半導体基板内に行列状に形成された複数のフォトダイオードと、前記半導体基板内における各列のフォトダイオードの間に形成された垂直転送領域と、前記半導体基板内における各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間に形成されたチャネルストップ領域と、を含む固体撮像装置において、各チャネルストップ領域は、不純物を含有し、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の中央よりも垂直転送領域寄りに不純物濃度の最大値をとり、前記不純物濃度の最大値の位置から各列のフォトダイオードに向かって前記不純物濃度が単調減少する固体撮像装置。前記不純物濃度の最大値は、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の距離を1としたとき、フォトダイオード側から0.6~0.9の範囲に位置する請求項1に記載の固体撮像装置。前記不純物濃度の最大値の位置から垂直転送領域に向かう前記不純物濃度の勾配が、前記不純物濃度の最大値の位置からフォトダイオードに向かう前記不純物濃度の勾配よりも大きい請求項1又は2に記載の固体撮像装置。前記不純物濃度の最大値は2E17~4E17/cm3である請求項1~3のうちのいずれか1項に記載の固体撮像装置。半導体基板内に行列状に形成された複数のフォトダイオードと、前記半導体基板内における各列のフォトダイオードの間に形成された垂直転送領域と、前記半導体基板内における各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間に形成されたチャネルストップ領域と、を備え、各チャネルストップ領域は、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の中央よりも垂直転送領域寄りにポテンシャルバリアの最大値をとり、前記ポテンシャルバリアの最大値の位置から各列のフォトダイオードに向かって前記ポテンシャルバリアが単調減少する固体撮像装置。前記ポテンシャルバリアの最大値は、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の距離を1としたとき、フォトダイオード側から0.6~0.9の範囲に位置する請求項5に記載の固体撮像装置。前記ポテンシャルバリアの最大値の位置から垂直転送領域に向かうポテンシャルの勾配が、前記ポテンシャルバリアの最大値の位置からフォトダイオードに向かうポテンシャルの勾配よりも大きい請求項5又は6に記載の固体撮像装置。前記半導体基板はn型半導体基板であり、各フォトダイオードはp型拡散層とn型拡散層とで形成され、各垂直転送領域はn型拡散層で形成され、各チャネルストップ領域はp型拡散層で形成されている請求項1~7のうちのいずれか1項に記載の固体撮像装置。半導体基板上に、チャネルストップ領域形成領域上を開口したマスクを形成する工程aと、前記開口部から前記半導体基板内に不純物イオンを注入して、前記チャネルストップ領域を形成する工程bと、前記半導体基板内に、前記チャネルストップ領域を挟むようにフォトダイオードと垂直転送領域を形成する工程cと、を含む固体撮像装置の製造方法において、前記工程bでは、前記不純物イオンを、前記半導体基板の厚み方向に対して前記垂直転送領域向きに5°~25°の角度だけ傾斜させて注入する固体撮像装置の製造方法。前記不純物イオンの注入は、加速エネルギーが5~20KeVと45~65KeVの2ステップ注入で行う請求項9に記載の固体撮像装置の製造方法。しかしながら、上記従来の固体撮像装置の構成を用いても、スミア低減の効果が不十分であることが判明した。従来のスミア防止用p型不純物拡散層には、不純物の濃度勾配が小さい領域ポテンシャルバリア頂上の平坦領域が存在する。不純物の濃度勾配が小さい領域では、電荷が等方的に拡散しやすく、一部がVCCD側に向かうことがある。そうすると、一部の電荷がVCCDに流入し、スミア現象が残留してしまうことがある。そこで、本発明は、上記課題に鑑みて、従来の固体撮像装置を凌ぐスミア低減効果のある固体撮像装置およびその製造方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明の固体撮像装置およびその製造方法は、スミア防止用p型不純物拡散層チャネルストップ領域の不純物の濃度分布が、フォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域VCCDとの間において、フォトダイオードとVCCDとの中央よりもVCCD寄りにその最大値を有しており、不純物濃度が最大値の位置からフォトダイオードにかけて不純物濃度が減少する範囲を、不純物濃度が最大値の位置からVCCDにかけて不純物濃度が減少する範囲よりも広くとることを特徴とする。具体的に、本発明の第1の固体撮像装置は、半導体基板内に行列状に形成された複数のフォトダイオードと、前記半導体基板内における各列のフォトダイオードの間に形成された垂直転送領域と、前記半導体基板内における各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間に形成されたチャネルストップ領域と、を含む固体撮像装置において、各チャネルストップ領域は、不純物を含有し、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の中央よりも垂直転送領域寄りに不純物濃度の最大値をとり、前記不純物濃度の最大値の位置から各列のフォトダイオードに向かって前記不純物濃度が単調減少する。また、本発明の第1の固体撮像装置において、前記不純物濃度の最大値は、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の距離を1としたとき、フォトダイオード側から0.6~0.9の範囲に位置する。また、本発明の第1の固体撮像装置において、前記不純物濃度の最大値の位置から垂直転送領域に向かう前記不純物濃度の勾配が、前記不純物濃度の最大値の位置からフォトダイオードに向かう前記不純物濃度の勾配よりも大きい。また、本発明の第1の固体撮像装置において、前記不純物濃度の最大値は2E17~4E17/cm3である。また、本発明の第2の固体撮像装置は、半導体基板内に行列状に形成された複数のフォトダイオードと、前記半導体基板内における各列のフォトダイオードの間に形成された垂直転送領域と、前記半導体基板内における各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間に形成されたチャネルストップ領域と、を備え、各チャネルストップ領域は、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の中央よりも垂直転送領域寄りにポテンシャルバリアの最大値をとり、前記ポテンシャルバリアの最大値の位置から各列のフォトダイオードに向かって前記ポテンシャルバリアが単調減少する。また、本発明の第2の固体撮像装置において、前記ポテンシャルバリアの最大値は、各列のフォトダイオードとそれに隣接する垂直転送領域との間の距離を1としたとき、フォトダイオード側から0.6~0.9の範囲に位置する。また、本発明の第2の固体撮像装置において、前記ポテンシャルバリアの最大値の位置から垂直転送領域に向かうポテンシャルの勾配が、前記ポテンシャルバリアの最大値の位置からフォトダイオードに向かうポテンシャルの勾配よりも大きい。また、本発明の第1および第2の固体撮像装置において、前記半導体基板はn型半導体基板であり、各フォトダイオードはp型拡散層とn型拡散層とで形成され、各垂直転送領域はn型拡散層で形成され、各チャネルストップ領域はp型拡散層で形成されている。また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板上に、チャネルストップ領域形成領域上を開口したマスクを形成する工程aと、前記開口部から前記半導体基板内に不純物イオンを注入して、前記チャネルストップ領域を形成する工程bと、前記半導体基板内に、前記チャネルストップ領域を挟むようにフォトダイオードと垂直転送領域を形成する工程cと、を含む固体撮像装置の製造方法において、前記工程bでは、前記不純物イオンを、前記半導体基板の厚み方向に対して前記垂直転送領域向きに5°~25°の角度だけ傾斜させて注入する。また、本発明の固体撮像装置の製造方法において、前記不純物イオンの注入は、加速エネルギーが5~15KeVと45~55KeVの2ステップ注入で行う。以上のように、本発明の固体撮像装置およびその製造方法によれば、フォトダイオードとこれに隣接する垂直転送領域VCCDとの間で発生した電荷を効率的にフォトダイオード側に流入させることができ、従来の固体撮像装置を凌ぐスミア低減効果を得ることができる。以下、本発明の固体撮像装置およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態の固体撮像装置における各構成のレイアウトを示す図である。フォトダイオード7が行列状に形成され、各列のフォトダイオード7の間に垂直転送領域9が1本ずつ形成されている。垂直転送領域9は、フォトダイオード7で発生した映像信号電荷を垂直方向に転送するものである。水平転送領域15は、垂直方向に転送された映像信号電荷を水平方向に転送するものである。増幅器16は、水平方向に転送された映像信号電荷を外部に出力するものである。図2は、本実施形態の固体撮像装置における画素部の水平方向の断面を示し、図1のx-x’に沿った断面図である。本実施形態では、フォトダイオード7と垂直転送領域99aとの間に、フォトダイオード7に蓄積された信号電荷を垂直転送領域99aに読み出すための読み出しチャネル13が形成されている。一方、フォトダイオード7と垂直転送領域99bとの間に、フォトダイオード7に蓄積された信号電荷が垂直転送領域99bに流入するのを防止するためのチャネルストップ領域5が形成されている。これ以外の構成は、図14と同様である。図3は、本実施形態の固体撮像装置におけるチャネルストップ領域5の不純物プロファイルを等高線で示したものであり、図2の破線で囲んだ領域に該当する。図中の数値は不純物濃度単位:/cm3を示し、ドナー濃度をプラスで表示し、アクセプタ濃度をマイナスで表示している。また、不純物濃度の最大値は例えば2E17~4E17/cm3であり、また、チャネルストップ領域5の幅、即ち、チャネルストップ領域5とフォトダイオード7との接合部からチャネルストップ領域5と垂直転送領域99bとの接合部までの距離a-a’は例えば0.12μmである。ただし、この寸法に限定するものではない。ここで、図3中の点Pは、半導体基板の表面から0.1μmの深さy-y’においてチャネルストップ領域5の不純物濃度が最大値となる位置である。フォトダイオード7と点Pとの間の距離P-aの方が、垂直転送領域99bと点Pとの間の距離P-a’よりも長い。即ち、不純物濃度が最大値となる位置は、フォトダイオード7と垂直転送領域99bとの中央よりも垂直転送領域99b寄りにある。そして、例えば、距離P-aと距離P-a’との比は6:4であり、距離a-a’を1とすると、距離P-aは0.6である。ただし、この比に限定するものではなく、距離a-a’を1としたとき、距離P-aが0.6~0.9の範囲であればよい。更に、点Pを含む1次元断面プロファイル図3のy-y’断面を図4に示す。ここで、a-a’間には不純物濃度が一定で平坦な部分が実質的に存在しない。即ち、不純物濃度が最大値となる位置からフォトダイオード7に向かって不純物濃度が単調に減少する。また、不純物濃度が最大となる位置から垂直転送領域99bに向かって不純物濃度が単調に減少する。不純物濃度の勾配を対比すると、P-a間における不純物濃度の勾配よりもP-a’間における不純物濃度の勾配の方が大きい。図5から図7に、本実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明するための工程断面図を示す。まず、図5aに示すように、n型半導体基板1の上部に低濃度p型拡散層2を形成し、低濃度p型拡散層2上にゲート絶縁膜3を形成する。さらに、ゲート絶縁膜3上にフォトレジスト4を形成し、フォトレジスト4をパターンニングして、後にチャネルストップ領域5となる領域を開口する。ここで、例えば、フォトレジスト4の膜厚は0.7μm、レジスト開口幅は0.2μmである。次に、p型不純物であるボロンをイオン注入する。ここで、イオン注入は、半導体基板の厚み方向に対して傾斜させる。このときの不純物のプロファイルを図5bに示す。ここで、フォトレジスト4の膜厚が0.7μm、レジスト開口幅が0.2μmの場合には、例えば、イオン注入は2ステップで行い、その際の加速エネルギーは10KeVおよび50KeVとし、注入角度は半導体基板の厚み方向に対して5~25°の角度をつければよい。ただし、加速エネルギーはこれに限らず、5~20KeVおよび45~65KeVであればよい。これにより、図5cに示すように、チャネルストップ領域5が形成される。次に、図6aに示すように、低濃度p型拡散層2へのイオン注入により、フォトダイオード7、垂直転送領域9、読み出しチャネル13を形成する。このとき、既にチャネルストップ領域5を角度注入で形成しているため、フォトダイオード7と垂直転送領域9とで挟まれた領域において、フォトダイオード7から遠い、すなわち、垂直転送領域9に近いところにチャネルストップ領域5の不純物濃度の最大値が位置することになる。次に、図6bに示すように、ポリシリコンゲート電極10を形成し、さらに、図6cに示すように、絶縁膜21を成膜する。次に、図7aに示すように、絶縁膜21を選択的にエッチングしてフォトダイオード7上を開口する。これにより、絶縁膜21はポリシリコンゲート電極10を覆う層間絶縁膜11となる。次に、図7bに示すように、例えばタングステン膜22を成膜する。次に、図7cに示すように、タングステン膜22を選択的にエッチングしてフォトダイオード7上を開口する。これにより、タングステン膜22はフォトダイオード7以外の領域に光が入らないように遮光する金属遮光膜12となる。本実施形態によれば、チャネルストップ領域5は、フォトダイオード7と垂直転送領域99bとの間において、フォトダイオード7側から6割以上離れた垂直転送領域99b寄りに不純物濃度の最大値をとる。そのため、不純物濃度が最大値の位置からフォトダイオード7にかけての不純物濃度が単調減少する領域が幅広く確保できる。したがって、フォトダイオード7と垂直転送領域9との間で発生した電荷が、フォトダイオード7に流入しやすくなり、従来の固体撮像装置を凌ぐスミア低減効果を得ることができる。図8は、従来の固体撮像装置におけるチャネルストップ領域の不純物プロファイルを等高線で示したものである。図9に、従来の固体撮像装置における1次元断面プロファイル図8のy-y’断面:破線と本実施形態の固体撮像装置における1次元断面プロファイル図3のy-y’断面:実線を示す。従来破線では、フォトダイオード7と垂直転送領域99bと間において不純物濃度が平坦な部分を有するのに対し、本実施形態実線では、フォトダイオード7と垂直転送領域99bと間において不純物濃度が平坦な部分を有しない。また、本実施形態では、フォトダイオード7と点Pとの間の距離P-aの方が、垂直転送領域99bと点Pとの間の距離P-a’より長く、フォトダイオード7へ効率的に電子が流入しやすいことがわかる。具体的な一例として、距離P-aと距離P-a’との比は6:4である。図10は、従来の固体撮像装置におけるチャネルストップ領域のポテンシャル分布を示し、図11は、本実施形態の固体撮像装置におけるチャネルストップ領域のポテンシャル分布を示す。図10中および図11中の数値は、静電ポテンシャル値単位:Vである。また、図10中および図11中の破線は、ポテンシャルバリアが最大となる分水嶺を示している。ここで、点P’はポテンシャルバリアの最大値を示す。図12は、図10に示す従来のポテンシャル分布と図11に示す本実施形態のポテンシャル分布の各y-y’断面図10:破線、図11:実線を示す。従来のポテンシャル破線に比べて本実施形態のポテンシャル実線のほうがポテンシャルバリアの最大値である分水嶺が垂直転送領域99b側に寄ったところにある。即ち、ポテンシャルバリアの最大値となる位置は、フォトダイオード7と垂直転送領域99bとの中央よりも垂直転送領域99b寄りにある。そして、例えば、フォトダイオード7と点P’との間の距離Aと垂直転送領域99bと点P’との間の距離Bとの比は6:4である。つまり、フォトダイオード7と垂直転送領域99bとの距離を1とすると、距離Aは0.6である。ただし、この比に限定するものではなく、距離Aが0.6~0.9の範囲であればよい。このように、ポテンシャルバリアの最大値となる位置が垂直転送領域99b寄りにあるため、フォトダイオード7と垂直転送領域99bと間に発生した電荷はフォトダイオード7に流入しやすくなり、効率的なスミアの低減を達成できる。図13は、チャネルストップ領域5におけるポテンシャルバリアが最大値となる位置を水平方向にシフトさせた際のスミア量の変動を示す。ここで、中央からの変位0nmとは、ポテンシャルバリアの最大値がフォトダイオード7と垂直転送領域99bとの中央の位置にある場合を示す。図13から明らかなように、例えば、ポテンシャルバリアが最大値となる位置を垂直転送領域99b側に20nmシフトさせると、スミア量は-1.0から-1.0121.5dB程度まで改善することがわかる。即ち、チャネルストップ領域5のポテンシャルバリアが最大値となる位置を垂直転送領域99b側に寄らせることで、スミアが低減することがわかる。なお、本実施形態において説明した半導体の導電型はそれに限定されるものではなく、各構成を逆導電型にしても同様に成立する。