ワイドバンドギャップ半導体で構成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に逆並列接続された還流ダイオードと、を備え、前記還流ダイオードはシリコンで構成されかつ負の温度特性を有する、半導体モジュール。前記還流ダイオードはPNダイオード又はPiNダイオードである、請求項1に記載の半導体モジュール。前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドを含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体モジュール。前記スイッチング素子と前記還流ダイオードの対を一つのパッケージ内に複数備える、請求項1~3のいずれかに記載の半導体モジュール。しかしながら、特許文献2のようにSiC製のスイッチング素子の還流ダイオードとしてSiC製のショットキーバリアダイオードSiC-SBDを用いると、突入電流に対する発生損失が大きくなるという問題があった。SiC-SBDは温度特性が正であるため、大電流が流れて高温になると順方向電圧VFが大きくなる。そのため、突入電流に対する発生損失IF×VFが大きくなる。発生損失の増大によってデバイスの温度が上昇すると、電圧VFが上昇し、VFの上昇によってさらに発生損失が上昇するという、正帰還に陥ってしまう。このため、SiC製のスイッチング素子にSiC-SBDの還流ダイオードを用いたフルSiC構成の半導体モジュールでは、実際には許容損失以下で使用する必要があり、実使用上、動作温度範囲や突入電流値が制限されるという問題点があった。本発明は上述の問題点に鑑み、高い突入電流耐量を有する半導体モジュールの提供を目的とする。本発明に係る半導体モジュールは、ワイドバンドギャップ半導体で構成されたスイッチング素子と、スイッチング素子に逆並列接続された還流ダイオードとを備え、還流ダイオードはシリコンで構成されかつ負の温度特性を有する。本発明に係る半導体モジュールは、ワイドバンドギャップ半導体で構成されたスイッチング素子と、スイッチング素子に逆並列接続された還流ダイオードとを備え、還流ダイオードはシリコンで構成されかつ負の温度特性を有するので、突入電流に対して正帰還に至ることがなく、高い耐性を有する。A.前提技術図4は、前提技術に係る半導体モジュール100の回路図である。半導体モジュール100は、SiC製のMOSFET101と、還流ダイオードとしてMOSFET101に逆並列接続された、SiC製のショットキーバリアダイオードSiC-SBD102とを備えている。SiC-SBD102のV-I特性の温度による変化を図5に示す。図5は、低温時のV-I特性と、高温時のV-I特性を示している。突入電流IFに対する順方向電圧VFは、低温時のVF1に対して高温時にはVF2まで増加するVF1<VF2。このように、SiC-SBD102は正の温度特性を有している。図6は、複数の半導体モジュール100を用いたコンバーターの回路を示す。複数の半導体モジュール100がコンデンサ103に並列接続されている。電源投入時にコンデンサ103が充電される過渡状態において、突入電流が例えば図6に矢印で示す方向に流れる。コンデンサ103が大容量であるほど突入電流の値は大きい。大きい突入電流が流れることによってSiC-SBD102の温度が上昇すると、図5に示したようにVFが上昇するので発生損失IF×VFが増大する。発生損失が増大すると、さらに温度が上昇してVFが大きくなり、VFが大きくなるとまた発生損失が増大するという、正帰還に至る。本発明の半導体モジュールでは上記の問題点を解決するため、還流ダイオードに正の温度特性を有するデバイスを用いる構成を有する。B.実施の形態1<B-1.構成、動作>図1は、実施の形態1の半導体モジュール10の回路図である。半導体モジュール10は、SiC製のMOSFET11と、MOSFET11に還流ダイオードとして逆並列接続されたSi製のPNダイオード12とを備える。PNダイオード12のV-I特性の温度による変化を図2に示す。図2は、低温時のV-I特性と、高温時のV-I特性を示している。所定の電流IFに対する順方向電圧VFは、低温時にVF1であったのが高温時にはVF2まで減少するVF1>VF2。このようにSi製のPNダイオード12は負の温度特性を有しているため、温度上昇と共にVFが低下する特性を有する。そのため、突入電流などの大電流が流れた場合には、PNダイオード12の温度が上昇すると共にVFが低下するため、発生損失IF×VFが抑制される。したがって、SiC製のMOSFET11の還流ダイオードに正の温度特性を有するSiC製のダイオードを用いた場合に比べて、半導体モジュール10の突入電流耐量を向上させることが出来る。<B-2.変形例>なお、還流ダイオードとしてSi製のPNダイオード12を用いたが、還流ダイオードは負の温度特性を有していれば他のダイオードであっても良く、例えばSi製のPiNダイオードでも良い。PiNダイオードでは、PN接合の間にキャリア蓄積層を設けることによって、伝導度変調が発生し、PNダイオードよりもさらにVFを下げることが可能である。そのため、PNダイオードを用いる場合よりもさらに半導体モジュールの突入電流耐量を向上することが可能である。また、動作時の発生損失を抑制し、低損失を実現できる。また、スイッチング素子としてのMOSFET11の材料はSiCに限らず、窒化ガリウム系材料やダイヤモンドなどの他のワイドバンドギャップ半導体であっても良い。<B-3.効果>本発明に係る半導体モジュールによれば、以下の効果を奏する。すなわち、本発明に係る半導体モジュール10は、ワイドバンドギャップ半導体で構成されたMOSFET11スイッチング素子と、スイッチング素子に逆並列接続されたPNダイオード12還流ダイオードとを備え、還流ダイオードはシリコンで構成されかつ負の温度特性を有するので、突入電流に対して正帰還に至ることがなく、高い耐性を有する。また、還流ダイオードとして、負の温度特性を有するシリコンで構成されたPNダイオードやPiNダイオードを用いることにより、突入電流に対して正帰還に至ることがなく、高い耐性を有する。また、MOSFET11を構成するワイドバンドギャップ半導体は、SiCの他、窒化ガリウム系材料やダイヤモンドを含むので、これらワイドバンドギャップ半導体で構成されたスイッチング素子の半導体モジュールにおいて、突入電流に対する耐性を高めることが出来る。C.実施の形態2<C-1.構成、動作>図3は、実施の形態2に係る半導体モジュール20の回路図である。半導体モジュール20では、電源接続端子間に2つの半導体モジュール10が直列接続され、さらにそれらが3相負荷に対応して3並列接続されている。このように1つのパッケージ内に、実施の形態1の半導体モジュール10を複数集約することにより、半導体モジュールの小型化が可能となる。<C-2.効果>本実施の形態の半導体モジュールは、実施の形態1のスイッチング素子11と還流ダイオード12の対を一つのパッケージ内に複数備えるので、半導体モジュールの小型化が可能となる。