"多チャネルの面発光型のレーザアレイに含まれる全てのチャネルのうち少なくとも第1チャネルに隣接する1または複数の第2チャネルでの発熱による前記第1チャネルの温度上昇量を導出する上昇温度導出部と、前記上昇温度導出部で導出された温度上昇量に基づいて、前記レーザアレイをチャネルごとに独立に駆動可能な電流源から前記第1チャネルに出力された電流パルスの波形を補正する第1補正部とを備えた補正回路。前記上昇温度導出部は、前記第1チャネルと前記第2チャネルとの距離に応じた大きさの熱抵抗Rおよび熱容量Cを、前記第2チャネルごとに有する第1RC時定数回路を有し、前記熱抵抗Rと、前記熱容量Cと、前記第2チャネルに流れる電流の大きさに対応する熱流Wとに基づいて、前記温度上昇量を導出する請求項1に記載の補正回路。前記第1補正部は、周囲温度と、前記第1チャネルに出力された電流量とに基づいて、前記温度上昇量を補正する請求項2に記載の補正回路。前記レーザアレイは、周囲温度を検出する温度検出素子を有し、前記第1補正部は、前記温度検出素子から得られた周囲温度と、前記第1チャネルに出力された電流量とに基づいて、前記温度上昇量を補正する請求項3に記載の補正回路。前記第1補正部によって補正された後の電流パルスの波形を、前記第1チャネルの光出力のパルス波形が矩形に近づくように補正する第2補正部をさらに備えた請求項1に記載の補正回路。前記第2補正部は、前記電流パルスの波高値を経時的に減衰させる複数の第1時定数回路を含み、各第1時定数回路のRC時定数は、互いに異なっており、前記複数の第1時定数回路のうち少なくとも1つの第2時定数回路のRC時定数は、20nsec以上50nsec以下の範囲内の値となっており、前記複数の第1時定数回路のうち前記第2時定数回路以外の1または複数の第3時定数回路のRC時定数は、50nsecを超える値となっている請求項5に記載の補正回路。各チャネルは、一対の多層膜反射鏡で活性層を挟み込んだ垂直共振器構造を有し、前記第2補正部は、前記電流パルスの波形を、前記電流パルスの波高値が前記活性層の温度変動に対応して変動するように補正する請求項6に記載の補正回路。前記第2補正部は、前記電流パルスの波高値のピークを調整する複数の第4時定数回路を含み、各第4時定数回路のRC時定数は、互いに異なっており、前記複数の第4時定数回路のうち少なくとも1つの第5時定数回路のRC時定数は、20nsec以上50nsec以下の範囲内の値となっており、前記複数の第4時定数回路のうち前記第5時定数回路以外の1または複数の第6時定数回路のRC時定数は、50nsecを超える値となっている請求項7に記載の補正回路。前記第2補正部は、補正電流の時間変化を与える第7時定数回路と、補正電流の初期値に相当する各パルス開始時の最大電流量を与える第8時定数回路とを含んで構成され、前記第1補正部によって補正された後の電流パルスの波形を、当該電流パルスの波高値が前記第7時定数回路および前記第8時定数回路のRC時定数に応じて経時的に飽和するように補正する請求項5に記載の補正回路。前記第7時定数回路および前記第8時定数回路のRC時定数は、1μsec以上3μsec以下の範囲内の値となっている請求項9に記載の補正回路。各チャネルは、一対の多層膜反射鏡で活性層を挟み込んだ垂直共振器構造を有し、前記第2補正部は、前記電流パルスの波形を、前記電流パルスの波高値が前記活性層の温度変動に対応して変動するように補正する請求項10に記載の補正回路。前記第2補正部は、前記最大電流量を、周囲温度、前記第1補正部によって補正された後の電流量および前記活性層の温度変動に応じて変化させる請求項9に記載の補正回路。多チャネルの面発光型のレーザアレイをチャネルごとに独立に駆動可能な電流源と、前記電流源から出力された電流パルスの波形を補正する補正回路とを備え、前記補正回路は、前記レーザアレイに含まれる全てのチャネルのうち少なくとも第1チャネルに隣接する1または複数の第2チャネルでの発熱による前記第1チャネルの温度上昇量を導出する上昇温度導出部と、前記上昇温度導出部で導出された温度上昇量に基づいて、前記レーザアレイをチャネルごとに独立に駆動可能な電流源から前記第1チャネルに出力された電流パルスの波形を補正する補正部とを有する駆動回路。多チャネルの面発光型のレーザアレイと、前記レーザアレイを駆動する駆動回路とを備え、前記駆動回路は、多チャネルの面発光型のレーザアレイをチャネルごとに独立に駆動可能な電流源と、前記電流源から出力された電流パルスの波形を補正する補正回路とを有し、前記補正回路は、前記レーザアレイに含まれる全てのチャネルのうち少なくとも第1チャネルに隣接する1または複数の第2チャネルでの発熱による前記第1チャネルの温度上昇量を導出する上昇温度導出部と、前記上昇温度導出部で導出された温度上昇量に基づいて、前記レーザアレイをチャネルごとに独立に駆動可能な電流源から前記第1チャネルに出力された電流パルスの波形を補正する補正部とを有する発光装置。多チャネルの面発光型のレーザアレイに含まれる全てのチャネルのうち少なくとも第1チャネルに隣接する1または複数の第2チャネルでの発熱による前記第1チャネルの温度上昇量を導出する上昇温度導出ステップと、前記上昇温度導出ステップで導出された温度上昇量に基づいて、前記レーザアレイをチャネルごとに独立に駆動可能な電流源から前記第1チャネルに出力された電流パルスの波形を補正する補正ステップとを含む電流パルス波形の補正方法。特許文献1に記載の方法では、補正電流量は、レーザ素子の温度上昇に伴う閾値上昇と同じ値としている。しかし、実際の半導体レーザでは、温度上昇や注入電流よってスロープ効率が変化するので、補正すべき電流量は閾値の変化以上になるはずである。特に、面発光型の半導体レーザでは、温度変化による閾値の変化はほとんど無く、逆にスロープ効率の変化は大きいので、スロープ効率の変動分を考慮して補正電流量を決定しなければならない。つまり、特許文献1に記載の方法では、面発光型のレーザアレイにおける熱的なクロストークを改善することはできない。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、面発光型のレーザアレイにおける熱的なクロストークの影響を緩和することの可能な補正回路ならびにこれを備えた駆動回路および発光装置を提供することにある。また、第2の目的は、面発光型のレーザアレイにおける熱的なクロストークを改善することの可能な電流パルス波形の補正方法を提供することにある。本発明による補正回路は、上昇温度導出部と、第1補正部とを備えたものである。上昇温度導出部は、多チャネルの面発光型のレーザアレイに含まれる全てのチャネルのうち少なくとも第1チャネルに隣接する1または複数の第2チャネルでの発熱による第1チャネルの温度上昇量を導出するようになっている。第1補正部は、上昇温度導出部で導出された温度上昇量に基づいて、レーザアレイをチャネルごとに独立に駆動可能な電流源から第1チャネルに出力された電流パルスの波形を補正するようになっている。本発明による駆動回路は、多チャネルの面発光型のレーザアレイをチャネルごとに独立に駆動可能な電流源と、電流源から出力された電流パルスの波形を補正する補正回路とを備えたものである。この駆動回路に含まれる補正回路は、上記の補正回路と同一の構成要素を有している。本発明による発光装置は、多チャネルの面発光型のレーザアレイと、レーザアレイを駆動する駆動回路とを備えたものである。この発光装置に含まれる駆動回路は、上記の駆動回路と同一の構成要素を有している。本発明による電流パルス波形の補正方法は、以下の2つのステップを含むものである。A多チャネルの面発光型のレーザアレイに含まれる全てのチャネルのうち少なくとも第1チャネルに隣接する1または複数の第2チャネルでの発熱による第1チャネルの温度上昇量を導出する上昇温度導出ステップB上昇温度導出ステップで導出された温度上昇量に基づいて、レーザアレイをチャネルごとに独立に駆動可能な電流源から第1チャネルに出力された電流パルスの波形を補正する補正ステップ本発明による補正回路、駆動回路、発光装置、および電流パルス波形の補正方法では、第1チャネルの周囲にある第2チャネルでの発熱による第1チャネルの温度上昇量に基づいて、電流源から第1チャネルに出力された電流パルスの波形が補正される。これにより、レーザアレイの光出力を、熱的なクロストークの影響を受けていないときの光出力に近づけることができる。本発明による補正回路、駆動回路、発光装置、および電流パルス波形の補正方法によれば、レーザアレイの光出力を、熱的なクロストークの影響を受けていないときの光出力に近づけることができるようにしたので、面発光型のレーザアレイにおける熱的なクロストークの影響を緩和することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.実施の形態熱的なクロストークの影響を緩和する回路が設けられている例2.変形例波長デチューニングに起因する光出力の波形鈍りを低減する回路が設けられている例ドループに起因する光出力の低下を低減する回路が設けられている例3.適用例上記各実施の形態の発光装置が印刷装置の光源として用いられている例上記各実施の形態の発光装置が光通信装置の光源として用いられている例<1.実施の形態>[半導体レーザアレイ1の構成]図1は、一実施の形態に係る半導体レーザアレイ1の上面図を表すものである。なお、図1は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。この半導体レーザアレイ1は、複数の面発光型のレーザ素子10を集積したものである。半導体レーザアレイ1において、個々のレーザ素子10はチャネルと呼ばれる。図1に示したように4つのレーザ素子10が設けられている場合には、半導体レーザアレイ1は4チャネルのレーザアレイと呼ばれる。各レーザ素子10は、各レーザ素子10から射出されるレーザ光の光軸間の距離が互いに極力近づくように表面上に配置されている。例えば、各レーザ素子10は、図1に示したように、横一列に配置されている。なお、図示しないが、各レーザ素子10が、格子状に配置されていてもよい。また、図1には、4つのレーザ素子10が配置されている場合が例示されているが、2つのレーザ素子10だけが配置されていてもよいし、3つのレーザ素子10が配置されていてもよいし、5つ以上のレーザ素子10が配置されていてもよい。なお、以下では、4つのレーザ素子10が配置されているものとして、半導体レーザアレイ1の説明を行うものとする。各レーザ素子10は、例えば、図示しない共通の基板上に結晶成長により形成されたものである。なお、各レーザ素子10が、図示しない共通の基板上に、貼り合わせにより配置されたものであってもよい。レーザ素子10は、例えば、一対の多層膜反射鏡で活性層を挟み込んだ柱状の垂直共振器構造を有している。活性層は、例えば、赤色系の材料例えば、GaInPまたはAlGaInPを含んで構成されている。なお、活性層は、他の材料によって構成されていてもよく、例えば、赤外系の材料例えば、GaAsまたはAlGaAsを含んで構成されていてもよい。レーザ素子10は、例えば、垂直共振器構造の上面に、開口11Aを有する環状の上部電極11を有しており、開口11Aからレーザ光を射出するようになっている。レーザ素子10は、さらに、垂直共振器構造に隣接して電極パッド12を有しており、上部電極11と電極パッド12とを互いに電気的に接続する接続部13を有している。半導体レーザアレイ1は、レーザ素子10の他に、温度検出素子20を有している。温度検出素子20は、例えば、レーザ素子10と共通の基板図示せず上に設けられており、例えば、レーザ素子10と共通の基板上に結晶成長により形成されたものである。なお、温度検出素子20が、レーザ素子10と共通の基板上に、貼り合わせにより配置されたものであってもよい。温度検出素子20は、例えば、レーザ素子10と同様に、一対の多層膜反射鏡で活性層を挟み込んだ柱状の垂直共振器構造を有している。温度検出素子20の活性層は、例えば、レーザ素子10の活性層と同一材料からなり、例えば、赤色系の材料例えば、GaInPまたはAlGaInPを含んで構成されている。なお、温度検出素子20の活性層は、他の材料によって構成されていてもよく、例えば、赤外系の材料例えば、GaAsまたはAlGaAsを含んで構成されていてもよい。温度検出素子20は、例えば、垂直共振器構造の上面に、開口を有しない板状の上部電極21を有しており、垂直共振器構造の上面からレーザ光が射出されないようになっている。温度検出素子20は、さらに、垂直共振器構造に隣接して電極パッド22を有しており、上部電極21と電極パッド22とを互いに電気的に接続する接続部23を有している。温度検出素子20は、当該温度検出素子20に定常電流が流れているときに、周囲温度の変化に伴う活性層温度の変化によって当該温度検出素子20の直列抵抗に変化が生じることを利用して周囲温度を検出するものである。具体的には、温度検出素子20は、当該温度検出素子20の直列抵抗の変化を、上部電極21の電圧の変化として電極パッド22に出力するようになっている。[発光装置2の構成]図2は、半導体レーザアレイ1を備えた発光装置2の概略構成を表すものである。発光装置2は、半導体レーザアレイ1と、システム制御部30と、レーザ駆動部40とを備えたている。システム制御部30は、レーザ駆動部40を介して半導体レーザアレイ1の駆動を制御するものである。レーザ駆動部40は、半導体レーザアレイ1に電流を注入し、それにより半導体レーザアレイ1を発光させるものである。レーザ駆動部40は、例えば、図3に示したように、電流源41と、補正回路42と、合成部43とを有している。電流源41は、多チャネルの半導体レーザアレイ1をチャネルごとに独立に駆動可能なものであり、例えば、図3に示したように、4種類の電流Iopnone1t~Iopnone4tを出力可能となっている。電流源41は、半導体レーザアレイ1をパルス駆動させるものであり、例えば、4種類の電流Iopnone1t~Iopnone4tとして、矩形状の電流パルスを出力するようになっている。一方、補正回路42は、電流源41から出力された電流パルスの波形を補正するものであり、例えば、図3に示したように、4種類の補正電流ΔIch1t~ΔIch4tを出力可能となっている。合成部43は、電流源41から出力された電流と、補正回路42から出力された補正電流とを合成するとともに、合成したものを、外部具体的には、半導体レーザアレイ1に出力するようになっている。合成部43は、例えば、図3に示したように、電流源41の出力端と、補正回路42の出力端とを連結した連結部を有しており、電流源41から出力された電流と、補正回路42から出力された補正電流とを足し合わせる重ねあわせることができるようになっている。合成部43は、例えば、電流源41から出力された電流Iopnone1t~Iopnone4tと、補正回路42から出力された補正電流ΔIch1t~ΔIch4tとを足し合わせた4種類の電流Iop1t~Iop4tを出力可能となっている。次に、補正回路42において生成される補正電流の導出過程について説明する。単一素子の温度特性のモデル化図4Aは、面発光型の赤色の半導体レーザの電流-光出力特性の温度依存性の一例を表したものである。図4Bは、面発光型の赤色の半導体レーザの電流-スロープ効率特性の温度依存性の一例を表したものである。なお、図4Bは、図4Aの電流-光出力特性を電流で微分することにより得られるものである。図4Bから、電流の大きさが閾値から3mA程度までの間においては、スロープ効率は電流に対して直線的に減少し、温度が上昇するとともにスロープ効率の勾配傾きが小さくなっていることがわかる。この温度及び電流変化によるスロープ効率の変動は、次の様なモデル式で表すことができる。ここで、Tは周囲温度である。Iは半導体レーザに入力された電流駆動電流である。SEI,Tは、スロープ効率であり、周囲温度Tおよび駆動電流Iを変数として含んでいる。a、b、Ic、ηcは、半導体レーザの特性によって異なる定数である。例えば、図4A,Bに示した赤色の半導体レーザの場合には、a、b、Ic、ηcは、以下に例示した値を採る。数1を積分すると、以下に示した電流-光出力特性の式が得られる。なお、数1において、PI,Tは、光出力であり、周囲温度Tおよび駆動電流Iを変数として含んでいる。constは、定数である。温度上昇による光出力低下分を補正する電流周囲温度Tの変化による光出力変動分ΔPを補正する電流は、次にようにして導くことができる。温度変化及び電流変化によって光出力変動がないとすると、数3から、以下の式が得られる。なお、ΔTは周囲温度Tの変化量である。ΔIは駆動電流Iの変化量である。上記の数4に、上記の数3を代入することで、以下の式が得られる。上記の数6から、駆動電流Iの上昇や周囲温度Tの上昇によって、補正すべき電流値は大きくなることが分かる。注目チャネル以外の駆動による注目チャネルの温度上昇図5は、半導体レーザアレイ1で生じる熱の伝播について模式的に表したものである。図5に示したように、チャネルch1のレーザ素子10がチャネルch1の周辺にあるチャネルch2,ch3,ch4のレーザ素子10の発熱によって受ける温度上昇量をΔTx→1と表すと、温度上昇量ΔTx→1の時間に関する微分方程式は、以下のように表せる。ここで、Wx→1は、チャネルchxの発光によって生じる熱流である。Rx→1は、チャネルchxとチャネルch1との間の熱抵抗である。Cx→1は、チャネルchxとチャネルch1との間の熱容量である。この微分方程式を解くことによって、チャネルchxの発熱によるチャネルch1の温度上昇量ΔTx→1を導くことができる。次に、全てのチャネルchxの発熱の寄与を合計したチャンネルch1の温度上昇量を見積もるために、例として、図6のようなデータパターンを想定する。熱抵抗や熱時定数、各チャネルxにおける熱流を図7のように設定した。これらを微分方程式数7へ代入し、ΔTx→1tについて解くとチャネルch1の温度は図8の様な変化を示す。補正電流量導出上記の数8を上記の数6へ代入すると、以下のようになる。そして、上記の数9を解くことで補正電流を導くことが出来る。Tは周囲温度であるが、これは温度検出素子20に一定電流を通電した時の電圧として検出される。この電圧は、半導体レーザアレイ1を駆動する前にデータ保持されており、半導体レーザアレイ1を駆動している最中は一定の値である。実際に計算すると図9の様になる。ここで、各種パラメータには、数2に記載の数値を用いた。また、周囲温度Tを50°Cとし、駆動電流Iを3mAとした。回路構成次に、補正回路42の内部構成について説明する。図10は、補正回路42の内部構成の一例を表したものである。補正回路42は、例えば、図10に示したように、上昇温度導出部42Aと、補正部42Bと、周囲温度導出部42Cとを有している。上昇温度導出部42Aは、半導体レーザアレイ1に含まれる全てのチャネルのうち少なくとも、あるチャネル以下、便宜的に注目チャネルと称する。に隣接する1または複数のレーザ素子10以下、便宜的に周囲チャネルと称する。での発熱による注目素子の温度上昇量を導出するものである。例えば、図10に示したように、上昇温度導出部42Aは、全てのチャネルch2,ch3,ch4の発熱の寄与を合計したチャネルch1の温度上昇量ΣxΔTx→1tを導出するようになっている。上昇温度導出部42Aは、例えば、チャネルch2とチャネルch1との間のパス熱通路に対応した熱抵抗R2→1および熱容量C2→1からなるRC時定数R2→1×C2→1の回路αを有している。上昇温度導出部42Aは、この回路αの入力端に接続された電圧源V2を有している。この電圧源V2は、チャネルch2とチャネルch1との間のパスに対応した熱抵抗R2→1および熱流W2→1の積W2→1×R2→1に相当している。従って、チャネルch2の駆動によるチャネルch1の温度上昇量ΔT2→1tは、RC時定数R2→1×C2→1に従って変化する電圧V2’tで表される。同様に、例えば、上昇温度導出部42Aは、チャネルch3とチャネルch1との間のパス熱通路に対応した熱抵抗R3→1および熱容量C3→1からなるRC時定数R3→1×C3→1の回路βを有している。上昇温度導出部42Aは、この回路βの入力端に接続された電圧源V3を有している。この電圧源V3は、チャネルch3とチャネルch1との間のパスに対応した熱抵抗R3→1および熱流W3→1の積W3→1×R3→1に相当している。従って、チャネルch3の駆動によるチャネルch1の温度上昇量ΔT3→1tは、RC時定数R3→1×C3→1に従って変化する電圧V3’tで表される。さらに、例えば、上昇温度導出部42Aは、チャネルch4とチャネルch1との間のパス熱通路に対応した熱抵抗R4→1および熱容量C4→1からなるRC時定数R4→1×C4→1の回路γを有している。上昇温度導出部42Aは、この回路γの入力端に接続された電圧源V4を有している。この電圧源V4は、チャネルch4とチャネルch1との間のパスに対応した熱抵抗R4→1および熱流W4→1の積W4→1×R4→1に相当している。従って、チャネルch4の駆動によるチャネルch1の温度上昇量ΔT4→1tは、RC時定数R4→1×C4→1に従って変化する電圧V4’tで表される。上昇温度導出部42Aは、例えば、加算回路および反転増幅回路によって、電圧V2’t、V3’tおよびV4’tを互いに合成することにより、各チャネルch2,Ch3,Ch4による温度上昇量ΔT2→1t,ΔT3→1t,ΔT4→1tの合計を導出する。このようにして、上昇温度導出部42Aは、全てのチャネルch2,ch3,ch4の発熱の寄与を合計したチャネルch1の温度上昇量ΣxΔTx→1tを導出するようになっている。同様に、上昇温度導出部42Aは、全てのチャネルch1,ch3,ch4の発熱の寄与を合計したチャネルch2の温度上昇量ΣxΔTx→2tを導出するようになっている。さらに、上昇温度導出部42Aは、全てのチャネルch1,ch2,ch4の発熱の寄与を合計したチャネルch3の温度上昇量ΣxΔTx→3tを導出するようになっている。加えて、上昇温度導出部42Aは、全てのチャネルch1,ch2,ch3の発熱の寄与を合計したチャネルch4の温度上昇量ΣxΔTx→4tを導出するようになっている。周囲温度導出部42Cは、例えば、温度検出素子20に定電流を流す電流源42C1と、温度検出素子20から得られた電圧をサンプリングするスイッチ42C2と、サンプリングした電圧を補正部42Bに出力するバッファ回路42C3とを含んで構成されている。スイッチ42C2は、例えば、SHPによってオンオフ制御される。周囲温度導出部42Cは、スイッチ42C2をオンからオフにすることにより、周囲温度Tに相当する電圧を保持するようになっている。補正部42Bは、例えば、乗算器および除算器を含んで構成されており、乗算器および除算器を用いて上述の数9を演算することにより、補正電流を生成するようになっている。補正部42Bは、上昇温度導出部42Aで導出された温度上昇量と、周囲温度と、注目チャネルに出力された電流量とに基づいて、補正電流を生成するようになっている。例えば、補正部42Bは、上昇温度導出部42Aで導出された温度上昇量ΣxΔTx→1tと、周囲温度Tと、チャネルch1用に出力された電流Iopnone1tとに基づいて、補正電流ΔIch1tを生成するようになっている。同様に、例えば、補正部42Bは、上昇温度導出部42Aで導出された温度上昇量ΣxΔTx→2tと、周囲温度Tと、チャネルch2用に出力された電流Iopnone2tとに基づいて、補正電流ΔIch2tを生成するようになっている。また、例えば、補正部42Bは、上昇温度導出部42Aで導出された温度上昇量ΣxΔTx→3tと、周囲温度Tと、チャネルch3用に出力された電流Iopnone3tとに基づいて、補正電流ΔIch3tを生成するようになっている。また、例えば、補正部42Bは、上昇温度導出部42Aで導出された温度上昇量ΣxΔTx→4tと、周囲温度Tと、チャネルch4用に出力された電流Iopnone4tとに基づいて、補正電流ΔIch4tを生成するようになっている。なお、周囲温度は、周囲温度導出部42Cから入力された値であることが好ましいが、場合によっては、定数であってもよい。また、注目チャネルに出力された電流量は、システム制御部30から入力された値であることが好ましいが、場合によっては、定数であってもよい。[動作]次に、本実施の形態の発光装置1の動作について説明する。本実施の形態では、電流源41から矩形状の電流パルスIopnone1t~Iopnone4tが出力される。このとき、補正回路42から、電流源41から矩形状の電流パルスを補正する補正電流ΔIch1t~ΔIch4tが出力される。その後、レーザ駆動部40によって、電流パルスIopnone1t~Iopnone4tと、補正電流ΔIch1t~ΔIch4tとを互いに重ね合わせた電流パルスIop1t~Iop4tが半導体レーザアレイ1に印加される。これにより、半導体レーザアレイ1から、所望の大きさの光出力が外部に射出される。[効果]本実施の形態では、注目チャネルの周囲にある周囲チャネルでの発熱による注目チャネルの温度上昇量ΣxΔTx→1tに基づいて、電流源41から注目チャネルに出力された電流パルスの波形が補正される。これにより、半導体レーザアレイ1の光出力を、熱的なクロストークの影響を受けていないときの光出力に近づけることができる。その結果、半導体レーザアレイ1における熱的なクロストークの影響を緩和することができる。また、本実施の形態では、補正部42Bが、光出力の変動要因となる周囲温度Tと、注目チャネルに出力された電流量とに基づいて、温度上昇量ΣxΔTx→1tが補正される。これにより、半導体レーザアレイ1における熱的なクロストークの影響をより一層、緩和することができる。<2.変形例>第1変形例本変形例では、活性層は、例えば、赤色系の材料例えば、GaInPまたはAlGaInPを含んで構成されている。このとき、各レーザ素子10の活性層の発光波長と、各レーザ素子10の発振波長との差分である波長デチューニングΔλが15nm以上となっている。なお、活性層は、他の材料によって構成されていてもよく、例えば、赤外系の材料例えば、GaAsまたはAlGaAsを含んで構成されていてもよい。このとき、波長デチューニングΔλは13nm以上となっている。図11は、本変形例に係るレーザ駆動部40の概略構成の一例を表したものである。本変形例に係るレーザ駆動部40は、電流源41、補正回路42、合成部43、補正回路44および合成部45を有している。補正回路44は、RC時定数回路44Aを有しており、合成部43から出力された電流パルスIop1t~Iop4tの波形を、RC時定数回路44Aを用いて半導体レーザアレイ1の光出力のパルス波形が矩形に近づくように補正するようになっている。RC時定数回路44Aは、合成部43から出力された電流パルスIop1t~Iop4tの波高値を経時的に減衰させる複数の第1時定数回路図示せずを含んでいる。各第1時定数回路のRC時定数は、互いに異なっている。具体的には、複数の第1時定数回路のうち少なくとも1つの第2時定数回路図示せずのRC時定数は、20nsec以上50nsec以下の範囲内の値となっている。一方、複数の第1時定数回路のうち第2時定数回路以外の1または複数の第3時定数回路図示せずのRC時定数は、50nsecを超える値典型的には、300nsec以上1500nsec以下となっている。補正回路44は、複数の第1時定数回路を用いて、合成部43から出力された電流パルスの波高値がRC時定数回路のRC時定数に応じて経時的に減衰するように補正するようになっている。補正回路44は、例えば、図12Bに示したように、波高値が経時的に減衰した電流パルス電流IAtを、上述の第1時定数回路を用いて出力するようになっている。例えば、RC時定数回路44Aが、2つの第1時定数回路を含んでおり、一方の第1時定数回路第2時定数回路のRC時定数TA1が20nsec以上50nsec以下の範囲内の値となっており、他方の第1時定数回路第3時定数回路のRC時定数TA2が50nsecを超える値典型的には、300nsec以上1500nsec以下となっているとする。このとき、補正回路44は、以下の数10に示すアシスト電流IAtを出力するようになっている。ここで、κはアシスト電流因子VAを電流値に変換する定数である。アシスト電流因子VAは、以下の数11で表される。また、数11中のgtは、以下の数12で表される。gtは、合成部43から出力された電流パルス電流Iopnonetの波高値を経時的に減衰させる減衰度を規定するものである。νはRC時定数TA1に関する項に対する重みであり、アシスト電流IAtにおいてRC時定数TA1は支配的であることから、0.5よりも大きな値となっている。数10中のアシスト電流因子VAには、素子温度To周囲温度を決定する因子Voと、バイアス電流を決定する因子Vibと、動作電流を決定する因子ViOPとが含まれている。つまり、補正回路44は、合成部43から出力された電流パルスの波高値のピークを、素子温度To周囲温度を決定する因子Voと、バイアス電流を決定する因子Vibと、動作電流を決定する因子ViOPとに応じて変化させるようになっている。また、数10中のアシスト電流因子VAには、オフセット電圧Voffsetが含まれている。オフセット電圧Voffsetは、例えば、活性層の発光波長とレーザ素子10の発振波長との差分である波長デチューニングΔλのばらつきにより、図13のA、Bに示したように、I-L特性にばらつきが生じ、必要となるアシスト電流IAtの大きさにばらつきが生じた場合に、そのばらつきを補償するものである。従って、補正回路44は、オフセット電圧Voffsetの値を調整することにより、合成部43から出力された電流パルスの波高値のピークを、波長デチューニングΔλの大きさに応じて変化させることが可能となっている。また、数10中には、κが含まれている。従って、補正回路44は、アシスト電流因子VAを電流値に変換する定数κの値を調整することにより、合成部43から出力された電流パルスの波高値のピークを変化させることも可能となっている。RC時定数回路44Aは、合成部43が電流パルスを連続して出力する場合には、さらに、合成部43から出力された電流パルスの波高値のピークを調整する複数の第4時定数回路図示せずを含んでいる。複数の第4時定数回路は、合成部43が電流パルスを出力して、レーザ素子10を発光させたときに、レーザ素子10内活性層内に残存する熱因子を考慮するために用いられるものである。これにより、補正回路44は、複数の第4時定数回路を用いて、合成部43から出力された電流パルスの波高値を活性層の温度変動に対応して変動するように補正することが可能となっている。各第4時定数回路のRC時定数は、互いに異なっている。具体的には、複数の第4時定数回路のうち少なくとも1つの第5時定数回路図示せずのRC時定数Tth1は、20nsec以上50nsec以下の範囲内の値となっている。一方、複数の第4時定数回路のうち第5時定数回路以外の1または複数の第6時定数回路図示せずのRC時定数Tth2は、50nsecを超える値典型的には、300nsec以上1500nsec以下となっている。例えば、RC時定数回路44Aが、2つの第4時定数回路を含んでおり、一方の第1時定数回路第5時定数回路のRC時定数Tth1が20nsec以上50nsec以下の範囲内の値となっており、他方の第4時定数回路第6時定数回路のRC時定数Tth2が50nsecを超える値典型的には、300nsec以上1500nsec以下となっているとする。このとき、補正回路44は、以下の数13に示すアシスト電流IAtを出力するようになっている。数13中のImaxtは、以下の数14で表される。Imaxtは,アシスト電流IAtの最大値を規定するものである。数14中のftは、以下の数15で表される。ftは、レーザ素子10内活性層内に残存する熱因子の変動に対応した変動を示すものである。従って、補正回路44は、まるで、活性層の温度変動をリアルタイムにモニタリングしているかのような、精度の高い補正を行うことを可能にしている。uはRC時定数Tth1に関する項に対する重みであり、アシスト電流IAtにおいてRC時定数Tth1は支配的であることから、0.5よりも大きな値となっている。数15中の左辺に含まれるtは、レーザ素子10をオンオフ駆動したときのオン期間の開始時点またはオフ期間の開始時点を指している。合成部45は、合成部43から出力された電流と、補正回路44から出力された補正電流とを合成するとともに、合成したものを、外部具体的にはレーザ素子10に出力するようになっている。合成部45は、例えば、図11に示したように、合成部43の出力端と、補正回路44の出力端とを連結した連結部を有しており、合成部43から出力された電流と、補正回路44から出力された補正電流とを足し合わせる重ねあわせることができるようになっている。合成部45は、例えば、合成部43から出力された電流Iop1t~Iop4tと、補正回路44から出力された補正電流IA1t~IA4tとを足し合わせた4種類の電流Iout1t~Iout4tを出力可能となっている。これにより、例えば、電合成部43の出力だけをレーザ素子10に印加したときに、レーザ素子10の光出力のパルス波形が、図14Aに示したように、合成部43から出力された電流パルスの波形と比べて鈍ってしまう場合に、合成部43の出力と、補正回路44の出力とを互いに重ね合わせた電流パルスをレーザ素子10に印加することにより、例えば、図14Bに示したように、レーザ素子10の光出力のパルス波形を矩形に近づけることが可能となる。[動作]このような構成の発光装置1では、例えば、合成部43から矩形状の電流パルス電流Ioptが出力される図15A。このとき、補正回路44では、RC時定数回路44Aを用いて、合成部43から出力された電流パルス電流Ioptの波高値を経時的に減衰させる減衰度を規定するgtや、レーザ素子10内活性層内に残存する熱因子の変動に対応した変動を示すft図15B、アシスト電流IAtの最大値を規定するImaxtが導出される図15C。続いて、補正回路44において、レーザ素子10をオンオフ駆動したときのオン期間の開始時点t2nでImaxt2nの値を保持し、さらに、その値を起点にしてgtに従って減衰させるアシスト電流IAtが導出されたのち図15D、補正回路44からアシスト電流IAtが出力される。その後、合成部45によって、合成部43の出力と、補正回路44の出力とを互いに重ね合わせた電流パルスIoutt=IoptIAtがレーザ素子10に印加される図15E。これにより、レーザ素子10から、例えば、図14Bに示したような矩形状の光出力が外部に射出される。[原理]次に、レーザ素子10の光出力のパルス波形が矩形に近づく理由について説明する。図16は、レーザ素子10の熱回路を表したものである。基板51の温度をTo、熱容量をCth、熱抵抗をRth、任意の時刻tにおける活性層53の温度活性層温度をTactt、バイアス電流<閾値電流による素子温度の上昇量をTelt、注入したエネルギーをPel、光出力をPoutとすると、活性層温度Tacttに関する熱方程式は、以下の数16,数17のように表される。なお、RthCthは熱時定数である。上記の数16,数17を解くと、上記の数16,数17は、以下の数18,数19に変形することができる。数18中のt2nnは0以上の整数は、図17に示したように、レーザ素子10をオンオフ駆動したときのオン期間の開始時点を指している。一方、数19中のt2n1は、図17に示したように、レーザ素子10をオンオフ駆動したときのオフ期間の開始時点を指している。数18中のτは、数18のTactと数19のTactとを連続に保つ係数である。なお、熱時定数RthCthの値を1μsecとしたときに、数18,数19をグラフに表すと、図18Aのようになる。ところで、一般に、面発光型の半導体レーザでは、キャビティ長が1λ~2λλは発振波長程度と、極めて微小であることから、発振波長はキャビティ長によって固定される。そのため、面発光型の半導体レーザは、活性層の発光波長利得が最大となる波長とは異なる波長で発振することが可能である。従って、波長デチューニングΔλの設計しだいで、閾値電流が最小となる素子温度を任意に選択することができる。もっとも、現実的には、閾値電流が最小となる素子温度は、0°C~60°Cの範囲内の値となる。高温側で十分な光出力を得たい場合には、波長デチューニングΔλを大きく設計する必要がある。例えば、活性層が赤色系の材料GaInPまたはAlGaInPを含んで構成された660nm~680nm帯の面発光型の半導体レーザでは、波長デチューニングΔλを19nm程度にすれば、素子温度Toが50°C程度で、閾値電流が極小となる。ところで、閾値電流が温度依存性を持つということは、一定電流下の光出力もまた、温度依存性を持つということである。例えば、図18Bに示したように、波長デチューニングΔλが19nmで設計された面発光型の半導体レーザの場合には、素子温度Toが50°Cぐらいで最大の光出力となり、素子温度Toが50°C前後である場合には、光出力が減少する。これにより、光出力の時間変化を描くことができる。図18A~Cに示したように、AからBに移行するときには、活性層温度Tacttが上昇すると共に、光出力Poutも上昇し、電流がオフしている期間にBからCに移行すると、活性層温度Tacttが減少し、このタイミングで光出力Poutがゼロとなる。このように、熱方程式と、光出力Poutの活性層温度依存性とから、光出力Poutの時間変化を導くことができる。そこで、例えば、図18に示したように、この結果計算値と、実際の測定によって得られた光波形実測値とを比較してみた。すると、熱時定数RthCthを800nsecとしたときに、両者が、パルス立ち上がり後、数100nsec以降において一致することがわかった。しかし、パルス立ち上がり時においては、両者は一致しないことがわかった。パルス立ち上がり時は、熱時定数RthCthが800nsecよりも一桁以上小さな値おおよそ、20nsec以上50nsec以下で変化していることがわかった。光波形に2つの時定数が存在するのは、パルス立ち上がり後と、パルス立ち上がり時とにおいて、面発光型の半導体レーザにおける発熱状態が異なっているのが原因である考えられる。パルス立ち上がり後では、面発光型の半導体レーザにおけるメサ全体が発熱しており、そのために時定数が大きくなっていると考えられる。一方、パルス立ち上がり時では、活性層が局所的に発熱しており、そのために時定数が小さくなっていると考えられる。熱方程式は、メサ全体が発熱していることを前提としていることから、パルス立ち上がり時の光波形を正確に表現しきれていない。[効果]そこで、本変形では、上述したように、補正回路44内のRC時定数回路44Aにおいて、時定数の互いに異なる複数の時定数回路第2時定数回路、第3時定数回路が設けられている。これにより、レーザ素子10をパルス駆動する合成部43から出力された電流パルスの波形を、RC時定数回路44Aを含む補正回路44を用いてレーザ素子10の光出力のパルス波形が矩形に近づくように補正することができる。このように、本変形例では、RC時定数回路44Aを用いることにより、合成部43から出力された電流パルスの波形のうち立ち上がり後の緩やかなスロープの部分だけでなく、立ち上がり時の急激にカーブする部分についても、矩形に近づけることができる。その結果、波長デチューニングΔλに起因する光出力の波形鈍りを低減することができる。また、本変形例では、補正回路44において、合成部43から出力された電流パルスの波高値のピークが、素子温度To周囲温度を決定する因子Voに応じて変化する。これにより、環境温度例えば、プリンタ筐体内の温度が変化し、それに伴って波長デチューニングΔλに変化が生じた場合であっても、光出力の波形鈍りを低減することができる。また、本変形例では、補正回路44において、合成部43から出力された電流パルスの波高値が活性層の温度変動に対応して変動する。これにより、合成部43から電流パルスが連続して出力され、レーザ素子10内活性層内に熱因子が残存している場合であっても、当該電流パルスの波高値の補正量を適切な値に設定することができる。その結果、合成部43が電流パルスを連続して出力しているときであっても、光出力の波形鈍りを低減することができる。また、本変形例では、補正回路44において、オフセット電圧Voffsetの値を調整するか、または、アシスト電流因子VAを電流値に変換する定数κの値を調整することにより、合成部43から出力された電流パルスの波高値のピークを、波長デチューニングΔλの大きさに応じて変化させることが可能となっている。いずれの値を調整するかは、温度変化に対する光出力の変動の傾向から判断することが好ましい。例えば、製造バラツキによって、レーザ素子10の電流狭窄径が所望の値よりも大きくなってしまったとする。この場合には、温度変化に対する光出力の変動量が大きくなるつまり、光出力の温度依存性が高くなるので、定数κの値を調整することが好ましい。また、例えば、製造バラツキによって、レーザ素子10の波長デチューニングΔλが大きくなったとする。この場合には、光出力が最大となる温度が高温側にシフトするつまり、光出力の温度依存性が高温側にシフトするので、オフセット電圧Voffsetの値を調整することが好ましい。このように、本変形例では、温度変化に対する光出力の変動の傾向に基づいて、好ましい補正方法を選択することができるので、光出力の波形鈍りを確実に低減することができる。第2変形例図20は、本変形例に係る発光装置2に用いられているレーザ駆動部40の概略構成の一例を表したものである。本変形例に係るレーザ駆動部40は、電流源41、補正回路42、合成部43、補正回路44および合成部45を有している。補正回路44は、上記第1変形例におけるRC時定数回路44Aの代わりに、RC時定数回路44Bを有している。本変形例において、補正回路44は、ドループを補正するものである。ここで、ドループについて説明する。例えば、発振波長680nmの面発光型の半導体レーザにおいて、50°C、1mWの駆動状態から、周囲温度を10°C上昇させると、光出力が20ほど低下する。面発光型の半導体レーザをパルス動作させる場合であっても、電流パルスを素子に注入すると同時に素子の温度が徐々に上昇し、温度上昇に伴って光出力も徐々に低下していく。これがドループと呼ばれる現象であり、半導体レーザにおいてはよく知られた現象である。この現象は、注入電力が大きいほど顕著に表れ、例えば、図21に示したように、注入電力が0.6mWから1mWに移行するにつれて、光出力の低下量が大きくなっていることがわかる。ドループを定量的に評価する場合には、例えば、以下の式が用いられる。ΔP=P1-P2/P1×100上記の式中でΔPがドループ光出力低下量である。P1が、立ち上がり時から1μsec経過したときの光出力であり、P2が、光出力が定常状態となったときの光出力である。補正回路44は、半導体レーザの光出力のパルス波形が矩形に近づくように、合成部43から出力された電流パルスの波形を、RC時定数回路44Bを用いて補正するものである。補正回路44は、例えば、図22Cに示したように、電流パルスIop1t~Iop4tの波形を、その波高値がRC時定数回路44BのRC時定数に応じて経時的に変化飽和するように補正するようになっている。なお、Iop1t~Iop4tの総称としてIoptを用いるものとする。補正回路44は、例えば、図22Bに示したように、電流パルスIoptの波高値の符号とは反対の符号負の波高値を有する電流パルスΔIBtを出力するようになっている。電流パルスΔIBtは、例えば、図22Bに示したように、RC時定数回路44BのRC時定数に応じて経時的に変化飽和するパルス波形となっている。つまり、電流パルスΔIBtの波高値の絶対値は、最初は大きく、次第に小さくなり、最終的にはゼロまたはゼロに近い値になる。RC時定数回路44Bは、電流パルスIoptの波高値を経時的に変化させる第7時定数回路図示せずを含んでいる。第7時定数回路のRC時定数は、1μsec以上3μsec以下の範囲内の値となっている。補正回路44は、電流パルスIoptの波高値が第7時定数回路のRC時定数に応じて経時的に変化飽和するように、電流パルスΔIBtの波高値を、第7時定数回路を用いて補正するようになっている。補正回路44は、例えば、図22Bに示したように、波高値が経時的に変化飽和した電流パルスΔIBtを、上述の第7時定数回路を用いて出力するようになっている。具体的には、補正回路44は、以下の数20に示す電流パルスΔIBtを出力するようになっている。ここで、ΔImaxBはパルス入力時t=0における補正電流である。Tth1は補正電流がゼロに到達するまでの時間変化を表す時定数であり、第7時定数回路のRC時定数に対応するものである。補正電流の初期値に相当するΔImaxBtの絶対値は、後述するように、駆動電流が大きいときほど、大きくなる。そのため、ΔImaxBtは、補正前の駆動電流Ioptに比例する項をもつ。また、ΔImaxBtの絶対値は、後述するように、半導体レーザの周囲温度が高いときほど、大きくなる。そのため、ΔImaxBtは、半導体レーザの周囲温度Taに比例する項をもつ。これらのことから、ΔImaxBtは、以下の数2のように表される。ここで、AおよびBは、それぞれ、動作電流Ioptと、周囲温度Taとの依存性を表す正の定数であり、それらの最適値は、素子ごとに異なる。例えば、I-L特性のリニアリティが優れている素子の場合には、Aは小さな値で十分である。また、例えば、I-L特性において閾値の温度依存性が大きい場合には、Bの値は大きい方が好ましい。Txも定数であり、その最適値は波長デチューニングΔλに応じて異なる。波長デチューニングΔλが大きい場合には、波長デチューニングΔλが小さい場合と比べて、素子の温度が高い時のドループ量が少ないので、Txの値は大きい方が好ましい。もっとも、波長デチューニングΔλ、および光出力の温度変化による振る舞いに関して言えば、素子ごとのばらつきはほとんどない。従って、TxおよびBは、素子ごとの調整をする必要の乏しい定数であり、各素子で共通の固定値となっていることが好ましい。一方、I-L特性のリニアリティは、生産ごと、素子ごとに若干異なるので、Aについては、素子ごとに調整された値となっていることが好ましい。RC時定数回路44Bは、電流源41が電流パルスを連続して出力する場合には、さらに、電流源41から出力された電流パルスの波高値のピークを調整する第8時定数回路図示せずを含んでいる。第8時定数回路は、電流源21が電流パルスを出力して、半導体レーザを発光させたときに、一対の多層膜反射鏡で活性層を挟み込んだ垂直共振器構造を備えた半導体レーザ内活性層内に残存する熱因子を考慮するために用いられるものである。第8時定数回路のRC時定数は、半導体レーザの熱時定数程度の値となっており、具体的には、1μsec以上3μsec以下の範囲内の値となっている。これにより、補正回路22は、第8時定数回路を用いて、電流源21から出力された電流パルスの波高値を半導体レーザ活性層の温度変動に対応して変動するように補正することが可能となっている。ここで、半導体レーザ活性層の温度変動をFtとし、半導体レーザの熱時定数第8時定数回路のRC時定数をTth2とすると、Ftは、以下の数22に示すように表される。式中のtは、各オンもしくは各オフからの時間経過を表す。図23は、光出力と、素子温度と、補正電流との関係の一例を表すものである。図23に示すように、一つ目のパルスが入力されると、自己発熱によって、半導体レーザの素子温度は上昇する。次に、二つ目のパルスが入力される。ここで、一つ目のパルスから二つ目のパルスが入力されるまでのオフ期間Toffが長いほど、自己発熱によって生じた熱は外部へ放出されるので、半導体レーザの素子温度は、周囲温度Taに近づく。従って、オフ期間Toffの長さに応じて、与えるべき補正電流は負の方向に大きくなる。これらのことから、任意のパルスパターンに対する補正電流ΔImaxBtは、以下の数23に示すように表される。ところで、上の式の右辺は、周囲温度Taが低温で、かつ駆動電流Iopが低い場合には、正の値を取る可能性がある。これは、そのような条件では、正方向に補正電流ΔImaxBtが与えられる可能性があることを示唆している。しかし、そのような条件では、発生する自己発熱は小さいので、ドループはほとんど発生しない。従って、補正電流ΔImaxBtを正方向に与えるべきではなく、上の式の右辺が正となった場合は、数24に示したように、補正電流ΔImaxBtをゼロにする。レーザ駆動部40では、例えば、図20に示したように、合成部43および補正回路44の出力端子は合成部45において互いに接続されている。従って、レーザ駆動部40は、合成部43の出力と、補正回路44の出力とを互いに重ね合わせた電流パルスIoutt=IoptIBtを出力するようになっている。これにより、例えば、合成部43の出力だけを半導体レーザに印加したときに、半導体レーザの光出力のパルス波形が、図14Aに示したように鈍ってしまう場合に、合成部43の出力と、補正回路44の出力とを互いに重ね合わせた電流パルスを半導体レーザに印加することにより、半導体レーザの光出力のパルス波形を矩形に近づけることが可能となる。[動作]このような構成の発光装置2では、合成部43から矩形状の電流パルス電流Ioptが出力される図24A。このとき、補正回路44では、RC時定数回路44Bを用いて、半導体レーザ内活性層内に残存する熱因子の変動に対応した変動を示すFt図24B、補正電流の初期値を規定するΔImaxBt図24Cが導出される。続いて、補正回路44において、半導体レーザをオンオフ駆動したときのオン期間の開始時点t2nでΔImaxBtの値を保持し、さらに、その値を起点にしてexp-t/Tth1に従って減衰させる電流パルスΔIBtが導出されたのち図24D、補正回路44から電流パルスΔIBtが出力される。その後、レーザ駆動部40によって、合成部43の出力と、補正回路44の出力とを互いに重ね合わせた電流パルスIoutt=IoptΔIBtが半導体レーザアレイ1に印加される図24E。これにより、半導体レーザアレイ1から矩形状の光出力が外部に射出される。[効果]次に、本変形例に係る発光装置2の効果について説明する。通常、面発光型の半導体レーザでは、共振器構造が微小であることから、電流注入による活性層の温度上昇が大きく、その温度上昇に伴って光出力の低下が生じる。例えば、発振波長680nmの面発光型の半導体レーザにおいて、50°C、1mWの駆動状態から、周囲温度を10°C上昇させると、光出力が20ほど低下する。面発光型の半導体レーザをパルス動作させる場合であっても、電流パルスを素子に注入すると同時に素子の温度が徐々に上昇し、温度上昇に伴って光出力も徐々に低下していく。このドループと呼ばれる現象を補正する方法として、例えば、特開2002-254697号公報に記載されているようなものがある。しかし、この文献に記載の方法では、発光パターン、電流値、温度などの駆動条件の違いによってドループ曲線が変化する場合に、ドループを正確に補正することが容易ではないという問題があった。一方、本変形例では、補正回路44が、補正電流の時間変化を与える第7時定数回路時定数Tth1を含む回路と、補正電流の初期値に相当する各パルス開始時の最大電流ΔImaxBtを与える第8時定数回路時定数Tth2を含む回路とを含んで構成されている。ここで、補正電流ΔImaxBtが、半導体レーザの周囲温度Ta、駆動電流Ioptおよび半導体レーザ活性層の温度変動Ftに応じて変化するようになっている。さらに、半導体レーザ活性層の温度変動Ftが時定数Tth2に応じて変化するようになっている。これにより、発光パターン、電流値、温度などの駆動条件の違いによってドループ曲線が変化する場合であっても、ドループを正確に補正することが可能である。第3変形例図25は、本変形例に係る発光装置2に用いられているレーザ駆動部40の概略構成の一例を表したものである。本変形例に係るレーザ駆動部40は、電流源41、補正回路42、合成部43、補正回路44および合成部45を有している。補正回路44は、RC時定数回路44A,44Bを有している。本変形例において、補正回路44は、RC時定数回路44Aを用いて波長デチューニングΔλに起因する光出力の波形鈍りを低減すると共に、RC時定数回路44Bを用いてドループを補正するようになっている。レーザ駆動部40では、例えば、図25に示したように、合成部43および補正回路44の出力端子は合成部45において互いに接続されている。従って、レーザ駆動部40は、合成部43の出力と、補正回路44の出力とを互いに重ね合わせた電流パルスIoutt=IoptIAtIBtを出力するようになっている。これにより、半導体レーザの光出力のパルス波形を矩形に近づけることが可能となる。[動作]このような構成の発光装置2では、合成部43から矩形状の電流パルス電流Ioptが出力される図26A。このとき、補正回路44では、RC時定数回路44Aを用いて、アシスト電流IAt、補正電流ΔIBtを生成し、IAtΔIBtを出力する図26B。その後、合成部45によって、合成部43の出力と、補正回路44の出力とを互いに重ね合わせた電流パルスIoutt=IoptIAtIBtがレーザ素子10に印加される図26C。これにより、レーザ素子10から、例えば、図14Bに示したような矩形状の光出力が外部に射出される。[効果]次に、本変形例に係る発光装置2の効果について説明する。本変形例では、上述したように、補正回路44内にRC時定数回路44A,44Bが設けられている。これにより、レーザ素子10をパルス駆動する合成部43から出力された電流パルスの波形を、RC時定数回路44A,44Bを用いてレーザ素子10の光出力のパルス波形が矩形に近づくように補正することができる。その結果、波長デチューニングΔλに起因する光出力の波形鈍りを低減することができ、さらに、ドループを正確に補正することができる。[適用例]上記実施の形態またはその変形例に係る発光装置2は、例えば、レーザプリンタなどの印刷装置や、多チャンネル光集積装置などの光通信装置に対して好適に適用可能なものである。例えば、印刷装置の光源として発光装置2を適用することが可能である。例えば、図27に示したように、印刷装置3は、発光装置2と、発光装置2からの光を反射させると共に反射光を走査させるポリゴンミラー31と、ポリゴンミラー31からの光を感光ドラム33に導くfθレンズ32と、fθレンズ32からの光を受けて静電潜像を形成する感光ドラム33と、感光ドラム33に静電潜像に応じたトナーを付着させるトナー供給器図示せずとを備えている。また、例えば、光通信装置の光源として発光装置2を適用することも可能である。例えば、図28に示したように、光通信装置4は、発光装置2を支持する支持基板34と、光入力端が発光装置2の光出力端に対応して配置された光導波路35と、光入力端が光導波路35の光出力端に対応して設けられた光ファイバ36とを備えている。"