"第1の半導体チップの一方の面にボンディングワイヤを接続し、第2の半導体チップの一方の面に接着部材を設け、コレットを用いて前記第2の半導体チップの他方の面を保持し、前記第2の半導体チップを保持した状態で前記コレットを冷却し、前記コレットを冷却した後に、前記コレットを移動させて、前記接着部材を前記第1の半導体チップの一面に密着させ、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとを前記接着部材を介して接着する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記コレットの冷却は、その温度が第1の所定温度以下となるように行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記コレットの冷却は、ノズルから噴出する空気を用いて行われることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記接着部材が前記第1の半導体チップの一面に押し付けられる以前に、前記第1の半導体チップを第2の所定温度以上に加熱することを特徴する請求項1,2、または3に記載の半導体装置の製造方法。前記コレットとして、前記空気を通過させる少なくとも一つの貫通孔を備えたコレットを用いることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。絶縁性フィルム状接着層を用い、その層中にボンディングワイヤーを内在させつつ上下の半導体チップを接着する場合、両チップ間の距離が小さくなり過ぎて、ボンディングワイヤーが上側半導体チップの裏面に接触してショートする恐れがある。特許文献1には、ボンディングワイヤと上側半導体チップとの接触を防止するために、粘度の異なる二種類の接着層を用いたり、更にそれらの間に別の層を設けたりする方法が記載されている。しかしながら、接着層の数や種類を増やすことは、装置の大型化を招くとともに、材料コストの増加を招くという問題点がある。本発明の一形態に係る半導体装置の製造方法は、第1の半導体チップの一方の面にボンディングワイヤを接続し、第2の半導体チップの一方の面に接着部材を形成し、コレットを用いて前記第2の半導体チップの他方の面を保持し、前記第2の半導体チップを保持した状態で前記コレットを冷却し、前記コレットを冷却した後に、前記コレットを移動させて、前記接着部材を前記第1の半導体チップの一面に密着させ、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとを前記接着部材を介して接着する、ことを特徴とする。本発明によれば、コレットを冷却した後、第2の半導体チップの一面に形成された接着部材を用いて、第2の半導体チップを第1の半導体チップに接着するようにしたことで、接着部材の厚みを増加させたり材料コストの増加を招くことなく、第1の半導体チップに接続されたボンディングワイヤと第2の半導体チップとの接触を抑制することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について詳細に説明する。本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、第1の半導体チップの一方の面にボンディングワイヤを接続し、第2の半導体チップの一方の面に接着部材を形成し、コレットを用いて第2の半導体チップの他方の面を保持し、第2の半導体チップを保持した状態でコレットを冷却し、コレットを冷却した後に、コレットを移動させて、接着部材を第1の半導体チップの一面に密着させ、第1の半導体チップと第2の半導体チップとを接着部材を介して接着する、というものである。ここで、コレットの冷却は、その温度が第1の所定温度以下となるように行われる。コレットの冷却は、例えば、ノズルから噴出する空気を用いて行われる。コレットは、ノズルから噴出する空気を通過させ、コレットの冷却効率を上げる通気孔を有してもよい。一方、第1の半導体チップは第2の所定温度以上に加熱されており、接近接触する接着部材の粘度を低下させる。接着部材は、第1の半導体チップ側では粘度が低く、第2の半導体チップ側では粘度が高くなる。これにより、第1の半導体チップに接続されたボンディングワイヤは、接着部材内に容易に進入するものの、第2の半導体チップには到達し難い状態となる。こうして、ワイヤボンディングと第2の半導体チップとの接触が抑制される。しかも、接着部材の厚さや層数を増やしたりする必要がなく、原料コストの増加もない。図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の一例を示す断面構成図である。図示の半導体装置10は、MCPMultiChipPackageタイプの半導体装置である。この半導体装置10は、配線基板11と、配線基板11の一面上に第1の接着部材例えば、DAF:DieAttachFilm12により接着された第1の半導体チップ下段チップ13、第1の半導体チップ13の一面上に第2の接着部材例えば、FOW:FilmOnWire14により接着された第2の半導体チップ上段チップ15、第1及び第2の半導体チップ13,15と配線基板11との間を電気的に接続する複数の第1及び第2のボンディングワイヤ16-1,16-2、第1及び第2の半導体チップ13,15をボンディングワイヤ16-1,16-2とともに配線基板11上に封止する封止体絶縁樹脂17、及び配線基板11の他面に搭載される複数の半田ボール18とを有している。配線基板11は、略矩形板状のガラスエポキシ基板であってよい。配線基板11は、絶縁基材111と、その一面及び他面に形成された配線層112,113と、絶縁基材111を貫き、配線層112,113間を電気的に接続するビア114と、配線層112,113のを覆うように絶縁基材の一面及び他面に形成された絶縁膜ソルダーレジスト115,116を有している。配線層112には、ボンディングワイヤ16-1,16-2が接続される接続パッド117が含まれる。また、配線層113には、半田ボール18が搭載されるランド118が含まれる。第1の半導体チップ13及び第2の半導体チップ15には、それぞれ所定の回路が形成されている。これらの半導体チップ13,15は回路形成面を図の情報に向ける、いわゆるフェースアップの状態で、配線基板11上に搭載される。半導体チップ13,15は、どのような回路が形成されたものであってもよい。第1の接着部材12及び第2の接着部材14は、いずれもエポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性接着フィルムである。但し、第1の半導体チップ13を配線基板11に搭載した状態で、第2の半導体チップ15を第1の半導体チップ13に接着できるようにするため、第2の接着部材14の方が第1の接着部材12よりも融点が低い。ボンディングワイヤ16-1,16-2は、AuやCu等の導電性金属配線である。フェースアップの状態で配線基板11上に搭載された第1及び第2の半導体チップ13,15の回路形成面の電極パッドと、配線基板11の接続パッドとの間を電気的に接続する。封止体17は、第1及び第2の半導体チップ13,15をボンディングワイヤ16-1,16-2とともに配線基板11上に封止し、半導体チップを保護する。封止樹脂もまた、エポキシ系樹脂を主成分とする。次に、図2a~f及び図3a~fを参照して、図1の半導体装置の製造方法について説明する。まず、図2aに示すように、半導体ウエハ20の一面側に複数の第2の半導体チップ15にそれぞれ対応する複数の所定の回路、例えば、複数のメモリ回路を形成する。図2aには、複数の第2の半導体チップ15を区画するダイシングライン21と、形成された所定の回路の外部接続端子となる複数の電極パッド22とが示されている。次に、ウエハBGBackGrinding工程を行うため、半導体ウエハ20の一面側にBGテープ23図2bを貼り付ける。続いて、BG用砥石図示せずを用いて半導体ウエハ20の他面側を研削し、図2bに示すように、半導体ウエハ20の厚さを減少させる。このBG工程により、半導体ウエハ20は、例えば、100μm厚程度にまで薄型化される。次に、図2cに示すように、半導体ウエハ20の他面側全面に、第2の接着部材14となる接着材層24、例えば、FOWFilmOnWireフィルム、を形成する。続いて、図2dに示すように、接着材層24の側にダイシングテープ25を貼り付ける。また、半導体ウエハ20の一面側に貼り付けられているBGテープ23を除去する。こうして、接着材層24を介してダイシングテープ25に裏面側が保持された半導体ウエハ20が準備される。次に、ダイシング工程を行う。ダイシング工程では、半導体ウエハ20を、図示しないダイシング装置のステージ上に保持させ、ダイシング装置に半導体ウエハ20の一面のダイシングラインを認識させる。ダイシング装置は、高速回転するダイシングブレードを用い、認識したダイシングラインに沿って、半導体ウエハ20の一面側から半導体ウエハ20を切断する。ダイシングブレードの切断深さは、ダイシングテープを一部切断する深さに調整されている。これにより、図2eに示すように、半導体ウエハ20は、接着材層24と一体に切断される。ダイシング工程完了後、図示しない紫外線UV照射機構により、ダイシングテープ25にUV光を照射して、ダイシングテープ25の粘着力を低下させる。そして、図示しないピックアップ装置により、個々に切断された半導体チップ15をダイシングテープ25からピックアップする。こうして、図2fに示すような、裏面に第2の接着部材14が設けられた複数の第2の半導体チップ15が得られる。以上のように第2の半導体チップ15を製造する一方で、複数の配線基板11に切断分割される配線母基板と複数の第1の半導体チップ13を用意する。これら配線母基板及び第1の半導体チップ13の製造は、公知の方法を用いて行われる。次に、図3a~fを参照して、半導体装置10の組立工程について説明する。まず、図3aに示すように、配線母基板30の一面に複数の第1の半導体チップ13を搭載する。配線母基板30には、ダイシングライン31に沿って切断分離される複数の製品形成領域が規定されており、各領域に第1の半導体チップ13がそれぞれ搭載される。第1の半導体チップ13は、第1の接着部材12を用いて、配線母基板30に接着固定される。続いて、図示しないボンディング装置を用いて、配線母基板30に搭載された第1の半導体チップ13の電極パッドと配線母基板30の対応する接続パッド117とを第1のボンディングワイヤ16-1により電気的に接続する。尚、第1の半導体チップ13として、第2の半導体チップ15と同様に、裏面にFOWフィルムが形成された半導体チップを用いてもよい。その場合、第1の接着部材12として、FOWフィルムをそのまま利用する。次に、図3bに示すように、配線母基板30上に搭載された第1の半導体チップ11上に、それぞれ、第2の半導体チップ15を積層搭載する。第2の半導体チップ15の他面側に形成されている第2の接着部材14を、第1の半導体チップ13の一面に密着させるとともに、第1のボンディングワイヤ16-1を第2の接着部材14内に内蔵させる。この工程については、後に図4を参照して詳細に説明する。次に、図3cに示すように、第2の半導体チップ15の電極パッドと配線母基板30の対応する接続パッド117とを第2のボンディングワイヤ16-2により電気的に接続する。次に、図3dに示すように、配線母基板30の一面側に、一括モールドにより封止樹脂層32を形成する。これにより、第1の半導体チップ13及び第2の半導体チップ15は、第1及び第2のボンディングワイヤー16-1,16-2と共に封止樹脂層32により封止される。封止樹脂層32は、後に切断され封止体17となる。次に、図3eに示すように、配線母基板30の他面側に露出する複数のランド118にそれぞれ半田ボール18を搭載する。半田ボール18は、配線母基板30に形成された配線パターン及びボンディングワイヤ16-1,16-2を介して第1の半導体チップ13または第2の半導体チップ15に電気的に接続される。そして、半田ボール18は、半導体装置10の外部端子として利用される。複数の半田ボール18の搭載は、例えば、複数のランド118に対応して配列形成された複数の吸着孔を備える吸着機構図示せずを用いて行なうことができる。この場合、吸着機構に複数個の半田ボール18を吸着保持させ、保持された複数個の半田ボール18にフラックスを転写形成して、配線母基板30の複数のランド118に一括搭載する。その後、リフロー処理により、複数の半田ボール18と複数のランド118との間を接続固定する。次に、図示しないダイシングブレードを用いて、配線母基板30及び封止樹脂層32をダイシングライン31に沿って切断する。これにより、図3fに示すように、複数の半導体装置10が得られる。次に、第2の半導体チップ15を第1の半導体装置13上に積層する工程ダイボンディング工程について、図4a~cを参照して説明する。図4aに示すように、配線母基板30の一面上に搭載され、ボンディングワイヤ16-1が接続された第1の半導体チップ13の上方に、第2の半導体チップ15を位置させる。ここで、配線母基板30は、ボンディングステージ41上に搭載保持されている。ボンディングステージ41にはヒータ42が設けられており、配線母基板30は、所定のボンディング温度第2の所定温度、例えば、150°Cに加熱されている。ワイヤボンディング工程終了後もこの温度が維持され、ボンディングワイヤ16-1の温度もほぼ同温度に維持される。一方、第2の半導体チップ15は、コレット43によって保持されている。換言すると、コレット43は、第2の半導体チップ15の一面側を真空吸着により保持している。また、コレット43の近くには、コレットクーラー44が設けられており、比較的低温のエアー45が、コレット43に向かって噴出している。コレット43は、コレットクーラー44からのエアー45により冷却され、所定の温度第1の所定温度以下、例えば、60°C以下に維持される。なお、第2の半導体チップ15の他面側に形成されている第2の接着部材14は、コレット43が冷却されているため、比較的高い粘度を有している。なお、コレット43の冷却温度は、第2の接着部材14に必要とされる粘度に応じて決定すればよい。次に、図4bに示すように、第2の半導体チップ15を第1の半導体チップ13に向かって移動させるように、コレット43を下降させる。第2の接着部材14は、配線母基板30や第1の半導体チップ13からの輻射熱により加熱され、第1の半導体チップ13に面する側から徐々に粘度が低下する。その結果、第2の接着部材14には、第2の半導体チップ15側の高粘度部46と、第1の半導体チップ13側の低粘度部47とが形成される。特に、ボンディングワイヤ16-1が接触する部分では、第2の接着部材14の低粘度化が進み、コレットの下降に伴い、ボンディングワイヤ16-1は第2の接着部材14の中に進入する。コレット52をさらに降下させると、第2の接着部材14が第1の半導体チップ13に突き当たる。さらに、適切な押圧力でコレット43を押し下げ、第2の接着部材14を第1の半導体チップ13に押し付け密着させる。前述したように、第2の接着部材14の第1の半導体チップ13側には、高粘度部46が存在する。この高粘度部46は、ボンディングワイヤ16-1の進入を抑制するストッパとして機能する。その結果、ボンディングワイヤ16-1の第1の半導体チップ13の他面への接触は抑制される。以上のようにして、第1の半導体チップ13と第2の半導体チップ15の間が第2の接着部材14で埋められるように、第2の半導体チップ15が第1の半導体チップ13上に積層される。尚、上述したダイボンディング工程の間にコレット43の温度が上昇する可能性がある。しかし、コレット43の温度が上昇しても、ダイボンディング工程の実行前にコレットクーラー44により、所定の温度以下に冷却しておくことで、上述した工程を問題なく繰り返すことができる。また、コレット43の冷却効果を高めるため、放熱手段を設けてもよい。例えば、図5に示すコレット51は、放熱手段として孔部52を備えている。孔部51を備えたことによりコレット51の表面積は、コレット43よりも大きくなり、放熱効率が高くなる。また、孔部52にコレットクーラー44から噴出するエア-45を通過させるようにすることで、さらに効率よくコレット51の温度を低下させることができる。これにより、孔部52を持たないコレット43を用いた場合に比べ、より安定して第1のボンディングワイヤ16-1と第2の半導体チップ15との接触を抑制することができる。以上のようにして、本実施の形態では、コレット43を冷却し、接着部材14に比較的高い粘度を持たせた状態で、第2の半導体チップ15を第1の半導体チップ13の上に搭載するようにしたことで、接着部材14の厚みを増加させたり、別の層と組み合わせたりすることなく、即ち、半導体装置の大型化や材料コストの増加を招くことなく、ボンディングワイヤ16-1と第2の半導体チップ15との接触を抑制することができる。以上、本発明についていくつかの実施の形態に基づき説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、上記実施の形態では、コレットにエアーを噴き付け冷却した後、第2の半導体チップをダイボンディングするように構成したが、コレットにエアーを噴き付けた状態のまま、第2の半導体チップをダイボンディングするように構成してもよい。これにより、第2の半導体チップのダイボンディング後に、次のダイボンディング処理前までのコレットの冷却時間を短縮し、製造効率を向上できる。また、上記実施の形態では、電極パッドが周辺部に配置された第1の半導体チップ上に第2の半導体チップを積層する場合について説明したが、本発明は、電極パッドが中央部に形成された第1の半導体チップ上に第2の半導体チップを積層する半導体装置の製造にも適用できる。また、上記実施の形態では、コレットにコレットクーラによりエアーを噴き付けて、コレットを冷却する場合について説明したが、コレットを冷却できる構成であればどのように構成しても良く、例えば、コレット自体に冷却機構を設けるように構成してもよい。"