電力増幅を行う第1及び第2のユニットセルを備え、前記第1のユニットセルは、入力信号を増幅する第1のトランジスタと、バイアス電源を生成する第2のトランジスタと、前記入力信号が入力される入力端子と前記第1のトランジスタの前記ベースとの間に接続される第1の容量と、を備え、前記第1のユニットセルは、ベースが前記第2のトランジスタの一端に接続され、前記第2のトランジスタからバイアス電源の供給を受けて前記入力信号を増幅する第3のトランジスタと、一端が前記第1のトランジスタのベースと接続され、前記第1のトランジスタにバイアス電源を供給する第4のトランジスタと、前記入力端子と前記第3のトランジスタの前記ベースとの間に接続される第2の容量と、を備える、半導体集積回路。前記第1のユニットセルは、前記第2のユニットセルよりも放熱性が小さい領域に形成されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体集積回路。前記第1のユニットセルは、前記第1のトランジスタと前記第4のトランジスタとの間に接続される第1のベースバラスト抵抗を更に備え、前記第2のユニットセルは、前記第2のトランジスタと前記第3のトランジスタとの間に接続される第2のベースバラスト抵抗を更に備えることを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体集積回路。前記第2及び第4のトランジスタのベースにバイアス電源を供給するバイアス回路を更に備え、前記バイアス回路は、一端が第1の電源と接続される第3の抵抗と、アノードが前記第3の抵抗と接続され、カソードが前記第1の電源よりも低い電圧を出力する第2の電源と接続されるダイオードと、を備えることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体集積回路。前記第1及び第2のユニットセルからなる第1のユニットセル対と、前記第1及び第2のユニットセルからなる第2のユニットセル対と、を備え、前記第2のユニットセル対は、前記第1のユニットセル対の前記第1のユニットセルと前記第2のユニットセルとの間に形成され、前記第2のユニットセルの前記第1のユニットセルは、前記第1のユニットセル対の前記第1のユニットセルと隣接して形成され、前記第2のユニットセルの前記第2のユニットセルは、前記第1のユニットセル対の前記第2のユニットセルと隣接して形成されることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体集積回路。前記第1のユニットセル対の前記第1のユニットセルから前記第2のユニットセルに向かうにつれて、放熱性が大きくなることを特徴とする、請求項5に記載の半導体集積回路。前記第1のユニットセル対の前記第1及び前記第2のユニットセルと、前記第2のユニットセル対の前記第1及び前記第2のユニットセルと、は一直線上に形成されることを特徴とする、請求項5又は6に記載の半導体集積回路。前記第1のユニットセル対の前記第1及び前記第2のユニットセルは対向配置され、前記第1のユニットセル対の前記第1及び前記第2のユニットセルは、前記第1のユニットセル対の前記第1及び前記第2のユニットセルの中間点を中心として対向配置されることを特徴とする、請求項7に記載の半導体集積回路。請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体集積回路が搭載されることを特徴とする、電力増幅器。ところが、発明者らは、上記の技術には以下の様な問題点が有ることを見出した。一般に、バイポーラトランジスタは、温度の上昇と共に同一電流を流すのに必要なベースエミッタ電圧が減少する。換言すれば、バイポーラトランジスタは、温度上昇とともに、同一ベースエミッタ電圧により流れるコレクタ電流が増大する。よって、出力トランジスタであるトランジスタQ72_1~Q72_Nのベースを駆動する、エミッタフォロワのトランジスタQ71_1~Q71_Nについても、温度上昇とともに電流が増大する。さらに、駆動するトランジスタと駆動されるトランジスタとが共に温度上昇すると、同一電流を流すのに必要なベースエミッタ電圧の減少幅は2倍となり、同一駆動電圧でのコレクタ電流の増大は2乗倍となる。エミッタフォロワのトランジスタQ71_1~Q71_Nのベースを電圧駆動すると、トランジスタQ71_1~Q71_N自体が発熱して温度が上昇するので、電流増大が生じる。電流増大が生じるとトランジスタの消費電力が増え、その結果、温度が更に上昇するという正帰還状態が生じ、ひいては熱暴走が生じる。熱暴走が生じると、トランジスタに過大な電流が流れてしまい、パワー段出力回路4を構成する半導体集積回路が破壊されてしまう。パワー段増幅回路4のように並列接続された複数のトランジスタの温度は、放熱の状況に依存する。図14は、5個のユニットセルをアレイ状に配置した場合のパワー段増幅回路の構成例を示すブロック図である。中央に配置されるユニットセル7_3は、ユニットセル7_2及び7_4に挟まれる。ユニットセル7_2~7_4は、ユニットセル7_1及び7_5に挟まれる。ユニットセル7_1はユニットセル7_2としか隣接していないため、放熱性がよい。これは、ユニットセル7_5についても同様である。ユニットセル7_2は、ユニットセル7_1及び7_3と隣接しているため、ユニットセル7_1よりも放熱性が劣る。これは、ユニットセル7_4についても同様である。そのため、ユニットセル7_1~7_5で温度上昇が生じると、ユニットセル7_2及び7_4は、ユニットセル7_1及び7_5よりも温度が高くなる。また、ユニットセル7_3は、ユニットセル7_2及び7_4と隣接している。そのため、ユニットセル7_3は、ユニットセル7_2及び7_4よりも温度が高くなってしまう。図15は、5個のユニットセルをアレイ状に配置した場合の温度分布を模式的に示すグラフである。図15に示すグラフでは、縦軸が温度、横軸がユニットセルの中央の位置を示している。図15に示すように、ユニットセルをアレイ状に配置した場合には、中央に近いユニットセルほど、温度が高くなってしまう。つまり、ユニットセルをアレイ状に配置した構成を有するパワー段出力回路では、中央に近いユニットセルのトランジスタほど熱暴走が生じる恐れが高い。従って、不均一な温度分布は、パワー段出力回路を構成する半戸対集積回路の熱暴走の一因である。外側のユニットセルのトランジスタに流れる電流より、中央に近いユニットセルのトランジスタに大電流が流れる。そのため、パワー段出力回路の増幅効率が低下してしまう。さらに、熱暴走が進むと、大電流が流れるユニットセルのトランジスタに破壊されてしまう。本発明の一態様である半導体集積回路は、電力増幅を行う第1及び第2のユニットセルを備え、前記第1のユニットセルは、入力信号を増幅する第1のトランジスタと、バイアス電源を生成する第2のトランジスタと、前記入力信号が入力される入力端子と前記第1のトランジスタの前記ベースとの間に接続される第1の容量と、を備え、前記第1のユニットセルは、ベースが前記第2のトランジスタの一端に接続され、前記第2のトランジスタからバイアス電源の供給を受けて前記入力信号を増幅する第3のトランジスタと、一端が前記第1のトランジスタのベースと接続され、前記第1のトランジスタにバイアス電源を供給する第4のトランジスタと、前記入力端子と前記第3のトランジスタの前記ベースとの間に接続される第2の容量と、を備えるものである。本発明の一態様である半導体集積回路では、2つのユニットセル間で駆動トランジスタと出力トランジスタとが、たすき掛け接続される。これにより、2つのユニットセル間の温度分布が均一化される。本発明によれば、電力増幅時の温度分布を均一化することができる半導体集積回路及び電力増幅器を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。実施の形態1まず、本発明を理解するための前提として、本発明の使用態様について説明する。図1は、本発明にかかる通信装置の例である通信装置500の構成を模式的に示すブロック図である。通信装置500は、通信方式として、WCDMA等のFDD方式を採用している。この通信装置500は、アンテナスッチ510と、送受信回路520とを含む。アンテナスッチ510は、2つの信号端子5101及び5102、アンテナ530を接続するためのアンテナ端子5103、2つの切替器5201及び5202を含む。切替器5201は、信号端子5101とアンテナ端子5103との間で、高周波信号を伝搬する状態と、高周波信号を遮断する状態とを切り替える。また、切替器5202は、信号端子5102とアンテナ端子5103との間で、切替器5201に対して排他的に伝搬状態と遮断状態とを切り替える。伝搬状態に在る場合、切替器5201及び5202の各々は、送受信回路520による制御の下、後述する如く高周波信号の減衰量を複数段階の内のいずれかに調整する。なお、以降の説明においては、この調整をSWロス調整と呼称することがある。一方、送受信回路520は、BB回路540、RFIC550、2つの大電力増幅器560_1及び560_2、2つのデュプレクサ570_1及び570_2を含む。BB回路540は、所望のベースバンド信号を発生してRFIC550へ出力する一方、RFIC550から入力されるベースバンド信号を処理する。RFIC550は、BB回路540から入力されるベースバンド信号に対して変調や周波数変換等の処理を施し、これにより得た高周波信号をHPA560_1又は560_2へ出力する。具体的には、RFIC550は、周波数帯域Aを使用するシステム環境下であれば、高周波信号をHPA560_1へ出力する。この場合、RFIC550又はBB回路540は、アンテナスッチ510を予め制御して、切替器5201を伝搬状態に切り替えると共に切替器5202を遮断状態に切り替えておく。一方、周波数帯域Bを使用するシステム環境下であれば、RFIC550は、高周波信号をHPA560_2へ出力する。この場合、RFIC550又はBB回路540は、アンテナスッチ510を予め制御して、切替器5202を伝搬状態に切り替えると共に切替器5201を遮断状態に切り替えておく。これにより、高周波信号は、デュプレクサ570_1又は570_2と切替器5201又は5202とを経由して、アンテナ530から送出されることとなる。なお、RFIC550又はBB回路540は、アンテナスッチ510でのSWロス調整に係る制御に加えて、HPA560_1又は560_2のゲインを可変させる制御も行う。また、RFIC550は、周波数帯域Aを使用するシステム環境下では、アンテナ530、切替器5201、及びデュプレクサ570_1を経由して高周波信号を受信する。一方、周波数帯域Bを使用するシステム環境下では、RFIC550は、アンテナ530、切替器5202、及びデュプレクサ570_2を経由して高周波信号を受信する。RFIC550は、受信した高周波信号に対して復調や周波数変換等の処理を施し、これにより得たベースバンド信号をBB回路540へ出力する。送信動作において、高周波信号の送信電力を一定レベル以下に低下させる必要がある場合、RFIC550又はBB回路540は、アンテナスッチ510にSWロス調整を行わせ、高周波信号を所望のレベルまで減衰させる。なお、一般に、満たすべき送信電力の値は基地局から指示される。これにより、RFIC550からの出力レベルの下限値を、満たすべき送信電力の下限値よりも高い一定の値に設定することができる。従って、高周波信号の送信に際してRFIC50に必要とされるダイナミックレンジを低減できる。一方、受信動作において、RFIC550又はBB回路540は、RFIC550で測定したRSSI等に応じて、アンテナスッチ510にSWロス調整を行わせ、以てRFIC550へ入力される高周波信号の電力を一定レベルに維持する。なお、一般的な通信装置では、高周波信号の受信電力を、例えばRFIC内のLNAでのゲイン調整によって低下させる。このため、LNAのゲインには一定以上のダイナミックレンジが要求され、RFICの規模や消費電力が増大する。具体的には、LNAの多段化及び各LNAに対する個別制御が必要となる。ところが、通信装置500では、RFIC550へ入力される高周波信号の電力を一定レベルに維持することができる。そのため、RFIC550では、LNAによるゲイン調整が不要若しくは僅かで済む。従って、高周波信号の受信に際してRFIC550に必要とされるダイナミックレンジを低減できる。なお、アンテナスッチ510は、FDD方式を採用する通信装置に限らず、GSM登録商標方式を採用する通信装置にも適用できる。また、通信方式としてTDD方式を採用する場合、通信装置を以下のような構成とすることができる。図2は、本発明にかかる通信装置の他の例である通信装置600の構成を模式的に示すブロック図である。通信装置600は、送受信回路520がBB回路540、RFIC550、及び1つのHPA560を含む点で、図1に示した通信装置500と異なる。RFIC550から出力された高周波信号は、HPA560を経由して、アンテナスッチ510の信号端子5101へ入力される。一方、アンテナ530を介して受信した高周波信号は、アンテナスッチ510の信号端子5102を経由して、RFIC550へ入力される。RFIC550又はBB回路540は、送信期間において、アンテナスッチ510内の切替器5201を伝搬状態に切り替えると共に、切替器5202を遮断状態に切り替える。一方、受信期間において、RFIC550又はBB回路540は、切替器5202を伝搬状態に切り替えると共に、切替器5201を遮断状態に切り替える。これにより、送信信号及び受信信号が、時分割で、アンテナスッチ510でのSWロス調整に供されることとなる。以上、通信装置500及び600では、送受信機の構成要素として、HPAが用いられる。HAPは、大電力を増幅するため、増幅動作に温度が上昇する。上述のように、HPA内の温度が不均一であると、高温度領域のトランジスタに電流が集中し、増幅器の破壊が発生してしまう。本発明は、例えば上記の通信装置に適用されるHPAを構成する半導体集積回路にかかるものである。以下では、実施の形態1にかかる半導体集積回路100について説明する。半導体集積回路100は、例えば高周波電力増幅モジュールやHPAのパワー段増幅回路を構成する半導体集積回路である。図3は、実施の形態1にかかる半導体集積回路100の構成を示す回路図である。半導体集積回路100は、ユニットセル11及び12を有する。ユニットセル11は、ユニットセル12に比べて放熱性が小さいユニットセルである。つまり、電力増幅時に、ユニットセル11及び12に温度上昇が生じた場合、ユニットセル11はユニットセル12と比べて温度が高くなる。図4は、ユニットセル11及び12の配置例を示すブロック図である。図4では、3個のユニットセル11、12及び101がアレイ状に配置される。ユニットセル11は、中央に配置される。ユニットセル12は、最も外側に配置される。この配置の場合、上述のように、ユニットセルの温度上昇が生じると、中央に配置されたユニットセル11の温度が最も高くなる。これに対し、外側のユニットセル12は、最も温度が低くなる。図3に戻り、半導体集積回路100の構成について説明する。ユニットセル11は、駆動トランジスタQ11、出力トランジスタQ12及び容量C1を有する。ユニットセル11は、駆動トランジスタQ21、出力トランジスタQ22及び容量C2を有する。駆動トランジスタQ11は、バイポーラトランジスタであり、ベースが、制御電圧Vconが供給される端子以下、制御端子Vconとも称すると接続される。駆動トランジスタQ11のコレクタは、電圧VCCが供給される電源端子以下、電源端子VCCとも称すると接続される。駆動トランジスタQ11のエミッタは、出力トランジスタQ22のベースと接続される。出力トランジスタQ12は、バイポーラトランジスタであり、ベースが駆動トランジスタQ21のエミッタと接続される。また、出力トランジスタQ12のベースと入力信号VINが入力する端子以下、入力端子VINとも称するとの間には、容量C1が接続される。出力トランジスタQ12のコレクタは、出力信号VOUTが出力される端子以下、出力端子VOUTとも称すると接続される。出力トランジスタQ12のエミッタは、接地端子と接続される。駆動トランジスタQ21は、バイポーラトランジスタであり、ベースが制御端子Vconと接続される。駆動トランジスタQ11のコレクタは、電源端子VCCと接続される。駆動トランジスタQ21のエミッタは、上述のように、出力トランジスタQ12のベースと接続される。出力トランジスタQ22は、バイポーラトランジスタであり、上述のように、ベースが駆動トランジスタQ11のエミッタと接続される。また、出力トランジスタQ22のベースと入力端子VINとの間には、容量C2が接続される。出力トランジスタQ22のコレクタは、出力端子VOUTと接続される。出力トランジスタQ22のエミッタは、接地端子と接続される。つまり、ユニットセル11と12との間では、それぞれの駆動トランジスタのエミッタと出力トランジスタのベースとが、たすき掛け接続されている。つまり、ユニットセル11の出力トランジスタQ12は、ユニットセル12の駆動トランジスタQ21からバイアス電圧が供給される。一方、ユニットセル12の出力トランジスタQ22は、ユニットセル11の駆動トランジスタQ11からバイアス電圧が供給される。続いて、半導体集積回路100の動作について説明する。ユニットセル11の駆動トランジスタQ11に電流が流れると、駆動トランジスタQ11の温度が上昇する。温度上昇に伴い、駆動トランジスタQ11に流れる電流が増加する。その結果、出力トランジスタQ22に流れる電流が増大し、出力トランジスタQ22の温度が上昇してゆく。一方、ユニットセル12の駆動トランジスタQ21に電流が流れると、駆動トランジスタQ21の温度が上昇する。温度上昇に伴い、駆動トランジスタQ21に電流が流れる電流が増加する。その結果、出力トランジスタQ12に流れる電流が増大し、出力トランジスタQ12の温度が上昇してゆく。ところが、上述のように、ユニットセル11は、ユニットセル12に比べて放熱性が小さい。そのため、ユニットセル11の駆動トランジスタQ11は、ユニットセル12の駆動トランジスタQ21と比べて、温度上昇が大きい。すなわち、ユニットセル11では、駆動トランジスタQ11の温度上昇は大きいものの、出力トランジスタQ12の温度上昇は抑制される。一方、ユニットセル12では、駆動トランジスタQ21の温度上昇は小さいものの、出力トランジスタQ22の温度上昇が大きくなる。換言すれば、放熱性の大きいユニットセル12の駆動トランジスタQ21から、放熱性が小さいユニットセル11の出力トランジスタQ12にバイアス電圧を供給することにより、出力トランジスタQ12の発熱を抑制することができる。また、放熱性が小さいユニットセル11の駆動トランジスタQ11から、放熱性が大きいユニットセル12の出力トランジスタQ22にバイアス電圧を供給することにより、出力トランジスタQ22の発熱を促進することができる。これにより、各ユニットセルは、温度上昇が高いトランジスタと温度上昇が低いトランジスタを有することとなる。その結果、各ユニットセル間の温度分布を均一化することが可能となる。図5は、実施の形態1にかかる半導体集積回路100の温度分布を模式的に示すグラフである。図5では、横軸は複数のユニットセルが図4に示すようなアレイ状に配置された場合のユニットセル11及び12の中心位置を示し、縦軸は温度を示している。なお、実線L11は半導体集積回路100の温度分布を示し、破線線L12は一般的なHPAを構成する半導体集積回路の温度分布を示している。図5に示すように、半導体集積回路100は、一般的な半導体集積回路に比べて、温度分布を均一化することが可能である。つまり、半導体集積回路100では、温度分布が均一化されるので、ユニットセルアレイの中央近傍などの放熱性が小さい領域の温度上昇を抑制できる。これにより、ユニットセル内のトランジスタの熱暴走を抑制し、トランジスタの破壊を防止できる。その結果、半導体集積回路100が搭載されるHPAの破壊を防止することができる。また、温度分布の均一化にともない、放熱性の相違を緩和するためにユニットセル間の距離を離すなどの対策をとる必要が無い。つまり、放熱性を考慮することなく、ユニットセルを密に配置することが可能である。これにより、半導体集積回路100及び半導体集積回路100が搭載されるHPAを小型化し、製造コストを低減できる。さらに、温度分布の均一化にともない、各ユニットセルの増幅効率も均一化される。そのため、半導体集積回路100が搭載されるHPAは、歪みが小さな増幅動作を行うことができる。実施の形態2次に、本発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路200について説明する。図6は、実施の形態2にかかる半導体集積回路200の構成を示す回路図である。半導体集積回路200は、実施の形態1にかかる半導体集積回路100のユニットセル11及び12を、それぞれユニットセル21及び22に置換したものである。ユニットセル21は、半導体集積回路100のユニットセル11に、ベースバラスト抵抗R1を追加した構成を有する。ベースバラスト抵抗R1は、ユニットセル22の駆動トランジスタQ21のエミッタと、ユニットセル21の出力トランジスタQ12のベースと、の間に接続される。ユニットセル21のその他の構成は、ユニットセル11と同様であるので、説明を省略する。ユニットセル22は、半導体集積回路100のユニットセル12に、ベースバラスト抵抗R2を追加した構成を有する。ベースバラスト抵抗R2は、ユニットセル21の駆動トランジスタQ11のエミッタと、ユニットセル22の出力トランジスタQ22のベースと、の間に接続される。ユニットセル21のその他の構成は、ユニットセル11と同様であるので、説明を省略する。なお、ベースバラスト抵抗R1は、出力トランジスタQ12のベースと容量C1との接続点P1よりも、駆動トランジスタQ21のエミッタ側に挿入されることが望ましい。これは、出力トランジスタQ12のベースと容量C1との間にベースバラスト抵抗が挿入されると、容量C1を介して入力する入力信号が減衰するためである。また、ベースバラスト抵抗R2は、出力トランジスタQ22のベースと容量C2との接続点P2よりも、駆動トランジスタQ11のエミッタ側に挿入されることが望ましい。理由については、ベースバラスト抵抗R1の場合と同様である。但し、出力トランジスタQ12のベースと容量C1との間、及び、出力トランジスタQ22のベースと容量C2との間に、ベースバラスト抵抗を挿入することを妨げるものではない。続いて、半導体集積回路200の動作について説明する。半導体集積回路200は、半導体集積回路100と同様に、温度分布を均一化することができる。但し、ベースバラスト抵抗による効果が追加される。駆動トランジスタQ11の温度上昇に伴い、駆動トランジスタQ11に流れる電流は増大する。すると、電流の増大に伴い、ベースバラスト抵抗R2での電圧降下が大きくなる。そのため、出力トランジスタQ22に流れる電流の増大が緩和されることとなる。つまり、ベースバラスト抵抗R2が挿入されることにより、出力トランジスタQ22の温度上昇が緩和される。また、駆動トランジスタQ21の温度上昇に伴い、駆動トランジスタQ21に流れる電流は増大する。すると、電流の増大に伴い、ベースバラスト抵抗R1での電圧降下が大きくなる。そのため、出力トランジスタQ12に流れる電流の増大が緩和されることとなる。つまり、ベースバラスト抵抗R1が挿入されることにより、出力トランジスタQ12の温度上昇が緩和される。以上のように、ベースバラスト抵抗が挿入されたことにより、各ユニットセルの出力トランジスタの温度上昇を緩和することができる。よって、ベースバラスト抵抗の抵抗値を好適に設定することにより、出力トランジスタの温度上昇を調整し、より半導体集積回路の温度分布を均一化することが可能となる。さらに、本構成では、放熱性が小さい領域の駆動トランジスタQ11により、放熱性が大きい領域の出力トランジスタQ22を駆動する。よって、一般的な半導体集積回路のように、駆動トランジスタQ21により出力トランジスタQ22を駆動する場合と比べ、ベースバラスト抵抗R2には大きな電流が供給される。そのため、ベースバラスト抵抗の抵抗値が小さくても、十分な電圧降下が生じる。加えて本構成では、例えば放熱性が大きい領域の駆動トランジスタQ21により、放熱性が小さい領域の出力トランジスタQ12を駆動する。よって、一般的な半導体集積回路のように、駆動トランジスタQ11により出力トランジスタQ12を駆動する場合と比べ、ベースバラスト抵抗R1には小さな電流が供給される。つまり、もともと電流が小さいので、出力トランジスタQ12の温度上昇も小さくなる。その結果、ベースバラスト抵抗R1による出力トランジスタQ12の温度調整幅を、小さくすることができる。すなわち、出力トランジスタQ12のベースに印加される電圧の調整幅も小さくなるので、ベースバラスト抵抗R1の抵抗値が小さくても、出力トランジスタQ12を十分に制御することができる。従って、半導体集積回路200では、一般的な半導体集積回路と比べ、ベースバラスト抵抗の抵抗値を小さくすることができる。典型的には、半導体集積回路200では、一般的な半導体集積回路と比べ、ベースバラスト抵抗の抵抗値を半分程度とすることができる。ベースバラスト抵抗の抵抗値を小さくすると、制御電圧Vconを低下させても、半導体集積回路200を動作させることができる。その結果、制御電圧Vconを生成する電源に、より低電圧の電源を利用することができる。つまり、バッテリなどから制御電圧Vconを生成する場合に、バッテリの出力電圧がより低い範囲でも、半導体集積回路200を動作させることができる。よって、本構成によれば、バッテリの使用可能電圧範囲を拡張できる半導体集積回路を提供することができる。実施の形態3次に、本発明の実施の形態3にかかる半導体集積回路300について説明する。図7は、実施の形態3にかかる半導体集積回路300の構成を示す回路図である。半導体集積回路300は、実施の形態2にかかる半導体集積回路200に、バイアス回路30を追加した構成を有する。バイアス回路30は、抵抗31及びダイオード32を有する。抵抗31は、制御端子Vconとダイオード32のアノードとの間に接続される。ダイオード32のカソードは接地端子と接続される。また、ダイオード32のアノードは、駆動トランジスタQ11及びQ21のベースと接続される。これにより、駆動トランジスタQ11及びQ21のベースには、ダイオード32のアノード電位が印加される。半導体集積回路300のその他の構成は、半導体集積回路200と同様であるので、説明を省略する。実施の形態2で説明したように、バッテリなどを長持ちさせるためには、半導体集積回路300のノードNの電圧を低くできることが望ましい。本構成では、半導体集積回路200と同様に、ベースバラスト抵抗の抵抗値を小さくできるので、ノードNの電圧を低くすることが可能である。一方、一般的な半導体集積回路のようにベースバラスト抵抗の抵抗値が大きい場合には、例えば、抵抗31の抵抗値を大きくすることが考え得る。しかし、この場合、制御電圧Vconの電圧値を大きくしなければならない。バッテリから制御電圧Vconを得る場合には、バッテリの出力電圧が大きくなければならいので、結果として、バッテリは早期の充電交換が必要となってしまう。以上のように、本構成によれば、低コストかつバッテリの使用可能電圧範囲を拡張でき、かつ温度分布を均一化することができる半導体集積回路を提供することができる。実施の形態4次に、本発明の実施の形態4にかかる半導体集積回路400について説明する。図8は、実施の形態4にかかる半導体集積回路400の構成を示す回路図である。半導体集積回路400は、6つのユニットセル11~16を有する。ユニットセル11及び12については、実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。ユニットセル13及び14は、それぞれユニットセル11及び12と同様の構成を有する。すなわち、ユニットセル13の駆動トランジスタQ31、出力トランジスタQ32及び容量C3は、それぞれユニットセル11の駆動トランジスタQ11、出力トランジスタQ12及び容量C1に対応する。ユニットセル14の駆動トランジスタQ41、出力トランジスタQ42及び容量C4は、それぞれユニットセル12の駆動トランジスタQ21、出力トランジスタQ22及び容量C2に対応する。ユニットセル13及び14は、ユニットセル11及び12と同様に、駆動トランジスタのエミッタと出力トランジスタのベースとが、たすき掛け接続されている。ユニットセル15及び16は、それぞれユニットセル11及び12と同様の構成を有する。すなわち、ユニットセル15の駆動トランジスタQ51、出力トランジスタQ52及び容量C5は、それぞれユニットセル11の駆動トランジスタQ11、出力トランジスタQ12及び容量C1に対応する。ユニットセル16の駆動トランジスタQ61、出力トランジスタQ62及び容量C6は、それぞれユニットセル12の駆動トランジスタQ21、出力トランジスタQ22及び容量C2に対応する。ユニットセル15及び16は、ユニットセル11及び12と同様に、駆動トランジスタのエミッタと出力トランジスタのベースとが、たすき掛け接続されている。ユニットセル11~16は、例えば一直線上に、一列に配置される。ユニットセル11は、放熱性が最小の領域に配置される。これに対し、ユニットセル12は、放熱性が最大の領域に配置される。すなわち、ユニットセル11からユニットセル12に向かうにつれて、放熱性が大きくなる。ユニットセル13は、ユニットセル11よりも放熱性が大きい領域に配置される。ユニットセル15は、ユニットセル13よりも放熱性が大きい領域に配置される。また、ユニットセル14は、ユニットセル12よりも放熱性が小さい領域に配置される。ユニットセル16は、ユニットセル14よりも放熱性が小さい領域に配置される。なお、ユニットセル15は、ユニットセル16よりも放熱性が大きい領域に配置される。つまり、ユニットセル11及び12は、対向配置され、一つのユニットセル対を構成する。ユニットセル13及び14は、ユニットセル11及び12の間に、ユニットセル11及び12の中間点を中心として対向配置され、一つのユニットセル対を構成する。ユニットセル15及び16は、ユニットセル13及び14の間に、ユニットセル13及び14の中間点を中心として対向配置され、一つのユニットセル対を構成する。図9は、ユニットセル11~16の配置と放熱性の関係を模式的に示すグラフである。横軸はユニットセル11~16の中央の位置を示し、縦軸は放熱性の大きさを示す。半導体集積回路400では、放熱性が最小のユニットセル11と放熱性が最大のユニットセル12とが、たすき掛け接続される。また、ユニットセル11よりも放熱性が大きいユニットセル13とユニットセル12よりも放熱性が大きいユニットセル14とが、たすき掛け接続される。さらに、ユニットセル13よりも放熱性が大きいユニットセル15とユニットセル14よりも放熱性が大きいユニットセル16とが、たすき掛け接続される。これにより、放熱性の相違を対称的に打ち消すことができる。図10は、実施の形態4にかかる半導体集積回路400における温度分布を模式的に示すグラフである。横軸は11~16の中央の位置を示し、縦軸は温度を示す。なお、図10では、半導体集積回路400の温度分布を実線L41で示し、比較例である半導体集積回路401の温度分布を破線L42で示す。図11は、比較例である半導体集積回路401の構成を示す回路図である。半導体集積回路401は、半導体集積回路400と比べ、たすき掛け接続の態様が異なる。半導体集積回路401では、ユニットセル11及び13、ユニットセル15及び16、ユニットセル12及び14が、たすき掛け接続される。つまり、半導体集積回路401では、隣接するユニットセル間が、たすき掛け接続される。半導体集積回路401のその他の構成は、半導体集積回路400と同様であるので、説明を省略する。半導体集積回路401では、それぞれ隣接するユニットセル間で温度上昇の均一化が行われる。そのため、図10に示すように、概ね2個のユニットセルずつの段階的な温度分布が生じる。これに対し、本実施の形態にかかる半導体集積回路400は、中程度の放熱性を有する点図10の点Aに対して、温度分布を対称的に打ち消すことができる。つまり、複数のユニットセルをアレイ状に配置し、放熱性に勾配が有る場合に、放熱性が中程度の点又は線に対して対称な位置にあるユニットセル同士の駆動トランジスタのエミッタと出力トランジスタのベースとをたすき掛け接続することにより、半導体集積回路の温度分布を均一化することができる。これにより、特定のユニットセルへの電流集中が抑制され、半導体集積回路の破壊を防止することが可能となる。その他の実施の形態なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、実施の形態1~3では2個のユニットセル、実施の形態4では6個のユニットセルを有する半導体集積回路について説明したが、これは例示に過ぎない。すなわち、ユニットセルは、2以上とすることができる。但し、2つのユニットセルがたすき掛け接続されることを考慮すると、ユニットセルの数は偶数であることが望ましい。実施の形態3にかかる半導体集積回路300は、実施の形態2にかかる半導体集積回路200にバイアス回路30を追加した構成として説明したが、これは例示に過ぎない。例えば、実施の形態1にかかる半導体集積回路100にバイアス回路30を追加した半導体集積回路を構成することが可能であることは言うまでもない。実施の形態4では、半導体集積回路400が同様の構成を有するユニットセル11~16を有する例について説明したが、これは例示に過ぎない。例えば、ユニットセル21と同様の構成を有するユニットセルに置換することが可能である。また、半導体集積回路400に実施の形態3にかかるバイアス回路30を追加した半導体集積回路を構成することも可能である。上述の実施の形態では、ユニットセルを構成するトランジスタとして、NPNバイポーラトランジスタを用いた場合について説明したが、これは例示に過ぎない。すなわち、適宜PNPバイポーラトランジスタを用いることも可能である。実施の形態3では、バイアス回路30がダイオードを有する例について説明したが、これは例示に過ぎない。例えば、ベースとコレクタが接続されたトランジスタを、ダイオードとして用いることが可能である。上述の実施の形態にかかる半導体集積回路の構成は例示である。よって、電力増幅及び温度分布の均一化が行える限りにおいて、半導体集積回路に適宜他の素子を追加することが可能であることは言うまでもない。なお、半導体集積回路においては、図15に示すように、中央図15のユニットセル7_3の温度が高く、周辺図15のユニットセル7_1及び7_5の温度が低くなる、山型の温度分布が生じる場合が多い。これに対し、上述の実施の形態では、放熱性が小さい領域及び放熱性が大きい領域での温度分布を均一化する構成について説明した。すなわち、上述の実施の形態にかかる構成を、放熱性が小さい領域図15のユニットセル7_3に相当を中心として対称に配置することにより、山型の温度分布の温度分布の均一化を実現できる。また、上述の半導体集積回路を搭載することにより、電力増幅時の温度分布を均一化することができる電力増幅器を実現できる。