"MEMSウエハに複数のチップ領域を画定し、各チップ領域内に固定部に連続する可動部を形成し、固定部に支持されたアンカからばね電極が突出する接続電極を複数個形成し、ウエハを厚さ方向に貫通する貫通導体と対向面上で該貫通電極に接続された引き出し電極とを複数組有するキャップウエハを準備し、キャップウエハの引き出し電極をMEMSウエハのばね電極に当接させ、キャップウエハとMEMSウエハとを結合する、MEMS電気部材の製造方法。前記キャップウエハと前記MEMSウエハとを結合する際、引き出し電極から接続電極に電流を流し、引き出し電極とばね電極を溶着する、請求項1記載のMEMS電気部材の製造方法。前記SOIウエハの前記アンカの1つから2つのばね電極が突出し、前記キャップウエハにおいては、前記2つのばね電極に対向して2つの引き出し電極が配置され、前記2つの引き出し電極間に電流を流して溶着を行なう、請求項2記載のMEMS電気部材の製造方法。前記接続電極形成の際、前記MEMSウエハの各チップ領域において、前記複数個の接続電極を取り囲むループ状の接地電極も形成する請求項1~3のいずれか1項に記載のMEMS電気部材の製造方法。前記MEMSウエハが支持Si基板上に活性Si層がボンディング酸化膜を介して結合されたSOIウエハであり、前記可動部が前記活性Si層のカンチレバー構造を含み、前記カンチレバー構造に可動接点が形成され、アンカの1つが、前記可動接点に対向するスイッチの固定接点に接続されている請求項1~4のいずれか1項に記載のMEMS電気部材の製造方法。MEMS構造と接続電極を有するMEMSウエハと引き出し電極と貫通導体を有するキャップウエハとをウエハレベルで結合し、接続電極と引き出し電極との間の電気的導通も確保しようとした時、予測できなかった新たな課題が生じた。ウエハ間の接続電極と引き出し電極間の接触不良が生じる。電気的導通が得られず、欠陥部材となり、歩留まりが低下する。1実施例によれば、MEMS電気部材の製造方法は、MEMSウエハに複数のチップ領域を画定し、各チップ領域内に固定部に連続する可動部を形成し、固定部に支持されたアンカからばね電極が突出する接続電極を複数個形成し、ウエハを厚さ方向に貫通する貫通導体と対向面上で該貫通電極に接続された引き出し電極とを複数組有するキャップウエハを準備し、キャップウエハの引き出し電極をMEMSウエハのばね電極に当接させ、キャップウエハとMEMSウエハとを結合する。引き出し電極から接続電極に電流を流し、引き出し電極とばね電極を溶着することが好ましい。ばね電極が電極位置のマージンを付与する。電気的導通が得られない確率が減少する。図2A-図2Dは、本発明者らが行った、MEMS構造のウエハレベルパッケージングの予備的試みを示す断面図および平面図である。図2Aに示すように、MEMSウエハ10に導電部を有する可動部12、接続電極14,16を、メッキ工程を用いて作成する。メッキ工程は、密着層、シード層をスパッタリングで形成し、メッキ領域を画定する開口部を有するレジストパターンを形成し、メッキ層を電解メッキする工程を含む。必要に応じて、電解メッキ工程は複数回行う。例えば、密着層はMo層又はCr層であり、シード層はAu層であり、メッキ層はAu層である。図2Dに示すように、ウエハWは、例えば行列状に配置された多数のチップ領域Cijを含む。図2Bに示すように、例えばSi基板に複数の貫通孔結果として貫通孔になるものを含むを形成し、露出したSi表面に酸化シリコン等の絶縁膜を形成した後、貫通孔内にTi/TiN等のバリアメタル層を形成し、W層を堆積し、不要部を化学機械研磨CMP等で除去して貫通導体23,24を形成し、貫通導体に接続される引き出し電極21,22,25,26を形成して、キャップウエハ20を作成する。キャップウエハ20の対向面上に、エポキシ樹脂をスクリーン印刷して、シール材28を形成する。図2Cに示すように、MEMSウエハ10のMEMS構造面上に、キャップウエハ20のシール材28を配置し、両ウエハを圧着した状態でアニール等を行い、シール材を硬化させて、封止構造を形成する。その後、ウエハから各チップ領域を分離し、MEMS電気部材を形成する。ところが、意図した電気的導通が取れていないチップが発生し、歩留まりが低下した。本発明者らは、原因を究明した。ウエハは6インチ‐12インチ等の広い面積を有する。1個から数個のマイクロスイッチを形成したチップは、高々mmオーダの寸法であり、その中に微細な構造を有する。多数のチップを含むウエハの各チップ領域に、微細立体構造のメッキ層を形成した時、ウエハW全体に亘って、均一な厚さを有するメッキ層を形成することは極めて困難である。ウエハW中心部から周辺部に向かって半径方向に沿って厚さ分布が生じ易く、またウエハ面内で場所的な厚さ分布が生じ易い。メッキ層の厚い部分同士が当接してしまうと、その近傍のメッキ層の薄い部分は離隔したままになり易い。個々のチップに分離した後パッケージングを行なえば、メッキ層の厚さの差は、チップ内のメッキ層の厚さの差のみである。ウエハレベルでパッケージングを行なう場合、ウエハレベルでのメッキ層の厚さの差が、対象になってしまう。厚さの差を吸収できないと、接触不良が生じやすい。図2Cでは、簡単化して、チップ内で接続電極16-引き出し電極22間は当接しているが、接続電極14-引き出し電極21間は非接触状態である状態を示したが、チップ間の不均一がより大きい。本発明者らは、ウエハレベルパッケージングを行なうMEMS構造にとって、電極高さのばらつきは止むを得ないものであり、バラツキを吸収する構造を導入すべきと考えた。MEMSウエハ上の接続電極を、基板上に固定された固定形状の構造とする代わりに、可動範囲を有するばね構造を含む構造とする。以下、図面を参照して説明する。図3Aに示すように、下部電極を形成したMEMSウエハ10上に、酸化シリコンの犠牲膜SACを堆積し、所望形状のリセスを形成する。MEMS基板10の下部電極に達するアンカ用開口が形成されている。MEMS基板の犠牲膜SAC表面にMo密着層とAuシード層をスパッタリングで積層し、下地層ULを形成する。下地層ULの上にスピン塗布などでレジスト層を形成し、露光現像して、上部電極用レジストパターンRPを形成する。下地層ULを電流供給層としてAuの電解メッキを行い、アンカ電極ANE,ばね電極SEを含む、Auメッキによる接続電極を形成する。図3Bに示すように、犠牲膜SACを希弗酸などで除去し、さらに、露出した下地層ULのMo密着層をエッチングで除去する。この時、ばね電極SEが上方に反る。Auシード層、Auメッキ層に応力が蓄積されていると考えられる。上方より、貫通導体TCに接続された引き出し電極LEを有するキャップウエハ20を降下し、引き出し電極LEをばね電極SEに当接させ、さらに押し込む。ばね電極SEが弾性変形して、押し込められる。弾性変形を生じさせることにより、引き出し電極LE、ばね電極SE間が確実に接触する。ここで、引き出し電極LEからばね電極SEに電流を流し、両電極間を機械的電気的に接続することが好ましい。スイッチ接点等の接続電極は、1つの配線のみに接続され、スイッチがオフ状態では電流を流せない構造であることが多い。このような構造でも、電流印加により電気的、機械的接続を形成可能とするために、接続配線を2本にすることが考えられる。図3Cに示すように、MEMSウエハ上の接続電極において、1つのアンカ電極ANEから2つのばね電極SE1,SE2を突出させる。各ばね電極の平面内寸法は、長さ100μm~500μm、例えば200μm、幅10μm~50μm、例えば30μm程度である。図3Dに示すように、1つのアンカ電極ANEに対する2つのばね電極SE1,SE2に合わせて、キャップウエハ上にも、2つの引き出し電極LE1,LE2を形成する。ばね電極SE1上に引き出し電極LE1を配置し、ばね電極SE2上に引き出し電極LE2を配置し、両ウエハ間に圧力を印加してばね電極SE1,SE2を押し込む。ハッチングを付したオーバラップ領域は、例えば30μm×30μm程度の領域である。安定状態まで押し込んで、引き出し電極LE1,LE2間に電圧を印加し、引き出し電極LE1⇒ばね電極SE1⇒アンカ電極ANE⇒ばね電極SE2⇒引き出し電極LE2のように電流を流し、引き出し電極LEとばね電極SEとの接触部を接続させる。例えば、300mA程度の電流を流す。溶着と呼ばれる現象が生じ、両電極間は機械的、電気的に強固に接続される。上方よりキャップウエハの引き出し電極が、MEMSウエハの接続電極を押し込むことにより、電極間がオープン状態になる事故を有効に回避できる。さらに、1つのアンカから2つのばね電極を突出させ、1対の引き出し電極と接触させ、1対の引き出し電極間に溶着電流を流し、接続電極と引き出し電極間を溶着することにより、安定な電気的、機械的接続が得られる。以下、より具体的実施例によるMEMSマイクロスイッチを説明する。図4Aは、MEMSウエハの1チップ分を示す平面図である。図4Aにおいて、スリット141はSOIウエハ10の活性Si層にカンチレバー形状の可動部を画定する。図4Bに示すように、SOIウエハは、支持Si基板6上にボンディング酸化膜8を介して活性Si層4が配置された構成である。接続部を除いて可動部の周囲に活性Si層4を貫通するスリット141を形成し、可動部の下のボンディング酸化膜8を希弗酸などで除去すれば、可動部の変位が可能になる。スリット141のエッチングに先立ち、カンチレバー領域に活性Si層4を貫通する貫通孔を一定ピッチで形成し、カンチレバー領域下のボンディング酸化膜8をサイドエッチして除去する。厚さ50nmのMo密着層と厚さ500nmのAuシード層をスパッタリングし、パターニングしてスイッチ用可動電極131、静電駆動用可動電極133の下層部、スイッチ領域を取り囲むループ状接地電極136の下層部を含む下部電極を形成する。下部電極形成後、可動部を画定するスリット141をエッチングする。電極を取り囲むスリット142を形成してもよい。スリット141,142の幅は例えば2μmである。例えば、カンチレバー可動部の長さは数百μm、幅は数十~数百μm程度である。図3Aを参照して説明したように、酸化シリコン等の犠牲層を堆積し、所望形状にパターニングし、密着層、シード層を含む下地層を形成し、レジストパターンを形成し、Au層を電解メッキする。電解メッキは、必要に応じて複数回行い、静電駆動用可動電極133根元の上層部、ループ状接地電極136の上層部、スイッチ用固定電極132、静電駆動用固定電極134、これらの電極側面から上方に突出する偶数個のばね電極SEを含む上部電極を形成する。メッキ工程後、レジストパターンを除去し、犠牲層、密着層を除去する。図4Bは、カンチレバー領域と交差する静電駆動用固定電極134に沿う断面図である。スリット141がカンチレバーCLの可動部を画定し、ブリッジ状の静電駆動用固定電極134がカンチレバーCL上方でカンチレバーCLと交差して両側の固定部に支持されている。図4Cは、ばね電極SEの断面を示す。アンカ電極ANEに支持され、側方に突出するばね電極SEが上方に反っている。立体的電極構造の高さは、例えば反りがない状態で10μm~50μm程度である。反り量はばね電極の長さ等によって調整できる。例えば、1μm~10μm程度にできる。図5は、キャップウエハ20の1チップ領域を示す平面図である。図4Aに示す各ばね電極SEに対応して、引き出し電極が形成されている。接地電極136のばね電極に対向して2対の接地引き出し電極GND1-GND2,GND3-GND4が形成され、スイッチ用固定電極132のばね電極に対向して、入力用引き出し電極IN1-IN2,出力用引き出し電極OUT1-OUT2が形成され、静電駆動用固定電極134のばね電極に対向して、駆動用引き出し電極DR1-DR2が形成され、静電駆動用可動電極133のばね電極に対向して、駆動用引き出し電極DR3-DR4が形成されている。引き出し電極の周囲を囲むようにエポキシ樹脂のシール材SLが塗布されている。図6は、MEMSウエハ10のMEMS構造面上に、キャップウエハのシール層を形成した面を対向させ、押し当ててシール材SLを硬化させる状態を示す。各引き出し電極が対応するばね電極に当接していることが判る。この状態で、各引き出し電極対間GND1-GND2,GND3-GND4、IN1-IN2,OUT1-OUT2、DR1-DR2、DR3-DR4に溶着電流を流し、溶着を行なう。以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、Auに換え、Au合金を用いることもできる。密着層として、Moの代わりにCrを用いることもできる。シール材はエポキシ樹脂に限らない。電極と接触しないようにメッキ形成したAu-Sn膜等を用いることもできる。カンチレバーの形状は短辺が固定部に接続された長方形に限らない。長方形の短辺に沿って2本の可撓性ビームFBが形成されたもの等を用いることもできる。スイッチの代わりに静電駆動構造同様の電極対を形成し、下側可動電極表面を覆って絶縁膜を形成し、上方にブリッジ状固定電極を形成して可変容量を形成してもよい。その他、例示した材料、数値は、制限的意味を有さない。種々の変形、置換、改良、組み合わせ等が可能なことは、当業者に自明であろう。"