低摩擦特性を発現する元素添加DLCの予測を支援する予測支援装置であって、DLC表面モデル、添加元素、及び、表面に吸着する分子を入力する入力手段と、前記DLC表面モデル内の一部に前記添加元素を導入した状態について、前記所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行うことによって、前記添加元素が添加された元素添加DLCの初期構造を決定する初期構造決定手段と、前記初期構造からなる元素添加DLC及び前記分子が存在する状態を始状態とし、前記分子が前記初期構造からなる元素添加DLCに吸着した状態を終状態とし、前記終状態のエネルギーと前記始状態のエネルギーとの差である第1指標値を算出する第1指標値算出手段と、を具備することを特徴とする予測支援装置。前記終状態について、前記所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行い、前記終状態における分極の度合を示す第2指標値を算出する第2指標値算出手段、を更に具備することを特徴とする請求項1に記載の予測支援装置。前記第1指標値が、前記始状態よりも前記終状態の方が安定であることを示す場合には、前記添加元素が添加された元素添加DLCが低摩擦特性を発現する可能性が高いと判定する第1判定手段、を更に具備することを特徴とする請求項1に記載の予測支援装置。前記分子について、前記所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行い、前記分子の分極の度合を示す第3指標値を算出する第3指標値算出手段と、前記第1指標値が、前記始状態よりも前記終状態の方が安定であることを示し、かつ、前記第2指標値が、前記第3指標値よりも分極の度合が進んでいることを示す場合には、前記添加元素が添加された元素添加DLCが低摩擦特性を発現する可能性が高いと判定する第2判定手段と、を更に具備することを特徴とする請求項2に記載の予測支援装置。前記初期構造決定手段は、前記添加元素を導入するサイト及び前記分子を吸着させるサイトの組合せを計算パターンとして予め複数定義しておき、前記計算パターンごとに表面吸着分子の安定エネルギーを算出し、前記安定エネルギーが最小となる前記計算パターンに係る構造を前記初期構造として決定することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の予測支援装置。前記入力手段は、前記添加元素を複数入力し、前記初期構造決定手段は、前記DLC表面モデル内の一部に複数の前記添加元素を導入した状態について、前記所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行うことによって、複数の前記添加元素が添加された複合系元素添加DLCの初期構造を決定し、前記第1指標値算出手段は、前記初期構造からなる複合系元素添加DLC及び前記分子が存在する状態を始状態とし、前記分子が前記初期構造からなる複合系元素添加DLCに吸着した状態を終状態とし、前記終状態のエネルギーと前記始状態のエネルギーとの差である第1指標値を算出することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の予測支援装置。前記入力手段は、更に、前記添加元素の添加量を入力し、前記初期構造決定手段は、前記添加量に応じて、前記DLC表面モデル内の一部に導入する前記添加元素の量を変更することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の予測支援装置。コンピュータによって、低摩擦特性を発現する元素添加DLCの予測を支援する予測支援方法であって、DLC表面モデル、添加元素、及び、表面に吸着する分子を入力するステップと、前記DLC表面モデル内の一部に前記添加元素を導入した状態について、前記所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行うことによって、前記添加元素が添加された元素添加DLCの初期構造を決定するステップと、前記初期構造からなる元素添加DLC及び前記分子が存在する状態を始状態とし、前記分子が前記初期構造からなる元素添加DLCに吸着した状態を終状態とし、前記終状態のエネルギーと前記始状態のエネルギーとの差である第1指標値を算出するステップと、を含むことを特徴とする予測支援方法。コンピュータに、DLC表面モデル、添加元素、及び、表面に吸着する分子を入力するステップと、前記DLC表面モデル内の一部に前記添加元素を導入した状態について、前記所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行うことによって、前記添加元素が添加された元素添加DLCの初期構造を決定するステップと、前記初期構造からなる元素添加DLC及び前記分子が存在する状態を始状態とし、前記分子が前記初期構造からなる元素添加DLCに吸着した状態を終状態とし、前記終状態のエネルギーと前記始状態のエネルギーとの差である第1指標値を算出するステップと、を実行させる為のプログラム。しかしながら、DLCに対して摩擦を低減するために有効な添加元素を予測する方法は知られていない。低摩擦を発現する特定の元素が添加されたDLC以下、元素添加DLCという。の探索は、従来であれば、実験による試行錯誤が必要であり、膨大な実験コストが必要である。その為、全ての有効組成が特定されている訳ではない。本発明は、前述した問題点に鑑みてなされたもので、その目的とすることは、低摩擦特性を発現するか否かを判断する為の指標値を算出し、低摩擦特性を発現する元素添加DLCの予測を支援する予測支援装置等を提供することである。前述した目的を達成するために第1の発明は、低摩擦特性を発現する元素添加DLCの予測を支援する予測支援装置であって、DLC表面モデル、添加元素、及び、表面に吸着する分子を入力する入力手段と、前記DLC表面モデル内の一部に前記添加元素を導入した状態について、前記所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行うことによって、前記添加元素が添加された元素添加DLCの初期構造を決定する初期構造決定手段と、前記初期構造からなる元素添加DLC及び前記分子が存在する状態を始状態とし、前記分子が前記初期構造からなる元素添加DLCに吸着した状態を終状態とし、前記終状態のエネルギーと前記始状態のエネルギーとの差である第1指標値を算出する第1指標値算出手段と、を具備することを特徴とする予測支援装置である。第1の発明により、低摩擦特性を発現するか否かを判断する為の指標値を算出し、低摩擦特性を発現する元素添加DLCの予測を支援することができる。第1の発明は、前記終状態について、前記所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行い、前記終状態における分極の度合を示す第2指標値を算出する第2指標値算出手段、を更に具備することが望ましい。これによって、更なる指標値を算出することができ、ひいては、低摩擦特性を発現する可能性を高精度に予測することができる。また、第1の発明は、例えば、前記第1指標値が、前記始状態よりも前記終状態の方が安定であることを示す場合には、前記添加元素が添加された元素添加DLCが低摩擦特性を発現する可能性が高いと判定する第1判定手段、を更に具備する。これによって、低摩擦特性を発現する元素添加DLCの予測結果を出力することができる。また、第1の発明は、例えば、前記分子について、前記所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行い、前記分子の分極の度合を示す第3指標値を算出する第3指標値算出手段と、前記第1指標値が、前記始状態よりも前記終状態の方が安定であることを示し、かつ、前記第2指標値が、前記第3指標値よりも分極の度合が進んでいることを示す場合には、前記添加元素が添加された元素添加DLCが低摩擦特性を発現する可能性が高いと判定する第2判定手段と、を更に具備する。これによって、低摩擦特性を発現する元素添加DLCの予測結果を精度良く出力することができる。また、第1の発明における前記初期構造決定手段は、前記添加元素を導入するサイト及び前記分子を吸着させるサイトの組合せを計算パターンとして予め複数定義しておき、前記計算パターンごとに表面吸着分子の安定エネルギーを算出し、前記安定エネルギーが最小となる前記計算パターンに係る構造を前記初期構造として決定することが望ましい。これによって、元素添加DLCの初期構造を精度良く決定することができる。また、第1の発明における前記入力手段は、前記添加元素を複数入力し、前記初期構造決定手段は、前記DLC表面モデル内の一部に複数の前記添加元素を導入した状態について、前記所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行うことによって、複数の前記添加元素が添加された複合系元素添加DLCの初期構造を決定し、前記第1指標値算出手段は、前記初期構造からなる複合系元素添加DLC及び前記分子が存在する状態を始状態とし、前記分子が前記初期構造からなる複合系元素添加DLCに吸着した状態を終状態とし、前記終状態のエネルギーと前記始状態のエネルギーとの差である第1指標値を算出するものであっても良い。これによって、数種類の添加元素を添加する複合系元素添加DLCについても、低摩擦予測が可能となる。また、第1の発明における前記入力手段は、更に、前記添加元素の添加量を入力し、前記初期構造決定手段は、前記添加量に応じて、前記DLC表面モデル内の一部に導入する前記添加元素の量を変更するものであっても良い。これによって、添加量の入力値を変更してそれぞれの計算結果を確認することにより、添加量の多寡によって低摩擦特性に影響が無いということを予測することが可能となる。第2の発明は、コンピュータによって、低摩擦特性を発現する元素添加DLCの予測を支援する予測支援方法であって、DLC表面モデル、添加元素、及び、表面に吸着する分子を入力するステップと、前記DLC表面モデル内の一部に前記添加元素を導入した状態について、前記所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行うことによって、前記添加元素が添加された元素添加DLCの初期構造を決定するステップと、前記初期構造からなる元素添加DLC及び前記分子が存在する状態を始状態とし、前記分子が前記初期構造からなる元素添加DLCに吸着した状態を終状態とし、前記終状態のエネルギーと前記始状態のエネルギーとの差である第1指標値を算出するステップと、を含むことを特徴とする予測支援方法である。第2の発明により、低摩擦特性を発現するか否かを判断する為の指標値を算出し、低摩擦特性を発現する元素添加DLCの予測を支援することができる。第3の発明は、コンピュータに、DLC表面モデル、添加元素、及び、表面に吸着する分子を入力するステップと、前記DLC表面モデル内の一部に前記添加元素を導入した状態について、前記所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行うことによって、前記添加元素が添加された元素添加DLCの初期構造を決定するステップと、前記初期構造からなる元素添加DLC及び前記分子が存在する状態を始状態とし、前記分子が前記初期構造からなる元素添加DLCに吸着した状態を終状態とし、前記終状態のエネルギーと前記始状態のエネルギーとの差である第1指標値を算出するステップと、を実行させる為のプログラムである。第3の発明によって、第1の発明における予測支援装置を得ることができる。また、第3の発明によって、第2の発明における予測支援方法を実行することができる。本発明により、低摩擦特性を発現するか否かを判断する為の指標値を算出し、低摩擦特性を発現する元素添加DLCの予測を支援する予測支援装置等を提供することができる。特に、本発明により、実験に頼ることなく低摩擦特性を発現する元素添加DLCを予測することができるので、コストを抑えて、低摩擦特性を発現する新規のDLCを開発することができる。以下図面に基づいて、本発明の実施形態を詳細に説明する。図1は、予測支援装置1を実現するコンピュータのハードウエア構成図である。尚、図1のハードウエア構成は一例であり、用途、目的に応じて様々な構成を採ることが可能である。予測支援装置1は、制御部11、記憶部12、メディア入出力部13、通信制御部14、入力部15、表示部16、周辺機器I/F部17等が、バス18を介して接続される。制御部11は、CPUCentralProcessingUnit、ROMReadOnlyMemory、RAMRandomAccessMemory等で構成される。CPUは、記憶部12、ROM、記録媒体等に格納されるプログラムをRAM上のワークメモリ領域に呼び出して実行し、バス18を介して接続された各装置を駆動制御し、予測支援装置1が行う後述する処理を実現する。ROMは、不揮発性メモリであり、コンピュータのブートプログラムやBIOS等のプログラム、データ等を恒久的に保持している。RAMは、揮発性メモリであり、記憶部12、ROM、記録媒体等からロードしたプログラム、データ等を一時的に保持するとともに、制御部11が各種処理を行う為に使用するワークエリアを備える。記憶部12は、HDDハードディスクドライブであり、制御部11が実行するプログラム、プログラム実行に必要なデータ、OSオペレーティングシステム等が格納される。プログラムに関しては、OSオペレーティングシステムに相当する制御プログラムや、後述する処理をコンピュータに実行させるためのアプリケーションプログラムが格納されている。これらの各プログラムコードは、制御部11により必要に応じて読み出されてRAMに移され、CPUに読み出されて各種の手段として実行される。メディア入出力部13ドライブ装置は、データの入出力を行い、例えば、CDドライブ-ROM、-R、-RW等、DVDドライブ-ROM、-R、-RW等等のメディア入出力装置を有する。通信制御部14は、通信制御装置、通信ポート等を有し、コンピュータとネットワーク間の通信を媒介する通信インタフェースであり、ネットワークを介して、他のコンピュータ間との通信制御を行う。ネットワークは、有線、無線を問わない。入力部15は、データの入力を行い、例えば、キーボード、マウス等のポインティングデバイス、テンキー等の入力装置を有する。入力部15を介して、コンピュータに対して、操作指示、動作指示、データ入力等を行うことができる。表示部16は、液晶パネル等のディスプレイ装置、ディスプレイ装置と連携してコンピュータのビデオ機能を実現するための論理回路等ビデオアダプタ等を有する。周辺機器I/Fインタフェース部17は、コンピュータに周辺機器を接続させるためのポートであり、周辺機器I/F部17を介してコンピュータは周辺機器とのデータの送受信を行う。周辺機器I/F部17は、USBやIEEE1394やRS-232C等で構成されており、通常複数の周辺機器I/Fを有する。周辺機器との接続形態は有線、無線を問わない。バス18は、各装置間の制御信号、データ信号等の授受を媒介する経路である。次に、予測支援装置1の処理内容について説明する。予測支援装置1は、低摩擦特性を発現する元素添加DLCの予測を行う、又は、予測を支援する装置である。例えば、シリコン含有ダイヤモンドライクカーボンDLC-Siは、優れた低摩擦特性、密着性を有している。DLC-Siの低摩擦特性は、摺動時においてDLC-Si表面のシラノール基Si-OHが生成し、そこを基点として形成された数nmの吸着水が固体間の接触を防ぐ境界膜として作用するためであることが分かっている。この知見は、以下の文献1~文献5において詳細に記載されている。文献1KOguriandTAraiJMaterRes71313文献2HMoriandHTachikawaSurfCoatTechnol149225文献3HMorietalSAE2007011015文献4NKatoetalPhysStatSol51117文献5HWashizuetalJPhysConfSer89012009予測支援装置1は、前述の知見に基づき、添加元素XをDLC膜内へ導入したモデルにより電子状態計算を行い、X-OHのエネルギー安定性や電子状態について解析を行うことによって、低摩擦特性を発現する為の添加元素Xを予測し、ひいては低摩擦のDLC-Xを予測する。図2は、予測支援装置1の処理の流れを示すフローチャートである。図2に示すように、予測支援装置1の入力部15等を介して、DLC表面モデル、添加元素、及び、表面に吸着する分子などが指定されると、予測支援装置1の制御部11は、指定されたDLC表面モデル、添加元素、添加量、及び、表面に吸着する分子を入力するステップS1。以下、単に分子と記載したときは、分子がDLC表面に吸着している状態か否かについて特に示していないものとする。一方、表面吸着分子と記載したときは、分子がDLC表面に吸着している状態を示すものとする。DLC表面モデルとは、DLCの表面構造の近似モデルである。DLCは、炭素のsp3結合とsp2結合が混在したアモルファス構造である。構造の詳細が明らかにされていないため、DLC自体の構造を直接計算に組み込むことはできない。そこで、本発明では、近似モデルとしてDLC表面モデルを導入することにする。DLC表面モデルの具体例としては、例えば、表面にsp3結合とsp2結合が共存したダイヤモンド表面のモデルであるPandey表面モデルなどが挙げられる。Pandey表面モデルについては、以下の文献6において詳細に記載されている。文献6KCPandeyPhysRevB254338本発明に対するPandey表面モデルの適用例は、実施例として後述する。尚、本発明に適用可能なDLC表面モデルは、Pandey表面モデルに限定されるわけではなく、様々な既知のモデルを適用することが可能である。添加元素は、DLCに添加する元素である。本発明に適用可能な添加元素は、特に制限はない。また、ステップS1において入力される添加元素は、1種類に限らず、複数種類であっても良い。添加量は、DLCに添加する添加元素の量である。添加量の多寡によって低摩擦特性に影響があることは考えにくいが、影響が無いことを実験によって証明することは多大なコストがかかる。本発明によれば、添加量の入力値を変更してそれぞれの計算結果を確認することにより、添加量の多寡によって低摩擦特性に影響が無いということを予測することが可能となる。DLC表面に吸着する分子としては、水H2OやアルコールR-OHなどが挙げられる。DLCは、優れた摩擦摩耗特性トライボロジー特性を有し、自動車部品などの様々な機械部品のコーティング膜として用いられることが多い。例えば、表面吸着分子として水を指定する場合、特に、大気中無潤滑及び無添加油中において大気中には水分を含む。、低摩擦特性を発現する元素添加DLCを予測することが可能となる。また、例えば、表面吸着分子として特定のアルコールを指定する場合、特定のアルコールが存在する場合において、低摩擦特性を発現する元素添加DLCを予測することが可能となる。次に、制御部11は、ステップS1において入力されたDLC表面モデル内の一部に、ステップS1において入力された添加元素を導入した状態について、所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行い、元素添加DLCの初期構造を決定するステップS2。ここで、制御部11は、ステップS1において入力された添加量に応じて、DLC表面モデル内の一部に導入する添加元素の量を変更する。また、制御部11は、ステップS1において添加元素が複数入力された場合、DLC表面モデル内の一部に複数の添加元素を導入した状態について、所定の計算条件に基づいて電子状態計算を行うことによって、複数の添加元素が添加された複合系元素添加DLCの初期構造を決定する。電子状態計算とは、結晶、表面、クラスターなどの系の電子状態電子構造を求める計算のことである。計算手法としては、第1原理バンド計算、分子軌道法、密度汎関数法DensityFunctionalTheory:DFT、Hartree-Fock法などが挙げられる。第1原理バンド計算は、実験結果に依らず第1原理、系の電子状態を求める計算バンド計算である。分子軌道法は、分子系の電子の状態に対するシュレティンガー方程式を近似的に解く方法である。密度汎関数法は、3次元空間座標の関数として定義される電子密度が与えられれば系のエネルギーが確定するという定理に基づき、系のエネルギー電子の運動エネルギー、クーロンエネルギー、交換エネルギー、相関エネルギーの和を求める手法である。電子密度は空間座標の関数であり、各エネルギー項は更に電子密度の関数であることから、エネルギーは電子密度の汎関数関数の関数となる。Hartree-Fock法は、全電子波動関数を個々の電子の分子軌道から構築したSlater行列式により近似する手法である。本発明では、電子状態計算を実現するプログラムとして、従来公知のものを利用することが可能である。電子状態計算を実現するプログラムとしては、例えば、密度汎関数法に基づいた電子状態計算プログラムであるTAPPなどが挙げられる。元素添加DLCの初期構造とは、入力された添加元素XをDLCに導入した状態、すなわちDLC-Xの表面モデルの安定初期表面を意味する。制御部11は、例えば、添加元素を導入するサイト及び分子を吸着させるサイトの組合せを計算パターンとして予め記憶部12に複数記憶させておき、計算パターンごとに表面吸着分子表面に吸着した状態の分子の安定エネルギーを算出し、安定エネルギーが最小となる計算パターンに係る構造を初期構造として決定する。これによって、元素添加DLCの初期構造を精度良く決定することができる。尚、サイトは、DLC表面モデルにおける特定の位置を意味する。次に、制御部11は、ステップS2において決定された元素添加DLCの初期構造に基づいて、低摩擦特性を発現するか否かを判断する為の指標値を算出するステップS3。制御部11は、指標値を算出する為に、初期構造からなる元素添加DLC及び前記分子が存在する状態を始状態、分子が初期構造からなる元素添加DLCに吸着した状態を終状態として定義する。また、制御部11は、ステップS1において添加元素が複数入力された場合、初期構造の複合系元素添加DLC及び分子が存在する状態を始状態、分子が前記初期構造の複合系元素添加DLCに吸着した状態を終状態として定義する。始状態から終状態への起こり得る反応として全ての添加元素に共通する仮定は、添加元素をXとしたときに、終状態ではX-OHが生成されること、及び、X-OHに分子が吸着することである。この仮定は、DLC-Siの低摩擦特性が、摺動時においてDLC-Si表面のシラノール基Si-OHが生成し、そこを基点として形成された数nmの吸着水が固体間の接触を防ぐ境界膜として作用するという知見に基づくものである。尚、始状態及び終状態ともに、複数の状態が想定される場合には、想定される状態の中で最もエネルギーが安定となる状態を採用することが望ましい。制御部11は、指標値として、以下の3つを算出する。1第1指標値:終状態のエネルギーと始状態のエネルギーとの差2第2指標値:終状態における分極の度合3第3指標値:分子の分極の度合各指標値の算出処理については、実施例として後述する。次に、制御部11は、ステップS3において算出された指標値に基づいて、低摩擦特性を発現するか否か判定するステップS4。例えば、制御部11は、第1指標値が、始状態よりも終状態の方が安定であることを示す場合には、添加元素が添加された元素添加DLCが低摩擦特性を発現する可能性が高いと判定する。第1指標値は、X-OHXは添加元素の生成のし易さを表すと考えられるから、指標値として最も重要である。そこで、制御部11は、第1指標値だけを用いて低摩擦特性を発現する可能性を判定しても良い。また、例えば、制御部11は、第1指標値が、始状態よりも終状態の方が安定であることを示し、かつ、第2指標値が、第3指標値よりも分極の度合が進んでいることを示す場合には、添加元素が添加された元素添加DLCが低摩擦特性を発現する可能性が高いと判定する。第2指標値は、X-OHXは添加元素が分子を引き付ける強さを表すと考えられるから、第1指標値による判定を更に補強する指標値であると言える。ここで、分極の度合は、電子状態計算における計算条件によって、値が変動する可能性がある。そこで、制御部11は、表面に吸着していない状態での分子の分極の度合を第3指標値として算出し、第2指標値の絶対評価ではなく、第2指標値と第3指標値との相対評価によって判定する。制御部11が、第1指標値の絶対評価、及び、第3指標値に対する第2指標値の相対評価を行うことによって、低摩擦特性を発現する可能性を高精度に判定することができる。次に、制御部11は、ステップS4において低摩擦と判定した場合ステップS4の低摩擦、計算対象の元素添加DLCが低摩擦特性を発現する旨を表示部16等に出力するステップS5。一方、制御部11は、ステップS4において低摩擦でないと判定した場合ステップS4の低摩擦でない、計算対象の元素添加DLCが低摩擦特性を発現しない旨を表示部16等に出力するステップS6。以上の処理を行うことによって、予測支援装置1は、低摩擦特性を発現する元素添加DLCの予測結果を出力することができる。尚、制御部11は、ステップS4~S6に代えて、ステップS3において算出された指標値を表示部16等に出力するようにしても良い。そして、ユーザが、出力された指標値に基づいて、低摩擦特性を発現するか否か予測するようにしても良い。これによって、予測支援装置1は、ユーザによる予測を支援することができる。以下では、図3~図6を参照しながら、本発明の実施例と、実施例の検証結果について説明する。図3は、ダイヤモンドPandey表面構造ユニットセルと周期的に拡張した表面を示す図である。図4は、添加元素Xを導入したダイヤモンドPandey表面の平面図である。図5は、元素添加DLCの始状態と終状態の模式図である。図6は、3C-X-OHの模式図と水分子の分極を示す図である。本実施例では、ステップS1における入力データは、以下の通りとした。1DLC表面モデル:Pandey表面モデル2添加元素X:Bホウ素、C炭素、Siシリコン、Tiチタンのいずれか1つ3添加量:DLC表面モデル内の表面に位置する1個のC炭素を添加元素Xに置換4分子:H2O水分子4種類の添加元素Xを1つずつ計算することから、本実施例では、図2に示すフローチャートを4回実行したことになる。尚、X=C炭素は、添加元素を導入していない場合である。また、本実施例では、密度汎関数法に基づいた電子状態計算プログラムであるTAPP12907文献8SBhargavaetalSolidStateCommun902025従って、Pandey表面モデルを用いることによってDLCの表面を模擬できると期待される。ユニットセルは、ダイヤモンド2×2Pandey表面とした。固体内部原子層は、12層によって構成されるものを用い、そのユニットセルに周期的境界条件を適用した。制御部11は、ステップS2の処理として、DLC表面モデル内の表面に位置する1個のC炭素を、添加元素Xに置換した。また、実際のDLCはH水素を含有している為、制御部11は、DLC表面モデル内の表面にH水素を1つ吸着させた。制御部11は、このようなDLC表面モデルの表面を、添加元素Xが添加された元素添加DLC以下、DLC-Xと記載する。の初期構造とした。そして、制御部11は、ステップS3の処理として、X-OHのエネルギー安定性第1指標値や分極第2指標値及び第3指標値を計算した。最初に、図4を参照しながら、ステップS2の処理について詳細に説明する。ステップS2では、DLC-Xの安定初期表面を探索する。尚、図4における1~6の丸数字に相当する文字コードは、電子出願では利用できない為、以下では、便宜上、<1>~<6>と表記する。図4では、添加元素Xを導入したダイヤモンドPandey表面モデルの平面図を示している。左図と右図は、それぞれsp2サイト、sp3サイトに添加元素Xを導入したものを示している。点線は、ユニットセルの境界を示している。<1>~<6>は、吸着サイトを示している。図4に示すように、制御部11は、Xをpandey表面モデルのsp2サイト又はsp3サイトに導入した。また、制御部11は、H水素をサイト<1>~<6>に吸着させた。すなわち、本実施例では、添加元素を導入するサイト及び分子を吸着させるサイトの組合せは、6通りである。前述した通り、制御部11は、例えば、添加元素を導入するサイト及び分子を吸着させるサイトの組合せを、計算パターンとして予め記憶部12に記憶させておく。表1にHの安定エネルギーEadを示す。表1は、添加元素Xを導入したダイヤモンドPandey表面モデルにH水素を吸着させた時の安定エネルギーを示している。<1>~<6>は、図4において示されるサイトにHを吸着させた表面を示している。制御部11は、Hの安定エネルギーEadを、Ead=EH吸着、X導入のPandey表面モデル-EX導入のPandey表面モデル-EH2/2によって計算した。表1を見ると、添加元素Xがsp2サイトに導入された計算パターン表1の<1>~<3>は、添加元素Xがsp3サイトに導入された計算パターン表1の<4>~<6>よりも安定、又はほぼ同等の安定性を持っていることが分かる。これは、添加元素Xがsp2サイトに安定化できることを示している。特に、X=Bホウ素では、Xが表面sp2サイトに多く存在し、X=Siシリコン、Tiチタンでは、表面sp2サイトと表面sp3サイトに混在すると推察される。次に、図5を参照しながら、ステップS3の第1指標値の算出処理について詳細に説明する。ステップS3の第1指標値の算出処理では、ステップS2において決定されたDLC-Xの初期構造を用いて、X-OHエネルギー安定性を検討する。尚、図5における1、2、1’、2’の丸数字に相当する文字コードは、電子出願では利用できない為、以下では、便宜上、<1>、<2>、<1’>、<2’>と表記する。図5では、DLC-Xの始状態と、X-OH吸着した終状態を模式的に示している。また、<1>、<2>は、図4の<1>、<2>と対応する。X-OHの生成は、大気中や油中に存在する水分子の反応によりもたらされる。そこで、表面に最も露出している表面sp2サイトに添加元素Xが導入されている時に、水分子と反応してX-OHが生成すると仮定した。具体的な反応経路の特定は困難であるため、熱エネルギーによって反応バリアは超えられると仮定し、始状態と終状態のエネルギー差によって吸着OH安定性を考えることにした。制御部11は、始状態として表1の<1>~<3>の中で最もエネルギーが安定な表面を採用した。X=C炭素、Siシリコンの場合、始状態<1>が最もエネルギーが安定であった。また、制御部11は、図5に示すように、起こりうる反応として、式1を仮定した。一方、X=Bホウ素、Tiチタンの場合、始状態<2>が最もエネルギーが安定であった。また、制御部11は、図5に示すように、起こりうる反応として、式2、3を仮定した。制御部11は、それぞれの場合について、始状態と終状態のエネルギー差を計算した。計算結果を表2に示す。表2では、始状態から終状態へのエネルギー差を示している。マイナスは終状態のエネルギーが下がる事を意味する。表2を見ると、X=Bホウ素、Siシリコン、Tiチタンの場合、X-OHの形成はエネルギーが安定化する方向になると言える。一方、X=C炭素は、C-OHの形成によりエネルギーが不安定化する為、C-OHの形成は困難であると言える。次に、図6を参照しながら、ステップS3の第2指標値及び第3指標値の算出処理について詳細に説明する。ステップS3の第2指標値及び第3指標値の算出処理では、OHが吸着したDLC-Xの分極の度合を算出する。図6aでは、3C-X-OHを模式的に示している。図6bでは、水分子の分極の度合を示している。制御部11は、全てのXに対して終状態<1’>の電子状態計算を行い、原子ごとの正味の電荷、つまりマリケンチャージを導出した。O、H、およびXとそれに配位する3つの炭素を含んだもののマリケンチャージの結果を表3に示す。また、参照値として、水分子のマリケンチャージを図6bに示す。表3は、DLC-XにOHが吸着した表面の分極の度合を示している。表3、図6bを見ると、X=Siシリコン、TiチタンのOH分極の度合は、水分子のものとほぼ同じ状態となる。一方、その他のXにおけるOH分極は水分子よりも小さくなる。この結果から、X-OHの分極が水分子と同等となるX=Siシリコン、Tiチタンにおいて、水分子の水素結合ネットワークが表面近傍で形成されやすくなり、水分子境界膜生成が促進されると推察される。次に、ステップ4の判定処理について詳細に説明する。ステップ4の判定処理では、指標値X-OHのエネルギー安定性と分極の度合の考察による低摩擦予測を行う。低摩擦予測の結果を表4に示す。表4は、X-OH安定性による評価第1指標値の絶対評価、分極の度合による評価第3指標値に対する第2指標値の相対評価、並びに、X-OH安定性及び分極の度合を考慮した低摩擦予測を示している。また、検証結果として、リングオンブロック摩擦試験の結果を示している。XOH安定性は、XOHによりエネルギーが安定化しないものを×、エネルギー安定性が変わらないものを△、エネルギーが0.5eV程度安定化するものを○、エネルギーが1.0eV度かそれ以上安定化するものに◎を付した。分極は、0のマリケンチャージが-0.6e程度のものを△、-0.7e程度のものを○、-0.8e程度水分子の分極と同等以上のものに◎を付した。本実施例では、制御部11は、低摩擦予測の評価を、第1指標値の絶対評価、及び、第3指標値に対する第2指標値の相対評価とした。表4には、低摩擦予測の評価結果として、低摩擦が発現し易い順から、◎>○>×の3段階評価を示した。尚、X-OHの安定性はX-OHの生成のし易さを表し、分極はX-OHが水を引きつける強さを表すと考えられるので、低摩擦予測の評価には、X-OHの安定性を高く反映させた。また、実施例の検証結果として、リングオンブロック摩擦試験の結果も表4に示す。荷重は130N、すべり速度0.3m/s、潤滑油は80°Cの無添加鉱油中で行われた。DLC-SiはプラズマCVD法、その他のDLC-Xはスパッタ法で作製された。表4を見ると、本実施例における予測支援装置1の低摩擦予測の結果と、リングオンブロック摩擦試験の結果は、傾向が一致することが分かる。すなわち、予測支援装置1は、低摩擦特性を発現する元素添加DLCの予測を精度良く行うことができると言える。以上、本実施例では、低摩擦特性を発現するDLC-Xを探索するため、X=Bホウ素、C炭素、Siシリコン、Tiチタンの計算を行った。この計算により、低摩擦特性の序列は、Siシリコン、Tiチタン>Bホウ素>C炭素と予測された。この予測結果は、実験結果の低摩擦序列と良い一致を示した。これにより、予測支援装置1は、低摩擦特性を発現する元素添加DLCを精度良く予測することができると言える。本発明は、DLC表面モデルのユニットセルを拡張することによって、前述したように、添加量を変更したり、複合添加系に適用したりすることも可能である。例えば、予測支援装置1は、添加量に応じて、ユニットセル内に添加するXの数を変更すれば良い。また、例えば、予測支援装置1は、複合添加系の場合、ユニットセル内に、複数の添加元素X1、X2、を導入した状態について電子状態計算を行い、複合系添加元素DLCの初期構造を決定する。そして、予測支援装置1は、初期構造の複合系元素添加DLC及び分子が存在する状態を始状態、分子が前記初期構造の複合系元素添加DLCに吸着した状態を終状態として定義し、指標値の計算を行えば良い。本発明によって、未知なる添加元素X、及び、数種類の添加元素X1、X2、を導入したDLCの低摩擦予測が可能となる。以上、添付図面を参照しながら、本発明に係る予測支援装置等の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、本願で開示した技術的思想の範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。