"ドープおよび/またはアンドープガラスフォーミングガスのガス流が、供給側と放出側を有する中空基材チューブの内部にその供給側を介して供給され、基材チューブの内側へのガラス層の堆積が反応ゾーンの存在の結果として引き起こされ、その中空ガラス基材チューブが炉によって取り囲まれている、内付け気相成長法を使用して光ファイバ用の一次プリフォームを製造する方法であって、ガス流が、中空ガラス基材チューブの内部へ流入するように供給されるより前に前処理にかけられることを特徴とする、方法。前処理が、予熱およびプリプラズマ、またはこれらの組合せのグループから選ばれることを特徴とする、請求項1に記載の方法。反応ゾーンが、プラズマ型であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。反応ゾーンが、堆積プロセスの少なくとも一部の間、中空基材チューブの長さに沿って前後に動かされることを特徴とする、請求項3に記載の方法。プラズマ型の反応ゾーンで使用されるパワーレベルが、プリプラズマで使用される前処理のパワーレベルよりも高いことを特徴とする、請求項2から4のいずれか一項または複数項に記載の方法。プラズマおよびプリプラズマの発生が、マイクロ波を使用することによって行われることを特徴とする、請求項2から5のいずれか一項または複数項に記載の方法。プリプラズマ型の前処理のパワーレベルが、中空ガラス基材チューブに対する反応ゾーンの位置に依存して設定されることを特徴とする、請求項2から6のいずれか一項または複数項に記載の方法。プリプラズマ型の前処理で使用されるパワーレベルが、堆積プロセスの時間に依存して設定されることを特徴とする、請求項2から6のいずれか一項に記載の方法。基材チューブの内部に供給されるガス流が、主ガス流と1つまたは複数の副ガス流とを含むガス流と考えられ、主ガス流の流量が各個々の副ガス流の流量よりも大きいことを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項または複数項に記載の方法。前記1つまたは複数の副ガス流だけが、前処理ステップ、特にプリプラズマにかけられることを特徴とする、請求項9に記載の方法。1つまたは複数の副ガス流が、1つまたは複数のガラスフォーミングガスが存在するか否かにかかわらず、ドーパントを含むことを特徴とする、請求項9および10のいずれか一項または両項に記載の方法。水素原子の無いフッ素含有化合物がドーパントとして使用されることを特徴とする、請求項11に記載の方法。副ガス流が、酸素と、水素原子の無いフッ素含有化合物とを含むことを特徴とする、請求項9から12のいずれか一項または複数項に記載の方法。水素原子の無いフッ素含有化合物が、CF4、C2F6、C4F8、CCl2F2、SiF4、Si2F6、SF6、NF3、F2またはこれらの混合物から成るグループから選ばれることを特徴とする、請求項12および13のいずれか一項または両項に記載の方法。予熱ステップが、800°Cの温度から行われ、特に、主ガス流に対して行われることを特徴とする、請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。フッ素含有化合物が、酸素と共に前処理にかけられることを特徴とする、請求項14および15のいずれか一項または両項に記載の方法。前処理が、基材チューブ中で行われず、好ましくは、前処理が、基材チューブの内部へのガス流の流入より前に行われることを特徴とする、請求項1から16のいずれか一項に記載の方法。請求項1から17のいずれか一項または複数項に記載の方法を使用して得られたプリフォームを一方の端部で加熱し、さらにこのように加熱された端部を線引き処理にかけて光ファイバを得ることによって、光ファイバを製造する方法。中空基材チューブをガス供給ユニットとガス放出ユニットの間に配置するための通常の手段と、ガスを供給するための手段およびガスを放出するための手段と、基材チューブを加熱するための手段と、反応ゾーンを形成するための手段とを備える、光ファイバ用のガラスプリフォームを製造するための装置であって、前処理を行うための装置が、基材チューブの内部を通されるガス流の方向に見て上流に位置付けされ、その前処理が、基材チューブの内部に供給されるガス流に対して行われることを特徴とする、装置。前記前処理が、予熱およびプリプラズマ、またはこれらの組合せから成るグループから選ばれることを特徴とする、請求項19に記載の装置。前処理を行うための装置が、基材チューブを取り囲まないことを特徴とする、請求項19および20のいずれか一項または両項に記載の装置。前処理を行うための装置が、基材チューブを加熱するための手段、特に炉の外に配置されることを特徴とする、請求項19から21のいずれか一項または複数項に記載の装置。本発明の目的は、そのような一次プリフォームから得られる光ファイバ中の減衰が最小限度に抑えられる、光ファイバ用の一次プリフォームを製造する方法を提供することである。本発明の他の目的は、OH基の存在に帰されるべき減衰、特に1385nmの近くの光スペクトルの減衰が最小限度に抑えられる、光ファイバ用の一次プリフォームを製造する方法を提供することである。本発明は、ガス流が、中空ガラス基材チューブの内部に流入するように供給されるより前に前処理にかけられることを特徴とする。本発明者は特に、ガス流が中空ガラス基材チューブに供給される前に前記ガス流を前処理することには、光スペクトルにおけるOH基の負の影響の軽減に関して有利な効果があることを発見し、それによって、前述の目的の1つまたは複数を達成した。前処理という用語は、ガス流が中空ガラスチューブに入る前に行われる処理を意味するものと理解されるべきである。そのような前処理は、通常、中空ガラスチューブを取り囲む炉の外で行われ、その結果として、前処理は、炉スペースから物理的にも隔てられた場所で行われるようになる。理解されることであるが、ガス流は、ガラスチューブの内部に向かって炉の中へ導入されると直ぐ僅かに温度上昇するが、この温度上昇は、本前処理を構成すると考えられない。その上、いくつかのガス流を互いに混合するステップは、本発明による前処理を構成しない。本前処理は、ガス流の一種の活性化であり、特に、予熱、プリプラズマ、またはこれらの組合せのグループから選ばれ、内付け気相成長法で使用される反応ゾーンは好ましくはプラズマ型のものである。本発明は、反応物が、基材チューブに流入するより前に、特定の前処理、例えばプリプラズマ処理にかけられるプロセスと読める。組合せという用語は、前処理が、プリプラズマと予熱の両方を所望の順序で含む可能性があることを意味するものと理解されるべきである。プリプラズマという用語は、中空基材チューブの内部でガラス層堆積のために使用されるプラズマとの混同を防ぐために特に選ばれた。プリプラズマの発生は、マイクロ波によって行われることがあるが、また電場および/または磁場によっても行われることがあり、マイクロ波が好ましい。そのような前処理は、出発材料すなわちガス流の物理的状態と中空基材チューブ中に行き渡っている状態との間の急激な転移がいくぶん滑らかにされるように、中空基材チューブに供給される出発材料をそれまでに調整するとなると、本発明者は考えている。また特に、本前処理にかけられたフッ素含有化合物は、中空基材チューブの内部で、そこに存在する水素と効率的に反応して非常に安定なHF化合物を形成し、その結果として、堆積ガラス中への有害なOH基の可能な混入が最小限度に抑えられるようになると、本発明者は考えている。前処理中の、ガラス層の早過ぎる堆積を最小限に抑えるために、プリプラズマで使用されるパワーレベルは、プラズマ型の反応ゾーンで使用されるパワーレベルよりも低いことが、特に望ましい。使用されるべきパワーレベルは、プラズマを得て維持するために十分に高くなければならない。特定の実施形態では、最終プリフォームの長さの最大部分に関して一定半径方向屈折率分布を実現する目的で、プリプラズマ型の前処理のパワーレベルは、中空ガラス基材チューブに対する反応ゾーンの位置に依存して設定されることが望ましく、特に、プリプラズマ型の前処理で使用されるパワーレベルは、堆積プロセスの時間に依存して設定されることが望ましい。本発明による実施形態では、例えば、中空石英基材チューブの内部に供給されるガス流の組成、すなわち主ガス流および1つまたは複数の副ガス流の組成に依存して、内側堆積プロセスの或る時間の間だけ前処理を使用することができる。プラズマおよびプリプラズマは、好ましくはマイクロ波を使用して発生されるが、特定の実施形態では、しかし、RFを使用してそのような状態を達成することが好ましいことがある。水素原子の無いフッ素含有化合物を本方法でドーパントとして使用することが特に好ましく、そのような化合物は、好ましくは、CF4、C2F6、C4F8、CCl2F2、SiF4、Si2F6、SF6、NF3、F2、またはこれらの混合物から成るグループから選ばれることを、本発明者はさらに発見した。そのようなフッ素化合物は、存在することがある水素と反応してHFを形成し、この化合物HFは、非常に安定な分子と考えられる。このようにフッ素の存在は、水素がもはや酸素と結合することができないように、プラズマからの水素原子の除去を引き起こし、それによって、減衰に悪影響を及ぼすOH基のガラス層への混入が最小限度に抑えられる。本発明によれば、ドーパントの組合せ、すなわち屈折率を大きくするドーパントと屈折率を減少させるドーパントが、使用可能である。前処理スペースにおける炭素を含む化合物のどんな沈澱または堆積も防ぐために、フッ素含有化合物が酸素と共にキャリアガスとして供給されることが望ましい。これに加えて、前処理スペースおよびこれに接続された導通路網中へのガラス質層の望ましくない早過ぎる堆積を防ぐために、塩素含有化合物、特にSiCl4およびGeCl4の前処理が酸素の無い状態で行われることが望ましい。本発明者は、さらに、フッ素がガラス層中へ効率的なやり方で混ぜることを発見した。フッ素の存在は、屈折率値の減少をもたらすことが知られており、この減少は一般に望ましくない。したがって、より低い屈折率を補償するために、屈折率を大きくするドーパント、特にゲルマニウムを混ぜることが望ましい。そのような応用の負の副作用は、減衰の増加である。したがって、本発明者は、特にガス流を前処理にかけることによって、プラズマから水素を除去するために使用されるフッ素の量を減少させることを目指す。序文で説明された方法は、いわゆるPCVDプラズマ化学気相成長プロセスを行うのに特に適しており、PCVDプロセスでは、ガラス層の堆積が中空基材チューブの内側に起こるような温度およびプラズマ状態が、中空ガラス基材チューブの内部に生成される。そのようなPCVDプロセスでは、反応ゾーンは、特に共振器によって、中空基材チューブの供給側に近い反転点と放出側に近い反転点の間を中空基材チューブの長さに沿って前後に動かされる。共振器は、好ましくは、中空ガラス基材チューブを取り囲み、プラズマ状態は反応ゾーンによって生成され、このプラズマ状態が、炉温度と組み合わさって、中空ガラス基材チューブの内側にガラス層の堆積を生じさせる。本方法で使用される前処理が予熱を含む場合、前記予熱は、好ましくは、800°Cの温度から炉内に行き渡っている温度まで行われ、炉内の温度はせいぜい約1400°Cである。本発明は、さらに、光ファイバ用のガラスプリフォームを製造するための装置に関連し、本装置は、中空基材チューブをガス供給ユニットとガス放出ユニットの間に配置するための通常の手段と、ガスを供給するための手段およびガスを放出するための手段と、基材チューブを加熱するための手段、特に炉と、反応ゾーンを形成するための手段、特に共振器とを備え、前処理を行うための装置は、基材チューブの内部を通されるガス流の方向に見て上流に位置付けされ、この前処理は、基材チューブの内部に供給されるガス流に対して行われる。前記前処理は、予熱およびプリプラズマ、またはこれらの組合せから成るグループから選ばれるのが望ましい。前処理を行うための装置は、好ましくは、基材チューブを取り囲まず、特に、前処理を行うための装置は、基材チューブを加熱するための手段、特に炉の外に配置される。本発明は、これから、いくつかの例によってより詳細に説明されるが、これに関して、本発明がそのような特定の例に決して限定されないことは留意されるべきである。図1には、光ファイバ用の一次プリフォームを製造するために内付け気相成長法を行う装置100、特にPCVD型の装置が、模式的に示されている。装置100は、中空ガラス基材チューブ2の少なくとも一部を取り囲む炉1を備える。中空ガラス基材チューブ2には、供給側3と放出側4がある。供給側3および放出側4は、ガス入口とガス出口図示されないの間にそれぞれ位置付けされることがある。供給側3および放出側4は、中空ガラス基材チューブ2の内部容積がそれの外側の外部大気から分離されるように、例えばOリング封止材を備えた円筒通路を使用して固定されることがある。そのような構造によって、ポンプ図示されないがガス入口に接続されたとき、減圧して堆積プロセスを行うことができるようになる。図1は、さらに反応ゾーン7を模式的に示し、反応ゾーン7は、内付け気相成長中、供給側3の近くにある反転点5と放出側4の近くにある反転点6の間を前後にして動く。堆積長さは、2つの反転点間の距離、すなわちガラス層が中空ガラス基材チューブ2の内側に堆積される長さと考えられる。2つの反転点は、炉1で取り囲まれている。内付け気相成長中、ドープまたはアンドープガラスフォーミングガスが、中空ガラス基材チューブ2の供給側3を介して供給され、このガラスフォーミングガスは、反応ゾーン7でガラスに転化される。したがって、反応ゾーン7の、前後の移動を使用して、いくつかのガラス層が中空ガラス基材チューブ2の内側に重なって堆積される。本発明は、PCVD型の内付け気相成長法で使用するのに特に適しており、このプロセスでは、中空ガラス基材チューブを長手方向に部分的に取り囲む共振器とも呼ばれる共振空洞によってマイクロ波が中空ガラス基材チューブの内部に結合されて、局所プラズマを形成する。局所プラズマという用語は、多かれ少なかれ共振器の長さに対応する長さを有するプラズマを意味するものと理解され、長さは両方とも中空ガラス基材チューブ2の長手方向に見たものである。PCVDプロセスでは、共振スペースは、2つの反転点5、6の間を中空ガラス基材チューブの長さに沿って前後に動かされる。本方法の完了後に、コラプスプロセスが行われることがあり、このプロセスで、中空ガラス基材チューブは固体プリフォームに形成される。このように得られた固体ガラスロッドは、外部に追加の量のガラスを与えられることがある。その後で、最終光ファイバは、追加のガラス層を形成されることも形成されないこともある固体プリフォームを一方の端で加熱し、それからその加熱された端からファイバが線引きされことによって得られ、そのファイバは、リールに巻かれる前に、1つまたは複数のコーティングを形成されることがある。PCVDプロセスは、例えば米国特許出願公開第2005/0000253号、第2008/0044150号、第2005/0120751号、第2008/0053812号、第2005/0041943号および米国特許第4,741,747号および米国特許第4,493,721号から当技術分野で知られている。共振器は、例えば、米国特許出願公開第2007/0289532号、第2003/0159781号および第2005/0172902号、および米国特許第4,844,007号、第4,714,589号および第4,877,938号から当技術分野で知られている。PCVDプロセスは、いわゆる低温プロセスであり、低温プロセスとは、内付け気相成長中の圧力が1-40ミリバールの範囲、好ましくは5-30ミリバールの範囲の値に設定されていることを意味している。図2は、本発明を模式的に示し、ガス流10が基材チューブ2の供給側3を介して中空基材チューブ2の内部に供給される。図2では、炉および反応ゾーン7、並びに反転点5、6は、簡略化させるために示されていない。図2は、装置12での前処理が基材チューブ2の外の場所で明らかに行われることを示している。ガス流10は、主ガス流8と1つまたは複数の副ガス流9の組合せと考えられる。ここで、主ガス流8の流量は、好ましくは、前記1つまたは複数の副ガス流9の各個々の流量よりも大きい。主ガス流は、例えば、SiCl4およびO2から成る。ただ1つだけの副ガス流9が図2に示されているが、いくつかの副ガス流9がある可能性があることは明らかであろう。副ガス流9には、前処理を行うための装置12が配置されている。さらに、バルブ11が、副ガス流9に配置されている。装置12が副ガス流9に対してプリプラズマ処理を行い、その副ガス流9が例えば酸素の存在する状態で例えばドーパントとしてC2F6を含む場合には、例えば副ガス流9中に存在するフッ素原子は、主ガス流8と前記1つまたは複数の副ガス流9の組合せから成るガス流10の流入後に、中空基材チューブ2中に存在する水素原子との早過ぎる反応が中空基材チューブ2の中で起こるように、予め活性化される。ガス流9、10のそのような組合せは、混合の簡単なステップであり、本発明の意味の前処理を構成しない。他のドーパントは、他の副ガス流9によって供給されることがあり図示されない、この副ガス流は、また、本発明による前処理を受けることがある。既に僅かに予め活性化されたフッ素原子が存在するために、プラズマ中に存在する水素との反応は、実質的に瞬時に起こって安定なHFを形成することができる。したがって、基材チューブ2の内部で堆積されるガラス層中へのフッ素の可能な混入は、減少し、その結果として、ガラス層中に混入されるフッ素の量は、最小限度に抑えられる。結果として、中空基材チューブ2に供給されるゲルマニウムの量は、このゲルマニウムは屈折率を減少させるフッ素を補償するものとして機能するものであり、装置12を介したそのような前処理が行われない実施形態よりも少ない。装置12は、図2に、プリプラズマ型の前処理として示されているが、加熱型の前処理もまた行われることがあることは、理解されるであろう。さらに、いくつかの装置12を直列に配列することができ、この場合には、前処理は、プリプラズマおよび/または予熱から選ばれること可能となる。副ガス流9の組成は、例えば炭素の早過ぎる堆積が装置12で起こらないように選ばれなければならない。炭素の沈澱は、例えば、酸素と例えばC2F6の間の反応の結果として起こるかもしれない。装置12の中で支配的なプラズマ状態と中空基材チューブ2の中で支配的なプラズマ状態との間の緩やかな転移を達成するために、基材チューブ2の反応ゾーンで使用されるパワーは、装置12で使用されるパワーよりも大きいことが望ましい。これに加えて、装置12と基材チューブ2の内部の間の距離は、前処理が行われることに起因する活性度のどんな減損も制限するために、できるだけ小さく保たれることが望ましい。図3は、本発明の第2の実施形態を模式的に示し、図2と同じ参照番号が使用されている。図3では、前処理が行われる装置12は、ガス流10に配置され、このガス流10は、多かれ少なかれ、1つまたは複数の副ガス流9と主ガス流8の組合せと考えられる。図3に示された実施形態は、装置12が予熱型の前処理を含む場合に特に適しているが、プリプラズマ型の前処理を使用することもできる図示されない。特定の実施形態によれば、ガスが中空基材チューブ2に入る前に、少なくとも800°Cの温度が装置12の中に行き渡っていることが望ましく、その中空基材チューブ2は、図1に示されるように、約1200-1400°Cの温度が行き渡っている炉によって取り囲まれている。1つまたは複数の副ガス流9と主ガス流8から成るガス流10の上昇した流入温度のために、ガラスフォーミングガス中に存在するフッ素化合物は、中空基材チューブ2に入ると直ぐに水素と反応するようになり、そのとき安定なHF化合物が形成される。基材チューブ2を取り囲む炉および基材チューブ2中の支配的なプラズマ状態は、基材チューブ2の内側に1つまたは複数のガラス層の堆積が起こり得るような反応状態を生じさせ、そのガラス層は、減少したOHピークを1385nmで示す。装置12は副ガス流9に適用されるだけであることが図2に示されているが、特定の実施形態では、主ガス流8を前処理、例えば予熱またはプリプラズマ処理にかけることもでき、この前処理は、1つまたは複数の副ガス流9の前処理と組み合わせて行われることも行われないこともある。さらに、特定の実施形態では、1つまたは複数の副ガス流9の組合せ、主ガス流8、またはガス流10に前処理を応用することができ、前処理の型は1つの型に限定されず組合せが可能である。装置12中の状態は、望ましくない化合物の早過ぎる堆積が最小限度に抑えられるように選ばれなければならない。図2および3では、装置12は、基材チューブ2の外に配置され、特に、装置12は基材2を取り囲んでいない。他の実施形態図示されないによれば、中心に位置付けされたチューブを介して中空基材チューブの内部へ主ガス流を供給することもできる。前記チューブと中空基材チューブの間の環状スペースは、副ガス流を供給するために使用される。この2つのチューブの構造は、マイクロ波を基材チューブに供給する、固定配置された共振空洞によって取り囲まれている。そのような固定配置共振空洞は、基材チューブの供給側に位置付けされて炉の外にある。そのような前処理は、本発明の他の実施形態と考えられる。そのような構造では、環状スペースは、主ガス流を供給するために使用され、中心に位置付けされたチューブが、副ガス流を供給するために使用されることがある。他の実施形態図示されないでは、共振空洞は、加熱装置と置き替えられる。"