"可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板と、前記基板上に設けられた接着剤層と、前記接着剤層上に形成された可視光に対する透光性を有する導電層と、前記導電層上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に設けられたトランジスタと、前記トランジスタを覆う層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成され、前記トランジスタに設けられたソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1の電極、前記第1の電極と対向する第2の電極、及び前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた発光性の有機化合物を含む層とを備える発光素子と、前記発光素子を覆う封止層と、を有するフレキシブル発光装置。可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板と、前記基板上に設けられた接着剤層と、前記接着剤層上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に形成された可視光に対する透光性を有する導電層と、前記導電層上に形成された下地絶縁層と、前記下地絶縁層上に設けられたトランジスタと、前記トランジスタを覆う層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成され、前記トランジスタに設けられたソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1の電極、前記第1の電極と対向する第2の電極、及び前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた発光性の有機化合物を含む層とを備える発光素子と、前記発光素子を覆う封止層と、を有するフレキシブル発光装置。請求項1又は請求項2に記載の発光装置において、前記発光素子と前記トランジスタを含む画素部と、前記画素部の外側に設けられ、トランジスタを含む駆動回路部とを有し、前記画素部のトランジスタと前記駆動回路部のトランジスタが同一工程により形成されるフレキシブル発光装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記トランジスタの活性層には、結晶質シリコンが用いられているフレキシブル発光装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記トランジスタの活性層には、酸化物半導体が用いられているフレキシブル発光装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記封止層は、金属基板を含むフレキシブル発光装置。請求項6において、前記金属基板はステンレス、アルミニウム、銅、ニッケル、アルミニウム合金から選ばれる材料によりなるフレキシブル発光装置。請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、前記接着剤層は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂から選ばれる一種若しくは複数種の材料によりなるフレキシブル発光装置。請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、前記可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板と前記接着剤層との間に、防水層が形成されているフレキシブル発光装置。請求項9において、前記防水層は、珪素及び窒素を含む層またはアルミニウム及び窒素を含む層、であるフレキシブル発光装置。請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、前記可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板における前記封止層と対向する面と反対の面にコート層を有するフレキシブル発光装置。請求項11において、前記コート層は、可視光に対する透光性を有し、高硬度の層であるフレキシブル発光装置。請求項11において、前記コート層は、可視光に対する透光性を有する導電層であるフレキシブル発光装置。請求項1乃至請求項13のいずれか一項において、前記絶縁層は、珪素及び窒素を含む層であるフレキシブル発光装置。請求項1乃至請求項14のいずれか一に記載のフレキシブル発光装置を表示部に用いる電子機器。作製基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に複数のトランジスタを形成し、前記トランジスタ上に、層間絶縁層を形成し、前記層間絶縁層上に、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1の電極を形成し、前記第1の電極の端部を覆って隔壁を形成し、前記第1の電極及び前記隔壁上に仮支持基板を接着し、前記絶縁層、前記トランジスタ、前記層間絶縁層、前記第1の電極、前記隔壁、及び前記仮支持基板を、前記剥離層と前記絶縁層との間で剥離することによって前記作製基板から分離し、前記分離によって露出した前記絶縁層の表面に、可視光に対する透光性を有する導電層を形成し、前記導電層上に、接着剤層を用いて可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を接着し、前記仮支持基板を除去して、前記第1の電極の表面を露出させ、露出した前記第1の電極を覆って発光性の有機化合物を含む層を形成し、前記発光性の有機化合物を含む層を覆って第2の電極を形成し、前記第2の電極上に封止層を形成するフレキシブル発光装置の作製方法。作製基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に可視光に対する透光性を有する導電層を形成し、前記導電層上に下地絶縁層を形成し、前記下地絶縁層上に複数のトランジスタを形成し、前記トランジスタ上に、層間絶縁層を形成し、前記層間絶縁層上に、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1の電極を形成し、前記第1の電極の端部を覆って隔壁を形成し、前記第1の電極及び前記隔壁上に仮支持基板を接着し、前記絶縁層、前記導電層、前記下地絶縁層、前記トランジスタ、前記層間絶縁層、前記第1の電極、前記隔壁、及び前記仮支持基板を、前記剥離層と前記絶縁層との間で剥離することによって前記作製基板から分離し、前記分離によって露出した前記絶縁層の表面に、接着剤層を用いて可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を接着し、前記仮支持基板を除去して、前記第1の電極の表面を露出させ、露出した前記第1の電極を覆って発光性の有機化合物を含む層を形成し、前記発光性の有機化合物を含む層を覆って第2の電極を形成し、前記第2の電極上に封止層を形成するフレキシブル発光装置の作製方法。作製基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に可視光に対する透光性を有する導電層を形成し、前記導電層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に複数のトランジスタを形成し、前記トランジスタ上に、層間絶縁層を形成し、前記層間絶縁層上に、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1の電極を形成し、前記第1の電極の端部を覆って隔壁を形成し、前記第1の電極及び前記隔壁上に仮支持基板を接着し、前記絶縁層、前記導電層、前記トランジスタ、前記層間絶縁層、前記第1の電極、前記隔壁、及び前記仮支持基板を、前記剥離層と前記導電層との間で剥離することによって前記作製基板から分離し、前記分離によって露出した前記導電層の表面に、接着剤層を用いて可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を接着し、前記仮支持基板を除去して、前記第1の電極の表面を露出させ、露出した前記第1の電極を覆って発光性の有機化合物を含む層を形成し、前記発光性の有機化合物を含む層を覆って第2の電極を形成し、前記第2の電極上に封止層を形成するフレキシブル発光装置の作製方法。請求項16乃至請求項18のいずれか一項において、前記絶縁層は、プラズマCVD法によって250°C以上400°C以下の温度条件で成膜するフレキシブル発光装置の作製方法。非特許文献1の寿命の短さは、アルミニウムのフィルムで封止を行った上部からの水分の侵入は抑制されたものの、PES基板側からの水分の侵入をはばむことができなかった結果であると考えられる。フレキシブル発光装置においては、従来用いられてきたガラス基板より耐熱性の低いプラスチック基板を用いることから、緻密な高温成膜の保護膜を用いることが出来ず発光素子や発光装置の寿命が短かった。また、フレキシブル発光装置の作製において、接着剤層などの材料に有機樹脂を用いると、表示ムラが生じることがある。そこで、本発明の一態様は、寿命の長いフレキシブル発光装置を簡便に提供することを目的の一とする。また、本発明の一態様は、表示ムラが生じない良好な表示特性を有し、歩留まりが高く、信頼性の高いフレキシブル発光装置を提供することを目的の一とする。また、当該フレキシブル発光装置を用いた電子機器を提供することを目的の一とする。また、当該フレキシブル発光装置の簡便な作製方法を提供することを目的の一つとする。フレキシブル発光装置において、有機樹脂を含む接着剤層は、有機樹脂内のイオン性不純物や、作製プロセス中の静電気が原因で帯電しやすい。トランジスタは絶縁層を介して接着剤層と非常に近い位置に存在するため、有機樹脂の帯電はトランジスタを誤動作させる。具体的にはトランジスタの閾値が変動し、本来オフ状態となるゲート電圧においてトランジスタがオン状態になる現象や、本来オン状態となるゲート電圧においてトランジスタがオフ状態になる現象が発生する。その結果、表示ムラが生じてしまう。従って、上記課題は、ガラス基板など耐熱性の高い基板上に、充分に低い透水性を有するように適切な温度で保護層を形成し、トランジスタ、発光素子の電極又は発光素子など必要なものを保護層上に形成した後、それらを保護層ごと基板から剥離し、剥離によって露出した保護層の表面に可視光に対する透光性を有する導電層を形成した後、プラスチック基板に転置し、最後に封止層を形成することによって作製されたフレキシブル発光装置により解決することができる。また、上記課題は、ガラス基板など耐熱性の高い基板上に可視光に対する透光性を有する導電層を形成し、該導電層上に充分に低い透水性を有するように適切な温度で保護層を形成し、該保護層上にトランジスタや発光素子の電極若しくは発光素子など必要なものを形成した後、それらを導電層ごとプラスチック基板に転置し、最後に封止層を形成することによって作製されたフレキシブル発光装置により解決することができる。すなわち、本明細書中において開示する発明の一は、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板と、基板上に設けられた接着剤層と、接着剤層上に形成された可視光に対する透光性を有する導電層と、導電層上に位置する絶縁層と、絶縁層上に設けられたトランジスタと、トランジスタを覆う層間絶縁層と、層間絶縁層上に設けられ、トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1の電極、第1の電極と対向する第2の電極、及び第1の電極と第2の電極との間に設けられた発光性の有機化合物を含む層とを備える発光素子と、発光素子を覆う封止層と、を有するフレキシブル発光装置である。また、上記課題は、ガラス基板など耐熱性の高い基板上に充分に低い透水性を有するように適切な温度で保護層を形成し、該保護層上に可視光に対する透光性を有する導電層を形成し、該導電層上に下地絶縁層を形成し、該下地絶縁層上に、トランジスタや発光素子の電極若しくは発光素子など必要なものを形成した後、それらを保護層ごとプラスチック基板に転置し、最後に封止層を形成することによって作製されたフレキシブル発光装置により解決することができる。すなわち、本明細書中において開示する発明の一は、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板と、基板上に設けられた接着剤層と、接着剤層上に位置する絶縁層と、絶縁層上に形成された可視光に対する透光性を有する導電層と、導電層上に形成された下地絶縁層と、下地絶縁層上に設けられたトランジスタと、トランジスタを覆う層間絶縁層と、層間絶縁層上に形成され、トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1の電極、第1の電極と対向する第2の電極、及び第1の電極と第2の電極との間に設けられた発光性の有機化合物を含む層とを備える発光素子と、発光素子を覆う封止層と、を有するフレキシブル発光装置である。また、本明細書中において開示する発明の一は、上記に記載のフレキシブル発光装置において、発光素子とトランジスタを含む画素部と、画素部の外側に設けられ、トランジスタを含む駆動回路部を有し、画素部のトランジスタと駆動回路部のトランジスタが同一工程により形成されるフレキシブル発光装置である。また、本明細書中において開示する発明の一は、上記に記載のフレキシブル発光装置において、トランジスタの活性層には、結晶質シリコンが用いられているフレキシブル発光装置である。また、本明細書中において開示する発明の一は、上記に記載のフレキシブル発光装置において、トランジスタの活性層には、酸化物半導体が用いられているフレキシブル発光装置である。また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において封止層は、金属基板を含むフレキシブル発光装置である。ここで、金属基板としては、ステンレス、アルミニウム、銅、ニッケル、アルミニウム合金から選ばれる材料を用いることが好ましい。また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において接着剤層が、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂から選ばれる一種若しくは複数種の材料によりなるフレキシブル発光装置である。また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板と接着剤層との間に、防水層が形成されているフレキシブル発光装置である。ここで、防水層は、珪素及び窒素を含む層もしくはアルミニウム及び窒素を含む層、であることが好ましい。また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板における封止層と対向する面と反対の面に、コート層を有するフレキシブル発光装置である。また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成においてコート層は、可視光に対する透光性を有し、高硬度の層であるフレキシブル発光装置である。また、上記構成においてコート層は、可視光に対する透光性を有する導電層であるフレキシブル発光装置である。また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において絶縁層は、珪素及び窒素を含む層であるフレキシブル発光装置である。また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成のフレキシブル発光装置を表示部に用いる電子機器である。また、本明細書中において開示する発明の一は、作製基板上に剥離層を形成し、剥離層上に絶縁層を形成し、絶縁層上に複数のトランジスタを形成し、トランジスタ上に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層上にトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1の電極を形成し、第1の電極の端部を覆って隔壁を形成し、第1の電極及び隔壁上に仮支持基板を接着し、絶縁層、トランジスタ、層間絶縁層、第1の電極、隔壁、及び仮支持基板を、剥離層と絶縁層との間で剥離することによって作製基板から分離し、分離によって露出した絶縁層の表面に、可視光に対する透光性を有する導電層を形成し導電層上に、接着剤層を用いて可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を接着し、仮支持基板を除去して、第1の電極の表面を露出させ、露出した第1の電極を覆って発光性の有機化合物を含む層を形成し、発光性の有機化合物を含む層を覆って第2の電極を形成し、第2の電極上に封止層を形成するフレキシブル発光装置の作製方法である。また、本明細書中において開示する発明の一は、作製基板上に剥離層を形成し、剥離層上に絶縁層を形成し、絶縁層上に可視光に対する透光性を有する導電層を形成し、導電層上に下地絶縁層を形成し、下地絶縁層上に複数のトランジスタを形成し、トランジスタ上に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層上に、トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1の電極を形成し、第1の電極の端部を覆って隔壁を形成し、第1の電極及び前記隔壁上に仮支持基板を接着し、絶縁層、導電層、下地絶縁層、トランジスタ、層間絶縁層、第1の電極、隔壁、及び仮支持基板を、剥離層と絶縁層との間で剥離することによって作製基板から分離し、分離によって露出した絶縁層の表面に、接着剤層を用いて可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を接着し、仮支持基板を除去して、第1の電極の表面を露出させ、露出した第1の電極を覆って発光性の有機化合物を含む層を形成し、発光性の有機化合物を含む層を覆って第2の電極を形成し、第2の電極上に封止層を形成するフレキシブル発光装置の作製方法である。また、本明細書中において開示する発明の一は、作製基板上に剥離層を形成し、剥離層上に可視光に対する透光性を有する導電層を形成し、導電層上に絶縁層を形成し、絶縁層上に複数のトランジスタを形成し、トランジスタ上に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層上にトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1の電極を形成し、第1の電極の端部を覆って隔壁を形成し、第1の電極及び前記隔壁上に仮支持基板を接着し、絶縁層、導電層、トランジスタ、層間絶縁層、第1の電極、隔壁、及び仮支持基板を、剥離層と導電層との間で剥離することによって作製基板から分離し、分離によって露出した導電層の表面に、接着剤層を用いて可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を接着し、仮支持基板を除去して、第1の電極の表面を露出させ、露出した第1の電極を覆って発光性の有機化合物を含む層を形成し、発光性の有機化合物を含む層を覆って第2の電極を形成し、第2の電極上に封止層を形成するフレキシブル発光装置の作製方法である。また、本明細書中において開示する発明の一は、絶縁層は、プラズマCVD法によって250°C以上400°C以下の温度条件で成膜するフレキシブル発光装置の作製方法である。本発明の一態様は、寿命の長いフレキシブル発光装置を簡便に提供することができる。また、本発明の一態様は、表示ムラが生じず、良好な表示特性を有し、歩留まりが高く、信頼性の高いフレキシブル発光装置を提供することができる。また、当該フレキシブル発光装置を用いた電子機器を提供することができる。また、当該フレキシブル発光装置の簡便な作製方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置及び本発明の一態様の発光装置の作製方法について説明する。まず、本実施の形態の発光装置を、図1を用いて説明する。図1ABは、フレキシブル発光装置の例である。図1ABに示すフレキシブル発光装置は、プラスチック基板110、第1の接着剤層111、可視光に対する透光性を有する導電層130、保護層112、下地絶縁層113、画素部トランジスタ114、駆動回路部トランジスタ115、発光素子127第1の電極117、発光性の有機化合物を含む層以下、ELElectroluminescence層と記す119、第2の電極120を含む、隔壁118、第1の層間絶縁層128、第2の層間絶縁層129、及び封止層121を有する。図1ABに示すフレキシブル発光装置の構成の違いは、図1Aでは、プラスチック基板110と可視光に対する透光性を有する導電層130とが、第1の接着剤層111によって接着され、可視光に対する透光性を有する導電層130上に保護層112が形成されているが、図1Bでは、プラスチック基板110と保護層112とが、第1の接着剤層111によって接着され、保護層112上に可視光に対する透光性を有する導電層130が形成されている点である。本実施の形態のフレキシブル発光装置は、第1の接着剤層111の材料に有機樹脂を用いるため、有機樹脂の帯電有機樹脂内のイオン性不純物による帯電や、作製プロセス中で生じる静電気による帯電が生じやすい。しかし、図1ABに示すように、本実施の形態のフレキシブル発光装置は、第1の接着剤層111とトランジスタとの間に、可視光に対する透光性を有する導電層130を有するため、有機樹脂の帯電が原因で起こるトランジスタの誤動作を抑制し、表示ムラを防ぐことができる。ここで、表示ムラとしては、例えば、発光素子を発光させず、黒を表示する場合に、本来発光しないはずの発光素子の一部もしくは大部分が発光してしまうことでコントラスト比が低下する現象などが挙げられる。また、図1Aに示すフレキシブル発光装置は、保護層112上に、下地絶縁層113、画素部トランジスタ114、駆動回路部トランジスタ115、画素部トランジスタ114に電気的に接続する発光素子の第1の電極117、及び第1の電極117の端部を覆う隔壁118が設けられており、図1Aではそれらの一部が示されている。図1Bに示すフレキシブル発光装置は、可視光に対する透光性を有する導電層130上に、下地絶縁層113、画素部トランジスタ114、駆動回路部トランジスタ115、画素部トランジスタ114に電気的に接続する発光素子の第1の電極117、及び第1の電極117の端部を覆う隔壁118が設けられており、図1Bではそれらの一部が示されている。発光素子127は隔壁118から露出した第1の電極117と、それを少なくとも覆って形成された発光性の有機化合物を含むEL層119及びEL層119を覆って設けられた第2の電極120を有する。第2の電極120上には封止層121が形成されている。なお、駆動回路部は必ずしも設ける必要はない。また、さらにCPU部を有していても良い。図1ABにおいて、被剥離層116は、保護層112、可視光に対する透光性を有する導電層130、下地絶縁層113、画素部トランジスタ114、駆動回路部トランジスタ115、第1の層間絶縁層128、第2の層間絶縁層129、第1の電極117及び隔壁118を少なくとも含む構成としたが、これは作製がしやすい一例を示したものであり、被剥離層116を構成する要素はこれに限らない。本実施の形態における発光装置は、ガラスやセラミックなど耐熱性の高い作製基板上に、剥離層を介して保護層112を含む被剥離層116を形成した後、剥離層を境に作製基板と被剥離層116とを分離して、分離した被剥離層116を、接着剤を用いてプラスチック基板110上に接着して作製される。よって、透水性の高いプラスチック基板110側に充分に透水性の低い保護層112を設けることができる。このため、本実施の形態における発光装置はプラスチック基板110と保護層112との間に第1の接着剤層111が存在する。本明細書においてプラスチック基板とは、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板のことである。プラスチック基板110としては、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板であれば特に限定はないが、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネートPC樹脂、ポリエーテルスルホンPES樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、などを好適に用いることができる。プラスチック基板は熱膨張係数の低い材料からなることが好ましい。よって、熱膨張係数が30×10-6以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PETなどを好適に用いることができる。また、ガラス繊維に樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。光の取り出し効率向上のため、プラスチック基板の屈折率は高い方が好ましい。例えば、有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂のみからなる基板よりも屈折率の高い基板を実現できる。特に粒子径40nm以下の小さな無機フィラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。また、プラスチック基板の大気側表面には、凹凸を形成することが好ましい。プラスチック基板の大気側表面に凹凸を形成することで、基板の表面で全反射して大気に取り出せなかった発光素子からの光の成分を取り出すことが可能になり、光の取り出し効率を向上させることができる。また、プラスチック基板110は、上記材料に、防汚フィルムや、光取り出し効率を向上させることのできる凹凸フィルムなどを組み合わせた構成としても良い。第1の接着剤層111は可視光に対する透光性を有する材料で形成する。例えば、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂などが用いられている。第1の接着剤層111は、透湿性の低い材料を用いることが好ましく、特にエポキシ樹脂などを好適に用いることができる。第1の接着剤層111の材料は上記に挙げたように有機樹脂を用いる。しかし、有機樹脂は、有機樹脂内のイオン性不純物や、作製プロセス中の静電気が原因で、帯電しやすい。トランジスタは絶縁層を介して第1の接着剤層111と非常に近い位置に存在するため、有機樹脂の帯電は、トランジスタを誤動作させることがある。しかしながら、本実施の形態のフレキシブル発光装置は、第1の接着剤層111とトランジスタとの間に、可視光に対する透光性を有する導電層130を有するため、有機樹脂の帯電が原因で起こるトランジスタの誤動作を抑制し、表示ムラを防ぐことができる。第1の接着剤層111の熱伝導性を高めるため、樹脂の中に熱伝導性のフィラーを分散させて使用しても良い。熱伝導性のフィラーを分散させた第1の接着剤層111の熱伝導率は、0.50W/mK以上であることが好ましい。さらに好ましくは1.0W/mK以上である。熱伝導性のフィラーとしては、第1の接着剤層に用いる上記樹脂よりも熱伝導率が高い材料を用いる。特に好ましくは、熱伝導率が30W/mK以上の材料を用いる。例えば、熱伝導率が260W/mKであるアルミニウム、300W/mKである窒化アルミニウム、36W/mKであるアルミナ、窒化ホウ素、窒化珪素等が挙げられる。また、その他の熱伝導性フィラーとしては、例えば、銀、熱伝導率が388W/mKである銅等の金属粒子がある。また、熱伝導性フィラーに、乾燥剤として機能するフィラーを用いると、第1の接着剤層111は、熱伝導性に加え耐湿性が向上するため、好ましい。また、熱伝導性のフィラーと乾燥剤として機能するフィラーを混合して用いても良い。乾燥剤として機能するフィラーとしては、例えばゼオライトが挙げられる。なお、曲げ性を損なわないため、第1の接着剤層111に用いるフィラーの粒子径は1nm以上1000nm以下であることが好ましい。フィラーの粒子径が大きいと、曲げた際に欠陥やクラックの起点となってしまうことがある。保護層112は透水性が低く、且つ可視光に対する透光性を有する材料で形成する。例えば、窒化珪素層や窒化酸化珪素層、酸化窒化珪素層などが挙げられ、窒素と珪素を含む絶縁層を用いることが好ましい。また、酸化アルミニウム層を用いても良い。屈折率の高いプラスチック基板110を用いる場合は、第1の接着剤層111及び保護層112の屈折率も高い方が好ましい。屈折率は、プラスチック基板110の屈折率<第1の接着剤層111の屈折率<保護層112の屈折率<第1の電極117の屈折率という順で高いことが好ましい。例えば、第1の電極117に好適に用いることのできるインジウム錫酸化物ITO:IndiumTinOxideやアルミニウムを添加した酸化亜鉛AZOの屈折率は、1.8~2.1のため、プラスチック基板110、第1の接着剤層111及び保護層112の屈折率は、1.6以上であることが好ましい。更に好ましくは、1.6以上1.8以下である。第1の接着剤層111は、例えば、有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂のみからなる接着剤層よりも屈折率を向上させることができる。特に粒子径40nm以下の小さな無機フィラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。また、保護層112は、例えば、可視光に対する透光性を有する窒化酸化珪素層などを好適に用いることができる。可視光に対する透光性を有する導電層130としては、例えば、酸化インジウム、酸化錫、ITO、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物、酸化アンチモンなどが挙げられる。また、可視光に対する透光性を有する導電層130として、薄い金属例えば、銀等を用いても良い。また、可視光に対する透光性を有する導電層130に、電圧を印加し、その電位を制御しても良い。例えば、可視光に対する透光性を有する導電層130の電位を接地電位とすることで、有機樹脂の帯電を防ぐ効果をより得ることができる。封止層121としては、例えば、防湿性の高い窒化珪素、窒化酸化硅素、酸化アルミニウムなどを単層又は積層で用いる。また、防湿性の高い窒化珪素、窒化酸化硅素、酸化アルミニウムなどの無機膜と、有機膜を積層することで封止を行っても良い。また、封止層121に金属基板を用いると、低コストで高い信頼性が得られるため好ましい。また、前述の防湿性の高い無機膜の上に金属基板を設けても良い。また、これらと共に、乾燥剤を用いて封止を行っても良い。このような構成を有する本実施の形態におけるフレキシブル発光装置は、透水性の高いプラスチック基板側に当該プラスチック基板の耐熱温度以上の温度をかけて作製した、透水性の充分に低い保護層を設けていることから、プラスチック基板側から侵入する水分の影響を有効に低減することができ、長寿命の発光装置を実現できる。また、本実施の形態におけるフレキシブル発光装置は、第1の接着剤層とトランジスタとの間に、可視光に対する透光性を有する導電層を有することから、有機樹脂の帯電有機樹脂内のイオン性不純物による帯電や、作製プロセス中の静電気による帯電が原因で起こるトランジスタの誤動作を抑制することができる。よって、本実施の形態におけるフレキシブル発光装置は、表示ムラが生じず、良好な表示特性を有し、歩留まりが高く信頼性の高いフレキシブル発光装置であるということができる。作製基板上に形成する被剥離層には保護層の他、トランジスタや発光素子等を作り込んでおいても良い。トランジスタとしては、アモルファスシリコンを用いたトランジスタや酸化物半導体を用いたトランジスタなど高い熱をかけずに作製できるものはもちろん、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタを作製できることによって結晶質シリコンなど、ある程度の加熱やレーザ処理が必要な結晶質半導体層を用いたトランジスタも作製が可能である。このことから、本実施の形態のフレキシブル発光装置は、結晶質半導体を用いたトランジスタを有するアクティブマトリクス型のフレキシブル発光装置とすることができる。また、駆動回路部やCPUを画素部と同じ基板上に作り込むことで、別途駆動回路やCPUを装着するよりもコスト面や作製工程面で非常に有利なフレキシブル発光装置を作製することも可能となる。また、図1Cに示すように、プラスチック基板と発光素子を挟んで反対側に位置する封止基板として、充分な可撓性を有し、透水性の低い金属基板123を用いることによって、封止基板側からの水分の侵入の影響も良好に抑えることが可能である。図1Cに示したフレキシブル発光装置は保護層112及び金属基板123が設けられているため、プラスチック基板面と金属基板面の両面から水分の侵入を抑制でき、長寿命の発光装置を実現できる。金属基板123は可撓性を得るために、厚さが10μm以上200μm以下のものを用いる。なお、曲げ性を損なわないため、20μm以上50μm以下の厚さが好ましい。金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、アルミニウム、銅、ニッケル、またはアルミニウム合金若しくはステンレスなどの金属の合金などを好適に用いることができる。なお、金属基板を構成する材料は、接着する前に、真空中でのベークやプラズマ処理を行うことによって、その表面に付着した水を取り除いておくことが好ましい。金属基板123は充分に低い透水性と充分な可撓性を有するが、この範囲の膜厚では可視光に対する透光性を有さないため、図1Cに示した発光装置はトランジスタが設けられたプラスチック基板110側から発光を取り出すいわゆるボトムエミッション型の発光装置となる。なお、金属基板123はプラスチック基板110と同様に、接着剤層を介して発光素子127と接着されるため、発光素子127の第2の電極120と金属基板123との間には第2の接着剤層122が存在する。第2の接着剤層122の材料としては、第1の接着剤層111と同様の材料を用いることができる。例えば、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの接着剤を用いることができる。これら接着剤の材質としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂などが用いられている。第2の接着剤層122の熱伝導性を高めるため、樹脂の中に熱伝導性のフィラーを分散させて使用しても良い。熱伝導性のフィラーを分散させた第2の接着剤層122の熱伝導率は、0.50W/mK以上であることが好ましい。さらに好ましくは1.0W/mK以上である。熱伝導性のフィラーとしては、第2の接着剤層に用いる、上記樹脂よりも熱伝導率が高い材料を用いる。特に好ましくは、熱伝導率が30W/mK以上の材料を用いる。例えば、熱伝導率が260W/mKであるアルミニウム、300W/mKである窒化アルミニウム、36W/mKであるアルミナ、窒化ホウ素、窒化珪素等が挙げられる。また、その他の熱伝導性フィラーとしては、例えば、銀、熱伝導率が388W/mKである銅等の金属粒子がある。また、熱伝導性フィラーに、乾燥剤として機能するフィラーを用いると、第2の接着剤層122は、熱伝導性に加え耐湿性が向上するため、好ましい。また、熱伝導性のフィラーと乾燥剤として機能するフィラーを混合して用いても良い。乾燥剤として機能するフィラーとしては、例えばゼオライトが挙げられる。なお、曲げ性を損なわないため、第2の接着剤層122に用いるフィラーの粒子径は1nm以上1000nm以下であることが好ましい。フィラーの粒子径が大きいと、曲げた際に欠陥やクラックの起点となってしまうことがある。金属基板123の接着は、ラミネーターを用いて行うこともできる。例えば、まずシート状の接着剤を、ラミネーターを用いて金属基板に貼り合わせておき、それを、ラミネーターを用いてさらに発光素子上に接着する方法や、スクリーン印刷などで金属基板に接着剤を印刷しておき、それを、ラミネーターを用いて発光素子上に接着する方法などがある。この工程は、気泡が入るのを低減するため、減圧下で行うことが好ましい。また、金属基板123上に樹脂層を形成しても良い。樹脂層を設けることで、金属基板123にかかる押圧を分散し、金属基板123を保護することができる。樹脂層は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂から選ばれる一種若しくは複数種の樹脂材料、またはポリプロピレン、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリエーテルケトン、フッ素樹脂、ポリエチレンナフタレート等の熱可塑性樹脂から選ばれる一種若しくは複数種の樹脂材料を用いて形成することができる。また、樹脂層に繊維体を含んでも良い。金属基板123として、20μm以下の薄い金属箔を用いると、金属基板123は折れ座屈しやすくなる。曲げ性を保ちつつ、折れを防止するために例えばガラス繊維に樹脂を充填した材料を形成し、繊維体を含んだ樹脂層を設けても良い。繊維体を含んだ樹脂層を設けることで、曲げ及び折れに強いフレキシブル発光装置を作製することができる。繊維体としては、例えば、ガラス繊維が好ましい。繊維体を含んだ樹脂層の形成方法としては、樹脂の充填されたガラス繊維を接着剤で貼り付ける方法、ガラス繊維に接着剤を充填した半硬化状態のものを金属基板123の上に設置した後、硬化させる方法等がある。また、金属基板123もしくは樹脂層上に、放熱材料層を形成しても良い。放熱材料層は、金属基板123や樹脂層に用いる材料よりも熱放射率の高い材料を用いて形成する。放熱材料層としては、熱放射率が0.8以上の材料を用いる。さらに好ましくは、熱放射率が0.9以上の材料を用いる。放熱材料層を設けることで、発光装置の表面温度の上昇を抑制でき、発熱による発光装置の駆動電圧の上昇や破壊、信頼性低下を防ぐことができる。なお、本明細書中において、熱放射率とは、ある温度の物質の表面から放射されるエネルギー量の、同じ温度の黒体放射で与えられたエネルギーを100吸収する仮想の物質から放射されるエネルギー量に対する比率を示す。また、図1Cに示すように、プラスチック基板110の発光素子等が設けられている面と逆の面側にコート層124を設けても良い。コート層124は、有機膜、無機膜、若しくはその両方を用いた積層膜など、様々な材料で形成することができ、柔らかいプラスチック基板110の表面を傷などから保護することができるハードコート層例えば窒化珪素層などや、押圧を分散可能な材質の層例えばアラミド樹脂層等などを指すものとする。また、コート層124として、可視光に対する透光性を有する導電膜を用いると、プラスチック基板110の帯電を防止することができ、さらに好ましい。コート層124に用いる可視光に対する透光性を有する導電膜の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化錫、ITO、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物、酸化アンチモンなどが挙げられる。コート層124は、スパッタ法、印刷法、真空蒸着法などを用いて形成することができる。可視光に対する透光性を有する導電膜で形成されたコート層124を用いることで、プラスチック基板110に、静電気を帯びた人体の手、指などが触れ、放電が起きても、トランジスタや画素部を保護することができる。また、プラスチック基板110を覆うように側面にまでコート層124を設けると、水分の侵入を抑制する保護層としても機能させることができる。また、プラスチック基板110として予め防水層125が成膜された基板を用いることにより、さらに水分の侵入を抑制した構造としても良い。防水層125は、透水性の低い材料を用いて形成すれば良く、例えば窒化珪素層や窒化酸化珪素層など、窒素及び珪素を含む層を用いることができる。また、窒素及びアルミニウムを含む層や、酸化アルミニウム層を用いても良い。なお、コート層124及び防水層125は、どちらか一つを適用しても良いし、両方を適用してもよい。また、図1Cでは、コート層124及び防水層125を図1Aのフレキシブル発光装置に適用する例を示したが、これらの構成はもちろん図1Bのフレキシブル発光装置に適用することもできる。図1A乃至Cにおいて、発光素子127は一つしか示されていないが、画像を表現するディスプレイ用途で本実施の形態におけるフレキシブル発光装置を用いる場合は、複数の発光素子127を有する画素部を形成する。また、フルカラーの画像を表示する場合には、少なくとも赤、緑、青の3色の光を得ることが必要となる。その方法としては、色ごとにEL層119の必要な部分を塗り分けする方法、すべての発光素子を白色発光としてカラーフィルタ層を透過させることによって各々の色を得る方法、全ての発光素子を青もしくはそれより波長の短い発光とし色変換層を介して各々の色を得る方法などがある。図2A乃至Dに本実施の形態のカラーフィルタ層又は色変換層の設置方法について説明する図を示す。図2A乃至Dに示すフレキシブル発光装置は、カラーフィルタ層又は色変換層300、及びバリア層301を有する。バリア層301はカラーフィルタ層又は色変換層300から発生するガスの影響を発光素子やトランジスタが受けないようにするために設置されるが、これは必ずしも設ける必要はない。カラーフィルタ層又は色変換層300は発光素子127に対応し、色ごとに設けられるが、隣り合う色のカラーフィルタ層同士は、発光素子127の開口領域第1の電極、EL層、及び第2の電極が直接重なっている部分以外の場所において重なっていても良い。カラーフィルタ層又は色変換層300とバリア層301は画素部のみに形成しても、駆動回路部まで形成してもよい。図2Aでは、トランジスタの電極307を形成した後、トランジスタの層間絶縁層304上にカラーフィルタ層300を形成し、有機絶縁膜によりカラーフィルタ層による段差を平坦化する平坦化層306を形成する。その後、平坦化層306にコンタクトホールを形成し、発光素子の第1の電極117とトランジスタの電極307を接続する電極305を形成して、発光素子の第1の電極117を設けた一例である。また、平坦化層306上にバリア層301を設けても良い。また、図2Bのように層間絶縁層304の下にカラーフィルタ層300を設けてもよい。図2Bでは、バリア層301を形成した後、バリア層301上にカラーフィルタ層300を形成する。その後、層間絶縁層304及びトランジスタの電極305を形成して、発光素子の第1の電極117を設けた一例である。なお、図2A乃至Dでは1色のカラーフィルタ層又は色変換層しか示していないが、発光装置においては、赤、青及び緑のカラーフィルタ層又は色変換層が適宜所定の配置及び形状で形成されている。カラーフィルタ層又は色変換層の配列パターンは、ストライプ配列、斜めモザイク配列、三角モザイク配列などがあるが、どのような配列をとっても良い。また、白色発光素子とカラーフィルタ層を用いる場合、RGBW4画素配列を採用しても良い。RGBW4画素配列は、赤、青、緑3色のカラーフィルタ層が設けられた画素と、カラーフィルタ層を設けない画素とを有する画素配置であり、消費電力の低減などに効果を発揮する。また、白色発光素子は例えば赤、青及び緑色の光を含み、NTSCNationalTelevisionStandardsCommitteeで定められた赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成であることが好ましい。カラーフィルタ層は公知の材料を用いて形成することができる。カラーフィルタ層のパターンは、感光性の樹脂を使う場合はカラーフィルタ層そのものを露光及び現像して形成してもよいが、微細なパターンであるため、ドライエッチングによってパターンを形成することが好ましい。図2Cは、カラーフィルタ層300が設けられたカラーフィルタ基板302を設置する構成の例である。カラーフィルタ基板302のカラーフィルタ層300が形成されていない面をプラスチック基板110に第1の接着剤層111を用いて貼り合わせる場合、カラーフィルタ基板302には、カラーフィルタ層300を傷などから保護する為のコート層303を設けていても良い。コート層303は可視光に対する透光性を有する材料で構成し、コート層124と同じ材料を用いることができる。また、図示していないがカラーフィルタ基板302のカラーフィルタ層300が形成された側をプラスチック基板110側に向けて貼り合わせても良い。なお、カラーフィルタ基板302とは、可撓性及び可視光に対する透光性を有する各種基板、例えばプラスチック基板110と同様の材料にカラーフィルタ層300を形成したものである。図2Dは、あらかじめカラーフィルタ層300をプラスチック基板110に設けて作製したカラーフィルタ基板302を、第1の電極を有する被剥離層116に直に貼り合わせる構成の例である。カラーフィルタ層300を設けたプラスチック基板110からなるカラーフィルタ基板302を、第1の電極を有する被剥離層116に直に貼り合わせることにより、部品点数を削減し作製コストが低減できる。以上、簡単にカラーフィルタ層又は色変換層の設置について説明したが、この他、各発光素子の間にブラックマトリクスが設けられていても良いし、その他公知の構成が適用されていても良い。続いて、一例として、トランジスタを有する本実施の形態におけるフレキシブル発光装置の作製方法を図3A乃至E及び図1A、Cを用いて説明する。まず、絶縁表面を有する作製基板200上に剥離層201を介して、トランジスタ及び第1の電極117等を含む被剥離層116を形成する図3A参照。作製基板200としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、表面に絶縁層が形成された金属基板など、良質な保護層を形成することができる程度に耐熱性の高い基板を用いることができる。作製基板は、通常のディスプレイ作製に用いられるような可撓性の小さい基板を用いていることから、高精細に画素部トランジスタを設けることもできる。剥離層201は、スパッタリング法やプラズマCVD法、塗布法、印刷法等により、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、珪素から選択された元素、又は該元素を主成分とする合金材料、又は該元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層で形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。なお、ここでは、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法、ノズルプリンティング法、スロットダイコーティング法を含む。剥離層201が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。剥離層201が積層構造の場合、好ましくは、1層目としてタングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、2層目として、タングステン、モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化物又は窒化酸化物を含む層を形成する。剥離層201として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。これは、タングステンの窒化物、酸化窒化物及び窒化酸化物を含む層を形成する場合も同様であり、タングステンを含む層を形成後、その上層に窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸化珪素層を形成するとよい。さらには、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素ガス、窒素ガス、一酸化二窒素ガス、あるいはこれらガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。被剥離層116としては、まず、剥離層201上に保護層112を形成する。保護層112は窒化珪素や酸化窒化珪素、窒化酸化珪素など、窒素と珪素を含む絶縁層をプラズマCVDにより形成し、その成膜温度を250°C~400°C、及びその他の条件を公知の条件にすることによって、緻密で非常に透水性の低い層とすることができる。次に、この後作製するトランジスタの特性安定化のため下地絶縁層113を形成する。下地絶縁層113は、酸化珪素や窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素などの無機絶縁層を用い、単層若しくは積層にて作製することができる。なお、保護層112が下地となる絶縁層を兼ねることが出来る場合は、下地絶縁層113は形成しなくとも良い。トランジスタが有する半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質アモルファス、以下ASともいう半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶セミアモルファス若しくはマイクロクリスタルとも呼ばれる。以下SASともいう半導体、有機材料を主成分とする半導体などを用いることができる。半導体層はスパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等により成膜することができる。微結晶半導体は、ギブスの自由エネルギーを考慮すれば非晶質と単結晶の中間的な準安定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対して法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルが単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す520cm-1とアモルファスシリコンを示す480cm-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手ダングリングボンドを終端するため水素またはハロゲンを1原子以上含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体層が得られる。この微結晶半導体層は、周波数が数十MHz~数百MHzの高周波プラズマCVD法、または周波数が1GHz以上のマイクロ波プラズマCVD法により形成することができる。例えば、SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4などを水素で希釈して形成することができる。これらの化合物に対して水素の流量比を5倍以上200倍以下、好ましくは50倍以上150倍以下、更に好ましくは100倍とする。また、水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して微結晶半導体層を形成することができる。アモルファス半導体としては、例えば水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては例えばポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン多結晶シリコンには、800°C以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、600°C以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶半導体又は一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。また、半導体層の材料としてはシリコン、ゲルマニウムなどの単体のほか、GaAs、InP、SiC、ZnSe、GaN、SiGeなどのような化合物半導体も用いることができる。また酸化物半導体である酸化亜鉛、酸化スズ、酸化マグネシウム亜鉛、酸化ガリウム、酸化インジウム、及び上記酸化物半導体の複数より構成される酸化物半導体などを用いることができる。例えば、酸化亜鉛と酸化インジウムと酸化ガリウムとから構成される酸化物半導体なども用いることができる。なお、酸化亜鉛を半導体層に用いる場合、ゲート絶縁層をY2O3、Al2O3、TiO2、それらの積層などを用いるとよく、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層としては、ITO、アルミニウム、チタン、タングステンなどを用いるとよい。また、酸化亜鉛にインジウムやガリウムなどを添加することもできる。なお、半導体層に可視光に対する透光性を有する酸化物半導体層を利用した透明トランジスタを、画素部のトランジスタに適用することもできる。このような透明トランジスタに発光素子を重ねて形成すると、画素に占める発光素子の面積率、いわゆる開口率を高めることができ、高輝度で高解像度のフレキシブルな表示装置を形成できる。また、透明トランジスタのゲート電極、ソース電極やドレイン電極を、可視光に対する透光性を有する導電層を用いて形成すると、さらに開口率を高めることができる。半導体層に、結晶性半導体層を用いる場合、その結晶性半導体層の作製方法は、種々の方法レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた熱結晶化法等を用いれば良い。また、SASである微結晶半導体をレーザ照射して結晶化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下500°Cで1時間加熱することによって非晶質珪素膜の含有水素濃度を1×1020atoms/cm3以下にまで放出させる。これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されてしまうからである。非晶質半導体層への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体層の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、CVD法、プラズマ処理法プラズマCVD法も含む、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体層の表面の濡れ性を改善し、非晶質半導体層の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのUV光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。また、非晶質半導体層を結晶化し、結晶性半導体層を形成する結晶化工程で、非晶質半導体層に結晶化を促進する元素触媒元素、金属元素とも示すを添加し、熱処理550°C~750°Cで3分~24時間により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長促進する元素としては、鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅及び金から選ばれた一種又は複数種を用いることができる。結晶化を助長する元素を結晶性半導体層から除去、又は低減するため、結晶性半導体層に接して、不純物元素を含む半導体層を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不純物元素としては、n型を付与する不純物元素、p型を付与する不純物元素や希ガス元素などを用いることができ、例えばリン、窒素、ヒ素、アンチモン、ビスマス、ボロン、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンから選ばれた一種または複数種を用いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体層に、希ガス元素を含む半導体層を形成し、熱処理550°C~750°Cで3分~24時間を行う。結晶性半導体層中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体層中に移動し、結晶性半導体層中の結晶化を促進する元素は除去、又は低減される。その後、ゲッタリングシンクとなった希ガス元素を含む半導体層を除去する。非晶質半導体層の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。また、結晶性半導体層を、直接作製基板の下地絶縁層上にプラズマ法により形成しても良い。また、プラズマ法を用いて、結晶性半導体層を選択的に作製基板の下地絶縁層上に形成してもよい。有機材料を主成分とする半導体層としては、他の元素と組み合わせて一定量の炭素または炭素の同素体ダイヤモンドを除くからなる物質を主成分とする半導体層を用いることができる。具体的には、ペンタセン、テトラセン、チオフェンオリゴマ誘導体、フェニレン誘導体、フタロシアニン化合物、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、シアニン色素等が挙げられる。ゲート絶縁層、ゲート電極は公知の構造、方法により作製すれば良い。例えばゲート絶縁層は酸化珪素の単層又は酸化珪素と窒化珪素との積層構造など、公知の構造で作製すればよいし、ゲート電極は、CVD法やスパッタ法、液滴吐出法などを用い、銀、金、銅、ニッケル、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、タングステン、アルミニウム、タンタル、モリブデン、カドミウム、亜鉛、鉄、チタン、珪素、ゲルマニウム、ジルコニウム、バリウムから選ばれた元素、又は該元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン層に代表される半導体層や、Ag-Pd-Cu合金を用いてもよい。また、単層構造でも複数層の構造でもよい。なお、図1においては、トップゲートのトランジスタの一例を示したが、もちろんその他、ボトムゲートや公知の他の構造のトランジスタを用いても構わない。続いて、層間絶縁層を形成する。層間絶縁層は無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて、単層又は積層で形成することができる。有機絶縁材料としては、例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン等を使用することができる。なお、図1では、第1の層間絶縁層128及び第2の層間絶縁層129の2層から成る構成を示したが、これは一例を示したものであり、層間絶縁層の構成はこれに限定されるものではない。層間絶縁層を形成したら、パターニング及びエッチングを行うことによって、層間絶縁層、ゲート絶縁層などにトランジスタの半導体層に達するコンタクトホールを形成し、導電性の金属膜をスパッタ法又は真空蒸着法によって成膜してエッチングによってトランジスタの電極及び配線を形成する。画素部トランジスタのドレイン電極は画素電極である第1の電極と重なる部分を設け、電気的な接続が得られるように形成する。続いて、可視光に対する透光性を有する導電層を用いて第1の電極117を形成する。第1の電極117が陽極である場合、可視光に対する透光性を有する導電層は、酸化インジウムIn2O3やITOなどを材料として用い、スパッタ法や真空蒸着法などで形成することができる。酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3-ZnOを用いても良い。また、酸化亜鉛も適した材料であり、さらに可視光の透過率や導電率を高めるためにガリウムを添加した酸化亜鉛ZnO:Gaなどを用いることができる。第1の電極117を陰極とする場合には、アルミニウムなど仕事関数の低い材料の極薄膜を用いるか、そのような物質の薄膜と上述のような可視光に対する透光性を有する導電層との積層構造を用いることによって作製することができる。また、アルミニウムを添加した酸化亜鉛AZOのように、屈折率が有機EL材料と近い材料を用いて第1の電極117を形成すると、光の取り出し効率が向上するため好ましい。その後、層間絶縁層、第1の電極117を覆って有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて絶縁層を形成し、当該絶縁層を第1の電極117の表面が露出し且つ第1の電極117の端部を覆うように加工して隔壁118を形成する。以上のような工程により、被剥離層116を形成することができる。続いて、被剥離層116と仮支持基板202とを剥離用接着剤203を用いて接着し、剥離層201を用いて被剥離層116を作製基板200より剥離する。これにより被剥離層116は、仮支持基板202側に設けられる。続いて、作製基板200から剥離され、剥離層201、若しくは保護層112が露出した被剥離層116に、可視光に対する透光性を有する導電層130を形成する図3B参照。可視光に対する透光性を有する導電層130としては、前述した通りの材料を用いることができる。可視光に対する透光性を有する導電層130は、スパッタ法、印刷法、真空蒸着法などを用いて形成することができる。仮支持基板202は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよいし、フィルムのような可撓性基板を用いても良い。また、ここで用いる剥離用接着剤203は、水や溶媒に可溶なものや、紫外線などの照射により可塑化させることが可能であるような、必要時に仮支持基板202と被剥離層116とを化学的もしくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いる。なお、仮支持基板への転置工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光の照射またはエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やNF3、BrF3、ClF3等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等を含む膜例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜などを用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ、被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。または、被剥離層が形成された作製基板を機械的に削除又は溶液やNF3、BrF3、ClF3等のフッ化ガスによるエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくとも良い。また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に転置工程を行うことができる。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメスなどによる機械的な削除を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、物理的な力機械等によるによって剥離を行うこともできる。また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離してもよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。その他の剥離方法としては、剥離層201をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層201をエッチングしながら剥離を行うと良い。続いて、可視光に対する透光性を有する導電層130に剥離用接着剤203とは異なる接着剤による第1の接着剤層111を用いてプラスチック基板110を接着する図3C参照。プラスチック基板110、及び第1の接着剤層111の材料は、前述の通りである。また、プラスチック基板110には予め防水層125を成膜しておいても良い。その後、剥離用接着剤203を溶解若しくは可塑化させて、仮支持基板202を取り除く。仮支持基板202を取り除いたら、発光素子の第1の電極117が露出するように剥離用接着剤203を水や溶媒などで除去する図3D参照。以上により、トランジスタ及び発光素子の第1の電極117までが形成された被剥離層116をプラスチック基板110上に作製することができる。第1の電極117が露出したら、続いて発光性の有機化合物を含むEL層119を成膜する。EL層119の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質を含む層等を適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。本実施の形態では、EL層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を有する構成について説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。正孔注入層は、陽極に接して設けられ、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン略称:H2Pcや銅フタロシアニン略称:CuPc等のフタロシアニン系の化合物、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD等の芳香族アミン化合物、或いはポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸略称:PEDOT/PSS等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。また、正孔注入層として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、第1の電極117として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることができる。アクセプター性物質としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、オリゴマー、デンドリマー、ポリマーなど、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’-ジp-トリル-N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン略称:DTDPPA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B等を挙げることができる。複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等を挙げることができる。また、複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、他に、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、2-tert-ブチル-9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14~42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等が挙げられる。また、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPD等の高分子化合物を複合材料に用いることもできる。正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBやN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものでもよい。また、正孔輸送層として、PVKやPVTPA等の高分子化合物を用いることもできる。発光層は、発光性の物質を含む層である。発光層の種類としては、発光物質を主成分とする発光層であっても、ホスト材料中に発光材料を分散するいわゆるホスト-ゲスト型の発光層であってもどちらでも構わない。用いられる発光材料に制限は無く、公知の蛍光又は燐光を発する材料を用いることができる。蛍光発光性材料としては、例えばN,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、等の他、発光波長が450nm以上の4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-9,10-ジフェニル-2-アントリルトリフェニルアミン略称:2YGAPPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、ペリレン、2,5,8,11-テトラ-tert-ブチルペリレン略称:TBP、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPA、N,N’’-2-tert-ブチルアントラセン-9,10-ジイルジ-4,1-フェニレンビス[N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン]略称:DPABPA、N,9-ジフェニル-N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPPA、N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPPA、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、クマリン30、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhA、クマリン545T、N,N’-ジフェニルキナクリドン、略称:DPQd、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPT、2-2-{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-6-メチル-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:DCM1、2-{2-メチル-6-[2-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCM2、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFD、2-{2-イソプロピル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTI、2-{2-tert-ブチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTB、2-2,6-ビス{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:BisDCM、2-{2,6-ビス[2-8-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:BisDCJTMなどが挙げられる。燐光発光性材料としては、例えば、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIテトラキス1-ピラゾリルボラート略称:FIr6、の他、発光波長が470nm~500nmの範囲にある、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:FIrpic、ビス[2-3’,5’-ビストリフルオロメチルフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:IrCF3ppy2pic、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:FIracac、発光波長が500nm緑色発光以上のトリス2-フェニルピリジナトイリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phen、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbzq2acac、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irdpo2acac、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irp-PF-ph2acac、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、アセチルアセトナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2acac、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phen等が挙げられる。以上のような材料又は他の公知の材料の中から、各々の発光素子における発光色を考慮し選択すれば良い。ホスト材料としては、例えばトリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZ2などの金属錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCP、9-[4-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CO11などの複素環化合物、NPBまたはα-NPD、TPD、BSPBなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、DPAnth、PCAPA、YGAPA、2PCAPA、DBC1、CzPA、DPPA、DNA、t-BuDNA、N,N-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:CzA1PA、4-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:DPhPA、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPBA、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセン、3,6-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DPCzPA、9,9’-ビアントリル略称:BANT、9,9’-スチルベン-3,3’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS、9,9’-スチルベン-4,4’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS2、3,3’,3’’-ベンゼン-1,3,5-トリイルトリピレン略称:TPB3などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、各々に分散される発光物質のエネルギーギャップ燐光発光の場合は三重項励起エネルギーより大きなエネルギーギャップ三重項励起エネルギーを有し、且つ各々の層が有すべき輸送性に合致した輸送性を示す物質を選択すればよい。電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、Alq、Almq3、BeBq2、BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ZnBOX2、ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、PBDや、OXD-7、TAZ、BPhen、BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものでもよい。また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題例えば素子寿命の低下の抑制に大きな効果を発揮する。また、陰極となる電極に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、Alq中にマグネシウムを含有させたもののように、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層中に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いると、第2の電極120からの電子注入が効率良く行われるため、より好ましい。続いて、EL層119上に第2の電極120を形成する。第2の電極120を形成する物質としては、第2の電極120を陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムやセシウム等のアルカリ金属、及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金Mg-Ag、Al-Li等、ユウロピウム、イッテルビウム等の希土類金属、及びこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、陰極と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、アルミニウム、銀、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有したITO等様々な導電性材料を陰極として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、第2の電極120として、金属と有機物の混合膜例えば、アルミニウムとNPB等とアルミニウムの積層構造を用いることもできる。このような構造とすることで、ダークスポットの増加や拡大を抑制することができる。また、第2の電極120を陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有したITO、酸化インジウム-酸化亜鉛IZO:IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、IZO膜は、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、IWZO膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、または金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。また、上述の複合材料を陽極に接して設けることによって、仕事関数の高低にかかわらず電極の材料を選択することができる。なお、上述のEL層は図6Aのように第1の電極600と第2の電極601との間に複数積層されていても良い。この場合、積層されたEL層800とEL層801との間には、電荷発生層803を設けることが好ましい。電荷発生層803は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層803は複合材料よりなる層と他の材料よりなる層との積層構造をなしていてもよい。この場合、他の材料よりなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、可視光に対する透光性を有する導電層よりなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで、高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のEL層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のEL層の構造と組み合わせて用いることができる。次に、EL層が第1の電極と第2の電極との間に2層以上の複数積層されている場合について説明する。図6BのようにEL層1003が、例えばnnは2以上の自然数層の積層構造を有する場合には、mmは自然数、mは1以上n-1以下番目のEL層と、m1番目のEL層との間には、それぞれ電荷発生層1004が挟まれた構造を有する。なお、電荷発生層1004とは、第1の電極1001と第2の電極1002に電圧を印加したときに、電荷発生層1004に接して形成される一方のEL層1003に対して正孔を注入する機能を有し、他方のEL層1003に電子を注入する機能を有する。電荷発生層1004としては、例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を用いることができる。また、電荷発生層1004は、有機化合物と金属酸化物の複合材料と、他の材料例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物とを組み合わせて形成しても良い。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料よりなる層と、他の材料例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物よりなる層との積層構造をなしていても良い。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例えば、有機化合物とV2O5やMoO3やWO3等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、オリゴマー、デンドリマー、ポリマーなど、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が10-6cm2/Vs以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、電荷発生層1004に用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、発光素子の低電流駆動を実現することができる。特に図6Aの構成は白色の発光を得る場合に好ましく、長寿命、高効率な発光装置を作製することができる。例えば、照明装置に用いる白色フレキシブル発光装置や、図2の構成と組み合わせることによって、フルカラーフレキシブル発光装置を作製することができる。複数の発光層の組み合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例えば、青色の蛍光材料を発光物質として含む第1のEL層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物質として含む第2のEL層を有する構成が挙げられる。また、補色の関係にある光を発する発光層を有する構成であっても白色発光が得られる。EL層が2層積層された積層型素子において、第1のEL層から得られる発光の発光色と第2のEL層から得られる発光の発光色を補色の関係にする場合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。青色、黄色、青緑色、赤色に発光する物質としては、例えば、先に列挙した発光物質の中から適宜選択すればよい。以下に、第1のEL層および第2のEL層のそれぞれが補色の関係にある複数の発光層を有し、白色発光が得られる構成の一例を示す。例えば、第1のEL層は、青色~青緑色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第1の発光層と、黄色~橙色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第2の発光層とを有し、第2のEL層は、青緑色~緑色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第3の発光層と、橙色~赤色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第4の発光層とを有するものとする。この場合、第1のEL層からの発光は、第1の発光層および第2の発光層の両方からの発光を合わせたものであるので、青色~青緑色の波長領域および黄色~橙色の波長領域の両方にピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第1のEL層は2波長型の白色または白色に近い色の発光を呈する。また、第2のEL層からの発光は、第3の発光層および第4の発光層の両方からの発光を合わせたものであるので、青緑色~緑色の波長領域および橙色~赤色の波長領域の両方にピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第2のEL層は、第1のEL層とは異なる2波長型の白色または白色に近い色の発光を呈する。したがって、第1のEL層からの発光および第2のEL層からの発光を重ね合わせることにより、青色~青緑色の波長領域、青緑色~緑色の波長領域、黄色~橙色の波長領域、橙色~赤色の波長領域をカバーする白色発光を得ることができる。なお、上述した積層型素子の構成において、積層されるEL層の間に電荷発生層を配置することにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度の発光が可能であり、そのため長寿命素子を実現することができる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。第2の電極120まで形成したら、第2の電極120上に、封止層121を形成する図3E。封止層121に用いることができる材料は前述の通りである。以上のように図1A及びCに示したような本発明の一態様の発光装置を作製することができる。また、上述の作製方法とは異なる、トランジスタを有する本実施の形態におけるフレキシブル発光装置の作製方法について図7A乃至E及び図1Bを用いて説明する。以下に示す作製工程適用できる材料等は多くの部分で、上述の作製工程図3参照と共通している。したがって、以下においては、重複する部分の説明は省略し、異なる点について詳細に説明する。まず、絶縁表面を有する作製基板200上に剥離層201を介して、トランジスタ及び第1の電極117等を含む被剥離層116を作製する図7A参照。このとき、被剥離層116には、可視光に対する透光性を有する導電層130を含む。被剥離層116としては、まず、剥離層201上に保護層112を形成する。次に、保護層112上に可視光に対する透光性を有する導電層130を形成する。そして、可視光に対する透光性を有する導電層130上に、下地絶縁層113を形成する。ここで、図1Aに示した構成のフレキシブル発光装置を作るためには、剥離層201上に可視光に対する透光性を有する導電層130を形成し、可視光に対する透光性を有する導電層130上に保護層112を形成し、保護層112上に下地絶縁層113を形成すれば良い。そして、下地絶縁層113上に、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層等を形成する。続いて、層間絶縁層を形成する。層間絶縁層を形成後、パターニング及びエッチングを行うことによって、層間絶縁層、ゲート絶縁層などにトランジスタの半導体層に達するコンタクトホールを形成し、導電性の金属膜をスパッタ法又は真空蒸着法によって成膜して、エッチングによってトランジスタのソース電極層、ドレイン電極層及び配線を形成する。続いて、可視光に対する透光性を有する導電層を用いて第1の電極117を形成する。画素電極である第1の電極117は、画素部トランジスタのドレイン電極と重なる部分を設け、電気的な接続が得られるように形成する。その後、層間絶縁層、第1の電極117を覆って有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて絶縁層を形成し、当該絶縁層を第1の電極117の表面が露出し且つ第1の電極117の端部を覆うように加工して隔壁118を形成する。以上のような工程により、被剥離層116を形成することができる。続いて、被剥離層116と仮支持基板202とを剥離用接着剤203を用いて接着し、剥離層201を用いて被剥離層116を作製基板200より剥離する。これにより被剥離層116は、仮支持基板202側に設けられる図7B参照。続いて、作製基板200から剥離され、剥離層201、又は保護層112もしくは可視光に対する透光性を有する導電層130が露出した被剥離層116に剥離用接着剤203とは異なる接着剤による第1の接着剤層111を用いてプラスチック基板110を接着する図7C参照。その後、剥離用接着剤203を溶解若しくは可塑化させて、仮支持基板202を取り除く。仮支持基板202を取り除いたら、発光素子の第1の電極117が露出するように剥離用接着剤203を水や溶媒などで除去する図7D参照。以上により、トランジスタ及び発光素子の第1の電極117までが形成された被剥離層116をプラスチック基板110上に作製することができる。第1の電極117が露出したら、続いてEL層119を成膜し、EL層119上に第2の電極120を形成する。そして、第2の電極120上に封止層121を形成する図7E参照。以上のように、図1Bに示したような本発明の一態様の発光装置を作製することができる。本実施の形態では、トランジスタを有するフレキシブル発光装置を発光素子の第1の電極117までを作製基板上に形成し、剥離する方法を例示したが、本明細書中で開示する発明はこれに限らず、発光素子127まで形成してからすなわち、発光素子の第2の電極120を形成後剥離、転置を行っても良い。また、保護層112のみ作製基板に形成し、プラスチック基板110に剥離、転置した後、トランジスタや発光素子を作製しても良い。なお、発光素子の第2の電極120まで形成した後、図1Cに示したようにプラスチック基板110の第1の接着剤層111と接する面と逆の面側にコート層124を設け、画面に付いてしまう傷や押圧による破損を防止しても良い。また、プラスチック基板110及び第1の接着剤層111は、材料中に繊維体が含まれていても良い。繊維体は有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Eガラス、Sガラス、Dガラス、Qガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に有機樹脂を含浸させ有機樹脂を硬化させた構造体をプラスチック基板110として用いても良い。プラスチック基板110として繊維体と有機樹脂からなる構造体を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好ましい。なお、プラスチック基板110や第1の接着剤層111中に上述のような繊維体が含まれる場合、発光素子からの光が外部に出るのを妨げることを低減するために、当該繊維体を直径100nm以下のナノファイバーとすることが好ましい。また、繊維体と有機樹脂や接着剤の屈折率を合わせることが好ましい。また、第1の接着剤層111とプラスチック基板110の両方の役割を担うものとしても、繊維体に有機樹脂を含浸させ有機樹脂を硬化させた構造体を用いることが出来る。この際、当該構造体の有機樹脂としては、反応硬化型、熱硬化型、紫外線硬化型など追加処理を施すことによって硬化が進行するものを用いると良い。次いで、異方性導電材で入出力端子部の各電極にFPCフレキシブルプリントサーキットを貼り付ける。必要があればICチップなどを実装させても良い。以上の工程で、FPCが接続されたモジュール型の発光装置が完成する。続いて、モジュール型の発光装置ELモジュールとも呼ぶの上面図及び断面図を図4に示す。図4Aは、ELモジュールを示す上面図、図4Bは図4AをA-A’で切断した断面図である。図4Aにおいて、第1の接着剤層500を介してプラスチック基板110上に、可視光に対する透光性を有する導電層530が設けられ、導電層530上に、保護層501及び下地絶縁層531が設けられ、下地絶縁層531上に画素部502、ソース側駆動回路504、及びゲート側駆動回路503が形成されている。また、画素部および駆動回路部上に第2の接着剤層400が形成され、その第2の接着剤層400によって金属基板401が接着されることで封止を行っている。なお、ソース側駆動回路504及びゲート側駆動回路503に入力される信号を伝送するための配線である配線508は、外部入力端子となるFPC402からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではFPC402しか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板PWBが取り付けられていても良い。本明細書中で開示するフレキシブル発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図4Bを用いて説明する。第1の接着剤層500上に接して可視光に対する導電層530が設けられ、導電層530上に保護層501及び下地絶縁層531が設けられ、下地絶縁層531の上方には画素部502、ゲート側駆動回路503が形成されており、画素部502は電流制御用トランジスタ511とそのドレインに電気的に接続された画素電極512を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路503はnチャネル型トランジスタ513とpチャネル型トランジスタ514とを組み合わせたCMOS回路を用いて形成される。図4Cには、図4Bと異なる断面構造の例を示す。図4Cの例においては、隔壁118を、窒化珪素や酸化窒化珪素、窒化酸化珪素及び酸化珪素のような無機材料により形成する。そして、第2の接着剤層400と金属基板401の周辺端部は隔壁118の周辺端部よりフレキシブル発光装置の中心部に近くなるように設置する。すなわち、第2の接着剤層400及び金属基板401は隔壁118よりその面積が小さく、隔壁118の上に収まるように設置する。そして低融点金属520を第2の接着剤層400の側面を覆うように形成する。これにより、第2の接着剤層400の側面端部からの水分の侵入を非常に有効に遮断出来、さらなるフレキシブル発光装置の寿命の向上を実現できる。低融点金属520としては、特に限定はないが、概ね45°C~300°Cで融着可能な金属材料を用いると良い。300°C程度の融着温度であれば、画素部周辺且つ隔壁の上での部分的な温度上昇であるため、発光素子やプラスチック基板に損傷を与えること無く融着することが可能である。そのような材料としては、スズ、銀、銅、インジウムなどを含む金属材料が挙げられる。また、これらにビスマスなどがさらに含まれていても良い。以上のように、本実施の形態に記載のフレキシブル発光装置は、耐熱性の高い作製基板上にトランジスタを作製することができることから、移動度の高い結晶質シリコンなどの結晶質半導体を用いたトランジスタを用いることができるため、このような駆動回路部を同時に作り込むことができ、より安価にフレキシブル発光装置を作製することができるようになる。以上のように、本実施の形態に記載の作製方法で作製したフレキシブル発光装置は、第1の接着剤層とトランジスタとの間に、可視光に対する透光性を有する導電層を有することから、有機樹脂の帯電有機樹脂内のイオン性不純物による帯電や、作製プロセス中の静電気による帯電が原因で起こるトランジスタの誤動作を抑制することができる。よって、本実施の形態におけるフレキシブル発光装置は、表示ムラが生じず、良好な表示特性を有し、歩留まりが高く信頼性の高いフレキシブル発光装置を実現できる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1に示す発光装置をその一部に含む電子機器について説明する。実施の形態1に示した発光装置を有する電子機器の一例として、ビデオカメラ、デジタルカメラなどのカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図5に示す。図5Aはテレビ装置であり、筐体9101、支持台9102、表示部9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置の表示部9103は、実施の形態1に示した発光装置を用いることによって作製される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態1に記載の発光装置を搭載したテレビ装置は、表示部9103において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら長寿命で価格の比較的安価な商品とすることが可能となる。図5Bはコンピュータであり、本体9201、筐体9202、表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含む。このコンピュータの表示部9203は、実施の形態1に示した発光装置を用いることによって作製される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態1に記載の発光装置を搭載したコンピュータは、表示部9203において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら長寿命で価格の比較的安価な商品とすることが可能となる。図5Cは携帯電話であり、本体9401、筐体9402、表示部9403、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート9407等を含む。この携帯電話の表示部9403は、実施の形態1に示した発光装置を用いることによって作製される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態1に記載の発光装置を搭載した携帯電話は、表示部9403において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら高い画質の映像を提供することが可能となる。また軽量化が図られた本実施の形態における携帯電話は、様々な付加価値を備えても携帯に適した重量にとどめることができ、当該携帯電話は高機能な携帯電話としても適した構成となっている。図5Dはカメラであり、本体9501、表示部9502、筐体9503、外部接続ポート9504、リモコン受信部9505、受像部9506、バッテリー9507、音声入力部9508、操作キー9509、接眼部9510等を含む。このカメラの表示部9502は、実施の形態1に示した発光装置を用いることによって作製される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態1に記載の発光装置を搭載したカメラは、表示部9502において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら長寿命で価格の比較的安価な商品とすることが可能となる。図5Eはディスプレイであり、本体9601、表示部9602、外部メモリ挿入部9603、スピーカー部9604、操作キー9605等を含む。本体9601には他にテレビ受像アンテナや外部入力端子、外部出力端子、バッテリーなどが搭載されていても良い。このディスプレイの表示部9602は実施の形態1に示した発光装置を用いることによって作製される。フレキシブルな表示部9602は本体9601内に巻き取ることで収納することが可能であり、携帯に好適である。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態1に記載の発光装置を搭載したディスプレイは、表示部9602において、携帯好適性かつ軽量化を実現しながら長寿命で価格の比較的安価な商品とすることが可能となる。以上の様に、実施の形態1に示した発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。"