第1の方向に延在し、第2の方向に配列した走査線と第2の方向に延在し、第1の方向に配列した映像信号線で囲まれた領域に画素が形成され、前記画素には絶縁膜上に形成された画素電極が形成され、前記画素電極にはTFTを介して映像信号が供給されるTFT基板と、前記TFTに対向して対向基板が形成され、前記TFT基板と前記対向電極との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、前記対向基板には、前記TFT基板との間隔を保持するための柱状スペーサが形成され、前記TFT基板には、前記柱状スペーサの先端と対向する台座が形成され、前記台座、前記画素電極、前記絶縁膜を覆って配向膜が形成され、前記配向膜は光配向処理が施され、前記台座の上端は、前記画素電極の上端よりも高く、前記配向膜は、ポリアミド酸を前駆体とする下配向膜とポリアミド酸エステルを前駆体とした上配向膜で形成され、前記下配向膜の膜厚をp1、前記上配向膜の膜厚をp2とした時、前記台座上におけるp2/p1は、前記絶縁膜上のp2/p1よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。前記台座上において、p2/p1P2は0.3以下であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記台座上において、p2/p1P2は0.2以下であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記台座上において、p2/p1P2は0.1以下であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記台座上において、p2は30nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記台座上において、p2は20nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記台座上において、p2は10nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記台座は前記走査線上に形成され、台座の構成要素として、画素電極と同じ材料、または、前記TFTの半導体層と同じ材料、または、前記映像信号線と同じ材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記台座は前記映像信号線上に形成され、台座の構成要素として、画素電極と同じ材料、または、前記TFTの半導体層と同じ材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。第1の方向に延在し、第2の方向に配列した走査線と第2の方向に延在し、第1の方向に配列した映像信号線で囲まれた領域に画素が形成され、前記画素には絶縁膜上に形成された画素電極が形成され、前記画素電極にはTFTを介して映像信号が供給されるTFT基板と、前記TFTに対向して対向基板が形成され、前記TFT基板と前記対向電極との間に液晶層が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、前記対向基板には、前記TFT基板との間隔を保持するための柱状スペーサが形成され、前記TFT基板には、前記柱状スペーサの先端と対向する台座が形成され、前記台座、前記画素電極、前記絶縁膜を覆って配向膜が形成され、前記配向膜は光配向処理が施され、前記台座の上端は、前記画素電極の上端よりも高く、前記配向膜は、ポリアミド酸を前駆体とする下配向膜とポリアミド酸エステルを前駆体とした上配向膜で形成され、前記台座の上端と前記画素電極の上端との高さの差を前記台座の高さhとし、前記台座の最狭部の幅をwとしたとき、をa=h/wとし、前記台座上の配向膜の膜厚を台座上の配向膜の膜厚をq2、前記画素領域における絶縁膜上の配向膜の膜厚をq1としたとき、b=q2/q1とし、配向膜材料におけるポリアミド酸エステルの量をxとし、ポリアミド酸の量をyとした場合、c=x/xyとし、前記画素領域における絶縁膜上の配向膜の膜厚をdとしたとき、前記cを、c<80/bd40であり、かつ、0.2<c<0.8とすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。前記cは0.3<c<0.7とすることを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置の製造方法。前記cは、c<60/bd40とすることを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置の製造方法。柱状スペーサを用いた場合、柱状スペーサとTFTに形成された台座の間にも液晶を初期配向させるための配向膜が形成されている。液晶表示装置を指等でタッチした場合、柱状スペーサと台座の間にストレスが加わり、配向膜が削れて、削れくずが発生するという現象が生ずる。このような削れくずは表示領域における輝点の発生を生ずる。特許文献1には、このような問題点と対策は記載されていない。光配向膜は、2層構造で形成される場合がある。すなわち、上層は紫外線による光配向を起こしやすいシクロブタンを含むポリアミド酸エステルを前駆体とする材料で形成し、下層は機械的な強度が強い、シクロブタンを含まない、ポリアミド酸を前駆体とする材料によって形成する。化1はシクロブタンを含むポリアミド酸エステルの構造式である。化1化1において、Arは2価の芳香族基であり、Rは炭素数1~8のアルキル基であり、X1~X4はそれぞれ、独立に水素または炭素数1~3のアルキル基である。化2はシクロブタンを含まないポリアミド酸の構造式である。化2化2において、Yは2価の有機基であり、Zはシクロブタン以外の4価の有機基である。図16はこのような2層の配向膜を使用した場合の液晶表示装置の断面模式図である。図16において、ガラスで形成されたTFT基板100の上にパッシベーション膜107が形成されている。パッシベーション膜107とTFT基板100との間にはコモン電極等、複数の層が形成されているが、図16では省略されている。パッシベーション膜107の上には画素電極108が形成されている。画素電極108を覆って、下配向膜111および上配向膜112の2層からなる配向膜113が形成されている。上配向膜112はポリアミド酸エステルを前駆体とする光反応性を持つ材料によって形成され、光反応によって膜厚が減少しており、かつ、機械的強度も弱くなっている。一方、下配向膜111はポリアミド酸を前駆体とする、光反応を生じない材料で形成されており、紫外線照射後も膜厚が減少していない。図16において、対向基板200には、ブラックマトリクス201とカラーフィルタ202が形成されている。ブラックマトリクス201およびカラーフィルタ202の上にはオーバーコート膜203が形成されているが、図16では省略されている。カラーフィルタ202の形成された部分が透過領域400であり、透過領域400を透過する光によって画像が形成される。ブラックマトリクス201の形成された部分は非透過領域500である。図16において、ブラックマトリクス201の上に、TFT基板100と対向基板200との間隔を規定するための柱状スペーサ204が形成されている。柱状スペーサ204の先端は、TFT基板100における上配向膜112と接触しているが、この部分には画素電極108と同じ材料による台座114が形成されている。しかし、台座上端の高さは、画素電極上端の高さと同じである。上配向膜112は紫外線照射によって光分解反応を生じて分子量が低下し、配向膜強度が低下している。このような液晶表示装置に対して例えば-40°C⇔85°Cのヒートショック試験を実施すると台座114部分において、上配向膜112が剥離し、この削れくずに起因する微小輝点が発生する。図16の点線で囲った領域Rにおいて、配向膜の削れくずが発生する。つまり、ヒートショック試験で発生するパネルの面内温度分布によってパネルが反りを繰り返し、対向基板200側に形成された柱状スペーサ204がTFT基板100側の台座114上の配向膜113を削ってしまい、その配向膜113の破片が液晶中を浮遊することによって輝点が発生するものと考えられる。したがって、本発明の課題は、光配向を用いた液晶表示装置において、配向膜削れによる輝点が発生することを防止することである。本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。すなわち、走査線と映像信号線とで囲まれた領域に画素が形成され、前記画素には絶縁膜上に形成された画素電極が形成され、前記画素電極にはTFTを介して映像信号が供給されるTFT基板と、前記TFTに対向して対向基板が形成され、前記TFT基板と前記対向電極との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、前記対向基板には、前記TFT基板との間隔を保持するための柱状スペーサが形成され、前記TFT基板には、前記柱状スペーサの先端と対向する台座が形成され、前記台座、前記画素電極、前記絶縁膜を覆って配向膜が形成され、前記配向膜は光配向処理が施され、前記台座の上端は、前記画素電極の上端よりも高く、前記配向膜は、ポリアミド酸を前駆体とする下配向膜とポリアミド酸エステルを前駆体とした上配向膜で形成され、前記下配向膜の膜厚をp1、前記上配向膜の膜厚をp2とした時、前記台座上におけるp2/p1は、前記絶縁膜上のp2/p1よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置である。本発明によれば、柱状スペーサを有し、光配向膜を用いた液晶表示装置において、柱状スペーサによる配向膜の削れを防止することが出来るので、液晶表示装置の製造歩留まりを向上させることが出来る。また、出荷後の温度サイクルに起因して、柱状スペーサによる配向膜削れを防止することが出来るので、市場不良の発生を防止することが出来る。図1~3は本発明の要部を形成するプロセスを示す、TFT基板100側の断面図である。図1において、ガラスで形成されたTFT基板100の上にパッシベーション膜107が形成されている。パッシベーション膜107とTFT基板100の間に形成された層は図1では省略されている。図1において、パッシベーション膜107の上に画素電極108が形成されている。画素電極108が形成されている部分は、画素領域である。画素電極108が形成されていない部分に柱状スペーサ204のための台座114が形成されている。台座114部分は、画素電極108と同じ材料で形成された膜と、他の膜によって形成されている。したがって、台座114の先端は画素電極108の先端よりも高くなっている。画素電極108および台座114を覆って配向膜113が形成されている。配向膜113は、光反応性を有さないが機械的な強度が強いポリアミド酸を前駆体とする下配向膜111と、光反応性を有するポリアミド酸エステルを前駆体とする上配向膜112とから形成されている。配向膜材料は、ポリアミド酸エステルとポリアミド酸を4:6でブレンドしたものであり、これを画素電極108等の上に塗布すると上下に層分離して、上層がポリアミド酸エステル、下層がポリアミド酸となる。ポリアミド酸エステルの量がポリアミド酸の量よりも少ないので、上配向膜112が下配向膜111よりも膜厚はやや薄くなっている。また、台座114部分は、画素電極108の部分よりも高さが高いので、レベリング効果によって、台座114部分の配向膜113の厚さは小さくなっている。その後塗布した配向膜113を200~230°C程度で焼成する。図1はこの状態を示すものである。図2は、図1の状態の配向膜113に対して紫外線を照射し、ポリアミド酸エステルを前駆体とする上配向膜112に紫外線を照射して配向処理を施した状態を示す断面図である。紫外線照射をすると、上配向膜112は光分解反応を起こして分子量が低下して膜強度が低下する。また、光分解反応を起こしたものの1部は蒸発する。したがって、上配向膜112の厚さは一定量小さくなる。台座114部分の配向膜113はもともと薄くなっているので、上配向膜112も他の部分におけるよりも小さくなっている。したがって、上配向膜112が光反応によって分解、蒸発すると、図2に示すように、台座114部分においては、上配向膜112は殆ど無くなってしまう。一方、ポリアミド酸を前駆体とする下配向膜111は、光反応しないので、下配向膜111は当初の厚さと強度を維持している。したがって、台座114上においては、機械的な強度の高い下配向膜111の成分が圧倒的に大きくなっている。一方、画素部等、台座114以外では、配向膜113は2層構造が維持されている。すなわち、画素部においても、上配向膜112は光反応して光配向処理が行われ、上配向膜112の一部が蒸発して膜厚は一定量小さくなる。しかし、画素領域においては、台座114部分に比べてもともと上配向膜112の厚さが大きいので、一部が蒸発しても、上配向膜は、液晶分子を配向させるための所定の膜厚は維持されている。図3はこのようにして形成されたTFT基板100に対して柱状スペーサ204が形成された対向基板200を組み合わせた状態を示す断面図である。図3において、TFT基板100と対向基板200の間に液晶層300が挟持されている。図3におけるTFT基板100側の構成は図2において説明した通りである。対向基板200には非透過領域500を形成するブラックマトリクス201と透過領域400を形成するカラーフィルタ202が形成されている。図3ではオーバーコート膜203は省略されている。また、対向基板200にも配向膜113が形成されているが、図3では省略されている。図3のブラックマトリクス201が形成された部分に柱状スペーサ204が形成されている。柱状スペーサ204の先端は、TFT基板100の台座114部分に接触しているが、この部分における配向膜113は図2において説明したように、殆どが、機械的な強度が強いポリアミド酸を前駆体とする下配向膜111によって構成されている。つまり、機械的強度が弱いポリアミド酸エステルを前駆体とする上配向膜112は殆ど存在しないので、柱状スペーサ204による配向膜113削れが発生する確率は非常に小さくすることが出来る。一方、台座114部分に対応する対向基板200には、ブラックマトリクス201が形成されているので、液晶分子が初期配向を受けなくとも光漏れが生ずることは無い。このように、本発明によれば、柱状スペーサ204が光配向膜113と接触することによる配向膜113の削れを防止することが出来る。また、その削れくずによって輝点が発生することを防止することが出来る。以下IPS方式の液晶表示装置における実施例を用いて本発明の具体的な構成を説明する。図4は実施例1による画素部の平面図であり、図5は図4におけるA-A断面に対応した液晶表示装置の断面図である。図4において、走査線10と映像信号線20とで囲まれた領域に画素が形成されている。画素においては、下側に平面ベタでITOIndiumTinOxideによって形成されたコモン電極101が形成され、コモン電極101の端部には、コモン電極101にコモン電位を供給するためのコモンライン102がオーバーラップして形成されている。コモン電極101の上に絶縁膜を挟んでスリットを有する画素電極108が形成されている。画素電極108に映像信号が供給されると、コモン電極101との間にスリットを介して液晶層300に電気力線が発生し、これによって液晶分子を回転させて、バックライトからの光の量を制御することによって画像を形成する。図4において、走査線10の上にTFTが形成されている。走査線10の上には、ゲート絶縁膜を挟んで半導体層104が形成されている。ドレイン電極105は映像信号線20が分岐したものである。ドレイン電極105と対向してソース電極106が形成され、ソース電極106は、画素領域に延在し、スルーホール109を介して画素電極108と導通している。図4において、走査線10の上に、画素電極108と同じ材料を用いた台座114が形成されている。以後この台座114を画素電極台座1141と称する。画素電極台座1141と走査線10との間には絶縁膜が存在している。また、画素電極台座1141の上には、配向膜113が形成されている。画素電極台座1141に対応する部分には、対向基板200に形成された柱状スペーサ204の先端が接触している。図5は図4のA-A断面に対応する液晶表示装置の断面図である。図5において、TFT基板100の外側には下偏光板120が形成され、対向基板200の外側には上偏光板220が形成されている。TFT基板100と対向基板200の間に液晶層300が挟持されている。図5において、TFT基板100の上には、透明電極であるITOによるコモン電極101が形成されている。コモン電極101の端部にはコモン電極101にコモン電位を供給するためのコモンライン102がオーバーラップしている。コモン電極101は、走査線10と絶縁して形成されている。走査線10は2層構造となっており、下層はコモン電極101と同じITOによる導電層1011で形成され、上層は、コモンライン102と同じ金属によって形成されている。走査線10を形成する金属は例えば、MoWあるいはAl合金等である。走査線10およびコモン電極101を覆ってゲート絶縁膜103が形成され、ゲート絶縁膜103の上にパッシベーション膜107が形成されている。パッシベーション膜107の上に透明電極であるITOによって画素電極108が形成されている。一方、走査線10上のパッシベーション膜107の上にも画素電極108と同じITOによって画素電極台座1141が形成されている。図5からかわかるように、画素電極台座1141の上端は画素電極108の上端よりも高くなっている。配向膜113はこのような状態で塗布されるので、図1で示したように、画素電極台座1141の上の配向膜113は薄くなり、この配向膜113に対して光配向を行うために紫外線を照射すると、ポリアミド酸エステルを前駆体とする上配向膜112は、画素電極台座1141の上では殆ど消失してしまう。したがって、画素電極台座1141の上は、機械的な強度が強いポリアミド酸を前駆体とする下配向膜111が主として存在し、柱状スペーサ204が接触しても容易には削れは生じない。したがって、配向膜113の削れくずに起因する輝点は生じない。一方、高さの低い画素電極108部分においては、配向膜113が厚くなっているので、紫外線照射によって光配向を行った後も配向膜113の2層構造が維持されている。つまり、所定の膜厚の光配向処理された上配向膜112が存在するので、液晶分子を配向することが出来る。図5において、対向基板200にはブラックマトリクス201とカラーフィルタ202が形成されている。ブラックマトリクス201は画素電極台座1141部分を覆っているので、この部分において、液晶が配向されなくとも、バックライトからの光が透過することは無い。図5において、カラーフィルタ202を覆ってオーバーコート膜203が形成され、オーバーコート膜203に柱状スペーサ204が形成されている。オーバーコート膜203および柱状スペーサ204を覆って配向膜113が形成されている。対向基板200側の配向膜113も2層構造であるが、図5では、図面が複雑化することを避けるために配向膜113は1層で描いている。対向基板200において、配向膜113を塗布すると、オーバーコート膜203の上は所定の膜厚の配向膜113が形成されるが、柱状スペーサ204は高いので、レベリング効果によって柱状スペーサ204の先端には配向膜113は殆ど存在しない。また、仮に、柱状スペーサ204の先端に配向膜113が残ったとしても、光配向のために紫外線を照射することによって、ポリアミド酸エステルを前駆体とする上配向膜112は消失し、機械的な強度の強いポリアミド酸を前駆体とする下配向膜111が主として残存することになる。したがって、柱状スペーサ204側に残った配向膜113が削れて、それが原因となって輝点が発生することは無い。このように、TFT基板100においても、対向基板200においても、柱状スペーサ204がTFT基板100側と接触する部分においては、ポリアミド酸エステルを前駆体とする上配向膜112は、ほとんど存在せず、配向膜113の削れくずによる輝点の発生は生じにくい構造となっている。図6は実施例2による画素部の平面図である。図6の構成は、台座114部分を除いて図4と同様である。図6において、台座114は、画素電極台座1141と半導体による台座、すなわち半導体台座1142との複合台座となっている。その分、台座114の先端は実施例1におけるよりも高くなっており、配向膜113を塗布したときのレベリングの効果はより生じやすい。図7は、図6のB-B断面に対応する液晶表示装置の断面図である。走査線10の上に形成される台座部分を除いては図5と同様である。図7において、走査線10上のゲート絶縁膜103の上には半導体が形成され、これが、半導体台座1142となっている。半導体台座1142の上には、パッシベーション膜107が形成され、パッシベーション膜107の上には実施例1と同様に画素電極台座1141が形成されている。すなわち、本実施例においては、台座114が半導体台座1142と画素電極台座1141の両方で構成されており、台座114の高さが実施例1よりも高くなっている。これによって、配向膜113を塗布したときのレベリングの効果をより効果的に生じさせることが出来る。したがって、柱状スペーサ204の先端が接触する部分には、上配向膜112が存在する確率がより小さくなり、配向膜113剥がれの確率も、より小さくなる。図8は実施例3による画素部の平面図である。図8の構成は、台座114部分を除いて図6と同様である。図8において、台座114は、画素電極台座1141と映像信号線20と同じ材料による台座、すなわち映像信号線台座1143との複合台座となっている。その分、台座114の先端は実施例1におけるよりも高くなっており、配向膜113を塗布したときのレベリングの効果はより生じやすい。図9は、図8のC-C断面に対応する液晶表示装置の断面図である。走査線10の上に形成される台座部分を除いては実施例2の図7と同様である。図9も図7も複合台座となっているが、図9が図7と異なる点は、図9においては、複合台座の下側が半導体台座1142ではなく、映像信号線台座1143となっている点である。実施例3においては、映像信号線台座1143が存在する分、実施例1よりも台座114の先端が高くなっており、これによって、配向膜113を塗布したときのレベリングの効果をより効果的に生じさせることが出来る。したがって、柱状スペーサ204の先端が接触する部分には、上配向膜112が存在する確率がより小さくなり、配向膜113剥がれの確率も、より小さくなる。図10は実施例4による画素部の平面図である。図10の構成は、台座114部分を除いて実施例1の図4と同様である。本実施例においては、台座114は映像信号線20の上に形成されている。台座114の高さをより高くして、配向膜113を塗布したときのレベリングの効果をより大きくするためである。対向基板200においては、台座114の位置に合わせて柱状スペーサ204の位置も実施例1等とは異なっている。図11は図10のD-D断面図であり、図12は図10のE-E断面図である。図11は台座114が形成されている部分の断面図であり、図12は画素電極108が形成されている部分の断面図である。台座114が形成されている部分の断面である図11において、TFT基板100の表面から画素電極台座1141の上面までには、導電層1011、走査線10、ゲート絶縁膜103、映像信号線20、パッシベーション膜107、画素電極台座1141の6層が形成されている。これに対して画素部分の断面である図12においては、TFT基板100の表面から、コモン電極101、ゲート絶縁膜103、パッシベーション膜107、画素電極108の4層のみ形成されている。したがって、TFT基板100の表面から図11における台座114上部までの距離t2は図12における画素電極108の上部までの距離t1よりも、走査線10の厚さと映像信号線20の厚さの合計分大きくなっている。これによって、配向膜113を塗布したときのレベリング効果を十分に生じさせることが出来る。その結果、紫外線照射によって光配向を行った後は、図11に示すように、柱状スペーサ204が接触する台座114部分においては、上配向膜112は殆ど存在せず、機械的な強度が強い下配向膜111のみが存在することになる。一方、画素電極108部は台座114部分に比較して低いので、配向膜113の2層構造は維持され、上配向膜112による液晶分子に対する初期配向を生じさせることが出来る。このように、本実施例においても、液晶分子に対する初期配向効果を維持しつつ、柱状スペーサ204による配向膜113削れを防止して輝点の発生を防止することが出来る。実施例1~4では、液晶表示装置の画素部分の構造に即して本発明を説明したが、本実施例では、台座114の部分の形状と配向膜113成分について詳細に説明する。図13は台座114の平面形状が正方形の場合である。図13aは平面図、図13bは図13aのF-F断面図である。図13では台座114の断面は台形である。すなわち、台座上面116は台座下面115よりも径が小さい。このような場合、台座114の最狭部の径は上面の径であるwを言う。また、図13bにおいて、台座114の高さhは、例えば、図1を参照すると、画素領域における画素電極108の上面と台座114の上面の高さの差をいう。図14は台座114の平面が長方形の場合である。図14aは台座114の平面図であり、図14bは図14aのG-G断面図である。図14において、台座114の最狭部は台座上面116の短径wである。また、図14bにおける台座114の高さhの定義は図13と同様である。図15は台座114が円形の場合である。図15aは台座114の平面図であり、図15bは図15aのH-H断面図である。図15において、台座114の最狭部は、台座114の上面の直径wである。また、図15bにおける台座114の高さhの定義は図13と同様である。以上の台座114の例では、台座114の断面は台形であるとしたが、矩形であってもよい。また、以上の台座114は高さ、最狭部等の例を示すためのものであり、台座114の形状は、上記3つの例に限られるわけではない。本発明の特徴は、台座114上においては、上配向膜112の存在を出来るだけ少なくし、柱状スペーサ204とは、機械的な強度が強い下配向膜111が接触するようにし、画素電極108においては、上配向膜112を、液晶分子を配向させるに十分な膜厚だけ維持し、2層構造を維持することである。このような構成を実現するためには、台座114の形状、配向膜113の塗布厚さ、配向膜113材料におけるポリアミド酸エステルとポリアミド酸の配合比率が重要である。ここで、次のパラメータを導入する。a:台座アスペクト比として、台座高さh/台座最狭部の幅wb:台座上の配向膜膜厚/画素領域における絶縁膜上の配向膜膜厚。ここで画素領域における絶縁膜は実施例1-4等ではパッシベーション膜107であるが、パッシベーション膜107の代わりに他の絶縁膜が存在する場合もある。c:配向膜材料のポリアミド酸エステルの比率。ここで、配向膜材料はポリアミド酸エステルとポリアミド酸の混合物であるが、cはこのうちのポリアミド酸エステルの割合である。つまり、ポリアミド酸エステルの量をxとし、ポリアミド酸の量をyとした場合、c=x/xyである。cは、0.2<c<0.8、より好ましくは、0.3<c<0.7である。d:画素領域の絶縁膜上の配向膜膜厚d。dは、30nm<d<150nm、より好ましくは、40nm<d<130nmである。但し、cd>10nmを満たす必要がある。このdは、光配向後の膜厚、すなわち、液晶表示装置における膜厚である。つまり、画素領域において、ポリアミド酸エステルを前駆体とした上配向膜112を10nm以上残存させて、液晶に対する初期配向機能を十分に維持させるためである。a、b、c、dを上記のように定義した場合、配向膜材料のポリアミド酸エステルの比率cと他のバラメータとの関係は、c<80/bd40である。より好ましくは、c<60/bd40である。但し、台座114の最狭部wが10μm以下のときは、b=0.9、台座114の最狭部wが10μm以上のときは、b=1/13.9a0.080.1、かつ、b<0.9である。以上のように、台座形状、配向膜材料、配向膜膜厚を選ぶことによって、実施例1~4に示すような液晶表示装置の構成を得ることが出来る。以上のような製造方法によって製造された液晶表示装置の特長を具体的に述べると次のようになる。A:上配向膜112と下配向膜111の膜厚の割合が、台座114上と画素領域における絶縁膜上とで異なる。つまり、台座114上における上配向膜112の割合が、画素領域における絶縁膜上におけるよりも小さい。B:台座114上の配向膜113におけるポリアミド酸エステルを前駆体とする上配向膜112の比率は、0.3以下、より好ましくは0.2以下、さらに好ましくは、0.1以下である。C:台座114上の配向膜113におけるポリアミド酸エステルを前駆体とする上配向膜112の膜厚は、30nm以下、より好ましくは20nm以下、さらに好ましくは、10nm以下である。以上のような構成によって、光配向膜113を用いた液晶表示装置において、柱状スペーサ204による配向膜剥がれを抑制し、配向膜剥がれくずによる輝点の発生を防止することが出来る。なお、実施例1~4に記載の台座114は例であって、前記1~4に記載の台座114を複合して使用することが出来る。すなわち、台座114としては、画素電極台座1141、半導体台座1142、映像信号線台座1143等を重ねて用いることによって、台座114の高さをより高くし、配向膜113のレベリング効果をより大きくして本発明の効果を上げることが出来る。また、映像信号線20上においては、画素電極台座1141、半導体台座1142を複合して用いることが出来る。