"基板と、前記基板の上に配置された部分反射光学積層体と、可動機械層とを備えた電気機械デバイスであって、前記部分反射光学積層体が前記機械層と前記基板との間に配置され、前記機械層が、反射層、導電層、及び、前記反射層と前記導電層との間に配置された支持層を含み、前記支持層が、光学的に不活性な固定領域において前記光学積層体上に固定されていて、且つ、前記光学積層体から離れるように前記固定領域から延伸していて、前記機械層を前記光学積層体から離隔して、前記機械層と前記光学積層体との間に潰れることのできるギャップを形成していて、前記機械層と、前記基板と前記潰れることのできるギャップとの間に配置された静止電極とにわたって電圧を印加することによって、前記機械層が作動位置と緩和位置とに可動して、前記潰れることのできるギャップが、前記機械層が前記作動位置にある際に潰れた状態となり、前記機械層が前記緩和位置にある際に潰れていない状態となる、デバイス。前記機械層が、前記固定領域に隣接し且つ光学的に不活性な領域の少なくとも一部に配置されたキンクを更に含む、請求項1に記載のデバイス。前記機械層内の前記キンクが、前記ギャップから離れるように延伸する上昇部分と、前記ギャップに向けて延伸する下降部分とを含む、請求項2に記載のデバイス。前記反射層及び前記導電層がアルミニウム合金を含む、請求項1に記載のデバイス。前記支持層が誘電体を含む、請求項1に記載のデバイス。前記支持層が酸窒化シリコンSiONを含む、請求項5に記載のデバイス。前記支持層の一部が、前記反射層を通って前記光学積層体に向けて延伸し、前記支持層が前記固定領域において前記光学積層体に接触している、請求項5に記載のデバイス。前記支持層が、略500Åから略8000Åの間の厚さのものである、請求項1に記載のデバイス。前記機械層の上に配置された誘電体層を更に備え、前記機械層が前記誘電体層と前記潰れることのできるギャップとの間に存在している、請求項1に記載のデバイス。前記誘電体層が、略500Åから略4000Åの間の厚さのものである、請求項9に記載のデバイス。前記反射層が、略200Åから略500Åの間の厚さを有するアルミニウム銅AlCu層を含む、請求項1に記載のデバイス。前記導電層が、略200Åから略500Åの間の厚さを有するAlCu層を含む、請求項11に記載のデバイス。前記キンクの高さ寸法が、略400Åから略5000Åの間である、請求項1に記載のデバイス。前記キンクの幅寸法が、略0.2μmから略5μmの間である、請求項13に記載のデバイス。前記光学積層体が前記静止電極を含む、請求項1に記載のデバイス。前記光学積層体、前記機械層の前記反射層、及び前記潰れることのできるギャップが干渉変調器を形成している、請求項1に記載のデバイス。前記基板、前記光学積層体、及び前記機械層を含むディスプレイと、前記ディプレイと通信して画像データを処理するように構成されたプロセッサと、前記プロセッサと通信するように構成されたメモリデバイスとを更に備えた請求項1に記載のデバイス。前記ディスプレイに少なくとも一つの信号を送信するように構成されたドライバ回路を更に備えた請求項17に記載のデバイス。前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部を送信するように構成されたコントローラを更に備えた請求項18に記載のデバイス。前記プロセッサに前記画像データを送信するように構成された画像ソースモジュールを更に備えた請求項17に記載のデバイス。前記画像ソースモジュールが、受信機、送受信機及び送信機のうち少なくとも一つを含む、請求項20に記載のデバイス。入力データを受信して前記入力データを前記プロセッサに送信するように構成された入力デバイスを更に備えた請求項17に記載のデバイス。基板と、前記基板の上に配置された光を部分的に反射するための部分反射手段と、光を反射するための可動反射手段とを備えたデバイスであって、前記可動反射手段が、前記可動反射手段を支持するための支持手段を含み、前記支持手段が、光学的に不活性な固定領域内において前記部分反射手段の上に固定されていて、前記支持手段が、前記部分反射手段から離れるように前記固定領域から延伸していて、前記可動反射手段を前記部分反射手段から離隔して、前記可動反射手段と前記部分反射手段との間に潰れることのできるギャップを形成していて、前記可動反射手段と、前記基板と前記潰れることのできるギャップとの間に配置されたで静止電極とにわたって電圧を印加することによって、前記可動反射手段が作動位置と緩和位置とに可動して、前記潰れることのできるギャップが、前記可動反射手段が前記作動位置にある際に潰れた状態になり、前記可動反射手段が前記緩和位置にある際に潰れていない状態になる、デバイス。前記分反射手段が光学積層体を含み、前記光学積層体が前記静止電極を含む、請求項23に記載のデバイス。前記可動反射手段が反射層及び導電層を含み、前記支持手段が、誘電体を備えた支持層を含み、前記支持層が前記反射層と前記導電層との間に配置されている、請求項24に記載のデバイス。前記固定領域内の前記支持層の一部が、前記反射層を通って前記光学積層体に向けて延伸して、前記光学積層体が前記固定領域内において前記光学積層体に接触している、請求項25に記載のデバイス。前記可動反射手段の上に配置された誘電体層を更に備えた請求項23に記載のデバイス。電気機械デバイス内に機械層を形成する方法であって、基板を提供するステップと、前記基板の上に光学積層体を形成するステップと、前記光学積層体の上に犠牲層を提供するステップと、固定領域の上に配置された前記犠牲層の一部を除去するステップと、前記犠牲層及び前記固定領域の上に機械層を形成するステップと、前記犠牲層を除去して前記機械層と前記基板との間に潰れることのできるギャップを形成するステップとを備え、前記機械層を形成するステップが、前記犠牲層の上に反射層を提供することと、前記固定領域の上に配置された前記反射層の一部を除去することと、支持層の一部が前記固定領域に接触するように前記反射層の上に支持層を提供することと、前記支持層の上に導電層を提供することとを含む、方法。前記固定領域に隣接する前記基板の少なくとも一部の上に成形層を堆積させるステップを更に備え、前記成形層が、前記基板から離れるように延伸する少なくとも一つの突出部を含み、前記光学積層体が前記成形層の上に形成される、請求項28に記載の方法。前記犠牲層を提供するステップが、前記少なくとも一つの突出部の上を含む前記成形層の上にコンフォーマル層として前記犠牲層を形成することを含み、前記機械層を形成するステップが、前記少なくとも一つの突出部の上を含む前記犠牲層及び前記成形層の上にコンフォーマル層として前記機械層を形成することを更に含み、キンクが、前記少なくとも一つの突出部の上において前記機械層の一部の内に形成される、請求項29に記載の方法。前記基板の少なくとも一部の上にブラックマスクを堆積させるステップを更に備え、前記成形層の一部及び前記ブラックマスクの一部が、前記突出部の高さ寸法を決めるように重畳する、請求項30に記載の方法。前記支持層が誘電体を含む、請求項28に記載の方法。前記支持層が、前記固定領域の上において前記光学積層体に直接接触する、請求項28に記載の方法。前記支持層が、略500Åから略8000Åの間の厚さを有する、請求項28に記載の方法。前記導電層が、略200Åから略500Åの間の厚さを有するAlCu層を含む、請求項28に記載の方法。前記導電層の上に誘電体層を堆積させるステップを更に備えた請求項28に記載の方法。前記誘電体層が、略500Åから略4000Åの間の厚さを有する、請求項36に記載の方法。前記成形層が、略500Åから略6000Åの間の厚さを有するバッファ酸化物層を含む、請求項28に記載の方法。前記ブラックマスクを堆積させるステップの前に前記基板の上に酸化アルミニウム層を堆積させるステップを更に備えた請求項31に記載の方法。前記酸化アルミニウム層が、略50Åと略250Åの間の厚さを有する、請求項39に記載の方法。干渉デバイスアレイは、各画素のコーナー角に固定された機械層を含み得る。機械層に対してより小さな固定アンカー領域を有しフィルファクタ充填率の改善された干渉デバイスが必要とされている。本願のシステム、方法及びデバイスは各々、複数の革新的側面を有するが、それらが単独で、本願で開示される所望の属性に関与するものではない。本願で説明される主題の一つの革新的側面は、基板と、基板の上に配置された部分反射光学積層体と、部分反射光学積層体が機械層と基板との間になるように配置された可動機械層とを含む電気機械デバイスにおいて実現可能であり、その機械層は、反射層と、導電層と、反射層と導電層との間に配置された支持層とを含む。支持層は、光学的に不活性な固定領域において光学積層体の上に固定されて、光学積層体から離れるように固定領域から延伸し、機械層を光学積層体から離隔して、機械層と光学積層体との間に潰れることのできるギャップコラプス性ギャップを形成する。機械層と、基板と潰れることのできるギャップとの間に配置された静止電極とにわたって電圧を印加することによって、機械層は作動位置と緩和位置とに可動する。潰れることのできるギャップは、機械層が作動位置にある際に潰れた状態になり、機械層が緩和位置にある際に潰れていない状態になる。一部実施形態では、機械層が、固定領域に隣接し且つ光学的に不活性な領域の少なくとも一部に配置されたキンクねじれ部を更に含む。一部実施形態では、機械層のキンクは、ギャップから離れるように延伸する上昇部分とギャップに向かって延伸する下降部分とを含む。一部実施形態では、反射層及び導電層はアルミニウム合金を含む。一部実施形態では、支持層は酸窒化シリコンSiONを含む。本願で説明される主題の他の革新的側面は、基板と、基板上に配置された光を部分的に反射する手段と、光を干渉反射する可動手段とを含むデバイスにおいて実現可能である。可動光反射手段は、可動反射手段を支持する手段を含み、その支持手段は、光学的に不活性な固定領域内において部分反射手段の上に固定される。支持手段は、部分反射手段から離れるように固定領域から延伸し、可動反射手段を部分反射手段から離隔して、可動光反射手段と部分光反射手段との間に潰れることのできるギャップを形成する。可動光反射手段と、基板と潰れることのできるギャップとの間に配置された静止電極とにわたって電圧を印加することによって、可動光反射手段は、作動位置と緩和位置とに可動する。潰れることのできるギャップは、可動光反射手段が作動位置にある際に潰れた状態になり、可動光反射手段が緩和位置にある際に潰れていない状態になる。一部実施形態では、可動光反射手段が、反射層及び導電層を含み、支持層が反射層と導電層との間に配置される。本願で説明される手段の他の革新的側面は、電気機械デバイス内に機械層を形成する方法において実現可能である。本方法は、基板を提供するステップと、基板の上に光学積層体を形成するステップと、光学積層体の上に犠牲層を形成するステップと、固定領域の上に配置された犠牲層の一部を除去するステップと、犠牲層及び固定領域の上に機械層を形成するステップと、犠牲層を除去して、機械層と基板との間に潰れることのできるギャップを形成するステップとを含む。機械層を形成するステップは、犠牲層の上に反射層を提供することと、固定領域の上に配置された反射層の一部を除去することと、支持層の一部が固定領域に接触するように反射層の上に支持層を提供することと、支持層の上に導電層を提供することとを含む。一部実施形態では、本方法は、少なくとも基板の一部の上に成形層を堆積させるステップを更に含み、その成形層は、固定領域に隣接した少なくとも一つの突出部を含む。一部実施形態では、本方法は、成形層の上少なくとも一つの突出部の上を含むにコンフォーマル層として犠牲層を形成するステップを含み、機械層を形成するステップが、犠牲層及び成形層の上少なくとも一つの突出部の上を含むにコンフォーマル層として機械層を形成することを含み、キンクが、少なくとも一つの突出部において各々機械層の一部の内に形成される。本明細書で開示される主題の一以上の実施形態の詳細が、添付図面及び以下の説明に与えられる。他の特徴、側面、及び利点は、明細書、図面及び特許請求の範囲から明らかになるものである。図面の相対的寸法は縮尺通りではない点に留意されたい。多様な図面における同様な参照番号及び符号は、同様の要素を示す。以下の詳細な説明は、革新的側面を説明する目的でいくつかの実施形態に向けられたものである。しかしながら、本願の教示は多様な方法において適用可能である。説明される実施形態は、動的なもの例えばビデオ又は静的なもの例えば静止画であり且つ文字、グラフィック又は写真である画像を表示するように構成されたあらゆるデバイスにおいて実施可能である。特に、実施形態は、多様な電子デバイスにおいて実施され又はこれらに付随し得ることが想定され、そのような電子デバイスとして、携帯電話、マルチメディアインターネット可能携帯電話、携帯テレビ受信機、ワイヤレスデバイス、スマートフォン、ブルートゥース登録商標デバイス、PDApersonaldataassistant、ワイヤレス電子メール受信機、携帯型コンピュータ、ネットブック、ノートブック、スマートブック、プリンタ、コピー機、スキャナ、ファクシミリデバイス、GPS受信機/ナビゲータ、カメラ、MP3プレーヤ、カムコーダ、ゲームコンソール、腕時計、置時計、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、電子読書デバイス例えばe‐リーダ、コンピュータモニタ、オートディスプレイ例えばオドメータ等、コックピット制御部及び/又はディスプレイ、カメラ後方ディスプレイ例えば、車両の背面カメラのディスプレイ、電子写真、電子掲示板又は標識、プロジェクタ、建造物、電子レンジ、冷蔵庫、ステレオシステム、カセットレコーダ又はプレーヤ、DVDプレーヤ、CDプレーヤ、VCR、ラジオ、携帯型メモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯乾燥機、パーキングメータ、パッケージング例えばMEMS及び非MEMS、審美的構造物例えば、宝石上の画像表示、及び多様な電気機械システムデバイスが挙げられるがこれらに限定されるものではない。また、本願の教示は、非ディスプレイ応用においても用いることができ、そうした応用として、電子スイッチングデバイス、無線周波数フィルタ、センサ、加速度計、ジャイロスコープ、動作感知デバイス、磁力計、家庭用電子機器の慣性部品、家庭用電子機器の部品、バラクタ、液晶デバイス、電気泳動デバイス、ドライブスキーム、製造プロエス、電子試験設備が挙げられるがこれらに限定されるものではない。従って、本教示は、単に図面に示された実施形態に限定されるものではなく、当業者に明示的である多様な適用性を有するものである。自己支持機械層を有する電気機械デバイスが開示される。本願で説明される一部実施形態では、電気機械デバイスが、ポスト又はリベット構造を有さずに形成可能であることによって、固定領域の面積を減少させて、改善されたフィルファクタを有する画素アレイを許容するものとして提供される。更に、機械層は、作動位置にある際にその機械層の曲げ高さを低下させるようにフレキシブルとなり得る。機械層の曲げ高さを低下させることは、デバイスを作動させた際に光学積層体と接触しない機械層の部分の輝度を減少させることができるので、黒状態を改善して、こうしたデバイスを含むディスプレイのコントラスト比、色域、彩度を増大させることができる。本願で説明される主題の特定の実施形態は、以下の潜在的な利点のうち一つ以上を実現するように実施可能である。一部実施形態では、本願で開示される主題は、画素アレイのフィルファクタを改善するように実施可能である。更に、一部実施形態は、機械層の曲げ高さを低下させることができる。更に、一部実施形態は、このようなデバイスを含むディスプレイのコントラスト比、色域、及び/又は彩度を増大させることができる。説明される実施形態を適用することができる適切な電気機械デバイスの一例は、反射ディスプレイデバイスである。反射ディスプレイデバイスは、光学干渉原理を用いて入射光を選択的に吸収及び/又は反射する干渉変調器IMODを組み込むことができる。IMODは、吸収体、その吸収体に対して相対的に可動する反射体、吸収体と反射体との間に画定される光学共鳴キャビティを含み得る。反射体は、二つ以上の異なる位置に移動可能であり、光学共鳴キャビティのサイズを変化させることによって干渉変調器の反射率に影響を与えることができる。IMODの反射スペクトルは、多様な色を発生させるように可視波長にわたってシフト可能であるかなり広範なスペクトル帯を形成することができる。スペクトル帯の位置は、光学共鳴キャビティの厚さを変化させることによって、つまり反射体の位置を変化させることによって、調整可能である。図1は、干渉変調器IMODディスプレイデバイスの一組の画素における二つの隣接画素を示す等角図の例を示す。IMODディスプレイデバイスは、一つ以上の干渉MEMSディスプレイ素子を含む。こうしたデバイスにおいて、MEMSディスプレイ素子の画素は、明状態又は暗状態のいずれかとなり得る。明緩和、開、オン状態においえ、ディスプレイ素子は、入射可視光の大部分を例えば使用者に向けて反射する。逆に、暗作動、閉、オフ状態では、ディスプレイ画素は僅かな入射可視光しか反射しない。一部実施形態では、オン状態及びオフ状態の光反射特性が逆になり得る。MEMS画素は、白黒に加えて、カラーディスプレイを可能にするように特定の波長において主に反射するように構成可能である。IMODディスプレイデバイスは、IMODの行/列アレイを含み得る。各IMODは空隙光学ギャップ又はキャビティとも称されるを形成するように互いに可変且つ制御可能な距離に配置された一対の反射層、つまり可動反射層及び固定部分反射層を含み得る。可動反射層は、少なくとも二つの位置の間を移動し得る。第一の位置、つまり緩和位置では、可動反射層は、固定部分反射層から比較的大きな距離に配置され得る。第二の位置、つまり作動位置では、可動反射層は、部分反射層により近づいて配置され得る。二つの層から反射される入射光は、可動反射層の位置に応じて、強め合って又は弱め合って干渉して、各画素に対して全体的な反射状態又は非反射状態のいずれかを形成することができる。一部実施形態では、IMODは、非作動状態において反射性であり、可視スペクトル内の光を反射し得て、また、非作動状態において暗状態であり可視範囲外の光例えば赤外光を反射し得る。しかしながら、他の一部実施形態では、IMODは、非作動状態において暗状態であり、作動状態において反射状態となり得る。一部実施形態では、印加電圧の導入が画素を駆動させて状態を変化させることができる。他の一部実施形態では、印加電荷が画素を駆動させて状態を変化させることができる。図1の画素アレイの図示されている部分は、二つの隣接干渉変調器12を含む。図示されるような左側のIMOD12では、機械層又は可動反射層14が、光学積層体16部分反射層を含むから所定の距離の緩和位置にあるものとして示されている。左側のIMOD12にわたって印加された電圧V0は、可動反射層14の作動を生じさせるには不十分である。右側のIMOD12では、可動反射層14が、光学積層体16の近くの又はこれに隣接した作動位置にあるものとして示されている。右側のIMOD12にわたって印加された電圧Vbiasは、可動反射層14を作動位置に維持するのに十分である。図1では、画素12の反射性は、画素12に入射する光を示す矢印13及び左側12の画素から反射する光15で一般的に示されている。詳細には図示されていないが、画素12に入射する光13の大部分は、透明基板20を透過して光学積層体16に向かう。光学積層体16に入射する光の一部は、光学積層体16の部分反射層を透過し、一部は反射されて戻されて透明基板20を介する。光学積層体16を透過する光13の一部は、可動反射層14において反射されて、透明基板20に向けてまた、これを介するように戻される。光学積層体16の部分反射層から反射された光と、可動反射層14から反射された光との間の干渉強め合う又は弱め合うが、画素12から反射される光15の波長を決める。光学積層体16は、単一の層又は複数の層を含み得る。その層は、電極層と、部分反射及び部分透過層と、透明誘電体層のうちひとつ以上を含み得る。一部実施形態では、光学積層体16は導電性であり、部分透明且つ部分反射性であり、例えば透明基板20上に上記層のうち一つ以上を堆積させることによって製造可能である。電極層は、例えばインジウム錫酸化物ITO,indiumtinoxideといった多様な金属等の多様な物質製であり得る。部分反射層は、例えばクロムCrといった多様な金属、半導体、誘電体等の部分反射性である多様な物質製であり得る。部分反射層は、一層以上の物質層で形成可能であり、その各層は、単一の物質又は複数物質の組み合わせで形成可能である。一部実施形態では、光学積層体16は、光学吸収体及び導体の両方として機能する金属又は半導体の単一の半透明な厚さを有し得る一方、他のより導電性の層又は部分例えば光学積層体16の部分、又はIMONO他の構造の部分が、IMOD画素間に信号をバス伝送するのに役立つ。また、光学積層体16は、一つ以上の導電層又は導電性/吸収性層を覆う一つ以上の絶縁層又は誘電体層も含み得る。一部実施形態では、光学積層体16の層は、平行なストリップにパターニングされ得て、後述のようなディスプレイデバイスの行電極を形成し得る。当業者に理解されるように、パターニングとの用語は本願において、マスキング及びエッチングプロセスを称するものとして用いられる。一部実施形態では、アルミニウムAl等の高導電性反射物質が、可動反射層14用に使用され得て、それらのストリップがディスプレイデバイスの列電極を形成し得る。可動反射層14は、堆積金属層一層又は複数層の一組の平行ストリップ光学積層体16の行電極と直交するとして形成可能であり、ポスト18の頂部に堆積させた列と、ポスト18間に堆積された介在犠牲物質とを形成する。犠牲物質がエッチング除去されると、可動反射層14と光学積層体16との間に画定されたギャップ19又は光学キャビティが形成され得る。一部実施形態では、ポスト18間の間隔は略1~1000μmであり、ギャップ19が10000オングストロームÅ以下のオーダとなり得る。一部実施形態では、IMODの各画素は本質的に、作動状態であろうと緩和状態であろうと、固定反射層及び可動反射層によって形成されたキャパシタである。電圧が印加されないと、図1の左側の画素12に示されるように、可動反射層14は、機械的に緩和された状態のままであり、可動反射層14と光学積層体16との間にギャップ19を有する。しかしながら、電位差例えば電圧が選択された行及び列のうち少なくとも一つに印加されると、対応する画素における行電極及び列電極の交点に形成されたキャパシタが帯電して、静電力が電極を互いに引き寄せる。印加電圧が閾値を超えると、可動反射層14が変形して、光学積層体の近くに又はその逆方向に動くことができる。光学積層体16内部の誘電体層図示せずは、短絡を防止して、図1の右側の作動画素12に示されるように、層14と16との間の離隔距離を制御することができる。挙動は、印加電位差の極性に関係なく同じである。アレイ中の一組の画素を、場合によって行又は列と称することができるが、当業者は、一方の方向を行と称し、他方の方向を列と称することが任意のものであると理解するものである。言い換えると、向きによっては、行が列と見なされて、列が行と見なされる。更に、ディスプレイ画素は、直交する行及び列において均等に配置可能でありアレイ、又は、例えば互いに特定の位置的なずれを有する非線形な構成で配置され得るモザイク。アレイ及びモザイクとの用語は、いずれの構成でも称され得る。従って、ディスプレイがアレイ又はモザイクを含むとして称されても、素子自体は互いに直交に配置されたり、均等な分布で配置されたりする必要ななく、いずれの場合でも、非対称な形状及び不均一に分布した素子を有する配置を含み得る。図2は、3×3の干渉変調器ディスプレイを組み込んだ電子デバイスを示すシステムブロック図の例を示す。電子デバイスは、一つ以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成可能なプロセッサ21を含む。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサ21は、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、又は他のソフトウェアアプリケーション等の一つ以上のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成され得る。プロセッサ21は、アレイドライバ22と通信するように構成され得る。アレイドライバ22は、例えばディスプレイアレイ又はパネル30に信号を提供する行ドライバ回路24及び列ドライバ回路26を含み得る。図1に示されるIMODディスプレイデバイスの断面が図2の線1-1によって示される。図2は、明確性のため3×3のアレイのIMODを示すが、ディスプレイアレイ30は、非常に多数のIMODを含み得て、列と行とで異なる数のIMODを含み得て、又はその逆も同様である。図3は、図1の干渉変調器について、可動反射層の位置対印加電圧を示す図の一例を示す。MEMS干渉変調器について、行/列つまり、共通/セグメントの書き込み手順は、図3に示されるようなデバイスのヒステリシス特性を利用し得る。例えば、干渉変調器は、例えば略10ボルトの電位差を用いて、可動反射層又はミラーが、緩和状態から作動状態に変化するようにし得る。電圧がこの値から減少しても、可動反射層はそのままの状態を維持し、電圧が例えば10ボルト以下に低下しても、電圧が2ボルト以下に低下するまでは、可動反射層が完全に緩和しない。従って、図3に示されるように略3から7ボルトの電圧範囲が存在し、その範囲内では、デバイスが緩和状態又は作動状態のいずれかで安定である印加電圧のウィンドウが存在する。これは、本願において、ヒステリシスウィンドウ又は安定ウィンドウと称される。図3のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイ30に対して、行/列の書き込み手順は、一つ以上の行を一度にアドレスするように設計可能であり、所定の行のアドレス中において、そのアドレスされた行中の作動される画素が、略10ボルトの電位差を受ける一方、緩和される画素が、ゼロボルト近くの電圧差を受けるようになる。アドレス後には、画素が、略5ボルトの安定状態又はバイアス電圧差を受けて、以前のストローブ状態のままとなる。この例では、アドレス後において、各画素は、略3~7ボルトの安定ウィンドウ内の電位差を見る。このヒステリシス特性は、例えば図1に示される画素の設計が、同じ印加電圧条件下において作動又は緩和のいずれかの既存状態で安定なままであることを可能にする。各IMOD画素は本質的に、作動状態であろうと緩和状態であろうと、固定反射層及び可動反射層によって形成されたキャパシタであるので、この安定状態は、電力を実質的に消費したり失ったりせずにヒステリシスウィンドウ内の安定電圧で保持可能である。更に、印加電圧電位が実質的に固定されたままであると、本質的にはIMOD画素内にほとんど又は全く電流が流れない。一部実施形態では、所定の行内の画素の状態に対する所望の変化存在する場合に応じて、一組の列電極に沿ったセグメント電圧としてのデータ信号を印加することによって、画像のフレームを生成することができる。そして、アレイの各行を、フレームが一つの行において一度に書き込まれるようにアドレスすることができる。所望のデータを第一の行の画素に書き込むため、第一の行内の画素の所望の状態に対応するセグメント電圧を列電極に印加することができて、特定の共通電圧又は信号としての第一の行パルスを、第一の行電極に印加することができる。そして、一組のセグメント電圧を、第二の行の画素の状態に対する所望の変化存在する場合に対応するように、変化させることができて、第二の共通電圧を第二の行電極に印加することができる。一部実施形態では、第一の行内の画素は、列電極に沿って印加されるセグメント電圧の変化によって影響を受けず、第一の共通電圧の行パルスの間において、設定された状態のままである。このプロセスを、全ての組の行、又は列に対して逐次的に繰り返して、画像フレームを形成することができる。このプロセスを一秒当たり所望の数のフレームで連続的に繰り返すことによって、新たな画像データでフレームをリフレッシュ及び/又はアップデートすることができる。各画素にわたって印加されるセグメント信号及び共通信号の組み合わせつまり、各画素にわたる電位差は、各画素の結果としての状態を決める。図4は、多様な共通電圧及びセグメント電圧を印加した場合の干渉変調器の多様な状態を示す表の一例を示す。当業者には容易に理解されるように、セグメント電圧は、列電極又は行電極の一方に印加可能であり、共通電圧は、列電圧又は行電圧の他方に印加可能である。図4に示されるように及び図5Bのタイミング図に示されるように、リリース電圧VCRELが共通ラインに沿って印加されると、セグメントラインに沿って印加される電圧つまり、高セグメント電圧VSH及び低セグメント電圧VSLに関わらず、その共通ラインに沿った全ての干渉変調器素子が緩和状態リリース状態、非作動状態とも称されるにされる。特に、リリース電圧VCRELが共通ラインに沿って印加されると、高セグメント電圧VSH及び低セグメント電圧VSLがその画素に対応するセグメントラインに沿って印加された際にいずれも、変調器にわたる電位差画素電圧とも称されるが、緩和ウィンドウ内に存在する。高保持電圧VCHOLD_H又は低保持電圧VCHOLD_L等の保持電圧が共通ラインに印加されると、干渉変調器の状態が一定のままとなる。例えば、緩和IMODは緩和位置のままであり、作動IMODは作動位置のままである。保持電圧は、高セグメント電圧VSH及び低セグメント電圧VSLが対応するセグメントラインに沿って印加された場合にいずれも画素電圧が安定ウィンドウ内に留まるように選択され得る。従って、セグメント電圧のふり幅つまり、高セグメント電圧VSHと低セグメント電圧VSLとの間の差は、正又は負の安定ウィンドウのいずれの幅以下である。アドレス又は作動電圧高アドレス電圧VCADD_Hや低アドレス電圧VCADD_L等が共通ラインに印加されると、個々のセグメントラインに沿ったセグメント電圧の印加によって、そのラインに沿った変調器にデータを選択的に書き込むことができる。セグメント電圧は、作動が印加されるセグメント電圧に依存するように選択され得る。アドレス電圧を共通ラインに沿って印加すると、一つのセグメント電圧の印加が、安定ウィンドウ内の画素電圧を生じさせて、画素を非作動のままにする。対照的に、他のセグメント電圧の印加は、安定ウィンドウを超えた画素電圧を生じさせて、画素を作動させる。作動を生じさせる具体的なセグメント電圧は、どのようなアドレス電圧を用いるかに応じて変化し得る。一部実施形態では、高アドレス電圧VCADD_Hを共通ラインに沿って印加する場合、高セグメント電圧VSHの印加は、変調器がその現状の位置に留まるようにする一方、低セグメント電圧VSLの印加が、変調器の作動を生じさせることができる。当然の結果として、セグメント電圧の影響は、低アドレス電圧VCADD_Lを印加する場合には逆となり得て、高セグメント電圧VSHが変調器の作動を生じさせて、低セグメント電圧VSLは、変調器の状態に対して影響しないつまり安定なままである。一部実施形態では、変調器にわたって同じ極性の電位差を生じさせる保持電圧、アドレス電圧、及びセグメント電圧が用いられ得る。他の一部実施形態では、変調器の電位差の極性を交互に入れ替える信号を用いることができる。変調器にわたる極性の交互入れ替えつまり、書き込み手順の極性の交互入れ替えは、単一極性の書き込み動作を繰り返した後に生じ得る電荷蓄積を低減又は抑止し得る。図5Aは、図2の3×3の干渉変調器ディスプレイにおけるディスプレイデータのフレームを示す図の例を示す。図5Bは、図5Aに示されるディスプレイデータのフレームを書き込むのに使用可能な共通信号及びセグメント信号に対するタイミング図の例を示す。信号は、例えば図2の3×3のアレイに印加可能であり、最終的には、図5Aに示されるライン時間60eのディスプレイ配置を生じさせる。図5Aの作動変調器は暗状態であり、つまり、反射光の実質的部分が可視スペクトル外であり、例えば視聴者に暗い見た目をもたらす。図5Aに示されるフレームの書き込みの前において、画素はあらゆる状態であり得るが、図5Bのタイミング図に示される書き込み手順は、各変調器がリリースされていて、第一のライン時間60aの前においては非作動状態であることを前提としている。第一のライン時間60aにおいて、リリース電圧70が共通ライン1に印加され、共通ライン2に印加された電圧が高保持電圧72から始まり、リリース電圧70に移り、低保持電圧76が共通ライン3に沿って印加される。従って、共通ライン1に沿った変調器共通1,セグメント1、1,2及び1,3は、第一のライン時間60aの期間に対して緩和又は非作動状態のままであり、共通ライン2に沿った変調器2,1、2,2及び2,3は緩和状態に移り、共通ライン3に沿った変調器3,1、3,2及び3,3は以前の状態のままである。図4を参照すると、セグメントライン1、2及び3に沿って印加されるセグメント電圧は、干渉変調器の状態に影響しない。何故ならば共通ライン1、2又は3が、ライン時間60a中に作動を生じさせる電圧レベルつまり、VCREL-緩和、VCHOLD_L-安定を受けていないからである。第二のライン時間60bの間において、共通ライン1に対する電圧は高保持電圧72に動き、共通ライン1に沿った全ての変調器が、印加されるセグメント電圧に関わらず緩和状態のままとなる。何故ならば、アドレス又は作動電圧が共通ライン1に印加されていなかったからである。共通ライン2に沿った変調器は、リリース電圧70の印加に起因して緩和状態のままであり、共通ライン3に沿った電圧がリリース電圧70に移ると、共通ライン3に沿った変調器3,1、3,2及び3,3が緩和する。第三のライン時間60cの間において、共通ライン1に対して高アドレス電圧74を印加することによって、共通ライン1がアドレスされる。このアドレス電圧の印加中においてセグメントライン1及び2に沿って低セグメント電圧64が印加されているので、変調器1,1及び1,2にわたる画素電圧は、変調器の正の安定ウィンドウの上限よりも大きくつまり、電圧差が所定の閾値を超える、変調器1,1及び1,2が作動される。逆に、高セグメント電圧62がセグメントライン3に沿って印加されるので、変調器1,3にわたる画素電圧は、変調器1,1及び1,2の画素電圧以下であり、変調器の正の安定ウィンドウ内に留まるので、変調器1,3が緩和したままである。また、ライン時間60cの間において、共通ライン2に沿った電圧が低保持電圧76に低下し、共通ライン3に沿った電圧がリリース電圧70のままであり、共通ライン2及び3に沿った変調器を緩和位置のままとする。第四のライン時間60dの間において、共通ライン1に対する電圧は高保持電圧72に戻り、共通ライン1に沿った変調器を個々のアドレスされた状態のままにする。共通ライン2に対する電圧は低アドレス電圧78に低下する。高セグメント電圧62がセグメントライン2に沿って印加されるので、変調器2,2にわたる画素電圧は、変調器の負の安定ウィンドウの下限以下であり、変調器2,2を作動させる。逆に、低セグメント電圧64がセグメントライン1及び3に沿って印加されるので、変調器2,1及び2,3は、緩和位置のままである。共通ライン3に対する電圧は高保持電圧72に増大し、共通ライン3に沿った変調器を緩和状態のままにする。最後に、第五のライン時間60eの間において、共通ライン1に対する電圧は高保持電圧72のままであり、共通ライン2に対する電圧は低保持電圧76のままであり、共通ライン1及び2に沿った変調器を個々のアドレスされた状態のままにする。共通ライン3に対する電圧は高アドレス電圧74に増大して、共通ライン3に沿った変調器をアドレスする。低セグメント電圧64がセグメントライン2及び3に印加されるので、変調器3,2及び3,3が作動する一方、セグメントライン1に沿って印加される高セグメント電圧62が、変調器3,1を緩和位置のままにさせる。従って、第五のライン時間60eの終わりにおいて、3×3の画素アレイは図5Aに示される状態にあり、他の共通ライン図示せずに沿った変調器がアドレスされている際に生じ得るセグメント電圧の変動に関係なく、保持電圧が共通ラインに沿って印加されている限りは、その状態を保つ。図5Bに示されるタイミング図において、所定の書き込み手順つまりライン時間60a~60eは、高保持電圧及びアドレス電圧、又は、低保持電圧及びアドレス電圧のいずれかの使用を含み得る。書き込み手順が所定の共通ラインに対して完了するとまた、共通電圧が、作動電圧と同じ極性を有する保持電圧に設定されると、画素電圧は所定の安定ウィンドウ内に留まり、リリース電圧がその共通ラインに印加されるまでは、緩和ウィンドウを通り過ぎない。更に、各変調器が、変調器をアドレスする前の書き込み手順の一部としてリリースされるので、リリース時間ではなくて、変調器の作動時間が、ライン時間を決定し得る。特に、変調器のリリース時間が作動時間よりも長い実施形態では、図5Bに示されるように、リリース電圧が単一のライン時間よりも長く印加され得る。他の一部実施形態では、共通ライン又はセグメントラインに沿って印加される電圧が、異なる変調器異なる色の変調器等の作動電圧及びリリース電圧の変動を考慮して変化し得る。上述の原理に従って動作する干渉変調器の構造の詳細は多様なものであり得る。例えば、図6A~図6Eは、可動反射層14及びその支持構造を含む干渉変調器の多様な実施形態の断面の例を示す。図6Aは、図1の干渉変調器ディスプレイの部分断面の例を示し、金属物質のストリップ、つまり可動反射層14が、基板20から直交して延伸している支持体18の上に堆積されている。図6Bでは、各IMODの可動反射層14が略正方形又は矩形の形状であり、テザー32上でコーナーにおいて又はその付近において支持体に取り付けられる。図6Cでは、可動反射層14は略正方形又は矩形の形状であり、変形可能層34フレキシブル金属を含み得るから懸架されている。変形可能層34は、可動反射層14の周囲付近において基板20に直接又は間接に取り付けされる。こうした接続部を本願では支持ポストと称する。図6Cに示される実施形態は、可動反射層14の光学的機能をその機械的機能から分離することに起因する追加の利点を有するが、これは変形可能層34によって達成される。この分離は、可動反射層に対して用いられる構造設計及び物質と、変形可能層34に対して用いられる構造設計及び物質を互いに独立的に最適化することを可能にする。図6Dは、IMODの他の例を示し、可動反射層14が、反射副層14aを含む。可動反射層14は、支持ポスト18等の支持構造上に存在する。支持ポスト18は、下方の静止電極つまり、図示されるIMODの光学積層体16の一部からの可動反射層14の離隔を提供して、例えば可動反射層14が緩和位置にある際に、ギャップ19が、可動反射層14と光学積層体16との間に形成される。また、可動反射層14は、電極として機能するように構成可能な導電層14cと、支持層14bも含み得る。この例では、導電層14cが、基板20の反対側の支持層14bの一方の面上に配置されていて、反射副層14が、基板20側の支持層14bの他方の面上に配置されている。一部実施形態では、反射副層14aが導電性であり、支持層14bと光学積層体16との間に配置され得る。支持層14bは、誘電体例えば、酸窒化シリコンSiONや、二酸化シリコンSiO2の一層以上の層を含み得る。一部実施形態では、支持層14bは、複数層の積層体であり得て、例えば、SiO2/SiON/SiO2三重層積層体などであり得る。反射副層14a及び導電層14cのいずれか一方又は双方は、略0.5の銅Cuを有するアルミニウムAl合金や、他の反射物質を含み得る。誘電体支持層14bの上下に導電層14a、14cを採用することは、応力のバランスをとり、導電性を増強させることができる。一部実施形態では、反射副層14a及び導電層14cは、可動反射層14内部に特定の応力プロファイルを達成する等の多様な設計目的に対して異なる物質で形成可能である。図6Dに示されるように、一部実施形態では、ブラックマスク構造23も含まれ得る。ブラックマスク構造23は光学的に不活性な領域例えば画素の間やポスト18の下に形成されて、環境光又は迷光を吸収し得る。また、ブラックマスク構造23は、光がディスプレイの不活性部分から反射したり又はそこを透過したりすることを抑制することによって、ディスプレイデバイスの光学性能を改善して、コントラスト比を増大させることができる。更に、ブラックマスク構造23は、導電性であり得て、電気バス層として機能するように構成可能である。一部実施形態では、行電極をブラックマスク構造に接続して、接続された行電極の抵抗を低下させることができる。ブラックマスク構造23は、堆積及びパターニング法を含む多様な方法を用いて形成可能である。ブラックマスク構造23は一層又は複数の層を含み得る。例えば、一部実施形態では、ブラックマスク構造23は、光学吸収体として機能するモリブデンクロムMoCr層と、二酸化シリコンSiO2層と、反射体及びバス層として機能するアルミニウム合金層とを含み、それぞれの厚さの範囲は、略30~80Å、500~1000Å、500~6000Å、である。一層又は複数の層は、フォトリソグラフィ、乾式エッチングを含む多様な方法を用いてパターニング可能であり、例えば、MoCr層及びSiO2層に対してはテトラフルオロエタンCF4及び/又は酸素O2が使用され、アルミニウム合金層に対しては塩素Cl2及び/又は三塩化ホウ素BCl3が使用される。一部実施形態では、ブラックマスク23は、エタロン、又は干渉積層体構造であり得る。このような干渉積層体ブラックマスク構造23においては、導電性反射体を用いて、各行又は列の光学積層体16内の下方の静止電極間に信号を伝達又はバス伝送させることができる。一部実施形態では、スペーサ層35が、吸収体層16aをブラックマスク23の導電層から一般的に電気的に絶縁する機能を果たし得る。図6Eは、IMODの他の例を示し、可動反射層14が自己支持となっている。図6Dとは対照的に、図6Eの実施形態は、支持ポスト18を含まない。代わりに、可動反射層14が複数箇所において下方の光学積層体16と接触して、可動反射層14の曲率が、十分な支持を提供して、干渉変調器にわたる電圧が作動を生じさせるには不十分である際に、可動反射層14が、図6Eの非作動位置に戻る。光学積層体16は、複数の異なる層を含み得るが、明確性のため、この図では、光学吸収体16a及び誘電体16bを含むものとして示されている。一部実施形態では、光学吸収体16aは、固定電極及び部分反射層の両方として機能し得る。図6A~図6Eに示されるような実施形態では、IMODが直視型デバイスとして機能して、画像は透明基板20の前方から、つまり変調器が配置されている面の反対側から視られる。このような実施形態では、デバイスの後方部分つまり、可動反射層14の後方のディスプレイデバイスの部分であり、例えば、図6Cに示される変形可能層34を含むを、ディスプレイデバイスの画像の質に作用したり悪影響を与えたりせずに構成及び動作させることができる。何故ならば、反射層14がデバイスのこれらの部分を光学的に遮蔽するからである。例えば、一部実施形態では、バス構造図示せずを可動反射層14の後方に含ませることができて、変調器の光学特性を変調器の電気機械特性電圧アドレスやそのようなアドレスの結果としての移動と分離することができる。また、図6A~図6Eの実施形態は、例えばパターニング等の処理を単純化し得る。図7は、干渉変調器の製造プロセス80を示す流れ図の例を示し、図8A~図8Eは、このような製造プロセス80の対応する段階の概略的な断面図の例を示す。一部実施形態では、図7に示されていない他のブロックも加えて、製造プロセス80を実施して、例えば図1及び図6に示される一般的なタイプの干渉変調器を製造することができる。図1、図6及び図7を参照すると、プロセス80は、基板20上に光学積層体16を形成するブロック82で開始する。図8Aは、基板20上に形成されたこのような光学積層体16を示す。基板20は、ガラスやプラスチック等の透明基板であり得て、また、フレキシブルであるか又は比較的硬くて曲がらないものであり得て、また、例えば光学積層体16の効率的な形成を促進するためのクリーニング等の前処理プロセスを受けたものであり得る。上述のように、光学積層体16は、導電性、部分透明且つ部分反射性であり得て、また、例えば透明基板20上に所望の特性を有する一層以上の層を堆積させることによって形成され得る。図8Aでは、光学積層体16が、副層16a及び16bを有する多層構造を含むが、他の一部実施形態ではこれよりも多い又は少ない副層が含まれ得る。一部実施形態では、副層16a、16bの一つが光学吸収性及び導電性の両方を備えて形成可能であり、例えば、導体/吸収体の組み合わさった副層16aとなる。また、副層16a、16bの一つ以上が、平行なストリップにパターニングされ得て、ディスプレイデバイスの行電極を形成し得る。このようなパターニングは、マスキング及びエッチングプロセスや、当該分野において既知の他の適切なプロセスによって実行可能である。一部実施形態では、副層16a、16bの一つが、絶縁層又は誘電体層であり得て、例えば、一層以上の金属層例えば、一層以上の反射及び/又は導電層の上に堆積された副層16bである。また、光学積層体16を、ディスプレイの行を形成する個々の平行ストリップにパターニングすることができる。プロセス80は、光学積層体16の上に犠牲層25を形成するブロック84へと続く。犠牲層25は、後で除去されて例えばブロック90で、キャビティ19を形成するので、犠牲層25は、図1に示される結果物の干渉変調器12には示されていない。図8Bは、光学積層体16の上に形成された犠牲層25を含む製造途中のデバイスを示す。光学積層体16上への犠牲層25の形成は、モリブデンMoやアモルファスシリコンa‐Si等の二フッ化キセノンXeF2エッチング可能物質を、所望の設計サイズを有するギャップ又はキャビティ19図1及び図8Eを参照を後の除去後に提供するように選択された厚さで堆積させることを含み得る。犠牲物質の堆積は、例えばスパッタリング等の物理気相堆積PVD,physicalvapordeposition、プラズマ増強化学気相堆積PECVD,plasma-enhancedchemicalvapordeposition、熱化学気相堆積熱CVDや、スピンコーティング等の堆積法を用いて行われ得る。プロセス80は、支持構造例えば図1、図6及び図8Cに示されるようなポスト18を形成するブロック86へと続く。ポスト18の形成は、犠牲層25をパターニングして、支持構造アパーチャを形成し、PVD、PECVD、熱CVD又はスピンコーティング等の堆積法を用いて、そのアパーチャ内に物質例えば、ポリマー、又は無機物質例えば酸化シリコンを堆積させて、ポスト18を形成することを含み得る。一部実施形態では、犠牲層内に形成された支持構造アパーチャが、犠牲層25及び光学積層体16を貫通して下方の基板20まで延伸し得て、図6Aに示されるようにポスト18の下端が基板20に接触する。代わりに、図8Cに示されるように、犠牲層25内に形成されたアパーチャは、犠牲層25を貫通して延伸するが、光学積層体16は貫通しない。例えば、図8Eは、光学積層体16の上面と接触している支持ポスト18の下端を示す。ポスト18又は他の支持構造は、犠牲層25の上に支持構造物質の層を堆積させて、パターニングして、犠牲層25内のアパーチャから離れた位置の支持構造物質の一部を除去することによって、形成され得る。支持構造は、図8Cに示されるようにアパーチャ内部に位置し得るが、犠牲層25の一部の上に少なくとも部分的に延伸し得る。上述のように、犠牲層25及び/又は支持ポスト18のパターニングは、パターニング及びエッチングプロセスによって実行可能であるが、代わりのエッチング法でも実行可能である。プロセス80は、図1、図6及び図8Dに示される可動反射層14等の可動反射層又は膜を形成するブロック88へと続く。可動反射層14は、一以上の堆積ステップ例えば反射層例えばアルミニウム、アルミニウム合金の堆積を、一以上のパターニングステップ、マスキングステップ及び/又はエッチングステップと共に採用することによって形成され得る。可動反射層14は、導電性であり得て、導電層と称され得る。一部実施形態では、可動反射層14は、図8Dに示されるような複数の副層14a、14b、14cを含み得る。一部実施形態では、副層14a、14c等の副層のうち一つ以上が、その光学特性に対して選択された高反射副層を含み得て、他の副層14bは、その機械特性に対して選択された機械副層を含み得る。犠牲層25が、ブロック88で形成された製造途中の干渉変調器に依然として存在しているので、可動反射層14は典型的にはこの段階で可動しない。犠牲層25を含む製造途中のIMODは、本願において、リリースされていないIMODとも称され得る。図1に関して上述したように、可動反射層14は、ディスプレイの列を形成する個々の平行ストリップにパターニングされ得る。プロセス80は、キャビティ例えば図1、図6及び図8Eに示されるようなキャビティ19を形成するブロック90へと続く。キャビティ19は、犠牲物質25ブロック84において堆積されたをエッチング剤に晒すことによって形成され得る。例えば、モリブデンMoやアモルファスシリコンa‐Si等のエッチング可能犠牲物質を、乾式化学エッチングによって除去することができ、例えば、所定の量の物質典型的には、キャビティ19を取り囲む構造に対して選択的に除去されるを除去するのに有効な期間にわたって固体二フッ化キセノンXeF2由来の蒸気等のガス状又は蒸気のエッチング剤に犠牲層25を晒すことによって除去する。例えば湿式エッチング及び/又はプラズマエッチング等の他のエッチング法も使用可能である。犠牲層25がブロック90の間に除去されるので、可動反射層14は典型的にはこの段階の後に可動する。犠牲物質25の除去の後において、結果物の完成した又は製造途中のIMODが、本願においてリリースされたIMODと称され得る。一部実施形態では、ポスト又はリベット構造を用いずに、機械層の一部を用いて機械層の残りの部分が光学積層体の上方に配置されるように支持する自己支持電気機械デバイスを形成することができる。自己支持機械層の実施形態のいくつかの例が図6C、図6E、図9O、及び図10Cに示されている。このようなデバイスは、作動位置において減少した曲げ高さを有することができて、作動中に光学積層体と接触しない機械層の部分を減らすことができる。言い換えると、曲げ高さを減少させることは、画素の光学的に活性な領域である機械層の部分の全体的な又は側面間sidetosideの平坦性を、特に活性領域画素の縁において増大させることができる。画素の活性領域内により均一に平坦な接触領域を有することは、作動状態例えば、黒状態の際のデバイスの反射特性の均一性を改善して、このようなデバイスを用いたディスプレイのコントラスト比、色域及び/又は彩度を増大させることができる。更に、自己支持的であるように構成された機械層は、画素のコーナーにおいて、基板上例えば、基板の上、光学積層体の上、又は、基板と、固定時に機械層が接触する特定の領域との間に介在する他の層の上に機械層を固定するのに減少した面積を使用することができて、デバイスが画素アレイ内に配置された際のフィルファクタを改善することができる。図9A~図9Pは、多様な実施形態に係る干渉変調器の製造方法における多様な段階の概略的な断面図の例を示す。特定の部品及び段階が干渉変調器を実施するのに適しているものとして説明されているが、他の電気機械デバイスの実施においては、異なる物質を使用することができて、部品が修正、省略、又は追加され得る。図9Aでは、ブラックマスク構造23が提供されていて、基板20上でパターニングされている。基板20は多様な物質製であり得て、基板20を通して画像を視ることができるガラスや、透明ポリマー物質が挙げられる。基板20は、例えばブラックマスク構造23の効率的な形成を促進するクリーニングステップ等の一つ以上の前処理ステップを受け得る。また、ブラックマスク構造23を提供する前に、一つ以上の層が基板上に提供され得る。例えば、一実施形態では、ブラックマスク構造23の形成の前に、略50~250Åの範囲内の厚さを有する酸化アルミニウム層が基板上に提供されて、その酸化アルミニウム層が、ブラックマスク構造をパターニングする際のエッチング停止体として機能することができる。ブラックマスク構造23は、光学的に不活性な領域例えば画素の間における環境光又は迷光を吸収して、コントラスト比を増大させることによってディスプレイデバイスの光学特性を改善するように構成可能である。また、ブラックマスク構造23は、複数の層電気バス層として機能するように構成された導電層を含むを含むことができる。一実施形態では、行電極がブラックマスク構造23に接続されて、接続された行電極の抵抗を低下させる。ブラックマスク構造23は、堆積及びパターニング法を含む多様な方法を用いて形成され得る。本願においては、当業者に理解されるように、パターニングとの用語は、マスキングプロセス及びエッチングプロセスのことを称するのに用いられる。図9Aは、ブラックマスク構造23を含むものとして示されているが、本願で説明される機械層の形成方法は、ブラックマスク構造23の無いプロセスにも適用可能である。図9Bは、基板20及びブラックマスク構造23上に成形構造102を提供する様子を示す。成形構造102は、二酸化シリコンSiO2及び/又は酸窒化シリコンSiON等のバッファ酸化物を含むことができて、バス構造又はブラックマスク構造23間のギャップ内に充填することによって、基板にわたる比較的平坦なプロファイルを維持するのに役立つことができる。一実施形態では、成形構造102は、略500~6000Åの範囲内の厚さを有する。しかしながら、成形構造102は、干渉変調器の所望の光学特性に応じて、多様な厚さを有することができる。後述のように例えば図9Mに示されるように、成形構造102を用いて、機械層内にキンクねじれ部を形成することができる。特に、一つ以上の層機械層を含むを成形構造102の上に堆積させることによって、成形構造の一つ以上の幾何学的特徴部フィーチャを実質的に再現することができる。例えば、図9Bに示されるように、成形構造102はブラックマスク構造23と重畳することによって、突出部103を形成することができる。突出部103は、後で堆積されるコンフォーマル層後で堆積される機械層等において、上方に延伸する部分に波形又はキンクを生じさせることができる。成形構造102突出部103を含むの厚さ寸法を用いて、キンク104の上昇及び下降構造部分の相対的な高さを調整することができる。これは、後で堆積される機械層の応力特性に影響し得て又はこれを制御して、後述のように、所望のミラー曲率及び/又は立ち上がり高さローンチ高さ,launchheightを達成することができる。図示されている例では、成形構造102の厚さ及び形状と、ブラックマスク23の厚さとが、キンク104の特性又は寸法例えば、その高さ、対称性、幅、及び/又は、その平坦ではない部分の角度に影響し得る。本願で示される多様な電気機械システムデバイスは、成形構造102を含むものとして示され説明されるが、本願で説明される機械層の形成方法は、成形構造102の無いプロセスにも適用可能である。例えば、図9Pに示される実施形態は、成形構造102を有さずに製造される電気機械システムデバイスの一例である。図9Cは、成形構造102及びブラックマスク23の上に形成される誘電体構造35を提供する様子の例を示す。図9Dは、誘電体構造35をパターニングする例を示す。誘電体構造35用の物質として、例えば、二酸化シリコンSiO2、酸窒化シリコンSiON、及び/又はテトラエチルオルソシリケートTEOS,tetraethylorthosilicateが挙げられる。一実施形態では、誘電体構造35の厚さは、略3000~5000Åの範囲内である。しかしながら、誘電体構造35は、変調器の所望の光学特性に応じて、多様な厚さを有するように構成可能である。一部実施形態では、誘電体構造35の一部が、ブラックマスク構造23の上方から除去されてここで、上方とは、基板20の反対側のブラックマスク構造23の側を称する、ブラックマスク構造23が信号をバス伝達するように機能する実施形態において、電極例えば、行電極をブラックマスク構造23にルーティングすることができる。図9Dに示されるように、誘電体構造35はコンフォーマルに堆積可能であり、突出部103が、誘電体構造35内にキンクを生じさせて、その形状は、図9E~図9Oに示されるように、後で堆積されるコンフォーマル層に対して上方に伝わり得る。図9Eは、誘電体構造35及びブラックマスク構造23の上に形成される光学積層体16を提供する様子の例を示す。光学積層体16は、複数の層を含むことができ、例えば、インジウム錫酸化物ITO等の透明導体と、クロムなどの部分反射光学吸収体層と、透明誘電体とを含む。従って、光学積層体16は、導電性であり、部分透明且つ部分反射性となり得る。図9Eに示されるように、光学積層体16の一つ以上の層は、ブラックマスク構造23に物理的及び電気的に接触し得る。図9F及び図9Gは、光学積層体16の上に犠牲層25を提供して、犠牲層25をパターニングする例を示す。犠牲層25は後で除去されてギャップ又はキャビティを形成する。一部実施形態では、犠牲層25は、二層以上の層を含み得て、又は厚さの変化している一つの層を含み得て、機械層と光学積層体16との間に異なるサイズのギャップを含む複数のディスプレイ素子を有するディスプレイデバイスを形成するのに役立つ。干渉変調器アレイに対して、異なるギャップサイズの各々が、異なる反射色を生じさせ得る。図9Gに示されるように、画素間の領域内において犠牲層25を除去して、固定アンカー穴又は領域132を形成することができる。固定領域132は、後で堆積される層機械層の誘電体や支持層等が、犠牲層25の下に在る一つ以上の層に接触できるように形成された領域であり、後述のように、自己支持機械層を形成するのに役立つ。図9Hは、犠牲層25及び光学積層体16の上に反射層121を有する実施形態を示す。図9Iは、反射層121のパターニング後の実施形態の例を示し、固定領域132上に配置された反射層の一部が除去される。図9Hに示されるように、反射層121は、犠牲層25及び光学積層体16の上にコンフォーマルに提供され得る。その後、図9Iに示されるように、固定領域132上の反射層121の一部を除去して、後で堆積される層が光学積層体16に接触できるようにすることによって、後述のように、自己支持機械層を形成するのに役立つ。反射層121は、適切な反射物質例えばアルミニウム合金等の金属が挙げられるから形成可能である。一実施形態では、反射層121は、略0.3質量から1.0質量の範囲内例えば略0.5質量の銅を有するアルミニウム銅AlCuを含む。反射層121の厚さは、略200~500Åの範囲内の厚さ例えば略300Å等の適切な厚さであり得る。図9Jは、反射層121、犠牲層25及び光学積層体16の上に形成された支持層122を示す。支持層122は、例えば酸窒化シリコンSiON製の誘電体層であり得る。後述のように、支持層122の特性例えば、厚さは、ポスト又はリベット構造を必要とせずに作動位置及び緩和位置における機械層を少なくとも部分的に支持するように選択され得る。機械層を少なくとも部分的に支持するように支持層122を構成することは、ポストやリベットによって機械層が支持される設計と比較して、画素の密度を増大させることができる。一実施形態では、支持層122の厚さは、略500~8000Åの範囲内であり得る。支持層122の厚さは、多様な要因に基づいて決定可能であり、そのような要因として、例えば、支持層122の所望の硬度が挙げられて、カラーディスプレイ応用において異なるサイズの空隙を有する画素に対して、同じ画素作動電圧を得るのに役立つ。図9Kは、支持層122の上に形成提供される導電層又はキャップ層123を有する実施形態を示す。図9Lは、パターニングされた導電層123の例を示し、導電層123がパターニングされて、機械層14の一部が形成される。犠牲層25が依然として存在していて、典型的には機械層14はこの段階では可動しない。導電層123を支持層122の上にコンフォーマルに提供して、反射層121のパターンを実質的に再現するようにパターニングすることができて、機械層14内の応力のバランスをとるのに役立つ。導電層123は、例えば反射層121と同じアルミニウム合金等の金属物質を含み得る。一実施形態では、導電層123は、略0.3質量から1.0質量の範囲内例えば略0.5質量の銅を有するアルミニウム銅AlCuを含み、導電層123の厚さは、略200~500Åの範囲内例えば略300Åであるように選択される。反射層121及び導電層123は同様の厚さ及び組成を有するように形成可能であり、機械層内の応力のバランスをとるのに役立つ。機械層内でバランスのとれた応力を有することは、機械層の変形感度を低下させ、また、それに応じて、温度変化に起因するギャップ高さの変化を減少させることができる。また、同様の熱膨張係数を有する同様の物質から反射層121及び導電層123を形成することは、温度変化によって生じる機械層の変形、及びギャップ高さの変動を更に低下させることができる。図9Mは、犠牲層25の除去及びギャップ19の形成を示す。この時点において、上述のような多様な方法を用いて、犠牲層25を除去してギャップ19を形成することができる。除去の前において、犠牲層25は、機械層14が残留応力機械層14の一つ以上の副層内の残留応力等の影響下において歪むことを防止するカウンターフォースを提供することができる。しかしながら、犠牲層25が除去されると、機械層14の応力誘起の力が、機械層14の形状及び/又は曲率を変化させ得て、ローンチ高さの距離でリリース前の位置からずれ得る。リリース前の位置からずれた機械層14の特定の距離又はローンチ高さ立ち上げ高さを有することは、スティクション静摩擦を軽減するのに望ましいものとなり得る。例えば、選択された画素ローンチ高さが、リリース前の位置から略500Åから略1000Åの範囲内であるように干渉変調器内に画素を形成することによって、機械層14と光学積層体16との間の画素のスティクションを低減させることができる。しかしながら、比較的高い画素ローンチ高さは、特定のギャップサイズに必要な犠牲層の厚さを、製造の観点において望ましくないレベルへと低下させ得る。更に図9Mを参照すると、機械層14は、成形構造102の上に、特に突出部103の上に機械層14を提供することによって形成された曲げ部又はキンク104を含み、介在層がコンフォーマルに形成されている。キンク104は、成形構造と整列されて、例えば、基板20が水平に向いているとして、キンク104は、成形構造102に対して垂直に整列される。成形構造102の上に形成される一つ以上の層を有して、機械層14が形成される前に突出部102上に複数の層が形成される実施形態では、機械層内のキンク104は突出部103よりも幅広となる。キンク104は特定の幾何学的特徴部を有し得る。幾何学的特徴部は、機械層14内の機械的応力に影響を与える又はこれを制御する所望の形状を有する機械層を形成するように成形構造102及び突出部103の幾何学的形状を変更することによって、制御可能である。例えば、キンク104は、リリース時の機械層のローンチ高さを制御するように成形され得る。ローンチ高さの制御は、製造及び光学性能の観点から望ましい特定のギャップサイズに必要な犠牲層の厚さの選択を可能にする。また、キンクを用いて、リリース後の機械層の曲率を制御することができて、機械層が、バイアス下において実質的に平坦になる。一部実施形態では、キンク104の高さhは、略100~6000Å、特に400~5000Åであるように選択される。キンクの幅wは、例えば略0.2μm~5μm、特に略0.5μm~2μmの範囲内の幅であるように選択可能である。一部実施形態では、キンク104は、例えば5μm以下の距離で固定領域から離隔され得る。図9Mは、ポスト又はリベット構造を必要とせずに機械層14を支持するように構成された支持層122を有する実施形態の例を示す。このような実施形態は、画素密度の増大した配置を可能にすることができる。また、これは、より大きな固定フットプリントを用いるポストやリベットによって機械層が支持される実施形態と比較して、特定の領域に対する画素のフィルファクタを増大させることができる。図9N~図9Oは、干渉デバイスの他の実施形態の例を示す。特に、図9Nは、機械層14を形成するように導電層123及び支持層122図9Lに示されるの上に提供形成された誘電体層124を示す。誘電体層124は、例えば酸窒化シリコンSiON等の誘電体を含む。一実施形態では、誘電体層124は、略500~4000Åの範囲内の厚さを有するように構成可能である。図9Oは、光学積層体16と機械層14との間にギャップ19又はキャビティを形成した後の図9Nに示されるデバイスを示す。犠牲層は、図9Mを参照して上述したのと同様に除去され得る。誘電体層124は、機械層14内の応力を制御するのに役立つことができる。例えば、誘電体層124は、支持層122の応力以上又は以下の応力を有するように形成可能であり、犠牲層25が除去された際の機械層14のローンチ高さに影響する。ローンチ高さの制御は、製造及び光学特性の観点から望ましい特定のギャップサイズに必要な犠牲層の厚さの選択を決め得る。また、誘電体層124は、リリース後の機械層14の曲率を制御するように構成可能であり例えば特定の厚さ又は応力を有するように、機械層14がバイアス下において実質的に平坦になるようにする。誘電体層124及びキンク104は各々、干渉変調器の設計フレキシビリティを増大させるのに役立つ機械層14の形状及び曲率を制御するように構成可能である例えば、特定の高さ、幅、及び/又は厚さの寸法によって。一部実施形態では、機械層がリリースされる前に、一つ以上の追加層が、図9Nに示される電気機械システムデバイスの誘電体層124の上に形成され得る。例えば、追加の導電層が、リリース前に誘電体層124の上に提供され得る。追加の導電層は、金属物質例えばアルミニウム合金を含み得て、反射層121及びキャップ層123と同様の形状を有するようにパターニングされ得る。一実施形態では、追加の導電層は、略0.3質量と1.0質量の範囲内例えば略0.5質量の銅を有するアルミニウム銅AlCuを含む。追加の導電層は、略200から略500Åの間の厚さを有するように構成可能である。特定の一部実施形態では、追加の導電層が略300Åの厚さを有する。追加の導電層は、機械層が実質的に対称になるようにさせることができて例えば、支持層の一方の側の上に配置させた導電層を形成する物質の応力は、反射層を形成する物質の応力と同じか同様のものである、機械層内の応力のバランスをとるのに役立つ。バランスのとれた応力を有するように形成された機械層は、温度変化に起因するギャップ高さの変化量を減少させることができる。図9Pは、他の実施形態に係る干渉デバイスを示す。図9Mに示される電気機械システムデバイスとは対照的に、図9Pに示される電気機械システムデバイスの例は、成形構造102及びキンク104を含まない。支持層122は、例えば酸窒化シリコンSiON等の誘電体を含み得る。支持層122の厚さは、ポスト又はリベット支持構造を必要とせずに、作動位置及び緩和位置において、機械層14に対する支持を提供するのに十分である厚さを有するようにされ得る。機械層14に対する支持を提供するように支持層122を構成することによって、ポスト又はリベットによって支持が提供される設計と比較して画素密度を増大させることができる。一実施形態では、支持層122は、略500~8000Åの厚さを有する。図9Pに示される実施形態には図示されていないが、誘電体層が、図9Pの電気機械システムデバイスの導電層123の上に含まれ得る。誘電体層は、図9Oの誘電体層124と同様のものであり得て、リリース時に機械層14のローンチ高さ及び曲率を制御するように構成可能である。追加の導電層等の一つ以上の追加層を、誘電体層の上に提供することができて、機械層が実質的に対称であるようにすることができて、機械層内の応力のバランスをとるのに役立つ。明確性のため、シーケンス及び図面は、一部詳細を省略して単純化されている。例えば、図12A~図12Fを参照して説明されるように、カラー干渉ディスプレイシステムでは、複数の異なるデバイスが、例えば、赤、緑及び青を干渉増強するように異なるギャップサイズを有し得る。同様に、三つの異なる機械層の物質又は厚さを用いて、三つの異なるギャップサイズにおいて機械層をコラプスする潰すのに同じ作動電圧を用いることを可能にする。図10A~図10Cは、多様な干渉変調器デバイスの概略的な断面図の例を示す。図10Aは、干渉変調器の一例の概略的な断面図である。図10に示されるように、干渉変調器は、基板20と、ブラックマスク構造23と、成形構造102と、誘電体構造35と、光学積層体16と、ギャップ19と、ポスト構造18と、機械層14反射層121、支持層122及び導電層123を含むとを含む。ポスト構造18を各画素のコーナーに配置して、基板20上に機械層14を支持することができる。図示される干渉変調器のフィルファクタは、支持構造18の最小サイズリソグラフィ分解能、層と層の位置合わせ精度及び/又は臨界寸法バイアスによって決定され得るによって制約され得る。ポスト18は、犠牲層内に固定領域又は穴を形成することによって形成され得て、機械層14を支持するためのウイング131を含む。固定穴の最小幅d1は、製造ツールの最小分解可能リソグラフィフィーチャサイズによって部分的に決定され得て、ウイング131の縁までのポスト18の全幅d2は、犠牲及びポストエッチングの臨界寸法バイアス並びに、犠牲層36とポスト18を形成するのに用いられる層との間の不整合によって部分的に決定され得る。図10Aを参照すると、全ポスト幅d2は、固定穴幅d1よりも大きいので、臨界寸法となり得る。図10Bは、干渉変調器の他の例の断面図である。図示されている干渉変調器は、基板20と、ブラックマスク構造23と、成形構造102と、誘電体構造35と、光学積層体16と、ギャップ19と、リベット構造129と、機械層14反射層121、支持層122、及び導電層123を含むとを含む。図10Aの干渉変調器とは対照的に、図示される干渉変調器は、リベット構造129を含むが、ポスト18を含まない。固定穴の幅d1がデバイスの臨界寸法となり得るので、図示された干渉変調器は、図10Aに示される干渉変調器と比較して改善されたフィルファクタを有することができる。図10Cは、干渉変調器の更に他の例の概略的な断面図である。図示される干渉変調器は、基板20と、ブラックマスク構造23と、成形構造102と、誘電体構造35と、光学積層体16と、ギャップ19と、機械層14反射層121、支持層122、導電層123、及び誘電体層124を含むとを含む。図10A~図10Bの干渉変調器デバイスとは対照的に、図10Cの干渉変調器デバイスは、ポスト18やリベット構造129を含まない。図10Cの干渉変調器デバイスがポスト構造18を含まないので、図10Cに示される干渉変調器は、図10Aの全ポスト幅d2によって制約されない。従って、図10Cの干渉変調器を用いた画素アレイは、図10Aに示されるデバイスを採用した画素アレイと比較してより大きなフィルファクタを有することができる。また、図10Cの干渉変調器は、フレキシブルな固定構造を有することができて、図10A~図10Bの干渉変調器と比較して改善された暗状態をもたらすことができる。特に、暗状態は、固定穴付近における緩和位置と作動位置との間の機械層14の曲げ高さの影響を受け得る。フレキシブルな固定構造は、機械層14の曲げ高さを減少させることによって、作動中に光学積層体と接触しない機械層14の部分の輝度を減少させて、そのデバイスを用いたディスプレイの色域及び/又は暗状態を改善することができる。輝度、色域、及び暗状態は、ディスプレイの最も重要な性能パラメータであり得て、一部実施形態では、フィルファクタを増大させること、ミラー曲率を平坦にすること、及び/又は、機械層の曲げ高さを減少させることによってのみ改善され得る。図10Cの干渉変調器にリベット構造129が無いことによって、図10Bに示される干渉変調器と比較して、デバイスの間が高さを減少させることができる。更に、図10Cの干渉変調器は、図10Aの干渉変調器の支持ポスト18と比較して、連続的な支持層122を有することができる。連続的な支持層122は、製造欠陥を減少させることによって、歩留まりを増大させて、製造コストを低下させることができる。更に、図10Cの干渉変調器は、必須ではないが、支持層122及び誘電体層124の両方を含むことができる。支持層122及び誘電体層124を調整して、干渉変調器の機械的応力を制御することができる。リリースされていない干渉変調器内の異なる複数の層における残留応力は、ミラー曲率に影響し得て、制御しないとディスプレイの色域を減少させ得る。誘電体層124は、支持層122の応力以上又は以下の応力を有することによって、リリース時の機械層の曲率及びローンチ高さを制御することができる。干渉変調器の曲率の制御は、堆積させるのが簡単であるが機械層14の大きな曲げ高さを生じさせない犠牲層の厚さの選択を可能にする。機械層14の曲げ高さを低くすることは、作動中に光学積層体16に接触しない機械層14の部分の輝度を減少させることによって、デバイスの暗状態並びにディスプレイのコントラスト比、色域、及び彩度を改善することができる。図11は、干渉変調器デバイスの三つの例に対する作動状態及び緩和状態における機械層の位置のシミュレーションのグラフ150である。三つの例の干渉変調器デバイスは、ポスト構造を有するデバイス例えば図10A、リベット構造を有するデバイス例えば図10B、ポストやリベット構造を有さないデバイス例えば図10Cを表す。グラフ150は、安定ウィンドウの中心においてバイアスした際の作動状態及び緩和状態の両方に対して、画素の対角線に沿った機械層の断面のミラー形状のシミュレーションを示す。略18μmの距離における垂直線は、ブラックマスク23の縁を表す。従って、ブラックマスクの縁の左側のグラフ150の領域が、画素の光学的に活性な領域となり得て、ブラックマスクの縁の右側の領域が、機械層の固定領域となり得る。グラフ150の上方の三つの線は、緩和位置における干渉変調器デバイスの機械層の形状であり、グラフ150の下方の三つの線は、作動位置におけるデバイスの機械層の形状である。図11に示されるように、ポストやリベット構造を有さない干渉変調器デバイスは、ポスト又はリベット構造を有するデバイスと比較して、作動位置にある際により小さな曲げ高さを有し得る。機械層の曲げ高さの低下は、作動中に光学積層体に接触していない機械層の部分の輝度を減少させることによって、デバイスの黒状態を改善することができる。図12A~図12Fは、干渉変調器の製造方法における多様な段階の概略的な断面図の例を示す。図示された全てのステップが必要であるという訳ではなく、このプロセスを、本発明の精神及び範囲から逸脱せずに修正することができる。プロセスの具体的な詳細は、図9A~図9Pを参照して上述したものと同様であり得る。図12Aを参照すると、その断面図は、堆積、リソグラフィ及びエッチングによる犠牲構造体の処理を示し、それぞれ異なる厚さを有する、第一の犠牲構造25a、第二の犠牲構造25b、第三の犠牲構造25cが形成される。光学積層体16上の第一、第二及び第三の犠牲構造25a~25cの形成は、モリブデンMo又はアモルファスシリコンa‐Siの堆積を含み得て、複数の層を用いて、各構造が形成され得る。カラー干渉ディスプレイシステムでは、犠牲構造25a~25cの厚さは、異なる色を干渉的に増強させるように構成されたギャップサイズに対応し得る。例えば、第一の犠牲構造25aが、高ギャップの副画素125aの高さを画定し得て、第二の犠牲構造25bが、中ギャップの副画素125bの高さを画定し得て、第三の犠牲構造25cが、低ギャップの副画素125cの高さを画定し得て、第一、第二及び第三の犠牲構造25a~25cがそれぞれ、例えば青、赤、緑を干渉的に増強するように選択された高さを有し得る。一実施形態では、第一の犠牲構造25aがモリブデンMoを含み、略1000Åから略4000Åの間の厚さ例えば略2400Åを有し、第二の犠牲構造25bがMoを含み、略800Åから略3000Åの間の厚さ例えば略2000Åを有し、第三の犠牲構造25cがMoを含み、略600Åから略2000Åの間の厚さ例えば略1600Åを有する。図12Aに示されるように、犠牲構造25a~25cは、画素間の領域内において除去されて、固定穴132が形成され得る。固定穴132は、後で堆積される層機械層の支持層等が光学積層体、及び/又は、犠牲構造25a~25cの下方に堆積された他の層に達することができるようにする。このように固定穴132を形成することは、ポストやリベット構造を用いずに支持可能な機械層を形成するのに役立つ。図12Bは、犠牲構造25a~25cの上に反射層121を提供及びパターニングする様子を示す。反射層121は、例えば、アルミニウム合金AlCuミラー層であり得る。反射層121の更なる詳細は、図9H~図9Iを参照して上述したようなものであり得る。図12Cは、反射層121並びに第一、第二及び第三の犠牲構造25a~25cの上に支持層122を堆積させる様子を示す。支持層122の更なる詳細は、図9Jを参照して上述したようなものであり得る。図12Dを参照すると、その断面図は、支持層122の上に導電層又はキャップ層123を堆積及びエッチングする様子を示す。導電層123は、例えばアルミニウム合金層であり得て、図9K~図9Lを参照して上述したようなものであり得る。図12Eは、導電層123の上に誘電体層124を提供及びパターニングする様子を示す。誘電体層124は、支持層122の応力とは異なる応力を有することができて、上述のように、リリース時に機械層14のローンチ高さ及び曲率を調整するのに用いることができる。誘電体層124の応力は、誘電体層124及び支持層122に対して異なる物質及び/又は厚さを選択することによって、支持層122の応力に対して相対的に制御可能である。また、特定の処理パラメータ例えば、プラズマパワー、圧力、プロセスガスの組成、プラズマガスの比、及び/又は、温度を制御することによって、誘電体層124及び/又は支持層122の応力を制御することができる。図12Eに示されるように、誘電体層124を選択的にエッチングして、高ギャップ、中ギャップ及び低ギャップの副画素125a~125cにわたって異なるパターンを形成することができる。一実施形態では、高ギャップの副画素125a上の誘電体層124が実質的にエッチング除去される一方、低ギャップの副画素125c上の誘電体層124は実質的に無傷に保たれる。また、中ギャップの副画素125bに対しては、誘電体層124が、所望の硬度要求高ギャップ及び/又は低ギャップの副画素に対して機械層14をコラプスする潰すのに同じ作動電圧を許容する硬度に合致するようなパターン39にパターニングされ得る。副画素の上方から見ると、パターン39は、例えば、ホールやスロット等の多様な形状を含み得る。図12Fは、高ギャップ、中ギャップ及び低ギャップの副画素125a~125cのリリースを示し、それぞれギャップ19a~19cが形成される。副画素デバイスのリリースは、図9Mを参照して上述したものと同様であり得て、犠牲構造25a~25cの除去を含み得る。図12Fに示されるように、副画素125a~125cはポストやリベット構造を有さない。図12A~図12Fは、一つの支持層122及び一つの誘電体層124の場合に対して示されているが、より多く又は少ない数の誘電体層を用いることができる。一実施形態では、一つの支持層並びに第一及び第二の誘電体層が高ギャップ、中ギャップ及び低ギャップの副画素用に使用される。例えば、低ギャップの副画素が、支持層並びに第一及び第二の誘電体層を有し得て、中ギャップの副画素が、支持層及び第一の誘電体層を有し得て、高ギャップの副画素が支持層を有し得る。支持層は、導電層アルミニウムを含む金属層等によって第一の誘電体層から離隔され得る。同様に、第一及び第二の誘電体層は他の導電層によって離隔され得る。硬度及びミラー曲率に対する各副画素のギャップサイズの調整は、選択的にパターニングされた一つの誘電体層を用いるよりも、第一及び第二の誘電体層を用いることによって簡単になり得る。しかしながら、一部実施形態では、一つの支持層及び一つのパターニングされた誘電体層の使用が、フォトマスクの数を減らすのに望ましいものとなり得る。図13は、干渉変調器の製造プロセス160を示す流れ図の例を示す。プロセス160はブロック164において開始する。プロセス160はブロック166へと続き、犠牲層を基板の上に堆積させる。犠牲層は、例えば、モリブデンMo及び/又はアモルファスシリコンa‐Siを含み得て、干渉キャビティの高さを画定するのに用いられ得る。一部実施形態では、成形層を基板の上に堆積させて、突出部を形成する。成形層又は構造は、例えば酸化物を含み得て、基板にわたって比較的平坦なプロファイルを維持するのに用いられ得る例えば基板がブラックマスク構造を含むような実施形態等において。突出部は、成形層と他の層ブラックマスク層等との重複によって形成され得て、後で堆積されるコンフォーマル層後で堆積される機械層等において上方に延伸する波形又はキンクを生じさせるのに用いられ得る。ブロック168において、犠牲層の一部が除去されて、一つ以上の固定領域が形成される。例えば、犠牲層を画素のコーナーにおいてエッチングして、各画素のコーナーに固定穴を形成することができる。ブロック170において、多重層の機械層が、犠牲層及び固定領域の上に形成される。機械層は、反射層、誘電体層、及びキャップ層を含み、その誘電体層は、反射層とキャップ層との間に配置され得る。反射層は、固定領域の上で選択的にエッチングされて、誘電体層が、犠牲層の下方に存在する一つ以上の層に接触できるようにして、自己支持機械層を形成するのに役立つ。機械層の誘電体層は、機械層を支持するように構成可能である。例えば、誘電体層は、ブロック168において形成された画素の固定領域において機械層を固定するのに用いられ得て、犠牲層が除去された後に機械層に対する支持を提供するのに十分であるように選択された厚さ及び組成を有し得る。従って、誘電体層は、ポストやリベット構造を必要とせずに、作動位置及び緩和位置において機械層を支持することができる。機械層に対する支持を提供するように誘電体層を構成することによって、ポストやリベットによって支持が提供される設計と比較して画素密度を増大させることができる。突出部を形成するように堆積させた成形層を含む実施形態では、機械層は、成形層の上にコンフォーマルに堆積され得て、突出部の上にキンクを含み得る。キンクは、ブロック168において形成された固定領域に隣接し得る。ブロック172において、犠牲層を除去してギャップを形成する。機械層のリリースに際しては、上述のように、残留機械応力に起因して、機械層がリリース前の位置から離れてローンチし得る。機械層の一つ以上の副層内の応力誘電体層の応力等を用いて、誘電体層のローンチを調整することができる。また、機械層内にキンクを含む実施形態では、上述のように、キンクの幾何学的形状を用いて、機械層のローンチを微調整することができる。プロセス160は176において終了する。図14A及び図14Bは、複数の干渉変調器を含むディスプレイデバイス40を示すシステムブロック図の例を示す。ディスプレイデバイス40は例えば携帯電話であり得る。しかしながら、ディスプレイデバイス40の同じ部品又はその若干の変更例は、テレビ、電子リーダ、携帯メディアプレーヤー等の多様なタイプのディスプレイデバイスを表すものでもある。ディスプレイデバイス40は、筐体41と、ディスプレイ30と、アンテナ43と、スピーカ45と、入力デバイス48と、マイク46とを含む。筐体41は、多様な製造プロセスで形成可能であり、射出成形や真空成形が挙げられる。また、筐体は多様な物質から作製可能であり、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、セラミック、又はこれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。筐体41は、取り外し可能な部分図示せずを含み得て、色が異なったり、異なるロゴ、写真、又は記号を含んだりする他の取り外し可能な部分と相互交換可能となり得る。ディスプレイ30は、本願で説明されるような、双安定ディスプレイや同様のディスプレイを含む多様なディスプレイのいずれかであり得る。また、ディスプレイ30は、プラズマ、EL、OLED、STNLCD、TETLCD等のフラットパネルディスプレイ、又はCRTや他のチューブデバイス等のフラットパネルではないディスプレイを含むようにも構成され得る。また、ディスプレイ30は、本願で説明されるような、干渉変調器ディスプレイを含み得る。ディスプレイデバイス40の構成要素が、図14Bに概略的に示されている。ディスプレイデバイス40は、筐体41を含み、また、それに少なくとも部分的に取り囲まれた追加の構成要素も含み得る。例えば、ディスプレイデバイス40は、送受信機47に結合されたアンテナ43を含むネットワークインターフェース27を含む。送受信機47はプロセッサ21に接続され、そのプロセッサ21は調整ハードウェア52に接続される。調整ハードウェア52は、信号を調整する例えば信号をフィルタリングするように構成され得る。調整ハードウェア52は、スピーカ45及びマイク46に接続される。プロセッサ21は、入力デバイス48及びドライバコントローラ29にも接続される。ドライバコントローラ29はフレームバッファ28とアレイドライバ22とに結合されて、そのアレイドライバ22はディスプレイアレイ30に結合される。電源50は、特定のディスプレイデバイス40の設計に基づいた全ての構成要素に電力を供給することができる。ネットワークインターフェース27は、アンテナ43及び送受信機47を含み、ディスプレイデバイス40が、ネットワーク上の一つ以上のデバイスと通信できるようにする。ネットワークインターフェース27は、例えばプロセッサ21のデータ処理要求を軽減するようにある程度の処理性能も有し得る。アンテナ43は、信号を送受信する。一部実施形態では、アンテナ43は、IEEE16.11規格IEEE16.11a、b、gを含む又はIEEE802.11規格IEEE802.11a、b、g、nを含むに準拠したRF信号を送受信する。他の一部実施形態では、アンテナ43は、BLUETOOTH登録商標規格に準拠したRF信号を送受信する。携帯電話の場合、アンテナ43は、CDMAcodedivisionMultipleaccess、FDMAfrequencydivisionmultipleaccess、TDMAtimedivisionmultipleaccess、GSM登録商標GlobalSystemforMobilecommunications、GSM登録商標/GPRSGeneralPacketRadioService、EDGEEnhancedDataGSM登録商標Environment、TETRATerrestrialTrunkedRadio、W‐CDMAWideband‐CDMA、EV‐DOEvolutionDataOptimized、1xEV‐DO、EV‐DORevA、EV‐DORevB、HSPAHighSpeedPacketAccess、HSDPAHighSpeedDownlinkPacketAccess、HSUPAHighSpeedUplinkPacketAccess、HSPAEvolvedHighSpeedPacketAccess、LTELongTermEvolution、AMPS、又は、3Gや4G技術を用いたシステム等のワイヤレスネットワーク内の通信に使用される他の既知の信号を受信するように設計される。送受信機47は、アンテナ43から受信した信号を前処理することができて、その信号が、プロセッサ21によって受信されて更に操作されるようにする。また、送受信機47は、プロセッサ21から受信した信号を処理することもできて、その信号が、アンテナ43を介してディスプレイデバイス43から送信されるようにする。一部実施形態では、送受信機47を受信機に置換し得る。また、ネットワークインターフェース27を、プロセッサ21に送信される画像データを記憶又は発生させることができる画像ソースに置換し得る。プロセッサ21は、ディスプレイデバイス40の動作全体を制御し得る。プロセッサ21は、ネットワークインターフェース27又は画像ソースから圧縮画像データ等のデータを受信して、そのデータを、生の画像データ、又は生の画像データへと簡単に処理されるフォーマットへと処理する。プロセッサ21は、処理されたデータを、ドライバコントローラ29又は記憶用のフレームバッファ28に送信し得る。生データとは典型的に、画像内の各位置における画像特性を識別する情報のことを称する。例えば、そのような画像特性として、色、彩度、グレイスケールレベルが挙げられる。プロセッサ21は、ディスプレイデバイス40の動作を制御するためのマイクロコントローラ、CPU、又は論理ユニットを含み得る。調整ハードウェア52は、信号をスピーカ45に送信し、また、マイク46から信号を受信するために、アンプ及びフィルタを含み得る。調整ハードウェア52は、ディスプレイデバイス40内部の個別部品であり得て、または、プロセッサ21又は他の構成要素内に組み込まれ得る。ドライバコントローラ29は、プロセッサ21が発生させた生の画像データを、プロセッサ21から直接又はフレームバッファ28から受け取って、アレイドライバ22への高速伝送のために、その生の画像データを再フォーマットし得る。一部実施形態では、ドライバコントローラ29は、生の画像データを、ラスタ状フォーマットを有するデータフローに再フォーマットし得て、そのデータフローがディスプレイアレイ30にわたる走査に適したタイムオーダを有するようにする。そして、ドライバコントローラ29は、フォーマットされた情報をアレイドライバ22に送信する。LCDコントローラ等のドライバコントローラ29は、スタンドアローン型集積回路IC,integratedcircuitとしてシステムプロセッサ21に付随することが多いが、このようなコントローラは、多様な方法で実現され得る。例えば、コントローラは、ハードウェアとしてプロセッサ21に実装されるか、ソフトウェアとしてプロセッサ21に実装されるか、又はアレイドライバ22と共にハードウェア内に完全に集積され得る。アレイドライバ22は、フォーマットされた情報をドライバコントローラ29から受信して、ビデオデータを、並列な組の波形に再フォーマットすることができて、その並列な組の波形は、一秒当たり何度も、数百、場合によっては数千又はそれ以上のリードディスプレイの画素のx‐yマトリクスから来るに印加される。一部実施形態では、ドライバコントローラ29、アレイドライバ22及びディスプレイアレイ30は、本願で説明されるあらゆる種類のディスプレイに適したものである。例えば、ドライバコントローラ29は、従来のディスプレイコントローラ又は双安定ディスプレイコントローラ例えば、IMODコントローラであり得る。また、アレイドライバ22は、従来のドライバ又は双安定ディスプレイドライバ例えば、IMODディスプレイドライバであり得る。更に、ディスプレイアレイ30は、従来のディスプレイアレイ又は双安定ディスプレイアレイ例えば、IMODのアレイを含むディスプレイであり得る。一部実施形態では、ドライバコントローラ29は、アレイドライバ22と集積され得る。このような実施形態は、携帯電話、腕時計、及び小型ディスプレイ等の高集積システムにおいて一般的である。一部実施形態では、入力デバイス48は、使用者がディスプレイデバイス40の動作を制御することができるように構成され得る。入力デバイス48は、キーパッドQWERTYキーボードや電話のキーパッド等、ボタン、スイッチ、ロッカー、タッチスクリーン、又は圧力感知若しくは熱感知膜を含み得る。マイク46は、ディスプレイデバイス40用の入力デバイスとして構成され得る。一部実施形態では、マイクロ46を介した音声命令を用いて、ディスプレイデバイス40の動作を制御することができる。電源50は、当該分野で知られているような多様なエネルギーストレージデバイスを含み得る。例えば、電源50は、充電式バッテリニッケルカドミウムバッテリやリチウムイオンバッテリ等であり得る。また、電源50は、再生可能エネルギー源、キャパシタ、太陽電池プラスチック太陽電池や太陽電池ペイント等でもあり得る。また、電源50は、コンセントから電力供給されるようにも構成可能である。一部実施形態では、制御プログラム可能性は、電子ディスプレイシステム内の複数箇所に配置可能なドライバコントローラ29内に在る。他の一部実施形態では、制御プログラム可能性はアレイドライバ22内に在る。上述の最適化は、あらゆる数のハードウェア及び/又はソフトウェア構成要素及び多様な構成において実施可能である。本願で開示される実施形態に関して説明される多様で例示的な論理、論理ブロック、モジュール、回路、アルゴリズムステップは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、又は両者の組み合わせとして実施され得る。ハードウェア及びソフトウェアの可換性は、一般的にその機能性に関して説明され、上述の多様で例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路及びステップにおいて説明されている。このような機能性がハードウェアにおいて実施されるかソフトウェアにおいて実施されるのかは、具体的な応用と、システム全体に課せられる設計の制約に依存する。本願で開示される側面に関して説明される多様で例示的な論理、論理ブロック、モジュール、回路を実施するために用いられるハードウェア及びデータ処理装置は、本願で説明される機能を実施するように設計された汎用の単一又はマルチチッププロセッサ、DSPdigitalsignalprocessor、ASICapplicationspecificintegratedcircuit、FPGAfieldprogrammablegatearray、他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲート又はトランジスタ論理、個別ハードウェア部品、又はこれらの組み合わせを用いて、実施又は実行され得る。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサ、又は従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、又は状態機械であり得る。また、プロセッサは、複数の計算デバイスの組み合わせ例えば、DSPとマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、DSPコアと組み合わせた一つ以上のマイクロプロセッサ、このような他の構成としても実施可能である。一部実施形態では、特定のステップ及び方法が、所定の機能専用の回路によって実行され得る。一以上の側面において、説明される機能が、ハードウェア、デジタル電子回路、コンピュータソフトウェア、ファームウェア本明細書で開示される構造、その等価な構造物、又はそれらの組み合わせを含むにおいて実施され得る。本明細書で説明される主題の実施形態は、データ処理装置によって実行される又はその動作を制御するコンピュータストレージ媒体に実装された一つ以上のコンピュータプログラムつまり、コンピュータプログラム命令の一つ以上のモジュールとしても実施され得る。本願で説明される実施形態の多様な修正が当業者には明らかであり、本願で定められる一般原理は、本願の精神又は範囲を逸脱せずに他の実施形態に適用可能である。従って、本開示は、本願に示された実施形態に限定されるものではなく、本願の特許請求の範囲、原理及び新規特徴と矛盾しない最も広範な範囲に従うものである。例示的との用語は、本願において専ら、例となることを意味するものである。また、例示的に本願で説明される又は例として与えられる実施形態は、必ずしも他の実施形態に対して好ましいものであったり有利であったりするものではない。また、上及び下との用語が図面を簡単に説明するために使われることがあるものであって、適当な向きのページに対する図面の位置に対応する相対的な位置を示すものであって、実施されるようなIMODの適当な向きを反映しないことがある点を当業者は理解されたい。別々の実施形態に関連して本明細書で説明される具体的な図面は、単一の実施形態において組み合わせ実施され得る。逆に、単一の実施形態に関連して説明される多様な図面は、複数の実施形態において別々に実施されたり、適切な部分組み合わせで実施されたりし得る。更に、特徴が、特定の組み合わせにおいて作用するものとして上記で説明されたり、そのようなものとして特許請求されたりし得るが、場合によっては、特許請求される組み合わせからの一つ以上の特徴が、その組み合わせから削除され得て、特許請求される組み合わせが、一部組み合わせ、又は一部組み合わせのバリエーションを対象とし得る。同様に、動作は図面において特定の順番で示されているが、これは、所望の結果を得るためには、そのような動作を図示される特定の順番又は逐次的な順番で実施しなければならないと理解されるものではなく、全ての図示された動作を行わなければならないと理解されるものでもない。更に、図面は、流れ図において一つ以上の例示的なプロセスを概略的に示したものであり得る。しかしながら、示されていない他の動作が、概略的に示された例示的プロセスに組み込まれ得る。例えば、一つ以上の追加動作が、図示されたいずれかの動作の前、後、同時、又は間に実行され得る。場合によっては、マルチタスク及び並列処理が有利となり得る。更に、上述の実施形態における多様なシステムコンポーネントの分離は、そのような分離が全ての実施形態において必要であると理解されるものではなく、説明されたプログラムコンポーネント及びシステムは一般的に、単一のソフトウェア製品内に互いに統合されるか、又は複数のソフトウェア製品内にパッケージングされ得る。また、他の実施形態も、特許請求の範囲内に存在する。場合によっては、特許請求の範囲内の動作が、異なる順番で実行可能であり、それでも所望の結果が達成される。"