各々の一面に配向処理が施されており、対向配置された第1基板及び第2基板と、前記第1基板の一面側に設けられた第1電極と、前記第1電極と離間して前記第1基板の一面側に設けられた第2電極と、前記第1基板の一面側に設けられ、前記第1電極又は前記第2電極に接続されたスイッチング素子と、少なくとも一部が前記第1電極および前記第2電極と重畳するようにして前記第2基板の一面側に設けられた共通電極と、前記第1基板の一面と前記第2基板の一面との間に設けられた液晶層、を含み、前記第1基板及び前記第2基板は、前記液晶層の液晶分子を第1方向に捻れた第1配向状態を生じるように前記配向処理の方向を設定され、前記液晶層は、前記液晶分子を前記第1方向とは逆の第2方向に捻れた第2配向状態を生じさせる性質のカイラル材を含有し、前記第2電極と前記共通電極の間に電圧が印加されたことにより前記液晶層が前記第2配向状態から前記第1配向状態へ遷移し、前記第1電極と前記第2電極の間に電圧が印加されたことにより前記液晶層が前記第1配向状態から前記第2配向状態へ遷移する、液晶素子。前記第1電極と前記第2電極の少なくとも一方は、相互に離間して平行配置された複数の直線部を有する、請求項1に記載の液晶素子。前記第1電極と前記第2電極が絶縁膜を介して積層されている、請求項1又は2に記載の液晶素子。前記第1基板と前記第2基板は、それぞれ前記液晶層との界面において当該液晶層の液晶分子に20°以上のプレチルト角を付与する、請求項1~3の何れか1項に記載の液晶素子。前記カイラル材は、前記液晶層の層厚dに対するカイラルピッチの比d/pが0.04以上0.6以下となるように添加される、請求項1~4の何れか1項に記載の液晶素子。複数の画素部を備え、当該複数の画素部の各々が請求項1~5の何れか1項に記載の液晶素子を用いて構成された、液晶表示装置。本発明に係る具体的態様は、2つの配向状態間の遷移を生じさせるのに適したスイッチング素子および電極の構造を有する新規な液晶素子を提供することを目的の1つとする。また、本発明に係る具体的態様は、新規な液晶素子を用いた低消費電力駆動が可能な液晶表示装置を提供することを他の目的の1つとする。本発明に係る一態様の液晶素子は、a各々の一面に配向処理が施されており、対向配置された第1基板及び第2基板と、b前記第1基板の一面側に設けられた第1電極と、c前記第1電極と離間して前記第1基板の一面側に設けられた第2電極と、d前記第1基板の一面側に設けられ、前記第1電極又は前記第2電極に接続されたスイッチング素子と、e少なくとも一部が前記第1電極および前記第2電極と重畳するようにして前記第2基板の一面側に設けられた共通電極と、f前記第1基板の一面と前記第2基板の一面との間に設けられた液晶層を含み、g前記第1基板及び前記第2基板は、前記液晶層の液晶分子が第1方向に捻れた第1配向状態を生じるように前記配向処理の方向を設定され、h前記液晶層は、前記液晶分子が前記第1方向とは逆の第2方向に捻れた第2配向状態を生じさせる性質のカイラル材を含有し、i前記第2電極と前記共通電極の間に電圧が印加されたことにより前記液晶層が前記第2配向状態から前記第1配向状態へ遷移し、前記第1電極と前記第2電極の間に電圧が印加されたことにより前記液晶層が前記第1配向状態から前記第2配向状態へ遷移する、ことを特徴とする液晶素子である。上記の構成によれば、2つの配向状態間の遷移を生じさせるのに適したスイッチング素子および電極の構造を有する新規な液晶素子が得られる。上記の液晶素子において、前記第1電極と前記第2電極の少なくとも一方は、相互に離間して平行配置された複数の直線部を有することが好ましい。また、前記第1電極と前記第2電極は、絶縁膜を介して積層されていることも好ましい。これにより、2つの配向状態間の遷移を生じさせるために必要な基板面と平行方向の電界横電界をより効果的に液晶層へ印加することができる。上記の液晶素子において、前記第1基板と前記第2基板は、それぞれ前記液晶層との界面において当該液晶層の液晶分子に20°以上のプレチルト角を付与することが好ましい。また、前記カイラル材は、前記液晶層の層厚dに対するカイラルピッチの比d/pが0.04以上0.6以下となるように添加されることが好ましい。これにより、2つの配向状態の双安定性をより高めることができる。本発明に係る一態様の液晶表示装置は、複数の画素部を備え、当該複数の画素部のそれぞれが上記した本発明に係る液晶素子を用いて構成された、液晶表示装置である。上記の構成によれば、液晶素子の2つの配向状態の双安定性メモリー性を利用することにより表示書き換え時以外には基本的に電力を必要しない低消費電力な液晶表示装置が得られる。以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1は、リバースTN型液晶素子の原理を概略的に示す模式図である。リバースTN型液晶素子は、基本的な構成として、対向配置された上側基板1および下側基板2と、それらの間に設けられた液晶層3を備える。上側基板1と下側基板2のそれぞれの表面にはラビング処理などの配向処理が施される。これらの配向処理の方向図中に矢印で示すが90°前後の角度で互いに交差するようにして上側基板1と下側基板2とが相対的に配置される。液晶層3は、ネマチック液晶材料を上側基板1と下側基板2の間の注入することによって形成される。この液晶層3には、液晶分子をその方位角方向において特定の方向図1の例では右旋回方向にねじれさせる作用を生じるカイラル材が添加された液晶材料が用いられる。上側基板1と下側基板2の相互間隔セル厚をd、カイラル材のカイラルピッチをpとすると、これらの比d/pの値は、例えば0.04~0.6程度に設定される。このようなリバースTN型液晶素子は、カイラル材の作用により、初期状態においては液晶層3がスプレイ配向しながら捻れるスプレイツイスト状態第2配向状態となる。このスプレイツイスト状態の液晶層3に対してその層厚方向に飽和電圧を超える電圧を印加すると、液晶分子が左旋回方向に捻れるリバースツイスト状態ユニフォームツイスト状態:第1配向状態に遷移する。このようなリバースツイスト状態の液晶層3にあってはバルク中の液晶分子が傾いているため、液晶素子の駆動電圧を低減する効果が現れる。図2は、リバースツイスト状態からスプレイツイスト状態へ遷移させる際の液晶層の配向状態と電界方向の関係について説明するための概念図である。図2Aに示すように、基板面に対して水平な方向の電界Electricfieldに対して、リバースツイスト状態における液晶層の層厚方向の略中央の液晶分子図中、模様を付した液晶分子の長軸方向がなるべく平行ではなく、直交またはそれに近い状態となるように電界の印加方向を設定する。これにより、液晶層の層厚方向の略中央の液晶分子が電界方向に沿って再配向するため、図2Bに示すように液晶層の配向状態はリバースツイスト状態からスプレイツイスト状態へ遷移する。なお、リバースツイスト状態の液晶層に対して、その層厚方向の略中央の液晶分子の長軸方向と平行かそれに近い状態となるようにして電界を印加した場合には、リバースツイスト状態からスプレイツイスト状態への遷移は生じにくい。これは、液晶層の層厚方向の略中央において電界による液晶分子の再配向がほとんど生じないからである。以上のことから、リバースTN型液晶素子において2つの配向状態間を自在に遷移させるためには、液晶層の層厚方向に対する電界縦電界とこれに直交する方向の電界横電界を発生させる必要があり、かつ横電界についてはリバースツイスト状態の液晶層の層厚方向の略中央の液晶分子の長軸方向と略直交するかそれに近い方向となるようにする必要がある。これらの縦電界と横電界を自在に与えるための素子構造について、以下に具体例を挙げて説明する。図3は、第1実施形態のリバースTN型液晶素子の構成例を示す断面図である。また、図4は、図3に示すリバースTN型液晶素子の平面図である。なお、図3は図4に示すIIII線における断面を示している。各図に示す本実施形態のリバースTN型液晶素子は、第1基板下側基板11、第2基板上側基板12、第1電極13、コモン線14、走査線15、絶縁膜16、半導体膜17、ソース電極18、ドレイン電極19、第2電極画素電極20、第1配向膜21、第2配向膜22、共通電極23、液晶層24、信号線25、第1偏光板下側偏光板31および第2偏光板上側偏光板32を含んで構成されている。第1基板11および第2基板12は、相互に対向配置されており、それぞれ例えばガラス基板、プラスチック基板等の透明基板である。第1基板11と第2基板12の相互間には、例えば多数のスペーサー粒状体が分散して配置されており図示せず、それらのスペーサーによって第1基板11と第2基板12との相互間隔が保たれる。第1電極13は、第1基板11の一面側に設けられている。この第1電極13は、図4に示すように例えば略矩形状に形成されており、かつ一部がコモン線14と接続されている。この第1電極13は、例えばインジウム錫酸化物ITOなどの透明導電膜をパターニングすることによって得られる。コモン線14は、第1基板11の一面側に設けられており、一方向図4に示すY方向に延在する。このコモン線14を介して、図示しない電圧供給手段から第1電極13に対して所定の電位が与えられる。コモン線14としては、例えば、アルミニウムとモリブデンの積層膜などの金属膜が用いられる。走査線15は、第1基板11の一面側に設けられており、一方向図4に示すY方向に延在する。図4に示すように本例の走査線15は、コモン線14との間に第1電極13を挟んで配置されている。走査線15としては、例えば、アルミニウムとモリブデンの積層膜などの金属膜が用いられる。絶縁膜16は、第1基板11の一面側に、第1電極13、コモン線14および走査線15を覆って設けられている。この絶縁膜16としては、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜あるいはこれらの積層膜が用いられる。半導体膜17は、絶縁膜16上であって走査線15と重畳する所定位置に設けられている。この半導体膜17は、図4に示すように島状にパターニングされている。半導体膜17としては、例えばアモルファスシリコン膜が用いられる。走査線15の半導体膜17と重なる部分は薄膜トランジスタのゲート電極として機能する。また、絶縁膜16の半導体17と重なる部分は薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として機能する。ソース電極18は、絶縁膜16上の所定位置に設けられており、一部が半導体膜17と接続されている。本例のソース電極18は、図4に示すように信号線25と一体に形成されている。これらのソース電極18および信号線25としては、例えばアルミニウムとモリブデンの積層膜などの金属膜が用いられる。ドレイン電極19は、絶縁膜16上の所定位置に設けられており、一部が半導体膜17と接続されている。このドレイン電極19としては、例えばアルミニウムとモリブデンの積層膜などの金属膜が用いられる。第2電極20は、絶縁膜16上であって、少なくとも一部が上記した第1電極13と重畳する所定位置に設けられている。この第2電極20は、図4に示すように複数の開口部スリット20aを有する。この第2電極20は、例えばインジウム錫酸化物ITOなどの透明導電膜をパターニングすることによって得られる。第2電極20のサイズは、例えば各開口部20aの間に存在する直線部の幅図3のX方向における長さが約20μm、各開口部20aの幅図3のX方向における長さを約20μmとすることができる。この第2電極20と上記の第1電極13の間に電圧を印加することにより、液晶層24に横電界を与えることができる。第1配向膜21は、第1基板11の一面側であって絶縁膜16上に、半導体膜17、ソース電極18、ドレイン電極19および第2電極20を覆って設けられている。同様に、第2配向膜22は、第2基板12の一面側に共通電極23を覆って設けられている。第1配向膜21と第2配向膜22のそれぞれに対しては、一軸配向処理例えば、ラビング処理、光配向処理等が施されている。本実施形態の第1配向膜21および第2配向膜22としては、比較的に高いプレチルト角20°以上、より好ましくは35°±10°程度を発現させるものが用いられる。第1配向膜21の配向処理の方向RLと第2配向膜22の配向処理の方向RLは、液晶層24の配向状態がリバースツイスト状態であるときの層厚方向の略中央における液晶分子の配向方向Dが第1電極13と第2電極20によって発生する電界方向Eと略直交するように設定されている図4参照。共通電極23は、第2基板12の一面側に設けられている。この共通電極23は、少なくとも一部が第1電極13および第2電極20と重畳するように形成されている。この共通電極23は、例えばインジウム錫酸化物ITOなどの透明導電膜をパターニングすることによって得られる。この共通電極23と上記の第1電極13または第2電極20の間に電圧を印加することにより、液晶層24に対して縦電界を与えることができる。液晶層24は、第1基板11の一面と第2基板12の一面の相互間に設けられている。本実施形態においては、誘電率異方性Δεが正Δε>0のネマチック液晶材料を用いて液晶層24が構成されている。液晶層24に図示された太線は、液晶層24内の液晶分子を模式的に示したものである。電圧無印加時における液晶分子は、第1基板11および第2基板12の各基板面に対して所定のプレチルト角を有して配向する。また、第1配向膜21と第2配向膜22の各々の配向処理の方向RU、RL図4参照のなす角度が例えば90°前後に設定されることにより、電圧無印加時における液晶層24の液晶分子は第1基板11と第2基板12の間で方位角方向にねじれて配向する。信号線25は、絶縁膜16の一面側に設けられており、コモン線14および走査線15と略直交する一方向図4に示すX方向に延在する。図4に示すように本例の信号線25は、ソース電極18と一体に形成されている。信号線25としては、例えば、アルミニウムとモリブデンの積層膜などの金属膜が用いられる。第1偏光板31は、第1基板11の外側に配置されている。第2偏光板32は、第2基板12の外側に配置されている。本実施形態ではこの第2偏光板32側から利用者によって視認される。これらの第1偏光板31と第2偏光板32は、例えば互いの透過軸を略直交させて配置されるクロスニコル配置。次に、第1実施形態に係るリバースTN型液晶素子の製造方法の一例について図5、図6を参照しながら説明する。まず、第1基板11および第2基板12として用いるためのガラス基板を用意する。例えば、板厚が0.7mmの無アルカリガラスからなるガラス基板が用いられる。次に、第1基板11の一面上にコモン線14および走査線15を形成する図5A。具体的には、例えばスパッタ法などの成膜法により、第1基板11の一面全体にわたってアルミニウム膜を形成し、さらにその上にモリブデン膜を形成する。その後、アルミニウム膜およびモリブデン膜の積層膜をドライエッチング法などによってパターニングする。次に、第1基板11の一面側の所定位置に第1電極13を形成する図5B。具体的には、例えばスパッタ法などの成膜法により、第1基板11の一面全体にわたってインジウム錫酸化物膜ITO膜を形成する。その後、このITO膜をウェットエッチング法などによってパターニングする。次に、第1基板11の一面側に、第1電極13、コモン線14および走査線15を覆うようにして絶縁膜16を形成する図5C。具体的には、例えばスパッタ法やプラズマCVDChemicalVaporDeposition法などの成膜法によって窒化シリコン膜を形成する。次に、第1基板11の絶縁膜16上の所定位置に半導体膜17を形成する図5D。具体的には、例えばプラズマCVD法などの成膜法によってアモルファスシリコン膜を第1基板11の一面全体にわたって形成する。その後、このアモルファスシリコン膜をドライエッチング法などによって島状にパターニングする。次に、第1基板11の絶縁膜16上の所定位置にソース電極18、ドレイン電極19および信号線25を形成する図5E。具体的には、例えばスパッタ法などの成膜法により、第1基板11の一面全体にわたってモリブデン膜/アルミニウム膜/モリブデン膜の積層膜を形成する。その後、この積層膜をドライエッチング法などによってパターニングする。次に、第1基板11の絶縁膜16上の所定位置に第2電極20を形成する図5F。具体的には、例えばスパッタ法などの成膜法により、第1基板11の一面全体にわたってITO膜を形成する。その後、このITO膜をウェットエッチング法などによってパターニングする。なお、さらに絶縁膜16上にパッシベーション膜を設けてもよい図示せず。一方、第2基板12の一面上に共通電極23を形成する図5G。具体的には、例えばスパッタ法などの成膜法により、第2基板12の一面全体にわたってITO膜を形成する。なお、実際の製造工程においては、基板全面に共通電極23が存在した場合には、メインシール部によるショート、スクライブからブレイキング時の膜剥離などを生じる可能性があるため、スパッタリング時にメタルマスクなどで外周を遮蔽規制することが好ましい。次に、第1基板11の絶縁膜16上の全体にわたって第1配向膜21を形成し図6A、第2基板12の共通電極23上の全体にわたって第2配向膜22を形成する図6B。ここでは例えば、一般的には垂直配向膜として用いられる材料の側鎖密度を低くしたポリイミド膜を用いて各配向膜を形成する。フレキソ印刷法、インクジェット法、スピンコート法、スリットコート法、スリット法とスピンコート法の組みあわせ等の適宜の方法で配向膜材料を第1基板11上、第2基板12上にそれぞれ適当な膜厚例えば500~800Å程度で塗布し、熱処理例えば160~180°C、1時間焼成を行う。その後、第1配向膜21、第2配向膜22のそれぞれに対して配向処理を行う。ここでは、例えばラビング処理を行い、その条件である押し込み量を0.8mmとするストロングラビング条件。ここでは、第1基板11と第2基板12とを重ね合わせたときに各基板上の液晶分子のツイスト角が略90°となるようにラビング方向を設定する。次に、一方の基板例えば第1基板11上にギャップコントロール剤を適量例えば2~5wt含んだメインシール剤を形成する。メインシール剤の形成は、例えばスクリーン印刷やディスペンサーによる。また、ギャップコントロール剤の径は液晶層24の厚さが4μm程度となるようにする。また、他方の基板例えば第2基板12上にはギャップコントロール剤を散布する。例えば本実施形態では、粒径4μmのプラスチックボールを乾式のギャップ散布機によって散布する。その後、第1基板11と第2基板12を重ね合わせ、プレス機などで圧力を一定に加えた状態で熱処理することにより、メインシール剤を硬化させる。ここでは、例えば150°Cで3時間の熱処理を行う図6C。次に、第1基板11と第2基板12の間隙に液晶材料を充填することにより液晶層24を形成する図6D。液晶材料の充填は、例えば真空注入法によって行う。本実施形態では、誘電率異方性△εが正であり、かつカイラル材を添加した液晶材料を用いる。カイラル材の添加量は、d/pが0.04以上0.6以下となるように設定することが好ましく、例えばd/pが0.16となるように設定する。このような液晶材料の注入後、その注入口にエンドシール剤を塗布し封止する。そして、液晶材料の相転移温度以上の温度で適宜熱処理例えば120°Cで1時間を行うことにより、液晶層24の液晶分子の配向状態を整える。次に、第1基板11の外側に第1偏光板31を貼り合わせ、第2基板12の外側に第2偏光板32を貼り合わせる。これら第1偏光板31と第2偏光板32は、互いの透過軸を略直交配置クロスニコル配置とされる。以上のようにして第1実施形態のリバースTN型液晶素子が完成する図3参照。以上のような工程を経て完成したリバースTN型液晶素子について、各電極を用いて液晶層に電圧を印加し、スプレイツイスト状態とリバースツイスト状態を相互に遷移させたときの様子を確認は以下の通り確認される。本実施形態のリバースTN型液晶素子は、初期状態において液晶層24の液晶分子がスプレイツイスト状態に配向する。このスプレイツイスト状態においては、外観上、比較的に明るい状態の白表示明表示が得られる。これに対し、図示しない電圧印加手段から第1電極13と共通電極23のそれぞれに電圧を与えることにより縦電界を発生させる。例えば、10V、100Hzの交流電圧矩形波を約0.01~0.5秒間印加し、その後すぐに電圧の印加を止める。これにより、液晶層24の配向状態がリバースツイスト状態へ遷移する。このリバースツイスト状態においては、外観上、比較的に暗い状態の黒表示暗表示が得られる。リバースTN型液晶表示素子の表示特性の一例を参考として図7に示す。例えば、このリバースTN型液晶素子をマトリクス状に配列して液晶表示装置を構成したとすると、このスプレイツイスト状態からリバースツイスト状態への遷移時は個別の画素ごと各素子ごとに制御することが難しいため、状態遷移は全画素同時に、またはコモン線14を共有する複数の第1電極13のラインごとに制御される。次に、電圧印加手段から走査線15に所定の電圧を印加することにより薄膜トランジスタを導通状態とし、かつ電圧印加手段から信号線25に所定の電圧を印加することにより薄膜トランジスタを介して第2電極20に電圧を与える。これにより、第1電極13と第2電極20の間に相対的な電位差が生じるので液晶層24には横電界が印加されることになり、液晶層24の配向状態はリバースツイスト状態からスプレイツイスト状態へ遷移する。走査線15へ印加する電圧ゲート電圧は例えば10Vのパルス波、信号線25に印加する電圧は例えば±10Vをフレーム毎に反転させた電圧とする。横電界を印加する時間は例えば約0.01から0.5秒間程度である。上記したスプレイツイスト状態、リバースツイスト状態のいずれについても、電圧印加を解除した後にもその配向状態が維持されるため、表示を書き換えた後は基本的に電圧を印加する必要がなく、消費電力を極めて低く抑えることができる。例えば、このリバースTN型液晶素子をマトリクス状に配列して液晶表示装置を構成したとすると、再び表示を書き換えたい場合には、全画素同時またはコモン線14を共有する複数の第1電極13のラインごとに制御して縦電界を印加し、続いて薄膜トランジスタを用いて第2電極20への電圧印加/非印加を制御することで各画素ごとに横電界を選択的に印加することで所望の画像表示を行うことができる。ラインごとに表示を書き換える方式は小説などの文章を読む場合には読み終わったラインを順に書き換えていけばよいので切り替えに多少の時間を要したとしても読者のストレスを軽減できる。次に、リバースTN型液晶素子の他の構成例について説明する。図8は、第2実施形態のリバースTN型液晶素子の構成例を示す断面図である。また、図9は、図8に示すリバースTN型液晶素子の平面図である。なお、図8は図9に示すVIIIVIII線における断面を示している。各図に示す本実施形態のリバースTN型液晶素子5は、第1基板下側基板11、第2基板上側基板12、第1電極13、コモン線14a、走査線15、絶縁膜16、半導体膜17、ソース電極18、ドレイン電極19a、第2電極20、第1配向膜21、第2配向膜22、共通電極23、液晶層24、信号線25、絶縁膜26、第1偏光板下側偏光板31および第2偏光板上側偏光板32を含んで構成されている。なお、第1実施形態と共通する構成要素については同一符号を用いており、それらの詳細な説明は省略する。コモン線14aは、第1基板11の一面側の絶縁膜26上に設けられており、一方向図8に示すY方向に延在する。このコモン線14aは、図9に示すように第2電極20と接続されており、このコモン線14aを介して、図示しない電圧供給手段から第2電極20に対して所定の電位が与えられる。ドレイン電極19aは、絶縁膜16上の所定位置に設けられており、かつ一部が絶縁膜16を貫通して第1電極13と接続されている。このドレイン電極19aとしては、例えばアルミニウムとモリブデンの積層膜などの金属膜が用いられる。絶縁膜26は、第1基板11の一面側の絶縁膜16上に、半導体膜17、ソース電極18およびドレイン電極19aを覆って設けられている。この絶縁膜26としては、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜あるいはこれらの積層膜が用いられる。第2電極20は、絶縁膜21上であって、少なくとも一部が上記した第1電極13と重畳する所定位置に設けられている。この第2電極20は、図9に示すようにコモン線14aと接続されている。本例では第2電極20とコモン線14は一体に形成されている。この第2電極20は、例えばインジウム錫酸化物ITOなどの透明導電膜をパターニングすることによって得られる。この第2電極20と上記の第1電極13の間に電圧を印加することにより、液晶層24に横電界を与えることができる。第1配向膜21は、第1基板11の一面側であって絶縁膜26上に、コモン線14aおよび第2電極20を覆って設けられている。次に、第2実施形態に係るリバースTN型液晶素子の製造方法の一例について図10、図11を参照しながら説明する。なお、第1実施形態と共通する内容については適宜説明を省略する。第1基板11の一面上に、所定の金属膜からなる走査線15を形成する図10A。次に、第1基板11の一面側の所定位置にITO膜などからなる第1電極13を形成する図10B。次に、第1基板11の一面側に、第1電極13および走査線15を覆うようにして絶縁膜16を形成する図10C。次に、第1基板11の絶縁膜16上の所定位置に半導体膜17を形成し図10D、さらにソース電極18、ドレイン電極19aおよび信号線25を形成する図10E。ドレイン電極19aについては、予め絶縁膜16の所定位置に第1電極13の一部を露出させる開口部を設けておき、その後にスパッタ法等によって金属膜を成膜し、パターニングすることによって形成可能である。次に、第1基板11の絶縁膜16上に、半導体膜17、ソース電極18、ドレイン電極19aおよび信号線25を覆う絶縁膜26を形成する図10F。次に、第1基板11の絶縁膜26上の所定位置に、コモン線14aおよび第2電極20を形成する図10G。なお、さらに絶縁膜26上にパッシベーション膜を設けてもよい図示せず。一方、第2基板12の一面上には共通電極23を形成する図11A。次に、第1基板11の絶縁膜16上の全体にわたって第1配向膜21を形成し図11B、第2基板12の共通電極23上の全体にわたって第2配向膜22を形成する図11C。次に、一方の基板上にメインシール剤を形成し、他方の基板上にはギャップコントロール剤を散布した後に、第1基板11と第2基板12を重ね合わせ、プレス機などで圧力を一定に加えた状態で熱処理することにより、メインシール剤を硬化させる図11D。次に、第1基板11と第2基板12の間隙に液晶材料を充填することにより液晶層24を形成する図11E。その後、第1基板11の外側に第1偏光板31を貼り合わせ、第2基板12の外側に第2偏光板32を貼り合わせる。これら第1偏光板31と第2偏光板32は、互いの透過軸を略直交配置クロスニコル配置とされる。以上のようにして第2実施形態のリバースTN型液晶素子が完成する図8参照。以上のような工程を経て完成したリバースTN型液晶素子について、各電極を用いて液晶層に電圧を印加し、スプレイツイスト状態とリバースツイスト状態を相互に遷移させたときの様子を確認は以下の通りである。本実施形態のリバースTN型液晶素子は、初期状態において液晶層24の液晶分子がスプレイツイスト状態に配向する。このスプレイツイスト状態においては、外観上、比較的に明るい状態の白表示明表示が得られる。これに対し、上記したように第1電極13と共通電極23を用いて縦電界を発生させる。例えば、10V、100Hzの交流電圧矩形波を約0.01から0.5秒間印加し、その後すぐに電圧の印加を止める。これにより、液晶層24の配向状態がリバースツイスト状態へ遷移する。このリバースツイスト状態においては、外観上、比較的に暗い状態の黒表示暗表示が得られる。例えば、このリバースTN型液晶素子をマトリクス状に配列して液晶表示装置を構成したとすると、このスプレイツイスト状態からリバースツイスト状態への遷移時は個別の画素ごと各素子ごとに制御することができる。このとき、第1電極13は電気的にフリーな状態であることが求められる。次に、電圧印加手段から走査線15に所定の電圧を印加することにより薄膜トランジスタを導通状態とし、かつ電圧印加手段から信号線25に所定の電圧を印加することにより第2電極20に電圧を与える。これにより、第1電極13と第2電極20の間に相対的な電位差が生じるので液晶層24には横電界が印加されることになり、液晶層24の配向状態はリバースツイスト状態からスプレイツイスト状態へ遷移する。走査線15へ印加する電圧ゲート電圧は例えば10Vのパルス波、信号線25に印加する電圧は例えば±10Vをフレーム毎に反転させた電圧とする。横電界を印加する時間は例えば約0.01~0.5秒間程度である。上記したスプレイツイスト状態、リバースツイスト状態のいずれについても、電圧印加を解除した後にもその配向状態が維持されるため、表示を書き換えた後は全く電圧を印加する必要がなく、消費電力を極めて低く抑えることができる。例えば、このリバースTN型液晶素子をマトリクス状に配列して液晶表示装置を構成したとすると、本実施形態では、スプレイツイスト状態からリバースツイスト状態への遷移、およびリバースツイスト状態からスプレイツイスト状態への遷移のいずれも各画素ごとに制御することができる。したがって、第1実施形態と比較して表示書き換えの自由度はより高くなる。例えば、現在提案されている電気泳動方式の電子ペーパーディスプレイではいずれも一旦画面全体を白表示または黒表示にリセットする必要があり、これを行わないと所望の位置に全ての電気泳動粒子を移動させることができなくなったり、繰り返し表示切り替えを行っていると電気泳動粒子が偏ったりする場合があるが、本実施形態によればそのような不都合を生じ得ない。次に、リバースTN型液晶素子の他の構成例について説明する。図12は、第3実施形態のリバースTN型液晶素子の構成例を模式的に示す断面図である。図12Aに示す第3実施形態のリバースTN型液晶素子は、外部からの光を利用して表示を行う反射型の液晶素子であり、液晶パネル50と、この液晶パネル50の下面側に配置される反射板51と、液晶パネル50の上面側に配置される散乱板52、この散乱板52に重ねて配置されるλ/4波長板53、このλ/4波長板53に重ねて配置される偏光板54を備える。反射板51としては、例えば銀フィルムを用いることができる。また、散乱板52としては、例えばヘイズ値が43~45のものを複数枚重ねたものを用いることができる。また、λ/4波長板53としては、例えば位相差が約137nmのものを用いることができる。なお、散乱板52は液晶パネル50の下面側に配置されてもよい。この場合には反射板51と液晶パネル50の相互間に散乱板52が配置される。図12Bに示すように、液晶パネル50における下側基板のラビング方向RL、上側基板のラビング方向RUのなす角度は、例えば70°反射型における好適値の一例に設定される。液晶層の液晶材料には、例えばd/p=0.143となるようにカイラル材が添加される。液晶層の液晶材料のΔnの値は例えば0.065~0.15程度である。偏光板54の透過軸Pは上側基板のラビング方向RUと平行に設定され、λ/4波長板53の位相差軸P’は偏光板54の透過軸と略45°の角度に設定される。液晶パネル50の内部構造については、上記した第1実施形態または第2実施形態の液晶素子と同様であるいずれも偏光板を除く。図13は、第3実施形態のリバースTN型液晶素子の構成例を示す断面図である。ここでは一例として、液晶パネル50として第1実施形態の液晶素子を採用した場合について図示するが、第2実施形態の液晶素子を採用した場合も同様である。この液晶パネル50における第1電極13bは、金属膜からなり、さらに表面に凹凸が設けられている。これにより、第1電極13bは、反射板51および散乱板52の機能も兼ねることができる。第3実施形態のリバースTN型液晶素子の製造方法については上記した第1実施形態または第2実施形態と同様であり、例えば第1電極13bの形成工程を走査線15の形成工程と共通化すれば、それ以外は共通の工程を採用することができる。なお、第1電極13bが反射板51の機能のみを兼ね、散乱板52については上記のように外付けとしてもよい。図14は、第3実施形態のリバースTN型液晶素子の反射率特性の一例を示す図である。この図では、液晶層のツイスト角を70°に設定し、液晶素子の基板面法線に対して30°の方向から光入射し、法線方向から反射率を測定したときのΔn依存性の反射率特性が示されている。この場合、液晶材料のΔnが0.08のときに反射率およびコントラスト比が特に優れていることがわかる。なお、ここではλ/4波長板53の位相差軸を液晶層の層厚方向の略中央における液晶分子の長軸方向と直交するように設定し、偏光板54の透過軸は上側基板のラビング方向と平行に設定しているが、それぞれの設定はこれに限定されない。反射型とすることでバックライトが不要となり、特に消費電力を抑えることが可能となる。次に、第4実施形態として、上記した第1~第3実施形態のいずれかの液晶素子の有するメモリー性を利用した低消費電力駆動が可能な液晶表示装置の構成例について説明する。図15は、第4実施形態の液晶表示装置の構成例を模式的に示す図である。図15に示す液晶表示装置は、複数の画素部100をマトリクス状に配列して構成されるアクティブマトリクス型の液晶表示装置であり、各画素部100として上記したいずれかの実施形態の液晶素子が用いられている。具体的には、液晶表示装置は、第1方向に延びる複数の走査線101と、各走査線101に対して電圧を供給するドライバー104と、各々が走査線101と直交して第2方向に延びる複数の信号線102ならびにコモン線103と、各信号線102に対して電圧を供給するドライバー105と、各コモン線103に対して電圧を供給するドライバー106と、各走査線101と各信号線102の交点に設けられた画素部100を含んで構成されている。各画素部100は、第1電極または第2電極の一方がコモン線103に接続され、他方が薄膜トランジスタに接続される。また、共通電極については各画素部100に共通に設けられる。以上のような各実施形態によれば、2つの配向状態間の遷移を生じさせるのに適したスイッチング素子および電極の構造を有する新規な液晶素子が得られる。また、液晶素子の2つの配向状態の双安定性メモリー性を利用することにより表示書き換え時以外には基本的に電力を必要しない低消費電力な液晶表示装置が得られる。なお、本発明は上述した内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々に変形して実施をすることが可能である。例えば、上記した各実施形態では液晶層のツイスト角を70°反射型または90°透過型としていたがツイスト角はこれに限定されるものではない。この場合には、白表示での明るさをより確保するためには液晶層内のリターデーション値を調整するとよい。また、第1偏光板と第2偏光板の各透過軸のなす角度を90°程度としたノーマリーホワイト状態の液晶素子について例示していたが、ノーマリーブラック状態の液晶素子としても構わない。また、配向処理方法についてはラビング法に限定されない。また、スイッチング素子の一例としての薄膜トランジスタの構造は例示のボトムゲート型に限定されず、トップゲート型であってもよい。また、第2電極は上記のような複数のスリットを有するものに限定されず、例えば複数の電極枝直線部を有する櫛歯状電極であってもよい。さらに、第1電極についても櫛歯状電極とし、第2電極の各電極枝と第1電極の各電極枝とを互い違いに配置してもよい。この場合には、第1電極と第2電極を同一面上に配置することも可能となる。