電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構であって、前記電力用半導体装置は、前記プリント配線板との対向面に突出した外部端子である導電性の嵌入部材を備え、前記プリント配線板は、当該プリント配線板のパッド部上に実装され、前記電力用半導体装置が当該プリント配線板に接続されるときに前記嵌入部材が挿入される導電性の嵌合部材を備え、前記嵌入部材は、側面に凹部を有し、前記嵌合部材は、内側面に弾性を有する凸部を有し、前記嵌入部材が前記嵌合部材に挿入されたとき、前記嵌合部材の前記凸部が前記弾性により前記嵌入部材の前記凹部に圧接することを特徴とする電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構。前記凹部は、前記嵌入部材の両側面に形成されており、前記凸部は、前記嵌合部材の対向する内側面にそれぞれ形成されている請求項1記載の電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構。前記凹部および前記凸部の表面は共にR形状である請求項1または請求項2記載の電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構。前記電力用半導体装置は、当該電力用半導体装置の表面を覆うモールド樹脂と、前記モールド樹脂を貫通して前記電力用半導体装置の内部基板上の配線に達する開口部と、前記開口部内に配設され、前記配線と接続した金属製のブッシュとを備え、前記嵌入部材は、前記ブッシュに挿入されたプレスフィット部を備える請求項1から請求項3のいずれか一項記載の電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構。前記嵌入部材は、前記プレスフィット部を複数個備える請求項4記載の電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構。前記嵌入部材は、折り曲がりのない1枚の金属板によって形成されている請求項1から請求項5のいずれか一項記載の電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構。前記電力用半導体装置は、断面積の異なる複数の前記嵌入部材を備える請求項1から請求項6のいずれか一項記載の電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構。前記電力用半導体装置は前記嵌入部材を複数個備え、当該複数の嵌入部材は全て同じ高さであり、前記プリント配線板は前記嵌合部材を複数個備え、当該複数の嵌合部材は全て同じ高さである請求項1から請求項7のいずれか一項記載の電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構。前記嵌合部材は、前記パッド部との接合面の部分が、他の部分より厚く形成されている請求項1から請求項8のいずれか一項記載の電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構。前記嵌合部材は、前記パッド部との接合面に突起を有し、前記パッド部の表面には、前記突起が挿入される窪みが形成されている請求項1から請求項9のいずれか一項記載の電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構。前記嵌合部材は、前記パッド部との接合面に窪みを有し、前記パッド部の表面には、前記窪みに挿入される突起が形成されている請求項1から請求項9のいずれか一項記載の電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構。電力用半導体装置は、ワイドバンドギャップ半導体を用いて形成されている請求項1から請求項11のいずれか一項記載の電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構。半導体素子が形成された内部基板と、前記内部基板を覆うモールド樹脂と、前記モールド樹脂を貫通して内部基板上の配線に達する開口部と、前記開口部内に配設され、前記配線と接続した金属製のブッシュと、前記開口部から突出した外部端子とを備え、前記外部端子は、前記ブッシュに挿入されたプレスフィット部と、前記開口部から突出した部分の側面に形成された凹部とを有することを特徴とする電力用半導体装置。前記凹部は、前記外部端子の両側面に形成されている請求項13記載の電力用半導体装置。前記凹部の表面はR形状である請求項13または請求項14記載の電力用半導体装置。前記外部端子は、前記プレスフィット部を複数個備える請求項13から請求項15のいずれか一項記載の電力用半導体装置。前記外部端子は、折り曲がりのない1枚の金属板によって形成されている請求項13から請求項16のいずれか一項記載の電力用半導体装置。断面積の異なる複数の前記外部端子を備える請求項13から請求項17のいずれか一項記載の電力用半導体装置。前記外部端子を複数個備え、当該複数の外部端子は全て同じ高さである請求項13から請求項18のいずれか一項記載の電力用半導体装置。ワイドバンドギャップ半導体を用いて形成されている請求項13から請求項19のいずれか一項記載の電力用半導体装置。プリント配線の一部であるパッド部と、前記パッド部上に実装され、当該パッド部に対して垂直に伸びる一対のアーム部を有するクリップ形電極を備え、前記クリップ形電極は、前記アーム部の内側に弾性を有する凸部を有することを特徴とするプリント配線板。前記凸部は、前記クリップ形電極の一対の前記アーム部のそれぞれに形成されている請求項21記載のプリント配線板。前記凸部の表面はR形状である請求項21または請求項22記載のプリント配線板。前記クリップ形電極を複数個備え、当該複数のクリップ形電極は全て同じ高さである請求項21から請求項23のいずれか一項記載のプリント配線板。前記クリップ形電極は、前記パッド部との接合面の部分が、他の部分より厚く形成されている請求項21から請求項24のいずれか一項記載のプリント配線板。前記クリップ形電極は前記パッド部との接合面に突起を有し、前記パッド部の表面には、前記突起が挿入される窪みが形成されている請求項21から請求項25のいずれか一項記載のプリント配線板。前記クリップ形電極は前記パッド部との接合面に窪みを有し、前記パッド部の表面には、前記窪みに挿入される突起が形成されている請求項21から請求項25のいずれか一項記載のプリント配線板。特許文献1では、パワー半導体装置の外部端子として線材ピンは内部基板上のブッシュに挿入され、当該線材ピンとブッシュの内面との摩擦力により保持される。そのためパワー半導体装置の内部基板と外部端子との間で充分に高い接続信頼性が得られないことが考えられる。さらに、外部端子とプリント配線板との接続が、スルーホール接続方式であるため、プリント配線板の製造過程でスルーホールの形成工程が必要になる他、パワー半導体装置のプリント配線板への実装過程で半田付け工程が必要になる。特に、大電流を制御するパワー半導体装置では、線材ピンの本数を増やす必要があるため、スルーホールの数と半田付け個所の数が増大し、コストアップの要因となる。また大電流を制御するパワー半導体装置ではその発熱も大きくなるため、プリント配線板と線材ピンとの熱膨張係数の違いに起因する応力によって半田にクラックが生じる恐れもある。クラックが生じると、線材ピンとプリント配線板との接続抵抗が増大すると共に、接合強度が低下して信頼性が低下する懸念がある。また特許文献2では、パワー半導体装置の外部端子として接触バネを用いているが、接触バネはその構造が故に、内部基板の配線パターンとの接触面積やプリント配線板のパッド部との接触面積が小さいため、外部端子一つあたりの電流容量が低い。そのため大電流を制御するパワー半導体装置では必要となる接触バネの数が多くなり、装置の小型化の妨げとなる。また接触バネは、金属を屈曲させたものであるため、電流が流れる経路が長くなり電力損失が大きくなるという欠点もある。本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、パワー半導体装置と外部のプリント配線板との接続において、接続信頼性の向上、電力損失の低減、製造コストの削減、接続工程の簡略化および接続構造の小型化を実現可能な接続構造を提供することを目的とする。本発明に係る電力用半導体装置とプリント配線板との接続機構は、前記電力用半導体装置が、前記プリント配線板との対向面に突出した外部端子である導電性の嵌入部材を備え、前記プリント配線板が、当該プリント配線板のパッド部上に実装され、前記電力用半導体装置が当該プリント配線板に接続されるときに前記嵌入部材が挿入される導電性の嵌合部材を備え、前記嵌入部材は、側面に凹部を有し、前記嵌合部材は、内側面に弾性を有する凸部を有し、前記嵌入部材が前記嵌合部材に挿入されたとき、前記嵌合部材の前記凸部が前記弾性により前記嵌入部材の前記凹部に圧接するものである。本発明によれば、嵌合部材の凸部が、その弾性力により嵌入部材の凹部に押圧されることによって、機械的に強い接続が得られる。また振動にも強く、長期信頼性にも優れている。また凸部が凹部に当接することで、嵌合部材と嵌入部材との接触面積を大きくでき、両者間で電気的に損失が少ない接続が得られると共に、高い熱伝導性が得られる。<実施の形態1>図1は、本発明の実施の形態1に係るパワー半導体装置1の構成を示す図である。当該パワー半導体装置1の上面後述のプリント配線板3と対向する面に、外部端子としての金属で形成された導電性の嵌入部材2が配設されている。各嵌入部材2は、パワー半導体装置1の上面から突出しており、それぞれの高さは全て同一となっている。図1のパワー半導体装置1には、比較的幅の広い電流端子用の嵌入部材2aと、比較的幅の狭い信号端子用の嵌入部材2bとが設けられている。以下、特に断りのない限り、嵌入部材2とは、電流端子用の嵌入部材2aおよび信号端子用の嵌入部材2bの両方を指すものとする。嵌入部材2の構造の詳細については後述する。また図2は、本発明の実施の形態1に係るプリント配線板3の構成を示す図である。図1のパワー半導体装置1はこのプリント配線板3に実装される。プリント配線板3の下面パワー半導体装置1と対向する面には、パワー半導体装置1の各嵌入部材2に対応する位置に、嵌入部材2を受け入れる金属で形成された導電性の嵌合部材4が配設されている。各嵌合部材4は、プリント配線板3の下面から突出しており、それぞれの高さは全て同一となっている。図2のプリント配線板3には、パワー半導体装置1の電流端子用の嵌入部材2aに対応する位置に、比較的幅の広い電流端子用の嵌合部材4aが配設され、パワー半導体装置1の信号端子用の嵌入部材2bに対応する位置に、比較的幅の狭い信号端子用の嵌合部材4bが設けられる。以下、特に断りのない限り、嵌合部材4とは、電流端子用の嵌合部材4aおよび信号端子用の嵌合部材4bの両方を指すものとする。嵌合部材4の構造の詳細については後述する。図3は、パワー半導体装置1がプリント配線板3に装着された状態を示す図である。パワー半導体装置1をプリント配線板3に実装する際には、互いに対応する嵌入部材2と嵌合部材4とが対向するように、パワー半導体装置1とプリント配線板3とを位置合わせし、パワー半導体装置1をプリント配線板3に押し付ける。これにより嵌入部材2が嵌合部材4に押し込まれて保持される。その結果、嵌入部材2と嵌合部材4とが電気的に接続されると共にパワー半導体装置1がプリント配線板3に固定される。パワー半導体装置1とプリント配線板3との位置合わせは、例えばパワー半導体装置1およびプリント配線板3を貫通するように設けられた、放熱フィンへの取り付け用のネジ穴不図示を用いて行うことができる。またパワー半導体装置1をプリント配線板3に押し付ける際には、例えば平坦な金属板などの押し付け用冶具を用いるとよい。平坦な押し付け用治具を、パワー半導体装置1の下面嵌入部材2が配設された反対側の面に押し当てると、パワー半導体装置1の下面全体に均一な力を加えることができ、パワー半導体装置1に歪みが生じることが防止できる。また上記したように、パワー半導体装置1から突出する複数の嵌入部材2は高さが揃っており、プリント配線板3上に実装された複数の嵌合部材4の高さも揃っている。よって嵌入部材2が嵌合部材4に押し込まれるとき、複数の嵌入部材2および嵌合部材4のそれぞれに均一に力が加わり、全ての嵌入部材2を嵌合部材4へ確実に押し込むことができる。図4は、パワー半導体装置1における嵌入部材2の近傍の拡大断面図である。同図では電流端子用の嵌入部材2aと、信号端子用の嵌入部材2bを示している。電流端子用の嵌入部材2aは、大電流を流すことが可能なように、信号端子用の嵌入部材2bよりも幅を広くして、断面積を大きくしている。図4では電流端子用の嵌入部材2aの断面積を大きくするためにその幅を広くしたが、厚さを大きくしてもよい。用途に応じて幅または厚さの異なる嵌入部材2を使い分けることにより、必要な嵌入部材2の本数および形成面積を少なくでき、パワー半導体装置1の小型化が可能になる。また図5は嵌入部材2の正面図および側面図である。電流端子用の嵌入部材2aと信号端子用の嵌入部材2bとの違いは幅または厚さのみなので上記したように両者の高さは同じである、以下では両者を区別せずに説明する。パワー半導体装置1は、いわゆるトランスファーモールド型のモジュールであり、図4のように、半導体素子が作り込まれた内部基板11と、その表面を覆うモールド樹脂13とを備える。パワー半導体装置1をモールド樹脂13で覆った構造とすることにより、嵌入部材2間の高い絶縁信頼性が得られる。モールド樹脂13としては、例えば、フィラーとしてシリカ粉末が充填されたエポキシ樹脂が用いられる。そのシリカ粉末の含有率は、パワー半導体装置1に用いられる部材の熱膨張係数などを考慮して最適な量が選定される。モールド樹脂13の所定個所には、内部基板11上の配線パターン12に達する開口部14が形成されており、開口部14内には、配線パターン12と電気的に接続した金属製のブッシュ15が配設されている。ブッシュ15の長さは、開口部14の深さと同じである。すなわちブッシュ15は、底部が配線パターン12に接続し、上部がモールド樹脂13の上面に達している。図5のように、嵌入部材2は、上部の側面に凹部21を有し、下部にはプレスフィット部22を有している。プレスフィット部22は、ブッシュ15の内径よりも若干幅広に形成されている。嵌入部材2のパワー半導体装置1への実装は、図4のように、嵌入部材2のプレスフィット部22をブッシュ15内へ挿入することによって行われる。それによりプレスフィット部22とブッシュ15との間に、機械的および電気的な接続が得られる。またこの構成によれば、嵌入部材2のプレスフィット部22をブッシュ15に挿入したときの位置精度がよく、嵌入部材2と嵌合部材4と位置合わせ精度を高くできる。嵌入部材2とブッシュ15との間で機械的および電気的な接続を得る手法としては、プレスフィット方式以外にも、半田付けやばね締め等の手法も考えられる。また嵌入部材2の下部ブッシュ15への挿入部分をスプリング形状にする方法も考えられる。しかしパワー半導体装置の外部端子には、接合の長期信頼性や高い位置精度が要求され、また加工コスト、装着作業の簡便性、電流容量などの面からも、プレスフィット接合が最適と考えられるため、本実施の形態ではプレスフィット方式を採用した。嵌入部材2の凹部21は、その表面がRround形状の曲面であり、嵌入部材2の両側面に対称に設けられている。凹部21は、図6のように1対のみ設けてもよいし、図7のように2対、あるいはそれ以上の個数設けてもよい。後述する嵌合部材4の形状は、嵌入部材2の凹部21の位置、大きさ、個数に応じたものとなる。また図5に示す嵌入部材2の側面図から分かるように、嵌入部材2は1枚の平らな折れ曲がりのない金属板で形成されている。嵌入部材2が平らな形状であるため、嵌入部材2を流れる電流の経路が最短になり、パワー半導体装置1の外部端子の低損失化、低インダクタンス化および大電流化を実現できる。また1枚の金属板を加工して得られる嵌入部材2は、その内部に接続部が無いため電流損失が少ない。図8は、プリント配線板3における嵌合部材4の近傍の拡大断面図である。同図では、電流端子用の嵌合部材4aと、信号端子用の嵌合部材4bを示している。電流端子用の嵌合部材4aは、パワー半導体装置1の電流端子用の嵌入部材2aに対応した位置に配設され、また電流端子用の嵌入部材2aに合わせて幅が広くなっている。信号端子用の嵌合部材4bは、パワー半導体装置1の信号端子用の嵌入部材2bに対応した位置に配設され、信号端子用の嵌入部材2bに合わせて幅が狭くなっている。図8においては、図4のように電流端子用の嵌入部材2aを信号端子用の嵌入部材2bよりも幅広にした場合に対応させて、電流端子用の嵌合部材4aを信号端子用の嵌入部材2bよりも幅広にした例を示している。しかし、例えば電流端子用の嵌入部材2aを信号端子用の嵌入部材2bよりも厚く構成の場合には、電流端子用の嵌合部材4aの奥行きアーム部の間隔を広くすればよい。電流端子用の嵌合部材4aと信号端子用の嵌合部材4bとの違いは幅または奥行きのみなので上記したように両者の高さは同じである、以下では両者を区別せずに説明する。図8のように嵌合部材4は、プリント配線板3の表面に形成されたプリント配線の一部であるパッド部31上に、半田32を介して接合される。半田32の厚みは、熱抵抗および電気抵抗を小さくするために、接合信頼性が低下しない範囲で、薄いことが望ましい。半田32に代えて、銀ナノペーストを用いてパッド部31と嵌合部材4との接合を行えば、さらなる低抵抗化を実現できる。また図示は省略しているが、プリント配線板3の表面には、抵抗器など他の実装部品も半田付けされるので、パッド部31への嵌合部材4の半田付けを他の実装部品の半田付けと同じ工程で行えば、製造工程数は増加せず、コスト上昇を抑えることができる。また図9aおよび図9bは、それぞれ嵌合部材4の斜視図および断面図である。嵌合部材4は、パッド部31に接合される接合面42の反対側が開いたクリップ形状であり、パワー半導体装置1の嵌入部材2は、嵌合部材4が備える一対のアーム部45に挟持される。すなわち嵌合部材4は、パッド部31の表面に対して垂直な方向に伸びる一対のアーム部45を有するクリップ形電極である。嵌合部材4のアーム部45には、互いに対向する内側面のそれぞれに突出し、弾性を有する凸部41が設けられる。アーム部45の凸部41は、その表面がRround形状の曲面であり、その位置、大きさ、個数は、対応する嵌入部材2の凹部21に対応させる。例えば嵌入部材2が図6のように一対の凹部21を備える場合、嵌合部材4には図9のように一対の凸部41が設けられる。一対の凸部41の間隔は、挟持する嵌入部材2の凹部21における厚さよりも小さく設定される。嵌合部材4に嵌入部材2が挿入されると、嵌合部材4のアーム部45が嵌入部材2を挟み込み、嵌入部材2と嵌合部材4との機械的および電気的な接続が成される。このとき嵌合部材4の凸部41が、その弾性力により嵌入部材2の凹部21に押圧されることによって、機械的に強い接続が得られ、嵌合部材4から嵌入部材2が脱落することを防止できる。図10aおよび図10aは、アーム部45に二対の凸部41を備える嵌入部材2の斜視図および断面図である。この嵌合部材4の構成は、嵌入部材2が図7のように二対の凹部21を備える場合に採用される。このように嵌合部材4のアーム部45に設けられる凸部41の位置、形状等を、嵌入部材2の凹部21の位置、形状等に対応させることにより、嵌合部材4に嵌入部材2がはめ込まれたときの接触面積が大きくなる。そうすると、嵌入部材2と嵌合部材4との間で、電気的に損失が少ない接続が得られると共に、高い熱伝導性が得られるため、パワー半導体装置1の大電流化に有利である。また嵌入部材2と嵌合部材4との接続が、凸部41による押圧によって成されているため、振動にも強く、長期信頼性にも優れている。さらに図11aおよび図11bは、嵌入部材2の他の構成例の斜視図および断面図である。この嵌入部材2は、アーム部45に一対の凸部41を有しているため、嵌入部材2が図6のように一対の凹部21を備える場合に適している。また図11の嵌合部材4においては、凸部41が、アーム部45を折り返した部分に設けられており、且つ、凸部41よりもその他の部分コの字形状の部分を厚くしている。図11の嵌合部材4によれば、嵌合部材4が嵌入部材2を挟持するとき、嵌入部材2への押圧により凸部41は変形するが、接合面42を含むその他の部分は殆ど変形しない。よって、接合面42が変形しないため嵌合部材4とパッド部31の間の半田32に応力が加わることを防止でき、より信頼性の高い接続が得られる。図9、図10の嵌合部材4でも、パッド部31との接合面42の部分を厚くすると、半田32に応力が発生することを防止できるため好ましい。嵌合部材4の材料としては、電気抵抗が小さいことはもちろん、凸部41の弾性を得るために引っ張り強度が高い物性をもつことが望ましく、そのような材料としては例えば銅合金が挙げられる。図12は、パワー半導体装置1がプリント配線板3に装着された状態における、嵌入部材2および嵌合部材4の拡大図である。上記したように、パワー半導体装置1の外部端子である嵌入部材2が、プリント配線板3上に実装された嵌合部材4に挿入される。このとき嵌合部材4の凸部41が嵌入部材2の凹部21の部分を挟持するため、機械的に強固な接続が得られる。また嵌入部材2の凹部21および嵌合部材4の凸部41それぞれの位置、大きさ、形状等は互いに対応しているため、嵌入部材2と嵌合部材4との接触面積を大きい。従って、電気的な損失が少なく、熱伝導性の良好な接続が得られる。つまり本実施の形態によれば、機械的、電気的および熱的にも優れた接続が得られる。<実施の形態2>実施の形態2では、パワー半導体装置1の外部端子である嵌入部材2の構成の変形例を示す。図13は、実施の形態2に係る嵌入部材2の構成図である。当該嵌入部材2は、実施の形態1の嵌入部材2図5よりも幅が広く、プレスフィット部22を複数個ここでは2個有するものである。他の構成は、実施の形態1の嵌入部材2と同様である。図14は、実施の形態2に係る嵌入部材2を備えるパワー半導体装置1が、プリント配線板3に装着された状態における、嵌入部材2および嵌合部材4の拡大図である。パワー半導体装置1を覆うモールド樹脂13には、嵌入部材2が有する2個のプレスフィット部22に対応する位置のそれぞれに、開口部14およびブッシュ15が設けられる。また、この嵌入部材2を挟持するプリント配線板3の嵌合部材4は、当該嵌入部材2の幅に合わせて幅広のものが使用される。幅の広い嵌入部材2は大きな電流を流すことが可能であるが、パワー半導体装置1の配線パターン12に接続するプレスフィット部22が一つしかない場合、幅の広い嵌入部材2内で電流分布のアンバランスが生じ、所望の電流容量が得られないことも考えられる。本実施の形態のように、嵌入部材2が複数のプレスフィット部22を有することで、嵌入部材2内で電流分布が均一になり、その問題を解決することができる。また幅の広い嵌入部材2を使用すると、幅の狭い嵌入部材2を多数設けるよりも、小面積で大電流容量化を図ることができるという利点もある。<実施の形態3>実施の形態3では、プリント配線板3に実装される嵌合部材4の構成の変形例を示す。図15はその一例を示す図であり、嵌合部材4の接合面42に位置合わせ用の突起43を設けたものである。図示は省略するが、嵌合部材4が固定されるパッド部31には、予めエッチング等により、突起43に対応する位置に位置合わせ用の窪みを設けておく。パッド部31と嵌合部材4との位置合わせが、突起43をパッド部31の窪みに合わせることによって行うことができるため、容易かつ正確な位置合わせが可能にある。図15では、嵌合部材4の接合面42に位置合わせ用の突起43を設けた例を示したが、図16のように嵌合部材4の接合面42に位置合わせ用の窪み44を設けてもよい。その場合、接合面42が固定されるパッド部31には、窪み44に対応する位置に位置合わせ用の突起を設けておく。パッド部31と嵌合部材4との位置合わせが、窪み44をパッド部31の突起に合わせることによって行うことができるため、この場合も容易かつ正確な位置合わせが可能にある。<実施の形態4>近年、高耐圧、低損失および高耐熱を実現できる次世代のスイッチング素子としては、炭化珪素SiCを代表とするワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体素子が有望視されており、インバータなどのパワー半導体装置への適用が期待されている。ワイドバンドギャップ半導体としては、SiCの他、例えば窒化ガリウムGaN系材料、ダイヤモンドなどがある。上記したように、嵌入部材2と嵌合部材4を用いた本発明に係るパワー半導体装置1とプリント配線板3との接続機構は、電気的にも熱的にも優れた接続が得られ、パワー半導体装置1の大電流化に大きく寄与できる。そのため大電流を制御するパワー半導体装置1へ適用すると、より高い効果が得られると考えられる。従って本発明を適用するパワー半導体装置1として、ワイドバンドギャップ半導体装置を採用すれば、本発明のより高い効果が期待でき、またワイドバンドギャップ半導体装置の能力を充分に引き出すことができる。