"誘電体層が、チタン酸バリウムを主成分とし、結晶構造が正方晶系のコア部と、結晶構造が立方晶系のシェル部とを有する結晶粒子により構成されており、前記シェル部の厚みが11.8~26.5nmであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が0.15~0.35μmである誘電体磁器からなることを特徴とするコンデンサ。前記誘電体磁器が、バナジウムと、マグネシウムと、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウム,テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素REと、マンガンとを含み、チタン酸バリウム100モルに対して、前記バナジウムがV2O5換算で0.04~0.10モル、前記マグネシウムがMgO換算で0.4~1.2モル、前記希土類元素REがRE2O3換算で0.12~0.48モルおよびマンガンがMnO換算で0.05~0.35モル含有することを特徴とする請求項1に記載のコンデンサ。前記誘電体磁器が、バナジウムと、マグネシウムと、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウム,テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素REと、マンガンとを含み、チタン酸バリウム100モルに対して、前記バナジウムをV2O5換算で0.04~0.10モル、前記マグネシウムをMgO換算で0.4~1.2モル、前記希土類元素REをRE2O3換算で0.30~0.48モルおよび前記マンガンをMnO換算で0.05~0.35モル含有することを特徴とする請求項1に記載のコンデンサ。前記誘電体磁器が前記結晶粒子間に粒界相を有し、該粒界相が複数の前記結晶粒子により形成される二面間粒界相と三重点粒界相とから構成されているとともに、前記希土類元素、前記マグネシウムおよびケイ素を含み、前記二面間粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をC1、前記三重点粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をC2としたときの各元素のうち2種の元素の濃度比C2/C1が0.8~1.2であることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれかに記載のコンデンサ。前記誘電体磁器が前記結晶粒子間に粒界相を有し、前記粒界相が複数の前記結晶粒子により形成される二面間粒界相と三重点粒界相とから構成されているとともに、前記希土類元素、前記マグネシウムおよびケイ素を含み、前記二面間粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をC1、前記三重点粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をC2としたときの各元素の濃度比C2/C1がいずれも0.8~1.2であることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれかに記載のコンデンサ。そして、近年、携帯電話などの電子機器は、小型化と実装の高密度化が進められているが、このような小型の電子機器に用いられる積層セラミックコンデンサについても、EIA規格のX5R特性を満足しつつ、さらなる高容量化が求められている。従って、本発明は、EIA規格のX5R特性を満足しつつ、高誘電率のコンデンサを提供することを目的とする。本発明のコンデンサは、誘電体層が、チタン酸バリウムを主成分とし、結晶構造が正方晶系のコア部と、結晶構造が立方晶系のシェル部とを有する結晶粒子により構成されており、前記シェル部の厚みが11.8~26.5nmであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が0.15~0.35μmである誘電体磁器からなることを特徴とする。また、本発明のコンデンサでは、前記誘電体磁器が、バナジウムと、マグネシウムと、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウム,テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素REと、マンガンとを含み、チタン酸バリウム100モルに対して、前記バナジウムがV2O5換算で0.04~0.10モル、前記マグネシウムがMgO換算で0.4~1.2モル、前記希土類元素REがRE2O3換算で0.12~0.48モルおよびマンガンがMnO換算で0.05~0.35モル含有する誘電体磁器からなることが望ましい。また、本発明のコンデンサでは、前記誘電体磁器が、バナジウムと、マグネシウムと、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウム,テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素REと、マンガンとを含み、チタン酸バリウム100モルに対して、前記バナジウムをV2O5換算で0.04~0.10モル、前記マグネシウムをMgO換算で0.4~1.2モル、前記希土類元素REをRE2O3換算で0.30~0.48モルおよび前記マンガンをMnO換算で0.05~0.35モル含有することが望ましい。また、本発明のコンデンサでは、前記誘電体磁器が前記結晶粒子間に粒界相を有し、該粒界相が複数の前記結晶粒子により形成される二面間粒界相と三重点粒界相とから構成されているとともに、前記希土類元素、前記マグネシウムおよびケイ素を含み、前記二面間粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をC1、前記三重点粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をC2としたときの各元素のうち2種の元素の濃度比C2/C1が0.8~1.2であることが望ましい。また、本発明のコンデンサでは、前記誘電体磁器が前記結晶粒子間に粒界相を有し、前記粒界相が複数の前記結晶粒子により形成される二面間粒界相と三重点粒界相とから構成されているとともに、前記希土類元素、前記マグネシウムおよびケイ素を含み、前記二面間粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をC1、前記三重点粒界相における前記希土類元素、前記マグネシウムおよび前記ケイ素のそれぞれの濃度をC2としたときの各元素の濃度比C2/C1がいずれも0.8~1.2であることが望ましい。本発明によれば、EIA規格のX5R特性を満足しつつ、高誘電率のコンデンサを得ることができる。本実施形態のコンデンサについて、図1に示した積層セラミックコンデンサの概略断面図をもとに詳細に説明する。図1aは、本発明のコンデンサの一例を示す概略断面図であり、bは、内部の拡大図である。図2は、本実施形態のコンデンサを構成する誘電体層である誘電体磁器におけるチタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子の内部構造を示す断面模式図である。この実施形態のコンデンサは、コンデンサ本体1の両端部に外部電極3が形成されている。外部電極3は、例えば、CuもしくはCuとNiの合金ペーストを焼き付けて形成されている。コンデンサ本体1は、誘電体磁器からなる誘電体層5と内部電極層7とが交互に積層され構成されている。図1では誘電体層5と内部電極層7との積層状態を単純化して示しているが、この実施形態のコンデンサは誘電体層5と内部電極層7とが数百層にも及ぶ積層体となっている。誘電体磁器からなる誘電体層5は、結晶粒子9と粒界相11とから構成されており、その厚みは3μm以下、特に、2μm以下が望ましく、これにより積層セラミックコンデンサを小型、高容量化することが可能となる。なお、誘電体層5の厚みが0.5μm以上であると静電容量の温度特性を安定化させることが可能になる。内部電極層7は、高積層化しても製造コストを抑制できるとともに、誘電体層5との同時焼成が図れるという点でニッケルNiが好適である。この実施形態のコンデンサは、誘電体層5を構成する誘電体磁器が、チタン酸バリウムを主成分とし、結晶構造が正方晶系のコア部と、結晶構造が立方晶系のシェル部とを有する結晶粒子9により構成され、前記シェル部の厚みが11.8~26.5nmであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が0.15~0.35μmである誘電体磁器からなる。積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層5が、上記平均粒径の範囲の結晶粒子を有し、かつ結晶粒子9の結晶構造が正方晶系のコア部9aと立方晶系のシェル部9bとを有するコアシェル構造であり、シェル部9bの厚みtが上記範囲であると、コンデンサを構成する誘電体層5の室温25°Cにおける比誘電率が3950以上であるとともに、静電容量の温度特性がEIA規格のX5R特性-55~85°Cの温度範囲において、25°Cを基準にしたときの静電容量の変化率が±15以内を示すものを満足する積層セラミックコンデンサとすることができる。なお、EIA規格のX5R特性とは、-55~85°Cの温度範囲において、25°Cを基準にしたときの静電容量の変化率が±15以内を示すものをいう。この実施形態のコンデンサは、コアシェル構造を持つ結晶粒子9のシェル部9bの厚みが11.8~26.5nmである。シェル部9bの厚みが11.8nmよりも薄くなると、静電容量の温度特性がX5R特性を満足し難くなり、一方、シェル部9bの厚みが26.5nmよりも厚くなると比誘電率が3950よりも低くなる。また、この実施形態のコンデンサは、誘電体層5である誘電体磁器を構成する結晶粒子9の平均粒径が0.15~0.35μmである。結晶粒子9の平均粒径が0.15μmよりも小さいと、結晶粒子9中にコアシェル構造を形成し難くなり、結晶粒子9の中心部にまで添加成分が固溶した構造に変化してしまい、このため静電容量の温度変化率が±15より大きくなりEIA規格のX5R特性を満足しないものとなる。一方、結晶粒子9の平均粒径が0.35μmよりも大きいと、静電容量の温度変化率が±15より大きくなりEIA規格のX5R特性を満足しないものとなる。また、本実施形態のコンデンサでは、誘電体層5を構成する誘電体磁器が、バナジウムと、マグネシウムと、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウム,テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素REと、マンガンとを含み、チタン酸バリウム100モルに対して、バナジウムをV2O5換算で0.04~0.10モル、マグネシウムをMgO換算で0.4~1.2モル、イットリウム,ジスプロシウム、ホルミウム,テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素REをRE2O3換算で0.12~0.48モルおよびマンガンをMnO換算で0.05~0.35モル含有する誘電体磁器からなることが望ましい。誘電体層5を構成する誘電体磁器の組成を上記範囲にすると、静電容量の温度特性がX5R特性を満足させた状態で比誘電率を4500以上にできるとともに、ACバイアス特性が30以下であり、かつ誘電損失が5以下の積層セラミックコンデンサを得ることができる。ここでACバイアス特性とは交流0.01V/umを印加した際の誘電率に対する交流1V/umを印加した際の誘電率の変化量の比である。また、本実施形態のコンデンサでは、誘電体層5を構成する誘電体磁器が、チタン酸バリウム100モルに対して、バナジウムをV2O5換算で0.04~0.10モル、マグネシウムをMgO換算で0.5~1.2モル、希土類元素REをRE2O3換算で0.30~0.48モルおよびマンガンをMnO換算で0.05~0.35モル含有する誘電体磁器からなることが望ましい。誘電体層5を構成する誘電体磁器を上記組成にすると、ACバイアス特性をさらに小さくすることができる。この実施形態のコンデンサでは、所望の誘電特性を維持できる範囲であれば焼結性を高めるための助剤としてガラス成分や他の添加成分を誘電体磁器中に4質量以下の割合で含有させてもよい。本実施形態のコンデンサでは、シェル部9bがコア部9aを取り囲む構造となっているが、コア部9aをシェル部9bが取り囲む結晶粒子9については、元素分析器EDSを付設した透過電子顕微鏡を用いた分析によって確認する。分析する試料としては、積層セラミックコンデンサを加工して作製した試料から平均粒径の±30の範囲にある結晶粒子9を10~20個抽出する。元素分析を行う際の電子線のスポットサイズは1~3nmとし、分析する箇所は結晶粒子9の表面である粒界から中央部までの領域とする。この場合、結晶粒子9の表面である粒界から中央部にかけて5~10nm毎に元素マグネシウムまたは希土類元素の濃度を求め、横軸を距離、縦軸を元素の濃度としたグラフを作成する。ここで、グラフにおいて、最も粒界側にある測定点から順番に3点とり、この3点を用いて近似直線を引き、その直線の傾きを表層部側の元素の濃度勾配とし、また、結晶粒子9の粒界から30~100nmの範囲内にある測定点のうち最も結晶粒子9の中央側にある測定点から順番に3点とり、この3点から近似直線を引き、その直線の傾きを中央部側の元素の濃度勾配とする。そして、表層部側の元素の濃度勾配が0.15原子/nm以上であり、中央部側の元素の濃度勾配が0.5原子/nm以下である場合に、コアシェル構造となっているものとする。次に、結晶粒子9を構成するコア部9aおよびシェル部9bのそれぞれの結晶構造についてはX線回折法により求める。まず、誘電体層5のX線回折パターンから、チタン酸バリウムの正方晶系を示す004面および400面の間に現れるチタン酸バリウムの立方晶系を示す004面040面、400面が重なっている。の回折強度が、チタン酸バリウムの正方晶系を示す400面および004面のうちのいずれか一方の回折強度と同等かもしくはそれよりも大きくなっているときに結晶粒子9が正方晶系および立方晶系の結晶構造を有するものとする。そして、結晶粒子9がコア部9aと、コア部9aを取り囲むシェル部9bとを有することを確認した透過電子顕微鏡による分析結果と、結晶粒子9が正方晶系および立方晶系の結晶構造を有するものであることの結果とから、結晶粒子9が、正方晶系のコア部9aと、コア部9aを取り囲む立方晶系のシェル部9bとを有するものと判定する。次に、結晶粒子9が、正方晶系のコア部9aと、コア部9aを取り囲む立方晶系のシェル部9bとからなるものと判定したものについて結晶粒子9のシェル部の厚みを求める。結晶粒子9のシェル部9bの厚みは、特開2006-137647号公報やJAmCeramSoc90411071111に示されているX線回折法を用いた評価方法に基づいて、以下の式より求める。対象とする結晶粒子9の結晶構造は、測定したX線回折パターンにおいて、選択したX線回折パターンが純粋な正方晶hklまたは立方晶hklの反射に比較してブロードになっており、ピーク位置の同定から正方晶hklおよび立方晶hklの反射が含まれているものとする。そして、対象とする回折データは、正方晶hklおよび立方晶hklの反射であり、回折ピークから、ピーク強度=積分強度、ピークトップの2θ位置、半値幅、ピークの形状関数等のパラメータを得る。その際、必要に応じて、ピーク分離を行う。この場合、ピーク分離の条件は、バックグラウンド関数:0次多項式、放射光:Kα1、プロファイル関数:thepsedoVoigt関数、半値幅:すべての反射に対し異なる半値幅、プロファイルの対象性:対象、およびデータ分解能:シャープ最小半値幅:約0.1°とする。なお、ピーク分離には市販ソフト例えば、PROFITを用いることができ、ピーク分離のためのツールは特に限定されるものではない。また、結晶粒子9の平均粒径は、以下の手順で測定する。まず、焼成後のコンデンサ本体1である試料の破断面を研磨する。この後、研磨した試料を走査型電子顕微鏡を用いて内部組織の写真を撮り、その写真上で結晶粒子が50~100個入る円を描き、円内および円周にかかった結晶粒子を選択する。次いで、各結晶粒子の輪郭を画像処理して、各結晶粒子の面積を求め、同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出し、その平均値より求める。また、誘電体磁器の組成は、積層セラミックコンデンサを酸に溶解させた溶液をICPInductivelyCoupledPlasma分析および原子吸光分析を用いて求められる。この場合、各元素の価数を周期表に示される価数として酸素量を求める。また、本実施形態のコンデンサでは、誘電体層5である誘電体磁器を形成している粒界相11が複数の結晶粒子9により形成される二面間粒界相と三重点粒界相とを有し、誘電体磁器中に含まれる希土類元素、マグネシウムおよびケイ素は、二面間粒界相と三重点粒界相との間で、二面間粒界相における希土類元素、マグネシウムおよびケイ素のそれぞれの濃度をC1、三重点粒界相における希土類元素、マグネシウムおよびケイ素のそれぞれの濃度をC2としたときに、希土類元素、マグネシウムおよびケイ素うち2種の元素のC2/C1が0.8~1.2であることが望ましい。希土類元素、マグネシウムおよびケイ素うち2種の元素のC2/C1が0.8~1.2であると、室温25°Cよりも高い温度例えば、85°Cにおいて、コンデンサの静電容量のばらつきCVを小さくすることが可能となる。さらに、希土類元素、マグネシウムおよびケイ素の全ての元素のC2/C1が0.8~1.2である場合には、室温25°Cよりも高い温度例えば、85°Cにおけるコンデンサの静電容量のばらつきCVをさらに小さくすることができる。図3は、本実施形態のコンデンサを構成する誘電体層5である誘電体磁器において、希土類元素、マグネシウムおよびケイ素の濃度比を測定するための、複数の結晶粒子9により形成される二面間粒界相11aおよび三重点粒界相11bの測定位置を示す断面模式図である。二面間粒界相11aおよび三重点粒界相11bにおける希土類元素、マグネシウムおよびケイ素の濃度は、透過電子顕微鏡に付設のX線マイクロアナライザーXMAによって求める。この場合、分析に用いる試料は、コンデンサの誘電体層5から切り出した薄板状の誘電体磁器にイオンミリング加工を行ったものを用いる。分析する領域は、複数の結晶粒子9より形成されている二面間粒界相11aおよび三重点粒界相11bを断面視したときに、少なくとも3個の結晶粒子9の最大径が平均粒径の±20以内の範囲にある結晶粒子9群からなる箇所とする。そして、X線マイクロアナライザーXMAを用いて、図3に示すように、二面間粒界相11aの位置S1および三重点粒界相11bの位置S2における希土類元素、マグネシウムおよびケイ素のそれぞれの濃度を求め、二面間粒界相11aにおける各元素の濃度C1と三重点粒界相11bにおける各元素の濃度C2との比C2/C1をそれぞれ求める。このとき、分析する二面間粒界相11aの位置S1は粒界相11の幅のほぼ中央であり、三重点粒界相11bの位置S2は三重点粒界相11bの中央である。また、二面間粒界相11aの位置S1は三重点粒界相11bの位置S2を定めた位置から50nm以上離れた位置とする。次に、本実施形態のコンデンサを製造する方法について説明する。まず、誘電体粉末をポリビニルブチラール樹脂などの有機樹脂やトルエンおよびアルコールなどの溶媒とともにボールミルなどを用いてセラミックスラリを調製し、次いで、セラミックスラリをドクターブレード法やダイコータ法などのシート成形法を用いて基材上にセラミックグリーンシートを形成する。セラミックグリーンシートの厚みは誘電体層5の高容量化のための薄層化、高絶縁性を維持するという点で1~5μmが好ましい。本実施形態の積層セラミックコンデンサの製法で用いる誘電体粉末は、チタン酸バリウム粉末以下、BT粉末という。Ba/Tiのモル比が1.001~1.009を用いる。また、BT粉末の平均粒径は0.21~0.30μmであることが望ましい。本実施形態の積層セラミックコンデンサを製造するための方法では、誘電体層5となる誘電体磁器を構成する結晶粒子9を形成するためのBT粉末として、平均粒径が0.21~0.30μmの範囲のものを用いることにより、BT粉末に対して希土類元素REを含めた添加成分の固溶を抑え、後述する厚みのシェル部を形成できる。これにより誘電体層5の薄層化を容易にし、BT粉末として、後述する焼成条件により高誘電率であり、EIA規格のX5R特性を満足する結晶粒子9とすることが可能になる。この実施形態のコンデンサを製造する際に用いる誘電体粉末は、後述のチタン酸バリウムを主成分とし、これに、例えば、バナジウム、マグネシウム、希土類元素、マンガンおよび焼結助剤の全成分を所定量被覆したものを用いるのがよい。この場合、用いる誘電体粉末は、例えば、以下のようにして調製する。まず、純度が99.9以上、Ba/Tiのモル比が1.001~1.009であり、平均粒径が0.21~0.30μmであるチタン酸バリウム粉末BT粉末の懸濁液に、pH調整剤としてアンモニア水を用いて、pHを6~8の範囲とし、これに、リチウム水溶液、シリカゾル、炭酸バリウム水溶液、水酸化マグネシウム水溶液、水酸化カルシウム水溶液、バナジン酸アンモニウム水溶液、酢酸マンガン水溶液およびイットリウム,ジスプロシウム、ホルミウム,テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素の水溶液を、この順に、添加し混合してセラミックスラリを調製する。なお、これらの原料試薬の純度は、得られる誘電体磁器への不純物の混入を抑制し、高い誘電特性を得るという理由からいずれも99.5以上であるのがよい。次に、このセラミックスラリを4流体ノズルを備えた噴霧乾燥機に投入し、4流体ノズルから直径が10μm以下の液滴を生成させ、200°C付近の温度で乾燥処理して、誘電体粉末の前駆体を作製し、次いで、この誘電体粉末の前駆体を乾燥処理の温度よりも高い温度にて加熱処理することにより調製する。誘電体粉末の組成としては、BT粉末を100モルとしたときに、バナジン酸アンモニウム水溶液をV2O5換算で0.04~0.10モル、水酸化マグネシウム水溶液をMgO換算で0.5~1.2モル、酢酸マンガン水溶液をMnO換算で0.05~0.35モル、イットリウム,ジスプロシウム、ホルミウム,テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素REの水溶液をRE2O3換算で0.12~0.48モルの組成とすることが望ましく、これにより高誘電率であり静電容量の温度特性がX5R特性を満足し、ACバイアス特性および誘電損失の小さい積層セラミックコンデンサを得ることが可能になる。また、焼結助剤の添加量はBT粉末100質量部に対して0.5~2.0質量部になるように調製する。これにより誘電体磁器の焼結性をより高めることができる。その組成は、Li2O=1~15モル、SiO2=40~60モル、BaO=15~35モル、およびCaO=5~25モルが好ましい。次に、得られたセラミックグリーンシートの主面上に矩形状の内部電極パターンを印刷して形成する。内部電極パターンとなる導体ペーストは、Niもしくはこれらの合金粉末を主成分金属とし、これに共材としてのセラミック粉末を混合し、有機バインダ、溶剤および分散剤を添加して調製する。また、セラミックグリーンシート上の内部電極パターンによる段差を解消するために、内部電極パターンの周囲にセラミックパターンを内部電極パターンと実質的に同一厚みで形成することが好ましい。この場合、セラミックパターンを構成するセラミック成分は、同時焼成での焼成収縮を同じにするという点でセラミックグリーンシートに用いた誘電体粉末を用いることが好ましい。次に、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを所望枚数重ねて、その上下に内部電極パターンを形成していないセラミックグリーンシートを複数枚、上下層が同じ枚数になるように重ねて仮積層体を形成する。仮積層体中における内部電極パターンは長寸方向に半パターンずつずらしてある。このような積層工法により切断後の積層体の端面に内部電極パターンが交互に露出されるように形成できる。なお、本実施形態のコンデンサは、セラミックグリーンシートの主面に内部電極パターンを予め形成した後に積層する工法の他に、セラミックグリーンシートを一旦下層側の機材に密着させた後に、内部電極パターンを印刷し、乾燥させ、印刷、乾燥された内部電極パターン上に、内部電極パターンを印刷していないセラミックグリーンシートを重ねて仮密着させ、セラミックグリーンシートの密着と内部電極パターンの印刷を逐次行う工法によっても形成できる。次に、仮積層体を上記仮積層時の温度圧力よりも高温、高圧の条件にてプレスを行い、セラミックグリーンシートと内部電極パターンとが強固に密着された積層体を形成する。次に、積層体を格子状に切断することにより内部電極パターンの端部が露出するコンデンサ本体成形体を形成する。次に、得られたコンデンサ本体成形体を脱脂した後、焼成する。焼成は、最高温度を1150~1230°C、保持時間を0.1~4時間とし、水素-窒素の雰囲気中にて行うことが望ましい。この後、900~1100°Cの温度範囲で再酸化処理を行うことによってコンデンサ本体1を得る。この後、必要に応じて、コンデンサ本体1の稜線部分の面取りを行うとともに、コンデンサ本体1の対向する端面から露出する内部電極層7を露出させるためにバレル研磨を施しても良い。焼成をこのような条件で行うことにより、誘電体層5を構成する結晶粒子9の平均粒径を0.15~0.35μmの範囲とし、結晶粒子9の結晶構造が正方晶系のコア部9aと、コア部を取り囲み前記バナジウム、マグネシウム、希土類元素REおよびマンガンのうち少なくとも1種の添加成分が固溶した立方晶系のシェル部9bとからなり、シェル部9bの厚みが10~20nmであるコンデンサ本体1を得ることができる。また、本実施形態のコンデンサを製造する場合に、得られたコンデンサ本体成形体を脱脂した後、水素-窒素雰囲気中、最高温度に達する前に、一旦、900~1000°Cの温度にて0.5~3時間ほど保持する熱処理工程を設けることが望ましい。このような熱処理工程を設けることにより結晶粒子9の二面間粒界相11aおよび三重点粒界相11bにおける希土類元素、マグネシウムおよびガラス成分の組成の差を小さくすることができ、これによりコンデンサの室温25°Cよりも高い温度約85°Cにおける静電容量のばらつきCVを小さくすることができる。ここで、静電容量のばらつきCVは、複数個の試料の静電容量の測定値を母数として求めた平均値xと標準偏差σの比σ/xで表される値である。上述したように、本実施形態のコンデンサは、誘電体層5を作製するのに、チタン酸バリウムを主成分とし、これに、バナジウム、マグネシウム、希土類元素RE、マンガンおよび焼結助剤の全成分を所定量被覆したものを用い、得られた生のコンデンサ本体成形体を昇温速度の高い焼成条件で焼成することにより、シェル部9bの平均厚みの小さい結晶粒子9を得ることができる。次に、このコンデンサ本体1の対向する端部に、外部電極ペーストを塗布して焼付けを行い外部電極3を形成する。また、場合によっては、この外部電極3の表面に実装性を高めるためにメッキ膜を形成する。こうして本発明のコンデンサを得ることができる。まず、原料粉末として、純度が99.9であり、Ba/Tiのモル比が1.005のチタン酸バリウム粉末以下、BT粉末というを準備した。次に、BT粉末の懸濁液に、アンモニア水をpH調整剤として用いて、pHを6~8の範囲になるようにした。次に、これに、リチウム水溶液、シリカゾル、炭酸バリウム水溶液、水酸化マグネシウム水溶液、水酸化カルシウム水溶液、バナジン酸アンモニウム水溶液、酢酸マンガン水溶液およびイットリウム,ジスプロシウム、ホルミウム,テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素の水溶液を、この順に、添加し混合してセラミックスラリを調製した。次に、このセラミックスラリを4流体ノズルを備えた噴霧乾燥機に投入し、4流体ノズルから直径が10μm以下の液滴を生成させ、200°C付近の温度で乾燥処理して、誘電体粉末の前駆体を作製し、次いで、この誘電体粉末の前駆体を400°Cにて加熱処理を行ってBT粉末の表面にバナジウム、マグネシウム、希土類元素、マンガンおよび焼結助剤の全成分が所定量被覆された誘電体粉末を調製した。焼結助剤は、SiO2=55,BaO=20,CaO=15,Li2O=10モル組成となるように組成を調整し、また、その焼結助剤の添加量はBT粉末100質量部に対して1質量部になるように調整した。また、バナジウム、マグネシウム、希土類元素およびマンガンを所定量被覆したBT粉末に対して、焼結助剤としてガラス粉末を添加した試料を作製した試料No.33。次に、得られた誘電体粉末を、ポリビニルブチラール樹脂と、トルエンおよびアルコールの混合溶媒中に投入し、直径1mmのジルコニアボールを用いて湿式混合してセラミックスラリを調製し、ドクターブレード法により厚み2μmのセラミックグリーンシートを作製した。次に、このセラミックグリーンシートの上面にNiを主成分とする導体ペーストを矩形状の内部電極パターンとなるように複数形成した。内部電極パターンを形成するための導体ペーストは、平均粒径が0.3μmのNi粉末100質量部に対してBT粉末を添加したものを用いた。次に、内部電極パターンを印刷したセラミックグリーンシートを200枚積層し、その上下面に内部電極パターンを印刷していないセラミックグリーンシートをそれぞれ20枚積層し、プレス機を用いて温度60°C、圧力107Pa、時間10分の条件で密着させて積層体を作製し、しかる後、この積層体を、所定の寸法に切断してコンデンサ本体成形体を形成した。次に、コンデンサ本体成形体を大気中で脱バインダ処理した後、水素-窒素中、昇温速度を2000°C/hとし、表1に示す温度で焼成してコンデンサ本体を作製した。この焼成では、ローラーハースキルンを用いて行った。また、昇温速度を500°C/hとした試料を作製した試料No.34。作製したコンデンサ本体は、続いて、窒素雰囲気中1000°Cで4時間再酸化処理を行った。このコンデンサ本体の大きさは2.05×1.28×1.28mm3、誘電体層の厚みは2.0μm、内部電極層の1層の有効面積は1.78mm2であった。なお、有効面積とは、コンデンサ本体の異なる端面にそれぞれ露出するように積層方向に交互に形成された内部電極層同士の重なる部分の面積のことである。次に、コンデンサ本体をバレル研磨した後、コンデンサ本体の両端部にCu粉末とガラスとを含んだ外部電極ペーストを塗布し、850°Cで焼き付けを行って外部電極を形成した。その後、電解バレル機を用いて、この外部電極の表面に、順にNiメッキ及びSnメッキを行い、積層セラミックコンデンサを作製した。次に、これらの積層セラミックコンデンサについて以下の評価を行った。室温25°Cにおける比誘電率は静電容量をLCRメータヒューレットパッカード社製を用いて、温度25°C、周波数1.0kHz、AC電圧を1.0V/μmとして測定し、誘電体層の厚みと内部電極層の有効面積から求めた。誘電損失も同LCRメータを用いて静電容量と同条件で測定した。また、静電容量の温度特性は静電容量を温度-55~85°Cの範囲で測定した。ACバイアス特性は、温度25°C、周波数1.0kHz、AC電圧0.01~3.5V/μmの条件において、交流AC電圧0.01V/μm印加時の静電容量をC1、温度25°C、周波数1.0kHz、AC電圧3.5V/μm印加時の静電容量をC2としたときに、C2-C1/C1×100から求めた。誘電体層を構成する結晶粒子の平均粒径は、焼成後のコンデンサ本体である試料の破断面を研磨した後、走査型電子顕微鏡を用いて内部組織の写真を撮り、その写真上で結晶粒子が30個入る円を描き、円内および円周にかかった結晶粒子を選択し、各結晶粒子の輪郭を画像処理し、各粒子の面積を求め、同じ面積を持つ円に置き換えたときの直径を算出し、その平均値より求めた。次に、コア部とシェル部とを有する結晶粒子がシェル部がコア部を取り囲むものであるか否かについては、元素分析器EDSを付設した透過電子顕微鏡を用いた分析によって確認した。分析した試料としては、積層セラミックコンデンサを加工して作製したTEM用の試料から平均粒径の±30の範囲にある結晶粒子を10~20個抽出した。元素分析を行う際の電子線のスポットサイズは1~3nmとし、分析する箇所は結晶粒子の表面である粒界から中央部までの領域とした。この場合、結晶粒子の表面である粒界から中央部にかけて5~10nm毎に希土類元素の濃度を求め、横軸を距離、縦軸を元素の濃度としたグラフを作成した。ここで、グラフにおいて、最も粒界側にある測定点から順番に3点とり、この3点を用いて近似直線を引き、その直線の傾きを表層部側の元素の濃度勾配とした。また、結晶粒子の粒界から30~100nmの範囲内にある測定点のうち最も結晶粒子の中央側にある測定点から順番に3点とり、この3点から近似直線を引き、その直線の傾きを中央部側の元素の濃度勾配とした。この場合、粒界側の元素の濃度勾配が0.15原子/nm以上であり、中央部側の元素の濃度勾配が0.5原子/nm以下である場合に、コアシェル構造となっているものとした。次に、結晶粒子を構成するコア部およびシェル部のそれぞれの結晶構造についてX線回折法により求めた。まず、誘電体層を粉砕した試料のX線回折パターンから、チタン酸バリウムの正方晶系を示す004面および400面の間に現れるチタン酸バリウムの立方晶系を示す004面040面、400面が重なっている。の回折強度が、チタン酸バリウムの正方晶系を示す400面および004面のうちのいずれか一方の回折強度と同等かもしくはそれよりも大きくなっているときに結晶粒子が正方晶系および立方晶系の結晶構造を有するものとした。そして、結晶粒子がコア部と、コア部を取り囲むシェル部とを有することを確認した透過電子顕微鏡による分析結果と、結晶粒子が正方晶系および立方晶系の結晶構造を有するものであることの結果とから、結晶粒子が、正方晶系のコア部と、コア部を取り囲む立方晶系のシェル部とを有するものであると判定した。次に、結晶粒子9が、正方晶系のコア部と、コア部を取り囲む立方晶系のシェル部とを有するものと判定したものについて結晶粒子のシェル部の厚みを以下の方法により求めた。結晶粒子のシェル厚みは、前述の数式1および数式2を用いて求めた。このとき、X線回折装置はPanalytical社製のX‘Pertproを用いた。このとき対象とする結晶粒子の結晶構造は、測定したX線回折パターンにおいて、選択したX線回折パターンが純粋な正方晶hklまたは立方晶hklの反射に比較してブロードになっており、ピーク位置の同定から正方晶hklおよび立方晶hklの反射が含まれているものを選択した。そして、回折ピークは、正方晶の002,200、立方晶の200を測定の対象とした。ビームの大きさは、縦方向に0.5mm、水平方向に5mmとした。波長は1.54982Åとした。誘電体磁器の測定は、ステップ幅を0.02°とし、1点あたりの計数時間を5.0秒とした。また、繰返し回数を10回とし、10回分の積算を回折強度とした。なお、評価においては、回折ピークからピーク分離ソフトPROFITを用いて以下の条件で正方晶の002,200、立方晶の200をピーク分離を行った。ピーク分離の条件は、バックグラウンド関数:0次多項式、放射光:Kα1、プロファイル関数:thepsedoVoigt関数、半値幅:すべての反射に対し異なる半値幅、プロファイルの対象性:対象、データ分解能:シャープ最小半値幅:約0.1°および解析範囲:44°<2θ<47°、とした。また、得られた焼結体である試料の組成分析はICPInductivelyCoupledPlasma分析および原子吸光分析により行った。この場合、得られた誘電体磁器を硼酸と炭酸ナトリウムと混合し溶融させたものを塩酸に溶解させて、まず、原子吸光分析により誘電体磁器に含まれる元素の定性分析を行い、次いで、特定した各元素について標準液を希釈したものを標準試料として、ICP発光分光分析にかけて定量化した。また、各元素の価数を周期表に示される価数として酸素量を求めた。なお、得られた積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層の組成は、表1に示した組成と一致した。調合組成および焼成条件を表1に、得られた積層セラミックコンデンサにおける誘電体層を構成する結晶粒子の平均粒径および誘電特性比誘電率、静電容量の温度特性、ACバイアス特性,誘電損失の結果を表2にそれぞれ示す。表1、2の結果から明らかなように、試料No.I-1~4,I-6~10,I-12,I-13,I-15~19,I-21~24,I-26~29およびI-31~34では、室温25°Cにおける比誘電率が3950以上であり、かつ静電容量の温度特性がX5R特性を満足するものとなった。また、試料No.I-2~4,I-6~10,I-12,I-13,I-16~19,I-22~24,I-27~29,I-31およびI-32では、室温25°Cにおける比誘電率が4500以上であり、かつ静電容量の温度特性がX5R特性を満足し、ACバイアス特性が30以下であり、さらに、誘電損失が5以下であった。特に、チタン酸バリウム100モルに対して、前記バナジウムをV2O5換算で0.04~0.1モル、前記マグネシウムをMgO換算で0.5~1.2モル、前記希土類元素REをRE2O3換算で0.3~0.48モルおよび前記マンガンをMnO換算で0.05~0.35モル含有する誘電体磁器を誘電体層とした試料No.No.I-2~3,I-6~10,I-12,I-13,I-16~19,I-22~24,I-27~29,I-31およびI-32では、室温25°Cにおける比誘電率を4500以上、静電容量の温度特性がX5R特性を満足し、ACバイアス特性が29.00以下であり、さらに、誘電損失が5以下であった。これに対して、試料No.I-5,I-11,I-14,I-20,I-25,I-30およびI-35では、室温25°Cにおける比誘電率が3950以上および静電容量の温度特性がX5R特性を満足すること、のいずれかの特性を満足しないものであった。次に、焼成工程において、作製したコンデンサ成形体を脱脂した後、最高温度にて焼成する前に、一旦、表3に示す温度にて1時間の熱処理を行った他は、全て実施例1と同様の方法により試料を作製し、同様の評価を行い、さらに、85°Cにおける静電容量を測定し、そのばらつきCVを求めた。静電容量のばらつきはそれぞれ32個の試料から求めた。また、誘電体磁器中の二面間粒界相および三重点粒界相における希土類元素、マグネシウムおよびケイ素の濃度は、透過電子顕微鏡に付設のX線マイクロアナライザーXMAによって求めた。この場合、分析に用いた試料は、作製した積層セラミックコンデンサの誘電体層から切り出した薄板状の誘電体磁器にイオンミリング加工を行ったものを用いた。分析する領域は、二面間粒界相および三重点粒界相を断面視したときに、少なくとも3個の結晶粒子の最大径が平均粒径の±20以内の範囲にある結晶粒子群からなる箇所を5箇所選択した。そして、X線マイクロアナライザーXMAを用いて、図3に示すように、二面間粒界相の位置S1および三重点粒界相の位置S2における希土類元素、マグネシウムおよびケイ素の濃度を求め、二面間粒界相における元素の濃度C1と三重点粒界相における元素の濃度C2との比C2/C1の平均値を求めた。このとき、分析する二面間粒界相の位置S1は粒界相の幅のほぼ中央とし、三重点粒界相の位置S2は三重点粒界相の中央とした。また、二面間粒界相の位置S1は三重点粒界相の位置S2を定めた位置から約50nm離れた位置とした。作製条件を表3に、誘電特性等の評価結果を表4に示す。なお、試料No.II-1~28は、いずれもコアシェル構造を有し、コア部は正方晶系であり、シェル部は立方晶系であることを確認した。表3、4の結果から明らかなように、作製した試料試料NoII-1~28は、いずれも実施例1の方法にて作製した試料と同様に、室温25°Cにおける比誘電率が3950以上であり、かつ静電容量の温度特性がX5R特性を満足するものであった。また、ACバイアス特性は30以下であり、誘電損失は5以下であった。この中で、製造中に、得られたコンデンサ本体成形体を脱脂した後、水素-窒素雰囲気中、最高温度に達する前に、表3に示す温度にて保持する熱処理工程を加えて作製した積層セラミックコンデンサの試料試料No.II-1~23、25~28は、熱処理工程を設けずに焼成した試料試料No.II-24に比較して、静電容量のばらつきCVがいずれも2以下と小さく、特に、熱処理工程の温度を900~1000°Cとした試料試料No.II-1~21、25~28では、静電容量のばらつきCVがいずれも1.5以下であった。"