"C面以外の面を主面とするIII族窒化物半導体基板であって、主面とC面の交線方向における主面のチルト角分布W1と、その交線に直交する方向における主面のチルト角分布W2との比W1/W2が1未満であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。M面を主面とするか、M面からc軸方向に90°未満傾斜した面を主面とするIII族窒化物半導体基板であって、a軸方向における主面のチルト角分布W1と、a軸に直交する方向における主面のチルト角分布W2との比W1/W2が1未満であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。前記チルト角分布W1が40mm間隔あたり±1°未満であることを特徴とする請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体基板。前記チルト角分布W2が40mm間隔あたり±0.01以上±1°未満であることを特徴とする請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体基板。請求項1~4のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板上にIII族窒化物半導体結晶を成長させることを特徴とするIII族窒化物半導体結晶の製造方法。請求項1~4のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板上にIII族窒化物半導体結晶を成長させる工程を含むことを特徴とする半導体発光デバイスの製造方法。請求項6に記載の製造方法により製造される半導体発光デバイス。LEDであることを特徴とする請求項7に記載の半導体発光デバイス。しかしながら、従来法で製造した基板を用いてその上に結晶を成長させても、積層欠陥が発生したり反りが発生したりして、性能がよい結晶が得られない。具体的には、従来法で製造した基板上に結晶を成長させてLED構造を製造すると、表面が荒れたLED構造が得られたり、発光効率が高くないLED構造が得られたりするなどの課題がある。そこで本発明者らは、このような従来技術の課題を解決するために、主面上に良質な結晶を成長させることが可能なIII族窒化物基板を提供することを本発明の目的として検討を進めた。また、そのような基板上にIII族窒化物結晶を成長させることにより、発光効率が高い半導体発光デバイスを提供することも本発明の目的として検討を進めた。本発明者らが、従来法にしたがって製造したIII族窒化物基板を分析したところ、基板主面上で直交する2軸の各軸方向にそれぞれ反りがあることが判明した。特許文献1~3を含む先行技術文献にはこのような2つの軸方向の基板の反りについて特に記載されていないが、本発明者らは、これらの反りが基板上に成長する結晶の品質に影響を与えている可能性があると考えて、基板の反りと基板上に成長する結晶の品質との関係を鋭意検討した。その結果、基板における特定の軸方向の反りとそれに直交する方向の反りの比率を特定の範囲内に制御することが、基板上に成長するIII族窒化物結晶の品質を良化させることを初めて見出した。本発明は、このような知見に基づいて提供されたものであり、以下の態様を包含するものである。[1]C面以外の面を主面とするIII族窒化物半導体基板であって、主面とC面の交線方向における主面のチルト角分布W1と、その交線に直交する方向における主面のチルト角分布W2との比W1/W2が1未満であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。[2]M面を主面とするか、M面からc軸方向に90°未満傾斜した面を主面とするIII族窒化物半導体基板であって、a軸方向における主面のチルト角分布W1と、a軸に直交する方向における主面のチルト角分布W2との比W1/W2が1未満であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。[3]前記チルト角分布W1が40mm間隔あたり±1°未満であることを特徴とする[1]または[2]に記載のIII族窒化物半導体基板。[4]前記チルト角分布W2が40mm間隔あたり±0.01以上±1°未満であることを特徴とする[1]または[2]に記載のIII族窒化物半導体基板。[5][1]~[4]のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板上にIII族窒化物半導体結晶を成長させることを特徴とするIII族窒化物半導体結晶の製造方法。[6][1]~[4]のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板上にIII族窒化物半導体結晶を成長させる工程を含むことを特徴とする半導体発光デバイスの製造方法。[7][6]に記載の製造方法により製造される半導体発光デバイス。[8]LEDであることを特徴とする[7]に記載の半導体発光デバイス。本発明のIII族窒化物半導体基板を用いれば、その上に優れた品質を有するIII族窒化物結晶を成長させることができる。また、本発明の製造方法を用いれば、優れた品質を有するIII族窒化物結晶やLEDなどの半導体発光デバイスを簡便に製造することができる。本発明の半導体発光デバイスは、発光効率が高い。以下において、本発明のIII族窒化物半導体基板等について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様や具体例に限定されるものではない。本明細書においてIII族窒化物結晶の主面とは、当該III族窒化物結晶における最も広い面であって、結晶成長を行うべき面を指す。本明細書においてC面とは、六方晶構造ウルツ鋼型結晶構造における{0001}面と等価な面であり、極性面である。III族窒化物結晶では、C面はIII族面またはV族面であり、窒化ガリウムではそれぞれGa面またはN面に相当する。また、本明細書においてM面とは、{1-100}面、{01-10}面、-1010面、{-1100}面、{0-110}面、{10-10}面として包括的に表される非極性面であり、具体的には1-100面、01-10面、-1010面、-1100面、0-110面、10-10面を意味する。さらに、本明細書においてA面とは、{2-1-10}面、{-12-10}面、{-1-120}面、{-2110}面、{1-210}面、{11-20}面として包括的に表される非極性面であり、具体的には2-1-10面、-12-10面、-1-120面、-2110面、1-210面、11-20面を意味する。本明細書においてc軸m軸a軸とは、それぞれC面、M面、A面に垂直な軸を意味する。また、本明細書においてオフ角とは、ある面の指数面からのずれを表す角度である。また、チルト角とは、結晶面内で基準とする結晶軸に対するある結晶軸のずれを表す角度である。本明細書では、結晶面の主面の中心における結晶軸を基準として、主面上の他の位置における結晶軸が中心の結晶軸からどの程度ずれているかを表す角度である。なお、本明細書において~を用いて表される数値範囲は、~の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。1III族窒化物半導体基板主面本発明のIII族窒化物半導体基板は、C面以外の面を主面とするIII族窒化物半導体基板である。本発明のIII族窒化物半導体基板の主面は、非極性面であっても、半極性面であってもよく、またこれらの面から傾斜した面であってもよい。本明細書において非極性面とは、表面にIII族元素と窒素元素の両方が存在しており、かつその存在比が1:1である面を意味する。具体的には、M面やA面を好ましい面として挙げることができる。本明細書において半極性面とは、例えば、III族窒化物が六方晶であってその主面がhklmで表される場合、h,i,kのうち少なくとも2つが0でなく、且つlが0でない面をいう。また、半極性面は、c面、すなわち0001面に対して傾いた面で、表面にIII族元素と窒素元素の両方あるいはC面のように片方のみが存在する場合で、かつその存在比が1:1でない面を意味する。h、k、l、mはそれぞれ独立に-5~5のいずれかの整数であることが好ましく、-2~2のいずれかの整数であることがより好ましく、低指数面であることが好ましい。本発明のIII族窒化物半導体基板の主面として好ましく採用できる半極性面として、例えば10-11面、10-1-1面、20-21面、20-2-1面、10-12面、10-1-2面などを挙げることができる。なお、本明細書においてC面、M面、A面や特定の指数面を称する場合には、±0.01°以内の精度で計測される各結晶軸から10°以内のオフ角を有する範囲内の面を含む。好ましくはオフ角が5°以内であり、より好ましくは3°以内である。本発明のIII族窒化物半導体基板の主面として、オフ角を有する非極性面や半極性面である特定の指数面を採用するとき、そのオフ角は傾斜後の面がC面とならない範囲内で選択する。オフ角は0.01°以上であることが好ましく、0.05°以上であることがより好ましく、0.1°以上であることがさらに好ましい。また、オフ角は10°以下であることが好ましく、5°以下であることがより好ましく、3°以下であることがさらに好ましい。傾斜方向はc軸方向を選択することが好ましい。本発明のIII族窒化物半導体基板の主面が半極性面である場合には、好ましくはM面またはM面からc軸方向に傾斜した面や、A面またはA面からc軸方向に傾斜した面であり、より好ましくはM面またはM面からc軸方向に傾斜した面である。M面またはA面からc軸方向に傾斜した面を主面とする場合、M面からc軸方向に傾斜した面の具体例として、20-21面や10-11面を挙げることができる。チルト角分布本発明のIII族窒化物半導体基板は、主面とC面の交線方向における主面のチルト角分布W1と、その交線に直交する方向における主面のチルト角分布W2との比W1/W2が1未満であることを特徴とする。図1のIII族窒化物半導体基板1で説明すると、主面とC面の交線方向がx方向であるとき、x方向における主面のチルト角分布W1と、x方向に直交するy方向における主面のチルト角分布W2との比が上記の規定値未満であることを特徴とする。例えば、主面がM面である場合、主面とC面の交線方向はa軸方向となり、比W1/W2はa軸方向の主面のチルト角分布をc軸方向の主面のチルト角分布で除することにより求めることができる。また、主面がA面である場合、主面とC面の交線方向はm軸方向となり、比W1/W2はm軸方向の主面のチルト角分布をc軸方向の主面のチルト角分布で除することにより求めることができる。チルト角分布は、反りの大きさを表すものである。本発明における主面のチルト角分布は、各軸上の3点以上の測定点でチルト角を測定することにより求める。具体的な測定法については、後述の実施例を参照することができる。チルト角分布は、本発明では40mm間隔換算で表記する。本発明のIII族窒化物半導体基板におけるチルト角分布の比W1/W2は1未満であることが好ましく、0.8未満であることがより好ましく、0.5未満であることがさらに好ましい。また、下限値は0.01以上であることが好ましく、0.02以上であることがより好ましく、0.04以上であることがさらに好ましい。本発明のIII族窒化物半導体基板におけるチルト角分布W1は40mm間隔あたり±1°未満であることが好ましく、±0.5°未満であることがより好ましく、±0.2°未満であることがさらに好ましい。チルト角分布W1はゼロであることが最も好ましいが、有限の値をとる場合は例えば±0.01°以上とすることができる。上述の本発明のIII族窒化物半導体基板におけるチルト角分布W1は、主面とC面の交線方向の基板の反りに言い換えられる。前記交線方向の基板の反りは、40mmあたり2°未満であることが好ましく、1°未満であることがより好ましく、0.85°未満であることがより好ましく、0.65°未満であることがより好ましく、0.45°未満であることがより好ましく、0.4°未満であることがさらに好ましく、0.25°未満であることが特に好ましい。本発明のIII族窒化物半導体基板におけるチルト角分布W2は40mm間隔あたり±1°未満であることが好ましく、±0.8°未満であることがより好ましく、±0.5°未満であることがさらに好ましい。チルト角分布W2は例えば±0.1°以上とすることができる。上述の本発明のIII族窒化物半導体基板におけるチルト角分布W2は、前記交線に直交する方向の基板の反りに言い換えられる。前記交線に直交する方向の基板の反りは、40mmあたり2°未満であることが好ましく、1.6°未満であることがより好ましく、1°未満であることがよりに好ましく、0.80°未満であることがより好ましく、0.60°未満であることがさらに好ましく、0.40°未満であることが特に好ましい。また、主面とC面の交線方向の40mmあたりの基板の反りと前記交線に直交する方向の40mmあたりの基板の反りとの差は、通常0.02~1.0°であり、0.03~0.75°であることが好ましく、0.05~0.5°であることがより好ましい。なお、基板の反りは、後述する実施例におけるチルト角分布の測定方法と同方法により測定することができる。本発明のIII族窒化物半導体基板は、チルト角分布W1とW2がともに大きくてチルト角分布の比W1/W2が小さい従来のIII族窒化物半導体基板とは異なり、チルト角分布W1の絶対値が小さくてチルト角分布の比W1/W2が小さい点に特徴がある。このようなIII族窒化物半導体基板は、従来は提供することができなかったものであり、本発明によって初めて提供されるに至ったものである。また、チルト角分布の比W1/W2が特定値未満であるIII族窒化物半導体基板を用いれば、その主面上に優れた性質を有するIII族窒化物半導体を成長させ得ることは、本発明によって初めて明らかにされたものである。III族窒化物半導体本発明の基板を構成するIII族窒化物半導体の種類は特に制限されない。例えば、窒化ガリウムGaN、窒化アルミニウムAlN、窒化インジウムInN、またはこれらの混晶などを挙げることができる。混晶としては、AlGaN、InGaN、AlInN、AlInGaNなどを挙げることができる。好ましいのは窒化ガリウムGaNおよびGaを含む混晶であり、より好ましいのは窒化ガリウムGaNである。本発明のIII族窒化物半導体基板のサイズは、その主面上に結晶を成長させるのに十分な大きさであることが好ましい。例えば、最大径は10mm以上とすることができ、さらに17mm以上とすることができる。また、厚みは取り扱いやすい厚みであることが好ましく、例えば0.2mm以上とすることができ、さらに0.3mm以上とすることができる。形状は、長方体、立方体、円柱状など様々な形状をとりうるものであり、特に制限されない。2III族窒化物半導体基板の製造III族窒化物自立基板本発明のIII族窒化物半導体基板の製造方法は、本発明の条件を満たす基板を製造することができるものであれば、特に制限されない。本発明のIII族窒化物半導体基板は、例えば同種のIII族窒化物自立基板上にIII族窒化物半導体を成長させる工程を経て製造することが可能である。III族窒化物自立基板は、例えば、特定の方向に成長させたIII族窒化物結晶塊から、製造しようとしているIII族窒化物半導体基板の主面と同じ主面かその主面から傾斜した面が主面となるように切り出すことにより製造することができる。例えば、III族窒化物半導体が六方晶である場合は、0001面成長により作製されたIII族窒化物結晶塊から、M面またはM面から若干傾斜した面が主面となるように切り出すことにより、III族窒化物自立基板を製造することができる。このIII族窒化物自立基板は、M面を主面とするIII族窒化物半導体基板を成長させるために用いることができる。M面から傾斜した半極性面を主面とする、III族窒化物自立結晶を切り出す場合は、傾斜角を60°以下にすることが好ましく、45°以下にすることがより好ましく、30°以下にすることがさらに好ましい。なお、III族窒化物結晶塊からIII族窒化物自立基板を切り出す際には、0001面の総面積よりも000-1面の総面積が大きくなるように切り出すことが、その上に成長させる結晶のW1/W2比をより小さくするうえで好ましい。切り出すIII族窒化物自立基板のサイズは、その自立基板上に結晶を成長させることができるものであることが必要とされる。通常は、製造しようとしているIII族窒化物半導体基板の形状に対応した形状とサイズを選択する。例えば、長方形、立方径、円柱状のIII族窒化物自立基板とすることができる。長方形のIII族窒化物自立基板を製造する場合は、主面とC面の交線方向の長さL1が、それに直交する主面内の方向の長さL2よりも長いことが好ましい。具体的には、長さの比L1/L2が1以上であることが好ましく、1.5以上であることがより好ましく、2以上であることがさらに好ましい。また、長さの比L1/L2は10以下であることが好ましく、7以下であることがより好ましく、5以下であることがさらに好ましい。III族窒化物自立基板の厚みは取り扱いの容易性や自立基板上への結晶の成長容易性等を考慮して適宜決定することができるが、例えば0.2mm以上にし、さらには0.3mm以上にすることができ、また、例えば5mm以下にし、さらには2mm以下にすることができる。III族窒化物自立基板は単独で用いて、その上にIII族窒化物結晶を成長させることも可能であるが、大型のIII族窒化物結晶を容易に作製することが可能な点から、複数のIII族窒化物自立基板をシードとして並べて設置したうえでIII族窒化物結晶を成長させることが好ましい。複数のIII族窒化物自立基板を並べる際には、同一平面上に結晶方位をそろえて並べ、少なくとも隣り合う自立基板が互いに接するように並べることが好ましい。このとき、少なくとも自立基板の主面とC面との交線方向の辺で互いに接するように並べることが好ましい。例えば、主面とC面との交線方向の辺と、それに直交する辺を有する主面を含む直方体または立方体の同一形状のIII族窒化物自立基板を並べる際には、少なくとも主面とC面との交線方向の辺どうしが接するようにし、好ましくはそれに直交する辺どうしも接するように並べる。具体例として、a軸方向の辺とc軸方向の辺を有するM面を主面とする直方体のIII族窒化物自立基板シード110を並べる際には、図2に示すようにa軸方向の辺どうしが接し、c軸方向の辺どうしが接するように並べることができる。このとき、主面とC面との交線方向であるa軸方向の辺どうしが接する距離の総和Saが、それ以外の辺であるc軸方向の辺どうしが接する距離の総和Scよりも長くすることが好ましい。距離の総和の比Sa/Scは1以上であることが好ましく、2以上であることがより好ましく、2.5以上であることがさらに好ましい。また、距離の総和の比Sa/Scは10以下であることが好ましく、8以下であることがより好ましく、5以下であることがさらに好ましい。III族窒化物自立基板上にIII族窒化物結晶を成長させる方法としては、例えば、ハイドライド気相成長HVPE法、有機金属化学気相堆積MOCVD法、昇華法などの気相法、液相エピタキシーLPE法などの液相法、アモノサーマル法などを採用することが可能であり、HVPE法を好ましく用いることができる。製造装置と製造条件本発明では、III族窒化物自立基板上にIII族窒化物結晶を成長させることができる製造装置を適宜選択して用いることができる。以下では、好ましい製造装置の一例として、図3を参照しながらHVPE法の製造装置を説明する。1基本構造図3の製造装置は、リアクター100内に、シード110を載置するためのサセプター108と、成長させるIII族窒化物半導体の原料を入れるリザーバー106とを備えている。また、リアクター100内にガスを導入するための導入管101~105と、排気するための排気管109が設置されている。さらに、リアクター100を側面から加熱するためのヒーター107が設置されている。2リアクターの材質、雰囲気ガスのガス種リアクター100の材質としては、石英、焼結体窒化ホウ素、ステンレス等が用いられる。好ましい材質は石英である。リアクター100内には、反応開始前にあらかじめ雰囲気ガスを充填しておく。雰囲気ガスキャリアガスとしては、例えば、水素、窒素、He、Ne、Arのような不活性ガス等を挙げることができる。これらのガスは混合して用いてもよい。3サセプターの材質、形状、成長面からサセプターまでの距離サセプター108の材質としてはカーボンが好ましく、SiCで表面をコーティングしているものがより好ましい。サセプター108の形状は、本発明で用いるIII族窒化物シードを設置することができる形状であれば特に制限されないが、結晶成長する際に結晶成長面付近に構造物が存在しないものであることが好ましい。結晶成長面付近に成長する可能性のある構造物が存在すると、そこに多結晶体が付着し、その生成物としてHClガスが発生して結晶成長させようとしている結晶に悪影響が及んでしまう。シード110とサセプター108の接触面は、シードの主面結晶成長面から1mm以上離れていることが好ましく、3mm以上離れていることがより好ましく、5mm以上離れていることがさらに好ましい。4リザーバーリザーバー106には、成長させるIII族窒化物半導体の原料を入れる。具体的には、III族源となる原料を入れる。そのようなIII族源となる原料として、Ga、Al、Inなどを挙げることができる。リザーバー106にガスを導入するための導入管103からは、リザーバー106に入れた原料と反応するガスを供給する。例えば、リザーバー106にIII族源となる原料を入れた場合は、導入管103からHClガスを供給することができる。このとき、HClガスとともに、導入管103からキャリアガスを供給してもよい。キャリアガスとしては、例えば水素、窒素、He、Ne、Arのような不活性ガス等を挙げることができる。これらのガスは混合して用いてもよい。5窒素源アンモニア、セパレートガス、ドーパントガス導入管104からは、窒素源となる原料ガスを供給する。通常はNH3を供給する。また、導入管101からは、キャリアガスを供給する。キャリアガスとしては、導入管103から供給するキャリアガスと同じものを例示することができる。このキャリアガスは原料ガス同士の気相での反応を抑制し、ノズル先端にポリ結晶が付着することを防ぐ効果もある。また、導入管102からは、ドーパントガスを供給することもできる。例えば、SiH4やSiH2Cl2、H2S等のn型のドーパントガスを供給することができる。6ガス導入方法導入管101~104から供給する上記ガスは、それぞれ互いに入れ替えて別の導入管から供給しても構わない。また、窒素源となる原料ガスとキャリアガスは、同じ導入管から混合して供給してもよい。さらに他の導入管からキャリアガスを混合してもよい。これらの供給態様は、リアクター100の大きさや形状、原料の反応性、目的とする結晶成長速度などに応じて、適宜決定することができる。7排気管の設置場所ガス排気管109は、リアクター内壁の上面、底面、側面に設置することができる。ゴミ落ちの観点から結晶成長端よりも下部にあることが好ましく、図3のようにリアクター底面にガス排気管109が設置されていることがより好ましい。8結晶成長条件上記の製造装置を用いた結晶成長は、950°C以上で行うことが好ましく、970°C以上で行うことがより好ましく、980°C以上で行うことがさらに好ましい。また、1120°C以下で行うことが好ましく、1100°C以下で行うことがより好ましく、1090°C以下で行うことがさらに好ましい。W1/W2比をより低減するためには、結晶成長中の温度が徐々に低下しないように制御することが好ましい。結晶成長中の温度低下は60°C以内に制御することが好ましく、40°C以内に制御することがより好ましく、20°C以内に制御することがさらに好ましい。リアクター内の圧力は10kPa以上とすることが好ましく、30kPa以上とすることがより好ましく、50kPa以上とすることがさらに好ましい。また、200kPa以下とすることが好ましく、150kPa以下とすることがより好ましく、120kPa以下とすることがさらに好ましい。9結晶の成長速度上記の製造装置を用いた結晶成長の成長速度は、成長方法、成長温度、原料ガス供給量、結晶成長面方位等により異なるが、一般的には5μm/h~500μm/hの範囲であり、10μm/h以上が好ましく、50μm/h以上がより好ましく、70μm以上であることがさらに好ましい。成長速度は、上記の他、キャリアガスの種類、流量、供給口-結晶成長端距離等を適宜設定することによって制御することができる。スライス、外形加工、表面研磨結晶成長後に所望の形状のIII族窒化物半導体基板を得るために、スライス、外形加工、表面研磨などを適宜行うことが好ましい。これらの方法は、いずれか1つだけを選択して用いてもよいし、組み合わせて用いてもよい。組み合わせて用いる場合は、例えば、スライス、外形加工、表面研磨の順に行うことができる。各処理について詳しく説明すると、スライスは、例えばワイヤーで切断することにより行うことができる。外形加工とは、基板形状を円形にしたり、長方形にしたりすることを意味し、例えばダイシング、外周研磨、ワイヤーで切断する方法などを挙げることができる。表面研磨の例として、ダイヤモンド砥粒などの砥粒を用いて表面を研磨する方法、CMPchemicalmechanicalpolishing、機械研磨後のRIEでのダメージ層エッチングなどを挙げることができる。3III族窒化物半導体結晶の製造本発明のIII族窒化物半導体基板の主面上に結晶を成長させることにより、III族窒化物半導体結晶を製造することができる。III族窒化物半導体基板上にIII族窒化物結晶を成長させる方法としては、例えば、ハイドライド気相成長法HVPE法、有機金属化学気相堆積法MOCVD法、LPE法などの液相法、アモノサーマル法などを採用することが可能であり、HVPE法を好ましく用いることができる。HVPE法の製造装置については、図3に示すものを例示することができる。製造条件については、通常のIII族窒化物結晶の成長条件を適宜選択して採用することができる。本発明のIII族窒化物半導体基板を用いて成長させたIII族窒化物半導体結晶は、結晶品質が高くて半導体発光デバイス等に好ましく用いることができる。本発明によれば、サイズが大きなIII族窒化物半導体基板を提供することができるため、製造しようとしているIII族窒化物半導体結晶のサイズに応じた基板を用いることが好ましい。本発明では、複数のIII族窒化物半導体基板を平面上に並べて、その上にまたがるようにIII族窒化物半導体結晶を成長させることも可能であるが、一段と品質が良好な結晶を製造するためには、1枚のIII族窒化物半導体基板上にIII族窒化物半導体結晶を成長させることが好ましい。4半導体発光デバイス本発明の半導体発光デバイスは、上記の本発明のIII族窒化物半導体基板を用いている点に特徴がある。通常は、本発明のIII族窒化物半導体基板の主面上に上記方法によりIII族窒化物半導体結晶を成長させることにより、LEDなどの半導体発光デバイスを製造する。成長させるIII族窒化物半導体結晶としては、例えばGaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlInGaNなどを挙げることができる。本発明のIII族窒化物半導体基板上に結晶を成長させれば、主面のチルト角分布の比W1/W2が大きな従来のIII族窒化物半導体基板上に結晶を成長させた場合に比べて、発光効率が高い半導体発光デバイスを提供することができる。以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。1III族窒化物半導体基板の製造実施例10001面成長により作製されたGaN結晶塊から、20-21面から<0001>c軸方向に1°のオフ角を有する主面を有する長方体のGaN自立基板を8枚切り出した。各GaN自立基板は、<11-20>a軸方向に30mm、主面内においてa軸に直交する方向に17mmとなるように切り出した。このGaN自立基板をシードとして、サセプター上に<11-20>a軸方向に2列、a軸に直交する方向に4列に並べた図2参照。その後、図3に示すように、シード110を搭載したサセプター108をリアクター100内に配置し、反応室の温度を970°Cまで上げ、HVPE法にてGaN単結晶膜の成長を開始した。成長開始と同時に、反応室の温度を970°Cから1020°Cまで1時間で昇温させた後、1020°C一定で77時間成長させた。この単結晶成長工程においては成長開始から成長終了まで成長圧力を1.01×105Paとし、GaClガスG3の分圧を5.96×102Paとし、NH3ガスG4の分圧を5.34×103Paとした。単結晶成長工程が終了後、室温まで降温し、GaN結晶を得た。得られたGaN結晶は<20-21>方向に最大で12.0mm、最小で8.1mm成長していた。成長膜厚分布には傾向がなく、ランダムな膜厚分布であった。得られたGaN結晶を、ダイシングにより外形加工し、さらにダイヤモンド砥粒を用いた研磨およびChemicalmechanicalPolishingCMPにより表面研磨して、厚さ400μmの10-10面M面を主面とする55mm角の正方形のGaN自立基板を作製した。基板面内における<11-20>a軸方向および<0001>c軸方向のチルト角分布を、X線回折法のωスキャンを各方向に3点実施することにより測定した。3点の測定点は、基板中心1点と、基板中心から20mm離れた2点となる位置とした。測定結果は、40mm間隔換算で<11-20>a軸方向は±0.11°、<0001>c軸方向は±0.35°であった。<11-20>a軸方向のチルト角分布を<0001>c軸方向のチルト角分布で割った値は、0.31であった。なお、2つの軸方向のチルト角分布は主面中でほぼ一定であった。実施例2実施例1と同じ方法にしたがって、20-21面から<0001>c軸方向に1°のオフ角を有する主面を有する8枚のGaN自立基板上にGaN結晶を成長させた。得られたGaN結晶を、ワイヤーで切断することによりスライスし、ダイシングすることにより外形加工し、さらにダイヤモンド砥粒を用いた研磨とCMPにより表面研磨して、厚さ400μmの20-21面を主面とする55mm角の正方形のGaN自立基板を作製した。基板面内における<11-20>a軸方向および主面内においてa軸に直交する方向のチルト角分布を、X線回折法のωスキャンを実施例1と同様に各方向に3点実施することにより測定したところ、40mm間隔換算で<11-20>a軸方向は±0.11°、a軸に直交する方向は±0.33°であった。<11-20>a軸方向のチルト角分布をa軸に直交する方向のチルト角分布で割った値は、0.33であった。なお、2つの軸方向のチルト角分布は主面中でほぼ一定であった。比較例120-21面から<11-20>a軸方向に-1°から1°のオフ角を有する主面を有する8枚のGaN自立基板を用意し、<11-20>側に-1°のオフ角を有する基板を置き、<-1-120>側に行くにつれ、徐々にオフ角がプラス側に変化するようにサセプター上に並べた。図3の結晶製造装置を用いて、実施例1と同様の条件でGaN結晶を成長させた。得られたGaN結晶を、ワイヤーで切断することによりスライスし、ダイシングにより外形加工し、さらにダイヤモンド砥粒を用いた研磨とCMPにより表面研磨して、厚さ400μmの10-10面M面を主面とする55mm角の正方形のGaN自立基板を作製した。基板面内における<11-20>a軸方向および<0001>c軸方向のチルト角分布を、X線回折法のωスキャンを実施例1と同様に各方向に3点実施することにより測定したところ、40mm間隔換算で<11-20>a軸方向は±0.81°、<0001>c軸方向は±0.41°であった。<11-20>a軸方向のチルト角分布を<0001>c軸方向のチルト角分布で割った値は、1.84であった。なお、2つの軸方向のチルト角分布は主面中でほぼ一定であった。<実施例3>主面が10-1-1面であり、<0001>c軸方向の長さが5mmで、<11-20>a軸方向の長さが20mmである長方形のGaN自立基板を用意し、これをシード110としてサセプター108上に置いた。シード110を搭載したサセプター108を図1に示すようにリアクター100内に配置して、反応室の温度を1020°Cまで上げ、HVPE法にてGaN単結晶膜を54時間成長させた。この単結晶成長工程においては成長圧力を1.01×105Paとし、GaClガスG3の分圧を5.96×102Paとし、NH3ガスG4の分圧を6.98×103Paとした。単結晶成長工程が終了後、室温まで降温し、GaN結晶を得た。結晶は[10-1-1]方向に最大4.5mm成長していた。得られたGaN結晶について外形加工、表面研磨処理を行った後、通常の手法でこれをスライスし、研磨を行って、厚さ330μmの10-10面を主面とするGaN自立基板を3枚作製した。得られた3枚のGaN自立基板のうち、シード側から2番目の基板の評価を実施した。基板面内における<11-20>a軸方向および主面内においてa軸に直交する方向のチルト角分布を、X線回折法のωスキャンを実施例1と同様に各方向に3点実施することにより測定したところ、40mm間隔換算で<11-20>a軸方向は±0.21°、a軸に直交する方向は±0.26°であった。<11-20>a軸方向のチルト角分布をa軸に直交する方向のチルト角分布で割った値は、0.81であった。なお、2つの軸方向のチルト角分布は主面中でほぼ一定であった。<実施例4>シードとして主面が20-2-1面であるGaN自立基板を用いた点を変更して、実施例3と同じ条件でGaN結晶を得た。結晶は[20-2-1]方向に最大4.8mm成長していた。この結晶から実施例3と同じ方法により厚さ330μmの3枚のGaN自立基板を得て、シード側から2番目の基板の反りを測定した。基板面内における<11-20>a軸方向および主面内においてa軸に直交する方向のチルト角分布を、X線回折法のωスキャンを実施例1と同様に各方向に3点実施することにより測定したところ、40mm間隔換算で<11-20>a軸方向は±0.08°、a軸に直交する方向は±0.14°であった。<11-20>a軸方向のチルト角分布をa軸に直交する方向のチルト角分布で割った値は、0.57であった。なお、2つの軸方向のチルト角分布は主面中でほぼ一定であった。<実施例5>シードとして主面が10-10面であるGaN自立基板を用いた点を変更して、実施例3と同じ条件でGaN結晶を得た。結晶は[10-10]方向に最大4.7mm成長していた。この結晶から実施例3と同じ方法により厚さ330μmの3枚のGaN自立基板を得て、シード側から2番目の基板の反りを測定した。基板面内における<11-20>a軸方向および主面内においてa軸に直交する方向のチルト角分布を、X線回折法のωスキャンを実施例1と同様に各方向に3点実施することにより測定したところ、40mm間隔換算で<11-20>a軸方向は±0.15°、a軸に直交する方向は±0.60°であった。<11-20>a軸方向のチルト角分布をa軸に直交する方向のチルト角分布で割った値は、0.25であった。なお、2つの軸方向のチルト角分布は主面中でほぼ一定であった。<実施例6>シードとして、主面が20-21面であり、c軸方向の長さが17mmで、a軸方向の長さが25mmの長方形であるGaN自立基板を8枚用意し、これらをc軸方向に4列、a軸方向に2列に並べて使用した点を変更して、実施例3と同じ条件でGaN結晶を得た。結晶は[20-21]方向に最大17mm成長していた。10-10面でスライスし、複数枚の基板を得て、そのうち39mm×53mmの基板の反りを測定した。基板面内における<11-20>a軸方向および主面内においてa軸に直交する方向のチルト角分布を、X線回折法のωスキャンを実施例1と同様に各方向に3点実施することにより測定したところ、40mm間隔換算で<11-20>a軸方向は±0.033°、a軸に直交する方向は±0.22°であった。<11-20>a軸方向のチルト角分布をa軸に直交する方向のチルト角分布で割った値は、0.15であった。なお、2つの軸方向のチルト角分布は主面中でほぼ一定であった。2半導体発光デバイスの製造実施例11実施例1で製造した10-10面を主面とする基板上に、MOCVD法により405nm発光を目標にしたInGaN系のLED構造を作製した。具体的には、基板にInGaN/GaN量子井戸を含んだ構造を成長することによってLED構造を作製した。作製したLED構造は、光学顕微鏡で50倍から1000倍の倍率まで確認したところ平坦に作製されていることが確認された。作製したLEDについて、中心波長325nmのHe-Cdレーザーを励起光源として用いて室温にてPLphotoluminescence測定を実施したところ、ウェハ全面から、発光波長405nm付近の量子井戸からの発光が観測された。実施例12実施例2で製造した20-21面を主面とする基板を用いた点を変更して、実施例11と同様にしてLED構造を作製した。作製したLED構造は、光学顕微鏡で50倍から1000倍の倍率まで確認したところ平坦に作製されていることが確認された。作製したLEDについて、中心波長325nmのHe-Cdレーザーを励起光源として用いて室温にてPL測定を実施したところ、ウェハ全面から、発光波長405nm付近の量子井戸からの発光が観測された。比較例11比較例1で製造した10-10面を主面とする基板を用いた点を変更して、実施例11と同様にしてLED構造を作製した。作製したLED構造の表面を光学顕微鏡で50倍の倍率で観察したところ、非常に荒れた表面になっていることが確認された。作製したLEDについて、中心波長325nmのHe-Cdレーザーを励起光源として用いて室温にてPL測定を実施したところ、ウェハ全面で発光波長405nm付近の量子井戸からの発光が全く観測されず、440nmより長波長側の発光のみ観測された。実施例13実施例3で製造した10-1-1面を主面とする基板を用いた点を変更して、実施例11と同様にしてLED構造を作製した。作製したLEDについて、中心波長325nmのHe-Cdレーザーを励起光源として用いて室温にてPL測定を実施したところ、ウェハ全面から、発光波長405nm付近の量子井戸からの発光が観測された。実施例14実施例4で製造した20-21面を主面とする基板を用いた点を変更して、実施例11と同様にしてLED構造を作製した。作製したLEDについて、中心波長325nmのHe-Cdレーザーを励起光源として用いて室温にてPL測定を実施したところ、ウェハ全面から、発光波長405nm付近の量子井戸からの発光が観測された。"