4Hのポリタイプの結晶構造と、1×1016個/cm3を超える原子濃度で導電型不純物として添加された窒素原子と、直径5cmの円を包含する主面とを備え、ファセット領域およびノンファセット領域のいずれかのみからなる、単結晶炭化珪素基板。前記主面において前記原子濃度の最小値に対する最大値の比が1.5未満である、請求項1に記載の単結晶炭化珪素基板。前記主面において単位面積当たりの転位密度の最小値に対する最大値の比が5未満である、請求項1または2に記載の単結晶炭化珪素基板。ファセット領域のみからなる、請求項1~3のいずれか1項に記載の単結晶炭化珪素基板。前記主面は円形形状を有する、請求項1~4のいずれか1項に記載の単結晶炭化珪素基板。4Hのポリタイプを有する単結晶構造を有し、1×1016個/cm3を超える原子濃度で導電型不純物として窒素原子が添加された炭化珪素単結晶を準備する工程と、前記炭化珪素単結晶の少なくとも一部を除去するために前記炭化珪素単結晶を研削する工程と、前記炭化珪素単結晶を研削する工程の後に、前記炭化珪素単結晶から、直径5cmの円を包含する主面を有しかつファセット領域およびノンファセット領域のいずれかのみからなる炭化珪素基板を切り出す工程とを備える、単結晶炭化珪素基板の製造方法。種結晶上に単結晶を成長させる際には、スパイラル成長と、ステップフロー成長との両方が生じる。この結果、得られた単結晶には、スパイラル成長によって形成された領域であるファセット領域と、ステップフロー成長によって形成されたノンファセット領域とが併存する。このため、たとえファセット領域およびノンファセット領域の各々が高品質であっても、両者の間での物性の差異が大きいことで、単結晶内における物性のばらつきが大きくなってしまう。よってこの単結晶から切り出された基板における物性の面内ばらつきも大きくなってしまう。具体的には、ファセット領域は窒素原子濃度が高くなりやすく、ノンファセット領域は窒素原子濃度が低くなりやすい。よって、基板における窒素原子濃度の面内ばらつきが大きくなってしまう。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、単結晶炭化珪素基板における窒素原子濃度のばらつきを抑制することができる単結晶炭化珪素基板およびその製造方法を提供することである。本発明の単結晶炭化珪素基板は、4Hのポリタイプの結晶構造を有し、1×1016個/cm3を超える原子濃度で導電型不純物として添加された窒素原子を有し、直径5cmの円を包含する主面を有する。また単結晶炭化珪素基板はファセット領域およびノンファセット領域のいずれかのみからなる。本発明の単結晶炭化珪素基板によれば、窒素原子濃度が比較的高くなりやすいファセット領域と、窒素原子濃度が比較的低くなりやすいノンファセット領域とが併存しない。よって単結晶炭化珪素基板における窒素原子濃度のばらつきを抑制することができる。具体的には、主面において窒素原子濃度の最小値に対する最大値の比が1.5未満となるようにすることができる。また転位密度が局所的に高まりやすい、ファセット領域およびノンファセット領域の境界が存在しない。よって、単結晶炭化珪素基板の転位密度のばらつきを抑制することができる。具体的には、主面において単位面積当たりの転位密度の最小値に対する最大値の比が5未満となるようにすることができる。また窒素原子濃度が比較的高くなることで格子定数が小さくなりやすいファセット領域と、窒素原子濃度が比較的低くなることで格子定数が大きくなりやすいノンファセット領域とが併存しない。すなわち、格子定数が互いに異なるファセット領域およびノンファセット領域の境界が存在しない。これにより、単結晶炭化珪素基板の歪を抑制しやすい。好ましくは上記の単結晶炭化珪素基板はファセット領域のみからなる。これにより、0001面に対するオフ角が小さい種結晶から得られた炭化珪素単結晶から、効率よく単結晶炭化珪素基板を得ることができる。好ましくは、単結晶炭化珪素基板の主面は円形形状を有する。これにより主面の形状の対称性が高くなるので、単結晶炭化珪素基板の歪をより抑制することができる。なお円形形状を有する単結晶炭化珪素基板には、結晶方位の識別のためのノッチまたはオリエンテーションフラットを有するものが含まれる。本発明の単結晶炭化珪素基板の製造方法は、以下の工程を有する。4Hのポリタイプを有する単結晶構造を有し、1×1016個/cm3を超える原子濃度で導電型不純物として窒素原子が添加された炭化珪素単結晶が準備される。炭化珪素単結晶の少なくとも一部を除去するために炭化珪素単結晶が研削される。炭化珪素単結晶が研削された後に、炭化珪素単結晶から、直径5cmの円を包含する主面を有しかつファセット領域およびノンファセット領域のいずれかのみからなる炭化珪素基板が切り出される。上記のように本発明によれば、単結晶炭化珪素基板における窒素原子濃度のばらつきを抑制することができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。また結晶学上の集合面を{}で示す。実施の形態1図1に示すように、本実施の形態のウエハ単結晶炭化珪素基板50は、直径DCが5cmの円を包含する主面を有し、好ましくは直径DCが10cmの円を包含する主面を有する。好ましくはウエハ50の主面は円形形状を有し、その直径DSは、5cmを超え、好ましくは10cmを超える。またウエハ50は単結晶炭化珪素から作られている。この単結晶は、六方晶系の結晶構造を有し、より具体的には4Hのポリタイプの結晶構造を有する。ウエハ50は、ファセット領域およびノンファセット領域のいずれかのみからなり、好ましくはファセット領域のみからなる。好ましくは、主面において単位面積当たりの転位密度の最小値に対する最大値の比が5未満である。なお、転位密度は溶融アルカリを用いてウエハ表面をエッチングすることにより発現したピットを計数することで評価できる。具体的には、520°Cに加熱した溶融水酸化カリウム中で5分エッチングすることで、ウエハ中の転位がピットとして発現する。単位面積としては、1cm2を採用するのが望ましい。ここでファセット領域とはスパイラル成長によって形成された領域であり、ノンファセット領域とはステップフロー成長によって形成された領域である。またウエハ50はn型半導体基板である。n型の導電型が付与されるよう、ウエハ50には、1×1016個/cm3を超える原子濃度で導電型不純物として窒素原子が添加されている。好ましくは、主面において窒素原子濃度の最小値に対する最大値の比が1.5未満である。なお、窒素原子濃度はSIMSSecondaryIonMassSpectroscopy:二次イオン質量分析法などで測定することが可能である。次にウエハ50の製造方法について説明する。図2を参照して、種結晶11が準備される。種結晶11は、六方晶系の結晶構造を有し、より具体的には4Hのポリタイプの結晶構造を有する。種結晶11の表面SFの面方位は0001面からオフ角を有してもよい。このオフ角は、好ましくは1°以上8°以下であり、より好ましくは、1°以上3°以下、または5°以上8°以下であり、さらに好ましくは1°以上3°以下である。種結晶11の厚さ図中、縦方向の寸法は、たとえば0.5mm以上10mm以下である。また種結晶11の平面形状は、たとえば円形であり、その直径は5cmを超え、好ましくは10cmを超える。また種結晶11が取り付けられることになる取付面を有する台座41が準備される。この取付面は、好ましくは炭素からなる面を含む。たとえば台座41はグラファイトによって形成されている。次に台座41の取付面と種結晶11とが接着剤12によって接着される。図3を参照して、グラファイト製の坩堝42内に、炭化珪素粉末からなる原料81が収められる。次に、坩堝42の内部へ種結晶11が面するように台座41が取り付けられる。なお図4に示すように、台座41が坩堝42の蓋として機能してもよい。次に、昇華再結晶法によって種結晶11上に単結晶60が成長させられる。すなわち、原料81を昇華させることで種結晶11上に昇華物が堆積させられる。昇華再結晶法における温度は、たとえば2100°C以上2500°C以下とされる。またこの昇華再結晶法における雰囲気ガスは、窒素原子を含むガスであり、具体的には窒素ガスを含有する。窒素原子を含むガスの圧力は、得られる単結晶60中の窒素原子濃度が1×1016個/cm3を超えるように設定される。雰囲気ガスの圧力は、好ましくは1.3kPa以上大気圧以下とされ、より好ましくは、成長速度を高めるために13kPa以下とされる。図4および図5を参照して、坩堝42から単結晶60が取り出される。単結晶60は、4Hのポリタイプを有する単結晶構造を有する。また単結晶60は、ファセット領域61およびノンファセット領域62を有する。本実施の形態においては、平面視において、単結晶60の中央近傍がファセット領域61、外周側がノンファセット領域62とされる。よって単結晶60の成長面は、中央近傍がスパイラル成長面FS、外周側がステップフロー成長面NSとされる。このようにファセット領域61が中央近傍に位置し、かつノンファセット領域62が外周側に位置するようにするためには、種結晶11の表面SF図2の面方位0001面からのオフ角を1°以上3°以下とすることが好ましい。次に単結晶60の側面SD上への研削が行われることでノンファセット領域62が除去される。図6を参照して、上記の研削によって、ファセット領域のみからなる単結晶71が得られる。次に破線SLで示すように単結晶71からウエハ50が切り出される。これによりウエハ50が得られる。本実施の形態のウエハ50によれば、窒素原子濃度が比較的高くなりやすいファセット領域61と、窒素原子濃度が比較的低くなりやすいノンファセット領域62とが併存しない。よってウエハ50における窒素原子濃度のばらつきを抑制することができる。具体的には、主面において窒素原子濃度の最小値に対する最大値の比が1.5未満となるようにすることができる。なお本願発明者らの検討結果によれば、窒素原子濃度が1×1016個/cm3を超える場合、ファセット領域61の窒素原子濃度は、ノンファセット領域62の窒素原子濃度の2倍以上となり、よってファセット領域61およびノンファセット領域62が併存する限り、ウエハ50の主面において窒素原子濃度の最小値に対する最大値の比を1.5未満とすることは困難であった。また転位密度が局所的に高まりやすい、ファセット領域61およびノンファセット領域62の境界が存在しない。よって、ウエハ50の転位密度のばらつきを抑制することができる。具体的には、主面において単位面積当たりの転位密度の最小値に対する最大値の比が5未満となるようにすることができる。なお本願発明者らの検討結果によれば、ファセット領域61およびノンファセット領域62の境界において転位密度が局所的に著しく高くなることから、ファセット領域61およびノンファセット領域62が併存する限り、ウエハ50の主面において単位面積当たりの転位密度の最小値に対する最大値の比が5未満となるようにすることは困難であった。また窒素原子濃度が比較的高くなることで格子定数が小さくなりやすいファセット領域61と、窒素原子濃度が比較的低くなることで格子定数が大きくなりやすいノンファセット領域62とが併存しない。すなわち、格子定数が互いに異なるファセット領域61およびノンファセット領域62の境界が存在しない。これにより、ウエハ50の歪を抑制することができる。またウエハ50はファセット領域61のみからなる。このようなウエハ50は、主にファセット領域からなる単結晶から形成しやすく、特にファセット領域のみからなる単結晶71図6から形成しやすい。このような単結晶は、中央近傍にファセット領域61を有する単結晶60図4および図5から得やすい。このような単結晶60は、0001面に対するオフ角が1°以上3°以下の種結晶11から得やすい。このようにオフ角が比較的小さい種結晶11を選択することができるので、その結果、効率よく単結晶60を成長させることができる。好ましくは、ウエハ50の主面は円形形状を有する。これにより主面の形状の対称性が高くなるので、ウエハ50の歪をより抑制することができる。なお本実施の形態においてはファセット領域61のみからなる単結晶71からウエハ50が切り出されるが、ノンファセット領域62を一部有する単結晶からウエハが切り出されてもよく、最終的なウエハ50がファセット領域のみからなればよい。実施の形態2本実施の形態のウエハは、実施の形態1のウエハ50図1と異なりノンファセット領域のみからなる。これ以外の特徴はウエハ50と同様である。図7を参照して、このようなウエハを得るためには、平面視においてファセット領域61が外周側に寄った単結晶60Vが準備されることが好ましい。単結晶60Vは、0001面に対するオフ角が比較的大きい種結晶を用いて成長させることができる。具体的なオフ角は、たとえば5°以上8°以下である。上述したように単結晶60Vは外周側に寄っているファセット領域61を有する。よって単結晶60Vから、ノンファセット領域62のみからなる単結晶72をより少ない研削量によって得ることができる。これにより単結晶72から、ノンファセット領域62のみからなるウエハを切り出すことができる。なお本実施の形態においてはノンファセット領域62のみからなる単結晶72からウエハが切り出されるが、ファセット領域61を一部有する単結晶からウエハが切り出されてもよく、最終的なウエハがノンファセット領域62のみからなればよい。実施の形態3図8を参照して、本実施の形態のウエハ51にはオリエンテーションフラットOFが設けられている。オリエンテーションフラットOFは、ウエハ51の方位を識別する目的でウエハ51の一部が除去されることにより形成されている。オリエンテーションフラットOFの存在はウエハ51の外周領域の一部にしか影響を及ぼさないことから、ウエハ51が特定の直径の円を包含する主面を有するか否かを判別する際は、オリエンテーションフラットOFを無視するものとする。つまりウエハ51の主面は、図8において、直径DSを有する円形形状であるとみなす。なおウエハ51の上記以外の構成については、上述した実施の形態1または2のウエハの構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。図9を参照して、上述したウエハ51の変形例であるウエハ52は、オリエンテーションフラットOFの代わりにノッチNTを有する。ノッチNTは、ウエハ52の方位を識別する目的でウエハ52の一部が除去されることにより形成されている。ノッチNTの存在は、ウエハ52の外周領域の一部にしか影響を及ぼさないことから、ウエハ52が特定の直径の円を包含する主面を有するか否かを判別する際は、ノッチNTを無視するものとする。つまりウエハ52の主面は、図8において、直径DSを有する円形形状であるとみなす。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。