"第1基板と、前記第1基板上に設けられた第1電極と、前記第1電極上に配置された多孔質半導体層と、前記多孔質半導体層と接し、溶媒と複数種類の酸化還元電解質を有する電荷輸送層とを備えることを特徴とする色素増感太陽電池。第1基板と、前記第1基板上に配置された第1電極と、前記第1電極上に配置され、半導体微粒子と色素分子を備える多孔質半導体層と、前記多孔質半導体層と接し、酸化還元電解質を溶媒に溶解した電解液と、前記電解液に接する第2電極と、前記第2電極上に配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板の間に配置され、前記電解液を封止する封止剤とを備え、前記酸化還元電解質は、複数種類の酸化還元電解質を混合して作られた電解質を備えることを特徴とする色素増感太陽電池。前記酸化還元電解質は、沃素酸化還元電解質、臭素酸化還元電解質、塩素酸化還元電解質、若しくはフェロセンのいずれかの組み合わせからなる混合系からなること特徴とする請求項1または2に記載の色素増感太陽電池。前記電解液は、1級~4級のアンモニウムイオンと、臭素イオン、ヨウ素イオンを含むこと特徴とする請求項2に記載の色素増感太陽電池。前記電解液中の臭素イオンの濃度は、ヨウ素イオンの濃度よりも低いこと特徴とする請求項4に記載の色素増感太陽電池。前記電解液中の臭素イオンの濃度は、ヨウ素イオンの濃度の1/2以下であること特徴とする請求項5に記載の色素増感太陽電池。前記1級~4級のアンモニウムイオンとして、テトラブチルアンモニウム、テトラメチルアンモニウム、トリメチルメタンアミニウム、ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、トリメチルアニリニウム、若しくはトリメチルベンゼンアミニウムのいずれかを含むこと特徴とする請求項4~6のいずれか1項に記載の色素増感太陽電池。前記多孔質半導体層は、前記第1電極と接していない面に溝部を有することを特徴とする請求項1または2に記載の色素増感太陽電池。前記第1電極上には、前記多孔質半導体層に近接し、前記多孔質半導体層内で発生した電子を導通する低抵抗化電極を備えることを特徴とする請求項8に記載の色素増感太陽電池。前記多孔質半導体層上に配置され、前記溝部を被覆する光散乱層を備えることを特徴とする請求項8に記載の色素増感太陽電池。前記溝部は、側壁が、垂直形、順テーパ形、順テーパの楔形、逆テーパ形、多段形、曲面形の内、いずれか一種の形状を有することを特徴とする請求項8に記載の色素増感太陽電池。前記溝部は、側壁が垂直形で、かつ前記第1電極まで到達することを特徴とする請求項8に記載の色素増感太陽電池。前記溝部は、前記多孔質半導体層に凹凸の周期構造を形成し、かつ前記多孔質半導体層の凹凸構造は、ドット状の凹部が周期的に配列された構成、若しくは非周期的に散在された構成、或いは、ドット状の凸部が周期的に配列された構成、若しくは非周期的に散在された構成、或いは、ラインスペース状に、凸部若しくは凹部構造が、周期的にまたは非周期的に繰り返される構成、或いは、複数のラインスペース構造が互いに重なった構成、或いは、矩形状の閉図形の集合形状の構成を有することを特徴とする請求項8に記載の色素増感太陽電池。前記溝部は、前記多孔質半導体層に凹凸の周期構造を形成し、かつ前記多孔質半導体層の厚さをL、前記溝部の深さをa、前記溝部の幅をb、前記凸部の幅をcとすると、L=50μm以下、かつ0<a<L、かつ0<b<10L、かつ0<c<10Lを満たすことを特徴とする請求項8に記載の色素増感太陽電池。前記請求項1~14のいずれか1項に記載の色素増感太陽電池の電極構造を、電気二重層キャパシタ内部電極に備えることを特徴とする電気二重層キャパシタ。前記請求項1~14のいずれか1項に記載の色素増感太陽電池の電極構造を、リチウムイオンキャパシタ内部電極に備えることを特徴とするリチウムイオンキャパシタ。前記請求項1~14のいずれか1項に記載の色素増感太陽電池の電極構造を、リチウムイオン電池内部電極に備えることを特徴とするリチウムイオン電池。本発明の目的は、電解液の複数種類の酸化還元電解質を混合して作られた電解質により電圧向上を図り、性能を高めた色素増感太陽電池を提供することにある。本発明の一態様によれば、第1基板と、前記第1基板上に設けられた第1電極と、前記第1電極上に配置された多孔質半導体層と、前記多孔質半導体層と接し、溶媒と複数の酸化還元電解質を有する電荷輸送層とを備える色素増感太陽電池が提供される。本発明の他の態様によれば、第1基板と、前記第1基板上に配置された第1電極と、前記第1電極上に配置され、半導体微粒子と色素分子を備える多孔質半導体層と、前記多孔質半導体層と接し、酸化還元電解質を溶媒に溶解した電解液と、前記電解液に接する第2電極と、前記第2電極上に配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板の間に配置され、前記電解液を封止する封止剤とを備え、前記酸化還元電解質は、複数種類の酸化還元電解質を混合して作られた電解質を備える色素増感太陽電池が提供される。本発明によれば、電解液の複数種類の酸化還元電解質を混合して作られた電解質により電圧向上を図り、性能を高めた色素増感太陽電池を提供することができる。次に、図面を参照して、実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。以下の実施の形態に係る半導体発光装置において、透明とは、透過率が約50以上であるものと定義する。また透明とは、実施の形態に係る半導体発光装置において、可視光線に対して、無色透明という意味でも使用する。可視光線は波長約360nm~830nm程度、エネルギー約3.45eV~1.49eV程度に相当し、この領域で透過率が50以上あれば透明である。第1の実施の形態色素増感太陽電池第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池200の模式的断面構造は、図1に示すように表される。第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池200に適用される作用極100は、図1に示すように、ガラス基板20上に配置された透明電極10と、透明電極10上に配置された多孔質半導体層12とを備える。第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池200は、図1に示すように、ガラス基板20と、ガラス基板20上に設けられた透明電極10と、透明電極10上に配置された多孔質半導体層12と、多孔質半導体層12と接し、溶媒と複数種類の酸化還元電解質を混合して作られた電解質を備える電荷輸送層14とを備える。ここで、電荷輸送層14は、複数種類の酸化還元電解質を混合して作られた電解質を備えるため、酸化還元電解質を単独で用いた場合に比べて、開放端電圧が高く、また、発電量が大きくなる。さらに詳細には、第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池200は、図1に示すように、第1基板20と、第1基板20上に配置された第1電極10と、第1電極10上に配置された半導体微粒子2と色素分子4とを備える多孔質半導体層12と、多孔質半導体層12と接し、酸化還元電解質を溶媒に溶解した電解液14と、電解液14に接する第2電極18と、第2電極18上に配置された第2基板22と、第1基板20と第2基板22の間に配置され、電解液14を封止する封止剤16とを備える。ここで、酸化還元電解質は、複数種類の酸化還元電解質を混合して作られた電解質を備える。第1基板20および第2基板22は、例えば、ガラス基板などで形成することができる。また、フレキシブルなプラスチック基板を用いることもできる。この場合、TiO2ペーストは、200°C以下で焼成可能なものを用いる。第1基板20側から光を照射するため、第1基板20は、照射光に対して、透明であることが望ましい。なお、第1基板20の光を照射する側に反射防止膜などをコーティングしても良い。第1電極10は、例えば、FTO、ZnO、ITO、SnO2などの透明電極で形成される。第1基板20上に電極加工し、FTO付き基板、金属などのグリッド付き基板、或いは上記の複合基板としても良い。第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池200の多孔質半導体層12は、フェルミエネルギーと酸化還元電解質の酸化還元エネルギーなどの兼ね合いから、酸化物半導体が用いられると良い。多孔質半導体層12は、TiO2、ZnO、WO3、InO3、ZrO2、Ta2O3、Nb2O3、SnO2などの材料を用いて形成されていても良い。特に、効率面から安価なTiO2が主に用いられる。ここで、多孔質半導体層12上には、光散乱層52:図55b、図56bを備えていても良い。光散乱層は、例えば、200nm程度の粒形を有するTiO2パーティクル若しくはZrO2パーティクルで形成されていても良い。図1の多孔質半導体層12の半導体微粒子2の模式的構造は、図2に示すように表される。図2に示すように、多孔質半導体層12は、TiO2などからなる半導体微粒子2が互いに結合して複雑なネットワークを形成している。色素分子4は、半導体微粒子2の表面に吸着される。多孔質半導体層12内には、大きさ100nm以下の細孔が多数存在する。動作原理第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池200の動作原理は、図3に示すように表される。下記のa~dの反応が継続して起こることで、起電力が発生し、負荷24に電流が導通する。a色素分子32が光子hνを吸収し、電子eを放出し、色素分子32は酸化体DOになる。bReで表される還元体の酸化還元電解質26が多孔質半導体層12中を拡散して、DOで表される酸化体の色素分子32に接近する。c酸化還元電解質26から色素分子32に電子eが供給される。酸化還元電解質26は、Oxで表される酸化体の酸化還元電解質28なり、色素分子32はDRで表される還元された色素分子30になる。d酸化還元電解質28は、対極18方向に拡散し、対極18より電子を供給されて、Reで表される還元体の酸化還元電解質26になる。酸化還元電解質26は、多孔質半導体層12中の入り組んだ空間を拡散しながら色素分子32の近傍に接近する必要がある。また、第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池200の電解液14における電荷交換反応に基づく動作原理は、図4に示すように表される。まず、外部から光照射されると光子hνが色素分子32と反応して、色素分子32は基底状態から励起状態へと遷移する。このとき発生した励起電子eがTiO2からなる多孔質半導体層12の伝導帯へ注入される。多孔質半導体層12中を導通した電子eは、透明電極10から外部回路の負荷24を導通し、対極18へ移動する。対極18から電解液14中に注入された電子eは、電解液14中のヨウ素酸化還元電解質I/I3と電荷交換される。ヨウ素酸化還元電解質I/I3が電解液14内を拡散し、色素分子32と再反応する。ここで、電荷交換反応は、色素分子表面において、3I→I32eに従って進行し、対極18において、I32e→3Iに従って進行する。電解液14は、溶媒として、例えば、アセトニトリルを使用し、この場合の電解質として、例えば、ヨウ素は、電解液14中のヨウ素酸化還元電解質I3として存在する。また、電解質として、例えば、ヨウ化物塩ヨウ化リチウム、ヨウ化カリウムなどは、電解液14中のヨウ素酸化還元電解質Iとして存在する。また、電解液14中には、逆電子移動抑制溶液として添加剤例えば、TBP:ターシャルブチルピリジンを適用しても良い。上記の溶質、添加剤を溶媒アセトニトリルに溶解させることによって、電解液14を構成することができる。なお、上記の材料は湿式DSCなどに適用可能なものであって、常温溶融塩イオン性液体や固体電解質を用いる場合には、構成材料が異なる。第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池200において、溶媒は、後述する電解質、添加剤を溶解する液体であり、高沸点、化学的安定性が高く、高誘電率電解質が良く溶解する、低粘度であること望ましい。例えば、アセトニトリル、炭酸プロピレン、yブチロラクトン、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどで構成されていても良い。第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池200に適用される電解液14は、例えば、ヨウ素酸化還元電解質および臭素酸化還元電解質からなる複数種類の酸化還元電解質を混合して作られた電解質であり、組成比Xを用い、LiIXBr1Xと表すことができる。ここで、組成比Xを制御することによって、酸化還元電解質の濃度比を制御することができる。酸化還元電解質の濃度比を制御することによって、後述するように、開放端電圧Voc、短絡電流密度Jsc、最大発電量などを制御することができる。酸化還元電解質としては、ヨウ素酸化還元電解質、臭素酸化還元電解質の他に、塩素酸化還元電解質、フェロセンなども適用することができる。混合系酸化還元電解質は、ヨウ素酸化還元電解質、臭素酸化還元電解質、塩素酸化還元電解質、若しくはフェロセンのいずれかの組み合わせからなる混合系からなる。ここで、電解液14は、1級~4級のアンモニウムイオンと、臭素イオン、ヨウ素イオンを含むようにできる。この場合に、電解液14中の臭素イオンの濃度は、ヨウ素イオンの濃度よりも低くするとことができる。また、電解液14中の臭素イオンの濃度は、ヨウ素イオンの濃度の1/2以下とすることもできる。また、前記1級~4級のアンモニウムイオンとして、テトラブチルアンモニウム、テトラメチルアンモニウム、トリメチルメタンアミニウム、ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、トリメチルアニリニウム、若しくはトリメチルベンゼンアミニウムのいずれかを含むようにできる。なお、アルキル基とは、直鎖の炭化水素基ベンゼン等は含まれないアリール基となるを、アニリニウムとは、アニリンが化合物となったものアンモニウム塩の一種を、アミニウムとは、アミンにHが付加してイオン化したものを、アミンとは、アンモニアのHを炭化水素基で置換したものをいう。また、1~4級のアンモニウムとは、アンモニウムNH4のHが炭化水素基に置き変わったものをいい、置き換わりの数で1~4級の級数が決まる。添加剤は、電解液に添加することで、例えば、TiO2からなる多孔質半導体層12の表面に吸着するなどして、DSCの発電特性の向上に寄与することができる。添加剤の例としては、例えば、ピリジン系、イミダゾール系、チオシアネート系などがある。なお、色素は、レッドダイN719、ブラックダイN749などを適用することができる。対極18は、例えば、Pt、C、若しくは、導電性高分子などで構成されていても良い。導電性高分子は、例えば、PEDOT:PSSなどで構成されていても良い。多孔質半導体層12は、例えば、スクリーン印刷技術、スピンコート技術、ディッピング、スプレーコート技術などを用いて形成することができる。第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池200において、多孔質半導体層12/色素分子32/電解液14間のエネルギーポテンシャルダイヤグラムは、図5に示すように表される。また、色素分子32/電解液14間のエネルギーポテンシャルダイヤグラムであって、図5のJ部分の拡大図は、図6に示すように表される。外部から光照射されると光子hνが色素分子32と反応して、色素分子32は基底状態HOMOから励起状態LUMOへと遷移する。このとき発生した励起電子eがTiO2からなる多孔質半導体層12の伝導帯へ注入される。多孔質半導体層12中を導通した電子eは、透明電極10から外部回路の負荷24を導通し、対極18へ移動する。対極18から電解液14中に注入された電子eは、電解液14中のヨウ素混合系酸化還元電解質と電荷交換される。ヨウ素素混合系酸化還元電解質が電解液14内を拡散し、色素分子32と再反応する。電解液14の酸化還元準位EROと多孔質半導体層12のフェルミ準位Ef間の電位差が最大起電力VMAXである。最大起電力VMAXの値は、電解液14の酸化還元電解質により変化する。酸化還元電解質単独系ヨウ素酸化還元電解質の場合には、例えば、0.9VI,N719である。電解質14がヨウ素臭素の混合系酸化還元電解質を含む場合には、図6に示すように、混合比率を調整することで混合系酸化還元電解質の酸化還元電位を、ヨウ素酸化還元電解質の酸化還元電位と臭素酸化還元電解質の酸化還元電位の間の任意の値に調整することができると考えられる。図6に示すように、電解液14の臭素酸化還元電解質の混合比が零の場合、酸化還元準位ERO=0.53VI/I3であるのに対して、ヨウ素酸化還元電解質の混合比が零の場合、酸化還元準位ERO=1.09VBr/Br3である。この間のギャップエネルギーEgaの値は、1.09-0.53=0.56Vである。HOMOレベルと酸化還元準位EROの電位差Eghの値が大きい場合には、最大起電力VMAXを得る上で、電圧ロスとなる。HOMOレベルと酸化還元準位EROの電位差Eghの値が低い場合には、電解液14から色素分子32への電子eの移動が阻害される。したがって、電子eを効率良く電解液14から色素分子32側に導通すると共に、最大起電力VMAXを得る上での電圧ロスを抑制するためには、酸化還元準位EROのレベルは色素分子32のHOMOレベルよりは上で、かつ電位差Eghをできるだけ小さくすることが望ましい。次に示すように、ヨウ素酸化還元電解質と臭素酸化還元電解質を混合することで得られるヨウ素臭素混合系酸化還元電解質よりなる電解液では、ヨウ素酸化還元電解質を単独で用いた場合に比べて、臭素酸化還元電解質の添加量に応じて開放端電圧の値が増加する。これは、ヨウ素酸化還元電解質に比べて、臭素酸化還元電解質は酸化還元電位がポジティブ正であり、ヨウ素臭素混合系酸化還元電解質の酸化還元電位が臭素酸化還元電解質の添加量に応じてポジティブ正側にシフトするためと考えられる。―開放端電圧Voc―第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、蛍光灯800lx照射時における開放端電圧VocとLiBr投入量LiI投入量の関係は、図7に示すように表される。図7において、横軸は、LiBr投入量mMおよびLiI投入量mMを表す。単位のmMは、ミリモーラーであり、mモル/リットルを表す。例えば、LiBr投入量mM=0mMは、LiI投入量mM=500mM、LiBr投入量mM=100mMは、LiI投入量mM=400mM、LiBr投入量mM=200mMは、LiI投入量mM=300mM、LiBr投入量mM=300mMは、LiI投入量mM=200mM、LiBr投入量mM=400mMは、LiI投入量mM=100mM、LiBr投入量mM=500mMは、LiI投入量m=0mMである。図7から明らかなように、開放端電圧Vocの値は、LiBr投入量mM=0~450mM[LiI投入量m=50~50mM]の変化において、約0.1Vも上昇することがわかる。第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、開放端電圧Vocが0.1V程度も増加することは、電解液14を単独系の酸化還元電解質から混合系の酸化還元電解質に変更した効果が大きいことを示す。―短絡電流密度Jsc―第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、短絡電流密度JscとLiBr投入量LiI投入量の関係は、図8に示すように表される。図8から明らかなように、広範囲のLiBr投入量mM=0~400mMLiBr投入量mM=500~100mMに亘り、短絡電流密度Jscの値が相対的に高く維持されることがわかる。LiBr投入量mM=400~500mMにおいては、Br濃度の上昇とともに、図6のギャップエネルギーEgaが増加し、HOMOレベルと酸化還元準位EROの電位差Eghの値が低くなり、電解液14から色素分子32への電子eの移動が阻害されたためである。―最大発電量―第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、LiBr投入量LiI投入量をパラメータとする電流密度と電圧の関係は、図9に示すように表される。また、最大発電量とLiBr投入量LiI投入量の関係は、図10に示すように表される。図9~図10から明らかなように、LiBr投入量mM=200~400mMLiBr投入量mM=300~100mMの範囲内において、最大発電量が得られることがわかる。ここで、第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池の短絡電流密度Jscおよび最大発電量を確認するために行った実験について述べる。まず、以下の手順により第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池についての評価用セルを作成した。a有機洗浄およびUVオゾン洗浄を行った透明導電膜FTO付きのガラス基板にTiO2ペーストをスクリーン印刷により成膜する。b400~500°Cの電気炉によって、前記ガラス基板に印刷したTiO2を焼成する。cTiO2を焼成した基板をRu錯体N719solaronix製を溶かした色素溶液に1晩浸漬する。d色素溶液に浸漬した基板を洗浄し、ホットメルトシールにより、Ptを成膜した対極基板と貼り合わせる。次いで、上記のようにして作成された評価用セルに注入するための電解液を作成した。具体的には、4-ブチロラクトンを溶媒とし、ヨウ化テトラブチルアンモニウム:500mM、臭化テトラブチルアンモニウム、ヨウ化リチウム:100mM、ヨウ素:10mM、n-メチルベンゾイミダゾール:1000mMを溶解して電解液を調整した。臭化テトラブチルアンモニウムTBABrは、0~500mMの濃度範囲で条件振りを行った。評価方法としては、作成した評価用セルに、毛細管現象を利用して、調整した電解液を注入し、評価用セルに、蛍光灯によって1000lxの照度で光線を照射し、電流-電圧特性の測定IV測定を行なって電解液の特性を評価した。図11は、評価用セル第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池における短絡電流密度JscとTBABr濃度との関係を示すグラフである。また、図12は、評価用セル第1の実施の形態に係る色素増感太陽電池における開放端電圧VocとTBABr濃度との関係を示すグラフである。図11および図12のグラフに示すように、臭化テトラブチルアンモニウムTBABrの濃度が0mMの場合には、短絡電流密度Jscは約1.00E-01mA/cm2、開放端電圧Vocは約6.30E-01Vであった。また、臭化テトラブチルアンモニウムTBABrの濃度が100mMの場合には、短絡電流密度Jscは約1.02E-01mA/cm2、開放端電圧Vocは約6.60E-01Vであった。また、臭化テトラブチルアンモニウムTBABrの濃度が300mMの場合には、短絡電流密度Jscは約9.80E-02mA/cm2、開放端電圧Vocは約6.62E-01Vであった。また、臭化テトラブチルアンモニウムTBABrの濃度が500mMの場合には、短絡電流密度Jscは約9.45E-02mA/cm2、開放端電圧Vocは約6.57E-01Vであった。このように、臭化テトラブチルアンモニウムTBABrを加えることにより、調整した全ての電解液で開放端電圧Vocが向上することが確認された。一方で、短絡電流密度については、臭化テトラブチルアンモニウムTBABrの濃度が100mMの場合がピークとなり、濃度が100mMを超えると逆に短絡電流密度が低下することが分かった。このように、臭化テトラブチルアンモニウムTBABrの濃度100mMを境に短絡電流密度が低下するのは、臭素Brの濃度が増えると擬似的な酸化還元準位が下がるため、キャリアの注入効率が低下し、それに伴って電流値が低下する。以上の実験結果から、上述のような組成の電解液においては、臭化テトラブチルアンモニウムTBABrの濃度は100mMが最適値であることが確認された。色素増感型太陽電池は、ヨウ素の酸化還元準位とTiO2のフェルミ準位との差で開放電圧が決まる。本発明者等は、電解液に臭化物イオンを加え、擬似的に酸化還元電位を大きくすることにより、開放電圧を上げる試みを行なってきた。但し、臭化物イオンを発生させるために加える塩のカウンターイオンがアルカリ金属などである場合には、電圧が降下してしまう。一方、ヨウ素よりも酸化還元準位の深い臭素を加えることにより、擬似的に酸化還元準位を深くすることができ、開放電圧を向上できる。また、溶媒によらず、電解液中で電離し易い、4級アルキルアンモニウムをカウンターイオンに持つ臭化物イオンを加えることにより、効率的に臭化物イオンを電解液中で生成できる。また、リチウムなどのアルカリ金属に比べて作用極に影響の少ない4級アルキルアンモニウムイオンを臭化物イオンのカウンターイオンにすることにより、カウンターイオンによる開放電圧の低下を抑えることができた。また、加える臭化物イオンの濃度は、電解液を構成するヨウ素イオンの1/2以下程度の少量を加えることにより、特性を改善できることを確認した。また、上述のように、臭化テトラブチルアンモニウムTBABrの濃度は100mMが最適値であることを確認した。第1の実施の形態によれば、電荷輸送層に混合系酸化還元電解質を用いた電解液を適用することで、酸化還元電解質を単独で用いた場合に比べて、開放端電圧が高く、発電量の大きい色素増感太陽電池を提供することができる。第2の実施の形態色素増感太陽電池第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200の模式的断面構造は、図13に示すように表される。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200に適用される作用極100は、図13に示すように、ガラス基板20上に配置された透明電極10と、透明電極10上に配置され、透明電極10と接していない面に溝部13を有する多孔質半導体層12とを備える。溝部13は、後述するように、側壁が、垂直形、順テーパ形、順テーパの楔形、逆テーパ形、多段形、曲面形の内、いずれか一種の形状を備えていても良い。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200は、図13に示すように、ガラス基板20と、ガラス基板20上に設けられた透明電極10と、透明電極10上に配置され、透明電極10と接していない面に溝部13を有する多孔質半導体層12と、多孔質半導体層12と接し、溶媒と複数種類の酸化還元電解質を混合して作られた電解質を備える電荷輸送層14とを備える。ここで、電荷輸送層14は、第1の実施の形態と同様に、複数種類の酸化還元電解質を混合して作られた電解質を備えるため、酸化還元電解質を単独で用いた場合に比べて、開放端電圧が高く、また、発電量が大きくなる。なお、図13の構成において、多孔質半導体層12と透明電極10との界面の凹凸は、約20nm以下である。さらに、詳細には、第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200は、図13に示すように、第1基板20と、第1基板20上に配置された第1電極10と、第1電極10上に配置され、第1電極10と接していない面に溝部13を有し、半導体微粒子2と色素分子4とからなる多孔質半導体層12と、多孔質半導体層12と接し、酸化還元電解質を溶媒に溶解した電解液14と、電解液14に接する第2電極18と、第2電極18上に配置された第2基板22と、第1基板20と第2基板22の間に配置され、電解液14を封止する封止剤16とを備える。ここで、酸化還元電解質は、複数種類の酸化還元電解質を混合して作られた電解質を備える。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200に適用される電解液14は、第1の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。また、多孔質半導体層12が透明電極10と接していない面に溝部13を有する以外は、構成および各部の材質は第1の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200の動作原理は、図3と同様であり、電解液14における電荷交換反応に基づく動作原理は、図4と同様であるため、重複説明は省略する。尚、第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200の多孔質半導体層12の電解液14に接触する表面には、溝部13からなる凹凸構造を有するため、酸化還元電解質26は、容易に多孔質半導体層12中の入り組んだ空間を拡散しながら色素分子32の近傍に接近することができる。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200においては、多孔質半導体層12に溝部13を有するため、多孔質半導体層12への色素吸着時間を短縮することができる。すなわち、多孔質半導体層12の最深部と表面との距離が短縮されることで、色素分子が最深部に拡散到達する時間を短縮することが可能である。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200においては、多孔質半導体層12中の還元された酸化還元電解質密度の増加により、光電変換効率が向上する。すなわち、多孔質半導体層12の最深部と表面との距離が短縮されることで、酸化還元電解質は最深部への拡散を短時間に行うことができ、最深部に、より多くの還元された酸化還元電解質を供給することが可能となり、光電変換効率が向上する。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200においては、多孔質半導体層12中の酸化された酸化還元電解質密度の減少により、光電変換効率が向上する。すなわち、多孔質半導体層12の最深部と表面との距離が短縮されることで、多孔質半導体層12の最深部で発生した酸化された酸化還元電解質も、より短時間で多孔質半導体層12の外部に拡散することができるため、多孔質半導体層12内に滞留する酸化された酸化還元電解質の濃度を下げることができる。これにより、酸化された酸化還元電解質による光吸収効果と電流損失発生を抑制することができ、光電変換効率が向上する。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、作用極100の取り出し電極34、および対極18の取り出し電極36まで含めた模式的平面パターン構成は図14に示すように表され、図14のI-I線に沿う模式的断面構造は図15に示すように表される。多孔質半導体層12には、複数の溝部131~136が形成されている。作用極100の取り出し電極34は、図15に示すように、透明電極10を封止剤16の外部に延在させた面上に配置される。同様に、対極18の取り出し電極36は、図15に示すように、対極18を封止剤16の外部に延在させた面上に配置される。変形例第2の実施の形態の変形例に係る色素増感太陽電池200において、作用極100の取り出し電極34まで含めた模式的平面パターン構成は図16に示すように表され、図16のII-II線に沿う模式的断面構造は図17に示すように表され、図16のIII-III線に沿う模式的断面構造は図18に示すように表される。図16~図18においては、対極18対極18の取り出し電極36ガラス基板22の構成は、第2の実施の形態と同様であるため、図示を省略している。第2の実施の形態の変形例に係る色素増感太陽電池200において、透明電極10上には、多孔質半導体層121~123に近接し、多孔質半導体層121~123内で発生した電子を導通する低抵抗化電極381~382を備える。第2の実施の形態の変形例に係る色素増感太陽電池においては、コンタクト421~422を介して取り出し電極34に接続された低抵抗化電極381~382を備える点が第2の実施の形態と異なる。その他の点は、第2の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。ここで、低抵抗化電極381~382は、例えば、Ag、Cu、W、Ptなどで形成することができる。多孔質半導体層121~123中で発生した電子は、直ちに外部回路に取り出される構成が望ましい。第2の実施の形態の変形例に係る色素増感太陽電池において、低抵抗化電極381~382は、コンタクト421~422を介して取り出し電極34に接続されているため、多孔質半導体層121~123中で発生した電子は、低抵抗化電極381~382を通って取り出し電極34に運ばれる。第2の実施の形態の変形例に係る色素増感太陽電池においては、実質的に、多孔質半導体層121~123中における内部抵抗を低減化することができるため、内部損失を低減し、効率を向上することができる。なお、低抵抗化電極381~382は、電解液14に含まれる酸化還元電解質によって腐食されやすいため、UV加工樹脂などで形成された保護剤40によって被覆されていても良い。作用極の平面パターン構成比較例に係る色素増感太陽電池において、インプリント転写技術による加工がない場合の作用極100の平面パターン構成は、図19aに示すように表され、図19aのIV-IV線に沿う模式的断面構造は、図19bに示すように表される。比較例においては、インプリント転写技術による加工がない場合に相当するため、TiO2からなる半導体微粒子2を有する多孔質半導体層12が透明電極10付きのガラス基板20上に形成されている。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、インプリント転写技術により形成された作用極100の模式的平面パターン構成インプリント構造例1は、図20aに示すように表され、図20aのP部分の拡大は、図20bに示すように表される。図20bにおいて、Aは角度、Bは溝部13の幅、Cは溝部13間の距離、Dは溝部13のピッチを示す。インプリント構造例1においては、溝部13が三角形状の平面パターンを有するように配置され、また溝部13の構造は、ピラー型である。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、インプリント転写技術により形成された作用極の模式的平面パターン構成インプリント構造例2は、図21aに示すように表され、図21aのQ部分の拡大は、図21bに示すように表され、図21aのV-V線に沿う模式的断面構造は、図21cに示ように表される。なお、図20aのV-V線に沿う模式的断面構造も、図21cに示ように表される。図21bにおいて、Eは溝部13の幅、Fは溝部13間の距離を表す。インプリント構造例2においては、溝部13がストライプ状の平面パターンを有するように配置され、溝部13の凹凸構造は、ラインスペース型である。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、インプリント転写技術により形成された作用極の模式的平面パターン構成インプリント構造例3は、図22aに示すように表され、図22aのQ部分の拡大は、図22bに示すように表される。なお、図22aのV-V線に沿う模式的断面構造も、図21cに示ように表される。図22bにおいて、Hは溝部13の幅、Gは溝部13間の距離を表す。インプリント構造例3においては、溝部13がメッシュ状の平面パターンを有するように配置され、溝部13の凹凸構造は、メッシュ型である。比較例に係る色素増感太陽電池において、多孔質半導体層12の最深部12dと表面Sからの距離d1は、図23aに示すように表され、第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、加工された多孔質半導体層12の最深部12dと表面Sからの距離d2は、図23bに示すように表される。図23bに示すように、多孔質半導体層12を加工することにより、最深部12dと表面Sとの間の距離d2を短縮することができる。比較例に係る色素増感太陽電池において、浸漬時間tにおける多孔質半導体層12の色素侵入領域12p浸漬長dは、図24aに示すように表され、浸漬時間t’>tにおける多孔質半導体層の浸漬長d’>dは、図24bに示すように表される。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、浸漬時間tにおける多孔質半導体層12の色素侵入領域12p浸漬長dは、図25aに示すように表され、浸漬時間t’>tにおける多孔質半導体層12aは、図25bに示すように表される。図25bに示すように、多孔質半導体層12を加工することにより、最深部に色素が到達する時間を短縮することができる。多孔質半導体層12は色素分子が十分に吸着された多孔質半導体層12aとなる。実験結果第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、パターン断面と各部構造の寸法の関係は、図26aに示すように表され、色素吸着に伴う必要浸漬長c/2は、図26bに示すように表される。図26に示すように、多孔質半導体層12の厚さはL、溝部13の深さはa、溝部13の幅はb、凸部の幅はc、溝部13のピッチはpで表される。凸部占有率xはc/pで表される。多孔質半導体層12の残渣部の厚さはL-aである。溝部13内の色素溶液46から矢印Jで示すように、多孔質半導体層12に色素が十分に拡散されて、凸部の幅c全体が色素分子で吸着された状態において、多孔質半導体層12は色素分子が十分に吸着された多孔質半導体層12aとなる。c/2を必要浸漬長、色素分子が必要浸漬長c/2まで拡散される時間を必要浸漬時間tと定義する。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、凸部占有率xをパラメータとする必要浸漬長c/2を得るための必要浸漬時間tとピッチpとの関係は、図27に示すように表される。浸漬長c/2を得るための必要浸漬時間tは、実験的に求めた経験則の式:t=0.263×d20.142dを用いて求めている。凸部占有率xが大きい場合には、必要浸漬時間tは長くなり、凸部占有率xが小さい場合には、必要浸漬時間tは短くなる。溝部13のピッチpを短くする凸部の幅cを短くすると、必要浸漬時間tは短くなる。凸部占有率xが小さく、また溝部13のピッチpが短い凸部の幅cが短いと、パターンが微細化されるため、加工が難しくなる。一方、凸部占有率xが大きく、また溝部13のピッチpが大きい凸部の幅cが長いと、加工は容易となるが、必要浸漬時間tが長くなる。したがって、例えば、凸部占有率x=0.5でピッチp=10μm~20μm程度であれば、必要浸漬時間t=2~8時間程度が得られ、色素分子の浸漬時間、加工精度の点で有利である。比較例に係る色素増感太陽電池において、多孔質半導体層12の表面Sの近傍の断面SEM写真例は、図28に示す通りである。ガラス基板20上にFTOからなる透明電極10が形成され、この透明電極10上に多孔質半導体層12が約10μm形成されていることがわかる。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、浸漬時間tをパラメータとするエネルギー分散型X線分析装置EDXのC信号強度色素分子中のC原子からの信号強度で、色素の濃度を表すと深さとの関係は、図29に示すように表され、浸漬時間tをパラメータとする色素密度と深さとの関係は、図30に示すように表され、浸漬時間tと浸漬長dとの関係は、図31に示すように表される。浸漬長dを得るために必要な浸漬時間tは、上述の経験則の式:t=0.263×d20.142dで表される。図29~図30から明らかなように、例えば、浸漬時間t=30h程度であれば、浸漬長dは約3μmである。したがって、多孔質半導体層12の厚さL=10μm、凸部の幅cが5μm程度であれば、十分に色素分子を凹凸構造を有する多孔質半導体層12全体に浸漬することができる。また、凸部の幅cが10μm程度であれば、浸漬時間t=80h程度であれば、十分に色素分子を凹凸構造を有する多孔質半導体層12全体に浸漬することができる。TiO2ペーストをスクリーン印刷機によりガラス基板に塗布する。120°Cで10分間ベークを行い、厚さ約10μm程度のTiO2ペースト膜を形成する。無数の微細な突起のついたSi基板を、約30MPaの圧力で押し付けることによって、TiO2ペースト膜に微細な孔を形成する。孔のサイズとしては、例えば、深さaは約6.71μm、幅bは約3.36μm、溝部のピッチpは約10μmである。この試料を約450°Cで焼成することで、DSCに適用可能なTiO2膜を形成することができる。この構造では、溝部13の多孔質半導体層12の表面から最深部までの距離lは約5.35μmである。この試料では、色素吸着の要する時間は、約8時間であり、第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池の構成を用いない場合の27時間に比べて、約30に短縮されている。シミュレーション結果第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、浸漬時間tをパラメータとする多孔質半導体層12中の拡散による色素分子の濃度と空間Xとの関係を示すシミュレーション結果は、図32に示すように表され、浸漬時間tと浸漬長dとの関係を示すシミュレーション結果は、図33に示すように表される。図32は、フィックの第2法則の式:∂C/∂t=D∂2C/∂x2を差分化した式:CxtΔt=DΔt/Δx2CxΔxt2CxtCxΔxtCxtを用いて計算した結果である。境界条件は、x=0において濃度1で固定し、この界面で色素溶液46と接しているものとし、x=20において透明電極10と接しているものとし、透明電極10への拡散は無いものとした。図33に示す結果は、図32に基づいて求めたもので、浸漬長dは、濃度が0.1になった時点で浸漬されたものとした。図32~図33のシミュレーション結果から、浸漬時間t=0.3697×d2-0.0087dの関係式が得られる。t∝d2に近い関係を示すことがわかる。したがって、色素分子の吸着工程においては、色素分子は、TiO2膜中を拡散していくモデルに近い。金型構造第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、インプリント転写技術に適用する金型の表面SEM写真例は、図34aに示すように表され、図34aに対応する金型の断面SEM写真例は、図34bに示すように表される。金型8の突起部8aのピッチは約10μmである。インプリント加工された多孔質半導体層第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、図34に示す金型を用いてインプリント加工された多孔質半導体層12の表面SEM写真例は、図35aに示すように表され、図35aに対応する多孔質半導体層12の拡大された断面SEM写真例は、図35bに示すように表され、図35bに対応する多孔質半導体層12の拡大された断面SEM写真において、各部の寸法は、図36に示すように表される。インプリント加工における転写条件は、室温で、圧力が約30MPa、圧接時間は約180秒である。図35aに対応する模式的平面パターン構成は、図37aに示すように表され、図37aのVI-VI線に沿う模式的断面構造は、図37bに示すように表され、図37aのVII-VII線に沿う模式的断面構造であって、図36に対応する説明は、図37cに示すように表される。図36および図37cから明らかなように、多孔質半導体層12の厚さLは、約9.90μm、溝部13の深さaは、約6.71μm、多孔質半導体層12の残渣部の厚さL-aは、約3.19μm、正三角形パターンに配置された溝部13の底面の多孔質半導体層表面から最深部までの距離lは、約5.35μmである。また、溝部13の幅bは、約3.36μm、溝部13の底面の多孔質半導体層の幅は、約1.14μmである。経験則の式:t=0.263×d20.142dより、浸漬長d=9.9μmでは、浸漬時間t=27時間であるが、浸漬長d=5.3μmでは、浸漬時間t=8時間となる。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池においては、色素吸着時間を、凹凸構造がない場合に比べ、30程度約8時間に抑えることができる。多孔質半導体層の模式的鳥瞰構造第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、加工された多孔質半導体層の構造例1~3は、それぞれ、図38a~cに示すように表される。構造例1図38aに示すように、構造例1の多孔質半導体層12は、溝部13が複数の孔凹部で形成され、かつ、複数の孔凹部は、例えば、正方格子、三角格子、或いは、ランダムに配置されている。溝部13の孔の形状上から見た形状は、例えば、閉曲線円、楕円など、多角形三角形、四角形などなどである。構造例2図38bに示すように、構造例2の多孔質半導体層12は、溝部13がライン状の凹部を有する凹凸のラインスペース構造で形成されている。凹凸構造の配置は、等間隔、或いは間隔ラインスペース幅に揺らぎを持たせている。凹凸の形状上から見た形状は、蛇行形状、幅が揺らぐ形状、曲線を有する形状、閉図形の集合形状、複数のラインスペース構造を複合した形状などである。構造例3図38cに示すように、構造例3の多孔質半導体層12は、複数の突起部12cを備える。複数の突起部12cは、例えば、正方格子、三角格子、或いは、ランダムに配置されている。複数の突起部12cの形状上から見た形状は、例えば、閉曲線円、楕円など、多角形三角形、四角形などなどである。多孔質半導体層の模式的平面パターン構造第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、加工された多孔質半導体層の模式的平面パターン構造例1~2は、図39a~bに示すように表される。図39aに示す構造例1は、凹凸の形状上から見た形状が、2種類のラインスペース構造を直交させた形状を備える。図39bに示す構造例2は、凹凸の形状上から見た形状が矩形状の閉図形の集合形状を備える。溝部の構造第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、多孔質半導体層12が、側壁が垂直状の溝部13を有する模式的断面構造は図40に示すように表される。溝部13は、図40および図26aを参照して、多孔質半導体層12に凹凸の周期構造を形成し、かつ多孔質半導体層12の厚さをL、溝部13の深さをa、溝部13の幅をb、凸部の幅をcとすると、L=50μm以下、かつ0<a<L、かつ0<b<10L、かつ0<c<10Lを満たすように形成されていても良い。同様に、多孔質半導体層12が、側壁が順テーパ形状の溝部13を有する模式的断面構造は図41に示すように表され、側壁が順テーパ形状の楔状の溝部13を有する模式的断面構造は図42に示すように表され、側壁が逆テーパ形状の溝部13を有する模式的断面構造は図43に示すように表され、透明電極10まで到達する溝部13を有する模式的断面構造は図44に示すように表され、側壁が多段形状の溝部13を有する模式的断面構造は図45に示すように表され、側壁が曲面形状の溝部13を有する模式的断面構造は図46に示すように表される。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、溝部13は、図40~図43、図45~図46に示すように、側壁が、垂直形、順テーパ形、順テーパの楔形、逆テーパ形、多段形、曲面形の内、いずれか一種の形状を備えていても良い。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、溝部13は、図44に示すように、側壁が垂直形で、かつ第2電極10まで到達する形状を備えていても良い。また、第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池において、溝部13は、多孔質半導体層12に凹凸の周期構造を形成し、かつ多孔質半導体層12の凹凸構造は、図40aに示すように、ドット状の凹部が周期的に配列された構成、若しくは非周期的に散在された構成、或いは、図38cに示すように、ドット状の凸部が周期的に配列された構成、若しくは非周期的に散在された構成、或いは、図38bに示すように、ラインスペース状に、凸部若しくは凹部構造が、周期的にまたは非周期的に繰り返される構成、或いは、図39aに示すように、複数のラインスペース構造が互いに重なった構成、或いは、図39bに示すように、矩形状の閉図形の集合形状の構成を備えていても良い。製造方法第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池の製造方法の一工程を示す模式的断面構造は、図47~図53に示すように表される。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池の製造方法を、図47~図53を用いて説明する。aまず、図47に示すように、ガラス基板20上に、例えば、FTOなどで形成される透明電極10を形成後、TiO2ペースト膜からなる多孔質半導体層12をスクリーン印刷によって形成する。半導体膜材料を形成する場合、材料微粒子と有機溶剤との混合ペーストを使用する。多孔質半導体層12の厚さは、例えば、約10μmである。具体的には、TiO2膜ペーストを塗布後、スクリーン印刷し、約120°Cで乾燥する。上記のTiO2膜ペースト塗布スクリーン印刷乾燥の工程を例えば、3セット実施する。ここで、スクリーン印刷以外の方法としては、例えば、スピンコート技術、ディッピング技術、スプレーコート技術などを適用することもできる。b次に、多孔質半導体層12の形成後に、120°Cでのベークを約10分間行い、凸部8aを有する金型8を、多孔質半導体層12に圧接する。圧接の条件は、例えば、温度は室温、圧力は約30MPa、保持時間は約180秒である。その後、温度は室温で金型8を離型させる。ここで、金型8は、例えばSi基板で形成することができる。多孔質半導体層12への加工方法としては、上述のインプリント技術の他に、ドライエッチング技術、ウェットエッチング技術、後述する犠牲パターン形成技術、若しくはこれらの複合技術などを用いても良い。c次に、図49に示すように、500°C程度の高温で、TiO2ペースト膜からなる多孔質半導体層12を焼成する。d次に、図50に示すように、焼成された多孔質半導体層12透明電極10ガラス基板20からなる部材を、色素溶液46で満たされた色素溶液容器44中に、所定の浸漬時間tだけ浸漬し、複数の溝部13を有する多孔質半導体層12に色素分子を吸着させる。e次に、図51に示すように、色素分子を十分に吸着した多孔質半導体層12a透明電極10ガラス基板20からなる部材を色素溶液容器44から取り出し、透明電極10上に配置された封止剤16を介して対極18を貼り合せる。対極18には予め、ガラス基板22を貼付けておいても良い。f次に、図52に示すように、透明電極10対極18封止剤16多孔質半導体層12aで囲まれた空間に溶媒と複数種類の酸化還元電解質を混合して作られた電解質からなる電解液14を注入する。g次に、図53に示すように、封止板48をガラス基板22上に配置して、電解液14を封止する。犠牲パターンを用いた製造方法第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池の別の製造方法の一工程を示す模式的断面構造は、図54a~dに示すように表される。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池の別の製造方法を、図54a~dを用いて説明する。aまず、図54aに示すように、ガラス基板20上に透明電極10を形成後、SiO2などをパターニングして、犠牲層50を形成する。b次に、図54bに示すように、ガラス基板20上および犠牲層50上に半導体ペーストを塗布することによって、多孔質半導体層12を形成する。ここで、多孔質半導体層12の形成工程は、図47における工程と同様である。c次に、図54cに示すように、多孔質半導体層12をエッチバックし、犠牲層50の表面を露出させる。d次に、図54dに示すように、犠牲層50を、フッ化水素酸などでエッチングして、除去する。結果として、第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200に適用される作用極100が形成される。光散乱層の形成方法第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池の更に別の製造方法の一工程を示す模式的断面構造は、図55a~bに示すように表される。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池の更に別の製造方法を、図55a~bを用いて説明する。aまず、図55aに示すように、ガラス基板20上に、透明電極10を形成後、多孔質半導体層12のパターンを形成する。すなわち、半導体ペースト膜形成後に、インプリントドライエッチングウェットエッチング犠牲パターンの使用上記方法の複合的な形成方法などによって多孔質半導体層12を加工する。b次に、図55bに示すように、多孔質半導体層12のパターン上に、光散乱層52を形成する。光散乱層52は、例えば、TiO2、ZrO2などによって形成することができる。光散乱層52の形状は、例えば、粒形200nmのパーティクルである。ここで、光散乱層52は、スクリーン印刷スピンコートディッピングスプレーコートなどの方法によって、光散乱体の材料ペーストを塗布することによって形成することができる。結果として、多孔質半導体層12上に配置され、溝部13を被覆する光散乱層52を備える作用極100が形成される。この作用極100は、第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200に適用される。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池の更に別の製造方法の一工程を示す模式的断面構造は、図56a~bに示すように表される。第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池の更に別の製造方法を、図56a~bを用いて説明する。aまず、図56aに示すように、ガラス基板20上に、透明電極10を形成後、多孔質半導体層12を形成し、更に光散乱層52を形成する。すなわち、半導体ペースト膜形成後に、ペーストの上に、光散乱体の材料ペーストを、多孔質半導体層12の形成方法と同様に、スクリーン印刷スピンコートディッピングスプレーコートなどの方法によって、塗布する。光散乱層52は、例えば、TiO2、ZrO2などによって形成することができる。光散乱層52の形状は、例えば、粒形200nmのパーティクルである。ここで、光散乱層52は、スクリーン印刷スピンコートディッピングスプレーコートなどの方法によって、光散乱体の材料ペーストを塗布することによって形成することができる。b次に、図56bに示すように、インプリント技術によって、多孔質半導体層12と光散乱層52を同時に加工する。結果として、多孔質半導体層12上に配置され、溝部13を被覆する光散乱層52を備える作用極100が形成される。この作用極100は、第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200に適用される。第2の実施の形態によれば、多孔質半導体層を構成するTiO2膜に凹凸形状を形成し、TiO2膜の最深部と膜表面の距離を短縮することによって、拡散係数の小さなTiO2膜中での特定の酸化還元電解質濃度の不足状態および過剰状態を抑制し、光電変換効率の向上が可能になる。第2の実施の形態によれば、多孔質半導体層を構成するTiO2膜に凹凸形状を形成し、TiO2膜の最深部と膜表面の距離を短縮することによって、TiO2膜の最深部まで色素分子が浸透吸着される時間を短縮することができる。第2の実施の形態によれば、色素吸着工程におけるプロセス時間の短縮化され、かつ光電変換効率の向上した色素増感太陽電池を提供することができる。第2の実施の形態によれば、現在普及しているSi太陽電池よりも、コストあたりの発電量が大きいDSCを提供することができる。また、第2の実施の形態によれば、電荷輸送層に複数種類の酸化還元電解質を混合して作られた電解質を用いた電解液を適用することで、酸化還元電解質を単独で用いた場合に比べて、開放端電圧が高く、発電量の大きい色素増感太陽電池を提供することができる。また、実施の形態に係る色素増感太陽電池は、電源として適用することによって、さまざまなシステムの駆動に寄与することができる。以上説明した実施の形態に係る色素増感太陽電池は、電解液の酸化還元電解質の混合により電圧向上を図り、色素増感性能を高めることができる。[第3の実施の形態]第1~第2の実施の形態に係る色素増感太陽電池200における電極構造として、作用極100の構成は、ラミネート型エネルギーデバイスに適用することができる。より具体的には、電気二重層キャパシタ内部電極、リチウムイオンキャパシタ内部電極、リチウムイオン電池内部電極について色素増感太陽電池200における作用極100の構成を適用可能である。電気二重層キャパシタ図57は、第3の実施の形態に係る電気二重層キャパシタ内部電極の基本構造を例示している。電気二重層キャパシタ内部電極は、少なくとも1層の活物質電極110,112に、電解液のイオンのみが通過するセパレータ130を介在させ、引き出し電極132a,132bが活物質電極110,112から露出するように構成され、引き出し電極132a,132bは電源電圧に接続されている。引き出し電極132a,132bは、例えば、アルミ箔から形成され、活物質電極110,112は、例えば、活性炭から形成される。セパレータ130は、活物質電極110,112全体を覆うように、活物質電極110,112よりも大きいもの面積の広いものを用いる。セパレータ130は、エネルギーデバイスの種類には原理的に依存しないが、特にリフロー対応が必要とされる場合には、耐熱性が要求される。耐熱性が必要ない場合にはポリプロピレン等を、耐熱性が必要な場合にはセルロース系のものを用いることができる。電気二重層キャパシタ内部電極には、電解液が含侵されており、セパレータ130を通して、電解液のイオンのみが充放電時に移動する。リチウムイオンキャパシタ図58は、第3の実施の形態に係るリチウムイオンキャパシタ内部電極の基本構造を例示している。リチウムイオンキャパシタ内部電極は、少なくとも1層の活物質電極111,112に、電解液のイオンのみが通過するセパレータ130を介在させ、引き出し電極133a,132bが活物質電極110,112から露出するように構成され、引き出し電極133a,132bは電源電圧に接続されている。正極側の活物質電極112は、例えば、活性炭から形成され、負極側の活物質電極111は、例えば、Liドープカーボンから形成される。正極側の引き出し電極132bは、例えば、アルミ箔から形成され、負極側の引き出し電極133aは、例えば、銅箔から形成される。セパレータ130は、活物質電極111,112全体を覆うように、活物質電極111,112よりも大きいもの面積の広いものを用いる。リチウムイオンキャパシタ内部電極には、電解液が含侵されており、セパレータ130を通して、電解液のイオンのみが充放電時に移動する。リチウムイオン電池図59は、第3の実施の形態に係るリチウムイオン電池内部電極の基本構造を例示している。リチウムイオン電池内部電極は、少なくとも1層の活物質電極111,113に、電解液のイオンのみが通過するセパレータ130を介在させ、引き出し電極133a,132bが活物質電極111,113から露出するように構成され、引き出し電極133a,132bは電源電圧に接続されている。正極側の活物質電極113は、例えば、LiCOO2から形成され、負極側の活物質電極111は、例えば、Liドープカーボンから形成される。正極側の引き出し電極132bは、例えば、アルミ箔から形成され、負極側の引き出し電極133aは、例えば、銅箔から形成される。セパレータ130は、活物質電極111,113全体を覆うように、活物質電極111,113よりも大きいもの面積の広いものを用いる。リチウムイオン電池内部電極には、電解液が含侵されており、セパレータ130を通して、電解液のイオンのみが充放電時に移動する。その他の実施の形態上記のように、本発明は第1~第2の実施の形態およびその変形例、第3の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。"