"入射光量を制御する絞りと、入射光の一部を反射することにより光学ファインダに導き、入射光の残りを透過することにより撮像光とする透過反射率可変素子と、前記絞りの設定値が大きくなるに従って前記透過反射率可変素子の反射率を上げるように制御する制御手段とを有することを特徴とする撮像装置。前記制御手段は、前記絞りの設定値が大きくなるに従って前記透過反射率可変素子の反射率を上げ、その後は一定にすることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。前記制御手段は、前記絞りの設定値が所定値より大きくなると、電子ビューファインダの被写体像を前記光学ファインダに投影することを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。前記制御手段は、前記電子ビューファインダの被写体像を前記光学ファインダに投影した後には、前記絞りの設定値が前記所定値よりヒステリシス値以上に小さくならなければ、前記電子ビューファインダの被写体像の前記光学ファインダへの投影を継続することを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。撮影者が被写体像を前記光学ファインダにより観察しているかを検知する検知手段を有し、撮影者が被写体像を前記光学ファインダにより観察していないことを前記検知手段で検知された場合には、前記制御手段は、前記透過反射率可変素子の制御を行わないことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項にに記載の撮像装置。撮影者が被写体像を前記光学ファインダにより観察しているかを検知する検知手段を有し、撮影者が被写体像を前記光学ファインダにより観察していないことを前記検知手段で検知された場合には、前記制御手段は、前記電子ビューファインダの被写体像の前記光学ファインダへの投影を行わないことを特徴とする請求項3または4に記載の撮像装置。撮影者が被写体像を前記光学ファインダにより観察しているかを検知する検知手段を有し、プリビュー動作の際に、前記制御手段は、撮影者が被写体像を光学ファインダにより観察していることを前記検知手段で検知された場合には、前記透過反射率可変素子の反射率を最大にし、撮影者が被写体像を光学ファインダにより観察していないことを前記検知手段で検知された場合には、前記透過反射率可変素子の透過率を最大にすることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の撮像装置。一眼レフカメラ等の撮像装置において、絞りを変化させる目的として、撮影画像の露出量を適切にすることと、被写界深度を制御することが挙げられる。被写界深度を任意に設定する際、例えば絞り値を大きく設定し、被写界深度を深くして合焦範囲を広くする場合には、露出量が不足するためシャッター露出時間を長くしたり、撮像素子の感度を上げたりする制御が行われる。ライブビュー状態や動画撮影中にレンズの絞りを変化させる場合、特許文献1に示されたような半透過ミラーを用いたカメラにおいては、露光する間も光学ファインダで撮影光が観察できる。しかし、絞り動作によるファインダ光量変化が生じ、撮影者が適切な露光条件で撮影できているのか確認することができないという問題が生じる。また、特許文献2に示されたような透過率可変素子を一眼レフカメラの反射ミラーに用いた際に、静止画撮影では、撮影前は光学ファインダへの入射光量を増やし、撮影の瞬間だけ撮像素子への入射光量を増やすことができる。このようにして、撮影シーケンス上で制御すれば、撮影者への違和感を少なくすることが可能である。ところが、ライブビュー状態や動画撮影中にレンズの絞りを変化させると、撮像素子への入射光量だけでなく光学ファインダへの入射光量も変化してしまうため、光学ファインダを覗いている撮影者に違和感を生じさせてしまう。つまり、撮影画像はシャッターや撮像素子の制御により絞り値に対して適切に制御されていても、光学ファインダの像は、絞り値に応じて変化し、絞り値が大きい場合には被写体像が暗くなり、撮影者が被写体を認識しにくくなるという問題がある。発明の目的本発明の目的は、ライブビューや動画撮影時に光学ファインダで被写体光学像を確認できる上に、絞り動作によっても被写体光学像の明るさの変化を少なくすることができる撮像装置を提供することである。上記目的を達成するために、本発明の撮像装置は、入射光量を制御する絞りと、入射光の一部を反射することにより光学ファインダに導き、入射光の残りを透過することにより撮像光とする透過反射率可変素子と、前記絞りの設定値が大きくなるに従って前記透過反射率可変素子の反射率を上げるように制御する制御手段とを有することを特徴とするものである。本発明によれば、ライブビューや動画撮影時に光学ファインダで被写体光学像を確認できる上に、絞り動作によっても被写体光学像の明るさの変化を少なくすることができる。本発明の撮像装置は、CCDやMOS型等の固体撮像素子を用いたデジタルカメラ等に適用される。デジタルカメラに適用された実施例の全体構成を示す概略図を図1に示す。図1において、20は被写体像を結像面に結像させる撮影レンズであり、カメラ本体10に着脱可能に構成されている。この撮影レンズ20は、露出制御を行うためのメカニカルな絞り21と、不図示のレンズ駆動部から構成されている。11は、撮影レンズ20により結像される被写体像を光学ファインダOVFに反射すると共に、その一部を透過させる透過反射率可変素子である。透過反射率可変素子11により、被写体像は撮像光L1とファインダ光L2に分割される。この透過反射率可変素子11は、透明時に高い透過率を有するマグネシウムニッケル合金薄膜等を反射調光層に用い、反射調光層の固体電解質側から透明化するようにイオン貯蔵層、固体電解質層、触媒層を積層した多積層構造から構成される。透過反射率可変素子11としては、広い範囲にわたって短い時間でスイッチングすることを可能にする全固体型反射調光エレクトロクロミック素子などが挙げられる。透過反射率可変素子11の反射率透過率は、制御手段である不図示のシステム制御部CPUにより制御される。12は、静止画撮影際の露出制御を行うためのシャッター装置である。13は、撮影レンズ20により結像された被写体像を撮像して電気信号に変換する撮像素子である。この撮像素子13には、CCD型、MOS型等の2次元型撮像デバイスが用いられている。14は、被写体像や撮影画像を表示するための表示モニターである。15は、フォーカシングスクリーンに結像した被写体像を正立正像に変換して反射する光学部材として使用されるペンタプリズムである。16は、ペンタプリズム15で正立正像に変換して反射された被写体光学像を撮影者の目に到達させる光学ファインダである。17は、電子ビューファインダEVFである。18は、電子ビューファインダ17での被写体像を光学ファインダ16に投影するためのEVF切り替えミラーである。19は、撮影者が光学ファインダ16により被写体像を観察しているかを検知する検知手段である近接センサーである。次に、動画撮影やライブビュー時における撮影シーケンスを図2を用いて説明する。動画撮影若しくはライブビューがスタート201すると、撮像素子13による測光が開始され202、メカの絞り駆動が行われる203。絞り21の設定値によりEVF表示を行うか否かの判断がされ204、絞り21の設定値がX値所定値以下の範囲であれば、絞り21の設定値に応じた透過反射率可変素子11の制御が行われる205。絞り21と透過反射率可変素子11による光量制御により適切な露光量になっているかを判定するために、再び撮像素子13による測光を行う202ルーチンを繰り返す。絞り21の設定値がX値所定値より大きくなると、OVFでは光量不足となりEVF表示が必要と判断し204、EVF表示ON207として撮影者が被写体を認識し易くする。絞り21の設定値が大きくなると、透過反射率可変素子11の反射率を上げる制御が行われるが、その後は透過反射率可変素子11の制御はある一定値で固定し205,206、EVFの出力値を増やす制御をする207。このことにより光学ファインダ16を覗いている撮影者に対して、絞り変化による被写体像の明るさ変化を殆ど認識させることがないので、被写界深度の確認がし易くなる。もちろん、EVFを表示させつつ透過反射率可変素子11の制御を行ってもよい。尚、EVF表示するか否かの境界近辺で絞り制御が行われると、EVF表示のON/OFFが繰り返され、撮影者に煩わしさを与えてしまう為、EVF表示された判定条件からOFFの判定条件は異ならせる。絞りX値越えでEVF表示ONとなっている条件で、絞り設定がX値以下に制御する場合は、EVF表示は絞り値がY値以下X>Yになるまで継続するようにしてもよい。つまり、絞り21の設定値がX-Yのヒステリシス値以上に小さくならなければ、EVF表示を継続する。例えば、Xの値としては撮像光量を絞り開放時の1/4となる判定条件とし、Yの値として撮像光量を絞り開放時の1/2となる判定条件とする図5、図6参照。次に、図3および図5を用いて、絞り動作によるレンズ透過光量と撮像光量、光学ファインダOVF像光量の関係を説明する。図3は、従来技術でのレンズ透過光量絞り動作と撮像光量、光学ファインダ像光量の関係図であり、図4が各値を示した図である。図5は、実施例でのレンズ透過光量絞り動作と撮像光量、光学ファインダ像光量の関係図であり、図6が各値を示した図である。各値の算出方法を以下に説明する。レンズ透過光量は、絞りにより変化する光量を示し、図4、図6では絞り開放状態から10ずつ光量を低下させた場合の例を示している。MIR透過率は、透過反射率可変素子11の透過率を示し、図4の従来技術では0.5の一定値であり、図6の実施例では、下記の関係式となる。MIR透過率=0.5-1-レンズ透過光量/2但し、MIR透過率≧0.30OVF像光量は、光学ファインダ16に入射する光量を示し、下記の関係式となる。OVF像光量=レンズ透過率×1-MIR透過率OVF像光量比は、絞り開放時と各絞り状態での光学ファインダ像の入射光量比を示したもので、下記の関係式となる。OVF像光量比=各状態でのOVF像光量/開放時OVF像光量撮像面の光量は、下記の関係式となる。撮像面=レンズ透過光量×MIR透過率撮像光量比は、絞り開放時と各絞り状態での撮像面への入射光量比を示したもので、下記の関係式となる。撮像光量比=各状態での撮像面光量/絞り開放時の撮像面光量図3に示す従来技術では、透過反射率可変素子11のミラーを透過反射する光量は常に一定である。従って、絞り値が大きくなるとそれに伴って撮像光量も低下し、同率に光学ファインダ像光量も低下する。つまり、撮像光量を半分にする際に、光学ファインダ像光量も半分になる。被写体の光量が十分にある場合は光学ファインダ像光量が減っても被写体を認識できて問題ないが、被写体が暗かったり、被写界深度を広くするために絞り制御を行ったりする場合には、絞り動作により被写体を認識しにくくなるという問題が生じる。図4は、図3の関係を表す従来技術の各値の関係である。後述する実施例と比較しやすくするため、ミラーは半透過ミラーとしている。また、実際には透過率と反射率を足しても100とはならずロスが生じるが、発明の考え方に影響はないためここでは、撮像側への透過率は50、光学ファインダ16への反射率は50として計算した例を示す。図5の実施例では、撮像光量をある程度まで制御した場合にも光学ファインダ16の像光量変化が少なくなることを示している。図6が図5の関係を表す各値の関係である。例えば、撮像光量を絞り開放の条件から半分にする場合を説明する。絞り動作による光量制御は70でよく、1段分制御する必要はない。そして透過反射率可変素子11の透過率は50から35に制御することで、撮像光量は絞り開放状態から半分になる。このとき、透過反射率可変素子11の反射率が50から65に上がることにより、絞り21による光量低下を補い、光学ファインダ像光量は開放状態に対して91を確保できる。また、撮像光量を絞り開放の条件から1/4にする場合このときの絞り値をXとするを説明する。この場合は、絞り動作による光量制御は40とし、透過反射率可変素子11の透過率は30に制御する。このとき、透過反射率可変素子11の反射率が50から70にすることになり、絞り21による光量低下をある程度補い、光学ファインダ像光量は開放状態に対して56となる。そしてこの絞り条件Xより絞り値が大きくなる場合には、光学ファインダ像が暗くなり見にくくなるためにEVF表示をONする。EVF表示をONにする際は、EVF切り替えミラー18を図1に示した位置に移動させ、撮像素子13に入射した被写体像をEVF表示させる。EVF切り替えミラー18は、半透過ミラーとし、EVF像と光学ファインダ像を重ねて表示するようにしてもよい。あるいはEVF切り替えミラー18を透過反射率可変ミラーとして、光学ファインダ像を見る場合は透過率を上げ、EVF像を見る場合は反射率を上げるように制御してもよい。尚、EVF表示をONする判定条件は、本実施例では撮像光量が開放時の1/4以下と設定したが、別の設定値でももちろん良く、撮影者による任意の設定を行えるようにしても良い。また、プリビュー動作絞り状態の確認の際に、被写界深度を確認し易くするための方法を下記に述べる。図1の19に示す近接センサーにより、撮影者が被写体像を光学ファインダ16で確認しているか検出し、被写体像を光学ファインダ16で確認していると判断された場合に、透過反射率可変素子11の反射率を最大にし、被写体像を光学ファインダ16で確認していないと判断された場合に、透過反射率可変素子11の透過率を最大に制御する。つまり、使用しているファインダへの光量を最大にすることで被写体像が確認し易くなり、絞りの効果を適切に設定することができるようになる。また、撮影者が、被写体像を光学ファインダ16で確認していないと判断される場合は、消費電力を抑える目的から、透過反射率可変素子11の制御を行わず一定値としたり、絞り値が上述したX値よりも大きい場合でも電子ビューファインダ17を表示しない、という制御を行ってもよい。本実施例においては、ライブビューや動画撮影時に光学ファインダ16を覗きながら撮影する際に、絞り動作による光学ファインダ16を通した被写体の光学像の明るさの変化が少なくなるので、被写界深度に応じた絞り効果を確認でき、絞りの操作を誤ることがない。また、絞り値が大きい場合に、透過反射率可変素子11による制御では光学ファインダ16の明るさが不足する場合には、電子ビューファインダ17により光学ファインダ16内に被写体像を投影し、撮影構図を認識できるようにすることも可能になる。また、撮影者が光学ファインダ16を覗いていないと判断された場合には、透過反射率可変素子11の制御を行わないことで、消費電力を抑えることができる。また、撮影光量を低下させる際に、絞り効果に加え、透過反射率可変素子11による光量制御も加わるので、メカの絞り21で制御する段数が少なく済み、絞り動作の高速化、静音化が図れ、動画撮影の際にメカ動作音が録音されてしまうことを低減することができるという効果もある。また、プリビュー動作を行う際は、撮影者が被写体像を光学ファインダ16で確認していると判断された場合に、透過反射率可変素子11の反射率を最大にし、光学ファインダ16への入射光量を増やすと、設定した絞り値に対する被写界深度を確認し易くなる。また、撮影者が被写体像を光学ファインダ16で確認していないと判断された場合には、撮像素子13に入射した被写体像を表示モニター14で確認していると判断されるので、透過反射率可変素子11の透過率を最大にして撮像素子13への入射光量を増やすと、表示モニター14で設定した絞り値に対する被写界深度を確認し易くなる。以上、本発明をその好適な実施例に基づいて詳述し、一眼レフカメラの構造において、透過反射率可変素子11が固定している例を示したが、静止画撮影だけでなく動画やライブビューの際にも透過反射率可変素子11を動作させて撮影光路から退避させるモードを有しているものも本発明に含まれる。もちろんレンズ交換できないカメラ本体と撮影レンズが一体的な構造を有する形態であっても本発明に含まれる。また、透過反射率可変素子については本実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の様々な形態も本発明に含まれる。"