"少なくとも下記一般式1-1及び/又は1-2で示される1種以上の化合物と、下記一般式2で示される1種以上の化合物と、下記一般式3で示される1種以上の化合物及び/又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。上記一般式1-1及び1-2中、R1~R8は、互いに独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、イソシアナト基、グリシジルオキシ基、カルボキシル基、アミノ基、炭素数1~30のアルコキシル基、炭素数1~30のアルコキシカルボニル基、炭素数1~30のアルカノイルオキシ基のいずれか、又は置換されていてもよい炭素数1~30の飽和もしくは不飽和の有機基である。更に、分子内でR1~R4又はR5~R8からそれぞれ任意に選ばれる2個の置換基が結合して、更に環状置換基を形成してもよい。上記一般式2中、Xは2~4の整数を示す。Y-CHO3上記一般式3中、Yは水素原子又は置換されていてもよい炭素数1~30の一価の有機基である。前記レジスト下層膜材料が、さらに架橋剤、酸発生剤、有機溶剤のうちいずれか一つ以上のものを含有することを特徴とする請求項1に記載のレジスト下層膜材料。被加工体にパターンを形成する方法であって、少なくとも、被加工体上に請求項1又は2に記載のレジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上にケイ素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、該レジスト中間層膜の上にフォトレジスト組成物のレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記レジスト中間層膜をエッチングし、該パターンが形成されたレジスト中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングし、さらに、該パターンが形成されたレジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして前記被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。被加工体にパターンを形成する方法であって、少なくとも、被加工体上に請求項1又は2に記載のレジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上にケイ素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、該レジスト中間層膜の上に有機反射防止膜BARCを形成し、該BARC上にフォトレジスト組成物のレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して4層レジスト膜とし、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記BARCと前記レジスト中間層膜をエッチングし、該パターンが形成されたレジスト中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングし、さらに、該パターンが形成されたレジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして前記被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。被加工体にパターンを形成する方法であって、少なくとも、被加工体上に請求項1又は2に記載のレジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上にケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜、ケイ素酸化窒化膜、及びアモルファスケイ素膜から選ばれるいずれかの無機ハードマスク中間層膜を形成し、該無機ハードマスク中間層膜の上にフォトレジスト組成物のレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記無機ハードマスク中間層膜をエッチングし、該パターンが形成された無機ハードマスク中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングし、さらに、該パターンが形成されたレジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして前記被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。被加工体にパターンを形成する方法であって、少なくとも、被加工体上に請求項1又は2に記載のレジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上にケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜、ケイ素酸化窒化膜、及びアモルファスケイ素膜から選ばれるいずれかの無機ハードマスク中間層膜を形成し、該無機ハードマスク中間層膜の上に有機反射防止膜BARCを形成し、該BARC上にフォトレジスト組成物のレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して4層レジスト膜とし、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記BARCと前記無機ハードマスク中間層膜をエッチングし、該パターンが形成された無機ハードマスク中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングし、さらに、該パターンが形成されたレジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして前記被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。前記無機ハードマスク中間層膜が、CVD法又はALD法によって形成されることを特徴とする請求項5又は6に記載のパターン形成方法。前記レジスト上層膜のパターン形成方法が、波長が10nm以上300nm以下の光リソグラフィー、電子線による直接描画、及びナノインプリンティングのいずれか、あるいはこれらの組み合わせによるパターン形成であることを特徴とする請求項3乃至7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記パターン形成方法における現像方法が、アルカリ現像又は有機溶剤による現像であることを特徴とする請求項3乃至8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記被加工体として、半導体基板に、金属膜、金属炭化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、及び金属酸化窒化膜のいずれかが成膜されたものを用いることを特徴とする請求項3乃至9のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記金属がケイ素、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、クロム、ゲルマニウム、銅、アルミニウム、及び鉄のいずれか、あるいはこれらの合金であることを特徴とする請求項10に記載のパターン形成方法。本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、多層、特には3層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき、即ち反射防止膜としての最適なn、k値を有し、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には60nmよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明は、少なくとも下記一般式1-1及び/又は1-2で示される1種以上の化合物と、下記一般式2で示される1種以上の化合物と、下記一般式3で示される1種以上の化合物及び/又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料を提供する。上記一般式1-1及び1-2中、R1~R8は、互いに独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、イソシアナト基、グリシジルオキシ基、カルボキシル基、アミノ基、炭素数1~30のアルコキシル基、炭素数1~30のアルコキシカルボニル基、炭素数1~30のアルカノイルオキシ基のいずれか、又は置換されていてもよい炭素数1~30の飽和もしくは不飽和の有機基である。更に、分子内でR1~R4又はR5~R8からそれぞれ任意に選ばれる2個の置換基が結合して、更に環状置換基を形成してもよい。上記一般式2中、Xは2~4の整数を示す。Y-CHO3上記一般式3中、Yは水素原子又は置換されていてもよい炭素数1~30の一価の有機基である。このようなレジスト下層膜材料を用いて形成したレジスト下層膜は、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なn値、k値を有し、しかも基板加工時におけるパターン曲がり耐性に優れたものである。また、前記レジスト下層膜材料は、さらに架橋剤、酸発生剤、有機溶剤のうちいずれか一つ以上のものを含有することができる。このように、本発明のレジスト下層膜材料が、さらに架橋剤、酸発生剤、有機溶剤のうちいずれか一つ以上のものを含有することで、レジスト下層膜材料の塗布性をより向上させることや、基板等への塗布後に、ベーク等により、レジスト下層膜内での架橋反応を促進することができる。従って、このようなレジスト下層膜は、レジスト上層膜とのインターミキシングの恐れが少なく、レジスト上層膜への分子成分の拡散が少ないものとなる。また本発明は、被加工体にパターンを形成する方法であって、少なくとも、被加工体上に前記レジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上にケイ素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、該レジスト中間層膜の上にフォトレジスト組成物のレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記レジスト中間層膜をエッチングし、該パターンが形成されたレジスト中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングし、さらに、該パターンが形成されたレジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして前記被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法を提供する。このように、本発明のレジスト下層膜材料を用いてリソグラフィーによりパターンを形成すれば、高精度で基板にパターンを形成することができる。また本発明は、被加工体にパターンを形成する方法であって、少なくとも、被加工体上に前記レジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上にケイ素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、該レジスト中間層膜の上に有機反射防止膜BARCを形成し、該BARC上にフォトレジスト組成物のレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して4層レジスト膜とし、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記BARCと前記レジスト中間層膜をエッチングし、該パターンが形成されたレジスト中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングし、さらに、該パターンが形成されたレジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして前記被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法を提供する。このように、本発明のパターン形成方法では、レジスト中間層膜とレジスト上層膜の間にBARCを形成することができる。また本発明は、被加工体にパターンを形成する方法であって、少なくとも、被加工体上に前記レジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上にケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜、ケイ素酸化窒化膜、及びアモルファスケイ素膜から選ばれるいずれかの無機ハードマスク中間層膜を形成し、該無機ハードマスク中間層膜の上にフォトレジスト組成物のレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記無機ハードマスク中間層膜をエッチングし、該パターンが形成された無機ハードマスク中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングし、さらに、該パターンが形成されたレジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして前記被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法を提供する。このように、本発明のパターン形成方法では、無機ハードマスク中間層膜を用いた場合も、本発明のレジスト下層膜材料を用いてリソグラフィーによりパターンを形成することにより、高精度で基板にパターンを形成することができる。また本発明は、被加工体にパターンを形成する方法であって、少なくとも、被加工体上に前記レジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上にケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜、ケイ素酸化窒化膜、及びアモルファスケイ素膜から選ばれるいずれかの無機ハードマスク中間層膜を形成し、該無機ハードマスク中間層膜の上に有機反射防止膜BARCを形成し、該BARC上にフォトレジスト組成物のレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して4層レジスト膜とし、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記BARCと前記無機ハードマスク中間層膜をエッチングし、該パターンが形成された無機ハードマスク中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングし、さらに、該パターンが形成されたレジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして前記被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法を提供する。このように、ハードマスク中間層膜の上にBARCを形成すれば、2層の反射防止膜によって、1.0を超える高NAの液浸露光においても反射を抑えることが可能となる。また、ハードマスク中間層膜上のフォトレジストパターンの裾引きを低減させる効果もある。この場合、前記無機ハードマスク中間層膜は、CVD法又はALD法によって形成することができる。このように、無機ハードマスク中間層膜を、CVD法又はALD法により形成することにより、エッチング耐性をより高くすることができる。また、前記レジスト上層膜のパターン形成方法が、波長が10nm以上300nm以下の光リソグラフィー、電子線による直接描画、及びナノインプリンティングのいずれか、あるいはこれらの組み合わせによるパターン形成とすることができる。このように、波長が10nm以上300nm以下の光リソグラフィー、電子線による直接描画、及びナノインプリンティングのいずれか、あるいはこれらの組み合わせにより、レジスト上層膜にパターンを形成することができる。また、前記パターン形成方法における現像方法が、アルカリ現像又は有機溶剤による現像であることが好ましい。このように、本発明では、アルカリ現像又は有機溶剤による現像を適用することができる。また、前記被加工体として、半導体基板に、金属膜、金属炭化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、及び金属酸化窒化膜のいずれかが成膜されたものを用いることができる。この場合、前記金属として、ケイ素、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、クロム、ゲルマニウム、銅、アルミニウム、及び鉄のいずれか、あるいはこれらの合金を用いることができる。このように、本発明では、前記被加工体として、半導体基板に、金属膜、金属炭化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、及び金属酸化窒化膜のいずれかが成膜されたもの、例えば、前記金属がケイ素、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、クロム、ゲルマニウム、銅、アルミニウム、及び鉄のいずれか、あるいはこれらの合金を用いることができる。以上説明したように、本発明のレジスト下層膜材料により形成されたレジスト下層膜は、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なn値、k値を有し、しかも埋め込み特性に優れ、基板加工時におけるパターン曲がり耐性に優れたものである。また、本発明のレジスト下層膜材料を用いてパターンの形成を行うと、被加工体に上層フォトレジストのパターンを高精度で転写、形成することが可能になる。以下、本発明について説明する。前述のように、LSIの高集積化と高速度化が進む中、反射防止膜としての最適なn、k値と埋め込み特性、優れたパターン曲がり耐性を有し、エッチング中のよれが生じない下層膜材料及びパターン形成方法が求められていた。本発明者らは、上記事情を鑑み、パターン曲がり耐性が高く、特には60nmよりも細く高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない多層レジストプロセス用下層膜を得るため、鋭意検討を重ねた結果、剛直な構造を有するアダマンタン骨格、及びアルデヒド化合物を含むポリマーを含有する組成物から得られる下層膜は、ナノインデンテーション法で測定される膜強度ハードネスが高く、それ故、エッチング後のラインの倒れやよれの発生が見られないこと、かつ、反射防止膜としての最適な光学特性n値、k値を有することを見出して本発明を完成させた。以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明は、少なくとも下記一般式1-1及び/又は1-2で示される1種以上の化合物と、下記一般式2で示される1種以上の化合物と、下記一般式3で示される1種以上の化合物及び/又はその等価体以後、アルデヒド化合物3ということもあるとを縮合することにより得られるポリマーを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料である。上記一般式1-1及び1-2中、R1~R8は、互いに独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、イソシアナト基、グリシジルオキシ基、カルボキシル基、アミノ基、炭素数1~30のアルコキシル基、炭素数1~30のアルコキシカルボニル基、炭素数1~30のアルカノイルオキシ基のいずれか、又は置換されていてもよい炭素数1~30の飽和もしくは不飽和の有機基である。更に、分子内でR1~R4又はR5~R8からそれぞれ任意に選ばれる2個の置換基が結合して、更に環状置換基を形成してもよい。上記一般式2中、Xは2~4の整数を示す。Y-CHO3上記一般式3中、Yは水素原子又は置換されていてもよい炭素数1~30の一価の有機基である。ここで、本発明における有機基とは炭素を含む基の意味であり、更に水素を含み、また、窒素、酸素、硫黄等を含んでもよい。このようなポリマーを含有するレジスト下層膜材料であれば、これにより得られる下層膜が、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なn値、k値を有し、しかも基板加工時におけるパターン曲がり耐性に優れたものとなる。上記一般式1-1で示されるナフタレン誘導体以後、ナフタレン誘導体1-1ということもあるとして、ナフタレン、1-メチルナフタレン、2-メチルナフタレン、1,3-ジメチルナフタレン、1,5-ジメチルナフタレン、1,7-ジメチルナフタレン、2,7-ジメチルナフタレン、2-ビニルナフタレン、2,6-ジビニルナフタレン、アセナフテン、アセナフチレン、アントラセン、1-メトキシナフタレン、2-メトキシナフタレン、1,4-ジメトキシナフタレン、2,7-ジメトキシナフタレン、1-ナフトール、2-ナフトール、2-メチル-1-ナフトール、4-メトキシ-1-ナフトール、7-メトキシ-2-ナフトール、1,2-ジヒドロキシナフタレン、1,3-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレン、1,4-ジヒドロキシナフタレン、1,5-ジヒドロキシナフタレン、1,6-ジヒドロキシナフタレン、2,6-ジヒドロキシナフタレン、1,7-ジヒドロキシナフタレン、2,7-ジヒドロキシナフタレン、1,8-ジヒドロキシナフタレン、5-アミノ-1-ナフトール、2-メトキシカルボニル-1-ナフトール、1-4-ヒドロキシフェニルナフタレン、6-4-ヒドロキシフェニル-2-ナフトール、6-シクロヘキシル-2-ナフトール、1,1’-ビ-2,2’-ナフトール、6,6’-ビ-2,2’-ナフトール、9,9-ビス6-ヒドロキシ-2-ナフチルフルオレン、6-ヒドロキシ-2-ビニルナフタレン、1-ヒドロキシメチルナフタレン、2-ヒドロキシメチルナフタレン等を挙げることができる。また、上記一般式1-2で示されるベンゼン誘導体以後、ベンゼン誘導体1-2ということもあるとして、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、クメン、インダン、インデン、メシチレン、ビフェニール、フルオレン、フェノール、アニソール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、2,3-ジメチルフェノール、2,5-ジメチルフェノール、3,4-ジメチルフェノール、3,5-ジメチルフェノール、2,4-ジメチルフェノール、2,6-ジメチルフェノール、2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール、2-t-ブチルフェノール、3-t-ブチルフェノール、4-t-ブチルフェノール、レゾルシノール、2-メチルレゾルシノール、4-メチルレゾルシノール、5-メチルレゾルシノール、カテコール、4-t-ブチルカテコール、2-メトキシフェノール、3-メトキシフェノール、2-プロピルフェノール、3-プロピルフェノール、4-プロピルフェノール、2-イソプロピルフェノール、3-イソプロピルフェノール、4-イソプロピルフェノール、2-メトキシ-5-メチルフェノール、2-t-ブチル-5-メチルフェノール、4-フェニルフェノール、トリチルフェノール、ピロガロール、チモール、フェニルグリシジルエーテル、4-フルオロフェノール、3,4-ジフルオロフェノール、4-トリフルオロメチルフェノール、4-クロロフェノール、9,9-ビス4-ヒドロキシフェニルフルオレン、スチレン、4-t-ブトキシスチレン、4-アセトキシスチレン、4-メトキシスチレン、ジビニルベンゼン、ベンジルアルコール等を挙げることができる。上記一般式1-1、1-2で示される化合物は、それぞれ単独で使用してもよいし、n値、k値及びエッチング耐性を制御するため、2種類以上を組み合わせてもよい。上記一般式2で示されるアダマンタン化合物以後、アダマンタン化合物2ということもあるの一例は、以下の式で表すことができる。ナフタレン誘導体1-1、ベンゼン誘導体1-2とアダマンタン化合物2との比率は、ナフタレン誘導体1-1とベンゼン誘導体1-2のモル量の合計量1モルに対して0.01~5モルが好ましく、より好ましくは0.1~2モルである。上記一般式3で示されるアルデヒド化合物としては、例えばホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、アダマンタンカルボアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α-フェニルプロピルアルデヒド、β-フェニルプロピルアルデヒド、o-クロロベンズアルデヒド、m-クロロベンズアルデヒド、p-クロロベンズアルデヒド、o-ニトロベンズアルデヒド、m-ニトロベンズアルデヒド、p-ニトロベンズアルデヒド、o-メチルベンズアルデヒド、m-メチルベンズアルデヒド、p-メチルベンズアルデヒド、p-エチルベンズアルデヒド、p-n-ブチルベンズアルデヒド、1-ナフチルアルデヒド、2-ナフチルアルデヒド、アントラセンカルボアルデヒド、ピレンカルボアルデヒド、フルフラール、メチラール等を挙げることができる。更に、ここで示されたアルデヒド化合物の等価体を使用することもできる。例えば、上記一般式3の等価体としては、下記一般式Yは前記Yと同じ定義、R’はそれぞれ同じでも異なってもよい炭素数1~10の一価の炭化水素基である。Yは前記Yと同じ定義、R’’は炭素数1~10の二価の炭化水素基である。または、ホルミル基のα-炭素原子に水素原子が結合している場合は、Y’は前記Yから水素原子1個少ない有機基、R’は炭素数1~10の一価の炭化水素基である。等を例示できる。本発明のレジスト下層膜材料に含有されるこのようなポリマーとして、下記一般式4-1又は4-2で示されるものを挙げることができる。上記一般式4-1及び4-2中、R1~R8、Yは上記と同じであり、X’、X’’は0~2の整数を示す。a、b、c、dは、全繰り返し単位中に占める各単位の比率であり、abcd≦1の関係を満たす。ナフタレン誘導体1-1、ベンゼン誘導体1-2と、アダマンタン化合物2及びアルデヒド化合物3との好ましい比率は、ナフタレン誘導体1-1とベンゼン誘導体1-2のモル量の合計量1モルに対して0.01~5モルであり、より好ましくは0.05~2モルである。全繰り返し単位中の比率としては、0.1<ab<1が好ましく、より好ましくは0.3<ab<0.95である。上記のような原料化合物からなるポリマー上記一般式4-1又は4-2で示されるもの等は、通常、無溶媒又は溶媒中で酸又は塩基を触媒として用いて、室温又は必要に応じて冷却又は加熱下にて、上記対応する化合物を縮合反応例えば脱水縮合させることにより得ることができる。用いられる溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、グリセロール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等のエーテル類、塩化メチレン、クロロフォルム、ジクロロエタン、トリクロロエチレン等の塩素系溶剤類、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン等の炭化水素類、アセトニトリル等のニトリル類、アセトン、エチルメチルケトン、イソブチルメチルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸n-ブチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒類が例示でき、これらを単独あるいは2種類以上を混合して用いることができる。これらの溶媒は、反応原料100質量部に対して0~2,000質量部の範囲で使用できる。用いられる酸触媒としては、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、リン酸、ヘテロポリ酸等の無機酸類、シュウ酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の有機酸類、三塩化アルミニウム、アルミニウムエトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、四塩化錫、四臭化錫、二塩化ジブチル錫、ジブチル錫ジメトキシド、ジブチル錫オキシド、四塩化チタン、四臭化チタン、チタンIVメトキシド、チタンIVエトキシド、チタンIVイソプロポキシド、酸化チタンIV等のルイス酸類を用いることができる。用いられる塩基触媒として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の無機塩基類、メチルリチウム、n-ブチルリチウム、塩化メチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム等のアルキル金属類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムt-ブトキシド等のアルコキシド類、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N、N-ジメチルアニリン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン等の有機塩基類を用いることができる。その使用量は、原料に対して0.001~100重量、好ましくは0.005~50重量の範囲である。反応温度は-50°Cから溶媒の沸点程度が好ましく、室温から100°Cが更に好ましい。縮合反応方法としては、ナフタレン誘導体1-1、ベンゼン誘導体1-2、アダマンタン化合物2、アルデヒド化合物3、触媒を一括で仕込む方法や、触媒存在下で、ナフタレン誘導体1-1、ベンゼン誘導体1-2、アダマンタン化合物2、アルデヒド化合物3を滴下していく方法等がある。縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料、触媒等を除去するために、反応釜の温度を130~230°Cにまで上昇させ、1~50mmHg程度で揮発分を除去する方法や、適切な溶媒や水を加えて、ポリマーを分画する方法、ポリマーを良溶媒に溶解後、貧溶媒中で再沈する方法等、得られた反応生成物の性質により使い分けることができる。このようにして得られたポリマーのポリスチレン換算の分子量は、重量平均分子量Mwが500~500,000、特に1,000~100,000であることが好ましい。分子量分散度Mw/Mnは1.2~20の範囲内が好ましく用いられるが、モノマー成分、オリゴマー成分又は分子量Mw1,000以下の低分子量体をカットすると、ベーク中の揮発成分を抑えることによりベークカップ周辺の汚染や揮発成分の落下による表面欠陥の発生を防ぐことができる。このポリマーには縮合芳香族、あるいは脂環族の置換基を導入することができる。ここで導入可能な置換基は、具体的には下記に挙げることができる。これらの中で248nm露光用には、多環芳香族基、例えばアントラセンメチル基、ピレンメチル基が最も好ましく用いられる。193nmでの透明性向上のためには脂環構造を持つものや、ナフタレン構造を持つものが好ましく用いられる。一方、波長157nmにおいてベンゼン環は透明性が向上するウィンドウがあるため、吸収波長をずらして吸収を上げてやる必要がある。フラン環はベンゼン環よりも吸収が短波長化して157nmの吸収が若干向上するが、効果は小さい。ナフタレン環やアントラセン環、ピレン環は吸収波長が長波長化することによって吸収が増大し、これらの芳香族環はエッチング耐性も向上する効果もあり、好ましく用いられる。置換基の導入方法としては、ポリマーに、上記置換基の結合位置がヒドロキシル基になっているアルコールを、酸触媒存在下、芳香族親電子置換反応機構で、水酸基やアルキル基のオルソ位又はパラ位に導入する方法が挙げられる。酸触媒は、塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸、メタンスルホン酸、n-ブタンスルホン酸、カンファースルホン酸、トシル酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の酸性触媒を用いることができる。これらの酸性触媒の使用量は、反応前ポリマー100質量部に対して0.001~20質量部である。置換基の導入量は、ポリマー中のモノマーユニット1モルに対して0~0.8モルの範囲である。更に、別のポリマーとブレンドすることもできる。ブレンド用ポリマーとしては、上記一般式1-1又は一般式1-2で示される化合物を原料とし、組成の異なるポリマーや公知のノボラック樹脂等を例示できる。これらを混合し、スピンコーティングの成膜性や、段差基板での埋め込み特性を向上させる役割を持つ。また、炭素密度が高くエッチング耐性の高い材料を選ぶこともできる。例えばブレンドに用いることのできる公知のノボラック樹脂として、具体的には、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、2,3-ジメチルフェノール、2,5-ジメチルフェノール、3,4-ジメチルフェノール、3,5-ジメチルフェノール、2,4-ジメチルフェノール、2,6-ジメチルフェノール、2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール、2-t-ブチルフェノール、3-t-ブチルフェノール、4-t-ブチルフェノール、2-フェニルフェノール、3-フェニルフェノール、4-フェニルフェノール、3,5-ジフェニルフェノール、2-ナフチルフェノール、3-ナフチルフェノール、4-ナフチルフェノール、4-トリチルフェノール、レゾルシノール、2-メチルレゾルシノール、4-メチルレゾルシノール、5-メチルレゾルシノール、カテコール、4-t-ブチルカテコール、2-メトキシフェノール、3-メトキシフェノール、2-プロピルフェノール、3-プロピルフェノール、4-プロピルフェノール、2-イソプロピルフェノール、3-イソプロピルフェノール、4-イソプロピルフェノール、2-メトキシ-5-メチルフェノール、2-t-ブチル-5-メチルフェノール、ピロガロール、チモール、イソチモール、4,4’-9H-フルオレン-9-イリデンビスフェノール、2,2’ジメチル-4,4’-9H-フルオレン-9-イリデンビスフェノール、2,2’ジアリル-4,4’-9H-フルオレン-9-イリデンビスフェノール、2,2’ジフルオロ-4,4’-9H-フルオレン-9-イリデンビスフェノール、2,2’ジフェニル-4,4’-9H-フルオレン-9-イリデンビスフェノール、2,2’ジメトキシ-4,4’-9H-フルオレン-9-イリデンビスフェノール、2,3,2’,3’-テトラヒドロ-1,1’-スピロビインデン-6,6’-ジオール、3,3,3’,3’-テトラメチル-2,3,2’,3’-テトラヒドロ-1,1’-スピロビインデン-6,6’-ジオール、3,3,3’,3’,4,4’-ヘキサメチル-2,3,2’,3’-テトラヒドロ-1,1’-スピロビインデン-6,6’-ジオール、2,3,2’,3’-テトラヒドロ-1,1’-スピロビインデン-5,5’-ジオール、5,5‘-ジメチル-3,3,3’,3’-テトラメチル-2,3,2’,3’-テトラヒドロ-1,1’-スピロビインデン-6,6’-ジオール、1-ナフトール、2-ナフトール、2-メチル-1-ナフトール、4-メトキシ-1-ナフトール、7-メトキシ-2-ナフトール、1,5-ジヒドロキシナフタレン、1,7-ジヒドロキシナフタレン、2,6-ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン、3-ヒドロキシ-ナフタレン-2-カルボン酸メチル、ヒドロキシインデン、ヒドロキシアントラセン、ビスフェノール、トリスフェノール等とホルムアルデヒドとの脱水縮合物、ポリスチレン、ポリビニルナフタレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルカルバゾール、ポリインデン、ポリアセナフチレン、ポリノルボルネン、ポリシクロデセン、ポリテトラシクロドデセン、ポリノルトリシクレン、ポリメタアクリレート及びこれらの共重合体等を挙げることができる。更に、その他公知のノルトリシクレン共重合体、水素添加ナフトールノボラック樹脂、ナフトールジシクロペンタジエン共重合体、フェノールジシクロペンタジエン共重合体、アセナフチレン共重合、インデン共重合体、フェノール基を有するフラーレン、ビスフェノール化合物及びこのノボラック樹脂、ジビスフェノール化合物及びこのノボラック樹脂、アダマンタンフェノール化合物のノボラック樹脂、ヒドロキシビニルナフタレン共重合体、ビスナフトール化合物及びこのノボラック樹脂、ROMPポリマー、トリシクロペンタジエン共重合物に示される樹脂化合物、フラーレン類樹脂化合物等をブレンドすることもできる。前記ブレンド用化合物又はブレンド用ポリマーの配合量は、上記一般式1-1及び/又は1-2で示される1種以上の化合物と、上記一般式2で示される1種以上の化合物と、上記一般式3で示される1種以上の化合物及び/又はその等価体との合計100質量部に対して0~1000質量部、好ましくは0~500質量部である。本発明のレジスト下層膜材料には、基板等への塗布後にベーク等により、レジスト下層膜内での架橋反応を促進し、レジスト下層膜を、レジスト上層膜とのインターミキシングの恐れが少なく、レジスト上層膜への低分子成分の拡散が少ないものとする目的で、架橋剤を含有することができる。本発明で使用可能な架橋剤は、特開2007-199653号公報中の0055~0060段落に記載されている材料を添加することができる。本発明においては、熱による架橋反応を更に促進させるための酸発生剤を添加することができる。酸発生剤は熱分解によって酸を発生するものや、光照射によって酸を発生するものがあるが、いずれのものも添加することができる。具体的には、特開2007-199653号公報中の0061~0085段落に記載されている材料を添加することができる。更に、後述する本発明のパターン形成方法に用いるレジスト下層膜材料には、保存安定性を向上させるための塩基性化合物を配合することができる。塩基性化合物としては、酸発生剤より微量に発生した酸が架橋反応を進行させるのを防ぐための、酸に対するクエンチャーの役割を果たす。このような塩基性化合物としては、具体的には特開2007-199653号公報中の0086~0090段落に記載されている材料を添加することができる。また、本発明のレジスト下層膜材料の調製には、有機溶剤を用いることができる。本発明のレジスト下層膜材料を調製する際に使用可能な有機溶剤としては、前記ポリマー、酸発生剤、架橋剤、その他添加剤等が溶解するものであれば特に制限はない。具体的には、特開2007-199653号公報中の0091~0092段落に記載されている溶剤を添加することができる。また更に、本発明のパターン形成方法に用いるレジスト下層膜材料において、スピンコーティングにおける塗布性を向上させるために、界面活性剤を添加することもできる。界面活性剤は、特開2008-111103号公報中の0165~0166段落記載のものを用いることができる。上記のように調製したレジスト下層膜材料を用いた本発明のパターン形成方法は、例えば以下のものである。本発明では、被加工体にパターンを形成する方法であって、少なくとも、被加工体上に前記本発明のレジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上にケイ素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、該レジスト中間層膜の上にフォトレジスト組成物のレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにしてレジスト前記中間層膜をエッチングし、該パターンが形成されたレジスト中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングし、さらに、該パターンが形成されたレジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして前記被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法を提供する。本発明のパターン形成方法におけるレジスト下層膜形成工程では、上記のレジスト下層膜材料を、フォトレジストと同様にスピンコート法等で被加工体上にコーティングする。スピンコート法等を用いることで、良好な埋め込み特性を得ることができる。スピンコート後、溶媒を蒸発し、レジスト上層膜やレジスト中間層膜とのミキシング防止のため、架橋反応を促進させるためにベークを行う。ベークは100°Cを超え、600°C以下の範囲内で行い、10~600秒、好ましくは10~300秒の範囲内で行う。ベーク温度は、より好ましくは150°C以上500°C以下であり、更に好ましくは180°C以上400°C以下である。デバイスダメージやウェハーの変形への影響を考えると、リソグラフィーのウェハープロセスでの加熱できる温度の上限は600°C以下、好ましくは500°C以下である。ベーク中の雰囲気としては空気中でも構わないが、酸素を低減させるためにN2、Ar、He等の不活性ガスを封入しておくことは、レジスト下層膜の酸化を防止するために好ましい。酸化を防止するためには酸素濃度をコントロールする必要があり、好ましくは1,000ppm以下、より好ましくは100ppm以下である。ベーク中のレジスト下層膜の酸化を防止すると、吸収が増大したりエッチング耐性が低下したりすることがないため好ましい。尚、このレジスト下層膜の厚さは適宜選定されるが、30~20,000nm、特に50~15,000nmとすることが好ましい。レジスト下層膜を作製した後、3層プロセスの場合はその上にケイ素を含有するレジスト中間層膜、ケイ素を含まないレジスト上層膜単層レジスト膜を形成することができる。このような3層プロセスのケイ素含有レジスト中間層膜としてはポリシロキサンベースの中間層が好ましく用いられる。このケイ素含有中間層膜に反射防止膜として効果を持たせることによって、反射を抑えることができる。具体的には特開2004-310019号、同2007-302873号、同2009-126940号等に示されるポリシロキサンを含む材料が挙げられる。特に193nm露光用としては、レジスト下層膜として芳香族基を多く含み基板エッチング耐性が高い材料を用いると、k値が高くなり、基板反射が高くなるが、レジスト中間層膜で反射を抑えることによって基板反射を0.5以下にすることができる。レジスト下層膜の上に無機ハードマスク中間層膜を形成する場合は、CVD法やALD法等で、ケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜、ケイ素酸化窒化膜SiON膜、アモルファスケイ素膜等が形成される。窒化膜の形成方法としては、特開2002-334869号公報、WO2004/066377等に記載されている。無機ハードマスクの膜厚は5~200nm、好ましくは10~100nmであり、中でも反射防止膜としての効果が高いSiON膜が最も好ましく用いられる。SiON膜を形成する時の基板温度は300~500°Cとなるために、下層膜として300~500°Cの温度に耐える必要がある。本発明で用いるレジスト下層膜材料は、高い耐熱性を有しており300~500°Cの高温に耐えることができるため、CVD法又はALD法で形成された無機ハードマスクと、スピンコート法で形成されたレジスト下層膜の組み合わせが可能である。これらレジスト中間層膜や無機ハードマスク中間層膜の上にレジスト上層膜としてフォトレジスト膜を形成しても良いが、レジスト中間層膜や無機ハードマスク中間層膜の上に有機反射防止膜BARCをスピンコートで形成して、その上にフォトレジスト膜を形成しても良い。特にSiON膜等の無機ハードマスク中間層膜を用いた場合、SiON膜とBARCの2層の反射防止膜によって1.0を超える高NAの液浸露光に於いても反射を抑えることが可能となる。BARCを形成するもう一つのメリットとしては、SiON直上でのフォトレジストパターンの裾引きを低減させる効果があることである。3層レジスト膜におけるレジスト上層膜は、ポジ型でもネガ型でもどちらでもよく、通常用いられているフォトレジスト組成物と同じものを用いることができる。上記フォトレジスト組成物によりレジスト上層膜を形成する場合、上述のレジスト下層膜を形成する場合と同様に、スピンコート法が好ましく用いられる。フォトレジスト組成物をスピンコート後、プリベークを行うが、60~180°Cで10~300秒の範囲が好ましい。その後常法に従い、露光を行い、ポストエクスポジュアーベーク以後、PEBとする、現像を行い、レジストパターンを得る。尚、レジスト上層膜の厚さは特に制限されないが、30~500nm、特に50~400nmが好ましい。前記レジスト上層膜にパターンを形成する方法としては、波長が10nm以上300nm以下の光リソグラフィー、電子線による直接描画、ナノインプリンティング等、あるいはこれらの組み合わせによるパターン形成を行うことができる。また、このようなパターン形成方法における現像方法の一例としては、アルカリ現像又は有機溶剤による現像が挙げられる。次に、得られたレジストパターンをマスクにしてエッチングを行う。3層プロセスにおけるレジスト中間層膜、特に無機ハードマスクのエッチングは、フロン系のガスを用いてレジストパターンをマスクにして行う。次いでレジスト中間層膜パターン、特に無機ハードマスクパターンをマスクにして酸素ガス又は水素ガスを用いてレジスト下層膜のエッチング加工を行う。次の被加工体のエッチングも、常法によって行うことができ、例えば基板がSiO2、SiN、シリカ系低誘電率絶縁膜であればフロン系ガスを主体としたエッチング、p-SiやAl、Wでは塩素系、臭素系ガスを主体としたエッチングを行う。基板加工をフロン系ガスでエッチングした場合、3層プロセスのケイ素含有中間層は基板加工と同時に剥離される。塩素系、臭素系ガスで基板をエッチングした場合は、ケイ素含有中間層の剥離は基板加工後にフロン系ガスによるドライエッチング剥離を別途行う必要がある。本発明のレジスト下層膜材料を用いて形成したレジスト下層膜は、これら被加工体のエッチング耐性に優れる特徴がある。尚、被加工体としては、半導体基板に、金属膜、金属炭化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、及び金属酸化窒化膜のいずれか以後、被加工層とするが成膜されたもの、例えば、前記金属がケイ素、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、クロム、ゲルマニウム、銅、アルミニウム、及び鉄のいずれか、あるいはこれらの合金等を用いることができる。基板としては、特に限定されるものではなく、Si、α-Si、p-Si、SiO2、SiN、SiON、W、TiN、Al等で被加工層と異なる材質のものが用いられる。被加工層としては、Si、SiO2、SiON、SiN、p-Si、α-Si、W、W-Si、Al、Cu、Al-Si等種々のLow-k膜及びそのストッパー膜が用いられ、通常50~10,000nm、特に100~5,000nmの厚さに形成し得る。本発明のパターン形成方法の一例3層プロセスについて図1を用いて具体的に示すと下記の通りである。3層プロセスの場合、図1Aに示したように、基板1の上に積層された被加工層2上に本発明によりレジスト下層膜3を形成した後、レジスト中間層膜4を形成し、その上にレジスト上層膜5を形成する。次いで、図1Bに示したように、レジスト上層膜の所用部分6を露光し、PEB及び現像を行ってレジストパターン5aを形成する図1C。この得られたレジストパターン5aをマスクとし、CF系ガスを用いてレジスト中間層膜4をエッチング加工してレジスト中間層膜パターン4aを形成する図1D。レジストパターン5aを除去後、この得られたレジスト中間層膜パターン4aをマスクとしてレジスト下層膜3を酸素プラズマエッチングし、レジスト下層膜パターン3aを形成する図1E。更にレジスト中間層膜パターン4aを除去後、レジスト下層膜パターン3aをマスクに被加工層2をエッチング加工して、基板にパターン2aを形成するものである図1F。尚、無機ハードマスク中間層膜を用いる場合、レジスト中間層膜4が無機ハードマスク中間層膜4であり、レジスト中間層膜パターン4aが無機ハードマスク中間層膜パターン4aである。また、BARCを敷く場合はレジスト中間層膜又は無機ハードマスク中間層膜4とレジスト上層膜5との間にBARC層を設ける。BARCのエッチングはレジスト中間層膜又は無機ハードマスク中間層膜4のエッチングに先立って連続して行われる場合もあるし、BARCだけのエッチングを行ってからエッチング装置を変える等してレジスト中間層膜無機ハードマスク中間層膜4のエッチングを行うこともできる。以下、合成例、比較合成例、実施例、比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの記載によって限定されるものではない。[樹脂A-1~A-6の合成]以下のように樹脂A-1~A-6を合成した。尚、ポリマーの分子量、分散度の測定法は、具体的に下記の方法により行った。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC分析によりポリスチレン換算の重量平均分子量Mw、数平均分子量Mnを求め、分散度Mw/Mnを求めた。合成例1樹脂A-11,3-アダマンタンジオール16.8g、m-クレゾール5.0g、1,7-ジヒドロキシナフタレン15.0g、2-メトキシエタノール100g、メタンスルホン酸2.4gの混合物を窒素雰囲気下、110°Cで16時間加熱攪拌した。70°Cに冷却後、パラホルムアルデヒド1.1gを加え、5時間攪拌した。室温に冷却後、酢酸エチル200g、純水100gを加えた。不溶分をろ別後、水層を除去、次に有機層を純水100gで4回洗浄した。有機層を減圧乾固し、以下に示す樹脂A-1を33.6g得た。GPCにより分子量Mw、分散度Mw/Mnを求めた。Mw:4,890Mw/Mn:3.23合成例2樹脂A-21,3-アダマンタンジオール8.4g、1,5-ジヒドロキシナフタレン20.0g、2-メトキシエタノール100g、メタンスルホン酸2.4gの混合物を窒素雰囲気下、110°Cで16時間加熱攪拌した。70°Cに冷却後、パラホルムアルデヒド2.0gを加え、5時間攪拌した。室温に冷却後、酢酸エチル200g、純水100gを加えた。不溶分をろ別後、水層を除去、次に有機層を純水100gで4回洗浄した。有機層を減圧乾固し、以下に示す樹脂A-2を26.5g得た。GPCにより分子量Mw、分散度Mw/Mnを求めた。Mw:2,930Mw/Mn:2.50合成例3樹脂A-31,3-アダマンタンジオール6.4g、1,3,5-アダマンタントリオール2.3g、1,5-ジヒドロキシナフタレン20.0g、1-メトキシ-2-プロパノール80g、メタンスルホン酸2.4gの混合物を窒素雰囲気下、100°Cで16時間加熱攪拌した。70°Cに冷却後、パラホルムアルデヒド1.6gを加え、4時間攪拌した。室温に冷却後、酢酸エチル200g、純水100gを加えた。不溶分をろ別後、水層を除去、次に有機層を純水100gで4回洗浄した。有機層を減圧乾固し、以下に示す樹脂A-3を27.1g得た。GPCにより分子量Mw、分散度Mw/Mnを求めた。Mw:4,660Mw/Mn:3.04比較合成例1樹脂A-4m-クレゾール5.0g、1,7-ジヒドロキシナフタレン15.0g、パラホルムアルデヒド2.4gの混合物に窒素雰囲気下、70°Cでメタンスルホン酸2.4gを加え、5時間攪拌した。室温に冷却後、酢酸エチル200g、純水100gを加えた。不溶分をろ別後、水層を除去、次に有機層を純水100gで4回洗浄した。有機層を減圧乾固し、以下に示す樹脂A-4を18.0g得た。GPCにより分子量Mw、分散度Mw/Mnを求めた。Mw:1,510Mw/Mn:2.02比較合成例2樹脂A-5ジシクロペンタジエン6.6g、1,5-ジヒドロキシナフタレン20.0g、2-メトキシエタノール100g、メタンスルホン酸2.4gの混合物を窒素雰囲気下、110°Cで72時間加熱攪拌した。70°Cに冷却後、パラホルムアルデヒド2.0gを加え、5時間攪拌した。室温に冷却後、酢酸エチル200g、純水100gを加えた。不溶分をろ別後、水層を除去、次に有機層を純水100gで4回洗浄した。有機層を減圧乾固し、以下に示す樹脂A-5を26.5g得た。GPCにより分子量Mw、分散度Mw/Mnを求めた。Mw:4,350Mw/Mn:3.02比較合成例3樹脂A-61,3-アダマンタンジオール16.8g、m-クレゾール5.0g、1,7-ジヒドロキシナフタレン15.0g、2-メトキシエタノール100g、メタンスルホン酸2.4gの混合物を窒素雰囲気下、110°Cで24時間加熱攪拌した。室温に冷却後、メチルイソブチルケトン200g、純水100gを加えた。不溶分をろ別後、水層を除去、次に有機層を純水100gで4回洗浄した。有機層を減圧乾固し、以下に示す樹脂A-6を30.3g得た。GPCにより分子量Mw、分散度Mw/Mnを求めた。Mw:1,470Mw/Mn:2.30[実施例、比較例]レジスト下層膜材料の調製上記樹脂A-1~6を20質量部、下記AG1で示される酸発生剤を1質量部、下記CR1で示される架橋剤を4質量部、FC-430住友スリーエム社製0.1質量を含むプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100質量部に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによってレジスト下層膜形成用溶液SOL-1~6をそれぞれ調製した。この溶液をシリコン基板上に塗布スピンコートして、250°Cで60秒間ベークしてそれぞれ膜厚200nmの塗布膜UDL-1~6を形成した。これらの膜につき、J.A.ウーラム社の入射角度可変の分光エリプソメーターVASEにより波長193nmにおける光学特性n,kを測定した。その結果を表1に示す。更に、東陽テクニカ社製ナノインデンターSA2型装置でナノインデンテーション試験を行い、上記塗布膜のハードネスを測定した。その結果も表1に示す。表1に示されるように、実施例UDL-1~3では、レジスト下層膜のn値屈折率が1.5、k値消光係数が0.30~0.35という光学特性の目標値を満たしており、3層レジスト用の下層膜として、特に200nm以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮するものであった。他方、比較例のUDL-4、6では、n値、k値が目標値から外れており、反射防止効果が不十分であった。また、ハードネスについて、実施例のUDL-1~3は、比較例のUDL-5に比べて値が大きく、より緻密で強度の高い膜を形成していることが示唆された。[実施例1~3、比較例1~3]パターンエッチング試験前記レジスト下層膜材料UDL-1~6を、膜厚200nmのSiO2膜が形成された直径300mmSiウェハー基板上に塗布スピンコートして、250°Cで60秒間ベークして膜厚200nmのレジスト下層膜実施例1~3、比較例1~3を形成した。その上にArFケイ素含有レジスト中間層ポリマーSOG-1を常法に従って調製したものを塗布して220°Cで60秒間ベークして膜厚35nmのレジスト中間層膜を形成し、レジスト上層膜材料ArF用SLレジスト溶液を塗布し、105°Cで60秒間ベークして膜厚100nmのレジスト上層膜を形成した。レジスト上層膜に液浸保護膜TC-1を塗布し90°Cで60秒間ベークし膜厚50nmの保護膜を形成した。上層レジストとしては、表2に示す組成の樹脂、酸発生剤、塩基化合物をFC-430住友スリーエム株製0.1質量を含む溶媒中に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって調製した。液浸保護膜TC-1としては、表3に示す組成の樹脂を溶媒中に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって調製した。保護膜ポリマー:下記構造式分子量Mw=8,800分散度Mw/Mn=1.69次いで、ArF液浸露光装置株ニコン製;NSR-S610C,NA1.30、σ0.98/0.65、35度ダイポールs偏光照明、6ハーフトーン位相シフトマスクで露光量を変えながら露光し、100°Cで60秒間ベークPEBし、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液で30秒間現像し、ピッチ100nmでレジスト線幅を50nmから30nmまでのポジ型のラインアンドスペースパターンを得た。次いで、東京エレクトロン製エッチング装置Teliusを用いてドライエッチングによるレジストパターンをマスクにしてケイ素含有中間層の加工、ケイ素含有中間層をマスクにして下層膜、下層膜をマスクにしてSiO2膜の加工を行った。結果を表4に示す。エッチング条件は下記に示すとおりである。レジストパターンのSOG膜への転写条件。チャンバー圧力10.0PaRFパワー1,500WCF4ガス流量15sccmO2ガス流量75sccm時間15secSOG膜の下層膜への転写条件。チャンバー圧力2.0PaRFパワー500WArガス流量75sccmO2ガス流量45sccm時間120secSiO2膜への転写条件。チャンバー圧力2.0PaRFパワー2,200WC5F12ガス流量20sccmC2F6ガス流量10sccmArガス流量300sccmO260sccm時間90secパターン断面を株日立製作所製電子顕微鏡S-4700にて観察し、形状を比較し、表4にまとめた。表4に示されるように、比較例1は現像後のレジスト形状不良のため、エッチング評価に進むことができなかった。原因としては、UDL-4のn値k値の組合せが最適値を大きく外れているために反射防止効果が不十分であった可能性が考えられる。また、比較例2は、現像後のレジスト形状等は良好であったものの、露光により作られたレジスト線幅に従って、基板転写後のパターン寸法も変化し、40nm程度の線幅でパターンよれが発生してしまった。さらに、比較例3は、パターン寸法40nm以下までよれがなかったものの、基板転写後のエッチング形状は良好とはいえないものであった。これに対し、実施例1~3は、前記表1の通り、液浸リソグラフィー用3層レジストの下層膜として実用に適するn値k値を有しており、表4に示すパターン評価においても、現像後のレジスト形状、酸素エッチング後、基板加工エッチング後の下層膜の形状とも良好であった。また、実施例1~3ではパターン寸法35nm以下までよれがなく、高いよれ耐性を有することが判明した。このことから、本発明の下層膜のように、ハードネスが0.60GPaより高くなるような緻密な膜を形成できる下層膜を使用することにより、高いよれ耐性を得られることが示唆される。以上のように、本発明のレジスト下層膜材料は、十分な反射防止効果を与える好適な光学特性を有し、かつ、エッチング時のよれ耐性に優れており、超微細かつ高精度なパターン加工のための多層レジストプロセス、特に3層レジストプロセス用下層膜として極めて有用である。尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"