"絶縁層と、該絶縁層を挟む第1、第2のアルミニウム電極層と、からなる半導体基板のうち、第1のアルミニウム電極層にのみ部分的にめっきをおこなう方法であって、ジンケート浴内に前記半導体基板を浸漬し、第2のアルミニウム電極層に電源に通じる配線を繋いで亜鉛析出防止用の電位を印加した状態でジンケート処理をおこなうことにより、第1のアルミニウム電極層のみに亜鉛置換膜が形成された中間体を製作する第1のステップ、ニッケルめっき浴に中間体を浸漬して無電解めっき処理をおこない、第1のアルミニウム電極層上に無電解ニッケル被膜を形成する第2のステップからなる部分的にめっきをおこなう方法。前記ニッケルめっき浴は、主剤である硫酸ニッケルに還元剤である次亜リン酸ナトリウムが含有されたものである請求項1に記載の部分的にめっきをおこなう方法。本発明は上記する問題に鑑みてなされたものであり、絶縁層とこれを挟む2つのアルミニウム電極層からなる半導体基板に対してその一方のアルミニウム電極層にのみ部分的にめっきをおこなう方法に関し、マスキング材を半導体基板の一方面に貼り付ける際に生じ得る課題である、製造時間が長時間に及ぶといった課題や、マスキング材の貼り付けや剥離によって半導体基板に反りや割れが生じるといった課題が生じることがなく、精度よく一方のアルミニウム電極層にめっき被膜を形成することのできる部分的にめっきをおこなう方法を提供することを目的とする。前記目的を達成すべく、本発明による部分的にめっきをおこなう方法は、絶縁層と、該絶縁層を挟む第1、第2のアルミニウム電極層と、からなる半導体基板のうち、第1のアルミニウム電極層にのみ部分的にめっきをおこなう方法であって、ジンケート浴内に前記半導体基板を浸漬し、第2のアルミニウム電極層に電源に通じる配線を繋いで亜鉛析出防止用の電位を印加した状態でジンケート処理をおこなうことにより、第1のアルミニウム電極層のみに亜鉛置換膜が形成された中間体を製作する第1のステップ、ニッケルめっき浴に中間体を浸漬して無電解めっき処理をおこない、第1のアルミニウム電極層上に無電解ニッケル被膜を形成する第2のステップからなるものである。本発明の部分的にめっきをおこなう方法は、その対象が絶縁層と、該絶縁層を挟む第1、第2のアルミニウム電極層と、からなる半導体基板であり、アルミニウム純アルミニウムやアルミニウム合金のいずれか一方からなる電極層ゆえにその表面に不働態被膜を有し、したがってめっき処理が困難な電極層に対して、精度よく部分めっき、すなわち、2つのアルミニウム電極層のうちの一方のアルミニウム電極層のみにめっき被膜を形成することのできる方法である。この半導体基板としては、高出力モーター電源制御用のインバーターなどに用いられるヒートシンク一体型のアルミ回路付き絶縁基板を挙げることができる。本発明のめっき方法は、半導体基板を構成する第1、第2のアルミニウム電極層のうちの第1のアルミニウム電極層一方のアルミニウム電極層にのみ、無電解ニッケル被膜を形成するものである。まず、第1のステップとして、ジンケート浴内に前記半導体基板を浸漬し、第2のアルミニウム電極層に電源に通じる配線を繋いで亜鉛析出防止用の電位を印加した状態でジンケート処理をおこなう。ここで、ジンケートとは亜鉛酸塩のことであり、強アルカリで安定して存在する亜鉛の化学種のひとつであるが、アルミニウムにジンケートを反応させることにより、アルミニウムを溶解してその表面に亜鉛が置換析出されて亜鉛置換膜が形成される。本発明の方法では、第1のアルミニウム電極層の表面に無電解ニッケル被膜を形成させ、第2のアルミニウム電極層の表面にはこの無電解ニッケル被膜を形成させないようにすることから、第1のステップにおいては、ジンケート処理の際に第1のアルミニウム電極層の表面にのみ亜鉛置換膜を形成させたい。そこで、このジンケート処理の際に、亜鉛の析出を抑制するに要するアルミニウム-亜鉛双方の酸化還元電位の差酸化還元電位差に基づく電位亜鉛析出防止用の電位を第2のアルミニウム電極層にのみ印加する。この第1のステップでは、第1のアルミニウム電極層の表面にのみ亜鉛置換膜が形成された中間体が製作される。次に、第2のステップとして、ニッケルめっき浴に中間体を浸漬して無電解めっき処理をおこなう。電気ニッケルめっきに対して、無電解ニッケルめっきはワークが複雑な形状であっても所望部位に完全にニッケル被膜を形成できる点でメリットが大きい。ニッケルめっき浴に浸漬された中間体の一方面である第2のアルミニウム電極層には、依然として不働態被膜が形成されていることからニッケル被膜は形成されない。その一方で、第1のアルミニウム電極層には、その表面に亜鉛置換膜が形成されていることから、ニッケルめっきプロセスの初期段階で亜鉛置換膜がニッケルイオンと置換され、さらに、自己触媒作用によってこのニッケルイオンとの置換反応が促進されてニッケルめっきが析出し、無電解ニッケル被膜が形成される。形成された無電解ニッケル被膜とその下地の第1のアルミニウム電極層を形成するアルミニウムは化学的に強固に結合している。このようにして、第1のアルミニウム電極層の表面にのみ無電解ニッケル被膜が形成されてなる半導体基板が製作される。本発明者等の検証によれば、膜厚10μmの無電解ニッケル被膜を形成するに当たり、ニッケルめっき浴中で特許文献1で開示されるような逆極性の電流を通電させる場合には、60分程度の継続的な通電が必要となる。一方、本発明の方法のように通電を要するジンケート処理の際の通電時間は30秒程度でよいため、必要とする電力消費量は格段に少なくなる。また、ニッケルめっき浴としては、主剤である硫酸ニッケルに還元剤である次亜リン酸ナトリウムが含有されたものが好ましく、より詳細には、これらに加えて、錯化剤である有機酸塩やpH調整剤である水酸化ナトリウムとアンモニア、安定剤である亜鉛系無機化合物や添加剤である硫黄系化合物が含有されているのがよい。本発明者等によれば、主剤である硫酸ニッケルに還元剤である次亜リン酸ナトリウムが含有されたニッケルめっき浴を使用することで、第2のアルミニウム電極層の表面に全く無電解ニッケル被膜が形成されないことが特定されている。以上の説明から理解できるように、本発明の部分的にめっきをおこなう方法によれば、絶縁層とこれを挟む2つのアルミニウム電極層からなる半導体基板に対してその一方のアルミニウム電極層にのみ部分的にめっきをおこなう方法に関し、無電解ニッケル被膜を形成したいアルミニウム電極層に対してジンケート処理にて亜鉛置換膜を形成した後に無電解めっき処理をおこなう方法において、ジンケート処理の際に無電解ニッケル被膜を形成したくないアルミニウム電極層に対して亜鉛析出防止用の電位を印加しておくことで、一方のアルミニウム電極層表面にのみ精度よく無電解ニッケル被膜を形成することができる。しかも、この方法によれば、ジンケート処理に要する消費電力が極めて少なくてよいことから、めっき処理に要する加工コストも安価となる。以下、図面を参照して本発明の部分的にめっきをおこなう方法の実施の形態を説明する。図1~図4は順に、本発明の部分的にめっきをおこなう方法のフロー図となっており、具体的に、図1は第1のステップを説明する模式図であり、図2は第1のステップで製作された中間体を説明する模式図であり、図3は第2のステップを説明する模式図であり、図4は無電解めっき処理された半導体基板を説明する模式図である。図1で示すように、まず、第1のステップにおいて、容器Y1内に収容されたジンケート浴中に、絶縁層1とこの絶縁層1を挟む第1、第2のアルミニウム電極層2,3とからなる半導体基板4無電解めっき処理前の半導体基板を浸漬する。この半導体基板4としては、アルミ回路付き絶縁基板DBAなどを挙げることができ、この場合の絶縁層はAIN窒化アルミニウムとなる。ジンケート浴中には不溶性電極Fも浸漬されており、半導体基板4を構成する第2のアルミニウム電極層3に電源Bの正極に通じる配線が繋がれ、不溶性電極Fも同様に電源Bの負極に通じる配線に繋がれてジンケート処理の準備が完了する。次に、ジンケート処理をおこなう。このジンケート処理では、亜鉛の析出を抑制するに要するアルミニウム-亜鉛双方の酸化還元電位の差酸化還元電位差に基づく電位亜鉛析出防止用の電位を、第2のアルミニウム電極層3に印加する。たとえば、ジンケート浴と逆極性で5V程度の電位を30秒程度印加することでジンケート処理が完了する。ジンケート処理では、電流通電時間は1分以内でたとえば30秒程度の極めて短い時間で電位が印加されていない第1のアルミニウム電極層2の表面にのみ、アルミニウムにジンケートが反応し、アルミニウムが溶解してその表面に亜鉛が置換析出されて図2aで示すように亜鉛置換膜5が形成される。なお、亜鉛析出防止用の電位が印加された第2のアルミニウム電極層3の表面は、ジンケート処理前の状態と同様に、図2a中のb部を拡大する図2bで示すごとく、アルミニウム電極層3aの表面に不働態被膜である酸化被膜3bが残存している。第1のステップにより、第1のアルミニウム電極層2の表面にのみ亜鉛置換膜5が形成された中間体6が製作される。次いで、第2のステップとして、容器Y2内に収容されたニッケルめっき浴中に第1のステップで製作された中間体6を浸漬して無電解めっき処理をおこなう。この無電解めっき処理において、表面に酸化被膜3bが残存している第2のアルミニウム電極層3には無電解ニッケル被膜は形成されない。一方、第1のアルミニウム電極層2の表面の亜鉛置換膜5には、ニッケルめっきプロセスの初期段階で亜鉛置換膜5がニッケルイオンと置換され、さらに、自己触媒作用によってこのニッケルイオンとの置換反応が促進されてニッケルめっきが析出し、図4で示すごとく無電解ニッケル被膜7が形成される。そして、形成された無電解ニッケル被膜7とその下地の第1のアルミニウム電極層2を形成するアルミニウムは化学的に強固に結合しており、第1のアルミニウム電極層2の表面にのみ部分的にめっきがおこなわれた半導体基板10が製作される。図示する一連のフローからなる方法によれば、無電解ニッケル被膜7を形成したい第1のアルミニウム電極層2に対してジンケート処理にて亜鉛置換膜5を形成した後に無電解めっき処理をおこなう方法において、ジンケート処理の際に無電解ニッケル被膜7を形成したくない第2のアルミニウム電極層3に対して亜鉛析出防止用の電位を印加しておくことで、最終的には第1のアルミニウム電極層2の表面にのみ精度よく無電解ニッケル被膜7を形成することができる。しかも、この方法によれば、ジンケート処理に要する時間が1分以内であり、無電解めっき処理で逆極性の電流を継続的に通電させる方法の場合に比して消費電力は格段に少なくてよいことから、めっき処理に要する加工コストも安価となる。無電解めっき処理後のアルミニウム電極層の組織を観察した実験の結果本発明者等は、アルカリエッチング処理をおこない、酸洗浄処理をおこなった半導体基板に対して上記で説明する本発明の方法によって第1のアルミニウム電極層の表面にのみ無電解ニッケル被膜を形成し、この無電解ニッケル被膜の表面と、無電解ニッケル被膜が形成されていない第2のアルミニウム電極層の表面、および、無電解めっき処理前のアルミニウム電極層の表面それぞれの組織を観察し、撮像した。この実験では、無電解めっき処理で使用したニッケルめっき浴として、上村工業製のエピタスNPR-18を使用した。図5aに当初のアルミニウム電極層表面を撮像した写真図を、図5bに無電解ニッケル被膜が形成されていない第2のアルミニウム電極層表面の写真図を、図5cに第1のアルミニウム電極層表面の無電解ニッケル被膜の写真図をそれぞれ示している。これらの写真図から明らかなように、本発明の方法を適用すること、および、ニッケルめっき浴として上記成分のめっき浴を使用することにより、第2のアルミニウム電極層の表面は、当初のアルミニウム電極層の表面と同様に無電解ニッケル被膜が全く形成されておらず、第1のアルミニウム電極層の表面は無電解ニッケル被膜にて完全に被覆されることが実証されている。ジンケート処理の有無による無電解ニッケル被膜の形成有無を検証した実験の結果本発明者等は、ジンケート処理をおこなわずに無電解めっきのみをおこなう方法と、本発明の方法であるジンケート処理をおこない、次いで無電解めっき処理をおこなう方法の双方を実施して、無電解ニッケル被膜の形成の有無を検証する実験をおこなった。本実験においても既述する実験と同様のニッケルめっき浴を使用している。図6aに当初のアルミニウム電極層表面を撮像した写真図を、図6bにジンケート処理をおこなわない場合の第1のアルミニウム電極層表面の写真図を、図6cにジンケート処理をおこなった場合の第1のアルミニウム電極層表面の写真図をそれぞれ示している。これらの写真図から明らかなように、ジンケート処理をおこなわない場合は、第1のアルミニウム電極層の表面には無電解ニッケル被膜は全く形成されていない第2のアルミニウム電極層の表面にも形成されないのは同様である。それに対して、ジンケート処理をおこない、次いで無電解めっき処理をおこなった場合には、第1のアルミニウム電極層の表面が無電解ニッケル被膜にて完全に被覆されることが実証されている。以上、本発明の実施の形態を図面を用いて詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。"