平行又は略平行に配列された第1の走査線及び第2の走査線と、前記第1の走査線及び前記第2の走査線に直交又は略直交に配列された第1の信号線及び第2の信号線と、ゲートが前記第1の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第1の信号線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素電極層に電気的に接続された、酸化物半導体層を具備するトランジスタと、を有し、前記第1の信号線及び前記第2の信号線は、前記第1の走査線及び前記第2の走査線上に設けられた絶縁層を介して、前記第1の走査線及び前記第2の走査線と立体交差しており、前記第1の信号線は、前記第1の走査線と立体交差する第1の領域及び前記第2の走査線と立体交差する第2の領域において上面が凸面形状を有し、且つ前記第1の領域及び前記第2の領域の間の領域において上面が平面形状又は略平面形状を有し、前記画素電極層は、前記第1の走査線、前記第2の走査線、前記第1の信号線、及び前記第2の信号線に囲まれた領域に設けられることを特徴とする液晶表示装置。前記絶縁層が、前記トランジスタにおけるゲート絶縁層として機能することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記第1の領域及び前記第2の領域において、前記第1の信号線と前記絶縁層の間に、前記酸化物半導体層と同一材料からなる酸化物半導体層が設けられることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液晶表示装置。前記第1の信号線と前記絶縁層の間に、前記酸化物半導体層と同一材料からなる酸化物半導体層が設けられることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液晶表示装置。前記トランジスタにおいて、前記酸化物半導体層と前記ソース及び前記ドレインの間にチャネル保護層が設けられ、前記第1の領域及び前記第2の領域において、前記第1の信号線と前記絶縁層の間に、前記チャネル保護層と同一材料からなる絶縁層が設けられることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液晶表示装置。前記トランジスタにおいて、前記酸化物半導体層と前記ソース及び前記ドレインの間にチャネル保護層が設けられ、前記第1の領域及び前記第2の領域において、前記第1の信号線と前記絶縁層の間に、前記酸化物半導体層と同一材料からなる酸化物半導体層及び前記チャネル保護層と同一材料からなる絶縁層が設けられることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液晶表示装置。前記トランジスタにおいて、前記酸化物半導体層と前記ソース及び前記ドレインの間にチャネル保護層が設けられ、前記第1の信号線と前記絶縁層の間に、前記チャネル保護層と同一材料からなる絶縁層が設けられることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液晶表示装置。前記トランジスタにおいて、前記酸化物半導体層と前記ソース及び前記ドレインの間にチャネル保護層が設けられ、前記第1の信号線と前記絶縁層の間に、前記酸化物半導体層と同一材料からなる酸化物半導体層及び前記チャネル保護層と同一材料からなる絶縁層が設けられることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液晶表示装置。上述した技術は、各画素に対して単位時間あたりに入力されるデータ信号数を増加させる技術であるといえる。そのため、当該技術を液晶表示装置に適用するためには、各画素へのデータ信号の供給を担う信号線を高速駆動させることが必要になる。しかしながら、画素部に延在する信号線には、画素部に延在する他の配線との間に寄生容量が発生し、当該寄生容量が信号線の高速駆動に対する障害となる可能性がある。そこで、本発明の一態様は、液晶表示装置が有する信号線の寄生容量を低減することを課題の一とする。本発明の一態様の液晶表示装置においては、各画素に設けられるトランジスタとして、酸化物半導体層を具備するトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層は、電子供与体ドナーとなる不純物水素又は水などを徹底的に除去することにより高純度化された酸化物半導体層である。高純度化された酸化物半導体層中には水素や酸素欠損等に由来するキャリアが極めて少なくゼロに近い、キャリア密度は1×1012/cm3未満、好ましくは1×1011/cm3未満である。すなわち、酸化物半導体層の水素や酸素欠損等に由来するキャリア密度を限りなくゼロに近くする。酸化物半導体層中に水素や酸素欠損等に由来するキャリアが極めて少ないため、オフ状態のときのトランジスタのリーク電流オフ電流を少なくすることができる。これにより、各画素において容量素子を設けずとも液晶素子に印加される電圧を保持することが可能になる。また、これに付随して、液晶表示装置の画素部に延在する容量配線を削除することが可能になる。そのため、従来の液晶表示装置においては、信号線と走査線が立体交差する領域及び信号線と容量配線が立体交差する領域において寄生容量が発生していたのに対し、本発明の一態様の液晶表示装置においては後者に起因する寄生容量が存在しない。すなわち、信号線の寄生容量を低減することが可能になる。すなわち、本発明の一態様の液晶表示装置は、平行又は略平行に配列された第1の走査線及び第2の走査線と、第1の走査線及び第2の走査線に直交又は略直交に配列された第1の信号線及び第2の信号線と、ゲートが第1の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第1の信号線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素電極層に電気的に接続された、酸化物半導体層を具備するトランジスタと、を有している。なお、画素電極層は、第1の走査線、第2の走査線、第1の信号線、及び第2の信号線に囲まれた領域に設けられている。さらに、第1の信号線及び第2の信号線は、第1の走査線及び第2の走査線上に設けられた絶縁層を介して、第1の走査線及び第2の走査線と立体交差しており、第1の信号線は、第1の走査線と立体交差する第1の領域及び第2の走査線と立体交差する第2の領域において上面が凸面形状を有している。そしてさらに、第1の領域及び第2の領域の間の領域において上面が平面形状又は略平面形状を有している。すなわち、第1の信号線の上面は、第1の領域と第2の領域の間の全領域において、同一平面上又は略同一平面上に存在する。本発明の一態様の液晶表示装置は、各画素に設けられるトランジスタとして、酸化物半導体層を具備するトランジスタを適用する。これにより、各画素に設けられる容量素子を削除することが可能になる。具体的には、当該液晶表示装置が60ppi以上の解像度を有する液晶表示装置であっても、各画素に容量素子を設けずとも液晶素子に印加される電圧を保持することが可能である。これにより、各画素における開口率を向上させることが可能である。また、これに付随して、液晶表示装置の画素部に延在する容量配線を削除することが可能になる。すなわち、当該液晶表示装置では、信号線の寄生容量が低減された液晶表示装置である。そのため、本発明の一態様の液晶表示装置においては、従来の液晶表示装置よりも信号線の駆動周波数を向上させることが可能になる。すなわち、本発明の一態様の液晶表示装置は、倍速駆動以上の駆動を行う液晶表示装置として好適である。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。画素の構造例についてはじめに、本発明の一態様の液晶表示装置が有する画素の構造例について図1を参照して説明する。具体的には、画素電極が設けられた一方の基板及び対向電極が設けられた他方の基板によって液晶材料を挟持する構成を有する液晶表示装置液晶材料に縦電界を加える液晶表示装置の画素の構造例について図1を参照して説明する。図1Aは、画素の上面図である。なお、図1Aにおいては、液晶素子の一部液晶層、対向電極などを割愛した図を示しているいわゆる、アクティブマトリクス基板を示している。図1Aに示す画素100は、平行又は略平行に配列された走査線101、102及び走査線101、102に直交又は略直交に配列された信号線103、104に囲まれた領域に設けられている。また、画素100には、トランジスタ105と、画素電極層107とが設けられている。別言すると、図1Aに示す画素100は、図13Aに示した画素1000から容量素子1006に関する構成要素を削除した構造を有する。図1Bは、図1Aに示すE-F線における断面を示す図である。トランジスタ105は、基板110上に設けられたゲート層111と、ゲート層111上に設けられたゲート絶縁層112と、ゲート絶縁層112上に設けられた酸化物半導体層113と、酸化物半導体層113の一端上に設けられたソース層及びドレイン層の一方114aと、酸化物半導体層113の他端上に設けられたソース層及びドレイン層の他方114bとを有する。なお、図1A、Bに示したトランジスタ105は、ゲートとして走査線101の突出部を利用し、ソース及びドレインの一方として信号線103の突出部を利用している。そのため、図1A、Bに示したトランジスタ105は、ゲートが走査線101の一部であり、ソース及びドレインの一方が信号線103の一部であると表現することもできる。加えて、ソース層及びドレイン層の他方114bは、トランジスタ105上に設けられた絶縁層115に形成されたコンタクトホール116において、画素電極層107に電気的に接続されている。図1Cは、図1Aに示すG-H線における断面を示す図である。信号線103は、領域117aにおいて走査線101と、領域117cにおいて走査線102と、絶縁層ゲート絶縁層112を介して立体交差している。そのため、信号線103は、領域117a、117cにおいて上面が凸面形状を有する。さらに、信号線103は、領域117aと領域117cの間の領域117bにおいて上面が平面形状又は略平面形状を有する。すなわち、信号線103の上面は、領域117aと117cの間の全領域117bにおいて、同一平面上又は略同一平面上に存在する。これは、画素100を有する液晶表示装置に容量配線が設けられていないことに起因する。なお、自明ではあるが、信号線104も信号線103と同様の上面形状を有することを付記する。図1に示すトランジスタ105は、上記の通り、半導体層として酸化物半導体層113を具備する。酸化物半導体層113に用いる酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系、In-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、Zn-Mg-O系、Sn-Mg-O系、In-Mg-O系、または単元系金属酸化物であるIn-O系、Sn-O系、Zn-O系などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んでもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体とは、少なくともInとGaとZnを含む酸化物であり、その組成比に特に制限はない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。また、酸化物半導体層113は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどを選択することができる。上述した酸化物半導体は、電気的特性変動を抑止するため、変動要因となる水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を意図的に排除することで高純度化し、電気的にI型真性化された酸化物半導体である。よって酸化物半導体中の水素は少なければ少ないほどよい。また、高純度化された酸化物半導体層中には水素や酸素欠損等に由来するキャリアが極めて少なくゼロに近い、キャリア密度は1×1012/cm3未満、好ましくは1×1011/cm3未満である。即ち、酸化物半導体層の水素や酸素欠損等に由来するキャリア密度を限りなくゼロに近くする。酸化物半導体層中に水素や酸素欠損等に由来するキャリアが極めて少ないため、トランジスタがオフ状態のときのリーク電流オフ電流を少なくすることができる。オフ電流は少なければ少ないほど好ましい。上記酸化物半導体を半導体層として用いたトランジスタは、チャネル幅w1μmあたりの電流値が100zA/μmゼプトアンペア以下、好ましくは10zA/μm以下、又は1zA/μm以下である。さらに、pn接合がなく、ホットキャリア劣化がないため、トランジスタの電気的特性がこれら要因の影響を受けない。このように酸化物半導体層に含まれる水素を徹底的に除去することにより高純度化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、オフ電流を極めて小さくすることができる。つまり、トランジスタの非導通状態において、酸化物半導体層は絶縁体とみなせて回路設計を行うことができる。一方で、酸化物半導体層は、トランジスタの導通状態においては、非晶質シリコンで形成される半導体層よりも高い電流供給能力を見込むことができる。基板110としては、バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。トランジスタ105において、下地膜となる絶縁膜を基板110とゲート層111の間に設けてもよい。下地膜は、基板110からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。ゲート層111の材料は、アルミニウムAl、銅Cu、チタンTi、タンタルTa、タングステンW、モリブデンMo、クロムCr、ネオジムNd、スカンジウムScから選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。ゲート絶縁層112は、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いて形成される。酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層などの絶縁体を適用することができる。また、これらの絶縁体からなる積層構造を適用してもよい。例えば、第1のゲート絶縁層としてプラズマCVD法により膜厚50nm以上200nm以下の窒化シリコン層SiNyy>0を形成し、第1のゲート絶縁層上に第2のゲート絶縁層として膜厚5nm以上300nm以下の酸化シリコン層SiOxx>0を積層することができる。ソース層及びドレイン層の一方114a、ソース層及びドレイン層の他方114bの材料は、アルミニウムAl、クロムCr、銅Cu、タンタルTa、チタンTi、モリブデンMo、タングステンWから選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。また、アルミニウムAl、銅Cuなどの金属層の下側又は上側の一方または双方にチタンTi、モリブデンMo、タングステンWなどの高融点金属層を積層させた構成としても良い。また、アルミニウムAl膜に生ずるヒロックやウィスカーの発生を防止する元素Si、Nd、Scなどが添加されているアルミニウム合金を用いることで耐熱性を向上させることが可能となる。なお、上述した液晶表示装置においては、ソース層及びドレイン層の一方114aは、信号線103の一部である。そのため、信号線103の高速駆動という観点では、ソース層及びドレイン層は、信号の遅延が生じないように低抵抗導電性材料によって構成することが好ましい。例えば、銅Cu又は銅を主構成元素とする合金などの低抵抗導電性材料によって構成することが好ましい。また、銅Cu又は銅を主構成元素とする合金からなる層を含む積層構造とすることも可能である。また、上述した液晶表示装置においては、画素100において容量素子が設けられない。そのため、画素100におけるデータ信号の保持という観点では、酸化物半導体層へのキャリアの流入を抑制するため金属窒化物をソース層及びドレイン層に適用することが好ましい。例えば、窒化チタン、窒化タングステンなどの窒化物を適用することが好ましい。また、酸化物半導体層と接する層を窒化チタン及び窒化タングステンなどの窒化物とし、その上層に他の導電層を形成する積層構造とすることも可能である。例えば、窒化タングステンと銅Cuの積層構造とすることなどが可能である。また、ソース層及びドレイン層の一方114a、ソース層及びドレイン層の他方114bこれらと同じ層で形成される配線層を含むとなる導電膜としては導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金In2O3―SnO2、ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。絶縁層115としては、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層115上に、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を形成することができる。さらに、絶縁層115上にトランジスタ105起因の表面凹凸を低減するために平坦化絶縁膜を形成してもよい。平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料low-k材料等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。トランジスタ105のオフ電流について次いで、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタのオフ電流を求めた結果について説明する。まず、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタのオフ電流が十分に小さいことを考慮して、チャネル幅Wが1mと十分に大きいトランジスタを用意してオフ電流の測定を行った。チャネル幅Wが1mのトランジスタのオフ電流を測定した結果を図2に示す。図2において、横軸はゲート電圧VG、縦軸はドレイン電流IDである。ドレイン電圧VDが1Vまたは10Vの場合、ゲート電圧VGが-5Vから-20Vの範囲では、トランジスタのオフ電流は、検出限界である1×10-12A以下であることがわかった。また、トランジスタのオフ電流密度ここでは、単位チャネル幅1μmあたりの値は1aA/μm1×10-18A/μm以下となることがわかった。次に、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタのオフ電流をさらに正確に求めた結果について説明する。上述したように、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタのオフ電流は、測定器の検出限界である1×10-12A以下であることがわかった。そこで、特性評価用素子を作製し、より正確なオフ電流の値上記測定における測定器の検出限界以下の値を求めた結果について説明する。はじめに、電流測定方法に用いた特性評価用素子について、図3を参照して説明する。図3に示す特性評価用素子は、測定系800が3つ並列に接続されている。測定系800は、容量素子802、トランジスタ804、トランジスタ805、トランジスタ806、トランジスタ808を有する。トランジスタ804、トランジスタ808には、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタを適用した。測定系800において、トランジスタ804のソース及びドレインの一方と、容量素子802の一方の端子と、トランジスタ805のソース及びドレインの一方は、電源V2を与える電源に接続されている。また、トランジスタ804のソース及びドレインの他方と、トランジスタ808のソース及びドレインの一方と、容量素子802の他方の端子と、トランジスタ805のゲートとは、電気的に接続されている。また、トランジスタ808のソース及びドレインの他方と、トランジスタ806のソース及びドレインの一方と、トランジスタ806のゲートとは、電源V1を与える電源に電気的に接続されている。また、トランジスタ805のソース及びドレインの他方と、トランジスタ806のソース及びドレインの他方とは、出力端子に電気的に接続されている。なお、トランジスタ804のゲートには、トランジスタ804のオン状態と、オフ状態を制御する電位Vext_b2が供給され、トランジスタ808のゲートには、トランジスタ808のオン状態と、オフ状態を制御する電位Vext_b1が供給される。また、出力端子からは電位Voutが出力される。次に、上記の特性評価用素子を用いた電流測定方法について説明する。まず、オフ電流を測定するために電位差を付与する初期期間の概略について説明する。初期期間においては、トランジスタ808のゲートに、トランジスタ808をオン状態とする電位Vext_b1を入力して、トランジスタ804のソース及びドレインの他方と電気的に接続されるノードつまり、トランジスタ808のソース及びドレインの一方、容量素子802の他方の端子、及びトランジスタ805のゲートに電気的に接続されるノードであるノードAに電位V1を与える。ここで、電位V1は、例えば高電位とする。また、トランジスタ804はオフ状態としておく。その後、トランジスタ808のゲートに、トランジスタ808をオフ状態とする電位Vext_b1を入力して、トランジスタ808をオフ状態とする。トランジスタ808をオフ状態とした後に、電位V1を低電位とする。ここでも、トランジスタ804はオフ状態としておく。また、電位V2は電位V1と同じ電位とする。以上により、初期期間が終了する。初期期間が終了した状態では、ノードAとトランジスタ804のソース及びドレインの一方との間に電位差が生じ、また、ノードAとトランジスタ808のソース及びドレインの他方との間に電位差が生じることになるため、トランジスタ804及びトランジスタ808には僅かに電荷が流れる。つまり、オフ電流が発生する。次に、オフ電流の測定期間の概略について説明する。測定期間においては、トランジスタ804のソース及びドレインの一方の電位V2、並びにトランジスタ808のソース及びドレインの他方の電位V1は低電位に固定しておく。一方で、測定期間中は、上記ノードAの電位は固定しないフローティング状態とする。これにより、トランジスタ804、トランジスタ808に電荷が流れ、時間の経過と共にノードAに保持される電荷量が変動する。そして、ノードAに保持される電荷量の変動に伴って、ノードAの電位が変動する。つまり、出力端子の出力電位Voutも変動する。上記電位差を付与する初期期間、および、その後の測定期間における各電位の関係の詳細タイミングチャートを図4に示す。初期期間において、まず、電位Vext_b2を、トランジスタ804がオン状態となるような電位高電位とする。これによって、ノードAの電位はV2すなわち低電位VSSとなる。なお、ノードAに低電位VSSを与えるのは必須ではない。その後、電位Vext_b2を、トランジスタ804がオフ状態となるような電位低電位として、トランジスタ804をオフ状態とする。そして、次に、電位Vext_b1を、トランジスタ808がオン状態となるような電位高電位とする。これによって、ノードAの電位はV1、すなわち高電位VDDとなる。その後、Vext_b1を、トランジスタ808がオフ状態となるような電位とする。これによって、ノードAがフローティング状態となり、初期期間が終了する。その後の測定期間においては、電位V1及び電位V2を、ノードAに電荷が流れ込む、またはノードAから電荷が流れ出すような電位とする。ここでは、電位V1及び電位V2を低電位VSSとする。ただし、出力電位Voutを測定するタイミングにおいては、出力回路を動作させる必要が生じるため、一時的にV1を高電位VDDとすることがある。なお、V1を高電位VDDとする期間は、測定に影響を与えない程度の短期間とする。上述のようにして電位差を与え、測定期間が開始されると、時間の経過と共にノードAに保持される電荷量が変動し、これに従ってノードAの電位が変動する。これは、トランジスタ805のゲートの電位が変動することを意味するから、時間の経過と共に、出力端子の出力電位Voutの電位も変化することとなる。得られた出力電位Voutから、オフ電流を算出する方法について、以下に説明する。オフ電流の算出に先だって、ノードAの電位VAと、出力電位Voutとの関係を求めておく。これにより、出力電位VoutからノードAの電位VAを求めることができる。上述の関係から、ノードAの電位VAは、出力電位Voutの関数として次式のように表すことができる。また、ノードAの電荷QAは、ノードAの電位VA、ノードAに接続される容量CA、定数constを用いて、次式のように表される。ここで、ノードAに接続される容量CAは、容量素子802の容量と他の容量の和である。ノードAの電流IAは、ノードAに流れ込む電荷またはノードAから流れ出す電荷の時間微分であるから、ノードAの電流IAは次式のように表される。このように、ノードAに接続される容量CAと、出力端子の出力電位Voutから、ノードAの電流IAを求めることができる。以上に示す方法により、オフ状態においてトランジスタのソースとドレイン間を流れるリーク電流オフ電流を測定することができる。ここでは、チャネル長L=10μm、チャネル幅W=50μmの、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタ804、808を作製した。また、並列された各測定系800において、容量素子802の各容量値を、100fF、1pF、3pFとした。なお、上述した測定では、VDD=5V、VSS=0Vとした。また、測定期間においては、電位V1を原則としてVSSとし、10~300secごとに、100msecの期間だけVDDとしてVoutを測定した。また、素子に流れる電流Iの算出に用いられるΔtは、約30000secとした。図5に、上記電流測定に係る経過時間Timeと、出力電位Voutとの関係を示す。図5より、時間の経過にしたがって、電位が変化している様子が確認できる。図6には、上記電流測定によって算出された室温25°Cにおけるオフ電流を示す。なお、図6は、トランジスタ804又はトランジスタ808のソース-ドレイン電圧Vと、オフ電流Iとの関係を表すものである。図6から、ソース-ドレイン電圧が4Vの条件において、オフ電流は約40zA/μmであることが分かった。また、ソース-ドレイン電圧が3.1Vの条件において、オフ電流は10zA/μm以下であることが分かった。なお、1zAは10-21Aを表す。さらに、上記電流測定によって算出された85°Cの温度環境下におけるオフ電流について図7に示す。図7は、85°Cの温度環境下におけるトランジスタ804又はトランジスタ808のソース-ドレイン電圧Vと、オフ電流Iとの関係を表すものである。図7から、ソース-ドレイン電圧が3.1Vの条件において、オフ電流は100zA/μm以下であることが分かった。以上により、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタでは、オフ電流が十分に小さくなることが確認された。画素100を有する液晶表示装置について本明細書で開示される液晶表示装置は、酸化物半導体層を具備するトランジスタ105を各画素に設けられるトランジスタとして適用する。当該酸化物半導体層を具備するトランジスタ105はオフ電流が小さいため、当該液晶表示装置において、各画素に容量素子を設けずとも液晶素子に印加される電圧を保持することが可能となる。そのため、各画素において開口率を向上させることが可能になる。また、液晶表示装置の画素部に延在する容量配線を削除することが可能になる。そのため、本明細書で開示される液晶表示装置においては、容量配線に起因する寄生容量が存在しない。具体的には、信号線と容量配線が絶縁層を介して立体交差する領域における寄生容量などが存在しない。その結果、本明細書で開示される液晶表示装置においては、信号線の駆動周波数を向上させることが可能になる。すなわち、本明細書で開示される液晶表示装置は、倍速駆動以上の駆動を行う液晶表示装置として好適である。加えて、倍速駆動以上の駆動を行う場合、各画素におけるデータ信号の書き換え周波数が増加することになる。すなわち、各画素において液晶素子に印加される電圧を保持する期間が短くなる。そのため、液晶素子に印加される電圧の変動各画素における表示の劣化変化をさらに低減することが可能になる。また、同様の効果は、本明細書で開示される液晶表示装置がフィールドシーケンシャル方式によって駆動される場合にも得られる。すなわち、本明細書で開示される液晶表示装置に対してフィールドシーケンシャル方式による駆動を行うことは好ましい。特に、本明細書で開示される液晶表示装置は、大型の液晶表示装置例えば、40インチ以上として利用する際の効果が大きい。液晶表示装置の大型化に付随して、配線抵抗などによりデータ信号の遅延などが顕在化する蓋然性が高くなる。これに対し、本明細書で開示される液晶表示装置は、信号線に生じる寄生容量を低減することで、データ信号の遅延などを低減することが可能である。また、小型の液晶表示装置と大型の液晶表示装置において画素数が等しい場合、大型の液晶表示装置が有する各画素のサイズが大きくなる。これは、液晶素子自体が有する容量値が大きくなることを意味する。したがって、酸化物半導体層を具備するトランジスタ105を各画素に設けることに加えて液晶素子自体の容量値が大きくなることで、液晶素子に印加される電圧の変動をさらに低減することが可能になる。また、本明細書で開示される液晶表示装置は、高精細な画素数の多い液晶表示装置例えば、フルハイビジョンFHD、2K4K以上として利用する際の効果が大きい。液晶表示装置の高精細化画素数の増加に付随して、画素部に設けられる配線数が増加することで、信号線に生じる寄生容量が大きくなる蓋然性が高くなる。これに対し、本明細書で開示される液晶表示装置では、容量配線が設けられないため、寄生容量の増大を低減することが可能である。また、画素数が多い液晶表示装置と画素数が少ない液晶表示装置において当該液晶表示装置のサイズが等しい場合、前者の画素部における配線密度が高くなる。これは、各画素の開口率が低下することを意味する。これに対し、本明細書で開示される液晶表示装置では、各画素において容量素子が設けられないため、開口率の低下を抑制することが可能である。なお、従来の液晶表示装置においては、各画素におけるデータ信号の保持特性は、主として各画素に設けられるトランジスタの特性オフ電流の値によって決められていたが、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタ105を各画素に設けられるトランジスタとして適用することで、主として、液晶素子の特性液晶素子に流れる電流によって決められる。すなわち、本明細書で開示される液晶表示装置においては、トランジスタ105を介した電荷のリーク以上に液晶素子を介した電荷のリークの影響が大きくなる。そのため、液晶素子が有する液晶材料として固有抵抗率の高い物質を適用することが好ましい。具体的には、本明細書で開示される液晶表示装置においては、液晶材料の固有抵抗率は、1×1012Ωcm以上であり、好ましくは1×1013Ωcmを超えていることであり、さらに好ましくは1×1014Ωcmを超えていることが好ましい条件となる。なお、当該液晶材料を用いて液晶素子を構成した場合の液晶素子の抵抗率は、配向膜及びシール材からの不純物が混入する可能性を考慮すると、1×1011Ωcm以上であり、より好ましくは1×1012Ωcmを超えていることが好ましい条件となる。また、本明細書における固有抵抗の値は、20°Cで測定した値とする。画素の構造の変形例について上述した構成を有する液晶表示装置は、本発明の一態様であり、当該液晶表示装置と異なる点を有する液晶表示装置も本発明には含まれる。例えば、上述した液晶表示装置においては、信号線103と走査線101、102の間にゲート絶縁層112のみが設けられる構成図1C参照について示したが、信号線103とゲート絶縁層112の間に酸化物半導体層201を設ける構成図8A参照とすることも可能である。すなわち、トランジスタ105が有する酸化物半導体層113を形成する工程フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程において、後に信号線103が形成される領域においても酸化物半導体層をエッチングすることなく残存させることが可能である。このように、信号線103とゲート絶縁層112の間に酸化物半導体層201を設けることによって、信号線103と走査線101、102の間の寄生容量をさらに低減することができる。また、信号線103とゲート絶縁層112の間に選択的に酸化物半導体層を設ける構成とすることも可能である。例えば、信号線103と走査線101、102が立体交差する領域117a、117cにおいて選択的に酸化物半導体層202a、202bを設ける構成図8B参照とすることが可能である。また、領域117a、117cに加えて、領域117bの一部において選択的に酸化物半導体層202a、202bを設ける構成図8C参照とすることも可能である。なお、この場合、信号線103とゲート絶縁層112の間の酸化物半導体層によって、領域117bにおいて、信号線103の上面に段差が生じるが、本明細書においては、当該上面形状は、略平面形状に含まれる形状であるとする。換言すると、走査線101、102、及び酸化物半導体層202a、202bの一部に起因する段差に挟まれた領域全体において、信号線103とゲート絶縁層112は直接接しており、且つ、その領域全体において信号線103の上面は全て同一平面上又は略同一平面上に存在する。また、上述した液晶表示装置においては、各画素に設けられるトランジスタとしてボトムゲート構造のトランジスタの1種であるチャネルエッチ型のトランジスタ105を適用する構成図1B参照について示したが、その他の構造を有するトランジスタを適用することも可能である。例えば、ボトムゲート構造のトランジスタの1種であるチャネルストップ型のトランジスタ210図9A参照、又はボトムゲート構造のトランジスタの1種であるボトムコンタクト型のトランジスタ220図9B参照を適用することが可能である。具体的には、図9Aに示すチャネルストップ型のトランジスタ210は、基板110上に設けられたゲート層111と、ゲート層111上に設けられたゲート絶縁層112と、ゲート絶縁層112上に設けられた酸化物半導体層113と、酸化物半導体層113の中央部上に設けられたチャネル保護層として機能する絶縁層211と、酸化物半導体層113の一端及び絶縁層211の一端上に設けられたソース層及びドレイン層の一方114aと、酸化物半導体層113の他端及び絶縁層211の他端上に設けられたソース層及びドレイン層の他方114bとを有する。なお、絶縁層211は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いて形成することができる。また、図9Bに示すボトムコンタクト型のトランジスタ220は、基板110上に設けられたゲート層111と、ゲート層111上に設けられたゲート絶縁層112と、ゲート絶縁層112上に設けられたソース層及びドレイン層の一方114a、並びにソース層及びドレイン層の他方114bと、ソース層及びドレイン層の一方114aの一端上、ソース層及びドレイン層の他方114bの一端上、並びにゲート絶縁層112上に設けられた酸化物半導体層113とを有する。さらに、各画素に設けられるトランジスタがチャネルストップ型のトランジスタ210である場合、信号線103とゲート絶縁層112の間に、絶縁層212を設ける構成図9C参照とすることが可能である。なお、絶縁層212は、トランジスタ210が有するチャネル保護層として機能する絶縁層211と同じ材料を元に形成される絶縁層である。また、ゲート絶縁層112と絶縁層212の間に酸化物半導体層を設ける構成図示しないとすることも可能である。なお、当該酸化物半導体層は、トランジスタ210が有する酸化物半導体層113と同じ材料を元に形成される酸化物半導体層である。さらに、走査線101と走査線102の上だけに、当該酸化物半導体層及び当該絶縁層を選択的に設ける構成図示しないとすることも可能である。また、トランジスタ105としてトップゲート型のトランジスタ230図10A参照を適用することも可能である。具体的には、図10Aに示すトップゲート型のトランジスタ230は、基板110上に設けられた下地絶縁層231と、下地絶縁層231上に設けられた酸化物半導体層113と、酸化物半導体層113上に設けられたゲート絶縁層112と、ゲート絶縁層112上に設けられたゲート層111と、酸化物半導体層113及びゲート層111上に設けられた絶縁層232に形成されたコンタクトホール233aにおいて酸化物半導体層113と接するソース層及びドレイン層の一方114aと、酸化物半導体層113及びゲート層111上に設けられた絶縁層232に形成されたコンタクトホール233bにおいて酸化物半導体層113と接するソース層及びドレイン層の他方114bとを有する。加えて、ソース層及びドレイン層の他方114bは、トランジスタ230上に設けられた絶縁層234に形成されたコンタクトホール235において、画素電極層107に電気的に接続されている。この場合、信号線103は、領域117a、117cにおいて、絶縁層232を介して走査線101、102と立体交差することになる図10B参照。なお、下地絶縁層231は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。また、絶縁層232は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、又は酸化ハフニウム膜などの無機絶縁体から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。なお、絶縁層234は、絶縁層232と同様の無機絶縁体膜を用いて形成すること、又はポリイミド、アクリル樹脂、若しくはベンゾシクロブテン系樹脂などの有機材料を用いて形成することができる。また、上述した液晶表示装置においては、各画素に設けられるトランジスタが1つである構成について示したが、各画素に2つ以上のトランジスタが設けられる構成とすることも可能である。例えば、VAVerticalAlignment方式の液晶表示装置の視野角に関する問題の対策のために各画素に2つのトランジスタが設けられる場合において、当該2つのトランジスタとして酸化物半導体層を具備するトランジスタを適用することが可能である。ここで、当該液晶表示装置は、各画素にトランジスタを介したリーク経路を2つ有する液晶表示装置であると表現することができる。そのため、従来の液晶表示装置においては、各画素において2つの容量素子を設けるなど、容量素子の面積を大きくして液晶素子に印加される電圧の保持を行っていた。すなわち、開口率を犠牲にして液晶素子に印加される電圧の保持を行っていた。これに対し、本明細書で開示される液晶表示装置では、酸化物半導体層を具備するトランジスタを介した電荷のリークを大きく低減することで容量素子自体を削除することが可能である。すなわち、本明細書で開示される液晶表示装置は、各画素に複数のトランジスタが設けられる場合であっても、高い開口率を維持することができる液晶表示装置であると言える。トランジスタの製造方法の具体例について以下では、本明細書で開示される液晶表示装置の各画素に設けられるトランジスタの一例として、ボトムゲート構造の1種であるチャネルエッチ型のトランジスタ410の作製工程について図11を参照して説明する。なお、ここではシングルゲート構造のトランジスタを示すが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとすることができる。以下、図11A~Dを参照して、基板400上にトランジスタ410を作製する工程について説明する。まず、絶縁表面を有する基板400上に導電膜を形成した後、第1のフォトリソグラフィ工程によりゲート層411を形成する。なお、当該工程において用いられるレジストマスクは、インクジェット法によって形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。絶縁表面を有する基板400に使用することができる基板に大きな制限はないが、少なくとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。例えば、バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。また、ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が730°C以上のものを用いると良い。下地層となる絶縁層を基板400とゲート層411の間に設けてもよい。下地層は、基板400からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。また、ゲート層411の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属又はこれらを主成分とする合金を用いて、単層で又は積層して形成することができる。例えば、ゲート層411の2層の積層構造としては、アルミニウム層上にモリブデン層を積層した2層構造、銅層上にモリブデン層を積層した2層構造、銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタル層を積層した2層構造、窒化チタン層とモリブデン層を積層した2層構造とすることが好ましい。3層の積層構造としては、タングステン層または窒化タングステン層と、アルミニウムとシリコンの合金層またはアルミニウムとチタンの合金層と、窒化チタン層またはチタン層とを積層した3層構造とすることが好ましい。次いで、ゲート層411上にゲート絶縁層402を形成する。ゲート絶縁層402は、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、若しくは酸化アルミニウム層を単層で又は積層して形成することができる。例えば、成膜ガスとして、シランSiH4、酸素及び窒素を用いてプラズマCVD法により酸化窒化シリコン層を形成すればよい。また、ゲート絶縁層402として酸化ハフニウムHfOx、酸化タンタルTaOx等のHigh-k材料を用いることもできる。ゲート絶縁層402の膜厚は、100nm以上500nm以下とし、積層の場合は、例えば、膜厚50nm以上200nm以下の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶縁層上に膜厚5nm以上300nm以下の第2のゲート絶縁層とを積層して形成する。ここでは、ゲート絶縁層402としてプラズマCVD法により酸化窒化シリコン層を形成する。また、ゲート絶縁層402として、高密度プラズマ装置を用い、酸化窒化シリコン層の形成を行ってもよい。ここで高密度プラズマ装置とは、1×1011/cm3以上のプラズマ密度を達成できる装置を指している。例えば、3kW~6kWのマイクロ波電力を印加してプラズマを発生させて、絶縁層の成膜を行う。チャンバーに材料ガスとしてシランSiH4、亜酸化窒素N2O、及び希ガスを導入し、10Pa~30Paの圧力下で高密度プラズマを発生させてガラス等の絶縁表面を有する基板上に絶縁層を形成する。その後、シランSiH4の供給を停止し、絶縁層を大気に曝すことなく亜酸化窒素N2Oと希ガスを導入して絶縁層表面にプラズマ処理を行ってもよい。上記プロセス順序を経た絶縁層は、膜厚が薄くてもトランジスタの信頼性を確保することができる絶縁層である。ゲート絶縁層402の形成の際、チャンバーに導入するシランSiH4と亜酸化窒素N2Oの流量比は、1:10から1:200の範囲とする。また、チャンバーに導入する希ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンなどを用いることができるが、中でも安価であるアルゴンを用いることが好ましい。また、高密度プラズマ装置により得られた絶縁層は、一定した厚さの膜形成ができるため段差被覆性に優れている。また、高密度プラズマ装置により得られる絶縁層は、薄い膜の厚みを精密に制御することができる。上記プロセス順序を経た絶縁層は、従来の平行平板型のPCVD装置で得られる絶縁層とは大きく異なっており、同じエッチャントを用いてエッチング速度を比較した場合において、平行平板型のPCVD装置で得られる絶縁膜の10以上または20以上遅く、高密度プラズマ装置で得られる絶縁層は緻密な膜と言える。なお、後の工程でI型化又は実質的にI型化される酸化物半導体高純度化された酸化物半導体は界面準位、界面電荷に対して極めて敏感であるため、ゲート絶縁層との界面は重要である。そのため高純度化された酸化物半導体に接するゲート絶縁層は、高品質化が要求される。従ってμ波2.45GHzを用いた高密度プラズマCVD装置は、緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁膜を形成できるので好ましい。高純度化された酸化物半導体と高品質ゲート絶縁層が密接することにより、界面準位密度を低減して界面特性を良好なものとすることができるからである。ゲート絶縁層としての膜質が良好であることは勿論のこと、酸化物半導体との界面準位密度を低減し、良好な界面を形成できることが重要である。次いで、ゲート絶縁層402上に、膜厚2nm以上200nm以下の酸化物半導体膜430を形成する。なお、酸化物半導体膜430をスパッタ法により成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層402の表面に付着している粉状物質パーティクル、ゴミともいうを除去することが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。酸化物半導体膜430は、In-Ga-Zn-O系、In-Sn-O系、In-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、In-O系、Sn-O系、Zn-O系の酸化物半導体膜を用いる。ここでは、酸化物半導体膜430として、In-Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットを用いてスパッタ法により成膜する。この段階での断面図が図11Aに相当する。また、酸化物半導体膜430は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガス代表的にはアルゴン及び酸素の混合雰囲気下においてスパッタ法により形成することができる。また、スパッタ法を用いる場合、SiO2を2重量以上10重量以下含むターゲットを用いて成膜を行い、酸化物半導体膜430に結晶化を阻害するSiOxX>0を含ませ、後の工程で行う脱水化または脱水素化のための加熱処理の際に結晶化してしまうのを抑制することもできる。ここでは、In、Ga、及びZnを含む金属酸化物ターゲットIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol]、In:Ga:Zn=1:1:0.5[atom]を用いて、基板とターゲットの間との距離を100mm、圧力0.2Pa、直流DC電源0.5kW、アルゴン及び酸素アルゴン:酸素=30sccm:20sccm、酸素流量比率40雰囲気下で成膜する。なお、パルス直流DC電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。In-Ga-Zn-O系膜の膜厚は、2nm以上200nm以下とする。ここでは、酸化物半導体膜として、In-Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットを用いてスパッタ法により膜厚20nmのIn-Ga-Zn-O系膜を成膜する。また、In、Ga、及びZnを含む金属酸化物ターゲットとして、In:Ga:Zn=1:1:1[atom]、又はIn:Ga:Zn=1:1:2[atom]の組成比を有する金属酸化物ターゲットを用いることもできる。スパッタ法にはスパッタ用電源に高周波電源を用いるRFスパッタ法とDCスパッタ法があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタ法もある。RFスパッタ法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッタ法は主に金属膜を成膜する場合に用いられる。また、材料の異なるターゲットを複数設置できる多元スパッタ装置もある。多元スパッタ装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。また、チャンバー内部に磁石機構を備えたマグネトロンスパッタ法を用いるスパッタ装置や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRスパッタ法を用いるスパッタ装置がある。また、スパッタ法を用いる成膜方法として、成膜中にターゲット物質とスパッタガスとを化学反応させてそれらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタ法や、成膜中に基板にも電圧をかけるバイアススパッタ法もある。次いで、酸化物半導体膜430を第2のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。また、当該工程において用いられるレジストマスクは、インクジェット法によって形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。次いで、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行う。脱水化または脱水素化を行う第1の加熱処理の温度は、400°C以上750°C以下、好ましくは400°C以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の加熱処理を行った後、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぐため、大気に触れさせることなく冷却して酸化物半導体層431を得る図11B参照。なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体には、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。例えば、第1の加熱処理として、650°C~700°Cの高温に加熱した不活性ガス中に基板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中から出すGRTAを行ってもよい。GRTAを用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。なお、第1の加熱処理においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上、即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。また、酸化物半導体層の第1の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜430に対して行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から基板を取り出し、第2のフォトリソグラフィ工程を行う。酸化物半導体層に対する脱水化または脱水素化の加熱処理は、酸化物半導体層の形成後、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を積層させた後、ソース電極層及びドレイン電極層上に保護絶縁膜を形成した後、のいずれで行っても良い。また、ゲート絶縁層402に開口部を形成する場合、その工程は酸化物半導体膜430に脱水化または脱水素化処理を行う前でも行った後に行ってもよい。なお、ここでの酸化物半導体膜430のエッチングは、ウェットエッチングに限定されずドライエッチングを用いてもよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス塩素系ガス、例えば塩素Cl2、三塩化硼素BCl3、四塩化シリコンSiCl4、四塩化炭素CCl4などが好ましい。また、フッ素を含むガスフッ素系ガス、例えば四弗化炭素CF4、六弗化硫黄SF6、三弗化窒素NF3、トリフルオロメタンCHF3など、臭化水素HBr、酸素O2、これらのガスにヘリウムHeやアルゴンArなどの希ガスを添加したガス、などを用いることができる。ドライエッチング法としては、平行平板型RIEReactiveIonEtching法や、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマエッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングできるように、エッチング条件コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等を適宜調節する。ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液などを用いることができる。また、ITO07N関東化学社製を用いてもよい。また、ウェットエッチング後のエッチング液はエッチングされた材料とともに洗浄によって除去される。その除去された材料を含むエッチング液の廃液を精製し、含まれる材料を再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体層に含まれるインジウム等の材料を回収して再利用することにより、資源を有効活用し低コスト化することができる。所望の加工形状にエッチングできるように、材料に合わせてエッチング条件エッチング液、エッチング時間、温度等を適宜調節する。次いで、ゲート絶縁層402、及び酸化物半導体層431上に、金属導電膜を形成する。金属導電膜はスパッタ法や真空蒸着法で形成すればよい。金属導電膜の材料としては、アルミニウムAl、クロムCr、銅Cu、タンタルTa、チタンTi、モリブデンMo、タングステンWから選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、又は上述した元素を組み合わせた合金等が挙げられる。また、マンガンMn、マグネシウムMg、ジルコニウムZr、ベリリウムBe、イットリウムYのいずれか一または複数から選択された材料を用いてもよい。また、金属導電膜は、単層構造でも、2層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、銅又は銅を主成分とする膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する2層構造、窒化タンタル膜又は窒化銅膜上に銅膜を積層する2層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにアルミニウム膜上にチタン膜を積層する3層構造などが挙げられる。また、アルミニウムAlに、チタンTi、タンタルTa、タングステンW、モリブデンMo、クロムCr、ネオジムNd、スカンジウムScから選ばれた元素を単数、又は複数組み合わせた膜、合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。金属導電膜形成後に加熱処理を行う場合には、この加熱処理に耐えうる耐熱性を金属導電膜に持たせることが好ましい。第3のフォトリソグラフィ工程により金属導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース層415a、ドレイン層415bを形成した後、レジストマスクを除去する図11C参照。また、当該工程において用いるレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。なお、金属導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体層431は除去されないようにそれぞれの材料及びエッチング条件を適宜調節する。ここでは、金属導電膜としてチタン膜を用いて、酸化物半導体層431にはIn-Ga-Zn-O系酸化物を用いて、エッチャントとしてアンモニア過水アンモニア、水、過酸化水素水の混合液を用いる。なお、第3のフォトリソグラフィ工程では、酸化物半導体層431は一部がエッチングされ、溝部凹部を有する酸化物半導体層となることもある。また、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスク数及び工程数を削減するため、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成したレジストマスクは複数の膜厚を有する形状となり、アッシングを行うことでさらに形状を変形することができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができる。よって、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。よって露光マスク数を削減することができ、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。次いで、亜酸化窒素N2O、窒素N2、またはアルゴンArなどのガスを用いたプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によって露出している酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去する。また、酸素とアルゴンの混合ガスを用いてプラズマ処理を行ってもよい。プラズマ処理を行った後、酸化物半導体層を大気に触れさせることなく、酸化物半導体層の一部に接する保護絶縁膜となる酸化物絶縁層416を形成する。酸化物絶縁層416は、少なくとも1nm以上の膜厚とし、スパッタ法など、酸化物絶縁層416に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。酸化物絶縁層416に水素が含まれると、その水素が酸化物半導体層へ侵入して酸化物半導体層431のバックチャネルが低抵抗化N型化してしまい、寄生チャネルが形成される恐れがある。よって、酸化物絶縁層416はできるだけ水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いないことが重要である。ここでは、酸化物絶縁層416として膜厚200nmの酸化シリコン膜をスパッタ法を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300°C以下とすればよく、ここでは100°Cとする。酸化シリコン膜のスパッタ法による成膜は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガス代表的にはアルゴン及び酸素雰囲気下において行うことができる。また、ターゲットとして酸化シリコンターゲットまたはシリコンターゲットを用いることができる。例えば、シリコンターゲットを用いて、酸素、及び窒素雰囲気下でスパッタ法により酸化シリコン膜を形成することができる。次いで、不活性ガス雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で第2の加熱処理好ましくは200°C以上400°C以下、例えば250°C以上350°C以下を行う。例えば、窒素雰囲気下で250°C、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導体層の一部チャネル形成領域は酸化物絶縁層416と接した状態で加熱される。これにより、酸化物半導体層の一部チャネル形成領域に酸素が供給される。また、この加熱処理によって、酸化物半導体層から酸化物絶縁層416中に水素をとりこむことができる。以上の工程を経ることによって、酸化物半導体層に対して脱水化または脱水素化のための加熱処理を行った後、酸化物半導体層の一部チャネル形成領域を選択的に酸素過剰な状態とする。その結果、ゲート層411と重なるチャネル形成領域413はI型となり、ソース層415aに重なるソース領域414aと、ドレイン層415bに重なるドレイン領域414bとが自己整合的に形成される。以上の工程でトランジスタ410が形成される。例えば、ゲートバイアス熱ストレス試験BT試験のような高温、高電界に長時間さらされる条件下例えば、85°C、2×106V/cm、12時間においては、不純物水素等が酸化物半導体に存在していると、不純物と酸化物半導体の主成分との結合手が、強電界B:バイアスと高温T:温度により切断され、生成された未結合手がしきい値電圧Vthのドリフトを誘発することとなる。これに対して、酸化物半導体の不純物、特に水素や水等を極力除去し、上述の高密度プラズマCVD装置を用いて緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁膜を形成し、酸化物半導体との界面特性を良好にすることにより、過酷な外部環境に対しても安定なトランジスタを得ることができる。さらに大気中、100°C以上200°C以下、1時間以上30時間以下での加熱処理を行ってもよい。ここでは150°Cで10時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定の加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、100°C以上200°C以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回くりかえして行ってもよい。また、この加熱処理を、酸化物絶縁層416の形成前に、減圧下で行ってもよい。減圧下で加熱処理を行うと、加熱時間を短縮することができる。なお、ドレイン層415bと重畳した酸化物半導体層においてドレイン領域414bを形成することにより、トランジスタの信頼性の向上を図ることができる。具体的には、ドレイン領域414bを形成することで、ドレイン層415bからドレイン領域414b、チャネル形成領域413にかけて、導電性を段階的に変化させうるような構造とすることができる。また、酸化物半導体層におけるソース領域又はドレイン領域は、酸化物半導体層の膜厚が15nm以下と薄い場合は膜厚方向全体にわたって形成されるが、酸化物半導体層の膜厚が30nm以上50nm以下とより厚い場合は、酸化物半導体層の一部、ソース層又はドレイン層と接する領域及びその近傍が低抵抗化しソース領域又はドレイン領域が形成され、酸化物半導体層においてゲート絶縁層に近い領域はI型とすることもできる。酸化物絶縁層416上にさらに保護絶縁層を形成してもよい。例えば、RFスパッタ法を用いて窒化シリコン膜を形成する。RFスパッタ法は、量産性がよいため、保護絶縁層の成膜方法として好ましい。保護絶縁層は、水分や、水素イオンや、OH-などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。ここでは、保護絶縁層として保護絶縁層403を、窒化シリコン膜を用いて形成する図11D参照。液晶表示装置を搭載した各種電子機器について以下では、本明細書で開示される液晶表示装置を搭載した電子機器の例について図12を参照して説明する。図12Aは、ノート型のパーソナルコンピュータを示す図であり、本体2201、筐体2202、表示部2203、キーボード2204などによって構成されている。図12Bは、携帯情報端末PDAを示す図であり、本体2211には表示部2213と、外部インターフェイス2215と、操作ボタン2214等が設けられている。また、操作用の付属品としてスタイラス2212がある。図12Cは、電子ペーパーの一例として、電子書籍2220を示す図である。電子書籍2220は、筐体2221および筐体2223の2つの筐体で構成されている。筐体2221および筐体2223は、軸部2237により一体とされており、該軸部2237を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、電子書籍2220は、紙の書籍のように用いることが可能である。筐体2221には表示部2225が組み込まれ、筐体2223には表示部2227が組み込まれている。表示部2225および表示部2227は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図12Cでは表示部2225に文章を表示し、左側の表示部図12Cでは表示部2227に画像を表示することができる。また、図12Cでは、筐体2221に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体2221は、電源スイッチ2231、操作キー2233、スピーカー2235などを備えている。操作キー2233により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2220は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍2220は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。なお、電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野に適用することが可能である。例えば、電子書籍以外にも、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示などに適用することができる。図12Dは、携帯電話機を示す図である。当該携帯電話機は、筐体2240および筐体2241の二つの筐体で構成されている。筐体2241は、表示パネル2242、スピーカー2243、マイクロフォン2244、ポインティングデバイス2246、カメラ用レンズ2247、外部接続端子2248などを備えている。また、筐体2240は、当該携帯電話機の充電を行う太陽電池セル2249、外部メモリスロット2250などを備えている。また、アンテナは筐体2241内部に内蔵されている。表示パネル2242はタッチパネル機能を備えており、図12Dには映像表示されている複数の操作キー2245を点線で示している。なお、当該携帯電話は、太陽電池セル2249から出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路を実装している。また、上記構成に加えて、非接触ICチップ、小型記録装置などを内蔵した構成とすることもできる。表示パネル2242は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル2242と同一面上にカメラ用レンズ2247を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー2243およびマイクロフォン2244は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体2240と筐体2241はスライドし、図12Dのように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。外部接続端子2248はACアダプタやUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電やデータ通信が可能になっている。また、外部メモリスロット2250に記録媒体を挿入し、より大量のデータの保存および移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。図12Eは、デジタルカメラを示す図である。当該デジタルカメラは、本体2261、表示部A2267、接眼部2263、操作スイッチ2264、表示部B2265、バッテリー2266などによって構成されている。図12Fは、テレビジョン装置を示す図である。テレビジョン装置2270では、筐体2271に表示部2273が組み込まれている。表示部2273により、映像を表示することが可能である。なお、ここでは、スタンド2275により筐体2271を支持した構成を示している。テレビジョン装置2270の操作は、筐体2271が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機2280により行うことができる。リモコン操作機2280が備える操作キー2279により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部2273に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機2280に、当該リモコン操作機2280から出力する情報を表示する表示部2277を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置2270は、受信機やモデムなどを備えた構成とするのが好適である。受信機により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことが可能である。