流路を有する載置用部材において、一主面に試料が載置され、他主面に前記流路の内壁を構成する溝部を有するセラミックスからなる第1基板と、一主面が該第1基板の他主面に接続されたセラミックスからなる第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に介在した、前記第1基板よりも熱伝導率の低いガラスからなる接合層とを備え、前記第2基板の前記一主面は、前記第1基板の前記他主面に前記接合層を介して接続された第1領域と、前記流路の内壁を構成する第2領域とを有し、該第2領域は、前記第1領域と同一平面をなすことを特徴とする載置用部材。請求項1に記載の載置用部材において、前記溝部は、底面と、側面と、前記底面および前記側面を接続する曲面状の接続部とを有することを特徴とする載置用部材。請求項1に記載の載置用部材において、前記第1基板および前記第2基板は、炭化珪素質焼結体からなることを特徴とする載置用部材。請求項1に記載の載置用部材において、前記第1基板の熱伝導率は、前記第2基板の熱伝導率よりも高いことを特徴とする載置用部材。請求項1に記載の載置用部材において、前記流路には、冷媒が流れることを特徴とする載置用部材。一主面に試料が載置されるセラミックスからなる第1基板と、該第1基板の他主面に接続したセラミックスからなる第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に介され、前記第1基板よりも熱伝導率の低いガラスからなる接合層と、前記第1基板に形成された流路とを備えたことを特徴とする載置用部材。本発明は、載置する試料を一定の温度に維持する要求に応える載置用部材を提供するものである。本発明の一形態に係る載置用部材は、流路を有する載置用部材において、一主面に試料が載置され、他主面に前記流路の内壁を構成する溝部を有するセラミックスからなる第1基板と、一主面が該第1基板の他主面に接続されたセラミックスからなる第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に介在した、前記第1基板よりも熱伝導率の低いガラスからなる接合層とを備え、前記第2基板の前記一主面は、前記第1基板の前記他主面に前記接合層を介して接続された第1領域と、前記流路の内壁を構成する第2領域とを有し、該第2領域は、前記第1領域と同一平面をなす。また、本発明の一形態に係る載置用部材は、一主面に試料が載置されるセラミックスからなる第1基板と、該第1基板の他主面に接続したセラミックスからなる第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に介され、前記第1基板よりも熱伝導率の低いガラスからなる接合層と、前記第1基板に形成された流路とを備える。本発明の一形態にかかる載置用部材によれば、第1基板および第2基板が接合層を介して接続されており、流路が第1基板に形成されていることから、該流路によって、接合層よりも熱伝導率の高い第1基板を介して、第1基板に載置される試料の温度を制御することができるため、試料の温度をより一定に維持することできる。以下に、本発明の一実施形態に係る載置用部材を、図1aおよびbに基づいて詳細に説明する。図1aおよびbに示した載置用部材1は、半導体デバイスや液晶表示デバイスの製造に用いられる液浸露光装置またはEB露光装置等の露光装置において、半導体ウェハまたはガラス基板等の試料2を載置するものである。この載置用部材1は、一主面に試料2が載置される第1基板3と、一主面が第1基板3の他主面に接続された第2基板4と、第1基板3と第2基板4との間に介在した接合層5と、第1基板3に形成された流路6と、を備えている。第1基板3は、一主面に試料2を載置する突起7を有する円板状のセラミックスからなる部材であり、炭化珪素質焼結体によって形成することができる。この第1基板3は、厚みZ方向が例えば5mm以上30mm以下に設定され、熱伝導率が例えば150W/mK以上200W/mK以下に設定されている。なお、熱伝導率は、室温23°Cにおけるアルバック理工製TC-7000を用いたレーザーフラッシュ法にて測定される。以下、各部材の熱伝導率は、第1基板3の熱伝導率と同様の方法で測定される。第2基板4は、第1基板3と同様に、円板状のセラミックスからなる部材であり、炭化珪素質焼結体によって形成することができる。この第2基板4は、厚みが例えば1mm以上20mm以下に設定され、熱伝導率が例えば40W/mK以上80W/mK以下に設定されている。なお、本実施形態において、第2基板4の厚みは第1基板3の厚みよりも小さく形成されており、その結果、載置部材1の機械的強度を高めることができる。接合層5は、第1基板3および第2基板4を接続するための接着材として機能するものであり、ガラスによって形成することができ、該ガラスとしては、酸化ケイ素を主成分として、酸化マグネシウム、酸化ナトリウム、酸化カルシウム又は硼酸等の副成分を含むものを用いることができる。このように酸化ケイ素を含むガラスを用いることによって、該酸化ケイ素が第1基板3および第2基板4の炭化ケイ素と結合し、第1基板3と第2基板4とを強固に接着させることができる。この接合層5は、厚みが例えば1μm以上10μm以下に設定され、熱伝導率が例えば1W/mK以上5W/mK以下に設定されている。流路6は、水または冷却溶剤等の液体の冷媒を流すことによって、試料2の温度を調節するものであり、高さZ方向よりも幅X方向の大きい直方体状に形成されている。この第1流路7は、高さが例えば1mm以上5mm以下に設定され、幅が例えば2mm以上5mm以下に設定されている。なお、流路6は、冷媒を流す冷媒流路の他に、気体を吸引して試料2を真空吸着するためのエア流路を有していても構わない。一方、本実施形態において、第1基板3は、他主面に流路6の内壁を構成する溝部8を有し、第2基板4の一主面は、第1基板3の他主面に接合層5を介して接続された第1領域9と、流路6の内壁を構成する第2領域10とを有し、該第2領域10が第1領域9と同一平面をなしている。このように、流路6が第1基板3に形成されているため、流路6によって、接合層5よりも熱伝導率の高い第1基板3を介して、第1基板3に載置される試料2の温度を制御することができるため、試料2の温度をより一定に維持することできる。その結果、露光時における試料2の変形を低減した、高精度の露光装置を得ることができる。なお、第1基板3の熱伝導率は、接合層5の熱伝導率の例えば50倍以上120倍以下に設定されている。また、本実施形態において、溝部8は、底面11と、側面12と、底面11および側面12を接続する曲面状の接続部13を有している。このように、底面11および側面12の接続部13が曲面状R形状であるため、該接続部13における抵抗を低減し、流路内にて冷媒を効率良く流動させることができる。なお、溝部8の長手方向に垂直な断面において、接続部13の曲率半径は、例えば0.1mm以上1mm以下に設定されている。また、本実施形態において、第1基板3は、炭化珪素質焼結体からなる。このように炭化珪素質焼結体を用いることによって、第1基板3の熱伝導率を高めることができるため、試料2に露光装置のレーザー等が照射されて局所的に熱が印加された際に、この熱を第1基板3によって良好に放散することができる。また、本実施形態において、第1基板3および第2基板4は、双方ともに炭化珪素質焼結体からなり、同材質からなる。このように第1基板3および第2基板4を同材質によって形成することによって、接合層5によって第1基板3および第2基板4を強固に接着することができる。また、本実施形態において、第1基板3を構成する炭化珪素質焼結体の熱伝導率は、第2基板4を構成する炭化珪素質焼結体の熱伝導率よりも高い。その結果、第1基板3の熱伝導率を高めることによって、試料2に露光装置のレーザー等が照射されて局所的に熱が印加された際に、第1基板3を介して流路6に効率良く熱を伝えて、試料2の温度を略一定に維持することができる。さらに、第2基板4の熱伝導率を低くすることによって、流路6に第2基板4を介して外部と熱が出入りすることを低減することができ、流路6によって試料2を良好に温度制御することができる。第1基板3を構成する高熱伝導率の炭化珪素質焼結体は、炭化珪素に炭素の化合物およびホウ素の化合物を焼結助剤として添加して固相焼結させたものを用いることができる。この炭化硅素質焼結体の焼結助剤として、ホウ素の化合物をホウ素換算で0.2質量以上1.5質量以下、炭素の化合物を炭素換算で1質量以上3質量以下の範囲となるよう添加することが好ましい。また、この炭化硅素質焼結体の焼結助剤として、高熱伝導率の観点から、TiC、TiN、TiO等のチタンの化合物をチタン換算で200ppm以上、且つ400ppm以下の範囲で添加することが好ましい。第2基板4を構成する低熱伝導率の炭化珪素質焼結体は、炭化珪素にアルミナを添加して液相焼結させたものを用いることができる。また、この第2基板4は、アルミナを焼結助剤として用いることによって酸化ケイ素等のガラス質を含むため、第1基板3と比較して接合層5との接着強度を高めることができる。一方、本実施形態において、第2基板4は、第1領域9が接合層4に接着されており、第2領域10が接合層4に接着されておらず流路6内に露出している。その結果、該接合層4の流路6内への侵入を低減し、流路6内において液体または気体を効率良く流動させることができる。かくして、上述した載置用部材1は、露光装置において、試料2の温度を一定に維持する機能を有する試料2の載置手段として用いられる。次に、上述した載置用部材1の製造方法を説明する。1他主面に溝部8を有する第1基板3を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、主成分として炭化珪素の粉末に、添加剤として少なくともホウ素の化合物及び炭素の化合物の粉末を添加した原料粉末を得る。次に、この原料粉末を種々の成形方法を用いて成形して成形体を得た後、この成形体を例えば2000°C以上2100°C以下で焼成する。次に、研削加工で第1基板3の他主面に溝部8を形成する。なお、成形体を1900°C以上2100°C以下の低温で一次焼成した後、1800°C以上2000°C以下、圧力が180MPa以上の不活性ガス雰囲気にてHIP処理を行うことによって、成形体を焼成しても構わない。この場合、第1基板3のボイドを低減して、パーティクルの吸着を低減することができる。2一主面に平坦な領域を有する第2基板4を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、主成分として炭化珪素の粉末に、添加剤として少なくともアルミナの粉末を添加した原料粉末を得る。次に、この原料粉末を種々の成形方法を用いて成形して成形体を得た後、この成形体を例えば1900°C以上2000°C以下で焼成する。3第1基板3および第2基板4を接合層5で接着させる。具体的には、例えば以下のように行う。まず、第1基板3の他主面および第2基板4の一主面のそれぞれにガラスからなる接合材を塗布する。次に、第1基板3の他主面と第2基板4の一主面とを重ね合わせ、1900°C以上2000°C以下で焼成をすることによって、接合材を接合層5としつつ、第1基板3の他主面と第2基板4の一主面とを接合層5を介して接着させる。ここで、第1基板3の他主面の溝部8を、第2基板4の一主面の平坦な領域に重ね合わせることによって、第1基板3の溝部8と第2基板4の第2領域10とに取り囲まれた流路6を形成することができる。また、第1基板3の他主面および第2基板4の一主面のそれぞれに接合材を塗布する際には、第1基板3の他主面の溝部8以外の領域に接合材を塗布するとともに、第2基板4の一主面の第1領域9に接合材を塗布することによって、第2領域10を流路6内に露出させることができる。4ブラスト加工またはエッチング加工を用いることによって、第1基板3の一主面に突起7を形成する。以上のようにして、載置部材1を作製することができる。本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。例えば、上述した実施形態において、第1基板の突起上に試料を載置する構成を例に説明したが、第1基板は突起を有していなくてもよい。また、第1基板は、真空吸着用の多孔質体でも構わないし、真空吸着用の穴部を複数有してもいても構わない。また、上述した実施形態において、第1基板および第2基板が円板状である構成を例に説明したが、第1基板および第2基板は平板状であればよい。また、上述した実施形態において、第1基板が炭化珪素質焼結体からなる構成を例に説明したが、第1基板は接合層よりも熱伝導率の高いセラミックスによって形成すればよく、例えば窒化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体またはジルコニア質焼結体等によって形成しても構わない。また、上述した実施形態において、第2基板が第1基板と同材質からなる構成を例に説明したが、第2基板は、第1基板と異なる材質でもよく、例えば窒化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体またはジルコニア質焼結体等によって形成することができる。また、上述した実施形態において、接合層が第2基板の第1領域には接着せずに第2領域に接着した構成を例に説明したが、接合層は、第2基板の第1領域に接着していても構わないし、第1基板の溝部の側面に接着していても構わない。また、図2aに示すように、接合層5Aは、第1領域9Aと溝部8Aの側面12Aの双方に接着するとともに流路6A側に凹曲面を具備したフィレット部14Aを有していても構わない。この場合、フィレット部14Aによって第1基板3Aと第2基板4Aとの接着強度を高めて、流路6A内の冷媒の漏れを抑制することができる。また、フィレット部14Aの凹曲面によって流路内にて冷媒を効率良く流動させることができる。このようなフィレット部14Aは、第1基板3Aと第2基板4Aとを接着する際に、接合材を塗布する箇所や量を調節することによって、形成することができる。また、上述した実施形態において、第2基板の厚みが第1基板の厚みよりも小さい構成を例に説明したが、第1基板の厚みが第2基板の厚みよりも小さくてもよく、この場合、流路と試料との距離を短くして試料の温度を良好に制御することができる。また、上述した実施形態において、流路が第1基板の溝部と第2基板の第2領域に取り囲まれてなる構成を例に説明したが、図2bに示すように、流路6Bは第1基板3Bの内部に形成された貫通孔により形成しても構わない。