積層された複数のセラミック基板と、前記積層された複数のセラミック基板を貫通する貫通キャビティと、前記貫通キャビティ内に充填された金属導体とを有し、前記貫通キャビティは、内壁面が内側又は外側に凸となった係合部を少なくとも一つ備えることを特徴とするセラミック多層基板。前記係合部の厚さは、1枚以上の前記セラミック基板の厚さと同じであることを特徴とする請求項1記載のセラミック多層基板。前記金属導体よりも熱伝導率の高い金属で形成され、前記金属導体に挿入された金属ブロックを有することを特徴とする請求項1又は2記載のセラミック多層基板。積層された複数のセラミック基板と、前記積層された複数のセラミック基板の表側の半導体チップが実装される領域の直下に、裏側から形成された盲穴と、前記盲穴内に充填された金属導体とを有し、前記盲穴は、内壁面が内側又は外側に凸となった係合部を少なくとも一つ備えることを特徴とするセラミック多層基板。開口を有する複数の第1のセラミック基板を開口同士が重なるように積層して、表裏を貫通し内壁面の少なくとも一カ所が内側又は外側に凸となった貫通キャビティを備えた第1の積層体を形成する工程と、前記貫通キャビティに金属導体を充填する工程と、前記貫通キャビティに前記金属導体が充填された前記第1の積層体の表側に、開口を有する第2のセラミック基板を、前記貫通キャビティと前記第2のセラミック基板の開口とが重なるように少なくとも1枚積層して第2の積層体を形成する工程と、前記第2の積層体を焼成する工程とを有することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。開口を有する複数の第3のセラミック基板を開口同士が重なるように積層して、貫通キャビティを備えた複数の第3の積層体を形成する工程と、前記複数の第1の積層体の各々の前記貫通キャビティに金属導体を充填する工程と、前記貫通キャビティに前記金属導体が充填された前記複数の第3の積層体を前記貫通キャビティ同士が内壁面の少なくとも一カ所が内側又は外側に凸となって繋がるように積層する工程と、複数積層した前記第3の積層体の表側に、開口を有する第4のセラミック基板を、前記貫通キャビティと前記第4のセラミック基板の開口とが重なるように少なくとも1枚積層して第4の積層体を形成する工程と、前記第4の積層体を焼成する工程とを有することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。開口を有する複数のセラミック基板を前記開口同士が重なるように積層して、前記開口が繋がって表裏を貫通し内壁面の少なくとも一カ所が内側又は外側に凸となった貫通キャビティを備えた積層体を形成する工程と、表側から予め定められた枚数の前記セラミック基板を除いて前記貫通キャビティに金属導体を充填する工程と、前記積層体を焼成する工程とを有することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。しかしながら、近年、半導体チップの高機能化に伴い、サーマルビアでは十分な放熱性能を有する構造が得られないという課題がある。基板に貫通キャビティを形成し、半導体チップを基板上に実装しない方法では、実装精度、キャビティ形成精度の関係から、基板の小型化ができないといった制約がでる。すなわち、貫通キャビティは、内部に設置するキャリアよりも大きく形成せざるを得ないため、基板の小型化の妨げとなってしまう。サーマルビアの間隔を極限まで小さくしていくと、最終的には半導体チップの下はセラミックが存在しない金属導体のみの構成に行き着く。この構成は、セラミック多層基板単体で検討できる放熱の限界であるが、直柱状の貫通キャビティの形成後にキャビティ内に金属導体を充填しただけの構造の場合、金属導体とキャビティ側面との界面での密着性が悪く、半導体チップの実装前に金属導体が脱落する可能性がある。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、小型化が可能で、積層方向への熱伝導性に優れたセラミック多層基板及びその製造方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、積層された複数のセラミック基板と、積層された複数のセラミック基板を貫通する貫通キャビティと、貫通キャビティ内に充填された金属導体とを有し、貫通キャビティは、内壁面が内側又は外側に凸となった係合部を少なくとも一つ備えることを特徴とする。本発明によれば、セラミック多層基板の熱伝導性を高め、放熱効果を大幅に向上できるとともに、貫通キャビティ内の金属導体は、セラミック基板と物理的に係合しているため、脱落のおそれがないという効果を奏する。以下に、本発明にかかるセラミック多層基板の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は、本発明にかかるセラミック多層基板の実施の形態1を用いた半導体パッケージの断面図である。半導体チップ1を実装するキャビティ底面は金属導体8のみで形成されている。金属導体8が充填されている貫通キャビティは直柱状ではなく、内壁面が内側に凸となって係合部としての貫通キャビティ凸部5が形成されている。ここでは貫通キャビティ凸部5は、セラミック基板2枚分の厚さで形成されている。セラミック多層基板3は、開口を有するセラミック基板を開口同士が重なるように積層して形成されている。キャリア4上には、複数のセラミック基板からなるセラミック多層基板3が形成されている。セラミック多層基板3には、キャリア4に達する貫通キャビティが設けられており、貫通キャビティの内部には金属導体8が充填されている。金属導体8の上面は底面メタライズ層6となっており、この上に半導体チップ1が実装されている。半導体チップ1は、セラミック多層基板3に形成されている配線パターンにボンディングワイヤ2を介して接続されている。また、金属導体8の下面は裏面メタライズ層7となっていてキャリア4と熱的に接続されている。セラミック多層基板3は、貫通キャビティは係合部としての貫通キャビティ凸部5の部分で細くなっている。これにより、基板厚さ方向の断面視では厚さ方向の中央部のセラミック基板は金属導体8へ食い込むように突出している。従って、貫通キャビティの側面で金属導体8とセラミック多層基板3との界面で剥離が生じても、金属導体8がセラミック多層基板3から脱落することはない。図2は、本実施の形態にかかるセラミック多層基板の製造工程を示す図である。セラミック多層基板の製造方法は大別するとa~cに示す3種類がある。図2aは、例えば、開口径が小さいセラミック基板が積層方向の中央付近に位置するように複数のセラミック基板第1のセラミック基板を開口同士が重なるように積層することによって、先ず側面に凹凸のある貫通キャビティを備えた積層体10第1の積層体を形成した後、貫通キャビティ内に金属導体8を充填して底面メタライズ層6を備えた積層体13を形成し、その後、残りのセラミック基板第2のセラミック基板を積層することによって貫通キャビティに金属導体8が充填された積層体15第2の積層体を得る方法である。図2bは、開口を有する複数のセラミック基板第3のセラミック基板を開口同士が重なるように積層して貫通キャビティを有する積層体11第3の積層体を複数形成し、各積層体の貫通キャビティ内に金属導体8を充填し、最後に貫通キャビティに金属導体8を充填しない残りの層第4のセラミック基板と組み合わせて側面に凹凸のある貫通キャビティに金属導体8が充填された積層体15第4の積層体を得る方法である。この場合には、他の積層体11に挟まれる積層体11を形成する際に、開口の径が小さいセラミック基板を用いるなどすれば良い。図2cは、例えば、開口径が小さいセラミック基板が積層方向の中央付近に位置するように複数のセラミック基板を開口同士が重なるように積層することによって、側面に凹凸のある貫通キャビティを備えた積層体12を形成した後、金属導体8を所定高さまで充填することで貫通キャビティに金属導体8が充填された積層体15を得る方法である。図2a~cのいずれかの方法で形成した積層体15を焼成することで、セラミック多層基板3を形成する。なお、図2cの方法では、貫通キャビティを形成した焼成後のセラミック多層基板3に金属導体8を充填し、再度焼成して金属導体8を硬化させる製法も可能である。貫通キャビティに充填する金属導体8は、セラミック多層基板の製造において一般的な回路パターン形成用金属導体材料と同じものを使用することで、同時焼成が可能である。一般的な回路パターン形成用金属材料とは、Cu、Ag、Al、Au、Ni、Pt、Pd、W、Mo、Mnから選ばれる1種、又は2種以上の混合物や合金である。セラミック系絶縁基板の焼成温度よりも高い融点を有する金属であることが同時焼成を行う上で必要であり、特にセラミック系絶縁基板として焼成温度が800~1000°Cのガラスセラミックスなどの低温焼成セラミックスを用いる場合には、Cu、Ag、Al、Au、Ni、Pt及びPd又はこれらの混合物や合金などの低抵抗金属を使用することが可能である。これらの金属から用途に合わせて選択する。図3は、実施の形態1にかかるセラミック多層基板を用いた半導体パッケージの別の構成例を示す断面図である。上記の説明ではセラミック多層基板3の厚さ方向の中央部で貫通キャビティの径が小さくなっている構成を例としたが、図3aに示すように貫通キャビティの内壁面が外側に凸となることでセラミック多層基板3の厚さ方向の中央部で貫通キャビティの径が大きくなって係合部としての貫通キャビティ凹部9が形成されていても良いし、図3bに示すように、貫通キャビティの径が同じであって貫通キャビティ凸部5と貫通キャビティ凹部9との両方が係合部として形成されていても良い。係合部は任意枚数のセラミック基板の厚さと同じ厚さで形成することが可能である。サーマルビア構造では、ビア間隔やビア径の制約があり、金属導体の領域以外にセラミックの領域が必ず存在するため、その分放熱性が低下するが、本実施の形態では、セラミック領域が無くなる分放熱性が向上する。また、基板一体化形成のため、実装精度と基板形成精度、キャリア形成精度の加算で設計する必要が無くなり、基板の小型化が可能である。さらに、直柱状の貫通キャビティを形成した後にキャビティ内に金属導体を充填しただけの構造の場合、金属導体とキャビティ側面のセラミック層との界面の密着性が悪く、半導体チップの実装前に金属導体が貫通キャビティから脱落する可能性があるが、本実施の形態においては、物理的な係合によって金属導体の脱落が抑制される。このように、本実施の形態によれば、従来のサーマルビア方式よりもセラミック多層基板の熱伝導性を高めることができるため、放熱効果を大幅に向上できる。また、基板一体形成のため、放熱用の部品を実装する場合よりも小型化が可能である。したがって、より発熱量の高い半導体チップを使用することができ、セラミック多層基板を使用した半導体パッケージの高機能化を実現できる。実施の形態2.図4は、本発明にかかるセラミック多層基板の実施の形態2を用いた半導体パッケージの断面図である。セラミック多層基板3の表側の半導体チップ16が実装される領域の直下に、裏側から形成された内壁面の少なくとも一カ所が内側又は外側に凸となった盲穴に金属導体8が充填されていて、金属導体8がセラミック多層基板3の基板表面側に露出していないことと、半導体チップ16が回路パターン17にフリップチップ実装されていることを除いては実施の形態1と同様である。金属導体8は、フリップチップ実装時の放熱構造として機能する。本実施の形態にかかるセラミック多層基板の製造方法も図2a~cで説明した実施の形態1と同様である。実施の形態3.図5は、本発明にかかるセラミック多層基板の実施の形態3を用いた半導体パッケージの断面図である。本実施の形態においては、金属導体8を充填する際に挿入された金属ブロック18を備えている。図5a~cに示す構成では、金属導体8よりも熱伝導性が高い材料で形成された金属ブロック18を用いることで、金属導体8のみの構成と比較して、放熱性を高めることができる。また、金属ブロック18の材料が金属導体8よりも安価であれば、製造コストの低減を図ることもできる。図5a、bに示す構成では、金属ブロック18の表面が底面メタライズ層を形成している。このため、焼成時に金属導体8が収縮しても底面メタライズの平坦性は維持される。なお、図5aに示す構成では、裏面メタライズ層も金属ブロック18の表面が形成しているため、金属導体8の焼成後も裏面メタライズ層の平坦性が維持される。なお、焼成時に表面に酸化膜が形成されない材料で金属ブロック18を形成することが好ましい。金属ブロックは、同時焼成を行う場合は一般的な回路パターン形成用金属導電体材料から選定する方が、充填した金属導体との密着性や焼成挙動の推定が容易である。また、焼成後の基板の取り扱い、例えばめっき性や実装性の検討も材質的には従来のセラミック基板と同様であるため、基板製造面では有利である。ただし、焼成温度に耐える材料であれば、特定の材料に限定されることはない。