"光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、前記画素領域の外側の周辺領域において、前記センサ基板における前記受光面側から前記駆動回路に達して設けられた貫通ビアと、前記周辺領域の前記受光面側において、前記貫通ビア上に直接積層されたパッド配線とを備えた固体撮像装置。前記パッド配線を覆って前記受光面上に設けられた保護膜と、前記保護膜上に設けられたオンチップレンズと、前記パッド配線を露出する状態で前記保護膜に設けられたパッド開口とを備えた請求項1記載の固体撮像装置。前記センサ基板の表面側において前記パッド配線と重なる位置には、素子が配置されている請求項1記載の固体撮像装置。前記貫通ビアは、前記センサ基板の受光面側に設けられた埋込配線部分と当該埋込配線部分と一体に形成された貫通ビア部分とを備え、前記パッド配線は、前記埋込配線部分上に直接積層されている請求項1記載の固体撮像装置。前記埋込配線部分は、前記センサ基板の受光面側に埋め込まれている請求項4記載の固体撮像装置。前記画素領域における前記受光面上には、絶縁層を介して前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜が設けられて、前記パッド配線は、前記遮光膜と同一層で構成されている請求項1記載の固体撮像装置。前記受光面上には、前記画素領域の膜厚が当該画素領域の外側に設けられた周辺領域の膜厚よりも薄い段差構造を有する絶縁層が設けられ、前記絶縁層における段差上部には、前記パッド配線が設けられ、前記絶縁層における段差下部には、前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜が設けられた請求項1記載の固体撮像装置。前記絶縁層は、異なる材料を用いて構成された積層構造であり、前記画素領域においては、前記絶縁層において積層構造の上層部分を構成する膜が除去されている請求項7記載の固体撮像装置。前記センサ基板の表面側には、前記駆動回路を有する回路基板が貼り合わせられた請求項1記載の固体撮像装置。センサ基板に設定された画素領域に光電変換部を配列形成することと、前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に駆動回路を形成することと、前記画素領域の外側の周辺領域に、前記センサ基板における前記受光面側から前記駆動回路に達する貫通ビアを形成することと、前記周辺領域における前記受光面側に、前記貫通ビア上に直接積層されたパッド配線を形成することとを行う固体撮像装置の製造方法。前記貫通ビアを形成する際には、前記センサ基板の受光面側に、配線溝と、当該配線溝の底部から当該センサ基板を貫通して前記駆動回路にまで延設された接続孔とを形成した後、当該配線溝と接続孔とを同時に埋め込むことにより、埋込配線部分と貫通ビア部分とで構成された貫通ビアを形成する請求項10記載の固体撮像装置の製造方法。前記パッド配線を形成する際には、前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜を、前記パッド配線と同一層で前記画素領域に形成する請求項10記載の固体撮像装置の製造方法。前記貫通ビアを形成する前に、前記受光面上に絶縁層を成膜し、次いで前記絶縁層および前記センサ基板を貫通する貫通ビアを形成した後、前記絶縁層において前記画素領域に対応する部分を前記周辺領域に対して選択的に薄膜化することにより当該絶縁層に段差構造を形成することと、前記絶縁層における段差上部に、前記貫通ビア上に直接積層されたパッド配線を形成することと、前記絶縁層における段差下部に、前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜を形成することとを行う請求項10記載の固体撮像装置の製造方法。前記絶縁層を成膜する際には、異なる材料を用いて構成された積層構造として当該絶縁層を成膜し、前記絶縁層に段差構造を形成する際には、当該絶縁層において積層構造の上層部分を構成する膜を、下層部分を構成する膜に対して選択的に除去する請求項13記載の固体撮像装置の製造方法。光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、前記画素領域の外側の周辺領域において、前記センサ基板における前記受光面側から前記駆動回路に達して設けられた貫通ビアと、前記周辺領域の前記受光面側において、前記貫通ビア上に直接積層されたパッド配線と、前記光電変換部に入射光を導く光学系を備えた電子機器。しかしながらこのような構成の裏面照射型の固体撮像装置においては、受光面の上方に複数層の絶縁膜を介してパッド配線およびオンチップレンズが配置されるため、受光面からオンチップレンズまでの距離が大きく、光電変換部においての受光特性を劣化させる要因となる。そこで本技術は、受光面側にパッド配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図ることが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供することを目的とする。また本技術は、このような構成の固体撮像装置の製造方法およびこの固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。このような目的を達成するための本技術の固体撮像装置は、光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板を備え、このセンサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に、駆動回路が設けられている。また画素領域の外側の周辺領域には、センサ基板における受光面側から駆動回路に達する貫通ビアが設けられている。さらに、周辺領域の受光面側には、貫通ビア上に直接積層されたパッド配線が設けられている。このような構成の固体撮像装置は、光電変換部を設けたセンサ基板において、駆動回路が形成された表面側と反対側の面を受光面とした裏面照射型であり、貫通ビア上にパッド配線が直接積層されている。これにより、貫通ビアを覆う絶縁層上にパッド配線を設け、接続孔を介して貫通ビアとパッド配線とを接続する構成と比較して、受光面上を覆う絶縁膜の積層数が削減された構成となり、この上部に形成されるオンチップレンズと受光面との距離を小さくすることができる。また本技術は、上述した固体撮像装置の製造方法でもあり、次の手順が行われる。先ず、センサ基板に設定された画素領域に光電変換部を配列形成する。また、センサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に駆動回路を形成する。さらに、画素領域の外側の周辺領域に、センサ基板における受光面側から駆動回路に達する貫通ビアを形成する。その後、周辺領域における受光面側に、貫通ビア上に直接積層されたパッド配線を形成する。また本技術は、上述した固体撮像装置を備えた電子機器でもあり、光電変換部に入射光を導く光学系をさらに備えている。以上のような本技術によれば、受光面側にパッド配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、貫通ビア上にパッド配線を直接積層させたことにより、受光面上の絶縁膜の積層数を削減することができる。この結果、この上部に形成されるオンチップレンズと受光面との距離を小さくでき、光電変換部においての受光特性の向上を図ることが可能になる。以下、本技術の実施の形態を、図面に基づいて次に示す順に説明する。1.実施形態の固体撮像装置の概略構成例2.第1実施形態キャビティ構造を有し貫通ビア上に直接パッド配線を設けた例3.第2実施形態キャビティ構造を有し埋込配線部分と貫通ビア部分とを一体に形成した貫通ビア上に、直接パッド配線を設けた例4.第3実施形態埋込配線部分と貫通ビア部分とを一体に形成した貫通ビア上に、直接パッド配線を設けた例5.電子機器固体撮像装置を用いた電子機器の例尚、各実施形態において共通の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。≪1.実施形態の固体撮像装置の概略構成例≫図1に、本技術が適用される裏面照射型の固体撮像装置の一例として、三次元構造の固体撮像装置の概略構成を示す。この図に示す固体撮像装置1は、光電変換部が配列形成されたセンサ基板2と、このセンサ基板2に対して積層させた状態で貼り合わされた回路基板9とを備えている。センサ基板2は、一方の面を受光面Aとし、光電変換部を含む複数の画素3が受光面Aに対して2次元的に配列された画素領域4を備えている。画素領域4には、複数の画素駆動線5が行方向に配線され、複数の垂直信号線6が列方向に配線されており、1つの画素3が1本の画素駆動線5と1本の垂直信号線6とに接続される状態で配置されている。これらの各画素3には、光電変換部と、電荷蓄積部と、複数のトランジスタいわゆるMOSトランジスタおよび容量素子等で構成された画素回路とが設けられている。尚、画素回路の一部は、受光面Aとは反対側の表面側に設けられている。また複数の画素で画素回路の一部を共有していても良い。またセンサ基板2は、画素領域4の外側に周辺領域7を備えている。この周辺領域7には、パッド配線8が設けられている。このパッド配線8は、必要に応じてセンサ基板2に設けられた画素駆動線5、垂直信号線6、および画素回路、さらには回路基板9に設けられた駆動回路に接続されている。回路基板9は、センサ基板2側に向かう一面側に、センサ基板2に設けられた各画素3を駆動するための垂直駆動回路10、カラム信号処理回路11、水平駆動回路12、およびシステム制御回路13などの駆動回路を備えている。これらの駆動回路は、センサ基板2側のパッド配線8に接続されている。尚、センサ基板2の表面側に設けられた画素回路も、駆動回路の一部である。≪2.第1実施形態≫<固体撮像装置の構成>キャビティ構造を有し貫通ビア上に直接パッド配線を設けた例図2は、第1実施形態の固体撮像装置11の構成を示す要部断面図であり、図1における画素領域4と周辺領域7との境界付近の断面図である。以下、この要部断面図に基づいて第1実施形態の固体撮像装置11の構成を説明する。図2に示す第1実施形態の固体撮像装置11は、上述したようにセンサ基板2と回路基板9とを積層させた状態で貼り合わせた3次元構造の固体撮像装置である。センサ基板2の表面側、すなわち回路基板9側に向かう面上には、配線層2aと、配線層2aを覆う保護膜2bとが設けられている。一方、回路基板9の表面側、すなわちセンサ基板2側に向かう面上には、配線層9aと、配線層9aを覆う保護膜9bとが設けられている。また回路基板9の裏面側には、保護膜9cが設けられている。これらのセンサ基板2と回路基板9とは、保護膜2bと保護膜9bとの間で貼り合わせられている。またセンサ基板2における回路基板9と反対側の面、すなわち受光面A上には、段差構造を有する絶縁層14が設けられ、この絶縁層14からセンサ基板2を貫通する状態で貫通ビア23が設けられている。さらに絶縁層14上には、パッド配線8および遮光膜16が設けられ、これらを覆う状態で透明保護膜17、カラーフィルタ18、およびオンチップレンズ19がこの順に積層されている。本第1実施形態においては、貫通ビア23上にパッド配線8が直接積層されているところが特徴的である。次に、センサ基板2側の各層、および回路基板9側の各層の構成、段差構造を有する絶縁層14、貫通ビア23、パッド配線8、遮光膜16、透明保護膜17、カラーフィルタ18、およびオンチップレンズ19の構成をこの順に説明する。[センサ基板2]センサ基板2は、例えば単結晶シリコンからなる半導体基板を薄膜化したものである。このセンサ基板2における画素領域4には、受光面Aに沿って複数の光電変換部20が配列形成されている。各光電変換部20は、例えばn型拡散層とp型拡散層との積層構造で構成されている。尚、光電変換部20は画素毎に設けられており、図面においては1画素分の断面を図示している。またセンサ基板2において受光面Aとは逆の表面側には、n型不純物層からなるフローティングディフュージョンFD、トランジスタTrのソース/ドレイン21、さらにはここでの図示を省略した他の不純物層、および素子分離22などが設けられている。さらにセンサ基板2において、画素領域4の外側の周辺領域7には、以降に説明する貫通ビア23が設けられている。配線層2aセンサ基板2側]センサ基板2の表面上に設けられた配線層2aは、センサ基板2との界面側に、ここでの図示を省略したゲート絶縁膜を介して転送ゲートTGおよびトランジスタTrのゲート電極25、さらにはここでの図示を省略した他の電極を有している。またこれらの転送ゲートTGおよびゲート電極25は、層間絶縁膜26で覆われており、この層間絶縁膜26に設けられた溝パターン内には、例えば銅Cuを用いた埋込配線27が多層配線として設けられている。これらの埋込配線27は、ビアによって相互に接続され、また一部がソース/ドレイン21、転送ゲートTG、さらにはゲート電極25に接続された構成となっている。また、埋込配線27には、センサ基板2に設けられた貫通ビア23も接続され、トランジスタTrおよび埋込配線27等によって画素回路が構成されている。以上のような埋込配線27が形成された層間絶縁膜26上に、絶縁性の保護膜2bが設けられ、この保護膜2b表面においてセンサ基板2が回路基板9に貼り合わせられている。[回路基板9]回路基板9は、例えば単結晶シリコンからなる半導体基板を薄膜化したものである。この回路基板9において、センサ基板2側に向かう表面層には、トランジスタTrのソース/ドレイン31、さらにはここでの図示を省略した不純物層、および素子分離32などが設けられている。さらに回路基板9には、これを貫通する貫通ビア33が設けられている。この貫通ビア33は、回路基板9を貫通して形成された接続孔内に、分離絶縁膜34を介して埋め込まれた導電性材料によって構成されている。配線層9a回路基板9側]回路基板9の表面上に設けられた配線層9aは、回路基板9との界面側に、ここでの図示を省略したゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極35、さらにはここでの図示を省略した他の電極を有している。これらのゲート電極35および他の電極は、層間絶縁膜36で覆われており、この層間絶縁膜36に設けられた溝パターン内にはたとえば銅Cuを用いた埋込配線37が多層配線として設けられている。これらの埋込配線37は、ビアによって相互に接続され、また一部がソース/ドレイン31やゲート電極35に接続された構成となっている。また、埋込配線37には、回路基板9に設けられた貫通ビア33も接続され、トランジスタTrおよび埋込配線37等によって駆動回路が構成されている。以上のような埋込配線37が形成された層間絶縁膜36上に、絶縁性の保護膜9bが設けられ、この保護膜9b表面において回路基板9がセンサ基板2に貼り合わせられている。また、回路基板9において、配線層9aが設けられた表面側とは逆の裏面側には、回路基板9を覆う保護膜9cが設けられ、この保護膜9cには貫通ビア33を露出させるパッド開口33aが設けられている。[絶縁層14]絶縁層14は、センサ基板2の受光面A上に設けられている。この絶縁層14は、画素領域4の膜厚が周辺領域7の膜厚よりも薄い段差構造を有しているところが特徴的である。このような絶縁層14は、例えば異なる絶縁材料を用いた積層膜として構成され、ここでは一例として受光面A側から順に反射防止膜141、界面準位抑制膜142、エッチングストップ膜143、上層絶縁膜144の4層構造である。反射防止膜141は、例えば酸化ハフニウムHfO2、酸化タンタルTa2O5、または窒化シリコンなど、酸化シリコンよりも高屈折率の絶縁性材料を用いて構成される。界面準位抑制膜142は、例えば酸化シリコンSiO2を用いて構成される。エッチングストップ膜143は、上層の上層絶縁膜144を構成する材料に対してエッチング選択比が低く抑えられる材料が用いられ、例えば窒化シリコンSiNを用いて構成される。上層絶縁膜144は、例えば酸化シリコンSiO2を用いて構成される。以上のような4層構造の絶縁層14は、画素領域4においては、上層部分の上層絶縁膜144およびエッチングストップ膜143が除去され、反射防止膜141と界面準位抑制膜142との2層構造に薄型化された段差構造に形成されている。[貫通ビア23]貫通ビア23は、画素領域4の外側の周辺領域7において、絶縁層14からセンサ基板2を貫通し、配線層2aの埋込配線27や、配線層9aの埋込配線37に達する状態でそれぞれ設けられている。これらの貫通ビア23は、絶縁層14およびセンサ基板2を貫通して形成された接続孔内に、分離絶縁膜24を介して銅Cuのような導電性材料を埋め込んで構成されている。[パッド配線8]パッド配線8は、受光面A側の周辺領域7において、絶縁層14の段差上部に形成され、絶縁層14に埋め込まれた貫通ビア23上に、直接積層されているところが特徴的である。このようなパッド配線8は、例えば複数の貫通ビア23間を接続するための配線部分や、この配線部分に接続された電極パッド部分と備えている。このようなパッド配線8は、センサ基板2に設けられたトランジスタTrや他の素子、さらには埋込配線27と重ねて配置され、いわゆるカップ構造を構成している。これにより、センサ基板2および回路基板9、配線層2aおよび配線層9aにおける素子のレイアウトの自由度が確保されている。以上のようなパッド配線8は、例えばタンタルTaや窒化タンタルTaN等、貫通ビア23を構成する銅Cuに対して拡散防止機能を有するバリアメタル膜81と、この上部のアルミニウム-銅AlCu合金膜82との積層構造で構成されている。このような積層構造のパッド配線8は、例えば窒化シリコンからなる保護絶縁膜15で覆われている。またパッド配線8は、このパッド配線8を覆って設けられた保護絶縁膜15や、以降に説明する透明保護膜17およびオンチップレンズ膜19aに形成されたパッド開口8aの底部を構成している。つまり、パッド開口8aの底部には、パッド配線8が露出された構成となっている。[遮光膜16]遮光膜16は、受光面A側における画素領域4において、絶縁層14の段差下部、つまり、絶縁層14において積層構造の下層部分を構成する界面準位抑制膜142の上部に設けられている。このような遮光膜16は、各光電変換部20に対応する複数の受光開口16aを備えている。このような遮光膜16は、アルミニウムAlやタングステンWのような遮光性に優れた導電性材料を用いて構成され、絶縁層14に設けた開口14aにおいてセンサ基板2に対して接地された状態で設けられている。[透明保護膜17]透明保護膜17は、パッド配線8および遮光膜16を覆う状態で設けられている。この透明保護膜17は、例えばアクリル樹脂などを用いて構成されている。[カラーフィルタ18]カラーフィルタ18は、各光電変換部20に対応して設けられ、各光電変換部20に対応する各色で構成されている。各色のカラーフィルタ18の配列が限定されることはない。[オンチップレンズ19]オンチップレンズ19は、各光電変換部20に対応して設けられ、各光電変換部20に入射光が集光されるように構成されている。<固体撮像装置の製造方法>次に、上述した構成の固体撮像装置11の製造方法を図3~図6の断面工程図に基づいて説明する。[図3A]先ず図3Aに示すように、センサ基板2における画素領域4に、複数の光電変換部20を配列形成すると共に、センサ基板2にフローティングディフュージョンFD、ソース/ドレイン21、他の不純物層、および素子分離22を形成する。次に、センサ基板2の表面上に転送ゲートTGおよびゲート電極25を形成し、さらに層間絶縁膜26と共に埋込配線27を形成して配線層2aを設け、この配線層2aの上部を保護膜2bで覆う。一方、回路基板9に、ソース/ドレイン31他の不純物層や素子分離32を形成する。次に、回路基板9の表面上にゲート電極35を形成し、さらに層間絶縁膜36と共に埋込配線37を形成して配線層9aを設け、また配線層9aから回路基板9にかけてビア33を形成し、配線層9aの上部を保護膜9bで覆う。以上の後、センサ基板2と回路基板9とを、保護膜2bと保護膜9bとの間で貼り合わせる。貼り合わせの終了後には、必要に応じてセンサ基板2の受光面A側を薄膜化する。以上までの工程は、特に手順が限定されることはなく、通常の貼り合わせ技術を適用して行うことができる。[図3B]次に図3Bに示すように、センサ基板2の受光面A上に、反射防止膜141、界面準位抑制膜142、エッチングストップ膜143、および上層絶縁膜144をこの順に積層成膜し、4層構造の絶縁層14を形成する。反射防止膜141は、例えば酸化ハフニウムHfO2からなり、原子層蒸着法によって膜厚10nm~300nm例えば60nmで成膜される。界面準位抑制膜142は、例えば酸化シリコンSiO2からなり、P-CVDplasmachemicalvapordeposition法によって膜厚200nmで成膜される。エッチングストップ膜143は、例えば窒化シリコンSiNからなり、P-CVD法によって膜厚360nmで成膜される。上層絶縁膜144は、例えば酸化シリコンSiO2からなり、P-CVD法によって膜厚200nmで成膜される。[図4A]その後、図4Aに示すように、センサ基板2の周辺領域7において、絶縁層14およびセンサ基板2を貫通する各接続孔23aを形成する。これらの各接続孔23aは、センサ基板2の表面側に設けられた配線層2aの埋込配線27または配線層9aの埋込配線37の上部に達する各深さで形成されれば良く、底部に埋込配線27および埋込配線37を露出させなくても良い。この際、接続孔23aの深さ毎に、ここでの図示を省略した複数のレジストパターンを形成し、これらのレジストパターンをマスクにしてセンサ基板2および層間絶縁膜26に対して複数回のエッチングを行う。各エッチングの終了後には各レジストパターンを除去する。[図4B]次いで図4Bに示すように、接続孔23aの内壁を覆う状態で、絶縁層14上に分離絶縁膜24を成膜する。ここでは例えば2層構造の分離絶縁膜24を形成することとし、先ずp-CVD法によって膜厚70nmの窒化シリコン膜241を成膜し、次いでp-CVD法によって膜厚900nmの酸化シリコン膜242を成膜する。尚、分離絶縁膜24は、積層構造に限定されることはなく、例えば酸化シリコン膜または窒化シリコン膜の単層構造であっても良い。[図4C]その後、図4Cに示すように、異方性の高いエッチング条件により分離絶縁膜24をエッチング除去することにより、接続孔23aの底部の分離絶縁膜24を除去する。引き続き、異方性の高いエッチング条件により接続孔23aの底部の層間絶縁膜26、保護膜2b、および保護膜9bをエッチング除去し、接続孔23aを掘り進める。これにより、各接続孔23aの底部に埋込配線27または埋込配線37を露出させる。[図5A]次に、図5Aに示すように、接続孔23aを導電性材料で埋め込むことにより、センサ基板2を貫通する接続孔23a内に貫通ビア23を形成する。ここでは先ず、接続孔23a内を埋め込む状態で、絶縁層14上に導電性材料膜[例えば銅Cu膜]を成膜し、次に化学的機械研磨CMP法によって絶縁層14上の導電性材料膜を研磨除去する。これにより、接続孔23a内のみに導電性材料膜を残し、センサ基板2の受光面A側における周辺領域7に、貫通ビア23を形成する。[図5B]次いで図5Bに示すように、センサ基板2における周辺領域7に、パッド配線8を形成する。この際、先ずタンタルTaや窒化タンタルTaN等からなるバリアメタル膜81を成膜し、次にAlCu合金膜82を積層成膜する。次に、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにしてAlCu合金膜82およびバリアメタル膜81をパターンエッチングする。これにより、周辺領域7において、貫通ビア23上に直接積層されたパッド配線8を形成する。このパッド配線8は、貫通ビア23間を接続するための配線部分およびこの配線部分に接続された電極パッド部分とで構成される。このようなパッド配線8は、センサ基板2に設けられたトランジスタTrや他の素子、さらには埋込配線27と重ねて形成され、いわゆるカップ構造を構成する。以上の後には、このパッド配線8を覆う状態で、絶縁層14上に保護絶縁膜15を成膜する。[図5C]その後、図5Cに示すように、絶縁層14において画素領域4に対応する部分を、周辺領域7に対して選択的に薄膜化し、これにより絶縁層14に段差構造を形成する。この際、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにして、窒化シリコンSiNからなる保護絶縁膜15をエッチングし、次いでエッチング条件を変更して酸化シリコンSiO2からなる上層絶縁膜144をエッチングする。この際、下層の窒化シリコンSiNからなるエッチングストップ膜143でエッチングをストップさせる。その後、さらに条件を変えてエッチングストップ膜143をエッチングする。以上により、受光面A上の絶縁層14は、画素領域4の膜厚が周辺領域7の膜厚よりも薄い段差構造であって、画素領域4上において薄膜化したキャビティ構造となる。このような状態において、画素領域4には、反射防止膜141と界面準位抑制膜142のみが残される。一方、周辺領域7には、4層構造の絶縁層14がそのまま残される。尚、絶縁層14における薄膜部分は、パッド配線8に影響のない範囲でできるだけ広範囲に設定されて良く、これによって絶縁層14の段差形状が、以降に形成する透明保護膜の塗布ムラを悪化させることによって光電変換部20への光入射に影響を及ぼすことを防止する。[図6A]次に、図6Aに示すように、絶縁層14の段差下部に、センサ基板2を露出させる開口14aを形成する。この際、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにして、界面準位抑制膜142と反射防止膜141をエッチングする。尚、この開口14aは、光電変換部20の上方を避けた位置に形成される。次に、絶縁層14の段差下部に、開口14aを介してセンサ基板2に接地された遮光膜16をパターン形成する。この遮光膜16は、光電変換部20に対応する受光開口16aを有している。ここでは先ず、スパッタ成膜法によって、絶縁層14上にアルミニウムAlやタングステンWのような遮光性を有する導電性材料膜を成膜する。その後、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにして導電性材料膜をパターンエッチングすることにより、絶縁層14の段差下部すなわち画素領域4を広く覆うと共に、各光電変換部20に対応する受光開口16aを有し、センサ基板2に接地された遮光膜16を形成する。このような遮光膜16は、絶縁層14の段差上部で除去され、段差下部を広く覆う形状で良い。これにより、絶縁層14の段差を広い範囲で軽減する。[図6B]次いで図6Bに示すように、パッド配線8および遮光膜16を覆う状態で光透過性を有する材料からなる透明保護膜17を成膜する。透明保護膜17の成膜は、スピンコート法のような塗布法によって行う。次に、透明保護膜17上に、光電変換部20に対応する各色のカラーフィルタ18を形成し、さらにこの上部に光電変換部20に対応するオンチップレンズ19を備えたオンチップレンズ膜19aを形成する。[図2]以上の後には先の図2に示したように、周辺領域7にパッド配線8を露出するパッド開口8aを形成する。この際、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにしてオンチップレンズ膜19aを、透明保護膜17、および保護絶縁膜15をパターンエッチングすることにより、パッド配線8を露出させたパッド開口8aを形成する。また回路基板9の露出面を研磨することで回路基板9を薄膜化し、ビア33を露出させて貫通ビア33とする。その後、貫通ビア33を覆う状態で回路基板9上に保護膜9cを成膜し、貫通ビア33を露出するパッド開口33aを形成することにより、固体撮像装置11を完成させる。<第1実施形態の効果>以上説明した構成の固体撮像装置11は、駆動回路が形成された表面側と反対側の面を受光面Aとした裏面照射型であり、受光面Aの上方において、センサ基板2を貫通して設けた貫通ビア23にパッド配線8を直接積層させた構成である。これにより、貫通ビア23上に拡散防止絶縁膜を介してパッド配線8を設け、接続孔を介してこれらを接続させた構成と比較して、拡散防止絶縁膜が省略された構成となり、製造工程数を削減することが可能になると共に、周辺領域7を含む受光面A上に積層される絶縁膜を削減することが可能になる。この際、拡散防止絶縁膜を設けることなく、パッド配線8の最下層にバリアメタル膜81を設けたことにより、貫通ビア23を構成する銅Cuの拡散を防止することができる。また本第1実施形態の固体撮像装置11は、受光面A上には、周辺領域7に対して画素領域4で膜厚が薄い段差構造の絶縁層14を設け、この上部にオンチップレンズ19を設けている。これにより、周辺領域7においては、パッド配線8の絶縁に必要な絶縁層14の膜厚が確保され、一方、画素領域4においては絶縁層14を薄膜化してこの上部のオンチップレンズ19と受光面Aとの距離を小さくすることができる。しかもこの段差構造においては、上述した通り、周辺領域7を含む受光面A上に形成する絶縁膜の積層数が削減されていることから、パッド配線8の絶縁に必要な絶縁層14の膜厚を確保しつつも、絶縁層14における段差上部の高さを低くすることができる。これにより、パッド配線8を含む段差構造を覆う透明保護膜17の薄膜化が可能になり、この透明保護膜17の上部に形成されるオンチップレンズ19と受光面Aとの距離を小さくすることが可能になる。この結果、光電変換部20に対する入射光の減衰や、斜め光入射の場合の隣接画素への光の漏れ込みによる混色の悪化などの光学特性を改善することが可能となる。また特に第1実施形態の製造方法では、図5Cを用いて説明したように、絶縁層14に段差構造を形成する場合に、エッチングストップ膜143でエッチングをストップさせた後に、条件を変えてエッチングストップ膜143をエッチングする手順としている。これにより、画素領域4の受光面A上に、制御性良好に反射防止膜141と界面準位抑制膜142とを残すことができる。この結果、安定した受光特性および暗電流防止効果を得ることが可能になる。また、受光面Aをエッチングダメージに晒すことなく良好に保つことも可能である。尚、上述した第1実施形態の固体撮像装置11では、図2に示したようにパッド配線8と遮光膜16とが、それぞれ異なる層からなる構成を説明した。しかしながら、本第1実施形態の固体撮像装置11は、パッド配線8と遮光膜16とが同一層からなる構成であっても良い。この場合、図5Bを用いて説明したパッド配線8の形成工程で、同時に遮光膜16を形成すれば良く、保護絶縁膜15の形成を省略することができる。これにより、製造工程数の削減と、受光面A上における絶縁膜の積層数をさらに削減することが可能になる。≪第2実施形態≫<固体撮像装置の構成>キャビティ構造を有し埋込配線部分と貫通ビア部分とを一体に形成した貫通ビア上に、直接パッド配線を設けた例図7は、第2実施形態の固体撮像装置12の構成を示す要部断面図であり、図1における画素領域4と周辺領域7との境界付近の断面図である。以下、この要部断面図に基づいて第2実施形態の固体撮像装置12の構成を説明する。図7に示す第2実施形態の固体撮像装置12が、図2を用いて説明した第1実施形態の固体撮像装置と異なるところは、貫通ビア41が、埋込配線部分43と、この埋込配線部分43と一体に形成された貫通ビア部分45とで構成されているところにあり、他の構成は第1実施形態と同様である。すなわち貫通ビア41を構成する埋込配線部分43は、4層構造の絶縁層14からセンサ基板2にかけて形成された配線溝43a内に、分離絶縁膜24を介して銅Cuのような導電性材料を埋め込んで構成されている。尚、埋込配線部分43は、図示したように絶縁層14からセンサ基板2にまで達する深さで埋め込まれていることに限定されず、絶縁層14の厚さの範囲内のみに埋め込まれていても良い。また、貫通ビア41を構成する貫通ビア部分45は、配線溝43aの底部からセンサ基板を貫通して設けられた複数の接続孔45a内に、分離絶縁膜24を介して銅Cuのような導電性材料を埋め込んで構成されている。それぞれの接続孔45a内に設けられた各貫通ビア部分45は、埋込配線部分43によって相互に接続された状態となっている。またこれらの貫通ビア部分45のそれぞれは、配線層2aの埋込配線27や、配線層9aの埋込配線37に達する状態でそれぞれ設けられている。本第2実施形態においては、以上のように構成された貫通ビア41上に、パッド配線8が直接積層されているところが特徴的である。<固体撮像装置の製造方法>次に、上述した構成の固体撮像装置12の製造方法を図8~図10の断面工程図に基づいて説明する。[図8A]先ず図8Aに示すように、センサ基板2と回路基板とを貼り合わせ、必要に応じてセンサ基板2の受光面A側を薄膜化するまでを、第1実施形態で図3Aを用いて説明したと同様に行う。その後、センサ基板2の受光面A上に、反射防止膜141、界面準位抑制膜142、エッチングストップ膜143、上層絶縁膜144の4層構造で絶縁層14を成膜する。次いで、センサ基板2の周辺領域7において、絶縁層14からセンサ基板2の受光面A側の表面層にかけて、配線溝43aを形成する。この際、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにして、絶縁層14からセンサ基板2の表面層をエッチングする。エッチングの終了後にはレジストパターンを除去する。[図8B]次に図8Bに示すように、配線溝43aの底部に、必要に応じた深さの各接続孔45aを形成する。これらの各接続孔45aは、第1実施形態と同様であり、センサ基板2の表面側に設けられた埋込配線27または埋込配線37の上部に達する各深さで形成される。その後は、第1実施形態において図4B,図4C,図5Aを用いて説明した手順と同様の手順を行う。[図9A]これにより図9Aに示すように、配線溝43aおよび接続孔45aの内壁に、積層構造の分離絶縁膜24を形成し、これらの内部を銅Cuで一体に埋め込むと共に埋込配線27または埋込配線37に接続された貫通ビア41を形成する。この貫通ビア41は、配線溝43aに埋め込まれた埋込配線部分43と、接続孔45aに埋め込まれた貫通ビア部分45とで構成されたものとなる。また以上の後は、以降の図9B~に示す工程を、第1実施形態において図5B~を用いて説明した工程と同様に行う。[図9B]すなわち先ず、図9Bに示すように、センサ基板2における周辺領域7に、パッド配線8を形成する。この際、先ずタンタルTaや窒化タンタルTaN等からなるバリアメタル膜81を成膜し、次にAlCu合金膜82を積層成膜する。次に、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにしてAlCu合金膜82およびバリアメタル膜81をパターンエッチングする。これにより、周辺領域7において、貫通ビア41上に直接積層されたパッド配線8を形成する。このようなパッド配線8は、センサ基板2に設けられたトランジスタTrや他の素子、さらには埋込配線27と重ねて形成され、いわゆるカップ構造を構成する。これにより、センサ基板2および回路基板9、配線層2aおよび配線層9aにおける素子のレイアウトの自由度を確保する。以上の後には、このパッド配線8を覆う状態で、絶縁層14上に保護絶縁膜15を成膜する。[図9C]その後、図9Cに示すように、絶縁層14において画素領域4に対応する部分を、周辺領域7に対して選択的に薄膜化し、これにより絶縁層14に段差構造を形成する。この際、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにして、窒化シリコンSiNからなる保護絶縁膜15をエッチングし、次いでエッチング条件を変更して酸化シリコンSiO2からなる上層絶縁膜144をエッチングする。この際、下層の窒化シリコンSiNからなるエッチングストップ膜143でエッチングをストップさせる。その後、さらに条件を変えてエッチングストップ膜143をエッチングする。以上により、受光面A上の絶縁層14は、画素領域4の膜厚が周辺領域7の膜厚よりも薄い段差構造であって、画素領域4上において薄膜化したキャビティ構造となる。このような状態において、画素領域4には、反射防止膜141と界面準位抑制膜142のみが残される。一方、周辺領域7には、4層構造の絶縁層14がそのまま残される。尚、絶縁層14における薄膜部分は、パッド配線8に影響のない範囲でできるだけ広範囲に設定されて良く、これによって絶縁層14の段差形状が、以降に形成する透明保護膜の塗布ムラを悪化させることによって光電変換部20への光入射に影響を及ぼすことを防止する。[図10A]次に、図10Aに示すように、絶縁層14の段差下部に、センサ基板2を露出させる開口14aを形成する。この際、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにして、界面準位抑制膜142と反射防止膜141をエッチングする。尚、この開口14aは、光電変換部20の上方を避けた位置に形成される。次に、絶縁層14の段差下部に、開口14aを介してセンサ基板2に接地された遮光膜16をパターン形成する。この遮光膜16は、光電変換部20に対応する受光開口16aを有している。ここでは先ず、スパッタ成膜法によって、絶縁層14上にアルミニウムAlやタングステンWのような遮光性を有する導電性材料膜を成膜する。その後、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにして導電性材料膜をパターンエッチングすることにより、絶縁層14の段差下部を広く覆うと共に、各光電変換部20に対応する受光開口16aを有し、センサ基板2に接地された遮光膜16を形成する。このような遮光膜16は、絶縁層14の段差上部で除去され、段差下部すなわち画素領域4を広く覆う形状で良い。これにより、絶縁層14の段差を広い範囲で軽減する。[図10B]次いで図10Bに示すように、パッド配線8および遮光膜16を覆う状態で光透過性を有する材料からなる透明保護膜17を成膜する。透明保護膜17の成膜は、スピンコート法のような塗布法によって行う。次に、透明保護膜17上に、光電変換部20に対応する各色のカラーフィルタ18を形成し、さらにこの上部に光電変換部20に対応するオンチップレンズ19を備えたオンチップレンズ膜19aを形成する。[図7]以上の後には先の図7に示したように、周辺領域7にパッド配線8を露出するパッド開口8aを形成する。この際、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにしてオンチップレンズ膜19a、透明保護膜17、および保護絶縁膜15をパターンエッチングすることにより、パッド配線8を露出させたパッド開口8aを形成する。また回路基板9の露出面を研磨することで回路基板9を薄膜化し、ビア33を露出させて貫通ビア33とする。その後、貫通ビア33を覆う状態で回路基板9上に保護膜9cを成膜し、貫通ビア33を露出するパッド開口33aを形成することにより、固体撮像装置12を完成させる。<第2実施形態の効果>以上説明した第2実施形態の固体撮像装置12は、第1実施形態の固体撮像装置と同様に、駆動回路が形成された表面側と反対側の面を受光面Aとした裏面照射型であり、受光面Aの上方において、センサ基板2を貫通して設けた貫通ビア41にパッド配線8を直接積層させた構成である。また、受光面A上には、周辺領域7に対して画素領域4で膜厚が薄い段差構造の絶縁層14を設け、この上部にオンチップレンズ19を設けている。このため第1実施形態と同様に、製造工程数の削減が可能になる。また透明保護膜17の上部に形成されるオンチップレンズ19と受光面Aとの距離を小さくすることが可能になり、光電変換部20に対する入射光の減衰や、斜め光入射の場合の隣接画素への光の漏れ込みによる混色の悪化などの光学特性を改善することが可能となる。また特に本第2実施形態の固体撮像装置12では、埋込配線部分43と貫通ビア部分45を一体に形成した貫通ビア41を設け、この上部にパッド配線8を積層した構成である。このため、パッド配線8が、貫通ビア41の埋込配線部分43で裏打ちされて部分的に厚膜化され、機械的強度を高めることが可能である。この結果、パッド配線8の下部に形成されたトランジスタTrなどの素子に対して、パッド配線8に対するボンディングの影響を低減することが可能である。また本第2実施形態の製造方法においても、図9Cを用いて説明したように、絶縁層14に段差構造を形成する場合に、エッチングストップ膜143でエッチングをストップさせた後に、条件を変えてエッチングストップ膜143をエッチングする手順としている。これにより、第1実施形態と同様に、画素領域4の受光面A上に、制御性良好に反射防止膜141と界面準位抑制膜142とを残すことができ、受光面Aをエッチングダメージに晒すことなく安定した受光特性および暗電流防止効果を得ることが可能になる。さらに本第2実施形態の12であっても、第1実施形態と同様にパッド配線8と遮光膜16とを同一層からなる構成として良く、これにより製造工程数の削減と、受光面A上における絶縁膜の積層数をさらに削減することが可能である。≪第3実施形態≫<固体撮像装置の構成>埋込配線部分と貫通ビア部分とを一体に形成した貫通ビア上に、直接パッド配線を設けた例図11は、第3実施形態の固体撮像装置13の構成を示す要部断面図であり、図1における画素領域4と周辺領域7との境界付近の断面図である。以下、この要部断面図に基づいて第3実施形態の固体撮像装置13の構成を説明する。図11に示す第3実施形態の固体撮像装置13が、図2を用いて説明した第1実施形態の固体撮像装置と異なるところは、貫通ビア41が埋込配線部分43と貫通ビア部分45とで構成されており、また絶縁層14’に段差構造が設けられていないところにある。またこれにともない、絶縁層14’が2層構造で構成されているところにある。その他の構成は第1実施形態と同様である。すなわち、センサ基板2における受光面A上には、2層構造の絶縁層14’を介して遮光膜16が設けられ、この上部に上層絶縁膜51が設けられている。さらに上層絶縁膜51からセンサ基板2を貫通する状態で貫通ビア41が設けられ、この貫通ビア41上に直接積層された状態でパッド配線8が設けられているところが特徴的である。また上層絶縁膜51上には、これらを覆う状態で透明保護膜17、カラーフィルタ18、およびオンチップレンズ19がこの順に積層されている。以下、本第3実施形態に特徴的な絶縁層14’、遮光膜16、上層絶縁膜51、貫通ビア41、およびパッド配線8の構成を説明する。[絶縁層14’]絶縁層14’は、画素領域4および周辺領域7を含む受光面A上の全面に設けられており、受光面A側から順に反射防止膜141、界面準位抑制膜142を積層させた2層構造である。このうち反射防止膜141は、例えば酸化ハフニウムHfO2、酸化タンタルTa2O5、または窒化シリコンなど、酸化シリコンよりも高屈折率の絶縁性材料を用いて構成される。界面準位抑制膜142は、例えば酸化シリコンSiO2を用いて構成される。[遮光膜16]遮光膜16は、受光面A側における画素領域4において、絶縁層14’の上部、つまり界面準位抑制膜142の上部に設けられている。このような遮光膜16は、各光電変換部20に対応する複数の受光開口16aを備えている。また、アルミニウムAlやタングステンWのような遮光性に優れた導電性材料を用いて構成され、絶縁層14’に設けた開口14a’においてセンサ基板2に対して接地された状態で設けられている。[上層絶縁膜51]上層絶縁膜51は、遮光膜16を覆う状態で、画素領域4および周辺領域7を含む受光面A上の全面に設けられている。このような上層絶縁膜51は、例えば酸化シリコンSiO2を用いて構成される。[貫通ビア41]貫通ビア41は、第2実施形態と同様のものであり、埋込配線部分43と、この埋込配線部分43と一体に形成された貫通ビア部分45とで構成されており、各貫通ビア部分45が埋込配線部分43によって相互に接続された状態となっている。尚、埋込配線部分43は、図示したように上層絶縁膜51からセンサ基板2にまで達する深さで埋め込まれていることに限定されず、上層絶縁膜51まで、または絶縁層14’までの厚さの範囲内のみに埋め込まれていても良い。[パッド配線8]パッド配線8は、受光面A側における周辺領域7において、上層絶縁膜51上部に形成され、この上層絶縁膜51に埋め込まれた貫通ビア41上に、直接積層されているところが特徴的である。このようなパッド配線8は、例えば複数の貫通ビア41間を接続するための配線部分や、この配線部分に接続された電極パッド部分と備えている。またパッド配線8は、センサ基板2に設けられたトランジスタTrや他の素子、さらには埋込配線27と重ねて配置され、いわゆるカップ構造を構成している。これにより、センサ基板2および回路基板9、配線層2aおよび配線層9aにおける素子のレイアウトの自由度を確保した構成となっている。以上のようなパッド配線8よりも上層の構成は、透明保護膜17、カラーフィルタ18、およびオンチップレンズ19を備えたオンチップレンズ膜19aがこの順に積層され、これらに設けたパッド開口8aの底部にパッド配線8が露出している。<固体撮像装置の製造方法>次に、上述した構成の固体撮像装置13の製造方法を図12~図13の断面工程図に基づいて説明する。[図12A]先ず図12Aに示すように、センサ基板2と回路基板とを貼り合わせ、必要に応じてセンサ基板2の受光面A側を薄膜化するまでを、第1実施形態で図3Aを用いて説明したと同様に行う。その後、センサ基板2の受光面A上に、反射防止膜141、界面準位抑制膜142の2層構造で絶縁層14’を成膜する。[図12B]次に、図12B示すように、おける画素領域4における絶縁層14’部分に、センサ基板2を露出させる開口14a’を形成する。この際、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにして、界面準位抑制膜142と反射防止膜141をエッチングする。尚、この開口14a’は、光電変換部20の上方を避けた位置に形成される。次に、絶縁層14’上に、開口14a’を介してセンサ基板2に接地された遮光膜16をパターン形成する。この遮光膜16は、光電変換部20に対応する受光開口16aを有している。ここでは先ず、スパッタ成膜法によって、絶縁層14’上にアルミニウムAlやタングステンWのような遮光性を有する導電性材料膜を成膜する。その後、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにして導電性材料膜をパターンエッチングすることにより、各光電変換部20に対応する受光開口16aを有し、センサ基板2に接地された遮光膜16を形成する。[図12C]次いで図12Cに示すように、遮光膜16を覆う状態で、絶縁層14’の上部に上層絶縁膜51を成膜する。その後、センサ基板2の周辺領域7において、上層絶縁膜51からセンサ基板2の受光面A側の表面層にかけて、配線溝43aを形成する。この際、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにして、上層絶縁膜51からセンサ基板2の表面層をエッチングする。エッチングの終了後にはレジストパターンを除去する。[図13A]次いで図13Aに示すように、配線溝43aの底部に、必要に応じた深さの各接続孔45aを形成する。これらの各接続孔45aは、第1実施形態と同様であり、センサ基板2の表面側に設けられた埋込配線27または埋込配線37の上部に達する各深さで形成される。その後は、第1実施形態において図4B,図4C,図5Aを用いて説明した手順と同様の手順を行う。[図13B]これにより図13Bに示すように、配線溝43aおよび接続孔45aの内壁に、積層構造の分離絶縁膜24を形成し、これらの内部を銅Cuで一体に埋め込むと共に埋込配線27または埋込配線37に接続された貫通ビア41を形成する。この貫通ビア41は、配線溝43aに埋め込まれた埋込配線部分43と、接続孔45aに埋め込まれた貫通ビア部分45とで構成されたものとなる。[図13C]次いで、図13Cに示すように、センサ基板2における周辺領域7に、パッド配線8を形成する。この際、先ずタンタルTaや窒化タンタルTaN等からなるバリアメタル膜81を成膜し、次にAlCu合金膜82を積層成膜する。次に、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにしてAlCu合金膜82およびバリアメタル膜81をパターンエッチングする。これにより、周辺領域7において、貫通ビア41上に直接積層されたパッド配線8を形成する。このようなパッド配線8は、センサ基板2に設けられたトランジスタTrや他の素子、さらには埋込配線27と重ねて形成され、いわゆるカップ構造を構成する。以上の後には、パッド配線8および遮光膜16を覆う状態で、光透過性を有する材料からなる透明保護膜17を成膜する。透明保護膜17の成膜は、スピンコート法のような塗布法によって行う。次に、透明保護膜17上に、光電変換部20に対応する各色のカラーフィルタ18を形成し、さらにこの上部に光電変換部20に対応するオンチップレンズ19を備えたオンチップレンズ膜19aを形成する。[図11]以上の後には先の図11に示したように、周辺領域7にパッド配線8を露出するパッド開口8aを形成する。この際、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクにしてオンチップレンズ膜19aおよび透明保護膜17をパターンエッチングすることにより、パッド配線8を露出させたパッド開口8aを形成する。また回路基板9の露出面を研磨することで回路基板9を薄膜化し、ビア33を露出させて貫通ビア33とする。その後、貫通ビア33を覆う状態で回路基板9上に保護膜9cを成膜し、貫通ビア33を露出するパッド開口33aを形成することにより、固体撮像装置12を完成させる。<第3実施形態の効果>以上説明した第3実施形態の固体撮像装置13は、第1実施形態の固体撮像装置と同様に、駆動回路が形成された表面側と反対側の面を受光面Aとした裏面照射型であり、受光面Aの上方において、センサ基板2を貫通して設けた貫通ビア41にパッド配線8を直接積層させた構成である。これにより、貫通ビア41上に拡散防止絶縁膜を介してパッド配線8を設け、接続孔を介してこれらを接続させた構成と比較して、拡散防止絶縁膜が省略された構成となり、周辺領域7を含む受光面A上に積層される絶縁膜を削減することが可能になる。また製造工程数を削減することが可能になる。この際、拡散防止絶縁膜を設けることなく、パッド配線8の最下層にバリアメタル膜81を設けたことにより、貫通ビア41を構成する銅Cuの拡散を防止することができる。この結果、画素領域4においては、オンチップレンズ19と受光面Aとの距離を小さくすることができ、光電変換部20に対する入射光の減衰や、斜め光入射の場合の隣接画素への光の漏れ込みによる混色の悪化などの光学特性を改善することが可能となる。また特に本第3実施形態の固体撮像装置13は、第2実施形態と同様に埋込配線部分43と貫通ビア部分45を一体に形成した貫通ビア41を設け、この上部にパッド配線8を積層した構成である。このため第2実施形態と同様に、パッド配線8が貫通ビア41の埋込配線部分43で厚膜化され、機械的強度を高めることが可能である。この結果、パッド配線8の下部に形成されたトランジスタTrなどの素子に対して、パッド配線8に対するボンディングの影響を低減することが可能である。以上説明した第1実施形態~第3実施形態の各実施形態においては、受光面Aの上方に遮光膜16を設けた構成を説明した。しかしながら本技術は、遮光膜16を設けない構成にも適用可能であり、同様の効果を得ることが可能である。また上述した第1実施形態~第3実施形態においては、裏面照射型の固体撮像装置の一例として三次元構造の固体撮像装置に本技術を適用した構成を説明した。しかしながら本技術は、三次元構造に限定されることなく裏面照射型の固体撮像装置に広く適用可能である。また段差構造を有する絶縁層は、各実施形態で説明した積層構造に限定されることはなく、配線の形成および受光特性の向上に適する様々な積層構造を適用することができる。≪5.固体撮像装置を用いた電子機器の一例≫上述の実施形態で説明した本技術に係る固体撮像装置は、例えばデジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステム、さらには撮像機能を有する携帯電話、あるいは撮像機能を備えた他の機器などの電子機器に適用することができる。図14は、本技術に係る電子機器の一例として、固体撮像装置を用いたカメラの構成図を示す。本実施形態例に係るカメラは、静止画像又は動画撮影可能なビデオカメラを例としたものである。このカメラ90は、固体撮像装置91と、固体撮像装置91の受光センサ部に入射光を導く光学系93と、シャッタ装置94と、固体撮像装置91を駆動する駆動回路95と、固体撮像装置91の出力信号を処理する信号処理回路96とを有する。固体撮像装置91は、上述した各実施形態で説明した構成の固体撮像装置が適用される。光学系光学レンズ93は、被写体からの像光入射光を固体撮像装置91の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置91内に、一定期間信号電荷が蓄積される。このような光学系93は、複数の光学レンズから構成された光学レンズ系としても良い。シャッタ装置94は、固体撮像装置91への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路95は、固体撮像装置91及びシャッタ装置94に駆動信号を供給し、供給した駆動信号タイミング信号により、固体撮像装置91の信号処理回路96への信号出力動作の制御、およびシャッタ装置94のシャッタ動作を制御する。すなわち、駆動回路95は、駆動信号タイミング信号の供給により、固体撮像装置91から信号処理回路96への信号転送動作を行う。信号処理回路96は、固体撮像装置91から転送された信号に対して、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、或いは、モニタに出力される。以上説明した本実施形態に係る電子機器によれば、上述した第1実施形態~第3実施形態で説明した何れかの受光特性の良好な固体撮像装置を用いたことにより、撮像機能を有する電子機器における高精彩な撮像な撮像や小型化を達成することが可能になる。尚、本技術は以下のような構成も取ることができる。1光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、前記画素領域の外側の周辺領域において、前記センサ基板における前記受光面側から前記駆動回路に達して設けられた貫通ビアと、前記周辺領域の前記受光面側において、前記貫通ビア上に直接積層されたパッド配線とを備えた固体撮像装置。2前記パッド配線を覆って前記受光面上に設けられた保護膜と、前記保護膜上に設けられたオンチップレンズと、前記パッド配線を露出する状態で前記保護膜に設けられたパッド開口とを備えた1に記載の固体撮像装置。3前記センサ基板の表面側において前記パッド配線と重なる位置には、素子が配置されている1または2に記載の固体撮像装置。4前記貫通ビアは、前記センサ基板の受光面側に設けられた埋込配線部分と当該埋込配線部分と一体に形成された貫通ビア部分とを備え、前記パッド配線は、前記埋込配線部分上に直接積層されている1~3の何れかに記載の固体撮像装置。5前記埋込配線部分は、前記センサ基板の受光面側に埋め込まれている4記載の固体撮像装置。6前記画素領域における前記受光面上には、絶縁層を介して前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜が設けられて、前記パッド配線は、前記遮光膜と同一層で構成されている1~5の何れかに記載の固体撮像装置。7前記受光面上には、前記画素領域の膜厚が当該画素領域の外側に設けられた周辺領域の膜厚よりも薄い段差構造を有する絶縁層が設けられ、前記絶縁層における段差上部には、前記パッド配線が設けられ、前記絶縁層における段差下部には、前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜が設けられた1~5の何れかに記載の固体撮像装置。8前記絶縁層は、異なる材料を用いて構成された積層構造であり、前記画素領域においては、前記絶縁層において積層構造の上層部分を構成する膜が除去されている7記載の固体撮像装置。9前記センサ基板の表面側には、前記駆動回路を有する回路基板が貼り合わせられた1~8の何れかに記載の固体撮像装置。10センサ基板に設定された画素領域に光電変換部を配列形成することと、前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に駆動回路を形成することと、前記画素領域の外側の周辺領域に、前記センサ基板における前記受光面側から前記駆動回路に達する貫通ビアを形成することと、前記周辺領域における前記受光面側に、前記貫通ビア上に直接積層されたパッド配線を形成することとを行う固体撮像装置の製造方法。11前記貫通ビアを形成する際には、前記センサ基板の受光面側に、配線溝と、当該配線溝の底部から当該センサ基板を貫通して前記駆動回路にまで延設された接続孔とを形成した後、当該配線溝と接続孔とを同時に埋め込むことにより、埋込配線部分と貫通ビア部分とで構成された貫通ビアを形成する10記載の固体撮像装置の製造方法。12前記パッド配線を形成する際には、前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜を、前記パッド配線と同一層で前記画素領域に形成する10または11に記載の固体撮像装置の製造方法。13前記貫通ビアを形成する前に、前記受光面上に絶縁層を成膜し、次いで前記絶縁層および前記センサ基板を貫通する貫通ビアを形成した後、前記絶縁層において前記画素領域に対応する部分を前記周辺領域に対して選択的に薄膜化することにより当該絶縁層に段差構造を形成することと、前記絶縁層における段差上部に、前記貫通ビア上に直接積層されたパッド配線を形成することと、前記絶縁層における段差下部に、前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜を形成することとを行う10~12の何れかに記載の固体撮像装置の製造方法。14前記絶縁層を成膜する際には、異なる材料を用いて構成された積層構造として当該絶縁層を成膜し、前記絶縁層に段差構造を形成する際には、当該絶縁層において積層構造の上層部分を構成する膜を、下層部分を構成する膜に対して選択的に除去する13記載の固体撮像装置の製造方法。15光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、前記画素領域の外側の周辺領域において、前記センサ基板における前記受光面側から前記駆動回路に達して設けられた貫通ビアと、前記周辺領域の前記受光面側において、前記貫通ビア上に直接積層されたパッド配線と、前記光電変換部に入射光を導く光学系を備えた電子機器。"