"[A]同一又は異なる重合体分子中に、下記式1で表される基を有する構造単位Iとエポキシ基含有構造単位IIとを含む重合体、[B]酸発生体、並びに[C]下記式2で表される窒素含有化合物I及び下記式3で表される窒素含有化合物IIからなる群より選択される少なくとも1種の窒素含有化合物を含有するポジ型感放射線性組成物。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R1及びR2が共に水素原子である場合はない。R3は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は-MR3m3で表される基である。このMは、Si、Ge又はSnである。R3mは、それぞれ独立してアルキル基である。また、R1とR3とが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、R3で表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。式2中、R4及びR5は、それぞれ独立して水素原子、アミノ基、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数6~20のアリール基である。但し、上記アルキル基及びアリール基は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル基、スルホン基、アミド基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、アミノ基又はアミジノ基を含んでいてもよい。R6は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数4~20のシクロアルキル基又は炭素数6~20のアリール基である。但し、R4とR5とが連結して互いに結合している窒素原子と共に環構造を形成してもよい。式3中、R7及びR8は、それぞれ独立して上記R4と同義である。R9及びR10は、それぞれ独立して上記R6と同義である。Aは、炭素数1~12のアルカンジイル基又は炭素数6~20のアリーレン基である。上記式2におけるR6、並びに上記式3におけるR9及びR10からなる群より選択される少なくとも1種の基が、tert-ブチル基、tert-アミル基、1-メチルシクロヘキシル基又は1-エチルシクロヘキシル基である請求項1に記載のポジ型感放射線性組成物。[C]窒素含有化合物の含有量が、[A]重合体100質量部に対して2質量部以上30質量部以下である請求項1に記載のポジ型感放射線性組成物。表示素子用層間絶縁膜の形成に用いられる請求項1に記載のポジ型感放射線性組成物。1請求項4に記載のポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、2上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、3上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び4上記現像された塗膜を加熱する工程を有する表示素子用層間絶縁膜の形成方法。請求項4に記載のポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は表面硬度及び耐熱性に優れ、一般的な要求特性である透過率及び電圧保持率も満足する表示素子用層間絶縁膜を形成可能であり、かつ保存安定性に優れ、充分な放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜、並びにその形成方法を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]同一又は異なる重合体分子中に、下記式1で表される基を有する構造単位Iとエポキシ基含有構造単位IIとを含む重合体以下、[A]重合体とも称する、[B]酸発生体、並びに[C]下記式2で表される窒素含有化合物I及び下記式3で表される窒素含有化合物IIからなる群より選択される少なくとも1種の窒素含有化合物以下、[C]窒素含有化合物とも称するを含有するポジ型感放射線性組成物である。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R1及びR2が共に水素原子である場合はない。R3は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は-MR3m3で表される基である。このMは、Si、Ge又はSnである。R3mは、それぞれ独立してアルキル基である。また、R1とR3とが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、R3で表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。式2中、R4及びR5は、それぞれ独立して水素原子、アミノ基、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数6~20のアリール基である。但し、上記アルキル基及びアリール基は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル基、スルホン基、アミド基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、アミノ基又はアミジノ基を含んでいてもよい。R6は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数4~20のシクロアルキル基又は炭素数6~20のアリール基である。但し、R4とR5とが連結して互いに結合している窒素原子と共に環構造を形成してもよい。式3中、R7及びR8は、それぞれ独立して上記R4と同義である。R9及びR10は、それぞれ独立して上記R6と同義である。Aは、炭素数1~12のアルカンジイル基又は炭素数6~20のアリーレン基である。当該ポジ型感放射線性組成物では、アミン化合物として、窒素原子部分に保護基を導入してカルバメート構造とした特定の[C]窒素含有化合物を用いているので、保存時では[C]窒素含有化合物の反応性を抑制可能であり、当該組成物の保存安定性を向上させることができる。また、[C]窒素含有化合物の保護形態として特定のカルバメート構造を採用することで、酸解離性基としての上記式1で表される基の酸による解離のための活性化エネルギーより脱保護のための活性化エネルギーを高くしている。その結果、[C]窒素含有化合物は、露光時に[B]酸発生体から生じた酸によっては脱保護されず、現像後のポストベーク時の熱とその熱により[B]酸発生体から生じた酸との協働作用により脱保護されることになる。従って、当該ポジ型感放射線性組成物では、露光から現像までの一連の工程でポジ型の感放射線特性を発揮することができると共に、ポストベーク時に脱保護された[C]窒素含有化合物によってエポキシ基の架橋反応を充分進行させることができ、優れた表面硬度及び耐熱性を有する層間絶縁膜としての硬化膜を形成することができる。上記式2におけるR6、並びに上記式3におけるR9及びR10からなる群より選択される少なくとも1種の基は、tert-ブチル基、tert-アミル基、1-メチルシクロヘキシル基又は1-エチルシクロヘキシル基であることが好ましい。これにより、[C]窒素含有化合物の反応性制御が容易となると共に、[C]窒素含有化合物の脱保護のための活性化エネルギーが適度になって、露光時の酸発生体からの酸に対する保護機能と、ポストベーク時の熱及び酸による脱保護能とをバランスよく発揮することができる。[C]窒素含有化合物の含有量は、[A]重合体100質量部に対して2質量部以上30質量部以下であることが好ましい。[C]窒素含有化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、エポキシ基の架橋反応を充分進行させることができ、かつ過剰量による予期しないエポキシ基との副反応を防止して、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及び保存安定性の低下、並びに得られる硬化膜の透過率及び電圧保持率の低下を防止することができる。当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該ポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、1当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、2上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、3上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び4上記現像された塗膜を加熱する工程を有する。当該ポジ型感放射線性組成物を用いる本発明の形成方法により、表面硬度及び耐熱性に優れ、透過率及び電圧保持率を充分に満足する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。以上説明したように、本発明のポジ型感放射線性組成物は、[A]重合体、[B]酸発生体及び[C]窒素含有化合物を含んでいることによって、透過率及び電圧保持率という一般的な要求特性をバランス良く満たすと共に、優れた表面硬度及び耐熱性を有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。また、当該ポジ型感放射線性組成物は、優れた保存安定性を有し、かつ充分な放射線感度を発現する。<ポジ型感放射線性組成物>本発明のポジ型感放射線性組成物は、[A]重合体、[B]酸発生体及び[C]窒素含有化合物を含有する。また、当該ポジ型感放射線性組成物は好適成分として、[D]界面活性剤及び[E]密着助剤を含有してもよい。さらに、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分を詳述する。<[A]重合体>[A]重合体は、同一又は異なる重合体分子中に、構造単位Iとエポキシ基含有構造単位IIとを含んでいる。また、必要に応じてその他の構造単位を含んでいてもよい。構造単位I及びエポキシ基含有構造単位IIを含む[A]重合体の態様としては特に限定されず、例えばi同一の重合体分子中に構造単位I及びエポキシ基含有構造単位IIの両方を含んでおり、[A]重合体中に1種の重合体分子が存在する場合;ii一の重合体分子中に構造単位Iを含み、それとは異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位IIを含んでおり、[A]重合体中に2種の重合体分子が存在する場合;iii一の重合体分子中に構造単位I及びエポキシ基含有構造単位IIの両方を含むと共に、それとは異なる重合体分子中に構造単位Iを含み、これらとはさらに異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位IIを含んでおり、[A]重合体中に3種の重合体分子が存在する場合;ivi~iiiに規定の重合体分子に加え、[A]重合体中にさらに別の1種又は2種以上の重合体分子を含む場合等が挙げられる。上記いずれの場合であっても本発明の効果を享受することができる。なお、[A]重合体は、各構造単位を2種以上含んでいてもよい。以下、各構造単位を詳述する。[構造単位I]構造単位Iでは、上記式1で表される基が、酸の存在下で解離して極性基を生じる基酸解離性基として存在しているので、放射線の照射により酸発生体から生じた酸により酸解離性基が解離し、その結果、アルカリ不溶性であった[A]重合体はアルカリ可溶性となる。上記酸解離性基は、アルカリに対しては比較的安定なアセタール構造又はケタール構造を有しており、これらが酸の作用によって解離することとなる。上記式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R1及びR2が共に水素原子である場合はない。R3は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は-MR3m3で表される基である。このMは、Si、Ge又はSnである。R3mは、それぞれ独立してアルキル基である。また、R1とR3とが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、R3で表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。上記R1及びR2で表されるアルキル基としては、例えば炭素数1~30の直鎖状及び分岐状のアルキル基等が挙げられる。このアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。上記炭素数1~30の直鎖状及び分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ドデシル基、n-テトラデシル基、n-オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、ネオペンチル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等が挙げられる。上記R1及びR2で表されるシクロアルキル基としては、例えば炭素数3~20のシクロアルキル基等が挙げられる。また、この炭素数3~20のシクロアルキル基は、多環でもよく、環内に酸素原子を有していてもよい。上記炭素数3~20のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。上記R1及びR2で表されるアリール基としては、例えば炭素数6~14のアリール基等が挙げられる。上記炭素数6~14のアリール基は、単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよい。上記炭素数6~14のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。上記R1及びR2で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、カルボニル基、シクロアルキル基例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等、アリール基例えばフェニル基、ナフチル基等、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数1~20のアルコキシ基等、アシル基例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、i-ブチリル基等の炭素数2~20のアシル基等、アシロキシ基例えば、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、t-ブチリルオキシ基、t-アミリルオキシ基等の炭素数2~10のアシロキシ基等、アルコキシカルボニル基例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等の炭素数2~20のアルコキシカルボニル基、ハロアルキル基例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ドデシル基、n-テトラデシル基、n-オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、ネオペンチル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換された基等等が挙げられる。上記R3で表されるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基としては、例えば上記R1及びR2で例示した基が適用できる。これらの基の置換基としては、例えば上記R1及びR2で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基として例示した基が適用できる。上記R3で表されるアラルキル基としては、例えば炭素数7~20のアラルキル基等が挙げられる。上記炭素数7~20のアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。上記-MR3m3で表される基としては、例えばトリメチルシラニル基、トリメチルゲルミル基等が挙げられる。このR3で表されるアラルキル基又は-MR3m3で表される基の水素原子の一部又は全部を置換していてもよい置換基としては、上記置換基を好適に採用することができる。この基の置換基としては、例えば上記R1及びR2で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基として例示した基が適用できる。上記R1とR3とが連結して形成してもよい環状エーテル構造を有する基としては、例えば2,2-オキセタンジイル基、2,2-テトラヒドロフランジイル基、2-テトラヒドロピランジイル基、2-ジオキサンジイル基等が挙げられる。構造単位Iは、他の炭素原子に結合することによりアセタール構造又はケタール構造を有することとなるべき官能基を有することにより、そのアセタール構造又はケタール構造を持つことができる。上記他の炭素原子に結合することによりアセタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば1-メトキシエトキシ基、1-エトキシエトキシ基、1-n-プロポキシエトキシ基、1-i-プロポキシエトキシ基、1-n-ブトキシエトキシ基、1-i-ブトキシエトキシ基、1-sec-ブトキシエトキシ基、1-t-ブトキシエトキシ基、1-シクロペンチルオキシエトキシ基、1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-ノルボルニルオキシエトキシ基、1-ボルニルオキシエトキシ基、1-フェニルオキシエトキシ基、1-1-ナフチルオキシエトキシ基、1-ベンジルオキシエトキシ基、1-フェネチルオキシエトキシ基、シクロヘキシルメトキシメトキシ基、シクロヘキシルエトキシメトキシ基、シクロヘキシルn-プロポキシメトキシ基、シクロヘキシルi-プロポキシメトキシ基、シクロヘキシルシクロヘキシルオキシメトキシ基、シクロヘキシルフェノキシメトキシ基、シクロヘキシルベンジルオキシメトキシ基、フェニルメトキシメトキシ基、フェニルエトキシメトキシ基、フェニルn-プロポキシメトキシ基、フェニルi-プロポキシメトキシ基、フェニルシクロヘキシルオキシメトキシ基、フェニルフェノキシメトキシ基、フェニルベンジルオキシメトキシ基、ベンジルメトキシメトキシ基、ベンジルエトキシメトキシ基、ベンジルn-プロポキシメトキシ基、ベンジルi-プロポキシメトキシ基、ベンジルシクロヘキシルオキシメトキシ基、ベンジルフェノキシメトキシ基、ベンジルベンジルオキシメトキシ基、2-テトラヒドロフラニルオキシ基、2-テトラヒドロピラニルオキシ基、1-トリメチルシラニルオキシエトキシ基、1-トリメチルゲルミルオキシエトキシ基等が挙げられる。これらのうち、1-エトキシエトキシ基、1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、2-テトラヒドロピラニルオキシ基、1-n-プロポキシエトキシ基、2-テトラヒドロピラニルオキシ基が好ましい。上記他の炭素原子に結合することにより、ケタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば1-メチル-1-メトキシエトキシ基、1-メチル-1-エトキシエトキシ基、1-メチル-1-n-プロポキシエトキシ基、1-メチル-1-i-プロポキシエトキシ基、1-メチル-1-n-ブトキシエトキシ基、1-メチル-1-i-ブトキシエトキシ基、1-メチル-1-sec-ブトキシエトキシ基、1-メチル-1-t-ブトキシエトキシ基、1-メチル-1-シクロペンチルオキシエトキシ基、1-メチル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-メチル-1-ノルボルニルオキシエトキシ基、1-メチル-1-ボルニルオキシエトキシ基、1-メチル-1-フェニルオキシエトキシ基、1-メチル-1-1-ナフチルオキシエトキシ基、1-メチル-1-ベンジルオオキシエトキシ基、1-メチル-1-フェネチルオキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-メトキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-エトキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-n-プロポキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-i-プロポキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-フェノキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-ベンジルオキシエトキシ基、1-フェニル-1-メトキシエトキシ基、1-フェニル-1-エトキシエトキシ基、1-フェニル-1-n-プロポキシエトキシ基、1-フェニル-1-i-プロポキシエトキシ基、1-フェニル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-フェニル-1-フェニルオキシエトキシ基、1-フェニル-1-ベンジルオキシエトキシ基、1-ベンジル-1-メトキシエトキシ基、1-ベンジル-1-エトキシエトキシ基、1-ベンジル-1-n-プロポキシエトキシ基、1-ベンジル-1-i-プロポキシエトキシ基、1-ベンジル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-ベンジル-1-フェニルオキシエトキシ基、1-ベンジル-1-ベンジルオキシエトキシ基、2-2-メチル-テトラヒドロフラニルオキシ基、2-2-メチル-テトラヒドロピラニルオキシ基、1-メトキシ-シクロペンチルオキシ基、1-メトキシ-シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。これらのうち、1-メチル-1-メトキシエトキシ基、1-メチル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基が好ましい。上記アセタール構造又はケタール構造を有する構造単位Iとしては、例えば下記式1-1~1-3で表される構造単位等が挙げられる。上記式1-1~1-3中、R’は、水素原子又はメチル基である。R1、R2及びR3は、上記式1と同義である。上記式1-1~1-3で表される構造単位Iを与える単量体としては、例えば1-アルコキシアルキルメタアクリレート、1-シクロアルキルオキシアルキルメタアクリレート、1-ハロアルコキシアルキルメタアクリレート、1-アラルキルオキシアルキルメタアクリレート、テトラヒドロピラニルメタアクリレート等のメタアクリレート系アセタール構造含有単量体;2,3-ジ1-トリアルキルシラニルオキシアルコキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-トリアルキルゲルミルオキシアルコキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-アルコキシアルコキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-シクロアルキルオキシアルコキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-アラルキルオキシアルコキシカルボニル-5-ノルボルネン等のノルボルネン系アセタール構造含有単量体;1-アルコキシアルコキシスチレン、1-ハロアルコキシアルコキシスチレン、1-アラルキルオキシアルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレン等のスチレン系アセタール構造含有単量体が挙げられる。これらのうち、1-アルコキシアルキルメタアクリレート、テトラヒドロピラニルメタアクリレート、1-アルコキシアルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレンが好ましく、1-アルコキシアルキルメタアクリレートがより好ましい。上記式1-1~1-3で表される構造単位Iを与える具体的な単量体としては、例えば1-エトキシエチルメタクリレート、1-メトキシエチルメタクリレート、1-n-ブトキシエチルメタクリレート、1-イソブトキシエチルメタクリレート、1-t-ブトキシエチルメタクリレート、1-2-クロルエトキシエチルメタクリレート、1-2-エチルヘキシルオキシエチルメタクリレート、1-n-プロポキシエチルメタクリレート、1-シクロヘキシルオキシエチルメタクリレート、1-2-シクロヘキシルエトキシエチルメタクリレート、1-ベンジルオキシエチルメタクリレート、2-テトラヒドロピラニルメタクリレート等のメタクリレート系アセタール構造含有単量体;1-エトキシエチルアクリレート、1-メトキシエチルアクリレート、1-n-ブトキシエチルアクリレート、1-イソブトキシエチルアクリレート、1-t-ブトキシエチルアクリレート、1-2-クロルエトキシエチルアクリレート、1-2-エチルヘキシルオキシエチルアクリレート、1-n-プロポキシエチルアクリレート、1-シクロヘキシルオキシエチルアクリレート、1-2-シクロヘキシルエトキシエチルアクリレート、1-ベンジルオキシエチルアクリレート、2-テトラヒドロピラニルアクリレート等のアクリレート系アセタール構造含有単量体;2,3-ジ1-トリメチルシラニルオキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-トリメチルゲルミルオキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-メトキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-ベンジルオキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン等のノルボルネン系アセタール構造含有単量体;p又はm-1-エトキシエトキシスチレン、p又はm-1-メトキシエトキシスチレン、p又はm-1-n-ブトキシエトキシスチレン、p又はm-1-イソブトキシエトキシスチレン、p又はm-1-1,1-ジメチルエトキシエトキシスチレン、p又はm-1-2-クロルエトキシエトキシスチレン、p又はm-1-2-エチルヘキシルオキシエトキシスチレン、p又はm-1-n-プロポキシエトキシスチレン、p又はm-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、p又はm-1-2-シクロヘキシルエトキシエトキシスチレン、p又はm-1-ベンジルオキシエトキシスチレン等のスチレン系アセタール構造含有単量体等が挙げられる。なお、これらの単量体は単独又は2種以上を使用することができる。これらのうち構造単位Iを与える単量体としては、1-エトキシエチルメタクリレート、1-n-ブトキシエチルメタクリレート、2-テトラヒドロピラニルメタクリレート、1-ベンジルオキシエチルメタクリレートが好ましい。構造単位Iを与える単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、上記式1-1で表される構造単位Iを与える単量体は、下記式に示すようにメタアクリル酸を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させることにより合成することができる。上記式中、R’、R1及びR3は、上記式1-1と同義である。R21及びR22は、-CHR21R22として、上記式1-1におけるR2と同義である。[A]重合体における構造単位Iの含有量としては、[A]重合体が酸によりアルカリ可溶性を示し、硬化膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位Iとエポキシ基含有構造単位IIとを両方含む場合、[A]重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、5質量以上70質量以下が好ましく、10質量以上60質量以下がより好ましく、20質量以上50質量以下が特に好ましい。一方、一の重合体分子に構造単位Iを含み、かつこれとは異なる重合体分子にエポキシ基含有構造単位IIを含む場合、構造単位Iを有するその一の重合体分子における構造単位Iの含有量としては、その重合体分子に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、40質量以上99質量以下が好ましく、50質量以上98質量以下がより好ましく、55質量以上95質量以下が特に好ましい。[エポキシ基含有構造単位II]エポキシ基含有構造単位IIとしては、エポキシ基含有単量体に由来する構造単位であれば特に限定されない。[A]重合体が分子中にエポキシ基含有構造単位IIを含むことで、当該ポジ型感放射線性組成物から得られる硬化膜の表面硬度及び耐熱性をさらに高めることができる。なお、本明細書のエポキシ基とは、オキシラニル基1,2-エポキシ構造及びオキセタニル基1,3-エポキシ構造を含む概念である。エポキシ基含有構造単位IIを与える単量体としては、例えばメタアクリル酸グリシジル、メタアクリル酸3,4-エポキシブチル、アクリル酸3-メチル-3,4-エポキシブチル、メタクリル酸3-エチル-3,4-エポキシブチル、メタアクリル酸5,6-エポキシヘキシル、メタクリル酸5-メチル-5,6-エポキシヘキシル、メタクリル酸5-エチル-5,6-エポキシヘキシル、メタアクリル酸6,7-エポキシヘプチル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロへキシル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルメチル、メタアクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルエチル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルプロピル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルブチル、メタアクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルヘキシル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルメチル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルエチル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルプロピル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルブチル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルヘキシル等のオキシラニル基含有メタアクリル系化合物;o-ビニルベンジルグリシジルエーテル、m-ビニルベンジルグリシジルエーテル、p-ビニルベンジルグリシジルエーテル、α-メチル-o-ビニルベンジルグリシジルエーテル、α-メチル-m-ビニルベンジルグリシジルエーテル、α-メチル-p-ビニルベンジルグリシジルエーテル等のビニルベンジルグリシジルエーテル類;o-ビニルフェニルグリシジルエーテル、m-ビニルフェニルグリシジルエーテル、p-ビニルフェニルグリシジルエーテル等のビニルフェニルグリシジルエーテル類;3-アクリロイルオキシメチルオキセタン、3-アクリロイルオキシメチル-3-メチルオキセタン、3-アクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、3-アクリロイルオキシメチル-3-フェニルオキセタン、3-2-アクリロイルオキシエチルオキセタン、3-2-アクリロイルオキシエチル-3-エチルオキセタン、3-2-アクリロイルオキシエチル-3-エチルオキセタン、3-2-アクリロイルオキシエチル-3-フェニルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチル-3-メチルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチル-3-フェニルオキセタン、3-2-メタクリロイルオキシエチルオキセタン、3-2-メタクリロイルオキシエチル-3-エチルオキセタン、3-2-メタクリロイルオキシエチル-3-エチルオキセタン、3-2-メタクリロイルオキシエチル-3-フェニルオキセタン、2-アクリロイルオキシメチルオキセタン、2-アクリロイルオキシメチル-2-メチルオキセタン、2-アクリロイルオキシメチル-2-エチルオキセタン、2-アクリロイルオキシメチル-2-フェニルオキセタン、2-2-アクリロイルオキシエチルオキセタン、2-2-アクリロイルオキシエチル-2-エチルオキセタン、2-2-アクリロイルオキシエチル-2-エチルオキセタン、2-2-アクリロイルオキシエチル-2-フェニルオキセタン、2-メタクリロイルオキシメチルオキセタン、2-メタクリロイルオキシメチル-2-メチルオキセタン、2-メタクリロイルオキシメチル-2-エチルオキセタン、2-メタクリロイルオキシメチル-2-フェニルオキセタン、2-2-メタクリロイルオキシエチルオキセタン、2-2-メタクリロイルオキシエチル-2-エチルオキセタン、2-2-メタクリロイルオキシエチル-2-エチルオキセタン、2-2-メタクリロイルオキシエチル-2-フェニルオキセタン等のオキセタニル基含有メタアクリル系化合物等が挙げられる。これらの単量体のうち、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸-2-メチルグリシジル、メタクリル酸-3,4-エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸-3,4-エポキシシクロヘキシルメチル、3-メタクリロイルオキシメチル-3-メチルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタンが他の単量体との共重合反応性、及びポジ型感放射線性組成物の現像性の観点から好ましい。[A]重合体におけるエポキシ基含有構造単位IIの含有量としては、表示素子用層間絶縁膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位Iとエポキシ基含有構造単位IIとを含む場合、[A]重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、10質量以上60質量以下が好ましく、15質量以上55質量以下がより好ましく、20質量以上50質量以下が特に好ましい。一方、一の重合体分子に構造単位Iを有し、かつ他の重合体分子にエポキシ基含有構造単位IIを含む場合、エポキシ基含有構造単位IIを含む他の重合体分子に含まれる全構造単位に対するエポキシ基含有構造単位IIの含有量としては、単量体仕込み比で、20質量以上80質量以下が好ましく、30質量以上70質量以下がより好ましく、35質量以上65質量以下が特に好ましい。[その他の構造単位][A]重合体は、本発明の効果を損なわない範囲において、構造単位I及び構造単位II以外のその他の構造単位を含んでいてもよい。その他の構造単位を与える単量体としては、カルボキシル基又はその誘導体、水酸基を有する単量体等が挙げられる。上記カルボキシル基又はその誘導体を有する単量体としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2-アクリロイルオキシエチルコハク酸、2-メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2-アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2-メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のモノカルボン酸;マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等のジカルボン酸;上記ジカルボン酸の酸無水物等が挙げられる。上記水酸基を有する単量体としては、例えばアクリル酸-2-ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸-3-ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸-4-ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸-4-ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルエステル等のアクリル酸ヒドロキシアルキルエステル;メタクリル酸-2-ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸-3-ヒドロキシプロピルエステル、メタクリル酸-4-ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸-5-ヒドロキシペンチルエステル、メタクリル酸-6-ヒドロキシヘキシルエステル、メタクリル酸-4-ヒドロキシメチル-シクロヘキシルメチルエステル等のメタクリル酸ヒドロキシアルキルエステル等が挙げられる。これらの水酸基を有する単量体のうち、その他の単量体との共重合反応性及び得られる表示素子用層間絶縁膜の耐熱性の観点から、アクリル酸-2-ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸-3-ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸-4-ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸-2-ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸-4-ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸-4-ヒドロキシメチル-シクロヘキシルメチルエステル、メタクリル酸-4-ヒドロキシメチル-シクロヘキシルメチルエステルが好ましい。その他の単量体としては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸i-プロピル等のアクリル酸アルキルエステル;メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n-ブチル、メタクリル酸sec-ブチル、メタクリル酸t-ブチル等のメタクリル酸アルキルエステル;アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸-2-メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル、アクリル酸-2-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルオキシエチル、アクリル酸イソボルニル等のアクリル酸脂環式アルキルエステル;メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸-2-メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル、メタクリル酸-2-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルオキシエチル、メタクリル酸イソボルニル等のメタクリル酸脂環式アルキルエステル;アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸のアリールエステル及びアクリル酸のアラルキルエステル;メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等のメタクリル酸のアリールエステル及びメタクリル酸のアラルキルエステル;マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等のジカルボン酸ジアルキルエステル;メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、メタクリル酸テトラヒドロフリル、メタクリル酸テトラヒドロピラン-2-メチル等の酸素1原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル及び不飽和複素六員環メタクリル酸エステル;4-メタクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-メタクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-イソブチル-1,3-ジオキソラン、4-メタクリロイルオキシメチル-2-シクロヘキシル-1,3-ジオキソラン、4-メタクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-メタクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-イソブチル-1,3-ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル;4-アクリロイルオキシメチル-2,2-ジメチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2、2-ジエチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-イソブチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2-シクロペンチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2-シクロヘキシル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシエチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシプロピル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシブチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環アクリル酸エステル;スチレン、α-メチルスチレン、m-メチルスチレン、p-メチルスチレン、p-メトキシスチレン、4-イソプロペニルフェノール等のビニル芳香族化合物;N-フェニルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド、N-ベンジルマレイミド、N-スクシンイミジル-3-マレイミドベンゾエート、N-スクシンイミジル-4-マレイミドブチレート、N-スクシンイミジル-6-マレイミドカプロエート、N-スクシンイミジル-3-マレイミドプロピオネート、N-9-アクリジニルマレイミド等のN位置換マレイミド;1,3-ブタジエン、イソプレン、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン等の共役ジエン系化合物;アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル等のその他の不飽和化合物が挙げられる。これらのその他の単量体のうち、スチレン、4-イソプロペニルフェノール、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、1,3-ブタジエン、4-アクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、N-シクロヘキシルマレイミド、N-フェニルマレイミド、メタクリル酸ベンジルが、上記の反応官能基を有する単量体との共重合反応性、及び当該ポジ型感放射線性組成物の現像性の点で好ましい。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwとしては、好ましくは2.0×103~1.0×105、より好ましくは5.0×103~5.0×104である。[A]重合体のMwを上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感放射線性組成物の感度及びアルカリ現像性を高めることができる。[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnとしては、好ましくは2.0×103~1.0×105、より好ましくは5.0×103~5.0×104である。[A]重合体のMnを上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。[A]重合体の分子量分布Mw/Mnとしては、好ましくは3.0以下、より好ましくは2.6以下である。[A]重合体のMw/Mnを3.0以下とすることで、得られる表示素子用層間絶縁膜の現像性を高めることができる。[A]重合体を含む当該ポジ型感放射線性組成物は、現像する際に現像残りを生じることなく容易に所望のパターン形状を形成することができる。なお、本明細書のMw及びMnは、下記の条件によるGPCにより測定した。装置:GPC-101昭和電工製カラム:GPC-KF-801、GPC-KF-802、GPC-KF-803及びGPC-KF-804を結合移動相:テトラヒドロフランカラム温度:40°C流速:1.0mL/分試料濃度:1.0質量試料注入量:100μL検出器:示差屈折計標準物質:単分散ポリスチレン<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、上記各構造単位を与える単量体のラジカル共重合により合成できる。例えば、同一の重合体分子に構造単位I及びエポキシ基含有構造単位IIの両方を含む[A]重合体を合成する場合は、構造単位Iを与える単量体とエポキシ基含有構造単位IIを与える単量体とを含む混合物を用いて共重合させればよい。一方、一の重合体分子に構造単位Iを有し、かつそれとは異なる重合体分子にエポキシ基含有構造単位IIを有する[A]重合体を合成する場合は、構造単位Iを与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させて構造単位Iを有する重合体分子を得ておき、別途エポキシ基含有構造単位IIを与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させてエポキシ基含有構造単位IIを有する重合体分子を得て、最後に両者を混合して[A]重合体とすればよい。[A]重合体の重合反応に用いられる溶媒としては、例えば後述する当該組成物の調製の項において例示した溶媒が挙げられる。重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できるが、例えば2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス-4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオン酸メチル等のアゾ化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t-ブチルペルオキシピバレート、1,1’-ビス-t-ブチルペルオキシシクロヘキサン等の有機過酸化物;過酸化水素等が挙げられる。[A]重合体の重合反応においては、分子量を調整するために分子量調整剤を使用することもできる。分子量調整剤としては、例えばクロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;n-ヘキシルメルカプタン、n-オクチルメルカプタン、n-ドデシルメルカプタン、t-ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;ターピノーレン、α-メチルスチレンダイマー等が挙げられる。<[B]酸発生体>[B]酸発生体は、放射線の照射によっても熱の付与によっても酸を発生する化合物である。放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用できる。当該ポジ型感放射線性組成物が、酸解離性基を有する[A]重合体と[B]酸発生体を含有することで、当該ポジ型感放射線性組成物はポジ型の感放射線特性を発揮することができる。[B]酸発生体の当該ポジ型感放射線性組成物における含有形態としては、後述するような化合物の形態以下、適宜[B]酸発生剤とも称するでも、[A]重合体又は他の重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。なお、放射線の照射又は熱の付与のいずれによって酸発生体から酸を発生させるかは、露光前のプレベーク時の温度、照射線の照射量、ポストベーク時の温度等を調整することにより決めることができるが、[B]酸発生体としては、露光時の放射線の照射により酸を発生し、かつポストベーク時の熱によって酸を発生するものが好ましい。このような[B]酸発生体を用いることで、当該ポジ型感放射線性組成物はポジ型の感放射線特性を発揮することができると共に、ポストベーク時に[C]窒素含有化合物を脱保護してエポキシ基の架橋反応を充分に進行させることができる。[B]酸発生剤としては、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、キノンジアジド化合物等が挙げられる。なお、これらの[B]酸発生剤はそれぞれを単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。[オキシムスルホネート化合物]オキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式4で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物等が挙げられる。上記式4中、RB1は、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基である。但し、これらの基は水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。上記RB1で表される直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。上記炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数1~10のアルコキシ基、7,7-ジメチル-2-オキソノルボルニル基等の有橋式脂環基を含む脂環式基等が挙げられる。なお、好ましい脂環式基としては、ビシクロアルキル基である。上記RB1で表されるアリール基としては、炭素数6~11のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。上記アリール基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。上記式4で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば下記式5で表されるオキシムスルホネート化合物等が挙げられる。上記式5中、RB1は、上記式4と同義である。Xは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子である。mは、0~3の整数である。但し、Xが複数の場合、複数のXは同一であっても異なっていてもよい。上記Xで表され得るアルキル基としては、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。上記Xで表されるアルコキシ基としては、炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が好ましい。上記Xで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい。mとしては、0又は1が好ましい。上記式5においては、mが1であり、Xがメチル基であり、Xの置換位置がオルトである化合物が好ましい。上記式5で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式5-1~5-5でそれぞれ表される化合物等が挙げられる。上記化合物5-15-プロピルスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリル、化合物5-25-オクチルスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリル、化合物5-3カンファースルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリル、化合物5-45-p-トルエンスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリル及び化合物5-55-オクチルスルフォニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリルは、市販品として入手できる。[オニウム塩]オニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等が挙げられる。ジフェニルヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム-p-トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス2,6-ジフルオロフェニルボレート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-p-トルエンスルホナート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。トリフェニルスルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム-p-トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス2、6-ジフルオロフェニルボレート等が挙げられる。スルホニウム塩としては、例えばアルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等が挙げられる。アルキルスルホニウム塩としては、例えば4-アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル-4-ベンジルオキシカルボニルオキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル-4-ベンゾイルオキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル-4-ベンゾイルオキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル-3-クロロ-4-アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。ベンジルスルホニウム塩としては、例えばベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-4-メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-2-メチル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-3-クロロ-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4-メトキシベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。ジベンジルスルホニウム塩としては、例えばジベンジル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル-4-メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル-3-クロロ-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル-3-メチル-4-ヒドロキシ-5-t-ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-4-メトキシベンジル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えばp-クロロベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p-ニトロベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p-クロロベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、p-ニトロベンジル-3-メチル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,5-ジクロロベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、o-クロロベンジル-3-クロロ-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば3-ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3-ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、3-ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、3-p-メトキシベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3-ベンジル-2-メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3-ベンジル-5-クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば4,7-ジ-n-ブトキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム-1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム-2-5-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム-2-6-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。[スルホンイミド化合物]スルホンイミド化合物としては、例えばN-トリフルオロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N-カンファスルホニルオキシスクシンイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシスクシンイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシスクシンイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシスクシンイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシフタルイミド、N-カンファスルホニルオキシフタルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシフタルイミド、N-2-フルオロフェニルスルホニルオキシフタルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-カンファスルホニルオキシジフェニルマレイミド、4-メチルフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-フェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-ノナフルオロブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-カンファスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-カンファスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-カンファスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-カンファスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-フェニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ペンタフルオロエチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ノナフルオロブチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-エチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-プロピルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ブチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ペンチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ヘキシルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ヘプチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-オクチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ノニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド等が挙げられる。[キノンジアジド化合物]キノンジアジド化合物は放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物である。キノンジアジド化合物としては、フェノール性化合物又はアルコール性化合物以下、母核とも称すると1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物を用いることができる。上記母核としては、例えばトリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ポリヒドロキシフェニルアルカン、その他の母核等が挙げられる。トリヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6-トリヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。テトラヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’-テトラヒドロキシ-4’-メチルベンゾフェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシ-3’-メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。ペンタヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,3,4,2’,6’-ペンタヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,4,6,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、3,4,5,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。ポリヒドロキシフェニルアルカンとしては、例えばビス2,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビスp-ヒドロキシフェニルメタン、トリスp-ヒドロキシフェニルメタン、1,1,1-トリスp-ヒドロキシフェニルエタン、ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメタン、2,2-ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルプロパン、1,1,3-トリス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-3-フェニルプロパン、4,4’-1-4-1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチルフェニルエチリデンビスフェノール、ビス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、3,3,3’,3’-テトラメチル-1,1’-スピロビインデン-5,6,7,5’,6’,7’-ヘキサノール、2,2,4-トリメチル-7,2’,4’-トリヒドロキシフラバン等が挙げられる。その他の母核として、例えば2-メチル-2-2,4-ジヒドロキシフェニル-4-4-ヒドロキシフェニル-7-ヒドロキシクロマン、1-[1-3-{1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル}-4,6-ジヒドロキシフェニル-1-メチルエチル]-3-1-3-{1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル}-4,6-ジヒドロキシフェニル-1-メチルエチルベンゼン、4,6-ビス{1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル}-1,3-ジヒドロキシベンゼンが挙げられる。これらの母核のうち、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、1,1,1-トリp-ヒドロキシフェニルエタン、4,4’-1-4-1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチルフェニルエチリデンビスフェノールが好ましい。1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましい。1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドとしては、例えば1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸クロリド、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリド等が挙げられる。これらのうち、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリドが好ましい。フェノール性化合物又はアルコール性化合物と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物としては、1,1,1-トリp-ヒドロキシフェニルエタンと1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリドとの縮合物、4,4’-1-4-1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチルフェニルエチリデンビスフェノールと1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリドとの縮合物が好ましい。フェノール性化合物又はアルコール性化合物母核と、1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合反応では、フェノール性化合物又はアルコール性化合物中のOH基数に対して、好ましくは30モル~85モル、より好ましくは50モル~70モルに相当する1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。縮合反応は、公知の方法によって実施することができる。また、キノンジアジド化合物としては、上記例示した母核のエステル結合をアミド結合に変更した1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド類、例えば2,3,4-トリアミノベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸アミド等も好適に使用される。[B]酸発生剤としては、感度及び溶解性の観点から、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩が好ましい。オキシムスルホネート化合物としては、上記式4で表される化合物が好ましく、上記式5で表される化合物がより好ましく、市販品として入手可能な、上記式5-1~5-5で表される化合物が特に好ましい。オニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩が好ましく、4,7-ジ-n-ブトキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、ベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートがより好ましい。当該組成物における[B]酸発生体の含有量としては、[B]酸発生体が[B]酸発生剤である場合として、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは1質量部~20質量部、より好ましくは1質量部~10質量部である。[B]酸発生体の含有量を上記特定範囲とすることで、現像液となるアルカリ水溶液に対する放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差が大きく、パターニング性能が良好となり、また得られる表示素子用層間絶縁膜の耐熱性も良好となる。<[C]窒素含有化合物>[C]窒素含有化合物は、露光時に[B]酸発生体から生じた酸では脱保護されず、ポストベーク時の熱及びこの熱により酸発生体から生じた酸の協働作用により脱保護されるアミン化合物である。この[C]窒素含有化合物のポストベーク時の脱保護により、アミン化合物としての反応性を発揮して、エポキシ基の架橋反応を充分に進行させ、その結果、表面硬度及び耐熱性に優れる表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。[C]窒素含有化合物は、上記式2で表される窒素含有化合物I及び上記式3で表される窒素含有化合物IIからなる群より選択される少なくとも1種の窒素含有化合物である。以下、各化合物を詳述する。[窒素含有化合物I]上記式2中、R4及びR5は、それぞれ独立して水素原子、アミノ基、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数6~20のアリール基である。但し、上記アルキル基及びアリール基は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル基、スルホン基、アミド基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、アミノ基又はアミジノ基を含んでいてもよい。R6は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数4~20のシクロアルキル基又は炭素数6~20のアリール基である。但し、R4とR5とが連結して互いに結合している窒素原子と共に環構造を形成してもよい。上記R4、R5及びR6で表される炭素数1~20のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ドデシル基、n-テトラデシル基、n-オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i-プロピル基、i-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、ネオペンチル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基等の分岐状アルキル基等が挙げられる。上記R6で表される炭素数4~20のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基、2-メチル-2-ノルボルニル基、2-エチル-2-ノルボルニル基等が挙げられる。上記R4、R5及びR6で表される炭素数6~20のアリール基としては、例えば単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよく、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。R6としては、[C]窒素含有化合物の反応性制御能、酸に対する保護機能及び脱保護能の点から、tert-ブチル基、tert-アミル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基が好ましい。窒素含有化合物Iとしては、例えばN-tert-ブトキシカルボニル-L-アラニン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-アラニン-メチルエステル、S---2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-3-シクロヘキシル-1-プロパノール、R--2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-3-メチル-1-ブタノール、R--2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-3-フェニル-1-プロパノール、S---2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-3-フェニル-1-プロパノール、R--2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-3-フェニル-2-プロパノール、S---2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-3-フェニル-2-プロパノール、R--2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-1-プロパノール、S---2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-1-プロパノール、N-tert-ブトキシカルボニル-L-アスパラギン酸4-ベンジルエステル、N-tert-ブトキシカルボニル-O-ベンジル-L-スレオニン、R--1-tert-ブトキシカルボニル-2-tert-ブチル-3-メチル-4-イミダゾリジノン、S---1-tert-ブトキシカルボニル-2-tert-ブチル-3-メチル-4-イミダゾリジノン、N-tert-ブトキシカルボニル-3-シクロヘキシル-L-アラニン-メチルエステル、N-tert-ブトキシカルボニル-L-システイン-メチルエステル、N-tert-ブトキシカルボニルエタノールアミン、N-tert-アミロキシカルボニルエタノールアミン、N-1-メチルシクロヘキシルカルボニルエタノールアミン、N-1-エチルシクロヘキシルカルボニルエタノールアミン、N-tert-ブトキシカルボニルエチレンジアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-D-グルコースアミン、N-α-tert-ブトキシカルボニル-L-グルタミン、1-tert-ブトキシカルボニルイミダゾール、N-tert-ブトキシカルボニル-L-イソロイシン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-イソロイシン-メチルエステル、N-tert-ブトキシカルボニル-L-ロイシノール、N-α-tert-ブトキシカルボニル-L-リシン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-メチオニン、N-tert-ブトキシカルボニル-3-2-ナフチル-L-アラニン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-フェニルアラニン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-フェニルアラニン-メチルエステル、N-tert-ブトキシカルボニル-D-プロリン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-プロリン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-プロリン-N’-メトキシ-N’-メチルアミド、N-tert-ブトキシカルボニル-1H-ピラゾール-1-カルボキシアミジン、S---1-tert-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、S---1-tert-アミロキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、S---1-1-メチルシクロヘキシルカルボニル-2-ピロリジンメタノール、S---1-1-エチルシクロヘキシルカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-tert-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、1-tert-ブトキシカルボニル3-[4-1-ピロリルフェニル]-L-アラニン、N-tertブトキシカルボニル-L-セリン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-セリン-メチルエステル、N-tert-ブトキシカルボニル-L-スレオニン、N-tert-ブトキシカルボニル-p-トルエンスルホンアミド、N-tert-ブトキシカルボニル-S-トリチル-L-システイン、N-α-tert-ブトキシカルボニル-L-トリプトファン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-チロシン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-チロシン-メチルエステル、N-tert-ブトキシカルボニル-L-バリン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-バリン-メチルエステル、N-tert-ブトキシカルボニル-L-バリノール、tert-ブチルカルバメート、tert-ブチルカルバゼート、tert-ブチルN-3-ヒドロキシプロピルカルバメート、tert-ブチルN-6-アミノヘキシルカルバメート、tert-ブチルN-ベンジロキシカルバメート、t-ブチル2-オキソ-2,3-ジヒドロオキサゾリンカルボキシレート、t-アミル2-オキソ-2,3-ジヒドロオキサゾリンカルボキシレート、1-メチルシクロヘキシル2-オキソ-2,3-ジヒドロオキサゾリンカルボキシレート、1-エチルシクロヘキシル2-オキソ-2,3-ジヒドロオキサゾリンカルボキシレート、tert-ブチル1S,4S---2,5-ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタンー2-カルボキシレート、tert-ブチル4-ベンジル-1-ピペラジンカルボキシレート、tert-ブチルN-2,3-ジヒドロキシプロピルカルバメート、tert-ブチルS---4-ホルミル-2,2-ジメチル-3-オキサゾリジンカルボキシレート、tert-ブチル[R-R,S]-N-[2-ヒドロキシ-2-3-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル]カルバメート、tert-ブチル4-オキソ-1-ピペリジンカルボキシレート、tert-ブチル1-ピロールカルボキシレート、tert-ブチル1-ピロリジンカルボキシレート、tert-ブチルN-テトラヒドロ-2-オキソ-3-フラニルカルバメート等が挙げられる。これらのうち、N-tert-ブトキシカルボニル-L-アラニンメチルエステル、S---2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-3-シクロヘキシル-1-プロパノール、R--2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-3-メチル-1-ブタノール、R--2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-3-フェニルプロパノール、S---2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-3-フェニルプロパノール、R--2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-3-フェニル-1-プロパノール、S---2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-3-フェニル-1-プロパノール、R--2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-1-プロパノール、S---2-tert-ブトキシカルボニルアミノ-1-プロパノール、R--1-tert-ブトキシカルボニル-2-tert-ブチル-3-メチル-4-イミダゾリジノン、S---1-tert-ブトキシカルボニル-2-tert-ブチル-3-メチル-4-イミダゾリジノン、N-tert-ブトキシカルボニル-3-シクロヘキシル-L-アラニンメチルエステル、N-tert-ブトキシカルボニル-L-システインメチルエステル、N-tert-ブトキシカルボニルエタノールアミン、N-tert-アミロキシカルボニルエタノールアミン、N-1-メチルシクロヘキシルカルボニルエタノールアミン、N-1-エチルシクロヘキシルカルボニルエタノールアミン、1-tert-ブトキシカルボニルイミダゾール、N-tert-ブトキシカルボニル-L-イソロイシン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-イソロイシンメチルエステル、N-tert-ブトキシカルボニル-L-ロイシノール、N-tert-ブトキシカルボニル-D-プロリナル、N-tert-ブトキシカルボニル-L-プロリン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-プロリンN’-メトキシ-N’-メチルアミド、N-tert-ブトキシカルボニル-1H-ピラゾール-1-カルボキシアミヂン、S---1-tert-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、S---1-tert-アミルカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-tert-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、N-tert-ブトキシカルボニル-S-トリチル-L-システイン、N-α-tert-ブトキシカルボニル-L-トリプトファン、N-tert-ブトキシカルボニル-L-バリンメチルエステル、N-tert-ブトキシカルボニル-L-バリノール、tert-ブチルN-3-ヒドロキシプロピルカルバメート、tert-ブチルN-6-アミノヘキシルカルバメート、tert-ブチルカルバメート、tert-ブチルカルバゼート、tert-ブチルN-ベンジロキシカルバメート、tert-ブチル1S,4S---2,5-ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタンー2-カルボキシレート、tert-ブチルN-2,3-ジヒドロキシプロピルカルバメート、t-ブチル2-オキソ-2,3-ジヒドロオキサゾリンカルボキシレート、t-アミル2-オキソ-2,3-ジヒドロオキサゾリンカルボキシレート、tert-ブチルS---4-ホルミル-2,2-ジメチル-3-オキサゾリジンカルボキシレート、tert-ブチル[R-R,S]-N-[2-ヒドロキシ-2-3-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル]カルバメート、tert-ブチル4-オキソ-1-ピペリジンカルボキシレート、tert-ブチル1-ピロールカルボキシレート、tert-ブチル1-ピロリジンカルボキシレート、tert-ブチルテトラヒドロ-2-オキソ-3-フラニルカルバメートが好ましく、当該ポジ型感放射線性組成物の保存時には反応性が制御され、ポストベーク時に容易に脱保護されてエポキシ基の架橋反応を充分に進行させる観点から、下記式2-1~2-7で表される窒素含有化合物がより好ましい。窒素含有化合物Iは単独又は2種以上を使用することができる。また、後述する塩基性化合物と組み合わせて用いても良く、組み合わせの添加比率を変えることによって架橋の度合いをコントロールすることも可能である。当該ポジ型感放射線性組成物において、窒素含有化合物Iの含有量としては、[A]重合体100質量部に対して2質量部~30質量部が好ましく、3質量部~20質量部がより好ましい。窒素含有化合物Iの含有量を上記特定範囲とすることで、エポキシ基の架橋反応を充分に進行させつつ、かつ過剰量による所望でないエポキシ基との副反応を防止して、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及び保存安定性の低下、並びに得られる硬化膜の透過率及び電圧保持率の低下を防止することができる。[窒素含有化合物II]窒素含有化合物IIは上記式3で表されるように、カルバメート構造を分子内に2つ有する。上記式3中、R7及びR8は、それぞれ独立して上記R4と同義である。R9及びR10は、それぞれ独立して上記R6と同義である。Aは、炭素数1~12のアルカンジイル基又は炭素数6~20のアリーレン基である。上記Aで表される炭素数1~12のアルカンジイル基としては、例えばメタンジイル基、エタンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基、ヘキサンジイル基等が挙げられる。上記Aで表される炭素数6~20のアリーレン基としては、上記式2におけるR4、R5及びR6で表される炭素数6~20のアリール基から水素原子を2個取り除いた2価の基を好適に適用でき、例えばフェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。R9及びR10としては、[C]窒素含有化合物の反応性制御能、酸に対する保護機能及び脱保護能の点から、tert-ブチル基、tert-アミル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基が好ましい。窒素含有化合物IIとしては、例えば下記式3-1-1~3-1-9及び3-2-1~3-2-4で表される化合物等が挙げられる。上記窒素含有化合物IIのうち、当該ポジ型感放射線性組成物の保存時には反応性が制御されており、ポストベーク時に容易に脱保護されてエポキシ基の架橋反応を充分に進行させる観点から、上記式3-1-3、3-1-4、3-1-5、3-1-6、3-2-1で表される化合物が好ましい。当該ポジ型感放射線性組成物において、窒素含有化合物IIの含有量としては、[A]重合体100質量部に対して2質量部~30質量部が好ましく、3質量部~20質量部がより好ましい。窒素含有化合物IIの含有量を上記特定範囲とすることで、エポキシ基の架橋反応を充分に進行させつつ、かつ過剰量による所望でないエポキシ基との副反応を防止して、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及び保存安定性の低下、並びに得られる硬化膜の透過率及び電圧保持率の低下を防止することができる。なお、窒素含有化合物I及びIIを併用する場合、両者の合計が[A]重合体100質量部に対して2質量部~30質量部であることが好ましい。<[D]界面活性剤>[D]界面活性剤は、当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜形成性をより向上させることができる。[D]界面活性剤としては、例えばフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤等が挙げられる。当該ポジ型感放射線性組成物が、[D]界面活性剤を含有することで、塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果形成される表示素子用層間絶縁膜の膜厚均一性をより向上できる。これらの界面活性剤は、単独又は2種以上を組み合わせて使用することができる。フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び/又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましく、例えば1,1,2,2-テトラフルオロn-オクチル1,1,2,2-テトラフルオロn-プロピルエーテル、1,1,2,2-テトラフルオロn-オクチルn-ヘキシルエーテル、ヘキサエチレングリコールジ1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロn-ペンチルエーテル、オクタエチレングリコールジ1,1,2,2-テトラフルオロn-ブチルエーテル、ヘキサプロピレングリコールジ1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロn-ペンチルエーテル、オクタプロピレングリコールジ1,1,2,2-テトラフルオロn-ブチルエーテル、パーフルオロn-ドデカンスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロn-デカン、1,1,2,2,3,3,9,9,10,10-デカフルオロn-ドデカン、フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フルオロアルキルリン酸ナトリウム、フルオロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキスフルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、フルオロアルキルアンモニウムヨージド、フルオロアルキルベタイン、フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフルオロアルキルポリオキシエタノール、パーフルオロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フルオロアルキルエステル等が挙げられる。フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えばBM-1000、BM-1100以上、BMCHEMIE製、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183、同F178、同F191、同F471、同F476以上、大日本インキ化学工業製、フロラードFC-170C、同FC-171、同FC-430、同FC-431以上、住友スリーエム製、サーフロンS-112、同S-113、同S-131、同S-141、同S-145、同S-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106以上、旭硝子製、エフトップEF301、同EF303、同EF352以上、新秋田化成製、フタージェントFT-100、同FT-110、同FT-140A、同FT-150、同FT-250、同FT-251、同FT-300、同FT-310、同FT-400S、同FTX-218、同FT-251以上、ネオス製等が挙げられる。シリコーン系界面活性剤の市販品としては、例えばトーレシリコーンDC3PA、同DC7PA、同SH11PA、同SH21PA、同SH28PA、同SH29PA、同SH30PA、同SH-190、同SH-193、同SZ-6032、同SF-8428、同DC-57、同DC-190、SH8400FLUID以上、東レダウコーニングシリコーン製、TSF-4440、TSF-4300、TSF-4445、TSF-4446、TSF-4460、TSF-4452以上、GE東芝シリコーン製、オルガノシロキサンポリマーKP341信越化学工業製等が挙げられる。ノニオン系界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレート等のポリオキシエチレンジアルキルエステル類;メタアクリル酸系共重合体類等が挙げられる。ノニオン系界面活性剤の販品としてはポリフローNo.57、95共栄社化学製等が挙げられる。当該ポジ型感放射線性組成物における[D]界面活性剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.05質量部以上5質量部以下であり、より好ましくは0.1質量部以上2質量部以下である。[D]界面活性剤の含有量を上記特定範囲とすることで基板上に塗膜を形成する際の膜荒れを抑制することができる。<[E]密着助剤>当該ポジ型感放射線性組成物においては、基板となる無機物、例えばシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との接着性を向上させるために[E]密着助剤を使用することができる。このような密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましく使用される。官能性シランカップリング剤の例としては、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基好ましくはオキシラニル基、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。官能性シランカップリング剤としては、例えばトリメトキシシリル安息香酸、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ-クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらのうち、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。当該ポジ型感放射線性組成物における[E]密着助剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.5質量部以上20質量部以下、より好ましくは1質量部以上10質量部以下の量で用いられる。[E]密着助剤の量を上記特定範囲とすることで、形成される表示素子用層間絶縁膜と基板との密着性が改善される。<その他の任意成分>当該ポジ型感放射線性組成物は、上記[A]~[E]成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で必要に応じて塩基性化合物等のその他の任意成分を含有してもよい。[塩基性化合物]当該ポジ型感放射線性組成物が、塩基性化合物を含有することで、露光により[B]酸発生体から発生した酸の拡散長を適度に制御することができパターン現像性を良好にできる。塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものから任意に選択して使用でき、例えば脂肪族アミン、混成アミン類、芳香族アミン、複素環式アミン、カルボン酸4級アンモニウム塩等が挙げられる。脂肪族アミンとしては、例えばアンモニア、メチルアミン、エチルアミン、n-プロピルアミン、イソプロピルアミン、n-ブチルアミン、イソブチルアミン、sec-ブチルアミン、tert-ブチルアミン、ペンチルアミン、tert-アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ-n-ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ-sec-ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N-ジメチルメチレンジアミン、N,N-ジメチルエチレンジアミン、N,N-ジメチルテトラエチレンペンタミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ-sec-ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が挙げられる。混成アミン類としては、例えばジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。芳香族アミン類及び複素環アミン類としては、例えばアニリン、N-メチルアニリン、N-エチルアニリン、N-プロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、2-ニトロアニリン、3-ニトロアニリン、4-ニトロアニリン、2,4-ジニトロアニリン、2,6-ジニトロアニリン、3,5-ジニトロアニリン、N,N-ジメチルトルイジン等のアニリン誘導体;ジフェニルアミン、ジフェニルp-トリルアミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン;ピロール、2H-ピロール、1-メチルピロール、2,4-ジメチルピロール、2,5-ジメチルピロール、N-メチルピロール等のピロール誘導体;オキサゾール、イソオキサゾール等のオキサゾール誘導体;チアゾール、イソチアゾール等のチアゾール誘導体;イミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、トリフェニルイミダゾール等のイミダゾール誘導体;ピラゾール誘導体、フラザン誘導体;ピロリン、2-メチル-1-ピロリン等のピロリン誘導体;ピロリジン、N-メチルピロリジン、ピロリジノン、N-メチルピロリドン等のピロリジン誘導体;イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、4-1-ブチルペンチルピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、3-メチル-2-フェニルピリジン、3-メチル-4-フェニルピリジン、4-tert-ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、1-メチル-2-ピリドン、4-ピロリジノピリジン、1-メチル-4-フェニルピリジン、2-1-エチルプロピルピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン、ニコチン等のピリジン誘導体;ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体;モルホリン、4-メチルモルホリン等のモルホリン誘導体;インドール誘導体、イソインドール誘導体、1H-インダゾール誘導体、インドリン誘導体;キノリン、3-キノリンカルボニトリル、8-オキシキノリン等のキノリン誘導体;イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,10-フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.3.0]-7-ウンデセン等の多環式アミン等が挙げられる。カルボン酸4級アンモニウム塩としては、例えばテトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ-n-ブチルアンモニウムアセテート、テトラ-n-ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。また、下記式6及び7で表される塩基性化合物等が挙げられる。上記式6及び7中、R41、R42、R43、R47及びR48は、それぞれ独立して直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数1~20のアルキレン基である。R44、R45、R46、R49及びR50は、水素原子又は炭素数1~20のアルキル基である。但し、このアルキル基の水素原子の一部又は全部はアミノ基で置換されていてもよい。R44とR45、R45とR46、R44とR46、R44とR45とR46、R49とR50は、それぞれ結合して環構造を形成してもよい。S、T、Uは、それぞれ独立して0~20の整数である。但し、S、T、Uが共に0のとき、R44、R45、R46、R49、R50が全て水素原子である場合はない。上記R41、R42、R43、R47及びR48で表されるアルキレン基の炭素数としては1~20であり、好ましくは1~10、より好ましくは1~8である。具体的には、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、n-ブチレン基、イソブチレン基、n-ペンチレン基、イソペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基等が挙げられる。上記R44、R45、R46、R49及びR50で表されるアルキル基の炭素数としては1~20であり、好ましくは1~8、より好ましくは1~6である。これらは直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、トリデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。R44とR45、R45とR46、R44とR46、R44とR45とR46、R49とR50が環構造を形成する場合、炭素数は代表的には1~20であり、好ましくは1~8、より好ましくは1~6である。また、これらの環構造は炭素数1~6、好ましくは1~4のアルキル基が分岐していてもよい。S、T、Uとしては、好ましくは1~10、より好ましくは1~8の整数である。上記式6及び7で表される塩基性化合物としては、例えばトリス{2-メトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス[2-{2-メトキシエトキシメトキシ}エチル]アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチル]アミン、4,7,13,16,21,24-ヘキサオキサ-1,10-ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサン、4,7,13,18-テトラオキサ-1,10-ジアザビシクロ[8.5.5]エイコサン、1,4,10,13-テトラオキサ-7,16-ジアザビシクロオクタデカン、1-アザ-12-クラウン-4、1-アザ-15-クラウン-5、1-アザ-18-クラウン-6等が挙げられる。塩基性化合物としては、第三級アミン、アニリン誘導体、ピロリジン誘導体、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、アミノ酸誘導体、トリス{2-メトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス[2-{2-メトキシエトキシメチル}エチル]アミン、1-アザ-15-クラウン-5が好ましい。当該ポジ型感放射線性組成物における塩基性化合物の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して0.001質量部~1質量部が好ましく、0.005質量部~0.2質量部がより好ましい。塩基性化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、パターン現像性がより向上する。<ポジ型感放射線性組成物の調製方法>当該ポジ型感放射線性組成物は、溶媒に[A]重合体、[B]酸発生体、必要に応じて好適成分である[C]窒素含有化合物、及びその他の任意成分を混合することによって溶解又は分散させた状態に調製される。例えば溶媒中で、各成分を所定の割合で混合することにより、当該ポジ型感放射線性組成物を調製できる。溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等が挙げられる。なお、これらの溶媒は、単独又は2種以上を使用することができる。アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、2-フェニルエチルアルコール、3-フェニル-1-プロパノール等が挙げられる。エーテル類としては、例えばテトラヒドロフラン等が挙げられる。グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類としては、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。ジエチレングリコールアルキルエーテルとしては、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等が挙げられる。プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類としては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等が挙げられる。芳香族炭化水素類としては、例えばトルエン、キシレン等が挙げられる。ケトン類としては、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン等が挙げられる。他のエステル類としては、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3-ヒドロキシプロピオン酸メチル、3-ヒドロキシプロピオン酸エチル、3-ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3-ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2-メトキシプロピオン酸メチル、2-メトキシプロピオン酸エチル、2-メトキシプロピオン酸プロピル、2-メトキシプロピオン酸ブチル、2-エトキシプロピオン酸メチル、2-エトキシプロピオン酸エチル、2-エトキシプロピオン酸プロピル、2-エトキシプロピオン酸ブチル、2-ブトキシプロピオン酸メチル、2-ブトキシプロピオン酸エチル、2-ブトキシプロピオン酸プロピル、2-ブトキシプロピオン酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸プロピル、3-メトキシプロピオン酸ブチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸プロピル、3-エトキシプロピオン酸ブチル、3-プロポキシプロピオン酸メチル、3-プロポキシプロピオン酸エチル、3-プロポキシプロピオン酸プロピル、3-プロポキシプロピオン酸ブチル、3-ブトキシプロピオン酸メチル、3-ブトキシプロピオン酸エチル、3-ブトキシプロピオン酸プロピル、3-ブトキシプロピオン酸ブチル等が挙げられる。これらの溶媒のうち、溶解性又は分散性が優れていること、各成分と非反応性であること、及び塗膜形成の容易性の観点から、ジアルキルエーテル等のエーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ケトン類及びエステル類が好ましく、特に、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、酢酸プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、2-メトキシプロピオン酸メチル、2-メトキシプロピオン酸エチルが好ましく、ジイソプロピルエーテル、ジn-ブチルエーテル、ジn-ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジn-ヘキシルエーテル等のジアルキルエーテル等のエーテル類がより好ましく、ジイソペンチルエーテルが特に好ましい。このような溶媒を用いることによって、感放射線性組成物をスリット塗布法で大型ガラス基板に塗布する際に、乾燥工程時間を短縮すると同時に、塗布性をより一層向上塗布ムラを抑制することが可能となる。また、上記溶媒に加え、必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1-オクタノール、1-ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ-ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶媒を併用することもできる。ポジ型感放射線性組成物を溶液又は分散液状態として調製する場合、液中に占める溶媒以外の成分の割合は、使用目的や所望の膜厚等に応じて任意に設定することができるが、好ましくは5質量~50質量、より好ましくは10質量~40質量、特に好ましくは15質量~35質量である。<表示素子用層間絶縁膜の形成方法>当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該ポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、1当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、2上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、3上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び4上記現像された塗膜を加熱する工程を有する。当該ポジ型感放射線性組成物を用いる本発明の形成方法により、表面硬度及び耐熱性に優れ、透過率及び電圧保持率を充分に満足する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。以下、各工程を詳述する。[工程1]本工程では、基板上に当該ポジ型感放射線性組成物の溶液又は分散液を塗布した後、好ましくは塗布面をプレベークすることによって溶媒を除去して塗膜を形成する。塗布方法としては、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法スピンコート法、スリットダイ塗布法、バー塗布法等が挙げられる。これらのうち、スピンコート法、スリットダイ塗布法が好ましく、スリットダイ塗布法がより好ましい。基板としては、例えばガラス、石英、シリコーン、樹脂等が挙げられる。樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。プレベークの条件としては、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、70°C~120°C、1分~10分間程度とすることができる。[工程2]本工程では、上記形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し露光する。露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、波長が190nm~450nmの範囲にある放射線が好ましく、365nmの紫外線を含む放射線がより好ましい。露光量としては、放射線の波長365nmにおける強度を、照度計OAImodel356、OAIOpticalAssociates製により測定した値で、300J/m2~5,000J/m2が好ましく、400J/m2~1,500J/m2がより好ましい。[工程3]本工程では、上記放射線が照射された塗膜を現像する。露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分放射線の照射部分を除去して所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。アルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩等が挙げられる。アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度しては、適当な現像性を得る観点から、0.1質量以上5質量以下が好ましい。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等が挙げられる。現像時間としては、当該ポジ型感放射線性組成物の組成によって異なるが、10秒~180秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30秒~90秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。[工程4]本工程では、上記現像された塗膜を加熱する。加熱には、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、[A]重合体及び[C]窒素含有化合物の硬化反応を促進して、硬化物を得ることができる。加熱温度としては、例えば120°C~250°C程度である。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えばホットプレートでは5分~30分間程度、オーブンでは30分~90分間程度である。また、2回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする表示素子用層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成できる。なお、上記硬化膜の用途としては、表示素子用層間絶縁膜に限定されず、スペーサーや保護膜としても利用することができる。形成された表示素子用層間絶縁膜の膜厚としては、好ましくは0.1μm~8μm、より好ましくは0.1μm~6μm、特に好ましくは0.1μm~4μmである。以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。<[A]成分の合成>[合成例1]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸5質量部、1-エトキシエチルメタクリレート40質量部、スチレン5質量部、メタクリル酸グリシジル40質量部、2-ヒドロキシエチルメタクリレート10質量部、及びα-メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70°Cに上昇させ、この温度を5時間保持し重合体A-1を含む重合体溶液を得た。重合体A-1のMwは9,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、32.1質量であった。[合成例2]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸5質量部、2-テトラヒドロピラニルメタクリレート40質量部、スチレン5質量部、メタクリル酸グリシジル40質量部、2-ヒドロキシエチルメタクリレート10質量部及びα-メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70°Cに上昇させ、この温度を5時間保持し重合体A-2を含む重合体溶液を得た。重合体A-2のMwは9,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、31.3質量であった。[合成例3]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオン酸メチル7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続き1-n-ブトキシエチルメタクリレート67質量部、メタクリル酸ベンジル23質量部、メタクリル酸10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し重合体a-1を含む重合体溶液を得た。重合体a-1のMwは9,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、30.3質量であった。[合成例4]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオン酸メチル7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続き1-ベンジルオキシエチルメタクリレート90質量部、メタクリル酸2-ヒドロキシエチル6質量部、メタクリル酸4質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し重合体a-2を含む重合体溶液を得た。重合体a-2のMwは9,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、31.2質量であった。[合成例5]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオン酸メチル7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続き2-テトラヒドロピラニルメタクリレート85質量部、メタクリル酸2-ヒドロキシエチル7質量部、メタクリル酸8質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し重合体a-3を含む重合体溶液を得た。重合体a-3のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、29.2質量であった。[合成例6]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸グリシジル52質量部、メタクリル酸ベンジル48質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し重合体aa-1を含む重合体溶液を得た。重合体aa-1のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、32.3質量であった。[合成例7]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシルメチル45質量部、メタクリル酸ベンジル45質量部、メタクリル酸10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し重合体aa-2を含む重合体溶液を得た。重合体aa-2のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、33.2質量であった。[合成例8]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き1-n-ブトキシエチルメタクリレート35質量部、メタクリル酸ベンジル35質量部、メタクリル酸グリシジル30質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し重合体aa-3を含む重合体溶液を得た。重合体aa-3のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、32.3質量であった。<ポジ型感放射線性組成物の調製>以下、実施例及び比較例のポジ型感放射線性組成物の調製に用いた成分を詳述する。[B]酸発生剤B-1:4,7-ジ-n-ブトキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネートB-2:ベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートB-3:5-プロピルスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリルチバスペシャルティーケミカルズ製、IRGACUREPAG103B-4:5-オクチルスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリルチバスペシャルティーケミカルズ製、IRGACUREPAG108B-5:5-p-トルエンスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリルチバスペシャルティーケミカルズ製、IRGACUREPAG121B-6:カンファースルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリルチバスペシャルティーケミカルズ製、CGI1380B-7:5-オクチルスルフォニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリルチバスペシャルティーケミカルズ製、CGI725[C]窒素含有化合物C-1:上記式2-1で表される窒素含有化合物C-2:上記式2-2で表される窒素含有化合物C-3:上記式2-4で表される窒素含有化合物C-4:上記式3-1-3で表される窒素含有化合物C-5:上記式3-2-1で表される窒素含有化合物[D]界面活性剤D-1:シリコーン系界面活性剤東レダウコーニングシリコーン製、SH8400FLUIDD-2:フッ素系界面活性剤ネオス製、フタージェントFTX-218[E]密着助剤E-1:γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシランE-2:β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシランE-3:γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン[実施例1][A]重合体としてのA-1を含む溶液A-1100質量部固形分に相当する量に、[B]酸発生剤としてのB-43.0質量部、[C]窒素含有化合物としてのC-15質量部、[D]界面活性剤としてのD-10.20質量部、及び[E]密着助剤としてのE-13.0質量部を混合し、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することによりポジ型感放射線性組成物を調製した。[実施例2~12並びに比較例1及び2]各成分の種類及び配合量を表1に記載の通りとした以外は、実施例1と同様に操作して各ポジ型感放射線性組成物を調製した。なお、表1中の-は、該当する成分を使用しなかったことを示す。<評価>調製した各ポジ型感放射線性組成物を用いて、下記の評価を実施した。結果を表1にあわせて示す。[放射線感度J/m2]550×650mmのクロム成膜ガラス上に、ヘキサメチルジシラザンHMDSを塗布し、60°Cにて1分間加熱した。このHMDS処理後のクロム成膜ガラス上に、各ポジ型感放射線性組成物をスリットダイコーター東京応化工業製、TR632105-CLを用いて塗布し、到達圧力を100Paに設定して真空下で溶媒を除去した後、さらに90°Cにおいて2分間プレベークすることによって、膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、露光機キヤノン製、MPA-600FAを用い、60μmのラインアンドスペース10対1のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した。その後、0.4質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25°Cにおいて80秒間現像した。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、HMDS処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき、6μmのスペースパターンが完全に溶解するために必要な露光量を放射線感度J/m2とした。この値が600J/m2以下の場合に感度が良好と判断した。[透過率]上記の放射線感度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このシリコン基板をクリーンオーブン内にて220°Cで1時間加熱して硬化膜を得た。波長400nmにおける透過率を、分光光度計150-20型ダブルビーム、日立製作所製を用いて測定して評価した。透過率が90未満の場合に透明性が不良と判断した。[表面硬度]上記透過率の評価で形成された硬化膜を有する基板について、JISK-5400-1990の8.4.1鉛筆引っかき試験により、硬化膜の鉛筆硬度表面硬度を測定した。この値が3H以上である場合、表示素子用層間絶縁膜としての表面硬度が良好と判断し、十分な硬化性を有するといえる。[耐熱性]上記放射線感度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に塗膜を形成した。次いで、100μmのラインアンドスペース1対1のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した後、0.4質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25°Cにおいて液盛り法で現像した。現像時間は80秒間とした。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、パターンを形成した。現像後パターン高さT1を触針式膜厚測定装置α―ステップKLAテンコール製により測定した。その後、パターン形成されたシリコン基板をクリーンオーブン内にて220°Cで1時間加熱して熱硬化後のパターンを得た。同様にして、熱硬化後のパターン高さt1を測定し、下記式から熱硬化前後の熱収縮率を算出し、これを耐熱性とした。耐熱性={T1-t1/T1}×100耐熱性の値が大きいほど架橋反応が進行しているといえる。なお、このように生じた熱収縮は実際の使用上では特に影響のないレベルである。[電圧保持率]表面にナトリウムイオンの溶出を防止するSiO2膜が形成され、さらにITOインジウム-酸化錫合金電極を所定形状に蒸着したソーダガラス基板上に、各感放射線性樹脂組成物を、スピンコートした後、90°Cのクリーンオーブン内で10分間プレベークを行って、膜厚2.0μmの塗膜を形成した。次いで、フォトマスクを介さずに、塗膜に500J/m2の露光量で露光した。その後、230°Cで30分間ポストベークを行い塗膜を硬化させた。次いで、この画素を形成した基板とITO電極を所定形状に蒸着しただけの基板とを、0.8mmのガラスビーズを混合したシール剤で貼り合わせたのち、メルク製液晶MLC6608を注入して、液晶セルを作製した。さらに、液晶セルを60°Cの恒温層に入れて、液晶セルの電圧保持率を、液晶電圧保持率測定システムVHR-1A型、東陽テクニカ製により測定した。このときの印加電圧は5.5Vの方形波、測定周波数は60Hzである。電圧保持率とは、下記式から求められる値である。電圧保持率=16.7ミリ秒後の液晶セル電位差/0ミリ秒で印加した電圧×100液晶セルの電圧保持率が90以下であると、液晶セルは16.7ミリ秒の時間、印加電圧を所定レベルに保持できず、十分に液晶を配向させることができないことを意味し、残像などの焼き付きを起こすおそれが高い。[保存安定性]各感放射線性樹脂組成物溶液を40°Cのオーブン中で1週間放置し、オーブンに入れる前後での粘度を測定し、粘度変化率を求め、保存安定性とした。粘度変化率が5以下である場合、保存安定性が良好と判断し、5を超える場合に保存安定性が不良と判断した。粘度は、E型粘度計VISCONICELD.R、東機産業製を用いて25°Cで測定した。表1の結果から明らかなように、実施例1~10のポジ型感放射線性組成物は、[C]窒素含有化合物を含まない比較例1~2の感放射線性組成物と比較して、表面硬度について優れていることが分かった。また、耐熱性の値からもエポキシ基の架橋が充分に進行していることが分かった。さらに、これらの実施例のポジ型感放射線性組成物は、優れた保存安定性及び充分な放射線感度を有すると共に、透過率及び電圧保持率という一般的な要求特性を充分に満足する表示素子用層間絶縁膜を形成可能であることが分かった。なお、実施例1~10と比較すると、実施例11では若干ながら表面硬度が低下しており、また実施例12では表面硬度は優れているものの、架橋反応性が高すぎたためか、保存安定性、透過率、電圧保持率が若干低下していた。以上のことから、実施例1~12のポジ型感放射線性組成物の全てについて良好な結果が得られているものの、[C]窒素含有化合物の含有量は[A]重合体100質量部に対して2質量部以上30質量部以下が好ましいといえる。"