ダイスタッキングのための方法であって、基板の上に第1のダイを位置決めすることと、前記第1のダイ及び前記基板のボンドフィンガに第1のワイヤをボンドすることであって、前記第1のワイヤが第1のボンドによって前記ボンドフィンガにボンドされる、ことと、前記第1のボンドの上に第1のステッチバンプを形成することであって、前記第1のステッチバンプが導電材料の溶融ボールから形成される、ことと、前記第1のダイの上に第2のダイを位置決めすることと、前記第2のダイ及び前記第1のステッチバンプに第2のワイヤをボンドすることであって、前記第2のワイヤが第2のボンドによって前記第1のステッチバンプにボンドされ、前記第2のボンドが前記第1のステッチバンプの上にある、ことと、を含む、方法。第2のダイを位置決めする前記ステップの前に前記第1のダイの上にダイスペーサを位置決めするステップを更に含み、前記ダイスペーサが前記第1のダイと前記第2のダイとの間に位置決めされる、請求項1に記載の方法。前記第1のダイ、ダイスペーサ、及び第2のダイの下面に接着層が貼り合わされている、請求項2に記載の方法。第2のダイを位置決めする前記ステップの前に前記第1のダイの上にフィルムオーバーワイヤFOW層を位置決めするステップを更に含み、前記FOWが前記第1のダイと前記第2のダイとの間に位置決めされる、請求項1に記載の方法。前記第1のダイの下面に接着層が貼り合わされている、請求項4に記載の方法。前記第1のボンド及び前記第2のボンドがステッチボンドであり、ステッチボンドが魚の尾の形状を有する、請求項1に記載の方法。前記第1のワイヤ及び前記第2のワイヤが、導電材料の溶融ボールを形成することによって前記第1のダイ及び前記第2のダイにそれぞれボンドされる、請求項1に記載の方法。ダイスタッキングのための方法であって、基板の上に第1のダイを位置決めすることと、前記第1のダイ及び前記基板のボンドフィンガに第1のワイヤをボンドすることであって、前記第1のワイヤが第1のボンドによって前記ボンドフィンガにボンドされる、ことと、前記第1のダイの上に第2のダイを位置決めすることと、前記第1のボンドの上に第1のステッチバンプを形成することであって、前記第1のステッチバンプが導電材料の溶融ボールから形成される、ことと、前記第2のダイ及び前記第1のステッチバンプに第2のワイヤをボンドすることであって、前記第2のワイヤが第2のボンドによって前記第1のステッチバンプにボンドされ、前記第2のボンドが前記第1のステッチバンプの上にある、ことと、を含む、方法。第2のダイを位置決めする前記ステップの前に前記第1のダイの上にダイスペーサを位置決めすることを更に含み、前記ダイスペーサが前記第1のダイと前記第2のダイとの間に位置決めされる、請求項8に記載の方法。前記第1のダイ、ダイスペーサ、及び第2のダイの下面に接着層が貼り合わされている、請求項9に記載の方法。前記第2のダイを位置決めすることの前に前記第1のダイの上にフィルムオーバーワイヤFOW層を位置決めすることを更に含み、前記FOWが前記第1のダイと前記第2のダイとの間に位置決めされる、請求項8に記載の方法。前記第1のダイの下面に接着層が貼り合わされている、請求項11に記載の方法。前記第1のボンド及び前記第2のボンドがステッチボンドであり、ステッチボンドが魚の尾の形状を有する、請求項8に記載の方法。前記第1のワイヤ及び前記第2のワイヤが、導電材料の溶融ボールを形成することによって前記第1のダイ及び前記第2のダイにそれぞれボンドされる、請求項8に記載の方法。基板と、前記基板の上の複数のダイであって、スタックコンフィギュレーションである複数のダイと、複数のボンドワイヤであって、各ボンドワイヤが前記複数のダイの1つ及び前記基板のボンドフィンガに取り付けられ、複数のボンドワイヤが前記ボンドフィンガに取り付けられ、前記複数のボンドワイヤの各ボンドワイヤがボンドによって前記ボンドフィンガに取り付けられ、前記複数のボンドが各ボンド対間にステッチバンプを有するスタックコンフィギュレーションであり、ステッチバンプが導電材料の溶融ボールから形成される、複数のボンドワイヤと、を含む、半導体デバイス。前記複数のダイが2つのダイを含み、前記複数のボンドが第1及び第2のボンド間にステッチボンドを有する2つのボンドを含む、請求項15に記載の半導体デバイス。第1及び第2のダイ間の第1のダイスペーサを更に含む、請求項16に記載の半導体デバイス。前記第1及び第2のダイ及び前記ダイスペーサの下面に接着層が貼り合わされている、請求項17に記載の半導体デバイス。第1及び第2のダイ間のフィルムオーバーワイヤFOW層であって、前記第1のダイに取り付けられた少なくとも1つのボンドワイヤの一部が埋め込まれたFOW層を更に含む、請求項16に記載の半導体デバイス。前記第1のダイの下面に接着層が貼り合わされている、請求項19に記載の半導体デバイス。005ワイヤボンディングプロセスの間、ワイヤボンドマシンが、超音波、熱音波、又は熱圧縮ボンディングを用いて、ボンディングパッド132とコンタクトポイント134との間でボンドワイヤ130を溶接する。図1、図2、及び図3に示すように、各ダイ120はボンディングパッド132からコンタクトポイント134まで延出する少なくとも1つの複数のボンドワイヤ130を有する。各ボンドワイヤ130はそれ自身の対応するボンディングパッド132及びコンタクトポイント134を有する。しかしながら、図2に示すように、ダイスタッキングが増大すると例えば4つのダイ、ボンドフィンガの長さも増して、追加のコンタクトポイント134において同一のボンドフィンガ136に接続する追加のボンドワイヤに対応しなければならない。ワイヤボンディングプロセス中にすでに位置付けたボンドワイヤ130に対する損傷を防ぐためにコンタクトポイント134間に最小の空間を設ける必要があることによって、合計ボンドフィンガ長の要求が厳しくなる。例えば、例示的な単一のコンタクトボンドフィンガ長が0.20mmであり得る場合、図2に示すような例示的な4倍のボンド一列は0.56mmを必要とする。このため、ダイスタッキングレベルの増大によって半導体デバイスの密度が高くなると、結果としてボンドフィンガ長が増すことにより、必然的に半導体デバイスのパッケージサイズが大きくなる。006本発明は、スタックダイコンフィギュレーションの半導体デバイスに固有の課題に対する解決策を提供する。本発明の一実施形態による方法において、ダイスタッキングのための方法を開示する。基板の上に第1のダイを位置決めする。第1のダイ及び基板のボンドフィンガに第1のワイヤをボンドし、第1のワイヤは第1のステッチボンドによってボンドフィンガにボンドされる。第1のステッチボンドの上に第1のステッチバンプを形成する。第1のダイの上に第2のダイを位置決めする。第2のダイ及び第1のステッチバンプに第2のワイヤをボンドし、第2のワイヤは第2のステッチボンドによって第1のステッチバンプにボンドされ、第2のワイヤは第1のステッチバンプの上にある。最後に、第2のステッチボンドの上に第2のステッチバンプを形成する。別の実施形態においては、半導体デバイスを開示する。この半導体は、基板と、基板の上の複数のダイであって、スタックコンフィギュレーションである複数のダイと、を含む。半導体は更に複数のボンドワイヤを含み、各ボンドワイヤは複数のダイの1つ及び基板のボンドフィンガに取り付けられている。複数のボンドワイヤはボンドフィンガに取り付けられ、複数のボンドワイヤの各ボンドワイヤはステッチボンドによってボンドフィンガに取り付けられている。最後に、複数のステッチボンドは各ボンド対間にステッチバンプを有するスタックコンフィギュレーションである。007本発明は、添付図面と関連付けた以下の詳細な説明を読むことによって更に理解されよう。添付図面において、同様の参照符号は同様の要素を示す。019ここで本発明の好適な実施形態を詳しく参照する。その例が添付図面に示されている。本発明は好適な実施形態に関連付けて記載するが、それらは本発明をこれらの実施形態に限定することを意図していないことは理解されよう。これに反して、本発明は、添付の特許請求の範囲によって規定されるような本発明の精神及び範囲内に包まれ得る代替、変更、及び均等物を包含することが意図される。更に、以下の本発明の実施形態の詳細な説明において、本発明の完全な理解を得るために多数の具体的な詳細事項を述べる。しかしながら、本発明はこれらの具体的な詳細事項なしでも実施可能であることは当業者には認められよう。他の例では、本発明の実施形態の態様を不必要にあいまいにしないように、周知の方法、手順、コンポーネント、及び回路は詳細に記載していない。本発明の実施形態を示す図面は、半概略的semidiagrammaticであり、一定の縮尺通りではなく、特に、図面において寸法の一部は提示の明確さのために誇張して図示している。同様に、記載を容易にするために図面における図は概ね同様の方位を示すが、図面における表現は大部分は任意である。一般に、本発明はいずれの方位においても動作することができる。表記及び用語020以下の詳細な説明のいくつかの部分は、コンピュータメモリ内のデータビットに対する動作の手順、ステップ、論理ブロック、処理、及び他の記号的な表現という観点で表現されている。これらの説明及び表現は、当業者によって用いられて、その作用の実質を他業者に最も有効に伝えるための手段である。ここには手順、コンピュータ実行ステップ、論理ブロック、プロセス等があり、これらは一般に所望の結果をもたらす自己矛盾のないステップ又は命令シーケンスであると考えられる。これらのステップは、物理量の物理的な操作を必要とするものである。通常、必須ではないが、これらの量は、コンピュータシステムにおいて記憶、転送、結合、比較、及び他の方法で操作することができる電気的又は磁気的な信号の形態を取る。時に、主に一般的な使用という理由で、これらの信号をビット、値、要素、シンボル、文字、用語、数字等と称することが便利であることがわかっている。021しかしながら、これら及び同様の用語の全ては適切な物理量と関連付けられ、単にこれらの量に適用される便利な標記であることに留意するべきである。以下の考察から明らかであるように、特に明記しない限り、本発明全体を通して、処理する又はアクセスする又は実行する又は記憶する又はレンダリングする等の用語を用いた考察は、コンピュータシステム例えば図1のマルチノードコンピュータシステム10又は同様の電子コンピューティングデバイスの行為及びプロセスを指し、それらのシステム又はデバイスは、コンピュータシステムのレジスタ及びメモリ及び他のコンピュータ読み取り可能媒体内の物理電子量として表現されたデータを操作し、コンピュータシステムメモリ又はレジスタ又は他のそのような情報記憶、伝送、又は表示デバイス内の物理量として同様に表現された他のデータに変換するものであることは認められよう。いくつかの実施形態においてあるコンポーネントが示される場合、同一の参照番号の使用によって、そのコンポーネントが最初の実施形態において例示したものと同一のコンポーネントであることを表す。022本発明は、スタックダイコンフィギュレーションの半導体デバイスに固有の増えつつある課題に対する解決策を提供する。本開示の様々な実施形態は、スタックした魚の尾の形状のステッチボンドを形成することによってフィンガ長を短縮する。以下で詳細に述べるように、第1のダイからの第1のワイヤをボンドフィンガにステッチボンドした後、本明細書において第1のステッチバンプと称する導電性材料の溶融ボールを第1のステッチボンドの上に形成する。その後、第1のダイの上にスタックした第2のダイからの第2のワイヤを第1のステッチバンプにステッチボンドして、第1のステッチバンプの上に第2のステッチボンドを形成することができ、この後、第2のステッチボンド上に第2のステッチバンプを形成する等とする。023図4Aは、本発明の一実施形態に従った複数のスタックダイの断面図である。図4Aに示すように、複数の集積回路ICチップすなわちダイ120が基板110上にスタックダイコンフィギュレーションで配置されている。この実施形態では、スタックダイコンフィギュレーションは4つのダイ120を含む。しかしながら、他のダイの数も使用可能である。ダイ120の間にダイスペーサ124が挿入されている。ダイスペーサは、2つのダイ間に必要な空間を与えて、上のダイ120が下のボンディングワイヤに接触すること、短絡すること、又は損傷を与えることを防ぐ。一実施形態において、ダイスペーサ124はシリコンスペーサである。ダイ120及びダイスペーサ124は接着層122によって相互に取り付けられている。底部のダイ120は接着層122によって基板110に取り付けられている。各ダイ120又はダイスペーサ124の底面は、製造プロセスの間に、一般にはウェハレベルで、接着フィルムを貼り合わせることができる。他の実施形態では、接着層122はエポキシ又は液体ペーストとすることができる。図4Aに示すように、各ダイ120及びダイスペーサ124に接着層122が取り付けられる。次いで接着層122を硬化させて例えばベーキングしてダイ取り付けを完了する。024各ダイ120は、ワイヤボンディングプロセスの間に形成されたワイヤによって基板110例えばプリント回路板又は他の電子システムに通信可能に接続される。ワイヤボンディングステーションにおいて超音波、熱音波、又は熱圧縮ボンディングを利用するワイヤボンディングプロセスは、ボンドワイヤ130の端部を溶融することでボンディングパッド132図示せず上に溶融ボール138を形成することによって開始する。いったんボンドワイヤ130がダイ120に取り付けられたら、この機構はボンディングパッドから持ち上がり、所定の量のたるみを形成した後、ワイヤ130をボンドフィンガ136まで下降させる。このプロセスは続いて、ワイヤ130をコンタクトポイント134に押圧して平坦な魚の尾の形状のステッチボンド140を形成する。図5に更に示すように、各ダイ120上に複数のボンディングパッド132があり、基板110上に対応する複数のボンドフィンガ136を有する場合があり、この場合は複数のボンドワイヤ130が複数のボンドフィンガ136の各々に結合さされる。025しかしながら、以下で詳細に記載する通り、図1において必要であるように複数のステッチボンド140のために各ボンドフィンガ136上に複数のコンタクトポイント134を必要とするのではなく、図4A及び図4Bが示すスタックダイ実施形態では、複数のステッチボンド140のために必要なのは単一のコンタクトポイント134のみである。各ダイ120は、ボンディングパッド132からコンタクトポイント134まで延出する少なくとも1つのボンドワイヤ130を有する。しかしながら、各ボンドワイヤ130がそれ自身の対応するボンディングパッド132及びコンタクトポイント134を有するのではなく、本発明の一実施形態においては、複数のボンドワイヤ130及びそれらの対応する接続ステッチボンド140を単一のコンタクトポイント134の上にスタックする。このステッチボンド140のスタックは、各ステッチボンド140間に導電材料の溶融ボールを挿入することによって可能となる。これについては以下で論じる。導電材料の溶融ボールは、導電ワイヤの端部を加熱することによって形成する。溶融ボールのことを本明細書ではステッチバンプ402と称する。026従って、図4Aに示し、更に図4Bに示すように、第1のボンドワイヤ130をボンドフィンガ136のコンタクトポイント134にステッチボンドした140後、第1のステッチバンプ402を形成して第1のステッチボンド140の上に重ねる。第1のステッチバンプ402は、ボンディングパッド132上に溶融ボール138を形成するものと同一のプロセスによって形成されるが、異なる点は、ワイヤをカットして、溶融ボールのみを残してステッチバンプ402を形成することである。第1のステッチバンプ402を形成した後、第2のボンドワイヤ130を第1のステッチバンプ402の上面にステッチボンドして140、第1のステッチバンプ402の上に重ねる。その後、第2のステッチボンド140の上に第3のステッチバンプ402を形成し、プロセスは継続する。ダイスタッキングが増大することによって対応するボンドフィンガ長が伸びる図2に示したような実施形態とは異なり、ボンドフィンガ136にステッチボンドされたボンドワイヤ数とは無関係にボンドフィンガ長は一定のままである。換言すると、単一のダイであっても4つのダイのスタックであっても、ボンドフィンガ長は0.20mmのままとすることができる。このため、ダイスタッキングレベルの増大によって半導体デバイスの密度が高くなっても、ボンドフィンガ長は一定であるので、半導体デバイスのパッケージサイズの縮小及び密度の上昇に役立つ。027図6は、本発明の別の実施形態による複数のスタックダイの断面図である。図6は、スペーサ124及び接着層122がフィルムオーバーワイヤF.O.W層624によって置換されている点を除いて、図4と同一である。例示的な実施形態において、FOW層624は有機接着剤から形成される。また、FOW層624はダイ120上に予め貼り合わせることも可能である。貼り合わせたFOW層を用いてダイを配置する前に、FOW層を加熱して軟化させる。図6に示すように、軟化したFOW層624をダイ120上に配置する場合、軟化FOW層624が下部のダイ120の上面上に定着すると、ダイ120に取り付けたボンドワイヤ130の部分が軟化FOW層624内に沈没する。この結果、ボンドワイヤ130の部分630及び溶融ボール138は、ダイ120の上に重なっているFOW層624内に埋め込まれる。スペーサ124をFOW層624で置換することによって、ダイ120から接着層122を除去することができる。ただし、第1のダイ120では接着層112を用いてこの第1のダイ120を基板110に取り付ける。スペーサ124及び接着層122を取り除くことができるFOW層624を用いると、全体的なパッケージ高が小さくなるとによって半導体デバイスの密度が更に高くなる。028図7は、複数のボンドワイヤ130を有する複数のダイ120を基板110に取り付けるためのプロセスのステップを示す。図8Aから図8Dは、製造プロセスの段階を更に例示し、図7のステップについて追加の詳細を示す。029図7のステップ702では、第1のダイを取り付け、続いて第1のワイヤボンドを形成する。ステップ702を更に示す図8Aにおいて、第1のダイ120が基板110に取り付けられている。第1のダイ120は接着層122によって基板110に取り付けられる。上述のように、接着層122は、ウェハレベルで前のステップでダイ120に貼り合わせるか、又は取り付け時にダイ120又は下にある表面のいずれかに取り付けることができる。第1のダイ120を基板110に取り付けた後、複数のボンドワイヤ130の各々を、第1のダイ120のボンディングパッド132及び基板110上のボンドフィンガ136の対応するコンタクトポイント134にボンドする。ボンドワイヤ130は、いずれかの適切な導電材料例えば銅、銀、及び金で形成することができる。図8Aは、第1のダイ120と基板110との間にボンドした2本のボンドワイヤ130を示す。しかしながら、いずれの数のボンドワイヤも使用可能である。換言すると、ボンドワイヤ130を取り付けるために各ダイ120上に1つ以上のボンディングパッドがある場合がある。各ボンドワイヤ130は、第1のボンドとしても知られる溶融ボール138によって第1のダイ120にボンドされ、第2のボンドとしても知られるステッチボンド140によってコンタクトポイント134にボンドされる。換言すると、各ボンドワイヤは第1及び第2のボンドによってダイ及びボンドフィンガにボンドされる。030図7のステップ704では、第1のステッチバンプを形成する。ステップ704を更に示す図8Bにおいて、第1のステッチバンプ402が形成されて第1のステッチボンド140の上に重なっている。上述のように、第1のステッチバンプ402は、ボンディングパッド132上の溶融ボール138すなわち第1のボンドを形成するものと同一のプロセスによって形成される。しかしながら、ワイヤの一部を溶融させることによって溶融ボールを形成した後、新しく配置した溶融ボールからワイヤをカットして第1のステッチバンプ402を形成する。031図7のステップ706では、第2のダイを取り付け、続いて第2のワイヤボンドを形成する。ステップ706を更に示す図8Cにおいて、フィルムオーバーワイヤFOW層624及び第2のダイ120が位置付けられて第1のダイ120の上に重なっている。FOW層624は、別個のステップで第1のダイ120に適用することができ、又は第2のダイ120の下側に予め適用して第2のダイ120及び取り付けたFOW層624が同時に適用されるようにすることも可能である。第2のダイ120及びFOW層624を第1のダイ120に取り付けた後、第2の複数のボンドワイヤ130の各々を、第2のダイ120のボンディングパッド132及び対応する第1のステッチバンプ402の上面にボンドして、第1のステッチバンプ402の上に第2のステッチボンド140が形成されるようにする。各ボンドワイヤ130は、溶融ボール138を用いて第2のダイ120上のボンディングパッド132に、更に第2のステッチボンド140を用いて第1のステッチバンプ402にボンドすることで、第2のステッチボンド140が第1のステッチバンプ402の上に重なるようにする。図8Cは更に、第2のダイ120と基板110との間にボンドされた2本のボンドワイヤ130を示す。しかしながら、いかなる数のボンドワイヤも使用可能である。換言すると、ボンドワイヤ130を取り付けるために各ダイ120上に1つ以上のボンディングパッドがある場合がある。032図7のステップ708では、第2のステッチバンプを形成する。ステップ708を更に示す図8Dにおいて、第2のステッチバンプ402が、ステップ706で形成した各第2のステッチボンド140の上に形成されて、各第2のステッチバンプ402が第2のステッチボンド140の上に重なっている。図8Bに示し上述したように、第2のステッチバンプ402も、ボンディングパッド132上の溶融ボール138を形成するものと同一のプロセスによって形成される。ワイヤの一部を溶融することによって溶融ボールを形成した後、新しく配置した溶融ボールからワイヤをカットして第2のステッチバンプ402を形成する。次いで、追加のダイ120及びそれらの対応するボンドワイヤ130を取り付けるためにこのプロセスを繰り返せば良い。033図9は、複数のボンドワイヤ130を有する複数のダイ120を基板110に取り付けるための別のプロセスのステップを示す。図9に示すプロセスのステップは、図7に示したプロセスのステップよりも好適である。以下で詳細に論じるように、次のダイを配置した後に初めて各ステッチバンプを配置することによって、より強固な製造プロセスを達成する。次のダイが配置されるまでステッチバンプは配置されないので、製造プロセスの間にステッチバンプスタックに損傷を与える危険性が小さくなる。034図10Aから図10Dは、製造プロセスの段階を更に示し、図9のステップについて追加の詳細を与える。図9のステップ902では、第1のダイを取り付け、続いて第1のワイヤボンドを形成する。ステップ902を更に示す図10Aにおいて、第1のダイ120が基板110に取り付けられている。第1のダイ120は接着層122によって基板110に取り付けられる。上述のように、接着層122はウェハレベルで前のステップでダイ120に貼り合わせるか、又は取り付け時にダイ120又は下にある表面のいずれかに取り付けることができる。第1のダイ120を基板110に取り付けた後、複数のボンドワイヤ130の各々を、第1のダイ120のボンディングパッド132に、及び基板110上のボンドフィンガ136の対応するコンタクトポイント134にボンドする。ボンドワイヤ130は、いずれかの適切な導電材料例えば銅、銀、及び金で形成することができる。図10Aは、第1のダイ120と基板110との間にボンドした2本のボンドワイヤ130を示す。しかしながら、いずれの数のボンドワイヤも使用可能である。換言すると、ボンドワイヤ130を取り付けるために各ダイ120上に1つ以上のボンディングパッドがある場合がある。各ボンドワイヤ130は、第1のボンドとしても知られる溶融ボール138によって第1のダイ120にボンドされ、第2のボンドとしても知られるステッチボンド140によってコンタクトポイント134にボンドされる。換言すると、各ボンドワイヤは第1及び第2のボンドによってダイ及びボンドフィンガにボンドされる。035図9のステップ904では、第2のダイを取り付け、続いて第1のステッチバンプを形成する。ステップ904を更に示す図10Bにおいて、第1のフィルムオーバーフィルムFOW層624及び第2のダイ120が第1のダイ120上に配置されている。第1のFOW層624は、別個のステップで第1のダイ120に適用することができ、又は第2のダイ120に予め適用して第2のダイ120及び取り付けたFOW層624が同時に適用されるようにすることも可能である。第2のダイ120及び第1のFOW層624を第1のダイ120に取り付けた後、第1のステッチボンド140上に第1のステッチバンプ402を形成する。上述のように、第1のステッチバンプ402は、ボンディングパッド132上の溶融ボール138を形成するものと同一のプロセスによって形成される。しかしながら、ワイヤの一部を溶融させることによって溶融ボールを形成した後、新しく配置した溶融ボールからワイヤをカットして第1のステッチバンプ402を形成する。036図9のステップ906では、第2のワイヤボンドを形成する。ステップ906を更に示す図10Cにおいて、第2の複数のボンドワイヤ130の各々を、第2のダイ120のボンディングパッド132及び対応する第1のステッチバンプ402の上面にボンドして、第1のステッチバンプ402の上に第2のステッチボンド140が形成されるようにする。各ボンドワイヤ130は、溶融ボール138を用いて第2のダイ120上のボンディングパッド132に、更に第2のステッチボンド140を用いて第1のステッチバンプ402にボンドされる。図10Cは、第2のダイ120と基板110との間にボンドされた2本のボンドワイヤ130を示す。しかしながら、いかなる数のボンドワイヤも使用可能である。換言すると、ボンドワイヤ130を取り付けるために各ダイ120上に1つ以上のボンディングパッドがある場合がある。037図9のステップ908では、第3のダイを取り付け、続いて第2のステッチバンプを形成する。ステップ908を更に示す図10Dにおいて、第2のフィルムオーバーフィルムFOW層624及び第3のダイ120が第2のダイ120上に配置されている。第2のFOW層624は、別個のステップで第2のダイ120に適用することができ、又は第3のダイ120に予め適用して第3のダイ120及び取り付けたFOW層624が同時に適用されるようにすることも可能である。第3のダイ120及び第2のFOW層624を第2のダイ120に取り付けた後、第1のステッチバンプ402上に形成した第2のステッチボンド140の上に第2のステッチバンプ402を形成する。上述のように、第2のステッチバンプ402は、ボンディングパッド132上の溶融ボール138を形成するものと同一のプロセスによって形成される。ワイヤの一部を溶融させることによって溶融ボールを形成した後、新しく配置した溶融ボールからワイヤをカットして第2のステッチバンプ402を形成する。次いで、対応するボンドワイヤ130を第3のダイ120及び基板に取り付けるため、更に追加のダイ120及びそれらの対応するボンドワイヤ130を取り付けるために、このプロセスを繰り返せば良い。038いくつかの好適な実施形態及び方法を本明細書において開示したが、本発明の精神及び範囲から逸脱することなくこのような実施形態及び方法の変形及び変更を実施可能であることは、前述の開示から当業者には明らかであろう。本発明は、添付の特許請求の範囲並びに適用可能な法律の規則及び原理によって必要な程度にのみ限定することが意図される。