"第1の金属を主成分とする金属層と、前記第1の金属と反応せず且つ前記第1の金属以外の第2の金属から生成された絶縁体からなり、前記金属層の表面に直接形成されている第1の絶縁層と、前記第1の金属を主成分とするボンディングワイヤと、を備え、前記金属層は、前記ボンディングワイヤと接合されているボンディング領域を含み、前記ボンディング領域は、前記第1の絶縁層の複数の破片を含んでいる、ことを特徴とする、半導体装置。前記接合は、前記ボンディングワイヤの第1の金属、および前記金属層の第1の金属が、固相接合の原理によって達成されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記ボンディング領域の中心部における単位面積の前記複数の破片の数は、前記ボンディング領域内の周囲部における単位面積の前記複数の破片の数よりも少ない、ことを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記ボンディング領域は、前記複数の破片を立体的に含む、ことを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記破片のサイズは、1μm以下である、ことを特徴とする、請求項3、又は4に記載の半導体装置。前記第1の金属は、銅であり、前記第1の絶縁層は、酸化層、窒化層、若しくは炭化層のいずれか、又は少なくともそれらの2以上の組み合わせ、から成ることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記酸化層は、前記第2の金属の主成分がすべて酸化された金属酸化物から成る、ことを特徴とする、請求項6に記載の半導体装置。前記第2の金属は、Al、Sn、Ti、Ta、若しくはZrのいずれか、又は少なくともそれらの2以上の組み合わせ、から成ることを特徴とする、請求項7に記載の半導体装置。前記窒化層は、前記第2の金属の主成分がすべて窒化された金属窒化物から成る、ことを特徴とする、請求項6に記載の半導体装置。前記第2の金属は、Al、Sn、Ti、Ta、若しくはZrのいずれか、又は少なくともそれらの2以上の組み合わせ、から成ることを特徴とする、請求項9に記載の半導体装置。前記炭化層は、前記第2の金属の主成分がすべて炭化された金属炭化物から成る、ことを特徴とする、請求項6に記載の半導体装置。前記第2の金属は、Al、Sn、Ti、Ta、若しくはZrのいずれか、または少なくともそれらの2以上の組み合わせ、から成ることを特徴とする、請求項11に記載の半導体装置。前記第1の絶縁層は、1μm以下の厚さを有することを特徴とする、請求項1、7、9、及び11のいずれか1項に記載の半導体装置。前記金属層を積層する半導体基板と、前記半導体基板上に積層され、前記ボンディング領域の周囲に配置される第2の絶縁層と、を更に備え、前記第1の絶縁層は、更に、前記第2の絶縁層の表面、又は前記半導体基板と前記第2の絶縁層との間、に配置されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記金属層を積層する半導体基板と、前記半導体基板と前記金属層との間に配置され、前記第1の金属以外の第3の金属を主成分とし、前記金属層に電気的に接合される導電層と、を更に備えることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記金属層に電気的に接続されるパワーデバイスの内部回路を、更に備えることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記金属層を積層する半導体基板と、前記半導体基板の内部に配置され前記金属層に電気的に接続される内部回路と、を更に備えることを特徴とする、請求項1から13のいずれか1項に記載の半導体装置。前記金属層の一部は、外部端子として当該半導体装置の外部に露出している、ことを特徴とする、請求項1から13のいずれか1項に記載の半導体装置。絶縁材を更に備え、前記金属層は、前記絶縁材の表面に形成されている、ことを特徴とする、請求項1から13のいずれか1項に記載の半導体装置。前記金属層は、前記ボンディングワイヤの一端および他端のそれぞれに接合される互いに電気的に分離された第1金属部および第2金属部を含み、前記第1の絶縁層は、前記第1金属部および第2金属部のそれぞれの表面に直接形成される第1絶縁部および第2絶縁部を含む、ことを特徴とする、請求項1から13のいずれか1項に記載の半導体装置。Auの酸化防止膜は、コストが高いというデメリットがある。他方、特許文献1~4に記載のAlの酸化防止膜は、Auに比較して安価である。しかし、例えば特許文献2において生成される、AlとCuの合金、すなわち異種金属間の相互拡散による金属間化合物は、AuとCuの金属固溶体と比較して、接合が不安定で硬度も硬く、信頼性接合強度が低下する。異種金属間の相互拡散には、カーケンダル現象が少なからず生じ、接合面にボイドが生ずるからである。特に温度や電流値などに対して高信頼性を求められるデバイスには、適用困難な場合がある。特許文献5においてもAuボンディングワイヤはコストが高く、更に、Al-Cuの合金層とAuボンディングワイヤとの接合は金属間化合物であり、接合が不安定で信頼性接合強度が低下する。特許文献6は、銅または銅合金層と、その上面に形成された窒素を含有する第2金属化合物膜を開示するも、ボンディングワイヤを開示せず、更に、ボンディングワイヤ材の種別、及びその種別による接合に関する課題、及び示唆を一切開示していない。なお合金には、接合強度の高い順番に、金属固溶体共晶eutectic金属間化合物の3種類の状態がある。金属固溶体は2種類以上の元素が完全に溶け込んでいる混ざった状態である。共晶は成分の金属が結晶レベルではそれぞれ独立している状態である。金属間化合物は、原子レベルで、一定割合で結合した状態である。本発明にかかる半導体装置の代表的な構成は、第1の金属を主成分とする金属層と、前記第1の金属と反応せず且つ前記第1の金属以外の第2の金属から生成された絶縁体からなり、前記金属層の表面に直接形成されている第1の絶縁層と、前記第1の金属を主成分とするボンディングワイヤと、を備え、前記金属層は、前記ボンディングワイヤと接合されているボンディング領域を含み、前記ボンディング領域は、前記第1の絶縁層の複数の破片を含んでいる、ことを特徴とする。本発明にかかる半導体装置の代表的な製造方法は、第1の金属を主成分とする金属層を形成する金属層形成工程と、前記第1の金属と反応せず且つ前記第1の金属以外の第2の金属から生成された絶縁体からなる第1の絶縁層を前記金属層のうち、少なくとも、ボンディングワイヤと接合されるボンディング領域に直接形成する第1の絶縁層形成工程と、前記第1の金属を主成分とするボンディングワイヤによって前記第1の絶縁層の一部を破壊する破壊工程と、前記第1の絶縁層の複数の破片を前記金属層の所定のボンディング領域に含ませつつ前記ボンディング領域に前記ボンディングワイヤを接合するボンディング工程と、を備える、ことを特徴とする。本発明にかかるシステムの代表的な構成は、半導体装置と、前記半導体装置によって制御される被制御装置とを備え、前記半導体装置は、第1の金属を主成分とする金属層と、前記第1の金属と反応せず且つ前記第1の金属以外の第2の金属から生成された絶縁体からなり、前記金属層の表面に直接形成されている第1の絶縁層と、前記第1の金属を主成分とするボンディングワイヤと、を備え、前記金属層は、前記ボンディングワイヤと接合されているボンディング領域を含み、前記ボンディング領域は、前記第1の絶縁層の複数の破片を含んでいる、ことを特徴とする。本発明によれば、ボンディングワイヤと内部電極との接続工程において、1.接合の安定性、2.接合の強度、3.接合の抵抗の小ささ、4.工程数の減少、の少なくともいずれか一点について著しく優位な半導体装置を提供することが可能である。また、銅を主成分とする金属層の酸化防止膜として銅と反応しない絶縁体を用いるので、異種金属によって生ずる脆弱な金属間化合物である合金が介在せず、カーケンダル現象によるボイドが生じず、接合の安定性に優れ、接合強度の高い銅を主成分とするボンディングワイヤによるボンディングが可能となる。発明を実施する本発明の一つの実施例は、以下に示される。但し、本願の請求内容はこの実施例に制限されないことは言うまでもない。本発明によれば、共に銅を主成分とするボンディングワイヤと金属層との間で、同種金属による接合が行われる。それは、固相接合solidphasebondingの原理による接合である。ボンディングワイヤが接続する先の物質である銅の金属層には、その金属層の酸化及び合金層の形成を抑制する保護膜が付される。その保護膜は、同種金属同士の固相接合を実現させ、その固相接合の効果を低下させないような性質でなければならない。よって、保護膜自身も、銅と反応しない材質、つまり合金を形成しない材質でなければならない。保護膜は、銅と反応しない材質から生成され、例えば、銅以外の金属が実質的にすべて酸化された酸化膜酸化物、若しくは窒化膜窒化物、又は炭化膜炭化物、等が、好適である。言い換えれば、本願は、金属層の表面に特許文献2,3,4に記載のような異種金属によって生ずる脆弱な金属間化合物である合金が介在しないので、カーケンダル現象によるボイドが生じず、接合の安定性に優れ、接合強度の高いボンディングが可能となる。本発明のような構成が実現できているのは、銅と反応しない絶縁体からなる第1の絶縁層を破壊することによって、同種金属であるボンディングワイヤと金属層とを接合するという製造方法で得られるからである。銅と反応しない絶縁体からなる第1の絶縁層は、ボンディングワイヤを金属層に接触させて機械的なストレス所定の荷重、超音波振動、熱超音波振動176による摩擦熱を含むを加えることにより、破壊可能な程度の破壊靭性fracturetoughnessを有する材質である。破壊靭性は、対語として脆性破壊brittlefailureとも表現できる。本発明における第1の絶縁層保護膜は、ベストモードとして、1.他の金属との合金層を形成しない、2.硬度が高い、つまり固い材料、3.破壊靭性が低い、つまり割れやすく脆い材料、4.厚みが薄い、5.安い材料、を満足する酸化物、窒化物、炭化物の材料であり、好ましい金属としてAl、Sn、Ti、Ta、若しくはZrのいずれか、又は少なくともそれらの2以上の組み合わせ、から成る金属である。これら第1の絶縁層は、共有結合、またはイオン性を含む共有結合の特徴を有する。ベストモードとしては、共有結合である。窒化物や炭化物の多くが共有結合である。一般的に、共有結合は、イオン性を持つ共有結合より、硬くて脆い特性を有するからである。酸化物の多くがイオン性を持つ共有結合である。イオン性を含む共有結合は、共有結合より強度が弱いものが一般的であり硬さは劣るが、脆い材料であり本発明における第1の絶縁層として適用できる。つまり、銅と反応しない絶縁体からなる第1の絶縁層が破壊されるため、金属層のワイヤボンディング領域は、破壊された第1の絶縁層の複数の破片を含んでボンディングワイヤに接合されている。第1の絶縁層は銅と反応しない金属を元に作られている。対峙する一例として、銅を元に作った酸化銅を用いる場合、その酸化銅は、主成分を銅とするボンディングワイヤを接触させて機械的なストレスを加えても破壊されにくく、上記のような第1の絶縁層の破壊による半導体装置と少なくとも同等の信頼性を得られない。特許文献3,4で作った金属層の保護膜の構造には合金層が含まれている。この合金層は、ワイヤボンディング時、本願発明に比較して破壊されにくく、また金属間化合物によって、ボンディングワイヤのCuと金属層のCuとは直接接合しにくい。一方、本発明では、金属層のCuの上にはCuと反応しない第1の絶縁層一例として酸化Alなどの酸化膜だけで構成が形成され金属間化合物を含まずカーケンダル現象によるボイドも生じないので、ワイヤボンディング時、第1の絶縁層が破壊されボンディングワイヤのCuと金属層のCuとが直接接合される。よって、本発明によれば、特許文献3の合金層をボンディングワイヤで破壊する構造よりも、更に信頼性が高いと言える。一例として、銅はアルミより比抵抗電気抵抗率が小さいことも含めて、1アンペア程度以上の大電流を流すパワーデバイスに好適である。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。本文および図面では、同様の素材からなる要素が、複数の異なる実施形態に含まれるときには、同一の符号によって指示することとする。半導体装置:第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態である半導体装置が完成してゆく様子を示す断面図である。図2は、図1に対応する半導体装置製造方法の前半のフローチャートである。図1eに示すように、本実施形態における半導体装置の中間体100は、例えばシリコンSi製の半導体基板102を備える。図1が示す中間体100は、半導体ウェハ以下、単にウェハと呼ぶことがあるの一部の断面を示している。中間体100は、Si製の半導体基板102中のトランジスタや抵抗、キャパシタ等で構成された電気回路である内部回路104と電気的に接続され半導体基板102上に形成された内部電極金属の導電層106を備える。内部電極106は、例えばアルミニウムとしてよく、金属層108と電気的に接合されている。金属層108は、所謂チップパッドである。チップパッドは、後述する外部から電気的な接続手段としてワイヤがボンディングされるボンディング領域184図6bを有する。内部回路104は、金属層108に電気的に接続されるパワーデバイスの内部回路としてよい。なお内部回路104は、図1e以外の図では図示を省略している。尚、後述するが、半導体基板102はポリカーボネート、フッ素樹脂系、ビスマレイミドトリアジン樹脂BTレジンBismaleimideTriazineResin;商品名、エポキシ樹脂系のFR4耐燃性ガラス基材エポキシ樹脂積層板等の絶縁体としてもよい。半導体ウェハは、Siシリコンウェハ以外に、SiCシリコンカーバイドウェハ、サファイアウェハ、化合物半導体ウェハ、窒化スズSnN、窒化タンタル、窒化ジルコニウムのいずれか、またはそれらの組み合わせ、炭化物の例示としては炭化アルミニウム、炭化スズSnO、炭化タンタル、炭化ジルコニウムいずれか、またはそれらの組み合わせ、が、好ましい。これらの酸化数は、任意である。更に、これらの酸化物、窒化物、炭化物のいずれかの組み合わせでもよい。様々な組み合わせにより、それぞれ最適な特性を実現できる。第1の絶縁層110は、1μmマイクロメートル以下の厚さを有する。より好ましくは、1nm~100nmナノメートルの厚さを有する。第1の絶縁層110の材の選択により、それぞれ最適な厚さを選択でき、それぞれ最適な特性を実現できる。半導体基板102上にはさらに、第2の絶縁層112が積層されている。これは窒化膜例えば、シリコン窒化膜、又は酸化膜例えば、リン珪酸ガラスPSG:PhosphorousSilicateGlass、ほう珪酸ガラスBSG:BoronSiliconGlass、ほう素リン珪酸ガラスBPSG:BoronPhosphorusSiliconGlass、としてよい。更に、第2の絶縁層112は、例えば、半導体基板102を保護する所謂パッシベーション膜を含んでいてよい。パッシベーション膜の代表例は、ポリイミドの材質である。第2の絶縁層112は内部電極106を封止し、金属層108の側面までの高さを有している。尚、内部電極106及び金属層108は、例えば業界において周知なWLPWaferLevelPackagingで形成される再配線層及びポスト電極でもよい。図1eの中間体100は、図2の製造方法によって製造される。工程120ではフォトリソグラフィー、イオン注入、デポジット、及びエッチング等を用いた所謂半導体の前工程であるウエハプロセスを行い、少なくとも内部回路104及び内部電極106を有する半導体基板102上に第2の絶縁層112を成膜し、エッチングすることによって図1aの状態とする。工程122ではメタルマスク140を所定の位置に配置する図1b。このときメタルマスク140に代えてフォトレジストを用いてもよい。メタルマスク140は所定のパターン孔142を有している。工程124ではメタルマスク140を通して内部電極106上に金属層108を形成する図1c。この金属層形成工程124は、例えばPVDPhysicalVaporDeposition:物理気相成長法またはCVDChemicalVaporDeposition:化学蒸着法を用いて行ってよい。工程126では、第1の絶縁層110を形成する図1d。この第1の絶縁層形成工程126もPVDまたはCVDを用いて行ってよく、第1の絶縁層110を、金属層108のうち、少なくとも、後述のボンディングワイヤ166図3cと接合されるボンディング領域184図6bに直接形成する。工程128では、メタルマスク140をリフトオフして除去する図1e。これによって、金属層108のうち、メタルマスク140上に積層されたものも除去され、ウエハレベルで中間体100が完成する。図2に示すように、工程122から工程128までは、ブロック130で示すように、同一の炉チャンバ。図示省略内で真空状態を維持して遂行する。特に金属層形成工程124および第1の絶縁層形成工程126を同一チャンバ内で行う、すなわち真空を破壊しないでターゲットまたはガスを変えて行うため、ウエハが酸素に触れることがない。したがって、金属層108は酸化しない。これによって金属層108の上に直接、第1の絶縁層110を金属層108の保護膜として形成可能である。図3は図1の続きであり、本発明の第1の実施形態である半導体装置が完成してゆく様子を示す断面図である。図4は図3に対応する半導体装置製造方法の後半のフローチャートである。図4に示すように、図2のプロセスの後、ダイシング工程150によってウエハを各チップに分割する。分割しただけなので、各チップの構造は図3aに示す通り、中間体100のままである。ダイボンディング工程152では、半導体基板102の下面に、接着材162を介してリードフレームのダイステージ部164にチップを接着し、図3bの状態とする。ワイヤボンディング工程ワイヤボンディング工程154では、銅を主成分とするボンディングワイヤ166を金属層108およびリードフレームのリード部168にそれぞれ接合し、図3cの状態とする。図5、図6および図7はそれぞれ、図4のワイヤボンディング工程154の一部を詳述した図である。図5および図6は、ボンディングワイヤ166と金属層108との接合を示す断面図であり、図7はボンディングワイヤ166とリードフレームのリード部168との接合を示す断面図である。ワイヤボンディング工程154では、図5aに示すように、まず、ボンディングワイヤ166の一端を球形のボール部166Aに成形する。このボール部166Aは、図示しないが、アルゴンガスと水素ガス等の還元ガスを供給しながら、キャピラリ170の穴を通した銅を主成分とするボンディングワイヤ166の先端部分を、電気トーチの熱エネルギにより溶融することで成形可能である。ボール部166Aの表面は、還元ガスにより酸化しにくくなっている。次に、図5aに示すように、キャピラリ170に荷重172をかけてチップ側に下降させ、ボンディングワイヤ166と第1の絶縁層110とを接触させる。さらに図5bに示すように荷重172をかけると、ボンディングワイヤ166によって、第1の絶縁層110の一部が破壊される。破壊されて生じたクラック174の間からボンディングワイヤ166が押し出され、金属層108に接触する。例えば、第1の絶縁層110の厚さは、1μm以下である。同時に、図6aに示すように、荷重172、超音波振動176、ボール部166Aの球形状の相乗効果による第1の絶縁層110の拭き取り効果で、第1の絶縁層110の破片が、ボール部166Aと金属層108との接触面から矢印178に示すように押しのけられる。かかる機械的ストレスによって、ボンディングワイヤ166の銅と金属層108の銅との接触面積が増大する。接触した面では、荷重172と熱180超音波振動176による摩擦熱を含むにより、ボンディングワイヤ166の銅、および金属層108の銅という同一金属同士の固相接合182が達成される。ボンディングワイヤ166と金属層108との接合の最終的な構造を、図6bに示す。本文では、金属層108のうち、ボンディングワイヤ166と接合されている3次元的な領域をボンディング領域184と呼ぶ。ボンディング領域184の周囲には第1の絶縁層110及び第2の絶縁層112が配置されることとなる。ボンディング領域184は、第1の絶縁層110の破片110Aを含んでいる。ボンディング領域184は、幾つかの特徴を有している。一つ目は、複数の破片110Aが、ボンディング領域184の中心よりもボンディング領域184の左右上面から見るとボンディング領域184内の周囲に多く存在する点である。これは、前述の第1の絶縁層110の拭き取り効果による。この構造の特徴により、固相接合182を確実に実現し、その面積の増大を実現している。よって、ボンディング領域184の寄生抵抗値が小さい。二つ目は、複数の破片110Aが、立体的に分散される点である。言い換えれば、ボンディング領域184は立体である。これにより、平面に敷設されていた第1の絶縁層110が、機械的ストレスによって、複数の破片110Aとなって立体的に分散する。この構造の特徴により、ボンディング領域184内の周囲においても、固相接合182を確実に実現し、その面積の増大を実現している。よって、ボンディング領域184の寄生抵抗値が小さい。尚、図6bにおいては、複数の破片110Aが円弧状に分散しているが、製造条件荷重172、超音波振動176、ボール部166Aの球形状のそれぞれの条件によって、複数の破片110Aの分散の態様は変化する。図6bの図示においては、複数の破片110Aは、金属層108の領域に円弧状に分散されているが、製造条件によっては複数の破片110Aの一部は、ボール部166A側に分散される。即ち、ボンディング領域184の立体は、変化する。三つ目は、少なくともボンディング領域184の中心に点在する破片110Aのサイズ破断されたサイズが1μm以下と小さいことである。これは、主に荷重172及び超音波振動176による。ボンディング領域184の平面的な視点による一片のサイズが50μm程度であれば、固相接合182が確実に実現される。このように、銅同士が固相接合されているボンディング領域184には、第1の絶縁層110の破片110Aが含まれているが、第1の絶縁層110は安定な絶縁体例えば酸化アルミニウムであるため、銅と反応しない。すなわち銅との金属化合物を発生しにくく、カーケンダル現象によるボイドが生じない。よって、信頼性の高い銅同士の接合接合の安定性に優れ、接合強度の高いが可能となる。次に、図7に示すように、ボンディングワイヤ166の他端166Bを、リードフレームのリード部168に接合する。リード部168は金属層108と同様に銅を主成分としていて、その表面には第1の絶縁層110が形成されている。リード部168は、半導体装置200の外部に一部が露出していて、外部端子を構成している。金属層108の表面に形成される第1の絶縁層110と、リード部168の表面に形成される第1の絶縁層110は、必ずしも同一の材質でなくともよい。後に封止される金属層108と、半導体装置200の外部に一部が露出するリード部168とは、それぞれ求められる特性が異なるからである。半導体装置200の外部に一部が露出するリード部168に形成された絶縁層186は、半導体装置200のリード部168が半田等で外部と電気的に接続される工程不図示において、除外される場合がある。尚、リード部168の表面に形成される第1の絶縁層110は、少なくともボンディングワイヤ166が接続する面のみでもよい。その場合、絶縁層186を除外しなくとも、リード部168は半田と電気的に接続できる。更に、前記面内において、ボンディングワイヤ166が接続する領域のみでもよい。その場合、絶縁層186を設けなくとも、リード部168は半田と電気的に接続できる。ボンディングワイヤ166の他端166Bとリード部168との接合の工程は、図示を省略するが、まず、図6のキャピラリ170を所定の高さまで上昇させ、リード部168の上まで移動する。この際、ボンディングワイヤ166がデバイス等へ接触するのを避けるため、キャピラリ170に所定の動作を加えてボンディングワイヤ166を、図7のように塑性変形させるのが一般的である。次にキャピラリ170を下降させ、ボンディングワイヤ166をリード部168に接触させる。その後は図5および図6に示したのと同様の方法で、熱、荷重、超音波を加えてボンディングワイヤ166の他端166Bを変形させ、リード部168とボンディングワイヤ166とを接合させる。接合後、キャピラリ170を上昇させ、ワイヤクランパ図示省略を閉じ、ボンディングワイヤ166が変形した部分からボンディングワイヤ166をひきちぎる。これによって図7に示すように、半導体装置200が完成する。尚、半導体装置200を形成するのは、後述するモールディング工程156封止工程において適用される封止材167である。言い換えれば、封止材167は、少なくとも、第1の絶縁層110、ボンディングワイヤ166、及び第2の絶縁層112のそれぞれに接する。図7の場合、ボンディングワイヤ166の一端166Aに接合される金属層108第1金属部と、他端166Bに接合されるリード部168第2金属部という、分離された2つの金属部があり、いずれも銅を主成分としている。そして、それぞれの表面に直接形成された、第1の絶縁層110があり、リード部168に形成された第1の絶縁層110は、金属層108に形成され第1の絶縁層110と同様の、銅と反応しない絶縁体である。ボンディングワイヤ166の両端166A、166Bのいずれの接合も、同種金属銅による固相接合を達成することは言うまでもない。図8は図7の変形例である。図8では、図7のリードフレームのリード部168に代えて、半導体装置202の内部に備えられたPCBなどの絶縁材165の表面に、銅を主成分とするメタライズド配線188が形成されている。メタライズド配線188の表面には第1の絶縁層110が形成されている。ボンディングワイヤ166とメタライズド配線188との接合の方法は、図7と同様である。尚、絶縁材165は、ポリカーボネート、フッ素樹脂系、ビスマレイミドトリアジン樹脂BTレジンBismaleimideTriazineResin;商品名、エポキシ樹脂系のFR4耐燃性ガラス基材エポキシ樹脂積層板等の絶縁体としてもよい。図9は、図6bのボンディング領域184で達成されている固相接合の原理を示す図であり、第1の絶縁層110の破片110Aと第1の絶縁層110の破片110Aとの間の局所的な部位を示す。図9aに示すように、接合前は、ボンディングワイヤ166を構成する銅の原子と、金属層108を構成する銅の原子とによる、2つの清浄な金属表面204、206が存在する。図9bに示すように、これらの金属表面204、206が接触し、荷重172図6aがかけられると、塑性変形により金属表面204、206が密着して消失し、1つの界面208に変化する。図9cに示すように、さらに荷重172がかかると界面208も次第に消失していく。最終的には図9dに示すように、原子拡散により界面208が完全に消失し、母材であるボンディングワイヤ166、金属層108と同様の組織となる。尚、銅の純度が限りなく高く、不純物が重量比でゼロに限りなく高いことはカーケンダル現象によるボイドの発生の視点からも好ましいが、純度100は工業生産的に非現実的である。本願の実施例で述べたように固相接合を基本とし、意図的に金属間化合物を生じさせないことが重要であって、不純物による異種金属間の相互拡散によって生じるボイドの発生が無視できる程度であれば、接合に関する本願から得られる信頼性は維持できる。その第1の視点で、本願の求める銅の主成分重量比が定義される。好ましくは、金属層108の純度とボンディングワイヤ166の純度とが、大きく異ならなければ問題ない。好ましくは、その第2の視点で、本願の求める銅の主成分が定義される。例えば、純度の視点であれば、95以上ベストモードとしては、99以上が好ましい。また、銅の金属層108からその他の層例えば、半導体基板が含む内部回路への拡散汚染を抑止するために、金属層108の底面及び側面に、その他の金属材による所謂バリアメタルを形成する構造が考えられる。しかし、ボンディング領域184に関連しなければ問題ない。更に、本願が開示する課題以外の目的で金属層108にイオンドーズを実行することがある。イオンドーズの領域がボンディング領域184に関連しなければ問題ない。仮に、関連する場合においても、ボイドの発生が無視できる程度であれば、接合に関する本願から得られる信頼性は維持できる。第1の絶縁層110の不純物比率、または酸化度合い、窒化度合い、炭化度合い、における考え方も、銅の純度の考え方と同様であることは言うまでもない。例えば、酸化度合いとしては、100酸化されることが最も好ましいが、実質的にすべて酸化されていれば、実質的に問題ない。再び図4を参照し、モールディング工程156封止工程、切断リード曲げ工程158、外装めっき工程160を経て製品が完成する。これら工程の詳細は説明を省略する。比較例:Au酸化防止膜との対比図10は、本発明による半導体装置の実施形態と比較する比較例を示す図である。図10aは比較例における半導体装置250を例示し、図10bは図10aの部分拡大図である。この比較例では、図10aに示すように、内部電極252としてAl、その上に主金属膜254としてCuを形成し、Cuの表面が酸化する前に、またはCuの酸化膜酸化銅を除去した後に、Cu表面に酸化防止膜256としてAuを形成している。図10aの領域260を拡大した図10bに示すように、Auからなる酸化防止膜256は、酸化防止機能の他、ボンディングワイヤ258Cu。つまりAuとは異種金属との間の相互拡散による金属固溶体262を得やすく、この固溶体262は安定であり、接続抵抗値が安定した信頼性の高い接続が得られる。但し、Auの酸化防止膜は、コストが高いというデメリットがある。そこでAuからなる酸化防止膜256に代えてAlからなる酸化防止膜を用いる、例えば特許文献3,4と本発明とを、以下、対比する。本発明と特許文献3,4との対比図11は、図10aのAuからなる酸化防止膜256をAlからなる酸化防止膜258に置換した構造を有する特許文献3の層構造の断面図、及びそれから想定される層構造の断面図である。特許文献3,4では、まずCu主金属膜銅パッド254本発明の実施形態における金属層108に相当の表面をクリーニングし、銅の酸化膜酸化銅を除去する。その後、Cu主金属膜254の酸化防止膜として、Al258本発明の実施形態における第1の絶縁層110の原料となる金属に相当を厚さ1~5nm、CVDによって形成する。形成されたAl258は、図11aに示すように、Cu主金属膜254との接触面において銅との合金層264を生じる。一方、Al258の外表面ではAlの酸化が進行する。したがって特許文献3の場合、図11aに示すように、時間の経過とともに、Cu主金属膜254の表面には、内部から外部に向かって順番に、1銅とアルミニウムとの合金層264、2Al258Al層、3酸化アルミニウム層266、の3層が順番に積層されることとなる。図11bは特許文献3にて想定される他の層構造を示す。最初にCu主金属膜254の表面に形成される酸化防止膜としてAl258が1nm程度のごく薄い厚みしか有しない場合には、Al258の全体がCu主金属膜254の銅との合金となった後に酸化が進行することも考えられる。この場合、図11bに示すように、内部から外部に向かって順番に、1銅とアルミニウムとの合金層264、4同合金の酸化膜268の2層が順番に積層されることが想定される。特許文献3,4では、上記の3層または2層からなる酸化防止膜が形成された後、製品を真空梱包し、後工程にてワイヤボンディングを実施する。しかし図11abのいずれの層構造が形成されるにせよ、特許文献3,4は、上記1の合金層金属間化合物264を含んでいる。図12は、異種金属を接合する際の界面を例示する図である。図12aは均等相互拡散、すなわち材料A、Bの拡散速度がほぼ等しい場合の界面を例示する。異種金属の界面は加熱条件に応じて拡散速度が変化する。材料A、Bが等しい拡散速度で拡散すると、図12aのようになり、界面270は殆ど移動しない。図12bは材料A、Bの拡散速度が互いに異なる場合の相互拡散における界面を例示する。図12bでは、材料Bの原子が小さく、材料Aの原子の中に2倍拡散しやすい。かかる材料Bの拡散速度の速さを、材料Aの原子に付記した矢印の2倍の長さの矢印で表している。その結果、材料A、Bの界面270が右に移動しながら、材料全体が矢印272で示すように相対的に右に移動したように見える。図12abのいずれの場合も、材料A、Bの互いの混じり合いは進行するが、いずれも剥離などの現象は起こらない。図13は、異種金属間で生じるカーケンダルボイドカーケンダル現象、カーケンダル効果を例示する図である。図13では、ニッケルNiめっき層282とAuめっき層284とを接合している。カーケンダル現象によって生ずるボイドは、接続される金属表面が汚れている等の界面に異物が残っている場合に生じる。図13aに示すように、Niめっき層282の表面酸化物残渣286が、界面280に異物として残存していて、これが邪魔をして界面280の移動が妨げられ、ボイド290が発生する。発生したボイド290が、更に相互拡散を妨げ、更なるボイドを生ずる。図13の例では、Auめっき層284中へのNi原子の拡散が多く、Niめっき層282に原子が不足してボイド290が発生する。かかるカーケンダルボイド290が連なっているため、異種金属の結合の剥離の原因となる。これをカーケンダル現象という。図11の合金層金属間化合物264は、CuとAlの合金であり、図13とは種類が異なるが、カーケンダルボイドが生じ、剥離しやすいという問題がある。図14は、図11abに示した特許文献3,4の層構造と、図6bに示した本願発明の実施形態のそれとを対比する図である。図6bの第1の絶縁層110は、もとより金属例えばAlではなく絶縁体であり、しかも金属層108の主成分である銅と反応しない、例えば酸化Alなどの絶縁体からなっている。したがって第1の絶縁層110は、下地である金属層108の表面に直に接するよう形成されるが、金属層108の銅と反応して図11の合金層金属間化合物264のような層を生じるということがない。この点で本発明は、特許文献3,4と大きく異なる。換言すれば、図14に示すように、本発明の実施形態における第1の絶縁層110は、特許文献3のCu主金属膜254の酸化防止膜上記123の3層または14の2層からなるとは異なり、上記3に相当する絶縁体だけで構成されている。すなわち、図14に示すように、本発明の実施形態には、銅と金属例えばAlとの合金上記1相当、銅と異なる金属例えばAl自体上記2相当、かかる合金の酸化物上記4相当、のいずれも含んでいない。このように本発明の実施形態によれば、特許文献3のような合金層264が生じず、ともに銅を主成分とするボンディングワイヤ166と金属層108との間で、同種金属による接合が行われる。カーケンダルボイドを生じる脆弱な金属間化合物である合金層264のような層が介在しないため、本実施形態によれば、接合の安定性に優れ、接合強度の高いボンディングが可能となる。しかも銅はアルミより比抵抗電気抵抗率が小さいため、1Aを超えるほどの大電流を流すパワーデバイスに用いる材質として望ましい。また、図2に示した様に、金属層形成工程124および第1の絶縁層形成工程126を同一チャンバ内で行えば、Cuの酸化膜酸化銅を除去する工程が省略できるため、製造工程数の削減も図ることができる。また、第1の絶縁層110は銅以外の金属を元に作られている。仮に銅を元に作った酸化銅を用いる場合、酸化銅は、主成分を銅とするボンディングワイヤ166を接触させて機械的なストレスを加えても破壊されにくく、上記のような第1の絶縁層110の破壊によるボンディングがしにくいからである。既に述べたように、特許文献3,4で作った構造には合金層264図11が生じる。この合金層264を破壊してワイヤボンディングを行うことも考えられるが、かかる合金層264は、本願発明の実施形態における第1の絶縁層110に比較して、破壊されにくい。したがって、ボンディングワイヤのCuと金属層のCuとを直接接合することが、本願の構造による破壊よりも困難である。一方、本発明での実施形態では、金属層108のCuの上には第1の絶縁層110酸化Alなどの酸化膜だけで構成がある。ワイヤボンディング時、第1の絶縁層110が破壊され、ボンディングワイヤ166のCuと金属層108のCuとが直接接合される。よって、本発明の実施形態によれば、特許文献3,4で生じる合金層264をボンディングワイヤで破壊する方法よりも、より信頼性が高い。また、本発明では、銅を主成分とする金属層108の酸化防止膜として、第1の絶縁層110を用いている。この第1の絶縁層110として、図10の比較例におけるAuに比較して安価な、例えばAlを元に作った酸化Alなどの絶縁体を用いることができる。半導体装置:第2の実施形態図15は、本発明の第2の実施形態である半導体装置が完成してゆく様子を示す断面図である。図16は、図15に対応する半導体装置製造方法のフローチャートである。本実施形態における半導体装置の中間体300図15cでは、図1の中間体100と異なり、第1の絶縁層110が、金属層108の表面および第2の絶縁層112の表面に配置されている。図15cの中間体300は、図16の製造方法によって製造される。以下、図2と異なる点のみ説明する。工程120、122、124までは図2と同様であり、図15aの状態となる。本実施形態の特徴は、この後に工程128を行ってメタルマスク140をリフトオフして除去することである図15b。その後、炉内に入れて工程302を行い、金属層108の表面の酸化膜酸化銅を除去する。酸化膜除去工程302は、PVD装置またはCVD装置内で、ボンバード処理、還元ガスによる酸化膜除去、または、それらの組み合わせによって行ってよい。最後に、同一炉内で真空状態を維持したまま、第1の絶縁層形成工程126を行う。既にメタルマスク140は除去してあるため、図15cに示すように、第1の絶縁層110が、金属層108の表面および第2の絶縁層112の表面に配置されることとなる。この後は、図4のダイシング工程150以降と同様のプロセスを踏むことにより、金属層108とボンディングワイヤとが接合され、半導体装置図示省略が完成する。半導体装置:第3の実施形態図17は、本発明の第3の実施形態である半導体装置が完成してゆく様子を示す断面図である。図18は、図17に対応する半導体装置製造方法のフローチャートである。本実施形態における半導体装置の中間体400図17fでは、図1の中間体100と異なり、第1の絶縁層110が、金属層108の表面の一部にのみ、配置されている。図17fの中間体400は、図18の製造方法によって製造される。以下、図16と異なる点のみ説明する。工程120、402、124までは図16の工程120、122、124と同様である。本実施形態では2種類のメタルマスクまたはレジストが登場するのが特徴である。工程402は第1メタルマスクまたは第1レジスト図示省略を配置する工程である。その後に、工程404によって第1メタルマスクまたは第1レジストを外したのが図17aの状態であり、金属層108が第1メタルマスクまたは第1レジストのパターン通りに形成されている。その後、工程406を行い、金属層108形成用の第1メタルマスクとはパターン孔408または409の異なる第2メタルマスク410図17bまたは第2レジスト412図17cを配置して、炉内に入れる。そして工程302を行い、金属層108の表面の酸化膜酸化銅を除去する。次に、同一炉内で真空状態を維持したまま、第1の絶縁層形成工程126を行う。第2メタルマスク410または第2レジスト412が配置されているため、図17dまたはeに示すように、第1の絶縁層110が、金属層108の表面の一部にのみ、配置されることとなる。最後に、工程408にて第2メタルマスク410または第2レジスト412を除去する図17f。これによって、第1の絶縁層110のうち、第2メタルマスク410等の上に積層されたものも除去され、ウエハレベルで中間体400が完成する。この後は、図4のダイシング工程150以降と同様のプロセスを踏むことにより、金属層108とボンディングワイヤとが接合され、半導体装置図示省略が完成する。半導体装置:第4の実施形態図19は、本発明の第4の実施形態である半導体装置が完成してゆく様子を示す断面図である。図20は、図19に対応する半導体装置製造方法のフローチャートである。第3の実施形態までは、内部電極106上に金属層108を必要とする第1のデバイスの開示であるが、第4の実施形態以降は、銅を主成分とする金属層108自体を内部電極として用いている第2のデバイスの開示である。図19bに示すように、半導体基板102の上には金属層108があり、これが内部電極を兼ねている。金属層108には、第1の実施形態図1eと同様に、内部回路が電気的に接続する。本実施形態では、第2の実施形態図15cと同様に、第1の絶縁層110が、金属層108の表面および第2の絶縁層112の表面に配置されている。尚、図19は、ボンディングワイヤが接続される領域の断面図である。それ以外の領域については、第2の絶縁層112が、金属層108の上面及び側面を覆う。図19bの中間体500は、図20の製造方法によって製造される。以下、図16と異なる点のみ説明すると、図20では、ウエハプロセス120において、内部電極を兼ねる金属層108を形成する。したがって、図16の工程122、124および128のようにメタルマスクを配置して金属層を形成する必要がない。その他は図16と同様である。これによって、ウエハレベルで中間体500が完成する。この後、図4のダイシング工程150以降が行われ、半導体装置図示省略が完成する。半導体装置:第5の実施形態図21は、本発明の第5の実施形態である半導体装置が完成してゆく様子を示す断面図である。図22は、図21に対応する半導体装置製造方法のフローチャートである。本実施形態でも、銅を主成分とする金属層108自体を内部電極として用いている。図21cの中間体600に示すように、本実施形態の特徴は、1.第1の絶縁層110が、金属層108の表面および半導体基板102と第2の絶縁層112との間に配置される、2.第2の絶縁層112が、金属層108の一部と重なっている、ことである。図21cの中間体600は、図22の製造方法によって製造される。図22では、ウエハプロセス120において半導体基板102を形成した後、工程402によって第1メタルマスクまたは第1レジスト図示省略を配置し、工程602で内部電極を兼ねる金属層108を形成する図21a。工程404で第1メタルマスク等を除去した後、炉に入れて酸化膜除去工程302、第1の絶縁層形成工程126を行う。第1メタルマスク等を除去してあるため、図21bに示すように、第1の絶縁層110が、金属層108の表面および半導体基板102の表面に配置されることとなる。次に工程406で、第1メタルマスク等とはパターンの異なる第2メタルマスク等図示省略を配置して、工程604にて第2の絶縁層112を形成する。最後に工程408で第2メタルマスク等を除去すれば、第2の絶縁層112のうち、第2メタルマスク等の上に積層されたものも除去され、ウエハレベルで中間体600が完成する。図21c。この後、図4のダイシング工程150以降が行われ、半導体装置図示省略が完成する。半導体装置:第6の実施形態図23は、本発明の第6の実施形態である半導体装置の断面図である。第5の実施形態と同一の符号の説明は省略する。本実施形態でも、銅を主成分とする金属層108自体を内部電極として用いている。図23cの中間体700に示すように、本実施形態でも、第1の絶縁層110が、金属層108の表面および半導体基板102と第2の絶縁層112との間に配置されている。第5の実施形態の中間体600との構造の違いは、中間体700において、第2の絶縁層112が、金属層108と重なっていない、ことである。図23cの中間体700は、図22の製造方法の改良によって製造され、図23cの中間体700が完成する。半導体装置:第7および第8の実施形態図24は、本発明の第7および第8の実施形態である半導体装置の中間体を示す断面図である。図24aは第7の実施形態であり、図19aの状態から、金属層108の露出している表面全体に第1の絶縁層110を形成した中間体800を示す。図24bは第8の実施形態であり、図19aの状態から、金属層108の露出している表面の一部にのみ第1の絶縁層110を形成した中間体900を示す。第7および第8の実施形態の製造方法は説明を省略するが、これまで説明してきた実施形態の製造方法の各工程を適宜組み合わせることによって、当業者であれば容易に製造可能である。制御システム図25は、図7の半導体装置の実施形態を利用した制御システムを例示するブロック図である。制御システム950は、半導体装置200を含む電子装置952と、半導体装置200によって制御される被制御装置954とを備える。制御システム950における半導体装置200は、例えばパワーデバイスであり、被制御装置は、例えばハイブリッドカーのモータとしてよい。本制御システム950における半導体装置200は、半導体パッケージに限定されない。また、被制御装置954は、半導体装置200と電気的に直接的につながっている必要はなく、能動回路に限られない。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本願の実施例においては、互いに銅を主成分とする金属層及びボンディングワイヤ、並びに銅と反応しない絶縁材保護膜で説明されたが、銅以外の材質を否定している訳ではない。言い換えれば、銅以外の任意の金属材料及び前記任意の金属材料と反応しない絶縁材保護膜においても本願と同等の効果が得られる。これらは、前述の実施例において容易に理解できる。第1の付記以下、本発明の特徴の一つを記した半導体装置製造方法を、第1の付記として開示する。第1の付記1第1の金属を主成分とする金属層を形成する金属層形成工程と、前記第1の金属と反応せず且つ前記第1の金属以外の第2の金属から生成された絶縁体からなる第1の絶縁層を前記金属層のうち、少なくとも、ボンディングワイヤと接合されるボンディング領域に直接形成する第1の絶縁層形成工程と、前記第1の金属を主成分とする前記ボンディングワイヤが前記第1の絶縁層の一部を破壊する破壊工程と、前記第1の絶縁層の複数の破片を前記金属層の所定のボンディング領域に含ませつつ前記ボンディング領域に前記ボンディングワイヤを接合するボンディング工程と、を備える、半導体装置の製造方法。第1の付記2前記ボンディング工程における接合は、前記ボンディングワイヤの第1の金属、および前記金属層の第1の金属が、固相接合の原理によって達成されている、第1の付記1に記載の半導体装置製造方法。第1の付記3前記金属層形成工程および前記第1の絶縁層形成工程は、同一のチャンバ内の真空状態を維持して遂行する、第1の付記1に記載の半導体装置製造方法。第1の付記4前記金属層形成工程後、前記第1の絶縁層形成工程前に、前記金属層の表面の酸化膜を除去する酸化膜除去工程を、更に備える、第1の付記1に記載の半導体装置製造方法。第1の付記5前記金属層形成工程および前記第1の絶縁層形成工程のうち、少なくとも前記金属層形成工程は、第1のメタルマスクまたはフォトレジストを使用して層を形成し、前記第1の絶縁層形成工程にメタルマスクまたはフォトレジストを使用する場合は、第1のメタルマスクまたはフォトレジストと異なるパターン形状を有する第2のメタルマスクまたはフォトレジストを使用して層を形成する、第1の付記1に記載の半導体装置製造方法。第1の付記6前記金属層を積層する半導体基板上であって前記ボンディング領域の周囲に第2の絶縁層を形成する第2の絶縁層形成工程を更に備え、前記第2の絶縁層形成工程は、前記金属層形成工程前に遂行するか、前記金属層形成工程後、前記第1の絶縁層形成工程前に遂行するか、あるいは、前記金属層形成工程および前記第1の絶縁層形成工程の後に遂行する、第1の付記1に記載の半導体装置製造方法。第1の付記7前記第1の金属は、銅であり、前記第1の絶縁層は、酸化層、窒化層、若しくは炭化層のいずれか、又は少なくともそれらの2以上の組み合わせ、から成る、第1の付記1に記載の半導体装置製造方法。第1の付記8前記酸化層は、前記第2の金属がすべて酸化された金属酸化物から成る、第1の付記7に記載の半導体装置製造方法。第1の付記9前記第2の金属は、Al、Sn、Ti、Ta、若しくはZrのいずれか、又は少なくともそれらの2以上の組み合わせ、から成る、第1の付記8に記載の半導体装置製造方法。第1の付記10前記窒化層は、前記第2の金属の主成分がすべて窒化された金属窒化物から成る、第1の付記7に記載の半導体装置製造方法。第1の付記11前記第2の金属は、Al、Sn、Ti、Ta、若しくはZrのいずれか、又は少なくともそれらの2以上の組み合わせ、から成る、第1の付記10に記載の半導体装置製造方法。第1の付記12前記炭化層は、前記第2の金属の主成分がすべて炭化された金属炭化物から成る、第1の付記7に記載の半導体装置製造方法。第1の付記13前記第2の金属は、Al、Sn、Ti、Ta、若しくはZrのいずれか、又は少なくともそれらの2以上の組み合わせ、から成る、第1の付記12に記載の半導体装置製造方法。第1の付記14前記第1の絶縁層は、1μm以下の厚さを有する、第1の付記1、付記8、付記10、及び付記12のいずれか1項に記載の半導体装置製造方法。第2の付記以下、本発明の特徴の一つを記したシステムを、第2の付記として開示する。第2の付記1半導体装置と、前記半導体装置によって制御される被制御装置とを備え、前記半導体装置は、第1の金属を主成分とする金属層と、前記第1の金属と反応せず且つ前記第1の金属以外の第2の金属から生成された絶縁体からなり、前記金属層の表面に直接形成されている第1の絶縁層と、前記第1の金属を主成分とするボンディングワイヤと、を備え、前記金属層は、前記ボンディングワイヤと接合されているボンディング領域を含み、前記ボンディング領域は、前記第1の絶縁層の複数の破片を含んでいる、システム。"