"コンデンサマイクロホンユニット、上記コンデンサマイクロホンユニットの静電容量変化分を音声信号に変換するFETおよび上記FETのソースに現れる音声信号を所定に増幅するエミッタフォロワの電流増幅用トランジスタを含むユニット部と、ファントム電源が接続される3極出力コネクタおよび上記ファントム電源からの給電により上記FETのドレインに所定の駆動電流を与える定電流ダイオードを有する給電回路を含むマイクロホン本体とを備え、上記ユニット部が上記マイクロホン本体に対して電気的機械的に着脱自在に連結されるコンデンサマイクロホンにおいて、上記ユニット部側では、上記電流増幅用トランジスタが上記FETのドレインと接地との間に接続され、上記FETのドレインに接続されるドレイン配線が給電線と信号出力線とに兼用され、上記ドレイン配線に上記マイクロホン本体に対する第1接続端子を有し、上記マイクロホン本体側には、上記3極出力コネクタのホット側2番ピンに接続される第1定電流ダイオードと、コールド側の3番ピンに接続される第2定電流ダイオードとが設けられ、上記第1および第2定電流ダイオードの各カソード側が、ともに上記第1接続端子の相手となる第2接続端子に接続され、上記第1定電流ダイオードのカソードとアノードとの間に交流結合用の第1コンデンサ素子が接続され、上記第2定電流ダイオードのアノードと接地との間に交流結合用の第2コンデンサ素子と抵抗素子の直列回路が接続されており、上記ユニット部を上記マイクロホン本体に連結するに伴って、上記第1接続端子と上記第2接続端子同士およびそれらの接地同士が接続されることを特徴とするコンデンサマイクロホン。上記抵抗素子のインピーダンスが上記電流増幅用トランジスタの出力インピーダンスにほぼ等しいことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサマイクロホン。上記ドレイン配線と接地との間に、上記第2接続端子から供給されるファントム電源を分圧して、上記電流増幅用トランジスタのベースに対するバイアス電圧とする分圧抵抗が接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載のコンデンサマイクロホン。上記2番ピンと上記3番ピンには、上記ファントム電源より等しい電圧が印加されることを特徴とする請求項1,2または3に記載のコンデンサマイクロホン。したがって、本発明の課題は、ユニット部がマイクロホン本体に対して交換可能であるファントム電源で動作するコンデンサマイクロホンにおいて、接点が1箇所で低いインピーダンスにてユニット部とマイクロホン本体とを着脱可能とすることにある。上記課題を解決するため、本発明は、コンデンサマイクロホンユニット、上記コンデンサマイクロホンユニットの静電容量変化分を音声信号に変換するFETおよび上記FETのソースに現れる音声信号を所定に増幅するエミッタフォロワの電流増幅用トランジスタを含むユニット部と、ファントム電源が接続される3極出力コネクタおよび上記ファントム電源からの給電により上記FETのドレインに所定の駆動電流を与える定電流ダイオードを有する給電回路を含むマイクロホン本体とを備え、上記ユニット部が上記マイクロホン本体に対して電気的機械的に着脱自在に連結されるコンデンサマイクロホンにおいて、上記ユニット部側では、上記電流増幅用トランジスタが上記FETのドレインと接地との間に接続され、上記FETのドレインに接続されるドレイン配線が給電線と信号出力線とに兼用され、上記ドレイン配線に上記マイクロホン本体に対する第1接続端子を有し、上記マイクロホン本体側には、上記3極出力コネクタのホット側2番ピンに接続される第1定電流ダイオードと、コールド側の3番ピンに接続される第2定電流ダイオードとが設けられ、上記第1および第2定電流ダイオードの各カソード側が、ともに上記第1接続端子の相手となる第2接続端子に接続され、上記第1定電流ダイオードのカソードとアノードとの間に交流結合用の第1コンデンサ素子が接続され、上記第2定電流ダイオードのアノードと接地との間に交流結合用の第2コンデンサ素子と抵抗素子の直列回路が接続されており、上記ユニット部を上記マイクロホン本体に連結するに伴って、上記第1接続端子と上記第2接続端子同士およびそれらの接地同士が接続されることを特徴としている。本発明の好ましい態様によれば、上記抵抗素子のインピーダンスが上記電流増幅用トランジスタの出力インピーダンスにほぼ等しくされる。また、定格電圧の異なるファントム電源が使用された場合でも、その各々の電源に応じた最大出力レベルが確保できるようにするうえで、上記ドレイン配線と接地との間に、上記第2接続端子から供給されるファントム電源を分圧して、上記電流増幅用トランジスタのベースに対するバイアス電圧とする分圧抵抗が接続される。また、上記2番ピンと上記3番ピンには、上記ファントム電源より等しい電圧が印加される。本発明によれば、インピーダンス変換器としてのFETがユニット部側に搭載され、FETのドレイン側から音声信号を取り出す方式であることから、信号系の接点は1つでよく、しかも、電流増幅用トランジスタの出力部での出力インピーダンスは、ファントム電源からの給電電圧にかかわらず例えば200Ω程度と低くできるため、接点が1箇所で低いインピーダンスにてユニット部とマイクロホン本体とを着脱することが可能となる。次に、図1により、本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図1を参照して、本発明のコンデンサマイクロホンは、ユニット部ヘッド部10と、マイクロホン本体20手持ち式の場合はグリップ部とを備えており、ユニット部10は、マイクロホン本体20に対して着脱可能交換可能である。図示しないが、ユニット部10およびマイクロホン本体20は、ともにアルミニウムや黄銅合金等の金属材からなる円同状の筐体を有し、これらの筐体同士は、例えば雄ネジと雌ネジとの螺合により連結される。筐体は接地として用いられる。ユニット部10には、コンデンサマイクロホンユニット以下、マイクロホンユニットと言うことがあるMUと、インピーダンス変換器としてのFET電界効果トランジスタQ1と、エミッタフォロワの電流増幅用のトランジスタQ2からなる電流増幅回路とが内蔵されている。マイクロホンユニットMUは、エレクトレット型であることが好ましいが、エレクトレット型でなくてもよい。マイクロホンユニットMUの固定極側は、FETQ1のゲートGに接続され、振動板側は接地ライン筐体L2に接続される。この実施形態において、FETQ1はバイアス回路内蔵型であって、ゲートGとソースSとの間に、2つのダイオードと1つの抵抗素子とを組み合わせたバイアス回路を備えている。このコンデンサマイクロホンには、FETQ1のドレインDから音声信号を取り出す方式が採用されており、ドレインDに接続されるドレイン配線L1が給電線と信号出力線とに兼用され、ドレイン配線L1の一端には、マイクロホン本体20に対する第1接続端子11が設けられている。この実施形態において、トランジスタQ2はPNP型で、そのエミッタが交流結合用の電解コンデンサC2を介してドレイン配線L1に接続され、コレクタは接地ラインL2に接続されている。トランジスタQ2のベースには、交流結合用の電解コンデンサC1を介してFETQ1のソースSが接続されている。FETQ1のソースSは、出力用の抵抗素子R2を介してトランジスタQ2のエミッタに接続されている。また、FETQ1のドレインDとソースSとの間には、そのドレイン-ソース間の電圧を一定に保持するダイオードD1が接続されている。また、ドレイン配線L1と接地ラインL2との間には、接続端子11から給電されるファントム電源の電圧を分圧してトランジスタQ2のベースにバイアス電圧を与える分圧抵抗素子R0,R1が接続されている。これにより、定格電圧の異なるファントム電源12V,24V,48Vが使用された場合でも、それに応じてトランジスタQ2のバイアス電圧が変化するため、その各々の電源に応じた最大出力レベルが確保されることから、いずれの電圧のファントム電源が使用された場合でも、トランジスタQ2の出力部での出力インピーダンスは200Ω程度と低くできる。これに対して、マイクロホン本体20には、ファントム電源30が接続される3極出力コネクタ22と、ユニット部10に対する給電回路としての2つの定電流ダイオードD2,D3とが設けられている。3極出力コネクタ22は、EIAJRC-5236音響機器用ラッチロック式丸型コネクタに規定されているコネクタもしくはこれに相当するコネクタで、接地の1番ピン22e,信号のホット側の2番ピン22hおよび信号のコールド側の3番ピン22cを有する。定電流ダイオードD2は、そのアノード側が2番ピン22hに接続され、定電流ダイオードD3は、そのアノード側が3番ピン22cに接続されている。定電流ダイオードD2,D3の各カソードは、ともにユニット部10の第1接続端子11の相手となる第2接続端子21に接続されている。また、定電流ダイオードD2のカソードとアノードとの間に、交流結合用の電解コンデンサC3が接続され、定電流ダイオードD3のアノードと接地ラインL3との間に、交流結合用の電解コンデンサC4と抵抗素子R3の直列回路が接続されている。接地ラインL3はマイクロホン本体20の筐体であってよく、接地ラインL3は1番ピン22eと接続されている。ファントム電源30は、12V,24V,48Vのいずれかに設定された直流電源Eを有し、その負極側は1番ピン22eに接続される。直流電源Eの正極側は、抵抗値の等しい抵抗素子R4,R5を介して2番ピン22hと3番ピン22cとに接続される。一例として、直流電源Eが48Vの場合、抵抗素子R4,R5には、それぞれ6.8kΩが用いられる。上記した構成によれば、ユニット部10をマイクロホン本体20に連結するに伴って、第1接続端子11と第2接続端子21同士およびそれらの接地ラインL2,L3同士が接続される。接地ラインL2,L3は、筐体同士の接続となるため、信号系の接点は接続端子11,12の1箇所のみとなる。第1接続端子11と第2接続端子21には、例えば端子ピンと板バネ片等の組み合わせからなる所定のコネクタ部材が用いられてよい。フアントム電源30を接続してのマイクロホン使用時、定電流ダイオードD2,D3から接続端子11,21およびドレイン配線L1を介してFETQ1のドレインDに電流が供給される。到来する音波によるマイクロホンユニットMUの静電容量の変化分が、FETQ1のソースSから音声信号として出力される。この音声信号は、エミッタフォロワのトランジスタQ2により所定に増幅され、そのエミッタ側からドレイン配線L1,接続端子11,21を介してマイクロホン本体20側に出力される。マイクロホン本体20側において、音声信号は、交流結合用の電解コンデンサC3を介して2番ピン22hに至る。これにより、音声信号は、2番ピン22hと3番ピン22cとに接続される交流結合用の電解コンデンサC5,C6を有する出力端子T1,T2からミキサ等の音声出力回路に向けて出力される。この実施形態において、上記したように、トランジスタQ2の出力部での出力インピーダンスは200Ω程度と低く、一方で定電流ダイオードD2,D3は交流的に高いインピーダンスを持つことから、信号系の接点が1箇所で低いインピーダンスにてユニット部10とマイクロホン本体20とを着脱できる。また、出力トランスも不要である。なお、2番ピン22h側と3番ピン22c側とのインピーダンス整合をとるため、3番ピン22c側に接続される抵抗素子R3の抵抗値をトランジスタQ2の出力部での出力インピーダンスに合わせるこの実施形態では200Ω程度とすることが好ましい。"