半導体基板と、前記半導体基板の一主面に沿って形成された第1導電型のウェル領域と、前記ウェル領域内に設けられ、前記半導体基板表面に形成された素子分離領域により互いに分離されている第1のアクティブ領域および第2のアクティブ領域と、前記第2のアクティブ領域の前記半導体基板表面近傍に設けられた第1の第2導電型不純物拡散層と、前記第1のアクティブ領域の前記半導体基板表面に設けられた第1のゲート絶縁膜および前記第2のアクティブ領域の前記半導体基板表面に設けられた第2のゲート絶縁膜を介して前記第1のアクティブ領域から前記第2のアクティブ領域にかけて設けられた、前記第1のアクティブ領域において環状構造を有するフローティングゲートと、前記第1のアクティブ領域の前記半導体基板表面近傍であって、前記環状構造の内側となる位置に配置されたソース領域と、外側となる位置に配置されたドレイン領域と、を有する不揮発性半導体記憶装置。前記ソース領域、前記環状構造、および前記ドレイン領域が四角形の環状に配置された請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。前記ソース領域、前記環状構造、および前記ドレイン領域が同心円の環状に配置された請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。前記ソース領域、前記環状構造、および前記ドレイン領域が五角形以上の多角形の環状に配置された請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。前記フローティングゲートが有する前記環状構造は複数である請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。前記環状構造は前記ソース領域が位置する内側に櫛状の突起を有している請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。しかし、特許文献1記載の手法で、書き込み特性を向上させる場合、確かに書き込み特性を向上することは可能であるが、コントロールゲートを積層する為の工程に加えて、フローティングゲート上に凹凸を形成する工程が必要となり工程が複雑になってしまうという問題がある。また、上記特許文献1の考え方を、上記従来の不揮発性EPROMのように、多結晶シリコン膜一層構造の不揮発性EPROMに適用した場合にも、やはり、コントロールゲート領域の基板表面に凹凸を形成する工程が必要となり、工程が複雑になってしまい、コスト面で不利となる。そこで、本発明は、製造工程を複雑にすることなく、書き込み特性が向上された不揮発性半導体記憶装置を提供することを課題とする。本発明では、上記目的を達成するために、次の手段を用いた。不揮発性半導体記憶装置において、メモリトランジスタのソース領域を取り囲んで環状のフローティングゲートを配置し、ソース領域は内側に、ドレイン領域は外側になるように環状に形成する。環状にメモリトランジスタを形成することで、従来の不揮発性半導体記憶装置のメモリトランジスタよりも、W長を長くできる。ホットキャリアの発生の元となる電流量、及び、ホットキャリアの発生しやすいドレイン端領域を大きくできることで、ホットキャリアの絶対数を増やし、書き込み特性を向上することが可能になる。また、本発明による不揮発性半導体記憶装置の構造は、従来の不揮発性半導体記憶装置の製造方法で製造できるので、製造工程を増やさずに書き込み特性を向上することができる。本発明によれば、不揮発性半導体記憶装置において、メモリトランジスタのソース領域を取り囲んで環状のフローティングゲートを配置し、ソース領域は内側に、ドレイン領域は外側になるように環状に形成することによって、製造工程を複雑にすることなく、書き込み特性の向上可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発明の第一の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の概略構成を示す平面図である。図2aは、図1のA-A’線で切断した断面図、図2bは、図1のB-B’線で切断した断面図、図2cは、図1のC-C’線で切断した断面図である。図1、図2a、図2b、および図2cに示すように、素子分離領域5が選択的に形成されたP型半導体基板3の一主面に沿ってP型ウェル4が形成されている。ソース領域およびドレイン領域が形成されるメモリトランジスタ領域1に含まれる第1のアクティブ領域31には、基板上に形成されたゲート酸化膜8を介して、環状構造41を有するフローティングゲート9が配置される。第1のアクティブ領域31の上記P型ウェル4内に、高濃度のN型不純物を拡散させることによって、環状構造の環の中である内側にソース領域6、環状構造の外側にドレイン領域7が配置される。また、素子分離領域5で分離された、コントロールゲート領域2に含まれる第2のアクティブ領域の上記P型ウェル4内には、コントロールゲートと同じ働きをする比較的高濃度のN型不純物層10が形成されている。上記N型不純物層10が形成された基板上にゲート酸化膜8を介して、メモリトランジスタ領域1より延伸された上記フローティングゲート9が配置されている。ここで、上記フローティングゲート9は、上記N型不純物層10の表面の一部が露出するように配置されており、露出された上記N型不純物層10の形成された基板表面には、高濃度N型不純物層11が形成されている。層間絶縁膜の堆積後に上記高濃度N型不純物層11が形成された基板表面にコントロールゲート電位を印加する為のコンタクトが形成され、本実施の形態で製造する不揮発性半導体記憶装置が構成される。電極配線以降金属配線や保護膜の構造は、一般的な半導体装置と同様であるので、詳細な説明は割愛する。本実施の形態では、図1、及び、図2a、図2bに示すように、ソース領域6を取り囲んで環状のフローティングゲート9を配置し、フローティングゲート9に対して、ソース領域6は内側に、ドレイン領域7は外側になるように環状に配置されている。環状に形成したメモリトランジスタは、従来のメモリトランジスタよりも、W長を長くできる。ホットキャリア発生の元となる電流量、及び、ホットキャリアの発生しやすいドレイン端領域を大きくできることで、ホットキャリアの絶対数を増やし、書き込み特性を向上することが可能となる。本実施の形態では、P型半導体基板を使用したNチャネル型不揮発性半導体記憶装置を例にして説明したが、N型半導体基板を使用したPチャネル型不揮発性半導体記憶装置場合にも同様に説明することができる。また、本実施の形態では、四角い環状にメモリトランジスタを形成したが、円状や、四角形以上の多角形の環状に形成しても同様の効果が得られる。図3は、本発明の不揮発性半導体記憶装置の第二の実施形態の概略構成を示す平面図である。図4は、図3のD-D’線で切断した断面図である。図3のB-B’線で切断した断面図は図2b、図3のC-C’線で切断した断面図は図2cと同様であるので新たには記載していない。図3、及び、図4に示すように、メモリトランジスタ領域上1の、ドレイン領域に挟まれたフローティングゲートは複数の環状構造を有し、環状に形成されたフローティングゲートに囲まれた領域に、高濃度のN型不純物を拡散させることによって、ドレイン領域6だけでなく第二のドレイン領域12を形成する。第二のドレイン領域を形成することで、第一の実施形態よりも、W長を長くでき、ホットキャリアの起源となる電流量、及び、ホットキャリアの発生しやすいドレイン端領域を大きくできることで、ホットキャリアの絶対数を増やすことができ、書き込み特性を向上することが可能になる。図5は、本発明の第三の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の概略構成を示す平面図である。図6は、図5のE-E’線で切断した断面図である。図5のB-B’線で切断した断面図は図2b、図5のC-C’線で切断した断面図は図2Cである。また、図5のD-D’線で切断した断面図は図4である。第三の実施形態は、図5に示すように、上記第二のドレイン領域12の、上記ソース領域6側に近い上記フローティングゲート9の一部に櫛型の突起24が形成されている。上記フローティングゲート9の一部を突起状に形成することで、第一の実施形態、及び、第二の実施形態よりも、ドレイン端に電界集中しやすい角を増やすことができ、ホットキャリアの絶対量を増やすことができ、書き込み特性を向上させることが可能となる。本実施の形態では、前記突起状のフローティングゲートを四角い形状としているが、ホットキャリアの発生しやすい電界集中しやすい角をドレイン端に有すれば同様の効果を得ることができるので、角を有する形状であれば同様の効果が得られる。この効果は、第二のドレイン領域12に限らず、第一のドレイン領域7でも同様の効果が得られるので、第一のドレイン端の形状に角を含ませる場合にも、同様の効果が得られる。本実施の形態では、P型半導体基板を使用したNチャネル型不揮発性半導体記憶装置を例にして説明したが、N型半導体基板を使用した場合にも同様に説明することができる。また、本実施の形態では、環状構造は四角であり、その内外にメモリトランジスタを形成したが、円状や、四角形以上の多角形の環状構造に形成しても同様の効果が得られる。以上が、本実施の形態で製造する不揮発性半導体記憶装置の構造である。以上に説明した本実施の形態により次のような効果を得ることができる。本発明によれば、不揮発性半導体記憶装置において、メモリトランジスタのソース領域を取り囲んで環状のフローティングゲートを配置し、ソース領域は内側に、ドレイン領域は外側になるように環状に形成している。環状にメモリトランジスタを形成することで、従来のメモリトランジスタよりも、W長を長くでき、ホットキャリアの起源となる電流量、及び、ホットキャリアの発生しやすいドレイン端領域を大きくできることで、ホットキャリアの絶対数を増やすことで、書き込み特性を向上することが可能になる。また、本実施の形態で製造する不揮発性半導体記憶装置の構造は、従来の不揮発性半導体記憶装置の製造方法で製造できるので、製造工程を増やさずに書き込み特性を向上することが可能である。上記効果により、製造工程を複雑にすることなく、書き込み特性の向上可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。