"圧電体薄膜であって、001配向を有する電極膜と、001配向を有するNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4と、Na,BiTiO3-BaTiO3圧電体層とを備え、前記電極膜、前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜、およびNa,BiTiO3-BaTiO3圧電体層は、この順に積層されている圧電体薄膜。前記電極膜が金属から構成される、請求項1に記載の圧電体薄膜。前記金属が、白金、パラジウム、または金である、請求項2に記載の圧電体薄膜。前記金属が白金である、請求項3に記載の圧電体薄膜。前記電極膜が酸化物導電体から構成される、請求項1に記載の圧電体薄膜。前記酸化物導電体が、酸化ニッケル、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、ルテニウム酸ストロンチウム、またはニッケル酸ランタンである、請求項5に記載の圧電体薄膜。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項6に記載の圧電体薄膜。Pt膜をさらに備え、前記電極膜は、前記Pt膜および前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜との間に挟まれている、請求項5に記載の圧電体薄膜。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項8に記載の圧電体薄膜。第1の電極および第2の電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体薄膜と、前記圧電体薄膜に接合された振動層と、インクを収容する圧力室を有するとともに、前記振動層における前記圧電体薄膜が接合した面とは反対側の面に接合された圧力室部材と、を備え、前記振動層は、圧電効果に基づく前記圧電体薄膜の変形に応じて当該振動層の膜厚方向に変位するように、前記圧電体薄膜に接合され、前記振動層と前記圧力室部材とは、前記振動層の変位に応じて前記圧力室の容積が変化するとともに、前記圧力室の容積の変化に応じて前記圧力室内のインクが吐出されるように、互いに接合されており、前記第1の電極は、001配向を有する電極膜を具備し、前記圧電体層は、001配向を有するBi,Na,BaTiO3膜から構成されており、前記第1の電極および前記圧電体層の間に、001配向を有するNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4が挟まれており、前記電極膜、前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜、前記Bi,Na,BaTiO3膜、および前記第2の電極がこの順に積層されている、インクジェットヘッド。前記電極膜が金属から構成される、請求項10に記載のインクジェットヘッド。前記金属が、白金、パラジウム、または金である、請求項11に記載のインクジェットヘッド。前記金属が白金である、請求項12に記載のインクジェットヘッド。前記電極膜が酸化物導電体から構成される、請求項10に記載のインクジェットヘッド。前記酸化物導電体が、酸化ニッケル、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、ルテニウム酸ストロンチウム、またはニッケル酸ランタンである、請求項14に記載のインクジェットヘッド。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項15に記載のインクジェットヘッド。Pt膜をさらに備え、前記電極膜は、前記Pt膜および前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜との間に挟まれている、請求項14に記載のインクジェットヘッド。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項17に記載のインクジェットヘッド。インクジェットヘッドを用いて画像を形成する方法であって、前記インクジェットヘッドを準備する工程、ここで、前記インクジェットヘッドは、第1の電極および第2の電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体薄膜と、前記圧電体薄膜に接合された振動層と、インクを収容する圧力室を有するとともに、前記振動層における前記圧電体薄膜が接合した面とは反対側の面に接合された圧力室部材と、を備え、前記振動層は、圧電効果に基づく前記圧電体薄膜の変形に応じて当該振動層の膜厚方向に変位するように、前記圧電体薄膜に接合され、前記振動層と前記圧力室部材とは、前記振動層の変位に応じて前記圧力室の容積が変化するとともに、前記圧力室の容積の変化に応じて前記圧力室内のインクが吐出されるように、互いに接合されており、前記第1の電極は、001配向を有する電極膜を具備し、前記圧電体層は、001配向を有するBi,Na,BaTiO3膜から構成されており、前記第1の電極および前記圧電体層の間に、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4が挟まれており、前記電極膜、前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜、前記Bi,Na,BaTiO3膜、および前記第2の電極がこの順に積層されており、前記第1の電極および第2の電極を介して前記圧電体層に電圧を印加することにより、圧電効果に基づき、前記圧力室の容積が変化するように前記振動層を当該層の膜厚方向に変位させ、当該変位により前記圧力室からインクを吐出させる工程を包含する、方法。前記電極膜が金属から構成される、請求項19に記載の方法。前記金属が、白金、パラジウム、または金である、請求項20に記載の方法。前記金属が白金である、請求項21に記載の方法。前記電極膜が酸化物導電体から構成される、請求項19に記載の方法。前記酸化物導電体が、酸化ニッケル、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、ルテニウム酸ストロンチウム、またはニッケル酸ランタンである、請求項23に記載の方法。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項24に記載の方法。Pt膜をさらに備え、前記電極膜は、前記Pt膜および前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜との間に挟まれている、請求項23に記載の方法。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項26に記載の方法。振動部を有する基板と、前記振動部に接合されるとともに、第1の電極および第2の電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体薄膜と、を備え、前記第1の電極は、001配向を有する電極膜を具備し、前記圧電体層は、001配向を有するBi,Na,BaTiO3膜から構成されており、前記第1の電極および前記圧電体層の間に、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4が挟まれており、前記電極膜、前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜、前記Bi,Na,BaTiO3膜、および前記第2の電極がこの順に積層されており、前記第1の電極および第2の電極から選ばれる一方の電極が、前記振動部を発振させる駆動電圧を前記圧電体層に印加する駆動電極と、発振中の前記振動部に加わった角速度によって前記振動部に生じた変形を測定するためのセンス電極とを含む電極群により構成されている角速度センサ。前記電極膜が金属から構成される、請求項28に記載の角速度センサ。前記金属が、白金、パラジウム、または金である、請求項29に記載の角速度センサ。前記金属が白金である、請求項30に記載の角速度センサ。前記電極膜が酸化物導電体から構成される、請求項28に記載の角速度センサ。前記酸化物導電体が、酸化ニッケル、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、ルテニウム酸ストロンチウム、またはニッケル酸ランタンである、請求項32に記載の角速度センサ。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項33に記載の角速度センサ。Pt膜をさらに備え、前記電極膜は、前記Pt膜および前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜との間に挟まれている、請求項32に記載の角速度センサ。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項35に記載の角速度センサ。角速度センサを用いて角速度を測定する方法であって、前記角速度センサを準備する工程、ここで、前記角速度センサは、振動部を有する基板と、前記振動部に接合されるとともに、第1の電極および第2の電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体薄膜と、を備え、前記第1の電極は、001配向を有する電極膜を具備し、前記圧電体層は、001配向を有するBi,Na,BaTiO3膜から構成されており、前記第1の電極および前記圧電体層の間に、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4が挟まれており、前記電極膜、前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜、前記Bi,Na,BaTiO3膜、および前記第2の電極がこの順に積層されており、前記第1および第2の電極から選ばれる一方の電極が、駆動電極とセンス電極とを含む電極群により構成されており、駆動電圧を、前記第1および第2の電極から選ばれる他方の電極と前記駆動電極とを介して前記圧電体層に印加することにより、前記振動部を発振させる工程、および発振中の前記振動部に加わった角速度によって前記振動部に生じた変形を、前記他方の電極と前記センス電極とを介して測定することで前記加わった角速度の値を得る工程、を包含する、方法。前記電極膜が金属から構成される、請求項37に記載の方法。前記金属が、白金、パラジウム、または金である、請求項38に記載の方法。前記金属が白金である、請求項39に記載の方法。前記電極膜が酸化物導電体から構成される、請求項37に記載の方法。前記酸化物導電体が、酸化ニッケル、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、ルテニウム酸ストロンチウム、またはニッケル酸ランタンである、請求項41に記載の方法。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項42に記載の方法。Pt膜をさらに備え、前記電極膜は、前記Pt膜および前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜との間に挟まれている、請求項41に記載の方法。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項44に記載の方法。振動部を有する基板と、前記振動部に接合されるとともに、第1の電極および第2の電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体薄膜と、を備え、前記第1の電極は、001配向を有する電極膜を具備し、前記圧電体層は、001配向を有するBi,Na,BaTiO3膜から構成されており、前記第1の電極および前記圧電体層の間に、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4が挟まれており、前記電極膜、前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜、前記Bi,Na,BaTiO3膜、および前記第2の電極がこの順に積層されている、圧電発電素子。前記電極膜が金属から構成される、請求項46に記載の圧電発電素子。前記金属が、白金、パラジウム、または金である、請求項47に記載の圧電発電素子。前記金属が白金である、請求項48に記載の圧電発電素子。前記電極膜が酸化物導電体から構成される、請求項46に記載の圧電発電素子。前記酸化物導電体が、酸化ニッケル、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、ルテニウム酸ストロンチウム、またはニッケル酸ランタンである、請求項50に記載の圧電発電素子。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項51に記載の圧電発電素子。Pt膜をさらに備え、前記電極膜は、前記Pt膜および前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜との間に挟まれている、請求項50に記載の圧電発電素子。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項53に記載の圧電発電素子。圧電発電素子を用いた発電方法であって、前記圧電発電素子を準備する工程、ここで、前記圧電発電素子は、振動部を有する基板と、前記振動部に接合されるとともに、第1の電極および第2の電極に挟まれた圧電体層を有する圧電体薄膜と、を備え、前記第1の電極は、001配向を有する電極膜を具備し、前記圧電体層は、001配向を有するBi,Na,BaTiO3膜から構成されており、前記第1の電極および前記圧電体層の間に、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4が挟まれており、前記電極膜、前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜、前記Bi,Na,BaTiO3膜、および前記第2の電極がこの順に積層されており、前記振動部に振動を与えることにより、前記第1および第2の電極を介して電力を得る工程を包含する、方法。前記電極膜が金属から構成される、請求項55に記載の方法。前記金属が、白金、パラジウム、または金である、請求項56に記載の方法。前記金属が白金である、請求項57に記載の方法。前記電極膜が酸化物導電体から構成される、請求項55に記載の方法。前記酸化物導電体が、酸化ニッケル、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、ルテニウム酸ストロンチウム、またはニッケル酸ランタンである、請求項59に記載の方法。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項60に記載の方法。Pt膜をさらに備え、前記電極膜は、前記Pt膜および前記NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜との間に挟まれている、請求項59に記載の方法。前記酸化物導電体がニッケル酸ランタンである、請求項62に記載の方法。以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明では、同一の部材に同一の符号を与える。これにより、重複する説明が省略され得る。[圧電体薄膜、圧電体薄膜の製造方法]図1Aは、本発明による圧電体薄膜の一形態を示す。図1Aに示される圧電体薄膜1aは、積層構造16aを有する。積層構造16aは、001配向を有する電極膜13と、001配向を有するNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414と、001配向を有するBi,Na,BaTiO3膜15とをこの順に有する。積層されたこれらの膜13~15は互いに接する。当該Bi,Na,BaTiO3膜15は、圧電体層である。当該Bi,Na,BaTiO3膜15は、小さいリーク電流とともに、高い結晶性および高い001配向性を有する。このため、圧電体薄膜1aは、鉛を含有しないにも拘わらず、低い誘電損失およびPZTと同一の高い圧電性能を有する。001配向を有する電極膜13の例は、以下の1あるいは2である。1白金Pt、パラジウムPd、金Auのような金属薄膜、および2酸化ニッケルNiO、酸化ルテニウムRuO2、酸化イリジウムIrO2、ルテニウム酸ストロンチウムSrRuO3、およびニッケル酸ランタンLaNiO3のような酸化物導電体薄膜。2層以上のこれらの薄膜もまた、用いられ得る。この中でも、LaNiO3膜13が好ましい。LaNiO3膜13は、化学式ABO3により表されるペロブスカイト型の結晶構造を有する。当該結晶構造の格子定数は0.384nm擬立方晶である。このため、LaNiO3膜13は、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414およびBi,Na,BaTiO3膜15に対する良好な格子整合性を有する。LaNiO3膜13は、当該膜の下地層の組成および結晶構造に拘わらず、001配向を有する。例えば、大きく異なる格子定数0.543nmを有するSi単結晶基板の上に、001配向を有するLaNiO3膜13が形成され得る。ステンレスなどの金属からなる基板、ガラスなどの非晶質材料からなる基板、およびセラミクス基板の上にも、001配向を有するLaNiO3膜13が形成され得る。LaNiO3膜13は、微量の不純物を含み得る。当該不純物は、典型的には、Laを置換する希土類元素である。LaNiO3は酸化物導電体である。LaNiO3膜13は、Bi,Na,BaTiO3膜15に電圧を印加する電極層として機能し得る。LaNiO3膜13は、典型的にはスパッタリング法により形成され得る。LaNiO3膜13は、パルスレーザー堆積法PLD法、化学気相成長法CVD法、ゾルゲル法、およびエアロゾル堆積法AD法のような薄膜形成手法によっても形成され得る。圧電体薄膜を製造する本発明の方法によれば、スパッタリング法により、001配向を有するLaNiO3膜13が形成される。NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414は、001の面方位を表面に有する。NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414は、界面層である。NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414は、LaNiO3膜13とBi,Na,BaTiO3膜15との間に挟まれている。NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414は、高い結晶性、高い001配向性、および小さいリーク電流を有するBi,Na,BaTiO3膜15を形成するために必要とされる。チタン酸ナトリウムビスマスの酸素量を表す0.5x2.75は、誤差を含み得る。例えば、x=0.4であれば0.5×0.42.75=2.95である。しかし、ナトリウムの量が0.4である場合、チタン酸ナトリウムビスマスの酸素量は完全に2.95に一致するとは限らない。高い結晶性、高い配向性、および小さいリーク電流を有する圧電体層の形成のために好適な界面層の組成を、圧電体層および界面層が有する格子定数の類似性または組成の類似性に基づいて予測することは困難である。即ち、圧電体層の格子定数または組成に類似する格子定数または組成を有する界面層を単に設けることによって、上記の望ましい圧電体層は得られない。この理由は、Bi,Na,BaTiO3のような多元系複合酸化物を構成する各元素酸素を除くが異なる蒸気圧を有するため、良好な結晶性および良好な配向性を有する、当該複合酸化物により構成される薄膜を形成することが一般に困難であるからである。本発明者らは、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414の上に設けられたBi,Na,BaTiO3膜15が、高い結晶性、高い配向性、および小さいリーク電流を有することを見出した。NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414の厚みは限定されない。当該厚みが数格子単位約2nm以上であれば、高い結晶性、高い001配向性、および小さいリーク電流を有するBi,Na,BaTiO3膜15が形成され得る。NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414は、化学式ABO3により表されるペロブスカイト型の結晶構造を有する。サイトAの主成分はNa、サイトBの主成分はNbである。NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414は、微量の不純物を含み得る。当該不純物は、典型的には、Naを置換するKまたはLiであり得る。LaNiO3膜13とNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414との間には、必要に応じて、001配向膜がさらに挟まれ得る。001配向膜は、例えば、Pt膜およびSrRuO3膜である。NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414は、典型的にはスパッタリング法により形成され得る。NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414は、001配向を有する限り、例えば、PLD法、CVD法、ゾルゲル法、およびAD法のような薄膜形成手法によっても形成され得る。圧電体薄膜を製造する本発明の方法では、LaNiO3膜13の上に、スパッタリング法により、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414が形成される。Bi,Na,BaTiO3膜15は、Bi,Na,BaTiO3により構成される膜である。Bi,Na,BaTiO3膜15は、001の面方位を表面に有する。Bi,Na,BaTiO3膜15の厚みは限定されない。当該厚みは、例えば、0.5μm以上10μm以下である。Bi,Na,BaTiO3膜15が薄くても、当該膜が低い誘電損失および高い圧電性能を有する。Bi,Na,BaTiO3膜15は、化学式ABO3により表されるペロブスカイト型の結晶構造を有する。サイトAおよびサイトBは、単独または複数の元素の配置に応じて、それぞれ2価および4価の平均価数を有する。サイトAはBi、NaおよびBaである。サイトBはTiである。Bi,Na,BaTiO3膜15は、微量の不純物を含み得る。当該不純物は、典型的には、サイトAにおけるNaを置換するLiおよびKならびにBaを置換するSrおよびCaであり得る。当該不純物は、典型的には、サイトBにおけるTiを置換するZrであり得る。その他の当該不純物は、例えば、Mn、Fe、NbおよびTaであり得る。いくかの不純物は、Bi,Na,BaTiO3膜15の結晶性および圧電性能を向上し得る。Bi,Na,BaTiO3膜15は、典型的にはスパッタリング法により形成され得る。Bi,Na,BaTiO3膜15は、001配向を有する限り、例えば、PLD法、CVD法、ゾルゲル法、AD法のような他の薄膜形成手法によっても形成され得る。圧電体薄膜を製造する本発明の方法では、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414の上にスパッタリング法によりBi,Na,BaTiO3膜15が形成される。図1Bは、本発明による圧電体薄膜の別の一形態を示す。図1Bに示される圧電体薄膜1bは、積層構造16bを有する。積層構造16bでは、図1Aに示される積層構造16aに金属電極膜12が加えられている。積層構造16bでは、LaNiO3膜13が当該金属電極膜12上に形成されている。具体的には、積層構造16bは、金属電極膜12と、001配向を有するLaNiO3膜13と、001配向を有するNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414と、001配向を有するBi,Na,BaTiO3膜15とをこの順に有する。積層されたこれらの膜12~15は互いに接する。金属電極膜12の材料の例は、白金Pt、パラジウムPd、金Auのような金属;酸化ニッケルNiO、酸化ルテニウムRuO2、酸化イリジウムIrO2、ルテニウム酸ストロンチウムSrRuO3のような酸化物導電体である。金属電極膜12は、2種以上のこれらの材料により構成され得る。金属電極膜12は低い電気抵抗および高い耐熱性を有することが好ましい。そのため、金属電極膜12はPt膜であることが好ましい。当該Pt膜は、111配向を有し得る。即ち、本発明の圧電体薄膜は、Pt膜をさらに備え得る。LaNiO3膜13が当該Pt膜上に形成され得る。金属電極膜12は、LaNiO3膜13とともに、圧電体層であるBi,Na,BaTiO3膜15に電圧を印加する電極層として機能し得る。換言すれば、当該電極層は、LaNiO3膜13および金属電極膜12から構成される積層体である。図1Bに示される圧電体薄膜1bは、金属電極膜12上に、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、およびBi,Na,BaTiO3膜15を順に形成することにより、製造され得る。圧電体薄膜を製造する本発明の方法では、LaNiO3膜13を金属電極膜好ましくはPt膜12上に形成し得る。こうして、図1Bに示される圧電体薄膜1bが製造され得る。図1Cは、本発明による圧電体薄膜のまた別の一形態を示す。図1Cに示される圧電体薄膜1cは、積層構造16cを有する。積層構造16cは、図1Aに示される多層構造16aが導電膜17をさらに含む構造である。当該導電膜17は、Bi,Na,BaTiO3膜15上に形成されている。具体的には、積層構造16cは、001配向を有するLaNiO3膜13と、001配向を有するNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414と、001配向を有するBi,Na,BaTiO3膜15と、導電膜17とをこの順に有する。積層されたこれらの膜13~15および17は互いに接する。圧電体薄膜1cでは、LaNiO3膜13および導電膜17の間に、Bi,Na,BaTiO3膜15が挟まれている。LaNiO3膜13および導電膜17は、圧電体層であるBi,Na,BaTiO3膜15に電圧を印加する電極層として機能し得る。導電膜17は、導電性を有する材料により構成される。当該材料の例は、低い電気抵抗を有する金属である。当該材料は、NiO、RuO2、IrO3、SrRuO3、およびLaNiO3のような酸化物導電体であり得る。導電膜17は、2種以上のこれらの材料により構成され得る。導電膜17とBi,Na,BaTiO3膜15との間に、両者の密着性を向上させる密着層が配置され得る。密着層の材料の例は、チタンTiである。当該材料は、タンタルTa、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi、クロムCr、またはこれらの化合物であり得る。密着層は、2種以上のこれらの材料により構成され得る。密着層は、導電膜17とBi,Na,BaTiO3膜15との密着性に応じて、省略され得る。図1Cに示される圧電体薄膜1cは、LaNiO3膜13上に、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15、および導電膜17を順に形成することにより、製造され得る。導電膜17は、例えば、スパッタリング法、PLD法、CVD法、ゾルゲル法、およびAD法のような薄膜形成手法により形成され得る。圧電体薄膜を製造する本発明の方法は、Bi,Na,BaTiO3膜15上に導電膜17を形成する工程をさらに包含し得る。こうして、図1Cに示される圧電体薄膜1cが製造され得る。図1Dは、本発明による圧電体薄膜のさらに別の一形態を示す。図1Dに示される圧電体薄膜1dは、積層構造16dを有する。積層構造16dでは、図1Aに示される積層構造16aに金属電極膜12および導電膜17がさらに加えられている。積層構造16dでは、LaNiO3膜13が当該金属電極膜12上に形成されている。導電膜17がBi,Na,BaTiO3膜15上に形成されている。具体的には、積層構造16dは、金属電極膜12と、001配向を有するLaNiO3膜13と、001配向を有するNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414と、001配向を有するBi,Na,BaTiO3膜15と、導電膜17とをこの順に有する。積層されたこれらの膜12~15および17は互いに接する。圧電体薄膜1dの金属電極膜12は、LaNiO3膜13とともに、圧電体層であるBi,Na,BaTiO3膜15に電圧を印加する電極層として機能し得る。換言すれば、当該電極層は、LaNiO3膜13および金属電極膜12の積層体である。圧電体薄膜1dでは、さらに、LaNiO3膜13あるいはLaNiO3膜13を具備する当該電極層と導電膜17の間に、Bi,Na,BaTiO3膜15が挟まれている。LaNiO3膜13あるいはLaNiO3膜を具備する当該電極層および導電膜17は、圧電体層であるBi,Na,BaTiO3膜15に電圧を印加する電極層として機能し得る。図1Dに示される圧電体薄膜1dは、金属電極膜12上にLaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15、および導電膜17を順に形成して、製造され得る。圧電体薄膜を製造する本発明の方法は、LaNiO3膜13を金属電極膜好ましくはPt膜12上に形成する工程を包含し得る。さらに、当該方法は、Bi,Na,BaTiO3膜15上に導電膜17を形成する工程をさらに包含し得る。こうして、図1Dに示される圧電体薄膜1dが製造され得る。本発明の圧電体薄膜は、図1Eに示すように、基板11をさらに備え得る。LaNiO3膜は当該基板上に形成される。図1Eに示される圧電体薄膜1eでは、図1Dに示される積層構造16dが基板11上に形成されている。基板11は、シリコンSi基板であり得る。Si単結晶基板が好ましい。基板11と積層構造16dとの間より具体的には、基板11とLaNiO3膜13との間に、両者の密着性を向上させる密着層が配置され得る。ただし、密着層は導電性を必要とする。密着層の材料の例は、Tiである。当該材料は、Ta、Fe、Co、Ni、Crまたはこれらの化合物であり得る。密着層は、2種以上のこれらの材料により構成され得る。密着層は、基板11と積層構造16dとの密着性に応じて、省略され得る。図1Eに示す圧電体薄膜1eは、基板11上に、金属電極膜好ましくはPt膜12、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15、および導電膜17を順に形成して、製造され得る。圧電体薄膜を製造する本発明の方法は、LaNiO3膜13を基板11上に形成する工程を包含し得る。図1A~図1Dに示される圧電体薄膜1a~1dは、下地基板を用いて製造され得る。具体的には、当該圧電体薄膜1a~1dは、下地基板上に積層構造16a~16dを形成した後、当該下地基板を除去することによって製造され得る。当該下地基板は、エッチングのような公知の手法により除去され得る。図1Eに示される圧電体薄膜1eも、下地基板を用いて製造され得る。具体的な一形態では、下地基板が基板11を兼ねる具体的な別の形態では、下地基板上に積層構造16dを形成した後、当該下地基板を除去し、さらに、別途準備した基板11上に積層構造16dを配置することによって、当該圧電体薄膜1eは製造され得る。下地基板は、MgOのようなNaCl型構造を有する酸化物基板;SrTiO3、LaAlO3、およびNdGaO3のようなペロブスカイト型構造を有する酸化物基板;Al2O3のようなコランダム型構造を有する酸化物基板;MgAl2O4のようなスピネル型構造を有する酸化物基板;TiO2のようなルチル型構造を有する酸化物基板;および、La,SrAl,TaO3、イットリア安定化ジルコニアYSZのような立方晶系の結晶構造を有する酸化物基板;であり得る。下地基板は、ガラス基板;アルミナのようなセラミクス基板;および、ステンレスのような金属基板;の表面に、NaCl型の結晶構造を有する酸化物薄膜を積層することによって形成され得る。この場合、当該酸化物薄膜の表面に、金属電極膜12またはLaNiO3膜13が形成され得る。酸化物薄膜の例は、MgO薄膜、NiO薄膜、および酸化コバルトCoO薄膜である。圧電体薄膜を製造する本発明の方法は、上述したように、下地基板上に、直接あるいは金属電極膜12のような他の膜を介して、LaNiO3膜13を形成する工程を包含し得る。基板11を兼ね得る下地基板は除去された後、他の基板は配置され得る。このとき、当該他の基板は、金属電極膜12またはLaNiO3膜13に接するように配置され得る。当該他の基板は、Bi,Na,BaTiO3膜15に接するように配置され得る。後者によれば、当該他の基板上に、Bi,Na,BaTiO3膜15、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414およびLaNiO3膜13がこの順に積層された、圧電体薄膜が得られる。[インクジェットヘッド]以下、本発明のインクジェットヘッドを、図2~図12Bを参照しながら説明する。図2は、本発明のインクジェットヘッドの一形態を示す。図3は、図2に示されるインクジェットヘッド100における、圧力室部材およびアクチュエータ部を含む要部を示す分解図である。図2および図3における符号Aは、圧力室部材を指し示す。圧力室部材Aは、その厚み方向図の上下方向に貫通する貫通孔101を具備する。図3に示される貫通孔101は、圧力室部材Aの厚み方向に切断された当該貫通孔101の一部である。符号Bは、圧電体薄膜および振動層を具備するアクチュエータ部を指し示す。符号Cは、共通液室105およびインク流路107を具備するインク流路部材Cを指し示す。圧力室部材A、アクチュエータ部Bおよびインク流路部材Cは、圧力室部材Aがアクチュエータ部Bおよびインク流路部材Cに挟まれるように、互いに接合している。圧力室部材A、アクチュエータ部Bおよびインク流路部材Cが互いに接合した状態で、貫通孔101は、共通液室105から供給されたインクを収容する圧力室102を形成する。アクチュエータ部Bが具備する圧電体薄膜および振動層は、平面視において圧力室102と重複する。図2および図3における符号103は、圧電体薄膜の一部である個別電極層を指し示す。図2に示されるように、インクジェットヘッド100は、平面視においてジグザグ状に配置された2以上の個別電極層103を、即ち、圧電体薄膜を、具備する。インク流路部材Cは、平面視においてストライプ状に配置された2以上の共通液室105を具備する。図1および図2において、それぞれの共通液室105は、平面視において2以上の圧力室102と重複する。共通液室105は、インクジェットヘッド100におけるインク供給方向図2における矢印方向に伸びている。インク流路部材Cは、共通液室105内のインクを圧力室102に供給する供給口106と、圧力室102内のインクをノズル孔108から吐出するインク流路107とを具備する。通常、1つの供給孔106および1つのノズル孔108が、1つの圧力室102に対応付けられている。ノズル孔108は、ノズル板Dに形成されている。ノズル板Dは、圧力室部材Aとともにインク流路部材Cを挟むように、インク流路部材Cに接合している。図2における符号EはICチップを指し示す。ICチップEは、アクチュエータ部Bの表面に露出する個別電極層103に、ボンディングワイヤBWを介して電気的に接続されている。図2を明瞭にするために、一部のボンディングワイヤBWのみが図2に示される。図4Aおよび図4Bは、圧力室部材Aおよびアクチュエータ部Bを含む要部の構成を示す。図4Aおよび図4Bは、圧力室部材Aおよびアクチュエータ部Bにおける、インク供給方向図2における矢印方向に直交する断面を示す。アクチュエータ部Bは、第1の電極個別電極層103および第2の電極共通電極層112に挟まれた圧電体層15を有する圧電体薄膜104104a~104dを具備する。1つの個別電極層103は、1つの圧電体薄膜104a~104dに対応付けられている。共通電極層112は、圧電体薄膜104a~104dに共通する電極である。図4Aに示される圧電体薄膜104は、図1Cに示される積層構造16cを有する。当該構造は、個別電極層103であるLaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、圧電体層であるBi,Na,BaTiO3膜15および共通電極層112である導電膜17を、LaNiO3膜13側から、この順に具備する。図4Bに示される圧電体薄膜104は、図1Dに示される積層構造16dを有する。当該構造は、個別電極層103である金属電極膜Pt膜が好ましい12およびLaNiO3膜13、ならびにNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、圧電体層であるBi,Na,BaTiO3膜15および共通電極層112である導電膜17を、金属電極膜12側からこの順に有する。LaNiO3膜13は、金属電極膜12上に形成されている。図4Aおよび図4Bに示される圧電体薄膜104において、金属電極膜12、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15、および導電膜17は、基本的に、その好ましい形態を含め、本発明の圧電体薄膜に関する上述の説明のとおりである。共通電極層112である導電膜17は、導電性材料からなる密着層を表面に有するPt膜であり得る。当該導電性材料は、Tiが好ましい。なぜなら、Tiは、Bi,Na,BaTiO3膜15に対して高い密着性を有し、圧電体層と共通電極層との密着層として良好に機能し得るからである。第1の電極および第2の電極の間に印加される電圧が圧電体層15の変形を誘起し得る限り、第1の電極および第2の電極のいずれもが個別電極層であり得る。すなわち、本発明のインクジェットヘッドにおける圧電体薄膜は、共通電極層112、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、圧電体層であるBi,Na,BaTiO3膜15および個別電極層103を、この順に具備し得る。この場合、第1の電極である共通電極層112はLaNiO3膜13からなる。あるいは、共通電極層112は、LaNiO3膜13と金属電極膜12との積層体からなり、当該圧電体薄膜においてLaNiO3膜13がNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414と接するように配置される。個別電極層103は、導電膜17からなる。個別電極層103は0.05μm以上1μm以下の厚みを有することが好ましい。個別電極層103が金属電極膜12およびLaNiO3膜13の積層体である場合、LaNiO3膜13は0.05μm以上0.5μm以下の厚みを有することが好ましい。NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414は0.05μm以上0.5μm以下の厚みを有することが好ましい。Bi,Na,BaTiO3膜15は0.5μm以上5μm以下の厚みを有することが好ましい。共通電極層112は0.05μm以上0.5μm以下の厚みを有することが好ましい。アクチュエータ部Bは、振動層111をさらに具備する。振動層111は、圧電体薄膜104の共通電極層112に接合している。振動層111は、圧電効果による圧電体薄膜104の変形に応じて、振動層111の膜厚方向に変位する。個別電極層103および共通電極層112を介する圧電体層15への電圧の印加が、圧電効果による圧電体薄膜104の変形をもたらす。圧力室部材Aは、中間層113および接着層114を介して振動層111に接合している。圧力室部材Aおよび圧電体薄膜104が、振動層111を間に挟んでいる。1圧電効果による圧電体薄膜104の変形に応じて振動層111が変位し、2振動層111の変位に応じて圧力室102の容積が変化し、かつ、3圧力室102の容積の変化に応じて圧力室102内のインクが吐出し得る限り、振動層111の構成、圧電体薄膜104と振動層111との間の接合の状態、ならびに振動層111と圧力室部材Aとの間の接合の状態は、限定されない。図4Aおよび図4Bでは、振動層111は圧力室102の壁面を構成している。振動層111を構成する材料は、例えば、Crである。当該材料は、Ni、アルミニウムAl、Ta、タングステンW、シリコン、あるいはこれらの元素の酸化物、窒化物例えば、二酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化シリコンであり得る。振動層111の厚みは、2μm以上5μm以下が好ましい。接着層114を構成する材料は、例えば、接着剤または粘着剤である。当業者は、接着剤および粘着剤の種類を適切に選択し得る。中間層縦壁113は、圧力室部材Aが接着層114を介して振動層111に接合する際に、圧力室102に露出する振動層111の一部分に接着層114が付着することを防ぐ。当該一部分に付着した接着剤は、振動層111の変位を妨げる。中間層113を構成する材料は、インクジェットヘッド100の機能が維持される限り、限定されない。中間層113の材料は、例えば、Tiである。中間層113は、省略され得る。圧力室部材Aは、隣り合う圧力室102間に区画壁102aを有する。図2に示されるインクジェットヘッド100を製造する方法の一例を、図5A~図10を参照しながら説明する。最初に、図5Aに示されるように、下地基板120の上に、金属電極膜Pt膜が好ましい12、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4界面層14、Bi,Na,BaTiO3膜圧電体層15、導電膜17、振動層111および中間層113をこの順に形成して、積層体132を得る。各層膜を形成する薄膜形成手法は特に限定されない。当該手法の例は、PLD法、CVD法、ゾルゲル法、AD法、スパッタリング法である。当該手法は、スパッタリング法が好ましい。積層体132の形成とは別に、後に圧力室部材Aとなる部材を形成する。この部材は、例えば、Si基板好ましくはSi単結晶基板を微細加工して形成し得る。Si基板のサイズは、下地基板120のサイズよりも大きいことが好ましい図10参照。図10における符号130が、Si基板。符号130は、Si基板以外の他の基板であり得る。より具体的には、図5Bに示されるように、複数の貫通孔101が基板130に形成される。貫通孔101は、この部材が、別途形成したアクチュエータ部およびインク流路部材に接合した後、圧力室102として機能する。図5Bでは、1つの貫通孔群が4つの貫通孔101から構成される。基板130は、複数の当該貫通孔群を具備する。第1区画壁102aは、1つの貫通孔群に属する隣接する2つの貫通孔101を区分する。隣接する2つの貫通孔群を、第2区画壁102bが区分する。第2区画壁102bは、第1区画壁102aが有する幅の2倍以上の幅を有することが好ましい。貫通孔101は公知の微細加工手法により、基板130に設けられ得る。当該手法は、例えば、パターニングとエッチングとの組み合わせであり得る。エッチングは、ケミカルエッチングまたはドライエッチングであり得る。貫通孔101の形状は、望まれる圧力室102の形状に対応付けられ得る。以下、第1区画壁102aおよび第2区画壁102bを、まとめて区画壁102と呼ぶ。次に、図5Cに示されるように、区画壁102の上に接着層114を形成する。接着層114の形成方法は限定されない。当該方法は、例えば、電着法であり得る。その後、図6Aに示されるように、基板130は積層体132に接合する。当該接合によって、中間層113が基板130および積層体132の間に挟まれる。基板130のサイズが下地基板120のサイズよりも大きい場合、図10に示されるように、複数の積層体132図10に示される例では14の積層体。図10では、積層体132が具備する下地基板120が見えているが基板130に接合し得る。図6Aでは、基板130に2つの積層体132が接合する。図6Aでは、2つの積層体132の中心は、第2区画壁102bの延長線上に位置する。基板130の積層体132への接合により、導電膜17は共通電極層112となる。接着層114が熱硬化性の接着剤により構成される場合、基板130が積層体132に接合した後、熱を加えて接着層114を完全に硬化させることが好ましい。接合時に貫通孔101にはみ出した接着層114は、プラズマ処理によって除去され得る。次に、図6Bに示されるように、区画壁102をマスクとして用いて中間層113をエッチングする。当該エッチングは、貫通孔101の断面の形状に合致させるように行う。これにより、振動層111が貫通孔101に露出する。当該エッチングによって、中間層113は、平面視において区画壁102と同一の形状に変化する。中間層113は、区画壁102および接着層114とともに、縦壁を構成する。このようにして、基板130、中間層113および接着層114を具備する圧力室部材Aが形成される。図5B~図6Bに示される例では、貫通孔101が形成された基板130が、圧電体層15を含む積層体132に接合する。この手順に代えて、貫通孔101を具備しない基板130が積層体132に接合し、そして当該基板130に貫通孔101を形成して振動層111を露出させることによっても、圧力室部材Aは形成され得る。その後、図7Aに示されるように、下地基板120が、例えば、エッチングにより除去される。次に、図7Bに示されるように、フォトリソグラフィとエッチングとを組み合わせた微細加工によって、金属電極膜12およびLaNiO3膜13は、2以上の個別電極層103に変化する。各個別電極層103は、平面視において、個々の貫通孔101に対応付けられる。その後、図8Aに示されるように、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414およびBi,Na,BaTiO3膜15が微細加工される。微細加工したNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414およびBi,Na,BaTiO3膜15は、いずれも、平面視において個別電極層103の形状と同一の形状を有する。当該微細加工では、平面視における各層膜の中心が貫通孔101の中心に高い精度で一致することが好ましい。このようにして、個別電極層103金属電極膜12およびLaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15、および共通電極層112導電膜17から構成される圧電体薄膜104と、振動層111とを備えるアクチュエータ部Bが形成される。次に、図8Bに示されるように、共通電極層112、振動層111および基板130を、第2区画壁102bごとに切断して、2以上の部材133を得る。1つの部材133は、アクチュエータ部Bと、2以上の貫通孔101を有する圧力室部材Aとを具備している。アクチュエータ部Bは圧力室部材Aに接合している。上述した各手順とは別に、図9Aに示されるように、共通液室105、供給口106およびインク流路107を具備するインク流路部材Cと、ノズル孔108を具備するノズル板Dとが準備される。次に、図9Bに示されるように、インク流路部材Cの主面に垂直な方向から見てインク流路107がノズル孔108に重複するように、インク流路部材Cをノズル板Dに接合して接合体を得る。インク流路107に、ノズル孔108の全体が露出することが好ましい。両部材の接合方法は限定されず、例えば、接着剤が用いられ得る。その後、図9Cに示されるように、部材133は、図9Bに示される工程で準備した接合体に接合する。より具体的には、圧力室部材Aにおけるアクチュエータ部B側とは反対側の面が、インク流路部材Cにおけるノズル板D側とは反対側の面に接合する。接合時にはアライメント調整が行われ、当該接合によって貫通孔101を圧力室102として機能させる。接合方法は限定されず、例えば、接着剤が用いられ得る。このようにして、図9D図2に示されるインクジェットヘッド100が得られる。当業者は、金属電極膜12を具備しない圧電体薄膜104を備えるインクジェットヘッドを、図5A~図10に示される方法を応用して製造し得る。図11は、本発明の他のインクジェットヘッドを示す。図11に示されるインクジェットヘッド141は、図2~図4に示されるインクジェットヘッド100と比較して、簡易な構造を有する。具体的には、インクジェットヘッド100からインク流路部材Cが除去されている。図11に示されるインクジェットヘッド141は、以下の1~6を除き、図2~図4に示されるインクジェットヘッド100と同一である:1インク流路部材Cがなく、そしてノズル孔108を具備するノズル板Dが、直接、圧力室部材Aに接合している;2中間層113がなく、そして振動層111が、直接、圧力室部材Aに接合している;3振動層111と共通電極層112との間に密着層142が配置されており、当該密着層142がこれらの間の密着性を向上させている;4共通電極層112が、金属電極膜12とLaNiO3膜13との積層体である;5個別電極層103が導電膜17である;6共通電極層112側から、共通電極層112金属電極膜12およびLaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15および個別電極層103導電膜17が順に積層されている。共通電極層112は、第1の電極として機能する。個別電極層103は、第2の電極として機能する。密着層142を構成する材料は、例えば、Tiである。図11に示されるインクジェットヘッド141は、例えば、図12Aおよび図12Bに示される方法によって製造され得る。最初に、図12Aに示されるように、基板130の一方の主面に、振動層111、密着層142、共通電極層112金属電極膜12およびLaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15および導電膜17を、この順に形成する。各層膜の形成手法は、上述したとおりである。当該手法は、スパッタリング法が好ましい。この実施形態では、基板130がSiである場合、当該基板の表面を酸化することによって、二酸化シリコンにより構成される振動層111を形成し得る。このとき、振動層111の厚みは、0.5~10μmであり得る。次に、図12Bに示されるように、基板130において圧力室102が形成される位置に貫通孔101が形成される。次に、基板130の主面に垂直な方向から見て、貫通孔101の中心が、導電膜17、Bi,Na,BaTiO3膜15およびNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414の各層の中心に一致するように、これらの層に微細加工が施される。当該微細加工によって、導電膜17が個別電極層103に変化する。貫通孔101の形成および各層の微細加工には、パターニングとエッチングとを組み合わせた公知の微細加工手法が用いられ得る。パターニングには、レジストのスピンコートが用いられ得る。エッチングはドライエッチングが好ましい。貫通孔101の形成には異方性ドライエッチングが好ましい。ドライエッチングでは、フッ素原子を含む有機ガスとアルゴンとの混合ガスが使用され得る。異方性ドライエッチングでは、当該混合ガスが、さらに六フッ化硫黄ガスを含み得る。最後に、基板130は、別途形成しておいたノズル孔108を有するノズル板と接合し、図11に示されるインクジェットヘッド141を得る。接合時には、アライメント調整が行われ、これらの接合によって貫通孔101を圧力室102として機能させる。接合する方法は限定されず、例えば、接着剤が用いられ得る。ノズル孔108は、リソグラフィー法、レーザー加工法、放電加工法のような微細加工手法により、ノズル板に形成し得る。[インクジェットヘッドを用いた画像形成方法]本発明の画像を形成する方法は、上述した本発明のインクジェットヘッドにおいて、第1および第2の電極すなわち、個別電極層および共通電極層を介して圧電体層に電圧を印加し、圧電効果により振動層を当該層の膜厚方向に変位させて圧力室の容積を変化させる工程、ならびに当該変位により圧力室からインクを吐出させる工程を含有する。紙のような画像形成対象物とインクジェットヘッドとの間の相対位置を変化させながら、圧電体層に印加する電圧を変化させてインクジェットヘッドからのインクの吐出タイミングおよび吐出量を制御することによって、対象物の表面に画像が形成される。本明細書において用いられる用語画像は、文字を含む。換言すれば、本発明の画像を形成する方法により、紙のような印刷対象物に、文字、絵、図形などが印刷される。当該方法では、高い表現力を有する印刷をなし得る。[角速度センサ]図13A、図13B、図14Aおよび図14Bは、本発明の角速度センサの一例を示す。図14Aは、図13Aに示される角速度センサ21aの断面E1を示す。図14Bは、図13Bに示される角速度センサ21bの断面E2を示す。図13A~図14Bに示される角速度センサ21a、21bは、いわゆる音叉型角速度センサである。これは車両用ナビゲーション装置およびデジタルスチルカメラの手ぶれ補正センサに使用され得る。図13A~図14Bに示される角速度センサ21a、21bは、振動部200bを有する基板200と、振動部200bに接合された圧電体薄膜208とを備える。基板200は、固定部200aと、固定部200aから所定の方向に伸びた一対のアーム振動部200bとを具備する。振動部200bが延びる方向は、角速度センサ21が測定する角速度の回転中心軸Lが延びる方向と同一である。具体的には、当該方向は、図13A、13BではY方向である。基板200の厚み方向図13A、13BにおけるZ方向から見て、基板200は2本のアーム振動部200bを有する音叉の形状を有している。基板200を構成する材料は限定されない。当該材料は、例えば、Si、ガラス、セラミクス、金属である。基板200は、Si単結晶基板であり得る。基板200の厚みは、角速度センサ21a、21bとしての機能が発現できる限り、限定されない。より具体的には、基板200の厚みは0.1mm以上0.8mm以下である。固定部200aの厚みは、振動部200bの厚みと異なり得る。圧電体薄膜208は、振動部200bに接合している。圧電体薄膜208は、圧電体層であるBi,Na,BaTiO3膜15と、界面層であるNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414と、第1の電極202および第2の電極205と、を備える。圧電体層であるBi,Na,BaTiO3膜15は、第1の電極202および第2の電極205の間に挟まれている。圧電体薄膜208は、第1の電極202、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15および第2の電極205が、この順に積層された積層構造を有する。図13Aおよび図14Aに示される圧電体薄膜208では、第1の電極202は、金属電極膜Pt膜が好ましい12およびLaNiO3膜13の積層体である。LaNiO3膜13がNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414に接する。当該圧電体薄膜208は、金属電極膜12、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15および第2の電極205が、この順に積層された積層構造を有する。すなわち、図13Aおよび図14Aに示される圧電体薄膜208は、第2の電極205を導電膜17と考えて、図1Dに示される圧電体薄膜1dと同一である。図13Bおよび図14Bに示される圧電体薄膜208では、第1の電極202は、LaNiO3膜13である。当該圧電体薄膜208は、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15および第2の電極205が、この順に積層された積層構造を有する。すなわち、図13Bおよび図14Bに示される圧電体薄膜208は、第2の電極205を導電膜17と考えて、図1Cに示される圧電体薄膜1cと同一である。図13A~図14Bに示される圧電体薄膜208において、金属電極膜12、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414およびBi,Na,BaTiO3膜15は、その好ましい形態を含め、基本的に、本発明の圧電体薄膜に関する上述の説明のとおりである。第2の電極205を構成する材料は限定されず、例えば、Cuである。Cu電極は、Bi,Na,BaTiO3膜15に対する高い密着性を有することから、好ましい。第2の電極205は、導電性材料からなる密着層を表面に有するPt電極膜またはAu電極膜であり得る。密着層を構成する材料は、例えば、Tiである。Tiは、Bi,Na,BaTiO3膜15に対する高い密着性を有する。第2の電極205は、駆動電極206およびセンス電極207を含む電極群を具備する。駆動電極206は、振動部200bを発振させる駆動電圧を圧電体層15に印加する。センス電極207は、振動部200bに加わった角速度によって振動部200bに生じた変形を測定する。振動部200bの発振方向は、通常、その幅方向図13A、13BにおけるX方向である。より具体的には、図13A~図14Bに示される角速度センサでは、一対の駆動電極206が、振動部200bの幅方向に対する両端部に、振動部200bの長さ方向図13A、13BのY方向に沿って設けられている。1本の駆動電極206が、振動部200bの幅方向に対する一方の端部に設けられ得る。図13A~図14Bに示される角速度センサでは、センス電極207は、振動部200bの長さ方向に沿って設けられており、かつ一対の駆動電極206の間に挟まれている。複数のセンス電極207が、振動部200b上に設けられ得る。センス電極207によって測定される振動部200bの変形は、通常、その厚み方向図13A、13BにおけるZ方向の撓みである。本発明の角速度センサでは、第1の電極および第2の電極から選ばれる一方の電極が、駆動電極とセンス電極とを含む電極群により構成され得る。図13A~図14Bに示される角速度センサ21a、21bでは、第2の電極205が当該電極群により構成される。当該角速度センサとは異なり、第1の電極202が当該電極群により構成され得る。一例として、基板200から見て、第2の電極205、Bi,Na,BaTiO3膜15、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414および第1の電極202第1の電極は、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414に接するLaNiO3膜13を具備するが、この順に積層され得る。接続端子202a、206aおよび207aが、第1の電極202の端部、駆動電極206の端部およびセンス電極207の端部に、それぞれ形成されている。各接続端子の形状および位置は限定されない。図13A、13Bでは、接続端子は固定部200a上に設けられている。第1の電極202の厚みは、0.05μm以上1μm以下が好ましい。第1の電極202が金属電極膜12とLaNiO3膜13との積層体である場合、LaNiO3膜13の厚みは0.05μm以上0.5μm以下が好ましい。NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414の厚みは、0.05μm以上0.5μm以下が好ましい。Bi,Na,BaTiO3膜15の厚みは、0.5μm以上5μm以下が好ましい。第2の電極205の厚みは、0.05μm以上0.5μm以下が好ましい。図13A~図14Bに示される角速度センサでは、圧電体薄膜208は、振動部200bおよび固定部200aの双方に接合している。しかし、圧電体薄膜208が振動部200bを発振させることができ、かつ振動部200bに生じた変形が圧電体薄膜208によって測定され得る限り、圧電体薄膜208の接合の状態は限定されない。例えば、圧電体薄膜208は、振動部200bのみに接合され得る。本発明の角速度センサは、一対の振動部200bからなる振動部群を2以上有し得る。そのような角速度センサは、複数の回転中心軸に対する角速度を測定し得、2軸あるいは3軸の角速度センサとして機能し得る。図13A~図14Bに示される角速度センサは、一対の振動部200bからなる1つの振動部群を有する。本発明の角速度センサは、上述した本発明の圧電体薄膜の製造方法を応用して、例えば、以下のように製造され得る。ただし、以下に示される方法は、第1の電極202が金属電極膜12を具備する場合の方法である。当業者は、第1の電極202が金属電極膜12を具備しない場合についても、以下の方法を応用し得る。最初に、金属電極膜Pt膜が好ましい12、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15および導電膜17を、基板例えばSi基板の表面に、この順に形成する。各層膜の形成には、上述した薄膜形成手法を適用し得る。当該手法は、スパッタリング法が好ましい。次に、導電膜17をパターニングにより微細加工して、駆動電極206およびセンス電極207により構成される第2の電極205を形成する。さらに、微細加工により、Bi,Na,BaTiO3膜15、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、LaNiO3膜13および金属電極膜12をパターニングする。そして、微細加工により基板をパターニングして、振動部200bを形成する。このようにして、本発明の角速度センサが製造され得る。微細加工の方法は、例えばドライエッチングである。本発明の角速度センサは、下地基板を用いた転写を応用して製造され得る。具体的には、例えば、以下の方法を適用し得る。最初に、金属電極膜12、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15および導電膜17を、下地基板の表面に、この順に形成する。次に、形成された積層体を他の新たな基板に、当該基板と当該導電膜17とが接するように、接合する。次に、下地基板を公知の方法により除去する。次に、各層膜を微細加工によりパターニングして、本発明の角速度センサが製造され得る。当該積層体および当該新たな基板は、例えば接着層を介して接合し得る。当該接着層の材料は、当該積層体が当該新たな基板に安定して接着する限り限定されない。より具体的には、アクリル樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、シリコーン系接着剤、およびポリイミド系接着剤が用いられ得る。このとき、接着層は0.2μm以上1μm以下の厚みを有することが好ましい。[角速度センサによる角速度の測定方法]本発明の角速度を測定する方法は、本発明の角速度センサを用いて、駆動電圧を圧電体層に印加して、基板の振動部を発振させる工程、および発振中の振動部に加わった角速度によって振動部に生じた変形を測定することによって当該角速度の値を得る工程、を有する。第1の電極および第2の電極のうち、駆動電極およびセンス電極として機能しない電極他方の電極と、駆動電極との間に駆動電圧が印加され、圧電体層に駆動電圧が印加される。他方の電極およびセンス電極が、角速度によって、発振中の振動部に生じた変形を測定する。以下、図13A、13Bに示される角速度センサ21a、21bを用いた角速度の測定方法を説明する。振動部200bの固有振動と共振する周波数の駆動電圧が、第1の電極202および駆動電極206を介して圧電体層であるBi,Na,BaTiO3膜15に印加され、振動部200bを発振させる。駆動電圧は、例えば、第1の電極202を接地し、かつ駆動電極206の電位を変化させることで印加され得る換言すれば、駆動電圧は、第1の電極202と駆動電極206との間の電位差である。角速度センサ21a、21bは、音叉の形状に配列された一対の振動部200bを有する。通常、一対の振動部200bのそれぞれが有する各駆動電極206に、正負が互いに逆である電圧をそれぞれ印加する。これにより、各振動部200bを、互いに逆方向に振動するモード図13A、13Bに示される回転中心軸Lに対して対称的に振動するモードで発振させることができる。図13A、13Bに示される角速度センサ21a、21bでは、振動部200bはその幅方向X方向に発振する。一対の振動部200bの一方のみを発振させることによっても角速度の測定は可能である。しかし、高精度の測定のためには、両方の振動部200bを互いに逆方向に振動するモードで発振させることが好ましい。振動部200bが発振している角速度センサ21a、21bに対して、その回転中心軸Lに対する角速度ωが加わるとき、各振動部200bは、コリオリ力によって厚み方向Z方向に撓む。一対の振動部200bが互いに逆方向に振動するモードで発振している場合、各振動部200bは、互いに逆向きに、同じ変化量だけ撓むことになる。この撓みに応じて、振動部200bに接合した圧電体層15も撓み、第1の電極202とセンス電極207との間に、圧電体層15の撓みに応じた、即ち、生じたコリオリ力に対応した電位差が生じる。この電位差の大きさを測定することで、角速度センサ21a、21bに加わった角速度ωを測定することができる。コリオリ力Fcと角速度ωとの間には以下の関係が成立する。Fc=2mvωここで、vは、発振中の振動部200bにおける発振方向の速度である。mは、振動部200bの質量である。この式に示されているように、コリオリ力Fcから角速度ωを算出し得る。[圧電発電素子]図15A、図15B、図16Aおよび図16Bは、本発明の圧電発電素子の一例を示す。図16Aは、図15Aに示される圧電発電素子22aの断面F1を示す。図16Bは、図15Bに示される圧電発電素子22bの断面F2を示す。圧電発電素子22a、22bは、外部から与えられた機械的振動を電気エネルギーに変換する素子である。圧電発電素子22a、22bは、車両および機械の動力振動および走行振動、ならびに歩行時に生じる振動、に包含される種々の振動から発電する自立的な電源装置に好適に適用される。図15A~図16Bに示される圧電発電素子22a、22bは、振動部300bを有する基板300と、振動部300bに接合された圧電体薄膜308とを具備する。基板300は、固定部300aと、固定部300aから所定の方向に伸びた梁により構成される振動部300bと、を有する。固定部300aを構成する材料は、振動部300bを構成する材料と同一であり得る。しかし、これらの材料は互いに異なり得る。互いに異なる材料により構成された固定部300aが、振動部300bに接合され得る。基板300を構成する材料は限定されない。当該材料は、例えば、Si、ガラス、セラミクス、金属である。基板300は、Si単結晶基板であり得る。基板300は、例えば、0.1mm以上0.8mm以下の厚みを有する。固定部300aは振動部300bの厚みと異なる厚みを有し得る。振動部300bの厚みは、振動部300bの共振周波数を変化させて効率的な発電が行えるように調整され得る。錘荷重306が振動部300bに接合している。錘荷重306は、振動部300bの共振周波数を調整する。錘荷重306は、例えば、Niの蒸着薄膜である。錘荷重306の材料、形状および質量ならびに錘荷重306が接合される位置は、求められる振動部300bの共振周波数に応じて調整され得る。錘荷重306は省略され得る。振動部300bの共振周波数が調整されない場合には、錘荷重306は不要である。圧電体薄膜308は、振動部300bに接合している。圧電体薄膜308は、圧電体層であるBi,Na,BaTiO3膜15と、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414と、第1の電極302および第2の電極305と、を備える。Bi,Na,BaTiO3膜15は、第1の電極302および第2の電極305の間に挟まれている。圧電体薄膜308は、第1の電極302、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15および第2の電極305が、この順に積層された積層構造を有する。図15Aおよび図16Aに示される圧電体薄膜308では、第1の電極302は、金属電極膜12およびLaNiO3膜13の積層体である。LaNiO3膜13がNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414に接する。当該圧電体薄膜308は、金属電極膜12、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15および第2の電極305が、この順に積層された積層構造を有する。すなわち、図15Aおよび図16Aに示される圧電体薄膜308は、第2の電極305を導電膜17と考えて、図1Dに示される圧電体薄膜1dと同一である。図15Bおよび図16Bに示される圧電体薄膜308では、第1の電極302は、LaNiO3膜13である。当該圧電体薄膜308は、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15および第2の電極305が、この順に積層された積層構造を有する。すなわち、図15Bおよび図16Bに示される圧電体薄膜308は、第2の電極305を導電膜17と考えて、図1Cに示される圧電体薄膜1cと同一である。図15A~図16Bに示される圧電体薄膜308において、金属電極膜12、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414およびBi,Na,BaTiO3膜15は、その好ましい形態を含め、基本的に、本発明の圧電体薄膜に関する上述の説明のとおりである。第2の電極305は、例えば、Cu電極膜であり得る。Cu電極は、Bi,Na,BaTiO3膜15に対する高い密着性を有することから、好ましい。第2の電極305は、導電性材料からなる密着層を表面に有するPt電極膜またはAu電極膜であり得る。密着層を構成する材料は、例えば、Tiである。Tiは、Bi,Na,BaTiO3膜15に対する高い密着性を有する。図15A~図16Bに示される圧電発電素子では、第1の電極302の一部分が露出している。当該一部分は接続端子302aとして機能し得る。第1の電極302の厚みは、0.05μm以上1μm以下が好ましい。第1の電極302が金属電極膜12とLaNiO3膜13との積層体である場合、LaNiO3膜13の厚みは0.05μm以上0.5μm以下が好ましい。NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414の厚みは、0.05μm以上0.5μm以下が好ましい。Bi,Na,BaTiO3膜15の厚みは、0.5μm以上5μm以下が好ましい。第2の電極305の厚みは、0.05μm以上0.5μm以下が好ましい。図15A~図16Bに示される圧電発電素子では、振動部300bを有する基板300側から見て、第1の電極302、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15および第2の電極305が、この順に積層されている。これらの層の積層順序は逆であり得る。即ち、振動部を有する基板側から見て、第2の電極、Bi,Na,BaTiO3膜、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4および第1の電極第1の電極は、当該NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4に接するLaNiO3膜を具備するが、この順に積層され得る。図15A~図16Bに示される圧電発電素子では、圧電体薄膜308は、振動部300bおよび固定部300aの双方に接合し得る。圧電体薄膜308は、振動部300bのみに接合し得る。本発明の圧電発電素子では、複数の振動部300bを有することで、発生する電力量を増大し得る。各振動部300bが有する共振周波数を変化させることにより、広い周波数成分からなる機械的振動への対応が可能となる。本発明の圧電発電素子は、上述した本発明の圧電体薄膜の製造方法を応用して、例えば、以下のように製造され得る。ただし、以下に示される方法は、第1の電極302が金属電極膜12を具備する場合の方法である。当業者は、第1の電極302が金属電極膜12を具備しない場合についても、以下の方法を応用し得る。最初に、金属電極膜Pt膜が好ましい12、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15および導電膜17を、基板例えばSi基板の表面に、この順に形成する。各層膜の形成には、上述した薄膜形成手法を適用し得る。当該手法は、スパッタリング法が好ましい。次に、導電膜17をパターニングにより微細加工して、第2の電極305を形成する。さらに微細加工により、Bi,Na,BaTiO3膜15、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、LaNiO3膜13および金属電極膜12をパターニングする。LaNiO3膜13および金属電極膜12のパターニングにより、接続端子302aが併せて形成される。そして、微細加工により基板をパターニングして、固定部300aおよび振動部300bが形成される。このようにして、本発明の圧電発電素子が製造され得る。振動部300bの共振周波数の調整が必要とされる場合は、公知の方法により、錘荷重306が振動部300bに接合する。微細加工の方法は、例えばドライエッチングである。本発明の圧電発電素子は、下地基板を用いた転写を応用して製造され得る。具体的には、例えば、以下の方法を適用し得る。最初に、金属電極膜12、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414、Bi,Na,BaTiO3膜15および導電膜17を、下地基板の表面に、この順に形成する。次に、形成された積層体を他の新たな基板に、当該基板と当該導電膜17とが接するように、接合する。次に、下地基板を公知の方法により除去する。次に、各層膜を微細加工によりパターニングして、本発明の圧電発電素子が製造され得る。当該積層体および当該新たな基板は、例えば接着層を介して接合し得る。当該接着層の材料は、当該積層体が当該新たな基板に安定して接着する限り限定されない。より具体的には、アクリル樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、シリコーン系接着剤、およびポリイミド系接着剤が用いられ得る。このとき、接着層は0.2μm以上1μm以下の厚みを有することが好ましい。[圧電発電素子を用いた発電方法]上述した本発明の圧電発電素子に振動を与えることにより、第1の電極および第2の電極を介して電力が得られる。外部から圧電発電素子22a、22bに機械的振動が与えられると、振動部300bが、固定部300aに対して上下に撓む振動を始める。当該振動が、圧電効果による起電力を圧電体層であるBi,Na,BaTiO3膜15に生じる。このようにして、圧電体層15を挟持する第1の電極302と第2の電極305との間に電位差が発生する。圧電体層15が有する圧電性能が高いほど、第1および第2の電極間に発生する電位差は大きくなる。特に、振動部300bの共振周波数が、外部から素子に与えられる機械的振動の周波数に近い場合、振動部300bの振幅が大きくなることで発電特性が向上する。そのため、錘荷重306によって、振動部300bの共振周波数が外部から素子に与えられる機械的振動の周波数に近くなるように調整されることが好ましい。実施例以下、実施例を用いて、本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。実施例1実施例1では、図1Eに示される圧電体薄膜を作製した。当該圧電体薄膜は、基板11、金属電極膜12、LaNiO3膜13、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜x=0.35界面層14、Bi,Na,BaTiO3膜圧電体層15および導電膜17を順に具備する。当該圧電体薄膜を、以下のように作製した。100の面方位を有するSi単結晶基板の表面に、RFマグネトロンスパッタリングにより、111配向を有するPt層厚み100nmを形成した。当該Pt層は、金属電極膜12に対応する。ターゲットとして金属Ptを用い、アルゴンArガスの雰囲気下にて、RF出力15Wおよび基板温度300°Cの成膜条件で当該Pt層を形成した。当該Pt層を形成する前に、Ti層厚み2.5nmをSi単結晶基板の表面に形成し、Si単結晶基板とPt層との間の密着性を向上させた。当該Ti層は、金属Ptに代えて金属Tiをターゲットとして用いたこと以外は、当該Pt層の形成方法と同じ方法によりにより形成された。次に、Pt層の表面に、RFマグネトロンスパッタリングにより、001配向を有するLaNiO3膜厚み200nmを形成した。ターゲットとしてストイキオメトリ組成を有するLaNiO3を用い、Arと酸素との混合ガス流量比Ar/O2が80/20の雰囲気下にて、RF出力100Wおよび基板温度300°Cの成膜条件下で当該LaNiO3膜13を形成した。次に、LaNiO3膜の表面に、RFマグネトロンスパッタリングにより、001配向を有するNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜x=0.35厚み100nmを形成した。上記の組成を有するターゲットを用い、Arと酸素との混合ガス流量比Ar/O2が50/50の雰囲気下にて、RF出力170Wおよび基板温度650°Cの成膜条件下で当該NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜x=0.3514を形成した。作製したNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜x=0.3514の組成は、エネルギー分散型X線分光法SEM-EDXによって分析された。SEM-EDXを用いた測定では、酸素Oのような軽元素の分析精度が劣るため、当該軽元素の正確な定量は困難であった。しかし、作製したNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜x=0.3514に含まれるNa,Bi,Ba,およびTiの組成は、ターゲットと同一であることが確認された。次に、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜x=0.3514の表面に、RFマグネトロンスパッタリングにより、[Bi0.5Na0.5TiO3]0.95-[BaTiO3]0.05膜厚み2.7μmを形成した。当該膜は、Bi,Na,BaTiO3膜15に対応する。上記の組成を有するターゲットを用い、Arと酸素との混合ガス流量比Ar/O2が50/50の雰囲気下にて、RF出力170Wおよび基板温度650°Cの成膜条件下で当該膜15を形成した。形成した[Bi0.5Na0.5TiO3]0.95-[BaTiO3]0.05膜Bi,Na,BaTiO3膜の結晶構造を、X線回折によって解析した。X線回折は、Bi,Na,BaTiO3膜の上からX線を入射して行なわれた。図17は、X線回折の結果、すなわち、X線回折のプロファイルを示す。以降の比較例においても、同一のX線回折が適用された。図17は、実施例1のX線回折の結果だけでなく、実施例2~6および比較例1~6のX線解析の結果も示す。図17は、X線回折プロファイルの結果を示す。Si基板およびPt層に由来する反射ピークを除き、001配向を有するBi,Na,BaTiO3膜に由来する反射ピークのみが観察された。当該001反射ピークの強度は、23,315cpsであり、非常に強かった。図17に示されるプロファイルは、実施例で作製されたBi,Na,BaTiO3膜が極めて高い001配向性を有することを意味する。続いて、当該プロファイルにおけるBi,Na,BaTiO3膜に由来する001反射ピークの半値幅を、ロッキングカーブ測定により求めた。ロッキングカーブ測定は、測定対象とする反射ピークの回折角2θに検出器detectorを固定した状態で、試料へのX線の入射角ωをスキャンさせることによって行われた。測定された半値幅は、膜の主面に垂直な方向に対する結晶軸の傾きの程度に対応している。半値幅が小さいほど、結晶性が高い。測定された半値幅は1.45°であり、非常に小さかった。これは、実施例で作製されたBi,Na,BaTiO3膜が極めて高い結晶性を有することを意味する。以降の比較例においても、同一のロッキングカーブ測定が適用された。次に、Bi,Na,BaTiO3膜の表面に、蒸着により、Au層厚み100nmを形成した。当該Au層は、導電膜17に対応する。このようにして、実施例の圧電体薄膜が作製された。図18は、実施例の圧電体薄膜のP-Eヒステリシス曲線を示す。図18に示されるように、Pt層およびAu層を介して圧電体層へ印加する電圧を増加させると、圧電体薄膜が良好な強誘電特性を現すことが確認された。インピーダンスアナライザを用いて1kHzにおける誘電損失tanδを測定した。当該圧電体薄膜のtanδは4.0であった。これは、当該圧電体薄膜のリーク電流が小さいことを意味する。圧電体薄膜の圧電性能は、以下のように評価した。圧電体薄膜を幅2mmAu層の幅を含んでに切り出して、カンチレバー状に加工した。次に、Pt層とAu層との間に電位差を印加してカンチレバーを変位させて得られた変位量をレーザー変位計により測定した。次に、測定された変位量を圧電定数d31に変換し、当該圧電定数d31により圧電性能を評価した。実施例で作製した圧電体薄膜のd31は-82pC/Nであった。実施例2x=0.40である他は、実施例1と同様に実験を行った。実施例2による001反射ピークの強度は、15,272cpsであり、非常に強かった。測定された半値幅は、非常に小さかった。実施例3x=0.29である他は、実施例1と同様に実験を行った。実施例2による001反射ピークの強度は、9,956cpsであり、非常に強かった。測定された半値幅は、非常に小さかった。実施例4実施例4では、MgO100単結晶基板/Pt層/0.93NaxBi0.5TiO0.5x2.75-0.07BaTiO3x=0.350から構成される界面層/圧電体層/Au層から構成される積層構造を形成した。その作製手順は以下の通りである。スパッタ法によって、001面方位に配向した膜厚250nmのPt層を、MgO100単結晶基板上に形成した。ターゲットには金属Ptを使用し、Arガス雰囲気にて、RFパワー15W、基板温度400°Cの条件の下、成膜を行った。その後、スパッタ法によって、001面に配向した100nmの膜厚を有する0.93NaxBi0.5TiO0.5x2.75-0.07BaTiO3x=0.350からなる界面層を形成した。上記組成のターゲットを使用し、ガスの流量比がAr/O2=50/50、RFパワー170W、基板温度650°Cの条件の下、成膜を行った。SEM-EDXによる組成分析の結果、ターゲットと界面層のNa,Bi,Ba,Ti組成が同一であることを確認した。スパッタ法によって、2.7μmの膜厚を有する0.93Bi0.5Na0.5TiO3-0.07BaTiO3薄膜を形成した。上記組成のターゲットを使用し、ガスの流量比がAr/O2=50/50、RFパワー170W、基板温度650°Cの条件の下、成膜を行った。SEM-EDXによる組成分析の結果、ターゲットと圧電体層20のNa,Bi,Ba,Ti組成が同一であることを確認した。得られたNa,BiTiO3-BaTiO3圧電体層をXRDによって評価した。観測された反射ピークは、Na,BiTiO3-BaTiO3圧電体層が001面方位へと配向したことによる反射ピークのみであった。その001ピーク強度も179,097cpsと非常に強かった。実施例5実施例5では、Si100単結晶基板/NiO薄膜/Pt層/0.93NaxBi0.5TiO0.5x2.75-0.07BaTiO3x=0.350から構成される界面層/圧電体層/Au層から構成される積層構造を形成した。その作製手順は以下の通りである。001面方位に配向したNaCl型構造を有するNiO薄膜をプラズマMOCVD法にて、Si100単結晶基板上に形成した。原料ガスにニッケルアセチルアセトナートを用い、RFパワー100W、基板温度400°Cの条件下で膜厚400nmの薄膜を形成した。その後、スパッタ法によって、001面方位に配向した250nmの厚みを有するPt層を形成した。ターゲットには金属Ptを使用し、Arガス雰囲気にて、RFパワー15W、基板温度400°Cの条件の下、成膜を行った。スパッタ法によって、001面に配向した膜厚100nmの0.93NaxBi0.5TiO0.5x2.75-0.07BaTiO3x=0.350からなる界面層を形成した。上記組成のターゲットを使用し、ガスの流量比がAr/O2=50/50、RFパワー170W、基板温度650°Cの条件の下、成膜を行った。SEM-EDXによる組成分析の結果、ターゲットと界面層のNa,Bi,Ba,Ti組成が同一であることを確認した。スパッタ法によって、膜厚2.7μmの0.93Bi0.5Na0.5TiO3-0.07BaTiO3薄膜を形成した。上記組成のターゲットを使用し、ガスの流量比がAr/O2=50/50、RFパワー170W、基板温度650°Cの条件の下、成膜を行った。SEM-EDXによる組成分析の結果、ターゲットと圧電体層のNa,Bi,Ba,Ti組成が同一であることを確認した。作製したNa,BiTiO3-BaTiO3圧電体層について、XRDによる構造評価を行った。観測された反射ピークは、Na,BiTiO3-BaTiO3圧電体層が001面方位へと配向したことによる反射ピークのみであり、その001ピーク強度も30,926cpsと非常に強かった。実施例6実施例6では、Si100単結晶基板に代えて、ステンレス製の金属板をもちいたこと以外は、実施例5と同様に実験した。観測された反射ピークは、Na,BiTiO3-BaTiO3圧電体層が001面方位へと配向したことによる反射ピークのみであり、その001ピーク強度も28,923cpsと非常に強かった。比較例1比較例1では、図19に示される構造を有する圧電体薄膜を作製した。当該圧電体薄膜は、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414を具備しないこと以外は、実施例1で作製した圧電体薄膜と同一の構造を有した。すなわち、当該圧電体薄膜では、基板11、金属電極膜12、LaNiO3膜13、圧電体層であるBi,Na,BaTiO3膜31、および導電膜17が、この順に積層されていた。当該圧電体薄膜は、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.414を形成しなかったこと以外は実施例1と同様の手法により作製した。図17に示されるように、NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4を具備しない比較例1においても、001配向を有するBi,Na,BaTiO3膜に由来する反射ピークが観察された。しかし、Bi,Na,BaTiO3膜における他の結晶配向110に由来する反射ピークも観察された。上記001反射ピークの強度は、2,661cpsであり、実施例におけるピーク強度3,692cpsに比べて低かった。これは、比較例1のBi,Na,BaTiO3膜が、実施例1のBi,Na,BaTiO3膜と比べてより劣った配向性を有することを意味する。上記001反射ピークの半値幅は2.89°であり、実施例1の半値幅よりも大きかった。これは、比較例1のBi,Na,BaTiO3膜が、実施例1のBi,Na,BaTiO3膜と比べてより劣った配向性を有することを意味する。次に、Bi,Na,BaTiO3膜31の表面に、蒸着により、Au層厚み100nmを形成した。このようにして、比較例1の圧電体薄膜が作製された。圧電体薄膜が具備するPt層およびAu層を用いて、当該圧電体薄膜の強誘電特性および圧電性能の評価を試みた。しかし、圧電体薄膜におけるリーク電流が非常に大きかったため、P-Eヒステリシス曲線を正確に測定することが困難であった図18参照。インピーダンスアナライザを用いて、誘電損失を周波数1kHzで測定した。当該圧電体薄膜のtanδは40であった。比較例1の圧電体薄膜は、このような大きなリーク電流を有するため、比較例1の圧電体薄膜が有する正確な圧電定数d31の値を求めることは困難であった。推定される圧電定数d31は、およそ-40pC/Nであった。比較例2比較例2では、x=0.425であること以外は、実施例1と同様に実験した。比較例2による001反射ピークの強度は、1,964cpsであり、非常に弱かった。従って、半値幅を測定する意味はなかった。比較例3比較例3では、x=0.280であること以外は、実施例1と同様に実験した。比較例3による001反射ピークの強度は、2,607cpsであり、非常に弱かった。従って、半値幅を測定する意味はなかった。比較例4比較例4では、当該圧電体薄膜がNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4を具備しないこと以外は、実施例4で作製した圧電体薄膜と同一の構造を有していた。比較例4による001反射ピークの強度は、30,893cpsであった。しかし、観測された反射ピークには、Na,BiTiO3-BaTiO3圧電体層20が001面方位へと配向したことによる反射ピークだけでなく、他の複数の反射ピークが含まれていた。比較例5比較例5では、当該圧電体薄膜がNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4を具備しないこと以外は、実施例5で作製した圧電体薄膜と同一の構造を有していた。比較例5による001反射ピークの強度は、3,454cpsであり、非常に弱かった。さらに、観測された反射ピークには、Na,BiTiO3-BaTiO3圧電体層20が001面方位へと配向したことによる反射ピークだけでなく、他の複数の反射ピークが含まれていた。比較例6比較例6では、当該圧電体薄膜がNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4を具備しないこと以外は、実施例6で作製した圧電体薄膜と同一の構造を有していた。比較例6による001反射ピークの強度は、3,318cpsであり、非常に弱かった。さらに、観測された反射ピークには、Na,BiTiO3-BaTiO3圧電体層20が001面方位へと配向したことによる反射ピークだけでなく、他の複数の反射ピークが含まれていた。以下の表1は、実施例および比較例の評価結果を要約している。表1に示されるように、001配向を有するPtまたはLaNiO3膜上に形成した001配向を有するNaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4が、高い001配向性および高い結晶性を有するBi,Na,BaTiO3膜を得るために有用であった。比較例1、4、5、および6は、当該NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4が用いられない場合、高い001配向性および高い結晶性を有するBi,Na,BaTiO3膜が得られないことを示す。比較例2は、xが0.4を超えてはならないことを意味する。比較例3は、xが0.28未満であってはならないことを意味する。当該NaxBi0.5TiO0.5x2.75-BaTiO3膜0.29≦x≦0.4を得るために、001配向を有する電極膜が必要とされることを示す。圧電体薄膜のリーク電流を反映する誘電損失の結果に関しても、同様である。本発明は、その意図および本質的な特徴から逸脱しない限り、他の実施形態に適用しうる。この明細書に開示されている実施形態は、あらゆる点で説明的なものであってこれに限定されない。本発明の範囲は、上記説明ではなく添付したクレームによって示されており、クレームと均等な意味および範囲にあるすべての変更はそれに含まれる。"