"Mgを酸化物換算で12.6質量以上14.0質量以下、Alを酸化物換算で33.4質量以上34.4質量以下およびSiを酸化物換算で52.0質量以上53.6質量以下の組成範囲からなる主成分100質量に対し、副成分としてY,Yb,ErおよびCeのいずれか1種を酸化物換算で4.5質量以上15.0質量以下含んでなり、結晶相としてコージェライト、ダイシリケートおよびスピネルが存在していることを特徴とするコージェライト質セラミックス。前記ダイシリケートの含有量をA、前記スピネルの含有量をBとしたとき、AとBとの比率A/Bが0.5以上24.0以下であることを特徴とする請求項1に記載のコージェライト質セラミックス。前記ダイシリケートの含有量が4.5質量以上7.0質量以下であり、前記スピネルの含有量が1.4質量以上3.3質量以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のコージェライト質セラミックス。顔料成分をさらに含んでなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のコージェライト質セラミックス。前記顔料成分としてMn,CrおよびCoCrを含み、前記主成分100質量に対して、Mn,CrおよびCoをそれぞれMnO2,Cr2O3およびCoOに換算した合計の含有量が0.05質量以上3質量以下であることを特徴とする請求項4に記載のコージェライト質セラミックス。請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のコージェライト質セラミックスを用いたことを特徴とする半導体製造装置用部材。LSI等の半導体の製造工程においては、急速に進む回路の微細化により、その線幅はサブミクロンオーダーのレベルまで高精密化しており、例えば、Siウエハに高精密回路を形成する露光装置に用いられるステージにおいては、100nm01μm以下の位置決め精度が要求され、部材の有する熱膨張係数に起因する位置合わせ誤差が製品の品質や歩留まりに大きな影響を及ぼす。そのため、露光装置に用いられるステージの位置決め精度を向上させて、品質や歩留まりを向上させるため、上述したステージを構成するセラミックスには、ppmオーダーからppbオーダーの熱膨張係数を示すものが求められている。さらには、真空装置構造体、サセプタ、ステージあるいは半導体製造プロセスにおける冶具などの半導体製造装置用部材は、半導体ウエハのサイズアップに伴って大型化が進んでおり、自重や片持ち支持構造などに対応することが必要となることから、低熱膨張化とともに機械的強度4点曲げ強度の向上が求められている。本発明は、上記要求に応えるべく案出されたものであり、熱膨張係数が小さく、機械的強度に優れたコージェライト質セラミックスおよびこれを用いた半導体製造装置用部材を提供することを目的とするものである。本発明のコージェライト質セラミックスは、Mgを酸化物換算で126質量以上140質量以下、Alを酸化物換算で334質量以上344質量以下およびSiを酸化物換算で520質量以上536質量以下の組成範囲からなる主成分100質量に対し、副成分としてY,Yb,ErおよびCeのいずれか1種を酸化物換算で45質量以上150質量以下含んでなり、結晶相としてコージェライト、ダイシリケートおよびスピネルが存在していることを特徴とするものである。また、本発明の半導体製造装置用部材は、上記構成の本発明のコージェライト質セラミックスを用いたことを特徴とするものである。本発明のコージェライト質セラミックスによれば、Mgを酸化物換算で126質量以上140質量以下、Alを酸化物換算で334質量以上344質量以下およびSiを酸化物換算で520質量以上536質量以下の組成範囲からなる主成分100質量に対し、副成分としてY,Yb,ErおよびCeのいずれか1種を酸化物換算で45質量以上150質量以下含んでなり、結晶相としてコージェライト、ダイシリケートおよびスピネルが存在していることにより、マイナス側の熱膨張係数を示すコージェライトと、プラス側の熱膨張係数を示すダイシリケートおよびスピネルとの結晶相の存在比率を最適化することができ、得られるコージェライト質セラミックスの熱膨張係数を±120ppb°Cの範囲内とすることができる。また、結晶相としてスピネルが存在していることにより、コージェライトの結晶相の粒成長を抑制して、コージェライト質セラミックスを微細結晶からなる高緻密体とすることができるため、機械的特性を向上させることができる。また、本発明の半導体製造装置用部材によれば、本発明のコージェライト質セラミックスを用いたことにより、100nm01μm以下の位置決め精度を達成することが可能となり、Siウエハへの高精密回路の形成において、品質および歩留まりを向上させることができる。以下に、本実施形態のコージェライト質セラミックスの一例について説明する。本実施形態のコージェライト質セラミックスは、Mgを酸化物換算で126質量以上140質量以下、Alを酸化物換算で334質量以上344質量以下およびSiを酸化物換算で520質量以上536質量以下の組成範囲からなる主成分100質量に対し、副成分としてY,Yb,ErおよびCeのいずれか1種を酸化物換算で45質量以上150質量以下含んでなる。そして、本実施形態のコージェライト質セラミックスは、結晶相として、MgOとAl2O3とSiO2との3成分からなるコージェライトMg2Al4Si5O18と、Y,Yb,ErおよびCeのいずれか1種の酸化物とSiO2とからなるダイシリケート例えば、Yb2Si2O7と、MgOとAl2O3とからなるスピネルMgAl2O4が存在している。ここで、本実施形態のコージェライト質セラミックスは、上述した組成範囲を満足し、結晶相としてコージェライト、ダイシリケートおよびスピネルが存在していることにより、マイナス側の熱膨張係数を示すコージェライトと、プラス側の熱膨張係数を示すダイシリケートおよびスピネルとの結晶相の存在比率を最適化することができ、得られるコージェライト質セラミックスの熱膨張係数を0ゼロに近づけることができる。具体的には、上述した組成範囲を満足し、結晶相としてコージェライト、ダイシリケートおよびスピネルが存在していることにより、室温20~25°Cにおけるコージェライト質セラミックスの熱膨張係数を、±120ppb°Cの範囲内とすることができる。なお、プラス側の熱膨張係数を示すダイシリケートおよびスピネルにおいて、熱膨張係数の値は、スピネルよりもダイシリケートの方がプラス側に大きな値を示すものである。また、主成分100質量に対する副成分の含有量を、Y,Yb,ErおよびCeのいずれか1種を酸化物換算で45質量以上150質量以下としたのは、副成分の含有量が45質量未満では、ダイシリケートの存在比率が少なくなり、室温20~25°Cにおけるコージェライト質セラミックスの熱膨張係数が-120ppb/°C未満となるからである。また、副成分の含有量が150質量を超えると、ダイシリケートの存在比率が多くなり、室温20~25°Cにおけるコージェライト質セラミックスの熱膨張係数が120ppb/°Cを超えるからである。また、結晶相としてスピネルが存在していることにより、コージェライトの結晶相の粒成長を抑制して、コージェライト質セラミックスを微細結晶からなる高緻密体とすることができるため、機械的特性を向上させることができる。具体的には、4点曲げ強度で170MPa以上とすることができる。170MPa以上の強度を有していれば、半導体ウエハのサイズアップに伴う部材の大型化の際に課題となっていた、自重による破損や、片持ち支持構造で荷重をかけた場合の破損等のおそれが少ないので、真空装置構造体、サセプタ、ステージ、半導体製造プロセスにおける治具などの半導体製造装置用部材に好適に用いることができる。なお、この4点曲げ強度については、JISR1601-2008に準拠して測定すればよい。また、スピネルは、コージェライトの結晶相間に分散して存在していることがよいことはいうまでもない。なお、本実施形態のコージェライト質セラミックスを構成する各成分の酸化物換算での含有量については、コージェライト質セラミックスの一部を粉砕し、得られた粉体を塩酸などの溶液に溶解した後、ICPInductivelyCoupledPlasma発光分光分析装置島津製作所製:ICPS-8100を用いて測定し、得られた各金属元素の含有量の値を用いて、それぞれ酸化物換算することにより求めることができる。また、コージェライト、ダイシリケート、スピネルの各結晶相の確認については、例えば、X線回折装置PANalytical社製:X’PertPROを用いて、2θ=8°~80°,CuKα1測定の条件でコージェライト質セラミックスの表面を測定し、得られたX線回折チャートとJCPDSカードとを照合して結晶相の同定を行なうことにより確認することができる。また、熱膨張係数の測定については、長さが10~20mm、一辺または直径が5mm程度の角柱または円柱の試料を準備し、JISR1618-2002に準拠して、測定装置として例えばレーザー熱膨張計LIX-1真空理工株製を用いて等速昇温測定のモードで、昇温速度:1°C/minの条件で、所望の温度範囲の熱膨張係数を測定することができる。そして、本実施形態のコージェライト質セラミックスにおいて、ダイシリケートの含有量をA、スピネルの含有量をBとしたとき、AとBとの比率A/Bが05以上240以下であることが好ましい。このように、ダイシリケートとスピネルとの含有量の比率A/Bが05以上240以下であるときには、マイナス側の熱膨張係数を示すコージェライトと、プラス側の熱膨張係数を示すダイシリケートおよびスピネルとの結晶相の存在比率をより最適化することができるため、室温20~25°Cにおけるコージェライト質セラミックスの熱膨張係数を、±100ppb°Cの範囲内とすることができる。なお、ダイシリケートおよびスピネルの含有量については、例えば、X線回折装置PANalytical社製:X’PertPROを用いて、2θ=8°~80°,CuKα1測定の条件でX線回折測定を実施し、リートベルト解析プログラムRIETANを用いて、X線回折測定結果を解析することにより、コージェライト、ダイシリケートおよびスピネルの各結晶相の割合から算出すればよい。そして、ダイシリケートとスピネルとの含有量の比率A/Bについては、算出されたそれぞれの含有量から算出すればよい。また、ダイシリケートの含有量をA、スピネルの含有量をBとしたとき、AとBとの比率A/Bが05以上240以下となるコージェライト質セラミックスを構成する結晶相の具体的な含有量としては、ダイシリケートが26~127質量程度であり、スピネルが053~51質量程度であり、残部がコージェライトとなる。さらに、ダイシリケートの含有量が45質量以上70質量以下であり、スピネルの含有量が14質量以上33質量以下であることが好ましい。これにより、室温20~25°Cにおけるコージェライト質セラミックスの熱膨張係数の絶対値をさらに小さくすることができる。さらにまた、ダイシリケートの含有量が49質量以上56質量以下であり、スピネルの含有量が22質量以上28質量以下であれば、室温20~25°Cにおけるコージェライト質セラミックスの熱膨張係数の絶対値を小さくし、ゼロに近づけることができる。また、本実施形態のコージェライト質セラミックスは、顔料成分をさらに含んでなることが好ましい。このように、顔料成分を含んでなるときには、他の色調のセラミックスと組み合わせることによって、色彩の調和を図ったり、際立たせたりするなどの視覚的効果をもたらすことができる。また、コージェライト質セラミックスを例えば光の散乱が影響する分析用の鏡筒などの光学系の支持部材として用いるときには、灰色系等の色調をなす顔料成分を用いてコージェライト質セラミックスを作製すれば、コージェライト質セラミックスが灰色系の色調を呈することから、光の散乱は抑制され分析精度の低下を少なくすることができる。また、半導体製造装置内における加工製品状態の確認においても、半導体製造装置用部材によって光が散乱したときには、小型カメラなどの光学機器での確認に支障をきたすこととなることから、光の散乱の抑制が必要な部材として用いるときには、灰色系の色調を呈するコージェライト質セラミックスとすることが好ましい。ここで、光の散乱の抑制可能な灰色系の色調を呈するコージェライト質セラミックスとするには、顔料成分としてMn,CrおよびCoを含み、主成分100質量に対して、Mn,CrおよびCoをそれぞれMnO2,Cr2O3およびCoOに換算した合計の含有量が005質量以上3質量以下であることが好ましい。このように、顔料成分としてMn,CrおよびCoを含み、主成分100質量に対して、Mn,CrおよびCoをそれぞれMnO2,Cr2O3およびCoOに換算した合計の含有量が005質量以上3質量以下であるときには、熱膨張係数や機械的特性に与える影響が少なく、また、顔料成分同士の反応や主成分と顔料成分との反応で異相例えば、MnAl2O4,MnCr2O4量が増加することによって色調がばらついて外観を損ねることなく、光の散乱の抑制可能な灰色系の色調を呈するコージェライト質セラミックスとすることができる。なお、色調が暗すぎると、光エネルギーを吸収以下、吸光と記載する。して温度が上昇し、この温度上昇によりコージェライト質セラミックスが膨張することで寸法変化が生じるおそれがあることから、光の散乱を抑制するとともに、吸光を抑制するには、CIE1976Lab色空間における明度指数Lが50以上70以下であることが好ましい。なお、この明度指数Lについては、JISZ8722-2000に準拠して測定することができる。そして、上述した熱膨張係数が小さく、機械的強度に優れたコージェライト質セラミックスを半導体製造装置用部材として用いれば、100nm01μm以下の位置決め精度を達成することが可能となり、Siウエハへの高精密回路の形成において、品質および歩留まりを向上させることができる。次に、本実施形態のコージェライト質セラミックスの製造方法について説明する。本実施形態のコージェライト質セラミックスの製造方法としては、まず、1次原料として、予め合成した平均粒径が05~5μmの合成コージェライト粉末と、平均粒径が05~3μmのスピネル粉末と、平均粒径が05~2μmのY,Yb,ErおよびCeのいずれか1種の酸化物粉末とを準備する。なお、合成コージェライト粉末およびスピネル粉末が本実施形態における主成分を構成するものであり、Y,Yb,ErおよびCeのいずれか1種の酸化物粉末が副成分を構成するものである。また、合成コージェライト粉末とは、主成分100質量からスピネル粉末の添加量を除いて、Mgを酸化物換算で117質量以上133質量以下、Alを酸化物換算で291質量以上338質量以下およびSiを酸化物換算で520質量以上536質量以下の組成範囲で予め合成された粉末である。そして、合成コージェライト粉末およびスピネル粉末を所定量、例えば、合成コージェライト粉末を935質量以上999質量以下、スピネル粉末を001質量以上65質量以下秤量する。次に、合成コージェライト粉末とスピネル粉末との合計100質量に対し、副成分を45質量以上150質量の範囲となるように秤量し、純水および各種バインダを加え、ボールミルを用いて平均粒径が2μm以下となるまで5~30時間湿式混合および粉砕を行なったスラリーを得る。なお、上述した添加量とすることによって、焼成後のコージェライト質セラミックスの組成範囲は、Mgが酸化物換算で126質量以上140質量以下、Alが酸化物換算で334質量以上344質量以下およびSiが酸化物換算で520質量以上536質量以下となる。また、顔料成分を添加する場合には、主成分100質量に対して、例えば、005質量以上30質量以下秤量し、合成コージェライト粉末、スピネル粉末およびY,Yb,ErおよびCeのいずれか1種の酸化物粉末とともに、ボールミル内に入れて、上述した方法で湿式混合すればよい。特に顔料成分としては、Mn,CrおよびCoを含んでいることが好ましい。次に、噴霧造粒法スプレードライ法にてスラリーを噴霧させて造粒して2次原料とする。そして、この2次原料を用いて静水圧プレス成形ラバープレス法や粉末プレス成形法にて成形し、必要に応じて切削加工を施した後、これを焼成炉にて大気雰囲気中1340~1440°Cの最高温度で1時間以上10時間以下保持する。その後、1000°Cまでを10°C/min以下で降温する焼成条件とすることにより、副成分と合成コージェライト中のSiO2とが反応して生成するダイシリケートを存在させることができる。特に、焼成後のコージェライト質セラミックスのダイシリケートの含有量Aとスピネルの含有量Bとの比率A/Bを05以上240以下の範囲内とするためには、1350~1420°Cの最高温度とすればよい。そして、必要に応じて研削加工を施すことにより、本実施形態のコージェライト質セラミックスを得ることができる。また、焼結後にHP法ホットプレス法やHIP法ホットアイソスタティックプレス法により更なる緻密化を図ってもよい。これにより、4点曲げ強度を190MPa以上とすることができる。なお、1次原料として、Y,Yb,ErおよびCeのいずれか1種の酸化物粉末に変える、もしくは一部について、ダイシリケートY2Si2O7,Yb2Si2O7,Er2Si2O7,Ce2Si2O7の形で添加してもよい。表1に示すように、調合組成や副成分の種類や添加量等を種々変更した試料を作製し、コージェライト質セラミックスの各成分の質量比率、結晶相の確認、熱膨張係数の測定を実施した。まず、1次原料として、平均粒径が2μmの合成コージェライト粉末表1に示すMgO,Al2O3およびSiO2の組成範囲で予め合成と、平均粒径が1μmのスピネル粉末と、副成分である平均粒径が1μmのYb2O3,Y2O3,Er2O3およびCe2O3の粉末を準備した。そして、スピネル粉末を表1に示す添加量となるように、また合成コージェライト粉末が、100質量からスピネル粉末の添加量を除いた量となるように秤量した。そして、合成コージェライト粉末とスピネル粉末との合計100質量に対し、表1に示す割合となる副成分をそれぞれ秤量し、純水および主成分と副成分との合計100質量に対して2質量以下のバインダを加え、ボールミルを用いて平均粒径が2μm以下となるまで24時間湿式混合および粉砕を行なったスラリーを得た。次に、噴霧造粒法スプレードライ法にてこのスラリーを噴霧させて造粒して2次原料を得た。そして、この2次原料を用いて粉末プレス成形法にて成形し、大気雰囲気中1415°Cの最高温度で5時間保持し、その後、1000°Cまでを10°C/minで降温して焼成した。そして、研削加工を施すことによって、縦が3mm、横が4mm、長さが45mmの寸法を有する試料No.1~15,17~23,25~35,37~39,41~45を得た。また、スピネル粉末を添加しないこと以外は上述した同様の製造方法により試料No.24,36,40,46を得た。さらに、副成分としてYb2O3,Y2O3,Er2O3およびCe2O3を添加しないこと以外は上述した同様の製造方法により試料No.16を得た。そして、試料No.1~46について、試料の一部を粉砕し、得られた粉体を塩酸などの溶液に溶解した後、ICP発光分光分析装置島津製作所製:ICPS-8100を用いて測定し、得られた各金属元素の含有量の値を用いて、それぞれ酸化物換算した。そして、この酸化物換算した値を用いて、焼成後のMgO,Al2O3およびSiO2の合計100質量における質量比率と、MgO,Al2O3およびSiO2の合計100質量に対する副成分の質量比率を求めた。結果を表2に示す。また、X線回折装置PANalytical社製:X’PertPROを用いて、2θ=8°~80°,CuKα1測定の条件で各試料表面のX線回折測定を実施してX線回折チャートを得た後、JCPDSカードと照合し、同定を行なうことによってコージェライト、ダイシリケート、スピネルの有無を確認した。なお、確認された場合は○、確認されなかった場合は-と表2に示した。また、熱膨張係数については、各試料を10mmの長さに切断し、切断した試料の両端面をR加工した試験片を準備し、レーザー熱膨張計LIX-1真空理工株製を用いて等速昇温測定のモードで、昇温速度:1°C/minの条件で、20~25°Cの温度範囲の熱膨張係数を測定し、その平均を算出することにより求め、表2に示した。表2の結果から、試料No.1,5,6,10,11,15,31~34は、結晶相としてコージェライト、ダイシリケートおよびスピネルが存在しているものの、コージェライト質セラミックスの主成分組成が、Mgを酸化物換算で126質量以上140質量以下、Alを酸化物換算で334質量以上344質量以下およびSiを酸化物換算で520質量以上536質量以下の範囲を満足していないことから、熱膨張係数が±120ppb/°Cの範囲を超えていた。また、試料No.17,23,35,38,39,42,43,46についても、結晶相としてコージェライト,ダイシリケートおよびスピネルが存在しているものの、主成分100質量に対し、副成分であるY,Yb,ErおよびCeのいずれか1種を酸化物換算で45質量以上150質量以下含んでなるものではないことから、熱膨張係数が±120ppbの範囲を超えていた。また、試料No.16は、副成分が添加されていないことから、副成分が焼結助剤として作用せず緻密化しなかったため熱膨張係数を測定することができなかった。また、結晶相の確認においてダイシリケートが確認されなかった。また、試料No.24,36,40,44は、結晶相の確認においてスピネルが確認されず、熱膨張係数が±120ppb/°Cの範囲を超えていた。これに対し、試料No.2~4,7~9,12~14,18~22,25~30,37,41,45は、Mgを酸化物換算で126質量以上140質量以下、Alを酸化物換算で334質量以上344質量以下およびSiを酸化物換算で520質量以上536質量以下の組成範囲からなる主成分100質量に対し、副成分としてY,Yb,ErおよびCeのいずれか1種を酸化物換算で45質量以上150質量以下含んでなり、結晶相としてコージェライト、ダイシリケートおよびスピネルが存在していることから、マイナス側の熱膨張係数を示すコージェライトと、プラス側の熱膨張係数を示すダイシリケートおよびスピネルとの結晶相の存在比率が最適化され、得られたコージェライト質セラミックスの熱膨張係数を±120ppb/°Cと非常に小さい値とすることができた。また、スピネルの結晶相が存在していない、試料No.24,36,40,44について、試験片の作製を含め、JISR1601-2008に準拠して4点曲げ強度を測定したところ、170MPa未満であった。これに対し、試料No.2~4,7~9,12~14,18~22,25~30,37,41,45は、4点曲げ強度が170MPa以上であり、本実施形態のコージェライト質セラミックスは、熱膨張係数が小さく、4点曲げ強度の値の大きいものであり、半導体ウエハのサイズアップに伴う部材の大型化の際に課題となっていた、自重による破損や、片持ち支持構造で荷重をかけた場合の破損等のおそれが少ないので、真空装置構造体、サセプタ、ステージ、半導体製造プロセスにおける治具などの半導体製造装置用部材に好適に用いることができることがわかった。さらに、試料No.2~4,7~9,12~14,18~22,25~30,37,41,45について、HIP法ホットアイソスタティックプレス法による処理を施したところ、4点曲げ強度は190MPa以上となり、より機械的特性の優れたものとなった。次に、表3に示す調合組成および焼成条件を種々変更した試料No.47~78を作製した。なお、作製方法については、実施例1と同様の製造方法により作製した。そして、実施例1と同様の方法により、コージェライト質セラミックスの各成分の質量比率、熱膨張係数の測定を実施した。また、各試料におけるダイシリケートの含有量Aとスピネルの含有量Bとの比率A/Bを算出した。なお、ダイシリケートの含有量Aとスピネルの含有量Bとの比率A/Bは、X線回折装置PANalytical社製:X’PertPROを用いて、2θ=8°~80°,CuKα1測定の条件でX線回折測定を実施し、リートベルト解析プログラムRIETANを用いて、X線回折測定結果を解析することにより、コージェライト、ダイシリケートおよびスピネルそれぞれの結晶相の割合から含有量を算出した。そして、算出されたダイシリケートの含有量Aをスピネルの含有量Bで除すことにより比率A/Bを算出した。焼成後のMgO,Al2O3およびSiO2の合計100質量における質量比率、MgO,Al2O3およびSiO2の合計100質量に対する副成分の質量比率、ダイシリケートの含有量A、スピネルの含有量B、比率A/B、熱膨張係数を表4に示す。表4の結果から、ダイシリケートの含有量をA、スピネルの含有量をBとしたとき、AとBとの比率A/Bが05以上240以下である試料No.48~77は、比率A/Bが05未満または240を超えている試料No.47,78よりも熱膨張係数の絶対値が小さく、熱膨張係数を±100ppb/°Cの範囲内とすることができた。また、ダイシリケートの含有量が45質量以上70質量以下であり、スピネルの含有量が14質量以上33質量以下である試料No.54~61は、熱膨張係数をさらに小さい±50ppb/°Cの範囲内であった。さらに、ダイシリケートの含有量が49質量以上56質量以下であり、スピネルの含有量が22質量以上28質量以下である試料No.55~57は、熱膨張係数が±20ppb/°Cの範囲内であり、熱膨張係数をゼロに近づけることができた。また、表3に示す調合組成以外にも、Mgを酸化物換算で126質量以上140質量以下、Alを酸化物換算で334質量以上344質量以下およびSiを酸化物換算で520質量以上536質量以下の組成範囲からなる主成分100質量に対し、副成分としてY,Yb,ErおよびCeのいずれか1種を酸化物換算で45質量以上150質量以下含んでなる種々のコージェライト質セラミックスを作製して熱膨張係数の確認を行なった結果、比率A/Bが05以上024以下であることにより、熱膨張係数を±100ppb/°Cの範囲内とできることを確認した。次に、実施例2の表3に示す試料No.56と同様の調合組成に加えて、表5に示す顔料成分をそれぞれ酸化物に換算した合計で1質量添加して試料No.79~86を作製した。そして、これらの試料について、目視による色調確認と明度指数Lの測定を実施した。なお、合成コージェライト粉末、スピネル粉末およびYbの酸化物粉末とともに顔料成分を添加すること以外は実施例1と同様の製造方法により試料を作製した。そして、得られた各試料の色調を目視により確認し、表5に示した。また、明度指数Lについては、JISZ8722-2000に準拠して、色彩色差計旧ミノルタ社製CR-221を用い、光源をCIE標準光源D65とし、照明受光方式を条件a45-n45-0にし、測定径を3mmに設定して測定した。結果を表5に示す。なお、顔料成分を含んでいない試料No.56についても、目視による色調確認結果と、明度指数Lの結果について表5に示した。表5の結果から、顔料成分を含んでいる試料No.79~83は、顔料成分によって様々な色調のセラミックスとすることができ、他の色調のセラミックスと組み合わせることによって、色彩の調和を図ったり、際立たせたりするなどの視覚的効果をもたらすことができることがわかった。また、顔料成分を含んでいない試料No.56よりも明度指数Lの値が小さいことから、光の散乱を抑制できることが確認できた。また、顔料成分として、Mn,CrおよびCoを含んでいる試料No.85は、明度指数Lの範囲が65であり、光の散乱を抑制するとともに、吸光を抑制することができる、好ましい明度指数Lの値である50~70の範囲内となることがわかった。次に、実施例2の表3に示す試料No.56と同様の調合組成に加えて、表6に示すように顔料成分の含有量を種々変更した試料を作製し、明度指数Lの測定を実施した。なお、合成コージェライト粉末、スピネル粉末およびYbの酸化物粉末とともに顔料成分を添加すること以外は実施例1と同様の製造方法により試料を作製した。そして、顔料成分の含有量については、実施例1に示した同様の方法でICP発光分光分析装置島津製作所製:ICPS-8100を用いて測定し、主成分100質量に対する値を算出した。また、明度指数Lの測定は、実施例3と同様の方法で行なった。結果を表6に示す。表6の結果から、試料No.87~94については、光の散乱を抑制するとともに、吸光を抑制することができる、好ましい明度指数Lの値である50~70の範囲内となっており、明度指数Lをこの範囲内とするには、顔料成分としてMn,CrおよびCoを含み、主成分100質量に対して、Mn,CrおよびCoをそれぞれMnO2,Cr2O3およびCoOに換算した合計の含有量が005質量以上03質量以下とすればよいことが確認できた。また、試料No.95については、若干の色調ばらつきが確認されたものの、試料No.87~94については、色調ばらつきは確認されず、外観を損なうこともなかった。さらに、試料No.87~94について、熱膨張係数および4点曲げ強度の測定を行なったところ、顔料成分を含んでいないときと比べて、熱膨張係数で2ppb/°C、4点曲げ強度で-4MPaであった。この結果から、試料No.87~94は、熱膨張係数が小さく、機械的強度に優れているとともに、光の散乱を抑制するとともに、吸光を抑制することができる色調を呈するコージェライト質セラミックスとできることがわかった。"