"オプトエレクトロニクス半導体チップ1であって、キャリア2と、前記キャリアの上に載っており、窒化物化合物半導体材料をベースとする半導体積層体3と、を備えており、前記半導体積層体3が、-電磁放射を生成するようにされている少なくとも1つの活性ゾーン4と、-前記活性ゾーン4に隣接しており、これにより導波路45が形成されている、少なくとも1層の導波路層5と、-前記活性ゾーン4のp型ドープ側において前記導波路層5に隣接しているp型クラッド層6p、もしくは、前記活性ゾーン4のn型ドープ側におけるn型クラッド層6n、またはその両方と、を有し、前記導波路45内を導波されるモードの有効屈折率が、前記キャリア2の有効屈折率よりも高い、オプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記クラッド層6n,6pの少なくとも一方が、相互に異なる平均アルミニウム含有量を有する少なくとも2層の副層に分割されており、前記クラッド層6n,6pの第1の半層が、第2の半層H2より高い平均アルミニウム含有量を有し、前記半層H1,H2が同じ厚さであり、前記第1の半層H1が前記導波路45により近い、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記有効屈折率が、前記キャリア2の屈折率の最大で1.05倍である、請求項1または請求項2に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。電界Eの分布を記述する関数が、前記活性ゾーン4から、前記キャリア2に垂直な方向に、前記キャリア2に向かって単調に減少する、請求項1から請求項3のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記活性ゾーン4において生成され前記p型クラッド層6pまたは前記n型クラッド層6nにおいて全反射される放射のエバネッセント場が、前記キャリア2まで達し、前記キャリア2における前記エバネッセント場の振幅が、全反射境界面における出力振幅を基準としたとき、部分的に少なくとも2.5である、請求項1から請求項4のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記n型クラッド層6nの厚さTnが0.1nm~2000nmの範囲内両端値を含むである、もしくは、前記p型クラッド層の厚さTpが10nm~1500nmの範囲内両端値を含むである、またはその両方である、請求項1から請求項5のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記p型クラッド層6pが、以下の材料、すなわち、AlxGa1-xN0.0001≦x≦0.30、AlxIn1-xN0.74≦x≦0.90、Al1-yInyxGa1-xN0.74≦y≦0.90、0.01≦x≦0.3、のうちの1種類をベースとしている、請求項1から請求項6のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記n型クラッド層6nが、以下の材料、すなわち、AlxGa1-xN0.0001≦x≦0.30、AlxIn1-xN0.74≦x≦0.90、Al1-yInyxGa1-xN0.74≦y≦0.90、0.01≦x≦0.3のうちの1種類をベースとしている、もしくは、前記n型クラッド層6nが正孔障壁の形をとる、またはその両方である、請求項1から請求項7のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記活性ゾーン4が、1~10層の範囲内両端値を含むの量子薄膜を備えており、少なくとも2層の隣り合う量子薄膜の間に、InxGa1-xN0.001≦x≦0.20をベースとする、0.1nm~30nmの範囲内両端値を含むの厚さを有する障壁層、を形成することによって、前記導波路45における導波が改善される、請求項1から請求項8のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記n型クラッド層6nもしくは前記導波路層5またはその両方が、高い屈折率と低い屈折率とが交互に配置される層51,52を有する超格子であって、前記層51,52のそれぞれの厚さが0.1nm~70nmの範囲内両端値を含むである、前記超格子、を備えている、請求項1から請求項9のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記超格子が、Inx1Ga1-x1N0≦x1≦0.10をベースとする第1の層51と、Inx2Ga1-x2N0.01≦x2≦0.25をベースとする第2の層52を、交互に備えており、前記超格子が前記導波路層5に形成されている、請求項10に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記p型クラッド層6pが、高い屈折率と低い屈折率とが交互に配置される層51,52を有する超格子であって、前記層51,52のそれぞれの厚さが1nm~70nmの範囲内両端値を含むである、前記超格子、を備えている、請求項1から請求項11のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記キャリア2と、前記キャリア2に近い方の前記n型クラッド層6nとの間に、高濃度にドープされた層7が配置されており、前記層7のドーパント濃度が1×1018/cm3~1×1020/cm3の範囲内両端値を含むであり、前記層7の厚さが1nm~10μmの範囲内両端値を含むである、または、前記キャリア2がこのようなドーパント濃度を備えている、請求項1から請求項12のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記導波路層5もしくは前記クラッド層6n,6pまたはその両方が、階段状の屈折率分布を示す、請求項1から請求項13のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記p型クラッド層6pを部分的に除去することによって帯状領域13が形成されており、前記帯状領域13が、相対的に低い屈折率を有する材料によって、少なくとも部分的に横方向に囲まれている、請求項1から請求項14のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ1。図17および図22を除いて、各図のA部には、深さtに対する屈折率の分布を、任意の単位a.u.でプロットしてあり、深さtは、半導体積層体の成長方向に平行な向きである。さらに、A図には、深さtに対する電界Eの分布eを任意の単位a.u.でプロットしてある。B図には、放出角度α単位:度に対する光学遠視野強度Iを、任意の単位でプロットしてある。図17A、図17B、および図17Cは、それぞれ他の図面のA部に相当する。図1は、従来のレーザダイオードの構造を示している。半導体積層体3は、キャリア2の上に成長させたものである。半導体積層体3は、量子薄膜を有する活性ゾーン4を備えており、活性ゾーンは、図の中で屈折率が際だって高い領域である。活性ゾーン4は、2層の導波路層5n,5pの間に位置しており、これらの導波路層5n,5pは活性ゾーン4に直接隣接している。導波路層5n活性ゾーン4からキャリア2に向かう側は、n型にドープされており、他方の導波路層5pは、p型にドープされている。活性ゾーン4および導波路層5n,5pは、導波路45を形成しており、この導波路の中を光モードMが導波される。モードMは、約0 ゚の放出角度αで、すなわち半導体積層体3の横境界面に垂直に、放出される。n型導波路層5nには、活性ゾーン4からキャリア2に向かう方向に、n型にドープされたn型クラッド層6nが隣接している。p型導波路層5pには、活性ゾーン4からキャリア2とは反対方向に、電子障壁9と、p型にドープされたp型クラッド層6pが隣接しており、さらにコンタクト層8が続いている。クラッド層6n,6pの屈折率は、キャリア2の屈折率よりも低い。n型クラッド層6nの厚さTnは、約1500nmである。p型クラッド層6pの厚さTpは、約800nmである。n型クラッド層6nの厚さTnが比較的小さいため、クラッド層6nの中のエバネッセント場が減衰しきらず、透過性のキャリア2に侵入する。導波路45における導波モードMの有効屈折率がキャリア2の屈折率より小さいため、キャリア2内に電界が発生する図1Aで、電界Eの分布eにおける約5000nm付近の小さな隆起。キャリア2におけるこの電界は、約20 ゚の角度αにおける追加の帯域S1として、光学遠視野に現れる。同様に、もう1つの寄生モードS2が約-20 ゚の角度αにおいて発生する。図1Aによるレーザチップが投影またはデータ記憶の目的に使用される場合、これら1つまたは2つの追加の寄生モードS1,S2の発生により、問題が生じる。導波モードMの有効屈折率は、伝搬定数βと放射の波長λの積を2πで除した値に等しい。伝搬定数βは、導波モードの次数、すなわち、特に、放射の伝搬方向導波路によって電界が導かれる方向に垂直な平面における電界の分布、に依存する。伝搬方向に垂直な方向における電界の分布は、クラッド層6n,6pの屈折率および厚さと、導波路45の屈折率および構造とに依存する。したがって、特に、活性ゾーン4を有する導波路45の場合、伝搬方向に垂直な電界、したがって導波路45の中を導波されるモードの伝搬定数βは、クラッド層6n,6pの屈折率およびその厚さによって影響される。伝搬定数βおよび電界は、伝搬方向に垂直な方向に計算またはシミュレートすることができる。同様に、電界または電界の二乗強度分布も実験的に求めることができる。図2によるレーザダイオードの場合、n型クラッド層6nの厚さが大きくなっており、約2.5μmである。AlGaNをベースとするn型クラッド層6nのアルミニウム含有量は、図1による構造と同様に、約5~10である。この場合、導波モードMの有効屈折率は、キャリア2の屈折率より小さい。図1と比較して、n型クラッド層6nの厚さが増していることによって、クラッド層6nの中のエバネッセント場は、キャリア2に追加のモードが形成されない程度まで減衰する。しかしながら、このように比較的高いアルミニウム含有量を有するクラッド層6nは、GaNに歪みが生じた状態で成長する。このような歪みにより、成長の質が低下する一方で、半導体積層体の層にクラックが生じることがあり、部品の損傷につながりうる。さらには、比較的大きな厚さが要求されることにより、成長時間が長くなり、したがって製造コストも増大する。このように、比較的高いアルミニウム含有量を有する比較的厚いクラッド層によって、部品の品質が低下し、製造コストが上昇する。図3によるレーザダイオードの場合、クラッド層は、アルミニウム含有量がさほど多くないGaNをベースとする層に置き換えられており、したがってこのレーザダイオードは、キャリア2よりも屈折率の小さいクラッド層を備えていない。導波路45は、InGaNをベースとしている。InGaNをベースとする導波路45の屈折率が高いことによって、キャリア2に寄生モードが形成されない。しかしながら、導波路45には比較的高いインジウム含有量が要求され、結果として材料の品質が低下する。これに対して、エピタキシャル成長が容易な程度のインジウム含有量の場合、フィルファクタすなわち、導波モードMと活性ゾーン4との間の強度の重なりintensityoverlapが比較的低く、結果として活性ゾーン4における増幅が比較的小さい。さらには、半導体積層体3を中心としてキャリア2とは反対側のp型コンタクト図3には示していないにエバネッセント場が達することを回避するため、比較的厚い層8が必要である。言い換えれば、図3によるレーザダイオードは、同様に製造コストが高く、効率は比較的低い。図4は、オプトエレクトロニクス半導体チップ1の例示的な実施形態を示している。p型クラッド層6pは、キャリア2とは反対側の導波路45の面に形成されている。図3によるレーザダイオードとの比較において、p型コンタクト図示していないに対するエバネッセント場の遮蔽が、p型クラッド層6pによって改善される。さらには、より高いフィルファクタを達成することができ、図4による例示的な実施形態においては、約2.4である。p型クラッド層6pの材料としては、例えばAlGaN、AlInN、またはAlInGaNを使用することができる。AlInGaNを含む層は、特に、良好な格子適合性でGaNの上に成長させることができる。図4に示した実施形態の変形として、クラッド層6pが超格子構造を備えていることが可能である。クラッド層6pがAlGaNをベースとする場合、アルミニウム含有量は、例えば、0.01~30の範囲内両端値を含む、好ましくは1~12の範囲内両端値を含む、特に好ましくは3~8の範囲内両端値を含むである。クラッド層6pの基材としてAlInNが使用される場合、アルミニウム含有量は、好ましくは74~90の範囲内両端値を含む、特に好ましくは79~85の範囲内両端値を含む、特に、約82である。AlInGaNの場合、GaxAl82In181-xNが使用されることが好ましく、この場合、アルミニウム含有量は、上記の値82から最大で8パーセントポイントだけ逸脱することができ、xは、好ましくは0.01~0.3の範囲内両端値を含むである。p型クラッド層6pの厚さは、好ましくは10nm~1500nmの範囲内両端値を含む、特に好ましくは100nm~1000nmの範囲内両端値を含むである。ここに記載した材料および厚さは、他の例示的な実施形態すべてにおいて、p型クラッド層6pに使用することができる。図5による例示的な実施形態においては、正孔障壁層10AlGaNをベースとするは、n型クラッド層6nの形をとる。正孔障壁層10の結果として、フィルファクタが約2.6に増大する。さらには、活性ゾーン4への正孔の注入が改善され、したがって半導体レーザ1の効率が高まる。n型クラッド層6nを形成している正孔障壁層10は、図4に関連して挙げた、p型クラッド層6pの材料と同じ材料をベースとすることができる。しかしながら、n型クラッド層6nは、n型にドープされていることが好ましい。n型クラッド層6nまたは正孔障壁層10の厚さは、好ましくは1nm~50nmの範囲内両端値を含むである。基材がAlGaNである場合、アルミニウム含有量は、好ましくは1~100の範囲内両端値を含む、特に、3~40の範囲内両端値を含む、特に好ましくは3~20の範囲内両端値を含むである。記載した値は、他の例示的な実施形態すべてにおいても適用することができる。図6による半導体チップ1の例示的な実施形態においては、正孔障壁層10の代わりに、クラッド層6nが、p型クラッド層6pと同じアルミニウム含有量のAlGaN層によって形成されており、このn型クラッド層6nの厚さは約200nmである。図6による例示的な実施形態におけるフィルファクタは、約2.8である。図6によるn型クラッド層6nの厚さが大きいほど、導波モードMの有効屈折率が小さい。したがって、過度に厚いn型クラッド層6nは、選択してはならない。図8によるレーザダイオードのように、n型クラッド層6nの厚さを過度に大きく選択すると図8では厚さが約1000nm、寄生モードS1,S2が発生する図8Bを参照。図7による例示的な実施形態においては、半導体チップ1は、屈折率およびアルミニウム含有量が互いに異なるクラッド層6n,6pを備えている。図7によると、n型クラッド層6nのアルミニウム含有量は約5であり、正孔障壁10のアルミニウム含有量は約20である。フィルファクタは約3.7であり、比較的高い。図9によるレーザダイオードの場合、n型クラッド層6nの厚さは約1.5μmであり、AlGaNをベースとするn型クラッド層6nのアルミニウム含有量は約5である。結果として、エバネッセント場がキャリア2に対して十分に遮蔽されず、これにより寄生モードS1,S2が形成される。しかしながら、クラッド層のアルミニウム含有量が約1まで下がると図10の例示的な実施形態を参照、導波モードMの有効屈折率がキャリア2の屈折率より高いため、寄生モードは発生しない。言い換えれば、この例示的な実施形態においては、n型クラッド層6nと隣接する導波路45との間の屈折率の差と、n型クラッド層6nの厚さとの積が、過度に大きくないことが重要であり、屈折率の差は、特に、層のアルミニウム含有量によって決まる。したがって、厚さが大きいときにはアルミニウム含有量を少なくし、アルミニウム含有量が多いときには厚さを小さくする必要がある。n型クラッド層6nの厚さとアルミニウム含有量は、互いに適合したものでなければならず、厚さは、アルミニウム含有量に応じて、特に、0.1nm~2000nmの範囲内両端値を含む、好ましくは1nm~1000nmの範囲内両端値を含む、特に好ましくは5nm~500nmの範囲内両端値を含むである。n型クラッド層6nの基材としてAlGaNを使用する場合、アルミニウム含有量は、特に、0.01~100の範囲内両端値を含む、好ましくは0.01~20の範囲内両端値を含む、特に好ましくは0.1~10の範囲内両端値を含むである。これらの数値は、他の例示的な実施形態すべてにおいても適用される。図4によるp型クラッド層の場合と同様に、この例示的な実施形態においても、AlGaN、AlInN、AlInGaN、超格子、またはこれらの組合せを、基材として使用することができる。図11によると、導波路層5n,5pは、インジウム含有量が約2であるInGaNをベースとしている。この例示的な実施形態では、半導体チップ1のフィルファクタは、約2.8である。図12による半導体チップ1の例示的な実施形態においては、導波路層5n,5pそれぞれは、屈折率分布に関して階段状の構造となっている。階段構造のうち活性ゾーン4に近い段は、例えば、インジウム含有量の高い例えば約5InGaN障壁によって形成されている。活性ゾーン4から遠い方の2番目の段それぞれは、約3のインジウム含有量で形成されている。フィルファクタは、約3.2である。導波路層5n,5pまたは導波路層5n,5pの段のインジウム含有量は、それぞれ、好ましくは0~30の範囲内両端値を含む、特に、0.1~10の範囲内両端値を含む、特に好ましくは1~6の範囲内両端値を含むであり、これらの数値は、他の例示的な実施形態すべてにおいても適用することができる。導波路層5n,5pの一方がGaNをベースとし、導波路層5n,5pの他方がInGaNをベースとすることが可能である。導波路層5n,5pの厚さは、例えば、0.1nm~500nmの範囲内両端値を含む、好ましくは1nm~200nmの範囲内両端値を含む、特に好ましくは10nm~100nmの範囲内両端値を含むである。図13による例示的な実施形態においては、導波路層5n,5pとクラッド層6n,6pの両方が、階段構造である。導波路層5nの屈折率およびクラッド層6nの屈折率は、活性ゾーン4からキャリアの方向に単調に減少している。活性ゾーン4に近い方の、p型クラッド層6pの副層は、活性ゾーン4から遠い方のp型クラッド層6pのさらなる副層よりも、低い屈折率を有する。したがって、活性ゾーン4を起点としてキャリア2から離れる方向には、屈折率は単調な分布ではなく、凹凸状分布を示す。図14による例示的な実施形態においては、n型クラッド層6nは、超格子構造によって形成されている。超格子構造は、特に、高い屈折率と低い屈折率が交互に配置される、2~300の範囲内両端値を含むの層を備えている。低い屈折率の層は、例えばAlGaNをベースとする。層の厚さは、例えば、1nm~70nmの範囲内両端値を含むである。図15によるレーザダイオードの場合、n型クラッド層6nは、厚さが約300nmである。n型クラッド層6nの厚さが小さいため、エバネッセント場がキャリア2に達し、これにより高い強度の寄生モードS1,S2が形成される。これとは異なり、図16による例示的な実施形態においては、導波モードMの有効屈折率がキャリア2の屈折率よりも高いように、n型クラッド層6nの厚さが小さくなっており、これによって寄生モードの発生が阻止される。寄生モードは、クラッド層の厚さを大きくすることによってではなく、クラッド層の厚さを小さくすることによって排除されている。図16の例示的な実施形態による半導体チップ1は、紫外線を放出する半導体レーザチップであることが好ましい。キャリア2は、特に、成長基板であり、AlN、AlGaN、AlInGaN、またはAlInNをベースとする。キャリア2のこれらの材料は、アルミニウム含有量によっては、GaNよりも屈折率が低い。したがって、導波路45は、GaNをベースとする、もしくはGaN障壁層を備えている、またはその両方とすることができる。活性ゾーン4において365nm以下の波長を生成する場合、GaNをベースとする量子薄膜と、AlGaNをベースとする導波路層5n,5pを使用することもできる。キャリア2が、InGaN、AlInN、またはAlInGaNこれらの材料はGaNよりも屈折率が高いをベースとする場合、導波路45は、キャリア2よりもさらに高い屈折率を示すことが特に好ましい。図17Aによる例示的な実施形態においては、半導体積層体3への電荷キャリアの注入を単純化し、半導体積層体3における電圧降下を低減する目的で、半導体積層体3は、AlGaNをベースとするn型クラッド層6nから開始してキャリア2の上に直接成長している。この場合、キャリア2は、高濃度にドープされた基板、好ましくはGaN基板である。高濃度にドープされたとは、例えばケイ素または酸素のドーパント濃度が、1×1018/cm3~1×1020/cm3の範囲内両端値を含むであることを意味する。クラッド層6n,6pおよび導波路層5n,5pは、例えば図11または図12による例示的な実施形態と同じように形成されている。図17Bによると、キャリア2好ましくはGaNをベースとするには、高濃度にドープされた層7好ましくはGaNをベースとするがさらに形成されている。高濃度にドープされた層7のドーパント濃度は、1×1018/cm3~1×1020/cm3の範囲内両端値を含む、または5×1018/cm3~5×1019/cm3の範囲内両端値を含むである。ドーピングは、例えばケイ素または酸素によって行う。高濃度にドープされた層7の厚さは、例えば、1nm~10μmの範囲内両端値を含む、好ましくは100nm~4μmの範囲内両端値を含む、特に好ましくは0.5μm~2μmの範囲内両端値を含むである。図17Cによる例示的な実施形態においては、追加の光吸収損失を回避する目的で、高濃度にドープされた層7は、n型クラッド層6nに直接的には隣接していない。n型クラッド層6nと高濃度にドープされた層7との間には中間層67が配置されており、この中間層67のドーパント濃度は、例えば、5×1017/cm3~5×1018/cm3の範囲内両端値を含むである。中間層67の厚さは、500nm~2μmの範囲内両端値を含むであることが好ましい。図18による例示的な実施形態においては、n型導波路層5nは、超格子を備えている。この超格子は、交互に配置された第1の層51および第2の層52によって形成されている。第1の層51は、例えばInGaNをベースとし、インジウム含有量は、0~10の範囲内両端値を含む、好ましくは0~5の範囲内両端値を含むである。第1の層51の厚さは、0.1nm~50nmの範囲内両端値を含む、好ましくは1nm~5nmの範囲内両端値を含むである。第2の層52は、同様にInGaNをベースとしており、インジウム含有量は、1~25の範囲内両端値を含む、好ましくは3~10の範囲内両端値を含むである。第2の層52の厚さは、特に、0.1nm~50nmの範囲内両端値を含む、好ましくは1nm~20nmの範囲内両端値を含むである。この場合、第2の層52それぞれの厚さは、第1の層51の厚さよりも大きく、第1の層51のインジウム含有量は、第2の層52のインジウム含有量よりも低い図18Cの概略断面図も参照。図19による従来のレーザダイオードにおいては、キャリアのモードS1,S2が形成される。対照的に、図20による半導体チップ1の例示的な実施形態においは、キャリアのモードS1,S2が存在しない。これは、n型クラッド層6nを複数の副層に分割することによって達成される。副層は、中間層67によって互いに隔てられており、中間層67は、特に、GaNをベースとしており、キャリア2の屈折率にほぼ等しい屈折率を有する。例えば、活性ゾーン4から遠い方の副層は、活性ゾーン4に近い方の副層よりも厚さが大きい。副層の厚さは、特に、100nm~600nmの範囲内両端値を含むである。中間層67は、n型クラッド層6nの副層の1つ、またはすべての副層よりも厚いことが好ましい。中間層67の厚さは、特に、200nm~1000nmの範囲内両端値を含むである。このように少なくとも2つの副層に分割されたn型クラッド層6nは、半導体チップ1の他の例示的な実施形態においても使用することができる。図21によるレーザダイオードは、導波路45を導波されるモードMと比較して小さい2つの基板のモードS1,S2を有し、なぜなら導波モードMの有効屈折率がキャリア2の屈折率より低いためである。例えば、特に、ここまでに記載したいくつかの例示的な実施形態の1つに示したように、n型クラッド層6nを修正して導波モードMの有効屈折率を高めることにより、基板モードS1,S2を抑制することができる。したがって、図21によるレーザダイオードの多層構造は、記載した例示的な実施形態においても同様に使用することができる。図21によるレーザダイオードの多層構造は、キャリア2からコンタクト層8の方向に以下のように構成されている。-キャリア2は、特に、ドープされたGaNからなり、厚さが約100μm、屈折率が2.489である。正確な屈折率は、例示的な実施形態においては、レーザダイオードまたは半導体チップ1の設計上の最大強度の放射波長に関連する。-n型クラッド層6nは、厚さが約2000nm、屈折率が2.447である。n型クラッド層6nの材料は、Al含有量が5のAlGaNである。-n型導波路層5nは、GaNから形成されており、屈折率が2.469、厚さが約200nmである。-活性ゾーン4は、3層の量子薄膜を備えており、量子薄膜それぞれは、厚さが約3nmであり、In含有量が約17のInGaNによって形成されており、屈折率が2.527である。隣り合う量子薄膜の間それぞれにはGaNの障壁層が配置されており、この障壁層は、厚さが約8nmないし約10nm、屈折率が2.469である。-活性ゾーン4と電子障壁層9との間には、GaNの中間層が配置されており、この中間層は、厚さが約10nm、屈折率が2.469である。電子障壁層9は、厚さが約10nm、屈折率が2.385であり、Al含有量が20のAlGaNをベースとする。-p型導波路層5pは、厚さが約200nm、屈折率が2.469であり、GaNをベースとする。-p型クラッド層6pは、Al含有量が5のAlGaNをベースとし、厚さが約1000nm、屈折率が2.447である。-コンタクト層8は、GaNをベースとし、厚さが約50nm、屈折率が2.469である。この多層構造の場合、導波モードMの有効屈折率は、2.457である。図21によると、導波路45は1次元であるのに対して、図22によるレーザダイオードの場合、導波路は2次元である。この多層構造は、図21の多層構造と同じである。コンタクト層8およびp型クラッド層6pの一部分がエッチングによって除去されており、これによって、幅が約2μmの帯状領域13または凸部が形成されており、帯状領域13は、キャリア2とは反対側が金属コンタクト11によって覆われている。したがって、エッチングは、半導体積層体3の中、約1050nmの深さまで行われている。エッチングされた領域には、帯状領域13の側面に、p型クラッド層6pよりも屈折率の低い材料12例えば、屈折率が約1.5、厚さが約1000nmの二酸化ケイ素が満たされている。これによって、導波モードMの有効屈折率は、図21の場合の値2.457と比較して、2.455まで下がる。モードMの半幅は、約1/2~約1/8.8°に減少する図21Bおよび図22Bを参照。図22Aに示したような2次元の導波路45は、特に、半導体チップ1の例示的な実施形態すべてにおいても使用することができる。図23は、半導体チップ1のさらなる例示的な実施形態の半導体積層体3の一部分を、深さtに対するアルミニウム含有量Kの分布、または屈折率nの分布を用いて示している。各図において、クラッド層6nは、同じ厚さの2つの概念上の半層H1,H2に分割されており、第1の半層H1は、第2の半層H2よりも導波路45に近い。第1の半層H1の平均アルミニウム含有量は、第2の半層H2の平均アルミニウム含有量よりも高い。図23Aによると、n型クラッド層6nは、アルミニウム含有量の2つの段L1,L2を有する。段L1および段L2の中では、アルミニウム含有量はほぼ一定である。図23Bは、合計で11の段を有するn型クラッド層6nを示している。このn型クラッド層6nのいくつかの副層は、より高いアルミニウム含有量の副層が両側に隣接している。図23Cは、深さtに対する屈折率の分布を示している。第1の半層H1における平均屈折率は、第2の半層H2よりも小さい。n型クラッド層6nは、3つの段L1,L2,L3を備えている。図23に代えて、または図23に加えて、p型クラッド層をこのように形成することも可能である。図24は、半導体チップ1の例示的な実施形態のバリエーションについて、クラッド層6n,6pに関連して表にまとめたものである。すべてのバリエーションにおいて、第1の半層H1の平均アルミニウム含有量KaH1は、第2の半層H2の平均アルミニウム含有量KaH2よりも高い。バリエーション1~8は、アルミニウム含有量Kの階段状の分布を有し、段L1,L2,L3,L4の平均アルミニウム含有量KL1、KL2、KL3、KL4と、その厚さdL1、dL2、dL3、dL4とを示してある。バリエーション9およびバリエーション10によると、アルミニウム含有量Kは、最初に傾斜状に変化した後、段L2に移行する。バリエーション9では、アルミニウム含有量Kは、導波路45から傾斜状に線形に減少し、バリエーション10では、アルミニウム含有量Kは線形に増大する。この表に記載されている値は、半導体チップ1の例示的な実施形態において、第1の半層H1の平均アルミニウム含有量KaH1が第2の半層H2の平均アルミニウム含有量よりも高いならば、最大で25ないし最大で10の公差まで許容される。例えば、表中に示した400nmの厚さの場合、最大で25の公差は、400nm±25の厚さ範囲、すなわち300nm~500nm両端値を含むであることを意味する。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。関連出願本特許出願は、独国特許出願第102010009457.9号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。"