光ファイバをプレーナ導波路に光結合するための結合デバイスであって、前記プレーナ導波路に結合されるプレーナ導波路コア上に配置されたセグメント化された導波部分を備える光導波構造を備え、該セグメント化された導波部分がクラッディング領域に配置され、該クラッディング領域の材料の屈折率よりも高い屈折率の材料からなり、前記セグメント化された導波部分が一連の離隔されたセグメントからなり、該セグメントの各々が前記光ファイバのファイバコアの光軸垂直断面と同等の大きさの光軸垂直断面を有し、該一連の離隔されたセグメントが、該光ファイバからの光に対して、該光が前記プレーナ導波路に向けて伝搬するにつれて該プレーナ導波路の有効屈折率に増加的に近づく有効屈折率を呈するように、該ファイバコアに隣接するセグメントから該ファイバコアから最も遠いセグメントに向けて減少する厚さを有する、結合デバイス。光ファイバをプレーナ導波路に光結合するための結合デバイスであって、セグメント化された導波部分を備える光導波構造を備え、該セグメント化された導波部分が一連の離隔されたセグメントからなり、該セグメントの少なくとも一部が第1の屈折率の第1の材料及び第2の屈折率の第2の材料からなり、該第1の屈折率が該光ファイバの屈折率に適合し、該第2の屈折率が該プレーナ導波路の屈折率に適合するとともに該第1の屈折率よりも高く、該第2の屈折率からなるセグメントの部分が該プレーナ導波路の寸法に一致するまで徐々に増加するものであり、該一連の離隔されたセグメントが該ファイバコアに隣接するセグメントから該プレーナ導波路に最も近いセグメントに向けて減少する光軸垂直断面積を有するとともに、該一連の離隔されたセグメントが、該光ファイバからの光に対して、該光が前記プレーナ導波路に向けて伝搬するにつれて該プレーナ導波路の有効屈折率に増加的に近づく有効屈折率を呈するように、該ファイバコアに隣接するセグメントから該プレーナ導波路に最も近いセグメントに向けて増加する厚さを有する、結合デバイス。請求項2記載の結合デバイスにおいて、該ファイバコアが該プレーナ導波路コアよりも大きい断面積を有する結合デバイス。請求項1又は2記載の結合デバイスにおいて、該プレーナ導波路が4以上の高デルタコアを有する結合デバイス。請求項1又は2記載の結合デバイスにおいて、該プレーナ導波路が6以上の高デルタコアを有する結合デバイス。請求項1又は2記載の結合デバイスにおいて、該光導波構造がプレーナ導波路を含む集積光デバイスにおいて配置された結合デバイス。請求項1又は2に記載の結合デバイス、及び該結合デバイスによってプレーナ導波路に結合される前記光ファイバを備えた光デバイス。本発明によると、光ファイバがプレーナ導波路に1拡大された断面の一連のプレーナ導波路セグメント、及び2テーパー状の断面のセグメントを介して結合される。離隔されたセグメントとテーパー状のセグメントとの組み合わせが、従来の断熱的結合で必要とされていたよりも大幅に短縮された長さでの効率的な結合を提供する。本発明の利点、性質及び種々の追加的な事項は、付随する図面に関連してその詳細が説明される実施形態を読めばより明確になる。図面を参照すると、図1は本発明の一実施形態によるプレーナ導波路デバイス11に結合された光ファイバ10からなるデバイス9の概略説明図である。具体的には、デバイス9は直径dのコア12を有する少なくとも1つの光ファイバ10、及びファイバコア12の直径よりも小さい各横方向寸法高さh、幅wのコア13を有し軸方向に延びる少なくとも1つのプレーナ導波路11を含む。ファイバコア12は、伸長した横方向断面のセグメント化された導波路部分14及びテーパー化された部分15によって、より小さい導波路コア13に結合される。セグメント部分14は好ましくはファイバコア12とほぼ同じ横方向断面を有し、コア12からの初段の結合をできるようにする。セグメントの厚さ及び/又はセグメントの間隔は、低屈折率のファイバコアから離れる光が高屈折率のプレーナ導波路コア付近まで徐々に増加する有効コア屈折率に遭遇するように、ファイバからプレーナ導波路にかけて変化する。これにより、セグメント部分14からテーパー部分15の拡張された領域の端部16にかけての最小の屈折率不整をもって結合できる。テーパー部分は、より小さい横方向断面のプレーナ導波路コア13付近までテーパーの高さを落としていく。導波路コア13は、結合された光を処理するための図示されない幾何学的配置、他のコア、位相シフター、又はリング共振器によって構成される。図1の結合デバイスは光ファイバの一部分という形で又はプレーナ導波路を含む集積された光デバイスの部分として実施することができる。同様に、プレーナ導波路デバイスからの光は、プレーナ導波路からファイバまでを通過することにより高効率かつ高密度に光ファイバに結合される。光は逆方向にテーパー部分15から拡張部分16にかけても通過する。そして、それはセグメント部分14から光ファイバの端部と一致する低有効端部にかけて結合する。縦方向テーパーのセグメント化された部分はシリコン光微細加工技術において使用される標準的な技術を用いて製作できる。まず、低クラッディング層が低圧蒸気酸化処理とその後のアニールによって形成される。そして、高屈折率のコア層がプラズマエンハンスト蒸着PECVDによって、又は低圧化学蒸着LPCVDによって配置され、ガラスを流すためにアニールされる。そして、セグメント化された導波路は、クロムマスクコンタクトを用いて1:1のプロジェクションでのフォトリソグラフィによってパターン処理される。そして、マスク情報が反応性イオンエッチングを用いてコアにパターン処理される。ポリシリコン混合物又はハードベークされたhardbakedフォトレジストがこの処理で使用される。0.7から32.5μmの範囲のギャップサイズが達成される。次に、クラッディング層がガラスを流すためのアニールによるいくつかの工程において定着される。シャドウ又はディザーのマスクが構造の縦方向にテーパー化された部分をパターン処理するのに使用される。これらのマスクによって可変の光強度の伝送が可能となる。フォトレジストが高い光強度に曝される領域はより早く成長する。コア材料のエッチングスピードはどれだけレジストが成長したかに関係し、それゆえ、異なる高さの領域が製作される。代替の実施形態では、テーパー部分15が図1に示すような連続的テーパーではなく、図4に示すように段階的テーパーとなっている。この手法の利点は製作が容易であることである。しかし、少ないステップ数が用いられると、損失の増大を招く高次のモードが誘発される。図5に示すように、他の代替の実施形態では、結合器構造は光をファイバからプレーナ光波回路PLCチップに結合するための2つの層からなる。屈折率n1のセグメントは屈折率n2のプレーナ導波路52に接触して配置される。コア51n1は光をファイバから結合機のチップに効率的に結合する厚く低屈折率の材料である。コア52n2はPLCデバイスと同じ材料の高屈折率のコアである。光は効率的にn1及びn2のコアに結合される。ここでは、低屈折率のコアはギャップとともにセグメント化されている。ギャップサイズはPLCチップに向かって増加し、それゆえ、低屈折率のコアの有効屈折率は徐々に減少する。結果として、光は断熱的に高屈折率のコアに結合される。PLCチップ付近の終端の幅は導波路の単一モードサイズにまで狭められる。図6に示すように、さらに他の代替の実施形態では、種々の高さのセグメントがファイバ12からプレーナ導波路62にかけてテーパー化されている。セグメント61は2つの材料からなり、一方の屈折率n1はファイバに適合し、他方の屈折率n2はプレーナ導波路の屈折率に適合する。屈折率n2からなるセグメントの部分はプレーナ導波路62の寸法に一致するまで徐々に増加する。以下の例において、セグメントの寸法及び特にセグメントの厚さがプロメテウスPrometheusを用いて決められる。プロメテウスとは導波路シミュレーション及びデバイス最適化のための標準的技術を用いる3次元差分ビーム伝搬コンピュータプログラムである。プロメテウスパッケージ正式にはBBVSoftwareTheNetherlandsはOlympIOsの一部である。OlympIOsは市販されている光学ソフトウエアパッケージであり、2次元有効屈折率ビーム伝搬法と同様にプロメテウスからなる。C2V、私書箱318、7500AH、Enschede、TheNetherlands。本発明は以下の特定の例を考察してより明確に理解できる。例1:図2は、1.9×1.9μmの高い6デルタのプレーナ導波路とともに8μmのコアを有する光ファイバを結合するための構成を模擬的に図示するものである。セグメント部分14はファイバコアからテーパー部分15に結合される10個の高デルタ部分からなる。各セグメントは8×8μmの断面を有し、連続するセグメントは周期的に中心間が8μm離れている。ファイバからの光が連続する高デルタテーパー部分に近付くにつれて増大する有効屈折率を通過するように、連続するセグメントはファイバからテーパー部分にかけて長さ方向に増大する厚さを有する。テーパー部分は110μmの長さの非テーパー部及び250μmの非テーパー部並びにプレーナ導波路の寸法まで高さを落とす250μmの線形テーパー領域を含む。結合損失は入力セグメントから線形テーパーの始端まで約0.25dBである。断熱テーパーの損失は長さと形状に依存する。例2:光ファイバを4デルタのプレーナ導波路に結合するため、図3に示す同様の構成として周期的に9μm隔てられた7×7μmのセグメントとすることができる。全結合損失は約0.18dBである。例3:図4は連続的テーパーというよりは段階的にテーパー化されたテーパー部分15を用いる構成を模擬的に図示するものである。ここでは、10個の7×7μmのセグメントを用いて図示されないファイバから段階的テーパー部分15にかけて結合するものである。部分15はテーパーの高さを10個の各25μmの段について0.43μm落としている。4デルタのプレーナ導波路に結合するため全結合損失は約0.35dBである。本発明は光ファイバをプレーナ導波路に光結合するためのデバイスを含むことが分かる。デバイスはセグメント化された導波部分及びテーパー化された導波部分からなる導波構造からなり、両導波部分はファイバとプレーナ導波路間の低屈折率のクラッディング領域に配される。セグメント化された導波部分は高屈折率材料の一連の離隔されたセグメントからなる。セグメントはファイバコアの断面にほぼ等しい長さ方向の断面を有し、連続するセグメントは、ファイバコアの有効屈折率付近からプレーナ導波路の有効屈折率付近にかけて変化する有効屈折率を呈するために、増大する軸方向の厚さを有する。テーパー化された導波部分はセグメント化された導波部分付近の断面からプレーナ導波路コア付近の断面にかけて変化する長さ方向の断面を有する。テーパーは連続的であっても段階的であってもよい。例4:図5はコア51及び52からなる2層化アプローチを用いる構成を模擬的に図示するものである。ここで、ファイバコア12からの光は高さ2.7μmで幅8.0μmの寸法のプレーナ導波路に結合される。10個のセグメントが用いられファイバからコア51を介してコア52に結合される。例5:図6は、セグメントがn1及びn2の屈折率の2つの材料からなる構成を模擬的に図示するものであり、ここでn2>n1である。10個のセグメント61が用いられファイバ12からプレーナ光導波路63にかけて光を結合する。セグメントの数は屈折率によって10から30の間で変えることができる。セグメント61はファイバ12からプレーナ導波路62にかけて増大する厚さを有する。さらに、セグメント61はプレーナ導波路方向に増加するn2材料の部分からなる。プレーナ導波において、最後のセグメントにおけるn2材料の寸法はプレーナ導波路62の寸法、ここでは2.7μm×8μm、に一致する。なお、上記の実施形態は、数ある可能な特定の実施形態のうち本発明の応用例を代表するほんのわずかを図示したに過ぎない。当業者であれば多くの他の変更例は本発明の精神と範囲から逸脱することなく想到可能である。