5nm近傍のEUVに対して吸収率の高いタンタルTaの窒素化合物TaNで構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物TaBN、タンタルシリコンTaSi、タンタルTaや、それらの酸化物TaBON、TaSiO、TaOでも良い。図1a~dの吸収層51は、上層に波長190~260nmの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた2層構造から成る吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。本発明の反射型マスクブランクの構成の詳細:裏面導電膜図1b及び図1dの導電膜71は、一般にはCrNで構成されているが、導電性があれば良いので、金属材料からなる材料であれば良い。本発明の反射型マスクの説明本発明の反射型マスクの構成を説明する。前記図1aの反射型マスクブランク100から作製した反射型マスク101を図4aに示す。前記図1bの反射型マスクブランク200から作製した反射型マスク201を図4bに示す。前記図1cの反射型マスクブランク300から作製した反射型マスク301を図4cに示す。前記図1dの反射型マスクブランク400から作製した反射型マスク401を図4dに示す。いずれも、多層反射層51の上部の吸収層51及び緩衝層41がある場合は緩衝層41を掘り込むことによって、回路パターン領域85を有する反射型マスクが形成される。また、図5は、図4a~dの本発明の反射型マスク101、201、301、401を上面からみた図である。通常の吸収層領域80と遮光枠領域90と回路パターン領域85から構成されている。このようにして、EUV光に対する反射率が吸収層領域よりも充分に小さい遮光枠領域を有する反射型マスクブランクを得る。本発明のマスクブランクからマスクを製造する方法次に、反射型マスク及び反射型マスクの製造方法について説明する。図1に示す反射型マスクブランク100もしくは200を用意し、電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層51をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、吸収層51に回路パターン領域85が形成された、図4に示す反射型マスク101もしくは201を得る。あるいは、図1に示す反射型マスクブランク300もしくは400を用意し、電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層51をエッチングし、次いで塩素プラズマにより緩衝層41をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、吸収層51および緩衝層41に回路パターン領域85が形成された、図4に示す反射型マスク301もしくは401を得る。このようにして、EUV光に対する反射率が吸収層領域よりも充分に小さい遮光枠領域を有する反射型マスクを得る。以下、本発明の反射型マスクブランクの製造方法の実施例を説明する。図6aに本実施例で用意した低熱膨張ガラス基板111を示す。その上に波長13.5nmのEUV光に対して反射率が64程度となるように設計されたMoとSiの40ペア多層反射層121を図6bのように積層した。更に本発明においてはパターン領域外枠部に電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより多層反射層121をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、図6cに示す多層反射層除去部121aを有するマスクブランク102を得た。続いてTaNからなる吸収層151をスパッタリング装置により形成した図6d。このときの吸収層151の膜厚は50nmとした。こうして、外周部に遮光枠領域90図2を有する本発明の反射型マスクブランク202が完成した。実施例1にて作製した反射型マスクブランク100の吸収層側のEUV光波長13.5nmの反射率を測定した。この反射型マスクブランク100は、次表1に示すように遮光枠以外の領域での反射率が1.24であるのに対し、遮光枠領域の反射率が0.00となった。実施例1にて作製した反射型マスクブランク100から反射型マスク101を作製し、露光テストを実施した。図7にその作製工程を示す。反射型マスクブランク100に電子線リソグラフィとドライエッチング、レジスト剥離洗浄を行い、吸収層51に回路パターン185を形成し、本発明の遮光枠を有する反射型マスク101を作製した。電子線リソグラフィには、化学増幅型ポジレジストFEP171富士フイルムエレクトニクスマテリアルズ製を用いて、描画機JBX9000日本電子製によってドーズ15μC/cm2描画した後に、TMAH水酸化テトラメチルアンモニウム2.38現像液によりレジストパターン184を形成した図7c。吸収層51のエッチングにはCl2の誘導結合型プラズマを適用した。前記、実施例3にて作製した反射型マスク101を用いて13.5nmのEUVを光源とした露光を行い、半導体基板上に隣接した4つのチップを転写した。隣接したチップにおいて、作製した反射型マスク上の遮光枠に相当する領域の一部は重なっていたにもかかわらず、半導体基板上の当該領域におけるレジストの感光は確認されなかった。