"窒化物半導体を含む第1半導体層と、前記第1半導体層の上に設けられ、前記第1半導体層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する窒化物半導体を含み、孔部を有する第2半導体層と、前記孔部内に設けられた第1電極と、前記第2半導体層の上に設けられ、前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、前記第2半導体層の上において、前記第2電極とのあいだに前記第1電極をはさむように設けられ、前記第2半導体層と電気的に接続された第3電極と、酸素を含有する膜であって、前記第1電極と前記孔部の内壁とのあいだ、及び前記第1電極と前記第2電極とのあいだに設けられ、前記第3電極と離間して設けられた第1絶縁膜と、窒素を含有する膜であって、前記第1電極と前記第3電極とのあいだにおいて前記第2半導体層に接して設けられた第2絶縁膜と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。前記第1絶縁膜は、前記第2半導体層に接していることを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体装置。前記第1電極は、前記第1絶縁膜の前記第3電極側の端部を覆うように設けられたことを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体装置。前記第1電極と導通し、前記第1絶縁膜の前記第3電極側の端部を覆う第4電極をさらに備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体装置。窒化物半導体を含む第1半導体層と、前記第1半導体層の上において一部に設けられ、前記第1半導体層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する窒化物半導体を含み、孔部を有する第2半導体層と、前記孔部内に設けられた第1電極と、前記第2半導体層の上に設けられ、前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、前記第2半導体層の上において、前記第2電極とのあいだに前記第1電極をはさむように設けられ、前記第2半導体層と電気的に接続された第3電極と、酸素を含有する膜であって、前記第1電極と前記孔部の内壁とのあいだ、及び前記第1電極と前記第2電極とのあいだにおいて前記第2半導体層に接して設けられた第1絶縁膜と、窒素を含有する膜であって、前記第1電極と前記第3電極とのあいだにおいて前記第2半導体層に接して設けられた第2絶縁膜と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。前記第1絶縁膜は、酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。前記第2絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。前記第1半導体層は、AlxGa1-xN0≦X≦1を含み、前記第2半導体層は、AlYGa1-YN0≦Y≦1、X≦Yを含むことを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。支持基板上に、窒化物半導体を含む第1半導体層を形成し、前記第1半導体層の上に、前記第1半導体層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む第2半導体層を形成する工程と、前記第2半導体層の上に、窒素を含有する第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜及び前記第2半導体層の一部を除去して孔部を形成する工程と、前記孔部の内壁及び前記第2絶縁膜を覆うように、酸素を含有する第1絶縁膜を形成する工程と、前記孔部からみた一方の側の前記第1絶縁膜の少なくとも一部を除去する工程と、前記孔部からみた他方の側に前記第2半導体層と電気的に接続した第2電極を形成し、前記孔部の一方の側に前記第2半導体層と電気的に接続した第3電極を前記第1絶縁膜と離間して形成する工程と、前記孔部内に前記第1絶縁膜を介して第1電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。支持基板上に、窒化物半導体を含む第1半導体層を形成し、前記第1半導体層の上に、前記第1半導体層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む第2半導体層を形成する工程と、前記第2半導体層の上に、窒素を含有する第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜の一部を除去し、前記第2絶縁膜が除去された部分の前記第2半導体層の一部を除去して孔部を形成する工程と、前記孔部の内壁、前記孔部からみた一方の側に設けられた前記第2絶縁膜及び前記孔部からみた他方の側の前記第2半導体層を覆うように、酸素を含有する第1絶縁膜を形成する工程と、前記孔部の一方の側に前記第2半導体層と電気的に接続した第2電極を形成し、前記孔部の他方の側に前記第2半導体層と電気的に接続した第3電極を形成する工程と、前記孔部内に前記第1絶縁膜を介して第1電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。本発明の実施形態は、低オン抵抗、高耐圧及び高信頼性を達成できる窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。実施形態に係る窒化物半導体装置は、第1半導体層と、第2半導体層と、第1電極と、第2電極と、第3電極と、第1絶縁膜と、第2絶縁膜と、を備える。第1半導体層は、窒化物半導体を含む。第2半導体層は、前記第1半導体層の上に設けられる。第2半導体層は、前記第1半導体層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する窒化物半導体を含む。第2半導体層は、孔部を有する。第1電極は、前記孔部内に設けられる。第2電極は、前記第2半導体層の上に設けられ、前記第2半導体層と電気的に接続される。第3電極は、前記第2半導体層の上において、前記第2電極とのあいだに前記第1電極をはさむように設けられ、前記第2半導体層と電気的に接続される。第1絶縁膜は、酸素を含有する膜である。第1絶縁膜は、前記第1電極と前記孔部の内壁とのあいだ、及び前記第1電極と前記第2電極とのあいだに設けられ、前記第3電極と離間して設けられる。第2絶縁膜は、窒素を含有する膜である。第2絶縁膜は、前記第1電極と前記第3電極とのあいだにおいて前記第2半導体層に接して設けられる。また、他の実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法は、支持基板上に、窒化物半導体を含む第1半導体層を形成し、前記第1半導体層の上に、前記第1半導体層の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む第2半導体層を形成する工程と、前記第2半導体層の上に、窒素を含有する第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜及び前記第2半導体層の一部を除去して孔部を形成する工程と、前記孔部の内壁及び前記第2絶縁膜を覆うように、酸素を含有する第1絶縁膜を形成する工程と、前記孔部からみた一方の側の前記第1絶縁膜の少なくとも一部を除去する工程と、前記孔部からみた他方の側に前記第2半導体層と電気的に接続した第2電極を形成し、前記孔部の一方の側に前記第2半導体層と電気的に接続した第3電極を前記第1絶縁膜と離間して形成する工程と、前記孔部内に前記第1絶縁膜を介して第1電極を形成する工程と、を備える。以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。図2は、第1実施形態に係る窒化物半導体装置の模式的平面図である。図1は、図2に示したA-A’線矢視の模式的断面図である。図1に表したように、第1実施形態に係る窒化物半導体装置110は、第1半導体層3と、第2半導体層4と、第1電極10と、第2電極7と、第3電極8と、第1絶縁膜6と、第2絶縁膜5と、を備える。窒化物半導体装置110では、支持基板1の上に形成されたバッファ層2を介して、第1半導体層3が形成されている。ここで、説明の便宜上、第1半導体層3から第2半導体層4に向かう方向を上上側、その反対を下下側ということにする。第1半導体層3は、窒化物半導体を含む。第2半導体層4は、第1半導体層3の上に設けられる。この第2半導体層4は、第1半導体層3の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する窒化物半導体を含む。第2半導体層4は、孔部4aを有する。図1に例示した孔部4aは、第1半導体層3にまで達している。ここで、本明細書において窒化物半導体とは、BαInβAlγGa1-α-β-γN0≦α≦1,0≦β≦1,0≦γ≦1,αβγ≦1なる化学式において組成比α、β及びγをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N窒素以外のV族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。実施形態では、窒化物半導体として、GaN及びAlGaNのIII-V族窒化物半導体を例とする。窒化物半導体装置110は、ノーマリオフ型の電界効果トランジスタである。第1半導体層3には、アンドープのAlXGa1-XN0≦X≦1が用いられる。ここで、アンドープとは、意図的に不純物をドープしていない状態を言う。一例として、実施形態では、第1半導体層3は、GaNである。第1半導体層3は、チャネル層として機能する。第2半導体層4には、アンドープのAlYGa1-YN0≦Y≦1、X≦Yが用いられる。一例として、実施形態では、第2半導体層4は、Al組成が25パーセントのAlGaNである。アンドープのAlGaNである第2半導体層4の禁制帯幅は、アンドープのGaNである第1半導体層3の禁制帯幅よりも広い。第1電極10は、孔部4a内に設けられる。第1電極10と、孔部4aの内壁と、のあいだには、第1絶縁膜6が設けられている。すなわち、第1電極10は、孔部4a内において第1絶縁膜6を介して埋め込まれた部分を有する。孔部4a内に第1絶縁膜6を介して第1電極10が埋め込まれることで凹構造リセス構造9が構成される。実施形態において、第1電極10はゲート電極である。本例において、ゲート電極は、MISMetalInsulatorSemiconductor型ゲート電極である。第2電極7、第2半導体層4の上に設けられ、第2半導体層4と電気的に接続される。すなわち、第2電極7は、第2半導体層4とオーミック接合している。実施形態において、第2電極7は、ソース電極である。第3電極8は、第2半導体層4の上において、第2電極7とのあいだに第1電極10をはさむように設けられる。第3電極8は、第2半導体層4と電極的に接続される。すなわち、第3電極8は、第2半導体層4とオーミック接合している。実施形態において、第3電極8は、ドレイン電極である。第1絶縁膜6は、酸素を含有する膜である。第1絶縁膜6は、第1電極10と孔部4aの内壁とのあいだ、及び第1電極10と第2電極7とのあいだに設けられる。第1絶縁膜6は、第3電極8と離間して設けられる。すなわち、第1絶縁膜6の第3電極8側の端部6aと、第3電極8と、のあいだには、第1絶縁膜6が設けられていない領域がある。第1絶縁膜6には、例えば酸化シリコンSiO2が用いられる。第2絶縁膜5は、窒素を含有する膜である。第2絶縁膜5は、第1電極10と第3電極8とのあいだにおいて、第2半導体層4に接して設けられる。第2絶縁膜5には、例えば窒化シリコンSiNxが用いられる。図2に表したように、第1電極10、第2電極7及び第3電極8は、それぞれ複数本設けられ、一方向に延在している。第2電極7及び第3電極8は、互いに交互に配置され、互いに反対側でそれぞれのパッドP2及びP3と接続されている。すなわち、第2電極7及び第3電極8は、それぞれのパッドP2及びP3から櫛歯状に延出し、互い違いに配置されている。また、隣り合う第2電極7及び第3電極8の間には、第1電極10が配置されている。複数本の第1電極10は、一方側でパッドP1と導通している。図2に表した例では、平行に並ぶ4本の第2電極7と、平行に並ぶ3本の第3電極8とが、互いの隙間に配置されている。第1電極10は、第2電極7と第3電極8との間で、第2電極7に寄った位置に配置されている。すなわち、第1電極10と第3電極8との隙間は、第1電極10と第2電極7との隙間よりも広い。このような電極のレイアウトに対応して複数の素子電界効果トランジスタが並列に接続された状態となる。複数の素子が構成された素子領域Sの周辺は、素子分離領域ISとなる。このような窒化物半導体装置110では、例えば、第2電極ソース電極7を接地して第3電極ドレイン電極8にプラス電圧を印加した状態で、第1電極ゲート電極10に電圧を印加し、第3電極8と第2電極7との間を流れる電流を制御する。図1に表したように、電流が流れるチャネルである第1半導体層アンドープのGaN3と、第2半導体層アンドープのAlGaN4と、の界面は、第3電極8と第2電極7との間に設けられた凹構造9により分断されている。したがって、第1電極10に、第27に対して正の電圧を印加し、第1半導体層3と第2絶縁膜5との界面に電子を発生させることにより、第3電極8から第2電極7へドレイン電流を流すことができる。すなわち、本実施形態に係る窒化物半導体装置110では、ノーマリオフの動作が実現される。本実施形態に係る窒化物半導体装置110では、第1電極10の下のチャネルとなる界面には、例えばSiO2である第1絶縁膜6と、例えばGaNである第1半導体層3との界面を用いている。ゲート絶縁膜となる第1絶縁膜6としてSiO2を用いることで、ゲート絶縁膜としてSiNxを用いる場合に比べて、低オン抵抗及び高信頼性を有する素子を提供することが可能になる。すなわち、SiO2のバンドギャップは大きく、GaNに対する電子の絶縁膜として適している。また、SiO2は、安定した非晶質であって、捕獲中心の少ない膜を得やすい。これらにより、トランジスタのゲート絶縁膜に関わる信頼性の向上と、トランジスタのオン状態における動作安定性を得ることが可能になる。また、第1電極10と第3電極8とのあいだにおいて、AlGaNである第2半導体層4の表面には、SiNxである第2絶縁膜5が第2半導体層4の上に接した状態で設けられている。これにより、第2絶縁膜5は、第2半導体層4の保護膜として機能する。第2半導体層4をSiNxである第2絶縁膜5で保護することで、窒化物半導体装置110の耐圧が向上する。ここで、窒化物半導体である第2半導体層4の上に設けられる絶縁膜として、SiNxとSiO2との積層構造になっている場合、SiO2の酸素がSiNxの膜内に拡散する場合がある。例えば、ゲート絶縁膜であるSiO2と第2半導体層4である窒化物半導体GaNまたはAlGaNとの界面を安定化させるためには、例えば600°C以上の熱処理を必要とする。この熱処理の際、SiO2の酸素がSiNxの膜内に拡散することがある。SiNxの膜内に酸素が拡散すると、SiNxの膜と接する窒化物半導体の表面が酸化する可能性がある。そこで、SiNxの絶縁膜によって窒化物半導体を十分に保護するため、膜厚を厚くすることが考えられる。しかし、SiNxの膜厚を厚くすると、これに積層されたSiO2の膜と熱膨張係数の差による応力によって、窒化物半導体の表面に劣化を及ぼし、信頼性の低下を招くことになる。本実施形態では、凹構造9の第3電極8側において、SiNxである第1絶縁膜6が、第3電極8と離間して設けられている。すなわち、この第1絶縁膜6と第3電極8との離間部分である領域R1においては、SiNxの上にSiO2が重ねられていない。つまり、領域R1には、第2半導体層窒化物半導体4の表面の酸化の原因になるSiO2が設けられていないことから、SiO2の酸素に起因する第2半導体層4の表面の酸化を抑制することができる。ここで、電流コラプスの原因となる窒化物半導体表面での電子の捕獲は、凹構造9よりやや離れた領域、特にゲート電極である第1電極10の端部よりもドレイン側第3電極8側で主に発生する。このため、第1電極10と第3電極8とのあいだの第2絶縁膜SiNx5の上に第1絶縁膜SiO26を設けないようにして、第1絶縁膜6の端部をなるべく第1電極10の端部に近づけるように設ける。これにより、電流コラプスによるオン抵抗増加を最小限に抑えることが可能になる。このように、実施形態に係る窒化物半導体装置110では、1ゲート絶縁膜となる第1絶縁膜6としてSiO2を用いることで、オン抵抗の低下及び信頼性の向上を図り、2SiNxである第2絶縁膜5によって第2半導体層4を保護するで、耐圧の向上を図り、3領域R1においてSiNxの上にSiO2を重ねないようにすることで、電流コラプスによるオン抵抗増加を最小限に抑えることが可能となる。図3は、第1実施形態に係る他の窒化物半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。図3に表したように、この窒化物半導体装置111では、図1に表した窒化物半導体装置110に比べて、第1絶縁膜61の第3電極8側の端部61aが相違する。窒化物半導体装置111の第1絶縁膜61では、第3電極8側の端部61aが第2絶縁膜5の上に設けられていない。第1絶縁膜61は、孔部4aの内壁に沿って形成され、第3電極8側においては、内壁を立ち上がった状態で第2絶縁膜5側に被せられることなく設けられている。このような窒化物半導体装置111では、窒化物半導体装置110に比べて第1絶縁膜6と第3電極8とのあいだの隙間が大きく設けられている。すなわち、第1絶縁膜6と第3電極8との隙間である領域R2において、第2絶縁膜5の上には第1絶縁膜6が設けられていない。領域R2は領域R1よりも広い。したがって、窒化物半導体装置111では、窒化物半導体装置110に比べて、第1絶縁膜6であるSiO2の酸素に起因する第2半導体層窒化物半導体4の表面の酸化をより効果的に抑制することができる。図4は、第1実施形態に係るその他の窒化物半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。図4に表したように、この窒化物半導体装置112では、図1に表した窒化物半導体装置110に比べて、第1電極10の端部の形状が相違する。すなわち、窒化物半導体装置112の第1電極10の端部10aは、第3電極8側に延伸されており、第1絶縁膜6の端部6aを覆うように設けられている。このような第1電極10の構造によって、第1絶縁膜6の端部6aに対して電界のシールド効果を発揮できるようになる。すなわち、ゲート電極である第1電極10と、ドレイン電極である第3電極8との間に印加された電界は、第1電極10の第3電極8側の端部10aに集中する。一方、第1絶縁膜6の第3電極8側の端部6aは、第2絶縁膜5の上に被せられている。この第1絶縁膜6の端部6aでは、SiO2の酸素の影響が窒化物半導体である第2半導体層4に及ぶ可能性があり、ここに高電界がかかると電流コラプスの原因につながる。そこで、この窒化物半導体装置112のように、第1電極10の端部10aが第1絶縁膜6の端部6aの外側を覆うように形成されていることで、SiO2である第1絶縁膜6により酸化の影響を受けた第2半導体層4の表面が、第1電極10によってシールドされ、高電界から保護される。これにより、電流コラプスの要因を抑制することが可能になる。図5は、第1実施形態に係るさらなる他の窒化物半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。図5に表したように、この窒化物半導体装置113では、図1に表した窒化物半導体装置110に比べて、第4電極11が追加されている点で相違する。すなわち、第4電極11は、第1絶縁膜6の端部6aを覆うように設けられている。第4電極11は、ゲート電極である第1電極10と離間しているが、電気的に導通している。このような第4電極11を設けることで、SiO2である第1絶縁膜6により酸化の影響を受けた第2半導体層4の表面が、第4電極10によってシールドされ、高電界から保護される。これにより、電流コラプスの要因を抑制することが可能になる。第2実施形態図6は、第2実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。図6に表したように、第2実施形態に係る窒化物半導体装置120は、第1半導体層3と、第2半導体層4と、第1電極10と、第2電極7と、第3電極8と、第1絶縁膜6と、第2絶縁膜5と、を備える。第2実施形態に係る窒化物半導体装置120では、第1絶縁膜6が、第1電極10と第2電極7とのあいだにおいて、第2半導体層4に接して設けられている。ゲート電極である第1電極10と、ソース電極である第2電極10と、のあいだに設けられた絶縁膜は、窒化物半導体装置120の動作特性に影響を及ぼす。例えば、ゲート電圧に対するドレイン電流のヒステリシスに影響が生じる。本実施形態のように、第1電極10と第2電極7とのあいだにおいて、第2半導体層4と接する絶縁膜を、SiO2である第1絶縁膜6にすることで、SiNxの場合に比べて上記ヒステリシスの影響を抑制することができる。第3実施形態図7は、第3実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。図7に表したように、第3実施形態に係る窒化物半導体装置130では、図1に表した窒化物半導体装置110と比べて、第1電極10と第2電極7とのあいだの絶縁膜が相違する。すなわち、窒化物半導体装置130では、第1電極10と第2電極7とのあいだに設けられた第1絶縁膜6が、第2半導体層4に接して設けられている。このような窒化物半導体装置130では、ゲート絶縁膜となる第1絶縁膜6としてSiO2を用いていること、SiNxである第2絶縁膜5によって第2半導体層4を保護すること、領域R1においてSiNxの上にSiO2を重ねないようにすること、により、窒化物半導体装置110と同様、上記1~3の効果を得ることができる。さらに、窒化物半導体装置130では、第1電極10と第2電極7とのあいだに設けられた第1絶縁膜6が第2半導体層4に接して設けられていることから、窒化物半導体装置120と同様な効果、すなわち、窒化物半導体装置130の動作特性ゲート電圧に対するドレイン電流のヒステリシスの影響を抑制することができる。第4実施形態第4実施形態は、第1実施形態に係る窒化物半導体装置110、111、112及び113の製造方法である。なお、ここでは、一例として窒化物半導体装置112の製造方法について説明する。図8~図9は、窒化物半導体装置112の製造方法の一例を順に説明する模式的断面図である。先ず、図8aに表したように、支持基板1の上に、バッファ層2を形成し、その上に第1半導体層3及び第2半導体層4を形成する。第1半導体層3は、例えばGaNである。第2半導体層4は、例えばAlGaNである。第1半導体層3及び第2半導体層4は、例えばMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法を用いて順に積層される。また、第2半導体層4の上に、第2絶縁膜5であるSiNxを形成する。第2絶縁膜5の厚さは、例えば10ナノメートルnm~20nm程度である。次に、図8bに表したように、第2絶縁膜5の、第2電極7及び第3電極8を形成する位置に開口を形成する。開口は、第2絶縁膜5を例えばウェットエッチングすることで形成する。次に、図8cに表したように、第2絶縁膜5、第2半導体層4及び第1半導体層3の一部をエッチングして、孔部4aを形成する。SiNxによる第2絶縁膜5は例えばウェットエッチングによって除去され、AlGaNである第2半導体層4及びGaNである第1半導体層3は例えばドライエッチングによって除去される。次に、図8dに表したように、支持基板1上の全面に第1絶縁膜6であるSiO2を形成する。第1絶縁膜6であるSiO2は、例えばCVRChemicalVaporReactionによって形成される。第1絶縁膜6は、孔部4aの内壁及び第2絶縁膜5の上に形成される。次に、図9aに表したように、第1絶縁膜6のエッチングを行う。このエッチングでは、第1絶縁膜6のうち第2電極7を形成する位置、第3電極8を形成する位置から孔部4aの位置までを除去する。SiO2である第1絶縁膜6は、例えばウェットエッチングによって除去される。第1絶縁膜6をエッチングした後は、PDAPostDepositionAnnealing処理を施す。PDA処理としては、例えば900°C、10分程度の熱処理を施す。これにより、第1絶縁膜6であるSiO2と窒化物半導体GaNまたはAlGaNとの界面を安定化させる。次に、図9bに表したように、第2半導体層4が露出した位置に、第2電極7及び第3電極8をそれぞれ形成する。第2電極7は、孔部4aからみた一方の側、第3電極8は、孔部4aからみた他方の側にそれぞれ形成される。第2電極7及び第3電極8は、例えば650°C、15秒程度の熱処理によって第2半導体層4とオーミック接合される。第2電極7はソース電極、第3電極8はドレイン電極として機能する。第2電極7及び第3電極8を形成した後は、素子領域の周辺に素子分離領域図示せずを形成する。そして、図9cに表したように、孔部4a内に第1電極10を形成する。第1電極10は、孔部4a内に第1絶縁膜6を介して形成される。これによって凹構造9が構成される。第1電極10は、ゲート電極として機能する。これにより、凹構造9の第3電極8側において、SiNxである第1絶縁膜6が、第3電極8と離間して設けられた窒化物半導体装置112が完成する。なお、窒化物半導体装置110、111及び113を製造するには、図9cで表した第1電極10のエッチングの形状を変更する以外は同様な工程で製造することができる。第5実施形態第5実施形態は、第2実施形態に係る窒化物半導体装置120の製造方法である。図10~図11は、窒化物半導体装置120の製造方法の一例を順に説明する模式的断面図である。先ず、図10aに表したように、支持基板1の上に、バッファ層2を形成し、その上に第1半導体層3及び第2半導体層4を形成する。第1半導体層3は、例えばGaNである。第2半導体層4は、例えばAlGaNである。また、第2半導体層4の上に、第2絶縁膜5であるSiNxを形成する。第2絶縁膜5の厚さは、例えば10nm~20nm程度である。次に、図10bに表したように、第2絶縁膜5の、第3電極8を形成する位置、及び孔部4aを形成する位置から第2電極7を形成する位置に開口を形成する。開口は、第2絶縁膜5を例えばウェットエッチングすることで形成する。次に、図10cに表したように、第2半導体層4の露出した部分の一部及び第1半導体層3の一部をエッチングして、孔部4aを形成する。AlGaNである第2半導体層4及びGaNである第1半導体層3は例えばドライエッチングによって除去される。次に、図10dに表したように、支持基板1上の全面に第1絶縁膜6であるSiO2を形成する。第1絶縁膜6であるSiO2は、例えばCVRによって形成される。第1絶縁膜6は、孔部4aの内壁、孔部4aの一方側の第2半導体層4の上及び孔部4aの他方側の第2絶縁膜5の上に形成される。次に、図11aに表したように、第1絶縁膜6のエッチングを行う。このエッチングでは、第1絶縁膜6のうち第2電極7を形成する位置、第3電極8を形成する位置を除去する。SiO2である第1絶縁膜6は、例えばウェットエッチングによって除去される。第1絶縁膜6をエッチングした後は、PDA処理を施す。PDA処理としては、例えば900°C、10分程度の熱処理を施す。これにより、第1絶縁膜6であるSiO2と窒化物半導体GaNまたはAlGaNとの界面を安定化させる。次に、図11bに表したように、第2半導体層4が露出した位置に、第2電極7及び第3電極8をそれぞれ形成する。第2電極7は、孔部4aからみた一方の側、第3電極8は、孔部4aからみた他方の側にそれぞれ形成される。第2電極7及び第3電極8は、例えば650°C、15秒程度の熱処理によって第2半導体層4とオーミック接合される。第2電極7はソース電極、第3電極8はドレイン電極として機能する。第2電極7及び第3電極8を形成した後は、素子領域の周辺に素子分離領域図示せずを形成する。そして、図11cに表したように、孔部4a内に第1電極10を形成する。第1電極10は、孔部4a内に第1絶縁膜6を介して形成される。第1電極10は、ゲート電極として機能する。これにより、第1電極10と第2電極7とのあいだにおいて、第2半導体層4とSiO2である第1絶縁膜6とが接する窒化物半導体装置120が完成する。第6実施形態第6実施形態は、第3実施形態に係る窒化物半導体装置130の製造方法である。図12は、窒化物半導体装置130の製造方法の一例を順に説明する模式的断面図である。第6実施形態に係る製造方法では、第5実施形態に係る製造方法のうち、図10a~dに例示した工程は同様であるため、次の工程から説明を行う。次に、図12aに表したように、第1絶縁膜6のエッチングを行う。このエッチングでは、第1絶縁膜6のうち第2電極7を形成する位置、第3電極8を形成する位置から孔部4aの位置までを除去する。SiO2である第1絶縁膜6は、例えばウェットエッチングによって除去される。第1絶縁膜6をエッチングした後は、PDA処理を施す。PDA処理としては、例えば900°C、10分程度の熱処理を施す。これにより、第1絶縁膜6であるSiO2と窒化物半導体GaNまたはAlGaNとの界面を安定化させる。次に、図12bに表したように、第2半導体層4が露出した位置に、第2電極7及び第3電極8をそれぞれ形成する。第2電極7は、孔部4aからみた一方の側、第3電極8は、孔部4aからみた他方の側にそれぞれ形成される。第2電極7及び第3電極8は、例えば650°C、15秒程度の熱処理によって第2半導体層4とオーミック接合される。第2電極7はソース電極、第3電極8はドレイン電極として機能する。第2電極7及び第3電極8を形成した後は、素子領域の周辺に素子分離領域図示せずを形成する。そして、図12cに表したように、孔部4a内に第1電極10を形成する。第1電極10は、孔部4a内に第1絶縁膜6を介して形成される。第1電極10は、ゲート電極として機能する。これにより、窒化物半導体装置130が完成する。上記のいずれの実施形態においても、支持基板1については、窒化物半導体をエピタキシャル成長することができる材料を用いればよい。支持基板1としては、例えば、GaN、SiC、サファイア、Siが挙げられる。また、半導体層の導電形についても、n形、p形、半絶縁形のいずれでもよい。また、支持基板1と第1半導体層3とのあいだのバッファ層2についても、第1半導体層3を成長させる際の基体となればよく、例えば低温にて成長したAlN層や、AlGaN及びGaNを交互に積層した超格子構造でもよい。また、上記いずれの実施形態においても、第1半導体層3の材料としてアンドープのGaNを用いているが、第1半導体層3は、第1半導体層3の第2半導体層4側の界面に2次元電子ガスを発生させ、発生した2次元電子ガスをチャネルとして機能させることが主たる目的であるため、アンドープに限定されず、n形もしくはp形にドーピングされていてもよい。第1半導体層3は、GaNのほか、AlGaN、InAlN、InAlGaNなどの窒化物半導体でもよい。また、第1半導体層3は、単一の材料よりなる層である必要はなく、GaN及びAlGaNや、GaN及びp形GaNなどの複層構造でもよい。また、上記いずれの実施形態においても、第2半導体層4の材料としてアンドープのAlGaNを用いているが、第2半導体層4は、第1半導体層3の第2半導体層4側の界面に2次元電子ガスを発生させることが主たる機能であるため、アンドープに限定されず、n形もしくはp形にドーピングされていてもよい。第2半導体層4は、AlGaNのほか、InAlN、InAlGaNなどの窒化物半導体でもよく、第1半導体層3よりも禁制帯幅が広いという条件を満たせばよい。また、第2半導体層4は、単一の材料よりなる層である必要はなく、AlGaN、GaN及びAlGaNや、AlGaN及びAlNのような複層構造でもよい。さらに、上記の実施形態において、凹構造9として、第2半導体層4を貫通し、第1半導体層3を底部とするものを例示したが、第2半導体層4を底部とするものであってもよい。いずれの実施形態においても、ノーマリオフ素子として機能するのであれば、どちらの凹構造9を適用してもよい。また、上記いずれの実施形態においても、第1絶縁膜6の例として、SiO2を用いているが、AlOxやMgO、HfO2でも良く、Siデバイスで一般的なSiONやHfSiONなどの窒素を含有した酸化膜でもよい。また、第2絶縁膜5の例として、SiNxを用いているが、AlNやBNなどの高抵抗窒化物半導体でもよい。以上説明したように、実施形態に係る窒化物半導体装置及びその製造方法によれば、低オン抵抗、高耐圧及び高信頼性を達成することができる。なお、上記に実施形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施形態またはその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものもや、各実施の形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"