"薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Zn、Sn、およびInと;Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの半導体層用酸化物。前記酸化物に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、および[In]としたとき、下式1~3を満足するものである請求項1に記載の酸化物。[In]/[In][Zn][Sn]≧-0.53×[Zn]/[Zn][Sn]0.361[In]/[In][Zn][Sn]≧2.28×[Zn]/[Zn][Sn]-2.012[In]/[In][Zn][Sn]≦1.1×[Zn]/[Zn][Sn]-0.323前記酸化物に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[In]、および[X]とし、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比を<Zn>、[Zn][Sn][In][X]に対する各X群元素の比をそれぞれ、{X}としたとき、下式4を満足するものである請求項1または2に記載の酸化物。[-89×<Zn>74]×[In]/[In][Zn][Sn]25×<Zn>-6.5-75×{Si}-120×{Hf}-6.5×{Ga}-123×{Al}-15×{Ni}-244×{Ge}-80×{Ta}-580×{W}-160×{Nb}≧54式中、<Zn>=[Zn]/[Zn][Sn]、{Si}=[Si]/[Zn][Sn][In][X]、{Hf}=[Hf]/[Zn][Sn][In][X]、{Ga}=[Ga]/[Zn][Sn][In][X]、{Al}=[Al]/[Zn][Sn][In][X]、{Ni}=[Ni]/[Zn][Sn][In][X]、{Ge}=[Ge]/[Zn][Sn][In][X]、{Ta}=[Ta]/[Zn][Sn][In][X]、{W}=[W]/[Zn][Sn][In][X]、{Nb}=[Nb]/[Zn][Sn][In][X]を意味する。前記酸化物に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[In]、および[X]としたとき、下式5を満足するものである請求項1~3のいずれかに記載の酸化物。0.0001≦[X]/[Zn][Sn][In][X]5請求項1~4のいずれかに記載の酸化物を薄膜トランジスタの半導体層として備えた薄膜トランジスタ。前記半導体層の密度は5.8g/cm3以上である請求項5に記載の薄膜トランジスタ。請求項1~4のいずれかに記載の酸化物を形成するためのスパッタリングターゲットであって、Zn、Sn、およびInと;Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、を含み、前記スパッタリングターゲットに含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、および[In]としたとき、下式1~3を満足することを特徴とするスパッタリングターゲット。[In]/[In][Zn][Sn]≧-0.53×[Zn]/[Zn][Sn]0.361[In]/[In][Zn][Sn]≧2.28×[Zn]/[Zn][Sn]-2.012[In]/[In][Zn][Sn]≦1.1×[Zn]/[Zn][Sn]-0.323前記スパッタリングターゲットに含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[In]、および[X]とし、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比を<Zn>、[Zn][Sn][In][X]に対する各X群元素の比をそれぞれ、{X}としたとき、下式4を満足するものである請求項7に記載のスパッタリングターゲット。[-89×<Zn>74]×[In]/[In][Zn][Sn]25×<Zn>-6.5-75×{Si}-120×{Hf}-6.5×{Ga}-123×{Al}-15×{Ni}-244×{Ge}-80×{Ta}-580×{W}-160×{Nb}≧54式中、<Zn>=[Zn]/[Zn][Sn]、{Si}=[Si]/[Zn][Sn][In][X]、{Hf}=[Hf]/[Zn][Sn][In][X]、{Ga}=[Ga]/[Zn][Sn][In][X]、{Al}=[Al]/[Zn][Sn][In][X]、{Ni}=[Ni]/[Zn][Sn][In][X]、{Ge}=[Ge]/[Zn][Sn][In][X]、{Ta}=[Ta]/[Zn][Sn][In][X]、{W}=[W]/[Zn][Sn][In][X]、{Nb}=[Nb]/[Zn][Sn][In][X]を意味する。前記スパッタリングターゲットに含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[In]、および[X]としたとき、下式5を満足するものである請求項7または8に記載のスパッタリングターゲット。0.0001≦[X]/[Zn][Sn][In][X]5酸化物半導体を薄膜トランジスタの半導体層として用いる場合、キャリア濃度が高いだけでなく、TFTのスイッチング特性トランジスタ特性に優れていることが要求される。具体的には、1オン電流ゲート電極とドレイン電極に正電圧をかけたときの最大ドレイン電流が高く、2オフ電流ゲート電極に負電圧を、ドレイン電圧に正電圧を夫々かけたときのドレイン電流が低く、3SSSubthresholdSwing、サブスレッショルドスィング、ドレイン電流を1桁あげるのに必要なゲート電圧値が低く、4しきい値ドレイン電極に正電圧をかけ、ゲート電圧に正負いずれかの電圧をかけたときにドレイン電流が流れ始める電圧であり、しきい値電圧とも呼ばれるが時間的に変化せず安定である基板面内で均一であることを意味する、5移動度が高く、6光照射時の上記特性の変動が少ないことなどが要求される。前述した特許文献1に記載のMoを含むZTO半導体について、本発明者らが上記特性を調べたところ、ZTOに比べてオン電流の低下やSS値の上昇が見られることが分った。更に、IGZOやZTOなどの酸化物半導体層を用いたTFTは、電圧印加や光照射などのストレスに対する耐性ストレス耐性に優れていることが要求される。例えば、ゲート電圧に正電圧または負電圧を印加し続けたときや、光吸収が始まる青色帯を照射し続けたときに、しきい値電圧が大幅に変化シフトするが、これにより、TFTのスイッチング特性が変化することが指摘されている。また、液晶パネル駆動の際や、ゲート電極に負バイアスをかけて画素を点灯させる際などに液晶セルから漏れた光がTFTに照射されるが、この光がTFTにストレスを与えてオフ電流上昇やしきい値電圧のシフト、SS値の増大などの特性劣化を引き起こす。特にしきい値電圧のシフトは、TFTを備えた液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどの表示装置自体の信頼性低下を招くため、ストレス耐性の向上ストレス印加前後の変化量が少ないことが切望されている。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないことにも優れた薄膜トランジスタ用酸化物、当該酸化物を備えた薄膜トランジスタ、および当該酸化物の形成に用いられるスパッタリングターゲットを提供することにある。上記課題を解決することのできた本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Zn、Sn、およびInと;Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、を含むところに要旨を有するものである。本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、および[In]としたとき、下式1~3を満足するものである。[In]/[In][Zn][Sn]≧-0.53×[Zn]/[Zn][Sn]0.361[In]/[In][Zn][Sn]≧2.28×[Zn]/[Zn][Sn]-2.012[In]/[In][Zn][Sn]≦1.1×[Zn]/[Zn][Sn]-0.323本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[In]、および[X]とし、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比を<Zn>、[Zn][Sn][In][X]に対する各X群元素の比をそれぞれ、{X}としたとき、下式4を満足するものである。[-89×<Zn>74]×[In]/[In][Zn][Sn]25×<Zn>-6.5-75×{Si}-120×{Hf}-6.5×{Ga}-123×{Al}-15×{Ni}-244×{Ge}-80×{Ta}-580×{W}-160×{Nb}≧54式中、<Zn>=[Zn]/[Zn][Sn]、{Si}=[Si]/[Zn][Sn][In][X]、{Hf}=[Hf]/[Zn][Sn][In][X]、{Ga}=[Ga]/[Zn][Sn][In][X]、{Al}=[Al]/[Zn][Sn][In][X]、{Ni}=[Ni]/[Zn][Sn][In][X]、{Ge}=[Ge]/[Zn][Sn][In][X]、{Ta}=[Ta]/[Zn][Sn][In][X]、{W}=[W]/[Zn][Sn][In][X]、{Nb}=[Nb]/[Zn][Sn][In][X]を意味する。本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[In]、および[X]としたとき、下式5を満足するものである。0.0001≦[X]/[Zn][Sn][In][X]5本発明には、上記のいずれかに記載の酸化物を薄膜トランジスタの半導体層として備えた薄膜トランジスタも包含される。上記半導体層の密度は5.8g/cm3以上であることが好ましい。本発明のスパッタリングターゲットは、上記のいずれかに記載の酸化物を形成するためのスパッタリングターゲットであって、Zn、Sn、およびInと;Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、を含み、前記スパッタリングターゲットに含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、および[In]としたとき、下式1~3を満足するところに要旨を有するものである。[In]/[In][Zn][Sn]≧-0.53×[Zn]/[Zn][Sn]0.361[In]/[In][Zn][Sn]≧2.28×[Zn]/[Zn][Sn]-2.012[In]/[In][Zn][Sn]≦1.1×[Zn]/[Zn][Sn]-0.323本発明の好ましい実施形態において、上記スパッタリングターゲットに含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[In]、および[X]とし、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比を<Zn>、[Zn][Sn][In][X]に対する各X群元素の比をそれぞれ、{X}としたとき、下式4を満足するものである。[-89×<Zn>74]×[In]/[In][Zn][Sn]25×<Zn>-6.5-75×{Si}-120×{Hf}-6.5×{Ga}-123×{Al}-15×{Ni}-244×{Ge}-80×{Ta}-580×{W}-160×{Nb}≧54式中、<Zn>=[Zn]/[Zn][Sn]、{Si}=[Si]/[Zn][Sn][In][X]、{Hf}=[Hf]/[Zn][Sn][In][X]、{Ga}=[Ga]/[Zn][Sn][In][X]、{Al}=[Al]/[Zn][Sn][In][X]、{Ni}=[Ni]/[Zn][Sn][In][X]、{Ge}=[Ge]/[Zn][Sn][In][X]、{Ta}=[Ta]/[Zn][Sn][In][X]、{W}=[W]/[Zn][Sn][In][X]、{Nb}=[Nb]/[Zn][Sn][In][X]を意味する。本発明の好ましい実施形態において、前記スパッタリングターゲットに含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[In]、および[X]としたとき、下式5を満足するものである。0.0001≦[X]/[Zn][Sn][In][X]5本発明の酸化物を用いれば、移動度が高く、且つ、ストレス耐性ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないことに優れた薄膜トランジスタを提供することができた。その結果、上記薄膜トランジスタを備えた表示装置は、光照射に対する信頼性が非常に向上する。本発明者らは、Zn、Sn、およびInを含む酸化物以下、IZTOで代表させる場合がある。をTFTの活性層半導体層に用いたときのTFT特性およびストレス耐性を向上させるため、種々検討を重ねてきた。その結果、IZTO中に、Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素X群元素を含む酸化物半導体をTFTの半導体層に用いれば所期の目的が達成されることを見出し、本発明を完成した。後記する実施例に示すように、上記X群に属する元素X群元素を含む酸化物半導体を備えたTFTは、TFT特性に優れ[具体的には、高い移動度、高いオン電流、低いSS値、および0V付近のしきい値電圧Vthの絶対値が小さいこと]、且つ、ストレス印加前後のトランジスタ特性の変動が少ない[具体的には、光照射負バイアスのストレスを印加後のVthの変化率ΔVthが小さいこと]ことが分かった。このように本発明に係るTFTの半導体層用酸化物は、Zn、Sn、およびInと;Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくも一種の元素X群元素と、を含むところに特徴がある。本明細書では、本発明の酸化物をIZTOXで表わす場合がある。X群元素について上記X群元素は、本発明を最も特徴付ける元素であり、ゲート絶縁膜付近の界面トラップを減少させるか、またはバンドギャップを広げるなどして光照射時の電子-ホールペアの生成を抑制させるのに有効な元素として、本発明者らの数多くの基礎実験に基づき選択された元素である。X群元素の添加により、光に対するストレス耐性が著しく向上する。また、X群元素の添加によるウェットエッチング時のエッチング不良などの問題も見られないことを実験により確認している。このようなX群元素の作用効果発現の程度は、X群元素の種類によっても相違する。上記X群元素は、単独で添加しても良いし、2種以上が含まれていても良い。上記X群元素の添加による特性向上の詳細なメカニズムは不明であるが、X群元素は、酸化物半導体中または絶縁体層との界面でのトラップ準位を減少または、寿命を短くする効果があると推察される。そのため、光照射しても光照射に伴うキャリアのトラップが抑制されることによって光照射時の電流が生じるのを防止し、光照射有無でのトランジスタ特性の変動が抑制されるものと推察される。上記X群元素の含有量について、本発明の酸化物に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[In]、および[X]とし、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比を<Zn>、[Zn][Sn][In][X]に対する各X群元素の比をそれぞれ、{X}としたとき、下式4を満足することが好ましい。下式4において、[X]は、X群元素の合計量[X群元素を単独で含む場合は単独の量原子であり、2種以上を含むときはその合計量原子]である。[-89×<Zn>74]×[In]/[In][Zn][Sn]25×<Zn>-6.5-75×{Si}-120×{Hf}-6.5×{Ga}-123×{Al}-15×{Ni}-244×{Ge}-80×{Ta}-580×{W}-160×{Nb}≧54式中、<Zn>=[Zn]/[Zn][Sn]、{Si}=[Si]/[Zn][Sn][In][X]、{Hf}=[Hf]/[Zn][Sn][In][X]、{Ga}=[Ga]/[Zn][Sn][In][X]、{Al}=[Al]/[Zn][Sn][In][X]、{Ni}=[Ni]/[Zn][Sn][In][X]、{Ge}=[Ge]/[Zn][Sn][In][X]、{Ta}=[Ta]/[Zn][Sn][In][X]、{W}=[W]/[Zn][Sn][In][X]、{Nb}=[Nb]/[Zn][Sn][In][X]を意味する。上式4は、高い移動度を得るための指標となる計算式であり、数多くの基礎実験に基づき同定されたものである。上式4は、本発明の酸化物を構成する全ての元素を含んでいるが、移動度に関して言えば、主に、移動度の向上に大きく寄与するInと、移動度に対してはマイナス負の作用をもたらすX群元素とから構成されている。上述したようにX群元素の添加によりストレス耐性は向上するが、移動度は低下する傾向にあるため、特に移動度の観点から、高い移動度を維持できるX群元素の含有量の上限を、上式4として設定した次第である。後記する実施例に示すように、上式4の左辺値計算値は、飽和移動度実測値と、おおむね一致しており、上式4の左辺値計算値が大きい程、高い飽和移動度を示す。厳密には、後記する式1および式2も飽和移動度に関係するため、これらが本発明の好ましい範囲内にある場合に、上式4は、飽和移動度と、ほぼ高い相関関係を有するようになる。なお、X群元素の添加量などによっては、式4の左辺値計算値がマイナスになる場合がある例えば、後記する表2のNo.40、49が、マイナスの数値自体に意味はなくマイナスの移動度はあり得ない、結果として、そのような例は移動度が低いことを意味する。更にX群元素の含有量[X]は、下式5を満足することが好ましい。0.0001≦[X]/[Zn][Sn][In][X]5上式5は、本発明の酸化物を構成する全金属元素の量[Zn][Sn][In][X]に対する[X]の好ましい割合以下、[X]比と略記する場合がある。を規定したものであり、[X]比が少ないすなわち、X群元素の含有量が少ない場合は、十分なストレス耐性向上効果が得られない。より好ましい[X]比は0.0005以上である。詳細には、X群元素の種類によって上記作用の程度効果発現の程度は相違するため、厳密には、X群元素の種類に応じて適切に制御することが好ましい。上記X群元素のうち、ストレス耐性向上効果などの観点から好ましいのはNb、Si、Ge、Hfであり、より好ましくはNb、Geである。以上、本発明に用いられるX群元素について説明した。次に、本発明の酸化物を構成する母材成分である金属Zn、Sn、Inについて説明する。これらの金属について、各金属間の比率は、これら金属を含む酸化物がアモルファス相を有し、且つ、半導体特性を示す範囲であれば特に限定されないが、TFT特性に優れ、ストレス耐性に優れた酸化物を得るためには、IZTOを構成する上記金属元素の組成比が適切に制御された酸化物をTFTの半導体層に用いれば良いことが判明した。詳細には、TFT特性およびストレス耐性に及ぼすIn、Zn、Snの影響について、本発明者らが数多くの基礎実験に基づいて調べたところ、アInは移動度の向上に寄与する元素であるが、多量に添加すると、光ストレスに対する安定性耐性が低下したり、TFTが導体化し易くなること、イ一方、Znは光ストレスに対する安定性を向上させる元素であるが、多量に添加すると、移動度が急激に低下したり、TFT特性やストレス耐性が低下してしまうこと、ウSnも、Znと同様、光ストレスに対する安定性向上に有効な元素であり、Snの添加によりIZTOの導体化を抑制する作用があるが、Snの多量添加により、移動度が低下したり、TFT特性やストレス耐性が低下することが判明した。これらの知見に基づき、更に本発明者らが検討を重ねた結果、酸化物中に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、および[In]としたとき、好ましくは、[In]/[In][Zn][Sn]で表わされる[In]の比以下、単にIn比と略記する場合がある。が、[Zn]/[Zn][Sn]で表わされる[Zn]の比以下、単にZn比と略記する場合がある。との関係で、下式1~3のすべてを満足するものは、良好な特性が得られることを見出した。[In]/[In][Zn][Sn]≧-0.53×[Zn]/[Zn][Sn]0.361[In]/[In][Zn][Sn]≧2.28×[Zn]/[Zn][Sn]-2.012[In]/[In][Zn][Sn]≦1.1×[Zn]/[Zn][Sn]-0.323図2は、上記式1~3の領域を示したものであり、図2中の斜線部分が、上記式1~3の関係をすべて満足する領域である。図2には、後記する実施例の特性結果もプロットしており、図2の斜線部分の範囲内にあるもものは、飽和移動度、TFT特性、およびストレス耐性の全ての特性が良好図2中、○であるのに対し、図2の斜線外にあるものすなわち、上記式1~3の関係のいずれかを満足しないものは、上記特性のいずれかが低下している図2中、×ことが分かる。上記式1~3のうち式1および式2は、主に移動度に関連する式であり、数多くの基礎実験に基づき、高い移動度を達成するためのIn比を、Zn比との関係で規定したものである。また、式3は、主にストレス耐性およびTFT特性TFTの安定性の向上に関連する式であり、数多くの基礎実験に基づき、高いストレス耐性を達成するためのIn比を、Zn比との関係で規定したものである。詳細には、式1~式3の範囲、更には前述した式4の範囲を満足しないものは、おおむね、以下の不具合があることが判明した。まず、式4を満足することを前提にしたとき、式2を満足するが、式1および式3の範囲を外れるものは、Sn比が大きくなるよって、Zn比は小さくなるため、移動度は高くなるが、S値やVth値が増加してTFT特性が低下し、ストレス耐性が低下する傾向にあり、所望の特性が得られない例えば、後記する実施例のNo.1、8、34を参照。同様に、式4を満足することを前提にしたとき、式1および式3を満足するが、式2の範囲を外れるものは、Zn比が大きくなるよって、Sn比は小さくなるため、移動度が急激に低下したり、S値やVth値が大きく増加してTFT特性が低下し、ストレス耐性が低下する傾向にあり、やはり、所望の特性が得られない例えば、後記する実施例のNo.2、9、35、51を参照。同様に、式4を満足することを前提にしたとき、式1および式2を満足するが、式3の範囲を外れるもののうち、In比が大きい領域では、移動度は高くなるが、ストレス耐性が低下する傾向にあり、やはり、所望の特性が得られない例えば、後記する実施例のNo.22を参照。一方、式1~式3を満足していても、式4の範囲を外れるものは、移動度が低下し、所望の特性が得られない例えば、後記する実施例のNo.40、49を参照。また、後記する実施例のNo.13は、式4の範囲を満足せず、且つ、式3の範囲を満足しない例であるが、式4の範囲を満足しないために移動度が低くなった。なお、No.13は、式3の範囲を満足しないが、X群元素であるHfの添加量が比較的多い[X]比=0.10ため、ストレス耐性は合格基準のラインΔVthが-15以下を満たしていた。また、後記する実施例のNo.50は、式4の範囲を満足せず、且つ、式1および式3の範囲を満足しない例であるが、移動度は高いものの、式3の範囲を満足しないためにTFT特性が低下し、ストレス耐性も低下する傾向にある。本発明に係るTFTの半導体層用酸化物を構成するIn、Sn、Znは、好ましくは上記要件を満足するものであるが、更に、[Zn][Sn][In]に対する[In]の比は0.05以上であることが好ましい。上述したようにInは移動度を高める元素であり、上記式1で表わされるInの比が0.05未満では、上記効果が有効に発揮されない。より好ましいInの比は0.1以上である。一方、Inの比が高すぎると、ストレス耐性が低下したり、導体化し易くなるため、おおむね、0.5以下であることが好ましい。以上、本発明の酸化物について説明した。上記酸化物は、スパッタリング法にてスパッタリングターゲット以下ターゲットということがある。を用いて成膜することが好ましい。塗布法などの化学的成膜法によって酸化物を形成することもできるが、スパッタリング法によれば、成分や膜厚の膜面内均一性に優れた薄膜を容易に形成することができる。スパッタリング法に用いられるターゲットとして、前述した元素を含み、所望の酸化物と同一組成のスパッタリングターゲットを用いることが好ましく、これにより、組成ズレの恐れがなく、所望の成分組成の薄膜を形成することができる。具体的にはターゲットとして、Zn、Sn、およびInと;Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、を含み、前記スパッタリングターゲットに含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、および[In]としたとき、上式1~3を満足するターゲットを用いる。好ましくは、上記スパッタリングターゲット含まれるX群元素の合計量原子を[X]としたとき、上式4を満足するものである。あるいは、組成の異なる二つのターゲットを同時放電するコスパッタ法Co-Sputter法を用いても成膜しても良く、In2O3やZnO、SnO2などのターゲットまたはそれらの混合物のターゲットを同時放電させることによって所望の組成の膜を得ることができる。上記ターゲットは、例えば粉末焼結法方法によって製造することができる。上記ターゲットを用いてスパッタリングするに当たっては、基板温度を室温とし、酸素添加量を適切に制御して行なうことが好ましい。酸素添加量は、スパッタリング装置の構成やターゲット組成などに応じて適切に制御すれば良いが、おおむね、酸化物半導体のキャリア濃度が1015~1016cm3となるように酸素量を添加することが好ましい。後記する実施例における酸素添加量は添加流量比でO2/ArO2=2とした。また、上記酸化物をTFTの半導体層としたときの、酸化物半導体層の好ましい密度は5.8g/cm3以上であるが、このような酸化物を成膜するためには、スパッタリング成膜時のガス圧、スパッタリングターゲットへの投入パワー、基板温度などを適切に制御することが好ましい。例えば成膜時のガス圧を低くするとスパッタ原子同士の散乱がなくなって緻密高密度な膜を成膜できると考えられるため、成膜時の全ガス圧は、スパッタの放電が安定する程度で低い程良く、おおむね0.5~5mTorrの範囲内に制御することが好ましく、1~3mTorrの範囲内であることがより好ましい。また、投入パワーは高い程良く、おおむねDCまたはRFにて2.0W/cm2以上に設定することが推奨される。成膜時の基板温度も高い程良く、おおむね室温~200°Cの範囲内に制御することが推奨される。上記のようにして成膜される酸化物の好ましい膜厚は30nm以上200nm以下であり、より好ましくは30nm以上80nm以下である。本発明には、上記酸化物をTFTの半導体層として備えたTFTも包含される。TFTは、基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、上記酸化物の半導体層、ソース電極、ドレイン電極を少なくとも有していれば良く、その構成は通常用いられるものであれば特に限定されない。ここで、上記酸化物半導体層の密度は5.8g/cm3以上であることが好ましい。酸化物半導体層の密度が高くなると膜中の欠陥が減少して膜質が向上し、また原子間距離が小さくなるため、TFT素子の電界効果移動度が大きく増加し、電気伝導性も高くなり、光照射に対するストレスへの安定性が向上する。上記酸化物半導体層の密度は高い程良く、より好ましくは5.9g/cm3以上であり、更に好ましくは6.0g/cm3以上である。なお、酸化物半導体層の密度は、後記する実施例に記載の方法によって測定したものである。以下、図1を参照しながら、上記TFTの製造方法の実施形態を説明する。図1および以下の製造方法は、本発明の好ましい実施形態の一例を示すものであり、これに限定する趣旨ではない。例えば図1には、ボトムゲート型構造のTFTを示しているがこれに限定されず、酸化物半導体層の上にゲート絶縁膜とゲート電極を順に備えるトップゲート型のTFTであっても良い。図1に示すように、基板1上にゲート電極2およびゲート絶縁膜3が形成され、その上に酸化物半導体層4が形成されている。酸化物半導体層4上にはソースドレイン電極5が形成され、その上に保護膜絶縁膜6が形成され、コンタクトホール7を介して透明導電膜8がドレイン電極5に電気的に接続されている。基板1上にゲート電極2およびゲート絶縁膜3が形成する方法は特に限定されず、通常用いられる方法を採用することができる。また、ゲート電極2およびゲート絶縁膜3の種類も特に限定されず、汎用されているものを用いることができる。例えばゲート電極2として、電気抵抗率の低いAlやCuの金属、これらの合金を好ましく用いることができる。また、ゲート絶縁膜3としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などが代表的に例示される。そのほか、TiO2、Al2O3やY2O3などの金属酸化物や、これらを積層したものを用いることもできる。次いで酸化物半導体層4を形成する。酸化物半導体層4は、上述したように、薄膜と同組成のスパッタリングターゲットを用いたDCスパッタリング法またはRFスパッタリング法により成膜することが好ましい。あるいは、コスパッタ法により成膜しても良い。酸化物半導体層4をウェットエッチングした後、パターニングする。パターニングの直後に、酸化物半導体層4の膜質改善のために熱処理プレアニールを行うことが好ましく、これにより、トランジスタ特性のオン電流および電界効果移動度が上昇し、トランジスタ性能が向上するようになる。好ましいプレアニールの条件は、例えば、温度:約250~350°C、時間:約15~120分である。プレアニールの後、ソースドレイン電極5を形成する。ソースドレイン電極の種類は特に限定されず、汎用されているものを用いることができる。例えばゲート電極と同様AlやCuなどの金属または合金を用いても良いし、後記する実施例のように純Tiを用いても良い。さらには金属の積層構造などを用いることもできる。ソースドレイン電極5の形成方法としては、例えばマグネトロンスパッタリング法によって金属薄膜を成膜した後、リフトオフ法によって形成することができる。あるいは、上記のようにリフトオフ法によって電極を形成するのではなく、予め所定の金属薄膜をスパッタリング法によって形成した後、パターニングによって電極を形成する方法もあるが、この方法では、電極のエッチングの際に酸化物半導体層にダメージが入るため、トランジスタ特性が低下する。そこで、このような問題を回避するために酸化物半導体層の上に予め保護膜を形成した後、電極を形成し、パターニングする方法も採用されており、後記する実施例では、この方法を採用した。次に、酸化物半導体層4の上に保護膜絶縁膜6をCVDChemicalVaporDeposition法によって成膜する。酸化物半導体膜の表面は、CVDによるプラズマダメージによって容易に導通化してしまうおそらく酸化物半導体表面に生成される酸素欠損が電子ドナーとなるためと推察される。ため、上記問題を回避するため、後記する実施例では、保護膜の成膜前にN2Oプラズマ照射を行った。N2Oプラズマの照射条件は、下記文献に記載の条件を採用した。J.Parkら、Appl.Phys.Lett.,93,0535052008次に、常法に基づき、コンタクトホール7を介して透明導電膜8をドレイン電極5に電気的に接続する。透明導電膜およびドレイン電極の種類は特に限定されず、通常用いられるものを使用することができる。ドレイン電極としては、例えば前述したソースドレイン電極で例示したものを用いることができる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例によって制限されず、前後記の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。実施例1前述した方法に基づき、図1に示す薄膜トランジスタTFTを作製し、TFT特性およびストレス耐性を評価した。まず、ガラス基板コーニング社製イーグル2000、直径100mm×厚さ0.7mm上に、ゲート電極としてTi薄膜を100nm、およびゲート絶縁膜SiO2200nmを順次成膜した。ゲート電極は純Tiのスパッタリングターゲットを使用し、DCスパッタ法により、成膜温度:室温、成膜パワー:300W、キャリアガス:Ar、ガス圧:2mTorrにて成膜した。また、ゲート絶縁膜はプラズマCVD法を用い、キャリアガス:SiH4とN2Oの混合ガス、成膜パワー:100W、成膜温度:300°Cにて成膜した。次に、表1および表2に記載の種々の組成の酸化物IZTOX薄膜を、スパッタリングターゲット後記する。を用いてスパッタリング法によって成膜した。スパッタリングに使用した装置は株アルバック製CS-200であり、スパッタリング条件は以下のとおりである。基板温度:室温ガス圧:5mTorr酸素分圧:O2/ArO2=2膜厚:50nm使用ターゲットサイズ:φ4インチ×5mm投入パワーDC:2.55W/cm2組成の異なるIZTOの成膜に当たっては、In2O3のスパッタリングターゲットと、ZnOおよびZn/Snの比が異なるスパッタリングターゲットとを用い、RFスパッタリング法を用いて成膜した。また、ZTO従来例の成膜に当たっては、Zn:Snの比原子比が6:4の酸化物ターゲットZn-Sn-OとZnOの酸化物ターゲットを同時放電するCo-Sputter法を用いて成膜した。また、IZTO中にX群元素を含むIZTOXの酸化物薄膜の成膜にあたっては、組成の異なる二つのスパッタリングターゲットを同時放電するCo-Sputter法を用いて成膜した。このようにして得られた酸化物薄膜中の金属元素の各含有量は、XPSX-rayPhotoelectronSpectroscopy法によって分析した。上記のようにして酸化物薄膜を成膜した後、フォトリソグラフィおよびウェットエッチングによりパターニングを行った。エッチャントとしては、関東化学製ITO-07Nを使用した。本実施例では、実験を行なった酸化物薄膜について光学顕微鏡観察によりウェットエッチング性を評価した。評価結果より実験を行なった全ての組成でウェットエッチングによる残渣はなく、適切にエッチングできたことを確認している。酸化物半導体膜をパターニングした後、膜質を向上させるためプレアニール処理を行った。プレアニールは、大気中、350°Cで1時間行なった。次に、純Tiを使用し、リフトオフ法によりソースドレイン電極を形成した。具体的にはフォトレジストを用いてパターニングを行った後、Ti薄膜をDCスパッタリング法により成膜膜厚は100nmした。ソースドレイン電極用Ti薄膜の成膜方法は、前述したゲート電極の場合と同じである。次いで、アセトン中で超音波洗浄器にかけて不要なフォトレジストを除去し、TFTのチャネル長を10μm、チャネル幅を200μmとした。このようにしてソースドレイン電極を形成した後、酸化物半導体層を保護するための保護膜を形成した。保護膜として、SiO2膜厚200nmとSiN膜厚200nmの積層膜合計膜厚400nmを用いた。上記SiO2およびSiNの形成は、サムコ製PD-220NLを用い、プラズマCVD法を用いて行なった。本実施例では、N2Oガスによってプラズマ処理を行った後、SiO2、およびSiN膜を順次形成した。SiO2膜の形成にはN2O、およびN2希釈SiH4の混合ガスを用い、SiN膜の形成にはN2希釈SiH4、N2、NH3の混合ガスを用いた。いずれの場合も成膜パワーを100W、成膜温度を150°Cとした。次にフォトリソグラフィ、およびドライエッチングにより、保護膜にトランジスタ特性評価用プロービングのためのコンタクトホールを形成した。次に、DCスパッタリング法を用い、キャリアガス:アルゴンおよび酸素ガスの混合ガス、成膜パワー:200W、ガス圧:5mTorrにてITO膜膜厚80nmを成膜し、図1のTFTを作製した。このようにして得られた各TFTについて、以下の特性を評価した。1トランジスタ特性の測定トランジスタ特性ドレイン電流-ゲート電圧特性、Id-Vg特性の測定はアジレントテクノロジー株式会社製4156Cの半導体パラメータアナライザーを使用した。詳細な測定条件は以下のとおりである。本実施例では、Vg=20Vのときのオン電流Ionを算出し、Ion≧1×105Aを合格とした。ソース電圧:0Vドレイン電圧:10Vゲート電圧:-30~30V測定間隔:0.25V2しきい値電圧Vthしきい値電圧とは、おおまかにいえば、トランジスタがオフ状態ドレイン電流の低い状態からオン状態ドレイン電流の高い状態に移行する際のゲート電圧の値である。本実施例では、ドレイン電流が、オン電流とオフ電流の間の1nAを超えたときの電圧をしきい値電圧と定義し、TFT毎のしきい値電圧を測定した。Vth絶対値が5V以下のものを合格とした。3S値S値SS値は、ドレイン電流を一桁増加させるのに必要なゲート電圧の最小値とした。本実施例では、S値が1.0V/dec以下のものを合格とした。4キャリア移動度電界効果移動度キャリア移動度電界効果移動度は、以下の式を用いて飽和領域にて移動度を算出した。本実施例では、このようにして得られる飽和移動度が5cm2/Vs以上のものを合格とした。5ストレス耐性の評価ストレスとして光照射負バイアスを印加本実施例では、実際のパネル駆動時の環境ストレスを模擬して、ゲート電極に負バイアスをかけながら光を照射するストレス印加試験を行った。ストレス印加条件は以下のとおりである。光の波長としては、酸化物半導体のバンドギャップに近く、トランジスタ特性が変動し易い400nm程度を選択した。ゲート電圧:-20V基板温度:60°C光ストレス波長:400nm照度TFTに照射される光の強度:0.1μW/cm2光源:OPTOSUPPLY社製LEDNDフィルターによって光量を調整ストレス印加時間:3時間詳細には、ストレス印加前後のしきい値電圧Vthを上記の方法に基づき、測定し、その差ΔVthを測定した。本実施例では、LNBTSのΔVth絶対値が-15V以下のものを合格とした。これらの結果を表1および表2に示す。表1中、No.1~7はX群元素としてSiを、No.8~13はX群元素としてHfを、No.14~22はX群元素としてGaを;表2中、No.23~28はX群元素としてAlを、No.29~33はX群元素としてNiを、No.34~40はX群元素としてGeを、No.41~46はX群元素としてTaを、No.47~49はX群元素としてWを、No.50~57はX群元素としてNbを、それぞれ添加した例である。これらのうち、上式1~3の右辺の値がそれぞれ、上式1~3の関係を満足し、且つ、上式4の左辺の値が、上式4の関係を満足するものは、移動度を含めたTFT特性に優れており、且つ、ΔVthも所定範囲に抑制されており、ストレス耐性にも優れていた。これに対し、下記例は以下の不具合を抱えている。表1のNo.1Si添加例は、式1および式3の範囲を外れ、Sn比が大きくなった例であり、S値およびVth値が増加し、TFT特性が低下した。本発明では、TFT特性とストレス耐性の両立を図るものであり、TFT特性が悪いものはストレス耐性が良くても使用に適さないため、上記例では、ストレス耐性試験は実施しなかった表1中、ΔVthVの欄は-と記載、以下、同じ。同様に表1のNo.2Si添加例は、式2の範囲を外れ、Zn比が大きくなった例であり、移動度が急激に低下し、Vth値が大きく増加した。そのため、ストレス耐性試験は実施しなかった。表1のNo.8Hf添加例は、式1および式3の範囲を外れ、Sn比が大きくなった例であり、S値およびVth値が増加し、TFT特性が低下した。そのため、ストレス耐性試験は実施しなかった。同様に表1のNo.9Hf添加例は、式2の範囲を外れ、Zn比が大きくなった例であり、移動度が急激に低下し、Vth値が大きく増加した。そのため、ストレス耐性試験は実施しなかった。また、表1のNo.13Hf添加例は、4式の関係を満足せず、且つ、式3の範囲を満足しないため、移動度が低くなった。なお、No.13は、式3の範囲を満足しないが、Hfの添加量が比較的多い[X]比=0.10ため、ストレス耐性は合格基準のラインΔVthが-15以下を満たしていた。表1のNo.22Ga添加例は、式3の範囲を外れ、In比が大きくなった例であり、ストレス耐性が低下した。表2のNo.34Ge添加例は、式1および式3の範囲を外れ、Sn比が大きくなった例であり、S値およびVth値のTFT特性が低下した。そのため、ストレス耐性は実施しなかった。同様に表2のNo.35Ge添加例は、式2の範囲を外れ、Zn比が大きくなった例であり、移動度が急激に低下し、Vth値が大きく増加した。そのため、ストレス耐性試験は実施しなかった。また、表2のNo.40Ge添加例は、4式の関係を満足しないため、飽和移動度が低下した。表2のNo.49W添加例は、4式の関係を満足しないため、飽和移動度が低下した。表2のNo.50Nb添加例は、式1、式3、および式4の範囲を外れ、Sn比が大きくなった例であり、S値およびVth値のTFT特性が低下した。そのため、ストレス耐性は実施しなかった。同様に表2のNo.51Nb添加例は、式2の範囲を外れ、Zn比が大きくなった例であり、移動度が急激に低下し、Vth値が大きく増加した。そのため、ストレス耐性試験は実施しなかった。以上の実験結果より、本発明で規定する組成比のIZTO半導体を用いれば、従来のZTOと同様の高い移動度を維持しつつ、ストレス耐性が格段に高められた良好なTFT特性が得られることが確認された。また、ウェットエッチング加工も良好に行なわれたことから、本発明の酸化物は、アモルファス構造であると推察される。実施例2本実施例では、表1のNo.6に対応する組成の酸化物X群元素としてSiを使用、InZnSnO5.0Si;[In]:[Zn]:[Sn]=0.20:0.52:0.28を用い、スパッタリング成膜時のガス圧を1mTorr、または5mTorrに制御して得られた酸化物膜膜厚100nmの密度を測定すると共に、前述した実施例1と同様にして作成したTFTについて、移動度およびストレス試験光照射負バイアスを印加後のしきい値電圧の変化量ΔVthを調べた。膜密度の測定方法は以下のとおりである。酸化物膜の密度の測定酸化物膜の密度は、XRRX線反射率法を用いて測定した。詳細な測定条件は以下のとおりである。分析装置:株リガク製水平型X線回折装置SmartLabターゲット:Cu線源:Kα線ターゲット出力:45kV-200mA測定試料の作製ガラス基板上に各組成の酸化物を下記スパッタリング条件で成膜した膜厚100nm後、前述した実施例1のTFT製造過程におけるプレアニール処理を模擬して、当該プレアニール処理と同じ熱処理を施したしたものを使用スパッタガス圧:1mTorrまたは5mTorr酸素分圧:O2/ArO2=2成膜パワー密度:DC2.55W/cm2熱処理:大気雰囲気にて350°Cで1時間これらの結果を表3に示す。表3より、本発明で規定する要件をすべて満足する酸化物は、いずれも5.8g/cm3以上の高い密度が得られた。詳細には、ガス圧=5mTorrのときNo.2の膜密度は5.8g/cm3であったのに対し、ガス圧=1mTorrのときNo.1の膜密度は6.2g/cm3であり、ガス圧力が低くなるにつれ、より高い密度が得られた。また、膜密度の上昇に伴い、電界効果移動度が向上し、さらに、ストレス試験によるしきい値電圧シフト量ΔVthの絶対値も減少した。以上の実験結果より、酸化物膜の密度はスパッタリング成膜時のガス圧によって変化し、当該ガス圧を下げると膜密度が上昇し、これに伴って電界効果移動度も大きく増加し、ストレス試験光照射負バイアスストレスにおけるしきい値電圧シフト量ΔVthの絶対値も減少することが分かった。これは、スパッタリング成膜時のガス圧を低下させることにより、スパッタリングされた原子分子の動乱が抑えられ、膜中の欠陥が少なくなって移動度や電気伝導性が向上し、TFTの安定性が向上したためと推察される。なお、表3には、X群元素としてSiを含む表1のNo.6の酸化物を用いたときの結果を示しているが、上述した酸化物膜の密度と、TFT特性における移動度やストレス試験後のしきい値電圧変化量の関係は、上記以外の他のX群元素を含み、且つ、本発明で規定する好ましい要件を満足する他の酸化物についても同様に見られた。すなわち、上記X群元素を含み、本発明で規定する好ましい要件を満足する他の酸化物膜の密度は、いずれも、5.8g/cm3以上と高いものであった。"