"第1の比誘電率を有し、かつ、第1の主面及び第2の主面を有する素体と、前記素体内に設けられている線状の信号線と、前記素体において前記信号線よりも前記第1の主面側に設けられ、かつ、該信号線と対向している第1のグランド導体であって、該信号線と重なる第1の開口が設けられている第1のグランド導体と、前記第1の比誘電率よりも高い第2の比誘電率を有し、かつ、前記第1の主面上において前記第1の開口と重なるように設けられている第1の高誘電率層と、を備えていること、を特徴とする高周波信号線路。前記第1のグランド導体は、前記第1の主面上に設けられており、前記第1の高誘電率層は、前記第1のグランド導体を覆っていること、を特徴とする請求項1に記載の高周波信号線路。前記素体において前記信号線を挟んで前記第1のグランド導体と対向している第2のグランド導体を、更に備えていること、を特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載の高周波信号線路。前記第2のグランド導体には、前記信号線と重なる第2の開口が設けられており、前記高周波信号線路は、前記第1の比誘電率よりも高い第3の比誘電率を有し、かつ、前記第2の主面上において前記第2の開口と重なるように設けられている第2の高誘電率層を、更に備えていること、を特徴とする請求項3に記載の高周波信号線路。前記素体は、複数の絶縁体層が積層されて構成されていること、を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の高周波信号線路。前記素体は、可撓性を有していること、を特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の高周波信号線路。そこで、本発明の目的は、信号線と重なる開口が設けられたグランド導体を備えた高周波信号線路において、不要輻射を低減することである。本発明の一形態に係る高周波信号線路は、第1の比誘電率を有し、かつ、第1の主面及び第2の主面を有する素体と、前記素体内に設けられている線状の信号線と、前記素体において前記信号線よりも前記第1の主面側に設けられ、かつ、該信号線と対向している第1のグランド導体であって、該信号線と重なる第1の開口が設けられている第1のグランド導体と、前記第1の比誘電率よりも高い第2の比誘電率を有し、かつ、前記第1の主面上において前記第1の開口と重なるように設けられている第1の高誘電率層と、を備えていること、を特徴とする。本発明によれば、信号線と重なる開口が設けられたグランド導体を備えた高周波信号線路において、不要輻射を低減することである。以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。高周波信号線路の構成以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路10の外観斜視図である。図2は、図1の高周波信号線路10の誘電体素体12の分解図である。図3は、図1の高周波信号線路10の断面構造図である。図4は、高周波信号線路10の断面構造図である。図5は、高周波信号線路10のコネクタ100bの外観斜視図及び断面構造図である。図1ないし図5において、高周波信号線路10の積層方向をz軸方向と定義する。また、高周波信号線路10の長手方向をx軸方向と定義し、x軸方向及びz軸方向に直交する方向をy軸方向と定義する。高周波信号線路10は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、2つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号線路10は、図1ないし図3に示すように、誘電体素体12、保護層14、高誘電率層15、外部端子1616a,16b、信号線20、グランド導体22,24、ビアホール導体b1~b4,B1~B3及びコネクタ100a,100bを備えている。誘電体素体12は、2つの主面を有する板状の可撓性部材である。誘電体素体12は、z軸方向から平面視したときに、x軸方向に延在しており、線路部12a、接続部12b,12cを含んでいる。誘電体素体12は、図2に示す誘電体シート絶縁体層1818a~18cがz軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。誘電体素体12を構成する誘電体シート18は、液晶ポリマーからなり、3程度の比誘電率ε1を有している。なお、誘電体シート18は、液晶ポリマーのほか、ポリイミド等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成することができる。以下では、図4に示すように、誘電体素体12のz軸方向の負方向側の主面を表面第1の主面称し、誘電体素体12のz軸方向の正方向側の主面を裏面第2の主面と称す。線路部12aは、x軸方向に延在している。接続部12b,12cはそれぞれ、線路部12aのx軸方向の負方向側の端部及びx軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部12b,12cのy軸方向の幅は、線路部12aのy軸方向の幅よりも広い。誘電体シート18は、z軸方向から平面視したときに、x軸方向に延在しており、誘電体素体12と同じ形状をなしている。誘電体シート18a,18bの合計の厚さT1は、図4に示すように、誘電体シート18cの厚さT2よりも厚い。例えば、誘電体シート18a~18cの積層後において、厚さT1は50~300μmである。本実施形態では、厚さT1は150μmである。また、厚さT2は10~100μmである。本実施形態では、厚さT2は50μmである。以下では、誘電体シート18のz軸方向の負方向側の主面を表面と称し、誘電体シート18のz軸方向の正方向側の主面を裏面と称す。また、誘電体シート18aは、線路部18a-a及び接続部18a-b,18a-cにより構成されている。誘電体シート18bは、線路部18b-a及び接続部18b-b,18b-cにより構成されている。誘電体シート18cは、線路部18c-a及び接続部18c-b,18c-cにより構成されている。線路部18a-a,18b-a,18c-aは、線路部12aを構成している。接続部18a-b,18b-b,18c-bは、接続部12bを構成している。接続部18a-c,18b-c,18c-cは、接続部12cを構成している。外部端子16aは、図1及び図2に示すように、接続部18a-bの裏面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子16bは、図1及び図2に示すように、接続部18a-cの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子16a,16bは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子16a,16bの表面には、金めっきが施されている。信号線20は、図2に示すように、誘電体素体12内に設けられている線状導体であり、誘電体シート18bの表面をx軸方向に延在している。信号線20の両端はそれぞれ、z軸方向から平面視したときに、外部端子16a,16bと重なっている。信号線20の線幅は、例えば100~500μmである。本実施形態では、信号線20の線幅は240μmである。信号線20は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。グランド導体24第1のグランド導体は、図2に示すように、誘電体素体12内において信号線20よりも第1の主面側すなわち、z軸方向の負方向側に設けられ、より詳細には、誘電体シート18cの表面に設けられている。これにより、グランド導体24は、誘電体素体12の第1の表面上に設けられている。グランド導体24は、誘電体シート18cの表面においてx軸方向に延在しており、誘電体シート18cを介して信号線20と対向している。グランド導体24は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、グランド導体24は、線路部24a、端子部24b,24cにより構成されている。線路部24aは、線路部18c-aの表面に設けられ、x軸方向に延在している。そして、線路部24aは、導体層が形成されていない複数の開口30と導体層が形成されている部分である複数のブリッジ部60とが交互に信号線20に沿って設けられることにより、はしご状をなしている。開口30は、図2及び図4に示すように、z軸方向から平面視したときに、長方形状をなしており、信号線20と重なっている。これにより、信号線20は、z軸方向から平面視したときに、開口30とブリッジ部60と交互に重なっている。また、開口30は、等間隔に並んでいる。端子部24bは、線路部18c-bの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部24bは、線路部24aのx軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部24cは、線路部18c-cの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部24cは、線路部24aのx軸方向の正方向側の端部に接続されている。グランド導体22第2のグランド導体は、図2に示すように、誘電体素体12内において信号線20よりもz軸方向の負方向側に設けられ、より詳細には、誘電体素体12の裏面に最も近い誘電体シート18aの裏面に設けられている。これにより、グランド導体22は、誘電体素体12の第2の表面上に設けられている。グランド導体22は、誘電体シート18aの裏面においてx軸方向に延在しており、誘電体シート18a,18bを介して信号線20と対向している。そして、グランド導体22は、信号線20を挟んでグランド導体24と対向している。グランド導体22の信号線20と対向している部分には、実質的に開口が設けられていない。すなわち、グランド導体22は、線路部12aにおける信号線20に沿ってx軸方向に連続的に延在する電極、所謂ベタ状の電極である。ただし、グランド導体22は線路部12aを完全に覆っている必要はなく、例えば、誘電体シート18の熱可塑性樹脂が熱圧着される際に発生するガスを逃がすためにグランド導体22の所定の位置に微小な穴などが設けられるものであってもよい。グランド導体22は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、グランド導体22は、線路部22a、端子部22b,22cにより構成されている。線路部22aは、線路部18a-aの裏面に設けられ、x軸方向に延在している。端子部22bは、線路部18a-bの裏面に設けられ、外部端子16aの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部22bは、線路部22aのx軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部22cは、線路部18a-cの裏面に設けられ、外部端子16bの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部22cは、線路部22aのx軸方向の正方向側の端部に接続されている。以上のように、信号線20は、z軸方向の両側から誘電体層18a~18cを介してグランド導体22,24によって挟まれている。すなわち、信号線20及びグランド導体22,24は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線20とグランド導体22との間隔は、図4に示すように誘電体シート18a,18bの合計の厚さT1と略等しく、例えば、50μm~300μmである。本実施形態では、信号線20とグランド導体22との間隔は、150μmである。一方、信号線20とグランド導体24との間隔は、図4に示すように誘電体シート18cの厚さT2と略等しく、例えば、10μm~100μmである。本実施形態では、信号線20とグランド導体24との間隔は、50μmである。すなわち、厚みT1は厚みT2よりも大きくなるように設計されている。以上のように、厚みT1を厚みT2よりも大きくすることで、グランド導体22と信号線20間に発生する静電容量が小さくなり、所定のインピーダンス例えば50Ωとするための信号線20の線幅を広くできる。これにより伝送ロスを小さくできるので、高周波信号線路の電気特性の向上が図れる。本実施形態では、グランド導体22と信号線20の間に発生する静電容量がインピーダンス設計の主であり、グランド導体24は信号の輻射を小さくするためのグランド導体としてインピーダンス設計している。すなわち、グランド導体22と信号線20とで特性インピーダンスを高く設定例えば70Ωし、グランド導体24を付加することによって高周波信号線路の一部に低インピーダンスが低くなる領域例えば30Ωを設けることにより、高周波信号線路全体のインピーダンスが所定のインピーダンス例えば50Ωになるように設計している。ビアホール導体b1,b3はそれぞれ、誘電体シート18a,18bの接続部18a-b,18b-bをz軸方向に貫通することにより一本のビアホールを構成しており、外部端子16aと信号線20のx軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体b2,b4はそれぞれ、誘電体シート18a,18bの接続部18a-c,18b-cをz軸方向に貫通することにより一本のビアホール導体を構成しており、外部端子16bと信号線20のx軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線20は、外部端子16a,16b間に接続されている。ビアホール導体b1~b4は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ビアホール導体B1~B3はそれぞれ、誘電体シート18a~18cの線路部18a-a~18c-aをz軸方向に貫通しており、線路部18a-a~18c-aに複数ずつ設けられている。そして、ビアホール導体B1~B3は、互いに接続されることにより1本のビアホール導体を構成しており、グランド導体22とグランド導体24とを接続している。ビアホール導体B1~B3は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。保護層14は、誘電体シート18aの裏面の略全面を覆っている。これにより、保護層14は、グランド導体22を覆っている。保護層14は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。また、保護層14は、図2に示すように、線路部14a及び接続部14b,14cにより構成されている。線路部14aは、線路部18a-aの裏面の全面を覆うことにより、線路部22aを覆っている。接続部14bは、線路部14aのx軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部18a-bの裏面を覆っている。ただし、接続部14bには、開口Ha~Hdが設けられている。開口Haは、接続部14bの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子16aは、開口Haを介して外部に露出している。また、開口Hbは、開口Haのy軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hcは、開口Haのx軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hdは、開口Haのy軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部22bは、開口Hb~Hdを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。接続部14cは、線路部14aのx軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部18a-cの裏面を覆っている。ただし、接続部14cには、開口He~Hhが設けられている。開口Heは、接続部14cの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子16bは、開口Heを介して外部に露出している。また、開口Hfは、開口Heのy軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hgは、開口Heのx軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hhは、開口Heのy軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部22cは、開口Hf~Hhを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。高誘電率層15は、誘電体素体12の第1の主面上に設けられており、誘電体シート18cの表面の略全面を覆っている。これにより、高誘電率層15は、グランド導体24を覆っており、開口30と重なっている。高誘電率層15は、例えば、ポリイミドに誘電体フィラーが混合された材料が用いられ、誘電体素体12の比誘電率ε1よりも高い誘電率ε2を有している。高誘電率層15の比誘電率ε2は、例えば、4である。なお、高誘電率層15の比誘電率ε2は、高い方が望ましいが、高周波信号線路10内において浮遊容量が形成されることを抑制するために、10以下であることが望ましい。また、高誘電率層15は、図2に示すように、線路部15a及び接続部15b,15cにより構成されている。線路部15aは、線路部18c-aの表面の略全面を覆うことにより、複数の開口30を含む線路部24aを覆っている。接続部15bは、線路部15aのx軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部18c-bの表面の略全面を覆っている。接続部15cは、線路部15aのx軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部18c-cの表面のほぼ全面を覆っている。コネクタ100a,100bはそれぞれ、接続部12b,12cの裏面上に実装される。コネクタ100a,100bの構成は同じであるので、以下にコネクタ100bの構成を例に挙げて説明する。コネクタ100bは、図1及び図5に示すように、コネクタ本体102、外部端子104,106及び中心導体108及び外部導体110により構成されている。コネクタ本体102は、矩形状の板に円筒が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。外部端子104は、コネクタ本体102の板のz軸方向の負方向側の面において、外部端子16bと対向する位置に設けられている。外部端子106は、コネクタ本体102の板のz軸方向の負方向側の面において、開口Hf~Hhを介して露出している端子部22cに対応する位置に設けられている。中心導体108は、コネクタ本体102の円筒の中心に設けられており、外部端子104と接続されている。中心導体108は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体110は、コネクタ本体102の円筒の内周面に設けられており、外部端子106と接続されている。外部導体110は、接地電位に保たれるグランド端子である。以上のように構成されたコネクタ100bは、外部端子104が外部端子16bと接続され、外部端子106が端子部22cと接続されるように、接続部12cの表面上に実装される。これにより、信号線20は、中心導体108に電気的に接続されている。また、グランド導体22,24は、外部導体110に電気的に接続されている。高周波信号線路10は、以下に説明するように用いられる。図6は、高周波信号線路10が用いられた電子機器200をy軸方向及びz軸方向から平面視した図である。電子機器200は、高周波信号線路10、回路基板202a,202b、レセプタクル204a,204b、バッテリーパック金属体206及び筐体210を備えている。回路基板202aには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板202bには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック206は、例えば、リチウムイオン2次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板202a、バッテリーパック206及び回路基板202bは、x軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。レセプタクル204a,204bはそれぞれ、回路基板202a,202bのz軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル204a,204bにはそれぞれ、コネクタ100a,100bが接続される。これにより、コネクタ100a,100bの中心導体108には、回路基板202a,202b間を伝送される例えば2GHzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル204a,204bを介して印加される。また、コネクタ100a,100bの外部導体110は、回路基板202a,202b及びレセプタクル204a,204bを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路10は、回路基板202a,202b間を電気的及び物理的に接続している。ここで、保護層14は、図6に示すように、バッテリーパック206に対して接触している。そして、保護層14とバッテリーパック206とは、接着剤等により固定されている。保護層14は、信号線20に関してグランド導体22側に位置している。よって、信号線20とバッテリーパック206との間には、ベタ状のx軸方向に連続的に延在するグランド導体22が位置している。高周波信号線路の製造方法以下に、高周波信号線路10の製造方法について図2を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路10が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路10が作製される。まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート18を準備する。誘電体シート18の銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。誘電体シート18は、20μm~80μmの厚みを有する液晶ポリマーである。また、銅箔の厚みは、10μm~20μmである。次に、フォトリソグラフィ工程により、図2に示す外部端子16及びグランド導体22を誘電体シート18aの裏面に形成する。具体的には、誘電体シート18aの銅箔上に、図2に示す外部端子1616a,16b及びグランド導体22と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図2に示すような、外部端子16及びグランド導体22が誘電体シート18aの表面に形成される。次に、フォトリソグラフィ工程により、図2に示す信号線20を誘電体シート18bの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、図2に示すグランド導体24を誘電体シート18cの表面に形成する。なお、これらのフォトリソグラフィ工程は、外部端子16及びグランド導体22を形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。次に、誘電体シート18a~18cのビアホール導体b1~b4,B1~B3が形成される位置に対して、レーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート18a,18bに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。次に、グランド導体22、信号線20及びグランド導体24がストリップライン構造をなすように、誘電体シート18a~18cをz軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート18a~18cに対してz軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート18a~18cを軟化させて圧着一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、図2に示すビアホール導体b1~b4,B1~B3を形成する。なお、各誘電体シート18は、熱圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。また、ビアホール導体b1~b4,B1~B3は、誘電体シート18を一体化した後に、貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填するかめっき膜を形成することによって形成されてもよい。次に、ポリイミドにフィラーが混合されたペーストを塗布することにより、誘電体シート18cの表面上に高誘電率層15を形成する。最後に、樹脂レジストペーストを塗布することにより、誘電体シート18aの裏面上に保護層14を形成する。これにより、図1に示す高周波信号線路10が得られる。効果以上のように構成された高周波信号線路10によれば、不要輻射を低減することができる。より詳細には、高周波信号線路10では、高誘電率層15は、誘電体素体12の比誘電率ε1よりも高い比誘電率ε2を有し、かつ、誘電体素体12の第1の主面上においてグランド導体24の開口30と重なるように設けられている。これにより、以下に説明するように、高誘電率層15と空気層との界面において、信号線20から放射された電磁界が高周波信号線路10内により多く反射されるようになる。グランド導体24上に誘電体素体と同じ材料からなる誘電体シートが積層されている比較例に係る高周波信号線路では、該誘電体シートと空気層との界面における比誘電率の差は、ε1-1である。一方、高周波信号線路10では、高誘電率層15と空気層との界面における比誘電率の差は、ε2-1である。比誘電率ε2は比誘電率ε1よりも大きいので、ε2-1はε1-1よりも大きい。ここで、界面における比誘電率の差が大きくなれば、界面において電磁界が反射する量は大きくなる。よって、高周波信号線路10の界面において電磁界が反射する量は、比較例に係る高周波信号線路の界面において電磁界が反射する量よりも大きくなる。すなわち、高周波信号線路10では、図4の電磁界F1に示すように、より多くの電磁界が高誘電率層15と空気層との界面において高周波信号10内に反射されるので、電磁界が不要輻射として高周波信号線路10外に漏れることが抑制される。更に、高周波信号線路10では、高誘電率層15と誘電体シート18cとの界面においても、図4の電磁界F2に示すように、高誘電率層15と空気層との界面と同じ現象が発生している。よって、高周波信号線路10では、不要輻射がより効果的に低減されている。また、高周波信号線路10によれば、グランド導体24に複数の開口30が設けられているので、高周波信号線路10を容易に曲げることができる。また、高周波信号線路10によれば、信号線20の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス例えば、50Ωからずれることを抑制できる。より詳細には、特許文献1に記載のフレキシブル基板では、開口からフレキシブル基板の外部に電磁界が漏れるおそれがある。そのため、フレキシブル基板の周囲に誘電体や金属体等が設けられていると、フレキシブル基板の信号線と誘電体や金属体等との間で電磁界結合が発生する。その結果、フレキシブル基板の信号線の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれてしまうおそれがある。一方、高周波信号線路10では、信号線20に関してグランド導体22側に位置する誘電体素体12の裏面が、バッテリーパック206に対して接触している。すなわち、信号線20とバッテリーパック206との間には、開口30が設けられたグランド導体24ではなく、実質的に開口が設けられていないグランド導体22が設けられている。これにより、信号線20とバッテリーパック206との間で電磁界結合が発生することが抑制される。その結果、高周波信号線路10では、信号線20の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。また、高周波信号線路10によれば、以下の理由によっても、高周波信号線路10を容易に曲げることが可能である。高周波信号線路10の特性インピーダンスZは、√L/Cで表される。Lは、高周波信号線路10の単位長さ当たりのインダクタンス値である。Cは、高周波信号線路の単位長さ当たりの容量値である。高周波信号線路10は、Zが所定の特性インピーダンス例えば、50Ωとなるように設計される。ここで、高周波信号線路10を容易に曲げることができるようにするためには、高周波信号線路10のz軸方向の厚み以下、単に厚みと称すを薄くすることが考えられる。ところが、高周波信号線路10の厚みを薄くすると、信号線20とグランド導体22,24との距離が小さくなり、容量値Cが大きくなってしまう。その結果、特性インピーダンスZが所定の特性インピーダンスよりも小さくなってしまう。そこで、信号線20のy軸方向の線幅以下、単に線幅と称すを細くして、信号線20のインダクタンス値Lを大きくすると共に、信号線20とグランド導体22,24との対向面積を小さくして、容量値Cを小さくすることが考えられる。しかしながら、細い線幅の信号線20を精度良く形成することは困難である。そこで、高周波信号線路10では、開口30がグランド導体24に設けられている。これにより、信号線20とグランド導体24との対向面積が小さくなり、容量値Cが小さくなる。その結果、高周波信号線路10において、特性インピーダンスZを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、容易に曲げることができるようになる。また、高周波信号線路10によれば、グランド導体24上には、高誘電率層15が設けられている。これにより、グランド導体24は、高周波信号線路10において外部に露出しない。そのため、誘電体素体12の表面に他の物品が配置されたとしても、グランド導体24と他の物品とが直接に対向しないので、信号線20の特性インピーダンスの変動が抑制される。第1の変形例に係る高周波信号線路以下に、第1の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図7は、第1の変形例に係る高周波信号線路10aの積層体12の分解図である。図8は、図7の高周波信号線路10aをz軸方向から透視した図である。図9は、第1の変形例に係る高周波信号線路10aの一部を抜き出したときの等価回路図である。高周波信号線路10と高周波信号線路10aとの相違点は、開口30の形状である。以下に、かかる相違点を中心に、高周波信号線路10aの構成について説明する。グランド導体24は、複数の開口30と複数のブリッジ部60とが交互に信号線20に沿って設けられることにより、はしご状をなしている。開口30は、図8に示すように、z軸方向から平面視したときに、信号線20と重なっており、信号線20に関して線対称な形状をなしている。すなわち、信号線20は、開口30のy軸方向の中央を横切っている。更に、信号線20が延在している方向x軸方向における開口30の中央を通過する直線Aであって、信号線20に直交するすなわち、y軸方向に延びる直線Aに関して、線対称な形状をなしている。以下により詳細に説明する。x軸方向における開口30の中央を含む領域を領域A1と定義する。また、ブリッジ部60に対応する領域を領域A2と定義する。また、領域A1と領域A2との間に位置する領域を領域A3と称す。領域A3は、領域A1のx軸方向の両隣に位置しており、領域A1と領域A2のそれぞれに隣接している。領域A2のx軸方向の長さつまりブリッジ部60の長さは、例えば、25~200μmである。本実施形態では、領域A2のx軸方向の長さは、100μmである。直線Aは、図8に示すように、x軸方向における領域A1の中央を通過している。そして、領域A1における開口30の信号線20に直交する方向y軸方向の幅W1は、領域A3における開口30のy軸方向の幅W2よりも広い。すなわち、開口30は、x軸方向における開口30の中央付近において、開口30のその他の部分よりも幅が広くなる形状であって、直線Aに関して線対称な形状をなしている。そして、開口30において、y軸方向の幅が幅W1となっている領域が領域A1であり、y軸方向の幅が幅W2となっている領域が領域A3である。よって、開口30の領域A1,A3の境界には段差が存在している。幅W1は、例えば、500~1500μmである。本実施形態では、幅W1は、900μmである。また、幅W2は、例えば、250~750μmである。本実施形態では、幅W2は、480μmである。また、開口30のx軸方向の長さG1は、例えば、1~5mmである。本実施形態では、長さG1は、3mmである。ここで、長さG1は、開口30における最大幅である幅W1よりも長い。そして、長さG1は、幅W1よりも2倍以上であることが好ましい。また、グランド導体24において、隣り合う開口30の間には、開口が設けられていない。より詳細には、隣り合う開口30に挟まれている領域A2内には、一様に導体層ブリッジ部60が広がっており、開口が存在しない。以上のように構成された高周波信号線路10aでは、信号線20の特性インピーダンスは、隣り合う2つのブリッジ部60間において、一方のブリッジ部60から他方のブリッジ部60に近づくにしたがって、最小値Z2、中間値Z3、最大値Z1の順に増加した後に、最大値Z1、中間値Z3、最小値Z2の順に減少するように変動する。より詳細には、開口30は、領域A1において幅W1を有しており、領域A3において幅W1よりも小さな幅W2を有している。そのため、領域A1における信号線20とグランド導体24との距離は、領域A3における信号線20とグランド導体24との距離よりも大きい。これにより、領域A1における信号線20に発生する磁界の強度が、領域A3における信号線20に発生する磁界の強度よりも大きくなり、領域A1におけるインダクタンス成分が大きくなる。つまり、領域A1においてはL性が支配的になる。更に、領域A2には、ブリッジ部60が設けられている。そのため、領域A3における信号線20とグランド導体24との距離は、領域A2における信号線20とグランド導体24との距離よりも大きい。これにより、領域A2における信号線20に発生する静電容量が、領域A3における信号線20に発生する静電容量よりも大きくなることに加えて、領域A2における磁界強度が領域A3における磁界強度より小さくなる。つまり、領域A2においてはC性が支配的になる。以上より、信号線20の特性インピーダンスは、領域A1において、最大値Z1となっている。すなわち、開口30は、信号線20の特性インピーダンスが最大値Z1となる位置において、幅W1を有している。また、信号線20の特性インピーダンスは、領域A3において、中間値Z3となっている。すなわち、開口30は、信号線20の特性インピーダンスが中間値Z3となる位置において、幅W2を有している。また、信号線20の特性インピーダンスは、領域A2において、最小値Z2となっている。これにより、高周波信号線路10は、図9に示す回路構成を有する。より詳細には、領域A1では、信号線20とグランド導体24との間に殆ど静電容量が発生しないので、主に、信号線20のインダクタンスL1によって特性インピーダンスZ1が発生する。また、領域A2では、信号線20とグランド導体24との間に大きな静電容量C3が発生しているので、主に、静電容量C3によって特性インピーダンスZ2が発生する。また、領域A3では、信号線20とグランド導体24との間に静電容量C3よりも小さな静電容量C2が発生しているので、信号線20のインダクタンスL2及び静電容量C2によって特性インピーダンスZ3が発生している。また、特性インピーダンスZ3は、例えば、55Ωである。特性インピーダンスZ1は、特性インピーダンスZ3よりも高く、例えば、70Ωである。特性インピーダンスZ2は、特性インピーダンスZ3よりも低く、例えば、30Ωである。また、高周波信号線路10全体の特性インピーダンスは、50Ωである。高周波信号線路10aによれば、信号線20の特性インピーダンスは、隣り合う2つのブリッジ部60間において一方のブリッジ部60から他方のブリッジ部60に近づくにしたがって、最小値Z2、中間値Z3、最大値Z1の順に増加した後に最大値Z1、中間値Z3、最小値Z2の順に減少するように変動している。これにより、高周波信号線路10aの薄型化が実現できるとともに、薄型であるにもかかわらず、信号線20の電極幅が広げられるので、信号線20およびグランド導体22、24において高周波電流の流れる電極部分の表面積を拡大することができ、高周波信号の伝送損失が小さくなる。また、図8に示すように、1周期領域A1と2つの領域A2と領域A3の長さALが1~5mmほどと短いので、より高周波域まで不要輻射の抑制と伝送損失の改善ができる。また、領域A1の両端に領域A3を置くことで信号線20を流れる電流によって生じる強い磁界を領域A2に直接伝えないため領域A2のグランド電位が安定し、グランド導体24のシールド効果が保たれる。これにより不要輻射の発生が抑制できる。その結果、高周波信号線路10aでは、信号線20とグランド導体22、24との距離を小さくしたとしても信号線20の線幅を広くでき、特性インピーダンスを保ったまま伝送損失が小さく、不要輻射の小さい高周波信号線路10aの薄型化を図ることが可能となる。よって、高周波信号線路10aを容易に曲げることが可能となり、高周波信号線路10aを湾曲させて用いることが可能となる。また、高周波信号線路10aによれば、グランド導体24におけるグランド電位の安定化にともなう伝送ロスの低減、さらにはシールド特性の向上ができる。より詳細には、高周波信号線路10aでは、領域A1における開口30の幅W1は、領域A3における開口30の幅W2よりも広い。これにより、高周波信号線路10aでは、領域A1内に位置している信号線20の磁界エネルギーは、領域A3内に位置している信号線20の磁界エネルギーよりも高くなる。また、領域A2内に位置している信号線20の磁界エネルギーは、領域A3内に位置している信号線20の磁界エネルギーよりも低くなる。よって、信号線20の特性インピーダンスが、Z2、Z3、Z1、Z3、Z2の順に繰り返し変動するようになる。よって、信号線20において、x軸方向に隣り合う部分における磁界エネルギーの変動が緩やかになる。その結果、単位構造領域A1~A3の境界において磁界エネルギーが小さくなり、グランド導体のグランド電位の変動が抑制され、不要輻射の発生および高周波信号の伝送損失が抑制される。言い換えると、領域A3によって、ブリッジ部60における不要インダクタンス成分の発生を抑制することができ、その結果、ブリッジ部60と信号線20との間の相互インダクタンス成分を小さくすることができ、グランド電位も安定化できる。ゆえに、薄型であって、グランド導体に比較的大きな開口30を有しているにもかかわらず、不要輻射を低減できるとともに、高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。また、ブリッジ部60の延伸方向にビアホール導体B1~B3を配置することで、さらにブリッジ部60における不要インダクタンス成分の発生を抑制できる。特に、開口30のx軸方向の長さG1すなわち、ブリッジ部60間の長さは領域A1における開口部の幅W1よりも長くすることで、開口30の面積をできるだけ大きくして所定の特性インピーダンスを達成しつつも、不要輻射の発生を抑えることができる。また、開口30は、信号線20が延在している方向x軸方向に周期的に配置される構造の単位構造をなしている。これにより、開口30内における信号線20の特性インピーダンスの周波数特性を開口30のx軸方向の長さにより決定することができる。すなわち、信号線20の特性インピーダンスの周波数特性は、開口30の長さG1が短くなるほど、より高周波域まで拡大できる。開口30の長さG1が長くなるほど領域A1の幅W1を狭くし開口30を細くすることができる。そのため、不要輻射を小さくし、伝送損失を小さくできるので、高周波信号線路10aのインピーダンス特性の広帯域化、安定化が図られる。また、以下の理由によっても、高周波信号線路10aを湾曲して用いることが可能である。高周波信号線路10では、領域A1は、開口30のy軸方向の幅が最も大きくなっているので最も撓みやすい。一方、領域A2は、開口30が設けられていないので最も撓みにくい。そのため、高周波信号線路10aが曲げられて用いられる場合には、領域A1が曲げられ、領域A2が殆ど曲げられない。そこで、高周波信号線路10aでは、誘電体シート18よりも変形しにくいビアホール導体B1~B3は領域A2に設けられている。これにより、領域A1を容易に曲げることが可能となる。なお、高周波信号線路10aでは、信号線20とグランド導体22との距離T1の大きさ、及び、信号線20とグランド導体24との距離T2の大きさを調整することによっても、所定の特性インピーダンスを得ることができる。また、高周波信号線路10aでは、以下に説明する理由により、信号線20が延在している方向における開口30の長さG1は、幅W1よりも長い。より詳細には、高周波信号線路10における高周波信号の伝送モードは、TEMモードである。TEMモードでは、高周波信号の伝送方向x軸方向に対して、電界及び磁界が直交して形成される。すなわち、磁界は、信号線20を中心に円を描くように発生し、電界は、信号線20からグランド導体22,24に向かって放射状に発生する。ここで、グランド導体22に開口30が設けられると、磁界は、円形を描くので、開口30においてわずかに半径が大きくなるように膨らむだけで、高周波信号線路10a外へと大きく漏れない。一方、電界の一部が高周波信号線路10a外へ放射する。したがって、高周波信号線路10aの不要輻射では、電界放射が大きな割合を示している。ここで、電界は、高周波信号の伝送方向x軸方向に対して直交しているので、開口30のy軸方向の幅W1が大きくなると、開口30から放射される電界の量が多く不要輻射が増加なってしまう。一方で、幅W1は大きくするほど高周波伝送線路10aの特性インピーダンスが高くすることができるが、高周波伝送線路10aは、高周波信号の伝送方向x軸方向に対して直交する方向に信号線20からその線幅のおよそ3倍離れた距離で電界がほぼなくなるため、それ以上幅W1を広げても特性インピーダンスをさらに高くすることができない。したがって、幅W1が大きくなるほど不要輻射が増加することを考慮すると、必要以上に幅W1を広げることは好ましくない。さらに、幅W1が高周波信号の波長の1/2近くに達するとスロットアンテナとして電磁波が輻射されてしまい、さらに不要輻射が増加してしまう。一方、開口30のx軸方向の長さG1は、その長さが長くなるほど信号線20のグランド導体22との対向面積を減少させることができることから、信号線20の線幅を広くすることが可能となる。これにより、信号線20における高周波抵抗値を小さくすることができるという利点を有する。また、長さG1が幅W1よりも大きい場合、グランド導体22における反電流渦電流の高周波抵抗値が小さくなる。以上から、長さG1は幅W1よりも長くすることが好ましく、好ましくは2倍以上とすることが好ましい。ただし、開口30のx軸方向の長さG1が高周波信号の波長の1/2に近くなると、スロットアンテナとして開口30から電磁波が輻射されることから長さG1は、波長に対して十分に短い必要があることは考慮すべきである。第2の変形例に係る高周波信号線路以下に、第2の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図10は、第2の変形例に係る高周波信号線路10bの積層体12の分解図である。高周波信号線路10bと高周波信号線路10aとの相違点は、開口30の形状である。より詳細には、高周波信号線路10aの開口30のy軸方向の幅は、図7に示すように、段階的及び不連続的に変化していた。これに対して、高周波信号線路10bの開口30のy軸方向の幅は、連続的に変化している。より詳細には、開口30のy軸方向の幅は、x軸方向において開口30の中央から離れるにしたがって連続的に小さくなっている。これにより、信号線20の磁界エネルギーおよび特性インピーダンスは、連続的に変化するようになる。なお、高周波信号線路10bでは、図10に示すように、領域A1は、直線Aを中心として設けられており、開口30のy軸方向の幅が幅W1となっている部分を含む領域である。したがって、信号線20の特性インピーダンスは、領域A1内において最大値Z1となっている。また、領域A2は、開口30間に設けられており、ブリッジ部60が設けられている領域である。したがって、信号線20の特性インピーダンスは、領域A2内において最小値Z2となっている。また、領域A3は、領域A1と領域A2とに挟まれており、開口30のy軸方向の幅が幅W2となっている部分を含む領域である。したがって、信号線20の特性インピーダンスは、領域A3内において中間値Z3となっている。ここで、領域A1は、開口30のy軸方向の幅が幅W1となっている部分を含んでいればよく、領域A3は、開口30のy軸方向の幅がW2となっている部分を含んでいればよい。よって、本実施形態では、領域A1と領域A3との境界は、特に、明確に定まっているわけではない。そこで、領域A1と領域A3との境界としては、例えば、開口30のy軸方向の幅が、W1W2/2となっている位置が挙げられる。以上のような構成を有する高周波信号線路10bにおいても、高周波信号線路10と同様に、湾曲して用いることができ、不要輻射を低減でき、更に、信号線20内における伝送損失を抑制できる。第3の変形例に係る高周波信号線路以下に、第3の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図11は、第3の変形例に係る高周波信号線路10cの積層体12の分解図である。高周波信号線路10cと高周波信号線路10aとの相違点は、グランド導体40,42の有無である。より詳細には、高周波信号線路10cでは、誘電体シート18bの表面上にグランド導体40,42が設けられている。グランド導体40は、信号線20よりもy軸方向の正方向側において、x軸方向に延在している長方形状の導体である。グランド導体40は、ビアホール導体B1~B3を介してグランド導体22,24に接続されている。また、グランド導体42は、信号線20よりもy軸方向の負方向側において、x軸方向に延在している長方形状の導体である。グランド導体42は、ビアホール導体B1~B3を介してグランド導体22,24に接続されている。以上のような高周波信号線路10cでは、信号線20のy軸方向の両側にもグランド導体40,42が設けられているので、信号線20からy軸方向の両側へと不要輻射が漏れることが抑制される。第4の変形例に係る高周波信号線路以下に、第4の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図12は、第4の変形例に係る高周波信号線路10dの積層体12の分解図である。高周波信号線路10dと高周波信号線路10aとの相違点は、開口30の形状と開口44a,44bの形状とが異なっている点である。より詳細には、開口44a,44bは、開口30がy軸方向の正方向側と負方向側とに2つに分断された形状をなしている。高周波信号線路10dでは、開口44a,44bの間をx軸方向に延在する線状導体46が設けられている。線状導体46は、グランド導体24の一部を構成しており、z軸方向から平面視したときに、信号線20と重なっている。ただし、高周波信号線路10dにおいて、線状導体46の線幅は、図12に示すように、信号線20の線幅よりも細いものとした。そのため、信号線20は、z軸方向平面視で線状導体46からはみ出している。よって、信号線20は、開口44a,44bと重なっている。以上のような高周波信号線路10dでは、複数の開口44aが、信号線20に沿って並ぶように設けられていると共に、複数の開口44bが、信号線20に沿って並ぶように設けられている。これにより、領域A1における信号線20の特性インピーダンスは、最大値Z1となっている。また、領域A3における信号線20の特性インピーダンスは、中間値Z3となっている。また、領域A2における信号線20の特性インピーダンスは、最小値Z2となっている。第5の変形例に係る高周波信号線路以下に、第5の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図13は、第5の変形例に係る高周波信号線路10eの積層体12の分解図である。図14は、図13の高周波信号線路10eをz軸方向から透視した図である。高周波信号線路10eと高周波信号線路10aとの第1の相違点は、ブリッジ部60における信号線20の線幅が、信号線20の特性インピーダンスが最大値Z1となる位置における信号線20の線幅よりも細い点である。高周波信号線路10eと高周波信号線路10aとの第2の相違点は、信号線20の特性インピーダンスが中間値Z3となる位置すなわち、開口30のy軸方向の幅が幅W2である位置と信号線20の特性インピーダンスが最大値Z1となる位置すなわち、開口30のy軸方向の幅が幅W1である位置との間において開口30がテーパー状をなしている点である。高周波信号線路10eと高周波信号線路10aとの第3の相違点は、信号線20の特性インピーダンスが中間値Z3となる位置すなわち、開口30のy軸方向の幅が幅W2である位置とブリッジ部60との間において開口30がテーパー状をなしている点である。まず、高周波信号線路10eにおける領域A1~A3の定義について図14を参照しながら説明する。領域A1は、開口30において、y軸方向の幅が幅W1となっている領域である。領域A2は、ブリッジ部60に対応する領域である。領域A3は、領域A1と領域A2とに挟まれており、開口30において、y軸方向の幅が幅W2となっている領域を含む領域である。第1の相違点について説明する。図13及び図14に示すように、信号線20の領域A2における線幅は、線幅Wbである。一方、信号線20の領域A1における信号線20の線幅は、線幅Wbよりも太い線幅Waである。線幅Waは、例えば、100~500μmである。本実施形態では、線幅Waは、350μmである。線幅Wbは、例えば、25~250μmである。本実施形態では、線幅Wbは、100μmである。このように、領域A2における信号線20の線幅が、領域A1における信号線20の線幅よりも細くなることにより、信号線20とブリッジ部60とが重なる面積が小さくなる。その結果、信号線20とブリッジ部60との間に発生する浮遊容量が低減されるようになる。更に、開口30と重なっている部分の信号線20の線幅は、線幅Waであるので、かかる部分の信号線20のインダクタンス値の増加が抑制される。更に、信号線20の全体の線幅が細くなっているのではなく、信号線20の線幅が部分的に細くなっているので、信号線20の抵抗値の増加が抑制される。また、信号線20は、線幅が変化する部分においてテーパー状をなしている。これにより、信号線20の線幅が変化する部分における抵抗値の変動が緩やかになり、信号線20の線幅が変化する部分において高周波信号の反射が発生することが抑制される。第2の相違点について説明する。開口30は、開口30のy軸方向の幅が幅W2である位置と開口30のy軸方向の幅が幅W1である位置との間においてテーパー状をなしている。すなわち、領域A3のx軸方向の端部がテーパー状をなしている。これにより、グランド導体24に流れる電流の損失が低減される。第3の相違点について説明する。開口30は、開口30のy軸方向の幅が幅W2である位置とブリッジ部60との間において開口30がテーパー状をなしている。これにより、ブリッジ部60のy軸方向の両端がテーパー状をなすようになる。よって、ブリッジ部60のx軸方向の線幅は、信号線20と重なっている部分においてその他の部分よりも細くなる。その結果、ブリッジ部60と信号線20との間に発生する浮遊容量が低減される。また、ブリッジ部60の全体の線幅が細くなっているのではなく、ブリッジ部60の線幅が部分的に細くなっているので、ブリッジ部60の抵抗値及びインダクタンス値の増加が抑制される。第6の変形例に係る高周波信号線路以下に、第6の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図15は、第6の変形例に係る高周波信号線路10fの積層体12の分解図である。高周波信号線路10fと高周波信号線路10との相違点は、高周波信号線路10fにおいてブリッジ部60が設けられていない点である。すなわち、高周波信号線路10fの開口30は、x軸方向に延在しているスリットである。以上のような高周波信号線路10fであっても、高周波信号線路10と同様に、不要輻射が低減される。また、ブリッジ部60が存在しないため、さらに容易に曲げることができる。第7の変形例に係る高周波信号線路以下に、第7の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図16は、第7の変形例に係る高周波信号線路10gの積層体12の分解図である。高周波信号線路10gと高周波信号線10との相違点は、グランド導体22に開口70及びブリッジ部72が設けられている点、及び、高誘電率層64が設けられている点である。高周波信号線路10gにおいて、グランド導体22は、グランド導体24と同じ形状を有している。すなわち、グランド導体22には、信号線20と重なる複数の開口70及びブリッジ部72が信号線20に沿って交互に並んでいる。更に、高周波信号線路10gでは、保護層14の代わりに高誘電率層64が設けられている。高誘電率層64は、保護層14と同じ形状を有しており、誘電体素体12の比誘電率ε1よりも高い比誘電率ε3を有している。高誘電率層64は、保護層14と同じ形状を有しており、開口70と重なるように設けられている。高誘電率層64は、例えば、高誘電率層15と同じ材料により構成されている。以上のように構成された高周波信号線路10gにおいても、高周波信号線路10と同様に、不要輻射が低減される。第8の変形例に係る高周波信号線路以下に、第8の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図17は、第8の変形例に係る高周波信号線路10hの積層体12の分解図である。高周波信号線路10hと高周波信号線路10との相違点は、誘電体シート18dが誘電体シート18c上に積層されている点である。より詳細には、誘電体シート18dは、誘電体シート18cのz軸方向の負方向側に積層されている。そして、高誘電率層15は、誘電体シート18dのz軸方向の負方向側に積層されている。これにより、グランド導体24は、誘電体シート18c,18dに挟まれている。すなわち、グランド導体24は、誘電体素体12の第1の主面上に設けられていなくてもよい。以上のように構成された高周波信号線路10hにおいても、高周波信号線路10と同様に、不要輻射が低減される。その他の実施形態本発明に係る高周波信号線路は、前記実施形態に係る高周波信号線路10,10a~10hに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。なお、高周波信号線路10,10a~10e,10g,10hでは、複数の開口30は、同じ形状を有している。しかしながら、複数の開口30の一部の形状が、その他の複数の開口30の形状と異なっていてもよい。例えば、複数の開口30の内の所定の開口30以外の開口30のx軸方向における長さは、該所定の開口30のx軸方向における長さよりも長くてもよい。これにより、所定の開口30が設けられている領域において、高周波信号線路10,10a~10e,10g,10hを容易に曲げることが可能となる。なお、高周波信号線路10,10a~10hに示した構成を組み合わせてもよい。また、高周波信号線路10a~10e,10g,10hでは、信号線20の特性インピーダンスは、隣り合う2つのブリッジ部60間において、一方のブリッジ部60から他方のブリッジ部60に近づくにしたがって、最小値Z2、中間値Z3、最大値Z1の順に増加した後に、最大値Z1、中間値Z3、最小値Z2の順に減少するように変動していた。しかしながら、信号線20の特性インピーダンスは、隣り合う2つのブリッジ部60間において、一方のブリッジ部60から他方のブリッジ部60に近づくにしたがって、最小値Z2、中間値Z3、最大値Z1の順に増加した後に、最大値Z1、中間値Z4、最小値Z2の順に減少するように変動してもよい。すなわち、中間値Z3と中間値Z4とが異なっていてもよい。例えば、開口30,44a,44bは直線Aを介して線対称ではない形状であってもよい。ただし、中間値Z4は、最小値Z2よりも大きくかつ、最大値Z1よりも小さい必要がある。また、隣り合う2つのブリッジ部60間において、最小値Z2の値は異なっていてもよい。すなわち、高周波信号線路10a~10fが全体として所定の特性インピーダンスに合わせられていれば全ての最小値Z2の値が同じである必要はない。ただし、一方のブリッジ部60側の最小値Z2は中間値Z3よりも低い必要があり、他方のブリッジ部60側の最小値Z2は中間値Z4よりも低い必要がある。また、コネクタ100a,100bは、誘電体素体12の第1の主面側表面側に設けられていてもよい。"