"複数の少なくとも実質的に完全なカソード薄板からニッケル帯状物を製造するための方法において、該薄板を接合して帯状物にする前か又は後に、該薄板を単層で/1枚で、個々に、熱間圧延し、その際、該薄板の出発材料が、該熱間圧延の前に、特に、光学発光分光分析により測定可能なニッケルの最小含分及び微量元素の最大含分を、以下:の通りに有することを特徴とする方法。ニッケルの最小含分及び微量元素の最大含分を以下:の通りに制限する、請求項1記載の方法。接合されていないか又は接合された薄板を加熱し、かつ熱間圧延し、その際、各カソード薄板内での厚さの差を、≧20、有利には≧30の加工率によって解消し、かつ、異なるカソード薄板間での厚さの差を熱間圧延によって排除して均一な厚さにし、その際、コイルへと接合すべき又はすでに接合された薄板のいずれの最小加工率も、最も薄い薄板であっても少なくとも20加工されていなければならないことによって生じたものである、請求項1又は2記載の方法。熱間圧延された薄板、又は熱間圧延された帯状物、及び/又は、熱間圧延後に分離除去されたか又は分離除去すべき寸法の不安定な端部片及び/又は側方細長片を、縦に、横に、及び/又はパターン状に分割し、かつ溶接ワイヤ、特に高純度溶接ワイヤのための出発材料として、特に請求項6及び/又は10記載の方法により利用する、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。接合すべき薄板のエッジ部が工業的なゼロギャップで互いに接しかつ同時に直線軸を有する帯状物が生じるように、該エッジ部を熱間圧延後に剪断し、特に該剪断の前に整列させ、その後で該エッジ部を溶接により接合する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。溶融溶接、特にTIG溶接による接合の際に、溶接ワイヤとして請求項1又は2に記載されたニッケル含分を有する純ニッケルワイヤを使用し、かつ、溶融溶接の際に使用するガスが窒素及びヘリウムを含有しておらず、その際、溶接用シールドガスがアルゴン100からなっており、かつフォーミングガスも同様にアルゴンからなっており、かつ少なくとも5の水素を含有している、請求項5記載の方法。熱間圧延された実質的に完全な薄板を、抵抗加圧溶接、特に焼入れ突合せ溶接又は摩擦撹拌溶接により接合し、ここで特に摩擦撹拌溶接の際には、製造にPCBNが使用された耐摩耗性の工具を使用する、請求項5記載の方法。熱間圧延された実質的に完全な薄板を鍛造により接合する、請求項3記載の方法。実質的に完全な薄板を整列させ、かつ、溶接すべきエッジ部が工業的なゼロギャップで互いに接するように該エッジ部で剪断し、かつ、該薄板を溶接、特に溶融溶接、焼入れ突合せ溶接又は摩擦撹拌溶接又は鍛造により接合し、その後で熱間圧延する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。溶融溶接による接合の際に、溶接ワイヤとして、請求項1又は2に記載の分析値を満たす純ニッケルワイヤを使用し、かつ、使用するガスが窒素及びヘリウムを含有しておらず、その際、溶接用シールドガスがアルゴン100からなっており、かつフォーミングガスも同様にアルゴンからなっており、かつ少なくとも5の水素を含有している、請求項9記載の方法。溶融溶接による接合の前に、薄板の、特に溶融抽出により測定可能な水素含分を、熱処理によって≦0.5wt.ppm、有利には≦0.1wt.ppmに低減させる、請求項6又は10記載の方法。熱間圧延により生じる酸化膜を、有利には水素中での還元焼鈍によって、基体に堅固に付着する純ニッケルへと変換する、請求項1から11までのいずれか1項記載の方法。焼鈍プロセスの結果として生じる酸化膜のスポンジ状構造及び表面粗さを、巻取り機による引張り力を用いた冷間圧延により排除し、かつ帯状物の厚さを、さらに巻取り機による引張り力下に冷間圧延することにより最終寸法へと低減させ、その際、該スポンジ状構造から、圧延の際に吸収したエマルション又は油を、引き続く水素下での焼鈍により排除する、請求項12記載の方法。カソード薄板を製造するためのスターターシートとしての、請求項1から13までのいずれか1項記載の方法により製造され、かつ横に分割された帯状物の使用。ワイヤを製造するための出発材料としての、特に請求項6又は10記載の方法により使用すべき高純度の溶接ワイヤを製造するための出発材料としての、製造され、かつ縦に、横に、及び/又はパターン状に分割された薄板又は帯状物、及び/又は、熱間圧延後に分離除去された寸法の不安定な端部片及び/又は側方細長片の使用。請求項1から13までのいずれか1項記載の方法により得ることができる、スターターシート。請求項1から13までのいずれか1項記載の方法により、縦に、横に、及び/又はパターン状に分割された薄板又は帯状物、及び/又は、熱間圧延の前か又は後に分離除去された寸法の不安定な端部片及び/又は側方細長片から得ることができる、ワイヤ、特に溶接ワイヤ。適用例:制限された分析値を伴うカソード板からの帯状物の製造出発材料選択した厚さ12~15mmの出発材料は、熱間圧延前に以下の分析値を有していた:該材料は、通常は、取っ手部を伴って重さ約1tのパレットで供給される。該取っ手部を切り離す。個々の薄板は、長さ1280mm、幅720mm及び厚さ12~15mmであった。電解法により製造された薄板は、表面上にいわゆるノジュールこぶ状欠陥を有している。このノジュールは基材薄板と堅固に結合しており、かつ円錐状に構成されているため、薄板全体を研磨する必要はないことが判明した。若干の、特に突出したノジュール該ノジュールのベースに対して高さ約6mm以上を研磨により除いた。加熱該材料は析出プロセスにより高応力下にある;そのため、該材料は真空焼鈍又は保護ガス下での焼鈍によって、事前の変形なしであっても再結晶しうる。そのために、温度700°Cで1時間の焼鈍時間に達する。連続炉中で1100°Cで800秒間焼鈍した。事前の熱処理によって特定の微量元素を低減させることはしなかった。通常は、焼鈍温度は約900~1290°Cである。カソード品質に応じて、供給状態で、0.6、1.2及び3.2wt.ppmの水素含分が認められた。350°Cで1時間真空焼鈍すると、該含分は1.2から0.1ppmに低下し、750°Cでは3.2から0.1ppmに低下する。水素含有保護ガス下に焼鈍すると、400°Cで1時間の焼鈍時間の際に最も低い値に達し、より高い温度では水素が保護ガスから金属中に溶解する。溶接の際に浴噴出がもはや生じないように水素の脱ガスを行うには、連続炉中で1100°Cで800秒間の焼鈍で十分である。熱間圧延カソード薄板をヒーター中で熱間圧延して均一に6mmにし、即ち、該薄板を50~60加工した。請求項3で要求されている最小加工率は、ロールの送り込みないし圧延計画によって保障することができ、かつ該基準値の保持を圧延構造中に取り付けられた厚さ測定機器によって調べた。材料中での気泡発生を回避するための、US3,722,073で要求されているような少なくとも75の加工は不要であった。帯状物の熱間圧延は極めて廉価なプロセスであり、いずれにせよ冷間圧延による厚さの低減よりも廉価である。従って、熱間圧延によってすでに可能な限り薄い、例えば厚さ<4mmの帯状物を製造し、残りの加工を冷間圧延によって行うというように、帯状物の全体の厚さの減少を熱間圧延と冷間圧延とで有利に分けて行う。これは、US3,722,073に記載されている実施例に相当する高温帯状物厚さ:3.175mm;第5欄、第56行及び第6欄、第24行。それに対して、薄板の熱間圧延は帯状物の冷間圧延と比較して比較的高価なプロセスであるため、厚さの低減は利用可能な冷間圧延ユニットによる最大加工可能厚さに制限される。これは本ケースの場合6mmである。熱間圧延を約1070°Cの温度で開始した。ニッケルを通常は875°C~1250°Cの温度で圧延する。これは、US3,722,073に記載されている温度範囲を包含する。出発材料の厚さが異なることによって、圧延の際に種々の薄板幅がもたらされる。最も幅の狭い薄板によって、製造可能な帯状物の寸法が決定され;これを超える幅はスクラップ発生を招く。薄板を圧延の際に押圧することによって、熱間圧延段階で、異なる薄板厚によって異なる薄板幅が生じることを防ぐことができる。加工率が全体でわずか約50であっても、加熱及び熱間圧延によってスターターシートと成長部との緊密な結合がもたらされるため、後の冷間圧延の際に薄板の間隙はもはや生じない。構造は熱間圧延後に完全に再結晶化している図1を参照のこと。平均粒径は62μmである。粒度を、直線外挿法により、粒界エッチングを伴う金属組織断面図をもとに求めた。ASTME112により決定した粒度は5.4である。酸化膜の平均厚さは約2μmであり;該厚さは、帯状物の横方向から見た金属組織断面図をもとに求めたものである図2を参照のこと。酸化膜は単層のみである。内部腐蝕又は粒界腐蝕は認められなかった。図3は、熱間圧延した材料を研磨し、内部腐蝕を現した図である。該図中に視認可能な長さ約100μmのパール状の並んだ第二の相を、焦点深度試験に基づき標本不純物として同定することができた。求めたビッカースによるマクロ硬さは98HV10であり、測定したビッカースによるミクロ硬さは平均で103HV0.2であった。薄板を熱間圧延後に整列させ、さらに剪断機を備えた熱間圧延装置中で均一な幅となるように剪断し;細長部を分離除去した。取っ手部と、熱間圧延後に寸法の不安定な側方エッジ部とを分離除去することによって、全体で約20のスクラップ率が生じる。使用した純粋な出発材料に関しては、LMEの相場に対して割増価格を支払わねばならず、他方ではスクラップはLMEの相場に対して値下げしてしか市場に出せないため、スクラップの回避及びスクラップの利用は、本願明細書において提案する方法の不可欠な要素である。端部片の寸法不安定な部分を厳密に決定してこの部分のみを分離除去すれば、スクラップ割合はすでに約6.5低下し得る。これは、例えばウォータージェット切断加工によって達成可能である。それでもなおも残存する細長部及び側方細長片は、縦に、横に、及び/又はパターン状に分割することができ図6を参照のこと、かつ、ワイヤを製造するための出発材料として、とりわけ、請求項6及び10により使用可能な高純度溶接ワイヤを製造するための出発材料として利用できる。高純度ニッケルワイヤ及び-フラットワイヤに関して、一連の用途、例えば高純度ニッケルの高い正の抵抗温度係数PTCを利用した、例えばグローピンプラグ中で加熱コイルの温度調節及び-制限の機能を果たす温度センサ又は制御コイルとしての製品が存在する。もう1つの用途は、溶接の際に使用される、間隙帯状物又はフラットワイヤから製造されるコアードワイヤである。接合圧延による取り込み物を生じることなく圧延可能である溶接継ぎ目の製造は、精密な作業である:薄板は平坦でなければならず、さもなくば突出部及び陥没部が生じ、これらは圧延欠陥、特に薄板加工きずを招く。薄板を、正面で工業的なゼロギャップで互いに接して合わせる必要がある。なぜならば、さもなくば溶融液状金属が沈み込んでしまうためである。溶接継ぎ目は帯状物縁部で下降していてはならず、さもなくば帯状物全体の縁部処理が必要となるためである。溶接の際に、溶接継ぎ目のわずかな隆起が生じなければならず、なぜならば、下降は圧延欠陥を招くためである。薄板を揃えた後で2mm、有利には1mmを超える間隙がいずれの場所においても生じないように、エッジ部を、分離法、特に分割、かんながけ、削剥及び切断によって、取り去ることが必要である。薄板を直角に剪断することは、スクラップ回避のために有利であるが;しかしながら、薄板が溶接前に工業的なゼロギャップで互いに接して合わさっている場合には、接合すべき薄板を相応する角度で剪断するか、又は波状に剪断することも可能である。その場合、溶接継ぎ目は直角で剪断した場合よりも長くなり;従って溶接継ぎ目の耐久性は向上する。しかしながらスクラップ率も上昇する。長い溶接継ぎ目の生成は、実施例では不要であった。接合すべき薄板を合わせるところで面取り部を30 ゚からフライス加工し、その際、縦エッジ部に対して厳密に90 ゚の角度でラインをフライス加工したが、ここで、該縦エッジ部を後で薄板を揃えるのに役立てた。面取り部は、かんなで削ってもよいし、3Dヘッドを備えたウォータージェット切断装置によって切断してもよい。薄板を、フライス加工後に工業的なゼロギャップで揃え、かつTIG法で純ニッケルワイヤを用いて二層で溶接した。帯状物縁部で下降している溶接継ぎ目に基づいて帯状物全体の縁部処理が必要となることがないように、入口-及び出口ピースを用いて作業した。溶接の際に、溶接継ぎ目がわずかに隆起するように調節する。なぜならば、溶接継ぎ目の下降は圧延の際に重なりを招き得るためである。ニッケル帯状物の始端部及び終端部にパイロット帯状物を溶接する。溶接により生じる帯状物を板状で巻き取る。高純度であるため比較的軟質なニッケルは、摩擦撹拌溶接FSWによる接合も可能である。この場合、工具回転数約1200rpmでかつスピンドル力z軸約9KNで、溶接速度は約100mm/分に達する。材料の予備加熱及びフォーミングガスの使用は不要であることが判明した。TIG溶接の際に必要な高価な純ニッケル溶接ワイヤは使用しない。しかしながら、タングステン-レニウム、他の硬質金属及びMMCmetalmatrixcomposite;金属マトリックスコンポジットからの工具の使用は、摩耗により溶接継ぎ目の汚染を招く。それによって、帯状物全体にわたる均一な高さの純度等級の維持が危ぶまれる。溶接継ぎ目の汚染を回避するために、PCBN多結晶立方晶窒化ホウ素からの装備を有するピンを使用することができる。PCD多結晶ダイヤモンドは適当でなく、それというのも、約700°C以上の作業温度で、ダイヤモンドを構成する炭素がニッケル中に拡散してしまうためである。工具において使用するためのPCBNは、とりわけWestBountifulUtah米国在のSIIAdvancedMaterialsSmithInternationalIncの事業単位からMegaStirの商標で市販されている。溶接用シールドガスとしてアルゴン100を使用し、フォーミングガスとしてAr95H25を使用した。ヘリウムは使用すべきでない。希ガスとしてのヘリウムが溶接溶融物と反応しないという事実は、シールドガスとしてのその使用の際に細孔を生じないことを意味するものではない。溶接ガス中又はフォーミングガス中の窒素は細孔を形成する。従って、標準的にフォーミングガスとして使用される、水素H25と窒素N295とからのガス混合物は、この目的にとって有害である。シールドガス及びフォーミングガスによる溶接範囲の保護、及び溶接ワイヤとしての純ニッケルワイヤの使用に基づき、溶接の際に材料の純度等級が損なわれることはない。生じた溶接継ぎ目は十分に堅固でかつ細孔不含であるため、該溶接継ぎ目をさらに圧延し、かつ帯状物を完全に巻取り機による引張りを伴って冷間圧延することができる。熱間圧延及び溶接の後に、まとまった溶接継ぎ目を有する材料試料は以下の値を有している:引張試験の際、材料は溶接継ぎ目においてではなく、基材において破損する。酸化膜が破損又は剥離することなく、ニッケル帯状物をコイル状に巻き取ることができた。溶接により薄板から製造されたコイルは、構造用鋼からのそれぞれ長さ4mのパイロット帯状物を含めて、1.9tの重量を有していた。ブランク焼鈍帯状物の一連の用途例えばニッケル箔から製造される電子部品のためには、最終寸法に圧延された帯状物が介在物を含んでいないことが必要である。少なくともこの場合、熱間圧延により製造された帯状物が酸化物を含んでいないことが必要である。さもなくば酸化物が冷間圧延の際に材料中に取り込まれてしまい、そこで非金属介在物を招く。このような介在物はその硬度に基づいて帯状物の変形に関与しない。その場合、箔の製造の際、又は深絞り加工の際に、材料が裂ける可能性がある。水素によるNiOの還元の際に必要なH2/H2O比は、エリンガム図をもとに決定することができる。それによれば、例えばニッケルを1160°Cで焼鈍する際には少なくとも102のH2/H2O比が必要である。水素中での焼鈍により表面酸化膜を還元した場合には、スポンジ状の表面構造が生じる。冷間圧延溶融継ぎ目を平らにするため、最初の圧延を約30~50m/分の低速で行う。溶融冶金学的に製造されたニッケルのような材料は、他の方法で圧延することができる。先行する熱間圧延の後に冷間圧延を行うと、薄板の分離は確認されない。再結晶焼鈍用いるべき焼鈍温度は、出発材料の粒度、帯状物の厚さ、及び冷間圧延度に依存する。純ニッケルは中間焼鈍なしで約97まで変形可能である。88の加工後には、再結晶のためには2時間の焼鈍時間で200°Cの焼鈍温度で十分である。本発明により使用される、微量元素の制限された値を有する出発材料は、水素100及び焼鈍温度≧760°C、即ちUS3,722,073によれば材料中で気泡形成が生じる条件下での焼鈍であっても、気泡形成を妨げる。本願明細書に記載した方法によって、焼鈍雰囲気及び焼鈍温度を選択する際の自由度が向上する。US3,722,073では、目的の達成が、熱間圧延における高い加工率温度に依存して:75~92、有利には96又はそれを上回ると、低く第2欄、第31行かつ特に有利である第4欄、第63行と見なされている510~650°Cの焼鈍温度とによって試みられている。本願明細書に記載されている方法の場合には、個々の板を熱間圧延する場合には必ず、それぞれ出発材料から算出されたでの大部分の加工率が冷間圧延によって達成される。冷間圧延における全加工率が高いため、焼鈍温度はUS3,722,073に記載されている下限を明らかに下回ることができる。"