600mmより厚い原料充填層厚の条件で焼結鉱を製造するために用いられる焼結パレット台車であって、該焼結パレット台車上に、側面がパレット台車の進行方向に略平行なるように立設されかつ高さHがH=h-120[mm]hは原料充填層の層厚以下のシンターケーキ支持スタンドをパレット台車の幅方向に複数備え、前記シンターケーキ支持スタンドは、その頂部面の幅WSが30[mm]≦WS≦60[mm]であり、前記シンターケーキ支持スタンドの個数は、パレット台車の幅方向に隣接するシンターケーキ支持スタンド間距離及び隣接するシンターケーキ支持スタンドと焼結パレット台車の側壁との間の距離が1250mmを越えないように選択されている、ことを特徴とする焼結パレット台車。請求項1に記載の焼結パレット台車を備えたことを特徴とする焼結機。焼結パレット台車上に、その進行方向に平行に立設されかつ高さHがH=h-120[mm]hは原料充填層の層厚以下であり、かつ頂部面の幅WSが30[mm]≦WS≦60[mm]であるシンターケーキ支持スタンドを、パレット台車の幅方向に隣接するシンターケーキ支持スタンド間距離及び隣接するシンターケーキ支持スタンドと焼結パレット台車の側壁との間の距離が1250mmを越えないようにパレット台車の幅方向に複数備えてシンターケーキを支持しながら、600mmより厚い原料充填層厚の条件で焼結鉱を製造する焼結鉱の製造方法。シンターケーキ支持効果はシンターケーキがシンターケーキ支持スタンド頂部で支持された後に得られる効果である。焼結開始からできるだけ早くにシンターケーキ支持効果のある状態で焼結が進行するためには、できるだけ高さの高いシンターケーキ支持スタンドを用いるのが望ましい。しかしながら、シンターケーキはシンターケーキ支持スタンド頂部において局所的に支持されるので、シンターケーキ支持スタンドの高さが高過ぎてその結果、支持されるシンターケーキの厚さ以下、適宜支持シンターケーキ厚というが薄過ぎると、図7に模式的に示すように、焼結工程でシンターケーキ支持スタンドの上方のシンターケーキの表面に亀裂110が発生してしまうという問題がある尚、図1の模式図から明らかなように、原料充填層の層厚h-シンターケーキ支持スタンドの高さHが支持シンターケーキ厚となる。シンターケーキ表面に亀裂が発生してしまうと、亀裂部位に優先的にガス流れが起こるので、下層の焼成が不均一となるいわゆるむら焼けを助長してしまい、生産率が低下する。従って、シンターケーキ表面の亀裂を回避する必要がある。支持シンターケーキ厚が薄過ぎると亀裂が生ずることは明らかである。また、シンターケーキ表面の亀裂発生について、支持シンターケーキ厚に下限があること、言い換えると、シンターケーキ支持スタンド高さに上限があることには疑問の余地がないと思われる。従って、亀裂を回避するために、支持シンターケーキ厚を、亀裂が生じる下限の厚みよりも厚くなるようにシンターケーキ支持スタンドの高さを選択すればよい。言い換えると、シンターケーキ支持スタンドの高さを、亀裂が生じる支持シンターケーキ厚の下限に対応するシンターケーキ支持スタンド高さの上限よりも低く設定すればよいと思われる。しかし、シンターケーキ表面の亀裂発生のメカニズムが十分に解明されていなかったこともあり、この支持シンターケーキ厚の下限、もしくは、シンターケーキ支持スタンド高さの上限をどのように決めるべきか、その指針がなかった。このような状況の中、特許文献3において、シンターケーキ支持スタンド高さの上限を、原料充填層の層厚に対するシンターケーキ支持スタンドの高さの比以下、適宜層厚に対する高さ比というによって決めるという考え方が示された。具体的に、従来用いられてきた典型的な層厚である600mmの原料充填層に対して、450mm以上の高さのシンターケーキ支持スタンドを用いて、シンターケーキ表面に亀裂が生じたという結果に基づいて、シンターケーキ支持スタンド高さの上限として層厚に対する高さ比75が示された。この考え方に基づけば、亀裂発生回避のために、原料充填層が高層厚になるほど、支持シンターケーキ厚を厚くする必要がある。上記の通り、原料充填層が600mmのときは支持シンターケーキ厚の下限は150mmであり、仮に800mmの原料充填層を用いるときは、支持シンターケーキ厚の下限は200mmシンターケーキ支持スタンドの高さの上限は600mmとなる。この従来法によれば、シンターケーキ支持スタンドに掛かるシンターケーキの荷重は、原料充填層が高層厚になるほど大きくなり、その反作用としてシンターケーキ支持スタンドからシンターケーキに掛かる力も同様に大きくなる。このシンターケーキに掛かる力の増大に応じて、シンターケーキに亀裂が発生しやすくなる。特に、層厚が720mmを超えると、シンターケーキの荷重の増大に伴いシンターケーキに亀裂が生じやすくなる。従って、原料充填層が高層厚になるほど、厚い支持シンターケーキ厚が必要になるという考え方は理解しやすいとも思われる。しかしながら、特許文献3においては、シンターケーキの強度のことは全く考慮されていなかった。一般に、固体材料の亀裂は材料に掛かる応力がその固体材料の強度を超えたときに発生するが、このことはシンターケーキに対しても当てはまると考えられる。従って、シンターケーキの強度を考慮して、支持シンターケーキ厚の下限すなわち、シンターケーキ支持スタンドの高さの上限の求め方を見直すことは意義があると思われる。下方吸引式の焼結の原理は、点火炉で原料充填層の表層部分の炭材を着火し、下方吸引により炭材を順次燃焼させて熱伝達を下方に行うものである。この原理上、原料充填層の上層部分はまだ燃料の燃焼による予熱効果が小さく、かつ通気抵抗の高い軟化溶融層の厚みが薄いために原料充填層全体の通気抵抗も小さい。そのため、原料充填層の上層部分は温度が低く、かつ炭材の燃焼が過剰に早く進んでしまう結果、燃焼溶融反応焼結化反応が不十分となり、焼結したシンターケーキの強度が低くなる。以上の通り、シンターケーキの強度はその通気抵抗もしくは通気性に大きく依存し、原料充填層の上層のシンターケーキは下層のシンターケーキより強度が低いことが知られている。発明者らは、上層のシンターケーキと下層のシンターケーキで強度に差がでる上記メカニズムは、層厚の異なる原料充填層間のシンターケーキの強度についてもあてはまることに注目した。高層厚条件下での原料充填層は厚さが厚い分、低層厚条件下での原料充填層よりも通気抵抗が大きいから、高層厚条件下での原料充填層の上層の燃焼は低層厚条件下での原料充填層の上層の燃焼よりもゆっくり進む。そのため、高層厚条件下での原料充填層の上層のシンターケーキは予熱効果により、低層厚条件下での原料充填層の上層のシンターケーキよりも強度が高いと考えられる。すなわち、通気性の観点から、原料充填層が高層厚になるほど、原料充填層の上層の支持シンターケーキ厚部分のシンターケーキの強度は高くなると考えられる。このような原料充填層の上層の支持シンターケーキ厚部分のシンターケーキの強度が原料充填層の層厚に依存するというこの考えに基づけば、特許文献3で示された層厚に対する高さ比75のシンターケーキ支持スタンド高さの上限は、層厚条件が600mm層厚の場合のシンターケーキの強度における上限に過ぎなかったと考えられる。従って、600mmより高層厚の原料充填層の条件で焼結鉱を製造する場合は、シンターケーキ表面の亀裂を回避しつつ、層厚に対する高さ比で75より高いスタンド高さのシンターケーキ支持スタンドを用いることができる可能性がある。また、層厚に対する高さ比で75のシンターケーキ支持スタンドの高さの上限ルールに従った場合、原料充填層が高層厚になるほど、シンターケーキ支持効果を受けない原料充填層の厚みが厚くなるので、低品質の焼結鉱の割合が高くなり、成品歩留は低下する。近年の焼結鉱の製造時における高生産高層厚化の流れから、高層厚の原料充填層に対してより合致する新たな上限ルールを見出すことは非常に重要である。また、特許文献4においては、シンターケーキの圧縮による通気性の悪化やこれに伴うコークスの燃焼速度の低下による生産性の低下を改善するための提案がなされているが、焼結原料の層厚に着目するのみで十分な結果は得られていない。さらに、特許文献5ではコークス焼結速度を高めるためにシンターケーキ支持部材を規則的に分散させることが提案され、また、特許文献6ではシンターケーキ支持部材の長寿命化について提案されているが、シンターケーキ支持効果を最大限に活かして、成品品質及び生産性向上を図るために最適化されたシンターケーキ支持スタンドの構造及びその配置方法について具体的に示されてはいない。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、支持スタンド直上に形成されるシンターケーキ表面の亀裂を回避しつつ、シンターケーキ支持効果を最大限に活かして、成品品質及び生産性向上を図ることができるシンターケーキ支持スタンドを有する焼結パレット台車、それを備えた焼結機及びこれらを用いた焼結鉱の製造方法を提供することを目的とする。本発明者は、上記目的を達成するべく鋭意検討を行なった結果、600mm、特に720mmより層厚が高い原料充填層の条件下で焼結鉱を製造する際、支持スタンド直上に形成されるシンターケーキ表面の亀裂を回避するためのシンターケーキ支持スタンド高さの上限ルールを見出し、本発明を完成させた。上記課題を解決するための本発明の要旨は、以下の通りである。1600mmより厚い原料充填層厚の条件で焼結鉱を製造するために用いられる焼結パレット台車であって、該焼結パレット台車上に、側面がパレット台車の進行方向に略平行なるように立設されかつ高さHがH=h-120[mm]hは原料充填層の層厚以下のシンターケーキ支持スタンドをパレット台車の幅方向に複数備え、前記シンターケーキ支持スタンドは、その頂部面の幅WSが30[mm]≦WS≦60[mm]であり、前記シンターケーキ支持スタンドの個数は、パレット台車の幅方向に隣接するシンターケーキ支持スタンド間距離及び隣接するシンターケーキ支持スタンドと焼結パレット台車の側壁との間の距離が1250mmを越えないように選択されている、ことを特徴とする焼結パレット台車。21に記載の焼結パレット台車を備えたことを特徴とする焼結機。3焼結パレット台車上に、その進行方向に平行に立設されかつ高さHがH=h-120[mm]hは原料充填層の層厚以下であり、かつ頂部面の幅WSが30[mm]≦WS≦60[mm]であるシンターケーキ支持スタンドを、パレット台車の幅方向に隣接するシンターケーキ支持スタンド間距離及び隣接するシンターケーキ支持スタンドと焼結パレット台車の側壁との間の距離が1250mmを越えないようにパレット台車の幅方向に複数備えてシンターケーキを支持しながら、600mmより厚い原料充填層厚の条件で焼結鉱を製造する焼結鉱の製造方法。本発明の焼結パレット台車によれば、600mmより厚い原料充填層厚の条件で焼結鉱を製造するために用いられる焼結パレット台車およびこれを備えた焼結機であって、該焼結パレット台車上に、側面がパレット台車の進行方向に略平行なるように立設されかつ高さHがH=h-120[mm]hは原料充填層の層厚のシンターケーキ支持スタンドを焼結パレット台車の幅方向に複数備えた構成、すなわち、従来のシンターケーキ支持スタンドの高さより高い、層厚に対する高さ比で75を超える高さH=h-120[mm]hは原料充填層の層厚のシンターケーキ支持スタンドとする構成なので、簡易な変更によって、支持スタンド直上に形成されるシンターケーキ表面の亀裂を回避しつつ、シンターケーキ支持効果を最大限に活かして成品品質及び生産性を向上させることができる。本発明の焼結パレット台車によれば、シンターケーキ支持スタンドとしてその頂部面の幅WSが30[mm]≦WS≦60[mm]であるものとし、シンターケーキ支持スタンドの個数として、パレット台車の幅方向に隣接するシンターケーキ支持スタンド間距離及び隣接するシンターケーキ支持スタンドと焼結パレット台車の側壁との間の距離が1250mmを越えないように選択されている構成とすることにより、支持スタンド直上に形成されるシンターケーキ表面の亀裂、その前段現象である隆起をも回避しつつ、シンターケーキ支持効果を最大限に活かして成品品質及び生産性を向上させることができる。本発明の焼結機及び焼結鉱の製造方法によれば、シンターケーキ表面の亀裂を回避しつつ、シンターケーキ支持効果によって成品品質及び生産性を向上させることができる。以下、本発明を適用した一実施形態である焼結パレット台車、それを備えた焼結機及び焼結鉱の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。図1は、焼結パレット台車上の、焼結過程における原料充填層のシンターケーキ支持スタンド近傍を模式的に示す断面図である。焼結過程において、パレット台車上3の原料充填層1は、上層に焼結が完了した焼結完了層シンターケーキ1a、その下に燃焼進行中の軟化溶融層1b、その下に未焼結の原料充填層1c及び床敷層2からなる状態となっており、シンターケーキ1aはシンターケーキ支持スタンド4によって支持されている。原料充填層1の層厚hは600mmを越えるものであり、パレット台車上3に設置するシンターケーキ支持スタンド4の高さHはH=h-120mm以下とする。シンターケーキ支持スタンド4の高さHの上限を、原料充填層1の厚さhよりも120mm低い値とすることにより、原料充填層が600mmを越える高層厚条件下での焼結鉱の製造方法において、亀裂が発生しない支持シンターケーキ厚が支持スタンド直上に形成される。つまり、支持スタンド直上に形成される支持シンターケーキ厚を少なくとも120mm確保できる範囲でシンターケーキ支持スタンドの高さを設定することで、支持スタンド直上に形成されるシンターケーキ表面の亀裂を回避しつつ、シンターケーキ支持効果によって焼結鉱の成品品質及び生産性を向上させることができる。シンターケーキ支持スタンド4の高さHが層厚h-120mmより高くなると、支持シンターケーキ厚が120mmより薄くなり、支持スタンド直上に形成されるシンターケーキ表面に亀裂が発生する。また、下限は特に限定するものではないが、シンターケーキ支持スタンド4の高さHが450mm未満の場合、焼結進行速度FFSの改善が大きくないため450mm以上とすることが好ましい。図2は、シンターケーキ支持スタンド4が立設された焼結パレット台車3の平面図であって、シンターケーキ支持スタンド4の頂部面4aと、焼結パレット台車3の底面との相対位置及びサイズの関係を説明するための模式図である。図中、焼結パレット台車の上流端3Aから下流端3Bに向かう向きが焼結パレット台車の進行方向である。なお、以下に説明するシンターケーキ支持スタンド4の頂部面の幅WSは、図2に示すように、パレット台車の幅方向に平行な頂部面の寸法mm、同頂部面の長さLSは、パレット台車の進行方向に平行な寸法mmを意味する。シンターケーキ支持スタンド4の頂部面の幅WSは30[mm]≦WS≦60[mm]であるのが好ましい。上記頂部面の幅WSが30mmより狭いと上層シンターケーキに対して面支持効果が十分でなく、線支持に近い状態となって、シンターケーキに進行方向に平行に亀裂が入りやすいからであり、また、上記頂部面の幅WSが60mmより広いと頂部面による抜熱量が大きくなり、焼結鉱の成品品質及び生産性が低下するからである。シンターケーキ支持スタンド4の頂部面の長さLSは長いほど、シンターケーキを支持する面積が広くなるので、上層シンターケーキに対する応力集中を回避でき、亀裂回避には好ましい。しかし、焼結機排鉱部で焼結パレット台車からのシンターケーキ剥離性を良好に保つため、図2に示すように、焼結パレット台車の進行方向の下流端3Bにシンターケーキを支持しない領域が設けられることが多い。図3は、本発明のシンターケーキ支持スタンドを備えた焼結パレット台車の概略斜視図である。パレット台車の幅方向に隣接するシンターケーキ支持スタンド間距離d1及び隣接するシンターケーキ支持スタンドと焼結パレット台車の側壁との間の距離d2はいずれも、1250mmより小さい。d1又はd2のいずれかが1250mm以上になると、1台あたりのシンターケーキ支持スタンドに掛かる荷重が過大となり、支持スタンド直上に形成されるシンターケーキ表面に亀裂が入りやすくなるからである。焼結パレット台車の幅を従来ものより幅広にするときは、上記隣接するシンターケーキ支持スタンド間距離d1及び隣接するシンターケーキ支持スタンドと焼結パレット台車の側壁との間の距離d2が1250mmを越えないように、シンターケーキ支持スタンドの個数を決めればよい。長さL0が1500mm、幅W0が5500mmの焼結パレット台車13を用いた。また、図4に示すように、焼結パレット台車13上には、パレット台車の進行方向に平行に配置する多数のグレートバー13a群がパレット進行方向と直交方向に3列13A、13B、13C並置し、側面視して略台形のシンターケーキ支持スタンド14a、14bを前記グレートバー13a群の後方2列13B、13Cに、パレット台車の幅方向に4本づつ設置した。パレット台車の幅方向に隣接するシンターケーキ支持スタンド間距離d1は、パレット台車の幅方向において第1-第2スタンド間、および、第3-第4スタンド間のそれぞれの距離を1010mmとし、第2-第3スタンド間の距離を1000mmとした。また、シンターケーキ支持スタンドと焼結パレット台車の側壁との間の距離d2は、それぞれ1240mmとした。<参考>1010×210001240×2=5500mmパレット幅各シンターケーキ支持スタンドは、パレット台車の進行方向に水平な断面が概略台形板状を有し、かつ厚み方向の断面は、排鉱性を良好にする点から、板厚が下から上に薄くなるテーパー形状を有しており、その側面がパレット台車の進行方向に略平行なるように立設されている。また、シンターケーキ支持スタンドは、各シンターケーキ支持スタンドの底部台形の下底の長さ及び幅はそれぞれ500mm、100mmであり、頂部台形の上底の長さ及び幅はそれぞれ、200mm、47mmのものを用いた。表1に、本発明の様々な実施例に係る焼結パレット台車を用いて製造した焼結鉱について、支持スタンド直上に形成されるシンターケーキ表面の亀裂の有無、焼結鉱のTIタンブラー強度強度及び成品歩留を示す。また、表2に、比較例を示す。表中でh-Hは支持スタンド直上に形成される支持シンターケーキ厚に相当する。尚、亀裂の有無は目視により判断した。実施例1~9は、原料充填層の層厚hが600mm~970mmの条件において、シンターケーキ支持スタンドの高さHが原料充填層の層厚h-120[mm]以下であり、支持スタンド直上に形成される支持シンターケーキ厚が120mm以上を確保できているため、上層のシンターケーキ表面に亀裂の発生はなかった。その結果、実施例1~9の焼結鉱のTI強度及び成品歩留は良好であった。また、実施例1から9へと原料充填層の層厚が厚くなるにしたがって、支持スタンド直上に形成される支持シンターケーキ厚が増加し、このシンターケーキによる荷重も増大した。しかし、原料充填層の層厚増加によるシンターケーキの強度向上により、上層シンターケーキ表面の亀裂の発生はなかった。これに対して、比較例1~4は、シンターケーキ支持スタンドの高さHが原料充填層の層厚h-120[mm]より高く、支持スタンド直上に形成される支持シンターケーキ厚が110mmで、120mmより低いため、焼結原料充填層の層厚hが610mm比較例1、710mm比較例2、810mm比較例3、910mm比較例4のいずれの場合も亀裂が発生した。