以下の式によって表される有機アミノシランからなる群より選択されるシラン前駆体を使用することを含む、酸化剤との反応によるシラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に酸化ケイ素膜を形成する方法:式中、R及びR1は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のC2~C10のアルキル基、芳香族、アルキルアミノ基からなる群より選択され;式A及び式C中において、RとR1は、環状基CH2nになっていてもよくnは1~6、好ましくは4及び5、且つR2は、一重結合、CH2n鎖、環、SiR2又はSiH2を表す。前記有機アミノシランが式Aによって表され、且つR及びR1が2~4個の炭素を有するアルキル基である、請求項1に記載の方法。R及びR1が環状である、請求項1に記載の方法。R及びR1が組み合わさってCH2nの形態の環になっており、且つnが4又は5である、請求項1に記載の方法。R及びR1がイソプロピルである、請求項2に記載の方法。前記有機アミノシランが以下の式によって表される式中、nは4及び5からなる群より選択される、請求項1に記載の方法:前記酸化剤が、酸素、過酸化水素、オゾン及び亜酸化窒素からなる群より選択される、請求項1に記載の方法。前記有機アミノシランが式Bによって表され、且つ前記有機アミノシランが以下の式を有する群より選択される、請求項1に記載の方法:酸素源が、酸素、過酸化水素、オゾン及び亜酸化窒素からなる群より選択される、請求項8に記載の方法。前記有機アミノシランが以下の式によって表される、請求項9に記載の方法:前記有機アミノシランが式Cによって表され、且つ前記有機アミノシランが以下の式を有する群より選択される、請求項1に記載の方法:炭素及び水素でドープされた酸化ケイ素膜を形成するために、炭素及び水素源を堆積チャンバーに導入する、請求項1に記載の方法。炭素、窒素及び水素でドープされた酸化ケイ素膜を形成するために、窒素源を堆積チャンバーに導入する、請求項12に記載の方法。化学気相成長チャンバーにおいて化学気相成長により基材上に酸化ケイ素の誘電体層を製造するための方法であって、ジイソプロピルアミノシランと酸化剤を前記ジイソプロピルアミノシランと前記酸化剤を反応させるための条件下で前記化学気相成長チャンバーに導入し、前記基材上に酸化ケイ素層を堆積させることを含む、方法。前記酸化剤が、オゾン、酸素、亜酸化窒素及び過酸化水素からなる群より選択される、請求項14に記載の方法。350~700°Cの温度と0.1~500Torrの圧力を前記化学気相成長チャンバーにおいて用いる、請求項15に記載の方法。ジイソプロピルアミノシランと酸化剤とのモル比が、ジイソプロピルアミノシラン1モル当たり0.1~10モルの酸化剤である、請求項15に記載の方法。化学気相成長チャンバーにおいて化学気相成長により基材上に酸窒化ケイ素の誘電体層を製造するための方法であって、ジイソプロピルアミノシラン、窒素源及び酸化剤を、前記ジイソプロピルアミノシランと、前記酸化剤及び前記窒素源とを反応させるための条件下で前記化学気相成長チャンバーに導入し、前記基材上に酸窒化ケイ素層を堆積することを含む、方法。前記酸化剤が、オゾン、酸素、亜酸化窒素及び過酸化水素からなる群より選択される、請求項18に記載の方法。前記窒素源が、アンモニア、ヒドラジン、アルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項18に記載の方法。本発明は、基材上に酸化ケイ素層を堆積させる方法に関する。基材上に酸化ケイ素層を形成するための基本的なプロセスでは、基材上に酸化ケイ素層を生成するための条件下で、堆積チャンバーにおいてシラン前駆体を酸化剤と反応させる。本明細書で記載されるプロセスでは、有機アミノシランをシラン前駆体として用いる。前駆体として用いられる化合物のクラスは、一般に以下の式によって表される:式中、R及びR1は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のC2~C10のアルキル基、芳香族、アルキルアミノ基からなる群より選択され;式A及び式C中において、RとR1は、環状基CH2nになっていてもよくnは1~6、好ましくは4及び5、且つR2は、一重結合、CH2n鎖、環、SiR2又はSiH2を表す。好ましい化合物は、RとR1の両方がイソプロピルである式A中の化合物である。CVDプロセスで用いられる前駆体は、多くの利点を提供することができ、これらの利点としては、下記の点を挙げることができる:低温条件での誘電体膜の形成を促進できること;低い酸エッチ速度を有する膜を製造できること;前駆体と酸素含有源との比を変化させることにより、得られる酸化ケイ素膜の炭素含有量を調整できること;前駆体と窒素含有源との比を変化させることにより、得られる酸化ケイ素膜の窒素含有量を調整できること;優れた堆積速度で酸化ケイ素膜を形成できること;及び種々のシラン前駆体を使用した場合に過度の分解速度によって一般に生じる多くの製造上の問題を克服できること。化学気相成長CVD及びプラズマ化学気相成長PECVDによって半導体基材上に酸化ケイ素膜を形成することが周知であり、このような堆積プロセスは、本発明の実施において使用することができる。これらのプロセスでは、反応器チャンバーを排気し、半導体基材をその中に置く。次いで、有機ケイ素化合物と酸化源を、酸化ケイ素層が半導体ウェハ上に形成される条件下で、反応器チャンバーに提供する。これらの膜はまた、プロセスの間の炭素、水素及び窒素源の添加によって、炭素、窒素及び水素の含有量を調整できるドーピングと称されることがある。有機アミノシラン前駆体の使用によって製造された膜は、酸化ケイ素膜、酸炭化ケイ素膜、酸窒化ケイ素膜、及び炭酸窒化ケイ素膜と称されることがある。本発明の実施に適したケイ素化合物の1つのクラスは、有機アミノシラン前駆体であり、これは以下の式Aによって表される。化合物のこのクラスでは、R及びR1は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のC2~C10のアルキル基、芳香族、アルキルアミノ基、複素環、水素、シリル基からなる群より選択され、置換基を有していても有していなくてもよい。RとR1は、組み合わされて環状基になっていてもよい。代表的な置換基は、アルキル基、特にC2~C4のアルキル基、例えば異性体を含むエチル、プロピル及びブチル;環状基、例えばシクロプロピル、シクロペンチル及びシクロヘキシルである。このクラスのうち好ましい化合物の幾つかの例は、以下の式によって表されるnは1~6、好ましくは4又は5:酸化ケイ素層の製造において使用するのに好適な有機アミノシラン前駆体の第2のクラスは、式Bによって表されるように、1つの窒素原子からぶら下がった2つのシリル基を有する有機アミノシランである。クラスAの化合物におけるR基の場合と同様に、Rは、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のC2~C10のアルキル基、芳香族、アルキルアミノ基、及び複素環からなる群より選択される。具体的なRとしては、メチル、エチル、プロピル、アリル、ブチル、ジメチルアミン基、及び環状基、例えばシクロプロピル、シクロペンチル及びシクロヘキシルが挙げられる。例示の化合物は、以下の式によって表される:アミノシラン化合物の第3のクラスは、式Cによって表される。これらは一般に、R及びR1が式AのR及びR1と同じであるジアミノジシリル化合物である。R2基は、窒素原子を架橋している。R2基は単に、窒素原子間の一重結合である場合があり、又は架橋基、例えばSiR2、SiH2、連鎖又は環であってよい。式Cは以下のとおりである。具体例としては、以下の式によって表されるものが挙げられる。上記の複数の有機アミノシランは半導体基材上に酸化ケイ素膜を製造するのに適しているが、式Aの有機アミノシランが好ましいことを見出した。ジアルキルアミノシランは、同様の誘電率を有する膜を形成するという点で、前駆体としての従来のシランの幾つかの基準を満たす。特に、ジイソプロピルアミノシランは、優れた低エッチ速度を提供し、安定でかつ他の多くのシラン前駆体よりも長い保存寿命を有するという点で、プロセスにおいて予想外の特性を提供する。酸化ケイ素膜は、化学気相成長CVD、低圧化学気相成長LPCVD、プラズマCVDPECVD、原子層堆積ALDなどのために設計された堆積チャンバーにおいて形成することができる。本明細書で用いられるCVDという語は、半導体産業で用いられるこれらプロセスのそれぞれを包含するものである。堆積チャンバーにおいてジアルキルアミノシランを酸化ケイ素に転化するための酸素源として、通常の酸化剤を使用することができる。代表的な酸化剤としては、過酸化水素、亜酸化窒素、オゾン及び分子状酸素が挙げられる。典型的には、酸化剤/シラン前駆体の比は、0.1よりも大きく、好ましくは有機アミノシラン前駆体1モル当たり酸化剤が0.1~6モルである。酸窒化ケイ素膜の形成に使用できる通常の窒素源としては、アンモニア、ヒドラジン、アルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン及びそれらの混合物が挙げられる。本明細書において記載される式A及びBの有機アミノシランを用いると、製造者はCVDによって比較的低い温度で、酸化ケイ素膜を形成することができるが、450~600°Cの一般的な温度範囲で行うこともできる。低圧化学気相成長LPCVDプロセスは、種々の基材、例えばシリコン及びアルミニウム上で、一般には0.1~500Torr、好ましくは0.5~20Torrの圧力範囲内で行うことができる化学反応を伴う。高圧のCVDでは、所望の基材に達する前に、気相での核生成又は予備堆積が起こることがある。不活性ガス、例えば窒素及びヘリウムによるシラン前駆体の希釈が、このような高圧の反応のために必要とされる場合がある。製造者が不活性ガスを使用して前駆体の対応する希釈を達成することにより、堆積の共形性を改善することができ又は化学気相浸透のための浸入を改善することができる。特定のシラン前駆体として、イソプロピルアミノシラン、好ましくはジイソプロピルアミノシランを使用することで、5Å/分~60Å/分の速度で堆積し、屈折率が1.45~1.70であり、かつ1HF溶液でのウェットエッチ速度が0.01Å/秒~1.5Å/秒である酸化物膜を形成することができる。以下の例は、本発明の種々の実施態様を説明するために与えられるものであり、本発明の範囲を限定するものではない。[一般的手順]酸化ケイ素堆積物のための実験用前駆体を評価するのに用いられるLPCVD反応器において、前駆体を試験した。前駆体を脱ガスし、低圧マスフローコントローラMFCを通じて、反応器に計量供給した。化学物質の質量損失と流れ時間に対して、MFC流量を較正した。酸素などの追加の反応体、及び窒素及びヘリウムなどの希釈剤も同様に、較正されたMFCを通じて反応器に計量供給した。10-4Torr0.013Pa未満に反応器を排気できるルーツブロワー/ドライポンプの組合せに、反応器を連結した。堆積中にシリコンウェハの装填物にわたる温度は、設定点の1°C以内にした。ウェハを石英ボート上に装填して反応器に挿入した。反応器をポンプにより基準圧にして漏れをチェックする。系をガス流によってプロセス温度まで上げた。このガス流は、反応器が温まったときにシリコンウェハが酸化するのを防ぐために、残留する酸素又は水分を希釈するものである。次いで、反応器を所定の時間安定化させて、すべてのウェハ表面を、付属の熱電対を用いて、ウェハについて先の測定により決定されたのと等しい温度にした。制御された圧力で所定の堆積時間にわたって、ガス及び蒸気を反応器に注入した。次に、ガスを遮断し、反応器をポンプで基準圧にした。次いで、反応器が冷却されるときに、反応性のガス及び蒸気を除去するために、反応器をポンプでパージし、ポンプを停止しそしてポンプでパージした。反応器を大気圧に戻し、ウェハを取り出し、そして室温に冷却した。次いで、堆積膜を、膜厚、膜の屈折率、膜応力、赤外線吸光度、誘電率及び酸エッチ速度について測定した。[例1][ジエチルアミノシラン前駆体を用いた酸化ケイ素膜の形成]以下の反応体及び流量条件を用いて、上で概説した一般的手順に従った。ジエチルアミノシランDEAS11.7sccmを、O25.9sccmとともに、0.6Torrで、74分の堆積時間にわたって、500°Cで、LPCVD反応器に流した。酸化ケイ素膜の平均の膜厚は123nmであり、屈折率は1.459であった。1HF溶液でのこの膜のウェットエッチ速度は1.38Å/秒であった。赤外スペクトルはSi-O-Siの吸収が顕著であった。C-Hの吸収はノイズ中にあり、膜が二酸化ケイ素であることを示した。ラザフォード後方散乱分光法前方散乱による水素による膜組成の分析は、この膜が28原子のケイ素、57原子の酸素、11原子の水素、3原子の炭素及び1原子の窒素であることを示した。このことは、この膜が、水素、炭素及び窒素の不純物を有する二酸化ケイ素であることを示している。[例2][ジエチルアミノシラン前駆体を用いた酸化ケイ素膜の形成]プロセス条件を除いて例1の手順に従った。この目的は、より高い温度と短い反応時間の効果を決定することであった。この例では、ジエチルアミノシランDEAS11.7sccmを、O25.9sccmとともに、0.6Torrで、33分の堆積時間にわたって、600°Cで、反応器に流した。酸化ケイ素膜の平均の膜厚は157nmであり、屈折率は1.501であった。1HF溶液でのこの膜のウェットエッチ速度は0.41Å/秒であった。赤外スペクトルはSi-O-Siの吸収が顕著であった。C-Hの吸収はノイズ中にあり、膜が酸化ケイ素であることを示した。ラザフォード後方散乱分光法前方散乱による水素による膜組成の分析は、この膜が27原子のケイ素、47原子の酸素、15原子の水素、7原子の炭素及び4原子の窒素であることを示した。このことは、この膜が、水素、炭素及び窒素の不純物を有する二酸化ケイ素であることを示している。[例3][ジイソプロピルアミノシラン前駆体を用いた酸化ケイ素膜の形成]プロセス条件及び前駆体を除いて本質的に例1の手順に従った。この例では、ジイソプロピルアミノシランDIPAS10.5sccmを、O25.0sccmとともに、0.6Torrで、74分の堆積時間にわたって、500°Cで、反応器に流した。酸化ケイ素膜の平均の膜厚は112nmであり、屈折率は1.458であった。1HF溶液でのこの膜のウェットエッチ速度は1.39Å/秒であった。赤外スペクトルはSi-O-Siの吸収が顕著であった。C-Hの吸収はノイズ中にあり、膜が酸化ケイ素であることを示した。ラザフォード後方散乱分光法前方散乱による水素による膜組成の分析は、この膜が28原子のケイ素、55原子の酸素、12原子の水素、3原子の炭素及び2原子の窒素であることを示した。このことは、この膜が、水素、炭素及び窒素の不純物を有する二酸化ケイ素であることを示している。[例4][ジイソプロピルアミノシラン前駆体を用いた酸化ケイ素膜の形成]プロセス条件及び前駆体を除いて例2の手順に従った。この例では、ジイソプロピルアミノシランDIPAS10.5sccmを、O25.0sccmとともに、0.6Torrで、33分の堆積時間にわたって、600°Cで、反応器に流した。酸化ケイ素膜の平均の膜厚は124nmであり、屈折率は1.495であった。1HF溶液でのこの膜のウェットエッチ速度は0.42Å/秒であった。赤外スペクトルはSi-O-Siの吸収が顕著であった。C-Hの吸収はノイズ中にあり、膜が酸化ケイ素であることを示した。ラザフォード後方散乱分光法前方散乱による水素による膜組成の分析は、この膜が28原子のケイ素、51原子の酸素、11原子の水素、6原子の炭素及び4原子の窒素であることを示した。このことは、この膜が、水素、炭素及び窒素の不純物を有する二酸化ケイ素であることを示している。まとめると、例1~4は、式Aで示されるタイプの有機アミノシランが、半導体基材上に酸化ケイ素膜を製造するための前駆体として使用できることを示している。ジイソプロピルアミノシランDIPASは、低エッチ速度の酸化物のプロセスにおいて、前駆体としてのジエチルアミノシランDEASの使用に対する利点をもたらす。DEASは、室温でDIPASよりも不安定である。DEASの不安定な性質は、多くのEHSマネジメント、製造、供給ライン倉庫保管及び船積みを含む及びエンドユーザプロセスの問題を引き起こす場合がある。例3及び4は、DIPASから形成された酸化物膜が、同様のプロセス条件下で例1及び2においてDEASから形成された酸化物膜と同じエッチ速度、誘電率、屈折率及び定性的組成FTIRによるを一般に有することを示している。したがって、化学及びプロセス両方の観点から、DIPASは、低エッチ速度の酸化ケイ素膜を製造するための好ましい前駆体である。