"式I[式I中、W1は、環を構成する原子として窒素原子を含む炭素数2~36の複素環基を表し、該窒素原子はL1と結合している。W2は、炭素数4~36の脂環式炭化水素基を表す。R1は、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。L1は、オキシ基及びカルボニル基からなる群より選ばれる少なくとも1つと、2価の飽和炭化水素基とが連結してなり、その総炭素数が1~17である2価の基を表す。mは1~3の整数を表す。]で表される化合物。式IにおけるW2が、アダマンタン環を有する基である請求項1記載の化合物。請求項1又は2記載の化合物と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と、酸発生剤と、を含むレジスト組成物。さらに溶剤を含む請求項3記載のレジスト組成物。前記酸発生剤が、以下の式B1で表される化合物である請求項3又は4記載のレジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]1請求項3~5のいずれか一項記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2基板上に塗布されたレジスト組成物を乾燥させることにより、該基板上に組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来のレジスト組成物では、得られるレジストパターンのラインエッジラフネスLERが必ずしも満足できるものではなかった。本発明は、以下の発明を含む。1式I[式I中、W1は、環を構成する原子として窒素原子を含む炭素数2~36の複素環基を表し、該窒素原子はL1と結合している。W2は、炭素数4~36の脂環式炭化水素基を表す。R1は、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。L1は、オキシ基及びカルボニル基からなる群より選ばれる少なくとも1つと、2価の飽和炭化水素基とが連結してなり、その総炭素数が1~17である2価の基を表す。mは1~3の整数を表す。]で表される化合物。2式IにおけるW2が、アダマンタン環を有する基である前記1記載の化合物。3前記1又は前記2記載の化合物と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と、酸発生剤と、を含むレジスト組成物。4さらに溶剤を含む前記3記載のレジスト組成物。5前記酸発生剤が、以下の式B1で表されるものである前記3又は前記4記載のレジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]61前記3~5のいずれか一項記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2基板上に塗布されたレジスト組成物を乾燥させることにより、該基板上に組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明の化合物によれば、該化合物を含むレジスト組成物から、ラインエッジラフネスLERに優れるレジストパターンを製造することができる。本発明の化合物は、式Iで表される化合物以下化合物Iという場合があるである。[式I中、W1は、環を構成する原子として窒素原子を含む炭素数2~36の複素環基を表し、該窒素原子はL1と結合している。W2は、炭素数4~36の脂環式炭化水素基を表す。R1は、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。L1は、オキシ基及びカルボニル基からなる群より選ばれる少なくとも1つと、2価の飽和炭化水素基とが連結してなり、その総炭素数が1~17である2価の基を表す。mは1~3の整数を表す。]<化合物I>W1は、環を構成する原子として窒素原子を含む複素環基であり、この窒素原子はL1と結合している。該複素環基は、芳香族性を有する芳香族複素環基であっても、芳香族性を有しない非芳香族性の複素環基であってもよいが、芳香族性を有しない複素環基であることが好ましい。また、該複素環基は単環式であってもよく、多環式であってもよいが、単環式であることが好ましい。さらに、該複素環基は、環を構成する原子として、L1と結合している窒素原子の他に、ヘテロ原子他のヘテロ原子を有していてもよい。該へテロ原子としては、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子が挙げられ、酸素原子又は硫黄原子が好ましい。なお、複素環基に、このような他のヘテロ原子を複数有している場合、これらはそれぞれ独立である。前記複素環基としては、例えば、以下の基等が挙げられるは、L1との結合手を表す。これらのなかでも、W1は、式W1で表される複素環基、式W2で表される複素環基又は式W3で表される複素環基であることが好ましい。W2は脂環式炭化水素基を表し、その具体例としては、以下のもの等が挙げられるは、L1との結合手を表す。これらの中でも、W2としてはアダマンタン環を有する基すなわちアダマンチル基が好ましい。L1は、オキシ基-O-、なお、本明細書においては、場合により、オキシ基を-O-と表記することもある。及びカルボニル基-CO-、なお、本明細書においては、場合により、カルボニル基を-CO-と表記することもある。からなる群より選ばれる少なくとも1つと、2価の飽和炭化水素基とが連結してなる2価の基である。その組み合わせを具体的に挙げると、1つのオキシ基と、2つの2価の飽和炭化水素基との組み合わせ;1つのカルボニル基と、2つの2価の飽和炭化水素基との組み合わせ;1つのオキシ基と、1つのカルボニル基と、1つの2価の飽和炭化水素基との組み合わせ;1つのオキシ基と、1つのカルボニル基と、2つの2価の飽和炭化水素基との組み合わせ;2つのオキシ基と、1つのカルボニル基と、1つの2価の飽和炭化水素基との組み合わせ;2つのオキシ基と、2つのカルボニル基と、2つの2価の飽和炭化水素基との組み合わせ;3つのオキシ基と、2つのカルボニル基と、2つの2価の飽和炭化水素基との組み合わせ;等である。ここでいう2価の飽和炭化水素基とは、アルキカンジイル基、シクロアルカンジイル基又はこれらを組合わせた基である。なお、L1に、オキシ基及びカルボニル基をともに有する場合、これらが連結したカルボニルオキシ基-CO-O-又はオキシカルボニル基-O-CO-となっていてもよい。また、2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基からなる群より選ばれる基で置換されていてもよい。該芳香族炭化水素基としては、フェニル基、トシル基及びナフチル基等が挙げられる。該アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基等が挙げられる。該アシル基としては、アセチル基及プロピオニル基等が挙げられる。L1の具体例としては、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6以下、式b1-1~式b1-6のように表記する。のいずれかで表される基である。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の2価の飽和炭化水素基を表す。但し、Lb3及びLb4の炭素数の合計は15以下であり、13以下が好ましい。Lb5は、炭素数1~16の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb5の炭素数は15以下が好ましい。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。但し、Lb6及びLb7の炭素数の合計は17以下であり、15以下が好ましい。Lb8は、炭素数1~16の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb8の炭素数は1~14が好ましい。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の飽和炭化水素基を表す。但し、Lb9及びLb10の炭素数の合計は15以下であり、12以下が好ましい。は結合手を表し、一方のはW1にある炭素原子と結合しており、他方のはW2にある窒素原子と結合している。上述したL1の例示の中でも、式b1-1で表される基又は式b1-3で表される基が好ましく、式b1-1で表される基がより好ましい。また、L1が式b1-1で表される基である場合、この基に含まれるLb2は、メチレン基であるとさらに好ましい。ここで、式b1-1~式b1-6で表される2価の基の具体例を挙げる。これらの式に記載された2つのは、一方はW2に含まれる炭素原子との結合手であり、他方はW1に含まれる窒素原子との結合手である。式b1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。R1は、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。該炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。このようなR1を具体的に例示すると、下記基などが挙げられるは酸素原子との結合手を表す。これらのうち、R1は式R1-1、式R1-2、式R1-3及び式R1-4で表される基が好ましく、なかでも、式R1-1又は式R1-2で表される基がより好ましい。化合物Iの好ましい例としては、以下の化合物が挙げられる。化合物Iは例えば、次に示す方法により製造することができる。ここでは、L1が-O-CO-CH2-である化合物I式IAで表される化合物、以下化合物IAという場合がある。を製造する方法について示す。化合物IAは、式IA-1で表される化合物と、式IA-2で表される化合物とを、溶剤中で反応させることにより得られる。なお、式IA-1におけるm、R1及びW2、式IA-2におけるW1は前記と同義である。ここで用いる溶剤としては、酢酸エチル等が挙げられる。式IA-2において、W1に結合している水素原子-Hは、W1の環を構成する窒素原子と結合している。例えば、W1としてモルホリノ基を有する化合物IAを製造する場合には、式IA-2で表される化合物としてモルホリンを用いればよい。式IA-1で表される化合物は、式IA-3で表される化合物と、式IA-4で表される化合物とを、溶剤中、塩基の存在下で反応させることにより製造できる。ここで用いる溶剤としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基としてはピリジン等が挙げられる。アダマンタン環を有する基をW2として有する化合物IAを製造する場合、式IA-3で表される化合物として、例えば、以下の化合物を用いればよい。<レジスト組成物>本発明のレジスト組成物以下、本レジスト組成物という。は、化合物Iと、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と、酸発生剤とを含み、さらに溶剤とを含むことが好ましい。レジスト組成物が化合物Iを含むことにより、ラインエッジラフネスLERが良好なレジストパターンを製造できるという効果を発現する。なお、以下の説明において、本レジスト組成物から溶剤を取り除いたものを、本レジスト組成物の固形分ということがある。この固形分の本レジスト組成物総質量に対する含有量含有質量割合は、液体クロマトグラフィー及びガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。<樹脂以下、樹脂Aという場合がある。>樹脂Aは、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂である。酸の作用によりアルカリ可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。このような樹脂Aは、分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されているものであり、樹脂Aが酸と接触すると該保護基が脱離して、樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶な樹脂となる。保護基により保護されている親水性基を以下、酸不安定基という。前記親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。樹脂Aは、酸不安定基を有するモノマー以下、モノマーa1という場合がある。を重合することによって製造できる。かかる重合の際には、モノマーa1を1種のみ使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。<モノマーa1>酸不安定基としては、例えば、ヒドロキシ基やカルボキシ基の水素原子が第三級アルキル基に置き換わった基が挙げられる。好ましい親水性基であるカルボキシ基が前記保護基で保護された酸不安定基としては、以下の式1で表されるアルコキシカルボニル基が挙げられる。この式1で表される酸不安定基を酸不安定基1という。式1中、Ra1、Ra2及びRa3以下、Ra1~Ra3のように表記する。は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いはRa1及びRa2は互いに結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成している。は結合手を表す。前記脂肪族炭化水素基としては例えば、アルキル基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基等が挙げられる。前記脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、及び以下に示すような基等が挙げられるは結合手である。該脂環式炭化水素基の炭素数は3~16が好ましい。Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合、-CRa1Ra2Ra3で表される基としては、以下に示す基が挙げられる。Ra1及びRa2が互いに結合してなる環の炭素数は、好ましくは3~12である。酸不安定基1は例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1、Ra2及びRa3がアルキル基である基、好ましくはtert-ブトキシカルボニル基、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が互いに結合してアダマンチル環を形成し、且つRa3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基等が挙げられる。モノマーa1は好ましくは、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーである。酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の脂環式炭化水素構造を有する基が好ましい。このような立体的に嵩高い脂環式炭化水素構造を有する基を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂Aは、該樹脂Aを含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。ここで、メタアクリルとは、アクリル及び/又はメタクリルを表す。脂環式炭化水素構造を含む酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー以下、モノマーa1-1という。及び式a1-2で表されるモノマー以下、モノマーa1-2という。が好ましい。樹脂Aを製造する際、これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、オキシ基-O-又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表し、n1は0~10の整数を表す。なお、式a1-1においてアダマンタン環にある-CH3m1の表記は、アダマンタン環を構成する炭素原子に結合する水素原子すなわちメチレン基及び/又はメチン基の水素原子が、メチル基に置き換わり、該メチル基の個数がm1個であることを意味する。La1及びLa2は、好ましくは、オキシ基又は-O-CH2f1-CO-O-但し、f1は1~4の整数を表すで表される基あり、より好ましくはオキシ基である。f1は、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基は例えば、アルキル基が挙げられ、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基等が挙げられる。Ra6又はRa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数6以下の基である。Ra6又はRa7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下であり、より好ましくは6以下である。Ra6又はRa7が脂環式炭化水素基である場合、該脂環式炭化水素基は単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、及び下記のような基等が挙げられる。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。は、アダマンタン環又はシクロヘキサン環との結合手を表す。モノマーa1-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-1としては、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートが好ましく、2-メチルアダマンタン-2-イルメタクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタクリレートがより好ましい。モノマーa1-2としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-2としては、1-エチルシクロヘキシルメタアクリレートが好ましく、1-エチルシクロヘキシルメタクリレートがより好ましい。樹脂Aをモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2を用いて製造する場合、得られる樹脂Aの全構造単位を100モルとしたとき、これらモノマーに由来する構造単位の含有量の合計は、10~95モルが好ましく、15~90モルがより好ましく、20~85モルがさらに好ましい。モノマーa1-1に由来する構造単位及び/又はモノマーa1-2に由来する構造単位の含有量の合計を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対するモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2の使用量を調整すればよい。樹脂Aの製造には、該メタアクリル系モノマーすなわちモノマーa1-1及びモノマーa1-2以外に、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とを分子内に有する他のモノマーを用いることもできる。かかる他のモノマーとして例えば、以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、モノマーa1-3という場合がある。が挙げられる。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、カルボキシル基、シアノ基又は-COORa13を表す。Ra13は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Ra10、Ra11及びRa12以下、Ra10~Ra12のように表記する。は、それぞれ独立に、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ra10及びRa11が互いに結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基等で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。ここで、Ra9の-COORa13としては例えば、メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等が挙げられる。Ra9のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra13の脂肪族炭化水素基や脂環式炭化水素基としては例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基、又は2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。Ra10~Ra12としては例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基及びアダマンチル基等が挙げられる。Ra10及びRa11が互いに結合して形成される環は脂環式炭化水素の環が好ましく、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環等が挙げられる。モノマーa1-3としては例えば、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチル等が挙げられる。モノマーa1-3を用いて製造された樹脂Aにはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになる。したがって、この構造単位を有する樹脂Aを含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを得ることができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂Aの主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、該樹脂Aを含む本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。上述のように、良好な解像度でレジストパターンを製造できることや、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという点で、樹脂Aの全構造単位100モルに対する、モノマーa1-3に由来する構造単位の含有量は10~95モルが好ましく、15~90モルがより好ましく、20~85モルがさらに好ましい。前記他のモノマーとしては、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という。も用いることができる。式a1-4中、R10は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。R11は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のR11は同一であっても異なってもよい。R12及びR13は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、カルボニル基、オキシ基、-S-、スルホニル基-SO2-又は-NRc-で示される基で置き換わっていてもよい。ここで、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基であり、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基の各々に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。式a1-4のR10、R11、R12、R13及びXa2の具体例を挙げる。R10及びR11のハロゲン原子は例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等である。R10のハロゲン原子を有してもよいアルキル基は例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペルヨードメチル基等が挙げられる。これらのうち、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R11のアルコキシ基は例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基及びn-ヘキトキシ基等が挙げられる。R11のアシル基は例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。R11のアシルオキシ基は例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基等が挙げられる。R11のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R11のアルコキシ基としては、メトキシ基又はエトキシ基が好ましく、メトキシ基が特に好ましい。R12及びR13、並びに、Xa2及びYa3の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれかである。該脂肪族炭化水素基は、炭素数の上限が異なる以外は、モノマーa1-1のRa6及びRa7の脂肪族炭化水素基として説明したものを含み、その具体例もRa6及びRa7の脂肪族炭化水素基として例示したものを含む。該脂肪族炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましい。該脂環式炭化水素基も、炭素数の上限が異なる以外は、モノマーa1-1のRa6及びRa7の脂環式炭化水素基として説明したものを含み、その具体例もRa6及びRa7の脂環式炭化水素基として例示したものを含む。該脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基等が好ましい。該芳香族炭化水素基は典型的にはアリール基であり、具体的にいえば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニル等である。上述したように、Xa2及びYa3は、水素原子がハロゲン原子、ヒドロキシ基等に置換されていてもよいが、このように水素原子が置換されている場合、その置換基は好ましくはヒドロキシ基である。ここで、モノマーa1-4として例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルが好ましく、15~90モルがより好ましく、20~85モルがさらに好ましい。<モノマーa1以外のモノマー酸安定モノマー及び共重合体>本レジスト組成物に用いる樹脂Aとしては、モノマーa1と、酸不安定基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるとを重合した共重合体であることが好ましい。<ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下酸安定モノマーa2という場合がある。>酸安定モノマーa2を樹脂Aの製造に用いる場合、該樹脂Aを含む本レジスト組成物からレジストパターンを得る際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定モノマーa2を挙げることができる。すなわち、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光波長:248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合には、酸安定モノマーa2として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0例えば、ヒドロキシスチレン類等を樹脂Aの製造に用いることが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光波長:193nmを用いる場合は、酸安定モノマーa2として、後述の式a2-1で表される酸安定モノマーを樹脂Aの製造に用いることが好ましい。樹脂A製造に用いる酸安定モノマーa2は、露光源の種類に応じて好適なモノマー1種のみを用いてもよく、露光源の種類に応じて好適なモノマー2種以上を用いてもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適なモノマーと、それ以外の酸安定モノマーa2とを組み合わせてもよい。酸安定モノマーa2としては、以下の式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマー以下、酸安定モノマーa2-0という。が挙げられる。なお、この式a2-0は、フェノール性ヒドロキシ基が保護基で保護されていない形式で示すものである。式a2-0中、R8は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。R9は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上である場合、複数のR9は同一であっても異なってもよい。R8のハロゲン原子及びハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基の具体例は、前記モノマーa1-4のR10の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、R8は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。R9のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R9のアルコキシ基の具体例は、モノマーa1-4のR11の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、R9は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0がさらに好ましい。このような酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する共重合体樹脂Aを製造する場合は、酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性ヒドロキシ基が保護基で保護されてなるモノマーを用いることもできる。ここでいう保護基としては例えば、アセチル基等が好ましい。アセチル基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、酸との接触により該アセチル基が脱保護されるため、アセチル基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーに由来する構造単位からは容易に、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位と同じものを形成することができる。ただし、本発明に用いる樹脂Aは上述のとおり、酸不安定基を有するモノマーa1に由来する構造単位を有しているので、フェノール性ヒドロキシ基が保護基で保護されたモノマーに由来する構造単位を脱保護する際には、この酸不安定基を著しく損なわないようにして、脱保護を実施する必要がある。酸安定モノマーa2-0としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。なお、以下の例示でも、フェノール性ヒドロキシ基が保護基で保護されていない形式で示す。上述の酸安定モノマーa2-0の例示の中では、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンを用いて、樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したものを用いることが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルから選ばれ、10~80モルがより好ましく、15~80モルがさらに好ましい。酸安定モノマーa2-1は以下の式a2-1で示されるものである。式a2-1中、La3は、オキシ基又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、オキシ基、-O-CH2f1-CO-O-ここでf1は、1~4の整数であるであり、より好ましくはオキシ基である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及びメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルが好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートがより好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレートがさらに好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~40モルから選ばれ、5~35モルがより好ましく、5~30モルがさらに好ましく、5~15モルが特に好ましい。<ラクトン環を含有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa3という場合がある。>酸安定モノマーa3が有するラクトン環は例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定モノマーa3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aの製造においては、これらのうち1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-1といい、式a3-2で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-2といい、式a3-3で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-3という。式a3-1、式a3-2及び式a3-3のいずれか中、La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18、Ra19及びRa20以下、Ra18~Ra20という。は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。式a3-1~式a3-3中のLa4~La6としては、La3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2d1-CO-O-であることが好ましくここでd1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2は例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-3は例えば、以下のものが挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3の中でも、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル、メタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルといったメタクリレートエステル類がより好ましい。樹脂Aが、モノマーa3-1に由来する構造単位、モノマーa3-2に由来する構造単位及びモノマーa3-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位酸安定モノマーa3に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~60モルが好ましく、5~50モルがより好ましく、10~40モルがさらに好ましく、15~40モルが特に好ましい。また、モノマーa3-1に由来する構造単位、モノマーa3-2に由来する構造単位及びモノマーa3-3に由来する構造単位それぞれの含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~60モルが好ましく、10~55モルがより好ましく、20~50モルがさらに好ましい。<酸安定モノマーa4>さらに、酸安定モノマーa2及び酸安定モノマーa3以外の酸安定モノマー以下酸安定モノマーa4という場合がある。として、式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸、及び、式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-3という場合がある。などが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基又はアルコキシカルボニル基-COORa27、ここで、Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキソ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く即ちRa27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まないを表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。モノマーa4-3のRa25及びRa26において、ヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは炭素数1~6の基である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18、より好ましくは炭素数4~12の基である。このRa27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基等が挙げられる。酸安定モノマーa4-3としては例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが、式a4-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a4-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及びモノマーa4-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位酸安定モノマーa4に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルが好ましく、3~30モルがより好ましく、5~20モルがさらに好ましい。好ましい樹脂Aは、モノマーa1と、酸安定モノマーa2及び/又は酸安定モノマーa3とを重合させて得られる共重合体である。この好ましい共重合体において、モノマーa1として、上述のモノマーa1-1及びモノマーa1-2の少なくとも1種を用いることが好ましく、モノマーa1-1を用いることがさらに好ましい。酸安定モノマーa2としては、酸安定モノマーa2-1が好ましく、酸安定モノマーa3としては、酸安定モノマーa3-1及び酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種が好ましい。樹脂Aは、モノマーa1と、必要に応じて、酸安定モノマーa2、酸安定モノマーa3及び酸安定モノマーa4からなる群より選ばれる酸安定モノマーとを用い、これらが上述のとおりの樹脂Aの全構造単位に対する好適な含有量になるようにして使用量を調節した後、公知の重合法例えばラジカル重合法により製造することができる。樹脂Aがモノマーa1と酸安定モノマーとの共重合体である場合、モノマーa1に由来する構造単位と酸安定モノマーに由来する構造単位の共重合割合は、モノマーa1に由来する構造単位/酸安定モノマーに由来する構造単位で表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に、モノマーa1-1に由来する構造単位を、モノマーa1に由来する構造単位の総量100モルに対して15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を分子内に有するものが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー及び/又はラクトン環を含有する酸安定モノマーに由来する構造単位を有する樹脂Aは、該樹脂Aを含む本レジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜、又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなり、この本レジスト組成物は良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。樹脂Aの重量平均分子量は、2,500以上が好ましく、3,000以上がより好ましく、4,000以上がさらに好ましい。該重量平均分子量の上限は50,000以下が好ましく、30,000以下がより好ましく、10,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。<酸発生剤以下、酸発生剤Bということがある。>酸発生剤Bには、非イオン系酸発生剤、イオン系酸発生剤又はこれらを組み合わせて用いることができる。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン4-スルホネート及びスルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等がある。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン及びスルホニルメチドアニオン等がある。酸発生剤Bとしては、本発明の技術分野で使用される酸発生剤特に光酸発生剤だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤、又は光変色剤等の放射線光によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜使用できる。例えば特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載されている、放射線によって酸を発生する化合物を、酸発生剤Bとして使用できる。酸発生剤Bとしては、分子内にフッ素原子を有するフッ素含有化合物を含む酸発生剤が好ましく、式B1で表される化合物以下化合物B1という。を含む酸発生剤Bが特に好ましい。この酸発生剤B1と化合物Iとを含む本レジスト組成物は、LERが良好なレジストパターンを製造できるだけでなく、良好なフォーカスマージンDOFでレジストパターンを製造できるという利点がある。なお、以下の説明において、この化合物B1のうち、正電荷を有するZは有機カチオンといい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基は例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。本レジスト組成物に用いる酸発生剤としては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子の化合物B1を含む酸発生剤が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子である化合物B1を含む酸発生剤がさらに好ましい。Q1及びQ2がともにフッ素原子である化合物B1を含む酸発生剤と、化合物Iとを含む本レジスト組成物は、より広いフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができる。酸発生剤中、化合物B1の含有量は、80質量以上であることが好ましく、90質量以上であることがより好ましく、99質量以上であることがより好ましい。Lb1の2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の2価の飽和環状炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基、プロパン-2,2-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基特に、炭素数1~4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を有した分岐状アルカンジイル基、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、1,3-シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基、シクロオクタン-1,5-ジイル基等の単環式の2価の飽和環状炭化水素基;ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、1,5-アダマンタン-1,5-ジイル基、アダマンタン-2,6-ジイル基等の多環式の2価の飽和環状炭化水素基等が挙げられる。Lb1における前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、オキシ基又はカルボニル基で置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6以下、式b1-1~式b1-6のように表記する。のいずれかで示される基が挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで示される基であり、さらに好ましくは式b1-1で示される基又は式b1-2で示される基である。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。なお、は結合手を表し、一方はYと、他方はCQ1Q2の炭素原子と結合している。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。本レジスト組成物に用いる酸発生剤としては、これらの中でも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有する化合物B1を含む酸発生剤が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基をLb1として有する化合物B1を含む酸発生剤がより好ましい。ここで、式b1-1~式b1-6で表される2価の基の具体例を挙げる。は結合手を表す。式b1-1で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。Lb1の2価の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基は例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基等が挙げられる。該芳香族炭化水素基は例えば、フェニル基、トシル基及びナフチル基等が挙げられる。該アラルキル基は例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基等が挙げられる。該アシル基としては、アセチル基及プロピオニル基等が挙げられる。上述のとおり、Yは置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Yの脂肪族炭化水素基としてはアルキル基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基がさらに好ましい。なお、このアルキル基は直鎖状であっても、分岐状であってもよい。また、Yの脂環式炭化水素基とは、シクロアルキル基が好ましく、炭素数3~12のシクロアルキル基がさらに好ましい。なお、ここでいうシクロアルキル基は単環式であっても、多環式であってもよい。また、環原子としてのみ炭素原子を有するシクロアルキル基に留まらず、環原子の炭素原子にアルキル基が結合してなる基もシクロアルキル基とする。上述のように、脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基は任意に置換基を有する。ここで、置換基を有する脂肪族炭化水素基とは、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子が、置換基で置換されている基を意味する。一方、置換基を有する脂環式炭化水素基とは、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子が、置換基で置換されている基を意味する。ここでいう置換基は例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の脂肪族炭化水素基、炭素数3~16の飽和環状炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。等が挙げられる。この置換基である脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基を有していてもよい。また、脂肪族炭化水素基に任意に有する置換基としては、炭素数3~16の脂環式炭化水素基でもよい。Yの脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基、スルホニル基-SO2-又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が、オキシ基、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つがオキシ基に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、オキシ基及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、オキシ基及びカルボニル基に置き換わった基等が挙げられる。特に、Yの脂環式炭化水素基としては、式Y1、式Y2、式Y3、式Y4、式Y5、式Y6、式Y7、式Y8、式Y9、式Y10、式Y11、式Y12、式Y13、式Y14、式Y15、式Y16、式Y17、式Y18、式Y19、式Y20、式Y21、式Y22、式Y23、式Y24、式Y25及び式Y26以下、式Y1~式Y26のように表記する。のいずれかで表される基が挙げられる。このうち、脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1~3個がそれぞれ、オキシ基、スルホニル基及びカルボニル基からなる群より選ばれる2価の基に置き換わった基としては、式Y12~式Y26で表される基が挙げられる。なお、これら式Y1~式Y26で表される基において、はLb1に結合している結合手を表す。Yとしては、これらの例示の中でも、式Y1~式Y19のいずれかで表される基が好ましく、式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基がさらに好ましく、式Y11又は式Y14で表される基がより好ましい。環を構成する原子の炭素原子にアルキル基が結合してなる脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。Yとしては、ヒドロキシ基等を置換基として有していてもよいアダマンチル基であると好ましく、好適なYとしてはアダマンチル基又はヒドロキシアダマンチル基を挙げることができる。スルホン酸アニオンの好適例を具体的に示すと、式b1-1-1、式b1-1-2、式b1-1-3、式b1-1-4、式b1-1-5、式b1-1-6、式b1-1-7、式b1-1-8及び式b1-1-9以下、式b1-1-1~式b1-1-1-9のように表記する。で表されるスルホン酸アニオンを挙げることができる。この式b1-1-1~式b1-1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基又脂環式炭化水素基に任意に有することもある置換基として定義したものであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチル基が特に好ましい。Yが脂肪族炭化水素基又は無置換の飽和環状炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基又はアラルキル基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、脂肪族炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-4で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。以上例示したスルホン酸アニオンの中でも、Lb1が式b1-1で表される基であるものが好ましい。より好ましいスルホン酸アニオンを以下に示す。酸発生剤に含まれるカチオンは例えば、オニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。化合物B1中の有機カチオンZとしてもスルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは、以下の式b2-1、式b2-2、式b2-3及び式b2-4以下、式b2-1~式b2-4のように表記する。のいずれかで表される有機カチオン以下、各式の番号に応じて、カチオンb2-1、カチオンb2-2、カチオンb2-3及びカチオンb2-4ということがある。である。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、該脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。m2が2以上の整数である場合、複数のRb7は互いに同一であっても異なってもよく、n2が2以上の整数である場合、複数のRb8は互いに同一であっても異なってもよい。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11以下、Rb9~Rb11のように表記する。は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基であり、これらが脂肪族炭化水素基である場合、その炭素数は1~12であると好ましく、脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であると好ましく、4~12であるとさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10との組み合わせ、及び/又は、Rb11とRb12との組み合わせは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環好ましくは3員環~7員環は脂環式炭化水素の環又は、該脂環式炭化水素の環に含まれるメチレン基が、オキシ基、-S-チオキシ基又はカルボニル基で置き換わっている環である。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18以下、Rb13~Rb18と表記することがある。は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、-S-又は-O-を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13はそれぞれ独立であり、p2が2以上であるとき、複数のRb14はそれぞれ独立であり、s2が2以上であるとき、複数のRb15はそれぞれ独立であり、t2が2以上であるとき、複数のRb18はそれぞれ独立である。Rb12のアルキルカルボニルオキシ基としては例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。Rb9~Rb12の脂肪族炭化水素基のうち好ましい基は例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基等である。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基のうち好ましい基は例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-2-イル基及びイソボルニル基等である。Rb12の芳香族炭化水素基のうち好ましい基は例えば、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基等である。Rb12の脂肪族炭化水素基を有する芳香族炭化水素基は、典型的にはアラルキル基であり、具体的にはベンジル基等が挙げられる。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環等が挙げられる。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環等が挙げられる。例示した有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、R19、R20及びR21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。この脂肪族炭化水素基の炭素数は1~12であることが好ましく、炭素数1~12のアルキル基がより好ましく、さらには置換基として、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよい。また、この脂環式炭化水素基の炭素数は4~18であることが好ましく、置換基として、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19はそれぞれ独立であり、w2が2以上のとき、複数のRb20はそれぞれ独立であり、x2が2以上のとき、複数のRb21はそれぞれ独立である。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基である。カチオンb2-1-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。このような有機カチオンを有する化合物B1と化合物Iとを含む本レジスト組成物は、より良好なフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができる。既に好適な有機カチオンであるカチオンb2-1-1及びその具体例を示したが、カチオンb2-2、カチオンb2-3及びカチオンb2-4についても、その具体例を示しておく。カチオンb2-2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-4の具体例としては、以下のものが挙げられる。化合物B1は前記スルホン酸アニオン及び前記有機カチオンの組合せであり、これらは任意に組み合わせることができるが、式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-1-1との組合せである化合物B1、並びに式b1-1-3~式b1-1-5のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-3との組合せである化合物B1が好ましい。このような化合物B1を含む酸発生剤と、化合物Iとを含む本レジスト組成物は、より一層広いフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができる。好ましい化合物B1としては、以下の式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-4、式B1-5、式B1-6、式B1-7、式B1-8、式B1-9、式B1-10、式B1-11、式B1-12、式B1-13、式B1-14、式B1-15、式B1-16及び式B1-17のいずれかで表されるものである。中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1である、式B1-1、式B1-2、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13及びB1-14のいずれかで表されるもの、並びに式B1-3で表されるものがより好ましい。<塩基性化合物以下、塩基性化合物Cという。>本レジスト組成物は、塩基性化合物Cただし、化合物Iとは異なる。を含有していてもよい。ここでいう塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、既に説明した酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えば、アミン及びアンモニウムヒドロキシドを挙げることができる。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、以下の式C2で表される芳香族アミン、特に、以下の式C2-1で表されるアニリン類が挙げられる。式C2及び式C2-1中、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表す。但し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基にある水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、このアミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。Rc7は、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基である。、炭素数1~6程度のアルコキシ基、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数5~10程度のシクロアルキル基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表す。但し、ここでいう脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基にある水素原子も、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、このアミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、それぞれ独立である。式C2で表される芳香族アミンは例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミン等が挙げられる。式C2-1で表されるアニリン類は例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン及びジフェニルアミン等が挙げられる。また、以下の式C3、式C4、式C5、式C6、式C7、式C8、式C9、式C10及び式C11のいずれかで表される化合物以下、ここでいう化合物を、式番号に応じて、化合物C3~化合物C11のように表記する。も用いることができる。式C3~式C11中、Rc8と、芳香族炭素と結合するRc20、Rc21、Rc23、Rc24、Rc25、Rc26、Rc27及びRc28とは前記Rc7と同義のものである。窒素原子と結合するRc9、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13、Rc14、Rc16、Rc19及びRc22は、それぞれ独立であり、前記のRc5及びRc6と同義のものである。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上であるとき、複数のRc20はそれぞれ独立であり、p3が2以上であるとき、複数のRc21はそれぞれ独立であり、q3が2以上であるとき、複数のRc24はそれぞれ独立であり、r3が2以上であるとき、複数のRc25はそれぞれ独立であり、s3が2以上であるとき、複数のRc26はそれぞれ独立であり、t3が2以上であるとき、複数のRc27はそれぞれ独立であり、u3が2以上であるとき、複数のRc28はそれぞれ独立である。Rc15は、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数3~6程度の脂環式炭化水素基である。又はアルカノイル基好ましくは、炭素数2~6程度のアルカノイル基である。を表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数1~6程度のアルキレン基である。、カルボニル基、-C=NH-、-C=NRc3-但し、Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す。、-S-チオキシ基、ジスルフィド結合-S-S-又はこれらの組合せを表す。化合物C4としては例えば、ピペラジン等が挙げられる。化合物C5としては例えば、モルホリン等が挙げられる。化合物C6としては例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。化合物C7としては例えば、2,2’-メチレンビスアニリン等が挙げられる。化合物C8としては例えば、イミダゾール及び4-メチルイミダゾール等が挙げられる。化合物C9としては例えば、ピリジン、4-メチルピリジン等が挙げられる。化合物C10としては例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン及び2,2’-ジピコリルアミン等が挙げられる。化合物C11としては例えば、ビピリジン等が挙げられる。塩基性化合物C3としては例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン等も用いることができる。すでに述べたように、塩基性化合物Cとしてアンモニウムヒドロキシドも使用することができる。ここでいうアンモニウムヒドロキシドの具体例は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリン等である。以上、塩基性化合物Cの具体例を示したが、本レジスト組成物に用いる塩基性化合物Cとしては、これらの中でもジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンが特に好ましい。本発明のレジスト組成物に、化合物Iに加えて、塩基性化合物C、特にジイソプロピルアニリンを、本レジスト組成物総質量に対する該化合物Iの含有量が、該塩基性化合物Cの含有量よりも多くなるように用いると、本レジスト組成物によるレジストパターン製造の際、より一層広いフォーカスマージが発現できるという効果がある。かかる効果の発現は、例えば前記特許文献1に記載されている従来のレジスト組成物からは容易に想起し得えるものではなく、本発明者等の独自の知見に基づくものである。<溶剤以下、溶剤Dという場合がある。>本レジスト組成物に含まれる溶剤Dは、用いる化合物Iの種類及びその量と、樹脂Aの種類及びその量と、酸発生剤Bの種類及びその量とに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。好ましい溶剤Dの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類;γ-ブチロラクトン等の環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、必要に応じて、化合物I、樹脂A、酸発生剤B、溶剤D及び必要に応じて用いられる塩基性化合物C以外の構成成分を含んでいてもよい。この構成成分を成分Fという。かかる成分Fとしては、本技術分野で広く用いられている添加剤であり、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料等である。<本レジスト組成物及びその調製方法>本レジスト組成物は、化合物I、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤Dを混合することで、又は、化合物I、樹脂A、酸発生剤B、塩基性化合物C及び溶剤Dを混合することで調製することができる。さらに、必要に応じて成分Fを混合する。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、用いる化合物I等の種類や化合物I等の溶剤Dに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。溶剤Dの含有量は、上述のとおり、化合物Iの種類等に応じて適宜調節できるが、本レジスト組成物総質量に対して90質量以上であると好ましい。なお、溶剤Dの含有量が90質量である本レジスト組成物では、該本レジスト組成物総質量に対する固形分の含有量は10質量に該当する。このような含有量で溶剤Dを含む本レジスト組成物は、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成可能な薄膜レジストとして適している。この観点からは、本レジスト組成物総質量に対する溶剤Dの含有量は、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上である。該溶剤Dの含有量の上限は例えば、99.9質量以下であり、好ましくは99質量以下である。この溶剤Dの含有量は、本レジスト組成物を調製する際の溶剤Dの使用量により制御可能であり、本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。本レジスト組成物に対する樹脂Aの含有量は、本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、80質量以上99質量以下であることが好ましい。本レジスト組成物に対する酸発生剤Bの含有量は、樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上であり、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。本レジスト組成物に対する化合物Iの含有量は、本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.01~1質量であることが好ましく、0.1~0.8質量であることがより好ましい。本レジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、その含有量は、本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.01~1質量程度であると好ましい。なお、上述のとおり、塩基性化合物Cの含有量は、化合物Iの含有量よりも少ないことが好ましい。これら化合物I、樹脂A及び酸発生剤B、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物Cの各々の好適な含有量も、本レジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能である。本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー等の公知の分析手段に供して求めることもできる。なお、成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。このように、化合物I、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本レジスト組成物は調製できる。<レジストパターンの製造方法>続いて、本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法について説明する。本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2基板上に塗布された本レジスト組成物を乾燥させることにより、該基板上に組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程を含むものである。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、基板上に反射防止膜を形成したりすることもできる。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜を乾燥させる。このような乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて行われる。塗布膜を乾燥させることにより溶剤等の揮発成分が蒸発して除去される。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤D等の種類等に応じて調整されるが、例えばホットプレートを用いる加熱手段ホットプレート加熱では、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にしておけばよい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンに応じたマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線や、極端紫外光EUVを照射するものであってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応を生じ、結果として露光部の組成物層にある樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段等が採用される。なお、工程4におけるホットプレート加熱では、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がさらに好ましい。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させ、未露光部の組成物層を基板上に残すことにより、該基板上にレジストパターンが製造される。ここで用いられるアルカリ水溶液は、アルカリ現像液と称されて、本技術分野で用いられるものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。以上により基板上に製造されたレジストパターンは、好ましくは超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去する。<用途>本レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記しないかぎり質量基準である。樹脂Aの組成比樹脂A製造に用いた各モノマーに由来する構造単位の、樹脂Aに対する共重合比は、重合終了後の反応液における未反応モノマー量を液体クロマトグラフィーを用いて測定し、得られた結果とモノマーの仕込み量とから重合で消費されたモノマー量を求めることにより算出した。また重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製また、化合物の構造は、質量分析LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値をMASSで示す。実施例1[化合物I-1の製造]式I-1-aで表される化合物25部、式I-1-bで表される化合物商品名:CAHADクラレ製5部及び酢酸エチル25部を混合し、60°Cで2時間攪拌した。得られた反応液に、イオン交換水36.67部及び酢酸エチル110部を添加し、十分攪拌した後、静置した。2層分離した後、分液により水層を除去した。得られた有機層にイオン交換水36.67部を添加し、攪拌し、静置し、水層を分液除去するという水洗操作を8回行った。水洗後の有機層に活性炭0.82部を添加攪拌後、ろ過した。ろ液を濃縮することにより、式I-1で表される化合物1.48部を得た。式I-1で表される化合物の同定;MASS:295.2実施例2[化合物I-2の合成]式I-1-bで表される化合物29.11部、テトラヒドロフラン200.00部及び4-ジメチルアミノピリジン21.79部を混合し、23°Cで30分間攪拌した。得られた混合液に、ジ-tert-ブチルジカーボネート33.74部を滴下し、さらに40°Cで5時間攪拌した。得られた反応物に、濃塩酸6.03部を添加し、23°Cで30分攪拌後、さらに酢酸エチル400.00部を添加した。十分攪拌した後、静置し、分液により水層を除去した。得られた有機層に、イオン交換水100.00部を添加し、攪拌し、静置し、水層を分液除去するという水洗操作を5回行った。水洗後の有機層を濃縮後、カラム分取吸着剤:関東化学シリカゲル60N球状、中性100-210μm展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=5/1することにより、式I-2-bで表される化合物13.95部を得た。式I-1-aで表される化合物25部、式I-2-bで表される化合物7部及び酢酸エチル35部を混合し、60°Cで2時間攪拌した。得られた反応液に、イオン交換水40部及び酢酸エチル120部を添加し、十分攪拌した後、静置し、水層を分液により除去した。得られた有機層にイオン交換水40部を添加し、攪拌し、静置し、水層を分液により除去するという水洗操作を8回行った。水洗後の有機層に活性炭0.88部を添加し、攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮することにより、式I-2で表される化合物1.52部を得た。式I-2で表される化合物の同定;MASS:395.2実施例3[化合物I-3の製造]式I-3-aで表される化合物10.56部、ピリジン3.88部及びテトラヒドロフラン100部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した。得られた混合物に、式I-1-bで表される化合物10.00部を1時間かけて添加し、更に、60°Cで6時間攪拌した。得られた反応液に、イオン交換水100部及び酢酸エチル200部を添加し、攪拌した後、静置した。2層分離した後、分液により水層を除去した。得られた有機層にイオン交換水100部を添加し、攪拌し、静置し、水層を分液除去するという水洗操作を5回行った。水洗後の有機層を濃縮後、カラム分取吸着剤:関東化学シリカゲル60N球状、中性100-210μm展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=1/1することにより、式I-3で表される化合物7.36部を得た。式I-3で表される化合物の同定;MASS:423.3実施例4[化合物I-4の製造]式I-3で表される化合物4.07部及びテトラヒドロフラン30部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、p-トルエンスルホン酸0.00036部をテトラヒドロフラン0.18部に溶解した溶液を加え、次いで、式I-4-aで表される化合物1.38部を滴下した後、23°Cで3時間攪拌した。得られた反応混合物にトリエチルアミン0.03部を添加した後、濃縮した。得られた濃縮物に、酢酸エチル50部及びイオン交換水20部を添加攪拌後、静置し、分液して有機層を得た。得られた有機層に、イオン交換水20部を加え、23°Cで30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。このような水洗操作を3回繰り返した。回収された有機層を濃縮し、濃縮液をカラム関東化学シリカゲル60N球状、中性100-210μm展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=1/1分取することにより、式I-4で表される化合物3.68部を得た。式I-4で表される化合物の同定;MASS:495.4合成例1樹脂Aの合成樹脂の合成において使用した化合物モノマーを下記に示す。以下、これらのモノマーをモノマーA~モノマーHという。樹脂A1の合成モノマーD、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーFを、そのモル比モノマーD:モノマーE:モノマーB:モノマーC:モノマーFが、30:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとなるように添加し、これを73°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を2回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約8.1×103である共重合体を収率65で得た。この共重合体は、モノマーD、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。樹脂A2の合成モノマーA、モノマーE、モノマーB及びモノマーCを、そのモル比モノマーA:モノマーE:モノマーB:モノマーCが、35:10:6:49となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとの割合で添加し、これを73°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を3回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約7.8×103である共重合体を収率75で得た。この共重合体は、モノマーA、モノマーE、モノマーB及びモノマーCに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とする。樹脂A3の合成モノマーA、モノマーB及びモノマーCを、そのモル比モノマーA:モノマーB:モノマーCが、50:25:25となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1molと3molとの割合で添加し、これを80°Cで約8時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を3回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約9.2×103である共重合体を収率60で得た。この共重合体は、モノマーA、モノマーB及びモノマーCに各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A3とする。実施例3~11及び比較例1<レジスト組成物の調製>合成例1で得られた樹脂A1、樹脂A2及び樹脂A3;以下に示す酸発生剤B1及び酸発生剤B2;実施例1及び2で得られた化合物を含む、以下に示すクエンチャー;の各々を表1に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1:樹脂A1A2:樹脂A2A3:樹脂A3<酸発生剤>B1:式B-1で表される塩B2:式B-2で表される塩B3:トリトリルスルホニウムパーフルオロブタンスルホン酸<化合物I>Q1:式I-1で表される化合物Q2:式I-2で表される化合物Q3:式I-3で表される化合物Q4:式I-4で表される化合物<塩基性化合物>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部2-ヘプタノン20.0部γ-ブチロラクトン3.5部<レジストパターンの製造及びその評価>12インチのシリコン製ウェハー上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、ウェハー上に膜厚780Åの有機反射防止膜を形成させた。次いで、得られた有機反射防止膜付ウェハーの有機反射防止膜の上に、表1に示すレジスト組成物の各々を、乾燥プリベーク後の膜厚が110nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物を塗布したウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。こうして有機反射防止膜上に組成物層を形成したウェハーに、液浸露光用ArFエキシマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、2-polesonaxis照明σout=0.97、σin=0.77、Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。尚、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、50nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量を実効感度とした。以上のようなレジストパターンの製造において、以下の項目を評価した。<フォーカスマージン評価DOF>実効感度において、フォーカス段階的に変化させてレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンの線幅が50nm±547.5~52.5nmとなるフォーカス範囲を指標DOFとし、以下の4水準で評価した。すなわち、DOFが0.18μm以上であるものを◎◎、0.15μm以上であるものを◎、0.10μm以上であるものを○、0.10μm未満であるものを×とした。<ラインエッジラフネス評価LER>レジストパターン製造後のパターン壁面を走査型電子顕微鏡で観察した。そして、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅を、LERとして以下の5水準で評価した。すなわち、この振れ幅LERが、3.5nm以下であるものを◎◎◎、3.5nmを超え、3.7nm以下であるものを◎◎、4nm以下であるものを◎、4nmを超え、4.5nm以下であるものを○、4.5nmを超えるものを×とした。以上のようにして求められたフォーカスマージン評価DOF及びラインエッジラフネス評価LERの結果を、上述の水準評価で表し、表2にまとめる。化合物IC1又はC2を含有する本レジスト組成物は、そのLERが○、◎、◎◎又は◎◎◎の結果であり、ラインエッジラフネスLERが良好なレジストパターンを製造できた。また、さらに酸発生剤として、酸発生剤B1であるB1又はB2を用いると、さらにラインエッジラフネスLERが良好となる傾向であった。一方、化合物Iを含まない、比較例1のレジスト組成物は、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅が大きく、ラインエッジラフネスが不良×であった。また、本レジスト組成物は、フォーカスマージンも広いという効果も奏することが判明した。"