"光電変換層と、対電極と、電荷輸送層と、を備え、前記電荷輸送層中に、水と、金属錯体とオキソアンモニウム塩とを含有する電解質を含む光電変換素子。前記電荷輸送層が、前記光電変換層と前記対電極との間に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。前記光電変換層は、導電性基板上に設けられた半導体層からなることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換素子。半導体電極と、対電極と、電解質層と、を備え、前記電解質層中に、水と、金属錯体とオキソアンモニウム塩とを含有する光電変換素子。前記電解質層が、前記半導体電極と前記対電極との間に設けられていることを特徴とする請求項4に記載の光電変換素子。前記半導体電極は、導電性基板と該導電性基板上に設けられた半導体層とを含むことを特徴とする請求項4または5に記載の光電変換素子。前記導電性基板は、光透過性を有する請求項3または6に記載の光電変換素子。前記金属錯体は、金属原子として、8~10族元素から選択される金属原子を含む請求項1ないし7のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記金属原子は、Fe,Co,Ni,Osから選択される請求項8に記載の光電変換素子。前記金属錯体は、メタロセンまたはその誘導体である請求項1ないし9のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記金属錯体は、フェロセンである請求項10に記載の光電変換素子。前記オキソアンモニウム塩は、下記式3で表される化合物から選択される1種又は2種以上を含む請求項1ないし11のいずれか1項に記載の光電変換素子。一般式3において、Aは、ニトロキシドの窒素原子及びR1~R4が結合している2個の炭素原子と共に5~7員の複素環を構成する2価の基であって、置換基を有してもよい。R1、R2、R3、R4はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、置換もしくは無置換のアルキル基を示す。Xは、金属塩化物、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、BF4、PF6、CF3SO3、NSO2CF32、NSO2F2、CF3COO、NC2F5SO2、又はClO4を示す。前記電解質中にさらに有機溶媒を含む請求項1ないし12のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記有機溶媒は、前記金属錯体を溶解可能な溶媒である請求項13に記載の光電変換素子請求項1ないし請求項14のいずれか1項に記載の光電変換素子における前記電解質を調合する方法であって、金属錯体とオキソアンモニウム塩を水に溶解する方法、金属錯体とオキソアンモニウム塩の一方を溶解した水溶液と、他方を溶解した有機溶媒とを混合する方法、若しくは、水と有機溶媒との混合溶媒に金属錯体とオキソアンモニウム塩とを溶解する方法を用いることを特徴とする電解質調合方法。前記オキソアンモニウム塩が下記一般式3で表される請求項15に記載の電解質調合方法。一般式3において、Aは、ニトロキシドの窒素原子及びR1~R4が結合している2個の炭素原子と共に5~7員の複素環を構成する2価の基であって、置換基を有してもよい。R1、R2、R3、R4はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、置換もしくは無置換のアルキル基を示す。Xは、金属塩化物、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、BF4、PF6、CF3SO3、NSO2CF32、NSO2F2、CF3COO、NC2F5SO2、又はClO4を示す。前記有機溶媒が、アセトニトリルまたはテトラヒドロフランである請求項15または16に記載の電解質調合方法。前記電解質中の溶媒のうち、50Vol以上が水である請求項15ないし17のいずれか1項に記載の電解質調合方法。ヨウ化物イオンに代えて金属錯体レドックス化合物を使用する方法では、上記の通りNOBF4を添加する方法が実施されているが、NOBF4は水と激しく反応するため、水を含有する電解質に適用することは困難である。一方、水を含有する電解質に適用されるヨウ素イオンのレドックス種I-/I3-では高効率の素子を提供するに至っていないのが現状である。そこで、本発明では、高出力が可能な水を含有する電解質を有する光電変換素子を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明に係る光電変換素子は、光電変換層と、対電極と、電荷輸送層と、を備え、前記電荷輸送層中に、水と、金属錯体とオキソアンモニウム塩とを含有する電解質を含むことを特徴とするものである。本発明によれば、水を含有する電解質を用いて高出力が可能な光電変換素子を提供できる。以下、図面を参照しながら、本発明の光電変換素子の実施形態を詳しく説明する。なお、本発明の範囲内で種々の実施形態での実施が可能である。第一の実施形態本実施形態に係る光電変換素子は、例えば、図1に示すように、光電変換層1と、対電極2と、光電変換層1と対電極2との間の電荷輸送を行う電荷輸送層3とを含み、電荷輸送層3中に水と、金属錯体とオキソアンモニウム塩とを含有する電解質を含む。1.光電変換層光電変換層1は、通常、半導体層に光増感剤として機能する色素が吸着されている構造を有する。1-1.半導体層1-1-1.半導体層の材料構造半導体層を構成する半導体材料としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、硫化カドミウムなどの公知の半導体が挙げられる。これらの半導体材料は2種類以上を混合して用いることもできる。これらの中でも、変換効率、安定性、安全性の点から酸化チタンが特に好ましい。このような酸化チタンとしては、アナターゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタン、無定形酸化チタン、メタチタン酸、オルソチタン酸などの種々の酸化チタン、含酸化チタン複合体などが挙げられる。その中でもアナターゼ型酸化チタンであることが好ましい。半導体層の形状としては、半導体微粒子などを焼結することにより得られる多孔性半導体層、ゾル-ゲル法、スパッタ法、スプレー熱分解法などにより得られる薄膜状半導体層などが挙げられ、その他繊維状半導体層や針状晶からなる半導体層など光電変換素子の使用目的に応じて、適宜選択することができる。本発明の半導体層としては、色素吸着量などの観点から、多孔性半導体層、針状晶からなる半導体層など比表面積の大きな半導体層が好ましい。半導体微粒子の粒径により入射光の利用率などを調整できる観点から、半導体微粒子から形成される多孔性半導体層が好ましい。また、半導体層は、単層であっても多層であってもよい。多層にすることによって、十分な厚さの半導体層を容易に形成することができる。また、多孔性の多層半導体層は、平均粒径の異なる半導体微粒子層からなってもよい。例えば、光入射側に近い方の半導体層第1半導体層を構成する半導体微粒子の平均粒径を、遠い方の半導体層第2半導体層より小さくすることにより、第1半導体層で多くの光を吸収させ、第1半導体層を通過した光は、第2半導体層で散乱させて第1半導体層に戻して第1半導体層で吸収させることにより、全体の光吸収率を向上させることができる。半導体層の膜厚は、特に限定されるものではないが、透過性、変換効率などの観点より、0.5~45μm程度が望ましい。半導体層の比表面積は、多量の色素を吸着させるために、10~200m2/gが好ましい。また色素を吸着させるため、及び電解質中のイオンが十分に拡散して電荷輸送を行うためには空隙率は40~80が好ましい。なお、空隙率とは、半導体層の体積の中で、半導体層中の細孔が占める体積の割合をで示したものとする。1-1-2.半導体層の形成方法次に、上記半導体層の形成方法について、多孔性半導体層を例にとって説明する。多孔性半導体層は、例えば、半導体微粒子を高分子などの有機化合物及び分散剤と共に、有機溶媒や水など分散媒に加えて懸濁液を調製し、この懸濁液を導電性を有する支持基板上に塗布し、これを乾燥、焼成することによって形成することができる。半導体微粒子と共に分散媒に有機化合物を添加しておくと、焼成時に有機化合物が燃焼して多孔性半導体層内に隙間を確保することが可能となる。また焼成時に燃焼する有機化合物の分子量や添加量を制御することで空隙率を変化させることができる。なお、有機化合物の種類や量は、使用する微粒子の状態、懸濁液全体の総重量等により適宜選択し調整することができる。ただし、半導体微粒子の割合が懸濁液全体の総重量に対して10wt以上のときは、作製した膜の強度を充分に強くすることができ、半導体微粒子の割合が懸濁液全体の総重量に対して40wt以下であれば、空隙率が大きな多孔性半導体層を得ることができるため、半導体微粒子の割合は懸濁液全体の総重量に対して10~40wtであることが好ましい。上記半導体微粒子としては、適当な平均粒径、例えば1nm~500nm程度の平均粒径を有する単一または化合物半導体の粒子などが挙げられる。その中でも比表面積を大きくするという点から1~50nm程度の平均粒径のものが望ましい。また入射光の利用率を高めるという点から、200~400nm程度の平均粒径の大きな半導体粒子を添加してもよい。半導体微粒子の製造方法としては、水熱合成法などのゾル-ゲル法、硫酸法、塩素法などが挙げられ、目的の微粒子を製造できる方法であればどのような方法を用いてもよいが、結晶性の観点より、水熱合成法により製造することが好ましい。有機化合物は、懸濁液中に溶解し、焼成するときに燃焼して除去できるものであれば何れも用いることができる。例えば、ポリエチレングリコール、エチルセルロース等の高分子が挙げられる。懸濁液の分散媒としては、エチレングリコールモノメチルエーテル等のグライム系溶媒、イソプロピルアルコール等のアルコール系、イソプロピルアルコール/トルエン等の混合溶媒、水等が挙げられる。懸濁液の塗布方法としては、ドクターブレード法、スキージ法、スピンコート法、スクリーン印刷法等公知の方法が挙げられる。その後、塗膜の乾燥、焼成を行う。乾燥と焼成の条件は、大気下又は不活性ガス雰囲気下、50~800°C程度の範囲内で、10秒から12時間程度が挙げられる。この乾燥及び焼成は、単一の温度で1回又は温度を変化させて2回以上行うことができる。なお、ここでは、多孔性半導体層の形成方法について詳述したが、他の種類の半導体層も種々の公知の方法を用いて形成することができる。1-2.光増感剤本発明において、光増感剤として色素を用いることができる。光増感剤として機能する色素以下、単に色素と記す。は、種々の可視光領域及び赤外光領域に吸収を持つものであって、半導体層に強固に吸着させるために、色素分子中にCOOH基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホン酸基、エステル基、メルカプト基、ホスホニル基などのインターロック基を有するものが好ましい。この中でもCOOH基を有するものが特に好ましい。インターロック基は、励起状態の色素と半導体の導電帯との間の電子移動を容易にする電気的結合を供給するものである。これらインターロック基を含有する色素としては、例えば、ルテニウム金属錯体色素ルテニウムビピリジン系金属錯体色素、ルテニウムターピリジン系金属錯体色素、ルテニウムクォーターピリジン系金属錯体色素など、アゾ系色素、キノン系色素、キノンイミン系色素、キナクリドン系色素、スクアリリウム系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、ポルフィリン系色素、フタロシアニン系色素、ペリレン系色素、インジゴ系色素、ナフタロシアニン系色素、クマリン系色素などが挙げられる。その中でも有機色素が好ましい。半導体層に色素を吸着させる方法としては、例えば基板上に形成された半導体層を、色素を溶解した溶液に浸漬する方法が挙げられる。色素を溶解するために用いる溶媒は、エタノールなどのアルコール系、アセトンなどのケトン系、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、アセトニトリルなどの窒素化合物、クロロホルムなどのハロゲン化脂肪族炭化水素、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチルなどのエステル類などが挙げられる。またこれらの溶媒は2種類以上を混合して用いてもよい。溶液中の色素濃度は、使用する色素及び溶媒の種類は適宜調整することができ、吸着機能を向上させるためにはある程度高濃度である方が好ましい。例えば、5×10-5mol/L以上の濃度とすることができる。色素を溶解した溶液中に半導体を浸漬する際、溶液及び雰囲気の温度、並びに圧力は特に限定されるものではなく、例えば室温程度、かつ大気圧下が挙げられ、浸漬時間は使用する色素、溶媒の種類、溶液の濃度などにより適宜調整することができる。なお、効果的に行うには加熱下にて浸漬を行えばよい。これにより、半導体層に色素を吸着させることができる。また色素を吸着する際に、色素及びその吸着状態や、多孔性半導体層を構成するTiO2等の微粒子表面などを制御するために、色素を溶解した溶液にデオキシコール酸DeoxycholicAcidやグアニジンチオシアナートGuanidineThiocyanate、tert-ブチルピリジン、エタノールなどの有機化合物を加えてもよい。光増感剤として、色素ではなく、半導体微粒子、いわゆる量子ドットを用いることもできる。2.対電極対電極2としては、白金等の金属触媒やカーボンの膜が存在するものなどが挙げられる。特に、白金であることが好ましい。これらの膜厚は触媒機能を発現できる厚さであればよく、1~2000nm程度が望ましい。3.電荷輸送層本発明に係る電荷輸送層3には、水と金属錯体及びオキソアンモニウム塩とを含有する電解質を含む。3-1金属錯体金属錯体としては、色素増感太陽電池に利用可能な公知の金属錯体の中から、水を含む液状媒体中で安定なものが選択される。特に、金属原子として周期律表8~10族元素旧8B族から選択される金属原子を有する金属錯体が好ましく、特にFe,Co,Ni,Osから選択される金属原子を含む金属錯体がより好ましい。例えば、Feを含む金属錯体としては、フェロシアン酸塩/フェリシアン酸塩やフェロセン/フェリシニウムイオンなどのレドックス対を形成する鉄錯体が知られている。Coを含む金属錯体としては、例えば、非特許文献2、JAMCHEMSOC20021241121511222に記載のコバルト錯体下記式1-a~1-cやコバルトセンなどが挙げられる。Niを含む金属錯体としては、JAMCHEMSOC201013245804582に記載のニッケル錯体やニッケロセンが挙げられる。Osを含む金属錯体としてオスモセンなどが挙げられる。なかでも、金属のビスペンタジエニル錯体であるメタロセン、例えば、フェロセン、コバルトセン、ニッケロセン及びオスモセン及びその誘導体から選択されるものが好ましく、特にフェロセンが好ましい。金属錯体は、電荷輸送層3中において少なくとも一部が酸化体と還元体で酸化還元対レドックス対を形成していることが好ましい。例えば、フェロセンでは下記式2に示すように、フェリシニウムイオン酸化体とフェロセン還元体との平衡状態を示す。なお、電解質に含まれる金属錯体は、少なくとも一部がレドックス対を形成していれば良く、添加する金属錯体の全てがレドックス対を形成していなくても良い。3-2.オキソアンモニウム塩オキソアンモニウム塩とは、>N=Oで表されるオキソアンモニウムカチオンとX-で表されるアニオンからなる。具体的には、下記式で示される環状のオキソアンモニウム塩であることが好ましい。一般式3において、Aは、ニトロキシドの窒素原子及びR1~R4が結合している2個の炭素原子と共に5~7員の複素環を構成する2価の基であって、置換基を有してもよい。R1、R2、R3、R4はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、置換もしくは無置換のアルキル基を示す。Xは、金属塩化物、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、BF4、PF6、CF3SO3、NSO2CF32、NSO2F2、CF3COO、NC2F5SO2、又はClO4を示す。式中、Aで表される2価の基としては、ニトロキシドの窒素原子及びR1~R4が結合している2個の炭素原子と共に5~7員の複素環を構成する基であり、炭素数2~4のアルキレン基あるいはアルケニレン基を例示することができる。また、アルキレン基の炭素原子の一部が酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子で置き換わったものでも良い。アルキレン基の各炭素原子には置換基を有していても良く、例えば脂肪族基、芳香族基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルデヒド基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、ニトロソ基などを挙げることができる。R1、R2、R3、R4で表される置換アルキル基における置換基としては、上記Aが有しても良い置換基を挙げることができる。R1、R2、R3、R4は、それぞれ独立に直鎖状のアルキル基が好ましい。また、安定性の観点から、炭素数1~4の無置換のアルキル基、特にメチル基が好ましい。好ましくは、Aは6員環を形成するプロピレン鎖である下記一般式4で表されるオキソアンモニウム塩であることが好ましい。一般式4中、R1~R4,Xは一般式3と同様の意味を示し、R5、R6はそれぞれ独立に水素原子、脂肪族基、芳香族基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルデヒド基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、ニトロソ基を示し、R5とR6と結合している炭素原子とでC=Oを形成しても良く、さらにR5とR6とが結合して環状構造を形成しても良い。また、電荷輸送層3中において、オキソアンモニウム塩の一部はアニオンを金属錯体に供給し、下記式5に示すようなニトロキシルラジカルとニトロキシルカチオンとの平衡状態を示す酸化還元対を形成しても良い。このようなオキソアンモニウム塩の例としては、下記式6~9に示す2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-N-オキシルTEMPOラジカルとその誘導体のオキソアンモニウム塩が好ましく挙げられる。水を含む液体媒体中に金属錯体とオキソアンモニウム塩とを同時に含有することにより、例えば、フェロセンなどの還元体レドックス種を前記式2に示すように、フェリシニウムイオン等の酸化体レドックス種に酸化することができる。オキソアンモニウム塩は水中で安定して存在するため、水を含有する電解質に好適に利用できる。3-3.電解液電荷輸送層3は、先に示した金属錯体とオキソアンモニウム塩を含有し、液体状態の電解質電解液を含む。この電解液は溶媒として水を含む。なお、電解液は多孔性の半導体層や対電極中にも含まれる場合がある。また、適宜、電解液には有機溶媒を添加できる。例えば、添加される有機溶媒として、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミドなどの含窒素化合物、メトキシプロピオニトリルやアセトニトリルなどのニトリル化合物、γ-ブチロラクトンやバレロラクトンなどのラクトン化合物、エチレンカーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート化合物、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジアルキルエーテルなどのエーテル類、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、さらにはイミダゾール類などが挙げられ、これらはそれぞれ単独で、又は2種以上混合して使用することができる。特に金属錯体やオキソアンモニウム塩の水に対する溶解性が低い場合、これらを溶解可能な有機溶媒を含むことが好ましい。3-4.電解液調製方法本発明に係る金属錯体とオキソアンモニウム塩を電解液中に同時に存在させるためには、それぞれを水に溶解させる方法がある。但し、水への溶解性に乏しい材料の場合、予め水と相溶性があり、材料を溶解可能な有機溶媒に溶解し、水と混合する方法が挙げられる。水の使用量としては、溶媒全体に対して50Vol以上が好ましく、70Vol以上がより好ましい。さらに、電解液の調製方法としては、金属錯体とオキソアンモニウム塩を水に溶解する方法、金属錯体とオキソアンモニウム塩の一方を溶解した水溶液と、他方を溶解した有機溶媒とを混合する方法、若しくは、水と有機溶媒との混合溶媒に金属錯体とオキソアンモニウム塩とを溶解する方法が挙げられる。第二の実施形態次に、本発明の光電変換素子の一実施形態例として、色素増感太陽電池について説明する。図2は、本発明の光電変換素子の一実施形態に係る色素増感太陽電池の基本構造を示す断面模式図である。図示するように、この色素増感太陽電池は、光透過性を有する透明基板11、この透明基板11の表面に形成された光透過性を有する透明導電膜12、及び、透明導電膜12上に形成された色素を吸着した多孔性半導体層である光電変換層13からなる半導体電極18と、この半導体電極18と相対向する位置に設けられた対極19と、半導体電極18と対極19との間に保持された電荷輸送層14とを備えてなる。対極19は、導電膜16が形成された透明基板又は支持基板17からなり、この導電膜16の表面に白金触媒層15が形成されている。そして、電荷輸送層14が、水と、金属錯体とオキソアンモニウム塩を含有する電解質を含む。なお、本発明では、電解質を含む層を電解質層という場合もある。この構造を持つ色素増感太陽電池において、透明基板11側から光太陽光が照射されると、光は、透明基板11、透明導電膜12を透過して、光電変換層13に吸着された色素に照射され、色素は光を吸収して励起する。この励起によって発生した電子は光電変換層13から透明導電膜12に移動する。透明導電膜12へ移動した電子は、外部回路を通じて対極19に移動し、対極19から電荷輸送層14を通って色素に戻る。このようにして電流が流れ、光電変換発電を行うことができる。半導体電極18透明基板11透明基板は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板などの透明性の高い基板が例示できる。透明導電膜12透明基板11に形成される透明導電膜12の種類は、特に限定されるものではないが、例えばITO、FTO、SnO2などの金属酸化物からなる透明導電膜が好ましい。透明導電膜の作製方法及び膜厚などは、適宜選択することができるが、1nm~5μm程度の膜厚ものを用いることができる。光電変換層13光電変換層は、第一の実施形態で説明した半導体層に色素を吸着させたものが好適に使用できる。電荷輸送層14電荷輸送層14には、第一の実施形態で例示した金属錯体とオキソアンモニウム塩を主として水を溶媒とする液状媒体中に溶解した電解液を含む。また、適宜、電解液には、イオン液体、即ち溶融塩を添加できる。イオン液体としては、Inorg.Chem.1996,35,p1168-1178、Electrochemistry2002.2,p130-136、特表平9-507334号公報、特開平8-259543号公報などに開示されている公知の電池や太陽電池などにおいて一般的に使用することができるものであれば、特に限定されないが、室温25°Cより低い融点を有する塩か、または室温よりも高い融点を有しても、他の溶融塩や溶融塩以外の添加物を溶解させることにより室温で液状化する塩が好ましく用いられる。具体的には、溶融塩のカチオンとしては、アンモニウム、イミダゾリウム、オキサゾリウム、チアゾリウム、ピペリジニウム、ピラゾリウム、イソオキサゾリウム、チアジアゾリウム、オキサジアゾリウム、トリアゾリウム、ピロリジニウム、ピリジニウム、ピリミジニウム、ピリダジニウム、ピラジニウム、トリアジニウム、ホスホニウム、スルホニウム、カルバゾリウム、インドリウム、及びこれらの誘導体が好ましく、特に好ましくは、アンモニウム、イミダゾリウム、ピリジニウム、ピペリジニウム、ピラゾリウム、スルホニウムである。また、溶融塩のアニオンとしては、AlCl4-、Al2Cl7-などの金属塩化物、PF6-、BF4-、CF3SO3-、NCF3SO22-、CF3COO-などのフッ素含有物、NO3-、CH3COO-、C6H11COO-、CH3OSO3-、CH3OSO2-、CH3SO3-、CH3SO2-、CH3O2PO2-などの非フッ素化合物、塩素、臭素。ヨウ素などのハロゲン化物などが挙げられる。溶融塩は、各種文献や公報で公知の方法により合成することができる。4級アンモニウム塩を例に挙げると、第一段階として3級アミンにアルキル化剤としてアルキルハライドを用いてアミンの4級化を行い、第二段階としてハライドアニオンから目的のアニオンへイオン交換を行うという方法を用いることができる。若しくは、3級アミンを目的のアニオンを有する酸と反応させて一段階で目的の化合物を得る方法がある。また、電荷輸送層には、上記電解液以外にゲル状電解質、固体電解質を含んでいても良い。このような、ゲル状電解質若しくは固体電解質としては、下記一般式10の環状ニトロキシルラジカルのポリマーを用いることができる。式中、E、R1、R2、R3、R4は、上記一般式3のA,R1、R2、R3、R4と同様の意味を示し、R7は酸素原子またはカルボニルオキシ基、R8、R9、R10は、水素原子またはアルキル基を示す。nは10以上10000以下の整数を示す。は結合手を示す。上記ポリマーは、ホモポリマーであっても、コポリマーであっても良い。コポリマーは、ブロックコポリマーであっても、ランダムコポリマーであっても良い。これらのポリマーの例としては、下記式11~13に示すようなTEMPOポリマーが好ましく挙げられる。ニトロキシルラジカルポリマー以外で、液体電解質を固体化するための高分子化合物を用いても良い。液体電解質を保持できる高分子化合物であればよく、ポリオキシアルキレン鎖を持つ化合物を含み、電解質をゲル化又は固体化できるものであれば特に限定されず、通常はポリオキシアルキレン鎖を持つポリマー前駆体ポリマーゲル化剤が用いられる。例えば、イ特開平5-109311号公報や特開平11-176452号公報に開示された、三官能性末端アクリロイル変性アルキレンオキサイド重合体や、四官能性末端アクリロイル変性アルキレンオキサイド重合体などのアルキレンオキサイド重合体鎖を有するアクリロイル変性高分子化合物が挙げられる。ロまた、少なくとも一種類のイソシアネート基を有する化合物Aと、少なくとも一種のイソシアネート基と反応性のある化合物Bとを含み、化合物Aと化合物Bのうち少なくとも一種類がポリオキシアルキレン鎖を持つものが挙げられる特開2002-289271等参照。ポリオキシアルキレン鎖を持つ化合物としては、分子量500~50,000の高分子構造を有する化合物が好ましく用いられる上記イの三官能性又は四官能性末端アクリロイル変性アルキレンオキサイド重合体は、例えば、三官能性の場合にはグリセロールやトリメチロールプロパン等を、四官能性の場合にはジグリセリンやペンタエリスリトール等を、それぞれ出発物質として、これらにエチレンオキサイドやプロピレンオキサイド等のアルキレンオキサイドを付加させ、さらにアクリル酸、メタクリル酸等の不飽和有機酸をエステル化反応させるか、又はアクリル酸クロリド、メタクリル酸クロリド等の酸クロリド類を脱塩酸反応させることによって得られる化合物である。上記ロの化合物Aとしては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族イソシアネート;ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族イソシアネート;イソホロンジイソシアネート、シクロヘキシルジイソシアネート等の脂環族イソシアネートが挙げられ、これらの2量体、3量体などの多量体又は変性体であってもよい。また、低分子アルコールとこれらイソシアネートのアダクト体、さらには、ポリオキシアルキレンとこれらイソシアネートをあらかじめ付加反応させた化合物が挙げられる。化合物Bとしては、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基などの活性水素基を有する化合物が挙げられ、より具体的には、カルボキシル基を有する化合物としては、ヘキサン酸、アジピン酸、フタル酸、アゼライン酸などのカルボン酸;ヒドロキシル基を有する化合物としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ソルビトール、ショ糖などのポリオール;アミノ基を有する化合物としては、エチレンジアミン、トリレンジアミン、ジフェニルメタンジアミン、ジエチレントリアミンなどの有機アミン類などがそれぞれ挙げられる。また、化合物Bとしては、上記のような活性水素基を一分子中に一つ以上有し、かつポリオキシアルキレン鎖を有する化合物も挙げられる。安定化添加剤電解質中の金属錯体は前述の式2に示すように、酸化状態と還元状態で酸化還元している。また、オキソアンモニウム塩の一部も前述の式ニトロキシルラジカルとこの酸化状態カチオン状態を安定化させる目的で、電解質中に塩を添加することも可能である。用いる塩としては、カチオンとして、リチウム、ナトリウム、カリウム、アンモニウム、イミダゾリウム、オキサゾリウム、チアゾリウム、ピペリジニウム、ピラゾリウム、イソオキサゾリウム、チアジアゾリウム、オキサジアゾリウム、トリアゾリウム、ピロリジニウム、ピリジニウム、ピリミジニウム、ピリダジニウム、ピラジニウム、トリアジニウム、ホスホニウム、スルホニウム、カルバゾリウム、インドリウム、及びこれらの誘導体が好ましく、特に好ましくは、アンモニウム、イミダゾリウム、ピリジニウム、ピペリジニウム、ピラゾリウム、スルホニウムである。また、アニオンとしては、PF6-、BF4-、CF3SO3-、NCF3SO22-、FHFn-、CF3COO-などのフッ素含有物、NO3-、CH3COO-、C6H11COO-、CH3OSO3-、CH3OSO2-、CH3SO3-、CH3SO2-、CH3O2PO2-、SbCl6-などの非フッ素化合物、ヨウ素、臭素などのハロゲン化物などが挙げられる。前述の溶融塩は安定化添加剤として機能する場合もある。また、電荷輸送層には、セパレータなどの多孔性の絶縁材料を含んでいても良い。セパレータに上記の電解液を含浸させることで、光電変換層と対電極とが直接接触することを防止すると共に、両者間の電荷輸送を行うことができる。対極19支持基板17としては、ガラスや高分子フィルム、Si等の半導体基板、金属板箔などが挙げられる。対極からも光入射させる場合には、透明性の高い基板を使用する。また、導電性のある基板の場合は、導電膜16を省略することができる。支持基板17が絶縁性若しくは半絶縁性の場合、導電膜16を設ける。導電膜16は水を含む電解質に対して耐性のある材料が好ましく、透明導電膜12に使用される金属酸化物導電材料が好ましく使用される。導電膜16の表面に形成される白金触媒層15は、導電膜16の全面または一部に膜状に形成されていても良い。白金触媒層は、触媒機能を発現できる厚さ、例えば、1~2000nm程度に形成される。上記の説明では、光電変換層13と白金触媒層15はそれぞれ異なる基板上に形成する例を示したが、同じ透明導電膜12を有する透明基板11上に、光電変換層13と白金触媒層15を設けた後、これらの間の透明導電膜12をレーザースクライブなどにより切断して、横電界型の素子としても良い。その他の実施形態本発明に係る光電変換素子は複数組み合わせて、光電変換素子スタックとして光電変換太陽光発電システムに用いることもできる。図3は、光電変換システムの具体例を示す図である。図3に示した光電変換システム150においては、光電変換素子スタック100で生じた電子が、充放電制御装置152を経由して蓄電器154に移動する。充放電制御装置152には直流電流で駆動する負荷153が接続されている。また、蓄電器154からの直流電流は、インバータ155でDA変換されて、交流電流で駆動する負荷156に流れる。光電変換素子スタック100の構成に特に制限はないが、たとえば図4~図7のような構成を例示することができる。図4~図7は、光電変換素子スタック100の構成例を示す断面図である。図4は、W型のスタックモジュール101である。図4においては、透明基板163と透明基板164との間に、光電変換層161、電解質電荷輸送層163および対向極対電極162により構成された光電変換素子が複数配置されている。光電変換層161は、たとえば第二の実施形態に記載の光電変換層13とする。透明基板163と光電変換層161との間、および透明基板164と対向極162との間には、それぞれ、透明導電性膜166および透明導電性膜167が設けられている。これらの透明導電性膜は、1つの素子の光電変換層161と隣接する素子の対向極162とに共通に設けられ、隣接する素子間が接続されている。また、複数の透明導電性膜166間および透明導電性膜167間は、絶縁材料により構成されたシール材170によりシールされている。透明導電膜166は、両端においてそれぞれアノードマイナス極168およびカソードプラス極169に接続する。図5は、S型のスタックモジュール102である。図5においては、透明導電性膜166上に光電変換層161が設けられ、光電変換層161の上面から側面にわたって光電変換層161を覆うセパレータ171およびセパレータ171の全面を覆う対向極162が設けられ、空間に電解液163が充填されて素子を構成している。図5においても、隣接する一方の素子の光電変換層161と他方の対向極162とが共通の透明導電性膜166を介して1つの透明基板163上に配置されている。図6は、Z型のスタックモジュール103である。図6の基本構成は図4に示したW型と共通するが、図6においては、複数の透明導電性膜165および透明導電性膜166が素子ごとに設けられている。隣接する一方の素子の光電極167は、透明導電性膜166、導電性シール材172および他方の素子の透明導電性膜165を介して他方の素子の対向極169に接続する。導電性シール材172の側面外周は、透明導電性膜165および透明導電性膜166に接する領域をのぞいてシール材170に被覆されている。図4~図6に示したW、SおよびZ型は小型セルを直列に接続したスタックモジュールであるが、図7に示すように、グリッド配線型のモジュール104としてもよい。図7においては、電解液163、透明導電性膜166および透明導電性膜167が複数の素子に共通に設けられており、透明導電性膜166および透明導電性膜167上の所定の位置に金属集電配線174が配置されている。金属集電配線174は絶縁膜173に覆われ、電解液163との間が絶縁されている。グリッド配線型のモジュール104は、1つのセルを大面積化した場合の集電ロスをさらに低減することができるモジュールである。なお、グリッド配線型をZ、WまたはS型でスタック化することもできる。なお、図4~図7において、光は光電変換層161の側から入射する。また、図4に示したW型では、光は両面入射となる。対向極162の側の基板に光透過性の高い基板を用いることで両面から光入射させることができる。また、図4~図7においては、基板として透明基板163および透明基板164を用いる例を示したが、たとえばW、Sおよびグリッド配線型の対向極側の基板には、透過性がない材料も利用できる。このような材料としては、たとえばPEEK等の樹脂基板、SUS等の金属基板、Si等の半導体基板などが挙げられる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。たとえば、本実施形態における光電変換素子は、太陽電池だけでなく、光センサに用いることもできる。図8は、光電変換素子200を含む光センサの回路の構成例を示す図である。以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。上記した図2に示す積層構造を持つ色素増感太陽電池を次のようにして作製した。実施例11.半導体層の形成半導体層は以下の手順で作製した。まず溶剤として濃度15volの酢酸水溶液20mLを用い、そこに市販の酸化チタン粉末5gP25、日本アエロジル株、界面活性剤0.1mLポリオキシエチレン-p-イソオクチルフェノール商品名:TritonX-100、シグマアルドリッチ社製、ポリエチレングリコール0.3g分子量20000を加え、攪拌ミキサーで約1時間攪拌1回10分間することで、酸化チタンペーストを作製した。次に、透明基板11としてガラス基板を、透明導電膜12としてITOをスパッタ蒸着したガラス基板2cm×1.5cm、シート抵抗:10Ω/□を用意した。このガラス基板をホットプレートで450°Cに加熱し、TAAジイソプロポキシチタニウムビスアセチルアセトネート:シグマアルドリッチ社製エタノール溶液2×10-2mol/Lをスプレー法により10回塗布した。次いで、このガラス基板のITO膜上に上記の酸化チタンペーストをドクターブレード法で膜厚が5μm程度となるように適量塗布塗布面積:5mm×5mmした。この電極を電気炉に挿入し、大気雰囲気にて450°Cで約30分間焼成して半導体電極18を得た。2.色素の吸着下記式で表される色素三菱製紙製、商品名D149をアセトニトリルに濃度3×10-4mol/Lで溶解させ、吸着用色素溶液を調製した。この吸着用色素溶液と、上述で得られた半導体電極を容器に入れ、1.5時間静置し、色素を吸着させた。その後、アセトニトリルで数回洗浄し、50°Cで約30分間自然乾燥させた。これにより、半導体層に色素が吸着した光電変換層13を得た。3.電解質の注入次に電解液を調製した。電解液の組成を以下に示す。電解液1フェロセン0.01mol/L溶媒:水70:アセトニトリル30Vol。電解液2フェロセン0.01mol/LTEMPOBF40.0004mol/L溶媒:水70:アセトニトリル30Vol。電解液3フェロセン0.01mol/L溶媒:水70:テトラヒドロフラン30Vol。電解液4フェロセン0.01mol/LTEMPOBF40.0004mol/L溶媒:水70:テトラヒドロフラン30Vol。上記で得た半導体電極の光電変換層13に上記電解液をそれぞれ滴下し、さらにロータリーポンプで約10分間真空引きして溶液を光電変換層に十分浸みこませた。その後、白金触媒層15を具備した対極19を設置し、治具にて固定した。その後、エポキシ樹脂にて外界との接触を避ける封止を実施し光電変換素子を作製した。4.光電変換素子特性の評価作製した光電変換素子の評価はソーラーシュミレーター用いてAM1.5、100mW/cm2照射条件化でのI-V測定を行った。ここで光電変換素子の両端を電子負荷装置に接続して、開放電圧から取り出し電圧がゼロになるまで5mVsecステップの電位走査を繰り返して行った。電解液1比較例1と電解液2実施例1を用いた結果を図9に、電解液3比較例2と電解液4実施例2を用いた結果を図10にそれぞれ示す。図9及び図10に示すように、電解質にTEMPOBF4を添加した場合、短絡電流値Jscが飛躍的に高くなっていることが分かる。"