"二次元状に配置された複数の単位画素セルを備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であって、前記複数の単位画素セルのそれぞれは、半導体基板の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極と、前記半導体基板上に形成され、グローバルシャッタによって前記光電変換膜から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層とを備え、前記グローバルシャッタは前記複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜から信号電荷を転送することであり、前記画素電極は、遮光性を有する金属で形成される固体撮像装置。前記固体撮像装置は、さらに、隣接する画素電極の間隙の下方に当該間隙よりも大きい幅をもつ遮光性の金属層を備える請求項1に記載の固体撮像装置。前記画素電極の面積は、前記グローバル電荷蓄積拡散層よりも大きく、前記画素電極は、前記グローバル電荷蓄積拡散層の上方を覆う請求項1または2に記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、さらに、前記画素電極に接続されたコンタクトと、前記半導体基板に形成され、前記画素電極から前記コンタクトを介して転送される信号電荷を蓄積する電荷積分拡散層と、前記電荷積分拡散層からグローバル電荷蓄積拡散層に、グローバルシャッタ時に信号電荷を転送するためのグローバル転送ゲート電極とを備え、前記グローバル転送ゲート電極は、グローバル電荷蓄積拡散層の領域を覆い、前記グローバル電荷蓄積拡散層の信号電荷が維持される信号蓄積期間では、グローバル転送ゲート電極6に負電圧が印加される請求項1~3の何れか1項に記載の固体撮像装置。前記グローバル転送ゲート電極は、ポリシリコン層と、前記ポリシリコン層上に形成された金属層とを含む請求項4に記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、さらに、前記画素電極に接続されたコンタクトと、前記半導体基板に形成され、前記画素電極から前記コンタクトを介して転送される信号電荷を蓄積する電荷積分拡散層と、グローバルシャッタ時に、前記電荷積分拡散層からグローバル電荷蓄積拡散層に信号電荷を転送するためのグローバル転送ゲート電極とを備え、前記グローバル転送ゲート電極は、電荷積分拡散層とグローバル電荷蓄積拡散層間の上方に形成され、前記グローバル電荷蓄積拡散層の前記半導体基板表面側に、グローバル電荷蓄積拡散層とは逆の導電型のダイオードバリア層を備える請求項1~3の何れか1項に記載の固体撮像装置。前記電荷積分拡散層は、第1導電型であり、前記固体撮像装置は、さらに、前記電荷積分拡散層の前記半導体基板表面側に形成された、前記第1導電型とは逆の第2導電型の界面バリア層と、前記界面バリア層の表面に形成され、前記コンタクト電極14と接続される第1導電型の電荷収集拡散層とを備える請求項4に記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、さらに、前記コンタクトに接続された第1導電型の電荷収集拡散層と、前記半導体基板の表面で前記電荷収集拡散層に隣接する領域に形成され、信号電荷の転送経路となるチャネル拡散層と、前記半導体基板の表面で前記チャネル拡散層に隣接する領域に形成され、前記電荷収集拡散層からチャネル拡散層を介して転送された信号電荷を蓄積する第1導電型の電荷積分拡散層と、前記電荷収集拡散層の端部、前記チャネル拡散層、および、前記電荷積分拡散層の上方を覆うバリア電極とを備え、前記グローバル転送ゲート電極は、電荷積分拡散層の端部、および前記グローバル電荷蓄積拡散層の上方を覆い、前記光電変換膜の露光期間において、前記バリア電極に負電圧が印加される請求項4に記載の固体撮像装置。前記グローバル電荷蓄積拡散層および前記電荷積分拡散層は一体の領域として形成され、前記グローバル転送ゲート電極および前記バリア電極は一体の電極として形成される請求項8に記載の固体撮像装置。前記電荷積分拡散層は、第1導電型であり、前記固体撮像装置は、さらに、前記電荷積分拡散層の前記半導体基板表面側に形成された、前記第1導電型とは逆の第2導電型の界面バリア層と、前記界面バリア層の表面に形成され、前記コンタクト電極14と接続される第1導電型の電荷収集拡散層とを備える請求項6に記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、さらに、前記コンタクトに接続された第1導電型の電荷収集拡散層と、前記電荷収集拡散層から転送された信号電荷を蓄積する第1導電型の電荷積分拡散層と、前記電荷収集拡散層と前記電荷積分拡散層との間の上方に形成されたバリア電極と、前記電荷積分拡散層の前記半導体基板表面側に、前記電荷積分拡散層とは逆の導電型のダイオードバリア層とを備える請求項6に記載の固体撮像装置。前記グローバル電荷蓄積拡散層は、第1導電型であり、前記固体撮像装置は、さらに、前記画素電極に接続されたコンタクトと、前記グローバル電荷蓄積拡散層の前記半導体基板表面側に形成された、前記第1導電型とは逆の第2導電型の界面バリア層と、前記界面バリア層の表面に形成され、前記コンタクト電極14と接続される第1導電型の電荷収集拡散層とを備える請求項1に記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、さらに、前記画素電極に接続されたコンタクトと、前記コンタクトに接続された第1導電型の電荷収集拡散層と、前記電荷収集拡散層と前記グローバル電荷蓄積拡散層との間の上方に形成されたバリア電極と、前記グローバル電荷蓄積拡散層の前記半導体基板表面側に、前記グローバル電荷蓄積拡散層とは逆の導電型のダイオードバリア層とを備える請求項1に記載の固体撮像装置。請求項1~13の何れか1項に記載の固体撮像装置を備えるカメラ。特許文献1記載の従来技術のものを実際にカメラに応用すると、グローバル蓄積容量TSAが若干ではあるが入射光に反応し感度を持っている。すると、フォトダイオードPDAで光電変換された信号はグローバルシャッタが機能するが、グローバル蓄積容量TSAで光電変換された電荷はローリングシャッタ的な動作により検出される。すなわち、フォトダイオードPDAで検出されたグローバルシャッタ動作の信号に、グローバル蓄積容量TSAで検出されたローリングシャッタ的な雑音が重畳することになる。このローリングシャッタ的な雑音は、主に、入射光の一部がグローバル検出容量TSAにまで入り込むことにより発生する。また、グローバル検出容量TSAに生ずる暗電流もローリングシャッタ的な雑音になる。グローバル蓄積容量の感度がフォトダイオードの感度の1/100とすると、グローバルシャッタ信号の上にその1/100のローリングシャッタ的な雑音が重畳する。大きな雑音ではないように思われるが、グローバルシャッタの蓄積時間を短くしていると信号が少なくなるのでS/N比が劣化する。ローリングシャッタの蓄積時間は1フレームの信号を読み出す時間で決まる。その1フレームの時間の1/100のグローバルシャッタをかけると、グローバルシャッタの信号レベルとローリングシャッタ的な雑音レベルが同じになり、グローバルシャッタの効果がほとんどなくなるといっていい。グローバルシャッタはシャッタ時間が短いときに効果を発揮するので、グローバル蓄積容量感度起因のローリングシャッタ的雑音は大きな問題となる。グローバルシャッタのシャッタ時間が短くなる明るい動的被写体を撮像したときに問題となる。カメラを動かしながら明るい被写体を撮像した時にも問題となる。実際に必要なフォトダイオードとグローバル蓄積容量の光感度比は、デジタル一眼レフカメラ応用では10000000:1と言われている。インターライン型のCCDイメージセンサで、フォトダイオードとフォトダイオードに隣接する垂直転送CCDの光感度比は、放送用カメラ応用で約3000000:1であるので、それより約30倍厳しい値であり、フォトダイオードとグローバル蓄積容量を同じ半導体基板内部に形成する方法では実現が難しい。また、グローバル蓄積容量は、信号をセンサ外部に読み出すまでの長い時間電荷を蓄積するため、フォトダイオード並みの低暗電流構造が要求される。そこで、本発明は、ローリングシャッタ的雑音を低減した高性能なグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置およびカメラを提供することを目的とする。上記の課題を解決するため本発明の一形態における固体撮像装置は、二次元状に配置された複数の単位画素セルを備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であって、前記複数の単位画素セルのそれぞれは、半導体基板の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極と、前記半導体基板上に形成され、グローバルシャッタによって前記光電変換膜から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層とを備え、前記グローバルシャッタは前記複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜から信号電荷を転送することであり、前記画素電極は、遮光性を有する金属で形成される。この構成によれば、光電変換膜で吸収しきれない光を画素電極で遮光するので、グローバル電荷蓄積拡散層への光の入射を低減することによりグローバル電荷蓄積拡散層の光感度を小さくすることができる。これにより、ローリングシャッタ的雑音を低減し、高性能なグローバルシャッタ機能を実現することができる。ここで、前記固体撮像装置は、さらに、隣接する画素電極の間隙の下方に当該間隙よりも大きい幅をもつ遮光性の金属層を備える構成としてもよい。この構成によれば、光電変換膜で吸収しきれない光で画素電極同士の間隙を透過する光を金属層により遮光するので、グローバル電荷蓄積拡散層への光の入射をさらに低減することができる。ここで、前記画素電極の面積は、前記グローバル電荷蓄積拡散層よりも大きく、前記画素電極は、前記グローバル電荷蓄積拡散層の上方を覆うようにしてもよい。この構成によれば、光電変換膜で吸収しきれない光で画素電極同士の間隙を透過する光等がグローバル電荷蓄積拡散層に入射しにくくする。ここで、前記固体撮像装置は、さらに、前記画素電極に接続されたコンタクトと、前記半導体基板に形成され、前記画素電極から前記コンタクトを介して転送される信号電荷を蓄積する電荷積分拡散層と、前記電荷積分拡散層からグローバル電荷蓄積拡散層に、グローバルシャッタ時に信号電荷を転送するためのグローバル転送ゲート電極とを備え、前記グローバル転送ゲート電極は、グローバル電荷蓄積拡散層の領域を覆い、前記グローバル電荷蓄積拡散層の信号電荷が維持される信号蓄積期間では、グローバル転送ゲート電極6に負電圧が印加されるようにしてもよい。この構成によれば、グローバル転送ゲート電極に負電圧を印加することによって、グローバル電荷蓄積拡散層の界面で発生する暗電流が抑圧され劇的に暗電流が低減することができる。これにより、暗電流によるローリングシャッタ的雑音を低減することができる。ここで、前記グローバル転送ゲート電極は、ポリシリコン層と、前記ポリシリコン層上に形成された金属層とを含むようにしてもよい。この構成によれば、グローバル転送ゲート電極が金属層を含み、かつグローバル電荷蓄積拡散層の領域を覆うので、さらにグローバル電荷蓄積拡散層に入射する光を低減することができる。ここで、前記固体撮像装置は、さらに、前記画素電極に接続されたコンタクトと、前記半導体基板に形成され、前記画素電極から前記コンタクトを介して転送される信号電荷を蓄積する電荷積分拡散層と、グローバルシャッタ時に、前記電荷積分拡散層からグローバル電荷蓄積拡散層に信号電荷を転送するためのグローバル転送ゲート電極とを備え、前記グローバル転送ゲート電極は、電荷積分拡散層とグローバル電荷蓄積拡散層間の上方に形成され、前記グローバル電荷蓄積拡散層の前記半導体基板表面側に、グローバル電荷蓄積拡散層とは逆の導電型のダイオードバリア層を備えるとしてもよい。この構成によれば、グローバル電荷蓄積拡散層の半導体基板表面側に、グローバル電荷蓄積拡散層とは逆の導電型のダイオードバリア層を備えることによって、グローバル電荷蓄積拡散層の界面で発生する暗電流が抑圧され劇的に暗電流が低減することができる。これにより、暗電流によるローリングシャッタ的雑音を低減することができる。ここで、前記電荷積分拡散層は、第1導電型であり、前記固体撮像装置は、さらに、前記電荷積分拡散層の前記半導体基板表面側に形成された、前記第1導電型とは逆の第2導電型の界面バリア層と、前記界面バリア層の表面に形成され、前記コンタクト電極14と接続される第1導電型の電荷収集拡散層とを備えていてもよい。ここで、前記固体撮像装置は、さらに、前記コンタクトに接続された第1導電型の電荷収集拡散層と、前記半導体基板の表面で前記電荷収集拡散層に隣接する領域に形成され、信号電荷の転送経路となるチャネル拡散層と、前記半導体基板の表面で前記チャネル拡散層に隣接する領域に形成され、前記電荷収集拡散層からチャネル拡散層を介して転送された信号電荷を蓄積する第1導電型の電荷積分拡散層と、前記電荷収集拡散層の端部、前記チャネル拡散層、および、前記電荷積分拡散層の上方を覆うバリア電極とを備え、前記グローバル転送ゲート電極は、電荷積分拡散層の端部、および前記グローバル電荷蓄積拡散層の上方を覆い、前記光電変換膜の露光期間において、前記バリア電極に負電圧が印加されるとしてもよい。ここで、前記グローバル電荷蓄積拡散層および前記電荷積分拡散層は一体の領域として形成され、前記グローバル転送ゲート電極および前記バリア電極は一体の電極として形成されていてもよい。ここで、前記電荷積分拡散層は、第1導電型であり、前記固体撮像装置は、さらに、前記電荷積分拡散層の前記半導体基板表面側に形成された、前記第1導電型とは逆の第2導電型の界面バリア層と、前記界面バリア層の表面に形成され、前記コンタクト電極14と接続される第1導電型の電荷収集拡散層とを備える構成としてもよい。ここで、前記固体撮像装置は、さらに、前記コンタクトに接続された第1導電型の電荷収集拡散層と、前記電荷収集拡散層から転送された信号電荷を蓄積する第1導電型の電荷積分拡散層と、前記電荷収集拡散層と前記電荷積分拡散層との間の上方に形成されたバリア電極と、前記電荷積分拡散層の前記半導体基板表面側に、前記電荷積分拡散層とは逆の導電型のダイオードバリア層とを備える構成としてもよい。ここで、前記グローバル電荷蓄積拡散層は、第1導電型であり、前記固体撮像装置は、さらに、前記画素電極に接続されたコンタクトと、前記グローバル電荷蓄積拡散層の前記半導体基板表面側に形成された、前記第1導電型とは逆の第2導電型の界面バリア層と、前記界面バリア層の表面に形成され、前記コンタクト電極14と接続される第1導電型の電荷収集拡散層とを備える構成としてもよい。ここで、前記固体撮像装置は、さらに、前記画素電極に接続されたコンタクトと、前記コンタクトに接続された第1導電型の電荷収集拡散層と、前記電荷収集拡散層と前記グローバル電荷蓄積拡散層との間の上方に形成されたバリア電極と、前記グローバル電荷蓄積拡散層の前記半導体基板表面側に、前記グローバル電荷蓄積拡散層とは逆の導電型のダイオードバリア層とを備える構成としてもよい。また、上記課題を解決する本発明の一形態におけるカメラは、上記の固体撮像装置を備える。本発明によれば、グローバル電荷蓄積拡散層への光の入射を低減することによりグローバル電荷蓄積拡散層の光感度を小さくすることができる。これにより、ローリングシャッタ的雑音を低減し、高性能なグローバルシャッタ機能を実現することができる。また、光電変換膜で吸収しきれない光で画素電極同士の間隙を透過する光を金属層により遮光するので、グローバル電荷蓄積拡散層への光の入射をさらに低減することができる。さらに、光電変換膜で吸収しきれない光で画素電極同士の間隙を透過する光等がグローバル電荷蓄積拡散層に入射しにくくする。また、グローバル電荷蓄積拡散層の界面で発生する暗電流が抑圧され劇的に暗電流が低減することができる。これにより、暗電流によるローリングシャッタ的雑音を低減することができる。第1の実施形態図1に第1の実施形態の画素セルの断面図を示す。同図の固体撮像装置は、二次元状に配置された複数の単位画素セル23-1、23-2、23-3、23-4を備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置である。同図では便宜上4つの単位画素セルを示しているが、実際には多数存在する。また、4つの単位画素セル23-1、23-2、23-3、23-4を特に区別しない場合、単に単位画素セル23と記す。単位画素セル23は、半導体基板1の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜16と、光電変換膜16の半導体基板1側の面に形成された画素電極15と、半導体基板1上に形成され、グローバルシャッタによって光電変換膜16から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層7とを主に備える。グローバルシャッタは複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜16から信号電荷を転送することをいう。具体的には、P型ウェル2をもったN型の半導体基板1上に、光電変換された信号電荷を積分蓄積するN型の電荷収集拡散層3、P型の界面バリア層4およびN型の電荷積分拡散層5、グローバル転送ゲート電極6により電荷積分拡散層5から転送された信号電荷を一時蓄積するN型のグローバル電荷蓄積拡散層7、グローバル電荷蓄積拡散層7の信号電荷を画素アンプトランジスタ8のゲート電極と電気接合した浮遊拡散層9に転送するライン転送ゲート電極10、浮遊拡散層9から信号電荷を画素アンプトランジスタ8の電源と接続した電源拡散層11に排出するリセットゲート電極12からなる画素回路の上部に、バッファ絶縁膜13を貫通し電荷収集拡散層3と電気的接触を持ったコンタクト電極14介して画素電極15を設け、その上部に光電変換膜16、透明電極17を形成している。隣接画素の画素回路との間はSTI18ShallowTrenchIsolationで分離されている。電荷積分拡散層5の下部にはオーバーフロー経路19が設けられ、電荷積分拡散層5の電荷はオーバーフロードレインとなる前記半導体基板1に排出できる。また、上記の画素電極15は、遮光性を有する金属で形成される。遮光性をもたせるために画素電極15の膜厚は、500nm程度以上であることが望ましい。あるいは、画素電極15と他の金属配線層との膜厚を合わせて実質的に500nm程度以上であることがのぞましい。これにより、光電変換膜で吸収しきれない光を画素電極で遮光するので、グローバル電荷蓄積拡散層への光の入射を低減することによりグローバル電荷蓄積拡散層の光感度を小さくすることができる。これにより、ローリングシャッタ的雑音を低減し、高性能なグローバルシャッタ機能を実現することができる。さらに、隣接する画素電極25の間隙の下方に当該間隙よりも大きい幅をもつ遮光性の金属層21を備える。この構成によれば、光電変換膜で吸収しきれない光で画素電極同士の間隙を透過する光を金属層により遮光するので、グローバル電荷蓄積拡散層への光の入射をさらに低減することができる。また、画素電極15の面積は、グローバル電荷蓄積拡散層7よりも大きい。画素電極15は、グローバル電荷蓄積拡散層7の上方を覆うように形成されている。これによれば、光電変換膜で吸収しきれない光で画素電極同士の間隙を透過する光等がグローバル電荷蓄積拡散層に入射しにくくする。また、固体撮像装置は、さらに、画素電極15に接続されたコンタクト14と、半導体基板に形成され、画素電極15からコンタクト14を介して転送される信号電荷を蓄積する電荷積分拡散層5と、電荷積分拡散層5からグローバル電荷蓄積拡散層7に、グローバルシャッタ時に信号電荷を転送するためのグローバル転送ゲート電極6とを備えている。ここで、グローバル転送ゲート電極6は、グローバル電荷蓄積拡散層7の領域を覆い、グローバル電荷蓄積拡散層7の信号電荷が維持される信号蓄積期間では、グローバル転送ゲート電極6に負電圧が印加される。グローバル転送ゲート電極に負電圧を印加することによって、グローバル電荷蓄積拡散層の界面で発生する暗電流が抑圧され劇的に暗電流が低減することができる。これにより、暗電流によるローリングシャッタ的雑音を低減することができる。さらに、グローバル転送ゲート電極6は、ポリシリコン層と、前記ポリシリコン層上に形成された金属層とを含む構成になっている。この金属層は、例えば、Ti、Co、Ni等の少なくとも1つでよい。次に、動作原理を説明する。まず、半導体基板1に正の電圧パルスを印加し電荷積分拡散層5内部の電荷を完全に排出したのち元の電圧に戻す。このタイミングが電子シャッタを開いた状態で信号電荷の蓄積が開始される。図面の負電圧が印加された透明電極17の上部から入射した光は光電変換膜16で信号電荷電子に変換され、画素電極15、引き上げコンタクト電極14を通り電荷収集拡散層3に集められる。この信号電荷により電荷収集拡散層3は負電圧になり順バイアスされるため界面バリア層4を通り電荷積分拡散層5に蓄積される。次にグローバル転送ゲート電極6に正のパルス電圧を印加し、電荷積分拡散層5の信号電荷をグローバル電荷蓄積拡散層7に転送する。このタイミングが電子シャッタを閉じた時刻である。一定期間信号電荷はグローバル電荷蓄積拡散層内にとどまるが、この期間強い入射光により電荷積分拡散層5をあふれた電荷がグローバル電荷蓄積拡散層7に漏れこまないように、オーバーフロー経路19は過剰の電荷を半導体基板1に排出する機能も持っている。この後、ライン転送ゲート電極10をONし浮遊拡散層9に信号電荷を転送し電圧変換し画素アンプトランジスタで画素外部に読み出される。読み出しの終わった信号電荷はリセットゲート電極12をONし排出される。光電変換膜16に入射した光はここで光電変換されるがすべての光は吸収できない。この光の一部がグローバル電荷蓄積拡散層7に到達すると、前述したローリングシャッタ雑音となる。この光を10000000分の1に遮光する必要がある。まず画素電極15に遮光性の高い金属を用いる。さらにその下部にもちられる画素回路の金属配線22をグローバル電荷蓄積拡散層7上部に配する。画素回路の金属配線層は2層以上の多層構造であるので、上部から見た平面図でグローバル電荷蓄積拡散層7を完全に覆うことも有効である。また、隣接する画素の画素電極20との間の隙間の下にも画素間光シールド電極21を設ける。これは画素回路の金属配線と兼用してもいい。グローバル転送ゲート電極6にサリサイド電極を用いることも有効である。画素電極15の材料としては、Al、Cu、Ti、TiN、Ag、Au等が考えられる。画素間光シールド電極21、金属配線22の材料としてはAl、Cu等が考えられる。光電変換膜としては、セレン、アモルファスシリコン、GaAs等化合物半導体、有機光導電膜等の半導体が考えられる。特になだれ増倍により増感機能のあるアバランシェ増倍型の光電変換膜が有効である。グローバル電荷蓄積拡散層7には信号読み出しにかかる長い時間信号電荷が蓄積される。この部分の暗電流を下げることが非常に重要である。ここでは信号蓄積期間においてグローバル転送ゲート電極6にグローバル電荷蓄積拡散層7の半導体界面に正孔が蓄積される状態になるように負電圧を印加することが有効である。図1のグローバル電荷蓄積拡散層7の領域中の破線は、上記の負電圧の印加により半導体基板1表面から正孔が蓄積された状態を示している。こうすることにより半導体界面で発生する暗電流が抑圧され劇的に暗電流が下がる。界面に正孔層ができやすくなるようにグローバル電荷蓄積拡散層7の上部にp型不純物を導入することも有効である。図2にセンサチップの構成例を示す。ここでは単位画素セル23-1,2,3,4が行列2x2で配置されている。図1と同じ部分は説明を割愛する。ライン転送トランジスタ24およびリセットトランジスタ25のゲート電極はそれぞれ図1のライン転送ゲート電極10およびリセットゲート電極12に対応する。画素アンプトランジスタ26は図1の画素アンプトランジスタ8と同じものであり、一つの列にある画素を選択する選択トランジスタ27を介して垂直信号線37の一端にある負荷トランジスタ38との組み合わせでソースフォロア回路を構成し、垂直信号線37の他端にあるカラム信号処理部39に信号は読み出される。ここで雑音抑圧やAD変換等の信号処理をした後、列選択部41により列選択トランジスタ40-1を介して出力部42に順次読み出される。行列2次元状に配列された画素を列ごとに駆動するライン転送トランジスタ24、リセットトランジスタ25および選択トランジスタ27をそれぞれ動作するライン転送制御線28-1、リセット制御線29-1および行選択制御線30-1は行選択部31に接続されている。全画素を同時に駆動する半導体基板1およびグローバル転送ゲート電極6をそれぞれ動作する基板制御線33およびグローバル転送制御線34はグローバル制御部36に接続されている。透明電極17はここではDC動作するが、パルス動作することも考えられるので、透明電極制御線35もグローバル制御部36に接続する。センサチップ全体を制御するセンサ制御部43も搭載する。全体の動作を図3のタイミングチャートで示す。透明電極制御線35には負のDC電圧が印加される。時刻t1で、基板制御線33に正のパルスを印加し、電荷積分拡散層5内部の電荷をすべて半導体基板1に排出する。ここが電子シャッタを開けるタイミングである。この時点ではまだ一つ前のフレームの信号を読み出しており、一部のグローバル電荷蓄積拡散層7にはまだ前のフレームの信号電荷が蓄積されている。t1以降は光電変換膜16で光電変換された信号電荷は上述したように電荷積分拡散層5に蓄積されていく。前フレームの信号がすべて読み終わってすべての画素のグローバル電荷蓄積拡散層7がカラになった後、時刻t2でグローバル転送制御線34にパルスを印加しすべての画素の電荷積分拡散層5の信号電荷をグローバル電荷蓄積拡散層7に転送する。ここが電子シャッタを閉じるタイミングである。t1とt2の間が感度のある電子シャッタ時間である。この電子シャッタ時間は全部の画素で同じであり、グローバルシャッタの動作をしている。上述したようにグローバル電荷蓄積拡散層7の暗電流を小さくするためにグローバル転送ゲート電極6に印加するパルスの低レベルは負電圧が望ましい。ここから後の信号読み出し方法は従来のCMOSセンサの読み出し方法と同じである。簡単に説明すると、第1の行の行選択制御線30-1に選択パルスを印加し、第1行のみ読み出される状態にする。リセット制御線29-1にリセットパルスを印加し信号のない状態の雑音を読み出し、図2のカラム信号処理部39に蓄積する。ライン転送制御線28-1にライン転送パルスを印加し信号電荷を画素アンプトランジスタ26を通して信号をカラム信号処理部39に読み出し、すでに読み出している雑音との差分処理を行う。またAD変換を行うこともある。列選択トランジスタ40-1にパルスを印加し、単位画素セル23-1の信号を出力する。列選択トランジスタ40-2にパルスを印加し、単位画素セル23-2の信号を出力する。同様に第1列の信号も読み出す。グローバル電荷蓄積拡散層7の信号を順次読み出しているときに、電子シャッタを開き次のフレームの信号蓄積を開始することができる。この動作は動画撮影に適している。もちろん静止画撮影にも応用できる。第2の実施形態図4に第2の実施形態を示す。第1の実施形態と異なるところはグローバル電荷蓄積部の構造である。以下、同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。図4の固体撮像装置では、グローバル電荷蓄積拡散層7の上部にp型の埋め込みダイオードバリア層44を設けて暗電流を抑圧している。そのためグローバル転送ゲート電極6はグローバル電荷蓄積拡散層7の上部には不要である。第1の実施形態ではグローバル転送ゲート電極6に印加するパルスの低レベルは負電圧が望ましかったが、第2の実施形態ではその必要はない。電荷積分拡散層5からグローバル電荷蓄積拡散層7への電荷転送を完全に行うためにはグローバル電荷蓄積拡散層7の電位が電荷積分拡散層5の電位よりも高い必要がある。図4の固体撮像装置は、画素電極15に接続されたコンタクト14と、半導体基板1に形成され、画素電極15からコンタクトを介して転送される信号電荷を蓄積する電荷積分拡散層5と、グローバルシャッタ時に、電荷積分拡散層5からグローバル電荷蓄積拡散層7に信号電荷を転送するためのグローバル転送ゲート電極6とを備える。グローバル転送ゲート電極6は、電荷積分拡散層5とグローバル電荷蓄積拡散層7間の上方に形成される。グローバル電荷蓄積拡散層7の半導体基板表面側に、グローバル電荷蓄積拡散層7とは逆の導電型のダイオードバリア層44を備えている。また、固体撮像装置は、第1導電型ここではN型の電荷積分拡散層5の半導体基板表面側に形成された、第1導電型とは逆の第2導電型ここではP型の界面バリア層4と、界面バリア層4の表面に形成され、コンタクト電極14と接続される第1導電型の電荷収集拡散層3とを備える。このような構成により、グローバル電荷蓄積拡散層の半導体基板表面側に、グローバル電荷蓄積拡散層とは逆の導電型のダイオードバリア層を備えることによって、グローバル電荷蓄積拡散層の界面で発生する暗電流が抑圧され劇的に暗電流が低減することができる。これにより、暗電流によるローリングシャッタ的雑音を低減することができる。第3の実施形態図5に第3の実施形態を示す。第2の実施形態の電荷収集拡散層3を界面バリア層4の外に出した構成である。以下、同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。図5の固体撮像装置は、コンタクトに接続された第1導電型の電荷収集拡散層3と、電荷収集拡散層3から転送された信号電荷を蓄積する第1導電型の電荷積分拡散層5と、電荷収集拡散層3と電荷積分拡散層5との間の上方に形成されたバリア電極45と、電荷積分拡散層5の半導体基板表面側に、電荷積分拡散層5とは逆の導電型のダイオードバリア層4とを主に備える。これにより、隣接してバリア電極45を設け一定電圧を印加しその直下のP型ウェル2の上面界面にチャネルを作り電荷収集拡散層3に集められた電荷を電荷積分拡散層5に流れ込むようにする。第2に実施形態に比べ集積度は劣るが、界面バリア層4内部に電荷収集拡散層3を作る必要がなく製造工程は容易になる。第4の実施形態図6は第4の実施形態を示す。グローバル電荷蓄積拡散層7とその上部のグローバル転送ゲート電極からなるグローバル電荷蓄積部の構造は第1の実施形態と同じである。以下、同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。図6の固体撮像装置は、コンタクトに接続された第1導電型の電荷収集拡散層3と、半導体基板の表面で電荷収集拡散層3に隣接する領域に形成され、信号電荷の転送経路となるチャネル拡散層46と、半導体基板の表面でチャネル拡散層46に隣接する領域に形成され、電荷収集拡散層3からチャネル拡散層46を介して転送された信号電荷を蓄積する第1導電型の電荷積分拡散層5と、電荷収集拡散層3の端部、チャネル拡散層46、および、電荷積分拡散層5の上方を覆うバリア電極45とを備える。グローバル転送ゲート電極6は、電荷積分拡散層5の端部、およびグローバル電荷蓄積拡散層7の上方を覆っている。光電変換膜16の露光期間において、バリア電極45に負電圧が印加される。このように、界面バリア層4と同様に界面の暗電流を抑圧するために電荷積分拡散層5上部にバリア電極45を伸延し、電荷積分拡散層5上部の界面に正孔蓄積層ができるように一定の負電圧を印加する。負電圧を印加すると電荷収集拡散層3と電荷積分拡散層5の間のP型ウェル2の上面界面にチャネルができないので、チャネル形成用のチャネル拡散層46が必要となる。第5の実施形態上述の実施形態では透明電極17に一定電圧を印加した例を示してきたが、以下では、透明電極17をパルス駆動することによってグローバルシャッタを実現する。以下、同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。図7は図1に示すX-Y方向の電位図を示す。負電圧が印加された透明電極17により光検出状態になった光電変換膜16に外部より入射した光は電子と正孔を発生する。正孔は透明電極に吸収される。電子は信号電荷として画素電極15、コンタクト電極を通り電荷収集拡散層3に集められる。電荷収集拡散層3は負電圧にバイアスされるので界面バリア層4との間が順バイアスとなり界面バリア層4を乗り越え電荷積分拡散層5に到達しここで蓄積される。透明電極17に正電圧を印加すると、電子が透明電極17側に流れる。正孔は電荷収集拡散層3側に流れるが界面バリア層との間が逆バイアスとなるため、電荷積分拡散層側には何も影響を及ぼさない。こうすることにより電子シャッタを閉じる効果があることがわかる。この状態で強い光が入射しても電荷積分拡散層には電荷は流れないのでオーバーフロードレインの効果も有していることがわかる。以上の説明により、透明電極17をパルス駆動することにより、電子シャッタを閉じる機能のために必要であったグローバル電荷蓄積拡散層7が不要となる。また、オーバーフロードレインの構造も不要となる。図8は第5の実施形態で、図6の第4の実施形態から、グローバル電荷蓄積拡散層7とグローバル転送ゲート電極6を省いたものである。あるいは、別の見方をすれば、グローバル電荷蓄積拡散層7および電荷積分拡散層5は一体の領域として形成され、グローバル転送ゲート電極6およびバリア電極45は一体の電極として形成されたものである。またオーバーフロードレインの構造も不要なので、半導体基板47はP型基板でP型ウェル2は不要である。またオーバーフロー経路19も不要である。構造が非常に簡単になる。電荷積分拡散層5はグローバル電荷蓄積拡散層7と同様に高い遮光性が必要である。また暗電流も低く抑圧する必要がある。図9にセンサ構成を示す。図2でグローバル転送ゲート電極6に結線していたグローバル転送制御線34はバリア電極45に結線するが、一定電圧を印加するのでグローバル制御部36から制御する必要はない。基板制御線33も同様である。一方、後述するがライン転送トランジスタ24およびリセットトランジスタ25のゲート電極は全画素を同時に転送、リセットする必要があるので、ライン転送制御線28-1,28-2およびリセット制御線29-1,29-2はグローバル制御部36にも接続している。行選択部31に一部グローバル制御部36と同じ機能をもたせてもよい。図10にタイミングチャートを示す。バリア電極45に結線しているグローバル転送制御線34には一定電圧を印加する。光感度のないハイレベル電圧を印加していた透明電極制御線35を光感度のあるローレベルを印加する。次に全部の列のリセット制御線29-1,29-2および全部の列のライン転送制御線28-1,28-2にパルスを印加し電荷積分拡散層5内部の電荷をすべて排出しカラの状態にし、時刻t3に再びローレベルにする。このタイミングが電子シャッタを開いた時刻である。次に時刻t4に透明電極制御線35を光感度のないハイレベルにする。このタイミングが電子シャッタを閉じたタイミングである。t3とt4の間のみ光感度がある。しかる後、電荷積分拡散層5内部に蓄積された信号電荷を順次読み出している。これ以降は図3の説明と同じであるので割愛する。この動作が、図3の動作と大きく異なる点は、入射光を受け信号電荷を蓄積している間は信号の読み出しが行われないことである。この動画は静止画撮影には問題ないが、動画撮影では若干不利である。信号の読み期間の入射光の感度がないためである。信号蓄積、信号読み出しと繰り返せば動画も撮影可能ではある。しかし、グローバル電荷蓄積拡散層があるタイプのものに比べ構造、動作とも非常に簡単で低消費電力でコストダウンができる利点がある。第6の実施形態第6の実施形態を図11に示す。図1および図4から電荷積分拡散層5と界面バリア層4とオーバーフロードレイン機能を省いたものである。以下、同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。図11の固体撮像装置は、画素電極15に接続されたコンタクト14と、グローバル電荷蓄積拡散層7の半導体基板表面側に形成された、第1導電型とは逆の第2導電型の界面バリア層4と、界面バリア層4の表面に形成され、コンタクト電極14と接続される第1導電型の電荷収集拡散層3とを備える。この構成によっても、図10のように透明電極17をパルス駆動することによってグローバルシャッタを実現することができる。第7の実施形態第7の実施形態を図12に示す。図5から電荷積分拡散層5とオーバーフロードレイン機能を省いたものである。以下、同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。図11の固体撮像装置は、画素電極15に接続されたコンタクト14と、コンタクトに接続された第1導電型の電荷収集拡散層3と、電荷収集拡散層3とグローバル電荷蓄積拡散層7との間の上方に形成されたバリア電極45と、グローバル電荷蓄積拡散層7の半導体基板表面側に、グローバル電荷蓄積拡散層7とは逆の導電型のダイオードバリア層4とを備える。この構成によっても、図10のように透明電極17をパルス駆動することによってグローバルシャッタを実現することができる。図13に本発明の固体撮像装置を用いた撮像装置カメラの構成例を示す。同図の撮像装置100は、レンズ101、シャッタ102、固体撮像装置103、DSPDigitalSignalProcessor104、表示素子105、メモリ106、制御部107、電源部108を備える。シャッタ102は、備えていなくてもよい。固体撮像装置103は、第1~第7の実施形態の何れかで説明したものである。レンズ101を通して入射した光は固体撮像装置103で電気信号に変換されDSP104で画像処理されメモリに蓄積される。従来は制御部107からメカニカルなシャッタ102にシャッタの制御信号が出されていたが、本実施形態では電子シャッタ機能を持つ固体撮像装置103にシャッタ制御信号を与える。ほかに表示部105、電源部108を含んでカメラを構成する。"