"真空容器内部に配置され内側でプラズマが形成される円筒形の処理室と、この処理室内部に配置され前記プラズマにより処理される試料がその上に配置される試料台と、前記真空容器の上部に配置され前記処理室内に前記プラズマを形成するための電界が透過する誘電体製の円板部材と、この円板部材の上方に配置され前記電界が上方から導入される円筒形の空洞と、この空洞の中央上方でこれと連結されて配置され内部を前記電界が伝播する導波管と、この導波管の端部に配置され前記電界を生成する手段と、前記空洞を構成し前記導波管との連結部を含む中央部とこの中央部の外周部とで前記円板部材の上面から異なる高さを有する第一及び第二の空洞部と、これら第一,第二の空洞部の上方に配置されこれらの高さを調節する調節器と、前記処理の進行に伴って前記調節器に前記第一,第二の空洞部の高さを変更する指令を発信する制御器とを備えたプラズマ処理装置。請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、前記第一の空洞部が前記導波管の外周に配置されこの空洞部の天井を構成して上下する第一のリング状の板部材を有し、前記第二の空洞部が前記第一のリング状の外周側に配置されこの空洞部の天井を構成して上下する第二のリング状の板部材と前記第一のリング状の板部材及び第二のリング状の板部材との間の段差の間で前記第1の空洞部の側壁を構成する円筒状の部材とを備えたプラズマ処理装置。請求項2に記載のプラズマ処理装置であって、前記試料台の前記試料が載置される上面が前記導波管と前記空洞との連結部の下方に配置され、前記段差が上方から見て前記試料台の外周縁より中央側に位置するプラズマ処理装置。請求項1乃至3の何れかに記載のプラズマ処理装置であって、前記第一のリング状の板部材と前記円板部材との間の距離が前記第二のリング状の板部材と前記円板部材との間の距離より大きくされたプラズマ処理装置。請求項4に記載のプラズマ処理装置であって、前記試料の上面に配置された膜のオーバーエッチング処理の際の前記第一及び第二のリング状の板部材と前記円板部材との間の距離の比が前記膜のメインエッチング処理の際のこれらの距離の比より小さく調節されるプラズマ処理装置。請求項4に記載のプラズマ処理装置であって、前記処理室内の圧力が高い処理のステップでの前記第一及び第二のリング状の板部材と前記円板部材との距離の比が圧力が低い処理のステップでのこれらの距離の比より小さく調節されるプラズマ処理装置。特許文献1においては、周辺部のプラズマ密度を向上させるTE01モードのマイクロ波の影響は処理条件により不十分となる場合があり、処理の条件に応じてプラズマの特性が不均一となってしまう点については考慮されていなかった。すなわち、TE11モードのマイクロ波の影響で、中心部のプラズマ密度が相対的に高くなることがあった。特に、処理圧力が相対的に高くなった場合には、例え本従来技術のようにTE01,TE11モードの電界を重ね合わせたとしても周辺部のプラズマ密度が低くなり、結果としてプラズマの密度等の特性の均一性が得られなくなる虞が有るという問題については考慮されていなかった。また、試料の径が大きくなるとこれに応じて処理室の大きさを拡大させた場合、処理室内に形成されるプラズマは周辺部での密度がより低くってしまい、プラズマの均一性が損なわれてしまう点について考慮されていなかった。さらに、特許文献2においては、試料の径方向について同一の値となる空洞部の上端までの高さを上下方向に調整することによりプラズマの密度を向上させる点についてのみ考慮されているに過ぎず、径または周方向についてプラズマの不均一を抑制する上で必要な空洞部の高さを調節する態様については考慮されていなかった。本発明の目的は、半導体ウエハ等の基板状の試料の径方向または周方向についてプラズマの特性ひいては処理の精度,性能の均一性を向上させたプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供することにある。上記目的を達成する手段として、空洞部上面を同心円状に2つ以上に分割した上、中心側と周辺側が異なる空洞高さとなるようにし、かつ、それぞれの部分の高さを個別に調整できる手段を有するプラズマ処理装置とそれを用いた処理方法を提示する。より詳細には、上記目的は、真空容器内部に配置され内側でプラズマが形成される円筒形の処理室と、この処理室内部に配置され前記プラズマにより処理される試料がその上に配置される試料台と、前記真空容器の上部に配置され前記処理室内に前記プラズマを形成するための電界が透過する誘電体製の円板部材と、この円板部材の上方に配置され前記電界が上方から導入される円筒形の空洞と、この空洞の中央上方でこれと連結されて配置され内部を前記電界が伝播する導波管と、この導波管の端部に配置され前記電界を生成する手段と、前記空洞を構成し前記導波管との連結部を含む中央部とこの中央部の外周部とで前記円板部材の上面から異なる高さを有する第一及び第二の空洞部と、これら第一,第二の空洞部の上方に配置されこれらの高さを調節する調節器と、前記処理の進行に伴って前記調節器に前記第一,第二の空洞部の高さを変更する指令を発信する制御器とを備えたプラズマ処理装置により達成される。また、前記第一の空洞部が前記導波管の外周に配置されこの空洞部の天井を構成して上下する第一のリング状の板部材を有し、前記第二の空洞部が前記第一のリング状の外周側に配置されこの空洞部の天井を構成して上下する第二のリング状の板部材と前記第一のリング状の板部材及び第二のリング状の板部材との間の段差の間で前記第1の空洞部の側壁を構成する円筒状の部材とを備えたことにより達成される。さらにまた、前記試料台の前記試料が載置される上面が前記導波管と前記空洞との連結部の下方に配置され、前記段差が上方から見て前記試料台の外周縁より中央側に位置することにより達成される。さらにまた、前記第一のリング状の板部材と前記円板部材との間の距離が前記第二のリング状の板部材と前記円板部材との間の距離より大きくされたことにより達成される。さらにまた、前記試料の上面に配置された膜のオーバーエッチング処理の際の前記第一及び第二のリング状の板部材と前記円板部材との間の距離の比が前記膜のメインエッチング処理の際のこれらの距離の比より小さく調節されることにより達成される。さらにまた、前記処理室内の圧力が高い処理のステップでの前記第一及び第二のリング状の板部材と前記円板部材との距離の比が圧力が低い処理のステップでのこれらの距離の比より小さく調節されることにより達成される。以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。この図において、プラズマ処理装置は、真空容器とその内部に処理室を備え、真空容器上方に配置した電界を伝播する管路を通して処理室内にマイクロ波帯の電界を導入するとともに処理室の外周側方及び上方に配置された磁場の発生装置からの磁界を導入して処理室内に供給された反応性ガスを励起してプラズマを形成するものである。処理室内の下部には半導体ウエハ等の試料を上面に載せる試料台が配置され、試料台状に載置,保持された試料がプラズマによってエッチング等の処理を施される。図1に示すプラズマ処理装置の電界を伝播させる管路の端部に配置されたマグネトロン103で励起されたマイクロ波は、水平方向図上左右方向に延在する断面矩形状の管路を図上左向きに伝播し、これの端部で連結された断面が円形の円形導波管102に下向きに導入されて、その下端部に接続された水平方向の断面が円形空洞部に導入される。当該空洞部は内部が円筒形の空間を備えた部分であって、その空間の下面は、マイクロ波帯の電界が透過できるセラミクス等の誘電体例えば、石英製の円形の窓部材で構成されている。その上部で天面を構成する天板の部分が同心円状に複数本図では2つの領域に分割されている。さらにそれらの領域のうち中央側と周辺側は、天板と誘電体製窓部材との間の距離、つまり空洞部の高さが異なるものとなるよう構成される。即ち、空洞部の天板は同心円状に2つの領域となっており、これらの間には段差が配置された構成となっている。このような段差を有して隣接して各々異なる高さを有する領域を備えた空洞部に円形導波管102を通り導入されたマイクロ波による電界は、まず、上側の空洞部分第1の空洞部120に導入される。第1の空洞部120に導入されたマイクロ波の電界は下側の空洞部分第2の空洞部105との間の境界の部分を含む両者の間の段差部分で反射し、第1の空洞部120内で定在波が生成される。そして、第1の空洞部120と第2の空洞部105との間の境界部分である段差部分の下端部では、偏在的に電界の強度が集中して高くなり誘電体製の窓部材または下方の処理室に配置された試料台上面或いはその上に載せられた試料の上面に垂直な方向の電界が生成される。この試料等に垂直な方向の電界により第2の空洞部105にはTM11モードが励起される。このTM11モードによって、上記境界の位置に対応した処理室内の領域においてプラズマの密度が向上する。特に、このような境界部分を試料の中心から所定の半径の位置に配置することで、対応する試料の外周側周辺領域での周方向についてプラズマの均一性が向上する。一方、円形導波管102の直下方に位置する円形導波管102の管部の下方に投影された領域を含む領域に上方から導入される、つまり直接的にTE11モードのマイクロ波の電界が導入される箇所では、当該電界が中心のプラズマ密度の増大に寄与するため、周辺部のプラズマの密度の上昇と重ね合わされて全体としてプラズマの密度分布の均一性が向上する。また、発明者らの検討によれば、周辺側の領域の空洞部の高さを中央部よりも低くすることによりTM11モードの影響が増大して、対応する周辺部のプラズマ密度が増加する。一方、中心側の空洞高さを低くすることにより、TE11モードの影響が増大し、中心部のプラズマ密度が増加するという知見が得られた。以下の実施例では、上記の知見に基づいて、中央側,周辺側の複数の同心状に配置された領域での空洞部の高さをそれぞれ可変に調節して試料の処理の条件に適切な相対的配置の位置にすることで、プラズマの密度の分布ひいては処理の均一性を向上させ再現性と精度の高い処理を実現させることができる。例えば、処理室内での圧力が高い条件で処理を行う場合に中心部のプラズマ密度が高くなる傾向がある場合には、周辺部のプラズマ密度を向上させるため周辺側の空洞高さを低く、中央側の空洞高さを高く配置する。処理圧力が低い場合はその逆を実施する。このような中央側,周辺側の領域の各々の空洞部の天面は、中心部と周辺部それぞれのプラズマの発光強度を測定することにより、プラズマの密度分布を検出し、それに応じて高さ方向の位置を変化させてもよい。また、空洞部上面の分割数は2つに限らず3つ以上であってもよい。たとえば、3つに分割した場合はTM11モードに加えTM12モードが励起され、中心部,中間部,周辺部の3箇所のプラズマ密度を独立して変化させることができる。以下、図1乃至図3を用いて、本発明の実施例を説明する。図1は、本発明の実施例に係るプラズマ処理装置の構成の概略を説明する縦断面図である。本図において、マイクロ波帯の電界は断面が矩形状の導波管の一端図面状右端部に配置されたマグネトロン103により発振,励起されて、導波管上に配置されたアイソレータ113,自動整合器112の部分を通過して図上左側に向けて伝播する。矩形の導波管の他端図上左端部で導波管は上下方向に延在する断面が円形の円形導波管102と矩形-円形変換導波管114を挟んで接続されている。矩形-円形変換導波管114において、図上右側から左側に向けて伝播してきた電界は、向きを下方に変えて上下方向本実施例では垂直方向にその管の軸が延在する円形導波管102内部に導入される。円形導波管102は、その上端部で矩形-円形変換導波管114と接続され、上記のように下端部で真空容器上方に配置された円筒形の空洞部とその中央部で接続される。円形導波管102上の上下端部の間の箇所には円偏波発生器121が実装され、円形導波管102に導入されたマイクロ波は円偏波となり空洞部に導入される。つまり、電界の伝播する方向について右または左回りに電界を回転させて下方に伝播させる。このことにより、空洞部及び石英製の窓部材106の下方で真空容器内に配置された処理室122内でのプラズマ密度、強度の周方向の不均一さが低減される。空洞部の内部の円筒形の空間に合わせて空洞部の上面は概略として円形を有しており、天井面を構成する部材は空間の中心から半径方向について異なる距離の範囲に対応する領域に円形またはリング形状の天板が配置されている。本実施例では、2つの領域を分けられて配置され、各々中央天板111aと周辺天板111bにより構成される。中央天板111aは、円筒形を有する空洞部の上面の中央部分を構成するリング状の板部分とこの板部の内周側の端部から上下方向に延在して円形導波管102の内部と連結さえされた円柱導体111a′を備えている。これらは一体としてリング状の板部分の上面と接続されたパルスモータ101a等の駆動装置を用いて上下方向に動かされて誘電体製の窓部材106との間の距離高さを可変に調節される構成となっている。円柱導体111a′は、その円筒形の外側壁が円形導波管102の内側に挿入されてその内壁面と重なり合うように配置されている。つまり、中央天板111aの板部が最も低い位置に移動した場合にも、円柱導体111a′の上端部の外側壁は円形導波管102の下端部の内側壁面と相互に接するかわずかなすき間を空けて対向して重なり合うように配置されている。両者は、電気的に空洞部内を一つの空間にするように接するか、一つの空間として見なせる程度に近接して連結されている。また、周辺天板111bは空洞部上面の周辺部分を構成するリング状の板部分とこの板部分の内周縁部から上下方向に延在してこの板部と中央天板111aのリング状の板部の外周縁部との間で段差を成して連結する円柱導体111b′を備えて構成されている。これらは一体としてリング状の板部分の上面と接続されたパルスモータ101b等の駆動装置を用いて上下方向に動かされて誘電体製の窓部材106との間の距離高さを可変に調節される構成となっている。円柱導体111b′は、その円筒形を有する内側壁面が中央天板111aの外周縁の部分と接するか微小なすき間を挟んで水平方向に対向して連結されて配置されている。これらはその位置が高さ方向に重なり合うように配置されており、中央天板111aの板部が最も高い位置に位置し、周辺天板111bの板部が最も低い位置にされた場合にも、円柱導体111b′の内側壁は中央天板111aの外縁と接するか微小なすき間を介して対向するように構成される。また、中央天板111aの板部分は周辺天板111bの板部分より低い位置にならない、つまり、空洞部内の空間の窓部材106からの距離高さは、中央部が周辺部と同じかより大きいように配置される。本実施例の周辺天板111bの外周側に位置してその上下する外周縁と接するか微小なすき間を介して水平方向に対向する円筒形状の金属製の部材は、真空容器の上方に配置されて空洞部の側壁面を構成する。本実施例では、当該側壁面を構成する部材は処理室122またはこれを構成する真空容器の上部で処理室122内のプラズマ107が形成される円筒形の空間部放電部の円筒形の外周側壁と略同径の円柱形状で構成され、周辺天板111bの板部の外周縁部分と連結されている。この側壁部材の上端部の高さ位置窓部材106上面からの距離も周辺天板111bの板部が最も高い位置に移動した場合にも周辺天板111bの外周部分と連結される。本実施例の空洞部は、上記の通り段差を有して連結されて空洞部の半径方向について隣接する中央天板111a及び周辺天板111bに対応する領域によって構成される部分に複数に分けられる。中央天板111a板部分と周辺天板111bの円柱導体111b′部分で構成される上方の円柱状円筒状の空間を第1の空洞部120と呼ぶ。さらに、周辺天板111bのリング状の板部分と空洞部の空間の側面を構成する円柱状の側壁部材の内側壁で構成される下方の円柱状円筒状の空間を第2の空洞部105と呼ぶ。空洞部は、前者の下面と後者の上面とが接続されて連なり、上下方向に両者が隣接して1つの空間として構成されている。空洞部の天面は、中央天板111aの板部で構成される第1の空洞部120の天面と周辺天板111bの板部で構成される第2の空洞部105の天面との間において円柱導体111b′で構成される段差を有しており、その円筒形の中心軸からの半径方向について階段状に高さを変化させている。この段差部によって第1の空洞部120、及び第2の空洞部105内部での電界の分布に差異が形成される。なお、周辺天板111aの円柱導体111a′は、円形導波管102の内側側壁と連結されて内部に挿入され、円形導波管102内部を下方に向けて伝播してきた電界は、円筒形状の円柱導体111a′内側の空間を下方に伝播して上記第1の空洞部120の上端部に導入される。円柱導体111a′は円形導波管102の延長部分として機能する管路であり、その下端部は第1の空洞部120の中央の上端部と接続されていることになる。円形導波管102円柱導体111a′の内部の管路から第1の空洞部120に導入されたマイクロ波の電界は、第1の空洞部120と第2の空洞部105との境界を含む円柱導体111b′の内側壁面で反射して第1の空洞部120内で定在波が生成される図1の一点鎖線矢印。そして、第1の空洞部120と第2の空洞部105の境界部分である円柱導体111b′の下端部において窓部材106またはその下方の処理室122内に配置されるウエハステージ109上面の載置面またはその上に載せられたウエハ108に垂直な方向の電界が生成され、このウエハに垂直な方向の電界によりTM11モードが励起される。処理室122内の下部に配置されたウエハステージ109上にウエハ108が載せられて静電吸着によって保持された状態で処理室122内に処理用の反応性ガスプロセスガスが図示しないガス導入経路から窓部材106の下面とすき間を空けて配置され処理室122の天井面を構成するシャワープレートの複数の導入孔から導入され、マイクロ波帯の上記電界と磁場形成手段であるソレノイドコイル104で生成される静磁界との電子サイクロトロン共鳴ECR:ElectronCyclotronResonanceにより、反応性ガスの粒子が励起されてプラズマ107が形成される。円筒形を有してその中心軸が処理室122の中心軸に合致させて配置されたウエハステージ109内部には導電体製の図示しない電極が配置され、この電極には高周波を発生するRF電源110が電気的に接続されている。プラズマ107が形成された状態でRF電源110から電極に高周波が印加されウエハ108上面上方にバイアス電位が形成されて、プラズマ107とバイアス電位との電位差によってプラズマ107内の荷電粒子がウエハ108上面の方向に誘引されてこれらの間の衝突による相互作用によりウエハ108上面に配置された処理対象の膜のエッチングがすすめられる。円柱導体111b′の下端部は空洞部またはこれと同径かこれと見なせる程度に近似した径を有する処理室122の中心軸から所定の半径の距離に円周状に配置されており、窓部材106の直下方の箇所を含む処理室122内のこの所定の半径の距離の領域にはTM11モードの電界に影響されたプラズマが強く形成され、この領域では所定の値の半径の周方向について密度や強度の均一性に優れたプラズマが形成されることになる。なお、窓部材106の下面とウエハステージ109の上面の載置面とは平行またはこれと見なせる程度に相対的な配置にされている。一方、円形導波管102内部を伝播してきたマイクロ波の電界はTE11モードを有しており、円形導波管102の直下方でその投影面を含む空洞部または円形の窓部材106或いはこれとほぼ同形の円筒状の処理室122の面積を中心に含む空間の電界の分布ではTE11モードの電界が支配的または強い影響を与えている。つまり、処理室122内には窓部材106を透過して、上記TM11モードのマイクロ波の電界と円形導波管102より直接導入されるTE11モードのマイクロ波の電界が導入される。そして、処理室122内部での電界の密度,強度はその中心軸からの半径方向についてTE11モードの電界に強く影響されたプラズマが形成される領域と、その半径方向外周側でTM11モードの電界に影響されたプラズマが形成される領域とが存在する。これらの異なるモードの電界が重ね合わされたことによって生起されたプラズマの密度及び強度の分布は、半径方向について均一性が向上されたものとなる。つまり、中央側においてTE11モードの電界で形成されたプラズマが強く形成され、外周側においてTM11モードの電界で形成されたプラズマが強く形成され、相互に強度,密度が低下する領域を補完しあうことでウエハ108上方においてその面方向のプラズマの密度,強度等の特性の均一性が向上される。なお、本実施例での円柱導体111b′の空洞部の中心軸、つまり処理室122または円筒形のウエハステージの中心軸からの距離は、ウエハステージ109の上面の外周縁までの距離ウエハステージ109上面の半径の値以下、望ましくはウエハ108の半径の値以下にされている。このような構成により、上記TM11モードの電界に強く影響されたプラズマの密度や強度の分布はウエハ108の外周縁まで均一性が高く維持される。図2は、図1に示す実施例に係るプラズマ処理装置により処理されるウエハ108の上面に配置される膜構造の例を示す模式図である。本例では、当該膜構造からエッチング処理により半導体デバイスの回路を形成する例を示している。図2aはエッチング処理前、図2bは処理後の膜構造の断面を示す。処理前の状態として、シリコン基板201の上に酸化膜202、および、poly-Si膜203が形成されている。poly-Si膜203の上には回路パターンが転写されたレジスト204が存在する。図1に示すマイクロ波プラズマエッチング装置により、レジスト204に覆われていない部分のpoly-Si膜203が除去され、図2bに示す処理後の状態となる。このとき酸化膜202は除去されない。図3は、図2に示す膜構造を図1に示す実施例に係るプラズマ処理装置によって処理する場合の動作の流れを示すフローチャートである。本図のステップ301において、処理室122内に図示しないロボットアーム等の搬送装置に載せられてウエハ108がウエハステージ109上の載置面上に載せられ、静電吸着によって載置面上で吸着保持される。この状態でpoly-Si膜203の大部分を除去するいわゆるメインエッチの処理が実施される。本実施例では、ステップ302において、下面が空洞部の天面を構成する中央天板111a、および、周辺天板111bの各板部の高さがプラズマ処理装置の使用者によって入力されて指令が発信されて設定される。各高さは、処理室122内で所望のプラズマの密度,強度等の特性の分布が得られるように予め実験等で得られた値が図示しないプラズマ処理装置の制御部内の記憶装置に記憶されたデータが制御部の演算器により読み出されて入出力インターフェースを介してパルスモータ101a,101b等の駆動装置に送信されてこれらの動作により設定される。ステップ303において、処理室122内にシャワープレートの導入孔からプロセスガスが導入され、この流量,速度と処理室122下方の排気口からの処理室122内の排気の流量,速度とのバランスが調節されて、処理室122の内部の圧力が所望の値の範囲内に設定される。排気口からの排気は、真空容器下面に連結された図示しない真空ポンプにより行われ、処理中にも行われる真空ポンプの動作によって排気された処理室122内のプラズマ,ガス,生成物等の粒子は、プラズマ処理装置の外部或いはこれが設置される建屋の外部に排出される。ステップ304において、マイクロ波帯の電界が円形導波管102から空洞部を通り窓部材106を介して処理室122内に導入され、さらにソレノイドコイル104からの磁界が処理室122内に供給され、これらの相互作用によりプロセスガスが励起されてプラズマ107が形成される。ステップ305において高周波電力がウエハステージ109に供給されRFバイアスがウエハ108上に形成され、poly-Si膜203のエッチングが開始される。イオン等の荷電粒子のウエハ108上の膜構造との衝突を用いて処理対象膜のpoly-Si膜203の除去が進行しマスクであるレジスト204の形状に沿って溝または孔等の所期の形状に対象膜の加工が行われる。poly-Si膜203の大部分が除去され下方の膜である酸化膜202が露出するか露出する少し前まで到達したことが検出されると、ステップ307、および、ステップ308により、RFバイアス、および、マイクロ波の電界,磁界の供給がOFF停止され、一旦プラズマ107が消失される。次に、上記のメインエッチの処理の後、酸化膜202上に残るPoly-Si膜203をさらに除去する、所謂オーバーエッチの処理が実施される。まず、ステップ310により中央天板111aと周辺天板111bの各板部の高さが変更される。この高さについても、予め実験等により得られた値を記憶しておいたデータが読み出されて指令信号として中央天板111a,周辺天板111bの移動によって設定される。この際、オーバーエッチの処理では、下地の膜となる酸化膜202とPoly-Si膜203の間の選択比を高くする必要があることから、本実施例では処理室122内の処理中の圧力を高くする。本実施例では、このような条件で均一性の高いプラズマを生成するためメインエッチの際の中央部及び周辺部の空洞高さの配置に対して、周辺天板111bの高さを低くする。このようにメインエッチの場合より中央天板111aの板部の高さより周辺天板111bの高さを低くする、つまり、第1の空洞部120の天面と窓部材106の上面との距離と第2の空洞部105の天面と窓部材106の上面との距離との比率は、メインエッチの際よりオーバーエッチの方が高くされる。このことにより、圧力がメインエッチの際よりも高くされるオーバーエッチの条件においてもプラズマの均一性を向上させることができる。ステップ310により空洞部の中央部及び周辺部でのその高さが変更された後、ステップ311によりプロセスガスが導入され処理室122内の圧力が調整される。ステップ312によりマイクロ波による電界及び磁界が導入され、プロセスガスからプラズマ107が形成される。その後、ステップ313においてRF電源からの電力によりRFバイアス電位が形成され、オーバーエッチングが実施されpoly-Si膜203がその溝,孔等の加工形状の隅部から除去される。poly-Si膜が除去された後、ステップ315、および、ステップ316により、RFバイアス、および、マイクロ波の電界,磁界がOFF停止され、プラズマ107が消去されて、オーバーエッチが終了する。ステップ317においてプロセスガスが排気された後、ステップ318においてウエハが搬出される。変形例1次に、本発明の変形例を図4を用いて説明する。図4は、図1に示す実施例に係るプラズマ処理装置の変形例の構成の概略を示す縦断面図である。本図において、図1乃至図2において説明した構成と同等の構成については、説明を省略する。本変形例においては、空洞部の天面を構成する中央天板111a,周辺天板111bの各板部に処理中に処理室122内部の発光を検出するための検出器が配置されている。半径方向について異なる位置、特に第1の空洞部120及び第2の空洞部105の領域に対応する空洞部の天面の位置においてプラズマの密度,強度に相関する発光の強度等のパラメータが図示しない制御部において検出され、これに基づいて中央天板111a,周辺天板111bの各板部の窓部材106上面からの高さが調節される。より詳細には、図4に示す変形例において、光ファイバ115a,115bに接続された分光器116a,116bの各々が中央天板111a部のリング状の板部、および周辺天板111bのリング状板部に配置され、各板部の開口を通して窓部材106上方から処理室122内に形成された処理中のプラズマの発光の強度を検知する。当該発光の強度は一般的にプラズマの密度に比例すると見なされるため、各分光器116a,116bから出力され検出された発光の強度から、各部でのプラズマの密度,強度の値または比率が検出される。本変形例では、中央天板111aに対応する中央部のプラズマと周辺天板111bに対応する周辺部のプラズマの密度とが各々検出され、比較され、その結果から制御部内の演算器が記憶装置内に予め記憶されたプログラムまたはデータのテーブル等から処理室122内の半径方向についてのプラズマの密度や強度の分布が所期のものに近づけるに適切な中央天板111a、周辺天板111bの各板部の適切な高さの値を算出する。算出された高さの値を実現するための指令信号が制御部の入出力インターフェースからパルスモータ101a,101b等の駆動装置に対して発信され、これらの動作が調節されて、当該空洞部の中央,周辺外周部の高さが実現される。本変形例では、中央部に比較し周辺部の発光強度が弱い場合、コントローラ117によりパルスモータ101bを駆動し、周辺天板111bを下げて周辺部のプラズマ密度を増加させる。一方、周辺部に比較し中央部の発光強度が弱い場合は、コントローラ117によりパルスモータ101aを駆動し、中央天板111aを下げて中央部のプラズマ密度を増加させる。変形例2図5は、図2に示す本発明の実施例に係るプラズマ処理装置により処理されるウエハ108の上面に配置される膜構造の別の例を示す模式図である。本例でも、当該膜構造からエッチング処理により半導体デバイスの回路を形成する例を示しており、多層膜構造の半導体デバイスの回路の例である。図5aはエッチング処理前、図5bは処理後のものを示す。エッチング処理の前の状態として、シリコン基板201の上に下方から高誘電率膜208,メタルゲート材207,ゲート材209,マスク材206,反射防止膜205が配置されており、反射防止膜205の上には回路パターンが転写されたレジスト204が存在する。上記のような多層膜構造の半導体回路のエッチング処理においては、各膜材料のエッチング処理に対し、それぞれ最適なガス系、および、処理圧力が異なる。このような膜構造を処理する場合に、本変形例では、ガス系、および、処理圧力の違いに対し、空洞部の中央側,外周側部分の各部の高さを最適なに調節して形成されるプラズマの密度,強度の均一性を向上して高精度なエッチング処理を実施する。図6は、図1または図4に示す実施例に係るプラズマ装置の図5に示す膜構造をエッチング処理する場合の動作の流れを示すフローチャートである。まず、ステップ601において、図3に示す実施例と同様に、ウエハ108が処理室122内に搬送されて内部のウエハステージ109上面に載置される。次に、ステップ602において、中央天板111aと周辺天板111bの各リング状の板部の高さが、使用者から入力されるかまたは制御部内の演算器により算出されて各板部の駆動手段に対して動作の指令が発信され設定される。この高さは、次のステップ603において、プラズマの高い均一性が得られるような条件として予め実験等により得られた値である。その後、ステップ603において、O2ガスとArガスの混合ガスが処理室122内に導入され処理圧力10Paで、電界,磁界の供給によってプラズマが形成されRF電力のウエハステージ109へ供給されて、反射防止膜205をエッチングが開始される。これと並行してレジスト204の横幅を細らせるための処理が実施される。続いて、ステップ604において、中央天板111aと周辺天板111bの各リング状の板部の高さが変更される。この高さの値も次のステップ305の処理において均一性の高いプラズマが得られる条件を予め実験等で検出した値に係るものである。その後、ステップ605において、プロセスガスの種類,組成が変えられて、HBrガスとO2ガスとArガスの混合ガスが処理室122内に導入され、処理室122内の圧力が04Paでプラズマが形成され、下地のマスク材206が露出するまで反射防止膜205のエッチング処理が行われる。周辺天板111bの板部の高さはステップ603におけるものと比べてステップ605におけるものの方が高くされる。或いは、第1の空洞部120の天面と窓部材106の上面との距離と第2の空洞部105の天面と窓部材106の上面との距離との比率は、ステップ603におけるものよりステップ605におけるものの方が低くされる。続いて、ステップ606において、中央天板111aと周辺天板111bの各リング状の板部の高さが変更される。この高さについても、次のステップ607の処理において均一の高いプラズマが得られるよう予め実験等により得られた値である。ステップ607において、プロセスガスの種類,組成が変えられて、SF6ガスとCHF3ガスとArガスの混合ガスが処理室122内に導入されて処理圧力12Paでプラズマが形成されて、ゲート材209が露出するまでマスク材206がエッチングされる。周辺天板111bの板部の高さはステップ605におけるものと比べてステップ607におけるものの方が低くされる。或いは、第1の空洞部120の天面と窓部材106の上面との距離と第2の空洞部105の天面と窓部材106の上面との距離との比率は、ステップ605におけるものよりステップ607におけるものの方が高くされる。続いて、ステップ608において、中央天板111aと周辺天板111bの各リング状の板部の高さが変更される。この高さについても、次のステップ609の処理において均一なプラズマが得られるよう予め実験等により得られた高さである。ステップ609において、CF4ガスとCl2ガスとN2ガスの混合ガスを用いて処理圧力04Paで、メタルゲート材207が露出するまでゲート材209がエッチングされる。周辺天板111bの板部の高さはステップ607におけるものと比べてステップ609におけるものが高くされる。或いは、第1の空洞部120の天面と窓部材106の上面との距離と第2の空洞部105の天面と窓部材106の上面との距離との比率は、ステップ607におけるものよりステップ609におけるものの方が低くされる。続いて、ステップ610において、中央天板111aと周辺天板111bの各リング状の板部の高さが変更される。この高さについても、次のステップ611の処理において均一なプラズマが得られるよう予め実施される実験等により得られた高さである。ステップ611において、Cl2ガスとCHF3ガスとN2ガスの混合ガスを用いて処理圧力05Paで、高誘電率膜208が露出するまでメタルゲート材207がエッチングされる。周辺天板111bの板部の高さはステップ609におけるものと比べてステップ611におけるものの方が低くされる。或いは、第1の空洞部120の天面と窓部材106の上面との距離と第2の空洞部105の天面と窓部材106の上面との距離との比率は、ステップ609におけるものよりステップ611におけるものの方が高くされる。尚、ここでは省略したが、ステップ603,605,607,609,611のエッチング処理の前後においては、図3に示した実施例と同様に、マイクロ波の電界、ソレノイドコイル104からの磁界、RF電源110からの電力によるバイアス電位のONとOFF、および、プロセスガスの導入と排気が実施される。以上の変形例によれば、図1の実施例に係るプラズマ処理装置を用いた図6に示す多層膜構造のエッチング処理において、ガス系、および、処理圧力の違いに対し、最適な空洞高さの分布を設定してエッチング処理を進めることにより、ウエハ108の面内方向においてプラズマの密度,強度等特性の均一性を向上させ、処理の再現性,精度を向上させることができる。上記実施例に示したプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法により、処理圧力などの放電条件を変更した場合においても個々の空洞高さを調整することによりプラズマ密度のプラズマ特性の不均一が低減される。これにより、試料の面方向について均一性の向上した処理結果が得られる。"