"基板上に形成した複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を相分離させるために用いられるガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物であって、酸の作用により極性が増大し、有機溶剤を含有する現像液に対する溶解性が減少する基材成分A、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含有し、前記基材成分Aは、4~12員環のラクトン含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、3~7員環のエーテル含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、及び5~7員環のカーボネート含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の構成単位a2と、酸解離性基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1を有する樹脂成分A1を含有し、前記酸発生剤成分Bは、下記一般式b1又はb2のいずれかで表される少なくとも1種の化合物からなる酸発生剤B1を含むことを特徴とするガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物。[式中、Lはアンチモン原子、ホウ素原子又はリン原子を表し;M、Nはそれぞれ独立してフッ素原子、ペンタフルオロフェニル基、又は炭素数1~5のパーフルオロアルキル基を表し;Lがアンチモン原子又はホウ素原子の場合、m1は6であり、Lがリン原子の場合、m1は4であり、n1は0からm1までの整数であり;R1は、それぞれ独立に、少なくとも1の水素原子がフッ素置換されている炭素数1~10のアルキル基であり、2つのR1は互いに結合して環を形成していてもよく;Zは有機カチオンを表す。]前記基材成分Aを構成する全構成単位の合計に対し、前記構成単位a1の割合が20モル~80モルである請求項1に記載のガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物。前記基材成分Aを構成する全構成単位の合計に対し、前記構成単位a2の割合が20モル~80モルである請求項1に記載のガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物。前記樹脂成分A1が、さらに、-SO2-含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する請求項1に記載のガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物。前記樹脂成分A1が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位a3を有する請求項1に記載のガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物。請求項1に記載のガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いて現像してガイドパターンを形成する工程を含むことを特徴とするガイドパターン形成方法。基板上に下地剤を塗布し、該下地剤からなる層を形成する工程、請求項1に記載のガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物を用いて前記下地剤からなる層表面にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜を前記有機溶剤を含有する現像液を用いて現像してガイドパターンを形成する工程、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を前記ガイドパターンが形成された前記下地剤からなる層表面に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層を相分離する工程、前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相を選択的に除去する工程を含むことを特徴とするブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。しかしながら、ブロックコポリマーを含む層を相分離させるために用いられるガイドパターンは、該ガイドパターンを形成した後にブロックコポリマーを塗布するため、耐溶剤性に優れている必要があり、更に、ブロックコポリマーを相分離させる時には、高温のアニール処理が必要となるため、耐熱性に優れている必要がある。かかる観点から、特許文献1に記載されたガイドパターンには改良の余地がある。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、ブロックコポリマーの相分離を利用して、基板表面に、位置及び配向性がより自在にデザインされたナノ構造体を備える基板を製造し得るガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物、ガイドパターン形成方法、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。すなわち、本発明の一態様は、基板上に形成した複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を相分離させるために用いられるガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物であって、酸の作用により極性が増大し、有機溶剤を含有する現像液に対する溶解性が減少する基材成分A、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含有し、前記基材成分Aは、4~12員環のラクトン含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、3~7員環のエーテル含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、及び5~7員環のカーボネート含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の構成単位a2と、酸解離性基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1を有する樹脂成分A1を含有し、前記酸発生剤成分Bは、下記一般式b1又はb2のいずれかで表される少なくとも1種の化合物からなる酸発生剤B1を含むことを特徴とするガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物である。[式中、Lはアンチモン原子、ホウ素原子又はリン原子を表し;M、Nはそれぞれ独立してフッ素原子、ペンタフルオロフェニル基、又は炭素数1~5のパーフルオロアルキル基を表し;Lがアンチモン原子又はホウ素原子の場合、m1は6であり、Lがリン原子の場合、m1は4であり、n1は0からm1までの整数であり;R1は、それぞれ独立に、少なくとも1の水素原子がフッ素置換されている炭素数1~10のアルキル基であり、2つのR1は互いに結合して環を形成していてもよく;Zは有機カチオンを表す。]本発明の第二の態様は、前記第一の態様のガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いて現像してガイドパターンを形成する工程を含むことを特徴とするガイドパターン形成方法である。本発明の第三の態様は、基板上に下地剤を塗布し、該下地剤からなる層を形成する工程、前記第一の態様のガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物を用いて前記下地剤からなる層表面にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜を前記有機溶剤を含有する現像液を用いて現像してガイドパターンを形成する工程、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を前記ガイドパターンが形成された前記下地剤からなる層表面に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層を相分離する工程、前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相を選択的に除去する工程を含むことを特徴とするブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法である。本明細書および本請求の範囲において、アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。また、アルキレン基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。低級アルキル基は、炭素原子数1~5のアルキル基である。ハロゲン化アルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。構成単位とは、高分子化合物重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位を意味する。露光は、放射線の照射全般を含む概念とする。メタアクリル酸とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸と、α位にメチル基が結合したメタクリル酸の一方あるいは両方を意味する。メタアクリル酸エステルとは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。メタアクリレートとは、α位に水素原子が結合したアクリレートと、α位にメチル基が結合したメタクリレートの一方あるいは両方を意味する。本発明によれば、ブロックコポリマーの相分離を利用して、基板表面に、位置及び配向性がより自在にデザインされたナノ構造体を備える基板を製造することができる。<ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法>図1に示されるように、本発明のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法は、基板11上に下地剤を塗布し、該下地剤からなる層12を形成する工程、本発明のガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物を用いて前記下地剤からなる層12表面にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜を前記有機溶剤を含有する現像液を用いて現像してガイドパターン14を形成する工程、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層13を前記ガイドパターンが形成された前記下地剤からなる層12表面に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層13を相分離する工程、前記ブロックコポリマーを含む層13のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相13aを選択的に除去する工程を含むことを特徴とする。基板表面上の構造体の位置及び配向性は、ブロックコポリマーを含む層の相分離構造のうち、選択的に除去される相の位置及び配向性により規定される。つまり、基板表面に形成させる相分離構造の位置及び配向性を適宜調整することにより、所望の位置及び配向性のナノ構造体を基板表面に形成させることができる。特に、従来のレジストパターンよりも微細なパターンを形成することが可能な相分離構造を鋳型として用いることにより、非常に微細な形状のナノ構造体を備える基板を形成することができる。以下、各工程とそこで用いられる材料について、より詳細に説明する。<ブロックコポリマー>ブロックコポリマーは、複数種類のポリマーが結合した高分子である。ブロックコポリマーを構成するポリマーの種類は、2種類であってもよく、3種類以上であってもよい。本発明においては、ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーは、相分離が起こる組み合わせであれば特に限定されるものではないが、互いに非相溶であるポリマー同士の組み合わせであることが好ましい。また、ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマー中の少なくとも1種類のポリマーからなる相が、他の種類のポリマーからなる相よりも、容易に選択的に除去可能な組み合わせであることが好ましい。ブロックコポリマーとしては、例えば、スチレン又はその誘導体を構成単位とするポリマーとメタアクリル酸エステルを構成単位とするポリマーとを結合させたブロックコポリマー、スチレン又はその誘導体を構成単位とするポリマーとシロキサン又はその誘導体を構成単位とするポリマーとを結合させたブロックコポリマー、及びアルキレンオキシドを構成単位とするポリマーとメタアクリル酸エステルを構成単位とするポリマーとを結合させたブロックコポリマー等が挙げられる。なお、メタアクリル酸エステルとは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。メタアクリル酸エステルとしては、例えば、メタアクリル酸の炭素原子に、アルキル基やヒドロキシアルキル基等の置換基が結合しているものが挙げられる。置換基として用いられるアルキル基としては、炭素原子数1~10の直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキル基が挙げられる。メタアクリル酸エステルとしては、具体的には、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸プロピル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸ノニル、メタアクリル酸ヒドロキシエチル、メタアクリル酸ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸ベンジル、メタアクリル酸アントラセン、メタアクリル酸グリシジル、メタアクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシルメタン、メタアクリル酸プロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。スチレンの誘導体としては、例えば、α-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、4-t-ブチルスチレン、4-n-オクチルスチレン、2,4,6-トリメチルスチレン、4-メトキシスチレン、4-t-ブトキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、4-ニトロスチレン、3-ニトロスチレン、4-クロロスチレン、4-フルオロスチレン、4-アセトキシビニルスチレン、ビニルシクロへキサン、4-ビニルベンジルクロリド、1-ビニルナフタレン、4-ビニルビフェニル、1-ビニルー2-ピロリドン、9-ビニルアントラセン、ビニルピリジン等が挙げられる。シロキサンの誘導体としては、例えば、ジメチルシロキサン、ジエチルシロキサン、ジフェニルシロキサン、メチルフェニルシロキサン等が挙げられる。アルキレンオキシドとしては、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、イソプロピレンオキシド、ブチレンオキシド等が挙げられる。本発明においては、スチレン又はその誘導体を構成単位とするポリマーとメタアクリル酸エステルを構成単位とするポリマーとを結合させたブロックコポリマーを用いることが好ましい。具体的には、スチレン-ポリメチルメタクリレートPS-PMMAブロックコポリマー、スチレン-ポリエチルメタクリレートブロックコポリマー、スチレン-ポリ-t-ブチルメタクリレートブロックコポリマー、スチレン-ポリメタクリル酸ブロックコポリマー、スチレン-ポリメチルアクリレートブロックコポリマー、スチレン-ポリエチルアクリレートブロックコポリマー、スチレン-ポリ-t-ブチルアクリレートブロックコポリマー、スチレン-ポリアクリル酸ブロックコポリマー等が挙げられる。本発明においては、特に、PS-PMMAブロックコポリマーを用いることが好ましい。ブロックコポリマーを構成する各ポリマーの質量平均分子量Mwゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準は、相分離を起こすことが可能な大きさであれば特に限定されるものではないが、5000~500000が好ましく、10000~400000がより好ましく、20000~300000がさらに好ましい。またブロックコポリマーの分散度Mw/Mnは1.0~3.0が好ましく、1.0~1.5がより好ましく、1.0~1.2がさらに好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。なお、以下において、ブロックコポリマーを構成するポリマーのうち、後の工程で選択的に除去されないポリマーをPAポリマー、選択的に除去されるポリマーをPBポリマーという。例えば、PS-PMMAブロックコポリマーを含む層を相分離した後、当該層に対して酸素プラズマ処理や水素プラズマ処理等を行うことにより、PMMAからなる相が選択的に除去される。この場合、PSがPAポリマーであり、PMMAがPBポリマーである。本発明において、選択的に除去される相すなわち、PBポリマーからなる相の形状や大きさは、ブロックコポリマーを構成する各ポリマーの成分比や、ブロックコポリマーの分子量により規定される。例えば、ブロックコポリマー中に占めるPBポリマーの体積当たりの成分比を比較的小さくすることにより、PAポリマーからなる相中にPBポリマーからなる相がシリンダー状に存在するシリンダー構造を形成させることができる。一方で、ブロックコポリマー中に占めるPBポリマーとPAポリマーの体積当たりの成分比を同程度にすることにより、PAポリマーからなる相とPBポリマーからなる相とが交互に積層されたラメラ構造を形成させることができる。また、ブロックコポリマーの分子量を大きくすることにより、各相の大きさを大きくすることができる。<基板>本発明において用いられる基板としては、下地剤およびブロックコポリマーを塗布する際に溶解あるいは混和するものでなければ特に限定されず、例えば、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板、ガラス基板などの金属酸化物からなる基板、ポリマーフィルムポリエチレン、ポリエチレンテレフタラート、ポリイミド、ベンゾシクロブテン等等が挙げられる。また、前記基板の大きさや形状は、特に限定されるものではなく、平板状であること以外は、適宜選択することができる。<基板洗浄処理>ブロックコポリマーを含む層を形成する前に、基板表面を洗浄してもよい。基板表面を洗浄することにより、後の中性化反応処理が良好に行える場合がある。洗浄処理としては、従来公知の方法を利用でき、例えば酸素プラズマ処理、オゾン酸化処理、酸アルカリ処理、化学修飾処理等が挙げられる。例えば、基板を硫酸/過酸化水素水溶液等の酸溶液に浸漬させた後、水洗し、乾燥させる。その後、当該基板の表面に、ブロックコポリマーを含む層を形成することができる。<中性化処理>中性化処理とは、基板表面を、ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有するように改変する処理をいう。中性化処理を行うことにより、相分離によって特定のポリマーからなる相のみが基板表面に接することを抑制することができる。本発明においては、ブロックコポリマーを含む層を形成する前に、基板表面に、用いるブロックコポリマーの種類に応じた中性化処理を行っておく。該処理工程は、相分離によって基板表面に対して自在に配向されたシリンダー構造、ドット構造、ジャイロイド構造等を形成させるに必要な工程である。具体的には、中性化処理としては、基板表面に、ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有する下地剤を含む薄膜中性化膜を形成する処理等が挙げられる。このような中性化膜としては、樹脂組成物からなる膜を用いることができる。下地剤として用いられる樹脂組成物は、ブロックコポリマーを構成するポリマーの種類に応じて、薄膜形成に用いられる従来公知の樹脂組成物の中から適宜選択することができる。下地剤として用いられる樹脂組成物は、熱重合性樹脂組成物であってもよく、ポジ型レジスト組成物やネガ型レジスト組成物等の感光性樹脂組成物であってもよい。その他、中性化膜は非重合性膜であってもよい。例えば、フェネチルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン、ヘキサメチルジシラザン等のシロキサン系有機単分子膜も、中性化膜として好適に用いることができる。これらの下地剤からなる中性化膜は、常法により形成することができる。このような下地剤としては、例えば、ブロックコポリマーを構成する各ポリマーの構成単位をいずれも含む樹脂組成物や、ブロックコポリマーを構成する各ポリマーと親和性の高い構成単位をいずれも含む樹脂等が挙げられる。例えば、PS-PMMAブロックコポリマーを用いる場合には、下地剤として、PSとPMMAの両方を構成単位として含む物樹脂組成物や、芳香環等のPSと親和性が高い部位と、極性の高い官能基等のPMMAと親和性の高い部位の両方を含む化合物又は組成物を用いることが好ましい。PSとPMMAの両方を構成単位として含む物樹脂組成物としては、例えば、PSとPMMAのランダムコポリマー、PSとPMMAの交互ポリマー各モノマーが交互に共重合しているもの等が挙げられる。また、PSと親和性が高い部位とPMMAと親和性の高い部位の両方を含む組成物としては、例えば、モノマーとして、少なくとも、芳香環を有するモノマーと極性の高い置換基を有するモノマーとを重合させて得られる樹脂組成物が挙げられる。芳香環を有するモノマーとしては、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントリルanthryl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いた基、及びこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等を有するモノマーが挙げられる。また、極性の高い置換基を有するモノマーとしては、トリメトキシシリル基、トリクロロシリル基、カルボキシ基、水酸基、シアノ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等を有するモノマーが挙げられる。その他、PSと親和性が高い部位とPMMAと親和性の高い部位の両方を含む化合物としては、フェネチルトリクロロシラン等のアリール基と極性の高い置換基の両方を含む化合物や、アルキルシラン化合物等のアルキル基と極性の高い置換基の両方を含む化合物等が挙げられる。<ガイドパターンの形成グラフォエピタキシー>本発明においては、図1に示されるように、基板11に下地剤を塗布し、該下地剤からなる層を形成する工程中性化処理を行った後に、下地剤からなる層12中性化膜の表面にガイドパターン14を形成する。これにより、ブロックコポリマーを含む層13を形成後、ガイドパターン14の形状表面特性に応じた相分離構造の配列構造制御が可能となる。更に、ガイドパターン14形成時の露光により酸解離性基から形成される高極性のカルボン酸が、ブロックコポリマーを構成するPMMA13aと親和性を備えることにより、基板11の表面に対して垂直方向に配向されたラメラ構造からなる相分離構造を形成しやすくする。下地剤からなる層12中性化膜の表面にガイドパターン14を備える基板としては、リソグラフィー法により下地剤からなる層12中性化膜の表面にパターンを形成したものを用いる。例えば、下地剤からなる層12中性化膜の表面に、ブロックコポリマーを構成するいずれかのポリマーと親和性を有するレジスト組成物からなる膜を形成した後、所定のパターンが形成されたマスクを介して、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、ガイドパターン14を形成することができる。具体的には、例えば、基板表面上に、レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、80~150°Cの温度条件下、プレベークポストアプライベークPABを40~120秒間、好ましくは60~90秒間施し、これに例えばArF露光装置などにより、ArFエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、80~150°Cの温度条件下、PEB露光後加熱を40~120秒間、好ましくは60~90秒間施す。次いでこれを現像処理する。現像方法としては、有機溶剤、例えば酢酸ブチルやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて現像処理する。現像処理後、純水を用いて水リンスを行い、乾燥を行ってもよいし、また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理ポストベークを行ってもよい。このようにして、マスクパターンに忠実なガイドパターン14を形成する。ガイドパターン14の下地剤からなる層12中性化膜の表面からの高さは、基板11の表面に形成されるブロックコポリマーを含む層の厚み以上であることが好ましい。ガイドパターンの下地剤からなる層12中性化膜の表面からの高さは、例えば、ガイドパターン14を形成するレジスト組成物を塗布して形成されるレジスト膜の膜厚によって適宜調整することができる。<ガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物>本発明において、ガイドパターン14を形成するレジスト組成物は、ネガ型現像用レジスト組成物であり、酸の作用により極性が増大し、有機溶剤を含有する現像液に対する溶解性が減少する基材成分A以下、A成分という。、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分B以下、B成分という。を含有する。かかるレジスト組成物においては、放射線が照射露光されると、B成分から酸が発生し、該酸の作用によりA成分の有機溶剤に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を用いて得られるレジスト膜に対して選択的露光を行うと、当該レジスト膜における露光部の、前記有機溶剤を含有する有機系現像液に対する溶解性が減少する一方で、未露光部の該有機系現像液に対する溶解性は変化しないため、該有機系現像液を用いたネガ型現像を行うことにより未露光部が除去されてレジストパターンが形成される。<A成分>本発明において、基材成分とは、膜形成能を有する有機化合物を意味する。基材成分としては、通常、分子量が500以上の有機化合物が用いられる。分子量が500以上であることにより、充分な膜形成能を備えるとともに、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。分子量が500以上の有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、低分子化合物という場合は、分子量が500以上4000未満の非重合体を示す。重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。本明細書および請求の範囲において高分子化合物は分子量が1000以上の重合体を示す。高分子化合物の場合、分子量はGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。[樹脂成分A1]本発明において、A成分は、少なくとも、4~12員環のラクトン含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、3~7員環のエーテル含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、及び5~7員環のカーボネート含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の構成単位a2と、酸解離性基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1を有する樹脂成分A1以下、A1成分という。を含有する。A1成分は、a1およびにa2に加えて、さらに、-SO2-含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位a0を有することが好ましい。A1成分は、構成単位a1およびにa2に加えて、または構成単位a1、a2およびa0に加えて、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位a3を有してもよい。ここで、本明細書および請求の範囲において、アクリル酸エステルから誘導される構成単位とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。アクリル酸エステルは、α位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸エステルのほか、α位の炭素原子に置換基水素原子以外の原子または基が結合しているものも含む概念とする。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルから誘導される構成単位のα位α位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことを意味する。アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基としての炭素数1~5のアルキル基として、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状の炭素数1~5のアルキル基が挙げられる。また、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基として、具体的には、上記α位の置換基としての炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。ここでハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。本発明において、アクリル酸エステルのα位に結合しているのは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であることが好ましく、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のフッ素化アルキル基であることがより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基であることが特に好ましい。構成単位a1構成単位a1は、酸解離性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。構成単位a1における酸解離性基は、酸の作用により分解して親水性が増大する酸分解性基を生じるものであればよく、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを特に限定されずに使用することができる。一般的には、メタアクリル酸等におけるカルボキシ基の水素原子を酸解離性基で置換したものが広く用いられている。かかる酸分解性基は、酸の作用により分解してカルボキシ基を生じる。カルボキシ基の水素原子を置換する酸解離性基としては、カルボキシ基と環状または鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。なお、メタアクリル酸エステルとは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。ここで、第3級アルキルエステルとは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状または環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基-CO-O-の末端の酸素原子に、前記鎖状または環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断される。なお、前記鎖状または環状のアルキル基は置換基を有していてもよい。以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、第3級アルキルエステル型酸解離性基という。第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。ここで、本請求の範囲及び明細書における脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。脂肪族分岐鎖状とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。脂肪族分岐鎖状酸解離性基の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、炭素数4~8の第3級アルキル基が好ましく、具体的にはtert-ブチル基、tert-ペンチル基、tert-ヘプチル基等が挙げられる。脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基または多環式基であることを示す。構成単位a1における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O、等が挙げられる。脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族環式基は、多環式基であることが好ましい。脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。脂肪族環式基を含有する酸解離性基としては、例えば環状のアルキル基の環骨格上に第3級炭素原子を有する基を挙げることができ、具体的には2-メチル-2-アダマンチル基や、2-エチル-2-アダマンチル基等が挙げられる。あるいは、下記一般式a1-1~a1-6で示す構成単位において、カルボニルオキシ基-CO-O-の酸素原子に結合した基の様に、アダマンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基等の脂肪族環式基と、これに結合する、第3級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレン基とを有する基が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し;R15、R16はアルキル基直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、好ましくは炭素数1~5であるを示す。]一般式a1-1~a1-6において、Rの炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基は、上記アクリル酸エステルのα位に結合していてよい炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基と同様である。アセタール型酸解離性基は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のアルカリ可溶性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、露光により酸が発生すると、この酸が作用して、アセタール型酸解離性基と、当該アセタール型酸解離性基が結合した酸素原子との間で結合が切断される。アセタール型酸解離性基としては、たとえば、下記一般式p1で表される基が挙げられる。[式中、R1’,R2’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1~5のアルキル基を表し、n’は0~3の整数を表し、Yは炭素数1~5のアルキル基または脂肪族環式基を表す。]上記式中、n’は、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、0が最も好ましい。R1’,R2’の炭素数1~5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1~5のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。本発明においては、R1’,R2’のうち少なくとも1つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性基p1が、下記一般式p1-1で表される基であることが好ましい。[式中、R1’、n’、Yは上記と同様である。]Yの炭素数1~5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1~5のアルキル基と同様のものが挙げられる。Yの脂肪族環式基としては、従来ArFレジスト等において多数提案されている単環又は多環式の脂肪族環式基の中から適宜選択して用いることができ、たとえば上記脂肪族環式基と同様のものが例示できる。また、アセタール型酸解離性基としては、下記一般式p2で示される基も挙げられる。[式中、R17、R18はそれぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基または水素原子であり、R19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基である。または、R17およびR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であって、R17の末端とR19の末端とが結合して環を形成していてもよい。]R17、R18において、アルキル基の炭素数は好ましくは1~15であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。特にR17、R18の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。R19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、炭素数は好ましくは1~15であり、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。R19が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数1~5であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、特にエチル基が最も好ましい。R19が環状の場合は炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的にはフッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。また、上記式においては、R17及びR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基好ましくは炭素数1~5のアルキレン基であってR19の末端とR17の末端とが結合していてもよい。この場合、R17とR19と、R19が結合した酸素原子と、該酸素原子およびR17が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、4~7員環が好ましく、4~6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。構成単位a1としては、下記一般式a1-0-1で表される構成単位および下記一般式a1-0-2で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上を用いることが好ましい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し;X1は酸解離性基を示す。][式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し;X2は酸解離性基を示し;Y2は2価の連結基を示す。]一般式a1-0-1において、Rの炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基は、上記アクリル酸エステルのα位に結合していてよい炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基と同様である。X1は、酸解離性基であれば特に限定することはなく、たとえば上述した第3級アルキルエステル型酸解離性基、アセタール型酸解離性基などを挙げることができ、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましい。一般式a1-0-2において、Rは上記と同様である。X2は、式a1-0-1中のX1と同様である。Y2の2価の連結基としては、アルキレン基、2価の脂肪族環式基またはヘテロ原子を含む2価の連結基が挙げられる。該脂肪族環式基としては、水素原子が2個以上除かれた基が用いられること以外は前記脂肪族環式基の説明と同様のものを用いることができる。Y2がアルキレン基である場合、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~6であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが特に好ましく、炭素数1~3であることが最も好ましい。Y2が2価の脂肪族環式基である場合、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、イソボルナン、アダマンタン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンから水素原子が2個以上除かれた基であることが特に好ましい。Y2がヘテロ原子を含む2価の連結基である場合、ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-、-A-O酸素原子-B-ただし、AおよびBはそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。、-A-O-C=O-B-等が挙げられる。Y2が-NH-の場合における置換基アルキル基、アシル基等の炭素数としては1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~5であることが特に好ましい。Y2がA-O-Bまたは-A-O-C=O-B-である場合、AおよびBは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。炭化水素基が置換基を有するとは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が、水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。Aにおける炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。Aにおける脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。Aにおける脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8がより好ましく、2~5がさらに好ましく、2が最も好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基、エチレン基[-CH22-]、トリメチレン基[-CH23-]、テトラメチレン基[-CH24-]、ペンタメチレン基[-CH25-]等が挙げられる。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-等のアルキルエチレン基;-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基、該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するか又は鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式基としては、炭素数3~6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式基としては、炭素数7~12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。Aとしては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数2~5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、エチレン基が最も好ましい。Bにおける炭化水素基としては、前記Aで挙げたものと同様の2価の炭化水素基が挙げられる。Bとしては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基またはアルキルメチレン基が特に好ましい。アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。構成単位a1として、より具体的には、下記一般式a1-1~a1-4で表される構成単位が挙げられる。[式中、X’は第3級アルキルエステル型酸解離性基を表し、Yは炭素数1~5のアルキル基、または脂肪族環式基を表し;n’は0~3の整数を表し;Y2は2価の連結基を表し;Rは前記と同じであり、R1’、R2’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1~5のアルキル基を表す。]前記式中、X’は、前記X1において例示した第3級アルキルエステル型酸解離性基と同様のものが挙げられる。R1’、R2’、n’、Yとしては、それぞれ、上述のアセタール型酸解離性基の説明において挙げた一般式p1におけるR1’、R2’、n’、Yと同様のものが挙げられる。Y2としては、上述の一般式a1-0-2におけるY2と同様のものが挙げられる。以下に、上記一般式a1-1~a1-4で表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。構成単位a1としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。その中でも、一般式a1-1、a1-2又はa1-3で表される構成単位が好ましく、具体的には、式a1-1-1~a1-1-7、式a1-1-36~a1-1-42、式a1-1-47~a1-1-50、式a1-1-51~a1-1-54;式a1-2-3、a1-2-4、a1-2-9、a1-2-10、a1-2-13、a1-2-14、a1-2-17、a1-2-18、a1-2-20、a1-2-21~a1-2-31;式a1-3-49~a1-3-56および式a1-3-57~a1-3-58で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種を用いることがより好ましい。さらに、構成単位a1としては、特に、式a1-1-1~式a1-1-5および式a1-1-47~式a1-1-50で表される構成単位を包括する下記一般式a1-1-01で表されるもの、式a1-1-28、式a1-1-31~式a1-1-34、a1-1-36~a1-1-42および式a1-1-51~a1-1-54で表される構成単位を包括する下記一般式a1-1-02で表されるもの、;式a1-2-3、a1-2-4、a1-2-9、a1-2-10、a1-2-13、a1-2-14、a1-2-17、a1-2-18およびa1-2-20で表される構成単位を包括する下記一般式a1-2-01で表されるもの、a1-2-21~a1-2-31で表される構成単位を包括する下記一般式a1-2-02で表されるもの;式a1-3-57~a1-3-58で表される構成単位を包括する下記一般式a1-3-01で表されるもの、および式a1-3-59~a1-3-60で表される構成単位を包括する下記一般式a1-3-02で表されるもの、式a1-3-49~a1-3-52の構成単位を包括する下記一般式a1-3-03で表されるもの、式a1-3-53~a1-3-56の構成単位を包括する下記一般式a1-3-04で表されるものも好ましい。[式a1-1-01中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し、R11は炭素数1~5のアルキル基を示す。式a1-1-02中、Rは前記と同じであり、R12は炭素数1~5のアルキル基を示し、hは1~6の整数を表す。]一般式a1-1-01において、Rについては上記と同様である。R11の炭素数1~5のアルキル基は、Rにおける炭素数1~5のアルキル基と同様であり、メチル基、エチル基、またはイソプロピル基が好ましい。一般式a1-1-02において、Rについては上記と同様である。R12の炭素数1~5のアルキル基は、Rにおける炭素数1~5のアルキル基と同様であり、メチル基、エチル基、またはイソプロピル基が好ましい。jは、1又は2が好ましく、2が最も好ましい。[式a1-2-01中、Rは前記と同じであり、R1’,R2’およびnはそれぞれ前記と同じである。式a1-2-02中、R、R1’,R2’およびnは式a1-2-01におけるR、R1’,R2’およびnとそれぞれ同じであり、jは1~6の整数を表す。]一般式a1-2-01において、Rについては上記と同様である。R1’,R2’は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基が好ましく、水素原子又はメチル基がより好ましく、R1’,R2’のうち少なくとも1つが水素原子であることが特に好ましい。nは、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、0が最も好ましい。一般式a1-2-02において、R、R1’,R2’およびnについては、一般式a1-2-01におけるR、R1’,R2’およびnとそれぞれ同じである。jは、1又は2が好ましく、2が最も好ましい。[式a1-3-01中、Rは前記と同じであり、R14は炭素数1~5のアルキル基であり、qは1~10の整数であり、rは1~10の整数である。式a1-3-02中、R、R14、q、rは式a1-3-01におけるR、R14、q、rとそれぞれ同じであり、tは1~6の整数である。式a1-3-03中、R、R14、q、rは式a1-3-01におけるR、R14、q、rとそれぞれ同じである。式a1-3-04中、R、R14、q、r、tは式a1-3-02におけるR、R14、q、r、tとそれぞれ同じである。]一般式a1-3-01、一般式a1-3-03において、Rについては上記と同様である。R14の炭素数1~5のアルキル基は、Rにおける炭素数1~5のアルキル基と同様であり、メチル基又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。qは1~10の整数であり、1~5の整数が好ましく、1または2が特に好ましい。rは1~10の整数であり、1~5の整数が好ましく、1または2が特に好ましい。一般式a1-3-02、一般式a1-3-04において、R、R14、q、rについては、一般式a1-3-01におけるR、R14、q、rとそれぞれ同じである。tは、1~6の整数であり、1~4が好ましく、1または2がより好ましい。A1成分中の構成単位a1の割合は、A1成分を構成する全構成単位に対し、20~80モルが好ましく、20~70モルがより好ましく、25~50モルがさらに好ましい。下限値以上とすることによって、ネガ型現像用レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。構成単位a2構成単位a2は、4~12員環のラクトン含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、3~7員環のエーテル含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、及び5~7員環のカーボネート含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の構成単位である。これらの環状化合物は、後述する特定の光酸発生剤を用いることで開環重合する。かかる開環重合により、耐熱性、耐溶剤性に優れたガイドパターンを形成することができる。≪4~12員環のラクトン含有環式基≫構成単位a2は、4~12員環のラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位以下、構成単位a2-iと称するが好ましい。ここで、ラクトン含有環式基とは、-O-CO-構造を含むひとつの環ラクトン環を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。構成単位a2-iとしては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、ラクトン含有単環式基としては、4~6員環ラクトンから水素原子を1つ除いた基、たとえばβ-プロピオノラクトンから水素原子を1つ除いた基、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基、δ-バレロラクトンから水素原子を1つ除いた基が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。構成単位a2-iの例として、より具体的には、下記一般式a2-0~a2-5で表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5ハロゲン化アルキル基であり;R’はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基、シアノ基、水酸基、炭素数1~5のアルコキシ基または-COORであり;R29は単結合または2価の連結基であり、sは0または1~2の整数であり;Aは酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり;mは0または1の整数である。]一般式a2-0~a2-5におけるRは、前記構成単位a1におけるRと同様である。R’の炭素数1~5のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基が挙げられる。R’の炭素数1~5のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が挙げられる。R’の炭素数1~5のハロゲン化アルキル基としては、上記と同様のものが挙げられる。Aとしては、炭素数1~5のアルキレン基または-O-が好ましく、炭素数1~5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。R29は単結合または2価の連結基である。2価の連結基としては、前記一般式a1-0-2中のY2で説明した2価の連結基と同様であり、それらの中でも、アルキレン基、エステル結合-C=O-O-、もしくはそれらの組み合わせであることが好ましい。R29における2価の連結基としてのアルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基がより好ましい。具体的には、前記Y2のうちAにおける脂肪族炭化水素基で挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。sは1~2の整数が好ましい。以下に、前記一般式a2-0~a2-5で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。≪3~7員環のエーテル含有環式基≫構成単位a2としては、3~7員環のエーテル含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位以下、構成単位a2-iiと称するが好ましい。ここで、エーテル含有環式基とは、環状の炭化水素の炭素が酸素で置換された構造環状エーテルを含有する環式基を示す。環状エーテルをひとつ目の環として数え、環状エーテルのみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。構成単位a2-iiとしては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、エーテル含有環式基としては、3~7員環の環状エーテルから水素原子を1つ除いた基、たとえばエポキシエタンから水素原子を1つ除いた基、オキセタンから水素原子を1つ除いた基、テトラヒドロフランから水素原子1つを除いた基、テトラヒドロピランから水素原子を1つ除いた基が挙げられる。また、エーテル含有多環式基としては、環状エーテルを有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。構成単位a2-iiの例として、より具体的には、下記一般式g2-1~a2-5で表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5ハロゲン化アルキル基であり;R’はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基、シアノ基、水酸基、炭素数1~5のアルコキシ基または-COORであり;R29は単結合または2価の連結基であり、sは0または1~2の整数であり;mは0または1の整数である。]一般式g2-1~g2-5におけるR、R’、R29、s、mは、前記一般式a2-0~a2-5におけるものと同様である。以下に、前記一般式g2-1~g2-5で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。≪5~7員環のカーボネート含有環式基≫構成単位a2としては、5~7員環のカーボネート含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位以下、構成単位a2-iiiと称するが好ましい。ここで、カーボネート含有環式基とは、-O-C=O-O-構造を含むひとつの環環状カーボネートを含有する環式基を示す。構成単位a2-iiiとしては、下記一般式g3-1で表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5ハロゲン化アルキル基であり;R’はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基、シアノ基、水酸基、炭素数1~5のアルコキシ基または-COORであり;R29は単結合または2価の連結基である。]一般式g3-1におけるR、R’、R29は、前記一般式a2-0~a2-5におけるものと同様である。以下に、前記一般式g3-1で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。A1成分において、構成単位a2としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。構成単位a2として、前記一般式a2-0~a2-3、g2-1、g2-2、g3-1で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。なかでも、化学式a2-1-1、a2-2-1、a2-3-1、a2-6-1、g2-1-1、g2-1-2、g3-1-1で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。A1成分中の構成単位a2の割合は、A1成分を構成する全構成単位の合計に対して、20~80モルが好ましく、20~70モルがより好ましく、25~50モルがさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位a2を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。構成単位a0:構成単位a0は、-SO2-含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。ここで、-SO2-含有環式基とは、その環骨格中に-SO2-を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、-SO2-における硫黄原子Sが環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に-SO2-を含む環をひとつの目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。-SO2-含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。-SO2-含有環式基は、特に、その環骨格中に-O-SO2-を含む環式基、すなわち-O-SO2-中の-O-S-が環骨格の一部を形成するスルトンsultone環を含有する環式基であることが好ましい。-SO2-含有環式基は、炭素数が3~30であることが好ましく、4~20であることが好ましく、4~15であることがより好ましく、4~12であることが特に好ましい。ただし、該炭素数は環骨格を構成する炭素原子の数であり、置換基における炭素数を含まないものとする。-SO2-含有環式基は、-SO2-含有脂肪族環式基であってもよく、-SO2-含有芳香族環式基であってもよい。好ましくは-SO2-含有脂肪族環式基である。-SO2-含有脂肪族環式基としては、その環骨格を構成する炭素原子の一部が-SO2-または-O-SO2-で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基が挙げられる。より具体的には、その環骨格を構成する-CH2-が-SO2-で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基、その環を構成する-CH2-CH2-が-O-SO2-で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基等が挙げられる。該脂環式炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。該脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数3~6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数7~12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。-SO2-含有環式基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基、シアノ基等が挙げられる。該置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~6のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。該置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~6のアルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基に酸素原子-O-に結合した基が挙げられる。該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。該置換基のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。前記-COOR、-OC=ORにおけるRは、いずれも、水素原子または炭素数1~15の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基である。Rが直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~5であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。Rが環状のアルキル基の場合は、炭素数3~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンや、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。該置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数が1~6であるものが好ましく、具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。-SO2-含有環式基として、より具体的には、下記一般式3-1~3-4で表される基が挙げられる。[式中、A’は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、zは0~2の整数であり、R27はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、Rは水素原子またはアルキル基である。]前記一般式3-1~3-4中、A’は、酸素原子-O-もしくは硫黄原子-S-を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。A’における炭素数1~5のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に-O-または-S-が介在する基が挙げられ、たとえば-O-CH2-、-CH2-O-CH2-、-S-CH2-、-CH2-S-CH2-等が挙げられる。A’としては、炭素数1~5のアルキレン基または-O-が好ましく、炭素数1~5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。zは0~2のいずれであってもよく、0が最も好ましい。zが2である場合、複数のR27はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。R27におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、前記で-SO2-含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。以下に、前記一般式3-1~3-4で表される具体的な環式基を例示する。なお、式中のAcはアセチル基を示す。-SO2-含有環式基としては、上記の中でも、前記一般式3-1で表される基が好ましく、前記化学式3-1-1、3-1-18、3-3-1および3-4-1のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも一種を用いることがより好ましく、前記化学式3-1-1で表される基が最も好ましい。構成単位a0の例として、より具体的には、下記一般式a0-0で表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、R28は-SO2-含有環式基であり、R29は単結合または2価の連結基である。]式a0-0中、Rは前記と同様である。R28は、前記で挙げた-SO2-含有環式基と同様である。R29は、単結合、2価の連結基のいずれであってもよい。本発明の効果に優れることから、2価の連結基であることが好ましい。R29における2価の連結基としては、特に限定されず、たとえば、前記構成単位a1の説明中で挙げた一般式a1-0-2中のY2における2価の連結基として挙げたものと同様のものが挙げられる。それらの中でも、アルキレン基、またはエステル結合-C=O-O-を含むものが好ましい。該アルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、前記Y2における脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。エステル結合を含む2価の連結基としては、特に、一般式:-R30-C=O-O-[式中、R30は2価の連結基である。]で表される基が好ましい。すなわち、構成単位a0は、下記一般式a0-0-1で表される構成単位であることが好ましい。[式中、RおよびR28はそれぞれ前記と同様であり、R30は2価の連結基である。]R30としては、特に限定されず、たとえば、前記構成単位a1の説明中で挙げた一般式a1-0-2中のY2における2価の連結基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R30の2価の連結基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。該直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前記Y2で好ましいものとして挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。上記の中でも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、またはヘテロ原子として酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基またはエチレン基が好ましく、メチレン基が特に好ましい。分岐鎖状のアルキレン基としては、アルキルメチレン基またはアルキルエチレン基が好ましく、-CHCH3-、-CCH32-または-CCH32CH2-が特に好ましい。酸素原子を含む2価の連結基としては、エーテル結合またはエステル結合を含む2価の連結基が好ましく、前記式-A-O-B-、-[A-C=O-O]m-B-または-A-O-C=O-B-で表される基がより好ましい。なかでも、式-A-O-C=O-B-で表される基が好ましく、-CH2c-C=O-O-CH2d-で表される基が特に好ましい。cは1~5の整数であり、1または2が好ましい。dは1~5の整数であり、1または2が好ましい。構成単位a0としては、特に、下記一般式a0-1-11またはa0-1-12で表される構成単位が好ましく、式a0-1-12で表される構成単位がより好ましい。[式中、R、A’、R27、zおよびR30はそれぞれ前記と同じである。]式a0-1-11中、A’はメチレン基、酸素原子-O-または硫黄原子-S-であることが好ましい。R30としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。R30における直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前記で挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。式a0-1-12で表される構成単位としては、特に、下記一般式a0-1-12aまたはa0-1-12bで表される構成単位が好ましい。[式中、RおよびA’はそれぞれ前記と同じであり、c~eはそれぞれ独立に1~3の整数である。]A1成分中、構成単位a0の割合は、当該A1成分を構成する全構成単位の合計に対し、1~80モルであることが好ましく、10~70モルであることがより好ましく、10~65モルであることがさらに好ましく、10~60モルが特に好ましい。下限値以上とすることにより構成単位a0を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができ、DOF、CDU等の種々のリソグラフィー特性及びパターン形状が良好となる。構成単位a3構成単位a3は、極性基含有脂肪族炭化水素基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。A1成分が構成単位a3を有することにより、A成分の親水性が高まり、現像液との親和性が高まって、露光部でのアルカリ溶解性が向上し、解像性の向上に寄与する。極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~10の直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素基好ましくはアルキレン基や、多環式の脂肪族炭化水素基多環式基が挙げられる。該多環式基としては、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該多環式基の炭素数は7~30であることが好ましい。その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから2個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから2個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから2個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから2個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。構成単位a3としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素数1~10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基のときは、アクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましく、該炭化水素基が多環式基のときは、下記式a3-1で表される構成単位、a3-2で表される構成単位、a3-3で表される構成単位が好ましいものとして挙げられる。[式中、Rは前記に同じであり、jは1~3の整数であり、kは1~3の整数であり、t’は1~3の整数であり、lは1~5の整数であり、sは1~3の整数である。]式a3-1中、jは1又は2であることが好ましく、1であることがさらに好ましい。jが2の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位と5位に結合しているものが好ましい。jが1の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。式a3-2中、kは1であることが好ましい。シアノ基はノルボルニル基の5位または6位に結合していることが好ましい。式a3-3中、t’は1であることが好ましい。lは1であることが好ましい。sは1であることが好ましい。これらはアクリル酸のカルボキシ基の末端に2-ノルボルニル基または3-ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールはノルボルニル基の5又は6位に結合していることが好ましい。A1成分において、構成単位a3は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。A1成分中の構成単位a3の割合は、A1成分を構成する全構成単位に対し、5~50モルであることが好ましく、5~40モルがより好ましく、5~25モルがさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位a3を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。構成単位a4A1成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位a0~a3以外の他の構成単位a4を含んでいてもよい。構成単位a4は、上述の構成単位a0~a3に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。構成単位a4としては、例えば酸非解離性の脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位などが好ましい。該多環式基は、例えば、前記の構成単位a1の場合に例示したものと同様のものを例示することができ、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。特にトリシクロデシル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。これらの多環式基は、炭素数1~5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。構成単位a4として、具体的には、下記一般式a4-1~a4-5の構造のものを例示することができる。[式中、Rは前記と同じである。]かかる構成単位a4をA1成分に含有させる際、構成単位a4の割合は、A1成分を構成する全構成単位の合計に対し、1~30モルであることが好ましく、10~20モルであることがより好ましい。ネガ型現像用レジスト組成物において、A1成分は、構成単位a1およびa2を有する共重合体;構成単位a1、a2およびa0を有する共重合体;構成単位a1、a2およびa3を有する共重合体;構成単位a1、a2およびa4を有する共重合体等が例示できる。ネガ型現像用レジスト組成物においては、A1成分としては、特に下記の様な構成単位の組み合わせを含むものが好ましい。[式中、R、R11、R29、s、jはそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。][式中、R、R’、R12、R29、hはそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。][式中、R、R11、R12、R29、hはそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。][式中、R、R’、R11、R12、R29、hはそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。][式中、R、R’、R12、R29、h、A’、eはそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。][式中、R、R’、R12、R29、h、Aはそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。][式中、R、R’、R12、R29、h、jはそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。]A1成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリルAIBN、アゾビスイソ酪酸ジメチルのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等により重合させることによって得ることができる。また、A1成分には、上記重合の際に、たとえばHS-CH2-CH2-CH2-CCF32-OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に-CCF32-OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やLERラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸の低減に有効である。A1成分の質量平均分子量Mwゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準は、特に限定されるものではないが、1000~50000が好ましく、1500~30000がより好ましく、2500~20000が最も好ましい。この範囲の上限よりも小さいと、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限よりも大きいと、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。また、分散度Mw/Mnは1.0~5.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましく、1.2~2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。ネガ型現像用レジスト組成物中、A1成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて適宜調製すればよい。A成分において、A1成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用しても良い。A成分中のA1成分の割合は、A成分の総質量に対し、50質量以上が好ましく、80質量以上がさらに好ましく、100質量であってもよい。但し、A成分を構成する全構成単位の合計に対し、構成単位a1の割合が20モル~80モルとなるように調製することが好ましい。また、A成分を構成する全構成単位の合計に対し、構成単位a2の割合が20モル~80モルとなるように調製することが好ましい。ネガ型現像用レジスト組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、A成分として、前記A1成分に該当しない、酸の作用により有機系現像液に対する溶解性が減少する基材成分以下A2成分という。を含有してもよい。A2成分としては、特に限定されず、従来、アルカリ現像液を用いたポジ型現像プロセスに用いられている化学増幅型ポジ型レジスト組成物用の基材成分として従来から知られている多数のものたとえばArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のベース樹脂から任意に選択して用いればよい。たとえばArFエキシマレーザー用のベース樹脂としては、前記構成単位a1を必須の構成単位として有し、任意に前記構成単位a0、a2~a4のうちの1種以上をさらに有する樹脂が挙げられる。また、A2成分として、分子量が500以上4000未満の非重合体低分子化合物を配合してもよい。A2成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。<B成分>B成分は、下記一般式b1又はb2のいずれかで表される少なくとも1種の化合物からなる酸発生剤B1を含む。[式中、Lはアンチモン原子、ホウ素原子又はリン原子を表し;M、Nはそれぞれ独立してフッ素原子、ペンタフルオロフェニル基、又は炭素数1~5のパーフルオロアルキル基を表し;Lがアンチモン原子又はホウ素原子の場合、m1は6であり、Lがリン原子の場合、m1は4であり、n1は0からm1までの整数であり;R1は、それぞれ独立に、少なくとも1の水素原子がフッ素置換されている炭素数1~10のアルキル基であり、2つのR1は互いに結合して環を形成していてもよく;Zは有機カチオンを表す。]酸発生剤B1は、前記構成単位a2を開環重合させる。かかる開環重合により、耐熱性、耐溶剤性に優れたガイドパターンを形成することができる。前記一般式b1中、Lはアンチモン原子、ホウ素原子又はリン原子を表し、M、Nはそれぞれ独立してフッ素原子、ペンタフルオロフェニル基、又は炭素数1~5のパーフルオロアルキル基を表す。Lがアンチモン原子の場合、一般式b1におけるアニオンとしては、SbF6-、SbFn1J6-n1-、SbFn1CmF2m16-n1-、SbJn1CmF2m16-n1-が挙げられる。尚、Jは、ペンタフルオロフェニル基を表す。一般式b1におけるアニオンが、SbFn1J6-n1-の場合、n1は0であることが好ましい。一般式b1におけるアニオンが、SbFn1CmF2m16-n1-の場合、n1は3であることが好ましく、mは2であることが好ましい。一般式b1におけるアニオンが、SbJn1CmF2m16-n1-の場合、n1は6であることが好ましく、n1は6以下の場合には、mは2であることが好ましい。前記一般式b1中、Lがリン原子の場合、一般式b1におけるアニオンとしては、PF6-、PFn1J6-n1-、PFn1CmF2m16-n1-、PJn1CmF2m16-n1-が挙げられる。尚、Jは、ペンタフルオロフェニル基を表す。一般式b1におけるアニオンが、PFn1J6-n1-の場合、n1は0であることが好ましい。一般式b1におけるアニオンが、PFn1CmF2m16-n1-の場合、n1は3であることが好ましく、mは2であることが好ましい。一般式b1におけるアニオンが、PJn1CmF2m16-n1-の場合、n1は6であることが好ましく、n1が5以下の場合には、mは2であることが好ましい。前記一般式b1中、Lがホウ素原子の場合、一般式b1におけるアニオンとしては、BF4-、BFn1J4-n1-、BFn1CmF2m14-n1-、BJn1CmF2m14-n1-が挙げられる。尚、Jは、ペンタフルオロフェニル基を表す。一般式b1におけるアニオンが、BFn1J4-n1-の場合、n1は0~2であることが好ましく、n1は0であることがより好ましい。一般式b1におけるアニオンが、BFn1CmF2m14-n1-の場合、n1は3であることが好ましく、mは2であることが好ましい。一般式b1におけるアニオンが、BJn1CmF2m14-n1-の場合、n1は4であることが好ましく、n1が3以下の場合には、mは2であることが好ましい。前記一般式b1中、Zは有機カチオンを表し、特に限定されないが、例えば下記一般式5で表される化合物の有機カチオンが例示される。上記一般式5中、R7及びR8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子若しくはハロゲン原子を含んでもよい炭化水素基、又は置換基が結合してもよいアルコキシ基を表し、R9は、その水素原子の1つ又はそれ以上がハロゲン原子又はアルキル基により置換されてもよいp-フェニレン基を表し、R10は、水素原子、酸素原子又はハロゲン原子を含んでもよい炭化水素基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいポリフェニル基を表し、A-は、前記一般式b1におけるアニオンと同様のものを表す。前記一般式b1で表される化合物としては、例えば、4-2-クロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-メチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-β-ヒドロキシエトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-メチル-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-3-メチル-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-フルオロ4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-メチル-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2,3,5,6-テトラメチル-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2,6-ジクロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2,6-ジメチル-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2,3-ジメチル-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-メチル-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-3-メチル-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-フルオロ4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-メチル-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2,3,5,6-テトラメチル-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2,6-ジクロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2,6-ジメチル-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2,3-ジメチル-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-アセチルフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-4-メチルベンゾイルフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-4-フルオロベンゾイルフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-4-メトキシベンゾイルフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-ドデカノイルフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-アセチルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-4-メチルベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-4-フルオロベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-4-メトキシベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-ドデカノイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-アセチルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-4-メチルベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-4-フルオロベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-4-メトキシベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-ドデカノイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-2-クロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-2-クロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、4-2-クロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-2-クロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、4-2-クロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-2-クロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-クロロフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、ジフェニル[4-フェニルチオフェニル]スルホニウムトリフルオロトリスペンタフルオロエチルホスファート、ジフェニル[4-p-ターフェニルチオフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル[4-p-ターフェニルチオフェニルスルホニウムトリフルオロトリスペンタフルオロエチルホスファート、4-メチルフェニル[4-1-メチルエチルフェニルヨウドニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート等が挙げられる。これらの化合物のうち、4-2-クロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート株式会社ADEKA製、アデカオプトマーSP-172、ジフェニル[4-フェニルチオフェニル]スルホニウムトリフルオロトリスペンタフルオロエチルホスファートサンアプロ株式会社製、CPI-210S、ジフェニル[4-p-ターフェニルチオフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル[4-p-ターフェニルチオフェニルスルホニウムトリフルオロトリスペンタフルオロエチルホスファートサンアプロ株式会社製、HS-1PG、4-メチルフェニル[4-1-メチルエチルフェニルヨウドニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートローディア社製、PI-2074が好ましい。また、前記一般式b2中、R1は、それぞれ独立に、少なくとも1の水素原子がフッ素置換されている炭素数1~10のアルキル基を表す。該アルキル基の炭素数は1~10、好ましい炭素数は1~7、さらに好ましくは1~3である。かかるアルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、オクチル等の直鎖アルキル基;イソプロピル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル等の分岐アルキル基;さらにシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基等が挙げられ、アルキル基の水素原子がフッ素原子に置換された割合は、好ましくは、50以上、さらに好ましくは80以上、最も好ましくは100である。このような酸発生剤B1を含んで形成されたレジスト層の活性光線及び放射線に対する感度は、アルキル基の炭素数よりもフッ素原子への置換率に依存しており、フッ素原子の置換率を50以上とすることで、前記構成単位a2を開環重合させる効果が十分に得られ、ネガ型現像用レジスト層の光感度を維持できる。特に好ましいR1は、炭素数が1~3、且つフッ素原子の置換率が100の直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基であり、具体例としては、CF3、CF3CF2、CF32CF、CF3CF2CF2が挙げられる。その中でも、CF3基であることが最も好ましい。R1を電子吸引性の強いCF3基とすることで、カルバニオンの安定性をより高めることができる。前記一般式b2中、Zは有機カチオンを表し、特に限定されないが、例えば下記一般式10で表される化合物の有機カチオンが例示される。一般式10中、Wは原子価mの硫黄原子、ヨウ素原子、リン原子、炭素原子、セレン原子、又は窒素原子を表し、mは1~4である。特に好ましいWは硫黄原子及びヨウ素原子であり、このときのmは1~2である。nは括弧内の構造の繰り返し単位数を表し、0~3の整数である。R90はWに結合している有機基であり、炭素数6~30のアリール基、炭素数4~30の複素環基、炭素数1~30のアルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、又は炭素数2~30のアルキニル基を表し、R90はアルキル、ヒドロキシ、アルコシキ、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アルコシキカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールチオカルボニル、アシロキシ、アリールチオ、アルキルチオ、アリール、複素環、アリールオキシ、アルキルスルフィニル、アリールスルフィニル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アルキレンオキシ、アミノ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。R90の個数はmnm-11であり、R90はそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよい。また、2個以上のR90が互いに直接、又は-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-NH-、-NR91-、-CO-、-COO-、-CONH-、炭素数1~3のアルキレン基若しくはフェニレン基を介して結合し、Wを含む環構造を形成してもよい。R91は炭素数1~5のアルキル基又は炭素数6~10のアリール基である。Dは下記化学式11で表される構造である。化学式11中、Eは炭素数1~8のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基、又は炭素数8~20の複素環化合物の2価の基を表し、Eは炭素数1~8のアルキル、炭素数1~8のアルコキシ、炭素数6~10のアリール、ヒドロキシ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。Gは-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-NH-、-NR91-、-CO-、-COO-、-CONH-、炭素数1~3のアルキレン基、又はフェニレン基を表す。aは0~5の整数である。a1個のE及びa個のGはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。R91は前記のものと同じである。一般式b2で表される化合物の有機カチオンとしては特に、ヨードニウム又はスルホニウムであることが望ましい。カチオンとしてヨードニウム又はスルホニウムを用いることで、レジスト層の基板への密着性を高めるとともに、レジスト層の現像液への溶解を抑え、より微細なレジストパターンを精度よく形成することができる。一般式b2で表される化合物の有機カチオンを構成するオニウムイオンの好ましい具体例としては、トリフェニルスルホニウム、トリ-p-トリルスルホニウム、4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム、ビス[4-ジフェニルスルホニオフェニル]スルフィド、ビス4-{ビス[4-2-ヒドロキシエトキシフェニル]スルホニオ}フェニルスルフィド、ビス{4-[ビス4-フルオロフェニルスルホニオ]フェニル}スルフィド、4-4-ベンゾイル-2-クロロフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウム、4-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム、7-イソプロピル-9-オキソ-10-チア-9,10-ジヒドロアントラセン-2-イルジ-p-トリルスルホニウム、7-イソプロピル-9-オキソ-10-チア-9,10-ジヒドロアントラセン-2-イルジフェニルスルホニウム、2-[ジフェニルスルホニオ]チオキサントン、4-[4-4-tert-ブチルベンゾイルフェニルチオ]フェニルジ-p-トリルスルホニウム、4-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム、ジフェニルフェナシルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、2-ナフチルメチル1-エトキシカルボニルエチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、オクタデシルメチルフェナシルスルホニウム、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム、ジフェニルヨードニウム、ジ-p-トリルヨードニウム、ビス4-ドデシルフェニルヨードニウム、ビス4-メトキシフェニルヨードニウム、4-オクチルオキシフェニルフェニルヨードニウム、ビス4-デシルオキシフェニルヨードニウム、4-2-ヒドロキシテトラデシルオキシフェニルフェニルヨードニウム、4-イソプロピルフェニルp-トリルヨードニウム、又は4-イソブチルフェニルp-トリルヨードニウムが挙げられる。一般式b2で表される化合物としては、上記の要件を満たすオニウム塩系のbカチオン重合開始剤のうち、下記の化学式b4及びb5で表される化合物が特に好ましく用いられる。B成分は、1種又は2種以上混合して用いることができる。ネガ型現像用レジスト組成物において、B成分全体におけるB1成分の含有量は、5質量以上であることが好ましく、60質量以上であることがより好ましく、100質量でもよい。該範囲の下限値以上であることにより、レジストパターン形状が良好である。また、ネガ型現像用レジスト組成物において、B1成分の含有量は、前記A成分の100質量部に対し、0.1~70質量部であることが好ましく、1~50質量部であることが特に好ましく、5~20質量部であることが最も好ましい。B成分においては、前記B1成分の有する性質を損なわない程度に前記B1成分以外の酸発生剤B2以下、B2成分という。を前記B1成分と併用してもよい。B2成分としては、前記B1成分以外であれば特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。<任意成分>本発明のネガ型現像用レジスト組成物は、任意の成分として、含窒素有機化合物D以下、D成分というを含有してもよい。D成分としては、酸拡散制御剤、すなわち露光により前記B成分から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものであれば特に限定されず、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いればよい。D成分としては、通常、低分子化合物非重合体が用いられている。D成分としては、たとえば脂肪族アミン、芳香族アミン等のアミンが挙げられ、脂肪族アミンが好ましく、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。ここで、脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1~20であることが好ましい。脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアNH3の水素原子の少なくとも1つを、炭素数20以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミンアルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン又は環式アミンが挙げられる。アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、トリアルキルアミンおよび/またはアルキルアルコールアミンが好ましい。環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの脂肪族単環式アミンであっても多環式のもの脂肪族多環式アミンであってもよい。脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6~10のものが好ましく、具体的には、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。その他の脂肪族アミンとしては、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチルアミン等が挙げられる。芳香族アミンとしては、たとえば、アニリン、N,N-ジブチルアニリン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン、2,2’-ジビリジル、4,4’-ジビリジルなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。D成分は、A成分100質量部に対して、通常、0.01~5.0質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。本発明のネガ型現像用レジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物E以下、E成分という。を含有させることができる。有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数6~15のアリール基等が挙げられる。リン酸の誘導体としては、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。E成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。E成分は、A成分100質量部に対して、通常、0.01~5.0質量部の範囲で用いられる。本発明のネガ型現像用レジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。本発明のネガ型現像用レジスト組成物は、材料を有機溶剤以下、S成分ということがあるに溶解させて製造することができる。S成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。たとえば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトンMEK、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEが好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤、ジメチルスルホキシドDMSOなどを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。なかでも、PGMEA、PGME、γ-ブチロラクトン、ELが好ましい。また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比質量比は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2の範囲内とすることが好ましい。より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、S成分として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ-ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30~95:5とされる。S成分の使用量は特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1~20質量、好ましくは2~15質量の範囲内となるように用いられる。<ブロックコポリマーを含む層の相分離構造の形成>まず、基板表面にブロックコポリマーを含む層を形成する。具体的には、適用な有機溶剤に溶解させたブロックコポリマーを、スピンナー等を用いて基板表面に塗布する。ブロックコポリマーを溶解させる有機溶剤としては、用いるブロックコポリマーを溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、ブロックコポリマーを構成する各ポリマーのいずれとも相溶性の高いものを用いることができる。有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。ブロックコポリマーを溶解させる有機溶剤としては、例えば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEが好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。例えば、ブロックコポリマーとしてPS-PMMAブロックコポリマーを用いる場合には、トルエン等の芳香族系有機溶剤に溶解させることが好ましい。また、基板表面に形成されるブロックコポリマーを含む層の厚みは、ブロックコポリマーの分子量に依存し、一般にポリマー周期の0.5~4.0倍の範囲で塗布する。本発明においては、ブロックコポリマーを含む層の厚さは、相分離が起こるために十分な厚みであればよく、該厚さの下限値としては、特に限定されないが、ナノ構造体の強度、ナノ構造体が形成された基板の均一性等を考慮すると、3nm以上であることが好ましく、5nm以上であることがさらに好ましい。ブロックコポリマーを含む層が形成された基板を熱処理し、後工程におけるブロックコポリマーの選択除去によって基板表面の少なくとも一部が露出するような相分離構造を形成させる。熱処理の温度は、用いるブロックコポリマーのガラス転移温度以上であり、かつ熱分解温度未満で行うことが好ましい。また、熱処理は、窒素等の反応性の低いガス中で行われることが好ましい。<相分離構造中のPBポリマーからなる相の選択除去>次いで、相分離構造を形成させた後の基板上のブロックコポリマーを含む層のうち、露出しているPBポリマーからなる相図1の13aを選択的に除去する。これにより、PAポリマーからなる相図1の13bのみが、基板の露出面に残る。これにより、PBポリマーからなる相のうち、基板表面からブロックコポリマーを含む層の表面まで連続して形成されていた相が除去され、基板表面が露出する。このような選択的除去処理は、PAポリマーに対しては影響せず、PBポリマーを分解除去し得る処理であれば、特に限定されるものではなく、樹脂膜の除去に用いられる手法の中から、PAポリマーとPBポリマーの種類に応じて、適宜選択して行うことができる。また、基板表面に予め中性化膜が形成されている場合には、当該中性化膜もPBポリマーからなる相と同様に除去される。また、基板表面に予めガイドパターンが形成されている場合には、当該ガイドパターンは、PAポリマーと同様に除去されない。このような除去処理としては、例えば、酸素プラズマ処理、オゾン処理、UV照射処理、熱分解処理、及び化学分解処理等が挙げられる。以上、本発明によれば、ブロックコポリマーの相分離を利用して、基板表面に、位置及び配向性がより自在にデザインされたナノ構造体を備える基板を製造することができる。以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。表1、2にポリマー1~12の合成に用いたモノマー及びその構成比単位はモル、合成したポリマーの分子量を示す。表4、5の成分表に従って、実施例1~9、比較例1~7のレジスト組成物を調製した単位は質量部。実施例1~9、比較例1~7のレジスト組成物において、溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAを2500~3000質量部用いた。尚、表1、2中、用いたモノマーの詳細を表3に示す。表4、5中、各光酸発生材は、以下の通りである。HS-1PG:ジフェニル[4-p-ターフェニルチオフェニル]スルホニウムトリフルオロトリスペンタフルオロエチルホスファートサンアプロ社製。SP-172:4-2-クロロ-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートADEKA社製。PI-2074:4-メチルフェニル[4-1-メチルエチルフェニルヨウドニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートローディア社製。CGITPSC1は、トリフェニルスルホニウムトリススルフォニルメタンBASF社製。PAG103:[2-プロピルスルホニルオキシイミノ-2,3-ジヒドロチオフェン-3-イリデン]o-トリルアセトニトリルチバスペシャリティケミカルズ社製。ZK-0138:ジナフチルフェニルスルホニウムパーフルオロブチルサルフェート大日本住友製薬社製。表1、2中、ANSMは、下記式111で表される化合物を示す。[ガイドパターン形成能ライン/スペース解像性の評価]3~5濃度に調製した表面処理組成物スチレン/メタクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシルメタン/メタクリル酸プロピルトリメトキシシラン=35/60/5からなる分子量4万の共重合体を膜厚10nmになるように回転数を調整し、8インチシリコン基板上にスピンコートとし、250°Cで10分間のベーク処理を行った。次いで、調製した前記レジスト組成物を膜厚150nmになるように回転数を調整し、8インチシリコン基板上にスピンコートとし、110°Cで60秒間のベーク処理を行った。前記レジスト膜に対し、ArF露光装置NSR-S302ニコン社製;NA開口数=0.60,2/3輪帯照明により、200nmのライン/スペースのパターンを露光した。その後、110°Cで60秒間のPEB処理を行い、さらに酢酸ブチルを用いてパドル現像した。200nmのライン/スペースが観察されたレジスト組成物をA、観察されなかったものをBと評価した。結果を表4、5中、[200nmスペース解像]に示す。[耐溶剤性の評価]上記[ガイドパターン形成能ライン/スペース解像性の評価]において形成されたライン/スペースパターンに1THF溶液を塗布し、溶解しないものをA、溶解したものをBと評価した。結果を表4、5中、[THF不溶]に示す。尚、上記[ガイドパターン形成能ライン/スペース解像性の評価]においてライン/スペースパターンを形成していないものについては-とした。[耐熱性の評価]上記[ガイドパターン形成能ライン/スペース解像性の評価]においてライン/スペースパターンが形成された基板を200°Cのホットプレート上に置き、フローしないものをA、フローしたものをBと評価した。結果を表4、5中、[200度耐熱性]に示す。尚、上記[ガイドパターン形成能ライン/スペース解像性の評価]においてライン/スペースパターンを形成していないものについては-とした。[垂直ラメラ形成能の評価]上記[ガイドパターン形成能ライン/スペース解像性の評価]においてライン/スペースパターンが形成された基板に、PS-PMMAブロックコポリマー1PolymerSource社製、PSの分子量:53000、PMMAの分子量:54000、分散度Polydispersityindex:PDI:1.16のトルエン溶液17.5mg/mlをスピンコート回転数:1000rpm、60秒間した後、110°Cで60秒間加熱乾燥した。次いで、当該基板を、窒素気流下、200°Cで6時間加熱し、相分離構造を形成させた。その後、TCA-3822を用いて、当該基板を酸素プラズマ処理200sccm、40Pa、200W、30秒間を行ってPMMAからなる相を選択的に除去し、得られた基板の表面を走査型電子顕微鏡SEMS4700で観察した。垂直ラメラが観察された樹脂組成物をA、垂直ラメラが観察されない樹脂組成物をB、と評価した。結果を表4、5中、[垂直ラメラ]に示す。尚、上記[ガイドパターン形成能ライン/スペース解像性の評価]においてライン/スペースパターンを形成していないものについては-とした。これらの結果から、本発明のガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物を用いることにより、耐溶剤性及び耐熱性にすぐれたガイドパターンを形成できることが明らかである。"