"下記一般式1で表される繰り返し単位を有する高分子化合物A、酸の作用により前記高分子化合物Aを架橋する、2個以上のベンゼン環と4個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物B、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物Cを含有する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程1、該膜を露光する工程2、及び、露光後に、炭素数7又は8のエステル系溶剤を含む現像液を用いて現像する工程4をこの順番で有する、レジストパターン形成方法。式I中、Aは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。Rはハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルキルスルホニルオキシ基を表し、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。bは0~2の整数を表す。前記現像液に含まれる炭素数7又は8のエステル系溶剤が、下記一般式IIで表されるエステル系溶剤である、請求項1に記載のレジストパターン形成方法。式II中、Yは、炭素数5又は6の、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。前記現像液に含まれる炭素数7又は8のエステル系溶剤が、酢酸n-ペンチル、酢酸3-メチルブチル、酢酸2-メチルブチル、酢酸n-ヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸2-エチルブチル、及び、酢酸3-メチルペンチルからなる群より選ばれる1種類以上の溶剤である、請求項2に記載のレジストパターン形成方法。前記現像工程4の後に、一価のアルコール系溶剤及び炭化水素系溶剤からなる群より選ばれる1種類以上の溶剤を含む有機溶剤を用いてリンス処理する工程5を更に有する、請求項1~3のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。前記現像工程4において、実質的に新鮮な現像液を連続的に供給して現像する、請求項1~4のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。前記露光工程2と前記現像工程4との間に、ベーク工程3を更に有する、請求項1~5のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。前記露光工程2における露光が、電子線又はEUV光により行われる、請求項1~6のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。前記ネガ型化学増幅型レジスト組成物が、C活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、C’活性光線又は放射線の照射により酸を発生するイオン性化合物を、前記ネガ型化学増幅型レジスト組成物の全固形分に対して9質量以上含有する、請求項1~7のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。前記化合物Cが、活性光線又は放射線の照射により、スルホン酸、ビスアルキルスルホニルイミド、及びトリスアルキルスルホニルメチドの少なくとも何れかの酸を発生する化合物であることを特徴とする、請求項1~8のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。請求項1~9のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法により形成される、レジストパターン。請求項1~9のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法に用いられる、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物。請求項1~9のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法により製造される、ナノインプリント用モールド。請求項1~9のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法により製造される、フォトマスク。本発明の目的は、超微細な例えば、線幅40nm以下の1:1のラインアンドスペースパターン形成においても、高感度、高解像性例えば、高い解像力、小さいラインエッジラフネスLER、及び、未露光部における残渣の低減を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供することにある。本発明者らは鋭意検討した結果、特定の構造の高分子化合物および架橋剤を含む架橋性ネガ型レジストをパターン露光した後、特定の構造の有機溶剤を含む現像液を用いて現像することによって上記目的が達成されることを見出した。即ち、本発明は以下の通りである。1下記一般式1で表される繰り返し単位を有する高分子化合物A、酸の作用により前記高分子化合物Aを架橋する、2個以上のベンゼン環と4個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物B、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物Cを含有する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程1、該膜を露光する工程2、及び、露光後に、炭素数7又は8のエステル系溶剤を含む現像液を用いて現像する工程4をこの順番で有する、レジストパターン形成方法。式I中、Aは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。Rはハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルキルスルホニルオキシ基を表し、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。bは0~2の整数を表す。2前記現像液に含まれる炭素数7又は8のエステル系溶剤が、下記一般式IIで表されるエステル系溶剤である、上記1に記載のレジストパターン形成方法。式II中、Yは、炭素数5又は6の、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。3前記現像液に含まれる炭素数7又は8のエステル系溶剤が、酢酸n-ペンチル、酢酸3-メチルブチル、酢酸2-メチルブチル、酢酸n-ヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸2-エチルブチル、及び、酢酸3-メチルペンチルからなる群より選ばれる1種類以上の溶剤である、上記2に記載のレジストパターン形成方法。4前記現像工程4の後に、一価のアルコール系溶剤及び炭化水素系溶剤からなる群より選ばれる1種類以上の溶剤を含む有機溶剤を用いてリンス処理する工程5を更に有する、上記1~3のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。5前記現像工程4において、実質的に新鮮な現像液を連続的に供給して現像する、上記1~4のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。6前記露光工程2と前記現像工程4との間に、ベーク工程3を更に有する、上記1~5のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。7前記露光工程2における露光が、電子線又はEUV光により行われる、上記1~6のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。8前記ネガ型化学増幅型レジスト組成物が、C活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、C’活性光線又は放射線の照射により酸を発生するイオン性化合物を、前記ネガ型化学増幅型レジスト組成物の全固形分に対して9質量以上含有する、上記1~7のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。9前記化合物Cが、活性光線又は放射線の照射により、スルホン酸、ビスアルキルスルホニルイミド、及びトリスアルキルスルホニルメチドの少なくとも何れかの酸を発生する化合物であることを特徴とする、上記1~8のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法。10上記1~9のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法により形成される、レジストパターン。11上記1~9のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法に用いられる、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物。12上記1~9のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法により製造される、ナノインプリント用モールド。13上記1~9のいずれか1項に記載のレジストパターン形成方法により製造される、フォトマスク。本発明によれば、超微細な例えば、線幅40nm以下の1:1のラインアンドスペースパターン形成においても、高感度、高解像性例えば、高い解像力、小さいラインエッジラフネスLER、及び、未露光部における残渣の低減を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供できる。以下、本発明のレジストパターン形成方法、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクについて詳細に説明する。なお、本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。本発明において活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。また、本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表され遠紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。[レジストパターン形成方法及びレジストパターン]まず、本発明のネガ型化学増幅型レジスト組成物の使用形態を説明する。本発明のパターン形成方法は、架橋反応によりネガ化する、後述のネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程1、該膜を露光する工程2、及び、露光後に、炭素数7又は8のエステル系溶剤を含む現像液を用いて現像する工程4をこの順番で有する。ここでネガ化とは、架橋反応により樹脂の分子量が増大して、溶剤現像液に不溶化することである。また本発明のレジストパターンは、上記本発明のパターン形成方法により形成される。また本発明は、後述するように、上記本発明のレジストパターン形成方法に用いられる、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物にも関する。1製膜ネガ型化学増幅型レジスト組成物膜を得るには、後述する各成分を溶剤に溶解し、必要に応じてフィルター濾過した後、支持体基板に塗布して用いる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。塗布膜は60~150°Cで1~20分間、好ましくは80~140°Cで1~10分間プリベークして薄膜を形成する。組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板例:シリコン、二酸化シリコン被覆上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布される。その後乾燥し、感光性の膜を形成する。必要により、市販の無機あるいは有機反射防止膜を使用することができる。更にレジスト下層に反射防止膜を塗布して用いることもできる。2露光形成した該膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射する。なお、電子ビームの照射では、マスクを介さない描画直描が一般的である。活性光線又は放射線としては特に限定されないが、例えばKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV光、電子線等であり、EUV光、電子線が好ましい。すなわち、膜を露光する工程2における露光が、電子線又はEUV光を用いて行われることが好ましい。3ベーク露光後、現像を行う前にベーク加熱を行うことが好ましい。加熱温度は80~150°Cで行うことが好ましく、90~150°Cで行うことがより好ましく、100~140°Cで行うことが更に好ましい。加熱時間は30~600秒が好ましく、30~300秒がより好ましく、60~300秒が更に好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。4現像本発明においては、炭素数7又は8のエステル系溶剤を含む現像液を用いて現像を行う。好ましくは、炭素数7又は8のエステル系溶剤は、下記一般式IIで表されるエステル系溶剤である。式II中、Yは、炭素数5又は6の、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。現像液に含まれる炭素数7又は8のエステル系溶剤は、更に好ましくは、酢酸n-ペンチル、酢酸3-メチルブチル、酢酸2-メチルブチル、酢酸n-ヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸2-エチルブチル、及び、酢酸3-メチルペンチルからなる群より選ばれる1種類以上の溶剤である。炭素数7又は8のエステル系溶剤は、特に好ましくは、酢酸3-メチルブチル、酢酸n-ヘキシル又は酢酸シクロヘキシルである。上述した有機溶剤を含む現像液を用いて現像することで、後述するレジスト組成物を用いたパターン形成特に、超微細な例えば、線幅40nm以下の1:1のラインアンドスペースパターン形成において、高感度、高解像性例えば、高い解像力、小さいラインエッジラフネスLER、及び、未露光部における残渣の低減を同時に満足することができる。現像液に含有されるエステル系溶剤の炭素数が6以下であると、レジストパターンが現像液によって膨潤し、解像力が低く、LERが大きくなり、結果、解像性が劣る。現像液に含有されるエステル系溶剤の炭素数が9以上であると、レジスト膜の未露光部が現像液に溶解され難くなって、解像力が低くなるとともに、未露光部における残渣も発生しやすくなる。現像液に含まれる炭素数7又は8のエステル系溶剤は、炭素数8のエステル系溶剤であることが好ましい。また、上記一般式IIにおけるYは、炭素数6の、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましい。これにより、上述したレジストパターンの膨潤がより抑制され、解像性がより向上する。また、未露光部レジスト膜の溶解性も十分に維持されるため、残渣発生もより抑制できる。現像液は、有機溶剤を含有しており、有機溶剤を複数種で含有してもよく、水を含有していてもよいが、上記したように、現像液は、有機溶剤として、炭素数7又は8のエステル系溶剤を含有している。なお、現像液は、炭素数7又は8のエステル系溶剤を複数種で含有していてもよい。現像液における有機溶剤複数混合の場合はその合計の濃度は、好ましくは50質量以上、より好ましくは70質量以上、更に好ましくは90質量以上である。特に好ましくは、実質的に有機溶剤のみからなる場合である。なお、実質的に有機溶剤のみからなる場合とは、微量の界面活性剤、酸化防止剤、安定剤、消泡剤などを含有する場合を含むものとし、具体的には、現像液中、有機溶剤の濃度が好ましくは99.0質量以上100質量以下、より好ましくは99.5質量以上100質量以下とする。現像液における炭素数7又は8のエステル系溶剤複数混合の場合は合計の濃度は、好ましくは50質量以上、より好ましくは70質量以上、更に好ましくは90質量以上である。特に好ましくは、実質的に、炭素数7又は8のエステル系溶剤のみからなる場合である。なお、実質的に炭素数7又は8のエステル系溶剤のみからなる場合とは、微量の界面活性剤、酸化防止剤、安定剤、消泡剤などを含有する場合を含むものとし、具体的には、現像液中、炭素数7又は8のエステル系溶剤の濃度が好ましくは99.0質量以上100質量以下、より好ましくは99.5質量以上100質量以下とする。現像液が含有していてもよい、炭素数7又は8のエステル系溶剤以外の有機溶剤としては、炭素数1~6又は9以上のエステル系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤及び炭化水素系溶剤からなる群より選択される1種類以上の溶剤を用いることができる。炭素数1~6又は9以上のエステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸nーブチル、酢酸イソプロピル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸プロピル等のカルボン酸アルキル系溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;別名、1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート系溶剤等を挙げることができる。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール等のヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール等のヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール等のオクチルアルコール、n-デカノール等のデカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-プロピレングリコール、1,2-ブチレングリコール、1,3-ブチレングリコール、1,4-ブチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME;別名、1-メトキシ-2-プロパノール、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のアルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶剤、メトキシメチルブタノール、プロピレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル系溶剤、フェノール、クレゾールなどのフェノール系溶剤等を挙げることができる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等が使用できる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記アルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶剤及びグリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等が挙げられる。炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。現像液中の含水率は、10質量以下が好ましく、より好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下、最も好ましくは実質的に水分を含有しないこと具体的には、現像液中の含水率が好ましくは1質量以下、より好ましくは0.5質量以下、理想的には0質量、すなわち、水分を有さないことである。含水率を10質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。界面活性剤有機溶剤を含む現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては、後述する、レジスト組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができる。界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。現像方法現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。また、現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。特に好ましい現像方法は、実質的に新鮮な現像液を連続的に供給して現像する方法であり、具体的には、基板表面に実質的に新鮮な現像液を噴霧しつづける方法スプレー法か、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら、実質的に新鮮な現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法である。実質的に新鮮な現像液を連続的に供給して現像することで、露光部の現像が速やかに進行し、解像性能が向上する。また、新鮮な現像液を連続的に供給しつづけて現像することで、現像からリンスに切り替わる段階で発生する残渣系の現像欠陥をさらに低減させることもできる。現像時間は未露光部の樹脂、架橋剤などが充分に溶解する時間が好ましく、通常は10秒~300秒が好ましい。更に好ましくは、20秒~120秒である。現像液の温度は0°C~50°Cが好ましく、15°C~35°Cが更に好ましい。現像液量は現像方法により適宜調整可能である。5リンス本発明のパターン形成方法では、現像工程4の後に、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄する工程5を含むことできる。リンス液リンス液に用いられる有機溶剤は、20°Cに於ける蒸気圧が0.05kPa以上、5kPa以下のものが好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下のものが更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下のものが最も好ましい。リンス液に用いられる有機溶剤の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。前記リンス液としては、種々の有機溶剤が用いられるが、上記現像液及び、式Iで表される繰り返し単位を含有する高分子化合物A、及び、2個以上のベンゼン環と4個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物Bを含むレジスト組成物を用いた場合には、炭化水素系溶剤、アルコール系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤又は水を含有するリンス液を用いることが好ましい。更に好ましくは、一価のアルコール系溶剤及び炭化水素系溶剤からなる群より選ばれる少なくとも1種類以上の有機溶剤を含有するリンス液であり、特に好ましくは、炭素数10から12の炭化水素系溶剤である。ここで、現像後のリンス工程で用いられる1価のアルコール系溶剤としては、直鎖状、分岐状、環状の1価アルコールが挙げられ、具体的には、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert―ブチルアルコール、イソプロピルアルコール、ペンタノール、ヘキサノールなどが挙げられる。炭化水素系溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。前記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。上記有機溶剤は水と混合しても良いが、リンス液中の含水率は通常30質量以下であり、好ましくは10質量以下、より好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下である。リンス液は、水を含有しないことが最も好ましい。含水率を30質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。リンス液には、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。界面活性剤としては、後述する、レジスト組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができ、その使用量はリンス液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。リンス方法リンス工程においては、現像を行ったウェハーを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を塗出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。基板の回転時間は、回転数に応じて、リンス液の基板上からの除去を達成する範囲で設定可能だが、通常10秒間から3分間である。なお、室温条件で、リンスすることが好ましい。リンス時間は現像溶剤がウエハー上に残存しないようにすることが好ましく、通常は10秒~300秒が好ましい。更に好ましくは、20秒~120秒である。リンス液の温度は0°C~50°Cが好ましく、15°C~35°Cが更に好ましい。リンス液量はリンス方法により適宜調整できる。また、現像処理又は、リンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うこともできる。更に、現像処理、リンス処理又は超臨界流体による処理の後、パターン中に残存する溶剤を除去するために加熱処理を行うことができる。加熱温度及び時間は、良好なレジストパターンが得られる限り特に限定されるものではなく、通常40°C~160°C、10秒間から3分間である。加熱処理は複数回行っても良い。更に、本発明は、本発明のレジストパターン形成方法により製造される、ナノインプリント用モールド、及び、フォトマスクにも関する。このようなナノインプリント用モールド、及び、フォトマスクは、マスクブランクスに本発明のネガ型化学増幅型レジスト組成物から得られるレジスト膜を塗布した、レジスト塗布マスクブランクスを用いて製造されることが好ましい。このようなレジスト塗布マスクブランクス上に、本発明のレジストパターン形成方法に基づいてレジストパターンを形成する場合、使用される基板としては、石英、フッ化カルシウム等の透明基板を挙げることができる。一般には、該基板上に、遮光膜、反射防止膜、更に位相シフト膜、追加的にはエッチングストッパー膜、エッチングマスク膜といった機能性膜の必要なものを積層する。機能性膜の材料としては、ケイ素、又はクロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブ等の遷移金属を含有する膜が積層される。また、最表層に用いられる材料としては、ケイ素又はケイ素に酸素及び/又は窒素を含有する材料を主構成材料とするもの、更にそれらに遷移金属を含有する材料を主構成材料とするケイ素化合物材料や、遷移金属、特にクロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブ等より選ばれる1種以上、又は更にそれらに酸素、窒素、炭素より選ばれる元素を1以上含む材料を主構成材料とする遷移金属化合物材料が例示される。遮光膜は単層でも良いが、複数の材料を塗り重ねた複層構造であることがより好ましい。複層構造の場合、1層当たりの膜の厚みは、特に限定されないが、5nm~100nmであることが好ましく、10nm~80nmであることがより好ましい。遮光膜全体の厚みとしては、特に限定されないが、5nm~200nmであることが好ましく、10nm~150nmであることがより好ましい。次いで、このレジスト膜に対して、上記したように、露光、現像を行い、レジストパターンを得る。そして、このレジストパターンをマスクとして用いて、適宜エッチング処理などを行い、ナノインプリント用モールドやフォトマスクを製造する。本発明におけるフォトマスクは、ArFエキシマレーザー等で用いられる光透過型マスクであっても、EUV光を光源とする反射系リソグラフィーで用いられる光反射型マスクであっても良い。なお、本発明の組成物を用いてインプリント用モールドを作成する場合のプロセスについては、例えば、特許第4109085号公報、特開2008-162101号公報、及びナノインプリントの基礎と技術開発応用展開―ナノインプリントの基板技術と最新の技術展開―編集:平井義彦フロンティア出版に記載されている。[ネガ型化学増幅型レジスト組成物]以下に、本発明のパターン形成方法に用いる、架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物について説明する。架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物は、下記一般式1で表される繰り返し単位を有する高分子化合物A、酸の作用により前記高分子化合物Aを架橋する、2個以上のベンゼン環と4個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物B、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物Cを含有する。1A高分子化合物本発明に係るネガ型化学増幅型レジスト組成物は、下記一般式1で表される繰り返し単位を有する高分子化合物Aを含有している。これにより、電子線やEUV露光における二次電子発生効率、及び、露光部における架橋効率が優れ、未露光部の上記した現像液に対する溶解性も適切なものとなる。具体的には、ヒドロキシベンゼン環における、後述する架橋剤との架橋反応は、ベンゼン環上の水酸基の結合位置に隣接する炭素原子を反応部位として進行する。よって、一般式1で表されるように、水酸基が、ベンゼン環の主鎖への結合手に対して、メタ位に存在している場合、主鎖に対して最も外方に位置するパラ位が反応部位となり、架橋剤からの攻撃を受けやすい。これにより、露光部における架橋効率が優れるものと推察される。一方、一般式Iで表される繰り返し単位において、水酸基が、ベンゼン環の主鎖への結合手に対して、パラ位に存在している場合、上記理由により、高い架橋効率が得られない上、このような繰り返し単位は、極性がより高く、上記した現像液に対する溶解性が劣る。このような理由から、水酸基が、ベンゼン環の主鎖への結合手に対して、パラ位に存在する繰り返し単位を有する樹脂を用いた場合には、解像力が低く、LERが大きくなり、結果、解像性が劣る。式I中、Aは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。Rはハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルキルスルホニルオキシ基を表し、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよい。bは0~2の整数を表す。bは好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。一般式Iにおいて、Aとしてのアルキル基は、更に置換基を有していてもよく、炭素数1~3のアルキル基が好ましい。Aとしてのシクロアルキル基は、更に置換基を有していてもよく、単環でも多環でもよく、炭素数5~10のシクロアルキル基が好ましい。Aとしてのハロゲン原子としては、Cl、Br、F等を挙げることができる。Aは、好ましくは水素原子、炭素数1~3のアルキル基メチル基、エチル基等であり、特に好ましくは水素原子、メチル基である。Rとしてはハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルキルスルホニルオキシ基を挙げることができ、更に置換基を有していてもよい。Rとしてのハロゲン原子は、Cl、Br、F、I等を挙げることができる。また、複数のRを有する場合には、互いに結合して環好ましくは5又は6員環を形成してもよい。Rは、好ましくはハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数5~10のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数6~15のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数2~8のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数7~16のアラルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1~8のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数2~8のアルキルカルボニルオキシ基、又は置換基を有していてもよい炭素数1~8のアルキルスルホニルオキシ基である。Rとして、より好ましくは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数2~4のアルキルカルボニルオキシ基であり、特に好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素数1~3のアルキル基メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、炭素数1~3のアルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基である。A、Rが更に有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t-ブチル基、ヘキシル基等、アリール基フェニル基、ナフチル基等、アラルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等、アシル基アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基等、オキソ基を挙げることができ、好ましくは炭素数15以下の置換基である。本発明で用いられる樹脂Aは、一般式Iで表される繰り返し単位とともに、一般式III~Vのいずれかで表される繰り返し単位の少なくとも一種を有することもできる。一般式III~Vにおいて、R1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。R1としてのアルキル基、シクロアルキル基、及びハロゲン原子の具体例及び好ましい例は、上記一般式Iにおけるアルキル基、シクロアルキル基、及びハロゲン原子で記載したものと同様である。R1の好ましい例は、上記一般式IにおけるRの上記した好ましい例と同様である。Xは単結合、-COO-基、-O-基、又は-CONR16-基を表し、R16は水素原子又はアルキル基好ましくは炭素数1~3のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等を表す。Xとして好ましくは、単結合、-COO-基、-CONR16-基であり、特に好ましくは単結合、-COO-基である。Yで示される環構造は、3環以上の多環芳香族炭化水素環構造を表し、好ましくは下記構造式で表されるいずれかを表す。R11~R15はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、ニトロ基又はシアノ基を表す。R11~R15は互いに結合し、環好ましくは5又は6員環を形成してもよい。R11~R15で表されるハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基及びアルキルスルホニルオキシ基は、具体的には一般式1のRと同様のものが挙げられる。R11~R15で表されるアリールカルボニルオキシ基は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数7~16のアリールカルボニルオキシ基である。R101~R106はそれぞれ独立に、ヒドロキシ基、ハロゲン原子Cl、Br、F、I、置換基を有していてもよい炭素数1~8の直鎖又は分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1~8の直鎖又は分岐状のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数2~8の直鎖又は分岐状のアルキルカルボニルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1~8の直鎖又は分岐状のアルキルスルホニルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1~8のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数6~15のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7~16のアラルキル基、カルボキシ基、水酸基を有していてもよい炭素数1~4のパーフルオロアルキル基を表す。c~hはそれぞれ独立に0~3の整数を表す。これらの置換基の具体例としては、前記一般式IのRが更に有していてもよい置換基の例として挙げたものと同じものが挙げられる。R101~R106として好ましくは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数2~4のアルキルカルボニルオキシ基であり、特に好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素数1~3のアルキル基メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、炭素数1~3のアルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、炭素数2又は3のアルキルカルボニルオキシ基アセトキシ基、プロピオニルオキシ基等である。R101~R106が主鎖の炭素原子と連結して、環構造を形成する場合、形成される環構造は4~6員環が好ましい。c~hはそれぞれ独立に0又は1を表すことが好ましく、0であることがより好ましい。本発明で用いられる樹脂Aは、一般式Iで表される繰り返し単位を1種のみを有する樹脂、一般式Iで表される繰り返し単位を2種以上有する樹脂、一般式Iで表される繰り返し単位と、一般式2~4のいずれかで表される繰り返し単位の少なくとも1種とを有する樹脂のいずれであってもよいが、製膜性や溶剤溶解性を制御できるような他の重合性モノマーを共重合させてもよい。これらの重合性モノマーの例としては、スチレン、アルキル置換スチレン、アルコキシスチレン、アシルオキシスチレン、水素化ヒドロキシスチレン、無水マレイン酸、アクリル酸誘導体アクリル酸、アクリル酸エステル等、メタクリル酸誘導体メタクリル酸、メタクリル酸エステル等、N-置換マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、上記とは別に、好ましい樹脂の繰り返し単位として、主鎖に環状構造を有する単位インデン構造を有するモノマーに由来する単位など、ナフトール構造を有する単位、-CCF32OH基を有する繰り返し単位なども挙げられる。本発明において、樹脂Aは単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。樹脂Aは、一般式Iで表される繰り返し単位のみからなっても、一般式Iで表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含有しても良いが、一般式Iで表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含有する場合、樹脂Aにおける一般式Iで表される繰り返し単位の含有量の範囲は、一般的に50~99.5モル、好ましくは70~99モルである。また、樹脂Aが、一般式Iで表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含有する場合、一般式1で表される繰り返し単位と、一般式2~4で表される繰り返し単位の比率は、モル比で99/1~50/50が好ましく、より好ましくは99/1~60/40であり、特に好ましくは99/1~70/30である。樹脂Aの好ましい分子量は、質量平均分子量として1000~50000であり、更に好ましくは2000~10000であり、2000~6000が特に好ましい。樹脂Aの好ましい分子量分布Mw/Mnは、1.0~2.0であり、より好ましくは1.0~1.35である。なお、樹脂の分子量及び分子量分布は、GPC測定によるポリスチレン換算値として定義される。樹脂Aの添加量複数併用する場合は合計の量は組成物の全固形分に対して、30~95質量、好ましくは40~90質量、特に好ましくは50~80質量で用いられる。樹脂Aは、公知のラジカル重合法やアニオン重合法により合成することができる。例えば、ラジカル重合法では、ビニルモノマーを適当な有機溶媒に溶解し、過酸化物過酸化ベンゾイル等やニトリル化合物アゾビスイソブチロニトリル等、又はレドックス化合物クメンヒドロペルオキシド-第一鉄塩等を開始剤として、室温又は加温条件下で反応させて重合体を得ることができる。また、アニオン重合法では、ビニルモノマーを適当な有機溶媒に溶解し、金属化合物ブチルリチウム等を開始剤として、通常、冷却条件化で反応させて重合体を得ることができる。以下に本発明で使用される樹脂Aの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。2B酸の作用により高分子化合物Aを架橋する、2個以上のベンゼン環と4個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物本発明に係るネガ型化学増幅型レジスト組成物は、架橋剤として、酸の作用により高分子化合物Aを架橋する、2個以上のベンゼン環と4個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物以下、架橋剤Bと称するを使用する。ここで、アルコキシメチル基は、架橋性基として作用する。架橋剤Bとしては、公知の架橋剤を有効に使用することができる。架橋剤においてベンゼン環が1個以下であると、二次電子発生効率が低く、架橋反応が十分に進行しないため、解像力が低くなる。また、このような架橋剤の本発明に用いられる現像液への溶解性は、同じく本発明で用いられる高分子化合物の溶解性と比較して高すぎる傾向となる。このような場合、露光部中に未反応のまま残存した架橋剤が、現像液の浸透チャンネルとなることでレジストパターンの膨潤を引き起こしやすくなり、結果、解像性が劣化する。架橋剤においてアルコキシメチル基が3個以下であると、露光部における架橋効率が劣るため、レジストパターンに現像液が浸透しやすくなる。これにより、解像力が低く、LERが大きくなり、結果、解像性が劣る。架橋剤Bは、3個以上のベンゼン環と4~8個のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物であることが好ましい。更には、架橋剤Bは、アルコキシメチル基を4~6個有することがより好ましい。架橋剤Bの内、特に好ましいものを以下に挙げる。式中、L1~L8はアルコキシメチル基を示し、同じであっても異なっていてもよく、アルコキシメチル基としては好ましくはメトキシメチル基又はエトキシメチル基であり、メトキシメチル基が特に好ましい。架橋剤Bは、残膜率及び解像力が低下することを防止するとともに、レジスト液の保存時の安定性を良好に保つ観点から、レジスト組成物の全固形分中、好ましくは3~65質量、より好ましくは5~50質量、更に好ましくは10~45質量の添加量で用いられる。本発明において、架橋剤は単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。例えば、上記の架橋剤Bに加え、他の架橋剤を併用する場合、上記の架橋剤Bと他の架橋剤の比率は、モル比で99/1~20/80、好ましくは90/10~40/60、更に好ましくは80/20~50/50である。3C活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物本発明のネガ型化学増幅型レジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物C以下、酸発生剤ともいうを含有する。酸発生剤としては、活性光線又は放射線の照射により、有機酸、例えば、スルホン酸、ビスアルキルスルホニルイミド、及びトリスアルキルスルホニルメチドの少なくともいずれかを発生する化合物が好ましい。より好ましくは下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。R201、R202及びR203の有機基としては、アリール基、アルキル基、シクロアルキル基などが挙げられる。R201、R202及びR203のアリール基としては、通常炭素数6~20、好ましくは炭素数6~10であり、フェニル基、ナフチル基がより好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。R201、R202及びR203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2-オキソシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。2-オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。R201、R202及びR203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基等によって更に置換されていてもよい。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造好ましくは3~15員環を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオン求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンを表す。非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなど、カルボン酸アニオン脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなど、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオン等を挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30の直鎖又は分岐のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基が挙げられる。芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。この具体例としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数2~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましい。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。また、ビスアルキルスルホニルイミドアニオンにおけるアルキル基は、互いに結合して環構造を形成してもよい。これにより、酸強度が増加する。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐例えばPF6-、弗素化硼素例えばBF4-、弗素化アンチモン例えばSbF6-等を挙げることができる。非求核性アニオンとしては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくはパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン更に好ましくは炭素数4~8、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。酸強度の観点からは、発生酸のpKaが-1以下であることが、感度向上のために好ましい。また、非求核性アニオンとしては、以下の一般式AN1で表されるアニオンも好ましい態様として挙げられる。式中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、及び、アルキル基から選ばれる基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Lは、二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。xは1~20の整数を表し、yは0~10の整数を表し、zは0~10の整数を表す。一般式AN1について、更に詳細に説明する。Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1~10であり、より好ましくは炭素数1~4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfとして好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。Xfの具体的としては、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。R1、R2のアルキル基は、置換基好ましくはフッ素原子を有していてもよく、炭素数1~4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。R1、R2の置換基を有するアルキル基の具体例としては、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもCF3が好ましい。R1、R2としては、好ましくはフッ素原子又はCF3である。xは1~10が好ましく、1~5がより好ましい。yは0~4が好ましく、0がより好ましい。zは0~5が好ましく、0~3がより好ましい。Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S―、-SO―、―SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基又はこれらの複数が連結した連結基を挙げることができ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。このなかでも―COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-SO2-が好ましく、―COO-、-OCO-、-SO2-がより好ましい。Aの環状の有機基としては、特に限定されず、脂環基、アリール基、複素環基芳香族性を有するものだけでなく、芳香族性を有さないものも含む等が挙げられる。脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEF向上の観点から好ましい。アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環、アントラセン環が挙げられる。複素環基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環由来のものが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環由来のものが好ましい。上記環状の有機基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基直鎖、分岐のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、シクロアルキル基単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3~20が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい、ヒドロキシ基、アルコキシ基炭素数1~12が好ましい、ウレイド基、スルホンアミド基炭素数0~12が好ましい、又はエステル基、アミド基、ウレタン基、チオエーテル基、若しくはスルホン酸エステル基を有する基炭素数1~12が好ましい等が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素環形成に寄与する炭素はカルボニル炭素であってもよい。R201、R202及びR203のうち、少なくとも1つがアリール基であることが好ましく、三つ全てがアリール基であることがより好ましい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基などの他に、インドール残基、ピロール残基などのヘテロアリール基も可能である。これらアリール基は更に置換基を有していてもよい。その置換基としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成する場合、以下の一般式A1で表される構造であることが好ましい。一般式A1中、R1a~R13aは、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基又は有機基を表す。R1a~R13aのうち、1~3つが水素原子でないことが好ましく、R9a~R13aのいずれか1つが水素原子でないことがより好ましい。Zaは、単結合又は2価の連結基である。X-は、一般式ZIにおけるZ-と同義である。R1a~R13aが水素原子でない場合の具体例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、直鎖、分岐、環状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基アニリノ基を含む、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、ウレイド基、その他の公知の有機基が例として挙げられる。R1a~R13aが水素原子でない場合としては、水酸基で置換された直鎖、分岐、環状のアルキル基であることが好ましい。Zaの2価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、カルボニルオキシ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミド基、-O-、-S-、アミノ基、ジスルフィド基、-CH2n-CO-、-CH2n-SO2-、-CH=CH-、アミノカルボニルアミノ基、アミノスルホニルアミノ基等が挙げられるnは1~3の整数。なお、R201、R202及びR203のうち、少なくとも1つがアリール基でない場合の好ましい構造としては、特開2004-233661号公報の段落0046,0047、特開2003-35948号公報の段落0040~0046、米国特許出願公開第2003/0224288A1号明細書に式I-1~I-70として例示されている化合物、米国特許出願公開第2003/0077540A1号明細書に式IA-1~IA-54、式IB-1~IB-24として例示されている化合物等のカチオン構造を挙げることができる。一般式ZII、ZIII中、R204~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基としては、前述の化合物ZIにおけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基と同様である。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物ZIにおけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよいものが挙げられる。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。酸発生剤として、更に、下記一般式ZIV、ZV、ZVIで表される化合物も挙げられる。一般式ZIV~ZVI中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。Ar3、Ar4、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式ZIにおけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式ZIにおけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。Aのアルキレン基としては、炭素数1~12のアルキレン例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基などを、Aのアルケニレン基としては、炭素数2~12のアルケニレン基例えば、エチニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基などを、Aのアリーレン基としては、炭素数6~10のアリーレン基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などを、それぞれ挙げることができる。酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。酸発生剤は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。2種以上を併用する場合、例えば、1酸強度の異なる2種のPAGを併用する場合、2発生酸のサイズ分子量や炭素数が異なる2種の酸発生剤を併用する場合、などの態様が好ましい。1の態様としては、例えば、フッ素を有するスルホン酸発生剤とトリスフルオロアルキルスルホニルメチド酸発生剤の併用、フッ素を有するスルホン酸発生剤とフッ素を有さないスルホン酸発生剤の併用、アルキルスルホン酸発生剤とアリールスルホン酸発生剤の併用、などが考えられる。2の態様としては、例えば、発生酸アニオンの炭素数が4以上異なる2種の酸発生剤の併用などが考えられる。酸発生剤の組成物中の含有量複数併用する場合は合計の量は、組成物の全固形分を基準として、1~30質量が好ましく、より好ましくは5~25質量、更に好ましくは8~20質量である。また、ネガ型化学増幅型レジスト組成物は、酸発生剤Cとして、上記一般式ZI又はZIIで表される化合物に代表される、C’活性光線又は放射線の照射により酸を発生するイオン性化合物を、前記ネガ型化学増幅型レジスト組成物の全固形分に対して9質量以上含有することが好ましい。これにより、露光部と未露光部の発生酸の濃度のコントラストを大きくすることができるため、解像性が向上する。4塩基性化合物本発明のネガ型化学増幅型レジスト組成物は、前記成分の他に、塩基性化合物を含有することが好ましい。塩基性化合物は、含窒素有機塩基性化合物であることが好ましい。使用可能な化合物は特に限定されないが、例えば以下の1~4に分類される化合物が好ましく用いられる。1下記一般式BS-1で表される化合物一般式BS-1中、Rbs1は、各々独立に、水素原子、アルキル基直鎖又は分岐、シクロアルキル基単環又は多環、アリール基、アラルキル基の何れかを表す。但し、三つのRbs1の全てが水素原子とはならない。Rbs1としてのアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常1~20、好ましくは1~12である。Rbs1としてのシクロアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常3~20、好ましくは5~15である。Rbs1としてのアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常6~20、好ましくは6~10である。具体的にはフェニル基やナフチル基などが挙げられる。Rbs1としてのアラルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常7~20、好ましくは7~11である。具体的にはベンジル基等が挙げられる。Rbs1としてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。一般式BS-1で表される化合物は、3つのRbs1の1つのみが水素原子、あるいは全てのRbs1が水素原子でないことが好ましい。一般式BS-1の化合物の具体例としては、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、N,N-ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリンなどが挙げられる。また、一般式BS-1において、少なくとも1つのRbs1が、ヒドロキシル基で置換されたアルキル基である化合物が、好ましい態様の1つとして挙げられる。具体的化合物としては、トリエタノールアミン、N,N-ジヒドロキシエチルアニリンなどが挙げられる。また、Rbs1としてのアルキル基は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、アルキレンオキシ鎖が形成されていてもよい。アルキレンオキシ鎖としては-CH2CH2O-が好ましい。具体的例としては、トリスメトキシエトキシエチルアミンや、米国特許第6040112号明細書のカラム3、60行目以降に例示の化合物などが挙げられる。2含窒素複素環構造を有する化合物複素環構造としては、芳香族性を有していてもいなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよく、更に、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、イミダゾール構造を有する化合物2-フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾールなど、ピペリジン構造を有する化合物N-ヒドロキシエチルピペリジン、ビス1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジルセバケートなど、ピリジン構造を有する化合物4-ジメチルアミノピリジンなど、アンチピリン構造を有する化合物アンチピリン、ヒドロキシアンチピリンなどが挙げられる。また、環構造を2つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン、1,8-ジアザビシクロ5.4.0-ウンデカ-7-エンなどが挙げられる。3フェノキシ基を有するアミン化合物フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基、アリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのアルキレンオキシ鎖を有する化合物である。1分子中のアルキレンオキシ鎖の数は、好ましくは3~9個、更に好ましくは4~6個である。アルキレンオキシ鎖の中でも-CH2CH2O-が好ましい。具体例としては、2-[2-{2―2,2―ジメトキシ-フェノキシエトキシエチル}-ビス-2-メトキシエチル]-アミンや、米国特許出願公開第2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3などが挙げられる。4アンモニウム塩アンモニウム塩も適宜用いられる。好ましくはヒドロキシド又はカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。これ以外にも上記1~3のアミンから誘導されるアンモニウム塩を使用可能である。その他使用可能な塩基性化合物としては、特開2002-363146号公報の実施例で合成されている化合物、特開2007-298569号公報の段落0108に記載の化合物なども使用可能である。塩基性化合物は、単独であるいは2種以上併用して用いられる。塩基性化合物の使用量は、組成物の固形分を基準として、通常、0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤/塩基性化合物のモル比は、2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。このモル比としてより好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。5レジスト溶剤組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;1-メトキシ-2-アセトキシプロパンなど、アルキレングリコールモノアルキルエーテルプロピレングリコールモノメチルエーテルPGME;1-メトキシ-2-プロパノールなど、乳酸アルキルエステル乳酸エチル、乳酸メチルなど、環状ラクトンγ-ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数4~10、鎖状又は環状のケトン2-ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネートエチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど、カルボン酸アルキル酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい、アルコキシ酢酸アルキルエトキシプロピオン酸エチルなどが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0244]以降に記載されている溶剤などが挙げられる。上記のうち、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート及びアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましい。これら溶媒は、単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。2種以上を混合する場合、水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤とを混合することが好ましい。水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤との質量比は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。本発明の組成物全量中における溶媒の使用量は、所望の膜厚等に応じて適宜調整可能であるが、一般的には組成物の全固形分濃度が0.5~30質量、好ましくは0.7~20質量、より好ましくは1.0~10質量、更に好ましくは1.2~5質量となるように調整される。6界面活性剤本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有することが好ましい。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。これらに該当する界面活性剤としては、大日本インキ化学工業株製のメガファックF176、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル株製のトロイゾルS-366、住友スリーエム株製のフロラードFC430、信越化学工業株製のポリシロキサンポリマーKP-341などが挙げられる。また、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類などが挙げられる。その他、公知の界面活性剤が適宜使用可能である。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。界面活性剤は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。界面活性剤の使用量は、組成物の全固形分に対し、好ましくは0.0001~2質量、より好ましくは0.001~1質量である。7その他の添加剤本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸、カルボン酸オニウム塩、ProceedingofSPIE,2724,3551996等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、酸化防止剤などを適宜含有することができる。特にカルボン酸は、性能向上のために好適に用いられる。カルボン酸としては、安息香酸、ナフトエ酸などの、芳香族カルボン酸が好ましい。カルボン酸の含有量は、組成物の全固形分濃度中、0.01~10質量が好ましく、より好ましくは0.01~5質量、更に好ましくは0.01~3質量である。また、露光源としてEUV光を用いる場合には、アウトオブバンド光を吸収する添加剤を含有することができる。アウトオブバンド光吸収剤の例としては米国特許出願公開第2006/0223000号明細書に記載の芳香族化合物などが挙げられる。以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。[組成物1~7]表1に示した組成を有する組成物を0.1μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト溶液を得た。以下に、表1中に略記した各成分の詳細を示す。<高分子化合物><架橋剤><酸発生剤><塩基性化合物>TBAH:テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド<界面活性剤>W-1:PF6320OMNOVA株製W-2:メガフアツクF176大日本インキ株製<レジスト溶剤>PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGME:プロピレングリコールモノメチルエーテルEL:乳酸エチル<EB露光評価1:実施例1~7、比較例1~8>表1に記載の組成物を用い、以下の操作により、レジストパターンを形成した。レジストパターン形成条件の詳細は表2に示す。レジスト塗布表2に示した組成を有する塗液組成物を0.1μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト溶液を得た。このレジスト溶液をHMDSヘキサメチルジシラザン処理を施した6インチSiウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、表2に記載の条件でホットプレート上で乾燥して、膜厚0.03μmのレジスト膜を得た。露光上記のようにして得られたレジスト膜に、電子線照射装置株JEOL製JBX6000;加速電圧50keVを用いて、2.5nm刻みで線幅15nm~30nmのラインパターン長さ方向0.5mm、描画本数40本を、露光量を変えて露光した。ポストエクスポージャーベーク露光後ただちに、表2に記載の条件でホットプレート上にて加熱した。現像シャワー型現像装置ACTES株製ADE3000Sを用いて、50回転rpmでウエハーを回転しながら表2に記載の現像液を、200mL/minの流量で、表2に記載の時間、スプレー吐出して現像を行った。その後、50回転rpmでウエハーを回転しながら表2に記載のリンス液を、200mL/minの流量で、表2に記載の時間、スプレー吐出してリンス処理を行った。最後に、2500回転rpmで60秒間高速回転してウエハーを乾燥させた。以下の項目について、レジストパターンの評価を行った。結果の詳細は表3に示す。感度得られたパターンを走査型電子顕微鏡日立社製S-9220を用いて観察した。線幅30nmライン:スペース=1:1を解像するときの電子線照射量を感度とした。解像力各線幅のパターンを観察し、ラインとスペースが分離解像する最小の線幅を解像力とした。ラインエッジラフネスLER線幅30nmのラインパターンの長さ方向1μmにおける任意の30点について、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9220を用いてエッジがあるべき基準線からの距離を測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。この値が小さい程、ラインエッジラフネスが良好である。未露光部残渣線幅30nmのラインパターンに隣接する未露光部を走査型電子顕微鏡日立社製S-9220を用いて観察した。未露光部に残渣が確認できなかった場合は〇、わずかな残渣が確認された場合は△、明らかな残渣が確認された場合は×とした。表3に示す結果から、本発明に係る組成物は、超微細な線幅30nmのパターン形成において、高感度、高い解像力、小さいラインエッジラフネスLER、及び、未露光部における残渣の低減を同時に満足できることが分かる。<EB露光評価2:実施例8~10>レジスト塗布表1の組成物1と同様の組成物を、酸化Cr膜を蒸着した6インチウェハーに東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、表4に記載の条件でホットプレート上で乾燥して、膜厚0.03μmのレジスト膜を得た。露光上記のようにして得られたレジスト膜に、上記EB露光評価1と同様の操作で露光した。ポストエクスポージャーベーク露光後ただちに、表4に記載の条件でホットプレート上にて加熱した。現像上記EB露光評価1と同様の操作で現像を行った。感度、解像力、ラインエッジラフネスLER、未露光部残渣の評価を、上記EB露光評価1と同様の方法で行った。結果の詳細は表5に示す。表5に示す結果から、本発明に係る組成物は、高感度、高い解像力、小さいラインエッジラフネスLER、及び、未露光部における残渣の低減を同時に満足できることが分かる。<EUV露光評価:実施例11~13>レジスト塗布表1の組成物1をHMDSヘキサメチルジシラザン処理を施した6インチSiウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、表6に記載の条件でホットプレート上で乾燥して、膜厚40nmのレジスト膜を得た。露光上記のようにして得られたレジスト膜に、EUV光波長13nmを用いて、線幅30nmの1:1ラインアンドスペースのパターン露光した。ポストエクスポージャーベーク露光後ただちに、表6に記載の条件でホットプレート上にて加熱した。現像上記EB露光評価1と同様の操作で現像を行った。以下の項目について、レジストパターンの評価を行った。結果の詳細は表7に示す。感度得られたパターンを走査型電子顕微鏡日立社製S-9220を用いて観察した。線幅0.03μm30nmライン:スペース=1:1を解像するときのEUV露光量を感度とした。ラインエッジラフネスLER線幅0.03μm30nmのラインパターンの長さ方向5μmにおける任意の30点について、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9220を用いてエッジがあるべき基準線からの距離を測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。この値が小さい程、ラインエッジラフネスが良好である。未露光部残渣線幅0.03μm30nmのパターンに隣接する未露光部を走査型電子顕微鏡日立社製S-9220を用いて観察した。未露光部に残渣が確認できなかった場合は〇、わずかな残渣が確認された場合は△、明らかな残渣が確認された場合は×とした。表7に示す結果から、本発明に係る組成物は、高感度、小さいラインエッジラフネスLER、及び、未露光部における残渣の低減を同時に満足できることが分かる。"