半導体装置が設けられたウェハに音響信号発生部を接触させずに、前記音響信号発生部が発生した音響信号を前記ウェハに入力させる工程と、前記ウェハと共鳴した音を含む前記音響信号を検出する工程と、検出した前記音響信号の周波数成分の強度を示すデータを求め、このデータを前記ウェハに損傷が無い場合のデータと比較することにより、前記ウェハの損傷の有無を判定する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記ウェハに光を照射する工程と、前記ウェハを透過した光を検出して解析することで、前記ウェハの損傷の程度を判定する工程とを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。熱処理装置にマイクロフォンを取り付ける方法では、適用できるプロセスがフラッシュランプ等を利用した短時間での加熱プロセスに限られる。また、ウェハが薄くなると割れ音も小さくなるため、音響信号の増幅が難しくなる。さらに、割れの程度を判定することが困難である。従って、ウェハの損傷の有無を精度よく判定することができないため、脱落すべきウェハの処理を継続して半導体装置の品質が低下する場合や、脱落する必要のないウェハを脱落させて半導体装置の生産コストが上がる場合がある。また、ウェハに振動を与えて音を発生させる方法では、ウェハ上に形成された半導体装置の表面に弾性部材が触れることにより、半導体装置に物理的な応力が加わって傷や割れなどの損傷が発生する場合がある。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は判定時に損傷を発生させることなく、ウェハの損傷の有無を精度よく判定することができる半導体装置の製造方法を得るものである。本発明に係る半導体装置の製造方法は、導体装置が設けられたウェハに音響信号発生部を接触させずに、前記音響信号発生部が発生した音響信号を前記ウェハに入力させる工程と、前記ウェハと共鳴した音を含む前記音響信号を検出する工程と、検出した前記音響信号の周波数成分の強度を示すデータを求め、このデータを前記ウェハに損傷が無い場合のデータと比較することにより、前記ウェハの損傷の有無を判定する工程とを備える。本発明により、判定時に損傷を発生させることなく、ウェハの損傷の有無を精度よく判定することができる。本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法で用いる装置を示す図である。まず、ウェハ1に半導体装置を形成する。次に、砥石を用いた研削加工によりウェハ1の中央部を薄くする。ウェハ1の外周部は厚いリブ部となる。次に、ウェハ1をチャンバ2内に搬送し、ウェハ保持部3により保持する。なお、ウェハ1をウェハ保持部3上に静置してもよいし、外周のリブ部を例えば真空吸着により吸着してもよい。次に、ウェハ1に音響信号発生部4を接触させずに、音響信号発生部4が発生した音響信号をチャンバ2内のウェハ1に入力させる。チャンバ2内のウェハ1と共鳴した音を含む音響信号をマイクロフォン5により検出する。ここで、入力する音響信号は正弦波であり、音響信号発生部4より音響信号の周波数を例えば20~20000Hzの範囲で連続的に変化させる。次に、集音した音響信号の強度を音響信号解析部6により解析して、検出した音響信号の周波数成分の強度を示すデータを求める。または、音響信号発生部4により様々な周波数成分を持つ音響信号を発生させ、集音した音響信号を音響信号解析部6によりフーリエ変換して同様のデータを得ることもできる。図2は、音響信号の周波数成分の強度を示すデータの図である。入力する音響信号の周波数を50~1000Hzの範囲で連続的に変化させて、測定を行った。横軸は、経過時間を入力した音響信号の周波数に換算したものである。縦軸は、検出された音響信号の強度を縦軸にプロットしたものである。実線は割れの無い50μm厚シリコンウェハの場合であり、破線は2mm大の十字クラックが発生した50μm厚シリコンウェハの場合である。なお、2mm大の十字クラックとは、十字クラックの縦方向又は横方向の長さが2mmという意味である。f0~f2及びf0’~f2’はそれぞれのウェハにおける音響信号のピークである。ここで、図3は、十字クラック7が発生したウェハ1を示す平面図である。例えば、搬送工程において、薄くしたウェハ1をロボットアームが吸着する際に両者の間に異物が混入すると、ウェハ1に部分的に外力がかかり十字クラック7が発生する。次に、ウェハ損傷判定部8において、検出した音響信号の周波数成分の強度を示すデータを、ウェハ1に損傷が無い場合のデータと比較することにより、ウェハ1の損傷の有無を判定する。具体的には、音響信号のピークf0~f2及びf0’~f2’の強度やその半値全幅を比較する。また、可視光である白色光を光照射部9によりウェハ1に照射する。ウェハ1が損傷している場合には、照射された白色光はウェハ1を透過する。このウェハ1を透過した白色光を光検出部10により検出し、光学信号解析部11により透過光の強度を解析する。ここで、可視光を用いれば、ウェハ1が薄く光の透過率が高い場合でも、透過光の光強度が光検出部10の検出上限を超えない。ただし、ウェハ1が厚い場合には、ウェハ1が損傷していても、照射された白色光がウェハ1を透過しない可能性がある。この場合には、白色光の代わりに、光の侵入長が長い赤外光をウェハ1に照射し、ウェハ1を透過した赤外光を光検出部10により検出する。損傷部と非損傷部で光の検出強度に差ができるために、ウェハ1の損傷の程度を検出することができる。このように赤外光を用いれば、ウェハ1が厚い場合でも、透過光の光強度が光検出部10の検出下限を下回らない。図4及び図5は、入射光と透過光の光強度を示す図である。入射光の強度は、ウェハ1がウェハ保持部3上にない場合の光検出部10における光強度である。図4はウェハ厚が50μm、図5はウェハ厚が400μmの場合である。ウェハ厚が50μmの場合、ウェハ1の損傷を白色光により検出することができる。一方、ウェハ厚が400μmの場合、ウェハ1が損傷していても、白色光はウェハ1を透過しないために、透過光は検出されない。このような場合でも、光通信などで用いられている波長1.3μmの赤外光はウェハ1を透過するため、透過光が検出される。次に、ウェハ損傷判定部8において、光学信号解析部11で解析したデータを、ウェハ1に損傷が無い場合のデータと比較することにより、ウェハ1の損傷の程度を判定する。本実施の形態により、半導体装置の製造中に発生したウェハ1の損傷の有無を精度よく判定することができる。この結果、半導体製造装置の異常等を発見することができる。また、ウェハ1に音響信号発生部4を接触させないため、判定時にウェハ1上の半導体装置に損傷を発生させることはない。また、音響信号と光学信号の両方を用いることで、ウェハ1の損傷の程度を検出することもできる。プロセスに致命的な欠陥を与えない程度の損傷であれば、プロセス処理を続行することができる。従って、ウェハ1の脱落を最低限に留めることができるため、ウェハの収率を向上させ、半導体装置の生産コストを低減することができる。