半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が接合されたサブマウントとを備えた半導体レーザ装置であって、前記サブマウントは当該半導体レーザ装置のステムの主面に設けられ、前記サブマウントは、銅の金属体と前記金属体に含有されるダイヤモンドを含む複数の粒状体とを有し、前記粒状体は、ダイヤモンド粒子と前記ダイヤモンド粒子の表面を覆う反応層とを含み、前記反応層は、4a族元素の炭化物、5a族元素の炭化物および6a族元素の炭化物の少なくとも一の炭化物を含み、前記複数の粒状体は、前記金属体に分散しており、前記複数の粒状体におけるダイヤモンド粒子の平均粒径は、60μm未満であり、前記サブマウントの熱伝導率は、室温において、550W/mK以上600W/mK以下の範囲にあり、前記半導体レーザ素子は、前記サブマウントの主面に設けられ、窒化ガリウム系半導体からなり、半極性主面を有する支持基体と前記支持基体の上に設けられ活性層を含むエピタキシャル層とを有し、前記半導体レーザ素子の発振波長は、400nm以上550nm以下の範囲にある、半導体レーザ装置。前記半導体レーザ素子と前記サブマウントとは、導電性の接着剤によって接合され、前記接着剤は、SnAgCu、SnAg、BiSnおよびInSnの何れかの合金である、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。前記エピタキシャル層の上に設けられたp側の電極が前記接着剤を介して前記サブマウントの主面に接合されている、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体レーザ装置。前記半導体レーザ素子の発振波長は、480nm以上540nm以下の範囲にあることを特徴とする請求項1~3の何れか一項に記載の半導体レーザ装置。前記半導体レーザ素子の発振波長は、510nm以上540nm以下の範囲にあることを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザ装置。前記エピタキシャル層は光ガイド層を有し、前記光ガイド層は前記活性層と接触をなしており、前記活性層と前記光ガイド層との界面は、前記窒化ガリウム系半導体のc軸と前記窒化ガリウム系半導体のm軸とによって規定されるc-m面に直交しており、前記c-m面おいて、前記c軸の方向を示すc軸ベクトルから前記m軸の方向を示すm軸ベクトルに向かう方向に、前記c軸に直交するc面から角度ALPHAの傾斜を成す、ことを特徴とする請求項1~5の何れか一項に記載の半導体レーザ装置。前記角度ALPHAは、63度以上80度未満の範囲にある、ことを特徴とする請求項6に記載の半導体レーザ装置。半導体レーザ装置の作製方法であって、六方晶系の窒化ガリウム系半導体からなる半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を搭載するためのサブマウントとを用意するステップと、前記半導体レーザ素子を、導電性の接着剤を介して前記サブマウントの主面に押し当て、前記接着剤を前記接着剤の融点に達するまで加熱するステップと、前記融点に達した後、前記接着剤を前記半導体レーザ素子と前記サブマウントと共に室温に至るまで冷却するステップと、を備え、前記サブマウントは当該半導体レーザ装置のステムの主面に設けられ、前記サブマウントは、銅の金属体と前記金属体に含有されるダイヤモンドを含む複数の粒状体とを有し、前記粒状体は、ダイヤモンド粒子と前記ダイヤモンド粒子の表面を覆う反応層とを含み、前記反応層は、4a族元素の炭化物、5a族元素の炭化物および6a族元素の炭化物の少なくとも一の炭化物を含み、前記複数の粒状体は、前記金属体に分散しており、前記複数の粒状体におけるダイヤモンド粒子の平均粒径は、60μm未満であり、前記サブマウントの熱伝導率は、室温において、550W/mK以上600W/mK以下の範囲にあり、前記半導体レーザ素子は、前記サブマウントの主面に設けられ、半極性主面を有する支持基体と、前記支持基体の上に設けられ活性層を含むエピタキシャル層とを有し、前記半導体レーザ素子の発振波長は、400nm以上550nm以下の範囲にある、半導体レーザ装置の作製方法。前記半導体レーザ素子と前記サブマウントとは、導電性の接着剤によって接合され、前記接着剤は、SnAgCu、SnAg、BiSnおよびInSnの何れかの合金である、ことを特徴とする請求項8に記載の半導体レーザ装置の作製方法。前記エピタキシャル層の上に設けられたp側の電極が前記接着剤を介して前記サブマウントの主面に接合されている、ことを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体レーザ装置の作製方法。前記半導体レーザ素子の発振波長は、480nm以上540nm以下の範囲にあることを特徴とする請求項8~10の何れか一項に記載の半導体レーザ装置の作製方法。前記半導体レーザ素子の発振波長は、510nm以上540nm以下の範囲にあることを特徴とする請求項11に記載の半導体レーザ装置の作製方法。前記エピタキシャル層は光ガイド層を有し、前記光ガイド層は前記活性層と接触をなしており、前記活性層と前記光ガイド層との界面は、前記窒化ガリウム系半導体のc軸と前記窒化ガリウム系半導体のm軸とによって規定されるc-m面に直交しており、前記c-m面おいて、前記c軸の方向を示すc軸ベクトルから前記m軸の方向を示すm軸ベクトルに向かう方向に、前記c軸に直交するc面から角度ALPHAの傾斜を成す、ことを特徴とする請求項8~12の何れか一項に記載の半導体レーザ装置の作製方法。前記角度ALPHAは、63度以上80度未満の範囲にある、ことを特徴とする請求項13に記載の半導体レーザ装置の作製方法。特許文献1のサブマウントは、LDチップとステムとの熱膨張係数の差に起因する熱応力を緩和することを目的として、炭化ケイ素SiCと窒化アルミニウムAlNとの何れか一方の材料を有する。しかし、SiCとAlNとの熱伝導率は、約200W/mKであり、例えば銅とダイヤモンドとに比較して低い。従って、赤色レーザ光を出力するLDと青色レーザ光を出力するLDとに比較して出力が大きく発熱量も多い緑色レーザ光を出力するLDを搭載するサブマウントとして、SiCとAlNとの何れか一方の材料を用いることは、LDチップに対する冷却効率という点において好ましくない。一方、銅とダイヤモンドとは、SiCとAlNとに比較して高い熱伝導率を有する。銅の熱伝導率は、約400W/mKであり、ダイヤモンドの熱伝導率は、約1000W/mKである。従って、発熱量が比較的に多い緑色レーザ光を出力するLDを搭載するサブマウントとして、銅とダイヤモンドとの何れか一方の材料を用いることは、LDチップに対する冷却効率という点においては好ましいが、LDチップの材料の窒化ガリウムGaNとの熱膨張係数の差がAlNとSiCとの場合に比較して大きいので、熱応力の緩和という点においては、好ましくない。そこで、本発明の目的は、上記の事項を鑑みてなされたものであり、熱応力の緩和と冷却効率とが向上された半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置の作製方法とを提供することである。本発明は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が接合されたサブマウントとを備えた半導体レーザ装置であって、前記サブマウントは当該半導体レーザ装置のステムの主面に設けられ、前記サブマウントは、銅の金属体と前記金属体に含有されるダイヤモンドを含む複数の粒状体とを有し、前記粒状体は、ダイヤモンド粒子と前記ダイヤモンド粒子の表面を覆う反応層とを含み、前記反応層は、4a族元素の炭化物、5a族元素の炭化物および6a族元素の炭化物の少なくとも一の炭化物を含み、前記複数の粒状体は、前記金属体に分散しており、前記複数の粒状体におけるダイヤモンド粒子の平均粒径は、10μm以上60μm未満であり、前記サブマウントの熱伝導率は、室温において、550W/mK以上600W/mK以下の範囲にあり、前記半導体レーザ素子は、前記サブマウントの主面に設けられ、六方晶系の窒化ガリウム系半導体からなり、半極性主面を有する支持基体と前記支持基体の上に設けられ活性層を含むエピタキシャル層とを有し、前記半導体レーザ素子の発振波長は、400nm以上550nm以下の範囲にある。本発明に係るサブマウントの熱伝導率は、室温において、550W/mK以上600W/mK以下の範囲にあるので、例えば、AlNなどの材料のサブマウントに比較して、十分に高い熱伝導率が実現できる。よって、本発明に係るサブマウントは、赤色レーザ光を出力するレーザ素子と青色レーザ光を出力するレーザ素子とに比較して発熱量の多い緑色レーザを出力する本発明に係る半導体レーザ素子を搭載する場合に適している。また、例えば20-21面などの半極性面の窒化ガリウム系半導体は、c面の窒化ガリウム系半導体とは異なり、異方性の熱膨張係数を有する。半導体レーザ素子と半導体レーザ素子を搭載するサブマウントとの熱膨張係数に比較的に大きな差がある場合、熱膨張係数の差に起因する熱応力によって、半導体レーザ素子の寿命が低減する。本発明に係る半導体レーザ素子は、半極性主面の窒化ガリウム系半導体からなり異方性の熱膨張係数を有するので、半導体レーザ素子の接合面サブマウントとの接合面の横方向の熱膨張係数と縦方向の熱膨張係数とによって規定される熱膨張係数の範囲に、サブマウントの熱膨張係数が重なる必要がある。銅とダイヤモンドとの複合材料は、550W/mK以上600W/mKの範囲の熱伝導率を有する場合に、半極性主面の窒化ガリウム系半導体の縦方向および横方向によって規定される熱膨張係数の範囲に重なる。従って、本発明に係る半導体レーザ素子を搭載する場合、サブマウントに用いる銅とダイヤモンドとの複合材料は、550W/mK以上600W/mKの範囲の熱伝導率を有する材料が適している。これ故に、半導体レーザ素子とサブマウントとの熱膨張係数の差が低減される。本発明では、前記半導体レーザ素子と前記サブマウントとは、導電性の接着剤によって接合され、前記接着剤は、SnAgCu、SnAg、BiSnおよびInSnの何れかの合金である、ことを特徴とする。従って、例えば、AuSnなどに比較して、低融点の接着剤が用いられているので、半導体レーザ素子とサブマウントとの接合は、AuSnなどを用いた場合に比較して低温でなされたものとなり、よって、半導体レーザ素子とサブマウントとの熱膨張係数の差に起因する熱応力の影響が低減されている。本発明では、前記エピタキシャル層の上に設けられたp側の電極が前記接着剤を介して前記サブマウントの主面に接合されている、ことを特徴とする。半導体レーザの発熱はほとんどp側で生じ、p側をサブマウントに接合することで基板を介さず直接サブマウントに放熱できる。よって、半導体レーザ素子の発する熱をサブマウント側に効果的に開放できる。本発明では、前記半導体レーザ素子の発振波長は、480nm以上540nm以下の範囲でも良く、さらに、510nm以上540nm以下の範囲でも良い。緑色領域の発光では青色と比較して外部量子効率が低く、所望の発光強度を得るために比較的大きな投入電力を必要とする。よって、本発明に係る放熱性の高いことを特徴とする半導体レーザ装置は、緑色レーザ光を出力するレーザ素子に適している。本発明では、前記エピタキシャル層は光ガイド層を有し、前記光ガイド層は前記活性層と接触をなしており、前記活性層と前記光ガイド層との界面は、前記窒化ガリウム系半導体のc軸と前記窒化ガリウム系半導体のm軸とによって規定されるc-m面に直交しており、前記c-m面おいて、前記c軸の方向を示すc軸ベクトルから前記m軸の方向を示すm軸ベクトルに向かう方向に、前記c軸に直交するc面から角度ALPHAの傾斜を成す、ことを特徴とする。よって、本発明に係る半導体レーザ素子は、緑色レーザの出力に適した半極性面が利用されている。本発明では、前記角度ALPHAは、63度以上80度未満の範囲にある、ことを特徴とする。よって、本発明に係る半導体レーザ素子は、緑色レーザの出力に適したオフ角の半極性面が利用されている。本発明は、半導体レーザ装置の作製方法であって、六方晶系の窒化ガリウム系半導体からなる半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を搭載するためのサブマウントとを用意するステップと、前記半導体レーザ素子を、導電性の接着剤を介して前記サブマウントの主面に押し当て、前記接着剤を前記接着剤の融点に達するまで加熱するステップと、前記融点に達した後、前記接着剤を前記半導体レーザ素子と前記サブマウントと共に室温に至るまで冷却するステップと、を備え、前記サブマウントは当該半導体レーザ装置のステムの主面に設けられ、前記サブマウントは、銅の金属体と前記金属体に含有されるダイヤモンドを含む複数の粒状体とを有し、前記粒状体は、ダイヤモンド粒子と前記ダイヤモンド粒子の表面を覆う反応層とを含み、前記反応層は、4a族元素の炭化物、5a族元素の炭化物および6a族元素の炭化物の少なくとも一の炭化物を含み、前記複数の粒状体は、前記金属体に分散しており、前記複数の粒状体におけるダイヤモンド粒子の平均粒径は、10μm以上60μm未満であり、前記サブマウントの熱伝導率は、室温において、550W/mK以上600W/mK以下の範囲にあり、前記半導体レーザ素子は、前記サブマウントの主面に設けられ、半極性主面を有する支持基体と、前記支持基体の上に設けられ活性層を含むエピタキシャル層とを有し、前記半導体レーザ素子の発振波長は、400nm以上550nm以下の範囲にある。本発明に係るサブマウントの熱伝導率は、室温において、550W/mK以上600W/mK以下の範囲にあるので、例えば、AlNなどの材料のサブマウントに比較して、十分に高い熱伝導率が実現できる。よって、本発明に係るサブマウントは、赤色レーザ光を出力するレーザ素子と青色レーザ光を出力するレーザ素子とに比較して発熱量の多い緑色レーザを出力する本発明に係る半導体レーザ素子を搭載する場合に適している。また、例えば20-21面などの半極性面の窒化ガリウム系半導体は、c面の窒化ガリウム系半導体とは異なり、異方性の熱膨張係数を有する。半導体レーザ素子と半導体レーザ素子を搭載するサブマウントとの熱膨張係数に比較的に大きな差がある場合、熱膨張係数の差に起因する熱応力によって、半導体レーザ素子の寿命が低減する。本発明に係る半導体レーザ素子は、半極性主面の窒化ガリウム系半導体からなり異方性の熱膨張係数を有するので、半導体レーザ素子の接合面サブマウントとの接合面の横方向の熱膨張係数と縦方向の熱膨張係数とによって規定される熱膨張係数の範囲に、サブマウントの熱膨張係数が重なる必要がある。銅とダイヤモンドとの複合材料は、550W/mK以上600W/mKの範囲の熱伝導率を有する場合に、半極性主面の窒化ガリウム系半導体の縦方向および横方向によって規定される熱膨張係数の範囲に重なる。従って、本発明に係る半導体レーザ素子を搭載する場合、サブマウントに用いる銅とダイヤモンドとの複合材料は、550W/mK以上600W/mKの範囲の熱伝導率を有する材料が適している。これ故に、半導体レーザ素子とサブマウントとの熱膨張係数の差が低減される。本発明では、前記半導体レーザ素子と前記サブマウントとは、導電性の接着剤によって接合され、前記接着剤は、SnAgCu、SnAg、BiSnおよびInSnの何れかの合金である、ことを特徴とする。従って、例えば、AuSnなどに比較して、低融点の接着剤が用いられているので、半導体レーザ素子とサブマウントとの接合は、AuSnなどを用いた場合に比較して低温でなされたものとなり、よって、半導体レーザ素子とサブマウントとの熱膨張係数の差に起因する熱応力の影響が低減されている。本発明では、前記エピタキシャル層の上に設けられたp側の電極が前記接着剤を介して前記サブマウントの主面に接合されている、ことを特徴とする。半導体レーザの発熱はほとんどp側で生じ、p側をサブマウントに接合することで基板を介さず直接サブマウントに放熱できる。よって、半導体レーザ素子の発する熱をサブマウント側に効果的に開放できる。本発明では、前記半導体レーザ素子の発振波長は、480nm以上540nm以下の範囲でも良く、さらに、510nm以上540nm以下の範囲でも良い。緑色領域の発光では青色と比較して外部量子効率が低く、所望の発光強度を得るために比較的大きな投入電力を必要とする。よって、本発明に係る放熱性の高いことを特徴とする半導体レーザ装置は、緑色レーザ光を出力するレーザ素子に適している。本発明では、前記エピタキシャル層は光ガイド層を有し、前記光ガイド層は前記活性層と接触をなしており、前記活性層と前記光ガイド層との界面は、前記窒化ガリウム系半導体のc軸と前記窒化ガリウム系半導体のm軸とによって規定されるc-m面に直交しており、前記c-m面おいて、前記c軸の方向を示すc軸ベクトルから前記m軸の方向を示すm軸ベクトルに向かう方向に、前記c軸に直交するc面から角度ALPHAの傾斜を成す、ことを特徴とする。よって、本発明に係る半導体レーザ素子は、緑色レーザの出力に適した半極性面が利用されている。本発明では、前記角度ALPHAは、63度以上80度未満の範囲にある、ことを特徴とする。よって、本発明に係る半導体レーザ素子は、緑色レーザの出力に適したオフ角の半極性面が利用されている。本発明によれば、熱応力の緩和と冷却効率とが向上された半導体レーザ装置を提供できる。以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、実施形態に係る半導体レーザ装置1を示す図である。半導体レーザ装置1は、ステム3、リード端子4a、リード端子4b、リード端子4c、ヒートシンク5、サブマウント7および半導体レーザ素子9を備える。リード端子4a、リード端子4bおよびリード端子4cは、ステム3に設けられている。ヒートシンク5、サブマウント7及び半導体レーザ素子9は、ステム3の主面3aの上に設けられている。リード端子4a、リード端子4bおよびリード端子4cは、ステム3の主面3aから、ステム3の裏面に貫通している。リード端子4aの端部4a1は、主面3aの上に露出している。端部4a1は、ワイヤWaの一端に接続されており、ワイヤWaの他端は、半導体レーザ素子9のn側の電極41図3を参照に接続されている。リード端子4aは、端部4a1とワイヤWaとを介して半導体レーザ素子9のn側の電極41と電気的に接続されている。リード端子4bの端部4b1は、主面3aの上に露出している。端部4b1は、ワイヤWbの一端に接続されており、ワイヤWbの他端は、サブマウント7に接続されている。リード端子4aとリード端子4bとは、ステム3と電気的に絶縁されている。リード端子4cは、ヒートシンク5と電気的に接続されている。ヒートシンク5は、主面3aに設けられており、主面3aを介してステム3に固定されている。サブマウント7は、表面5aに固定されている。サブマウント7は、表面5aと電気的に接続されており、表面5aを介してリード端子4cと電気的に接続されている。半導体レーザ素子9は、六方晶系の窒化ガリウム系半導体からなる。半導体レーザ素子9は、半極性主面17aを有する支持基体17と支持基体17の上に設けられ活性層25を含むエピタキシャル層19とを有する図3を参照。半導体レーザ素子9は、サブマウント7に固定されている。半導体レーザ素子9は、サブマウント7の主面7aに設けられている。半導体レーザ素子9のp側の電極15図3を参照は、導電性接着剤を介してサブマウント7に接合しており、サブマウント7と電気的に接続している。導電性接着剤を図中符号Sdに示す。エピタキシャル層19の上に設けられたp側の電極15が導電性接着剤を介してサブマウント7の主面7aに接合されている半導体レーザ素子9のp側の電極15は、サブマウント7とワイヤWbとを介して、リード端子4bと電気的に接続している。半導体レーザ素子9のp側の電極15は、半導体レーザ素子9のエピタキシャル層19に設けられている。導電性接着剤は、例えば摂氏340度程度のAuSnと比較して低融点の合金である。導電性接着剤は、例えば、摂氏230度以下の融点を有するSnAgCu、SnAg、BiSnおよびInSnの何れかである。図2は、サブマウント7の構成を説明するための図である。サブマウント7は、銅の金属体71と、金属体71に含有されダイヤモンドを含む複数の粒状体72とを有する。粒状体72は、ダイヤモンド粒子72aとダイヤモンド粒子72aの表面を覆う反応層72bとを含む。反応層72bは、4a族元素の炭化物、5a族元素の炭化物および6a族元素の炭化物の少なくとも一の炭化物を含む。複数の粒状体72は、金属体71に分散している。複数の粒状体72におけるダイヤモンド粒子72aの平均粒径は、10μm以上60μm未満である。サブマウント7の熱伝導率は、室温において、550W/mK以上600W/mK以下の範囲にある。図3に、半導体レーザ素子9の構成の一例を示す。半導体レーザ素子9は、六方晶系の窒化ガリウム系半導体からなる。半導体レーザ素子9は、利得ガイド型の構造を有するが、利得ガイド型の構造に限定されるものではない。半導体レーザ素子9は、p側の電極15、支持基体17、エピタキシャル層19、絶縁膜31およびp側の電極15を備える。支持基体17は、六方晶系の窒化ガリウム系半導体からなる。支持基体17は、半極性主面17aと裏面17bとを有する。裏面17bは、半極性主面17aの反対側にある。支持基体17は、例えば、50μm以上100μm以下の厚さを有する。支持基体17の材料は、GaN、AlGaN、InGaNおよびInAlGaNの何れかを含む。半極性主面17aは、支持基体17の窒化ガリウム系半導体のc軸と支持基体17の窒化ガリウム系半導体のm軸とによって規定されるc-m面において、c軸の方向を示すc軸ベクトルVCからm軸の方向を示すm軸ベクトルVMに向かう方向に、c軸に直交するc面から角度ALPHAの傾斜を成す。角度ALPHAは、63度以上80度未満の範囲内にある。半極性主面17aは、例えば、{20-21}面でも良い。半導体レーザ素子9のレーザ共振器の二つの端面は、c-m面に交差し、共振器ミラーを構成する。このレーザ共振器の二つの端面は、c面、m面又はa面といった、これまでのへき開面とは異なる。このレーザ共振器の共振器長は、例えば、500μm程度である。半導体レーザ素子9によれば、レーザ共振器を構成する二つの端面がc-m面に交差する。よって、c-m面と半極性主面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。従って、半導体レーザ素子9は、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有することになる。エピタキシャル層19は、六方晶系の窒化ガリウム系半導体からなる。エピタキシャル層19は、支持基体17の半極性主面17aの上に設けられている。エピタキシャル層19は、エピタキシャル成長によって半極性主面17aに形成された半導体層である。エピタキシャル層19は、支持基体17半極性主面17aに格子整合している。エピタキシャル層19は、半導体層20、n側クラッド層21、n側光ガイド層35、活性層25、p側光ガイド層37、電子ブロック層39、p側光ガイド層38、p側クラッド層23およびコンタクト層33を含む。半導体層20、n側クラッド層21、n側光ガイド層35、活性層25、p側光ガイド層37、電子ブロック層39、p側光ガイド層38、p側クラッド層23およびコンタクト層33は、半極性主面17aの上に順に設けられている。半導体層20は、半極性主面17aに接している。半導体層20は、n型の窒化ガリウム系半導体からなる。半導体層20の材料は、例えばn型のGaNなどである。n側クラッド層21は、半導体層20に接している。n側クラッド層21は、n型の窒化ガリウム系半導体からなる。n側クラッド層21の材料は、例えばn型のAlGaNおよびn型のInAlGaNなどである。n側光ガイド層35は、n側クラッド層21に接している。n側光ガイド層35は、例えば、n型のGaNなどの材料を有する層と、アンドープのInGaNなどの材料を有する層とを含むことができる。活性層25は、n側光ガイド層35とp側光ガイド層37との間に設けられている。活性層25は、n側光ガイド層35とp側光ガイド層37とに接している。界面25aは、活性層25とn側光ガイド層35とが接している部分であり、界面25bは、活性層25とp側光ガイド層37とが接している部分である。界面25aと界面25bとは、c-m面に直交している。界面25aは、c-m面において、c軸ベクトルVCからm軸ベクトルVMに向かう方向に、c面から角度ALPHAの傾斜を成す。界面25bは、c-m面において、c軸ベクトルVCからm軸ベクトルVMに向かう方向に、c面から角度ALPHAの傾斜を成す。角度ALPHAは、63度以上80度未満の範囲内にある。活性層25は窒化ガリウム系半導体層を含み、この窒化ガリウム系半導体層は例えば井戸層である。活性層25は、窒化ガリウム系半導体からなる障壁層を含む。井戸層および障壁層は、交互に配列されている。井戸層の材料は、例えば、InGaNなどである。障壁層の材料は、例えば、GaNおよびInGaNなどである。活性層25は、量子井戸構造を有する。活性層25の量子井戸構造は、波長400nm以上550nm以下の範囲の光を発生する構造でも良い。活性層25の量子井戸構造は、さらに、波長480nm以上540nm以下の範囲の光を発生する構造でも良い。活性層25の量子井戸構造は、さらに、波長510nm以上540nm以下の範囲の光を発生する構造でも良い。活性層25は、半極性面の利用により、波長400nm以上550nm以下の光の発生に好適である。p側光ガイド層37は、活性層25に接している。p側光ガイド層37は、アンドープの窒化ガリウム系半導体からなる。p側光ガイド層37の材料は、例えば、GaNおよびInGaNなどである。電子ブロック層39は、p側光ガイド層37に接している。電子ブロック層39は、p型の窒化ガリウム系半導体からなる。電子ブロック層39の材料は、例えば、p型のAlGaNなどである。p側光ガイド層38は、電子ブロック層39に接している。p側光ガイド層38は、p型の窒化ガリウム系半導体からなる。p側光ガイド層38の材料は、例えば、p型のGaNおよびp型のInGaNなどである。p側クラッド層23は、p側光ガイド層38に接している。p側クラッド層23は、p型の窒化ガリウム系半導体からなる。p側クラッド層23の材料は、例えば、p型のAlGaNおよびp型のInAlGaNなどである。コンタクト層33は、p側クラッド層23に接している。コンタクト層33は、p型の窒化ガリウム半導体からなる。コンタクト層33の材料は、例えば、p型のGaNなどである。半導体層20、n側クラッド層21、n側光ガイド層35、活性層25、p側光ガイド層37、電子ブロック層39、p側光ガイド層38、p側クラッド層23およびコンタクト層33は、半極性主面17aの法線ベクトルNVに沿って順に配列されている。絶縁膜31とp側の電極15とは、エピタキシャル層19のp側の表面19aコンタクト層33の表面に設けられている。絶縁膜31とp側の電極15とは、コンタクト層33に接している。絶縁膜31は、エピタキシャル層19のp側の表面19aを覆っており、エピタキシャル層19は絶縁膜31と支持基体17との間に位置する。絶縁膜31は開口31aを有し、開口31aはエピタキシャル層19のp側の表面19aとc-m面との交差線の方向に延在し、例えばストライプ形状を成す。p側の電極15は、開口31aを介してエピタキシャル層19のp側の表面19aに接触を成しておりコンタクト層33に接している、エピタキシャル層19のp側の表面19aとc-m面との交差線の方向に延在する。n側の電極41は、支持基体17の裏面17bに設けられており、裏面17bを覆っている。絶縁膜31の材料は、例えば、SiO2などである。p側の電極15の材料は、例えば、Ni/Auである。n側の電極41の材料は、例えば、Ti/Al/Ti/Auである。半導体レーザ素子9は、パッド電極を有する。このパッド電極は、p側の電極15に接続されている。このパッド電極の材料は、例えば、Ti/Alである。図4を参照して、実施形態に係る半導体レーザ装置1の作製方法を説明する。ステップSp1図1に示すステム3、リード端子4a、リード端子4b、リード端子4cおよびヒートシンク5と、半導体レーザ素子9を搭載するためのサブマウント7と、半導体レーザ素子9とを用意する。リード端子4a、リード端子4b、リード端子4c、ヒートシンク5およびサブマウント7はステム3に固定されている。ヒートシンク5は、主面3aに固定され、サブマウント7は、ヒートシンク5の表面5aを介してヒートシンク5に固定されている。サブマウント7の表面のうち、半導体レーザ素子9と接合される主面7aには、予め、導電性接着剤が設けられている。なお、導電性接着剤は、半導体レーザ素子9のp側の表面に、p側の電極15を覆うように、予め設けられていてもよい。導電性接着剤は、例えば摂氏340度程度のAuSnと比較して低融点の合金である。導電性接着剤は、例えば、摂氏230度以下の融点を有するSnAgCu、SnAg、BiSnおよびInSnの何れかである。ステップSp2半導体レーザ素子9のp側の電極15を、導電性接着剤が設けられたサブマウント7の主面7aに押し当て、導電性接着剤の融点に達するまで、導電性接着剤を加熱する。ステップSp3導電性接着剤が溶融した後導電性接着剤の融点に到達した後に、導電性接着剤を、半導体レーザ素子9とサブマウント7と共に室温に至るまで冷却し、導電性接着剤を固化し、半導体レーザ素子9をサブマウント7に接合する。以上説明した半導体レーザ装置1は、半導体レーザ素子9と、半導体レーザ素子9が搭載されるサブマウント7とを備える。半導体レーザ素子9は、六方晶系の窒化ガリウム系半導体からなり、半極性面が利用されている。半導体レーザ素子9の発振波長は、400nm以上550nm以下の範囲でも良く、さらに、480nm以上540nm以下の範囲でも良く、さらに、510nm以上540nm以下の範囲でも良い。サブマウント7は、ダイヤモンドと銅との複合材料である。サブマウント7の熱伝導率は、室温において、550W/mK以上600W/mK以下の範囲にある。半導体レーザ素子9のように、発振波長が400nm以上550nm以下の範囲にある緑色レーザを出力するレーザ素子は、例えば、赤色レーザ光を出力するレーザ素子および青色レーザ光を出力するレーザ素子に比較して、動作電圧が高く外部量子効率も低いので動作時の発熱量が多い。具体的には、小型プロジェクターに使用する100mW出力の場合、青色レーザ光を出力するレーザ素子は、約120mAの電流と約5Vの電圧とが必要であり、緑色レーザ光を出力するレーザ素子は、約300mAの電流と約8Vの電圧とが必要であり、よって、投入電力に約4倍の差がある。このような発熱量の比較的に多い半導体レーザ素子9のサブマウントとしては、熱伝導率の比較的に高い例えば、AlNに比較して高い銅やダイヤモンドの材料のサブマウントを用いることが好ましい。しかし、銅の単体を材料に有するサブマウント、および、ダイヤモンドの単体を材料に有するサブマウントは、何れも、これらのサブマウントの線形膨張率と、半極性主面の窒化ガリウム系半導体の半導体レーザ素子9の線形膨張率との差は銅ダイヤ複合材料と比較して大きい。熱膨張率の差が小さいほど寿命が長くなるため、このような問題から、半導体レーザ素子9のサブマウントとして用いるには銅ダイヤ複合材料の方が望ましい。これに対し、サブマウント7は、銅とダイヤモンドとの複合材料を有するので、銅およびダイヤモンドそれぞれの熱伝導率に近い熱伝導率を有する。具体的には、サブマウント7の熱伝導率は、室温において、550W/mK以上600W/mK以下の範囲にある。このように、サブマウント7の熱伝導率は、室温において、550W/mK以上600W/mK以下の範囲にあるので、例えば、AlNなどの材料のサブマウントに比較して、熱抵抗を十分に低くすることができる。よって、サブマウント7は、赤色レーザ光を出力するレーザ素子と青色レーザ光を出力するレーザ素子とに比較して発熱量の多い半導体レーザ素子9を搭載する場合に適している。また、例えば20-21面などの半極性面の窒化ガリウム系半導体は、c面の窒化ガリウム系半導体とは異なり、異方性の熱膨張係数を有する。半導体レーザ素子と半導体レーザ素子を搭載するサブマウントとの熱膨張係数に比較的に大きな差がある場合、熱膨張係数の差に起因する熱応力によって、半導体レーザ素子の寿命が低減する。図5に、半導体レーザ素子とサブマウントとの熱膨張係数の差と、サブマウントに搭載される半導体レーザ素子についてのMTTFmeantimetofailureとの相関を示す。図5に示すように、熱膨張係数の差が大きいほど、半導体レーザ素子の寿命は短い。これ故に、半導体レーザ素子9を搭載するサブマウントの熱膨張係数の範囲に制限が生じる。半極性主面の窒化ガリウム系半導体の半導体レーザ素子9は、異方性の熱膨張係数を有するので、半導体レーザ素子9の接合面サブマウント7との接合面の横方向の熱膨張係数と縦方向の熱膨張係数とによって規定される熱膨張係数の範囲に、サブマウントの熱膨張係数が重なる必要がある。図6に示すように、銅とダイヤモンドとの複合材料は、550W/mK以上600W/mKの範囲の熱伝導率を有する場合に、半極性主面の窒化ガリウム系半導体の縦方向および横方向特に、GaNのオフ方向とa軸方向によって規定される熱膨張係数の範囲に重なる。従って、サブマウント7に用いる銅とダイヤモンドとの複合材料は、550W/mK以上600W/mKの範囲の熱伝導率を有する材料が適している。これ故に、半導体レーザ素子9とサブマウント7との熱膨張係数の差が低減される。なお、図6には、GaNの熱膨張係数が示されているが、GaNに限らず、他の窒化ガリウム系半導体も同様の熱膨張係数を有する。図6に示す図中符号G1は、銅とダイヤモンドとの複合材料の熱膨張係数と、銅とダイヤモンドとの複合材料の熱伝導率との相関を示す図である。また、図7に示すように、半導体レーザ素子9は、AlNの材料のサブマウントと比較して、熱抵抗投入電力に対するジャンクション温度の上昇幅を示す値を、半導体レーザ素子のn側をサブマウントに接合させる実装の場合に摂氏3度/W低下でき、半導体レーザ素子のp側をサブマウントに接合させる実装の場合に摂氏5度/W低下させることができる。熱抵抗は、投入電力に対するジャンクション温度上昇幅を示す値である。ジャンクション温度とは、導波路のPN接合の温度である。摂氏30度/Wの場合、1Wあたり摂氏30度上昇します。図7に示すグラフの熱抵抗は、共振器長600μm、幅400μm、厚み80μmのLDレーザダイオードを、厚み100μmまたは300μm、幅800μm、長さ1000μmのサブマウントに実装し、5.6mmφのLDキャンに実装した場合、サブマウントの熱伝導率と厚みを変えると熱抵抗がどう変化するかを示したものである。サブマウントの熱伝導率がヒートシンクより低い場合、サブマウントが薄いほど熱抵抗は低くなる。また、半導体レーザ素子9とサブマウント7とは、導電性接着剤によって接合されている。導電性接着剤は、例えば摂氏340度程度のAuSnと比較して低融点の合金である。導電性接着剤は、例えば、摂氏230度以下の融点を有するSnAgCu、SnAg、BiSnおよびInSnの何れかである。導電性接着剤を用いて半導体レーザ素子をサブマウントに接着する場合、導電性接着剤が溶ける導電性接着剤の融点に至るまで導電性接着剤を加熱し、接着後に冷却するので、半導体レーザ素子とサブマウントとの熱膨張係数の差に起因する応力が、冷却後に、温度変化に伴って半導体レーザ素子とサブマウントとの間に生じる。この応力が半導体レーザ素子の寿命の低下を招く一因である。導電性接着剤の融点が高いほど、すなわち、接着時の温度が高いほど、熱膨張率の差が大きくなる。これに対し、半導体レーザ装置1に用いられる導電性接着剤は、一般的に使用される摂氏340度の程度の融点のAuSnではなく、この融点よりも十分に低い230度以下の融点のSnAgCu、SnAg、BiSnおよびInSnの何れかが用いられる。このように、例えば、AuSnなどに比較して、低融点の接着剤が用いられているので、半導体レーザ素子9とサブマウント7との接合は、AuSnなどを用いた場合に比較して低温でなされたものとなり、よって、半導体レーザ素子9とサブマウント7との熱膨張係数の差に起因する熱応力の影響が低減されている。また、エピタキシャル層19の上に設けられたp側の電極15が導電性接着剤を介してサブマウント7の主面7aに接合される。半導体レーザ素子9の発熱はほとんどp側で生じ、p側をサブマウント7に接合することで支持基体17を介さず直接にサブマウント7に放熱できる。よって、半導体レーザ素子9の発する熱をサブマウント7側に効果的に開放できる。また、半導体レーザ素子9の発振波長は、480nm以上540nm以下の範囲でも良く、さらに、510nm以上540nm以下の範囲でも良い。緑色領域の発光では青色と比較して外部量子効率が低く、所望の発光強度を得るために比較的大きな投入電力を必要とする。よって、本実施形態に係る放熱性の高いことを特徴とする半導体レーザ装置1は、緑色レーザ光を出力する半導体レーザ素子9に適している。また、エピタキシャル層19はn側光ガイド層35とp側光ガイド層37とを有し、n側光ガイド層35とp側光ガイド層37とは、何れも、活性層25と接触をなしており、活性層25とn側光ガイド層35との界面、および、活性層25とp側光ガイド層37との界面は、何れも、c-m面に直交しており、c-m面おいて、c軸ベクトルVCからm軸ベクトルVMに向かう方向に、c面から角度ALPHAの傾斜を成す。角度ALPHAは、63度以上80度未満の範囲にある。よって、半導体レーザ素子9は、緑色レーザの出力に適した半極性面が利用されており、特に、角度ALPHAは、63度以上80度未満の範囲にあるので、半導体レーザ素子9は、緑色レーザの出力に適したオフ角の半極性面が利用されている。以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。