導電膜からなる第1電極層と透明導電膜からなる第2電極層との間に、半導体膜からなり光電変換を行う光電変換層を備えた複数の光電変換ユニットを積層形成する薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記複数の光電変換ユニットのうち前記第1電極層側の第1光電変換ユニットを形成する工程では、前記第1電極層側の表面に第1凹凸形状を形成し、前記第2電極層側の表面に前記第1凹凸形状よりも小さな凹凸段差または短い凹凸ピッチを有する第2凹凸形状を形成し、前記複数の光電変換ユニットのうち前記第2電極層側の第2光電変換ユニットを形成する工程では、前記第2電極層側の表面に前記第2凹凸形状を反映させた凹凸形状を形成し、前記第1光電変換ユニットの光電変換層よりも光の吸収波長が短い材料からなる前記光電変換層を形成すること、を特徴とする薄膜光電変換装置の製造方法。前記光電変換ユニットは、前記第1電極層側から第1導電型半導体層と前記光電変換層と第2導電型半導体層とが順次積層されてなり、前記第1光電変換ユニットが前記第1電極層側において接する隣接層の表面に前記第1凹凸形状を形成する第1工程と、前記隣接層上に、前記第1光電変換ユニットの前記第1導電型半導体層と前記光電変換層とを積層形成し、前記第1凹凸形状の凹凸形状を反映した凹凸形状を表面に有するとともに前記第1凹凸形状の凹凸段差よりも厚い膜厚を有する前記光電変換層を形成する第2工程と、前記光電変換層の表面の前記第1凹凸形状を緩和して前記第2凹凸形状を形成する第3工程と、前記第2凹凸形状が形成された前記光電変換層上に、前記第1光電変換ユニットの前記第2導電型半導体層を形成する第4工程と、前記第1光電変換ユニットの前記第2導電型半導体層上に、前記第2光電変換ユニットを最表層として1以上の光電変換ユニットを積層形成する第5工程と、前記第2光電変換ユニット上に前記第2電極層を形成する第6工程と、を有することを特徴とする請求項1に記載の薄膜光電変換装置の製造方法。前記第3工程では、前記光電変換層上に粒子を分散配置する工程と、前記粒子をマスクとして前記光電変換層の表面のエッチングを行うことにより前記光電変換層の表面の前記第1凹凸形状を緩和して前記第2凹凸形状を形成する工程と、前記粒子を除去する工程と、を有することを特徴とする請求項2に記載の薄膜光電変換装置の製造方法。前記第3工程では、前記光電変換層上に有機材料のパターンを形成する工程と、前記有機材料のパターンをマスクとして前記光電変換層の表面のエッチングを行うことにより前記光電変換層の表面の前記第1凹凸形状を緩和して前記第2凹凸形状を形成する工程と、前記有機材料のパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする請求項2に記載の薄膜光電変換装置の製造方法。前記第3工程では、前記光電変換層の表面を酸化して酸化シリコン層を形成する工程と、前記酸化シリコン層を選択的に除去する除去工程と、を有することを特徴とする請求項2に記載の薄膜光電変換装置の製造方法。前記第3工程では、前記光電変換層の表面を平坦化する工程と、前記平坦化した光電変換層上に前記第2凹凸形状を形成する工程と、を有すること特徴とする請求項2に記載の薄膜光電変換装置の製造方法。前記平坦化された前記光電変換層上に新たな光電変換層を追加形成した後に、前記新たな光電変換層の表面に前記第2凹凸形状を形成すること、を特徴とする請求項6に記載の薄膜光電変換装置の製造方法。前記第2工程および前記第3工程では、前記光電変換層を形成する際に前記光電変換層中に前記光電変換層の結晶化率よりも低い結晶化率を有する複数の半導体膜を挿入形成することにより前記光電変換層の表面の前記第1凹凸形状を緩和して前記光電変換層の表面に前記第2凹凸形状を形成すること、を特徴とする請求項2に記載の薄膜光電変換装置の製造方法。ところで、前述したようにテクスチャ構造において反射率が低減される波長について考察を行うと、光反射側で考えた場合は、吸収波長が1000nm程度となる微結晶シリコンセルに対して反射電極側から反射してくる光に関しては、大まかに500nm程度の幅と350nm程度の高さを持つテクスチャ形状を下地に形成するのがよいといえる。ここで、テクスチャ構造を有する下地層上に微結晶シリコンセルを成膜した場合には、微結晶シリコンセルの表面のラフネスは下地層の表面のラフネスからわずかに低減するのみで、成膜前の下地層のテクスチャ構造をほぼ踏襲するといえる。タンデム型の薄膜シリコン太陽電池においては、この微結晶シリコンセル上にアモルファスシリコンセルを作製することになる。入射光側で考えると、吸収波長が400nm~500nm程度であるアモルファスシリコンセルに対しては、200nm程度の高さを持つテクスチャ形状が必要といえる。したがって、微結晶シリコンセルを成膜した状態のままでその上にアモルファスシリコンセルを成膜した場合には、アモルファスシリコンセルに対する適切なテクスチャ形状に比べて大きい凹凸がアモルファスシリコンセルの表面に形成される。このため、アモルファスシリコンセルの表面に形成されるテクスチャ形状を200nm程度まで低減させる必要がある。しかし、350nm程度のテクスチャ形状を200nm程度のテクスチャ形状まで低減させるには、少なくとも150nmの厚みの膜に対する操作、すなわち成膜時の工夫や成膜後の加工などが必要である。また、中間層は発電に寄与しないにも関わらず、光を吸収し、電流に対する抵抗として働くことから、一般的に膜厚は薄い方が良い。このような観点から、膜厚は数十nmとされることが多い。したがって、この膜厚の中間層を利用して制御できるテクスチャ形状のサイズは数十nm程度であり、元々形成されていた数百nmのテクスチャ形状のサイズ変更を吸収することができない。一方、数百nmのテクスチャ形状のサイズ変更を吸収するために数百nmの膜厚の中間層を形成した場合は、光の吸収などの太陽電池の特性劣化要因が大きくなるのに加えて、中間層の膜厚が不均一になる。中間層の膜厚が不均一になると、光電変換ユニット間の接合抵抗や反射率が不均一になり、安定した太陽電池特性を得ることができない。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、良好な光電変換効率が安定して得られる薄膜光電変換装置の製造方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる薄膜光電変換装置の製造方法は、導電膜からなる第1電極層と透明導電膜からなる第2電極層との間に、半導体膜からなり光電変換を行う光電変換層を備えた複数の光電変換ユニットを積層形成する薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記複数の光電変換ユニットのうち前記第1電極層側の第1光電変換ユニットを形成する工程では、前記第1電極層側の表面に第1凹凸形状を形成し、前記第2電極層側の表面に前記第1凹凸形状よりも小さな凹凸段差または短い凹凸ピッチを有する第2凹凸形状を形成し、前記複数の光電変換ユニットのうち前記第2電極層側の第2光電変換ユニットを形成する工程では、前記第2電極層側の表面に前記第2凹凸形状を反映させた凹凸形状を形成し、前記第1光電変換ユニットの光電変換層よりも光の吸収波長が短い材料からなる前記光電変換層を形成すること、を特徴とする。本発明によれば、良好な光電変換効率が安定して得られる薄膜光電変換装置の製造方法を得ることができる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる薄膜光電変換装置の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかる薄膜光電変換装置である薄膜太陽電池セル以下、セルと呼ぶ201の構成を模式的に示す断面図である。図1に示すように、実施の形態1にかかるセル201においては、絶縁基板100上に、反射電極層101が形成されている。絶縁基板100としては、絶縁基板として例えばガラス基板が使用される。ただし、絶縁基板100は必ずしもガラスである必要はなく、樹脂等の基板を用いることも可能である。反射電極層101は、裏面電極として機能するとともに、光電変換ユニットで吸収されなかった光を反射して再度光電変換ユニットに戻す反射層として機能するため、光電変換効率の向上に寄与する。したがって、反射電極層101は、導電性と光反射性が求められ、導電率が高く光反射率が大きいほど好ましい。反射電極層101は、例えば可視光反射率の高い銀Ag、アルミニウムAl、チタンTiもしくはパラジウムなどの金属材料、またはこれらの金属材料の合金、これらの金属材料の窒化物、これらの金属材料の酸化物などにより形成することができる。反射電極層101に必要とされる特性は、電気抵抗が低いことと、反射率が高いことであり、この条件を満たせば特に規定はされない。また、反射電極層101は、複数の電極層の積層構造とされてもよい。更に、基板として反射電極を用いることができれば、絶縁基板100は必ずしも必要ではない。反射電極層101上には、透明電極層102が形成されている。透明電極層102は、透光性を有する透明導電膜からなる。透明電極層102は、例えば酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム錫ITO:IndiumTinOxide、酸化スズSnO2、酸化インジウムIn2O3のうちの少なくとも1種を含む透明導電性酸化膜TCO:TransparentConductingOxide、またはこれらを積層した透明導電膜で構成される。また、透明電極層102は、上述したTCO膜にドーパントとしてアルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、ホウ素B、イットリウムY、シリコンSi、ジルコニウムZr、チタンTi、フッ素Fから選択した少なくとも1種類以上の元素を用いた透光性の膜によって構成されてもよい。このような透明電極層102は、例えばCVD法、スパッタリング法、蒸着法等の方法を用いて形成される。また、透明電極層102は、微細な凹凸を有するテクスチャ構造102Sを表面に有する。このテクスチャ構造102Sは、反射電極層101で反射した光を散乱させ、第1光電変換ユニット103で光をより効率的に吸収させ、光利用効率を高める機能を有する。テクスチャ構造102Sは、後述する光の吸収波長が1000nm程度となる微結晶シリコン光電変換層103bにおける光吸収に適した構造とされている。表面テクスチャ構造の形成方法は特に限定されず、公知の手法を用いることができる。なお、この透明電極層102は、反射電極層101と後述する第1光電変換ユニット103との接触による変質などを防ぐ目的で形成されるため、反射電極層101と第1光電変換ユニット103が反応しない場合には必ずしも必要でない。透明電極層102を省略する場合には、前述のテクスチャ構造102Sは反射電極層101の表面に形成される構造となる。このテクスチャ構造102Sについては、最終的に第1光電変換ユニット103側の透明電極層102の表面部分に形成されていることが必要であるため、絶縁基板100、反射電極層101または透明電極層102のうち、少なくとも1層の表面に対して形成されたテクスチャ構造が、透明電極層102の表面にテクスチャ構造102Sとされる。透明電極層102は光を吸収することから、透明電極層102の膜厚はできるだけ薄い方が良く、例えば100nm以下が好ましい。このため、透明電極層102自体にテクスチャ構造を形成するための加工を施すのではなく、下層の絶縁基板100または反射電極層101に対してテクスチャ構造を形成し、その形状を透明電極層102に反映、維持させることが好ましい。図2は、透明電極層102の表面へのテクスチャ構造の形成方法の一例を模式的に示す断面図である。図2では、絶縁基板100の表面にテクスチャ構造を形成し、その上層の反射電極層101および透明電極層102に該テクスチャ構造の形状を反映、維持させた場合を示している。図3は、透明電極層102の表面へのテクスチャ構造の形成方法の他の例を模式的に示す断面図である。図3では、反射電極層101の表面にテクスチャ構造を形成し、その上層の透明電極層102に該テクスチャ構造の形状を反映、維持させた場合を示している。透明電極層102上には、第1光電変換ユニット103が形成されている。第1光電変換ユニット103は、pn接合またはpin接合を有し、入射する光により発電を行う薄膜半導体層が1層以上積層されて構成される。第1光電変換ユニット103は、透明電極層102側から、n型シリコン半導体層103a、微結晶シリコン光電変換層103b、p型シリコン半導体層103cが積層された構造を有しており、例えばプラズマCVD法を用いて形成することが可能である。微結晶シリコン光電変換層103bにおけるp型シリコン半導体層103c側の表面には、テクスチャ構造103bSよりも平均凹凸段差が小さい150nm~200nm程度のテクスチャ形状とされたテクスチャ構造103bS’が形成されている。第1光電変換ユニット103上には、中間反射層104、第2光電変換ユニット105が順次積層形成されている。第2光電変換ユニット105は、pn接合またはpin接合を有し、入射する光により発電を行う薄膜半導体層が1層以上積層されて構成される。第2光電変換ユニット105は、中間反射層104側から、n型シリコン半導体層105a、非晶質シリコン光電変換層105b、p型シリコン半導体層105cが積層された構造を有しており、例えばプラズマCVD法を用いて形成することが可能である。ここでは、第1光電変換ユニット103中の光電変換層として、微結晶シリコン光電変換層103bを用いているが、第1光電変換ユニット103中の光電変換層は微結晶シリコン系半導体材料で形成され、その材料として、真性シリコン以外にもシリコンゲルマニウムSiGe、シリコンカーバイドSiCなどの合金等も用いられる。また、第2光電変換ユニット105中の光電変換層として、非晶質シリコン光電変換層105bを用いているが、第2光電変換ユニット105中の光電変換層は非晶質シリコン系半導体材料で形成され、その材料として、真性シリコン以外にもシリコンゲルマニウムSiGe、シリコンカーバイドSiCなどの合金等も用いられる。また、第1光電変換ユニット103中の光電変換層微結晶シリコン光電変換層103bと第2光電変換ユニット105中の光電変換層非晶質シリコン光電変換層105bとは吸収する光の波長域が異なっている。例えば、前述したような微結晶シリコン光電変換層103bでは波長が1100nm程度以下の光を吸収し、非晶質シリコン光電変換層105bでは波長が600nm程度以下の光を吸収する。このように吸収する光の波長域の異なる複数の光電変換ユニットを積層させることで、幅広い波長域の光を有効に活用することができる。このようなタンデム構造に用いられる中間反射層104には、例えば酸化錫SnO2、酸化チタンTiO2、酸化シリコンSiO2のような透明導電性酸化膜を用いることができる。この中間反射層104に求められる特性としては、第1光電変換ユニット103と第2光電変換ユニット105との電気的な接続を妨げることのないように、導電性を有することが必要である。また、中間反射層104は、非晶質シリコン光電変換層105bが吸収する波長の光は反射し、微結晶シリコン光電変換層103bが吸収する波長の光は透過させることが好ましい。中間反射層104がこのような特性を持つことで、非晶質シリコン光電変換層105bは薄い膜厚においても十分な光吸収が可能となる。更に、第1光電変換ユニット103および第2光電変換ユニット105のそれぞれの光電変換層微結晶シリコン光電変換層103bおよび非晶質シリコン光電変換層105bと、中間反射層104との膜厚を変化させることによって、それぞれの光電変換ユニットで発生する電流のバランスをとることが重要である。第2光電変換ユニット105上には、表面透明電極層106が形成されている。表面透明電極層106は、良好な導電性と光透過性とを有することが求められ、透明電極層102と同様の膜が用いられることが多い。この表面透明電極層106に高い導電性を持たせるために厚い膜厚が必要な場合においては、例えば電流取り出し用に櫛型の金属電極層を該表面透明電極層106上に形成することも可能である。上述したような反射電極層101から表面透明電極層106もしくは櫛型電極層までの積層構造によって、実施の形態1にかかるセル201が構成される。つぎに、上記のように構成された本実施の形態にかかるセル201の製造方法について図4-1~図4-7を参照して説明する。図4-1~図4-7は、実施の形態1にかかるセル201の製造方法を説明するための断面図である。まず、絶縁基板100として例えばガラス基板を用意する。そして、絶縁基板100の一面側に、反射電極層101を公知の方法で形成する。例えば、高反射率を有する銀Ag膜からなる反射電極層101をスパッタリング法により形成する。つぎに、反射電極層101上に、導電性の高い透明電極層102を公知の方法で形成する図4-1。例えば、反射電極層101上に酸化亜鉛ZnO膜からなる透明電極層102をスパッタリング法により形成する。また、成膜方法として、CVD法などの他の成膜方法を用いてもよい。この時点で、透明電極層102の表面にはテクスチャ構造102Sが形成される。透明電極層102表面に形成されるテクスチャ構造102Sは、光の吸収波長が1000nm程度となる微結晶シリコン光電変換層103bにおける光吸収に適した構造とされる。このため、透明電極層102からシリコン膜への入射時におけるこのような波長の光の反射率を低減させるために適したテクスチャ構造として、幅が500nm程度、高さ凹凸段差が350nm程度の形状を持つテクスチャ構造102Sを形成する。すなわち、n型シリコン半導体層103aが反射電極層101側において接する隣接層である透明電極層102の表面にテクスチャ構造102Sを形成する。テクスチャ構造102Sを形成する方法として、絶縁基板100上または反射電極層101上にテクスチャ構造を形成する方法がある。例えば絶縁基板100上または反射電極層101上にレジストパターンを形成した後、ウェットエッチング加工またはドライエッチング加工を実施する方法、絶縁基板100の表面または反射電極層101の表面に対してレーザーなどで直接凹凸パターンを加工形成する方法などが挙げられる。また、テクスチャ構造102Sを形成する方法として、絶縁基板100上に微粒子を散布した後に反射電極層101を形成して微粒子を除去する方法や、反射電極層101の成膜条件と膜厚とを適切に設定することでその表面に凹凸を形成する方法も採用可能である。これらの方法により絶縁基板100上または反射電極層101上にテクスチャ構造を形成した後に、これらの上層に反射電極層101と透明電極層102とを形成する、または透明電極層102を形成することにより、下層のテクスチャ構造の形状を反映、維持したテクスチャ構造102Sを透明電極層102に形成できる。また、透明電極層102に対してテクスチャ構造102Sを直接加工形成する方法としては、スパッタリング法により形成された酸化亜鉛ZnO膜などからなる透明電極層102の表面を酸によりエッチング加工する方法などが挙げられる。つぎに、テクスチャ構造102Sを有する透明電極層102上に、膜厚が100nm以下程度のn型シリコン半導体層103aを公知の方法で形成する図4-2。例えば、プラズマCVDによりn型シリコン半導体層103aを透明電極層102上に形成する。n型シリコン半導体層103aの表面には下層のテクスチャ構造の形状を反映、維持したテクスチャ構造102Sと同様のテクスチャ構造103aSが形成される。つぎに、テクスチャ構造103aSを有するn型シリコン半導体層103a上に、膜厚が1500nm程度の微結晶シリコン光電変換層103bを公知の方法で形成する図4-3。例えば、プラズマCVDにより微結晶シリコン光電変換層103bをn型シリコン半導体層103a上に形成する。微結晶シリコン光電変換層103bの表面にはテクスチャ構造102Sテクスチャ構造103aSと同様のテクスチャ構造103bSが形成される。ここで、微結晶シリコン光電変換層103bの膜厚は、400nm~5000nm程度とすることが好ましい。つぎに、微結晶シリコン光電変換層103bの表面のテクスチャ構造103bSに対して、テクスチャ形状を変更してテクスチャ形状を緩和するための追加加工を施す。テクスチャ構造103bSに対する追加加工としては、例えば径が500nm~2000nm程度のシリコン微粒子301を微結晶シリコン光電変換層103b上に分散させた後に、微結晶シリコン光電変換層103bの表面に対してドライエッチングを実施する図4-4。エッチング条件としては、例えばエッチングガスとしてCF4とO2との混合ガスを使用し、ガス流量がCF4:100sccm、O2:10sccm、圧力:1.3Pa、RF:300Wとする。このような条件で、微結晶シリコン光電変換層103bの表面のテクスチャ構造103bSに対して高さ方向で150nm相当のエッチングを行うことにより、シリコン微粒子301に覆われていないテクスチャ構造103bSの凸部が選択的にエッチングされ、テクスチャ構造103bSの表面にシリコン表面に高さ凹凸段差が150nm~200nm程度の凹凸が形成される。このときのエッチングガスとして、CHF3、C4F8、CF4、SF6を含む単体ガス、およびO2、He、Ar等を混合したエッチングガスを用いることも可能である。また、シリコン微粒子301の材質についても、シリコンに限定されることなく、アルミナなどを用いても構わない。この方法を用いる場合は、塗布したシリコン微粒子301はブラシを用いた水洗で除去可能である。このような加工を行うことにより、テクスチャ構造103bSにおける高い凸部が加工された、高さ凹凸段差が150nm~200nm程度の凹凸が元のテクスチャ構造103bSに対して付加された構造であるテクスチャ構造103bS’を得ることができる図4-5。このテクスチャ構造103bS’は、150nm~200nm程度のテクスチャ形状とされ、テクスチャ構造103bSよりも平均凹凸段差が小さい。以上のような追加加工においては、微結晶シリコン光電変換層103bの形成膜厚が厚く、表面のテクスチャ構造を変化させるのに十分な膜厚を有するため、成膜後の加工も含めたプロセスが容易となる。また、厚い微結晶シリコン光電変換層103bに対してテクスチャ形状を変化させるため、膜厚による特性の変動が小さく、タンデム構造における電流のマッチングに対する影響が少なくなる。つぎに、テクスチャ構造103bS’を有する微結晶シリコン光電変換層103b上に、膜厚が15nm程度のp型シリコン半導体層103cを公知の方法で形成する。例えば、プラズマCVDによりp型シリコン半導体層103cを微結晶シリコン光電変換層103b上に形成する。p型シリコン半導体層103cの表面は、下層のテクスチャ形状を反映、維持してテクスチャ構造103bS’と同様の形状とされる。つぎに、p型シリコン半導体層103c上に中間反射層104、n型シリコン半導体層105a、非晶質シリコン光電変換層105b、p型シリコン半導体層105cを公知の方法で形成する図4-6。例えば、プラズマCVDによりこれらを順次形成する。ここで、中間反射層104の膜厚は10nm~100nm程度、n型シリコン半導体層105aの膜厚は10nm~100nm程度、非晶質シリコン光電変換層105bの膜厚は100nm~500nm程度、p型シリコン半導体層105cの膜厚は2nm~30nm程度とされる。そして、これらの層の表面は、下層のテクスチャ形状を反映、維持してテクスチャ構造103bS’と同様の形状とされる。これにより、p型シリコン半導体層105cの表面には、光の吸収波長が400nm~500nm程度となる非晶質シリコン光電変換層105bにおける光吸収に適したテクスチャ構造として、150nm~200nm程度のテクスチャ形状が形成される。つぎに、p型シリコン半導体層105c上に表面透明電極層106を公知の方法で形成する図4-7。例えば、p型シリコン半導体層105c上に酸化亜鉛ZnO膜からなる表面透明電極層106をプラズマCVDにより形成する。以上により、図1に示すようなセル201が得られる。上述した実施の形態1によれば、透明電極層102と第1光電変換ユニット103との界面になる透明電極層102の表面には、光の吸収波長が1000nm程度となる微結晶シリコン光電変換層103bにおける光吸収に適したテクスチャ構造として、350nm程度のテクスチャ形状を形成することができる。また、表面透明電極層106と第2光電変換ユニット105との界面になるp型シリコン半導体層105cの表面には、光の吸収波長が400nm~500nm程度となる非晶質シリコン光電変換層105bにおける光吸収に適したテクスチャ構造として、150nm~200nm程度のテクスチャ形状を形成することができる。これにより、反射電極層101での反射光の透明電極層102と第1光電変換ユニット103との界面での反射低減および拡散反射による第1光電変換ユニット103内での光路長の増加が達成でき、セル201の発電効率を向上できる。また、入射光の表面透明電極層106と第2光電変換ユニット105との界面での反射低減および拡散反射による第2光電変換ユニット105内での光路長の増加が達成でき、セル201の発電効率を向上できる。更に、中間反射層104の膜厚については薄く均一な膜厚で形成すればよく、光の吸収ロスや膜の不均一による太陽電池特性のバラつきが抑制できる。また、第1光電変換ユニット103と第2光電変換ユニット105との生成電流を容易にバランスさせることが可能となり、安定した光電変換効率が得られる。なお、中間反射層104については、必要が無い場合には、省略することも可能となり、その場合には中間反射層104による光の吸収を抑制することも可能である。したがって、実施の形態1によれば、良好な光電変換効率が安定して得られる薄膜太陽電池セルが実現できる。実施の形態2.実施の形態2では、微結晶シリコン光電変換層103bの表面のテクスチャ構造103bSに対する追加加工方法の他の形態について説明する。実施の形態2における追加加工方法としては、印刷技術により微結晶シリコン光電変換層103bの表面にレジストなどの有機材料からなるパターンを形成した後、微結晶シリコン光電変換層103bの表面に対してウェットエッチングを実施する。ここで、有機材料からなるパターンは、該パターンをマスクとしたウェットエッチングにより、微結晶シリコン光電変換層103bの表面に形成された350nm程度のテクスチャ形状テクスチャ構造103bSを150nm~200nm程度のテクスチャ形状テクスチャ構造103bS’に加工できるパターンで形成される。エッチング方法としては、例えば0.3wt程度の水酸化カリウム水溶液などのアルカリ溶液を微結晶シリコン光電変換層103bの表面に対して散布する方法が挙げられる。この方法により、テクスチャ構造103bSにおいて有機材料からなるパターンで覆われていない部分が選択的にエッチングされ、テクスチャ構造103bSを加工できる。また、エッチング溶液としては、TMAHテトラメチルアンモニアハイドロオキサイド、エチレンジアミンピロカテコール、水和ヒドラジンなどを用いてもよい。追加加工の実施後、有機材質からなるパターンをアセトンなどにより除去することで、実施の形態1で説明したようなテクスチャ構造103bS’図4-5参照が微結晶シリコン光電変換層103bの表面に形成される。この方法を用いることで、追加加工のために微結晶シリコン光電変換層103bの表面に設けた他部材を完全に除去することができ、追加加工後の微結晶シリコン光電変換層103bの表面に他部材が残存することを防止できるため、清浄な加工面が得られる。そして、テクスチャ構造103bSに対する追加加工以外の工程は、実施の形態1と同様にしてセル201を作製できる。なお、ウェットエッチングの代わりに、ブラスト処理やイオンミリングなど、物理的な除去方法によって追加加工を行うことも可能である。したがって、実施の形態2によれば、実施の形態1と同様に良好な光電変換効率が安定して得られる薄膜太陽電池セルが実現できる。実施の形態3.実施の形態3では、微結晶シリコン光電変換層103bの表面のテクスチャ構造103bSに対する追加加工方法の他の形態について説明する。実施の形態3における追加加工方法では、微結晶シリコン光電変換層103bの表面に多く存在する結晶粒界を利用する。すなわち、微結晶シリコン光電変換層103bの成膜後、表面を酸素に曝すことで、最表面部および粒界部にシリコン酸化膜が形成される。この際、酸素は粒界部以外の領域よりも粒界部の方に深く入り込む。その後、フッ酸によるウェットエッチングまたはフッ素系プラズマによるドライエッチングを実施することで、酸化されている微結晶シリコン光電変換層103bの最表面部および粒界部分を選択的にエッチングでき、微細な凹凸構造を形成することが可能である。これにより、実施の形態1で説明したようなテクスチャ構造103bS’図4-5参照が微結晶シリコン光電変換層103bの表面に形成される。そして、テクスチャ構造103bSに対する追加加工以外の工程は、実施の形態1と同様にしてセル201を作製できる。この方法を用いた場合には、実施の形態1や実施の形態2の場合のようなパターニング用の材料が不要である、という利点がある。したがって、実施の形態3によれば、実施の形態1と同様に良好な光電変換効率が安定して得られる薄膜太陽電池セルが実現できる。実施の形態4.実施の形態4では、微結晶シリコン光電変換層103bの表面のテクスチャ構造103bSに対する追加加工方法の他の形態について図5-1および図5-2を参照して説明する。図5-1および図5-2は、実施の形態4にかかるテクスチャ構造103bSに対する追加加工方法を模式的に示す断面図である。実施の形態4における追加加工方法では、一度、微結晶シリコン光電変換層103bを形成した後、この微結晶シリコン光電変換層103bの表面を平坦化する工程を実施する図5-1。微結晶シリコン光電変換層103bの表面を平坦化する方法としては、例えば機械的な研磨およびCMPChemicalMechanicalPolishing:化学機械研磨が挙げられる。なお、微結晶シリコン光電変換層103bの表面の平坦化においては、大きな凹凸段差が除去できれば、テクスチャ構造103bS’と同レベル以下の小さな凹凸段差が多少残っていても構わない。微結晶シリコン光電変換層103bの表面を平坦化した後、再度微結晶シリコン光電変換層103bを成膜し、さらに実施の形態1から実施の形態3で示したような追加加工工程を実施することにより、実施の形態1で説明したようなテクスチャ構造103bS’が微結晶シリコン光電変換層103bの表面に形成される図5-2。そして、テクスチャ構造103bSに対する追加加工以外の工程は、実施の形態1と同様にしてセル201を作製できる。微結晶シリコン光電変換層103bの表面を一旦平坦化することにより、元のテクスチャ構造テクスチャ構造103bSが原因となる微結晶シリコン光電変換層103bの欠陥を容易に排除することができる。このため、平坦化工程は元のテクスチャの高さ凹凸段差本実施の形態では350nmを除去可能な、できるだけ薄い状態まで実施することが好ましい図5-1。例えば、n型シリコン半導体層103a上に500nm程度の膜厚の微結晶シリコン光電変換層103bを形成後、平坦化工程を実施する。これにより、平坦化後に形成される欠陥が少ない微結晶シリコン光電変換層103bを厚く形成することが可能となる。なお、最初に十分な微結晶シリコン光電変換層103bを成膜しておいて、再度の微結晶シリコン光電変換層103bの成膜を省略することも可能である。したがって、実施の形態4によれば、実施の形態1と同様に良好な光電変換効率が安定して得られる薄膜太陽電池セルが実現できる。実施の形態5.実施の形態5では、テクスチャ構造103bSの形成方法の他の形態について説明する。まず、前述の実施の形態1と同様の製造工程を経て、第1光電変換ユニット103のn型シリコン半導体層103aまでを形成する。その後、微結晶シリコン光電変換層103bを形成するが、微結晶シリコン光電変換層103bの成膜中に成膜条件を変化させることによって結晶化率に変化を生じさせることにより、微結晶シリコン光電変換層103bの表面に形成されるテクスチャ形状を変化させることが可能となる。微結晶シリコン膜においては、低結晶化させた場合にはテクスチャ形状を緩和するように成膜が進み、高結晶化させた場合には結晶粒による微細な凹凸が表面に形成される。CVDプロセスより微結晶シリコン膜を形成する際に、成膜初期におけるシランSiH4ガス流量を、本来の成膜条件に対して1.5倍程度にすることで結晶化率を0.3倍程度に抑制することが可能である。このような方法によって結晶化率の低い非晶質に近いシリコン層を初期に形成することで、シリコン膜の表面を平滑化することができる。そして、成膜を進めるにつれてシランSiH4ガス流量を減らしていき、本来の成膜条件での成膜を進めて結晶化率が高いシリコン層を形成する。但し、結晶化率の低い層は、膜厚100nm以上に増加すると直列抵抗成分が大幅に増加する。このため、結晶化率を低くしている部分初期層の厚さは、100nm以下にすることが好ましい。この場合、微結晶シリコン光電変換層103bの表面に形成されるテクスチャ形状の高さ凹凸段差に関しては、テクスチャ構造102Sテクスチャ構造103aSと同様の高さ凹凸段差から、20nm~25nm程度緩和される。そして、その後の本来の成膜条件での成膜により形成されるシリコン膜の表面のテクスチャ形状は、下層である結晶化率の低い非晶質に近いシリコン層のテクスチャ形状が反映、維持される。このことから、微結晶シリコン光電変換層103bの表面のテクスチャ形状の高さ凹凸段差を、テクスチャ構造102Sテクスチャ構造103aSを反映した350nm程度から150nm程度にまで低減するためには、結晶化率の低い非晶質に近いシリコン層の成膜を8回~10回程度繰り返す。結晶化率の低い非晶質に近いシリコン層においても微結晶化したシリコンが点在しており、結晶化率が高いシリコン層との交互成膜を繰り返すことで、微結晶シリコン光電変換層103bの直列抵抗成分の増加が抑制される。所望の膜厚のシリコン層を形成した後、最後にシランSiH4ガス流量を本来の成膜条件に対して0.7倍程度にすることで結晶化率が2倍程度高いシリコン層を形成し、このシリコン層の成長によりテクスチャ構造103bSよりも平均凹凸ピッチが短い微細な凹凸を有するテクスチャ構造を表面に形成することができる。以上の処理により、実施の形態1で説明したようなテクスチャ構造103bS’が表面に形成された微結晶シリコン光電変換層103bが得られる。この方法を用いることで、微結晶シリコン光電変換層103bの成膜後の処理が不要になるため、シリコン膜中への不純物の混入などを抑制することが可能となり、連続してp型シリコン半導体層103cの成膜を行うことができる。図6は、上述した実施の形態5にかかるテクスチャ構造の形成方法を適用して作製された薄膜太陽電池セルの構成を模式的に示す断面図である。図6に示すセルは、セル201の構成を基本構成として第2光電変換ユニット105と表面透明導電層106との間に第3光電変換ユニット107が挿入された構成を有する。第3光電変換ユニット107は、第2光電変換ユニット105側からn型シリコン半導体層107a、シリコンカーバイド光電変換層107b、p型シリコン半導体層107cが積層された構造を有しており、例えばプラズマCVD法を用いて形成することが可能である。このセルにおいては、第1光電変換ユニット103の光電変換層は、微結晶シリコンよりも更に長波長の光を吸収する微結晶シリコンゲルマニウムを用いた微結晶シリコンゲルマニウム光電変換層103b’とされる。微結晶シリコンゲルマニウム光電変換層103b’は、上述した方法により形成された結晶化率が低いシリコンゲルマニウム初期層103b1と、結晶化率が高い微結晶シリコンゲルマニウム層103b2と、微結晶シリコンゲルマニウム層103b2よりも結晶化率がより高い微結晶シリコンゲルマニウム層103b3とが積層されている。また、第3光電変換ユニット107の光電変換層は、非晶質シリコンよりも短波長の光を吸収するシリコンカーバイドを用いたシリコンカーバイド光電変換層107bとされる。これにより、第2光電変換ユニット105の光電変換層には、800nm程度の波長の光を効果的に吸収できる非晶質シリコンゲルマニウムやナノ結晶シリコンを用いることもでき、太陽光を効果的に吸収することができる。また、このような構造を用いる場合には、第2光電変換ユニット105には高さ凹凸段差が250nm程度のテクスチャ形状が適当となり、第3光電変換ユニット107には100nm~150nm程度のテクスチャ形状が適当となり、前述した成膜方法を用いたテクスチャ形状の制御における初期層の形成回数が減る効果が得られる。したがって、実施の形態5によれば、実施の形態1と同様に良好な光電変換効率が安定して得られる薄膜太陽電池セルが実現できる。また、上記の実施の形態で説明した構成を有する薄膜太陽電池セルを絶縁基板100上に複数形成し、隣接する薄膜太陽電池セル同士を電気的に接続することにより、良好な光電変換効率が安定して得られる薄膜太陽電池モジュールが実現できる。この場合は、隣接する薄膜太陽電池セルの一方の反射電極層101と他方の表面透明電極層106とを電気的に接続すればよい。