"NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層と、ZnOを主成分とするn型半導体層とが接合されたフォトダイオードにおいて、前記p型半導体層は、希土類元素を含有していることを特徴とするフォトダイオード。前記希土類元素の含有量は、前記主成分100モルに対し0.001~1モルであることを特徴とする請求項1記載のフォトダイオード。前記希土類元素は、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYbの中から選択された少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のフォトダイオード。請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のフォトダイオードを備えていることを特徴とする紫外線センサ。前記フォトダイオードを構成するp型半導体層には、希土類元素とNiとを含有した複合酸化物を主成分とする内部電極が埋設されていることを特徴とする請求項4記載の紫外線センサ。しかしながら、特許文献1では、Ni,ZnO層のキャリア濃度が低く、Ni,ZnO層の比抵抗が高いため、入射光量に対し微弱な光電流しか検知することができず、光電変換効率が低い。このため、特許文献1では、外部に電源回路を設け、抵抗値の変化により紫外線を検知せざるを得なかった。すなわち、特許文献1では、外部に電源回路を設け、紫外線強度を抵抗値の変化として検出しなければならないため、電源回路の搭載スペースを確保する必要があり、デバイスの大型化を招くという問題があった。本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、光電変換効率を向上させることにより、外部に電源回路を設けることなく、直接光電流として紫外光を検知できるフォトダイオード、及びこれを使用した紫外線センサを提供することを目的とする。本発明者は上記目的を達成するために、p型の酸化物半導体としてNi,ZnOを使用し、n型の酸化物半導体としてZnOを使用して鋭意研究を行ったところ、Ni,ZnOに微量の希土類元素を含有させてp型半導体層を形成することにより、光電変換効率を向上させることができるという知見を得た。本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るフォトダイオードは、NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層と、ZnOを主成分とするn型半導体層とが接合されたフォトダイオードにおいて、前記p型半導体層は、希土類元素を含有していることを特徴としている。また、本発明のフォトダイオードは、前記希土類元素の含有量が、前記主成分100モルに対し0.001~1モルであるのが好ましい。さらに、本発明のフォトダイオードは、前記希土類元素が、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYbの中から選択された少なくとも1種を含むのが好ましい。また、本発明に係る紫外線センサは、上記いずれかに記載のフォトダイオードを備えていることを特徴としている。また、本発明の紫外線センサは、前記フォトダイオードを構成するp型半導体層には、希土類元素とNiとを含有した複合酸化物を主成分とする内部電極が埋設されているのが好ましい。本発明のフォトダイオードによれば、NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層と、ZnOを主成分とするn型半導体層とが接合された紫外線フォトダイオードにおいて、希土類元素例えば、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYb等が、前記p型半導体層に含有されているので、3価のNiイオンが発生してキャリア濃度が増加し、半導体化が促進され、比抵抗が低下する。このように半導体化が促進されることによってn型半導体層との接合界面に障壁が形成され、空乏層が形成される。また、上述したようにキャリア濃度が増加することから空乏層の厚みも増加し、これにより光電変換効率が向上する。また、希土類元素の含有量を、前記主成分100モルに対し0.001~1モルとすることにより、結晶粒界や粒子表面に異相が偏析したり、不要な酸素欠陥や不純物ドナーが形成されることもなく、より良好な光電変換効率を有するフォトダイオードを得ることができる。また、本発明の紫外線センサによれば、上記いずれかに記載のフォトダイオードを備えているので、大きな光電流を発生させることができ、光電流を抵抗値の変化で検出しなくても、光電流を直接検知することが可能となる。したがって、従来のように外部に電源回路を設けて紫外線強度の抵抗値の変化で検出する必要がなく、所望の大きな光電流を直接検知することが可能な紫外線センサを得ることができる。また、前記フォトダイオードを構成するp型半導体層には、希土類元素とNiとを含有した複合酸化物を主成分とする内部電極が埋設されているので、より微量の希土類元素をp型半導体層に含有させることで光電変換効率を向上させることが可能となる。すなわち、内部電極を前記複合酸化物で形成することにより、焼成過程中では、僅かではあるが希土類元素をp型半導体層中に拡散させることができ、これにより、より微量の希土類元素をp型半導体層に含有させるだけで光電変換効率を向上させることが可能となる。次に、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら詳説する。図1は、本発明に係る紫外線センサの一実施の形態を模式的に示す断面図である。この紫外線センサは、NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層1と、ZnOを主成分とするn型半導体層2とを有し、n型半導体層2は、p型半導体層1の表面の一部が露出した形態でp型半導体層1に接合されている。そして、p型半導体層1とn型半導体層2とでフォトダイオード3を形成している。p型半導体層1には内部電極4が埋設されると共に、該p型半導体層1の両端には第1及び第2の端子電極5a、5bが形成されている。すなわち、p型半導体層1の上部には、一端が表面露出するように内部電極4が埋設されており、第1の端子電極5aは、内部電極4と電気的に接続されるようにp型半導体層1の一方の端部に形成されている。また、第2の端子電極5bは、n型半導体層2と電気的に接続されるようにp型半導体層1の他方の端部に形成されている。また、第1及び第2の端子電極5a、5bは、Ag等からなる外部電極の表面にNi等からなる第1のめっき皮膜及びSn等からなる第2のめっき皮膜が順次形成されている。このように構成された紫外線センサでは、矢印Aに示すように紫外線が照射され、n型半導体層2とp型半導体層1との接合界面6に形成される空乏層に紫外光が当たると、キャリアが励起されて光電流が生じ、この光電流を検知することにより紫外線強度を検出することができる。そして、p型半導体層1は、下記一般式Aに示すように、主成分がNiOとZnOとの固溶体からなるNi1xZnxO以下、Ni,ZnOと表記する。で形成され、かつ希土類元素Rが酸化物形態で含有されている。100Ni,ZnOαRO32...Aこのようにp型半導体層1中に希土類元素Rを含有させることにより、3価のNiイオンが発生してキャリア濃度が増加し、半導体化が促進され、比抵抗が低下する。このように半導体化が促進されることによってn型半導体層2との接合界面6に障壁が形成され、空乏層が形成される。また、上述したようにキャリア濃度が増加することから空乏層の厚みも増加し、これにより光電変換効率が向上する。そして、このような希土類元素Rとしては、特に限定されるものではなく、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYb等を使用することができるが、経済的な観点から安価なLaを好んで使用することができる。また、希土類元素Rの含有量も、特に限定されるものではないが、主成分100モルに対し0.001~1モルが好ましい。希土類元素の含有量が主成分100モルに対し0.001モル未満の場合は、含有量が過少であるため3価のNiの増加作用を発揮することができない。一方、希土類元素の含有量が主成分100モルに対し1モルを超えると、希土類元素の含有量が過剰となってRNiO3等の異相が結晶粒界は粒子表面に偏析したり、酸素欠陥や不純物ドナーを生成し、低抵抗化を阻害するおそれがある。尚、上記一般式A中、Znの配合モル比xは、良好な感度を安定して得る観点からは、0.2≦x≦0.4が好ましい。これはxが0.2未満になると、Niの含有量が過剰となって高抵抗化するおそれがあり、一方、xが0.4を超えると、Znの含有量が過剰となってZnO粒子が結晶粒界に析出し、n型に半導体化してしまうおそれがあるからである。また、n型半導体層2は、ZnOを主成分とし、ドープ剤として微量のAl、Co、In、Ga等が含有されている。そして、斯かるドープ剤を含有することにより導電性が付与され、n型に半導体化される。尚、n型半導体層2には、その他の微量の添加物が含まれていてもよく、例えば、拡散剤として、Fe、Ni、Mn等を含有していてもよい。また、不純物として微量のZr、Si等を含有していても特性に影響を与えるものではない。内部電極4を構成する材料は、特に限定されるものではなく、PdやPt等も使用可能であるが、以下の理由により希土類元素RとNiを主成分とした一般式RNiO3で表されるペロブスカイト型構造の酸化物や一般式R2NiO4で表される酸化物を含有する複合酸化物を使用するのが好ましい。すなわち、焼成過程において、希土類元素Rは、Niに比べるとNi,ZnO側に拡散し難いものの、僅かではあるがNi,ZnO側に拡散する。その結果、焼成後のp型半導体層1は、Ni,ZnOに極微量の希土類元素Rが添加されたのと略同等の作用を奏することとなる。したがって、Ni,ZnOに対しては、より微量の希土類元素を添加するのみで、p型半導体層1の低抵抗化の促進が可能となる。しかも、Pt、Pd等の高価な貴金属材料を使用しなくて済むので、高価格化を抑制することが可能となる。以上の理由から希土類元素RとNiを主成分とした上記複合酸化物で内部電極4を形成するのが好ましい。そしてこのような希土類元素としては、p型半導体層1に添加される希土類元素Rと同様の元素Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb等を使用することができる。次に、内部電極材料に上記複合酸化物を使用する場合について、上記紫外線センサの製造方法を詳述する。ZnO焼結体の作製ZnO粉末、各種ドープ剤、必要に応じて拡散剤等の添加物を用意し、所定量秤量する。そして、これら秤量物に純水等の溶媒を加え、PSZ部分安定化ジルコニア等の玉石を粉砕媒体とし、ボールミルを使用して十分に湿式で混合粉砕し、スラリー状混合物を得る。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥した後、所定粒径に造粒し、その後、所定温度で約2時間仮焼し、仮焼粉末を得る。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体とし、ボールミルを使用して十分に湿式で粉砕し、スラリー状粉砕物を得る。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、純水、分散剤、バインダ、可塑剤等を添加して成形用スラリーを作製する。そしてこの後、このドクターブレード法等の成形加工法を使用して成形用スラリーに成形加工を施し、所定膜厚のZnOグリーンシートを作製する。次いでこのZnOグリーンシートを所定枚数積層し、圧着して圧着体を作製する。その後、この圧着体を脱脂した後、焼成し、これによりZnO焼結体を得る。Ni,ZnOグリーンシートの作製NiO粉末、ZnO粉末、及び所定の希土類酸化物を用意する。そして、Znの配合モル比xが0.2~0.4となるようにNiO粉末及びZnO粉末を秤量し、さらに好ましくは主成分100モルに対し0.001~1モルとなるように希土類酸化物を秤量する。そしてこの秤量物に純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で十分に湿式で混合粉砕し、スラリー状混合物を得る。次いで、この混合物を脱水乾燥し、所定粒径に造粒した後、所定温度で約2時間仮焼し、仮焼粉末を得る。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で十分に湿式で粉砕し、スラリー状粉砕物を得る。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、有機溶剤、分散剤、バインダ及び可塑剤等を加えて成形用スラリーを作製する。次いで、ドクターブレード法等の成形加工法を使用して成形用スラリーを成形加工し、これにより所定膜厚のNi,ZnOグリーンシートを得る。内部電極形成用ペーストの作製NiO粉末及びR2O3粉末R:希土類元素を、モル比で21となるように秤量し、この秤量物に純水等の溶媒を添加し、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で湿式で十分に混合粉砕し、スラリー状混合物を得る。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、所定粒径に造粒した後、所定温度で約2時間仮焼し、仮焼粉末を得る。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で十分に湿式で粉砕し、スラリー状粉砕物を得る。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥し、一般式RNiO3や一般式R2NiO4で表される酸化物を含有した複合酸化物粉末を得る。そして、得られた複合酸化物粉末を有機ビヒクルと混合し、三本ロールミルで混練し、これにより内部電極形成用ペーストを作製する。尚、有機ビヒクルは、バインダ樹脂が有機溶剤に溶解されてなり、バインダ樹脂と有機溶剤とは、例えば体積比率で、1~3:7~9となるように調製されている。バインダ樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、エチルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、アクリル樹脂、アルキド樹脂、又はこれらの組み合わせを使用することができる。また、有機溶剤についても特に限定されるものではなく、α―テルピネオール、キシレン、トルエン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等を単独、或いはこれらを組み合わせて使用することができる。成形体の作製成形体の作製方法を図2を参照しながら説明する。まず、所定枚数のNi,ZnOグリーンシート7a、7b、7c、...7nを用意し、そのうちの1枚のNi,ZnOグリーンシート7bの表面に上述した内部電極形成用ペーストを塗付し、導電膜8を形成する。次に、導電膜の形成されていない所定枚数のNi,ZnOグリーンシート7c~7nを積層し、その上に導電膜8が形成されたNi,ZnOグリーンシート7bを積層し、さらに、その上に導電膜の形成されていないNi,ZnOグリーンシート7aを積層し、圧着して成形体を作製する。p型半導体層1の作製上述のようにして作製された成形体を十分に脱脂した後、1200°C前後の温度で約5時間焼成し、導電膜8とNi,ZnOグリーンシート7a~7nとを同時焼成し、これにより内部電極4が埋設されたp型半導体層1を得る。端子電極5a、5bの作製p型半導体層1の両端部に外部電極形成用ペーストを塗布して焼付け処理を行い、これにより外部電極を形成する。ここで、外部電極形成用ペーストの導電性材料としては、良好な導電率を有するものであれば、特に限定されるものではなく、Ag、Ag-Pd等を使用することができる。そしてその後、電解めっきを施し、第1のめっき皮膜及び第2のめっき皮膜からなる二層構造のめっき皮膜を形成し、これにより第1及び第2の端子電極5a、5bを形成する。n型半導体層2の形成ZnO焼結体をターゲットとし、所定の開口部を有する金属マスクを介してスパッタリングを行い、p型半導体層1の一部が表面露出し、かつ第2の端子電極5bと電気的に接続されるように、ZnO系薄膜からなるn型半導体層2をp型半導体層1の表面に形成し、これにより紫外線センサを得る。このように本実施の形態によれば、希土類元素が、p型半導体層1に含有されているので、3価のNiイオンが発生してキャリア濃度が増加し、半導体化が促進され、比抵抗が低下する。このように半導体化が促進されることによってn型半導体層2との接合界面6に障壁が形成され、空乏層が形成される。そして、キャリア濃度が増加することから空乏層の厚みも増加し、これにより光電変換効率が向上する。しかも、希土類元素Rの含有量を、主成分100モルに対し0.001~1モルとすることにより、結晶粒界や粒子表面に異相が偏析したり、不要な酸素欠陥や不純物ドナーが形成されることもなく、より良好な光電変換効率を有するフォトダイオードを得ることができる。したがって、従来の紫外線センサのように、外部に電源回路を設けて紫外線強度の抵抗値の変化で検出する必要がなく、所望の大きな光電流を直接検知することが可能な紫外線センサを得ることができる。尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態では、複合酸化物を含有した内部電極形成用ペーストを作製し、該内部電極形成用ペーストをNi,ZnOグリーンシートの表面に塗付し、その後焼成することにより、内部電極4を形成しているが、内部電極形成用ペースト中にNiを含めることなく、主成分が希土類酸化物R2O3で構成された希土類ペーストを作製し、焼成処理中にNi,ZnOグリーンシート中のNiを、希土類膜側に拡散させることによっても所望の内部電極を形成することができる。次に、本発明の実施例を具体的に説明する。試料の作製ZnO焼結体の作製主成分となるZnOとドープ剤としてのGa2O3とを、配合比がそれぞれ99.9モル、0.1モルとなるように秤量した。そして、これら秤量物に純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で混合粉砕し、平均粒径0.5μm以下のスラリー状混合物を得た。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、50μmの程度の粒径となるように造粒した後、1200°Cの温度で2時間仮焼し、仮焼粉末を得た。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で混合粉砕し、平均粒径0.5μmのスラリー状粉砕物を得た。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、純水及び分散剤を加えて混合し、さらにバインダ及び可塑剤を加えて成形用スラリーを作製し、ドクターブレード法を使用して厚みが20μmのグリーンシートを作製した。次いで、このグリーンシートを厚みが20mmとなるように所定枚数積層し、250MPaの圧力で5分間圧着処理を施し、圧着体を得た。次いで、この圧着体を脱脂した後、1200°Cの温度で20時間焼成し、ZnO焼結体を得た。Ni,ZnOグリーンシートの作製NiO粉末及びZnO粉末を、モル比で7:3となるように秤量し、さらに、希土類酸化物としてのLa2O3、Pr6O11、Sm2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Yb2O3、及びY2O3を元素換算で表1の含有量となるように秤量した。次いで、これら秤量物に純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミルで混合粉砕し、スラリー状混合物を得た。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、50μmの程度の粒径となるように造粒した後、1200°Cの温度で2時間仮焼し、仮焼粉末を得た。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で粉砕し、平均粒径0.5μmのスラリー状粉砕物を得た。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、有機溶剤及び分散剤を加えて混合し、さらにバインダ及び可塑剤を加えて成形用スラリーを作製した。そして、ドクターブレード法を使用し、この成形用スラリーに成形加工を施し、膜厚10μmのNi,ZnOグリーンシートを得た。内部電極形成用ペーストNiO粉末及び希土類酸化物としてのLa2O3粉末を、モル比で2:1となるようにそれぞれ秤量し、この秤量物に純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で混合粉砕し、スラリー状混合物を得た。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、50μmの程度の粒径となるように造粒した後、1200°Cの温度で2時間仮焼し、仮焼粉末を得た。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で粉砕し、平均粒径0.5μmのスラリー状粉砕物を得た。そして、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥し、LaNiO3粉末を得た。その後、得られたLaNiO3粉末を、有機ビヒクルと混合させ、三本ロールミルで混練し、これにより試料番号1~13用の内部電極形成用ペーストを作製した。尚、有機ビヒクルは、バインダー樹脂としてエチルセルロース樹脂30体積、有機溶剤としてα―テルピネオール70体積となるようにエチルセルロース樹脂とα―テルピネオールとを混合し、作製した。また、市販のPd粉末を使用してPdペーストを作製し、試料番号14、15用の内部電極形成用ペーストとした。成形体の作製NiZnOグリーンシートのうちの1枚について、内部電極形成用ペーストを表面にスクリーン印刷して塗付し、60°Cの温度で1時間乾燥させ、所定パターンの導電膜を形成した。次いで、導電膜の形成されていないNiZnOグリーンシートを20枚積層し、その上に導電膜が形成されたNiZnOグリーンシートを積層し、さらに、その上に導電膜の形成されていないNi,ZnOグリーンシートを1枚順次積層した。そして、これらを20MPaの圧力で圧着した後、2.5mm×1.5mmの寸法に切断し、これにより成形体を作製した。p型半導体層の作製成形体を300°Cの温度でゆっくりとかつ十分に脱脂した後、1200°Cの温度で1時間大気中で焼成し、これによりp型半導体層を得た。端子電極の作製p型半導体層の両端部にAgペーストを塗付して800°Cの温度で10分間焼付け処理を行い、第1及び第2の外部電極を作製した。そして、この第1及び第2の外部電極の表面に電解めっきを施してNi皮膜及びSn皮膜を順次形成し、これにより第1及び第2の端子電極を作製した。n型半導体層の形成ZnO焼結体をターゲットとし、p型半導体層の一方の主面の一部を覆い、かつ第2の端子電極の一部と重なり合うように金属マスクを使用してスパッタリングを行い、厚みが約0.5μmの所定パターンを有するn型半導体層を作製し、これにより試料番号1~15の試料を得た。試料の評価試料番号1~15の各試料は、図3に示すように、いずれもp型半導体層31に内部電極32が埋設されると共に、前記p型半導体層31の両端には第1及び第2の端子電極33a、33bが形成され、かつp型半導体層31の表面にはn型半導体層34が接合されている。そして、第1及び第2の端子電極33a、33bを抵抗35を介して電流計36に接続した。これらの各試料について、分光器を備えた紫外線光源から特定波長の紫外光を、暗室で矢印Bに示すように、n型半導体層34側の外表面に照射し、電流計36で第1及び第2の端子電極33a,33b間に流れる電流を計測し、最大感度波長及び感度波長範囲を計測した。次いで、各試料について、第1及び第2の端子電極33a、33b間にデジタルエレクトロメータアドバンテスト社製TR8652を介装させ、デジタルエレクトロメータを用いて試料に印加する電圧値を変化させ、その時の電流値を測定することで、非照射時及び各試料の最大感度波長の光照射時の電圧-電流特性以下、V-I特性という。を計測した。図4はV-I特性の概念図である。図中、横軸が電圧V、縦軸が電流μAであり、Xが非照射時のV-I特性、Yが光照射時のV-I特性を示している。そして、非照射時のV-I特性から、p型半導体層側を極として各試料に-0.5Vを印加した時の電流値を暗電流IDとして求め、光照射時のV-I特性から開放電圧VOCI=0のときの電圧、及び短絡電流ISCV=0のときの電流を求めた。また、各最大感度波長での入射光量に対する光電流、すなわち受光感度Sを求めた。尚、光の照射強度は、1mW/cm2とし、測定温度は、25°C±1°Cとなるように制御した。表1は、試料番号1~15の各試料における希土類酸化物の材料種及び含有量、内部電極材料、受光感度S、開放電圧VOC、短絡電流ISC、暗電流ID、最大感度波長、及び感度波長範囲をそれぞれ示している。試料番号1は、希土類元素が含まれていないため、受光感度が0.04mA/mWと低く、光電変換効率に劣ることが分かった。試料番号14も、試料番号1と同様、希土類元素が含まれておらず、しかも、内部電極材料にPdを使用しているため、光電流を直接電流計で検知することもできなかった。これは、Pdの場合、焼成時に酸素放出作用が生じて結晶粒界や表面に強固な酸化層が形成されるため、p型半導体層の見掛け上の比抵抗が上昇し、このため検出電流以下の微弱な光電流しか検出できなかったものと思われる。これに対し試料番号2~13は、p型半導体層に希土類元素が含有されているので、暗電流IDが低下する一方で短絡電流ISCが増加し、受光感度Sも上昇し、光電変換効率が向上することが分かった。また、試料番号2~6から分かるように、希土類元素Rの含有量に応じて最大感度波長も変動し、前記含有量が増加するのに伴い、ZnOに由来する370nm近傍の光吸収感度が高くなった。また、試料番号15は、内部電極材料にPdを使用しているものの、p型半導体層中には主成分100モルに対し1.0モルのLaが含有されているため、受光感度Sは0.14mA/mWと良好な結果を得た。ただし、試料番号6のように希土類元素RであるLaを主成分100モルに対し10モル含有させた場合は、短絡電流ISCが低下する一方で暗電流IDが増加し、受光感度Sも低下した。これは、Laの含有量が多いため、結晶粒界や粒子表面にLaNiO3等の異相が偏析し、酸素欠陥や不純物であるドナーが生成されて光電変換効率の向上を阻害したためと思われる。したがって、p型半導体層中の希土類元素Rの含有量としては、主成分100モルに対し0.001~1モルの範囲が好ましいことが分かった。尚、試料番号4~6のように希土類元素Rの含有量が主成分100モルに対し0.1モルを超えると、最大感度波長であるZnO由来の370nmよりも低いNi,ZnO由来の300nm近傍でも第2の波長ピークが生じることが確認された。"