陽極酸化可能な材料からなるゲイト電極を有するゲイト部と、半導体よりなるソース部またはドレイン部と、を有する薄膜トランジスタの作製工程において、前記ゲイト部、ソース部およびドレイン部を覆って絶縁性被膜を少なくとも二層に積層する工程と、前記絶縁性被膜をドライエッチングにより開孔せしめるに際し、前記絶縁性被膜の最上層から最下層に向かって順次傾斜角が小さくなるようにテーパーを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。本明細書で開示する発明は、配線電極とTFTとの電気的な接続経路となるコンタクトホールの断面形状を改善し、コンタクト不良によるTFTの動作不良を低減することを課題とする。即ち、コンタクトの信頼性を改善して、デバイスまたは液晶表示装置としての長期信頼性を改善することを課題とする。また、点欠陥や線欠陥を排除して、製造工程の歩留りの向上を課題とする。本明細書で開示する発明の一つは、陽極酸化可能な材料からなるゲイト電極を有するゲイト部と、半導体よりなるソース部またはドレイン部と、を有する薄膜トランジスタの作製工程において、前記ゲイト部、ソース部およびドレイン部を覆って主成分の同じ絶縁性被膜を少なくとも二層に積層する工程と、前記絶縁性被膜をドライエッチングにより開孔せしめるに際し、前記絶縁性被膜の最上層から最下層に向かって順次傾斜角が小さくなるようにテーパーを形成する工程と、を有することを特徴とする。上記発明は、層間絶縁膜とする絶縁性被膜のドライエッチングレートを制御することで、コンタクトホールの断面形状を最上層から最下層に向かって順次傾斜角が小さくなるようにテーパー化することを特徴とする。なおテーパー角は、図3のαやβで示される確度で定義される。前記絶縁性被膜は、層間絶縁膜としての機能を有していれば良いため、酸化珪素膜、窒化珪素膜、有機性樹脂など様々な材料が使用できる。この際、ドライエッチングレートを容易に制御できる材料が望ましい。これは、上層のエッチングレートを、下層のエッチングレートより速くすることで容易に所望のテーパーを形成できるからである。また、一般的にはドライエッチングによりコンタクトホールを形成する場合、リアクティブイオンエッチング法RIE法が用いられる。しかし、RIE法の欠点はエッチングが終了した時点エンドポイントと呼ばれるがはっきりしないと、コンタクトをとるべき導電性薄膜をも掘り進んでしまうことである。RIE法の場合、エンドポイントの検知はプラズマ発光測定によるのが一般的である。これは、エッチングの際に生じる特定のラジカルやイオンをモニタリングすることによって行う。この場合、例えば酸化珪素膜からなるゲイト絶縁膜上に形成された、酸化珪素膜からなる層間絶縁膜のエッチングは、モニタする発光種が混同されエンドポイントの確認が困難となる。上記のことを考慮すると、層間絶縁膜として用いる絶縁性被膜は作製するTFTの構造を十分考慮して選択する必要がある。本明細書で開示する他の発明は、陽極酸化可能な材料からなるゲイト電極を有するゲイト部と、半導体よりなるソース部またはドレイン部と、を有する薄膜トランジスタの作製工程において、前記ゲイト部、ソース部およびドレイン部を覆って絶縁性被膜を形成する工程と、前記絶縁性被膜をドライエッチング法により開孔せしめる工程と、前記絶縁性被膜の下面に接する薄膜をエッチングする工程と、前記工程により形成された開孔穴をライトエッチングする工程と、を有することを特徴とする。上記発明は、コンタクトホールをライトエッチングによって拡げることと、コンタクトホール上部にテーパーを形成することを特徴とする。絶縁性被膜の下面に接する薄膜をウェットエッチングすると、等方性エッチングのため絶縁性被膜の下に回り込んで開孔穴が形成される。その時、下に回り込んだ部分がえぐれとなり、後に配線電極の断線の原因となる。本発明によれば、ライトエッチングを行うことで、コンタクトホールの内壁面をえぐれた分だけ拡げることができ、えぐれ部分をなくすことができる。この時、ライトエッチングの際のガス組成比は、コンタクトホールを形成する際のガス組成比よりもO2添加量を増やしたものとする。これは、えぐれ部分をなくすと同時にコンタクトホールの開孔領域を形成するレジストマスクを後退させ、コンタクトホールのへり本明細書では、コンタクトホール入口の外枠をへりと呼ぶこととするの角を丸くするためである。即ち、このライトエッチングにより、なだらかな曲線に沿って落ち込むような断面形状のコンタクトホールが得られる。従って、配線電極のカバレッジは極めて良好なものとなる。本発明によれば、層間絶縁膜を二層以上の多層構造とし、下層よりも上層のエッチングレートを速くしたため、層間絶縁膜の最上層から最下層に向かって、順次傾斜角が小さくなるようにテーパーを形成することができる。また、ライトエッチングを行うことで、図2Bの円内のようなゲイト絶縁膜103や陽極酸化膜107のえぐれ部分を無くすことができる。さらに、コンタクトホールの上部断面形状も改善することができる。以上の効果により、コンタクトホールの断面形状が大きく改善され、TFT作製の歩留りおよび配線コンタクトの信頼性が向上する。また、それに伴いデバイスまたは表示システムの長期信頼性を向上させることができる。本発明を利用した薄膜トランジスタTFTの作製工程例を図1に示す。まず、酸化珪素膜などの絶縁膜を表面に有したガラス基板101を用意する。その上に、図示しない500Åの厚さの非晶質珪素膜をプラズマCVD法や減圧熱CVD法により形成し、適当な結晶化方法により結晶化する。この結晶化は加熱によっても、レーザー光の照射によっても良い。次に、前記非晶質珪素膜を結晶化して得られた結晶性珪素膜をパターニングして、活性層を構成する島状の半導体層102を形成する。その上に、後にゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素膜103を1200Åの厚さに形成する。この酸化珪素膜103の形成方法は、プラズマCVD法や減圧熱CVD法によれば良い。次に、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料からなる膜104を4000Åの厚さに形成する。このアルミニウム膜104は、後にゲイト電極として機能する。勿論、アルミニウムの他に陽極酸化可能な材料、例えば、タンタル、ニオブ等を用いても構わない。次に、電解溶液中でアルミニウム膜104を陽極として、陽極酸化を行う。電解溶液としては、3の酒石酸のエチレングリコール溶液をアンモニア水で中和して、PH=6.92に調整したものを使用する。また、白金を陰極として化成電流5mA、到達電圧10Vとして処理する。こうして形成される緻密な陽極酸化膜105は、後にフォトレジストとの密着性を高める効果がある。また、電圧印加時間を制御することで陽極酸化膜105の厚さを制御できる。図1Aこうして、図1Aの状態が得られたら、アルミニウム膜104をパターニングして、図示しないゲイト電極を形成する。次に、2度目の陽極酸化を行い、多孔質の陽極酸化膜106を形成する。電解溶液は3のシュウ酸水溶液とし、白金を陰極として化成電流2~3mA、到達電圧8Vとして処理する。この時陽極酸化は基板に対して平行な方向に進行する。また、電圧印加時間を制御することで多孔質の陽極酸化膜106の長さを制御できる。さらに、専用の剥離液でフォトレジストを除去した後、3度目の陽極酸化を行い、図1Bの状態を得る。この時、電解溶液は3の酒石酸のエチレングリコール溶液をアンモニア水で中和して、PH=6.92に調整したものを使用する。そして、白金を陰極として化成電流5~6mA、到達電圧100Vとして処理する。この際形成される陽極酸化膜107は、非常に緻密、かつ、強固である。そのため、ド-ピング工程などの後工程で生じるダメージからゲイト電極108を保護する効果を持つ。また、強固な陽極酸化膜107はエッチングされにくいため、コンタクトホール開孔の際にエッチング時間が長くなる問題がある。そのため、1000Å以下の厚さにするのが望ましい。次いで、イオンドーピング法により、島状の半導体層102に不純物を注入する。例えば、Nチャネル型TFTを作製するならば、不純物としてPリンを用いれば良い。まず、図1Bの状態で1度目のイオンドーピングを行う。なお、Pリンの注入は加速電圧60~90kV、ドーズ量02~5×1015原子/cm2で行う。本実施例では、加速電圧80kV、ドーズ量1×1015原子/cm2とする。すると、ゲイト電極108、多孔質の陽極酸化膜106がマスクとなり、後にソース/ドレインとなる領域109、110が自己整合的に形成される。次に、図1Cに示す様に、多孔質の陽極酸化膜106を除去して、2度目のドーピングを行う。なお、2度目のPリンの注入は加速電圧60~90kV、ドーズ量01~5×1015原子/cm2で行う。本実施例では、加速電圧80kV、ドーズ量1×1015原子/cm2とする。すると、ゲイト電極108がマスクとなり、ソース領域109、ドレイン領域110と比較して不純物濃度の低い、低濃度不純物領域111、112が自己整合的に形成される。同時に、ゲイト電極108の直下は不純物が全く注入されないため、TFTのチャネルとして機能する領域113が自己整合的に形成される。このようにして形成される低濃度不純物領域またはLDD領域112は、チャネル領域113とドレイン領域110との間に高電界が形成されるのを抑制する効果を持つ。次に、KrFエキシマレ-ザ-光の照射及び熱アニ-ルを行う。本実施例では、レ-ザ-光のエネルギ-密度は250~300mJcm2とし、熱アニ-ルは300~450°C1hrで行う。この工程により、イオンド-ピング工程で損傷を受けた、島状の半導体層102の結晶性を改善することができる。次に、図1Dに示す様に、2層構造で構成される層間絶縁膜114、115をプラズマCVD法により形成する。本実施例では、この層間絶縁膜114、115はそれぞれ組成比の異なる窒化珪素膜からなる。この際、2層目層間絶縁膜115には、1層目層間絶縁膜114よりもドライエッチングレートが速い性質を有するような組成比の窒化珪素膜を用いる。例えば、成膜ガスの圧力や成膜温度を高くしたり、RFパワーを下げたりする事で、エッチングレートが速い膜を形成することができる。具体的には、1層目の成膜温度を250°Cとし、2層目の成膜温度を350°Cとすると、2層目のドライエッチングレートは1層目の2倍程に速くなる。また、1層目の成膜ガス圧力を03torrとし、2層目の成膜ガス圧力を07torrとする。このようにすると、2層目のドライエッチングレートは1層目の15倍程に速くなる。これは、図3に示すコンタクトホールの形状において、2層目層間絶縁膜115の傾斜角βよりも1層目層間絶縁膜114の傾斜角αの方が小さくなるようにするために必要な要素である。また、1層目と2層目の層間絶縁膜の合計膜厚が、ゲイト電極108の膜厚の1~3倍となるようにする。これは、層間絶縁膜のカバレッジを良くすることで層間絶縁膜を介するリーク電流を防止するためである。ただし、1層目層間絶縁膜114は合計膜厚の1/3以下の膜厚が望ましい。それ以上では、傾斜角αが大きくなり、後のライトエッチング工程において不都合が生じる。次に、図2Aの201で示すレジストマスクを形成して、ドライエッチング法によりコンタクトホールを形成する。エッチングガスの組成比はCF4O2=4060となるようにする。エッチングはエンドポイントが確認されてから、150秒後に終了する。エンドポイントは図5の様に、窒素イオンの信号強度が一定になった時間として検出される。1層目で窒素イオンの信号強度が大きくなるのは、1層目の方が2層目より緻密であることによる。この時、ソース/ドレインコンタクト部202、203では、ゲイト絶縁膜103がドライエッチングのストッパー膜として働く。また、ゲイト電極部204では、陽極酸化膜107がドライエッチングのストッパー膜として働く。さらに、2層目層間絶縁膜115は1層目層間絶縁膜114よりもエッチングレートが速いので、図2Aに示すようにテーパーが形成される。次に、バッファーフッ酸を用いてコンタクトホール底面のゲイト絶縁膜103をエッチングして、ソース/ドレイン部109、110コンタクトホールを完成させる。次いで、クロム酸、酢酸、燐酸、硝酸を混合した組成からなるクロム混酸溶液を用いて陽極酸化膜107をエッチングして、ゲイト電極部204のコンタクトホールを完成させる。このように、ゲイト絶縁膜103のエッチングを先に行えば、陽極酸化膜107は耐バッファーフッ酸性に優れているため、ゲイト電極108を保護することができる。また、クロム混酸溶液はソース領域109、ドレイン領域110の表面を殆どエッチングしない。以上のようにして、図2Bの状態が得られる。しかし、バッファーフッ酸やクロム混酸を用いるようなウェットエッチングは、等方性にエッチングが進行するため、図2Bの円内に示すようなえぐれ部分が形成されてしまう。そこで、層間絶縁膜をライトエッチングにより後退させて、図2Cに示すようにえぐれ部分のない状態とする。この際、1層目層間絶縁膜114は傾斜角αが小さいほど容易に後退する。このライトエッチングはドライエッチング法により行い、エッチングガスの組成比はCF4O2=2575となるようにする。この組成比では、窒化珪素と珪素の選択比が10以上となるため、ソース領域109、ドレイン領域110の表面を殆どエッチングしない。また、このライトエッチングはO2添加率の高いガス組成比で行われるため、レジストマスク201も同時に後退する。そのため、図4の円内に示す様にコンタクトホールのへりにおける断面形状は角がエッチングされて曲線となる。コンタクトホールの形成が終了したら、配線電極205、206、207を形成して、水素雰囲気中で350°C2hrのアニール処理を行う。以上の工程を経て、図2Dに示すような薄膜トランジスタが作製される。本実施例は、本明細書に開示する発明を単結晶シリコンウエハーを利用したICプロセスに利用した場合の例である。具体的には、シリコンウエハーを利用してMOS型トランジスタを作製する場合の例を示す。図6~図8に本実施例の作製工程を示す。まず図6Aに示すようにN型の単結晶シリコンウエハー601上に熱酸化膜と窒化珪素膜とを積層し、それをパターニングすることにより、熱酸化膜602と窒化珪素膜603の積層膜でなるパターンを形成する。次に選択的な熱酸化法により、フィールド酸化膜604、605を形成する。こうして図6Aに示す状態を得る。次に熱酸化膜602と窒化珪素膜603を除去し、再度熱酸化法により、熱酸化膜606を形成する。この熱酸化膜606は、ゲイト絶縁膜を構成する。次にゲイト電極607を適当な金属材料、またはシリサイド材料、または半導体材料でもって形成する。ゲイト電極607を形成したら、ソース/ドレイン領域を形成するための不純物のドーピングを行う。ここでは、Pチャネル型のMOS型トランジスタを作製するためにBボロンのドーピングをイオン注入法でもって行う。なお、Nチャネル型のMOS型トランジスタを作製するのであれば、Pリンのドーピングを行えばよい。上記のドーピングの後、加熱処理を行うことにより、注入された不純物の活性化とドーピングに際しての半導体層の損傷のアニールを行う。こうして、図6Bのように、P型を有するソース領域608、ドレイン領域609が自己整合的に形成される。次に層間絶縁膜として窒化珪素膜610と611を成膜する。ここでも実施例1と同様な方法により、610より611の窒化珪素膜の方がエッチングレートが速くなるような膜質とする。こうして図6Cに示す状態を得る。次に図7Aに示すように、レジストマスク612を配置し、ドライエッチング法により、コンタクトホール613と614の形成を行う。こうして図7Aに示す状態を得る。この際、熱酸化膜でなるゲイト絶縁膜606がエッチングストッパーとして機能する。次にウェットエッチング法を用いて615、616で示されるコンタクトホールの形成を行う。こうして図7Bに示す状態を得る。この際、ウェットエッチング法による等方性のエッチングが進行するので、615と616のコンタクトホールは、613、614で示されるコンタクトホールの底部を広げてしまうようなものとなる。次にライトドライエッチングにより層間絶縁膜およびレジストマスクを後退させる。ここでのドライエッチングは、CF4とO2とを混合したものを利用して行う。ここで酸素を混合させるのは、レジストマスクを後退させるためである。こうして図8Aに示すようななだらかな断面形状を有したコンタクトを得ることができる。図8Aに示す状態を得たら、ソース電極619とドレイン電極620を形成する。こうしてMOS型トランジスタが完成する。