"L/UL室と、前記L/UL室に連通するH室と、前記H室に連通し、且つ独立した第一空間と第二空間とに区分されたSP室と、前記第一空間及び前記第二空間にそれぞれ配置された成膜ユニットと、前記L/UL室、前記H室、前記第一空間、および前記第二空間に独立して設けられて、それらの内部をそれぞれ真空排気するための真空排気装置と、前記L/UL室および前記H室を貫通し、前記第一空間および前記第二空間に配置された各々往路と復路からなる4本の線路と、被処理体を、前記往路に沿って前記L/UL室から前記H室を通して、前記第一空間および前記第二空間の内部にそれぞれ運び、及び、前記復路に沿って前記第一空間および前記第二空間の内部から、前記H室を通して前記L/UL室へ前記被処理体を運ぶ搬送装置と、前記第一空間および前記第二空間の内部において、前記搬送装置を前記往路から前記復路に移す移動機構と、を備えることを特徴とする成膜装置。前記L/UL室は、2つのドアバルブを介してRT機構に接続されており、前記RT機構は、第1RT機構と、第2RT機構と、第3RT機構とを備え、前記第3RT機構と前記第1RT機構との間では、前記第一空間に搬送する被処理体を処理し、前記第3RT機構と前記第2RT機構との間では、前記第二空間に搬送する被処理体を処理することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。前記搬送装置は、前記被処理体を縦型搬送することを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。前記成膜ユニットが、スパッタ用のカソードであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の成膜装置。前記成膜ユニットが、CVD用の平行平板型の電極であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の成膜装置。前記搬送装置は、その下部に円柱状のスライドシャフトを備え、前記線路は、前記搬送装置を誘導するU字状の溝を備えた、複数のローラであり、前記スライドシャフト又は前記ローラの一方の少なくとも接触部が、シリコン、アルミニウム、酸素、および窒素を含むバルク体から構成され、前記スライドシャフト又は前記ローラの他方の少なくとも接触部が、ステンレス鋼から構成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の成膜装置。本発明は、このような従来の実情に鑑みてなされたものであり、省スペース化を図るとともに、基板の搬送システムを改良し、生産性を向上させた成膜装置を提供することを目的とする。本発明の第1態様に係る成膜装置は、L/UL室と、前記L/UL室に連通するH室と、前記H室に連通し、且つ独立した第一空間と第二空間とに区分されたSP室と、前記第一空間及び前記第二空間にそれぞれ配置された成膜ユニットと、前記L/UL室、前記H室、前記第一空間、および前記第二空間に独立して設けられて、それらの内部をそれぞれ真空排気するための真空排気装置と、前記L/UL室および前記H室を貫通し、前記第一空間および前記第二空間に配置された各々往路と復路からなる4本の線路と、被処理体を、前記往路に沿って前記L/UL室から前記H室を通して、前記第一空間および前記第二空間の内部にそれぞれ運び、及び、前記復路に沿って前記第一空間および前記第二空間の内部から、前記H室を通して前記L/UL室へ前記被処理体を運ぶ搬送装置と、前記第一空間および前記第二空間の内部において、前記搬送装置を前記往路から前記復路に移す移動機構と、を備えても良い。本発明の第2態様に係る成膜装置は、前記第1態様において、前記L/UL室は、2つのドアバルブを介してRT機構に接続されており、前記RT機構は、第1RT機構と、第2RT機構と、第3RT機構とを備え、前記第3RT機構と前記第1RT機構との間では、前記第一空間に搬送する被処理体を処理し、前記第3RT機構と前記第2RT機構との間では、前記第二空間に搬送する被処理体を処理しても良い。本発明の第3態様に係る成膜装置は、前記第1又は第2態様において、前記搬送装置は、前記被処理体を縦型搬送しても良い。本発明の第4態様に係る成膜装置は、前記第1乃至第3態様のいずれかにおいて、前記成膜ユニットが、スパッタ用のカソードであっても良い。本発明の第5態様に係る成膜装置は、前記第1乃至第3態様のいずれかにおいて、前記成膜ユニットが、CVD用の平行平板型の電極であっても良い。本発明の第6態様に係る成膜装置は、前記第11乃至第5態様のいずれかにおいて、前記搬送装置は、その下部に円柱状のスライドシャフトを備え、前記線路は、前記搬送装置を誘導するU字状の溝を備えた、複数のローラであり、前記スライドシャフト又はローラの一方の少なくとも接触部が、シリコン、アルミニウム、酸素および窒素を含むバルク体から構成され、前記スライドシャフト又はローラの他方の少なくとも接触部が、ステンレス鋼から構成されても良い。本発明一態様によれば、省スペース化を図るとともに、基板の搬送システムを改良し、生産性を向上させた成膜装置を提供することが可能である。以下、本発明の実施形態に係る成膜装置について説明する。図1は、本発明の成膜装置の一構成例を模式的に示す断面図であり、成膜装置を上方から見た図である。図1において、紙面奥行き方向が重力方向である。図1に示す成膜装置においては、基板被処理体を装着したトレーが、立てた状態基板の被処理面が重力方向に平行とされた状態で搬送される。ゆえに、図1の成膜装置1は、縦型搬送方式の装置である。図1に示すように、本発明の実施形態に係る成膜装置1は、L/UL室Load/Unload:仕込/取出室10、H室加熱室20、SP室スパッタ法を用いた成膜室30が順に配されてなる。また、L/UL室10の手前には、POS機構トレーに装着/トレーから脱着する基板被処理体の着脱室40と、RT機構回転モードを備えたトレーの移動機構50と、が配されている。各室間は、並列して配された2つのドアバルブを介して連通されている。RT機構50とL/UL室10との間には2つのドアバルブ61が設けられている。同様に、L/UL室10と加熱室20との間には、2つのドアバルブ62が設けられている。加熱室20と成膜室30との間には、2つのドアバルブ63が設けられている。成膜室30は、独立した第一空間30Aと第二空間30Bに区分される。それとともに、L/UL室10、加熱室20、及び成膜室30の前記第一空間30Aおよび第二空間30Bの内部をそれぞれ真空排気するための真空排気装置12,22,3232A、32Bが、それぞれ独立して設けられている。すなわち、成膜室30を構成する独立した第一空間30Aと第二空間30Bには、それぞれの空間内を専属に排気可能な真空排気装置32A、32Bが、個別に設置されている。L/UL室10は、大気圧に開放された状態で、RT機構50との間でトレー70の仕込み搬入と取り出し搬出を行う。L/UL室10には、その内部を真空排気するための真空排気装置12が設けられている。L/UL室10は、その中央部に隔壁11が配されている。これにより、L/UL室10の室内が、第一空間10Aと第二空間10Bに区分されている。第一空間10Aは、成膜室30の第一空間30Aに搬送する基板被処理体2を取り扱う。第二空間10Bは、成膜室30の第二空間30Bに搬送する基板被処理体2を取り扱う。図1は、第一空間10Aと第二空間10Bとが隔壁11によって完全に仕切られ、互いに独立した空間とはなっておらず、互いに一部連通した構成例を示している。しかしながら、図には示されていないが、第一空間10Aと第二空間10Bとは、必ずしも互いに連通した空間である必要はなく、第一空間10Aと第二空間10Bとが互いに独立した空間をなすように、隔壁11を設けてもよい。第一空間10Aと第二空間10Bとが連通した構成の場合には、真空排気装置が最低1つあればよいので、低コストなシステムが構築できる。上述した構成に代えて、第一空間10Aと第二空間10Bを独立した空間とした構成の場合は、第一空間10Aと第二空間10Bに個別に真空排気装置を設けてもよい。しかしながら、第一空間10Aと第二空間10Bの各排気時間帯を処理タクト時間に応じて切り替える機構を持たせることにより、真空排気装置を1つとすることも可能である。さらに、真空処理とメンテナンス等の作業を別個に行うことができるメリットがあるので、互いに独立した空間とする構成であってもよい。L/UL室10は2つのドアバルブ61を介して、前記L/UL室10の手前前段に配されたRT機構50及びPOS機構40に接続されている。ドアバルブ61の一方は、第一POS機構40A及び第一RT機構51Aを経由する、トレー70A70をL/UL室10へ搬入出させる場合に用いる。ドアバルブ61の他方は、第二POS機構40B及び第二RT機構51Bを経由する、トレー70B70をL/UL室10へ搬入出させる場合に用いる。POS機構40は、第一POS機構40Aと、第二POS機構40Bとから構成され、外部から運ばれてきた基板被処理体2をトレー70に取付けるとともに、処理済みの基板2を、トレー70から取り外し外部へと運び出す。前記RT機構50は、第一RT機構51A、第二RT機構51B、第三RT機構51Cから構成され、POS機構40においてトレー70に取付けられた基板2を、L/UL室10に搬送するとともに、L/UL室10でアンロードされた処理済みのトレー70を、POS機構40へと搬送する。第一POS機構40A、及び第一RT機構51Aでは、L/UL室10の第一空間10Aに搬送する基板2を取り扱う。第二POS機構40B、及び第二RT機構51Bでは、L/UL室10の第二空間10Bに搬送する基板2を取り扱う。L/UL室10では、RT機構50からトレー70が搬送される際は大気圧に開放されているが、搬送後はドアバルブ61が閉じられ、真空排気装置12により排気され、高真空状態となってから、加熱室20との間に配されたドアバルブ62を開き、トレー70を搬送する。加熱室20へトレー70を搬送した後は、隣の加熱室20とのドアバルブ62が閉じられ、再度大気圧に戻され、次のトレー70の搬送が行われる。この際、L/UL室10は、加熱室20とのドアバルブ62が閉じられた後に、大気圧に開放される。ゆえに、加熱室20の内部空間は常に、高真空状態が保たれる。加熱室H室20には加熱装置23が設けられており、基板2を成膜に適した温度まで昇温する。加熱室20には、その内部を真空排気するための真空排気装置22が設けられている。加熱室20も同様に、その中央部にはリフレクター反射板の機能を備えた隔壁21が配されており、加熱室内が、第一空間20Aと第二空間20Bに区分されている。第一空間20Aは、成膜室30の第一空間30Aに搬送する基板被処理体2を取り扱い、第二空間20Bは、成膜室30の第二空間30Bに搬送する基板被処理体2を取り扱う。図1においては、第一空間20Aと第二空間20Bとが隔壁21によって完全に仕切られ、互いに独立した空間とはなっておらず、図には示さないが、隔壁21の上部や下部において互いに一部連通した構成例を示している。しかしながら、図には示さないが、第一空間20Aと第二空間20Bとは、必ずしも互いに連通した空間である必要はなく、第一空間20Aと第二空間20Bとが互いに独立した空間をなすように、隔壁21を設けてもよい。第一空間20Aと第二空間20Bとが連通した構成の場合には、真空排気装置が最低1つあればよいので、低コストなシステムが構築できる。これに対して、独立した空間とした構成の場合には、各々の空間をそれぞれ真空排気する真空排気装置が個別に最低1つ必要となるが、真空処理とメンテナンス等の作業を別個に行うことができるメリットがあるので、互いに独立した空間とする構成であってもよい。成膜室SP室30は2つのドアバルブ63を介して、加熱室H室20に接続されている。ドアバルブ63の一方は、加熱室H室20にて熱処理された基板被処理体2が搭載されたトレー70A70を成膜室30の第一空間30Aへ搬入したり、あるいは、成膜室30の第一空間30Aから成膜後のトレー70A70を加熱室H室20へ搬出する場合に用いる。同様に、ドアバルブ63の他方は、加熱室H室20にて熱処理された基板被処理体2が搭載されたトレー70B70を成膜室30の第二空間30Bへ搬入したり、あるいは、成膜室30の第二空間30Bから成膜後のトレー70B70を加熱室H室20へ搬出する場合に用いる。成膜室SP室30では、成膜ユニット33により、基板2が成膜処理される。特に、本発明の実施形態に係る成膜装置1では、成膜室30は、独立した第一空間30Aと第二空間30Bに区分され、それぞれの内部を真空排気するために、真空排気装置32および成膜ユニット33が、各空間ごとに配置されている。すなわち、真空排気装置32Aと成膜ユニット33Aは第一空間30A用であり、真空排気装置32Bと成膜ユニット33Bは第二空間30B用である。本発明の実施形態に係る成膜装置は、独立した第一空間30Aと第二空間30Bにおいて、それぞれ成膜処理を行うことができる。ゆえに、2枚の基板被処理体に対して同時に並行して成膜処理を行うことが可能であり、生産性の向上が図れる。また、成膜室30を独立した2つの空間に区分しているので、装置を増設する必要がなく装置の低コスト化、省スペース化を図ることもできる。さらに、第一空間30Aと第二空間30Bとが互いに独立した空間とされているので、一方は真空処理例えば、成膜処理を行いつつ、他方はメンテナンス処理例えば、ターゲット交換の作業を行うことが、同時に可能となる。よって、本発明の実施形態に係る成膜装置は、その運用において高い自由度があり、フレキシブルな稼働状況を実現できる。成膜ユニット33としては、特に限定されるものではないが、例えば、スパッタ用のターゲットを備えたカソードや、CVD用の平行平板型の電極が挙げられる。このような成膜装置1において、被処理体である基板2は、搬送装置に搭載されて搬送されながら、加熱や成膜などの処理が施される。基板2を搬送する搬送装置は、基板2を保持するトレー70キャリアと、基板2が保持されたトレー70を搬送する線路80とを備える。また、搬送装置は、基板2を縦型搬送する。ここで、基板2を縦置き縦型搬送とする理由は、主として、大型の液晶ディスプレイやプラズマディスプレイが普及するに伴い、基板自体が大型化、薄型化したことによる。基板を横置きとした場合は、成膜装置自体の設置面積がそれに伴って大型化するので、縦型とすることで省スペース化を図る趣旨である。また、横置きの場合は、基板2の自重による撓みが生じ平坦性を保持することが難しく、均一な成膜が困難となるためである。さらに、支持台上に基板を横置きして、スパッタダウンにて成膜する方法もあるが、この場合には、成膜面に異物が付着し、膜中に混入する等して、膜特性やデバイス特性を低下する虞があるため、採用は控える方がよいためである。本発明の実施形態に係る成膜装置1では、前記成膜室30において、前記第一空間30Aおよび前記第二空間30Bには、各々往路と復路からなる線路80が4本往路の線路と復路の線路を1組とした場合は2組あり、この4本の線路80は全て、前記L/UL室10および前記加熱室20を貫通するように配置されている。本発明の実施形態に係る成膜装置1において、成膜室30の第一空間30Aおよび第二空間30Bには、トレー70がL/UL室10から加熱室20を経て前記第一空間30Aおよび前記第二空間30Bに搬送される往路となる第一線路81A、81Bと、成膜室30の第一空間30Aおよび第二空間30Bから加熱室20を経てL/UL室10に搬送される復路となる第二線路82A、82Bがそれぞれ設けられている。これら第一線路81A、81B及び第二線路82A、82Bは全て、前記L/UL室10および前記加熱室20を貫通して配置されている。また、成膜装置1は、トレー70を第一線路81A、81B往路から第二線路82A、82B復路に、線路に対して横方向に移動させて移載する移動機構図示せずを備えている。この移動機構は、第一線路81A、81B上のトレー70を一旦持ち上げ、第二線路82A、82Bに移載する機構を有している。図2は、トレー70の概略構成を示す斜視図である。図2に示すように、トレー70は、アルミニウムなどからなる枠状のフレーム71と、フレーム71の上辺に沿うように設けられたマグネット72と、フレーム71の下辺に沿うように設けられた円柱状のスライダシャフト73と、基板2の荷重を受け、かつ基板2の水平度を保持するための基板受け74と、基板2をトレー70に保持させるためのクランプ75と、基板2の周縁の非成膜領域を覆うためのマスク76とを備えている。線路80は、トレー70の荷重を支持しながらトレー70を搬送可能に構成された下部支持機構84と、トレー70の上部を非接触で支持可能に構成された上部支持機構88とを備えている。トレー70は、下部支持機構84および上部支持機構88により、略垂直に保持された状態で移動可能に構成されている。図3は、下部支持機構84の構成を示す斜視図である。図3に示すように、下部支持機構84は、モータ85と、ローラ86とを備えている。ローラ86は、トレー70を誘導するU字状の溝部86aを備えている。モータ85が駆動することで、ローラ86が回転し、ローラ86上をトレー70が水平移動するように構成されている。具体的には、トレー70の下部に設けられたスライダシャフト73がローラ86の溝部86aに係合し、トレー70が水平移動可能に構成されている。また、図4は、上部支持機構88の構成を示す説明図である。図4に示すように、上部支持機構88には複数のマグネット89が設けられている。そして、トレー70の上辺にもマグネット72が取り付けられており、マグネット89とマグネット72が垂直方向に対向するように、かつ互いのマグネット89,72が吸着しあうように配置される。このように構成することで、マグネット89,72同士が吸着しあい、トレー70を垂直状態に保持することが可能となる。つまり、基板2を垂直保持することにより、基板2の大型化に伴う成膜装置1の設置面積の増大を抑えることができるとともに、大型基板2の撓みによる影響を回避することができる。特に、本実施形態の成膜装置1では、スライドシャフト73又は下部支持機構84のローラ86の一方の少なくとも接触部が、シリコンSi、アルミニウムAl、酸素Oおよび窒素Nを含むバルク体から構成され、スライドシャフト73又はローラ86の他方の少なくとも接触部が、SUSステンレス鋼から構成されていることが好ましい。スライドシャフト73又はローラ86の接触部を上記のような材料により構成することで、スライドシャフト73とローラ86の磨耗を抑えることができ、磨耗によるダストの発生を低減できるほか、装置の長寿命化を図ることができる。本発明の実施形態に係る成膜装置1は、第一線路往路81A、81Bに沿って移動するトレー搬送装置70により基板被処理体2は、前記L/UL室10から前記加熱室20を通して、成膜室30の第一空間30Aおよび第二空間30Bの内部にそれぞれ運ばれ、成膜室30にて成膜する。その後、前記基板2を載置する搬送装置はそれぞれ、前記第一空間30Aおよび前記第二空間30Bの内部において、移動装置により第一線路往路81A、81Bから第二線路復路82A、82Bに移される。その後、第二線路82A、82Bに沿って前記第一空間30Aおよび前記第二空間30Bの内部から、前記加熱室20を通して前記L/UL室10へ運ばれる。本発明の実施形態では、前記のように往路と復路とをそれぞれ設けることにより、基板の搬送効率を向上することができる。また、L/UL室10における基板の仕込みや取出を短時間で行うことができ、タクトを短縮することができる。これにより本発明の実施形態に係る成膜装置では、生産性を向上することができる。次に、本発明の実施形態に係る成膜装置1を用いて、基板2に成膜する際の動作を図1に基づいて説明する。なお、以下の説明では、成膜室30の第一空間30Aで成膜処理が施される基板2の移動について説明するが、第二空間30Bで成膜処理が施される基板2についても、第一空間30Aの場合と同様である。まず、基板2が他所から水平状態で成膜装置1のPOS機構40の前まで搬送されてくる。その後、横倒し寝かせたの状態とされたトレー不図示に基板2を搭載した後、トレーを垂直状態になるように立ち上げる。POS機構40に示したトレー702は、この立ち上げた状態のものである。このとき、基板2はトレー70の基板受け74に当接した状態とされており、基板2はクランプ75にてトレー70に保持される。図2参照。基板2が搭載されたトレー70は、RT機構50の第一RT機構51Aを介して第三RT機構51Cへと搬送する。第三RT機構51Cでは、トレー70をL/UL室10の第一空間10Aへと搬送可能な方向にする。そして、L/UL室10のドアバルブ61を開状態にした後、トレー70を往路となる第一線路81Aに載置し、トレー70を第一線路81AにてL/UL室10の第一空間10Aへと搬送する。また、後述するように、L/UL室10では、成膜処理された基板2を載置したトレー70が、第二線路82A復路にて搬送されて来るので、このトレー70をRT機構50へと搬送する。トレー70がL/UL室10へ搬送されると、ドアバルブ61を閉状態にし、その後、真空排気装置12にて室内を排気し、L/UL室10を真空状態にする。L/UL室10内が真空状態になった後、隣の加熱室20とのドアバルブ62を開状態にして、トレー70を第一線路81Aにて加熱室20の第一空間20Aへと搬送する。L/UL室10では、トレー70の搬送後は、加熱室20とのドアバルブ62を閉状態にし、再度大気圧に戻され、次のトレー70の搬送が行われる。この際、L/UL室10は、加熱室20とのドアバルブ62が閉じられた後に、大気圧に開放されるため、加熱室20の高真空は保たれる。トレー70が加熱室20へ搬送されると、ドアバルブ62を閉状態にする。その後、加熱装置63にて基板2を成膜に適した温度まで加熱する。基板2の加熱が完了すると、成膜室30とのドアバルブ63を開状態にして、トレー70を第一線路81Aにて成膜室30へと搬送する。また、成膜室30で成膜処理された基板2を搭載したトレー70が、第二線路82A復路で搬送される。トレー70の搬送後は、成膜室30とのドアバルブ63を閉状態にする。成膜室30では、成膜ユニット33により、基板2が成膜処理される。ここで、この成膜装置1では、成膜室30における成膜工程はトレー70を固定静止させて成膜を行う固定成膜方式を採用している。また、基板2の周縁にはマスク76が配置されているため図2参照、基板2の必要な領域のみ成膜されるように構成されている。ここで、この成膜装置1は、成膜室30が、独立した第一空間30Aと第二空間30Bに区分され、各空間毎に成膜ユニット33が配置されているとともに、前記第一空間30Aおよび前記第二空間30Bには各々往路と復路からなる線路が4本配されている。すなわち、成膜室30において、第一空間30Aと第二空間30Bのそれぞれにトレー70が配され、同時に並行してそれぞれのトレー70に搭載されている基板2を成膜することができる。成膜が完了すると移動機構図示略により、前記トレー70を線路に対して横移動させて、往路となる第一線路81Aから、復路となる第二線路82Aに移載する。その後、トレー70は、第二線路82Aを搬送されて、成膜室30から加熱室20を経てL/UL室10へと導かれる。加熱室20とのドアバルブ63を開状態にして、トレー70を加熱室20の第一空間20Aへと搬送する。また、成膜室30には、成膜前の基板2を搭載したトレー70が、加熱室20から第一線路81A往路で搬送される。トレー70が加熱室20へ搬送されると、ドアバルブ63を閉状態にする。L/UL室10とのドアバルブ62を開状態にして、トレー70をL/UL室10の第一空間10Aへと搬送する。また、加熱室20には、成膜前の基板2を搭載したトレー70が、L/UL室10から第一線路81A往路で搬送される。トレー70がL/UL室10へ搬送されると、ドアバルブ62を閉状態にする。トレー70を加熱室20からL/UL室10に搬送する際は、L/UL室10は真空排気装置12により高真空に維持されているが、トレー70の搬送後は、加熱室20とのドアバルブ62が閉じられ、その後、L/UL室10は大気圧に開放される。L/UL室10が大気圧に戻ると、トレー70は、RT機構50の第三RT部51Cに搬送される。この際、L/UL室10は、加熱室20とのドアバルブ62が閉じられてから大気圧に開放されるために、加熱室20の高真空は保たれる。RT機構51Cへと搬送されたトレー70は、第三RT部51Cから第一RT部51Aを介して、POS機構40の第一POS機構40Aへと搬送される。その後、POS機構40第一POS機構40Aにおいて、成膜済みの基板2は、トレー70から取り外されて、外部へと運び出される。このように、本発明の実施形態では、往路と復路とをそれぞれ設けることにより、基板の搬送効率を向上することができる。また、L/UL室における被処理体の仕込みや取出を短時間で行うことができ、タクトを短縮することができる。また、本発明の実施形態に係る成膜装置では、成膜室において独立した第一空間と第二空間とでそれぞれ成膜処理を行うことができるので、2枚の基板に対して同時に並行して成膜処理を行うことができ、生産性を向上することができる。また、成膜室を独立した2つの空間に区分しているので、装置を増設する必要がなく装置の低コスト化、省スペース化を図ることができる。その結果、本発明の実施形態に係る成膜装置は、省スペース化を図るとともに、基板の搬送システムを改良し、生産性を向上することが可能である。本発明の実施形態に係る成膜装置では、SP室が独立した第一空間と第二空間に区分され、各空間毎に成膜ユニットが配置されている。独立した第一空間と第二空間とでそれぞれ成膜処理を行うことができるので、2枚の基板被処理体に対して同時に並行して成膜処理を行うことができ、生産性を向上することができる。また、SP室を独立した2つの空間に区分しているので、装置を増設する必要がなく装置の低コスト化、省スペース化を図ることができる。また本発明の実施形態に係る成膜装置では、各々往路と復路からなる4本の線路が前記L/UL室、H室およびSP室を貫通して配置され、被処理体は、前記往路に沿って前記L/UL室から前記H室を通して、前記第一空間および前記第二空間の内部にそれぞれ運ばれ、SP室にて成膜した後、前記被処理体は、前記第一空間および前記第二空間の内部において、移動機構により往路から復路に移され、復路に沿って前記第一空間および前記第二空間の内部から、前記H室を通して前記L/UL室へ運ばれているので、往路と復路とをそれぞれ設けることにより、被処理体の搬送効率を向上することができる。また、L/UL室における被処理体の仕込みや取出を短時間で行うことができ、タクトを短縮することができる。以上、本発明の実施形態に係る成膜装置について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。"