"銅充填ビアを製造するための方法であって、誘電体内にビアをエッチングするステップと、前記ビアを拡散バリアでライニングするステップと、前記拡散バリアの上に、ルテニウム層を共形に堆積させるステップと、前記ルテニウム層上に、シード銅層を堆積させるステップと、第1のアニールを行って、前記シード銅層の粒径を増大させるステップと、前記ビアを付加的な銅で充填するステップと、第2のアニールを行って、前記付加的な銅の粒径を増大させるステップと、を含む方法。前記ビアを前記拡散バリアでライニングするステップは、前記ビアをライニングするために、前記誘電体の上に窒化タンタル層を堆積させるステップと、前記窒化タンタル層上にタンタル層を堆積させるステップと、を含む、請求項1に記載の方法。前記窒化タンタル層は、5ナノメートルから15ナノメートルまでの厚さに堆積される、請求項2に記載の方法。前記窒化タンタル層は、8ナノメートルから12ナノメートルまでの厚さに堆積される、請求項2又は請求項3のいずれかに記載の方法。前記タンタル層は、5ナノメートルから15ナノメートルまでの厚さに堆積される、請求項2から請求項4までのいずれかに記載の方法。前記タンタル層は、8ナノメートルから12ナノメートルまでの厚さに堆積される、請求項2から請求項5までのいずれかに記載の方法。前記ルテニウム層は、1ナノメートルから10ナノメートルまでの厚さに堆積される、前記請求項のいずれかに記載の方法。前記ルテニウム層は、2ナノメートルから5ナノメートルまでの厚さに堆積される、前記請求項のいずれかに記載の方法。前記ルテニウム層は、化学気相堆積を用いて前記拡散バリアの上に堆積される、前記請求項のいずれかに記載の方法。ルテニウムカルボニルが、前記化学気相堆積のための前駆体として用いられる、請求項9に記載の方法。前記ルテニウム層は、原子層堆積を用いて前記拡散バリアの上に堆積される、請求項1から請求項8までのいずれかに記載の方法。ルテニウムカルボニルが、前記原子層堆積のための前駆体として用いられる、請求項11に記載の方法。前記ルテニウム層は、スパッタ堆積プロセスを用いて前記拡散バリアの上に堆積される、請求項1から請求項8までのいずれかに記載の方法。前記シード銅層は、20ナノメートルから100ナノメートルまでの厚さに堆積される、前記請求項のいずれかに記載の方法。前記シード銅層は、25ナノメートルから35ナノメートルまでの厚さに堆積される、前記請求項のいずれかに記載の方法。前記シード銅層は、スパッタ堆積プロセスを用いて堆積される、前記請求項のいずれかに記載の方法。前記第1のアニールは、フォーミングガス中で、150°Cから350°Cまでの温度で行われる、前記請求項のいずれかに記載の方法。付加的な銅を前記ビア内にめっきするステップをさらに含む、前記請求項のいずれかに記載の方法。前記付加的な銅を前記ビア内に電気めっきする、請求項18に記載の方法。前記第2のアニールは、フォーミングガス中で、150°Cから350°Cまでの温度で行われる、前記請求項のいずれかに記載の方法。前記ビアを付加的な銅で充填するステップは、前記第1のアニールを行うステップに応じたものである、前記請求項のいずれかに記載の方法。誘電体内に形成された銅充填ビアであって、ビアと、前記ビアをライニングする拡散バリアと、前記拡散バリア上に共形に堆積されたルテニウム層と、前記ルテニウム層上に堆積されたシード銅層と、前記銅充填ビアを形成するために前記ビアを充填する、前記シード銅層上にめっきされた付加的な銅と、を含み、前記付加的な銅は、前記ビアの幅の少なくとも0.5倍の平均粒子幅を有する、銅充填ビア。前記ビアは、20ナノメートルから50ナノメートルまでの幅を有する、請求項22に記載の銅充填ビア。前記拡散バリアは、前記ビアをライニングする窒化タンタル層と、前記窒化タンタル層上のタンタル層とを含む、請求項22又は請求項23のいずれかに記載の銅充填ビア。前記ルテニウム層は、1ナノメートルから10ナノメートルまでの厚さを有する、請求項22から請求項24までのいずれかに記載の銅充填ビア。前記シード銅層は、20ナノメートルから100ナノメートルまでの厚さを有する、請求項22から請求項25までのいずれかに記載の銅充填ビア。従って、当技術分野においては、Cu充填ビアの導電率を向上させる必要性がある。本発明は、銅Cu充填ビアの導電率を向上させるための技術を提供する。本発明の一態様において、Cu充填ビアを製造する方法が提供される。この方法は、以下のステップを含む。誘電体内にビアをエッチングする。ビアを拡散バリアでライニングする。拡散バリアの上に、薄いルテニウムRu層を共形に堆積させる。Ru層上に、薄いシードCu層を堆積させる。第1のアニールを行って、シードCu層の粒径を増大させる。ビアを付加的なCuで充填する。第2のアニールを行って、付加的なCuの粒径を増大させる。本発明の別の態様において、ビアと、ビアをライニングする拡散バリアと、拡散バリア上に共形に堆積された薄いRu層と、Ru層上に堆積された薄いシードCu層と、Cu充填ビアを形成するためにビアを充填する、薄いシードCu層上にめっきされた付加的なCuとを含む、誘電体内に形成された銅充填ビアが提供される。付加的な銅は、ビアの幅の少なくとも0.5倍の平均粒子幅を有する。ビアの幅は、約20ナノメートルから約50ナノメートルまでとすることができる。本発明、並びに本発明の更なる特徴及び利点は、以下の詳細な説明及び図面を参照することによって、より完全に理解されるであろう。ここで本発明を、以下の図面内に示される好ましい実施形態を参照して、単なる例示として説明する。図1-図5は、銅Cu充填ビアを製造するための例示的な方法を示す図である。有利なことに、本技術を用いて形成されるCu充填ビアの抵抗は、従来技術を用いて生成される構造体と比較すると、一貫して10-15の減少を示す。プロセスを開始するために、基板の上に誘電体が形成される。図1は、基板100の上に堆積された誘電体120を示す断面図である。誘電体120は、これらに限定されるものではないが、二酸化シリコンSiO2、シリコン炭素酸素水素材料例えば、SICOH及び有機ポリマーのうちの1つ又は複数を含む、いずれかの適切な誘電体材料を含むことができ、かつ、化学気相堆積CVD、原子層堆積ALD、蒸着、スパッタリング、又はスピンオンコーティングのような溶液ベースの技術といったいずれかの適切な堆積プロセスを用いて、約10ナノメートルnmから約1,000nmまでの厚さに堆積させることができる。基板100は、一般に、単層又は多層の配線アレイ内のいずれかの配線層又はコンタクト層を表す。次に、反応性イオンエッチングRIEのようないずれかの適切なエッチングプロセスを用いて、狭いビア101が、誘電体120内にエッチングされる。図1に示される例示的な実施形態によると、ビア101は、約20nmから約50nmまでの幅wを有するように形成される。次に、ビアを拡散バリアでライニングする。図2は、拡散バリア202でライニングされたビア101を示す断面図である。例示的な実施形態によると、拡散バリア202は、2つの層で構成される。ビアをライニングするために、第1の層、すなわち窒化タンタルTaN層202aが、誘電体120の上に、約5nmから約15nmまでの厚さ、例えば約8nmから約12nmまでの厚さに堆積される。第2の層、すなわちタンタルTa層202bが、TaN層202aの上に、約5nmから約15nmまでの厚さ、例えば約8nmから約12nmまでの厚さに堆積される。拡散バリア202は、Cuが誘電体内に拡散するのを防ぐ以下を参照されたい。次に、拡散バリアの上に、薄いルテニウムRu層を共形に堆積させる。図3は、拡散バリア202の上にすなわち、Ta層202bの上に堆積されたRu層302を示す断面図である。例示的な実施形態によると、前駆体としてルテニウムカルボニルを用いるCVD又はALDを用いて、Ru層302が、拡散バリア202の上に、約1nmから約10nmまでの厚さ、例えば約2nmから約5nmまでの厚さに共形に堆積される。CVD又はALDにより、拡散バリア上へのRuの均一かつ共形の被覆範囲が確実になる拡散バリアからのいずれかのTaが、後のプロセスステップ中に露出されることは望ましくない。代替的に、スパッタ堆積プロセスを用いて、Ru層302を拡散バリア202の上に堆積させることもできる。Ru層302は、2つの目的を果たす。第1に、Ru層302は、より大きいシード粒子の形成を容易にするための、シードCu層のための湿潤剤として働く以下を参照されたい。第2に、Ru層302は、シードCu層の粒径を増大させるために用いられるアニールステップ中に、下にある拡散バリア202を酸化から保護するように働く同様に以下を参照されたい。従って、Ruによる均一な被覆範囲は重要である。Ru層上に、薄いシードCu層を堆積させる。図4は、電気めっきに備えてビアを準備するための、Ru層302上に堆積されたシードCu層402を示す断面図である。例示的な実施形態によると、シードCu層402は、スパッタ堆積プロセスを用いて、Ru層302上に、約20nmから約100nmまでの厚さ、例えば約25nmから約35nmまでの厚さに堆積される。次に、アニールを行って、シードCu層402の粒径を増大させる。例示的な実施形態によると、アニールは、フォーミングガス例えば、水素、又は、例えば水素と、窒素若しくは希ガスなどの基板が反応しないいずれかのガスとの混合物中で、摂氏約150度°Cから約350°Cまでの温度、例えば約250°Cの温度で行われる。シードCu層をアニールするこのステップは、ビアの充填に用いられる電気めっき以下を参照されたいの前に行われることに注目すべきである。このことにより、より大きいシード粒子が生成され、この大きいシード粒子は、電気化学的Cu充填後にビア内により大きい粒子を形成するのを促進する。さらに、Ru層302が導入されない場合、このシードCu層のアニールは、2つの理由で有効ではない。第1に、シードCu層が、Cuによって濡れにくい拡散バリアのTa表面の上に堆積されることである。従って、アニールにより、シードCu層が球状になり、所望の均一で平坦な粒子が形成されない。第2に、拡散バリアのTa層上のシードCu層の連続性の欠如により、露出したTaが酸化するアニールが、非常に費用のかかる超高真空環境中で行われた場合を除いて。Taの酸化は、構造体のエレクトロマイグレーション性能を低下させる。酸素に対するTaの化学親和力が高いために、ひとたび酸化すると、後の還元プロセスによってTaを金属状態に戻すように試みることは実用的でない。提案される構造体において、この問題は、均一で共形のRu層、すなわち耐酸化性の貴金属でTaを覆うことにより回避される。次に、ビアを付加的なCuで充填する。図5は、Cu502で充填されたビア101を示す断面図である。例示的な実施形態によると、電気めっきプロセスを用いて、Cu502がビア101内にめっきされる。図5に示されるように、必要に応じて、ビアを過剰充填する可能性があるCu502を、シードCu層402の上面と同一平面になるように研磨することができる。代替的に、シードCu層402の上面を覆うように、Cu502の過剰充填を残すこともできる。例えば、以下に説明される図6を参照されたい。再びアニールを行って、今度はCu502の粒径を増大させる。例示的な実施形態によると、アニールは、フォーミングガス中で、約150°Cから約350°Cまでの温度、例えば約250°Cの温度で行われる。Cu502の粒径を増大させることにより、ビアの導電率も増大される。すなわち、試験において、本技術によって形成されたビアの抵抗は、従来の方法で準備された構造体と比較すると、一貫して10-15の減少を示した。試験において、6つの後の配線層の製造をシミュレートするために、本発明の構造体及び従来の構造体のどちらにもさらに、更なる熱サイクル処理が施された。このような処理の後、本発明の構造体の10から15までの性能の利点が維持された。シードCu層の粒径を増大させることは、電気化学的Cu充填後にビア内により大きい粒子を形成するのを促進する。本技術のこの利点が、図6に概略的に示され、例証されている。図6は、上述の製造プロセスを用いて生成されるCu充填ビアを示す断面図である。Cu602は、例えば、上記の図5の説明と関連して説明されたステップのようにビア内に充填された付加的なCuを表す。説明を容易かつ明確にするために、例えば拡散バリア、Ru層及びシードCu層例えば、上述した図5を参照されたいなどの、Cu充填前に堆積された種々の層は図示されていないが、これらの層が本例に存在することを理解すべきである。さらに、図5のCu502とは対照的に、図6の付加的なCu充填物、すなわちCu602はビアを過剰充填する。上記で強調されたように、必要に応じて、随意的な研磨ステップを用いて、過剰充填部を除去することができる。図6は、本技術の有利な粒子特性を強調するために提供されている。具体的には、最初にシードCu層の粒径を成長させることにより上記を参照されたい、付加的なCuの充填及び最終アニールの後に同じく上記を参照されたい、ビア内でより大きくより均一な粒子が達成される。単なる例として、Cu602内で得られる粒径gは、構造部サイズfeaturesizeの少なくとも約0.5倍である。粒径gは、粒子の断面幅として測定された長さ寸法として定量化することができる図6を参照されたい。構造部サイズは、構造部本例ではビアの断面幅として定量化することができる図1を参照されたい。従って、この場合、平均すると、付加的なCu602の粒子最終アニール後は、ビアの断面幅の少なくとも0.5倍である断面幅を有する。本技術を用いて、ビアの断面幅に等しい断面幅を有する、付加的なCu充填部内の粒子を得ることが可能である。図6を参照されたい。本構造体においては、粒径がほぼ均一であることにも注目すべきである。単なる例として、粒径例えば、上述のような粒子の断面幅に基づいて測定されたは、ビア全体を通して25パーセントよりも大きく変化しない。比較すると、従来技術では、ビア全体を通して生成される粒径は不均一であり、より大きい粒子がビアの上部に生成され、より小さな粒子がビアの底部に生成されるCuがより多くの空間的に閉じ込められた場合。これらのより小さい粒子の断面幅は、典型的には、ビアの断面幅の約0.2倍であり、本技術で生成されるものより1桁小さい。本発明の例証的な実施形態をここで説明したが、本発明は、これらの正確な実施形態に制限されるものではないこと、及び、当業者であれば、本発明の範囲を逸脱することなく種々の他の変更及び修正を行い得ることを理解すべきである。"