"基板を載置する載置台の温度を制御する載置台温度制御装置であって,前記載置台内にその面内全体に渡って形成した主流路と,前記載置台内に前記主流路の上側に離間して前記載置台の面内一部に形成した補助流路と,所定の設定温度に調整した温調媒体を前記主流路に供給し循環させるとともに,その温調媒体を分流させて,さらに前記設定温度より高い温度又は低い温度に調整した上で前記補助流路に供給し循環させる温調媒体循環機構と,を備えたことを特徴とする載置台温度制御装置。前記温調媒体循環機構は,前記温調媒体の送出口と帰還口を備え,前記温調媒体を前記設定温度に調整して前記送出口から送出し,前記帰還口に戻ってきた前記温調媒体を前記設定温度に調整して再び前記送出口から送出する温調媒体循環器と,前記温調媒体循環器から送出された前記温調媒体を前記主流路に供給する主供給配管と,前記主供給配管から分岐して前記補助流路に前記温調媒体を供給する補助供給配管と,前記補助供給配管に設けられ,前記補助供給配管に分流した前記温調媒体を前記補助流路に供給する前に前記設定温度より高い温度又は低い温度に調整する補助温調器と,を備えることを特徴とする請求項1に記載の載置台温度制御装置。前記補助流路は,前記載置台の中心部領域の一部又は周辺部領域の一部のいずれかに形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の載置台温度制御装置。前記補助流路は,前記載置台の中心部領域の一部又は周辺部領域の一部の両方に別々に形成され,前記温調媒体循環機構は,前記温調媒体の送出口と帰還口を備え,前記温調媒体を前記設定温度に調整して前記送出口から送出し,前記帰還口に戻ってきた前記温調媒体を前記設定温度に調整して再び前記送出口から送出する温調媒体循環器と,前記温調媒体循環器から送出された前記温調媒体を前記主流路に供給する主供給配管と,前記主供給配管から分岐する第1補助供給配管及び第2補助供給配管と,前記第1補助供給配管及び前記第2補助供給配管を前記各補助流路に接続し,前記第1補助供給配管と前記第2補助供給配管からの温調媒体を選択的に切り換えて前記各補助流路のいずれかに供給可能な切換部と,前記第1補助供給配管と前記第2補助供給配管のいずれか一方又は両方に設けられ,前記各補助流路に供給する前に前記温調媒体を前記設定温度より高い温度又は低い温度に調整する補助温調器と,を備えることを特徴とする請求項1に記載の載置台温度制御装置。前記補助流路の断面積は前記主流路の断面積よりも小さくするとともに,前記補助供給配管の断面積は前記主供給配管の断面積よりも小さくしたことを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の載置台温度制御装置。前記補助流路には,補助ポンプを設けたことを特徴とする請求項5に記載の載置台温度制御装置。載置台上に載置した基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって,前記載置台の温度を制御する載置台温度制御装置を備え,前記載置台温度制御装置は,前記載置台内にその面内全体に渡って形成した主流路と,前記載置台内に前記主流路の上側に離間して前記載置台の面内一部に形成した補助流路と,所定の設定温度に調整した温調媒体を前記主流路に供給し循環させるとともに,その温調媒体を分流させて,さらに前記設定温度より高い温度又は低い温度に調整した上で前記補助流路に供給し循環させる温調媒体循環機構と,を備えることを特徴とする基板処理装置。しかしながら,特許文献1,2のような従来の載置台の温度分布制御では,載置台全体の設定温度に対して,その面内の所望の部位だけを局部的に設定温度よりも高くしたり,低くしたりすることはできない。例えば特許文献1では,上下の熱媒体流路には別々に異なる熱媒体を供給する独立制御であるため,載置台の設定温度に対してその面内の一部だけ設定温度を変えるということはできない。また特許文献2では,載置台の面内の中心部と周辺部の一方に対して他方の温度を制御できるものの,載置台の設定温度に対してその面内の一部だけ設定温度を変えるということはできない。なお,載置台と基板との間に供給する伝熱ガス例えばHeガスの圧力を中心部と周辺部で変えることによって熱伝導率を制御するものがある。これによればプラズマからの熱入射による温度上昇が制御され,載置台の中心部と周辺部の面内温度を調整できる。ところが,このような面内温度制御では,プラズマを発生させる高周波のパワーが少ない場合には,伝熱ガス圧力を調整しても,温度差がつき難いという問題がある。そこで,本発明は,このような問題に鑑みてなされたもので,その目的とするところは,温調媒体の温度制御によって,載置台の面内全体の設定温度に対して面内の所望の部位だけを局部的に設定温度よりも高くしたり,低くしたりすることができる載置台温度制御装置及び基板処理装置を提供することにある。上記課題を解決するために,本発明のある観点によれば,基板を載置する載置台の温度を制御する載置台温度制御装置であって,前記載置台内にその面内全体に渡って形成した主流路と,前記載置台内に前記主流路の上側に離間して前記載置台の面内一部に形成した補助流路と,所定の設定温度に調整した温調媒体を前記主流路に供給し循環させるとともに,その温調媒体を分流させて,さらに前記設定温度より高い温度又は低い温度に調整した上で前記補助流路に供給し循環させる温調媒体循環機構と,を備えたことを特徴とする載置台温度制御装置が提供される。上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,載置台上に載置した基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって,前記載置台の温度を制御する載置台温度制御装置を備え,前記載置台温度制御装置は,前記載置台内にその面内全体に渡って形成した主流路と,前記載置台内に前記主流路の上側に離間して前記載置台の面内一部に形成した補助流路と,所定の設定温度に調整した温調媒体を前記主流路に供給し循環させるとともに,その温調媒体を分流させて,さらに前記設定温度より高い温度又は低い温度に調整した上で前記補助流路に供給し循環させる温調媒体循環機構と,を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。このような本発明によれば,所定の設定温度に調整した温調媒体が主流路に供給されることによって載置台の面内全体を所定の設定温度に調整できるとともに,その温調媒体が分流されさらに温調されて補助流路に供給されることによって,補助流路が形成された部位を局所的にその設定温度より高い温度又は低い温度に調整することができる。これにより,例えば載置台の面内温度を設定温度よりも高い温度又は低い温度にしたい部位に補助流路を設けることによって,その部位を局所的にその設定温度より高い温度又は低い温度に調整することができる。また,本発明によれば,伝熱ガス圧力を調整するのではなく,温調媒体の温度を制御するので,プラズマを発生させる高周波のパワーが少ない場合でも,サセプタ全体の設定温度に対して補助流路を設けた部位に十分な温度差を与える制御を行うことができる。また,上記温調媒体循環機構は例えば,前記温調媒体の送出口と帰還口を備え,前記温調媒体を前記設定温度に調整して前記送出口から送出し,前記帰還口に戻ってきた前記温調媒体を前記設定温度に調整して再び前記送出口から送出する温調媒体循環器と,前記温調媒体循環器から送出された前記温調媒体を前記主流路に供給する主供給配管と,前記主供給配管から分岐して前記補助流路に前記温調媒体を供給する補助供給配管と,前記補助供給配管に設けられ,前記補助供給配管に分流した前記温調媒体を前記補助流路に供給する前に前記設定温度より高い温度又は低い温度に調整する補助温調器と,を備えるように構成される。また,このような補助流路は,例えば前記載置台の中心部領域の一部又は周辺部領域の一部のいずれかに形成される。また,上記補助流路は,前記載置台の中心部領域の一部又は周辺部領域の一部の両方に別々に形成され,前記温調媒体循環機構は,前記温調媒体の送出口と帰還口を備え,前記温調媒体を前記設定温度に調整して前記送出口から送出し,前記帰還口に戻ってきた前記温調媒体を前記設定温度に調整して再び前記送出口から送出する温調媒体循環器と,前記温調媒体循環器から送出された前記温調媒体を前記主流路に供給する主供給配管と,前記主供給配管から分岐する第1補助供給配管及び第2補助供給配管と,前記第1補助供給配管及び前記第2補助供給配管を前記各補助流路に接続し,前記第1補助供給配管と前記第2補助供給配管からの温調媒体を選択的に切り換えて前記各補助流路のいずれかに供給可能な切換部と,前記第1補助供給配管と前記第2補助供給配管のいずれか一方又は両方に設けられ,前記各補助流路に供給する前に前記温調媒体を前記設定温度より高い温度又は低い温度に調整する補助温調器と,を備えるように構成してもよい。また,上記補助流路の断面積は前記主流路の断面積よりも小さくするとともに,前記補助供給配管の断面積は前記主供給配管の断面積よりも小さくすることが好ましい。この場合,上記補助流路には,補助ポンプを設けるようにしてもよい。本発明によれば,載置台の面内全体の設定温度に対して面内の所望の部位だけを局部的に設定温度よりも高くしたり,低くしたりすることができる。以下に添付図面を参照しながら,本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。基板処理装置先ず,本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは,基板処理装置として,1つの電極下部電極に2つの異なる周波数の高周波を重畳して印加可能な基板処理装置を例に挙げて説明する。図1は本実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す断面図である。図1に示す基板処理装置100は,例えば表面が陽極酸化処理アルマイト処理されたアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属から成る円筒形状に成形された処理容器を有する処理室チャンバ102を備える。処理室102は接地されている。処理室102内には,基板例えば半導体ウエハ以下,単にウエハとも称する。Wを載置する略円板状の基板載置台以下,単に載置台と称する200が設けられている。載置台200は,ウエハWを載置し,下部電極として機能するサセプタ210を備える。このサセプタ210の上方には,処理ガスやパージガスなどを導入するシャワーヘッドを兼ねた上部電極120が対向して配設されている。上部電極120は処理室102の天井部に設けられている。上部電極120は接地されている。上部電極120には処理ガスを供給する処理ガス供給部122が処理ガス供給配管123を介して接続されている。処理ガス供給配管123には,処理ガス供給部122からの処理ガス供給をオンオフする開閉バルブ121が介在している。上記処理ガス供給部122は,1つのガス供給源を備えていてもよく,また複数のガス供給源を備えていてもよい。1つのガス供給源を備える場合は,そのガス供給源の配管をそのまま上記処理ガス供給配管123に接続する。また,複数のガス供給源を備える場合は各ガス供給源の配管をこれらのガスが合流するように上記処理ガス供給配管123に接続する。各ガス供給源の配管にはそれぞれ,ガス供給をオンオフする開閉バルブとガス流量を調整するマスフローコントローラを設ける。このような処理ガス供給部122によれば,1つ又は複数のガス供給源からのガスは所定の流量又は流量比で処理ガスとして処理ガス供給配管123に流出する。なお,処理ガス供給部122にはウエハWの処理に応じて必要なガスのガス供給源が設けられる。例えばウエハWにエッチングを行う場合はエッチングガスのガス供給源が設けられ,ウエハWに成膜を行う場合は成膜ガスのガス供給源が設けられる。例えばエッチングガスとしてはフロロカーボン系のフッ素化合物,CF4,C4F6,C4F8,C5F8などのCXFYガスが挙げられる。また,CF系の反応生成物のデポをコントロールするガスとしては例えばO2ガス,キャリアガスとしての希ガス例えばArガスなどが挙げられる。上部電極120には多数のガス孔125を有する下面の電極板124と,この電極板124を着脱可能に支持する電極支持体126とを有する。電極支持体126の内部にバッファ室127が設けられている。このバッファ室127のガス導入口128には上記処理ガス供給部122の処理ガス供給配管123が接続されている。これによれば,処理ガス供給部122からのガスは,ガス導入口128から導入されて拡散し,各ガス孔125から載置台200に載置されたウエハW上に向けて噴出される。載置台200を構成するサセプタ210は例えばアルミニウムからなり,処理室102の底部から垂直上方に延びる筒状部202に絶縁性の筒状保持部204を介して保持されている。筒状保持部204上には,サセプタ210に載置されたウエハWの周囲を囲むようにフォーカスリング206が配置されている。フォーカスリング206は,例えば石英やシリコンからなる。なお,サセプタ210の上面には,ウエハWを静電吸着力で保持する静電チャック図示省略が設けられている。静電チャック内には板状の電極を備え,この電極に所定の直流電圧を印加することによって,ウエハWを吸着保持する。また,サセプタ210には上記静電チャックとウエハWとの間の熱伝達を促進するため,これらの間に向けて例えばHeガスなどの伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構図示省略が設けられている。サセプタ210は,ウエハWの温度を調整する温度制御装置300を備えている。温度制御装置300は,チラーユニット310で所定の設定温度に調整された温調媒体をサセプタ210内に循環させることによってサセプタ210の温度を調整する。本実施形態の温度制御装置300では,さらにサセプタ210全体の設定温度に対して面内の一部を局部的に設定温度よりも高い温度又は低い温度に調整できるように構成されている。このような温度制御装置300の具体的構成例については後述する。下部電極としてのサセプタ210には,2周波重畳電力を供給する電力供給装置130が接続されている。電力供給装置130は,第1周波数の第1高周波電力プラズマ生起用高周波電力を供給する第1高周波電源132,第1周波数よりも低い第2周波数の第2高周波電力バイアス電圧発生用高周波電力を供給する第2高周波電源134を備える。第1,第2高周波電源132,134はそれぞれ,第1,第2整合器133,135を介してサセプタ210に電気的に接続される。第1,第2整合器133,135は,それぞれ第1,第2高周波電源132,134の内部または出力インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるためのものであり,処理室102内にプラズマが生成されているときに第1,第2高周波電源132,134の内部インピーダンスと負荷インピーダンスが見かけ上一致するように機能する。第1高周波電源132は,27MHz以上の周波数例えば40MHzの高周波電力を出力する。第2高周波電源134は,13.56MHz以下の周波数例えば2MHzの高周波電力を出力する。処理室102の底面には排気口104が形成されており,排気口104に接続された排気装置106によって排気することによって,処理室102内を所定の真空度に維持することができる。処理室102の側壁にはウエハWの搬入出口107が設けられており,この搬入出口107はゲートバルブ108により開閉可能となっている。このゲートバルブ108を開くことによって,図示しない搬送アームなどにより処理室102内へウエハWを搬入したり,処理室102内からウエハWを搬出したりすることができる。基板処理装置100には,装置全体の動作を制御する制御部140が設けられている。制御部140には,オペレータが基板処理装置100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや,基板処理装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなる操作部142が接続されている。さらに,制御部140には,基板処理装置100で実行される各種処理を制御部140の制御にて実現するためのプログラムやプログラムを実行するために必要な処理条件レシピなどが記憶された記憶部144が接続されている。記憶部144には,例えば後述する第1,第2処理条件レシピなどが記憶されている。このような処理条件については,基板処理装置100の各部を制御する制御パラメータ,設定パラメータなどの複数のパラメータ値をまとめたものである。各処理条件は例えば処理ガスの流量比,処理室内圧力,高周波電力などのパラメータ値を有する。なお,これらのプログラムや処理条件はハードディスクや半導体メモリに記憶されていてもよく,またCD-ROM,DVD等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で記憶部144の所定位置にセットするようになっていてもよい。制御部140は,操作部142からの指示等に基づいて所望のプログラム,処理条件を記憶部144から読み出して各部を制御することで,基板処理装置100での所望の処理を実行する。また,操作部142からの操作により処理条件を編集できるようになっている。載置台の温度制御装置次に,本実施形態における温度制御装置300の具体的構成例について図面を参照しながら説明する。図2は図1に示す温度制御装置300の具体的構成例を示す図である。図2に示す温度制御装置300は,載置台200のサセプタ210内の面内全体に渡って,すなわち中心を含む中心部領域からエッジを含む周辺部領域に渡る面内全体に形成した1系統の主流路320と,主流路320の上側に離間して面内の一部に形成した1系統の補助流路330とに温調媒体を循環させる温調媒体循環機構を備える。補助流路330は所望の位置に形成することができる。図2では載置台200の中心部領域の一部に形成した場合を例に挙げる。主流路320は,サセプタ210の面内領域全体に渡って温調媒体の温度を隈なく伝達できるように,中心部領域と周辺部領域を含む面内に渡って例えば同心円状またはスパイラル渦状に形成されている。主流路320は,一端に温調媒体の流入口を設けるとともに,他端に温調媒体の流出口を設けることが好ましい。補助流路330は,サセプタ210の中心部領域の一部のみに温調媒体の温度を隈なく伝達できるように,その部位のみに例えば同心円状またはスパイラル渦状に形成されている。補助流路330は,一端に温調媒体の流入口を設けるとともに,他端に温調媒体の流出口を設けることが好ましい。ここでの温調媒体としては例えば絶縁抵抗が高いものを用いることが好ましい。このような温調媒体としては例えばフッ素系溶剤であるガルデン登録商標やフロリナート商品名が挙げられる。ここでは温調媒体として温調媒体はガルデン登録商標を用いた場合を例に挙げる。温調媒体循環機構は,所定の設定温度に調整した温調媒体を主流路320に供給し循環させるとともに,その温調媒体を分流させて,さらに設定温度より高い温度又は低い温度に調整した上で補助流路330に供給し循環させるように構成される。具体的には温調媒体循環機構は図2に示すように,温調媒体循環器としてのチラーユニット310を備える。チラーユニット310は,例えば温調器やポンプを備え,温調媒体の送出口OUTと帰還口INを備え,温調媒体を所定の設定温度サセプタ210全体の設定温度に調整して送出口OUTから送出し,帰還口INに戻ってきた温調媒体を上記設定温度に調整して再び送出口OUTから送出するように構成されている。サセプタ210全体の設定温度は,制御部140によって所望の温度に設定できるようになっている。チラーユニット310の送出口OUTには,主流路320に温調媒体を供給する主供給配管322が接続されており,チラーユニット310の帰還口INには戻ってきた温調媒体を流入する主帰還配管324が接続されている。主供給配管322の下流側は主流路320の流入口に接続され,主帰還配管324の上流側は主流路320の流出口に接続されている。上記主供給配管322の途中には,この主供給配管322から分岐して上記補助流路330に温調媒体を供給する補助供給配管332が接続されている。補助供給配管332は,補助流路330の流入口に接続されている。補助流路330の流出口には補助帰還配管334が接続されており,この補助帰還配管334の下流側は主帰還配管324に合流するように接続される。これにより,補助流路330を循環して補助帰還配管334に流出された温調媒体は,主帰還配管324にて主流路320を循環した温調媒体と合流してチラーユニット310に戻される。補助供給配管332の途中には,補助流路330に供給する温調媒体を温調する補助温調器338を備える。補助温調器338は冷却器と加熱器のいずれか一方を備えてもよく,また両方備えてもよい。補助温調器338によって補助供給配管332を流れる温調媒体の温度を調整することで,補助流路330を循環させる温調媒体の温度を主流路320を循環する温調媒体の設定温度よりも高い温度又は低い温度にすることができる。具体的には補助温調器338によって温調媒体を加熱することで,サセプタ210の中央部領域のうち補助流路330が形成された部位をサセプタ210全体の設定温度よりも高い温度にすることができる。補助温調器338によって温調媒体を冷却することで,サセプタ210の中央部領域の一部をサセプタ210全体の設定温度よりも低い温度に制御することができる。この補助温調器338による調整温度は,制御部140によって所望の温度に設定できるようになっている。このように,チラーユニット310で調整された温調媒体の温度をベースにして,サセプタ210の中心部領域の所望部位の温度を局部的に面内全体よりも低下させたり,逆に高くしたりすることができるので,サセプタ210の面内温度の制御性をより高めることができる。なお,補助流路330の断面積は主流路320の断面積よりも小さくするとともに,補助供給配管332と補助帰還配管334の断面積は主供給配管322と主帰還配管324の断面積よりも小さくすることが好ましい。これによれば,主供給配管322から補助供給配管332に分流する温調媒体の流量を抑えることができるので,補助流路330を循環する流量も抑えることができる。この場合,補助供給配管332の断面積が主流路320に比して小さくなるほど,補助供給配管332に分流し難くなる。このため,例えば図2に示すように補助供給配管332にポンプ336を設けて,主供給配管322の温調媒体を補助供給配管332に強制的に分流させるようにしてもよい。ここで,図2に示す温度制御装置300の動作について説明する。チラーユニット310により所定の設定温度サセプタ210全体の設定温度に調整された温調媒体が送出口OUTから主供給配管322に送出されると,その温調媒体の一部が補助供給配管332にも分流する。そして,主供給配管322を通る温調媒体は主流路320に供給されて循環し,補助供給配管332を通る温調媒体は補助流路330に供給されて循環する。このとき,補助流路330に供給される温調媒体は,補助温調器338でさらに温度が調整される。例えば補助温調器338によって補助供給配管332を通る温調媒体を冷却することによって,中心部領域のうち補助流路330が形成される部位の温度を面内全体よりも低くすることができる。これとは逆に補助温調器338によって補助供給配管332を通る温調媒体を加熱することによって,中心部領域のうち補助流路330が形成される部位の温度を面内全体よりも高くすることができる。こうして,載置台200の面内温度を調整することができる。主流路320を循環した温調媒体は,主帰還配管324を介してチラーユニット310の帰還口INに戻される。このとき,補助流路330を循環した温調媒体は,補助帰還配管334を介して主帰還配管324に流出し,主流路320からの温調媒体と合流してチラーユニット310の帰還口INに戻される。このように,本実施形態における温度制御装置300によれば,チラーユニット310で所定温度に調整された温調媒体を面内全体に渡って形成した主流路320を循環させることによってサセプタ210全体の温度を設定温度に調整し,さらに同じ温調媒体を分流させて温度調整して中心部領域の一部に設けた補助流路330に循環させることによってその中心部領域の補助流路330が形成された部位の温度だけを局部的に調整することができる。これにより,1つのチラーユニット310でサセプタ210全体の設定温度から調整したい温度だけ追加で冷却又は加熱することで局部的な温度調整ができるので,面内温度の調整が極めて容易になるだけでなく,中心部領域の一部と周辺部領域の一部とに別々に流路を設けて別々の媒体を循環させて独立制御する場合に比して制御性を高めることができる。さらに,サセプタ210の補助流路330に供給する温調媒体は,主流路320に供給する温調媒体,すなわちチラーユニット310において所定の設定温度に調整した温調媒体を分流させてさらにそれよりも高い温度又は低い温度に調整したものであるので,温度調整を迅速に行うことができる。これにより,載置台200の面内温度制御の応答性を向上させることができる。また,本実施形態における温度制御装置300によれば,伝熱ガス圧力を調整するのではなく,温調媒体の温度を制御するので,プラズマを発生させる高周波のパワーが少ない場合でも,サセプタ210全体の設定温度に対して補助流路330を設けた部位に十分な温度差を与える制御を行うことができる。なお,サセプタ210にはその面内温度を検出する温度センサを設けるようにしてもよい。例えば図2に示すようにサセプタ210全体の面内温度を検出する温度センサ352と,補助流路330が形成された部位の面内温度を検出する温度センサ354を設けるようにしてもよい。この場合,温度センサ352,354で検出された温度を制御部140にフィードバックすることで,その検出温度に基づいてチラーユニット310,補助温調器338により温調媒体の温度制御を行うことができる。なお,温度センサ352,354で検出された温度はそれぞれ,チラーユニット310,補助温調器338に直接入力されるようにしてもよい。これにより,チラーユニット310,補助温調器338でそれぞれ温調媒体の温度をフィードバック制御できる。また,上記実施形態では,載置台200の中心部領域の一部のみに補助流路330を形成した場合を例に挙げたが,これに限られるものではない。例えば載置台200サセプタ210の周辺部領域の一部のみに補助流路を形成するようにしてもよい。本実施形態の変形例ここで,本実施形態の変形例にかかる温度制御装置300として,このような載置台200サセプタ210の周辺部領域の一部のみに補助流路を形成した場合について図面を参照しながら説明する。図3は,本実施形態の変形例にかかる温度制御装置300の具体的構成例を示す図である。図3に示す温度制御装置300は,載置台200サセプタ210の周辺部領域の一部のみに補助流路340を形成する。補助流路340は,その部位のみに温調媒体の温度を隈なく伝達できるように,その部位のみに例えば同心円状またはスパイラル渦状に形成されている。補助流路340は,一端に温調媒体の流入口を設けるとともに,他端に温調媒体の流出口を設けることが好ましい。この場合,補助供給配管332を補助流路340の流入口に接続し,補助流路340の流出口に補助帰還配管334を接続する。それ以外の配管構成については図2に示すものと同様であるため,その詳細な説明を省略する。これによれば,チラーユニット310で所定温度に調整された温調媒体を面内全体に渡って形成した主流路320を循環させることによってサセプタ210全体の温度を設定温度に調整し,さらに同じ温調媒体を分流させて温度調整して周辺部領域の一部に設けた補助流路340に循環させることによってその部位だけを局部的に設定温度よりも高い温度又は低い温度に調整できる。また,本実施形態にかかる温度制御装置300は,図2,図3の構成例に限られるものではなく,載置台200サセプタ210の中心部領域の一部と周辺部領域の一部の両方にそれぞれ補助流路を独立して形成するようにしてもよい。この場合には,主供給配管から分岐して補助流路の一方に温調媒体を供給する第1補助供給配管と,第1補助供給配管からさらに分岐して補助流路の他方に前記温調媒体を供給する第2補助供給配管とを設け,第1補助供給配管と第2補助供給配管のいずれか一方又は両方に補助温調器を設けるようにしてもよい。これによれば,チラーユニット310から送出される主供給配管からの温調媒体を,第1,第2補助供給配管によって中心部領域の一部と周辺部領域の一部の補助流路にそれぞれ分流させて循環させることができる。このとき,第1補助供給配管と第2補助供給配管のいずれか一方に補助温調器を設けることによって,その補助温調器によって中心部領域の一部と周辺部領域の一部の補助流路のいずれかに循環させる温調媒体をさらに温度調整することができる。また,第1補助供給配管と第2補助供給配管の両方に補助温調器を設けることによって,中心部領域の一部と周辺部領域の一部の補助流路に循環させる温調媒体をそれぞれ別々に温度調整することができる。本実施形態の他の変形例次に,本実施形態の他の変形例にかかる温度制御装置300として,このような載置台200サセプタ210の中心部領域の一部と周辺部領域の一部に独立して補助流路を形成した場合について図面を参照しながら説明する。図4は,本実施形態の変形例にかかる温度制御装置300の具体的構成例を示す図である。図4に示す温度制御装置300は,サセプタ210の中心部領域の一部に中心部補助流路330を形成するとともに,これとは独立して周辺部領域の一部に周辺部補助流路340を形成したものである。このような温度制御装置300の配管構成の具体例としては,図4に示すように先ず主供給配管322から分岐する第1,第2補助供給配管342,244を設ける。そしてこれら第1,第2補助供給配管342,344にはそれぞれ第1,第2補助温調器338a,338bを設ける。第1,第2補助温調器338a,338bはそれぞれ冷却器で温調媒体を冷却するように構成してもよく,加熱器で温調媒体を加熱するように構成してもよい。ここでは,第1補助温調器338aを冷却器で構成し,第2補助温調器338bを加熱器で構成した場合を例に挙げる。第1,第2補助供給配管342,344は,これらと各補助流路330,340を接続し,第1,第2補助供給配管342,344からの温調媒体を選択的に切り換えて各補助流路330,340のいずれかに供給可能な切換部341に接続される。切換部341は例えば図4に示すように構成される。すなわち,第1補助供給配管342はさらに中心部供給配管342aと周辺部供給配管342bの2つに分岐してそれぞれ補助流路330,340の流入口に接続し,一方,第2補助供給配管344についても中心部供給配管344aと周辺部供給配管344bの2つに分岐してそれぞれ補助流路330,340の流入口に接続するように構成される。さらに,中心部供給配管342aと周辺部供給配管342bにはそれぞれ開閉バルブ343a,343bを設け,中心部供給配管344aと周辺部供給配管344bにはそれぞれ開閉バルブ345a,345bを設ける。これらの開閉バルブ343a,343b,345a,345bは,制御部140によって開閉制御できるようになっている。このような切換部341により,第1,第2補助温調器338a,338bによって温調された温調媒体を選択的に切り換えて各補助流路330,340に供給することができる。例えば開閉バルブ343a,345bを閉じて,開閉バルブ343b,345aを開くことで,第1補助温調器338a冷却器によって冷却された温調媒体を中心部補助流路330に供給し,第2補助温調器338b加熱器によって加熱された温調媒体を周辺部補助流路340に供給することができる。これとは逆に,開閉バルブ343b,345aを閉じて,開閉バルブ343a,345bを開くことで,第1補助温調器338a冷却器によって冷却された温調媒体を周辺部補助流路340に供給し,第2補助温調器338b加熱器によって加熱された温調媒体を中心部補助流路330に供給することができる。なお,切換部341は図4に示す構成に限られるものではない。こうして,第1,第2補助温調器338a,338bによって温調された温調媒体を切換部により選択して各補助流路330,340に供給することによって,チラーユニット310による温調媒体の設定温度をベースにして,載置台200の中心部領域と周辺部領域のうち補助流路330,340が形成された部位を上記設定温度よりも高い温度と低い温度で局部的にダイナミックに調整することができる。なお,第1,第2補助温調器338a,338bは必ずしも両方設けなくてもよく,一方だけ設けるようにしてもよい。また,図4に示す温度制御装置300においては,中心部補助流路330が形成された部位に温度センサ354aを設けるとともに,周辺部補助流路340が形成された部位に温度センサ354bを設け,これらの検出温度を制御部140にフィードバックさせるようにしてもよい。以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された範疇内において,各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば上記実施形態では基板処理装置として,下部電極のみに異なる2周波の高周波電力を重畳して印加してプラズマを生起させるタイプの基板処理装置を例に挙げて説明したが,これに限られるものではない。例えば下部電極のみに1種類の周波数の高周波電力を印加してプラズマを生起させるタイプや異なる2周波の高周波を上部電極と下部電極に別々に印加するタイプの基板処理装置に適用してもよい。また,このような平行平板の容量結合型の基板処理装置に限られるものではなく,例えば誘導結合型ICP:InductivelyCoupledPlasmaの基板処理装置などにも適用可能である。その他,本発明は,スパッタ装置,熱処理装置,成膜装置など,載置台の温度を調整して基板の処理を行う様々な種類の基板処理装置に適用可能である。"