"複数の単位体が所定のアレイパターンで形成され、力または圧力により変形する半導体ストレインゲージと、フィルム面が互いに対向して接し、前記接するフィルム面の間に前記半導体ストレインゲージを含む一対の高分子フィルム層と、前記一対の高分子フィルム層のいずれか1つを絶縁層として、前記絶縁層の上下面に形成され、前記アレイパターンの各単位体に接続されて電極を形成し、前記各単位体の変形で出力される変形信号を外部に取り込む一対の信号線層とを備える基板と、前記基板内を含むように、前記基板の両面に形成された一対のエラストマ層とを含み、前記一対の信号線層は、前記絶縁層の一面に一方向に配列された複数の第1の信号線と、前記絶縁層の他面に前記一方向に垂直に配列された複数の第2の信号線とを含み、前記単位体の抵抗は、前記力または圧力に基づいて変化し、前記変形信号は、前記抵抗の変化に基づいて出力されることを特徴とする半導体ストレインゲージを用いたフレキシブルな力または圧力センサアレイ。前記第1の信号線及び前記第2の信号線は、CMOS回路を構成し、前記第1の信号線は、前記第1の信号線に定電流が流れるようにするPMOSFETを設け、前記基板は、前記第2の信号線それぞれの一端に接続された複数のスイッチと、前記スイッチを制御して、前記第2の信号線のいずれか1つに電流が流れるように、前記第2の信号線のそれぞれを順次スキャンするスイッチ制御部とを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体ストレインゲージを用いたフレキシブルな力または圧力センサアレイ。前記一対の高分子フィルム層は、一対のポリイミド薄膜層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体ストレインゲージを用いたフレキシブルな力または圧力センサアレイ。前記単位体は、棒状であり、前記アレイパターンは、前記棒状の長さ方向を同一に有するパターンであることを特徴とする請求項1に記載の半導体ストレインゲージを用いたフレキシブルな力または圧力センサアレイ。前記基板は2つであり、前記各基板に対応する各単位体が交差するように重ね、前記2つの基板が互いに接着されたことを特徴とする請求項4に記載の半導体ストレインゲージを用いたフレキシブルな力または圧力センサアレイ。前記一対のエラストマ層は、いずれか1つのエラストマ層の表面で均一に複数の突起が形成されており、前記アレイパターンは、前記各突起が前記表面となす境界線の下部で四方に向かうように配列されたパターンであることを特徴とする請求項4に記載の半導体ストレインゲージを用いたフレキシブルな力または圧力センサアレイ。前記一対の信号線層は、金属蒸着またはCMOS工程により転写形成されたことを特徴とする請求項2に記載の半導体ストレインゲージを用いたフレキシブルな力または圧力センサアレイ。前記一対のエラストマ層は、一対のポリジメチルシロキサン層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体ストレインゲージを用いたフレキシブルな力または圧力センサアレイ。シリコンウエハ上で所定のアレイパターンを有する半導体ストレインゲージを製造するゲージ製造ステップと、前記製造された半導体ストレインゲージを、ポリジメチルシロキサン媒体用いて、キャリアウエハに犠牲層を挟んで積層されている第1の高分子フィルム層に転写する転写ステップと、複数の第1の信号線が一方向に平行に配列され、前記アレイパターンの各単位体の一端と接続されて、第1の電極を形成する第1の信号線形成ステップと、第2の高分子フィルム層が前記複数の第1の信号線上に積層され、絶縁層を形成する絶縁層形成段階と、複数の第2の信号線が前記一方向に垂直に配列され、前記第2の高分子フィルム層に前記各単位体の他端と接続されて、第2の電極を形成する第2の信号線形成段階と、前記第1、2の高分子フィルム層、前記半導体ストレインゲージ、及び前記複数の第1、2の信号線から構成された基板を、所定の溶解剤による前記犠牲層の溶解で分離する基板分離ステップと、前記基板を、一対のエラストマ層の間に挿入し、接着する基板接着段階とを含むことを特徴とするフレキシブルな力または圧力センサアレイの製造方法。前記第1の信号線形成ステップは、電流源により定電流が流れるようにする複数の前記第1の信号線をCMOS工程で転写し、前記各単位体の一端に接続するステップであり、前記第2の信号線形成ステップの後に、前記第2の信号線の一端のそれぞれにスイッチを接続し、前記スイッチを制御して、リアルタイムで前記第2の信号線をスキャンするスイッチ制御部に前記スイッチを接続するステップを、更に含むことを特徴とする請求項9に記載のフレキシブルな力または圧力センサアレイの製造方法。前記ゲージ製造ステップにおいて、前記半導体ストレインゲージは厚さが0.1μm~100μmとなるように製造されることを特徴とする請求項9に記載のフレキシブル力または圧力センサアレイの製造方法。前記半導体ストレインゲージ転写段階において、前記犠牲層は、ポリメチルメタクリルレートであり、前記第1の高分子フィルム層は、ポリイミド薄膜層であることを特徴とする請求項9に記載のフレキシブル力または圧力センサアレイの製造方法。前記絶縁層形成ステップにおいて、前記第2の高分子フィルム層は、ポリイミド薄膜層であることを特徴とする請求項9に記載のフレキシブルな力または圧力センサアレイの製造方法。フィルム面が対向して接する一対の高分子フィルム層の外側面にそれぞれ、ポリジメチルシロキサン層を接着し、前記ポリジメチルシロキサンの少なくとも一つが外部から力または圧力を受けるステップと、前記一対の高分子フィルム層の間に所定のアレイパターンを有する半導体ストレインゲージを配置し、前記力または前記圧力を伝達されて、抵抗が変化するステップと、制御部が、前記変化した抵抗に基づいて出力される所定の信号を、前記アレイパターンの各単位体に接続された複数の第1,2の信号線を通じて受信する段階と、前記制御部が、前記信号に基づいて、測定抵抗値または測定電圧値を演算するステップと、前記制御部が、前記測定抵抗値または前記測定電圧値に基づいて、前記力または前記圧力の強さを出力するステップとを含むことを特徴とするフレキシブルな力または圧力センサアレイを用いた力または圧力測定方法。電流源により、前記単位体それぞれの一端に接続された第1の信号線に定電流が流れるようにするステップと、前記単位体それぞれの他端に接続され、前記第1の信号線とCMOS回路を構成する第2の信号線とのそれぞれの一端に接続されたスイッチを、スイチング制御部で制御して、前記第2の信号線をリアルタイムでスキャンするステップとを更に含むことを特徴とする請求項14に記載のフレキシブルな力または圧力センサアレイを用いた力または圧力測定方法。前記制御部の演算段階と測定段階との間に、前記制御部が、前記各単位体に対応してバッファーメモリに格納した初期抵抗値又は初期電圧値を読み込むステップを更に含み、前記制御部の演算段階と出力段階との間に、前記制御部が、前記各単位体に対応してバッファーメモリに格納した初期抵抗値または初期電圧値を読み込むステップを更に含み、前記制御部の出力段階は、前記制御部が、前記測定抵抗値と前記初期抵抗値とを比較するか、前記測定電圧値と前記初期電圧値とを比較し、前記力または前記圧力の強さを出力するステップであることを特徴とする請求項14に記載の力または圧力センサアレイを用いたフレキシブルな力または圧力測定方法。本発明は、前記のような必要により案出されたものであって、本発明の目的は、高い感度と線形性、繰り返し性、再現性を有する半導体ストレインゲージを使用し、かつ、高分子材料を用いて、柔軟性、伸縮性、及び強固性を同時に行う半導体ストレインゲージを用いた力または圧力センサアレイを提供する。そして、本発明の目的は、所定のアレイパターンを有する半導体ストレインゲージを構成する各単位体の抵抗変化を、フレキシブルCMOS回路により信号を処理することで、より正確な抵抗値、電圧値を測定し、回路構成を単純化し、触覚センサ内で信号を前処理する半導体ストレインゲージを用いた力または圧力センサアレイを提供する。また、本発明の目的は、シリコン基板の力センサの性能を追求すると共に、シリコン基板のセンサが提供できない柔軟性と伸縮性を有するため、応用分野として、人工肌、タッチセンサ、触覚センサなどに様々に使用可能な半導体ストレインゲージを用いた力又は圧力センサアレイを提供する。本発明の目的は、複数の単位体が所定のアレイパターンで形成され、力または圧力により変形する半導体ストレインゲージと、フィルム面が互いに対向して接し、接するフィルム面の間に半導体ストレインゲージを含む一対の高分子フィルム層と、一対の高分子フィルム層のいずれか1つを絶縁層として、絶縁層の上下面に形成され、アレイパターンの各単位体に接続されて電極を形成し、各単位体の変形で出力される変形信号を外部に取り込む一対の信号線層とを備える基板と、基板内を含むように、基板の両面に形成された一対のエラストマ層とを含み、一対の信号線層は、絶縁層の一面に一方向に配列された複数の第1の信号線と、絶縁層の他面に一方向に垂直に配列された複数の第2の信号線とを含み、単位体の抵抗は、力または圧力に基づいて変化し、変形信号は、抵抗の変化に基づいて出力されることを特徴とする半導体ストレインゲージを用いたフレキシブルな力または圧力センサアレイとして達成することができる。第1の信号線及び前記第2の信号線は、CMOS回路を構成し、第1の信号線は、第1の信号線に定電流が流れるようにするPMOSFETを設け、記基板は、第2の信号線それぞれの一端に接続された複数のスイッチと、スイッチを制御して、第2の信号線のいずれか1つに電流が流れるように、第2の信号線のそれぞれを順次スキャンするスイッチ制御部とを更に含むことを特徴とする。本発明によれば、第1に、本発明のセンサ構造は、簡単で強固である。すなわち、一般に、ストレインの拡大のため、広い薄膜の構造をセンサの感知部として採ることになるが、ここでは、軟性のポリマ基板そのものが本発明の感知部として働くので、センサ構造は、理的に強固である。更に、ポリマは、通常、化学的不活性の材質であるため、本発明のセンサ構造は、化学的に安定している。第2に、半導体ストレインゲージは、無機シリコンにホウ素といった不純物を注入し、ピエゾ抵抗を形成して製造されるので、信号の感度が極に優れている。また、力覚抵抗を用いる方式と比較して、繰返し性、再現性に優れたメリットがある。第3に、所定のアレイパターンを有する半導体ストレインゲージを構成する各単位体の抵抗変化を、CMOS回路信号処理方式を用いて、より正確に抵抗値及び電圧値を測定し、回路の構成を単純化し、また、触覚センサ内で信号を前処理することができるという効果がある。第4に、本発明の力センサアレイは、柔軟性と伸縮性を同時に有する。基板自体がポリマ系の材質であるため、前記基板は、曲げることも、伸ばすこともでき、前記半導体ストレインゲージとCMOS回路の材料である無機シリコンはよく折れ且つ硬いが、この厚さを極に薄く製造すると、機械的な柔軟性を確保することができ、コルゲート構造に製造すると、伸縮性も同時に有することができる。"