"結晶の構造相転移を有する単結晶材料を研磨する結晶材料の研磨方法であって、前記単結晶材料を用いて作製した素子の使用温度領域が前記単結晶材料の相転移温度より高く、前記素子を作製する温度領域が前記単結晶材料の相転移温度より低い場合に、前記使用温度領域において前記単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態で、前記単結晶材料の表面の研磨を行うことを特徴とする結晶材料の研磨方法。前記単結晶材料を固定する治具と前記単結晶材料を研磨する研磨盤を固定する治具の少なくとも一方の温度を調整し、前記単結晶材料を前記使用温度領域に設定し、前記単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態を維持することを特徴とする請求項1に記載の研磨方法。前記単結晶材料は、ペロブスカイト型結晶構造を有することを特徴とする請求項1または2に記載の研磨方法。前記単結晶材料が発現する結晶構造は、立方晶であることを特徴とする請求項3に記載の研磨方法。前記単結晶材料は、タンタル酸ニオブ酸カリウムを主成分とする結晶材料であることを特徴とする請求項3または4に記載の研磨方法。結晶の構造相転移を有する単結晶材料を研磨するための研磨装置であって、前記単結晶材料を固定する治具と前記単結晶材料を研磨する研磨盤を固定する治具の少なくとも一方の温度を調整する温度調整手段を備え、前記単結晶材料を用いて作製した素子の使用温度領域が前記単結晶材料の相転移温度より高く、前記素子を作製する温度領域が前記単結晶材料の相転移温度より低い場合に、前記温度調整手段は、少なくとも一方の治具の温度を前記使用温度領域に調整し、前記使用温度領域において前記単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態を維持することを特徴とする研磨装置。前記研磨盤と前記研磨盤を固定する治具との間に、前記研磨盤より熱膨張係数の小さい基体を配置することを特徴とする請求項6に記載の研磨装置。一方、単結晶材料を用いて光部品を作製するためには、単結晶材料から所望の大きさのバルクまたは基板を切り出し、表面を研磨することが行われている。ここで、光信号の入出力を行う面、基板上に形成される光導波路の端面等は、表面の平滑度が光部品、光機能部品の特性を左右するので、所望の平滑精度以下で、研磨する必要がある。しかしながら、室温付近で行われる研磨工程において所望の平滑精度を有していても、光部品の使用状態において、温度制御を行うと、結晶の構造相転移が原因で、表面に凹凸ができてしまうという問題があった。本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、単結晶材料の使用状態においても、所望の平滑精度を有することができる結晶材料の研磨方法及び研磨装置を提供することにある。本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、結晶の構造相転移を有する単結晶材料を研磨する結晶材料の研磨方法であって、前記単結晶材料を用いて作製した素子の使用温度領域が前記単結晶材料の相転移温度より高く、前記素子を作製する温度領域が前記単結晶材料の相転移温度より低い場合に、前記使用温度領域において前記単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態で、前記単結晶材料の表面の研磨を行うことを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の研磨方法において、前記単結晶材料を固定する治具と前記単結晶材料を研磨する研磨盤を固定する治具の少なくとも一方の温度を調整し、前記単結晶材料を前記使用温度領域に設定し、前記単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態を維持することを特徴とする。前記単結晶材料は、ペロブスカイト型結晶構造を有し、前記単結晶材料が発現する結晶構造は、立方晶であることが望ましい。前記単結晶材料は、タンタル酸ニオブ酸カリウムを主成分とする結晶材料が好適である。請求項6に記載の発明は、結晶の構造相転移を有する単結晶材料を研磨するための研磨装置であって、前記単結晶材料を固定する治具と前記単結晶材料を研磨する研磨盤を固定する治具の少なくとも一方の温度を調整する温度調整手段を備え、前記単結晶材料を用いて作製した素子の使用温度領域が前記単結晶材料の相転移温度より高く、前記素子を作製する温度領域が前記単結晶材料の相転移温度より低い場合に、前記温度調整手段は、少なくとも一方の治具の温度を前記使用温度領域に調整し、前記使用温度領域において前記単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態を維持することを特徴とする。請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の研磨装置において、前記研磨盤と前記研磨盤を固定する治具との間に、前記研磨盤より熱膨張係数の小さい基体を配置することを特徴とする。以上説明したように、本発明によれば、単結晶材料を用いて作製した素子の使用温度領域において、単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態で研磨するので、単結晶材料の使用状態においても、所望の平滑精度を有することが可能となる。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。以下、KTNについて説明するが、結晶の構造相転移を有する単結晶材料であれば、いずれにも適用できることは明らかである。図2に、正方晶相のKTN結晶の単位胞を示す。上述したように、KTNは、相転移温度以下では正方晶相である。正方晶相のKTN結晶は、図1に示した立方晶相のKTN結晶と比較すると、c軸方向の格子定数がa軸方向の格子定数よりも大きい。同時に、KTNは、強誘電体となりc軸方向を向いた自発分極を有している。KTN結晶の内部は、ドメインという複数の領域に分かれている。各々のドメインの内部では、自発分極の向きは揃っているが、隣り合うドメインでは、自発分極の向きが異なっている。図3aに示すように、ドメイン壁と呼ばれるドメインの境界を境にして、2つの隣り合うドメインは、自発分極の向き、すなわちc軸の向きが、互いに90度の角度を成していることが多い。しかし、図3bに示すように、ドメイン壁で、格子の整合が取れなければならないため、この角度は、厳密には90度から少しずれている。なお、図3bでは、理解の便宜のため、角度のずれを強調して記載してある。図4aに、KTNが正方晶相にある状態で研磨加工を行った状態を示す。研磨加工後に、温度制御を行うと、結晶の構造相転移によって単結晶材料が変形してしまう。すなわち、図4bに示すように、研磨表面に凹凸ができ、所望の平滑精度を保つことができない。これは、結晶の構造相転移が原因で、c軸方向の格子定数は小さくなり、a軸方向の格子定数は大きくなるので、表面に凹凸ができると考えられる。従って、KTN結晶を使用するときの結晶構造と、研磨するときの結晶構造とを同じにすれば、結晶の構造相転移による表面の凹凸は抑えられる。具体的には、室温付近では正方晶相であるKTN結晶を、相転移温度以上に加熱して立方晶相とし、研磨することにより、KTN結晶の使用状態において、所望の平滑精度以下となるようにする。ここで、所望の平滑精度は、光部品で一般的に用いられているHe-Neレーザ波長の1/2以下、λ/2と記すを基準とする。具体的な数値は、レーザ波長632.8nmの半分の316.4nmである。また、高精度を要求される光部品では、λ/10である63.3nmを基準とする場合もある。以下の実施例は、一例であり、発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の改良を行いうることは言うまでもない。実施例1では、KTNの相転移温度を25°C付近に設定このとき、Nbの含有量x=0.39しておき、光部品の使用の際には、KTNを30°C付近に昇温し立方晶相で使用する場合を例に説明する。このとき、KTN結晶の研磨も35°C付近以下、使用温度領域というに昇温した上で行う。なお、実施例1のKTNは、室温22°Cでは正方晶相である。図5に、実施例1にかかる研磨装置を示す。研磨装置の内部の研磨盤付近を拡大した図である。円盤状の研磨盤101は、研磨盤を固定する治具である回転ステージ102の上に固定され、回転軸103を中心に回転する。一方、研磨治具104に研磨対象105となるKTN結晶を固定しておく。研磨工程では、回転ステージ102を回転させ、研磨治具104を回転ステージ102の方向に、一定の力で押し付ける。研磨盤101の表面に、研磨材を供給することにより、研磨対象105を研磨盤101で研磨する。研磨対象105のKTN結晶は、7mm×5mm×1mmであり、7mm×5mmの面を研磨する。また、回転ステージ102の内部は、図5に示すように、中空になっており、内部を温水が還流するように仕切っておく。回転ステージ102の内部に、温水が流れるパイプを張り巡らせてもよい。温水の温度を制御することにより、研磨対象105の温度を使用温度領域に設定する。図6に、実施例1にかかる研磨装置で研磨したKTN結晶の表面の平滑精度を示す。図6aは、回転ステージ102内部に温水を還流させず、研磨対象105の温度を室温22°Cに制御して研磨を行った場合を示す。横軸は、KTN結晶の7mmの辺の位置を表し、縦軸は、KTN結晶の表面の高さを示す。研磨対象105のKTN結晶を、使用状態の30°C付近に昇温し、立方晶相の状態で測定した。結晶の構造相転移による表面の凹凸は、およそ500nmあることがわかる。これは、上述した所望の平滑精度であるλ/2を超えている。図6bは、回転ステージ102内部に温水を還流させ、研磨対象105の温度を35°Cに制御して研磨を行った場合を示す。研磨加工後も、使用状態の30°C付近に昇温し、立方晶相の状態で測定した。表面の凹凸は、およそ50nm程度であり、所望の平滑精度が得られており、上述したλ/10を満たしていることがわかる。図7に、実施例2にかかる研磨装置を示す。研磨装置の内部の研磨盤付近を拡大した図である。円盤状の研磨盤201は、回転ステージ202の上に固定され、回転軸203を中心に回転する。一方、研磨治具204に研磨対象205となるKTN結晶を固定しておく。研磨工程では、回転ステージ202を回転させ、研磨治具204を回転ステージ202の方向に、駆動軸206を介して一定の力で押し付ける。研磨盤201の表面に、研磨材を供給することにより、研磨対象205を研磨盤201で研磨する。図7aに示したように、金属製の研磨治具204の裏側には、赤外線ランプ207a,207bを配置し、赤外線の照射により研磨治具204を昇温し、研磨対象205の温度を制御する。実施例1と同様の条件で、KTNを研磨したところ、図6bに示した結果と同様の平滑精度を得ることができる。なお、研磨治具204の温度制御には、例えば、図7bに示したように、研磨治具204に抵抗ヒータ307を内蔵したり、実施例1と同様に、研磨治具204の内部に温水を還流させてもよい。図5に示した研磨装置においては、回転ステージ102の内部に温水を還流させるので、研磨盤101の回転ステージ102と接する面が、研磨面より高温になるため、熱膨張の差による反りを生じる場合がある。研磨盤101の反りは、回転ステージ102との間に隙間を生じ、研磨盤101を安定して回転させることができない。そこで、2層構造の研磨盤を用いる。研磨面の側の上層には、従来と同様に、銅または錫などの金属円盤を使用する。回転ステージ102側の下層には、熱膨張率の小さいステンレスの金属円盤を使用する。上層と下層とは、ボルトで固定したり、熱伝導性の高いペースト状の接着剤により固定する。このようにして、研磨盤101と回転ステージ202との間に、反りの少ない基体を配置することにより、研磨盤101を安定して回転させることができる。なお、ステンレスの金属円盤は、銅または錫製の金属円盤よりも熱伝導率は低いが、研磨対象105の温度を制御する上で、問題とはならない。また、本実施形態においては、KTNを例にして説明したが、添加不純物としてリチウムを含む、K1-yLiyTa1-xNbxO3を用いることもできる。"