"基板上に第1の導電層を形成し、前記第1の導電層上に絶縁層を形成し、レーザを照射することにより、前記第1の導電層及び前記絶縁層に開口部を形成し、前記開口部に導電性材料を含む組成物を吐出して、前記第1の導電層と電気的に接続する第2の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1において、前記開口部において前記絶縁層の端部を、前記第1の導電層の端部より内側に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1または請求項2において、前記レーザを照射する前に、前記絶縁層の表面に撥液処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記絶縁層は透光性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記レーザはフェムト秒レーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項5において、前記フェムト秒レーザはSapphire、YAG、セラミックスYAG、セラミックスY2O3、KGW、KYW、Mg2SiO4、YLF、YVO4、又はGdVO4のいずれかの結晶に、Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、又はErのいずれかのドーパントを添加したレーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。基板上に第1の薄膜トランジスタと第2の薄膜トランジスタを形成し、前記第1の薄膜トランジスタ上に第1の配線を形成し、前記第2の薄膜トランジスタ上に第2の配線を形成し、前記第1の配線と前記第2の配線上に絶縁層を形成し、レーザを照射することにより、前記第1の配線及び前記絶縁層に第1の開口部と、前記第2の配線及び前記絶縁層に第2の開口部を形成し、前記第1の開口部と前記第2の開口部に導電性材料を含む組成物を吐出して、前記第1の開口部に第1の画素電極、前記第2の開口部に第2の画素電極を形成し、前記第1の画素電極は、前記第1の配線を介して前記第1の薄膜トランジスタと電気的に接続し、前記第2の画素電極は、前記第2の配線を介して前記第2の薄膜トランジスタと電気的に接続し、前記第1の画素電極と前記第2の画素電極は液晶の配向を制御することを特徴とする表示装置の作製方法。請求項7において、前記第1の開口部における前記絶縁層の端部を、前記第1の配線の端部より内側に形成し、前記第2の開口部における前記絶縁層の端部を、前記第2の配線の端部より内側に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。請求項7または請求項8において、前記第1の画素電極と前記第2の画素電極はスリットにより分離されていることを特徴とする表示装置の作製方法。基板上にゲート電極層を形成し、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に第1の半導体層を形成し、前記第1の半導体層上に一導電型を有する第2の半導体層を形成し、前記第2の半導体層上に前記第2の半導体層と電気的に接続する配線を形成し、前記配線上に絶縁層を形成し、レーザを照射することにより、前記配線及び前記絶縁層に開口部を形成し、前記開口部に導電性材料を含む組成物を吐出して、前記配線と電気的に接続する電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。基板上に薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタ上に配線を形成し、前記配線上に絶縁層を形成し、レーザを照射することにより、前記配線及び前記絶縁層に開口部を形成し、前記開口部に導電性材料を含む組成物と吐出して、前記配線を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続する画素電極を形成し、前記画素電極上にマイクロカプセルを設け、前記マイクロカプセル上に導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。請求項10または請求項11において、前記開口部における前記絶縁層の端部を、前記配線の端部より内側に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。請求項7乃至請求項12のいずれか一において、前記レーザを照射する前に、前記絶縁層の表面に撥液処理を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。請求項7乃至請求項13のいずれか一において、前記絶縁層は透光性を有することを特徴とする表示装置の作製方法。請求項7乃至請求項14のいずれか一において、前記レーザはフェムト秒レーザであることを特徴とする表示装置の作製方法。請求項15において、前記フェムト秒レーザは、Sapphire、YAG、セラミックスYAG、セラミックスY2O3、KGW、KYW、Mg2SiO4、YLF、YVO4、又はGdVO4のいずれかの結晶に、Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、又はErのいずれかのドーパントを添加したレーザであることを特徴とする表示装置の作製方法。基板上に薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタ上に配線を形成し、前記配線上に第1の絶縁層を形成し、第1のレーザを照射することにより、前記配線及び前記第1の絶縁層に開口部を形成し、前記開口部に導電性材料を含む組成物を吐出して、前記配線を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続する画素電極を形成し、前記画素電極上に第2の絶縁層を形成し、第2のレーザを照射することにより、前記画素電極を露出させ、前記画素電極の露出部及び前記第2の絶縁層上の一部に発光物質を有する層を形成し、前記発光物質を有する層上に導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。請求項17において、前記開口部における前記第1の絶縁層の端部を、前記配線の端部より内側に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。請求項17または請求項18において、前記第1のレーザを照射する前に、前記第2の絶縁層の表面に撥液処理を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。請求項17乃至請求項19のいずれか一において、前記第2のレーザを照射する前に、前記第2の絶縁層の表面に撥液処理を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。請求項17乃至請求項20のいずれか一において、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層の少なくとも一方は透光性を有することを特徴とする表示装置の作製方法。請求項17乃至請求項21のいずれか一において、前記第1のレーザ及び第2のレーザの少なくとも一方はフェムト秒レーザであることを特徴とする表示装置の作製方法。請求項22において、前記フェムト秒レーザは、Sapphire、YAG、セラミックスYAG、セラミックスY2O3、KGW、KYW、Mg2SiO4、YLF、YVO4、又はGdVO4のいずれかの結晶に、Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、又はErのいずれかのドーパントを添加したレーザであることを特徴とする表示装置の作製方法。しかしながら、該フォトリソグラフィ工程を用いると、感光剤塗布、パターニング、現像処理、エッチング処理、及び剥離処理と少なくとも5つの処理工程を行う必要があるため、工程終了まで時間がかかり、生産量が低下してしまう。また、感光剤のレジストや現像に使用する現像液、さらに剥離で使用する剥離液等、さまざまな薬品を使用するため、工程中に有害な廃液が生じ、薬品の原価のみならず、廃液の処分費が製造費用に上積みされてしまう。さらには、場合によっては、該薬品による環境汚染も考えられる。また、該フォトリソグラフィ工程を用いて形成されたコンタクトホールに形成される導電層の形状不良は、コンタクトホールを介して接続される導電層間の接触不良につながり、得られる半導体装置の歩留まりや信頼性を低下させる原因となる。特に、回路を形成するための配線層を形成する際、配線層の接触不良は、ショートなど電気的特性に悪影響を与える。本発明は、TFT及びそれを用いる半導体装置並びにTFTによって形成される表示装置の製造工程において、フォトリソグラフィ工程を削減し、さらに工程を簡略化し、生産能力を向上させる技術を提供することを課題とする。また、本発明は、それらの表示装置を構成する配線等の構成物を、所望の形状で制御性よく形成する方法を提供することも目的とする。本発明は、フェムト秒レーザを用いて絶縁層及び導電層に開口部コンタクトホールを形成し、該開口部に液状の導電性材料を吐出することにより該開口部を覆う導電層を形成することを特徴とする。本発明の半導体装置の作製方法は、基板上に導電層を形成し、前記導電層上に光透過層を形成し、前記光透過層上からフェムト秒レーザを照射して、前記導電層及び前記光透過層を選択的に除去することを特徴とする。本発明の半導体装置の作製方法は、基板上に導電層を形成し、前記導電層上に光透過層を形成し、前記光透過層上からフェムト秒レーザを照射して、前記導電層及び前記光透過層を選択的に除去して前記導電膜及び前記光透過層に開口部を形成し、前記開口部に液状の導電性材料を滴下することを特徴とする。本発明の半導体装置の作製方法において、前記導電層の端部は、前記光透過層の端部より内側に配置されるように前記導電層及び前記光透過層を除去されていてもよい。本発明の半導体装置の作製方法は、基板上に第1の導電層を形成し、前記第1の導電層上に光透過層を形成し、前記光透過層上からフェムト秒レーザを照射して、前記第1の導電層及び前記光透過層を選択的に除去して前記第1の導電膜及び前記光透過層に開口部を形成し、前記開口部に液状の導電性材料を滴下して、前記第1の導電層と電気的に接続する第2の導電層を形成することを特徴とする。本発明の半導体装置の作製方法において、前記第1の導電層の端部は、前記光透過層の端部より内側に配置されるように前記第1の導電層及び前記光透過層を除去されていてもよい。本発明の半導体装置の作製方法において、前記光透過層表面に撥液処理を行ってもよい。本発明は表示機能を有する装置である表示装置にも用いることができ、本発明を用いる表示装置には、エレクトロルミネセンス以下ELともいう。と呼ばれる発光を発現する有機物、無機物、若しくは有機物と無機物の混合物を含む層を、電極間に介在させた発光素子とTFTとが接続された発光表示装置や、液晶材料を有する液晶素子を表示素子として用いる液晶表示装置などがある。上記構成において開口を形成する導電層としてクロム、モリブデン、ニッケル、チタン、コバルト、銅、又はアルミニウムのうち一種又は複数を用いて形成することができる。また、開口を形成する光透過層はフェムト秒レーザを透過する材料、例えば透光性の有機樹脂などを用いて形成することができる。本発明により、複雑なフォトリソグラフィ工程を軽減し、簡略化された工程で半導体装置を作製することができるので、材料のロスが少なく、コストダウンも達成できる。よって高性能、高信頼性の表示装置を歩留まりよく作製することができる。本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、フェムト秒レーザを用いて開口部コンタクトホールを形成し、該開口部に液状の導電性材料を吐出することにより該開口部を覆う導電層を形成する方法について説明する。まず、基板720上に導電層721を形成する図1A。なお、導電層721として例えば、チタンTi、アルミニウムAl、タンタルTa、タングステンW、モリブデンMo、銅Cu、クロムCr、ネオジムNd、鉄Fe、ニッケルNi、コバルトCo、ルテニウムRu、ロジウムRh、パラジウムPd、オスミウムOs、イリジウムIr、銀Ag、金Au、白金Pt、カドミウムCd、亜鉛Zn、珪素Si、ゲルマニウムGe、ジルコニウムZr、バリウムBaから選ばれた元素を含む材料からなる層を単層又は積層形成して用いることができる。次に、導電層721上に光透過層722を形成する図1A。ここで、光透過層722としてはレーザ光を透過する材料で形成された薄膜であれば特に限定されない。例えば、透光性の有機樹脂などを用いて形成することができる。また、光透過層722表面に撥液処理を行ってもよい。次に、光透過層722上からフェムト秒レーザを照射する図1B。光透過層722表面にフェムト秒レーザを照射することにより導電層721及び光透過層722を選択的に除去することが可能である図1C。つまり、導電層721及び光透過層722に選択的に開口部725を形成することができる。ここでフェムト秒レーザの焦点は、光透過層722又は導電層721中に位置するように調整する。なお、基板の起伏により焦点の位置が変わる場合にはオートフォーカス機能を光学系に付与してもよい。なお、フェムト秒レーザの焦点を光透過層722中に位置するようにフェムト秒レーザを照射した場合でも、該光透過層722は薄膜であるため該光透過層722のみを選択的に除去することは困難である。従って、下層の導電層721もともに除去され、導電層721及び光透過層722が開口された開口部725が形成される。また、このようにフェムト秒レーザを照射して開口部を形成した場合、開口部725において絶縁層722の端部が導電層721の端部より内側に形成されるように形成することもできる。このような形状とすることで開口部の口径を小さく保ったまま、導電層721の露出面積を増やすことができる。このように、導電層721及び光透過層722を積層させフェムト秒レーザで開口を形成することにより口径の小さな開口部を形成するこができる。このような開口部であっても、導電性樹脂材料を用いてコンタクトを形成することにより、良好な接続構造を形成することができる。なお、フェムト秒レーザは、パルス幅がフェムト秒10-15秒台で発振するレーザフェムト秒レーザともいうを射出するレーザ発振器を用いて照射する。該レーザ発振器として用いることができるのは、Sapphire、YAG、セラミックスYAG、セラミックスY2O3、KGW、KYW、Mg2SiO4、YLF、YVO4、GdVO4などの結晶に、Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Erなどのドーパントを添加したレーザなどが挙げられる。本実施の形態において、レーザ光によって選択的に開口部725を形成することができるのでマスク層を形成しなくてもよく工程及び材料を削減することができる。またフェムト秒レーザを用いることにより、非常に小さいスポットに集光できるので、加工すべき導電層及び絶縁層を所定の形状に高い精度で加工できる。かつ短時間で瞬間的に加熱されるので、加工領域以外の領域をほとんど加熱しなくてもよいという利点がある。また、フェムト秒レーザを用いることにより、光を透過する光をほとんど吸収しない物質に対しての加工を容易に行うことが可能であり。また、異なる材料が多層に積層された膜を単一の工程で加工することが可能である。次に、開口部725に液状の導電性材料724を滴下する図1D。ここでは、特定の目的に調合された組成物の液滴を選択的に吐出噴出して所定のパターンに導電層などを形成することが可能な、液滴吐出噴出法その方式によっては、インクジェット法とも呼ばれる。を用いる。開口部725に構成物形成材料を含む液状の導電性材料液滴724を吐出し、焼成、乾燥等を行って固定化し所望なパターンの導電層726を形成する図1E。ここで、液滴吐出法に用いる液滴吐出装置の一態様を図2に示す。液滴吐出手段1403の個々のヘッド1405、ヘッド1412は制御手段1407に接続され、それがコンピュータ1410で制御することにより予めプログラミングされたパターンに描画することができる。描画するタイミングは、例えば、基板1400上に形成されたマーカー1411を基準に行えば良い。或いは、基板1400の縁を基準にして基準点を確定させても良い。これを撮像手段1404で検出し、画像処理手段1409にてデジタル信号に変換したものをコンピュータ1410で認識して制御信号を発生させて制御手段1407に送る。撮像手段1404としては、電荷結合素子CCDや相補型金属酸化物半導体を利用したイメージセンサなどを用いることができる。勿論、基板1400上に形成されるべきパターンの情報は記憶媒体1408に格納されたものであり、この情報を基にして制御手段1407に制御信号を送り、液滴吐出手段1403の個々のヘッド1405、ヘッド1412を個別に制御することができる。吐出する材料は、材料供給源1413、材料供給源1414より配管を通してヘッド1405、ヘッド1412にそれぞれ供給される。ヘッド1405内部は、点線1406が示すように液状の材料を充填する空間と、吐出口であるノズルを有する構造となっている。図示しないが、ヘッド1412もヘッド1405と同様な内部構造を有する。ヘッド1405とヘッド1412のノズルを異なるサイズで設けると、異なる材料を異なる幅で同時に描画することができる。一つのヘッドで、導電性材料や有機、無機材料などをそれぞれ吐出し、描画することができ、層間膜のような広領域に描画する場合は、スループットを向上させるため複数のノズルより同材料を同時に吐出し、描画することができる。大型基板を用いる場合、ヘッド1405、ヘッド1412は基板上を、矢印の方向に自在に走査し、描画する領域を自由に設定することができ、同じパターンを一枚の基板に複数描画することができる。液滴吐出法を用いて導電層を形成する場合、粒子状に加工された導電性材料を含む組成物を吐出し、焼成によって融合や融着接合させ固化することで導電層を形成する。このように導電性材料を含む組成物を吐出し、焼成することによって形成された導電層または絶縁層においては、スパッタ法などで形成した導電層または絶縁層が、多くは柱状構造を示すのに対し、多くの粒界を有する多結晶状態を示すことが多い。本実施の形態では、フェムト秒レーザを用いて光透過層722に開口部725を形成して、液滴吐出法により該開口部725に導電層726を形成する。これにより、複雑なフォトリソグラフィ工程を行うことなく開口部を形成することができ、かつ該導電層726は該開口部の形状に左右されず絶縁層下の導電層721と良好な電気的コンタクトをとることができる。例えば、開口部725において、絶縁層722の端部が導電層721の端部より内側に形成されている開口部が逆テーパ形状場合や開口部が狭い場合でも、導電層726は開口部に液状の導電性材料を吐出して形成されるため、導電層721と良好な電気的コンタクトをとることができる。また、本実施の形態において、光透過層722にフェムト秒レーザを照射する前に光透過層722表面に撥液処理を行っていてもよい。光透過層722表面に撥液処理を行うことにより、開口部725に導電層726を形成する際に、液状の導電性材料液滴724が、開口部725に入らず光透過層722表面に堆積するのを防ぐことができ、より精度良く導電性材料724を開口部725に流入させることができる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1の方法を用いた半導体装置の作製方法について、図3を用いて説明する。ここでは、半導体装置として、逆スタガ型薄膜トランジスタ逆スタガ型TFTを用いて説明する。なお、逆スタガ型薄膜トランジスタに限らず、順スタガ型薄膜トランジスタ、コプレナー型薄膜トランジスタ、ダイオード、MOSトランジスタ等の半導体素子を作製することでもできる。まず、基板100上にゲート電極層182を形成する図3A。基板100は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等からなるガラス基板、石英基板、金属基板、又は本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いることができる。また、基板100の表面が平坦化されるようにCMP法などによって、研磨しても良い。なお、基板100上に、絶縁層を形成してもよい。絶縁層は、CVD法、プラズマCVD法、スパッタリング法、スピンコート法等の種々の方法により、珪素を含む酸化物材料、窒化物材料を用いて、単層又は積層して形成される。この絶縁層は、形成しなくても良いが、基板100からの汚染物質などを遮断する効果がある。ゲート電極層182は、例えばスパッタリング法、PVD法PhysicalVaporDeposition、減圧CVD法LPCVD法、またはプラズマCVD法等のCVD法ChemicalVaporDepositionなどを用いて導電層を形成した後、フォトリソグラフィー工程により選択的に導電層をエッチングすることで形成することができる。また、ゲート電極層182を形成する導電性材料として、Ag、Au、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、Ta、W、Ti、Mo、Al、Cuから選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を用いることができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、AgPdCu合金を用いてもよい。また、単層構造でも複数層の構造でもよく、例えば、窒化タングステンWN膜とモリブデンMo膜との2層構造としてもよいし、膜厚50nmのタングステン膜、膜厚500nmのアルミニウムとシリコンの合金Al-Si膜、膜厚30nmの窒化チタン膜を順次積層した3層構造としてもよい。また、3層構造とする場合、第1の導電膜のタングステンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第2の導電膜のアルミニウムとシリコンの合金Al-Si膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜Al-Tiを用いてもよいし、第3の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。本実施の形態ではゲート電極層は組成物を選択的に吐出して形成する。このように選択的にゲート電極層を形成すると加工の工程が簡略化する効果がある。次に、基板100及びゲート電極層182上にゲート絶縁層180を形成する図3A。ゲート絶縁層180としては、珪素の酸化物材料又は窒化物材料等の材料で形成すればよく、積層でも単層でもよい。本実施の形態では、窒化珪素膜、酸化珪素膜の2層の積層を用いる。またそれらや、酸化窒化珪素膜の単層、3層以上からなる積層でも良い。好適には、緻密な膜質を有する窒化珪素膜を用いるとよい。また、液滴吐出法で形成される導電層に銀や銅などを用いる場合、その上にバリア膜として窒化珪素膜やNiB膜を形成すると、不純物の拡散を防ぎ、表面を平坦化する効果がある。なお、低い成膜温度でゲートリーク電流の少ない緻密な絶縁膜を形成するには、アルゴンなどの希ガス元素を反応ガスに含ませ、形成される絶縁膜中に混入させると良い。ここでは、プラズマCVD法により、50~200nmの窒化珪素層を形成する。次に、基板100のゲート絶縁層180上に半導体層185aを形成する。半導体層185aを形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製されるアモルファス半導体以下ASともいう。、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いはセミアモルファス微結晶若しくはマイクロクリスタルとも呼ばれる。SASともいう。半導体などを用いることができる。なお、半導体層185aは、調整された組成物の液滴を微細な孔から吐出して所定の形状の層を形成する液滴吐出法を用いて形成することができる。また、印刷法を用いて形成してもよい。また、CVD法、PVD法、塗布法等により基板上に半導体層を形成した後、フォトリソグラフィー工程により選択的に導電層をエッチングして、半導体層185aを形成してもよい。アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン多結晶シリコンには、800°C以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、600°C以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを添加し結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、セミアモルファス半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。なお、SASは、非晶質と結晶構造単結晶、多結晶を含むの中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいる。少なくとも膜中の一部の領域には、0.5~20nmの結晶領域を観測することが出来、珪素を主成分とする場合にはラマンスペクトルが520cm-1よりも低波数側にシフトしている。X線回折では珪素結晶格子に由来するとされる111、220の回折ピークが観測される。未結合手ダングリングボンドを終端化するため水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含ませている。SASは、珪素を含む気体をグロー放電分解プラズマCVDして形成する。珪素を含む気体としては、SiH4、その他にもSi2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4などを用いることが可能である。またF2、GeF4を混合させても良い。この珪素を含む気体をH2、又は、H2とHe、Ar、Kr、Neから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は2~1000倍の範囲、圧力は概略0.1Pa~133Paの範囲、電源周波数は1MHz~120MHz、好ましくは13MHz~60MHzである。基板加熱温度は300°C以下が好ましく、100~200°Cの基板加熱温度でも形成可能である。ここで、主に成膜時に取り込まれる不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分に由来する不純物は1×1020cm-3以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は5×1019cm-3以下、好ましくは1×1019cm-3以下となるようにすることが好ましい。また、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで安定性が増し良好なSASが得られる。また半導体層としてフッ素系ガスより形成されるSAS層に水素系ガスより形成されるSAS層を積層してもよい。半導体層に、結晶性半導体層を用いる場合、その結晶性半導体層の作製方法は、各種方法レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた熱結晶化法等を用いれば良い。また、SASである微結晶半導体をレーザ照射して結晶化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下500°Cで1時間加熱することによって非晶質珪素膜の含有水素濃度を1×1020atoms/cm3以下にまで放出させる。これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されてしまうからである。非晶質半導体層への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体層の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、CVD法、プラズマ処理法プラズマCVD法も含む、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体層の表面の濡れ性を改善し、非晶質半導体層の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのUV光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。非晶質半導体層の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。また、結晶性半導体層を、直接基板にプラズマ法により形成しても良い。また、半導体として有機半導体材料を用い、印刷法、ディスペンサ法、スプレー法、スピン塗布法、液滴吐出法などで形成することができる。この場合、上記エッチング工程が必要ないため、工程数を削減することが可能である。有機半導体としては、低分子材料、高分子材料などが用いられ、有機色素、導電性高分子材料などの材料も用いることができる。本発明に用いる有機半導体材料としては、その骨格が共役二重結合から構成されるπ電子共役系の高分子材料が望ましい。代表的には、ポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリ3-アルキルチオフェン、ポリチオフェン誘導体、ペンタセン等の可溶性の高分子材料を用いることができる。その他にも本発明に用いることができる有機半導体材料としては、可溶性の前駆体を成膜した後で処理することにより半導体層を形成することができる材料がある。なお、このような有機半導体材料としては、ポリチエニレンビニレン、ポリ2,5-チエニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリアセチレン誘導体、ポリアリレンビニレンなどがある。前駆体を有機半導体に変換する際には、加熱処理だけではなく塩化水素ガスなどの反応触媒を添加することがなされる。また、これらの可溶性有機半導体材料を溶解させる代表的な溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、アニソール、クロロフォルム、ジクロロメタン、γブチルラクトン、ブチルセルソルブ、シクロヘキサン、NMPN-メチル-2-ピロリドン、シクロヘキサノン、2-ブタノン、ジオキサン、ジメチルホルムアミドDMFまたは、THFテトラヒドロフランなどを適用することができる。次に、半導体層185a上に一導電型を有する半導体層186を形成する図3B。一導電型を有する半導体層186は、ソース領域及びドレイン領域として機能するものである。なお、一導電型を有する半導体膜は必要に応じて形成すればよく、n型を付与する不純物元素P、Asを有するn型を有する半導体膜やp型を付与する不純物元素Bを有するp型を有する半導体膜を形成することができる。また、一導電型を有する半導体層186は、調整された組成物の液滴を微細な孔から吐出して所定の形状の層を形成する液滴吐出法を用いて形成してもよいし、印刷法を用いて形成してもよい。また、CVD法、PVD法、塗布法等により基板上に形成した後、フォトリソグラフィー工程により選択的にエッチングして、一導電型を有する半導体層186を形成してもよい。次に、一導電型を有する半導体層186上に配線187を形成する図3C。配線187の形成方法としては、液滴吐出法により導電性ペーストを滴下し焼成して形成することができる。また、印刷法を用いて形成してもよい。また、CVD法、PVD法、塗布法等により基板上に導電層を形成した後、フォトリソグラフィー工程により当該導電層を選択的にエッチングして、配線187を形成してもよい。配線187は、ソース電極層又はドレイン電極層として機能し、一導電型を有する半導体層186と電気的に接続している。配線187を形成する導電性材料としては、Ag銀、Au金、Cu銅、Wタングステン、Alアルミニウム等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。また、透光性を有するインジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、窒化チタンなどを組み合わせても良い。また、液滴吐出法を用いて形成することで、スピンコート法などによる全面塗布形成に比べ、材料のロスが防げ、コストダウンが可能になる。次に、配線187上に絶縁層183を形成する図3D。絶縁層183の材料としては、レーザ光を透過する材料で形成された光透過層であれば特に限定されない。例えば、無機材料酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素など、感光性または非感光性の有機材料有機樹脂材料ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト、ベンゾシクロブテンなど、低誘電率材料などの一種、もしくは複数種からなる膜、またはこれらの膜の積層などを用いることができる。また、シロキサン材料を用いてもよい。また、絶縁層183表面に撥液処理を行っていてもよい。次に、絶縁層183に開口部184を形成する図3E。本実施の形態では、実施の形態1で示したように所望の位置にフェムト秒レーザを照射することにより配線187及び絶縁層183の所望の位置に開口部184を形成することができる。次に、開口部184に、導電性材料を含む組成物を吐出して電極層181を形成する図3E、F。組成物を選択的に吐出して電極層を形成すると加工の工程が簡略化する効果がある。なお、電極層181は、その表面が平坦化されるように、CMP法、ポリビニルアルコール系の多孔質体で拭浄し、研磨しても良い。またCMP法を用いた研磨後に、電極層181の表面に紫外線照射、酸素プラズマ処理などを行ってもよい。以上の工程により、基板100上に形成されたボトムゲート型のTFT188と電極層181とが接続された半導体素子が完成する。本実施の形態では、フェムト秒レーザを用いて、絶縁層183に開口部184を形成して、液滴吐出法により該開口部184に電極層181を形成する。本実施の形態では、フェムト秒レーザを用いて開口部を形成しているため、従来であれば複雑なフォトリソグラフィ工程を行う必要がある導電層と絶縁層への開口部の形成において、フォトリソグラフィ工程を用いることなく単一な工程で開口部を形成することができる。かつ、液滴吐出法を用いて開口部を覆う電極層を形成しているため、該電極層181は該開口部の形状に左右されず絶縁層下の配線187と良好な電気的コンタクトをとることができる。例えば、開口部184において、絶縁層183の端部が配線187の端部より内側に形成されている開口部が逆テーパ形状場合や開口部が狭い場合でも、電極層181は開口部に液状の導電性材料を吐出して形成されるため、配線187と良好な電気的コンタクトをとることができる。また、本実施の形態において、絶縁層183にフェムト秒レーザを照射する前に絶縁層183表面に撥液処理を行っていてもよい。絶縁層183表面に撥液処理を行うことにより、開口部184に電極層181を形成する際に、液状の導電性材料液滴が、開口部184に入らず絶縁層183表面に堆積するのを防ぐことができ、より精度良く導電性材料を開口部184に流入させることができる。本実施の形態に示す半導体装置の作製方法を用いることにより、複雑なフォトリソグラフィ工程を用いることなく配線間の開口コンタクトホールを形成することができ、かつ配線の電気的コンタクトを良好にとることができる。よって、材料のロスが少なく、高性能、高信頼性の半導体装置を歩留まりよく作製することができる。実施の形態3本実施の形態では、薄膜トランジスタに接続される導電層を有する半導体装置の作製方法について、図4を用いて説明する。ここでは、半導体装置として液晶表示パネルを形成する。また、図4においては、液晶表示パネルの一画素の断面図を示して、以下説明する。図4Aに示すように、基板100上に実施の形態2で示す薄膜トランジスタ188、及び薄膜トランジスタ188覆う絶縁層190を形成する。ここでは塗布法により組成物を塗布し焼成してポリイミドで形成される絶縁層190を形成する。次に、絶縁層190の一部を実施の形態1で示す手法によりフェムト秒レーザを用いて開口部を設け、開口部を有する絶縁層190を形成する。この後、配線187の表面に形成される酸化物を除去してもよい。次に、図4Bに示すように、開口部及び絶縁層190の表面に配線187に接続する導電層192を形成する。なお、導電層192は画素電極として機能し、液滴吐出法を用いて選択的に形成する。透光性を有する導電層192を形成することで後に透過型発光表示パネルを作製することができる。また、導電層192として、Ag銀、Au金、Cu銅、Wタングステン、Alアルミニウム等の反射性を有する導電層を形成することで、後に反射型発光表示パネルを作製することができる。さらには、上記透光性を有する導電層及び反射性を有する導電層を一画素ごとに形成することで、半透過型表示パネルを作製することができる。なお、図4Bに示すように、配線187の表面において配線187及び導電層192が接するように開口部を形成することができる。また、図4Cに示すように、一導電型を有する半導体層186の表面で一導電型を有する半導体層186及び導電層192が接するように開口部を形成することができる。以上の工程により、アクティブマトリクス基板を形成することができる。次に、印刷法やスピンコート法により、絶縁膜を成膜し、ラビングを行って配向膜193を形成する図4D。なお、配向膜193は、斜方蒸着法により形成することもできる。次に、配向膜264、第2の画素電極対向電極263、及び着色層262が設けられた対向基板261において、画素部の周辺の領域に液滴吐出法により閉ループ状のシール材図示しない。を形成する。シール材には、フィラーが混入されていてもよく、さらに、対向基板261にはカラーフィルタや遮蔽膜ブラックマトリクスなどが形成されていても良い。次に、ディスペンサ式滴下式により、シール材で形成された閉ループ内側に、液晶材料を滴下したのち、真空中で、対向基板とアクティブマトリクス基板とを貼り合わせ、紫外線硬化を行って、液晶材料が充填された液晶層265を形成する。なお、液晶層265を形成する方法として、ディスペンサ式滴下式の代わりに、対向基板を貼り合わせてから毛細管現象を用いて液晶材料を注入するディップ式汲み上げ式を用いることができる。この後、走査線、信号線の接続端子部に、接続導電層を介して配線基板、代表的にはFPCFlexiblePrintCircuitを貼り付ける。以上の工程により、液晶表示パネルを形成することができる。なお、本実施の形態ではTN型の液晶パネルについて示しているが、上記のプロセスは他の方式の液晶パネルに対しても同様に適用することができる。例えば、ガラス基板と平行に電界を印加して液晶を配向させる横電界方式の液晶パネルに本実施の形態を適用することができる。また、VAVerticalAlignment方式の液晶パネルに本実施の形態を適用することができる。図5と図6は、VA型液晶パネルの画素構造を示している。図5は平面図であり、図中に示す切断線I-Jに対応する断面構造を図6に表している。以下の説明ではこの両図を参照して説明する。この画素構造は、一つの画素に複数の画素電極が有り、それぞれの画素電極にTFTが接続されている。各TFTは、異なるゲート信号で駆動されるように構成されている。すなわち、マルチドメイン設計された画素において、個々の画素電極に印加する信号を、独立して制御する構成を有している。画素電極層1624は開口コンタクトホール1623により、配線層1618でTFT1628と接続している。また、画素電極層1626は開口コンタクトホール1627により、配線層1619でTFT1629と接続している。TFT1628のゲート配線層1602と、TFT1629のゲート電極層1603には、異なるゲート信号を与えることができるように分離されている。一方、データ線として機能する配線層1616は、TFT1628とTFT1629で共通に用いられている。画素電極層1624と画素電極層1626は、2工程による液滴吐出工程を用いて、実施の形態1と同様に作製する。具体的には、第1の液滴吐出工程により画素電極層のパターンの輪郭に沿って第1の導電性材料を吐出し、枠状の第1の導電層を形成する。枠状の第1の導電層内部を充填するように第2の導電性材料を含む組成物を吐出し、第2の導電層を形成する。第1の導電層及び第2の導電層は連続的な画素電極層として用いることができ、画素電極層1624、1626を形成することができる。このように本発明を用いると、工程が簡略化し、材料のロスが防げるので、低コストで生産性良く表示装置を作製することができる。画素電極層1624と画素電極層1626の形状は異なっており、スリット1625によって分離されている。V字型に広がる画素電極層1624の外側を囲むように画素電極層1626が形成されている。画素電極層1624と画素電極層1626に印加する電圧のタイミングを、TFT1628及びTFT1629により異ならせることで、液晶の配向を制御している。対向基板1601には、遮光膜1632、着色層1636、対向電極層1640が形成されている。また、着色層1636と対向電極層1640の間には平坦化膜1637が形成され、液晶の配向乱れを防いでいる。図7に対向基板側の構造を示す。対向電極層1640は異なる画素間で共通化されている電極であるが、スリット1641が形成されている。このスリット1641と、画素電極層1624及び画素電極層1626側のスリット1625とを交互に咬み合うように配置することで、斜め電界が効果的に発生させて液晶の配向を制御することができる。これにより、液晶が配向する方向を場所によって異ならせることができ、視野角を広げている。このように、画素電極層として有機化合物と無機化合物を複合化させた複合材料を用いて液晶パネルを製造することができる。このような画素電極を用いることにより、インジウムを主成分とする透明導電膜を使う必要がなく、原材料面でのボトルネックを解消することができる。本実施例は、上記の実施の形態と適宜自由に組み合わせることができる。なお、静電破壊防止のための保護回路、代表的にはダイオードなどを、接続端子とソース配線ゲート配線の間または画素部に設けてもよい。この場合、上記したTFTと同様の工程で作製し、画素部のゲート配線層とダイオードのドレイン又はソース配線層とを接続することにより、静電破壊を防止することができる。本実施の形態に示す液晶表示パネルの作製方法を用いることにより、複雑なフォトリソグラフィ工程を用いることなく配線間の開口コンタクトホールを形成することができ、かつ配線の電気的コンタクトを良好にとることができる。よって、材料のロスが少なく、高性能、高信頼性の液晶表示パネルを歩留まりよく作製することができる。実施の形態4本実施例では、薄膜トランジスタに接続される導電層を有する半導体装置の作製方法について説明する。ここでは、導電層として画素電極を形成し、半導体装置として発光表示パネルを形成する。さらに、図8においては、発光表示パネルの一画素を示して、以下説明する。まず、図8Aに示すように、基板100上に実施の形態2で示した薄膜トランジスタ188、及び薄膜トランジスタ188を覆い、且つフェムト秒レーザを用いて開口した開口部を有する絶縁層191を形成する。次に、図8Bに示すように、実施の形態1又は実施の形態2と同様に配線187に接続する導電層201を形成する。なお、導電層201は画素電極として機能する。次に、図8Cに示すように、画素電極として機能する導電層201の端部を覆う絶縁層202を形成する。このような絶縁層としては、絶縁層191及び導電層201上に図示しない絶縁層を形成し、当該絶縁層にフェムト秒レーザを照射して導電層201上の絶縁層を除去することで形成することができる。次に、導電層201の露出部及び絶縁層202の一部に発光物質を有する層203を形成し、その上に画素電極として機能する導電層204を形成する。以上の工程により導電層201、発光物質を有する層203、及び導電層204で構成される発光素子205を形成することができる。ここで、発光素子205の構造について説明する。発光物質を含む層203に、有機化合物を用いた発光機能を担う層以下、発光層343と示す。を形成することで、発光素子205は有機EL素子として機能する。発光性の有機化合物としては、例えば、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、クマリン30、クマリン6、クマリン545、クマリン545T、ペリレン、ルブレン、ペリフランテン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン略称:TBP、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPA、5,12-ジフェニルテトラセン、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-[p-ジメチルアミノスチリル]-4H-ピラン略称:DCM1、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-[2-ジュロリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン略称:DCM2、4-ジシアノメチレン-2,6-ビス[p-ジメチルアミノスチリル]-4H-ピラン略称:BisDCM等が挙げられる。また、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2]ピコリナトイリジウム略称:FIrpic、ビス{2-[3’,5’-ビストリフルオロメチルフェニル]ピリジナト-N,C2}ピコリナトイリジウム略称:IrCF3ppy2pic、トリス2-フェニルピリジナト-N,C2イリジウム略称:Irppy3、アセチルアセトナトビス2-フェニルピリジナト-N,C2イリジウム略称:Irppy2acac、アセチルアセトナトビス[2-2’-チエニルピリジナト-N,C3]イリジウム略称:Irthp2acac、アセチルアセトナトビス2-フェニルキノリナト-N,C2イリジウム略称:Irpq2acac、アセチルアセトナトビス[2-2’-ベンゾチエニルピリジナト-N,C3]イリジウム略称:Irbtp2acacなどの燐光を放出できる化合物用いることもできる。また、図9Aに示すように、第1の導電層201上に正孔注入材料で形成される正孔注入層341、正孔輸送性材料で形成される正孔輸送層342、発光性の有機化合物で形成される発光層343、電子輸送性材料で形成される電子輸送層344、電子注入性材料で形成される電子注入層345により形成された発光材料を含む層318、及び第2の導電層204で発光素子205を形成してもよい。正孔輸送性材料は、フタロシアニン略称:H2Pc、銅フタロシアニン略称:CuPc、バナジルフタロシアニン略称:VOPcの他、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、1,3,5-トリス[N,N-ジm-トリルアミノ]ベンゼン略称:m-MTDAB、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPB、4,4’-ビス{N-[4-ジm-トリルアミノ]フェニル-N-フェニルアミノ}ビフェニル略称:DNTPD、4,4’-ビス[N-4-ビフェニリル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:BBPB、4,4’,4’’-トリN-カルバゾリルトリフェニルアミン略称:TCTAなどが挙げられるが、これらに限定されることはない。また、上述した化合物の中でも、TDATA、MTDATA、m-MTDAB、TPD、NPB、DNTPD、BBPB、TCTA、NPBなどに代表される芳香族アミン化合物は、正孔を発生しやすく、有機化合物として好適な化合物群である。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。正孔注入性材料は、上記正孔輸送性材料の他、導電性高分子化合物に化学ドーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸略称:PSSをドープしたポリエチレンジオキシチオフェン略称:PEDOTやポリアニリン略称:PAniなどを用いることもできる。また、酸化モリブデンMoOx、酸化バナジウムVOx、酸化ニッケルNiOxなどの無機半導体の薄膜や、酸化アルミニウムAl2O3などの無機絶縁体の超薄膜も有効である。ここで、電子輸送性材料は、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]-キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラト-アルミニウム略称:BAlq等キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる材料を用いることができる。また、この他、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などの材料も用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-tert-ブチルフェニル-4-フェニル-5-4-ビフェニリル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、3-4-tert-ブチルフェニル-4-4-エチルフェニル-5-4-ビフェニリル-1,2,4-トリアゾール略称:p-EtTAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCP等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。電子注入材料としては、上述した電子輸送性材料の他に、LiF、CsFなどのアルカリ金属ハロゲン化物や、CaF2のようなアルカリ土類ハロゲン化物、Li2Oなどのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の超薄膜がよく用いられる。また、リチウムアセチルアセトネート略称:Liacacや8-キノリノラト-リチウム略称:Liqなどのアルカリ金属錯体も有効である。さらに、上述した電子輸送性材料と、Mg、Li、Cs等の仕事関数の小さい金属とを共蒸着等により混合した材料を使用することもできる。また、図9Bに示すように、第1の導電層201、有機化合物及び有機化合物に対して電子受容性を有する無機化合物で形成される正孔輸送層346、発光性の有機化合物で形成される発光層343、及び発光性の有機化合物に対して電子供与性を有する無機化合物で形成される電子輸送層347により形成された発光材料を含む層318、並びに第2の導電層204で発光素子205を形成してもよい。発光性の有機化合物、及び発光性の有機化合物に対して電子受容性を有する無機化合物で形成される正孔輸送層346は、有機化合物として、上記した正孔輸送性の有機化合物を適宜用いて形成する。また、無機化合物として、有機化合物から電子を受け取りやすいものであれば何であってもよく、種々の金属酸化物または金属窒化物が可能であるが、周期表第4族乃至第12族のいずれかの遷移金属酸化物が電子受容性を示しやすく好適である。具体的には、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウム、酸化ルテニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。また、上述した金属酸化物の中でも、周期表第4族乃至第8族のいずれかの遷移金属酸化物は電子受容性の高いものが多く、好ましい一群である。特に酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウムは真空蒸着が可能で扱いやすいため、好適である。発光性の有機化合物、及び発光性の有機化合物に対して電子供与性を有する無機化合物で形成される電子輸送層347は、有機化合物として上記した電子輸送性の有機化合物を適宜用いて形成する。また、無機化合物として、有機化合物から電子を与えやすいものであれば何であってもよく、種々の金属酸化物または金属窒化物が可能であるが、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、希土類金属窒化物が電子供与性を示しやすく好適である。具体的には、酸化リチウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化エルビウム、窒化リチウム、窒化マグネシウム、窒化カルシウム、窒化イットリウム、窒化ランタンなどが挙げられる。特に酸化リチウム、酸化バリウム、窒化リチウム、窒化マグネシウム、窒化カルシウムは真空蒸着が可能で扱いやすいため、好適である。発光性の有機化合物及び無機化合物で形成される電子輸送層347又は正孔輸送層346は、電子注入輸送特性が優れているため、第1の導電層201、第2の導電層204共に、ほとんど仕事関数の制限を受けることなく、種々の材料を用いることができる。また駆動電圧を低減することが可能である。また、発光物質を含む層203として、無機化合物を用いた発光機能を担う層以下、発光層349という。を有することで、発光素子205は無機EL素子として機能する。無機EL素子は、その素子構成により、分散型無機EL素子と薄膜型無機EL素子とに分類される。前者は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光物質を含む層を有し、後者は、発光材料の薄膜からなる発光物質を含む層を有している点に違いはあるが、高電界で加速された電子を必要とする点では共通である。なお、得られる発光のメカニズムとしては、ドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-アクセプター再結合型発光と、金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光とがある。分散型無機ELではドナー-アクセプター再結合型発光、薄膜型無機EL素子では局在型発光である場合が多い。以下に、無機EL素子の構造について示す。本実施の形態で用いることのできる発光材料は、母体材料と発光中心となる不純物元素とで構成される。含有させる不純物元素を変化させることで、様々な色の発光を得ることができる。発光材料の作製方法としては、固相法や液相法共沈法などの様々な方法を用いることができる。また、噴霧熱分解法、複分解法、プレカーサーの熱分解反応による方法、逆ミセル法やこれらの方法と高温焼成を組み合わせた方法、凍結乾燥法などの液相法なども用いることができる。固相法は、母体材料と、不純物元素又は不純物元素を含む化合物を秤量し、乳鉢で混合、電気炉で加熱、焼成を行い反応させ、母体材料に不純物元素を含有させる方法である。焼成温度は、700~1500°Cが好ましい。温度が低すぎる場合は固相反応が進まず、温度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである。なお、粉末状態で焼成を行ってもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。比較的高温での焼成を必要とするが、簡単な方法であるため、生産性がよく大量生産に適している。液相法共沈法は、母体材料又は母体材料を含む化合物と、不純物元素又は不純物元素を含む化合物を溶液中で反応させ、乾燥させた後、焼成を行う方法である。発光材料の粒子が均一に分布し、粒径が小さく低い焼成温度でも反応が進むことができる。無機EL素子の発光材料に用いる母体材料としては、硫化物、酸化物、窒化物を用いることができる。硫化物としては、例えば、硫化亜鉛ZnS、硫化カドミウムCdS、硫化カルシウムCaS、硫化イットリウムY2S3、硫化ガリウムGa2S3、硫化ストロンチウムSrS、硫化バリウムBaS等を用いることができる。また、酸化物としては、例えば、酸化亜鉛ZnO、酸化イットリウムY2O3等を用いることができる。また、窒化物としては、例えば、窒化アルミニウムAlN、窒化ガリウムGaN、窒化インジウムInN等を用いることができる。さらに、セレン化亜鉛ZnSe、テルル化亜鉛ZnTe等も用いることができ、硫化カルシウム-ガリウムCaGa2S4、硫化ストロンチウム-ガリウムSrGa2S4、硫化バリウム-ガリウムBaGa2S4等の3元系の混晶であってもよい。局在型発光の発光中心として、マンガンMn、銅Cu、サマリウムSm、テルビウムTb、エルビウムEr、ツリウムTm、ユーロピウムEu、セリウムCe、プラセオジウムPrなどを用いることができる。なお、電荷補償として、フッ素F、塩素Clなどのハロゲン元素が添加されていてもよい。一方、ドナー-アクセプター再結合型発光の発光中心として、ドナー準位を形成する第1の不純物元素及びアクセプター準位を形成する第2の不純物元素を含む発光材料を用いることができる。第1の不純物元素は、例えば、フッ素F、塩素Cl、アルミニウムAl等を用いることができる。第2の不純物元素としては、例えば、銅Cu、銀Ag等を用いることができる。ドナー-アクセプター再結合型発光の発光材料を固相法を用いて合成する場合、母体材料と、第1の不純物元素又は第1の不純物元素を含む化合物と、第2の不純物元素又は第2の不純物元素を含む化合物をそれぞれ秤量し、乳鉢で混合した後、電気炉で加熱、焼成を行う。母体材料としては、上述した母体材料を用いることができ、第1の不純物元素又は第1の不純物元素を含む化合物としては、例えば、フッ素F、塩素Cl、硫化アルミニウムAl2S3等を用いることができる。また、第2の不純物元素又は第2の不純物元素を含む化合物としては、例えば、銅Cu、銀Ag、硫化銅Cu2S、硫化銀Ag2S等を用いることができる。焼成温度は、700~1500°Cが好ましい。温度が低すぎる場合は固相反応が進まず、温度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである。なお、粉末状態で焼成を行ってもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。また、固相反応を利用する場合の不純物元素として、第1の不純物元素と第2の不純物元素で構成される化合物を組み合わせて用いてもよい。この場合、不純物元素が拡散されやすく、固相反応が進みやすくなるため、均一な発光材料を得ることができる。さらに、余分な不純物元素が入らないため、純度の高い発光材料が得ることができる。第1の不純物元素と第2の不純物元素で構成される化合物としては、例えば、塩化銅CuCl、塩化銀AgCl等を用いることができる。なお、これらの不純物元素の濃度は、母体材料に対して0.01~10atomであればよく、好ましくは0.05~5atomの範囲である。図9Cは、発光物質を含む層203が第1の絶縁層、発光層349、及び第2の絶縁層350で構成される無機EL素子の断面を示す。薄膜型無機ELの場合、発光層349は、上記発光材料を含む層であり、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着EB蒸着法等の真空蒸着法、スパッタリング法等の物理気相成長法PVD、有機金属CVD法、ハイドライド輸送減圧CVD法等の化学気相成長法CVD、原子エピタキシ法ALE等を用いて形成することができる。第1の絶縁層348及び第2の絶縁層350は、特に限定されることはないが、絶縁耐性が高く、緻密な膜質であることが好ましく、さらには、誘電率が高いことが好ましい。例えば、酸化シリコンSiO2、酸化イットリウムY2O3、酸化チタンTiO2、酸化アルミニウムAl2O3、酸化ハフニウムHfO2、酸化タンタルTa2O5、チタン酸バリウムBaTiO3、チタン酸ストロンチウムSrTiO3、チタン酸鉛PbTiO3、窒化シリコンSi3N4、酸化ジルコニウムZrO2等やこれらの混合膜又は2種以上の積層を用いることができる。第1の絶縁層348及び第2の絶縁層350は、スパッタリング、蒸着、CVD等により成膜することができる。膜厚は特に限定されることはないが、好ましくは10~1000nmの範囲である。なお、本実施の形態の発光素子は、必ずしもホットエレクトロンを必要とはしないため、薄膜にすることもでき、駆動電圧を低下できる長所を有する。好ましくは、500nm以下の膜厚、より好ましくは100nm以下の膜厚であることが好ましい。なお、図示しないが、発光層349と絶縁層348、350、又は発光層349と導電層201、319の間にバッファ層を設けても良い。このバッファ層はキャリアの注入を容易にし、かつ両層の混合を抑制する役割をもつ。バッファ層としては、特に限定されることはないが、例えば、発光層の母体材料であるZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、SrS、BaS等、又はCuS、Cu2S、又はハロゲン化アルカリであるLiF、CaF2、BaF2、MgF2等を用いることができる。また、図9Dに示すように、発光物質を含む層203が発光層349及び第1の絶縁層348で構成されてもよい。この場合、図9Dにおいては、第1の絶縁層348は第2の導電層204及び発光層349の間に設けられている形態を示す。なお、第1の絶縁層348は第1の導電層201及び発光層349の間に設けられていてもよい。さらには、発光物質を含む層203が、発光層349のみで構成されてもよい。即ち、第1の導電層201、発光物質を含む層203、第2の導電層204で発光素子205を構成してもよい。分散型無機ELの場合、粒子状の発光材料をバインダ中に分散させ膜状の発光物質を含む層を形成する。粒子状に加工する。発光材料の作製方法によって、十分に所望の大きさの粒子が得られない場合は、乳鉢等で粉砕などによって粒子状に加工すればよい。バインダとは、粒状の発光材料を分散した状態で固定し、発光物質を含む層としての形状に保持するための物質である。発光材料は、バインダによって発光物質を含む層中に均一に分散し固定される。分散型無機ELの場合、発光物質を含む層の形成方法は、選択的に発光物質を含む層を形成できる液滴吐出法や、印刷法スクリーン印刷やオフセット印刷など、スピンコート法などの塗布法、ディッピング法、ディスペンサ法などを用いることもできる。膜厚は特に限定されることはないが、好ましくは、10~1000nmの範囲である。また、発光材料及びバインダを含む発光物質を含む層において、発光材料の割合は50wt以上80wt以下とするよい。図9Eにおける素子は、第1の導電層201、発光物質を含む層203、第2の導電層204を有し、発光物質を含む層203が、発光材料352がバインダ351に分散された発光層及び絶縁層348で構成される。なお、絶縁層348は、図9Eにおいては、第2の導電層204に接する構造となっているが、第1の導電層201に接する構造でもよい。また、素子は、第1の導電層201及び第2の導電層204それぞれに接する絶縁層を有してもよい。さらには、素子は、第1の導電層201及び第2の導電層204に接する絶縁層を有さなくてもよい。本実施の形態に用いることのできるバインダとしては、有機材料や無機材料の絶縁材料を用いることができる。また、有機材料及び無機材料の混合材料を用いてもよい。有機絶縁材料としては、シアノエチルセルロース系樹脂のように、比較的誘電率の高いポリマーや、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン系樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ化ビニリデンなどの樹脂を用いることができる。また、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾールpolybenzimidazoleなどの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用いてもよい。なお、シロキサン樹脂とは、Si-O-Si結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基例えばアルキル基、芳香族炭化水素が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、オキサゾール樹脂ポリベンゾオキサゾール等の樹脂材料を用いてもよい。また光硬化型などを用いることができる。これらの樹脂に、チタン酸バリウムBaTiO3やチタン酸ストロンチウムSrTiO3などの高誘電率の微粒子を適度に混合して誘電率を調整することもできる。また、バインダに用いる無機絶縁材料としては、酸化珪素SiOx、窒化珪素SiNx、酸素及び窒素を含む珪素、窒化アルミニウムAlN、酸素及び窒素を含むアルミニウムまたは酸化アルミニウムAl2O3、酸化チタンTiO2、BaTiO3、SrTiO3、チタン酸鉛PbTiO3、ニオブ酸カリウムKNbO3、ニオブ酸鉛PbNbO3、酸化タンタルTa2O5、タンタル酸バリウムBaTa2O6、タンタル酸リチウムLiTaO3、酸化イットリウムY2O3、酸化ジルコニウムZrO2、ZnSその他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。有機材料に、誘電率の高い無機材料を含ませる添加等によってことによって、発光材料及びバインダよりなる発光物質を含む層の誘電率をより制御することができ、より誘電率を大きくすることができる。作製工程において、発光材料はバインダを含む溶液中に分散されるが本実施の形態に用いることのできるバインダを含む溶液の溶媒としては、バインダ材料が溶解し、発光層を形成する方法各種ウエットプロセス及び所望の膜厚に適した粘度の溶液を作製できるような溶媒を適宜選択すればよい。有機溶媒等を用いることができ、例えばバインダとしてシロキサン樹脂を用いる場合は、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAともいう、3-メトシキ-3メチル-1-ブタノールMMBともいうなどを用いることができる。無機EL発光素子は、発光物質を含む層を狭持する一対の電極間に電圧を印加することで発光が得られるが、直流駆動又は交流駆動のいずれにおいても動作することができる。ここでは、赤色を表示する発光素子として、第1の画素電極として機能する第2の導電層として膜厚125nmの酸化珪素を含むITO層を形成する。また、発光層として、DNTPDを50nm、NPBを10nm、ビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムアセチルアセトナート略称:IrFdpq2acacが添加されたNPBを30nm、Alq3を30nm、Alq3を30nm、及びLiFを1nm積層して形成する。第2の画素電極として機能する第3の導電層として、膜厚200nmのAl層を形成する。また、緑色を表示する発光素子として、第1の画素電極として機能する第2の導電層として膜厚125nmの酸化珪素を含むITO層を形成する。また、発光層として、DNTPDを50nm、NPBを10nm、クマリン545TC545Tが添加されたAlq3を40nm、Alq3を30nm、及びLiFを1nm積層して形成する。第2の画素電極として機能する第3の導電層として、膜厚200nmのAl層を形成する。また、青色を表示する発光素子として、第1の画素電極として機能する第2の導電層として膜厚125nmの酸化珪素を含むITO層を形成する。また、発光層として、DNTPDを50nm、NPBを10nm、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン略称:TBPが添加された、9-[4-N-カルバゾリル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:CzPA:を30nm、Alq3を30nm、及びLiFを1nm積層して形成する。第2の画素電極として機能する第3の導電層として、膜厚200nmのAl層を形成する。次に、導電層204上に保護膜を形成することが好ましい。この後、走査線、信号線の接続端子部に、接続導電層を介して配線基板、代表的にはFPCFlexiblePrintCircuitを貼り付ける。以上の工程により、発光表示パネルを形成することができる。なお、静電破壊防止のための保護回路、代表的にはダイオードなどを、接続端子とソース配線ゲート配線の間または画素部に設けてもよい。ここで、図9A及びBで示す発光素子を有する発光表示パネルにおいて、基板100側に放射する場合、つまり下方放射を行う場合について、図10Aを用いて説明する。この場合、薄膜トランジスタ188に電気的に接続するように、ソース電極層又はドレイン電極として機能する配線187に接して、透光性を有する導電層484、発光物質を含む層485、遮光性または反射性を有する導電層486が順に積層される。光が透過する基板100は少なくとも可視領域の光に対して透光性を有する必要がある。次に、基板100と反対側に放射する場合、つまり上方放射を行う場合について、図10Bを用いて説明する。薄膜トランジスタ188は、前述した薄膜トランジスタの同様に形成することができる。薄膜トランジスタ188に電気的に接続するソース電極層又はドレイン電極として機能する配線187が遮光性または反射性を有する導電層463と接し、電気的に接続する。遮光性または反射性を有する導電層463、発光物質を含む層464、透光性を有する導電層465が順に積層される。導電層463は遮光性または反射性を有する金属層であり、発光素子から放射される光を矢印の上面に反射する。なお、遮光性または反射性を有する導電層463上に透光性を有する導電層を形成してもよい。発光素子から放出する光は第2の導電層465を透過して放出されるので、透光性を有する導電層465は、少なくとも可視領域において透光性を有する材料で形成する。次に、光が基板100側とその反対側の両側に放射する場合、つまり両方放射を行う場合について、図10Cを用いて説明する。薄膜トランジスタ188の半導体層に電気的に接続するソース電極層又はドレイン電極として機能する配線187に、第1の透光性を有する導電層472が電気的に接続している。第1の透光性を有する導電層472、発光物質を含む層473、第2の透光性を有する導電層474が順に積層される。このとき、第1の透光性を有する導電層472と第2の透光性を有する導電層474のどちらも少なくとも可視領域において透光性を有する材料、又は光を透過できる厚さで形成すると、両方放射が実現する。この場合、光が透過する絶縁層や基板100も少なくとも可視領域の光に対して透光性を有する必要がある。ここで、図9A及びBで示す発光素子を有する発光表示パネルの画素回路、及びその動作構成について、図11を用いて説明する。発光表示パネルの動作構成は、ビデオ信号がデジタルの表示装置において、画素に入力されるビデオ信号が電圧で規定されるのものと、電流で規定されるものとがある。ビデオ信号が電圧によって規定されるものには、発光素子に印加される電圧が一定のものCVCVと、発光素子に印加される電流が一定のものCVCCとがある。また、ビデオ信号が電流によって規定されるものには、発光素子に印加される電圧が一定のものCCCVと、発光素子に印加される電流が一定のものCCCCとがある。本実施例では、CVCV動作をする画素を図11A及びB用いて説明する。また、CVCC動作をする画素を図11Cを用いて説明する。図11A及びBに示す画素は、列方向に信号線3710及び電源線3711、行方向に走査線3714が配置される。また、スイッチング用TFT3701、駆動用TFT3703、容量素子3702及び発光素子3705を有する。なお、スイッチング用TFT3701及び駆動用TFT3703は、オンしているときは線形領域で動作する。また駆動用TFT3703は発光素子3705に電圧を印加するか否かを制御する役目を有する。両TFTは同じ導電型を有していると作製工程上好ましい。また駆動用TFT3703には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のTFTを用いてもよい。また、駆動用TFT3703のチャネル幅Wとチャネルと長Lの比W/Lは、TFTの移動度にもよるが1~1000であることが好ましい。W/Lが大きいほど、TFTの電気特性が向上する。図11A、Bに示す画素において、スイッチング用TFT3701は、画素に対するビデオ信号の入力を制御するものであり、スイッチング用TFT3701がオンとなると、画素内にビデオ信号が入力される。すると、容量素子3702にそのビデオ信号の電圧が保持される。図11Aにおいて、電源線3711がVssで発光素子3705の対向電極がVddの場合、発光素子の対向電極は陽極であり、駆動用TFT3703に接続される電極は陰極である。この場合、駆動用TFT3703の特性バラツキによる輝度ムラを抑制することが可能である。図11Aにおいて、電源線3711がVddで発光素子3705の対向電極がVssの場合、発光素子の対向電極は陰極であり、駆動用TFT3703に接続される電極は陽極である。この場合、Vddより電圧の高いビデオ信号を信号線3710に入力することにより、容量素子3702にそのビデオ信号の電圧が保持され、駆動用TFT3703が線形領域で動作するので、TFTのバラツキによる輝度ムラを改善することが可能である。図11Bに示す画素は、TFT3706と走査線3715を追加している以外は、図11Aに示す画素構成と同じである。TFT3706は、新たに配置された走査線3715によりオン又はオフが制御される。TFT3706がオンとなると、容量素子3702に保持された電荷は放電し、駆動用TFT3703がオフとなる。つまり、TFT3706の配置により、強制的に発光素子3705に電流が流れない状態を作ることができる。そのためTFT3706を消去用のTFTと呼ぶことができる。従って、図11Bの構成は、全ての画素に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始することができるため、発光のデューティ比を向上することが可能となる。上記動作構成を有する画素において、発光素子3705の電流値は、線形領域で動作する駆動用TFT3703により決定することができる。上記構成により、TFTの特性のバラツキを抑制することが可能であり、TFT特性のバラツキに起因した発光素子の輝度ムラを改善して、画質を向上させた表示装置を提供することができる。次に、CVCC動作をする画素を図11Cを用いて説明する。図11Cに示す画素は、図11Aに示す画素構成に、電源線3712、電流制御用TFT3704が設けられている。なお、図11Cに示す画素において、駆動用TFT3703のゲート電極を、行方向に配置された電源線3712を、列方向に配置された電源線3712に接続してもよい。なお、スイッチング用TFT3701は線形領域で動作し、駆動用TFT3703は飽和領域で動作する。また駆動用TFT3703は発光素子3705に流れる電流値を制御する役目を有し、電流制御用TFT3704は飽和領域で動作し発光素子3705に対する電流の供給を制御する役目を有する。なお、図11A及びBに示される画素でも、CVCC動作をすることは可能である。また、図11Cに示される動作構成を有する画素は、図11A及びBと同様に、発光素子の電流の流れる方向によって、Vdd及びVssを適宜変えることが可能である。上記構成を有する画素は、電流制御用TFT3704が線形領域で動作するために、電流制御用TFT3704のVgsの僅かな変動は、発光素子3705の電流値に影響を及ぼさない。つまり、発光素子3705の電流値は、飽和領域で動作する駆動用TFT3703により決定することができる。上記構成により、TFTの特性バラツキに起因した発光素子の輝度ムラを改善して、画質を向上させた表示装置を提供することができる。特に、非晶質半導体等を有する薄膜トランジスタを形成する場合、駆動用TFTの半導体膜の面積を大きくすると、TFTのバラツキの低減が可能であるため好ましい。また、図11A及び図11Bに示す画素は、TFTの数が少ないため開口率を増加させることが可能である。なお、容量素子3702を設けた構成を示したが、本発明はこれに限定されず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などで、まかなうことが可能な場合には、容量素子3702を設けなくてもよい。また、薄膜トランジスタの半導体層が非晶質半導体膜で形成される場合は、しきい値がシフトしやすいため、しきい値を補正する回路を画素内又は画素周辺に設けることが好ましい。このようなアクティブマトリクス型の発光装置は、画素密度が増えた場合、各画素にTFTが設けられているため低電圧駆動でき、有利であると考えられている。一方、パッシブマトリクス型の発光装置を形成することもできる。パッシブマトリクス型の発光装置は、各画素にTFTが設けられていないため、高開口率となる。また、本発明の表示装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、表示装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。以上のように、多様な画素回路を採用することができる。本実施の形態に示す発光表示パネルの作製方法を用いることにより、複雑なフォトリソグラフィ工程を用いることなく配線間の開口コンタクトホールを形成することができ、かつ配線の電気的コンタクトを良好にとることができる。よって、材料のロスが少なく、高性能、高信頼性の発光表示パネルを歩留まりよく作製することができる。実施の形態5本実施の形態では、半導体装置の代表例を、図12及び図13を用いて説明する。電気泳動素子とは、マイクロカプセルの中にプラスとマイナスに帯電した黒と白の粒子を閉じ込めた物を第1の導電層及び第2の導電層の間に配置し、第1の導電層及び第2の導電層に電位差を生じさせて黒と白の粒子を電極間で移動させて表示を行う素子である。図12に示すように、基板100上に実施の形態2で示す薄膜トランジスタ188、及び薄膜トランジスタ188を覆い、且つフェムト秒レーザを用いて形成した開口部を有する絶縁層191を形成する。次に、配線187に接続する第1の導電層1181を形成する。なお、第1の導電層1181は画素電極として機能する。ここでは、液滴吐出法を用いて選択的にアルニウムを用いて第1の導電層1181を形成する。また、基板1172上に第2の導電層1173を形成する。第2の導電層1173も平行に形成することが好ましい。ここでは、酸化亜鉛を用いて第2の導電層1173を形成する。次に、基板100及び基板1172をシール材で貼り合わせる。このとき、第1の導電層1181及び第2の導電層1173の間にマイクロカプセル1170を分散させて、基板100及び基板1172の間に電気泳動素子を形成する。基板100及び基板1172は、第1の導電層11811及び第2の導電層1173が交差するように、シール材を用いて貼りあわせる。また、電気泳動素子は、第1の導電層1181、マイクロカプセル1170、第2の導電層1173で構成される。また、マイクロカプセル1170はバインダにより第1の導電層11811及び第2の導電層1173の間に固定される。次に、マイクロカプセルの構造について、図13を用いて示す。図13A及びBに示すように、マイクロカプセル1170は微細な透明容器1174内に透明の分散媒1176及び帯電した黒色粒子1175a及び白色粒子1175bが分散される。なお、黒色粒子1175aの代わりに、青色粒子、赤色粒子、緑色粒子、黄色粒子、青緑粒子、赤紫粒子を用いても良い。さらには、図13C及びDに示すように、微細な透明容器1331内に着色した分散媒1333及び白色粒子1332が分散されるマイクロカプセル1330を用いてもよい。なお、着色した分散媒1333は、黒色、青色、赤色、緑色、黄色、青緑色、赤紫色のいずれかに着色している。また、一画素に青色粒子、赤色粒子、緑色粒子が分散されるマイクロカプセルをそれぞれ設けることで、カラー表示することができる。また、黄色粒子、青緑粒子、赤紫粒子が分散されるマイクロカプセルをそれぞれ設けることで、カラー表示することができる。また、一画素に青色、赤色、緑色の分散媒を有するマイクロカプセルを配列して設けることで、カラー表示することができる。また、一画素に黄色、青緑色、赤紫色の分散媒を有するマイクロカプセルを配列して設けることで、カラー表示することができる。次に、電気泳動素子を用いた表示方法を示す。具体的には、図13A及びBを用いて、二色の粒子を有するマイクロカプセル1170の表示方法について示す。ここでは、二色の粒子として白色粒子及び黒色粒子を用い、また透明な分散媒を有するマイクロカプセルについて示す。なお、二色の粒子の黒色粒子の代わりに他の色の粒子を用いてもよい。マイクロカプセル1170において、黒色粒子1175aがプラスに帯電されているものとし、白色粒子1175bがマイナスに帯電されているものとし、第1の導電層1171及び第2の導電層1173に電界を印加する。ここでは、第2の導電層から第1の導電層の方向へ電界が印加されると、図13Aに示すように、第2の導電層1173側に黒色粒子1175aが泳動し、第1の導電層1171側に白色粒子1175bが泳動する。この結果、マイクロカプセルを第1の導電層1171側から見た場合には、白色に観察され、第2の導電層1173側から見た場合には黒色に観察される。一方、第1の導電層1171から第2の導電層1173の方向へ電界が印加されると、図13Bに示すように、第1の導電層1171側に黒色粒子1175aが泳動し、第2の導電層1173側に白色粒子1175bが泳動する。この結果、マイクロカプセルを第1の導電層1171側から見た場合には、白色に観察され、第2の導電層1173側から見た場合には黒色に観察される。次に、白色粒子を有し、且つ着色された分散媒を有するマイクロカプセル1330の表示方法について示す。ここでは、分散媒が黒色に着色された例を示すが、他の色に着色された分散媒を用いても同様である。マイクロカプセル1330において、白色粒子1332がマイナスに帯電されているものとし、第1の導電層1171及び第2の導電層1173に電界を印加する。ここでは、第2の導電層から第1の導電層の方向へ電界が印加されると、図13Cに示すように、第1の導電層1171側に白色粒子1175bが泳動する。この結果、マイクロカプセルを第1の導電層1171側から見た場合には、白色に観察され、第2の導電層1173側から見た場合には黒色に観察される。一方、第1の導電層から第2の導電層の方向へ電界が印加されると、図13Dに示すように、第2の導電層1173側に白色粒子1175bが泳動する、この結果、マイクロカプセルを第1の導電層1171側から見た場合には、白色に観察され、第2の導電層1173側から見た場合には黒色に観察される。ここで、電気泳動素子を用いて説明したが、この代わりにツイストボール表示方式を用いた表示装置を用いてもよい。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を第1の導電層及び第2の導電層の間に配置し、第1の導電層及び第2の導電層に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。また、薄膜トランジスタの代わりに、スイッチング素子としてMIMMetal-Insulator-Metal、ダイオード等を用いることもできる。電気泳動素子を有する表示装置やツイストボール表示方式の表示装置は、電界効果トランジスタを取り去った後も長期にわたって、電界印加時と同様の状態を保持する。よって、電源を切っても表示状態を維持することが可能である。このため低消費電力が可能で有る。以上の工程により、電気泳動素子を含む半導体装置を作製することができる。本実施の形態に示す電気泳動素子を含む半導体装置の作製方法を用いることにより、複雑なフォトリソグラフィ工程を用いることなく配線間の開口コンタクトホールを形成することができ、かつ配線の電気的コンタクトを良好にとることができる。よって、材料のロスが少なく、高性能、高信頼性の電気泳動素子を含む半導体装置を歩留まりよく作製することができる。実施の形態6実施の形態3~5によって作製される表示パネルEL表示パネル、液晶表示パネル、電気泳動表示パネルにおいて、半導体層を非晶質半導体、又はSASで形成し、走査線側の駆動回路を基板上に形成する例を示す。図14は、1~15cm2/Vsecの電界効果移動度が得られるSASを使ったnチャネル型のTFTで構成する走査線側駆動回路のブロック図を示している。図14において8500で示すブロックが1段分のサンプリングパルスを出力するパルス出力回路に相当し、シフトレジスタはn個のパルス出力回路により構成される。8501はバッファ回路であり、その先に画素8502が接続される。図15は、パルス出力回路8500の具体的な構成を示したものであり、nチャネル型のTFT8601~8612で回路が構成されている。このとき、SASを使ったnチャネル型のTFTの動作特性を考慮して、TFTのサイズを決定すれば良い。例えば、チャネル長を8μmとすると、チャネル幅は10~80μmの範囲で設定することができる。また、バッファ回路8501の具体的な構成を図16に示す。バッファ回路も同様にnチャネル型のTFT8620~8635で構成されている。このとき、SASを使ったnチャネル型のTFTの動作特性を考慮して、TFTのサイズを決定すれば良い。例えば、チャネル長を10μmとすると、チャネル幅は10~1800μmの範囲で設定することとなる。このような回路を実現するには、TFT相互を配線によって接続する必要がある。以上のようにして、表示パネルに駆動回路を組み入れることができる。次に、上記実施例に示した表示パネルへの駆動回路の実装について、図17を用いて説明する。図17Aに示すように、画素部1701の周辺にソース線駆動回路1702、及びゲート線駆動回路1703a、1703bを実装する。図17Aでは、ソース線駆動回路1702、及びゲート線駆動回路1703a、1703b等として、公知の異方性導電接着剤、及び異方性導電フィルムを用いた実装方法、COG方式、ワイヤボンディング方法、並びに半田バンプを用いたリフロー処理等により、基板1700上にICチップ1705を実装する。ここでは、COG方式を用いる。そして、FPCフレキシブルプリントサーキット1706を介して、ICチップと外部回路とを接続する。なお、ソース線駆動回路1702の一部、例えばアナログスイッチを基板上に形成し、かつその他の部分を別途ICチップで実装してもよい。また、図17Bに示すように、SASや結晶性半導体でTFTを形成する場合、画素部1701とゲート線駆動回路1703a、1703b等を基板上に形成し、ソース線駆動回路1702等を別途ICチップとして実装する場合がある。図17Bにおいて、ソース線駆動回路1702として、COG方式により、基板1700上にICチップ1705を実装する。そして、FPC1706を介して、ICチップと外部回路とを接続する。なお、ソース線駆動回路1702の一部、例えばアナログスイッチを基板上に形成し、かつその他の部分を別途ICチップで実装してもよい。さらに、図17Cに示すように、COG方式に代えて、TAB方式によりソース線駆動回路1702等を実装する場合がある。そして、FPC1706を介して、ICチップと外部回路とを接続する。図17Cにおいて、ソース線駆動回路をTAB方式により実装しているが、ゲート線駆動回路をTAB方式により実装してもよい。ICチップをTAB方式により実装すると、基板に対して画素部を大きく設けることができ、狭額縁化を達成することができる。ICチップは、シリコンウェハを用いて形成するが、ICチップの代わりにガラス基板上に回路を形成したIC以下、ドライバICと表記するを設けてもよい。ICチップは、円形のシリコンウェハからICチップを取り出すため、母体基板形状に制約がある。一方ドライバICは、母体基板がガラスであり、形状に制約がないため、生産性を高めることができる。そのため、ドライバICの形状寸法は自由に設定することができる。例えば、ドライバICの長辺の長さを15~80mmとして形成すると、ICチップを実装する場合と比較し、必要な数を減らすことができる。その結果、接続端子数を低減することができ、製造上の歩留まりを向上させることができる。ドライバICは、基板上に形成された結晶質半導体を用いて形成することができ、結晶質半導体は連続発振型のレーザビーム又は周波数10MHz以上のパルスレーザを照射することで形成するとよい。連続発振型のレーザビームを照射して得られる半導体膜は、結晶欠陥が少なく、大粒径の結晶粒を有する。その結果、このような半導体膜を有するトランジスタは、移動度や応答速度が良好となり、高速駆動が可能となり、ドライバICに好適である。次に、上記実施例で示される表示パネルを有するモジュールについて、図18を用いて説明する。図18は表示パネル9801と、回路基板9802を組み合わせたモジュールを示している。回路基板9802には、例えば、コントロール回路9804や信号分割回路9805などが形成されている。また、表示パネル9801と回路基板9802とは、接続配線9803で接続されている。表示パネル9801に実施例1乃至3で示すような、液晶表示パネル、発光表示パネル、電気泳動表示パネル等を適宜用いることができる。この表示パネル9801は、発光素子が各画素に設けられた画素部9806と、走査線駆動回路9807、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路9808を備えている。画素部9806の構成は、実施の形態3乃至5と同様である。また、走査線駆動回路9807や信号線駆動回路9808は、異方性導電接着剤、及び異方性導電フィルムを用いた実装方法、COG方式、ワイヤボンディング方法、並びに半田バンプを用いたリフロー処理等の手法により、基板上にICチップで形成される走査線駆動回路9807、信号線駆動回路9808を実装する。本実施例により、歩留まり高く表示パネルを有するモジュールを形成することが可能である。実施の形態7上記実施の形態や示される半導体装置を有する電子機器として、テレビジョン装置単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ、PDA等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図19を参照して説明する。図19Aに示す携帯情報端末は、本体9201、表示部9202等を含んでいる。表示部9202に、上記実施の形態に示すものを適用することにより、高性能な携帯情報端末を容易に作製することができる。図19Bに示すデジタルビデオカメラは、表示部9701、表示部9702等を含んでいる。表示部9701に、上記実施の形態に示すものを適用することにより、高性能なデジタルビデオカメラを容易に作製することができる。図19Cに示す携帯端末は、本体9101、表示部9102等を含んでいる。表示部9102に、上記実施の形態に示すものを適用することにより、高性能な携帯端末を容易に作製することができる。図19Dに示す携帯型のテレビジョン装置は、本体9301、表示部9302等を含んでいる。表示部9302に、上記実施の形態に示すものを適用することにより、高性能な携帯型のテレビジョン装置を容易に作製することができる。このようなテレビジョン装置は携帯電話などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの例えば40インチ以上まで、幅広く適用することができる。図19Eに示す携帯型のコンピュータは、本体9401、表示部9402等を含んでいる。表示部9402に、上記実施の形態に示すものを適用することにより、高性能な携帯型のコンピュータを容易に作製することができる。図19Fに示すテレビジョン装置は、本体9601、表示部9602等を含んでいる。表示部9602に、上記実施の形態に示すものを適用することにより、高性能なテレビジョン装置を容易に作製することができる。ここで、テレビジョン装置の構成について、図20を用いて説明する。図20は、テレビジョン装置の主要な構成を示すブロック図である。チューナ9511は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像検波回路9512と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路9513と、その映像信号をドライバICの入力仕様に変換するためのコントロール回路9514により処理される。コントロール回路9514は、表示パネル9515の走査線駆動回路9516と信号線駆動回路9517にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路9518を設け、入力デジタル信号をm個に分割して供給する構成としても良い。なお、テレビジョン装置を構成する各回路には、上記実施の形態で示したTFTを用いることができる。上記実施の形態に示すTFTは、フェムト秒レーザを用いることにより複雑なフォトリソグラフィ工程を用いることなく配線間の開口コンタクトホールを形成することができ、かつ配線の電気的コンタクトを良好にとることができる。よって、材料のロスが少なく、高性能、高信頼性なテレビジョン装置を歩留まりよく作製することができる。図20において、チューナ9511で受信した信号のうち、音声信号は音声検波回路9521に送られ、その出力は音声信号処理回路9522を経てスピーカー9523に供給される。制御回路9524は受信局受信周波数や音量の制御情報を入力部9525から受け、チューナ9511や音声信号処理回路9522に信号を送出する。このテレビジョン装置は、表示パネル9515を含んで構成されることにより、テレビジョン装置の低消費電力を図ることが可能である。なお、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニターをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。"