導電性の支持体と、前記支持体上に位置するp電極と、前記p電極上に順に位置するIII族窒化物半導体からなるp型層、発光層、n型層である半導体層と、前記n型層上に位置するn電極と、を有するIII族窒化物半導体発光素子において、前記半導体層の外周を貫通し、前記半導体層をメサ状とする素子分離溝と、前記素子分離溝の底面である第1領域および側面である第2領域、前記n型層上の外周領域である第3領域に連続して設けられた絶縁膜と、を有し、前記n電極は、ボンディングワイヤと接続されるパッド部と、前記パッド部から離間して位置し、その一部ないし全部が前記n型層上に位置するコンタクト部と、外周に沿って線状に延伸して前記パッド部と前記コンタクト部とを接続し、その全部が前記絶縁膜上に位置する、もしくは、その一部が前記絶縁膜上に位置し、他の部が前記n型層上に位置する外周線状部と、を有する、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。前記外周線状部は、その全部が前記絶縁膜上に位置することを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記外周線状部は、前記絶縁膜の前記第1領域上にのみ位置する、ことを特徴とする請求項2に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記パッド部は、一部が前記絶縁膜上に位置し、他の部が前記n型層上に位置することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記パッド部は、全部が前記絶縁膜上に位置することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記パッド部は、全部が前記絶縁膜の前記第1領域上に位置する、ことを特徴とする請求項5に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記コンタクト部は、一部が前記絶縁膜上に位置し、他の部が前記n型層上に位置することを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記n型層上に透明電極が位置していることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記n型層の前記発光層側とは反対側の表面に凹凸形状が形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記n電極は、すべて同一材料からなることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記n電極は、Ti、W、Al、Cr、またはそれらを含む合金からなることを特徴とする請求項10に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記n電極のうち、前記パッド部および前記コンタクト部は、前記n型層に対してオーミック接触する材料からなり、前記外周線状部は、前記パッド部よりも前記絶縁膜に対する密着性の高い材料からなる、ことを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記パッド部および前記コンタクト部は、Ti、W、Al、Cr、またはそれらを含む合金からなり、前記外周線状部は、前記パッド部とは異なる材料であって、Ni、Ti、Cu、Al、またはこれらを含む合金からなる、ことを特徴とする請求項12に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記コンタクト部は、パッド部を兼ねることを特徴とする請求項1ないし請求項13のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。しかし、特許文献1、2のようなn電極の構造を採用しても、n電極による光の反射吸収の抑制効果は十分でなかった。そのため、光取り出し効率を十分に向上させることができなかった。そこで本発明の目的は、n電極による光の反射吸収を低減し、光取り出し効率が向上されたIII族窒化物半導体発光素子を実現することである。第1の発明は、導電性の支持体と、支持体上に位置するp電極と、p電極上に順に位置するIII族窒化物半導体からなるp型層、発光層、n型層である半導体層と、n型層上に位置するn電極と、を有するIII族窒化物半導体発光素子において、半導体層の外周を貫通し、半導体層をメサ状とする素子分離溝と、素子分離溝の底面である第1領域および側面である第2領域、n型層上の外周領域である第3領域に連続して設けられた絶縁膜と、を有し、n電極は、ボンディングワイヤと接続されるパッド部と、パッド部から離間して位置し、その一部ないし全部がn型層上に位置するコンタクト部と、外周に沿って線状に延伸してパッド部とコンタクト部とを接続し、その全部が絶縁膜上に位置する、もしくは、その一部が絶縁膜上に位置し、他の部がn型層上に位置する外周線状部と、を有する、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。ここで、外周とは平面視におけるIII族窒化物半導体発光素子の外周またはその近傍の領域を意味する。パッド部やコンタクト部は1つであってよいし、複数あってもよい。また、コンタクト部はパッド部を兼ねていてもよい。また、外周線状部は線状であればよく、直線や曲線、およびその双方が混在した線状であってよい。n電極は、外周線状部に接続し、外周線状部で囲われた領域を分断する分断部を有していてもよい。パッド部と外周線状部、またはコンタクト部と外周線状部は、直接接続されていてもよいし、分断部などを介して間接的に接続されていてもよい。パッド部は、全部がn型層上に位置していてもよいが、一部ないし全部が絶縁膜上に位置していることが望ましい。パッド部による光の反射吸収で光取り出し効率が低下してしまうのを抑制することができるからである。また、コンタクト部もまた、全部がn型層上に位置していてもよいが、一部が絶縁膜上に位置していることが望ましい。コンタクト部による光の反射吸収で光取り出し効率が低下してしまうのを抑制することができるからである。パッド部およびコンタクト部と、外周線状部とでは、同一材料であってもよいし、材料が異なっていてもよい。パッド部およびコンタクト部にはn型層に対してオーミック接触する材料を用い、外周線状部にはパッド部よりも絶縁膜に対する密着性の高い材料を用いることができる。n型層に対してオーミック接触する材料は、たとえば、Ti、W、Al、Cr、またはそれらを含む合金である。絶縁膜に対する密着性の高い材料は、たとえば、Niやそれを含む合金である。パッド部やコンタクト部の平面視での形状は任意であり、正方形や長方形矩形、円、扇形、などである。n型層上にはITOなどの透明電極を有していてもよく、これにより素子面方向への電流拡散性をより高めることができる。また、n型層表面n電極形成側の面には、凹凸形状を設けて光取り出し効率を向上させるようにしてもよい。第2の発明は、第1の発明において、外周線状部は、その全部が絶縁膜上に位置することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第3の発明は、第2の発明において、外周線状部は、絶縁膜の第1領域上にのみ位置する、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第4の発明は、第1の発明から第3の発明において、パッド部は、一部が絶縁膜上に位置し、他の部がn型層上に位置することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第5の発明は、第4の発明において、パッド部は、全部が絶縁膜上に位置することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第6の発明は、第5の発明において、パッド部は、全部が絶縁膜の第1領域上に位置する、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第7の発明は、第1の発明から第6の発明において、コンタクト部は、一部が絶縁膜上に位置し、他の部がn型層上に位置することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第8の発明は、第1の発明から第7の発明において、n型層上に透明電極が位置していることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第9の発明は、第1の発明から第8の発明において、n型層の発光層側とは反対側の表面に凹凸形状が形成されていることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第10の発明は、第1の発明から第9の発明において、n電極は、すべて同一材料からなることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第11の発明は、第10の発明において、n電極は、Ti、W、Al、Cr、またはそれらを含む合金からなることを特徴とする。第12の発明は、第1の発明から第9の発明において、n電極のうち、パッド部およびコンタクト部は、n型層に対してオーミック接触する材料からなり、外周線状部は、パッド部よりも絶縁膜に対する密着性の高い材料からなる、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第13の発明は、第12の発明において、パッド部およびコンタクト部は、Ti、W、Al、Cr、またはそれらを含む合金からなり、外周線状部は、パッド部とは異なる材料であって、Ni、Ti、Cu、Al、またはこれらを含む合金からなる、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第14の発明は、第1の発明から第13の発明において、コンタクト部は、パッド部を兼ねることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。本発明では、n電極がパッド部、コンタクト部、およびパッド部とコンタクト部とを接続する外周線状部とを有する構造とし、外周線状部の一部ないし全部を、素子分離溝の底面、側面、n型層上の外周領域に連続して形成された絶縁膜上に配置することで、光の反射吸収を低減することができ、光取り出し効率を向上させることができる。特に本発明は、均一に電流を流しづらい形状のIII族窒化物半導体発光素子、たとえば平面視でアスペクト比の大きい長方形などである場合に特に有効である。そのようなIII族窒化物半導体発光素子であっても、発光領域全体に均一に電流を拡散させることができ、光出力を低下させることなく発光効率を向上させることができる。以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。なお、以下において外周とは、特に断りのない限り、平面視における素子の外周あるいはその近傍の領域を示す。図1は、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子1の構成を示した平面図、図2は、図1におけるA-Aでの断面図、図3はB-Bでの断面図である。図1のように、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子は、平面視で正方形である。実施例1のIII族窒化物半導体発光素子1は、図2、3のように、導電性の支持体10と、支持体10上に、接合層20を介して接合されたp電極30と、p電極上に位置し、III族窒化物半導体からなる半導体層40と、半導体層40上に位置するn電極50と、を有している。半導体層40は、p電極30側から順に、p型層41、発光層42、n型層43の3層が積層された構造である。p電極30と半導体層40との間であって、平面視においてn電極50と対向する位置には、電流注入防止層60が形成されている。また、半導体層40の端部平面視において素子の外周にあたる領域には、素子分離溝70が形成されている。素子分離溝70は、半導体層40を貫通している。また、その素子分離溝70の底面、側面、n型層43上の端部に連続して、絶縁膜80が形成されている。この実施例1のIII族窒化物半導体発光素子は、支持体10裏面接合層20側とは反対側の面に設けられた裏面電極図示しないとn電極50間に電圧を印加して素子主面に垂直な方向に導通させて発光させ、n型層43側から光を取り出す構造である。支持体10は、Si、GaAs、Cu、Ge、Cu-Wなどからなる導電性基板を用いることができる。接合層20には、Au-Sn層、Au-Si層、Ag-Sn-Cu層、Sn-Bi層などの金属共晶層を用いることができ、低融点金属ではないが、Au層、Sn層、Cu層などを用いることもできる。なお、接合層を用いて支持体101とp電極103とを接合するのではなく、p電極30上に直接めっきやスパッタなどによってCuなどの金属層を形成して支持体10としてもよい。p電極30には、Ag、Rh、Pt、Ruやこれらの金属を主成分とする合金などの高光反射率で低コンタクト抵抗な金属や、Ni、Ni合金、Au合金などを用いることができる。また、ITO、ICOセリウムドープの酸化インジウム、IZO亜鉛ドープの酸化インジウムなどの透明電極膜と高反射金属膜からなる複合層半導体層40と接触する側が透明電極膜であってもよい。透明電極膜にはITOなどの透明導電性酸化物や、Auなどの金属薄膜を用いることができる。電流注入防止層60は、p電極30と半導体層40との間であって、平面視においてn電極50と同一の領域および半導体層40の端部領域に位置している。発光しない半導体層40の端部領域や、発光しても大部分がn電極50に反射吸収される領域にp電極30が接触して電流が注入されるのを、電流注入防止層60によって抑制することで、発光効率の向上を図っている。電流注入防止層60には、SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、SixNy、SiOxNyなどを用いることができる。また、電流注入防止層60はこれらの材料からなる単層であってもよいし、複数の層であってもよい。電流注入防止層60を誘電体多層膜による反射ミラーとして、光をn型層43側へ反射させることで、光取り出し効率を向上させるようにしてもよい。半導体層40を構成するp型層41、発光層42、n型層43は、いずれも従来のIII族窒化物半導体発光素子の構成として知られている任意の構成を用いることができる。たとえば、p型層41は、支持体10側から順に、MgがドープされたGaNからなるpコンタクト層、MgがドープされたAlGaNからなるpクラッド層が積層された構造である。発光層42は、たとえば、GaNからなる障壁層とInGaNからなる井戸層が繰り返し積層されたMQW構造である。n型層43は、たとえば、発光層42側から順に、GaNからなるnクラッド層、GaNからなる高濃度にSiがドープされたn型コンタクト層、が積層された構造である。支持体10及びその上の半導体層40は、平面視で正方形をしている。n型層43の表面発光層42側とは反対側の面には、KOH、NaOH、TMAH水酸化テトラメチルアンモニウム、リン酸などの水溶液によるウェットエッチングによって凹凸形状44が形成されている。凹凸形状44は微細な角錐が多数形成されたものであり、その角錐の側面は、素子主面に対して約60度の角を成している。この凹凸形状44により、光取り出し効率の向上を図っている。この凹凸形状44は、n型層43表面のうちn電極50を形成する領域には設けず、平坦なままとすることが望ましい。n電極50の裏面n型層43側の面と凹凸形状44との間で光が多重反射して減衰してしまい、光取り出し効率が悪化してしまうのを防止するためである。また、n型層43表面には、ITO、ICO、IZOなどの透明導電性酸化物や、Auなどの金属薄膜からなる透明電極が形成されていてもよい。透明電極により素子面方向に電流を効率的に拡散させることができる。実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の変形例として、n型層43表面に透明電極55を形成したIII族窒化物半導体発光素子の断面図を図4に示す。この図4は、図2と同様に図1のA-Aでの断面図に対応する部分の断面図である。図4のように、透明電極55はn型層43表面の凹凸形状44に沿って膜上に形成されており、その透明電極55上にn電極50が形成されている。素子分離溝70は、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の製造工程において、成長基板上に形成された半導体層40を各素子ごとに分離するために設ける溝であり、素子製造後においては、図1~3のように、半導体層40をメサ状とするように素子の外周部に形成された溝である。この素子分離溝70は、半導体層40を貫通している。絶縁膜80は、素子分離溝70の底面、側面、およびn型層43表面の端部、に連続して膜状に形成されている。平面視では、図1のように、素子の外周Cと点線Dとによる正方形の枠状の領域が絶縁膜80の領域である。この絶縁膜80によって、素子分離溝70の側面にp型層41、発光層42、n型層43が露出することによる電流のリークやショートを防止している。以下、素子分離溝70の底面に形成されている絶縁膜80の領域を第1領域80a、素子分離溝70の側面に形成されている絶縁膜80の領域を第2領域80b、n型層43表面の端部に形成されている絶縁膜80の領域を第3領域80cと呼ぶことにする。絶縁膜80には、SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、SixNy、AlN、SiOxNyなどを用いることができる。また、絶縁膜80はこれらの材料からなる単層であってもよいし、複数の層であってもよい。また、絶縁膜80を誘電体多層膜による反射ミラーやAR膜としてもよい。また、電流注入防止層60と同一材料としてもよい。n電極50は、図1に示すように、2つのパッド部51と線状部52とにより構成されていて、線状部52はさらに外周線状部52aと分断部52bにより構成されている。パッド部51と線状部52ともに同じ材料からなり、n型層43に対してオーミック接触する材料からなる。そのような材料は、たとえば、Ti、W、Al、Crやそれらを含む合金などである。2つのパッド部51は、図1のように、平面視で正方形である素子の対角位置にそれぞれ離間して配置されている。パッド部51の平面視における形状は矩形である。他にも円や円を1/4に分割した扇形など、ワイヤをボンディングできる面積を有していれば任意の形状でよい。外周線状部52aは、素子の外周部にその外周に沿って一周する枠状に形成されていて、2つのパッド部51は外周線状部52aによって接続されている。分断部52bは、平面視における素子の正方形の各辺に平行な2本の直線が直交した十字型の線状パターンを、その正方形の辺に平行な位置から少しずらして交差した十字型のパターンである。その十字型の交差する点は平面視における素子の中心部となる配置である。また、そして十字型のパターンを構成する2本の直線は、それぞれがその両端で外周線状部52aに接続している。そして、外周線状部52aと分断部52bとによって分けられる4つの領域S1~S4のうち、パッド部51を含む領域S2、S3は、パッド部を含まない領域S1、S4に比べて面積が広くなっている。パッド部51の近傍は、電流の分散効果が高いため、パッド部51を含む領域S2、S3の面積を、パッド部51を含まない領域S1、S4よりも広く取ることで、電流の拡散性を向上させている。また、パッド部51は、図2のように、一部はn型層43上に位置し、他の部は絶縁膜80上に位置している。また、その絶縁膜80上に位置している部分は、絶縁膜80の第1領域80a、第2領域80b、第3領域80c上に連続して位置している。また、外周線状部52aは、図2のように、一部はn型層43上に位置し、他の部は絶縁膜80上に位置している。また、その絶縁膜80上に位置している部分は、絶縁膜80の第1領域80a、第2領域80b、第3領域80c上に連続して位置している。以上に説明した実施例1のIII族窒化物半導体発光素子のn電極50では、ボンディングワイヤが接続される2つのパッド部51に電子が注入され、外周線状部52aを介して電子が外周部に拡散され、外周線状部52aに接続する分断部52bに拡散される。その結果、パッド部51のn型層43と接触する部分、外周線状部52aのn型層43と接触する部分、分断部52b、から電子がn型層43へと注入され、n型層43中を素子面方向に電子が拡散され、均一な発光を得ることができる。ここで、素子の外周部は光があまり取り出されない領域である。そこで実施例1では、外周線状部52aの一部をn型層43上に位置させて電流拡散機能を残しつつ、他の部を絶縁膜80上に位置させることにより、外周線状部52aによる光の反射吸収を低減し、光取り出し効率を向上させている。また同様に、パッド部51の一部をn型層43上に位置させ、他の部を絶縁膜80上に位置させることにより、パッド部51による光の反射吸収を低減している。なお、実施例1ではn電極50は、2つのパッド部51と、外周線状部52a、分断部52bとを有する構造としたが、n電極50は、少なくとも、1つのパッド部51、1つのコンタクト部、パッド部51とコンタクト部とを接続する外周線状部52aとを有する構造であればよい。パッド部51は単数であっても複数であってもよく、コンタクト部もまた単数であっても複数であってもよい。コンタクト部は、パッド部51を兼ねていてもよく、その場合にはn電極50はコンタクト部を有しなくてもよい。実際、実施例1はコンタクト部がパッド部51を兼ねることで2つのパッド部51を有した例である。ここで、コンタクト部は、n電極50の大面積部具体的には外周線状部52aの線幅を一辺とする正方形よりも広い面積を有した部分であり、その一部ないし全部がn型層43上に位置している。また、外周線状部52aは、実施例1のように外周に沿って一周して閉じるように設けられている必要はなく、パッド部51とコンタクト部とを接続するように外周に沿って設けられているのであれば、外周の一部にのみ設けられて閉じないようにされていてもよい。たとえば矩形の素子の1辺にのみ沿って設けられていてもよい。また、外周線状部52aによって、直接パッド部51とコンタクト部とが接続されている必要はなく、分断部52bなどの外周線状部52a以外の線状部52によって間接的に接続されていてもよい。また、分断部52bは、必要に応じて設ければよく、必ずしも必要ではない。つまり、素子の面積が小さい場合など、パッド部51、コンタクト部、外周線状部52aで十分に素子面方向に電流を拡散することができるのであれば、分断部52bは設ける必要はない。一方、素子の面積が大きい場合などには、分断部52bを設けることで素子面方向への電流拡散性を向上させることが望ましい。分断部52bを設ける場合、その分断部52bのパターンとしては、実施例1に示したパターン以外にも、格子状、X字状などのパターンを用いることができる。また、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子では、n電極50のパッド部51は、一部がn型層43上に位置し、他の部は絶縁膜80上に位置しているが、本発明はこれに限るものではなく、パッド部51全部がn型層43上に位置していてもよいし図5j参照、全部が絶縁膜80上に位置していてもよい。ただし、パッド部51全部をn型層上に位置させると、パッド部51により光が反射吸収されて光取り出し効率を悪化させてしまう場合がある。また、パッド部51の一部または全部を絶縁膜80上に位置させる場合、その絶縁膜80上におけるパッド部51の位置は、実施例1の場合を含めて以下に説明する図5a~iの9通りの場合のいずれであってもよい。図5a~cはパッド部51の一部がn型層43上に位置し、他の部は絶縁膜80上に位置している場合である。図5aは絶縁膜80上に位置している部分が絶縁膜80の第1領域80a上にのみ位置している場合であり、図5bは、絶縁膜80の第1領域80a上および第2領域80b上に連続して位置している場合であり、図5cは、実施例1の場合であり、絶縁膜80の第1領域80a上、第2領域80b上、第3領域80c上に連続して位置している場合である。図5a~cのようにパッド部51が位置するよう形成すれば、パッド部51の光の反射吸収による光取り出し効率を低減しつつ、パッド部51とn型層43とのコンタクトをとることができる。図5d~iはパッド部51の全部が絶縁膜80上に位置している場合である。図5dは、パッド部51の全部が絶縁膜80の第1領域80a上にのみ位置している場合であり、図5eは、絶縁膜80の第1領域80a上および第2領域80b上に連続して位置している場合であり、図5fは、絶縁膜80の第1領域80a上、第2領域80b上、第3領域80c上に連続して位置している場合である。また、図5gは、パッド部51の全部が絶縁膜80の第2領域80b上にのみ位置している場合であり、図5hは、絶縁膜80の第2領域80b上および第3領域80c上に連続して位置している場合である。また、図5iは、パッド部51の全部が絶縁膜80の第3領域80c上にのみ位置している場合である。図5d~iのように、パッド部51が全部絶縁膜80上に位置するように形成すれば、パッド部51の光の反射吸収による光取り出し効率をより低減することができる。特に図5iの場合、パッド部51を平坦な面上に形成することができるため、パッド部51表面に段差が生じず望ましい。このように、n電極50のパッド部51の位置は、図5a~jの10通りのパターンのいずれであってもよく、特に図5a~iの9通りのパターンのいずれかであることが望ましい。なお、n電極50にコンタクト部を設ける場合には、コンタクト部は全部ないし一部がn型層43上に位置する必要があるため、コンタクト部の位置は、図5a~c、jの4通りのパターンのいずれかであることが必要であり、望ましくは図5a~cの3通りのパターンである。また、外周線状部52aについても、一部または全部を絶縁膜80上に位置させる場合に、絶縁膜80上における外周線状部52aの位置は図5a~iと同様に、図6a~iの9通りの場合のいずれであってもよい。図6a~iは、それぞれ図5a~iに対応している。すなわち、図6a~cは外周線状部52aの一部がn型層43上に位置し、他の部は絶縁膜80上に位置している場合である。図6aは外周線状部52aのうち絶縁膜80上に位置している部分が絶縁膜80の第1領域80a上にのみ位置している場合実施例1の場合であり、図6bは、絶縁膜80の第1領域80a上および第2領域80b上に連続して位置している場合であり、図6cは、絶縁膜80の第1領域80a上、第2領域80b上、第3領域80c上に連続して位置している場合である。また、図6d~iは外周線状部52aの全部が絶縁膜80上に位置している場合である。図6dは、外周線状部52aの全部が絶縁膜80の第1領域80a上にのみ位置している場合であり、図6eは、絶縁膜80の第1領域80a上および第2領域80b上に連続して位置している場合であり、図6fは、絶縁膜80の第1領域80a上、第2領域80b上、第3領域80c上に連続して位置している場合である。また、図6gは、外周線状部52aの全部が絶縁膜80の第2領域80b上にのみ位置している場合であり、図6hは、絶縁膜80の第2領域80b上および第3領域80c上に連続して位置している場合である。また、図6iは、外周線状部52aの全部が絶縁膜80の第3領域80c上にのみ位置している場合である。図6a~iのいずれの場合であっても、外周線状部52aの光の反射吸収を低減することができる。なお、図5jに対応するような、外周線状部52aを全部n型層43上に位置させてしまうことはしない。そうすると外周線状部52aによって光が反射吸収されてしまい光取り出し効率を悪化させてしまうからである。また、パッド部51ないしコンタクト部を2つ以上設ける場合、それらのパッド部51、コンタクト部は図5a~jの10パターンのうち1つのパターンが選択された同一パターンであってもよいし、互いに異なるパターンであってもよい。外周線状部52aについても、場所によって図6a~iの9パターンの範囲内でパターンが異なっていてもよい。たとえば、外周線状部51のうち、パッド部51に近い部分は図d~iのように絶縁膜80上にのみ配置されたパターンとし、パッド部51から離れた部分は図6a~cのようにn型層43上と絶縁膜80上に配置されたパターンとしてもよい。以下、n電極50のパターンの各種変形例を図を用いて説明する。なお、実施例1と同様の構成部分については説明を省略している。[変形例1]図7は、変形例1のIII族窒化物半導体発光素子のn電極150のパターンを示した平面図である。図7のように、変形例1のIII族窒化物半導体発光素子は、平面視で正方形である。n電極150は、1つのパッド部151と、外周線状部152aと、3つのコンタクト部153を有している。パッド部151は、平面視で正方形である素子の角部に配置されている。コンタクト部153は、残りの3つの角部にそれぞれ配置されている。外周線状部152aは、素子の外周部に沿って一周する枠状に形成されていて、パッド部151とコンタクト部153との間、およびコンタクト部153間を接続している。実施例1の場合と異なり分断部は有していない。パッド部151の平面視における形状は矩形である。コンタクト部153の平面視における形状は、矩形の外周線状部152aで囲われた内側の角部に矩形の切り欠きを設けた形状である。このような切り欠きを設けることにより、コンタクト部153のn型層43上に位置する領域を少なくすることで、コンタクト部153による光の反射吸収を低減し、光取り出し効率の向上を図っている。また、パッド部151、コンタクト部153は、一部はn型層43上に位置し、他の部は絶縁膜80上に位置している。つまり、図5a~cの3つのパターンのいずれかである。また、外周線状部152aは、全部が絶縁膜80上に位置している。つまり、図6d~iの6つのパターンのいずれかである。このn電極150によると、ボンディングワイヤからパッド部151に注入された電子は、外周線状部152aを介してコンタクト部153にも拡散される。そして、パッド部151のn型層43と接触する領域、およびコンタクト部153のn型層43と接触する領域の2つの領域からn型層43中へ電子が注入され、素子面方向に電子が拡散される。その結果、発光の均一性を高めることができる。また、外周線状部152aを素子分離溝70に形成された絶縁膜80上に配置しているため、外周線状部152aによる光の反射吸収が低減され、光取り出し効率が向上されている。[変形例2]図8は、変形例2のIII族窒化物半導体発光素子のn電極250のパターンを示した平面図である。変形例2のIII族窒化物半導体発光素子は、図8のように平面視で長方形である。n電極250は、1つのパッド部251と、1つのコンタクト部253と、外周線状部252aとを有している。パッド部251は長方形の角部に配置され、コンタクト部253はその対角の角部に配置されている。外周線状部252aは、素子の外周部に沿って1周する枠状に形成されていて、パッド部251とコンタクト部253とを接続している。パッド部251、コンタクト部253の平面視における形状は変形例1と同様である。また、パッド部251、コンタクト部253は、一部はn型層43上に位置し、他の部は絶縁膜80上に位置している。また、外周線状部252aは、全部が絶縁膜80上に位置している。このように外周線状部252aを素子分離溝70に形成された絶縁膜80上に配置しているため、外周線状部252aによる光の反射吸収が低減され、光取り出し効率が向上されている。[変形例3]図9は、変形例3のIII族窒化物半導体発光素子のn電極350のパターンを示した平面図である。変形例3のIII族窒化物半導体発光素子は、図9のように、平面視で長方形である。n電極350は、1つのパッド部351と、1つのコンタクト部353と、外周線状部352aを有している。パッド部351は、平面視で長方形である素子の一方の短辺近傍に位置している。コンタクト部353は、パッド部351側とは対向する側の短辺近傍に位置している。外周線状部352aは、素子の外周部に沿って一周する枠状に形成されていて、パッド部351とコンタクト部353とを接続している。パッド部351の平面視における形状は変形例1と同様である。コンタクト部353の平面視における形状は矩形である。また、パッド部351、コンタクト部353は、一部はn型層43上に位置し、他の部は絶縁膜80上に位置している。また、外周線状部352aは、全部が絶縁膜80上に位置している。このように外周線状部352aを素子分離溝70に形成された絶縁膜80上に配置しているため、外周線状部352aによる光の反射吸収が低減され、光取り出し効率が向上されている。[変形例4]図10は、変形例4のIII族窒化物半導体発光素子のn電極450のパターンを示した平面図である。変形例4のIII族窒化物半導体発光素子は、図10のように、平面視で長方形である。n電極450は、1つのパッド部451と、2つのコンタクト部453と、線状部452とを有している。線状部452は、外周線状部452aと分断部452bを有している。パッド部451は、平面視で長方形である素子の中央部に配置されている。コンタクト部453は、素子の2つの短辺近傍にそれぞれ位置している。外周線状部452aは、素子の外周部に沿って一周する枠状に形成されていて、コンタクト部453間を接続している。分断部は、素子中央部を通る短辺に平行な直線状に形成されており、その中央部でパッド部451に接続し、両端で外周線状部452aに接続している。パッド部451、コンタクト部453の平面視における形状は変形例3と同様である。また、パッド部451、コンタクト部453は、一部はn型層43上に位置し、他の部は絶縁膜80上に位置している。また、外周線状部452aは、全部が絶縁膜80上に位置している。このように外周線状部452aを素子分離溝70に形成された絶縁膜80上に配置しているため、外周線状部452aによる光の反射吸収が低減され、光取り出し効率が向上されている。なお、以上に述べた実施例1のIII族窒化物半導体発光素子における、n電極の外周線状部の一部をn型層上に配置し、他の部を絶縁膜上に配置することで、光の反射吸収を低減するという思想は、n型層上に位置する外周線状部の線幅を従来よりも狭くして光の反射吸収を低減しようとする思想と一見類似しているように思えるかもしれない。しかし、外周線状部の線幅を狭くしてしまうと、外周線状部の密着性が劣化してしまい、またパッド部からコンタクト部あるいは分断部へ良好に電子が拡散しなくなってしまう。一方、実施例1では外周線状部の線幅を従来と同様とすることができ、その結果、外周線状部の密着性を劣化させず、またパッド部からコンタクト部あるいは分断部へと良好に電子を拡散させることができる。図6では外周線状部の線幅を変えているように見えるが、これは絶縁膜およびn型層と外周線状部との位置関係を明確にするためのものであり、実際には従来と同様の線幅で外周線状部を構成できる。このように、本願発明の思想は、外周線状部の線幅を狭くするという思想とは作用効果が異なるものである。[変形例5]図11は、変形例5のIII族窒化物半導体発光素子のn電極550のパターンを示した平面図である。変形例5のIII族窒化物半導体発光素子は、図11のように、平面視で長方形である。n電極550は、1つのパッド部551と、1つのコンタクト部553と、外周線状部552aとを有している。平面視で長方形である素子のある長辺側の2つの角部のうち、一方の角部にパッド部551が配置され、他方の角部にコンタクト部553が配置されている。外周線状部552aは、その長辺に沿った一本の直線状に形成されており、パッド部551とコンタクト部553とを接続している。パッド部551、コンタクト部553の平面視における形状は変形例3と同様である。また、パッド部551、コンタクト部553は、一部はn型層43上に位置し、他の部は絶縁膜80上に位置している。また、外周線状部552aは、全部が絶縁膜80上に位置している。このように外周線状部552aを素子分離溝70に形成された絶縁膜80上に配置しているため、外周線状部552aによる光の反射吸収が低減され、光取り出し効率が向上されている。次に、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の製造工程について、図12.A~Iを参照に説明する。なお、図12.A~Iは実施例1のIII族窒化物半導体発光素子における図1でのA-A断面図に対応する部分を示している。半導体層40形成工程まず、サファイア基板90を用意し、サーマルクリーニングを行ってサファイア基板90表面の不純物を除去する。そして、サファイア基板90上に、AlNからなるバッファ層図示しないを介してMOCVD法によってIII族窒化物半導体からなるn型層43、活性層42、p型層41を順に積層させ、半導体層40を形成する図12.A。MOCVD法において用いる原料ガスは、窒素源として、アンモニアNH3、Ga源として、トリメチルガリウムGaCH33、In源として、トリメチルインジウムInCH33、Al源として、トリメチルアルミニウムAlCH33、n型ドーピングガスとして、シランSiH4、p型ドーピングガスとしてシクロペンタジエニルマグネシウムMgC5H52、キャリアガスとしてH2またはN2である。サファイア基板90以外にも、SiC、ZnO、スピネル、などの基板を用いることができる。電流注入防止層60形成工程次に、p型層41上であって、平面視において後に形成するn電極50のパターンと一致する領域、および端部に、CVD法やスパッタによって電流注入防止層60を形成する図12.B。p電極形成工程次に、p型層41上、および、電流注入防止層60上の端部を除いた領域に、スパッタ法によってp電極30を形成する。他に蒸着法を用いてもよい。さらにp電極30上に接合層20を形成する図12.C。なお、p電極30と接合層20との間に、接合層20を構成する金属元素がp電極30やp型層41に拡散するのを防止するために、拡散防止層を形成しておくことが望ましい。拡散防止層には、Ti/Ni/Au記号/は積層であることを意味し、A/BはAを成膜したのちBを成膜する意味する。以下において同じ。ここではp電極30側から接合層に向かってこの順に積層した構造であるなどのTi/Niを含む多層膜や、W/Pt/AuなどのW/Ptを含む多層膜を用いることができる。支持体10接合工程次に、支持体10を用意し、接合層20を介して、支持体10とp電極30を接合する図12.D。この際、支持体10の一方の表面にも接合層20を形成し、支持体10の接合層20とp電極30上の接合層20とを合わせて加熱プレスすることで接合している。レーザーリフトオフ工程そして、レーザーリフトオフにより、サファイア基板90を分離除去する図12.E。すなわち、サファイア基板90側からサファイアは透過しIII族窒化物半導体では吸収される波長のレーザー光たとえばKrFなどのエキシマレーザを照射し、サファイア基板90と半導体層40との界面近傍の半導体層40を分解することで、半導体層40からサファイア基板90を剥離して除去する。素子分離溝70形成工程次に、n型層43表面側発光層42側とは反対側の面から、そのn型層43表面の素子分離する領域をRIE反応性イオンエッチングなどのドライエッチングによってエッチングし、半導体層40を貫通して電流注入防止層60に達する深さの素子分離溝70を形成する図12.F。素子分離溝70は、ドライエッチングの他、KOHなどによるウェットエッチングやレーザー光照射によって形成してもよい。なお、素子分離溝70は、以下のような2段階の工程によって形成してもよい。まず、半導体層40形成工程の後、p型層41表面サファイア基板90とは反対側の面側から素子分離領域をエッチングして、n型層43に達する深さの溝を形成する。その後、レーザーリフトオフ工程までは上記と同一の工程を経て、レーザーリフトオフ工程後、n型層43表面側から、素子分離する領域をエッチングして溝を形成し、p型層41表面側から素子分離領域をエッチングした溝と、n型層43表面側から素子分離領域をエッチングした溝とを連結させることにより、半導体層40を貫通する素子分離溝70を形成する。絶縁膜80形成工程次に、CVD法やスパッタを用いて、素子分離溝70底面、側面、およびn型層43表面の端部に連続する膜状の絶縁膜80を形成する図12.G。凹凸形状44形成工程次に、n型層43表面をTMAH水溶液によってウェットエッチングし、n型層43表面に凹凸形状44を形成する図12.H。このウェットエッチングにはTMAH以外にもKOHやNaOH、リン酸などを用いることもできる。なお、これら、素子分離溝70形成工程、絶縁膜80形成工程、凹凸形状44形成工程は、上記順番に限るものではなく、以下のように順番が前後していてもよい。まず先に凹凸形状44を形成し、次に素子分離溝70を形成した後、絶縁膜80を形成してもよい。また、素子分離溝70を形成し、凹凸形状44を形成した後、絶縁膜80を形成してもよい。n電極50形成工程次に、n型層43上の所定の領域に、スパッタまたは蒸着とリフトオフ法を用いて、2つのパッド部51と線状部52とを有した図1に示すパターンのn電極50を形成する図12.I。次に、n電極50のパッド部のボンディングワイヤ取り付け領域を除いてパシベーション膜を形成し図示しない、支持体10を研磨して薄くし、支持体10裏面に裏面電極図示しないを形成し、レーザーダイシングによる素子分離を行う。以上によって、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子が製造される。レーザーダイシング以外にも、スクライビングなどによって素子分離を行ってもよい。図13は、実施例2のIII族窒化物半導体発光素子の構成を示した平面図である。実施例2のIII族窒化物半導体発光素子は、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子におけるn電極50を、以下に説明するn電極650に置き替えたものであり、それ以外は実施例1のIII族窒化物半導体発光素子と同一の構成である。実施例2のIII族窒化物半導体発光素子におけるn電極650は、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子のn電極50と同様に、パッド部651と、線状部652とを有し、線状部652は外周線状部652aと分断部652bとを有している。そのうち、パッド部651および分断部652bと外周線状部652aとでは、異なる材料を用いて構成されている。パッド部651および分断部652bの材料には、n型層43に対してオーミック接触する材料が用いられており、たとえば、Ti、W、Al、Crやそれらを含む合金などである。外周配線状部652aの材料には、パッド部651よりも絶縁膜80との密着性の高い材料が用いられており、たとえば、パッド部651と異なる材料であってNi、Ti、Cu、Alやこれらを含む合金などである。なお、パッド部651、分断部652b、外周配線状部652aは、n型層43あるいは絶縁膜80と接触する層が上記材料であれば、複数の層で構成されていてもよい。たとえば上記材料からなるパッド部651、分断部652b、外周配線状部652aの上層の全面にAuをさらに積層させてもよい。このようにn電極650として、パッド部651と外周線状部652aとで異なる材料を用いることで、外周線状部652aの絶縁膜80との密着性が改善されるため、素子の信頼性を向上させることができる。特に、外周線状部652aの全部を絶縁膜80上に配置する場合図6d~iに相当する場合に、実施例2は有効である。外周線状部652aはn型層43にオーミック接触する必要がないからである。なお、実施例1、2では、成長基板であるサファイア基板の除去にレーザーリフトオフを用いているが、サファイア基板とn型層との間に薬液に溶解させることができるバッファ層を形成し、支持体との接合後に薬液によってバッファ層を溶解させてサファイア基板を分離除去するケミカルリフトオフを用いてもよい。