"サファイア基板の一方の面の外周縁から他方の面の外周縁に至るリング状の側面を有するサファイア基板であって、該サファイア基板の一方の面または他方の面と側面とによって形成される角部に面取り部が形成され、該面取り部は、該一方の面または他方の面を基準として厚さ方向に50μm以下の高さに形成されるとともに、外周側に該一方の面または他方の面に対して45度以上90度未満の角度に傾斜して形成されるサファイア基板。前記面取り部は、前記一方の面または他方の面に対して50度以上80度以下の角度に傾斜して形成される請求項1記載のサファイア基板。サファイア基板の一方の面には、発光層が積層され、該一方の面を基準として請求項1または2に記載の面取り部が形成され、他方の面を研削して厚さ100~120μmに仕上げられるサファイア基板。しかしながら、サファイア基板には、一方の面及び他方の面と側面とによって形成される角部を面取りした面取り部が形成されており、例えば、厚みが1300μmのサファイア基板には45度の傾斜を有し130μm程度の高さを有する面取り部が形成されているため、かかるサファイア基板の一方の面に研削を施した場合は、面取り部が形成されていることに起因し、全体の厚みが180μmに達したあたりから、サファイア基板の外周に細かい欠けが発生してサファイア基板の外周側に位置する光デバイスの品質が低下するという問題がある。また、サファイア基板の外周に発生した欠けに起因してサファイア基板の内部にもクラックが発生して光デバイスを破損させるという問題がある。本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、サファイア基板について、外周に欠けを発生させることなく、厚みが180μm以下となるように薄く研削できるようにすることに解決すべき課題がある。本発明は、サファイア基板の一方の面の外周縁から他方の面の外周縁に至るリング状の側面を有するサファイア基板であって、該サファイア基板の一方の面または他方の面と側面とによって形成される角部に面取り部が形成され、該面取り部は、一方の面または他方の面を基準として厚さ方向に50μm以下の高さに形成されるとともに、外周側に一方の面または他方の面に対して45度以上90度未満の角度に傾斜して形成される。上記の面取り部は、一方の面または他方の面に対して50度以上80度以下の角度に傾斜して形成されることが望ましい。上記のサファイア基板の一方の面には、発光層が積層され、一方の面を基準として上記の面取り部が形成され、他方の面を研削して厚さ100~120μmに仕上げられることが望ましい。本発明では、サファイア基板の一方の面または他方の面と側面とによって形成される角部に面取り部が形成され、面取り部は、一方の面または他方の面を基準として厚さ方向に50μm以下の高さに形成されるとともに、一方の面または他方の面に対して45度以上90度未満の角度に傾斜して形成され、一方の面または他方の面に対する傾斜角度が従来よりも大きくなるため、砥石による研削時の押圧力に対するサファイア基板の耐久力が向上し、サファイア基板の外周に欠けを発生させることなく、サファイア基板の厚みを180μm以下の厚みに研削することができる。また、面取り部が、一方の面または他方の面に対して50度以上80度以下の角度に傾斜して形成されると、面取り部の機能を有した状態でサファイア基板の外周に欠けが発生することをより確実に防止することができる。図1に示す研削装置1は、図2に示すサファイア基板5及び図3に示すサファイア基板5aを研削する研削装置である。まず、研削装置1の装置構成について説明する。図1に示すように、研削装置1は、Y軸方向に延びる装置ベース2aと、装置ベース2a後部においてZ軸方向に延びる立設基台2bと、から構成され、立設基台2bの前側において研削手段20と、研削手段20をZ軸方向に研削送りする研削送り手段30とが配設されている。装置ベース2aの上面には、伸縮自在の蛇腹3が配設され、蛇腹3には回転可能なチャックテーブル10が移動基台4を介して配設されている。研削手段20は、Z軸方向の軸心を有するスピンドル21と、スピンドル21を回転可能に支持するスピンドルハウジング22と、スピンドルハウジング22の外周を保持する保持部23と、スピンドル21を回転させるモータ24とを備えている。スピンドル21の下端には、マウンタ25が装着されており、マウンタ25の下端において研削ホイール26がボルト27によって固定されている。研削ホイール26の下部には、複数の砥石28が固着されている。そして、研削手段20は、モータ24がスピンドル21を回転させることにより、研削ホイール26を所定の回転速度で回転させることができる。研削送り手段30は、Z軸方向に延びるボールスクリュー31と、ボールスクリュー31の上端に取り付けられたモータ32と、ボールスクリュー31と平行に配設された一対のガイドレール33と、研削手段20をZ軸方向に研削送りする移動基台34とを備えている。移動基台34の一方の面には、スピンドルハウジング22を保持する保持部23が固定されており、他方の面の中央部分には、図示しないナット構造が形成され、このナット構造にボールスクリュー31が螺合している。そして、モータ32の駆動によってボールスクリュー31が回動することにより、移動基台34がガイドレール33にガイドされ研削送り手段20をZ軸方向に移動させることができる。図2に示すサファイア基板5は、本発明にかかるサファイア基板の第一例である。図2aに示すサファイア基板5は、円板状に形成されており、一方の面とその裏面側に位置する他方の面とを有している。以下の説明においては、図2における一方の面を上面50とし、他方の面を下面51とする。図2aに示すように、サファイア基板5は、上面50の外周縁から下面51の外周縁に至るリング状の側面52を有する。サファイア基板5の上面50には、格子状の分割予定ライン56によって区画された領域に複数の光デバイス57が形成されている。また、サファイア基板5の側面52には、基板の結晶方位を示すマークであるノッチ58が形成されている。図2bに示すように、サファイア基板5には、上面50と側面52との境界部分に角部53が形成されている。また、下面51と側面52との境界部分に角部53’が形成されている。また、上面50には発光層55が積層され、発光層55に光デバイス57が形成されている。図2cに示すように、研削前のサファイア基板5の厚みT2は、例えば1300μmとなっており、図1に示した研削装置1によってサファイア基板5の下面51が研削されサファイア基板の厚みT2が、例えば100~120μmに至るまで研削される。搬送等の際にサファイア基板5の側面52側に欠けが発生することを防止するため、サファイア基板5には、角部53を所定角度に切り欠いて面取り部54が形成されている。面取り部54は、図2bに示した角部53を上面50から外周側下方に向けて平面状に切り欠いた斜面500となっており、面取り部54の高さT1は、上面50を基準としてサファイア基板5の厚さ方向に50μm以下に形成することが望ましい。面取り部54は、上記のような高さT1に形成されるとともに、斜面500から延長させた線L1と上面50とがなす角度αが45度以上90度未満に形成されることが望ましい。また、サファイア基板5は、図2bに示すように、角部53’を所定角度切り欠いて、図2cに示す面取り部54’を形成する。面取り部54’、面取り部54の高さT1と同様の高さT1’に形成されるとともに、斜面500’から延長させた平行線L2と下面51とがなす角度αが45度以上90度未満に形成されることが望ましい。なお、研削後のサファイア基板を搬送する際に、サファイア基板の外周に欠けが発生することを防止するために、面取り部54の高さT1及び面取り部54’の高さT1’の下限は、20μmとすることが好ましい。面取り部54、54’は、例えば、面取り部54、54’に対応する形状の砥石を側面52にあてがい、その砥石の形状を側面52に転写することによって、面取り部54、54’を形成することができる。図3に示すサファイア基板5aは、本発明にかかるサファイア基板の第二例である。図3に示すように、サファイア基板5aにおいては、その上面50aに発光層55が積層されておらず、上面50a基準として面取り部54aが形成されている。研削前のサファイア基板5aの厚みT4は、例えば1300μmとなっており、図1に示した研削装置1によってサファイア基板5aの上面50aが研削されサファイア基板5aの厚みT4が、例えば100~120μmに至るまで研削される。面取り部54aは、サファイア基板5aの側面52a側を下方に傾斜させて斜面500aとなっており、面取り部54aの高さT3は、上面50aを基準としてサファイア基板5aの厚さ方向に50μm以下に形成されることが望ましい。面取り部54aは、上記のような高さT3に形成されるとともに、斜面500aから延長させた線L3と上面50aとの間の角度αが45度以上90度未満に形成されることが望ましい。なお、研削後のサファイア基板を搬送する際に、サファイア基板の外周に欠けが発生することを防止するために、面取り部54aの高さT3の下限は、20μmまでとすることが好ましい。図4に示すように、サファイア基板5を支持する環状のフレーム6は、金属によって形成され、中央部分が開口しており、当該中央部分を閉塞するようにフレーム6の下面に粘着性の保護テープ7が貼着されている。そして、サファイア基板5の上面50を保護テープ7に貼着することによって、サファイア基板5は、保護テープ7を介してフレーム6と一体となる。図5及び図6に示すチャックテーブル10は、サファイア基板5を保持する保持面11と、サファイア基板5の上面50を下方から吸引する吸引部12と、フレーム6を支持するリング状の磁石13と、チャックテーブル10を回転可能に支持する軸部14と、吸引部12の下端に連結し吸引源15に連通する吸引孔16とを備えている。図6に示すように、吸引部12は、多孔質部材より形成されている。そして、チャックテーブル10は、吸引源15から発生する吸引力が吸引孔16を通じて吸引部12に伝達されることにより、保護テープ7を介してフレーム6と一体となっているサファイア基板5をチャックテーブル10の保持面11に吸引保持することができる。図6に示すように、吸引部12とリング状の磁石13との間のチャックテーブル10の表面は、磁石13側を所定角度下方に傾斜を設けた斜面17となっている。このように構成される研削装置1によって、上記の如く構成されるサファイア基板5やサファイア基板5aを研削する。以下においては、サファイア基板5を研削する一連の動作例を説明する。図4に示すように、サファイア基板5を反転させ下面51を上向きに露出させ、上面50をフレーム6と一体となっている保護テープ7に対面させる。そして、サファイア基板5を下降させて上面50を保護テープ7に貼着する。図5に示すように、サファイア基板5が保護テープ7を介してフレーム6に支持された後、フレーム6と一体となったサファイア基板5をチャックテーブル10に向けて下降させてチャックテーブル10の保持面11に載置する。保持面11にサファイア基板5が載置された後、サファイア基板5の上面50がチャックテーブル10の保持面11に吸引保持されるとともに、フレーム6の下部が磁石13に磁着される。この結果、フレーム6は、磁石13の磁着力によって、保持面11の位置よりも下方において支持された状態となる。また、保護テープ7には張力が発生し、チャックテーブル10の斜面17にならって張った状態となる。チャックテーブル10にサファイア基板5が吸引保持された後、図1に示すチャックテーブル10を回転させつつ、移動基台4をY軸方向に移動させ、チャックテーブル10を研削手段20の下方に送り込む。これと同時に、研削手段20が作動し研削ホイール26を回転させながら、研削送り手段30により研削ホイール26をZ軸方向に下降させる。図7に示すように、研削ホイール26を矢印A方向に回転させるとともに、矢印Bで示すZ軸方向に下降させて砥石28をチャックテーブル10に保持されたサファイア基板5の下面51に接触させて、例えば厚み100~120μmに至るまで研削する。研削中は、砥石28がサファイア基板5の回転中心を常に通るようにする。このように、サファイア基板5では、面取り部54が上面50または下面51を基準としてサファイア基板5の厚さ方向に50μm以下の高さに形成されるとともに面取り部54の角度αが45度以上90度未満の角度に形成されるため、上面50または下面51に対する傾斜角度が従来よりも大きい。したがって、砥石27による研削時の押圧力に対するサファイア基板5の耐久力が向上し、サファイア基板5の外周に欠けを発生させることなく、サファイア基板5の厚みを180μm以下の厚みに研削することができる。図1に示した研削装置1によって下記の加工条件の下でサファイア基板の研削を行い、サファイア基板に生ずる欠けの有無及び量を確認した。加工条件1被加工物:サファイア基板1厚み:1300μm2面取り幅:50μm2研削条件:1チャックテーブルの回転速度:500rpm2研削ホイールの回転速度:1000rpm3研削送り速度:0.5μm/秒本発明者は、図2に示したサファイア基板5に形成される面取り部54または面取り部54’を形成するにあたり、サファイア基板5の上面50または下面51を基準として厚さ方向の高さT1が100μm,90μm,80μm,70μm,60μm,50μmのものをそれぞれ形成するとともに、それらについて、図2cで示した角度αが45度、50度、55度、60度、65度、70度、75度、80度、85度のものをそれぞれ形成した。そして、サファイア基板5の上面50または下面51を図1に示した研削装置1によって研削した。その結果、面取り部54または面取り部54’の高さが50μm以下に形成されると、サファイア基板5の厚さが100~120μmに至るまで研削されても、サファイア基板5の外周に発生する欠けが減少することが確認された。また、角度αを50度、55度、60度、65度、70度、75度、80度、85度と大きくするにつれて、サファイア基板5の外周に発生する欠けが減少することが確認された。しかし、80度を超えると面取り部としての機能が低下することが確認された。一方、角度αが45度を下回ると、サファイア基板5の外周に発生する欠けが増大することが確認された。以上の結果が示すように、硬質の基板であるサファイア基板5の外周に欠けが発生することを防止するためには、サファイア基板5に形成される面取り部の高さを50μm以下に形成するとともに、角度αを少なくとも45度以上90度未満に形成することが効果的であることが確認された。そして、角度αを50度以上80度以下に形成すれば、面取り部としての機能を有した状態でサファイア基板の外周に欠けが発生するのをより確実に防止することができることも確認された。"