母基板上にフレキシブル基板を形成する段階と、前記フレキシブル基板を前記母基板から分離する段階と、前記母基板と接触していた前記フレキシブル基板の分離面上に電子素子を形成する段階と、を含むフレキシブル電子素子の製造方法。母基板上にフレキシブル基板を形成する段階と、一面に接着層が形成された仮基板を前記接着層を利用して前記フレキシブル基板上に付着する段階と、前記仮基板が付着されたフレキシブル基板を前記母基板から分離する段階と、前記母基板と接触していた前記フレキシブル基板の分離面上に電子素子を形成する段階と、を含むフレキシブル電子素子の製造方法。前記母基板上に剥離層をさらに形成し、前記剥離層を利用してフレキシブル基板を母基板から分離することを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板と母基板間の界面結合力が前記フレキシブル基板の降伏強度より小さくなるようにし、物理的な力で前記フレキシブル基板を前記母基板から分離することを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記剥離層とフレキシブル基板の界面結合力が前記フレキシブル基板の降伏強度より小さくなるようにし、物理的な力で前記フレキシブル基板を母基板から分離することを特徴とする請求項3に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板が形成される母基板面の表面粗さは、AFMAtomicForceMicroscopeを利用して10μm×10μmのスキャン範囲で観測するとき、0<Rms<100nm、0<Rp-v<1000nmであることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板が形成される剥離層面の表面粗さは、AFMAtomicForceMicroscopeを利用して10μm×10μmのスキャン範囲で観測するとき、0<Rms<100nm、0<Rp-v<1000nmであることを特徴とする請求項3に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板の厚さは、5μm~500μmであることを特徴とする請求項1に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記仮基板を含むフレキシブル基板の厚さは、5μm~500μmであることを特徴とする請求項2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板と母基板の間に平坦化層をさらに形成することを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記剥離層の一面または両面に平坦化層をさらに形成することを特徴とする請求項3に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記仮基板と接着層の間に分離層を形成することを特徴とする請求項2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記母基板はガラス、金属または高分子材料からなることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板は、2以上の異なる材料で積層した複合構造であることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板はFe、Ag、Au、Cu、Cr、W、Al、W、Mo、Zn、Ni、Pt、Pd、Co、In、Mn、Si、Ta、Ti、Sn、Zn、Pb、V、Ru、Ir、Zr、Rh、Mg、Invar及びステンレス鋼からなる群より選択される一つ以上の金属であることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記フレキシブル基板は鋳造法、電子線蒸着法、熱蒸着法、スパッタ蒸着法、化学気相蒸着法または電気メッキ法により形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記電子素子は、有機発光表示装置organiclightemittingdisplay:OLED、液晶表示装置liquidcrystaldisplay:LCD、電気泳動表示装置Electrophoreticdisplay:EPD、プラズマディスプレイパネルplasmadisplaypanel:PDP、薄膜トランジスタthin-filmtransistor:TFT、マイクロプロセッサーmicroprocessor及びラムRandomaccessmemory:RAMからなる群より選択された一つ以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。前記母基板の形状は平板状、半円筒状または円筒状であることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブル電子素子の製造方法。請求項1または2に記載された方法により製造されたフレキシブル電子素子。表面粗さを所定値以下に調節した基板面にフレキシブル基板を形成してから、前記フレキシブル基板を物理的な力で分離した後、前記フレキシブル基板の分離面を電子素子の形成面として使用することを特徴とするフレキシブル基板。更なる研磨加工なしに、前記分離面の表面粗さは、AFMAtomicForceMicroscopeを利用して10μm×10μmのスキャン範囲で観測するとき、0<Rms<100nm、0<Rp-v<1000nmであることを特徴とする請求項20に記載のフレキシブル基板。前記フレキシブル基板は、金属からなることを特徴とする請求項20または21に記載のフレキシブル基板。前記金属は、インバールINVAR合金またはステンレス鋼であることを特徴とする請求項22に記載のフレキシブル基板。前記フレキシブル基板の厚さは、5μm~500μmであることを特徴とする請求項20または21に記載のフレキシブル基板。本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するためのもので、単純な工程により、別途の研磨工程なしに低い表面粗さを有するフレキシブル金属基板が得られ、その上に450°C以上の高温工程を通じて電子素子を製作することができ、高性能のフレキシブル電子素子を製造することができるフレキシブル電子素子の製造方法を提供することを主な課題とする。本発明の他の課題は、既存のガラス基板を使用した工程と同一またはさらに高い温度の工程を適用することができる高性能フレキシブル電子素子の製造方法を提供することである。本発明のさらに他の課題は、基板と基板上に製作される素子との熱膨脹係数の差により発生する亀裂や剥離などの欠陥が生じないように、低い熱膨脹係数を有するフレキシブル電子素子用金属基板を提供することである。1上記本発明の課題を解決するための手段として、本発明は、母基板上にフレキシブル基板を形成する段階と、上記フレキシブル基板を上記母基板から分離する段階と、上記母基板と接触していた上記フレキシブル基板の分離面上に電子素子を形成する段階と、を含むフレキシブル電子素子の製造方法を提供する。2また、本発明は、母基板上にフレキシブル基板を形成する段階と、一面に接着層が形成された仮基板を上記接着層を利用して上記フレキシブル基板上に付着する段階と、上記仮基板が付着されたフレキシブル基板を上記母基板から分離する段階と、上記母基板と接触していた上記フレキシブル基板の分離面上に電子素子を形成する段階と、を含むフレキシブル電子素子の製造方法を提供する。上記1または2の製造方法は、非常に低い表面粗さを有し、且つ繰り返し使用できる母基板に金属からなるフレキシブル基板を形成した後、フレキシブル基板を母基板から分離すると、フレキシブル基板の分離面は母基板の表面状態とほぼ類似する表面状態となるため、従来のように表面粗さを低めるために、高価の研磨工程を用いたり、高温工程が適用できないようにする高分子塗布工程を用いる必要がなくて、安い工程費用で、高性能のフレキシブル電子素子を具現することができる。また、2の製造方法は、仮基板を使用することにより、フレキシブル基板の曲がり、返送、整列などの問題なく、450°C以上の高温工程を用いる既存のガラス基板の工程条件及び設備をそのまま利用することができる。3上記1または2の製造方法において、上記母基板上に剥離層をさらに形成し、上記剥離層を利用してフレキシブル基板を母基板から分離することができる。フレキシブル基板と母基板の間に薄い剥離層を追加しても、剥離層が母基板と類似する水準の表面粗さを示すため、フレキシブル基板の分離面の表面粗さを母基板と類似する水準に保持することができる。このように剥離層を追加する場合、フレキシブル基板の降伏強度が低くても、分離させるための界面結合力を低めることができるため、分離過程でフレキシブル基板が損傷することを防止することができる。また、剥離層は、必要に応じて、様々な物質で多層に積層した複合層からなることができる。4上記1または2の製造方法において、上記フレキシブル基板と母基板間の界面結合力が、上記フレキシブル基板の降伏強度より小さくなるようにし、物理的な力で上記フレキシブル基板を上記母基板から分離することができる。5上記3の製造方法において、上記剥離層とフレキシブル基板の界面結合力が、上記フレキシブル基板の降伏強度より小さくなるようにし、物理的な力で上記フレキシブル基板を母基板から分離することができる。上記4または5のように、母基板または剥離層とフレキシブル基板の界面結合力よりフレキシブル基板の降伏強度が高い場合には、フレキシブル基板を母基板から分離するとき、フレキシブル基板が変形することなく母基板からフレキシブル基板を分離することができる。6上記1または2の製造方法において、上記フレキシブル基板が形成される母基板面の表面粗さは、AFMAtomicForceMicroscopeを利用して10μm×10μmのスキャン範囲で観測するとき、0<Rms<100nm、0<Rp-v<1000nmであることが好ましい。7上記3の製造方法において、上記フレキシブル基板が形成される剥離層面の表面粗さは、AFMAtomicForceMicroscopeを利用して10μm×10μmのスキャン範囲で観測するとき、0<Rms<100nm、0<Rp-v<1000nmであることが好ましい。上記6または7の製造方法において、母基板または剥離層の表面粗さを上記範囲に保持するのは、母基板または剥離層の表面粗さが高くなると、フレキシブル基板の分離面の表面粗さも高くなり、後続研磨処理なしに電子素子を形成する場合、高品質の電子素子が具現しにくいためである。8上記1の製造方法において、上記フレキシブル基板の厚さは5μm~500μmであることが好ましい。フレキシブル基板の厚さが5μm未満では薄すぎて、物理的な力を加えて剥離する場合、薄膜が損傷する恐れがあり、500μmを超えると、厚くてフレキシブル特性が低下する。よって、物理的な力を加えて剥離するためには、母基板上に形成されるフレキシブル基板の厚さが上記範囲であることが最も好ましい。9上記2の製造方法において、上記仮基板を含むフレキシブル基板の厚さは5μm~500μmであることが好ましく、その理由はフレキシブル基板の厚さを5μm~500μmにするのと同様である。10上記1または2の製造方法において、上記フレキシブル基板と母基板の間に平坦化層をさらに形成することができる。11上記3の製造方法において、上記剥離層の一面または両面に平坦化層をさらに形成することができる。上記10または11の製造方法に使用される平坦化層は、フレキシブル基板ではない母基板に適用されるため、電子素子の製作温度を考慮しなくてもよい。従って、高分子材料を使用することができ、フレキシブル基板の表面粗さをより低く保持するのに役に立つ。平坦化層には、表面粗さを低く保持することができる材料であれば何れも使用してよく、ポリイミドPolyimide:PIまたはポリイミドを含む共重合体、ポリアクリル酸polyacrylicacidまたはポリアクリル酸を含む共重合体、ポリスチレンpolystyreneまたはポリスチレンを含む共重合体、ポリスルファートpolysulfateまたはポリスルファートを含む共重合体、ポリアミド酸polyamicacidまたはポリアミド酸を含む共重合体、ポリアミンpolyamineまたはポリアミンを含む共重合体、ポリビニルアルコールPolyvinylalcohol;PVA、ポリアリルアミンPolyallyamine及びポリアクリル酸polyacrylicacidからなる群より選択される一つ以上の高分子化合物を使用することが好ましい。12上記2の製造方法において、上記仮基板と接着層の間に分離層を形成することができ、これは上記仮基板との分離をより容易にするためのものである。13上記1または2の製造方法において、上記母基板はガラス、金属または高分子材料からなるものを使用することができる。中でも、ガラスは、ケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、リン酸塩ガラス、溶融シリカガラス、石英、サファイア、E2K、バイコールVycorからなる群より選択される一つ以上のガラス材料を含むことができる。また、上記金属の場合、Fe、Ag、Au、Cu、Cr、W、Al、W、Mo、Zn、Ni、Pt、Pd、Co、In、Mn、Si、Ta、Ti、Sn、Zn、Pb、V、Ru、Ir、Zr、Rh、Mg、インバールInvar及びSUSSteelUseStainlessからなる群より選択される一つ以上の金属またはこれらの合金を含むことができる。また、上記高分子材料の場合、ポリイミドPolyimide:PIまたはポリイミドを含む共重合体、ポリアクリル酸polyacrylicacidまたはポリアクリル酸を含む共重合体、ポリスチレンpolystyreneまたはポリスチレンを含む共重合体、ポリスルファートpolysulfateまたはポリスルファートを含む共重合体、ポリアミド酸polyamicacidまたはポリアミド酸を含む共重合体、ポリアミンpolyamineまたはポリアミンを含む共重合体、ポリビニルアルコールPolyvinylalcohol;PVA、ポリアリルアミンPolyallyamine及びポリアクリル酸polyacrylicacidからなる群より選択される一つ以上の高分子化合物を含むことができる。14上記1または2の製造方法において、上記フレキシブル基板は、2以上の異なる材料で積層した複合構造であることができる。15また、上記2の製造方法において、上記接着層はエポキシ、シリコン、またはアクリル系からなる群より選択される少なくとも一つ以上の高分子接着剤を含み、SiO2、MgO、ZrO2、Al2O3、Ni、Al及び雲母からなる群より選択される1以上の物質を含み、使用温度が450°C以上であることが好ましい。16上記1または2の製造方法において、上記母基板の形状は平板状、半円筒状または円筒状であることができ、円筒状の場合、ロ-ルツーロ-ルrolltoroll工程を用いることができ、他の形状の母基板より大量生産に適する。17上記1または2の製造方法において、上記フレキシブル基板は、鋳造法、電子線蒸着法、熱蒸着法、スパッタ蒸着法、化学気相蒸着法または電気メッキ法で形成されることができる。18上記1または2の製造方法において、上記電子素子は、有機発光表示装置organiclightemittingdisplay:OLED、液晶表示装置liquidcrystaldisplay:LCD、電気泳動表示装置Electrophoreticdisplay:EPD、プラズマディスプレイパネルplasmadisplaypanel:PDP、薄膜トランジスタthin-filmtransistor:TFT、マイクロプロセッサーmicroprocessor及びラムRandomaccessmemory:RAMからなる群より選択された一つ以上であることができる。19また、本発明は他の課題を解決するための手段として、上述した方法により製造されたフレキシブル電子素子を提供する。20また、本発明はさらに他の課題を解決するための手段として、表面粗さを所定値以下に調節した基板面にフレキシブル基板を形成した後、上記フレキシブル基板を物理的な力で分離し、その後、上記フレキシブル基板の分離面を電子素子の形成面として使用することを特徴とするフレキシブル基板を提供する。21上記20のフレキシブル基板において、更なる研磨加工なしに、上記分離面の表面粗さは、AFMAtomicForceMicroscopeを利用して10μm×10μmのスキャン範囲で観測するとき、0<Rms<100nm、0<Rp-v<1000nmであることを特徴とする。22上記20または21のフレキシブル基板において、上記フレキシブル基板は金属からなることができ、上記金属はインバールINVAR合金またはステンレス鋼であることが好ましい。特に、インバールInvar合金は、SiやSiO2、SiNなどの無機物半導体、絶縁体と類似する水準に熱膨脹係数を調節することができるため、温度上昇率と下降率などの工程条件を変える必要がなく、熱膨脹係数の差による亀裂発生を減少させるのに有利である。23上記20または21のフレキシブル基板において、上記フレキシブル基板の厚さは5μm~500μmであることが好ましく、その理由は上記と同様である。本発明によるフレキシブル電子素子の製造方法、フレキシブル電子素子及びフレキシブル基板は、以下のような効果が得られるため、高性能のフレキシブル電子素子を低費用で製造するのに大きく寄与すると期待される。第一、母基板とほぼ同じ表面粗さを有する分離面上に電子素子を形成することで、既存のフレキシブル電子素子の製造方法では解決できなかったフレキシブル基板、特に、金属製フレキシブル基板の表面粗さの問題を容易に解決することができる。第二、フレキシブル基板の表面粗さを極めて低く保持することができ、工程温度を350°C以下に低める高分子系の平坦化層が必要ないため、工程時間、費用が節減できるだけでなく、450°C以上の高温工程を通じてポリシリコンTFTのような高性能の電子素子を製作することができるという長所がある。第三、フレキシブル基板の製造において、高価の研磨工程が必要なく、高い欠陥密度による低収率の問題を解決することができ、経済性が改善される。第四、本発明によるフレキシブル基板の材料をインバール合金にする場合、SiやSiO2、SiNなどの無機物半導体、絶縁体と類似する水準に熱膨脹係数を低く調節することができるため、温度上昇率と下降率などの工程条件を変える必要がなくて、熱膨脹係数の差による亀裂発生を減少させるのに有利である。第五、本発明の一側面として、フレキシブル基板を支持する仮基板を利用する電子素子の製造方法によると、フレキシブル基板の曲がり、返送、整列などの問題なく、既存のガラス基板の工程条件及び設備をそのまま利用することができ、ハンドリングが容易であることができる。第六、剥離方法において、剥離される界面での結合力よりフレキシブル基板の降伏強度が高いため、剥離中にフレキシブル基板が損傷せず、基板の生産収率を高めることができるという長所がある。以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳しく説明する。また、本明細書及び請求の範囲に用いられる用語または単語は、通常、且つ辞書的な意味で解釈されてはならず、発明者らは自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に即し、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。従って、本明細書に記載された実施例と図面に示された構成は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明の技術的思想を全て代弁するものではない。よって、本出願時点において、これらに取り替えられる多様な均等物と変形例があり得、本発明の範囲は以下に記述する実施例に限定されない。また、本発明の実施例は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものであり、また、図面における膜または領域の大きさまたは厚さは、明細書の明確な理解のために誇張されている。第1実施例図1は本発明の第1実施例によるフレキシブル電子素子の製造方法を概略的に示したものである。図1に示されたように、本発明の第1実施例によるフレキシブル電子素子の製造方法は、母基板100にフレキシブル基板200を形成し図1のa、母基板100からフレキシブル基板200を分離図1のbしてフレキシブル基板を製造する段階図1のcと、分離したフレキシブル基板200の分離面に電子素子300と封止層400を形成する段階図1のdからなる。本発明者らは、フレキシブル基板200を製造するための事前段階として、まず、母基板100と母基板100上に形成されるフレキシブル基板200、または母基板100上に形成された剥離層500とフレキシブル基板200間の界面結合力を調べ、その結果を図4に示した。図4の界面結合力はスクラッチテストscratchtestにより調べた。スクラッチテストとは、端部の丸い探針stylusを利用して薄膜の表面に荷重を増加させながら基板を移動させ、薄膜が剥がれる時の臨界荷重値をもって接着力を推定する方法である。臨界荷重と実際薄膜の接着力との関係を定量的に究明して解釈することは困難であるが、同一臨界荷重及び同一探針の場合には、薄膜間の相対的結合力を測定することが容易であり、再現性が高い方法である。試験において、剥離層の厚さは10nm、金属層の厚さは100nmのものを使用した。初期印加応力は0.03N、最終印加応力は7.5N、印加速度は5N/min、探針の移動速度は10mm/min、長さは15mmであった。金属層が厚くなると、界面の結合力より金属層の機械的物性が大きく反映されるため、金属層の厚さをフレキシブル基板として使用するものの厚さより薄くして実験を行った。図4の実験条件の基準値は、3Mスコッチテープの約5~8Nの結合力値である。図4から分かるように、フレキシブル基板としてAgを使用する場合、母基板や剥離層の物質に係らず、スクラッチテストscratchtestの測定範囲よりも小さい界面結合力を示した。また、ガラス基板上に剥離層ITOまたはMgOを形成した後、フレキシブル基板としてAu、Cu、NiまたはTiを形成した場合、MgO上にAuが蒸着した場合でも、界面結合力がスクラッチテスト測定範囲より小さく測定された。また、母基板がガラスで、剥離層物質がMgOで、フレキシブル基板物質がCu、Ni、Tiである場合、それぞれ0.56N、2.81N、4.37Nと界面結合力が増加したが、全ての場合において、母基板/剥離層からフレキシブル基板を損傷なく物理的に分離することができるほどに界面結合力が低く、実際の分離面も母基板と類似する表面粗さを示した。本発明の第1実施例では、母基板100としてガラス基板を使用し、ガラス基板上に厚さ10μmのAg厚膜フレキシブル基板を熱蒸着法により形成した後、別途の仮基板を使用せず、ガラス基板からAg厚膜フレキシブル基板を人の手で物理的な力を加えて剥がす方式で分離した。その後、3Dプロファイラprofilerで各層の表面粗さを評価した結果、図5に示したように、ガラス基板面の表面粗さは0.96nmで図5b、ガラス基板から分離したAgフレキシブル基板の分離面の表面粗さは1.13nm図5cであって、母基板であるガラス基板とほぼ類似する極めて低い表面粗さが得られた。次いで、ガラス基板から分離したフレキシブル基板200の分離面上にOLED素子を形成した。OLED素子は、フォトレジストを利用してパターンを形成した後、フレキシブル基板であるAgを反射電極として、CuOで1nm厚さの正孔注入層を形成し、上記正孔注入層上にa-NPDで70nm厚さの正孔輸送層を形成し、上記正孔輸送層上にAlq3で40nm厚さの発光層を形成し、上記発光層上にBCPで5nm厚さの正孔防止層を形成し、上記正孔防止層上にAlq3で20nm厚さの電子輸送層を形成し、上記電子輸送層上にAlで10nm厚さの透明電極を形成する方法により製造され、これにより、フレキシブルOLEDを製造することができた。本発明の第1実施例では、剥離する面の界面結合力、蒸着条件、剥離方法、フレキシブル基板の物質種類により差はあるが、一般的に、フレキシブル基板の厚さが5μm以上のときにフレキシブル基板の損傷なく母基板から分離することができ、さらに好ましくは10μm以上であった。図5のdから分かるように、Agの厚さが約5μmの場合には、剥離中にフレキシブル基板が破れ、ハンドリングすることが困難である。第2実施例図2のaに示されたように、本発明の第2実施例では、第1実施例と異なって、母基板100とフレキシブル基板200の間に剥離層500を形成してフレキシブル基板200を製造した。このように剥離層500を形成する場合、フレキシブル基板200の分離形態は、フレキシブル基板200の界面で分離されたり図2のb、母基板100と剥離層500の界面で分離されたり図2のc、剥離層500の内面で分離されることができる図2のd。このとき、図2のbの場合は、後続工程が必要ないが、図2のc及び図2のdの場合は剥離層500を除去する工程が追加されることもある。本発明の第2実施例では、ガラス基板上に、剥離層として120nm厚さのITO層を形成した後、50nm厚さのTi下地層、100nm厚さのAuシード層、40μm厚さのCu層からなるTi/Au/Cu層のフレキシブル基板を形成してから、Ti/Au/Cu層のフレキシブル基板をガラス基板/ITO層から物理的に剥がす方式で分離した後図6のa、各表面に対し、3Dプロファイラを利用して10μm×10μmのスキャン範囲で表面粗さを観測したとき、フレキシブル基板と分離したガラス基板面の表面粗さは6.4nmであった図6のb。また、ガラス基板上に形成されたフレキシブル基板の表面粗さは593.2nmと大きいが図6のc、ガラス基板と分離したフレキシブル基板の分離面の表面粗さは6.1nmであって、母基板であるガラス基板とほぼ類似する極めて低い表面粗さが得られることが分かる。第3実施例図3は本発明の第3実施例によるフレキシブル電子素子の製造方法を概略的に示したものである。図3に示されたように、本発明の第3実施例によるフレキシブル電子素子の製造方法は、母基板100に剥離層500を介在してフレキシブル基板200を形成した後図3のa、その上に接着層700を介在して図3のb仮基板600をフレキシブル基板200に付着する図3のc。その後、フレキシブル基板200上に形成された母基板100を剥離層500を利用して分離し図3のd、フレキシブル基板200の分離面上に電子素子300及び封止層400を形成してフレキシブル電子素子を製造する段階図3のeからなる。即ち、第3実施例は、フレキシブル基板200をハンドリングするための仮基板600を使用する点で第1実施例と差異がある。一方、付着した仮基板600の使用用途によって、付着した状態で利用したり、分離することができる。仮基板600を分離する必要がある場合には、接着層700と仮基板600の間にさらに分離層を形成することが好ましい。具体的には、図7のa及び図7のbのように、母基板100であるガラス基板上に母基板とフレキシブル基板の界面の結合を低めるために、120nmのITOを剥離層として形成し、50nm厚さのTi下地層、100nm厚さのAuシード層、5μm厚さのCu層からなるTi/Au/Cu層のフレキシブル基板を形成した。図7cのように、5μmの薄いCu層のフレキシブル基板を補強するために接着層が一面に形成されたPET仮基板をフレキシブル基板に接着した。図7dのように、仮基板層が含まれたTi/Au/Cu層のフレキシブル基板をガラス基板/ITO層から大きな力を加えずに物理的に剥がす方式で分離した。図7のeのように、ガラス基板から分離した表面粗さが極めて少ないフレキシブル基板200の分離面を得た。図7のfのように、上記フレキシブル基板上にOLED素子を形成した。OLED素子は、100nmのAgを反射電極として、全面にフォトレジストを利用してパターンを形成した後、フレキシブル基板であるAgを反射電極として、CuOで1nm厚さの正孔注入層を形成し、上記正孔注入層上にa-NPDで70nm厚さの正孔輸送層を形成し、上記正孔輸送層上にAlq3で40nm厚さの発光層を形成し、上記発光層上にBCPで5nm厚さの正孔防止層を形成し、上記正孔防止層上にAlq3で20nm厚さの電子輸送層を形成し、上記電子輸送層上にAlで10nm厚さの透明電極を形成する方法により製造され、これによってフレキシブルOLEDを製造することができた。図8は、第3実施例と同じ工程で製造した、発光面積が3mm×3mmであるフレキシブルOLEDの電気的、光学的特性を評価した結果を示したものである。図8に示したように、ガラス基板と、同じガラス基板を母基板として第3実施例を通じて得たフレキシブル基板面とに、同じOLED素子構造を形成したときの電流-光量及び電圧-電流特性は、測定誤差範囲内の同じ電気的、光学的特性であった。