"式aで表される構造単位とラクトン環を有する構造単位とを含む樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。[式a中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~6の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子に置き換わっていてもよい。また、R2とR3とが互いに結合し、これらが結合している窒素原子とともに環を形成していてもよい。R4は、水素原子、ヒドロキシ基又は-O-CO-NR2R3で表される基R2及びR3は前記と同じ意味であり、2つのR2は互いに同一でも異なってもよく、2つのR3は互いに同一でも異なってもよい。を表す。A1は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基又は式a-1式a-1中、sは0~2の整数を表す。A10は、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A11及びA12は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表し、sが2である場合、2つのA11は互いに同一でも異なってもよい。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表し、sが2である場合、2つのX10は互いに同一でも異なってもよい。ただし、A10、A11、A12、X10及びX11の炭素数の合計は6以下である。で表される基を表す。]前記式aのA1が、単結合又は-CH2-CO-O-である請求項1記載のレジスト組成物。前記式aのR2及びR3がともに水素原子である請求項1又は2記載のレジスト組成物。前記式aのR4が水素原子である請求項1~3のいずれか記載のレジスト組成物。前記ラクトン環を有する構造単位が、式b-1、式b-2及び式b-3のいずれかで表される構造単位を含む請求項1~4のいずれか記載のレジスト組成物。[式b-1、式b-2及び式b-3中、La4、La5及びLa6は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra18、Ra19及びRa20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra21は、炭素数1~4のアルキル基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21は互いに同一でも異なってもよい。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4のアルキル基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は互いに同一でも異なってもよく、r1が2以上の場合、複数のRa23は互いに同一でも異なってもよい。]酸発生剤が、式B1で表される酸発生剤である請求項1~5のいずれか記載のレジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]前記式B1のYが置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基である酸発生剤を含む請求項6記載のレジスト組成物。1請求項1~7のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を、露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来から知られる上記レジスト組成物は、レジストパターン製造時のフォーカスマージンDOFが必ずしも十分に満足できない場合があった。本発明者等は前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に至った。すなわち、本発明は、以下の発明を含む。1式aで表される構造単位とラクトン環を有する構造単位とを含む樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。[式a中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~6の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子に置き換わっていてもよい。また、R2とR3とが互いに結合し、これらが結合している窒素原子とともに環を形成していてもよい。R4は、水素原子、ヒドロキシ基又は-O-CO-NR2R3で表される基R2及びR3は前記と同じ意味であり、2つのR2は互いに同一でも異なってもよく、2つのR3は互いに同一でも異なってもよい。を表す。A1は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基又は式a-1式a-1中、sは0~2の整数を表す。A10は、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A11及びA12は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表し、sが2である場合、2つのA11は互いに同一でも異なってもよい。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表し、sが2である場合、2つのX10は互いに同一でも異なってもよい。ただし、A10、A11、A12、X10及びX11の炭素数の合計は6以下である。で表される基を表す。]2前記式aのA1が、単結合又は-CH2-CO-O-である前記1記載のレジスト組成物。3前記式aのR2及びR3がともに水素原子である前記1又は2記載のレジスト組成物。4前記式aのR4が水素原子である前記1~3のいずれか記載のレジスト組成物。5前記ラクトン環を有する構造単位が、式b-1、式b-2及び式b-3のいずれかで表される構造単位を含む前記1~4のいずれか記載のレジスト組成物。[式b-1、式b-2及び式b-3中、La4、La5及びLa6は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra18、Ra19及びRa20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra21は、炭素数1~4のアルキル基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21は互いに同一でも異なってもよい。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4のアルキル基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は互いに同一でも異なってもよく、r1が2以上の場合、複数のRa23は互いに同一でも異なってもよい。]6酸発生剤が、式B1で表される酸発生剤である前記1~5のいずれか記載のポジ型レジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]7前記式B1のYが置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基である酸発生剤を含む前記6記載のポジ型レジスト組成物。81前記1~7のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を、露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明のレジスト組成物によれば、レジストパターン製造時のフォーカスマージンDOFをより改善することができる。本発明のレジスト組成物以下、場合により本レジスト組成物という。は、式aで表される構造単位とラクトン環を有する構造単位とを含む樹脂以下、場合により、樹脂Aという、及び酸発生剤以下、場合により、酸発生剤Bというを含む。さらに、溶剤及び/又は塩基性化合物を含むことが好ましい。<樹脂A>上述のとおり、樹脂Aは、式aで表される構造単位以下、場合により構造単位aという。と、ラクトン環を有する構造単位以下、場合により構造単位bという。という。とを含む。<構造単位a>構造単位aは前記式aで表される。A1は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数1~6の脂肪族炭化水素基又は前記式a-1で表される基以下、基a-1という場合がある。である。A1が炭素数1~6の脂肪族炭化水素基である場合、炭素数1~6のアルカンジイル基であることが好ましい。該アルカンジイル基は、直鎖状であっても、分岐していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基、ペンタンジイル基及びヘキサンジイル基などが挙げられる。該アルカンジイル基を構成する水素原子は、ヒドロキシ基又は炭素数1~6のアルコキシ基に置換されていてもよい。基a-1は、X10及びX11のように、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基といった酸素原子を含む部分構造を含む2価の基である。基a-1のA10、A11及びA12における脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基及びtert-ブチル基等のアルキル基が挙げられる。式a-1で表される基のうち、X11が酸素原子である基としては、などが挙げられるは結合手を表す。式a-1で表される基のうち、X11がカルボニル基である基としては、などが挙げられるは結合手を表す。式a-1で表される基のうち、X11がカルボニルオキシ基である基としては、などが挙げられるは結合手を表す。式a-1で表される基のうち、X11がオキシカルボニル基である基としては、などが挙げられるは結合手を表す。R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~6の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子に置き換わっていてもよく、R2とR3が一緒になって環を形成してもよい。該脂肪族炭化水素基は、炭素炭素不飽和結合を有していてもよいが、炭素炭素不飽和結合を有さない飽和の脂肪族炭化水素基が好ましい。好ましい脂肪族炭化水素基としては、アルキル基該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。及び脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせた脂肪族炭化水素基でもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基などが挙げられる。また、脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基及びシクロへキシル基などが挙げられる。ここで、構造単位aの具体例を示す。また、上記の式a-1~式a-10で表される構造単位aの部分構造MR1=メチル基を、部分構造AR1=水素原子に置き換えたものも、構造単位aの具体例として挙げることができる。構造単位aは式a’で表される化合物以下、場合により化合物a’という。から誘導される。式a’中、R1、R2、R3、R4及びA1はそれぞれ上記と同じ意味を表す。ここで、R4が水素原子である場合式a’’で表される化合物、以下、化合物a’’という。を例にとり、化合物a’の製造方法を示す。当該製造方法は例えば、以下に示すような反応を実施することにより製造することができる。式a’-1で表される化合物と、式a’-2で表される化合物とを、触媒の存在下で反応させることにより化合物a’’を製造することができる。かかる反応は通常、溶媒の存在下で行われ、該溶媒としては、アセトニトリルなどが挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム及びヨウ化カリウムなどが挙げられる。式a’-1で表される化合物としては例えば、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートなどが挙げられる。この3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートは、通常、市場から容易に入手できる。式a’-2で表される化合物としては、ジメチルカルバミルクロライドなどが挙げられる。このジメチルカルバミルクロライドも市場から容易に入手できる。化合物aの製造方法の具体例として、R2、R3及びR4が水素原子である化合物a’’2の製造方法を説明する。この製造方法は、以下の反応式で示す反応により実施できる。式a’-3で表される化合物と式a’-4で表される化合物とを反応させることにより、化合物a’’2を製造することができる。かかる反応は通常、溶媒の存在下で行われ、該溶媒としては、ジクロロメタンなどが挙げられる。式a’-3で表される化合物としては、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートなどが挙げられ、この3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートは、通常、市場から容易に入手できる。<構造単位b>構造単位bはラクトン環を有するものである。当該ラクトン環は例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環などが挙げられる。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。構造単位bは例えば、以下の式b-1、式b-2及び式b-3で表されるものが好ましい。樹脂Aは、これらのうち1種のみを含んでいてもよく、2種以上を含んでいてもよい。なお、以下の説明においては、式b-1で示される構造単位を構造単位b-1という場合があり、式b-2で示される構造単位を構造単位b-2という場合があり、式b-3で示される構造単位を構造単位b-3という場合がある。式b-1中、La4は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra21は、炭素数1~4のアルキル基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21は互いに同一であっても異なってもよい。式b-2中、La5は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は前記と同義である。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra19は、水素原子又はメチル基を表す。q1は、0~3の整数を表す。Ra22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4のアルキル基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は互いに同一であっても異なってもよい。式b-3中、La6は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は前記と同義である。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra20は、水素原子又はメチル基を表す。r1は、0~3の整数を表す。Ra23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4のアルキル基を表し、r1が2以上の場合、複数のRa23は互いに同一であっても異なってもよい。La4、La5及びLa6はいずれも、酸素原子又は、k3が1~4の整数である-O-CH2k3-CO-O-で表される基が好ましく、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。Ra18、Ra20及びRa21はいずれも、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23はいずれも、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1はいずれも、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。構造単位b-1としては例えば、以下のものが挙げられる。構造単位b-2としては、例えば以下のものが挙げられる。構造単位b-3としては例えば、以下のものが挙げられる。以上、構造単位b-1、構造単位b-2及び構造単位b-3においても、構造単位aの場合と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも、構造単位bとして挙げることができる。これら構造単位bの具体例の中でも、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル、メタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルといったメタクリレートエステル類に由来する構造単位bが好ましい。樹脂Aの製造方法は後述するが、樹脂Aの全構造単位100モルに対する構造単位aの含有割合は、1~30モルの範囲が好ましく、2~20モルの範囲がより好ましく、3~15モルの範囲がさらに好ましい。なお、このような含有割合で構造単位aを含む樹脂Aは、樹脂A製造時に用いる全モノマーの総モル量に対する化合物a’の使用モル量を調節すればよい。樹脂Aの全構造単位100モルに対する構造単位bの含有割合は、5~70モルの範囲が好ましく、10~65モルの範囲がより好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましい。構造単位aの含有割合と構造単位bの含有割合との比は、構造単位a:構造単位bで表して、1:99~50:50であると好ましく、5:95~45:55であるとさらに好ましい。また、後述するように、樹脂Aは構造単位a及び構造単位b以外の構造単位を含むこともある。その場合、構造単位aと構造単位bとの合計は、樹脂Aの全構造単位100モルに対する含有割合は、5~75モルの範囲が好ましく、10~70モルの範囲がより好ましく、15~65モルの範囲がさらに好ましい。次に、構造単位a及び構造単位b以外に樹脂Aが含むこともある構造単位について説明する。樹脂Aは、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂という特性を有する。なお、ここでいう酸との作用によりアルカリ水溶液に可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。そのために、樹脂Aは、構造単位a及び構造単位bに加えて、後述する酸不安定モノマーに由来する構造単位又は公知の酸不安定基を付与し得る構造単位を1種以上有することが好ましい。なお、本明細書に示す種々の化合物において、官能基基を示すことがあるが、ここで共通する基を定義しておく。このような定義において、Cに付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。本明細書において、炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基をいう。該脂肪族炭化水素基はさらに鎖式及び脂環式に分類され、本明細書でいう脂肪族炭化水素基とは、鎖式及び脂環式の脂肪族炭化水素基が組み合わさった脂肪族炭化水素基を含む。鎖式の脂肪族炭化水素基鎖式脂肪族炭化水素基のうち1価のものは、典型的にはアルキル基であり、当該アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられ、これらは直鎖でも分岐していてもよい。この鎖式脂肪族炭化水素基は特に限定しない限り、ここに例示したアルキル基の一部に炭素炭素二重結合を含んでいてもよいが、本明細書でいうアルキル基は、このような炭素炭素二重結合などを有さない、飽和のアルキル基であることが好ましい。2価の鎖式脂肪族炭化水素基は、ここに示したアルキル基から水素原子を1個取り去ったアルキレン基が該当する。脂環式の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基という。のうち1価のものは、例えば、脂環式炭化水素から水素原子1個を取り去った基である。当該脂環式炭化水素基には、炭素炭素不飽和結合1個程度を含む不飽和脂環式炭化水素基でもよく、このような炭素炭素不飽和結合を含まない飽和脂環式炭化水素基でもよいが、本明細書でいう脂環式炭化水素基は飽和であると好ましい。また、脂環式炭化水素基は単環式のものであっても、多環式のものであってもよい。ここでは、水素原子を取り去る前の脂環式炭化水素基としては例えば、単環式の脂環式炭化水素基が挙げられ、シクロアルカンが好ましい。例えば、式KA-1で表されるシクロプロパンC3、式KA-2で表されるシクロブタンC4、式KA-3で表されるシクロペンタンC5、式KA-4で表されるシクロヘキサンC6、式KA-5で表されるシクロヘプタンC7、式KA-6で表されるシクロオクタンC8、及び、式KA-7で表されるシクロドデカンC12などが挙げられる。多環式の脂環式炭化水素としては例えば、式KA-8で示されるビシクロ2.2.1ヘプタン以下ノルボルナンという場合がある。C7、式KA-9で示されるアダマンタンC10、式KA-10で示される脂環式炭化水素C10、式KA-11で示される脂環式炭化水素C14、式KA-12で示される脂環式炭化水素C17、式KA-13で示される脂環式炭化水素C10、式KA-14で示される脂環式炭化水素C11、式KA-15で示される脂環式炭化水素C15、式KA-16で示される脂環式炭化水素C12、式KA-17で示される脂環式炭化水素C14、式KA-18で示される脂環式炭化水素C15、式KA-19で示される脂環式炭化水素C17、式KA-20で示される脂環式炭化水素C9、式KA-21で示される脂環式炭化水素C8及び、式KA-22で示される脂環式炭化水素C10などが挙げられる。なお、ここに示した脂環式炭化水素を式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素という場合がある。2価の脂環式炭化水素基とは、式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。次に、芳香族炭化水素基について説明する。本明細書において、芳香族炭化水素基は1価の芳香族炭化水素基であり、典型的にはアリール基である。具体的にいえば、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントリル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などを挙げることができる。脂肪族炭化水素基は置換基を有することがある。該置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などが挙げられ、該アルコキシ基は直鎖でも分岐していてもよい。アシル基としては、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキシルカルボニル基C6、ヘプチルカルボニル基C7、オクチルカルボニル基C8、デシルカルボニル基C10及びドデシルカルボニル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したものに加え、ベンゾイル基C7などのようにアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。該アシル基のうち、アルキル基とカルボニル基とが結合したものの該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。アリール基としては、上述の芳香族炭化水素基のアリール基として例示したものと同じであり、アリールオキシ基としては、該アリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などが挙げられる。芳香族炭化水素基も置換基を有することがある。該置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。該アルキル基は、鎖式脂肪族炭化水素基として例示したものと同じであり、該アルキル基以外のものは、脂肪族炭化水素基の置換基として例示したものと同じものを含む。上述したとおり、樹脂Aは、酸不安定基を有する構造単位を含むと好ましい。かかる酸不安定基を有する構造単位を樹脂Aに導入するためには、酸不安定基を有する製造用原料モノマーを、構造単位aを誘導するモノマー化合物a’及び構造単位bを誘導するモノマーとともに用いて、樹脂Aを製造すればよい。以下、酸不安定基を有するモノマー以下、モノマーa1という。を説明する。なお、かかる重合の際には、モノマーa1を1種のみ使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。<モノマーa1>樹脂Aは、酸不安定基を有する構造単位ただし、構造単位aとは異なる。以下、場合により構造単位a1という。を、構造単位aとともに有していてもよい。酸不安定基とは、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されている親水性基のことをいう。構造単位a1を有する樹脂は、酸と接触すると、保護基が脱離して、アルカリ水溶液に可溶になる特性を有する。該親水性基としては、ヒドロキシ基及びカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基が好ましい。親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、該カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、カルボキシ基の-O-と結合する該有機残基の原子が第三級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式1で表される基以下、場合により酸不安定基1という。である。式1中、Ra1、Ra2及びRa3以下、場合によりRa1~Ra3のように表記する。は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2が互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Ra1及びRa2が互いに結合して形成される環、又は該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Ra1~Ra3の脂肪族炭化水素基とはアルキル基又は脂環式炭化水素基である。このアルキル基の具体例は、すでに例示したアルキル基のうち、炭素数が1~8のものが挙げられる。Ra1~Ra3の脂環式炭化水素基も、すでに例示したもののうち、炭素数が8以下の脂環式炭化水素基を挙げることができる。Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合の-CRa1Ra2Ra3で表される基としては、例えば、下記に示す基が挙げられる。このような環の炭素数は、好ましくは3~12の範囲である。酸不安定基1としては、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブトキシカルボニル基であると好ましい。、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。一方、親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基としては、該ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造又はケタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式2で表される基以下、場合により酸不安定基2という。である。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、Rb2及びRb3は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。該炭化水素基がメチレン基を含む場合、そのメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、Rb2及びRb3は互いに結合して形成される環に含まれるメチレン基も、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Rb1~Rb3の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよく、その具体例も炭素数の上限が20以下である範囲において、すでに例示したものと同じものを含む。Rb2及びRb3が互いに結合して形成する環は、Ra1及びRa2が互いに結合して形成する環と同様のものが挙げられる。酸不安定基2としては、Rb1及びRb2のうち、少なくとも1つは水素原子であるものが好ましい。酸不安定基2としては、例えば、以下の基が挙げられる。酸不安定基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーである。当該モノマーa1は好ましくは、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2と、炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーである。ここで、メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種及びアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の脂環式炭化水素構造を有する基が好ましい。立体的に嵩高い脂環式炭化水素構造を有する基を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂Aは、該樹脂Aを含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。脂環式炭化水素構造を有する基である酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー以下、モノマーa1-1という場合がある。又は式a1-2で表されるモノマー以下、モノマーa1-2という場合がある。が好ましい。樹脂A製造の際には、これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表す。で表される基を表す。ここで、はカルボニル基-CO-との結合手である。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表し、n1は0~10の整数を表す。なお、式a1-1においてアダマンタン環にある-CH3m1の表記は、アダマンタン環に含まれるメチレン基及び/又はメチン基の水素原子が、メチル基に置き換わっており、アダマンタン環に結合しているメチル基の個数がm1個であることを意味する。同様に、式a1-2においてシクロヘキサン環にある-CH3n1の表記は、シクロヘキサン環に含まれるメチレン基の水素原子が、メチル基に置き換わっており、シクロヘキサン環に結合しているメチル基の個数がn1個であることを意味する。La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は、k1が1~4の整数である-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、より好ましくは酸素原子又は、k1が1の-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基のうち、好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基はそれぞれ独立に、好ましくは炭素数8以下のアルキル基又は炭素数8以下の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数6以下のアルキル基又は炭素数6以下の脂環式炭化水素基である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。モノマーa1-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-1としては、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートが好ましく、2-メチルアダマンタン-2-イルメタクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタクリレートがより好ましい。モノマーa1-2としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-2としては、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレートが好ましく、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタクリレートがより好ましい。樹脂Aをモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2を用いて製造する場合、得られる樹脂Aの全構造単位を100モルとしたとき、これらモノマーに由来する構造単位の含有割合これらモノマーに由来する構造単位の含有量の合計は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。モノマーa1-1に由来する構造単位及び/又はモノマーa1-2に由来する構造単位の含有量の合計を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対するモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2の使用量を調整すればよい。樹脂Aの製造には、該メタアクリル系モノマー以外に、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とを分子内に有する他のモノマーを用いることもできる。他のモノマーとして例えば、以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、モノマーa1-3という場合がある。が挙げられる。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、カルボキシル基、シアノ基又は-COORa13を表す。Ra13は、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Ra10、Ra11及びRa12は、それぞれ独立に、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表すか、或いは、Ra10及びRa11が互いに結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び環を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Ra9のヒドロキシ基を有するアルキル基としては例えば、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra10~Ra12の脂肪族炭化水素基としては、鎖式脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基が挙げられ、炭素数20以下の範囲において、すでに例示したものを含む。Ra10及びRa11が互いに結合して形成される環は脂環が好ましく、シクロへキサン環及びアダマンタン環がより好ましい。Ra13は、好ましくは、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基である。Ra9の-COORa13としては例えば、メトキシカルボニル基C2及びエトキシカルボニル基C3など、すでに例示したアルコキシ基にカルボニル基がさらに結合した基が挙げられる。モノマーa1-3としては例えば、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチルなどが挙げられる。モノマーa1-3を用いて製造された樹脂Aにはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになる。このように立体的に嵩高い構造単位を有する樹脂を含む本レジスト組成物により、レジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを得ることができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂Aの主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、該樹脂Aを含む本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。上述のように、良好な解像度でレジストパターンを製造できることや、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという点では、樹脂Aの全構造単位100モルに対する、モノマーa1-3に由来する構造単位の含有量は10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。前記他のモノマーとしては、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という場合がある。も用いることができる。式a1-4中、Ra32は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33は同一であっても異なってもよい。Ra34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。Xa2の脂肪族炭化水素基としては、鎖式脂肪族炭化水素基であると好ましく、飽和の脂肪族炭化水素基であるとより好ましい。なお、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基-SO2-又は-NRc-で示される基で置き換わっていてもよい。ここで、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~18の炭化水素基であり、好ましくは、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基であり、該炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基を有していてもよい。式a1-4のRa32、Ra33、Ra34、Ra35及びXa2の具体例を挙げる。Ra32のハロゲン原子を有してもよいアルキル基のうち、アルキル基としては、炭素数1~6の範囲において、すでに例示したものを含み、ハロゲン原子を有するアルキル基としては、このアルキル基に含まれる水素原子がハロゲン原子に置き換わったものである。具体的にハロゲン原子を有するアルキル基を挙げると、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基及びトリヨードメチル基などである。Ra32及びRa33のハロゲン原子、アルコキシ基及びアシル基の具体例はすでに例示したものを含む。Ra34及びRa35の炭化水素基は、鎖式脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれであってもよい。その具体例は、各々の炭素数の範囲において、すでに例示したものを含む。これらのうち、鎖式脂肪族炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましく、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基が好ましい。該芳香族炭化水素基は、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニルが好ましい。Ra32及びRa33がアルキル基である場合、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra33のアルコキシ基としては、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。上述したように、Xa2及びYa3は、これらに含まれる水素原子が、ハロゲン原子及びヒドロキシ基などの置換基に置き換わっていてもよいが、このように水素原子が置き換わっている場合、その置換基は好ましくはヒドロキシ基である。モノマーa1-4としては、例えば、以下のものが挙げられる。樹脂Aが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーa1もメタアクリル系モノマーが好ましく、例えば、式a1-5で表されるモノマー以下、モノマーa1-5という場合がある。が挙げられる。式a1-5中、R31は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。L1は、酸素原子が好ましい。L2及びL3は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子である。L2及びL3は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であると好ましい。s1は、1が好ましい。s2は、0~2の整数が好ましい。Z1は、単結合又は炭素数1~6のアルキレン基であり、該アルキレン基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Z1としては、単結合又は-CH2-CO-O-で表される基が好ましい。モノマーa1-5としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aが、モノマーa1-5に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマー>樹脂Aは、構造単位a及び構造単位b以外の、酸不安定基を有さない構造単位を含んでもよい。以下、酸不安定基を有さない構造単位を誘導するモノマー以下、酸安定モノマーという場合がある。について説明する。酸安定モノマーを併用して樹脂Aを製造する場合、モノマーa1の使用量を基準にして、酸安定性モノマーの使用量を定めるとよい。この場合の酸安定モノマーの使用量とは、後述する酸安定モノマーの使用量と、構造単位bを誘導するモノマーの使用量との合計である。モノマーa1の使用量と酸安定モノマーの使用量の割合は、モノマーa1/酸安定モノマーで表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に、モノマーa1-1を、モノマーa1に用いる場合、該モノマーa1の使用量の総量100モルに対して、アダマンチル基を有するモノマーの使用量を15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Aを含む本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基を分子内に有するもの以下、酸安定モノマーa2という場合がある。である。酸安定モノマーa2に由来する構造単位を有する樹脂Aは、当該樹脂Aを含むレジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜、又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなり、この本レジスト組成物は良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。なお、本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法に関しては後述する。<酸安定モノマーa2>酸安定モノマーa2を樹脂Aの製造に用いる場合、当該樹脂Aを含む本レジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定モノマーa2を挙げることができる。すなわち、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光波長:248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合には、酸安定モノマーa2として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0例えば、ヒドロキシスチレン類等を樹脂Aの製造に用いることが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光波長:193nmを用いる場合は、酸安定モノマーa2として、後述の式a2-1で表される酸安定モノマーを樹脂Aの製造に用いることが好ましい。このように、樹脂A製造に用いる酸安定モノマーa2は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、当該酸安定モノマーa2は、露光源の種類に応じて好適なモノマー1種のみを用いて樹脂Aを製造してもよく、露光源の種類に応じて好適なモノマー2種以上を用いて樹脂Aを製造してもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適なモノマーと、それ以外の酸安定モノマーa2とを組み合わせた2種以上を用いて樹脂Aを製造してもよい。酸安定モノマーa2としては、以下の式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマー以下、酸安定モノマーa2-0という場合がある。が挙げられる。なお、この式a2-0は、フェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されていない形式で示すものである。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は互いに同一であっても異なってもよい。]Ra30のハロゲン原子及びハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基としては、式a1-4のRa32で例示したものと同じである。これらのうち、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルコキシ基としては、式a1-4のRa33で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。このような酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する樹脂Aを製造する場合は、酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されているモノマー保護フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーを用いることもできる。ここでいう保護基としては、塩基との接触により脱離する保護基が好ましい。かかる保護基としては、例えば、アセチル基、ベンゾイル基等が挙げられ、アセチル基が好ましい。塩基としては、例えば、4-ジメチルアミノピリジン、トリエチルアミン等が挙げられる。酸安定モノマーa2-0としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。なお、以下の例示でも、フェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されていない形式で示す。酸安定モノマーa2-0の中では、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンを用いて、樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護したものを用いることが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲から選ばれ、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。酸安定モノマーa2としては、式a2-1で表されるモノマー以下、場合により、酸安定モノマーa2-1という場合がある。が挙げられる。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-k2は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1~4の整数である-O-CH2k2-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、k2が1である-O-CH2k2-CO-O-で表される基であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及びメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルが好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートがより好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレートがさらに好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-1に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~40モルの範囲から選ばれ、5~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましく、5~15モルが特に好ましい。酸安定モノマーは、化合物a及びモノマーa1と合わせて重合し、樹脂Aを製造することができる。以下、酸安定モノマーa2以外の酸安定モノマーとして、酸安定モノマーa3、酸安定モノマーa4、酸安定モノマーa5、酸安定モノマーa6、酸安定モノマーa7及び酸安定モノマーa8などを挙げることができる。<酸安定モノマーa3>酸安定モノマーa3は以下の式3で表される基を有するものである。[式3中、R10は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。は結合手を表す。]R10のフッ化アルキル基とは、すでに例示したアルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置き換わったものであり、その具体例は、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-ペルフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2-ペルフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。R10のフッ化アルキル基は、その炭素数が1~4であると好ましく、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。式3で表される基を有する酸安定モノマーa3としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。樹脂Aが、酸安定モノマーa3に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~30モルの範囲から選ばれ、3~25モルの範囲が好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa4>酸安定モノマーa4は以下の式4で表される基を有するモノマーである。[式4中、R11は置換基を有してもよい炭素数6~12の芳香族炭化水素基を表す。R12は、置換基を有してもよい炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A2は、単結合、-CH2m10-SO2-O-又は-CH2m10-CO-O-を表し、ここに示す該-CH2m10-に含まれるメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよく、該-CH2m10-にある水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。m10は、1~12の整数を表す。]R11における炭素数6~12の芳香族炭化水素基は、炭素数の上限が異なる以外は、式2のRb1~Rb3におけるアリール基の例示と同じものを含む。これら芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などである。なお、炭素数1~4のアルキル基が置換したアリール基とは、Rb1~Rb3として例示したものと同じである。R11のうち、好適なものは以下に示される。なお、は炭素原子との結合手である。R12における炭素数1~12の炭化水素基は、鎖式脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよい。脂肪族炭化水素基としては、典型的にはアルキル基であり、その具体例は式a1-4のRa34及びRa35として例示したものと同じである。脂環式炭化水素基としては、炭素数の上限が異なる以外は、式1のRa1~Ra3で例示したものと同じある。なお、R12が脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基である場合、これら脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。ヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子などである連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含む形態でもよい。このようなヘテロ原子を含むR12としては、以下の基が挙げられる。R12が芳香族炭化水素基である場合、その具体例は、R11の場合と同じである。A2としては、下記に示す基が挙げられる。式4で表される基を含む酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-1で表される酸安定モノマーa4-1が挙げられる。[式a4-1中、R13は、水素原子又はメチル基を表す。R11、R12及びA2は、それぞれ上記と同じ意味を表す。]酸安定モノマーa4-1としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-1に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~30モルが好ましく、3~25モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa5>酸安定モノマーa5は、以下の式a5-1で表されるモノマーのように分子内に脂環を有するメタアクリル系モノマーである以下、この式a5-1で表されるものを酸安定モノマーa5-1という場合がある。。式a5-1中、環W1は、炭素数3~36の脂肪族環を表す。A3は、単結合又は炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、A3のうち、酸素原子に結合している原子は炭素原子である。R14は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロゲン化アルキル基を表す。R15及びR16は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロゲン化アルキル基を表す。環W1は、単環式又は多環式の炭素数3~36の脂肪族環であり、その炭素数は5~18の範囲が好ましく、6~12の範囲がより好ましい。より具体的には、すでに脂環式炭化水素基の説明において、式KA-1~式KA-22で示した脂環式炭化水素の形式で示した脂肪族環を挙げることができる。すなわち、式a5-1においてで示される部分構造は、式KA-1~式KA-22で示した脂環式炭化水素に含まれる1個の水素原子がA3との結合手になり、脂環式炭化水素の環を構成する1つの炭素原子に結合している2つの水素原子が、-O-CO-R15及び-O-CO-R16との結合手に置き換わったものを挙げることができる。環W1の脂環式炭化水素環は、シクロヘキサン環、アダマンタン環、ノルボルナン環及びノルボルネン環が特に好ましい。A3の脂肪族炭化水素基は、炭素数が17以下の範囲において、すでに例示したアルキレン基及び2価の脂環式炭化水素基を挙げることができ、炭素数が17以下の範囲であれば、アルキレン基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた脂肪族炭化水素基であってもよい。また、A3の脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。ここで、アルキレン基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた脂肪族炭化水素基の代表例を示しておく。かかる脂肪族炭化水素基としては、以下の式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cで表される基などが挙げられる。式中、XX1及びXX2は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキレン基を表し、XX1及びXX2がともに単結合であることはなく、式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cで表される基の総炭素数は17以下である。また、すでに述べたように、A3の脂肪族炭化水素基は、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。このような基の代表例としては、例えば、基a-1で例示したものを含む。A3は、単結合又は-CH2s1-CO-O-は-O-との結合手を表し、s1は1~6の整数を表す。で表される基が好ましく、単結合又は-CH2-CO-O-は-O-との結合手を表す。がより好ましい。R14は、水素原子又はメチル基が好ましい。R14、R15及びR16のアルキル基としては、炭素数が1~6の範囲において、その具体例は、すでに例示したものを含む。ここでいうアルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置き換わったものが、ハロゲン化アルキル基に該当する。かかるハロゲン原子としては、フッ素原子が特に好ましい。R15及びR16のハロゲン化アルキル基のうち、好ましいものとしては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基及びペルフルオロブチル基などが挙げられ、中でも、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基が好ましい。酸安定モノマーa5-1の好適例としては、以下に示すものである。なお、R14~R16及びA3は、それぞれ上記と同じ意味を表す。これらの中でも、で示される酸安定モノマーa5-1がより好ましい。好ましい酸安定モノマーa5-1として、以下で表されるモノマーが挙げられる。好ましい酸安定モノマーa5-1は例えば、次のようにして製造できる。すなわち、酸安定モノマーa5-1は、式a5-1-aで表される化合物と、式a5-1-bで表される化合物とを反応させることにより製造する。式a5-1-aで表される化合物の代表例は例えば、特開2002-226436号公報に記載されている1-メタクリロイルオキシ-4-オキソアダマンタンなどが挙げられる。また、式a5-1-bで表される化合物としては、例えばペンタフルオロプロピオン酸無水物、ヘプタフルオロ酪酸無水物及びトリフルオロ酢酸無水物などが挙げられる。この反応は、用いる式a5-1-bで表される化合物の沸点温度付近で加温することにより、実施することが好ましい。[式a5-1-a及び式a5-1-b中、W1、A3、R14、R15及びR16は、それぞれ上記と同じ意味を表す。]樹脂Aが、酸安定モノマーa5-1に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~30モルの範囲が好ましく、3~25モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa6>すでに、樹脂A製造に用いることのできる酸安定モノマーの第1好適例及び第2好適例として、酸安定モノマーa2、酸安定モノマーa3、酸安定モノマーa4及び酸安定モノマーa5について具体例を示しつつ説明したが、樹脂A製造には、これら以外の酸安定モノマーを用いることもできる。以下、このような酸安定モノマーを酸安定モノマーa6という場合がある。酸安定モノマーa6の代表例としては、式a6-1で表される無水マレイン酸、式a6-2で表される無水イタコン酸、及び、式a6-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa6-3という場合がある。などが挙げられる。式a6-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、シアノ基、カルボキシ基又は-COORa27を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く例えばRa27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まない。式a6-3のRa25及びRa26において、ヒドロキシ基を有していてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが好ましい。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数1~6のアルキル基及び炭素数4~12の脂環式炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などがさらに好ましい。ノルボルネン環を有する酸安定モノマーa6-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが、式a6-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a6-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及び酸安定モノマーa6-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位酸安定モノマーa6に由来する構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲から選ばれ、3~30モルの範囲が好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa7>さらに、酸安定モノマーとしては、例えば、式a7で表されるスルトン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa7という場合があるなどが挙げられる。式a7中、La7は、酸素原子又は-T-CH2k2-CO-O-をk2は1~7の整数を表す。Tは酸素原子又はNHである。表し、はカルボニル基との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W16は、置換基を有していてもよいスルトン環基を表す。スルトン環基に含まれるスルトン環としては、脂環式炭化水素に含まれる隣り合うメチレン基のうち、一方が酸素原子、他方がスルホニル基に置き換わったものであり、下記に示すものなどが挙げられる。スルトン環基の代表例は、下記スルトン環にある水素原子の1つが、結合手に置き換わったものであり、式a7-1においてはLa7との結合手が該当する。置換基を有していてもよいスルトン環基とは、上述の結合手に置き換わった水素原子以外の水素原子がさらに置換基水素原子以外の1価の基で置き換わったものであり、該置換基は、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基及び炭素数1~8のアシルオキシ基からなる群より選ばれる。酸安定モノマーa7としては、例えば、以下のものが挙げられる。樹脂Aが、酸安定モノマーa7に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa8>また、樹脂A製造には、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有するモノマー以下、酸安定モノマーa8という場合がある。も使用できる。このようなモノマーの中でも、単環式又は多環式の脂環基を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa8に由来する構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~20モルの範囲が好ましく、2~15モルの範囲がより好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。<樹脂の製造方法>樹脂Aを製造するうえで、構造単位aを誘導するモノマー化合物a’、及び構造単位bを誘導するモノマー以下、化合物b’という。に加えて用いることができる、モノマーa1及び酸安定モノマーについて説明してきたが、次に、これらを用いる樹脂Aの製造方法について説明する。樹脂Aは、化合物a’と、化合物b’と、モノマーa1と、必要に応じて、酸安定モノマーとを共重合させたものが好ましく、より好ましくは、化合物a’と、化合物b’と、モノマーa1と、酸安定モノマーa3とを共重合させたものである。樹脂Aを製造するうえでは、モノマーa1として、アダマンチル基を有するモノマーa1-1及びシクロへキシル基を有するモノマーa1-2のうち、少なくとも1種を用いることが好ましく、アダマンチル基を有するモノマーモノマーa1-1を用いることがさらに好ましい。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1及び酸安定モノマーa3を用いることが好ましい。樹脂Aは、これらのモノマーなどを用い、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。樹脂Aの全構造単位100モルに対する、モノマーa1に由来する構造単位の含有量は、すでにモノマーa1-1及びモノマーa1-2の各々について説明したが、これらの合計、すなわちモノマーa1に由来する構造単位は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、好ましくは10~80モルの範囲であり、より好ましくは20~60モルの範囲である。また、アダマンチル基を有するモノマー特にモノマーa1-1を用いる場合には、該アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位を、モノマーa1に由来する構造単位の合計100モルに対して15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Aを含む本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。樹脂Aの重量平均分子量は、2,500以上50,000以下であると好ましく、3,000以上30,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。<本レジスト組成物>本レジスト組成物は、樹脂Aを含むことにより、レジストパターン製造時のフォーカスマージンをより改善できるという効果を発現する。本レジスト組成物は、樹脂A以外に、酸発生剤及び溶剤という構成成分を含有し、さらに必要に応じて、当技術分野でクエンチャーと呼ばれる塩基性化合物などの添加剤を含有することがある。以下、樹脂A以外の成分、すなわち、酸発生剤B、添加剤及び溶剤Dの順で説明していく。なお、以下の説明において、本レジスト組成物から溶剤を取り除いたものを、本レジスト組成物の固形分ということがある。この固形分の本レジスト組成物総質量に対する含有割合は、液体クロマトグラフィー及びガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。<酸発生剤B>本レジスト組成物に含有される酸発生剤Bは、以下の式B1で表されるもの以下、酸発生剤B1という。が好ましい。なお、以下の説明において、この酸発生剤Bのうち、正電荷を有するZは有機カチオンといい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、置換基を有していてもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基の具体例は、式3のR10の例示のうち、アルキル基に含まれる水素原子の全部がフッ素原子に置き換わったものである。酸発生剤B1としては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子の酸発生剤B1が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1がさらに好ましい。Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1を含む本レジスト組成物は、より良好なフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができる。Lb1の脂肪族炭化水素基の具体例は、すでに例示したアルカンジイル基、及び、上述の式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基などである。Lb1における前記脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6以下、式b1-1~式b1-6のように表記する。のいずれかで示される基が挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで示される基であり、より好ましくは式b1-1で示される基又は式b1-2で示される基である。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。なお、は結合手を表し、一方はYと、他方はCQ1Q2の炭素原子と結合している。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb4は、炭素数1~13の2価の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。本レジスト組成物に用いる酸発生剤Bとしては、これらの中でも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1がより好ましい。ここで、式b1-1~式b1-6で表される2価の基の具体例を挙げる。なお、は結合手を表す。式b1-1で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。Lb1の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基は例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基等が挙げられる。芳香族炭化水素基、アラルキル基及びアシル基の具体例はすでに説明したとおりである。式B1におけるYは置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基としては、アルキル基及び脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基及び炭素数3~12の脂環式炭化水素基がより好ましい。Yの脂肪族炭化水素基が置換基を有する場合、該置換基としては例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。ここでいう芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基をさらに有していてもよい。Yの脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基及びカルボニル基からなる群より選ばれる基2価の基に置き換わっていてもよい。脂環式炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基すでに式a7で説明したとおり、脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。Yの脂環式炭化水素基の好ましい基は、例えば、以下に示す式Y1、式Y2、式Y3、式Y4、式Y5のいずれかで表される基が挙げられ、なかでも、式Y1、式Y2、式Y3、式Y5のいずれかで表される基がより好ましく、それぞれ式Y1又は式Y2で表される基がさらに好ましい。該脂環式炭化水素基を構成する水素原子が置換基に置き換わっていてもよい。環を構成する原子の炭素原子にアルキル基が結合してなる脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。Yの脂環式炭化水素基としては、式Y1及び式Y2で示したようにアダマンタン環を有する基であると好ましく、これらが置換基を有する場合、該置換基はヒドロキシ基が好ましい。すなわち、置換基を有する脂環式炭化水素基としては、ヒドロキシアダマンチル基がYとして好ましい。スルホン酸アニオンとしては、Lb1が式b1-1で表される基である、式b1-1-1~式b1-1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンが好ましい。この式b1-1-1~式b1-1-1-9において、Lb2、Q1及びQ2は、上記と同じ意味を表す。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同じであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基及びヒドロキシ基が好ましく、メチル基及びヒドロキシ基がより好ましい。Yが鎖式脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが無置換の脂環式炭化水素基又は置換基として脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基又はアラルキル基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、鎖式脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、鎖式脂肪族炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-4で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。以上例示したスルホン酸アニオンの中でも、Lb1が式b1-1で表される基であるものが好ましい。より好ましいスルホン酸アニオンを以下に示す。さらに好ましくは、Yが置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンである。酸発生剤B1中の有機カチオンZは例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオンなどの有機オニウムカチオンが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、有機スルホニウムカチオンがより好ましく、さらに好ましくは、以下の式b2-1、式b2-2、式b2-3、式b2-4以下、式b2-1~式b2-4のように表記する。のいずれかで表される有機カチオン以下、各式の番号に応じて、カチオンb2-1、カチオンb2-2、カチオンb2-3、カチオンb2-4ということがある。である。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の炭化水素基を表し、該炭化水素基としては、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。該アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、該脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。また、Rb9及びRb10は、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環の脂環式炭化水素環を形成していてもよく、該脂環式炭化水素環を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、この脂肪族炭化水素基がアルキル基である場合、その炭素数は1~12であることが好ましく、この脂肪族炭化水素基が脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であることが好ましく、4~12であることがさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。該炭化水素基は炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び表炭素数3~18の芳香族炭化水素基を含み、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。また、Rb11及びRb12は、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環の脂環式炭化水素環を形成していてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18以下、Rb13~Rb18と表記することがある。は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一でも異なっていてもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一でも異なっていてもよく、s2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一でも異なっていてもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一でも異なっていてもよい。Rb12のアルキルカルボニルオキシ基としては、すでに例示したアシル基と酸素原子とが結合したものである。Rb9~Rb12のアルキル基の具体例は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基などである。特にRb9、Rb10及びRb11のアルキル基は、炭素数1~12であることが好ましい。Rb9~Rb12の脂環式炭化水素基のうち好ましい基は例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基などである。特にRb9、Rb10及びRb11の脂環式炭化水素基は、炭素数3~18であることが好ましく、4~12であることがさらに好ましい。Rb12の芳香族炭化水素基のうち好ましい基は例えば、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基と鎖式脂肪族炭化水素基が結合したものとしては、アラルキル基が挙げられ、具体的にはベンジル基等が挙げられる。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。例示した有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1といういう場合がある。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びR21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。該脂肪族炭化水素基としては、炭素数は1~12の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基がより好ましい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一でも異なっていてもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なっていてもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なっていてもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であることが好ましい。カチオンb2-1-1としては、以下のものが挙げられる。このような有機カチオンを有する酸発生剤B1を含む本レジスト組成物は、より良好なフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができる。既に好適な有機カチオンであるカチオンb2-1-1及びその具体例を示したが、カチオンb2-2、カチオンb2-3及びカチオンb2-4についても、その具体例を示しておく。カチオンb2-2としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-4としては、以下のものが挙げられる。酸発生剤B1は上述のスルホン酸アニオン及び上述の有機カチオンの組合せであり、これら任意に組み合わせることができるが、式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-1-1との組合せである酸発生剤B1、並びに式b1-1-3~式b1-1-5のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-3との組合せである酸発生剤B1が好ましい。さらに好ましい酸発生剤B1を具体的に示す。このような酸発生剤B1は、以下の式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-4、式B1-5、式B1-6、式B1-7、式B1-8、式B1-9、式B1-10、式B1-11、式B1-12、式B1-13、式B1-14、式B1-15、式B1-16、式B1-17のいずれかで表される塩である。酸発生剤Bは、トリフェニルスルホニウムカチオンを含む塩及びトリトリルスルホニウムカチオンを含む塩が好ましく、式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13、B1-14のいずれかで表される塩がより好ましい。また、すでに述べたように、Yが置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基が好ましいので、この点では、式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-11、式B1-12のいずれかで表される塩がより好ましい。酸発生剤Bは、酸発生剤B1とは異なる酸発生剤を含んでいてもよい。酸発生剤Bの総量における酸発生剤B1の含有割合は、70質量以上が好ましく、90質量以上がより好ましく、実質的に酸発生剤B1のみであることがさらに好ましい。<塩基性化合物以下、塩基性化合物Cという。>本レジスト組成物は、塩基性化合物Cを含むことが好ましい。ここでいう塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えば、アミン及びアンモニウム塩を挙げることができる。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、以下の式C2で表される芳香族アミン、特に、以下の式C2-1で表されるアニリン類が挙げられる。式C2及び式C2-1中、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の鎖式脂肪族炭化水素基及び炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表す。但し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。Rc7は、鎖式脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基である。、炭素数1~6程度のアルコキシ基、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数5~10程度のシクロアルキル基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表す。但し、該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子も、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なってもよい。式C2で表される芳香族アミンは例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミンなどが挙げられる。式C2-1で表されるアニリン類は例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン及びジフェニルアミンなどが挙げられる。また、以下の式C3、式C4、式C5、式C6、式C7、式C8、式C9、式C10及び式C11のいずれかで表される化合物以下、ここでいう化合物を、式番号に応じて、化合物C3~化合物C11のように表記する。も用いることができる。式C3~式C11中、Rc8、Rc20、Rc21、Rc23、Rc24、Rc25、Rc26、Rc27及びRc28は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。Rc9、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13、Rc14、Rc16、Rc17、Rc18、Rc19及びRc22は、上記のRc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。Rc15は、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又はアルカノイル基を表す。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一でも異なっていてもよく、p3が2以上であるとき、複数のRc21は互いに同一でも異なっていてもよく、q3が2以上であるとき、複数のRc24は互いに同一でも異なっていてもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc25は互いに同一でも異なっていてもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc26は互いに同一でも異なっていてもよく、t3が2以上であるとき、複数のRc27は互いに同一でも異なっていてもよく、u3が2以上であるとき、複数のRc28は互いに同一でも異なっていてもよい。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なっていてもよい。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数1~6程度のアルキレン基である。、カルボニル基、-C=NH-、-C=NRc3-但し、Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す。、硫黄原子、ジスルフィド結合-S-S-又はこれらの組合せを表す。化合物C4としては例えば、ピペラジンなどが挙げられる。化合物C5としては例えば、モルホリンなどが挙げられる。化合物C6としては例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。化合物C7としては例えば、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。化合物C8としては例えば、イミダゾール及び4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。化合物C9としては例えば、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。化合物C10としては例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン及び2,2’-ジピコリルアミンなどが挙げられる。化合物C11としては例えば、ビピリジンなどが挙げられる。塩基性化合物C3としては例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなども用いることができる。アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。以上、塩基性化合物Cの具体例を示したが、本レジスト組成物に用いる塩基性化合物Cとしては、これらの中でもジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンが特に好ましい。<溶剤以下、溶剤Dという。>本レジスト組成物に含まれる溶剤Dは、用いる化合物aに由来する構造単位を有する樹脂Aの種類及びその量と、酸発生剤B1の種類及びその量などに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。好適な溶剤Dの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類;γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、必要に応じて、化合物aに由来する繰り返し単位を含む樹脂、酸発生剤B1並びに必要に応じて用いられる溶剤D及び塩基性化合物C以外の構成成分を含んでいてもよい。この構成成分を成分Fという場合がある。かかる成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などである。<本レジスト組成物及びその調製方法>本レジスト組成物は、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤Dを混合することで、又は、樹脂A、酸発生剤B、塩基性化合物C及び溶剤Dを混合することで調製することができる。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、用いる樹脂Aなどの種類や樹脂Aなどの溶剤Dに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて選べばよく、0.5~24時間が好ましい。なお、混合手段は特に限定されず、攪拌混合などを用いることができる。本レジスト組成物を調製する際に用いる各成分の使用量により、本レジスト組成物中の各成分の含有量を調節することができる。このように、各成分を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。樹脂Aの含有量は、本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、80質量以上99質量以下がであると好ましい。なお本明細書において組成物の固形分とは、後述する溶剤Dを除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。例えば、溶剤Dの含有量が90質量であるレジスト組成物において、組成物中の固形分は10質量に相当する。組成物の固形分及びこれに対する各成分の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。酸発生剤Bの含有質量は、樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上であり、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。本レジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、その含有量は本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.01~1質量程度が好ましい。溶剤Dの含有量は、上述のとおり、樹脂Aの種類などに応じて適宜調節できるが、本レジスト組成物総質量に対して90質量以上が好ましく、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上であり、99.9質量以下が好ましく、より好ましくは99質量以下である。溶剤Dの含有量が上記範囲内であると、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成しやすい。なお、成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。このように、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本レジスト組成物は調製できる。<レジストパターンの製造方法>本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて、該基板上に組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むものである。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類等に応じて選択でき、例えばホットプレートの場合、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にすることが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線、超紫外光EUVを照射するものであってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤B1が露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じ、結果として露光部の組成物層にある樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段などが好ましい。なお、工程4におけるホットプレート加熱を行う場合、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がより好ましい。加熱処理により、上記脱保護反応が促進される。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置を用いて現像する工程である。現像する工程で、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させると、露光部の組成物層は該アルカリ水溶液に溶解して除去され、未露光部の組成物層は基板上に残るため、当該基板上にレジストパターンが製造される。前記アルカリ水溶液としては、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。現像後、製造されたレジストパターンに、超純水等でリンス処理を行うことが好ましく、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。以上のような工程1~工程5を含むレジストパターン製造方法によれば、本レジスト組成物は、良好なフォーカスマージンDOFでレジストパターンを形成できる。<用途>本レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。工に利用できる。実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記しないかぎり質量基準である。また重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製合成例1樹脂Aの合成樹脂の合成において使用した化合物モノマーを下記に示す。以下、これらのモノマーをモノマーA~モノマーE及びモノマーIという。樹脂A1の合成モノマーとして、モノマーA、モノマーB、モノマーC、モノマーD及びモノマーIを用い、そのモル比モノマーA:モノマーB:モノマーC:モノマーD:モノマーIが40:5:20:30:5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.5×103の樹脂A1共重合体を収率65で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A2の合成モノマーとして、モノマーA、モノマーE、モノマーB、モノマーC、モノマーD及びモノマーIを用い、そのモル比モノマーA:モノマーE:モノマーB:モノマーC:モノマーD:モノマーIが32:7:8:10:38:5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.8×103の樹脂A2共重合体を収率62で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A3の合成モノマーとして、モノマーA、モノマーB、モノマーC及びモノマーIを用い、そのモル比モノマーA:モノマーB:モノマーC:モノマーIが50:15:25:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.4×103の樹脂A3共重合体を収率66で得た。この樹脂A3は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A4の合成モノマーとして、モノマーA、モノマーB及びモノマーCを用い、そのモル比モノマーA:モノマーB:モノマーCが50:25:25となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを80°Cで約8時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.2×103の樹脂A4共重合体を収率60で得た。この樹脂A4は、以下の構造単位を有するものである。合成例5:樹脂A5の合成モノマーとして、モノマーF、モノマーE、モノマーB、モノマーC、モノマーD及びモノマーIを用い、そのモル比モノマーF:モノマーE:モノマーB:モノマーC:モノマーD:モノマーIが、30:14:6:20:25:5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol、3mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量が7.3×103の樹脂A5共重合体を収率60で得た。この樹脂A5は、以下の構造単位を有するものである。合成例6:樹脂A6の合成モノマーとして、モノマーF、モノマーG、モノマーB、モノマーC、モノマーD及びモノマーIを用い、そのモル比モノマーF:モノマーG:モノマーB:モノマーC:モノマーD:モノマーIが、30:14:6:20:20:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol、3mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量が7.5×103の樹脂A6共重合体を収率62で得た。この樹脂A6は、以下の構造単位を有するものである。実施例1~7及び比較例1<レジスト組成物の調製>合成例1で得られた樹脂A1~A6;以下に示す酸発生剤B1~B2;以下に示す塩基性化合物C1;の各々を表1に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1~A6:樹脂A1~樹脂A6<酸発生剤>B1:B2:<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部2-ヘプタノン20.0部γ-ブチロラクトン3.5部<レジストパターンの製造及びその評価>実施例1~5の本レジスト組成物及び比較例1のレジスト組成物は以下のようにして液浸露光によるフォーカスマージンDOF評価を行った。以下、本レジスト組成物及び比較例1のレジスト組成物を総称して、レジスト組成物ということがある。<レジスト組成物の液浸露光評価>以下のようにして、レジスト組成物の液浸露光を行い、フォーカスマージンDOF評価を実施した。シリコンウェハーに、有機反射防止膜用組成物ARC-29;日産化学株製を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、ウェハー上に膜厚780Åの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が85nmとなるように塗布スピンコートした。塗布後、シリコンウェハーをダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークして組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハーに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパーXT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4AnnularX-Y偏光で、コンタクトホールパターンホールピッチ100nm/ホール径70nmを形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。尚、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、前記シリコンウェハーを、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間、加熱ポストエキスポジャーベーク処理した。次いでこのシリコンウェハを、2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が55nmとなる露光量を実効感度とした。フォーカスマージンDOF評価実効感度において、フォーカスを段階的に変化させてレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンのホール径が52.2nm以上57.7nm以下を保持するフォーカス範囲をDOFμmとした。結果を表2に示す。本レジスト組成物からは、優れたDOFのレジストパターンを製造することができた。一方、比較例1のレジスト組成物から得られるレジストパターンのDOFが不良であった。"