基板上に、レーザ光を用いて金属層のパターンを形成する金属パターン付き基板の製造方法であって、表面に前記金属層が形成された基板を用意する工程と、前記金属層上に、前記金属層と異なる金属材料から構成され、前記レーザ光に対する光吸収率が前記金属層と異なるアシスト層を形成し、前記基板上に金属の積層体を形成する工程と、該積層体にレーザ光を照射し、該積層体のレーザ光照射部位を除去することにより前記金属層をパターニングし、金属パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする金属パターン付き基板の製造方法。前記アシスト層は、前記レーザ光の光吸収率が前記金属層よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の金属パターン付き基板の製造方法。前記アシスト層は、前記金属層よりも厚さが薄く形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の金属パターン付き基板の製造方法。前記金属材料は、銅、アルミニウム、モリブデンを80原子以上含むことを特徴とする請求項3に記載の金属パターン付き基板の製造方法。前記アシスト層は、クロム、コバルト、ジルコニウム、スズ、チタン、鉄、モリブデン又はニッケルからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。前記レーザ光の波長は、320~1070nmであることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。前記レーザ光のエネルギー密度は、0.3~10J/cm2であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。前記金属層の厚さは、0.1~10μmであることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。前記アシスト層の厚さは、5~200nmであることを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。前記基板と前記金属層との間には、前記基板側への光の反射を低減する低反射層が更に形成されていることを特徴とする請求項1~10のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。前記アシスト層は、前記金属層の保護層として前記金属層上に残されることを特徴とする請求項1~11のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。前記金属層をパターニングした後、前記アシスト層を除去する工程を更に含むことを特徴とする請求項1~11のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。基板と、該基板上に形成された、反射を低減させる低反射層と、該低反射層上に形成され、厚さが0.1~10μmであり、銅、アルミニウム、モリブデンを80原子以上含む金属層と、該金属層上に形成され、該金属層と異なる金属材料から構成され、波長320~1070nmのレーザ光の光吸収率が前記金属層より高く、厚さが5~200nmであるアシスト層と、を有することを特徴とする金属積層体付き基板。ところで、近年、透明電極用の材料としてITOIndiumTinOxide、酸化インジウムスズが多く用いられているが、インジウムの枯渇のおそれと、フラットパネルディスプレイの低コスト化を図る観点から、透明電極を用いずに、通常の配線用金属を用いてフラットパネルディスプレイ用の表示パネルを形成する試みが行われている。かかる場合、ガラス基板上に形成された配線用金属膜をパターニングして、電極を形成する加工が必要となる。例えば、従来のプラズマディスプレイパネルにおいては、透明電極上のバス電極として銀が用いられているため、銀をレーザ光で照射してパターニングし、電極を形成する加工方法が考えられる。しかしながら、特許文献1又は特許文献2に記載のレーザ光を用いた加工方法をそのまま金属膜の加工に適用すると、金属膜の加工が困難であるという問題があった。具体的には、加工対象となる金属膜に対し、レーザ光の熱吸収効率の高い領域は紫外線領域であるが、紫外線領域では、高い出力のレーザ光を得ることが難しいという問題があった。一方、高いレーザ出力を得るために、波長1064nmのYAGレーザを用いると、金属膜によるエネルギーの吸収が悪く、レーザパワーを相当に上げないと加工が難しいという問題があった。例えば、金属膜の厚さが1μm以上になると、レーザ光のパワーを400W以上に上げても加工が高精度に行われないという問題があった。そこで、本発明は、レーザ光を用いて、金属パターンを高精度に加工することができ、プラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイにも適用可能な金属パターン付き基板の製造方法及び金属積層体付き基板を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明は、以下の1~14に関する。1基板上に、レーザ光を用いて金属層のパターンを形成する金属パターン付き基板の製造方法であって、表面に前記金属層が形成された基板を用意する工程と、前記金属層上に、前記金属層と異なる金属材料から構成され、前記レーザ光に対する光吸収率が前記金属層と異なるアシスト層を形成し、前記基板上に金属の積層体を形成する工程と、該積層体にレーザ光を照射し、該積層体のレーザ光照射部位を除去することにより前記金属層をパターニングし、金属パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする金属パターン付き基板の製造方法。これにより、レーザ光に対する光吸収率が異なるアシスト層を用いて、積層体全体のレーザ光の吸収量を向上させ、金属パターンの加工を容易にすることができる。2前記アシスト層は、前記レーザ光の光吸収率が前記金属層よりも高いことを特徴とする1に記載の金属パターン付き基板の製造方法。これにより、該積層体でのレーザ光のエネルギー吸収を高め、アシスト層とともに金属層を蒸発させることにより、基板上に金属パターンを高精度で形成することができる。3前記アシスト層は、前記金属層よりも厚さが薄く形成されることを特徴とする1又は2に記載の金属パターン付き基板の製造方法。これにより、薄いアシスト層を形成するだけで、厚い金属層の光エネルギー吸収量を十分に高めることができ、レーザ加工を容易にすることができる。4前記金属材料は、銅、アルミニウム、モリブデンを80原子以上含むことを特徴とする3に記載の金属パターン付き基板の製造方法。これにより、一般的に配線材料として用いられ、安価に入手可能な配線材料を用いて、低コストで金属パターン付き基板を製造することができる。また、透明電極を用いなくても、金属層により基板に直接的に電極又は配線層を形成することができる。5前記アシスト層は、クロム、コバルト、ジルコニウム、スズ、チタン、鉄、モリブデン又はニッケルからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含むことを特徴とする1~4のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。これにより、金属層に用いられる種々の材料との相性により、適切なアシスト層を選択し、レーザ光のエネルギー吸収を高めることができる積層体を形成することができる。6前記レーザ光の波長は、320~1070nmであることを特徴とする1~5のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。これにより、例えば、YAGレーザ基本波を使用して金属パターン付き基板を製造することができ、制御性の高いレーザ装置を用いて高精度な金属パターンを有する金属パターン付き基板を製造することができる。7前記レーザ光のエネルギー密度は、0.3~10J/cm2であることを特徴とする1~6のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。これにより、低エネルギーのレーザ光を用いて、金属パターン付き基板を製造することができ、製造コストを低減することができる。8前記金属層の厚さは、0.1~10μmであることを特徴とする1~7のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。これにより、金属層の厚さがミクロンオーダーを超える厚膜であっても、高精度の金属パターン付き基板を製造することができる。9前記アシスト層の厚さは、5~200nmであることを特徴とする1~8のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。これにより、金属層に比して、極めて薄い膜のアシスト層を形成するだけで、金属層へのエネルギー供給を高めることができ、レーザ加工を容易にすることができる。10前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする1~9のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。これにより、プラズマディスプレイパネル、液晶パネル等のフラットディスプレイパネルに利用可能な金属パターン付き基板を製造することができる。11前記基板と前記金属層との間には、前記基板側への光の反射を低減する低反射層が更に形成されていることを特徴とする1~10のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。これにより、金属パターン形成側に光が反射するのを防止できる金属パターン付き基板を製造することができる。12前記アシスト層は、前記金属層の保護層として前記金属層上に残されることを特徴とする1~11のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。これにより、例えば、金属層に銅等の保護層が必要な金属材料が用いられた場合には、アシスト層を保護層としてそのまま利用することができ、少ない工程数で信頼性の高い金属パターン付き基板を製造することができる。13前記金属層をパターニングした後、前記アシスト層を除去する工程を更に含むことを特徴とする1~11のいずれか一項に記載の金属パターン付き基板の製造方法。これにより、例えば、金属層にアルミニウム等の保護層が不要な金属材料を用いた場合には、レーザ光による加工が終了した後、アシスト層を除去することにより、より薄い金属パターン付き基板を製造することができる。14基板と、該基板上に形成された、反射を低減させる低反射層と、該低反射層上に形成され、厚さが0.1~10μmであり、銅、アルミニウム、モリブデンを80原子以上含む金属層と、該金属層上に形成され、該金属層と異なる金属材料から構成され、波長320~1070nmのレーザ光の光吸収率が前記金属層より高く、厚さが5~200nmであるアシスト層と、を有することを特徴とする金属積層体付き基板。これにより、金属層及びアシスト層の加工を容易にする基板とすることができ、所望の金属パターンをレーザ光により容易に形成することが可能となる。本発明によれば、高精度な金属パターンが形成された基板を製造することができる。以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。実施形態1図1~図7は、実施形態1に係る金属パターン付き基板の製造方法の各工程の一例を示した図である。図1は、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法の、基板10を用意する工程の一例を示した図である。図1において、基板10が載置されて用意された状態が示されている。基板10は、種々の材料の基板を用いることができるが、例えば、ガラス基板10を用いることが好ましい。ガラス基板10は、プラズマディスプレイパネル、液晶パネル等のフラットパネルディスプレイの表示パネル材料として多く用いられる。本実施形態においては、基板10にガラス基板を適用した例を挙げて説明するが、基板10は、レーザ加工の際に発生する熱と、その際のレーザ照射に耐性を有すれば、種々の基板10を用いることができる。図2は、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法の低反射層形成工程の一例を示した図である。低反射層形成工程においては、基板10の表面上に、低反射層20が形成される。低反射層20は、完成した金属パターン付き基板が、例えば、フラットパネルディスプレイとして用いられた場合に、基板10側から入射した光を反射しないようにする層である。よって、低反射層20は、光を反射せず、吸収する材料から構成される。低反射層20の低反射機能は、例えば、光干渉を利用して、光を吸収するものであってもよい。低反射層20は、例えば、金属酸化物金属酸化膜から構成されてもよい。金属酸化物は、種々の金属の酸化物が適用され得るが、例えば、モリブデン又はクロムの金属酸化膜であってもよい。この場合、金属酸化物は、MoxOy、CrxOyx、y>0のように表されてよい。また、金属酸化物は、例えば、後に低反射層20の上に積層される金属層との適合性が考慮されて定められることが好ましい。なお、低反射層20は、種々の方法により形成されてよいが、例えば、スパッタリング法により、基板10の表面に薄膜として形成されてもよい。また、低反射層20の厚さは、用途に応じて種々の厚さに構成されてよいが、例えば、3nm~10nmの厚さで構成されることが好ましい。図3は、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法の金属層形成工程の一例を示した図である。金属層形成工程においては、低反射層20の上に、金属層30が形成される。金属層30は、種々の金属材料が適用され得るが、例えば、配線用の金属材料であることが好ましい。よって、一般には、例えば金属層30には、配線用の金属材料として用いられる銅Cu、アルミニウムAl、チタンTi、モリブデンMo、クロムCr、銀Ag等が用いられるが、低抵抗でありかつ安価であることから、本発明では銅Cu、アルミニウムAl、モリブデンMoを用いることが好ましい。また、金属層30は、これらの金属の単体から構成されてもよいし、これらのうちの1種の金属を80原子以上含む合金として構成されてもよい。これにより、例えば、金属層30で電極を形成したり、配線層を形成したりすることが可能となる。特に、金属パターン付き基板が、プラズマディスプレイパネルの前面基板として用いられる場合には、金属層30で、走査電極や維持電極を構成することができる。金属層30の厚さは、用途に応じて種々の厚さに構成されてよいが、例えば、0.1μm以上10μm以下の範囲内の厚さに構成されるのが好ましい。0.1μm以上5μm以下の範囲内の厚さに構成されるのがより好ましい。金属層30が電極又は配線層として利用される場合には、各用途に応じた所定のシート抵抗の要求水準を満たす必要があるからである。つまり、金属層30の厚さが厚くなる程、シート抵抗の値は小さくなるので、電極又は配線層のシート抵抗の要求水準を満たすために、ミクロンオーダーレベルの膜厚が必要な場合があるからである。例えば、金属層30がプラズマディスプレイパネルの前面基板の走査電極又は維持電極として用いられる場合には、シート抵抗が、0.01Ω/□以下であることが要求される。金属層30が銅の場合には、3μm以上の厚さ、金属層30がアルムニウムの場合には、5μm以上の厚さのときに、上述の所定のシート抵抗の基準である0.01Ω/□以下を満たすことができる。一方、液晶用薄膜トランジスタTFTに用いられるゲート配線では、Alあるいはその合金で、膜厚0.1~0.3μmのものが用いられる、将来的にはCuを使う動きもある。よって、金属層30に用いられる金属材料と、金属パターン付き基板の用途に応じて金属層30の厚さは定められてよく、例えば、0.1μm~10μmの範囲内の厚さに定められることが好ましい。なお、金属層30は、種々の方法により形成されてよいが、例えば、スパッタリング法により形成されてもよい。また、本実施形態においては、図1~図3を通じて、基板10上に、低反射層20、金属層30が順次形成されて、金属パターン付き基板が製造されている工程を示している。しかしながら、例えば、図3に示す工程から、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法が開始されてもよい。例えば、低反射層20、金属層30を表面に有する基板10が入手可能であれば、この段階から金属層30のパターニングを行い、金属パターン付き基板10を製造するようにしてもよい。図1~図3の工程は、最終的に、表面に金属層30が形成された基板10を用意することができればよく、金属層30を表面に有する基板10を用意するまでの、図1及び図2に示した途中の工程は、必要に応じて実行されるものであってよい。図4は、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法のアシスト層形成工程の一例を示した図である。図4において、金属層30の上に、アシスト層40が形成されている。アシスト層40は、金属層30と異なる種類の金属材料から構成されている。従ってアシスト層40は、金属層30と光吸収の特性が異なる。金属層30に直接レーザ光が照射されたときには、金属層30の光吸収率が低く、レーザ光を十分に吸収して自身が蒸発できない場合でもアシスト層40を形成することによって、レーザ光が十分に金属層30に伝達され、膜が除去されることになる。また、金属層30は、用途に応じて厚さが異なり、例えば、厚いときには、1μm以上の厚さを有するが、アシスト層40は、金属層30よりも薄く構成されてよい。アシスト層40は、5nm=50Å~200nm=2000Åの厚さで構成されることが好ましい。5nm=50Å~50nm=500Åの厚さで構成されることがより好ましい。アシスト層形成工程においては、アシスト層40が金属層30の上に積層されて形成され、金属層30とアシスト層40の積層体50が基板10上に形成される。アシスト層40は、種々の金属が適用され得るが、例えば、クロムCr、コバルトCo、ジルコニウムZr、スズSn、チタンTi、鉄Fe、モリブデンMo、ニッケルNi、からなる群から選ばれる1種以上の元素を含むことが好ましい。特に、クロムCr、コバルトCo、モリブデンMo、が用いられることがより好ましい。これらの金属のうち、金属層30との積層体50を形成することにより、下層の金属層30に効率良くレーザ光からのエネルギーを伝達できる金属材料が、アシスト層40として選択される。これにより、金属層30が単体でレーザ加工されるよりも、低いレーザパワーで金属層30をレーザ加工することが可能となる。また、アシスト層40は、アシスト層40が単体でレーザ加工されるよりも、金属層30との積層体50を構成することにより、低いレーザパワーでレーザ加工が可能になるような金属材料が選択されることが好ましい。例えば、金属層30が銅のときに、クロムをアシスト層40の材料に選択し、積層体50を形成するようにすると、銅及びクロムを各々単体でレーザ加工する場合よりも、低いエネルギーのレーザ光を用いて積層体50全体を加工することができる。このような組み合わせは、金属層30を銅、アシスト層40をクロムとする場合以外にも、種々の組み合わせが考えられる。例えば、金属層30をアルミニウムとし、アシスト層40をクロム、コバルトまたはモリブデンとした場合にも、積層体50全体として、単体の状態よりもレーザ光のエネルギー吸収を高める効果がある。よって、アシスト層形成工程においては、そのような、レーザ光のエネルギー吸収を高め、金属層30及びアシスト層40が単体の場合よりも、積層体50を形成した方が低いエネルギーのレーザ光で加工が可能となるようなアシスト層40が選択され、金属層30上に形成されることが好ましい。アシスト層40は、金属層30よりも、高融点、高沸点の金属材料から構成されていることが好ましい。アシスト層40が、金属層30よりも高融点、高沸点であると、レーザ光が照射されたときに、蒸発がし難くなるが、金属層30が蒸発容易であれば、金属層30の蒸発作用の影響を受けて、アシスト層40の蒸発を促進することが可能となると考えられる。そして、金属層30がアシスト層40よりも低融点、低沸点の組み合わせの積層体50ときに、アシスト層40自体も、単体膜の状態より、積層体50の状態の方がレーザ光による蒸発が発生し易くなり、低レーザパワーでの加工が可能になると考えられる。また、金属層30のみをレーザ加工する場合より、アシスト層40を有する積層体50をレーザ加工する場合のレーザ光のエネルギーのほうが低くできるならば、アシスト層40は単層の膜であってもよく、または複数層で構成された膜であってもよい。なお、アシスト層40の形成は、種々の方法により実行されてよいが、例えば、スパッタリング法により形成されてもよい。また、図4に示す状態の基板は、金属層30及びアシスト層40からなる金属層積層体付き基板と呼ぶ。金属積層体付き基板は、レーザ光による加工を容易にすることができる基板であり、レーザ加工用基板として、効果を発揮できる基板である。図5は、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法のレーザ加工工程の一例を示した図である。レーザ加工工程においては、アシスト層40の表面にレーザ光81が照射され、レーザ照射部位の積層体50及び低反射層20が除去される。図5に示すように、レーザ光81が照射された部位が、除去部60となる。これにより、金属層30の不要部分を除去し、パターン形成を行うことができる。上述のように、金属層30上にアシスト層40が積層された積層体50の状態では、表面層のレーザ光81の吸収率が高まっているので、表面層のアシスト層40から、下層の金属層30に効率よくエネルギーが伝達され、下層の金属層30が熱で気化し、表面のアシスト層40と同時に蒸発することで、積層体50が除去される。このとき、レーザ光81のエネルギーは低エネルギーで済むとともに、残渣の少ない高精度なパターニングを行うことができる。図5に示すように、レーザ加工は、マスク70を用いて行われ、所定のパターンを描くように、レーザ光81を積層体50に照射するようにしてよい。レーザ光81は、レーザ光源80により生成され、積層体50に照射される。レーザ光81は、積層体50を加工できるレーザパワーがあればよく、例えば、波長320~1070nmの固体レーザを用いることができる。なお、十分なレーザパワーを得るためには、YAG基本波付近の高エネルギーのレーザ光81を用いることが好ましい。上述のように、紫外線領域等では、高エネルギー出力のレーザ光81を得ることが困難であるので、YAG基本波付近、例えば、波長λが1060~1070nmの範囲内にあるレーザ光81を用いることが好ましい。また、YAG基本波の第2高調波、第3高調波といったYAG基本波の高調波も、レーザ光81として好適に用いることができる。レーザ光81は、例えば、エネルギー密度が0.3~10J/cm2であるレーザ光81が用いられることが好ましい。更に、レーザ光81は、パルスレーザであっても、連続照射レーザであってもよいが、例えば、繰り返し周波数が1~100kHz、パルス幅が1ns~1μsであるパルスレーザを用いるのが好ましい。また、レーザ光源80は、上述のようなレーザ光81を生成して発射できるものであれば、種々のレーザ光源80を用いることができる。レーザ加工工程により生成する金属層30のパターンは、用途に応じて種々のパターンとすることができる。例えば、金属層30のパターンで、プラズマディスプレイパネルの前面基板の走査電極及び維持電極を形成する場合には、図5に示すように、所定間隔を有して、所定幅の除去部60が形成され、残された積層体50で、複数の平行に配置された直線状のパターンとして構成してよい。図6は、アシスト層形成工程及びレーザ加工工程における基板表面の一例を示した平面図である。図6aは、アシスト層形成工程における基板表面の一例を示した図である。図4において説明したように、基板10の最表面には、アシスト層40が形成されている。アシスト層40は、基板10の全面を覆っている。これにより、アシスト層40の下層にある金属層30のレーザ加工が容易な状態となる。図6bは、レーザ加工工程における基板表面の一例を示した平面図である。図6bにおいて、レーザ加工が終了し、複数の除去部60が形成されている。除去部60の部分は、基板10が露出している。また、除去されずに残されたアシスト層40と金属層30との積層体50が、除去部60の幅分の間隔を有して、平行な複数の直線状に形成されており、全体として縞状のパターンを形成している。このように、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法によれば、金属層30上にアシスト層40を形成することにより、図6bに示したような縞状のパターンを含めて、種々のパターンを容易に形成することができる。図5に示す金属パターン付き基板において、アシスト層40が、金属層30の保護層として利用され、除去される必要が無い場合には、レーザ加工工程終了後、残渣の除去のための後処理洗浄を行い、金属パターン付き基板の製造工程を終了する。金属パターン付き基板の製造工程後に、例えば、プラズマディスプレイパネルの製造工程で、600°C前後に加熱する焼成工程がある。金属層30が銅であって、金属パターン付き基板がプラズマディスプレイパネル用のガラス基板として用いられる場合には、焼成工程において、銅の酸化を防止して、銅を保護する保護層が必要となる。よって、そのような用途に金属パターン付き基板が用いられる場合には、アシスト層40は、形成されたまま残され、酸化防止用あるいは誘電体からの侵食に対する保護層として利用される。一方、アシスト層40が、保護層として利用されず、除去する必要がある場合には、次のアシスト層除去工程に進む。図7は、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法のアシスト層除去工程の一例を示した図である。図7において、アシスト層40が除去され、金属層30が表面に露出している。例えば、金属層30がアルミニウムの場合には、アルミニウムは酸化防止対策が不要なので、焼成工程における保護層は不要となる。そのような場合には、アシスト層除去工程を設けて、不要なアシスト層40を除去する。アシスト層40の除去は、種々の方法により行われてよいが、例えば、湿式エッチングにより行われてもよい。以上、図1~図7を用いて、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法の工程について説明を行ったが、特に、図3~図5において説明したように、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法によれば、金属層30が表面に形成された基板10が用意されたときに、金属層30上にアシスト層40を形成してからレーザ加工を行うことにより、より低いレーザパワーで高精度の金属層30のパターニングを行うことができる。図8は、実施形態1に係る金属パターン付き基板の製造方法の処理フローの一例を示した図である。なお、今までの説明と同様の構成要素については、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。ステップ100では、基板10上に、低反射層20が形成される。図2において説明したように、光の表面反射を防ぐ低反射層が、例えば、スパッタリング法等により、基板10の表面に形成される。ステップ110では、基板10上に、主メタル層である金属層30が形成される。主メタル層は、パターニングの対象となる目的層を意味し、金属層30が該当する。図3において説明したように、金属層30は、電極、配線層等としてパターニング形成される金属材料を用いて形成される。ステップ120では、金属層30上に、アシスト層40が形成される。図4において説明したように、アシスト層40は、金属層30とは異なる金属材料から構成され、レーザ光を効率良く吸収し、金属層30と積層されることにより、金属層30にレーザ光からのエネルギーを効率良く伝え、レーザ加工を容易にする薄膜金属層である。アシスト層40の形成により、金属層30とアシスト層40から構成される金属の積層体50が形成される。ステップ130では、レーザ光81の積層体50への照射が行われ、積層体50のレーザ照射部位が除去される。図5において説明したように、レーザ光81は、YAG基本波付近の波長のレーザ光81が用いられることが好ましいが、その他、YAG基本波の高調波や、他の固体レーザも幅広く用いることができる。金属層30とアシスト層40が各々単独でレーザ照射されたときよりも、少ないレーザエネルギーで積層体50の除去加工を行うことができる。ステップ140では、レーザ加工後の残渣除去のための後処理が行われる。具体的には、レーザ加工後の基板10が洗浄され、レーザ加工がなされた部分の残渣が洗浄により洗い流される。ステップ150では、アシスト層40が保護層であるか否かが判断される。アシスト層40が、金属層30の保護層として必要な場合には、そのまま処理フローを終了する。一方、アシスト層40が、保護層として不要な場合には、ステップ160に進む。ステップ160では、アシスト層40が除去される。図7において説明したように、エッチング等により、不要なアシスト層40が除去され、金属層30が基板10の表面に露出してパターニングされた状態となり、処理フローを終了する。図9は、レーザ加工工程の途中の状態の一例を示した図である。図9aは、基板10の平面図である。図9aに示すように、基板10上の全面に形成されたアシスト層40の表面の、金属層30及びアシスト層40を除去する部分にレーザを照射し、除去部60を形成する。除去部60は、基板10が露出する。図9aに示すように、レーザで描画を行うようにして、金属層30による金属パターンを基板10上に形成することができる。図9bは、図9aのA部分を拡大した断面図である。図9bにおいて、基板10の上に、低反射層20、金属層30及びアシスト層40が積層されており、これらが除去された除去部60が示されている。図9bに示すように、除去部60の幅が、パターン幅61となる。また、レーザ光81のエネルギー分布82が例示されている。レーザ光81のエネルギー分布82は、正規分布に近い曲線となり、エネルギーの高い領域が、アシスト層40に照射されるようにしないと、図9bに示すような、垂直な壁面を有する除去部60を形成することができず、残渣を生じてしまう。よって、図5において説明したように、レーザ光81のエネルギーが高い領域だけがアシスト層40に照射されるように、マスク70を用いて、レーザ光81の照射を行うことが好ましい図9にはマスク70は図示せず。このように、レーザ光81のエネルギー分布を考慮して、マスク70を用いて、エネルギー分布が高い領域のみレーザ光81を通過させてアシスト層40に照射するようにすれば、残渣の少ない高精度な金属層30のパターニングを行うことができる。実施形態2図10~図14は、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法の製造工程の一例を示した図である。図10は、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法の基板10を用意する工程の一例を示した図である。図10に示す工程は、実施形態1の図1において説明した工程と同様であるので、同一の参照符号を付して、その説明を省略する。図11は、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法の金属層形成工程の一例を示した図である。金属層形成工程においては、基板10の上に、金属層30が形成される。実施形態1においては、基板10の上に、低反射層20が形成されていたが、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法においては、低反射層20が形成されず、基板10の上に、直接金属層30が形成される点で異なっている。金属パターン付き基板が、例えば、プラズマディスプレイパネルや液晶パネル等のフラットパネルディスプレイに用いられる場合であっても、基板10の素材のガラス基板を低反射仕様に形成する等、別の手段により反射防止機能を持たせる場合も考えられる。よって、そのような場合には、低反射層20を設けず、基板10の上に直接金属層30を形成するようにしてもよい。なお、金属層30自体の機能は、電極や配線を形成する主メタル層としての機能を有する点は、実施形態1と同じであり、材料等も実施形態1における説明と同様であるので、その説明を省略する。また、金属層30の形成方法も、実施形態1と同様に、スパッタリング法等の種々の金属成膜方法が適宜利用されてよい。よって、実施形態1と同一の参照符号を付して、その説明を省略する。図12は、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法のアシスト層形成工程の一例を示した図である。図12において、金属層30の上に、アシスト層40が形成され、金属層30とアシスト層40の積層体50が形成されている点で、実施形態1に係るアシスト層形成工程と同様である。図11において説明したように、基板10と金属層30との間に、低反射層20が存在しない点のみが、実施形態1に係るアシスト形成工程と異なっている。このように、低反射層20の有無に拘わらず、金属層30の上にアシスト層40を形成することができる。アシスト層40の機能や形成方法は、実施形態1と同様であるので、同一の構成要素に同一の参照符号を付して、その説明を省略する。図13は、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法のレーザ加工工程の一例を示した図である。図13において、積層体50に、レーザ光源80で生成されたレーザ光81が照射され、積層体50のレーザ照射部位に、除去部60が形成される。そして、金属層30の残された部分が、金属パターンとなる。実施形態2に係るレーザ加工工程も、基板10と金属層30との間に低反射層20が存在しない点を除けば、実施形態1に係るレーザ加工工程と同様である。したがって、レーザ光81の波長λ、エネルギー密度、繰り返し周波数、パルス幅の好ましい範囲も実施形態1に係るレーザ加工工程と同じである。積層体50自体は、実施形態1と同様の構成を有するので、実施形態1と同様に、低レーザパワーで金属層30のパターニングが可能となる。よって、実施形態1と同様の構成要素には、同一の参照符号を付して、その説明を省略する。図14は、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法のアシスト層除去工程の一例を示した図である。実施形態2においても、アシスト層40が保護層として不要な場合には、アシスト層40が除去される。一方、アシスト層40が保護層として必要な場合には、アシスト層40は残され、アシスト層除去工程は不要となる。アシスト層除去工程においても、基板10と金属層30との間に低反射層20が存在しない点以外は、実施形態1と同様である。よって、実施形態1と同一の構成要素には同一の参照符号を付して、その説明を省略する。また、処理フローにおいても、実施形態1の図8において説明した処理フローから、ステップ100を削除すれば、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法の処理フローと同様となる。実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法によれば、基板10の上に金属層30が直接的に形成されている場合であっても、低エネルギーのレーザ光81を用いて、金属層30を高精度に加工することができる。実施形態1と実施形態2を併せて考えると、金属パターンを、レーザ光81を用いて基板10の表面上に形成する工程を有すれば、基板10、低反射層20等の下地に影響されず、種々の製造工程に本発明を適用することができることがわかる。実施形態1及び実施形態2においては、ガラス基板上に金属パターンを形成する例が示されているが、基板10上の最上層に金属層30が形成され、これをレーザ加工によりパターニングする必要がある場合には、種々の用途に本発明を適用することができる。次に、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法を実施した場合の例について説明する。以下、例3、例4、例7及び例8は、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法の実施例を示し、例1、例2、例5及び例6は比較例を示す。図15は、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法の実施結果を示す図である。本実施例におけるレーザ光81の基本条件は、波長λ=1064nmのYAGパルスレーザを使用し、平均パワーが485W以下である。また、フルエンス単位面積当たりのエネルギー量は、8.1J/cm2以下とした。また、パルスレーザの周波数は6kHzとし、パルス幅は40nsとした。かかるレーザ光81を用いて、種々の金属層30とアシスト層40とを組み合わせ、レーザ光81のレーザパワーを変化させて、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法を実施した結果が、図15に示されている。なお、基板10は、プラズマディスプレイパネル用のガラス基板を用いた。例1図15におけるaは、例1の結果を示している。例1においては、プラズマディスプレイPD用の基板10上に、銅Cuの金属層30を形成し、レーザ加工を行った。銅の金属層30の厚さは2000Åである。この表面にパワー74W、フルエンス1.2J/cm2のレーザ光を照射しても、金属層30が銅単体では、厚さが2000Åと比較的薄くても、何ら金属層30の除去は発生せず、金属パターンが形成されないことがわかる。例2図15におけるbは、例2の結果を示している。例2においては、図15のaよりもレーザパワーを上昇させて467W、フルエンスを7.8J/cm2としたレーザ加工を行った。図15のbにおいて、十字の除去部60が形成され、金属パターンが形成されたことが示されている。例3図15におけるcは、例3の結果を示している。例3においては、実施形態2で説明したように、プラズマディスプレイ用の基板10上に、銅の金属層30を形成し、更にその上にクロムのアシスト層40を形成した場合のレーザ加工結果を示している。ここで、金属層30である銅の厚さは2000Å、アシスト層40であるクロムの厚さは500Åとしている。この場合において、74Wのレーザパワーフルエンス1.2J/cm2のレーザ光81を照射して加工したところ、図15のcに示すような高精度の十字の除去部60の金属パターンが形成された。図15のbの467Wのレーザパワーフルエンス7.8J/cm2と比較すると、1/6以下の74Wのレーザパワーフルエンス1.2J/cm2しか用いていないにも関わらず、図15のbよりも遙かに綺麗にパターニングができていることがわかる。このように、主メタル層である銅の金属層30の上に、アシスト層40のクロムを形成して積層体50とすることにより、低パワーで高精度のレーザ加工を実現できた。例4図15におけるdは、例4の実施結果を示している。例4においては、図15のcと同じ積層構成で、レーザパワーを415W、フルエンスを6.9J/cm2に上げてレーザ加工を行った。図15のdに示す加工結果は、その直線性や残渣の多さの点で図15のcに示す例3の加工結果よりも、加工精度が相当に低下している。このことから、レーザ光81は、レーザパワーが単純に大きければ良いという訳ではなく、適切なレーザパワーの範囲があることがわかる。例5図15におけるeは、例5の結果を示している。例5においては、プラズマディスプレイ用の基板10の上に、クロムのアシスト層40を形成してレーザ加工を行った。アシスト層40であるクロムの膜厚は500Åであり、106Wのレーザパワー、1.8J/cm2のフルエンスでレーザ光81が照射されている。図15のcの実施形態2による加工結果と図15のeの結果とを比較すると、以下の通りとなる。図15のcにおいては、厚さ2000Åの金属層30銅および厚さ500Åのアシスト層40クロムを、74Wのレーザパワーのレーザ光81を照射し、照射部の金属層30とアシスト層40が完全に除去され、高精度の十字の除去部60の金属パターンが形成出来ている。一方、図15のeにおいては、図15のcのアシスト層40クロムと同じ層厚のクロム単層に、図15のcのレーザパワーより大きなレーザパワーを照射しても、照射部のクロム単層膜が完全に除去できていない。以上のように、金属層30銅の上にアシスト層40クロムを形成することにより、アシスト層40と同種の単層クロムの加工に必要とされるレーザパワーよりも低いレーザパワーで、高精度にパターン形成を行うことができることがわかる。例6図15におけるfは、例6の結果を示している。例6においては、図15のeと同様の単層膜構成で、レーザパワーを199W、フルエンスを3.3J/cm2に上昇させてレーザ加工を行った。図15のcと同等精度に加工するには、レーザパワーを199Wに上げる必要がある。図15のfとcを比較すると、アシスト層のCr膜と同じ厚みのCr単層の加工に必要なレーザパワーの約1/3のレーザパワーで積層膜を加工できることがわかる。例7図15におけるgは、例7の実施結果を示している。例7においては、実施形態2の金属パターン付き基板の製造方法によるレーザ加工結果を示している。図15のcの例3においては、金属層30である銅が2000Å、アシスト層40であるクロム膜が500Åであったのに対し、図15のgにおいては、金属層30である銅は2000Åと同じであるが、アシスト層40であるクロム膜が200Åとより薄くなっている点で、図15のcに示した実施例とは異なっている。図15におけるgにおいても、十字の除去部60を有する金属パターンが高精度で形成されている。図15のa及びeと比較すると、銅の単独膜、クロムの単独膜よりも、低いレーザパワーで、高精度の加工が可能であることがわかる。なお、レーザパワーは74W、フルエンスは1.2J/cm2であり、図15のcと同じレーザパワー及びフルエンスである。図15のgと同様に、実施形態2の実施例である図15のcと比較すると、図15のgの方が、十字の端部の残渣が少なく、より高精度に加工できていることがわかる。つまり、アシスト層40も、単純に厚い方が良いという訳ではなく、適切な厚さの範囲がある。例8図15におけるhは、例8の実施結果を示している。例8においては、図15のgと同様の積層構成で、レーザパワーのみを415Wフルエンスは6.9J/cm2に変更してレーザ加工を行った。図15のhにおいて、十字の除去部60を有する金属パターンが銅とクロムからなる積層体50に形成されているが、残渣が多く、直線性などの点で加工精度は、図15のgの例7の場合と比較して、大きく低下している。このことから、本実施形態2におけるレーザ光81のレーザパワーは、単純に大きい方が良いという訳ではなく、所定のレーザパワー範囲内である方が好ましいということがわかる。また、図15のhとdとを比較すると、図15のhの方が精度の良い金属パターンが形成されていることから、図15のcとgとの比較と相俟って、アシスト層40のクロム膜は、500Åよりも200Åが好ましく、単純に厚いよりも、所定の範囲内、又は薄い方が良いことがわかる。以上、図15を用いて説明したように、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法において、クロム膜のアシスト層40を使用する場合には、銅薄膜2000Åを従来の1/6以下のレーザパワーでより綺麗に加工することができた。また、アシスト層40のクロム膜についても、金属層30銅の上にアシスト層40クロムを形成することにより、クロム膜を単層膜として加工する場合のレーザパワーよりも、低いレーザパワー約1/3で積層体50を加工することができた。これは、アシスト層40と金属層30との間で、何か特別な相互作用が発生していると考えられる。その他、金属層30をアルミニウムとし、アシスト層40をクロムとしたAl/Cr、金属層30を銅、アシスト層40をコバルトとしたCu/Coも、同様な現象を確認することができた。よって、金属層30とアシスト層40との組み合わせを適宜選択し、積層体50を形成することにより、金属層30及びアシスト層40の単独層よりも低いレーザパワーで積層体50をレーザ加工できる組み合わせを発見することにより、本発明の金属パターン付き基板は、種々の用途に用いることが可能となる。図16は、上述の例1~8と同様に、本発明の実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法の実施結果の例を示した図である。以下、例10、例12、例14は実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法の実施例を示し、例9、例11、例13は、比較例を示す。図16における例9~14は、金属層30を1μm以上の厚膜とした場合に、実施形態2に係る金属パターン付き基板の製造方法と、比較例の従来のレーザ加工法を実施した結果を示している。なお、基板10は、総てプラズマディスプレイパネル用のガラス基板を用いている点については、例1と同様である。また、レーザの基本的条件、レーザ光源80についても、例1と同様の条件で実施した。例9図16におけるaは、例9の結果を示している。例9においては、プラズマディスプレイ用の基板10の上に、金属層30として銅を形成し、レーザ加工を行った。銅の厚さは、1.5μmであり、レーザパワーは485W、フルエンスは8.1J/cm2であるが、金属層30の除去はなされず、金属パターンの形成ができなかった。例10図16におけるbは、例10の結果を示している。例10においては、図16のaで示した積層構成において、金属層30の上にクロムのアシスト層40を形成し、レーザ加工を行う本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法の実施結果を示している。図16のbにおいては、アシスト層40であるクロム膜の厚さは、100Åとしている。プラズマディスプレイ用の基板10上に、金属層30である銅の厚膜が1.5μm形成されている点は、図16のaと同様である。この状態で、レーザ加工工程を実施した所、レーザパワー467W、フルエンス7.8J/cm2で、図16のbに示すような高精度の十字の除去部60を有する金属パターンを形成することができた。例11図16におけるcは、例11の結果を示している。例11においては、図16のaと同様に、プラズマディスプレイ用の基板10の上に、金属層30として銅を形成し、レーザ加工を行った。銅の厚さは、3μmであり、図16のaよりも更に厚い金属層30として基板10上に形成されている。レーザパワーは、図16のaと同様に485Wフルエンスは8.1J/cm2であるが、図16のaよりも更に厚い膜として構成されている。したがって金属パターンを形成できなかった。例12図16におけるdは、例12の結果を示している。例12においては、図16のcの積層構成において、金属層30の上にアシスト層40であるクロム膜を形成し、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法を実施した。図16のdの実施例において、アシスト層40であるクロム膜の厚さは、200Åとしている。また、レーザ光81は、485Wのレーザパワー及び8.1J/cm2のフルエンスとしている。このような条件で、レーザ照射を行ったところ、図16のdに示すように、十字の除去部60を有する金属パターンを形成することができた。図16のdにおいて、十字の上部に、積層体50の除去が完全でない部分があり、完全な金属パターンではないが、かなりの部分について、金属パターンを形成することができた。つまり、銅の単独膜では、図16のcに示すように、同じレーザパワーを用いても全くレーザ加工が出来なかったが、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法を実行することにより、銅の3μmの厚膜の大部分をレーザ加工することができた。更に、485Wフルエンス8.1J/cm2より少し高いパワーで照射すれば、より高精度に加工できると考えられる。例13図16におけるeは、例13の結果を示している。例13においては、プラズマディスプレイ用のガラス基板の上に、アルミニウムの金属層30を形成してレーザ加工した。アルミニウム膜の厚さは、1μmであり、レーザ光81は、485Wのレーザパワー、8.1J/cm2のフルエンスで加工を行った。この場合、図16のeに示すように、アルミニウム膜の金属層30の一部は除去部60が形成されたが、全体として十字の除去部60を形成することは出来なかった。例14図16におけるfは、例14の実施結果を示している。例14においては、図16のeの積層構成において、更に金属層30の上にアシスト層40としてクロム膜を形成し、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法を実施した。アシスト層40のクロム膜の厚さは、500Åとした。また、レーザ光81は319Wのレーザパワー、5.3J/cm2のフルエンスとした。このような条件下で、レーザ加工を行ったところ、図16のfに示すように、十字の除去部60を有する金属パターンを形成することができた。図15のa、c、eに示したように、金属層30を単独膜として加工する従来のレーザ加工方法では、5000Å以上の銅の厚膜、1μm以上のアルミニウムの厚膜は、485W以下のレーザパワー8.1J/cm2以下のフルエンスでは、レーザパターニングを行うことはできなかった。しかしながら、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法を実施することにより、図15のb、fに示したように、同様のレーザパワー範囲内で、1.5μmの銅膜、1μmのアルミニウム膜を加工することができた。また、レーザパワーを適量に上げれば、図15のdに示したような、3μmの膜厚の銅膜も、十分加工可能となる。なお、3μmはプラズマディスプレイパネルの銅膜のシート抵抗規格を満たす膜厚であるので、レーザパワーを上げることにより、透明電極を使わないタイプのプラズマディスプレイ用に高精度にパターンされた金属配線付き基板を提供することが可能となる。なお、例1~14においては示していないが、発明者等は、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法により、2000Åのアルミニウムの薄膜を、従来の1/4のレーザパワーで加工できることも見出している。また、銅の厚膜については、2μmまでは、485W以下で加工できることも確認している。図17は、本実施形態における金属パターン付き基板の製造方法のレーザパターニング加工の原理について説明するための図である。図17において、プラズマディスプレイパネル用のガラス基板10の上に、主メタル膜である金属層30と、アシスト層40が積層体50を形成して構成された断面図が示されている。ここで、レーザ光81が積層体50に照射されることにより、単独膜を加工する場合よりも低いレーザパワーで積層体50の除去が行われる現象が発生する。この理由は、諸説考えられるが、以下のように、推論している。まず、基板10上に積層体50が形成されている状態で、レーザ光81が照射されると、アシスト層40の温度が上昇し、熱が下層の金属層30に伝導される。これにより、主メタル層である金属層30の温度も上昇する。ここで、レーザパワーは、強過ぎず、かつ、弱過ぎないことが好ましい。最適なレーザパワーは、アシスト層40の種類のみならず、金属層30の膜厚によっても異なるので、アシスト層40の種類や、金属層30の膜厚等の種々の条件を考慮して、適切なレーザパワーが選択される。レーザパワーが最適パワーの状態で、アシスト層40と金属層30が両方とも蒸発するというのは、金属層30が蒸発できる状態までアシスト層40からエネルギーを吸収したことを意味する。逆に言えば、アシスト層40は金属層30が蒸発できる状態になるまで、レーザ光吸収をしつつ、エネルギーを金属層30に与え続けたことになる。一方、アシスト層40も、金属層30の蒸発の影響を受けて、より気化し易い状態を形成していると考えられる。つまり、金属層30に主に用いられる導電性の高い金属は、光吸収率は低い金属材料が多いと考えられる。一方、アシスト層40は、一般的に光吸収率は高いが、融点、沸点が高い金属材料が多いことが考えられる。よって、レーザ光81の照射により、アシスト層40が高い光吸収率でレーザ光81のエネルギーを吸収し、このエネルギーを、金属層30に伝達する。アシスト層40は、レーザ光81のエネルギーを十分に吸収するが、レーザ光81のエネルギーが小さい場合、十分に蒸発することができない。たとえレーザ光81のエネルギーが大きい場合であっても、アシスト層40が吸収したエネルギーが熱に変わり、その熱が下層の金属層に非常に早い速度で奪われる場合には、アシスト層40を短時間に厚さ方向に完全に蒸発させることはできない。一方、金属層30自身は、レーザ光81が直接照射されても、光吸収率の低さのために、レーザ光81のエネルギーを十分に吸収することができないが、アシスト層40から伝達する熱をよく吸収することができ、金属層30が、比較的低融点、低沸点物質である場合には容易に溶融して気化し、蒸発すると考えられる。すると、金属層30の蒸発する力を借りて、アシスト層40も一緒に蒸発することが可能となり、アシスト層単独の場合よりも、容易に蒸発する状態となり、レーザ加工が容易な状態となると考えられる。また、レーザ光81のエネルギーが大き過ぎる場合に、下層の金属層30が部分的に残り、パターンの仕上がり状態が悪い時があるが、これはアシスト層40が高いエネルギーを吸収して、急速に温度が上がり、下層の金属層への熱伝導がまだ充分下層金属層30が蒸発できるレベルではない内に完全に蒸発したものと考えられる。故にレーザ光81のエネルギー条件には最適な範囲があり、これは加工対象によって変わる。なお、理解の容易のため、実施例に基づいて、金属層30が、比較的低融点、低沸点の場合を例に挙げ、熱伝導にて説明したが、金属層30は、必ずしもアシスト層40よりも低融点、低沸点でなくてもよい可能性もある。金属層30と、アシスト層40との間に、熱伝導以外の何らかの原子レベルの相互作用があり、気化を促進し、結果的に、両方とも蒸発できる状態となったとも考えられる。次に、図18~図20を用いて、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法により製造された金属パターン付き基板の用途の一例について説明する。図18は、従来のプラズマディスレプレイ装置の構成の一例を示した図である。従来のプラズマディスプレイ装置は、前面パネル130と、背面パネル190とを備える。前面パネル130は、前面基板11と、透明電極90と、バス電極100と、誘電体層110と、保護層120とを備える。透明電極90は、走査電極91と、維持電極92とを構成する。また、背面パネル190は、背面基板140と、アドレス電極150と、誘電体層160と、蛍光体層170とを備える。また、前面パネル130と背面パネル190との間には、Xe等の放電ガスが封入されている。プラズマディスプレイ装置は、アドレス電極150と、走査電極91との間でアドレス放電が発生して、発光セルが選択される。次いで、アドレス放電が発生した発光セルについて、走査電極91と維持電極92との間で維持放電が発生する。維持放電が発生したときには、放電により紫外線UVが発生し、紫外線が蛍光体層170の表面に照射されると、発光し、画像表示を行う。ここで、前面パネル130の走査電極91及び維持電極92には、透明電極90が用いられているが、発明が解決しようとする課題で述べたように、透明電極90を使用しないで前面パネル130を構成する試みがなされている。図19は、従来のプラズマディスプレイパネルの前面パネル130の部分拡大図である。図19a、bにおいて、ガラス基板からなる前面基板11の上に、透明電極90と、バス電極100とが形成されている。透明電極90は、例えば、ITOで形成され、バス電極100は、銀ペーストを焼成することで形成されているが、その方法では開口部を十分に維持するために必要な微細な形状の電極を形成することが難しい。そのためFHD用には同技術を採用し、生産販売された例は見当たらない。図20は、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法により製造された前面パネル131の一例を示した図である。図20aは、本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法により製造された前面パネル131の断面図の一例を示した図である。図20aにおいて、ガラス基板からなる前面基板11上に、反射防止膜又は遮光膜として、低反射層20が形成されている。低反射層20の上には、銀、銅、アルミニウム等の配線材料から構成される金属層30が形成される。そして、金属層30の上には、必要に応じて、クロムやモリブデンからなる保護膜として機能するアシスト層40図示せずが形成される。これは、実施形態1において説明した金属パターン付き基板の製造方法により製造された金属パターン付き基板の一例と言える。図20bは、前面パネル131の平面図の一例を示した図である。図20bにおいて、金属層30は、バス電極として機能していることがわかる。金属層30を電極として用いる場合、透明ではないので、前面基板11上に、少ない面積で電極をパターニングして形成する必要がある。本実施形態に係る金属パターン付き基板の製造方法によれば、このような、透明電極を用いないプラズマディスプレイ装置の前面パネル131を、好適に製造することができる。また、プラズマディスプレイ装置の前面パネル131以外にも、液晶等のその他のフラットディスプレイパネルや、ディスプレイパネル以外のレーザ加工で金属膜のパターニングを行う総ての基板の製造に用いることができる。以上、本発明の好ましい実施形態について詳説したが、本発明は、上述した実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは、当業者にとって明らかである。