"第1の基材上に形成された第1の絶縁膜上に形成された導体のポストを、下面に電極が形成された半導体チップの周囲に配置するようにして、前記半導体チップの下面を接着樹脂層によって前記第1の絶縁膜に接着する第1工程と、前記第1工程後に、第2の基材上に形成された第2の絶縁膜と前記第1の絶縁膜との間に熱硬化性樹脂シートを挟んで、前記第1の基材、前記第1の絶縁膜、前記熱硬化性樹脂シート、前記第2の絶縁膜及び前記第2の基材の加熱加圧をすることによって、前記半導体チップ及び前記ポストを封止する封止層を前記熱硬化性樹脂シートから形成する第2工程と、前記第2工程後に、前記第1の基材及び前記第2の基材を除去する第3工程と、前記第3工程後に、前記第1の絶縁膜及び前記接着樹脂層のうち前記電極と重なる位置に第1のビアホールを形成する第4工程と、前記第3工程後に、前記第2の絶縁膜及び前記封止層のうち前記ポストと重なる位置に第2のビアホールを形成する第5工程と、前記第3工程後に、前記第1の絶縁膜のうち前記ポストと重なる位置に第3のビアホールを形成する第6工程と、前記第4工程及び前記第6工程後に、前記第1の絶縁膜の表面に第1の配線をパターニングして、前記第1の配線の一部を前記第1のビアホール及び前記第3のビアホールに埋めて前記第1の配線を前記電極及び前記ポストに導通させる第7工程と、前記第5工程後に、前記第2の絶縁膜の表面に第2の配線をパターニングして、前記第2の配線の一部を前記第2のビアホールに埋めて前記第2の配線を前記ポストに導通させる第8工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1工程の前に、前記第1の絶縁膜上に形成された金属層を部分的にエッチングすることによって前記金属層から前記ポストを形成する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。第1の基材上に形成された第1の絶縁膜上に形成された埋め込み配線に接続されているとともに前記第1の絶縁膜上に形成された導体のポストを、下面に電極が形成された半導体チップの周囲に配置するようにして、且つ、前記埋め込み配線に形成された貫通穴に前記電極を重ねるようにして、前記半導体チップの下面を接着樹脂層によって前記第1の絶縁膜に接着する第1工程と、前記第1工程後に、第2の基材上に形成された第2の絶縁膜と前記第1の絶縁膜との間に熱硬化性樹脂シートを挟んで、前記第1の基材、前記第1の絶縁膜、前記熱硬化性樹脂シート、前記第2の絶縁膜及び前記第2の基材の加熱加圧をすることによって、前記半導体チップ及び前記ポストを封止する封止層を前記熱硬化性樹脂シートから形成する第2工程と、前記第2工程後に、前記第1の基材及び前記第2の基材を除去する第3工程と、前記第3工程後に、前記第1の絶縁膜及び前記接着樹脂層のうち前記電極及び前記貫通穴と重なる位置に第1のビアホールを形成する第4工程と、前記第3工程後に、前記第2の絶縁膜及び前記封止層のうち前記ポストと重なる位置に第2のビアホールを形成する第5工程と、前記第4工程後に、導体の充填材を前記第1のビアホール及び前記貫通穴に充填して前記充填材を前記電極及び前記埋め込み配線に導通させる第6工程と、前記第5工程後に、前記第2の絶縁膜の表面に配線をパターニングして、前記配線の一部を前記第2のビアホールに埋めて前記配線を前記ポストに導通させる第7工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。第1の基材上に形成された第1の絶縁膜上に形成された第1の埋め込み配線に形成された第1の貫通穴に、半導体チップの下面に形成された電極を重ねるようにして、前記半導体チップの下面を接着樹脂層によって前記第1の絶縁膜に接着する第1工程と、第2の基材上に形成された第2の絶縁膜上に形成された第2の埋め込み配線に接続されているとともに前記第2の絶縁膜上に形成された導体のポストを前記半導体チップの周囲に配置して、且つ、前記第1の埋め込み配線に形成された第2の貫通穴に前記ポストを重ねて、前記第2の絶縁膜と前記第1の絶縁膜との間に熱硬化性樹脂シートを挟んで、前記第1の基材、前記第1の絶縁膜、前記熱硬化性樹脂シート、前記第2の絶縁膜及び前記第2の基材の加熱加圧をすることによって、前記半導体チップ及び前記ポストを封止する封止層を前記熱硬化性樹脂シートから形成する第2工程と、前記第2工程後に、前記第1の基材及び前記第2の基材を除去する第3工程と、前記第3工程後に、前記第1の絶縁膜及び前記接着樹脂層のうち前記電極及び前記第1の貫通穴と重なる位置に第1のビアホールを形成する第4工程と、前記第3工程後に、前記第2の絶縁膜のうち前記第2の埋め込み配線と重なる位置に第2のビアホールを形成する第5工程と、前記第3工程後に、前記第1の絶縁膜及び前記封止層のうち前記ポスト及び前記第2の貫通穴と重なる位置に第3のビアホールを形成する第6工程と、前記第4工程及び前記第6工程後に、導体の第1の充填材を前記第1のビアホール及び前記第1の貫通穴に充填して前記第1の充填材を前記第1の埋め込み配線及び前記電極に導通させるとともに、導体の第2の充填材を前記第3のビアホール及び前記第2の貫通穴に充填して前記第2の充填材を前記ポスト及び前記第1の埋め込み配線に導通させる第7工程と、前記第5工程後に、前記第2の絶縁膜の表面に配線をパターニングして、前記配線の一部を前記第2のビアホールに埋めて前記配線を前記埋め込み配線に導通させる第8工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。第1の絶縁膜と、下面が前記第1の絶縁膜に向いた半導体チップと、前記半導体チップの下面に形成された電極と、前記半導体チップの下面と前記第1の絶縁膜の間に挟まれて、前記半導体チップの下面を前記第1の絶縁膜に接着した接着樹脂層と、前記半導体チップの周囲において前記第1の絶縁膜上に形成された導体のポストと、前記第1の絶縁膜上に形成され、前記ポスト及び前記半導体チップを封止した封止層と、前記封止層上に形成され、前記第1の絶縁膜との間に前記封止層を挟み込んだ第2の絶縁膜と、前記封止層の反対側となる前記第1の絶縁膜の表面に形成された第1の配線と、前記封止層の反対側となる前記第2の絶縁膜の表面に形成された第2の配線と、を備え、前記第1の絶縁膜及び前記接着樹脂層のうち前記電極と重なる位置に第1のビアホールが形成され、前記第2の絶縁膜及び前記封止層のうち前記ポストと重なる位置に第2のビアホールが形成され、前記第1の絶縁膜のうち前記ポストと重なる位置に第3のビアホールが形成され、前記第1の配線の一部が前記第1のビアホール及び前記第3のビアホールに埋められて、前記第1の配線が前記ポスト及び前記電極に導通され、前記第2の配線の一部が前記第2のビアホールに埋められて、前記第2の配線が前記ポストに導通されていることを特徴とする半導体装置。第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、貫通穴を有した埋め込み配線と、下面が前記第1の絶縁膜に向いた半導体チップと、前記半導体チップの下面に形成され、前記貫通穴に重なるように配置された電極と、前記半導体チップの下面と前記第1の絶縁膜の間に挟まれて、前記半導体チップの下面を前記第1の絶縁膜に接着した接着樹脂層と、前記半導体チップの周囲において前記第1の絶縁膜上に形成され、前記埋め込み配線に接続された導体のポストと、前記第1の絶縁膜上に形成され、前記ポスト及び前記半導体チップを封止した封止層と、前記封止層上に形成され、前記第1の絶縁膜との間に前記封止層を挟み込んだ第2の絶縁膜と、前記封止層の反対側となる前記第2の絶縁膜の表面に形成された配線と、導体の充填材と、を備え、前記第1の絶縁膜及び前記接着樹脂層のうち前記電極及び前記貫通穴と重なる位置に第1のビアホールが形成され、前記第2の絶縁膜及び前記封止層のうち前記ポストと重なる位置に第2のビアホールが形成され、前記充填材が前記第1のビアホール及び前記貫通穴に埋められて、前記充填材が前記電極及び前記埋め込み配線に導通され、前記配線の一部が前記第2のビアホールに埋められて、前記配線が前記ポストに導通されていることを特徴とする半導体装置。第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、第1の貫通穴及び第2の貫通穴を有した第1の埋め込み配線と、下面が前記第1の絶縁膜に向いた半導体チップと、前記半導体チップの下面に形成され、前記第1の貫通穴に重なるように配置された電極と、前記半導体チップの下面と前記第1の絶縁膜の間に挟まれて、前記半導体チップの下面を前記第1の絶縁膜に接着した接着樹脂層と、前記第1の絶縁膜との間に前記半導体チップを置いて前記第1の絶縁膜に対向した第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の前記第1の絶縁膜に対向する側に形成された第2の埋め込み配線と、前記半導体チップの周囲において前記第2の絶縁膜の前記第1の絶縁膜に対向する側に形成され、前記第2の貫通穴に重なるように配置され、前記第2の埋め込み配線に接続された導体のポストと、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜との間に挟まれ、前記ポスト及び前記半導体チップを封止した封止層と、前記封止層の反対側となる前記第2の絶縁膜の表面に形成された配線と、導体の第1の充填材と、導体の第2の充填材と、を備え、前記第1の絶縁膜及び前記接着樹脂層のうち前記電極及び前記第1の貫通穴と重なる位置に第1のビアホールが形成され、前記第2の絶縁膜のうち前記第2の埋め込み配線と重なる位置に第2のビアホールが形成され、前記第1の絶縁膜及び前記封止層のうち前記ポスト及び前記第2の貫通穴と重なる位置に第3のビアホールが形成され、前記第1の充填材が前記第1のビアホール及び前記第1の貫通穴に充填されているとともに前記第1の埋め込み配線及び前記電極に導通し、前記第2の充填材が前記第3のビアホール及び前記第2の貫通穴に充填されているとともに前記ポスト及び前記第1の埋め込み配線に導通し、前記配線の一部が前記第2のビアホールに埋められて、前記配線が前記埋め込み配線に導通していることを特徴とする半導体装置。ところで、半導体チップが基板上に実装されているため、基板の厚みによって半導体装置全体が厚くなってしまう。そこで、半導体チップを絶縁膜上に実装しようとする試みがなされている。絶縁膜単体では絶縁膜が変形してしまうので、絶縁膜を支持基材に支持した状態でその絶縁膜上に半導体チップを実装する。そして、その絶縁膜上に封止層をモールド成形した後、基材をエッチング等で除去することになる。その後、絶縁膜に半導体チップの電極まで貫通するビアホールを形成した後、ビアホール内に導体を設けたり、絶縁膜及び封止層にスルーホールを貫通させた後、スルーホールの壁面に導体のメッキを設けたりすることにより層間接続を行う。そして、絶縁膜や封止層の表面に配線をパターニングする。しかし、スルーホールの壁面に導体のメッキを施す場合には、両面のランドが大きくなり、絶縁膜や封止層の表面における配線の自由度を制約するという問題がある。本発明の課題は、半導体装置の表面における配線の自由度を向上させることである。以上の課題を解決するために、請求項1に係る発明は、第1の基材上に形成された第1の絶縁膜上に形成された導体のポストを、下面に電極が形成された半導体チップの周囲に配置するようにして、前記半導体チップの下面を接着樹脂層によって前記第1の絶縁膜に接着する第1工程と、前記第1工程後に、第2の基材上に形成された第2の絶縁膜と前記第1の絶縁膜との間に熱硬化性樹脂シートを挟んで、前記第1の基材、前記第1の絶縁膜、前記熱硬化性樹脂シート、前記第2の絶縁膜及び前記第2の基材の加熱加圧をすることによって、前記半導体チップ及び前記ポストを封止する封止層を前記熱硬化性樹脂シートから形成する第2工程と、前記第2工程後に、前記第1の基材及び前記第2の基材を除去する第3工程と、前記第3工程後に、前記第1の絶縁膜及び前記接着樹脂層のうち前記電極と重なる位置に第1のビアホールを形成する第4工程と、前記第3工程後に、前記第2の絶縁膜及び前記封止層のうち前記ポストと重なる位置に第2のビアホールを形成する第5工程と、前記第3工程後に、前記第1の絶縁膜のうち前記ポストと重なる位置に第3のビアホールを形成する第6工程と、前記第4工程及び前記第6工程後に、前記第1の絶縁膜の表面に第1の配線をパターニングして、前記第1の配線の一部を前記第1のビアホール及び前記第3のビアホールに埋めて前記第1の配線を前記電極及び前記ポストに導通させる第7工程と、前記第5工程後に、前記第2の絶縁膜の表面に第2の配線をパターニングして、前記第2の配線の一部を前記第2のビアホールに埋めて前記第2の配線を前記ポストに導通させる第8工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。請求項2に係る発明は、前記第1工程の前に、前記第1の絶縁膜上に形成された金属層を部分的にエッチングすることによって前記金属層から前記ポストを形成する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法である。請求項3に係る発明は、第1の基材上に形成された第1の絶縁膜上に形成された埋め込み配線に接続されているとともに前記第1の絶縁膜上に形成された導体のポストを、下面に電極が形成された半導体チップの周囲に配置するようにして、且つ、前記埋め込み配線に形成された貫通穴に前記電極を重ねるようにして、前記半導体チップの下面を接着樹脂層によって前記第1の絶縁膜に接着する第1工程と、前記第1工程後に、第2の基材上に形成された第2の絶縁膜と前記第1の絶縁膜との間に熱硬化性樹脂シートを挟んで、前記第1の基材、前記第1の絶縁膜、前記熱硬化性樹脂シート、前記第2の絶縁膜及び前記第2の基材の加熱加圧をすることによって、前記半導体チップ及び前記ポストを封止する封止層を前記熱硬化性樹脂シートから形成する第2工程と、前記第2工程後に、前記第1の基材及び前記第2の基材を除去する第3工程と、前記第3工程後に、前記第1の絶縁膜及び前記接着樹脂層のうち前記電極及び前記貫通穴と重なる位置に第1のビアホールを形成する第4工程と、前記第3工程後に、前記第2の絶縁膜及び前記封止層のうち前記ポストと重なる位置に第2のビアホールを形成する第5工程と、前記第4工程後に、導体の充填材を前記第1のビアホール及び前記貫通穴に充填して前記充填材を前記電極及び前記埋め込み配線に導通させる第6工程と、前記第5工程後に、前記第2の絶縁膜の表面に配線をパターニングして、前記配線の一部を前記第2のビアホールに埋めて前記配線を前記ポストに導通させる第7工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。請求項4に係る発明は、第1の基材上に形成された第1の絶縁膜上に形成された第1の埋め込み配線に形成された第1の貫通穴に、半導体チップの下面に形成された電極を重ねるようにして、前記半導体チップの下面を接着樹脂層によって前記第1の絶縁膜に接着する第1工程と、第2の基材上に形成された第2の絶縁膜上に形成された第2の埋め込み配線に接続されているとともに前記第2の絶縁膜上に形成された導体のポストを前記半導体チップの周囲に配置して、且つ、前記第1の埋め込み配線に形成された第2の貫通穴に前記ポストを重ねて、前記第2の絶縁膜と前記第1の絶縁膜との間に熱硬化性樹脂シートを挟んで、前記第1の基材、前記第1の絶縁膜、前記熱硬化性樹脂シート、前記第2の絶縁膜及び前記第2の基材の加熱加圧をすることによって、前記半導体チップ及び前記ポストを封止する封止層を前記熱硬化性樹脂シートから形成する第2工程と、前記第2工程後に、前記第1の基材及び前記第2の基材を除去する第3工程と、前記第3工程後に、前記第1の絶縁膜及び前記接着樹脂層のうち前記電極及び前記第1の貫通穴と重なる位置に第1のビアホールを形成する第4工程と、前記第3工程後に、前記第2の絶縁膜のうち前記第2の埋め込み配線と重なる位置に第2のビアホールを形成する第5工程と、前記第3工程後に、前記第1の絶縁膜及び前記封止層のうち前記ポスト及び前記第2の貫通穴と重なる位置に第3のビアホールを形成する第6工程と、前記第4工程及び前記第6工程後に、導体の第1の充填材を前記第1のビアホール及び前記第1の貫通穴に充填して前記第1の充填材を前記第1の埋め込み配線及び前記電極に導通させるとともに、導体の第2の充填材を前記第3のビアホール及び前記第2の貫通穴に充填して前記第2の充填材を前記ポスト及び前記第1の埋め込み配線に導通させる第7工程と、前記第5工程後に、前記第2の絶縁膜の表面に配線をパターニングして、前記配線の一部を前記第2のビアホールに埋めて前記配線を前記埋め込み配線に導通させる第8工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。請求項5に係る発明は、第1の絶縁膜と、下面が前記第1の絶縁膜に向いた半導体チップと、前記半導体チップの下面に形成された電極と、前記半導体チップの下面と前記第1の絶縁膜の間に挟まれて、前記半導体チップの下面を前記第1の絶縁膜に接着した接着樹脂層と、前記半導体チップの周囲において前記第1の絶縁膜上に形成された導体のポストと、前記第1の絶縁膜上に形成され、前記ポスト及び前記半導体チップを封止した封止層と、前記封止層上に形成され、前記第1の絶縁膜との間に前記封止層を挟み込んだ第2の絶縁膜と、前記封止層の反対側となる前記第1の絶縁膜の表面に形成された第1の配線と、前記封止層の反対側となる前記第2の絶縁膜の表面に形成された第2の配線と、を備え、前記第1の絶縁膜及び前記接着樹脂層のうち前記電極と重なる位置に第1のビアホールが形成され、前記第2の絶縁膜及び前記封止層のうち前記ポストと重なる位置に第2のビアホールが形成され、前記第1の絶縁膜のうち前記ポストと重なる位置に第3のビアホールが形成され、前記第1の配線の一部が前記第1のビアホール及び前記第3のビアホールに埋められて、前記第1の配線が前記ポスト及び前記電極に導通され、前記第2の配線の一部が前記第2のビアホールに埋められて、前記第2の配線が前記ポストに導通されていることを特徴とする半導体装置である。請求項6に係る発明は、第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、貫通穴を有した埋め込み配線と、下面が前記第1の絶縁膜に向いた半導体チップと、前記半導体チップの下面に形成され、前記貫通穴に重なるように配置された電極と、前記半導体チップの下面と前記第1の絶縁膜の間に挟まれて、前記半導体チップの下面を前記第1の絶縁膜に接着した接着樹脂層と、前記半導体チップの周囲において前記第1の絶縁膜上に形成され、前記埋め込み配線に接続された導体のポストと、前記第1の絶縁膜上に形成され、前記ポスト及び前記半導体チップを封止した封止層と、前記封止層上に形成され、前記第1の絶縁膜との間に前記封止層を挟み込んだ第2の絶縁膜と、前記封止層の反対側となる前記第2の絶縁膜の表面に形成された配線と、導体の充填材と、を備え、前記第1の絶縁膜及び前記接着樹脂層のうち前記電極及び前記貫通穴と重なる位置に第1のビアホールが形成され、前記第2の絶縁膜及び前記封止層のうち前記ポストと重なる位置に第2のビアホールが形成され、前記充填材が前記第1のビアホール及び前記貫通穴に埋められて、前記充填材が前記電極及び前記埋め込み配線に導通され、前記配線の一部が前記第2のビアホールに埋められて、前記配線が前記ポストに導通されていることを特徴とする半導体装置である。請求項7に係る発明は、第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、第1の貫通穴及び第2の貫通穴を有した第1の埋め込み配線と、下面が前記第1の絶縁膜に向いた半導体チップと、前記半導体チップの下面に形成され、前記第1の貫通穴に重なるように配置された電極と、前記半導体チップの下面と前記第1の絶縁膜の間に挟まれて、前記半導体チップの下面を前記第1の絶縁膜に接着した接着樹脂層と、前記第1の絶縁膜との間に前記半導体チップを置いて前記第1の絶縁膜に対向した第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の前記第1の絶縁膜に対向する側に形成された第2の埋め込み配線と、前記半導体チップの周囲において前記第2の絶縁膜の前記第1の絶縁膜に対向する側に形成され、前記第2の貫通穴に重なるように配置され、前記第2の埋め込み配線に接続された導体のポストと、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜との間に挟まれ、前記ポスト及び前記半導体チップを封止した封止層と、前記封止層の反対側となる前記第2の絶縁膜の表面に形成された配線と、導体の第1の充填材と、導体の第2の充填材と、を備え、前記第1の絶縁膜及び前記接着樹脂層のうち前記電極及び前記第1の貫通穴と重なる位置に第1のビアホールが形成され、前記第2の絶縁膜のうち前記第2の埋め込み配線と重なる位置に第2のビアホールが形成され、前記第1の絶縁膜及び前記封止層のうち前記ポスト及び前記第2の貫通穴と重なる位置に第3のビアホールが形成され、前記第1の充填材が前記第1のビアホール及び前記第1の貫通穴に充填されているとともに前記第1の埋め込み配線及び前記電極に導通し、前記第2の充填材が前記第3のビアホール及び前記第2の貫通穴に充填されているとともに前記ポスト及び前記第1の埋め込み配線に導通し、前記配線の一部が前記第2のビアホールに埋められて、前記配線が前記埋め込み配線に導通していることを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、半導体装置の表面における配線の自由度を向上させることができる。以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。<第1実施形態>図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置1Aの断面図である。この半導体装置1Aは、半導体構成体10をパッケージしたものである。半導体構成体10は、半導体チップ11及び複数の電極12を備える。半導体チップ11は、シリコン基板の半導体基板に集積回路を設けたものである。複数の電極12は半導体チップ11の下面に設けられている。電極12は、Cuからなるものである。なお、電極12は、配線の一部であってもよい。図1に示すように、半導体構成体10の下面は、接着樹脂層20により下層絶縁膜30の上面に接着されている。接着樹脂層20は、エポキシ系樹脂といった熱硬化性樹脂からなり、絶縁性を有する。接着樹脂層20は、繊維強化されていない。下層絶縁膜30は、繊維強化樹脂膜である。具体的には、下層絶縁膜30は、ガラス布基材エポキシ樹脂、ガラス布基材ポリイミド樹脂その他のガラス布基材絶縁性樹脂複合材からなる。下層絶縁膜30及び接着樹脂層20には、電極12と対応する位置にそれぞれビアホール31、21が形成されている。また、下層絶縁膜30の上面には、半導体構成体10と隣接して、導体からなる複数のポスト40が形成されている。下層絶縁膜30には、複数のポスト40と対応する位置にそれぞれビアホール32が形成されている。下層絶縁膜30の下面には、ビアホール21、31、32に充填される導体と一体に下層配線33が設けられている。下層配線33は電極12とポスト40とを導通させる。下層配線33は下層オーバーコート層60により被覆されている。下層オーバーコート層60のうち下層配線33のコンタクトパッド34に重なる部分には、開口61が形成されている。コンタクトパッド34には半田バンプ等が形成される。下層絶縁膜30の上面には、半導体構成体10及びポスト40を封止する封止層70が設けられている。封止層70は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の絶縁性樹脂からなる。封止層70は、フィラーを含有した熱硬化性樹脂例えば、エポキシ樹脂からなることが好ましい。なお、封止層70は、ガラス布基材絶縁性樹脂のように繊維強化されたものではないが、繊維強化樹脂からなるものとしてもよい。封止層70の上面には、上層絶縁膜80が設けられている。上層絶縁膜80は、繊維強化樹脂膜である。具体的には、上層絶縁膜80は、ガラス布基材エポキシ樹脂、ガラス布基材ポリイミド樹脂その他のガラス布基材絶縁性樹脂複合材からなる。上層絶縁膜80及び封止層70には、複数のポスト40と対応する位置にそれぞれビアホール81、71が形成されている。上層絶縁膜80の上面には、ビアホール81、71に充填される導体と一体に上層配線83が設けられている。上層配線83はポスト40と導通している。上層配線83は上層オーバーコート層90により被覆されている。上層オーバーコート層90のうち上層配線83のコンタクトパッド84に重なる部分には、開口91が形成されている。なお、開口61,91内においてコンタクトパッド34,84の表面には、メッキ例えば、金メッキからなる単層メッキ、ニッケルメッキ金メッキからなる二層メッキ等が形成されていてもよい。下層配線33、上層配線83及びポスト40は、銅若しくはニッケル又は銅とニッケルの積層体からなる。なお、下層配線33、上層配線83及びポスト40が他の金属からなるものとしてもよい。次に、半導体装置1Aの製造方法について説明する。まず、図2に示すように、金属からなる下側基材101上に、下層絶縁膜30、金属層41を順に積層し、ホットプレス成形により図3に示すように一体化する。下側基材101は、下層絶縁膜30の取り扱いを容易にするためのキャリアであり、具体的には銅箔である。金属層41はポスト40と同じ材料からなる。このように準備した下層絶縁膜30及び金属層41のサイズは、図1に示された半導体装置1Aをダイシングにより複数個取り出せるようなサイズとなっている。また、下側基材101のサイズは、下層絶縁膜30及び金属層41のサイズよりも大きい。次に、金属層41をエッチングすることにより、図4に示すように、ポスト40を形成する。次に、図5に示すように、下層絶縁膜30の上面であってポスト40間の位置に接着樹脂層20を塗布し、その上に半導体構成体10をフェースダウンボンディングする。具体的には、非導電性ペーストNCP;NonConductivePasteを印刷法又はディスペンサ法によって塗布した後、又は非導電性フィルムNCF;NonConductiveFilmを予め供給した後、半導体構成体10の下面を非導電性ペースト又は非導電性フィルムに向けて下降させ、加熱圧着する。非導電性ペースト又は非導電性フィルムが硬化して接着樹脂層20となる。次に、図6に示すように、金属からなる上側基材102の一方の面に上層絶縁膜80が成膜されたものを準備するとともに、熱硬化性樹脂シート70aを準備する。上側基材102の材料は下側基材101の材料と同じであり、上層絶縁膜80の材料は下層絶縁膜30の材料と同じである。熱硬化性樹脂シート70aは、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の熱硬化性樹脂にフィラーを含有させ、その熱硬化性樹脂を半硬化状態にしてシート状に成したものである。次に、図6に示すように、ポスト40の上に熱硬化性樹脂シート70aを載置し、熱硬化性樹脂シート70a及び半導体構成体10の上に上層絶縁膜80側を下にして上側基材102を載置し、これらを一対の熱盤103,104の間に挟み込む。そして、熱盤103,104によって下側基材101、下層絶縁膜30、熱硬化性樹脂シート70a、上層絶縁膜80及び上側基材102をホットプレスする。加熱加圧によって上層絶縁膜80と下層絶縁膜30との間で熱硬化性樹脂シート70aが圧縮され、硬化することによって半導体構成体10及び接着樹脂層20を封止する封止層70が形成される。次に、図8に示すように、下側基材101及び上側基材102をエッチング例えば、ケミカルエッチング、ウェットエッチングによって除去する。基材101,102を除去しても、封止層70、上層絶縁膜80及び下層絶縁膜30の積層構造により、十分な強度を確保することができる。また、製造工程中に必要とされる基材101,102を除去するので、完成する半導体装置1Aの厚さを薄くすることができる。次に、下層絶縁膜30側から電極12及びポスト40と対応する位置に、電極12及びポスト40が露出するまでレーザーを照射することで、図9に示すように、下層絶縁膜30及び接着樹脂層20にビアホール21、31、32を形成する。また、上層絶縁膜80側からポスト40と対応する位置にレーザーを照射し、上層絶縁膜80及び封止層70にビアホール81、71を形成する。レーザーとしては炭酸ガスレーザーCO2レーザーを用いることが好ましい。下層絶縁膜30が、繊維強化樹脂からなるためである。なお、ビアホール31、32、81を形成した後に、紫外線レーザーUVレーザー又は低出力のCOレーザーによりビアホール21、71を形成してもよい。次に、ビアホール21、31、32、71、81内をデスミア処理する。次に、図10に示すように、無電解メッキ処理、電気メッキ処理を順に行うことによって、上層絶縁膜80及び下層絶縁膜30の表面全体に金属メッキ膜35、85を成膜する。この際、ビアホール21、31、32が金属メッキ膜35の一部によって埋められるとともに、ビアホール71,81が金属メッキ膜85の一部によって埋められる。次に、図11に示すように、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により金属メッキ膜35、85をパターニングすることで、金属メッキ膜35を下層配線33に、金属メッキ膜85を上層配線83に加工する。なお、上述のようなサブトラクティブ法によって下層配線33及び上層配線83のパターンニングを行うのではなく、セミアディティブ法又はフルアディティブ法によって下層配線33及び上層配線83のパターンニングを行ってもよい。次に、図12に示すように、下層絶縁膜30の表面上及び下層配線33上に樹脂材料を印刷して、その樹脂材料を硬化させることによって、下層オーバーコート層60をパターニングする。同様に、上層絶縁膜80の表面上及び上層配線83上に上層オーバーコート層90をパターニングする。下層オーバーコート層60及び上層オーバーコート層90のパターニングにより、開口61,91が形成され、開口61,91内でパッド34,84が露出している。なお、下層絶縁膜30、下層配線33、上層絶縁膜80及び上層配線83の表面全体にディップコート法又はスピンコート法により感光性樹脂を塗布し、露光現像することによって、下層オーバーコート層60及び上層オーバーコート層90をパターニングしてもよい。次に、開口61,91内においてパッド34,84の表面に金メッキ又はニッケルメッキ金メッキを無電界メッキ法により成長させる端子処理を行う。次に、図13に示すように、ダイシング処理により複数の半導体装置1Aを切り出す。なお、開口61,91内に半田バンプを形成してもよい。このように製造された半導体装置1Aでは、電極12やポスト40の範囲で任意の位置にビアホール21、31、32、71、81を形成することができるため、ビアホール21、31、32、71、81形成位置の自由度が高くなる。また、ランドが微小となるため、下層配線33や上層配線83の自由度が高くなる。また、ポスト40の代わりにIVH基板を用いる場合には、IVH基板の厚さ以上に中間層を薄くすることができないが、ポスト40を用いる場合には、ポスト40を低くすることで中間層を薄くすることができる。<第2実施形態>図14は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置1Bの断面図である。なお、第1実施形態と同様の構成については、同符号を付して説明を割愛する。本実施形態においては、ビアホール21、31に充填された導体からなる充填材37と、ビアホール32に充填された導体からなる充填材38とが分離している。また、下層絶縁膜30の上面に、埋め込み配線36が設けられている。埋め込み配線36は、配線層36aと、エッチングバリアー層36bとからなり、一端が電極12と対応する位置に、他端がポスト40と対応する位置に設けられている。図15は埋め込み配線36の平面図である。図15に示すように、埋め込み配線36には、ビアホール21が形成される部分に貫通穴36cが形成されている。充填材37と充填材38とは埋め込み配線36により導通されている。下層絶縁膜30の下面には、充填材38と一体に形成されたコンタクトパッド34が設けられており、コンタクトパッド34には半田バンプ34aが形成されている。次に、半導体装置1Bの製造方法について説明する。まず、金属層41上に、エッチングバリアー層36b及び配線層36aとなる金属層を順に積層し、パターニングすることで、図16に示すように埋め込み配線36を形成する。金属層41は、配線層36aと同じ金属からなる。次に、図17に示すように、下側基材101上に、下層絶縁膜30を積層するとともに、金属層41を埋め込み配線36が形成された面を下層絶縁膜30側に向けて積層する。その後、ホットプレス成形により図18に示すように一体化すると、埋め込み配線36は下層絶縁膜30に埋め込まれる。次に、金属層41をエッチングすることにより、図19に示すように、ポスト40を形成する。このとき、エッチングバリアー層36bがあるために配線層36aが残存する。次に、図20に示すように、埋め込み配線36の貫通穴36cが形成された部分に接着樹脂層20を塗布し、その上に電極12が貫通穴36cの上部に配置されるように半導体構成体10をフェースダウンボンディングする。次に、金属からなる上側基材102の一方の面に上層絶縁膜80が成膜されたものを準備するとともに、熱硬化性樹脂シート70aを準備する。そして、図21に示すように、ポスト40の上に熱硬化性樹脂シート70aを載置し、熱硬化性樹脂シート70a及び半導体構成体10の上に上層絶縁膜80側を下にして上側基材102を載置し、これらを一対の熱盤103,104の間に挟み込む。そして、熱盤103,104によって下側基材101、下層絶縁膜30、熱硬化性樹脂シート70a、上層絶縁膜80及び上側基材102をホットプレスする。加熱加圧によって上層絶縁膜80と下層絶縁膜30との間で熱硬化性樹脂シート70aが圧縮され、硬化することによって、図22に示すように、半導体構成体10及び接着樹脂層20を封止する封止層70が形成される。次に、図23に示すように、下側基材101及び上側基材102をエッチング例えば、ケミカルエッチング、ウェットエッチングによって除去する。基材101,102を除去しても、封止層70、上層絶縁膜80及び下層絶縁膜30の積層構造により、十分な強度を確保することができる。また、製造工程中に必要とされる基材101,102を除去するので、完成する半導体装置1Bの厚さを薄くすることができる。次に、下層絶縁膜30側から埋め込み配線36の両端部に、電極12及び埋め込み配線36が露出するまでレーザーを照射することで、図24に示すように、下層絶縁膜30及び接着樹脂層20にビアホール21、31、32を形成する。このとき、図25に示すように、埋め込み配線36をマスクとして用い、レーザー光Lが貫通穴36cを通過した部分にのみビアホール21を形成する。同様に、上層絶縁膜80側からポスト40と対応する位置にレーザーを照射し、上層絶縁膜80及び封止層70にビアホール81、71を形成する。次に、ビアホール21、31、32、71、81内をデスミア処理する。次に、図26に示すように、無電解メッキ処理、電気メッキ処理を順に行うことによって、上層絶縁膜80及び下層絶縁膜30の表面全体に金属メッキ膜35、85を成膜する。この際、ビアホール21、31、32が金属メッキ膜35の一部によって埋められるとともに、ビアホール71,81が金属メッキ膜85の一部によって埋められる。次に、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により金属メッキ膜35、85をパターニングすることで、図27に示すように、金属メッキ膜35を充填材37、38に、金属メッキ膜85を上層配線83に加工する。なお、上述のようなサブトラクティブ法によって充填材37、38及び上層配線83のパターンニングを行うのではなく、セミアディティブ法又はフルアディティブ法によって充填材37、38及び上層配線83のパターンニングを行ってもよい。その後、下層絶縁膜30の表面上及び充填材37、38上に樹脂材料を印刷して、その樹脂材料を硬化させることによって、下層オーバーコート層60をパターニングする。同様に、上層絶縁膜80の表面上及び上層配線83上に上層オーバーコート層90をパターニングする。下層オーバーコート層60及び上層オーバーコート層90のパターニングにより、開口61,91が形成され、開口61,91内でパッド34,84が露出している。なお、下層絶縁膜30、下層配線33、上層絶縁膜80及び上層配線83の表面全体にディップコート法又はスピンコート法により感光性樹脂を塗布し、露光現像することによって、下層オーバーコート層60及び上層オーバーコート層90をパターニングしてもよい。次に、開口61,91内においてパッド34,84の表面に金メッキ又はニッケルメッキ金メッキを無電界メッキ法により成長させる端子処理を行う。次に、図28に示すように、ダイシング処理により複数の半導体装置1Bを切り出す。なお、開口61,91内に半田バンプを形成してもよい。本実施形態においても、ランドが微小となるため、下層配線33や上層配線83の自由度が高くなる。また、埋め込み配線36の貫通穴36cがビアホール21を形成する際のマスクとなるので、ビアホール21を精度よく形成することができる。<変形例1>なお、図29に示すように、上層絶縁膜80の下面にも埋め込み配線86を設け、ビアホール71、81に充填された導体からなる充填材87によりポスト40と埋め込み配線86とを導通させるとともに、上層絶縁膜80に設けられたビアホール82に充填される導体と一体に上層配線83を設けた構造の半導体装置1Cとしてもよい。埋め込み配線86は、配線層86aと、エッチングバリアー層86bとからなる。上層絶縁膜80に埋め込み配線86を形成する方法は、下層絶縁膜30の下面に埋め込み配線36を形成する方法と同様である。ビアホール71は、埋め込み配線86の貫通穴86cをマスクとして形成される。<変形例2>あるいは、図30に示すように、ポスト40を上層絶縁膜80の下面に設けるとともに、埋め込み配線36のビアホール32と同位置に貫通穴36dを設け、埋め込み配線36の貫通穴36dをマスクとして封止層70にビアホール72を形成し、ビアホール72に充填材38を充填してもよい。貫通穴36dをマスクとすることで、ビアホール72を精度よく形成することができる。<第3実施形態>図31は、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置1Eの断面図である。なお、第2実施形態と同様の構成については、同符号を付して説明を割愛する。本実施形態においては、上層絶縁膜80の下面にポスト40が設けられている。また、埋め込み配線36の一端がポスト40の下部まで延在し、ポスト40の下部であってビアホール32の上部に貫通穴36dが設けられている。封止層70には、貫通穴36dの上部であってポスト40の下部にビアホール72が設けられている。ビアホール72、32及び貫通穴36dには、充填材38が充填されている。上層絶縁膜80の下面には、埋め込み配線86が設けられている。埋め込み配線86は、配線層86aと、エッチングバリアー層86bとからなり、一端がポスト40と対応する位置に、他端が半導体構成体10の上部に設けられている。上層絶縁膜80の下面に埋め込み配線86を形成する方法は、下層絶縁膜30の下面に埋め込み配線36を形成する方法と同様である。上層絶縁膜80には、上面から埋め込み配線86の半導体構成体10側の端部まで貫通するビアホール82が設けられており、上層絶縁膜80の上面には、ビアホール82に充填される導体と一体に上層配線83が設けられている。次に、半導体装置1Bの製造方法について説明する。まず、第2実施例と同様に、図32に示すように、下側基材101と、埋め込み配線36が形成された下層絶縁膜30との積層体に対し、埋め込み配線36の貫通穴36cが形成された部分に接着樹脂層20を塗布し、その上に電極12が貫通穴36cの上部に配置されるように半導体構成体10をフェースダウンボンディングする。次に、上側基材102と、埋め込み配線86及びポスト40が形成された上層絶縁膜80との積層体を準備するとともに、熱硬化性樹脂シート70aを準備する。そして、図33に示すように、半導体構成体10の間に熱硬化性樹脂シート70aを載置し、熱硬化性樹脂シート70aの上にポスト40が配置されるように上層絶縁膜80側を下にして上側基材102を載置し、これらを一対の熱盤103,104の間に挟み込む。そして、熱盤103,104によって下側基材101、下層絶縁膜30、熱硬化性樹脂シート70a、上層絶縁膜80及び上側基材102をホットプレスする。加熱加圧によって上層絶縁膜80と下層絶縁膜30との間で熱硬化性樹脂シート70aが圧縮され、硬化することによって、図34に示すように、半導体構成体10及び接着樹脂層20を封止する封止層70が形成される。次に、図35に示すように、下側基材101及び上側基材102をエッチング例えば、ケミカルエッチング、ウェットエッチングによって除去する。基材101,102を除去しても、封止層70、上層絶縁膜80及び下層絶縁膜30の積層構造により、十分な強度を確保することができる。また、製造工程中に必要とされる基材101,102を除去するので、完成する半導体装置1Eの厚さを薄くすることができる。次に、下層絶縁膜30側から埋め込み配線36の両端部に、電極12、ポスト40及び埋め込み配線36が露出するまでレーザーを照射することで、図36に示すように、下層絶縁膜30、接着樹脂層20及び封止層70にビアホール21、31、32、72を形成する。このとき、ビアホール21を形成する際のマスクとして貫通穴36cを用い、ビアホール72を形成する際のマスクとして貫通穴36dを用いる。同様に、上層絶縁膜80側から埋め込み配線86の端部と対応する位置にレーザーを照射し、上層絶縁膜80にビアホール82を形成する。次に、ビアホール21、31、32、82内をデスミア処理する。次に、無電解メッキ処理、電気メッキ処理を順に行うことによって、上層絶縁膜80及び下層絶縁膜30の表面全体に金属メッキ膜35、85を成膜する。この際、ビアホール21、31、32、72が金属メッキ膜35の一部によって埋められるとともに、ビアホール82が金属メッキ膜85の一部によって埋められる。次に、図37に示すように、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により金属メッキ膜35、85をパターニングすることで、金属メッキ膜35を充填材37、38に、金属メッキ膜85を上層配線83に加工する。なお、上述のようなサブトラクティブ法によって充填材37、38及び上層配線83のパターンニングを行うのではなく、セミアディティブ法又はフルアディティブ法によって充填材37、38及び上層配線83のパターンニングを行ってもよい。その後、図38に示すように、下層絶縁膜30の表面上及び充填材37、38上に樹脂材料を印刷して、その樹脂材料を硬化させることによって、下層オーバーコート層60をパターニングする。同様に、上層絶縁膜80の表面上及び上層配線83上に上層オーバーコート層90をパターニングする。下層オーバーコート層60及び上層オーバーコート層90のパターニングにより、開口61,91が形成され、開口61,91内でパッド34,84が露出している。なお、下層絶縁膜30、下層配線33、上層絶縁膜80及び上層配線83の表面全体にディップコート法又はスピンコート法により感光性樹脂を塗布し、露光現像することによって、下層オーバーコート層60及び上層オーバーコート層90をパターニングしてもよい。次に、開口61,91内においてパッド34,84の表面に金メッキ又はニッケルメッキ金メッキを無電界メッキ法により成長させる端子処理を行う。次に、図39に示すように、ダイシング処理により複数の半導体装置1Eを切り出す。なお、開口61,91内に半田バンプを形成してもよい。本実施形態においても、ランドが微小となるため、下層配線33や上層配線83の自由度が高くなる。また、埋め込み配線36の貫通穴36c、36dがビアホール21、72を形成する際のマスクとなるので、ビアホール21、72を精度よく形成することができる。<変形例3>以上の実施形態において、ピーラブル銅箔板からなる下側基材101Aを用いてもよい。ピーラブル銅箔板は、図40に示すように、銅板や厚手の銅箔等からなるキャリア金属板101cの上面に剥離層101bを形成し、剥離層101bの上面に銅箔101aを電解メッキで形成したものである。ピーラブル銅箔板からなる下側基材101Aを用いた場合には、図40に示すように、銅箔101aが形成された面に下層絶縁膜30を形成し、下層絶縁膜30上に接着樹脂層20を塗布し、その上に電極12が貫通穴36cの上部に配置されるように半導体構成体10をフェースダウンボンディングする。次に、金属からなる上側基材102の一方の面に上層絶縁膜80が成膜されたものを準備するとともに、熱硬化性樹脂シート70aを準備する。そして、ポスト40の上に熱硬化性樹脂シート70aを載置し、熱硬化性樹脂シート70a及び半導体構成体10の上に上層絶縁膜80側を下にして上側基材102を載置し、これらをホットプレスすることにより、図41に示すように、半導体構成体10及び接着樹脂層20を封止する封止層70が形成される。次に、図42に示すように、下側基材101Aのキャリア金属板101cを剥離する。その後、図43に示すように、残存した剥離層101b、銅箔101a及び上側基材102をエッチング例えば、ケミカルエッチング、ウェットエッチングによって除去する。このように、キャリア金属板101cを剥離して除去することで除去することで、エッチング工程を短縮することができる。なお、上側基材102にピーラブル銅箔板を用いてもよい。<変形例4>また、キャリア金属板101cの代わりに、図44~図46に示すような、樹脂層101eの両面に銅箔101f、101fが形成されてなる既存の基板材料101dを用いてもよい。既存の基板材料101dを用いた下側基材101Bを用いた場合には、図44に示すように、銅箔101aが形成された面に下層絶縁膜30を形成し、下層絶縁膜30上に接着樹脂層20を塗布し、その上に電極12が貫通穴36cの上部に配置されるように半導体構成体10をフェースダウンボンディングする。次に、金属からなる上側基材102の一方の面に上層絶縁膜80が成膜されたものを準備するとともに、熱硬化性樹脂シート70aを準備する。そして、ポスト40の上に熱硬化性樹脂シート70aを載置し、熱硬化性樹脂シート70a及び半導体構成体10の上に上層絶縁膜80側を下にして上側基材102を載置し、これらをホットプレスすることにより、図45に示すように、半導体構成体10及び接着樹脂層20を封止する封止層70が形成される。次に、図46に示すように、下側基材101Bの基板材料101dを剥離する。その後、図43と同様に、残存した剥離層101b、銅箔101a及び上側基材102をエッチング例えば、ケミカルエッチング、ウェットエッチングによって除去する。このように、本変形例においても、変形例3と同様の工程により半導体装置を製造することができる。既存の基板材料101Dを用いることで、既存の製造ラインとの整合性が高いという利点がある。なお、上側基材102に同様の基板材料を用いてもよい。また、上記の実施形態において、封止される前の半導体構成体10は、図47a~cのいずれかの形状としてもよい。すなわち、図47aに示すように、半導体チップ11の仮面に絶縁膜13を形成し、その絶縁膜13にビアホール14を形成し、電極12の一部によりビアホール14が埋められる形状の半導体構成体10Aとしてもよい。絶縁膜13としては、無機絶縁層例えば、酸化シリコン層又は窒化シリコン層若しくは樹脂絶縁層例えば、ポリイミド樹脂層又はこれらの積層体である。絶縁膜13が積層体である場合、無機絶縁層が半導体チップ11の下面に成膜され、樹脂絶縁層がその無機絶縁層の表面に成膜されていてもよいし、その逆であってもよい。さらに、図47bに示すように、電極12に例えば銅からなるポスト15を凸設した形状の半導体構成体10Bとしてもよい。あるいは、図47cに示すように、電極12及び絶縁膜13を覆うカバーコート16を成膜した形状の半導体構成体10Cとしてもよい。また、図47bのようにポスト15が形成されている場合でも、さらに図47cのように電極12及び絶縁膜13がカバーコート16によって覆われていてもよい。その場合、ポスト15がカバーコート16によって覆われていてもよいし、覆われていなくてもよい。"