真空で動作可能な堆積チャンバと、一定量の前駆体ガスを前記堆積チャンバに注入するためのガス供給口を含む前駆体ガス源と、前記堆積チャンバに曝された支持表面を有する加熱器であって、前記支持表面の上に配置された基板を加熱可能な加熱器と、前記加熱器の支持表面と前記前駆体ガス供給口との間に配置されたフィラメントと、前記フィラメントの材料を抵抗加熱するために前記フィラメントに選択的に電流を流す電源とを含む接触分解アセンブリとを含み、前記フィラメント材料が炭化物を有するホットワイヤ型化学気相堆積HWCVD装置。前記炭化物がタンタル炭化物を含むことを特徴とする請求項1記載の装置。前記タンタル炭化物が、炭素源コアを被覆する外層として提供されることを特徴とする請求項2記載の装置。前記炭素源コアがグラファイトを含むことを特徴とする請求項3記載の装置。前記フィラメントが、前記電源の操作の間、少なくとも約2000°Cの温度まで加熱されることを特徴とする請求項1記載の装置。前記前駆体ガスが、シラン、SiCl4、SiF4、HSiCl3、メタンまたはGeH4を含み、前記炭化物が、グラファイトコアを覆う被覆であり、前記炭化物被覆が、炭素と金属または半金属元素との合金を含むことを特徴とする請求項1記載の装置。前記炭化物が、炭素と、タンタル、タングステン、モリブデン、ニオブ、スカンジウム、イットリウム、ジルコニウム、シリコン、およびバナジウムのうち少なくとも1つとの合金を含むことを特徴とする請求項1記載の装置。原料ガスをクラッキングすることにより、材料の薄膜を有する素子を製作するのに使用される堆積アセンブリであって、前記原料ガスを受け取るように構成される真空チャンバと、ウエハを支持するための前記真空チャンバ内の据付表面と、炭化物で形成された外表面を有するフィラメントと、該フィラメントに電流を流す電気接点とを有し、前記フィラメントが、電流が流されている時、少なくとも1400°Cの温度まで加熱されるフィラメントアセンブリとを有する堆積アセンブリ。前記フィラメントが、それぞれが少なくとも炭化物被覆を有するフィラメントエレメントが織り合わされたシートであって、前記据付表面上のウエハに接触するために前記原料ガスが貫流する、前記フィラメントエレメントの間の複数の細孔を有するシートを含むことを特徴とする請求項8記載のアセンブリ。前記炭化物の外表面が、炭素と、タンタル、タングステン、モリブデン、ニオブ、スカンジウム、イットリウム、ジルコニウム、シリコン、およびバナジウムのうち少なくとも1つとの合金の層を含むことを特徴とする請求項8記載のアセンブリ。前記炭化物の外表面が、タンタル炭化物を含み、少なくとも約10ミクロンの厚さを有することを特徴とする請求項10記載のアセンブリ。前記フィラメントが、グラファイトで形成されるコアを含むことを特徴とする請求項8記載のアセンブリ。前記フィラメントが、温度変化に伴って拡張および収縮するように構造的に構成された少なくとも1つの応力除去部分を含むことを特徴とする請求項12記載のアセンブリ。前記据付表面が、加熱器の一部であり、少なくとも500°Cの温度に加熱され、前記フィラメントが前記電流により少なくとも2000°Cの温度に加熱されることを特徴とする請求項8記載のアセンブリ。前記基板がシリコンを含み、前記原料ガスがシランを含み、前記炭化物がタンタル炭化物を含むことを特徴とする請求項14記載のアセンブリ。炭化物材料を含む抵抗加熱フィラメントを堆積チャンバ内に配置する工程と、前記堆積チャンバ内に面する加熱器の表面に基板を据え付ける工程と、前記加熱器を用いて前記基板を初期堆積温度まで加熱する工程と、前記炭化物材料をクラッキング温度まで加熱するために前記抵抗加熱フィラメントに電流を流す工程と、前記抵抗加熱フィラメントを越えて流すために堆積原料ガスを前記チャンバに流す工程とを含む薄膜堆積方法。前記抵抗加熱フィラメントがさらにグラファイトコアを含み、前記炭化物材料が前記グラファイトコアを覆う外被覆として提供されることを特徴とする請求項16記載の方法。前記炭化物材料が、炭素と、タンタル、タングステン、モリブデン、ニオブ、スカンジウム、イットリウム、ジルコニウム、シリコン、およびバナジウムのうち少なくとも1つとの合金であることを特徴とする請求項17記載の方法前記クラッキング温度が約2000°Cよりも高く、前記初期堆積温度が約500°Cよりも高いことを特徴とする請求項16記載の方法。前記堆積原料ガスがシランであり、前記基板がシリコンを含み、および、前記炭化物材料がタンタル炭化物またはタングステン炭化物を含むことを特徴とする請求項19記載の方法。一般的に、抵抗加熱フィラメントを使用して、原料ガスまたは前駆体ガスをクラッキングし、または接触分解し、真空/堆積チャンバ内においてウエハ、基板または他の表面に堆積される材料の薄膜をもたらす薄膜堆積アセンブリまたはシステム、および堆積方法について、以下に説明する。一般的に、フィラメントは、炭化物被覆フィラメント、または全部がもしくはほとんど全部が炭化物材料であるフィラメントなど、ほとんどあらゆる形状の炭化物フィラメントとして考えても良い。簡潔に、1つまたは2つ以上のタンタル炭化物TaC被覆グラファイトフィラメントたとえば、TaCの外層または外皮で被覆されたグラファイトワイヤを使用する薄膜堆積システムの実施形態が開示される。フィラメントは、たとえば、ホットワイヤ型化学気層堆積HWCVDを用いた薄膜の堆積、被覆または材料合成のためのガスの供給材料をクラッキングするために用いられるものとして説明される。フィラメントの例示の実施形態は、薄い炭化物被覆を有するグラファイト材料またはコアたとえば、棒またはワイヤ、リボン、布の糸/生地などが含まれていても良い。炭化物は炭素たとえば、グラファイトコアはフィラメントの製作または製造における炭素源であっても良いの合金であっても良い。炭素と合金化される材料は、フィラメントの炭化物材料を提供するために変更しても良く、いくつかの場合、その材料は、限定されないが、タンタル、タングステン、モリブデン、ニオブ、イットリウム、ジルコニウム、シリコン、およびバナジウムなどの、1つまたは2つ以上の金属または半金属元素である。所望の薄膜、高堆積速度、構造健全性、および耐久性の達成における適応性および有用性は、試験を通じて、良好なまたは有望な結果とともに実証された。これらの試験結果のいくつかは以下の説明で示される。図1は、本説明の改善されたフィラメントを使用するように構成された例示のHWCVD装置または薄膜堆積装置100の一部の模式図である。HWCVD装置100は、ウエハまたは基板112がその上に据え付けられる加熱器110を含んでいる。加熱器110は、たとえば、シリコンのような材料の層の堆積を開始または促進するのに有用な温度までウエハ112を加熱するために使用され、そして、この目的のために、350°Cから520°Cまでの温度が、加熱器110によって提供される最高温度として一般的であるが、加熱器110はたとえば約550°Cまでウエハ112を加熱してもよい。HWCVD装置100は、さらに、シランまたは同種の原料のような供給原料または前駆体ガスの原料図1に示されていないと流体連結するガス供給口140を含んでいる。HWCVD装置100が操作されている間、一定量の前駆体ガス120は所定の割合でHWCVD装置に流れる。この関連で、加熱器110は、ウエハ/基板112がガス供給口140に曝され、または面するように配置される。炭化物フィラメント120はHWCVD装置100に提供され、ガス供給口140とウエハ/基板112との間に配置される。HWCVD装置100は、フィラメント130の対向する端部122、124にそれぞれ貼り付けられ、または取り付けられる電気接点または電気接続123、125も含んでいる。HWCVD装置100が操作されている間、フィラメント120を長手方向に沿って抵抗加熱するために、フィラメントの端部122、124に電圧が加えられる。このように、たとえば、流れるガス130に曝されるフィラメント120の表面はDC電流により1500°Cと2100°Cまたはそれより高い温度の間の温度まで加熱される。一方で、前駆体ガスおよび他の堆積パラメータに依存した他の温度も有用であり得る。ガスの流れは、供給口140から流れ出てフィラメント120の高温表面を通り過ぎる矢印130で示されており、ガスは、基板/ウエハ112の曝されている表面上に材料の層を堆積させる反応性ラジカルに分解される。図2は、機能ブロック形式で薄膜堆積アセンブリ200を示しているが、これは、ここで述べられるフィラメントが、HWCVDまたは同様の堆積プロセスでどのように使用され得るかをより完全に理解するために有用であり得る。アセンブリ200は、圧力ゲージ216を用いて計測できる低圧力たとえば、堆積プロセスに応じて、50から90パーセントの真空またはそれより高い真空にチャンバ210を維持するために、真空ポンプ、たとえば工業上よく知られた高真空ポンプまたは超高真空ポンプと結合した室内容積を有し得る堆積チャンバまたは真空チャンバ210を含んでいる。加熱器220はチャンバ210に提供されまたは、チャンバ210の中に延伸し、基板またはウエハ224は、加熱器220上に支持され、または加熱器220に取り付けられるように示されている。アセンブリ200が操作される間、加熱器220は、特定の材料の層の堆積を促進する温度まで基板224の温度を上げるために使用されても良く、たとえばアモルファスシリコン膜226の場合には、ウエハ224をたとえば400から500°Cの温度まで加熱する。一方で、他の実施形態では、約900°Cまたはそれより高い温度たとえば、結晶化シリコン226の場合に至るまでのようなより高い温度を必要とし、他の実施形態では、膜堆積の間、ウエハ224をより低い温度にするように加熱器220はスイッチが切られることを必要とする。示されるように、アセンブリ200は、分解エレメント230が電源236に電気的に連結されるように、電気接点または取付具232、234により加熱器220上に支持された接触分解エレメント230を含んでいる。分解エレメント230は、1つまたは2つ以上の形状因子たとえば、棒、リボン、ばねなどを有する、1つ、2つ、3つまたは4つ以上の炭化物フィラメントの形状、または、加熱器220および支持されたウエハ224にガスを貫流する細孔を有する織り合わされた炭素製の糸またはワイヤの布またはシートのような別の有用な形状をとっても良い。アセンブリ200を操作する間、接触分解エレメント230は、取付具232、234を含む据付アセンブリに据え付けられる。そして、エレメント230を含むアセンブリはチャンバ210内に配置され、電流は、電源236の操作によりエレメント230を流れ、供給原料ガスまたは前駆体ガス241をクラッキングするのに十分高い温度までエレメント230を抵抗加熱する。示されるように、膜226は基板またはウエハ224上に成長し、薄膜素子たとえば、太陽電池、表示装置、トランジスタなどを形成する。この目的のために、アセンブリ200は、チャンバ210に注入される供給原料ガス241の量および流速を正確に計量する機構制御弁および計量装置図示せずにより操作可能な前駆体ガス源240たとえば、シランなどの原料を含んでいる。所望の高温領域にあるフィラメントアセンブリまたは分解エレメント230は供給原料ガス241をクラッキングし、高温の、分解されたガスは続いて基板またはウエハ224上に薄膜226を成長させ、薄膜素子222を提供する。アセンブリ200は、さらに、薄膜226の堆積を促進するように、および/または、膜226の化学的構造を変化させるように、PH3のようなドーパントをチャンバ210に注入するための付加的なドーパント源244を含んでも良い。同様に、水素などの添加ガス249は、膜226の堆積中にガス源248を介してチャンバ210に供給されても良く、そのことは薄膜226の堆積に良い影響を及ぼすことが望ましい。図3Aおよび3Bは、図1の炭化物フィラメント120の断面図である。図3Aは、炭化物被覆または炭化物材料304の層により被覆されているコア302の形で炭化物フィラメントが提供されるフィラメント120Aの実施形態を示している。たとえば、コア302は、炭化物層または炭化物被覆304を形成するための炭素源である材料のコアであっても良い。1つの実施形態では、炭化物304は、比較的大きい直径DCoreを有するようなグラファイトコア302から形成される炭素の合金であるが、一方で、炭化物の薄層304は、コア302の上に厚さtCoatingたとえば、コア302を覆う20から40ミクロンの層などで形成される。いくつかの場合、層/被覆304は反応性ガスがコア302に到達するのを妨げ、そのことが炭化物の蓄積プロセスまたは合金化プロセスを終わらせるので、炭化物被覆304を形成するプロセスは自己制限的である。これは、典型的には、グラファイト棒またはグラファイトワイヤが反応性ガスで処理され、グラファイトコア302を覆ってタンタル炭化物TaC304の層/被覆を形成する場合である。図3Bは、全体のまたは、少量のグラファイトまたは炭素コアが残っている可能性のある、ほぼ全体の炭化物フィラメントが特定の直径DFilamentで提供されるフィラメント120Bの実施形態を示している。たとえば、反応性ガスが常に追加の炭素に到達できるような、比較的小さい直径または容積を有する、基礎となるまたは元となる棒を使用することにより、いくつかの場合においては、上述の自己制限型プロセスは打開され得る。フィラメント120Bは、たとえば、フィラメント120Bが完全に炭素合金または炭化物たとえばTaCの形になるように、約40ミクロンより小さい、またはより好ましくは、約20ミクロンより小さい直径DFilamentを有するグラファイトまたは他の炭素源棒またはワイヤを用いて形成されても良いと考えられる。これは、グラファイト布のような布の糸またはワイヤが約20ミクロンから40ミクロンよりも小さい大きさを有しているとき、グラファイト布が処理されてTaCを形成する場合である。図3Aに関して、炭化物材料304の厚さtCoatingは、薄膜堆積アセンブリを実施するために変化しても良い。この層304は、フィラメントの欠損の原因となり得るたとえば、フィラメントの端部が脆くしたり、その機能性を損なわせたりするシリサイドまたは他の物質の形成に対して抵抗加熱フィラメントが抗するために、反応性の低い表面または保護被覆を提供する働きをする。この目的のために、厚さは20から40ミクロン、またはそれよりいくらか薄い層たとえば、10から20ミクロンまたはそれよりも薄いではあるがなお適度の反応抵抗を提供する層であっても良い。断面形状は示されるように円形であっても良いが、楕円形、長方形、または、炭素源が提供され、および/または、フィラメントを加熱するために電流を通して用いられるほとんどあらゆる他の断面形状のような多くの他の断面が利用されても良い。ここで、炭化物フィラメントの望ましさをより詳細に説明するためには、組み立てられ、試験されたHWCVD装置の特定の例を提供することが有用であり得る。この例では、TaC被覆グラファイトフィラメントは、真空チャンバ内において、前駆体ガスの供給口と加熱器上に据え付けられた基板との間に配置された。特に、この実装では、炭化物フィラメントは約4インチの長さで、0.064インチの外径を有していた。約20から40ミクロンの範囲の厚さを有するTaC被覆すなわち、炭化物被覆は、フィラメントのグラファイトコア上に提供されたそして、外径寸法の一部となった。炭化物フィラメントは、フィラメントにDC電流を流すことにより抵抗加熱された。前駆体はシランSiH4であり、炭化物フィラメントは、アモルファスシリコンとエピタキシャルシリコン薄膜の両方の堆積のために、シランを効果的に分解するのに用いられた。取付具は、CVDチャンバまたは真空チャンバ内で、フィラメントを保持するために組み立てられた。フィラメントが、加熱された基板から約5センチメートルの位置で、垂直に向けられるように、取付具は配置された。シランガスは真空チャンバに導入され、流量計により計測された。TaC被覆グラファイトフィラメントとフィラメントホルダこの場合、ステンレス鋼/インコネル登録商標フィラメントホルダとの間の電気接点は、フィラメントの端部のまわりを包む薄いグラファイト箔で作製された。フィラメントは、シランを分解するために、定電流DC電源または電力源を用いて、約24から40アンペアの範囲の電流を箔接点からフィラメントに供給することにより加熱された。試験において、加熱器により約350°Cまで基板が加熱された状態で、自然酸化物を有する結晶化シリコンウエハ上にアモルファスシリコン膜が堆積された。この炭化物フィラメントおよびHWCVD装置を用いた試験の別の段階において、基板温度が約775°Cで、覆いのない結晶化シリコンウエハ上にエピタキシャルシリコン膜が首尾よく堆積された。炭化物フィラメントの改善された性能を示すために、TaC被覆グラファイトフィラメントおよび標準のHWCVDフィラメントを用いて追加の試験が行なわれた。特に、比較目的のために、HWCVDプロセスの間、例示のTaC被覆グラファイトフィラメントおよびタングステンフィラメントはともにシランに曝された。ホットワイヤプロセスの前後における2つのフィラメント材料の特性評価は、純タングステンフィラメントと比較した場合の、反応性シランの堆積環境における改善されたTaCの安定性および耐久性の迅速な判定を可能にする。堆積プロセスの後、TaC被覆フィラメントの外観は、その直径がそうであったように変化しなかったたとえば、接点近くの端部近くで直径は増加しなかった。TaC被覆グラファイトフィラメントは、膨張または劣化を示すことなく、その輝かしい金色を維持した表面を有していた。そのことは、反応性シラン環境へのホットフィラメントの長期の曝露たとえば、薄膜堆積が約7ミクロンよりも大きくなる、1時間よりも長い時間の後でも、フィラメントが安定であることを示している。対照的に、同じシラン曝露および薄膜堆積プロセスの後におけるタングステンフィラメントの外観検査によれば、電気接点に近接しており、堆積中は低い温度である可能性の高いフィラメント端部近くの場所または部分が目に見えて膨張し、変色していることを示している。これはフィラメント上にシリサイドが形成されていることを示し、これはフィラメントが脆い部分を有し、影響を受けた領域ではおそらく欠損または切断する原因となる。例示のTaC被覆グラファイトフィラメントの走査型電子顕微鏡SEM像は、上記試験における使用前後の両方で撮られた。特に、SEM像は、薄膜堆積中の、60分を超える時間のTaC被覆グラファイトフィラメントの反応性シラン環境への曝露の前後で得られた。未使用のTaC被覆グラファイトフィラメントは、炭化物被覆内にいくつかのクラックやピンホールをともなって、外側表面に直径が数十ミクロンの粒を示していた。堆積後のTaC被覆グラファイトフィラメントの同じSEM像は、TaC被覆表面が、表面がいくらか滑らか、および/またはきれいに見える以外は、未使用のフィラメントのTaC被覆表面とほぼ同一であることを示した。このSEMによる試験に基づいて、シランへの曝露後にシリサイドが形成されている証拠はなかったしかし、フィラメントの一方の側面上の小さい領域は、シリコンの堆積と一致するいくつかの特徴を有していた。さらに、これらの試験フィラメントに使用されたグラファイトは、普通に用いられ、この明細書および添付図面で教えられる炭化物フィラメントの商業的設備の場合のように、熱膨張に対して最適化が行なわれていないことは特筆すべきである。試験されたフィラメントにおいて、グラファイトコアは、被覆よりも低い熱膨張係数CTEを有している可能性があり、そのことが堆積および/または被覆の初期形成の後の、フィラメントの冷却中にいくつかのクラックの開口を生じさせた可能性がある。そのため、炭化物フィラメントの作製において、これらの熱膨張効果/熱収縮効果を制御し、さらには、最小化するために、炭化物被覆フィラメントの形成に使用される炭素源/炭素コアたとえば、グラファイトコアのCTEを変えることは有用であり得る。図4は、炭化物被覆フィラメントたとえばタンタル炭化物被覆グラファイトコアおよび従来のタングステンフィラメントを用いた試験の間に得られた堆積速度をプロットしたグラフ400を提供する。より具体的には、グラフ400は、例示のTaC被覆グラファイトフィラメントおよびタングステンWフィラメントを用いて堆積した標準のエピタキシャルepiシリコンSi、高速epi、およびアモルファスシリコンa-Siの堆積速度を比較したプロットである。TaC被覆グラファイトフィラメントを用いて得られた薄膜の成長速度堆積速度と従来のWフィラメントを用いて得られた薄膜の成長速度との比較は、ここで述べられた、新規な反応抵抗フィラメント材料を有する炭化物フィラメントの効果を即時に示す。グラフ400のデータを得るための29アンペアより大きい電流においては、アモルファスシリコンおよびエピタキシャルシリコンの両方について、TaC被覆グラファイトフィラメントを用いた堆積装置の堆積速度または成長速度が、標準のタングステンフィラメントを用いたときの堆積速度または成長速度を超えた。TaC被覆グラファイトフィラメントについて、同じガス条件で結果として得られた高い堆積速度は、アモルファスシリコンで約91nm/分、エピタキシャルシリコンで約300nm/分にそれぞれ及ぶ成長速度として計測された。これらの改善された堆積速度は、領域の増加シリサイドなどとなって失われる領域がないと、より高いフィラメント温度と、および/または、堆積の実装のために異なる化学的性質への到達とを提供するフィラメントの結果であった可能性が高い。TaC被覆グラファイトフィラメントは、単一のタングステンフィラメントを用いた堆積試験装置において以前に得られた最高堆積速度を100nm/分より高い速度分だけ超えたが、これは50パーセントを超えた改善に相当する。図1から4を参照した上記議論から理解されるように、HWCVDシステム/アセンブリは、新しいフィラメント材料を用いて形成されたホットワイヤまたはホットフィラメントを含んでいると説明される。たとえば、新しいフィラメント材料は、タンタル炭化物の被覆または外層を有するグラファイトコアすなわち、TaC被覆グラファイトフィラメントを含んでいても良く、そしてそれは、広い温度範囲にわたってシラン前駆体ガスからシリコンを堆積させる間、安定であることが示されてきた。TaC被覆グラファイトフィラメントは、HWCVD装置において、アモルファス薄膜およびエピタキシャル薄膜を成長させるために、シランを効率的に分解するのに用いられても良い。もちろん、フィラメントは、たった1つの有用な例となっているシリコンを有する他のタイプの膜を堆積させるのに用いられても良く、および/または、他のタイプの堆積技術とともに用いられても良い。ここで説明された実施形態は、他のフィラメントで経験されたシリサイド化/安定性の問題をも対処しており、それゆえ、説明されたフィラメントは、HWCVDアセンブリで使用されるとき、増加した寿命を提供し得る。炭化物フィラメントは、従来のタンタルフィラメントおよびタングステンフィラメントと比較すると、フィラメント温度の広い範囲にわたっての安定操作も提示している。これらの特徴は結合し、フィラメントの頻繁な変更に関連した中断時間を伴わない連続のプロセスが可能になる。フィラメント温度の広い範囲にわたっての増加した寿命および安定した操作は、特に、炭化物フィラメントを用いた大規模の商業的なHWCVDの実装への特別の適応性を有し得る。炭化物フィラメントが、すでに公知の、または後に開発される広い範囲での応用に使用され得ることは、当業者によって容易に理解されるだろう。例示目的で、ここで説明された例示の実施形態は、シランからのシリコン薄膜およびエピタキシャル層のような材料のHWCVDにおいて使用されても良い。TaC被覆グラファイトフィラメントは、薄膜堆積プロセスにおいて使用されても良いが、多くの他の炭化物が炭化物フィラメントたとえば、図1のフィラメント120はTaCフィラメントに限定されないを作製するのに用いられ得ることが理解されることになる。炭化物フィラメントは、あらゆる数の金属炭化物または半金属炭化物の単体または混合体を含んでいても良い。たとえば、タングステン炭化物は、グラファイトコアを覆う被覆層を提供するために利用されても良い。そのため、炭化物という用語は、結果として得られるフィラメントが、高温たとえば、約1000°Cを超えた温度、より典型的には、1400°Cを超えた温度の抵抗加熱エレメントを提供するのに適切な電気的な伝導性を有し、構造的に堅固でありたとえば、繰り返し使用する間に容易に切れないような、有用な形状のフィラメントを製造するために用いられ得る、多くの堆積チャンバで見られる高温反応環境において耐久性を有しているたとえば、炭化物被覆は、堆積チャンバに含まれる、望ましくない汚れた材料であると考えられる純グラファイトよりも有用であるのと同様に、タングステンまたは純タンタルより反応性が低いので有用である限りにおいて、比較的広く解釈されることが意図されている。説明された炭化物フィラメントは、多数の前駆体とともに用いられても良く、シランとともに使用する場合に限定されない。たとえば、他のシリコンベースの前駆体ガスとしては、SiCl4、SiF4、HSiCl3等のようなガスが用いられても良く、また、非シリコン前駆体ガスとしては、メタン、GeH4、および、HWCVDのような材料堆積において有用な他の前駆体ガスのようなガスが用いられても良い。炭化物フィラメントは、反応を維持するために供給原料ガスをクラッキングするのに使用されるので、フィラメントは、様々な種類の堆積プロセス、ならびに材料組成および材料形状に使用されても良い。たとえば、図1および図2の堆積装置100、200は、酸化物、ダイヤモンド膜のような炭素系材料、ナノチューブ、フッ化炭素材料、ポリマーなどの成長に用いられても良く、生物関連物質およびバリヤ被覆の製造のための特定のガス相の化学的性質を利用可能にするためにホットフィラメントを使用するi-CVD自発initiatedCVDプロセスにおいて使用されても良い。一般的に、炭化物被覆グラファイトフィラメントは、化学反応および化学解離において改善をもたらすために、高温反応性環境においての使用に採用されることが可能である。上述のように、フィラメントは、円形断面を有する棒単体または複数のそのような棒に限定されないが、HWCVD装置におけるそのような実装は有用になることが多くなるだろう。特に、堆積装置の真空チャンバ内で、前駆体ガス供給口と、加熱されたウエハ/基板との間に、より大きい表面積を有する炭化物フィラメントを提供することが望まれ得る。この目的のために、図5は、広げられた表面積を提供するフィラメントアセンブリ510を示している。フィラメントアセンブリまたは、単にフィラメント510は、炭化物のメッシュまたは織布520の端部または縁部に取り付けられる電気接続取付具530、532の対を含んでいる。炭化物メッシュ520は、取付具530、532の間で互いに対して直角に延伸する、ワイヤまたは糸または、伸張部522の第1および第2のセットを含んでいても良い。示されるように、第1および第2ワイヤ522は互いに直交しておりしかし、これは要求されない、布520を提供する織糸として考えても良い。織り合わされるエレメント/ワイヤ522は開口または細孔524を確定し、前駆体ガスまたはその分解ラジカルはそこを貫流し、堆積プロセスの間に加熱されたウエハまたは基板の表面に到達する。織りの細かさまたは細孔524の大きさは、フィラメント510を実施するために、大きく変化しても良い。いくつかの場合、ワイヤ/糸522は約40ミクロンより小さい外径を有し、開口/細孔524は同様の大きさであっても良い。他の場合、糸522は約20ミクロンより小さい外径を有しており、そのような小さい糸により形成される布520は、炭化物で被覆されたグラファイトまたは他の炭素源ではなく、炭化物単独、またはほぼ炭化物単体で糸が形成される実装において望まれ得る。たとえば、布520は、外径が10から20ミクロンまたはそれより小さい糸/ワイヤを有するグラファイト布を処理することにより、形成されても良い。そして、その処理は、実質的に1つの材料たとえばTaCの図3Bに示された形をとる断面をもたらしても良い。グラファイト布520の処理は、グラファイト布520の織線522の少なくとも外側の表面をTaCに変える。これは、すべての炭素の堆積チャンバへの放出を排除するまたは、その放出をほとんど排除することが望まれる応用において有用であり得る。アセンブリ510は、2つの電気コネクタ530、532の間で吊るされることが可能な布520を有する表面積の大きなフィラメントを提供する。使用において、フィラメントアセンブリ510は、ウエハ/基板上に成長する薄膜に対して、より高いガス分解プロセスおよびより高い堆積速度を提供する可能性が高くなる。アセンブリ510は、TaC例示の炭化物はHWCVDで使用される多くのプロセスガスに対して表面上不活性であるので、コスト削減も提供できる。布520は、固体のTaC被覆グラファイトフィラメントよりも、柔軟性があって、切れにくいグラファイトコアの物理特性を利用した拡張および収縮を担うコイル部分またはばね部分などの応力除去部が提供される場合を除く。ここで、HWCVD装置におけるTaC被覆グラファイトフィラメントに対して実施されたさらなる試験の方法および結果を説明することは有用である。新しいTaCフィラメントの電流特性および電力特性を測定すること、また、シリコンウエハ上でのアモルファスシリコンおよびエピタキシャルシリコンの堆積速度を計測することも試験の目的とした。純タンタルフィラメントまたは純タングステンフィラメントよりも安定なTaC被覆フィラメントを用いたc-Siの高い堆積速度を得る目的で、TaC被覆グラファイトフィラメントが使用された。試験方法は、電気接点としてグラファイト箔を用いたフィラメントホルダにフィラメントTaC層で被覆されたグラファイトコアを導入する工程を含んでいた。試験されたフィラメントは4インチの長さで、1.63mmの外径を有していた。そして、フィラメントは、真空チャンバ内で、前駆体ガスまたは供給原料ガスすなわち、シランの供給口とシリコンウエハを加熱する加熱器との間に配置された。シランは、標準条件下20sccm、10mTorr、ならびに、a-Si:H約200°Cの初期基板温度およびエピタキシャルシリコン約660°Cの初期基板温度についての堆積速度において、流された。先ず、ガスの流れがない状態で、1から31アンペアの電流がフィラメントに流され、電圧、電力、および抵抗が測定された。結果は、抵抗加熱エレメントたとえば、接触分解エレメントにとって許容される電気伝導性を示していた。その後、より高い電流がフィラメントに流され24から40アンペア、前駆体ガスがチャンバに注入された。アモルファスシリコンは、標準0.02インチの外径のタングステンフィラメントで達成される速度のおよそ2倍の堆積速度である、16から約91nm/分の速度で堆積された。エピタキシャルシリコンは、別の試験で別のウエハを用いて、145~294nm/分の速度で堆積された。従来の実験におけるこの堆積速度は、2つのタングステンフィラメントを必要としたが、この試験装置を用いて以前測定されたのと同じであった。この高い堆積速度は、少なくとも部分的には、フィラメント温度を上げることによりシランのクラッキングを促進していることによるものと考えられるたとえば、試験において、約400WまでがTaC被覆グラファイトフィラメントに印加された。多数の例示の態様および実施形態が上で議論されたが、当業者は一定の変更、置換、追加およびこれらの部分的組合せを認識するであろう。したがって、以下の添付の請求項および以後に示す請求項は、本発明の趣旨および範囲内において、上述の例示の態様および実施形態に対する変更、置換、追加およびこれらの部分的組合せを含むことが意図される。