"堆積機器により基板表面上に層を堆積するための方法であって、前記堆積機器は、前駆体供給部および前駆体排出部を伴う堆積空洞を備え、前記堆積空洞は、使用する際、前記堆積機器と前記基板表面とにより境界がつくられ、前記方法は、前記基板表面に接触させるための前記前駆体供給部から前記堆積空洞の中への気体前駆体の注入と、注入された前記気体前駆体の一部の前記堆積空洞からの排出と、前記基板表面の平面に沿った、前記堆積空洞および前記基板の互いに相対的な位置付けとを含み、前記方法は、さらに、第1の電極および第2の電極の提供と、前記第1の電極および前記基板の互いに相対的な位置付けと、前記第1の電極および前記第2の電極の間に生じる高電圧差による前記基板に接触するための前記基板近くでのプラズマ放電の発生とを含み、前記方法は、前記気体前駆体が接触した前記基板の部分を前記プラズマが接触した前記基板の部分に選択的に重複させるように、前記プラズマにより前記基板表面をパターニングするために、前記プラズマ放電を選択的な時間および/または位置において発生させることを含み、前記方法は、さらに、装置の軸受用気体注入部によって前記装置と前記基板表面との間に軸受用気体を注入することによる気体軸受層の形成を含むことを特徴とする、方法。パターニングされた前記基板上に層が堆積されるように、前記基板のパターニングが、前記基板上の層の堆積に先立って行われることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記基板上での層の形成のために、または、前記基板上に存在している気体前駆体材料を取り除くために、前記プラズマが前記基板上に存在している前記気体前駆体材料と反応するよう、前記基板表面との接触のための前記前駆体供給部から前記堆積空洞の中への前記気体前駆体の注入が、前記基板近くでの前記プラズマ放電の発生に先立って行われることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記基板表面との接触のための前記前駆体供給部から前記堆積空洞の中への前記気体前駆体の注入が、前記基板近くでの前記プラズマ放電の発生と同時に行われることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記第1の電極を、前記第2の電極に対し、前記第1の電極と前記第2の電極との間の距離が高電圧差にてプラズマ放電をサポートできる程十分に小さくなる第1の配置に位置させることにより、選択的に前記プラズマ放電を発生させること、および、前記第1の電極を、前記第2の電極に対し、前記第1の電極と前記第2の電極との間の距離が高電圧差にてプラズマ放電を防げる程十分に大きくなる第2の配置に位置させることにより、選択的に前記プラズマ放電を消失させることを含むことを特徴とする、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の方法。前記第1の電極を前記第1の配置へと動かす場合、前記第1の電極は前記第2の電極に向かう方向へ動かされ、前記第1の電極を前記第2の配置へと動かす場合、前記第1の電極は前記第2の電極から離れる方向へと動かされることを含むことを特徴とする、請求項5に記載の方法。前記第1の電極および前記第2の電極を、前記基板表面に沿って同期性を有するよう配備することを特徴とする、請求項1ないし6のいずれか1項に記載の方法。前記第1の電極および/もしくは前記基板に向かってその場所において前記プラズマを形成し得る気体を供給すること、ならびに/または、前記第1の電極および/もしくは前記基板から離れ気体を排出することを含むことを特徴とする、請求項1ないし7のいずれか1項に記載の方法。基板表面上における原子層堆積または化学蒸着堆積のような層堆積のための、堆積機器を備える装置であって、前記堆積機器は、前駆体供給部、前駆体排出部、および、使用する際前記堆積機器と前記基板表面とにより境界が作られる堆積空洞を備え、前記堆積機器は、前記前駆体供給部から前記堆積空洞の中へ前記基板表面に接触するために気体前駆体が注入されるよう配備され、注入された前記気体前駆体の少なくとも一部が前記前駆体排出部を通り前記堆積空洞から排出されるよう配備され、前記堆積機器は、前記基板表面の平面に沿って互いに相対的な前記堆積空洞および前記基板の位置付けをするよう配備された堆積配置手段を備え、前記装置は、さらに、第1の電極、第2の電極および高電圧源を有するプラズマ機器を備え、当該プラズマ機器は、さらに、前記第1の電極および前記基板の相対的な位置付けをするための電極配置手段を有し、前記プラズマ機器は、前記高電圧源によって前記第1の電極と前記第2の電極との間に電圧差を生じさせることにより、前記基板表面に接触させるため、前記基板の近くでプラズマ放電を発生させるよう配備されており、前記装置は、前記気体前駆体に接触した前記基板の部分を前記プラズマに接触した前記基板の部分に選択的に重複させるよう、前記プラズマにより前記基板表面をパターニングし、前記プラズマ放電を選択的な時間および/または位置において発生させるための、前記高電圧源および/または前記電極配置手段に連結した装置制御器を備え、前記装置は、さらに、前記装置と前記基板表面との間の軸受用気体を注入するよう、軸受用気体注入部を備え、その結果、使用の際に前記軸受用気体が気体軸受を形成することを特徴とする、装置。使用の際に、前記堆積空洞により加工される前記基板の部分が前記プラズマにより加工される前記基板の部分と重複するよう、前記第1の電極および前記堆積空洞が、前記堆積配置手段により実現される相対的な動きの方向に沿って前記装置に配置されることを特徴とする、請求項9に記載の装置。前記第1の電極を、前記第2の電極に対し、前記第1の電極と前記第2の電極との間の距離が高電圧差にて前記プラズマ放電をサポートできる程十分に小さくなる第1の配置に、または、前記第1の電極と前記第2の電極との間の距離が高電圧差にて前記プラズマ放電を防げる程十分に大きくなる第2の配置に、選択的に位置させるよう、前記電極配置手段が配備されていることを特徴とする、請求項9または10に記載の装置。前記第1の電極を前記第2の電極に向かう方向へ、または前記第2の電極から離れる方向へ動かすため、前記電極配置手段が配備されていることを特徴とする、請求項9ないし11のいずれか1項に記載の装置。前記第2の電極を前記第1の電極と同期性を有するよう配置するため、前記電極配置手段が配備されていることを特徴とする、請求項9ないし12のいずれか1項に記載の装置。前記第1の電極および/もしくは前記基板に向かってその場所において前記プラズマを形成し得る気体を供給するためのプラズマガス供給部、ならびに/または、前記第1の電極および/もしくは前記基板から気体を排出するためのプラズマガス排出部が備わっていることを特徴とする、請求項9ないし13のいずれか1項に記載の装置。請求項9ないし14のいずれか1項に記載の装置、および/または、請求項1ないし8のいずれか1項に記載の方法により、少なくとも1つの、好ましくはパターニングされた、原子層または化学蒸着層を堆積することによって、OLED機器、RFIDタグまたは太陽電池機器;MEMS機器、マイクロレンズまたはマルチフォーカスレンズのような、メソスケール三次元構造;マイクロチップ解析;バイオチップ;基板からのプリントプラスチック物質またはオフセット版、のような、原子層のスタックから発光ダイオードを製造する方法、または、メソスケールエレクトロニクス機器を製造する方法。特に明記しない限り、図面を通し同じ符号のものは類似した要素であることを示す。図1は、本発明の第1の実施の形態における装置2を模式的に示す。図2は、当該装置の出口面での図を示す。当該装置は、基板表面への原子層堆積または化学蒸着のための堆積機器4を備えている。当該装置は、さらに、基板表面のパターニングを目的とした、基板近くでのプラズマ放電発生のためのプラズマ機器6を備えている。堆積機器4とプラズマ機器6とで1つの装置ヘッドを備えるよう統一させてもよい。しかし、一方では、各々が独立して操作可能である、例えば別個のヘッド、すなわち堆積ヘッド、プラズマヘッドをそれぞれ含んでもよい。堆積ヘッドは、原子層堆積ALDヘッドまたは化学蒸着CVDヘッドでもよい。一般的に、当該装置2は、互いに離れている堆積空洞および先方の堆積空洞のそれぞれにおいて、気体前駆体およびプラズマが提供される配備となり得る。これらの堆積空洞は、図1における符号18および18’において模式的に示されている。一般的に、当該装置が複数の堆積空洞18および/または複数の先方の堆積空洞18’を有し得ることは明らかであろう。それぞれの先方の堆積空洞は、個々の第1の電極と関連し得る。図5Aおよび5Bに示されるように、複数の第1の電極は各々の先方の堆積空洞18’に、例えば中に配置されることにより関連し得る。第1の実施の形態での当該装置の別の変形では、当該複数の先方の堆積空洞18’を、1つ、2つまたはそれより多くの先方の堆積空洞18’へと合流させることもできる。その結果、当該装置2および/またはプラズマ機器6には、先方の堆積空洞の寸法L2が堆積空洞18の寸法L1と同様である、少なくとも1つの先方の堆積空洞が備えられ得る。また、当該先方の堆積空洞は、複数の第1の電極と任意の複数の第2の電極とを備え得る図5B。当該先方の堆積空洞では、原子層または化学蒸着層を得るため、堆積された気体前駆体の材料に反応が起こり得る。このような例としては、プラズマにより促進する原子層堆積、またはプラズマにより促進する化学蒸着堆積が可能である。プラズマにより促進する原子層堆積は、特に、良質の低誘電率酸化アルミニウムAl2O3層の堆積に適している。これは、例えばチップ集積回路および太陽電池のような半導体製品の製造のために利用される。原子層堆積では、気体前駆体には例えば塩化ハフニウムHfCl4を含み得るが、別の種類の前駆体材料も含み得る。例えば、テトラキス-エチル-メチル-アミノハフニウムまたはトリメチルアルミニウムAlCH33を挙げることができる。当該気体前駆体とは、窒素気体またはアルゴンガスのような担体気体と一緒に注入が可能なものである。担体気体中における気体前駆体の濃度は、一般的には、0.01から1体積であろう。使用時において、堆積空洞中の気体前駆体の圧力は、一般的に、0.1から1ミリバールの範囲であり得るが、周囲の圧力近くにもなり得るし、または周囲の圧力より十分大きくもなり得る。当該装置は、先方の堆積空洞18’において上昇した温度で安定させるためのヒーターを備えてもよい。しかし、気体前駆体材料に反応を起こし維持させるための十分な熱は、プラズマが供給し得るため必須ではない。装置2には、先方の堆積空洞18’における原子層堆積のために、反応気体の供給が配備され得る。プラズマにより、反応気体および基板上に存在する気体前駆体材料は、原子層へと反応することが可能である。反応気体には、例えば、酸素O2、オゾンO3および/または水H2Oのような酸化剤気体が含まれている。図1では、使用の際に少なくとも部分的にプラズマで満たされ得る先方の堆積空洞の寸法L2だけでなく、堆積空洞の寸法L1についても示されている。基板14に沿ってみると、使用の際、堆積空洞の寸法L1が先方の堆積空洞の寸法L2を超えているということは、図1から明らかだろう。より具体的には、堆積空洞の寸法L1と、先方の堆積空洞の寸法L2とは、1つの同方向において測定することができる。例えば、図1における矢印72により示される方向が挙げられる。L1およびL2が測定される方向は、一方の堆積空洞および/または第1の電極52.iと、他方の基板との間の相対運動の方向を横切る方向でもよい。これは、図1において両端が矢の矢印74にて示されている方向である。装置2は、選択的な時間および/または位置においてプラズマ放電を生じさせるよう配備される、装置制御器を備えてもよい。装置2と基板との間にて相対運動を生じさせ、選択的な時間および/または位置においてプラズマが発生した場合、パターニングされたALD層またはCVD層を得ることができるのは明らかであろう。このようなプラズマによるパターニングの結果、気体前駆体に接触した基板の部分は、プラズマに接触した基板の部分と選択的に重複する。図1Aは、個々の層9の集団、すなわち、原子層ALD層としても示されるまたはCVD層が、気体前駆体に接触した基板の部分11上へ形成されたパターンの例を示す。図1Bは、互いに組み合わさった形状を有するALDまたはCVD層9が形成されたパターンの例を示す。図1Cは、気体前駆体に接触した基板の部分11内においてALDまたはCVD層9が含まれている例を示す。これらの層9の形成は、プラズマによる基板表面のパターニングを備え得る。図2Aは、図1において示す断面A-A’での堆積機器4の実施の形態を示す。さらには、図2Aは、基板14の表面12を示している。堆積機器4は、前駆体供給部16を備えている。堆積機器4は、さらに、使用の際には、堆積機器4および表面12によって境界がなされる堆積空洞18を構成し得る。前駆体供給部16から堆積空洞18の中へ気体前駆体が注入され基板表面12に接触するよう、堆積機器4は配備されている。このような方法においては、気体前駆体分子が基板表面12に当たり、基板表面12に付着し得る。当該例における気体前駆体の流れは、矢印20を以て示されている。堆積機器4は、さらに、前駆体排出部22を備えている。堆積空洞18から前駆体排出部22を通り、注入された気体前駆体の少なくとも一部が排出されるよう、堆積機器4は配備されている。当該例における排出された注入後の気体前駆体の流れは、矢印25を以て示されている。堆積機器4は、堆積配置手段を備えている。当該堆積配置手段は、基板表面の平面に沿って、堆積空洞および基板の配置が互いに相対的となるよう配備されている。堆積配置手段は種々の変形例があり得る。例えば、堆積配置手段は、可動式の基板台41から構成されていてもよい。一方、堆積配置手段は、回転可能なドラムであって、それに沿って基板が案内される当該回転可能なドラムから構成されていてもよい。一方、さらには、堆積配置手段は、堆積機器を動かすための輸送担体から構成されていてもよい。このように、互いに相対的となる前駆体供給部と基板との位置付けには、前駆体供給部および/または基板を動かすことが含まれ得る、ということは明らかであろう。堆積配置手段は、さらには、基板表面の平面の外の、前駆体供給部および基板の相対的位置にて配備されていてもよい。これは、例えば、軸受用気体注入部32を有する堆積機器4を設けることにより達成することができる。軸受用気体注入部32は、堆積機器と基板表面との間において軸受用気体を注入するために配備される。使用の際、軸受用気体は気体軸受層34を形成し得る。軸受用気体の流れは矢印36を以て示されている。前駆体排出部22は、軸受用気体の排出のために使用されてもよい。しかし、軸受用気体注入部32は、前駆体供給部16から離れている。注入された軸受用気体は、同時に、注入された気体前駆体を堆積空洞へと閉じこめるためのガスカーテンのような閉鎖された構造を取り得る。より具体的には、一般的に、使用の際における気体軸受は、基板表面を向く堆積機器4の接近の結果として、気体軸受層において強い圧力の増加が示されるというものである。例えば、他の条件が同様であれば、基板表面から50マイクロメーターの位置から基板表面から25マイクロメーターの位置へ堆積機器を2倍基板に近づける場合において、使用の際には、少なくとも2倍の気体軸受層における当該圧力は、例えば典型的には8倍まで増加する。好ましくは、使用の際の気体軸受の剛直性は103から1010N/mmの間であるが、この範囲から外れていてもよい。また、このような剛直性は、気体軸受上へのプレストレス力の付与によりつくることができる。一般的に、軸受用気体注入部32には、気体軸受に剛直性を供給するために、軸受用気体注入部の流路に与えられる流れの制限がもたらされ得る。図2Aの堆積機器は、軸受用気体の注入を制御するための気体制御器105を有し得る。図2Aの堆積機器は、気体前駆体の注入を制御するための気体制御器103を有し得る。これらの気体制御器は、装置制御器によって構成され得る。図2Bは、堆積機器4の別の実施の形態を示す。本発明の1つの観点によると、本発明では、堆積ヘッド98を備えている堆積機器4を提供することができる。当該堆積ヘッドは、前駆体供給部16および前駆体排出部22を有する堆積空洞18を構成している。当該供給部および排出部は、気体前駆体を、前駆体供給部から、好ましくは堆積空洞のみを経て前駆体排出部に流れるよう配備され得る。堆積空洞18は、使用の際、堆積ヘッドおよび基板表面12により境界がなされる。堆積機器4は、軸受用気体注入部32を有している気体軸受を備え得る。当該軸受用気体注入部32は、堆積ヘッド98と基板表面との間に軸受用気体を注入するため配備され、その結果、当該軸受用気体は気体軸受層を形成する。堆積機器4は、例えば堆積配置手段のような、輸送システムを備え得る。当該輸送システムは、輸送平面であって、それに沿って基板が輸送される当該輸送平面が形成されるよう、基板の平面に沿った、基板と堆積ヘッドとの相対的な動きをもたらす。支持部100は堆積ヘッドの反対側に備えられ得る。当該支持部は、輸送平面における堆積ヘッドと気体軸受との均衡を保つ気体軸受圧力配備をもたらすよう構成されている。そして、このような堆積ヘッドと支持部との間における気体軸受圧力配備により、基板を支持体なしで保持される。図2Bの例に示すように、支持部100は、基板14の中心の線と思われる輸送平面に沿って、基板14の保持をするよう配備されている。また、支持部100は、堆積ヘッド98の反対に配置されており、輸送平面において堆積ヘッドと気体軸受34との均衡を保つ気体軸受圧力配備が提供されるよう構成されている。完全に対称的な配備でないものでも効果は有し得るが、好ましくは、堆積ヘッド98によって提供されるものと同様の、支持部における同一の流れの配備を有することにより、このような均衡が提供される。好ましくは、支持部10のそれぞれの流れの排出ノズル、例えば前駆体供給部16または軸受用気体注入部32が、堆積ヘッド98の対応するノズルに向いて対称的に配置されている。この場合、基板は支持なしに、すなわち堆積機器4の堆積ヘッド98と支持部100との間における前述の気体軸受圧力配備による機械的サポートなしに保持され得る。機械的サポートが全くないことにより、そのようなサポートでの汚染のリスクが防がれる。このことは、基板14に相対する堆積ヘッド98の、最適な作業高さを確保することにおいてとても効果的である。さらに、洗浄目的のためにも、当該システムでのより少ない時間というのは必要なことである。さらに重要なことには、機械的サポートがないことによって、システムの熱容量を減少させることが可能となり、その結果、製造時の温度に対する基板の熱反応をより速くすることも可能となり、著しい製造量の増加となり得る。図2Cは、図2Aおよび図2の堆積機器の底面図を示す。一般的に、堆積空洞18は細長い形状であり得る。堆積空洞の縦方向は、使用の際に、堆積空洞18と基板14との間の相対運動の方向74に対して横となり得る。一般的に、図2A-Cにて示すように、堆積空洞18または先方の堆積空洞18’は空洞19内において存在し得る。堆積空洞18は横に、すなわち基板表面の方向に、空洞19により制限され得る。そのため、堆積空洞18は、空洞内でしか横方向に広がることができない。使用の際には、空洞は基板に面し得る。前駆体排出部および前駆体供給部は空洞内において配置され得る。空洞は、突出部分23により、全ての側面において囲まれ得る。突出部分23は、空洞の底27に対し、突出している。前駆体排出部16および前駆体供給部22は、空洞19の底において配置され得る。なお、当該空洞は、工程での状態を最適化する明確な利点を有し得る。1つの実施の形態においては、先方の堆積空洞の深さが実質上ゼロであることが理解され得る。具体的には、先方の堆積空洞がさらなる堆積の空間であるということである。しかし、一方では、先方の堆積空洞18’はゼロではないが、深さを持ち得るだろう。図3Aは、図1において示す断面B-B’でのプラズマ機器の実施の形態を示す。プラズマ機器は第1の電極52、当該例においては複数の第1の電極52.ii=1、2、3、...を備えている。プラズマ機器は第2の電極54、および第1の電極52.iと第2の電極54との間に電圧差を生じさせるための高電圧源56も備えている。一般的に、プラズマは表面の近く、例えば表面上にて生じる。従って、例えば表面12上においてパターニングによる疎水加工を行うことによって、表面と接触させ表面をパターニングすることが可能となる。一般的に、高電圧源は、100、500、1000、2000、5000または10000ボルトよりも大きい電圧を生じさせるものを配備し得る。プラズマが形成され、第1の電極と第2の電極との間に分離する状態の気体を踏まえると、高電圧源の最小の電圧が選択され得る。もし、第1の電極と第2の電極との間の距離が短ければ、100ボルトよりも小さい電圧が生じる高電圧源を使用すればよい。例えば、10ボルトよりも大きい電圧を生じさせる高電圧源が挙げられる。当該例においては、第1の電極52.iは、縦長のペンのように設計されている。当該例においては、第2の電極54はプレート形状となっている。第1および第2の電極52.i、54は、それぞれ、高電圧源56の端子58、60と電気伝導性を有するよう接続されている。高電圧源56は、第1の電極52.iと第2の電極54との間に十分に大きいプラズマ62を発生する高電圧差が生じるよう、備えられる。当該例においては、第1の電極52.iは64でアースされるように接続されている。第1の電極は第2の電極に対して負の電荷を帯び得るし、逆もまた同様であり、例えば基板上に強い衝撃を与えるのにイオンが求められるか、または電子が求められるかによる。このような例では、電圧差はDC電圧差を含む。一方、またはさらには、高電圧差はAC電圧差例えば高周波RF、パルス電圧差等を含み得る。当該例においては、加工される基板14は、第1の電極52.iと第2の電極54との間、第2の電極4の上面において配置されている。当該例における第2の電極54は、カウンター電極とも称される。図3Aにおいて、プラズマ機器6はさらにハウジング66を備え得る。ハウジング66には、複数の穿孔68.ii=1、2、3、...が備えられており、その各々には、1つの第1の電極52.iが収納されている。それぞれの第1の電極62.iは、スライド可能に、当該それぞれの穿孔18.iの中に収納される。このような例においては、プラズマ機器6は、それぞれの穿孔68.iにおける第1の電極52.iを、それぞれ個々に動かすために配備される電極配置手段を備える。電極配置手段は、リニアモーター、ラックピニオン、圧電アクチュエータ、電磁ソレノイド、またはそのような電気モーターを含み得る。このように、電極配置手段は、第1の電極52.iおよび基板14の相対的な位置付けのために配置され得る。これまで述べてきたようなプラズマ機器6は、以下の手段において操作することが可能である。第1に、基板14を第2の電極4と第1の電極52.iとの間に配置する。第1および第2の電極の間には、高電圧差が生じ維持される。基板14の表面12においてプラズマを以て選択的に加工する場合、加工する表面12の位置を決定する。次に、表面における決定した位置に最も近い第1の電極52.iを選ぶ。当該例においては、第1の電極52.3が選ばれる。図3Aにおける第1の電極52.1、52.2、52.4、52.5および52.6に示されるように、最初は、全ての第1の電極52.iを格納した位置としておいてもよい。第2の配置とも称される、このような格納した位置では、第1の電極52.iのチップ放電部分と第2の電極54との距離が十分に離れ、高電圧差におけるプラズマ放電を防いでしまう。すなわち、格納された位置における第1の電極52.iと第2の電極54との間の電界強度が、電気貫流を防いでしまうほど十分低くなっているということである。電極配置手段は、選択された第1の電極52.3を、第2の電極54に向かって、第1の配置とも称される、延長先の位置の中へ移動させる図3A参照。当該延長先の位置では、選択された第1の電極52.3のチップ放電部分と第2の電極54との距離が、高電圧差におけるプラズマ放電をサポートできるよう十分小さくなっている。すなわち、延長先の位置における第1の電極と第2の電極54との間の電界強度が、プラズマ放電の発生をサポートできるよう十分高くなるということである。図3Aにおいて、プラズマは62にて示されている。第1および第2の電極の間の電界は基板を通り抜け得るので、図3Aにおけるプラズマ機器は、プラスチックホイルのようなシート形状の基板に適している。第1の電極が格納可能であるこというには、プラズマが格納された第1の電極に届かないため、プラズマを発生させる第1の電極に隣接している他の第1の電極の浸食を減少させることができるという利点をも供する。特に、もし、ハウジング16がプラズマの近くにおいて絶縁された底部を備えているなら、図3Aにて示すように、ハウジング内において第1の電極を完全に格納することにより、当該効果は改良されるだろう。これは他の種類のプラズマ機器6にも適用できる。しかし、厳密に、電極がハウジング16によって包囲されている必要はないだろう。また、ハウジングは、電極を導入するため実質上開口している構造でもよい。また、第1の電極と第2の電極との間の距離の操縦によって、プラズマ密度を変更することができる。第1の電極と基板の表面との距離も制御することができるので、カーブした表面および/または3次元の物の加工も実行し得る平坦ではなく基板の形状をたどっている第2の電極の組合せによって可能となる。装置2は、電極配置手段の操縦による、第1の電極の延長先への配置および格納の制御を行う装置制御器を備えてもよい。装置制御器によって、装置は、プラズマによって基板の表面をパターニングし、選択的な時間および/または位置においてプラズマ放電を発生させるように配備されるため、気体前駆体に接触した基板の部分を選択的にプラズマに接触する基板の部分と重複させ得る。図3Bは、プラズマ機器6または、本発明による方法において、電極配置手段を備える圧電アクチュエータがどのように使用され得るかを模式的に示したものである。図3Bには、第1の圧電アクチュエータ70Aおよび第2の圧電アクチュエータ70Bが示されている。図3Bには、延長先の位置における第2の圧電アクチュエータ70Bが示されている。この状況は、圧電アクチュエータと接続されたピエゾ電圧源56’により、第2の圧電アクチュエータ70Bを通り電圧が供給されることによる。ピエゾ電圧源56’は、高電圧源56によって形成され得る。図3Bには、格納された位置での第1の圧電アクチュエータ70Aが示されている。この状況は、圧電アクチュエータと接続されたピエゾ電圧源56’により、少なくとも部分的に、第1の圧電アクチュエータ70Bを通り電圧が放出されることにより起こり得る。圧電アクチュエータと接続されたピエゾ電圧源56’は、高電圧源56により形成されてもよいし、または高電圧源56から分離していてもよい。圧電アクチュエータは、第1の電極の的確な延長、すなわち配置を可能とするだろう。例えば図3Bにおいて、第1の電極52.1、52.2はそれぞれ圧電アクチュエータ70A、70Bにより保たれている。第1の電極が全体的に圧電アクチュエータによって形成され、その外側の表面の少なくとも一部分上、または使用の際の第1の電極の放電部分近くにおいて、任意に付加的に電気伝導性を有するコーティングを備えていることも可能であろう。図3Cは、プラズマ機器6の別の実施の形態を示す図である。当該実施の形態では、プラズマ放電を供給するために従来のインクジェットプリントヘッド35が改造されている。当該実施の形態では、インクジェットプリントヘッドは複数のノズル37.nn=1、2、3、...を備えている。当該ノズルごとには、2つの圧電要素31、33が内部のインクチャンバー39に隣接して配置されている。変形例では、圧電要素31、33は、高電圧源56の端子58、60にそれぞれ、電気伝導性を有するよう接続される。圧電要素31、33の間に高電圧差が維持される場合、これらは第1および第2の電極52.i、54.jとして機能する。図3Cにおける機器は、以下のように操作することができる。インクの代わりの気体の流れを、矢印Gにて示されるように、プリントヘッド35の中に注ぎ込む。基板14の表面12をプラズマにて選択的に加工する場合には、加工する表面12の場所を決定する。次いで、決定された表面における場所に最も近い、ノズル37.n、ならびに対応している第1の電極52.iおよび第2の電極54.jを選択する。当該例においては、第1の電極52.3および第2の電極54.3が選択される。プラズマ放電が生じないよう、最初は、全ての第1の電極52.iおよび全ての第2の電極54.jを高電圧源56から接続を断っておいてもよい。選択された第1の電極52.3および選択された第2の電極54.3は、それぞれスイッチ24.5および24.6を介して高電圧源56へと接続される。その後、電極間の領域において、プラズマ62が生じるだろう。気体の流れの速さにより、プラズマ62は、基板14の表面12に向かってノズル37.3から噴出され得る。変形されたインクジェットヘッド35では、基板12に沿って走査することが理解されるだろう。スイッチは、装置制御器により構成されていてもよい。そして、装置制御器は、高電圧源と連結され得る。これらから、より具体的には、装置制御器を、第1の電極であって、それを介してプラズマが生じる当該第1の電極を選択するスイッチにより、選択的な時間および/または位置での放電が生じるよう、配備されすることができるということは明らかであろう。図3Dは、プラズマ放電を生じさせるためのプラズマ機器6のさらなる実施の形態を示す。当該実施の形態は、本発明において、基板14のマスクなしの直接のパターニングすなわちパターンを備えたマスクを使用しない方法に適している。当該例においては、機器6は、特に3次元基板14の表面12のパターニングのために適用される。この例においては、例えば図3A-Cにおいて記載されているように、電極52.i、54jが個々に動いて基板14の方向へ向かい、または離れることが可能である。この例において、電極52.i、54jには、当該電極に施され固定された絶縁体28.kが備えられている。そのため、電極52.i、54jは侵食に対しては十分防止される。図3Dにおいて示される機器6は、以下の手段において操作し得る。基板14は、第1および第2の電極52.i、54jの近くに配置される。それぞれの電極が基板14の表面12に接触するまで、全ての電極52.i、54jは基板14に向かって配置される。次に、全ての電極52.i、54jを表面12から所定の距離以上離れるよう動かす。所定の距離とは、プラズマ62を発生させ表面12を加工するために適した距離である。そして、電極は表面12の輪郭をたどる。図3では1次元での電極の並びを示しているが、3次元の基板の表面12の表面領域を加工できるよう、電極52.i、54jの2次元での並びが好ましい。しかし、次の基板における代替の方法を使用してもよい。プラズマ機器6またはプラズマ機器6を備える装置2が、さらに、気体軸受、および装置と基板表面との間の軸受用気体を注入するために配置された軸受用気体注入部32を備えてもよい。この際、当該軸受用気体は気体軸受となっている。図3Dには、存在し得る気体軸受34が示されている。軸受用気体の流れは矢印20にて示されている。次いで、高電圧差を準備する。基板14の表面12をプラズマにて選択的に加工する場合、加工される表面12の場所が決定される。さらに、装置制御器は、生じさせるパターンについての情報がユーザーにより提供されるコンピューターを備えてもよい。表面における決定した場所に最も近い第1の電極52.iおよび第2の電極4.jが、装置制御器によって選択される。この例においては、第1の電極52.2および第2の電極54.2が選択される。プラズマ放電が生じないよう、最初は、全ての第1の電極52.iおよび全ての第2の電極54.jを、高電圧源56から接続を断っておいてもよい。選択された第1の電極52.2および選択された第2の電極54.2は、それぞれスイッチ24.3および24.4を介して高電圧源56へと接続される。スイッチは、装置制御器によって構成され得る。図3Dでの例においては、電極52.i、54jの間において外装30.mm=1、2、3、...が施されている。この例では、当該外装は絶縁体の薄片によって形成されている。外装30.mは、電極52.i、54jの間の開放空間82におけるプラズマ62の侵入を防止する。外装30.mは、放電空間134の中への気体の侵入をも可能とする一方で、電極間の開放空間82への気体の侵入を防ぐ。放電空間134内の気体は、プラズマ放電を促進するものから選択することが理解されるだろう。当該気体には、例えばアルゴンまたはヘリウムが含まれ得る。開放空間82においてプラズマ放電を引き起こす可能性がないよう、開放空間82内には高電圧差を引き起こし得る気体は存在しない。これらの外装30.mは任意であり、そしてまた必要であれば図3Aにおける機器においても適用してもよい。図3Eは、気体がどのように放電空間134の中へ入ることができるかを模式的に示す。プラズマ機器6は、第1の電極52に向かって気体を供給するため、また、その中にプラズマを形成させるために、例えば送り込み管13Aのような気体供給部を備え得る。さらに、プラズマ機器6は、第1の電極および/または基板から気体を排出するために、例えば排出管13Bのような気体排出部を備え得る。さらに、プラズマ機器6は、第1の電極52の周囲を囲んでいる、囲い13Cを備え得る。使用の際、気体が送り込み管13Aから直接囲い13Cの中に流れるよう、囲い13Cは、送り込み管13Aと流体的な接続がされていてもよい。送り込み管13Aおよび排出管13Bは、気体が排出管13Bに到達する前に、囲い13Cからから流れ出なければならないように配置され得る。送り込み管、排出管および囲いによって、気体の流れを集中させることができる。しかし、囲い13Cがなくとも集中した気体の流れが実現し得ることは、明らかであろう。排出管13Bを囲い13Cの中に入れることもまた可能である。図3Fは、プラズマ機器6のもう1つのさらなる実施の形態を示している。本実施の形態では、従来のインクジェットプリントヘッド35が、プラズマ放電を供給する目的で改造されている。この例においては、インクジェットプリントヘッドは複数のノズル37.nn=1、2、3、...を備えている。変更箇所は、針状の第1の電極52.iが、ヘッドの内部チャンバー39を通って延びるよう施されている所である。針状の第1の電極は、具体的には、例えば電気伝導性コーティングがなされている、例えばダイアモンドチップを有する。このように、第1の電極は、比較的鋭いチップを備え得る。従って、プラズマの大きさは減少し得る。これにより、パターニングにおけるスポットサイズまたはトラック幅において狭くすることが可能となる。第1の電極52.iは、高電圧源56の端子58と電気伝導的に接続されている。また、ピンホールプレート76Aのような中間構造は、高電圧源56の端子60と電気伝導的に接続されており、第2の電極54として作用し得る。この例では、第1の電極がスイッチ24.iを介して電源が入れられる。なお、当該第1の電極52.iは、例えば図3A、3Bまたは3Dにて示されているような、格納された位置から延長先の位置へ移動可能に配置するということも理解されるだろう。図6Bの例では、第1の電極52.iの周囲において、気体がノズル37.nを通過して流され得る。気体は、例えば、気体前駆体、反応気体または堆積材料が含まれ得る。本発明によるプラズマ機器の形成においては、他の従来のインクジェットヘッドでも改造することは可能であろう。第1の電極をプリントヘッドの圧電要素によって形成する一方、第2の電極をノズルを囲む電気伝導性のノズルプレートによって形成するということも可能な1例である。また、電熱抵抗器がプラズマ発生のための電極を形成するような、従来のインクジェットプリントヘッド内における代替の電気伝導性構造でも可能である。発明者は、1つまたはそれより多くの図1-3Eによる装置またはプラズマ機器を以て、市販のマトリックスプリンタが容易に改造し得ることを実行した。従来のマトリックスプリンタからの改造は以下を以て実行され得る。本発明による1つの実施の形態において、改造キットとして使用され得る。第1に、従来のマトリックスプリンタに、高電圧差を発生させる高電圧源を備え付ける。当該マトリックスプリンタのプリントヘッドの少なくとも1つのプリントペンは、高電圧源と電気伝導的に接続される。例えば、従来のマトリックスプリンタのプリントドラムの外側の表面が、高電圧源と電気伝導的に接続され得る。もし必要であれば、当該プリントドラムの表面に電気伝導性を有するコーティングが施すことも可能である。もし、図3A-Eによる機器を所望する場合、プリントヘッドの少なくとも1つのプリントペンが高電圧源の正極端末に接続される一方、プリントヘッドの少なくとも1つの他のプリントペンが高電圧源の負極端末に接続される。2つより多くの第1の電極52.iおよび/または第2の電極54.jが使用される場合、これらは1または2次元における並びにおいて配置することができる。そのような並びにおいて互いに電極を離す簡単な方法には、国際公開第2008/004858号において記載されているような膜を用いる方法が挙げられ、当該記載は参照によりここに組み込まれる。この方法によると、電極52.i、54.jは、個々の電極を離している膜を以て、例えば六方充填において互いに接近して配置されることが可能である。膜が電気的に絶縁性の場合、電極も互いに電気的に絶縁状態となる。国際公開第2008/004858号にはピンの動きの配置および方法での別の利点も記載されている。それは、電極が互いに影響することなしに個々に動くことができるということである。図1、2A、2Bおよび3A-3Dが、堆積機器およびプラズマ機器を有している装置の考えられる実施の形態に関連している一方、様々なその他の変形も可能である。例えば、プラズマ機器6はさらなる中間構造を備えてもよい。当該中間構造は、使用の際に、基板14と、第1の電極52.iの少なくとも1つ、例えば全てとの間に配置される。図4は、そのような中間構造76を有するプラズマ機器の例を示す。当該例における中間構造は、シートとして形成されている。シートは、複数の開口を有する当該例において、少なくとも1つの開口80を有するピンホールプレート76Aおよび/またはリボン76Bを備えてもよい。図4の例においては、ピンホールプレートは、基本的に、セラミックのような非電気伝導性の材料から構成されている。しかし、他の例においては、ピンホールプレートは、電気伝導性材料にて備えられていてもよい。その場合、ピンホールプレート86Aは第2の電極54を形成し得る。リボン76Bは、必須ではないが、担体シートが備えられていてもよい。開口80を通り抜け、発生したプラズマ62は基板14に向かって供給される。このように、使用の際には、もしリボンがあるなら任意にリボン76Bに相互作用しつつ、プラズマは開口80を通過し基板に到達し得る。そのような相互作用の結果としては、リボンにより備えられていた加工材料が、プラズマによって放出され得る。加工材料は、例えば原子層堆積工程における前駆体材料もしくは反応材料として、または、例えば化学蒸着工程における前駆体材料として使用され得るものである。プラズマを形成するための気体は、中間構造と基板14との間において供給することができる。気体の流れは矢印Gにより示されている。図4では側面におけるピンホールプレート76Aが示しているが、図4Aは上面におけるピンホールプレート76Aを示している。また、開口の直径DAを示している。開口の最大の寸法は決定され得る。当該例での大凡円形の開口80にとって、最大の寸法は直径DAとなり得る。直径DAは、第1の電極と基板との間の最小距離DEより小さければ、例えば少なくとも2分の1より小さければ任意である。このような方法で、プラズマにより生じさせたパターンのスポットサイズまたはトラック幅Sを、十分に減少させることが可能となる。しかし、一方では、直径DAは、第1の電極と基板との間の最小距離DEより大きい、または等しいことは任意にあり得る。ピンホールプレートは、図3Aまたは3Cの変形例においても備えられていてもよい。図3Cにおける実施の形態において、ピンホールプレートが電気伝導性を有し、第2の電極として機能することも、あり得ることであろう。この場合、内部チャンバー39において、例えば1つの圧電要素のインクジェットプリントヘッドの1つの電極が、第1の電極を形成するために必要となる。図5は、図1において示す断面C-C’での装置2の実施の形態を示す。図5の例においては、1つの装置ヘッド104を含むよう、堆積機器およびプラズマ機器が統一されている。図5には、前駆体供給部16、前駆体排出部22および堆積空洞18が示されている。装置2は、さらに、第1の電極52および第2の電極54を有するプラズマ機器を備えている。装置2は、さらに、高電圧源56を有している図5に描かれていないが、図3および5に現れている。図5において、第1の電極および第2の電極は、基板の表面に沿って同期性を有して配置されている。そのような配置は、例えば、装置ヘッド104に沿って基板14を動かすことによって、および/または基板14に沿って装置ヘッド104を動かすことによって、実現することができる。本実施の形態では、電極配置手段は堆積配置手段により形成されている。電極配置手段および堆積配置手段の両方は、基板の輸送システムによって形成され得る。そのような基板の輸送システムは、ロールツーロールシステムまたは可動式の基板台41を備え得る。一般的に、基板は弾力性を有し得る。装置2のプラズマ機器6は、一般的に、プラズマ供給部106および先方の堆積空洞18’を備え得る。使用の際に、例えばアルゴンガス等のプラズマが形成される気体を、基板14に向けてプラズマ供給部の中へ注ぎ込むことができる。使用の際に、例えば原子層堆積を行う際には、反応気体をプラズマ供給部106を通して注入することができる。また、より具体的には、プラズマ機器は、使用の際に反応気体を供給するための反応気体供給部を備えてもよい。また、反応気体供給部はプラズマ供給部106によって形成されてもよい。このようなプラズマにより、反応気体と、基板上に存在する気体前駆体材料とが反応し、原子層を形成することができる。プラズマ機器は、例えばプラズマガス排出部等の、さらなる排出部108を備えてもよい。これは、例えば過剰な反応気体および/またはプラズマガス等の、過剰量の気体を排出するものである。基板14の表面12を選択的にプラズマにて加工する場合、まず、加工される表面12の場所を決定する。次いで、表面上にて決定した場所に最も近いプラズマ供給部106、ならびに対応している第1の電極52および第2の電極4を選択する。これは、装置ヘッド104が複数の第1の電極52.iおよび複数の第2の電極54.iを備え得るためである。プラズマ放電が生じないよう、最初は全ての第1の電極および全ての第2の電極を高電圧源56から接続を断っておいてもよい。選択された第1の電極52および選択された第2の電極54は、スイッチを介して高電圧源56に接続することができる。その後、先方の堆積空洞18’内の電極間における領域では、プラズマ62が生じ得る。プラズマ供給部からの気体の流れの速さにより、プラズマ62は、基板14の表面12に向かってプラズマ供給部から噴出され得る。装置ヘッド104は、電極配置手段および堆積配置手段によって表面12に沿って走査され得るだろう。これらの手段は、装置ヘッド104および/または基板14における、1つの輸送システムに統一させることができる。より具体的には、空間18および18’の適当なパージングにより、工程の間において供給部16と106とを交替させ得る。図5において、一方では堆積空洞18と第1の電極52との間の、他方では堆積空洞18と基板14との間の相対的な動きを、方向74にて示している。この相対的な動きは、輸送システムによって具現化することが可能である。第1の電極52および堆積空洞18は、装置における方向74に沿って配置されている。その結果、使用の際には、まず、基板表面の部分が堆積機器により加工され、その後、プラズマ機器により加工され得る。または、逆の順でもよい。その結果、堆積空洞により加工された当該基板の部分が、プラズマにより加工された基板の部分と重複し得る。一般的に、堆積空洞18は、その高さD2を基板表面12に関連して規定する。流れの障壁として機能し得る、気体軸受34は、基板表面12に直面している流れを制限する表面11を備え得る。また、基板に関連して、堆積空洞の高さD2よりも小さい空間距離D1を規定し得る。流れを制限する表面11の長さC2は、典型的には、1から30ミリメーターの範囲であろう。前駆体排出部22の間の距離C1は、典型的に1から10ミリメーターの範囲であろうし、基板6の平面における堆積空洞14の典型的な長さも同様であろう。D1によって示されている気体軸受層の典型的な高さは、3から15マイクロメーターの範囲であろう。基板6の平面から測定される、基板に対する堆積空洞18の底面からの典型的な高さD2は、3から100マイクロメーターの範囲において使用され得る。これらについては効果的な値であると考えられる。基板に対する先方の堆積空洞18’の底面からの高さD3は、堆積空洞18の高さD2と同様のものが使用できる。しかし、一方では、先方の堆積空洞18’に関する高さD3は、堆積空洞18に関する高さD2と異なっていてもよい。例えば、高さD2より大きいまたは小さいものが挙げられる。装置2は、少なくとも電極配置手段および堆積配置手段を制御するための装置制御器110を備え得る。当該例においては、接続112Aを介した基板台41によって両方形成されている。装置制御器110は、さらに、接続112Bを介して電圧差の発生を制御するために配備されていてもよい。例えば、装置制御器110は、プラズマを生じさせる時期、すなわちプラズマ発生が始まる時間およびプラズマ発生が止まる時間を、好ましくは繰り返して制御し得る。このように、装置2は、選択的な時間においてプラズマ放電を発生させるための、高電圧源および/または電極配置手段に連結している装置制御器110を備えている。これにより、気体前駆体に接触した基板の部分を、プラズマに接触する基板の部分と選択的に重複させることができるような、プラズマによる基板表面のパターニングを可能とする。プラズマが形成される気体の流れについても、接続112Bを介し、制御され得る。なお、所望により、一般的な別の反応気体を供給してもよい。装置制御器110は、さらに、前駆体供給部を介する気体前駆体の供給、および軸受用気体注入部32を介する軸受用気体の注入を制御するよう、配備されていてもよい。その場合、軸受用気体の注入を制御するための気体制御器105および気体前駆体の注入を制御するための気体制御器103が備えられ得る。当該制御器は、接続105Aおよび103Aを介して制御されていてもよい。これらの気体制御器は、装置制御器110により構成されていてもよい。これらのように、原子層堆積のパターニングを具現化するための制御器が配備されていてもよい。例えば、使用の際には、パターニングされた基板上への原子層堆積のために、基板上への原子層堆積に先立って、プラズマによる基板のパターニングを行ってもよい。他の例としては、使用において、装置制御器が装置ヘッド104を制御し得る。そして、基板近くでのプラズマ放電発生に先立って、気体前駆体を基板表面に接触させるために前駆体供給部から堆積空洞の中へ注入させ、その結果、基板上に原子層を形成させるため、または基板上に存在している気体前駆体材料を取り除くために、基板上に存在している気体前駆体材料をプラズマと反応させる。装置2は、さらに、前駆体供給部および基板表面の平面外の基板の相対的な配置についても配備され得る。そのうえ、堆積機器は、さらに、装置ヘッドと基板表面との間の気体を注入し、当該気体が使用の際に気体軸受層34をするよう、気体注入部32を備え得る。図5において、気体軸受層を作るために気体注入部が軸受用気体注入部32によって形成されている一方、軸受用気体注入部は前駆体供給部から離れている。図5Aは、第1の電極52.2が中空針によって形成されている例を示す。中空針からの気体の流れは矢印G1にて示されている。より具体的には、プラズマ機器6および/または装置2は、中空針52.2の周囲に気体排出部13Bを備え得る。排出される気体の流れは矢印G2によって示されている。G1および/またはG2の気体の流れにより、第1の電極、例えば中空針の、効果的な冷却を成し遂げることができる。しかし、一方では、中空針がソリッド形中実の針でもよいということは明らかだろう。さらに、または一方では、図5Aにおいて針状の第1の電極52.1、52.2、52.3およびプレート状の第2の電極54が示されているのに対し、他の第1および第2の電極52A.i、54A.iおよび/または52B.i、54B.iが、単独に、または組み合わされて備えられていてもよい。第1および第2の電極52A.i、54A.i;52B.i、54B.iのペアーは、当該電極のペアーに連携するプラズマ供給部に接近し得る。これにより、一般的にプラズマにおいて、相対的に小さい大きさ、および相対的に短い切り替え時間が提供され得る。図5Bは、複数の第1の電極52.iおよび複数の第2の電極54.iを備えた先方の堆積空洞18’の底面図を示す。図5Bは、空洞および突出部分23の底面27を示している。図5Cは、図5Bの詳細114を示す。より具体的には、第1の電極52.iおよび第2の電極54.iが、反応物質供給部116でもありうるプラズマ供給部106の周囲に、好ましくは例えば極めて接近した近くにおいて配置され得る。複数の第1の電極52.iおよび複数の第2の電極54.iによるそのような形状では、プラズマの大きさを相対的に小さくすることができる。その結果として、装置の手段によって生ずるパターンの解像度を相対的に高くすることができる。さらなる利点としては、第1および第2の電極がプラズマ供給部106に対して極めて接近するため、プラズマを生じさせるために必要な時間、およびプラズマを消失させるために必要な時間を、相対的に短くすることができる。これにより、装置2を伝う基板の処理スピードを速くすることができる。より具体的には、図3A-Fにおいて示されるような構造が、空洞の底を伝い1つまたは2つの相互に垂直な方向に沿った1つの先方の堆積空洞において提供され得る、ということは明らかであろう。本発明は、他の観点を含み得る。例えば、基板は、プラスチックの基板または有機材料を含んだ基板でもよい。そのような基板は、高い温度に対し相対的に弱い。しかし、本発明ではプラズマをほんの局所的に生じさせることができるので、気体前駆体材料から原子層を得るために必要とされる基板全体を高温にさらすという行為を省くことができる。装置は、所望により、利便性のために、1つのウェハーの反応器として統一してもよい。本発明による方法は、好ましくはパターニングされた原子層のスタックが得られるよう、所望により繰り返し行ってもよい。なお、当該原子層のスタックは、パターニングされていない層をも含んでもよい。本発明による方法および/または本発明による装置は、コーティングペーパー、例えばオフタルミックコーティングの適用として役立ち、所望により使用され得る。例えば、眼科医学のような自由な表面形状のもののコーティング、ミネラルガラスのコーティング、および/または有機材料のコーティングが挙げられる。本発明による方法および/または装置は、バリアコーティング、ハードコーティングおよび/または抗反射コーティングの堆積にも役立ち、所望により使用され得る。本発明による方法および/または本発明による装置は、バリラックスのガラスのようなガラス製造に使用される、多重焦点の層への適用に、所望により使用され得る。本発明による方法および/または本発明による装置は、オフタルミック彩色のために、所望により使用され得る。本発明は、高電圧源および本発明による装置において使用されるプリントヘッドを含む変形例を以ても提供することができる。好ましくは、本発明による方法を実施できるよう配備されている。変形例は、好ましくは、さらに、プリントヘッドの第1の電極に向かって気体を導くための気体注入部を備える。変形例は、好ましくは、さらに、中間構造を備える。複数の第1の電極は、例えば米国特許第6,779,935号明細書に記載されているような、ハンマバンクを所望により備えてもよい。本発明による方法は、パターニングされたALDまたはCVD層の重複において、化学蒸着により実質上パターニングされていない層の堆積を、所望により含んでもよい。本発明は、急速プラズマ補助ALDAtomicLayerDepositionまたはCVDChemicalVaporDeposition工程を使用する、基板表面のパターニングのための機器をも提供することができる。当該機器は、手順における気体および前駆体を供給するシャワーヘッドを備える。また、第1の放電部分を有する第1の電極および第2の放電部分を有する第2の電極と、第1および第2の電極の間に高電圧差を生じさせるための高電圧源と、配置手段とを備え、当該配置手段では、例えば基板に関して第1の電極を配置するための電極配置手段が挙げられる。そこでは、第1の放電部分と第2の放電部分との間の距離が十分小さくなっている第1の配置においては、高電圧差においてプラズマ放電をサポートするよう、第2の電極に対して第1の電極が選択的に配置されるよう配置手段において配備されており、第1の放電部分と第2の放電部分との間の距離が十分大きくなっている第2の配置においては、高電圧差によるプラズマ放電を防止するよう、配備されている。そこでは、プラズマがALD層および/またはCVD層のパターニング形成を促進している。本明細書、図面および例は、適宜、制限された意味よりむしろ具体的なものとしてみなすべきである。従って、本発明は、ここに記載された実施の形態および変形例に制限されない。例えば、ここに記載された方法および/または装置は、周囲環境下、真空状況下または制御された広い範囲の圧力状況下にて、実施され、使用されてもよい。請求の範囲において、挿入語句の間における全ての文字は、請求の範囲を限定するものとして解釈されるものではない。‘備える’または‘含む’という文言は、請求の範囲において挙げられた特徴または工程のその他の存在を除外するものではない。さらに、通常の単語は‘1つのみ’と限定して解釈されることはないが、‘少なくとも1つ’という文言が使用された際は複数が除外されることはない。また、相互に異なる請求の範囲において正確な寸法が列挙されているという事実は、これらの寸法を組合せたものが利便性のために使用できないということを示しているわけではない。"