周囲を電子通過路形成部材で囲むことにより形成された電子通過路と、絶縁性のターゲット支持基板上に設けられた透過型ターゲットとを有し、前記電子通過路を介して、電子を前記透過型ターゲットに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置であって、前記電子通過路内に電子の照射によりX線を生じる副X線発生面を有し、前記副X線発生面が、前記透過型ターゲットの電子が照射される側の上方を覆うように張り出しており、前記透過型ターゲットが、前記ターゲット支持基板の中央領域に設けられ、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の少なくとも一部が、前記副X線発生面で生じるX線に対して、前記透過型ターゲットで覆われた前記ターゲット支持基板の中央領域に比して高い透過性を有していることを特徴とする透過型X線発生装置。周囲を電子通過路形成部材で囲むことにより形成された電子通過路と、絶縁性のターゲット支持基板上に設けられた透過型ターゲットとを有し、前記電子通過路を介して、電子を前記透過型ターゲットに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置であって、前記透過型ターゲットが、照射された電子の一部を反射し、前記ターゲット支持基板の中央領域に設けられ、前記電子通過路内に電子の照射によりX線を生じる副X線発生面を有し、前記副X線発生面と前記透過型ターゲットとは、前記透過型ターゲットに直接電子が照射されることにより発生するX線と、前記副X線発生面に前記透過型ターゲットで反射された電子が照射されることにより発生するX線と、が重畳されて外部に取出し可能となるように配置されており、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の少なくとも一部が、前記副X線発生面で生じるX線に対して、前記透過型ターゲットで覆われた前記ターゲット支持基板の中央領域に比して高い透過性を有していることを特徴とする透過型X線発生装置。前記透過型ターゲットは、照射された電子の20~60を反射することを特徴とする請求項2に記載の透過型X線発生装置。周囲を電子通過路形成部材で囲むことにより形成された電子通過路と、絶縁性のターゲット支持基板上に設けられた透過型ターゲットとを有し、前記電子通過路を介して、電子を前記透過型ターゲットに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置であって、前記電子通過路内に電子の照射によりX線を生じる副X線発生面を有し、前記副X線発生面と前記透過型ターゲットとのなす角度θが以下の関係を有しており、10°<θ<85°前記透過型ターゲットが、前記ターゲット支持基板の中央領域に設けられ、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の少なくとも一部が、前記副X線発生面で生じるX線に対して、前記透過型ターゲットで覆われた前記ターゲット支持基板の中央領域に比して高い透過性を有していることを特徴とする透過型X線発生装置。両端が開口し、周囲を電子通過路形成部材で囲まれた電子通過路と、絶縁性のターゲット支持基板上に設けられた透過型ターゲットとを有し、前記電子通過路を介して、電子を前記透過型ターゲットに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置において、前記電子通過路の少なくとも前記透過型ターゲット側の端部における断面積が、前記透過型ターゲットとは反対側に比して前記透過型ターゲット側が拡大しており、該断面積が拡大した領域の内壁面の少なくとも一部が、電子の照射によりX線を生じる副X線発生面となっており、前記透過型ターゲットが、前記ターゲット支持基板の中央領域に設けられ、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の少なくとも一部が、前記副X線発生面で生じるX線に対して、前記透過型ターゲットで覆われた前記ターゲット支持基板の中央領域に比して高い透過性を有していることを特徴とする透過型X線発生装置。前記電子通過路の少なくとも前記透過型ターゲット側の端部における断面積の拡大が、段差を伴う拡大であることを特徴とする請求項5に記載の透過型X線発生装置。前記電子通過路の少なくとも前記透過型ターゲット側の端部の断面積の拡大が、連続的な拡大であることを特徴とする請求項5に記載の透過型X線発生装置。前記副X線発生面に反射電子が照射されることで生じるX線の少なくとも一部が、前記透過型ターゲットの前記電子が照射される領域を透過することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか一項に記載の透過型X線発生装置。前記副X線発生面の形態が、前記副X線発生面に反射電子が照射されることで生じたX線であって、前記透過型ターゲットの前記電子が照射される領域を透過するX線量を増大させる形態であることを特徴とする請求項5に記載の透過型X線発生装置。少なくとも、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の一部に、前記透過型ターゲットに接続された導電層が設けられていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の透過型X線発生装置。前記導電層の厚さが前記透過型ターゲットの厚さより薄いことを特徴とする請求項10に記載の透過型X線発生装置。前記導電層が、前記透過型ターゲットに比して質量の軽い元素で構成されていることを特徴とする請求項10又は11に記載の透過型X線発生装置。前記導電層が、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の一部に設けられており、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域のその他の部分が前記ターゲット支持基板の露出面であることを特徴とする請求項10乃至12のいずれか一項に記載の透過型X線発生装置。前記副X線発生面の材質が前記透過型ターゲットと同じ材質であることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載の透過型X線発生装置。請求項1乃至14のいずれか一項に記載の透過型X線発生装置と、前記透過型X線発生装置から放出されて被検体を透過したX線を検出するX線検出器と、を備えることを特徴とするX線撮影装置。ところで、特許文献1に記載の技術では、上記構成により電子をチャンネル表面で弾性散乱させターゲットに入射させている。しかしながら、この技術は、適切な濃度の電子ビームを透過型ターゲットに供給すること、及びできるだけ小さな焦点を得ることを目的としており、透過型ターゲットで反射した電子を有効利用するものではない。また、特許文献1には、透過型ターゲットで反射した電子の入射により発生するX線についての記載もない。特許文献2に記載の技術は、ターゲットのチャージアップ防止に関するものに過ぎず、特許文献1に記載の技術と同様に、透過型ターゲットで反射した電子を有効利用するものではない。また、特許文献2も、透過型ターゲットで反射した電子の入射により発生するX線についてすら記載していない。そこで、本発明は、透過型ターゲットで反射した電子を有効利用することによりX線発生効率を向上させることができる透過型X線発生装置及びそれを用いたX線撮影装置の提供を目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、周囲を電子通過路形成部材で囲むことにより形成された電子通過路と、絶縁性のターゲット支持基板上に設けられた透過型ターゲットとを有し、前記電子通過路を介して、電子を前記透過型ターゲットに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置であって、前記電子通過路内に電子の照射によりX線を生じる副X線発生面を有し、前記副X線発生面が、前記透過型ターゲットの電子が照射される側の上方を覆うように張り出しており、前記透過型ターゲットが、前記ターゲット支持基板の中央領域に設けられ、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の少なくとも一部が、前記副X線発生面で生じるX線に対して、前記透過型ターゲットで覆われた前記ターゲット支持基板の中央領域に比して高い透過性を有していることを特徴とする透過型X線発生装置を提供するものである。また、本発明は、周囲を電子通過路形成部材で囲むことにより形成された電子通過路と、絶縁性のターゲット支持基板上に設けられた透過型ターゲットとを有し、前記電子通過路を介して、電子を前記透過型ターゲットに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置であって、前記透過型ターゲットは、照射された電子の一部を反射し、前記ターゲット支持基板の中央領域に設けられ、前記電子通過路内に電子の照射によりX線を生じる副X線発生面を有し、前記副X線発生面と前記透過型ターゲットとは、前記透過型ターゲットに直接電子が照射されることにより発生するX線と、前記副X線発生面に前記透過型ターゲットで反射された電子が照射されることにより発生するX線と、が重畳されて外部に取出し可能となるように配置されており、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の少なくとも一部が、前記副X線発生面で生じるX線に対して、前記透過型ターゲットで覆われた前記ターゲット支持基板の中央領域に比して高い透過性を有していることを特徴とする透過型X線発生装置を提供するものである。更に、本発明は、周囲を電子通過路形成部材で囲むことにより形成された電子通過路と、絶縁性のターゲット支持基板上に設けられた透過型ターゲットとを有し、前記電子通過路を介して、電子を前記透過型ターゲットに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置であって、前記電子通過路内に電子の照射によりX線を生じる副X線発生面を有し、前記副X線発生面と前記透過型ターゲットとのなす角度θが以下の関係を有しており、10°<θ<85°前記透過型ターゲットが、前記ターゲット支持基板の中央領域に設けられ、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の少なくとも一部が、前記副X線発生面で生じるX線に対して、前記透過型ターゲットで覆われた前記ターゲット支持基板の中央領域に比して高い透過性を有していることを特徴とする透過型X線発生装置を提供するものである。また、本発明は、両端が開口し、周囲を電子通過路形成部材で囲まれた電子通過路と、絶縁性のターゲット支持基板上に設けられた透過型ターゲットとを有し、前記電子通過路を介して、電子を前記透過型ターゲットに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置において、前記電子通過路の少なくとも前記透過型ターゲット側の端部における断面積が、前記透過型ターゲットとは反対側に比して前記透過型ターゲット側が拡大しており、該断面積が拡大した領域の内壁面の少なくとも一部が、電子の照射によりX線を生じる副X線発生面となっており、前記透過型ターゲットが、前記ターゲット支持基板の中央領域に設けられ、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の少なくとも一部が、前記副X線発生面で生じるX線に対して、前記透過型ターゲットで覆われた前記ターゲット支持基板の中央領域に比して高い透過性を有していることを特徴とする透過型X線発生装置を提供するものである。本発明によれば、透過型ターゲットで発生するX線に加えて、透過型ターゲットで発生した反射電子により発生するX線も、効率良く取り出す構成をとる。これにより、X線発生効率を向上させることが可能となる。以下、図面を用いて本発明の実施形態を説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。尚、本明細書で特に図示又は記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。第1の実施形態まず、図1を用いて本発明の第1の実施形態について説明する。図1aは本実施形態の透過型X線発生管11の模式図である。図1bは図1aにおける透過型ターゲット1近傍の拡大図であり、透過型ターゲット、導電層、ターゲット支持基板からなるターゲット部と、電子通過路を有する電子通過路形成部材と、副X線発生面とで構成されるアノードを示している。図1cは図1aのターゲット部を、透過型ターゲット側から見たときの平面図である。図1において、透過型X線発生管11は、電子放出源7、透過型ターゲット1、導電層2、ターゲット支持基板3、電子通過路形成部材4、電子通過路5、副X線発生面6及び真空容器10を備えている。真空容器10は、透過型X線発生管11の内部を真空に保つためのもので、ガラスやセラミクス材料等が用いられる。真空容器10内の真空度は104~108Pa程度であれば良い。真空容器10は開口部を有しており、その開口部には電子通過路5が形成された電子通過路形成部材4が接合されている。この電子通過路5の内壁面にターゲット支持基板3が接合されることにより真空容器10が密閉される。また、真空容器10には不図示の排気管を設けても良い。排気管を設けた場合、例えば排気管を通じて真空容器10内を真空に排気した後、排気管の一部を封止することで真空容器10の内部を真空にすることができる。真空容器10の内部には真空度を保つために、不図示のゲッターを配置しても良い。電子放出源7は、真空容器10の内部に、透過型ターゲット1に対向して配置されている。電子放出源7にはタングステンフィラメントや、含浸型カソードのような熱陰極、又はカーボンナノチューブ等の冷陰極を用いることができる。電子放出源7より放出された電子12は、電子通過路形成部材4により形成された電子通過路5の一端から入射して電子通過路5内を通過し、電子通過路5の他端側に設けられた透過型ターゲット1に照射され、X線14が発生する。透過型X線発生管11には、本実施形態のように引出し電極8とレンズ電極9を設けても良い。これらを設けた場合、引出し電極8によって形成される電界によって電子放出源7から電子が放出され、放出された電子はレンズ電極9で収束され、透過型ターゲット1に入射する。このとき、電子放出源7と透過型ターゲット1との間に印加される電圧Vaは、X線の使用用途によって異なるものの、概ね40kV~150kV程度である。次に、図1bを用いて本実施形態の透過型ターゲット1近傍の構成及び、X線の発生について詳細に説明する。透過型ターゲット1は、導電層2が設けられたターゲット支持基板3の電子放出源側の面の中央領域に配置されている。透過型ターゲット1と電子放出源7の間には、電子通過路形成部材4が配置され、周囲を電子通過路形成部材4で囲むことにより両端が開口した電子通過路5が形成されている。本実施形態では、電子通過路5の少なくとも透過型ターゲット側の端部における断面積が、透過型ターゲットとは反対側に比して透過型ターゲット側が拡大し、透過型ターゲット側の端部の断面積は連続的に拡大している。また、電子通過路5の断面積が拡大した領域の内壁面は、副X線発生面6となっている。尚、電子通過路5の断面積が拡大した領域の内壁面の少なくとも一部が副X線発生面6となっていれば良い。副X線発生面6は、電子通過路5の内壁面の一部として形成されていても良いし、電子通過路5内に電子通過路5とは別部材で形成されていても良い。上記構成において、電子放出源7から放出された電子12は、電子通過路5を介して透過型ターゲット1に衝突する。数十kV~百数十kVに加速された電子12が透過型ターゲット1に衝突することでX線が発生し、この時発生したX線15は、導電層2、ターゲット支持基板3を透過して透過型X線発生管11の外部に放出される。X線15の一部は透過型ターゲット1の自己吸収により減衰し、更にX線透過窓を兼ねるターゲット支持基板3によっても減衰するが、これらの減衰の程度は少なく、実質上、許容される。図1bcに示す透過型ターゲット1の径d1は、電子12電子線の断面の径にほぼ等しいことが望ましい。多少の違いがあった場合、効果は限定されるが、本質的には変わらない。一方、透過型ターゲット1に電子12が衝突した際には、X線が発生するとともに、反射電子13も発生する。透過型ターゲット1は後述のように原子番号の大きい金属で構成されるため、電子の反射率は数十典型的には、20~60と比較的大きい。透過型ターゲット1で生成された反射電子13は、副X線発生面6に衝突しX線を発生する。この時発生したX線16以下、副X線ということもある。の少なくとも一部はターゲット支持基板3を透過して透過型X線発生管11の外部に放出される。反射電子13は、透過型ターゲット1の材質、表面状態等により異なるが、多い時には、透過型ターゲット1に衝突した電子の約60にも達する。また、反射電子13が副X線発生面6に衝突する時の加速電圧は、電子放出源7から発生した電子12の加速電圧よりも低くなっている。この程度は、透過型ターゲット1の材料や、表面状態、反射される方向等によっても異なる。このため、副X線X線16のエネルギーはX線15のエネルギーに比べて小さくなる。副X線は、反射電子13が衝突した副X線発生面6から全ての方向に放射されるが、電子通過路形成部材4としてX線を遮蔽できる材料を用いると、後方へ向かって放射される副X線は大部分が電子通過路5の内壁で遮蔽される。前方へ向かって放射される副X線は、透過型ターゲット1を透過して、放射されるため、X線15と同様に撮影に利用することが可能である。次に、図2及び図3を用いて、本実施形態における電子通過路5の好ましい形状について説明する。ここでは、図1bにおける、副X線発生面6と透過型ターゲット1とのなす角度θの好ましい範囲について述べる。図2は、副X線発生面6に反射電子13が衝突した後に、副X線発生面6において発生するX線16を示しており、一例として透過型ターゲット1の垂線に対し任意の角度θ1の拡がりを持って取り出されるX線16と、各部材との位置関係を示したものである。図2aはθ>90°、図2bはθ=90°、図2cはθ<90°とした場合である。図2aのようにθ>90°では、発生したX線16の多くが副X線発生面6内を通過中に吸収され、外部にはわずかしか放出されない。図2bのようにθ=90°では、発生したX線16の半分程度が副X線発生面6内で吸収される。図2cのようにθ<90°では、発生したX線16の多く少なくとも半分程度以上が吸収されずに外部に放出される。よって、θ<90°、即ち電子通過路5の透過型ターゲット側の端部における断面積が、透過型ターゲットとは反対側に比して拡大した形状とすることで、発生したX線16が副X線発生面6内で吸収される割合を低減し、X線16の取り出し量を増大できる。また、X線強度の出射角度依存を考慮して、角度θの好ましい範囲を設定することもできる。図3は、X線強度の出射角度依存性を説明する図であり、図3aは副X線発生面に電子が入射し、発生したX線が出射角度φで出射する様子を示しており、図3bは図3aにおけるX線の出射角度φとX線強度の関係を示している。一般に10kV~200kVに加速された電子は、入射角度に強く依存することなく、副X線発生面6の数μm程度内部に侵入するため、X線も副X線発生面6表面から数μm程度内側で多く発生する。発生するX線は様々な角度に放出されるが、図3aのX線の出射角度φが小さい場合、副X線発生面6内部を通過する距離が長くなる。そのため、図3bのように、例えばφ<5°では、φが小さくなるに従って、X線強度が急激に小さくなる。従って、X線強度の出射角度依存性を考慮して出射角度の下限をφ0とした場合、角度θの好ましい範囲は、前述の好ましい範囲と合わせると、θ<90-φ0となる。図3bより、φ0を5°とすると、θ<85°となる。また、ターゲットで反射された電子を内壁面に効率良く衝突させるための限界値を考慮すると、θの下限は10°<θとなる。よって、角度θの好ましい範囲は10°<θ<85°である。次に、図4を用いて、副X線発生面6が形成される領域の好ましい範囲について説明する。ここでは、図1bにおける、透過型ターゲット1と、透過型ターゲット1から遠い側の副X線発生面6の端部との間の距離副X線発生面の形成距離Zの好ましい範囲について述べる。距離Zの好ましい範囲は、透過型ターゲット1で発生した反射電子13の周辺部への到達密度分布を考慮して設定することができる。図4は、反射電子の衝突密度分布について説明する図である。図4aは計算に用いた模式図、図4bは入射した電子12によって発生した反射電子13の衝突密度分布を示す図、図4cは反射電子13の衝突密度の積分を示す図である。図4aにおいてZに垂直な方向の開口幅を2Rとすると、反射電子13の到達点は距離Zが2R以下の周辺部表面に多く存在し、全体の80程度が存在する。また、4R以下では全体の95程度が存在する。従って、電子通過路4の開口幅を2Rとした時に、距離Zが少なくとも2R以下、好ましくは4R以下の領域には副X線発生面5が形成されていることが望ましい。さらに、距離Zが20Rになると、反射電子の衝突密度は、ほぼゼロに集束する。従って、電子通過路形成部材3の開口の大きさ2Rと副X線発生面の形成距離Zは、2R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。さらに、好ましくは、4R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。尚、図1bでは、副X線発生面6は電子通過路5の断面積が拡大した領域の内壁全面に形成されているが、副X線発生面6は必ずしも電子通過路5の断面積が拡大した領域の内壁全面に形成されていなくても良い。少なくとも上記好ましい距離Zの範囲を含む領域に形成されていれば良い。また、本実施形態において、電子通過路内に設けられた副X線発生面6に、反射電子13を衝突させて副X線を発生させ、副X線を透過型X線発生管11の外部に取り出す構成とするためには、副X線発生面6と透過型ターゲット1を次のように配置すれば良い。例えば、副X線発生面6を、透過型ターゲット1の電子が照射される側の上方を覆うように張り出して配置すれば良い。他にも、透過型ターゲット1に直接電子が照射されることにより発生するX線と副X線とが重畳されて外部に取出し可能となるように、副X線発生面6と透過型ターゲット1を配置すれば良い。この配置の場合、透過型ターゲット1としては、照射された電子の20~60を反射する材料を用いることができる。これらの配置の場合でも、副X線発生面6は、電子通過路5の内壁面の一部として形成されていても良いし、電子通過路5内に電子通過路5とは別部材で形成されていても良い。副X線発生面6の形態を、副X線発生面6に反射電子が照射されることで生じたX線であって、透過型ターゲット1の電子が照射される領域を透過するX線量を増大させる形態としても良い。透過型ターゲット1を構成する材料は、融点が高く、X線発生効率の高いものが好ましい。このような材料としては、原子番号26以上の金属が適しており、例えばタングステン、タンタル、モリブデン等を用いることができる。透過型ターゲット1の厚みは、発生したX線が透過型ターゲット1を透過する際に生じる吸収を軽減するため、数μm~十数μm程度が適している。導電層2は、電子12が透過型ターゲット1に照射され、電子によるターゲット部のチャージアップを防ぐ目的で設けられるため、導電性を有するものであれば良く、多くの金属材料又は炭化物、酸化物等を用いることができる。ターゲット支持基板3への導電層2の一体化は、スパッタ、蒸着等によって得ることができる。ターゲット支持基板3がグラファイトやベリリウムのような導電体、又は絶縁体に添加物によって導電性を付与できる材料であれば、導電層2はなくても良い。しかし、通常、市販されているダイヤモンドのような絶縁体では、導電性がないため、導電層2を設ける必要がある。また、導電層2を設けると、導電層2を介して透過型ターゲット1に電圧を供給することもできる。導電層2がターゲット部のチャージアップを防ぐことのみを目的とするのであれば、導電性を有していれば、材料の種類や厚さに何ら制限はない。しかし、本発明では、導電層2には、副X線発生面6で発生するX線を外部に取り出すための機能を持たせることを目的としているため、材料の種類や厚さについても影響を受ける。副X線発生面6におけるX線の発生と、その取り出し方法、及び導電層2の材料や種類についての詳細は後述する。ターゲット支持基板3を構成する材料は、透過型ターゲット1を支持する強度を有し、透過型ターゲット1及び副X線発生面6で発生するX線の吸収が少ないものが適している。また、透過型ターゲット1で発生した熱をすばやく放熱できるよう熱伝導率の高いものが好ましい。例えばダイヤモンド、窒化シリコン、窒化アルミニウム等を用いることができる。ターゲット支持基板3の厚みは、0.1mm~数mm程度が適当である。また、絶縁性を有する材料を用いても良い。副X線発生面6を構成する材料は、融点が高く、X線発生効率の高いものが好ましい。このような材料としては、原子番号26以上の金属が適しており、例えばタングステン、タンタル、モリブデン等を用いることができる。副X線発生面6の厚みは、電子の侵入長以上であることが好ましく、数μm以上が好ましい。また、副X線発生面6は透過型ターゲット1と同じ材質とするのが好ましい。電子放出源7の電子放出部から放出された電子が直接透過型ターゲット1に衝突して発生するX線と、透過型ターゲット1で反射した電子が副X線発生面6に衝突して発生するX線とが同じ特性を有するからである。電子通過路形成部材4を構成する材料は、X線を遮蔽できるものが好ましい。電子通過路形成部材4は、副X線発生面6を構成する材料と同じでも良く、その場合は電子通過路形成部材4の表面が副X線発生面6となる。また、電子通過路形成部材4を構成する材料は、副X線発生面6を構成する材料と異なっていても良い。また、電子通過路形成部材4を構成する材料は、副X線発生面6で発生した熱をすばやく放熱できるよう熱伝導率の高いものが望ましい。例えば、タングステン、タンタル、モリブデン、銅、銀、金、ニッケル等を用いることができる。電子通過路5は、透過型ターゲット1よりも電子放出源7側では、電子12を透過型ターゲット1の電子線照射領域X線発生領域に導くための通過路になっている。電子通過路形成部材4としてX線を遮蔽できる材料を用いると、透過型ターゲット1から電子放出源7側後方へ向かって放射されるX線は大部分が電子通過路5の内壁で遮蔽される。電子通過路5は、透過型ターゲット1よりも電子放出源7とは反対側にも設けることができる。この場合、電子通過路5は、透過型ターゲット1よりも電子放出源7とは反対側ではX線を外部に放出するための通過路になる。電子通過路形成部材4としてX線を遮蔽できる材料を用いると、透過型ターゲット1から電子放出源7とは反対側前方へ向かって放射されるX線のうち不要なX線は、電子通過路5の内壁で遮蔽される。電子通過路5は、電子放出源7側から見たときの形状が円形でも良いし、四角形や楕円形等適宜、選択することができる。電子通過路形成部材4とターゲット部の接合は、ろう付け等により行うことができる。ろう付けによる接合は、真空容器10の内部を真空状態に保持することが重要である。ろう付けのろう材としては、電子通過路形成部材4の材料や、耐熱温度等により適宜、選択することができる。本実施形態におけるターゲット部は、図1bのように、ターゲット支持基板上に導電層2を設け、導電層2上の中央領域に透過型ターゲット1を設けた構成をとる。図1bcにおいて、d1は透過型ターゲット1の径、d2は電子通過路5における電子入射側の端部の内径である。ターゲット部と電子通過路形成部材4は不図示のろう材によりろう付けされ、真空容器10の内部が真空維持されている。図1bではターゲット支持基板3導電層2が電子通過路形成部材4にろう付けされている。副X線X線16がターゲット部を透過するとき、導電層2、ターゲット支持基板3の2層を透過するものと、透過型ターゲット1、導電層2、ターゲット支持基板3の3層を透過するものがある。透過型ターゲット1は、電子12を衝突させてX線を効率良く発生させる材料や厚さでなければならないので、使用条件に応じて最適化されていなければならない。一方、導電層2は、電子12が衝突してX線を発生させることがほとんどないため、本来の機能である導電性と、X線透過性を考慮すれば良い。但し、前述のように副X線のエネルギーがX線15のエネルギーに比べて小さいため、導電層2が透過型ターゲット1と同じ材質、同じ厚さであると、X線の吸収が大きくなり、充分に副X線を取り出すことができない。X線透過性のみを考慮すると、導電層2はないものが最も良いが、前述のチャージアップ防止を考慮すると、できるだけ薄い導電層2が必要となる。導電層2に用いるX線透過性の良い材料としては、軽元素が望ましく、例えばアルミ、チタン、窒化ケイ素、シリコン、グラファイト等を用いることができる。透過型ターゲット1に比して質量の軽いこれらの元素を用いた場合の導電層2の厚さは、導電性がとれれば良く、材料によって異なるが、おおむね0.1nm以上1μm以下あれば良い。導電層2の材料は透過型ターゲット1の材料と同じでも良い。導電層2の材料が透過型ターゲット1の材料と同じ場合、導電層2の厚さは、X線を透過させるために実質的に支障のない薄さであれば良い。透過型ターゲット1として通常用いられる原子番号26以上の金属材料であっても、その厚さが薄ければ、X線の透過率が高いため、導電層2として用いることができる。例えばタングステンを用いた場合には、0.1nm以上0.2μm程度以下であれば、X線を僅かに遮る程度であり、軽元素の場合と同様に用いることができる。また、図1bでは、ターゲット支持基板3上に導電層2、導電層2上に透過型ターゲット1を設けているが、この順でなくても良い。導電層2上に透過型ターゲット1を設けたターゲット部の場合には、透過型ターゲット1で覆われた領域における導電層2の厚さを0.1nm以上0.1μm以下とするのが好ましい。この範囲の厚さにすることでX線放射時の良好な線形性と出力安定性を確保できるからである。尚、導電層2の厚さは、透過型ターゲット1で覆われた領域以外では上記範囲でなくても良い。また、導電層2と透過型ターゲット1が同じ材料の場合には、透過型ターゲット1で覆われた領域における導電層2の厚さは上記範囲でなくても良い。透過型ターゲット1上に導電層2を設けたターゲット部の場合には、透過型ターゲット1を覆う領域の導電層2の厚さを0.1nm以上0.1μm以下とするのが好ましい。この範囲の厚さにすることで電子が導電層2に直接衝突することにより発生するX線量が許容範囲以下になるからである。尚、導電層2の厚さは、透過型ターゲット1を覆う領域以外では電子が導電層2に直接衝突しないため上記範囲でなくても良い。また、導電層2と透過型ターゲット1が同じ材料の場合には、透過型ターゲット1を覆う領域の導電層2の厚さは上記範囲でなくても良い。以上、本実施形態によれば、副X線発生面6で副X線を発生させることができ、透過型ターゲット1で覆われていないターゲット支持基板3の周縁領域を、導電層2で覆っている。このため、この周縁領域では中央領域に比して副X線の透過性が良好になる。このため、透過型ターゲット1で発生するX線に加えて、透過型ターゲット1で発生した反射電子13により発生する副X線も、効率良く取り出すことができる。これにより、X線発生効率を向上させることが可能となる。また、本実施形態の透過型X線発生管を構成するターゲット部として、図7a~d、図8a~d、図9a~fに示すターゲット部を適用することもできる。図7ac、図8ac、図9aceはターゲット部の断面図、これらのターゲット部を、透過型ターゲット側から見たときの平面図が、それぞれ図7bd、図8bd、図9bdfである。図7abのターゲット部は、ターゲット支持基板3上の中央領域に透過型ターゲット1を設け、ターゲット支持基板3上の中央領域以外の領域に導電層2を設けた構成である。透過型ターゲット1は導電層2に接続されている。透過型ターゲット1、導電層2、ターゲット支持基板3の各材料は上述の材料を用いることができる。図7abのターゲット部では、透過型ターゲット1で覆われていないターゲット支持基板3の周縁領域を、図1bcのターゲット部と同様に、導電層2で覆っているため、この周縁領域では中央領域に比して副X線の透過性が良好になる。よって、図1bcのターゲット部を適用した場合と同様の効果を奏する。図7cdのターゲット部は、ターゲット支持基板3上の中央領域に透過型ターゲット1を設け、ターゲット支持基板3上の中央領域以外の領域及び透過型ターゲット1上に導電層2を設けた構成である。透過型ターゲット1は導電層2で覆われている。透過型ターゲット1、導電層2、ターゲット支持基板3の各材料は上述の材料を用いることができる。図7cdのターゲット部では、透過型ターゲット1で覆われていないターゲット支持基板3の周縁領域を、図1bcのターゲット部と同様に、導電層2で覆っているため、この周縁領域では中央領域に比して副X線の透過性が良好になる。よって、図1bcのターゲット部を適用した場合と同様の効果を奏する。図8abのターゲット部は、ターゲット支持基板3上の中央領域に透過型ターゲット1を設け、ターゲット支持基板3上の中央領域以外の領域の一部に中央領域から周縁に延びる導電層2を設けた構成である。透過型ターゲット1は導電層2に接続されている。透過型ターゲット1で覆われていないターゲット支持基板3上の周縁領域において、導電層2はこの周縁領域の一部に設けられており、この周縁領域のその他の部分はターゲット支持基板3の露出面になっている。透過型ターゲット1、導電層2、ターゲット支持基板3の各材料は上述の材料を用いることができる。図8abのターゲット部では、透過型ターゲット1で覆われていないターゲット支持基板3の周縁領域の一部を、導電層2で覆っているため、図1bc、図7a~dのターゲット部よりもこの周縁領域において副X線の透過性が良好になる。よって、図1bc、図7a~dのターゲット部を適用した場合よりもX線発生効率を向上させることができる。図8cdのターゲット部は、ターゲット支持基板3上の中央領域に透過型ターゲット1を設け、導電層2は設けない構成である。この場合には、ターゲット支持基板3がわずかに導電性を有することが望ましい。導電性が十分でない場合には、チャージアップしないように、使用条件等を制限することが望ましい。透過型ターゲット1、導電層2、ターゲット支持基板3の各材料は上述の材料を用いることができる。図8cdのターゲット部では、ターゲット支持基板3の中央領域に透過型ターゲット1を設け、導電層2は設けていないため、透過型ターゲット1で覆われていないターゲット支持基板3の周縁領域において副X線の透過性がより良好になる。よって、図1bc、図7a~d、図8abのターゲット部を適用した場合よりもX線発生効率を向上させることができる。図9abのターゲット部は、ターゲット支持基板3上の中央領域に導電層2を設け、ターゲット支持基板3上の中央領域以外の領域の一部にも中央領域から周縁に延びる導電層2を設けている。また、ターゲット支持基板3上の中央領域に位置する導電層2上に透過型ターゲット1を設けている。透過型ターゲット1で覆われていないターゲット支持基板3上の周縁領域において、導電層2はこの周縁領域の一部に設けられており、この周縁領域のその他の部分はターゲット支持基板3の露出面になっている。透過型ターゲット1、導電層2、ターゲット支持基板3の各材料は上述の材料を用いることができる。図9abのターゲット部では、透過型ターゲット1で覆われていないターゲット支持基板3の周縁領域の一部を、導電層2で覆っているため、図1bc、図7a~dのターゲット部よりもこの周縁領域において副X線の透過性が良好になる。よって、図1bc、図7a~dのターゲット部を適用した場合よりもX線発生効率を向上させることができる。図9cdのターゲット部は、ターゲット支持基板3上の中央領域に透過型ターゲット1を設け、ターゲット支持基板3上の中央領域以外の領域及び透過型ターゲット1上の周縁領域に導電層2を設けた構成である。透過型ターゲット1、導電層2、ターゲット支持基板3の各材料は上述の材料を用いることができる。図9cdのターゲット部では、透過型ターゲット1で覆われていないターゲット支持基板3の周縁領域を、図1bcのターゲット部と同様に、導電層2で覆っているため、この周縁領域では中央領域に比して副X線の透過性が良好になる。よって、図1bcのターゲット部を適用した場合と同様の効果を奏する。図9efのターゲット部は、ターゲット支持基板3上の中央領域以外の領域に導電層2を設け、ターゲット支持基板3上の中央領域及びその周縁の導電層2上に透過型ターゲット1を設けた構成である。導電層2の一部は透過型ターゲット1で覆われている。透過型ターゲット1、導電層2、ターゲット支持基板3の各材料は上述の材料を用いることができる。図9efのターゲット部では、透過型ターゲット1で覆われていないターゲット支持基板3の周縁領域を、図1bcのターゲット部と同様に、導電層2で覆っているため、この周縁領域では中央領域に比して副X線の透過性が良好になる。よって、図1bcのターゲット部を適用した場合と同様の効果を奏する。第2の実施形態次に、図5aを用いて、本発明の第2の実施形態について説明する。本実施形態では、電子通過路形成部材4及び電子通過路5の形状が第1の実施形態と異なっており、電子通過路形成部材4及び電子通過路5の形状以外で共通する部分については、第1の実施形態と同様とすることができる。本実施形態において、透過型ターゲット1、導電層2、ターゲット支持基板3からなるターゲット部は、第1の実施形態で説明したターゲット部のいずれかを適用することができる。図5aは、本実施形態の透過型ターゲット1近傍の拡大図である。周囲を電子通過路形成部材4で囲むことにより両端が開口した電子通過路5が形成されている。本実施形態では、電子通過路5の少なくとも透過型ターゲット側の端部における断面積が、透過型ターゲットとは反対側に比して透過型ターゲット側が拡大し、透過型ターゲット側の端部の断面積は連続的に拡大している。また、図5aに示すように電子通過路5は、透過型ターゲット1に垂直な方向における断面形状が、透過型ターゲット1側を下側とした時に上凸状の円弧形状を有している。更に、電子通過路5の断面積が拡大した領域の内壁面は、副X線発生面6となっている。尚、電子通過路5の断面積が拡大した領域の内壁面の少なくとも一部が副X線発生面6となっていれば良い。副X線発生面6は、電子通過路5の内壁面の一部として形成されていても良いし、電子通過路5内に電子通過路5とは別部材で形成されていても良い。上記構成において、電子放出源7より放出された電子12は、電子通過路5を通過して、透過型ターゲット1に衝突し、X線が発生する。この時発生したX線15は、ターゲット支持基板3を透過して透過型X線発生管11の外部に放出される。また、透過型ターゲット1に電子12が衝突した際に生成された反射電子13は、副X線発生面6に衝突しX線を発生する。この時発生したX線16はターゲット支持基板3を透過して透過型X線発生管11の外部に放出される。本実施形態では、副X線発生面6の断面形状が、透過型ターゲット1側を下側とした時に上凸状の円弧形状になっているため、副X線発生面6で発生したX線16が副X線発生面6内で吸収される割合が低く、X線16の取り出し量を増大できる。本実施形態において、副X線発生面6が形成される領域の好ましい範囲は、第1の実施形態と同様である。即ち、電子通過路5の開口幅を2Rとした時に、距離Zが4R以下、少なくとも2R以下の領域に副X線発生面6を形成するのが望ましい。さらに、電子通過路形成部材3の開口の大きさ2Rと副X線発生面の形成距離Zは、2R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。さらに、好ましくは、4R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。また、本実施形態における副X線発生面6と透過型ターゲット1の配置としては、断面形状が上凸状の円弧形状である副X線発生面6を、透過型ターゲット1の電子が照射される側の上方を覆うように張り出して配置しても良い。他にも、透過型ターゲット1に直接電子が照射されることにより発生するX線と副X線とが重畳されて外部に取出し可能となるように、断面形状が上凸状の円弧形状である副X線発生面6と透過型ターゲット1を配置しても良い。この配置の場合、透過型ターゲット1としては、照射された電子の20~60を反射する材料を用いることができる。これらの配置の場合でも、副X線発生面6は、電子通過路5の内壁面の一部として形成されていても良いし、電子通過路5内に電子通過路5とは別部材で形成されていても良い。副X線発生面6の形態を、副X線発生面6に反射電子が照射されることで生じたX線であって、透過型ターゲット1の電子が照射される領域を透過するX線量を増大させる形態としても良い。以上、本実施形態によれば、ターゲット部を第1の実施形態と同様の構成とし、透過型ターゲット1で発生するX線15に加えて、透過型ターゲット1で発生した反射電子13により発生するX線16も、効率良く取り出す構成とする。これにより、X線発生効率を向上させることができる。第3の実施形態次に、図5bを用いて、本発明の第3の実施形態について説明する。本実施形態では、電子通過路形成部材4及び電子通過路5の形状が第1の実施形態と異なっており、電子通過路形成部材4及び電子通過路5の形状以外で共通する部分については、第1の実施形態と同様とすることができる。本実施形態において、透過型ターゲット1、導電層2、ターゲット支持基板3からなるターゲット部は、第1の実施形態で説明したターゲット部のいずれかを適用することができる。図5bは、本実施形態の透過型ターゲット1近傍の拡大図である。周囲を電子通過路形成部材4で囲むことにより両端が開口した電子通過路5が形成されている。本実施形態では、電子通過路5の少なくとも透過型ターゲット側の端部における断面積が、透過型ターゲットとは反対側に比して透過型ターゲット側が拡大し、透過型ターゲット側の端部の断面積は連続的に拡大している。また、図5bに示すように電子通過路5は、透過型ターゲット1に垂直な方向における断面形状が、透過型ターゲット1側を下側とした時に下凸状の円弧形状を有している。更に、電子通過路5の断面積が拡大した領域の内壁面は、副X線発生面6となっている。尚、電子通過路5の断面積が拡大した領域の内壁面の少なくとも一部が副X線発生面6となっていれば良い。副X線発生面6は、電子通過路5の内壁面の一部として形成されていても良いし、電子通過路5内に電子通過路5とは別部材で形成されていても良い。上記構成において、電子放出源7より放出された電子12は、電子通過路5を通過して、透過型ターゲット1に衝突し、X線が発生する。この時発生したX線15は、ターゲット支持基板3を透過して透過型X線発生管11の外部に放出される。また、透過型ターゲット1に電子12が衝突した際に生成された反射電子13は、副X線発生面6に衝突しX線を発生する。この時発生したX線16はターゲット支持基板3を透過して透過型X線発生管11の外部に放出される。本実施形態では、副X線発生面6の断面形状が、透過型ターゲット1側を下側とした時に下凸状の円弧形状になっているため、副X線発生面6で発生したX線16が副X線発生面6内で吸収される割合が低く、X線16の取り出し量を増大できる。本実施形態において、副X線発生面6が形成される領域の好ましい範囲は、第1の実施形態と同様である。即ち、電子通過路5の開口幅を2Rとした時に、距離Zが4R以下、少なくとも2R以下の領域に副X線発生面6を形成するのが望ましい。さらに、電子通過路形成部材3の開口の大きさ2Rと副X線発生面の形成距離Zは、2R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。さらに、好ましくは、4R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。また、本実施形態における副X線発生面6と透過型ターゲット1の配置としては、断面形状が下凸状の円弧形状である副X線発生面6を、透過型ターゲット1の電子が照射される側の上方を覆うように張り出して配置しても良い。他にも、透過型ターゲット1に直接電子が照射されることにより発生するX線と副X線とが重畳されて外部に取出し可能となるように、断面形状が下凸状の円弧形状である副X線発生面6と透過型ターゲット1を配置としても良い。この配置の場合、透過型ターゲット1としては、照射された電子の20~60を反射する材料を用いることができる。これらの配置の場合でも、副X線発生面6は、電子通過路5の内壁面の一部として形成されていても良いし、電子通過路5内に電子通過路5とは別部材で形成されていても良い。副X線発生面6の形態を、副X線発生面6に反射電子が照射されることで生じたX線であって、透過型ターゲット1の電子が照射される領域を透過するX線量を増大させる形態としても良い。以上、本実施形態によれば、ターゲット部を第1の実施形態と同様の構成とし、透過型ターゲット1で発生するX線15に加えて、透過型ターゲット1で発生した反射電子13により発生するX線16も、効率良く取り出す構成とする。これにより、X線発生効率を向上させることができる。第4の実施形態次に、図6aを用いて、本発明の第4の実施形態について説明する。本実施形態では、電子通過路形成部材4及び電子通過路5の形状が第1の実施形態と異なっており、電子通過路形成部材4及び電子通過路5の形状以外で共通する部分については、第1の実施形態と同様とすることができる。本実施形態において、透過型ターゲット1、導電層2、ターゲット支持基板3からなるターゲット部は、第1の実施形態で説明したターゲット部のいずれかを適用することができる。図6aは、本実施形態の透過型ターゲット1近傍の拡大図である。周囲を電子通過路形成部材4で囲むことにより両端が開口した電子通過路5が形成されている。本実施形態では、電子通過路5の少なくとも透過型ターゲット側の端部における断面積が、透過型ターゲットとは反対側に比して透過型ターゲット側が拡大し、透過型ターゲット側の端部の断面積は段差を伴い拡大している。更に、電子通過路5の断面積が拡大した領域の内壁面は、副X線発生面6となっている。尚、電子通過路5の断面積が拡大した領域の内壁面の少なくとも一部が副X線発生面6となっていれば良い。本実施形態においては、副X線発生面6は、透過型ターゲット1と水平方向の副X線発生面61と、垂直方向の副X線発生面62から構成される。副X線発生面61は透過型ターゲット1と水平に設けられていなくても良いし、副X線発生面62は透過型ターゲット1と垂直に設けられていなくても良い。副X線発生面61と副X線発生面62とのなす角度は90°でなくても良い。副X線発生面6は、電子通過路5の内壁面の一部として形成されていても良いし、電子通過路5内に電子通過路5とは別部材で形成されていても良い。上記構成において、電子放出源7より放出された電子12は、電子通過路5を通過して、透過型ターゲット1に衝突し、X線が発生する。この時発生したX線15は、ターゲット支持基板3を透過して透過型X線発生管11の外部に放出される。また、透過型ターゲット1に電子12が衝突した際に生成された反射電子13の一部は、副X線発生面61に衝突しX線を発生し、反射電子13の別の一部は、副X線発生面62に衝突しX線を発生する。この時発生したX線16はターゲット支持基板3を透過して透過型X線発生管11の外部に放出される。本実施形態では、副X線発生面61が透過型ターゲット1と水平方向に形成されているため、副X線発生面61で発生したX線16が副X線発生面61内で吸収される割合が低く、X線16の取り出し量を増大できる。本実施形態において、副X線発生面6が形成される領域の好ましい範囲について説明する。図4より、反射電子の衝突密度は透過型ターゲット1に近いZ<1Rところで最大となるため、副X線発生面61は、透過型ターゲット1に比較的近いところに形成するのが望ましい。但し、副X線発生面62もX線発生に寄与することから、副X線発生面61及び副X線発生面62で発生するX線の総和量が最も多くなるように、距離Z’を決めるのが望ましい。また、本実施形態における副X線発生面6と透過型ターゲット1の配置としては、副X線発生面61副X線発生面62を、透過型ターゲット1の電子が照射される側の上方を覆うように張り出して配置しても良い。他にも、透過型ターゲット1に直接電子が照射されることにより発生するX線と副X線とが重畳されて外部に取出し可能となるように、副X線発生面61副X線発生面62と透過型ターゲット1を配置しても良い。この配置の場合、透過型ターゲット1としては、照射された電子の20~60を反射する材料を用いることができる。これらの配置の場合でも、副X線発生面6は、電子通過路5の内壁面の一部として形成されていても良いし、電子通過路5内に電子通過路5とは別部材で形成されていても良い。副X線発生面6の形態を、副X線発生面6に反射電子が照射されることで生じたX線であって、透過型ターゲット1の電子が照射される領域を透過するX線量を増大させる形態としても良い。以上、本実施形態によれば、ターゲット部を第1の実施形態と同様の構成とし、透過型ターゲット1で発生するX線15に加えて、透過型ターゲット1で発生した反射電子13により発生するX線16も、効率良く取り出す構成とする。これにより、X線発生効率を向上させることができる。第5の実施形態次に、図6bを用いて、本発明の第5の実施形態について説明する。本実施形態では、電子通過路形成部材4及び電子通過路5の形状の一部が第4の実施形態と異なっており、電子通過路形成部材4及び電子通過路5の形状以外で共通する部分については、第5の実施形態と同様とすることができる。本実施形態において、透過型ターゲット1、導電層2、ターゲット支持基板3からなるターゲット部は、第1の実施形態で説明したターゲット部のいずれかを適用することができる。図6bは、本実施形態の透過型ターゲット1近傍の拡大図である。周囲を電子通過路形成部材4で囲むことにより両端が開口した電子通過路5が形成されている。本実施形態では、電子通過路5の途中に、電子通過路5の内壁面から突出した部分以下、突出部という。を有している。前記突出部は透過型ターゲット1側から見たときに環状の形状になるように設けられるのが好ましい。前記突出部は電子通過路5と同じ部材であっても良いし、電子通過路5とは別部材で形成されていても良い。また、電子通過路5の透過型ターゲット側の端部から前記突出部までが副X線発生面62、前記突出部の透過型ターゲット1に対向する領域が副X線発生面61となっており、副X線発生面6は副X線発生面61と副X線発生面62からなる。副X線発生面61は透過型ターゲット1と水平に設けられていなくても良いし、副X線発生面62は透過型ターゲット1と垂直に設けられていなくても良い。副X線発生面61と副X線発生面62とのなす角度は90°でなくても良い。副X線発生面6は、電子通過路5の内壁面の一部として形成されていても良いし、電子通過路5内に電子通過路5とは別部材で形成されていても良い。本実施形態において、副X線発生面6が形成される領域の好ましい範囲は、第4の実施形態と同様である。即ち、副X線発生面61は、透過型ターゲット1に比較的近いところに形成するのが望ましい。但し、副X線発生面62もX線発生に寄与することから、副X線発生面61及び副X線発生面62で発生するX線の総和量が最も多くなるように、距離Z’を決めるのが望ましい。また、本実施形態における副X線発生面6と透過型ターゲット1の配置としては、副X線発生面61副X線発生面62を、透過型ターゲット1の電子が照射される側の上方を覆うように張り出して配置しても良い。他にも、透過型ターゲット1に直接電子が照射されることにより発生するX線と副X線とが重畳されて外部に取出し可能となるように、副X線発生面61副X線発生面62と透過型ターゲット1を配置しても良い。この配置の場合、透過型ターゲット1としては、照射された電子の20~60を反射する材料を用いることができる。これらの配置の場合でも、副X線発生面6は、電子通過路5の内壁面の一部として形成されていても良いし、電子通過路5内に電子通過路5とは別部材で形成されていても良い。以上、本実施形態でも、ターゲット部を第1の実施形態と同様の構成とし、透過型ターゲット1で発生するX線15に加えて、透過型ターゲット1で発生した反射電子13により発生するX線16も、効率良く取り出す構成とする。これにより、X線発生効率を向上させることができる。上記では、第1~第5の実施形態を挙げて本発明について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、例えば第1~第5の実施形態のいずれかを組み合わせた形状も本発明に含まれる。第6の実施形態次に、図10を用いて透過型X線発生管を備えた本発明の透過型X線発生装置、及びX線撮影装置について説明する。図10は本実施形態の透過型X線発生装置及びX線撮影装置の構成図である。まず、本発明に用いられる透過型X線発生管11を備えた透過型X線発生装置30について説明する。透過型X線発生装置30は、外囲器21の内部に、透過型X線発生管11を収納している。外囲器21には、X線取出し窓22が備えられており、透過型X線発生管11より放出されたX線は、X線取出し窓22を透過して、透過型X線発生装置30外部に放出される。外囲器21の内部に透過型X線発生管11を収納した余空間には絶縁性媒体24が充填されていても良い。絶縁性媒体24としては、例えば絶縁媒体及び透過型X線発生管11の冷却媒体としての役割を有する電気絶縁油を用いるのが好ましい。電気絶縁油としては、鉱油、シリコーン油等が好適に用いられる。その他に使用可能な絶縁性媒体24としては、フッ素系電気絶縁液体等が挙げられる。また、外囲器21の内部には、本実施形態のように不図示の回路基板及び絶縁トランス等から構成される電圧制御部23を設けても良い。電圧制御部23を設けた場合、例えば透過型X線発生管11に、電圧制御部23から電圧信号が印加されX線の発生を制御することができる。次に、本実施形態の透過型X線発生装置30を用いたX線撮影装置について説明する。このX線撮影装置は、透過型X線発生装置30、X線検出器31、信号処理部32、装置制御部33及び表示部34を備えている。X線検出器31は信号処理部32を介して装置制御部33に接続され、装置制御部33は表示部34及び電圧制御部23に接続されている。透過型X線発生装置30における処理は装置制御部33によって統括制御される。例えば、装置制御部33は透過型X線発生装置30とX線検出器31によるX線撮影を制御する。透過型X線発生装置30から放出されたX線は、被検体35を介してX線検出器31で検出され、被検体35のX線透過画像が撮影される。撮影されたX線透過画像は表示部34に表示される。また例えば、装置制御部33は透過型X線発生装置30の駆動を制御し、電圧制御部23を介して透過型X線発生管11に印加される電圧信号を制御する。以上、本実施形態によれば、透過型ターゲット1で発生するX線15に加えて、透過型ターゲット1で発生した反射電子13により発生するX線16も効率良く取り出せるため、X線発生効率を向上させた透過型X線発生装置及びX線撮影装置を実現できる。以下、本発明を実施例及び比較例に基づいて詳細に説明する。[実施例1]本実施例の透過型X線発生装置は、図1aに示す透過型X線発生装置であり、図1bのターゲット部と、電子通過路5を有する電子通過路形成部材4と、副X線発生面6とで構成されるアノードを有する。まず、ターゲット支持基板3として厚さ1mm、直径5mmの単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面電子を入射させる側の面の全面に、導電層2としてチタンを0.1μm成膜した。次に、ダイヤモンド基板の表面におけるチタンを成膜した中央領域に、透過型ターゲット1として直径1mmのタングステン層を5μm成膜し、図1bのターゲット部を作製した。続いて、電子通過路形成部材4としてタングステンを用い、電子通過路形成部材4に直径1.5mmの電子通過路5を形成した。その後、電子通過路形成部材4にターゲット支持基板3導電層2をろう付けして図1bのアノードを作製した。このアノードを用いて図1aの透過型X線発生装置を作製した。[実施例2]本実施例の透過型X線発生装置は、図7aのターゲット部を有する透過型X線発生装置である。ターゲット部を除いては、実施例1と同様である。まず、ターゲット支持基板3として厚さ1mm、直径5mmの単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面の中央領域に、透過型ターゲット1として直径1mmのタングステン層を5μm成膜した。次に、ダイヤモンド基板の表面におけるタングステン層を成膜した領域以外の全面に、導電層2としてチタンを0.1μm成膜し、図7aのターゲット部を作製した。その後、実施例1と同様にしてアノードを作製し、このアノードを用いて実施例1と同様にして透過型X線発生装置を作製した。[実施例3]本実施例の透過型X線発生装置は、図7cのターゲット部を有する透過型X線発生装置である。ターゲット部を除いては、実施例1と同様である。まず、ターゲット支持基板3として厚さ1mm、直径5mmの単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面の中央領域に、透過型ターゲット1として直径1mmのタングステン層を5μm成膜した。次に、ダイヤモンド基板の表面におけるタングステン層を成膜した領域を含む全面に、導電層2としてチタンを0.1μm成膜し、図7cのターゲット部を作製した。その後、実施例1と同様にしてアノードを作製し、このアノードを用いて実施例1と同様にして透過型X線発生装置を作製した。[実施例4]本実施例の透過型X線発生装置は、図7cのターゲット部を有する透過型X線発生装置である。導電層2としてタングステンを用いた点が実施例3と異なる。ターゲット部を除いては、実施例1と同様である。まず、ターゲット支持基板3として厚さ1mm、直径5mm単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面の中央領域に、透過型ターゲット1として直径1mmのタングステン層を5μm成膜した。次に、ダイヤモンド基板の表面におけるタングステン層を成膜した領域を含む全面に、導電層2としてタングステンを0.1μm成膜し、図7cのターゲット部を作製した。その後、実施例1と同様にしてアノードを作製し、このアノードを用いて実施例1と同様にして透過型X線発生装置を作製した。[実施例5]本実施例の透過型X線発生装置は、図8aのターゲット部を有する透過型X線発生装置である。ターゲット部を除いては、実施例1と同様である。まず、ターゲット支持基板3として厚さ1mm、直径5mmの単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面の中央領域に、透過型ターゲット1として直径1mmのタングステン層を5μm成膜した。次に、ダイヤモンド基板の表面におけるタングステン層を成膜した領域以外に、タングステン層に接して、チタンを幅0.3mm、厚さ0.1μmでダイヤモンド基板の表面の周縁まで成膜し、図8aのターゲット部を作製した。その後、実施例1と同様にしてアノードを作製し、このアノードを用いて実施例1と同様にして透過型X線発生装置を作製した。[実施例6]本実施例の透過型X線発生装置は、図8cのターゲット部を有する透過型X線発生装置である。ターゲット部を除いては、実施例1と同様である。まず、ターゲット支持基板3として厚さ1mm、直径5mmの単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面の中央領域に、透過型ターゲット1として直径1mmのタングステン層を5μm成膜し、図8cのターゲット部を作製した。導電層2は設けなかった。その後、実施例1と同様にしてアノードを作製し、このアノードを用いて実施例1と同様にして透過型X線発生装置を作製した。[比較例]比較例として、ターゲット支持基板3の表面の全面に透過型ターゲット1を設けたターゲット部を有する透過型X線発生装置を作製した。ターゲット部を除いては、実施例1と同様である。まず、ターゲット支持基板3として厚さ1mm、直径5mmの単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面の全面に、透過型ターゲット1としてタングステン層を5μm成膜し、比較例のターゲット部を作製した。その後、実施例1と同様にしてアノードを作製し、このアノードを用いて実施例1と同様にして本比較例の透過型X線発生装置を作製した。<試験方法>上記実施例と比較例で作製した透過型X線発生装置の透過型X線発生管11から得られるX線量を比較するために、電離箱方式のX線測定器により測定した。透過型X線発生管11への印加電圧を60kVと100kV、電流を1mA、作動時間を0.1秒に設定して透過型X線発生管11を作動した。X線量の測定は、ターゲット部の位置から1m離れた位置にX線測定器を設置して実施した。<測定結果及び評価>上記実施例と比較例において、上記試験方法に基づいて透過型X線発生管11から得られるX線量を測定した結果を表1に示す。表1では、実施例1~6における60kV、100kVでのX線量を、比較例における60kV、100kVでのX線量をそれぞれ100としたときの値で示している。60kVの場合の実施例1~6のX線量は114~118、100kVの場合の実施例1~6のX線量は108~110であり、いずれの実施例でも比較例よりも多くのX線量を得ることができた。印加電圧60kVの場合の方が100kVの場合よりも多くのX線量を得ることができたのは、X線のエネルギーが低いために、電子線が直接照射される領域以外の成膜をなくし又は薄くすることによって、吸収されるX線が少ないためと考えられる。