基板を収納する矩形の空間部を有する平板状の枠部と、該枠部の内周面の下方に各隅部以外の領域の少なくとも一部を突設させた板状の係止部と、からなる基板支持体と、前記基板支持体の枠部と係止部の内周面によって画定された空間部に対応する空間部を有する平板状の上蓋とを備え、前記枠部の上面から前記係止部の上面までの距離が、当該枠部の空間部に収納される基板の厚さより大きく形成されていることを特徴とする基板支持用治具。前記上蓋の一つの辺が、前記基板支持体の一つの辺に対して、閉鎖時に前記上蓋の空間部を前記基板支持体の枠部と係止部の内周面が画定する空間部に対応するよう、枢着されてなる請求項1記載の基板支持用治具。前記枠部上面から前記係止部上面までの距離が、前記枠部の空間部に収納される基板の厚さより0.8~1.0mm大きく形成されている請求項1乃至2記載の基板支持用治具。前記基板支持体及び前記上蓋が、それぞれ複数個一体に形成されている請求項1乃至3のいずれか1項記載の基板支持用治具。前記基板支持用治具が、熱硬化性樹脂を含む材質で形成されている請求項1乃至4のいずれか1項記載の基板支持用治具。主面上に分割溝が形成された基板を基板支持用治具で支持するとともに、この基板支持用治具を搬送部材で搬送しながら、前記基板の上面及び/又は下面にブラスト液を噴射してブラスト処理するブラスト処理方法であって、前記基板支持用治具として、請求項1乃至5のいずれか1項記載の基板支持用治具を使用することを特徴とするブラスト処理方法。前記基板支持用治具で支持する基板の分割溝の配設方向が、前記搬送部材の延設方向と一致しないように、前記基板支持用治具の前記搬送部材に対する配設角度を調整して、当該基板支持用治具を前記搬送部材に配設する請求項6記載のブラスト処理方法。前記ブラスト液の噴射速度は、0.5~1.5kg/cm2である請求項6又は7記載のブラスト処理方法。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、基板が搬送部材から受ける押圧力を低減でき、特に、四隅に反りを有する基板についても、割れの発生を抑制しつつ、搬送部材間に支持できる基板支持用治具の提供を目的とする。また、本発明は、ブラスト処理工程時の基板の割れの発生が少なく、歩留まりの低下が抑制されたブラスト処理方法の提供を目的とする。すなわち、本発明の基板支持用治具は、基板を収納する矩形の空間部を有する平板状の枠部と、該枠部の内周面の下方に各隅部以外の領域の少なくとも一部を突設させた板状の係止部と、からなる基板支持体と、前記基板支持体の枠部と係止部の内周面によって画定された空間部と対応する空間部を有する平板状の上蓋とを備え、前記枠部の上面から前記係止部の上面までの距離が、当該枠部の空間部に収納される基板の厚さより大きく形成されていることを特徴とする。また、本発明のブラスト処理方法は、主面上に分割溝が形成された基板を基板支持用治具で支持するとともに、この基板支持用治具を搬送部材で搬送しながら、前記基板の上面及び/又は下面にブラスト液を噴射してブラスト処理するブラスト処理方法であって、前記基板支持用治具として、上記した本発明の基板支持用治具を使用することを特徴とする。本発明の基板支持用治具によれば、搬送部材間において、基板が搬送部材から受ける押圧力を低減でき、特に、四隅の領域に反りを有する基板について、搬送部材からの押圧力による割れの発生を抑制しつつ、当該基板を搬送部材間に支持できる。また、本発明によれば、ブラスト処理工程時の基板の割れの発生が少なく、歩留まりの低下が抑制されたブラスト処理方法とできる。以下、本発明について詳細に説明する。図1は、本発明の基板支持用治具の一例を示す平面図であり、図2は、図1に示す基板支持用治具の係止部の側端部周辺の領域を拡大して示す図であり、図3は、図1に示す基板支持用治具1のA-A線断面図である。基板支持用治具1は、基板を収納する矩形の空間部2を有する平板状の枠部3を備えた矩形の基板支持体4と、この基板支持体4の一辺に対し、接合部5で枢着されてなり、基板支持体4の上面に配設されて当該基板支持体4に重ねられる平板状の上蓋6と、を有している。枠部3の内周面31によって画定される空間部2は、空間部2に収納される基板の外周部と略同一寸法で空間部2内に基板を収納できるように形成されており、枠部3の内周面31の図1中の上側面及び下側面の中央部には、空間部2への基板の着脱を容易にするため、枠部3の内周から外周側に凹部7が形成されている。枠部3の内周面31の下方には、各隅部及び凹部7を除く領域に、該内周面31に沿って突設させた板状の係止部8が設けられている。係止部8は内周面31に沿って突設させた連続した板状部材であってもよく、内周面31に沿って突設させた不連続な板状部材であってもよい。係止部8は、図2、3で示すように、その厚さが、枠部3の厚さより薄く形成されており、基板9の側縁部を係止部8の主面上に支持可能に形成されている。また、枠部3の内周面31の四隅の領域は、係止部8を有しない切り欠き部10aとされている。上蓋6は、基板支持体4の枠部3及び係止部8の内周面41によって画定される空間部12と対応する空間部13を有しており、上蓋6は、基板支持体4上面に重ねた時図5、6参照に、空間部13が、空間部12と閉鎖方向に対応するように、接合部材ヒンジ11により、接合部5で枢動可能に設けられている。なお、図1では、上蓋6が、基板支持体4と、接合部材ヒンジ11により接合部5で接合して一体として形成された構成を示したが、本発明の基板支持用治具1としては、必ずしもこのような構成に限られず、上蓋6と基板支持体4とを別体として設けてもよい。基板9は、係止部8上にその側縁部を配設し、枠部3の空間部2に全体を嵌合させるようにして、基板支持体4に支持される図4参照。このように基板9を支持する基板支持体4図4参照の上面には、接合部5を中心とする枢動により上蓋6が配設されて、当該基板支持体4に重ねられ図5参照、図6に示すように、係止部8と上蓋6間に基板9が収容される。このような基板支持用治具1を、図7で示すように、コンベアローラ14の上方ローラ14a、下方ローラ14b間の搬送ラインに供することで、基板9の側縁部は、四隅の領域を除いて係止部8上に支持されるとともに、基板9の中央領域も、上方ローラ14a、下方ローラ14bから隔離した状態で、両ローラ間に支持されて、搬送される。すなわち、基板9の両主面が、上方ローラ14a、下方ローラ14bと直接接するのを抑制しつつ、当該基板9を、コンベアローラ14で搬送できる。また、枠部3の内周面31の四隅の領域を、係止部8を形成しない切り欠き部10aとし、上蓋6も、これと対応する位置に切り欠き部10bを有する外形とすることで、基板支持体4上面に上蓋6を重ね基板9を有する空間部2を上蓋6で閉鎖したときに、基板9の四隅の領域は、係止部8と接触せず、切り欠き部10a、切り欠き部10bにより形成された連通孔に露出した状態で支持される。このように、基板9の四隅を露出させることで、当該露出領域の自由度が確保されるため、基板9の四隅において、反り部が上方ローラ14a、下方ローラ14bから押圧力を受けた場合でも、当該露出部分で撓みとして逃すことができ、反り部に対して負荷された押圧力による基板内での応力の増大、これに伴う基板の割れを抑制できる。係止部8を、枠部3の内周面31の四隅を含む全域に形成した場合、すなわち、基板支持体4、上蓋6において、切り欠き部10a、10bを形成しない場合、係止部8と上蓋6間に、基板9の側縁部の四隅を含む全域が収容される。この場合、上方ローラ14a、下方ローラ14bからの押圧力が、係止部8、上蓋6を介して、基板9の反り部に加わる一方、基板9の四隅では、係止部8、上蓋6により、基板9自体の自由度撓みが制限されていることから、四隅の領域において反り部が受けた押圧力による基板9の応力が増大し、基板9に割れが生じ易くなる。基板支持体4の枠部3上面から係止部8上面までの距離H1図3参照は、係止部8上に支持される基板9の厚さより大きく形成されている。枠部3上面から係止部8上面までの距離H1を、基板9の厚さより大きいものとすることで、コンベアローラ間において、基板9の両主面の中央領域が、上方ローラ14a及び下方ローラ14bと接触し難く、ブラスト処理工程での基板9の割れの発生を抑制できる。枠部3上面から係止部8上面までの距離H1は、基板9の側縁部の反り量、及び係止部8と上蓋6の間の領域で基板9がある程度移動し得る余裕度を加味して、基板9の厚さより0.8~1.0mm大きく形成されていることが好ましい。すなわち、枠部3上面から係止部8上面までの距離H1と、基板9の厚さとの差が、0.8~1.0mmであることが好ましい。枠部3上面から係止部8上面までの距離H1と、基板9の厚さとの差を0.8mm以上とすることで、上方ローラ14a及び下方ローラ14b間において、基板9の両主面の中央領域が、上下ローラ14a、14bと接触し難く、ブラスト処理工程での基板9の割れの発生を抑制できる。また、枠部3上面から係止部8上面までの距離H1と、基板9の厚さとの差を0.8mm以上とすることで、上下ローラ14a、14bからの押圧力が、上蓋6等を介して基板9の側縁部に負荷され難く、基板9の割れを生じ難くできる。また、枠部3上面から係止部8上面までの距離H1と、基板9の厚さとの差を1.0mm以下とすることで、噴流圧による、係止部8と上蓋6との間で基板9のばたつき、これに伴う基板9の割れの発生を抑制できる。なお、本発明の基板支持用治具1で支持される基板9の厚さは、特に制限されないが、通常、0.5~1.5mm程度である。基板支持用治具1の、枠部3上面から係止部8上面までの距離H1は、具体的には、例えば、1.5~1.7mmであることが好ましい。枠部3の厚さH2は、1.7~2.7mmであることが好ましい。枠部3の厚さH2を1.7mm以上とすることで、係止部8において十分な厚さを確保しつつ、枠部3上面から係止部8上面までの距離H1を十分に確保できる。また、枠部3の厚さH2を2.7mm以下とすることで、基板支持体4上に上蓋6を配設したときの基板支持用治具1全体の厚さが過度に増大するのを抑制でき、安定したブラスト処理を実現できる。枠部3の内周面31から外周部までの距離、すなわち枠部3の幅は、20~60mmであることが好ましい。枠部3の幅を20mm以上とすることで、基板支持用治具1において安定した基板支持特性を得ることができる。また、枠部3の幅を60mm以下とすることで、基板支持用治具1全体のサイズが過度に増大するのを抑制できる。係止部8の厚さH3は、0.3~0.5mmであることが好ましい。係止部8の厚さH3を0.3mm以上とすることで、コンベアローラ14のローラ圧に対し十分な耐性を有し、基板9をコンベアローラ14上で安定して支持できる。また、係止部8の厚さH3を0.5mm以下とすることで、枠部3の厚さの過度の増大を抑制しつつ、枠部3上面から係止部8上面までの距離H1を十分量確保できる。係止部8の幅H4は、3~5mmであることが好ましい。係止部8の幅H4を3mm以上とすることで、コンベアローラ14上で、基板9を安定して支持できる。また、係止部8の幅H4を5mm以下とすることで、基板支持体4の枠部3と係止部8の内周面41で画定される空間部12を十分に確保でき、基板支持用治具1内で、基板9の主面が露出する領域を十分に確保できる。上蓋6の厚さH5図6参照は、1.5~3mmであることが好ましい。上蓋6の厚さH5を1.5mm以上とすることで、コンベアローラ14のローラ圧に対し、十分な耐性を有するものとできる。また、上蓋6の厚さH5を3mm以下とすることで、基板支持体4上に上蓋6を配設して枠部3の空間部2を閉鎖したときの基板支持用治具1全体の厚みの過度の増大を抑制できる。基板支持体4の切り欠き部10a、上蓋6の切り欠き部10bは、各辺の長さL1、L2図1参照が、それぞれ8~12mmであることが好ましい。切り欠き部10a、10bの、各辺の大きさL1、L2を8mm以上とすることで、基板9の四隅において、撓みを生じさせるのに十分な領域を、基板支持用治具1から露出させることができ、上下ローラ14a、14bからの押圧力による基板9の応力を低減する効果を十分に得ることができる。切り欠き部10a、10bの、各辺の大きさL1、L2を12mm以下とすることで、係止部8の形成領域を十分に確保でき、基板9を安定して支持できる。基板支持体4、上蓋6としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂や、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、ガラス繊維強化ポリアミド樹脂、ガラス繊維強化フェノール樹脂等の繊維強化熱硬化性樹脂熱硬化性プラスチック、シリコンゴム、スチレンブタジエンゴム等のゴム弾性体、アルミニウム合金、ステンレス、マグネシウム合金、等の合金材料を使用できる。なお、基板支持用治具1としては、基板支持体4、上蓋6を、同一の材質で形成したものであってもよく、基板支持体4、上蓋6とを、異なる材質で形成したものであってもよい。なお、図1~6では、基板支持体4、上蓋6を、それぞれ一ずつ備えて一体として形成したものを示したが、本発明の基板支持用治具1は、このようなものに限定されず、例えば、図8で示すように、基板支持体4、上蓋6を、それぞれ複数個備えて一体として形成したものであってもよい。基板支持用治具1で支持する基板9としては、特に限定されないが、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ムライト等のセラミックス、またはガラスセラミックスから主としてなるものが挙げられる。以上、本発明の基板支持用治具によれば、空間部を有する平板状の枠部の内周面の下方に、各隅部以外の領域の少なくとも一部を突設させた板状の係止部を有する基板支持体と、この基板支持体の枠部と係止部の内周面によって画定された空間部と対応する空間部を有する平板状の上蓋と、を備えたものとすることで、当該基板支持用治具に支持された基板の両主面と搬送部材との接触を抑制できるとともに、基板支持体に上蓋を重ねたときに、枠部の四隅に対応する領域切り欠き部10a、10bに形成された連通孔に基板の四隅を露出させた状態で、当該基板が支持されるため、反り部に対して搬送部材から負荷された押圧力による、基板内での応力の増大を抑制できる。このため、四隅に反りを有する基板についても、搬送部材からの押圧力による割れの発生を抑制しつつ、当該基板を搬送部材間に支持できる。次に、本発明の基板支持用治具1を使用したブラスト処理方法を適用して、発光素子搭載用のガラスセラミックス基板を製造する方法について説明する。まず、グリーンシートを形成する。グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで形成できる。ガラス粉末は、必ずしも限定されるものではないものの、ガラス転移点Tgが550°C以上700°C以下のものが好ましい。ガラス転移点Tgが550°C未満の場合には、後述する脱脂が困難となるおそれがあり、700°Cを超える場合には、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。ガラス粉末としては、例えばSiO2を57~65mol、B2O3を13~18mol、CaOを9~23mol、Al2O3を3~8mol、K2OおよびNa2Oから選ばれる少なくとも一方を合計で0.5~6mol含有するガラスの粉末が用いられる。ガラス粉末の50粒径D50は0.5μm以上2μm以下であることが好ましい。ガラス粉末のD50が0.5μm未満の場合には、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となるばかりでなく、均一に分散させることが困難となる。一方、D50が2μmを超える場合には、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。なお、本明細書において、粒径はレーザ回折散乱法により得られるものである。セラミックスフィラーとしては、例えば、アルミナ粉末、ジルコニア粉末、アルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物等を好適に使用できる。セラミックスフィラーのD50は、0.5μm以上4μm以下であることが好ましい。このようなガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えばガラス粉末が30質量以上50質量以下、セラミックスフィラーが50質量以上70質量以下となるように配合し混合することによりガラスセラミックス組成物を得ることができ、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得ることができる。バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に使用できる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を使用できる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、ブタノール等の芳香族系またはアルコール系の有機溶剤を使用できる。さらに、分散剤やレベリング剤を併用することも可能である。こうして形成されたグリーンシートを、打抜き型あるいはパンチングマシーンを使用して所定の寸法角に切断し、同時に所定位置に層間接続用のビアホールを打抜き形成できる。グリーンシートの表面に、導体金属のペーストをスクリーン印刷等の方法で印刷することにより、未焼成の導体パターンを形成する。また、前記した層間接続用のビアホール内に導体金属のペーストを充填することによって、未焼成の層間接続部を形成する。導体金属のペーストとしては、例えば銀Agまたは銅Cuを主成分とする金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いる。金属粉末としては、銀Ag粉末、銀とパラジウムとの混合粉末、銀と白金との混合粉末等が好ましく用いられる。未焼成の導体パターンが形成されたグリーンシートを、位置合わせしつつ複数枚重ねて加熱および加圧して一体化して、グリーンシート成形体を形成する。次いで、グリーンシート成形体の表裏両面に、セラミックグリーンシート積層体切断機UHT社製G-cut6を用いて各基板領域の境界領域に分割溝を形成する。その後、この成形体を例えば500°C以上600°C以下の温度で加熱することにより、グリーンシートに含まれる樹脂等のバインダーを分解除去する脱脂を行う。その後、さらに800~1000°C程度の温度で加熱し、グリーンシートを構成するガラスセラミックス組成物を焼成する。この焼成により、ガラスセラミックス基板9内部および表面に形成された金属ペーストも同時に焼成され、銀Agまたは銅Cuを主体とする金属からなる厚膜導体層が形成される。表面に厚膜導体層が形成されたガラスセラミックス基板9の各側縁部を、上述した基板支持用治具1の係止部8上に配設し、枠部3の空間部2にガラスセラミックス基板9を嵌合させる。次いで、上蓋6を枢動させて、基板支持体4上に上蓋6を配設し、上蓋6が基板支持体4に重ねられ、上蓋6にて枠部3の空間部2を閉鎖する。ガラスセラミックス基板9が、例えば各配線基板のキャビティ内に素子搭載部を形成するキャビティ構造を有する場合、キャビティ形成面が係止部8と対向するように、ガラスセラミックス基板9を基板支持体4に設置することが好ましい。このようにしてガラスセラミックス基板9を支持する基板支持用治具1を、図7で示すように、コンベアローラ14の上方ローラ14a、下方ローラ14b間に配設し、両ローラ14a、14bを駆動させて基板支持用治具1を搬送しつつ、当該基板支持用治具1で支持されたガラスセラミックス基板9の全面に対し、上方及び下方からブラスト液を吹き付けてウェットブラスト処理を行う。なお、上方ローラ14aは、その上端部に配設されたばね14cにより、基板支持用治具1の厚さに追従するように、所定の範囲で上下動が可能に構成されている。ガラスセラミックス基板9を支持する基板支持用治具1の、コンベアローラ14に対する配設方向は、図9で示すように、基板支持用治具1が支持するガラスセラミックス基板9の、分割溝15の配設方向が、コンベアローラ搬送部材14の延設方向と一致しないように、基板支持用治具1のコンベアローラ搬送部材14に対する配設角度を調整して、基板支持用治具1をコンベアローラ搬送部材14に配設することが好ましい。コンベアローラ搬送部材14の延設方向に対し、ガラスセラミックス基板9の分割溝15の配設方向が一致しないように、基板支持用治具1をコンベアローラ14に配設することで、上方ローラ14a、下方ローラ14bの押圧力が、分割溝15に対して作用し難く、ブラスト処理工程でのガラスセラミックス基板9の割れ発生率を低くできる。基板支持用治具1は、コンベアローラ搬送部材14の延設方向に対し、基板支持用治具1が支持するガラスセラミックス基板9の分割溝15の配設方向が35~55°となるように配設することが好ましい。ガラスセラミックス基板9を、上述した基板支持用治具1で支持した状態で、コンベアローラ14の上下ローラ14a、14b間に供することで、ガラスセラミックス基板9の側縁部の四隅を除く領域は、係止部8と上蓋6の間に収容されるとともに、ガラスセラミックス基板9の中央領域も、上方ローラ14a及び下方ローラ14bから隔離した状態で支持される。このため、上方ローラ14a、下方ローラ14bからの押圧力を、ガラスセラミックス基板9の両主面に対して直接負荷させることなく、コンベアローラ14による基板支持用治具1の搬送を行うことができる。また、ガラスセラミックス基板9を、上述した基板支持用治具1で支持した状態で、コンベアローラ14の上方ローラ14a及び下方ローラ14b間に供することで、その四隅の領域は、係止部8と上蓋6との間には収容されず、切り欠き部10a、切り欠き部10bにより形成された連通孔に露出した状態で支持される。このため、四隅に形成された反り部が、上方ローラ14a又は下方ローラ14bにより押圧力を受けた場合でも、露出部分での撓み等が可能であり、基板9内での応力の増大、これに伴う基板の割れの発生を抑制できる。ウェットブラスト処理は、研磨材ブラスト粉末を液体媒体例えば水と混合してなるブラスト液を、高圧で厚膜導体層に噴射する吹き付けることにより行うことができる。このウェットブラスト処理により、導体粒子の隙間を埋め、厚膜導体層の表面を平坦化平滑化する。研磨材としては、例えばアルミナまたはジルコニア等のセラミック粉末を使用できる。ブラストの効率を上げるため、アルミナ粉末の破砕粉の使用が好ましい。研磨材の粒径は、25~125μmの範囲とすることが好ましい。研磨材の粒径が25μm未満では、ガラスセラミックス基板の分割溝等に研磨材が入り込んでしまい、異物となって素子の搭載を阻害するおそれがある。一方、研磨材の粒径が125μmを超える場合には、例えば、ガラスセラミックス基板9がキャビティ構造を有する場合、素子の搭載部であるキャビティ壁面付近の厚膜導体層を効率よくブラストできない。研磨材の50粒径D50は50~70μmの範囲が好ましい。より好ましいD50は60μmである。研磨材ブラスト粉末と液体媒体例えば水との混合比率は、研磨材がブラスト液全体の8~12体積とすることが好ましい。研磨材の混合比率が8体積未満では、ウェットブラストの効率が著しく低くなり、厚膜導体層の表面を十分に平坦化することが困難となる。一方、研磨材の比率が12体積パーセントを超えると、ブラスト液の粘度が高くなりすぎてかえってブラスト効率が低下するおそれがある。最も好ましい混合比率は、研磨材が10体積、水が90体積の比率である。また、このような比率で混合されたブラスト液を噴射する流速噴射速度は、0.5~1.5kg/cm2とすることが好ましい。ブラスト液の噴射速度が0.5kg/cm2未満では、十分な平坦化ができない。ブラスト液の噴射速度が1.5kg/cm2を超えると、厚膜導体層の表面に研磨材ブラスト粉末が付着してしまい、表面を平坦化する効果が小さくなる。例えば、ガラスセラミックス基板9のキャビティ形成面素子搭載面を、係止部8と対向させるようにして、ガラスセラミックス基板9を基板支持用治具1に設置した場合、下方からのブラスト液の噴射の噴射速度を、上方からのブラスト液の噴射の噴射速度より大きく設定して、ブラスト処理することが好ましい。この場合、具体的には、ガラスセラミックス基板9の上方からのブラスト液の噴射速度は、0.5~1.0kg/cm2とすることが好ましく、ガラスセラミックス基板9の下方からのブラスト液の噴射速度は、0.5~1.5kg/cm2とすることが好ましい。ウェットブラスト工程では、コンベアローラ14で連続的に搬送されるガラスセラミックス基板9の厚膜導体層に向けて、搬送面より5cm程度上に配置された噴射口からブラスト液を噴射する方法を採ることができる。コンベアローラ14の搬送速度は1~1.5m/分とすることが好ましい。搬送速度が1m/分未満では、厚膜導体層に研磨材ブラスト粉末であるアルミナ粉末が付着してしまい、表面を平坦化する効果が小さい。搬送速度が1.5m/分を超えると、ブラストの効果が小さく、硫化防止に十分な平坦化ができない。なお、ウエットブラスト処理は、必ずしもガラスセラミックス基板9の上面及び下面の両面に対して行う必要はなく、ガラスセラミックス基板9の上面又は下面の一方の面のみに対して行うものであってもよい。ウェットブラスト処理により、表面が平坦化された厚膜導体層の上に、Niメッキを行った後Auメッキを行い、Ni/Auメッキ層を形成する。Niメッキは、例えばスルファミン酸ニッケル浴を使用して電界メッキによって5~25μmの厚みに形成される。金メッキは、例えばシアン化金カリウム浴を使用して電界メッキによって0.2~1.0μmの厚みに形成できる。このようにして得られたNi/Auメッキ層の表面を、さらにウェットブラスト処理した後、乾燥させて、発光素子搭載用のガラスセラミックス基板9を得ることができる。なお、メッキ処理後のウェットブラスト処理は、ブラスト液の噴射速度、コンベアローラ14による搬送速度等の条件を適宜調整し、その他の条件は、メッキ処理前のブラスト処理と同様にして行うことができる。以上、本発明のブラスト処理方法によれば、上記した本発明の基板支持用治具を用いることで、ブラスト処理工程中の基板の割れの発生を低減でき、歩留まりの低下を抑制できる。なお、以上の説明では、発光素子搭載用のガラスセラミックス基板の製造方法に本発明のブラスト処理方法を適用した場合を例に説明したが、本発明のブラスト処理方法は、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の、ガラスセラミック以外のセラミックス基板に適用することも可能であり、また、発光素子搭載用以外の用途に用いられる基板に対して適用することも可能である。また、以上の説明では、ウェットブラスト法によるブラスト処理の処理方法について説明したが、本発明は、このような方法に限定されず、例えば、サンドブラスト法によるブラスト処理方法とすることも可能である。以下に、本発明の実施例を説明する。なお本発明はこれら実施例に限定されるものではない。実施例1まず、本体用グリーンシートを作製した。本体用グリーンシートは、SiO2が60.4mol、B2O3が15.6mol、Al2O3が6mol、CaOが15mol、K2Oが1mol、Na2Oが2molとなるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600°Cで60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより40時間粉砕して基板本体用ガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。この基板本体用ガラス粉末が40質量、アルミナフィラー昭和電工社製、商品名:AL-45Hが60質量となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物50gに、有機溶剤トルエン、キシレン、2-プロパノール、2-ブタノールを質量比4:2:2:1で混合したもの15g、可塑剤フタル酸ジ-2-エチルヘキシル2.5g、バインダーとしてのポリビニルブチラールデンカ社製、商品名:PVK3000K5g、さらに分散剤ビックケミー社製、商品名:BYK180を配合し、混合してスラリーを調製した。このスラリーをPETフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させて本体用グリーンシートを製造した。一方、導電性粉末大研化学工業社製、商品名:S400-2に、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比90:10の割合で配合し、固形分が87質量となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って金属ペーストを製造した。本体用グリーンシートの未焼成貫通導体に相当する部分に孔空け機を用いて直径0.3mmの貫通孔を形成し、スクリーン印刷法により金属ペーストを充填して未焼成貫通導体ペースト層を形成すると共に、未焼成厚膜導体層を形成して、厚膜導体層付き本体用グリーンシートを得た。上記で得られた厚膜導体層付き本体用グリーンシートを、550°Cで5時間保持して脱脂を行い、さらに870°Cで30分間保持して焼成を行って試験用のガラスセラミックス基板9を製造した。得られたガラスセラミックス基板9は、各辺の長さが131mmであり、厚さが0.7mmであった。得られたガラスセラミックス基板9を、図1に示す構成の基板支持用治具1に設置した。すなわち、得られたガラスセラミックス基板9の各側縁部を、図1に示す基板支持用治具1の連続した板状の係止部8上に配設して枠部3の空間部2にガラスセラミックス基板9を嵌合させた後、上蓋6を枢動させて、基板支持体4上に上蓋6を配設し、ガラスセラミックス基板9を有する空間部2を基板支持体4により閉鎖した。なお、基板支持用治具1は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂南亞電路板股ふん有限公司製、製品名:FlameRetardantType4製のものを使用した。また、基板支持用治具1は、基板支持体4として、内周面31の一辺の長さが134mm、外周部の一辺の長さが450mmで、枠部3の内周面31から外周部までの距離が25mmであり、厚さH2が1.9mmである枠体3と、幅H4が4mm、厚さH3が0.4mmの係止部8とを具備し、枠部3の内周面31の四隅の領域に、10×10mmの切り欠き部10aが形成されたもの枠部3の上面から係止部8の上面までの距離H1:1.5mmを使用し、上蓋6として、基板支持体4の枠部3と係止部8の内周面41によって画定された空間部12と対応する空間部13を有し、厚さH5が2mmである平板状の部材を使用した。なお、ガラスセラミックス基板9は、素子搭載部を有する面を下向きに、すなわち、素子搭載部を有する面が係止部8と対向するようにして、基板支持用治具1に配設した。このようにしてガラスセラミックス基板9を支持する基板支持用治具1を、コンベアローラ14の上方ローラ14a、下方ローラ14b間に配設し、両ローラ14a、14bを駆動させて基板支持用治具1を搬送しつつ、当該基板支持用治具1で支持されたガラスセラミックス基板9の全面に対して上方及び下方からブラスト液を吹き付けて、ウェットブラスト処理を行った。基板支持用治具1は、空間部2に嵌合したガラスセラミックス基板9の分割溝15の配設方向が、コンベアローラ搬送部材14の延設方向に対して45°となるように配設した。研磨材ブラスト粉末と液体媒体水との混合比率は、研磨材がブラスト液全体の10体積とした。さらにこのような比率で混合されたブラスト液を噴射する流速噴射速度は、ガラスセラミックス基板9の上方からの流速噴射速度を0.5kg/cm2、ガラスセラミックス基板9の下方からの流速噴射速度を1.5kg/cm2とし、コンベアローラ14で連続的に搬送させながらガラスセラミックス基板9の両主面に向けて、搬送面より5cm上に配置された噴射口からブラスト液を噴射することにより、ブラスト処理を行った。尚、コンベアローラによる搬送速度は1.2m/分とした。ブラスト処理後のガラスセラミックス基板9を目視で観察し、ガラスセラミックス基板9に生じた割れの部位の数割れ数をカウントした。この割れ数から、ブラスト処理前のガラスセラミックス基板の状態を基準として、割れ率を算出したところ、割れ率は0.8であった。比較例1実施例1と同様にして得られたガラスセラミックス基板を支持する基板支持用治具として、実施例1で使用した基板支持用治具1の基板支持体4と同一の基板支持体4のみからなり、上蓋6を有しない基板支持用治具1-2を使用したこと以外は、実施例1と同様にして、ブラスト処理を行った。ブラスト処理後のガラスセラミックス基板の割れ数をカウントし、割れ率を算出したところ、割れ率は、5であった。比較例2実施例1と同様にして得られたガラスセラミックス基板を、基板支持用治具を使用せず、直接コンベアローラ14の上方ローラ14a、下方ローラ14b間に配設したこと以外は、実施例1と同様にして、ブラスト処理を行った。ブラスト処理後のガラスセラミックス基板の割れ数をカウントし、割れ率を算出したところ、割れ率は、10であった。