"支持体と、該支持体の剥離面上に形成された樹脂膜形成層とを有し、該樹脂膜形成層が、バインダーポリマー成分A、硬化性成分Bおよびゲッタリング剤Cを含み、該樹脂膜形成層が、支持体からシリコンウエハの研磨面に転写され、硬化工程、ダイシング工程を経て、チップの研磨面側に樹脂膜を形成するために用いられるシートであって、該シリコンウエハの研磨面の算術平均表面粗さRaが0.01μm以下である、チップ用樹脂膜形成用シート。ゲッタリング剤Cが、重金属不活性化剤C1、有機キレート剤C2および銅イオン捕捉金属化合物C3からなる群から選ばれる請求項1に記載のチップ用樹脂膜形成用シート。下記により定義されるゲッタリング剤Cの銅イオン吸着能が30以上である請求項1または2に記載のチップ用樹脂膜形成用シート:ゲッタリング剤0.1gを、銅イオン濃度が300ppmの塩化銅水溶液50gに投入し、121°C、2気圧下、24時間放置した後の該銅イオン水溶液の銅イオン濃度を測定し、銅イオン吸着能=300ppm-残留銅イオン濃度ppm×100/300ppmより銅イオン吸着能を求める。該樹脂膜形成層が、さらに着色剤Dを含有する請求項1~3の何れかに記載のチップ用樹脂膜形成用シート。該樹脂膜形成層を構成する全固形分100重量部あたりゲッタリング剤Cを1~35重量部含有する請求項1~4の何れかに記載のチップ用樹脂膜形成用シート。表面に回路が形成され、裏面の表面粗さRaが0.01μm以下の半導体ウエハの裏面に、請求項1~5の何れかに記載のチップ用保護膜形成用シートの樹脂膜形成層を貼付し、裏面に樹脂膜を有する半導体チップを得る半導体チップの製造方法。以下の工程1~3をさらに含み、工程1~3を任意の順で行う請求項6に記載の半導体チップの製造方法:工程1:樹脂膜形成層と支持体とを剥離、工程2:樹脂膜形成層を硬化、工程3:半導体ウエハおよび樹脂膜形成層をダイシング。該樹脂膜が、半導体チップの保護膜である請求項6または7の何れかに記載の半導体チップの製造方法。しかし、特許文献1,2のように、半導体ウエハ、チップにゲッタリング機能を付与するための処理を施すことは、工程数が増加し、プロセスの煩雑化、コストの上昇を招く。本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであって、プロセスが煩雑化するような特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与することを目的としている。本発明者らは、上記課題の解決を目的として鋭意研究した結果、半導体チップの裏面に形成される樹脂膜にゲッタリング機能を付与することで、半導体装置内にゲッタリングサイトを導入できることを着想し、本発明を完成させるに至った。本発明は、以下の要旨を含む。1支持体と、該支持体の剥離面上に形成された樹脂膜形成層とを有し、該樹脂膜形成層が、バインダーポリマー成分A、硬化性成分Bおよびゲッタリング剤Cを含み、該樹脂膜形成層が、支持体からシリコンウエハの研磨面に転写され、硬化工程、ダイシング工程を経て、チップの研磨面側に樹脂膜を形成するために用いられるシートであって、該シリコンウエハの研磨面の算術平均表面粗さRaが0.01μm以下である、チップ用樹脂膜形成用シート。2ゲッタリング剤Cが、重金属不活性化剤C1、有機キレート剤C2および銅イオン捕捉金属化合物C3からなる群から選ばれる1に記載のチップ用樹脂膜形成用シート。3下記により定義されるゲッタリング剤Cの銅イオン吸着能が30以上である1または2に記載のチップ用樹脂膜形成用シート:ゲッタリング剤0.1gを、銅イオン濃度が300ppmの塩化銅水溶液50gに投入し、121°C、2気圧下、24時間放置した後の該銅イオン水溶液の銅イオン濃度を測定し、銅イオン吸着能=300ppm-残留銅イオン濃度ppm×100/300ppmより銅イオン吸着能を求める。4該樹脂膜形成層が、さらに着色剤Dを含有する1~3の何れかに記載のチップ用樹脂膜形成用シート。5該樹脂膜形成層を構成する全固形分100重量部あたりゲッタリング剤Cを1~35重量部含有する1~4の何れかに記載のチップ用樹脂膜形成用シート。6表面に回路が形成され、裏面の表面粗さRaが0.01μm以下の半導体ウエハの裏面に、1~5の何れかに記載のチップ用保護膜形成用シートの樹脂膜形成層を貼付し、裏面に樹脂膜を有する半導体チップを得る半導体チップの製造方法。7以下の工程1~3をさらに含み、工程1~3を任意の順で行う6に記載の半導体チップの製造方法:工程1:樹脂膜形成層と支持体とを剥離、工程2:樹脂膜形成層を硬化、工程3:半導体ウエハおよび樹脂膜形成層をダイシング。8該樹脂膜が、半導体チップの保護膜である6または7に記載の半導体チップの製造方法。半導体チップ裏面に樹脂膜を形成する際に、本発明に係るチップ用樹脂膜形成用シートを用いることで、半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリングサイトを導入することが可能になる。以下、本発明について、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。本発明に係るチップ用樹脂膜形成用シートは、支持体と、該支持体の剥離面上に形成された樹脂膜形成層とを有する。樹脂膜形成層樹脂膜形成層は、バインダーポリマー成分A、硬化性成分Bおよびゲッタリング剤Cを含む。Aバインダーポリマー成分樹脂膜形成層に十分な接着性および造膜性シート形成性を付与するためにバインダーポリマー成分Aが用いられる。バインダーポリマー成分Aとしては、従来公知のアクリルポリマー、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができる。バインダーポリマー成分Aの重量平均分子量Mwは、1万~200万であることが好ましく、10万~150万であることがより好ましい。バインダーポリマー成分Aの重量平均分子量が低過ぎると樹脂膜形成層と支持体との粘着力が高くなり、樹脂膜形成層の転写不良が起こることがあり、高過ぎると樹脂膜形成層の接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から樹脂膜が剥離することがある。バインダーポリマー成分Aとして、アクリルポリマーが好ましく用いられる。アクリルポリマーのガラス転移温度Tgは、好ましくは-60~50°C、さらに好ましくは-50~40°C、特に好ましくは-40~30°Cの範囲にある。アクリルポリマーのガラス転移温度が低過ぎると樹脂膜形成層と支持体との剥離力が大きくなって樹脂膜形成層の転写不良が起こることがあり、高過ぎると樹脂膜形成層の接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から樹脂膜が剥離することがある。上記アクリルポリマーを構成するモノマーとしては、メタアクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が1~18であるアルキルメタアクリレート、例えばメチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、プロピルメタアクリレート、ブチルメタアクリレート、2-エチルヘキシルメタアクリレートなどが挙げられ;環状骨格を有するメタアクリレート、例えばシクロアルキルメタアクリレート、ベンジルメタアクリレート、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニルメタアクリレート、ジシクロペンテニルメタアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタアクリレート、イミドメタアクリレートなどが挙げられ;水酸基を有するヒドロキシメチルメタアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレートなどが挙げられ;その他、エポキシ基を有するグリシジルメタアクリレートなどが挙げられる。これらの中では、水酸基を有しているモノマーを重合して得られるアクリルポリマーが、後述する硬化性成分Bとの相溶性が良いため好ましい。また、上記アクリルポリマーは、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されていてもよい。バインダーポリマー成分Aとして、熱可塑性樹脂を配合してもよい。熱可塑性樹脂は、アクリルポリマーを除く重合体であり、硬化後の樹脂膜の可とう性を保持するために配合される。熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が1000~10万のものが好ましく、3000~8万のものがさらに好ましい。上記範囲の熱可塑性樹脂を含有することにより、後述するチップ用樹脂膜形成用シートにおいて、半導体ウエハまたはチップへの樹脂膜形成層の転写時における支持シートと樹脂膜形成層との層間剥離を容易に行うことができ、さらに転写面に樹脂膜形成層が追従しボイドなどの発生を抑えることができる。熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは-30~150°C、さらに好ましくは-20~120°Cの範囲にある。熱可塑性樹脂のガラス転移温度が低過ぎると樹脂膜形成層と支持シートとの剥離力が大きくなって樹脂膜形成層の転写不良が起こることがあり、高過ぎると樹脂膜形成層とチップとの接着力が不十分となるおそれがある。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレンなどが挙げられる。これらは1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。熱可塑性樹脂を含有する場合には、バインダーポリマー成分Aの合計100質量部に対して、通常1~60質量部、好ましくは1~30質量部の割合で含まれる。熱可塑性樹脂の含有量がこの範囲にあることにより、上記の効果を得ることができる。また、バインダーポリマーAとして、側鎖にエネルギー線重合性基を有するポリマーを用いてもよい。エネルギー線重合性基としては、上述のエネルギー線重合性化合物が含有するエネルギー線重合性官能基と同じものを有していればよい。側鎖にエネルギー線重合性基を有するポリマーとしては、たとえば側鎖に反応性官能基Xを有するポリマーに、反応性官能基Xと反応しうる官能基Yおよびエネルギー線重合性基を有する低分子化合物を反応させて調製したポリマーが挙げられる。B硬化性成分硬化性成分Bは、熱硬化性成分および熱硬化剤、またはエネルギー線重合性化合物を用いることができる。また、これらを組み合わせて用いてもよい。熱硬化性成分としては、たとえば、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、具体的には、多官能系エポキシ樹脂や、ビフェニル化合物、ビスフェノールAジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂など、分子中に2官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。樹脂膜形成層には、バインダーポリマー成分A100重量部に対して、熱硬化性成分が、好ましくは1~1500重量部含まれ、より好ましくは3~1200重量部含まれる。熱硬化性成分の含有量が1重量部未満であると十分な接着性が得られないことがあり、1500重量部を超えると樹脂膜形成層と支持体との剥離力が高くなり、樹脂膜形成層の転写不良が起こることがある。熱硬化剤は、熱硬化性成分、特にエポキシ樹脂に対する硬化剤として機能する。好ましい熱硬化剤としては、1分子中にエポキシ基と反応しうる官能基を2個以上有する化合物が挙げられる。その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基および酸無水物などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、酸無水物などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基が挙げられる。さらに好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基が挙げられる。フェノール系硬化剤の具体的な例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂が挙げられる。アミン系硬化剤の具体的な例としては、DICYジシアンジアミドが挙げられる。これらは、1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。熱硬化剤の含有量は、熱硬化性成分100重量部に対して、0.1~500重量部であることが好ましく、1~200重量部であることがより好ましい。熱硬化剤の含有量が少ないと硬化不足で接着性が得られないことがあり、過剰であると樹脂膜形成層の吸湿率が高まり半導体装置の信頼性を低下させることがある。エネルギー線重合性化合物は、エネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する。このようなエネルギー線重合性化合物として具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは1,4-ブチレングリコールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレートおよびイタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が挙げられる。このような化合物は、分子内に少なくとも1つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が100~30000、好ましくは300~10000程度である。エネルギー線重合性化合物の配合量は、特に限定はされないが、チップ用樹脂膜形成用組成物を構成する全固形分100質量部に対して、1~50質量部程度の割合で用いることが好ましい。Cゲッタリング剤ゲッタリング剤Cは、銅イオンなどの金属イオンを捕捉する作用を有する限り特に限定はされないが、好ましくは重金属不活性化剤C1、有機キレート剤C2および銅イオン捕捉金属化合物C3からなる群から選ばれる少なくとも1種が用いられる。樹脂膜にゲッタリング剤Cを配合することで、樹脂膜にはゲッタリング機能が付与され、半導体装置内にゲッタリングサイトが導入される。C1重金属不活性化剤重金属不活性化剤は、触媒残渣などの金属によって、プラスチックが劣化することを防止するために、各種のプラスチックに少量配合される添加剤である。重金属不活性化剤は、金属成分を捕捉することで、その作用を軽減しプラスチックの劣化を防止していると考えられている。このような重金属不活性化剤としては、無機系あるいは有機系の各種不活性化剤が知られているが、本発明では、有機系重金属不活性化剤を使用することが好ましい。有機系重金属不活性化剤は、樹脂膜中における分散性に優れる。このような重金属不活性化剤としては、特に分子の一部に下記の構造を有する化合物が好ましく使用される。上記式において、Rは、水素、またはヘテロ原子を含有していてもよい炭化水素骨格であり、特に窒素原子および/または酸素原子を含有する炭化水素骨格であることが好ましい。このような重金属不活性化剤の特に好ましい例としては、下記化合物が挙げられる。3アミノ124トリアゾールADEKA社製、CDA1、CASNo36411526デカメチレンジカルボキシジサリチロイルヒドラジドADEKA社製、CDA6、CASNo63245385C2有機キレート剤有機キレート剤C2は、特に限定されないが、多価カルボン酸を官能基として有し、その酸価が100~600mg/gであることが好ましく、260~330mg/gであることがより好ましい。有機キレート剤C2の酸価が100mg/gよりも小さいと、目的とするゲッタリング機能が不十分であり、600mg/gよりも大きいと塩基系熱硬化剤と相互作用を起こす場合がある。また、有機キレート剤C2の示差走査熱分析TG/DTAによる質量減少開始温度は、190°C以上であることが好ましく、196°C以上がより好ましい。有機キレート剤C2の示差走査熱分析TG/DTAによる質量減少開始温度が190°Cより低いと、半導体装置の耐IRリフロー性が低下することがある。C3銅イオン捕捉金属化合物銅イオン捕捉金属化合物の金属種としては、Li、Be、Na、Mg、Al、K、Ca、Zr、Sb、Bi等の金属または半金属が挙げられる。これらの中でも、銅よりも軽元素であるものが好ましい。銅よりも軽元素の金属種からなる金属化合物を用いることで、銅イオン捕捉金属化合物由来の重金属で半導体装置が汚染されることを防止できる。さらに、上記の金属種の中でも、金属種は2~17族に属し、かつ2~5周期に属する金属または半金属の単独または2種以上の組合せであることが好ましく、MgおよびAlからなる群から選ばれる単独または2種の組み合わせであることが好ましい。金属種が2~17族に属し、かつ2~5周期に属する金属または半金属であることで、NaやK等の1族に属する金属元素と比較して半導体装置に対する不具合を与えにくくすることができる。また、MgとAlは、ハイドロタルサイトと呼ばれる重金属を捕捉する機能を有する層状の化合物を形成することができる。銅イオン捕捉金属化合物としては、上記の金属種を含む酸化物、水酸化物、硝酸塩および炭酸塩等が挙げられる。金属化合物の具体例としては、アンチモン酸化物、ビスマス酸化物、およびこれらの混合物、ならびにマグネシウムアルミニウム系酸化物であるハイドロタルサイトおよびその焼成物が挙げられる。なお、ハイドロタルサイト中のAlは、CrまたはFeに置換されていてもよい。また、銅イオン捕捉金属化合物の表面を有機化合物により修飾したものをゲッタリング剤Cとして用いることもできる。表面を有機化合物により修飾された銅イオン捕捉金属化合物を用いることで、樹脂膜中におけるゲッタリング剤Cの分散性が向上し、樹脂膜中でゲッタリング剤Cの偏在を抑制できる。その結果、樹脂膜の表面にゲッタリング剤Cが均一に分布し、樹脂膜の銅イオン捕捉性能を向上させることができる。また、チップ用樹脂膜形成用シートをシート状に加工する際の加工性に優れると共に、樹脂膜の平滑性が向上する。有機化合物としては、カップリング剤や脂肪酸金属塩からなる群から選ばれる単独または2種以上の組合せであることが好ましい。カップリング剤としては、シランカップリング剤を用いることが好ましい。シランカップリング剤としては、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-アミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-アミノエチル-γ-アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス3-トリエトキシシリルプロピルテトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらは1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。脂肪酸金属塩の金属種は、銅よりも軽元素であることが好ましい。銅よりも軽元素である金属種を含む脂肪酸金属塩を用いることで、脂肪酸金属塩より析出する重金属による半導体装置汚染を防ぐ事が出来る。さらに、上記に挙げた中でも、金属種は2~13族に属し、かつ2~5周期に属する金属の単独または2種以上の組み合わせであることが好ましい。さらに、金属種はCaおよびMgからなる群から選ばれる単独または2種以上の組み合わせであることが好ましい。金属種として、2~13族に属し、かつ2~5周期に属する金属を用いることで、1族に属する金属と比較して移動性が低いため、半導体の破損や誤作動等の悪影響が出る可能性が低くなる。脂肪酸金属塩として具体的には、ステアリン酸リチウム、ステアリン酸カリウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸亜鉛、ラウリン酸リチウム、ラウリン酸カリウム、ラウリン酸マグネシウム、ラウリン酸カルシウム、ラウリン酸バリウム、ラウリン酸亜鉛、リシノール酸リチウム、リシノール酸カリウム、リシノール酸マグネシウム、リシノール酸カルシウム、リシノール酸バリウム、リシノール酸亜鉛、オクチル酸リチウム、オクチル酸カリウム、オクチル酸マグネシウム、オクチル酸カルシウム、オクチル酸バリウム、オクチル酸亜鉛、12-ヒドロキシステアリン酸亜鉛、12-ヒドロキシステアリン酸カルシウム、12-ヒドロキシステアリン酸マグネシウム、パラターシャリーブチル安息香酸亜鉛、パラターシャリーブチル安息香酸バリウム、ステアリルアシッドホスフェイト、ジンクステアリルアシッドホスフェイト、ジンクベヘニルアシッドホスフェイトが挙げられる。銅イオン捕捉金属化合物をカップリング剤により表面修飾する方法としては、溶媒中に銅イオン捕捉金属化合物とカップリング剤を加え、ディスパーやボールミルなどの高剪断力混合機を用いて均一に混合した後、溶媒を除去して、表面修飾された銅イオン捕捉金属化合物を得る方法が挙げられる。なお、上記の方法においては、溶媒中に銅イオン捕捉金属化合物とカップリング剤を加え、高剪断力混合機を用いて均一に混合した後、溶媒を除去せずにゲッタリング剤Cとして用いてもよい。銅イオン捕捉金属化合物を脂肪酸金属塩により表面修飾する方法としては、一般的に湿式処理法または乾式処理法を利用することが出来る。湿式処理法としては、溶媒中に銅イオン捕捉金属化合物と脂肪酸金属塩を加え、ディスパーやボールミルなどの高剪断力混合機を用いて均一に混合した後、溶媒を除去して、表面修飾された銅イオン捕捉金属化合物を得る方法が挙げられる。なお、湿式処理法においては、溶媒中に銅イオン捕捉金属化合物と脂肪酸金属塩を加え、高剪断力混合機を用いて均一に混合した後、溶媒を除去せずにゲッタリング剤Cとして用いてもよい。また、乾式処理法としては、銅イオン捕捉金属化合物をジェットミルなどの流体エネルギー粉砕機で粉砕する際に、脂肪酸金属塩を添加することにより、表面修飾された銅イオン捕捉金属化合物を得る方法が挙げられる。流体としては、通常は圧縮空気、加熱圧縮空気、スチーム等が用いられる。なお、乾式処理法においては、事前に脂肪酸金属塩を溶媒に溶解した溶液を用いることもできる。ゲッタリング剤Cは、上記の1種単独でまたは2種以上混合して使用することができる。また、ゲッタリング剤Cの配合量は、樹脂膜を構成する全固形分100質量部あたり、好ましくは1~35質量部、さらに好ましくは10~35質量部、特に好ましくは20~30質量部である。ゲッタリング剤Cの配合量が少なすぎる場合には、目的とするゲッタリング機能が不十分になり、配合量が多すぎる場合には、接着性能が損なわれることがある。このようなゲッタリング剤Cを、半導体チップの樹脂膜に配合することで、半導体装置内にゲッタリングサイトを導入できる。このため、ウエハ内に蓄積された不純物金属が、リフローなどの加熱条件下において移動した場合であっても、樹脂膜中のゲッタリング剤Cにより捕捉されるため、回路表面でマイグレーションが起こることはない。ゲッタリング剤Cのゲッタリング機能は、たとえば下記の銅イオン吸着能により評価することができる。すなわち、ゲッタリング剤0.1gを、超純水1lに関東化学社製塩化銅II二水和物0.805gを溶解し、さらに100倍に希釈して作成した銅イオン濃度が3ppmの塩化銅水溶液50gに投入し、この水溶液を、121°C、2気圧下で、24時間放置した後に該銅イオン水溶液の銅イオン濃度残留銅イオン濃度を測定し、初期銅イオン濃度3ppmと、残留銅イオン濃度ppmとから、下記式により銅イオン吸着能を評価する。銅イオン吸着能=300ppm-残留銅イオン濃度ppm×100/300ppm銅イオン吸着能は、ゲッタリング剤に捕捉吸着または吸収された銅イオン量の比率を示し、銅イオン吸着能が高いほど、ゲッタリング機能が高いと考えられる。本発明で使用するゲッタリング剤Cの銅イオン吸着能は、好ましくは30以上であり、さらに好ましくは50以上、特に好ましくは95以上である。ゲッタリング剤Cは、一般に粒径が小さいほど、重量当たりの表面積がひろくなるため、不純物金属を捕捉しやすくなり、ゲッタリング機能が高くなる。また、一般に粒径が小さいほど、薄厚のシート加工は容易となる。したがって、本発明で使用するゲッタリング剤Cの平均粒径は、好ましくは1nm~30μm、さらに好ましくは5nm~10μm、特に好ましくは10nm~1μmの範囲にある。原材料の状態で粒子径が大きい場合は適当な方法ボールミル、3本ロール等によって、事前または他の成分との混合時に粉砕する。なお、ゲッタリング剤Cの平均粒径は、走査型電子顕微鏡SEM観察により、100個の粒子から算術平均を求めた。粒形が球状でない場合には、最長径を粒径とした。D着色剤樹脂膜形成層には、着色剤Dを配合することができる。着色剤を配合することで、半導体装置を機器に組み込んだ際に、周囲の装置から発生する赤外線等による半導体装置の誤作動を防止することができ、また半導体装置に製品番号などを印字する際の印字適性が向上する。着色剤としては、有機または無機の顔料および染料が用いられる。これらの中でも電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、酸化鉄、二酸化マンガン、アニリンブラック、活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の信頼性を高める観点からは、カーボンブラックが特に好ましい。着色剤Dの配合量は、樹脂膜形成層を構成する全固形分100重量部に対して、好ましくは0.1~35重量部、さらに好ましくは0.5~25重量部、特に好ましくは1~15重量部である。その他の成分樹脂膜形成層は、上記バインダーポリマー成分A、硬化性成分B、ゲッタリング剤C、着色剤Dに加えて下記成分を含むことができる。E硬化促進剤硬化促進剤Eは、樹脂膜形成層の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤Eは、特に、硬化性成分Bとして、少なくとも熱硬化性成分および熱硬化剤を用いる場合において、エポキシ樹脂と熱硬化剤とを併用する場合に好ましく用いられる。好ましい硬化促進剤としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリスジメチルアミノメチルフェノールなどの3級アミン類;2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類;トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これらの中でも特にイミダゾール系の硬化促進剤が好ましく用いられる。これらは1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。硬化促進剤Eは、熱硬化性成分および熱硬化剤の合計量100重量部に対して、好ましくは0.01~10重量部、さらに好ましくは0.1~1重量部の量で含まれる。硬化促進剤Eを上記範囲の量で含有することにより、高温度高湿度下に曝されても優れた接着特性を有し、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高い信頼性を達成することができる。硬化促進剤Eの含有量が少ないと硬化不足で十分な接着特性が得られず、過剰であると高い極性をもつ硬化促進剤は高温度高湿度下で樹脂膜形成層中を接着界面側に移動し、偏析することにより半導体装置の信頼性を低下させる。F後添加カップリング剤後添加カップリング剤Fは、樹脂膜形成層のチップに対する接着性、密着性を向上させるために、ゲッタリング剤Cを表面修飾する目的とは別に、修飾されたゲッタリング剤C、硬化性成分B、および他の任意成分の混合に際して、すなわちゲッタリング剤Cの修飾よりも後に添加するものである。このような後添加カップリング剤Fを使用することで、樹脂膜形成層を硬化して得られる樹脂膜の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。後添加カップリング剤Fとしては、バインダーポリマー成分A、硬化性成分Bなどが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。後添加カップリング剤Fとしては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-アミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-アミノエチル-γ-アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス3-トリエトキシシリルプロピルテトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらは1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。後添加カップリング剤Fは、バインダーポリマー成分Aおよび硬化性成分Bの合計100重量部に対して、通常0.1~20重量部、好ましくは0.2~10重量部、より好ましくは0.3~5重量部の割合で含まれる。後添加カップリング剤Fの含有量が0.1重量部未満だと上記の効果が得られない可能性があり、20重量部を超えるとアウトガスの原因となる可能性がある。G無機充填材無機充填材Gを樹脂膜形成層に配合することにより、硬化後の樹脂膜における熱膨張係数を調整することが可能となり、半導体チップに対して硬化後の樹脂膜の熱膨張係数を最適化することで半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、硬化後の樹脂膜の吸湿率を低減させることも可能となる。好ましい無機充填材としては、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維およびガラス繊維等が挙げられる。これらのなかでも、シリカフィラーが好ましい。上記無機充填材Gは単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。無機充填材Gの含有量は、樹脂膜形成層を構成する全固形分100重量部に対して、通常1~80重量部の範囲で調整が可能である。H光重合開始剤樹脂膜形成層が、硬化性成分Bとして少なくともエネルギー線重合性化合物を含有する場合には、その使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、エネルギー線重合性化合物を硬化させる。この際、該組成物中に光重合開始剤Hを含有させることで、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。このような光重合開始剤Hとして具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、2,4-ジエチルチオキサンソン、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、1,2-ジフェニルメタン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-[4-1-メチルビニルフェニル]プロパノン、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドおよびβ-クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤Hは1種類単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることができる。光重合開始剤Hの配合割合は、エネルギー線重合性化合物100重量部に対して0.1~10重量部含まれることが好ましく、1~5重量部含まれることがより好ましい。0.1重量部未満であると光重合の不足で満足な転写性が得られないことがあり、10重量部を超えると光重合に寄与しない残留物が生成し、樹脂膜形成層の硬化性が不十分となることがある。I架橋剤樹脂膜形成層の初期接着力および凝集力を調節するために、架橋剤を添加することもできる。架橋剤Iとしては有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物などが挙げられる。上記有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物およびこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、ならびにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。有機多価イソシアネート化合物としては、たとえば2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2,4’-ジイソシアネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-2,4’-ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネートおよびリジンイソシアネートが挙げられる。上記有機多価イミン化合物としては、N,N’-ジフェニルメタン-4,4’-ビス1-アジリジンカルボキシアミド、トリメチロールプロパン-トリ-β-アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン-トリ-β-アジリジニルプロピオネートおよびN,N’-トルエン-2,4-ビス1-アジリジンカルボキシアミドトリエチレンメラミン等を挙げることができる。架橋剤Iはバインダーポリマー成分A100重量部に対して通常0.01~20重量部、好ましくは0.1~10重量部、より好ましくは0.5~5重量部の比率で用いられる。J汎用添加剤樹脂膜形成層には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤などが挙げられる。上記のような各成分からなる樹脂膜形成層は、接着性と加熱硬化性とを有し、未硬化状態では半導体ウエハ、チップ等に押圧することで容易に接着する。そして熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い樹脂膜を与えることができ、接着強度にも優れ、厳しい高温度高湿度条件下においても十分な保護機能を保持し得る。なお、樹脂膜形成層は単層構造であってもよく、また上記成分を含む層を1層以上含む限りにおいて多層構造であってもよい。さらに、樹脂膜形成層が、厚み方向に対してゲッタリング剤Cの濃度勾配を有してもよい。樹脂膜形成層の硬化前の70°Cにおける貯蔵弾性率は、20MPa以下であることが好ましく、0.5~10MPaであることがより好ましい。貯蔵弾性率が高すぎる場合には、シリコンウエハ表面への樹脂膜形成層の貼り付け時において、樹脂膜形成層の表面への追従性が低下するため、樹脂膜と半導体チップの界面の接着強度が保たれなくなるおそれがある。本発明の樹脂膜形成層は、後述のとおり算術平均表面粗さRaが0.01μm以下というきわめて平滑性の高いシリコンウエハに貼付されるものであるので、樹脂膜形成層とシリコンウエハ表面の界面には、被着体の凹凸に起因する投錨効果が生じにくくなっている。そのため、貯蔵弾性率を上記の範囲に調整することが好ましい。貯蔵弾性率が低すぎる場合には、チップ用樹脂膜形成用シートを、ダイシングシートを兼ねるものとしたときに、ダイシングブレードから受ける力によりシリコンウエハが振動しやすくなり、チップ飛び、チップ欠け等の原因となることがある。また、樹脂膜形成層と支持体の密着性が昂進し、ダイシング後に支持体から樹脂膜形成層ごとチップを剥離することが困難となることがある。70°Cにおける貯蔵弾性率は、バインダーポリマー成分Aの量および種類分子量、分子量分布、融点、ガラス転移温度等、架橋剤Iの量および種類、ならびに硬化性成分Bの種類分子量、融点等を選択することにより調整することができる。樹脂膜形成層の硬化後の吸湿率は、85°C、相対湿度85の環境に168時間静置した後において、5以下であることが好ましく、0.3~3であることがより好ましい。樹脂膜形成層はゲッタリング剤Cを含有するため、ゲッタリング剤Cの種類によっては樹脂膜形成層の吸湿率が高くなってしまうことがある。吸湿率が高い場合には、樹脂膜が形成された半導体装置の実装後に使用雰囲気下の大気中の水分を吸収し、信頼性が低下するおそれがある。上記のような範囲に吸湿率を調整することで、半導体装置の信頼性低下を抑制することができる。硬化後の吸湿率の調整は、樹脂膜形成層の主成分である、バインダーポリマー成分Aおよび硬化性成分Bの親水性-疎水性のバランスを考慮することにより可能である。チップ用樹脂膜形成用シート樹脂膜形成層は、上記各成分を適宜の割合で、適当な溶媒中で混合してなる樹脂膜形成層用組成物を、支持体上に塗布乾燥して得られる。また、支持体とは別の工程フィルム上に樹脂膜形成層用組成物を塗布、乾燥して成膜し、これを支持体上に転写してもよい。本発明に係るチップ用樹脂膜形成用シートは、上記樹脂膜形成層を支持体上に剥離可能に形成してなる。本発明に係るチップ用樹脂膜形成用シートの形状は、テープ状や、支持体上において樹脂膜形成層を被着体半導体ウエハ等に接着するのに適した形状に予め裁断して担持させた形状などのあらゆる形状をとり得る。さらに、樹脂膜形成層を剥離シートと支持体に挟持した形態であってもよい。また、剥離シートと樹脂膜形成層とが予め被着体と同形状に型抜きされた積層体が、支持体上に保持された形態であってもよい。支持体としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレンメタアクリル酸共重合体フィルム、エチレンメタアクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどの透明フィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また、これらを着色したフィルム、不透明フィルムなどを用いることができる。本発明のチップ用樹脂膜形成用シートにおいては、その使用に際して支持体を剥離し、樹脂膜形成層を半導体ウエハまたはチップに転写する。特に樹脂膜形成層の熱硬化後に支持体を剥離する場合には、支持体は樹脂膜形成層の熱硬化時の加熱に耐える必要があるため、耐熱性に優れたポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムが好ましく用いられる。樹脂膜形成層と支持体との間での剥離を容易にするため、支持体の表面張力は、好ましくは40mN/m以下、さらに好ましくは37mN/m以下、特に好ましくは35mN/m以下である。下限値は通常25mN/m程度である。このような表面張力が低い基材は、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また基材の表面に剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系などが用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するので好ましい。上記の剥離剤を用いてシートの表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどにより塗布して、常温もしくは加熱または電子線硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。支持体は、樹脂膜形成層と積層される面に、樹脂膜形成層が剥離可能な程度に調整された粘着性を有する粘着層が設けられたものであってもよい。粘着層は、公知の粘着剤から構成することができ、紫外線硬化型、加熱発泡型、水膨潤型、弱粘型等の粘着剤を選択することで、樹脂膜形成層の剥離を容易とすることができる。また、チップ用樹脂膜形成用シートを剥離シートと樹脂膜形成層とが予め被着体と同形状に型抜きされた積層体が、支持体上に保持された形態とした場合には、支持体のリングフレームへの貼付性と、樹脂膜形成層の剥離性を両立させるために、外周部と内周部の粘着層の粘着性に差異を生じさせてもよい。このような差異は、たとえば粘着剤を紫外線硬化型とし、外周部のみに粘着剤に紫外線が当たらないように支持体にマスキングを施した上で、紫外線を粘着層に対して、マスキング側から照射することによって生じさせることができる。つまり、これにより内周部の粘着剤層のみを硬化させて粘着性を低下させることができる。支持体の厚さは、通常は10~500μm、好ましくは15~300μm、特に好ましくは20~250μm程度である。また、樹脂膜形成層の厚みは、通常は1~500μm、好ましくは5~300μm、特に好ましくは10~150μm程度である。なお、チップ用樹脂膜形成用シートの使用前に、樹脂膜形成層を保護するために、樹脂膜形成層の上面に、前記支持体とは別に、軽剥離性の剥離フィルムを積層しておいてもよい。このようなチップ用樹脂膜形成用シートの樹脂膜形成層は、フィルム状接着剤として機能する。フィルム状接着剤は通常半導体ウエハの裏面などに貼付され、ダイシング工程を経て個々のチップに切断された後、基板などに載置ダイボンドされ、熱硬化工程を経て半導体チップを接着固定するのに用いられる。このようなフィルム状接着剤はダイアタッチメントフィルムと呼ばれることがある。本発明の樹脂膜形成層をフィルム状接着剤として用いた半導体装置は、高いゲッタリング能を有するゲッタリングサイトが存在するため、金属イオンによる電気的性能の低下を防止しうる。また、樹脂膜形成層はチップの研削面の保護膜とすることができる。樹脂膜形成層はフェースダウン方式のチップ用半導体ウエハまたは半導体チップの裏面に貼付され、適当な手段により硬化されて封止樹脂の代替として半導体チップを保護する機能を有する。半導体ウエハに貼付した場合には、保護膜がウエハを補強する機能を有するためにウエハの破損等を防止しうる。本発明の樹脂膜形成層を保護膜とした半導体装置は、高いゲッタリング能を有するゲッタリングサイトが存在するため、金属イオンによる電気的性能の低下を防止しうる。半導体チップの製造方法次に本発明に係るチップ用樹脂膜形成用シートの利用方法について、該シートを半導体チップの製造に適用した場合を例にとって説明する。本発明に係る半導体チップの製造方法は、表面に回路が形成され、裏面が研削された半導体ウエハの裏面に、上記チップ用樹脂膜形成用シートの樹脂膜形成層を貼付し、裏面に樹脂膜を有する半導体チップを得ることを特徴とする。該樹脂膜は、半導体チップの保護膜であることが好ましい。また、本発明に係る半導体チップの製造方法は、好ましくは、以下の工程1~3をさらに含み、工程1~3を任意の順で行うことを特徴としている。工程1:樹脂膜形成層と支持体とを剥離、工程2:樹脂膜形成層を硬化、工程3:半導体ウエハおよび樹脂膜形成層をダイシング。なお、上記において、工程2において樹脂膜形成層は硬化し、樹脂膜となるため、工程2の後の工程においては、樹脂膜形成層と記載されていても、樹脂膜を意味する。半導体ウエハはシリコンウエハであってもよく、またガリウム砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。次いで、半導体ウエハの回路面の反対面裏面を研削する。研削法は特に限定はされず、グラインダーなどを用いた公知の手段で研削してもよい。裏面研削時には、表面の回路を保護するために回路面に、表面保護シートと呼ばれる粘着シートを貼付する。裏面研削は、ウエハの回路面側すなわち表面保護シート側をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。ウエハの研削後の厚みは特に限定はされないが、通常は20~500μm程度である。その後、必要に応じ、裏面研削時に生じた破砕層を除去する。破砕層の除去は、ケミカルエッチングや、プラズマエッチングなどにより行われる。破砕層の除去によりウエハが有していたゲッタリング機能は低下するが、本発明の樹脂膜形成層を使用することで、得られる半導体装置にはゲッタリング機能が付与される。したがって、本発明の半導体チップの製造方法は、特に破砕層を除去した半導体ウエハに対して好適に適用することができる。このような機械研削およびケミカルエッチング等により、半導体ウエハの裏面から破砕層が除去されるばかりでなく、その平滑性が極めて高くなる。具体的には本発明において保護膜形成層を転写する対象である半導体ウエハの算術平均粗さRaは0.01μm以下であり、好ましくは0.007μm以下、さらに好ましくは0.001~0.005μmである。算術平均高さRaが高すぎる場合には、破砕層の除去が不十分であり、半導体ウエハにはゲッタリング機能が残留している可能性が高いが、チップのクラック発生のおそれがある。半導体ウエハの算術平均表面粗さRaは、JISB0601ISO4287:1997に規定されるが、上記のように極めて平滑性の高い試料においては触針式の測定機では再現性の高いデータが得られない場合がある。このため、本発明においては、実施例において詳述するように、レーザー顕微鏡を用いて算術平均表面粗さを算出する。極薄まで研削された半導体ウエハでは、破砕層の厚みは特に限定はされないが、本発明の樹脂膜の効果が顕在化するためには、破砕層の厚みは50nm以下、さらには30nm以下、特に10nm以下であることが好ましい。次いで、半導体ウエハの裏面に、上記チップ用樹脂膜形成用シートの樹脂膜形成層を貼付する。その後、工程1~3を任意の順で行う。このプロセスの詳細については、特開2002-280329号公報に詳述されている。一例として、工程1、2、3の順で行う場合について説明する。まず、表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面に、上記チップ用樹脂膜形成用シートの樹脂膜形成層を貼付する。次いで樹脂膜形成層から支持シートを剥離し、半導体ウエハと樹脂膜形成層との積層体を得る。次いで樹脂膜形成層を硬化し、ウエハの全面に樹脂膜を形成する。樹脂膜形成層には、硬化性成分Bとして、熱硬化性成分および熱硬化剤を用いた場合には、熱硬化により樹脂膜形成層を硬化する。硬化性成分Bとして、エネルギー線重合性化合物が配合されている場合には、樹脂膜形成層の硬化を、エネルギー線照射により行うことができ、熱硬化性成分および熱硬化剤と、エネルギー線重合性化合物とを併用する場合には、加熱およびエネルギー線照射による硬化を同時に行ってもよく、逐次的に行ってもよい。照射されるエネルギー線としては、紫外線UVまたは電子線EB等が挙げられ、好ましくは紫外線が用いられる。この結果、ウエハ裏面に硬化樹脂からなる樹脂膜が形成され、ウエハ単独の場合と比べて強度が向上するので、薄くなったウエハの取り扱い時の破損を低減でき、さらに樹脂膜に含まれるゲッタリング剤Cによりゲッタリング機能が付与される。また、ウエハやチップの裏面に直接樹脂膜用の塗布液を塗布被膜化するコーティング法と比較して、樹脂膜の厚さの均一性に優れる。次いで、半導体ウエハと樹脂膜との積層体を、ウエハ表面に形成された回路毎にダイシングする。ダイシングは、ウエハと樹脂膜をともに切断するように行われる。ウエハのダイシングは、ダイシングシートを用いた常法により行われる。この結果、裏面に樹脂膜を有する半導体チップが得られる。最後に、ダイシングされたチップをコレット等の汎用手段によりピックアップすることで、裏面に樹脂膜を有する半導体チップが得られる。このような本発明によれば、厚みの均一性の高い樹脂膜を、チップ裏面に簡便に形成でき、ダイシング工程やパッケージングの後のクラックが発生しにくくなる。さらに得られる半導体装置にはゲッタリング機能が付与されるため、リフロー環境のおいてもマイグレーションの発生が低減される。そして、半導体チップをフェースダウン方式で所定の基台上に実装することで半導体装置を製造することができる。また、裏面に樹脂膜を有する半導体チップを、ダイパッド部または別の半導体チップなどの他の部材上チップ搭載部上に接着することで、半導体装置を製造することもできる。また、本発明に係るチップ用樹脂膜形成用シートを用いた別の半導体装置の製造方法は、該シートの樹脂膜形成層に半導体ウエハを貼着し、該半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、該半導体チップ裏面に該樹脂膜形成層を固着残存させて支持シートから剥離し、該半導体チップをダイパッド部上、または別の半導体チップ上に該樹脂膜形成層を介して載置する工程を含むことが好ましい。まず、リングフレームおよび半導体ウエハの裏面側を本発明に係るチップ用樹脂膜形成用シートの樹脂膜形成層上に載置し、軽く押圧し、半導体ウエハを固定する。その際、樹脂膜形成層が室温ではタック性を有しない場合は適宜加温しても良い限定するものではないが、40~80°Cが好ましい。次いで、樹脂膜形成層に硬化性成分Bとして、エネルギー線重合性化合物が配合されている場合には、樹脂膜形成層に支持シート側からエネルギー線を照射し、樹脂膜形成層を予備的に硬化し、樹脂膜形成層の凝集力を上げ、樹脂膜形成層と支持シートとの間の接着力を低下させておいてもよい。次いで、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記の半導体ウエハを切断し半導体チップを得る。この際の切断深さは、半導体ウエハの厚みと、樹脂膜形成層の厚みとの合計およびダイシングソーの磨耗分を加味した深さにする。なお、エネルギー線照射は、半導体ウエハの貼付後、半導体チップの剥離ピックアップ前のいずれの段階で行ってもよく、たとえばダイシングの後に行ってもよく、また下記のエキスパンド工程の後に行ってもよい。さらにエネルギー線照射を複数回に分けて行ってもよい。次いで必要に応じ、チップ用樹脂膜形成用シートのエキスパンドを行うと、半導体チップ間隔が拡張し、半導体チップのピックアップをさらに容易に行えるようになる。この際、樹脂膜形成層と支持シートとの間にずれが発生することになり、樹脂膜形成層と支持シートとの間の接着力が減少し、半導体チップのピックアップ性が向上する。このようにして半導体チップのピックアップを行うと、切断された樹脂膜形成層を半導体チップ裏面に固着残存させて支持シートから剥離することができる。次いで樹脂膜形成層を介して半導体チップを、リードフレームのダイパッド上または別の半導体チップ下段チップ表面に載置する以下、チップが搭載されるダイパッドまたは下段チップ表面をチップ搭載部と記載する。チップ搭載部は、半導体チップを載置する前に加熱するか載置直後に加熱される。加熱温度は、通常は80~200°C、好ましくは100~180°Cであり、加熱時間は、通常は0.1秒~5分、好ましくは0.5秒~3分であり、載置するときの圧力は、通常1kPa~200MPaである。半導体チップをチップ搭載部に載置した後、必要に応じさらに加熱を行ってもよい。この際の加熱条件は、上記加熱温度の範囲であって、加熱時間は通常1~180分、好ましくは10~120分である。また、載置後の加熱処理は行わずに仮接着状態としておき、パッケージ製造において通常行われる樹脂封止での加熱を利用して樹脂膜形成層を硬化させてもよい。このような工程を経ることで、樹脂膜形成層が硬化し、半導体チップとチップ搭載部とを強固に接着することができる。樹脂膜形成層はダイボンド条件下では流動化しているため、チップ搭載部の凹凸にも十分に埋め込まれ、ボイドの発生を防止できパッケージの信頼性が高くなる。樹脂膜形成層が硬化性成分Bとして熱硬化性成分および熱硬化剤を含有する場合に、研磨面の算術平均表面粗さRaが0.01μm以下であるシリコンウエハの研磨面にチップ用樹脂膜形成用シートの樹脂膜形成層を転写し、2mm×2mmにダイシングを行い、JISH3100:2006準拠の銅板合金番号C1100P,表面粗さ012μmに対してボンディングを行い150°C、100gf、3秒、140°Cで1時間の加熱による硬化後の半導体チップと樹脂膜の接着強度DADE社製ボンドテスター万能型ボンドテスターシリーズ4000を用いたせん断接着強度測定によるは、30N以上であることが好ましく、50N~200Nであることが好ましい。上述のとおり、樹脂膜形成層とシリコンウエハ表面の界面には、被着体の凹凸に起因する投錨効果が生じにくくなっている上、樹脂膜形成層の表面近くにもゲッタリング剤が多く存在していることがあり、このことは接着性を低下させる要因となりうる。そのため、接着強度をこのような範囲に調整することが好ましい。接着強度の制御は、上述した硬化前の貯蔵弾性率の調整や、その他の粘弾性特性の調整、硬化工程前に意図しない樹脂膜の硬化が起こることを防止すること、ならびに適切な後添加カップリング剤Fの選定および添加量の調整等により調整することが可能である。本発明のチップ用樹脂膜形成用シートは、上記のような使用方法の他、半導体化合物、ガラス、セラミックス、金属などの接着に使用することもできる。以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、<半導体ウエハの表面粗さ>、<銅イオン吸着能および>および<ゲッタリング性能評価>は次のように行った。<半導体ウエハの表面粗さ>本実施形態で使用した半導体ウエハについて、樹脂膜形成層を貼付する面の表面粗さを以下のように測定した。測定装置:レーザー顕微鏡キーエンス社製VK-9700商品名対物レンズ:×50測定モード:表面粗さおよび線粗さパラメータ:JISB0601:2001ISO4287:1997カットオフ値表面粗さモード:λsなし、λc0.08mmカットオフ値線粗さモード:0.08mm測定位置表面粗さモード:測定領域全体測定位置線粗さモード:100μm以上の任意の直線ただし研削痕が目視で確認できる場合には、研削痕に直交する直線上記の測定データを装置に内蔵されたソフトウエアVKAnalyzerで処理し、表面粗さモードおよび線粗さモードでの粗さを求めた。なお、本発明における算術平均表面粗さRaは、表面粗さモードでの測定結果を指す。半導体ウエハは、厚さ75μmの8インチ200mm径ウエハについて、♯2000研磨したウエハと、さらにドライポリッシュ仕上げしたウエハを準備した。いずれの処理もディスコ社製グラインダーDGP-8760で行った。それぞれの研磨面の粗さを、表面粗さモードおよび線粗さモードで測定した。結果を表1に示す。<ゲッタリング剤の銅イオン吸着能>実施例および比較例で準備したゲッタリング剤0.1gを、超純水1lに関東化学社製塩化銅II二水和物0.805gを溶解して作製した銅イオン濃度が300ppmの塩化銅水溶液50gに投入し、121°C、2気圧、24時間の条件に保った。その後、孔径0.10μmメンブレンフィルターを用いてろ過した。ろ液中の該銅イオン水溶液の残留銅イオン濃度を原子吸光分析法測定装置:日立製作所社製、原子吸光光度計Z5310、フレーム法により測定し、初期銅イオン濃度300ppmと、残留銅イオン濃度ppmとから、下記式により銅イオン吸着能および銅イオン吸着率を評価する。銅イオン吸着能=300ppm-残留銅イオン濃度ppm×100/300ppm<樹脂膜の銅イオン吸着能>実施例および比較例で準備したチップ用樹脂膜形成用組成物からなる樹脂膜形成層を200μm厚に積層し、両面に支持体を有する樹脂膜形成層の積層体を得た。その後、樹脂膜形成層を構成する成分にエネルギー線重合性化合物を含む場合には紫外線照射装置リンテック社製、AdwillRAD-2000m/12を用いて、積層体の両面から支持体を介して紫外線照射230mW/cm2、120mJ/cm2を行った後、積層体の両面から支持シートを剥離した。続いて、140°Cに加熱したオーブンの中で1時間静置し、積層体を硬化させた。その後、硬化した積層体1gを、超純水1lに関東化学社製塩化銅II二水和物0.805gを溶解し、さらに100倍に希釈して作成した銅イオン濃度が3ppmの塩化銅水溶液50gに投入し、121°C、2気圧、24時間の条件に保った。その後、孔径0.10μmメンブレンフィルターを用いてろ過した。ろ液中の該銅イオン水溶液の残留銅イオン濃度を原子吸光分析法測定装置:日立製作所社製、原子吸光光度計Z5310、フレーム法により測定し、初期銅イオン濃度3ppmと、残留銅イオン濃度ppmとから、下記式により銅イオン吸着能を評価する。銅イオン吸着能=3ppm-残留銅イオン濃度ppm×100/3ppm<ゲッタリング性能評価>ディスコ社製DGP8760を用いて、シリコンウエハの裏面をドライポリッシュ処理した200mm径、厚さ75μm、算術平均表面粗さRa0.004μm、破砕層の厚み10nm。シリコンウエハのドライポリッシュ処理した面ウエハ裏面に、塩化銅II粉末関東化学社製、品名:塩化銅II二水和物1gを均一に散布し、擬似リフロー条件300°C、30分に投入し、シリコンウエハ内に銅イオンを拡散させた。その後、ウエハ裏面に弱粘着テープ紫外線硬化後のリンテック社製AdwillD-675を貼付剥離を繰り返し、ウエハ裏面から塩化銅II粉末を除去した。この銅イオンで汚染したシリコンウエハの裏面に実施例および比較例で準備したチップ用樹脂膜形成用シートを40°Cで貼付した。30分後、樹脂膜形成層を構成する成分にエネルギー線重合性化合物を含む場合には紫外線照射装置リンテック社製、AdwillRAD-2000m/12を用いて支持体面から紫外線照射230mW/cm2、120mJ/cm2を行い、支持体を剥離した。その後、熱硬化140°C、1時間し、次いで、疑似リフロー条件300°C、30分に投入した。ウエハ表面ミラー面、チップ用樹脂膜形成用シート非貼付面をふっ酸にて事前洗浄し、表面に付着したコンタミと自然酸化膜約10nmを除去した。その後、ウエハ外周10mmをテフロン登録商標製治具により挟み込む形でマスキングし、ウエハ表面から5μmを硝酸/ふっ酸混合液比率3:1でエッチングした。得られたエッチング液の全量を蒸発皿に採取した。採取したエッチング液を加熱蒸発乾固した後、残渣物を一定量の硝酸/ふっ酸混合液で溶解し、銅イオン濃度測定用試料とした。なお試料調製は、クリーンルームクラス100内に設置したクリーンドラフトクラス10内で実施した。ICP-MS測定によりシリコンウエハ中の銅イオンの濃度を定量測定した。装置:パーキンエルマー社製ELAN6100DRCPlus条件等:プラズマパワー1500W。銅イオン定量下限は、3.0×1012atoms/cm3単位体積あたりの原子数。エッチング液中に溶出した銅イオン濃度を測定することで、チップ用樹脂膜形成用シートのゲッタリング性能を評価した。エッチング液中に溶出した銅イオン量が少ないほど、樹脂膜により捕捉された銅イオン量が多く、ゲッタリング性能が高いことを示す。銅イオン検出量が50×1012atoms/cm3以下を良好とし、銅イオン検出量が50×1012atoms/cm3を超えるものを不良とした。<樹脂膜形成層用組成物>樹脂膜形成層を構成する各成分を下記に示す。Aバインダーポリマー成分:n-ブチルアクリレート55重量部、メチルアクリレート15重量部、グリシジルメタクリレート20重量部、及び2-ヒドロキシエチルアクリレート15重量部からなるアクリルポリマー重量平均分子量:90万、ガラス転移温度:-28°CB硬化性成分:B1ビスフェノールA型エポキシ樹脂エポキシ当量180-200g/eqB2ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂DIC社製、エピクロンHP-7200HHB3熱硬化剤:ジシアンジアミド旭電化社製、アデカハードナー3636ASB4熱硬化剤:ノボラック型フェノール樹脂DIC製、TD-2131、フェノール水酸基当量103g/eqCゲッタリング剤:C13アミノ124トリアゾールADEKA社製、CDA1、CASNo36411526銅イオン吸着能99.7、銅イオン吸着率0.015、粒径1μmC-2デカメチレンジカルボキシジサリチロイルヒドラジドADEKA社製、CDA6、CASNo63245385銅イオン吸着能95、銅イオン吸着率0.014、粒径0.5μmC3協和化学工業社製KW2200マグネシウムとアルミニウムの酸化物からなるハイドロタルサイト銅イオン吸着能99.8、銅イオン吸着率0.015、粒径1μmD着色剤:黒色顔料カーボンブラック、三菱化学社製、MA650、平均粒径28nmE硬化促進剤:イミダゾール四国化成工業社製、キュアゾール2PHZFカップリング剤:A-1110日本ユニカー社製G無機充填剤:シリカフィラー熔融石英フィラー、平均粒径8μm実施例および比較例上記各成分を表2に記載の量で配合し、樹脂膜形成層用組成物を得た。得られた組成物のメチルエチルケトン溶液固形濃度61重量を、支持体としてのシリコーンで剥離処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムリンテック株式会社製、SP-PET3811、厚さ38μm、表面張力33mN/m、融点200°C以上の剥離処理面上に乾燥後40μmの厚みになるように塗布、乾燥乾燥条件:オーブンにて100°C、3分間して、支持体上に樹脂膜形成層を形成し、チップ用樹脂膜形成用シートを得た。得られたチップ用樹脂膜形成用シートを用いて<樹脂膜形成層の銅イオン吸着能>および<ゲッタリング性能評価>を行った。上記の接着剤組成物100重量部に対するゲッタリング剤の含有量及び結果を表3に示す。参考例1また、表1に記載の♯2000研磨Ra=0.041μmのウエハについて、チップ用樹脂膜形成用シートを用いることなく、ゲッタリング性能を評価した。このウエハでは、ウエハ自体がゲッタリング性を示し、本発明のチップ用樹脂膜形成用シートを用いなくとも十分なゲッタリング性能が確認できた。しかし、破砕層が多量に残存しているため、ハンドリング性に劣り、僅かな衝撃でもウエハが破損する。結果を表3に示す。実施例のチップ用樹脂膜形成用シートは、優れた銅イオン吸着能、銅イオン吸着率、ゲッタリング性能を示した。この結果から、ゲッタリング剤Cを樹脂膜形成層に用いることで、高信頼性の半導体チップが得られることが確認された。"