マイクロチャネルを備えた集積回路を形成する方法であって、前記集積回路上のフォトレジスト内にマイクロチャネルパターンを形成することであって、前記マイクロチャネルパターンの少なくとも1つが前記集積回路の一部を囲むトレンチパターンであること、前記集積回路の基板内にトレンチをエッチングすること、前記トレンチの底部を露出させるように前記集積回路の前記基板の裏側を薄化すること、及び前記マイクロチャネルを形成するように前記集積回路の一部を取り除くこと、を含む、方法。請求項1に記載の方法であって、前記裏側を薄化する前に、前記トレンチをトレンチ充填材料で充填すること、及び前記裏側の前記薄化の後、前記トレンチ充填材料を取り除くこと、を更に含む、方法。請求項1に記載の方法であって、前記マイクロチャネルパターンを形成する前に前記集積回路が製造され、前記トレンチが前記基板内にエッチングされる前に、前記集積回路を形成する層を介して前記トレンチがエッチングされる、方法。請求項1に記載の方法であって、前記マイクロチャネルが形成された後前記集積回路が製造される、方法。マイクロチャネルを備えた集積回路を形成する方法であって、回路構造の形成前に前記集積回路の基板上に少なくとも2つのマイクロチャネルパターンを形成することであって、前記少なくとも2つのマイクロチャネルパターンのうち少なくとも1つが前記基板の一部を囲むトレンチパターンであること、前記基板内にトレンチをエッチングすること、前記回路構造を形成するために用いられる処理条件に耐えることが可能なトレンチ充填材料で前記トレンチを充填すること、前記トレンチ充填材料のオーバーフィルを取り除くこと、前記トレンチを含む前記基板上に回路構造を形成すること、前記トレンチの底部を露出させるように前記基板の裏側を薄化すること、前記トレンチから前記材料を取り除くこと、及び前記基板の一部を取り除くこと、を含む、方法。請求項5に記載の方法であって、前記トレンチ充填材料で前記トレンチを充填する前に、前記トレンチの側壁上に誘電体ライナーを形成することを更に含む、方法。請求項6に記載の方法であって、前記誘電体層が、酸化物、窒化物、及びオキシナイトライドのうち少なくとも1つであり、前記トレンチ充填材料がポリシリコンである、方法。請求項5に記載の方法であって、前記基板の前記囲まれる部分の少なくとも1つの寸法が20ミクロンより大きい、方法。請求項5に記載の方法であって、前記トレンチの深さが15~50ミクロンの範囲であり、前記トレンチの幅が5~50ミクロンの範囲である、方法。別のデバイスへの結合のため裏側上の構造を有する、マイクロチャネルを備えた集積回路を形成する方法であって、部分的に処理されたマイクロチャネルを前記集積回路に提供することであって、前記部分的に処理されたマイクロチャネルの底部を露出させるように前記基板が薄化されており、前記マイクロチャネルを充填する材料が取り除かれていないこと、前記基板の裏側上にフォトレジストパターンを形成することであって、前記フォトレジストパターン開口が前記マイクロチャネルの少なくとも1つを囲むこと、前記構造を形成するように前記基板の一部及び前記マイクロチャネルの周りの誘電体をエッチングすること、及び前記基板の一部のエッチングの後、前記マイクロチャネルから前記材料を取り除くこと、を含む、方法。請求項10に記載の方法であって、前記別のデバイスが流体搬送システム又はガス搬送システムである、方法。請求項10に記載の方法であって、前記構造が、前記基板の前記裏側上の前記マイクロチャネルの一部を増大させるように傾斜された壁を有する、方法。請求項10に記載の方法であって、前記集積回路上のフォトレジスト内にマイクロチャネルパターンを形成することであって、前記マイクロチャネルパターンの少なくとも1つが前記集積回路の一部を囲むトレンチパターンであること、前記集積回路の基板内にトレンチをエッチングすること、前記トレンチの底部を露出させるように前記集積回路の前記基板の裏側を薄化すること、及び前記マイクロチャネルを形成するように前記集積回路の前記部分を取り除くこと、を更に含む、方法。請求項10に記載の方法であって、回路構造の形成前に前記集積回路の基板上に少なくとも2つのマイクロチャネルパターンを形成することであって、前記少なくとも2つのマイクロチャネルパターンのうち少なくとも1つが前記基板の一部を囲むトレンチパターンであること、前記基板内にトレンチをエッチングすること、前記回路構造を形成するために用いられる処理条件に耐えることが可能なトレンチ充填材料で前記トレンチを充填すること、前記トレンチ充填材料のオーバーフィルを取り除くこと、前記トレンチを含む前記基板上に回路構造を形成すること、前記トレンチの底部を露出させるように前記基板の裏側を薄化すること、前記トレンチから前記材料を取り除くこと、及び前記基板の前記部分を取り除くこと、を含む、方法。センサ1014、1016、及び1018に結合されるスルー基板マイクロチャネル1006を備えた集積回路1004を図1Aの1000に示す。集積回路1004が製造される前に、基板1002を介してマイクロチャネル1006が形成される。センサ1014、1016及び1018は、集積回路の一部として製造されてもよく、又は後に集積回路に取り付けられてもよい。マイクロチャネル1006を介して流体又はガス1008及び1010をセンサ1014、1016、及び1018に搬送するため、流体又はガス搬送システム1020が基板1002に取り付けられ得る。センサは、色、温度、粘度、不透明度、密度を検出し得るか、又は例えば、流体内の何らかの構成要素の濃度を測定し得る。第2の例では、図1Bの大型マイクロチャネル1122を備えた集積回路1100が、上に集積回路1004が製造された基板1002を含む。マイクロチャネル1122は、それを介してワイヤ1124が、回路1004から又は集積回路1100上方の何らかの他のチップから下の図示せずチップへの信号経路を提供するよう通り得る、配路を提供する。この集積回路1100内のマイクロチャネル1122は大きく、30μm又はそれ以上の寸法を有し得る。マイクロチャネル1100は、例えば、それを介して冷却流体が集積回路1100から熱を取り除くよう流れ得る、チャネルとして用いられてもよい。一実施例に従った、小型マイクロチャネルの形成と同等の処理時間で、ディープ反応性イオンエッチングDRIEを用いて集積回路内に大型及び小型マイクロチャネルを同時に形成する方法を図2A~図2Mに図示する。この実施例において、基板の一部を囲むトレンチが大型マイクロチャネルの寸法を画定する。基板の囲まれた部分は、大型マイクロチャネルを空けるためプロセスの後期に取り除かれる。図2Aは、基板2004上に形成されるフォトレジストマイクロチャネルパターン2010の断面図2000を示す。このパターンは、ウエハ上に実行される第1の工程であってもよく、又はマイクロチャネルパターン2010を形成する前にウエハ上に酸化物が成長されてもよい。代替として、例えば、図2Aに示すように、マイクロチャネルパターン2010を形成する前にパッド酸化物フィルム2006上に窒化物フィルム2008が堆積され得る。図2Bは、図2Aに示す集積回路の2000のトップダウン図である。シリコン貫通ビアTSVパターン2010が、小さいトレンチ幅2012を備えた大型トレンチ2014TSVを形成し、更に、小型TSV2016を形成する。大型トレンチ内部の及びパターン2018の下の部分の基板材料は、大型TSVを形成するため後で取り除かれる。この実施例ではマイクロチャネルはアイソレーション前に形成されるが、マイクロチャネルは、アイソレーション後でも同等に形成され得る。アイソレーションは、シャロートレンチアイソレーションSTI又はLOCOSとし得る。マイクロチャネルがアイソレーション前に形成される場合、及び第1のパッド酸化物2006及び第1の窒化物2008が用いられる場合、第1のパッド酸化物2006及び窒化物2008フィルムは取り去られ得、STI又はLOCOS前に第2のパッド酸化物及び第2の窒化物が形成されてもよく、又は、STI又はLOCOSアイソレーションを形成する際に第1のパッド酸化物2006及び窒化物2008を用いることもできる。いずれを選択した場合でも、マイクロチャネルは、基板表面上にトランジスタ及び他のデバイスを形成する前に形成される。この実施例において、大型マイクロチャネル2014及び小型マイクロチャネル2016の両方は同時に形成されている。大型マイクロチャネルを図示するために矩形形状が、小型マイクロチャネルに円形形状が用いられるが、他の形状を用いることもできる。小さいトレンチ2012の幅はおよそ5~50ミクロンであり得、一方、このトレンチを用いて形成される大型マイクロチャネル2014の幅はおよそ30ミクロン~100ミクロン又はそれ以上であり得る。図2Cの基板2004内に、ディープ反応性イオンエッチングDRIEなどのエッチングプロセスを用いて大型マイクロチャネルトレンチ2120及び小型マイクロチャネル2122がエッチングされる。トレンチ2120により囲まれる基板2018を含む大型マイクロチャネル開口2014全体のエッチング時間は、エッチングローディング効果のため、トレンチ2120のエッチング時間より著しく長くなり得る。狭い矩形のトレンチをエッチングすることにより大型マイクロチャネル形成し、その後、囲まれた基板を取り除くことで、エッチング時間が著しく低減され、TSVエッチングされる深さ均一性が改善される。図2Dに示す好ましい一実施例において、大型マイクロチャネルトレンチ2120及び小型マイクロチャネル2122の壁上に、酸化物又は窒化物又はオキシナイトライドなどの誘電体層2224が堆積又は成長される。その後、マイクロチャネル開口は、温度を含む集積回路製造条件に耐えるポリシリコンなどの材料2226で充填され、後に、完全に形成された集積回路を害することなく取り除かれ得る。好ましい実施例は、誘電体でTSVをライニングlineし、その後TSVをポリシリコンで充填することであるが、TSVは、最初にTSVの側壁上に誘電体ライナーを形成することなく、エッチングされ得、例えば、スピンオングラス、HSQ、又はSiLKなど他の材料2226で充填されてもよい。図2Eは、過剰な充填材料2226が、エッチバック又はCMP化学機械研磨などのプロセスにより取り除かれた後の、部分的に処理された集積回路2000を示す。CMPは好ましい方法である。図2F及び図2Gは、集積回路2000が、トランジスタ及び相互接続を含む回路構造2428を構築するためのトランジスタ及び相互接続処理を完了した後の上部図2400及び断面図2500を示す。マイクロチャネル2120及び2122は、回路構造2428が形成された後形成されてもよいが、これは好ましい実施例ではない。基板のエッチングに加え、集積回路を形成するために基板の上部上に付加される全てのレベルもエッチングされる必要がある。回路構造2428が構築された後形成されるトレンチのアスペクト比は、回路構造2428前に形成されるトレンチのアスペクト比より著しく大きい。回路構造2428は大型マイクロチャネル2120の境界の外側及び小型マイクロチャネル2122の外側に形成される。大型マイクロチャネル2120の内部領域2018上には回路構造2428は形成されない。この内部領域2018は、大型マイクロチャネル2120開口を形成するため後で取り除かれる。図2Hにおいて、サポート又はハンドラーウエハ2632を集積回路2000に取り付けるために接着性2630が用いられる。図2Jに図示するように、その後、ウエハは反転され、大型マイクロチャネルトレンチ2120及び小型マイクロチャネル2122の底部を露出させるため、グライディング及びポリシングにより、又はエッチングにより、基板2004が裏側から薄化される。好ましい方法は、まずバックグラインドし、その後、バックグラインドの間形成されたダメージ層をポリシングするか又はエッチングにより取り除くことである。図2Kにおいて、トレンチ充填材料2226が取り除かれる。トレンチ充填材料の除去は、マイクロチャネル2120の内部領域2018を解放し、それを脱落させる。大型マイクロチャネル2120が小型マイクロチャネル2122と同様に完全に空く。この方法は、大型マイクロチャネルの内部領域をエッチングするDRIEを用いることを避け、処理時間を著しく低減し、ウエハにわたってトレンチ深さ均一性を増加させる。好ましい方法は、トレンチ充填材料2226としてポリシリコンを用い、このポリシリコンを取り除くため水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHなどのウェットエッチングを用いることである。完成したマイクロチャネル2120及び2122のトップダウン図を図2Lに示す。回路構造2428はこれらのマイクロチャネルを囲む。好ましい実施例において誘電体ライナー2224がマイクロチャネルの側壁を被覆する。マイクロチャネルがエッチングされ、その後、例えば、HSQ又はMSQ又はSiLKなどのスピンオングラスなどの誘電性材料で充填される場合、充填前に2224などの誘電体がマイクロトレンチ側壁2120及び2122上に形成される必要はなくなり、充填材料2226を取り除いた後マイクロトレンチ側壁上に誘電体は残らない。大型マイクロチャネル2120及び小型マイクロチャネル2122を含む完成した集積回路2000の断面を図2Mに示す。同じトレンチ幅のトレンチで異なる形状及び基板のエリアを囲むことにより、異なる寸法の大型マイクロチャネルが同時に形成され得る。第2の実施例は、異なる寸法の小型スルー基板マイクロチャネル3004及び3006の同時形成を図3A~図3Fに図示する。小型マイクロチャネルは5μm~約50μmの範囲の開口を備えて形成され得る。2つの異なる形状及び寸法のマイクロチャネル開口3012及び3014を備えたマイクロチャネルフォトレジストパターン3010の断面図を図3Aに示す。マイクロチャネルフォトレジストパターン3010は、シャロートレンチアイソレーションSTI3005を含む基板3004上に形成されるパッド酸化物層3006の上部上に形成される。図3Aに示すように、STI3005形成後及びパッド酸化物3006が堆積又は成長された後、基板3004上にマイクロチャネルフォトレジストパターン3010が形成される。好ましい方法は、ファーネス内で約10nmの厚みまでパッド酸化物を成長させることである。この実施例は、シャロートレンチアイソレーションSTI3005が形成された後マイクロチャネルを形成することにより例示される。前の実施例において図示したようにアイソレーション前にマイクロチャネル3012及び3014が形成されてもよい。この実施例を例示するためにLOCOSアイソレーションを用いてもよい。図3Cは、マイクロチャネル3012及び3014がエッチングされ、誘電体3116でライニングされ、前の実施例において述べたようにポリシリコンなどのトレンチ充填材料3118で充填された後の集積回路の断面図3100を示す。ポリシリコンオーバーフィルがエッチバック又はCMPにより取り除かれた後、集積回路3120が構築される。図3Dのトップダウン図3200は、集積回路を含まないマイクロチャネル3012及び3014の周りの除外exclusionゾーンを示す。マイクロチャネルが流体に用いられる場合、除外ゾーンの寸法は、流体搬送システムの取り付け要件によって変わり得、又は集積回路処理の間又は後にマイクロチャネル3012及び3014上方の集積回路の層内に付加的なチャネリングが構築されてもよい。マイクロチャネルがどのように用いられるか、及びどのタイプのデバイスが取り付けられるかによって、他の除外ゾーン要件が生じ得る。図3Eは、マイクロチャネル3012及び3014の底部を露出するようウエハの裏側が薄化された後の集積回路の断面3300を示す。図3Fは、マイクロチャネル3012及び3014を空けるためトレンチ充填材料3118が取り除かれた後の集積回路の断面3400を示す。上記したように、ポリシリコンである好ましい実施例の代わりに、スピンオングラス例えば、HSQ又はSiLKなどの他の犠牲トレンチ充填材料3118を用いることができる。この場合、誘電体トレンチ充填材料3118、マイクロトレンチライナー3116は省略され得る。マクロ環境とマイクロ環境間のインタフェースを促進するため、マイクロトレンチ充填材料の除去前にウエハの裏側に付加的な処理を行うことが有益であり得る。例えば、流体搬送システムの取り付け要件、別の集積回路への取り付け、又は何らかの他のデバイスへの取り付けに対応するよう、マイクロチャネルの周りのウエハの裏側を改変することが有益であり得る。図4A~図4Cは、ウエハの裏側のマイクロチャネルの周りのテーパーされた開口の形成を図示する。前の諸実施例において述べたようにマイクロチャネルの底部を露出させるウエハの裏側の薄化が終了した後、ウエハの裏側上にパターン4010が形成される。ウエハはまだハンドラーウエハ4028に取り付けられている。その後、図4Bに4128で示すマイクロチャネルのテーパーされた部分を形成するようにテーパーエッチングが用いられる。このエッチングは、実質的に同一レートでシリコン4004、誘電体4014、及びポリシリコン4018をエッチングするプラズマエッチングを用いて実行され得る。エッチングは、シリコン4004及びポリシリコン4018のためのウェットテーパーエッチング、その後が続く誘電体4014のウェット又はドライエッチを用いて実行されてもよい。シリコンと誘電体のエッチング選択比が約1:1のプラズマエッチングが好ましい実施例である。テーパーエッチング及びパターン除去の後、ポリシリコン4018が取り除かれ、ハンドラーウエハ4028が取り除かれる。マイクロチャネル4224へのテーパーされた裏側開口4128を備えた完成した集積回路4200を図4Cに示す。図5A~図5Cは、流体搬送システムへの取り付け又は何らかの他のデバイスへの取り付けに対応する構造を形成するための裏側処理の別の例を示す。図5Aにおいて、マイクロチャネル5024の底部を露出するよう裏側が薄化された後、ウエハの裏側上にパターン5010が形成される。図5Bに示すように、その後シリコンがエッチングされて構造5128を形成する。上述のように基板をエッチングするためにプラズマエッチング又はウェットエッチングを用いることができる。誘電体5014も取り除かれるように、シリコンと誘電体に対する選択比が約1:1のプラズマエッチングが好ましい実施例である。図5Cに図示するように、その後、ポリシリコン5018が取り除かれ、ハンドラーウエハ5028が取り除かれて、完成した集積回路5200を形成する。この例示の実施例では、小型マイクロチャネル5024及び大型マイクロチャネル5230が同時に形成される。当業者であれば、他の多くの実施例及び変形も特許請求の範囲で可能であることが理解されるであろう。例示の実施例の文脈で説明したような特徴又は工程のすべて又はその幾つかを有する例示の実施例の文脈で説明した一つ又は複数の特徴又は工程の異なる組み合わせを有する実施例も、本明細書に包含されることを意図している。