"光ファイバと、前記光ファイバの一部を、前記光ファイバのコアを通る断面で前記光ファイバの延伸方向に切り欠くことにより形成された導波路取付部と、前記導波路取付部に形成され、前記コアを除去することにより形成された第1凹部と、前記導波路取付部に取り付けられ、断面が凸形状であるリッジ構造の導波路と、を備え、前記導波路のリッジ部が、前記第1凹部に填め込まれている光素子。請求項1に記載の光素子において、前記導波路取付部は、前記光ファイバの端部に設けられている光素子。請求項1又は2に記載の光素子において、前記光ファイバと前記導波路とを互いに固定する固定部材を備える光素子。請求項3に記載の光素子において、前記導波路は、基板上に設けられており、平面視において、前記基板の幅は前記光ファイバの直径よりも大きく、前記固定部材は、前記基板のうち前記導波路が形成されている面に固定される固定面と、前記固定面に設けられ、前記光ファイバが填め込まれる第2凹部と、を備える光素子。請求項4に記載の光素子において、前記導波路は、前記基板に直接接合されている光素子。請求項4に記載の光素子において、前記導波路は、接着層を用いて前記基板に接合されている光素子。請求項4に記載の光素子において、前記導波路及び前記基板は、一つの基材を用いて形成されており、前記導波路及び前記基板の一方は、前記基材の屈折率を変更することにより形成されている光素子。請求項1~7のいずれか一項に記載の光素子において、前記導波路は、強誘電体結晶により形成されており、前記強誘電体結晶は、分極反転構造を有する光素子。光ファイバの端面を、前記光ファイバのコアを通る断面で前記光ファイバの延伸方向に切り欠くことにより導波路取付部を形成し、前記導波路取付部に露出した前記コアを除去することにより、凹部を形成し、断面が凸形状であるリッジ構造の導波路のリッジ部を、前記凹部に填めることにより、前記光ファイバと前記導波路の間の位置決めを行う、光素子の製造方法。請求項9に記載の光素子の製造方法において、前記コアはエッチングにより除去される、光素子の製造方法。導波路に入射する光は、光ファイバを用いて導波路に導かれる。このため、光ファイバと導波路とを接合させる必要がある。光ファイバと導波路を接合させる場合、光ファイバと導波路の相対位置を決めるときの作業効率を上げることが望まれる。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光ファイバと導波路の相対位置を容易に決めることができる光素子及び光素子の製造方法を提供することにある。本発明に係る光素子は、光ファイバと、断面が凸形状であるリッジ構造の導波路とを備えている。光ファイバの一部には、導波路取付部が形成されている。導波路取付部は、光ファイバの一部を、光ファイバのコアを通る断面で光ファイバの延伸方向に切り欠くことにより、形成されている。導波路取付部には、第1凹部が形成されている。第1凹部は、光ファイバのコアを除去することにより、形成されている。そして、導波路のリッジ部が、第1凹部に填め込まれている。本発明に係る光素子の製造方法は、以下の通りである。まず、光ファイバの端面を、光ファイバのコアを通る断面で光ファイバの延伸方向に切り欠くことにより、導波路取付部を形成する。次いで、導波路取付部に露出した光ファイバのコアを除去することにより、凹部を形成する。次いで、断面が凸形状であるリッジ構造の導波路のリッジ部を、凹部に填めることにより、光ファイバと導波路の間の位置決めを行う。本発明によれば、光ファイバと導波路を接合させる場合において、光ファイバと導波路の相対位置を、容易に決めることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1及び図2は、第1の実施形態に係る光素子の構成を示す断面図である。図3は、図1及び図2に示した光素子の平面図である。なお、図1は図3のA-A ́断面図であり、図2は図3のB-B ́断面図である。この光素子は、光ファイバ100と、リッジ構造の導波路220とを備えている。光ファイバ100の一部には、導波路取付部102が形成されている。導波路取付部102は、光ファイバ100の一部を、光ファイバ100のコア120を通る断面で光ファイバ100の延伸方向図中左右方向に切り欠くことにより、形成されている。導波路取付部102には、第1凹部122図2が形成されている。第1凹部122は、光ファイバ100のコア120を除去することにより、形成されている。そして、図2に示すように、リッジ構造ridgetypewaveguideの導波路220が、第1凹部122に填め込まれている。導波路220は、断面が凸形状である。導波路220は、例えば屈折率が異なる2つの層を積層させ、一方の層のうち導光部となる部分の両脇に溝を形成したものである。この光素子において、光ファイバ100は、光を導波路220に入射する場合入射部もあるし、導波路220から出射した光を外部に導く場合出射部もある。以下、詳細に説明する。図1~図3に示すように、光ファイバ100は、端部が被覆膜130から露出している。そしてこの露出している部分に、導波路取付部102が設けられている。詳細には、導波路取付部102は、光ファイバ100の端部に設けられている。導波路取付部102は、導波路取付部102の端部を、コア120を通る断面で光ファイバ100の延伸方向に切り欠くことにより、形成されている。なお、導波路取付部102のうち導波路部材200の端部と対向する部分には、凹部104が形成されている。凹部104の役割については、光素子の製造方法を説明するときに述べる。光ファイバ100のコア120は、添加物例えばGeを添加することにより、周囲とは屈折率が異なっている。なお、コア120は添加物が添加されているため、光ファイバ100の他の部分とは、特定のエッチング条件においてエッチング選択比が異なっている。導波路部材200は、基板210のリッジ形成面202に導波路220を設けた構造を有している。リッジ構造の導波路220の断面形状は、例えば四角形矩形であるが、半円形であっても良いし、台形であっても良い。基板210は、導波路220よりも屈折率が低い材料、例えば定比ストイキメトリー組成のLiNbO3により形成されている。図2に示すように、基板210の幅は、光ファイバ100の直径よりも大きい。導波路220は、強誘電体結晶により形成されている。ただし導波路220は、他の材料、例えば石英ガラス、シリコン、又は化合物半導体により形成されても良い。導波路220の幅は、コア120の直径よりも小さい。また、基板210のうち導波路220の両脇には、凹部212が形成されている。凹部212は、導波路220に沿って延伸している。平面視において、凹部212のうち導波路220とは反対側の側面は、光ファイバ100よりも外側に位置している。このため、基板210は、光ファイバ100とは接触していない。導波路220を構成する強誘電体結晶は、分極反転構造を周期的に有している。このため、本実施形態に係る光素子は、波長変換デバイスとして機能する。なお、導波路220を構成する強誘電体結晶は、例えばMgを添加したLiNbO3であるが、これに限定されない。図2に示すように、光ファイバ100及び導波路部材200は、固定部材300によって互いに固定されている。固定部材300は、ファイバが保持される固定面302に第2凹部304を有している。第2凹部304は、断面がV字型の溝であり、光ファイバ100が填め込まれている。第2凹部304の断面形状は、例えば直角二等辺三角形などの二等辺三角形である。ただし第2凹部304の断面形状は、これに限定されない。固定面302のうち第2凹部304の両脇に位置する部分は、基板210のリッジ形成面202に接合している。固定部材300は、例えば石英ガラスであるが、セラミックスや樹脂であっても良い。また、図1及び図3に示すように、光素子は押さえ部材400を備えている。押さえ部材400は、固定部材300との間で光ファイバ100を挟み込んで保持している。押さえ部材400は、固定部材300と同様の材料により形成されている。図4は、導波路部材200の製造方法の第1例を示す断面図である。まず強誘電体結晶222に、分極反転構造を形成する。次いで、図4aに示すように、基板210上に強誘電体結晶222を固定する。この固定方法は、例えば直接接合である。この場合、基板210に強誘電体結晶222を押し付けた状態で、これらを加熱する。なお、基板210と強誘電体結晶222は、接着剤により互いに固定されても良い。この場合、強誘電体結晶222のうち基板210に接合する面に接着剤を塗布した後、強誘電体結晶222を基板210に押し付ける。なお、接着剤の代わりに低融点ガラスを用いても良い。次いで図4bに示すように、強誘電体結晶222を必要な厚さまで薄くする。強誘電体結晶222を薄くする方法は、機械的な研磨であってもよいし、ドライエッチングであってもよいし、ダイシングソーを用いて強誘電体結晶222を側面から削る方法であっても良い。そして、強誘電体結晶222のうち他の光学部材例えば光ファイバ100と結合する面を、鏡面研磨する。次いで図4cに示すように、凹部212を、ダイシングソーやドライエッチングにより形成する。これにより、導波路220が形成される。図5は、導波路部材200の製造方法の第2例を示す断面図である。まず図5aに示すように、強誘電体結晶222を準備する。ついで、強誘電体結晶222に、分極反転構造を形成する。次いで図5bに示すように、強誘電体結晶222のうち基板210となる領域の屈折率を変化させる。これにより、基板210が形成される。基板210は、例えば強誘電体結晶222にプロトン交換処理を行うことにより、形成される。プロトン交換処理は、例えば強誘電体結晶222のうち基板210となる面を安息香酸などの酸に接触させた状態で、強誘電体結晶222をアニール処理することにより、行われる。次いで図5cに示すように、凹部212を、ダイシングソーやドライエッチングにより形成する。これにより、導波路220が形成される。図6~図10は、図1~図3に示した光素子の製造方法を説明する図である。これらのうち、図6a,b、図7、図8a、及び図9aは、図3のA-A ́断面に対応している。また図8b及び図9bは、図3のB-B ́断面に対応している。また図10は、図9に示した光ファイバ100、固定部材300、及び押さえ部材400の平面図である。まず図6aに示すように、光ファイバ100の端部から被覆膜130を除去する。そして光ファイバ100の端部を、固定部材300の第2凹部304図2参照に填めた後、押さえ部材400を固定部材300に固定する。これにより、光ファイバ100は、固定部材300と押さえ部材400の間で固定される。この状態において、光ファイバ100の端は、固定部材300及び押さえ部材400の間から、はみ出ている。次いで図6bに示すように、光ファイバ100のうち、固定部材300及び押さえ部材400の間からはみ出ている部分を、研磨などにより除去する。これにより、光ファイバ100の端面、固定部材300の端面、及び押さえ部材400の端面は同一面となる。次いで図7に示すように、押さえ部材400から光ファイバ100にかけて、光ファイバ100の延伸方向に対して直交する方向に、ダイシングソーを入り込ませる。これにより、凹部104が形成される。凹部104の底部は、光ファイバ100の内部、かつコア120より下に位置している。なお、凹部104を形成するためのダイシングソーの砥粒は、凹部104の側面が鏡面となる程度に細かいほうが好ましい。次いで図8a,bに示すように、光ファイバ100の上半分及び押さえ部材400のうち、凹部104より端部側に位置する部分を、ダイシングや研磨により除去する。これにより、導波路取付部102が形成される。導波路取付部102は、平面形状である。ただしこの段階において、コア120は一部、例えば半分程度が残っている。次いで図9a,b、及び図10の平面図に示すように、コア120をエッチングにより除去する。これにより、第1凹部122が形成される。ここで用いられるエッチング液は、例えばHFを含有している。ただし、コア120は、ドライエッチングにより除去されても良い。その後、導波路部材200を導波路取付部102の上に載置する。このとき、導波路部材200の導波路220を第1凹部122に填めた状態で、光ファイバ100に対する導波路部材200の角度を調節し、導波路220と光ファイバ100の光軸を一致させる。このとき、基板210の端面を、光ファイバ100のうち凹部104の側面であった面に接触させても良い。その後、基板210のリッジ形成面202と固定部材300の固定面302を、接着剤を用いて固定する。このようにして、図1~図3に示した光素子が、形成される。以上、本実施形態によれば、光ファイバ100のコア120を除去することにより、第1凹部122が形成されている。そして導波路部材200の導波路220を第1凹部122に填めることにより、光ファイバ100と導波路部材200の相対位置を調節している。従って、光ファイバ100と導波路220の相対位置を、容易に決めることができる。そして、導波路220の位置決めを行うときに、リッジ構造の導波路220が損傷することを抑制できる。また、光素子の製造工程は複雑にならない。また、光ファイバ100は、固定部材300の固定面302に形成された第2凹部304に填め込まれている。そして固定部材300の固定面302には、導波路部材200のリッジ形成面202が固定されている。従って、本実施形態に係る光素子を作製した後、導波路部材200の導波路220に力が加わって導波路220が損傷することを抑制できる。第2の実施形態図11は、第2の実施形態に係る光素子の構成を示す断面図であり、第1の実施形態における図2B-B ́断面図に対応している。本実施形態に係る光素子は、複数の光ファイバ100を、互いに異なる導波路220に接続した構成を有している。複数の導波路220は一つの導波路部材200に形成されている。それぞれの導波路220の構造及び製造方法は、第1の実施形態に示したとおりである。また、複数の光ファイバ100は、一つの固定部材300に保持されている。固定部材300の固定面302には、複数の第2凹部304が形成されている。複数の第2凹部304のそれぞれには、光ファイバ100が填め込まれている。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、光ファイバ100及び導波路220を、容易かつ安価にアレイ化することができる。また、アレイ化の際においても、リッジ構造の導波路220が損傷することを抑制できる。実施例図5に示した方法で導波路部材200を製造した。導波路220にはMgを添加したLiNbO3を使用し、基板210には石英ガラスを使用した。凹部212は、ダイシングにより形成した。また、導波路220には分極反転構造を形成した。この分極反転構造には、赤外光波長が1064nmを、SHGsecondharmonicgenerationによって波長変換するための周期を持たせた。光ファイバ100には、シングルモード光ファイバを用いた。さらに詳細には、光ファイバ100には、カットオフ波長が980nmの偏波保持光ファイバを用いた。第1凹部122は、光ファイバ100を、10のHF水溶液に15分間湿潤させることにより、形成された。さらに、導波路部材200と固定部材300の固定には、紫外線硬化型の接着剤を使用した。このようにして形成された光素子は、赤外光を、SHGによって良好に波長変換した。このため、この光素子が、レーザ光源装置の波長変換デバイスとして使用可能であることが示された。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。"