電子部品と、当該電子部品が実装された基板と、空隙を有し、前記電子部品の少なくとも一部と接する第1樹脂と、当該第1樹脂を覆い、かつ当該第1樹脂よりも空隙率の低い第2樹脂と、を含み、前記第1樹脂は、前記第2樹脂側に設けられた、前記第2樹脂の樹脂成分を含む応力緩和層と、前記第2樹脂の樹脂成分を含まない多孔質層と、を含むことを特徴とする電子回路モジュール部品。前記第1樹脂及び前記第2樹脂を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された金属層と、当該金属層に設けられ、かつ前記多孔質層の一部を少なくとも前記金属層の外部に対して露出させる開口部と、を含み、前記開口部の前記応力緩和層の最大値の厚みは、10μm以上200μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子回路モジュール部品。前記第1樹脂の厚みから前記応力緩和層の最大値の厚みを減算した前記多孔質層の厚みは、10μm以上400μm以下であることを特徴とする請求項2に記載の電子回路モジュール部品。前記多孔質層の空隙率は5体積以上30体積以下であり、前記応力緩和層の空隙率は1体積以上5体積より小さいことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電子回路モジュール部品。基板上に電子部品を実装する工程と、前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように第1樹脂を設ける工程と、前記第1樹脂を第2樹脂で覆う被覆工程と、前記第2樹脂を硬化させる硬化工程と、を含み、前記硬化工程の加熱温度において、前記第2樹脂の樹脂成分の最低動的せん断粘度が350Pas以上40000Pas以下であることを特徴とする電子回路モジュール部品の製造方法。電子回路モジュール部品は、絶縁樹脂で基板に実装された電子部品を覆うが、電子回路モジュール部品の製造工程や保管環境によっては、絶縁樹脂あるいは実装された基板及び電子モジュールの内部に水分が浸入することがある。この水分は、電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際のリフロー工程で加熱されることによって蒸発し、膨張する。特許文献1に開示された技術は、絶縁樹脂の全面にシールド層として金属層が形成されているので、リフロー時の加熱によって発生する水蒸気等の気体が絶縁樹脂から抜けにくく、絶縁樹脂あるいは実装された基板に割れが発生したり、電子回路モジュール部品の変形等が発生したりするおそれがある。また、特許文献2に開示された技術は、電子回路モジュール部品の絶縁樹脂の表面をシールド層で被覆したものにおいて、電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際のリフロー工程において、加熱により電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を外部へ抜けやすくする。特許文献2に開示された技術は、第1樹脂が空隙を含むので、さらなる第1樹脂のクラックの抑制が求められている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、空隙を有しかつ電子部品の少なくとも一部と接する樹脂のクラックのおそれを低減する電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る電子回路モジュール部品は、電子部品と、当該電子部品が実装された基板と、空隙を有し、前記電子部品の少なくとも一部と接する第1樹脂と、当該第1樹脂を覆い、かつ当該第1樹脂よりも空隙率の低い第2樹脂と、を含み、前記第1樹脂は、前記第2樹脂側に設けられた、前記第2樹脂の樹脂成分を含む応力緩和層と、前記第2樹脂の樹脂成分を含まない多孔質層と、を含むことを特徴とする。この電子回路モジュール部品は、第2樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差の応力を緩和することができる。このため、電子部品の少なくとも一部と接する第1樹脂の多孔質層が空隙を有していても、多孔質層のクラックのおそれを低減することができる。本発明の望ましい態様として、前記第1樹脂及び前記第2樹脂を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された金属層と、当該金属層に設けられ、かつ前記多孔質層の一部を少なくとも前記金属層の外部に対して露出させる開口部と、を含み、前記開口部の前記応力緩和層の最大値の厚みは、10μm以上200μm以下であることが好ましい。この電子回路モジュール部品は、応力緩和層が第2樹脂と多孔質層との間で密着することで、第2樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差を緩和し、多孔質層のクラックを抑制することができる。また、応力緩和層自体が多孔質層に対して応力を加えるおそれを抑制することができる。本発明の望ましい態様として、前記第1樹脂の厚みから前記応力緩和層の最大値の厚みを減算した前記多孔質層の厚みは、10μm以上400μm以下であることが好ましい。この電子回路モジュール部品は、空隙を有する第1樹脂の多孔質層が電子部品の少なくとも一部に接するとともに、多孔質層の少なくとも一部を金属層の外部に対して露出させる開口部を有する。このような構造により、電子部品の少なくとも一部は、多孔質層を介して開口部とつながるため、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体は、多孔質層の空隙を通って開口部から電子回路モジュール部品の外部へ速やかに放出される。このように、この電子回路モジュール部品は、電子機器に実装される際のリフロー工程において、加熱により内部で発生した水蒸気等の気体が外部へ抜けやすくなる。また、電子回路モジュール部品が金属層を有している場合でも、実装時の加熱による部品内部の圧力の上昇が抑制されるので、第1樹脂又は第2樹脂の割れや電子回路モジュール部品が変形するおそれを低減できる。また、第2樹脂の樹脂成分を含む応力緩和層は、多孔質層に比較して、空隙率が低い。このため、多孔質層は、多孔質層の厚みを10μm以上400μm以下とすることで、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を応力緩和層よりも多く排出し、多孔質層のクラックを抑制することができる。その結果、応力緩和層及び多孔質層の両層があることにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を排出することができ、第2樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差の応力を緩和することができる。本発明の望ましい態様としては、前記多孔質層の空隙率は5体積以上30体積以下であり、前記応力緩和層の空隙率は1体積以上5体積より小さいことが好ましい。この構成により、多孔質層は、絶縁樹脂の内部で発生する気体をより抜けやすくすることができるとともに、多孔質層の強度も確保できる。また、応力緩和層は、空隙に第2樹脂の樹脂成分が埋め込まれることにより、多孔質層よりも空隙率が低い。応力緩和層の空隙率が1体積以上5体積より小さい場合、応力緩和層が第2樹脂の熱膨張と多孔質層の熱膨張との間で緩衝し、第2樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差の応力の低減を高めることができる。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、基板上に電子部品を実装する工程と、前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように第1樹脂を設ける工程と、前記第1樹脂を第2樹脂で覆う被覆工程と、前記第2樹脂を硬化させる硬化工程と、を含み、前記硬化工程の加熱温度において、前記第2樹脂の樹脂成分の最低動的せん断粘度が350Pas以上40000Pas以下であることを特徴とする。この電子回路モジュール部品の製造方法により、最低動的せん断粘度となるような第2樹脂の樹脂成分とすれば、所定の応力緩和層の厚みとすることができる。このため、所定の応力緩和層の厚みを有する電子回路モジュール部品は、応力緩和層が第2樹脂と多孔質層との間で密着することで、第2樹脂と多孔質層との間で生じる熱膨張差を緩和し、多孔質層のクラックを抑制することができる。また、所定の応力緩和層の厚みを有する電子回路モジュール部品は、応力緩和層自体が多孔質層に対して応力を加えるおそれを抑制することができる。本発明によれば、空隙を有しかつ電子部品の少なくとも一部と接する樹脂のクラックのおそれを低減する電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法を提供することができる。以下、本発明を実施するための形態実施形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。電子回路モジュール部品図1は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の断面図である。図2は、図1の矢印A方向から本実施形態に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。図3は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品が有する第1樹脂の概念図である。図4は、図3に示す第1樹脂を第2樹脂で覆う状態を説明するための概念図である。図1に示すように、電子回路モジュール部品1は、複数の電子部品2を基板3に実装して、一つあるいは複数の機能を持ったひとまとまりの機能を持つ電子部品としたものである。電子部品2は、基板3の表面に実装されたり、基板3の内部に実装されたりする。本実施形態において、電子回路モジュール部品1を構成する電子部品2としては、例えば、コイル又はコンデンサ又は抵抗等の受動素子、及びダイオード又はトランジスタ等の能動素子がある。電子部品2は、これらに限定されるものではない。図1に示すように、電子回路モジュール部品1は、電子部品2と、基板3と、第1樹脂4と、第2樹脂9と、金属層5と、開口部5Hと、を含む。基板3は、電子部品2が実装されたものである。電子部品2は、はんだ6によって基板3の実装面電子部品2が実装される面に実装される。基板3は、第1基板3Aと第2基板3Bとの間にグランド8を含む。グランド8は、例えば、Cu等の電気の良導体であり、基板3の実装面に設けられた、電子部品2の端子と接続される端子と、ビアホール等によって電気的に接続される。また、実装面にグランド端子を有する場合、グランド8は、そのグランド端子と、ビアホール等によって電気的に接続される。基板3は、前記実装面の反対側に、端子電極モジュール端子電極7を有する。モジュール端子電極7は、電子回路モジュール部品1が備える電子部品2と電気的に接続される。また、前記実装面の反対側にグランド端子を有する場合、そのグランド端子とグランド8とは電気的に接続される。また、基板3は、少なくとも表面に回路パターンを有しており、必要に応じて基板3の内部例えば、第1基板3Aと第2基板3Bとの間にも回路パターンを含むようにしてもよい。第1樹脂4は、電子部品2の少なくとも一部と接する。第1樹脂4及び第2樹脂9は、電気絶縁性を有する絶縁樹脂であり、電子部品2を基板3上に封止する機能を有する。第1樹脂4及び第2樹脂9は、例えば、熱硬化性樹脂例えば、エポキシ樹脂であるが、これに限定されないにフィラー例えば、シリカやアルミナを添加して硬化させることにより、フィラー同士の隙間の一部に前記熱硬化性樹脂が配合されて空隙が形成される。第1樹脂4は、第2樹脂9側の第1樹脂4の一部であって、かつ第2樹脂9の樹脂成分9Mを含む応力緩和層42と、第2樹脂9の樹脂成分9Mを含まない多孔質層41とを含む。図3に示すように、後述するように応力緩和層42と多孔質層41とは、もともと第1樹脂4として樹脂4Mに空隙4Hを有する状態で同様に形成される。そして、図4に示すように、第2樹脂9は、第1樹脂4の表面を覆い、応力緩和層42の空隙4Hに第2樹脂9の樹脂成分9Mが入り込む。また、第2樹脂9は、第1樹脂4の多孔質層41よりも空隙率が低い。また、応力緩和層42は、空隙4Hに樹脂成分9Mが埋め込まれることにより、第1樹脂4の多孔質層41よりも空隙率が低い。空隙率は、単位体積あたりに存在する空隙4Hの体積の割合体積である。第2樹脂9の空隙率を第1樹脂4の多孔質層41よりも低くすることにより、第2樹脂9は第1樹脂4よりも強固になる。このような第2樹脂9によって、電子部品2を第1樹脂4とともに基板3へ封止して、電子回路モジュール部品1の十分な強度を確保する。第2樹脂9の空隙率は0体積であってもよい。応力緩和層42は、空隙4Hに第2樹脂9の樹脂成分を受け入れている。応力緩和層42は、第2樹脂9側の空隙4Hから第2樹脂9の樹脂成分が浸透していくため、応力緩和層42の中に含まれる第2樹脂9の樹脂成分の単位体積にあたりに占める割合は、第2樹脂9側の方が多孔質層41よりも多くなりやすい。このように、応力緩和層42は、応力緩和層42の中に含まれる第2樹脂9の樹脂成分の単位体積にあたりに占める割合を、第2樹脂9側から多孔質層41側の方向に漸次減少させていくことにより、熱膨張差による応力差を緩和することができる。金属層5は、第1樹脂4及び第2樹脂9を被覆し、かつ基板3のグランド8と電気的に接続される。本実施形態において、金属層5は導電材料導電性を有する材料であり、本実施形態では金属の薄膜である。本実施形態では、金属層5は単数の導電材料で構成されてもよいし、複数の導電材料の層で構成されてもよい。金属層5は、例えば、めっきによって形成される。金属層5は、第1樹脂4及び第2樹脂9の表面を被覆することにより、第1樹脂4及び第2樹脂9に封入された電子部品2を、電子回路モジュール部品1の外部からの高周波ノイズや電磁波ノイズ等を遮蔽したり、電子部品2から放射される高周波ノイズや電磁波ノイズ等を遮蔽したりする。このように、金属層5は、電磁気シールドとして機能する。金属層5を電磁気シールドとして用いることにより、板金部材を電磁気シールドとした場合と比較して、電子回路モジュール部品1の外形をより小さくできる。開口部5Hは、金属層5に設けられ、かつ第1樹脂4の一部を少なくとも金属層5の外部、すなわち、電子回路モジュール部品1の外部に対して露出させる。図1、図2に示すように、本実施形態において、開口部5Hは、第1樹脂4の一部及び第2樹脂9の一部を金属層5の外部に対して露出させる。後述するように、開口部5Hは、第1樹脂4の一部のみを金属層5の外部に対して露出させてもよい。開口部5Hは、平面視が矩形の形状であり、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形である電子回路モジュール部品1の一辺の全体にわたって開口している。電子回路モジュール部品1の平面視とは、電子回路モジュール部品1の基板3の板面と直交する方向から電子回路モジュール部品1を見た場合をいう。なお、電子回路モジュール部品1の平面視の形状は四角形であればよく、長方形あるいは正方形に限定されるものではない。例えば、台形や菱形等であってもよい以下同様。また、開口部5Hの形状は矩形に限定されるものではない。図2に示すように、金属層5の厚さをtとし、開口部5Hが設けられる電子回路モジュール部品1の一辺の長さをL1とし、開口部5Hの長辺側の長さをL2とすると、L1=L22×tとなる。開口部5Hの高さ基板3と直交する方向における開口部5Hの寸法はhであり、金属層5が電磁波を遮蔽する能力に応じて設定される。また、第1樹脂4の開口部5Hに露出する高さ基板3と直交する方向における第1樹脂4の寸法はDである。多孔質層41の開口部5Hに露出する高さ基板3と直交する方向における多孔質層41の寸法はd1であり、応力緩和層42の開口部5Hに露出する高さ基板3と直交する方向における応力緩和層42の寸法はd2である。以上説明したように、電子回路モジュール部品1は、電子部品2と、基板3と、第1樹脂4と、第2樹脂9とを含む。基板3は、電子部品2が実装されたものである。第1樹脂4は、空隙4Hを有し、かつ電子部品2の少なくとも一部と接する。第2樹脂9は、第1樹脂4の表面を覆い、かつ第1樹脂4よりも空隙率が低い。第1樹脂4は、第2樹脂9側に設けられた、第2樹脂9の樹脂成分9Mを含む応力緩和層42と、第2樹脂9の樹脂成分9Mを含まない多孔質層41とを含む。この電子回路モジュール部品1は、第1樹脂4及び第2樹脂9の間で生じる熱膨張差の応力を緩和することができる。このため、電子部品2の少なくとも一部と接する第1樹脂4の多孔質層41が空隙4Hを有していても、多孔質層41のクラックのおそれを低減することができる。電子回路モジュール部品1は、第1樹脂4及び前記第2樹脂9を被覆し、かつ基板3のグランド8と電気的に接続された金属層5と、当該金属層5に設けられ、かつ多孔質層41の一部を少なくとも金属層8の外部に対して露出させる開口部5Hと、を含む。開口部5Hの応力緩和層42の最大値の厚みd2は、10μm以上200μm以下であることが好ましい。電子回路モジュール部品1は、d2が10μm以上200μm以下である場合、応力緩和層42が第2樹脂9と多孔質層41との間で密着することができる。このため、電子回路モジュール部品1は、第2樹脂9と多孔質層41との間で生じる熱膨張差を緩和し、多孔質層41のクラックを抑制することができる。また、電子回路モジュール部品1は、d2が10μm以上200μm以下であるため、応力緩和層42が厚くなりすぎて応力緩和層42自体が多孔質層41に対して応力を加えるおそれを抑制することができる。電子回路モジュール部品1は、第1樹脂4の厚みDから応力緩和層42の最大値の厚みd2を減算した多孔質層の厚みd1が10μm以上400μm以下であることが好ましい。また、第2樹脂9の樹脂成分9Mを含む応力緩和層42は、多孔質層41に比較して、空隙率が低い。このため、多孔質層41は、多孔質層の厚みd1を10μm以上400μm以下とすることで、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品1の内部で発生した水蒸気等の気体を応力緩和層42よりも多く排出し、多孔質層41のクラックを抑制することができる。その結果、応力緩和層42及び多孔質層41の両層があることにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品1の内部で発生した水蒸気等の気体を排出することができ、第2樹脂9と多孔質層41との間で生じる熱膨張差の応力を緩和することができる。図5は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の断面図である。図6は、図5の矢印A方向から本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。電子回路モジュール部品1aは、上述した電子回路モジュール部品1と略同様であるが、開口部5Haは、第1樹脂4の一部のみを金属層5aの外部に対して露出させる点が異なる。他の構成は電子回路モジュール部品1と同様である。図5に示すように、電子回路モジュール部品1aの開口部5Haは、電子回路モジュール部品1aの高さ方向において、第1樹脂4と一部が重なっている。このような構造により、開口部5Haは、第1樹脂4の一部のみを金属層5aの外部に対して露出させる。開口部5Haの高さhは、図2に示す電子回路モジュール部品1の開口部5Hよりも小さくしてある。このため、電子回路モジュール部品1aは、金属層5aが第1樹脂4及び第2樹脂9を覆う面積を、上述した電子回路モジュール部品1よりも大きくできる。すなわち、電子回路モジュール部品1aは、開口部5Haの大きさを、上述した電子回路モジュール部品1よりも小さくできる。その結果、電子回路モジュール部品1aは、金属層5aの遮蔽機能を向上させやすくなる。図6は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を基板に取り付けた状態を示す側面図である。電子回路モジュール部品1、1aは、電子回路モジュール部品1、1aが取り付けられる基板電子機器が備える基板であり、以下、実装基板という10の端子電極実装基板端子電極11とはんだ6によって接合される。なお、電子回路モジュール部品1、1aと実装基板端子電極11とを接合する材料ははんだに限定されるものではない。例えば、導電性ペーストや導電性接着剤等を用いて電子回路モジュール部品1、1aと実装基板端子電極11とを接合してもよい。このような構造で、電子回路モジュール部品1、1aは、実装基板10に取り付けられる。そして、電子部品2と実装基板10との間で電気信号や電力をやり取りする。図7に示す実装基板10は、電子回路モジュール部品1、1aが実装される基板であり、例えば、電子機器車載電子機器、携帯電子機器等に搭載される。電子回路モジュール部品1、1aは、電子機器の実装基板10に実装されて二次実装、電子機器の機能を発揮させる部品の一つとなる。実装基板10に電子回路モジュール部品1、1aを実装する場合、例えば、実装基板端子電極11にはんだ6を含むはんだペーストを印刷等により塗布し、実装装置を用いて電子回路モジュール部品1、1aを実装基板10に搭載する。そして、電子回路モジュール部品1、1aが搭載された実装基板10をリフロー炉に通炉して、モジュール端子電極7と実装基板端子電極11とが接合される。これによって、電子回路モジュール部品1、1aが実装基板10に実装される。電子回路モジュール部品1、1aは、電子部品2を基板3に実装するときや電子回路モジュール部品1が保管されている期間や環境によって、第1樹脂4及び第2樹脂9以下、必要に応じて絶縁樹脂というの内部に水分が浸入することがある。例えば、基板3が樹脂基板の場合は、絶縁樹脂及び基板3の表面、及び絶縁樹脂と基板3との接触界面から水分が浸入するが、セラミックス等の無機材料を基板3に用いた場合は、主に絶縁樹脂、及び絶縁樹脂と基板3との接触界面から水分が浸入する。このため、電子回路モジュール部品1、1aを実装基板10に実装する際のリフローにより、電子回路モジュール部品1、1a内部に浸入した水分が蒸発して水蒸気気体が発生することがある。電子回路モジュール部品1、1aは、金属層5が絶縁樹脂の表面を被覆しているために、蒸発した水分が絶縁樹脂から抜けにくくなる。このため、電子回路モジュール部品1、1aは、電子回路モジュール部品1、1aの内部の圧力以下、部品内圧というが上昇する。その結果、絶縁樹脂に割れ等が発生したり、電子回路モジュール部品1、1aに変形が生じたりするおそれがある。絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品1、1aが変形するおそれを抑制するために、本実施形態及びその変形例では、金属層5、5aに開口部5H、5Haを設けて、リフロー時の加熱によって蒸発し、膨張した水分水蒸気であり気体を、電子回路モジュール部品1、1aから抜けやすくして、電子回路モジュール部品1、1aの内圧の上昇を抑制する。図8は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を、基板と平行な面で切った状態を示す平面図である。図9は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品の斜視図である。電子回路モジュール部品1、1aは、複数の電子部品2を有している。第1樹脂4は、複数の電子部品2の少なくとも一部と接している。本実施形態及びその変形例では、図1、図5に示すように、第1樹脂4がすべての電子部品2を覆っており、すべての電子部品2の頂部の全体に第1樹脂4が接している。さらに、図1、図5、図8に示すように、第1樹脂4は、すべての電子部品2の側部全体に接している。このような構成のため、電子回路モジュール部品1、1aは、第1樹脂4が電子部品2の基板対向面を除いた表面と接し、かつ、第1樹脂4がすべての電子部品2と接している。第1樹脂4は、少なくとも一部が開口部5H、5Haの位置で金属層5、5aの外部に露出している。このため、すべての電子部品2の少なくとも一部は、第1樹脂4を介して開口部5H、5Haとつながっている。第1樹脂4は、多孔質層41に空隙を有しているため、気体が通過しやすい。このため、上述した構造を採用することにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品1、1aの内部で発生した水蒸気等の気体Vは、図3に示す空隙4Hを通って開口部5H、5Haから電子回路モジュール部品1、1aの外部へ速やかに放出される。その結果、電子回路モジュール部品1、1aが金属層5を有している場合でも、リフロー時における部品内圧の上昇が抑制されるので、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品1、1aが変形するおそれを効果的に抑制できる。このように、本実施形態及びその変形例によれば、電子回路モジュール部品1、1aの不良の発生を抑制できる。また、本実施形態及びその変形例によれば、電子回路モジュール部品1、1aの不具合の発生を効果的に抑制して品質を維持できるので、電子回路モジュール部品1、1aの機能を十分に発揮させることができる。電子回路モジュール部品1、1aの開口部5H、5Haは、平面視が長方形又は正方形である電子回路モジュール部品1、1aの一辺の全体にわたって開口している。このため、電子回路モジュール部品1、1aの内部の気体Vは、電子回路モジュール部品1、1aの一辺全域から電子回路モジュール部品1、1aの外部へ放出される。その結果、開口部5H、5Haは、電子回路モジュール部品1、1aで発生した気体を効率的に外部へ放出させることができるので、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品1、1aの変形のおそれを確実に回避できる。開口部5H、5Haの高さhが小さくなると、金属層5、5aによる電磁波ノイズの遮蔽機能の低下は大きくなる。電子回路モジュール部品1、1aの一辺の全体にわたって開口部5H、5Haを設けることにより、開口部5H、5Haの高さhの増加を抑制しつつ、開口部5H、5Haの面積を確保することができる。したがって、開口部5H、5Haを電子回路モジュール部品1、1aの一辺の全体にわたって設けるようにすれば、開口部5H、5Haの高さhを抑制できるので、電磁波の遮蔽機能を確保しつつ、開口部5H、5Haは効率的に気体を放出することができる。第1樹脂4の多孔質層41は空隙を有しているため、第2樹脂9と比較して強度がやや低くなる。図2に示す開口部5Hのように、第1樹脂4の一部と第2樹脂9の一部との両方を金属層5の外部に露出させる場合、後述するように、電子回路モジュール部品1、1aの製造工程において有利である。また、第1樹脂4の厚さ基板3と直交する方向の寸法は第2樹脂9の厚さよりも小さいので、図5に示す開口部5Haのように、第1樹脂4の一部のみを金属層5aの外部に露出させると、開口部5Haの高さhが小さくなる。その結果、金属層5aは電磁波をより効果的に遮蔽できる。また、開口部5H、5Haの長辺側の長さが同じであれば、第1樹脂4から浸入する水分の量も抑制できる。第1樹脂4の多孔質層41が有する空隙4Hは、例えば、第1樹脂4の基材となる樹脂にフィラーを添加して硬化させることにより、フィラー同士の隙間に樹脂が配合されて形成される。空隙率が5体積を下回ると、電子回路モジュール部品1、1a内で発生した気体が第1樹脂4内を移動する速度が低下するため、部品内圧の上昇を効率よく抑制できなくなるおそれがある。また、多孔質層41の空隙率が50体積を上回ると、多孔質層41の強度が低下し、割れ等を生じやすくなるおそれがある。したがって、多孔質層41の空隙率は5体積以上30体積以下がより好ましい。このようにすれば、第1樹脂4の強度を確保しつつ、二次実装における部品内圧の上昇を確実に抑制できる。なお、空隙率は、以下のようにして算出される。本実施形態及びその変形例においては、完成した電子回路モジュール部品1、1aを適切な位置で切断して、切断面をイオンミリングすることで樹脂ダレのない切断面を作製する。そして、前記切断面の任意の3箇所を走査型電子顕微鏡SEM、倍率は3000倍で写真撮影によって得られた画像は、空隙4Hのみが黒くなるように二値化処理され、得られた画像から、空隙の体積比として空隙率が算出される。本実施形態及びその変形例においては、前記写真撮影によって得られた画像の全面積に占める空隙の面積の割合を空隙の体積比とみなしている。上述したように応力緩和層42は、空隙4Hに樹脂成分9Mが埋め込まれることにより、第1樹脂4の多孔質層41よりも空隙率が低い。応力緩和層42の空隙率が1体積よりも小さくなると、応力緩和層42の熱膨張係数が第2樹脂2の熱膨張係数に対して差が小さくなり、応力低減効果が低減されてしまう。したがって、応力緩和層42の空隙率は、1体積以上5体積より小さいことがさらに好ましい。本実施形態に係る電子回路モジュール部品1、1aは、多孔質層41の空隙率を5体積以上30体積以下とし、応力緩和層42の空隙率を1体積以上5体積より小さいようにしている。そして、応力緩和層42は、空隙4Hに樹脂成分9Mが埋め込まれることにより、応力緩和層42の空隙率を調整している。応力緩和層42の空隙率を調整する別の形成方法として、本実施形態に係る電子回路モジュール部品1、1aは、多孔質層41の空隙率を5体積以上30体積以下であるように多孔質層41を形成し、次に応力緩和層42の空隙率を1体積以上5体積より小さくして応力緩和層42が多孔質層41を被覆するようにしてもよい。図10は、第1樹脂と電子部品との関係を示す図である。図1、図5に示すように、上述した電子回路モジュール部品1、1aは、第1樹脂4が電子部品2の頂部を覆っていたが、図10に示すように、第1樹脂4が電子部品2の頂部2Tを覆わないようにしてもよい。この場合、第1樹脂4が電子部品2の側部2Sの少なくとも一部に接するようにして、電子部品2の近傍から発生する気体の通路を確保する。このようにすると、電子部品2の頂部2Tには第2樹脂9が接することになり、頂部2Tと第2樹脂9との間に第1樹脂4は介在しない。その結果、電子部品2の頂部2Tの表面に第1樹脂4が存在しなくなる分、電子回路モジュール部品1、1aの高さを低減できるので、電子回路モジュール部品1、1aの低背化に有利である。第1樹脂4が電子部品2の頂部2Tを覆わないようにするためには、第1樹脂4で電子部品2を覆った後、吸収ローラー等を頂部2Tの上で転動させることによって、第1樹脂4を吸収ローラー等で除去する。図11、図12は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する開口部の配置例を示す平面図である。図8において、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形の電子回路モジュール部品1、1aは、四辺のうちの一辺に開口部5H、5Haを有していた。図11に示すように、電子回路モジュール部品1、1aは、四辺のうち二辺それぞれに開口部5H1、5H2を有し、残りの二辺に金属層5、5aを有していてもよい。開口部5H1、5H2はそれぞれ対向して配置される。また、図12に示す電子回路モジュール部品1、1aのように、四辺のうち三辺に開口部5H1、5H2、5H3を有し、残りの一辺に金属層5、5aを有していてもよい。開口部5H1、5H2はそれぞれ対向して配置され、開口部5H3は金属層5、5aと対向して配置される。開口部5H1、5H2、5H3は、図2に示すように、第1樹脂4の一部と第2樹脂9の一部との両方を金属層5、5aの外部に露出させていてもよいし、図6に示すように、第1樹脂4の一部のみを金属層5、5aの外部に露出させていてもよい。このように、本実施形態及びその変形例において、電子回路モジュール部品1、1aが有する開口部の数は1個に限定されるものではない。開口部の数が多くなれば、電子回路モジュール部品1、1aに内蔵された複数の電子部品2と開口部との距離差を小さくできるので、より効率的に電子回路モジュール部品1、1aで発生した気体を外部へ放出させることができる。その結果、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品1、1aの変形のおそれをさらに確実に回避できる。なお、開口部を増加させると、金属層5、5aの電磁波の遮蔽機能に影響を与えることもあるので、気体の抜けと前記遮蔽機能とのバランスで開口部の数や面積を設定することが好ましい。なお、電子回路モジュール部品1、1aは、一辺のみに開口部5H、5Haを有することが最も好ましい。このようにすれば、二次実装におけるリフロー時には部品内圧を確実に低下させて絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品1、1aの膨れを確実に抑制でき、さらに、金属層5、5aに電磁波の遮蔽機能を確実に発揮させることができる。しかし、電子回路モジュール部品1、1aが、二辺又は三辺に開口部5H、5Haを有することを排除するものではない。例えば、湿度の高い場所で電子回路モジュール部品1、1aを二次実装する場合、電子回路モジュール部品1、1aは内部に多くの水分が浸入していると考えられる。このような場合、電子回路モジュール部品1、1aは、二辺又は三辺に開口部5H、5Haを有するようにすることで、開口部5H、5Haは、二次実装におけるリフロー時には気体を効率的に放出できる。その結果、電子回路モジュール部品1、1aの内部に多くの水分が浸入しているような場合でも、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品1、1aの膨れを確実に抑制できる。図13は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する他の開口部の例を示す側面図である。この電子回路モジュール部品1bが有する開口部5Hbは、平面視が矩形の形状であり、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形である電子回路モジュール部品1bの一辺の一部に開口している。金属層5bの厚さをtとし、開口部5Hbが設けられる電子回路モジュール部品1bの一辺の長さをL1とし、開口部5Hbの長辺側の長さをL2とすると、L1>L22×tとなる。この構造により、金属層5bの電磁波の遮蔽機能をより有効に発揮させることができる。開口部5Hbは、図2に示すように、第1樹脂4の一部と第2樹脂9の一部との両方を金属層5bの外部に露出させていてもよいし、図13に示すように、第1樹脂4の一部のみを金属層5bの外部に露出させていてもよい。また、開口部5Hbは、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形である電子回路モジュール部品1bの他の辺に設けられていてもよいし、同じ辺に複数設けられていてもよい。なお、開口部5Hbの形状は矩形に限定されるものではない。開口部5Hbは、例えば、金属層5bの開口部5Hbを設けない部分をレジスト等でマスクして、開口部5Hbを設ける部分をエッチングすることにより形成される。次に、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を説明する。電子回路モジュール部品の製造方法図14は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。図15-1~図15-7は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。図16は、第2樹脂の樹脂成分の動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係を示す説明図である。図17は、電子部品を実装した基板を第1樹脂及び第2樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。まず、図1、図2に示す電子回路モジュール部品1を製造する例を説明する。ステップS1において、図15-1に示す基板3に電子部品2を実装する実装工程。基板3の内部には、グランド8が設けられる。電子部品2を実装した状態の基板3を、モジュール素体1Aという。モジュール素体1Aは、例えば、次のような手順で作製される。1基板3の実装面に設けられた端子にはんだ6を含むはんだペーストを印刷する。2実装装置マウンタを用いて電子部品2を基板3に搭載する。3電子部品2が搭載された基板3をリフロー炉に入れて前記はんだペーストを加熱することにより、前記はんだペーストのはんだ6が溶融し、その後硬化することにより電子部品2の端子と基板3の端子電極とが接合される。4電子部品2や基板3の表面に付着したフラックスを洗浄する。モジュール素体1Aが完成したら、ステップS2へ進み、図15-2に示すように、電子部品2が実装された基板3上、すなわち、モジュール素体1Aの電子部品2の少なくとも一部と接するように、基板3に第1樹脂4が設けられる。この例では、第1樹脂4で電子部品2及び基板3を覆う。第1樹脂4は、熱硬化性樹脂例えば、エポキシ樹脂であるが、これに限定されないにフィラー例えば、シリカやアルミナを添加し、これを硬化させたものである。第1樹脂4は、例えば、熱硬化性樹脂の溶液にフィラーを添加して作製した第1樹脂4の溶液を、ディップ法、ノズルコート法、カーテンコート法やスピンコート法等によってモジュール素体1Aの表面に塗布し塗布工程、熱硬化させる。このようにすることで、フィラー同士の隙間の一部に樹脂が配合されて空隙4Hが形成された第1樹脂4で電子部品2及び基板3が被覆される。第1樹脂4に含まれるフィラーは、球形状に近いものが好ましい。このようなフィラーを用いれば、第1樹脂4に含まれる空隙4Hの寸法、及び形状、及び分布を制御しやすいからである。しかし、フィラーの形状は、このようなものに限定されるものではない。第1樹脂4に含まれるフィラーは、平均直径D50を1μm以上10μm以下とすることが好ましく、2μm以上5μm以下とすることがより好ましい。また、全フィラーの粒度分布は、D50/D90-D10を0.2以上とすることが好ましい。このようにすれば、第1樹脂4内におけるフィラーや空隙4Hが均等に分散しやすくなる。なお、平均直径D50は複数のフィラーの直径を測定した場合において、積算値50の直径でありメジアン径、D90は積算値90の直径でありD10は積算値10の直径である。フィラーの粒度分布は、粒度分布計で測定した数平均値メジアン径D50と累積度数粒径の10に該当するD10と90に該当するD90とから規定した。フィラーの種類は、電子回路モジュール部品1が有する電子部品2や回路の電気的特性に影響を及ぼさないものであれば特に限定されるものではないが、第1樹脂4となる熱硬化性樹脂に対して分散性がよいものであることが好ましい。例えば、平均直径が1μmより小さいフィラーを使用すると、空隙の大きさが減少したり空隙へのフィラーの充填率が上昇したりすることにより、空隙率が小さくなる結果、部品内圧を抑制する作用が低減する。また平均直径が5μmより大きいフィラーを使用すると、モジュール素体1Aの表面に塗布する際の膜厚が厚くなり、電子回路モジュール1、1aの外形高さを大きくしなければならないおそれがある。さらに、平均直径が10μmより大きいフィラーを使用すると、形成された第1樹脂4の強度が低下し、クラックが発生しやすくなるおそれがある。第2樹脂9に含まれるフィラーは、小さい平均直径D50と大きい平均直径D50とを組み合わせてもよい。大きいフィラーの平均直径D50は、10μm以上30μm以下であることが好ましい。また、小さいフィラーの平均直径D50は、1μm以上5μm以下であることが好ましい。また、全フィラーの粒度分布は、D50/D90-D10を0.2以下とすることが好ましい。このように、平均直径の異なるフィラーを混合することによって、フィラー同士のパッキング状態の調整が可能になる。そして、適切な樹脂配合により、所望の空隙直径、空隙分布を実現しやすくなる。平均直径の異なるフィラーを用いる場合、すべて同じ種類のフィラーを用いてもよく、異なる種類組成のフィラーを用いてもよく、特に限定されるものではない。なお、第2樹脂9に含まれる全フィラーの粒度分布D50/D90-D10は、第1樹脂4に含まれる全フィラーの粒度分布D50/D90-D10よりも小さくすることが好ましい。これにより、第2樹脂9がフィラーを含む場合、第2樹脂9の空隙率は、第1樹脂4の空隙率よりも低くすることができる。ステップS2においては、モジュール素体1Aの表面に第1樹脂4の溶液が塗布されたら、所定の時間加熱して熱硬化性樹脂が硬化される。これによって、モジュール素体1Aの表面に第1樹脂4が設けられ、電子部品2の少なくとも一部と第1樹脂4とが接する。次に、ステップS2が終了したらステップS3に進み、図15-3に示すように、第1樹脂4が第2樹脂9で覆われる。第2樹脂9は、例えば、エポキシ樹脂である。本実施形態では、エポキシ樹脂のシート状材料を第1樹脂4の表面に載置する被覆工程。ステップS3が終了したらステップS4に進み、第2樹脂9を熱プレスすることにより、図15-4に示すように、第2樹脂9を硬化させる硬化工程。このような方法で、第2樹脂9で第1樹脂4の表面を封止する。ここで、第2樹脂9の樹脂成分は、図16に示すように、硬化温度における動的せん断粘度が異なる。また、図16に示すように、樹脂成分が異なる樹脂例1及び樹脂例2は、硬化温度にたいする動的せん断粘度の特性挙動が異なる。動的せん断粘度の特性挙動において、最低値が最低動的せん断粘度である。図16において、樹脂例1の最低動的せん断粘度は、12000Pasである。また、図16において、樹脂例2の最低動的せん断粘度は、1000Pasである。なお、動的せん断粘度は、JIS規格K7244-10にしたがって測定する値である。硬化工程ステップS4において、熱プレスの加熱及び圧力は、第2樹脂9の樹脂成分を第1樹脂4の空隙4Hへ浸透させることができる。そして、第2樹脂9の樹脂成分は、硬化温度における動的せん断粘度に応じて、第1樹脂4の空隙4Hへ浸透する距離が変化する。つまり、硬化温度における動的せん断粘度に応じて、応力緩和層42の厚みが変化する。後述する評価例のように、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、硬化工程の加熱温度において、第2樹脂9の樹脂成分9Mの最低動的せん断粘度が350Pas以上40000Pas以下となるようにする。これにより、硬化工程ステップS4では、上述した開口部5Hの応力緩和層42の最大値の厚みを10μm以上200μm以下にすることができる。その結果、電子部品2は、第1樹脂4を介して第2樹脂9によって封止され、第1樹脂4は、第2樹脂9の樹脂成分を含む応力緩和層42と、第2樹脂9の樹脂成分を含まない多孔質層41となる。この状態の基板3を、封止体1Bという。次に、ステップS5に進み、図15-5に示すように、封止体1Bの基板3が、電子回路モジュール部品1の単位以下、モジュール部品単位というUで、途中まで切断されるハーフダイシング。この場合、切断ラインC1の位置は、基板3の途中まで切断され、切断ラインC2の位置は、第2樹脂9の途中まで切断される。切断ラインC2の位置は、図1、図2に示す開口部5Hが設けられる部分である。すなわち、ステップS5においては、一つの電子回路モジュール部品1となる部分の周りの少なくとも一部を基板3の途中まで切断し、残りの部分を前記第2樹脂9の層の途中まで切断する。ハーフダイシングにおいて第2樹脂9の途中までしか切断されないので、第1樹脂4は切断されない。第1樹脂4の強度は第2樹脂9よりも低いので、ハーフダイシングにおいて第1樹脂4を切断しないことにより、第2樹脂9で第1樹脂4を保護することができる。その結果、第1樹脂4を無用に削ってしまうことを回避して、開口部5Hを確実に設けることができる。また、ハーフダイシングによって切断ラインC1の位置には第1樹脂4の一部が現れるが、第1樹脂4の空隙4Hによって表面積が増加するために金属層5と第1樹脂4との密着性が向上する。その結果、金属層5を形成する際には、第1樹脂4が現れた部分に形成される金属層5の保形効果が高くなるという利点もある。モジュール部品単位Uは、図15-5、図17に示す切断ラインC1、C2で区画される領域である。電子回路モジュール部品1が有する開口部5Hの高さh図2参照について説明する。開口部5Hの高さhが小さすぎると、ステップS5において第1樹脂4を削ってしまうおそれがあり、開口部5Hの高さhが大きすぎると、開口部5Hが大きくなりすぎて、金属層5の電磁波の遮蔽機能に影響を与えるおそれがある。かかる観点から、開口部5Hの高さhは、第1樹脂4の厚さよりも大きく、第1樹脂4の厚さの1倍以上5倍以下が好ましい。より好ましくは、開口部5Hの高さhは、第1樹脂4の厚さの2倍以上3倍以下である。開口部5Hの高さhがこの範囲であれば、ステップS5において第1樹脂4を削ることを回避して開口部5Hを確実に設けることができるので、二次実装におけるリフロー時には部品内圧を確実に低下させることができる。また、開口部5Hの高さhが前記範囲であれば、開口部5Hを適切な大きさとして、金属層5は電磁波の遮蔽機能を十分に発揮できる。ステップS5が終了したら、ステップS6に進む。ステップS6において、図15-6に示すように、ハーフダイシング後の封止体1Bの表面に金属層5が形成される。金属層5が形成された状態を、モジュール集合体1Cという。金属層5は、例えば、無電解めっきでCuの第1層を形成した後、電解めっきでCuの第2層を形成し、さらに防錆層としてNiの層を電解めっきで形成することにより得られる。図15-5に示すように、金属層5が形成される前は、基板3の側面3Sにグランド8が露出している。したがって、ステップS6で金属層5が形成されると、図15-6に示すように、金属層5とグランド8とが電気的に接続される。グランド8は、基板3の側面3Sにおいて、図17に示す、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形のモジュール部品単位Uの少なくとも一辺この例では三辺全体に露出する。このため、金属層5とグランド8との接続面積が大きくなり、両者の導通が確実に得られる。金属層5が形成されたら、ステップS7へ進み、モジュール集合体1Cは、モジュール部品単位Uで基板3まで完全に切断される。すなわち、切断ラインC1、C2で、基板3を切断する。その結果、図15-7に示す電子回路モジュール部品1が得られる。電子回路モジュール部品1は、ステップS8で検査されて、検査に合格したものが製品となる。上述した手順が、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の手順である。これらの手順によって、図15-7に示すような、電子部品2の少なくとも一部が第1樹脂4に接し、かつ第1樹脂4及び第2樹脂9が金属層5で被覆され、さらに開口部5Hに第1樹脂4の一部及び第2樹脂9の一部が露出した電子回路モジュール部品1を製造できる。図18-1~図18-3は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。本変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、図5、図6に示す電子回路モジュール部品1aを製造する際に用いられる。ステップS1~ステップS3までは、上述した、電子回路モジュール部品1を製造する方法と同様である。ステップS5において、図18-1に示すように、封止体1Bの基板3は、電子回路モジュール部品1aの単位以下、モジュール部品単位というUで、途中まで切断されるハーフダイシング。この場合、切断ラインC1の位置は、基板3の途中まで切断され、切断ラインC2の位置は、第1樹脂4の途中まで切断される。切断ラインC2の位置は、図5、図6に示す開口部5Haが設けられる位置である。すなわち、ステップS5においては、一つの電子回路モジュール部品1aとなる部分の周りの少なくとも一部を基板3の途中まで切断し、残りの部分を前記第1樹脂4の層の途中まで切断する。ハーフダイシングにおいて第1樹脂4を切断する量を調整することにより、開口部5Haの高さhが調整される。より基板3に近い部分まで第1樹脂4を切削すれば、開口部5Haの高さhを小さくできるので、金属層5aによる電磁波の遮蔽機能の低下を最小限に抑えることができる。電子回路モジュール部品1aが有する開口部5Haの高さh図6参照について説明する。開口部5Haの高さhが小さすぎると、ステップS5において基板3まで削ってしまい、開口部5Haを金属層5aに設けることができなくなるおそれがある。また、開口部5Haの高さhが大きすぎると、開口部5Haからは第2樹脂9の一部も露出してしまうおそれがある。かかる観点から、開口部5Haの高さhは、第1樹脂4の厚さよりも小さく、第1樹脂4の厚さの0.1倍以上0.9倍以下が好ましい。より好ましくは、開口部5Haの高さhは、第1樹脂4の厚さの0.3倍以上0.8倍以下である。開口部5Haの高さhがこの範囲であれば、ステップS5において基板3を削ることを回避して開口部5Haを確実に設けることができるので、二次実装におけるリフロー時には部品内圧を確実に低下させることができる。また、開口部5Haの高さhが前記範囲であれば、開口部5Haからは第1樹脂4の一部のみを露出させ、金属層5aに電磁波の遮蔽機能を十分に発揮させることができる。ステップS5が終了したら、ステップS6に進む。ステップS6において、図18-2に示すように、ハーフダイシング後の封止体1Bの表面に金属層5aを形成し、モジュール集合体1Cを作製する。金属層5aを形成する方法は上述した通りである。金属層5aが形成されたら、ステップS7へ進み、モジュール集合体1Cを、モジュール部品単位Uで基板3まで完全に切断する。その結果、図18-3に示す電子回路モジュール部品1aが得られる。電子回路モジュール部品1aは、ステップS8で検査されて、検査に合格したものが製品となる。上述した手順が、本変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の手順である。これらの手順によって、図18-2に示すような、電子部品2の少なくとも一部が第1樹脂4に接し、かつ第1樹脂4及び第2樹脂9が金属層5で被覆され、さらに開口部5Haに第1樹脂4の一部のみが露出した電子回路モジュール部品1aを製造できる。以上説明したように、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、最低動的せん断粘度となるような第2樹脂9の樹脂成分9Mとすれば、所定の応力緩和層の厚みd2とすることができる。このため、所定の応力緩和層の厚みd2を有する電子回路モジュール部品1は、応力緩和層42が第2樹脂9と多孔質層41との間で密着することで、第2樹脂9と多孔質層41との間で生じる熱膨張差を緩和し、多孔質層41のクラックを抑制することができる。また、所定の応力緩和層の厚みd2を有する電子回路モジュール部品1は、応力緩和層42が厚くなりすぎて応力緩和層42自体が多孔質層41に対して応力を加えるおそれを抑制することができる。評価例上述した本実施形態1に係る電子回路モジュール部品1の評価例1から評価例12を製造した。使用した基板3の大きさは、150mm×150mm×0.3mmである。評価例1から評価例12は、いずれも第1樹脂4に含まれるフィラーの平均直径D50を3μm、フィラーの粒度分布を0.6とした。多孔質層41の空隙率は25体積である。第2樹脂は、図16に示す動的せん断粘度の挙動を示す樹脂例1を用いた。評価例1から評価例12は、開口部5Hにおける第1樹脂層の厚みを10μm以上500μm以下とした。以下、応力緩和層の厚みとは、開口部5Hにおける応力緩和層42の最大値の厚みをいい、多孔質層の厚みとは開口部5Hにおける多孔質層41の最大値の厚みを測定した延長線上の多孔質の厚み、つまり第1樹脂4の厚みから応力緩和層42の最大値の厚みを減算した厚みをいう。評価例1は、応力緩和層の厚みを5μm、多孔質層の厚みを5μmとした。評価例2は、応力緩和層の厚みを10μm、多孔質層の厚みを0μmとした。つまり、評価例2は、第1樹脂層がすべて応力緩和層となってしまっている。同様に、評価例3は、応力緩和層の厚みを7μm、多孔質層の厚みを13μmとした。評価例4は、応力緩和層の厚みを10μm、多孔質層の厚みを10μmとした。評価例5は、応力緩和層の厚みを20μm、多孔質層の厚みを10μmとした。評価例6は、応力緩和層の厚みを20μm、多孔質層の厚みを130μmとした。評価例7は、応力緩和層の厚みを20μm、多孔質層の厚みを300μmとした。評価例8は、応力緩和層の厚みを20μm、多孔質層の厚みを400μmとした。評価例9は、応力緩和層の厚みを20μm、多孔質層の厚みを430μmとした。評価例10は、応力緩和層の厚みを200μm、多孔質層の厚みを250μmとした。評価例11は、応力緩和層の厚みを250μm、多孔質層の厚みを200μmとした。評価例12は、応力緩和層の厚みを20μm、多孔質層の厚みを480μmとした。吸水リフロー試験は、吸湿させた半導体パッケージを上述した電子部品2として基板3に実装した電子回路モジュール部品1の評価例1から評価例12を製造し、これらの評価例1から評価例12が搭載された実装基板10をリフロー炉に通炉して、多孔質層のクラックの有無と、電気的導通を確認してはんだ異常を確認する試験である。熱衝撃試験は、恒温内に評価例1から評価例12を格納し、評価例1から評価例12に対して-55°Cを30分の低温状態と、125°Cを30分の高温状態とを交互に1000サイクル繰り返し、多孔質層のクラックの有無を確認する試験である。個品切断処理試験は、上述したステップS5におけるハーフダイシングを評価例1から評価例12に対して行い多孔質層のクラックの有無を確認する試験である。評価例1から評価例12は、吸水リフロー試験、熱衝撃試験、個品切断処理試験を行い評価し、評価結果を表1に示した。表1に示すように、評価例1は、吸水リフロー試験及び熱衝撃試験において多孔質層のクラックが確認された。評価例2は、吸水リフロー試験において多孔質層のクラックが確認された。また、評価例1及び評価例2の評価結果によれば、吸水リフロー試験において多孔質層のクラックが確認される場合、はんだ異常が生じるおそれがあることが分かる。評価例3から評価例12は、吸水リフロー試験において多孔質層のクラックが確認されなかった。評価例3及び評価例11は、熱衝撃試験において多孔質層のクラックが確認された。以上の評価結果から、熱衝撃試験において応力緩和層の厚みが10μmよりも薄い場合、多孔質層のクラックが生じるおそれがあることが分かる。これは、応力緩和層の厚みが薄い場合、応力緩和層が第2樹脂と多孔質層との間で密着する力が弱く、熱膨張差の応力を緩和できないおそれがあると考えられる。また、熱衝撃試験において応力緩和層の厚みが200μmよりも厚い場合、多孔質層のクラックが生じるおそれがあることが分かる。これは、応力緩和層と多孔質層との間にも熱膨張係数の違いがあるため、応力緩和層の厚みが厚い場合、応力緩和層自体が多孔質層に対して応力を加えるおそれがあるためと考えられる。また、評価例2は、応力緩和層の厚みが10μmあり、熱衝撃試験による熱衝撃の応力を緩和することができた。しかしながら、第2樹脂の樹脂成分を含む応力緩和層は、多孔質層に比較して、空隙率が低い。このため、応力緩和層は、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を多孔質層に比較して排出することができず、吸水リフロー試験において多孔質層のクラックが生じたと考えられる。つまり、応力緩和層及び多孔質層の両層があることにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を排出することができ、熱膨張係数差の応力を緩和することができる。また、吸水リフロー試験において評価例1から評価例5の評価結果によれば、多孔質層の厚みは、10μm以上あることが好ましい。また、表1によれば、評価例9及び評価例12は、個品切断処理試験において多孔質層のクラックが確認された。多孔質層の厚みは、400μmを超えるとダイシング時の負荷により多孔質層のクラックが生じるおそれがあると考えられる。次に、上述した本実施形態1に係る電子回路モジュール部品1の第1樹脂層の厚みを400μm、第2樹脂層の厚みを700μmとした追加評価例を作成した。図16に示す動的せん断粘度の異なる第2樹脂の樹脂成分を複数用意し、動的せん断粘度の最低値である最低動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係を評価した。評価結果を図19及び表2に示す。図19は、第2樹脂の樹脂成分の最低動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係を示す説明図である。図19及び表2に示すように、追加評価例は最低動的せん断粘度と応力緩和層の厚みとの関係に相関があることを示している。上述した評価例1から評価例12によれば、開口部5Hにおける応力緩和層42の最大値の厚みは、10μm以上200μm以下であることが好ましい。このような応力緩和層とするには、上述した硬化工程ステップS4の加熱温度において、第2樹脂の樹脂成分の最低動的せん断粘度が350Pas以上40000Pas以下となるようにする。つまり、電子回路モジュール部品の製造方法は、最低動的せん断粘度となるような第2樹脂の樹脂成分とすれば、所定の応力緩和層の厚みとすることができる。