"矩形の二辺に対して所定の傾斜角をもって平行に配置された複数の直線部分、及び隣接する直線部分の長さ方向両端部を交互に接続した複数の折り返し部分を有するパターンと、前記パターンの抵抗変化率が大きくなる第1領域、及び前記パターンの抵抗変化率が前記第1領域よりも小さくなる第2領域を有する矩形のパターン形成領域とを備え、前記パターンは、前記第1領域、及び前記第2領域の一部に連続して設けられてなることを特徴とする磁気センサ。前記第2領域の一部には、前記抵抗変化率が低下しない程度に前記パターンが設けられてなることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。前記パターン形成領域は長方形であり、前記パターンの複数の直線部分は、前記長方形の対向する長辺に対して、45°の傾斜角をもって平行に配置されてなることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気センサ。前記パターン形成領域は正方形であり、前記パターンの複数の直線部分は、前記正方形の対角線に沿って平行に配置されてなることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気センサ。前記第2領域の前記パターンが存在しない領域にダミーパターンを設けてなることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の磁気センサ。前記パターンは対角線の交点を中心として点対称に配置されてなることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の磁気センサ。複数の磁気検出素子を有し、前記複数の磁気検出素子のそれぞれは、前記パターン形成領域の形状が同一であり、前記パターンが同一の形状を有する膜からなることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の磁気センサ。矩形のパターン形成領域の二辺に対して所定の傾斜角をもって平行に配置された複数の直線部分、及び隣接する直線部分の長さ方向両端部を交互に接続した複数の折り返し部分を有するパターンを備え、前記パターンは、前記直線部分の抵抗値に対する前記折り返し部分の抵抗値の割合が大きくなる前記矩形のパターン形成領域の角部の一部を除いて設けられてなることを特徴とする磁気センサ用パターン。上記特許文献1に記載された従来の磁気抵抗素子においては、線状パターンの両端がパターン形成領域となる正方形の対角線上の2つの角部に近づくに伴い、折り返しパターン長が次第に短くなるように形成されている。そのため、正方形の対角線上の2つの角部においては、磁界検出方向の抵抗変化率が次第に低くなってしまう。その結果、磁気抵抗素子回路全体の出力振幅が低下してしまうので、十分な磁界検出感度が得られない。そこで、本発明の目的は、磁界検出感度に優れた磁気センサ、及び磁気センサ用パターンを提供することにある。[1]本発明は、矩形の二辺に対して所定の傾斜角をもって平行に配置された複数の直線部分、及び隣接する直線部分の長さ方向両端部を交互に接続した複数の折り返し部分を有するパターンと、前記パターンの抵抗変化率が大きくなる第1領域、及び前記パターンの抵抗変化率が前記第1領域よりも小さくなる第2領域を有する矩形のパターン形成領域とを備え、前記パターンは、前記第1領域、及び前記第2領域の一部に連続して設けられてなることを特徴とする磁気センサにある。[2]上記[1]記載の発明にあっては、前記第2領域の一部には、前記抵抗変化率が低下しない程度に前記パターンが設けられてなることを特徴とする。[3]上記[1]又は[2]記載の発明にあっては、前記パターン形成領域は長方形であり、前記パターンの複数の直線部分は、前記長方形の対向する長辺に対して、45°の傾斜角をもって平行に配置されてなることを特徴とする。[4]上記[1]又は[2]記載の発明にあっては、前記パターン形成領域は正方形であり、前記パターンの複数の直線部分は、前記正方形の対角線に沿って平行に配置されてなることを特徴とする。[5]上記[1]~[4]のいずれかに記載の発明にあっては、前記第2領域の前記パターンが存在しない領域にダミーパターンを設けてなることを特徴とする。[6]上記[1]~[5]のいずれかに記載の発明にあっては、前記パターンは対角線の交点を中心として点対称に配置されてなることを特徴とする。[7]上記[1]~[6]のいずれかに記載の発明にあっては、複数の磁気検出素子を有し、前記複数の磁気検出素子のそれぞれは、前記パターン形成領域の形状が同一であり、前記パターンが同一の形状を有する膜からなることを特徴とする。[8]本発明は、矩形のパターン形成領域の二辺に対して所定の傾斜角をもって平行に配置された複数の直線部分、及び隣接する直線部分の長さ方向両端部を交互に接続した複数の折り返し部分を有するパターンを備え、前記パターンは、前記直線部分の抵抗値に対する前記折り返し部分の抵抗値の割合が大きくなる前記矩形のパターン形成領域の角部の一部を除いて設けられてなることを特徴とする磁気センサ用パターンを提供する。本発明によれば、出力振幅の低下を抑制することができるようになり、磁気抵抗素子回路全体の磁界検出の感度を高めることができる。以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて具体的に説明する。[第1の実施の形態]磁気センサの構成図1において、全体を示す符号10は磁気センサの一例を示している。この磁気センサ10は、磁気検出素子である四つのMR素子磁気抵抗素子20,30,40,50をホイートストンブリッジ状に接続した等価回路フルブリッジ回路を備えている。この四つのMR素子20,30,40,50は、図1に示すように、磁石により形成される磁気センサ10に対する磁界の方向変化磁束の方向変化に応じて電気抵抗値R1~R4が変化する素子である。この磁気検出素子としては、MR素子以外に、例えばホール素子や磁気インピーダンス効果素子などが挙げられる。MR素子20とMR素子40とは、図1に示すように、互いに直列接続されるとともに、MR素子30とMR素子50とが互いに直列接続されている。MR素子20,40とMR素子30,50とは互いに並列接続されている。このMR素子20とMR素子40との間には図示しない電源部に接続される入力端子60が形成されている。MR素子30とMR素子50との間にはアース端子70が形成されている。MR素子20とMR素子30との間には、中点電位V1が出力される出力端子80が形成されている。MR素子40とMR素子50との間には、中点電位V2が出力される出力端子90が形成されている。この磁気センサ10は、図1に示すように、磁気センサ10に対する磁界の方向変化を中点電位V1と中点電位V2との電位差の変化として検出する。この電位差が出力電圧出力振幅Vとして出力される。電位差が0Vに近いほど、高性能の磁気センサ10が得られるので、四つのMR素子20,30,40,50は、電気抵抗値R1~R4が等しくなるように予め設定されたパターンで図示しない基板上のパターン形成領域に形成される。この磁気センサ10は、四つのMR素子20,30,40,50を矩形の対角線の交点を中心として直角方向に点対称に配置されている。MR素子20,50の長手方向に磁界が印加されると、MR素子20,50の抵抗値が最大となり、MR素子30,40の抵抗値が最小となる。これとは反対に、MR素子30,40の長手方向に磁界が印加されると、MR素子30,40の抵抗値が最大となり、MR素子20,50の抵抗値が最小となる。図2を参照すると、図2には磁気センサ10におけるMR素子20の要部が示されている。このMR素子20以外の他のMR素子30,40,50にあっても、同一構造及び同一形状を有している。このMR素子20,30,40,50は、ニッケルコバルトなどを含む強磁性薄膜、あるいはアモルファスやパーマロイ等の高透磁率薄膜からなり、酸化物ガラスやアルミナ等からなる非磁性の基板上のパターン形成領域に磁気抵抗膜として成膜技術により形成される。基板とMR素子との間には絶縁膜が形成される。MR素子の表面には窒化ケイ素や二酸化ケイ素などの保護層が設けられる。MR素子のパターンこの四つのMR素子20,30,40,50のいずれともに同一構造及び同一形状を有しているため、この第1の実施の形態では一つのMR素子20の構造及び形状のみを説明する。このMR素子20における感磁部のパターン形成領域21の輪郭形状は、図2に示すように、平面視で長方形を有している。このMR素子20は、長方形の対向する長辺21a,21aに対して、45°の傾斜角θをもって平行に配置された線状のパターン22からなる。このパターン22は、抵抗変化率が大きくなる所定の同一長さ及び所定の同一間隔をもって延びた複数の直線部分22a,...,22aを有するとともに、隣接する直線部分22aの長さ方向両端部を交互に接続した複数の折り返し部分22b,...,22bを有しており、折り返し構造とされている。このパターン22の直線部分22aの長手方向は、磁界検出方向となっており、その磁界検出方向の直線部分22aの長さを長く設定することで、MR素子20の抵抗値を大きく設定し、磁気検出感度が高められている。このパターン22の傾斜角θは45°以外でも構わないが、0°と90°とを除いた傾斜角θにすることが好適である。折り返し状に形成されたパターン22の両端には、図2に示すように、金属パッド23,23が形成されている。この金属パッド23は、コンタクトホール23aを介してパターン22の両端に接続されている。MR素子20は、金属パッド23に接続された図示しない配線を介して、他のMR素子30,40,50と接続される。MR素子のパターン形成領域この第1の実施の形態に係る磁気センサ10の主要な構成は、MR素子20,30,40,50のパターンとパターン形成領域にある。よって、上記のように構成された磁気センサ10については、特に限定されるものではない。図5を参照すると、図5には従来の磁気センサにおけるMR素子200の要部が示されている。なお、同図において、図2に示すMR素子20と実質的に同じ部材には同一の部材名と符号を付している。ここで、例えば長方形のパターン形成領域21に形成されたMR素子200に3Vの電圧が印加された際のパターン22の直線部分22aの抵抗値に対する折り返し部分22bの抵抗値の割合と出力振幅出力電圧との関係を下記の表1に示す。下記表1の符号A~Dに対応する測定箇所を図5に表示している。図6において、下記表1に示す折り返し部分22bの抵抗値割合と出力振幅との関係をグラフ上にプロットしている。表1、図5及び図6から明らかなように、MR素子200のパターン22の直線部分22aの抵抗値に対する折り返し部分22bの抵抗値の割合は、測定箇所Aから測定箇所Dに向かって次第に小さくなっている。その測定箇所A~Dの出力振幅は、測定箇所Aから測定箇所Dに向けて次第に大きくなっており、測定箇所Dの出力振幅は、測定箇所Aの出力振幅よりも4.5程度増大している。これらの結果から、長方形のパターン形成領域21には、パターン22の直線部分22aの抵抗値に対する折り返し部分22bの抵抗値の割合が小さいため、出力振幅を大きく取れる第1領域21dが存在するとともに、その第1領域21dよりも折り返し部分22bの抵抗値の割合が大きくなり、出力振幅の小さな第2領域21eが存在するということが分かる。この第1領域21dにおいては、パターン形成領域21となる長方形の角部に形成される第2領域よりもパターン22の直線部分22aの抵抗値に対する折り返し部分22bの抵抗値の割合が小さい。そのため、MR素子20の出力振幅を大きく取り、磁界の方向変化に対して大きな抵抗変化率が得られ、十分な磁界検出感度が得られる。この第1の実施の形態にあっては、上記結果を踏まえて、MR素子20のパターン22を形成する長方形のパターン形成領域21は、図2に示すように、磁界の方向変化に対してパターン22の抵抗変化率が大きくなる第1領域21dと、パターン22の抵抗変化率が第1領域21dよりも小さくなる第2領域21eの一部とに連続して設けられる。ここで、抵抗変化率は、MR素子20に磁界を印加していったときの抵抗の最大値をRMaxとし、抵抗の最小値をRMinとして、RMax-RMin/RMin×100と定義する。このパターン形成領域21の第1領域21dは、図2に示すように、長方形の対向する2つの長辺21a、21aと長辺21aに45°の傾斜角θをもって交差する平行な2つの斜線分21c、21cとにより囲まれる矩形の形状に形成されている。一方の第2領域21eは、第1領域21dの斜線分21cと長方形の対角線上の対向する2つの角部分を構成する隣り合う長辺21a及び短辺21bとにより囲まれる台形の形状に形成されている。このMR素子20は、図2に示すように、抵抗変化率が大きくなる第1領域21dと、第1領域21dの抵抗変化率の低下を支配しない第2領域21eの一部とに連続してパターン22を形成している。この第2領域21eの一部には、パターン22の抵抗変化率が低下しない程度にパターン22が設けられている。抵抗変化率が第1領域21dよりも小さくなる第2領域21eは、MR素子20の出力振幅に寄与しないので、パターン形成領域外であるパターン非形成領域とされている。図示例にあっては、第2領域21eにはダミーパターン24が折り返して形成されている。MR素子20は、例えばフォトリソグラフィによるパターンニングとエッチングとより所望のパターン形状に形成される。ダミーパターン24を第2領域21eに形成することにより、MR素子20のフォトリソグラフィ工程におけるパターンずれを防止し、正確なパターニングが実現される。第1の実施の形態の効果この第1の実施の形態に係るMR素子20によれば、出力振幅の低下を抑制することができるようになり、磁気抵抗素子回路全体の磁界検出感度を高めることができる。MR素子20,30,40,50のそれぞれは、パターン形成領域21の形状が同一であり、パターン22が同一の形状を有する線状パターンからなる。このパターン形成領域21は長方形、正方形、平行四辺形や台形などの矩形の形状又は三角形などに形成されても構わない。パターン22の直線部分22a、及び折り返し部分22bの幅、長さや厚さの寸法、パターン形成領域21の輪郭形状や面積などを適宜に調整することで、出力信号の振幅を大きく取り、磁界検出感度を高めることができる。[第2の実施の形態]図3を参照すると、図3には第2の実施の形態に係るMR素子の要部が示されている。この第2の実施の形態の基本の構成にあっても、上記第1の実施の形態と同様に、MR素子のパターン形成領域にある。なお、同図において上記第1の実施の形態と実質的に同じ部材には同一の部材名と符号を付している。従って、これらの部材に関する詳細な説明は省略する。この第2の実施の形態において上記第1の実施の形態と異なるところは、MR素子20のパターン形成領域21の輪郭形状にある。このパターン形成領域21の輪郭形状は、図4に示すように、平面視で正方形を有している。MR素子20は、正方形の対角線上に沿って平行に配置されたパターン22の長さ方向両端部を交互に接続した折り返し状に形成されている。そのパターン22の長手方向は磁界検出方向となっており、そのパターン22を折り返してパターン長が長く形成されている。このパターン形成領域21の第1領域21dは、一方の対角線上の2つの角部を構成する隣り合う一辺線分25a、25aと一辺25aに45°の傾斜角θをもって交差する平行な2つの斜線分25b、25bとにより囲まれる矩形の形状に形成されている。一方、パターン非形成領域となる第2領域21eは、第1領域21dの斜線分25bと他方の対角線上の対向する2つの角部分を構成する隣り合う線分25a、25aとにより囲まれる台形の形状に形成されている。この第1領域21dは、抵抗変化率が第1領域21dよりも小さくなる第2領域21eの一部を含んでおり、この第2領域21eの一部にわたってパターン22が形成されている。図示例では、第2領域21eにはダミーパターン24が折り返して形成されている。第2の実施の形態の効果この第2の実施の形態に係るMR素子20にあっても、出力信号の振幅を大きく取れるため、磁界検出感度を高めることができる。[第3の実施の形態]図4を参照すると、図4には第3の実施の形態に係るMR素子の要部が示されている。この第3の実施の形態にあっても、上記第1及び第2の実施の形態と同様に、MR素子のパターン形成領域を主要な構成としている。この第3の実施の形態においては、MR素子回路の構成、及びパターン形成領域の輪郭形状が上記第1の実施の形態とは異なっている。なお、同図において上記各実施の形態と実質的に同じ部材には同一の部材名と符号を付している。従って、これらの部材に関する詳細な説明は省略する。このMRセンサ10は、図4に示すように、同一構造及び同一形状を有する八つのMR素子20a~50a、20b~50bにより構成されている。このMR素子20a~50a、20b~50bは、八角形の対角線の交点Oを中心とする45°の位相差をもって、図示しない同一基板上に環状に配置されている。四つのMR素子20a~50aにより一方のフルブリッジ回路が構成されるとともに、四つのMR素子20b~50bにより他方のフルブリッジ回路が構成される。八つのMR素子20a~50a、20b~50bは、同一構造及び同一形状を有するため、この第3の実施の形態では一つのMR素子20aの構造及び形状のみを説明する。MR素子20aのパターン形成領域21の輪郭形状は、図4に示すように、平面からみて台形を有している。MR素子20aは、台形の上底及び下底の両端を結ぶ一対の線分26a、26aに対して、所定の同一角度をもって平行に配置されたパターン27からなる。このパターン27は、台形の上底に向かうに従い短く形成された複数の直線部分27aが折り返し部分27bにより交互に接続された折り返し形状に形成されている。このMRセンサ10においては、図4に示すように、パターン形成領域21の第1領域21dが外側台形の下底側に配置されている。一方、パターン非形成領域となる第2領域21eは内側台形の上底側に配置されている。この第1領域21dは、抵抗変化率が第1領域21dよりも小さくなる第2領域21eの一部を含んでおり、この第2領域21eの一部にわたってパターン27が形成されている。図示例にあっては、第2領域21eにはダミーパターン28が折り返して形成されている。この構成により、第1領域21dのパターン22の抵抗変化率が消失することなく、磁気抵抗素子回路全体の磁界検出感度を高めることができる。第3の実施の形態の効果この第3の実施の形態に係るMR素子20aにあっても、出力信号の振幅を大きく取り、磁界検出感度を高めることができる。それに加えて、同一構造及び同一形状を有する八つのMR素子20a~50a、20b~50bからなるMRセンサ10は、ダブルフルブリッジ型となっており、一方のフルブリッジ回路に故障が生じても、他方のフルブリッジ回路を用いて検出を継続することができる。これにより、検出の信頼性を向上させることが可能となる。以上の説明からも明らかなように、本発明に係る実施の形態を例示したが、上記実施の形態及び図示例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。従って、上記実施の形態及び図示例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。"