ベース、前記ベースから離隔したチップ、及び前記ベース上に成膜され前記チップに結合された熱拡散性であり電気伝導性であるAg層を含み、前記ベース及び前記Ag層がサブマウントを画定する、半導体ユニット。前記Ag層上であって前記Ag層と前記チップとの間に硬いはんだをさらに含む、請求項1に記載の半導体ユニット。前記Ag層がサブマウントを提供するように決定された厚さを有するように構成され、前記サブマウントが前記ベース、前記Ag層及び前記はんだ層を含み、累積的な熱膨張係数が前記チップの熱膨張係数と実質的に適合する、請求項2に記載の半導体ユニット。弾性及び展性を有する材料からなり、前記硬いはんだと前記チップの活性領域との間に応力減衰層をさらに含む、請求項2に記載の半導体ユニット。前記応力減衰層が前記はんだ層に隣り合う凹凸を有する表面を有する、請求項4に記載の半導体ユニット。前記応力減衰層の前記凹凸を有する表面が間隔をあけた突出部で構成される、請求項5に記載の半導体ユニット。前記チップが2端子、3端子、4端子及び多端子半導体デバイス及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1に記載の半導体ユニット。前記2端子デバイスが高出力レーザーダイオードを含む、請求項7に記載の半導体ユニット。ベースを提供する段階、前記ベース上に熱拡散性及び電気伝導性を有するAg層を成膜する段階、並びに前記ベース及び前記Ag層を昇温してチップにはんだ付けする段階を含む、半導体ユニットの製造方法。前記Ag層とチップとの間に硬いはんだ層を提供する段階をさらに含む、請求項9に記載の方法。サブマウントを提供する厚さを有するように前記Ag層を構成する段階をさらに含み、前記サブマウントが前記ベース、前記Ag層及び前記はんだ層を含み、累積的な熱膨脹係数が前記チップの熱膨張係数と実質的に適合し、前記係数の適合が前記チップに働く機械的応力を低減するように提供する、請求項10に記載の方法。展性を有する材料からなる弾性応力減衰層を前記はんだ層と前記チップの活性領域との間に提供する段階をさらに含む、請求項10に記載の方法。前記チップの活性領域から離れて面する凹凸を有する表面を有するように前記応力減衰層を提供する段階をさらに備える、請求項12に記載の方法。従ってコスト面で有利な半導体ユニットを製造することが望まれている。さらに、本明細書で開示されるような、ユニットの製造時及び動作時に発生する熱を効率的に拡散することが可能な半導体ユニットを構成することが望まれている。またさらに本明細書で開示されるような、高い電力変換効率を有する半導体ユニットを構成することが望まれている。また、その熱効率及び低い製造コストによって区別される半導体ユニットを製造するプロセスを提供することが望まれている。上述の必要性は、本明細書において以下に開示されるような半導体ユニット及びユニットを構成する方法によって達成される。本開示の顕著な特徴の1つに従えば、典型的には比較的厚い金Au層が銀Ag層と実質的に置き換えられる。Ag層の使用は、かなりのコストの低減及び低減される熱負荷を通して半導体ユニットの性能及び信頼性の向上につながり、それらの全ては高い電力変換効率PCEにつながる。典型的には半導体ユニットのサブマウントを構成するそれぞれの層の材料は、それぞれが互いに異なりチップ製造に用いられる材料とも異なる熱膨張係数CTEを有する。一般に、半導体ユニットのベースはAg層よりも低いCTEを有する。そのためサブマウントの層はそれらの累積的なCTEがチップの材料のCTEと実質的に適合するように構成されうる。この条件が一度達成されると、機械的応力の発生が大幅に最小化される。応力を最小化するように構成された本開示の1つの実施形態に従えば、発明されるユニットは、電気めっきのような既知のあらゆるプロセスによってベース上に成膜されるAg層の制御された厚さを有するように構成される。Ag層の望ましい厚さは、サブマウントの累積的なCTEがチップを構成するために用いられる材料のそれと実質的に適合するように決定される。さらなる実施形態は、チップとAg層との間に成膜される可塑性/展性のある材料の層を含む。軟らかい材料の層は、Ag層の厚さが任意であっても、チップへの機械的応力を低減しうるように構成される。もちろん、両方の技術が組み合わされてもよい。開示されるユニットの上述及びその他の特徴及び利点は、以下の図と併せて以下の詳細な説明からより容易に明らかになるであろう。開示された構成の詳細について以下に参照される。図面は正確なスケールではなく、半導体産業における当業者に良く知られた追加的な層を示しているのでもない。結合及び類似した用語は必ずしも直接及び直近に接続するものを指すのではなく、中間的な要素を介して接続することも含む。図2は、サブマウント10及びチップ20を含む半導体ユニットの開示された構成の1つの構造を示している。後者は高出力レーザーダイオード発光ダイオードまたは発光ダイオードのような2端子デバイス、トランジスタのような3端子デバイス、例えばホール効果センサを含む4端子半導体デバイス及びICのような多端子半導体デバイスから選択されうる。サブマウント10はベース12、ベース12上に成膜され熱拡散体および電気拡散体として用いられる厚いAg層14及び硬いはんだの薄い層18を含む。Ag層14は電気メッキ及びその他の方法のような様々な技術によって成膜されてもよく、様々な大きさ及び形状を有しうる。例えば、図2に示されるように、Ag層14はベース12上に少なくともチップ20の長さに関して連続的に延設されるものであってよい。銀の使用は金を用いる周知の従来技術と比べると、半導体ユニットの全体的なコストを効果的に低減させる。Ag層14は開示されるユニットをコスト的に有利にするだけではなく、ユニットを熱的及び電気的にも最も効率的なものとする。銀の熱伝導率は金のそれよりも高く、その一方電気抵抗率は低い。周知のように、熱伝導表面は材料の機能である。従って、チップ20が使用時であるときに活性領域16によって発生する熱は図1のAu層2の表面A1よりも大きなAg層14の表面A2に渡って拡散する。そのため熱のヒートシンク図示しないへの移送に関わるベース12の面積は、周知技術を示す図1のベース2の面積よりも大きい。実際に、Ag層14の表面A1は、熱伝導率が金属の中で最も高いため、同一条件では現実にどのような金属の熱拡散表面よりも大きい。試験では20ミクロンの厚さのAg層でさえ同等の厚さを有する図1の金層と比較してp-n接合の温度を約10°C減少させることが示されている。従って、開示されたチップ20の信頼性が大きく改善される。成膜された熱拡散性及び電気伝導性のAg層14の厚さは、サブマウントの成分及びチップ20の材料の熱膨張係数と直接相関するため、制御されるべきである。その結果、サブマウント10の累積的な熱膨張係数がチップ20の材料のそれと実質的に適合するならば、開示されたデバイス20に影響を及ぼす機械的応力を実質的に低減することができる。以下の数式はAg層の厚さの決定をかなり特徴づける。ここで、Kは熱膨張係数でありDはサブマウント10のいずれかの所定の層の厚さである。従ってそれぞれの材料の熱膨張係数が既知であるので、サブマウント層のそれぞれの厚さが分かれば提供されるAgの厚さを容易に決定することができる。以下の例を検討する。Agの膨脹係数は19.5であり、例えば窒化アルミニウムAlNからなるベース12の係数は4.5であり、GaAs-チップ20の例示的な材料-の膨脹係数は5.8である。さらにベース層12の厚さDが300ミクロンであると仮定する。従って、Ag層14の厚さはサブマウント10の累積的な膨張係数が5.8であるように選択されるべきである。上述の開示された数式を用いると、Ag層14は以下の厚さXを有すべきである。Ag層はおよそ28ミクロンの厚さである。従って、この例では、28ミクロンの厚さのAg層が、チップ20に働く機械的応力を最小にする。図3はその他の応力低減技術を示している。図2に示された層に加えてサブマウント10はチップ20とはんだ18との間に位置する弾性的であり電気伝導性の材料の軟らかいめっき層22で構成される。層22は、例えば純粋な金であってもよい。図4ははんだ18に面する、凹凸のある表面24を有する可塑性の層の例示的な構成を示している。表面24のパターンは限定されず、例えば円筒状、ピラミッド状、三角形及びその他の規則的な、並びに不規則な形状の、互いに間隔をあけて配置されそれらの間にそれぞれ谷部を画定する突出部を含みうる。ユニットがはんだ付け後に冷却されるにつれて、応力によって影響を受ける弾性材料は変形する。従って、層22はチップ20を機械的応力から保護する応力減衰バリアとして構成される。応力減衰層22の使用によって、チップ設計者はAg層14の厚さを任意とすることができる。もちろん、本開示に従って決定された厚さのAg層14と弾性めっき22の組み合わせを用いて開示されたユニットを製造してもよい。結論として、セラミック、金属又はその他の適した材料からなるものでありうるサブマウント上に成膜された厚いAg層は、本明細書に開示された上述の種類の半導体ユニットの製造コストを劇的に低減する。さらに、Ag層の厚さが数式に従って決定されれば、チップ20は製造の加熱/冷却段階の際に発生する機械的応力から保護されうる。最後に、Ag層が任意の厚さを有するとしても、特に構成された軟らかい層がまた機械的応力を大きく低減するのに十分なものでありうる。本開示は、本明細書で説明された特定の構成に限定されない。記載され図示された特定の構造及び構成からの発展はそれ自体を当業者に示唆するものであり、以下の特許請求の範囲に規定されるように、本開示の範囲から逸脱しないで用いられうる。