電子ビームを発生する電子ビーム源と、該電子ビームを描画材料上に集束させるための磁場を発生する磁場レンズと、該磁場レンズ内に配置され、電子ビームの描画材料上への集束状態を変化させるための電場レンズであって、前記電子ビームが内部を通過する円筒型の中間電極と、該中間電極の上流側に配置される上段電極と、該中間電極の下流側に配置される下段電極とから構成される電場レンズとを備えた電子ビーム描画装置において、前記磁場レンズが形成する磁場の中心に合わせて前記中間電極が配置され、且つ該中間電極は、少なくとも一つの端部が、前記磁場レンズが形成する磁場と該端部位置に形成される電位の壁とによりイオントラップが形成されない位置に来るように設けられていることを特徴とする電子ビーム描画装置。前記中間電極は、少なくとも一つの端部が、前記磁場レンズが形成する磁場の最高強度の15以下となる位置に前記端部が配置される長さを有することを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。電子ビームを発生する電子ビーム源と、該電子ビームを描画材料上に集束させるための磁場を発生する磁場レンズと、該磁場レンズ内に配置され、電子ビームの描画材料上への集束状態を変化させるための電場レンズであって、前記電子ビームが内部を通過する円筒型の中間電極と、該中間電極の上流側に配置される上段電極と、該中間電極の下流側に配置される下段電極とから構成される電場レンズとを備えた電子ビーム描画装置において、前記磁場レンズが形成する磁場の中心に合わせて前記中間電極が配置され、且つ該中間電極内の前記磁場レンズが形成する磁場の中心となる位置に、電子ビームの通過を制限する絞りを設けたことを特徴とする電子ビーム描画装置。前記上段電極と下段電極は接地電位とされると共に、前記中間電極に電子ビームの集束状態を調整するための電圧が印加されることを特徴とする請求項1又は3記載の電子ビーム描画装置。さて、前述のような構成を採用した電子ビーム描画装置において、電子ビームが偏向信号によって指定された位置に照射されないことがあることが判明した。これは、描画精度が低下する要因となる。本発明者は、検討を重ねた結果、電子ビームの位置ずれの主な原因が、電場レンズを構成する中間電極5b内に蓄積されたイオンガスによる不正偏向にあることを見出した。以下、このような電子ビームの位置ずれ発生のメカニズムについて説明する。図5に示すように、電場レンズ5の中間電極5bに印加される電圧は、偏向器6による偏向量がゼロで電子ビーム2が直進して描画対象フィールド9の中心に照射される時を基準として0Vに設定される。この時の電場レンズのレンズ強度はゼロであり、電子ビームは、磁場レンズ4により描画対象フィールド9の中心にフォーカスされる。そして、電子ビーム2が描画フィールド中心から描画フィールドの端部側に偏向器6により偏向照射される場合には、電子ビームの経路が中心に照射される時よりも長くなり材料に到達する前にフォーカスしてしまう。これを防ぐため、中間電極5bに正の電圧が印加される。この電圧印加により電場レンズには凹レンズ場が形成され、それによって電子ビームのフォーカス位置が前方に移動し、材料に到達するところでフォーカスさせることが可能となる。電子ビームが描画材料上の描画フィールドの端部付近に照射される場合に経路が最大になるので、電場レンズ5の中間電極5bに印加される正電圧も最大となる。このように、偏向量に応じてフォーカスを補正する電圧を中間電極5bに印加することによりダイナミックフォーカスを行うことができるが、中間電極5bに電圧が印加された時の電場レンズ5の軸上電位ポテンシャル分布は、図5に示すようになる。すなわち、中間電極5bの内部で正の高い電位ピークVpを示し、上段電極5a及び下段電極5cに向かって0電位に近づく。このような軸上電位分布を示す電場レンズ5内では、上段電極5aと中間電極5bとの間の空間と、中間電極5bと下段電極5cとの間の空間に電位差が生じる。この円筒型の中間電極5bの一部カットモデルを図6に示し、該電極5bの内部に生成される電位ポテンシャルを図6に示す。図6から分かるように、中間電極5b内部の電位ポテンシャルは、電極中央部付近で高くなる。中間電極5bの内部に負電荷を有するイオンガス20が存在した場合、イオンガス20が電極外に出るには電極両端の開口部を通るしかないが、電極両端の出入口付近での電位差はイオンガス20に対して電位の壁21として働く。このことは、電子ビームを描画対象フィールドの端部にフォーカスし、偏向時のフォーカスずれを中間電極5bに負電圧を印加して凸レンズで補正する場合、正電荷を有するイオンガスに対しても同様である。一方、中間電極5bは、磁場レンズ4がつくる磁場の中心位置に配置されているため、円筒形の中間電極5bの中央部分に、円筒の軸方向に並行な磁場が存在し、加えて中間電極の両端部に電位の壁が発生した場合、このような系は、図7に示されるようなリング電極Rと一対のエンドキャップ電極ECと磁場Bから構成されるイオントラップに近似することができる。すなわち、円筒形ではあるが中間電極5bがリング電極Rに相当し、前記電位の壁21が一対のエンドキャップ電極ECに相当し、磁場が磁場Bに相当する。このため、図8に示すように、磁場レンズ4の発生する磁場に重なるように配置される中間電極5bの内部に電荷を有するイオンガス20が存在した場合、イオンガス20は、中間電極5bの中央部分にトラップされることになる。イオンガスは、残留ガスと電子ビーム2との直接の衝突、あるいは、電子ビーム2が電子光学系を通過する際に照射される絞りなどの部材から発生する反射電子や2次電子などとの衝突により電子ビームの経路に沿って継続的に発生されており、中間電極5b内でも発生する。この中間電極5b内で発生したイオンガスは、中間電極5bに電圧が印加されていなければ、あるいは印加されても短時間であれば両端部分から外部に拡散し、中間電極5b内部にとどまることはない。しかしながら、描画フィールドの端付近にパターンを描画するため、電子ビームが端付近に継続して照射されると、中間電極5bへの電圧印加が長引くことになる。そのため、上述したイオントラップ動作の継続によりイオンガスが中間電極5bの中央部に集中的に滞留し、その電荷により中間電極5b内を通過する電子ビーム2が不正偏向されることになる。図9は、中間電極5bへ最大電圧を継続的に印加した場合の、印加時間[s]と電子ビームの位置ずれ量[nm]との関係を表す図である。電圧印加開始から01秒で100nm程度の位置ずれが発生しており、これはnmオーダーの精度で微細描画を行う電子ビーム描画装置においては、異常描画の原因となり得る。本発明はこのような課題に基づいてなされた新規な電子ビーム描画装置を提供することを目的としている。上記の課題を解決するため、電子ビームを発生する電子ビーム源と、該電子ビームを描画材料上に集束させるための磁場を発生する磁場レンズと、該磁場レンズ内に配置され、電子ビームの描画材料上への集束状態を変化させるための電場レンズであって、前記電子ビームが内部を通過する円筒型の中間電極と、該中間電極の上流側に配置される上段電極と、該中間電極の下流側に配置される下段電極とから構成される電場レンズとを備えることを特徴とする電子ビーム描画装置において、前記磁場レンズが形成する磁場の中心に合わせて前記中間電極が配置され、且つ該中間電極は、少なくとも一つの端部が、前記磁場レンズが形成する磁場と該端部位置に形成される電位の壁とによりイオントラップが形成されない位置に来るように設けられていることを特徴とする。本発明によれば、磁場レンズ内における電場レンズを構成する中間電極の長さ及び配置を工夫したり、電場レンズの中間電極の内部の中央に絞りを設け、電場レンズ内部でイオンガスの蓄積を阻止させるようにしたので、描画材料の描画フィールドの端付近のパターンを描画する時に発生する電子ビームの位置ずれ防止することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。実施の形態1本実施の形態1は、前記検討に基づき、従来例の構成に加えて、磁場レンズ内における電場レンズを構成する中間電極の長さおよび配置を工夫することにより、電場レンズ内部でイオンガスの蓄積を阻止させるようにしたものである。図1は本実施の形態1における電磁場レンズの部分の構成を示す図である。図1において、磁場レンズ4内には、電場レンズ5′が磁極間隙に形成される磁場の位置に合わせて配置される。電場レンズ5′は、上段電極5aと中間電極5b′と下段電極5cとから構成され、中間電極5b′が磁場の最大強度となる部分にかかるように配置されることは、従来例と変わっていない。図8の従来例の構成と異なるのは、中間電極5b′が長くなっていることであり、その結果、中間電極5b′は、上端部が従来例よりも上方に位置するようになっている。上段電極5aも、中間電極5b′が上方に延長された分上方に移動している。このような構成を採用すると、電場レンズ5′の中間電極5b′の長さを延長した分だけ、中間電極5b′の上端側の電位の壁21′の位置が上方に移動し、中間電極5b′内部の電位ポテンシャルが広がる。併せて、上端位置における磁場の強度は、従来の場合に比べて大幅に低下する。そのため、電位の壁21′と磁場の双方に囲まれてイオンがトラップされる空間が無くなり、中間電極5b′内でイオンガス20が比較的自由に移動分散することができるようになる。このため、イオンガスは中間電極5b′の上端部の部分から外部に散逸するので、中間電極5b′の内部にイオンガスが蓄積することがない。その結果、電子ビームが描画フィールドの端付近に継続して照射され中間電極5b ́への電圧印加が長引いた場合であっても、一次電子ビームの位置ずれを防止することができる。図2は、実施の形態1について、図9と同様に中間電極へ最大電圧を継続的に印加した場合の、印加時間[s]と電子ビームの位置ずれ量[nm]との関係を表す図である。図9に比べて、印加時間が長くなっても電子ビームの位置ずれ量が小さくとどまり増加しないことが分かる。なお、上記例では、従来に比べて中間電極5b′を上方に延長したが、下方に延長するようにしても同じ効果が得られ、場合によっては、上方にも下方にも延長するようにしても良い。発明者の検討によれば、中間電極5b′の端部における磁場の強度は、磁場の最大値の15以下であれば、イオンをトラップする場が中間電極内に実質的に形成されない。従って、中間電極5b′は、磁場の最大強度となる部分にかかるように配置され、且つ、上端、下端の内の少なくとも一方が、磁場の最大値の15以下の強度を示す位置に届くような長さを持つことが好ましい。実施の形態2本実施の形態2に係る発明は、電場レンズの中間電極の内部の中央に絞りを設け、荷電粒子が捕捉される空間を制限し、電場レンズ内部でイオンガスの蓄積を阻止させるようにしたものである。図3は本実施の形態2における電磁場レンズの部分の構成を示す図である。図3において、磁場レンズ4内には、電場レンズ5′′が磁極間隙に形成される磁場の位置に合わせて配置される。電場レンズ5′′は、上段電極5aと中間電極5b′′と下段電極5cとから構成され、中間電極5b′′が磁場の最大強度となる部分にかかるように配置されることは、実施の形態1と変わっていない。実施の形態1と異なるのは、図3に示すように中間電極5b′′の中央部を細く形成し、その部分に電子ビームの通過を制限する絞り30を設けた点である。中間電極5b′′は、この絞り30が、磁場レンズ4が形成する磁場の中心に位置するように配置される。このような構成とすれば、ダイナミックフォーカスが動作しているとき、電場レンズ5′′の中間電極5b′′内部の絞り30の付近では、前述した電位の壁と磁場レンズ4による磁場によってイオンをトラップする空間が形成される。しかし、この空間は絞り30により極めて狭い範囲に限られるため、イオンガスの蓄積量は減少し、結果的にこの絞り部分を通過する電子ビームに与える不正偏向の影響は極めて小さい。