受光面と裏面とを有する半導体基板と、第1導電型を有する第1半導体層と、第2導電型を有する第2半導体層とを備え、前記第1半導体層及び前記第2半導体層は、前記裏面上に形成される太陽電池であって、前記裏面には、溝が形成されており、前記溝が形成されていない前記裏面には、前記第1半導体層が形成され、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが交互に配列された配列方向における前記溝の側面と前記溝の底面とには、前記第2半導体層が形成される太陽電池。前記側面は、傾きを持って前記底面とつながっている請求項1に記載の太陽電池。前記側面と前記底面とは、円弧状につながっている請求項1又は2に記載の太陽電池。前記第2半導体層と前記側面との接合及び前記第2半導体層と前記底面との接合は、ヘテロ接合である請求項1から3の何れか1項に記載の太陽電池。前記半導体基板は、第1導電型である請求項1から4の何れか1項に記載の太陽電池。前記裏面上に形成された前記第2半導体層の前記配列方向における幅は、前記裏面上に形成された前記第1半導体層の前記配列方向における幅よりも長い請求項5に記載の太陽電池。前記半導体基板は、第2導電型であり、前記裏面上に形成された前記第2半導体層の前記配列方向における幅は、前記裏面上に形成された前記第1半導体層の前記配列方向における幅よりも短い請求項1から4の何れか1項に記載の太陽電池。裏面上において、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが接している請求項1から7の何れか1項に記載の太陽電池。前記溝が形成されていない前記裏面と前記溝との境界上において、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが接している請求項1から8の何れか1項に記載の太陽電池。半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成されるとともに、前記第1半導体層を露出する開口部を含むように形成された絶縁層と、前記半導体基板上において前記第1半導体層と交互に配列されるともに、前記絶縁層を覆うように形成された第2半導体層と、前記第1半導体層上及び前記第2半導体層上に形成されるとともに、前記絶縁層上に前記第1半導体層と前記第2半導体層とを電気的に分離する分離溝を含むように形成された下地電極と、前記下地電極上に形成された収集電極と、を備えた太陽電池。前記第2半導体層は、前記分離溝の底に露出している請求項10に記載の太陽電池。前記分離溝が形成されていない前記裏面と、前記溝との境界上において、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが接している請求項11のいずれかに記載の太陽電池。前記第1半導体層は、p型の導電型であって、前記第2半導体層は、n型の導電型である請求項10から12のいずれかに記載の太陽電池。第1半導体層と、前記第1半導体層と交互に配列された第2半導体層と、を形成された半導体基板を準備し、前記第1半導体層及び前記第2半導体層を被覆するように下地電極を形成する工程と、前記下地電極を、前記第1半導体層と接続された第1部分と、前記第2半導体層と接続された第2部分とに分離する分離溝を形成する工程と、メッキ法を用いて、前記下地電極の前記第1部分上及び前記第2部分上のそれぞれに収集電極を形成する工程と、備えた太陽電池の製造方法。前記第2半導体層は、絶縁層を介して前記第1半導体層の端部を覆うように配置されており、前記分離溝を前記絶縁層上において形成する請求項14に記載の太陽電池の製造方法。前記分離溝を、前記分離溝の底に前記第2半導体層が露出するように形成する請求項15に記載の太陽電池の製造方法。前記下地電極は、透明電極を含んで構成される請求項14から16のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。裏面接合型の太陽電池では、裏面からのみキャリアを取り出すため、半導体基板の受光面及び裏面からキャリアを取り出す太陽電池に比べると、電流密度が大きくなる。本発明に係る太陽電池は、受光面と裏面とを有する半導体基板と、第1導電型を有する第1半導体層と、第2導電型を有する第2半導体層とを備え、前記第1半導体層及び前記第2半導体層は、前記裏面上に形成される太陽電池であって、前記裏面には、溝が形成されており、前記溝が形成されていない前記裏面には、前記第1半導体層が形成され、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが交互に配列された配列方向における前記溝の側面と前記溝の底面とには、前記第2半導体層が形成される。また、本発明に係る太陽電池は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成されるとともに、前記第1半導体層を露出する開口部を含むように形成された絶縁層と、前記半導体基板上において前記第1半導体層と交互に配列されるともに、前記絶縁層を覆うように形成された第2半導体層と、前記第1半導体層上及び前記第2半導体層上に形成されるとともに、前記絶縁層上に前記第1半導体層と前記第2半導体層とを電気的に分離する分離溝を含むように形成された下地電極と、前記下地電極上に形成された収集電極と、を備える。また、本発明に係る太陽電池の製造方法は、第1半導体層と、前記第1半導体層と交互に配列された第2半導体層と、を形成された半導体基板を準備し、前記第1半導体層及び前記第2半導体層を被覆するように下地電極を形成する工程と、前記下地電極を、前記第1半導体層と接続された第1部分と、前記第2半導体層と接続された第2部分とに分離する分離溝を形成する工程と、メッキ法を用いて、前記下地電極の前記第1部分上及び前記第2部分上のそれぞれに収集電極を形成する工程と、備える。本発明は、裏面接合型の太陽電池において、電流密度を減少させ、経年劣化を抑制できる。はじめに、図1aに示す従来の裏面接合型の太陽電池100の電流密度の大きさを調べるため、デバイスシュミレータを用いて、電流密度を計算した。具体的には、太陽電池100における、n型半導体層120及びp型半導体層130の電流密度、及び、半導体基板110の裏面112から0.05μmの深さまでの領域rの電流密度を測定した。縦軸を電流密度、横軸をn型半導体層120とp型半導体層130とが交互に配列された配列方向xに沿った長さとする。図1aに示されるように、配列方向xにおけるp型半導体層130の端部が500nmの位置になるように設定した。p型半導体層130の端部に隣接する配列方向xにおけるn型半導体層120の端部が550nmの位置になるように設定した。結果を図1bに示す。図1bに示されるように、n型半導体層120の端部域120a及びp型半導体層130の端部域130aにおいて、電流密度が大きくなっているのが分かる。キャリアである正孔は、p型半導体層130へと移動する。半導体基板110内において、n型半導体層120付近で生じた正孔は、裏面112上にあるp型半導体層130の端部へ集中する。これによって、電流密度が大きくなっていると考えられる。発電により、電流密度の大きい半導体層の端部は、他の部分に比べて温度が上昇する。この温度上昇によって、半導体層の劣化や、半導体層の端部が半導体基板から剥がれるといった経年劣化が生じてしまう。つづいて、本発明の実施形態に係る太陽電池1の一例について、図面を参照しながら説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。図面は模式的なのものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることを留意すべきである。従って、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきものである。図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。1太陽電池1Aの概略構成本発明の実施形態に係る太陽電池1Aの概略構成について、図2及び図3を参照しながら説明する。図2は、本発明の実施形態に係る太陽電池1Aの裏面12側から視た平面図である。図3は、図2のA-A’線における断面図である。太陽電池1Aは、図2及び図3に示すように、半導体基板10n、第1半導体層20n、第2半導体層30p、絶縁層40、第1電極50n、第2電極50p、接続電極60n、及び、接続電極60pを備える。半導体基板10nは、光を受ける受光面11と受光面11とは反対側に設けられる裏面12とを有する。半導体基板10nは、受光面11における受光によってキャリアを生成する。キャリアとは、半導体基板10nに光が吸収されて生成される正孔と電子とをいう。図3に示されるように、半導体基板10nの裏面12には、溝13が形成されている。溝13は、側面17と底面19とを有している。太陽電池1Aにおいて、側面17と底面19とは、円弧状につながっている。半導体基板10nは、n型又はp型の導電型を有する単結晶Si、多結晶Siなどの結晶系半導体材料や、GaAs、InPなどの化合物半導体材料を含む一般的な半導体材料によって構成することができるウエハ状の基板である。半導体基板10nの受光面11及び裏面12には、微小な凹凸が形成されていても良い。図示しないが、半導体基板10nの受光面11には光の入射を遮る構造体例えば、電極などは形成されていない。このため、半導体基板10nは、受光面11全面での受光が可能である。受光面11は、パッシベーション層に覆われていても良い。パッシベーション層は、キャリアの再結合を抑制するパッシベーション性を有する。パッシベーション層は、例えば、ドーパントを添加せず、あるいは微量のドーパントを添加することによって形成される実質的に真正な非晶質半導体層である。これに限らず酸化膜や窒化膜を用いることもできる。太陽電池1Aにおいて、半導体基板10nがn型単結晶シリコン基板であるものとして説明する。従って、半導体基板10nの導電型は、n型となる。このため、少数キャリアは、正孔となる。図3に示されるように、第1半導体層20nは、半導体基板10nの裏面12上に形成される。具体的には、第1半導体層20nは、溝13が形成されていない裏面12上に形成される。また、第1半導体層20nは、長手方向を有するように形成される。この長手方向を長手方向yとする。第1半導体層20nは、第1導電型を有する。太陽電池1Aにおいて、第1半導体層20nは、n型の導電型を有する。図3に示されるように、第1半導体層20nは、i型非晶質半導体層22iとn型非晶質半導体層25nとから構成される。i型非晶質半導体層22iは、半導体基板10nの裏面12上に形成される。n型非晶質半導体層25nは、i型非晶質半導体層22i上に形成される。このような、n型の半導体基板10n、i型非晶質半導体層22i、及びn型非晶質半導体層25nという構成いわゆるBSF構造によれば、半導体基板10nの裏面における少数キャリアの再結合を抑制することができる。図3に示されるように、第2半導体層30pは、半導体基板10nの裏面12上に形成される。具体的には、配列方向xにおける溝13の側面17と溝13の底面19とに、第2半導体層30pは形成される。太陽電池1Aにおいて、第2半導体層30pは、絶縁層40上にも形成されている。第2半導体層30pは、第1半導体層20nの端部を覆うように形成されている。また、長手方向yに沿って、第2半導体層30pは形成される。第2半導体層30pは、第2導電型を有する。太陽電池1Aにおいて、第2半導体層30pは、p型の導電型を有する。従って、半導体基板10nと第2半導体層30pとによって、pn接合が形成される。図3に示されるように、第2半導体層30pは、i型非晶質半導体層32iとp型非晶質半導体層35pとから構成される。i型非晶質半導体層32iは、半導体基板10nの裏面12上に形成される。従って、第2半導体層30pと側面17との接合及び第2半導体層30pと底面19との接合は、ヘテロ接合である。p型非晶質半導体層35pは、i型非晶質半導体層32i上に形成される。このような、n型の半導体基板10n、i型非晶質半導体層32i、p型非晶質半導体層35pという構成によれば、pn接合特性を向上することができる。図3に示されるように、第1半導体層20nと第2半導体層30pとは、配列方向xに沿って交互に配列される。太陽電池1Aにおいて、裏面12上に形成された第2半導体層30pの配列方向xにおける幅L2は、裏面12上に形成された第1半導体層20nの配列方向xにおける幅L1よりも長いことが好ましい。これによって、直列抵抗を下げることができるので、太陽電池の曲線因子をより小さくすることができる。なお、太陽電池1Aにおいて、配列方向xと長手方向yとは、直交している。裏面12上において、第1半導体層20nと第2半導体層30pとは、接している。具体的には、溝13が形成されていない裏面12と溝13との境界上において、第1半導体層20nと第2半導体層30pとは、接している。これにより、半導体基板と半導体層との接合面積を最大限にすることができるため、半導体基板10nの裏面を効果的にパッシベーションすることができる。その結果、発電効率の向上が図られる。i型非晶質半導体層22i、i型非晶質半導体層32i、n型非晶質半導体層25n及びp型非晶質半導体層35pそれぞれは、水素を含み、かつシリコンを含む非晶質半導体によって構成することができる。このような非晶質半導体としては、非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド、或いは非晶質シリコンゲルマニウムなどが挙げられる。これに限らず他の非晶質半導体を用いてもよい。i型非晶質半導体層22i、i型非晶質半導体層32i、n型非晶質半導体層25n及びp型非晶質半導体層35pは、それぞれ1種の非晶質半導体によって構成されていてもよい。i型非晶質半導体層22i、i型非晶質半導体層32i、n型非晶質半導体層25n及びp型非晶質半導体層35pは、それぞれ2種以上の非晶質半導体が組み合わされていてもよい。絶縁層40は、絶縁性を有する。絶縁層40は、第1半導体層20n上に形成される。絶縁層40としては、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素などを用いることができる。第1電極50nは、第1半導体層20nと電気的に接続されている。図2に示されるように、第1電極50nは、長手方向yに沿って形成される。第1電極50nは、好ましくは透明電極層52nと収集電極55nとを有する。透明電極層52nは、第1半導体層20n上に形成される。具体的には、透明電極層52nは、配列方向xにおいて、絶縁層40に挟まれて形成されている。また、絶縁層40上に形成された第2半導体層30p上にも形成される。透明電極層52nは、透光性を有する導電性材料によって形成される。透明電極層52nとしては、酸化インジウム錫、酸化錫、酸化亜鉛などを用いることができる。収集電極55nは、透明電極層52n上に形成される。収集電極55nとしては、樹脂材料をバインダーとし、銀粒子等の導電性粒子をフィラーとする樹脂型導電性ペーストや、スパッタリング法による銀などを用いて形成することができる。他にも、銀、ニッケル、銅などをスパッタリング法を用いて下地金属として形成し、その後、銅などをメッキ法により形成することができる。第2電極50pは、第2半導体層30pと電気的に接続されている。図2に示されるように、第2電極50pは、長手方向yに沿って形成される。第2電極50pは、好ましくは透明電極層52pと収集電極55pとを有する。透明電極層52pは、第2半導体層30p上に形成される。収集電極55pは、透明電極層52p上に形成される。透明電極層52p及び収集電極55pは、それぞれ透明電極層52n、収集電極55nと同一の材料を用いることができる。第1電極50n及び第2電極50pは、光を受光することにより生成したキャリアを収集する。第1電極50n及び第2電極50pは、短絡を防ぐための分離溝70によって分離されている。分離溝70は、透明電極52に設けられる。分離溝70は、絶縁層40上に形成された第2半導体層30p上に形成された透明電極52に設けられる。従って、分離溝70の底は、第2半導体層30pとなる。第2半導体層30pは、分離溝70の底において絶縁層40を保護する。これによって、第2半導体層30pは、第1半導体層20nと半導体基板10nとの接合を保護する。分離溝70は、長手方向yに沿って形成される。なお、第2半導体層30pは、p型であるため、導電性が低い。このため、第2半導体層30pを介した第1電極50nと第2電極50pとの間のリークは、極めて小さい。接続電極60nは、複数の第1電極50nと電気的に接続される。接続電極60pは、複数の第2電極50pと電気的に接続される。接続電極60n及び接続電極60pは、複数の第1電極50n及び複数の第2電極50pに収集された光生成キャリアをさらに収集する。2太陽電池1Bの概略構成本発明の実施形態に係る太陽電池1Bの概略構成について、図4を参照しながら説明する。以下において、太陽電池1Aと同一部分については、説明を省略する。すなわち、太陽電池1Aとの相違点を主に説明する。図4は、本発明の実施形態に係る太陽電池1Bの配列方向x及び長手方向yに垂直な垂直方向zと配列方向xとに沿った断面図である。図4に示されるように、第1半導体層20pは、半導体基板10nの裏面12上に形成される。具体的には、第1半導体層20pは、溝13が形成されていない裏面12上に形成される。また、長手方向yに沿って、第1半導体層20pは形成される。太陽電池1Bにおいて、第1半導体層20pは、p型の導電型を有する。従って、半導体基板10nと第1半導体層20pとの導電型は異なっている。従って、半導体基板10nと第1半導体層20pとによって、pn接合が形成される。図4に示されるように、第1半導体層20pは、i型非晶質半導体層22iとp型非晶質半導体層25pとから構成される。i型非晶質半導体層22iは、半導体基板10nの裏面12上に形成される。p型非晶質半導体層25pは、i型非晶質半導体層22i上に形成される。図4に示されるように、第2半導体層30nは、半導体基板10nの裏面12上に形成される。具体的には、配列方向xにおける溝13の側面17と溝13の底面19とに、第2半導体層30nは形成される。太陽電池1Bにおいて、第2半導体層30nは、絶縁層40上にも形成されている。第2半導体層30nは、第1半導体層20pの端部を覆うように形成されている。また、長手方向yに沿って、第2半導体層30nは形成される。太陽電池1Bにおいて、第2半導体層30nは、n型の導電型を有する。従って、半導体基板10nと第2半導体層30nとは、導電型は同じである。図4に示されるように、第2半導体層30nは、i型非晶質半導体層32iとn型非晶質半導体層35nとから構成される。i型非晶質半導体層32iは、半導体基板10nの裏面12上に形成される。n型非晶質半導体層35nは、i型非晶質半導体層32i上に形成される。図4に示されるように、太陽電池1Aにおいて、裏面12上に形成された第1半導体層20pの配列方向xにおける幅L1は、裏面12上に形成された第2半導体層30nの配列方向xにおける幅L2よりも長い。すなわち、幅L2は、幅L1よりも短い。3太陽電池1Cの概略構成本発明の実施形態に係る太陽電池1Cの概略構成について、図5を参照しながら説明する。以下において、太陽電池1Aと同一部分については、説明を省略する。すなわち、太陽電池1Aとの相違点を主に説明する。図5は、本発明の実施形態に係る太陽電池1Cの配列方向x及び長手方向yに垂直な垂直方向zと配列方向xとに沿った断面図である。図5に示されるように、太陽電池1Cにおいて、半導体基板10nの裏面12には、溝13a及び溝13bが形成されている。溝13aは、側面17と底面19とを有している。側面17は、傾きを持って底面19とつながっている。太陽電池1Cにおいて、側面17と底面19とは、角を有するようにつながっているが、側面17と底面19とは、円弧状につながっていても良い。溝13bは、側面17と底面19とを有している。側面17は、側面17a及び側面17bとから構成されている。側面17aと側面17bとは、角を有するようにつながっているが、側面17aと側面17bとは、円弧状につながっていても良い。側面17bと底面19とは、角を有するようにつながっているが、側面17bと底面19とは、円弧状につながっていても良い。太陽電池1Cにおいて、裏面12には、溝13a及び溝13bが形成されているが、裏面12には、溝13aのみ形成されていても良い。また、裏面12には、溝13bのみ形成されていても良い。3太陽電池1Aの製造方法本発明の実施形態に係る太陽電池1Aの製造方法について、図6から図13を参照しながら説明する。図6は、本発明の実施形態に係る太陽電池1Aの製造方法を説明するためのフローチャートである。図7から図13は、本発明の実施形態に係る太陽電池1Aの製造方法を説明するための図である。図6に示されるように、太陽電池1Aの製造方法は、工程S1から工程S5を有する。工程S1は、半導体基板10nの裏面12上に、第1導電型を有する第1半導体層20nを形成する工程である。まず、半導体基板10nが準備される。半導体基板10n表面の汚れを除去するため、半導体基板10nには、酸又はアルカリ溶液でエッチングがなされている。準備された半導体基板10nの裏面12上に、i型非晶質半導体層22iが形成される。形成されたi型非晶質半導体層22i上に、n型非晶質半導体層25nが形成される。i型非晶質半導体層22i及びn型非晶質半導体層25nは、例えば、化学気相蒸着法CVD法によって、形成される。この工程S1によって、裏面12上に第1半導体層20nが形成される。工程S2は、絶縁性を有する絶縁層40を形成する工程である。工程S1により、形成された第1半導体層20n上に、絶縁層40が形成される。具体的には、図7に示されるように、n型非晶質半導体層25n上に、絶縁層40が形成される。絶縁層40は、例えば、CVD法によって、形成される。工程S3は、半導体基板10nの裏面12に、溝13が形成される工程である。工程S3は、工程S31から工程S32を有する。工程S31は、第1半導体層20n上に形成された絶縁層40を除去する工程である。スクリーン印刷法を用いて、絶縁層40上にエッチングペーストを塗布する。垂直方向zから裏面12を見て、第2半導体層30pが形成される部分に該当する絶縁層40上にエッチングペーストを塗布する。このため、エッチングペーストの配列方向xにおける幅及びエッチングペーストの配列方向xにおける間隔によって、幅L1及び幅L2が決まる。その後、200度で4分間程度のアニール処理を行うことにより、図8に示されるように、エッチングペーストが塗布された絶縁層40部分が除去される。これにより、第1半導体層20nが露出する。処理条件によっては、第1半導体層20nも一部除去される。工程S32は、露出した第1半導体層20nを除去するとともに、半導体基板10nの裏面12に、溝13を形成する工程である。露出した第1半導体層20nをアルカリ洗浄する。これにより、図9に示されるように、第1半導体層20nを除去するとともに、半導体基板10nの裏面12に、溝13が形成される。処理条件により、溝13の深さを適宜調整する。工程S32において、除去されずに残った絶縁層40が第1半導体層20nを保護する保護層として働いている。なお、溝13の形成は、その他の方法を用いても良い。例えば、切削加工によって、溝13を形成しても良い。工程S4は、半導体基板10nの裏面12に形成された溝13に、第2半導体層30pを形成する工程である。半導体基板10nの裏面12上に、i型非晶質半導体層32iが形成される。形成されたi型非晶質半導体層32i上に、p型非晶質半導体層35pが形成される。i型非晶質半導体層32i及びp型非晶質半導体層35pは、例えば、CVD法によって、形成される。この工程S4によって、裏面12上に第2半導体層30pが形成される。すなわち、配列方向xにおける溝13の側面17と溝13の底面19とに、第2半導体層30pは形成される。図10に示されるように、太陽電池1Aにおいて、第2半導体層30pは、全面に渡って形成される。従って、第2半導体層30pは、裏面12上だけでなく、絶縁層40上にも形成される。第2半導体層30pは、絶縁層40の端部及び第1半導体層20nの端部を覆っている。溝13が形成されていない裏面12と溝13との境界上において、第1半導体層20nと第2半導体層30pとは、接している。工程S3の後に、溝13を形成しないように、工程S32を行うことにより、境界上以外の裏面12において、第1半導体層20nと第2半導体層30pとが接する。工程S5は、第1電極50n及び第2電極50pを形成する工程である。工程S5は、工程S51から工程S54を有する。工程S51は、第2半導体層30p及び絶縁層40を除去する工程である。スクリーン印刷法を用いて、絶縁層40上に形成された第2半導体層30p上にエッチングペーストを塗布する。その後、約70度で5分間程度のアニール処理を行うことにより、図11に示されるように、エッチングペーストが塗布された第2半導体層30p部分及び絶縁層40部分が除去される。絶縁層40が完全に除去されずに残る場合は、フッ化水素HFを用いて洗浄を行う。これにより、第1半導体層20nが露出する。第2半導体層30p及び絶縁層40を同時ではなく、別々に除去しても良い。工程S52は、透明電極層52を形成する工程である。図12に示されるように、第1半導体層20n上及び第2半導体層30p上に、物理蒸着法PVD法を用いて、透明電極層52を形成する。その後、PVD法を用いて、収集電極55の下地となるメッキ用の下地金属層不図示を形成する。下地金属層には、例えば、Ni及びCuが用いられる。工程S53は、短絡を防ぐための分離溝70を形成する工程である。分離溝70は、絶縁層40上に形成された第2半導体層30p上に形成された透明電極52に設けられる。スクリーン印刷法を用いて、エッチングペーストを下地金属層に塗布する。約200度で4分間程度のアニール処理を行うことにより、図13に示されるように、エッチングペーストが塗布された下地金属部分、及びそれに対応する透明電極52部分が除去される。これにより、分離溝70が形成される。なお、分離溝70を形成する工程ではエッチングペーストを用いず、フォトレジストを用いたパターニングであってもよい。工程S54は、収集電極55を形成する工程である。メッキ法を用いて、下地金属に収集電極55を形成する。これにより、第1電極50n及び第2電極50pが形成される。第1電極50nの端部を接続電極60nに接続する。第2電極50pの端部を接続電極60pに接続する。これによって、図3に示される太陽電池1Aが形成される。なお、下地金属部分及び透明電極52に分離溝70を形成しない状態で、メッキ法を用いて、下地金属に収集電極55を形成した場合、収集電極55を第1電極50nと第2電極50pとに分離する工程が必要となる。収集電極55はメッキ法によって厚く形成されていることを考慮すると、この方法では分離する工程の時間が多く必要となり、また、削られる材料が増加して製造コストが増大してしまう。一方、本実施形態では、工程S54にて下地金属及び透明電極52に分離溝70を形成したのちに、メッキ法を用いて収集電極55を形成した。これにより、第1電極50及び第2電極50pは、分離溝70に応じて互いに分離されている。この方法によると、収集電極55に比べて薄い下地金属に分離溝70を形成するだけで、収集電極55を第1電極50nと第2電極50pとに分離することができる。したがって、製造工程の時間を短縮することができる。5比較評価本発明の効果を確かめるために、電流密度について、計算モデルによって、評価した。具体的には、正孔80がp型の第2半導体層30pへと移動するときの電流密度を計算した。計算モデルの条件は、以下の通りである。厚みが200μmであるn型の半導体基板10nの裏面12に、p型の第2半導体層30pが形成されている。図14a及び図14bに示されるように、配列方向xにおいて、裏面12上の第2半導体層30pの端部を原点Oとする。原点Oから第2半導体層30pの端部に隣接する第1半導体層20nに向かって距離x1までの領域において、受光面11での受光によって半導体基板10nで生成された正孔80を対象とする。距離x1は、350μmである。半導体基板10n及び第2半導体層30pの長手方向y長さは、無限であるとする。正孔80は、半導体基板10n内で均一に発生する。正孔80は、第2半導体層30pに向かって最短ルートを移動する。第2半導体層30pに到達した正孔80は、すぐに収集される。図14aは、計算モデルにおける実施例に係る太陽電池の配列方向x及び長手方向yに垂直な垂直方向zと配列方向xとに沿った断面図である。図14bは、計算モデルにおける比較例に係る太陽電池の配列方向x及び長手方向yに垂直な垂直方向zと配列方向xとに沿った断面図である。図14aに示されるように、実施例の太陽電池では、半導体基板10nに、深さhの溝が形成されている。配列方向xにおける溝の側面から溝の底面にかけて、半径hの円弧によって形成されている。実施例1では、深さhは、1μmである。実施例2では、深さhは、5μmである。実施例3では、深さhは、10μmである。実施例4では、深さhは、20μmである。図14bに示されるように、比較例の太陽電池では、溝は形成されていない。これらの太陽電池によって、電流密度を計算した結果を図15に示す。図15は、相対電流密度と原点Oからの距離との関係を表すグラフである。図15において、縦軸は、相対電流密度である。横軸は、原点Oから方向x2に沿った距離μmである。方向x2は、配列方向xにおいて、裏面12に沿った方向である。図15に示されるように、比較例では、原点Oにおいて、相対電流密度は、770である。原点Oから1μm離れた部分では、相対電流密度は、0.2となっている。これは、第2半導体層30pの裏面上の端部に正孔80が集中していることを意味している。一方、実施例の太陽電池では、比較例の太陽電池に比べて、いずれも原点Oにおける電流密度は、大幅に減少している。具体的には、実施例1では、原点Oにおいて、相対電流密度は、70である。実施例2では、原点Oにおいて、相対電流密度は、18である。実施例3では、原点Oにおいて、相対電流密度は、9である。実施例4では、原点Oにおいて、相対電流密度は、4である。また、深さhが深いほど、原点Oから、離れた位置まで正孔80が移動していることがわかる。これらの結果から、半導体基板10nと第2半導体層30pとの接合面が深いほど、電流密度を減少できることがわかる。6作用効果本発明の実施形態に係る太陽電池では、太陽電池1では、配列方向xにおける溝13の側面17と溝13の底面19とに、第2半導体層30pは形成される。これによって、半導体基板10n内における第1半導体層20n付近で形成されたキャリアにおいて、裏面12上の第2半導体層30pの端部よりも、側面17及び底面19に形成された第2半導体層30pの方が距離的に近いキャリアが現れる。このため、裏面12上の第2半導体層30nの端部へとキャリアが集中して移動するのではなく、側面17及び底面19に形成された第2半導体層30pの方へもキャリアが分散して移動する。従って、電流密度が減少するものと考えられる。このため、経年劣化を抑制できる。さらに、溝13の側面17と溝13の底面19とに、第2半導体層30pは形成されることにより、半導体基板10nと第2半導体層30pとの接合面積が広くなる。これによって、直列抵抗を下げられるため、太陽電池の曲線因子を向上させることができる。本発明の実施形態に係る太陽電池1では、側面17は、傾きを持って底面19とつながっている。また、本発明の実施形態に係る太陽電池1では、側面17と底面19とは、円弧状につながっていても良い。これによって、第1半導体層20n付近で形成されたキャリアにおいて、裏面12上の第2半導体層30nの端部よりも、側面17及び底面19に形成された第2半導体層30pの方が距離的に近いキャリアが、さらに現れる。その結果、電流密度をより減少させることができるため、経年劣化を抑制できる。本発明の実施形態に係る太陽電池1では、第2半導体層30pと側面17との接合及び第2半導体層30pと底面19との接合は、ヘテロ接合である。半導体基板にドーパントを拡散させて接合を形成した太陽電池と異なり、ヘテロ接合による太陽電池は、接合の境界がはっきりしている。このため、ヘテロ接合による太陽電池は、電流密度が大きくなりやすい。太陽電池1では、ヘテロ接合とする部分を側面17及び底面19とすることにより、電流密度を減少させることができる。本発明の実施形態に係る太陽電池1では、半導体基板10nは、第2導電型である第2半導体層30pと異なる、第1導電型である。これによって、溝13に形成された第2半導体層30pへと少数キャリアが移動する。溝13が形成されることにより、第2半導体層30pへの移動距離が短くなる少数キャリアが現れる。このため、再結合する少数キャリアを減らすことができる。本発明の実施形態に係る太陽電池1Aでは、裏面12上に形成された第2半導体層30pの配列方向xにおける幅L2は、裏面12上に形成された第1半導体層20nの配列方向xにおける幅L1よりも長いことが好ましい。これによって、直列抵抗を下げることができるので、太陽電池の曲線因子をより小さくすることができる。本発明の実施形態に係る太陽電池1Bでは、半導体基板10nは、第2半導体層30nと同じ導電型である。また、裏面12上に形成された第2半導体層30pの配列方向xにおける幅L2は、裏面12上に形成された第1半導体層20nの配列方向xにおける幅L1よりも短い。これによって、幅L2は短いため、底面19付近で生じた少数キャリアの移動距離を短くできる。本発明の実施形態に係る太陽電池1では、裏面12上において、第1半導体層20nと第2半導体層30pとは、接している。また、溝13が形成されていない裏面12と溝13との境界上において、第1半導体層20nと第2半導体層30pとは、接している。これにより、半導体基板と半導体層との接合面積を最大限にすることができるため、発電効率の向上が図られる。上述したように、本発明の実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。