"回路基板に接続される基板接続部と、相手側端子に接続される端子接続部とを有する端子金具であって、前記基板接続部は、母材の表面に形成されたニッケル下地メッキ層と、前記ニッケル下地メッキ層の表面側に形成された錫メッキ層とを備えて構成され、前記端子接続部は、前記母材の表面に形成された銅下地メッキ層と、前記銅下地メッキ層の表面に形成された錫メッキ層とを備えて構成されていることを特徴とする端子金具。前記基板接続部は、前記ニッケル下地メッキ層と前記錫メッキ層との間に銅中間メッキ層を備えていることを特徴とする請求項1記載の端子金具。前記基板接続部は、前記錫メッキ層が前記ニッケル下地メッキ層よりも薄く形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の端子金具。この種の端子金具では、端子接続部が振動等によって相手側端子と摺動するため、錫メッキ層が薄くなり、錫と下地のニッケルとが合金化し、端子接続部と相手側端子との接触抵抗が増大することが懸念される。この対策としては、下地メッキ層を、ニッケルに替えて銅にすることが考えられる。しかし、端子金具がプレスフィット端子として用いられる場合には、基板接続部をスルーホールに圧入するときに、圧入抵抗が大きくなってしまうため、銅の下地メッキ層は好ましくない。本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、端子接続部においては摺動摩耗に起因する接触抵抗の増大を回避し、基板接続部においてはスルーホールへの圧入抵抗の増大を回避することを目的とする。上記の目的を達成するための手段として、請求項1の発明は、回路基板に接続される基板接続部と、相手側端子に接続される端子接続部とを有する端子金具であって、前記基板接続部は、母材の表面に形成されたニッケル下地メッキ層と、前記ニッケル下地メッキ層の表面側に形成された錫メッキ層とを備えて構成され、前記端子接続部は、前記母材の表面に形成された銅下地メッキ層と、前記銅下地メッキ層の表面に形成された錫メッキ層とを備えて構成されているところに特徴を有する。請求項2の発明は、請求項1に記載のものにおいて、前記基板接続部は、前記ニッケル下地メッキ層と前記錫メッキ層との間に銅中間メッキ層を備えているところに特徴を有する。請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載のものにおいて、前記基板接続部は、前記錫メッキ層が前記ニッケル下地メッキ層よりも薄く形成されているところに特徴を有する。<請求項1の発明>端子接続部は、表面の錫メッキ層の下に銅下地メッキ層が形成されているので、錫メッキ層が摩耗しても、相手側端子との接触抵抗の増大が回避される。一方、基板接続部に関しては、錫メッキ層よりも硬度の高いニッケル下地メッキ層が形成されているので、本発明をプレスフィット端子に適用した場合は、回路基板のスルーホールに基板接続部を圧入する際の抵抗が低減される。また、本発明を基板接続部が回路基板に半田付けされる端子に適用した場合は、半田付け工程において熱による母材の拡散をニッケル下地メッキ層により抑えて、母材の折損防止を図ることができる。<請求項2の発明>基板接続部は、ニッケル下地メッキ層と錫メッキ層との間に銅中間メッキ層を形成しているので、銅中間メッキ層と錫メッキ層が合金化して硬度が増す。これにより、本発明をプレスフィット端子に適用した場合には、スルーホールに基板接続部を圧入するときの抵抗が更に低減される。<請求項3の発明>基板接続部は、硬度の低い錫メッキ層を、硬度の高いニッケル下地メッキ層よりも薄くしたので、全体としての硬さが増している。これにより、本発明をプレスフィット端子に適用した場合には、スルーホールに基板接続部を圧入するときの抵抗が更に低減される。<実施形態1>以下、本発明を具体化した実施形態1を図1~図5を参照して説明する。本実施形態の端子金具10は、図1,2に示すように、ハウジング31に取り付けられて基板用コネクタ30を構成している。端子金具10は、全体として細長く、略L字形に屈曲されている。図2~5に示すように、端子金具10の一方の端部は、雌形の相手側端子34に接続される端子接続部11となっており、他方の端部は、回路基板35のスルーホール36に圧入される基板接続部12となっている。端子接続部11と基板接続部12はL字形をなす屈曲部13を介して連なっている。図2に示すように、端子金具10は、屈曲部13のうちの水平部をハウジング31の後壁部32に貫通させた形態で圧入により組み付けられている。組付け状態では、端子接続部11が、後壁部32から水平方向前方へ突出してハウジング31のフード部33内に収容され、基板接続部12は、ハウジング31の後方外部において屈曲部13から下向きに突出している。図3に示すように、基板接続部12は、上下両端同士が連なった形態の一対の弾性接触片14を有し、両弾性接触片14の間には、弾性接触片14がスルーホール36に圧入されるときに弾性撓みするのを許容するためのスリット15が形成されている。端子金具10の母材16は、黄銅等の銅合金からなり、図5に示すように、母材16の表面にはメッキ層17~22が形成されている。端子接続部11においては、母材16の表面に銅下地メッキ層17が形成され、この銅下地メッキ層17の表面には、錫メッキ層18が形成されている。一方、基板接続部12においては、母材16の表面にニッケル下地メッキ層19が形成され、このニッケル下地メッキ層19の表面に銅中間メッキ層20が形成され、この銅中間メッキ層20の表面に錫メッキ層21が形成されている。各メッキ層19,20,21の硬度については、ニッケル下地メッキ層19の硬度が最も高く、次いで、銅中間メッキ層20が硬く、錫メッキ層21の硬度が最も低い。また、屈曲部13においては、母材16の表面に、下地メッキ層を形成せずに、直接、錫メッキ層22が形成されている。この屈曲部13の錫メッキ層22は、端子接続部11の錫メッキ層18及び基板接続部12の錫メッキ層21と繋がっている。尚、屈曲部13には、端子接続部11に形成した銅下地メッキ層17に連なる銅下地メッキ層図示省略を形成してもよい。上記のように、端子接続部11は、表面の錫メッキ層18の下に銅下地メッキ層17が形成されているので、錫メッキ層18が摩耗しても、相手側端子34との接触抵抗の増大が回避される。一方、基板接続部12に関しては、錫メッキ層21よりも硬度の高いニッケル下地メッキ層19が形成されているので、スルーホール36に基板接続部12を圧入する際の抵抗が低減される。また、基板接続部12は、ニッケル下地メッキ層19と錫メッキ層21との間に銅中間メッキ層20を形成している。この構成によれば、銅中間メッキ層20と錫メッキ層21が合金化して硬度が増すので、スルーホール36に基板接続部12を圧入するときの抵抗が更に低減される。また、ニッケル下地メッキ層19と銅中間メッキ層20の硬さの影響により、基板接続部12をスルーホール36に圧入するときの錫メッキ層21の削れが抑えられる。しかも、基板接続部12は、硬度の低い錫メッキ層21を、硬度の高いニッケル下地メッキ層19よりも薄くしたので、全体としての硬さが増している。これにより、スルーホール36に基板接続部12を圧入するときの抵抗が更に低減される。また、基板接続部12をスルーホール36に圧入するときの錫メッキ層21の削れが、抑えられる。<他の実施形態>本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。1上記実施形態では、基板接続部が、ニッケル下地メッキ層と錫メッキ層との間に銅中間メッキ層を形成した形態であったが、基板接続部は、銅中間メッキ層を形成せず、ニッケル下地メッキ層の表面に錫メッキ層を直接形成した形態であってもよい。2上記実施形態では、基板接続部がスルーホールに圧入状態で挿入されるプレスフィット端子について説明したが、本発明は、スルーホールに挿入した基板接続部を半田付けによって接続する端子金具にも適用できる。この場合、基板接続部の下地メッキとして、錫メッキ層よりも硬度の高いニッケル下地メッキ層を形成したことにより、半田付け工程において熱による母材の拡散をニッケル下地メッキ層により抑えて、母材の折損防止を図ることができる。3上記実施形態では、基板接続部の錫メッキ層をニッケル下地メッキ層よりも薄く形成したが、基板接続部の錫メッキ層は、ニッケル下地メッキ層より厚くてもよく、ニッケル下地メッキ層と同じ厚さでもよい。"