防霧機能を具えた複合半導体薄膜であって、基材表面を被覆する第1半導体薄膜と、前記第1半導体薄膜表面を被覆する第2半導体薄膜を含み、前記第1半導体薄膜が、有機金属化合物と炭化水素化合物を化合して成り、かつ300°Cから1000°Cの間の第1温度で加熱して緻密構造が形成され、前記第2半導体薄膜が、前記有機金属化合物、前記炭化水素化合物、有機添加物を化合して成り、かつ300°Cから1000°Cの間の第2温度で加熱して多孔針状構造が形成され、前記多孔針状構造の孔の大きさが1ナノメートルから25ナノメートルの間であることを特徴とする、複合半導体薄膜。請求項1に記載の複合半導体薄膜であって、そのうち、前記第1温度と前記第2温度が400°Cから600°Cの間であることを特徴とする、複合半導体薄膜。請求項1に記載の複合半導体薄膜であって、そのうち、前記有機金属化合物が、ORxM-O-MORx、RyORxyM-O-MORxyRy、MORx、MORxyRy、ORxM-O-MORxから選択され、そのうち、Rはアルキルalkyl基、アルケニル基alkenyl、アリール基aryl、ハロゲン化アルキル基alkylhalide、水素hydrogenとすることができ、Mはアルミニウム、鉄、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、ケイ素、ロジウム、セシウム、プラチナ、インジウム、錫、金、ゲルマニウム、銅、タンタル等とすることができ、x>y、且つxが1、2、3、4、5のいずれか、yが1、2、3、4、5のいずれかであることを特徴とする、複合半導体薄膜。請求項1に記載の複合半導体薄膜であって、そのうち、前記炭化水素化合物が、アルコール類、ケトン類、エーテル類、フェノール類、アルデヒド類、エステル類、アミン類のいずれかであることを特徴とする、複合半導体薄膜。請求項1に記載の複合半導体薄膜であって、そのうち、前記有機添加物が、ポリアルコール類、炭化水素化合物、高分子重合体のいずれかであることを特徴とする、複合半導体薄膜。請求項1に記載の複合半導体薄膜であって、そのうち、前記第1半導体薄膜と前記第2半導体薄膜がさらに表面処理によって薄膜の表面改質が行われることを特徴とする、複合半導体薄膜。防霧機能を具えた複合半導体薄膜の作製方法であって、有機金属化合物と炭化水素化合物を反応システム中に送り、化合させて第1ゾルを形成し、前記反応システムの温度が25°Cから200°Cの間である工程と、基材を前記第1ゾル中で浸漬めっきし、第1半導体薄膜を前記基材の表面に形成する工程と、300°Cから1000°Cの間の第1温度で前記第1半導体薄膜を加熱し、前記第1半導体薄膜に緻密構造を形成する工程と、再度前記有機金属化合物、前記炭化水素化合物、有機添加物を前記反応システム中に送り、化合させて第2ゾルを形成する工程と、前記第1半導体薄膜を前記第2ゾル中に浸漬めっきし、第2半導体薄膜を前記第1半導体薄膜の表面に形成する工程と、300°Cから1000°Cの間の第2温度で前記第2半導体薄膜を加熱し、前記第2半導体薄膜に多孔針状構造を形成し、前記多孔針状構造の孔の大きさが1ナノメートルから25ナノメートルの間である工程と、を含むことを特徴とする、複合半導体薄膜の作製方法。請求項7に記載の作製方法であって、そのうち、前記第1温度と前記第2温度が400°Cから600°Cの間であることを特徴とする、複合半導体薄膜の作製方法。請求項7に記載の作製方法であって、そのうち、前記有機金属化合物が、ORxM-O-MORx、RyORxyM-O-MORxyRy、MORx、MORxyRy、ORxM-O-MORxから選択され、そのうち、Rがアルキルalkyl基、アルケニル基alkenyl、アリール基aryl、ハロゲン化アルキル基alkylhalide、水素hydrogenとすることができ、Mがアルミニウムまたは鉄、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、ケイ素、ロジウム、セシウム、プラチナ、インジウム、錫、金、ゲルマニウム、銅、タンタル等とすることができ、x>y、且つxが1、2、3、4、5のいずれか、yが1、2、3、4、5のいずれかであることを特徴とする、複合半導体薄膜の作製方法。請求項7に記載の作製方法であって、そのうち、300°Cから1000°Cの間の前記第1温度で前記第1半導体薄膜と前記第2半導体薄膜を加熱するとき、さらに表面処理で薄膜の表面改質を行う工程を含むことを特徴とする、複合半導体薄膜の作製方法。上述に鑑みて、出願人は細心の試験と研究を諦めることなく続け、ついに防霧機能を具えた複合半導体薄膜及びその作製方法を開発したものであり、この方法によって比較的低温のプロセス条件下で、水の接触角が小さく、且つ防霧効果を延長できる複合半導体薄膜を形成することができる。本発明は米国特許公告第5320782号及び米国特許公告第5597515号を参考文献として引用する。本発明の主な目的は、緻密な半導体薄膜と多孔針状の半導体薄膜を結合することにより、水の接触角を小さくする性質を具え、長期間有効な防霧機能と親水性を有する、防霧機能を具えた複合半導体薄膜を提供することにある。本発明の別の目的は、比較的低温のプロセス条件下で、水の接触角を小さくし、且つ防霧効果を延長した複合半導体薄膜を形成する、防霧機能を具えた複合半導体薄膜の作製方法を提供することにある。本発明の防霧機能を具えた複合半導体薄膜は、第1半導体薄膜と、第2半導体薄膜を含む。そのうち、第1半導体薄膜は基材表面を被覆して設けられ、第1半導体薄膜が有機金属化合物と炭化水素化合物を化合し、かつ300°Cから1000°Cの間の第1温度で加熱して緻密構造を形成して成り、第2半導体薄膜が第1半導体薄膜の表面を被覆して設けられ、前記第2半導体薄膜が有機金属化合物、炭化水素化合物、有機添加物を化合し、かつ300°Cから1000°Cの間の第2温度で加熱して多孔針状構造を形成して成り、多孔針状構造の孔の大きさは1ナノメートルから25ナノメートルの間である。本発明の防霧機能を具えた複合半導体薄膜の作製方法は、有機金属化合物と炭化水素化合物を反応システム中に送り、化合させて第1ゾルを形成し、前記反応システムの温度が25°Cから200°Cの間である工程、基材を前記第1ゾル中で浸漬めっきして第1半導体薄膜を前記基材表面に形成する工程、300°Cから1000°Cの間の第1温度で前記第1半導体薄膜を加熱し、前記第1半導体薄膜に緻密構造を形成する工程、再度前記有機金属化合物、前記炭化水素化合物、有機添加物を前記反応システム中に送り、化合させて第2ゾルを形成する工程、前記第1半導体薄膜を前記第2ゾル中で浸漬めっきして第2半導体薄膜を前記第1半導体薄膜表面に形成する工程、そして、300°Cから1000°Cの間の第2温度で記第2半導体薄膜を加熱して前記第2半導体薄膜に多孔針状構造を形成し、前記多孔針状構造の孔の大きさが1ナノメートルから25ナノメートルの間である工程、を含む。本発明の上述とその他の目的、特徴、利点をより明らかにするため、以下いくつかの最良の実施例を挙げて、図面を組み合わせ、詳細に説明する。本発明は異なる形式の実施例として表現することができるが、図面に示すもの及び下文で説明するものは、本発明の最良の実施例であり、本文で開示するものは本発明の一範例であって、本発明を図面及びまたは説明される特定の実施例に限定することを意図していない。図1に示すように、本発明の防霧機能を具えた複合半導体薄膜100は、第1半導体薄膜120、基材110、第2半導体薄膜130を含む。第1半導体薄膜120は基材110の表面を被覆し、第1半導体薄膜120は有機金属化合物190と炭化水素化合物180を化合して成り、かつ第1温度で加熱して緻密構造が形成される。第2半導体薄膜130は第1半導体薄膜120の表面を被覆し、第2半導体薄膜130は有機金属化合物190、炭化水素化合物180、有機添加物170を化合して成り、かつ第2温度で加熱して多孔針状構造が形成され、且つ第2半導体薄膜130の多孔針状構造は、その孔の大きさが1ナノメートルから25ナノメートルの間である。そのうち、本発明の基材は、ガラス基材とセラミック基材のいずれかである。第1温度と第2温度は300°Cから1000°Cの間が好ましい。本発明の第1半導体薄膜120は、エネルギーを提供する可視光、太陽光または紫外光を使用してエネルギー吸収を行うことができ、表面の緻密構造を経由して吸収を行った後、エネルギーを貯蔵する第1半導体薄膜120に直接渡すことができる。第2半導体薄膜130は尖端からエネルギー吸収を行い、第1半導体薄膜120に直接渡すことができる。エネルギー供給が停止したら、すでにエネルギーを蓄えた第1半導体薄膜120がエネルギーを放出する第2半導体薄膜130にゆっくりとエネルギーの伝達を開始することができる。そのうち、エネルギー放出に用いる第2半導体薄膜130は、多孔針状構造とする。このとき、第2半導体薄膜130の尖端がエネルギー放出を開始し、水との接触角が小さくなり、均一な水膜を形成する。このため、本発明は光源照射後、水の接触角を小さくし、且つ効果を延長できる実行可能な新技術を提供するものであり、半導体特性のゾル材料を開発し、これにより水の接触角を小さくする性質を作り出して、長時間効果が持続する親水薄膜を達成する。そのうち、本発明の有機添加物170はポリアルコール類、炭化水素化合物及び高分子重合体のいずれかである。図2、図3の本発明の防霧機能を具えた複合半導体薄膜100の作製方法200及びその簡易フローチャート300に示すように、本発明の方法は、次の工程を含む。工程210:化学合成の方式で有機金属化合物190と炭化水素化合物180を反応システム160中に送り、化合させて第1ゾル150を形成し、且つ反応システム160の温度は25°Cから200°Cの間である。工程220:基材110を第1ゾル150中で浸漬めっきし、第1半導体薄膜120を基材110表面に形成する。工程230:第1温度で第1半導体薄膜120を加熱して第1半導体薄膜120に緻密構造を形成させ、且つ第1温度は300°Cから1000°Cの間である。工程240:再度化学合成の方式で有機金属化合物190、炭化水素化合物180、有機添加物170を反応システム160中に送り、化合させて第2ゾル140を形成する。工程250:第1半導体薄膜120を第2ゾル140中で浸漬めっきし、第2半導体薄膜130を第1半導体薄膜120表面に形成する。工程260:第2温度で第2半導体薄膜130を加熱して第2半導体薄膜130に多孔針状構造を形成させ、第2温度は300°Cから1000°Cの間であり、且つ第2半導体薄膜130の多孔針状構造はその孔の大きさが1ナノメートルから25ナノメートルの間である。好ましくは、工程230と工程260において、第1温度と第2温度の最良の温度は400°Cから600°Cの間とし、有機金属化合物190は、ORxM-O-MORx、RyORxyM-O-MORxyRy、MORx、MORxyRy、ORxM-O-MORxから選択し、そのうち、Rはアルキルalkyl基、アルケニル基alkenyl、アリール基aryl、ハロゲン化アルキル基alkylhalide、水素hydrogenとすることができ、Mはアルミニウム、鉄、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、ケイ素、ロジウム、セシウム、プラチナ、インジウム、錫、金、ゲルマニウム、銅またはタンタル等とすることができ、そのうち、x>y、且つxが1、2、3、4、5のいずれか、yが1、2、3、4、5のいずれかである。このほか、炭化水素化合物180は、アルコール類、ケトン類、エーテル類、フェノール類、アルデヒド類、エステル類、アミン類のいずれかである。ここで、有機金属化合物190は、TiOR4、SiOR4、NH42TiOR2、CH3SiOCH33、SnOR4、InOR3のいずれかであり、炭化水素化合物180は、C2H5OH、C3H7OH、C4H9OH、CH3OC2H5、CH2Oのいずれかであり、そして有機添加物170はポリアルコール類、炭化水素化合物、高分子重合体のいずれかであることに注意が必要である。本発明の提示する二段階の異なる第1半導体薄膜120、第2半導体薄膜130、第1温度と第2温度の高温熱処理方式で、上述の2要素を効果的に満たすことができる。上述の説明から分かるように、本発明の貯蔵、吸収、放出を行う第1半導体薄膜120、第2半導体薄膜130、第1ゾル150、第2ゾル140の作製方法は、二段階のプロセスを使用することができ、まず有機金属化合物190と炭化水素化合物180をあらかじめ化学反応器に送って合成を行い、さらに温度、空気、水分、添加溶剤をロット制御する方式で、有機金属化合物190と炭化水素化合物180を半液半ゲル状の第1ゾル150に合成する。続いて、基材110を浸漬めっきで塗装し、高温熱処理の方式で第1半導体薄膜120を形成する。そして、再度有機金属化合物190、炭化水素化合物180、有機添加物170をまず化学反応器に送って合成を行い、再度温度、空気、水分、添加溶剤をロット制御する方式で、有機金属化合物190、炭化水素化合物180、有機添加物170を半液半ゲル状の第2ゾル140に合成する。続いて、基材110を浸漬めっきで塗装し、高温熱処理の方式で第2半導体薄膜130を第1半導体薄膜120表面に形成する。第1半導体薄膜120と第2半導体薄膜130が形成され、一方は平坦かつ緻密であり、エネルギーを貯蔵する薄膜、一方は多孔針状で、エネルギーを吸収放出する薄膜に分かれており、これで得られる製品と類似の例:親水性、防霧性、自浄性を持つ製品を比較すると、利用している材質、構造形成が異なるほか、最大の効果は水との小さい接触角を長く維持することができる点であり、親水性、防霧性または自浄性により優れた関連の商品の機能性を達することができ、また第1ゾル150と第2ゾル140を使用して浸漬めっきを行う方式のプロセスはコストと製造上の汚染量を抑えることができる。このほか、高温熱処理プロセスで、第1半導体薄膜120と第2半導体薄膜130の磨耗性質を向上かつ改善し、硬度を高め、構造性を完全に保持させて、その他関連商品の生み出す環境と低品質の問題を改善することができる。そのうち、第1半導体薄膜120と第2半導体薄膜130の加熱プロセスはさらに、エネルギーを加える加熱によって薄膜表面の改質を行う工程を含むことができ、すなわち、第1半導体薄膜120と第2半導体薄膜130はさらに表面処理によって薄膜表面の改質を行い、反応に参与させることができる。そのうち、前記表面処理は、プラズマ表面改質またはレーザー表面改質のいずれかとする。このほか、本発明の基材110はケイ素、二酸化ケイ素、金属、ヒ化ガリウム、プリント配線板、サファイア、金属窒化物、金属、ガラス基材、セラミック基材のいずれかとする。異なる基材110が第1半導体薄膜120と第2半導体薄膜130に異なる被覆効果を生む。第1半導体薄膜120と第2半導体薄膜130の親水性を高めるため、加熱温度が300°Cのとき、異なるモル比のTEOSを添加し、紫外光ライトを利用して第1半導体薄膜120と第2半導体薄膜130に紫外光を5分間照射し、これにより親疎水性分析を行った。その結果を表1に示す。本実施例と実施例1の違いは、400°Cで第1半導体薄膜120と第2半導体薄膜130を加熱した点であり、同様に異なるモル比のTEOSを添加し、紫外光ライトを使用して第1半導体薄膜120と第2半導体薄膜130に紫外光を5分間照射し、これにより親疎水性分析を行った。その結果を表2に示す。本発明の防霧機能を具えた複合半導体薄膜及びその作製方法によると、緻密な半導体薄膜に多孔針状半導体薄膜を結合した配置により、水の接触角が小さくなる性質を生み出し、長期間有効な親水性薄膜を得ることができる。図4の本発明の第1半導体薄膜120の電界放出を示す図を参照する。このほか。水接触角の大きさの変化と持久性は、1つがエネルギーを貯蔵する第1半導体薄膜120が持つ緻密構造の平坦度と厚さ、もう1つがエネルギーを吸収放出する第2半導体薄膜130が持つ多孔針状構造の緻密度と厚さマイクロメートルレベルの2つの要因によって決まる。そのうち、本発明の第1半導体薄膜120と第2半導体薄膜130の最良の厚さは10ナノメートルから10マイクロメートルの間である。第1半導体薄膜120と第2半導体薄膜130の厚さが大きければ大きいほど、水接触角を小さくする機能を高く維持することができることに注意が必要である。上述をまとめると、本発明には次のような効果がある。1低温条件下で、緻密な半導体薄膜に多孔針状の半導体薄膜を結合した配置によって、水の接触角を小さくする性質を得ることができる。2エネルギーを加える加熱によって薄膜の表面改質を行い、薄膜の機械強度を高める効果だけでなく、長期間有効な防霧性と親水性を具えた薄膜を形成することができる。3緻密な半導体薄膜に多孔針状の半導体薄膜を結合した厚さが大きければ大きいほど、水接触角を小さくする機能を高く維持することができる。本発明は前述のように最良の実施例を開示したが、前述の説明は本発明を限定するために用いるものではなく、当業者であれば本発明の要旨と範囲を逸脱せずに、各種の変動と変更が可能である。上述の解釈のとおり、各種の修正や変化を加えても本発明の要旨を破壊することはない。したがって、本発明の保護範囲は後付の特許請求の範囲に準じる。