"シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段と、を具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法において、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記振動梁を挟んで前記基板面に平行に対向して対向隙間を有して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2,第3の電極板と、を具備し、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁が、下記の工程を含む振動式トランスデューサの製造方法。1SOI基板の一方の面のシリコン層にエッチングにより前記対向隙間を形成する対向隙間形成工程。2前記SOI基板の一方の表面と前記対向隙間表面に前記振動梁に引張の応力を付与する不純物拡散源層を成膜する不純物拡散源層成膜工程。3熱処理により前記一方の面のシリコン層に前記不純物拡散源層の不純物を拡散し不純物拡散層を成膜する不純物拡散層成膜工程。4前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを同一工程でエッチングあるいは前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを別工程で順番にエッチングして前記振動梁を形成する振動梁エッチング形成工程。シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段と、を具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法において、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記振動梁を挟んで前記基板面に平行に対向して対向隙間を有して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2,第3の電極板と、を具備し、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁が、下記の工程を含む振動式トランスデューサの製造方法。1SOI基板の一方の面のシリコン層表面に前記引張りの応力の付与の量が調整出来る引張付与量調整層が成膜される引張付与量調整層成膜工程。2前記SOI基板の一方の面のシリコン層にエッチングにより前記対向隙間を形成する対向隙間形成工程。3前記SOI基板の一方の面の表面と前記対向隙間表面に前記振動梁に引張の応力を付与する不純物拡散源層を成膜する不純物拡散源層成膜工程。4熱処理により前記一方の面のシリコン層に前記不純物拡散源層の不純物を拡散し不純物拡散層を成膜する不純物拡散層成膜工程5前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを同一工程でエッチングあるいは前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを別工程で順番にエッチングして前記振動梁を形成する振動梁エッチング形成工程。シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段と、を具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法において、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記振動梁を挟んで前記基板面に平行に対向して対向隙間を有して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2,第3の電極板と、を具備し、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁が、下記の工程を含む振動式トランスデューサの製造方法。1SOI基板の一方の面のシリコン層にエッチングにより前記対向隙間を形成する対向隙間形成工程。2前記SOI基板の一方の表面と前記対向隙間表面にマスク層を成膜するマスク層成膜工程。3前記マスク層の表面に前記振動梁に引張の応力を付与する不純物拡散源層を成膜する不純物拡散源層成膜工程。4熱処理により前記一方の面のシリコン層に前記不純物拡散源層の不純物を拡散し不純物拡散層を成膜する不純物拡散層成膜工程。5前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを同一工程でエッチングあるいは前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを別工程で順番にエッチングして前記振動梁を形成する振動梁エッチング形成工程。シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段と、を具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法において、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記振動梁を挟んで前記基板面に平行に対向して対向隙間を有して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2,第3の電極板と、を具備し、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁が、下記の工程を含む振動式トランスデューサの製造方法。1SOI基板の一方の表面に前記振動梁に引張の応力を付与する不純物拡散源層を成膜する不純物拡散源層成膜工程。2前記不純物拡散源層と前記SOI基板の一方の面のシリコン層にエッチングにより前記対向隙間を形成する対向隙間形成工程。3熱処理により前記一方の面のシリコン層に前記不純物拡散源層の不純物を拡散し不純物拡散層を成膜する不純物拡散層成膜工程。4前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを同一工程でエッチングあるいは前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを別工程で順番にエッチングして前記振動梁を形成する振動梁エッチング形成工程。このような装置においては、以下の問題点がある。従来例では、振動子が基板に対して垂直に振動し、振動子,励振電極,振動検出電極が積層構造となっているため、製造プロセスにおいて多くの加工工程が必要となっていた。また従来例に示したように、振動子を形成するときに不純物濃度差選択エッチングするためにボロン濃度を4×1019以上にしなければならなかった。更に、エピタキシャル方式では振動子中の欠陥や転位の発生により振動子張力の制御を精度よく行うことが難しく、振動子が厚い場合には高張力を発生することができない。また、不純物による引っ張り膜応力によって、ウエハが反ってしまう。このため、エピタキシャル方式では、厚く高張力を持った振動子を形成することが出来ない。一方、通常の拡散方式では、張力を持った厚い振動子を形成しようとすると、拡散長を伸ばす必要があるため、長時間の拡散が必要となってしまう。例えば、300ueを超える高張力を発生することができなかった。更に、振動子をエピタキシャル法にて作成する時、その膜厚が約5umを越える程度に厚い場合、張力が低下してしまうため高さ方向に厚い振動子を形成することができなかった。本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、精度が良く高張力を有する振動梁を具備する振動式トランスデューサを提供することにある。このような課題を達成するために、本発明では、請求項1の振動式トランスデューサの製造方法においては、シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段と、を具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法において、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記振動梁を挟んで前記基板面に平行に対向して対向隙間を有して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2,第3の電極板と、を具備し、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁が、下記の工程を含む振動式トランスデューサの製造方法。1SOI基板の一方の面のシリコン層にエッチングにより前記対向隙間を形成する対1bv向隙間形成工程。2前記SOI基板の一方の表面と前記対向隙間表面に前記振動梁に引張の応力を付与する不純物拡散源層を成膜する不純物拡散源層成膜工程。3熱処理により前記一方の面のシリコン層に前記不純物拡散源層の不純物を拡散し不純物拡散層を成膜する不純物拡散層成膜工程。4前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを同一工程でエッチングあるいは前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを別工程で順番にエッチングして前記振動梁を形成する振動梁エッチング形成工程。本発明の請求項2の振動式トランスデューサの製造方法においては、シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段と、を具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法において、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記振動梁を挟んで前記基板面に平行に対向して対向隙間を有して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2,第3の電極板と、を具備し、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与され前記基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有するシリコン単結晶の振動梁が、下記の工程を含む振動式トランスデューサの製造方法。1SOI基板の一方の面のシリコン層表面に前記引張りの応力の付与の量が調整出来る引張付与量調整層が成膜される引張付与量調整層成膜工程。2前記SOI基板の一方の面のシリコン層にエッチングにより前記対向隙間を形成する対向隙間形成工程。3前記SOI基板の一方の面の表面と前記対向隙間表面に前記振動梁に引張の応力を付与する不純物拡散源層を成膜する不純物拡散源層成膜工程。4熱処理により前記一方の面のシリコン層に前記不純物拡散源層の不純物を拡散し不純物拡散層を成膜する不純物拡散層成膜工程5前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを同一工程でエッチングあるいは前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを別工程で順番にエッチングして前記振動梁を形成する振動梁エッチング形成工程。本発明の請求項3の振動式トランスデューサの製造方法においては、シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段と、を具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法において、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記振動梁を挟んで前記基板面に平行に対向して対向隙間を有して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2,第3の電極板と、を具備し、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁が、下記の工程を含む振動式トランスデューサの製造方法。1SOI基板の一方の面のシリコン層にエッチングにより前記対向隙間を形成する対向隙間形成工程。2前記SOI基板の一方の表面と前記対向隙間表面にマスク層を成膜するマスク層成膜工程。3前記マスク層の表面に前記振動梁に引張の応力を付与する不純物拡散源層を成膜する不純物拡散源層成膜工程。4熱処理により前記一方の面のシリコン層に前記不純物拡散源層の不純物を拡散し不純物拡散層を成膜する不純物拡散層成膜工程。5前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを同一工程でエッチングあるいは前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを別工程で順番にエッチングして前記振動梁を形成する振動梁エッチング形成工程。本発明の請求項4の振動式トランスデューサの製造方法においては、シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段と、を具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法において、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記振動梁を挟んで前記基板面に平行に対向して対向隙間を有して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2,第3の電極板と、を具備し、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁が、下記の工程を含む振動式トランスデューサの製造方法。1SOI基板の一方の表面に前記振動梁に引張の応力を付与する不純物拡散源層を成膜する不純物拡散源層成膜工程。2前記不純物拡散源層と前記SOI基板の一方の面のシリコン層にエッチングにより前記対向隙間を形成する対向隙間形成工程。3熱処理により前記一方の面のシリコン層に前記不純物拡散源層の不純物を拡散し不純物拡散層を成膜する不純物拡散層成膜工程。4前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを同一工程でエッチングあるいは前記不純物拡散源層と前記SOI基板の酸化シリコンを別工程で順番にエッチングして前記振動梁を形成する振動梁エッチング形成工程。本発明の請求項1によれば、次のような効果がある。振動梁は測定圧力が加えられていない時でも張力を与えておかないと測定圧力が加えられることによって振動梁に座屈を起こして測定できない状態になる。このためシリコンSiの原子よりも原子半径の小さいボロンBやりんPを不純物として振動梁に添加することで振動梁に張力を与える。振動梁の形成後に振動梁の3方向から拡散を行うことで、求められる張力を得るために必要な拡散長を短くすることができる。拡散長が短くなることで、必要な熱処理時間が大幅に減少出来、また、膜応力に起因するウエハソリ量を減少させることができる。熱処理の時間温度を調整することで振動梁の不純物濃度を制御し、シリコンへのボロンの固溶限界付近まで高い張力を制御することができる。エピタキシャル法では達成できない程度まで、高い張力を持った厚い振動梁を形成することが出来る。本発明の請求項2によれば、次のような効果がある。振動梁は測定圧力が加えられていない時でも張力を与えておかないと測定圧力が加えられることによって振動梁に座屈を起こして測定できない状態になる。このためシリコンSiの原子よりも原子半径の小さいボロンBやりんPを不純物として振動梁に添加することで振動梁に張力を与える。振動梁の形成後に振動梁の3方向から拡散を行うことで、求められる張力を得るために必要な拡散長を短くすることができる。拡散長が短くなることで、必要な熱処理時間が大幅に減少出来、また、膜応力に起因するウエハソリ量を減少させることができる。熱処理の時間温度を調整することで振動梁の不純物濃度を制御し、シリコンへのボロンの固溶限界付近まで高い張力を制御することができる。エピタキシャル法では達成できない程度まで、高い張力を持った厚い振動梁を形成することが出来る。引張付与量調整層の膜厚によって、引張付与量調整層で保護された、SOI基板の一方の面のシリコン層への不純物拡散量を調整することが出来る。本発明の請求項3によれば、次のような効果がある。振動梁は測定圧力が加えられていない時でも張力を与えておかないと測定圧力が加えられることによって振動梁に座屈を起こして測定できない状態になる。このためシリコンSiの原子よりも原子半径の小さいボロンBやりんPを不純物として振動梁に添加することで振動梁に張力を与える。振動梁の形成後に振動梁の3方向から拡散を行うことで、求められる張力を得るために必要な拡散長を短くすることができる。拡散長が短くなることで、必要な熱処理時間が大幅に減少出来、また、膜応力に起因するウエハソリ量を減少させることができる。熱処理の時間温度を調整することで振動梁の不純物濃度を制御し、シリコンへのボロンの固溶限界付近まで高い張力を制御することができる。エピタキシャル法では達成できない程度まで、高い張力を持った厚い振動梁を形成することが出来る。マスク層の膜厚によって、マスク層で保護された振動梁への不純物拡散量を調整することが出来る。本発明の請求項4によれば、次のような効果がある。振動梁は測定圧力が加えられていない時でも張力を与えておかないと測定圧力が加えられることによって振動梁に座屈を起こして測定できない状態になる。このためシリコンSiの原子よりも原子半径の小さいボロンBやりんPを不純物として振動梁に添加することで振動梁に張力を与える。振動梁の形成後に振動梁の3方向から拡散を行うことで、求められる張力を得るために必要な拡散長を短くすることができる。拡散長が短くなることで、必要な熱処理時間が大幅に減少出来、また、膜応力に起因するウエハソリ量を減少させることができる。熱処理の時間温度を調整することで振動梁の不純物濃度を制御し、シリコンへのボロンの固溶限界付近まで高い張力を制御することができる。エピタキシャル法では達成できない程度まで、高い張力を持った厚い振動梁を形成することが出来る。高アスペクト比である対向隙間の内部にPBF溶液を塗布する場合、上手くPBF溶液が入らないなどの問題が生じる恐れがあるが、そのような問題は生じない。以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1は、例えば、本発明の製造方法が適用される振動式トランスデューサの一例の要部構成説明図で、aは要部平面図、bは要部断面図である。図1は、例えば、本願出願人が2010年9月10に出願した、特願2010-203032号公報振動トランスデューサとその製造方法に示されている。図1において、振動梁32は、真空室33内に設けられ、基板31測定ダイアフラムに対して引張の応力が付与され、基板31の面311に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有するシリコン単結晶よりなる。第1の電極板34は、基板31の面311に平行に設けられ、振動梁32に一端が接続され、板状をなす。第2,第3の電極板35,36は、振動梁32を挟んで、基板31の面311に平行に対向して対向隙間37,38を有して設けられ、振動梁32と第1の電極板34と共に、基板31の面311に平行な一平面状をなし、板状をなす。39はシェルである。図2は、本発明の一実施例の要部製作工程説明図である。図2aに示す如く、SOI基板101が準備される。図2bは、対向隙間形成工程で、SOI基板101の一方の面のシリコン層にエッチングにより対向隙間37,38を形成する。図2cは、不純物拡散源層成膜工程で、SOI基板101の一方の表面と対向隙間37,38の表面に、振動梁32に引張の応力を付与する不純物拡散源層102を成膜する。図2dは、不純物拡散層成膜工程で、熱処理により、SOI基板101の一方の面のシリコン層に、不純物拡散源層102の不純物を拡散し、不純物拡散層103を成膜する。即ち、所定の不純物濃度に応じた温度時間で振動梁32に、例えば、ボロンBなどの不純物を拡散し、不純物拡散層103を形成して張力を付加する。図2eは、振動梁エッチング形成工程で、不純物拡散源層102とSOI基板101の酸化シリコンを同一工程でエッチングあるいは不純物拡散源層102とSOI基板101の酸化シリコンを別工程で順番にエッチングして振動梁32を形成する。例えば、フッ酸溶液に浸漬して、不純物拡散源層101とSOI基板101の酸化シリコンをエッチングして振動梁32を形成する。この結果、振動梁32は測定圧力が加えられていない時でも張力を与えておかないと測定圧力が加えられることによって振動梁32に座屈を起こして測定できない状態になる。このためシリコンSiの原子よりも原子半径の小さいボロンBやりんPを不純物として振動梁32に添加することで振動梁32に張力を与える。振動梁32の形成後に振動梁の3方向から拡散を行うことで、求められる張力を得るために必要な拡散長を短くすることができる。拡散長が短くなることで、必要な熱処理時間が大幅に減少出来、また、膜応力に起因するウエハソリ量を減少させることができる。熱処理の時間温度を調整することで振動梁32の不純物濃度を制御し、シリコンへのボロンの固溶限界付近まで高い張力を制御することができる。エピタキシャル法では達成できない程度まで、高い張力を持った厚い振動梁32を形成することが出来る。図3は、本発明の他の実施例の要部製作工程説明図である。図3aに示す如く、SOI基板101が準備される。図3bは、引張付与量調整層成膜工程で、SOI基板101の一方の面のシリコン層表面に、引張りの応力の付与の量が調整出来る引張付与量調整層201が成膜される。この場合は、酸化シリコン層SiO2層が使用されている。なお、引張付与量調整層201は酸化シリコン層SiO2層である必要は無く、また層数を増やしても良い。図3cは、対向隙間形成工程で、SOI基板101の一方の面のシリコン層に、エッチングにより、対向隙間37,38を形成する。図3dは、不純物拡散源層成膜工程で、SOI基板101の一方の面の表面と対向隙間37,38の表面に、振動梁32に引張の応力を付与する不純物拡散源層202を成膜する。図3eは、不純物拡散層成膜工程で、熱処理により、SOI基板101の一方の面のシリコン層に、不純物拡散源層202の不純物を拡散し、不純物拡散層203を塗付成膜する。次に、図2eと同様であるので、図示しないが、不純物拡散源層202とSOI基板101の酸化シリコンをエッチングして、振動梁32を形成する。この結果、振動梁32は測定圧力が加えられていない時でも張力を与えておかないと測定圧力が加えられることによって振動梁32に座屈を起こして測定できない状態になる。このためシリコンSiの原子よりも原子半径の小さいボロンBやりんPを不純物として振動梁32に添加することで振動梁32に張力を与える。振動梁32の形成後に振動梁の3方向から拡散を行うことで、求められる張力を得るために必要な拡散長を短くすることができる。拡散長が短くなることで、必要な熱処理時間が大幅に減少出来、また、膜応力に起因するウエハソリ量を減少させることができる。熱処理の時間温度を調整することで振動梁32の不純物濃度を制御し、シリコンへのボロンの固溶限界付近まで高い張力を制御することができる。エピタキシャル法では達成できない程度まで、高い張力を持った厚い振動梁32を形成することが出来る。引張付与量調整層201の膜厚によって、引張付与量調整層201で保護された、SOI基板101の一方の面のシリコン層への不純物拡散量を調整することが出来る。図4は、本発明の他の実施例の要部製作工程説明図である。図4aに示す如く、SOI基板101が準備される。図4bは、対向隙間形成工程で、SOI基板101の一方の面のシリコン層に、エッチングにより対向隙間37,38を形成する。図4cは、マスク層成膜工程で、SOI基板101の一方の表面と対向隙間37,38の表面にマスク層301を成膜する。図4dは、不純物拡散源層成膜工程で、マスク層301の表面に、振動梁32に引張の応力を付与する不純物拡散源層302を成膜する。図4eは、不純物拡散層成膜工程で、熱処理により、SOI基板101の一方の面のシリコン層に、不純物拡散源層302の不純物を拡散し、不純物拡散層303を成膜する。次に、図2eと同様であるので、図示しないが、不純物拡散源層302とSOI基板101の酸化シリコンをエッチングして、振動梁32を形成する。この結果、振動梁32は測定圧力が加えられていない時でも張力を与えておかないと測定圧力が加えられることによって振動梁32に座屈を起こして測定できない状態になる。このためシリコンSiの原子よりも原子半径の小さいボロンBやりんPを不純物として振動梁32に添加することで振動梁32に張力を与える。振動梁32の形成後に振動梁の3方向から拡散を行うことで、求められる張力を得るために必要な拡散長を短くすることができる。拡散長が短くなることで、必要な熱処理時間が大幅に減少出来、また、膜応力に起因するウエハソリ量を減少させることができる。熱処理の時間温度を調整することで振動梁32の不純物濃度を制御し、シリコンへのボロンの固溶限界付近まで高い張力を制御することができる。エピタキシャル法では達成できない程度まで、高い張力を持った厚い振動梁32を形成することが出来る。マスク層301の膜厚によって、マスク層301で保護された振動梁32への不純物拡散量を調整することが出来る。図5は、本発明の他の実施例の要部製作工程説明図である。図5aに示す如く、SOI基板101が準備される。図5bは、不純物拡散源層成膜工程で、SOI基板101の一方の表面に、振動梁32に引張の応力を付与する不純物拡散源層401を成膜する。図5cは、対向隙間形成工程で、不純物拡散源層401とSOI基板101の一方の面のシリコン層に、エッチングにより、対向隙間37,38を形成する。図5dは、不純物拡散層成膜工程で、熱処理により、SOI基板101の一方の面のシリコン層に、不純物拡散源層401の不純物を拡散し、不純物拡散層402を成膜する。図5eは、振動梁エッチング形成工程で、不純物拡散源層401とSOI基板101の酸化シリコンを同一工程でエッチングあるいは不純物拡散源層401とSOI基板101の酸化シリコンを別工程で順番にエッチングして振動梁32を形成する。なお、この時、不純物拡散源401の上部に、幾層かの別の膜を成膜しても良い。例えば、酸化シリコン層SiO2層を形成し、それをマスクに不純物拡散源401をパターニングしても良い。この結果、振動梁32は測定圧力が加えられていない時でも張力を与えておかないと測定圧力が加えられることによって振動梁32に座屈を起こして測定できない状態になる。このためシリコンSiの原子よりも原子半径の小さいボロンBやりんPを不純物として振動梁32に添加することで振動梁32に張力を与える。振動梁32の形成後に振動梁の3方向から拡散を行うことで、求められる張力を得るために必要な拡散長を短くすることができる。拡散長が短くなることで、必要な熱処理時間が大幅に減少出来、また、膜応力に起因するウエハソリ量を減少させることができる。熱処理の時間温度を調整することで振動梁32の不純物濃度を制御し、シリコンへのボロンの固溶限界付近まで高い張力を制御することができる。エピタキシャル法では達成できない程度まで、高い張力を持った厚い振動梁32を形成することが出来る。高アスペクト比である対向隙間37,38の内部にPBF溶液401を塗布する場合、上手くPBF溶液401が入らないなどの問題が生じるが、図5実施例ではそのような問題は生じない。なお、不純物拡散源層102,202,302,401として、例えば、酸化硼素B2O3と有機バインダーと溶剤からなるPBF塗布液を塗布し、しかる後、酸素窒素雰囲気中600°Cで焼成、より高温でプリデポドライブインを行う方法が考えられる。更に、PBF溶液を使用する以外に、1三臭化硼素BBr3ホウ酸H3BO3窒化ホウ素焼結体BN熱分解窒化ホウ素焼結体PBN、塩化ボロンBCl3等によってボロンB原子を拡散する方法。2オキシ塩化りんPOCl3三臭化りんPBr3三塩化りんPCl3□□□りんP2O3等を使用してりんP原子を拡散する方法。1CVD等を用いて、酸化硼素B2O3等の拡散源を形成する方法が考えられる。上記実施例では、不純物を振動梁32に拡散させるための熱工程について、不純物拡散源層102,202,302,401を除去せずに、一度で熱処理を行った。一方一度目の熱処理によって所定の量の不純物を振動梁32に拡散させた後、不純物拡散源層102,202,302,401を除去して、再度熱処理を行って振動梁深さ方向に不純物を拡散させ、不純物拡散層103,203,303,402を形成しても良い。不純物拡散源層102,202,302,401を除去することにより、必要以上の不純物を振動梁32に拡散するのを防ぎ、振動梁32に対する不純物拡散量を精度良く調整することができる。また、上記実施例で不純物拡散源層102,202,302,401の成膜回数は1回であったが、数回にわたり不純物拡散源層102,202,302,401の成膜、熱処理、除去を繰り返して振動梁32に不純物拡散を行っても良い。不純物拡散源層102,202,302,401の成膜、拡散を繰り返すことにより振動梁32に対する不純物拡散量を増加することができる。以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。"