"レーザ素子と、前記レーザ素子のレーザ光を波長変換して出射する波長変換素子とが基板上に配置されたレーザ光源において、フォトリソグラフィ工程により前記基板上に形成された導波路部を備え、前記レーザ素子および前記波長変換素子は、前記導波路部に位置決めされて前記基板上に配置され、前記レーザ素子のレーザ光は前記導波路部を導波した後、前記波長変換素子に入射することを特徴とするレーザ光源。複数のレーザ素子と、前記各レーザ素子のレーザ光を合波する結合器と、少なくとも一つの前記レーザ素子のレーザ光を波長変換して出射する波長変換素子とが基板上に配置されたレーザ光源において、フォトリソグラフィ工程により前記基板上に形成され、前記各レーザ素子のレーザ光を合波する結合器を有する導波路部を備え、前記各レーザ素子および前記波長変換素子は、前記導波路部に位置決めされて前記基板上に配置され、前記レーザ素子のレーザ光は前記導波路部を導波した後、前記波長変換素子に入射することを特徴とするレーザ光源。前記波長変換素子は、複数の前記レーザ素子のレーザ光を波長変換して出射することを特徴とする請求項2に記載のレーザ光源。前記レーザ素子および前記波長変換素子は、前記導波路部の端部位置を基準として位置決めされ、前記基板上に配置されることを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載のレーザ光源。前記レーザ素子および前記波長変換素子は、前記導波路部の端部に直接光結合されることを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載のレーザ光源。前記レーザ素子および前記波長変換素子は、表面活性化接合により前記基板に固定されることを特徴とする請求項1~5のいずれか一つに記載のレーザ光源。レーザ素子と、前記レーザ素子のレーザ光を波長変換して出射する波長変換素子とが基板上に配置されたレーザ光源の製造方法において、フォトリソグラフィにより前記基板上に導波路部を形成する導波路部形成工程と、前記基板上に形成された前記導波路部に位置決めして、前記レーザ素子および前記波長変換素子を前記基板上に配置する配置工程と、を含むことを特徴とするレーザ光源の製造方法。複数のレーザ素子と、前記各レーザ素子のレーザ光を合波する結合器と、少なくとも一つの前記レーザ素子のレーザ光を波長変換して出射する波長変換素子とが基板上に配置されたレーザ光源の製造方法において、フォトリソグラフィにより、前記基板上に前記各レーザ素子のレーザ光を合波する結合器を有する導波路部を形成する導波路部形成工程と、前記基板上に形成された前記導波路部に位置決めして、前記各レーザ素子および前記波長変換素子を前記基板上に配置する配置工程と、を含むことを特徴とするレーザ光源の製造方法。前記レーザ素子および前記波長変換素子は、前記導波路部の端部位置を基準として位置決めされ、前記基板上に配置されることを特徴とする請求項7または8に記載のレーザ光源の製造方法。しかしながら、上述したレーザ光源では、光導波路と光学素子とを精度よく位置決めすることができず、結合損失が生じ、結果としてレーザ光源ごとに光出力にばらつきが生じた。すなわち、光導波路は、フォトリソグラフィおよびエッチング等により、基板上に精度よく形成することができる。この一方、レーザ素子、および波長変換素子は、外径加工精度、特に光軸方向の長さは、光導波路の精度に比べて低い。このため、上記特許文献1に記載の構成のように、波長変換素子の端部の位置が異なると、正確な位置に形成されている光導波路の端部と精度よく光結合させることができない。具体的に説明すると、特許文献1に記載の技術によれば、基板上で光導波路の両端部の位置は正確に位置決めして形成できる。また、基板の端部に配置されるレーザ素子については、光軸方向の長さにばらつきがあっても、光導波路の一端部とだけ光結合させるため、光導波路と、レーザ素子との間の光結合を良好におこなえる。しかしながら、波長変換素子の光軸方向の長さにばらつきがあると、光導波路端部側の波長変換素子の位置が精度よく位置決めできないことになり、波長変換素子と、光導波路間の光結合を良好におこなうことができない。特許文献1に記載の構成では、波長変換素子を1個だけ配置する構成例であるが、たとえばRGB光のそれぞれに波長変換素子を設け、計3個配置する構成も考えられ、この場合には、各波長変換素子と光導波路との光結合を良好におこなうことができない。このように、予め基板上に精度よく光導波路の端部を位置決めして形成できたとしても、基板に搭載する光学素子の光軸方向の長さの精度が出ていないときには、結果として、光結合に損失が生じる問題を生じた。本発明は、上述の従来技術による問題点を解消するため、光学部品の外径精度に誤差があっても、基板上に形成された光導波路との間の光結合を低光損失で簡単に結合できるレーザ光源およびレーザ光源の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかるレーザ光源は、レーザ素子と、前記レーザ素子のレーザ光を波長変換して出射する波長変換素子とが基板上に配置されたレーザ光源において、フォトリソグラフィ工程により前記基板上に形成された導波路部を備え、前記レーザ素子および前記波長変換素子は、前記導波路部に位置決めされて前記基板上に配置され、前記レーザ素子のレーザ光は前記導波路部を導波した後、前記波長変換素子に入射することを特徴とする。上記の構成により、基板上に導波路部を精密に形成でき、レーザ素子および波長変換素子の光軸方向の外形寸法にばらつきがあっても、レーザ素子および波長変換素子を導波路部に対し効率よく光結合させることができる。また、本発明にかかるレーザ光源は、複数のレーザ素子と、前記各レーザ素子のレーザ光を合波する結合器と、少なくとも一つの前記レーザ素子のレーザ光を波長変換して出射する波長変換素子とが基板上に配置されたレーザ光源において、フォトリソグラフィ工程により前記基板上に形成され、前記各レーザ素子のレーザ光を合波する結合器を有する導波路部を備え、前記各レーザ素子および前記波長変換素子は、前記導波路部に位置決めされて前記基板上に配置され、前記レーザ素子のレーザ光は前記導波路部を導波した後、前記波長変換素子に入射することを特徴とする。上記の構成により、基板上に導波路部を精密に形成でき、複数のレーザ素子および波長変換素子を配置する場合に、これら複数のレーザ素子および波長変換素子の光軸方向の外形寸法にばらつきがあっても、複数のレーザ素子および波長変換素子を導波路部に対し効率よく光結合させることができる。また、前記波長変換素子は、複数の前記レーザ素子のレーザ光を波長変換して出射することを特徴とする。上記の構成により、波長変換素子からは複数のレーザ素子のレーザ光を効率よく波長変換して出射することができる。また、前記レーザ素子および前記波長変換素子は、前記導波路部の端部位置を基準として位置決めされ、前記基板上に配置されることを特徴とする。上記の構成により、レーザ素子および波長変換素子の光軸方向の外形寸法にばらつきがあっても簡単に位置決めでき、導波路部に対して効率よく光結合させることができる。また、前記レーザ素子および前記波長変換素子は、前記導波路部の端部に直接光結合されることを特徴とする。上記の構成により、導波路部にレーザ素子および波長変換素子を低損失で効率よく光結合させることができるとともに、光軸方向の寸法サイズを小型化でき、レンズ等が不要で部品点数を削減できコストを安価にできる。また、前記レーザ素子および前記波長変換素子は、表面活性化接合により前記基板に固定されることを特徴とする。上記の構成により、基板上へのレーザ素子および波長変換素子の配置を容易かつ、正確に位置決めできる。本発明にかかるレーザ光源の製造方法は、レーザ素子と、前記レーザ素子のレーザ光を波長変換して出射する波長変換素子とが基板上に配置されたレーザ光源の製造方法において、フォトリソグラフィにより前記基板上に導波路部を形成する導波路部形成工程と、前記基板上に形成された前記導波路部に位置決めして、前記レーザ素子および前記波長変換素子を前記基板上に配置する配置工程と、を備えることを特徴とする。上記の構成により、基板上に導波路部を精密に形成でき、レーザ素子および波長変換素子の光軸方向の外形寸法にばらつきがあっても、レーザ素子および波長変換素子を導波路部に対し効率よく光結合させることができ、製造を容易におこなえる。また、本発明にかかるレーザ光源の製造方法は、複数のレーザ素子と、前記各レーザ素子のレーザ光を合波する結合器と、少なくとも一つの前記レーザ素子のレーザ光を波長変換して出射する波長変換素子とが基板上に配置されたレーザ光源の製造方法において、フォトリソグラフィにより、前記基板上に前記各レーザ素子のレーザ光を合波する結合器を有する導波路部を形成する導波路部形成工程と、前記基板上に形成された前記導波路部に位置決めして、前記各レーザ素子および前記波長変換素子を前記基板上に配置する配置工程と、を備えることを特徴とする。上記の構成により、基板上に導波路部を精密に形成でき、複数のレーザ素子および波長変換素子を配置する場合に、これら複数のレーザ素子および波長変換素子の光軸方向の外形寸法にばらつきがあっても、複数のレーザ素子および波長変換素子を導波路部に対し効率よく光結合させることができ、製造を容易におこなえる。また、前記レーザ素子および前記波長変換素子は、前記導波路部の端部位置を基準として位置決めされ、前記基板上に配置されることを特徴とする。上記の構成により、レーザ素子および波長変換素子の光軸方向の外形寸法にばらつきがあっても簡単に位置決めでき、導波路部に対して効率よく光結合させることができ、製造を容易におこなえる。本発明によれば、光学部品の外径精度に誤差があっても、基板上に形成された光導波路との間の光結合を低光損失で簡単に結合できるという効果を奏する。以下に添付図面を参照して、本発明にかかるレーザ光源の好適な実施の形態を詳細に説明する。実施の形態1レーザ光源の構成図1は、実施の形態1にかかるレーザ光源の構成を示す平面図である。このレーザ光源100は、基板101と、基板101上に形成する導波路部光導波路103と、基板101上に配置搭載される光学素子とを有する。光学素子は、レーザ素子102と、光波長の変換をおこなう波長変換素子104と、を有する。波長変換素子104は、基板に対して水平方向に分極反転が形成されたx-Cutあるいはy-Cutの周期分極ニオブ酸リチウムPPLN基板からなる。図1では説明を簡単にするために、光導波路103を直線状に1本だけ設けて記載してあるが、後述する実施の形態2で説明するように、並列して複数の光導波路103を設け、さらには、直線状以外の曲げ部を有する構成としてもよい。基板101は、たとえばシリコンSi等の半導体材質や金属、樹脂等よりなり、表面には、たとえば窒化シリコンSiN等の材質からなる光導波路103が設けられる。この光導波路103は、後述する製法により形成され、両端部103a,103bの位置は、精度よく位置決めして設けることができる。基板101上において、光導波路103の一端部光入射側103aには、レーザ素子102の光出射端が位置決めして実装される。これにより、レーザ素子102から出射される光は、直接結合により効率よく光導波路103に光結合され、光導波路103に入射させることができる。また、基板101上において、光導波路の他端部光出射側103bには、波長変換素子104の光入射端が位置決めして実装される。これにより、光導波路103の他端部103bから出射される光は、直接結合により効率よく波長変換素子104に光結合され、波長変換素子104に入射させることができる。この波長変換素子104は、外径寸法光軸方向の長さ、幅、高さにばらつきがあり、光導波路103の位置決め精度に比して大きな誤差を有している。図2は、図1に示したレーザ光源のa-a線断面図である。基板101の表面上面には、SiO2膜シリコン酸化膜101aが形成される。このSiO2膜101a上には、光導波路103を形成する位置以外の位置、すなわち、光導波路103の両端部には、微細な突起マイクロバンプ111aを有する電極111がそれぞれ形成される。電極111上には、それぞれレーザ素子102の電極102a、および波長変換素子104の電極104aが常温活性化接合により実装される。上記の波長変換素子104としては、QPMQuasiPhaseMatching素子、SHGSecondHarmonicGeneration素子等があり、SHGである場合、SHGレーザ光源を構成できる。そして、レーザ素子102と波長変換素子104とを光導波路103を介して、いずれも直接結合により、近接させて結合できるようになるため、低コスト化と、光軸方向の大きさの小型化が達成できるようになる。レーザ光源の製造工程つぎに、上記レーザ光源100の製造工程について説明する。図3-1~図3-13は、それぞれレーザ光源の製造工程を示す図である。はじめに、図3-1に示すように、光軸方向に所定の長さを有するSi等の基板101を形成する。この基板101の表面上面にSiO2膜酸化膜101aを形成する。SiO2膜101aは、熱酸化膜あるいはプラズマCVD膜とすることができ、1~2μm程度の膜厚とする。つぎに、図3-2に示すように、基板101上に光導波路103を形成するための形成材料、たとえば窒化シリコン膜SiNをプラズマCVD等によって形成する。SiN膜の膜厚は、たとえば、3μm程度とする。この後、図3-3に示すように、光導波路103の形成材料上にレジスト120の塗布によりレジストパターンを形成する。そして、図3-4に示すように、光導波路103の光軸の長さ、すなわち、両端部103a,103bの位置に合わせてレジスト120を取り除き、残ったレジストパターンをマスクとしてSiN膜をエッチングドライまたはウェットする。これによって、基板101上に両端部103a,103bが高精度に位置決めされた状態で光軸方向に所定の長さの光導波路103が形成される。この後、図3-5に示すように、光導波路103上のレジスト120を除去する。この光導波路103は、リッジ型光導波路を例に説明したが、これに限らず、プロトン交換法により、光導波路103を形成する構成とすることもできる。つぎに、図3-6に示すように、基板101上に電極111の形成材料、たとえばAuを積層形成する。そして、図3-7に示すように、基板101上で電極111を形成する位置図2に示したレーザ素子102、および波長変換素子104の搭載位置にレジスト120を塗布する。この後、図3-8に示すように、レジスト120をマスクとしたエッチングをおこなうことにより、基板101上のレーザ素子102、および波長変換素子104の搭載位置に電極111が形成される。この後、電極111上に微細な突起マイクロバンプ111aを形成するため、レジスト120上にマイクロバンプ形成用のマスク不図示を載せる。このマスクは、マイクロバンプを形成するための微細な円形状の開口たとえばφ5μmが形成されてなる。そして、紫外線照射することにより、図3-9に示すように、レジスト120にマイクロバンプに対応して開口されたレジストパターンが形成される。この後、マスクを取り外し、図3-10に示すように、レジスト120の上部からハーフエッチングする。これにより、レーザ素子102、波長変換素子104の電極111の表面には、Au膜の厚さ方向に所定深さを有する段差部111bが形成される。そして、図3-11に示すように、レジスト120を除去することにより、除去した部分には、多数のマイクロバンプ111aが形成される。マイクロバンプ111aは、たとえば、高さ2μmで直径5μmの円柱状の突起が10~25μmピッチで左右均等に複数配置されたものである。なお、突起の形状、高さ、幅、ピッチ等は一例であって、上記に限定されるものではない。マイクロバンプ111aは、スパッタリングあるいは蒸着またはメッキ等の手法によって形成された電極111上にハーフエッチングによって成形されているため、マイクロバンプ111aに含まれる全ての突起の高さを高精度に均一化することができる。以下、光学素子レーザ素子102と、波長変換素子104の実装にあたり、マイクロバンプ111aの表面を覆っている酸化膜またはコンタミ等の不活性層を、プラズマ洗浄処理することによって表面活性化をおこなう。表面活性化によって、表面エネルギーの高い原子同士を接触させることができるので、原子間の凝着力を利用して常温で強固に接合することが可能となる。本接合方法は、特別な加熱を要しないことから、熱膨張係数差の残留応力による各部品の位置ずれが発生しにくく、高精度の位置決め実装をすることができる。また、熱膨張係数差の残留応力による部品破壊が発生しにくい、部品に対するストレスがなく機能劣化が少ない、等の利点も備えている。そして、図3-12に示すように、レーザ素子102を光導波路103の一端側において、電極111上の表面活性化されたマイクロバンプ111a上に実装する。レーザ素子102の接合面下面にも、Au膜からなる電極102aが形成され、その表面は活性化処理が施されている。したがって、マイクロバンプ111aの上部に所定の荷重を加えてレーザ素子102を実装するだけで、レーザ素子102はマイクロバンプ111a上に表面活性化接合して固定される。この際、レーザ素子102下面には図示しないアライメントマークを形成し、基板101側のアライメントマークを基準にレーザ素子102のX軸,Y軸方向の位置決めをおこなう。また、レーザ素子102は、マイクロバンプ111aを介して駆動電流の供給を受けるように構成することができる。その際には、マイクロバンプ111aを形成するための電極111に駆動電流の供給用の所定のパターンニングが施されるようにすればよい。つぎに、図3-13に示すように、波長変換素子104を光導波路103の他端側において、電極111上の表面活性化されたマイクロバンプ111a上に調芯実装する。波長変換素子104の接合面にも、Au膜からなる電極104aが形成され、その表面は活性化処理が施されている。したがって、マイクロバンプ111aの上部に所定の荷重を加えて波長変換素子104を実装するだけで、波長変換素子104はマイクロバンプ111aを潰し、電極111に対して表面活性化接合して固定される。波長変換素子104の調芯時においても、波長変換素子104の下面には、図示しないアライメントマークが形成されており、基板101側のアライメントマークを基準に波長変換素子104のX軸,Y軸方向の位置決めをおこなう。上述したレーザ素子102、および波長変換素子104の実装は、不図示の電子部品を回路基板上に装着する調芯実装装置によりおこなう。この際、レーザ素子102から出射されたレーザ光の出力レベル、光導波路103の出射端での光レベル、波長変換素子104の出射端での光レベルをそれぞれ検出して、結合状態が最適となるように平面のX軸,Y軸および高さのZ軸等の調整をし、マイクロバンプ111aを潰す圧力を調整して接合させる。以上説明した実施の形態1によれば、光導波路103の両端部103a,103bの位置を基準として、レーザ素子102光出射端、および波長変換素子104光入射端を位置決めして搭載することにより、レーザ素子102と光導波路103との間の光結合、および光導波路103と波長変換素子104との間の光結合について、いずれも高精度に結合させることができる。そして、光導波路103の両端部103a,103bの位置が正確であるため、レーザ素子102、および波長変換素子104の光軸方向の長さにばらつきがあっても、ばらつきがある光学素子の影響が積算されることが無く、この光軸方向に沿って光導波路103を中心として配置された複数の光学素子レーザ素子102~光導波路103~波長変換素子104間の光結合を精度よくおこなえるようになる。実施の形態2図4は、実施の形態2にかかるレーザ光源の構成を示す平面図である。実施の形態2では、光学素子として、R,G,B用のIR光を出射する複数のレーザ素子102と、少なくとも一つのレーザ素子102のレーザ光を波長変換して出射する一つ以上の波長変換素子104と、光検出器PD105とからなる。基板101は、これらの光学素子を搭載するため、所定幅および長さを有し、実施の形態1に比して幅広に形成されている。この基板101上には実施の形態1と同様の製法にて光導波路103が形成されている。この光導波路103は、一端部103a103aa~103acが各レーザ素子102102a~102cの光出射端位置L1に位置するよう精密に形成される。他端部103baについては、位置L2光検出器105aの光入射端に位置するよう精密に形成され、他端部103bb,103bcについては、位置L3光検出器105bおよび波長変換素子104の光入射端に位置するよう精密に形成される。この光導波路103は、途中位置に所定の結合長を有する結合器103ca,103cbが設けられている。結合器103caでは、R,G用のレーザ素子102a,102bの波長の光を合波出力し、結合器103cbでは、結合器103caで結合後のRG用のレーザ素子102a,102bの波長の光と、B用のレーザ素子102cの波長の光とを合波出力する。これにより、光検出器105aは、RGのレーザ素子102a,102bの波長の光レベルを検出する。また、光検出器105bは、RGBのレーザ素子102a,102b,102cの波長の光レベルを検出する。この実施の形態2では、波長変換素子104は、合波されたレーザ素子102a~102cのRGB用のIRレーザ光に対する波長変換をおこなう。上記構成に限らず、たとえば、G用のレーザ素子102bだけがIRレーザ素子であり、他のRB用のレーザ素子102a,102cは、直接発光のレーザ素子を用いる構成としてもよい。このように、複数の光学素子が搭載される実施の形態2の構成においても、光導波路103の一端部103a、および他端部103bは精密に位置決めして形成できる。そして、光導波路103の一端部103aに複数のレーザ素子102a~102cを直接結合させるよう精密に搭載でき、他端部103bに光検出器105a、および光検出器105bと波長変換素子104を直接結合させるよう精密に搭載することができる。したがって、実施の形態2によれば、光導波路103の両端部103a,103bの位置を基準として、レーザ素子102光出射端、および波長変換素子104光入射端を位置決めして搭載することにより、レーザ素子102と光導波路103との間の光結合、および光導波路103と波長変換素子104との間の光結合について、いずれも高精度に結合させることができる。そして、光導波路103の両端部103a,103bの位置が正確であるため、レーザ素子102、波長変換素子104、光検出器105の光軸方向の長さにばらつきがあっても、ばらつきがある光学素子の影響が積算されることが無く、この光軸方向に沿って光導波路103を中心として配置された複数の光学素子レーザ素子102~光導波路103~波長変換素子104、およびレーザ素子102~光導波路103~光検出器105間の光結合を精度よくおこなえるようになる。"