"第1主面と第2主面を有するガラス基体にシリコンが埋め込まれてなるシリコン埋込ガラス基板であって、前記ガラス基体は、互いに異なる線膨張係数を有する第1ガラス層と第2ガラス層とを含んでなり、第1ガラス層の表面が前記第1主面を構成し、第2ガラス層の表面が前記第2主面を構成することを特徴とするシリコン埋込ガラス基板。複数の請求項1記載のシリコン埋込ガラス基板が積層されてなるシリコン埋込ガラス多層基板であって、隣接するシリコン埋込ガラス基板間において前記シリコンが接続されてなるシリコン配線を含むシリコン埋込ガラス多層基板。隣接する前記シリコン埋込ガラス基板間において、ガラス基体間が陽極接合された請求項2に記載のシリコン埋込ガラス多層基板。請求項2又は3に記載のシリコン埋込ガラス多層基板を含む半導体装置。静電式加速度センサを含む請求項4に記載の半導体装置。シリコン基板の一主面に、凸部を形成する凸部形成工程と、前記シリコン基板の一主面上に、互いに線膨張係数が異なる第1ガラス基板と第2ガラス基板とを含む複数のガラス基板を重ねて載置するガラス基板積層工程と、前記複数のガラス基板に熱を加えて軟化させ、軟化したガラスで前記凸部間を埋め込んでシリコン基板の一主面に、凸部の高さを超える高さにガラスを埋め込むガラス埋込工程と、前記埋め込んだガラスのうち少なくとも前記凸部を覆う余剰ガラスと前記凸部の少なくとも一部を残して前記シリコン基板を除去する基板化工程と、を含むシリコン埋込ガラス基板の製造方法。前記ガラス埋込工程を減圧して行う請求項6記載のシリコン埋込ガラス基板の製造方法。請求項6又は7に記載のシリコン埋込ガラス基板の製造方法によって作製された複数のシリコン埋込ガラス基板をさらに積層することを含むシリコン埋込ガラス多層基板の製造方法。しかしながら、従来のシリコン埋込ガラス基板の作製方法では、突起部が挿入されたガラス板を冷却する際に反りが発生し、埋め込まれたシリコンの位置精度が悪くなるという課題があった。そこで、本発明は、高い位置精度でシリコンが埋め込まれ、かつ反りの小さいシリコン埋込ガラス基板とその製造方法を提供することを第1の目的とする。また、本発明は、高い位置精度でシリコン配線が形成され、かつ反りの小さいシリコン埋込ガラス多層基板とその製造方法を提供することを第2の目的とする。さらに、本発明は、気密性の高い小型の半導体装置を提供することを第3の目的とする。以上の目的を達成するために、本発明に係るシリコン埋込ガラス基板は、第1主面と第2主面を有するガラス基体にシリコンが埋め込まれてなるシリコン埋込ガラス基板であって、前記ガラス基体は、互いに異なる線膨張係数を有する第1ガラス層と第2ガラス層とを含んでなり、第1ガラス層の表面が前記第1主面を構成し、第2ガラス層の表面が前記第2主面を構成することを特徴とする。本発明のある形態では、複数の前記シリコン埋込ガラス基板が積層されてなるシリコン埋込ガラス多層基板であって、隣接するシリコン埋込ガラス基板間において前記シリコンが接続されてなるシリコン配線を含む。本発明のある形態では、隣接する前記シリコン埋込ガラス基板間において、ガラス基体間が陽極接合されている。本発明のある形態は、前記シリコン埋込ガラス多層基板を含む。本発明のある形態では、静電式加速度センサを含む。本発明に係るシリコン埋込ガラス基板の製造方法は、シリコン基板の一主面に、凸部を形成する凸部形成工程と、前記シリコン基板の一主面上に、互いに線膨張係数が異なる第1ガラス基板と第2ガラス基板とを含む複数のガラス基板を重ねて載置するガラス基板積層工程と、前記複数のガラス基板に熱を加えて軟化させ、軟化したガラスで前記凸部間を埋め込んでシリコン基板の一主面に、凸部の高さを超える高さにガラスを埋め込むガラス埋込工程と、前記埋め込んだガラスのうち少なくとも前記凸部を覆う余剰ガラスと前記凸部の少なくとも一部を残して前記シリコン基板を除去する基板化工程と、を含む。本発明のある形態では、前記ガラス埋込工程を減圧して行う。本発明のある形態では、前記シリコン埋込ガラス基板の製造方法によって作製された複数のシリコン埋込ガラス基板をさらに積層することを含む。以上の本発明によれば、高い位置精度でシリコンが埋め込まれ、かつ反りの小さいシリコン埋込ガラス基板とその製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、高い位置精度でシリコン配線が形成され、かつ反りの小さいシリコン埋込ガラス多層基板とその製造方法を提供することができる。さらに、本発明は、気密性の高い小型の半導体装置を提供することができる。以下、図面を参照しながら、本発明に係る実施形態について説明する。実施形態1.本発明に係る実施形態1は、シリコン埋込ガラス基板の製造方法に係るものである。以下、図1a~図1eを参照して、実施形態1のシリコン埋込ガラス基板の製造方法について説明する。<シリコン基板準備工程>先ず、単結晶シリコンから成る平板状のシリコン基板1を用意する。なお、シリコン基板1の全体に、p型或いはn型の不純物が添加され、シリコン基板1の電気抵抗は十分に小さい。ここでは、シリコン基板1の全体に不純物を添加する場合を説明するが、シリコン基板1全体に添加されていなくても構わない。少なくとも、シリコン配線2として残す部分の深さまで不純物が添加されていればよい。次に、図1aに示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、シリコン基板1の一方の主面において、凸部2を形成すべき領域にレジスト膜5を形成する。そして、レジスト膜5をエッチングマスクとして、TMAH水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液をエッチャントとするウェットエッチングや反応性イオンエッチングRIEなどのドライエッチングを行う。以上のようにして、シリコン基板1の一方の主面において、レジスト膜5が形成されていない領域を選択的に除去して、シリコン基板1の一方の主面に凸部2を形成する図1b。<ガラス基板積層接合工程>第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bとを準備する。本実施形態1では、ガラスをシリコン基板1の一方の主面の凸部2間に埋め込んで硬化させる際に生じるそりを抑制するために第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bとを含む複数のガラス基板を用いるものである。したがって、第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bの材質や厚さは、詳細後述するように、埋め込み後の冷却工程で効果的に反りが抑えられるように設定される。ここでは、第1ガラス基板4aは、例えば、シリコン埋込ガラス基板における主要部ガラス基体を構成するのに適したガラスからなる。これに対して、第2ガラス基板4bは、例えば、第1ガラス基板4aに比較して、線膨張係数がシリコン基板1に近いガラスからなる。以上のように準備した第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bは、以下のように積層される。図1cに示すように、シリコン基板1の一方の主面上に、第1ガラス基板4aを一方の主面が凸部の上面に接するように載置し、その第1ガラス基板4aの上に第2ガラス基板4bを載置する。また、第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4b間も、例えば、陽極接合、表面活性化結合、樹脂接着などの方法により接合することが好ましい。第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4b間の接合は、シリコン基板1の上に、第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bとを載置した後に、シリコン基板1の凸部2の上面と第1ガラス基板4aとを接合する際に同時に接合することができる。また、あらかじめ第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bとを接合して、その第1ガラス基板4aが凸部の上面に接するようにシリコン基板1上に載置して、シリコン基板1の凸部2の上面と第1ガラス基板4aとを接合するようにしてもよい。<ガラス埋込工程>次に、例えば、真空条件下で、第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bとに熱を加えて軟化させて、図1dに示すように、第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bを凸部2の周囲に埋め込んで、シリコン基板1と第1ガラス基板4a及び第2ガラス基板4bとを一体化させる。具体的には、例えば、平坦な板状の加熱加圧治具で第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bとが積層されたシリコン基板1を挟み、第1ガラス基板4a及び第2ガラス基板4bの屈伏点よりも高い温度で第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bとを軟化させる。尚、第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bとを軟化させる温度はシリコンの融点よりも低い温度に設定される。そして、加熱した状態で、加熱加圧治具により加圧して、第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bを凸部2の周囲に埋め込む。このガラス埋込工程では、図1dに示すように、凸部2の周囲に第2ガラス基板4bの少なくとも一部が埋め込まれ、かつ第2ガラス基板4bの表面が凸部の上面を超える高さになるようにガラスを埋め込む。言い替えれば、凸部2の周囲に第1ガラス基板4aを介して第2ガラス基板4bが埋め込まれ、かつ第2ガラス基板4bの表面が凸部の上面を超える高さになるように第1ガラス基板4aの厚さと第2ガラス基板4bの厚さは設定される。なお、このガラス埋込工程において、軟化した第1と第2ガラス基板4a,4bをシリコン基板1の凸部2の周囲に埋め込むために、ガラスの自重による力で十分である場合、プレス加圧処理を行わなくてもよい。例えば、第1と第2ガラス基板の温度を高くすることにより、第1と第2ガラス基板の粘性を低下させて、埋め込むようにしてもよい。<冷却工程>凸部2の周囲に、第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bとを埋め込んだ後、シリコン基板と埋め込まれたガラスを冷却する。本実施形態1の製造方法では、上述したように請託された第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bを用いているので、この冷却時における基板の反りが抑制される。<基板化工程>1.ガラス除去冷却後、まず、第2ガラス基板4bのうち、凸部2を覆う余剰ガラスを、露出した凸部2の表面が周りのガラス基体表面と平坦面を形成するように除去する。具体的には、ダイヤモンド砥石を用いた研削、化学機械研磨CMP等の研磨、或いはRIEなどのドライエッチングやHFによるウェットエッチングなどの方法を用いて、第2ガラス基板4bを均一に削り取る。尚、ここでは、研削した後、化学機械研磨CMPするなど、複数の方法を併用してもよい。また、このガラス除去は、後述のシリコン基板除去の後に実施してもよい。2.シリコン基板除去最後に、シリコン基板1のうち、凸部2を残し、他の部分を除去する。具体的には、研削、研磨、ドライエッチングやウェットエッチングなどの方法を用いて、シリコン基板1を均一に削り取る。シリコン基板1を均一に削り取る処理を、図1eに示すように、第1ガラス基板4aが表出するまで実施する。以上のようにして、両主面に凸部2の両端部が露出したシリコン埋込ガラス基板が製造される。以上の工程により作製されるシリコン埋込ガラス基板は、ガラス基体4が互いに異なる線膨張係数を有する第1ガラス層4aと第2ガラス層4bとからなる。そして、シリコン埋込ガラス基板において、例えば、第1ガラス層4aの表面図面における下面が一方の主面を構成し、第2ガラス層4bの表面が他方の主面を構成する。<第1ガラス基板4a及び第2ガラス基板4bの選定>以下、埋め込み後の冷却工程で効果的に反りを抑制するために組合す第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bについて説明する。例えば、第1ガラス基板4aとして、陽極酸化に適したNaを含むホウ珪酸ガラス線膨張係数3.3×10-6/Kを選択したとする。シリコンの線膨張係数は、2.6×10-6/Kであるから、Naを含むホウ珪酸ガラスの線膨張係数は、シリコンの線膨張係数より大きい。したがって、この場合は、第2ガラス基板4bとして、例えば、アルミノ珪酸ガラス線膨張係数2.4×10-6/Kを選択する。このように選択すると、線膨張係数の大きいNaを含むホウ珪酸ガラスを、線膨張係数のほぼ等しいシリコンとアルミノ珪酸ガラスで挟み込むことになるので、埋め込み後の冷却工程で反りが抑制される。また、第1ガラス基板4a及び第2ガラス基板4bの厚さは、それぞれ以下のように設定される。例えば、上述したように、第1ガラス基板4aがガラス基体4の主要部を構成する場合、第1ガラス基板4aの厚さは、シリコンの凸部2の形状平面形状及び高さを含む立体形状を考慮して設定される。尚、図1eに示すように、基板化後、ガラス基体4の一部を第2ガラス層4bで構成する場合には、基板化後の第2ガラス層4bの厚さも考慮して、第1ガラス基板4aの厚さが設定される。一方、第2ガラス基板4bの厚さは、シリコン基板1と凸部からなるシリコン構造体、第1ガラス基板4aの材質及び厚さとを考慮して、冷却時に生じる反りを発生させる応力を打ち消すような厚さに設定される。例えば、シリコン基板1と第1ガラス基板4aの間の収縮率差が大きく反りを生じる応力が大きいときには、第2ガラス基板4bの厚さを厚くして、大きい応力を打ち消すための大きい力を得る。以上の実施形態1の製造方法では、基板化後、ガラス基体4の一部を第2ガラス層4bで構成するようにした。このようにすると、基板化後にシリコン埋込ガラス基板を用いて加速度センサ等を作製する際、温度変化により生じるシリコン埋込ガラス基板の反りを抑えることが可能になる。しかしながら、本発明の製造方法は、これに限られるものではなく、基板化工程で第2ガラス層4bをすべて除去してガラス基体4のすべてを第1ガラス層4aで構成するようにしてもよい。このようにしても、製造工程の冷却時における反りを抑えることができ、高い位置精度でシリコンが埋め込まれたシリコン埋込ガラス基板を製造することができる。また、以上の実施形態1の製造方法では、線膨張係数の大きい、例えばNaを含むホウ珪酸ガラスを第1基板4aとし、その第1基板を、線膨張係数のほぼ等しいシリコンと例えばアルミノ珪酸ガラスからなる第2基板4bで挟み込むようにした。しかしながら、本発明では、第1基板4aとして線膨張係数がほぼシリコンと等しい例えばアルミノ珪酸ガラスを選択し、第2基板4bとしてシリコンより線膨張係数が大きい例えばNaを含むホウ珪酸ガラスを選択することもできる。以上の構成において、例えば、シリコンとほぼ線膨張係数が等しい第1ガラス基板4aをガラス基体の主要部を構成するようにする。このようにすると、冷却時においてシリコン基板1とそれとほぼ線膨張係数が等しい第1ガラス基板4aとによって反りを抑えつつ一方の主面を第2基板4b例えばNaを含むホウ珪酸ガラスの表面により構成することができる。一方の主面に例えば、Naを含むホウ珪酸ガラスの表面を露出させることができると、例えば、加速度センサを作製する際、一方の主面の陽極接合が容易になる。実施形態2.図3a及び図3bを参照して、本発明の実施形態2に係わる静電式加速度センサの概略構成を説明する。この実施形態2の静電式加速度センサは、実施形態1のシリコン埋込ガラス基板がさらに積層されたシリコン埋込ガラス多層基板を用いて作製されており、以下のように構成される。実施形態2の静電式加速度センサは、加速度センサチップAMEMSデバイスと、加速度センサチップAから出力された信号を処理する信号処理回路が形成された制御ICチップBとが表面実装型のパッケージ101に収納されてなる。パッケージ101は、図3bに示すように、上面が開放された箱形の形状を有するプラスチックパッケージ本体102と、パッケージ101の開放された一面を閉塞するパッケージ蓋リッド103とを備える。プラスチックパッケージ本体102は、加速度センサチップA及び制御ICチップBに電気的に接続される複数のリード112を備える。各リード112は、プラスチックパッケージ本体102の外側面から導出されたアウタリード112bと、プラスチックパッケージ本体102の内側面から導出されたインナリード112aとを備える。各インナリード112aは、ボンディングワイヤWを通じて、制御ICチップBが備える各パッドに電気的に接続されている。加速度センサチップAは、3箇所に配置された接着部104により、プラスチックパッケージ本体102の底部の搭載面102aに固着されている。接着部104は、プラスチックパッケージ本体102に連続して一体に突設されている円錐台状の突起部と、この突起部を被覆する接着剤とからなる。接着剤は、例えば、弾性率が1MPa以下のシリコーン樹脂などのシリコーン系樹脂からなる。ここで、加速度センサチップAのパッドは、制御ICチップBに対向する一側面の1辺に沿って配置されている。加速度センサチップAは、上記1辺の両端の2箇所と、当該一側面に対向する側面の1箇所例えば、中央部において接着部104によって固定されている。制御ICチップBは、単結晶シリコン等から成る半導体基板上に形成された複数の半導体素子、これらを接続する配線、及び半導体素子や配線を外部環境から保護するパッシベーション膜からなる半導体チップである。そして、制御ICチップBの裏面全体がシリコーン系樹脂によりプラスチックパッケージ本体102の底面に固着されている。制御ICチップB上に形成される信号処理回路は、加速度センサチップAの機能に応じて適宜設計すればよく、加速度センサチップAと協働するものであればよい。例えば、制御ICチップBをASICApplicationSpecificICとして形成することができる。図3の静電式加速度センサを製造するには、先ず、加速度センサチップA及び制御ICチップBをプラスチックパッケージ本体102に固着するダイボンディング工程を行う。そして、加速度センサチップAと制御ICチップBとの間、制御ICチップBとインナリード112aとの間を、それぞれボンディングワイヤWを介して電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。その後、樹脂被覆部116を形成する樹脂被覆部形成工程を行い、続いて、パッケージ蓋リッド103の外周を、プラスチックパッケージ本体102に接合するシーリング工程を行う。これにより、プラスチックパッケージ本体102の内部は気密状態で封止される。なお、パッケージ蓋103の適宜部位には、レーザマーキング技術により、製品名称や製造日時などを示す表記113が形成されている。なお、制御ICチップBが1枚のシリコン基板を用いて形成されているのに対して、加速度センサチップAは、積層された複数の基板を用いて形成されている。よって、加速度センサチップAの厚みが制御ICチップBの厚みに比べて厚くなっているので、プラスチックパッケージ本体102の底部において加速度センサチップAを搭載する搭載面102aを制御ICチップBの搭載部位よりも凹ませてある。したがって、プラスチックパッケージ本体102の底面について、加速度センサチップAを搭載する部位の厚みは他の部位に比べて薄くなっている。更に、本発明の実施形態2では、プラスチックパッケージ本体102の外形を直方体としてあるが、これは一例であり、加速度センサチップAや制御ICチップBの外形、リード112の本数やピッチなどに応じて適宜設定すればよい。プラスチックパッケージ本体102の材料としては、熱可塑性樹脂の一種であって、酸素および水蒸気の透過率が極めて低い液晶性ポリエステルLCPを採用する。しかし、LCPに限らず、例えば、ポリフェニレンサルファイトPPS、ポリビスアミドトリアゾールPBTなどを採用してもよい。また、各リード112の材料、つまり、各リード112の基礎となるリードフレームの材料としては、銅合金の中でもばね性の高いりん青銅を採用する。ここでは、リードフレームとして、材質がりん青銅で板厚が0.2mmのリードフレームを用い、厚みが2μm~4μmのNi膜と、厚みが0.2μm~0.3μmのAu膜との積層膜からなるめっき膜を電解めっき法により形成してある。これにより、ワイヤーボンディングの接合信頼性と半田付け信頼性とを両立させることができる。また、熱可塑性樹脂成形品のプラスパッケージ本体102は、リード112が同時一体に成形されている。しかし、熱可塑性樹脂であるLCPにより形成されるプラスチックパッケージ本体102とリード112のAu膜とは密着性が低い。したがって、上述のリードフレームのうちプラスチックパッケージ本体102に埋設される部位にパンチ穴を設けることで各リード112が抜け落ちるのを防止する。また、図3の静電式加速度センサは、インナリード112aの露出部位およびその周囲を覆う樹脂被覆部116が設けられている。樹脂被覆部116は、例えば、アミン系エポキシ樹脂などのエポキシ系樹脂などの非透湿性の樹脂からなる。ワイヤーボンディング工程の後に、ディスペンサを用いてこの非透湿性の樹脂を塗布し、これを硬化させることで、気密性を向上させている。なお、この非透湿性の樹脂に代えてセラミックスを用いてもよく、セラミックスを用いる場合には、プラズマ溶射などの技術を用いて局所的に吹き付ければよい。また、ボンディングワイヤWとしては、Alワイヤに比べて耐腐食性の高いAuワイヤを用いる。また、直径が25μmのAuワイヤを採用するが、これに限らず、例えば、直径が20μm~50μmのAuワイヤから適宜選択すればよい。図4を参照して、図3の加速度センサチップAの概略構成を説明する。加速度センサチップAは、静電容量型の加速度センサチップであって、SOISiliconOnInsulator基板40を用いて形成されたセンサ本体200と、ガラス基体20にシリコン配線が埋め込まれてなる第1の固定基板100と、ガラス基板30を用いて形成された第2の固定基板300とを備えている。第1の固定基板100は、センサ本体200の一表面側図4における上面側に固着され、第2の固定基板300は、センサ本体200の他表面側図4における下面側に固着される。第1及び第2の固定基板100、300はセンサ本体200と同じ外形寸法に形成されている。なお、図4は、センサ本体200、第1の固定基板100及び第2の固定基板300のそれぞれの構成を示すべく、センサ本体200、第1の固定基板100及び第2の固定基板300が分離した状態を示している。また、センサ本体200は、SOI基板40に限らず、例えば、絶縁層を備えない通常のシリコン基板を用いて形成してもよい。実施形態2の静電式加速度センサでは、第1の固定基板100として、本発明に係るシリコン埋込ガラス多層基板を用いている。本明細書において、第1の固定基板とシリコン埋込ガラス多層基板とは、同じ符号を用いている。センサ本体200は、2つの平面視矩形状の開口窓42が上記一表面に沿って並設するフレーム部41と、フレーム部41の各開口窓42の内側に配置された2つの平面視矩形状の重り部43と、フレーム部41と重り部43との間を連結する各一対の支持ばね部44とを備える。2つの平面視矩形状の重り部43は、第1及び第2の固定基板100、300からそれぞれ離間して配置されている。第1の固定基板100に対向する各重り部43の主面上に可動電極45A、45Bがそれぞれ配置されている。重り部43の周囲を囲むフレーム部41の外周全体が第1及び第2の固定基板100、300に接合されている。これにより、フレーム部41と第1及び第2の固定基板100、300は、重り部43及び後述する固定子46を収納するチップサイズパッケージを構成している。一対の支持ばね部44は、フレーム部41の各開口窓42の内側で重り部43の重心を通る直線に沿って重り部43を挟む形で配置されている。各支持ばね部44は、ねじれ変形が可能なトーションばねトーションバーであって、フレーム部41及び重り部43に比べて薄肉に形成されており、重り部43は、フレーム部41に対して一対の支持ばね部44の回りで変位可能となっている。センサ本体200のフレーム部41には、各開口窓42それぞれに連通する平面視矩形状の窓孔47が2つの開口窓42と同じ方向に並設されている。各窓孔47の内側には、それぞれ2つの固定子46が一対の支持ばね部44の並設方向に沿って配置されている。各固定子46と窓孔47の内周面との間、各固定子46と重り部43の外周面との間、及び隣り合う固定子46同士の間には、それぞれ隙間が形成され、互いに分離独立して電気的に絶縁されている。各固定子46は、第1及び第2の固定基板100、300にそれぞれ接合されている。また、センサ本体200の一表面側において、各固定子46には、例えば、Al-Si膜などの金属薄膜からなる円形状の電極パッド48が形成されている。また同様に、フレーム部41において隣り合う窓孔47の間の部位にも、例えば、Al-Si膜などの金属薄膜からなる円形状の電極パッド48が形成されている。各固定子46に形成された各電極パッド48は、後述の各固定電極45に電気的にそれぞれ接続され、フレーム部41に形成された電極パッド48は、可動電極45A及び可動電極45Bに電気的に接続されている。以上説明した複数の電極パッド48は、加速度センサチップAの矩形状の外周形状の1辺に沿って配置されている。第1の固定基板100は、ガラス基体20の一表面センサ本体1に重なり合う面とガラス基体20の側面との間を貫通する複数のシリコン配線38と、ガラス基体20の一表面上に形成された複数の固定電極25とを備える。固定電極25Aa及び固定電極25Abは、対を成して可動電極45Aに対向して配置されている。同様に、固定電極25Ba及び固定電極25Bbは、対を成して可動電極45Bに対向して配置されている。各固定電極25は、例えば、Al-Si膜などの金属薄膜からなる。各シリコン配線38の一端は、ガラス基体20の一表面において、センサ本体200の電極パッド48にそれぞれ電気的に接続されている。各シリコン配線38の他端は、ガラス基体20の他の表面に表出している。これにより、電極パッド48を介して、各固定電極25の電位及び可動電極45の電位をそれぞれ加速度センサチップAの外部側面へ取り出すことができる。各シリコン配線38の他端には金属電極39がそれぞれ接続されている。図4のボンディングワイヤWは、金属電極39に接続されている。第2の固定基板300の一表面センサ本体200に重なり合う面であって、重り部43と対応する位置に、例えば、Al-Si膜などの金属薄膜からなる付着防止膜35が配置されている。付着防止膜35は、変位する重り部43の付着を防止する。図5を参照して、図4の加速度センサチップAの断面構成を説明する。図5は、一対の支持ばね部44を通る直線に垂直な切断面における加速度センサチップAの構成を示す。センサ本体200はSOI基板40を用いて形成されている。SOI基板40は、単結晶シリコンからなる支持基板40aと、支持基板40aの上に配置されたシリコン酸化膜からなる絶縁層40bと、絶縁層40bの上に配置されたn形のシリコン層活性層40cとを有する。センサ本体200のうち、フレーム41及び固定子46は、第1の固定基板100及び第2の固定基板300に接合されている。これに対して、重り部43は、第1及び第2の固定基板100、300からそれぞれ離間して配置され、一対の支持ばね部44によりフレーム41に支持されている。重り部43の過度の変位を規制する複数の微小な突起部43cが、重り部43における第1及び第2の固定基板100、300のそれぞれとの対向面から突設されている。重り部43には、矩形状に開口された凹部43a、43bが形成されている。凹部43a、43bは互いに大きさが異なるため、一対の支持ばね部44を通る直線を境にして、重り部43の左右の質量が異なっている。第1の固定基板100のシリコン配線38の一端は、電極パッド48に電気的に接続されている。電極パッド48は、固定子46、連絡用導体部46dを通じて、固定電極25に接続されている。シリコン配線38は、ガラス基体20の一表面に平行な方向に延伸され、シリコン配線38の他端は、ガラス基体20の他の表面に表出する。ガラス基体20の他の表面のうちシリコン配線38の他端が位置する領域には金属電極39が形成されている。上述の加速度センサチップAは、センサ本体200に設けられた可動電極45と第1の固定基板100に設けられた固定電極25との対を4対有し、可動電極45と固定電極25との対ごとに可変容量コンデンサが構成されている。加速度センサチップA、すなわち重り部43に加速度が加わると、支持ばね部44がねじれて、重り部43が変位する。これにより、対をなす固定電極25と可動電極45との対向面積及び間隔が変化し、可変容量コンデンサの静電容量が変化する。よって、加速度センサチップAは、この静電容量の変化から加速度を検出することができる。次に、図2aを参照して、図3及び図4に示した第1の固定基板シリコン埋込ガラス多層基板100の構成を説明する。このシリコン埋込ガラス多層基板100は、図1eに示すシリコン埋込ガラス基板が複数積層されてなり、ガラス基体20にシリコンからなるシリコン配線38が立体的に設けられてなる。シリコン埋込ガラス多層基板100は、対向する第1の主面SF1及び第2の主面SF2と、この第1の主面SF1及び第2の主面SF2の外周に接続された側面SF3とで規定されるガラス基体20と、ガラス基体20の内部に配置されたシリコン配線38とを備える。シリコン配線38は、ガラス基体20の第1の主面SF1に露出する第1の引出部39と、ガラス基体20の第2の主面SF2に露出する第2の引出部38e間を接続する。尚、本明細書において、シリコン配線38において、第1のシリコン埋込ガラス基板11及び第3のシリコン埋込ガラス基板13に形成された部分をそれぞれ貫通接続部38a,38cといい、第2のシリコン埋込ガラス基板12に形成された部分を内層接続部38bともいう。金属電極からなる第1の引出部39とシリコン配線の端部である第2の引出部39eとは、第1の主面SF1の法線方向から見て異なる位置に配置されている。このように、シリコン埋込ガラス多層基板100は、ガラス基体20にシリコン配線38が埋め込まれたものである。そして、シリコン配線38の一端は、ガラス基体20の第1の主面SF1に表出し、シリコン配線38の他端は、ガラス基体20の第2の主面SF2に表出している。これにより、図4及び図5に示した第1の固定基板として、図2aに示したシリコン埋込ガラス多層基板100を適用することができる。この場合、シリコン配線38は、図4及び図5に示したセンサ本体200に入力される電気信号及びセンサ本体1から出力される電気信号を伝達する。図2bを参照して、図2aに示したシリコン埋込ガラス多層基板100の製造方法を説明する。イ先ず、実施形態1で説明した製造方法にしたがって、第1~第3のシリコン埋込ガラス基板11,12,13をそれぞれ作製する。ここで、第1のシリコン埋込ガラス基板11の下面第1ガラス基板4aの表面に露出したシリコン配線38の端部貫通配線部38aの端部にはさらに金属電極を形成して、第1の引出部39とする。ニ次に、図2bに示すように、第2のシリコン埋込ガラス基板12の両側に第1のシリコン埋込ガラス基板11と第3のシリコン埋込ガラス基板13を配置して、3枚の第1~第3のシリコン埋込ガラス基板11,12,13を重ね合わせる。ホそして、第1~第3のシリコン埋込ガラス基板11~13を、溶融接合、陽極接合、表面活性化結合、或いは樹脂接着などの方法により接合する。以上の工程により、図2aに示すシリコン埋込ガラス多層基板を製造することができる。以上のように作製されたシリコン埋込ガラス多層基板100は、それぞれ反りが抑制された第1~第3のシリコン埋込ガラス基板11,12,13を用いて作製される。したがって、反りの少ないシリコン埋込ガラス多層基板100とできる。また、以上のように作製されたシリコン埋込ガラス多層基板100は、それぞれ高い位置精度でシリコンが埋め込まれた第1~第3のシリコン埋込ガラス基板11,12,13を用いて作製される。したがって、高い位置精度でシリコン配線38が埋め込まれたシリコン埋込ガラス多層基板100を作製することが可能になる。尚、本実施形態では、それぞれ第1ガラス基板4aと第2ガラス基板4bからなるガラス基体にシリコンが埋め込まれてなるシリコン埋込ガラス基板11,12,13を用いて作製したシリコン埋込ガラス多層基板100を使用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、製造過程で使用した第2ガラス基板4bを除去して、例えば、ガラス基体20が第1ガラス基板4aのみによって構成されたシリコン埋込ガラス多層基板を用いてもよい。また、以上説明した本発明の実施形態2の静電式加速度センサによれば、以下の作用効果が得られる。まず、反りが抑制されたシリコン埋込ガラス多層基板100が用いられているので、確実にかつ容易に気密封止することが可能になり、気密性の高い静電式加速度センサが提供できる。まず、第2のシリコン埋込ガラス基板12に形成された内層接続部38bの形状により、第1のシリコン埋込ガラス基板11及び第3のシリコン埋込ガラス基板13の貫通接続部38a,38cの位置を変更することができる。このため、ガラス基体に埋め込まれたシリコン配線38の引き出し位置を任意に設定することができ、静電式加速度センサにおける配線構造の自由度を向上させることができる。これにより、ボンディングワイヤWの引回しが容易になり、パッケージ設計の自由度が向上する。ひいては、静電式加速度センサの小型化に貢献する。以上ように、実施形態2では、図2aに示すように、第1の引出部39及び第2の引出部39eは、第1の主面SF1及び第2の主面SF2にそれぞれ露出させ且つ第1の主面SF1の法線方向から見て異なる位置に配置した。しかしながら、本発明は、第1の引出部39及び第2の引出部39eのいずれか一方又は双方が側面SF3に設けられていてもよい。本発明の実施形態2では、MEMSデバイスの一例として静電容量型の加速度センサチップAについて説明したが、本発明は、静電容量型の加速度センサチップA以外のMEMSデバイス、例えば、ピエゾ抵抗型の加速度センサチップ、ジャイロセンサ、マイクロアクチュエータ、マイクロリレー、赤外線センサ等や、ICチップなどにも適用することができる。例えば、センサ本体200によるセンシング対象は、加速度に限らず、圧力、角度、角速度等であってもよい。また、本発明に係るシリコン埋込ガラス基板及びシリコン埋込ガラス多層基板は、上記各センサに限らず、種々の半導体装置に適用することができ、該基板を用いることで、気密性が高くかつ小型の半導体装置を提供が可能になる。"