"真空排気可能な処理容器内に配置された第1の電極上に被処理基板を載置する工程と、前記処理容器内で処理ガスを励起してプラズマを生成する工程と、前記プラズマから前記基板にイオンを引き込むために周波数の異なる第1および第2の高周波を前記第1の電極に重畳して印加する工程と、前記プラズマの下で前記基板に所望のプラズマ処理を施す工程とを有し、前記プラズマ処理において前記基板に引き込まれるイオンのエネルギーに依存する所定のプロセス特性を最適化するように、前記第1および第2の高周波のトータルパワーおよびパワー比を制御する、プラズマ処理方法。前記基板に引き込まれるイオンのエネルギーに依存する複数のプロセス特性を同時に最適化するように、前記第1および第2の高周波のトータルパワーおよびパワー比を制御する、請求項1に記載のプラズマ処理方法。前記基板に引き込まれるイオンのエネルギー分布の最小エネルギーおよび最大エネルギーを独立に制御する、請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理方法。前記基板に引き込まれるイオンのエネルギー分布において、最小エネルギーおよびその近辺のエネルギー領域が第1のプロセス特性を支配的に左右し、最大エネルギーおよびその近辺のエネルギー領域が第2のプロセス特性を支配的に左右する、請求項3に記載のプラズマ処理方法。前記基板に引き込まれるイオンのエネルギー分布において、最小エネルギーおよびその近辺のエネルギー領域と最大エネルギーおよびその近辺のエネルギー領域に相対的に多くのイオンが分布し、中間のエネルギー領域に分布するイオンが相対的に少ない、請求項4に記載のプラズマ処理方法。前記基板に引き込まれるイオンのエネルギー分布において、最小エネルギーから最大エネルギーまでの全領域にイオンがほぼ均一に分布する、請求項3に記載のプラズマ処理方法。前記第1の高周波の周波数は100kHz~6MHzの範囲内にあり、前記第2の高周波の周波数は6MHz~40MHzの範囲内にある、請求項1~6のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。前記基板に引き込まれるイオンのエネルギー分布の幅を調節するために、前記第1および第2の高周波のトータルパワーを調整する、請求項7に記載のプラズマ処理方法。前記基板に引き込まれるイオンのエネルギー分布の幅を調節するために、前記第2の高周波のパワーに対する前記第1の高周波のパワーの比を調整する、請求項7または請求項8に記載のプラズマ処理方法。前記基板に引き込まれるイオンの最小エネルギーを制御するために、前記第2の高周波のパワーを調整する、請求項7~9のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。前記基板に引き込まれるイオンの最大エネルギーを制御するために、前記第1および第2の高周波のトータルパワーを調整する、請求項7~10のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。前記処理容器内に前記第1の電極と所定の間隔を隔てて平行に向かい合う第2の電極が設けられ、前記処理ガスを放電させるための第3の高周波を前記第1の電極または前記第2の電極に印加する、請求項1~11のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。前記第3の高周波の周波数は27MHz~300MHzの範囲内にある、請求項12に記載のプラズマ処理方法。前記第2の電極に負極性の直流電圧を印加し、前記第1および第2の高周波のトータルパワーおよびパワー比に応じて前記直流電圧の絶対値を制御する、請求項1~13のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。前記第1および第2の高周波のトータルパワーおよびパワー比から前記基板に引き込まれるイオンのエネルギー総量を求め、前記エネルギー総量を多くするほど前記直流電圧の絶対値を大きくし、前記エネルギー総量を少なくするほど前記直流電圧の絶対値を小さくする、請求項14に記載のプラズマ処理方法。被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記処理容器内で前記基板を載置して保持する第1の電極と、前記プラズマから前記第1の電極上の前記基板にイオンを引き込むために第1の周波数を有する第1の高周波を前記第1の電極に印加する第1の高周波給電部と、前記プラズマから前記第1の電極上の前記基板にイオンを引き込むために前記第1の周波数よりも高い第2の周波数を有する第2の高周波を前記第1の電極に印加する第2の高周波給電部と、前記プラズマから前記基板に引き込まれるイオンのエネルギーに依存する少なくとも1つのプロセス特性を最適化するように、前記第1および第2の高周波のトータルパワーおよびパワー比を制御する制御部とを有するプラズマ処理装置。前記第1の高周波の周波数は100kHz~6MHzの範囲内であり、前記第2の高周波の周波数は6MHz~40MHzの範囲内にある、請求項16に記載のプラズマ処理装置。前記プラズマ生成部が、前記処理容器内で前記第1の電極と所定の間隔を隔てて平行に向かい合う第2の電極と、前記処理ガスを放電させるために前記第2の周波数よりも高い第3の周波数を有する第3の高周波を前記第1の電極または前記第2の電極に印加する第3の高周波給電部とを有する、請求項16または請求項17に記載のプラズマ処理装置。前記第3の高周波の周波数は27MHz~300MHzの範囲内にある、請求項18に記載のプラズマ処理装置。前記第2の電極に負極性の直流電圧を印加するための可変直流電源と、前記第1および第2の高周波のトータルパワーおよびパワー比に応じて前記直流電圧の絶対値を制御するDCバイアス制御部とを有する請求項16~19のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。前記DCバイア制御部は、前記第1および第2の高周波のトータルパワーおよびパワー比から前記基板に引き込まれるイオンのエネルギー総量を求める演算部と、前記エネルギー総量を多くするほど前記直流電圧の絶対値を大きくし、前記エネルギー総量を少なくするほど前記直流電圧の絶対値を小さくするコントローラとを有する、請求項19に記載のプラズマ処理装置。上記のようなRFバイアスの機能を搭載する従来のプラズマ処理装置は、下部電極に印加するイオン引き込み用の高周波を1種類単一周波数に限定し、その高周波のパワー、下部電極上の自己バイアス電圧あるいはシース電圧を制御パラメータとしている。しかしながら、本発明者がプラズマプロセスの技術開発の中でRFバイアスの作用について研究を重ねたところ、イオン引き込み用に単一の高周波を用いる従来方式は、複合的なプロセス特性を求められる最先端のプラズマプロセスにおいてはイオンエネルギー分布の制御性に難があることが分かってきた。より詳細には、イオン引き込み用に単一の高周波を用いたときに基板に入射するイオンのエネルギー分布IED:IonEnergyDistributionを解析すると、図19A~図19Cおよび図20A~図20Cに示すように、定型的に、連続したエネルギーバンドの中に全ての入射イオンのエネルギーが収まり、最大エネルギー付近および最小エネルギー付近にイオンが多く集中するピークが現れる。したがって、イオンエネルギーの平均値だけでなく、イオンが多く集中する最大エネルギーおよび最小エネルギーを自在に可変できれば、プラズマプロセスにおいて求められるRFバイアス機能の制御性の向上が見込まれるのであるが、そうはならない。従来方式によれば、イオン引き込み用に低めの周波数たとえば0.8MHzの高周波を用いた場合、そのRFパワーを可変すると、イオンエネルギー分布特性は、図19A低パワー、図19B中パワー、図19C高パワーに示すように変化する。すなわち、最小エネルギーが略0eVに固定されたまま、最大エネルギーがRFパワーに比例して1000eV図19A、2000eV図19B、3000eV図19Cと変化する。しかし、イオン引き込み用に高めの周波数たとえば13MHzの高周波を用いた場合は、そのRFパワーを可変すると、イオンエネルギー分布特性は、図20A低パワー、図20B中パワー、図20C高パワーに示すように変化する。すなわち、最大エネルギーがRFパワーに比例して650eV、1300eV、1950eVと変化する一方で、最小エネルギーもRFパワーに比例して350eV、700eV、1050eVと変化する。なお、図19A~図19Cおよび図20A~図20Cのイオンエネルギー分布特性はアルゴンArイオンについてのものであるが、他のイオンでも同様の特性パターンが見られる。このように、従来方式においては、イオンエネルギー分布の最大エネルギーまたは平均エネルギーを任意に可変することはできても、最大エネルギーから独立して最小エネルギーを任意に可変することはできない。したがって、たとえば図20Cの仮想線一点鎖線Kで示すようなイオンエネルギー分布特性を実現することはできない。そのことによって、本発明の実施形態の説明の中で後述するように、たとえばHARCHighAspectRatioContactのプラズマエッチングにおいてエッチング速度および選択比とエッチング形状との間のトレードオフを巧みに回避できないことが問題となっている。本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、RFバイアス機能の制御性を向上させて、微細加工の様々な要求条件に対してプラズマプロセスの最適化を実現できるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。本発明のプラズマ処理方法は、真空排気可能な処理容器内に配置された第1の電極上に被処理基板を載置する工程と、前記処理容器内で処理ガスを励起してプラズマを生成する工程と、前記プラズマから前記基板にイオンを引き込むために周波数の異なる第1および第2の高周波を前記第1の電極に重畳して印加する工程と、前記プラズマの下で前記基板に所望のプラズマ処理を施す工程とを有し、前記プラズマ処理において前記基板に引き込まれるイオンのエネルギーに依存する少なくとも1つのプロセス特性を最適化するように、前記第1および第2の高周波のトータルパワーおよびパワー比を制御する。また、本発明のプラズマ処理装置は、被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記処理容器内で前記基板を載置して保持する第1の電極と、前記プラズマから前記第1の電極上の前記基板にイオンを引き込むために第1の周波数を有する第1の高周波を前記第1の電極に印加する第1の高周波給電部と、前記プラズマから前記第1の電極上の前記基板にイオンを引き込むために前記第1の周波数よりも高い第2の周波数を有する第2の高周波を前記第1の電極に印加する第2の高周波給電部と、前記プラズマから前記基板に引き込まれるイオンのエネルギーに依存する少なくとも1つのプロセス特性を最適化するように、前記第1および第2の高周波のトータルパワーおよびパワー比を制御する制御部とを有する。本発明においては、被処理基板を載置する第1の電極にイオン引き込みに適した第1および第2の周波数をそれぞれ有する第1および第2の高周波を重畳して印加し、それら第1および第2の高周波のトータルパワーおよびパワー比を可変制御する。これにより、プラズマから基板に入射するイオンのエネルギー分布において最小エネルギーおよび最大エネルギーを独立に制御することが可能であり、さらにはイオンエネルギー分布特性の形状を凹型やフラット型にすることも可能であり、多種多様なプロセス特性あるいは複合的なプロセス特性に対してイオンエネルギー分布特性を最適化し、ひいてはプロセス特性を最適化することができる。本発明のプラズマ処理方法またはプラズマ処理装置によれば、上記のような構成および作用により、RFバイアス機能の制御性を向上させて、微細加工の様々な要求条件に対してプラズマプロセスの最適化を実現することができる。以下、図1~図18を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。[装置全体の構成]図1に、本発明の一実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す。このプラズマ処理装置は、下部2周波/上部1周波印加方式の容量結合型プラズマエッチング装置として構成されており、たとえば表面がアルマイト処理陽極酸化処理されたアルミニウムからなる円筒形の真空チャンバ処理容器10を有している。チャンバ10は保安接地されている。チャンバ10の底部には、セラミックなどの絶縁板12を介して円柱状のサセプタ支持台14が配置され、このサセプタ支持台14の上にたとえばアルミニウムからなるサセプタ16が設けられている。サセプタ16は下部電極を構成し、この上に被処理基板としてたとえば半導体ウエハWが載置される。サセプタ16の上面には、半導体ウエハWを静電吸着力で保持するための静電チャック18が設けられている。この静電チャック18は導電膜からなる電極20を一対の絶縁層または絶縁シートの間に挟み込んだものであり、電極20には直流電源22がスイッチ24を介して電気的に接続されている。直流電源22からの直流電圧により、半導体ウエハWを静電気力で静電チャック18に吸着保持できるようになっている。静電チャック18の周囲でサセプタ16の上面には、エッチングの面内均一性を向上させるためのたとえばシリコンからなるフォーカスリング26が配置されている。サセプタ16およびサセプタ支持台14の側面にはたとえば、石英からなる円筒状の内壁部材28が貼り付けられている。サセプタ支持台14の内部には、たとえば円周方向に延びる冷媒室または冷媒通路30が設けられている。この冷媒通路30には、外付けのチラーユニット図示せずより配管32a,32bを介して所定温度の冷媒たとえば冷却水cwが循環供給される。冷媒cwの温度によってサセプタ16上の半導体ウエハWの処理温度を制御できるようになっている。さらに、伝熱ガス供給機構図示せずからの伝熱ガスたとえばHeガスが、ガス供給ライン34を介して静電チャック18の上面と半導体ウエハWの裏面との間に供給される。サセプタ16には、イオン引き込み用の第1高周波電源36および第2高周波電源38がそれぞれ下部整合器40,42および下部給電導体44,46を介して電気的に接続されている。下部給電導体44,46は共通の導体たとえば給電棒であってもよい。第1高周波電源36は、サセプタ16上の半導体ウエハWにプラズマのイオンを引き込むのに適した低めの周波数たとえば0.8MHzの第1高周波RFL1を可変のパワーで出力するように構成されている。一方、第2高周波電源38は、サセプタ16上の半導体ウエハWにプラズマのイオンを引き込むのに適した高めの周波数たとえば13MHzの第2高周波RFL2を可変のパワーで出力するように構成されている。サセプタ16の上方には、このサセプタと平行に対向して上部電極48が設けられている。この上部電極48は、多数のガス噴出孔50aを有するたとえばSi、SiCなどの半導体材料からなる電極板50と、この電極板50を着脱可能に支持する導電材料たとえば表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなる電極支持体52とで構成されており、チャンバ10の上部にリング状の絶縁体54を介して取り付けられている。この上部電極48とサセプタ16との間にプラズマ生成空間または処理空間PSが設定されている。リング状絶縁体54は、たとえばアルミナAl2O3からなり、上部電極48の外周面とチャンバ10の側壁との間の隙間を気密に塞いでおり、上部電極48を非接地で物理的に支持している。電極支持体52は、その内部にガスバッファ室56を有するとともに、その下面にガスバッファ室56から電極板50のガス噴出孔50aに連通する多数のガス通気孔52aを有している。ガスバッファ室56にはガス供給管58を介して処理ガス供給源60が接続されており、ガス供給管58にマスフローコントローラMFC62および開閉バルブ64が設けられている。処理ガス供給源60より所定の処理ガスがガスバッファ室56に導入されると、電極板50のガス噴出孔50aよりサセプタ16上の半導体ウエハWに向けて処理空間PSに処理ガスがシャワー状に噴出されるようになっている。このように、上部電極48は処理空間PSに処理ガスを供給するためのシャワーヘッドを兼ねている。上部電極48には、プラズマ励起用の第3高周波電源66が上部整合器68および上部給電導体たとえば給電棒70を介して電気的に接続されている。第3高周波電源66は、処理ガスの容量結合による高周波放電つまりプラズマ生成に適した周波数たとえば60MHzの第3高周波RFHを可変のパワーで出力するように構成されている。なお、プラズマ生成用の第3高周波RFHの周波数は、通常27MHz~300MHzの範囲内で選ばれる。サセプタ16およびサセプタ支持台14とチャンバ10の側壁との間に形成される環状の空間は排気空間となっており、この排気空間の底にはチャンバ10の排気口72が設けられている。この排気口72に排気管74を介して排気装置76が接続されている。排気装置76は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ10の室内、特に処理空間PSを所望の真空度まで減圧できるようになっている。また、チャンバ10の側壁には半導体ウエハWの搬入出口78を開閉するゲートバルブ80が取り付けられている。チャンバ10の外に設置される可変直流電源82の一方の端子つまり出力端子は、スイッチ84および直流給電ライン85を介して上部電極48に電気的に接続されている。可変直流電源82はたとえば-2000~1000Vの直流電圧VDCを出力できるように構成されている。可変直流電源82の他方の端子は接地されている。可変直流電源82の出力電圧、電流の極性および絶対値およびスイッチ84のオンオフ切換は、後述する制御部88からの指示の下でDCコントローラ83により制御される。直流給電ライン85の途中に設けられるフィルタ回路86は、可変直流電源82からの直流電圧VDCをスルーで上部電極48に印加する一方で、サセプタ12から処理空間PSおよび上部電極48を通って直流給電ライン85に入ってきた高周波を接地ラインへ流して可変直流電源82側へは流さないように構成されている。また、チャンバ10内で処理空間PSに面する適当な箇所に、たとえばSi,SiC等の導電性材料からなるDCグランドパーツ図示せずが取り付けられている。このDCグランドパーツは、接地ライン図示せずを介して常時接地されている。制御部88は、マイクロコンピュータを含み、このプラズマエッチング装置内の各部たとえば静電チャック用のスイッチ24、第1、第2および第3高周波電源36,38,66、整合器40,42,68、処理ガス供給部60,62,64、排気装置76、DCバイアス用の可変直流電源82およびスイッチ84、チラーユニット、伝熱ガス供給部等の動作を個別的および統括的に制御する。また、制御部88は、マンマシンインタフェース用のタッチパネル図示せずおよび各種プログラムや設定値等のデータを格納する記憶装置図示せず等とも接続されている。なお、この実施形態では、制御部88およびDCコントローラ83がDCバイアス制御部を構成している。このプラズマエッチング装置において、エッチング加工を行なうには、先ずゲートバルブ80を開状態にし、加工対象の半導体ウエハWをチャンバ10内に搬入して、静電チャック18の上に載置する。そして、処理ガス供給源60より所定の処理ガスつまりエッチングガス一般に混合ガスを所定の流量および流量比でチャンバ10内に導入し、排気装置76による真空排気でチャンバ10内の圧力を設定値にする。さらに、第3高周波電源66より所定のパワーでプラズマ生成用の第3高周波RFH60MHzを上部電極46に印加する。他方で、第1および第2高周波電源36,38よりそれぞれ所定のパワーでイオン引き込み用の第1高周波RFL10.8MHzおよび第2高周波RFL213MHzをサセプタ下部電極16に印加する。また、スイッチ24をオンにし、静電吸着力によって、静電チャック18と半導体ウエハWとの間の接触界面に伝熱ガスHeガスを閉じ込める。また、必要に応じて、スイッチ84をオンにし、可変直流電源82からの所定の直流電圧VDCを上部電極48に印加する。シャワーヘッド上部電極48より吐出されたエッチングガスは両電極16,48間で高周波の放電によってプラズマ化し、このプラズマに含まれるラジカルやイオンによって半導体ウエハWの主面の膜がエッチングされる。この実施形態のプラズマエッチング装置は、プロセス中にプラズマから半導体ウエハWに入射するイオンのエネルギーを制御するために、2つの高周波電源36,38よりイオン引き込みに適した2種類の高周波RFL10.8MHz,RFL213MHzをサセプタ12に重畳して印加するハードウェア構成32~46を有し、エッチング加工の仕様、条件またはレシピに応じて制御部88が両高周波RFL1,RFL2のトータルパワーおよびパワー比を制御するようになっている。[実施形態におけるRFバイアス機能]この実施形態のプラズマエッチング装置においては、上記のように、プロセス中には、第1高周波電源36および第2高周波電源38よりイオン引き込み用の第1高周波RFL10.8MHzおよび第2高周波RFL213MHzが重畳してサセプタ下部電極16に印加される。そうすると、プラズマ生成空間PSに臨むサセプタ16または半導体ウエハWの表面に生じるイオンシースには、図2に示すような両高周波RFL1,RFL2が重畳された負極性のシース電圧VSが発生する。なお、図2では、イオンシースの中で両高周波RFL1,RFL2が重畳されている状態をわかりやすくするために、第1高周波RFL1の電圧パワーに比して第2高周波RFL2の電圧パワーが著しく小さい場合を示している。プラズマからのイオンは、このようなシース電圧VSにより加速されて半導体ウエハWの表面に入射する。その際、入射イオンの加速度またはエネルギーは、その時のシース電圧VSの瞬時値絶対値に依存する。つまり、シース電圧VSの瞬時値絶対値が大きい時にイオンシース内に入ったイオンは大きな加速度または運動エネルギーでウエハ表面に入射し、シース電圧VSの瞬時値絶対値が小さい時にイオンシース内に入ったイオンは小さな加速度または運動エネルギーでウエハ表面に入射する。もっとも、イオンシース内で、イオンはシース電圧VSに対して100係数1以下のある感度で応答加速運動する。この応答感度または変換関数αは、図3に示すようにRFバイアスに用いられる高周波の周波数fに依存して逆比例して変わり、次の式1で表わされる。α=1/cfτip11p1ただし、c=03×2π、p=5、τi=3sM/2eVs、Mはイオンの質量数、sはイオンのシース通過時間、Vsはシース電圧である。したがって、イオンシース内のイオンの加速に寄与する正味のシース電圧つまりイオン応答電圧Viは次の式2で表わされる。Vi=αVS2図2に示すイオン応答電圧Viおよび図3に示す変換関数αはArイオンについてのものであるが、他のイオンもシース電圧VSおよびRFバイアスの周波数に対して同様の特性を示す。図2の電圧波形からもわかるように、イオンシース内のイオンは、周波数が低めの第1高周波RFL10.8MHzに対しては略100の感度α≒1で応答加速運動し、周波数が高めの第2高周波RFL213MHzに対しては略50の感度α≒0.5で応答加速運動する。上記のようなイオン応答電圧Viに基づいて、下記の式3から図4および図5に示すような考え方でイオンエネルギー分布IEDを計算で求めることができる。IEDEi∝ΣidVi/dti3図4は、RFバイアスに低めの周波数を有する単一の高周波を用いた場合のIEDおよびイオン応答電圧Viを示している。一方、図5は、RFバイアスに低めの周波数および高めの周波数をそれぞれ有する2つの高周波を用いた場合のIEDおよびイオン応答電圧Viを示している。RFバイアスに単一の高周波を用いる単周波バイアス法によれば、図19A~図19Cおよび図20A~図20Cにつき上述したように、イオンエネルギー分布IEDが定型的に最大エネルギー付近および最小エネルギー付近にイオンが多く集中するピークが現れるような分布形状になり、RFパワーを如何様に可変しても最小エネルギーを任意に可変することができないという制約が付く。これに対して、この実施形態におけるようにRFバイアスに2つの高周波RFL10.8MHz,RFL213MHzを用いる2周波バイアス法によれば、両高周波RFL1,RFL2のトータルパワーおよび/またはパワー比を調整することにより、イオンエネルギー分布IEDの最大エネルギーおよび最小エネルギーの各々を独立に制御することができる。すなわち、この実施形態においては、図6A~図6Cに示すように、最大エネルギーをたとえば約2000eVに固定したまま最小エネルギーをたとえば約0eV~1000eVの範囲内で任意に調節することができる。また、図7A~図7Cに示すように、最小エネルギーをたとえば約350eVに固定したまま最大エネルギーをたとえば約650eV~2650eVの範囲内で任意に調節することができる。なお、図6A~図6Cおよび図7A~図7CにおけるIED特性は、Arイオンについて計算したものである。他のイオンでもパターン的には同様の特性が得られる。また、両高周波RFL10.8MHz,RFL213MHzの電圧値は各々の周波数のバイアス電圧の振幅値であり、RFパワーにも換算可能である。また、この実施形態においては、図6B[RFL10.8MHz=340V,RFL213MHz=1000V]、図7B[RFL10.8MHz=500V,RFL213MHz=500V]に示すように、2周波のRFバイアスによって、エネルギーバンドの全領域にわたってイオンを略均一に分布させることも可能である。さらには、図7C[RFL10.8MHz=1000V,RFL213MHz=500V]に示すように、最小エネルギーおよび最大エネルギーのイオン入射数よりも中間エネルギーのイオン入射数を多くすることも可能である。さらに、この実施形態においては、図8A[RFL10.8MHz=1500V,RFL213MHz=0V]、図8B[RFL10.8MHz=1125V,RFL213MHz=375V]、図8C[RFL10.8MHz=750V,RFL213MHz=750V]、図8D[RFL10.8MHz=375V,RFL213MHz=1125V]、図8E[RFL10.8MHz=0V,RFL213MHz=1500V]に示すように、2周波のRFバイアスによって、エネルギー平均値または中心値をたとえば1500Vに固定したまま、エネルギーバンドの幅EWをたとえば約1000eVから約3000Vの範囲内で任意に可変することも可能である。このように、この実施形態においては、RFバイアスに第1高周波RFL10.8MHzのみを用いた場合のIED特性図8Aと、RFバイアスに第2高周波RFL213MHzのみを用いた場合のIED特性図8Eとの間で、エネルギーバンドの幅EWを任意に調節して中間のIED特性を得ることができる。また、中間IED特性の中でも、第1高周波RFL1に対する第2高周波RFL2のパワー比が1125V:375V=3:1のときに得られる図8BのIED特性は、特徴的な凹型の分布形状を示している。すなわち、最小エネルギーおよびその近辺のエネルギー領域約250eV~約750eVと最大エネルギーおよびその近辺のエネルギー領域約2250eV~約2750eVにイオンが帯状に集中し、中間のエネルギー領域約750eV~約2250eVでは一様にイオン分布数が少ない。この凹型のIED特性は、両高周波RFL1,RFL2のいずれか一方を用いた場合のように最小エネルギーおよび最大エネルギーにイオンが尖頭的に集中するU型のIED特性図8A、図8Eとも異なる。なお、図示省略するが、図8D[RFL10.8MHz=375V,RFL213MHz=1125V]と図8E[RFL10.8MHz=0V,RFL213MHz=1500V]との中間でも、つまり第1高周波RFL1に対する第2高周波RFL2のパワー比が約1:30のときも、図8Bと同様の凹型の中間IED特性が得られる。このように、この実施形態においては、RFバイアスに周波数の異なる第1高周波RFL1および第2高周波RFL2を組み合わせて使用し、それらのトータルパワーおよび/またはパワー比を制御することにより、サセプタ12上の半導体ウエハWの表面に入射するイオンのエネルギー分布IEDに関して、エネルギーバンド幅および分布形状さらには入射エネルギーの総量を多種多様に制御することができる。ここで、第1高周波RFL1および第2高周波RFL2の周波数は上記の値0.8MHz,13MHzに限定されるものではなく、一定の範囲内で任意に選定してよい。図8AのIED特性と図8EのIED特性との対比からわかるように、単周波バイアスにおけるイオンエネルギー分布の幅エネルギーバンドEWは、周波数が低いほど広く、周波数が高いほど狭くなる。これは、図9に示すように、周波数と変換関数αとの関係に対応している。したがって、エネルギーバンドEWの可変範囲を大きくするには、エッチングプロセスで支配的な作用を奏するイオンの種類F、Ar,C4F6等にも依存するが、基本的には、第1高周波RFL1の周波数を低めの値好ましくは100kHz~6MHzに選定し、第2高周波RFL2の周波数を高めの値好ましくは6MHz~40MHzに選定するのがよい。特に、第2高周波RFL2の周波数が高くなりすぎると、つまり40MHzを越えると、プラズマ生成効果が強くなり、RFバイアスとしては適さなくなるので、40MHz以下の周波数が望ましい。[プロセスに関する実施例]上記のように、この実施形態におけるプラズマエッチング装置は、この種の従来装置に比してRFバイアス機能の制御性を著しく向上させており、特に異方性エッチングにおいて大なるプロセス性能を発揮することができる。ここで、この実施形態のプラズマエッチング装置を好適に使用できるエッチング加工として、図10に示すようなHARCHighAspectRatioContactプロセスを例にとる。HARCプロセスは、絶縁膜または酸化膜典型的にはSiO2膜90に細くて深いコンタクトホールまたはビアホール92を形成するエッチング加工技術であり、大規模集積回路の製造プロセスにおけるBEOLBackEndOfLineのコンタクトエッチングまたはビアホールエッチングに用いられている。HARCプロセスでは、高アスペクト比の微細孔92を形成するために、高精度の異方性形状とマスク94および下地膜96に対する高い選択比が要求される。そのために、エッチャントガスにフルオロカーボン系のガスが用いられ、CFxラジカルによりマスク94およびSiO2膜90の孔92の側壁98に重合膜を側壁保護膜として堆積させながら、RFバイアスによりCFxやAr等のイオンをSiO2膜90の孔92の中に垂直に引き込んで垂直エッチングを行う技法が採られている。この場合、化学的に活性度の高いFラジカルは異方性および選択性の両方を低下させるので、Fラジカルの生成が少なくてC/F比の大きいC4F8、C5F8、C4F6等のガスが広く用いられている。このようなHARCプロセスにおいて、SiO2膜のエッチング速度を高くするためには、1イオン入射量の増加、2ラジカル中のF総量の増加、および3十分なイオンエネルギーが必要である。そのために、上記1の要求条件に対しては[1]プラズマ生成用高周波のパワーを調整し、上記2の要求条件に対しては[2]フルオロカーボンガスたとえばC4F8の流量を調整し、上記3の要求条件に対しては[3]イオン引き込み用高周波のパワーを調整する手法が採られている。また、マスク94および下地膜96に対するSiO2膜90の選択比を高くするためには、4適正なO2/C4F8流量比および5Ar希釈による全ガス流量の増加が必要である。そのために、上記4の要求条件に対しては[4]O2ガス流量を調整し、上記5の要求条件に対しては[5]Arガス流量を調整する手法が採られている。なお、選択比に関する上記4,5の要求条件は、次のようなエッチングのメカニズムに基づいている。すなわち、エッチング中の定常状態ではフルオロカーボンラジカルが常にSiO2膜の表面に照射されるので、その表面上に数分子層のCF膜が存在する。このCF膜の厚さはエッチング速度と密接な関係がある。図11Aおよび図11Bに、エッチングガスとしてC4F8/Ar/O2の混合ガスを用いた場合に、ArガスとO2ガスの流量を固定し、C4F8ガスの流量を変化させたときのSiO2膜およびSiN膜のそれぞれのエッチング速度とそれらの膜表面にそれぞれ堆積するCF重合膜の厚さを示す。図11Aに示すように、SiO2のエッチングにおいては、C4F8流量を上げていくと、エッチング速度E/Rが11sccmまでは増大し、11sccmで極大値を示した後、CF膜厚の増加に反比例して減少し、22sccm以上では横ばいになる。ここで、C4F8流量が11sccmのときのSiO2上のCF膜厚は1nmと薄いが、これはSiO2エッチング時に放出される酸素がCF膜と反応して揮発性の物質を生成するつまりCF膜を除去するからである。一方、図11Bに示すように、SiNのエッチングにおいては、酸素の放出がなく、代わりに窒素が放出されるが、そのCF膜除去能力は酸素よりも格段に小さいため、SiN上のCF膜厚は5nmと厚くなり、エッチングが抑制される。なお、SiO2エッチングおよびSiNエッチングのいずれにおいても、添加ガスのO2はCF膜除去レートを調節する機能を有している。上記のようなHARCプロセスにおいて、下地膜96にはSiNが用いられ、マスク94には一般に有機膜が用いられている。有機膜も、上記のような条件でC4F8ガスの流量を変化させたときのエッチング速度およびCF膜厚については、SiNと同様の特性を示す。このように、エッチング時の酸素放出の有無または放出量の違いに基づくCF膜の厚みの違い、ひいてはエッチング速度の違いを利用し、[4]O2/C4F8流量比を調整することにより、さらには[5]選択比を悪化させるF原子ラジカルをAr希釈全ガス流量の増加で低減することにより、下地膜96のSiNやマスク96の有機膜上層のフォトレジストを含むこともあるに対するSiO2膜の選択比を十分高くすることができる。上記のように、一般のプラズマエッチング装置においては、[1]プラズマ生成用高周波のパワー、[2]フルオロカーボンガスたとえばC4F8の流量、[3]イオン引き込み用高周波のパワー、[4]O2/C4F8流量比特にO2流量、[5]Ar流量についての各調整技術を駆使することによって、HARCプロセスにおいても高いエッチング速度と高選択比を達成することができる。ただし、HARCプロセスでは、非常に高い選択比を必要とするため、堆積性の非常に強い条件を用いなければならず、結果として、付着率の高いラジカルを用いることになる。その場合、図12のbに示すように、側壁98上の堆積膜100の被覆性カバレッジが悪化し、孔92の入口付近が狭くなって、ネッキング102が発生しやすくなる。ネッキング102が発生すると、孔92の底へのラジカルやイオンの供給が不十分になり、それによって孔底CDCriticalDimensionの縮小や、孔底を垂直に削るエッチングレートの低下につながる。また、ネッキング102の上方で入射イオンが反射され、ネッキング102の下方で側壁98の抉れボーイングを発生させることもある。このように、高い選択比を得るためには、付着率の高いラジカルCxFyラジカルを使用する必要があるが、それによってネッキング102が発生しやすくなる。そうかといって、ネッキング102を回避するために、付着率の低いラジカルを使用すると、図12のaに示すように、マスク94上の堆積膜100が薄くなりすぎて、十分な選択比が得られなくなる。上記のように、HARCプロセスにおいては、ブランケット特性エッチング速度、選択比とエッチング形状との間にトレードオフの関係があり、イオン引き込み用に単一周波数の高周波を用いる従来のRFバイアス技術の下ではこのトレードオフの問題を解決することができなかった。図13のaに、HARCプロセスにおいて付着率の高いラジカルを使用した場合の入射イオンのエネルギーに対する酸化膜SiO2および有機膜のエッチングイールドの特性を示す。上記のように付着率の高いラジカルを使用すると、低いイオンエネルギー領域ではマスク有機膜の表面が堆積膜で保護され、酸化膜だけが選択的にエッチングされる。そして、イオンエネルギーがある閾値Etを越えてから、イオン照射による物理的エッチングが堆積膜の保護を上回ってマスク有機膜が削られるようになる。もちろん、入射イオンのエネルギーが大きくなることによって、酸化膜のエッチングイールドも単調に増大する。選択比を高くする観点からすれば、閾値Et付近のエネルギー領域にイオンが集中的に分布するようなイオンエネルギー分布特性が好ましい。ところが、従来方式単周波バイアス法のように単周波のRFバイアスで対応するとなると、図13のbに示すようにイオンエネルギー分布が閾値Etよりも低い領域にすっぽり収まる。この場合、最小エネルギー付近に集中するイオンは酸化膜のエッチングにほとんど寄与しない。それでも、最大エネルギー付近に集中するイオンの働きによって何とか高い選択比を得るようにはしても、上記のようなネッキング102を回避または抑制することはできない。本発明者が、図15に示すようなHARCプロセスのモデルにおいて、有機膜表面の法線Nに対する入射角θが0°である箇所マスク上面と入射角θが80°である箇所ネッキング斜面104とでイオンエネルギーに対するエッチングイールドの特性を比較したところ、次のようなことが判明した。すなわち、図14のaに示すように、マスク上面θ=0°の方がネッキング箇所θ=80°よりもエッチングイールドの立ち上がりこそ早いが、入射イオンのエネルギーが所定値Esよりも大きくなると両者の関係が逆転して、ネッキング斜面104θ=80°の方がマスク上面θ=0°よりもエッチングされやすくなる。つまり、イオン照射によって、マスク上面も削られるが、それ以上にネッキング斜面104が効率よく削られて、ネッキングCDが拡大するという改善効果が得られる。このようなHARCプロセスにおける酸化膜および有機膜マスクのエッチングイールド/イオンエネルギー特性に鑑みれば、図14のbに示すように、上記閾値Etの近傍でそれよりも低い第1のエネルギー領域と上記所定値Esの近傍でそれよりも高い第2のエネルギー領域とに跨って2極化した凹型のIED特性が非常に都合の良いことがわかる。すなわち、上記第1のエネルギー領域にイオンが集中的に分布することによって選択比が高くなり、上記第2のエネルギー領域にイオンが集中的に分布することによってネッキング102が効果的に回避または抑制される。また、上記第1のエネルギー領域と上記第2のエネルギー領域との間のエネルギー領域は、選択比向上およびネッキング抑制のいずれの観点からも望ましくない領域であり、この中間領域に分布するイオンが少ないことは利益に適っている。本発明者が、上記のようなHARCプロセスの実験に実施形態のプラズマエッチング装置を使用し、第1高周波RFL10.8MHzおよび第2高周波RFL213MHzのパワー比を変えて、エッチング特性を比較したところ、図16および図17に示すような結果が得られた。主なエッチング条件は下記のとおりである。ウエハ口径:300mmエッチングガス:C4F6O2=60/200/60sccmチャンバ内の圧力:20mTorr温度:上部電極/チャンバ側壁/下部電極=60/60/20°C高周波電力:プラズマ生成用高周波60MHz=1000Wイオン引き込み用高周波13MHz/0.8MHz=4500/0W,4000/500W,3000/1500W,2000/2500W,1000/3500W,0/4500W6通り直流電圧:VDC=-300Vエッチング時間:2分この実験では、イオン引き込み用の第1高周波RFL10.8MHzおよび第2高周波RFL213MHzのトータルパワーを一定4500Wに固定し、パワー比をパラメータとして4500/0Wから0/4500Wまで6段階選んだ。HARCプロセスにおいて、好ましいエッチング特性は、SiO2膜のエッチング速度が大きいこと、マスク選択比が大きいこと、ネッキングCDとボーイングCDとの差が小さいこと、マスク側壁傾斜角が大きいことである。かかる観点から評価すると、第1高周波RFL1および第2高周波RFL2のパワーをRFL1=1000W,RFL2=3500Wに選んだ場合のエッチング特性が総合的に最も良い結果を示していることがわかる。この場合、両高周波RFL1,RFL2のパワー比はRFL2:RFL1=3.5:1であり、図示省略するが、図8Bと同様の凹型のIED特性が得られる。上記のように、本発明の2周波バイアス法によれば、HARCプロセスにおけるトレードオフを巧みに解決することができる。他にも、本発明の2周波バイアス法によれば、穴あけエッチング加工における選択比とトップCD/ボーイングCD/ボトムCDのトレードオフや、プラズマCVDにおける成長速度とシームレス形状のトレードオフ等も上記と同様に解決することができる。また、上記のようなHARCプロセスに対しては、本発明の2周波バイアス法によって得られる凹型のIED特性が有効に作用した。しかし、本発明の2周波バイアス法によって得られるフラット型のIED特性図6B、図7B、図8Cや山形のIED特性図7Cも、従来の単周波バイアス法によっては得られない独特な特性であり、或る所定のプロセス特性を最適化し得る可能性を有している。[実施形態におけるDCバイアス機能]この実施形態のプラズマエッチング装置は、必要に応じて、スイッチ84をオンにし、可変直流電源82からの直流電圧VDCを上部電極48に印加するようになっている。このように、上部電極34に適度な直流電圧VDC、特に負極性で適度な大きさ絶対値の直流電圧VDCを印加することにより、プラズマエッチングのマスクに使われるフォトレジスト膜特にArFレジスト膜のエッチング耐性を強化することができる。すなわち、可変直流電源82より直流電圧VDCを負極性の高圧好ましくは第3高周波RFHの印加によって上部電極48に発生する自己バイアスよりも絶対値の大きな負極性の電圧で上部電極48に印加すると、上部電極48とプラズマとの間に形成される上部イオンシースが厚くなる。これにより、プラズマ中のイオンが上部イオンシースの電界で加速されて上部電極48の電極板50にぶつかる際のイオン衝撃エネルギーが増し、γ放電によって電極板50より放出される2次電子が多くなる。そして、電極板50より放出された2次電子は、上部イオンシースの電界でイオンとは逆方向に加速されてプラズマPRを通り抜け、さらに下部イオンシースを横断して、サセプタ16上の半導体ウエハW表面のレジストマスクに所定の高エネルギーで打ち込まれる。こうしてレジストマスクの高分子が電子のエネルギーを吸収すると、組成変化や構造変化、架橋反応などを起こして、改質層が形成され、エッチング耐性プラズマ耐性が強くなる。上部電極48に印加する負極性の直流電圧VDCの絶対値を大きくするほど、レジストマスクに打ち込まれる電子のエネルギーが増して、レジストマスクにおけるエッチング耐性増強の効果が大きくなる。一方で、この実施形態のプラズマエッチング装置においては、上述したように、サセプタ16側のRFバイアスに周波数の異なる第1高周波RFL1および第2高周波RFL2を組み合わせて使用し、それらのトータルパワーおよび/またはパワー比を制御することにより、サセプタ16上の半導体ウエハWの表面に入射するイオンのエネルギー分布IEDに関して、エネルギーバンド幅および分布形状さらには入射エネルギーの総量を多種多様に制御することができる。特に、第1高周波RFL1および第2高周波RFL2のそれぞれのパワーを有意の値に選んで組み合わせると、エネルギー分布IEDの中で中間エネルギーのイオン入射数が飛躍的に増加して、入射エネルギーの総量が増大する。ところが、入射エネルギーの総量が多いと、レジストマスクがダメージを受けて、その表面が荒れたり、いわゆるLERLineEdgeRoughnessやLWRLineWidthRoughness等の凹凸変形や蛇行変形を来たしやすくなる。そこで、この実施形態では、制御部88において、第1高周波RFL1および第2高周波RFL2のトータルパワーおよびパワー比の設定値から入射エネルギーの総量を割り出し概算で可、入射エネルギーの総量が多いときは、DCコントローラ83を通じて、上部電極48に印加する負極性の直流電圧VDCの絶対値を大きくして、レジストマスクのエッチング耐性を強化する。しかし、入射エネルギーの総量が少ないときは、レジストマスクのエッチング耐性を強化する必要性に乏しいだけでなく、次の理由から、上部電極48に印加する負極性の直流電圧VDCの絶対値を小さ目に制御するのが好ましい。すなわち、この実施形態のプラズマエッチング装置においては、エッチングガスの高周波放電により、フロロカーボンガスCxFyが解離してF原子やCF3等の反応種が生成される。これらの反応種は半導体ウエハW表面の被加工膜と反応し、揮発性の生成物たとえばSiF4を作ると同時に、デポジションとなる重合膜たとえばCF2nも作る。上部電極48の電極板50がSi含有導電材の場合は、半導体ウエハW表面だけでなく電極板50表面でも同様の反応が起こり、双方で反応種が消費される。ここで、上部電極48に負極性≦0Vの直流電圧VDCが印加されると、イオンアシスト効果が働いて電極板50表面のエッチング反応つまり反応種の消費が促進され、CリッチなCFxが多量に発生し、半導体ウエハW表面ではエッチングレートが低下してデボジションが強まる。負極性直流電圧VDCの絶対値を大きくするほど、電極板50表面におけるイオンアシスト効果が大きくなり、上記の作用に基づく半導体ウエハW表面におけるエッチングレートの減速とデボジションの増速が強まる。このことは、サセプタ16上の半導体ウエハWの表面に入射するイオンのエネルギー総量が少ない場合は、望ましくない。したがって、この場合、制御部88は、DCコントローラ83を通じて、上部電極48に印加する負極性の直流電圧VDCの絶対値を小さ目に制御する。[他の実施形態または変形例]上記した実施形態では、第3高周波電源66より出力されるプラズマ生成用の第3高周波RFHを上部電極48に印加した。別の実施形態として、図18に示すように、第3高周波電源66および整合器68をサセプタ下部電極16に電気的に接続し、プラズマ生成用の第3高周波RFHをサセプタ16に印加してもよい。上記実施形態は、チャンバ内で平行平板電極間の高周波放電によってプラズマを生成する容量結合型プラズマ処理装置に係るものであった。しかし、本発明は、チャンバの上面または周囲にアンテナを配置して高周波の誘導電磁界の下でプラズマを生成する誘導結合型プラズマ処理装置や、マイクロ波のパワーを用いてプラズマを生成するマイクロ波プラズマ処理装置等にも適用可能である。本発明は、プラズマエッチング装置に限定されず、プラズマCVD、プラズマ酸化、プラズマ窒化、スパッタリングなどの他のプラズマ処理装置にも適用可能である。また、本発明における被処理基板は半導体ウエハに限るものではなく、フラットパネルディスプレイ、EL素子または太陽電池用の各種基板や、フォトマスク、CD基板、プリント基板等も可能である。"