"[A]下記式1で表される化合物、及び[B]ベース樹脂となる重合体を含有する感放射線性樹脂組成物。式1中、R1は、単結合又は-CO-である。R2は、ヘテロ原子を有する1価の有機基である。Mは、1価のカチオンである。上記R2が、下記式a1で表される1価の基、下記式a2で表される1価の基又はヘテロ原子含有置換基を有する炭素数1~30の1価の炭化水素基である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式a1中、R3及びR4は、それぞれ独立して、炭素数1~30の炭化水素基、又は-O-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-NHCO-、-CONH-、-NH-CO-O-、-O-CO-NH-、-NH-、-S-、-SO-及び-SO2-からなる群より選ばれる少なくとも1種の基を骨格に含む脂肪族複素環基である。上記炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Xは、-O-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-NHCO-、-CONH-、-NH-CO-O-、-O-CO-NH-、-NH-、-S-、-SO-又は-SO2-である。mは、1又は2である。但し、mが2の場合、複数のX及びR4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。式a2中、R5は、1価の有機基である。但し、この場合、上記R1は-CO-である。上記Mが、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。[B]重合体が、下記式5で表される構造単位を有する請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式5中、R14は、水素原子又はメチル基である。R15、R16及びR17は、それぞれ独立して、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。但し、R15、R16及びR17のうちいずれか2つが互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成していてもよい。本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、現像後のパターン倒れに対する耐性、LWR及びMEEFのバランスに優れた感放射線性樹脂組成物を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式1で表される化合物以下、[A]化合物ともいう、及び[B]ベース樹脂となる重合体以下、[B]重合体ともいうを含有する感放射線性樹脂組成物である。式1中、R1は、単結合又は-CO-である。R2は、ヘテロ原子を有する1価の有機基である。Mは、1価のカチオンである。上記R2は、下記式a1で表される1価の基、下記式a2で表される1価の基又はヘテロ原子含有置換基を有する炭素数1~30の1価の炭化水素基であることが好ましい。式a1中、R3及びR4は、それぞれ独立して、炭素数1~30の炭化水素基、又は-O-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-NHCO-、-CONH-、-NH-CO-O-、-O-CO-NH-、-NH-、-S-、-SO-及び-SO2-からなる群より選ばれる少なくとも1種の基を骨格に含む脂肪族複素環基である。上記炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Xは、-O-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-NHCO-、-CONH-、-NH-CO-O-、-O-CO-NH-、-NH-、-S-、-SO-又は-SO2-である。mは、1又は2である。但し、mが2の場合、複数のX及びR4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。式a2中、R5は、1価の有機基である。但し、この場合、上記R1は-CO-である。上記Mは、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンであることが好ましい。[B]重合体は、下記式5で表される構造単位を有することが好ましい。式5中、R14は、水素原子又はメチル基である。R15、R16及びR17は、それぞれ独立して、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。但し、R15、R16及びR17のうちいずれか2つが互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成していてもよい。本発明によれば、現像後のパターン倒れに対する耐性、LWR及びMEEFのバランスに優れた感放射線性樹脂組成物を提供することができる。従って、当該感放射線性樹脂組成物は、KrFエキシマレーザー光又はArFエキシマレーザー光等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線等の荷電粒子線などの放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型レジストとして好適に使用できる。<感放射線性樹脂組成物>本発明の感放射線性樹脂組成物は、[A]化合物及び[B]重合体を含有する。また、好適成分として[C][B]重合体よりもフッ素原子含有率が高い重合体以下、[C]重合体ともいうを含有してもよい。さらに、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分について詳述する。<[A]化合物>[A]化合物は、上記式1で表され、放射線の照射によって、R2-R1-O-CH2CH2CHFCF2-SO3Hで表される化合物を発生する。上記式1中、R1は、単結合又は-CO-である。R2は、ヘテロ原子を有する1価の有機基である。Mは、1価のカチオンである。R1としては、-CO-が好ましい。上記R2で表されるヘテロ原子を有する1価の有機基としては、上記式a1で表される1価の基以下、a1基ともいう、上記式a2で表される1価の基以下、a2基ともいう、ヘテロ原子含有置換基を有する炭素数1~30の1価の炭化水素基以下、a3基ともいうが好ましい。上記式a1中、R3及びR4は、それぞれ独立して、炭素数1~30の炭化水素基、又は-O-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-NHCO-、-CONH-、-NH-CO-O-、-O-CO-NH-、-NH-、-S-、-SO-及び-SO2-からなる群より選ばれる少なくとも1種の基を骨格に含む脂肪族複素環基である。上記炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Xは、-O-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-NHCO-、-CONH-、-NH-CO-O-、-O-CO-NH-、-NH-、-S-、-SO-又は-SO2-である。mは、1又は2である。但し、mが2の場合、複数のX及びR4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。上記式a1におけるR3で表される1価の炭化水素基及びa3基における1価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基等の鎖状炭化水素基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、2-ノルボルニル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基等の脂環式炭化水素基等が挙げられる。これらの中でも、2-プロピル基、シクロヘキシル基、1-アダマンチル基が好ましい。上記R3で表される1価の脂肪族複素環基が有する複素環構造としては、例えば、ブチロラクトン構造、バレロラクトン構造、シクロヘキサンラクトン構造、ノルボルナンラクトン構造等のラクトン構造;下記式a-1等で表される環状カーボネート構造;下記式b-1~b-4等で表される環状エーテル構造;下記式c-1~c-4等で表される環状スルフィド構造;下記式d-1で表されるノルボルナンスルトン構造等のスルトン構造等が挙げられる。これらの中でも、ラクトン構造、スルトン構造が好ましく、ノルボルナンラクトン構造、ノルボルナンスルトン構造がより好ましい。上記R4で表される2価の炭化水素基及び2価の脂肪族複素環基としては、例えば、上記R3で例示したそれぞれの基から1個の水素原子を除いた基等が挙げられる。これらの中でも、2価の脂環式炭化水素基が好ましく、シクロヘキサンジイル基がより好ましい。上記R3及びR4で表される炭化水素基及び脂肪族複素環基が有していてもよい置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、チエニル基等が挙げられる。また、置換基としては、同一の炭素原子に結合する2個の水素原子を置換し、カルボニル基を形成する酸素原子O=であってもよい。R3及びR4が鎖状炭化水素基の場合には脂環式炭化水素基で置換されていてもよい。R3及びR4が脂環式炭化水素基の場合には1価の炭化水素基で置換されていてもよい。上記Xとしては、-COO-、-OCO-が好ましい。上記mとしては、1が好ましい。上記R5で表される1価の有機基としては、例えば、上記R3において1価の炭化水素基として例示した基、上記a1基、後述のa3基等が挙げられる。これらの中でも、1価の脂環式炭化水素基が好ましく、シクロヘキシル基がより好ましい。上記a3基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、チエニル基等のヘテロ原子含有置換基で置換された鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基等が挙げられる。また、このヘテロ原子含有置換基としては、上記鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基の同一の炭素原子が有する2個の水素原子を置換し、カルボニル基を形成する酸素原子O=であってもよく、上記鎖状炭化水素基及び脂環式炭化水素基が有する1個又は複数の炭素原子について酸素原子O=が結合していてもよい。a3基としては、同一の炭素原子が有する2個の水素原子を酸素原子で置換した脂環式炭化水素基が好ましく、オキソシクロヘキシル基がより好ましい。<[A]化合物の合成方法>[A]化合物は、例えば、下記式1-0で表される化合物を原料として用いて合成することができる。上記式1-0中、Mは、上記式1と同義である。上記式1-0で表される化合物は、例えば、下記式1-0’で表される化合物を出発物質としてJournalofFluorineChemistry,1292008,607に記載の方法により合成することができる。上記化合物を用いて、定法により、例えば下記式で表される反応によって上記式1で表される化合物を得ることができる。上記式中、R1、R2及びMは、上記式1と同義である。X1は、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。上記Mで表される1価のカチオンとしては、特に限定されないが、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンが好ましい。[スルホニウム塩]Mで表される1価のカチオンがスルホニウムカチオンである場合の[A]化合物としては、下記式2で表されるスルホニウム塩等が挙げられる。上記式2中、R1及びR2は、上記式1と同義である。R6、R7及びR8は、それぞれ独立して、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基である。これらの基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。但し、R6、R7及びR8のうちのいずれか2つ以上が互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環構造を形成してもよい。スルホニウムカチオンとしては、下記式2-1で表されるスルホニウムカチオン、式2-2で表されるスルホニウムカチオンが好ましい。上記式2-1中、Ra、Rb及びRcは、それぞれ独立して、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、-S-R9基又は-SO2-R10基である。但し、R9は、置換基を有していてもよいアルキル基又はアリール基である。R10は、置換基を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はアリール基である。n1、n2及びn3は、それぞれ独立して、0~5の整数である。上記式2-2中、Rdは、水素原子、炭素数1~8の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数6~8のアリール基である。但し、このアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、Rdが複数の場合、複数のRdは同一でも異なっていてもよく、複数のRdのうちいずれか2つ以上が互いに結合して環構造を形成していてもよい。Reは、水素原子、炭素数1~7の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数6又は7のアリール基である。但し、このアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、Reが複数の場合、複数のReは同一でも異なっていてもよく、複数のReのうちいずれか2つ以上が互いに結合して環構造を形成していてもよい。n4は、0~7の整数である。n5は、0~6の整数である。n6は、0~3の整数である。スルホニウムカチオンとしては、例えば、下記式i-1~式i-68で表されるスルホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中で、上記式i-1、式i-2、式i-6、式i-8、式i-13、式i-19、式i-25、式i-27、式i-29、式i-33、式i-51、式i-54、式i-55、式i-56及び式i-57で表されるスルホニウムカチオンが好ましい。[ヨードニウム塩]Mで表される1価のカチオンがヨードニウムカチオンである場合の[A]化合物としては、例えば、下記式3で表されるヨードニウム塩等が挙げられる。上記式3中、R1及びR2は、上記式1と同義である。R11及びR12は、上記式2中のR6及びR7とそれぞれ同義である。ヨードニウムカチオンとしては、下記式3-1で表されるヨードニウムカチオンが好ましい。上記式3-1中、Rh及びRgは、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数6~12のアリール基である。但し、このアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Rh及びRgがそれぞれ複数の場合、複数のRh及びRgはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、複数のRf、Rgのうち2つ以上が互いに結合して環構造を形成していてもよい。n7及びn8は、それぞれ独立して、0~5の整数である。上記式3-1で表されるヨードニウムカチオンとしては、例えば、下記式ii-1~ii-39で表されるヨードニウムカチオン等が挙げられる。これらの中で、上記式ii-1及び式ii-11で表されるヨードニウムカチオンが好ましい。[A]化合物としては、下記式で表される化合物が好ましい。[A]化合物は単独又は2種以上を混合して使用することができる。[A]化合物の含有量としては、後述する[B]重合体100質量部に対して、通常、0.1質量部~40質量部、好ましくは5質量部~40質量部、さらに好ましくは5質量部~35質量部である。[A]化合物の含有量が0.1質量部未満だと、本発明の所期の効果が十分発現されない場合がある。一方、40質量部を超えると、放射線に対する透明性、パターン形状、耐熱性等が低下する場合がある。当該感放射線性樹脂組成物は、[A]化合物以外の感放射線性化合物以下、他の感放射線性化合物ともいうを1種以上併用することができる。他の感放射線性化合物としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、N-スルホニルオキシイミド化合物、ジアゾメタン化合物、ジスルホニルメタン化合物、オキシムスルホネート化合物、ヒドラジンスルホネート化合物等が挙げられる。他の感放射線性化合物としては、例えば、WO2009/051088の[0086]段落から[0113]段落に記載されている化合物等が挙げられる。他の感放射線性化合物としては、オニウム塩化合物として、例えば、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-5-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-6-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム1,1-ジフルオロ-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム1,1-ジフルオロ-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルエタンスルホネート等のヨードニウム塩化合物;トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-ピバロイルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-ピバロイルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-メタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-メタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-i-プロパンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-i-プロパンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-n-ヘキサンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-n-ヘキサンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-5-オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-6-オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1-ジフルオロ-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルエタンスルホネート等のトリフェニルスルホニウム塩化合物;1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-5-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-6-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム1,1-ジフルオロ-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルエタンスルホネート等のテトラヒドロチオフェニウム塩化合物等が挙げられる。N-スルホニルオキシイミド化合物としては、例えば、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-10-カンファースルホニルオキシスクシンイミド、N-[5-メチル-5-カルボキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルスルホニルオキシ]スクシンイミド、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-[1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホニルオキシ]ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-[2-5-オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシ]ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-[2-6-オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシ]ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-[1,1-ジフルオロ-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルエタンスルホニルオキシ]ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等が挙げられる。ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビスシクロヘキサンスルホニルジアゾメタン、ビスt-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビス1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカン-7-スルホニルジアゾメタン等が挙げられる。他の感放射線性化合物としては、オニウム塩化合物、N-スルホニルオキシイミド化合物、ジアゾメタン化合物が好ましい。他の感放射線性化合物の含有量としては、[A]化合物と他の感放射線性化合物との合計100質量部に対して、通常、95質量部以下、好ましくは90質量部以下、さらに好ましくは80質量部以下である。他の感放射線性化合物の含有量が95質量部を超えると、本発明の所期の効果が損なわれる場合がある。<[B]重合体>[B]重合体は、感放射線性樹脂組成物のベース樹脂となるものである。このような重合体としては、例えば、酸解離性基を有するアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の重合体であって、この酸解離性基が解離したときにアルカリ易溶性となる重合体以下、B1重合体ともいう、アルカリ現像液と親和性を示す官能基、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基等の酸素含有官能基を1種以上有するアルカリ現像液に可溶な重合体以下、B2重合体ともいう等が挙げられる。上記B1重合体を含む感放射線性樹脂組成物はポジ型感放射線性樹脂組成物として好適に用いることができ、上記B2重合体を含む感放射線性樹脂組成物はネガ型感放射線性樹脂組成物として好適に用いることができる。なお、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性とは、レジストパターン形成工程において使用されるアルカリ現像条件下において、レジスト膜の代わりに酸解離性基含有重合体のみを用いた塗膜を現像した場合に、塗膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存する性質をいう。[B]重合体を後述する[C]重合体と共に用いる場合、[B]重合体におけるフッ素原子含有率としては、通常5質量未満であり、好ましくは0質量~4.9質量、より好ましくは0質量~4質量である。なお、重合体のフッ素原子含有率は13C-NMRにより重合体の構造を測定して求めることができる。[B]重合体におけるフッ素原子含有率が上記範囲内であると、[B]重合体及び後述の[C]重合体を含む当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト膜表面の撥水性を高めることができ、液浸露光時に上層膜を別途形成する必要がない。[B1重合体]酸解離性基とは、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基等の酸性官能基中の水素原子を置換した基であり、酸の存在下で解離する基を意味する。このような酸解離性基としては、例えば、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換-n-プロピル基、1-分岐アルキル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等が挙げられる。上記置換メチル基としては、例えば、WO2009/051088[0117]段落に記載の基等が挙げられる。上記1-置換エチル基としては、例えば、WO2009/051088[0118]段落に記載の基等が挙げられる。上記1-置換-n-プロピル基としては、例えば、WO2009/051088[0119]段落に記載の基等が挙げられる。上記アシル基としては、例えば、WO2009/051088[0120]段落に記載の基等が挙げられる。上記環式酸解離性基としては、例えば、WO2009/051088[0121]段落に記載の基等が挙げられる。これらの酸解離性基のうち、ベンジル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、1-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、1-エトキシ-n-プロピル基、t-ブチル基、1,1-ジメチルプロピル基、t-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基が好ましい。B1重合体において、酸解離性基は1種以上存在してもよい。B1重合体中の酸解離性基の導入率B1重合体中の酸性官能基と酸解離性基との合計数に対する酸解離性基の数の割合は、酸解離性基や酸解離性基が導入される重合体の種類により適宜選定されるが、好ましくは5モル~100モル、さらに好ましくは10モル~100モルである。B1重合体の構造は、上述した性状を有する限り特に限定されないが、ポリ4-ヒドロキシスチレン中のフェノール性水酸基の水素原子の一部又は全部を酸解離性基で置換した重合体、4-ヒドロキシスチレン及び/又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンとメタアクリル酸との共重合体中のフェノール性水酸基の水素原子及び/又はカルボキシル基の水素原子の一部又は全部を酸解離性基で置換した重合体が好ましい。また、B1重合体の構造は、使用する放射線の種類に応じて種々選定することができる。例えば、KrFエキシマレーザー光を用いるポジ型感放射線性樹脂組成物においては、B1重合体としては、下記式4で表される構造単位以下、構造単位4ともいうと構造単位4中のフェノール性水酸基を酸解離性基で保護した構造単位とを有するアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の重合体が好ましい。なお、この重合体は、ArFエキシマレーザー光、F2エキシマレーザー光、電子線等の他の放射線を使用する場合にも好適である。上記式4中、R13は、水素原子又は1価の有機基である。n9及びn10は、それぞれ独立して、1~3の整数である。R13が複数の場合、複数のR13は同一でも異なっていてもよい。構造単位4としては、4-ヒドロキシスチレンに由来する構造単位が好ましい。B1重合体は、さらに他の構造単位を含んでいてもよい。上記他の構造単位としては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン等のビニル芳香族化合物に由来する構造単位;メタアクリル酸t-ブチル、メタアクリル酸アダマンチル、メタアクリル酸2-メチルアダマンチル等のメタアクリル酸エステル類に由来する構造単位等が挙げられる。また、ArFエキシマレーザー光を用いるポジ型感放射線性樹脂組成物においては、B1重合体としては、下記式5で表される構造単位以下、構造単位5ともいうを有するアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の重合体が好ましい。なお、この重合体は、KrFエキシマレーザー光、F2エキシマレーザー光、電子線等の他の放射線を用いる場合にも好適である。上記式5中、R14は、水素原子又はメチル基である。R15、R16及びR17は、それぞれ独立して、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。但し、R15、R16及びR17のうちいずれか2つが互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成していてもよい。上記R15、R16及びR17で表される炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基等が挙げられる。上記R15、R16及びR17で表される炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基、及びR15、R16及びR17のうちいずれか2つが互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に形成される炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基としては、例えば、上記R3及びR4として例示した脂環式炭化水素基と同様の基等が挙げられる。構造単位5としては、下記式5-1~5-18で表される構造単位等が挙げられる。上記式5-1~5-18中、R14は、上記式5と同義である。これらの中でも、下記式5-3、式5-4、式5-9、式5-12及び式5-13で表される構造単位が好ましい。[B]重合体は、構造単位5を1種単独で又は2種以上を有していてもよい。B1重合体は、さらに、ラクトン骨格又は環状カーボネート骨格を有する構造単位以下、構造単位6ともいうを1種以上含有することが好ましい。構造単位6としては、例えば、下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、R18、R19、R20、R21、R23、R25及びR26は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基である。R22及びR24は、それぞれ独立して、水素又はメトキシ基である。Aは、単結合又はメチレン基である。Bは、メチレン基又は酸素原子である。n11は、0~2の整数である。n12及びn13は、それぞれ独立して、0又は1である。構造単位6としては、下記式で表される構造単位が好ましい。上記式中、R18、R20、R21、R23は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基である。B1重合体は、極性基を含む構造単位以下、構造単位7ともいうを有してもよい。極性基としては、例えば、ヒドロキシル基、ケトン性カルボニル基、スルホンアミド基等が挙げられる。構造単位7としては、例えば、下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、R27は、水素原子又はメチル基である。さらに、B1重合体は、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メタアクリル酸ラウリル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.1]ヘプチルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[4.4.0]デカニルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.2]オクチルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニルエステル、メタアクリル酸-アダマンチルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカニルエステル等のメタアクリル酸アルキルエステルに由来する構造単位を含有してもよい。F2エキシマレーザー光を用いるポジ型感放射線性樹脂組成物においては、B1重合体として、WO2009/051088の[0136]段落~[0147]段落に記載の重合体が好ましい。B1重合体が重合性不飽和単量体の重合により、又は重合を経て合成される場合、B1重合体には、重合性不飽和結合を2つ以上有する多官能性単量体に由来する構造単位及び/又はアセタール性架橋基によって分岐構造を導入することができる。このような分岐構造を導入することにより、B1重合体の耐熱性を向上させることができる。この場合、B1重合体中の分岐構造の導入率としては、この分岐構造やそれが導入される重合体の種類により適宜選定することができるが、分岐構造を有する構造単位が、B1重合体を構成する全構造単位に対して10モル以下であることが好ましい。B1重合体の分子量としては特に限定されないが、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCで測定したポリスチレン換算重量分子量Mwは、通常、1,000~500,000、好ましくは2,000~400,000、より好ましくは3,000~300,000である。分岐構造を有さないB1重合体のMwは、好ましくは1,000~150,000、より好ましくは3,000~100,000であり、分岐構造を有するB1重合体のMwは、好ましくは5,000~500,000、より好ましくは8,000~300,000である。このような範囲のMwを有するB1重合体を用いることにより、当該感放射線性樹脂組成物がアルカリ現像性に優れるものとなる。B1重合体のMwとGPCで測定したポリスチレン換算数平均分子量Mnとの比Mw/Mnとしては特に限定されないが、通常、1~10、好ましくは1~8、さらに好ましくは1~5である。このような範囲のMw/Mnを有するB1重合体を用いることにより、当該感放射線性樹脂組成物が解像性能に優れるものとなる。当該感放射線性樹脂組成物において、B1重合体は、単独又は2種以上を混合して用いてもよい。B1重合体の合成方法は、特に限定されないが、例えば、予め合成したアルカリ可溶性重合体中の酸性官能基に1種以上の酸解離性基を導入する方法;酸解離性基を有する1種以上の重合性不飽和単量体を、場合により1種以上の他の重合性不飽和単量体と共に重合する方法;酸解離性基を有する1種以上の重縮合性成分を、場合により他の重縮合性成分と共に重縮合する方法等によって合成することができる。上記アルカリ可溶性重合体を合成する際の重合性不飽和単量体の重合及び上記酸解離性基を有する重合性不飽和単量体の重合は、使用される重合性不飽和単量体や反応媒質の種類等に応じて、ラジカル重合開始剤、アニオン重合触媒、配位アニオン重合触媒、カチオン重合触媒等の重合開始剤又は重合触媒を適宜に選定し、塊状重合、溶液重合、沈澱重合、乳化重合、懸濁重合、塊状-懸濁重合等の適宜の重合形態で実施することができる。上記酸解離性基を有する重縮合性成分の重縮合は、好ましくは酸性触媒の存在下、水媒質中又は水と親水性溶媒との混合媒質中で実施することができる。[B2重合体]B2重合体としては、例えば、下記式8で表される構造単位以下、構造単位8ともいう、下記式9で表される構造単位以下、構造単位9ともいう及び下記式10で表される構造単位以下、構造単位10ともいうからなる群より選ばれる少なくとも1種を有する重合体等が挙げられる。上記式8及び式9中、R28及びR30は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基である。R29は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、-R31COOH、-OR31COOH、-OCOR31COOH、又は-COOR31COOHである。但し、R31は、それぞれ独立して、-CH2n14-である。n14は、1~4の整数である。B2重合体は、構造単位8、構造単位9あるいは構造単位10のみから構成されていてもよいが、重合体がアルカリ現像液に可溶である限り、他の構造単位を1種以上さらに有することもできる。この他の構造単位としては、例えば、上述のB1重合体における他の構造単位と同様の構造単位等が挙げられる。B2重合体中の構造単位8、構造単位9及び構造単位10の合計含有割合としては、任意に含まれる他の構造単位の種類により適宜選定されるが、好ましくは10モル~100モル、さらに好ましくは20モル~100モルである。B2重合体は、構造単位8のような炭素-炭素不飽和結合を有する構造単位を有する場合、その炭素-炭素不飽和結合を水素添加して用いることもできる。この場合の水素添加率は、該当する構造単位中に含まれる炭素-炭素不飽和結合のモル数に対して、通常、70モル以下、好ましくは50モル以下、さらに好ましくは40モル以下である。この場合、水素添加率が70モルを超えると、B2重合体を含有する当該感放射線性樹脂組成物のアルカリ現像性が低下するおそれがある。B2重合体としては、ポリ4-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン/4-ヒドロキシ-α-メチルスチレン共重合体、4-ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体を主成分とする重合体が好ましい。B2重合体のMwは、当該感放射線性樹脂組成物の所望の特性に応じて適宜選択されるが、通常、1,000~150,000、好ましくは3,000~100,000である。当該感放射線性樹脂組成物において、B2重合体は、単独で又は2種以上を混合して使用してもよい。[架橋剤]当該感放射線性樹脂組成物が、B2重合体を主体とし、すなわちネガ型感放射性重合体組成物である場合、酸の存在下でアルカリ可溶性重合体を架橋しうる化合物架橋剤を配合しても良い。架橋剤としては、例えば、アルカリ可溶性重合体との架橋反応性を有する官能基架橋性官能基を1種以上有する化合物等が挙げられる。上記架橋性官能基としては、例えば、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、アセトキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ビニル基、イソプロペニル基、ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基等が挙げられる。架橋剤としては、例えば、ビスフェノールA系エポキシ化合物、ビスフェノールF系エポキシ化合物、ビスフェノールS系エポキシ化合物、ノボラック重合体系エポキシ化合物、レゾール重合体系エポキシ化合物、ポリヒドロキシスチレン系エポキシ化合物、メチロール基含有メラミン化合物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、メチロール基含有尿素化合物、メチロール基含有フェノール化合物、アルコキシアルキル基含有メラミン化合物、アルコキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合物、アルコキシアルキル基含有尿素化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物、カルボキシメチル基含有メラミン重合体、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン重合体、カルボキシメチル基含有尿素重合体、カルボキシメチル基含有フェノール重合体、カルボキシメチル基含有メラミン化合物、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン化合物、カルボキシメチル基含有尿素化合物、カルボキシメチル基含有フェノール化合物等が挙げられる。これらの架橋剤のうち、メチロール基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有メラミン化合物、メトキシメチル基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物、メトキシメチル基含有ウレア化合物、アセトキシメチル基含有フェノール化合物が好ましく、ヘキサメトキシメチルメラミン等のメトキシメチル基含有メラミン化合物、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物、メトキシメチル基含有ウレア化合物がより好ましい。これらの市販品としては、メトキシメチル基含有メラミン化合物として、CYMEL300、同301、同303、同305以上、三井サイアナミッド製、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物として、CYMEL1174三井サイアナミッド製、メトキシメチル基含有ウレア化合物として、MX290三和ケミカル製等が挙げられる。また、架橋剤として、上記アルカリ可溶性重合体中の酸素含有官能基の水素原子を上記架橋性官能基で置換して、架橋剤としての性質を付与した重合体も好適に使用することができる。その場合の架橋性官能基の導入率は、架橋性官能基やこの基が導入されるアルカリ可溶性重合体の種類により適宜選択されるが、アルカリ可溶性重合体中の全酸素含有官能基に対して、通常、5モル~60モル、好ましくは10モル~50モル、より好ましくは15モル~40モルである。架橋性官能基の導入率が5モル未満だと、残膜率の低下、パターンの蛇行や膨潤等を来しやすくなる傾向があり、一方60モルを超えると、アルカリ現像性が低下する傾向がある。上記架橋剤としては、メトキシメチル基含有化合物が好ましく、ジメトキシメチルウレア、テトラメトキシメチルグリコールウリルが好ましい。当該ネガ型感放射線性樹脂組成物において、架橋剤は、単独又は2種以上を混合して使用してもよい。架橋剤の含有量としては、B2重合体100質量部に対して、好ましくは5質量部~95質量部、さらに好ましくは15質量部~85質量部、特に好ましくは20質量部~75質量部である。架橋剤の含有量が5質量部未満だと、残膜率の低下、パターンの蛇行や膨潤等を来しやすくなる傾向がある。一方、95質量部を超えると、アルカリ現像性が低下する傾向がある。<[C]重合体>当該感放射線性樹脂組成物は、[C]重合体を好適に含有することができる。当該感放射線性樹脂組成物が[C]重合体をさらに含有することで、レジスト膜を形成した場合に、[C]重合体の撥油性に起因して、レジスト膜の表層に[C]重合体を偏在化させることができる。従って、レジスト膜と液浸媒体を遮断することを目的とした上層膜を別途形成する必要がなく、液浸露光法に好適に用いることができる。[C]重合体は、[B]重合体よりもフッ素原子含有率が高い重合体であれば特に限定されないが、フッ素原子を含む構造単位以下、構造単位C1ともいうを有することが好ましい。また、[C]重合体は、構造単位C1以外にも、酸解離性基を有する構造単位以下、構造単位C2ともいう、アルカリ可溶性基を有する構造単位以下、構造単位C3ともいう、及びラクトン骨格を有する構造単位以下、構造単位C4ともいうをさらに有していてもよい。[C]重合体は、構造単位C3及び/又は構造単位C4を有することで、現像液に対する溶解性を向上させることができる。[C]重合体は、各構造単位をそれぞれ単独又は2種以上有していてもよい。[構造単位C1]構造単位C1は、フッ素原子を含む構造単位である。構造単位C1としては、例えば、下記式11~13で表される構造単位以下、構造単位11、構造単位12及び構造単位13ともいう等が挙げられる。[C]重合体が、構造単位11~13を含む場合、レジスト膜中の酸発生剤や酸拡散制御剤等の液浸露光液への溶出を抑制し、またレジスト膜上の液浸露光液の後退接触角の向上により、液浸露光液に由来する水滴がレジスト膜上に残り難く、液浸露光液に起因する欠陥の発生を抑制することができる。上記式11~13中、R32、R34及びR39は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。上記式11中、R33は、炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。上記式12中、R35は、n151価の連結基である。n15は、1~3の整数である。上記式13中、R40は、2価の連結基である。上記式12及び式13中、R38及びR43は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~30の1価の炭化水素基、酸解離性基又はアルカリ解離性基である。R36、R37、R41及びR42は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。但し、R36及びR37の両方又はR41及びR42の両方が水素原子である場合はない。また、R36、R37、R38、R41、R42及びR43がそれぞれ複数の場合、複数のR36、R37、R38、R41、R42及びR43はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。上記R33で表される炭素数1~30のフッ素化アルキル基としては、例えば、少なくとも1個のフッ素原子で置換された炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、少なくとも1個のフッ素原子で置換された炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基、又はそれらの基から誘導される基等が挙げられる。上記少なくとも1個のフッ素原子で置換された炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ジフルオロエチル基、トリフルオロエチル基、ヘキサフルオロ-i-プロピル基等が挙げられる。上記少なくとも1個のフッ素原子で置換された炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えば、パーフルオロシクロペンチル基、パーフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。上記構造単位11を与える単量体としては、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロt-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリル酸エステル、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリル酸エステルが好ましい。上記R38及びR43で表される炭素数1~30の1価の炭化水素基としては、例えば、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状の1価の炭化水素基、炭素数3~30の1価の脂環式炭化水素基等が挙げられる。これらの炭化水素基の説明としては、上述のR3の説明を適用することができるが、後述の酸解離性基やアルカリ解離性基に該当するものは除く。また、上記炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、上述のR3が有していてもよい置換基の説明を適用することができる。酸解離性基とは、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、酸の存在下で解離する基をいう。上記R38及びR43で表される酸解離性基としては、例えば、t-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、チオテトラヒドロピラニルスルファニルメチル基、チオテトラヒドロフラニルスルファニルメチル基や、アルコキシ置換メチル基、アルキルスルファニル置換メチル基等が挙げられる。アルコキシ置換メチル基におけるアルコキシ基置換基としては、例えば、炭素数1~4のアルコキシ基等が挙げられる。アルキルスルファニル置換メチル基におけるアルキル基置換基としては、例えば、炭素数1~4のアルキル基等が挙げられる。上記酸解離性基としては、[-CR3]で表される基が挙げられる。このRは、[B]重合体における上記式5のR15~R17と同義である。これらの酸解離性基の中でも、上記[-CR3]で表される基、t-ブトキシカルボニル基、アルコキシ置換メチル基が好ましい。構造単位12においては、t-ブトキシカルボニル基、アルコキシ置換メチル基が好ましい。構造単位13においてはアルコキシ置換メチル基、[-CR3]で表される基が好ましい。酸解離性基を有する構造単位12及び/又は酸解離性基を有する構造単位13を含む[C]重合体と、上述のB1重合体とを併用と、露光部における[C]重合体の溶解性を向上させることができる点で、ポジ型感放射線性樹脂組成物として好ましい。これは、レジストパターン形成における露光工程の際に、レジスト膜の露光部において、[C]重合体が発生した酸と反応して極性基を生じるためであると考えられる。アルカリ解離性基とは、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、アルカリの存在下で解離する基をいう。このようなアルカリ解離性基としては、上記の性質を示すものであれば特に限定されないが、上記式12においては、下記式14で表される基が好ましい。上記式14中、R45は、少なくとも1個の水素原子がフッ素原子に置換された炭素数が1~10の炭化水素基である。R45の説明としては、上述のR33の説明を適用することができる。R45としては、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基が好ましく、トリフルオロメチル基がより好ましい。上記式13におけるアルカリ解離性基としては、下記式15で表される基、下記式16で表される基、下記式17で表される基等が挙げられる。上記式15及び16中、R46及びR47は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、炭素数1~10のアルキル基、アルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基である。n16は、0~5の整数である。n17は、0~4の整数である。但し、R46及びR47がそれぞれ複数の場合、複数のR46及びR47はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。上記式17中、R48及びR49は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基である。但し、R48及びR49は、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数4~20の脂環式構造を形成してもよい。上記R46及びR47で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。これらの中で、フッ素原子が好ましい。上記R46及びR47で表される炭素数1~10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基等が挙げられる。上記R46及びR47で表される炭素数1~10のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。上記R46及びR47で表される炭素数1~10のアシル基としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。上記R46及びR47で表される炭素数1~10のアシロキシ基としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。上記R48又はR49で表される炭素数1~10のアルキル基としては、上記R46及びR47のアルキル基として例示した基と同様の基等が挙げられる。また、R48及びR49が互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に形成する炭素数4~20の脂環式構造基としては、例えば、シクロペンタン構造、メチルシクロペンタン構造、エチルシクロペンタン構造、シクロヘキサン構造、メチルシクロヘキサン構造、エチルシクロヘキサン構造、シクロヘプタン構造、メチルシクロヘプタン構造、エチルシクロヘプタン構造、ノルボルナン構造等が挙げられる。上記式17で表される基としては、例えば、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基が好ましい。[C]重合体が、アルカリ解離性基を含む構造単位12又はアルカリ解離性基を含む構造単位13を含むと、[C]重合体の現像液に対する親和性を向上させることができる点で好ましい。これは、レジストパターン形成方法の現像工程において、[C]重合体が現像液と反応し、極性基を生じるためであると考えられる。上記式12におけるR38又は式13におけるR43が水素原子である場合、構造単位12及び13は極性基であるヒドロキシル基やカルボキシル基を有する。[C]重合体が、このような構造単位を含むことにより、レジストパターン形成方法の現像工程において、[C]重合体の現像液に対する親和性を向上させることができる。上記R35で表されるn151価の連結基としては、例えば、炭素数が1~30のn151価の鎖状構造又は環状構造を有する炭化水素基、これらの炭化水素基と硫黄原子、イミノ基、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-とを組み合わた基等が挙げられる。上記鎖状構造を有する炭化水素基としては、例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、2-メチルプロパン、ペンタン、2-メチルブタン、2,2-ジメチルプロパン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン等の炭素数1~10の鎖状炭化水素からn151個の水素原子を除いた基等が挙げられる。上記環状構造を有する炭化水素基としては、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン等の炭素数4~20の脂環式炭化水素からn151個の水素原子を除いた基;ベンゼン、ナフタレン等の炭素数6~30の芳香族炭化水素からn151個の水素原子を除いた基等が挙げられる。上記R35で表されるn151価の連結基のうち、酸素原子、硫黄原子、イミノ基、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-を含む基としては、例えば、下記式で表される基等が挙げられる。上記式中、R50、R52、R54、R56、R58、R60、R62及びR64は、上記式12におけるR35と同義である。R51、R53、R55、R57、R59、R61、R63及びR65は、それぞれ独立して、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基、炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。n18~n25は、それぞれ独立して、1~3の整数である。上記R51、R53、R55、R57、R59、R61、R63及びR65で表される炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基、炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基及び炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基としては、例えば、上記R35として例示した2価のそれぞれの基n15が1の場合と同様の基等が挙げられる。また、上記R35は置換基を有していてもよい。この置換基としては、上述のR3が有していてもよい置換基の説明を適用することができる。上記R40で表される2価の連結基としては、上記R35において、n15を1とした場合の説明を適用することができる。上記式12における-CR36R37-及び上記式13における-CR41R42-で表される基としては、例えば、下記式x-1~x-5で表される基等が挙げられる。これらの中でも、上記式12においては下記式x-5で表される基が好ましく、上記式13においては下記式x-3で表される基が好ましい。構造単位12としては、例えば、下記式12-1で表される構造単位、下記式12-2で表される構造単位等が挙げられる。上記式12-1及び式12-2中、R34、R35、R38及びn15は、上記式12と同義である。構造単位12を与える単量体としては、例えば、下記式で表される化合物等が挙げられる。上記式中、R34及びR38は、上記式12と同義である。上記式12を与える単量体において、R38が酸解離性基やアルカリ解離性基である化合物は、例えば上記各式においてR38が水素原子である化合物を原料として合成することができる。例としてR38が上記式14で表される基である場合について示すと、上記化合物は、上記各式においてR38が水素原子である化合物を従来公知の方法によりフルオロアシル化することで合成することができる。このフルオロアシル化の方法としては、例えば、1酸の存在下、アルコールとフルオロカルボン酸を縮合させてエステル化する方法、2塩基の存在下、アルコールとフルオロカルボン酸ハロゲン化物を縮合させてエステル化する方法等が挙げられる。構造単位13としては、例えば、下記式13-1で表される構造単位等が挙げられる。上記式13-1中、R39、R40及びR43は、上記式13と同義である。構造単位13-1を与える単量体としては、例えば、下記式で表される単量体等が挙げられる。上記式中、R39及びR43は、上記式13と同義である。上記式において、R43が酸解離性基やアルカリ解離性基である化合物は、例えば上記各式においてR43が水素原子である化合物又はその誘導体を原料として合成することができる。例としてR43が上記式17で表される基である場合について示すと、上記化合物は、例えば、下記式18で表される化合物と、下記式19で表される化合物とを反応させることによって得ることができる。上記式18中、R39、R40、R41及びR42は、上記式13と同義である。R66は、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。上記式19中、R48及びR49は、上記式17と同義である。[C]重合体は、上記構造単位11~13を1種のみ含有していてもよいし、2種以上有していてもよいが、構造単位11~13のうち少なくとも2種有することが好ましく、構造単位12及び構造単位13を有することがより好ましい。[構造単位C2]構造単位C2は、酸解離性基を有する構造単位である但し、上記構造単位C1に該当する構造単位を除く。当該感放射線性樹脂組成物は、[C]重合体として、構造単位C2を有する重合体を用いた場合、上記B1重合体と併用すると、特にポジ型の感放射線性樹脂組成物として好ましい。この場合、レジスト膜の前進接触角と後退接触角との差を小さくすることができ、露光時のスキャン速度向上に対応することができる。構造単位C2としては、例えば、[B]重合体における上記式5で表される構造単位等が挙げられる。構造単位C2としては、下記式20で表される構造単位が好ましい。上記式20中、R67は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基である。R68は、炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。n26は、1~4の整数である。上記R68で表される炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。[構造単位C3]構造単位C3は、アルカリ可溶性基を有する構造単位である但し、上記構造単位C1に該当する構造単位を除く。構造単位C3におけるアルカリ可溶性基としては、現像液に対する溶解性向上の観点から、pKaが4~11の水素原子を有する官能基であることが好ましい。このような官能基として、例えば、下記式21で表される官能基、式22で表される官能基等が挙げられる。上記式21中、R69は、フッ素原子で置換された炭素数1~10の炭化水素基である。上記R69としては、トリフルオロメチル基が好ましい。上記構造単位C3の主鎖骨格は、特に限定されないが、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステル又はα-トリフルオロアクリル酸エステルに由来する骨格が好ましい。構造単位C3を与える単量体としては、例えば、下記式23で表される化合物、下記式24で表される化合物等が挙げられる。上記式23及び24中、R70及びR73は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R71及びR74は、それぞれ独立して、2価の連結基である。上記式23中、R72は、フッ素原子で置換された炭素数1~10の炭化水素基である。上記式24中、n27は、0又は1である。上記式R71及びR74で表される基としては、例えば、上記式13におけるR40として例示した基と同様の基等が挙げられる。上記R72としては、トリフルオロメチル基が好ましい。[構造単位C4]構造単位C4は、ラクトン骨格を有する構造単位である。構造単位C4としては、例えば、[B]重合体における構造単位6のうちのラクトン骨格を有する構造単位等が挙げられる。[C]重合体を構成する全構造単位に対する各構造単位の好ましい含有割合を以下に示す。構造単位C1の含有割合としては、20モル~90モルが好ましく、20モル~80モルがより好ましい。また、構造単位C2の含有割合としては、通常80モル以下であり、好ましくは20モル~80モルであり、より好ましくは30モル~70モルである。構造単位C2の含有割合が上記特定範囲であると、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト膜の前進接触角と後退接触角との差を小さくできるという観点から有効である。構造単位C3の含有割合としては、通常50モル以下であり、好ましくは5モル~30モルであり、より好ましくは5モル~20モルである。構造単位C4の含有割合としては、通常50モル以下であり、好ましくは5モル~30モルであり、より好ましくは5モル~20モルである。<[C]重合体の合成方法>[C]重合体は、例えば、上記所定の構造単位を与える単量体を、ヒドロパーオキシド類、ジアルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド類、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤を使用し、必要に応じて連鎖移動剤の存在下、適当な溶媒中で重合することにより合成することができる。上記重合に用いられる溶媒としては、例えば、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。これらの溶媒は、単独又は2種以上を混合して使用することができる。上記重合における反応温度は、通常40°C~150°Cであり、好ましくは50°C~120°Cである。上記重合における反応時間は、通常1時間~48時間であり、好ましくは1時間~24時間である。[C]重合体のMwとしては、1,000~50,000が好ましく、より好ましくは1,000~40,000であり、さらに好ましくは1,000~30,000である。[C]重合体のMwが1,000未満だと、十分な後退接触角を有するレジスト膜を得ることができない場合がある。一方、Mwが50,000を超えると、レジスト膜の現像性が低下するおそれがある。[C]重合体のMw/Mnとしては、1~5が好ましく、1~4がより好ましい。[C]重合体は、ハロゲン、金属等の不純物の含有量が少ないほど好ましい。このような不純物の含有量が少ないと、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト膜の感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等をさらに向上させることができる。[C]重合体の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、0.1質量部~20質量部が好ましく、1質量部~10質量部がより好ましく、1質量部~7.5質量部がさらに好ましい。[C]重合体の含有量が0.1質量部未満だと、[C]重合体を含有させる効果が十分ではない場合がある。一方、20質量部を超えると、レジスト表面の撥水性が高くなりすぎて現像不良が起こる場合がある。[C]重合体おけるフッ素原子含有率は、[C]重合体に対して、通常5質量以上であり、好ましくは5質量~50質量であり、より好ましくは5質量~40質量である。[C]重合体におけるフッ素原子含有率が上記特定範囲内であると、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト膜表面の撥水性をさらに高めることができる。<その他の任意成分>当該感放射線性樹脂組成物は、上記[A]~[C]成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、酸拡散制御剤、ラクトン化合物、溶解制御剤、界面活性剤、増感剤、染料、顔料、接着助剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、形状改良剤等のその他の任意成分を含有することができる。その他の任意成分は、それぞれ単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。以下、これらの任意成分について詳述する。[酸拡散制御剤]酸拡散制御剤は、露光により[A]化合物等から生じる酸のレジスト膜中における拡散現象を制御し、非露光領域での好ましくない化学反応を抑制する作用を有する。このような酸拡散制御剤を含有することにより、当該感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性を向上させることができ、また解像度を向上させ、さらに露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができる。その結果、プロセス安定性に極めて優れた感放射線性樹脂組成物とすることができる。酸拡散制御剤としては、例えば、WO2009/51088[0176]~[0187]段落に記載の化合物等が挙げられる。酸拡散制御剤としては、例えば、1個の窒素原子を有する含窒素化合物α、2個の窒素原子を有する含窒素化合物β、3個以上の窒素原子を有する含窒素化合物γ、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環式化合物、含窒素有機化合物等が挙げられる。含窒素化合物αとしては、例えば、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニルアミン、ジ-n-デシルアミン等のジアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン等のトリアルキルアミン類;エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、1-ナフチルアミン等の芳香族アミン類等が挙げられる。含窒素化合物βとしては、例えば、エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシエチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2’-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼン、1,3-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼン等が挙げられる。含窒素化合物γとしては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、N-2-ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等が挙げられる。上記アミド基含有化合物としては、例えば、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン等が挙げられる。上記ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。上記含窒素複素環式化合物としては、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、2-メチルイミダゾール、4-メチルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、4-フェニルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8-オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類;ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、1-ピペリジンエタノール、2-ピペリジンエタノール、モルホリン、4-メチルモルホリン、ピペラジン、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。上記含窒素有機化合物としては、酸解離性基を有する化合物を用いることもできる。酸解離性基を有する含窒素有機化合物としては、例えば、N-t-ブトキシカルボニルピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジエタノールアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジフェニルアミン、t-ブチル-4-ヒドロキシ-1-ピペリジンカルボキシレート等が挙げられる。酸拡散制御剤としては、含窒素化合物α、含窒素化合物β、含窒素複素環式化合物、酸解離性基を有する含窒素有機化合物が好ましく、酸解離性基を有する含窒素有機化合物がより好ましく、t-ブチル-4-ヒドロキシ-1-ピペリジンカルボキシレートがさらに好ましいい。酸拡散制御剤としては、下記式D1で表される化合物を用いることもできる。XZ-D1上記式D1中、Xは、下記式25で表されるカチオン又は下記式26で表されるカチオンである。Z-は、OH-、RD-COO-で表されるアニオン又はRD-SO3-で表されるアニオンである。但し、RDは、置換されていてもよいアルキル基、脂環式炭化水素基又はアリール基である。上記式25中、R76~R78は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。上記式26中、R79及びR80は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。上記化合物は、露光により分解して酸拡散制御性を失う酸拡散制御剤以下、光分解性酸拡散制御剤ともいうとして用いられるものである。当該感放射線性樹脂組成物は、光分解性酸拡散制御剤を含有することで、形成されるレジスト膜の露光部では酸が拡散し、未露光部では酸の拡散が制御されることにより露光部と未露光部のコントラストに優れる。すなわち、露光部と未露光部の境界部分が明確になるため、当該感放射線性樹脂組成物のLWR及びMEEFの改善に有効である。上記R76~R78としては、上記化合物の現像液に対する溶解性が低下する観点から、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子が好ましい。また、上記R79及びR80としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子が好ましい。上記RDとしては、上記化合物の現像液に対する溶解性が低下する観点から、脂環式炭化水素基、アリール基が好ましい。上記RDで表される置換されていてもよいアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシエチル基、1-ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシプロピル基、3-ヒドロキシプロピル基、1-ヒドロキシブチル基、2-ヒドロキシブチル基、3-ヒドロキシブチル基、4-ヒドロキシブチル基等の炭素数1~4のヒドロキシアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基等の炭素数1~4のアルコキシ基;シアノ基;シアノメチル基、2-シアノエチル基、3-シアノプロピル基、4-シアノブチル基等の炭素数2~5のシアノアルキル基等が挙げられる。これらの中でも、ヒドロキシメチル基、シアノ基、シアノメチル基が好ましい。上記RDで表される置換されていてもよい脂環式炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシシクロペンタン、ヒドロキシシクロヘキサン、シクロヘキサノン等のシクロアルカン骨格;1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オンカンファー等の有橋脂環骨格等の脂環式炭化水素由来の1価の基等が挙げられる。これらの中でも、1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オン由来の基が好ましい。上記RDで表される置換されていてもよいアリール基としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの基が有する水素原子の一部又は全部を、ヒドロキシル基、シアノ基等で置換した基等が挙げられる。これらの中でも、フェニル基、ベンジル基、フェニルシクロヘキシル基が好ましい。上記Z-としては、下記式で表されるアニオンが好ましい。Xが、上記式25で表されるカチオンである場合、すなわち光分解性酸拡散制御剤が、スルホニウム塩化合物である場合の具体例としては、例えば、トリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムアセテート、トリフェニルスルホニウムサリチレート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムアセテート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチレート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート等が挙げられる。なお、これらのスルホニウム塩化合物は、単独又は2種以上を用いることができる。Xが、上記式26で表されるカチオンである場合、すなわち光分解性酸拡散制御剤が、ヨードニウム塩化合物である場合の具体例としては、例えば、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムサリチレート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムアセテート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムサリチレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート等が挙げられる。なお、これらのヨードニウム塩化合物は、単独又は2種以上を用いることができる。酸拡散制御剤の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、好ましくは15質量部以下であり、より好ましくは0.001質量部~10質量部であり、さらに好ましくは0.005質量部~5質量部である。酸拡散制御剤の含有量を0.001質量部以上とすることで、プロセス条件によるパターン形状や寸法忠実度の低下を抑制でき、また15質量部以下とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の感度やアルカリ現像性を向上させることができる。[ラクトン化合物]ラクトン化合物は、[C]重合体を、より効率的にレジスト膜表面に偏析させる効果を有する。従って、当該感放射線性樹脂組成物によれば、[C]重合体を用いる際にラクトン化合物をさらに含有させることで、[C]重合体の使用量を少なくすることができる。また、結果として、レジスト基本特性を損なうことなく、レジスト膜から液浸液への成分の溶出を抑制したり、高速スキャンにより液浸露光を行ったとしても液滴を残すことなく、ウォーターマーク欠陥等の液浸由来欠陥を抑制するレジスト膜表面の撥水性を維持することができる。ラクトン化合物としては、例えば、γ-ブチロラクトン、バレロラクトン、メバロニックラクトン、ノルボルナンラクトン等が挙げられる。ラクトン化合物の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、通常30質量部~200質量部であり、好ましくは50質量部~150質量部である。このラクトン化合物の含有量が30質量部未満だと、レジスト膜表面の撥水性が十分に発揮されない場合がある。一方、含有量が200質量部を超えると、レジストの基本性能及び現像後のパターン形状が悪化する場合がある。[溶解制御剤]当該感放射線性樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が高くなる性質を有する溶解制御剤を含有させることもできる。このような溶解制御剤としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基等の酸性官能基を有する化合物、この化合物中の酸性官能基の水素原子を酸解離性基で置換した化合物等が挙げられる。溶解制御剤としては、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。ネガ型感放射線性樹脂組成物における高分子溶解制御剤としては、例えば、ポジ型感放射線性樹脂組成物における酸解離性基含有重合体を使用することができる。溶解制御剤は、単独又は2種以上を使用することができる。上記溶解制御剤の含有量は、[B]重合体100質量部に対して、通常、50質量部以下であり、好ましくは20質量部以下である。[界面活性剤]当該感放射線性樹脂組成物は、その塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す界面活性剤を含有することができる。このような界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系及び両性の界面活性剤のいずれでも使用することができるが、ノニオン系界面活性剤が好ましい。上記ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類が挙げられ、市販品としては、KP信越化学工業製、ポリフロー共栄社化学製、エフトップジェムコ製、メガファック大日本インキ化学工業製、フロラード住友スリーエム製、アサヒガード、サーフロン以上、旭硝子製等が挙げられる。界面活性剤は、単独又は2種以上を使用することができる。界面活性剤の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、界面活性剤の有効成分として、通常、2質量部以下であり、好ましくは1.5質量部以下である。[増感剤]増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを[A]化合物等の感放射線性酸発生剤に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を有し、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。増感剤としては、例えば、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。増感剤の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、通常、50質量部以下であり、好ましくは30質量部以下である。[ハレーション防止剤]ハレーション防止剤としては、例えば、4-ヒドロキシ-4’-メチルカルコン等を用いることができる。この場合、染料や顔料を配合することにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できる。<感放射線性樹脂組成物の調製方法>当該感放射線性樹脂組成物は、例えば、使用時に各成分を溶媒に溶解して均一溶液とし、その後必要に応じて、例えば孔径0.2μm程度のフィルター等でろ過することにより調製される。上記溶媒としては、例えば、エーテル類、エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、ハロゲン化炭化水素類等を挙げることができ、より具体的には、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、非環式もしくは環式のケトン類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、アセト酢酸エステル類、プロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、他の置換プロピオン酸エステル類、置換酪酸エステル類、ピルビン酸エステル類、N,N-ジアルキルホルムアミド類、N,N-ジアルキルアセトアミド類、N-アルキルピロリドン類、ハロゲン化脂肪族炭化水素類、ハロゲン化芳香族炭化水素類等が挙げられる。上記溶媒の具体例としては、例えば、WO2009/051088[0202]段落に記載の溶媒等が挙げられる。これらの溶媒の中で、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、非環式若しくは環式のケトン類、乳酸エステル類、3-アルコキシプロピオン酸エステル類が、塗布時に良好な膜面内均一性を確保することができる点で好ましい。上記溶媒は、単独又は2種以上を混合して使用することができる。また必要に応じて、上記溶媒と共に、例えば、ベンジルエチルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1-オクタノール、1-ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート等の高沸点の他の溶媒等を使用することができる。上記他の溶媒は、単独又は2種以上を混合して使用することができる。他の溶媒の使用割合は、全溶媒に対して、通常50質量以下であり、好ましくは30質量以下である。溶媒の合計使用量としては、当該感放射線性樹脂組成物の全固形分濃度が、通常、5質量~50質量、好ましくは10質量~50質量、より好ましくは10質量~40質量、さらに好ましくは10質量~30質量、特に好ましくは10質量~25質量となる量である。当該感放射線性樹脂組成物の全固形分濃度を上記範囲とすることで、塗布時に良好な膜面内均一性を確保することができる。<レジストパターン形成方法>レジストパターンは、当該感放射線性樹脂組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の基板上に塗布し、その後、場合により加熱処理プレベークPBを行うことでレジスト膜を形成し、所定のマスクパターンを介して、露光、現像することで形成することができる。露光の際に使用する放射線としては、水銀灯の輝線スペクトル波長254nm、KrFエキシマレーザー光波長248nm、ArFエキシマレーザー光波長193nm、F2エキシマレーザー光波長157nm、EUV波長13nm等等の遠紫外線;シンクロトロン放射線等のX線;電子線等の荷電粒子線等が挙げられる。これらの中で遠紫外線、荷電粒子線が好ましく、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光、F2エキシマレーザー光、電子線がより好ましい。なお、レジスト膜上に液浸露光液を配置し、液浸露光液を介してレジスト膜を露光することもできる。また、放射線量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成、添加剤の種類等に応じて適宜選定される。露光後に加熱処理ポストエクスポージャーベークPEBを行うことが好ましい。PEBを行うことにより、当該感放射線性樹脂組成物の見掛けの感度を向上させることができる。PEB温度としては、感放射線性樹脂組成物の配合組成、添加剤の種類等により変わるが、通常、30°C~200°C、好ましくは50°C~150°Cである。露光されたレジスト膜をアルカリ現像液で現像することにより、所定のポジ型又はネガ型のレジストパターンを形成する。上記アルカリ現像液としては、例えば、アルカリ金属水酸化物、アンモニア水、アルキルアミン類、アルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の1種以上を溶解したアルカリ性水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液としては、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類の水溶液が好ましい。上記アルカリ性水溶液の濃度としては、好ましくは10質量以下、より好ましくは1質量~10質量、特に好ましくは2質量~5質量である。アルカリ性水溶液の濃度を10質量以下とすることで、ポジ型の場合の未露光部又はネガ型の場合の露光部のアルカリ現像液への溶解を抑制することができる。なお、上記アルカリ性水溶液からなる現像液には、界面活性剤を適量添加することが好ましい。界面活性剤を添加することで、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト被膜に対するアルカリ現像液の濡れ性を高めることができる。なお、上記アルカリ性水溶液からなる現像液で現像した後は、一般に、水で洗浄して乾燥する。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。[B]重合体及び[C]重合体の合成に用いた単量体を下記に示す。<[B]重合体の合成>[合成例1]上記化合物M-131.63g35モル、上記化合物M-349.60g45モル及び上記化合物M-46.45g10モルを、2-ブタノン200gに溶解し、さらに2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル8.14gを溶解した単量体溶液を調製した。上記化合物M-212.32g10モル及び100gの2-ブタノンを投入した1,000mLの三口フラスコを30分窒素パージし、窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合反応溶液を水冷することにより30°C以下に冷却し、4,000gのメタノールへ投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を400gのメタノールに分散させてスラリー状にして洗浄した後にろ別する操作を2回行い、その後、50°Cにて17時間真空乾燥し、白色粉末の重合体B-1を得た。この重合体B-1は、Mwが4,300、Mw/Mn=1.30であった。また、13C-NMR分析の結果、化合物M-1:化合物M-2:化合物M-3:化合物M-4に由来する各構造単位の含有割合モルは、35.6:8.9:46.2:9.3であった。[合成例2]上記化合物M-755g、上記化合物M-245g、アゾビスイソブチロニトリル4g及びt-ドデシルメルカプタン1gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル100gに溶解した後、窒素雰囲気下、反応温度を70°Cに保持して、16時間重合させた。重合反応終了後、重合反応溶液を1,000gのn-ヘキサン中に滴下して、重合体を凝固精製した。次いで、この重合体に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル150gを加えた後、さらに、メタノール150g、トリエチルアミン34g及び水6gを加えて、沸点にて還流させながら、8時間加水分解反応を行った。反応後、溶媒及びトリエチルアミンを減圧留去し、得られた重合体をアセトン150gに溶解した後、2,000gの水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下50°Cで一晩乾燥し、重合体B-2を得た。重合体B-2は、Mwが10,000、Mw/Mnが2.1であった。また、13C-NMR分析の結果、化合物M-7に由来する構造単位ヒドロキシスチレンに由来する構造単位:化合物M-2に由来する各構造単位の含有割合モルは、65.1:34.9であった。[合成例3]上記化合物M-753g、上記化合物M-847g、アゾビスイソブチロニトリル4g及びt-ドデシルメルカプタン0.2gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル200gに溶解した後、窒素雰囲気下、反応温度を70°Cに保持して、6時間重合させた。重合反応終了後、重合反応溶液を2,000gのn-ヘキサン中に滴下して、重合体を凝固精製した。次いで、この重合体に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル150gを加えた後、さらに、メタノール150g、トリエチルアミン37g及び水7gを加えて、沸点にて還流させながら、8時間加水分解反応を行った。反応後、溶媒及びトリエチルアミンを減圧留去し、得られた重合体をアセトン150gに溶解した後、2,000gの水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下50°Cで一晩乾燥し、重合体B-3を得た。重合体B-3は、Mwが13,000、Mw/Mnが2.4であった。また、13C-NMR分析の結果、化合物M-7に由来する構造単位ヒドロキシスチレンに由来する構造単位:化合物M-8に由来する各構造単位の含有割合モルは、50.3:49.7であった。<[C]重合体の合成>[合成例4]上記化合物M-537.41g40モル及び上記化合物M-662.59g60モルを2-ブタノン100gに溶解し、さらに2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル4.79gを溶解した単量体溶液を調製した。2-ブタノン100gを投入した1,000mLの三口フラスコを30分窒素パージし、窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合反応溶液から2-ブタノンを150g減圧除去した。30°C以下に冷却後、メタノール900gと超純水100gの混合溶媒へ投入して析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を100gのメタノールに分散させスラリー状にして洗浄し、その後再びろ別する操作を2回行った。得られた白色粉末を50°Cにて17時間真空乾燥し重合体C-1を得た78g、収率78。この重合体C-1は、Mwが6,920、Mw/Mn=1.592であった。また、13C-NMR分析の結果、化合物M-5:化合物M-6に由来する各構造単位の含有割合モルは、40.8:59.2であり、フッ素原子含有率は9.6質量であった。<感放射線性樹脂組成物の調製>上記合成した[B]重合体及び[C]重合体以外の成分を以下に示す。[[A]化合物]A-1:下記式A-1で表される化合物A-2:下記式A-2で表される化合物A-3:下記式A-3で表される化合物A-4:下記式A-4で表される化合物A-5:下記式A-5で表される化合物A-6:下記式A-6で表される化合物A-7:下記式A-7で表される化合物A-8:下記式A-8で表される化合物[[D]酸拡散制御剤]D-1:トリフェニルスルホニウムサリチレート下記式D-1で表される化合物D-2:t-ブチル-4-ヒドロキシ-1-ピペリジンカルボキシレート下記式D-2で表される化合物[[E]溶媒]E-1:プロピレングリコールメチルエーテルアセテートE-2:シクロヘキサノンE-3:乳酸エチル[F]ラクトン化合物F-1:γ-ブチロラクトン[実施例1][A]化合物としてのA-113質量部、[B]重合体のB-1100質量部、[C]重合体としてのC-13質量部、[D]酸拡散制御剤としてのD-113質量部、[E]溶媒としてのE-11,980質量部及びE-2848質量部、並びに[F]ラクトン化合物としてのF-1200質量部を混合して均一溶液とした。その後、孔径200nmのメンブランフィルターを用いてろ過することにより、ポジ型感放射線性組成物を調製した。当該感放射線性樹脂組成物の総固形分濃度は約4であった。[実施例2~6及び比較例1~4]下記表1に示す種類及び配合量の各成分を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例2~6及び比較例1~4の感放射線性樹脂組成物を調製した。表1中の-は、該当する成分を使用しなかったことを示す。[実施例7~12及び比較例5]下記表2に示す種類及び配合量の各成分を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例7~12及び比較例5の感放射線性樹脂組成物を調製した。<レジストパターンの形成>下記に示すパターン形成方法P-1、P-2又はP-3により、上記調製した各感放射線性樹脂組成物を用いてレジストパターンを形成した。各感放射線性樹脂組成物の使用した形成方法を表1又は表2に示す。[パターン形成方法P-1]下層反射防止膜ARC66、日産化学製を形成した12インチシリコンウェハ上に、感放射線性樹脂組成物を塗布し、表1に示すPB温度で60秒間PBを行い、膜厚75nmの被膜を形成した。次に、この被膜をArFエキシマレーザー液浸露光装置NSR-S610C、NIKON製を用い、NA=1.3、ratio=0.800、Annularの条件により、マスクパターンを介して露光した。露光後、表1に示すPEB温度で60秒間PEBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像、水洗、乾燥してポジ型のレジストパターンを形成した。[パターン形成方法P-2]下層反射防止膜ARC66、日産化学製を形成した12インチシリコンウェハ上に、感放射線性樹脂組成物を塗布し、表1に示すPB温度で60秒間PBを行い、膜厚75nmの被膜を形成した。次に、形成した被膜上に、WO2008/047678の実施例1に記載の上層膜形成用組成物をスピンコートし、90°Cで60秒間PBを行うことにより膜厚90nmの上層膜を形成した。上記被膜を上記ArFエキシマレーザー液浸露光装置を用い、NA=1.3、ratio=0.800、Annularの条件により、マスクパターンを介して露光した。露光後、表1に示すPEB温度で60秒間PEBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像、水洗、乾燥してポジ型のレジストパターンを形成した。[パターン形成方法P-3]塗布/現像装置クリーントラックACT-8、東京エレクトロン製を用いて、シリコンウェハ上に、感放射線性樹脂組成物をスピンコートした後、下記表2に示すPB温度で60秒間PBを行い、膜厚50nmの被膜を形成した。その後、簡易型の電子線描画装置HL800D、日立製作所製出力;50KeV、電流密度;5.0アンペア/cm2を用いて被膜に電子線を照射した。電子線の照射後、表2に示すPEB温度で60秒間PEBを行った。その後、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、23°Cで1分間、パドル法により現像した後、純水で水洗、乾燥して、レジストパターンを形成した。<評価>上記形成したレジストパターンについて、表1及び表2に示す評価を、下記方法に従い行った。得られた評価結果を表1及び表2に示す。[MEEF]ターゲットサイズが50nm1L/1Sのマスクパターンを介して露光することによって線幅が50nmのラインアンドスペースLSパターンが形成される露光量を最適露光量とした。この最適露光量にてライン幅のターゲットサイズを46nm、48nm、50nm、52nm、54nmのとするマスクパターンをそれぞれ用い、ピッチ100nmのLSパターンを形成し、レジスト膜に形成されたライン幅を測長SEMCG4000、日立製作所製にて測定した。このとき、ターゲットサイズnmを横軸に、各マスクパターンを用いてレジスト膜に形成されたライン幅nmを縦軸にプロットしたときの直線の傾きをMEEFとして算出した。MEEFは、その値が1に近いほどマスク再現性が良好であることを示す。[LWR]実施例1~6及び比較例1~4の場合ターゲットサイズが50nm1L/1.8Sのマスクパターンを介して露光することによって線幅が50nmのレジストパターンが形成される露光量を最適露光量とした。この最適露光量にて得られた50nm1L/1.8Sパターンを上記測長SEMにて測定した。測長SEMにてパターン上部から、線幅を任意のポイントで10点観測し、その線幅の測定値の分布を3シグマで表現した値をLWRnmとした。実施例7~12及び比較例5の場合ターゲットサイズが150nm1L/1Sのマスクパターンを介して露光することによって線幅が150nmのレジストパターンが形成される露光量を最適露光量とした。この最適露光量にて得られた150nm1L/1Sパターンについて、上記50nm1L/1.8Sパターンの場合と同様にして、LWRを求めた。なお、LWRの値が低い程、パターンの直線性が優れていることを示す。[最小倒壊寸法]ターゲットサイズが50nm1L/1.8Sのマスクパターンを介して1mJずつ露光量を変化させながら露光した。ラインの倒れが発生した露光量よりも1mJ小さい露光量にて形成されたパターンのライン幅を上記測長SEMにより測定し、最小倒壊寸法nmとした。最小倒壊寸法の値が小さいほどパターンの倒れに対する耐性が高いことを示す。[感度]ターゲットサイズが150nm1L/1Sのマスクパターンを介して露光することによって線幅が150nmのレジストパターンが形成される露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度μC/cm2とした。[解像度]ラインアンドスペースパターン1L1Sについて、最適露光量により解像されるラインパターンの最小線幅を解像度nmとした。上記実施例及び比較例から、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いることにより、LWR及び最小倒壊寸法が改善され、MEEFとのバランスも良好であり、感度及び解像度も良好であることが確認できた。"