EUVマイクロリソグラフィのための投影露光装置であって、パターンを照明するための照明系1と、前記パターンを感光基板5上に結像するための投影対物系2と、を含み、前記投影対物系2は、掩蔽を備えた瞳平面30を有し、前記照明系1は、角度分布を有する光を生成し、前記角度分布は、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が外側照明極最低値よりも高い外側照明極35b、36bを有し、前記角度分布は、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で前記光強度が内側照明極最低値よりも高い内側照明極35a、36aを有し、前記内側照明極35a、36aの前記角度範囲は、前記外側照明極35b、36bの前記角度範囲よりも小さい極角度を有し、前記光強度の前記内側照明極最低値は、前記外側照明極最低値よりも高い、ことを特徴とする投影露光装置。前記外側照明極35b、36bと前記内側照明極35a、36aの間の前記光の前記角度分布は、その内部で前記光強度が前記外側照明極最低値よりも低く、かつ前記内側照明極最低値よりも低い極角度範囲を有することを特徴とする請求項1に記載の投影露光装置。前記外側照明極35b、36bは、前記内側照明極35a、36aよりも大きい面積を有することを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項に記載の投影露光装置。前記外側照明極35b、36bと前記内側照明極35a、36aは、同じ方位角度範囲にわたって拡がることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の投影露光装置。EUVマイクロリソグラフィのための投影露光装置であって、パターンを照明するための照明系1と、前記パターンを感光基板5上に結像するための投影対物系2と、を含み、前記投影対物系2は、掩蔽を備えた瞳平面30を有し、前記照明系1は、角度分布を有する光を生成し、前記角度分布は、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が照明極最低値よりも高い照明極35、36を有し、その内部で前記光強度が前記照明極最低値よりも低く、前記瞳平面30の前記掩蔽の形状に対応する形状を領域的に有する暗域41、42が、前記照明極35、36から大きい極角度に向かって除外される、ことを特徴とする投影露光装置。前記暗域41、42は、前記照明極35、36によって領域的に囲まれることを特徴とする請求項5に記載の投影露光装置。前記暗域41、42は、前記照明極35、36によって完全に囲まれることを特徴とする請求項5又は請求項6のいずれか1項に記載の投影露光装置。前記照明極35、36は、少なくとも方位角度範囲内で大きい極角度に向けて凹型に具現化されることを特徴とする請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の投影露光装置。前記暗域41、42の外側輪郭が、前記掩蔽の外側輪郭に少なくとも領域的に同一に具現化されることを特徴とする請求項5から請求項8のいずれか1項に記載の投影露光装置。EUVマイクロリソグラフィのための投影露光装置であって、パターンを照明するための照明系1と、前記パターンを前記感光基板5上に結像するための投影対物系2と、を含み、前記投影対物系2は、掩蔽を備えた瞳平面30を有し、前記照明系1は、角度分布を有する光を生成し、前記角度分布は、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が照明極最低値よりも高い照明極35、36を有し、前記照明極35、36内の前記光強度は、大きい極角度から小さい極角度に向けて増加する、ことを特徴とする投影露光装置。前記照明極35、36は、小さい極角度に向けて、前記掩蔽の縁部における極角度の正弦値の110よりも小さい正弦値を有する極角度が発生するまで拡がることを特徴とする請求項10に記載の投影露光装置。前記照明極35、36は、大きい極角度に向けて、前記投影対物系2の物体側開口数の少なくとも90の正弦値を有する極角度が発生するまで拡がることを特徴とする請求項10又は請求項11のいずれか1項に記載の投影露光装置。前記照明極35、36は、ミラー配列によって形成されることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の投影露光装置。前記照明極35、36は、少なくとも45°に等しい方位角度範囲にわたって拡がることを特徴とする請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の投影露光装置。前記光の前記角度分布は、前記照明極35、36と類似に具現化された更に別の照明極35、36を有することを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の投影露光装置。前記掩蔽は、前記瞳平面30内の中心に配置されることを特徴とする請求項1から請求項15のいずれか1項に記載の投影露光装置。前記投影対物系2は、少なくとも0.4という像側開口数を有することを特徴とする請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の投影露光装置。掩蔽を備えた瞳平面30を有する投影対物系2を用いた感光基板5のマイクロリソグラフィ露光の方法であって、照明系1を用いて、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が照明極最低値よりも高い照明極35、36を有する角度分布を有するEUV領域の光が生成され、前記照明極35、36は、大きい極角度に向けて、その内部で前記光強度が前記照明極最低値よりも低く、前記瞳平面30の前記掩蔽の形状に対応する形状を領域的に有する暗域41、42が除外されるように具現化される、ことを特徴とする方法。掩蔽を備えた瞳平面30を有する投影対物系2を用いた感光基板5のマイクロリソグラフィ露光の方法であって、照明系1を用いて、角度分布を有するEUV領域の光が生成され、前記角度分布は、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が外側照明極最低値よりも高い外側照明極35b、36bを有し、前記角度分布は、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で前記光強度が内側照明極最低値よりも高い内側照明極35a、36aを有し、前記内側照明極35a、36aの前記角度範囲は、前記外側照明極35b、36bの前記角度範囲よりも小さい極角度を有し、前記光強度の前記内側照明極最低値は、前記外側照明極最低値よりも高い、ことを特徴とする方法。掩蔽を備えた瞳平面30を有する投影対物系2を用いた感光基板5のマイクロリソグラフィ露光の方法であって、照明系1を用いて、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が照明極最低値よりも高い照明極35、36を有する角度分布を有するEUV領域の光が生成され、前記照明極35、36は、該照明極35、36内の前記光強度が大きい極角度から小さい極角度に向けて増加するように具現化される、ことを特徴とする方法。EUVマイクロリソグラフィのための投影露光装置の照明系の絞りであって、絞り53が、照明系によって生成されて掩蔽を備えた瞳平面30を有する投影対物系2に供給される光の角度分布を予め定義する少なくとも1つの絞り開口部54、55を有し、前記絞り開口部54、55は、前記投影対物系2の前記瞳平面30の前記掩蔽の外側輪郭の形状に対応する形状を領域的に有する少なくとも1つの境界線によって境界が定められる、ことを特徴とする絞り。前記投影対物系2の前記瞳平面30の前記掩蔽の前記外側輪郭の前記形状に対応する形状を有する前記絞り開口部54、55の前記境界線の領域が、該絞り開口部54、55を半径方向に外側に向けて区切ることを特徴とする請求項21に記載の絞り。EUVマイクロリソグラフィのための投影露光装置の照明系の絞りであって、絞り53が、照明系によって生成されて掩蔽を備えた瞳平面30を有する投影対物系2に供給される光の角度分布を予め定義する少なくとも1つの内側絞り開口部54a、55aと少なくとも1つの外側絞り開口部54b、55bとを有し、前記外側絞り開口部54b、55bは、前記内側絞り開口部54a、55aの半径方向に完全に外側に配置される、ことを特徴とする絞り。前記内側絞り開口部54a、55aは、前記投影対物系2の前記瞳平面30の前記掩蔽の外側輪郭の形状に対応する形状を領域的に有する少なくとも1つの境界線によって境界が定められることを特徴とする請求項23に記載の絞り。本発明の1つの目的は、瞳平面の掩蔽によってもたらされる問題を最小にすることである。この目的は、択一的な独立請求項に記載の投影露光装置、マイクロリソグラフィ露光の方法、及び絞りを用いて達成される。本発明によるEUVマイクロリソグラフィのための投影露光装置は、パターンを照明するための照明系と、パターンを感光基板上に結像するための投影対物系とを有する。投影対物系は、掩蔽を備えた瞳平面を有する。照明系は、角度分布を有する光を生成し、角度分布は、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が照明極最低値よりも高い照明極を有する。その内部で光強度が照明極最低値よりも低く、瞳平面の掩蔽の形状に対応する形状を領域的に有する暗域が、照明極からより大きい極角度に向かって除外される。特に、暗域は、円弧の形状を有することができる。この場合、極角度は、パターンが照明される方向に対する、すなわち、照明系によって生成される光の平均伝播方向に対する照明系によって生成される光の角度として定義される。一般的に、この方向は、物体平面と垂直に延びない。方位角は、各場合に上述の方向の回りの円上の、照明系によって生成される光線の円周位置を指定する。本発明による投影露光装置は、基板を高いコントラストによって露光することを可能にするという利点を有する。特に、暗域は、パターンによって掩蔽内に回折され、最終的に像生成に寄与せず、背景放射を増加させるだけで、従って、コントラストを低下させる光の全体のパワーを低下させる。これは、特に、所定の結像条件下で少なくとも1つの回折次数が掩蔽と重なるパターン回折構造に適用される。暗域は、照明極によって領域的に囲まれることができる。これは、暗域を領域的に照明極内に形成することができることを意味する。同様に、暗域を照明極によって完全に囲むことができる。この場合、暗域は、完全に照明極内に形成されることになる。照明極は、少なくとも方位角度範囲内で大きい極角度に向けて凹型に具現化される。これは、少なくとも1つの回折次数が掩蔽と重なるパターン回折構造の場合であっても、一般的に、当該回折次数においても、像生成への寄与を構成する光強度が、掩蔽の横方向に並んで依然として存在するという利点を有する。暗域の外側輪郭は、掩蔽の外側輪郭に少なくとも領域的に対応することができる。特に、暗域の外側輪郭は、少なくとも、掩蔽の外側輪郭のうちで90°の方位角にわたって拡がる部分領域に対応することができる。更に、暗域は、その外側輪郭を瞳平面内での特に半径方向の変位作用を用いて掩蔽の外側輪郭と少なくとも領域的に対応させることができるように具現化することができる。このようにして、照明極に含まれる全光パワーと、像生成に寄与する光パワーの間の好ましい比を得ることができる。この場合、照明極内に含まれる光パワーは、照明極にわたって積分された光強度を意味すると理解すべきである。本発明は、更に、パターンを照明するための照明系と、パターンを感光基板上に結像するための投影対物系とを含むEUVマイクロリソグラフィのための投影露光装置に関する。投影対物系は、掩蔽を備えた瞳平面を有する。照明系は、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が外側照明極最低値よりも高い外側照明極を有する角度分布を有する光を生成する。更に、角度分布は、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が内側照明極最低値よりも高い内側照明極を有する。内側照明極の角度範囲は、外側照明極の角度範囲よりも小さい極角度を有する。更に、光強度の内側照明極最低値は、外側照明極最低値よりも高い。投影露光装置のそのような実施形態は、外側照明極に帰する少なくとも1つの回折次数が、掩蔽と重なる場合であっても、像生成に利用可能な依然として十分な光強度が存在するという利点を有する。外側照明極と内側照明極の間の光の角度分布は、その内部で光強度が外側照明極最低値よりも低く、かつ内側照明極最低値よりも低い極角度範囲を有することができる。これは、外側照明極と内側照明極とを互いから分離することができることを意味する。外側照明極は、内側照明極よりも大きい面積を有することができる。その結果、外側照明極の光強度と内側照明極の光強度との差を少なくとも部分的に補償することができる。特に、外側照明極及び内側照明極は、各々同じ光パワーを有する。この条件は、外側照明極の光パワーと内側照明極の光パワーの間の偏差が10よりも大きくない場合に満たされると考えられたい。更に、外側照明極と内側照明極は、同じ方位角度範囲にわたって拡がることができる。これは、パターンの照明の方位角に依存する効果が、外側照明極と内側照明極とにおいて同じくもたらされるという利点を有する。本発明は、更に、パターンを照明するための照明系と、パターンを感光基板上に結像するための投影対物系とを含むEUVマイクロリソグラフィのための投影露光装置に関する。投影対物系は、掩蔽を備えた瞳平面を有する。照明系は、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が照明極最低値よりも高い照明極を有する角度分布を有する光を生成する。光強度は、照明極内で大きい極角度から小さい極角度に向けて増加する。特に、光強度は連続的に増加させることができる。照明極は、小さい極角度に向けて、掩蔽の縁部における極角度の正弦値の110よりも小さい正弦値を有する極角度が発生するまで拡がることができる。これは、大きい周期を有する回折構造を有するパターンの結像時に十分な光強度が像生成に利用可能であるという利点を有する。特に、照明極は、小さい極角度に向けて掩蔽に至るまで拡がることができる。照明極は、大きい極角度に向けて、投影対物系の物体側開口数の少なくとも90の正弦値を有する極角度が発生するまで拡がることができる。これは、小さい周期を有する回折構造を有するパターンの結像時に十分な光強度が像生成に利用可能であるという利点を有する。特に、照明極は、投影対物系の物体側開口数に対応する正弦値を有する極角度に向けて拡がることができる。照明極は、ミラー配列によって形成することができる。それによって所定の光角度分布の照明極による角度分布へのほぼ無損失の変換が可能になる。しかし、同様に、絞りを用いて照明極を形成することができる。このようにして、照明極を事前決定に従って比較的少ない経費で非常に精密に形成することができる。照明極は、少なくとも45°に等しい方位角度範囲にわたって拡がることができる。特に、方位角度範囲は、60°とすることができる。光の角度分布は、照明極と類似に具現化された更に別の照明極を有することができる。特に、照明極と更に別の照明極は、掩蔽の両側に互い対向して位置することができる。この場合、二重極設定は、照明極と更に別の照明極とによって形成することができる。掩蔽は、瞳平面内の中心に配置することができる。掩蔽のそのような実施形態は、結像に関して利点を有する。一例として、この配列により、テレセントリック性誤差を回避することができる。投影対物系は、少なくとも0.4という像側開口数を有することができる。高い開口数は、高い分解能を得ることができるという利点を有する。本発明の全ての変形において、照明極は、格子に従って互いに横並びに配置された複数の離散面要素で構成することができる。この場合、離散面要素の間の光強度は、離散面要素内のものよりも低いとすることができる。特に、離散面要素の間の光強度がゼロまで低下する可能性もある。このようにして具現化された照明極の場合には、離散面要素内の強度は、各場合に、クレームにおいて言及された光強度の最低値との比較に使用される。この場合、照明極は、各場合に面要素の格子によって定義される距離内に十分な強度を有する離散面要素が続かない場所で終端する。本発明は、更に、掩蔽を備えた瞳平面を有する投影対物系を用いた感光基板のマイクロリソグラフィ露光の方法に関する。本発明による方法では、照明系を用いて、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が照明極最低値よりも高い照明極を有する角度分布を有するEUV領域の光が生成される。この場合、照明極は、大きい極角度に向けて、その内部で光強度が照明極最低値よりも低く、瞳平面の掩蔽の形状に対応する形状を領域的に有する暗域が除外されるように具現化される。本発明による方法の一変形では、照明系を用いて、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が外側照明極最低値よりも高い外側照明極を有する角度分布を有するEUV領域の光が生成される。更に、角度分布は、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が内側照明極最低値よりも高い内側照明極を有する。内側照明極の角度範囲は、外側照明極の角度範囲よりも小さい極角度を有し、光強度の内側照明極最低値は、外側照明極最低値よりも高い。本発明による方法の更に別の変形では、照明系を用いて、極角度の範囲及び方位角の範囲にわたって拡がり、その内部で光強度が照明極最低値よりも高い照明極を有する角度分布を有するEUV領域の光が生成される。この場合、照明極は、照明極内の光強度が大きい極角度から小さい極角度に向けて増加するように具現化される。本発明は、更に、EUVマイクロリソグラフィのための投影露光装置の照明系の絞りに関する。本発明による絞りは、照明系によって生成されて掩蔽を備えた瞳平面を有する投影対物系に供給される光の角度分布を予め定義する少なくとも1つの絞り開口部を有する。絞り開口部は、投影対物系の瞳平面の掩蔽の外側輪郭の形状に対応する形状を領域的に有する少なくとも1つの境界線によって境界が定められる。特に、境界線は、領域的に掩蔽の外側輪郭に等しいように具現化することができる。投影対物系の瞳平面の掩蔽の外側輪郭の形状に対応する形状を有する絞り開口部の境界線の領域は、絞り開口部を半径方向に外側に向けて区切ることができる。本発明による絞りの一変形では、絞りは、照明系によって生成されて掩蔽を備えた瞳平面を有する投影対物系に供給される光の角度分布を予め定義する少なくとも1つの内側絞り開口部と少なくとも1つの外側絞り開口部とを有する。外側絞り開口部は、内側絞り開口部の半径方向に完全に外側に配置される。内側絞り開口部は、投影対物系の瞳平面の掩蔽の外側輪郭の形状に対応する形状を領域的に有する少なくとも1つの境界線によって境界を定めることができる。特に、境界線は、掩蔽の外側輪郭に領域的に等しいように具現化することができる。本発明を図面に示す例示的な実施形態に基づいて以下により詳細に説明する。図1は、本発明により具現化されたマイクロリソグラフィのための投影露光装置の例示的な実施形態を略ブロック図に示している。投影露光装置は、照明系1と投影対物系2とを含む。照明系1の構造及び投影対物系2の構造に対しては、図2及び図3を参照してより詳細に説明する。照明系1は、レチクルとも呼ぶマスク3を予め決定可能な角度分布を有する光で照射する。照明設定とも呼ぶこの光の角度分布については、以下により詳細に説明する。マスク3は、投影対物系2の物体平面4に配置され、投影対物系2に面する側にパターンを有する。投影対物系2は、マスク3のパターンを基板5の感光層上に結像する。基板5は、投影対物系2の像平面6に配置される。マスク3のパターンの基板5の感光層上への結像は、特に、マスク3と基板5とが、投影対物系2の結像特性を考慮しながら同期して移動され、パターンの部分領域のみが、マスク3の移動方向と平行に照明される走査作動の状況で行うことができる。結像に関する同期移動を可能にするために、マスク3及び基板5の進行移動中に、パターンを結像するのに使用する結像スケール、及び結像が非反転方式又は反転方式のいずれで行われるかが考えられている。マスク3及び基板5の進行移動は、図1に示すy方向と平行又は反平行に行われる。z方向は、物体平面4及び像平面6と垂直に延びている。図2は、照明系1における例示的な実施形態の子午断面を示している。照明系1は、EUV領域の光、すなわち、約100nmよりも短い波長を有する光を生成するための光源7を有する。光源7によって生成される光の波長は、投影対物系2の作動波長と適合され、特に13.5nm又は7nmである。一例として、プラズマ光源又はシンクロトロンを光源7として使用することができる。光源7によって生成される光のビーム経路には、第1の照明ミラー8、第2の照明ミラー9、第3の照明ミラー10、第4の照明ミラー11、及び第5の照明ミラー12が、この順番で連続して配置される。第1の照明ミラー8は、光源7によって生成される光を集光し、それを第2の照明ミラー9に供給するコレクターミラーとして具現化される。第2の照明ミラー9は、複数のミラーファセット13を有するファセットミラーとして具現化される。ミラーファセット13は、各個々のミラーファセット13において結像光線に対する向きを変更することができるように可動方式に具現化される。これは、各ミラーファセット13において、光の入射角、すなわち、光線とそれぞれのミラーファセット13の面に対する法線の間の角度を個々に設定することができ、その結果、各場合に光が鏡面反射される方向を選択することができることを意味する。特に、ミラーファセット13を駆動することにより、第2の照明ミラー9のそれぞれのミラーファセット13において反射された光が、第3の照明ミラー10上に入射する場所を定めることができる。第3の照明ミラー10も第2の照明ミラー9と同様に、ファセットミラーとして具現化され、複数のミラーファセット14を有する。第3の照明ミラー10のミラーファセット14も、第2の照明ミラー9のミラーファセット13と類似の方式で個々に駆動することができ、それによって反射光の方向に影響を及ぼすことができる。第2の照明ミラー9のミラーファセット13と第3の照明ミラー10のミラーファセット14との協働駆動により、第1の照明ミラー8によって所定の光の角度分布を損失のない方式で、又は僅かな損失しか伴わずに、この角度分布から逸脱する角度分布に変換することができる。第4の照明ミラー11は、光入射場所における表面法線に対して比較的小さい角度で照射され、第3の照明ミラー10から入射する光を第5の照明ミラー12の方向に反射する。第5の照明ミラー12は、かすめ入射で、すなわち、ミラー面に対して比較的小さい角度で照射され、光を投影対物系2の物体平面4に向ける。照明ミラー8、9、10、11は、例えば、各場合に担体材料上に配置された層積層体として具現化することができる。層積層体は、特に、シリコンとモリブデンとで構成された交替層の積層体とすることができる。一例として、ガラスセラミック、特にZerodurという商品名の下で販売されているガラスセラミックが、担体材料として適している。照明ミラー12は、例えば、特にルテニウム層として具現化することができる金属面を有することができる。この場合、特にガラスセラミックが、担体材料として適切である。図3は、投影対物系2における例示的な実施形態の子午断面を示している。図示の投影対物系2の例示的な実施形態は、第1の結像ミラー15、第2の結像ミラー16、第3の結像ミラー17、第4の結像ミラー18、第5の結像ミラー19、第6の結像ミラー20、第7の結像ミラー21、及び第8の結像ミラー22を有し、これらの結像ミラーは、この順番で投影対物系2の物体平面4から像平面6に配置される。結像ミラー15、16、17、18、19、20、21、22の全ては、照明ミラー8、9、10、11、12と同様に、各場合に担体材料上に配置された層積層体として達成することができる。図示の例示的な実施形態において、結像ミラー15、16、17、18、19、20、21、22の全てが非球面方式で、投影対物系2の光学系軸23に関して回転対称に具現化される。しかし、各場合に結像ミラー15、16、17、18、19、20、21、22の完全な回転体を実際に有形的に存在させることは必要ではない。代替的に、基板5の感光材料の露光に寄与する光が結像ミラー15、16、17、18、19、20、21、22上に実際に入射する場所に結像ミラー15、16、17、18、19、20、21、22を形成するだけで十分である。結像ミラー15、16、17、18、19、20、21、22による遮蔽が発生することになる場所で、結像ミラー15、16、17、18、19、20、21、22は各場合に切り抜かれる。そうでなければ、結像ミラー15、16、17、18、19、20、21、22の回転体が実際に形成される場所と、これらの結像ミラーが形成されない場所とは、生産工学的考察及び投影対物系2の可能な限り最適な作動に関する考察にゆだねられる。更に、図3に示す投影対物系2の設計は、光が物体平面4から像平面6に通過することができる順番で、第5の結像ミラー19が切除部24を有し、第6の結像ミラー20が切除部25を有し、第7の結像ミラー21が切除部26を有し、第8の結像ミラー22が切除部27を有することを必要とする。図示の例示的な実施形態において、投影対物系2は、13.5nmの作動波長に向けて設計され、0.54の像側開口数NAを有する。投影対物系2の結像スケールは6:1である。結像ミラー15、16、17、18、19、20、21、22の基本設計データを表1及び表2に列挙する。表1表2表1及び表2では、各場合に面を最初の列に示している。表1の更に別の列は、最適適合球面の曲率半径、次の面までの光学系軸23上の距離、及び各場合にどの種類の面が含まれるかの指示を表している。表2には、ミラー面の非球面定数K、C1、C2、C3、C4、C5、C6、及びC7を更に別の列に示している。これらの非球面定数に基づいて、非球面ミラー面は、次式のように定義される。ph=[1/rh2/1SQRT1-1K1/r2h2]C1h4C2h6C3h8C4h10C5h12C6h14C7h16この場合、曲率半径の逆数1/rは、それぞれのミラー面の面曲率を示し、hは、面上の点と光学系軸23の間の距離を示している。その結果、phは、いわゆるサジッタ、すなわち、面上の点と面頂点の間のz方向の距離を示している。投影対物系2は、結像ミラー15、16、17、18、19、20、21、22のうちの1つ又はそれよりも多くが球面方式に具現化されるように修正することができる。更に別の修正により、結像ミラー15、16、17、18、19、20、21、22のうちの1つ又はそれよりも多くをいずれの回転対称性も持たない自由曲面として具現化することができる。図3に示すビーム経路から明らかなように、投影対物系2の物体平面4は、最初に第1の中間像平面28に結像される。第1の中間像平面28は、第2の中間像平面29に結像され、更に第2の中間像平面29は、投影対物系2の像平面6に結像される。物体平面4と第1の中間像平面28の間には第1の瞳平面30が形成される。第1の中間像平面28と第2の中間像平面29の間には第2の瞳平面31が形成され、第2の中間像平面29と像平面6の間には第3の瞳平面32が形成される。第1の瞳平面30、第2の瞳平面31、及び第3の瞳平面32の領域内では、各場合に主光線が光学系軸23と交わる。この場合、主光線は、各場合に光学系軸23から外れた物体平面4の点から射出するビームの中心光線である。この定義は、光が主光線の領域内に実際に存在するか否かとは無関係に使用され、この存在の真偽は、照明設定及びマスク3の構造に依存する。図3には、主光線を図式的に示している。この場合、明瞭化の理由から、主光線を例えば遮蔽効果又は掩蔽に起因して主光線が物理的に存在しない領域内にも部分的に示すことを考慮すべきである。更に、主光線が、物体平面4を光学系軸23と平行に射出せず、その結果、物体側にいずれのテレセントリック性も存在しないことを考慮すべきである。これは、照明系1の光が、物体平面4に配置されたマスク3上に垂直に入射せず、マスク3の面に対する法線とゼロとは異なる角度を構成することに起因する。この場合、これらの角度付き入射は、各場合にマスク3上に入射する光ビーム25の平均伝播方向に関連する。投影対物系2の光学収差に起因して、中間像及び同じく瞳は、各場合に完全に平面状に形成されず、従って、中間像は、各場合に厳密に中間像平面28、29内に位置するわけではない。第3の結像ミラー17は、その比較的小さい寸法に起因して開口絞りとして機能し、従って、投影対物系2の物体側及び像側の開口数を定義する。結像ミラー19、21、22内の切除部24、26、27は、像平面6内の光の極角スペクトルが、開口絞りによる境界画定に加えて更に別の境界画定を受けるという結果を有する。しかし、この更に別の境界画定は、大きい極角に対してはもたらされず、小さい極角に対してもたらされる。これは、投影対物系2の瞳平面30、31、32内では、各場合に最大で開口絞りによって境界が定められる領域を照明することができ、瞳平面30、31、32の照明可能領域は、各場合に付加的に中心掩蔽を有することを意味する。投影対物系2の結像特性に対するこの掩蔽の効果を以下に説明し、これらの効果を低減することを可能にする解決法を以下に提案する。図4は、照明設定の例示的な実施形態の概略図を示している。上述のように、照明設定という用語は、マスク3を照明する光の角度分布を表している。これは、回折構造が存在しない場合には、照明設定が、投影対物系2の物体平面4内の光の角度分布に対応することを意味する。物体平面4内のこの角度分布は、空間座標と共に変化する場合があるので、通常、光学系軸23の場所における照明設定の形状が示されている。外円33は、各場合に投影対物系2の物体側開口数を示している。この外円33の範囲の座標は、あらゆる点から外円33の中点までの距離が、各場合に投影対物系2の物体平面4内の関係する極角の正弦に対応するように選択される。この場合、極角は、各場合に物体平面4に配置されたマスク3を照明系1の光で照明する方向に対して、すなわち、照明系1によって生成される光の平均伝播方向に対して決定される。この場合これらの正弦値は、各場合に外円33が半径1.0を有するように投影対物系2の物体側開口数に対して正規化される。正規化された正弦値が値として指定され、これらの値は、0.0と1.0との間で変化することができる。内円34は投影対物系2の掩蔽を表し、すなわち、掩蔽の角度範囲に回折された光線は、マスク3のパターンの像生成に寄与することができない。更に、図4は、2つの照明極35、36を示しており、各照明極35、36は、60°の開口角を有し、従って、60°に等しい方位角度範囲にわたって拡がっている。各照明極35、36は、半径方向にはσ=0.6からσ=0.8までの範囲にわたって拡がっている。従って、図4に示す照明設定は二重極設定である。照明極35、36内では、光強度は、所定の照明極最低値よりも高い。照明極35、36の外側では、光強度は、照明極最低値よりも低い。図5は、各場合に図4に記載の照明設定で照明される異なるパターンの結像中の投影対物系2の第1の瞳平面30の照明の概略図を示している。従って、照明系1によって生成され、パターンを照明する光の角度分布は、パターンの全てに対して等しく、図4に示す二重極設定に対応する。パターンは、各場合に、周期的に配置されたストリップの形態にある回折構造を有し、以下では回折構造の周期とも呼び、例えば、ストリップ中心からストリップ中心までで測定されたストリップの距離は、図5の左手の図では22nm、図5の中央の図では30nm、図5の右手の図では36nmであり、ストリップは、図5の図と垂直に延びている。この場合、ストリップの距離に関するこれら及び同じく更に別の徴候は、各場合にパターン自体には関連せず、像平面6内に生成されるパターンの像に関連し、従って、パターン自体に適用される値から結像スケールだけ逸脱することを考慮すべきである。ハッチングは、第1の瞳平面30のうちで、光強度が所定の照明最低値よりも大きく、以下で照明領域37、38、39、40と呼ぶ領域を特定する。照明領域37、38は、マスク3のパターンの回折構造における0次の回折次数の光の回折の結果として生じ、従って、照明系1によって投影対物系2の物体平面4内に生成される光の角度分布、すなわち、照明設定も表している。照明領域39、40は、パターン3の回折構造における1次の回折次数、すなわち、1次の回折次数又は-1次の回折次数の光の回折の結果として生じる。図5に指定した条件の下では、第1の瞳平面30内に、2つの照明極35、36の各々に対して、それぞれ0次の回折次数によって照明される領域37及び38と、それぞれ1次の回折次数によって照明される領域39及び40とが形成される。本明細書では、図5及び同じく更に別の図における座標は、0次の回折次数によって照明される領域37及び-1次の回折次数によって照明される領域40が、照明極35によって形成されるように選択したものである。0次の回折次数によって照明される領域38及び1次の回折次数によって照明される領域39は、照明極36によって形成される。パターン回折構造周期が小さい程、各場合に、0次の回折次数によって照明される領域37、38と、関係する1次の回折次数によって照明される領域39、40の間の距離は大きい。従って、パターンの回折構造が最も小さい周期を有する図5の左手の図では、-1次の回折次数によって照明される領域40は、投影対物系2の物体側開口数に対する外円33の右手の縁部に配置され、従って、投影対物系2の像平面6内の像生成に依然としてかろうじて寄与することができる。1次の回折次数によって照明される領域39は、投影対物系2の物体側開口数に対する外円33の左手の縁部に配置され、同じく投影対物系2の像平面6内の像生成に依然としてかろうじて寄与することができる。図5に指定した条件の下での投影対物系2の像平面6内での像生成では、-1次の回折次数は、0次の回折次数と干渉する場合があり、1次の回折次数も、0次の回折次数と干渉する場合がある。図5の左手の図における照明領域37、38、39、40の全てが内円34の外側に位置するので、第1の瞳平面30の掩蔽は、像生成に対していずれの悪影響も持たない。図5の中央の図では、パターンの回折構造は、左手の図におけるものよりも大きく、右手の図におけるものよりも小さい周期を有する。それに応じて1次の回折次数によって照明される領域39、40は、各場合に左手の図と比較して小さいσ値に向けてシフトし、領域において掩蔽の内円34と重なる。従って、第1の瞳平面30の掩蔽は、各場合に1次の回折次数によって照明される領域39、40の部分域しか像生成に寄与せず、1次の回折次数の光の一部が失われるという結果を有する。1次の回折次数によって照明される領域39、40の掩蔽との重ね合わせは、像生成に対して純強度損失よりも大きい逆効果を有する。掩蔽内に回折される光は、像生成のための干渉相手として利用することができない。干渉相手としてこの光を余儀なく必要とする回折次数は、掩蔽との重ね合わせのサイズに基づいて、像生成に部分的にしか、又は全く寄与することができず、コントラストを低下させる背景放射を供給するだけである。最も大きいパターン回折構造周期を有する図5の右手の図では、1次の回折次数によって照明される領域39、40は、更に小さいσ値に向けてシフトし、掩蔽に対する内円34とほぼ完全に重なる。従って、1次の回折次数によって照明される領域39、40の僅かな部分域しか掩蔽の外側に位置せず、像生成に寄与することができない。1次の回折次数によって照明される領域39、40の比較的大きい部分域が掩蔽内に位置し、その結果、干渉相手として利用することができず、従って、背景放射が比較的高く、コントラストが比較的低い。図6は、照明設定の更に別の例示的な実施形態の概略図を示している。図6に示す照明設定は、図4と同じく60°の開口角を有する照明極35、36を有する二重極設定である。しかし、図6の二重極設定における照明極35、36は、図4におけるものよりも半径方向に大きい範囲にわたって、すなわち、σ=0.3からσ=1.0まで拡がっている。これは、照明極35、36が、投影対物系2の物体側開口数に対する外円33に至るまで半径方向に外向きに拡がり、掩蔽に対する内円34に至るまで半径方向に内向きに拡がることを意味する。図7は、各場合に図6に記載の照明設定で照明される異なるパターンの結像中の投影対物系2の第1の瞳平面30の照明の概略図を示している。この場合、各場合に図5と同じパターンが使用されている。図7は、例示方式においても図5に対応する。図7の左手の図では、投影対物系2の物体側開口数から外れた角度が1次の回折次数において発生し、従って、1次の回折次数における光の一部しか、第1の瞳平面30の照明に寄与しない。それに応じて、1次の回折次数によって照明される領域39、40は、物体側開口数に対する外円33に至るまで拡がり、図6に示す照明極35、36の部分域にしか対応しない。図7の中央の図では、1次の回折次数によって照明される領域39、40は、大きいパターン回折構造周期に起因して各場合に小さいσ値に向けてシフトし、従って、物体側開口数に対する外円33は、もはや制限効果を持たない。しかし、1次の回折次数によって照明される領域39、40は、図5の中央の図と同様に、ここでは掩蔽に対する内円34と領域的に重なり、従って、この場合、掩蔽がコントラストの損失をもたらす。しかし、照明極35、36の大きい半径方向広がり、更に上述の結果として生じる、1次の回折次数によって照明される領域39、40に起因して、図5の中央の図の場合よりも多い光が、像生成のための干渉相手として利用可能である。同じことは、図7の右手の図にも同じく適用され、この図では、1次の回折次数によって照明される領域39、40は、一層大きいパターン回折構造周期に起因して一層小さいσ値に向けてシフトしている。それによって掩蔽に対する内円34との一層大きい重ね合わせがもたらされ、それに応じて更に掩蔽の結果として生じる一層大きいコントラスト損失がもたらされる。しかし、この場合にも、照明極35、36の大きい半径方向広がりに起因して、図5の右手の図の場合におけるものよりも多い光が像生成に利用可能である。図8は、照明設定の更に別の例示的な実施形態の概略図を示している。図8に示す照明設定は、図4及び図6と同じく60°の開口角を有する照明極35、36を有する二重極設定である。図6と同様に、図6の二重極設定における照明極35、36は、半径方向にσ=0.3からσ=1.0の範囲にわたって拡がりている。しかし、図8の照明極35、36は、図6の照明極35、36とは、光強度が各場合に照明極最低値よりも低い暗域41、42によって異なる。暗域41、42は、照明極35、36の外側領域内に形成され、円セグメントの形状を有する。照明極35、36の幾何学形状、特に暗域41、42の幾何学形状に関する詳細に対しては、図10を参照して説明する。図9は、各場合に図8に記載の照明設定で照明される異なるパターンの結像中の投影対物系2の第1の瞳平面30の照明の概略図を示している。この場合、各場合に図5及び図7と同じパターンが使用される。図9は、例示方式においても図5及び図7に対応する。図8の照明設定の照明極35、36の暗域41、42は、図9の0次の回折次数によって照明される領域37、38及び1次の回折次数によって照明される領域39、40が、各場合に図7に記載の照明最低値よりも小さい光強度を有する非照明域43、44によって異なるという結果を有する。非照明域43、44の幾何学形状は、暗域41、42の幾何学形状に対応する。図7と図9との比較から、図9に従って修正された二重極照明の場合の小さいパターン回折構造周期の場合左手の図には、図7に記載の二重極照明の場合におけるものよりも少ない光しか像生成に利用することができないことが更に明らかである。0次の回折次数によって照明される領域37、38、及び同じく1次の回折次数によって照明される領域39、40は、図9の左手の図では、図7の左手の図におけるものよりも小さい面積を有する。制限された物体側開口数及び掩蔽の結果として生じるコントラスト損失に関しては、いずれの相違点も存在しない。図9の中程度のパターン回折構造周期の場合は中央の図、特に0次の回折次数によって照明される領域37、38、及び程度は低いが、1次の回折次数によって照明される領域39、40も、図7におけるものよりも小さい面積を有する。しかし、図7とは対照的に、図9では、0次の回折次数によって照明される領域37、38の領域内のものと類似の方式で、1次の回折次数によって照明される領域39、40の領域内に形成される非照明域43、44に起因して、1次の回折次数によって照明される領域39、40は、掩蔽に対する内円34と重ね合わせないので、掩蔽の結果として生じるコントラスト損失は発生しない。図9の大きいパターン回折構造周期の場合右手の図には、1次の回折次数によって照明される領域39、40ではなく、0次の回折次数によって照明される領域37、38のみが図7よりも小さい面積を有する。1次の回折次数によって照明される領域39、40は、非照明域43、44に起因して掩蔽に対する内円34と殆ど重ね合わせないので、掩蔽の結果として生じるコントラスト損失は僅かしか発生しない。図10は、図9に使用されている照明設定の照明極35、36の幾何学形状の概略図を示している。図10は、照明極35、36を設計する際に基本とする基本形状として、図7に記載の照明極35、36の形状を示しており、すなわち、照明極35、36が60°の開口角を有し、σ=0.3とσ=1.0との間で拡がることを示している。更に、図7には掩蔽に対する内円34を示している。掩蔽内に回折される照明極35、36の光は、像生成に対する干渉相手として寄与することができないので、本発明の関連では、この光の少なくとも一部は、照明極35、36から除外される。それに応じて、照明極35、36の面積は、暗域41、42によって低減する。しかし、掩蔽内に回折される照明極35、36の領域は、パターンの回折構造に依存する。一般的に、マスク3は、複雑さに関しては等しいストリップ距離を有する単純なストリップパターンよりも大きいパターンを有するので、照明極35、36の同じ領域が、パターンの第1の回折構造において像生成に寄与し、パターンの第2の回折構造において掩蔽内に回折され、その結果像生成に寄与しないことが起こる場合がある。従って、パターンの回折構造に依存する暗域41、42の定義では、全ての回折構造に対して変わらずに像生成に十分な光を供給し、可能な限り僅かな光しか掩蔽内に回折されないようにする妥協が必要である。この妥協は、掩蔽に対する内円34が、各場合に両方の照明極35、36に向けて距離Δσだけ横方向にシフトし、シフトした内円34の領域が、照明極35、36から切り抜かれるようなものとすることができる。このようにして、円セグメントとして具現化された暗域41、42がもたらされる。距離Δσは、次式のように計算することができる。Δσ=λ/PcriticalNAこの場合、λは、投影対物系2の作動波長であり、Pcriticalは、以下により詳細に定義するコントラスト又はパラメータNILSが最小値を有する臨界パターン回折構造周期であり、NAは、投影対物系2の像側開口数である。投影対物系2を用いた結像中に得ることができるコントラストに対する上述の照明設定の量的効果を図11を参照して以下により詳細に説明する。図11は、リソグラフィ処理における様々な照明設定の適合性を示すためのグラフを示している。この図には、様々な照明設定における投影対物系2を用いて生成される像の転写精度に関するパラメータNILS正規化像対数勾配を結像パターンの周期ピッチに対してプロットしている。この場合、転写精度は、投影対物系2の像平面6に配置された基板5の感光層の露光に対する要件が各場合に生成される像によって満たされる程度を意味すると理解すべきである。この場合、パラメータNILSは、基板5の感光層の露光閾値に対応する強度値における場所依存の強度プロフィールの勾配として定義される。この場合、CDは、例えば、露光閾値における線を表す強度プロフィールの幅であり、Iは強度であり、xは像平面内の空間座標である。像の転写精度は、パラメータNILSが少なくとも1という値を有する場合に保証される。明確に1よりも低いパラメータNILSの値では、基板5の感光層の露光から構成される最低要件は受け入れられず、その結果、転写精度は保証されない。図11から実線で示す曲線プロフィールを参照されたい、図4に示す二重極設定において、領域内の36nmのパターン回折構造周期の場合にパラメータNILSが約0.6という値を取り、従って、この周期が、上述の照明設定を用いては保証されないことが明らかである。図5の右手の図から明らかないように、36nmの周期の場合のパラメータNILSの低い値は、1次の回折次数によって照明される領域39、40が掩蔽と大幅に重なり、従って、少なからぬコントラスト損失が発生することに帰することができる。図6に示す照明設定を使用すると、有意な改善を提供することができ破線で示す曲線プロフィールを参照されたい、この場合、照明極35、36は大きいσ範囲にわたって拡がり、その結果、36nmの周期の場合には、1次の回折次数によって照明される領域39、40と掩蔽との重ね合わせにも関わらず、比較的大量の光が像生成に依然として利用可能である。この照明設定の場合には、パラメータNILSは、図示の範囲全体において0.8よりも大きい値を有する。図8に示す修正された二重極設定を使用すると、より良好な転写精度を得ることができ、この場合、暗域41、42は、照明極35、36から除外される一点鎖線で示す曲線プロフィールを参照されたい。この改善は、修正された二重極設定の場合には、暗域41、42からもたらされる非照明域43、44に起因して、掩蔽との重ね合わせが低減し、それに応じてコントラスト損失も小さくなることに基づいている。これは、図8の修正された二重極設定の場合に、いずれの暗域41、42も持たない、図6にあるこの設定に対応する二重極設定の場合におけるものよりも多い光が像生成に利用可能であるわけではないにも関わらず、図示の範囲のパラメータNILSの値は殆ど1を下回らないという結果を有する。その結果、修正された二重極設定の場合に、図示の全てのパターン回折構造周期において十分な転写精度が保証される。その結果、図4及び図6の二重極設定と比較すると、図8の修正された二重極設定が、全体として最良の転写精度を保証することを図11から直接推察することができる。更に、図8の修正された二重極設定では、図4及び図6の二重極設定と比較して、露光寛容度及び許容デフォーカスに関して最も大きいプロセスウィンドウがもたらされる。一例として、22nm、40nm、54nm、及び150nmの周期において、図8の修正された二重極設定の場合に、9.02の露光寛容度及び32mmの焦点深度がもたらされる。暗域41、42のない図6の対応する二重極設定を使用すると、7.83の露光寛容度及び28nmの焦点深度が得られる。上述の二重極設定に対する代替として、良好な転写精度を得るために異なって形成された照明設定を使用することができる。これを図12から図18を参照して以下により詳細に説明する。図12は、照明設定の更に別の例示的な実施形態の概略図を示している。図12に示す照明設定は、2つの内側照明極35a、36a及び2つの外側照明極35b、36bを有する。それに応じて、この照明設定を以下では二重二重極設定とも呼ぶ。内側照明極35a、36a内では、光強度は、所定の内側照明極最低値よりも高い。外側照明極35b、36b内では、光強度は、所定の外側照明極最低値よりも高い。照明極35a、35b、36a、36bの外側では、光強度は、内側照明極最低値及び外側照明極最低値よりも低い。内側照明極35a、36a及び外側照明極35b、36bは、各場合に例えば60°の同じ方位角度範囲にわたって拡がり、各場合に同じ円周区間に配置される。外側照明極35b、36bは、半径方向に内側照明極35a、36aの外側に配置され、従って、内側照明極35a、36aよりも高いσ値を有する。更に、外側照明極35b、36bの照明面積は、内側照明極35a、36aの照明面積よりも大きい。一例として、外側照明極35b、36bの照明面積は、内側照明極35a、36aの照明面積の2倍大きいとすることができる。しかし、内側照明極35a、36aは、外側照明極35b、36bよりも高い光強度を有する。一例として、内側照明極35a、36aの光強度は、外側照明極35b、36bの光強度の2倍高いとすることができる。特に、内側照明極35a、36aの照明面積及び光強度と外側照明極35b、36bの照明面積及び光強度とは、内側照明極35a、36aと外側照明極35b、36bとが各々同じ光パワーを有するように、互いに調整することができる。外側照明極35b、36bと内側照明極35a、36aの間の半径方向距離は、特に、内側照明極35a、36aの1次の回折次数が、臨界周期Pcriticalを有するパターンの回折構造における回折の場合に、完全に又は少なくとも大部分が掩蔽の外側に位置するように選択することができる。これを図13に例示している。図13は、図12に示す照明設定におけるパターンの結像中の投影対物系2の第1の瞳平面30の照明の概略図を示している。このパターンはストリップパターンであり、ストリップ距離は、臨界周期Pcriticalに対応する。図示の例示的な実施形態において、臨界周期Pcriticalは、36nmの値を有する。図13は、内側照明極35a、36aの0次の回折次数によって照明される領域37a、38a、外側照明極35b、36bの0次の回折次数によって照明される領域37b、38b、内側照明極35a、36aの1次の回折次数によって照明される領域39a、40a、及び外側照明極35b、36bの1次の回折次数によって照明される領域39b、40bを示している。図13から明らかなように、外側照明極35b、36bの1次の回折次数によって照明される領域39b、40bは、掩蔽と大幅に重なり、従って、図示の条件の下では大幅なコントラスト損失が発生する。しかし、内側照明極35a、36aの1次の回折次数によって照明される領域39a、40aは掩蔽と重ね合わせないので、このコントラスト損失は、内側照明極35a、36aによって少なくとも部分的に補償することができる。この場合、内側照明極35a、36aの高い光強度に起因して、多くの場合に、十分な光が補償に利用可能である。像の転写精度に対するこの補償の効果を図14に例示している。図14は、転写精度に対する図12に示す内側照明極35a、36aの効果を示すためのグラフを示している。例示方式は、図11に対応し、すなわち、転写精度に関するパラメータNILSを結像パターンの周期に対してプロットしている。この図は、照明極が60°の開口角を有し、半径方向にσ=0.6からσ=0.8までの範囲にわたって拡がる二重極設定において求められた曲線プロフィールを実線形式に示している。この曲線プロフィールは、図12の外側照明極35b、36bに対応する。この曲線プロフィールは、臨界周期Pcritical=36nmの場合に大幅な降下を有し、従って、この領域内のパラメータNILSの値は1よりも有意に低く、臨界周期Pcriticalの近くの周期を有するパターン回折構造に対する像の転写精度は保証されない。図14に示すグラフの更に別の曲線プロフィールを破線形態で例示している。この更に別の曲線プロフィールは、内側照明極35a、36a及び外側照明極35b、36bを有する図12に示す二重二重極設定において求められたものであり、同じく臨界周期Pcritical=36nmの近くに1よりも僅かしか低くないパラメータNILSの値を有する。これは、図示の範囲全体で像の十分な転写精度が保証されることを意味する。内側照明極35a、36a及び外側照明極35b、36bを有する図12に示す二重二重極設定に対する代替として、各々が半径方向に変化する光強度を有する2つの照明極35、36のみを有する二重極設定を使用することができる。これは、2つの照明極35、36が、各場合に異なるσ値において異なる光強度を有することを意味する。特に、照明極35、36は、大きいσ値よりも小さいσ値において高い光強度を有する。この場合、光強度は、小さいσ値から大きいσ値に連続して低下することができる。このようにして光強度が変化する照明極35、36は、例えば、60°の開口角を有し、半径方向にσ=0.3からσ=1.0までの範囲にわたって拡がることができる。一般的に、照明設定は、像生成に寄与しない可能な限り全ての領域が除去されるように、及び/又は他の領域と掩蔽との重ね合わせによってもたらされるコントラスト損失を補償するために、更に別の領域が追加されるように具現化することができる。従って、適切な照明設定を設計するために、最初に投影対物系2の第1の瞳平面30のどの領域が、パターン回折構造周期のうちの1つ又は複数のものにおける像生成に寄与するかを検査することができる。次に、照明設定を第1の瞳平面30のこれらの領域が可能な限り最適に照明され、第1の瞳平面30の他の領域、特に掩蔽の領域が可能な限り僅かしか照明されないように最適化することができる。異なる周期を有する回折構造を有するパターンの場合には、一般的に、全ての周期において十分な転写精度を可能にする妥協を行うことが必要になる。適切な照明設定の設計における手順を図15から図17を参照して実施形態に対して説明する。図15は、22nmのパターン回折構造周期の場合に、像生成に寄与する領域を示す第1の瞳平面30の概略図を示している。図15から推察することができるように、像生成に寄与する光が射出する、ハッチングで強調した2つの瞳領域45及び46が存在する。この場合、像は、0次の回折次数と1次の回折次数との干渉、及び0次の回折次数と-1次の回折次数との干渉によって生成される。0次及び1次の回折次数からの像生成は、瞳領域45からの光を用いて行われ、0次及び-1次の回折次数による像生成は、瞳領域46からの光を用いて行われる。瞳領域45、46の外側の光は像生成に寄与せず、背景放射を増加させるだけであり、それによってコントラストを劣化させる。瞳領域45及び瞳領域46は、各場合に方位角αoptの範囲にわたって拡がっている。図16は、36nmのパターン回折構造周期の場合に、像生成に寄与する領域を示す第1の瞳平面30の概略図を示している。36nmの周期の場合には、図15におけるものと他の点では等しい条件の下で、4つの瞳領域47、48、49、及び50が像生成に寄与する。これらの瞳領域47、48、49、50をハッチングで強調している。詳しくは、像は、瞳領域47からの0次及び1次の回折次数と、瞳領域48からの0次及び-1次の回折次数と、瞳領域49からの-1次及び1次の回折次数と、瞳領域50からの1次及び-1次の回折次数との干渉によって生成される。瞳領域47、48、49、50の外側の光は、像生成に寄与しない。これは、特に瞳領域47と49と、及び48と50とそれぞれによって囲まれた瞳領域51及び52からの光にも適用される。図17は、図15及び図16に基づいて設計された照明設定の概略図を示している。照明設定は、反復アルゴリズムを用いて、又は幾何学的に設計することができる。照明設定を設計するために、最初に、22nmの周期の場合に像生成に寄与する瞳領域45、46と、36nmの周期の場合に像生成に寄与する瞳領域47、48、49、50とから交差部が形成される。更に、この交差部は、2つの周期の一方だけにおける像生成に寄与する瞳領域47、48の部分域によって補填される。従って、この意図は、特に、図15及び図16が基づく22nm及び36nm以外の周期の場合にも十分な転写精度を保証することである。図示の例示的な実施形態の場合には、部分域は、方位角αoptの範囲で掩蔽に対する内円34に至るまで小さいσ値に向けて追加される。更に、非寄与瞳領域51、52を考慮するために、暗域41、42が除外される。それによって全体として、各々が方位角αoptの範囲に対応する開口角を有する2つの最適化された照明極35、36がもたらされる。最適化された照明極35、36は、掩蔽に対する内円34と開口数に対する外円33との間で半径方向に拡がり、暗域41、42は除外される。照明設定内の光強度の変化によって更に別の最適化を提供することができる。特に、照明極35、36の光強度が、少なくとも領域的に小さいσ値に向けて、すなわち、半径方向に内向きに増加するように、強度勾配を形成することができる。図18は、様々な照明設定の場合の転写精度を示すためのグラフを示している。例示方式は、図11及び図14と同じく選択したものである。この場合、各々が異なる照明設定を表すパラメータNILSに関する合計で3つの曲線プロフィールを示している。この図は、照明極35、36が60°の開口角を有し、半径方向にσ=0.6からσ=0.8までの範囲にわたって拡がる図4の二重極設定において求められた曲線プロフィールを実線に示している。図11及び図14のグラフにも同じ曲線プロフィールを示しており、この曲線プロフィールは、約36nmの周期においてパラメータNILSの大幅な降下を示している。この周期の領域では、パラメータNILSは、0.6よりも小さい値に低下する。この図は、暗域41、42のない図17に示す二重極設定、すなわち、照明極35、36が、方位角αoptの範囲に対応する開口角を有し、半径方向に連続してσ=0.3からσ=1.0までの範囲にわたって拡がる二重極設定において求められた曲線プロフィールを破線に示している。この曲線プロフィールは、実線で示す曲線プロフィールに優る有意な改善を構成し、特に約36nmの周期におけるパラメータNILSの降下をもはや示さない。しかし、この曲線プロフィールにおいても、パラメータNILSのパラメータ値は、領域的に値1を下回って低下する。しかし、値NILS=0.8よりも小さいことはない。この図は、暗域41、42を有する図17に示す二重極設定において求められた曲線プロフィールを一点鎖線に示している。ここでもまた、この曲線プロフィールは、破線で示す曲線プロフィールに優る有意な改善を構成する。曲線は、図示の範囲全体において値NILS=1を上回って進む。従って、図示の範囲全体において良好な転写精度が保証される。上述の方式又はあらゆる他の方式で決定した照明設定は、例えば、特に照明系1の瞳平面に配置することができる1つ又は複数の絞りによって設定することができる。適切な絞りの例示的な実施形態を図19、図20、及び図21に例示している。しかし、絞りの使用は、一般的に、望ましくない光損失をもたらす。絞りと同様に、例えば、多ミラーアレイを用いたビーム経路の転換によって事実上無損失方式で望ましい照明設定を設定する可能性が存在する。一例として、図2に示す照明系1の照明ミラー9及び10をこの目的に使用することができる。図19、図20、及び図21は、照明設定を生成するための絞り53の異なる例示的な実施形態の概略図を示している。絞り53は、例えば、薄い金属ディスクとして具現化することができる。図示の例示的な実施形態において、絞り53は、各場合に円形ディスクとして具現化され、照明系1の光が通過することを可能にする絞り開口部54、55、又は内側絞り開口部54a、55a及び外側絞り開口部54b、55bを有する。絞り開口部54、55又は内側絞り開口部54a、55a及び外側絞り開口部54b、55bの外側では、照明系1の絞り53は不透過のものである。図19に示す絞り53の例示的な実施形態を使用すると、図8に記載の照明設定を設定することができる。従って、絞り開口部54、55の形状及び配列は、図8に示す照明極35及び36の形状及び配列に対応する。この場合、絞り開口部54、55は、特に、これらの開口部の境界線が、各場合に掩蔽の外側輪郭の形状、すなわち、内円34の形状に対応することによって決定される。特に、絞り開口部54、55の境界線は、領域的に掩蔽の外側輪郭に等しいように具現化される。図示の例示的な実施形態において、そのような領域的な対応は、半径方向に内向きの境界線と半径方向に外向きの境界線の両方に関して存在する。図20に示す絞り53の例示的な実施形態は、図12に記載の照明設定を設定するためなどに機能する。従って、絞り53は、図12に示す照明極35a、36a、35b、36bの形状及び配列に対応する形状及び配列を有する内側絞り開口部54a、55a及び外側絞り開口部54b、55bを有する。この場合、外側絞り開口部54b、55bは、内側絞り開口部54a、55aの半径方向に完全に外側に配置される。更に、内側絞り開口部54a、55aの各々は、掩蔽の外側輪郭の形状に対応する形状を有する。図示の例示的な実施形態において、半径方向に内向きの内側絞り開口部54a、55aの境界線が、各場合に掩蔽の外側輪郭の形状に対応する形状を有する。特に、半径方向に内向きの内側絞り開口部54a、55aの境界線は、各場合に掩蔽の外側輪郭に同一に具現化される。図21に示す絞り53の例示的な実施形態は、図17に記載の照明設定を設定するためなどに機能する。従って、絞り開口部54、55の形状及び配列は、図17に示す照明極35及び36の形状及び配列に対応する。特に、絞り53は、絞り開口部54、55内に、薄いウェブ58、59を用いて固定され、形状及び配列に関して照明設定の暗域41、42に対応する不透過領域56、57を有する。従って、不透過領域56、57は、掩蔽の外側輪郭の形状に領域的に対応する形状を有する絞り開口部54、55の境界線を形成する。特に、絞り開口部54、55のこれらの境界線は、領域的に掩蔽の外側輪郭に等しいように具現化される。図示の例示的な実施形態において、領域における対応は、各場合に不透過領域56、57の半径方向に内向きに向く側に存在する。明瞭化の理由から、それぞれ特に断らない限り、垂直ストリップを有するマスク3を以上の説明及び図におけるベースとしてそれぞれに採用した。各場合に、水平に延びるストリップパターン又は他のパターン回折構造に対してこの考察が同じく適用される。