"基板上に配置され、前記基板から一定の角度で傾いて形成される側面を含む後面電極層と、前記後面電極層の上に配置される光吸収層と、前記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層とを含むことを特徴とする太陽電池。前記一定の角度は、120 ゚乃至150 ゚であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記後面電極層の側面は、平面又は曲面を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記後面電極層の側面の長さは、1μm乃至3μmであることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記後面電極層の側面は、多数の斜面を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記後面電極層の側面は、折曲部を含むことを特徴とする請求項5に記載の太陽電池。前記多数の斜面のそれぞれと前記基板とがなす角度は、互いに異なることを特徴とする請求項5に記載の太陽電池。前記斜面は、前記基板と垂直な垂直面を含むことを特徴とする請求項5に記載の太陽電池。前記後面電極層の側面は、前記基板の上部に向けて外向きに傾斜したことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。基板上に配置され、前記基板と第1の傾斜角を有する側面を含む後面電極層と、前記後面電極層の上に配置され、前記基板と第2の傾斜角を有する光吸収層と、前記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層とを含むことを特徴とする太陽電池。前記第1の傾斜角は、120 ゚乃至150 ゚であることを特徴とする請求項10に記載の太陽電池。前記ウィンドウ層は、前記基板と第3の傾斜角を有することを特徴とする請求項10に記載の太陽電池。前記第1の傾斜角は、前記第2の傾斜角よりも大きく、前記第2の傾斜角は、前記第3の傾斜角よりも大きいことを特徴とする請求項12に記載の太陽電池。基板上に後面電極層を形成するステップと、前記後面電極層をパターニングして、前記基板から一定の角度で傾いて形成される側面を含む後面電極層を形成するステップと、前記後面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップとを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。前記一定の角度は、120 ゚乃至150 ゚であることを特徴とする請求項14に記載の太陽電池の製造方法。前記後面電極層を形成するステップは、前記後面電極層の上に開口部を含むマスクを形成するステップと、前記開口部により露出した後面電極層を、エッチング溶液を用いて傾斜エッチングするステップとを含むことを特徴とする請求項14に記載の太陽電池の製造方法。前記後面電極層のパターニングにより、前記基板の一部が露出することを特徴とする請求項14に記載の太陽電池の製造方法。前記後面電極層の側面は、前記露出した基板の領域から一定の距離にかけて形成されたことを特徴とする請求項17に記載の太陽電池の製造方法。前記一定の距離は、1μm乃至3μmであることを特徴とする請求項18に記載の太陽電池の製造方法。本発明の目的は、光吸収層と後面電極層との間にギャップまたは内部ホールが生じることを防止して、耐久性及び信頼度が向上した太陽電池及びその製造方法を提供することにある。本発明の一様態による太陽電池は、基板上に配置され、前記基板から一定の角度で傾いて形成される側面を含む後面電極層と、前記後面電極層の上に配置される光吸収層と、前記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層とを含む。本発明の他の様態による太陽電池は、基板上に配置され、前記基板と第1の傾斜角を有する側面を含む後面電極層と、前記後面電極層の上に配置され、前記基板と第2の傾斜角を有する光吸収層と、前記光吸収層の上に配置されるウィンドウと層を含む。また、本発明の一様態による太陽電池の製造方法は、基板上に後面電極層を形成するステップと、前記後面電極層をパターニングして、前記基板から一定の角度で傾いて形成される側面を含む後面電極層を形成するステップと、前記後面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップとを含む。本発明によると、後面電極層の側面に斜面を形成することで、前記後面電極層と、前記後面電極層上に形成される光吸収層との間のギャップの高さを減らすことができる。これにより、前記後面電極層と前記光吸収層との間に形成されるギャップ、または内部ホールは減少し、それにより、表面の均一度が向上する。従って、本発明による太陽電池の耐久性及び信頼度を、更に向上することができる。本発明を説明するに当たって、各パネル、配線、電池、装置、面、又はパターンなどが、各パターン、配線、電池、面、又はパターンなどの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上又は下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は、本発明の1実施形態による太陽電池を示す断面図である。図1を参照すると、本発明の実施形態による太陽電池は、基板100と、前記基板100の上に形成され、側面が基板100から一定の角度で傾いて形成された後面電極層200と、前記後面電極層200の上に形成された光吸収層300と、前記光吸収層300の上に順次形成された、バッファ層400と、高抵抗バッファ層500と、ウィンドウ層600とを含む。前記基板100は、プレート状を有し、前記後面電極層200と、前記光吸収層300と、前記バッファ層400と、前記高抵抗バッファ層500と、前記ウィンドウ層600とを支持する。前記基板100は、透明であるか、リジッドであるか、フレキシブルである。前記基板100は、絶縁体である。例えば、前記基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または、金属基板である。より詳しくは、前記基板100は、ナトリウム成分が含まれたソーダライムガラスsodalimeglass基板である。これとは異なり、前記基板100の材質として、アルミナのようなセラミック基板、ステンレススチール、柔軟性のある高分子などが使用され得る。前記基板100の上には、後面電極層200が形成される。前記後面電極層200は、導電層である。前記後面電極層200は、モリブデンMo、金Au、アルミニウムAl、クロムCr、タングステンW、及び銅Cuのいずれかで形成されるが、これに限るものではない。これらのうち、特に、モリブデンMoは、他の元素に比べて、前記基板100と熱膨脹係数の差が少ないため、接着性に優れていて、剥離現象が生じることを防止することができ、上述した後面電極層200に要求される特性を全般的に満たすことができる。前記後面電極層200は、2以上の層を含むことができる。ここで、それぞれの層は、同一の金属で形成されるか、互いに異なる金属で形成される。前記後面電極層200は、第1の貫通溝P1により、多数の後面電極層に分割される。前記第1の貫通溝P1は、図1でのように、ストライプstripe状だけでなく、マトリックスmatrix状など、様々な形態で形成される。前記第1の貫通溝P1の幅は、約80μm乃至200μmであるが、これに限るものではない。図2は、従来の太陽電池の後面電極層230、及び光吸収層330の断面を示す断面図である。図2を参照すると、前記後面電極層の側面231と前記基板130とは、直角形態を有するように形成される。すなわち、前記後面電極層230と前記基板130との間には、段差231が形成される。以後、前記後面電極層230の上には、光吸収層330が積層される。前記光吸収層330が積層される過程で、前記段差231により、前記光吸収層330と前記後面電極層230との接合面には、ギャップGAP、または内部ホールなどの欠陥defectが形成される。これにより、前記後面電極層230と前記光吸収層330との接合面間の表面均一性が劣化し、結果として、太陽電池の耐久性、及び信頼度が低下する問題が生じる。前記のような問題点を解決するため、本発明は、後面電極層の側面に斜面を形成することで、後面電極層と光吸収層との間のギャップの高さを減らし、表面均一性の向上した太陽電池を提供しようとする。図3を参照すると、本発明の実施形態による後面電極層200の側面220には、斜面が形成される。すなわち、前記後面電極層200は、前記基板100から一定の角度θで傾いて形成される側面220を含む。一実施形態として、前記後面電極層200の側面220は、前記基板100から上部に向けて外向きに傾斜するように形成される。前記後面電極層200と前記基板100との間の角度は、約120 ゚乃至150 ゚である。より望ましくは、前記後面電極層200と前記基板100との間の角度は、約130 ゚乃至150 ゚である。前記後面電極層200の側面220の長さは、前記後面電極層の側面220と前記基板100とがなす角度θにより異にする。例えば、前記後面電極層200の側面220の長さは、約1μm乃至3μmであるが、これに限るものではない。前記後面電極層200の側面220の長さは、前記後面電極層の厚さTの約1.15倍乃至2倍の間で形成されるが、これに限るものではない。図4を参照すると、前記後面電極層200の側面220が、前記基板100から約120 ゚傾斜した場合、前記後面電極層200の側面220の長さは、前記後面電極層の厚さTの約1.15倍に形成される。ここで、前記後面電極層の厚さTは、約0.2μm乃至1.2μmであるが、これに限るものではない。また、図5を参照すると、前記後面電極層200の側面220が、前記基板100から約150 ゚傾斜した場合、前記後面電極層200の側面220の長さは、前記後面電極層の厚さTの約2倍に形成される。ここで、前記後面電極層の厚さTは、約0.2μm乃至1.2μmであるが、これに限るものではない。図6を参照すると、前記斜面又は側面220を有する後面電極層200の上に形成された光吸収層300は、均一の面を有することが分かる。すなわち、本発明の実施形態による太陽電池は、前記後面電極層200と前記光吸収層300との間のギャップの高さを減らすことができる。これにより、前記後面電極層200と前記光吸収層300との間の表面均一度は向上し、結果として、太陽電池の耐久性及び信頼度は、更に向上する。一方、今までは、前記後面電極層200の側面220は、1つの斜面のみを有する形態で述べたが、本発明は、これに限るものではなく、図7乃至図9でのように、多数の斜面を含むことができる。この時、前記後面電極層200の側面220は、前記多数の斜面を連結する折曲部を含む。前記折曲部は、水平面226、または垂直面228を含む。図7を参照すると、前記後面電極層200の側面220は、前記基板100から一定の角度で傾いて形成された第1の斜面222と第2の斜面224とを含み、前記第1の斜面222と前記第2の斜面224との間には、前記第1の斜面222と前記第2の斜面224とを繋ぐように、水平面226が形成されることができる。前記第1の斜面222は、前記基板100の上面から前記基板100の外側に向けて形成され、前記第2の斜面224は、前記後面電極層240の上面と連結するように形成される。また、前記水平面226は、前記基板100と水平をなし、前記第1の斜面222と前記第2の斜面224の両端を連結するように形成される。前記第1の斜面222と前記第2の斜面224とのそれぞれは、前記基板100の外側に向けて一定の角度で傾いて形成される。例えば、前記第1の斜面222と前記第2の斜面224とのそれぞれは、前記基板100に対して、約120 ゚乃至150 ゚で傾斜するが、これに限るものではない。また、前記第1の斜面222と前記第2の斜面224とのそれぞれは、前記基板100から同一の角度、または、互いに異なる角度で傾いて形成される。また、前記第1の斜面222と前記第2の斜面224の長さは、同一の長さ、または、互いに異なる長さを有するように形成される。前記水平面226は、前記第1の斜面222と前記第2の斜面224の長さよりも小さいことが望ましい。図8を参照すると、前記後面電極層200の側面220は、前記基板100から一定の角度で傾いて形成された第1の斜面222と第2の斜面224とを含み、前記第1の斜面222と前記第2の斜面224との間を繋ぐ垂直面228を含む。前記垂直面228は、前記第1の斜面222と前記第2の斜面224とを繋ぐように、前記第1の斜面222の上端と前記第2の斜面224の下端とに連結され、前記基板100と垂直をなすように形成される。ここで、前記垂直面228の長さは、前記第1の斜面222と前記第2の斜面224の長さよりも、小さいことが望ましい。以上では、前記第1の斜面222と前記第2の斜面224とを繋ぐように、水平面226及び垂直面228を形成したが、本発明はこれに限るものではなく、様々な角度を有する折曲部が形成されることができる。前記で言及したように、後面電極層200の側面220に多数の斜面を形成する場合、前記後面電極層200が、前記基板100に対して、より緩やかな傾斜を有することができる。これにより、前記後面電極層200と前記光吸収層300との間のギャップの高さは減少し、前記後面電極層200と前記光吸収層300との間の表面均一度は、更に向上する。これに対して、図9を参照すると、前記後面電極層200の斜面220は、前記基板100の露出した領域から一定の長さLをもって形成される。例えば、前記斜面は、約1μm乃至3μmに亘って形成される。後面電極層200の側面220が広い領域にかけて形成されると、相対的に後面電極層200の上部面240の長さが短くなり、これにより、前記後面電極層200の平均厚さが薄くなって、電極の役目を果たせない。これに対して、前記後面電極層200の側面220が短い領域にかけて形成されると、斜面をなす領域が小さくなって、前記後面電極層200の上に光吸収層300を均一に形成しにくくなる。したがって、前記後面電極層200の側面220は、斜面と前記後面電極層200の上部とを繋ぐように、後面電極層200の上に垂直部260が形成される。ここで、前記後面電極層200の側面220をなす斜面は、1つ以上で形成されることができる。一方、今までは、前記後面電極層200の側面220はいずれも、傾斜した平面状を有する側面220だけを示したが、本発明は、これに限るものではない。すなわち、本発明の実施形態による後面電極層200の側面220は、平面だけでなく、曲面状を含む。前記光吸収層300は、前記後面電極層200の上に配置される。前記光吸収層300は、I-III-VI化合物を含む。例えば、前記光吸収層300は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系、または、銅-ガリウム-セレナイド系の結晶構造を有することができる。前記バッファ層400は、前記光吸収層300の上に配置される。前記バッファ層は、前記吸収層300と、後述するウィンドウ層600とのエネルギーギャップの差を緩和する役目を果たす。また、前記バッファ層400は、硫化カドミウム、ZnS、InXSY、及びInXSeYZnO、OHなどを含む。前記バッファ層400の厚さは、約50nm乃至150nmであり、前記バッファ層400のエネルギーバンドギャップは、約2.2eV乃至2.4eVである。前記高抵抗バッファ層500は、前記バッファ層400の上に配置される。前記高抵抗バッファ層500は、高い抵抗を有するように形成され、前記ウィンドウ層600との絶縁、及び衝撃ダメージを防止することができる。前記高抵抗バッファ層500としては、不純物がドーピングされていないジンクオキサイドi-ZnOを使用することができる。前記高抵抗バッファ層500のエネルギーバンドギャップは、約3.1eV乃至3.3eVである。また、前記高抵抗バッファ層500は、省略することができる。前記光吸収層300と、前記バッファ層400と、前記高抵抗バッファ層500とは、第2の貫通溝P2を含む。すなわち、前記光吸収層300と、前記バッファ層400と、前記高抵抗バッファ層500とは、前記第2の貫通溝P2により貫通される。前記第2の貫通溝P2により、前記後面電極層200の一部が露出する。前記第2の貫通溝P2の幅は、約80μm乃至200μmであり、これに限るものではない。前記第2の貫通溝P2には、前記ウィンドウ層600を形成する物質と同一の物質が満たされ、これにより、接続配線310が形成される。前記接続配線310は、前記ウィンドウ層600と前記後面電極層200とを電気的に連結する。前記ウィンドウ層600は、透光性の伝導性物質で形成される。また、前記ウィンドウ層600は、n型半導体の特性を有する。この時、前記ウィンドウ層600は、前記バッファ層400と共に、n型半導体層を形成し、p型半導体層である前記光吸収層300とpn接合を形成する。前記ウィンドウ層600は、例えば、アルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドで形成される。前記ウィンドウ層600の厚さは、約100nm乃至500nmである。前記ウィンドウ層600と、前記高抵抗バッファ層500と、前記バッファ層400と、前記光吸収層300とは、第3の貫通溝P3を含む。すなわち、前記ウィンドウ層600と、前記高抵抗バッファ層500と、前記バッファ層400と、前記光吸収層300とは、前記第3の貫通溝P3により貫通される。前記第3の貫通溝P3により、前記後面電極層200の一部が露出される。前記第3の貫通溝P3の幅は、約80μm乃至200μmであるが、これに限るものではない。図10を参照すると、本発明の他の実施形態による太陽電池は、斜面又は側面220を有する後面電極層200によって、前記後面電極層200の上に蒸着される光吸収層300も、前記基板100に対して傾斜角を持つことができる。すなわち、他の実施形態による太陽電池は、基板100の上に配置され、前記基板100と第1の傾斜角θ1を有する側面220を含む後面電極層200と、前記後面電極層200の上に配置され、前記基板と第2の傾斜角θ2を有する光吸収層300と、前記光吸収層300の上に配置されるウィンドウ層600とを含む。また、前記ウィンドウ層600も、前記基板100と第3の傾斜角θ3をなすことができる。すなわち、前記第1の傾斜角θ1を有する側面220を含む後面電極層200によって、前記光吸収層300及び前記ウィンドウ層600はいずれも、上記前記基板100に対して傾くように形成される。前記第2の傾斜角θ2は、前記第1の傾斜角θ1よりも大きい。また、前記第3の傾斜角θ3は、前記第2の傾斜角θ2よりも大きい。すなわち、前記基板100から高さが高くなるほど、前記基板100に対する傾斜角は増加するが、これに限るものではない。例えば、前記第1の傾斜角θ1は、120 ゚乃至150 ゚であるが、これに限るものではない。以下では、図面を参照して、本発明による太陽電池の製造方法について説明する。図11乃至図17は、本発明の実施形態による太陽電池の製造工程を示す断面図である。本発明の製造方法に関する説明は、前述した太陽電池に関する説明を参考する。前述した太陽電池に関する説明は、本発明の製造方法に関する説明に、本質的に組み合わせることができる。図11乃至図14を参照すると、基板100の上に後面電極層200を形成し、前記後面電極層200をパターニングして、前記基板100から一定の角度で傾いて形成される側面220を含む後面電極層200を形成する。前記後面電極層200は、PVDPhysicalVaporDeposition、または、メッキなどの方法で形成される。また、前記基板100と後面電極層200との間に、拡散防止膜などのような更なる層が介在することができる。前記後面電極層200をパターニングする方法としては、当業界で傾斜エッチングのために通常使用される方法であれば、特に制限することなく、使用可能である。例えば、前記後面電極層200は、マスクを用いたウエットエッチング工程、プラズマを用いたドライエッチング、または、レーザ工程などの様々な方法でパターニングされる。特に、レーザを用いる場合、レーザビームの形状を変更しながら、前記後面電極層200を順次溶かす方法を使用すると、前記後面電極層200の内側面220に、容易に斜面を形成することができる。図12乃至図14は、マスクを用いたウエットエッチング工程により、前記後面電極層200をパターニングする工程を示す断面図である。図12を参照すると、前記後面電極層200の上に、開口部M′を含むマスクパターンMを形成し、ウエットエッチング溶液により、前記後面電極層200のエッチングを行う。ここで、ウエットエッチング溶液としては、腐蝕剤MoEtchantを使用することができる。一定の時間が経過すると、図13に示しているように、前記マスクパターンMの開口部M′により露出した後面電極層200は、窪むパターン状に形成される。この時、前記開口部M′により露出した前記後面電極層200は、前記基板100に対して垂直方向にエッチングが行われるが、これと共に、前記基板100の水平方向にも、エッチングが行われることができる。図14を参照すると、前記エッチング工程を、一定の時間行うことで、第1の貫通溝P1を形成する第1のパターニング工程が完了する。すなわち、前記第1のパターニング工程により、前記基板100の一部は露出し、前記後面電極層200の側面は、前記基板100に対して傾斜を有するように形成される。一方、前記ウエットエッチング工程、または、ドライエッチング工程を複数回行う場合、図7乃至図9でのように、多数の斜面を含む後面電極層200が形成される。ついで、図15を参照すると、前記後面電極層200の上に、光吸収層300、バッファ層400、及び高抵抗バッファ層500が順次形成される。前記光吸収層300は、I族-III族-VI族系化合物で形成される。さらに詳しくは、前記光吸収層300は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2、CIGS系化合物を含む。これとは異なり、前記光吸収層300は、銅-インジウム-セレナイド系CuInSe2、CIS系化合物、または銅-ガリウム-セレナイド系CuGaSe2、CIS系化合物を含む。例えば、前記後面電極層200の上に前記光吸収層300を形成するために、前記後面電極層200の上に、銅ターゲット、インジウムターゲット、及びガリウムターゲットを使って、CIG系金属プリカーサprecursor膜が形成される。以後、前記金属プリカーサ膜は、セレン化selenization工程により、セレニウムSeと反応して、CIGS系の光吸収層300が形成される。これとは異なり、前記光吸収層300は、銅、インジウム、ガリウム、セレナイドCu、In、Ga、Seを同時蒸着法coevaporationにより形成することもできる。前記バッファ層400は、前記光吸収層300の上に硫化カドミウムが、化学溶液蒸着法chemicalbathdeposition;CBDで蒸着され、形成されることができる。前記高抵抗バッファ層500は、前記バッファ層400の上に配置される。前記高抵抗バッファ層500は、不純物がドーピングされないジンクオキサイドiZnOを含む。前記高抵抗バッファ層500のエネルギーバンドギャップは、約3.1eV乃至3.3eVである。また、前記高抵抗バッファ層500は、省略することができる。ついで、図16に示しているように、前記高抵抗バッファ層500、前記バッファ層400、前記光吸収層300に、第2の貫通溝P2を形成する第2のパターニング工程を行う。前記第2の貫通溝P2は、前記第1の貫通溝P1と一定の間隔を隔てて形成される。前記第2の貫通溝P2は、機械的Mechanicalである方法で形成するか、レーザlaserを照射irradiateして形成することができる。例えば、前記第2の貫通溝P2は、スクライブ工程により形成されることができる。ここで、前記第2の貫通溝P2は、前記オミック層800と対応しないように形成される。図17を参照すると、前記高抵抗バッファ層500の上にウィンドウ層600を形成する。前記ウィンドウ層600は、前記高抵抗バッファ層500の上に透明な導電物質を積層して形成される。この時、前記透明な導電物質が、前記第2の貫通溝P2の内にも挿入されて、接続配線310が形成される。前記接続配線310は、前記ウィンドウ層600と前記後面電極層200とを電気的に連結する。以後、前記ウィンドウ層600、前記高抵抗バッファ層500、前記バッファ層400、及び前記光吸収層300を貫通する第3の貫通溝P2を形成する第3のパターニング工程を行う。前記第3の貫通溝P2は、前記第2の貫通溝P2と一定の間隔を隔てて形成される。前記第3の貫通溝P3により、前記後面電極層200と、前記光吸収層300と、前記バッファ層400と、前記高抵抗バッファ500とを含む太陽電池セルC1、C2、C3..が形成される。すなわち、前記太陽電池セルC1、C2、C3..は、前記第3の貫通溝P3によって分離される。前記第3の溝320は、機械的な方法で形成するか、レーザを照射して形成して、前記後面電極パターン200の上面が露出するように形成されることができる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"