非意図的にドープされた半導体材料からなる少なくとも1つのナノワイヤーの形状に形成された、電子―正孔対の放射再結合のための活性半導体領域84;第1の導電型を有し、前記ナノワイヤーを形成する材料のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有するドープされた半導体材料からなる、1つまたはそれぞれの前記ナノワイヤーに正孔を半径方向に注入するための半導体領域88;及び前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有するドープされた半導体材料からなる、1つまたはそれぞれのナノワイヤーに電子を軸方向に注入するための半導体領域82を含む、光電子デバイス。前記活性領域84が、単一の半導体材料からなる、請求項1に記載の光電子デバイス。前記活性領域84が、III-V型半導体材料またはII-VI型半導体材料、特にIII-N型半導体材料から形成される、請求項2に記載の光電子デバイス。前記活性領域84が、非意図的にドープされたInGaNから形成され;正孔の注入のための前記ドープされた領域88が、p型ドープされたGaNまたは前記活性領域よりもIn濃度の低いp型ドープされたInGaNから形成され;電子注入のための前記ドープされた領域82が、n型ドープされたSiまたはn型ドープされたGaNから形成される、請求項3に記載の光電子デバイス。前記活性領域84の高さが、以下の数式の関係に従って選択された最小値を有する、請求項3または4に記載の光電子デバイス。ここで、Fは前記ナノワイヤーの充填因子であり、Joverflowは電子飽和なしに前記ナノワイヤーが耐えることのできる最大電流密度であり、Ncは前記材料の伝導バンドの実効状態密度であり、eは素電荷であり、Bは前記材料の2分子再結合係数であり、WDHは前記活性領域の高さの最小値である。前記活性領域が、InGaNから形成され、前記ナノワイヤー84が、1平方センチメートル当たり108から1010の間の範囲の密度を有し;前記ナノワイヤー84が、50ナノメートルから500ナノメートルの間の範囲の直径を有し;前記ナノワイヤーの前記活性領域84の高さが、40ナノメートルから5マイクロメートルの間の範囲である、請求項3から5のいずれか一項に記載の光電子デバイス。前記ナノワイヤー84が、4×109cm-2の密度、100ナノメートルの直径及び40ナノメートルの活性領域高さを有する、請求項6に記載の光電子デバイス。前記活性領域と前記p型ドープされた領域との間に電子ブロッキング領域が存在しない、請求項1から7のいずれか一項に記載の光電子デバイス。前記ナノワイヤーが、n型ドープされた半導体材料からなる基板82上に形成され、前記基板が、前記電子注入領域を形成する、請求項1から8のいずれか一項に記載の光電子デバイス。前記ナノワイヤー84が、電子注入のためのn型ドープされた半導体の基部を含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の光電子デバイス。前記ナノワイヤー84が、n型ドープされた半導体材料からなり、前記活性領域を形成する材料と同一の族からなり、前記ナノワイヤーを支える連続層を含む基板82から形成され、前記連続層が、前記電子注入領域を形成する、請求項1から8のいずれか一項に記載の光電子デバイス。前記ナノワイヤー84が、基板82上に形成され、前記正孔注入領域88が、前記基板82に対向する前記ナノワイヤー84の部分を部分的に覆う、請求項1から11のいずれか一項に記載の光電子デバイス。前記正孔注入領域88が、前記ナノワイヤー84の周辺の3/4より少ない領域を覆う、請求項12に記載の光電子デバイス。前記正孔注入領域88が、平坦化材料層を形成する、請求項1から13のいずれか一項に記載の光電子デバイス。本発明の目的は、これらすべての利点を有する光電子デバイスを提供することにより、上述の課題を解決することである。この目的のために、本発明は、非意図的にドープされた半導体材料からなる少なくとも1つのナノワイヤーの形状に形成された、電子―正孔対の放射再結合のための活性半導体領域;第1の導電型を有し、前記ナノワイヤーを形成する材料のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有するドープされた半導体材料からなる、1つまたはそれぞれの前記ナノワイヤーに正孔を半径方向に注入するための半導体領域;及び前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有するドープされた半導体材料からなる、1つまたはそれぞれのナノワイヤーに電子を軸方向に注入するための半導体領域を含む、光電子デバイスを目的とする。本明細書において、軸方向注入とは、活性領域内への電子の注入が、主にナノワイヤーの成長方向に沿って行われることを意味する。例えば、電子注入は、ナノワイヤーの基部を通して行われる。本明細書において、半径方向注入とは、活性領域への正孔の注入が、主にナノワイヤーの横方向表面を通して行われることを意味する。例えば、正孔注入領域は、活性領域を、その高さ部分上に少なくとも部分的に覆う。本明細書において、非意図的にドープされたとは、外来的なドーピングが行われておらず、たかだか残留的なドーピングしか含まない半導体材料を意味する。この種の材料は、通常、外来的にp及びn型ドープされた材料に対して、Iという文字で識別される。以下において、p型ドープされた及びn型ドープされたという表現は、半導体材料の外来的なドーピングを指す。換言すれば、電子の軸方向注入を提供するという事実により、活性領域のためのナノワイヤーのコアを自由にすることができ、そのためナノワイヤーの体積のほとんどを形成する。特に、これらの非常に高い移動度のため、注入表面積が減少するにもかかわらず、電子は活性領域の体積全体を占める。ヘテロ接合が、ナノワイヤー内で空間的にキャリアを閉じ込めるためにさらに用いられ、このことによりデバイスの量子効率を改善することができる。それ自体公知であるが、ヘテロ接合は、異なるバンドギャップ幅を有する2つの材料を横並びに組み合わせることを含む。このとき障壁が、正孔注入材料の広いバンドギャップ材料によって形成され、その一方でナノワイヤーを形成する活性領域はより小さなバンドギャップという特徴を有する。そのため、ナノワイヤーに注入されたキャリアは、ポテンシャル障壁の存在のために、ナノワイヤー内で閉じ込められる。そのため、活性領域内の高いキャリア密度が、放射再結合率を増大させる。さらに、ナノワイヤーコアのドープされていない性質のために、p-i-n型構造が得られる。そのためナノワイヤーは、電子及び正孔が放射再結合する活性体積を形成する。次に、デバイスがナノワイヤーに基づくため、電荷キャリアの濃度が制限される一方で電荷キャリアの良好な閉じ込めを得ることができ、このことは後述するさらなる詳細で説明されるように、ナノワイヤーの高さを適切に選択することによって、ドループ効率の源となる。次に、ナノワイヤーがメッシュパラメータに対して感受性が高くないため、特にドループ効率がない状態で適切な電流密度を得るために、ナノワイヤーの高さの選択が、活性領域を形成する半導体の組成、例えばデバイスがGaN系である場合にはインジウムの組成の選択から無関係となる。そのため、発光波長の選択がより広くなる。そのため、可視スペクトル、特にGaN系LEDの場合には赤から青で発光するナノワイヤー系LEDを製造すること、またはナノワイヤーコアのエピタキシーにおけるインジウムの組成を変更することによる白色光を発光するLEDを形成することさえも可能となる。さらに、活性領域がナノワイヤーの体積のほとんどを形成するため、本発明によるデバイスは、高い注入電流密度の場合でさえも改善された内部量子効率を有する。本発明の好適な実施形態に従えば、前記活性領域は、単一の半導体材料から形成される。より具体的には、前記活性領域は、III-V型半導体材料またはII-VI型半導体材料、特にIII-N型半導体材料から形成される。換言すれば、ナノワイヤーは、二重ヘテロ構造型の構造を有し、このことにより、内部量子効率を実質的に改善することができる。特に、まず、活性材料の体積はマルチ量子井戸構造に対して大きく増大される。次いで、前述したように、活性領域は良好な結晶品質を有し、このことは例えば活性領域の大きな高さ及び/または高いIn含有量によらない。さらに、異なるメッシュパラメータつまり、InGaN/GaNの材料の間の応力の緩和とともに、マルチ量子井戸構造に対してGaN/InGaNヘテロ界面の数が少ないことは、ヘテロ界面レベルにおける構造内の圧電場を制限する。そのため、界面から離れた部分では、エネルギーバンドはほとんど影響を受けない。本発明の変形例によれば、前記活性領域が、非意図的にドープされたInGaNから形成され;p型ドープされた領域が、p型ドープされたGaNまたは前記活性領域よりもIn濃度の低いp型ドープされたInGaNから形成され;n型ドープされた領域が、n型ドープされたSiまたはn型ドープされたGaNから形成される。GaN系LEDにおいて、活性領域はInGaNから形成され、障壁はGaNから形成される。特に、Inの組み入れによって、以下の数式に従って活性領域のギャップを単純に減少させることができる。例えば、10のInを含むInGaN合金について、材料のバンドギャップは3.1eV程度であり、GaNのそれは3.5eVに等しい。本発明の変形例に従えば、前記活性領域の高さは、以下の数式の関係に従って選択された最小値を有する。ここで、Fは前記ナノワイヤーの充填因子であり、Joverflowは電子飽和なしに前記ナノワイヤーが耐えることのできる最大電流密度であり、Ncは前記材料の伝導バンドの実効状態密度であり、eは素電荷であり、Bは前記材料の2分子再結合係数であり、WDHは前記活性領域の高さの最小値である。換言すれば、活性領域の十分な高さ、つまり上述の関係で与えられる値よりも大きな高さを選択することにより、デバイスが損失なく最大でJoverflowの値を有する電流密度に確実に耐えるようにできる。本発明の変形例によれば、前記活性領域が、InGaNから形成され、前記ナノワイヤーが、1平方センチメートル当たり108から1010の間の範囲の密度を有し;前記ナノワイヤーが、50ナノメートルから500ナノメートルの間の範囲の直径を有し;前記ナノワイヤーの前記活性領域の高さが、40ナノメートルから5マイクロメートルの間の範囲である。より具体的には、200A/cm2の巨視的電流密度に耐えるために、ナノワイヤーが4×109cm-2の密度、100nmの直径を有している場合、オーバーフローによる損失を避けるために、活性領域の最小厚さが40ナノメートルである。本発明の実施形態によれば、前記活性領域と前記p型ドープされた領域との間に電子ブロッキング領域が存在せず、そのためデバイスの設計が容易になる。本発明の実施形態によれば、前記ナノワイヤーは、n型ドープされた半導体材料からなる基板上に形成され、ナノワイヤーの活性領域は基板上に設けられ、前記基板が、前記電子注入領域を形成する。そのためナノワイヤーの製造が、基板上の活性領域の成長及びその後のナノワイヤーの自由端上にp型ドープされた層の成膜に帰着する。他の一実施形態によれば、前記ナノワイヤーは、電子注入のためのn型ドープされた半導体材料からなる基部を含む。変形例として、前記ナノワイヤーは、n型ドープされた半導体材料からなり、前記活性領域を形成する材料と同一の族からなり、前記ナノワイヤーを支える連続層を含む基板から形成され、前記連続層が、前記電子注入領域を形成する。換言すれば、ナノワイヤーのn型ドープされた半導体基部及びn型ドープされた連続層によって、基板の材料の選択を広くすることが可能である。本発明の実施形態によれば、前記ナノワイヤーは基板上に形成され、前記p型ドープされた領域は、前記基板に対向する前記ナノワイヤーの部分、特にナノワイヤーの上部を部分的に覆う。より具体的には、p型ドープされた領域は、前記p型ドープされた領域が、前記ナノワイヤーの周辺の3/4より少ない領域を覆う。そのため、活性領域の周辺表面の部分を自由に保つことによって、ナノワイヤーの発光層の平均光学指数を減少させることができ、このことにより、デバイスの光抽出効率が向上する。本発明の実施形態によれば、前記正孔注入領域が、平坦化材料層を形成し、このことにより、続くオーミックコンタクトの成膜が容易になる。本発明は、単に例として提供される以下の説明を、同一の参照符号が同一の要素を表す添付した図面に関連して読むことにより、より理解されるであろう。図5を参照すると、本発明の第1の実施形態に従うLED80は、n型シリコン基板82を含み、その上に非意図的にドープされたIII-VまたはII-VI類、好適にはIII-N類からなる半導体材料からなるナノワイヤー84が形成されている。ナノワイヤー84は、その上部86において、ナノワイヤー84の材料と同一の族からなるp型ドープされた材料の平坦化層88で覆われるが、層88からナノワイヤー84内に正孔を注入することができるより大きなエネルギーギャップを有する。層88はさらに、どのような回路の短絡も避けるように、基板82から絶縁される。例えば、層88は、基板82上で停止する。最後に、上部及び下部オーミックコンタクト92及び90が、それぞれ層88上及び基板82の下に形成される。LED80は、従来のように動作する。電子がナノワイヤー84に基板82を介して注入され、正孔がナノワイヤー84に層88を介して注入される。そのため、注入された電子―正孔対は、活性領域を形成するナノワイヤー84内で少なくとも部分的に、放射再結合する。従って、それぞれのナノワイヤー84について、ナノワイヤー84と基板82とで形成される第1のヘテロ構造及びナノワイヤー84と層88とで形成される第2のヘテロ構造が存在するため、LED80は二重ヘテロ構造型の構造を有することに注意すべきである。前述のように、事実またはナノワイヤーの基部を通す例において軸方向に実施される電子注入は、電子の高い移動度のために、電気的注入の点で制限するものではない。さらに、ナノワイヤー84つまり活性領域のどの点でも、距離がナノワイヤーの半径よりも短いまたはナノワイヤーの半径と等しい。そのため、正孔注入表面は非常に大きくかつ活性領域の各点と非常に近い。基板82は、ナノワイヤー84への電子の注入を容易にするため、低抵抗、特に0.001オーム/cm程度を有するように選択され、例えば400ナノメートルの厚さを有するn型ドープされたSiから形成される。一方で、この基板は、GaNナノワイヤーのエピタキシーを補助するものであってもよい。さらに、エネルギー変調されることが可能であり、ナノワイヤーの形状にエピタキシャル成長されるどのような種類の半導体材料が、ナノワイヤー84及びp型ドープされた層88の一部であってもよい。有利には、LED80はGaNに基づくものであり、ナノワイヤー84は、非意図的にドープされた、残留nドープが1016電子/cm3よりも小さくLED80によって発光する波長に従って選択されたインジウムの含有量を有するInGaNから形成される。平坦化層88は、マグネシウムでp型ドープされたGaNまたはナノワイヤー84よりも低いインジウム含有量を有するマグネシウムでp型ドープされたInGaNからなり、層88の材料は、1018正孔/cm3程度のpキャリア濃度を有する。変形例として、LED80はZnOに基づくものであり、ナノワイヤー84は非意図的にドープされたZnOからなりp型ドープされた層88はZnMgOからなる、またはナノワイヤーは非意図的にドープされたZnCdOからなり層88はZnOからなる。さらに変形例として、LEDはGaAlAsに基づくものであり、ナノワイヤー84は非意図的にドープされたGaAsからなり、p型ドープされた層88はGaAlAsからなる、またはナノワイヤーは非意図的にドープされたInGaAsからなり、層88はGaAsからなる。さらに変形例として、LED80はAlInGaPに基づくものであり、ナノワイヤー84は非意図的にドープされたAlGaInPからなり、層88はより高いアルミニウム含有量を有する同じ材料からなる。上部コンタクト92は、LED80の巨視的寸法を空間的に規定し、例えば1mm2であり、NiとAuとの合金またはインジウムスズ酸化物またはITOからなり、直列抵抗を減少させるために例えば厚い櫛歯、NiとAuとの合金で覆われた薄い半透明のコンタクトのような、異なる積層物から形成されてもよい。下部コンタクト90は、基板の下面全体に成膜され、例えばAuで覆われたNiSi合金からなる。このナノワイヤーの構造により、メッシュパラメータの影響が小さいためどのような種類の半導体材料も選択して形成することができ、LED80によって発光する波長の点で幅広い選択肢が存在する。円筒形ナノワイヤー84を仮定すると、充填因子Fは、ナノワイヤーの基部の全面積の、基板82の面積に対する比に等しく、以下の関係式に従って計算されるものであってよい。ここで、dはナノワイヤー84の直径であり;dnはcm2あたりのナノワイヤーの数で表される、ナノワイヤー84の表面密度である。ナノワイヤーの直径dを100nm、その密度を4×109cm-2と設定すると、因子Fは0.314に等しくなる。因子Fによって、デバイスの面積とナノワイヤーの基部面積の和との間の違いを考慮に入れて巨視的電流密度を重み付けすることが可能となる。メッシュパラメータの影響が小さいため、所望の電流密度Joverflowに従うナノワイヤー84の活性領域の高さが、どのようなオーバーフロー現象も避けるように十分であることを保証することができる。より具体的に、縮退されると仮定される半導体材料からなるナノワイヤーについて、EF-Ec/kT≧5、つまり高さWDHつまり、活性領域の高さを有する強い電子注入の下で、活性領域内の状態の飽和を得る前の電流密度の最小値Joverflowまたはオーバーフロー電流であって、どのような追加的な電流も活性領域に見ることができないが、以下の関係式に従って得られる。ここで、Fはナノワイヤー84の充填因子;NCは、ナノワイヤー84の材料の伝導バンドにおける伝導状態の実効密度;EF及びECはそれぞれナノワイヤー84の材料のフェルミ準位及び伝導エネルギー準位;kはボルツマン定数;Tはナノワイヤー84の接合部温度活性領域の温度;eは素電荷;Bはナノワイヤー84の材料の2分子再結合係数である。このようにして選択されたナノワイヤー84の最小高さWDHによって、電流密度Joverflowがナノワイヤー84に注入されると、二重ヘテロ構造のフェルミ準位が、エネルギー準位EFとECとを隔てるエネルギー障壁の上部に達する。ついで、ナノワイヤー84の電荷キャリアの密度が最大となり、再結合せずにナノワイヤー84から脱出するため、電流密度のどのような追加的な増加も、電荷キャリア密度の増加を引き起こさなくなる。換言すれば、Joverflowより小さいまたは等しいどのような電流密度の値についても、キャリアはナノワイヤー84から脱出せず、それによってドループ効率現象が減少する。図6は、15のインジウム含有量を有するInGaNからなるナノワイヤー84について、Joverflowの値の比WDH/Fに対するプロットである。ここで、NC=1018cm-3;EF-EC=150meV;B=10-11cm3s-1;及びTは接合部温度である。Joverflowの値は、比WDH/F、そのため所定の充填因子Fについて活性領域の厚さ、つまりナノワイヤーの高さWDHに正比例していることに注意すべきである。量子閉じ込めがない場合、つまり比WDH/Fが5nmより大きい場合に真である。量子井戸の場合は、エネルギー準位量子化によって、キャリアの脱出における電流密度の増加がさらにより決定的になる。LEDについて望ましい動作電流密度、典型的には200A/cm2より大きいまたは等しい密度が与えられると、最小の比WDH/FはLED80の内部量子効率の顕著な低下を有することなく15nmに設定されてもよい。さらに、閉じ込め構造が効果的にその役割を果たすように、ナノワイヤー84の最大高さは、キャリア拡散長さよりも小さくなるように選択される。数ミクロンのナノワイヤー84の最大高さが、効果的な閉じ込めを提供する。40nmの最小高さを有し、従って数マイクロメートルを超えない最大高さを有するナノワイヤー84は、そのため活性領域の外部のキャリアの脱出による損失による内部量子効率の低下を防ぎつつ、良好な電荷キャリア閉じ込めを確実に行うことができる。さらに具体的には、前述したInGaNナノワイヤーに関して、200A/cm2よりも大きいまたは等しい電流密度が、ドループ効率の前に得られる。より一般的には、この特性は、5ナノメートルよりも大きな比WDH/Fを有する、または以下を有するInGaNからなるナノワイヤー84について達成される。108から1010の間の範囲の表面密度dn、例えば4×109cm-2の密度;ナノワイヤーが、50ナノメートルから500ナノメートルの間の範囲の直径d、例えば100ナノメートルの直径を有し;ナノワイヤーの活性領域の高さが40ナノメートルから5マイクロメートルの間の範囲である。LED80のナノワイヤー構造はまた、ナノワイヤー84のコアを形成する活性領域の大きな体積のために、従来技術に対して内部量子効率を増大させることができる。例えば、本発明に従うLED80を図3に示された軸方向マルチ量子井戸に基づくLED40と比較し、このようなLEDに関して同一のナノワイヤーの直径と共に同一の表面密度を設定すれば、LED80の活性領域の体積V1の、LED40の活性領域の体積V2に対する比は、次の数式に等しい。ここで、nはLED40における量子井戸の数であり、WQWは、活性領域46の範囲内のマルチ量子井戸の軸方向寸法である。後述する表1は、様々な構成における比V1/V2の値を列挙し、1μmまたは100ナノメートルの高さWDHを有する活性領域を有するLED80;及び2.5ナノメートルに等しい厚さWQWについて5つの量子井戸を含むLED40である。表1はまた、マルチ量子井戸を有するLED40の現実の動作に対するいくつかの仮定に従ういくつかの比V1/V2も列挙する。仮定1:電子―正孔対の放射再結合は、ナノワイヤーの活性領域46の体積全体で発生する;仮定2:放射再結合が発生する領域の厚さは、現実の厚さが2.5ナノメートルであるのに対して、1ナノメートルを超えない。この仮定は、強い内部圧電場の存在により活性領域の実効厚さが減少することを示す非特許文献1の結果に基づく;及び仮定3:放射再結合は、InGaN/GaNマルチ量子井戸を有するプレーナLED構造の場合のように、正孔注入領域52に最も近接して位置する量子井戸内でのみ発生する。従って、この表は、活性材料の体積が、本発明に従うLEDではおかれた仮定に従えば8から1000倍と、大きく向上することを明らかに示している。従って、LED80の内部量子効率は、軸方向マルチ量子井戸に基づくLEDに対して大きく改善される。同様に、本発明に従うLED80を図4に示される半径方向マルチ量子井戸に基づくLED60と比較し、両方のLEDについて正孔注入領域の外側の直径をナノワイヤー表面密度と同様に同一と設定すると、LED80における活性領域の体積V1の、LED60の活性領域の体積V3に対する比は次の数式に等しい。ここで、R1は、本発明に従うLED80のナノワイヤー84の半径であり;L1=WDHは、ナノワイヤー84の長さであり;R3は、半径方向マルチ量子ナノワイヤーに基づくLED60におけるナノワイヤーのコアの半径、つまり領域72を除く半径であり;L3は、LED60内のナノワイヤーの高さであり;WQWは、LED60内のマルチ量子井戸の厚さ、つまりLED60の活性領域66で形成される円筒の厚さであり;Nは、LED60内の量子井戸の数である。表2は、次の場合において、様々な比V1/V3を列挙する。R1=R3=R=50nmL1=L3n=5、及びWQW=2.5nmLED60の現実の動作についての仮定に関しては前述のとおりである。ここで再び、LED60に対する、体積の増幅及びすなわちLED80の内部量子効率の実質的な増大を見ることができる。図2に示されたプレーナ二重ヘテロ構造LED30と比較して、LED80内のInGaN材料の同じ全体積を得るために、LED30の層32の厚さよりも1/F倍大きいナノワイヤー84の高さWDHを提供すれば十分である。例えば、非特許文献1で議論されるように、前述の厚さが10ナノメートルに等しいとき、これは、100ナノメートルに等しい直径及び4×109cm-2に等しい表面密度を有するナノワイヤーに関して約30ナノメートルに等しい高さWDHと等価であり、つまり、厚さWDHは、前述のように、ナノワイヤーの最小の40ナノメートルの高さよりも小さい。そのため、上で考慮された3つの場合において、本発明に従うLEDが、従来技術よりも大きな体積を有する活性領域を含むことが明らかにわかる。この特性は、活性材料の量がより多いために内部量子効率の増大及びドループ効率の低下の両方を発生させる。特に、この現象は部分的にオージェ効果と関連しており、活性領域におけるキャリアの密度が活性領域の体積に対して反比例し、オージェ効果がこの同じ密度の立方体のように変化するので、大きな活性領域の体積は、関連する非放射再結合の強い減少及びすなわち放射効率の増大を意味する。InGaNに基づくLED80を製造する方法を、これから図7から9に関連して説明する。本製造方法は、0.001オーム/cm程度の抵抗を有する半導体n型基板82、例えば約400マイクロメートルの厚さを有する2インチのn型ドープされたシリコンから形成する段階から始める。次いで、厚いInGaNヘテロエピタキシーを基板82上で行い、40から1000ナノメートルの間の範囲の高さ及び50から500ナノメートルの間の範囲の直径、例えば100ナノメートルの直径を有するナノワイヤー84を得る図7。ナノワイヤーの成長は、例えば、いわゆる自発モードに従ってまたは選択的に、MOCVD、MBEまたはHVPEハイブリッド気相エピタキシーによって行われる。InGaNの成長の間、ドーパントは用いられず、1016電子/cm3よりも低い残留ドーピングを有する。次いで、本製造方法は、続けてp型ドープされたGaNまたはInGaNからなる層88のエピタキシャル成長を、表面及びナノワイヤー84の周辺部において行い図8、層88の形態は、成長条件によって制御される。例えばマグネシウムドーピングによって導入される層88内のpキャリアの濃度は、1018正孔/cm3の程度であるように選択され、活性領域内へのインジウムの添加はキャリアを引き寄せるため、インジウムの含有量は0GaN-pであるか、または0と異なる場合には、ナノワイヤー84の厚いInGaNのそれよりも小さく、キャリア閉じ込めを確実に行うようにする。有利には、InGaNナノワイヤーの一部は自由なまま残され、そのため空気に囲まれて残り、媒体の光学指数を最小化し、そのためデバイスの抽出効率を改善し、全ての場合において層88は、どのような回路短絡も避けるために基板82と接触しないように形成される。成長パラメータの変化によって、垂直成長から水平成長へ切り替えることができることは、当業者に周知であることに注意すべきである。例えば、例えば非特許文献2に記載のようなELOGエピタキシー水平成長成長を参照してもよい。第1の変形例において、成長パラメータの変更は、ナノワイヤーの融合を得るためにp層の水平成長を、垂直成長の阻害に用い、この場合、p層88は平坦化すると称され、このことによって、上部電気的コンタクトの成膜を簡単化する。第2の変形例において、層88は平坦化せず、この層の平坦化の段階が、例えば特許文献2に記載されているように実施される。次いで、下部及び上部オーミックコンタクト92、90が、それぞれ基板82の下及び層88上に成膜される図9。上部p型コンタクト92は、デバイスの大きさを空間的に定め、Ni/AuまたはITO合金からなる半透明のコンタクト及び例えば特許文献2に記載のように、コンタクトの直列抵抗を減少させる、Ni/Au合金のより厚い櫛歯の積層のような、異なる積層から形成されてもよい。背面シリコン表面への下部n型コンタクト90の成膜は、特に問題を引き起こすことはなく、例えばニッケルシリサイドからなるものであってよい。本発明の変形例に従えば、p型GaN層はエピタキシーによってInGaNからなるナノワイヤー84と基板82との間に介在し、このことにより、これらの材料の選択をより多くすることができる。第2の実施形態を、これから図10から12に示される製造方法に関連して説明する。この第2の実施形態は、図7から9に示された前述の第1の実施形態とは、以下の点で異なる。InGaNナノワイヤー84の成長に先立って、n型ドープ、特にSiでn型ドープされたGaNナノワイヤー100が、エピタキシーによって基板82上に小さな厚さWGaN、例えば100ナノメートルの厚さに渡って、1018から1019キャリア/cm3に近いnキャリア濃度で成長される図10。次いで、ナノワイヤー84が、エピタキシーによってn型ドープされたGaNナノワイヤー100上に成長され、これによってGaN/InGaNナノワイヤーのアセンブリを形成する図11。次いで、本製造方法は、前述したように、二重ヘテロ構造を有するナノワイヤーに基づくLEDを得る図11。n型ドープされたGaNナノワイヤーの基部によって、基板82の選択が広がり、第1の実施形態のように例えばシリコンから形成されてもよく、例えば銅や、Ni及びモリブデンに基づく合金からなる金属基板であってもよい。ナノワイヤーの大きさが小さいので、ナノワイヤーの基部において、バッファ層を使用する場合よりもより良好な結晶特性を有するn型GaNを得ることができる。第3の実施形態を、これから図13から15に示された製造方法に関連して説明する。本製造方法は、前述したように、基板82及びn型ドープされたGaNナノワイヤー100を形成する段階から始める図13。次いで、InGaNナノワイヤー110のMBEエピタキシャル成長をナノワイヤー100上に行う。マグネシウムが、ナノワイヤー110の成長の最中にInGaN内に組み込まれる。相分離による、ドープされていないInGaNコアが形成しマグネシウムと共にn型ドープされた外部GaNシェルで取り囲まれるいわゆるコア/シェルの自発形成を起こす緩和機構である図14。p型ドープされたGaNの体積と接触するInGaN体積の表面の増加が、このようにして得られる。次いで、本製造方法は、オーミックコンタクトが成膜された後に、任意に平坦化段階と共に、第1の実施形態に関連して前述したように、ナノワイヤー110の自由端においてp型ドープされたGaN層112の成長及び融合を実施する図15。図16及び17は、これまで説明したすべての製造方法に適用可能な代替的な実施形態を示す。特に、この変形例において、例えばシリコン窒化物やシリカマスクのようなGaNまたはInGaNエピタキシャル成長に対して耐性のある電気的絶縁材料からなる成長マスク120が、基板82上に成膜される図16。次いで、本製造方法は、前述したようにInGaNまたはGaN/InGaNナノワイヤーからなるナノワイヤー84の形成を実施し図17、次いでp型ドープされたGaN層及びオーミックコンタクトを形成する段階を実施する。この代替的な製造方法によって、ナノワイヤーの直径と共にその間の間隔を精度良く制御して、LEDによって得られる光の抽出効率を最適化することができる。他の一実施形態に従えば、ナノワイヤーのインジウム含有量は、その高さによって変化する。例えば、インジウム含有量は、ワイヤー全体に沿って増加する。このような構成によって、メッシュパラメータの漸進的な適合により、機械的応力を減少させうる。本発明の代替的な実施形態が、図18の簡略化された断面図に関連して説明される。この図面において、ナノLED210が、共通絶縁基板214を含み、例えばその上に成膜された金属またはドープされた半導体である電気的伝導層216を有する支持部212の一部の上に形成される。変形例として、層216は、基板214上に成膜され、その上に形成されたGaNからなるn型ドープされた層220を有する第1の電気的伝導層218を含む。支持部212は例えば金属またはドープされた半導体からなる。ナノLED210は、III-VまたはII-VI類、好適にはIII-N類からなる半導体材料からなるコア222を含む。コア222は、少なくともその上部を、コア222の材料のそれと同じ族からなるp型ドープされた半導体材料からなるシェル224で覆われるが、シェル224からコア222に正孔を注入することができる、より大きなエネルギーギャップを有する。シェル224は、好適には支持部212から絶縁され、上部電気的コンタクト226と下部伝導層216との間のどのような回路短絡も防ぐ。例えば、シェル224は支持部212上で停止する。最後に、ナノLED210は、絶縁平坦化層228内に、その上端を除いて埋め込まれ、上部電気的コンタクト226が平坦化層228上に形成される。上部電気的コンタクト226は、ナノLED210の発光波長に対して半透明であり、例えばNi及びAuの薄い層または再びインジウムスズ酸化物またはITOからなる半透明コンタクトのような異なる積層体で形成されてもよい。直列抵抗を減少させるために、厚い櫛歯、例えばより厚いNi及びAu層で局所的に覆われてもよい。製造方法を、ただGaN系LEDの場合について説明した。もちろん、他の種の材料が用いられてもよい。