その各々が、裏側、および人間の肌と接触するためのなめらかな表面を持っている、1以上の超音波の振動伝達板と、各々の前記超音波の振動板の裏側に連結された少なくとも2の異なった超音波の振動トランスデューサーと、を備え、前記超音波の振動トランスデューサーの各々は、20kHzから25MHzの間の固有の周波数の超音波を発生し、前記超音波の振動トランスデューサーの各々は、前記なめらかな表面に対して平行している底面を持っており、前記超音波の振動トランスデューサーのどれでも、前記底面と前記なめらかな表面までの距離は、おおよそ前記振動板の内に前記超音波の振動トランスデューサーによって発生される前記超音波の半波長の整数倍である、肌手入れマッサージ用の超音波の装置。前記超音波の振動トランスデューサーは、前記超音波の振動板の中にはめ込まれた少なくとも1の第一の超音波の振動トランスデューサーおよび前記超音波の振動板の裏面に連結された少なくとも1の第二の超音波の振動トランスデューサーを備える、請求項1記載の装置。前記第一の超音波の振動トランスデューサーは円柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む環状の筒の形状をしている、請求項2記載の装置。前記第一の超音波の振動トランスデューサーは楕円形の柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む楕円形の筒の形状をしている、請求項2記載の装置。前記第一の超音波の振動トランスデューサーは楕円形の柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは実質的に前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む部分的な楕円形の筒の形状をしている、請求項2記載の装置。前記第一の超音波の振動トランスデューサーは任意のタイプの上面図を持った柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは任意の上面図を持った筒の形状をしており、前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む、請求項2記載の装置。前記超音波の振動トランスデューサーは、前記超音波の振動板の突出する部材に連結された少なくとも1の第一の超音波の振動トランスデューサーおよび前記超音波の振動板の裏面に連結された少なくとも1の第二の超音波の振動トランスデューサーを備える、請求項1記載の装置。前記第一の超音波の振動トランスデューサーは円柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む環状の筒の形状をしている、請求項7記載の装置。前記第一の超音波の振動トランスデューサーは楕円形の柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む楕円形の筒の形状をしている、請求項7記載の装置。前記第一の超音波の振動トランスデューサーは楕円形の柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは実質的に前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む部分的な楕円形の筒の形状をしている、請求項7記載の装置。前記第一の超音波の振動トランスデューサーは任意のタイプの上面図を持った柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは任意の上面図を持った筒の形状をしており、前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む、請求項7記載の装置。前記異なった超音波の振動トランスデューサーは、前記振動伝達板の各々の表面に並んで配置される、請求項1記載の装置。前記異なった超音波の振動トランスデューサーは、前記振動伝達板の各々の表面に入り混じった状態で行列をなして配置される、請求項1記載の装置。前記異なった超音波の振動トランスデューサーは、前記振動伝達板の各々の表面に個々別々の集合をなして配置される、請求項1記載の装置。各集合の中の前記超音波の振動トランスデューサーは、同じ超音波の周波数を持っている、請求項14記載の装置。本発明が多数の異なった様式、デザインまたは構成で実施されてもさしつかえないとは言え、当該発明の原理の理解を促進するという目的上、図面で説明される実施態様への参照がされて特定の文言が同上のものを記述するために用いられるだろう。発明の範囲の限定がそれによって意図されないことは、それにもかかわらず理解されるだろう。発明と関連がある技術の当業者であれば標準的に頭に浮かぶような、ここに記述するところによる当該発明の原理の任意の変更およびそれ以上の実施が、予期される。本発明は、その各々が、裏側、および人間の肌と接触するためのなめらかな表面を持っている、1以上の超音波の振動伝達板;および各々の超音波の振動板の裏側に連結された少なくとも2の異なった超音波の振動トランスデューサーを備える、肌手入れマッサージ用の超音波の装置を教示する。超音波の振動トランスデューサーの各々は、20kHzから25MHzの間の固有の周波数の超音波を発生する。超音波の振動トランスデューサーの各々は、なめらかな表面に対して平行している底面を持っている。超音波の振動トランスデューサーのどれでも、底面となめらかな表面までの距離は、おおよそ超音波の振動トランスデューサーによって発生される超音波の半波長の整数倍である。この出願の文脈において、トランスデューサーの周波数と整合する板厚さは、超音波のトランスデューサーが振動伝達板表面の上に位置調整される時に、トランスデューサー下の振動伝達板の厚さが最大にトランスデューサーによって発生される振動を伝達するために超音波のトランスデューサーの周波数と整合するということを意味して言う。言い換えれば、当該整合する厚さで、振動伝達板は、板の厚さを横切ってトランスデューサーが存する側に対する板の異なった側までトランスデューサーによって発生される超音波の振動を最も能率的に伝達することができる。そのような厚さは通常は超音波のトランスデューサーが動作する周波数での当該板の固有の音波の半波長のN倍であり、そしてここにNは非零の整数である。図2Aは本発明の第一の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図2Bは図2Aのトランスデューサーの断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、1板21;2より低い周波数のトランスデューサーTLF22;3TLF22の底面と板21の処置表面26との間の第一の板厚さ24;4板21における端ぐり23の中に存するより高い周波数のトランスデューサーTHF25;および5THF25の底面と板21の処置表面26との間の第二の板厚さ27を含む。TLF22およびTHF25は板基礎厚さがTLF周波数と整合して同じ板において並んで組み入れられ、同時にTHF25は板21の中へへこんだ端ぐりタイプ穴構造23の内に存する。THF25が存する板範囲の第一の板厚さ24は、THF周波数と整合する。実施において、単一のTLFに隣接する複数のTHFまたは単一のTHFに隣接する複数のTLFがあってもよい。THF25およびTLF22は両方とも、円柱の形状をしている。図3Aは本発明の第二の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図3Bは図3Aのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、1板31;2より低い周波数のトランスデューサーTLF32;3TLF32の底面と板31の処置表面36との間の第一の板厚さ34;4より高い周波数のトランスデューサーTHF35;および5THF35の底面と板31の処置表面36との間の第二の板厚さ37を含む。TLF32およびTHF35は板基礎厚さがTHF周波数と整合して同じ板において並んで組み入れられ、同時にTLF32は基礎板31から起こる突出33の上に位置する。突出33および基礎板31は、TLF周波数と整合する有効な厚さ34を形成する。実施において、単一のTLFに隣接する複数のTHFまたは単一のTHFに隣接する複数のTLFがあってもよい。THF35およびTLF32は両方とも、円柱の形状をしている。図4Aは本発明の第三の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図4Bは図4Aのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、1板41;2より低い周波数のトランスデューサーTLF42;3TLF42の底面と板41の処置表面46との間の第一の板厚さ44;4より高い周波数のトランスデューサーTHF45;および5THF45の底面と板41の処置表面46との間の第二の板厚さ47を含む。TLF42およびTHF45は同心円状の環状の配置を用いて同じ板41において組み入れられ、そしてここにTLF42はリング型トランスデューサーでありTHF45はTLF42の中心クリアランスの内に位置づけられ基礎板41の中へへこんだ端ぐり穴43の内に存するより小さい丸いトランスデューサーである。第一の板厚さ44、すなわち板基礎厚さ、は、TLF周波数と整合する。第二の板厚さ47、すなわち有効な板厚さ、は、THF周波数と整合する。THF45およびTLF42は両方とも、円柱の形状をしている。図5Aは本発明の第四の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図5Bは図5Aのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、1板51;2より低い周波数のトランスデューサーTLF52;3TLF52の底面と板51の処置表面56との間の第一の板厚さ54;4より高い周波数のトランスデューサーTHF55;および5THF55の底面と板51の処置表面56との間の第二の板厚さ57を含む。TLF52およびTHF55は同心円状の配置を用いて同じ板51において組み入れられ、そしてここにTHF55はリング型トランスデューサーでありTLF52は基礎板51から起こる突出53の上部に位置するより小さいトランスデューサーである。突出53は、THF55の中心クリアランスの内に位置づけられる。第二の板厚さ57、すなわち板基礎厚さ、は、THF周波数と整合する。第一の板厚さ54、すなわち有効な板厚さ、は、TLF周波数と整合する。THF55およびTLF52は両方とも、円柱の形状をしている。図6Aは本発明の第五の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図6Bは図6Aのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、1板61;2より低い周波数のトランスデューサーTLF62;3TLF62の底面と板61の処置表面66との間の第一の板厚さ64;4より高い周波数のトランスデューサーTHF65;および5THF65の底面と板61の処置表面66との間の第二の板厚さ67を含む。TLF62およびTHF65はTLF62が中心クリアランスを持っていて同じ板61において組み入れられそしてTHF65はTLF62の中心クリアランスの内に位置づけられ基礎板61の中へへこんだ端ぐり穴63の内に存するより小さいトランスデューサーである。第一の板厚さ64、すなわち板基礎厚さ、は、TLF周波数と整合する。第二の板厚さ67、すなわち有効な板厚さ、は、THF周波数と整合する。THF65は、楕円の上面図を持った柱の形状をしている。TLF62は、THF65を囲む楕円形の筒の形状をしている。図6Aにおいて、TLF62、中心クリアランスおよびTHF65は楕円形の形状をなして示されるが、それらは実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。図7Aは本発明の第六の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図7Bは図7Aのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、1板71;2より低い周波数のトランスデューサーTLF72;3TLF72の底面と板71の処置表面76との間の第一の板厚さ74;4より高い周波数のトランスデューサーTHF75;および5THF75の底面と板71の処置表面76との間の第二の板厚さ77を含む。TLF72およびTHF75は、同じ板71において組み入れられる。THF75は中心クリアランスを持っていてそしてTLF72は基礎板71から起こる突出73の上部に位置するより小さいトランスデューサーである。突出73は、THF75の中心クリアランスの内に位置づけられる。第二の板厚さ77、すなわち板基礎厚さ、は、THF周波数と整合する。第一の板厚さ74、すなわち有効な板厚さZLF、は、TLF周波数と整合する。TLF72は、楕円の上面図を持った柱の形状をしている。THF75は、TLF72を囲む楕円形の筒の形状をしている。図7Aにおいて、TLF72、中心クリアランスおよびTHF75は楕円の形状をなして示されるが、それらは実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。図8Aは本発明の第七の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図8Bは図8Aのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、1板81;2より低い周波数のトランスデューサーTLF82;3TLF82の底面と板81の処置表面86との間の第一の板厚さ84;4より高い周波数のトランスデューサーTHF85;および5THF85の底面と板81の処置表面86との間の第二の板厚さ87を含む。TLF82およびTHF85は、同じ板81において組み入れられる。TLF82は、TLF82を部分的にとり囲んだ形状にするクリアランスを持っている。THF85は、TLF82のクリアランスの内に位置づけられ基礎板81の中へへこんだ端ぐり穴83の内に存するより小さいトランスデューサーである。第一の板厚さ84、すなわち板基礎のより大きい厚さ、は、TLF周波数と整合する。第二の板厚さ87、すなわち有効な板厚さ87は、THF周波数と整合する。THF85は、楕円の上面図を持った柱の形状をしている。TLF82は、実質的にTHF85を囲む部分的な楕円形の筒の形状をしている。図8Aにおいて、TLF82、中心クリアランスおよびTHF85は楕円または部分的な楕円の形状をなして示されるが、それらは実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。図9Aは本発明の第八の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図9Bは図9Aのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、1板91;2より低い周波数のトランスデューサーTLF92;3TLF92の底面と板91の処置表面96との間の第一の板厚さ94;4より高い周波数のトランスデューサーTHF95;および5THF95の底面と板91の処置表面96との間の第二の板厚さ97、すなわち板のより小さい厚さ、を含む。TLF92およびTHF95は、同じ板91において組み入れられる。THF95は、THF95を部分的にとり囲んだ形状にするクリアランスを持っている。TLF92は、基礎板91から起こる突出93の上部に位置するより小さいトランスデューサーである。突出93は、THF95の中心クリアランスの内に位置づけられる。第二の板厚さ97、すなわち板の基礎厚さ、は、THF周波数と整合する。第一の板厚さ94、すなわち有効な板厚さ、は、TLF周波数と整合する。TLF92は、楕円の上面図を持った柱の形状をしている。THF95は、実質的にTLF92を囲む部分的な楕円形の筒の形状をしている。図9Aにおいて、TLF92、中心クリアランスおよびTHF95は楕円または部分的な楕円の形状をなして示されるが、それらは実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。図10Aは本発明の第九の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図10Bは図10Aのトランスデューサーの断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、1板101;2第一の周波数を持ったトランスデューサーTF1102;3TF1102の底面と板101の処置表面106との間の第一の板厚さ103;4第一の周波数と異なっている、第二の周波数を持ったトランスデューサーTF2104;および5TF2104の底面と板101の処置表面106との間の第二の板厚さ105を含む。TF1102およびTF2104は、同じ板面の表面に組み入れられる。第一の板厚さ103は、TF1102の超音波の周波数と整合する。第二の板厚さ105は、TF2104の超音波の周波数と整合する。実施において、単一のTF2104に隣接する複数のTF1102または単一のTF1102に隣接する複数のTF2104があってもよい。あるいは、複数のTF1102およびTF2104は、入り混じった状態で行列をなして配置されてもよい。複数のTF1102およびTF2104はまた、各集合が同じ周波数のトランスデューサーを持ちながら別々の集合をなして配置されてもよく、そして異なった集合は同じ板の異なった範囲の表面に位置調整される。あらゆる可能な配置において、各トランスデューサーは、当該トランスデューサーの超音波の周波数に対して整合する板厚さに基づいて存する。図2Aおよび図2B、そこでは高い周波数のトランスデューサーは低い周波数のトランスデューサーよりも薄い板厚さに基づいて位置するが、においてとは異なって、各トランスデューサー下の板厚さが各トランスデューサーの周波数での半波長の整数倍であれば、図10Aおよび図10Bにおける高い周波数のトランスデューサーが低い周波数のトランスデューサーよりも厚い板厚さに基づいて位置してもさしつかえない。1のそのような実施例は高い周波数での完全な音波長である高い周波数のトランスデューサー下の板厚さでありえ、同時に低い周波数のトランスデューサー下の板厚さは低い周波数での半分の音波長である。低い周波数値が高い周波数値の50よりも大きいと、低い周波数のトランスデューサー下の板厚さは高い周波数のトランスデューサー下の板厚さよりも薄い。図10Aにおいて、TF1およびTF2は円の形状として示されるが、TF1およびTF2の実際の形状はどんな規則正しいまたは不規則な形状であってもよい。図11Aは本発明の第十の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図11Bは図11Aのトランスデューサーの断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、1板111;2第一の周波数を持ったトランスデューサーTF1112;3TF1112の底面と板111の処置表面116との間の第一の板厚さ113;4第一の周波数と異なっている第二の周波数を持ったトランスデューサーTF2114;および5TF2114の底面と板111の処置表面116との間の第二の板厚さ115を含む。TF1112およびTF2114は、同じ板面の表面に組み入れられる。TF2114は、中心クリアランスを持っている。TF1112は、TF2114の中心クリアランスの中に存するより小さいトランスデューサーである。第一の板厚さ113は、TF1112の超音波の周波数と整合する。第二の板厚さ115は、TF2114の超音波の周波数と整合する。TF1112は、円柱の形状をしている。TF2114は、TF1112を囲む環状の筒の形状をしている。図3Aおよび図3B、そこでは高い周波数のトランスデューサーは低い周波数のトランスデューサーよりも薄い板厚さに基づいて位置するが、においてとは異なって、各トランスデューサー下の板厚さが各トランスデューサーの周波数での半波長の整数倍であれば、図10Aおよび図10Bにおける高い周波数のトランスデューサーが低い周波数のトランスデューサーよりも厚い板厚さに基づいて位置してもさしつかえない。1のそのような実施例は高い周波数での完全な音波長である高い周波数のトランスデューサー下の板厚さでありえ、同時に低い周波数のトランスデューサー下の板厚さは低い周波数での半分の音波長である。低い周波数値が高い周波数値の50よりも大きいと、低い周波数のトランスデューサー下の板厚さは高い周波数のトランスデューサー下の板厚さよりも薄い。図11Aにおいて、TF2およびそれの中心クリアランスは円の形状として示されるが、TF1、TF2および中心クリアランスの実際の形状は実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。また単一のTF2のトランスデューサー中心クリアランスの中に存する複数のTF1があってもよい。あらゆる可能な配置において、各トランスデューサーは、当該トランスデューサーの超音波の周波数と整合する板厚さに基づいて存する。前文に記述された実施態様において、超音波の振動トランスデューサーの各々は、20kHzから25MHzの間の固有の周波数の超音波を発生する。理想的には、超音波の振動トランスデューサーの底面となめらかな処置表面までの距離は、超音波の振動トランスデューサーによって発生される超音波の半波長の整数倍である。実施において、各超音波のトランスデューサー下の各板厚さは、超音波のトランスデューサーによって発生される波の周波数と同じ周波数で超音波の振動板の内に伝わる音波の半波長の整数倍の-20と20との変動の範囲内であってもさしつかえない。本発明の1以上の実施態様が上に説明されたと同時に、当業者はそれらの実施態様に対しての変更および採用が本発明の範囲および精神からはずれずにされてもさしつかえないということを認識するだろう。