"高周波用回路基板の絶縁層を構成する樹脂組成物であって、該樹脂組成物は環状オレフィン系樹脂を含み、周波数45GHzにおける誘電率が、2.7以下であり、誘電正接が1×10-3未満であることを特徴とする樹脂組成物。260°Cにおける弾性率が0.1MPa以上であることを特徴とする請求項1に記載の樹脂組成物。DMS測定におけるガラス転位温度が200°C以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の樹脂組成物。前記環状オレフィン系樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量が1万以上1000万以下であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の樹脂組成物。前記環状オレフィン系樹脂が一般式1に示す構造単位を有する請求項1ないし4のいずれかに記載の樹脂組成物式1において、R1~R4は、水素、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、芳香族基、アラルキル基、脂環族基、グリシジルエーテル基、下記式2で表される置換基のいずれかであり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R1~R4の少なくとも1つは、炭素数1~12のアルキル基または脂肪族炭化水素基である。mは0~4の整数である。式2において、R5は、それぞれ、水素、メチル基またはエチル基であり、R6、R7およびR8は、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、線状または分岐状の炭素数1~20のアルコキシ基、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキルカルボニルオキシ基、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数6~20のアリールオキシ基のいずれかであり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、nは0~5の整数である。前記環状オレフィン系樹脂が炭素数1~12の炭化水素基または脂肪族炭化水素基を有するノルボルネンを構造単位とするノルボルネン系樹脂であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の樹脂組成物。前記環状オレフィン系樹脂がヘキシルノルボルネンを構造単位とするノルボルネン系樹脂であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の樹脂組成物。前記環状オレフィン系樹脂が、パラジウム、ニッケル、白金のいずれかの元素を含有する金属触媒の存在下でノルボルネン系モノマーを重合させることにより得られるものであることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の樹脂組成物。助触媒として、さらに弱配位性アニオン塩を含むイオン錯体を含むことを特徴とする請求項8に記載の樹脂組成物。前記ノルボルネン系モノマー、前記触媒および前記助触媒の配合割合がモル比で、100,000:0.3~10:0.15~20であることを特徴とする請求項8又は9に記載の樹脂組成物。前記樹脂組成物の引張試験における引張強度が5MPa以上であり、引張伸びが10以上80以下であることを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載の樹脂組成物。請求項1ないし11のいずれかに記載の樹脂組成物を含有する絶縁樹脂層を有する高周波用基板。請求項12に記載の高周波用基板を備えるアンテナモジュール。本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、誘電率及び誘電正接が低く、高い耐熱性を有する、高周波用回路基板の絶縁層を構成する樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明は、高周波用回路基板の絶縁層を構成する樹脂組成物に関するものである。該樹脂組成物は環状オレフィン系樹脂を含み、周波数45GHzにおける誘電率が、2.7以下であり、誘電正接が1×10-3未満であることを特徴とする樹脂組成物が提供される。上記構成からなる樹脂組成物は、誘電率及び誘電正接が低いため、特に高周波域の搬送波を送受信するアンテナの高周波用回路基板として好ましく用いることができる。また、本発明の一態様によれば、前記樹脂組成物は、260°Cにおける弾性率が0.1MPa以上であることを特徴とする。上記構成からなる樹脂組成物は、高温での弾性率が高いため、半田リフロー等の高温に晒される工程に供することができる。また、本発明の一態様によれば、前記樹脂組成物は、DMS測定におけるガラス転位温度が200°C以上であることを特徴とする。上記構成からなる樹脂組成物は、半田リフロー耐性が向上するという効果を奏する。また、本発明の一態様によれば、前記樹脂組成物は、前記環状オレフィン系樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量が1万以上1000万以下であることを特徴とする。上記構成からなる樹脂組成物は、脆性に優れるため割れ難いという効果を奏する。また、本発明の一態様によれば、前記環状オレフィン系樹脂が一般式1に示す構造単位を有する。式1において、R1~R4は、水素、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、芳香族基、アラルキル基、脂環族基、グリシジルエーテル基、下記式2で表される置換基のいずれかであり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R1~R4の少なくとも1つは、炭素数1~12のアルキル基または脂肪族炭化水素基である。mは0~4の整数である。式2において、R5は、それぞれ、水素、メチル基またはエチル基であり、R6、R7およびR8は、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、線状または分岐状の炭素数1~20のアルコキシ基、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキルカルボニルオキシ基、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数6~20のアリールオキシ基のいずれかであり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、nは0~5の整数である。上記構成からなる樹脂組成物は、高周波領域における誘電特性、半田リフロー耐性および脆性に優れるため、割れにくいという効果を奏する。また、本発明の一態様によれば、前記環状オレフィン系樹脂が炭素数1~12の炭化水素基または脂肪族炭化水素基を有するノルボルネンを構造単位とするノルボルネン系樹脂である。また、前記環状オレフィンがヘキシルノルボルネンを構造単位とするノルボルネン系樹脂である。上記構成からなる樹脂組成物は、特に誘電率及び誘電正接が低く、耐熱性がよい。また、本発明の一態様によれば、前記環状オレフィン系樹脂が、パラジウム、ニッケル、白金のいずれかの元素を含有する金属触媒の存在下でノルボルネン系モノマーを重合させることにより得られるものである。また、助触媒として、さらに弱配位性アニオン塩を含むイオン錯体を含む。また、本発明の一態様によれば、前記ノルボルネン系モノマー、前記触媒および前記助触媒の配合割合がモル比で、100,000:0.3~10:0.15~20である。また、本発明の一態様によれば、前記樹脂組成物の引張試験における引張強度が5MPa以上であり、引張伸びが10以上80以下である。上記構成からなる樹脂組成物は、脆性に優れるため割れ難いという効果を奏する。また、本発明によれば前記樹脂組成物を含有する絶縁樹脂層を有する高周波用回路基板が提供される。該高周波用回路基板は、誘電率及び誘電正接が低く、高い耐熱性を有するため、高周波域の搬送波を送受信するアンテナモジュールの高周波用回路基板として好ましく用いることができる。また、本発明によれば、前記高周波用回路基板を備えるアンテナモジュールが提供される。本発明によれば、誘電率及び誘電正接が低く、高い耐熱性を有する、高周波用回路基板の絶縁層を構成する樹脂組成物が提供される。本発明に係る樹脂組成物は、特に、高周波域の搬送波を送受信するアンテナモジュールの高周波用回路基板を構成する材料として好ましく用いることができる。以下に、本発明に係る樹脂組成物及びそれを用いた高周波用回路基板及びアンテナモジュールについて、実施形態に基づいて説明するが、これらの実施形態は本発明の理解を助けるために記載するものであって、本発明を以下に記載されたものに限定する趣旨で無いことは自明である。本実施形態に係る樹脂組成物は、高周波用回路基板の絶縁層を構成する樹脂組成物である。該樹脂組成物は環状オレフィン系樹脂を含み、周波数45GHzにおける誘電率が、2.7以下であり、誘電正接が1×10-3未満であることを特徴とする樹脂組成物が提供される。高周波用回路基板とは、例えば、搬送波の送受信を行うアンテナを構成するものであり、少なくとも樹脂組成物等からなる絶縁層、金属等の導体からなる導体層を有する。また、高周波用回路基板は、ミリ波アンテナ、ミリ波モジュール、伝送回路等のアンテナモジュール等に使用されるものである。上記樹脂組成物が含む環状オレフィンとしては、特に限定されないが、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂等が挙げられる。これらの中でも、誘電特性と耐熱性が両立するという理由から、所謂ノルボルネン構造を有するものが特に好ましい。上記樹脂組成物は、周波数45GHzにおける誘電率が2.7以下であり、2.4以下であることが好ましい。上記樹脂組成物は、周波数45GHzにおける誘電率が上記規定値以下であるため、高周波域の搬送波を送受信する高周波用回路基板とした場合、伝送速度が速く、伝送ロスの少ない高周波用回路基板、該高周波用回路基板を備えるアンテナモジュールとして好ましく用いることができる。また、上記樹脂組成物は、周波数45GHzにおける誘電正接が1×10-3未満であることが好ましい。上記樹脂組成物は誘電正接が1×10-3未満であるため、高周波域の搬送波を送受信する高周波用回路基板とした場合、伝送ロスの少ない高周波用回路基板、該高周波用回路基板を備えるアンテナモジュールとして好ましく用いることができる。なお、誘電率及び誘電正接は、厳密に45GHzでの値ではなく、その周辺の周波数においても同様である。上記樹脂組成物は、260°Cにおける弾性率が0.1MPa以上であることが好ましく、0.5MPaであることが特に好ましい。ここで、樹脂組成物の弾性率は、樹脂組成物からなる測定サンプルを準備し、動的粘弾性測定装置セイコーインスツル株式会社製、型番:6100により、測定サンプルサイズ:4mm幅×20mm長さ×100μm厚み、周波数:1Hz、測定温度範囲:30~300°C、昇温速度:10°C/分により測定し、260°Cにおける弾性率を測定値とした。上記樹脂組成物の弾性率が上記規定値以上であることにより、高温での弾性率が高いため、半田リフロー等の高温に晒される工程に供することができる。上記樹脂組成物は、DMS測定におけるガラス転位温度が200°C以上であることが好ましく、230°C以上であることが特に好ましい。ここで、樹脂組成物のガラス転位温度は、樹脂組成物からなる測定サンプルを準備し、動的粘弾性測定装置セイコーインスツル株式会社製、型番:DMS6100により、測定サンプルサイズ:4mm幅×20mm長さ×100μm厚み、周波数:1Hz、測定温度範囲:30~300°C、昇温速度:10°C/分により測定し、Tanδのピークが発現する温度を測定値とした。上記樹脂組成物はガラス転位温度が200°C以上であるため、リフロー耐性が向上するという効果を奏することができる。また、上記樹脂組成物は、前記環状オレフィン系樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量が1万以上1000万以下であることが好ましく、5万以上600万以下であることが好ましい。ここで、重量平均分子量は、1,2,4-トリクロロベンゼンを溶媒としてGPCゲル浸透クロマトグラム装置、カラム温度140°Cにより、ポリスチレン換算値として算出することができる。上記環状オレフィン系樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量が上記範囲であることにより、脆性に優れるため割れ難いという効果を得ることができる。上記環状オレフィン系樹脂は、式1に示す構造単位を含むことが好ましい。ここで、式1は次のように表される。式1において、R1~R4は、水素、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、芳香族基、アラルキル基、脂環族基、グリシジルエーテル基、あるいは下記式2で表される置換基のいずれかであり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R1~R4の少なくとも1つは、炭素数1~12のアルキル基または脂肪族炭化水素基である。mは0~4の整数である。ここで、式2は次のように表される。式2において、R5は、水素、メチル基またはエチル基であり、R5が複数ある場合は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。R6、R7およびR8は、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、線状または分岐状の炭素数1~20のアルコキシ基、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキルカルボニルオキシ基、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数6~20のアリールオキシ基のいずれかであり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、nは0~5の整数である。上記式1中の線状または炭素数1~20の線状または分岐状のアルキル基としては、特に限定されるものではないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられるが、これらの中でも、脆性と剛性が両立するという理由からプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が好ましい。上記式1中の芳香族基としては、特に限定されるものではないが、フェニル基、ナフチル基等が挙げられるが、これらの中でも、汎用性という観点からフェニル基が好ましい。上記式1中のアラルキル基としては、フェニルメチル、フェニルエチルフェネチル、ナフチルメチル、などのアリールアルキレン基を有するものであればよいが、誘電特性と耐熱性の両立という理由からフェネチル基が好ましい。上記式1中の脂環族としては、特に限定されるものではないが、シクロヘキシル基、ノルボルネニル基、ジヒドロジシクロペンタジエチル基、テトラシクロドデシル基、メチルテトラシクロドデシル基、テトラシクロドデカジエチル基、ジメチルテトラシクロドデシル基、エチルテトラシクロドデシル基、エチリデニルテトラシクロドデシル基、フェニルテトラシクロドデシル基、シクロペンタジエチル基の三量体等の脂環族基等が挙げられる。上記式1中のmは、0~4の整数であり、特に限定されるわけではないが、0または1が好ましい。また、上記式1中R1~R4の少なくとも1つは、炭素数1~12のアルキル基または脂肪族炭化水素基である。これにより、樹脂組成物の45GHzにおける誘電率を2.7以下に、さらに、誘電正接を1×10-3未満にすることができる。上記式2の置換基中のR5は、誘電特性が優れるという理由から水素、アルキル基が好ましく、水素が特に好ましい。上記置換基中のR6、R7およびR8は、独立に、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、線状または分岐状の炭素数1~20のアルコキシ基、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキルカルボニルオキシ基、線状または分岐状の炭素数1~20のアルキルペルオキシ基そして置換もしくは未置換の炭素数6~20のアリールオキシ基であれば、特に限定されるわけではないが、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチロキシ基、アセトキシ基、プロピオキシ基、ブチロキシ基、メチルペルオキシ基、イソプロピルペルオキシ基、t-ブチルペルオキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基等が挙げられる。これらの中でも、導体回路との密着性優れるという理由からメトキシ基、エトキシ基が好ましい。上記置換基中のnは、0~5の整数であり、特に限定されるわけではないが、nは0~3であることが好ましい。これにより、樹脂組成物の誘電特性誘電率、誘電正接と機械特性260°Cにおける弾性率、ガラス転移温度を両立することができる。上記式1で示される構造単位は、特に限定されるわけではないが、メチルノルボルネン、エチルノルボルネン、プロピルノルボルネン、ブチルノルボルネン、ペンチルノルボルネン、ヘキシルノルボルネン、へプチルノルボルネン、オクチルノルボルネン、ノニルノルボルネン、デシルノルボルネンなどのアルキル置換ノルボルネン、フェニルメチルノルボルネン、フェネチルノルボルネンなどのアラルキル置換ノルボルネン、グリシジロキシメチルノルボルネン、グリシジロキシエチルノルボルネン、グリシジロキシプロピルノルボルネンなどのグリシジロキシアルキルノルボルネン、トリエトキシシリルノルボルネン、トリメチルシリルノルボルネン、トリメトキシシリルノルボルネン、メチルジメトキシシシリルノルボルネン等のノルボルネン系モノマーを重合することにより得ることができる。なお、特に前記置換基の位置は、一例として5-ヘキシルノルボルネンのように、5位に置換したものが好ましい。上記ノルボルネン系モノマーを重合する際は、単一のノルボルネン系モノマーで重合しても、複数のノルボルネン系モノマーを共重合しても良い。これらノルボルネン系モノマーの中でも、特に、ヘキシルノルボルネンモノマーが好ましい。上記ノルボルネン系樹脂は、特に限定されるわけではなく、前記一般式1で示される単一の構造単位で形成されていてもよく、また、複数の構造単位で形成されていても良い。上記式1で表される環状オレフィン系樹脂は、5-ブチルノルボルネン、5-ヘキシルノルボルネン、5-デシルノルボルネン、5-トリメトキシシリルノルボルネンを構造単位とするものが好ましく、最も好ましい構造単位は、5-ヘキシルノルボルネンである。樹脂組成物が、これらの構造単位を有する環状オレフィン系樹脂を含むことにより、特に誘電率及び誘電正接が低く、耐熱性がよいという効果を奏する。このため、該樹脂組成物を高周波域の搬送波を送受信する高周波用回路基板とした場合、伝送ロスの少ない高周波用回路基板、該高周波用回路基板を備えるアンテナモジュールとして好ましく用いることができる。また、上記樹脂組成物は、引張試験における引張強度が5MPa以上であり、引張伸びが10以上100以下であることが好ましく、引張り強度が10MPa以上であり、引張り伸びが20以上80以下であることが特に好ましい。引張強度が上記範囲以上であり、引張伸びを上記範囲とすることにより、脆性と剛性が両立するという効果を得ることができる。次に、本発明に係る環状オレフィン系樹脂の合成方法を説明する。しかしながら、以下に説明する合成方法は一例であり、上記環状オレフィン系樹脂を限定するものではない。本発明に係る環状オレフィン系樹脂の合成は、例えば、1又は複数のモノマーを重合させる方法が好ましく用いられる。重合反応は、特に限定されないが、塊状重合であることが好ましい。環状オレフィン樹脂の合成を塊状重合で行うことにより、重合反応を行うと同時に基板の成形をできるという効果を得ることができる。なお、塊状重合は、一般に、実質的無溶媒で行なわれる重合反応を意味するが、場合によっては、少ない割合の溶媒が反応媒質中に存在することもありうる。また、重合のための触媒をモノマーに加える前に、該触媒を溶媒中に予め溶解することが望ましい場合には、酢酸エチル、THF等の溶媒を用いてもよい。前記環状オレフィン樹脂の合成方法としては、例えば、パラジウム、ニッケル、白金のいずれかの元素を含有する金属触媒、ラジカル開始剤等を用いることにより合成することができる。これらの中でも、重合速度が速いという効果を得ることができるパラジウム、ニッケル、白金のいずれかの元素を含有する金属触媒が好ましい。本発明に係る触媒は、特に限定されるわけではないが、第10族金属のカチオン錯体と弱配位カウンターアニオン錯体とからなる下記式Iの触媒を上げることができる。[R’ML’xLy]b[WCA]d式IここでMは、第10族の遷移金属を表し、R’はアニオン配位子、特に限定されないが、その中でもアニオンヒドロカルビル配位子を表し、L’は第15族の中性電子供与配位子を表し、Lは不安定中性電子供与配位子を表し、xは0~2の整数であり、yは0~2の整数であり、そして、bおよびdは、それぞれ、触媒錯体全体の電子電荷のバランスをとるためにカチオン錯体と弱配位カウンターアニオン錯体WCAとが用いられた数を表す数字である。前記弱配位カウンターアニオン錯体は、カチオン錯体に弱く配位結合しているだけのアニオンである。前記アニオンは、中性のルイス塩基、溶媒またはモノマーによって置換されやすい。さらに詳しくは、前記WCAアニオンは、カチオン錯体に対して安定化アニオンとして作用し、中性生成物を形成し、カチオン錯体に移行することはない。前記WCAアニオンは、非酸化性、非還元性および非求核性であるため、比較的不活性である。前記アニオン性ヒドロカルビル配位子は、閉殻電子構造中の中心金属Mから離れたときに負の電荷を有するヒドロカルビル配位子である。また、前記中性電子供与体は、閉殻電子構造中の中心金属Mから離れたときに中性の電荷を有する配位子である。また、不安定中性電子供与配位子は、中心金属Mにそれほど強く結合していなく、前記金属Mから容易に脱離し、そして閉殻電子構造中の中心金属から離れたときに中性の電荷を有する配位子である。さらに、上記カチオン錯体において、Mは、ニッケル、パラジウムおよび白金から選択される第10族金属を表し、パラジウムが最も好ましい。前記アニオンヒドロカルビル配位子は、特に限定されるわけではなく、例えば、水素、線状および分岐状C1~C20アルキル、C5~C10シクロアルキル、線状および分岐状C2~C20アルケニル、C6~C15シクロアルケニル、アリル配位子またはそのカノニカル形態、C6~C30アリール、C6~C30ヘテロ原子含有アリール、およびC7~C30アラルキル等が挙げられるが、場合によって、線状または分岐状C1~C5アルキル、線状または分岐状C1~C20ハロアルキル、線状または分岐状C2~C5アルケニルおよびハロアルケニル、ハロゲン、硫黄、酸素、窒素、燐、および線状または分岐状C1~C5アルキル、線状または分岐状C1~C5ハロアルキルおよびハロゲンで場合によって置換したフェニルから選択されるヒドロカルビル置換基および/またはヘテロ原子置換基で置換されていてもよい。前記アニオン配位子は、特に限定されるわけではなく、例えば、カルボキシレート基、チオカルボキシレート基、及びジチオカルボキシレート基が挙げられる。具体的には、直鎖および分岐脂肪族基を有する構造として、メチルカルボキシレート、トリフルオロメチルカルボキシレート、プロピルカルボキシレート、イソプロピルカルボキシレート、ブチルカルボキシレート、tert-ブチルカルボキシレート、イソブチルカルボキシレート、ネオペンチルカルボキシレートが挙げられ、環状構造を有する構造として、ノルボルニルカルボキシレート、アダマンチルカルボキシレート、フェニルカルボキシレート、ベンジルカルボキシレートが挙げられる。上記に具体例としてカルボキシレート構造を例示したが、カルボキシレート構造部分は、チオカルボキシレート構造または、ジチオカルボキシレート構造に置換されていてもよい。前記シクロアルキル配位子およびシクロアルケニル配位子は、特に限定されるわけではなく、単環式でも多環式でもよい。アリール配位子は、単環例えば、フェニルでも縮合環系例えば、ナフチルでもよい。さらに、シクロアルキル基、シクロアルケニル基およびアリール基のいずれも、縮合環系を形成するために一緒に用いることができる。前記単環系、多環系およびアリール環系のそれぞれは、場合により、水素、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルコキシ、塩素、フッ素、ヨウ素および臭素から選択されるハロゲン、C5~C10シクロアルキル、C6~C15シクロアルケニル、およびC6~C30アリールから独立に選択された置換基で単置換または複数置換されていてもよい。マルチシクロアルキル部分の例としては、ノルボルニル配位子が挙げられる。マルチシクロアルケニル部分の例としては、ノルボルネニル配位子が挙げられる。アリール配位子基の例としては、フェニルおよびナフチルが挙げられる。下記構造式Iは、R’が1,5-シクロオクタジエンから誘導されたシクロアルケニル配位子であるカチオン錯体を表す。また、下記構造式IIおよびIIIは、それぞれ、R’がマルチシクロアルキル配位子およびマルチシクロアルケニル配位子であるカチオン錯体を表す。構造式IIIにおいて、ノルボルネニル配位子はアルケニル基によって置換される。ここで、構造IないしIIIにおいて、M、L’、L、xおよびyは、式Iにおいて定義された通りである。また、R’が環系を表すカチオン錯体の他の例を下記構造式IV~IVcに示す。ここで、構造IVにおいて、M、L’、L、xおよびyは、式Iにおいて定義された通りである。本発明の他の実施態様において、R’は、第10族金属と配位結合している末端基を含有しているヒドロカルビル配位子を表す。前記末端配位基含有ヒドロカルビル配位子は、式-Cd’H2dX→で表され、式中、d’は、ヒドロカルビル主鎖中の炭素原子の数を表し3~10の整数であり、X→は、第10族金属に配位結合しているアルケニル含有部分またはヘテロ原子含有部分を表す。前記ヒドロカルビル配位子並びに第10族金属は、メタラサイクルまたはヘテロ原子含有メタラサイクルを形成する。上記式のヒドロカルビル主鎖上のどの水素原子は、それぞれ独立して、以下に定義されるR1、R2およびR3から選択される置換基によって置換することができる。前記末端配位基含有ヒドロカルビルメタラサイクル実施態様のカチオン錯体は、下記に示す構造式Vによって表される。ここで、構造Vにおいて、M、L’、L、d’、xおよびyは、式Iにおいて定義された通りであり、Xは、-CHR4=CHR4、-OR4、-SR4、-NR42、-N=NR4、-PR42、-COR4、-CR4=NR4、-COOR4、-OCOOR4および-OCOR4から選択される基を表し、R4は、水素、ハロゲン、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、C5~C10シクロアルキル、線状および分岐状C2~C5アルケニル、線状および分岐状C2~C5ハロアルケニル、置換および非置換C6~C18アリール並びに置換および非置換C7~C24アラルキルを表す。ここで、置換末端基含有ヒドロカルビルメタラサイクルは、下記式Vaによって表すことができる。ここで、構造Vaにおいて、M、L’、L、X、xおよびyは、式Iにおいて定義された通りであり、nは1~8の整数を表し、そしてR1、R2およびR3は、独立に、水素、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状または分岐状C2~C5アルケニル、線状および分岐状C2~C5ハロアルケニル、置換および非置換C6~C30アリール、置換および非置換C7~C30アラルキル、およびハロゲンを表す。R1、R2およびR3は、いずれも、それらが結合している炭素原子と一緒になって、置換または非置換脂肪族C5~C20単環状または多環状環系、置換または非置換脂肪族C6~C10芳香族環系、置換または非置換脂肪族C10~C20縮合芳香族環系、およびこれらを組み合わせたものを形成することができる。置換される場合、前記環は単一または複数の置換基を含有していてもよく、前記置換基は、独立に、水素、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルコキシ、および塩素、フッ素、ヨウ素および臭素から選択されるハロゲンから選択される。前記式Vaにおいて、nが0のとき、Xは、R2置換基を含有している炭素原子と結合する。前記置換基が一緒になって芳香族環系および脂肪族環系を表すという代表的な末端基含有ヒドロカルビルメタラサイクルカチオン錯体は、下記式VbおよびVcで示される。前記R1~R3のいずれかが一緒になって芳香族環系を形成することができるという末端基含有ヒドロカルビルメタラサイクルカチオン錯体の他の例は、下記式Vd~Vgで示される。多環式脂肪族環系を含有するカチオン錯体の具体例は、下記式Vh、ViおよびVjによって示される。ここで、Vb~Vjにおいて、n’は0~5の整数であり、X、M、L’、L、a、n、x、y、R1およびR4は、式Iにおいて定義された通りであり、そしてR5およびR6は、独立に、水素および線状および分岐状C1~C10アルキルを表し、さらにR5およびR6は、それらが結合している炭素原子と一緒になって、炭素原子を5~15含有する飽和および不飽和環状基を形成することができる。R’で表されるヘテロ原子含有アリール配位子の例としては、ピリジニル配位子およびキノリニル配位子が挙げられる。また、カチオン錯体中のアリル配位子は、下記式で表すことができる。ここで、構造VIにおいて、R20、R21およびR22は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、線状および分岐状C1~C5アルキル、C5~C10シクロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルケニル、C6~C30アリール、C7~C30アラルキルを表すが、これらの基は、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、ハロゲン、および場合により線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキルおよびハロゲンで置換されていてもよいフェニルから選択される置換基で置換されていてもよい。R20、R21およびR22の任意の2つが、単環状または多環状環を形成するために、それらが結合している炭素原子と一緒に結合できるが、前記環は、線状または分岐状C1~C5アルキル、線状または分岐状C1~C5ハロアルキル、およびハロゲンで置換されていてもよい。本発明のカチオン錯体において好適なアリル配位子の例としては、アリル、2-クロロアリル、クロチル、1,1-ジメチルアリル、2-メチルアリル、1-フェニルアリル、2-フェニルアリルおよびβ-ピネニルを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。アリル配位子を含有する代表的なカチオン錯体を式VIa、VIbに示す。ここで、構造VI、VIaおよびVIbにおいて、M、L’、L、xおよびyは、式Iにおいて定義された通りである。前記アリル配位子の他の例は、R.G.GuyandB.L.Shaw、AdvancesinInorganicChemistryandRadiochemistry、Vol.4、AcademicPressInc.、NewYork、1962;J.Birmingham、E.deBoer、M.L.H.Green、R.B.King、R.Koster、P.L.I.Nagy、G.N.Schrauzer、AdvancesinOrganometallicChemistry、Vol.2、AcademicPressInc.、NewYork、1964;W.T.Dent、R.LongandA.J.Wilkinson、J.Chem.Soc.、19641585;andH.C.Volger、Rec.Trav.Chim.PayBas、881969225に記載されており、それらの全文が本願明細書に引例として援用される。前記L’で表される代表的な中性電子供与配位子としては、下記式で表されるアミン、ピリジン、有機リン含有化合物、アルシンおよびスチビンを挙げることができる。ER73ここでEは、ヒ素またはアンチモンであり、そしてR7は、独立に、水素、線状および分岐状C1~C10アルキル、C5~C10シクロアルキル、線状および分岐状C1~C10アルコキシ、アリル、線状および分岐状C2~C10アルケニル、C6~C12アリール、C6~C12アリールオキシ、アリールスルフィド例えば、PhS、C7~C18アラルキル、環状エーテルおよびチオエーテル、トリ線状および分岐状C1~C10アルキルシリル、トリC6~C12アリールシリル、トリ線状および分岐状C1~C10アルコキシシリル、トリアリールオキシシリル、トリ線状および分岐状C1~C10アルキルシロキシ、およびトリC6~C12アリールシロキシから選択されるが、前記置換基は、線状または分岐状C1~C5アルキル、線状または分岐状C1~C5ハロアルキル、C1~C5アルコキシ、ハロゲン、およびこれを組み合わせたもので置換されていてもよい。代表的なアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチル、t-ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、およびドデシルを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。代表的なシクロアルキル基としては、シクロペンチルおよびシクロヘキシルを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。代表的なアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、およびイソプロポキシを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。代表的な環状エーテル基およびチオ環状エーテル基としては、それぞれ、フリルおよびチエニルを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。代表的なアリール基としては、フェニル、o-トリル、およびナフチルを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。代表的なアラルキル基としては、ベンジル、およびフェニルエチル例えば、-CH2CH2Phを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。代表的なシリル基としては、トリフェニルシリル、トリメチルシリル、およびトリエチルシリルを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。上記一般定義のように、前記基のそれぞれは、線状または分岐状C1~C5アルキル、線状または分岐状C1~C5ハロアルキル、およびハロゲンで置換されていてもよい。前記代表的なピリジンとしては、ルチジン2,3-、2,4-、2,5-、2,6-、3,4-および3,5-置換されたものを含む、ピコリン2-、3-、または4-置換されたものを含む、2,6-ジ-t-ブチルピリジン、および2,4-ジ-t-ブチルピリジンが挙げられる。また、代表的なアルシンとしては、トリフェニルアルシン、トリエチルアルシン、およびトリエトキシシリルアルシンが挙げられる。さらに、代表的なスチビンとしては、トリフェニルスチビンおよびトリチオフェニルスチビンが挙げられる。好適なアミン配位子は、式NR83のアミンから選択されるが、前記式中のR8は、独立に、水素、線状および分岐状C1~C20アルキル、線状および分岐状C1~C20ハロアルキル、置換および非置換C3~C20シクロアルキル、置換および非置換C6~C18アリール並びに置換および非置換C7~C18アラルキルを表す。置換される場合、前記シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基は、単置換または複数置換されていてもよく、それらの置換基は、独立に、水素、線状および分岐状C1~C12アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルコキシ、C6~C12アリール並びに塩素、臭素およびフッ素からなるハロゲンから選択される。代表的なアミンとしては、エチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルアミン、トリブチルアミン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジメチル-4-t-ブチルアニリン、N,N-ジメチル-4-t-オクチルアニリンおよびN,N-ジメチル-4-ヘキサデシルアニリンを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。有機リン含有配位子としては、ホスフィン、ホスファイト、ホスホナイト、ホスフィナイトおよび下記式のリン含有化合物が挙げられる。PR7g[X’R7h]3-gここでX’は酸素、窒素またはシリコンであり、R7は上記において定義された通りであり、各R7置換基は他から独立しており、gは0~3の整数であり、そしてhは1~3の整数であるが、X’がシリコン原子である場合hは3であり、X’が酸素原子である場合hは1であり、そしてX’が窒素原子である場合hは2である。gが0でありかつX’が酸素である場合、R7のうちの任意の2つまたは3つと、それらが結合している酸素原子とを一緒にして、環状部分を形成することができる。gが3である場合、R7のうちの任意の2つと、それらが結合しているリン原子とを一緒にして、下記式のホスファサイクルを形成することができる。ここでR7は上記において定義された通りであり、そしてh’は4~11の整数である。代表的なホスフィン配位子としては、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ-n-プロピルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリ-n-ブチルホスフィン、トリ-sec-ブチルホスフィン、トリ-i-ブチルホスフィン、トリ-t-ブチルホスフィン、トリシクロペンチルホスフィン、トリアリルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリ-p-トリルホスフィン、トリ-o-トリルホスフィン、トリ-m-トリルホスフィン、トリベンジルホスフィン、トリp-トリフルオロメチルフェニルホスフィン、トリストリフルオロメチルホスフィン、トリp-フルオロフェニルホスフィン、トリp-トリフルオロメチルフェニルホスフィン、アリルジフェニルホスフィン、ベンジルジフェニルホスフィン、ビス2-フリルホスフィン、ビス4-メトキシフェニルフェニルホスフィン、ビス4-メチルフェニルホスフィン、ビス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルホスフィン、t-ブチルビストリメチルシリルホスフィン、t-ブチルジフェニルホスフィン、シクロへキシルジフェニルホスフィン、ジアリルフェニルホスフィン、ジベンジルホスフィン、ジブチルフェニルホスフィン、ジブチルホスフィン、ジ-t-ブチルホスフィン、ジシクロヘキシルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィン、ジ-i-ブチルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、ジメチルトリメチルシリルホスフィン、ジフェニルホスフィン、ジフェニルプロピルホスフィン、ジフェニルp-トリルホスフィン、ジフェニルトリメチルシリルホスフィン、ジフェニルビニルホスフィン、ジビニルフェニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、2-メトキシフェニルメチルフェニルホスフィン、トリ-n-オクチルホスフィン、トリス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルホスフィン、トリス3-クロロフェニルホスフィン、トリス4-クロロフェニルホスフィン、トリス2,6-ジメトキシフェニルホスフィン、トリス3-フルオロフェニルホスフィン、トリス2-フリルホスフィン、トリス2-メトキシフェニルホスフィン、トリス3-メトキシフェニルホスフィン、トリス4-メトキシフェニルホスフィン、トリス3-メトキシプロピルホスフィン、トリス2-チエニルホスフィン、トリス2,4,6-トリメチルフェニルホスフィン、トリストリメチルシリルホスフィン、イソプロピルジフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、-ネオメンチルジフェニルホスフィン、トリベンジルホスフィン、ジフェニル2-メトキシフェニルホスフィン、ジフェニルペンタフルオロフェニルホスフィン、ビスペンタフルオロフェニルフェニルホスフィンおよびトリスペンタフルオロフェニルホスフィンを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。また、ホスフィン配位子は、水溶性であるホスフィン化合物から選択することもできる。これにより、得られる触媒に水性媒体に対する溶解性が付与される。前記水溶性のホスフィンとしては、4-ジフェニルホスフィン安息香酸、および2-ジフェニルホスフィン安息香酸の如きカルボン酸置換ホスフィン、ナトリウム2-ジシクロヘキシルホスフィノエタンスルホナート、4,4’-フェニルホスフィニデンビスベンゼンスルホン酸ジカリウム塩、3,3’3-ホスフィニダイントリスベンゼンスルホン酸トリナトリウム塩、4-ジシクロヘキシルホスフィノ-1,1-ジメチルピペリジニウムクロライド、4-ジシクロヘキシルホスフィノ-1,1-ジメチルピペリジニウムヨード、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-N,N,N-トリメチルエタナミニウムクロライド、2,2’-シクロヘキシルホスフィニデンビスN,N,N-トリメチルエタナミニウムジクロライド、2,2’-シクロヘキシルホスフィニデンビスN,N,N-トリメチルエタナミニウムジヨードおよび2-ジシクロヘキシルホスフィノ-N,N,N-トリメチルエタナミニウムヨードの如きホスフィンの第4級アミン官能基を有する塩を挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。ホスファイト配位子の例としては、トリメチルホスファイト、ジエチルフェニルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリス2,4-ジ-t-ブチルフェニルホスファイト、トリ-n-プロピルホスファイト、トリイソプロピルホスファイト、トリ-n-ブチルホスファイト、トリ-sec-ブチルホスファイト、トリイソブチルホスファイト、トリ-t-ブチルホスファイト、ジシクロヘキシルホスファイト、トリシクロヘキシルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリ-p-トリルホスファイト、トリスp-トリフルオロメチルフェニルホスファイト、ベンジルジエチルホスファイトおよびトリベンジルホスファイトを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。ホスフィナイト配位子の例としては、メチルジフェニルホスフィナイト、エチルジフェニルホスフィナイト、イソプロピルジフェニルホスフィナイトおよびフェニルジフェニルホスフィナイトを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。ホスホナイト配位子の例としては、ジフェニルフェニルホスホナイト、ジメチルフェニルホスホナイト、ジエチルメチルホスホナイト、ジイソプロピルフェニルホスホナイトおよびジエチルフェニルホスホナイトを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。代表的な不安定中性電子供与配位子Lとしては、DMF、DMSO、シクロオクタジエンCOD、水、塩素化アルカン、アルコール、エーテル、ケトン、ニトリル、アレーン、ホスフィンオキシド、有機炭酸塩およびエステルが挙げられる。また、代表的な塩素化アルカンとしては、ジクロロメタン、1,2-ジクロロエタン、およびカーボンテトラクロライドを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。好適なアルコール配位子は、R9OHのアルコールから選択することができるが、前記R9は、線状および分岐状C1~C20アルキル、線状および分岐状C1~C20ハロアルキル、置換および非置換C3~C20シクロアルキル、置換および非置換C6~C18アリール、置換および非置換C7~C18アラルキル並びに置換および非置換ノルボルネニルを表す。置換される場合、前記シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基およびノルボルネニル基は、単置換または複数置換されていてもよく、それらの置換基は、独立に、水素、線状および分岐状C1~C12アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルコキシ、C6~C12アリール並びに塩素、臭素およびフッ素かなるハロゲンから選択される。代表的なアルコール配位子としては、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ヘキサノール、t-ブタノール、ネオペンタノール、フェノール、2,6-ジ-i-プロピルフェノール、4-t-オクチルフェノール、5-ノルボルネン-2-メタノール、およびドデカノールを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。好適なエーテル配位子およびチオエーテル配位子は、それぞれ、R10-O-R10のエーテルおよびR10-S-R10のチオエーテルから選択することができるが、前記式中のR10は、独立に、線状および分岐状C1~C10アルキル基、線状および分岐状C1~C20ハロアルキル、置換および非置換C3~C20シクロアルキル、置換および非置換C1~C20アルコキシ、置換および非置換C6~C18アリール並びに置換および非置換C6~C18アラルキルを表す。置換される場合、前記シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基は、単置換または複数置換されていてもよく、それらの置換基は、独立に、水素、線状および分岐状C1~C12アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルコキシ、C6~C12アリール、および塩素、臭素およびフッ素から選択されるハロゲンから選択される。前記R10を、それらが結合している酸素原子または硫黄原子と一緒にして、環状エーテルまたは環状チオエーテルを形成することができる。代表的なエーテルとしては、ジメチルエーテル、ジブチルエーテル、メチル-t-ブチルエーテル、ジ-i-プロピルエーテル、ジエチルエーテル、ジオクチルエーテル、1,4-ジメトキシエタン、THF、1,4-ジオキサンおよびテトラヒドロチオフェンを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。好適なケトン配位子は、R11COR11のケトンによって表されるが、前記式中のR11は、独立に、水素、線状および分岐状C1~C20アルキル、線状および分岐状C1~C20ハロアルキル、置換および非置換C3~C20シクロアルキル、置換および非置換C6~C18アリール、および置換および非置換C6~C18アラルキルを表す。置換される場合、前記シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基は、単置換または複数置換されていてもよく、それらの置換基は、独立に、水素、線状および分岐状C1~C12アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルコキシ、C6~C12アリール、および塩素、臭素およびフッ素から選択されるハロゲンから選択される。代表的なケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、およびベンゾフェノンンを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。ニトリル配位子は、R12CNで表されるが、前記式中のR12は、水素、線状および分岐状C1~C20アルキル、線状および分岐状C1~C20ハロアルキル、置換および非置換C3~C20シクロアルキル、置換および非置換C6~C18アリール、および置換並びに非置換C6~C18アラルキルを表す。置換される場合、前記シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基は、単置換または複数置換されていてもよく、それらの置換基は、独立に、水素、線状および分岐状C1~C12アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルコキシ、C6~C12アリール、および塩素、臭素およびフッ素から選択されるハロゲンから選択される。代表的なニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル、ベンジルシアニド、および5-ノルボルネン-2-カルボニトリルを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。アレーン配位子は、単一または複数の置換基を含有する置換および非置換C6~C12アレーンから選択することができるが、これらの置換基は、独立に、水素、線状および分岐状C1~C12アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルコキシ、C6~C12アリール、および塩素、臭素およびフッ素から選択されるハロゲンから選択される。代表的なアレーンは、トルエン、ベンゼン、o-、m-、およびp-キシレン、メシチレン、フルオロベンゼン、o-ジフルオロベンゼン、p-ジフルオロベンゼン、クロロベンゼン、ペンタフルオロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、およびヘキサフルオロベンゼンを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。好適なトリアルキルホスフィンオキシド配位子およびトリアリールホスフィンオキシド配位子は、POR133のホスフィンオキシドで表すことができるが、前記式中のR13は、独立に、線状および分岐状C1~C20アルキル、線状および分岐状C1~C20ハロアルキル、置換および非置換C3~C20シクロアルキル、線状および分岐状C1~C20アルコキシ、線状および分岐状C1~C20ハロアルコキシ、置換および非置換C6~C18アリール、および置換並びに非置換C6~C18アラルキルを表す。置換される場合、前記シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基は、単置換または複数置換されていてもよく、それらの置換基は、独立に、水素、線状および分岐状C1~C12アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルコキシ、C6~C12アリール、および塩素、臭素およびフッ素から選択されるハロゲンから選択される。代表的なホスフィンオキシドとしては、トリフェニルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、トリオクチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフェート、およびトリス2-エチルヘキシルホスフェートを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。代表的な炭酸塩としては、エチレンカーボネートおよびプロピレンカーボネートを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。代表的なエステルとしては、エチルアセテートおよびi-アミルアセテートを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。式Iの弱配位カウンターアニオン錯体[WCA]は、ボレートおよびアルミネート、ボレートベンゼンアニオン、カルボランアニオンおよびハロカルボランアニオンから選択することができる。ボレートおよびアルミネート弱配位カウンターアニオンは、下記式IIおよびIIIで表される。[M’R24R25R26R27]II[M’OR28OR29OR30OR31]IIIここで、式IIにおいて、M’はホウ素またはアルミニウムであり、そしてR24、R25、R26およびR27は、独立に、フッ素、線状および分岐状C1~C10アルキル基、線状および分岐状C1~C10アルコキシ基、線状および分岐状C3~C5ハロアルケニル基、線状および分岐状C3~C12トリアルキルシロキシ基、C18~C36トリアリールシロキシ基、置換および非置換C6~C30アリール基並びに置換および非置換C6~C30アリールオキシ基を表すが、ここで、R24~R27が同時にアルコキシ基またはアリールオキシ基になることはない。置換される場合、アリール基は、単置換または複数置換されていてもよく、それらの置換基は、独立に、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルコキシ、線状および分岐状C1~C5ハロアルコキシ、線状および分岐状C1~C12トリアルキルシリル、C6~C18トリアリールシリル、および塩素、臭素およびフッ素から選択されるハロゲン、好ましくはフッ素、から選択される。式IIで表される代表的なボラートアニオンとしては、テトラキスペンタフルオロフェニルボレート、テトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルボレート、テトラキス2-フルオロフェニルボレート、テトラキス3-フルオロフェニルボレート、テトラキス4-フルオロフェニルボレート、テトラキス3,5-ジフルオロフェニルボレート、テトラキス2,3,4,5-テトラフルオロフェニルボレート、テトラキス3,4,5,6-テトラフルオロフェニルボレート、テトラキス3,4,5-トリフルオロフェニルボレート、メチルトリスパーフルオロフェニルボレート、エチルトリスパーフルオロフェニルボレート、フェニルトリスパーフルオロフェニルボレート、テトラキス1,2,2-トリフルオロエチレニルボレート、テトラキス4-トリ-i-プロピルシリルテトラフルオロフェニルボレート、テトラキス4-ジメチル-t-ブチルシリルテトラフルオロフェニルボレート、トリフェニルシロキシトリスペンタフルオロフェニルボレート、オクチルオキシトリスペンタフルオロフェニルボレート、テトラキス[3,5-ビス[1-メトキシ-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメチルエチル]フェニル]ボレート、テトラキス[3-[1-メトキシ-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメチルエチル]-5-トリフルオロメチルフェニル]ボレート、およびテトラキス[3-[2,2,2-トリフルオロ-1-2,2,2-トリフルオロエトキシ-1-トリフルオロメチルエチル]-5-トリフルオロメチルフェニル]ボレートを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。式IIで表される代表的なアルミナートアニオンとしては、テトラキスペンタフルオロフェニルアルミネート、トリスノナフルオロビフェニルフルオロアルミナート、オクチルオキシトリスペンタフルオロフェニルアルミネート、テトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルアルミネート、およびメチルトリスペンタフルオロフェニルアルミネートを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。式IIIにおいて、M’はホウ素またはアルミニウムであり、そしてR28、R29、R30およびR31は、独立に、線状および分岐状C1~C10アルキル基、線状および分岐状C1~C10ハロアルキル基、C2~C10ハロアルケニル基、置換および非置換C6~C30アリール基並びに置換および非置換C7~C30アラルキル基を表すが、ただし、R28~R31のうちの少なくとも3つが、ハロゲン含有置換基を含有していなければならない。置換される場合、前記アリール基およびアラルキル基は単置換または複数置換されていてもよく、それらの置換基は、独立に、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルコキシ、線状および分岐状C1~C10ハロアルコキシ、および塩素、臭素およびフッ素から選択されるハロゲン、好ましくはフッ素、から選択される。OR28基およびOR29基を一緒にして、-O-R32-O-で表されるキレート性置換基を形成することができる。前記式において、酸素原子はM’に結合しており、そしてR32は、置換および非置換C6~C30アリール基並びに置換および非置換C7~C30アラルキルから選択される2価の基である。前記酸素原子が、芳香族環のオルト位またはメタ位に、直接またはアルキル基を介して結合していることが好ましい。置換される場合、前記アリール基およびアラルキル基は単置換または複数置換されていてもよく、それらの置換基は、独立に、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルコキシ、線状および分岐状C1~C10ハロアルコキシ、および塩素、臭素およびフッ素から選択されるハロゲン、好ましくはフッ素、から選択される。2価の基R32の代表的な構造式を以下に示す。ここでR33は、独立に、水素、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル並びに塩素、臭素およびフッ素かなるハロゲン、好ましくはフッ素、から選択され、R34は、単一置換基であってもよく、または、各環の炭素原子上でとり得る原子価に依存して、各芳香環について4回まで用いられてもよい。そして、独立に、水素、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、線状および分岐状C1~C5アルコキシ、線状および分岐状C1~C10ハロアルコキシ並びに塩素、臭素およびフッ素から選択されるハロゲン、好ましくはフッ素、から選択され、そしてnは、独立に、0~6の整数を表す。nが0の場合、式-O-R32-O-中の酸素原子は、R32で表される芳香環内の炭素原子に直接結合する。上記2価の構造式において、酸素原子、例えば、nが0の場合、メチレン基または置換メチレン基、-CR332n-、は、芳香族環のオルト位またはメタ位に位置していることが好ましい。式-O-R32-O-の代表的なキレート基としては、2,3,4,5-テトラフルオロベンゼンジオレート-OC6F4O-、2,3,4,5-テトラクロロベンゼンジオレート-OC6Cl4O-、2,3,4,5-テトラブロモベンゼンジオレート-OC6Br4O-、およびビス1,1’-バイテトラフルオロフェニル-2,2’-ジオレートを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。前記式IIIで表される代表的なボラートアニオンおよびアルミナートアニオンとしては、[BO2C6F42]-、[BOCCF32CF34]-、[BOCCF32H4]-、[BOCCF3CH3H4]-、[AlOCCF32Ph4]-、[BOCH2CF34]-、[AlOCCF32C6H4-CH34]-、[AlOCCF334]-、[AlOCCF3CH3H4]-、[AlOCCF32H4]-、[AlOCCF32C6H4-4-i-Pr4]-、[AlOCCF32C6H4-4-t-ブチル4]-、[AlOCCF32C6H4-4-SiMe34]-、[AlOCCF32C6H4-4-Si-i-Pr34]-、[AlOCCF32C6H2-2,6-CF32-4-Si-i-Pr34]-、[AlOCCF32C6H3-3,5-CF324]-、[AlOCCF32C6H2-2,4,6-CF334]-、および[AlOCCF32C6F54]-を挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。弱配位カウンターアニオンとして有用なボレートベンゼンアニオンは、下記式IVで表すことができる。ここでR34は、フッ素、フッ化ヒドロカルビル、パーフルオロカルビル並びにフッ化および過フッ化エーテルから選択される。ここで、ハロヒドロカルビルというは、ヒドロカルビル基、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基上の少なくとも1つの水素原子が、塩素、臭素、ヨウ素およびフッ素から選択されるハロゲン原子で置換されていることを意味する。フルオロヒドロカルビルというは、ヒドロカルビル基上の少なくとも1つの水素原子が、フッ素で置換されていることを意味する。ハロゲン化の程度は、少なくとも1つの水素原子がハロゲン原子例えば、モノフルオロメチル基で置換されている場合から、ヒドロカルビル基上のすべての水素原子がハロゲン原子例えば、トリフルオロメチルパーフルオロメチルの如きパーハロカルビルで置換されている完全ハロゲン化過ハロゲン化にまでわたることができる。フッ化ヒドロカルビルおよびパーフルオロカルビル基は、1~24の炭素原子、より好ましくは1~12の炭素原子、最も好ましくは6つの炭素原子を含有することが好ましく、そして線状、分岐状、環状、あるいは芳香族でもよい。前記フッ化ヒドロカルビル基およびパーフルオロカルビル基としては、フッ化および過フッ化線状および分岐状C1~C24アルキル、フッ化および過フッ化C3~C24シクロアルキル、フッ化および過フッ化C2~C24アルケニル、フッ化および過フッ化C3~C24シクロアルケニル、フッ化および過フッ化C6~C24アリール並びにフッ化および過フッ化C7~C24アラルキルを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。フッ化およびパーフルオロカルビルエーテル置換基は、式-CH2mOR36、または、式-CH2mOR36でそれぞれ表されるが、ここで、R36は、上記において定義されたフッ化またはパーフルオロカルビルであり、mは0~5の整数である。mが0の場合、エーテル部分中の酸素原子は、ボラートベンゼン環内のホウ素原子に直接結合する。前記R34の好ましい基としては、例えば、トリフルオロメチル、パーフルオロエチル、パーフルオロプロピル、パーフルオロイソプロピル、ペンタフルオロフェニルおよびビス3,5-トリフルオロメチルフェニルから選択されるフッ化および過フッ化ヒドロカルビル基のような、電子脱離性であるものが挙げられる。前記R35は、独立に、水素、ハロゲン、パーフルオロカルビル基、およびシリルパーフルオロカルビル基を表し、前記パーフルオロカルビルおよびシリルパーフルオロカルビルは上記において定義された通りである。好ましいハロゲン基は、塩素またはフッ素から選択されるが、フッ素が特に好ましい。R35が水素、パーフルオロカルビル、および/またはシリルパーフルオロカルビルである場合、これらの基は、ボラートベンゼン環内のホウ素原子に対してオルト位またはパラより好ましくはパラ位であるのが好ましい。代表的なボレートベンゼンアニオンとしては、[1,4-ジヒドロ-4-メチル-1-ペンタフルオロフェニル]-2-ボラート、4-1,1-ジメチル-1,2-ジヒドロ-1-ペンタフルオロフェニル]-2-ボラート、1-フルオロ-1,2-ジヒドロ-4-ペンタフルオロフェニル-2-ボラート、および1-[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]-1,2-ジヒドロ-4-ペンタフルオロフェニル-2-ボラートを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。弱配位カウンターアニオンとして有用なカルボランアニオンおよびハロカルボランアニオンとしては、CB11CH312―、CB11H12―、1-C2H5CB11H11-、1-Ph3SiCB11H1-、1-CF3CB11H1-、12-BrCB11H11-、12-BrCB11H11-、7,12-Br2CB11H10-、12-ClCB11H11-、7,12-Cl2CB11H10-、1-H-CB11F11-、1-CH3-CB11F11-、1-CF3-CB11F11-、12-CB11H11F-、7,12-CB11H11F2-、7,9,12-CB11H11F3-、CB11H6Br6-、6-CB9H9F-、6,8-CB9H8F2-、6,7,8-CB9H7F3-、6,7,8,9-CB9H6F4-、2,6,7,8,9-CB9H5F5-、CB9H5Br5-、CB11H6Cl6-、CB11H6F6-、CB11H6F6-、CB11H6I6-、CB11H6Br6-、6,7,9,10,11,12-CB11H6F6-、2,6,7,8,9,10-CB9H5F5-、1-H-CB9F9-、12-CB11H11C6H5-、1-C6F5-CB11H5Br6-、CB11Me12-、CB11CF312-、CoB9C2H112-、CB11CH312-、CB11C4H912-、CB11C6H1312-、CoC2B9H112-、CoBr3C2B9H82-およびドデカヒドロ-1-カルバドデカボラートを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。前記式Iの触媒は、溶媒中で予備成形された単一成分触媒として調製することもできるが、重合される所望のモノマーに触媒前駆体成分を混合することによって調製することもできる。前記式Iの単一成分触媒は、適当な溶媒中に触媒前駆体を混合し、適当な温度条件下において反応させ、そして触媒生成物を単離することによって調製することができる。別の実施態様では、上記式によって説明される予備形成された触媒錯体を生成するために、第10族金属プロ触媒を、第15族電子供与化合物および/または不安定中性電子供与化合物、および適当な溶媒中の弱配位アニオンの塩と混合する。さらに別の実施態様では、第15族電子供与配位子を含有する第10族金属プロ触媒を、予備形成された触媒錯体を生成するために、適当な溶媒中の弱配位アニオンの塩と混合する。触媒調製反応は、反応条件下では不活性である溶媒中で行われる。前記触媒調製反応に好適な溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンおよびシクロヘキサンの如きアルカン溶媒およびシクロアルカン溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、カーボンテトラクロライド、エチルクロライド、1,1-ジクロロエタン、1,2-ジクロロエタン、1-クロロプロパン、2-クロロプロパン、1-クロロブタン、2-クロロブタン、1-クロロ-2-メチルプロパンおよび1-クロロペンタンの如きハロゲン化アルカン溶媒、THFおよびジエチルエーテルの如きエーテル、ベンゼン、キシレン、トルエン、メシチレン、クロロベンゼンおよびo-ジクロロベンゼンの如き芳香族溶媒、フレオン登録商標112Freon登録商標112のごときハロカーボン溶媒およびこれらを混ぜ合わせたものを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。好ましい溶媒としては、ベンゼン、フルオロベンゼン、o-ジフルオロベンゼン、p-ジフルオロベンゼン、ペンタフルオロベンゼン、ヘキサフルオロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、クロロベンゼン、トルエン、o-、m-およびp-キシレン、メシチレン、シクロヘキサン、THFおよびジクロロメタンが挙げられる。前記触媒調製反応を行うための好適な温度範囲は、-80~150°Cであり、-30~100°Cが好ましく、0~65°Cがさらに好ましく、そして10~40°Cが最も好ましい。圧力は重要ではないが、使用される溶媒の沸点に依存することがあり、すなわち、前記溶媒を液相に維持するのに十分な圧力であればよい。反応時間は重要ではないが、数分から48時間にわたることもある。前記反応は、窒素またはアルゴンの如き不活性雰囲気下において行われることが好ましい。前記触媒調製反応は、前記プロ触媒を好適な溶媒に溶かし、適当な配位子と溶解したプロ触媒を有する所望の弱配位アニオンの塩とを混合し、反応が終了するまで溶液を加熱することによって行ってもよい。予備形成された単一成分触媒は単離することもできるが、溶液中の予備形成触媒のアリコートを重合中間体に添加することによって直接使用することもできる。前記生成物の単離は、溶媒を蒸発させ、固形物を適当な溶媒で洗浄し、そして次に所望の生成物を再結晶させるといったような標準的な方法によって行うことができる。本発明の予備形成された単一成分触媒の調製に用いられる触媒成分のモル比は、プロ触媒成分に含有されている金属に基づく。好ましい実施態様においては、プロ触媒/第15族電子供与成分/WCA塩のモル比は、1:1~10:1~100であり、さらに好ましくは1:1~5:1~20であり、最も好ましくは1:1~2:1~5である。プロ触媒が第15族電子供与配位子および/または不安定中性電子供与配位子と結合している本発明の実施態様においては、金属含有量に基づくプロ触媒のWCA塩に対するモル比は、1:1~100であり、好ましくは1:1~200であり、さらに好ましくは1:1~5である。一実施態様では、下記反応式1に示されるように、単一成分触媒生成物を生成するために、式[R’MA’]2の第10族金属プロ触媒二量体を、適当な溶媒中で、第15族電子供与化合物L’および好適な弱配位アニオンの塩と混合する。1[R’MA’]2xL’yL[WCA]塩→[R’ML’xLy]b[WCA]d前記反応式1中[R’MA’]2の好適なプロ触媒二量体としては、下記の組成物、すなわち、アリルパラジウムトリフルオロアセテート二量体、アリルパラジウムクロライド二量体、クロチルパラジウムクロライド二量体、アリルパラジウムヨード二量体、β-ピネニルパラジウムクロライド二量体、メタアリルパラジウムクロライド二量体、1,1-ジメチルアリルパラジウムクロライド二量体、アリルパラジウムアセテート二量体、[CH2CCH3CH2C10H10NiO2CCF3]挿入部分C10H10はジシクロペンタジエンから誘導される、[CH2CCH3CH2C7H10NiO2CCF3]2挿入部分C7H10はノルボルネンから誘導される、[CH2CCH3CH2C13H22NiO2CCF3]2挿入部分C13H22はヘキシルノルボルネンから誘導される、[CH2CCH3CH2C14H16NiO3CCF3]2挿入部分C10H10はノルボルナジエン二量体[NBD]2から誘導される、[CH2CCH3CH2C15H15NiO2CCF3]2挿入部分C15H15はトリシクロペンタジエンから誘導される、[CH2CCH3CH2エキソ-C12H20NiO2CCF3]2挿入部分エキソ-C12H20はエキソペンチルノルボルネンから誘導される、および[CH2CCH3CH2C13H22NiO2CCF3]2挿入部分C13H22はヘキシルノルボルネンから誘導されるを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。また、別の実施態様では、下記反応式2に示されるように、単一成分触媒生成物を生成するために、[R’MLyA’]の結合した第10族金属プロ触媒を、適当な溶媒中で、第15族電子供与化合物L’および好適な弱配位アニオンの塩と混合する。2[R’MLyA’]xL’[WCA]塩→[R’ML’xLy]b[WCA]d前記反応式2中の[R’MLyA’]の代表的なプロ触媒として、CODパラジウムメチルクロライドが挙げられるが、これに限定されるわけではない。さらに別の実施態様では、下記反応式3に示されるように、単一成分触媒生成物を生成するために、第15族電子供与配位子L’を含有する式[R’ML’xA’]のプロ触媒を結合した第10族金属を、適当な溶媒中で、好適な弱配位アニオンの塩と混合する。3[R’ML’xA’]yL[WCA]塩→[R’ML’xLy]b[WCA]d前記反応式中の[R’ML’xA’]の好適なプロ触媒として、下記の組成物、すなわち、アリルパラジウムトリシクロヘキシルホスフィンクロライド、アリルパラジウムトリシクロヘキシルホスフィントリフラート、アリルパラジウムトリイソプロピルホスフィントリフラート、アリルパラジウムトリシクロペンチルホスフィントリフラート、アリルパラジウムトリシクロヘキシルホスフィントリフルオロアセテート、アリルパラジウムトリ-o-トリルホスフィンクロライド、アリルパラジウムトリ-o-トリルホスフィントリフラート、アリルパラジウムトリ-o-トリルホスフィンナイトレート、アリルパラジウムトリ-o-トリルホスフィンアセテート、アリルパラジウムトリイソプロピルホスフィントリフルイミド、アリルパラジウムトリシクロヘキシルホスフィントリフルイミド、アリルパラジウムトリフェニルホスフィントリフルイミド、アリルパラジウムトリナフチルホスフィントリフラート、アリルパラジウムトリシクロヘキシルホスフィンp-トリルスルホナート、アリルパラジウムトリフェニルホスフィントリフラート、アリルパラジウムトリイソプロピルホスフィントリフルオロアセテート、アリルプラチナトリシクロヘキシルホスフィンクロライド、アリルプラチナトリシクロヘキシルホスフィントリフラート、1,1-ジメチルアリルパラジウムトリイソプロピルホスフィントリフルオロアセテート、2-クロロアリルパラジウムトリイソプロピルホスフィントリフルオロアセテート、クロチルパラジウムトリイソプロピルホスフィントリフラート、クロチルパラジウムトリシクロヘキシルホスフィントリフラート、クロチルパラジウムトリシクロペンチルホスフィントリフラート、メタアリルパラジウムトリシクロヘキシルホスフィントリフラート、メタアリルパラジウムトリイソプロピルホスフィントリフラート、メタアリルパラジウムトリシクロペンチルホスフィントリフラート、メタアリルパラジウムトリシクロヘキシルホスフィンクロライド、メタアリルパラジウムトリイソプロピルホスフィンクロライド、メタアリルパラジウムトリシクロペンチルホスフィンクロライド、メタアリルパラジウムトリシクロヘキシルホスフィントリフルイミド、メタアリルパラジウムトリイソプロピルホスフィントリフルイミド、メタアリルパラジウムトリシクロペンチルホスフィントリフルイミド、メタアリルパラジウムトリシクロヘキシルホスフィントリフルオロアセテート、メタアリルパラジウムトリイソプロピルホスフィントリフルオロアセテート、メタアリルパラジウムトリシクロペンチルホスフィントリフルオロアセテート、メタアリルパラジウムトリシクロヘキシルホスフィンアセテート、メタアリルパラジウムトリイソプロピルホスフィンアセテート、メタアリルパラジウムトリシクロペンチルホスフィンアセテート、メタアリルニッケルトリシクロヘキシルホスフィントリフラート、{2-[ジメチルアミノメチル]フェニル-C,N-}-パラジウムトリシクロヘキシルホスフィンクロライド、{[ジメチルアミノメチル]フェニル-C,N-}-パラジウムトリシクロヘキシルホスフィントリフラート、ヒドリドパラジウムビストリシクロヘキシルホスフィンクロライド、ヒドリドパラジウムビストリイソプロピルホスフィンクロライド、ヒドリドパラジウムビストリシクロヘキシルホスフィンナイトレート、ヒドリドパラジウムビストリシクロヘキシルホスフィントリフルオロアセテート、ヒドリドパラジウムビストリイソプロピルホスフィントリフラート、ヒドリドパラジウムビストリシクロヘキシルホスフィントリフラートおよびヒドリドパラジウムビストリシクロヘキシルホスフィンホルマートを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。前述の反応に好適に使用される他のプロ触媒成分としては、Me2NCH2C6H4PdO3SCF3Pシクロヘキシル3すなわち、オルソ-メタレイテッドフェニルメチレンジメチルアミノパラジウムトリシクロヘキシルホスフィン、Me2NCH2C6H4PdO3SCF3Pi-Pr3すなわち、オルソ-メタレイテッドフェニルメチレンジメチルアミノパラジウムトリイソプロピルホスフィン、アリルPdPi-Pr3C6F5、アリルPdPCy3C6F5、CH3PdPMe32Cl、C2H5PdPMe32Cl、PhPdPMe32Cl、CH3PdPMe32Br、CH3PdPMe2Ph2Cl、C2H5PdPMe32Br、C2H5PdPMe32Br、PhPdPMe32Br、CH3PdPMe3NO3、CH3PdPi-Pr32O3SCF3、η1-ベンジルPdPEt32Cl、アリルPdPMe3OCOCH2CH=CH2、アリルPdAsPh3Cl、アリルPdPPh3Cl、アリルPdSbPh3Cl、メチルアリルPdPPh3Cl、メチルアリルPdAsPh3Cl、メチルアリルPdSbPh3Cl、メチルアリルPdPBu3Cl、およびメチルアリルPdP[OCH23]CHClが挙げられる。別の実施態様では、ブレンステッド酸をベースとしたWCA塩の存在下で、下記式のプロ触媒を水素化することによって、または、活性触媒を生成するためのカルボニウム若しくはシリリウムをベースとしたWCA塩を用いた同様の反応によって、反応式4に示されるように形成される。本実施態様において、R’は、第10族金属である中心金属Mと一緒になってメタラサイクルを形成する式-CdH2d-の2価のヒドロカルビル配位子であり、d’は、2価のヒドロカルビル主鎖中の炭素原子の数を表しかつ3~10の整数である。2価のヒドロカルビルの主鎖における任意の水素原子は、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、C5~C10シクロアルキル、およびC6~C10アリールで置換することができる。シクロアルキル部分およびアリール部分は、場合により、臭素、塩素、フッ素およびヨウ素から選択されるハロゲン、好ましくはフッ素、で置換されていてもよい。さらに、アルキル置換基のうちの任意の2つまたは3つは、それらが結合しているヒドロカルビル主鎖の炭素原子と一緒になって、脂肪族または芳香族環系を形成することができる。前記環は、単環、多環、または縮合環のいずれでもよい。水素化は、中心金属Mに配位した1価のヒドロカルビル配位子を有するカチオンを生成するために、ヒドロカルビル/中心金属の結合面の1つで起こる。別の実施態様においては、第15族電子供与配位子L’を含有する式[R’ML’xLyA’]の第10族金属が結合したプロ触媒と不安定な中性電子供与配位子Lが、下記の反応式5に示されるように単一成分の触媒生成物を生成するために、適当な溶媒中で好適な弱配位アニオンの塩と混合される。5[R’ML’xLyA’][WCA]塩→[R’ML’xLy]b[WCA]d前記式5中の[R’ML’xLyA’]の好適なプロ触媒としては、下記の組成物、すなわち、[アリルPdNCCH3Pi-Pr3][BO2-3,4,5,6-Cl4C62]、[アリルPdHOCH3Pi-Pr3][BO2-3,4,5,6-Cl4C62]、[アリルPdHOCH3Pi-Pr3][BO2-3,4,5,6-Br4C62]、[アリルPdHOCH3Pi-Pr3][BO2C6H42]、[アリルPdOEt2Pi-Pr3][BPh4]、[アリルPdOEt2Pi-Pr3][SbF6]、[アリルPdOEt2Pi-Pr3][BF4]、[アリルPdOEt2PCy3][BF4]、[アリルPdOEt2PPh3][BF4]、[アリルPdOEt2Pi-Pr3][PF6]、[アリルPdOEt2PCy3][PF6]、[アリルPdOEt2PPh3][PF6]、[アリルPdOEt2Pi-Pr3][ClO4]、[アリルPdOEt2PCy3][ClO4]、[アリルPdOEt2PPh3][ClO4]、[アリルPdOEt2Pi-Pr3][SbF6]、[アリルPdOEt2PCy3][SbF6]、および[アリルPdOEt2PPh3][SbF6]を挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。前記反応式および式において、R’、M、L’、L、[WCA]、b、d、x、およびyは上記において定義された通りであり、A’は以下に定義するアニオン脱離基であり、[WCA]塩は、弱配位アニオン[WCA]の金属塩であり、そしてここおよび明細書全体を通じて用いられる略記Me、Et、Ph、Pr、BuおよびCyは、それぞれ、メチル、エチル、フェニル、プロピル、ブチル、およびシクロヘキシルを表す。前述の第10族金属プロ触媒成分は市販されているもの、または、当該技術分野において周知の方法によって合成することもできる。前記脱離基A’は、WCA塩によって与えられる弱配位アニオンによって容易に置換することができるアニオン脱離基を表す。前記脱離基は、WCA塩のカチオンと共に塩を形成する。脱離基A’は、ハロゲン、ナイトレート、トリフラートトリフルオロメタンスロホナート、トリフルイミドビストリフルオロメタンスルホンイミド、トリフルオロアセテート、トシラート、AlBr4-、AlF4-、AlCl4-、AlF3O3SCF3-、AsCl6-、SbCl6-、SbF6-、PF6-、BF4-、ClO4-、HSO4-、アセテート、カーボネート、アルミネート、およびボレートから選択される。別の実施態様において、前記脱離基は、ブロンステッド酸をベースとしたWCA塩が活性剤として用いられる場合、ヒドロカルビル基またはハロゲン化ヒドロカルビル基であってもよい。本実施態様では、前記活性剤は中性部分を形成する前記ヒドロカルビル基またはハロゲン化ヒドロカルビル基を水素化する。前記脱離基部分は、水素化物、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、C5~C10シクロアルキル、およびC6~C10アリールから選択されることが好ましい。シクロアルキル部分およびアリール部分は、場合により、臭素、塩素、フッ素およびヨウ素から選択されるハロゲン、好ましくはフッ素、で置換されていてもよい。本実施態様では、A’は中性部分A’Hを生成するために水素化される。また、メチル基およびペンタフルオロフェニル基は、本実施態様における脱離基の代表的な例である。ハロゲン脱離基には、塩素、ヨウ素、臭素およびフッ素がある。前記アセテートとしては、式R38COO-の基が挙げられ、前記カーボネートとしては、式R38OCOO-の基が挙げられるが、前記式中のR38は、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル好ましくはフッ素、線状または分岐状C1~C5アルケニル、C6~C12アリールを表し、場合により、前記アセテートおよび前記カーボネートは、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキルおよびハロゲン好ましくはフッ素で単置換または独立に複数置換されていてもよい。アルミネート脱離基およびボレート脱離基は、式M’R394-、M’GR394-、M’-C≡CPh4-、または下記式で表すことができる。ここでGは、硫黄原子または酸素原子を表し、Phは、フェニルおよび以下に説明する置換フェニルを表し、そしてR39は、独立に、線状および分岐状C1~C10アルキル、線状および分岐状C1~C10クロロアルキルまたはブロモアルキル、C5~C10シクロアルキル、置換および非置換アリール、好ましくはフェニルおよび置換フェニル、置換および非置換C7~C20アラルキル、好ましくはフェニルアルキルおよび置換フェニルアルキルを表す。置換とは、アリール基またはフェニル基が、線状および分岐状C1~C5アルキル、線状および分岐状C1~C5ハロアルキル、塩素置換基、臭素置換基、およびこれを組み合わせたものを1つ以上含有していることを意味する。代表的なアルミネート基としては、テトラフェノキシアルミナート、テトラキスシクロヘキサノラートアルミネート、テトラエトキシアルミナート、テトラメトキシアルミナート、テトラキスイソプロポキシアルミネート、テトラキス2-ブタノラートアルミネート、テトラペンチルオキシアルミナート、テトラキス2-メチル-2-プロパノラートアルミネート、テトラキスノニルオキシアルミネート、ビス2-メトキシエタノレート-O,O’ビス2-メトキシエタノレート-O’アルミネート、テトラキスフェニルアルミネート、テトラキスp-トリルアルミネート、テトラキスm-トリルアルミネート、テトラキス2,4-ジメチルフェニルアルミネート、およびテトラキス3,5-ジメチルフェニルアルミネートを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。代表的なボレート基としては、テトラフェニルボラート、テトラキス4-メチルフェニルボレート、テトラキス4-クロロフェニルボレート、テトラキス4-ブロモフェニルボレート、テトラキス2-ブロモ-4-クロロフェニルボレート、ブチルトリフェニルボラート、テトラキス4-メトキシフェニルボレート、テトラキスフェニルエチニルボレート、ビス1,2-ベンゼンジオラートボレート、トリフェニルフェニルエチニルボレート、ビステトラフルオロベンゼンジオラートボレート、ビステトラクロロベンゼンジオラートボレート、ビステトラブロモベンゼンジオラートボレート、ビス1,1’-ビフェニル-2,2’-ジオラートボレート、テトラキスチオフェノリルボレート、ビス3,5-ジ-t-ブチルベンゼンジオラートボレート、テトラキス2,4-ジメチルフェニルボレート、テトラキスp-トリルボレート、テトラキス3,5-ジメチルフェニルボレート、テトラキスp-トリルボレート、テトラキス3,5-ジメチルフェニルボレートおよびテトラキスm-トリルボレートを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。前記アニオン脱離基に加えて、A’は、式R40SO22CH-、R40SO23C-、およびR40SO22N-のアニオンを含有する高フッ素化および過フッ素化アルキルスルホニルおよびアリールスルホニルから選択することもでき、前記式において、R40は、独立に、線状および分岐状C1~C20の高フッ素化および過フッ素化アルキル、C5~C15の高フッ素化および過フッ素化シクロアルキル並びに高フッ素化および過フッ素化C6~C22アリールを表す。また、前記アルキル基およびシクロアルキル基は、それぞれ、環状構造の鎖中にヘテロ原子を含有していてもよい。好ましいヘテロ原子としては、2価の非過酸化性の酸素すなわち、-O-、3価の窒素、および6価の硫黄が挙げられる。R40の任意の2つが環を形成するために、一緒に用いられる。R40がシクロアルキル置換基またはヘテロシクロアルキル置換基である場合、または、環を形成するために他のR40基と一緒に用いられる場合、環構造は5または6の原子を含有していることが好ましく、そのうちの1または2がヘテロ原子でもよい。前記高フッ素化という用語は、アルキル部分、シクロアルキル部分およびアリール部分の炭素原子に結合している水素原子の少なくとも50がフッ素原子で置換されていることを意味する。R40で表されるアルキル部分、シクロアルキル部分およびアリール部分の3つの水素原子ごとに、そのうちの少なくとも2つがフッ素で置換されることが好ましい。4つの水素原子ごとに、そのうちの少なくとも3つの水素原子がフッ素で置換されることがさらに好ましく、そして過フッ素化部分を与えるために、R40置換基の水素原子のすべてがフッ素で置換されることが最も好ましい。アリール環上のフッ素原子置換に加えて、あるいは、前記置換の代わりに、アリール基は、例えばトリフルオロメチルの如き線状および分岐状C1~C10高フッ素化および過フッ素化アルキル基を含有することができる。水素原子がアルキル部分、シクロアルキル部分およびアリール部分に残っているような実施態様においては、残存している水素原子の一部または全部を、臭素原子および/または塩素原子で置換することができる。前記高フッ素化および過フッ素化アルキルスルホニルおよびアリールスルホニル含有アニオンとしては、C2F5SO22N-、C4F9SO22N-、CF3SO22N-、CF3SO2C4F9SO2N-、CF32NC2F4SO22N-、C6F5SO2CF3SO2N-、CF3SO2CHF2SO2N-、C2F5SO2CF3SO2N-、C3F7SO22N-、CF32FCSO22N-、C4F8CF32NSO22N-、C8F17SO23C-、CF3SO23C-、CF3SO22CH-、C4F9SO23C-、CF3SO22C4F9SO2C-、CF32NC2F4SO2CSO2CF32-、3,5-ビスCF3C6H3SO2NSO2CF3、C6F5SO2CSO2CF32-、および以下に例示される構造体を挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。脱離基として好適な他の高フッ素化および過フッ素化アルキルスルホニルおよびアリールスルホニルアニオンは、TurowskyandSeppelt、InorganicChemistry,1988,27,2135-2137,および米国特許出願第4,387,222号、4,505,997号、5,021,308号、5,072,040号、5,162,177号および5,273,840号に記載されており、これらの全文が本願明細書に引例として援用される。本発明に係る、弱配位アニオンの塩は、式[CL2]b[WCA]dで表すことができる。前記式において、CはプロトンH、アルカリ金属カチオン、遷移金属カチオンまたは有機基含有カチオンを表し、LおよびWCAは上記において定義された通りであり、zは0~8の整数であり、そしてbおよびdは、それぞれ、カチオン錯体と弱配位カウンターアニオン錯体WCAが塩錯体全体の電子電荷のバランスをとるための数を表す。前記アルカリ金属カチオンとしては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウムおよびセシウムから選択される第1族金属が挙げられる。好ましい第1族金属カチオンは、リチウム、ナトリウムおよびカリウムである。また、アルカリ土類金属カチオンとしては、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウムおよびバリウムから選択される第2族金属が挙げられる。好ましい第2族金属カチオンは、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウムおよびバリウムがある。遷移金属カチオンは、亜鉛、銀およびタリウムから選択される。前記有機基カチオンは、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、カルボニウムカチオンおよびシリリウムカチオン、すなわち、[NHR413]、[NR413]、[PHR413]、[PR414]、[R413C]、および[R413Si]、から選択される。前記式中のR41は、独立に、ヒドロカルビル基、シリルヒドロカルビル基またはパーフルオロカルビル基を表していて、それぞれ1~24の炭素原子、さらに好ましくは線状、分岐状または環状構造に配置した1~12の炭素を含有する。パーフルオロカルビルとは、炭素原子と結合している水素原子のすべてがフッ素原子で置換されていることを意味する。代表的なヒドロカルビル基としては、線状および分岐状C1~C20アルキル、C3~C20シクロアルキル、線状および分岐状C2~C20アルケニル、C3~C20シクロアルケニル、C6~C24アリール、C7~C24アラルキルおよび有機金属カチオンを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。有機カチオンは、トリチル、トリメチルシリリウム、トリエチルシリリウム、トリストリメチルシリルシリリウム、トリベンジルシリリウム、トリフェニルシリリウム、トリシクロヘキシルシリリウム、ジメチルオクタデシルシリリウムおよびトリフェニルカルベニウムすなわち、トリチルから選択される。上記カチオン錯体に加えて、[C5H52Fe]および[C5CH32Fe]の如きフェロセニウムカチオンも、本発明のWCA塩におけるカチオンとして有用である。前記式IIによって示される弱配位アニオンを有するWCA塩の例としては、リチウムテトラキス2-フルオロフェニルボレート、ナトリウムテトラキス2-フルオロフェニルボレート、銀テトラキス2-フルオロフェニルボレート、タリウムテトラキス2-フルオロフェニルボレート、リチウムテトラキス3-フルオロフェニルボレート、ナトリウムテトラキス3-フルオロフェニルボレート、銀テトラキス3-フルオロフェニルボレート、タリウムテトラキス3-フルオロフェニルボレート、フェロセニウムテトラキス3-フルオロフェニルボレート、フェロセニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、リチウムテトラキス4-フルオロフェニルボレート、ナトリウムテトラキス4-フルオロフェニルボレート、銀テトラキス4-フルオロフェニルボレート、タリウムテトラキス4-フルオロフェニルボレート、リチウムテトラキス3,5-ジフルオロフェニルボレート、ナトリウムテトラキス3,5-ジフルオロフェニルボレート、タリウムテトラキス3,5-ジフルオロフェニルボレート、トリチルテトラキス3,5-ジフルオロフェニルボレート、2,6-ジメチルアニリニウムテトラキス3,5-ジフルオロフェニルボレート、リチウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、リチウムジエチルエーテルテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、リチウムジエチルエーテル25テトラキスペンタフルオロフェニルボレート、リチウムテトラキス2,3,4,5-テトラフルオロフェニルボレート、リチウムテトラキス3,4,5,6-テトラフルオロフェニルボレート、リチウムテトラキス1,2,2-トリフルオロエチレニルボレート、リチウムテトラキス3,4,5-トリフルオロフェニルボレート、リチウムメチルトリスパーフルオロフェニルボレート、リチウムフェニルトリスパーフルオロフェニルボレート、リチウムトリスイソプロパノールテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、リチウムテトラキスメタノールテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、銀テトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリストルエン銀テトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリスキシレン銀テトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリチルテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリチルテトラキス4-トリイソプロピルシリルテトラフルオロフェニルボレート、トリチルテトラキス4-ジメチル-t-ブチルシリルテトラフルオロフェニルボレート、タリウムテトラキス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ボレート、N,N-ジメチルアニリニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、N,N-ジメチルアニリニウムテトラキス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ボレート、リチウムトリフェニルシロキシトリスペンタフルオロフェニルボレート、ナトリウムトリフェニルシロキシトリスペンタフルオロフェニルボレート、ナトリウムテトラキス2,3,4,5-テトラフルオロフェニルボレート、ナトリウムテトラキス3,4,5,6-テトラフルオロフェニルボレート、ナトリウムテトラキス1,2,2-トリフルオロエチレニルボレート、ナトリウムテトラキス3,4,5-トリフルオロフェニルボレート、ナトリウムメチルトリスパーフルオロフェニルボレート、ナトリウムフェニルトリスパーフルオロフェニルボレート、タリウムテトラキス2,3,4,5-テトラフルオロフェニルボレート、タリウムテトラキス3,4,5,6-テトラフルオロフェニルボレート、タリウムテトラキス1,2,2-トリフルオロエチレニルボレート、タリウムテトラキス3,4,5-トリフルオロフェニルボレート、ナトリウムメチルトリスパーフルオロフェニルボレート、タリウムフェニルトリスパーフルオロフェニルボレート、トリチルテトラキス2,3,4,5-テトラフルオロフェニルボレート、トリチルテトラキス3,4,5,6-テトラフルオロフェニルボレート、トリチルテトラキス1,2,2-トリフルオロエチレニルボレート、トリチルテトラキス3,4,5-トリフルオロフェニルボレート、トリチルメチルトリスパーフルオロフェニルボレート、トリチルフェニルトリスパーフルオロフェニルボレート、銀テトラキス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ボレート、銀トルエンテトラキス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ボレート、タリウムテトラキス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ボレート、リチウムヘキシルトリスペンタフルオロフェニルボレート、リチウムトリフェニルシロキシトリスペンタフルオロフェニルボレート、リチウムオクチルオキシトリスペンタフルオロフェニルボレート、リチウムテトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルボレート、ナトリウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、ナトリウムオクチルオキシトリスペンタフルオロフェニルボレート、ナトリウムテトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルボレート、カリウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリチルテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、カリウムオクチルオキシトリスペンタフルオロフェニルボレート、カリウムテトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルボレート、マグネシウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、マグネシウムオクチルオキシトリスペンタフルオロフェニルボレート、マグネシウムテトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルボレート、カルシウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、カルシウムオクチルオキシトリスペンタフルオロフェニルボレート、カルシウムテトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルボレート、リチウムテトラキス[3,5-ビス[1-メトキシ-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメチルエチル]フェニル]ボレート、ナトリウムテトラキス[3,5-ビス[1-メトキシ-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメチルエチル]フェニル]ボレート、銀テトラキス[3,5-ビス[1-メトキシ-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメチルエチル]フェニル]ボレート、タリウムテトラキス[3,5-ビス[1-メトキシ-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメチルエチル]フェニル]ボレート、リチウムテトラキス[3-[1-メトキシ-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメチルエチル]-5-トリフルオロメチルフェニル]ボレート、ナトリウムテトラキス[3-[1-メトキシ-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメチルエチル]-5-トリフルオロメチルフェニル]ボレート、銀テトラキス[3-[1-メトキシ-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメチルエチル]-5-トリフルオロメチルフェニル]ボレート、タリウムテトラキス[3-[1-メトキシ-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメチルエチル]-5-トリフルオロメチルフェニル]ボレート、リチウムテトラキス[3-[2,2,2-トリフルオロ-1-2,2,2-トリフルオロエトキシ-1-トリフルオロメチルエチル]-5-トリフルオロメチルフェニル]ボレート、ナトリウムテトラキス[3-[2,2,2-トリフルオロ-1-2,2,2-トリフルオロエトキシ-1-トリフルオロメチルエチル]-5-トリフルオロメチルフェニル]ボレート、銀テトラキス[3-[2,2,2-トリフルオロ-1-2,2,2-トリフルオロエトキシ-1-トリフルオロメチルエチル]-5-トリフルオロメチルフェニル]ボレート、タリウムテトラキス[3-[2,2,2-トリフルオロ-1-2,2,2-トリフルオロエトキシ-1-トリフルオロメチルエチル]-5-トリフルオロメチルフェニル]ボレート、トリメチルシリリウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリメチルシリリウムエーテラートテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリエチルシリリウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリフェニルシリリウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリスメシチルシリリウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリベンジルシリリウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリメチルシリリウムメチルトリスペンタフルオロフェニルボレート、トリエチルシリリウムメチルトリスペンタフルオロフェニルボレート、トリフェニルシリリウムメチルトリスペンタフルオロフェニルボレート、トリベンジルシリリウムメチルトリスペンタフルオロフェニルボレート、トリメチルシリリウムテトラキス2,3,4,5-テトラフルオロフェニルボレート、トリエチルシリリウムテトラキス2,3,4,5-テトラフルオロフェニルボレート、トリフェニルシリリウムテトラキス2,3,4,5-テトラフルオロフェニルボレート、トリベンジルシリリウムテトラキス2,3,4,5-テトラフルオロフェニルボレート、トリメチルシリリウムテトラキス2,3,4,5-テトラフルオロフェニルボレート、トリフェニルシリリウムテトラキス2,3,4,5-テトラフルオロフェニルボレート、トリメチルシリリウムテトラキス3,4,5-トリフルオロフェニルボレート、トリベンジルシリリウムテトラキス3,4,5-トリフルオロフェニルアルミネート、トリフェニルシリリウムメチルトリス3,4,5-トリフルオロフェニルアルミネート、トリエチルシリリウムテトラキス1,2,2-トリフルオロエチニルボレート、トリシクロヘキシルシリリウムテトラキス2,3,4,5-テトラフルオロフェニルボレート、ジメチルオクタデシルシリリウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリストリメチルシリルシリリウムメチルトリ2,3,4,5-テトラフルオロフェニルボレート、2,2’-ジメチル-1,1’-ビナフチルメチルシリリウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、2,2’-ジメチル-1,1’-ビナフチルメチルシリリウムテトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルボレート、リチウムテトラキスペンタフルオロフェニルアルミネート、トリチルテトラキスペンタフルオロフェニルアルミネート、トリチルパーフルオロビフェニルフルオロアルミナート、リチウムオクチルオキシトリスペンタフルオロフェニルアルミネート、リチウムテトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルアルミネート、ナトリウムテトラキスペンタフルオロフェニルアルミネート、トリチルテトラキスペンタフルオロフェニルアルミネート、ナトリウムオクチルオキシトリスペンタフルオロフェニルアルミネート、ナトリウムテトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルアルミネート、カリウムテトラキスペンタフルオロフェニルアルミネート、トリチルテトラキスペンタフルオロフェニルアルミネート、カリウムオクチルオキシトリスペンタフルオロフェニルアルミネート、カリウムテトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルアルミネート、マグネシウムテトラキスペンタフルオロフェニルアルミネート、マグネシウムオクチルオキシトリスペンタフルオロフェニルアルミネート、マグネシウムテトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルアルミネート、カルシウムテトラキスペンタフルオロフェニルアルミネート、カルシウムオクチルオキシトリスペンタフルオロフェニルアルミネートおよびカルシウムテトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルアルミネートを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。前記式IIIによって説明された弱配位アニオンを有するWCA塩の例としては、LiBOCCF334、LiBOCCF32CH34、LiBOCCF32H4、LiBOCCF3CH3H4、TlBOCCF334、TlBOCCF32H4、TlBOCCF3CH3H4、TlBOCCF32CH34、Ph3CBOCCF334、Ph3CBOCCF32CH34、Ph3CBOCCF32H4、Ph3CBOCCF3CH3H4、AgBOCCF334、AgBOCCF32H4、AgBOCCF3CH3H4、LiBO2C6F42、TlBO2C6F42、Agトルエン2BO2C6F42、Ph3CBO2C6F42、LiBOCH2CF324、[LiHOCH34]BO2C6Cl42、[LiHOCH34]BO2C6F42、[Agトルエン2]BO2C6Cl42、LiBO2C6Cl42、LiAlOCCF32Ph4、TlAlOCCF32Ph4、AgAlOCCF32Ph4、Ph3ClAlOCCF32Ph4、LiAlOCCF32C6H4-CH34、ThAlOCCF32C6H4CH34、AgAlOCCF32C6H4CH34、Ph3CAlOCCF32C6H4CH34、LiAlOCCF334、ThAlOCCF334、AgAlOCCF334、Ph3CAlOCCF334、LiAlOCCF3CH3H4、TlAlOCCF3CH3H4、AgAlOCCF3CH3H4、Ph3CAlOCCF3CH3H4、LiAlOCCF32H4、TlAlOCCF32H4、AgAlOCCF32H4、Ph3CAlOCCF32H4、LiAlOCCF32C6H4-4-i-Pr4、TlAlOCCF32C6H4-4-i-Pr4、AgAlOCCF32C6H4-4-i-Pr4、Ph3CAlOCCF32C6H4-4-i-Pr4、LiAlOCCF32C6H4-4-t-ブチル4、TlAlOCCF32C6H4-4-t-ブチル4、AgAlOCCF32C6H4-4-t-ブチル4、Ph3CAlOCCF32C6H4-4-t-ブチル4、LiAlOCCF32C6H4-4-SiMe34、TlAlOCCF32C6H4-4-SiMe34、AgAlOCCF32C6H4-4-SiMe34、Ph3CAlOCCF32C6H4-4-SiMe34、LiAlOCCF32C6H4-4-Si-i-Pr34、TlAlOCCF32C6H4-4-Si-i-Pr34、AgAlOCCF32C6H4-4-Si-i-Pr34、Ph3CAlOCCF32C6H4-4-Si-i-Pr34、LiAlOCCF32C6H2-2,6-CF32-4-Si-i-Pr34、TlAlOCCF32C6H2-2,6-CF32-4-Si-i-Pr34、AgAlOCCF32C6H2-2,6-CF32-4-Si-i-Pr34、Ph3CAlOCCF32C6H2-2,6-CF32-4-Si-i-Pr34、LiAlOCCF32C6H3-3,5-CF324、TlAlOCCF32C6H3-3,5-CF324、AgAlOCCF32C6H3-3,5-CF34、Ph3CAlOCCF32C6H3-3,5-CF324、LiAlOCCF32C6H2-2,4,6-CF334、TlAlOCCF32C6H2-2,4,6-CF334、AgAlOCCF32C6H2-2,4,6-CF334、Ph3CAlOCCF32C6H2-2,4,6-CF334、LiAlOCCF32C6F54LiWCA-H、TlAlOCCF32C6F54、AgAlOCCF32C6F54およびPh3CAlOCCF32C6F54を挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。ボラートベンゼンの例としては、[1,4-ジヒドロ-4-メチル-1-ペンタフルオロフェニル]-2-ボリニルリチウム、[1,4-ジヒドロ-4-メチル-1-ペンタフルオロフェニル]-2-ボリニルトリフェニルメチリウム、4-1,1-ジメチル-1,2-ジヒドロ-1-ペンタフルオロフェニル-2-ボリニルリチウム、4-1,1-ジメチル-1,2-ジヒドロ-1-ペンタフルオロフェニル-2-ボリニルトリフェニルメチリウム、1-フルオロ-1,2-ジヒドロ-4-ペンタフルオロフェニル-2-ボリニルリチウム、1-フルオロ-1,2-ジヒドロ-4-ペンタフルオロフェニル-2-ボリニルトリフェニルメチリウム、1-[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]-1,2-ジヒドロ-4-ペンタフルオロフェニル-2-ボリニルリチウムおよび1-[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]-1,2-ジヒドロ-4-ペンタフルオロフェニル-2-ボリニルトリフェニルメチリウムを挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。WCAカルボラン塩およびWCAハロカルボラン塩の例としては、銀ドデカヒドロ-1-カルバドデカボラート、LiCB11CH312、LiCB11H12、Me3NH[CB11H12]、Me4N[1-C2H5CB11H11]、Me4N[1-Ph3SiCB11H11]、Me4N[1-CF3CB11H11]、Cs[12-BrCB11H11]、Ag[12-BrCB11H11]、Cs[7,12-Br2CB11H10]、Cs[12-ClCB11H11]、Cs[7,12-Cl2CB11H10]、Cs[1-H-CB11F11]、Cs[1-CH3-CB11F11]、i-Pr3Si[1-CF3-CB11H11]、Li[12-CB11H11F]、Li[7,12-CB11H11F2]、Li[7,9,12-CB11H11F3]、i-Pr3Si[CB111H6Br6]、Cs[CB11H6Br6]、Li[6-CB9H9F]、Li[6,8-CB9H8F2]、Li[6,7,8-CB9H7F3]、Li[6,7,8,9-CB9H6F4]、Li[2,6,7,8,9-CB9H5F5]、Li[CB9H5Br5]、Ag[CB11H6Cl6]、Tl[CB11H6Cl6]、Ag[CB11H6F6]、Tl[CB11H6F6]、Ag[CB11H6I6]、Tl[CB11H6I6]、Ag[CB11H6Br6]、Tl[CB11H6Br6]、Li[6,7,9,10,11,12-CB11H6F6]、Li[2,6,7,8,9,10-CB9H5F5]、Li[1-H-CB9F9]、Tl[12-CB11H11C6H5]、Ag[1-C6F5-CB11H5Br6]、Li[CB11Me12]、Li[CB11CF312]、Li[CB11H6I6]、Li[CB9H5Br5]、Li[CoB9C2H112]、Li[CB11CH312]、Li[CB11C4H912]、Li[CB11C6H1312]、Na[CoC2B9H112]およびNa[CoBr3C2B9H82]を挙げることができるが、これらに限定されるわけではなく、これ以外のハルカルボラン塩が国際公開公報WO98/43983に開示されている。また、モノマーの触媒に対する比率即ち、モノマー:パラジウム金属触媒は、約250,000:1~約50:1、の範囲であることが好ましい。さらに好ましくは、約100,000:1~約100:1の範囲である。これにより、確実に環状オレフィン樹脂を構成するモノマーを重合することができる。前記環状オレフィン樹脂を合成する場合、前記触媒の他に助触媒を添加する方が好ましい。これにより、環状オレフィン樹脂を構成するモノマーの重合速度向上する効果をを得ることができる。前記助触媒の添加量は、特に限定されるわけではないが、モル比触媒:助触媒で1:0.1~10が好ましく、1:0.3~8がさらに好ましく、1:0.5~5が特に好ましい。これにより、短時間で環状オレフィンを構成するモノマーを重合するという効果と重合反応が暴走することを抑制するいう両方の効果を得ることができる。前記助触媒としては、特に限定されるわけではないが、アルキルアルミニウム、ルイス酸又は、弱配位性アニオンWCA塩を含むイオン錯体等を挙げることができ、それらの中でも、弱配位性アニオンWCA塩を含むイオン錯体が好ましい。前記弱配位性アニオンWCA塩を含むイオン錯体としては、特に限定されるわけではないが、リチウムジエチルエーテル2.5テトラキスペンタフルオロフェニルボレート、ジメチルアニリニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、ジメチルアニリニウムテトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルボレート、HOEt2xテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、テトラキス[4-メチル-α,α-ビストリフルオロメチルベンゼンメタノラト-κO]アルミネート、ナトリウムテトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルボレート、トリアルキル及びトリアリールホスホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、並びにトリチルテトラキスペンタフルオロフェニルボレート等を挙げることができる。また、助触媒を用いる場合には、モノマー:パラジウム触媒:助触媒の配合比率は、モル比で100,000:0.3~10:0.15~20であることが好ましく、100,000:0.5~5:0.3~20の割合であることが特に好ましい。これにより、短時間で環状オレフィンを構成するモノマーを重合するという効果と重合反応が暴走することを抑制するいう両方の効果を得ることができる。また、上記樹脂組成物は、その他に充填剤、カップリング剤、難燃剤等を含んでいてもよい。前記シランカップリング剤としては、特に限定されるわけではなく、ビニルシラン類、メタアクリルシラン類、スチリルシラン類、イソシアネートシラン類等を挙げることができ、樹脂組成物と銅箔等の金属箔との密着性を向上させることができる。前記難燃剤としては、特に限定されるわけではないが、トリキシレニルホスフェート、ジキシレニルホスフェート、10-2,5-ジヒドロキシフェニル-10H-9-オキサ-10-ホスファフェナントレンー10-オキシド等を挙げることができ、高周波用回路基板の難燃性を向上させることができる。次に、本発明の樹脂組成物を高周波用回路基板等に適用するための方法を説明する。樹脂組成物を板状に作製する方法は、特に限定されるわけではないが、樹脂組成物を型等に流し込むことにより、所望の形状の成形体とする方法、銅箔等の金属箔に樹脂組成物を塗布することにより所望の形状の成形体とする方法等が挙げられるが、環状オレフィン樹脂を構成するモノマーの重合と銅箔等の金属箔の貼り合せを同時に行うことができる、型等に流し込むことにより、所望の形状の成形体とする方法が好ましい。次に、本発明の一実施形態である、樹脂組成物を型等に流し込むことにより、所望の形状の成形体とする方法について説明する。まず、環状オレフィン樹脂を構成するモノマー、触媒、必要に応じて助触媒、その他の添加剤を秤量し樹脂組成物を作製する。次に、樹脂組成物を放置または必要に応じて加熱し、樹脂組成物の粘度を向上させる。前記放置または加熱する条件は、特に限定されるわけではないが、温度:20~80°C、時間:1分~10時間で行うことができる。これにより、樹脂組成物を型等に流し込みプレスする際に、樹脂組成物の厚みを制御することができる。次に、樹脂組成物を型等に流し込み、加熱をすることにより樹脂組成物を重合させる。加熱する前に、あらかじめ樹脂組成物の両面に銅箔等の金属箔を配置させておくと、樹脂組成物の重合と銅箔等の金属箔の貼り合せを同時に行うことができる。前記加熱をする条件は、特に限定されるわけではないが、温度20~200°C、時間:10分~24時間で行うことができる。加熱する方法としては、特に限定されるわけではないが、型等をオーブンに放置して加熱する方法、樹脂組成物をプレスする方法等が挙げられるが、樹脂組成物の厚み制御が容易で、銅箔等の金属箔の貼り合せを樹脂組成物の重合と同時に行うことができる、樹脂組成物をプレスする方法が好ましく、さらに、減圧下でプレスすることが好ましい。これにより、樹脂組成物中にボイドが発生すること、および、樹脂組成物と銅箔等の金属箔との密着性を両立することができる。前記プレスをする際の圧力は、特に限定されるわけではないが、0.5~8MPaが好ましく、1~5MPaが特に好ましい。前記加熱をした樹脂組成物の重合度を高める目的で、さらに、加熱する工程を設けてもよい。加熱する条件は、特に限定されるわけではないが、環状オレフィン樹脂のガラス転移温度以下が好ましく、具体的には、温度:100~200°C、時間:30分~10時間で行われることが好ましい。さらに、前記加熱する工程は、特に限定されるわけではないが、窒素等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。これにより、環状オレフィン樹脂の重合度を高めることができ、未反応のモノマー量を低減することができる。上記のようにして得られた成形体に導体回路を形成する方法としては、例えば、スパッタリングや鍍金等で上記成形体の表面にCu等の金属からなる導体層を形成する方法を用いてもよい。この際、シード層としてNiあるいはCr等からなる層を形成してからCu層を形成することで、導体層の固着が強化される。または、導体層となる金属箔上に直接上記樹脂組成物を塗布して硬化させる方法を採用してもよい。この方法では、樹脂組成物の硬化と共に片面あるいは両面に導体層を形成することができるため、工程の省略に繋がる。本実施形態に係る樹脂組成物は、誘電率及び誘電正接が低いため、特に該樹脂組成物を高周波域の搬送波を送受信する高周波用回路基板とした場合、伝送ロスの少ない高周波用回路基板、該高周波用回路基板を備えるアンテナモジュールとして好ましく用いることができる。また、本実施形態に係る樹脂組成物は、耐熱性が良好であるため、高周波用回路基板とした場合、半田リフロー等の高温に晒される方法を採用してアンテナモジュールとすることができる。アンテナモジュールは、少なくとも、アンテナ、フィルター、AD/DA変換器、論理回路等を含む。本発明に係る樹脂組成物を用いた高周波用基板は、高周波アンテナ基板、高周波用フィルター基板など単独基板として用いたり、アンテナ、フィルター、AD/DA変換器、論理回路等を一つのパッケージに含むように構成された半導体モジュールやミリ波パッケージ基板として用いることができる。以上、本発明に係る低誘電率樹脂組成物及びそれを用いた高周波用基板及びアンテナモジュールの具体例を、実施形態を挙げて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、本発明に係る樹脂組成物及びそれを用いた高周波用基板及びアンテナモジュールの詳細な内容について、実施例を用いて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。[実施例1]樹脂組成物の合成ヘキシルノルボルネンモノマーと、パラジウム触媒[PdOAcPiPr32MeCN][BC6F54]と、助触媒[Me2NHC6H5][BC6F54]とをモル比で100,000:1:1の割合で、乾燥窒素ガス中で配合したものを準備した。高周波用回路基板の作製中心線平均粗さRa0.06μmの銅箔三井金属箔製造株式会社製DFF-NA12μm厚上に、厚み0.6mm、200mm×200mmで、中央部が100mm×100mmに打ち抜かれたシリコーンゴムを敷き、水平になるようにセットした。その中央部に上記ヘキシルノルボルネンモノマーと触媒との配合物を流し込んだ。オーブン中エアー雰囲気で60°Cにて5分間重合を進めてゲル状にさせた後、上記と同じ銅箔を被せた。これを真空プレスにて、120°C、圧力3MPaにて2時間保持した。その後、200°Cに昇温して、さらに2時間かけて重合と同時に成形した。上記の工程により得られたヘキシルノルボルネンの両面銅張板に、一般的なサブトラクティブ法を用いて、評価用の所定の図柄の回路を形成したマイクロストリップ構造の高周波用回路基板を作製した。[実施例2]実施例1のヘキシルノルボルネンモノマーをブチルノルボルネンモノマーに変更した以外は実施例1と同様に高周波用回路基板を作製した。[実施例3]実施例1のヘキシルノルボルネンモノマーをヘキシルノルボルネンモノマーとトリメトキシシリルノルボルネンの重量比9:1に変更した以外は実施例1と同様に高周波用回路基板を作製した。[実施例4]実施例1のヘキシルノルボルネンモノマーをデシルノルボルネンモノマーとトリメトキシシリルノルボルネンの重量比8:2変更した。さらに、モノマーとパラジウム触媒と助触媒のモル比を50,000:1:1に変更した以外は実施例1と同様に高周波用回路基板を作製した。[実施例5]実施例1のヘキシルノルボルネンモノマーをフェネチルノルボルネンモノマーに変更した。さらに、パラジウム触媒[PdOAcPiPr32MeCN][BC6F54]を[iPr-ジシクロペンダジエンPdMeCNPiPr3][BC6F54]に変更したこと以外は実施例1と同様に高周波用回路基板を作製した。[実施例6]実施例1のヘキシルノルボルネンモノマーをノルボルネンモノマーに変更した。さらに、パラジウム触媒[PdOAcPiPr32MeCN][BC6F54]を[iPr-ジシクロペンダジエンPdMeCNPiPr3][BC6F54]に変更したこと以外は実施例1と同様に高周波用回路基板を作製した。[実施例7]実施例1のヘキシルノルボルネンモノマーをテトラシクロドデセンに変更した。さらに、パラジウム触媒[PdOAcPiPr32MeCN][BC6F54]を[iPr-ジシクロペンダジエンPdMeCNPiPr3][BC6F54]に変更したこと以外は実施例1と同様に高周波回路基板を作製した。[比較例1]市販のFR-4基板ELC-4765GF、住友ベークライト株式会社製を用い、45GHzにおける誘電率および誘電正接、さらには、DMS測定におけるガラス転移温度を測定した。次の表1に、実施例1ないし7、並びに比較例1の樹脂組成物についての各種特性の測定結果を示す。ここで、樹脂組成物の弾性率については、上記実施例1ないし7の樹脂組成物からなる測定サンプルを、動的粘弾性測定装置セイコーインスツルメント株式会社製、型番:6100により、測定サンプルサイズ:4mm幅×20mm長さ×100μm厚み、周波数:1Hz、測定温度範囲:30~300°C、昇温速度:10°C/分により測定し、260°Cにおける弾性率を測定値とした。また、樹脂組成物のガラス転位温度については、上記実施例1ないし7の樹脂組成物からなる測定サンプルと比較例1の基板を、上記動的粘弾性測定装置により、測定サンプルサイズ:4mm幅×20mm長さ×100μm厚み、周波数:1Hz、測定温度範囲:30~300°C、昇温速度:10°C/分により測定し、Tanδのピークが発現する温度を測定値とした。誘電率及び誘電正接については、上記実施例1ないし7の樹脂組成物からなる測定サンプルと比較例1の基板を、vectornetworkanalyzerHP8510Cアジレントテクノロジー株式会社製により、測定サンプルサイズ:55mm幅×70mm長さ×300μm厚み、周波数:45GHz、測定環境:22°C/62RHで、空洞共振法から求めた。引っ張り強度及び引っ張り伸びは、上記実施例1ないし7の樹脂組成物からなる測定サンプルを、テンシロン株式会社オリエンテック社製UCT-5T型テンシロンにより、測定サンプルサイズ:10mm幅×75mm長さ×2mm厚みにより測定し、S-Sカーブから求めた。表1の結果からも分かるように、本発明に係る樹脂組成物は誘電率及び誘電正接が低く、高い耐熱性を有するため、高周波域の搬送波を送受信するアンテナモジュールの高周波用回路基板を構成する材料として好ましく用いることができる。"