"基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置であって、露光対象の複数の基板のうち第1群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第1群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第1の決定部と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第2の決定部と、前記第1の決定部によって決定されたショット補正パラメータと前記第2の決定部によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第1群の基板以外の第2群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第3の決定部と、を備えることを特徴とする露光装置。前記第3の決定部は、前記第1の決定部によって決定された前記第1群の基板についてのショット補正パラメータと、前記第2の決定部によって決定された前記第1群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータを算出する第1の算出部と、前記算出部によって算出された相対パラメータと前記第2の決定部によって決定された前記第2群についての基板補正パラメータとに基づいて、前記第2群の基板についてのショット補正パラメータを算出する第2の算出部と、を有することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づいて決定されることを特徴とする請求項2に記載の露光装置。前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基づいて決定されることを特徴とする請求項2に記載の露光装置。露光対象の基板が前記第1群の基板に属するか前記第2群の基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。露光対象の基板が前記第1群の基板に属するか前記第2群の基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置の制御方法であって、露光対象の複数の基板のうち第1群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第1群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第1の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第2の決定工程と、前記第1の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第2の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第1群の基板以外の第2群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第3の決定工程と、を含むことを特徴とする露光装置の制御方法。前記第3の決定工程は、前記第1の決定工程によって決定された前記第1群の基板についてのショット補正パラメータと、前記第2の決定工程によって決定された前記第1群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータを算出する第1の算出工程と、前記算出工程によって算出された相対パラメータと前記第2の決定工程によって決定された前記第2群についての基板補正パラメータとに基づいて、前記第2群の基板についてのショット補正パラメータを算出する第2の算出工程と、を含むことを特徴とする請求項7に記載の露光装置の制御方法。前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づいて決定されることを特徴とする請求項8に記載の露光装置の制御方法。前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基づいて決定されることを特徴とする請求項8に記載の露光装置の制御方法。露光対象の基板が前記第1群の基板に属するか前記第2群の基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択する工程を含むことを特徴とする請求項7に記載の露光装置の制御方法。露光対象の基板が前記第1群の基板に属するか前記第2群の基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択する工程を含むことを特徴とする請求項7に記載の露光装置の制御方法。基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置を制御するためのプログラムであって、露光対象の複数の基板のうち第1群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第1群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第1の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第2の決定工程と、前記第1の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第2の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第1群の基板以外の第2群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第3の決定工程と、を備えることを特徴とするプログラム。基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置を制御するためのプログラムのコードが格納されたコンピュータ可読メモリであって、該プログラムは露光対象の複数の基板のうち第1群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第1群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第1の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第2の決定工程と、前記第1の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第2の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第1群の基板以外の第2群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第3の決定工程と、を備えることを特徴とするコンピュータ可読メモリ。デバイスの製造方法であって、試料に感光性材料を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で感光性材料が塗布された基板にパターンを焼き付ける露光工程と、前記露光工程でパターンが焼き付けられた基板の感光性材料を現像する現像工程と、を有し、前記露光工程は、露光対象の複数の基板のうち第1群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第1群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第1の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第2の決定工程と、前記第1の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第2の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第1群の基板以外の第2群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第3の決定工程と、を有することを特徴とするデバイスの製造方法。ウェハ補正パラメータを算出するのに最低限必要なマークの数は、ショット内で、X、Y一組であるX計測マークとY計測マーク各々1個、もしくは、X-Y計測マークを1個。ところが、ショット補正パラメータを求めるためにショット内で計測しなければならないアライメントマーク数は、X、Y一組分より多い。3式から、ショット補正パラメータ{θsx,θsy,βsx,βsy,Ssx,Ssy}}をすべて独立に算出するためには、最低限X、Y3組分計測しなければならない。ショット補正パラメータを自動で計測、補正する従来のアライメント方法では、ウェハごとに、ショット補正パラメータ算出用のサンプルショットとアライメントマークでの計測を行う必要があった。これにより、ウェハごとに多くのサンプルショットやアライメントマークでの計測を行こととなり、スループットが低下してしまうという問題があった。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、例えば、露光装置及びその制御方法において、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して、原版のパターンを位置合わせする際の位置合わせ精度を落とすことなく、スループットを向上させることを目的とする。本発明の第1の側面は、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置に係り、露光対象の複数の基板のうち第1群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第1群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第1の決定部と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第2の決定部と、前記第1の決定部によって決定されたショット補正パラメータと前記第2の決定部によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第1群の基板以外の第2群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第3の決定部とを備えることを特徴とする。本発明の好適な実施の形態によれば、前記第3の決定部は、前記第1の決定部によって決定された前記第1群の基板についてのショット補正パラメータと、前記第2の決定部によって決定された前記第1群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータを算出する第1の算出部と、前記算出部によって算出された相対パラメータと前記第2の決定部によって決定された前記第2群についての基板補正パラメータとに基づいて、前記第2群の基板についてのショット補正パラメータを算出する第2の算出部とを有することが好ましい。本発明の好適な実施の形態によれば、前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づいて決定されることが好ましい。本発明の好適な実施の形態によれば、前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基づいて決定されることが好ましい。本発明の好適な実施の形態によれば、露光対象の基板が前記第1群の基板に属するか前記第2群の基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択することが好ましい。本発明の好適な実施の形態によれば、露光対象の基板が前記第1群の基板に属するか前記第2群の基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択することが好ましい。本発明の第2の側面は、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置の制御方法に係り、露光対象の複数の基板のうち第1群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第1群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第1の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第2の決定工程と、前記第1の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第2の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第1群の基板以外の第2群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第3の決定工程とを含むことを特徴とする。本発明の好適な実施の形態によれば、前記第3の決定工程は、前記第1の決定工程によって決定された前記第1群の基板についてのショット補正パラメータと、前記第2の決定工程によって決定された前記第1群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータを算出する第1の算出工程と、前記算出工程によって算出された相対パラメータと前記第2の決定工程によって決定された前記第2群についての基板補正パラメータとに基づいて、前記第2群の基板についてのショット補正パラメータを算出する第2の算出工程とを含むことが好ましい。本発明の好適な実施の形態によれば、前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づいて決定されることを特徴とすることが好ましい。本発明の好適な実施の形態によれば、前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基づいて決定されることが好ましい。本発明の好適な実施の形態によれば、露光対象の基板が前記第1群の基板に属するか前記第2群の基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択する工程を含むことが好ましい。本発明の好適な実施の形態によれば、露光対象の基板が前記第1群の基板に属するか前記第2群の基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択する工程を含むことが好ましい。本発明の第3の側面は、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置のプログラムに係り、露光対象の複数の基板のうち第1群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第1群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第1の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第2の決定工程と、前記第1の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第2の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第1群の基板以外の第2群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第3の決定工程とを備えることを特徴とする。本発明の第4の側面は、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置のプログラムコードが格納されたコンピュータ可読メモリに係り、該プログラムは露光対象の複数の基板のうち第1群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第1群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第1の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第2の決定工程と、前記第1の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第2の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第1群の基板以外の第2群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第3の決定工程とを備えることを特徴とする。本発明の第5の側面は、デバイスの製造方法であって、試料に感光性材料を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で感光性材料が塗布された基板にパターンを焼き付ける露光工程と、前記露光工程でパターンが焼き付けられた基板の感光性材料を現像する現像工程とを有し、前記露光工程は、露光対象の複数の基板のうち第1群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第1群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第1の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第2の決定工程と、前記第1の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第2の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第1群の基板以外の第2群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第3の決定工程とを有することを特徴とする。本発明の露光装置及びその制御方法によれば、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して、原版のパターンを位置合わせする際の位置合わせ精度を落とすことなく、スループットを向上させることができる。以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明する。本実施形態の露光装置は、図4に示される従来例と同様なシステム構成で実現可能である。また、本実施形態で位置合わせの対象となるウェハにも、従来例と同様に、ウェハ上の各ショットに図3Bのようなマークが配置されており、ウェハ補正用、ショット補正用として、図3Cのようにサンプルショットが配置されているものとする。本発明の好適な実施の形態に係る露光装置における処理の流れを図6を参照しながら説明する。なお、この処理はコントローラ405によって制御される。ステップS601では、不図示のウェハ搬入装置よって、ウェハがXYステージに搬入される。ステップS602では、現在処理中のウェハに対して、ショット補正パラメータの自動計測処理が必要かどうかを判断する。その判断基準としては、例えば、1処理すべきロット内の先頭のウェハであれば、ショット補正パラメータの自動計測処理を行う。2処理すべきロット内で最初からN枚目までのウェハであれば、ショット補正パラメータの自動計測処理を行う。3ある一定のウェハ枚数ごとに、ショット補正パラメータの自動計測処理を行う。4オンライン接続された外部のホストコンピュータから司令がきたときにショット補正パラメータの自動計測処理を行う。などが考えられる。どのような判断基準を使用するかを、コンピュータ端末407を用いて、ユーザが選択できるようにすると、より柔軟なプロセスに対応できて好ましい。ショット補正パラメータの自動計測処理が必要ないと判断された場合は、ステップS604に、ショット補正パラメータの自動計測処理が必要だと判断されれば、ステップS603に処理を進める。ステップS603では、ショット補正パラメータの自動計測処理を行う。この方法は、図5のステップS502~505のと同様である。ステップS604では、ウェハ補正パラメータの自動計測を行う。この方法は、図5のステップS506~509の手順と同様である。ステップS605では、ショット補正パラメータの自動計測処理を行ったかどうかを判断する。ショット補正を行った場合は、ステップS606へ、ショット補正を行わなかった場合は、ステップS607へ処理を進める。ステップS606では、ステップS603で求めたショット補正パラメータとステップS604で求めたウェハ補正パラメータとの相対関係を定量的に表わす相対パラメータδを算出し、記憶する。以下に、相対パラメータδの求め方について説明する。なお、以下でδに添字を符した記号は相対パラメータの一例である。ショット倍率βsx,βsyは、加工プロセスによりウェハが変形した事より生じる倍率成分と、装置の投影倍率により生じる倍率成分とが重畳したものである。前者はウェハごとに値が変動するのに対し、後者は装置要因で決まるために、後者はウェハが変わっても値は変動しない。ウェハ要因で決まる倍率成分はウェハ倍率に等しいと仮定すると、装置要因で決まるショット倍率成分δβX、δβYは、式7に従って、以下のように表される。7また、プロセスによっては、ショット倍率とウェハ倍率の相対関係を比で表わした方が良い場合もあり、式8に従って、以下のように表される。8その他にも、ショット倍率とウェハ倍率との相対関係が定量的に表わされる場合は、その関係式Fにより、δβX、δβYを計算しても良く、式9に従って、以下のように表される。9ショット回転について、ウェハ回転との相対関係を求める場合は、以下のような考えればよい。ウエハ上に形成されたパターンの下層において、XYステージ410の誤差で回転して焼かれたことに起因するショット回転成分は、ウェハ回転とほぼ等しいものになると考えられる。この値はウェハごとに変動する。一方、ショットの焼き付けの際の投影光学系402のディスト-ションの影響で生じるショットの直交度については、ウェハごとの値の変動を無視しうると考えられる。そこで、ウェハ間で値が変動しないショット回転成分δθX,δθYは、式10に従って、以下のように表される。10ウェハショット配列の直交度が小さい場合は、θwx=θwyとして、式11に従って、以下のように表される。11その他にも、ショット回転とウェハ回転との相対関係が定量的に分かっている場合は、その関係式GによりδθX,δθYを計算しても良く、式12に従って、以下のように表される。12以上のように、ステップS606では、δ={δβX,δβY,δθX,δθY}を求め、メモリ420にこれらの値を記憶する。ショット補正パラメータの自動計測を行わなかった場合は、ステップS607において、ウェハ補正パラメータと前述の相対パラメータに基づいて、処理中のウェハでのショット補正パラメータを予測する。たとえば、ショット倍率を求める場合には、式7により求めたδβx,δβyがメモリ420に記憶されていれば、そのδβx,δβyとウェハ補正パラメータβwx,βwyとに基づいて、式13に従ってショット倍率を求めることができる。13一般的にショット倍率とウェハ倍率との相対関係が9式の如く、関数Fで表わされていれば、その逆関数F-1により、δδβX、δβYとウェハ倍率βwx,βwyとに基づいて式14に従って、ショット倍率を算出する事が可能である。14同様に、ショット回転についても、ショット回転とウェハ回転との相対関係が11式の如く、関数Gで表わされていれば、その逆関数G-1により、δδθX、δθYとウェハ回転θwx、θwyとに基づいて式15に従ってショット回転を算出する事が可能である。15ショット補正パラメータ、ウェハ補正パラメータが求まれば、ステップS608でこれら補正パラメータに応じて、ショット配列、ショット形状の誤差を減らすよう、露光装置の各ユニットを駆動補正駆動する。ステップS608で補正を行った後に、ステップS609に進み、実際にウェハを露光する。ステップS610では、全てのウェハ処理が終了したかどうかを判断する。終了していない場合は、以下、処理すべき残りのウェハについて、ステップS601~609を順次繰り返す。処理すべきウェハがもう残っていなければ、一連の処理を終了し、露光装置を停止させる。本発明の実施形態によれば、処理すべき複数のウェハのうち、限られたウェハでのみショット補正パラメータの自動計測を行えばよいことになる。これにより従来に比べて処理時間を大幅に短縮することができる。また、ショット補正パラメータとウェハ補正パラメータとの相対関係を相対パラメータδとして算出し、メモリに記憶することにより、ショット補正パラメータを自動計測していないウェハにおいても、相対パラメータδを用いることによって高精度な位置合わせができる。また、本実施形態におけるショット補正パラメータは、回転量直交度や倍率であったが、ショット内に配置されたX、Y一組より多いアライメントマークを計測して得られるその他の補正パラメータを計測して位置合わせする場合にも、本実施形態の手法は有効である。例えば、台形歪みや、たる型、糸巻き型などのショットの歪みを、多数のアライメントマークを計測することによって定量的に算出し、それをショット補正パラメータとすることができる。その際、ショット補正パラメータとウェハ補正パラメータとの相対関係を一定の関数で表わすことにより、この本実施形態が適用され、露光処理の高速化を実現することができる。次に上記の露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図7は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ1回路設計では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2マスク作製では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ3ウエハ製造ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4ウエハプロセスは前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5組み立ては後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程ダイシング、ボンディング、パッケージング工程チップ封入等の組立て工程を含む。ステップ6検査ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷ステップ7する。図8は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11酸化ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12CVDではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13電極形成ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14イオン打込みではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15レジスト処理ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16露光では上記の露光装置によって回路パターンをウエハに転写する。ステップ17現像では露光したウエハを現像する。ステップ18エッチングでは現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19レジスト剥離ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。以上、本発明の好適な実施形態を詳述したが、本発明は、複数の機器から構成されるシステムに適用しても良いし、また、一つの機器からなる装置に適用しても良い。なお、本発明は、前述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラム本実施形態においては図6に示すフローチャートに対応したプログラムを、システム或いは装置に直接或いは遠隔から供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータが該供給されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される場合を含む。その場合、プログラムの機能を有していれば、形態は、プログラムである必要はない。従って、本発明の機能処理をコンピュータで実現するために、該コンピュータにインストールされるプログラムコード自体も本発明を実現するものである。つまり、本発明の請求項では、本発明の機能処理を実現するためのコンピュータプログラム自体も含まれる。その場合、プログラムの機能を有していれば、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラム、OSに供給するスクリプトデータ等、プログラムの形態を問わない。プログラムを供給するための記録媒体としては、例えば、フロッピー登録商標ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、MO、CD-ROM、CD-R、CD-RW、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROM、DVDDVD-ROM,DVD-Rなどがある。その他、プログラムの供給方法としては、クライアント側にあるコンピュータのブラウザを用いてインターネットのホームページに接続し、該ホームページから本発明のコンピュータプログラムそのもの、もしくは圧縮され自動インストール機能を含むファイルをハードディスク等の記録媒体にダウンロードすることによっても供給できる。また、本発明のプログラムを構成するプログラムコードを複数のファイルに分割し、それぞれのファイルを異なるホームページからダウンロードすることによっても実現可能である。つまり、本発明の機能処理をコンピュータで実現するためのプログラムファイルを複数のユーザに対してダウンロードさせるネットワーク上のサーバも、本発明のクレームに含まれるものである。また、本発明のプログラムを暗号化してCD-ROM等の記憶媒体に格納してユーザに配布し、所定の条件をクリアしたユーザに対し、インターネットを介してホームページから暗号化を解く鍵情報をダウンロードさせ、その鍵情報を使用することにより暗号化されたプログラムを実行してコンピュータにインストールさせて実現することも可能である。また、コンピュータが、読み出したプログラムを実行することによって、前述した実施形態の機能が実現される他、そのプログラムの命令に基づき、コンピュータ上で稼動しているOSなどが、実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施形態の機能が実現され得る。さらに、記録媒体から読み出されたプログラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに格納された後、そのプログラムの命令に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるCPUなどが実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施形態の機能が実現される。"