"基板上に、第一電極、半導体および増感色素を含有する光電変換層、固体正孔輸送層、ならびに第二電極、を有する光電変換素子において、前記増感色素は、下記一般式1Aまたは一般式1B:上記一般式1A中、Ar1は置換基としてヘテロ芳香環含有基を有する1価の芳香族基であり、前記ヘテロ芳香環中のヘテロ原子に隣接する炭素原子は非水素原子と結合しており;Ar2およびAr3は、それぞれ独立して、2価の芳香族基であり;この際、Ar1~Ar3の少なくとも2つは、互いに結合して環構造を形成していてもよく;Z2およびZ3は、酸性基または酸性を示す環構造、及び電子吸引性基または電子吸引性環構造を有する有機残基である;上記一般式1B中、Ar4およびAr5は、それぞれ独立して、置換されたまたは非置換の1価の芳香族基であり、この際、Ar4およびAr5の少なくとも一方は置換基としてヘテロ芳香環含有基を有する1価の芳香族基であり、前記ヘテロ芳香環中のヘテロ原子に隣接する炭素原子は非水素原子と結合しており;Ar6は2価の芳香族基であり;この際、Ar4~Ar6の少なくとも2つは、互いに結合して環構造を形成していてもよく;Z6は、酸性基または酸性を示す環構造、及び電子吸引性基または電子吸引性環構造を有する有機残基である;で表され、前記固体正孔輸送層は、下記一般式2:上記一般式2中、X1およびX2は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~24の直鎖もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数6~24のアリール基、-OR1、-SR2、-SeR3、または-TeR4であり、R1~R4は、それぞれ独立して、水素原子または置換基を有していてもよい炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基であり、この際、X1およびX2は、互いに結合して環構造を形成していてもよく、X1、X2、およびR1~R4において、置換基は、ハロゲン原子、各々置換もしくは非置換の、炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~24の直鎖もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数1~18のヒドロキシアルキル基、炭素数1~18のアルコキシ基、炭素数1~24のアシル基、炭素数6~24のアリール基、炭素数2~24のヘテロアリール基、およびアミノ基からなる群から選択される、で表される化合物または前記化合物の多量体を重合して形成される重合物を含有する、光電変換素子。前記一般式1A中のAr1または前記一般式1B中のAr4は、下記一般式3:上記一般式3中、Ar7は2価の芳香族基であり;Ar8は2価のヘテロ芳香環含有基であり;Y8は水素原子以外の1価の基であり;mは1~10の整数である;で表される、請求項1に記載の光電変換素子。前記一般式3中、Ar8はチオフェン環含有基である、請求項2に記載の光電変換素子。前記一般式3中、Y8は塩素原子またはフッ素原子である、請求項2または3に記載の光電変換素子。前記一般式3中、Ar8は3,4-エチレンジオキシチオフェン由来の2価の基である、請求項2~4のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記一般式1A中のZ3または前記一般式1B中のZ6は、下記構造:上記において、R11は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、炭素数6~24のアリール基、炭素数7~24のアラルキル基、炭素数1~18のアルコキシ基、またはシアノ基である、で表される、請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記半導体が酸化チタンである、請求項1~6のいずれか1項に記載の光電変換素子。請求項1~7のいずれか1項に記載の光電変換素子を備える太陽電池。しかし、固体正孔輸送層を用いた光電変換素子は、短絡電流が小さいという問題がある。上記のような特許文献2や特許文献3に記載されるような有機色素を用いた場合においても、短絡電流が小さく、光電変換プロセスにおけるエネルギー損失のために耐久性の低下が生じるという問題があった。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、光電変換効率と光電変換機能の安定性耐久性とに優れる全固体色素増感型の光電変換素子および太陽電池を提供することを目的とする。本発明者等は、上記課題を改善するために鋭意検討を行った結果、特定構造を有する新規な有機色素を特定の構造を有するPEDOT置換体と組み合わせることで、上記課題が解決されうることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明の上記目的は、基板上に、第一電極、半導体および増感色素を含有する光電変換層、固体正孔輸送層、ならびに第二電極、を有する光電変換素子において、前記増感色素は、下記一般式1Aまたは一般式1B:上記一般式1A中、Ar1は置換基としてヘテロ芳香環含有基を有する1価の芳香族基であり、前記ヘテロ芳香環中のヘテロ原子に隣接する炭素原子は非水素原子と結合しており;Ar2およびAr3は、それぞれ独立して、2価の芳香族基であり;この際、Ar1~Ar3の少なくとも2つは、互いに結合して環構造を形成していてもよく;Z2およびZ3は、酸性基または酸性を示す環構造、ならびに電子吸引性基または電子吸引性環構造を有する有機残基である;上記一般式1B中、Ar4およびAr5は、それぞれ独立して、置換されたまたは非置換の1価の芳香族基であり、この際、Ar4およびAr5の少なくとも一方は置換基としてヘテロ芳香環含有基を有する1価の芳香族基であり、前記ヘテロ芳香環中のヘテロ原子に隣接する炭素原子は非水素原子と結合しており;Ar6は2価の芳香族基であり;この際、Ar4~Ar6の少なくとも2つは、互いに結合して環構造を形成していてもよく;Z6は、酸性基または酸性を示す環構造、ならびに電子吸引性基または電子吸引性環構造を有する有機残基である;で表され、前記固体正孔輸送層は、下記一般式2:上記一般式2中、X1およびX2は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~24の直鎖もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数6~24のアリール基、-OR1、-SR2、-SeR3、または-TeR4であり、R1~R4は、それぞれ独立して、水素原子または置換基を有していてもよい炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基であり、この際、X1およびX2は、互いに結合して環構造を形成していてもよく、X1、X2、およびR1~R4において、置換基は、ハロゲン原子、各々置換もしくは非置換の、炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~24の直鎖もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数1~18のヒドロキシアルキル基、炭素数1~18のアルコキシ基、炭素数1~24のアシル基、炭素数6~24のアリール基、炭素数2~24のヘテロアリール基、およびアミノ基からなる群から選択される、で表される化合物または前記化合物の多量体を重合して形成される重合物を含有する、光電変換素子により達成される。本発明により、光電変換効率および光電変換機能の安定性に優れる光電変換素子、および太陽電池が提供できる。本発明は、基板上に、第一電極、半導体および増感色素を含有する光電変換層、固体正孔輸送層、ならびに第二電極、を有する光電変換素子において、該増感色素は、上記一般式1Aあるいは一般式1Bで表され、該固体正孔輸送層は上記一般式2で表される化合物または前記化合物の多量体を重合して形成される重合物を含有する、光電変換素子を提供する。すなわち、本発明は、増感色素として上記特定の構造を有する新規な色素を用い、かつ、固体正孔輸送層に特定の繰り返し単位を有する重合体を用いることを特徴とする。従来の固体正孔輸送層を用いた光電変換素子は、ヨウ素を含む電解液を用いた場合に比べ短絡電流が小さいという問題があった。これらの素子では各波長の量子収率が電解液の場合に比べ低下していることから、色素と正孔輸送層との界面または正孔輸送層内部での電荷移動に問題があると考えられる。正孔輸送層には電気伝導度の高いPEDOT置換体を用いていることを考慮すると、色素と正孔輸送層との界面の接触に問題があると推測される。色素と正孔輸送層との接触性が不十分であると、光電変換プロセスにおいて、酸化チタンなどの半導体と色素とが相互作用して逆電子移動が生じるため、光電変換素子の耐久性が低下すると考えられる。本願発明者らは、増感色素の正孔輸送層と接する側、すなわち、増感色素の吸着基酸性基とは反対側にヘテロ環構造を導入し、これを特定の構造を有するPEDOT置換体を繰り返し単位として有する重合体を含有する固体正孔輸送層と組み合わせることで、色素と正孔輸送層との界面接触性が向上し、量子収率の向上および光電流の増大につながることを見出した。具体的には、色素として一般式1Aあるいは一般式1Bで表される化合物を用いる。これらの化合物においては、吸着基Z2、Z3、Z6と反対側のAr1、Ar4、Ar5に、置換基としてのヘテロ芳香環構造を有する。このようなヘテロ芳香環構造の導入により、増感色素内にπ電子密度の高い部分が平面状に存在することになるため、固体正孔輸送材としての平面性の高いPEDOTオリゴマー骨格のπ電子雲との接触性が向上し、色素と正孔輸送層との間の電荷移動が高確率で起こることに伴って、量子収率ならびに短絡電流が増加する。また、色素と正孔輸送層との界面接触性の向上により分子間での電荷移動速度が増加して、光励起に伴う不安定な中間体として存在する時間が短くなるため、逆電子移動を抑制でき、その結果、光電変換素子の耐久性が向上しうる。したがって、本発明によれば、従来の固体の正孔輸送層を用いた光電変換素子と比較し、光電変換効率および光電変換機能の安定性耐久性に優れる光電変換素子および太陽電池を提供できる。以下、本発明を詳細に説明する。光電変換素子本発明の光電変換素子について、図1を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る光電変換素子を模式的に表す断面図である。図1に示すように、光電変換素子10は、基板1、第一電極2、バリア層3、光電変換層6、正孔輸送層7、および第二電極8が順次積層されてなる構成を有する。ここで、光電変換層6は、半導体5および増感色素4を含有する。図1に示されるように、第一電極2と光電変換層6との間には、短絡防止、封止などの目的で、バリア層3を有することが好ましい。なお、図1中では、太陽光は、図下方の矢印9の方向から入っているが、本発明は当該形態に限定されず、図上方から太陽光が入射してもよい。次に、本発明の光電変換素子の製造方法の好ましい実施形態について説明する。まず、第一電極2を形成した基板1上に、バリア層3を形成した後、バリア層3上に、半導体5からなる半導体層を形成し、その半導体表面に増感色素4を吸着させて光電変換層6を形成する。その後、光電変換層6の上に、固体正孔輸送層7を形成する。この際、固体正孔輸送層7は、増感色素4を担持した半導体5からなる光電変換層6に侵入し、かつ、その上に存在している。そして、該固体正孔輸送層7の上に第二電極8を形成する。第一電極2および第二電極8に端子を付けて電流を取り出すことができる。以下、本発明の光電変換素子の各部材について説明する。基板基板は、光入射方向の側に設けられ、光電変換素子の光電変換効率の観点から、光透過率が10以上であることが好ましく、更に好ましくは50以上であり、特に80~100であることが好ましい。光透過率とは、JISK7361-1:1997ISO13468-1:1996に対応のプラスチック-透明材料の全光線透過率の試験方法に準拠した方法で測定した可視光波長領域における全光線透過率をいう。基板としては、その材料、形状、構造、厚み、硬度等については公知のものの中から適宜選択することができるが、上記のように高い光透過性を有していることが好ましい。基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレート、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレンPE樹脂フィルム、ポリプロピレンPP樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリビニルブチラールPVB等のポリビニルアセタール樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトンPEEK樹脂フィルム、ポリサルホンPSF樹脂フィルム、ポリエーテルサルホンPES樹脂フィルム、ポリカーボネートPC樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロースTAC樹脂フィルム等を挙げることができる。中でも、可視域の波長400~700nmにおける透過率が80以上である樹脂フィルムを、特に好ましく適用することができる。さらに好ましくは、透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度およびコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリカーボネートフィルムであり、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムであることがより一層好ましい。これらの樹脂フィルムの他に無機ガラスフィルムを基板として用いてもよい。これらの基板には、塗布液の濡れ性や接着性を確保するために、表面処理を施すことや易接着層を設けることができる。表面処理や易接着層については従来公知の技術を使用できる。例えば、表面処理としては、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理、レーザー処理等の表面活性化処理を挙げることができる。また、易接着層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ビニル系共重合体、ブタジエン系共重合体、アクリル系共重合体、ビニリデン系共重合体、エポキシ系共重合体等を挙げることができる。基板の厚さとしては、0.1~100mmが好ましく、さらに0.5~10mmであることが好ましい。第一電極第一電極は、基板と光電変換層との間に配置される。ここで、第一電極は、基板の光入射方向に対して反対側となる一方の面上に設けられる。第一電極としては、その光透過率が80以上、さらに90以上上限:100のものが好ましく用いられる。光透過率は、上記基板の説明の記載と同様のものである。第一電極を形成する材料は、特に制限されず、公知の材料が使用できる。例えば、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム等の、金属;およびSnO2、CdO、ZnO、CTO系CdSnO3、Cd2SnO4、CdSnO4、In2O3、CdIn2O4等の、これらの金属酸化物などが挙げられる。これらのうち、金属として好ましくは、銀が挙げられ、光透過性を持たせるために、開口部を持つグリッドパターニングされた膜、あるいは微粒子やナノワイヤーを分散し塗布した膜が好ましく用いられる。また、金属酸化物として好ましくは、上記の金属酸化物に、Sn、Sb、FおよびAlから選ばれる1種または2種以上を添加した複合ドープ材料が挙げられる。より好ましくは、SnをドープしたIn2O3ITO、SbをドープしたSnO2、FをドープしたSnO2FTO等の導電性金属酸化物が好ましく用いられ、耐熱性の点からFTOが最も好ましい。第一電極を形成する材料の基板への塗布量は、特に制限されないが、基板1m2当たり、1~100g程度であることが好ましい。なお、本明細書では、第一電極を基板上に有するものを導電性支持体とも称する。導電性支持体の膜厚としては、特に制限されないが、0.1mm~5mmの範囲が好ましい。また、導電性支持体の表面抵抗は、500Ω/□Ω/square以下であることが好ましく、更に好ましくは、10Ω/□以下である。なお、導電性支持体の表面抵抗の下限は、可能な限り低いことが好ましいため、特に規定する必要はないが、0.01Ω/□以上であれば十分である。導電性支持体の光透過率の好ましい範囲は、上記基板の光透過率の好ましい範囲と同様である。バリア層本発明の光電変換素子は、受光により発生し、正孔輸送層に注入されたホールと、第一電極の電子との再結合である短絡を防止する観点などから、必要に応じてバリア層をさらに含んでもよい。バリア層は、第一電極と後述する光電変換層との間に、膜状層状に配置されうる。バリア層の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、亜鉛、ニオブ、スズ、チタン、バナジウム、インジウム、タングステン、タンタル、ジルコニウム、モリブデン、マンガン、鉄、銅、ニッケル、イリジウム、ロジウム、クロム、ルテニウムまたはその酸化物;チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、チタン酸マグネシウム、ニオブ酸ストロンチウムのようなペロブスカイト、あるいはこれらの複合酸化物または酸化物混合物;CdS、CdSe、TiC、Si3N4、SiC、BNのような各種金属化合物等の1種または2種以上の組み合わせなどが挙げられる。特に固体正孔輸送層がp型半導体の場合、バリア層に金属を使用する場合には固体正孔輸送層よりも仕事関数の値が小さく、ショットキー型の接触をするものを用いることが好ましい。また、バリア層に金属酸化物を用いる場合には、透明導電層とオーミックに接触し、かつ伝導帯のエネルギー準位が半導体層光電変換層よりも低いところにあるものを使用することが好ましい。このとき、酸化物を選択することで半導体層光電変換層からバリア層への電子移動効率を向上させることもできる。この中でも、半導体層光電変換層と同等の電気伝導性を有するものであるのが好ましく、特に、酸化チタンを主とするものがより好ましい。バリア層、光電変換層は、多孔質であることが好ましい態様である。この場合、バリア層の空孔率は半導体層光電変換層の空孔率よりも小さいことが好ましい。具体的には、バリア層の空孔率をC[]とし、半導体層の空孔率をD[]としたとき、D/Cが、例えば、1.1以上程度であるのが好ましく、5以上程度であるのがより好ましく、10以上程度であるのがさらに好ましい。ここで、D/Cの上限は、可能な限り大きいことが好ましいため、特に規定する必要はないが、通常、1000以下程度である。これにより、バリア層と半導体層とは、それぞれ、それらの機能をより好適に発揮することができる。より具体的には、バリア層の空孔率Cとしては、例えば、20以下程度であるのが好ましく、5以下程度であるのがより好ましく、2以下程度であるのがさらに好ましい。すなわち、バリア層は、緻密層であるのが好ましい。これにより、前記効果をより向上することができる。ここで、バリア層の空孔率Cの下限は、可能な限り小さいことが好ましいため、特に規定する必要はないが、通常、0.05以上程度である。バリア層の平均厚さ膜厚としては、例えば、0.01~10μm程度であるのが好ましく、0.03~0.5μm程度であるのがより好ましい。これにより、短絡防止効果をより向上することができる。光電変換層光電変換層は、光起電力効果を利用して光エネルギーを電気エネルギーに変換する機能を有する。本発明において、光電変換層は半導体および増感色素を必須に含む。より詳しくは、当該光電変換層は、増感色素を担持した半導体を含有する半導体層から構成される。増感色素増感色素は、光照射時に光励起され起電力を生じる機能を有する。当該増感色素は、後述するような半導体の増感処理により半導体に担持される。本発明では、増感色素として、下記一般式1Aまたは一般式1Bで表わされる化合物を含む。上記一般式1A中、Ar1は置換基としてヘテロ芳香環含有基を有する1価の芳香族基を表す。なお、前記ヘテロ芳香環中のヘテロ原子に隣接する炭素原子は非水素原子と結合している。上記一般式1A中、Ar2およびAr3は、2価の芳香族基を表す。Ar2およびAr3は、同一であってもあるいは異なるものであってもよい。なお、Ar1~Ar3の少なくとも2つは、互いに結合して環構造を形成していてもよい。上記一般式1A中、Z2およびZ3は、酸性基または酸性を示す環構造、および電子吸引性基または電子吸引性環構造を有する有機残基を表す。上記一般式1B中、Ar4およびAr5は、置換されたまたは非置換の1価の芳香族基を表す。この際、Ar4およびAr5の少なくとも一方は置換基としてヘテロ芳香環含有基を有する1価の芳香族基であり、前記ヘテロ芳香環中のヘテロ原子に隣接する炭素原子は非水素原子と結合している。Ar4およびAr5は、同一であってもあるいは異なるものであってもよい。上記一般式1B中、Ar6は2価の芳香族基を表す。なお、Ar4~Ar6の少なくとも2つは、互いに結合して環構造を形成していてもよい。上記一般式1B中、Z6は、酸性基または酸性を示す環構造、および電子吸引性基または電子吸引性環構造を有する有機残基を表す。ここで、上記Ar1、Ar4、およびAr5としての1価の芳香族基、ならびに、Ar2、Ar3、およびAr6としての2価の芳香族基は、特に制限されない。具体的には、ベンゼン、スチレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピロール、フラン、ピラン、チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、イミダゾール、イミダゾロン、ピラゾール、ピラゾロン、ピラゾリン、オキサゾール、イソキサゾール、チアゾール、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソキサゾール、ベンゾチアゾール、インドール、イソインドール、フルオレン、フタラジン、キナゾリン、カルバゾール、カルボリン、ジアザカルボリンカルボリンの任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったもの、クマリン、ローダニン、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェン下記化学式4-1で表される化合物、4H-シクロペンタ[2,1-b:3,4-b’]ジチオフェン下記化学式4-2で表される化合物、4,5,6,7-テトラヒドロ-2-ベンゾチオフェン等の芳香環化合物から導かれるものである。これらの芳香環化合物を複数組み合わせて用いても良い。この際、複数の芳香環は直接結合してもよいし、2価の直線状置換基例えば、アルキレン基、ビニレン基、アリーレン基、アルケニレン基等を介して結合してもよい。例えば、ビフェニル、ターフェニル、フェニルチオフェン、ジフェニルチオフェン、ジフェニルスチレン、ビチオフェン、フェニルビチオフェン、フェニルテルチオフェン、フェニルジチエノチオフェン、スチルベン、4-フェニルメチレン-2,5-シクロヘキサジエン、トリフェニルエテン例えば、1,1,2-トリフェニルエテン、フェニルピリジン例えば、4-フェニルピリジン、スチリルチオフェン例えば、2-スチリルチオフェン、2-9H-フルオレン-2-イルチオフェン、2-フェニルベンゾ[b]チオフェン、1,1-ジフェニル-4-フェニル-1,3-ブタジエン、1,4-ジフェニル-1,3-ジブタジエン、4-フェニルメチレン-2,5-シクロヘキサジエン由来の基などがある。これらの芳香環化合物は置換基を有していてもよい。この際の置換基としては、例えば、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、各々置換もしくは無置換の、炭素原子数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、1,3-ジメチルブチル基、1-イソプロピルプロピル基、1,2-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、1,4-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2-メチル-1-イソプロピルプロピル基、1-エチル-3-メチルブチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-メチル-1-イソプロピルブチル基、2-メチル-1-イソプロピル基、1-t-ブチル-2-メチルプロピル基、n-ノニル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-デシル基、イソデシル基、n-ウンデシル基、1-メチルデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-エイコシル基、n-ヘンエイコシル基、n-ドコシル基、n-トリコシル基、n-テトラコシル基等、炭素数2~24の直鎖もしくは分岐状のアルケニル基例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、イソプロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、3-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、3-ヘキセニル基、1-ヘプテニル基、2-ヘプテニル基、5-ヘプテニル基、1-オクテニル基、3-オクテニル基、5-オクテニル基等、炭素数1~18のヒドロキシアルキル基例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、炭素原子数1~18のアルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等、炭素数1~24のアシル基例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、2-メチルバレリル基、3-メチルバレリル基、4-メチルバレリル基、t-ブチルアセチル基、ピバロイル基、カプロイル基、2-エチルヘキサノイル基、2-メチルヘキサノイル基、ヘプタノイル基、オクタノイル基、ベンゾイル基等、炭素数6~24のアリール基例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、アンスリル基、ピレニル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、ターフェニル基、フェナンスリル基等、アミノ基例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等が挙げられる。なお、上記において、同じ置換基で置換されることはない。すなわち、置換のアルキル基は、アルキル基で置換されることはない。上記一般式1A中のAr1、ならびに、一般式1B中のAr4およびAr5の少なくとも一方は置換基としてヘテロ芳香環含有基を有する。すなわち、Ar1、Ar4、Ar5の芳香環化合物中の水素原子の少なくとも1つがヘテロ芳香環含有基で置換されている。ヘテロ芳香環含有基とは、少なくとも1つのヘテロ芳香環を含む1価の芳香族基をいい、ヘテロ芳香環とは少なくとも1つのヘテロ原子を含む芳香環をいう。かかる置換基としてのヘテロ芳香環含有基は特に制限されない。例えば、チオフェン、ピロール、フラン、ピラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、イミダゾール、イミダゾロン、ピラゾール、ピラゾロン、ピラゾリン、オキサゾール、イソキサゾール、チアゾール、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソキサゾール、ベンゾチアゾール、インドール、イソインドール、フタラジン、キナゾリン、カルバゾール、カルボリン、ジアザカルボリン、クマリン、ローダニン、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェン、4H-シクロペンタ[2,1-b:3,4-b’]ジチオフェン等のヘテロ芳香環から導かれるものである。ヘテロ芳香環含有基は、これらのヘテロ芳香環を複数組み合わせて用いても良い。この際、複数のヘテロ芳香環は直接結合してもよいし、フェニレン基、ビフェニレン等の2価の芳香族炭化水素基、または、アルキレン基、ビニレン基、アリーレン基、アルケニレン基等の2価の連結基を介して結合してもよい。好ましくは、正孔輸送材との分子接触性を向上させる観点から、ヘテロ原子として硫黄原子を含有する芳香環を含有する基であり、より好ましくはヘテロ芳香環としてチオフェン環を含有する基チオフェン環含有基である。ヘテロ芳香環および連結基中の水素原子は、例えば、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、各々置換もしくは無置換の、炭素原子数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、1,3-ジメチルブチル基、1-イソプロピルプロピル基、1,2-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、1,4-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2-メチル-1-イソプロピルプロピル基、1-エチル-3-メチルブチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-メチル-1-イソプロピルブチル基、2-メチル-1-イソプロピル基、1-t-ブチル-2-メチルプロピル基、n-ノニル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-デシル基、イソデシル基、n-ウンデシル基、1-メチルデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-エイコシル基、n-ヘンエイコシル基、n-ドコシル基、n-トリコシル基、n-テトラコシル基等、炭素数2~24のアルケニル基例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、イソプロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、3-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、3-ヘキセニル基、1-ヘプテニル基、2-ヘプテニル基、5-ヘプテニル基、1-オクテニル基、3-オクテニル基、5-オクテニル基等、炭素数1~18のヒドロキシアルキル基例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等、炭素原子数1~18のアルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基等、炭素数1~24のアシル基例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、2-メチルバレリル基、3-メチルバレリル基、4-メチルバレリル基、t-ブチルアセチル基、ピバロイル基、カプロイル基、2-エチルヘキサノイル基、2-メチルヘキサノイル基、ヘプタノイル基、オクタノイル基、ベンゾイル基等、炭素数6~24のアリール基例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、アンスリル基、ピレニル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、ターフェニル基、フェナンスリル基等、アミノ基例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等、-SR11、-SeR12、-TeR13ただし、R11~R13はそれぞれ独立して、水素原子または置換基を有していてもよい炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基である等で置換されていてもよい。なお、上記において、同じ置換基で置換されることはない。すなわち、置換のアルキル基は、アルキル基で置換されることはない。また、ヘテロ芳香環および連結基の水素原子が2つ以上置換されている場合、これらがたがいに結合して環構造を形成していてもよい。本発明において、前記ヘテロ芳香環含有基におけるヘテロ芳香環中のヘテロ原子に隣接する炭素原子α位炭素は非水素原子と結合している。ここで、ヘテロ原子に隣接する炭素原子α位炭素は、ヘテロ芳香環内のヘテロ原子が1つの場合にはそのヘテロ原子の両隣の炭素原子を指し、ヘテロ芳香環内のヘテロ原子が2つ以上である場合であって硫黄原子を含む場合にはその硫黄原子の両隣の炭素原子のみを指し、ヘテロ芳香環内のヘテロ原子が2つ以上である場合であって硫黄原子を含まない場合にはヘテロ芳香環内のすべてのヘテロ原子の両隣の炭素原子を指す。具体的には、ヘテロ芳香環内のヘテロ原子が1つの場合には、そのヘテロ原子の両隣の炭素原子が非水素原子と結合している。例えば、ヘテロ原子を1つ含むヘテロ芳香環としては下記のものが挙げられる。下記構造中、Yは水素原子以外の1価または2価の基であり、Yと結合している炭素原子がα位炭素である。ヘテロ芳香環内のヘテロ原子が2つ以上である場合であって、硫黄原子を含む場合には、その硫黄原子の両隣の炭素原子が非水素原子と結合し、硫黄原子以外のヘテロ原子の隣の炭素原子は水素原子と結合していてもよい。なお、硫黄原子以外のヘテロ原子の隣の炭素原子は非水素原子と結合していてももちろんよい。例えば、ヘテロ原子を2つ以上含み、該ヘテロ原子の少なくとも1つが硫黄原子であるヘテロ芳香環としては下記のものが挙げられる。下記構造中、Yは水素原子以外の1価または2価の基であり、Yと結合している炭素原子がα位炭素である。ヘテロ芳香環内のヘテロ原子が2つ以上である場合であって、硫黄原子を含まない場合には、それぞれのヘテロ芳香環内のヘテロ原子の両隣の炭素原子がすべて非水素原子と結合している。例えば、ヘテロ原子を2つ以上含み、該ヘテロ原子がいずれも硫黄原子ではないヘテロ芳香環としては下記のものが挙げられる。下記構造中、Yは水素原子以外の1価または2価の基であり、Yと結合している炭素原子がα位炭素である。なお、ヘテロ芳香環内にα位炭素が複数存在する場合、複数のYは同一であってもよいし、異なるものであってもよい。ヘテロ芳香環のα位の水素原子は電荷密度が高く、反応性に富むため、ヘテロ芳香環内のα位炭素が水素原子と結合している場合には、後述する正孔輸送層の電解重合の際に、当該水素原子が重合開始点となり、増感色素と正孔輸送層の単量体正孔輸送材とが反応して、両者の間にσ結合が生成し、正孔輸送層のπ共役系がσ結合により直接繋がってしまうおそれがある。かかる場合には、逆方向の電荷移動、すなわち、増感色素から正孔輸送層への電子移動が生じやすくなり、耐久性の低下をまねく。本発明では、ヘテロ芳香環内のα位炭素の全てが非水素原子と結合した構造とすることにより、増感色素と正孔輸送材との反応を防止でき、これにより、光電変換素子の耐久性を向上させることができる。硫黄原子を含まない複数のヘテロ原子を有する場合には、これら全てのヘテロ原子のα水素が反応性を維持しているため、全てのα水素を置換基で置換し、反応をブロックする必要がある。一方ヘテロ環が硫黄原子を含んでヘテロ原子が複数ある場合には、硫黄以外の他のヘテロ原子のα水素は、硫黄の影響で反応性が大幅に低下する為、置換基を有さなくとも、反応が生じにくいため、硫黄のα水素のみ置換すれば反応は抑制できる。好ましくは、上記一般式1A中のAr1、ならびに、一般式1B中のAr4およびAr5の少なくとも一方は下記一般式3で表される構造である。上記一般式3中、Ar7は2価の芳香族基であり、Ar8は2価のヘテロ芳香環含有基であり、Y8は水素原子以外の1価の基であり、mは1~10の整数である。一般式2で表される正孔輸送材としてのPEDOT置換体は、チオフェン基3,4-エチレンジオキシチオフェン基などが直線状に配列した平面構造を有しており、この平面に対して平行にπ電子雲が広がっている。色素分子と正孔輸送層との間の電荷移動は主にπ電子雲の接触部分を介して行われており、上記一般式3のように、増感色素の端部に、ヘテロ芳香環が直線状に1つ以上並んだ構造を有する場合には、ヘテロ芳香環と正孔輸送層のπ電子雲との接触性ヘテロ芳香環および正孔輸送材間のface-to-faceのπ-π相互作用が向上する。これにより、光電変換効率および耐久性が一層向上しうる。上記Ar7としての2価の芳香族基は、特に制限されず、上述したAr2、Ar3、およびAr6としての2価の芳香族基と同様のものが挙げられる。中でも好ましくは、2価の芳香族炭化水素基である。具体的には、フェニレン基、フェニルビニル基スチレン由来の2価の基、フルオレニレン基、ビフェニレン基、ナフタニレン基、アントラセニレン基等が好ましい。これらの芳香族炭化水素基は、置換基を有してもよく、かかる置換基としては、上記芳香環化合物で例示した置換基と同様である。上記Ar8としての、2価のヘテロ芳香環含有基のヘテロ芳香環としては、チオフェン、ピロール、フラン、ピラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、イミダゾール、イミダゾロン、ピラゾール、ピラゾロン、ピラゾリンオキサゾール、イソキサゾール、チアゾール、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソキサゾール、ベンゾチアゾール、インドール、フタラジン、キナゾリン、カルバゾール、カルボリン、ジアザカルボリン、クマリン、ローダニン、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェン、4H-シクロペンタ[2,1-b:3,4-b’]ジチオフェン等が挙げられる。中でも、色素のヘテロ芳香環Ar8構造部位のπ電子雲と正孔輸送材としてのPEDOT置換体のπ電子雲とが同型の波動関数の対照性を有しているほうが分子間接触の増大の観点で好ましいため、チオフェン環含有基であることが好ましい。好ましい実施形態において、Ar8は下記構造である。上記において、X3およびX4は、水素原子、炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~24の直鎖もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数6~24のアリール基、-OR5、-SR6、-SeR7、または-TeR8を表す。なお、X3およびX4は、同一であってもまたは異なるものであってもよい。R5~R8は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基を表す。ここで、X3およびX4は、互いに結合して環構造を形成していてもよい。上記X3、X4およびR5~R8としての、炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基は特に制限されず、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、1,3-ジメチルブチル基、1-イソプロピルプロピル基、1,2-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、1,4-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2-メチル-1-イソプロピルプロピル基、1-エチル-3-メチルブチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-メチル-1-イソプロピルブチル基、2-メチル-1-イソプロピル基、1-t-ブチル-2-メチルプロピル基、n-ノニル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-デシル基、イソデシル基、n-ウンデシル基、1-メチルデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-エイコシル基、n-ヘンエイコシル基、n-ドコシル基、n-トリコシル基、n-テトラコシル基等が挙げられる。X3およびX4としての、炭素数2~24の直鎖もしくは分岐状のアルケニル基は特に制限されず、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基アリル基、イソプロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、3-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、3-ヘキセニル基、1-ヘプテニル基、2-ヘプテニル基、5-ヘプテニル基、1-オクテニル基、3-オクテニル基、5-オクテニル基などが挙げられる。X3およびX4としての、炭素数6~24のアリール基は特に制限されず、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、アンスリル基、ピレニル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、ターフェニル基、フェナンスリル基などが挙げられる。これらのうち、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基が挙げられる。X3、X4およびR5~R8において、炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~24のアルケニル基、炭素数6~24のアリール基中の水素原子の少なくとも一つは置換基で置換されていてもよい。これらの具体的な基は、ヘテロ芳香環および連結基の置換基として例示したものと同様である。下記に上記で表されるAr8としての2価のヘテロ芳香環含有基の好ましい例を挙げる。これらの中でも、特に、3,4-エチレンジオキシチオフェン由来の2価の基上記8-1で表される基であることが特に好ましい。かかる場合には、色素と正孔輸送材との間のface-to-faceのπ-π相互作用に加えて、色素中のヘテロ芳香環と正孔輸送材との間のside-to-sideのπ-π相互作用による分子間接触が生じ、光電変換効率および耐久性をより一層向上しうる。さらに好ましい実施形態では、上記Ar8としての、2価のヘテロ芳香環含有基が正孔輸送層を形成するヘテロ芳香環含有単量体由来のものであり、特に好ましくは、上記Ar8が3,4-エチレンジオキシチオフェン由来の2価の基であり、かつ、正孔輸送層が3,4-エチレンジオキシチオフェン由来の繰り返し単位を有する重合物を含有する。上記mは1~10の整数であり、好ましくは溶解性の観点から1~4の整数である。mが2以上である場合、Ar8として異なるものを複数組み合わせてもよい。上記Y8としては特に制限されないが、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、各々置換もしくは無置換の、炭素原子数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、1,3-ジメチルブチル基、1-イソプロピルプロピル基、1,2-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、1,4-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2-メチル-1-イソプロピルプロピル基、1-エチル-3-メチルブチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-メチル-1-イソプロピルブチル基、2-メチル-1-イソプロピル基、1-t-ブチル-2-メチルプロピル基、n-ノニル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-デシル基、イソデシル基、n-ウンデシル基、1-メチルデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-エイコシル基、n-ヘンエイコシル基、n-ドコシル基、n-トリコシル基、n-テトラコシル基等、炭素数2~24の直鎖もしくは分岐状のアルケニル基例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、イソプロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、3-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、3-ヘキセニル基、1-ヘプテニル基、2-ヘプテニル基、5-ヘプテニル基、1-オクテニル基、3-オクテニル基、5-オクテニル基等、炭素数1~18のヒドロキシアルキル基例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基など、炭素数1~18のアルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基など、炭素数1~24のアシル基例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、2-メチルバレリル基、3-メチルバレリル基、4-メチルバレリル基、t-ブチルアセチル基、ピバロイル基、カプロイル基、2-エチルヘキサノイル基、2-メチルヘキサノイル基、ヘプタノイル基、オクタノイル基、ベンゾイル基など、炭素数6~24のアリール基例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、アンスリル基、ピレニル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、ターフェニル基、フェナンスリル基など、アミノ基例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等が挙げられる。中でも、溶解性の観点から、好ましくは、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、各々置換もしくは無置換の、炭素原子数1~18の直鎖もしくは分岐状のアルキル基であり、より好ましくは、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または炭素数1~6の直鎖もしくは分岐状のアルキル基であり、特に好ましくは塩素原子またはフッ素原子である。Y8が塩素原子あるいはフッ素原子の場合、これらの原子のファンデルワールス半径は正孔輸送材としてのPEDOT置換体のπ電子の厚みの半分1.7Åよりも小さい。したがって、色素のヘテロ芳香環Ar8構造部位と正孔輸送材としてのPEDOT置換体のπ電子雲が平行に並ぶ際の立体障害がなくなる。これにより、色素と正孔輸送材との間のside-to-sideのπ-π相互作用による分子間接触性が向上し、光電変換効率および耐久性をより一層向上しうる。上記Z2,Z3またはZ6は酸性基または酸性を示す環構造、ならびに電子吸引性基または電子吸引性環構造を有する有機残基である。なお、一般式1Aにおいて、上記Z2,Z3は同一の構造であってもよいし、異なる構造であってもよい。Z2,Z3またはZ6中の酸性基としては、カルボキシル基、スルホ基-SO3H、スルフィノ基、スルフィニル基、ホスホン酸基[-POOH2]、ホスホリル基、ホスフィニル基、ホスホノ基、チオール基、ヒドロキシ基、ホスホニル基、およびスルホニル基;ならびにこれらの塩などが挙げられる。これらのうち、酸性基としては、カルボキシル基、スルホ基、ホスホン酸基、ヒドロキシ基が好ましく、カルボキシル基、スルホ基、ホスホン酸基がより好ましい。なお、酸性基部分は金属塩あるいは有機カチオン塩であってもよい。Z2,Z3またはZ6中の酸性を示す環構造としては、バルビツール酸、尿酸、ウラシル、チミンなどが挙げられる。Z2,Z3またはZ6中の電子吸引性基としては、シアノ基、ニトロ基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、パーフルオロアルキル基例えば、トリフルオロメチル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、パーフルオロアルキルスルホニル基、パーフルオロアリールスルホニル基などが挙げられる。これらのうち、シアノ基、ニトロ基、クロロ基、フルオロ基が好ましく、シアノ基、ニトロ基がより好ましい。Z2,Z3およびZ6中の電子吸引性環構造としては、ローダニン環、ジローダニン環、イミダゾロン環、ピラゾロン環、ピラゾリン環、キノン環、ピラン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、インドール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環などが挙げられる。これらのうち、ローダニン環、ジローダニン環、イミダゾロン環、ピラゾリン環、チアジアゾール環、キノン環が好ましく、ローダニン環、ジローダニン環、イミダゾロン環、ピラゾリン環がより好ましい。これらのZ2,Z3またはZ6は、光電子を効果的に半導体特に酸化物半導体に注入できる。Z2,Z3またはZ6において、シアノ基とカルボキシル基とを有することが好ましい。シアノ基とカルボキシル基を有することにより吸着力が向上し、色素の脱離が効果的に防止されうる。すなわち、本発明の一実施形態において、一般式1AのZ2またはZ3、一般式1BのZ6は下記構造を有する。上記において、R11は、水素原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、1,3-ジメチルブチル基、1-イソプロピルプロピル基、1,2-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、1,4-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2-メチル-1-イソプロピルプロピル基、1-エチル-3-メチルブチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-メチル-1-イソプロピルブチル基、2-メチル-1-イソプロピル基、1-t-ブチル-2-メチルプロピル基、n-ノニル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-デシル基、イソデシル基、n-ウンデシル基、1-メチルデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-エイコシル基、n-ヘンエイコシル基、n-ドコシル基、n-トリコシル基、n-テトラコシル基等、炭素数6~24のアリール基例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、アンスリル基、ピレニル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、ターフェニル基、フェナンスリル基など、炭素数7~24のアラルキル基例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基、ナルチルエチル基等、炭素数1~18のアルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、またはシアノ基である。R11は、好ましくは水素原子、メチル基である。また、Z2,Z3またはZ6において、酸性基と、電子吸引性基または電子吸引性環構造とは、置換基を有していてもよい芳香族基、置換基を有してもよい炭素数1~32の直鎖もしくは分岐状の炭化水素基、または、酸素原子O、硫黄原子S、セレン原子Se、もしくはテルル原子Te等の原子を介して結合してもよい。または、Z2,Z3およびZ6は、電荷、特に正の電荷を帯びてもよく、この際、Cl-、Br-、I-、ClO4-、OH-、NO3-、SO42-、H2PO4-等の対イオンを有していてもよい。置換基を有していてもよい芳香族基、置換基を有してもよい炭素数1~32の直鎖もしくは分岐状の炭化水素基は上記に記載したものと同様である。以下、上記一般式1A中のZ2およびZ3ならびに1B中のZ6の好ましい構造を例示する。また、本発明に係る増感色素の特に好ましい例を以下に示す。また、下記実施例において、増感色素を下記記号にて規定する。上記一般式1Aまたは1Bで表される化合物の合成方法は特に制限されない。以下に、例えば、上記化合物D-1の製造方法の好ましい実施形態を記載する。なお、本願発明は、下記好ましい実施形態に限定されるものではなく、他の同様の方法または他の公知の方法を適用することができる。[化合物D-1の合成]化合物aの合成bis-EDOT1.129g4.00mmolを窒素下、DMF脱水40mLに溶解させた。氷浴で10°C以下に保ちながら、NCS587mg4.40mmolをDMF脱水20mLに溶解させた溶液を滴下した。オイルバスで加熱しながら反応系の温度を50~60°Cに保ち、2時間加熱を続けた。氷冷しながら反応系に水を100mL滴下し、析出した粉末を吸引ろ過し、少量のメタノールで洗浄した。白褐色粉末が1.155g粗収率91得られ、TLCスポットおよびNMRスペクトルより、モノクロロ体化合物a:ジクロロ体=6:1の混合物であると判断した。1H-NMRCDCl3:4.22-4.24m,2H,4.29-4.33m,6H,6.27s,1H。化合物bの合成前述のbis-EDOTモノクロロ体ジクロロ体混合物1.146gモノクロロ体化合物aとして3.62mmolをテトラヒドロフランTHF脱水、安定剤入り50mLに窒素下で溶解させた。DMF脱水0.55mL7.1mmolを添加し、氷冷した後、塩化ホスホリル0.40mL4.3mmolをTHF脱水15mLに希釈した溶液を滴下した。65°Cで1時間加熱し、冷却後、酢酸ナトリウム水溶液1Nを添加して加水分解を行った。析出した固体を吸引ろ過し、水およびエタノールで洗浄した。真空乾燥後、黄褐色粉末化合物bを1.146g粗収率90得た。1H-NMRDMSO-d6:4.31-4.38m,8H,9.82s,1H。化合物cの合成窒素雰囲気下、3-メチル-4-ブロモ安息香酸2.418g9.99mmolをジエチルエーテル110mLに懸濁させた。LiAlH41.56g41mmolを徐々に投入し、25°Cで1時間撹拌した。反応系を氷冷し、飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下した。予め珪藻土を敷き詰めた桐山漏斗で吸引ろ過し、析出物を酢酸エチルで洗浄し、ろ液を集めた。有機層を水洗し、Na2SO4乾燥後、ろ過減圧濃縮を行い、淡褐色のオイル状物質を得た。ヘプタン:酢酸エチル混合溶媒系90:10→65:35を用いたシリカゲルカラム展開により、目的物化合物cを淡黄色オイル状物質として1.891g収率94得た。1H-NMRCDCl3:1.66t,1H,2.40s,3H,4.64d,2H,7.04d1H,7.24s,1H,7.50d,1H。化合物dの合成窒素雰囲気下、3-メチル-4-ブロモベンジルアルコール化合物c1.89g9.41mmolをジエチルエーテル55mLに溶解させた。PBr30.62mL6.5mmolをジエチルエーテル5mLで希釈した溶液を滴下し、25°Cで1時間撹拌した。反応混合物を氷水50mLに注ぎ込み、水層をジエチルエーテルで2回抽出し有機層を集めた。有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、続けて塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。Na2SO4により乾燥後、減圧濃縮し目的物化合物dを淡黄色オイル状物質として2.018g収率81得た。精製は行わず次ステップ反応に用いた。1H-NMRCDCl3:2.39s,3H,4.41s,2H,7.07d,1H,7.26s,1H,7.49d,1H。化合物eの合成窒素雰囲気下、原料ブロモ体化合物d2.018g7.65mmolにトリエチルホスファイト2.0mL12mmolを滴下した。100°Cで6時間加熱したところで反応を停止し、80°Cのオイルバスで加熱しながらロータリーポンプを用いて未反応のホスファイトを減圧留去した5mmHg。目的物化合物eを淡黄色オイル状物質として2.474g粗収率101得た。精製は行わず次ステップ反応に用いた。1H-NMRCDCl3:1.26t,6H,2.37s,3H,3.09-3.14d,2H,4.02q,4H,6.98d,1H,7.17s,1H,7.45d,1H。化合物fの合成窒素雰囲気下、原料ホルミル体化合物b524mg1.50mmolをDMF脱水20mLに懸濁させた。原料ホスファイト化合物e522mg1.62mmolをDMF脱水20mLに溶解させた溶液を添加した。氷浴で系を冷却し、t-ブトキシカリウム186mg1.66mmolを添加した。25°Cで1時間撹拌後、水および酢酸エチルをそれぞれ50mLずつ添加して撹拌し、有機層を水洗した。Na2SO4乾燥後、ろ過減圧濃縮を行い、ヘプタンによる再沈殿により黄褐色粉末化合物fを593mg収率77得た。NMRスペクトルからtrans体とcis体との混合物trans:cis=5:1と推測されるが、分離せず次反応に用いた。1H-NMRCDCl3:2.39s,3H,4.30-4.36m,8H,6.28d,1H,cis,6.72d,1H,trans,7.11-7.15m,1H1H,7.29s,1H,7.45d,1H。化合物gの合成窒素雰囲気下、ビスp-ヨードフェニルアミン1.688g4.01mmolをTHF脱水10mLに溶解させた。二炭酸ジ-tert-ブチル2.18g10.0mmolと4-ジメチルアミノピリジン98mg0.80mmolとを添加し、2時間加熱還流を行った。反応混合物を減圧濃縮し、少量のメタノールを添加して析出した白色粉末を吸引ろ過により回収し、目的物化合物gを1.927g収率92得た。1H-NMRCDCl3:1.47s,9H,6.93d,4H,7.62d,4H。化合物hの合成テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム229mg0.198mmol、Boc置換ジヨード体化合物g1.045g2.01mmol、チオフェンボロン酸誘導体1.45mL4.88mmolを4つ口フラスコに入れ、真空窒素置換を行った。DME脱水20mLとTHF脱水15mLとを添加して溶解させた後、十分に窒素バブリング脱気した炭酸セシウム水溶液2N,10mLを滴下した。60°Cで3時間加熱した後、反応物に酢酸エチルおよび水を添加し、有機層に対して水洗Na2SO4乾燥ろ過減圧濃縮を順次行った。シリカゲルカラムでヘプタン:酢酸エチル混合溶媒系100:0→90:10を用い展開し、淡黄色オイル状物質化合物hを1.188g粗収率96得た。1H-NMRCDCl3:0.88t,6H,1.26-1.37br,12H,1.47s,9H,1.65m,4H,2.60t,4H,6.85s,2H,7.11s,2H,7.21d,4H,7.52d,4H。化合物iの合成窒素雰囲気下、Boc体化合物h733mg1.19mmolをTHF30mLに溶解させて、濃塩酸8mLを添加した。1.5時間加熱還流を行い、トリエチルアミンで中和後、酢酸エチルを添加して、有機層に対して水洗Na2SO4乾燥ろ過減圧濃縮を順次行った。少量のメタノールで再沈殿させて吸引ろ過し、目的物化合物iを白色粉末として441mg74得た。1H-NMRCDCl3:0.89t,6H,1.33br,12H,1.64m,4H,2.60t,4H,6.80s,2H,7.06s,6H,7.50d,4H。化合物jの合成酢酸パラジウム6.6mg0.029mmolおよびt-Bu3P80μL50トルエン溶液,0.17mmolを窒素下60°Cで加熱し、淡黄色オイル状物質を得た。原料ブロモ体化合物f154mg0.301mmol、原料2級アミン化合物i136mg0.270mmolおよびトルエン脱水10mLを添加し、続けてt-BuONa55mg0.57mmolを添加した。100°Cで5時間加熱し、冷却後、水および珪藻土を添加し、吸引ろ過、水洗、MgSO4乾燥、減圧濃縮を順次行った。ヘプタン:酢酸エチル混合溶媒系100:0→80:20を用いたシリカゲルカラム展開により、目的物化合物jを黄色粉末として153mg収率61得た。1H-NMRCDCl3:0.89t,6H,1.26-1.33br,12H,1.63m,4H,2.03s,3H,2.59t,4H,4.20-4.38m,8H,6.80ssd,2H1H,6.92dd,1H1H,6.98d,4H,7.06-7.17m,4H,7.28-7.33sd,1H1H,7.43d,4H。化合物kの合成原料bis-EDOT-TPA誘導体化合物j141mg0.151mmolをTHF脱水5mLに窒素下で溶解させた。DMF脱水50μL0.65mmolを添加し、氷冷してから塩化ホスホリル41μL0.45mmolを添加した。60°Cで2時間加熱し、続けて酢酸ナトリウム水溶液6を添加して加水分解を行った。その後、クロロホルムを添加し、有機層に対して水洗、Na2SO4乾燥、ろ過、減圧濃縮を順次行った。ヘプタン:クロロホルム混合溶媒系70:30→0:100を用いたシリカゲルカラム展開により、赤色粉末化合物k77mg収率52を得た。1H-NMRCDCl3:0.89t,6H,1.26-1.33br,12H,1.63m,4H,2.03s,3H,2.60t,4H,4.20-4.38m,8H,6.80d,1H,6.92dd,1H1H,6.98d,4H,7.06-7.17m,4H,7.28-7.33sd,1H1H,7.44d,4H,9.90s,2H。化合物D-1の合成原料ジホルミル体化合物k77mg0.078mmol、シアノ酢酸20mg0.23mmol、ピペリジン20mg0.23mmolをクロロホルム5mLに窒素下で溶解させて、6時間加熱還流を行った。反応溶液に水を添加して沈殿させて、酢酸エチル:メタノール=9:1混合溶媒を用いたシリカゲルカラム展開により、暗赤色粉末として化合物D-1を66mg収率75得た。1H-NMRCDCl3:0.89t,6H,1.26-1.33br,12H,1.66m,4H,2.05s,3H,2.82t,4H,4.20-4.38m,8H,6.80d,1H,6.92dd,1H1H,6.98d,4H,7.07-7.20m,4H,7.28-7.33sd,1H1H,7.47d,4H,8.37s,2H。半導体半導体層に用いられる半導体としては、シリコン、ゲルマニウムのような単体、周期表元素周期表ともいうの第3族~第5族、第13族~第15族系の元素を有する化合物、金属のカルコゲニド例えば、酸化物、硫化物、セレン化物等、金属窒化物等を使用することができる。好ましい金属のカルコゲニドとして、チタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、またはタンタルの酸化物、カドミウム、亜鉛、鉛、銀、アンチモンまたはビスマスの硫化物、カドミウムまたは鉛のセレン化物、カドミウムのテルル化物等が挙げられる。他の化合物半導体としては、亜鉛、ガリウム、インジウム、カドミウム等のリン化物、ガリウム-ヒ素または銅-インジウムのセレン化物、銅-インジウムの硫化物、チタンの窒化物等が挙げられる。具体例としては、TiO2、SnO2、Fe2O3、WO3、ZnO、Nb2O5、CdS、ZnS、PbS、Bi2S3、CdSe、CdTe、GaP、InP、GaAs、CuInS2、CuInSe2、Ti3N4等が挙げられる。これらのうち、好ましく用いられるのは、TiO2、ZnO、SnO2、Fe2O3、WO3、Nb2O5、CdS、PbSであり、より好ましく用いられるのは、TiO2またはNb2O5であるが、中でも特に好ましく用いられるのはTiO2酸化チタンである。上記半導体層に用いる半導体は、単独で使用されてもまたは2種以上の半導体を併用して用いてもよい。例えば、上述した金属酸化物もしくは金属硫化物の1種または数種類を併用することもできるし、あるいは、酸化チタン半導体に20質量の窒化チタンTi3N4を混合して使用してもよい。あるいは、半導体として、J.Chem.Soc.Chem.Commun.,151999に記載のように、酸化亜鉛/酸化錫複合の形態で使用してもよい。なお、半導体として金属酸化物もしくは金属硫化物以外の成分を加える場合、追加成分の金属酸化物もしくは金属硫化物半導体に対する質量比は30以下であることが好ましい。半導体層に用いられる半導体の形状は、特に制限されず、球状、柱状、管状などのいずれの形状を有していてもよい。また、半導体層に用いられる半導体の大きさもまた、特に制限されない。例えば、半導体層に用いられる半導体が球状である場合の、半導体の平均粒径は、1~5000nmであることが好ましく、2~100nmであることがより好ましい。なお、上記半導体層に用いられる半導体の平均粒径は、100個以上のサンプルを電子顕微鏡で観察した時の1次粒子直径の平均粒径1次平均粒径である。また、本発明に係る半導体は、有機塩基を用いて表面処理してもよい。前記有機塩基としては、ジアリールアミン、トリアリールアミン、ピリジン、4-t-ブチルピリジン、ポリビニルピリジン、キノリン、ピペリジン、アミジン等が挙げられるが、中でもピリジン、4-t-ブチルピリジン、ポリビニルピリジンが好ましい。この際の半導体の表面処理方法は特に制限されず、公知の方法がそのままあるいは適宜修飾して適用できる。例えば、上記有機塩基が液体の場合はそのまま、固体の場合は有機溶媒に溶解した溶液有機塩基溶液を準備し、本発明に係る半導体を上記液体有機塩基または有機塩基溶液に浸漬することで、半導体の表面処理を実施できる。光電変換層の作製方法次に、光電変換層半導体層の作製方法について説明する。半導体層の半導体が粒子状の場合には、1半導体の分散液またはコロイド溶液半導体含有塗布液を導電性支持体に塗布あるいは吹き付けて、半導体層を作製する方法;2半導体微粒子の前駆体を導電性支持体上に塗布し、水分例えば、空気中の水分によって加水分解後、縮合を行う方法ゾル-ゲル法などが使用できる。上記1の方法が好ましい。また、本発明に係る半導体が膜状であって、導電性支持体上に保持されていない場合には、半導体を導電性支持体上に貼合して半導体層を作製することが好ましい。半導体層の作製方法の好ましい形態としては、上記導電性支持体上に半導体の微粒子を用いて焼成により形成する方法が挙げられる。本発明に係る半導体が焼成により作製される場合には、色素を用いての該半導体の増感吸着、多孔質層への充填等処理は、焼成後に実施することが好ましい。焼成後、半導体に水が吸着する前に素早く化合物の吸着処理を実施することが特に好ましい。以下、本発明に好ましく用いられる半導体層を、半導体微粉末を用いて焼成により形成する方法について詳細に説明する。半導体含有塗布液の調製まず、半導体、好ましくは半導体の微粉末を含む塗布液半導体含有塗布液を調製する。この半導体微粉末はその1次粒子径が微細な程好ましく、その1次粒子径は1~5000nmが好ましく、さらに好ましくは2~100nmである。半導体微粉末を含む塗布液は、半導体微粉末を溶媒中に分散させることによって調製することができる。溶媒中に分散された半導体微粉末は、その1次粒子状で分散する。溶媒としては半導体微粉末を分散し得るものであればよく、特に制約されない。前記溶媒としては、水、有機溶媒、水と有機溶媒との混合液が包含される。有機溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール、メチルエチルケトン、アセトン、アセチルアセトン等のケトン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素等、アセチルセルロース、ニトロセルロース、アセチルブチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロース等のセルロース誘導体などが用いられる。塗布液中には、必要に応じ、界面活性剤、酸酢酸、硝酸など、粘度調節剤ポリエチレングリコール等の多価アルコール等、キレート剤アセチルアセトンなどを添加することができる。溶媒中の半導体微粉末濃度の範囲は0.1~70質量が好ましく、さらに好ましくは0.1~30質量である。半導体含有塗布液の塗布と形成された半導体層の焼成処理上記のようにして得られた半導体含有塗布液を、導電性支持体上に塗布または吹き付け、乾燥等を行った後、空気中または不活性ガス中で焼成して、導電性支持体上に半導体層半導体膜とも言うが形成される。ここで、塗布方法としては、特に制限されないが、ドクターブレード法、スキージ法、スピンコート法、スクリーン印刷法など公知の方法が挙げられる。導電性支持体上に半導体含有塗布液を塗布、乾燥して得られる皮膜は、半導体微粒子の集合体からなるもので、その微粒子の粒径は使用した半導体微粉末の1次粒子径に対応するものである。このようにして導電性支持体等の導電層上に形成された半導体層半導体微粒子層は、一般的に、導電性支持体との結合力や微粒子相互の結合力が弱く、機械的強度の弱いも。このため、機械的強度を高め、基板に強く固着した半導体層とするために、半導体層半導体微粒子層の焼成処理が行われる。半導体層はどのような構造を有していてもよいが、多孔質構造膜空隙を有する、ポーラスな層ともいうであることが好ましい。半導体層が多孔質構造膜である場合には、固体正孔輸送層の正孔輸送物質などの成分がこの空隙にも存在することが好ましい。ここで、半導体層の空孔率Dは、特に制限されないが、1~90体積が好ましく、さらに好ましくは10~80体積であり、特に好ましくは20~70体積である。なお、半導体層の空孔率は誘電体の厚み方向に貫通性のある空孔率を意味し、水銀ポロシメーター島津ポアサイザー9220型等の市販の装置を用いて測定することができる。多孔質構造を有する焼成物膜になった半導体層の膜厚は、特に制限されないが、少なくとも10nm以上が好ましく、さらに好ましくは500nm~30μmである。このような範囲であれば、透過性、変換効率などの特性に優れた半導体層となりうる。なお、半導体層は、平均粒径がほぼ同じ半導体微粒子により形成された単層であっても、あるいは平均粒径や種類の異なる半導体微粒子を含む半導体層からなる多層膜層状構造であってもよい。焼成条件は、特に制限されない。焼成処理時、焼成膜の実表面積を適切に調製し、上記の空孔率を有する焼成膜を得る観点から、焼成温度は、1000°Cより低いことが好ましく、さらに好ましくは100~800°Cの範囲であり、特に好ましくは300~800°Cの範囲である。また、基板がプラスチック等で耐熱性に劣る場合には、200°C以上の焼成処理を行わずに、加圧により微粒子どうしおよび微粒子-基板間を固着させることもでき、あるいはマイクロ波により、基板は加熱せずに、半導体層のみを加熱処理することもできる。また、上記観点から、焼成時間は、10秒~12時間であることが好ましく、1~240分であることがより好ましく、特に好ましくは10~120分の範囲である。また、焼成雰囲気もまた、特に制限されないが、通常、焼成工程は、大気中または不活性ガス例えば、アルゴン、ヘリウム、窒素など雰囲気中で行われる。なお、上記焼成は、単一の温度で1回のみ行われても、または温度や時間を変化させて2回以上繰り返してもよい。なお、見かけ表面積に対する実表面積の比は、半導体微粒子の粒径および比表面積や焼成温度等によりコントロールすることができる。また、加熱処理後、半導体粒子の表面積を増大させたり、半導体粒子近傍の純度を高めたりして、色素から半導体粒子への電子注入効率を高める目的で、例えば、四塩化チタン水溶液を用いた化学メッキや三塩化チタン水溶液を用いた電気化学的メッキ処理を行ってもよい。半導体層の増感処理半導体層1m2当たりの本発明の色素の総担持量は、特に制限されないが、0.01~100ミリモルの範囲が好ましく、さらに好ましくは0.1~50ミリモルであり、特に好ましくは0.5~20ミリモルである。増感処理を行う場合、増感色素を単独で用いてもよいし、複数を併用してもよく、また他の化合物例えば、米国特許第4,684,537号明細書、同4,927,721号明細書、同5,084,365号明細書、同5,350,644号明細書、同5,463,057号明細書、同5,525,440号明細書、特開平7-249790号公報、特開2000-150007号公報等に記載の化合物と混合して用いることもできる。特に、本発明の光電変換素子の用途が後述する太陽電池である場合には、光電変換の波長域をできるだけ広くして太陽光を有効に利用できるように吸収波長の異なる二種類以上の色素を混合して用いることが好ましい。半導体への増感色素の担持方法は、特に制限されず、公知の方法が同様にしてあるいは適宜修飾されて適用できる。例えば、半導体に増感色素を担持させるには、増感色素を適切な溶媒に溶解し、その溶液中によく乾燥した半導体層を長時間浸漬する方法が一般的である。ここで、増感色素を複数種併用したり、その他の色素を併用したりして増感処理する際には、各々の色素の混合溶液を調製して用いてもよいし、それぞれの色素について別々の溶液を用意して、各溶液に順に浸漬して作製することもできる。また、各増感色素について別々の溶液を用意し、各溶液に順に浸漬して作製する場合は、半導体に増感色素等を含ませる順序がどのようであってもよい。あるいは、前記色素を単独で吸着させた半導体の微粒子を混合する等することにより作製してもよい。空孔率の高い半導体の場合には、空隙に水分、水蒸気等により水が半導体層上や半導体層内部の空隙に吸着する前に、増感色素等の吸着処理を完了することが好ましい。半導体の増感処理は、前述のように増感色素を適切な溶媒に溶解し、その溶液に前記半導体を焼成した基板を浸漬することによって行われる。その際には半導体層半導体膜ともいうを焼成により形成させた基板を、予め減圧処理したり加熱処理したりして膜中の気泡を除去しておくことが好ましい。このような処理により、増感色素が半導体層半導体薄膜内部深くに進入できるようになり、半導体層半導体薄膜が多孔質構造膜である場合には特に好ましい。増感色素を溶解するのに用いる溶媒は、増感色素を溶解することができ、かつ半導体を溶解したり半導体と反応したりすることのないものであれば格別の制限はない。しかしながら、溶媒に溶解している水分および気体が半導体膜に進入して、増感色素の吸着等の増感処理を妨げることを防ぐために、予め脱気および蒸留精製しておくことが好ましい。増感色素の溶解において好ましく用いられる溶媒としては、アセトニトリル等のニトリル系溶媒、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、t-ブチルアルコール等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等のエーテル系溶媒、塩化メチレン、1,1,2-トリクロロエタン等のハロゲン化炭化水素溶媒などが挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用されてもあるいは2種以上を混合して使用してもよい。これらのうち、アセトニトリル、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、t-ブチルアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフランおよび塩化メチレン、ならびにこれらの混合溶媒、例えば、アセトニトリル/メタノール混合溶媒、アセトニトリル/エタノール混合溶媒、アセトニトリル/t-ブチルアルコール混合溶媒が好ましい。増感処理の温度、時間増感処理の条件は、特に制限されない。例えば、半導体を焼成した基板を増感色素を含む溶液に浸漬する時間は、半導体層半導体膜に深く進入して吸着等を充分に進行させ、半導体を十分に増感させることが好ましい。また、溶液中での色素の分解等により生成して分解物が色素の吸着を妨害することを抑制する観点から、増感処理温度は、0~80°Cが好ましく、20~60°Cがより好ましい。また、同様の観点から、増感処理時間は、15分~20時間が好ましく、3~24時間がより好ましい。特に、室温25°C条件下で2~48時間、特に3~24時間、増感処理を行うことが好ましい。この効果は、特に半導体層が多孔質構造膜である場合において顕著である。ただし、浸漬時間については25°C条件での値であり、温度条件を変化させた場合には、上記の限りではない。また、吸着時間を短縮させたり、多孔質電極の深部まで吸着させる観点から、減圧下や真空下で増感処理を行ってもよい。浸漬しておくに当たり本発明の色素を含む溶液は、前記色素が分解しない限りにおいて、沸騰しない温度にまで加熱して用いてもよい。好ましい温度範囲は5~100°Cであり、さらに好ましくは25~80°Cであるが、前記の通り溶媒が前記温度範囲で沸騰する場合はこの限りでない。固体正孔輸送層固体正孔輸送層は、光励起によって酸化された増感色素に電子を供給して還元させ、増感色素との界面で注入された正孔を第二電極へ輸送する機能を有する。固体正孔輸送層は、下記一般式2で表される化合物または前記化合物の多量体を重合して形成される重合物導電性高分子を含有する。以下、当該重合物を重合体とも称する。上記一般式2中、X1およびX2は、水素原子、炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~24の直鎖もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数6~24のアリール基、-OR1、-SR2、-SeR3、または-TeR4を表す。なお、X1およびX2は、同一であってもまたは異なるものであってもよい。R1~R4は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基を表す。ここで、X1およびX2は、互いに結合して環構造を形成していてもよい。上記X1、X2およびR1~R4としての、炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基は特に制限されず、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、1,3-ジメチルブチル基、1-イソプロピルプロピル基、1,2-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、1,4-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2-メチル-1-イソプロピルプロピル基、1-エチル-3-メチルブチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-メチル-1-イソプロピルブチル基、2-メチル-1-イソプロピル基、1-t-ブチル-2-メチルプロピル基、n-ノニル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-デシル基、イソデシル基、n-ウンデシル基、1-メチルデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-エイコシル基、n-ヘンエイコシル基、n-ドコシル基、n-トリコシル基、n-テトラコシル基などが挙げられる。これらのうち、X1およびX2としては、炭素数6~18の直鎖もしくは分岐状のアルキル基が好ましく、炭素数6~18の直鎖のアルキル基がより好ましい。重合体が長鎖例えば、炭素数6~18のアルキル基を有する場合には、当該アルキル基が自己凝集を阻害する官能基として作用して、自己凝集構造の形成を抑制できるため耐久性が向上できると推定される。また、R1~R4としては、炭素数1~5の直鎖もしくは分岐状のアルキル基が好ましく、炭素数1~5の直鎖のアルキル基が好ましい。上記X1およびX2としての、炭素数2~24の直鎖もしくは分岐状のアルケニル基は特に制限されず、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基アリル基、イソプロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、3-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、3-ヘキセニル基、1-ヘプテニル基、2-ヘプテニル基、5-ヘプテニル基、1-オクテニル基、3-オクテニル基、5-オクテニル基などが挙げられる。上記X1およびX2としての、炭素数6~24のアリール基は特に制限されず、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、アンスリル基、ピレニル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、ターフェニル基、フェナンスリル基などが挙げられる。これらのうち、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基が好ましく、フェニル基、フルオレニル基がより好ましい。X1、X2およびR1~R4において、炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~24の直鎖もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数6~24のアリール基中の水素原子の少なくとも一つは置換基で置換されていてもよい。X1、X2、およびR1~R4において、置換基は、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、各々置換もしくは非置換の、炭素数1~24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、1,3-ジメチルブチル基、1-イソプロピルプロピル基、1,2-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、1,4-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2-メチル-1-イソプロピルプロピル基、1-エチル-3-メチルブチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-メチル-1-イソプロピルブチル基、2-メチル-1-イソプロピル基、1-t-ブチル-2-メチルプロピル基、n-ノニル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-デシル基、イソデシル基、n-ウンデシル基、1-メチルデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-エイコシル基、n-ヘンエイコシル基、n-ドコシル基、n-トリコシル基、n-テトラコシル基など、炭素数2~24の直鎖もしくは分岐状のアルケニル基例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、イソプロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、3-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、3-ヘキセニル基、1-ヘプテニル基、2-ヘプテニル基、5-ヘプテニル基、1-オクテニル基、3-オクテニル基、5-オクテニル基など、炭素数1~18のヒドロキシアルキル基例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基など、炭素数1~18のアルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基など、炭素数1~24のアシル基例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、2-メチルバレリル基、3-メチルバレリル基、4-メチルバレリル基、t-ブチルアセチル基、ピバロイル基、カプロイル基、2-エチルヘキサノイル基、2-メチルヘキサノイル基、ヘプタノイル基、オクタノイル基、ベンゾイル基など、炭素数6~24のアリール基例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、アンスリル基、ピレニル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、ターフェニル基、フェナンスリル基など、炭素数2~24のヘテロアリール基例えば、ピロリジニル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基、モルフォリノ基、チオモルフォリノ基、ホモピペリジニル基、クロマニル基、イソクロマニル基、クロメニル基、ピロリル基、フラニル基、チエニル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、フラザニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピラニル基、インドリル基、イソインドリル基、インダゾリル基、プリニル基、インドリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル気、キナゾリニル基、プテリジニル基、キノリジニル基、ベンゾキサジニル基、カルバゾリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェナントリジニル基など、およびアミノ基例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等、からなる群から選択される。なお、上記において、同じ置換基で置換されることはない。すなわち、置換のアルキル基は、アルキル基で置換されることはない。上記X1、X2、およびR1~R4の置換基は、好ましくは、炭素数6~18の直鎖のアルキル基であり、より好ましくは、n-オクチル基である。上記一般式2で表される化合物の好ましい例としては、下記化合物H1-1~H1-7が挙げられる。ただし、本発明はこれらに限定されない。また、下記実施例において、固体正孔輸送層を構成する重合体を下記記号にて規定する。上記重合体の末端は特に制限されず、使用される原料単量体、二量体、多量体などの種類によって適宜規定されるが、通常、水素原子である。ここで、本発明に使用される重合体は、上記一般式2で表される化合物のみから形成されていてもよいし、上記一般式2で表される化合物および他の単量体から形成されていてもよい。好ましくは、上記一般式2で表される化合物のみから形成される。また、その際、重合体は、上記一般式2で表される単一種の化合物のみから形成されていてもよいし、上記一般式2で表される複数種の化合物から形成されていてもよい。また、他の単量体としては、本発明に係る重合体の特性を阻害しないものであれば特に制限されず、公知の単量体が使用できる。具体的には、ピロール誘導体あるいはフラン誘導体、チアジアゾール等のモノマーやπ共役構造を有するモノマーなどが挙げられる。ここでπ共役構造とは、多重結合が単結合と交互に連なった構造を表わす。他の単量体の含有量は、重合体の特性を阻害しないものであれば特に制限されないが、重合体を構成する全単量体を100モルとした場合に、好ましくは0~90モル程度であり、さらに好ましくは0~50モル程度である。本発明に使用される重合体は、上記一般式2で表される一種又は二種以上の化合物またはこれらの化合物の多量体を、必要に応じて、その他のモノマーと共に、重合触媒としての金属錯体の存在下で、重合または共重合させる方法により、得ることができる。ここで、上記一般式2で表される化合物としては、上記に例示した化合物単量体を使用することができる。上記に加えて、上記一般式2で表される化合物の二量体または三量体等の多量体化したものオリゴマー化した化合物;以後、一括して多量体とも称するを、上記重合または共重合に使用しできる。例えば、上記化合物H1-1~H1-7の二量体H2-1~H2~7が好ましく使用されうる。このように二量体等の多量体を用いると、単量体を用いる場合に比して、重合体形成時の酸化電位が小さくなり、重合体の合成速度が短縮されて好ましい。これらの単量体のオリゴマー化した化合物は、例えば、J.R.Reynoldset.al.,Adv.Mater.,11,13791999に記載の方法または当該方法を適宜修飾した方法によって、合成することができる。また、上記単量体の二量体は、T.M.Swageret.al.,JournaloftheAmericanChemicalSociety,119,125681997に記載の方法または当該方法を適宜修飾した方法によって、合成することができる。以下に、例えば、上記重合体の単量体H1-1の二量体である、3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTダイマーH2-1の製造方法の好ましい例を記載する。ただし、本発明は、下記好ましい例に限定されるわけではなく、他の同様の方法または他の公知の方法を適用することができる。[3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTダイマーの合成]撹拌装置、温度計、および還流冷却管を装着した1000mLのガラス製三口フラスコに、無水テトラヒドロフラン750mL、および3,4-エチレンジオキシチオフェン25g0.15molを添加し、窒素気流下で撹拌しながらアセトン/ドライアイス浴中で内温が-70°Cとなるまで冷却する。この後、1.6mol/Ln-ブチルリチウムヘキサン溶液113mL0.18molをシリンジで5分間かけて反応系に滴下する。25分後、無水塩化銅23.5g0.17molを添加し、そのまま3時間程度撹拌しながら反応させる。反応液を水10Lに添加し、生成物を濾過した後、乾燥させ、シリカゲルクロマトグラフィー移動相:塩化メチレンにより精製することにより、PEDOTダイマー17.9g収率:約72を黄白色結晶として得た。重合体の重合法重合方法としては、特に制限されず、例えば、特開2000-106223号公報に記載の方法など、公知の重合方法が適用できる。具体的には、重合触媒を用いる化学重合法、少なくとも作用極と対極とを備えて両電極間に電圧を印加することにより反応させる電解重合法、光照射単独あるいは重合触媒、加熱、電解等を組み合わせた光重合法等が挙げられる。これらのうち、電解重合法を用いた重合法が好ましく、より好ましくは電解重合法と光照射を組み合わせた光重合法である。電解重合法と光を照射して重合する光重合法を組み合わせて使用することにより、酸化チタン表面に緻密に重合体の層を形成できる。電解重合法により重合体を得る場合は、重合体の合成がそのまま前記固体正孔輸送層の形成につながる。すなわち、以下のような電解重合法が行われる。一般的には、本発明に係る重合体を構成するモノマー、支持電解質アクセプタードーピング剤、および溶媒、ならびに必要に応じ添加剤を含む混合物を用いる。前記一般式2で表される単量体または該単量体の多量体ならびに必要に応じて他のモノマーを、適当な溶媒に溶解し、これに支持電解質アクセプタードーピング剤を添加して、電解重合溶液を作製する。ここで、溶媒としては、支持電解質および上記単量体或いはその多量体を溶解できるものであれば特に限定されないが、電位窓の比較的広い有機溶剤を使用することが好ましい。具体的には、テトラヒドロフランTHF、ブチレンオキシド、クロロホルム、シクロヘキサノン、クロロベンゼン、アセトン、各種アルコールのような極性溶媒、ジメチルホルムアミドDMF、アセトニトリル、ジメトキシエタン、ジメチルスホキシド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、プロピレンカーボネイト、ジクロロメタン、o-ジクロロベンゼン、塩化メチレンのような非プロトン性溶媒等の有機溶媒などが挙げられる。または、上記溶媒に、必要に応じて水やその他の有機溶剤を加えて混合溶媒として使用してもよい。また、上記溶媒は、単独で使用されてもまたは2種以上の混合物の形態で使用されてもよい。支持電解質としては、イオン電離可能なものが用いられ、特定のものに限定されないが、溶媒に対する溶解性が高く、酸化、還元を受けにくいものが好適に用いられる。具体的には、過塩素酸リチウムLiClO4、テトラフルオロホウ酸リチウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、Li[CF3SO22N]、n-C4H94NBF4、n-C4H94NPF4、p-トルエンスルホン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸塩などの塩類が好ましく挙げられる。または、特開2000-106223号公報に記載されるポリマー電解質例えば、同公報中のPA-1~PA-10を支持電解質として使用してもよい、また、上記支持電解質は、単独で使用されてもまたは2種以上の混合物の形態で使用されてもよい。なお、支持電解質アクセプタードーピング剤は、単量体または多量体の電解重合の後に、得られた重合膜に塗布してもよい。塗布方法は特に制限されないが、支持電解質アクセプタードーピング剤を上記で例示した溶媒に溶解させ、この溶液に重合膜を浸漬させればよい。これにより、正孔輸送層の伝導度が上昇するので好ましい。次いで、第一電極透明導電膜、バリア層および光電変換層を形成した基板をこの電解重合溶液に浸し、光電変換層6を作用電極として、白金線や白金板などを対極として用い、また、参照極としてAg/AgClやAg/AgNO3などを用いて、直流電解する方法で行われる。電解重合溶液中の前記単量体或いはその多量体の濃度は、特に制限されないが、0.1~1000mmol/L程度が好適であり、1~100mmol/L程度がより好ましく、5~20mmol/L程度が特に好ましい。また、支持電解質濃度は、0.01~10mol/L程度が好適であり、0.1~2mol/L程度がより好ましい。また、印加電流密度としては、0.01μA/cm2~1000μA/cm2の範囲であることが望ましく、特に1μA/cm2~500μA/cm2の範囲であることがより望ましい。保持電圧は、-0.5~0.2Vであることが好ましく、-0.3~0.0Vであることがより好ましい。電解重合溶液の温度範囲は、その溶媒が固化突沸しない範囲が適当であって一般に-30°C~80°Cである。また、当該電解重合に光を照射して重合する光重合法を組み合わせて使用してもよい。照射する光の波長は380~1200nmであることが好ましく、430~800nmであることがより好ましく、光源としてはキセノンランプが好適である。また、光の強度は、5~50mW/cm2であることが好ましく、20~40mW/cm2であることがより好ましい。このように光照射を行いながら電解重合を行うことにより、高い電位をかける必要がないため、色素を劣化させることなく重合することができる。かかる方法によると、光電変換層半導体層の表面に緻密に重合体の層を形成できる。なお、電解電圧、電解電流、電解時間、温度等の条件は、使用する材料によって左右されるため、また、要求する膜厚に応じて適宜選択することができる。重合体の重合度把握は、電解重合で得られた重合体では困難であるが、重合後形成された固体正孔輸送層の溶媒溶解性は大きく低下するため、重合体かどうかの確認方法としては、単量体である一般式2の化合物もしくは前記化合物の多量体の溶解が可能な溶媒である、テトラヒドロフランTHFに固体正孔輸送層を浸漬させ、その溶解度で判断できる。具体的には、25mlのサンプル瓶に化合物重合体10mgをとり、THF10mlを添加して、超音波25kHz、150W超音波工業株COLLECTORCURRENT1.5A超音波工業製150を5分間照射したときに、溶解している化合物が5mg以下の場合は重合していると規定する。好ましくは、テトラヒドロフランTHFに固体正孔輸送層を浸漬させた際の溶解度が0.1~3mgである。一方、重合触媒を用いて化学重合を行う場合には、例えば、前記一般式2で表される単量体またはその多量体等を以下のような重合触媒を用いて重合することができる。重合触媒は、特に制限されないが、例えば、塩化鉄IIIironIIIchloride、トリス-p-トルエンスルホン酸鉄IIIironIIItris-p-toluenesulfonate、p-ドデシルベンゼンスルホン酸鉄IIIironIIIp-dodecylbenzenesulfonate、メタンスルホン酸鉄IIIironIIImethanesulfonate、p-エチルベンゼンスルホン酸鉄IIIironIIIp-ethylbenzenesulfonate、ナフタレンスルホン酸鉄IIIironIIInaphthalenesulfonateおよびその水和物等が挙げられる。また、重合触媒に加えて、重合速度調整剤を化学重合に使用してもよい。ここで、化学重合において用いられる重合速度調整剤としては、特に制限されないが、重合触媒における三価鉄イオンに対する弱い錯化剤があり、膜が形成できるように重合速度を低減するものであれば特に制限はない。例えば、重合触媒が塩化鉄IIIおよびその水和物である場合には、5-スルホサリチル酸5-sulphosalicylicacidの様な芳香族オキシスルホン酸などが挙げられる。また、重合触媒がトリス-p-トルエンスルホン酸鉄III、p-ドデシルベンゼンスルホン酸鉄III、メタンスルホン酸鉄III、p-エチルベンゼンスルホン酸鉄III、ナフタレンスルホン酸鉄IIIおよびその水和物である場合には、イミダゾールなどが挙げられる。重合体は、合成された後、重合体を含有する塗布液などに含有されて光電変換層上に供給されてもよいが、光電変換層上で重合し、固体正孔輸送層を形成することが好ましい態様である。すなわち、単量体またはこれらの多量体の重合を、前記光電変換層上で行うことが好ましい。この場合、重合して重合体を合成するためには、上記一般式2の単量体またはその多量体等、支持電解質または重合触媒、重合速度調整剤、その他の添加剤、および溶媒を含有する固体正孔輸送層形成用溶液が用いられる。固体正孔輸送層形成用溶液における、上記各成分の合計の濃度は、用いる一般式2の単量体またはその多量体等、前記重合触媒、前記重合速度調整剤およびその他の添加剤のそれぞれの種類、その量比、塗布法に対する条件および望まれる重合後の膜厚により異なるが、概ねその質量濃度固形分の濃度は、1~50質量の範囲である。前記固体正孔輸送層形成用溶液を光電変換層上に塗布法により塗布した後、あるいは、光電反感層を前記固体正孔輸送層形成用溶液に浸漬させたまま、重合反応を行う。重合反応の条件は、用いる上記一般式2の単量体またはその多量体等、前記重合触媒、および前記重合速度調整剤のそれぞれの種類、その量比、濃度、塗布した段階での液膜の厚み、望まれる重合速度により異なるが、好適な重合条件としては、空気中加熱の場合の加熱温度が25~120°Cの範囲、加熱時間が1分~24時間の範囲が好ましい。固体正孔輸送層を塗布により形成する場合の、固体正孔輸送層形成用溶液の溶媒としては、特に制限されないが、テトラヒドロフランTHF、ブチレンオキシド、クロロホルム、シクロヘキサノン、クロロベンゼン、アセトン、各種アルコールのような極性溶媒、ジメチルホルムアミドDMF、アセトニトリル、ジメトキシエタン、ジメチルスホキシド、ヘキサメチルリン酸トリアミドのような非プロトン性溶媒等の有機溶媒等が挙げられる。また、上記溶媒は、単独で使用されてもまたは2種以上の混合物の形態で使用されてもよい。塗布する方法としては、特に制限されず、公知の塗布方法が同様にしてまたは適宜修飾して使用できる。具体的には、ディッピング、滴下、ドクターブレード、スピンコート、刷毛塗り、スプレー塗装、ロールコーター、エアーナイフコート、カーテンコート、ワイヤーバーコート、グラビアコート、米国特許第2681294号記載のホッパーを使用するエクストルージョンコート、および米国特許第2761418号、同3508947号、同2761791号記載の多層同時塗布方法等の各種塗布法を用いることができる。また、このような塗布の操作を繰り返し行って積層するようにしてもよい。この場合の塗布回数は、特に制限されず、所望の固体正孔輸送層の厚みに応じて適宜選択できる。固体正孔輸送層に添加しうる添加剤としては、例えば、NPhBr3、SbCl6、NOPF6、SbCl5、I2、Br2、HClO4、n-C4H94ClO4、トリフルオロ酢酸、4-ドデシルベンゼンスルホン酸、1-ナフタレンスルホン酸、FeCl3、AuCl3、NOSbF6、AsF5、NOBF4、LiBF4H1-3[PMo12O40]、7,7,8,8-テトラシアノキノジメタンTCNQなどのアクセプタードーピング剤、ホールをトラップしにくいバインダー樹脂、レベリング剤等の塗布性改良剤等の各種添加剤が挙げられる。上記添加剤は、単独で使用されてもまたは2種以上の混合物の形態で使用されてもよい。固体正孔輸送層中の一般式2で表される化合物または前記化合物の多量体を重合して形成される重合物の含有量は、特に制限されない。正孔輸送特性、光電変換層の界面近傍で発生した励起子の消滅の抑制防止能などを考慮すると、全単量体に対して、50~100質量であることが好ましく、さらに90~100質量であることが好ましい。固体正孔輸送層の伝導度を高めるために、重合体は正孔ドープされることが好ましい。この際の、正孔ドープ量は、特に制限されないが、一般式2の化合物あたり、0.15~0.66個であることが好ましい。電解重合では、一般式2で表される化合物由来の構造を有する重合体に電場をかけて酸化することにより、正孔ドープされる。また、光電変換層の増感色素の酸化体を還元するためには、本発明に使用される重合体が色素吸着電極のイオン化ポテンシャルより小さいことが好ましい。重合体のイオン化ポテンシャルの好ましい範囲は、特に制限されず、使用する増感色素によって異なるが、該重合体がドープされた状態で、4.5eV以上5.5eV以下が好ましく、さらに4.7eV以上5.3eV以下であることが好ましい。また、可視光吸収率が低いと吸収による光の損失が少なく、光による劣化も抑えられることから、好ましい固体正孔輸送層としては吸光度が1.0以下が好ましい。また、重合体の重合度が高まると吸光度はやや高まり、好ましい正孔輸送能を有する重合度を出すためには、吸光度として、0.2以上の吸光度を示す重合度を有する電荷輸送層が好ましい。したがって、本発明に係る重合体は、400~700nmでの吸光度400~700nmの波長領域での吸光度の平均値が0.2~1.0であることが好ましい。本明細書において、固体正孔輸送層重合体の吸光度は、電解重合前後での作用極の吸光度差を用いて規定され、この際、吸光度は、400~700nmの波長領域での吸光度の平均値を意味する。吸光度は、分光光度計JASCOV-530を用いて測定される。作用極として、FTO導電性ガラス基板に形成した有効面積10×20mm2の酸化チタン薄膜に色素を吸着したものを用い、前述の電解重合溶液と同組成の溶液に浸漬し、対極を白金線、参照電極をAg/AgAgNO30.01M、保持電圧を-0.16Vとして、半導体層方向から光を照射しながらキセノンランプ使用、光強度22mW/cm2、430nm以下の波長をカット30分間電圧を保持して、一般式1あるいは一般式2の繰り返し単位を有する重合体を前記作用極上に形成して測定する。膜厚のばらつきの影響を補正するために、サンプルの膜厚を測定し、膜厚μmで除した値を用いる。膜厚測定は、Dektak3030SLOANTECHNOLOGYCo.製にて測定される。第二電極第二電極は、固体正孔輸送層と隣接して配置され、任意の導電性材料で構成されうる。絶縁性の物質でも、固体正孔輸送層に面している側に導電性物質層が設置されていれば、これも使用可能である。第二電極は、固体正孔輸送層との接触性が良好であることが好ましい。また、第二電極は、固体正孔輸送層との仕事関数の差が小さく、化学的に安定であることも好ましい。このような材料としては、特に制限されないが、金、銀、銅、アルミニウム、白金、ロジウム、マグネシウム、インジウム等の金属薄膜、炭素、カーボンブラック、導電性高分子、導電性の金属酸化物インジウム-スズ複合酸化物、酸化スズにフッ素をドープしたもの等等の有機導電体などが挙げられる。また、第二電極の厚みも特に制限されないが、10~1000nmであることが好ましい。また、第二電極の表面抵抗は、特に制限されないが、低いことが好ましい具体的には、第二電極の表面抵抗の範囲は、好ましくは80Ω/□以下であり、さらに好ましくは20Ω/□以下である。なお、第二電極の表面抵抗の下限は、可能な限り低いことが好ましいため、特に規定する必要はないが、0.01Ω/□以上であれば十分である。第二電極の形成方法は、特に制限されず、公知の方法が適用できる。例えば、上記第二電極の材料を蒸着真空蒸着を含む、スパッタリング、塗布、スクリーン印刷等の方法が好ましく使用される。このように構成された光電変換素子では、基板の外側から光が照射されると、素子内部の光電変換層の半導体層に担持された増感色素が励起されて電子を放出する。励起された電子は、半導体に注入され、バリア層を通じて第一電極に移動する。第一電極に移動した電子は、外部回路を通じて第二電極に移動し、正孔輸送層に供給される。そして、電子を放出して酸化された増感色素は、正孔輸送層から電子を受け取り、基底状態に戻る。このようなサイクルを繰り返すことで、光が電気に変換される。太陽電池本発明の光電変換素子は、太陽電池に特に好適に使用できる。したがって、本発明は、上記光電変換素子を有する太陽電池をも提供する。本発明の太陽電池は、本発明の光電変換素子を具備し、太陽光に最適の設計並びに回路設計が行われ、太陽光を光源として用いたときに最適な光電変換が行われるような構造を有する。即ち、色素増感された半導体に太陽光が照射されうる構造となっている。本発明の太陽電池を構成する際には、前記光電変換層、固体正孔輸送層および第二電極をケース内に収納して封止するか、あるいはそれら全体を樹脂封止することが好ましい。本発明の太陽電池に太陽光または太陽光と同等の電磁波を照射すると、半導体に担持された増感色素は照射された光もしくは電磁波を吸収して励起する。励起によって発生した電子は半導体に移動し、次いで導電性支持体および外部負荷を経由して第二電極に移動して、固体正孔輸送層の正孔輸送性材料に供給される。一方、半導体に電子を移動させた増感色素は酸化体となっているが、第二電極から固体正孔輸送層の重合体を経由して電子が供給されることにより、還元されて元の状態に戻り、同時に固体正孔輸送層の重合体は酸化されて、再び第二電極から供給される電子により還元されうる状態に戻る。このようにして電子が流れ、本発明の光電変換素子を用いた太陽電池を構成することができる。以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。実施例1:光電変換素子SC-1の作製表面抵抗9Ω/□の市販のフッ素ドープ酸化スズFTO導電性ガラス基板FTOの塗布量:7g/m2基板、第一電極の厚み:0.9μm、導電性支持体の厚み:1.1mmを導電性支持体とした。これを、アルカリ洗剤関東化学製シカクリーンLX-3/超純水=10/90洗浄液に超音波を照射しながら15分間で洗浄した。その後超純水で洗浄した。洗浄液での洗浄と超純水での洗浄を3回繰り返した。その後、合成石英ガラス紫外線ランプを用いて、UV/オゾン洗浄を15分間実施した。この洗浄基板導電性支持体に、バリア層として、TC100マツモト交商製:チタンジイソプロポキシビスアセチルアセトネートをスピンコート法により塗布した。80°Cで10分間加熱して乾燥させた後、450°Cで10分間焼成を行い、膜厚100nmのバリア層空孔率C:1.0を得た。この上に、酸化チタンペースト粒径18nmをドクターブレード法により塗布した。120°Cで5分間加熱してペーストを乾燥させた後、500°Cで30分間焼成を行い厚さ4.5μmの多孔質酸化チタン層半導体層;空孔率D:50体積を得た。増感色素D-1及び増感色素に対して10当量のケノデオキシコール酸をアセトニトリル:t-ブチルアルコール=1:1の混合溶媒に溶解し、増感色素濃度3×10-4モル/Lの溶液を調製した。上記多孔質酸化チタン層半導体層を担持したFTO基板導電性支持体を、この溶液に室温25°Cで3時間浸漬して、増感色素の吸着処理を行い、半導体層中の半導体に増感色素を担持させることにより光電変換層を得た。これにより、光電変換電極を得た。なお、この際の半導体層1m2当たりの本発明の増感色素の総担持量は、2ミリモルであった。前記半導体電極を、一般式2に対応するモノマー:H1-1の二量体H2-1を0.01モル/lの割合で含有し、Li[CF3SO22N]を0.1モル/lの割合で含有するアセトニトリル溶液電解重合溶液に浸漬した。この際、電解重合溶液の温度は、25°Cに調節した。作用極を前記半導体電極、対極を白金線、参照電極をAg/AgAgNO30.01M、保持電圧を-0.16Vとした。電解開始時の電流密度は100μA/cm2であり終了時の電流密度2μA/cm2であった。半導体層方向から光を照射しながらキセノンランプ使用、光強度22mW/cm2、430nm以下の波長をカット30分間電圧を保持して、正孔輸送層を前記半導体電極表面に形成した。得られた半導体電極/正孔輸送層をアセトニトリルで洗浄、乾燥した。なお、ここで得られた正孔輸送層は、溶媒には不溶の重合膜になっている。その後、Li[CF3SO22N]を15×10-3モル/l、4-tert-ブチルピリジンを50×10-3モル/lの割合で含有するアセトニトリル溶液に10分間浸漬した。その後、半導体電極/正孔輸送層を自然乾燥後、さらに真空蒸着法により金を60nm蒸着し、第二電極を作製し、光電変換素子SC-1を得た。実施例2~12、比較例1~3:光電変換素子SC-2~15の作製実施例1における光電変換素子SC-1の作製において、増感色素および/または固体正孔輸送層を構成する重合体を形成するモノマーを表1に記載のものに変更したこと以外は実施例1に記載された方法と同様にして、光電変換素子SC-2~15を作製した。なお、本実施例において、固体正孔輸送層を構成する重合体はすべて、モノマーの二量体H2-1~H2-4を用いて合成された。比較例4:光電変換素子SC-16の作製実施例1における光電変換素子SC-1の作製において、固体正孔輸送層を表1に記載の化合物HR-1を用いてスピンコーティング法によって形成したこと以外は実施例1に記載された方法と同様にして、光電変換素子SC-16を作製した。また、下記表1中の化合物D-R1、D-R2、DR-3およびHR-1を下記に示す。光電変換素子の評価ソーラーシュミレータ英弘精機製を用い、強度100mW/cm2のキセノンランプ照射下、酸化物半導体電極光電変換電極に5×5mm2のマスクをかけた条件下で光電変換特性の測定を行った。すなわち、光電変換素子SC-1~SC-16について、I-Vテスターを用いて室温25°Cにて電流-電圧特性を測定し、短絡電流Jsc、開放電圧Voc、及び形状因子F.F.を求め、これらから光電変換効率ηを求めた。なお、光電変換素子の光電変換効率ηは下記式Aに基づいて算出した。ここで、Pは入射光強度[mW/cm-2]、Vocは開放電圧[V]、Jscは短絡電流密度[mAcm-2]、F.F.は形状因子を示す。表1に結果を示す。なお、断りのない限り測定値は25°Cにおける値である。ただし、0°Cでの短絡電流値の測定も行い、表1中に別途記載した。色素分子と固体正孔輸送層との間の電荷移動が熱活性型であることを考慮すると、25°Cでの短絡電流値と0°Cでの短絡電流値との比25°Cでの短絡電流値/0°Cでの短絡電流値が大きいことは電荷移動の障壁となる活性化エネルギーが小さいことに対応する。したがって、当該短絡電流比が大きいほど、分子間接触性がより一層向上していると考えられる。光劣化試験後の光電変換効率の測定更に劣化操作として、光電変換素子SC-1~16を、80°Cで2時間加熱した後、強度100mW/cm2のキセノンランプで120分間光照射し、劣化後の光電変換効率ηを求めた。表1に各光電変換素子の特性評価結果を示す。表1から、本発明に係る増感色素と特定の構造を有するPEDOT置換体の重合物を含有する固体正孔輸送層と本発明に係る増感色素を有する本発明の光電変換素子SC-1~12は、光電変換効率が高く、その安定性にも優れている。一方、本発明の範囲から外れる増感色素および/または正孔輸送層で構成された比較例の光電変換素子SC-13~16は、実施例の光電素子SC-1~12に比べて光電変換効率が小さく、その安定性も劣っている。これに対して、本発明に係る増感色素はヘテロ芳香環を含む部分構造を有しており、かつヘテロ芳香環中のヘテロ原子に隣接する炭素原子α位炭素がすべて非水素原子と結合しているため、色素分子と固体正孔輸送層との間の分子間接触に有利であり、短絡電流および変換効率が増大したと考えられる。また、この分子間接触性の向上により分子間での電荷移動速度が増加するため、光励起に伴う不安定な中間体として存在する時間が短くなるのに伴い耐久性が向上したと考えられる。特に、一般式3で表されるヘテロ環構造を色素分子端部に有する光電変換素子SC-1~10は、そうでない場合SC-11,12に比べ、より優れた光電変換効率および耐久性を示しており、色素と固体正孔輸送材料との分子間接触性が一層向上したと考えられる。さらに、一般式3中のヘテロ環の置換基Y8が塩素原子またはフッ素原子である場合SC-1~9は、より一層優れた光電変換効率および耐久性を示しており、色素分子および固体正孔輸送層間の立体障害が小さいため、色素分子と固体正孔輸送層との間の分子間接触により有利となったと推測される。また、ヘテロ環Ar8がチオフェン環含有基、特に3,4-エチレンジオキシチオフェン基である場合は25°Cおよび0°Cでの短絡電流比=25°Cの短絡電流値/0°Cの短絡電流値が大きく、分子間接触性がより一層向上していると考えられる。以上の結果より、本発明の増感色素とチオフェン系重合体を含有する固体正孔輸送層との組み合わせの効果により、色素分子と固体正孔輸送層との間の接触性ならびに電荷移動プロセスが改善され、光電変換素子の変換効率および耐久性が向上したと推測できる。"