<0001>面からの傾斜角が5度よりも小さな炭化珪素バルク基板を還元性ガス雰囲気中で第1の温度T1および処理時間tの条件でアニールする第1の工程と、前記還元性ガス雰囲気中で基板温度を低下する第2の工程と、前記第1の工程でのアニール温度T1よりも低い第2の温度T2で少なくともシリコン原子を含むガスと炭素原子を含むガスとを供給してエピタキシャル成長する第3の工程と、を備えることを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。前記第1の温度T1は、前記第2の温度T2に対して75°C以上高いことを特徴とする請求項1記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。エピタキシャル成長をCVD法によって行うことを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。前記シリコン原子を含むガスはモノシランガスであり、前記炭素原子を含むガスはプロパンであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。前記還元性ガスが水素からなることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。前記炭化珪素バルク基板は4H-SiCからなることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。前記第1の工程の処理時間tが10秒以上180秒以下であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。前記第1の工程でアニール効果の発現する最も低いアニール温度をオフセット温度Toとした場合に、T1-To×tが0~21000の範囲内であることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。前記T1-To×tが500~13500の範囲内であることを特徴とする請求項8記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。前記第3の工程において形成されたエピタキシャル成長層中のN型残留不純物濃度は、2×1016cm-3以下であることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。前記第3の工程において供給する全ガス中に含まれる炭素原子数とシリコン原子数の比をC/Si比とし、前記C/Si比が、0.45以上、かつ、1.4未満であることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。前記C/Si比が、1.17以上、かつ、1.4未満であることを特徴とする請求項11記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。前記第2の温度T2は、1325°C以上、かつ、1500°C未満であることを特徴とする請求項10ないし12のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。請求項1ないし13のいずれか1項に記載の製造方法によって作製された炭化珪素エピタキシャルウエハ。<0001>面からの傾斜角が5度よりも小さな炭化珪素バルク基板を還元性ガス雰囲気中で第1の温度T1および処理時間tの条件でアニールする第1の工程と、前記還元性ガス雰囲気中で前記炭化珪素バルク基板の温度を前記第1の温度T1よりも低い第3の温度T3まで低下させる第2の工程と、前記還元性ガスの供給を停止する第3の工程と、前記炭化珪素バルク基板の温度を前記第3の温度T3よりも低い温度に低下させる第4の工程と、を備えたエピタキシャル成長用炭化珪素バルク基板の製造方法。前記第1の温度T1は1550°C以上であることを特徴とする請求項15記載のエピタキシャル成長用炭化珪素バルク基板の製造方法。前記第3の温度T3は900°C以下であることを特徴とする請求項15または16に記載のエピタキシャル成長用炭化珪素バルク基板の製造方法。前記還元性ガスは水素からなることを特徴とする請求項15ないし17のいずれか1項に記載のエピタキシャル成長用炭化珪素バルク基板の製造方法。前記炭化珪素バルク基板は4H-SiCからなることを特徴とする請求項15ないし18のいずれか1項に記載のエピタキシャル成長用炭化珪素バルク基板の製造方法。前記処理時間tは10秒以上180秒以下であることを特徴とする請求項15ないし19のいずれか1項に記載のエピタキシャル成長用炭化珪素バルク基板の製造方法。前記第1の工程でアニール効果の発現する最も低いアニール温度をオフセット温度Toとした場合に、T1-To×tが0~21000の範囲内であることを特徴とする請求項15ないし20のいずれか1項に記載のエピタキシャル成長用炭化珪素バルク基板の製造方法。前記T1-To×tが500~13500の範囲内であることを特徴とする請求項21記載のエピタキシャル成長用炭化珪素バルク基板の製造方法。前記炭化珪素バルク基板を、大気圧、かつ、30°C以下で、60分以上保持する第4の工程を備えたことを特徴とする請求項15ないし22のいずれか1項に記載のエピタキシャル成長用炭化珪素バルク基板の製造方法。請求項15ないし23のいずれか1項に記載の製造方法によって製造されたエピタキシャル成長用炭化珪素バルク基板。炭化珪素バルク基板を還元性ガス雰囲気で熱処理するための処理室と、前記処理室内に前記還元性ガスを導入するための還元性ガス導入部と、前記処理室内で前記炭化珪素バルク基板を支持するための基板支持具と、前記処理室外へ前記還元性ガスを排出するための還元性ガス排出部と、前記処理室内の前記還元性ガスの流れる方向に対して前記基板支持具よりも上流側に前記基板支持具と隣接して設置された段差軽減部材と、前記炭化珪素バルク基板を加熱するための加熱装置と、を備え、前記基板支持具の前記還元性ガスの流路と接する面と、前記段差軽減部材の前記還元性ガスの流路と接する面とは、ほぼ同一の平面上に存在する熱処理装置。前記基板支持具は、前記還元性ガスの流れる方向とほぼ平行な平面上に複数の前記炭化珪素バルク基板が2次元面心格子状に並ぶように前記複数の炭化珪素バルク基板を支持することを特徴とする請求項25記載の熱処理装置。前記基板支持具は、格子の一辺が前記還元性ガスの流れる方向とほぼ平行となる2次元面心格子状に前記複数の炭化珪素バルク基板が並ぶように前記複数の炭化珪素バルク基板を支持することを特徴とする請求項26記載の熱処理装置。前記基板支持具は、前記炭化珪素バルク基板のエピタキシャル成長用の面が下方を向き、かつ、前記エピタキシャル成長用の面が前記還元性ガスの流路に接するように前記炭化珪素バルク基板を支持することを特徴とする請求項25ないし27のいずれか1項に記載の熱処理装置。前記基板支持具は、少なくとも表面に炭化珪素、炭化タンタルまたは炭素で形成された層を有することを特徴とする請求項25ないし28のいずれか1項に記載の熱処理装置。前記段差軽減部材は、少なくとも表面に炭化珪素、炭化タンタルまたは炭素で形成された層を有することを特徴とする請求項25ないし29のいずれか1項に記載の熱処理装置。前記段差軽減部材は、前記処理室の内壁の一部として形成されたことを特徴とする請求項25ないし30のいずれか1項に記載の熱処理装置。前記基板支持具は、互いにほぼ平行な複数の平面上に、それぞれ前記炭化珪素バルク基板を支持することを特徴とする請求項25ないし31のいずれか1項に記載の熱処理装置。前記基板支持具は、1つの前記平面上に1枚の前記炭化珪素バルクを支持し、前記基板支持具の外周と前記炭化珪素バルク基板の外周との距離が、5mmよりも大きく、100mmよりも小さいことを特徴とする請求項32記載の熱処理装置。特許文献1の手法では、本質的にデバイス特性とは無関係であり活性層とは明確に異なる欠陥抑止層を、活性層とは異なる成長条件で別途形成する必要がある。これは、原料ガスの利用効率、エピタキシャルウエハの作製時間等の観点からは著しく不利であり、生産性を低下させる不具合が生じる。さらに、デバイスの電気的特性はエピタキシャル成長層の電気的特性によって本質的に規定されるため、かかる欠陥抑止層の導入によってデバイス構造上の制約条件が加わる結果、デバイス設計における自由度が低減するという問題も発生する。一方、特許文献2の手法ではこのような抑止層は不要であるが、事実上40分以上に亘って水素エッチングを行い、さらに成長時には実質的に圧力及び温度を共に上昇しなければならない。これは、エピタキシャルウエハの製造上の時間的効率、即ちコストの観点で不利であり、また、装置状態を大きく変化しなければならないという装置上の問題、特に装置の排気系に対する負荷が大きいという問題がある。なお、特許文献2には基底面転位に関する記載はあるものの、素子歩留りを本質的に規定するキャロット欠陥及び三角欠陥等の電流リーク欠陥については一切言及されていない。また、4H-SiCタイプのSiCバルク基板において表面が<0001>面から<11-20>方向に5度程度よりも小さな角度で傾斜することによってSi原子がC原子に比べてより安定に配置されるような場合には、エピタキシャル成長するとステップバンチングと呼ばれる凹凸が形成される傾向が強いので、かかるステップバンチングがデバイス特性へ及ぼす影響を回避するため、デバイス構造等が極端に制限されるという重大な問題があった。本発明は、かかる問題を解決するためになされたもので、原料ガスの利用効率を低減すること無くエピタキシャルウエハの作製時間を短縮して良好な生産性を確保した上で、SiCデバイスにおいて電流リーク源となるエピタキシャル成長後の欠陥密度が著しく低い、つまり、高い素子歩留りが得られ、しかも、良好な電気的特性を得る上で重要な要素である平坦性に優れたSiCエピタキシャルウエハを提供するものである。また、本発明は、原料ガスの利用効率を低下させるような工程や長時間の処理を要し生産性を低下させるような工程等の特殊な前処理工程を行うことなしにSiCバルク基板上に活性層のエピタキシャル成長を行っても、SiCデバイスにおいて電流リーク源となるエピタキシャル成長後の欠陥密度が低い、つまり、高い素子歩留りが得られるSiCエピタキシャルウエハを得ることができるエピタキシャル成長用SiCバルク基板を提供するものである。また、本発明は、長時間の処理を要し生産性を低下させるような工程等の特殊な前処理工程を行うことなしにSiCバルク基板上に活性層のエピタキシャル成長を行っても、SiCデバイスにおいて電流リーク源となるエピタキシャル成長後の欠陥密度が低い、つまり、高い素子歩留りが得られるSiCエピタキシャルウエハを得ることができるエピタキシャル成長用SiCバルク基板を得るための熱処理装置を提供するものである。本発明に係るSiCエピタキシャルウエハの製造方法は、<0001>面から傾斜角が5度よりも小さな炭化珪素バルク基板を還元性ガス雰囲気中で第1の温度T1および処理時間tの条件でアニールする第1の工程と、上記還元性ガス雰囲気中で基板温度を低下する第2の工程と、上記第1の工程でのアニール温度T1よりも低い第2の温度T2で少なくともシリコン原子を含むガスと炭素原子を含むガスとを供給してエピタキシャル成長する第3の工程と、を備えたことを特徴とする。また、本発明に係るエピタキシャル成長用SiCバルク基板の製造方法は、<0001>面からの傾斜角が5度よりも小さな炭化珪素バルク基板を還元性ガス雰囲気中で第1の温度T1および処理時間tの条件でアニールする第1の工程と、還元性ガス雰囲気中で炭化珪素バルク基板の温度を第1の温度T1よりも低い第3の温度T3まで低下させる第2の工程と、還元性ガスの供給を停止する第3の工程と、炭化珪素バルク基板の温度を前記第3の温度T3よりも低い温度に低下させる第4の工程と、を備えたものである。また、本発明に係る熱処理装置は、炭化珪素バルク基板を還元性ガス雰囲気で熱処理するための処理室と、処理室内に還元性ガスを導入するための還元性ガス導入部と、処理室内で炭化珪素バルク基板を支持するための基板支持具と、処理室外へ還元性ガスを排出するための還元性ガス排出部と、処理室内の還元性ガスの流れる方向に対して基板支持具よりも上流側に基板支持具と隣接して設置された段差軽減部材と、炭化珪素バルク基板を加熱するための加熱装置と、を備え、基板支持具の還元性ガスの流路と接する面と、段差軽減部材の還元性ガスの流路と接する面とは、ほぼ同一の平面上に存在するものである。本発明に係るSiCエピタキシャルウエハの製造方法によれば、原料ガス等の利用効率を低減することなく、SiCエピタキシャルウエハの作製時間を短縮して良好な生産性を確保した上で、SiCデバイスにおいて電流リーク源となるエピタキシャル成長後の欠陥密度が著しく低く、かつ、優れたデバイス特性を得る上で重要なウエハ表面の平坦性が極めて良好なSiCエピタキシャルウエハを簡便に作製できる。また、本発明に係るエピタキシャル成長用SiCバルク基板の製造方法よれば、例えば原料ガス等の利用効率を低下させたり生産性を低下させたりするような特殊な前処理工程を行うことなしにエピタキシャル成長を行ってもSiCデバイスにおいて電流リーク源となるエピタキシャル成長後の欠陥密度が低いSiCエピタキシャルウエハを得ることができるエピタキシャル成長用SiCバルク基板を簡便に作製できる。また、本発明に係る熱処理装置によれば、長時間の処理を要する等の生産性を低下させるような特殊な前処理工程を行うことなしにエピタキシャル成長を行ってもSiCデバイスにおいて電流リーク源となるエピタキシャル成長後の欠陥密度が低いSiCエピタキシャルウエハを得ることができるエピタキシャル成長用SiCバルク基板を簡便に作製できる熱処理装置を得ることができる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1におけるSiCエピタキシャルウエハの製造手順を示す工程フロー図である。本発明で使用するSiCバルク基板は、4H-SiCタイプで、<0001>面から<11-20>方向に5度程度よりも小さな角度で傾けた仕様の基板である。なお、傾斜方向は<11-20>方向に厳密に限定されるものではなく、他の方向に傾斜した仕様の基板でも良い。まず、SiCバルク基板を、予め機械研磨及び、酸性又はアルカリ性を呈する薬液を用いて化学機械研磨により平坦化処理する。平坦化処理後のSiCバルク基板をアセトン等を用いて超音波洗浄を施して、表面に付着した有機物を除去する。次に、硫酸と過酸化水素水とを体積比率で5:1に混合して、約130°C±5°Cに加熱した混合溶液中に、SiCバルク基板を浸漬することにより、主に金属付着物を除去する。さらに、王水により残留金属付着物を除去する。次に、このSiCバルク基板に対して、いわゆるRCA洗浄を行う。即ち、75°C±5°Cに加熱したアンモニア水と過酸化水素水の混合溶液1:9中に10分間浸した後、75°C±5°Cに加熱した塩酸と過酸化水素水の混合溶液1:9に浸す。さらに、体積比率で5程度のフッ酸を含む水溶液に浸した後、純水により置換処理を施して、SiCバルク基板に対する表面洗浄を行う。しかしながら、上述の一連のウェット薬液洗浄によっても、SiCバルク基板表面は他の例えばシリコン等の半導体材料のようには清浄とはならない。これは、SiC結晶における原子間力が従来の半導体の原子間力に比べて著しく強いため、SiCバルク基板表面を均一に溶解する薬液が未だ見出されていないからである。図2は、上記処理後のSiCバルク基板の表面を暗視野条件の下で、光学顕微鏡観察を行った結果である。後述するが、図2において実線で囲まれた領域では、エピタキシャル成長後、三角欠陥が確認され、一方、破線で囲まれた領域ではキャロット欠陥が観測された。破線で囲まれた領域では比較的強い発光が見られ、実線で囲まれた領域内、あるいは領域外の近傍で、比較的弱い発光が見られる。なお、実線矢印で示した直線形状はSiCバルク基板裏面の研磨傷に起因するものであり、また、極めて強い発光領域は裏面の凹凸を反映したものである。なお、詳細に観察すればより小さな点状の発光が確認されるものの、これらの部位は後の結果に影響を及ぼさない。このような観察法は表面状態に敏感であるため、かかる観察からSiCバルク基板表面に何らかの微小な粒が付着していることが分かる。上記処理後のSiCバルク基板を走査型電子顕微鏡によってさらに評価した結果を図3に示す。図3から明らかな通り、上記微小発光領域に存在する異物は鋭角状を呈しており、その大きさは少なくともマイクロメートルスケールであることが判別できる。図3中の正方形で囲まれた領域に対して、エネルギー分散型X線分光により得られたスペクトルを図4に示す。図4の縦軸はスペクトル強度、横軸はエネルギーを表している。図から分かるように、炭素及びシリコンからのピークが強く、これらの相対強度から判断すると、この付着物は化学量論比が一対一のSiCからなることが分かった。即ち、上述の種々の洗浄を行ったにもかかわらず、SiCバルク基板表面には未だにSiC塵が付着していることが判明した。図2で示したような、予め、SiCバルク基板に対する暗視野条件下で表面観察を行った領域上に、1475°Cでエピタキシャル成長を行った後の微分干渉光学顕微鏡像を図5に示す。以下、本発明に至る過程で得られた実験結果における各処理温度を詳細に記述するが、かかる処理温度の表示値は、CVD装置における測定方法に強く依存する。そこで、本発明における温度の測定は原則としてパイロメーターでの測定値に統一している。ちなみに、他の測定方法で温度を測定した場合は、パイロメーターで同時に測定した値とのオフセット値を計算して調整すれば良い。図5から明らかな通り、図2において破線で囲まれた領域の近傍にはキャロット欠陥が、実線で囲まれた領域の近傍には三角欠陥といった電流リーク欠陥が形成されている事実を本発明の発明者らが初めて見出した。なお、図2における比較的弱い発光が見られた位置と図3において三角型欠陥が見られた位置とが必ずしも完全に対応せず、100μmオーダでずれている箇所が複数見られるが、これは、後述するような過程によって、実質的に移動することを明確に示すものである。また、このような欠陥が存在する領域をパワーデバイスが含む場合、高電界印加時にリーク電流が生じることが一般に知られている。即ち、かかる欠陥の存在は、素子歩留りを大幅に低下させる直接的要因となる。したがって、これらの欠陥を除去しなければ、均一性が良好でパワーデバイス作製に好適なエピタキシャル成長層は到底得られない。このような各種欠陥の要因となるSiC塵を除去するために、本発明の発明者らが様々な実験を試行錯誤しつつ繰り返し行った結果、以下に詳述する一連の工程が最も効率的にSiC塵を除去し得て、しかも、平坦性が極めて良好なエピタキシャル表面が得られるという新たな知見を得た。以下に、本発明の特徴であるSiC塵除去の工程を説明する。まず、例えばSiC膜によってコーティングされたグラファイト製の基板ホルダ上にSiCバルク基板を載置して、CVD装置の反応炉内に設置する。反応炉内に残存する意図しない分子あるいは原子状の不純物のエピタキシャル成長層への混入を抑制するため、反応炉内を約1×10-7kPa程度にまで真空引きを行う。次に、図6に示すような温度プロファイル及びガスシーケンスにて、SiCエピタキシャルウエハ、つまり、SiCバルク基板上にエピタキシャル成長層が形成されたウエハの作製を行う。最初に、反応炉内に還元性ガスとして、例えば水素ガスを導入する。ちなみに、本実施の形態では、水素ガスはキャリアガスを兼ねている。還元性ガスが導入され、基板表面に還元性ガス種が接する設定下で、真空度が例えば25kPa程度に一定に保持されるように、反応炉の圧力を制御する。なお、本実施の形態では上記圧力下での実験例を詳述するが、一般に、反応炉の構造形状の相違等によって、各CVD装置で好適な圧力は変化し得るものであり、かかる相違を加味すると、1kPaから70kPaの範囲内での減圧雰囲気とするのが好適である。これは、1kPaよりも圧力が低いと、後述の還元性ガスによる置換反応効率が低下し、また、70kPaよりも高いとSiCバルク基板に対するエッチングが支配的となって、得られるエピタキシャル成長層の表面の平坦性が悪化するからである。次に、高周波誘導電流によって主に基板ホルダを加熱することにより、SiCバルク基板を所定の処理温度T1まで加熱する。一般に、SiCバルク基板からの炭素原子の優先的脱離を抑制するために、結晶成長を開始する温度よりも100°C程度低い温度に基板温度が到達した段階で炭素を含むガス、例えばプロパンの反応炉への供給を開始する。しかしながら、このような炭素原子を含むガスを先行して供給すると、上記傾斜角が5度程度以下のSiCバルク基板表面では原子の表面再構成が顕著に発生して、炭素を含むガスの先行供給時間が長くなる程、ステップバンチングの顕在化、即ち、SiCバルク基板表面の凹凸が増加する傾向があることが分かった。即ち、成長開始時までプロパンの供給を行わないことが平坦性を確保する上で重要である点を本発明の発明者らは見出したのである。基板温度を上昇させて、例えば1550°C以上の相対的に高い温度T1で還元性ガス雰囲気にて所定の時間保持する。かかる高温でのアニール処理はキャロット欠陥及び三角欠陥等の電流リーク欠陥を低減すると同時に、平坦性の優れたエピタキシャルウエハを得る上で必須である。後述するように、ステップバンチングが存在せず、かつ、平坦なエピタキシャル成長面を得るには1475°C程度という比較的低温でエピタキシャル成長を行う必要があるが、上述のような高温アニール処理を実施しない場合、キャロット欠陥及び三角欠陥等の電流リーク欠陥密度が少なくとも10個/cm2以上の高密度で発生するからである。上述の通り、キャロット欠陥及び三角欠陥の主な発生原因は、SiCバルク基板に付着したSiC塵によるものであるから、SiCバルク基板自体にダメージを与えないようにSiC塵を選択的に除去するには、SiCバルク基板上に化学的に吸着しているSiC塵を、還元性ガス雰囲気下でアニールする処理が極めて効果的である。即ち、このSiC塵は上述の薬液処理の最後に使われるフッ酸溶液中で、SiCバルク基板上に付着したものと推察される。フッ酸処理は、本来はSiC表面の酸化膜を除去するためのものである。従って、フッ酸溶液中では、SiCバルク基板と付着したSiC塵とは両者とも酸化膜は形成されない。SiCバルク基板をフッ酸溶液中から大気中に曝すと、直ちに、両者の表面に対する酸化が開始される。SiC塵の形状から判断してSiC塵表面は原子レベルでは平坦ではないため、SiC塵とSiCバルク基板とは薄い酸化膜を介して付着しているものと推察される。従って、SiCバルク基板にダメージを与えないようにしつつ、SiC塵を選択的に基板表面から除去するには、還元性ガス中でのアニール処理により、両者の酸化膜を除去した上で、還元性ガスに含まれる例えば水素原子によって、両者の表面を水素置換することで表面を安定化する処理が極めて有効である。かかる処理によって、両者の表面は互いに水素終端され、両者間に電気化学的な斥力が生じる上、ガス流自体によってSiC塵がSiCバルク基板表面領域からガスの下流側へ移動され得るからである。この結果、SiCバルク基板表面に付着していたSiC塵はSiCバルク基板に何らダメージを与えることなく除去される。本発明の発明者らが様々な条件下で実験を繰り返した結果、上述の水素置換が効率的に生じるアニール温度は、1525°C以上であることが判明した。即ち、1525°Cがアニール効果が効果的に発現する最も低いアニール温度であると言える。表1に、アニール温度T1を1525°Cから1600°Cまで25°Cずつ変化させ、また、アニール処理時間を10秒、180秒、420秒でそれぞれ処理した場合について、光学顕微鏡による表面観察にて観測計数して算出したキャロット欠陥及び三角欠陥密度の総和を示す。アニール温度T1を1525°Cとした場合、アニール処理時間420秒で本欠陥密度は3.1個/cm2となり、上記アニール工程を行わない場合に対して、1/3以下に低減した。アニール温度T1を1550°Cとした場合、アニール処理時間180秒以上でこれらの欠陥密度が3個/cm2以下となった。また、アニール温度T1を1575°Cとした場合、アニール処理時間が180秒で0.7個/cm2という結果となった。アニール温度T1を1600°Cとした場合、アニール処理時間10秒では0.83個/cm2、180秒では2.6個/cm2という良好な結果が得られたものの、420秒では30個/cm2以上と急激に悪化した。アニール温度T1の高温化に伴い、比較的短時間でこのような欠陥の低密度化が実現するのは、化学反応が高温で加速するという一般的な知見と一致する。但し、アニール温度T1が1600°Cでは、アニール処理時間420秒で三角欠陥が高密度化した。これは、SiC塵の脱離に加え、還元性ガスによるSiCバルク基板表面へのエッチングが支配的となったためと思われる。つまり、還元性ガスによるSiCバルク基板のエッチングが過剰となり、Siドロプレットが形成されること、あるいはSiC塵自体もSiCバルク基板上で一部融解してSiCバルク基板と一体化すること等を通じて、CMP加工で得られた、優れた平坦性が局所的に悪化する結果、これらが新たな異常成長核となるからである。従って、作業時間の的効率の観点からは、アニール温度T1は1550°C以上が好ましく、さらに好ましくは1575°C以上が良い。アニール温度T1が1550°Cではアニール処理時間tは420秒以上が良い。アニール温度T1が1575°Cでは、アニール処理時間tは420秒以下、さらに好ましくは180秒とするのが良い。アニール温度T1が1600°Cではアニール処理時間tは180秒未満で10秒程度のアニール時間が好ましい。一連の実験結果が示すように、アニール温度T1を高温化するに伴い、アニール時間tは短縮する傾向にある。なお、ここでは、アニール処理時間t内においてアニール温度T1を一定とした場合について述べたが、本工程を短時間化するため、アニール温度T1に対して、一定ではなく、時間的変化を与えても良い。この場合、ピーク温度が上述のアニール温度T1に対応する。次に還元性ガス雰囲気中で、同一圧力を保持しつつ基板温度を降温する。当該降温工程に要する時間は本発明に関する一連の実験に用いたCVD装置では約5分であった。なお、降温時間はCVD装置の特に冷却系構造に依存する。降温工程に要する時間は可能な限り短い方が好ましい。即ち、SiCバルク基板導入段階で基板表面に付着したSiC塵に対しては上記還元性ガスによる脱離工程により除去可能であるのに対して、降温工程に要する時間が長い場合、CVD装置内部に付着残存するSiC塵等が上述の高温アニール処理工程によって清浄化されたSiCバルク基板表面に新たに付着するといった不具合が生じ、付着したSiC塵等が次工程であるエピタキシャル成長段階における異常成長核となって、新たな電流リーク欠陥を形成するからである。特に問題となるのは、SiCバルク基板に対して還元性ガス或いは原料ガス等が流入する方向いわゆる上流側及び、SiCバルク基板と対向する上面の加熱領域を構成している部材、例えば基板ホルダ及びサセプタなどの表面に付着したSiC粉塵による付着である。かかるSiC粉塵は、SiCバルク基板上へのSiCのエピタキシャル成長時に、上記部材の表面に同時に形成され、SiCバルク基板に付着することによって発生する。従って、SiC粉塵の形成自体を抑制するのは極めて困難である。また、エピタキシャル成長を行う度に、これらの部材を全て交換することは製造コストの観点から不利である。従って、エピタキシャルウエハの製造を繰り返し行うに伴いCVD装置中で加熱される部材に付着するSiC粉塵が上記高温アニール処理工程によって一旦は清浄化されたSiCバルク基板表面に付着するので、エピタキシャル成長後、キャロット欠陥及び三角欠陥等の電流リーク欠陥となる不具合を低減する上で、かかる降温工程は短時間の方がより好適である。上述の還元性ガス雰囲気中での高温アニール処理工程及び基板温度の降温工程の後、所定の結晶成長温度T2に到達してから、原料ガスの供給の開始によって、エピタキシャル成長が開始される。なお、ここでは、降温工程完了後に材料ガスを供給する事例を示したが、全体の処理時間を短縮するため、降温過程中に原料ガスの供給を開始しても良い。上述の原料ガスの流量は、反応炉の構造あるいは圧力によって好適な量が決まるものであり、また成長速度によって大きく変化するものであるため、一律に規定はできないものの、本発明に用いたCVD装置では、少なくとも、シリコン原子を含むガスとして例えば水素で90希釈されたシランを90sccm、炭素原子を含むガスとして例えばプロパンを2.4sccmの流量で同時に供給し始めるシーケンスによって、エピタキシャル成長を行った。また、必要に応じてN型ドーピング用のN2ガスを同時に供給しても良く、P型ドーピング用にAl、B、Beを含む有機金属材料を供給しても良い。さらに、成長速度の高速化を図るためHClガスを併用しても良く、あるいは、シリコン原子を含むガスとしてシランを用いても良い。また、SiC塵の脱離が効率的に生じる結晶成長温度T2、例えば1550°Cにてエピタキシャル成長を行った場合、主にシリコン原子の基板表面でのマイグレーションが過大となり、例えば5度程度の傾斜角を有するSiCバルク基板上への成長では、<11-20>方向に沿って、マイクロメートルオーダー以上の程度でほぼ周期的な凹凸が形成される。図7は1550°Cの結晶成長温度T2でエピタキシャル成長したウエハ表面の10μm角正方領域に対する原子間力顕微鏡像である。この高低差は4H-SiCにおけるc軸方向の基本単位構造である1nmよりも数倍程度大きい約6nmであり、原子レベルで平坦な表面を得ることはできなかった。かかる凹凸形状は上述の通り、ステップバンチングと称されるものである。かかるステップバンチングを抑制して原子スケールでほぼ平坦なエピタキシャル成長表面を得るため、結晶成長温度T2を種々変化して実験を繰り返した。結晶成長温度T2を1525°C、1500°C、1475°C、1450°Cと変化し、膜厚6μmのエピタキシャル成長を行ったウエハに対して、10μmの正方領域について原子間力顕微鏡による評価を行った結果を、図8、図9、図10、図11に各々示す。その結果、結晶成長温度T2を1475°C以下、つまりアニール温度T1より75°C以下とした場合に、エピタキシャル成長層の表面が顕著に平坦化することが判明した。即ち、図10に示す通り、ステップバンチングは観察されなかった。さらに、結晶成長温度T2を低下させて、1450°Cとした場合、図11に示す通り、平坦性が顕著に改善し、Ra=0.2nm以下と極めて平坦性が良好なエピタキシャル成長層が得られた。即ち、結晶成長温度T2をアニール処理温度T1より低くすることにより、良好なエピタキシャル成長層表面が得られた。また、結晶成長温度T2をアニール処理温度T1より75°C以上低くすると、極めて平坦性が良好なエピタキシャル成長層が得られることが判明した。実施の形態2.実施の形態1ではSiCバルク基板の表面状態のアニール温度依存性について詳述した。一般に、アニール処理においては、アニール温度T1と処理時間tが重要なファクターとなる。即ち、ウエハに対するアニール処理の効果は、かかる2つのパラメータを同時に考慮しなければならない。一般に、より高いアニール温度T1で長時間処理するほど、熱処理の度合いが大きいと言える。つまり、アニール温度T1とアニール時間tの積、T1×tが熱処理の度合いを直接的に表している。また、前述の通り、表1の実験結果もアニール温度T1によって最適な処理時間tは変化することを示唆している。即ち、原則として、アニール温度T1が高温になるほど、処理時間tは短い方が欠陥密度は低減する傾向にある。処理時間tについては単に処理時間自体を適用すれば良いが、アニール温度T1については、実際のアニール温度をそのまま適用するよりも、アニール効果が発現するような温度をオフセット温度Toとして標準化温度を導入する方がより適切である。つまり、T1-To×tが熱処理の度合いを表すと考える。ちなみに単位はKsとなる。図12に、表1の各アニール温度T1、処理時間tに対して標準化温度×時間、即ち、T1-To×tを計算して横軸とし、各条件における欠陥密度を縦軸とした結果を示す。なお、オフセット温度Toはアニール効果の発現する最も低いアニール温度である1525°Cとした。図12から分かるように、T1-To×tが0~21000Ksの範囲で3.3個/cm2以下という実用レベルの欠陥密度のウエハが得られている。500~13500Ksの範囲では、2.6個/cm2以下とさらに好適な結果となる。かかるパラメータを導入して好適な範囲を見出せば、すべての処理条件について網羅的に実験しなくても、上述の表1程度の実験値からアニール温度T1を変えた場合の好適な処理時間t、あるいは一定の処理時間tにしたい場合の好適なアニール温度T1が直ちに見出せるという効果がある。実施の形態3実施の形態1、実施の形態2ではエピタキシャルウエハの表面状態のアニール温度依存性、欠陥密度のアニール温度T1およびアニール時間tの依存性について詳述した。つまり、欠陥密度が低く、表面平坦性が良好な、高品質なエピタキシャル成長層を得るための手法について説明した。一方、実際のデバイスにおいては、エピタキシャルウエハが高品質である指標には、上述した欠陥密度と表面平坦性に加え、エピタキシャル成長層中のN型残留不純物濃度が小さいことが重要となる。ここで、N型残留不純物とは、エピタキシャル成長時に、エピタキシャル成長層中に意図せずして含まれてしまうN型の不純物のことを指している。N型残留不純物は、例えば、CVD装置内部に残存している空気中の窒素や、CVD装置内部に配置された断熱材などから排出されるガスなどに起因する。N型残留不純物濃度が高いと、エピタキシャル成長層中に意図して不純物をドーピングする際に、ドーピングする不純物濃度の制御が困難になるという問題がある。例えば、エピタキシャル成長層中に、意図してN型の不純物を1017cm-3台以下にドーピングしたいときに、N型残留不純物濃度が1016cm-3台である場合、エピタキシャル成長層へのドーピング濃度を制御することは困難である。つまり、エピタキシャルウエハが高品質であるためには、低欠陥密度、かつ表面平坦性が良好で、しかも、N型残留不純物濃度が例えば2×1016cm-3以下、と低いものが、デバイス用のエピタキシャルウエハとして好適であるといえる。そのため、本発明者らは、上述したエピタキシャル成長及びその表面状態の原子スケールでの評価、欠陥密度の計数に加え、エピタキシャル成長層中のN型残留不純物濃度の評価を繰り返し行った。N型残留不純物濃度を評価するために、例えばCVD装置内に窒素を供給するなどのエピタキシャル成長層中へ意図して不純物ドーピングするような行為を行わずにエピタキシャル成長を行った。意図したドーピングを行っていないため、形成されたエピタキシャル成長層に含まれるN型の不純物は全て残留不純物である。よって、このようにして形成されたエピタキシャル成長層のN型の不純物濃度を評価することによって、N型残留不純物濃度を評価することができる。N型残留不純物濃度の評価は、いわゆるC-V測定によって行った。C-V測定とは、エピタキシャルウエハに電圧を印加して、電気容量を測定することにより、エピタキシャルウエハ中の不純物濃度を評価することができる手法である。上述の手法によりN型残留不純物濃度を評価する実験を繰り返し行った結果、<0001>面からのオフ角が5度よりも小さいSiCバルク基板の場合、エピタキシャル成長に関わる主な実験パラメータのうち、特に、エピタキシャル成長時に供給する全原料ガス中の炭素原子とシリコン珪素原子との原子数比以下C/Si比またはC/Siというを精密に制御することが、エピタキシャル成長層中のN型残留不純物濃度を制御するために重要であることがわかった。以下でこの実験結果について詳細に説明する。エピタキシャルウエハを製造する工程の流れは、上述した実施の形態1と同様である。つまり、まず、SiCバルク基板に対して、CMP処理工程、ウェット薬液洗浄工程を行った後、SiCバルク基板をCVD装置の反応炉内へ導入する。そして、還元性ガス雰囲気中でのアニール温度T1、アニール時間tにおける高温アニール処理工程を行い、基板温度の降温工程の後、所定の結晶成長温度T2に到達してから、原料ガスの供給の開始によって、エピタキシャル成長を開始する。ここでは、アニール温度T1は1575°C、アニール時間tは180秒、結晶成長温度T2は1450°Cとし、エピタキシャル成長層の厚さは6μmとした。次に、低温エピタキシャル成長工程における原料ガスの供給条件について説明する。水素で90希釈されたシラン即ち、水素:シラン=9:1の混合ガスの流量は90sccmで一定とした。一方、プロパンのガス流量は、1.8sccmC/Si=0.6、2.4sccmC/Si=0.8、3.0sccmC/Si=1.0、3.6sccmC/Si=1.2、4.2sccmC/Si=1.4として、それぞれエピタキシャル成長を行った。ここで、シランガス流量を一定としているため、プロパンガス流量の変化によってC/Si比は変化する。尚、ここでシランは、いわゆるモノシランを使用した。上述の条件でプロパンガス流量を変化させて、即ち、C/Si比を変化させてエピタキシャル成長を行って得られたエピタキシャルウエハは全て、エピタキシャル成長層表面の欠陥密度が0.7個/cm2以下であった。また、それぞれのエピタキシャルウエハのエピタキシャル成長層の表面を原子間力顕微鏡で観察したところ、全てのエピタキシャルウエハにステップバンチングは存在しなかった。これにより、全てのエピタキシャルウエハについて、欠陥密度が極めて低いことと、エピタキシャル成長層の表面平坦性が良好であることが確認できた。次に、C-V測定により、上述のエピタキシャルウエハのエピタキシャル成長層中のN型残留不純物濃度を調べた結果について説明する。図13は、上述の実験におけるエピタキシャル成長層中のN型残留不純物濃度のC/Si比依存性を示すグラフである。図13に示すように、C/Si比を0.45以上とすれば、N型残留不純物濃度が2×1016cm-3以下となり、電気的特性上の高品質化が実現できることが分かる。さらに、C/Si比を1.17以上にすれば、N型残留不純物濃度を1×1014cm-3以下とすることができる。一方で、さらにC/Si比を上昇させ、C/Si=1.4としてエピタキシャル成長層を形成した場合においては、C-V測定に用いた装置の測定限界に達したため、測定が不可能であった。従って、好ましくは、C/Si比を0.45以上かつ1.4未満、さらに好ましくは、C/Si比を1.17以上かつ1.4未満とすれば、N型残留不純物濃度の低い高品質なエピタキシャル成長層を得ることができる。尚、この実験では測定は不可能であったが、C/Si比を1.4以上とするとN型残留不純物濃度がさらに低くなる可能性がある。本発明の実施の形態3では、以上のように、エピタキシャル成長時に供給する全ガス中に含まれる炭素原子数とシリコン原子数の比、即ち、C/Si比を0.45以上、かつ、1.4未満としたことにより、エピタキシャル成長層中のN型残留不純物濃度を2×1016cm-3以下とすることができる。これは、例えば、エピタキシャル成長層中に、意図してN型の不純物を1017cm-3台以下にドーピングしたいときに特に有効である。また、本発明の実施の形態3では、C/Si比を1.17以上、かつ、1.4未満としたことにより、エピタキシャル成長層中のN型残留不純物濃度を1×1014cm-3以下とすることができる。これは、例えば、高耐圧デバイス用に、エピタキシャル成長層中に、意図してN型の不純物を1015cm-3台以下にドーピングしたいときに特に有効である。実施の形態4上述の実施の形態3では、供給する原料ガスのC/Si比を変化させてエピタキシャル成長層中のN型残留不純物濃度を低減する手法について説明した。一方、N型残留不純物濃度は、エピタキシャル成長時の結晶成長温度T2にも依存するため、本発明の実施の形態4では、結晶成長温度T2を変化させてエピタキシャル成長層を形成し、N型残留不純物濃度を調べた実験結果について説明する。エピタキシャルウエハを製造する工程の流れは、上述した実施の形態1および実施の形態3と同様である。つまり、まず、SiCバルク基板に対して、CMP処理工程、ウェット薬液洗浄工程を行った後、SiCバルク基板をCVD装置の反応炉内へ導入する。そして、還元性ガス雰囲気中でのアニール温度T1、アニール時間tにおける高温アニール処理工程を行い、基板温度の降温工程の後、所定の結晶成長温度T2に到達してから、原料ガスの供給の開始によって、エピタキシャル成長を開始する。ここでは、アニール温度T1は1575°C、アニール時間tは180秒とした。次に、低温エピタキシャル成長工程における条件について説明する。水素で90希釈されたシラン即ち、水素:シラン=9:1の混合ガスの流量を90sccm、プロパンのガス流量を2.4sccm、即ち、C/Si比を0.8とした。そして、結晶成長温度T2を1450°C、1463°C、1475°Cとして、それぞれエピタキシャル成長を行った。次に、C-V測定により、上述のエピタキシャルウエハのエピタキシャル成長層中のN型残留不純物濃度を調べた結果について説明する。図14は、上述の実験におけるエピタキシャル成長層中のN型残留不純物濃度の結晶成長温度T2依存性を示すグラフである。図14に示すように、結晶成長温度T2を1325°C以上とすれば、N型残留不純物濃度が2×1016cm-3以下となることが分かる。一方で、さらに結晶成長温度T2を上昇させ、1500°C以上とすると、エピタキシャル成長層表面にステップバンチングが顕在化してしまった。よって、結晶成長温度T2を1325°C以上、かつ、1500°C未満とすることにより、低い欠陥密度と良好な表面平坦性を有し、さらに、低いN型残留不純物濃度を有するエピタキシャル成長層を得ることができる。従って、上述の実施の形態1~3と本実施の形態4から、バルク基板に対し、還元性ガス雰囲気中でのアニール温度T1、アニール時間tにおける高温アニール処理工程、基板温度の降温工程の後、所定の結晶成長温度T2に到達してから、エピタキシャル成長を開始し、エピタキシャル成長時に供給する原料ガスのC/Si比を0.72以上1.4未満、かつ、結晶成長温度T2を1325°C以上1500°C未満とすることにより、低い欠陥密度と良好な表面平坦性を有し、さらに、低いN型残留不純物濃度を有するエピタキシャル成長層を得ることができることが分かった。この発明の実施の形態4では、以上のように、結晶成長温度T2を1325°C以上、かつ、1500°C未満としたことにより、エピタキシャル成長層中のN型残留不純物濃度を2×1016cm-3以下とすることができる。これは、例えば、エピタキシャル成長層中に、意図してN型の不純物を1017cm-3台以下にドーピングしたいときに特に有効である。尚、必要に応じて、エピタキシャル成長の際に、C/Si比、結晶成長温度T2、あるいは成長速度等、実験パラメータを適切に組み合わせてもよく、その場合は、N型残留不純物濃度がより低いエピタキシャル成長層を得ることができる。実施の形態5.まず、本発明の実施の形態5におけるエピタキシャル成長用SiCバルク基板の製造方法について説明する。図15は、本発明の実施の形態5におけるエピタキシャル成長用SiCバルク基板の製造手順を示すフローチャートである。尚、SiC結晶にはポリタイプと呼ばれる特有の周期性が存在する。即ち、化学量論比的組成はSiとCとで一対一であり、かつ、結晶格子が六方最密充填構造であっても、本構造におけるc軸に沿って原子配列に別種の周期性が存在し、この原子スケールでの周期及び結晶格子の対称性によって、SiCの物性は規定される。現在デバイス応用の観点から最も注目を集めているのは、4H-SiCと呼ばれるタイプである。4H-SiCを用いたパワーデバイスでは、主に原材料費を低減するという観点から、<0001>面から<11-20>方向に5度程度よりも小さな角度で傾斜させ、かつ、Si原子がC原子に比べてより安定に配置し得る面を表面とするエピタキシャルウエハを用いるのが主流である。よって、ここでは、4H-SiCタイプで、<0001>面から<11-20>方向に5度程度よりも小さな角度で傾けた仕様のSiCバルク基板を製造し使用する。しかし、傾斜方向は<11-20>方向に厳密に限定されるものではなく、他の方向に傾斜した仕様としても良い。まず、坩堝内に種結晶と原料とを対向配置し、原料側が相対的に高温となるように両者を加熱し、昇華法により種結晶上にSiC単結晶を成長させ、4H-SiCからなるSiCインゴットを製造するS1。次に、SiCインゴットの外周を研削加工することにより、SiCインゴットの形状を円筒状に整えるS2。ここで、基板の面方位を既定するためのいわゆるオリエンテーションフラット等の加工を施しておく。次に、ワイヤーソーやワイヤー放電加工などにより、SiCインゴットを平板状に切り出すS3。次に、平板状に切り出したSiCバルク基板の表面及び裏面を研削及び機械研磨などにより平坦化するS4。ここで、基板の割れを防止するためにベベリング加工を外周に施しておく。以上の工程によって製造されたSiCバルク基板の表面には機械研磨に伴う傷などが存在し、これが起点となってエピタキシャル成長時に欠陥が形成されるため、以上の工程のみでは良好なSiCエピタキシャルウエハを得るには不十分である。次に、SiCバルク基板を、機械研磨及び酸性又はアルカリ性を呈する薬液を用いて化学機械研磨により平坦化処理するS5。そして、CMP処理後のSiCバルク基板をアセトン等を用いて超音波洗浄を施し、表面に付着した有機物を除去する。さらに、硫酸と過酸化水素水とを体積比率で5:1に混合し約130°C±5°Cに加熱した混合溶液中に、SiCバルク基板を浸漬することにより、主に金属付着物を除去する。そして、王水により残留金属付着物を除去する。次に、このSiCバルク基板に対して、RCA洗浄と呼ばれるウェット薬液洗浄を行うS6。即ち、75°C±5°Cに加熱したアンモニア水と過酸化水素水の混合溶液1:9中に10分間浸した後、75°C±5°Cに加熱した塩酸と過酸化水素水の混合溶液1:9に浸す。さらに、体積比率で5程度のフッ酸を含む水溶液に浸した後、純水により置換処理を施して、SiCバルク基板に対する表面洗浄を行う。しかしながら、上述の一連のウェット薬液洗浄によっても、SiCバルク基板表面は他の例えばシリコン等の半導体材料のようには清浄とはならない。これは、SiC結晶における原子間力が従来の半導体の原子間力に比べて著しく強いため、SiCバルク基板表面を均一に溶解する薬液が未だ見出されていないからである。図16は、本発明の実施の形態5におけるウェット薬液洗浄工程後のSiCバルク基板の表面に対する暗視野条件下での光学顕微鏡像である。後述するが、図16において実線で囲まれた領域では、エピタキシャル成長後、三角欠陥が確認され、一方、破線で囲まれた領域ではキャロット欠陥が観測された。破線で囲まれた領域では比較的強い発光が見られ、実線で囲まれた領域内、あるいは領域外の近傍で、比較的弱い発光が見られる。尚、極めて強い発光領域は裏面の凹凸を反映したものである。また、詳細に観察すればより小さな点状の発光が確認されるものの、これらの部位は後の結果に影響を及ぼさない。このような観察法は表面状態に敏感であるため、かかる観察からSiCバルク基板表面に何らかの微小な粒が付着していることが分かる。図17は、本発明の実施の形態5におけるウェット薬液洗浄工程後のSiCバルク基板の表面に存在するSiC塵の走査型電子顕微鏡像である。図17から明らかな通り、上記微小発光領域に存在する異物は鋭角状を呈しており、その大きさは少なくともマイクロメートルスケールであることが判別できる。図18は、本発明の実施の形態5における図17中の正方形で囲まれた領域に対してエネルギー分散型X線分析を行った結果を示すスペクトルである。図18において、縦軸はスペクトル強度、横軸はエネルギーを表している。図18中、炭素及びシリコンからのピークが強く、これらの相対強度から判断すると、この付着物は化学量論比が一対一のSiCからなることが分かった。即ち、上述の種々の洗浄を行ったにもかかわらず、SiCバルク基板表面には未だにSiC塵が付着していることが判明した。図19は、本発明の実施の形態5における図16と同じ領域をエピタキシャル成長後に観察した明視野条件下でのノマルスキー微分干渉光学顕微鏡像である。ここで、エピタキシャル成長はSiCバルク基板の温度を1475°Cとして行った。以下、本発明に至る過程で得られた実験結果における各処理温度を詳細に記述するが、かかる処理温度の表示値は測定方法に強く依存する。そこで、本発明における温度の測定は原則としてパイロメーターでの測定値に統一している。ちなみに、他の測定方法で温度を測定した場合は、パイロメーターで同時に測定した値とのオフセット値を計算して調整すれば良い。図19から明らかな通り、図16において破線で囲まれた領域の近傍にはキャロット欠陥が、実線で囲まれた領域の近傍には三角欠陥といった電流リーク欠陥が形成されている事実を本発明の発明者らが初めて見出した。なお、図16における比較的弱い発光が見られた位置と図19において三角欠陥が見られた位置とが必ずしも完全に対応せず、100μmオーダでずれている箇所が複数見られるが、これは、後述するような過程によって、実質的に移動することを明確に示すものである。また、このような欠陥が存在する領域をパワーデバイスが含む場合、高電界印加時にリーク電流が生じることが一般に知られている。即ち、かかる欠陥の存在は、素子歩留りを大幅に低下させる直接的要因となる。したがって、これらの欠陥を除去しなければ、均一性が良好でパワーデバイス作製に好適なエピタキシャル成長層は到底得られない。このような各種欠陥の要因となるSiC塵を除去するために、本発明の発明者らが様々な実験を試行錯誤しつつ繰り返し行った結果、以下に詳述する一連の工程が最も効率的にSiC塵を除去し得るという新たな知見を得た。以下に、本発明の特徴であるSiC塵除去の工程を説明する。まず、例えばSiC膜によってコーティングされたグラファイト製の基板ホルダ上にSiCバルク基板を載置して、反応炉内に設置するS7。そして、反応炉内に残存する意図しない分子あるいは原子状の不純物が悪影響を与えることを抑制するために、反応炉内を約1×10-7kPa程度にまで真空引きを行う。図20は、本発明の実施の形態5におけるSiCバルク基板の温度の時間変化及びガスシーケンスを示す図である。図20において、縦軸は温度、横軸は時刻を表している。次に、図20に示すような温度プロファイル及びガスシーケンスにて、SiCバルク基板を処理する。まず、反応炉内に還元性ガスとして、例えば水素ガスを導入する。但し、還元性ガスは水素ガスに限ることはない。還元性ガスが導入され、基板表面に還元性ガス種が接する設定下で、真空度が例えば25kPa程度で一定に保持されるように、反応炉の圧力を制御する。尚、本発明の実施の形態1では上記圧力下での実験例を詳述するが、一般に、反応炉の構造形状の相違等により、反応炉毎に好適な圧力は変化し得るものであり、かかる相違を加味すると、1kPaから70kPaの範囲内での減圧雰囲気とするのが好適である。これは、1kPaよりも圧力が低いと、後述の還元性ガスによる置換反応効率が低下し、また、70kPaよりも高いとバルク基板に対するエッチングが支配的となって、その後、このSiCバルク基板上への成長により得られるエピタキシャル成長層の表面の平坦性が悪化するからである。そして、高周波誘導電流によって主に基板ホルダを加熱することにより、SiCバルク基板を所定の処理温度T1まで加熱する。温度T1を例えば1550°C以上の相対的に高い温度に設定し、還元性ガス雰囲気にて処理時間tの間保持するS8。次に、還元性ガス雰囲気中で、同一圧力を保持しつつSiCバルク基板の温度を降温する。ここで、還元性ガスのコストの観点から、SiCバルク基板の温度が室温に到達する前に還元性ガスの供給を停止する事が有利である。よって、SiCバルク基板の温度を温度T1よりも低い所定の温度T3まで降温した時点でS9、還元性ガスの供給を停止しS10、その後さらにSiCバルク基板の温度を温度T3よりも低い室温まで降温するS11。以上により、エピタキシャル成長用SiCバルク基板が完成する。このような高温アニール処理を実施しない場合、エピタキシャル成長を行うと、キャロット欠陥及び三角欠陥等の電流リーク欠陥密度が少なくとも10個/cm2以上の高密度で発生することが分かっている。上述の通り、キャロット欠陥及び三角欠陥の主な発生原因は、SiCバルク基板に付着したSiC塵によるものであるから、SiCバルク基板自体にダメージを与えないようにSiC塵を選択的に除去するには、SiCバルク基板上に化学的に吸着しているSiC塵を、還元性ガス雰囲気下でアニールする処理が極めて効果的である。即ち、このSiC塵は上述の薬液処理の最後に使われるフッ酸溶液中で、SiCバルク基板上に付着したものと推察される。フッ酸処理は、本来はSiC表面の酸化膜を除去するためのものである。従って、フッ酸溶液中では、SiCバルク基板と付着したSiC塵とは両者とも酸化膜は形成されない。SiCバルク基板をフッ酸溶液中から大気中に曝すと、直ちに、両者の表面に対する酸化が開始される。SiC塵の形状から判断してSiC塵表面は原子レベルでは平坦ではないため、SiC塵とSiCバルク基板とは薄い酸化膜を介して付着しているものと推察される。従って、SiCバルク基板にダメージを与えないようにしつつ、SiC塵を選択的に基板表面から除去するには、還元性ガス中でのアニール処理により、両者の酸化膜を除去した上で、還元性ガスに含まれる例えば水素原子によって、両者の表面を水素置換することで表面を安定化する処理が極めて有効である。かかる処理によって、両者の表面は互いに水素終端され、両者間に電気化学的な斥力が生じる上、ガス流自体によってSiC塵がSiCバルク基板表面からガスの下流側へ移動され得るからである。この結果、SiCバルク基板表面に付着していたSiC塵はSiCバルク基板に何らダメージを与えることなく除去される。但し、還元性ガスの供給を停止する温度T3が高すぎるとSiCバルク基板の表面原子が還元性ガスに含まれる例えば水素原子以外のもので終端されるか、あるいは表面ダングリングボンドの形成に伴い酸化層が形成される。このような事を回避する事を鑑みれば、還元性ガスの供給を停止するときのSiCバルク基板の温度T3は、900°C以下であることが好ましく、さらに好ましくは300°C以下が良い。300°C以下が好ましいのは、SiCバルク基板の表面原子が還元性ガスに含まれる例えば水素原子で終端される効果を徹底化するのみならず、効率的に基板製造を行うため、基板温度の低下速度を高め、短時間で効率的な降温を実現できるからである。尚、降温工程に要する時間は短い方が好ましい。降温工程に要する時間が長い場合、反応炉内部に付着残存しているSiC塵等が上述のアニール処理工程によって清浄化されたSiCバルク基板の表面に新たに付着し、エピタキシャル成長時における異常成長核となって電流リーク欠陥を形成することがあるからである。本発明の発明者らが様々な条件下で実験を繰り返した結果、上述の水素置換が効率的に生じるアニール温度は、1525°C以上であることが判明した。即ち、1525°Cがアニール効果が効果的に発現する最も低いアニール温度であると言える。以下に、温度T1を変化させてアニール処理をしたエピタキシャル成長用SiCバルク基板にエピタキシャル成長を行い、キャロット欠陥及び三角欠陥の密度を調べた実験結果について説明する。図21は、本発明の実施の形態5におけるアニール処理後にエピタキシャル成長を行う実験に用いたSiCバルク基板の温度の時間変化及びガスシーケンスを示す図である。上述の説明ではアニール処理工程の後に室温までSiCバルク基板の温度を降温するとしたが、アニール処理工程の後に一度室温まで降温してからエピタキシャル成長を行う温度まで加熱してエピタキシャル成長を行っても、室温まで降温することなくエピタキシャル成長を行う温度に設定してエピタキシャル成長を行っても、結果には影響しない。よって、ここでは、時間短縮のため、図21に示すようにアニール処理後に室温まで降温することなくエピタキシャル成長を行う温度に設定してエピタキシャル成長を行った。インゴット製造工程からアニール処理工程までは上述と同様である。アニール処理工程後、還元性ガスの供給を停止することなく、SiCバルク基板の温度をエピタキシャル成長する温度T2にまで降温して、その後シランSiH4やプロパンC3H8といった原料ガスの供給を開始する。原料ガスの供給開始によってエピタキシャル成長が開始される。SiCバルク基板の温度は、エピタキシャル成長中は温度T2で一定に保持されている。尚、ここでは、SiCバルク基板の温度がエピタキシャル成長を行う温度T2にまで下がってから原料ガスを供給する場合を示したが、全体の処理時間を短縮するため、SiCバルク基板の温度がT2に達する前に原料ガスの供給を開始しても良い。所定の厚さのエピタキシャル成長層が形成された後、原料ガスの供給を停止する。そして、SiCバルク基板上にエピタキシャル成長層が形成されたSiCエピタキシャルウエハの温度を室温まで降温し、還元性ガスの供給を停止する。還元性ガスの供給は、上述の温度T3に達した時点で停止してもよい。尚、上述のように、アニール処理工程はSiCエピタキシャル成長用のCVD装置内で行う事も可能であるが、CVD装置内部に付着残存するSiC塵等が、高温アニール処理によって清浄化されたSiCバルク基板の表面に新たに付着し、エピタキシャル成長段階における異常成長核となって、新たな電流リーク欠陥を形成するという問題が生じることがある。特に問題となるのは、SiCバルク基板に対し、還元性ガスあるいは原料ガス等が流入する方向及び、SiCバルク基板と対向する上面の加熱領域を構成している部材、例えば基板ホルダ及びサセプタなどの表面に付着したSiC塵である。かかるSiC塵は、SiCバルク基板上へのSiCのエピタキシャル成長時に、上記部材の表面に同時に形成され、付着することによって発生する。従って、SiC塵の形成自体を抑制するのは極めて困難である。また、エピタキシャル成長を行う度に、これらの部材を全て交換することは製造コストの観点から不利である。従って、エピタキシャルウエハの製造を繰り返し行うに従い、CVD装置中で加熱される部材に付着するSiC塵が、アニール処理工程によって一旦は清浄化されたSiCバルク基板表面に付着するので、アニール処理工程と、エピタキシャル成長工程とは異なる装置で行う事が望ましい。ここで、図21に示す温度プロファイル及びガスシーケンスにおいて、アニール処理を行う温度T1を1525°Cから1600°Cまで25°Cずつ変化させ、また、アニール処理時間tを10秒、180秒、420秒でそれぞれ処理した場合について、光学顕微鏡による表面観察にて観測計数して算出したキャロット欠陥及び三角欠陥密度の総和を表2に示す。他の条件としては、エピタキシャル成長を行った温度T2は1475°C、原料ガスの流量は、水素で90希釈されたシランが90sccm、プロパンが2.4sccmであり、エピタキシャル成長層の厚さは6μmであった。アニール温度T1を1525°Cとした場合、アニール処理時間tが420秒で欠陥密度は3.1個/cm2となり、上記アニール工程を行わない場合に対して3分の1以下に低減された。アニール温度T1を1550°Cとした場合、アニール処理時間tが180秒以上でこれらの欠陥密度が3個/cm2以下となった。また、アニール温度T1を1575°Cとした場合、アニール処理時間tが180秒で0.7個/cm2という結果となった。アニール温度T1を1600°Cとした場合、アニール処理時間tが10秒では0.83個/cm2、180秒では2.6個/cm2という良好な結果が得られたものの、420秒では30個/cm2以上と急激に悪化した。アニール温度T1の高温化に伴い、比較的短時間でこのような欠陥の低密度化が実現するのは、化学反応が高温で加速するという一般的な知見と一致する。但し、アニール温度T1が1600°Cでは、アニール処理時間420秒で三角欠陥が高密度化した。これは、SiC塵の脱離に加え、還元性ガスによるSiCバルク基板表面へのエッチングが支配的となったためと思われる。つまり、還元性ガスによるSiCバルク基板のエッチングが過剰となり、Siドロプレットが形成されること、あるいはSiC塵自体もSiCバルク基板上で一部融解してSiCバルク基板と一体化すること等を通じて、CMP加工で得られた、優れた平坦性が局所的に悪化する結果、これらが新たな異常成長核となるからである。従って、作業時間効率の観点からは、アニール温度T1は1550°C以上が好ましく、さらに好ましくは1575°C以上が良い。アニール温度T1が1550°Cではアニール処理時間tは420秒以上が良い。アニール温度T1が1575°Cでは、アニール処理時間tは420秒以下、さらに好ましくは180秒とするのが良い。アニール温度T1が1600°Cではアニール処理時間tは180秒未満で10秒程度が好ましい。一連の実験結果が示すように、アニール温度T1を高温化するに伴い、アニール処理時間tは短縮する傾向にある。尚、ここでは、アニール処理時間t内においてアニール温度T1を一定とした場合について述べたが、本工程を短時間化するため、アニール温度T1に対して、一定ではなく、時間的変化を与えても良い。この場合、ピーク温度が上述のアニール温度T1に対応する。次に、上述の図21に示す温度プロファイル及びガスシーケンスを経て得られたSiCエピタキシャルウエハの表面の平坦性を調べた結果について説明する。図22は、本発明の実施の形態5におけるSiCエピタキシャルウエハの10μm角正方領域に対する原子間力顕微鏡像である。ここで観測を行ったSiCエピタキシャルウエハは、アニール温度T1が1550°C、処理時間tが420秒のものである。4H-SiCタイプのSiCバルク基板において表面が<0001>面から<11-20>方向に5度程度よりも小さな角度で傾斜することによってSi原子がC原子に比べてより安定に配置されるような場合には、エピタキシャル成長すると、<11-20>方向に沿って、ステップバンチングと呼ばれるマイクロメートルオーダー以上のほぼ周期的な凹凸が形成される傾向が強い。ステップバンチングが存在する場合、エピタキシャル成長層の表面近傍に電界等によって誘起される電気的キャリアは、表面に平行な面内でステップバンチングに対して平行ではない向きに移動する場合、直接的な電位障壁となる。即ち、移動度、従って、電気伝導率が低下し、デバイス特性が悪化する。このため、ステップバンチングが存在する場合、電気伝導度のエピタキシャルウエハ面内一様性が低下する不具合が生じる。よって、ステップバンチングが存在する場合、エピタキシャル成長層表面近傍にキャリアを誘起するMOS型等のデバイスでは、その具体的構造の設計段階及び製造段階での自由度が著しく制限される。本発明の実施の形態5におけるアニール処理工程を経たエピタキシャル成長用SiCバルク基板上にエピタキシャル成長を行った場合は、図22に示すように、マイクロメートルオーダーの周期的な凹凸は見られず、ステップバンチングの無い平坦性が良好なエピタキシャル成長層が得られたことが分かる。本発明の実施の形態5では、以上のようにしたことにより、SiCバルク基板上に付着したSiC塵などの異物が除去され、その後、何らの処理を要さず、エピタキシャル成長時に形成される欠陥密度が著しく低く、高品質なエピタキシャル成長層を製造可能な、清浄な表面を有するSiCバルク基板を得る事ができるという効果がある。さらに、エピタキシャル成長時にステップバンチングが形成されることを抑制でき、平坦性が良好なエピタキシャル成長層を形成することができる。実施の形態6.上述した本発明の実施の形態5では、SiCバルク基板の表面状態のアニール温度依存性について詳述した。一般に、アニール処理においては、アニール温度T1と処理時間tが重要なファクターとなる。即ち、SiCバルク基板に対するアニール処理の効果は、かかる2つのパラメータを同時に考慮しなければならない。一般に、より高いアニール温度T1で長時間処理するほど、熱処理の度合いが大きいと言える。つまり、アニール温度T1とアニール時間tの積、T1×tが熱処理の度合いを直接的に表している。また、上述の通り、表2の実験結果もアニール温度T1によって最適な処理時間tは変化していくことを示唆している。即ち、原則として、アニール温度T1が高温になるほど、処理時間tは短い方が欠陥密度は低減する傾向にある。処理時間tについては単に処理時間自体を適用すれば良いが、アニール温度T1については、実際のアニール温度T1をそのまま適用するよりも、アニール効果が発現するような温度をオフセット温度Toとして標準化温度T1-Toを導入する方がより適切である。つまり、T1-To×tが熱処理の度合いを表すと考える。ちなみに単位はKsとなる。図23は、本発明の実施の形態6におけるエピタキシャル欠陥エピ欠陥の密度と標準化温度×時間の関係を示す図である。図23においては、表2に示した各アニール温度T1、処理時間tに対して標準化温度×時間、即ち、T1-To×tを計算して横軸とし、各条件における欠陥密度を縦軸としている。尚、オフセット温度Toはアニール効果の発現する最も低いアニール温度である1525°Cとした。図23から分かるように、T1-To×tが0~21000の範囲で3.3個/cm2以下という実用レベルの欠陥密度のウエハが得られている。500~13500の範囲では、2.6個/cm2以下とさらに好適な結果となる。本発明の実施の形態6では、以上のようなパラメータを導入したことにより、好適な範囲を見出せば、すべての処理条件について網羅的に実験しなくても、上述の表2程度の実験値からアニール温度T1を変えた場合の好適な処理時間t、あるいは一定の処理時間tにしたい場合の好適なアニール温度T1が直ちに見出せるという効果がある。実施の形態7.本発明の実施の形態5及び6では、時間短縮のため、図21に示すようにアニール処理後に室温まで降温することなく、エピタキシャル成長を行う結晶成長温度T2に設定してエピタキシャル成長を行った実験結果について説明した。それに対し、本発明の実施の形態7では、アニール処理後にSiCバルク基板の温度を室温まで降温した後にエピタキシャル成長を行った実験結果について説明する。図24は、本発明の実施の形態7におけるアニール処理後にエピタキシャル成長を行う実験に用いたSiCバルク基板の温度の時間変化及びガスシーケンスを示す図である。インゴット製造工程S1から、温度を温度T3よりも低い室温まで降温する工程S11までは、本発明の実施の形態5及び6と同様である。ここで、具体的なアニール条件としては、アニール温度T1を1575°C、アニール処理時間tを180秒とした。アニール効果が発現する温度Toが1525°Cであるため、このとき、T1-To×t=9000である。図24に示すように、アニール処理後は、温度T3=100°CまでSiCバルク基板の温度を降温した時点で、還元性ガスである水素ガスの供給を停止した。そして、一旦、装置内を大気圧に戻し、SiCバルク基板を大気中に曝して降温した。さらに、SiCバルク基板を、室温、具体的には30°C以下、ここでは約25°Cで60分間保持した。SiCバルク基板を室温で60分間保持した後、再び基板温度を結晶成長温度T2まで昇温し、エピタキシャル成長を行った。具体的なエピタキシャル成長の条件としては、本発明の実施の形態5及び6と同様であり、結晶成長温度T2は1475°C、原料ガスの流量は、水素で90希釈されたシラン即ち、水素:シラン=9:1の混合ガスが90sccm、プロパンが2.4sccmであり、エピタキシャル成長層の厚さは6μmとした。その後、実施の形態5及び6と同様の手法にてエピタキシャルウエハの表面の欠陥、即ち、エピ欠陥の密度を評価した結果、欠陥密度は0.7個/cm2であった。これは、実施の形態5と同等の結果である。また、アニール温度T1を1550°C、アニール処理時間tを10秒とし、他の条件は上述の方法と同じとしてエピタキシャルウエハを製造し、エピ欠陥の密度を評価すると、欠陥密度は0.33個/cm2であった。以上から、図24に示すようにSiCバルク基板をアニール処理後に一旦、大気圧に戻して大気中に曝して室温まで基板温度を降温した後に、再度昇温してエピタキシャル成長を行っても、低い欠陥密度と良好な表面平坦性を有するエピタキシャルウエハが得られることがさらに明確となった。これは即ち、SiCバルク基板をアニール処理後に一旦大気中に曝して室温まで基板温度を降温する保持工程を経ても、その後、何らの処理を要さず、エピタキシャル成長時に形成される欠陥密度が著しく低く、平坦性が良好な、高品質なエピタキシャル成長層を製造可能な、清浄な表面を有するSiCバルク基板を得る事ができるということをさらに明確に示している。実施の形態8.まず、本発明の実施の形態8における熱処理装置1aの構成を説明する。図25は、本発明の実施の形態8における熱処理装置1aを示す側面断面図である。図25において、熱処理装置1aは、SiCバルク基板を熱処理するための処理室2を備えている。処理室2の側面には、処理室2内に還元性ガスを導入するための還元性ガス導入部である導入ノズル3が接続され、処理室2の上面には、処理室2外へ還元性ガスを排出するための還元性ガス排出部である排出ノズル6が接続されている。還元性ガス供給源7から供給される還元性ガスは、混入不純物ガス成分を除去するための還元性ガス純化器8を通り、バルブ11を経て、導入ノズル3から処理室2内へと導入される。排出ノズル6には排気ポンプ12が接続され、処理室2内を真空引きできるようになっている。処理室2外に排出された還元性ガスは還元性ガス除害装置13によって処理される。次に、処理室2について説明する。処理室2は、少なくともその外周領域が、例えば石英を含む材料などのような耐熱性材料で形成されていることが好ましい。処理室2内には、還元性ガスが導入ノズル3から排出ノズル6へと流れる還元性ガスの流路16が形成されている。処理室2の中央付近の外面には、処理室2を挟んで互いに対向するように、加熱装置である誘導加熱コイル17および誘導加熱コイル18がそれぞれ設置される。誘導加熱コイル17および誘導加熱コイル18自体が高温になると近傍領域が高温化してしまうため、これを防止するために誘導加熱コイル17および誘導加熱コイル18は冷却水用チューブを有するものであることが好ましい。誘導加熱コイル17と誘導加熱コイル18との間に位置する処理室2内には、上部サセプタ21と下部サセプタ22とが互いに対向するように設置される。上部サセプタ21と誘導加熱コイル17との間、下部サセプタ22と誘導加熱コイル18との間には、断熱材23が設置される。また、下部サセプタ22上にはSiCバルク基板を支持するための基板支持具である基板ホルダ26aが設置される。ここで、基板ホルダ26aは還元性ガスの流路16に接するように設置されるが、このように基板ホルダ26aを設置すると、還元性ガスの流路16において処理室2の内壁と基板ホルダ26aとによって機械的段差が形成される。この機械的段差を軽減するために、還元性ガスの流れる方向に対して基板ホルダ26aよりも上流側および下流側にそれぞれ隣接して段差軽減部材27が設置される。また、上部サセプタ21も還元性ガスの流路16に接するように設置されており、還元性ガスの流路16において処理室2の内壁と上部サセプタ21とによって機械的段差が形成されるため、還元性ガスの流れる方向に対して上部サセプタ21よりも上流側および下流側にそれぞれ隣接して段差軽減部材28が設置される。還元性ガスの流れる方向に対して基板ホルダ26aよりも下流側の処理室2の側面には、取り出しドア31が開閉自在に設置され、基板ホルダ26aの出し入れができるようになっている。取り出しドア31にはOリングなどが具備されることによって、処理室2内の気密性が保てるようになっている。尚、基板ホルダ26aの出し入れは、大気圧で行うため、取り出しドア31にリークバルブを装着しておいてもよい。また、取り出しドア31には、基板ホルダ26aあるいはその近傍領域の温度を測定するための例えばパイロメーターのような測温装置32が設置される。測温装置32としてパイロメーターを用いる場合、取り出しドア31に、パイロメーターに用いる波長に対して透過率が高い部材で形成されたビューポートを設けておく。次に、導入ノズル3について説明する。図26は、本発明の実施の形態8における熱処理装置1aを示す上面図である。ただし、図26では、バルブ11、還元性ガス純化器8、還元性ガス供給源7、排出ノズル6、排気ポンプ12および還元性ガス除害装置13を省略して示している。導入ノズル3の形状は、導入ノズル3を通って処理室2内に導入された還元性ガスに乱流が発生することを抑制するために、急峻な角度や直線状の形状をできる限り有さないことが好ましい。具体的には、図26に示すように、導入ノズル3の形状を、少なくとも1つの変曲点を有する曲線で形成することにより、還元性ガスに乱流が発生することを抑制することができる。次に、段差軽減部材27および段差軽減部材28について説明する。図27は、本発明の実施の形態8における基板ホルダ26aおよび段差軽減部材27を示す上面図である。段差軽減部材27は、処理対象物であるSiCバルク基板の電気伝導性にできるだけ影響を与えにくい物質で形成することが好ましい。例えばアルミニウムや窒素のようなSiCバルク基板の電気伝導性に影響を与える物質をできるだけ含まないものを用いることが好ましい。さらに、高温になることが予測されるため、断熱性材料で形成することが好ましい。また、断熱性材料で本体部分を形成し、本体部分の表面に、SiCバルク基板の電気伝導性に影響を与えにくい例えばSiC、TaCまたはグラファイト炭素の層をコーティングして段差軽減部材27を形成してもよい。また、段差軽減部材28についても同様である。図25および図27に示すように、段差軽減部材27は板状の部材である。そして、図25における紙面垂直方向つまり図27における縦方向の幅が基板ホルダ26aの幅とほぼ同じであって、還元性ガスの流路16において処理室2の内壁と基板ホルダ26aとによって形成される機械的段差をできるだけ軽減するような厚さに形成される。つまり、基板ホルダ26aの還元性ガスの流路16と接する面と、段差軽減部材27の還元性ガスの流路16と接する面とは、ほぼ同一の平面上に存在するようになる。さらに、基板ホルダ26aと段差軽減部材27とは、できるだけ相互の間に間隔が空かないように接触して配置されることが好ましい。即ち、段差軽減部材27を設置することによって、還元性ガスの流路16において機械的段差ができるだけ無くなるようにすることが好ましい。こうすることにより、処理室2内に導入された還元性ガスに乱流が発生することを抑制することができる。また、基板ホルダ26aと段差軽減部材27とは機械的に連結されていることが取り扱いの観点から好ましい。これらが機械的に連結されている場合、図27に示すように、段差軽減部材27のうち、還元性ガスの流れる方向に対して下流側のものに取り出し用部品33を設けておくとよい。取り出し用部品33は、具体的には例えば貫通孔や突起状部材であって、機械的に連結された基板ホルダ26aと段差軽減部材27とを取り出しドア31から出し入れする際に使用することにより、取り扱い効率が向上する。尚、図27では取り出し用部品33を2つ設けた例を示したが、これに限ることはなく、少なくとも1つ以上設けてあればよい。上部サセプタ21に隣接して設置される段差軽減部材28も、段差軽減部材27と同様に板状の部材である。そして、図25における紙面垂直方向の幅が上部サセプタ21の幅とほぼ同じであって、還元性ガスの流路16において処理室2の内壁と上部サセプタ21とによって形成される機械的段差をできるだけ軽減するような厚さに形成される。つまり、上部サセプタ21の還元性ガスの流路16と接する面と、段差軽減部材28の還元性ガスの流路16と接する面とは、ほぼ同一の平面上に存在するようになる。さらに、上部サセプタ21と段差軽減部材28とは、できるだけ相互の間に間隔が空かないように接触して配置されることが好ましい。即ち、段差軽減部材28を設置することによって、還元性ガスの流路16において機械的段差ができるだけ無くなるようにすることが好ましい。こうすることにより、処理室2内に導入された還元性ガスに乱流が発生することを抑制することができる。次に、基板ホルダ26aについて説明する。図28は、本発明の実施の形態8における基板ホルダ26aを示す断面図である。図29は、本発明の実施の形態8における基板ホルダ26aでSiCバルク基板36を支持した様子を示す断面図である。図30は、本発明の実施の形態8における基板ホルダ26aを示す斜視図である。基板ホルダ26aは、還元性ガスによる影響が比較的軽微で、1500°C程度以上の熱処理に耐え得ることが好ましい。また、処理対象物であるSiCバルク基板36の電気伝導性にできるだけ影響を与えにくい物質で形成することが好ましく、例えばアルミニウムや窒素のようなSiCバルク基板36の電気伝導性に影響を与える物質をできるだけ含まないことが好ましい。さらに、SiCバルク基板36を効率的に加熱するために、誘導加熱コイル17の作用によって基板ホルダ26a自体に誘導電流が流れて基板ホルダ26aを直接加熱できることが好ましい。これらを考慮すると、基板ホルダ26aは、例えばSiC、TaCまたはグラファイト炭素で形成されることが好ましい。そして、基板ホルダ26aの本体部分を高純度のグラファイト炭素で形成し、本体部分の表面にSiCまたはTaCの層をコーティングして基板ホルダ26aを形成することがより好ましい。また、本体部分を例えば金属などで形成し、本体部分の表面にSiC、TaCまたはグラファイト炭素の層をコーティングして基板ホルダ26aを形成してもよい。図28に示すように、基板ホルダ26aは、SiCバルク基板36を支持するための領域である凹部37を複数有している。1つの凹部37に対して1枚のSiCバルク基板36を載置でき、複数の凹部37を有することにより複数のSiCバルク基板36を載置できるようになっている。図29に示すように、凹部37は、凹部37内にSiCバルク基板36が嵌まるように形成されている。処理室2内に導入された還元性ガスに乱流が発生することを抑制するため、凹部37の深さは、凹部37内に載置されたSiCバルク基板36と基板ホルダ26aとの間に機械的段差ができるだけ生じないように設定することが好ましい。SiCバルク基板36の厚さと凹部37の深さとの差は、±500μm以下とするのが好ましく、±100μm以下とするのがより好ましい。凹部37内には、SiCバルク基板36が、エピタキシャル成長用の面が上方を向くように載置され、このSiCバルク基板36のエピタキシャル成長用の面が還元性ガスの流路16と接することとなる。還元性ガスに乱流が発生することを抑制する観点からは、凹部37は、SiCバルク基板36の外形とほぼ同じ形状を有し、SiCバルク基板36の外周と凹部37との間にできるだけ間隙が生じないようにすることが好ましい。ただし、SiCバルク基板36と基板ホルダ26aとの熱膨張係数の差や、SiCバルク基板36を凹部37に配置したり凹部37から取り出したりする作業の効率を考慮すると、SiCバルク基板36の外周と凹部37との間には500μm程度の間隙があることが好ましい。また、SiCバルク基板36は、その表裏の研磨状態の相違によって同心円状に反っている場合が多い。凹部37の底面38が平坦に形成されている場合、SiCバルク基板36の反りによって、凹部37の底面38とSiCバルク基板36との間に間隙が生じる。SiCバルク基板36の反りによって生じる間隙の大きさは、SiCバルク基板36の口径が大きくなるほど増大する。SiCバルク基板36を均一に加熱するためには、凹部37の底面38とSiCバルク基板36との間に生じる間隙ができるだけ小さい方が好ましい。よって、凹部37の底面38の形状は、SiCバルク基板36の反りに合わせて湾曲していることが好ましい。具体的には、凹部37の底面38の断面形状が、凹部37の底面38の中心からの距離に対して2次以上の関数で表される曲線で形成されることが好ましい。図30に示すように、基板ホルダ26aの凹部37は2次元面心格子状に並んでおり、基板ホルダ26aは、還元性ガスの流れる方向とほぼ平行な平面上で複数のSiCバルク基板36を支持できるようになっている。また、基板ホルダ26aは、凹部37が形成する2次元面心格子の一辺が還元性ガスの流れる方向とほぼ平行となるように処理室2内に設置される。よって、基板ホルダ26aは、格子の一辺が還元性ガスの流れる方向とほぼ平行となる2次元面心格子状に複数のSiCバルク基板36が並ぶように処理室2内で複数のSiCバルク基板36を支持できるようになっている。尚、図30では、簡単のため、凹部37の形状が円であるように示したが、実際には、SiCバルク基板36は、通常、オリエンテーションフラットやインデックスフラットといった直線領域を有するため、凹部37の形状も直線領域を有し、SiCバルク基板36の外形とほぼ相似形とすることが好ましい。次に、本発明の実施の形態8における熱処理装置1aを用いてSiCバルク基板36を熱処理しエピタキシャル成長用SiCバルク基板を製造する方法および熱処理装置1aの動作について説明する。図31は、本発明の実施の形態8におけるエピタキシャル成長用SiCバルク基板の製造手順を示すフローチャートである。まず、SiCバルク基板36を製造する工程について説明する。尚、SiC結晶にはポリタイプと呼ばれる特有の周期性が存在する。即ち、化学量論比的組成はSiとCとで一対一であり、かつ、結晶格子が六方最密充填構造であっても、本構造におけるc軸に沿って原子配列に別種の周期性が存在し、この原子スケールでの周期および結晶格子の対称性によって、SiCの物性は規定される。現在デバイス応用の観点から最も注目を集めているのは、4H-SiCと呼ばれるタイプである。4H-SiCを用いたパワーデバイスでは、主に原材料費を低減するという観点から、<0001>面から<11-20>方向に5度程度よりも小さな角度で傾斜させ、かつ、Si原子がC原子に比べてより安定に配置し得る面を表面とするエピタキシャルウエハを用いるのが主流である。よって、ここでは、4H-SiCタイプで、<0001>面から<11-20>方向に5度程度よりも小さな角度で傾けた仕様のSiCバルク基板を製造し使用する。しかし、傾斜方向は<11-20>方向に厳密に限定されるものではなく、他の方向に傾斜した仕様としても良い。また、ポリタイプについても、4Hに限ることもなく、例えば6Hや3C等の他のポリタイプでもよい。まず、坩堝内に種結晶と原料とを対向配置し、原料側が相対的に高温となるように両者を加熱し、昇華法により種結晶上にSiC単結晶を成長させ、4H-SiCからなるSiCインゴットを製造するS1。次に、SiCインゴットの外周を研削加工することにより、SiCインゴットの形状を円筒状に整えるS2。ここで、基板の面方位を既定するためのオリエンテーションフラット等の加工を施しておく。次に、ワイヤーソーやワイヤー放電加工などにより、SiCインゴットを平板状に切り出すS3。次に、平板状に切り出したSiCバルク基板の表面および裏面を研削および機械研磨などにより平坦化するS4。ここで、基板の割れを防止するためにベベリング加工を外周に施しておく。以上の工程によって製造されたSiCバルク基板の表面には機械研磨に伴う傷などが存在し、これが起点となってエピタキシャル成長時に欠陥が形成されるため、以上の工程のみでは良好なエピタキシャル成長用SiCバルク基板を得るには不十分である。次に、SiCバルク基板を、機械研磨および酸性又はアルカリ性を呈する薬液を用いて化学機械研磨により平坦化処理するS5。そして、CMP処理後のSiCバルク基板をアセトン等を用いて超音波洗浄を施し、表面に付着した有機物を除去する。さらに、硫酸と過酸化水素水とを体積比率で5:1に混合し約130°C±5°Cに加熱した混合溶液中に、SiCバルク基板を浸漬することにより、主に金属付着物を除去する。そして、王水により残留金属付着物を除去する。次に、このSiCバルク基板に対して、RCA洗浄と呼ばれるウェット薬液洗浄を行うS6。即ち、75°C±5°Cに加熱したアンモニア水と過酸化水素水の混合溶液1:9中に10分間浸した後、75°C±5°Cに加熱した塩酸と過酸化水素水の混合溶液1:9に浸す。さらに、体積比率で5程度のフッ酸を含む水溶液に浸した後、純水により置換処理を施して、SiCバルク基板に対する表面洗浄を行う。以上の工程により、熱処理装置1aによって熱処理を行うSiCバルク基板36が完成する。上述の一連のウェット薬液洗浄によっても、SiCバルク基板36表面は他の例えばシリコン等の半導体材料のようには清浄とはならない。これは、SiC結晶における原子間力が従来の半導体の原子間力に比べて著しく強いため、SiCバルク基板36表面を均一に溶解する薬液が未だ見出されていないからである。図32は、本発明の実施の形態8におけるウェット薬液洗浄工程後のSiCバルク基板36の表面に対する暗視野条件下での光学顕微鏡像である。後述するが、図32において実線で囲まれた領域では、エピタキシャル成長後、三角欠陥が確認され、一方、破線で囲まれた領域ではキャロット欠陥が観測された。破線で囲まれた領域では比較的強い発光が見られ、実線で囲まれた領域内、あるいは領域外の近傍で、比較的弱い発光が見られる。尚、極めて強い発光領域は裏面の凹凸を反映したものである。また、詳細に観察すればより小さな点状の発光が確認されるものの、これらの部位は後の結果に影響を及ぼさない。このような観察法は表面状態に敏感であるため、かかる観察からSiCバルク基板36表面に何らかの微小な粒が付着していることが分かる。図33は、本発明の実施の形態8におけるウェット薬液洗浄工程後のSiCバルク基板36の表面に存在するSiC塵の走査型電子顕微鏡像である。図33から明らかな通り、上記微小発光領域に存在する異物は鋭角状を呈しており、その大きさは少なくともマイクロメートルスケールであることが判別できる。図34は、本発明の実施の形態8における図33中の正方形で囲まれた領域に対してエネルギー分散型X線分析を行った結果を示すスペクトルである。図34において、縦軸はスペクトル強度、横軸はエネルギーを表している。図34中、炭素およびシリコンからのピークが強く、これらの相対強度から判断すると、この付着物は化学量論比が一対一のSiCからなることが分かった。即ち、上述の種々の洗浄を行ったにもかかわらず、SiCバルク基板36表面には未だにSiC塵が付着していることが判明した。図35は、本発明の実施の形態8における図32と同じ領域をエピタキシャル成長後に観察した明視野条件下でのノマルスキー微分干渉光学顕微鏡像である。ここで、エピタキシャル成長はSiCバルク基板36の温度を1475°Cとして行った。以下、本発明の実施の形態8における各処理温度を詳細に記述するが、かかる処理温度の表示値は測定方法に強く依存する。そこで、本発明における温度の測定は原則としてパイロメーターでの測定値に統一している。ちなみに、他の測定方法で温度を測定した場合は、パイロメーターで同時に測定した値とのオフセット値を計算して調整すれば良い。図35から明らかな通り、図32において破線で囲まれた領域の近傍にはキャロット欠陥が、実線で囲まれた領域の近傍には三角欠陥といった電流リーク欠陥が形成されている事実を本発明の発明者らが初めて見出した。また、このような欠陥が存在する領域をパワーデバイスが含む場合、高電界印加時にリーク電流が生じることが一般に知られている。即ち、かかる欠陥の存在は、素子歩留りを大幅に低下させる直接的要因となる。したがって、これらの欠陥を除去しなければ、均一性が良好でパワーデバイス作製に好適なエピタキシャル成長層は到底得られない。以下で、本発明の実施の形態8における熱処理装置1aを用いてSiCバルク基板36を熱処理しSiC塵を除去する工程について説明する。まず、熱処理装置1aの取り出しドア31を開き、段差軽減部材27と機械的に連結された基板ホルダ26aを処理室2外へ取り出す。そして、基板ホルダ26aの凹部37にSiCバルク基板36をエピタキシャル成長用の面が上方を向くようにそれぞれ設置する。その後、SiCバルク基板36が設置された基板ホルダ26aを段差軽減部材27とともに処理室2内へ導入するS7。これにより、SiCバルク基板36のエピタキシャル成長用の面が還元性ガスの流路16に接することとなる。そして、処理室2内に残存する意図しない分子あるいは原子状の不純物が悪影響を与えることを抑制するために、排気ポンプ12によって処理室2内を約1×10-7kPa程度にまで真空引きする。図36は、本発明の実施の形態8におけるSiCバルク基板36の熱処理時の温度プロファイルおよびガスシーケンスを示す図である。図36において、縦軸は温度、横軸は時刻を表している。次に、図36に示すような温度プロファイルおよびガスシーケンスにて、SiCバルク基板36を熱処理する。まず、処理室2内に還元性ガスとして、例えば水素ガスを導入する。但し、還元性ガスは水素ガスに限ることはない。還元性ガス供給源7から供給される還元性ガスは、還元性ガス純化器8を通って混入不純物ガスを除去された後、バルブ11および導入ノズル3を経て、処理室2内へ導入される。処理室2内に導入された還元性ガスは、還元性ガスの流路16を通って排出ノズル6から処理室2外へ排出される。排出された還元性ガスは、還元性ガス除害装置13によって除害処理される。還元性ガスが導入され、SiCバルク基板36のエピタキシャル成長用の面に還元性ガスが接する設定下で、処理室2内の真空度が例えば25kPa程度で一定に保持されるように圧力を制御する。尚、本発明の実施の形態8では上記圧力下での例を詳述するが、一般に、処理室2の構造形状の相違等により、熱処理装置毎に好適な圧力は変化し得るものであり、かかる相違を加味すると、1kPaから70kPaの範囲内での減圧雰囲気とするのが好適である。これは、1kPaよりも圧力が低いと、後述の還元性ガスによる置換反応効率が低下し、また、70kPaよりも高いとSiCバルク基板36に対するエッチングが支配的となって、その後、このSiCバルク基板36上へのエピタキシャル成長により得られるエピタキシャル成長層の表面の平坦性が悪化するからである。そして、誘導加熱コイル18へ通電することによって下部サセプタ22および基板ホルダ26aを加熱し、SiCバルク基板36を所定の処理温度T1まで加熱する。温度T1は例えば1550°C以上の温度とするのが好ましい。そして、還元性ガス雰囲気にて、SiCバルク基板36の温度を処理時間tの間、温度T1で保持するS8。処理時間tは、例えば10~180秒で、処理温度T1によって適切な時間に設定することが好ましい。このとき、上部の誘導加熱コイル17にも通電して上部サセプタ21を加熱することにより、流路16を流れる還元性ガスを加熱するとSiCバルク基板36の加熱効率が上がる。次に、還元性ガス雰囲気中で、同一圧力を保持しつつSiCバルク基板36の温度を降温する。ここで、還元性ガスの使用量を削減する観点から、SiCバルク基板36の温度が室温に到達する前に還元性ガスの供給を停止する事が有利である。よって、SiCバルク基板36の温度を温度T1よりも低い所定の温度T3まで降温した時点でS9、還元性ガスの供給を停止しS10、その後さらにSiCバルク基板36の温度を温度T3よりも低い室温まで降温するS11。以上により、熱処理が完了し、エピタキシャル成長用SiCバルク基板が完成する。このような熱処理を実施しない場合、エピタキシャル成長を行うと、キャロット欠陥および三角欠陥等の電流リーク欠陥密度が少なくとも10個/cm2以上の高密度で発生することが分かっている。上述の通り、キャロット欠陥および三角欠陥の主な発生原因は、SiCバルク基板36に付着したSiC塵によるものであるから、SiCバルク基板36自体にダメージを与えないようにSiC塵を選択的に除去するには、SiCバルク基板36上に化学的に吸着しているSiC塵を、還元性ガス雰囲気下で熱処理することが極めて効果的である。即ち、このSiC塵は上述の薬液処理の最後に使われるフッ酸溶液中で、SiCバルク基板36上に付着したものと推察される。フッ酸処理は、本来はSiC表面の酸化膜を除去するためのものである。従って、フッ酸溶液中では、SiCバルク基板36と付着したSiC塵とは両者とも酸化膜は形成されない。SiCバルク基板36をフッ酸溶液中から大気中に曝すと、直ちに、両者の表面に対する酸化が開始される。SiC塵の形状から判断してSiC塵表面は原子レベルでは平坦ではないため、SiC塵とSiCバルク基板36とは薄い酸化膜を介して付着しているものと推察される。従って、SiCバルク基板36にダメージを与えないようにしつつ、SiC塵を選択的に基板表面から除去するには、還元性ガス中での熱処理により、両者の酸化膜を除去した上で、還元性ガスに含まれる例えば水素原子によって、両者の表面を水素置換することで表面を安定化する処理が極めて有効である。かかる処理によって、両者の表面は互いに水素終端され、両者間に電気化学的な斥力が生じる上、還元性ガスの流れ自体によってSiC塵がSiCバルク基板36表面から還元性ガスの流れる方向の下流側へ移動され得るからである。この結果、SiCバルク基板36表面に付着していたSiC塵はSiCバルク基板36に何らダメージを与えることなく除去される。但し、還元性ガスの供給を停止する温度T3が高すぎるとSiCバルク基板36の表面原子が還元性ガスに含まれる例えば水素原子以外のもので終端されるか、あるいは表面ダングリングボンドの形成に伴い酸化層が形成される。このような事を回避する事を鑑みれば、還元性ガスの供給を停止するときのSiCバルク基板36の温度T3は、900°C以下であることが好ましく、さらに好ましくは300°C以下が良い。300°C以下が好ましいのは、SiCバルク基板36の表面原子が還元性ガスに含まれる例えば水素原子で終端される効果を徹底化するのみならず、効率的に基板製造を行うため、基板温度の低下速度を高め、短時間で効率的な降温を実現できるからである。尚、降温工程に要する時間は短い方が好ましい。降温工程に要する時間が長い場合、処理室2内に付着残存しているSiC塵等が上述の熱処理工程によって清浄化されたエピタキシャル成長用SiCバルク基板の表面に新たに付着し、エピタキシャル成長時における異常成長核となって電流リーク欠陥を形成することがあるからである。本発明の実施の形態8では、以上のような構成としたことにより、長時間の処理を要する等の生産性を低下させるような特殊な前処理工程を行うことなしにエピタキシャル成長を行ってもSiCデバイスにおいて電流リーク源となるエピタキシャル成長後の欠陥密度が低いSiCエピタキシャルウエハを得ることができるエピタキシャル成長用SiCバルク基板を簡便に作製できる熱処理装置1aを得ることができるという効果がある。特に、基板ホルダ26aに隣接して段差軽減部材27を設置したことにより、基板ホルダ26aの還元性ガスの流路16と接する面と、段差軽減部材27の還元性ガスの流路16と接する面とが、ほぼ同一の平面上に存在するようにすることができる。つまり、還元性ガスの流路16における機械的段差を軽減できるため、処理室2内に導入された還元性ガスの流れに乱流が発生することを抑制することができる。乱流が発生すると、SiCバルク基板36上から一度離れたSiC塵が下流側に流されずに、再度SiCバルク基板36上に付着することがある。乱流の発生を抑制することにより、SiC塵の再付着を抑制することができるため、エピタキシャル成長後の欠陥密度が低いSiCエピタキシャルウエハを得ることができる。また、上部サセプタ21に隣接して段差軽減部材28を設置したことにより、上部サセプタ21の還元性ガスの流路16と接する面と、段差軽減部材28の還元性ガスの流路16と接する面とが、ほぼ同一の平面上に存在するようにすることができる。つまり、還元性ガスの流路16における機械的段差を軽減できるため、処理室2内に導入された還元性ガスに乱流が発生することを抑制することができる。これにより、エピタキシャル成長後の欠陥密度がより低いSiCエピタキシャルウエハを得ることができる。基板ホルダ26aに複数の凹部37が2次元面心格子状に並ぶように配置することによって、基板ホルダ26aが、還元性ガスの流れる方向とほぼ平行な平面上に複数のSiCバルク基板36が2次元面心格子状に並ぶように複数のSiCバルク基板36を支持することにより、基板ホルダ26a上にSiCバルク基板36をより稠密に配置することができる。これにより、基板ホルダ26a上で複数のSiCバルク基板36をより均一に加熱することができる。さらに、基板ホルダ26a上で、格子の一辺が還元性ガスの流れる方向とほぼ平行となる2次元面心格子状にSiCバルク基板36を配置したことにより、還元性ガスが流れる方向とほぼ平行な方向で隣接するSiCバルク基板36同士の距離を縮めることなく、基板ホルダ26a上にSiCバルク基板36をより稠密に配置することができる。還元性ガスが流れる方向とほぼ平行な方向で隣接するSiCバルク基板36同士の距離が短いと、SiCバルク基板36上から離れたSiC塵が還元性ガスの流れに乗って移動し、還元性ガスが流れる方向とほぼ平行な方向で隣接する他のSiCバルク基板36上に再度付着することがある。しかし、本発明の実施の形態8では上述のようにしたことにより、SiCバルク基板36上から離れたSiC塵が、還元性ガスが流れる方向とほぼ平行な方向で隣接する他のSiCバルク基板36上に再度付着することを抑制できる。また、基板ホルダ26aをSiC、TaCまたはグラファイト炭素で形成した、または、基板ホルダ26aが表面にSiC、TaCまたはグラファイト炭素の層を有するように形成したことにより、処理対象物であるSiCバルク基板36の電気伝導性に対して悪影響が及ぶことを抑制することができる。段差軽減部材27や段差軽減部材28についても同様であり、SiC、TaCまたはグラファイト炭素で形成した、または、基板ホルダ26aが表面にSiC、TaCまたはグラファイト炭素の層を有するように形成したことにより、処理対象物であるSiCバルク基板36の電気伝導性に対して悪影響が及ぶことを抑制することができる。尚、本発明の実施の形態8では、段差軽減部材27および段差軽減部材28を還元性ガスの流れる方向に対して基板ホルダ26aの上流側と下流側の両方に配置した。しかし、基板ホルダ26aの下流側よりも上流側で還元性ガスの流れに乱流が発生した場合の方が、SiCバルク基板36上から一度離れたSiC塵が再付着することへの影響が大きい。このため、基板ホルダ26aの上流側だけに段差軽減部材27および段差軽減部材28を配置しても一定の効果が得られる。また、上部サセプタ21と隣接する段差軽減部材28を配置せずに、基板ホルダ26aと隣接する段差軽減部材27のみを配置しても一定の効果が得られる。また、図25に示すように、段差軽減部材27を処理室2の内壁と接触するように設置した。しかし、必ずしも処理室2の内壁と接触しなければならない訳ではなく、基板ホルダ26aの還元性ガスの流路16と接する面と、段差軽減部材27の還元性ガスの流路16と接する面とが、ほぼ同一の平面上に存在するように設置されていればよい。段差軽減部材28についても同様であり、上部サセプタ21の還元性ガスの流路16と接する面と、段差軽減部材28の還元性ガスの流路16と接する面とが、ほぼ同一の平面上に存在するように設置されていればよい。従って、段差軽減部材27および段差軽減部材28の厚さや形状等は適宜設定すればよく、また、板状の部材である必要もない。また、本発明の実施の形態8では、誘導加熱コイル17および誘導加熱コイル18を処理室2の外面に設置したが、これに限ることはなく、処理室2の内部に設置してもよい。さらに、加熱装置として誘導加熱コイル17および誘導加熱コイル18を用いたが、これに限ることはない。しかし、誘導加熱コイルは広い範囲を均一に加熱することが可能であるため、多くのSiCバルク基板36を熱処理する場合は、誘導加熱コイルを用いることが好ましい。本発明の実施の形態8では、導入ノズル3を処理室2の側面に接続したが、接続箇所は側面に限ることはなく、例えば上面や下面など他の箇所でもよい。同様に、排出ノズル6についても、接続箇所は上面に限ることはない。さらに、導入ノズル3の個数も1個に限ることはなく、複数設けてもよい。例えば、微細なノズルを多数、密集させて設けると還元性ガスに乱流が発生することを抑制することができる。同様に、排出ノズル6についても複数設けてもよい。また、本発明の実施の形態8では、段差軽減部材27および段差軽減部材28を処理室2内に設置することにより還元性ガスの流路16における機械的段差を軽減した。しかし、この段差軽減部材27および段差軽減部材28を処理室2の内壁の一部として処理室2の内壁と一体となるように形成してもよい。つまり、処理室2の内壁と、基板ホルダ26aの還元性ガスの流路16と接する面や上部サセプタ21の還元性ガスの流路16と接する面とが、ほぼ同一の平面上に存在するように形成してもよい。実施の形態9.図37は、本発明の実施の形態9における熱処理装置1bを示す側面断面図である。図37において、図25と同じ符号を付けたものは、同一または対応する構成を示しており、その説明を省略する。本発明の実施の形態8とは、下部サセプタ22上に基板ホルダ26aを設置する代わりに、上部サセプタ21の下部に基板ホルダ26bを設置した構成が相違している。これにともない、基板ホルダ26bの還元性ガスの流路16と接する面と、段差軽減部材28の還元性ガスの流路16と接する面とが、ほぼ同一の平面上に存在するようになっている。そして、下部サセプタ22の還元性ガスの流路16と接する面と、段差軽減部材27の還元性ガスの流路16と接する面とが、ほぼ同一の平面上に存在するようになっている。図38は、本発明の実施の形態9における図37のA-A断面図である。図38に示すように、基板ホルダ26bは、側面サセプタ41によって支持され、その下面が還元性ガスの流路16と接するように配置される。上部サセプタ21と基板ホルダ26bとは接触している。尚、図38において、導入ノズル3から処理室2内に導入された還元性ガスは、流路16を紙面垂直方向に流れる。また、図39は、本発明の実施の形態9における図37のB-B断面図である。本発明の実施の形態8とは、排出ノズル6が、処理室2の上面ではなく、側面の互いに対向する2箇所に接続された構成が相違している。導入ノズル3から処理室2内に導入された還元性ガスは、流路16を図37における横方向、即ち図38における紙面垂直方向に流れ、排出ノズル6から処理室2外へ排出される。排出ノズル6から排出された還元性ガスは、排気ポンプ12を通って還元性ガス除害装置13に入って除害処理される。次に、基板ホルダ26bについて説明する。図40は、本発明の実施の形態9における基板ホルダ26bでSiCバルク基板36を支持した様子を示す断面図である。図41は、本発明の実施の形態9における基板ホルダ26bを示す斜視図である。図40に示すように、基板ホルダ26bは、貫通穴42を有し、この貫通穴42の還元性ガスの流路16と接する側、即ち図40における下側にSiCバルク基板36を支持するための支持部43を有している。貫通穴42は、SiCバルク基板36の外形と相似形でSiCバルク基板36の径よりも大きく形成されている。具体的には、SiCバルク基板36の外周と貫通穴42との間に500μm程度の間隙が生じるような大きさであることが好ましい。支持部43は、SiCバルク基板36と相似形でSiCバルク基板36の径よりも小さく形成される。図40における上側から貫通穴42内にSiCバルク基板36を入れると、支持部43によってSiCバルク基板36が支持される。貫通穴42内には、SiCバルク基板36が、エピタキシャル成長用の面が下方を向くように設置され、このSiCバルク基板36のエピタキシャル成長用の面が還元性ガスの流路16と接することとなる。また、SiCバルク基板36上には、加熱効率を上げるために、SiCバルク基板36と上部サセプタ21との間の間隙を埋めるように均熱板46が設置される。均熱板46は、基板ホルダ26bと同じ材質で形成されることが好ましい。SiCバルク基板36は、その表裏の研磨状態の相違によって同心円状に反っている場合が多いので、加熱効率を上げるために、均熱板46の形状は、SiCバルク基板36の反りに合わせて湾曲していることが好ましい。図41に示すように、基板ホルダ26bの貫通穴42は2次元面心格子状に並んでおり、基板ホルダ26bは、還元性ガスの流れる方向とほぼ平行な平面上で複数のSiCバルク基板36を支持できるようになっている。尚、図41では、簡単のため、貫通穴42の形状が円であるように示したが、実際には、SiCバルク基板36は、通常、オリエンテーションフラット等の直線領域を有するため、貫通穴42の形状も直線領域を有し、SiCバルク基板36の外形とほぼ相似形とすることが好ましい。本発明の実施の形態9では、以上のように、基板ホルダ26bが、SiCバルク基板36のエピタキシャル成長用の面が下方を向き、かつ、SiCバルク基板36のエピタキシャル成長用の面が還元性ガスの流路16に接するようにSiCバルク基板36を支持するようにしたことにより、還元性ガス雰囲気での熱処理の効果によってSiCバルク基板36の表面から離れたSiC塵が重力によって下方へ落ちる。これにより、SiCバルク基板36の表面から一度離れたSiC塵がSiCバルク基板36の表面に再付着することを抑制することができる。よって、エピタキシャル成長後の欠陥密度がより低いSiCエピタキシャルウエハを得ることができる。尚、本発明の実施の形態9では、本発明の実施の形態8と相違する部分について説明し、同一または対応する部分についての説明は省略した。実施の形態10.図42は、本発明の実施の形態10における基板支持具である基板ホルダ26cを示す斜視図である。図42において、図30と同じ符号を付けたものは、同一または対応する構成を示しており、その説明を省略する。本発明の実施の形態8では、還元性ガスの流れる方向とほぼ平行な平面上で複数のSiCバルク基板36が2次元面心格子状に並ぶように基板ホルダ26aによって支持したのに対して、本発明の実施の形態10では、基板ホルダ26cが、互いにほぼ平行な複数の平面上に、それぞれSiCバルク基板36を支持した構成が相違している。図42に示すように、基板ホルダ26cは複数の基板トレイ47を有し、これらの複数の基板トレイ47は互いにほぼ平行となるようにトレイ支持棒48で支持されている。そして、基板トレイ47の中央付近には、基板ホルダ26aと同様に、SiCバルク基板36を支持するための領域である凹部37が形成されている。ここでは、1つの基板トレイ47に対して1つずつ凹部37が形成され、それぞれの基板トレイ47に1枚ずつSiCバルク基板36を支持できるようになっている。上述の通り、基板トレイ47は互いにほぼ平行となるように設置されているため、基板トレイ47に支持されたSiCバルク基板36同士も互いにほぼ平行となる。基板トレイ47同士の間隔は、作業性や装置のコンパクト化の観点から例えば1mm程度とすればよい。凹部37は、本発明の実施の形態8における基板ホルダ26aの場合と同様であり、その深さは、凹部37内に載置されたSiCバルク基板36と基板トレイ47との間に機械的段差ができるだけ生じないように設定されることが好ましい。凹部37内には、SiCバルク基板36が、エピタキシャル成長用の面が上方を向くように載置され、このSiCバルク基板36のエピタキシャル成長用の面が還元性ガスの流路と接することとなる。尚、図42では、簡単のため、凹部37の形状が円であるように示したが、実際には、SiCバルク基板36は、通常、オリエンテーションフラットやインデックスフラットといった直線領域を有するため、凹部37の形状も直線領域を有し、SiCバルク基板36の外形とほぼ相似形とすることが好ましい。また、図42では、基板トレイ47の形状が円状であるように示したが、円状には限らない。基板ホルダ26cの材質は、本発明の実施の形態8における基板ホルダ26aと同様であり、例えば、基板ホルダ26cの基板トレイ47およびトレイ支持棒48の本体部分を高純度のグラファイト炭素で形成し、この本体部分の表面にSiCまたはTaCの層をコーティングして基板ホルダ26cを形成することが好ましい。本発明の実施の形態10では、上述の基板ホルダ26cにSiCバルク基板36を設置し、熱処理装置の処理室2内に固定して熱処理を行う。ここでは、熱処理装置は、例えば、基板ホルダ26cを覆う筒状の形状とすることが好ましい。そして、還元性ガスは、基板トレイ47に載置されたSiCバルク基板36の表面へ充分な量が供給されるように流せばよい。例えば、図42における左上方に導入ノズル2を設置し、右下方に排出ノズル6を設置すると、各SiCバルク基板36の表面に沿って層流となって還元性ガスを流すことができる。一方、トレイ支持棒48の近傍では、トレイ支持棒48が還元性ガスの流れを妨げるため、他の領域よりも乱流が発生し易くなり、乱流が発生し易い領域の体積は、熱的な揺らぎや還元性ガス流量の揺らぎなどの影響により、熱処理中に時々刻々と変動する。熱処理によってSiCバルク基板36の表面から除去されたSiC塵が、トレイ支持棒48の近傍で発生した乱流に取り込まれると、この乱流領域内に長時間留まり、熱処理完了後のSiCバルク基板36の表面に再度付着する可能性がある。しかし、乱流が発生する領域はトレイ支持棒48の近傍に限られるため、トレイ支持棒48から充分離れた箇所にSiCバルク基板36を設置すれば上述のようなSiC塵が再付着する可能性を小さくできる。トレイ支持棒48から、つまり、基板トレイ47の外周から例えば5mm程度内側へ離れた領域では、乱流はほとんど生じないため、トレイ支持棒48の近傍で発生した乱流の影響によって、SiCバルク基板36の表面から一度除去されたSiC塵がSiCバルク基板36の表面に再付着することを防ぐためには、基板トレイ47の外周とSiCバルク基板36の外周との距離が5mmよりも大きくなるようにすればよい。一方で、基板トレイ47の外周とSiCバルク基板36の外周との距離を大きくし過ぎると、つまり、SiCバルク基板36の大きさに対して基板トレイ47を大きくし過ぎると、熱処理において加熱しなければならない体積が大きくなって加熱効率が悪くなる。加熱効率の観点からは、基板トレイ47の外周とSiCバルク基板36の外周との距離は100mmより小さくなるようにすることが好ましい。また、トレイ支持棒48の近傍での乱流の発生をさらに抑制するためには、熱処理中に、還元性ガスの流量を変動させ、乱流が発生する指標となるいわゆるレイノルズ数を実効的に変化させればよい。還元性ガスの流量の変動のさせ方としては、例えば不規則に変化させると効果的である。本発明の実施の形態10では、以上のように、互いにほぼ平行な基板トレイ47上に、即ち、互いにほぼ平行な平面上に、それぞれSiCバルク基板36を支持したことにより、処理室2内でSiCバルク基板36が積層されたように並ぶため、複数のSiCバルク基板36を同一の平面上に並べる場合と比較して、熱処理装置の小型化を図ることができる。基板トレイ47の外周とSiCバルク基板36の外周との距離が、5mmよりも大きく、100mmよりも小さくなるように設定したことにより、SiCバルク基板36の表面から一度脱離したSiC塵が乱流の影響によって再度SiCバルク基板36の表面に付着する可能性を低くすることができる。さらに、熱処理時の加熱効率の低下も抑制することができる。尚、本発明の実施の形態10では、1つの基板トレイ47に対して1枚のSiCバルク基板36を載置したが、1つの基板トレイ47に対して複数のSiCバルク基板36を載置してもよい。また、本発明の実施の形態10では、基板ホルダ26cの基板トレイ47とトレイ支持棒48とを別の部材としたが、基板トレイ47とトレイ支持棒48とが一体となった1つの部材として基板ホルダ26cを形成してもよい。また、別の部材として形成する場合でも、トレイ支持棒48の形状は棒状に限ることはない。本発明の実施の形態10では、複数の基板トレイ47を鉛直方向に積層するように配置した、即ち、複数のSiCバルク基板36が鉛直方向に並ぶようにした。しかし、必ずしも複数のSiCバルク基板36を鉛直方向に並ぶようにする必要はなく、例えば図42に示す基板ホルダ26cを90°回転させて配置し、SiCバルク基板36の表面が、それぞれ、鉛直方向とほぼ平行となるようにしてもよい。このようにすれば、SiCバルク基板36を載置する基板トレイ47の数が多い場合、例えば10枚以上である場合、基板ホルダ26cおよび熱処理装置が長尺化するが、鉛直方向に積層する場合と比べて、基板ホルダ26cおよび熱処理装置が機械的に安定する。従って、振動等が熱処理装置に及ぼす影響を軽減することができる。尚、この場合、基板トレイ47上に載置したSiCバルク基板36が落ちないように固定することが好ましい。また、基板ホルダ26cの形状も図42に示す形状に限ることはなく、例えば、直方体にハーフパイプ状の凹型加工を施して、このハーフパイプ状の部分にSiCバルク基板36を差し込んで支持するような構成としてもよい。以上、本発明の実施の形態1~10を詳細に開示し記述したが、以上の記述は本発明の適用可能な局面を例示したものであって、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、記述した局面に対する様々な修正や変形例を、この発明の範囲から逸脱することの無い範囲内で考えることが可能である。