基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、成膜容器と、前記薄膜の原料である原料ガスを前記成膜容器に供給する原料ガス供給部と、前記原料ガスと反応して前記薄膜を形成する反応ガスを前記成膜容器に供給する反応ガス供給部と、前記成膜容器の内部にプラズマを発生させるために高周波電流を供給する高周波電源と、前記原料ガスと前記反応ガスとが交互に供給されるように、前記原料ガス供給部と前記反応ガス供給部とを制御し、かつ、前記高周波電源が高周波電流を供給するタイミングを制御する制御部と、点火プラグを備える点火室と、前記成膜容器と前記点火室との間に配置されるバルブと、を備えることを特徴とする原子層堆積装置。前記制御部は、前記高周波電源が高周波電流を供給する間に、前記点火プラグが点火するように、前記点火プラグが点火するタイミングを制御し、前記点火プラグが点火する期間中に前記バルブが開いた状態を維持するように、前記バルブの開閉を制御する、請求項1に記載の原子層堆積装置。前記成膜容器は、前記点火室と接続される点火室連絡口を備え、前記点火室連絡口は、前記基板が配置される位置よりも下流側に設けられる、請求項1又は2に記載の原子層堆積装置。前記反応ガスはO2、N2、H2、H2O、N2O、NH3のいずれかである、請求項1乃至3のいずれかに記載の原子層堆積装置。基板上に薄膜を形成する原子層堆積方法であって、前記薄膜の原料である原料ガスを成膜容器に供給する原料ガス供給工程と、前記原料ガスと反応して前記薄膜を形成する反応ガスを前記成膜容器に供給する反応ガス供給工程と、前記成膜容器の内部にプラズマを発生させるために高周波電流を供給する高周波電流供給工程と、前記高周波電流が供給される間に、前記成膜容器の外部であって、前記成膜容器の空間と接続された空間に設けられた点火プラグを点火させる点火工程と、を有することを特徴とする原子層堆積方法。前記点火プラグが点火する間に、前記成膜容器と前記点火プラグとの間に設けられたバルブが開いた状態を維持するバルブ制御工程を有する、請求項5に記載の原子層堆積方法。前記反応ガスはO2、N2、H2、H2O、N2O、NH3のいずれかである、請求項5又は6に記載の原子層堆積方法。酸化膜を形成する際に安定してプラズマを発生させるためには、反応ガスとしてオゾンを用いることが好ましい。しかし、オゾンを発生させるためにオゾン発生装置が必要となるため、装置のコストが高くなるという問題がある。一方、例えば、酸素ガスを反応ガスとして用いると、安定してプラズマを発生させることが困難となり、成膜される薄膜の特性が劣化することがある。そこで、本発明は、安定してプラズマを発生させることができる原子層堆積装置及び原子層堆積方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の原子層堆積装置は、基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、成膜容器と、前記薄膜の原料である原料ガスを前記成膜容器に供給する原料ガス供給部と、前記原料ガスと反応して前記薄膜を形成する反応ガスを前記成膜容器に供給する反応ガス供給部と、前記成膜容器の内部にプラズマを発生させるために高周波電流を供給する高周波電源と、前記原料ガスと前記反応ガスとが交互に供給されるように、前記原料ガス供給部と前記反応ガス供給部とを制御し、かつ、前記高周波電源が高周波電流を供給するタイミングを制御する制御部と、点火プラグを備える点火室と、前記成膜容器と前記点火室との間に配置されるバルブと、を備えることを特徴とする。また、前記制御部は、前記高周波電源が高周波電流を供給する間に、前記点火プラグが点火するように、前記点火プラグが点火するタイミングを制御し、前記点火プラグが点火する期間中に前記バルブが開いた状態を維持するように、前記バルブの開閉を制御することが好ましい。また、前記成膜容器は、前記点火室と接続される点火室連絡口を備え、前記点火室連絡口は、前記基板が配置される位置よりも下流側に設けられることが好ましい。また、前記反応ガスはO2、N2、H2、H2O、N2O、NH3のいずれかであることが好ましい。また、本発明の原子層堆積方法は、基板上に薄膜を形成する原子層堆積方法であって、前記薄膜の原料である原料ガスを成膜容器に供給する原料ガス供給工程と、前記原料ガスと反応して前記薄膜を形成する反応ガスを前記成膜容器に供給する反応ガス供給工程と、前記成膜容器の内部にプラズマを発生させるために高周波電流を供給する高周波電流供給工程と、前記高周波電流が供給される間に、前記成膜容器の外部であって、前記成膜容器の空間と接続された空間に設けられた点火プラグを点火させる点火工程と、を有することを特徴とする。また、前記点火プラグが点火する間に、前記成膜容器と前記点火プラグとの間に設けられたバルブが開いた状態を維持するバルブ制御工程を有することが好ましい。また、前記反応ガスはO2、N2、H2、H2O、N2O、NH3のいずれかであることが好ましい。本発明の原子層堆積装置及び原子層堆積方法によれば、安定してプラズマを発生させることができる。<実施形態>原子層堆積装置の構成まず、図1を参照して、本実施形態の原子層堆積装置の構成を説明する。図1は、本実施形態の原子層堆積装置の一例を示す概略構成図である。本実施形態の原子層堆積装置10は、原料ガスと反応ガスとを交互に供給し、基板S上に原子層単位で薄膜を形成する。その際、反応活性を高めるため、プラズマを発生させることができる。特に、本実施形態では原料ガスとしてTMATriMethylAlminumを用い、反応ガスとして酸素ガスを用いることにより、アルミナの薄膜を形成する例について説明するが、これに限定されるものではない。本実施形態の原子層堆積装置10は、成膜容器20と、排気部40と、高周波電源50と、点火室60と、制御部70と、原料ガス供給部80と、反応ガス供給部90と、を備える。成膜容器20は、支持部22と、上側電極26と、下側電極28と、を備える。支持部22の上面には下側電極28が設けられている。ここで、下側電極28は接地されている。基板Sは、成膜容器20の下方から支持部22を貫通するリフトピン30によって支持される。リフトピン30は昇降機構32によって上下方向に昇降可能であり、リフトピン30が基板Sを支持した状態で昇降機構32がリフトピン30を下方向に移動させることにより、基板Sは下側電極28の上に載置される。また、支持部22の内部には加熱ヒータ24が設けられており、加熱ヒータ24により基板Sの温度を調整することができる。上側電極26は基板Sの上方に設けられ、高周波電源50と接続されている。高周波電源50が所定の周波数の高周波電流を供給することにより、上側電極26と下側電極28との間でプラズマが生成される。また、高周波電源50は制御部70と接続されている。高周波電源50が上側電極26に高周波電流を供給するタイミングは、制御部70により制御される。排気部40は、排気管42を介して成膜容器20内に供給された原料ガス、反応ガス、パージガスを排気する。排気部40は、例えば、ドライポンプである。排気部40が成膜容器20内を排気することにより、原料ガス、反応ガス、パージガスが成膜容器20内に供給されても、成膜容器20内の真空度は、1Pa~100Pa程度に維持される。次に、点火室60について説明する。点火室60は、成膜容器20の外部に設けられている。また、点火室60は、点火プラグ62を備える。点火プラグ62が点火されると、点火室60の内部で微小放電が生じる。また、点火プラグ62は制御部70と接続されている。点火プラグ62が点火されるタイミングは、制御部70により制御される。また、点火室60と成膜容器20との間には、エアバルブ64が設けられている。エアバルブ64が開くことにより、成膜容器20に設けられた点火室連結口66を介して点火室60と成膜容器20とが空間的に接続される。エアバルブ64は制御部70と接続されている。エアバルブ64が開閉するタイミングは、制御部70により制御される。なお、点火室連結口66は、基板Sが載置される場所よりも下流側図1の右側に設けられることが好ましい。原料ガス供給部80は、成膜容器20に設けられた原料ガス供給口82を介して、TMAなどの原料ガスを成膜容器20に供給する。原料ガス供給部80は制御部70と接続されている。原料ガス供給部80が原料ガスを供給するタイミングは、制御部70により制御される。反応ガス供給部90は、成膜容器20に設けられた反応ガス供給口92を介して、酸素などの反応ガスを成膜容器20に供給する。反応ガス供給部90は制御部70と接続されている。反応ガス供給部90が反応ガスを供給するタイミングは、制御部70により制御される。なお、N2、H2、H2O、N2O、NH3などを反応ガスとしてもよい。制御部70は、原料ガス供給部80が原料ガスを供給するタイミング、反応ガス供給部90が反応ガスを供給するタイミング、点火プラグ62が点火されるタイミング、エアバルブ64が開閉するタイミングをそれぞれ独立に制御する。なお、図示されていないが、原料ガス供給部80、反応ガス供給部90は、それぞれ、成膜容器20の内部に、N2ガスやArガスなどのパージガスを供給することができるように構成されている。以上が本実施形態の原子層堆積装置10の概略構成である。原子層堆積方法次に、図2、図3、図4を参照して、本実施形態の原子層堆積装置10を用いた原子層堆積方法について説明する。図2は、本実施形態の原子層堆積方法の一例を示すフローチャートである。また、図3は、本実施形態の原子層堆積方法の一例を示すタイミングチャートである。また、図4a~dは、基板Sの上に薄膜が形成される工程を示す図である。まず、原料ガス供給部80が、成膜容器20の内部に原料ガスを供給するステップS101。制御部70によって制御されるタイミングで、原料ガス供給部80から成膜容器20の内部に原料ガスが供給される。原料ガス供給部80は、例えば、0.1秒間、成膜容器20の内部にTMAなどの原料ガスを供給する。図4aに示されるように、ステップS101によって、成膜容器20の内部に原料ガス110が供給され、基板Sの上に原料ガス110が吸着して、吸着層102が形成される。なお、ステップS101において、エアバルブ64は閉じた状態となっている。次に、原料ガス供給部80が、成膜容器20の内部にパージガス112を供給するステップS102。原料ガス供給部80は、例えば、0.1秒間、成膜容器20の内部にパージガス112を供給する。また、排気部40が、成膜容器20の内部の原料ガス110やパージガス112を排気する。排気部40は、例えば、2秒間、成膜容器20の内部の原料ガス110やパージガス112を排気する。図4bに示されるように、ステップS102によって、成膜容器20の内部にパージガス112が供給され、基板Sの上に吸着していない原料ガス110が成膜容器20からパージされる。次に、制御部70がエアバルブ64を開く。エアバルブ64が開いた状態となることにより、点火室60と成膜容器20とが空間的に接続される。後述するステップS105において制御部70が点火プラグ62の点火を開始するよりも、例えば、0.1秒前に、エアバルブ64が開くように、制御部70はエアバルブ64を制御する。次に、反応ガス供給部90が、成膜容器20の内部に反応ガスを供給するステップS103。制御部70によって制御されるタイミングで、反応ガス供給部90から成膜容器20の内部に反応ガスが供給される。反応ガス供給部90は、例えば、1秒間、成膜容器20の内部に反応ガスを供給する。図4cに示されるように、ステップS103によって、成膜容器20の内部に反応ガス114が供給される。また、高周波電源50が上側電極26に所定の周波数の高周波電流を供給するステップS104。制御部70によって制御されるタイミングで、高周波電源50から上側電極26に高周波電流が供給される。高周波電源50は、例えば、0.2秒間、高周波電流を供給する。また、高周波電源50が上側電極26に高周波電流を供給する間に、点火プラグ62が点火されるステップS105。制御部70によって制御されるタイミングで、点火プラグ62が点火される。点火プラグ62は、例えば、0.2秒間、断続的に点火される。点火プラグ62が点火されることにより、点火室60の内部で微小放電が生じる。この際、図3のタイミングチャートに示されるように、エアバルブ64は開いた状態を維持しているため、点火室60と成膜容器20とは空間的に接続されている。そのため、点火室60の内部で生じた微小放電がトリガとなり、成膜容器20の内部の上側電極26と下側電極28との間でプラズマが発生しやすくなる。成膜容器20の内部で反応ガス114のプラズマを発生させることにより、反応ガス114が吸着層102と反応し、薄膜層104が形成される。なお、高周波電源50が高周波電流を発生させるタイミングは、反応ガス供給部90が成膜容器20の内部に反応ガス114を供給した後でもよいし、図3のタイミングチャートに示されるように、反応ガス供給部90が成膜容器20の内部に反応ガス114を供給するタイミングと同時でもよい。次に、制御部70がエアバルブ64を閉じる。エアバルブ64が閉じた状態となることにより、点火室60と成膜容器20とが空間的に遮断される。ステップS105において制御部70が点火プラグ62の点火を終了した後、例えば、0.1秒後に、エアバルブ64が閉じるように、制御部70はエアバルブ64を制御する。次に、反応ガス供給部90が、成膜容器20の内部にパージガス112を供給するステップS106。反応ガス供給部90は、例えば、0.1秒間、成膜容器20の内部にパージガス112を供給する。また、排気部40が、成膜容器20の内部の反応ガス114やパージガス112を排気する。図4dに示されるように、ステップS105によって、成膜容器20の内部にパージガス112が供給され、反応ガス114が成膜容器20からパージされる。以上説明したステップS101~S106により、基板Sの上に一原子層分の薄膜層104が形成される。以下、ステップS101~S106を所定回数繰り返すことにより、所望の膜厚の薄膜層104を形成することができる。以上説明したように、本実施形態によれば、高周波電源50が高周波電流を供給する間に、点火プラグ62が点火されることにより、安定して反応ガスのプラズマを発生させることができる。また、点火プラグ62を点火させるタイミングの前後にエアバルブ64を開き、それ以外はエアバルブ64を閉じた状態としておくことにより、点火プラグ62に薄膜が付着するのを抑制することができる。そのため、点火プラグ62の交換頻度を低減することができる。また、成膜容器20の外部の点火室60内に点火プラグ62を設け、エアバルブ64により成膜容器20と点火室60とを空間的に遮断することにより、成膜容器20を大気に開放することなく、点火プラグ62を交換することができる。そのため、原子層堆積装置10のメンテナンスが容易となる。また、基板Sが配置される位置よりも下流側に点火室連結口66を設けることにより、点火プラグ62を点火させた際にパーティクルなどが成膜容器20の内部に飛散するのを抑制することができる。以上、本発明の原子層堆積装置、及び、原子層堆積方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。また、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。