"アシクロデキストリン骨格と酸分解性基を有する化合物A、及び活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物Bを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ露光した前記膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。前記現像液における有機溶剤の含有率が、前記現像液の全量に対して90質量以上100質量以下である、請求項1に記載のパターン形成方法。化合物Aが、下記一般式1で表されることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。一般式1において、R1はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アシル基又は下記一般式2で表される酸分解性基である。但し、R1のうち少なくとも1つが下記一般式2で表される酸分解性基である。nは6、7または8である。一般式2において、Lは単結合又は2価の連結基を表す。但し、2価の連結基はフッ素原子を含まない。R2、R3、R4はそれぞれ独立に1価の有機基を表し、R2、R3、R4のうちいずれか2つが結合し、環を形成していてもよい。は結合手を表す。前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、酸分解性基を備えた樹脂を更に含有する、請求項1~3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、プロトンアクセプター性官能基を有し、且つ、活性光線又は放射線の照射により分解して、プロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物PAを更に含有する、請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含む疎水性樹脂を更に含有する、請求項1~5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液である、請求項1~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。更に、エ有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。請求項9に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成される感活性光線性又は感放射線性膜。本発明は、ラフネス性能、露光ラチチュード、耐膜減り性能及びパターン寸法の面内均一性に優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び感活性光線性又は感放射線性膜を提供することを課題とする。本発明は、例えば、以下の通りである。[1]アシクロデキストリン骨格と酸分解性基を有する化合物A、及び活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物Bを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ露光した前記膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。[2]前記現像液における有機溶剤の含有率が、前記現像液の全量に対して90質量以上100質量以下である、[1]に記載のパターン形成方法。[3]化合物Aが、下記一般式1で表されることを特徴とする[1]又は[2]に記載のパターン形成方法。一般式1において、R1はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アシル基又は下記一般式2で表される酸分解性基である。但し、R1のうち少なくとも1つが下記一般式2で表される酸分解性基である。nは6、7または8である。一般式2において、Lは単結合又は2価の連結基を表す。但し、2価の連結基はフッ素原子を含まない。R2、R3、R4はそれぞれ独立に1価の有機基を表し、R2、R3、R4のうちいずれか2つが結合し、環を形成していてもよい。は結合手を表す。[4]前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、酸分解性基を備えた樹脂を更に含有する、[1]~[3]のいずれか1項に記載のパターン形成方法。[5]前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、プロトンアクセプター性官能基を有し、且つ、活性光線又は放射線の照射により分解して、プロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物PAを更に含有する、[1]~[4]のいずれか1項に記載のパターン形成方法。[6]前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含む疎水性樹脂を更に含有する、[1]~[5]のいずれか1項に記載のパターン形成方法。[7]前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液である、[1]~[6]のいずれか1項に記載のパターン形成方法。[8]更に、エ有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、[1]~[7]のいずれか1項に記載のパターン形成方法。[9][1]~[8]のいずれか1項に記載のパターン形成方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。[10][9]に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成される感活性光線性又は感放射線性膜。本発明によれば、ラフネス性能、露光ラチチュード、耐膜減り性能及びパターン寸法の面内均一性に優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び感活性光線性又は感放射線性膜を提供することが可能となる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。本明細書中における活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線、電子線EB等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。また、本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。また、感活性光線性又は感放射線性膜は、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって形成される膜であり、例えば、基材に、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布することにより形成される膜である。本発明のパターン形成方法は、以下に説明する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、得られた膜を露光する工程、及び、露光した膜を有機溶剤を含む現像液を用いてネガ型のパターンを形成する工程を含む。まず、本発明のパターン形成方法において用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物以下、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物又は本発明の組成物ともいうについて詳細に説明する。1感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、シクロデキストリン骨格と酸分解性基を有する化合物A、及び、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物Bを含有する。本発明の組成物は、一態様において、酸分解性基を備えた樹脂Pを更に含有することが好ましい。また、本発明の組成物は、溶剤、疎水性樹脂HR、塩基性化合物C、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物D、プロトンアクセプター性官能基を有し、且つ、活性光線又は放射線の照射により分解して、プロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物PA、界面活性剤、及び、その他の添加剤の少なくとも1つを更に含んでいてもよい。以下、これら各成分について、順に説明する。シクロデキストリン骨格と酸分解性基を有する化合物A本発明の組成物に含有される化合物Aは、シクロデキストリン骨格と酸分解性基を有する化合物である。高精細な微細パターンを安定的に形成するために、フォトレジストのメイン素材であるポリマーは、分子量を低くし、分子量分布を狭くしてきた。その理由は、一般的にポリマーは分子量が大きいほど粒子サイズ、慣性半径が大きく、パターンサイズが大きい場合はそのばらつきは目立ちにくいが、パターンサイズが小さくなるとポリマーのばらつきがパターンのばらつきに影響を及ぼす。一般的なポリマーは、高次構造を制御しておらず、ランダムな状態で存在しており、また極性変換等の機能をすでに付与されたポリマーにさらに高次構造を制御することは実用的に困難である。一方、シクロデキストリン、カリックスアレーン、レゾルシナレン等の環状化合物は、あらかじめ環状構造を有しており、分子量を1000程度に調整でき、さらに酸分解性基を導入可能な水酸基を有している。本発明者らは、低分子量のポリマーの欠点であるランダムな構造、分子量分布等の欠点を補える化合物としてシクロデキストリン化合物に着目した。本発明のパターン形成方法では、特に好ましい一態様としてArF露光を用いる。そのため波長である193nmは、光酸発生剤に優先的に吸収させたいため、193nmに大きな吸収帯を持つカリックスアレーン、レゾルシナレンは不適当であり、シクロデキストリン骨格を有する化合物に酸分解性付与させてなる化合物Aを用いるにいたった。化合物Aが備える酸分解性基とは、酸の作用により分解し、極性基を生じる基である。極性基を生じると、有機溶剤を含む現像液との親和性が低くなり、不溶化又は難溶化ネガ化が進行する。酸分解性基は、極性基が酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。極性基としては、有機溶剤を含む現像液中で不溶化する基であれば特に限定されないが、好ましくは、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホン酸基等の酸性基従来レジストの現像液として用いられている、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらの基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01、R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。化合物Aは、構造が異なる2種以上の化合物の混合物であってもよく、その平均分子量は1万以下であることが好ましく、8000以下であることがより好ましく、6000以下であることが更に好ましい。化合物Aの平均分子量は、1H-NMRを用い、シクロデキストリン骨格のプロトンと置換基のプロトンの積分値の比から求められる組成を元に算出することが出来る。化合物Aは、一態様において、下記一般式1で表される化合物である。一般式1において、R1はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アシル基又は酸分解性基である。但し、R1のうち少なくとも1つが酸分解性基である。nは6、7または8である。一般式1において、R1により表される酸分解性基は、例えば上述したような酸分解性基であり、また、CN、フルオロアルキル基例えば、CF3等の電子求引性基を含んでいることが好ましい。本発明の一態様において、一般式1中のR1により表される酸分解性基は、下記一般式2で表されることが好ましい。一般式2において、Lは単結合又は2価の連結基を表す。但し、2価の連結基はフッ素原子を含まない。R2、R3、R4はそれぞれ独立に1価の有機基を表し、R2、R3、R4のうちいずれか2つが結合し、環を形成していてもよい。は結合手を表す。一般式1及び2について詳細に説明する。一般式1におけるR1で表されるアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~10の直鎖および分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ドデシル基、n-テトラデシル基、n-オクタデシル基などの直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、t-ブチル基、ネオペンチル基、2-エチルヘキシル基などの分岐アルキル基を挙げることができる。より好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基である。R1で表されるアシル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~10のアシル基であり、例えばホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、パレリル基等を挙げることができる。上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~10、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~20、アミノアシル基好ましくは炭素数2~10などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~10を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~10を挙げることができる。nは、6~8の整数を表す。nが6、7、8の化合物は、それぞれα-、β-、γ-シクロデキストリンである。一般式2においてLで表される2価の連結基としては、例えば、置換基を有していてもよいアルキレン基、-S-、又はこれらの組み合わせが挙げられる。アルキレン基が有し得る置換基としては、例えば、CN等の電子吸引性基が挙げられる。R2、R3、R4により表される1価の有機基としては、例えば、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環等が挙げられる。R2、R3及びR4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R2、R3及びR4のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。R2、R3及びR4のうちいずれか2つが結合して形成される環としては、シクロアルキル基が好ましい。このシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が挙げられる。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。本発明の一態様において、R2がメチル基又はエチル基であり、R3及びR4が結合して上述のシクロアルキル基を形成している形態が好ましい。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、シクロアルキル基炭素数3~15、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。一般式1で表される化合物Aにおいて、R1で表される基の総数に対する一般式2で表される酸分解性基の割合以下において、置換率ともいうは、20~100が好ましく、30~90がより好ましい。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物における化合物Aの含有率は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは10~90質量であり、より好ましくは30~70質量である。化合物Aの具体例を以下に示す。下記具体例において、酸分解性基以外のR1は水素原子である。活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物B本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物以下、酸発生剤又は化合物Bともいうを含有する。酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。酸発生剤としては、例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、例えば、米国特許第3,849,137号明細書、独国特許第3914407号明細書、特開昭63-26653号公報、特開昭55-164824号公報、特開昭62-69263号公報、特開昭63-146038号公報、特開昭63-163452号公報、特開昭62-153853号公報、特開昭63-146029号公報等に記載の化合物を用いることができる。さらに米国特許第3779778号明細書、欧州特許第126712号明細書等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表す。Z-としては、例えば、先に一般式1-1におけるY-について説明したのと同様のものを挙げることができる。Z-とY-とは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。但し、B成分とC成分との塩交換反応を抑制する観点から、前者の構成を採用することが好ましい。R201、R202及びR203としての有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3又はZI-4における対応する基を挙げることができる。尚、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3及びZI-4を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基SoftwareV814forSolaris。化合物PAは、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する上記プロトン付加体として、例えば、下記一般式PA-1で表される化合物を発生する。一般式PA-1で表される化合物は、プロトンアクセプター性官能基とともに酸性基を有することにより、化合物PAに比べてプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物である。一般式PA-1中、Qは、-SO3H、-CO2H、又は-W1NHW2Rfを表す。ここで、Rfは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、W1及びW2は、各々独立に、-SO2-又は-CO-を表す。Aは、単結合又は2価の連結基を表す。Xは、-SO2-又は-CO-を表す。nは、0又は1を表す。Bは、単結合、酸素原子、又は-NRxRy-を表す。ここで、Rxは水素原子又は1価の有機基を表し、Ryは単結合又は2価の有機基を表す。Rxは、Ryと結合して環を形成していてもよく、Rと結合して環を形成していてもよい。Rは、プロトンアクセプター性官能基を有する1価の有機基を表す。一般式PA-1について更に詳細に説明する。Aにおける2価の連結基としては、好ましくは炭素数2~12の2価の連結基であり、例えば、アルキレン基、フェニレン基等が挙げられる。より好ましくは少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2~6、より好ましくは炭素数2~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、特に水素原子数の30~100がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、Q部位と結合した炭素原子がフッ素原子を有することがより好ましい。更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、パーフロロエチレン基、パーフロロプロピレン基、パーフロロブチレン基がより好ましい。Rxにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数1~30であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。これら基は更に置換基を有していてもよい。Rxにおけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~20の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。Ryにおける2価の有機基としては、好ましくはアルキレン基を挙げることができる。RxとRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、窒素原子を含む5~10員の環、特に好ましくは6員の環が挙げられる。なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基にシクロアルキル基が置換した基例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基などを挙げることができる。Rxにおけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。Rxにおけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基である。Rxにおけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7~20のアラルキル基が挙げられる。Rxにおけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、例えば、Rxとして挙げたアルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。Rにおけるプロトンアクセプター性官能基とは、上記の通りであり、アザクラウンエーテル、1~3級アミン、ピリジンやイミダゾールといった窒素を含む複素環式芳香族構造などを有する基が挙げられる。このような構造を有する有機基として、好ましい炭素数は4~30であり、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。Rにおけるプロトンアクセプター性官能基又はアンモニウム基を含むアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基に於けるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は、前記Rxとして挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基と同様のものである。上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~10、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~20、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造、及びアミノアシル基については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~20を挙げることができる。Bが-NRxRy-の時、RとRxが互いに結合して環を形成していることが好ましい。環構造を形成することによって、安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。環を形成する炭素数は4~20が好ましく、単環式でも多環式でもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでいてもよい。単環式構造としては、窒素原子を含む4員環、5員環、6員環、7員環、8員環等を挙げることができる。多環式構造としては、2又は3以上の単環式構造の組み合わせから成る構造を挙げることができる。単環式構造、多環式構造は、置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~15、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~15、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~15、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20などが好ましい。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。Qにより表される-X1NHX2RfにおけるRfとして、好ましくは炭素数1~6のフッ素原子を有してもよいアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数1~6のパーフルオロアルキル基である。また、X1及びX2としては、少なくとも一方が-SO2-であることが好ましく、より好ましくはX1及びX2の両方が-SO2-である場合である。Qは、酸基の親水性の観点から、-SO3H又は-CO2Hであることが特に好ましい。一般式PA-1で表される化合物の内、Q部位がスルホン酸である化合物は、一般的なスルホンアミド化反応を用いることで合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的にアミン化合物と反応させて、スルホンアミド結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物をアミン化合物と反応させ開環させる方法により得ることができる。化合物PAは、イオン性化合物であることが好ましい。プロトンアクセプター性官能基はアニオン部、カチオン部のいずれに含まれていてもよいが、アニオン部位に含まれていることが好ましい。化合物PAとして、好ましくは下記一般式4~6で表される化合物が挙げられる。一般式4~6において、A、X、n、B、R、Rf、X1及びX2は、一般式PA-1における各々と同義である。Cはカウンターカチオンを示す。カウンターカチオンとしては、オニウムカチオンが好ましい。より詳しくは、上述した酸発生剤における一般式ZIにおけるSR201R202R203として説明されているスルホニウムカチオン、一般式ZIIにおけるIR204R205として説明されているヨードニウムカチオンが好ましい例として挙げられる。以下、化合物PAの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。また、本発明においては、一般式PA-1で表される化合物を発生する化合物以外の化合物PAも適宜選択可能である。例えば、イオン性化合物であって、カチオン部にプロトンアクセプター部位を有する化合物を用いてもよい。より具体的には、下記一般式7で表される化合物などが挙げられる。式中、Aは硫黄原子又はヨウ素原子を表す。mは1又は2を表し、nは1又は2を表す。但し、Aが硫黄原子の時、mn=3、Aがヨウ素原子の時、mn=2である。Rは、アリール基を表す。RNは、プロトンアクセプター性官能基で置換されたアリール基を表す。X-は、対アニオンを表す。X-の具体例としては、後述する一般式ZIにおけるZと同様のものが挙げられる。RおよびRNのアリール基の具体例としては、フェニル基が好ましく挙げられる。RNが有するプロトンアクセプター性官能基の具体例としては、前述の式PA-1で説明したプロトンアクセプター性官能基と同様である。以下に、カチオン部にプロトンアクセプター部位を有するイオン性化合物の具体例を示す。なお、このような化合物は、例えば、特開2007―230913号公報及び特開2009―122623号公報などに記載の方法を参考にして合成できる。化合物PAは、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。化合物PAの含有率は、組成物の全固形分を基準として、0.1~10質量が好ましく、1~8質量がより好ましい。界面活性剤本発明の組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。これらに該当する界面活性剤としては、大日本インキ化学工業株製のメガファックF176、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル株製のトロイゾルS-366、住友スリーエム製のフロラードFC430、信越化学工業株製のポリシロキサンポリマーKP-341などが挙げられる。また、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類などが挙げられる。その他、公知の界面活性剤が適宜使用可能である。使用可能な界面活性剤としては、例えば、US20080248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。界面活性剤は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。界面活性剤の使用量は、組成物の全固形分に対し、好ましくは0~2質量、さらに好ましくは0.0001~2質量、特に好ましくは0.0005~1質量である。その他の成分本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸オニウム塩、ProceedingofSPIE2724355等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤などを適宜含有することができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分濃度は、通常1.0~10質量であり、好ましくは、2.0~5.7質量、更に好ましくは2.0~5.3質量である。固形分濃度を前記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更にはLWRに優れたレジストパターンを形成することが可能になる。その理由は明らかではないが、恐らく、固形分濃度を10質量以下、好ましくは5.7質量以下とすることで、レジスト溶液中での素材、特には光酸発生剤の凝集が抑制され、その結果として、均一なレジスト膜が形成できたものと考えられる。固形分濃度とは、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の総質量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の質量の質量百分率である。2パターン形成方法本発明のパターン形成方法は、上述したように、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、得られた膜を露光する工程、及び、露光した膜を有機溶剤を含む現像液を用いてネガ型のパターンを形成する工程を含む。本発明のパターン形成方法は、更に、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。また、本発明の組成物に含まれる上記樹脂Pは、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂であり、本発明のパターン形成方法は、更に、アルカリ現像液を用いて現像する工程を含んでいてもよい。また、本発明のパターン形成方法は、製膜後、露光工程の前に、前加熱PB;Prebake工程を含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱PEB;PostExposureBake工程を含むことも好ましい。加熱温度は、PB工程及びPEB工程共に、40~130°Cで行うことが好ましく、50~120°Cで行うことがより好ましく、60~110°Cで行うことが更に好ましい。特に、PEB工程を60~90°Cの低温で行った場合、露光ラチチュードEL及び解像力を顕著に向上させることができる。また、加熱時間は、30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。本発明に係るパターン形成方法において、組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、加熱工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。上記の露光に用いられる光源の波長に制限は無いが、例えば、KrFエキシマレーザー波長248nm、ArFエキシマレーザー波長193nm、及び、F2エキシマレーザー波長157nmが挙げられる。本発明に係る組成物を用いて形成した膜に対しては、液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を更に向上させることができる。用いる液浸媒体としては、空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが、好ましくは純水である。この場合、上述した疎水性樹脂を組成物に予め添加しておいてもよく、膜を形成した後、その上に液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。なお、トップコートに求められる性能及びその使用法などについては、シーエムシー出版液浸リソグラフィのプロセスと材料の第7章に解説されている。トップコートは、波長193nmのレーザーに対する透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、例えば、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、及びフッ素含有ポリマーが挙げられる。上述した疎水性樹脂は、トップコートとしても好適なものである。また、市販のトップコート材料も適宜使用可能である。露光後にトップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、現像液により剥離できることが好ましい。本発明において膜を形成する基板には、特に制限はない。この基板としては、IC等の半導体製造工程、液晶及びサーマルヘッド等の回路基板の製造工程、並びにその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。このような基板としては、例えば、シリコン、SiN及びSiO2等の無機基板、並びに、SOG等の塗布系無機基板が挙げられる。更に、必要に応じて、膜と基板との間に、有機反射防止膜を形成させてもよい。有機溶剤を含んだ現像液としては、例えば、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤、並びに、炭化水素系溶剤を含んだ現像液が挙げられる。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、及びプロピレンカーボネートが挙げられる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸n-ペンチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルー3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、プロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチルMMP、プロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチルEEP、及び、プロピオン酸プロピルが挙げられる。特には、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル及び酢酸アミル等の酢酸アルキルエステル又はプロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、及びプロピオン酸プロピルなどのプロピオン酸アルキルエステルが好ましい。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール及びn-デカノール等のアルコール;エチレングリコール、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコール等のグリコール;並びに、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びメトキシメチルブタノール等のグリコールエーテルが挙げられる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記のグリコールエーテルの他、ジオキサン、テトラヒドロフラン及びアニソールが挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、及び1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノンが挙げられる。炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン及びアニソール等の芳香族炭化水素系溶剤、並びに、ペンタン、ヘキサン、オクタン及びデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。上記の溶剤は、2種類以上を混合して用いてもよい。また、十分な性能を発揮できる範囲内で、上記以外の溶剤及び/又は水と混合して用いてもよい。但し、現像液全体としての含水率が10質量未満であることが好ましく、現像液が実質的に水分を含有しないことがより好ましい。即ち、この現像液は、実質的に有機溶剤のみからなる現像液であることが好ましい。なお、この場合であっても、現像液は、後述する界面活性剤を含み得る。また、この場合、現像液は、雰囲気由来の不可避的不純物を含んでいてもよい。現像液に対する有機溶剤の含有率は、現像液の全量に対して、80質量以上100質量以下であることが好ましく、90質量以上100質量以下であることがより好ましく、95質量以上100質量以下であることが更に好ましい。現像液が含んでいる有機溶剤は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1つであることが好ましい。現像液が含んでいる有機溶剤は、エステル系溶剤であることが特に好ましい。有機溶剤を含んだ現像液の蒸気圧は、20°Cに於いて、5kPa以下であることが好ましく、3kPa以下であることが更に好ましく、2kPa以下であることが特に好ましい。現像液の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、基板上又は現像カップ内での現像液の蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果として、ウェハ面内の寸法均一性が向上する。5kPa以下の蒸気圧を有する現像液の具体例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン及びメチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤;酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル及び乳酸プロピル等のエステル系溶剤;n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、及びn-デカノール等のアルコール系溶剤;エチレングリコール、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコール等のグリコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びメトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤;テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド及びN,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶剤;トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素系溶剤;並びに、オクタン及びデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。2kPa以下の蒸気圧を有する現像液の具体例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン及びフェニルアセトン等のケトン系溶剤;酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル及び乳酸プロピル等のエステル系溶剤;n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール及びn-デカノール等のアルコール系溶剤;エチレングリコール、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコール等のグリコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びメトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド及びN,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤;キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤;並びに、オクタン及びデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。現像液には、必要に応じて、界面活性剤を適当量添加することができる。この界面活性剤に特に制限はないが、例えば、イオン性又は非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を用いることができる。これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば、特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができる。この界面活性剤は、非イオン性であることが好ましい。非イオン性の界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることが更に好ましい。なお、界面活性剤の使用量は、現像液の全量に対して、通常は0.001~5質量であり、好ましくは0.005~2質量であり、更に好ましくは0.01~0.5質量である。現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、及び、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法が挙げられる。上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧吐出される現像液の単位面積あたりの流速は、好ましくは2mL/sec/mm2以下であり、より好ましくは1.5mL/sec/mm2以下であり、さらに好ましくは1mL/sec/mm2以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると、0.2mL/sec/mm2以上であることが好ましい。吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜及び/又はレジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。なお、現像液の吐出圧mL/sec/mm2は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法、及び、加圧タンクからの供給で圧力を調整することでを変える方法が挙げられる。また、現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。本発明に係るパターン形成方法は、上記の現像工程の後に、リンス工程有機溶剤を含んだリンス液を用いて膜を洗浄する工程を含んでいることが好ましい。リンス工程に用いるリンス液としては、現像後のパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含んだ溶液を使用することができる。リンス液としては、例えば、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含んだものが挙げられる。このリンス液は、より好ましくは、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含んだものであり、更に好ましくは、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含んだものである。このリンス液は、1価アルコールを含んでいることがより好ましく、炭素数5以上の1価アルコールを含んでいることが更に好ましい。これら1価アルコールは、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよく、環状であってもよい。これら1価アルコールとしては、例えば、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、4-メチルー2-ペンタノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、シクロペンタノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、及び4-オクタノールが挙げられる。炭素数5以上の1価アルコールとしては、例えば、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ペンタノール、及び3-メチル-1-ブタノールが挙げられる。上記の各成分は、2種類以上を混合して使用してもよく、上記以外の有機溶剤と混合して使用してもよい。リンス液の含水率は、10質量未満であることが好ましく、5質量未満であることが好ましく、3質量未満であることが更に好ましい。即ち、リンス液に対する有機溶剤の使用量は、リンス液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることがより好ましく、97質量以上100質量以下であることが特に好ましい。リンス液の含水率を10質量未満にすることにより、更に良好な現像特性を達成し得る。リンス液の蒸気圧は、20°Cに於いて、0.05kPa以上且つ5kPa以下であることが好ましく、0.1kPa以上且つ5kPa以下であることがより好ましく、0.12kPa以上且つ3kPa以下であることが更に好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上且つ5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上すると共に、リンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。なお、リンス液には、界面活性剤を適当量添加してもよい。リンス工程においては、現像を行ったウェハを、上記のリンス液を用いて洗浄する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、及び、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法が挙げられる。この中でも、回転塗布法で洗浄処理を行った後、基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。本発明に係るパターン形成方法は、有機溶剤を含んだ現像液による現像工程に加えて、アルカリ現像液を用いた現像工程ポジ型パターンの形成工程を含んでいてもよい。アルカリ現像液を用いた現像工程と、有機溶剤を含んだ現像液を用いた現像工程との順序に特に制限はないが、アルカリ現像液を用いた現像を有機溶剤を含んだ現像液を用いた現像の前に行うことがより好ましい。また、各現像工程の前に、加熱工程を伴うことが好ましい。アルカリ現像液の種類は特に限定されないが、通常は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液が用いられる。アルカリ現像液には、アルコール類及び/又は界面活性剤を適当量添加してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。アルカリ現像液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38質量水溶液を用いることが特に好ましい。アルカリ現像液を用いた現像の後にリンス処理を行う場合、リンス液としては、典型的には純水を使用する。このリンス液には、界面活性剤を適当量添加してもよい。以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。1<シクロデキストリン化合物A>化合物A-9の合成例300ml三つ口フラスコに、β―シクロデキストリン22.7g0.02mol、炭酸セシウム0.22g1mmol、テトラブチルアンモニウムブロマイド4.6g2mmolとジメチルスルホキシド110mlを加え室温で6時間攪拌し、t-ブチル-α-トリフルオロメチルアクリレート28g0.14molを滴下した後、25°Cにて12時間攪拌した。反応液をテトラヒロドフラン220mlで希釈した後、2.5質量クエン酸水溶液1Lへ注ぎ、析出した固体をろ別した。得られた固体を、テトラヒドロフラン50mlに再溶解させた後、ヘキサン200mlへ注ぎ析出した固体をろ別した後、60°C、24時間減圧乾燥することで化合物A-9を36.5g収率73で得た。β-シクロデキストリンのヒドロキシル基の置換率は、1H-NMRより修飾基由来のメチレンピークとβ―シクロデキストリンのアセタールピークの比率より算出した。また、平均分子量はβ-シクロデキストリンのヒドロキシル基の置換率をもとに算出している。化合物A-9の合成方法と同様の方法により、上掲の化合物A-1、A-2、A-6、A-7、A-10、A-11、A-13、A-15、A-16を合成した。<酸分解性樹脂P>樹脂P-6の合成例窒素気流下、シクロヘキサノン200gを3つ口フラスコに入れ、これを80°Cに加熱した。このようにして、溶剤1を得た。次に、下記monomer-144.5g及びmonomer-256.8gを、シクロヘキサノン373gに溶解させ、モノマー溶液を調製した。更に、重合開始剤V-601和光純薬工業製を、モノマーの合計量に対し6.6molを加え、溶解させた溶液を、上記溶剤1に対して6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に80°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後、ヘプタン7736g/酢酸エチル859gの混合溶媒に滴下し、析出した粉体をろ取及び乾燥して、72gの樹脂P-6を得た。得られた樹脂P-6の重量平均分子量Mwは9200であり、分散度Mw/Mnは1.78であり、13C-NMRにより測定した組成比は40/60であった。樹脂P-6の合成方法と同様の方法により、樹脂P-1~P-5、P-7~P-9を合成した。合成したポリマー構造を、重量平均分子量Mwと分散度Mw/Mnと共に以下に記す。<酸発生剤>酸発生剤としては、以下の化合物を用いた。<塩基性化合物C、低分子化合物D、化合物PA>塩基性化合物C、低分子化合物D、化合物PAとして、以下の化合物を用いた。<疎水性樹脂HR>疎水性樹脂HRとしては、先に挙げた樹脂HR-1~HR-80から、適宜選択して用いた。<界面活性剤>界面活性剤として、以下のものを準備した。W-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製;フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製;フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製;シリコン系W-4:KH-20旭硝子株製nc.製;フッ素系<溶剤>溶剤として、以下のものを準備した。a群SL-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAb群SL-2:乳酸エチルSL-3:プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMESL-4:シクロヘキサノン<現像液>現像液として、以下のものを準備した。SG-1:酢酸ブチルSG-2:エチル-3-エトキシプロピオネート<リンス液>リンス液として、以下のものを用いた。SR-1:4-メチル-2-ペンタノール<ArFドライ露光>レジスト調製下記表3に示す成分を同表に示す溶剤に固形分で3.8質量溶解させ、それぞれを0.1μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物レジスト組成物を調製した。シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。その上に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布し、100°Cで60秒間に亘ってベークPB:Prebakeを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたレジスト膜に対し、ArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、アウターシグマ0.89、インナーシグマ0.65を用いて、パターン露光を行った。なお、レクチルとしては、ラインサイズ=75nmであり且つライン:スペース=1:1である6ハーフトーンマスクを用いた。その後、105°Cで60秒間加熱PEB:PostExposureBakeした。次いで、下記表に記載の有機溶剤系現像液で30秒間パドルして現像し、下記表に記載のリンス液で30秒間パドルしてリンスした。続いて、4000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させることにより、線幅75nm1:1のラインアンドスペースパターンを得た。露光ラチチュードEL線幅が75nmのラインアンドスペースライン:スペース=1:1のマスクパターンを再現する露光量を求め、これを最適露光量Eoptとした。次いで線幅が目的の値である75nmの±10即ち、67.5nm及び82.5nmとなるときの露光量を求めた。そして、次式で定義される露光ラチチュードELを算出した。ELの値が大きいほど、露光量変化による性能変化が小さい。[EL]=[線幅が82.5nmとなる露光量-線幅が67.5nmとなる露光量]/EoptラインウィズスラフネスLWRnm露光ラチチュード評価における最適露光量にて解像した75nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンの観測において、測長走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9380IIにてパターン上部から観察する際、線幅を任意のポイントで観測し、その測定ばらつきを3σで評価した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。これらの評価結果を、下記表3に示す。表3に示す結果から明らかなように、実施例1~20は、比較例1~4に比べ、LWRが小さく、ELが大きく、LWR及びELのいずれにも優れることがわかる。<ArF液浸露光>レジスト調製下記表4に示す成分を同表に示す溶剤に固形分で3.8質量溶解させ、それぞれを0.03μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物レジスト組成物を調製した。シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚95nmの反射防止膜を形成した。その上に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布し、100°Cで60秒間に亘ってベークPB:Prebakeを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製;XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.900、インナーシグマ0.812、XY偏向を用い、ホール部分が60nmであり且つホール間のピッチが90nmである正方配列のハーフトーンマスクここではネガ画像形成のため、ホールに対応する部分が遮光されているを介して、パターン露光を行った。液浸液としては超純水を用いた。その後、105°Cで60秒間加熱PEB:PostExposureBakeした。次いで、下記表に記載の有機溶剤系現像液で30秒間パドルして現像し、下記表に記載のリンス液で30秒間パドルしてリンスした。続いて、4000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させることにより、孔径45nmのコンタクトホールパターンを得た。露光ラチチュードEL、測長走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9380IIによりホールサイズを観察し、ホール部分が45nmのコンタクトホールパターンを解像する時の最適露光量を感度EoptmJ/cm2とした。求めた最適露光量Eoptを基準とし、次いでホールサイズが目的の値である45nmの±10即ち、40.5nm及び49.5nmとなるときの露光量を求めた。そして、次式で定義される露光ラチチュードEL、を算出した。ELの値が大きいほど、露光量変化による性能変化が小さく、良好である[EL]=[ホール部分が40.5nmとなる露光量-ホール部分が49.5nmとなる露光量]/Eopt局所的なパターン寸法の均一性LocalCDUnm露光ラチチュード評価における最適露光量で露光された1ショット内において、互いの間隔が1μmの20箇所の領域において、各領域ごとに任意の25個すなわち、計500個のホールサイズを測定し、これらの標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど寸法のばらつきが小さく、良好な性能であることを示す。パターン部膜厚nm上記の最適露光量における各パターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4800を用いて観察した。ホールパターンにおけるレジスト残存部について、パターン高さを計測した。値が大きいほど膜減りが少なく良好である。これらの評価結果を、下記表4に示す。表4に示す結果から明らかなように、実施例21~40は、比較例5~8に比べ、ELが大きく、ローカルCDUが小さく、EL及びローカルCDUのいずれにも優れ、パターン部の膜厚も厚いことがわかる。上記結果に示された良好なレジストパターン形成性能により、本発明のパターン形成方法は、半導体製造プロセスに好適に用い得ることがわかる。"