電圧クランプ電子回路素子であって、電源110から誘導負荷115への電流を選択的にスイッチングするように動作可能なスイッチング回路構成105と、前記スイッチング回路構成105と並列に連絡する電圧クランプ回路構成125と、を備え、前記電圧クランプ回路構成125は、入力227および出力229を備えた整流器回路225であって、前記入力227は前記スイッチング回路構成105に渡って並列に連絡する整流器回路225と、前記整流器回路225の前記出力229と並列に連絡する電子能動スイッチング素子130と、前記電子能動スイッチング素子130と並列に連絡する少なくとも1つのツェナーダイオード210と、を備え、前記スイッチング回路構成105が開接続状態にあり、前記スイッチング回路構成105、前記電子能動スイッチング素子130、および前記少なくとも1つのツェナーダイオード210に渡る電圧が所定の値を満たすかまたは超えた場合には、前記電流は、前記電子能動スイッチング素子130を通って流れて、前記スイッチング回路構成105に渡る電圧を電圧クランプ回路構成の電圧制限Vclamp内に制限する素子。前記電子能動スイッチング素子130は金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFET205を含む請求項1に記載の素子。前記少なくとも1つのツェナーダイオード210は、前記MOSFET205と前記MOSFET205のドレインおよびゲート間で連絡する請求項2に記載の素子。前記整流器回路225の1つの出力229と連絡するとともに、前記MOSFET205と前記MOSFET205の前記ゲートおよび前記ソース間で連絡する少なくとも1つの抵抗器215であって、バイアス電圧を前記MOSFET205の前記ゲートに供給するように動作する少なくとも1つの抵抗器215と、前記整流器回路225の1つの出力229に連絡するとともに、前記MOSFET205と前記MOSFET205の前記ゲートおよび前記ソース間で連絡する保護ツェナーダイオード220であって、前記MOSFET205の前記ゲートおよび前記ソース間の電圧を制限するように動作する少なくとも1つの保護ツェナーダイオード220と、をさらに含む請求項2に記載の素子。Vclampは、前記少なくとも1つのツェナーダイオード210のツェナー電圧と前記MOSFET205のゲートソース間電圧との合計に依存する請求項2に記載の素子。前記Vclampは、前記少なくとも1つのツェナーダイオード210のツェナー電圧と前記電子能動スイッチング素子130の電圧制限との合計に依存する請求項1に記載の素子。前記少なくとも1つのツェナーダイオード210は、直列に接続された少なくとも2つのツェナーダイオード305、310を含む請求項1に記載の素子。少なくとも2つのスイッチ315、320であって、前記少なくとも2つのツェナーダイオード305、310とそれぞれ並列に連絡する少なくとも2つのスイッチ315、320をさらに備える請求項7に記載の素子。前記少なくとも2つのツェナーダイオード305、310はそれぞれ、前記Vclampに寄与するツェナー電圧を有し、前記少なくとも2つのスイッチ315、320をそれぞれ開くことによって、前記Vclampは、前記開いたスイッチと並列に連絡する対応するツェナーダイオードのツェナー電圧だけ増加する請求項8に記載の素子。前記整流器回路225の1つの出力229と並列に連絡するとともに、前記電子能動スイッチング素子130の前記ソースと直列に連絡する少なくとも1つの抵抗器405をさらに備え、前記少なくとも1つの抵抗器405は、前記電子能動スイッチング素子130に流れ込む電流を制限するように動作する請求項1に記載の素子。したがって、スイッチ両端の電圧を制限するためのシステム、方法、および装置を提供することが望ましい。本発明の実施形態は、前述した必要性の一部または全部に対処することができる。一実施形態によれば、電圧クランプ電子回路素子が提供される。本素子は、電源から誘導負荷への電流を選択的にスイッチングするように動作可能なスイッチング回路構成と、スイッチング回路構成と並列に連絡する電圧クランプ回路構成と、を備えていても良い。電圧クランプ回路構成は、入力および出力を備えた整流器回路であって、入力はスイッチング回路構成に渡って並列に連絡する整流器回路と、整流器回路の出力と並列に連絡する電子能動スイッチング素子と、電子能動スイッチング素子と並列に連絡する少なくとも1つのツェナーダイオードと、を備えていても良い。スイッチング回路構成が開接続状態にあり、スイッチング回路構成、電子能動スイッチング素子、およびツェナーダイオードに渡る電圧が所定の値を満たすかまたは超えた場合には、電流は、電子能動スイッチング素子を通って流れて、スイッチング回路構成に渡る電圧を電圧クランプ回路構成の電圧制限内に制限する。別の実施形態によれば、スイッチ両端の電圧を制限するための方法が提供される。本方法は、電源から誘導負荷への電流を選択的にスイッチングするように動作可能なスイッチング回路構成を用意することと、スイッチング回路構成と並列に連絡する電圧クランプ回路構成を用意することと、スイッチング回路構成を開いて、電流が電源から誘導負荷へ流れないようにすることと、電流を整流器回路を用いて整流することと、スイッチング回路構成に渡る電圧を電圧クランプ回路構成制限内に、整流器回路の出力と並列に連絡する電子能動スイッチング素子および電子能動スイッチング素子と並列に連絡する少なくとも1つのツェナーダイオードを用いて制限することと、を含んでいても良い。スイッチング回路構成が開接続状態にあり、スイッチング回路構成、電子能動スイッチング素子、およびツェナーダイオードに渡る電圧が所定の値を満たすかまたは超えた場合には、電流は、電子能動スイッチング素子を通って流れて、スイッチング回路構成に渡る電圧を電圧クランプ制限内に制限する。さらに別の実施形態によれば、電圧クランプ回路構成が提供される。電圧クランプ回路構成は、入力および出力を備えた整流器回路であって、入力は動作回路構成に渡って並列に連絡する整流器回路と、整流器回路の出力と並列に連絡する電子能動スイッチング素子と、電子能動スイッチング素子と並列に連絡する少なくとも1つのツェナーダイオードと、を備えていても良い。電子能動スイッチング素子およびツェナーダイオードに渡る電圧が所定の値を満たすかまたは超えた場合には、電流は、電子能動スイッチング素子を通って流れて、動作回路構成に渡る電圧を電圧クランプ回路構成の電圧制限内に制限する。他の実施形態、態様、および特徴が、以下の詳細な説明、添付図面、および添付の請求項から当業者には明らかである。次に添付図面について言及する。添付図面は必ずしも一定の比率では描かれていない。次に本発明の例示的な実施形態について、添付図面を参照して以下により十分に説明する。添付図面では、本発明の実施形態の一部しかし全部ではないを示す。実際には、本発明は、多くの異なる形態で具体化しても良く、本明細書で述べる実施形態に限定されると解釈してはならない。むしろ、これらの実施形態は、適用される法的要件を本開示が満たすように与えられている。全体を通して、同様の番号は同様の要素を指す。本明細書で説明するシステムおよび方法の実施形態によって、スイッチ両端の電圧を制限するためのシステム、方法、および装置、特に、電圧クランプ回路構成を用いたスイッチ回路構成が提供される。誘導負荷に電力を送るスイッチを開いたときに回路構成部品に損傷が加わることを回避するために、電圧をクランプして、スイッチが開いた後の誘導負荷内の誘導電圧上昇によって生じる電圧スパイクを回避または抑制する。電圧クランプ回路構成実施形態によって、DCまたはAC電源とともに用いる双方向の電圧クランプが提供される。従来のクランプ回路構成では、金属酸化物バリスタMOV素子、ツェナーダイオードのみの回路、またはスナバ回路を用いている。MOV素子は、多くの場合において望ましくない場合がある。なぜならば、MOVの使用電圧とクランピング電圧とは、2つの間に十分に大きな隔たりがあるからである。MOV素子は、使用電圧と大きなクランピング電圧との間の典型的な大きな隔たりのために、通常は、高電圧を取り扱うスイッチ素子も必要となる。スイッチ素子は高価であるため望ましくない。加えて、MOV素子は通常、ある特定の量のエネルギーが放散された後に交換する必要がある。ツェナーダイオードのみの回路たとえばシャントレギュレータは通常、本明細書で説明する電圧クランプ回路構成実施形態が取り扱うことができる高エネルギー、ならびにスイッチング回路構成および電力供給すべき誘導負荷に対して必要な高エネルギーを、取り扱うことができない。同様に、スナバ回路または素子は通常、付随するコストが高いだけでなく、回路が複雑で望ましくない。またスナバ回路は、スイッチが開状態のときに小さいリークが生じることが多い。したがって、本明細書で説明する本発明の種々の実施形態には、スイッチ回路構成と並列に連絡する電圧クランプ回路構成が含まれる。一実施形態によれば、電圧クランプ回路構成は、整流器回路と、整流器回路と並列に連絡する電子能動スイッチング素子と、電子能動スイッチング素子と連絡する少なくとも1つのダイオードたとえば、限定することなく、ツェナーダイオードと、を備える。整流器回路は、単一のクランプ回路を用いて双方向電流を取り扱うことができる。電子能動スイッチング素子は、エネルギーを所望のレベルで選択的に放散することができる。種々の実施形態によれば、電子能動スイッチング素子は、限定することなく、以下であってもよい。金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFET、バイポーラ接合トランジスタBJT、ダーリントンペアトランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTなどである。本明細書においてより詳細に説明するように、さらなる回路構成部品を備えていても良い。たとえば、1または複数のさらなるダイオードたとえばツェナーダイオードを用いて、電子能動スイッチング素子が作動してエネルギーの放散を開始する電圧を変えても良い。スイッチを1または複数のさらなるダイオードと並列に用いることもできる。その結果、クランピング電圧を選択的に調整することが、それぞれのスイッチングされたダイオードを通る電流のスイッチングによって可能になる。加えて、1または複数の可変抵抗素子を備えて、電子能動スイッチング素子を通って流れる電流を選択的に調整または制限するようにしても良い。図1に、1つの実施形態例による単純化したスイッチ回路構成および電圧クランプ回路構成の機能図表現を例示する。この実施形態によれば、システム例100たとえば、回路構成部品の組み合わせは、スイッチ回路構成105、電源110、および誘導負荷115を備えている。スイッチ回路構成105を、スイッチ制御120を用いて、任意の手段たとえば、電子的、機械的、電気機械的、プロセッサベースのコントローラなどに従って制御しても良い。スイッチ回路構成105はさらに、電圧クランプ回路構成125と並列に連絡している。電圧クランプ回路構成125は、電子能動スイッチング素子130、クランプ検出および作動回路構成135、および任意的に、整流器回路構成140を備えている。これらの部品のそれぞれに関するさらなる詳細を、図2~8に例示する実施形態例を参照して示す。さらに、当然のことながら、他の実施形態においては、スイッチ回路構成、電源、および/または誘導負荷の代わりにまたはそれらに加えて、他の種々の動作回路構成が、電圧クランプ回路構成125を用いて、動作回路構成における過電圧または電圧スパイクを、本明細書の例が説明する方法と同じかまたは同様の方法で制限しても良い。図2に、1つの実施形態例によるスイッチ回路構成および電圧クランプ回路構成を備える回路構成200の概略図を例示する。この実施形態によれば、電圧クランプ回路構成125は、MOSFET素子205として具体化された電子能動スイッチング素子を備える。加えて、クランプ検出および作動回路構成は、第1のツェナーダイオード210を備えていても良い。第1のツェナーダイオード210は、MOSFET205のゲートおよびドレイン間と連絡するとともに、整流器回路構成の出力と連絡する。第1のツェナーダイオード210のツェナー電圧または降伏電圧によって、MOSFET205が作動するときの電圧本明細書では交換可能に作動電圧とも言うの制御が容易になる。したがって、第1のツェナーダイオード210は、クランプ回路構成125の所望のクランピング電圧に影響を及ぼす。またクランピング電圧は、整流器回路構成から生じる任意の電位差とMOSFET205の閾値電圧たとえば、ゲートソース間閾値電圧とに影響される。当然のことながら、ここでは簡単にするために第1のツェナーダイオード210を例示しているが、他の実施形態によれば、複数のダイオードを設けても良く、および/またはツェナーダイオードに限定されない他のダイオードまたはシャント部品を、クランプ検出および作動回路構成用に設けても良い。たとえば、図3~5に、単一の第1のツェナーダイオード210の代わりに適用しても良い他の種々の回路構成の構成を例示する。またこの実施形態で例示しているのは、MOSFET205のゲートおよびソース間と並列に連絡する第1の抵抗器215および第2のツェナーダイオード220である。第2のツェナーダイオード220は、MOSFET205を、最大ゲートソース間電圧を超えることから保護するために選択されている。第1の抵抗器215は、任意の必要なバイアスまたはゲート電圧をMOSFET205のゲートに与えるために選択されている。バイアスまたはゲート電圧は一般的に、MOSFET205の設計によって決定される。この実施形態による整流器回路構成は、ACをDCに整流することができるダイオードブリッジ整流器回路225を含んでいる。それゆえ、ダイオードブリッジ整流器回路構成225は、入力227および出力229を備えている。入力はスイッチ回路構成105と並列に連絡している。スイッチ回路構成105は、電源110から誘導負荷115へ送出される電流をスイッチングするように動作する。加えて、ダイオードブリッジ整流器回路225の構成であるために、クランプ回路構成は、電流の方向に関係なくAC電流を取り扱うことができる。当然のことながら、いくつかの実施形態によれば、整流器回路構成は、本明細書で例によって例示されるものと異なっていても良い。たとえば、電源110がDC電源である実施形態では、整流器回路構成は、図2に例示したものと異なっていても良いし、全く含まれていなくても良い。なぜならば、電圧を整流する必要がないからである。加えて、クランプ回路構成125はスイッチ回路構成105とは独立に動作し、ダイオードブリッジ225のツェナー電圧と第1のツェナーダイオード210のツェナー電圧とが、クランプ回路構成125の残りの部分の作動に影響を及ぼす。クランプ回路構成125部品の値を選ぶために、第1のツェナーダイオード210のツェナー電圧は、スイッチ回路105が制御する動作回路構成の動作または使用電圧よりも大きくなくてはならない。MOSFET205の値、または任意の他の電子能動スイッチング回路構成の値は、誘導負荷115の挙動に基づいて、ならびにスイッチ回路105が制御する回路構成の動作または使用電圧に基づいて、選択しなければならない。MOSFET205または任意の他の電子能動スイッチング回路構成は、予想される大きなエネルギー放散に適応する安全な動作領域を有するように選択されている。当然のことながら、これらの実際の値の選択は、スイッチ回路構成105およびクランプ回路構成125を設けるべき状況に依存し、また請求項の範囲は回路構成部品の値に依存しない。したがって、次に、図2を参照して例示した回路構成200の例示的な動作について説明する。スイッチ回路構成105は、誘導負荷115に対する電源110をスイッチオンおよびオフするように動作する。一例では、スイッチ制御120を用いてスイッチ回路構成105を制御しても良い。スイッチ回路構成105が開くと、電流は電源110から誘導負荷115へは流れない。しかし、スイッチ回路構成105が開くとエネルギーが誘導負荷115から発生して、スイッチ回路構成105に渡る電圧が生じる。たとえば、スイッチ回路構成105内の中性ACまたはDC接地に接続されている点は、接地に接続された対点に対してマイナスとなる。したがって、スイッチ回路構成105これらの2つの点に渡る電圧は、DC電圧に誘導負荷115から発生した電圧を加えた値まで増加する。この電圧増加がスイッチ回路構成105の最大電圧定格を超え得る可能性がある。これは、本明細書において交換可能に電圧スパイクまたは過電圧とも言う。そのため、前述したクランプ回路構成125は、スイッチ回路構成105におけるまたは動作回路構成内の任意の他のポイントにおける任意の過電圧または電圧スパイクを保護する働きをする。電源110がAC電源である実施形態においては、ダイオードブリッジ整流器回路225が、スイッチ回路構成105に渡って同様に、ダイオードブリッジ整流器回路225の入力227に渡って生じるAC過電圧をDCに変換する。スイッチ回路構成105に渡って生じる過電圧が、ダイオードブリッジ整流器回路225に渡って増加すると、過電圧は、MOSFET205を作動させるある特定の電圧レベルに達する。その作動電圧レベルは、この実施形態によれば、ダイオードブリッジ225における任意の電圧降下、第1のツェナーダイオード210のツェナー電圧、およびMOSFET205のゲートソース間電圧閾値に依存する。この作動電圧レベルにおいて、MOSFET205は作動して電流が流れる。MOSFET205または任意の他の電子能動スイッチング素子は能動的であるが、電流は、電源110から、クランプ回路構成を通ってMOSFET205を通って、そして誘導負荷115を通って接地まで流れる。したがって、クランピング電圧Vclampl電圧クランプ回路構成125が与える電圧制限を指すは、整流器回路構成もしあればの設計および値、第1のツェナーダイオード210の設計および値、ならびにMOSFET205の設計および値に依存する。説明例として、最大動作電圧が200ボルトのスイッチ回路構成105を、公称上の動作電圧が125ボルトの回路構成とともに用いるために設けることができる。第1のツェナーダイオード210のツェナー電圧が約160ボルトで、MOSFET205のゲートソース間電圧閾値が約4ボルトである場合、クランピング電圧は164ボルトまたはその付近に加えて、ダイオードブリッジ整流器回路225もし使用されていればによって生じる任意の付加的な電圧降下である。当然のことながら、前述の値は、単に説明を目的として与えたものであり、限定を意図してはいない。任意の部品設計および値を、必要に応じて選択しても良く、これらは、一つには、電源、負荷、スイッチ回路構成、および/または任意の他の動作回路構成もしくは負荷であって、電圧クランプ回路構成125が適用されるものに依存しても良い。図3に、別の実施形態例によるスイッチ回路構成および電圧クランプ回路構成を備える回路構成300の概略図を例示する。この実施形態によれば、電圧クランプ回路構成125はまた、MOSFET素子205として具体化された電子能動スイッチング素子と、ダイオードブリッジ整流器回路225とを備えている。これは、図2を参照して説明した通りであるしかし当然のことながら、図3を参照して説明する特徴も同様に、本明細書で説明する他の任意の実施形態に適用しても良い。しかし、この実施形態によれば、クランプ検出および作動回路構成は、少なくとも2つのツェナーダイオード305、310を直列に連絡させてMOSFET205のゲートおよびドレイン間に接続させて備えている。加えて、スイッチ315、320が、各ツェナーダイオード305、310とそれぞれ並列に連絡している。ツェナーダイオード305、310を直列に備えることによって、クランプ回路125MOSFET205または他の電子能動スイッチング素子を作動させるのクランピング電圧の調整が、ツェナーダイオード305、310のツェナー電圧値を調整することによって可能である。それらの直列関係の結果、ツェナーダイオード305、310のツェナー電圧が合計されて、MOSFET205を作動させる作動電圧に、したがって電圧クランプ回路構成125のクランピング電圧に影響を与える。スイッチ315、320を、対応するツェナーダイオード305、310と並列に備えることによって、対応するツェナー電圧の相加効果を制御することができる。たとえば、2つのダイオード305、310および2つのスイッチ315、320の場合、以下の状態が得られても良い。第1の状態では、両スイッチ315、320が開くことで、電流が両ツェナーダイオード305、310を通って流れ、その結果、両ダイオードに対するツェナー電圧の相加効果がクランピング電圧に寄与して、少なくとも両ダイオードに対するツェナー電圧の合計に達しない限りはMOSFETが作動しないようになる。第2の状態では、第1のスイッチ315が開いて第2のスイッチ320が閉じることで、電流は、第1のツェナーダイオード305を通って、しかし第2のツェナーダイオード310の代わりに第2のスイッチ320を通って流れる。その結果、クランピング電圧は、第1のツェナーダイオード305のツェナー電圧のみに依存する。同様に、第3の状態では、第2のスイッチ320のみが開くことで、クランピング電圧は第2のツェナーダイオード310のみに依存する。第4の状態では、両スイッチ315、320が閉じており、クランピング電圧はツェナーダイオード305、310に全く依存しない。なぜならば、電流は、代わりに、両スイッチを通ってMOSFET205のゲートまで流れるからである。この第4の状態では、クランピング電圧は、ゲートソース間閾値電圧、およびダイオードブリッジ225における任意の降下に依存する。したがって、ツェナーダイオード305、310値の選択は、対応するスイッチ315、320の選択動作によってクランプ回路125のクランピング電圧に所望の変化が生じるように、行なうことができる。当然のことながら、これらのツェナー電圧値は、必要に応じて、同じツェナー電圧であっても良いし、異なるツェナー電圧であっても良い。またさらに当然のことながら、図3では2つのツェナーダイオード305、310およびスイッチ315、320を例示しているが、任意の数の部品を用いて、クランピング電圧を、必要に応じて、より感度高くおよび/またはより広範囲に選択することができる。種々の実施形態によれば、スイッチ315、320は、手動で操作しても良いしたとえば、機械スイッチ、電子スイッチであっても良いし、または電子機械スイッチであっても良い。たとえば、電子または電気機械スイッチ315、320の制御を、コンピュータプロセッサベースの素子を用いて、動作ロジックとして、いくつかの実施形態において、ユーザ設定もしくはコマンド、環境条件、および/または回路条件を用いてスイッチ315、320を選択的に制御しても良い動作ロジックを取り入れて、行なっても良い。図4に、別の実施形態例によるスイッチ回路構成および電圧クランプ回路構成を備える回路構成400の概略図を例示する。この実施形態によれば、電圧クランプ回路構成125はまた、MOSFET素子205として具体化された電子能動スイッチング素子と、ダイオードブリッジ整流器回路225とを備えている。これについては、図2を参照して説明したしかし当然のことながら、図4を参照して説明する特徴も同様に、本明細書で説明する他の任意の実施形態に適用しても良い。しかし、この実施形態によれば、さらなる可変抵抗素子405が、ダイオードブリッジ整流器回路225の出力およびMOSFET205のソースと連絡している。このさらなる可変抵抗素子405は、限定することなく、バリスタ、電位差計などであっても良い。しかし、いくつかの実施形態においては、可変抵抗素子の代わりに固定抵抗器を設けても良い。可変抵抗素子405が形成するさらなる抵抗は、クランプ回路125の中をMOSFET205または任意の他の電子能動スイッチング素子まで流れる電流を制限するように動作する。たとえば、過電圧が第1のツェナーダイオード210のツェナー電圧を超えると、電流は可変抵抗素子405または任意の他の抵抗器を通って流れる。電圧は、ほぼ第1のツェナーダイオード210のツェナー電圧と第2のツェナーダイオード220のツェナー電圧との合計まで増える。可変抵抗素子405を通る電流がその閾値に達すると、可変抵抗素子405での電圧降下とMOSFET205のゲートソース間閾値電圧とが、第2のツェナーダイオード220のツェナー電圧に達し、その結果、クランプ回路構成125を通る電流は、最大電流レベルに達する。電流がその最大値レベルを越えて増加しようと試みた場合、MOSFET205は、十分なゲートソース間電圧閾値に達せずに、停止またはスイッチオフを試みる。作動停止を試みたとき、可変抵抗素子405を通る電流が減って、電流レベルが制御される間に電圧クランプ挙動が続く。可変抵抗素子405の代わりに固定抵抗器を用いる実施形態においては、電流保護制限は、固定抵抗、MOSFET205のゲートソース間電圧閾値、および第2のツェナーダイオード220のツェナー電圧に基づいて固定される。しかし可変抵抗素子405たとえば、限定することなく、電位差計を用いることによって、電流保護レベルの調整を、可変抵抗素子405がクランプ回路構成125内で発生する電力レベルに耐えられると仮定して、行なうことができる。図3を参照して説明したスイッチと同様に、可変抵抗素子405は手動で制御しても良いしたとえば機械的に、または電子的に制御しても良い。電子的制御は、たとえばコンピュータプロセッサベースの素子を用いて、動作ロジックとして、いくつかの実施形態において、ユーザ設定もしくはコマンド、環境コマンド、および/または回路条件を用いて抵抗を制御しても良い動作ロジックを取り入れて、行なっても良い。図5に、別の実施形態例によるスイッチ回路構成および電圧クランプ回路構成を備える回路構成500の概略図を例示する。この実施形態によれば、電圧クランプ回路構成125は、一連のツェナーダイオード305、310および並列スイッチ315、320の両方図3を参照して説明したに加えて、可変抵抗素子405図4を参照して説明したを備えることで、クランピング電圧を調整可能に、また電流保護制限を調整可能にしている。図6に、別の実施形態例によるスイッチ回路構成および電圧クランプ回路構成を備える回路構成600の概略図を例示する。この実施形態によれば、電圧クランプ回路構成125は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT素子605として具体化された電子能動スイッチング素子を備える。この実施形態によれば、整流器回路構成とクランプ検出および作動回路構成とは、本明細書の他の実施形態を参照して説明したように設けても良い。加えて、調整可能なクランピング電圧回路構成たとえば図3を参照して説明したものおよび/または調整可能な電流保護回路構成たとえば図4を参照して説明したものを任意的に備えていても良い。図7に、別の実施形態例によるスイッチ回路構成および電圧クランプ回路構成を備える回路構成700の概略図を例示する。この実施形態によれば、電圧クランプ回路構成125は、バイポーラ接合トランジスタBJT素子705として具体化された電子能動スイッチング素子を備える。前述した整流器回路構成とクランプ検出および作動回路構成とに加えて、BJT素子705と直列に配置した1または複数のさらなる抵抗器を設けて、ベースおよび/またはエミッタを流れる電流を制限しても良い。たとえば、この実施形態によれば、少なくとも1つの第2の抵抗器710をベースと直列に設け、少なくとも1つの第3の抵抗器715をエミッタと直列に設ける。第2の抵抗器710および第3の抵抗器715をもたらす抵抗値および/または部品の選択は、スイッチ回路構成105およびクランプ回路構成125を設けるべき状況に依存する。さらに当然のことながら、調整可能なクランピング電圧回路構成たとえば図3を参照して説明したものおよび/または調整可能な電流保護回路構成たとえば図4を参照して説明したものを、任意的に、BJT素子705に付属させても良い。図8に、別の実施形態例によるスイッチ回路構成および電圧クランプ回路構成を備える回路構成800の概略図を例示する。この実施形態によれば、電圧クランプ回路構成125は、ダーリントンペアトランジスタ素子805として具体化された電子能動スイッチング素子を備えている。図7を参照して説明したBJT素子と同様に、ダーリントンペアトランジスタ素子805はさらに、1または複数のさらなる抵抗器を直列に連絡したものを備えて、ベースおよび/またはエミッタを通って流れる電流を制限しても良い。たとえば、この実施形態によれば、少なくとも1つの第2の抵抗器810をベースと直列に設け、少なくとも1つの第3の抵抗器815をエミッタと直列に設ける。第2の抵抗器810および第3の抵抗器815をもたらす抵抗値および/または部品の選択は、スイッチ回路構成105およびクランプ回路構成125を設けるべき状況に依存する。さらに当然のことながら、調整可能なクランピング電圧回路構成たとえば図3を参照して説明したものおよび/または調整可能な電流保護回路構成たとえば図4を参照して説明したものを、任意的に、ダーリントンペアトランジスタ素子805に付属させても良い。当然のことながら、図1~8を参照して例示および説明したシステムおよび対応する回路構成は、単に説明を目的として示したものであり、他の多くのシステム、回路構成、および/またはシステムコンポーネント数を、同様に設けることができる。たとえば、誘導負荷をスイッチングするように動作可能なスイッチ回路構成に渡る電圧を制限することに加えて、本明細書で説明したクランプ回路構成実施形態を過渡サプレッサ回路構成として同様に用いることを、他の動作回路構成に対して急速に生じる電圧スパイクまたは過電圧を制限するために、および/または対応する過渡エネルギーが制限されたときに行なっても良い。当然のことながら、本明細書で説明した電圧クランプ回路構成の他の使用方法として、必ずしもスイッチ保護用には利用されないが、代わりに他の動作回路構成またはエレクトロニクス用に利用される使用方法が、前述の説明から明らかである。したがって、本明細書で説明した種々の実施形態によって、電圧クランプ回路構成として、電子能動スイッチング素子、クランプ検出および作動回路構成、および任意的に整流器回路構成を備え、AC電流を整流して双方向電流を取り扱うものが提供される。これらの実施形態によって、電子能動スイッチング素子とクランプ検出および作動回路構成との選択および設計によって電圧スパイクまたは過電圧を制限する技術的効果が得られる。さらなる技術的効果を実現することができる。たとえば複数のダイオードおよびスイッチ対を用いて選択的または調整可能なクランピング電圧を実現すること、ならびに調整可能な抵抗素子または固定抵抗器を用いて選択的または調整可能な電流制限保護を実現することである。本明細書で述べた典型的な説明の多くの変更および他の実施形態であって、これらの説明が属するものが、前述の説明および付随する図面に示した教示の利益を受けて、想起される。その結果、当然のことながら、発明を多くの形態で具体化しても良く、前述した典型的な実施形態に限定してはならない。したがって、当然のことながら、本発明は、開示した特定の実施形態に限定されるものではなく、変更および他の実施形態も添付の請求項の範囲に含まれることが意図されている。本明細書では特定の用語を用いているが、それらは単に一般的および記述的な意味で用いており、限定を目的としたものではない。