被成膜基板を成膜処理ドラムに所定角巻き付け搬送しながら、前記被成膜基板の表面に成膜する成膜装置における成膜処理ドラムにおいて、前記成膜処理ドラムは、成膜基板ガス処理部が設けられた回転ドラムを備え、前記成膜基板ガス処理部は、前記回転ドラムの表面に所定幅で設けられた凹部を備えることを特徴とする成膜処理ドラム。前記成膜基板ガス処理部は、複数のガスを順次放出し、排気する構成を有することを特徴とする請求項1に記載の成膜処理ドラム。前記凹部は複数設けられ、前記複数のガスは、それぞれの前記凹部から個別に放出されることを特徴とする請求項2記載の成膜装置における成膜処理ドラム。前記凹部には、ガス放出穴とガス排気穴とが設けられていることを特徴とする請求項3記載の成膜装置における成膜処理ドラム。前記成膜処理ドラムは、さらに回転軸部を備え、前記回転ドラムは回転駆動部により前記回転軸部の周りを回転駆動され、前記回転軸部の外面に設けられた連続する溝と、前記溝に対向する前記回転ドラムの前記凹部に設けられた前記ガス放出穴により、前記ガス放出穴が放出するガスは前記回転軸部の内部を通じて供給されることを特徴とする請求項4記載の成膜装置における成膜処理ドラム。前記回転軸部の外面には連続する溝が設けられ、前記溝に対向する前記凹部には前記ガス排気穴が設けられ、前記ガス排気穴から前記回転軸部の内部を通じてガスが排気されることを特徴とする請求項5記載の成膜装置における成膜処理ドラム。前記回転ドラムの内面と前記回転軸部の外面との間に磁気流体が配設され、この磁気流体により前記ガスのシールがされることを特徴とする請求項6記載の成膜装置における成膜処理ドラム。前記成膜処理ドラムは、さらに、前記回転ドラムの両端に設けられ、前記被成膜基板を所定径に保持する被成膜基板ガイド部を備えることを特徴とする請求項1記載の成膜装置における成膜処理ドラム。しかしながら、特許文献1に記載の技術では、複数の成膜源を処理ドラムの外周部に放射状に配設しているので、処理ドラムと比べて、装置全体が大きなものになるという不都合があった。また、サイクル数が増えるに従って設備が大型化し、生産コスト及び設備占有面積が増大するという不都合があった。また、特許文献2に記載の技術では、CVDにより多層化処理するために、複数のCVD部を成膜ローラの外周部に放射状に配設しているので、装置全体が大きくなるという不都合があった。本発明の目的は、装置全体の小型化を可能にして、多層の成膜を形成できる原子層堆積法成膜装置における成膜処理ドラムを提供することである。本発明は、上記の課題を解決するために、以下の構成を採用した。本発明は、被成膜基板を成膜処理ドラムに所定角巻き付け搬送しながら、被成膜基板の表面に成膜する成膜装置における成膜処理ドラムに関する。そして、成膜処理ドラムは、成膜基板ガス処理部が設けられた回転ドラムを備え、成膜基板ガス処理部は、回転ドラムの表面に所定幅で設けられた凹部を備えることを特徴とする。また、成膜基板ガス処理部は、複数のガスを順次放出し、排気する構成を有することを特徴とする。また、凹部は複数設けられ、複数のガスは、それぞれの凹部から個別に放出されることを特徴とする。また、凹部には、ガス放出穴とガス排気穴とが設けられていることを特徴とする。また、成膜処理ドラムは、さらに回転軸部を備え、回転ドラムは回転駆動部により回転軸部の周りを回転駆動され、回転軸部の外面に設けられた連続する溝と、溝に対向する回転ドラムの凹部に設けられたガス放出穴により、ガス放出穴が放出するガスは回転軸部の内部を通じて供給されることを特徴とする。また、回転軸部の外面には連続する溝が設けられ、溝に対向する凹部にはガス排気穴が設けられ、ガス排気穴から回転軸部の内部を通じてガスが排気されることを特徴とする。また、回転ドラムの内面と回転軸部の外面との間に磁気流体が配設され、この磁気流体によりガスのシールがされることを特徴とする。そして、成膜処理ドラムは、さらに、回転ドラムの両端に設けられ、被成膜基板を所定径に保持する被成膜基板ガイド部を備えることを特徴とする。本発明によれば、上述の特徴を有することから、下記に示すことが可能となる。すなわち、被成膜基板を成膜処理ドラムに所定角巻き付け搬送しながら、被成膜基板の表面に成膜する成膜装置における成膜処理ドラムにおいて、成膜処理ドラムは、成膜基板ガス処理部が設けられた回転ドラムを備え、成膜基板ガス処理部は、回転ドラムの表面に所定幅で設けられた凹部を備えるので、従来例のように、複数のガス処理部を処理ドラムの外周部に放射状に備える必要がなくなり、装置全体を小型化することが可能となるとともに、回転ドラムを複数回転させることにより多層の成膜を形成することができる。また、成膜基板ガス処理部は、回転ドラムの表面に所定幅で設けられた凹部であるので、回転ドラムを回転させながら、所定量のガスを凹部に満たし被成膜基板表面にガスを吸着させることができる。また、成膜基板ガス処理部は、複数のガスを順次放出し、排気する構成を有するので、被成膜基板表面にガスを吸着させ、未反応のガスを排気することができる。また、凹部は複数設けられ、複数のガスは、それぞれの凹部から個別に放出されるので、複数のガスが混ざり合うことなく処理できる。また、凹部には、ガス放出穴とガス排気穴とが設けられているので、速やかにガスの放出と排気ができる。また、成膜処理ドラムは、さらに回転軸部を備え、回転ドラムは回転駆動部により回転軸部の周りを回転駆動され、回転軸部の外面に設けられた連続する溝と、溝に対向する回転ドラムの凹部に設けられたガス放出穴により、ガス放出穴が放出するガスは回転軸部の内部を通じて供給されるので、回転ドラムが回転してもガス放出穴と溝との位置が維持され、ガスを供給することができる。また、回転軸部の外面には連続する溝が設けられ、溝に対向する凹部にはガス排気穴が設けられ、ガス排気穴から回転軸部の内部を通じてガスが排気されるので、回転ドラムが回転してもガス放出穴と溝との位置が維持され、ガスを排気することができる。また、回転ドラムの内面と回転軸部の外面との間に磁気流体が配設され、この磁気流体によりガスのシールがされるので、ガスをしっかりとシールするとともに、回転ドラムが回転するときの摩擦等の妨げを小さくすることができる。そして、成膜処理ドラムは、さらに、回転ドラムの両端に設けられ、被成膜基板を所定径に保持する被成膜基板ガイド部を備えるので、所定径に保持された被成膜基板の内面で回転ドラムを自在に回転させることができる。以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について、詳細に説明する。図1は、原子層堆積法成膜装置以下、適宜成膜装置と省略することがある1の全体構成を示す概略図である。図2は、この成膜装置1の要部である成膜処理ドラム以下、単に処理ドラムと称することがある100の組み立て状態を示す概略図である。図3は、処理ドラム100を分解したときの斜視図である。図4は、処理ドラム100の要部である回転ドラム部101と回転軸部102とを示す概略図である。図5は、回転軸部101を示す斜視図である。図6は、回転軸部101と基板ガイド部103とを組み合わせた状態を示す斜視図である。成膜装置1は処理ドラム100により、フレキシブル基板被成膜基板2に成膜処理をする装置である。図1に示すように、成膜装置1は処理ドラム100、巻き出しロール3、巻き取りロール4、巻き出し側ガイドローラ5、巻き取り側ガイドローラ6、プラズマ装置7、チェンバ8を備える。成膜装置1全体はチャンバ8に収納されている。チャンバ8内は図示しない真空ポンプにより真空に保持される。図1に示すように、フレキシブル基板2は巻き出しロール3から巻き出され、巻き出し側ガイドローラ5と巻き取り側ガイドローラ6により処理ドラム100の外周に所定の角度を巻き付けられて搬送され、巻き取りロール4により巻き取られる。処理ドラム100に設けられた成膜源により、処理ドラム100に巻き付けられたフレキシブル基板2の内面が成膜処理される。フレキシブル基板2は、可撓性のある長尺のフィルムであり、巻き出しロール3と巻き出し側ガイドローラ5と処理ドラム100と巻き取り側ガイドローラ6と巻き取りロール4とにより、連続的にまたは断続的に搬送される。図1に示すように、フレキシブル基板2は回転ドラム102の外周を、円周方向360°のうち90以上を覆っている。このように構成することにより、ガス拡散の拡散を防ぎ、異なるガスが混じるのを防ぎ、パーティクルの発生を防止している。次に、処理ドラム100について、図2~図6を参照しながら説明する。図2および図3に示すように、処理ドラム100は回転ドラム部101と回転軸部102と基板ガイド部103とを備える。なお、図3では、右側の1枚の基板ガイド103は図示していない。回転ドラム部101は、回転軸部102の周囲を、図示しない処理ドラム回転駆動部により回転駆動される。基板ガイド部103は中央に丸穴が設けられた円板型をなし、回転ドラム部101の両側に設けられ、回転軸部102の外周部を回転自在に構成される。回転ドラム部101の回転とは独立して別個に、基板ガイド部103は、図示しない基板ガイド回転駆動部により回転駆動される。処理ドラム回転駆動部と基板ガイド回転駆動部とは、図示しないコントロール部により回転が制御される。回転軸部102は回転せず固定され、配管104が接続される。配管104は4本あり、一本の太い管は排気用のものであり、他の細い3本には、3種類のガスが供給される。前述のコントロール部により、配管104によりガスを供給するか停止するか、排気をするかしないか、が制御される。図2において、左右の基板ガイド部103の外方の幅はフレキシブル基板2の幅と略同一に形成されている。フレキシブル基板2の幅方向の両端部が基板ガイド部103の外周部を覆うように巻き付いているので、フレキシブル基板2の内面は、基板ガイド部103の外形と同じ径に保持される。基板ガイド部103が回転駆動されると、外縁が基板ガイド部103に巻きついているフレキシブル基板2も回転駆動され、搬送される。図2において、回転ドラム部101の外径は、左右の基板ガイド部103の外径に対して、所定寸法だけ小さな径に形成されている。回転ドラム部101に巻き付けられたフレキシブル基板2の内面を、フレキシブル基板2の搬送速度とは独立して、回転ドラム部101は回転駆動される。図2に示すように、回転ドラム部101の表面には複数の区切りがされ、その区切りで仕切られた区画上面が解放された小部屋をなす凹部106が設けられている。図4に示すように、凹部106は、回転中心軸に略平行で幅方向に長く外方を開口させた有底の凹みであり、略円筒形をなす回転ドラム部101の側面に、本実施形態では等間隔に8条形成されている。凹部106の底部には、それぞれ大小2つの貫通穴である小さな穴のガス放出部105と大きな穴のガス排気穴107が形成されている。回転ドラム部101の側面からの位置は、ガス排気部105は同一に形成されているが、隣り合うガス放出穴105a、105b、105cは少しずつ横にずれた位置に形成されている。ガス放出部105は、回転方向に順にガス放出穴105a、105c、105b、105cが形成されているが、これらは後述するように、それぞれ異なるガスに対応しており、ガス放出部105a、105c、105b、105cにより1サイクルの成膜処理をおこなうことができる。ガス放出部105は回転ドラム部101に本実施形態では8条形成あり、ガス放出穴105a、105c、105b、105cの対向する面にも同じ順番でガス放出部105が形成されているので、一周で2サイクルの成膜処理ができるように構成されている。図5に示すように、回転軸部102の中央部には、少しずつ横にずれた4つの溝部108が径方向に形成されている。また、回転軸部102の一方の端面には4本の連結管からなる配管104が設けられている。4つの溝部108a、108b、108c、108dは4本の連結管からなる配管104にそれぞれ連通している。配管104のうちの太い方の連結管が、4つの溝部108のうちの幅の広い溝108dと連通している。図4および図5に示すように、4つの溝部108a、108b、108c、108dの両脇の回転軸部102の外周面には、径方向に無端状に連続しているシール部109が設けられている。シール部109には磁気流体からなり、磁気流体が回転ドラム部101の内面円筒部と回転軸部102との隙間を埋めることにより、溝部108はそれぞれ封止されている。図4に示すように、4つの溝部108a、108b、108c、108dと、ガス放出穴105a、105b、105cおよびガス排気穴107とはそれぞれ少しずつ横にずれていて、図2に示すように、組み立てるとそれぞれの穴と溝とが対向する位置に形成されている。溝部108は外周に連続して設けられているので、回転ドラム部101が回転しても、ガス放出穴105やガス排気穴107との位置関係は維持される。溝部108の両脇にはシール部109が設けられていて、それぞれ封止されるので、結局、ガス放出穴105a、105b、105cおよびガス排気穴107は4つの溝部108a、108b、108c、108dを通じて、回転軸部102の内部を経由して配管104にそれぞれ連通する。すなわち、配管104に3種類のガスが供給されると、ガス放出穴105a、105b、105cから、それぞれのガスが放出される。配管104のうちの太い方の連結管は排気管となっており、これに連通するガス排気穴107から排気が実行される。3種類のガスは、第1の前駆体、第2の前駆体、パージガスであって、配管104から供給され、それぞれのガスがガス放出穴105a、105b、105cからコントロール部に制御されて凹部106に放出される。また、太い方の連結管104により排気を行えば凹部106からガスが排気される。フレキシブル基板2の搬送を止め、凹部106に第1の前駆体を放出し回転ドラム部101を回転させれば、処理ドラム100に巻き付いたフレキシブル基板2の表面は第1の前駆体を1層吸着する。次に、フレキシブル基板2はそのまま止めたまま、回転ドラム部101を回転させたまま排気を行えば凹部106からガスが排気されるので、吸着されなかった未反応の第1の前駆体は排気される。同様に、フレキシブル基板2はそのまま止めたまま、第2の前駆体の処理を行い、さらに、パージガスの処理を行う。このようにして、1サイクルが終了し、1層が形成される。このサイクルを繰り返すことにより、多層の成膜を行う。所定の成膜が形成されたら、フレキシブル基板2を処理ドラム100に巻き付いた分の長さを搬送し、次の処理を行う。このように断続的にフレキシブル基板2を搬送することにより、成膜処理をする。従って、本実施形態では、回転ドラム部101に設けられた複数の凹部106が成膜源ということになる。なお、回転ドラム部101の回転速度がフレキシブル基板2の搬送速度よりも充分早い場合には、フレキシブル基板2は成膜中連続的に搬送することができる。以上に述べた構成により、成膜源を回転ドラム部101に配設するようにして、装置全体の小型化を実現した。また、従来の成膜源は固定されていたが、回転するようにして、多くのサイクルの成膜処理が容易に可能となる。装置を小型化することによりチャンバ8も小型にすることが可能となり、特に中を真空にしたチャンバ8を用いる場合にはその効果は大きい。また、ALDは1サイクルで1層ずつ原子レベルの薄膜を成長させていく方法であり成膜速度が遅いが、成膜源を回転させることにより多層形成が容易になり、このALDの欠点も解消することができる。なお、本実施形態では、2種類のガスを用い4つのガス放出部105により1サイクルとしたが、3種類以上の前駆体を用いる場合はさらにそれ以上の凹部106を回転ドラム部101に設けて割り当ててもよい。2種類以上のパージガスを使用する場合も同様である。ここで、パージガスはその役割の一つに、それぞれの前駆体が空間内で混合し反応することを避ける目的が有るため、パージガスを供給する開口部105cは、前駆体を供給するそれぞれの開口部との間に設けるとよい。すなわち、例えば第1の前駆体を供給する開口部105aと、第2の前駆体を供給する開口部105bとの間に、パージガスを供給する開口部105cを配置したように、開口部105bと第3の前駆体のための開口部との間にパージガスを供給する開口部が配置されるように構成してもよい。一方で、排気のみで未吸着または未反応の前駆体を充分に除ける場合には、パージガスを一切導入しなくてもよい。また、本実施形態では被成膜基板として、フレキシブル基板を用いて説明したが、他の可撓性のあるフィルムやシートであってもよい。また、ガラスやウェハーなど可撓性がない剛体であっても、回転ドラムに沿って搬送できる形態であれば本発明が適用できる。例えば、小さな基板を搬送用シートやベルトシートに固定して搬送する場合などがこれにあたる。いわゆるウェブコーティング方式での成膜に適用できる。すなわち、これらのガラスやウェハーなどや、小さな基板、ウェブコーティング方式での被成膜物も被成膜基板に含まれる。また、本実施形態では、フレキシブル基板2は基板ガイド部103により駆動され、搬送される構成となっているが、基板ガイド部103を駆動せず、フレキシブル基板2の移動により回転するいわゆるアイドラとして用いて、フレキシブル基板2の搬送を巻き出しロール3と巻き取りロール4を駆動することにより行ってもよい。また、基板ガイド部103を固定し、フレキシブル基板2の両縁が基板ガイド部103の円板状の側面を滑るように構成し、フレキシブル基板2を所定の径に保持するようにしてもよい。また、前駆体は、使用時に気相になっているものであれば種類は問わない。パージガスは、成膜によって得られる薄膜を構成する成分とならない限り、種類は問わない。窒素ガスを使用すると、高品位の膜をより低コストで製造することができる。またパージガスに不活性ガスを用いると、使用できる前駆体の種類の幅が広がり、多彩な前駆体の中から最適な前駆体を選定することができる。その中でもアルゴンは不活性ガスとしては比較的低コストで導入でき、生産性を高めることができる。また、シール部109には磁性流体を用いる説明をしたが、Oリング等を使用しても良い。シール部109に磁性流体を用いると発塵などが抑えられ、またメンテナンス間隔も伸ばすことができる。また、回転ドラム部101の回転の抵抗力を小さくできる。また、回転ドラム部101の凹部106は、形状は溝状のものでも良い。凹部106の底部の凹部開口部107は複数設けてもよい。効率良く排気することができ、基板に吸着されずに空間内に残った前駆体を効率よく除去することができ、成膜中のパーティクル発生を抑えて高品質の薄膜を作製することができる。また、回転ドラム部101とフレキシブル基板2との間の隙間クリアランスは、できるだけ狭い方が好ましい。フレキシブル基板2を所定の径に保持する基板ガイド部103をフレキシブル基板2の両縁部分に設けたが、フレキシブル基板2の幅方向の中央部が撓む等の場合には、中央にも配置してもよい。また、本実施形態では、配管104のうちの太い連結管により、まとめて排気されるように構成したが、排気用の配管等を増やすことにより、ガス放出部から放出されたぞれぞれのガスを別々に排気するようにしてもよい。未反応の前駆体を回収して再利用することが容易になる。また、本実施形態では、チャンバ8は装置全体を収納する構成としたが、成膜が行われる処理ドラム100だけを収納する構成にしてもよい。また、チャンバ8を真空とするのが一般的ではあるが、大気圧で成膜する場合にはそれに適応したチャンバ8とすることもできる。また、回転ドラム部101には加熱機構を備えてもよい。前駆体が吸着した基板を加熱することによって反応を促進し薄膜の成長を促すことができる。また、成膜のために加熱が必要な前駆体を使用することができる。熱源としてフラッシュランプを用いると、温度制御が比較的容易であり、また輻射熱を利用することができるため効率的である。熱を伝えたくない部分に対しては水冷機構を設けて温度を制御してもよい。加熱機構はチャンバの壁面や、回転ドラムの外部に設けてもよい。また、回転ドラム部101はプラズマを発生または照射させる機構を備えてもよい。プラズマにより前駆体の反応を促進し薄膜の成長を促すことができる。プラズマの発生方法は、高周波RF放電やDC放電の他、誘導結合によるプラズマ生成ICPなど、公知の技術が使用できる。また、前駆体の種類は問わない。成膜種、成膜温度によって適宜選択される。前駆体は装置使用時に気相となっていればよいので、前駆体の保管状態は気相の他、液相、あるいは固相であってもよい。例えば前駆体が液相の場合は加熱やバブリングなどの方法によって導入される。また、前駆体にはキャリアガスが含まれてもよい。キャリアガスは一般にパージガスと同一ものものまたは同様の性質を有するものが使用されるが、これに限定されるものではない。前述のバブリングを使用した場合、バブリングのためのガスがキャリアガスになることが多い。また、パージガスは膜の構成成分にはならないが、第一の前駆体放出と第二の前駆体放出の間を隔てるガスとして有効である。これにはアルゴンなどの希ガスの他、成膜種に影響しない範囲においてあらゆる種類のガスが使用できる。また、回転ドラム部101と基板ガイド部103の回転方向は、同一方向であっても、また相対的に逆方向であってもよい。また、フレキシブル基板2の搬送は、連続的であっても、あるいは断続的であってもよいし、必要に応じ、巻き戻し方向に行ってもよい。