"陽極と陰極との間に、少なくとも発光層と、電子輸送材料及びドナーを含有する電子輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該ドナーが下記一般式8で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R31、R32、R33、R34は、各々水素原子または置換基を表し、X1~X4は、各々セレン原子またはテルル原子を表す。陽極と陰極との間に、少なくとも発光層と、電子輸送材料及びドナーを含有する電子輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該ドナーが下記一般式9で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R35、R36、R37、R38は水素原子または置換基を表し、R35とR36、R37とR38は結合して環を形成してもよく、X1~X4は、各々硫黄原子、セレン原子またはテルル原子を表す。陽極と陰極との間に、少なくとも発光層と、電子輸送材料及びドナーを含有する電子輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該ドナーが下記一般式10で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Rfは、水素原子または置換基を表し、Rfが複数の場合、各々同一でも異なっていてもよく、nは0~5を表す。構成層として、正孔阻止層を有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記発光層がリン光性発光材料を含有することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。白色に発光することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1~6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。請求項1~6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。請求項8に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子とを備えたことを特徴とする表示装置。本発明は係る課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、有機層の低抵抗化による素子の低電圧化。並びに、高い発光効率をもつ電気光学的特性に優れた構成の有機素子、照明装置および表示装置を提供することである。さらに、長寿命となる有機EL素子、照明装置および表示装置を提供することである。本発明の上記目的は下記の構成1~16により達成された。1.陽極と陰極との間に、少なくとも発光層と、正孔輸送材料及びアクセプターを含有する正孔輸送層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該アクセプターが下記一般式1で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R1、R2、R3、R4は、各々水素原子または置換基を表す。2.陽極と陰極との間に、少なくとも発光層と、正孔輸送材料及びアクセプターを含有する正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該アクセプターが下記一般式2で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R5、R6、R7、R8、R9、R10は、各々水素原子または置換基を表す。3.陽極と陰極との間に、少なくとも発光層と、正孔輸送材料及びアクセプターを含有する正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該アクセプターが下記一般式3で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18は、各々水素原子または置換基を表す。4.陽極と陰極との間に、少なくとも発光層と、正孔輸送材料及びアクセプターを含有する正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該アクセプターが下記一般式4で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R19、R20、R21、R22は、各々水素原子または置換基を表す。5.陽極と陰極との間に、少なくとも発光層と、正孔輸送材料及びとアクセプターを含有する正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該アクセプターが下記一般式5または6で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Rp1、Rp2は、各々水素原子または置換基を表す。6.陽極と陰極との間に、少なくとも発光層と、正孔輸送材料及びアクセプターを含有する正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該アクセプターが下記一般式7で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29、R30は、各々水素原子または置換基を表し、Ra、Rbは、各々脂肪族基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または複素環基を表し、Lは単なる結合手または2価の連結基を表す。7.構成層として、電子阻止層を有することを特徴とする前記1~6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。8.陽極と陰極との間に、少なくとも発光層と、電子輸送材料及びドナーを含有する電子輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該ドナーが下記一般式8で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R31、R32、R33、R34は、各々水素原子または置換基を表し、X1~X4は、各々セレン原子またはテルル原子を表す。9.陽極と陰極との間に、少なくとも発光層と、電子輸送材料及びドナーを含有する電子輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該ドナーが下記一般式9で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R35、R36、R37、R38は水素原子または置換基を表し、R35とR36、R37とR38は結合して環を形成してもよく、X1~X4は、各々硫黄原子、セレン原子またはテルル原子を表す。10.陽極と陰極との間に、少なくとも発光層と、電子輸送材料及びドナーを含有する電子輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該ドナーが下記一般式10で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Rfは、水素原子または置換基を表し、Rfが複数の場合、各々同一でも異なっていてもよく、nは0~5を表す。11.構成層として、正孔阻止層を有することを特徴とする前記8~10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。12.前記発光層がリン光性発光材料を含有することを特徴とする前記1~11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。13.白色に発光することを特徴とする前記1~12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。14.前記1~13のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。15.前記1~13のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。16.前記15に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子とを備えたことを特徴とする表示装置。本発明により、有機層の低抵抗化による素子の低電圧化。並びに、高い発光効率をもつ電気光学的特性に優れた構成の有機素子た有機EL素子、照明装置および表示装置を提供し、さらに、長寿命となる有機EL素子、照明装置および表示装置を提供することが出来た。本発明の有機EL素子においては、請求項1~13のいずれか1項に規定される構成により、駆動電圧が低く、且つ、外部取り出し量子効率の高い有機EL素子を提供することができた。また、前記有機EL素子を用いた照明装置及び表示装置を提供することができた。以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。《アクセプター》本発明に係るアクセプターについて説明する。本発明に係るアクセプターは、正孔輸送材料と共に正孔輸送層に用いられる。本発明に係るアクセプターとしては、前記一般式1~7で各々表される化合物が用いられる。《一般式1で表される化合物》前記一般式1で表される化合物において、R1、R2、R3、R4で各々表される置換基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、シクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等、アルケニル基例えば、ビニル基、アリル基等、アルキニル基例えば、エチニル基、プロパルギル基等、アリール基例えば、フェニル基、ナフチル基等、芳香族複素環基例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等、複素環基例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等、アルコキシル基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等、シクロアルコキシル基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等、アリールオキシ基例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等、アルキルチオ基例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等、シクロアルキルチオ基例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等、アリールチオ基例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等、アルコキシカルボニル基例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等、アリールオキシカルボニル基例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等、スルファモイル基例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2-ピリジルアミノスルホニル基等、アシル基例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2-エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等、アシルオキシ基例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等、アミド基例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2-エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等、カルバモイル基例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2-エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2-ピリジルアミノカルボニル基等、ウレイド基例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2-ピリジルアミノウレイド基等、スルフィニル基例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2-エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2-ピリジルスルフィニル基等、アルキルスルホニル基例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2-エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等、アリールスルホニル基フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2-ピリジルスルホニル基等、アミノ基例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2-ピリジルアミノ基等、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等、フッ化炭化水素基例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等、等が挙げられる。これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。《一般式2で表される化合物》一般式2において、R5、R6、R7、R8、R9、R10で各々表される置換基は、前記一般式1で表される化合物において、R1、R2、R3、R4で各々表される置換基と同義である。《一般式3で表される化合物》一般式3で表される化合物において、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18で表される置換基は、前記一般式1で表される化合物において、R1、R2、R3、R4で各々表される置換基と同義である。《一般式4で表される化合物》一般式4で表される化合物において、R19、R20、R21、R22で表される置換基は、前記一般式1で表される化合物において、R1、R2、R3、R4で各々表される置換基と同義である。《一般式5、一般式6で表される化合物》一般式5または一般式6で表される化合物において、Rp1、Rp2で表される置換基は、前記一般式1で表される化合物において、R1、R2、R3、R4で各々表される置換基と同義である。《一般式7で表される化合物》一般式7で表される化合物において、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29、R30で、各々表される置換基は、前記一般式1で表される化合物において、R1、R2、R3、R4で各々表される置換基と同義である。一般式7で表される化合物において、Ra、Rbで各々表される脂肪族基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、シクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等、アルケニル基例えば、ビニル基、アリル基等、アルキニル基例えば、エチニル基、プロパルギル基等が挙げられる。一般式7で表される化合物において、Ra、Rbで各々表される芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。一般式7で表される化合物において、Ra、Rbで各々表される芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基例えば、1,2,4-トリアゾール-1-イル基、1,2,3-トリアゾール-1-イル基等、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基カルボニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。一般式7で表される化合物において、Ra、Rbで各々表される複素環基としては、例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等が挙げられる。ここで、上記の各々の基は、更に前記一般式1で表される化合物において、R1、R2、R3、R4で各々表される置換基を有してもよい。一般式7で表される化合物において、Lで表される2価の連結基としては、例えば、アルキレン基例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、2,2,4-トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基例えば、1,6-シクロヘキサンジイル基等、シクロペンチレン基例えば、1,5-シクロペンタンジイル基など等、アルケニレン基例えば、ビニレン基、プロペニレン基等、アルキニレン基例えば、エチニレン基、3-ペンチニレン基等、アリーレン基などの炭化水素基のほか、ヘテロ原子を含む基例えば、-O-、-S-等のカルコゲン原子を含む2価の基、-NR-基、ここで、Rは、水素原子またはアルキル基を表し、該アルキル基は、前記一般式1において、R101で表されるアルキル基と同義である等が挙げられる。また、上記のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基の各々においては、2価の連結基を構成する炭素原子の少なくとも一つが、カルコゲン原子酸素、硫黄等や前記-NR-基等で置換されていても良い。更に、L1で表される2価の連結基としては、例えば、2価の複素環基を有する基が用いられ、例えば、オキサゾールジイル基、ピリミジンジイル基、ピリダジンジイル基、ピランジイル基、ピロリンジイル基、イミダゾリンジイル基、イミダゾリジンジイル基、ピラゾリジンジイル基、ピラゾリンジイル基、ピペリジンジイル基、ピペラジンジイル基、モルホリンジイル基、キヌクリジンジイル基等が挙げられ、また、チオフェン-2,5-ジイル基や、ピラジン-2,3-ジイル基のような、芳香族複素環を有する化合物ヘテロ芳香族化合物ともいうに由来する2価の連結基であってもよい。また、アルキルイミノ基、ジアルキルシランジイル基やジアリールゲルマンジイル基のようなヘテロ原子を会して連結する基であってもよい。本発明の有機EL素子では、正孔輸送層に、上記の一般式1~7で各々表されるいずれか1種のアクセプターをドープする事により、熱平衡状態での正孔輸送層のキャリア濃度があがり、その結果、正孔輸送層の導電率が向上し、素子の低抵抗化を行うことに成功した。更に、電子と正孔の再結合効率を高めるためには、後述する電子阻止層を正孔輸送層と発光層の間に設けることが好ましく、電子阻止層を設けることによって、正孔輸送層と発光層が直接接触した時よりも、電子を発光層内に閉じ込める役目を果たすエネルギー障壁の大きさを高くすることができる。このため、電子を効果的に閉じ込めることが可能となり、アクセプターを正孔輸送層にドープしているにもかかわらず、高い発光効率を得る事ができる。なお、電子阻止層の厚さとしては、5nm~20nmであることが好ましい。尚、正孔輸送材料に対するアクセプターの添加量は1質量~20質量である事が好ましい。以下に、一般式1~7で各々表されるアクセプターの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。ここで、本発明に係る一般式1~7で各々表されるアクセプターは、従来公知の文献を参考にして、合成または入手することが出来る。《ドナー》本発明に係るドナーについて説明する。本発明に係るドナーは、電子輸送材料と共に電子輸送層に用いられる。本発明に係るドナーとしては、前記一般式8~10で各々表される化合物が用いられる。《一般式8で表される化合物》一般式8で表される化合物において、R31、R32、R33、R34で、各々表される置換基は、前記一般式1で表される化合物において、R1、R2、R3、R4で各々表される置換基と同義である。《一般式9で表される化合物》一般式9で表される化合物において、R35、R36、R37、R38で、各々表される置換基は、前記一般式1で表される化合物において、R1、R2、R3、R4で各々表される置換基と同義である。《一般式10で表される化合物》一般式10で表される化合物において、Rfで表される置換基は、前記一般式1で表される化合物において、R1、R2、R3、R4で各々表される置換基と同義である。本発明の有機EL素子では、電子輸送層に、上記の一般式8~10で各々表されるいずれか1種のドナーをドープする事により、熱平衡状態での電子輸送層のキャリア濃度があがり、その結果、電子輸送層の導電率の向上がはかれ、素子の低抵抗化を実現することが出来た。上記のアクセプターの場合と同様に、電子と正孔の再結合確率を高める為には、後述する正孔阻止層を電子輸送層と発光層の間に設けることが好ましく、正孔阻止層を設けることによって、電子輸送層と発光層が直接接触した時よりも、正孔を発光層内に閉じ込める役目を果たすエネルギー障壁の大きさを高くすることができる。このため、正孔を効果的に閉じ込めることが可能となり、ドナーを電子輸送層にドープしているにもかかわらず、高い発光効率を得る事ができる。なお、正孔阻止層の厚さは5nm~20nmであることが好ましい。また、電子輸送材料に対するドナーの添加量は1質量~50質量である事が好ましい。以下に、一般式8~10で各々表されるドナーの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。ここで、本発明に係る一般式8~10で各々表されるドナーは、従来公知の文献を参考にして、合成または入手することが出来る。本発明の有機EL素子においては、順バイアス印加時においては、一般にアクセプターの電子親和力の大きさは、正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料のそれより大きいので、電子を発光層中に閉じ込める役目を果たす正孔輸送と発光層とのエネルギー障壁の大きさが小さくなりやすい傾向がある。また、順バイアス印加時においては、一般にドナーのイオン化ポテンシャルの大きさは、電子輸送層に含まれる電子輸送材料のそれより小さいので、正孔を発光層中に閉じ込める役目を果たす電子輸送と発光層とのエネルギー障壁の大きさが小さくなりやすい傾向がある。このため、正孔や電子を同時に、発光層中に効率よく閉じ込め、電子と正孔の再結合確率を向上させ、素子の発光効率をより向上させるためには、電子阻止層を正孔輸送層と発光層の間に設け、且つ、正孔阻止層を電子輸送層と発光層の間に設けることが好ましい。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。1陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極2陽極/正孔輸送層/電子阻止層/発光層/電子輸送層/陰極3陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極4陽極/正孔輸送層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極5陽極/正孔輸送層/電子阻止層/発光層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極6陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極《陽極》有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10nm~1000nm、好ましくは10nm~200nmの範囲で選ばれる。《陰極》一方、陰極としては、仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。また、陰極に上記金属を1nm~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。《注入層:電子注入層、正孔注入層》注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の第2編第2章電極材料123~166頁に詳細に記載されており、正孔注入層陽極バッファー層と電子注入層陰極バッファー層とがある。陽極バッファー層正孔注入層は、特開平9-45479号公報、同9-260062号公報、同8-288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例としては、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリンエメラルディンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等を挙げることができる。陰極バッファー層電子注入層は、特開平6-325871号公報、同9-17574号公報、同10-74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的には、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層注入層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1nm~5μmの範囲が好ましい。《正孔輸送層》正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノフェニル;N,N′-ジフェニル-N,N′-ビス3-メチルフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミンTPD;2,2-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルプロパン;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン;N,N,N′,N′-テトラ-p-トリル-4,4′-ジアミノビフェニル;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニル-4-フェニルシクロヘキサン;ビス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルフェニルメタン;ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルフェニルメタン;N,N′-ジフェニル-N,N′-ジ4-メトキシフェニル-4,4′-ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノジフェニルエーテル;4,4′-ビスジフェニルアミノクオードリフェニル;N,N,N-トリp-トリルアミン;4-ジ-p-トリルアミノ-4′-4-ジ-p-トリルアミノスチリルスチルベン;4-N,N-ジフェニルアミノ-2-ジフェニルビニルベンゼン;3-メトキシ-4′-N,N-ジフェニルアミノスチルベンゼン;N-フェニルカルバゾール、更には、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば4,4′-ビスN-1-ナフチル-N-フェニルアミノビフェニルNPD、特開平4-308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4′′-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンMTDATA等が挙げられる。更に、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型-Si、p型-SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。この正孔輸送層は、上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。《電子輸送層》電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料正孔阻止材料を兼ねるとしては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、8-キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス8-キノリノールアルミニウムAlq、トリス5,7-ジクロロ-8-キノリノールアルミニウム、トリス5,7-ジブロモ-8-キノリノールアルミニウム、トリス2-メチル-8-キノリノールアルミニウム、トリス5-メチル-8-キノリノールアルミニウム、ビス8-キノリノール亜鉛Znq等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、n型-Si、n型-SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。電子輸送層は、上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》阻止層は、上記のごとく、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば特開平11-204258号公報、同11-204359号公報、及び有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の237頁等に記載されている正孔阻止ホールブロック層がある。正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層であり、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられている。正孔阻止層の正孔阻止材料の例としては、前述した電子輸送材料の例を挙げられる。一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層であり、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。電子阻止層の電子阻止材料の例としては、前述した正孔輸送材料の例を挙げられる。《発光層》本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。《ホスト化合物》本発明の有機EL素子の発光層には、以下に示す、ホスト化合物とリン光性化合物リン光発光性化合物ともいうが含有されることが好ましく、本発明においては、ホスト化合物として前述した本発明に係る化合物を用いることが好ましい。これにより、より一層発光効率を高くすることができる。また、ホスト化合物として、上記の本発明に係る化合物以外の化合物を含有してもよい。ここで、本発明に用いられるホスト化合物とは、発光層に含有される化合物のうちで室温25°Cにおいてリン光発光のリン光量子収率が、0.01未満の化合物と定義される。更に、公知のホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種もちいることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用もできる。これらの公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tgガラス転移温度である化合物が好ましい。公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。特開2001-257076号公報、同2002-308855号公報、同2001-313179号公報、同2002-319491号公報、同2001-357977号公報、同2002-334786号公報、同2002-8860号公報、同2002-334787号公報、同2002-15871号公報、同2002-334788号公報、同2002-43056号公報、同2002-334789号公報、同2002-75645号公報、同2002-338579号公報、同2002-105445号公報、同2002-343568号公報、同2002-141173号公報、同2002-352957号公報、同2002-203683号公報、同2002-363227号公報、同2002-231453号公報、同2003-3165号公報、同2002-234888号公報、同2003-27048号公報、同2002-255934号公報、同2002-260861号公報、同2002-280183号公報、同2002-299060号公報、同2002-302516号公報、同2002-305083号公報、同2002-305084号公報、同2002-308837号公報等。また、発光層は、ホスト化合物として更に蛍光極大波長を有するホスト化合物を含有していてもよい。この場合、他のホスト化合物とリン光性化合物から蛍光性化合物へのエネルギー移動で、有機EL素子としての電界発光は蛍光極大波長を有する他のホスト化合物からの発光も得られる。蛍光極大波長を有するホスト化合物として好ましいのは、溶液状態で蛍光量子収率が高いものである。ここで、蛍光量子収率は10以上、特に30以上が好ましい。具体的な蛍光極大波長を有するホスト化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素等が挙げられる。蛍光量子収率は、前記第4版実験化学講座7の分光IIの362頁1992年版、丸善に記載の方法により測定することができる。《リン光性化合物リン光発光性化合物》発光層に使用される材料以下、発光材料というとしては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光性化合物を含有することが好ましい。これにより、より発光効率の高い有機EL素子とすることができる。本発明に係るリン光性化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温25°Cにてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25°Cにおいて0.01以上の化合物である。リン光量子収率は好ましくは0.1以上である。上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁1992年版、丸善に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられるリン光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。リン光性化合物の発光は、原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。リン光性化合物は、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。本発明で用いられるリン光性化合物としては、好ましくは元素の周期律表で8族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物白金錯体系化合物、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。以下に、本発明で用いられるリン光性化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704~1711に記載の方法等により合成できる。本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には、中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることができるが、リン光性化合物のリン光発光波長が380~480nmにリン光発光の極大波長を有することが好ましい。このような青色リン光発光の有機EL素子や、白色リン光発光の有機EL素子で、より一層発光効率を高めることができる。本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、新編色彩科学ハンドブック日本色彩学会編、東京大学出版会、1985の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS-1000ミノルタセンシング製で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は特に制限はないが、通常は5nm~5μm、好ましくは5nm~200nmの範囲で選ばれる。この発光層は、これらのリン光性化合物やホスト化合物が1種または2種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。《基体》本発明の有機EL素子は、基体上に形成されているのが好ましい。本発明の有機EL素子に用いることのできる基体以下、基板、基材、支持体等ともいうとしては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルスルホンPES、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネートPC、セルローストリアセテートTAC、セルロースアセテートプロピオネートCAP等からなるフィルム等が挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜、または、その両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光の室温における外部取り出し効率は1以上であることが好ましく、より好ましくは5以上である。ここに、外部取り出し量子効率=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。《有機EL素子の作製方法》本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔輸送層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10nm~200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に有機EL素子材料を用いて、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層の有機化合物薄膜を形成させる。この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス例えば、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法が特に好ましい。更に層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50°C~450°C、真空度10-6~10-2Pa、蒸着速度0.01nm/秒~50nm/秒、基板温度-50°C~300°C、膜厚0.1nm~5μm、好ましくは5nm~200nmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm以下好ましくは50~200nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。多色の本発明の表示装置は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、他層は共通であるのでシャドーマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。また作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、電子阻止層、正孔輸送層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を、陰極を-の極性として電圧2~40V程度を印加すると、発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。本発明の表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の3種の有機EL素子を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。表示デバイス、ディスプレイとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックスパッシブマトリックス方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。照明装置としては、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれらに限定されない。また、本発明の有機EL素子に共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよい。このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザ発振をさせることにより、上記用途に使用してもよい。本発明の有機EL材料は、照明装置として、実質白色の発光を生じる有機EL素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の3原色の3つの発光極大波長を含有させたものでも良いし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を含有したものでも良い。また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光で発光する材料を、複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでも良いが、本発明に係わる白色有機エレクトロルミネッセンス素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。発光層もしくは正孔輸送層或いは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分けるなど単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機EL装置と異なり、素子自体が発光白色である。発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、CFカラーフィルター特性に対応した波長範囲に適合するように、オルトメタル化錯体Ir錯体、Pt錯体など、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すれば良い。このように、本発明に係る白色発光有機EL素子は、前記表示デバイス、ディスプレイに加えて、各種発光光源、照明装置として、家庭用照明、車内照明、また露光光源のような一種のランプとして、また液晶表示装置のバックライト等、表示装置にも有用に用いられる。その他、時計等のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体等の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等、更には表示装置を必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられる。《表示装置》本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような1種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置ディスプレイとして使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクスパッシブマトリクス方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を3種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。または、一色の発光色、例えば、白色発光をカラーフィルターを用いてBGRにし、フルカラー化することも可能である。更に、有機ELの発光色を色変換フィルターを用いて他色に変換しフルカラー化することも可能であるが、その場合、有機EL発光のλmaxは480nm以下であることが好ましい。本発明の有機EL素子から構成される表示装置の一例を図面に基づいて説明する。図1は、有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。ディスプレイ1は、複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。制御部Bは、表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。図2は、表示部Aの模式図である。表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。図2においては、画素3の発光した光が、白矢印方向下方向へ取り出される場合を示している。配線部の走査線5及び複数のデータ線6は、各々導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している詳細は図示せず。画素3は、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。次に、画素の発光プロセスを説明する。図3は、画素の模式図である。画素は、有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサ13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色、青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。図3において、制御部Bからデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。画像データ信号の伝達により、コンデンサ13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサ13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子10が発光する。すなわち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。ここで、有機EL素子10の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサ13の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。図4は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図4において、複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子がなく、製造コストの低減が計れる。本発明に係わる有機EL材料は、また、照明装置として、実質白色の発光を生じる有機EL素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の3原色の3つの発光極大波長を含有させたものでも良いし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を含有したものでも良い。また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光を発光する材料発光ドーパントを、複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光を発光する発光材料と、該発光材料からの光を励起光として発光する色素材料とを組み合わせたもののいずれでも良いが、本発明に係わる白色有機エレクトロルミネッセンス素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせる方式が好ましい。複数の発光色を得るための有機エレクトロルミネッセンス素子の層構成としては、複数の発光ドーパントを、一つの発光層中に複数存在させる方法、複数の発光層を有し、各発光層中に発光波長の異なるドーパントをそれぞれ存在させる方法、異なる波長に発光する微小画素をマトリックス状に形成する方法等が挙げられる。本発明に係わる白色有機エレクトロルミネッセンス素子においては、必要に応じ製膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもいいし、電極と発光層をパターニングしてもいいし、素子全層をパターニングしてもいい。発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば液晶表示素子におけるバックライトであれば、CFカラーフィルター特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係わる白金錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すれば良い。このように、白色発光有機EL素子は、前記表示デバイス、ディスプレイに加えて、各種発光光源、照明装置として、家庭用照明、車内照明、また、露光光源のような一種のランプとして、液晶表示装置のバックライト等、表示装置にも有用に用いられる。その他、時計等のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体等の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等、更には表示装置を必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられる。以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。ここで、実施例に使用する化合物を下記示す。実施例1《有機EL素子1-1の作製》陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα-NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに、TCNQを100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてCBPを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロインBCPを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにIr-12を100mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α-NPDとTCNQの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.2nm/秒、0.004nm/秒で透明支持基板に共蒸着して膜厚が100nmになるように正孔輸送層を設けた。更に、α-NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記正孔輸送層上に蒸着して膜厚が10nmになるように電子阻止層を設けた。更に、CBPとIr-12の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で前記電子阻止層上に共蒸着して、膜厚35nmになるように発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。更に、BCPの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記発光層の上に蒸着して膜厚10nmの正孔阻止層を設けた。その上に、更に、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記電子輸送層の上に蒸着して更に膜厚40nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続きフッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1-1を作製した。《有機EL素子1-2~1-12の作製》有機EL素子1-1の作製において、正孔輸送層のアクセプターとして用いているTCNQを表1に示すアクセプターに置き換えた以外は同様にして、有機EL素子1-2~1-12を各々作製した。《有機EL素子1-1~1-12の評価》以下のようにして作製した有機EL素子1-1~1-12について、下記に記載に方法に従い、外部取り出し効率及び駆動電圧を評価した。《外部取りだし量子効率、駆動電圧》作製した有機EL素子について、23°C、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2定電流を印加した時の外部取り出し量子効率、駆動電圧Vを測定した。なお測定には同様に分光放射輝度計CS-1000ミノルタ製を用いた。得られた結果を表1に示す。表1から、比較に比べて本発明の試料は、外部取りだし量子効率が高く、且つ、駆動電圧が低いことが明らかである。実施例2《有機EL素子2-1の作製》陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα-NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてCBPを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロインBCPを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにIr-12を100mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、更に別のボートにトリフェニルアミンを100mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α-NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で透明支持基板に蒸着して膜厚が40nmになるように正孔輸送層を設けた。更に、CBPとIr-12の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で前記電子阻止層上に共蒸着して、膜厚35nmになるように発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。更に、BCPの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記発光層の上に蒸着して膜厚10nmの正孔阻止層を設けた。その上に、更に、Alq3とトリフェニルアミンの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.2nm/秒、0.004nm/秒で前記正孔阻止層の上に共蒸着して膜厚80nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続きフッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子2-1を作製した。《有機EL素子2-2~2-10の作製》有機EL素子2-1の作製において、電子輸送層のドナーとして用いているトリフェニルアミンを表2に示すドナーに置き換えた以外は同様にして、有機EL素子2-2~2-10を各々作製した。《有機EL素子2-1~2-10の評価》有機EL素子2-2~2-10を各々、実施例1に記載と同様に評価した。得られた結果を表2に示す。表2から、比較に比べて本発明の試料は、外部取りだし量子効率が高く、且つ、駆動電圧が低いことが明らかである。実施例3《有機EL素子3-1の作製》陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα-NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに、TCNQを100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてCBPを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロインBCPを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにIr-12を100mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、更に別のボートにトリフェニルアミンを100mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α-NPDとTCNQの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.2nm/秒、0.004nm/秒で透明支持基板に共蒸着して膜厚が100nmになるように正孔輸送層を設けた。更に、α-NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記正孔輸送層上に蒸着して膜厚が10nmになるように電子阻止層を設けた。更に、CBPとIr-12の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で前記電子阻止層上に共蒸着して、膜厚35nmになるように発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。更に、BCPの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記発光層の上に蒸着して膜厚10nmの正孔阻止層を設けた。その上に、更に、Alq3とトリフェニルアミンの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.2nm/秒、0.004nm/秒で前記正孔阻止層の上に共蒸着して膜厚80nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続きフッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子3-1を作製した。《有機EL素子3-2~3-12の作製》有機EL素子3-1の作製において、正孔輸送層のアクセプターとして用いているTCNQを表3に示すアクセプターに、電子輸送層のドナーとして用いているトリフェニルアミンを表3に示すドナーに置き換えた以外は有機EL素子3-1と同様にして有機EL素子3-2~3-12を各々作製した。《有機EL素子3-1~3-12の評価》得られた有機EL素子3-1~3-12を各々実施例1と同様に評価した。得られた結果を表3に示す。表3から、比較に比べて本発明の試料は、外部取りだし量子効率が高く、且つ、駆動電圧が低いことが明らかである。実施例4《照明装置の作製》実施例3で作製した有機EL素子3-4において、CBPの入った加熱ボートとIr-12の入ったボート、Ir-9Btp2Iracacともいうの入ったボートをそれぞれ独立に通電して発光ホストであるCBPと発光ドーパントであるIr-12及びIr-9Btp2Iracacの蒸着速度が100:5:0.6になるように調節し、膜厚が30nmになるように発光層を設けた以外は有機EL素子3-4と同様の方法で有機EL素子4-1Wを作製した。得られた有機EL素子4-1Wの非発光面をガラスケースで覆い、図6a及び図6bで示す照明装置とした。照明装置は、発光効率が高く発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。"