表面に第1導電型の半導体層を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体層表面に形成され、前記半導体層と同一導電型である第1導電型を有する第1の拡散領域と、前記第1の拡散領域とPN接合を形成する、第2導電型を有する第2の拡散領域とを有する半導体装置であって、前記半導体層が、イオン注入によって形成された拡散層で構成された半導体装置。請求項1に記載の半導体装置であって、前記半導体層は、底部に複数の濃度ピークを有する半導体装置。請求項2に記載の半導体装置であって、前記第2の拡散領域は、前記第1の拡散領域よりも広い面積を有しかつ一部に重なりもつように形成されており、前記第2の拡散領域は、前記第1の拡散領域とPN接合を形成する、ダイオード形成領域と、前記ダイオード形成領域を取り囲む、リング構造領域とを構成する半導体装置。請求項3に記載の半導体装置であって、前記第1の拡散領域と第2の拡散領域との重なりによる接合部は、その周辺部の耐圧よりも低い電圧で降伏する半導体装置。請求項4に記載の半導体装置であって、前記第1導電型の半導体層は、エピタキシャル成長後に、不純物拡散によって所望の濃度に注入された半導体層であり、前記第2の拡散領域は、前記第1の拡散領域の上部の導電型を反転して形成された反転領域を含む半導体装置。請求項5に記載の半導体装置であって、前記半導体基板は、表面で前記第2の拡散領域の周縁部に自己整合するように開口をもつ絶縁層を有する半導体装置。第1導電型の半導体基板表面に、不純物を注入し、拡散することで、拡散領域からなる第1導電型の半導体層を形成する工程と、前記第1導電型の半導体層表面に、第1導電型の不純物を注入し、前記半導体層と同一導電型を有する第1導電型を有する第1の拡散領域を形成する第1の不純物拡散工程と、第2導電型の不純物を注入し、前記第1導電型の拡散領域の形成された前記半導体層表面に、前記第1の拡散領域とPN接合を形成する、第2導電型を有する第2の拡散領域を形成する第2の不純物拡散工程とを含む半導体装置の製造方法。請求項7に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1導電型の半導体層を形成する工程は、第1導電型の半導体基板表面に、エピタキシャル層を形成する工程と、前記エピタキシャル層内に不純物を注入する工程とを含む半導体装置の製造方法。請求項8に記載の半導体装置の製造方法であって、前記不純物を注入する工程は、同一のドーズ量で、加速電圧を変化させて複数回イオン注入を行う工程を含む半導体装置の製造方法。請求項7乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、少なくとも表面が第1導電型の半導体層を構成する半導体基板表面に、前記第2の不純物拡散工程は、第2導電型の不純物を注入し、前記第1導電型の拡散領域の形成された前記半導体層表面に、前記第1の拡散領域よりも広い面積を有しかつ一部に重なりもつように第2導電型を有する第2の拡散領域を形成し、前記第1の拡散領域表面の導電型を反転し、前記第1の拡散領域とPN接合を形成する、ダイオード形成領域と、前記ダイオード形成領域を取り囲む、リング構造領域とを形成する工程を含む半導体装置の製造方法。請求項10に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1の不純物拡散工程に先立ち、前記第2の拡散領域に相当する領域に開口を有する絶縁層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。請求項11に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1の不純物拡散工程は、前記開口よりも小さい開口を有するレジストマスクを介して不純物を導入する工程を含む半導体装置の製造方法。近年、ツェナーダイオードは、ツェナー電圧が細分化され、しかもそのツェナー電圧の規格範囲は非常に狭いことから、ウェハ面内、ウェハ間および製造ロット間でのツェナー電圧にばらつきがあると、必要なツェナー電圧を持った半導体装置の抽出は数量的に低くなり、その結果、歩留りが低下する。即ち、エピタキシャル層の濃度コントロールは難しく限界に近いものである。このように、エピタキシャル層の濃度ばらつきによりツェナー電圧も比例して大きくばらつき、そのため、必要なツェナー電圧を高歩留りで得ることは困難であるという課題があった。又、従来の構成では、ツェナー電圧は、N-型エピタキシャル層102の濃度とP型拡散層103との濃度との関係において一義的に決まる為に、必要なツェナー電圧ごとに異なった濃度のエピタキシャルウェハが必要となり、膨大なウェハの在庫が必要になるという課題があった。特許文献3の構造においては、第1および第2導電型の拡散層が重なるように円形状に配置され、その端部を、ガードリングで環状に取り囲むようにしたものである。したがって、図15aおよびbにツェナー電圧7.5Vおよび39Vのときの濃度プロファイルを示すように、耐圧のばらつきは低減されるものの、ツェナー電圧39Vのとき、第1および第2導電型の拡散層すなわちP型拡散層とN型拡散層との交点は7.5Vと比べて、エピタキシャル層との濃度差は小さい。注入に比べエピタキシャル層のほうが公差が大きいため、エピタキシャル層の濃度ばらつきに起因して第1および第2導電型の拡散層の交点とエピタキシャル層との濃度差にはばらつきが生じ易い。このためツェナー電圧にもばらつきが生じ易いという問題があった。本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、ツェナー電圧のばらつきを極力なくし、高歩留まりで所望のツェナー電圧をもつ半導体装置を提供することを目的とする。本発明は、表面に第1導電型の半導体層を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体層表面に形成され、前記半導体層と同一導電型である第1導電型を有する第1の拡散領域と、前記第1の拡散領域とPN接合を形成する、第2導電型を有する第2の拡散領域とを有する半導体装置であって、前記半導体層が、イオン注入によって、形成された拡散層で構成されたことを特徴とする。また本発明は、上記半導体装置であって、前記半導体層は、底部に複数の濃度ピークを有する。また本発明は、上記半導体装置であって、前記第2の拡散領域は、前記第1の拡散領域よりも広い面積を有しかつ一部に重なりもつように形成されており、前記第2の拡散領域は、前記第1の拡散領域とPN接合を形成する、ダイオード形成領域と、前記ダイオード形成領域を取り囲む、リング構造領域とを構成する。また本発明は、上記半導体装置であって、前記第1の拡散領域と第2の拡散領域との重なりによる接合部は、その周辺部の耐圧よりも低い電圧で降伏する。また本発明は、上記半導体装置であって、前記第1導電型の半導体層は、エピタキシャル成長後に、不純物拡散によって所望の濃度に注入された半導体層であり、前記第2の拡散領域は、前記第1の拡散領域の上部の導電型を反転して形成された反転領域を含む。また本発明は、上記半導体装置であって、前記半導体基板は、表面で前記第2の拡散領域の周縁部に自己整合するように開口をもつ絶縁層を有する。また本発明は、上記半導体装置であって、第1導電型の半導体基板表面に、不純物を注入し、拡散することで、拡散領域からなる第1導電型の半導体層を形成する工程と、前記第1導電型の半導体層表面に、第1導電型の不純物を注入し、前記半導体層と同一導電型を有する第1導電型を有する第1の拡散領域を形成する第1の不純物拡散工程と、第2導電型の不純物を注入し、前記第1導電型の拡散領域の形成された前記半導体層表面に、前記第1の拡散領域とPN接合を形成する、第2導電型を有する第2の拡散領域を形成する第2の不純物拡散工程とを含む。また本発明は、上記半導体装置の製造方法であって、前記第1導電型の半導体層を形成する工程は、第1導電型の半導体基板表面に、エピタキシャル層を形成する工程と、前記エピタキシャル層内に不純物を注入する工程とを含む。また本発明は、上記半導体装置であって、前記不純物を注入する工程は、同一のドーズ量で、加速電圧を変化させて複数回イオン注入を行う工程を含む。また本発明は、上記半導体装置の製造方法であって、少なくとも表面が第1導電型の半導体層を構成する半導体基板表面に、前記第2の不純物拡散工程は、第2導電型の不純物を注入し、前記第1導電型の拡散領域の形成された前記半導体層表面に、前記第1の拡散領域よりも広い面積を有しかつ一部に重なりもつように第2導電型を有する第2の拡散領域を形成し、前記第1の拡散領域表面の導電型を反転し、前記第1の拡散領域とPN接合を形成する、ダイオード形成領域と、前記ダイオード形成領域を取り囲む、リング構造領域とを形成する工程を含むまた本発明は、上記半導体装置であって、前記第1の不純物拡散工程に先立ち、前記第2の拡散領域に相当する領域に開口を有する絶縁層を形成する工程を含む。また本発明は、上記半導体装置の製造方法であって、前記第1の不純物拡散工程は、前記開口よりも小さい開口を有するレジストマスクを介して不純物を導入する工程を含む。以上のように、ダイオード領域を形成する半導体層は、基板濃度に対して十分にマージンをとることができるため、素材ばらつきがPN接合に影響を与えることなく、ツェナー電圧ばらつきを低減することができる。また、高抵抗化はしたものの、全面注入によって抵抗成分を低下させているため、ESD耐量の向上を図ることができる。また、全面注入によって疑似的に素材を作り込むため、必要とする製品のツェナー電圧ラインアップに対して、所望の素材を用いることができる。このように、本発明によれば、エピタキシャル成長によるエピタキシャル層の濃度コントロールよりも、拡散による拡散濃度コントロールの方がはるかにばらつきが低く抑えられ、基板濃度に対して十分にマージンをとることができるため、高精度のツェナー電圧を得ることが可能となる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。具体的な説明に先立ち、本発明の概念について説明する。図1は、本発明の半導体装置の一例を示す概略断面図である。この半導体装置は、ダイオード領域を形成するための下地層となる半導体層が、イオン注入によって、所望の不純物濃度をもつように形成されたN型拡散層N型注入層2Dで構成されたことを特徴とする。他部については、図14に示した上記特許文献3の半導体装置と同様の構成をとるものである。この半導体装置は、縦型の半導体装置であって、N型シリコン基板1の表面に第1導電型の半導体層としてN型拡散層2Dを形成してなるもので、このN型拡散層表面に、第1の拡散領域としてN型拡散領域6を形成するとともに、このN型拡散領域6よりも広い面積を有しかつ一部に重なりもつように形成された第2導電型を有する第2の拡散領域としてのP型拡散領域8を具備し、このP型拡散領域8が、前記N型拡散領域6とPN接合を形成し、ツェナーダイオード形成領域を形成したことを特徴とする。そしてこのツェナーダイオード形成領域の周囲にこれを取り囲むP型拡散領域からなるリング構造領域7を具備している。また表面にはアルミニウム薄膜からなるアノード電極10が形成され、その上層に窒化シリコン膜からなる保護膜11が形成されている。そしてN型エピタキシャル層2は、表面にP型拡散領域からなるリング構造領域7の周縁部に自己整合するように開口をもつ絶縁層3を有している。P型拡散領域8はN型拡散領域6の上部の導電型を反転して形成された反転領域となっている。この構成によれば、図2aにこの半導体装置の不純物濃度プロファイルを示すように、ダイオード領域を形成する下地となる半導体層であるN型拡散層2Dが低濃度のエピタキシャル層に注入によって所望の濃度を構成するようにしているため、PN接合を構成するN型拡散領域6の濃度は、基板濃度すなわち下地濃度に対して十分にマージンMをとることができる。図2bは下地となる半導体層をエピタキシャル層で構成した図14の半導体装置の濃度プロファイルを示す図である。本発明の半導体装置における下地濃度つまり半導体層2Dに対するPN接合を構成するN型拡散領域6の濃度のマージンMは、図14の例における、基板濃度すなわち下地濃度に対するマージンM0に対して十分大きく取ることができる。ここでN型拡散領域6N型注入層の濃度は、Niで示し、P型拡散領域8P型注入層の濃度は、Piで示した。またN型エピタキシャル層の濃度は、Neで示し、N型基板の濃度は、Nsubで示した。従って、素材ばらつきがPN接合に影響を与えることなく、ツェナー電圧ばらつきを低減することができる。また、エピタキシャル層を低濃度にして高抵抗化はしたものの、全面注入によって抵抗成分を高精度に所望の値となるように低下させているため、ESD耐量の向上を図ることができる。また図13の半導体装置における下地層であるN型エピタキシャル層2とPN接合を形成するN型拡散領域6との濃度差とツェナーダイオードの耐圧との関係を図3に示す。aはN型注入層N型拡散領域を示し、bは基板濃度を示す。この図からもわかるように、ツェナー電圧が高くなるほど下地層の濃度とN型拡散領域6との濃度マージンが小さくなっている。また、P型拡散領域8とリング構造領域7とは同一の不純物導入領域で構成されるが、反転による濃度差により、P型拡散領域8がN型拡散領域6との重なりにより形成される接合部は、その周辺部の耐圧よりも低い電圧で降伏するように形成される。次にこの注入による半導体層の形成方法について説明する。この例では、図4にイオン注入時の基板断面とその濃度プロファイルを示すように、底部に3の濃度ピークを有するように、同一のドーズ量で加速電圧を3段階に変化させてイオン注入を行う。そして必要に応じて900から1000°Cの熱処理を行う。このようにして得られた半導体層は底部に3つのピークが形成されるが、安定して極めて高精度の不純物濃度を確保することが可能となる。実施の形態1図5は、本発明の実施の形態1における半導体装置の断面図、図6乃至図9はこの半導体装置の製造工程を示す図である。図5乃至図9において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。この半導体装置は、縦型の半導体装置であって、N型シリコン基板1の表面にイオン注入で形成した第1導電型の半導体層としてN型拡散層2Dからなる半導体層を形成してなるもので、この半導体層表面に、第1の拡散領域としてN型拡散領域6を形成するとともに、このN型拡散領域6よりも広い面積を有しかつ一部に重なりもつように形成された第2導電型を有する第2の拡散領域としてのP型拡散領域8を具備し、このP型拡散領域8が、前記N型拡散領域6とPN接合を形成し、ツェナーダイオード形成領域を形成したことを特徴とする。そしてこのツェナーダイオード形成領域の周囲にこれを取り囲むP型拡散領域からなるリング構造領域7を具備している。また表面にはアルミニウム薄膜からなるアノード電極10が形成され、その上層に窒化シリコン膜からなる保護膜11が形成されている。そしてN型拡散層2Dは、表面にP型拡散領域からなるリング構造領域7の周縁部に自己整合するように開口をもつ絶縁層3を有している。P型拡散領域8はN型拡散領域6の上部の導電型を反転して形成された反転領域となっている。そして、P型拡散領域8とリング構造領域7とは同一の不純物導入領域で構成されるが、反転による濃度差により、P型拡散領域8がN型拡散領域6との重なりにより形成される接合部は、その周辺部の耐圧よりも低い電圧で降伏するように形成される。ここで、1はN型のシリコン基板半導体基板であって、N型の注入層からなる半導体層2Dは濃度1E14~5E17cm3、厚み1~40μmのエピタキシャル層にイオン注入を行うことで形成したものである。注入されたN型のイオンは後続工程で拡散されるためN型拡散領域ともいうことができる。絶縁膜3は、SiO2膜やナイトライド膜などのCVD膜で構成してもよい。第1の拡散領域としてのN型拡散領域6は、リン不純物をイオン注入とドライブ拡散で濃度1E18~1E20cm3、深さ1μmとしたものである。また、第2の拡散領域としてのP型拡散領域8およびリング構造領域ガードリング7は同一工程で形成され、ボロン不純物をイオン注入法で注入し、所定の条件のドライブイン拡散で一定の濃度と深さを正確に得るようにしたものである。P型拡散領域8およびリング構造領域7はそれぞれ、濃度1E18~1E21cm3、深さ0.5μm、濃度1E18~1E21cm3、深さ1.0μm以上である。また、リング構造領域7は、同一工程で形成された前記P型拡散領域8を取り囲んでP型層を設けてシリコン表面の電界を緩和させる事で、リング構造領域7とN-型エピタキシャル層2との接合部による耐圧以下周辺電圧と呼ぶは、より高耐圧となる様に配置されている。次に、この半導体装置の製造方法について説明する。まず、図6aに示すように、N型シリコン基板1の表面に低濃度のN型エピタキシャル層2を形成し、N-/Nエピタキシャルウェハを得る。続いて、図6bに示すように、図4に示したように、全面にリンをイオン注入し、N型拡散層2Dを形成する。そして、図6cに示すように、熱酸化により、表面に膜厚500~1000nmの酸化シリコン膜からなる絶縁層3を形成し、図6dに示すように、フォトリソグラフィにより所定の位置に開口部4を形成する。こののち、図6eに示すように、LOCOSにより、開口部4に露呈するN型注入層からなる半導体層2の表面に酸化シリコン膜5を形成する。そして、図7aに示すように、この酸化シリコン膜5の上層にフォトレジストを塗布し、前記開口部4よりも小さい開口をもつようにレジストパターンR1を形成する。このレジストパターンR1をマスクとして、図7bに示すように、リンイオンのイオン注入加速電圧400eVとドライブ拡散でほぼ1E18~1E20cm3の濃度を得る。そしてレジストパターンR1を除去し、900~1100°Cのアニールを行い、比抵抗の低いN型拡散領域6を形成する。このN型拡散領域6の濃度は、N型イオン注入で形成されたN型拡散層2Dの比抵抗よりも十分低い。このため半導体層2Dの持っている比抵抗のばらつきには影響されない。そして、図7cに示すように、再度酸化シリコン膜5の上層にフォトレジストを塗布し、前記開口部4と同程度の開口をもつようにレジストパターンR2を形成する。そして、このレジストパターンR2をマスクとして、ボロンイオンのイオン注入とドライブ拡散でボロンのイオン注入を行う。このときの注入条件は、5~1000keV、1E12cm2~9E14cm2の条件で複数段例えば2~10回の注入を行った。そして窒素雰囲気中でのドライブ拡散でほぼ1E18~1E21cm3の濃度を得る。そしてレジストパターンR2を除去し、N型拡散領域6の上部では導電型を反転し、図8aに示すように、P型拡散領域8を形成する。また、P型拡散領域8を囲む領域では、リング構造領域7を得る。このときリング構造領域の外側を囲むようにフローティングリングを形成してもよい。これにより、ダイオード領域を形成する下地となる半導体層であるN型拡散層2Dが低濃度のエピタキシャル層に、イオン注入することによって所望の濃度を構成するため、PN接合を構成するN型拡散領域6の濃度は、基板濃度すなわち下地濃度に対して十分にマージンMをとることができる。従って、素材ばらつきがPN接合に影響を与えることなく、ツェナー電圧ばらつきを低減することができる。また、N型拡散領域6の上部では導電型を反転して形成されるP型拡散領域8との間にPN接合部が得られるのであるが、このPN接合部の中央部、即ちN型拡散領域6とP型拡散領域8の交差部では、最初に形成されたN型拡散領域6があるために、その周辺部の周辺耐圧よりも低い電圧で降伏ブレークダウンが起こる。ここでPN接合部の中央部における耐圧、いわゆるメイン耐圧は6から60V、周辺耐圧は8Vから100Vであり、PN接合部の中央部ツェナーダイオード形成領域で確実にブレークダウンすることができる。これにより、ツェナーダイオードとして動作させると、逆方向電流はN型拡散領域6とP型拡散領域8の交差部のみに流れ、その周辺部にはほとんど流れない。従って、使用するウェハの比抵抗にばらつきがあっても、このようにして得られたPN接合部の降伏電圧ブレークダウン電圧の変動が極めて小さい半導体装置が得られるものである。そして、LP-TEOSを形成するとともに、BPSGを塗布し、上部絶縁層9を形成するこののち、図8bに示すように、フォトレジストを塗布し、コンタクト用の開口をもつようにレジストパターンを形成し、これをマスクとして上部絶縁層9にコンタクト用の開口を形成する。そして、図8cに示すように、アノード電極10となるアルミニウム層を形成する。そして、図9aに示すように、このアルミニウム層をパターニングし、アノード電極10を形成する。こののち図9bに示すように、この上層に窒化シリコン膜からなる保護膜11を形成し、図5に示した半導体装置が完成する。尚、ツェナーダイオードは、2Vから50Vを中心に、ツェナー電圧による分類あるいは、ランク分類等によりツェナー電圧の細分化がされ、その為のツェナー電圧のコントロール性も生産上重要なパラメータとなっている。このときのツェナー電圧のばらつきを測定した結果を図10に示す。直線aは本実施の形態の半導体装置のツェナー電圧であり、直線bは図13に示した従来例の半導体装置のツェナー電圧を示す。定格のツェナー電圧が38V~40V39V±1.0Vを限界線規格と設定したとき本発明;Cpk1.57歩留ほぼ100従来;Cpk0.39歩留77であった。本実施の形態のツェナーダイオードの方が、ツェナー電圧のばらつきがより少なくなって歩留は大幅に向上した。これにより、シリコンウエーハの利用率向上と製造における稼働率がさらに向上する。従って、大幅なコスト削減が可能となった。またESDを測定した結果を図11に示す。直線aは本実施の形態の半導体装置のツェナー電圧であり、直線bは図13に示した従来例の半導体装置のESDを示す。本発明の構成によれば、全面注入により、PN接合の下地となる半導体層をイオン注入で形成したため、不純物濃度のばらつきが低減され、ツェナー電圧のばらつきは-0.3程度であった。これに対しエピタキシャル層をこの半導体層に用いた図13の半導体装置の場合は-2程度であったため、本発明によれば6分の1となっていることがわかる。またESD耐圧については、図11に示す様に、図13に示した従来の半導体装置の10~40向上した。これはPN接合の下地となる半導体層をイオン注入により高精度に制御することができ、最適化することができるため、ESD耐圧を最大限に大きくすることができる。さらにまた、P型拡散領域8の濃度を低くすると前記PN接合部の降伏電圧ツェナー電圧は高くする事が可能となる。このようにして、所望のツェナー電圧を容易に得ることができる。よって、イオン注入とドライブイン拡散の手法により、極めて精密に濃度コントロールができるため、必要とするツェナー電圧を極めて精度よく得ることができ、その結果生産性が高く歩留りも向上するため、安価な半導体装置を得ることができるものである。このように、素材、すなわち半導体層半導体基板の比抵抗不純物濃度の影響なしに、所望の濃度の不純物を注入することでN型拡散領域を形成し、このN型拡散領域に対するP型拡散領域の不純物濃度でツェナー耐圧が決定されることになり、制御性よく、所望のツェナー特性を有する半導体装置を提供することが可能となる。また、不純物の注入により、N型拡散領域を形成するため、ウェハを多品種ストックしておく必要がなく、生産性が向上する。また、最初に、絶縁層に大面積の開口を形成しておくようにしているため、周縁部に段差を形成しないようにすることができる。表面に段差が存在していると、不純物の注入プロファイルに起因して第1および第2の拡散領域も段差をもつことになり、この段差部で電界集中を生じ易いのに対し、この構成によれば段差のない拡散プロファイルを得ることができ、空乏層の伸びがよくなり、電界の重なりがなく電界集中を回避することができ、きれいな耐圧カーブを得ることができる。実施の形態2次に実施の形態2について説明する。本実施の形態では、リング構造領域7を用いたが、図12に要部拡大図を示すように、リング構造領域7の周りにさらにFLRFieldLimitingRing7Fを設けてもよい。この場合FLR7Fは、リング構造領域7およびP型拡散領域8と同一工程で形成され、前記P型拡散領域8を取り囲んでP型層を1層もしくは複数設けてシリコン表面の電界を緩和させる事で、リング構造領域7とN型イオン注入によるN型拡散層2Dとの接合部による耐圧以下周辺電圧と呼ぶは、より高耐圧となる様に配置されている。製造に際しては、P型拡散領域を形成するためのマスクを変更するのみでよく、極めて容易に形成可能である。以上説明してきたように、本発明によれば、ツェナー電圧の制御が容易でESD耐圧の高いツェナーダイオードに適用する事が可能である。特に、7Vよりも高い領域で形成する場合に有効である。また、第1の拡散領域と第2の拡散領域との重なりによる接合部が、その周辺部の耐圧よりも低い電圧で降伏するようにすることにより、接合部で完全にブレークダウンさせることができる。また、半導体基板が、エピタキシャル成長によって表面に第1導電型の半導体層を形成した第1導電型の半導体基板であって、前記第2の拡散領域は、前記第1の拡散領域の上部の導電型を反転して形成された反転領域を含むようにしているため、周辺部よりも、前記第1の拡散領域と第2の拡散領域との重なりによる拡散接合部の方が低い耐圧で降伏が起こる為、ツェナーダイオードとして逆方向電流が流れている時は中央の前記重なりによる拡散接合部領域のみに流れてその周辺部にはほとんど流れない。また、素材、すなわち半導体層半導体基板の比抵抗不純物濃度の影響なしに、所望の濃度の不純物を注入することで第1の拡散領域を形成し、この第1の拡散領域に対する第2の拡散領域の不純物濃度でツェナー耐圧が決定されることになり、制御性よく、所望のツェナー特性を有する半導体装置を提供することが可能となる。また、不純物の注入により、第1の拡散領域を形成するため、ウェハを多品種ストックしておく必要がなく、生産性が向上する。また、最初に大面積の開口を形成しておくようにすることで、周縁部に段差を形成しないようにすることができる。表面に段差が存在していると、不純物の注入プロファイルに段差が生じ、この段差に起因して第1および第2の拡散領域も段差をもつことになり、この段差部で電界集中を生じ易いのに対し、この構成によれば段差のない拡散プロファイルを得ることができ、電界集中を回避することができる。また、最初に活性領域としての半導体層を大きく開口しておき、PN接合を形成するための第1の拡散領域形成に際しては、レジストマスクを用いることで、開口形成時のエッチング工程で表面がエッチングされることで、表面にできる段差を軽減し、電界集中を緩和することが可能となる。以上のように、ツェナー電圧は、エピタキシャル成長によるエピタキシャル層の濃度コントロールよりも、拡散による拡散濃度コントロールの方がはるかにばらつきが低く抑えられる為に本発明の半導体装置によれば、半導体基板より一義的に得られるツェナー電圧のばらつきよりも低く抑えられる事が出来る。従って高精度のツェナー電圧を得ることが可能となる。また、面内均一性を高めることができるため、ウェハの大口径化が可能となり、生産性の向上を図ることが可能となる。一方、従来構造の様なツェナー耐圧ごとに濃度の異なるエピタキシャル層を有する半導体基板を用意する必要もないため、生産効率が向上する。その結果、歩留りが向上し、ウェハの在庫が減ったことで、生産性及び原価性において大きな効果をもたらす。