"紫外線ランプ出力を制御する方法であって、ベースライン放射照度を確立することと、UV放射強度を測定するように構成され、コントローラに結合されるセンサを有する光パイプを使用して、第1のランプに対応する相対放射照度を決定することと、第2のランプに対応する相対放射照度を決定することと、前記第1のランプの補償係数を決定することと、前記第2のランプの補償係数を決定することと、前記第1のランプの出力および前記第2のランプの出力を所望の出力に調整することとを含む方法。前記ベースライン放射照度が100パーセントに等しいランプ設定点で決定される、請求項1に記載の方法。出力を前記調整することが閉ループプロセスである、請求項2に記載の方法。第3および第4のランプを前記所望の出力に調整することをさらに含み、前記第3および第4のランプが前記第1および第2のランプと異なるチャンバに配置される、請求項3に記載の方法。前記第1のランプの前記補償係数および前記第2のランプの前記補償係数が、前記第1のランプおよび前記第2のランプ内に配置されたUV電球の低下した効率を補償する、請求項3に記載の方法。前記第1のランプの前記補償係数および前記第2のランプの前記補償係数が、前記第1のランプおよび前記第2のランプ内に配置されたリフレクタの低下した効率を補償する、請求項3に記載の方法。前記調整することがUV硬化処理プロセス中に行われ、第1のランプに対応する相対放射照度を前記決定することが、基板に隣接して配置されたリフレクタに配設された孔を通して紫外線放射を感知することを含む、請求項6に記載の方法。複数の基板を紫外線硬化処理することをさらに含む、請求項7に記載の方法。前記第1および第2のランプの前記所望の出力が前記ベースライン放射照度に等しい、請求項8に記載の方法。紫外線ランプ出力を制御する方法であって、ベースライン放射照度を確立することと、UV放射強度を測定するように構成され、コントローラに結合されるセンサを使用して、第1のランプに対応する相対放射照度を決定することと、第2のランプに対応する相対放射照度を決定することと、前記第1のランプに対応する前記相対放射照度と前記第2のランプに対応する前記相対放射照度とが等しくなるように調整することと、次に、前記第1のランプおよび前記第2のランプを所望の出力に調整することとを含む方法。前記所望の出力が前記ベースライン放射照度に等しく、前記ベースライン放射照度が100パーセントに等しいランプ設定点で決定される、請求項10に記載の方法。前記第1のランプに対応する前記相対放射照度と前記第2のランプに対応する前記相対放射照度とが等しくなるように前記調整するのに先立って、ランプ変動補正係数を決定することをさらに含む、請求項11に記載の方法。前記ランプ変動補正係数は、前記第1のランプおよび前記第2のランプの両方が同じ相対放射照度を有するように前記第1のランプの設定点が調整されなければならない係数である、請求項12に記載の方法。前記調整することがUV硬化処理プロセス中に行われ、出力を前記調整することが閉ループプロセスである、請求項13に記載の方法。複数の基板を紫外線硬化処理することをさらに含む、請求項14に記載の方法。理解しやすくするために、同一の参照番号が、可能であれば、図に共通する同一の要素を指定するのに使用されている。ある実施形態で開示された要素は、特に詳述することなしに、他の実施形態で有益に利用することができることが考えられる。本発明は、一般に、UVランプ出力を制御して放射照度均一性を向上させる方法に関する。この方法は、一般に、チャンバ内のベースライン放射照度を決定することと、第1のランプおよび第2のランプに対応する基板上の相対放射照度を決定することと、相対放射照度とベースライン放射照度とに基づいて補正係数または補償係数を決定することとを含む。次に、ランプは閉ループ制御を介して補正係数または補償係数を使用して調整され、ランプは所望の出力に個々に調整される。ランプは、オプションとして、ランプを所望の出力に調整するのに先立って等しい放射照度に調整することができる。閉ループ制御により、基板間でのプロセス均一性が保証される。放射照度測定と補正係数または補償係数とにより、チャンバ構成要素の劣化、チャンバ構成要素の取替え、またはチャンバの洗浄に起因するランプ設定値の調整が可能になる。本発明の実施形態は、カリフォルニア州、サンタクララのAppliedMaterials,Inc.から入手可能なNANOCURE商標チャンバ内で実施することができる。他の製造業者からのものを含む他のチャンバも本明細書で説明する実施形態から利益を得ることができることが考えられる。図1は、UV硬化処理するように構成されたタンデムプロセスチャンバ100の部分的概略図である。例示のタンデムのプロセスチャンバは、カリフォルニア州、サンタクララのAppliedMaterials,Inc.から入手可能なPRODUCER商標チャンバである。タンデムプロセスチャンバ100は2つのUV硬化処理チャンバ101を含み、各々はその中で1つまたは複数の基板を処理するように構成される。UV硬化処理チャンバの各々は、一般に、壁図示せずによって分離される。タンデムプロセスチャンバ100は、本体102と、本体102に蝶番で取り付けられたリッド104とを含む。第1の下部ハウジング106aおよび第2の下部ハウジング106bがリッドの上部表面に結合される。下部ハウジング106a、106bの各々は、その中に二次リフレクタを保持するように構成される。下部ハウジング106a、106bの各々の上に、それぞれ、上部ハウジング108a、108bが位置づけられる。各上部ハウジング108a、108bは回転可能であり、UV放射を下部ハウジング106a、106bを通して本体102に供給するように各上部ハウジング108a、108b内に位置づけられたランプヘッドを有し、本体102において1つまたは複数の基板はUV放射を受け取るように位置づけることができる。図2Aは、図1のタンデムプロセスチャンバ100のUV硬化処理チャンバ101のうちの1つの概略図である。UV硬化処理チャンバ101は、UVランプヘッド210、二次リフレクタ220、石英窓222、基板支持体224、およびコントローラ229を含む。UVランプヘッド210は、上部ハウジング108a内に配設され、2つのUVランプ212aおよび212bを含む。各UVランプ212a、212bはUV電球214a、214bを含む。一次リフレクタ216aは、UV電球214aの上、およびそのまわりに位置づけられ、UV電球214aからのUV放射を石英窓222を通して基板支持体224の方に誘導するように構成される。同様に、一次リフレクタ216bは、UV電球214bの上、およびそのまわりに位置づけられ、UV電球214bからのUV放射を石英窓222を通して基板支持体224の方に誘導するように構成される。UV電球214aおよび214bの出力または強度はそれぞれのコントローラ229によって制御される。各UV硬化処理チャンバ101の各UVランプ212a、212bはそれ自体のコントローラ229を有するように示されているが、タンデムプロセスチャンバ100のすべての態様を制御するために単一のコントローラを使用し得ることが考えられる。二次リフレクタ220は下部ハウジング106a内に配置され、UVランプヘッド210と半導体基板226との間に位置づけられる。二次リフレクタ220は、UVランプ212aおよび212bの下部表面に結合され、回転可能な上部ハウジング108a、108bに結合されたランプ212aおよび212bとともに回転することができる。二次リフレクタ220の下部端面は基板226の直径よりも小さい内径を有し、そこで、ランプヘッド210の方向から見たときに二次リフレクタ220と基板226の外径との間に光学的間隙がない。二次リフレクタ220は、普通なら一次リフレクタのフラッドパターンの境界の外側に入るUV放射を反射するチャネリング効果を有し、その結果、そのような放射はUV硬化処理される基板226に当たる。したがって、基板226に分配されるエネルギーの強度が増加する。二次リフレクタ220は、UVランプ212a、212bのフラッドパターンを、実質的に長方形の区域から、基板226の実質的に円形の形状に対応する実質的に円形の形状に変える。センサ225は下部ハウジング106aの内面に結合され、二次リフレクタ220が回転するとき二次リフレクタ220に配設された孔を通してUV放射を感知するように位置づけられる。石英窓222は、ランプヘッド210と基板226との間に位置づけられる。二次リフレクタ220のまわりの空気流を可能にして冷却しやすくするために、二次リフレクタ220の底部と石英窓222との間に小さい間隙228が存在する。空気流は、下部ハウジング106aに配設された1つまたは複数の開口を通して二次リフレクタおよび/または石英窓に供給することができる。UV電球214aおよび214bはマイクロ波アークランプであるが、しかし、パルスキセノンフラッシュランプまたは高効率UV発光ダイオードアレイを含む他のタイプのUV光源が考えられる。UV電球214aおよび214bは、マイクロ波発振器などの電源で励起するためのキセノンまたは水銀などの1つまたは複数のガスで充満された封止プラズマ電球である。マイクロ波発振器は、UV電球214aおよび214b内のガスを励起するために1つまたは複数のマグネトロンを含む。代替として、高周波RFエネルギー源を使用してUV電球214aおよび214b内のガスを励起することができる。RF励起は容量性または誘導性とすることができるが、しかし、誘導結合プラズマ電球は、より高密度なプラズマを発生させることによって電球のより大きい輝きをより効率的に発生させることができる。望ましくは、UV電球214aおよび214bは180nmから400nmの広帯域の波長にわたって光を放出する。UV電球214aおよび214b内で使用するために選択されるガスにより、一般に、放出される放射の波長を決定される。酸素がUV硬化処理チャンバ101内に存在する場合、短い波長ほどオゾンを発生させる傾向があるので、200nmを超える広帯域UV光を主に発生させるようにUV電球214aおよび214bによって放出されるUV光をチューニングして、硬化処理プロセス中にオゾンを発生させないようにする。図2Bは、UV硬化処理チャンバ101用のUVランプヘッド210の下面図の概略図である。UVランプヘッド210は2つのランプ212aおよび212bを収容し、それらの各々は細長いUV電球214a、214bを収納する。電球はUV放射を発生し、UV放射は一次リフレクタ216a、216bおよび二次リフレクタ220によって基板226に誘導される。一次リフレクタ216aは、部分260aおよび部分261aからそれらの間の間隙を伴って形成される。同様に、一次リフレクタ216bは、部分260bおよび部分261bからそれらの間の間隙を伴って形成される。UVランプヘッド210は2つの細長い電球を収納するように示されているが、UVランプヘッド210は2つを超える電球を収納することができることが考えられる。図2Cは、UV硬化処理チャンバ101のための二次リフレクタ220の概略図である。二次リフレクタ220は、チャンバ内で、部分238がランプ212aに隣接して配置され、部分240がランプ212bに隣接して配置されるように向きを定められる。二次リフレクタは、基板226の方にUV放射を誘導するだけでなく、UV硬化処理チャンバ101内の異なる構成要素によって発生または反射されたUV放射強度の測定も可能にする。二次リフレクタ220は、UV硬化処理チャンバ101内の個別の構成要素をモニタするために光パイプ230~235を含む。パイプという用語が使用されるが、光パイプ230~235は、単に、二次リフレクタ220の壁を通して配設される孔とすることができ、二次リフレクタの外壁に結合された細長いチューブを含んでもよいし、含まなくてもよい。UV放射強度を測定するように構成されたセンサ225が二次リフレクタ220に隣接する下部ハウジングに結合される。センサ225は、二次リフレクタ220が処理中に回転する間、光パイプ230~235の各々を出るUV放射を受け取るように位置づけられる。センサ225はコントローラ229に接続され、UV強度情報をコントローラ229に与えるように構成される。基板に達するUV放射の量は、UV電球214a、214bから放出されたUV放射、ならびに一次リフレクタ216a、216bの部分260a、260b、261a、および261bから反射された光の関数である。この関数は、一般に、経験的に決定され、この関数は、一般に、個々のUV硬化処理チャンバ101ごとに異なることが理解されるべきである。関数は、いくつかの要因の中で特に、使用されるUV電球のタイプ、一次リフレクタおよび二次リフレクタの反射率、UV電球およびリフレクタに対する基板の位置、ならびにチャンバ寸法に応じて変化する。各光パイプ230~235は、光パイプ230~235が固定センサ225を通り過ぎて回転するとき1つの特定のチャンバ構成要素からの光のみが各光パイプ230~235を通過し、センサ225に接触できるようにする角度で二次リフレクタ220に結合される。個々の光パイプの領域の二次リフレクタ220の壁の厚さに応じて、光パイプの長さは、二次リフレクタ220の壁を通して形成された孔またはスロットにアルミニウムチューブを挿入することによって延ばすことができる。光パイプ内の反射の効果を減少させ、特定の受容角内の放射線のみがセンサ225に確実に達するように、光パイプの内面は適切な光吸収材料で裏打ちまたは被覆することができる。代替として、粗化またはテクスチャ化された表面を有するように光パイプの内面を処置して、光パイプ230~235の壁に接触する不要な光を多重反射を介して消散させることができる。UV硬化処理チャンバ101の個々の構成要素をモニタする際に、光パイプ230~235により、所望の構成要素によって発生または反射された光線のみがその構成要素をモニタする光パイプの端部でセンサに達することができるようになることが望ましい。事例によっては、センサ225に達する光線の100パーセントが単一の構成要素からのものとなるように光パイプを設計するのは実用的でないことがある。代わりに、光パイプは、センサ225に達する光線の好適に高い割合、例えば、80パーセントまたは90パーセントが所望の構成要素からのものであるように設計することができる。そのような設計では、コントローラ229は、不要な構成要素からのものである感知光の一部を把握できるべきである。処理の間、ランプ212a、212bならびにそれに結合される二次リフレクタは、UV放射を基板226に供給しながら回転する。光パイプ230~235がセンサ225を通り過ぎて回転するとき、特定のチャンバ構成要素のUV出力または反射が決定される。センサ測定の精度を向上させる例えば、サンプリング点の数を増加させるために、光パイプ230~235のいずれかがセンサ225に隣接するとき、ランプ212a、212bおよび二次リフレクタ220の回転速度を低下させることができる。例えば、光パイプ230~235のいずれかがセンサ225のそばを通り過ぎるとき、二次リフレクタは毎分約0.1から約0.2回転で回転することができる。光パイプのどれもセンサ225に隣接していない例えば、光パイプ230~235間の二次リフレクタ220の区域であるとき、二次リフレクタは、毎分1回転を超えて、例えば、毎分約1から約2回転で回転することができる。したがって、ランプ212a、212bおよび二次リフレクタ220の回転速度は可変である。図2Cの実施形態では、光パイプ230は、一次リフレクタ216aの部分260aの反射をモニタする。光パイプ231は一次リフレクタ216aの部分261aの反射をモニタする。光パイプ232は、一次リフレクタ216bの部分261bの反射をモニタする。光パイプ233は、一次リフレクタ216bの部分260bの反射をモニタする。光パイプ234および235は、それぞれ、UV電球214aおよび214bの強度をモニタする。個々の構成要素によって発生または反射されたUV放射をモニタするための二次リフレクタ220の機能により、UVチャンバ101内のそれらの構成要素をモニタおよび補償することができるようになる。これらの構成要素の光反射または光発生は時間とともに減少するので、個々の構成要素のモニタリングが望ましい。例えば、物質が一次リフレクタ216a、216bの表面にたまり、それにより、基板226の方に誘導される反射UV放射の量および/または強度が減少することがある。さらに、物質が石英窓222の表面にたまり、それによって、石英窓222を通過して基板226に達するUV放射の量が減少することがある。さらに、UV電球214a、214bの強度は、UV電球214a、214bが利用寿命に近づくにつれて低下する。しかし、二次リフレクタ220はUVチャンバ内の個々の構成要素の強度をモニタできるようにするので、補正係数を調整して、構成要素の効率の低下を償うことができる。したがって、基板226は均一な量のUV放射を受け取り、それによって、たとえいくつかの構成要素の光反射または光発生が減少したとしてもプロセス均一性を向上させることができる。一般的なUV硬化処理プロセスでは、UV硬化処理チャンバ内に配置された単一のUV放射センサがチャンバ内のUV放射の全体的なレベルを測定する。例えば、センサは、チャンバ内のUV放射のレベルが低すぎると、その場合、UVランプに印加される電力を増加させて、チャンバ内のUV放射のレベルを増加させることを指示することができる。一般的なUV硬化処理プロセスに関する第1の問題は、センサが全体的なUV強度を測定しており、個々の構成要素の強度を測定していないことである。したがって、1つのUV電球がほとんど切れている場合、または1つのリフレクタが粒子堆積物で覆われ、UV放射を効率的に反射する機能を失っている場合、センサは構成要素の効率の低下を識別することができない。第2に、一般的なUV硬化処理プロセスは、個々の構成要素によって反射または発生されたUV放射を検出することができないので、一般的なUVプロセスはプロセスパラメータを調整して、単一の構成要素の効率の低下を償うことができない。もっと正確に言えば、一般的なUVプロセスは、チャンバ内のUV強度を調整するのにシステムにひとまとめでただ単により多くの電力を印加し、個々のUV電球に印加される電力の量を考慮に入れていない。これにより、基板の不均一な照射と、プロセス均一性の低下とがもたらされる。図3は、UV硬化処理チャンバ101内のUV強度を調整するための1つの実施形態を示す流れ図である。ステップ340において、ベースライン放射照度が確立される。ベースライン放射照度は、すべてのチャンバ構成要素の最適性能に対応する基板上の放射照度である。一般に、ベースライン放射照度は100パーセントのランプ性能に対応する。しかし、処理の間、UVランプ212aおよび212bは、構成要素劣化に応じた調整を可能にするために100パーセントよりも少ない設定点に設定される。例えば、処理の間、UVランプ212a、212bは最大電力の約80パーセントに設定することができる。基板がUV硬化処理チャンバ101内で処理されるとき、個々のチャンバ構成要素の効率は低下する。したがって、基板226に達するUV放射の量も減少する。二次リフレクタ220とその近くに位置づけられセンサ225とにより、システムの効率の低下と、それに対応して基板226に達するUV放射の量とが測定できるようになる。ステップ341において、第1のランプによって基板226に送出されるUV放射の量が、二次リフレクタ220と、二次リフレクタ220の近くに位置づけられたセンサ225とを介して測定される。基板226に達するUV放射の量は、個々のチャンバ構成要素の効率の低下を測定することによって決定される。所与のランプに関して基板226に達する測定された放射照度は相対放射照度と呼ばれる。処理の前には、チャンバ構成要素の劣化がまだ生じていないので相対放射照度はプロセス設定点に等しい。ステップ342において、第2のランプによって基板226に送出されるUV放射の量が、二次リフレクタ220とセンサ225とを介して測定される。その上、第2のランプの相対放射照度も決定される。一般に、ステップ341および342は同時に行われるが、しかし、ステップ341および342は継続的に行うことができることが考えられる。ステップ343において、ランプ補償係数がランプ212aおよび212bの各々に対して決定される。ランプ補償係数は、相対放射照度をベースライン放射照度で除算したものである。ステップ344において、閉ループアルゴリズムを搭載するコントローラ229が、ランプ212aおよび212bの各々に印加される電力を調整する。コントローラのターゲット点は、オリジナルの設定点例えば、80パーセントをランプ補償係数で除算したものに等しい。したがって、基板の処理が多くなり、チャンバ構成要素の効率が低下するとともに、コントローラ229は設定点を上昇させるランプ制御係数は、一般に、1より小さいので。設定点は上昇されるが、チャンバ効率は低下しており、それ故、基板226に達するUV放射の総量はプロセス間で一定のままである。ステップ341~344は、実時間で、またはいくつかの基板ごとに、または所望に応じて行うことができる。一般に、ステップ340は、プロセスの初めに、特定のプロセス方策に向けて基板226に達するUV放射の所望の量を確立するために行われる。図3に関連して説明したように、ランプ212aおよび212bの各々はコントローラ229に記憶されたランプ自体の閉ループアルゴリズムによって制御される。プロセスチャンバ100は2つのUV硬化処理チャンバ101を含むので、タンデムプロセスチャンバ100は4つのコントローラ229を含む。ランプ212a、212bは各々1つを超える電球214a、214bを収納することができ、その場合、コントローラ229は、それぞれ、電球ごとに、またはランプ212a、212bごとに閉ループ制御を備えることができることが考えられる。図3で略述した制御プロセスでは、ランプ212a、212bの各々を特定の構成要素劣化に対して個々に制御および補償することができるのでチャンバ構成要素の状態にかかわらず基板226を均一に照射することができる。これは、チャンバ構成要素が必ずしも同じ速さで劣化するとは限らないので望ましい。例えば、電球214aが電球214bの前に切れた場合、電球214aは新しいものより明るい電球に取り替えられることになる。したがって、新しい電球と電球214bとによって供給される照射は等しくないことになる。しかし、図3で略述した制御プロセスを使用することにより、新しい電球と電球214bとの出力を補償係数を使用して調整し、基板226の端から端までのUV照射が確実に均一になるようにすることができる。図3の制御プロセスを、同様に、マグネトロンまたは一次リフレクタ216a、216bなどの他のチャンバ構成要素の取替えに適用することになる。その上、チャンバ構成要素が異なる割合で洗浄される場合、図3の制御プロセスは有益である。図4は、UV硬化処理チャンバ内のUV強度を調整するための別の実施形態を示す流れ図である。ステップ450において、ベースライン放射照度がステップ340と同様に確立される。ステップ451において、第1のランプに対応する相対放射照度がステップ341と同様に決定される。ステップ452において、第2のランプに対応する相対放射照度がステップ342と同様に決定される。ステップ451および452は、一般に、同時に行われるが、しかし、ステップ451および452を継続的に行うことができることが考えられる。ステップ453において、ランプ変動補正係数が決定される。ランプ変動補正係数は、どちらかがより低い相対放射照度を有するランプ212aまたは212bの設定点を、ランプ212aおよび212bの両方が同じ相対放射照度を有するように調整しなければならない係数である。ステップ454において、ランプ212aおよび212bの両方が同じ相対放射照度を有するように、ランプ変動補正係数が適用される。したがって、たとえ相対放射照度がベースライン放射照度に等しくない場合であっても、基板226の端から端までの少なくとも放射照度は均一である。ステップ455において、ランプ212aおよび212bの両方は所望のUV出力に同時に調整される。これは、ステップ343および344で説明したように補償係数を決定することによって達成することができる。代替として、ランプ212aおよび212bは同じUV放射照度出力を有する適用されたランプ変動補正係数によりので、ランプヘッド210は、単一のUVセンサからの信号に応じて調整することができる。それに加えて、ランプ212aおよび212bは事前に同じ相対放射照度に調整されているので、コントローラがランプ212aおよび212bの出力を調整するとき、基板の端から端までのUV放射照度の変化は均一である。これは、各ランプの変化率がほぼ等しいので処理される基板の端から端までより均一な硬化処理をもたらす。第1のUV硬化処理チャンバ101用のランプ212aおよび212bの出力を調整した後、そのプロセスは第2のUV硬化処理チャンバ101に繰り返される。望ましくは、UV硬化処理チャンバ101の各々のランプ212aおよび212bの出力は等しい。本発明の利点には、UV硬化処理チャンバ内でのUV硬化処理プロセスの閉ループ制御が含まれる。その上、チャンバ構成要素の状態および効率を、処理の間、モニタすることができ、効率の低下を補正係数の適用によって補償することができる。それに加えて、補正係数の適用により、均一なUVランプ出力、ならびに均一なUVランプヘッド出力、それによるプロセス均一性の向上が可能になる。上記は本発明の実施形態に関するが、本発明の他のおよびさらなる実施形態を本発明の基本範囲から逸脱することなく考案することができ、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。"