"基材と、前記基材上に設けられ、第1金属材料からなる配線と、前記配線の少なくとも上部および側部を覆うように設けられた、第2金属材料からなる配線被覆膜と、を備え、前記第1金属材料は、前記第2金属材料よりも低い熱膨張係数を有し、前記第2金属材料は、前記第1金属材料よりも低い電気抵抗率を有する基板。請求項1に記載の基板において、前記配線被覆膜は、前記配線の下部を覆うように設けられている基板。請求項1または2に記載の基板において、前記第1金属材料は、Fe-Ni系の合金、WまたはMoである基板。請求項1ないし3いずれか1項に記載の基板において、前記第2金属材料は、Cuである基板。請求項1ないし4いずれか1項に記載の基板において、前記配線の上部に位置する前記配線被覆膜の厚さは、前記配線の厚さの0.1~1.2倍である基板。請求項1ないし5いずれか1項に記載の基板において、前記第1金属材料の熱膨張係数は、0.1ppm/°C~8ppm/°Cである基板。請求項1ないし6いずれか1項に記載の基板において、前記第2金属材料の熱膨張係数は、13ppm/°C~25ppm/°Cである基板。請求項1ないし7いずれか1項に記載の基板において、前記基材の熱膨張係数は、1ppm/°C~10ppm/°Cである基板。請求項1ないし8いずれか1項に記載の基板において、前記第2金属材料の熱膨張係数と前記第1金属材料の熱膨張係数との差は、5ppm/°C~25ppm/°Cである基板。請求項1ないし9いずれか1項に記載の基板において、前記基材の熱膨張係数と前記第1金属材料の熱膨張係数との差は、0ppm/°C~9.9ppm/°Cである基板。請求項1ないし10いずれか1項に記載の基板において、前記配線の厚さは、1μm~30μmである基板。請求項1ないし11いずれか1項に記載の基板において、前記配線被覆膜の厚さは、0.1μm~30μmである基板。請求項1ないし12いずれか1項に記載の基板において、前記第1金属材料の電気抵抗率は、5×10-8Ωm~100×10-8Ωmである基板。請求項1ないし13いずれか1項に記載の基板において、前記第2金属材料の電気抵抗率は、1×10-8Ωm~3×10-8Ωmである基板。請求項1ないし14いずれか1項に記載の基板において、前記第1金属材料の電気抵抗率と前記第2金属材料の電気抵抗率の差は、2×10-8Ωm~99×10-8Ωmである基板。請求項1ないし15いずれか1項に記載の基板において、前記配線の延在方向と垂直な前記配線の断面の外形と、前記配線の延在方向と垂直な前記配線被覆膜の断面の外形と、が互いに異なる基板。請求項16に記載の基板において、前記配線の延在方向と垂直な前記配線の断面の外形は、側面と上端部との間に角を有しており、前記配線の延在方向と垂直な前記配線被覆膜の断面の外形は、側面と上端部との間に角を有していない基板。請求項1ないし17いずれか1項に記載の基板と、前記基板上に実装された半導体素子と、を備える半導体装置。請求項1に記載の基板の製造方法であって、前記基材上に、前記配線を形成する工程と、前記配線の上部および側部を覆う前記配線被覆膜を形成する工程と、を備える基板の製造方法。請求項19に記載の基板の製造方法において、前記配線を形成する前記工程の前において、前記基材上に前記第2金属材料からなる第1金属層を形成する工程を備える基板の製造方法。請求項20に記載の基板の製造方法において、前記第1金属層を形成する前記工程において、前記第1金属層は、前記基材の全面に形成され、前記配線を形成する前記工程は、前記第1金属層上に、開口を有する第1レジストを形成する工程と、前記第1レジストの開口内に、めっき法により前記配線を形成する工程と、前記第1レジストを除去する工程と、を含む基板の製造方法。請求項21に記載の基板の製造方法において、前記配線被覆膜を形成する前記工程は、前記第1金属層上に、前記配線が露出するように前記配線よりも幅の広い開口を有する第2レジストを形成する工程と、前記配線の上部および側部を覆うように、前記第2レジストの開口内に、めっき法により前記第2金属材料からなる第2金属層を形成する工程と、前記第2レジストを除去する工程と、前記第1金属層の一部をエッチングにより除去し、平面視で前記配線と重なる部分および前記配線の周囲に位置する部分を残す工程と、を含む基板の製造方法。請求項21に記載の基板の製造方法において、前記配線被覆膜を形成する前記工程は、前記配線の上部および側部を覆うように、前記第1金属層上および前記配線上に、めっき法により前記第2金属材料からなる第2金属層を形成する工程と、前記第1金属層の一部および前記第2金属層の一部をエッチングにより除去し、平面視で前記配線と重なる部分および前記配線の周囲に位置する部分を残す工程と、を含む基板の製造方法。請求項20に記載の基板の製造方法において、前記第1金属層を形成する前記工程は、前記基材上に、開口を有する第3レジストを形成する工程と、前記第3レジスト上、および前記第3レジストの開口から露出した基板上に、前記第1金属層を形成する工程と、前記第3レジスト上に形成された前記第1金属層を除去する工程と、を含む基板の製造方法。請求項24に記載の基板の製造方法において、前記第3レジスト上に形成された前記第1金属層を除去する工程は、前記第3レジストを除去することにより行われ、前記配線を形成する工程は、前記第1金属層をシードとしためっき法により行われる基板の製造方法。請求項24に記載の基板の製造方法において、前記配線を形成する前記工程は、前記第1金属層をシードとしためっき法により前記配線を形成する工程と、前記第3レジストを除去する工程と、を含む基板の製造方法。請求項19に記載の基板の製造方法において、前記配線を形成する前記工程は、前記基材上に、前記第1金属材料からなる第3金属層を形成する工程と、前記第3金属層を選択的にエッチングして、前記配線を形成する工程と、を含む基板の製造方法。請求項27に記載の基板の製造方法において、前記配線被覆膜を形成する前記工程は、前記基材上に、前記配線が露出するように前記配線よりも幅の広い開口を有する第4レジストを形成する工程と、前記配線の上部および側部を覆うように、前記第4レジストの開口内に、めっき法により前記第2金属材料からなる第4金属層を形成する工程と、前記第4レジストを除去する工程と、を含む基板の製造方法。請求項27に記載の基板の製造方法において、前記配線被覆膜を形成する前記工程は、前記配線の上部および側部を覆うように、前記配線上に、めっき法により前記第2金属材料からなる第4金属層を形成する基板の製造方法。配線基板に設けられる配線の熱膨張係数は、基材や半導体素子など他の部材の熱膨張係数と比較して相対的に高い場合がある。これに起因して、配線基板や、配線基板を含む半導体装置全体に応力のひずみが発生し、配線基板の単体反りや、半導体素子実装後における配線基板や半導体素子の反りが発生することがある。このため、配線の熱膨張係数の低減を図り、配線基板や半導体装置に発生する応力のひずみを抑制することが望まれている。一方で、半導体装置の高密度、高速信号化のため、電気抵抗率の低い配線構造とし、配線の導電性を向上させることも求められている。しかし、配線基板に設けられる配線として使用することができる材料の中では、熱膨張係数と電気抵抗率はトレードオフの関係にあることが多い。このため、低熱膨張係数と低電気抵抗率とをバランス良く両立させた配線構造の実現は困難であった。よって、本発明は、熱膨張係数と電気抵抗率とのバランスに優れた配線構造を実現することを課題とする。本発明によれば、基材と、前記基材上に設けられ、第1金属材料からなる配線と、前記配線の少なくとも上部および側部を覆うように設けられた、第2金属材料からなる配線被覆膜と、を備え、前記第1金属材料は、前記第2金属材料よりも低い熱膨張係数を有し、前記第2金属材料は、前記第1金属材料よりも低い電気抵抗率を有する基板が提供される。本発明によれば、上記の基板と、前記基板上に実装された半導体素子と、を備える半導体装置が提供される。本発明によれば、上記の基板の製造方法であって、前記基材上に、前記配線を形成する工程と、前記配線の上部および側部を覆う前記配線被覆膜を形成する工程と、を備える基板の製造方法が提供される。本発明によれば、電気抵抗率が低い第2金属材料からなる配線被覆膜が、熱膨張係数の低い配線の表面側に形成されている配線構造を有する。このため、配線構造の熱膨張係数の低減を図ることができる。また、表皮効果の観点から、効果的に配線構造の低電気抵抗率化を図ることもできる。従って、熱膨張係数と電気抵抗率とのバランスに優れた配線構造を実現することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1実施形態図1は、第1の実施形態に係る基板100を示す断面図である。また、図7は、図1に示す基板100の変形例を示す断面図である。基板100は、基材30と、配線10と、配線被覆膜20と、を備えている。配線10は、配線被覆膜20を介して基材30上に設けられている。また配線10は、第1金属材料からなる。配線被覆膜20は、配線10の少なくとも上部および側部を覆うように設けられている。また配線被覆膜20は、第2金属材料からなる。第1金属材料は、第2金属材料よりも低い熱膨張係数を有する。第2金属材料は、第1金属材料よりも低い電気抵抗率を有する。なお、本明細書において、配線10の下部とは配線10のうち基材30と対向する部分を示す。すなわち、配線10の上部とは、配線10のうち基材30と対向する部分とは反対側の部分を示す。以下、基板100の構成について詳細に説明する。基材30は、例えば、樹脂組成物を基材に含浸させてなるプリプレグを少なくとも1枚、若しくは複数枚積層した積層体、前記積層体の両面、若しくは片面に、金属箔を重ねた積層体、または内層回路基板の両面、若しくは片面にプリプレグ、若しくは樹脂シートを積層した積層体からなる積層板により形成されている。前記金属箔は、特に限定されないが、例えば銅及び銅系合金、アルミ及びアルミ系合金、銀及び銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金、鉄および鉄系合金等の金属箔が挙げられる。前記プリプレグは、後述する樹脂組成物を基材に含浸させてなるものである。これにより、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れたプリント配線板を製造するのに好適なプリプレグを得ることができる。前記基材は、特に限定されないが、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグの強度が向上し、吸水率を下げることができ、また熱膨張係数を小さくすることができる。ガラス繊維基材を構成するガラスとしては、例えばEガラス、Cガラス、Aガラス、Sガラス、Dガラス、NEガラス、Tガラス、Hガラス等が挙げられる。これらの中でも、特にEガラス、Sガラス、Dガラス、Tガラスを用いる場合に、ガラス繊維基材の高弾性化を達成することができ、熱膨張係数も小さくすることができる。前記樹脂組成物を基材に含浸させる方法には、例えば、本発明の樹脂組成物を溶媒に溶解させて樹脂ワニスを調製し、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより塗布する方法、スプレーにより吹き付ける方法などが挙げられる。これらの中でも、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、シート状基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上することができる。なお、基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。前記樹脂ワニスに用いられる溶媒は、前記樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系などが挙げられる。前記樹脂ワニス中の固形分含有量は、特に限定されないが、40~80重量が好ましく、特に50~65重量が好ましい。これにより、樹脂ワニスの繊維基材への含浸性を更に向上できる。前記繊維基材に前記樹脂組成物を含浸させ、所定温度、例えば80~200°C等で乾燥させることにより基材30を得ることが出来る。前記樹脂組成物は、例えば熱硬化性樹脂と充填材などで構成される。前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油などで変性した油変性レゾールフェノール樹脂などのレゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ユリア尿素樹脂、メラミン樹脂などのトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、ノルボルネン系樹脂、シアネート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂などが挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。またこれらの中でも、特に、エポキシ樹脂、シアネート樹脂シアネート樹脂のプレポリマーを含む、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂およびビスマレイミドトリアジン樹脂の中の少なくとも1種の熱硬化性樹脂が好ましい。これらの中でも最もシアネート樹脂が好ましい。これにより、基材30の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、基材30の電気特性低誘電率、低誘電正接、機械強度などにも優れる。前記シアネート樹脂は、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱などの方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ナフトール型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂、ビフェニルアラルキル型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度増加による耐熱性向上と、樹脂組成物などの難燃性を向上することができる。ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成するからである。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。前記ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば式1で示されるものを使用することができる。前記式1で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位nは、特に限定されないが、1~10が好ましく、特に2~7が好ましい。平均繰り返し単位nが前記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が低下し、加熱時に低量体が脱離、揮発する場合がある。また、平均繰り返し単位nが前記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、基材30の成形性が低下する場合がある。前記シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量500~4,500が好ましく、特に600~3,000が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると基材30を作製した場合にタック性が生じ、基材30同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が前記上限値を超えると反応が速くなりすぎ、基板特に回路基板とした場合に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。前記シアネート樹脂などの重量平均分子量は、例えばGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算で測定することができる。また、特に限定されないが、前記シアネート樹脂は、1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。前記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の固形分基準で5~55重量が好ましく、特に20~50重量が好ましい。含有量が前記下限値未満であると基材30を形成するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えると基材30の強度が低下する場合がある。前記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂特にノボラック型シアネート樹脂を用いる場合は、エポキシ樹脂実質的にハロゲン原子を含まないを用いることが好ましい。前記エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。エポキシ樹脂として、これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらエポキシ樹脂の中でも特にアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。前記アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば式2で示すことができる。前記式2で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位nは、特に限定されないが、1~10が好ましく、特に2~5が好ましい。平均繰り返し単位nが前記下限値未満であるとビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、平均繰り返し単位nが前記上限値を超えると樹脂の流動性が低下し、成形不良等の原因となる場合がある。前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の固形分基準で1~50重量が好ましく、特に2~40重量が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると耐熱性が低下する場合がある。前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量500~20,000が好ましく、特に800~15,000が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると基材30にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると基材30作製時、シート状基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算で測定することができる。前記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂特にノボラック型シアネート樹脂を用いる場合は、フェノール樹脂を用いることが好ましい。前記フェノール樹脂としては、例えばノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノール樹脂などが挙げられる。フェノール樹脂として、これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも特に、アリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに吸湿半田耐熱性を向上させることができる。前記アリールアルキレン型フェノール樹脂としては、例えばキシリレン型フェノール樹脂、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂などが挙げられる。ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂は、例えば式3で示すことができる。前記式3で示されるビフェニルジメチレン型フェノール樹脂の繰り返し単位nは、特に限定されないが、1~12が好ましく、特に2~8が好ましい。平均繰り返し単位nが前記下限値未満であると耐熱性が低下する場合がある。また、前記上限値を超えると他の樹脂との相溶性が低下し、作業性が低下する場合がある。前述のシアネート樹脂特にノボラック型シアネート樹脂とアリールアルキレン型フェノール樹脂との組合せにより、架橋密度をコントロールし、反応性を容易に制御できる。前記フェノール樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の固形分基準で1~50重量が好ましく、特に5~40重量が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低熱膨張の特性が損なわれる場合がある。前記フェノール樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量4.0×102~1.8×104が好ましく、特に、5.0×102~1.5×104が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると基材30にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると基材30作製時、シート状基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。前記フェノール樹脂の重量平均分子量は、例えばGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算で測定することができる。更に、前記シアネート樹脂特にノボラック型シアネート樹脂と前記フェノール樹脂アリールアルキレン型フェノール樹脂、特にビフェニルジメチレン型フェノール樹脂と前記エポキシ樹脂アリールアルキレン型エポキシ樹脂、特にビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂との組合せを用いて基板特に、プリント配線板を作製した場合、特に優れた寸法安定性を得ることが出来る。また、前記樹脂組成物は、無機充填材を含むことが好ましい。これにより、基材30を薄膜化厚さ0.4mm以下にしても強度に優れることができる。さらに、基材30の低熱膨張化を向上することもできる。前記無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。無機充填材として、これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも特に、シリカが好ましく、溶融シリカ特に球状溶融シリカが低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使うなど、その目的にあわせた使用方法が採用される。前記無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、0.01~5μmが好ましく、特に0.1~2μmが好ましい。無機充填材の粒子径が前記下限値未満であるとワニスの粘度が高くなるため、基材30作製時の作業性に影響を与える場合がある。また、前記上限値を超えると、ワニス中で無機充填材の沈降などの現象が起こる場合がある。この平均粒子径は、例えば粒度分布計HORIBA製、LA-500により測定することができる。また前記無機充填材は、特に限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いることもできるし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いることができる。さらに平均粒子径が単分散および/または、多分散の無機充填材を1種類または2種類以上を併用したりすることもできる。更に平均粒子径5μm以下の球状シリカ特に球状溶融シリカが好ましく、特に平均粒子径0.01~2μmの球状溶融シリカが好ましい。これにより、無機充填材の充填性を向上させることができる。前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の固形分基準で20~80重量が好ましく、特に30~70重量が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に低熱膨張、低吸水とすることができる。前記樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いることが好ましい。前記カップリング剤は、前記熱硬化性樹脂と、前記無機充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、基材に対して熱硬化性樹脂などおよび無機充填材を均一に定着させることができ、樹脂組成物を用いた以下に説明する積層板は、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性に優れるものとなる。前記カップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる1種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって樹脂組成物を用いた前記積層板は、耐熱性に優れるものとなる。前記カップリング剤の含有量は、前記無機充填材の比表面積に依存するので特に限定されないが、無機充填材100重量部に対して0.05~3重量部が好ましく、特に0.1~2重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると無機充填材を十分に被覆できないため、積層板の耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応に影響を与え、積層板の曲げ強度などが低下する場合がある。前記樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を用いても良い。前記硬化促進剤としては公知の物を用いることができる。例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルトII、トリスアセチルアセトナートコバルトIIIなどの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタンなどの3級アミン類、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-エチル-4-エチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸など、またはこの混合物が挙げられる。硬化促進剤として、これらの中の誘導体も含めて1種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて2種類以上を併用したりすることもできる。前記硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の固形分基準で0.05~5重量が好ましく、特に0.2~2重量が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化を促進する効果が現れない場合があり、前記上限値を超えると基材30の保存性が低下する場合がある。前記樹脂組成物では、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂などの熱可塑性樹脂、スチレン-ブタジエン共重合体、スチレン-イソプレン共重合体などのポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどの熱可塑性エラストマー、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエンなどのジエン系エラストマーを併用しても良い。また、前記樹脂組成物には、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加しても良い。また、前記樹脂組成物で用いられる熱硬化性樹脂などは、実質的にハロゲン原子を含まないものであることが好ましい。これにより、ハロゲン化合物を用いることなく、難燃性を付与することができる。ここで、実質的にハロゲン原子を含まないとは、例えばエポキシ樹脂中のハロゲン原子の含有量が0.15重量以下JPCA-ES01-2003のものをいう。基材30の熱膨張係数は、例えば1~10ppm/°Cである。熱膨張係数は、例えば、上述した積層板の銅箔を全面エッチングし、得られた積層板からテストピースを切り出し、TMAを用いて10°C/分の条件で、50°C~150°Cでの面方向の熱膨張係数を測定することで求めることができる。配線10は、基材30上の両面または片面に設けられている。また、配線10は、基材30の内部に設けられ、積層構造を有する基板100を形成してもよい。第1金属材料は、例えばFe-Ni系の合金、WまたはWo等である。ここで、Fe-Ni系の合金としては、コバール商標名、42アロイ、インバーまたはスーパーインバー等が挙げられる。第1金属材料の熱膨張係数は、例えば0.1~8ppm/°Cである。基材の熱膨張係数と第1金属材料の熱膨張係数との差は、例えば0ppm/°C~9.9ppm/°Cである。また、第1金属材料の電気抵抗率は、例えば5×10-8~100×10-8Ωmである。配線10の厚さは、例えば1~30μmである。また、配線10の幅は、例えば1~50μmである。配線10の、配線10が延在する方向と垂直な断面の形状は、例えば矩形図1参照や半円筒形状図7参照である。配線被覆膜20は、配線10の下部を覆うように設けられている。配線10の上部に位置する配線被覆膜20の厚さは、例えば0.1~30μmであり、配線10の厚さの0.1~1.2倍である。配線10の側面に位置する配線被覆膜20の厚さは、例えば0.1~30μmであり、配線10の幅の0.1~1.2倍である。配線10の下部に位置する配線被覆膜20の厚さは、例えば0.1~30μmであり、配線10の厚さの0.1~1.2倍である。電気抵抗率と熱膨張係数との優れたバランスを実現するためには、配線被覆膜20の厚さと、配線10の厚さまたは幅との比率がこれらの範囲にあることが好ましい。配線10を配線被覆膜20により覆った配線構造の、配線が延在する方向と垂直な断面の形状は、例えば矩形図1参照や半円筒形状図7参照である。図11は、図1に示す基板100の変形例を示す断面図であり、図7に示す例とは異なる例を示している。図11に示すように、配線10の延在方向と垂直な配線10の断面の外形と、配線10の延在方向と垂直な配線被覆膜20の断面の外形は、互いに異なっている。図11aに示す例において、配線10の延在方向と垂直な配線10の断面の外形は、矩形である。一方、配線10の延在方向と垂直な配線被覆膜20の断面の外形は、例えば側面において配線10の外形に沿う直線であり、かつ上端部において上側に膨らむ半円形状となっている。このとき、配線10の延在方向と垂直な配線被覆膜20の断面の外形は、側面と上端部との間に角を有していない。また、配線10の延在方向と垂直な配線10の断面の外形は、側面と上端部との間に角を有している。また、図11bに示す例において、配線10の延在方向と垂直な配線10の断面の外形は、矩形である。一方、配線10の延在方向と垂直な配線被覆膜20の断面の外形は、例えば側面が上端側から下端側に向けて広がっており、かつ上端部において上側に膨らむ半円形状となっている。このとき、配線10の延在方向と垂直な配線被覆膜20の断面の外形は、側面と上端部との間に角を有していない。また、配線10の延在方向と垂直な配線10の断面の外形は、側面と上端部との間に角を有している。第2金属材料は、例えばCu、Al、Auである。第2金属材料の熱膨張係数は、例えば13ppm/°C~25ppm/°Cである。第2金属材料の熱膨張係数と、第1金属材料の熱膨張係数の差は、例えば5ppm/°C~25ppm/°Cである。また、第2金属材料の電気抵抗率は、例えば1×10-8Ωm~3×10-8Ωmである。第1金属材料の電気抵抗率と、第2金属材料の電気抵抗率の差は、例えば2×10-8Ωm~99×10-8Ωmである。図2は、図1に示す基板100を有する半導体装置110を示す断面図である。図2に示すように、基板100は、その上に半導体素子60を実装し、半導体装置110を構成する。本実施形態における半導体装置110は、半導体パッケージである。半導体素子60を構成するシリコン基板は、例えば3.5ppmの熱膨張係数を有する。半導体素子60は、例えば半田ボール62を介して基板100とフリップチップ接続する。半田ボール62は、錫、鉛、銀、銅、ビスマスなどからなる合金で構成されることが好ましい。半導体素子60と基板100とのフリップチップ接続は、フリップチップボンダーなどを用いて基板100上の接続用電極部と半導体素子60の半田ボール62との位置合わせを行ったあと、IRリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田ボール62を融点以上に加熱し、基板100と半田ボール62とを溶融接合することにより接続する。なお、接続信頼性を良くするため、予め基板100上の接続用電極部に半田ペースト等の比較的融点の低い金属の層を形成しておいても良い。この接合工程に先んじて、半田ボール62及び/または基板100上の接続用電極部の表層にフラックスを塗布することで接続信頼性を向上させることもできる。フリップチップ接続により半導体素子60と基板100とを電気的に接続する場合、例えばこれらの接続部分にアンダーフィル樹脂64を充填する。アンダーフィル樹脂64は、特に限定されないが、従来からアンダーフィル樹脂として用いられているエポキシ樹脂組成物が好適に用いられる。また、基板100の搭載面側の導体回路層上に、ダイアタッチ層を形成し、当該ダイアタッチ層を介して半導体素子を仮接着し、必要に応じて軽度に押圧しながらダイアタッチ層を加熱軟化又は加熱硬化させることにより、半導体素子を固定することもできる。ダイアタッチ材としては、例えばメタアクリル酸エステル共重合体等の熱可塑性樹脂を含有する熱可塑性樹脂組成物からなるダイアタッチ材フィルムや、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物からなるダイアタッチ材ペーストが用いられる。通常、半導体素子を固定と同時に、又は固定した後、半導体素子60と基板100をワイヤボンディング等の公知の方法で電気的接続する。電気的接続の後、素子搭載面は公知の方法で封止してもよく、例えば封止材によって封止する。封止材は、特に限定されないが、従来から知られている半導体封止用エポキシ樹脂組成物が好適に用いられる。半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、硬化促進剤、その他必要に応じて着色剤、離型剤、低応力成分、酸化防止剤等の添加剤を含有し、これらの材料を混練し、顆粒状又はシート乃至フィルム状に成形したものを封止材として用いることができる。このように、本実施形態における基板100は、半導体素子60を搭載して半導体パッケージを構成するインタポーザである。しかし、基板100にかえて、例えば半導体パッケージを搭載する回路基板について本実施形態に係る配線構造を適用してもよい。次に、基板100の製造方法について説明する。図3および図4は、図1に示す基板100の第1の製造方法を示す断面図である。まず、図3aに示すように、基材30上に第2金属材料からなる金属層22を形成する。金属層22は、例えば前記積層板に用いられる金属箔であってもよいし、無電解めっき法、電解めっき法、イオンプレーティング法によって形成されてもよい。次いで、金属層22の表面を薬液により粗化処理後、金属層22上にレジスト40を形成する。その後、レジスト40に開口70を形成する。開口70を有するレジスト40を形成する方法は、ドライフィルムをラミネートすることによって金属層22の表面にレジスト40を形成し露光する方法や、液状レジストを金属層22上に塗布し露光する方法などが挙げられる。そして、図3bに示すように、レジスト40の開口70内に、めっき法により配線10を形成する。配線10の形成には、ウェットめっき法やドライめっき法が用いられ、例えば金属層22をシード膜とした電解めっき法が用いられる。次いで、図3cに示すように、レジスト40を除去する。配線10を形成する方法は、例えば特開2008-170438号公報の記載を参考に形成することもできる。次いで、図4aに示すように、金属層22上に、配線10が露出するように配線10よりも幅の広い開口72を有するレジスト42を形成する。開口72を有するレジスト42を形成する方法は、ドライフィルムをラミネートすることによって金属層22の表面にレジスト42を形成し露光する方法や、液状レジストを金属層22上に塗布し露光する方法などが挙げられる。次いで、図4bに示すように、配線10の上部および側部を覆うように、レジスト42の開口72内に、めっき法により第2金属材料からなる金属層24を形成する。開口72内への金属層24の形成は、例えば電解めっき法によって行われる。この場合、例えば図4aに示した工程の前に、無電解めっき法により、金属層22上および配線10上にCuシード膜を形成する。電解めっきには硫酸銅電解めっきが使用できる。また、特に限定されないが、めっき液中にはレベラー剤、ポリマー、ブライトナー剤等の添加剤が含まれることが好ましい。これにより、配線10に優先的にめっきが析出し第2金属材料で覆われる。次いで、図4cに示すように、レジスト42を除去する。そして、金属層22の一部をエッチングにより除去し、平面視で配線10と重なる部分および配線10の周囲に位置する部分を残す。すなわち、金属層22の一部をエッチングにより除去し、配線10の上部、側部および下部を覆うように堆積された第2金属材料を残す。このとき、隣接する配線10間に位置する第2金属材料は除去される。これにより、隣接する配線10は、互いに分離される。このため、各配線10が、各配線10間に位置する第2金属材料により互いに短絡することはない。金属層22は、例えばフラッシュエッチングにより除去することができる。これにより、図4dに示すように、本実施形態に係る基板100の配線構造が形成される。なお、このとき、配線10および配線被覆膜20の断面形状は、例えば図11bに示すものとなる。また、基板100は、次の製造方法によっても得ることができる。図5および図6は、図1に示す基板100の第2の製造方法を示す断面図である。まず、図5aに示すように、基材30上に第2金属材料からなる金属層22を形成する。次いで、金属層22上に開口70を有するレジスト40を形成する。次いで、図5bに示すように、レジスト40の開口70内に、めっき法により配線10を形成する。そして、図5cに示すように、レジスト40を除去する。これらの製造工程については、第1の製造方法と同様である。次いで、図6aに示すように、配線10の上部および側部を覆うように、金属層22上および配線10上に、めっき法により第2金属材料からなる金属層24を形成する。この工程における金属層24の形成は、例えば金属層22や配線10をシード膜とした電解めっき法が用いられる。電解めっきには硫酸銅電解めっきが使用できる。また、特に限定されないが、めっき液中にはレベラー剤、ポリマー、ブライトナー剤等の添加剤が含まれることが好ましい。次いで、図6bに示すように、金属層24上にレジスト44を形成する。レジスト44を形成する方法は、ドライフィルムをラミネートすることによって金属層24の表面にレジスト44を形成し露光する方法や、液状レジストを金属層24上に塗布し露光する方法などが挙げられる。次いで、レジスト44をエッチングマスクとして、金属層22の一部および金属層24の一部をエッチングにより除去し、平面視で配線10と重なる部分および配線10の周囲に位置する部分を残す。すなわち、配線10の上部、側部および下部を覆うように堆積された第2金属材料を残す。このとき、隣接する配線10間に位置する第2金属材料は除去される。これにより、隣接する配線10は、互いに分離される。このため、各配線10が、各配線10間に位置する第2金属材料により互いに短絡することはない。そして、レジスト44を除去して、図6cに示すように、本実施形態に係る基板100の配線構造が形成される。なお、このとき、配線10および配線被覆膜20の断面形状は、例えば図11aに示すものとなる。次に、本実施形態の効果を説明する。配線基板や半導体装置に発生する応力のひずみを抑制するため、配線の熱膨張係数を低減することが求められる。一方で、半導体装置の高密度、高速信号化のため、基板に用いられる配線の電気抵抗率を低減することも望まれる。しかしながら、熱膨張係数と電気抵抗率はトレードオフの関係にあり、これらをバランス良く両立させた配線構造を実現することは困難であった。発明者らは、基板上に形成する微細な配線構造においても、電流の表皮効果が働くことを知見し、本実施形態に係る基板100に至った。すなわち、本実施形態に係る基板100は、配線10を構成する第1金属材料は、配線被覆膜20を構成する第2金属材料よりも低い熱膨張係数を有する。また、第2金属材料は、第1金属材料よりも低い電気抵抗率を有する。そして配線被覆膜20は、配線10の上部、側部および下部を覆うように設けられている。このように、本実施形態に係る基板100では、電気抵抗率が低い第2金属材料からなる配線被覆膜20が、熱膨張係数の低い配線10の上部、側部および下部を覆うように形成されている。このため、配線構造の低熱膨張係数化により、基板の単体反りや半導体素子実装後の基板や半導体素子の反りを低減し、半導体素子の実装信頼性や半導体装置の接続信頼性を高めることができる。また、表皮効果の観点から、効果的に配線構造の低電気抵抗率化を図ることもでき、半導体装置の高密度、高速信号化に効果がある。従って、熱膨張係数と電気抵抗率とのバランスに優れた配線構造を実現することができる。また、本実施形態によれば、配線被覆膜20は、配線10の少なくとも上部および側部を覆うように設けられている。配線構造における表皮効果は、配線被覆膜20が配線10の上部および側部を覆うように設けられていることによって、顕著となる。よって、配線構造における電気抵抗率の低減を十分に図ることができる。また、配線構造が、異なる金属材料からなる複数の金属層によって構成されている場合、金属層間の熱膨張係数の差に起因して、配線構造内で残留応力のひずみが発生する場合がある。この場合、配線構造において反りが発生しやすくなり、金属層間における剥離等の原因となる。これは、半導体装置の長期使用を妨げる要因となる。本実施形態によれば、配線被覆膜20は、配線10の少なくとも上部および側部を覆うように形成されている。このような構造を有するため、配線構造において反りが発生しにくく、配線10と配線被覆膜20との間において剥離等が生じにくい。よって、半導体装置の長期使用における信頼性を高めることができる。また、本実施形態によれば、配線10の上部、側部および下部を覆うように配線被覆膜20が形成されているため、上記効果がより顕著となる。第2実施形態図8は、第2の実施形態に係る基板102を示す断面図である。本実施形態に係る基板102は、配線10下に配線被覆膜20が設けられていないことを除いて、第1の実施形態に係る基板100と同様の構成を有する。図9および図10は、図8に示す基板102の製造方法を示す断面図である。本実施形態に係る基板102の製造方法は次のようである。まず、図9aに示すように、基材30上に第1金属材料からなる金属層12を形成する。この金属層12は、例えば基材30上に金属箔をプレスすることにより形成される。また、例えば金属箔に樹脂をコーティングしたり、プリプレグをラミネートしたりすることにより形成することもできる。次いで、第1の実施形態と同様に図9bに示すように、基材30上に形成された金属層12上にレジスト46を形成する。このレジスト46をマスクとしてエッチングを行い、基材30上に配線10を形成する。そして、図9cに示すように、レジスト46を除去する。次いで、図10aに示すように、基材30上に配線10が露出するように配線10よりも幅の広い開口74を有するレジスト48を形成する。次いで、図10bに示すように、配線10の上部および側部を覆うように、レジスト48の開口74内に、めっき法により第2金属材料からなる金属層を形成する。これにより、配線被覆膜20が形成されることとなる。開口74内への金属層の形成は、例えば電解めっきによって行われる。この場合、例えば図10aに示した工程の前に、無電解めっき法により、基材30上および配線10上にCuシード膜を形成する。その後、レジスト48を除去する。これにより、図10cに示すように、本実施形態に係る基板102の配線構造を得ることができる。また、本実施形態において、配線被覆膜20は、例えば次のように形成することもできる。図9cに示す工程を経た後、配線10の上部および側部を覆うように、配線10上に、めっき法により第2金属材料からなる金属層を形成する図示せず。これにより、配線被覆膜20が形成されることとなる。この場合、配線10上への金属層の形成は、例えば配線10をシード膜とした電解めっき法によって行われる。第3実施形態図12は、第3の実施形態に係る基板104を示す断面図である。本実施形態に係る基板104では、配線10は、配線下地金属層26を介して基材30上に設けられている。これらの点を除いて、本実施形態に係る基板104は、第1の実施形態に係る基板100と同様の構成を有する。次に、本実施形態に係る基板104の製造方法を説明する。図13~15は、図12に示す基板104の製造方法を示す断面図である。まず、図13aに示すように、基材30上に、開口80を有するレジスト50を形成する。次に、図13bに示すように、レジスト50上、および開口80の内壁に、配線下地金属層26を形成する。これにより、開口80から露出した基材30上に、配線下地金属層26が形成されることとなる。配線下地金属層26は、例えば第2金属材料を用いて無電解めっき法により形成される。ここで、配線下地金属層26は、配線被覆膜20と同じ金属により構成されても、異なる金属により構成されてもよい。次に、図14aに示すように、レジスト50を除去する。これにより、レジスト50上および開口80の側壁に形成された配線下地金属層26は、レジスト50とともに除去されることとなる。これにより、基材30上に形成された配線下地金属層26のみが残る。次に、図14bに示すように、配線下地金属層26をシードとした電解めっき法により、配線10を形成する。これにより、配線10は、配線下地金属層26を介して基材30上に設けられることとなる。次に、図14cに示すように、配線10の側部および上部を覆うように、配線被覆膜20を形成する。配線被覆膜20は、例えば図10に示す第2の実施形態に係る製造工程と同様の工程により形成することができる。これにより、本実施形態に係る基板104の配線構造を得ることができる。また、図13bに示す配線下地金属層26を形成する工程の後、以下に説明する工程により基板104を製造してもよい。レジスト50上および開口80の内壁に配線下地金属層26を形成した後、図15aに示すように、レジスト50上および開口80の側壁に形成された配線下地金属層26を、例えばフラッシュエッチングにより除去する。これにより、基材30上に形成された配線下地金属層26のみが残る。ここで、例えば図13においてレジスト50に設けられた開口80の開口幅が非常に狭い場合は、エッチング液が開口部へ浸透し難くなる。このため、フラッシュエッチング処理後における配線下地金属層26の形状は、結果として図15aに示すようになる。次に、図15bに示すように、配線下地金属層26をシードとした電解めっき法により、配線10を形成する。これにより、配線10は、配線下地金属層26を介して基材30上に設けられることとなる。次に、図15cに示すように、レジスト50を除去する。次に、図15dに示すように、配線10の側部および上部を覆うように、配線被覆膜20を形成する。配線被覆膜20は、例えば図10に示す第2の実施形態に係る製造工程と同様の工程により形成することができる。これにより、本実施形態に係る基板104の配線構造を得ることができる。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。この出願は、2010年12月3日に出願された日本出願特願2010-270577を基礎とする優先権を主張し、その開示の総てをここに取り込む。"