一方の面から光が入射するレンズユニットと、前記レンズユニットの他方の面側に設けられ、前記レンズユニットから出射した光が一方の面から入射する半導体基板と、前記半導体基板の他方の面側に設けられた光電変換デバイス領域および接続パッドと、を有する光センサと、を具備することを特徴とする撮像装置。請求項1に記載の発明において、前記半導体基板と前記レンズユニットとの間に、可視光線透過率が90以上であり、赤外線透過率が10以下である可視光線透過材を具備することを特徴とする撮像装置。請求項2に記載の発明において、前記可視光線透過材は、ガラス、メタクリル樹脂、フルオレン系樹脂、シクロオレフィンポリマー、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、AS樹脂、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート、透光性セラミックのいずれかからなることを特徴とする撮像装置。請求項1乃至3の何れか一項に記載の発明において、前記光センサは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられた配線と、前記配線のランド下に設けられた柱状電極と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記柱状電極の周囲に設けられた封止膜とを備えていることを特徴とする撮像装置。請求項4に記載の発明において、前記光センサの柱状電極下に半田ボールが設けられていることを特徴とする撮像装置。請求項1乃至5の何れか一項に記載の発明において、前記光センサは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられ、且つ、前記外部接続用電極としてのランドを有する配線と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記配線のランドを除く領域に設けられた封止膜とを備えていることを特徴とする撮像装置。請求項6に記載の発明において、前記光センサの配線のランド下に半田ボールが設けられていることを特徴とする撮像装置。請求項1に記載の発明において、前記レンズユニットを構成するレンズは赤外線を10以下しか透過しない赤外線カットフィルタ付であることを特徴とする撮像装置。半導体ウエハの一方の面に光電変換デバイス領域および接続パッドが設けられた光センサの前記半導体ウエハの他方の面に、レンズユニットを配置することを特徴とする撮像装置の製造方法。請求項9に記載の発明において、前記半導体基板と前記レンズユニットとの間に、可視光線透過率が90以上であり、赤外線透過率は10以下である可視光線透過材を具備することを特徴とする撮像装置の製造方法。請求項9または10に記載の発明において、前記可視光線透過材は、ガラス、メタクリル樹脂、フルオレン系樹脂、シクロオレフィンポリマー、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、AS樹脂、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート、透光性セラミックのいずれかからなることを特徴とする撮像装置の製造方法。請求項9乃至11の何れか一項に記載の発明において、前記接続パッドに接続された外部接続用電極が形成され、前記半導体ウエハをダイシングして撮像装置を複数個得ることを特徴とする撮像装置の製造方法。請求項9乃至12の何れか一項に記載の発明において、前記可視光線透過材を配置する工程の前に、前記外部接続用電極下に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。請求項13に記載の発明において、前記半田ボールを形成する工程の後に、前記半導体ウエハの上面側を研削する工程を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。請求項14に記載の発明において、前記半田ボールを形成する工程の後で前記半導体ウエハの上面側を研削する工程の前に、前記半導体ウエハの前記半田ボール側に保護テープを貼り付ける工程を有し、且つ、前記レンズユニットを配置する工程の後に、前記保護テープを剥離する工程を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。請求項12乃至15の何れか一項に記載の発明において、前記準備したものは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられた配線と、前記配線のランド下に設けられた前記外部接続用電極としての柱状電極と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記柱状電極の周囲に設けられた封止膜と、を備えていることを特徴とする撮像装置の製造方法。請求項12乃至16の何れか一項に記載の発明において、前記準備したものは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられ、且つ、前記外部接続用電極としてのランドを有する配線と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記配線のランドを除く領域に設けられた封止膜と、を備えていることを特徴とする撮像装置の製造方法。請求項9に記載の発明において、前記レンズユニットを構成するレンズは赤外線を10以下しか透過しない赤外線カットフィルタ付であることを特徴とする撮像装置の製造方法。請求項9乃至18の何れか一項に記載の発明において、各光センサ形成領域の電気的テストを行い、不良と判定された光センサ形成領域がある場合には、この不良と判定された光センサ形成領域に対して、前記可視光線透過材および前記レンズユニットを配置しないようにすることを特徴とする撮像装置の製造方法。ところで、上記従来の撮像装置の製造方法では、半導体ウエハの撮像装置形成領域内の周辺部に貫通孔を形成する工程が半導体ウエハの下面へのレジスト膜の形成、レジスト膜への開口部の形成、レジスト膜をマスクとしたエッチングによる半導体ウエハへの貫通孔の形成、レジスト膜の剥離というように、工程数が比較的多いという問題がある。また、半導体ウエハの下面側を研削して半導体ウエハの厚さを薄くする工程の前に、補強のため、半導体ウエハ上に該半導体ウエハと同じサイズのガラス板を配置しなければならず、加工プロセスに制約を受けるという問題がある。そこで、この発明は、工程数を少なくすることができ、また加工プロセスに制約を受けにくいようにすることができる撮像装置およびその製造方法を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明に係る撮像装置は、一方の面から光が入射するレンズユニットと、前記レンズユニットの他方の面側に設けられ、前記レンズユニットから出射した光が一方の面から入射する半導体基板と、前記半導体基板の他方の面側に設けられた光電変換デバイス領域および接続パッドと、を有する光センサと、を具備することを特徴とするものである。請求項9に記載の発明に係る撮像装置の製造方法は、半導体ウエハの一方の面に光電変換デバイス領域および接続パッドが設けられた光センサの前記半導体ウエハの他方の面に、レンズユニットを配置することを特徴とするものである。この発明によれば、一方の面から光が入射するレンズユニットと、前記レンズユニットの他方の面側に設けられ、前記レンズユニットから出射した光が一方の面から入射する半導体基板と、前記半導体基板の他方の面側に設けられた光電変換デバイス領域および接続パッドと、を有する光センサと、を具備することにより、半導体基板に貫通電極を形成する必要がなく、ひいては工程数を少なくすることができ、また加工プロセスに制約を受けにくいようにすることができる。第1実施形態図1はこの発明の第1実施形態としての撮像装置の断面図を示す。この撮像装置は光センサ1を備えている。光センサ1はシリコン、または、GaガリウムとAs砒素の化合物からなる化合物半導体のガリウム砒素等からなる平面方形状の半導体基板2を備えている。半導体基板2の下面中央部にはCCD電荷結合素子やフォトダイオード、フォトトランジスタ等の素子を含む光電変換デバイス領域3が設けられている。半導体基板2の下面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド4が光電変換デバイス領域3に接続されて設けられている。半導体基板2の周辺部および接続パッド2の中央部を除く半導体基板2の下面には酸化シリコン、窒化シリコン等からなるパッシベーション膜絶縁膜5が設けられ、接続パッド4の中央部はパッシベーション膜5に設けられた開口部6を介して露出されている。パッシベーション膜5の下面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜絶縁膜7が設けられている。パッシベーション膜5の開口部6に対応する部分における保護膜7には開口部8が設けられている。保護膜7の下面には複数の配線9が設けられている。配線9は、保護膜7の下面に設けられた銅等からなる下地金属層10と、下地金属層10の下面に設けられた銅からなる上部金属層11との2層構造となっている。配線9の一端部は、パッシベーション膜5および保護膜7の開口部6、8を介して接続パッド4に接続されている。配線9のランド下面には銅からなる柱状電極外部接続用電極12が設けられている。半導体基板2の周辺部下面および配線9を含む保護膜7の下面において柱状電極12の周囲にはシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂からなる封止膜13が設けられている。ここで、柱状電極12は、その下面が封止膜13の下面と面一乃至1~2μm凹むように設けられている。以上のように、光センサ1は、半導体基板2、光電変換デバイス領域3、接続パッド4、パッシベーション膜5、保護膜7、下地金属層10および上部金属層11からなる2層構造の配線9、柱状電極12および封止膜13を含んで構成されている。そして、光センサ1の柱状電極12の下面には半田ボール14が設けられている。光センサ1の半導体基板2の上面には平面方形状の可視光線透過板21が方形枠状の接着剤層22を介して貼り付けられている。可視光線透過板21は、赤外線カットフィルタの役目を持っており、赤外線反射タイプまたは赤外線吸収タイプのものからなり、その平面サイズは光センサ1の半導体基板2の平面サイズよりもやや小さくなっている。可視光線透過板21としては、ガラス、メタクリル樹脂、フルオレン系樹脂、シクロオレフィンポリマー、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、AS樹脂、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート、透光性セラミック等、可視光を透過する材料であれば何でも良い。可視光線透過板21の上面にはレンズユニット23が設けられている。レンズユニット23は、枠状のレンズホルダ24の内部に、光センサ1の光電変換デバイス領域3の上方に配置されるレンズ25が設けられたものからなっている。そして、レンズユニット23のレンズホルダ24の下面は枠状の接着剤層26を介して可視光線透過板21の上面周辺部に貼り付けられている。図1において矢印で示すように、光は半導体基板2の他方の面に設けられたレンズユニット23側から入射する。レンズ25を通った光は光電変換デバイス領域3に集光し、配線9に伝送する。ここで、レンズ25は赤外線を良く透過し、光電変換デバイス領域3は高い赤外線感度を持っているので、光センサ1の感度は、主に、光電変換デバイス領域3の前にある赤外線をカットする可視光線透過板21に左右される。可視光線透過板21の赤外線反射率および赤外線吸収率はいずれも90以上である。従って、可視光線透過板21の赤外線透過率は、10以下である。また、可視光線透過板21は光電変換デバイス領域3を保護する役目も有している。反射若しくは吸収によりカットする赤外線の波長は、約0.7μmから1000μmの範囲の周波数を帯びた電磁波である。また、可視光線透過板21を透過する可視光線の波長は、380~780nmの範囲の周波数を帯びた電磁波である。次に、この撮像装置の製造方法の一例について説明する。まず、図2に示すように、ウエハ状態の半導体基板以下、半導体ウエハ31というの下面に光電変換デバイス領域3、接続パッド4、パッシベーション膜5、保護膜7、下地金属層10および上部金属層11からなる2層構造の配線9、柱状電極12および封止膜13が形成されたものを準備する。この準備したものの製造方法の一例について簡単に説明すると、まず、半導体ウエハ31下に光電変換デバイス領域3、接続パッド4、パッシベーション膜5および保護膜7等を形成する。次に、その下面全体に無電解メッキにより下地金属層10を形成する。次に、下地金属層10をメッキ電流路とした電解メッキにより、上部金属層11および柱状電極12を形成する。次に、上部金属層11をマスクとしたエッチングにより、上部金属層11以外の領域における下地金属層10を除去し、下地金属層10および上部金属層11からなる2層構造の配線9を形成する。次に、保護膜7の周囲における半導体ウエハ31の下面および配線9を含む保護膜7の下面において柱状電極12の周囲に封止膜13を形成する。かくして、図2に示す準備したものが得られる。この場合、半導体ウエハ31に貫通電極を形成する必要がなく、したがって半導体ウエハ31に貫通電極を形成する場合と比較して、工程数を少なくすることができる。ここで、図2に示す半導体ウエハ31の厚さは、図1に示す半導体基板2の厚さよりも厚くなっている。また、図2において、符号32で示す領域はダイシングストリートである。次に、図3に示すように、柱状電極12の下面に半田ボール14を形成する。半田ボール14の形成方法としては、まず、柱状電極12の下面に半田ペーストを塗布し、あるいは半田ボールを搭載する。次に、リフローを行うことにより、柱状電極12の下面に半田ボール14を形成する。次に、図4に示すように、保護テープ33を準備する。この保護テープ33は、基材フィルム34の上面に紫外線硬化型で未硬化状態の粘着剤層35が設けられたものからなっている。そして、半田ボール14を含む封止膜13の下面に保護テープ33の未硬化状態の粘着剤層35を貼り付ける。この場合、粘着剤層35の厚さは半田ボール14の高さよりも厚くなっている。したがって、この状態では、半田ボール14は粘着剤層35によって完全に覆われている。次に、図5に示すように、チャック36を準備する。チャック36は、図示しない真空ポンプ等の真空源に接続され、チャック36上に載置した部材を吸引して吸着保持するためのものである。次に、保護テープ33の下面を、チャック36上に載置して吸着保持させる。次に、半導体ウエハ31の下面側を研削砥石図示せずを用いて適宜に研削し、半導体ウエハ31の厚さを薄くする。この状態では、半導体ウエハ31の下面側に封止膜13を形成し、且つ、その下面側に保護テープ33を貼り付け、更に保護テープ33の下面をチャック36で吸着保持しているので、半導体ウエハ31の厚さを薄くしても、半導体ウエハ31が反りにくいようにすることができる。この場合、補強用としてのガラス板を用いていないので、その分、加工プロセスに制約を受けにくいようにすることができる。次に、図6に示すように、半導体ウエハ31の上面においてダイシングストリート32で囲まれた平面方形状の領域内の中央部に平面方形状の可視光線透過板21を方形枠状の接着剤層22を介して貼り付ける。ところで、封止膜13の下面側に保護テープ33が貼り付けられておらず、且つ、半導体ウエハ31および封止膜13の合計厚さが350~300μm以下である場合には、半導体ウエハ31の反り量が大きくなり、可視光線透過板21の貼り付けが困難となってしまう。これに対し、この実施形態では、封止膜13の下面側に保護テープ33を貼り付け、更に保護テープ33の下面をチャック36で吸着保持しているので、半導体ウエハ31および封止膜13の合計厚さが350~300μm以下であっても、半導体ウエハ31の反り量が大きくなることがなく、可視光線透過板21の貼り付けが困難となることもない。次に、保護テープ33の下面に対するチャック36による吸着保持を解除し、保護テープ33をチャック36上から取り去る。次に、図7に示すように、レンズユニット23を準備する。レンズユニット23は、枠状のレンズホルダ24の内部にレンズ25が設けられたものからなっている。そして、レンズユニット23のレンズホルダ24の下面を可視光線透過板21の上面周辺部に枠状の接着剤層26を介して貼り付ける。次に、保護テープ33の下面側から紫外線を照射し、未硬化状態の接着剤層35を硬化させ、保護テープ33を剥離可能状態とする。次に、半田ボール14を含む封止膜13の下面から保護テープ33を剥離すると、図8に示すように、半田ボール14を含む封止膜13の下面が露出される。次に、図9に示すように、半導体ウエハ31および封止膜13をダイシングストリート32に沿ってダイシングすると、図1に示す撮像装置が複数個得られる。このようにして得られた撮像装置では、入射光の方向を矢印で示した通り、レンズユニット23が設けられている半導体基板2の他方の面側から光が入射する裏面照射型の構造を有している。したがって、入射光は、レンズ25を透過し、続いて可視光線透過板21および半導体基板2を透過して、光電変換デバイス領域3に到達する。この様に、レンズと光センサとの間に配線がないため、レンズと光センサが近接しており、斜めの光も届きやすい構造になっている。この際、半導体基板2の一方の面に設けられた配線9や柱状電極12は、光電変換デバイス領域3よりも下方にあるので、配線9や柱状電極12によって光が遮られることがなく、効率を良くすることができる。このような訳で、平面視して、光電変換デバイス領域3と、配線9や柱状電極12と、が重なって形成しても何ら問題はない。また、半導体基板2の厚さは薄いため、反りが発生しやすいが、柱状電極12のある構造においては封止膜13の厚さが厚いので、反りを抑制することができる。なお、図2に示す状態において、各光センサ形成領域の電気的テストを行い、不良と判定された光センサ形成領域がある場合には、この不良と判定された光センサ形成領域に対して、図6および図7に示す工程において、可視光線透過板21およびレンズユニット23を取り付けないようにしてもよい。このようにした場合には、歩留りを向上することができる。また、本実施形態では、半導体ウエハ31の他方の面に対して、可視光線透過板21の貼り付けやレンズユニット23の取り付けを行ったが、ダイシング後の半導体基板2上に、個片化した可視光線透過板21およびレンズユニット23を取り付けて形成しても良い。また、本実施形態においては、光センサ1の半導体基板2とレンズユニット23との間に可視光線透過板21を設けたが、例えば、赤外線を10以下しか透過しない赤外線カットフィルタ付のレンズ25を用いることで、図10に示すように、可視光線透過板21を設けない薄型の構造にすることもできる。第2実施形態図11はこの発明の第2実施形態としての撮像装置の断面図を示す。この撮像装置も矢印の方向から光が入射する裏面照射型の構造を有しており、図1に示す撮像装置と異なる点は、光センサ1において、柱状電極12を省略した点である。この場合、配線9のランド外部接続用電極に対応する部分における封止膜13には、半田ボール14を配線9のランドに接続するための開口部13aが形成されている。なお、封止膜13はポリイミド系樹脂、ソルダーレジスト等によって形成するようにしてもよい。また、第1実施形態と同様に本実施形態においても、光センサ1の半導体基板2とレンズユニット23との間に可視光線透過板21を設けたが、例えば、赤外線を10以下しか透過しない赤外線カットフィルタ付のレンズ25を用いることで、図12に示すように、可視光線透過板21を設けない薄型の構造にすることができる。以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は、これに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲を含むものである。以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。付記請求項1に記載の発明は、一方の面から光が入射するレンズユニットと、前記レンズユニットの他方の面側に設けられ、前記レンズユニットから出射した光が一方の面から入射する半導体基板と、前記半導体基板の他方の面側に設けられた光電変換デバイス領域および接続パッドと、を有する光センサと、を具備することを特徴とする撮像装置である。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記半導体基板と前記レンズユニットとの間に、可視光線透過率が90以上であり、赤外線透過率が10以下である可視光線透過材を具備することを特徴とする撮像装置である。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記可視光線透過材は、ガラス、メタクリル樹脂、フルオレン系樹脂、シクロオレフィンポリマー、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、AS樹脂、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート、透光性セラミックのいずれかからなることを特徴とする撮像装置である。請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3の何れか一項に記載の発明において、前記光センサは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられた配線と、前記配線のランド下に設けられた柱状電極と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記柱状電極の周囲に設けられた封止膜とを備えていることを特徴とする撮像装置である。請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記光センサの柱状電極下に半田ボールが設けられていることを特徴とする撮像装置である。請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5の何れか一項に記載の発明において、前記光センサは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられ、且つ、前記外部接続用電極としてのランドを有する配線と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記配線のランドを除く領域に設けられた封止膜とを備えていることを特徴とする撮像装置である。請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記光センサの配線のランド下に半田ボールが設けられていることを特徴とする撮像装置である。請求項8に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記レンズユニットを構成するレンズは赤外線を10以下しか透過しない赤外線カットフィルタ付であることを特徴とする撮像装置である。請求項9に記載の発明は、半導体ウエハの一方の面に光電変換デバイス領域および接続パッドが設けられた光センサの前記半導体ウエハの他方の面に、レンズユニットを配置することを特徴とする撮像装置の製造方法である。請求項10に記載の発明は、請求項9に記載の発明において、前記半導体基板と前記レンズユニットとの間に、可視光線透過率が90以上であり、赤外線透過率は10以下である可視光線透過材を具備することを特徴とする撮像装置の製造方法である。請求項11に記載の発明は、請求項9または10に記載の発明において、前記可視光線透過材は、ガラス、メタクリル樹脂、フルオレン系樹脂、シクロオレフィンポリマー、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、AS樹脂、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート、透光性セラミックのいずれかからなることを特徴とする撮像装置の製造方法である。請求項12に記載の発明は、請求項9乃至11の何れか一項に記載の発明において、前記接続パッドに接続された外部接続用電極が形成され、前記半導体ウエハをダイシングして撮像装置を複数個得ることを特徴とする撮像装置の製造方法である。請求項13に記載の発明は、請求項9乃至12の何れか一項に記載の発明において、前記可視光線透過材を配置する工程の前に、前記外部接続用電極下に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする撮像装置の製造方法である。請求項14に記載の発明は、請求項13に記載の発明において、前記半田ボールを形成する工程の後に、前記半導体ウエハの上面側を研削する工程を有することを特徴とする撮像装置の製造方法である。請求項15に記載の発明は、請求項14に記載の発明において、前記半田ボールを形成する工程の後で前記半導体ウエハの上面側を研削する工程の前に、前記半導体ウエハの前記半田ボール側に保護テープを貼り付ける工程を有し、且つ、前記レンズユニットを配置する工程の後に、前記保護テープを剥離する工程を有することを特徴とする撮像装置の製造方法である。請求項16に記載の発明は、請求項12乃至15の何れか一項に記載の発明において、前記準備したものは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられた配線と、前記配線のランド下に設けられた前記外部接続用電極としての柱状電極と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記柱状電極の周囲に設けられた封止膜と、を備えていることを特徴とする撮像装置の製造方法である。請求項17に記載の発明は、請求項12乃至16の何れか一項に記載の発明において、前記準備したものは、前記絶縁膜の下面に前記接続パッドに接続されて設けられ、且つ、前記外部接続用電極としてのランドを有する配線と、前記配線を含む前記絶縁膜下において前記配線のランドを除く領域に設けられた封止膜と、を備えていることを特徴とする撮像装置の製造方法である。請求項18に記載の発明は、請求項9に記載の発明において、前記レンズユニットを構成するレンズは赤外線を10以下しか透過しない赤外線カットフィルタ付であることを特徴とする撮像装置の製造方法である。請求項19に記載の発明は、請求項9乃至18の何れか一項に記載の発明において、各光センサ形成領域の電気的テストを行い、不良と判定された光センサ形成領域がある場合には、この不良と判定された光センサ形成領域に対して、前記可視光線透過材および前記レンズユニットを配置しないようにすることを特徴とする撮像装置の製造方法であるである。