"第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の前記第2基板と対向する面に形成された第1反射膜と、前記第2基板に設けられ、前記第1反射膜とギャップを介して対向する第2反射膜と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1駆動電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1駆動電極と対向する第2駆動電極と、前記第1基板に設けられた第1接続電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1接続電極の一部と対向する位置に形成され、前記第2基板の厚み方向に可撓性を有する薄肉部と、前記第2駆動電極に接続され、前記第1接続電極に対向して前記薄肉部に形成された第2接続電極と、を備え、前記第1基板と前記第2基板とが接合され、前記第1接続電極と前記薄肉部に形成された前記第2接続電極とが接続されていることを特徴とする光フィルター。請求項1に記載の光フィルターにおいて、前記薄肉部は前記第2基板の前記第1基板と対向する面とは反対の面に、平面視で円形の凹部が設けられ、前記凹部の底面と前記第2基板の前記第1基板と対向する面との間を厚みとする前記薄肉部が形成されることを特徴とする光フィルター。請求項1または2に記載の光フィルターにおいて、前記薄肉部は前記第1基板に近づく方向に変形された状態で、前記第1接続電極と前記第2接続電極とが接続されていることを特徴とする光フィルター。請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光フィルターにおいて、前記第1接続電極は前記第1基板の厚み方向に突出する突部に設けられていることを特徴とする光フィルター。第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の前記第2基板と対向する面に形成された第1反射膜と、前記第2基板に設けられ、前記第1反射膜とギャップを介して対向する第2反射膜と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1駆動電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1駆動電極と対向する第2駆動電極と、前記第1基板に設けられた第1接続電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1接続電極の一部と対向する位置に形成された薄肉部と、前記第2駆動電極に接続され、前記第1接続電極に対向して前記薄肉部に形成された第2接続電極と、前記第1反射膜または前記第2反射膜を透過した光を受光する受光部と、を備え、前記第1接続電極と前記薄肉部に形成された前記第2接続電極とが接続されていることを特徴とする光フィルターモジュール。第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の前記第2基板と対向する面に形成された第1反射膜と、前記第2基板に設けられ、前記第1反射膜とギャップを介して対向する第2反射膜と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1駆動電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1駆動電極と対向する第2駆動電極と、前記第1基板に設けられた第1接続電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1接続電極の一部と対向する位置に形成された薄肉部と、前記第2駆動電極に接続され、前記第1接続電極に対向して前記薄肉部に形成された第2接続電極と、前記第1反射膜または前記第2反射膜を透過した光を受光する受光部と、前記受光部から得られる信号に基づき前記光の光特性を分析する分析処理部と、を備え、前記第1接続電極と前記薄肉部に形成された前記第2接続電極とが接続されていることを特徴とする光分析装置。第1基板をエッチングし電極形成部を形成する電極形成部形成工程と、前記電極形成部に第1駆動電極と第1接続電極とを形成する第1電極形成工程と、前記第1基板に第1反射膜を形成する第1反射膜形成工程と、第2基板をエッチングし前記第1接続電極と対向する位置に薄肉部を形成する薄肉部形成工程と、前記第2基板に第2駆動電極と、前記第2駆動電極に接続し前記薄肉部の前記第1接続電極と対向する位置に第2接続電極とを形成する第2電極形成工程と、前記第2基板に第2反射膜を形成する第2反射膜形成工程と、前記第1基板と、前記第2基板とを接合する接合工程と、前記薄肉部に外力を加え、前記第1基板の前記第1接続電極と前記第2基板の前記第2接続電極とを接続する接続工程と、を含むことを特徴とする光フィルターの製造方法。請求項7に記載の光フィルターの製造方法において、前記接続工程は前記第1接続電極および前記第2接続電極を加熱し、外力を加えて前記第1接続電極と前記第2接続電極とを金属間接合することを特徴とする光フィルターの製造方法。請求項7に記載の光フィルターの製造方法において、前記接続工程は前記第1接続電極および前記第2接続電極の表面を表面活性化処理した後に外力を加え、前記第1接続電極と前記第2接続電極とを金属間接合することを特徴とする光フィルターの製造方法。請求項7に記載の光フィルターの製造方法において、前記第1接続電極、前記第1反射膜および前記第2接続電極、前記第2反射膜が同じ金属材料であることを特徴とする光フィルターの製造方法。請求項10に記載の光フィルターの製造方法において、前記金属材料がAgまたはAg合金であることを特徴とする光フィルターの製造方法。しかしながら、特許文献1に記載の可変形状鏡では、ミラー基板と配線基板との電気的接続のためにAuバンプなどの中間部材を設ける必要がある。また、配線基板と中間部材、中間部材とミラー基板との接合が必要であり、対向する基板間を容易に接続することができないという課題がある。本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかる光フィルターは、第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の前記第2基板と対向する面に形成された第1反射膜と、前記第2基板に設けられ、前記第1反射膜とギャップを介して対向する第2反射膜と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1駆動電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1駆動電極と対向する第2駆動電極と、前記第1基板に設けられた第1接続電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1接続電極の一部と対向する位置に形成され、前記第2基板の厚み方向に可撓性を有する薄肉部と、前記第2駆動電極に接続され、前記第1接続電極に対向して前記薄肉部に形成された第2接続電極と、を備え、前記第1基板と前記第2基板とが接合され、前記第1接続電極と前記薄肉部に形成された前記第2接続電極とが接続されていることを特徴とする。この構成によれば、第1基板の第1接続電極と、第2基板の薄肉部に形成された第2接続電極とが接続されている。第2基板に形成された薄肉部は第2基板の厚み方向に可撓性を有するため、中間部材を用いず第1基板と第2基板との電気的接続が容易にできる。[適用例2]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記薄肉部は前記第2基板の前記第1基板と対向する面とは反対の面に、平面視で円形の凹部が設けられ、前記凹部の底面と前記第2基板の前記第1基板と対向する面との間を厚みとする前記薄肉部が形成されることが好ましい。この構成によれば、薄肉部は第2基板の第1基板と対向する面とは反対の面に凹部を設けることで形成される。つまり、薄肉部は第1基板の第1接続電極に近い位置に形成することができる。また、薄肉部が平面視で円形状であることから第2基板の厚み方向に変形し易く、薄肉部に形成された第2接続電極と、第1基板の第1接続電極とを容易に接続できる。[適用例3]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記薄肉部は前記第1基板に近づく方向に変形された状態で、前記第1接続電極と前記第2接続電極とが接続されていることが好ましい。この構成によれば、第1接続電極と第2接続電極が接続される前の状態では、両者間に間隙があるため、第1接続電極と第2接続電極との接続に必要な電極の膜厚を設定でき、信頼性の高い接続が可能である。[適用例4]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第1接続電極は前記第1基板の厚み方向に突出する突部に設けられていることが好ましい。この構成によれば、第1接続電極は第1基板の厚み方向に突出する突部に設けられている。このことから、第1接続電極と第2接続電極の距離が短くなり、薄肉部の変形量が小さくてすみ、第1接続電極と第2接続電極とを容易に接続できる。また、第1接続電極と第2接続電極との接続後の反力第1接続電極と第2接続電極との接続を引き剥がす力が小さくなり、光フィルターに応力がかからない。[適用例5]本適用例にかかる光フィルターモジュールは、第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の前記第2基板と対向する面に形成された第1反射膜と、前記第2基板に設けられ、前記第1反射膜とギャップを介して対向する第2反射膜と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1駆動電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1駆動電極と対向する第2駆動電極と、前記第1基板に設けられた第1接続電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1接続電極の一部と対向する位置に形成された薄肉部と、前記第2駆動電極に接続され、前記第1接続電極に対向して前記薄肉部に形成された第2接続電極と、前記第1反射膜または前記第2反射膜を透過した光を受光する受光部と、を備え、前記第1接続電極と前記薄肉部に形成された前記第2接続電極とが接続されていることを特徴とする。本適用例の光フィルターモジュールは、中間部材を用いず第1基板と第2基板との電気的接続が可能である。このように、簡単な構造で第1基板の第1接続電極と第2基板の第2接続電極とを接続でき、光フィルターモジュールの構造の簡素化に貢献できる。[適用例6]本適用例にかかる光分析装置は、第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の前記第2基板と対向する面に形成された第1反射膜と、前記第2基板に設けられ、前記第1反射膜とギャップを介して対向する第2反射膜と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1駆動電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1駆動電極と対向する第2駆動電極と、前記第1基板に設けられた第1接続電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1接続電極の一部と対向する位置に形成された薄肉部と、前記第2駆動電極に接続され、前記第1接続電極に対向して前記薄肉部に形成された第2接続電極と、前記第1反射膜または前記第2反射膜を透過した光を受光する受光部と、前記受光部から得られる信号に基づき前記光の光特性を分析する分析処理部と、を備え、前記第1接続電極と前記薄肉部に形成された前記第2接続電極とが接続されていることを特徴とする。本適用例の光分析装置は、中間部材を用いず第1基板と第2基板との電気的接続が可能である。このように、簡単な構造で第1基板の第1接続電極と第2基板の第2接続電極とを接続でき、光分析装置の構造の簡素化に貢献できる。[適用例7]本適用例にかかる光フィルターの製造方法は、第1基板をエッチングし電極形成部を形成する電極形成部形成工程と、前記電極形成部に第1駆動電極と第1接続電極とを形成する第1電極形成工程と、前記第1基板に第1反射膜を形成する第1反射膜形成工程と、第2基板をエッチングし前記第1接続電極と対向する位置に薄肉部を形成する薄肉部形成工程と、前記第2基板に第2駆動電極と、前記第2駆動電極に接続し前記薄肉部の前記第1接続電極と対向する位置に第2接続電極とを形成する第2電極形成工程と、前記第2基板に第2反射膜を形成する第2反射膜形成工程と、前記第1基板と、前記第2基板とを接合する接合工程と、前記薄肉部に外力を加え、前記第1基板の前記第1接続電極と前記第2基板の前記第2接続電極とを接続する接続工程と、を含むことを特徴とする。この製造方法によれば、薄肉部に外力を加え、第1基板の第1接続電極と第2基板の第2接続電極とを接続する。このため、中間部材を用いず第1基板と第2基板との電気的接続が可能である。そして、第2基板に形成された薄肉部は変形し易いため、接続が容易である。[適用例8]上記適用例にかかる光フィルターの製造方法において、前記接続工程は前記第1接続電極および前記第2接続電極を加熱し、外力を加えて前記第1接続電極と前記第2接続電極とを金属間接合することが好ましい。この製造方法によれば、第1接続電極および第2接続電極を加熱し、外力を加えて接触させることで、電極間において金属間接合することができる。そして、金属間接合により第1接続電極と第2接続電極との確実で信頼性の高い接続ができる。[適用例9]上記適用例にかかる光フィルターの製造方法において、前記接続工程は前記第1接続電極および前記第2接続電極の表面を表面活性化処理した後に外力を加え、前記第1接続電極と前記第2接続電極とを金属間接合することが好ましい。この製造方法によれば、第1接続電極および第2接続電極の表面に表面活性化処理を施して接触させることで、電極間において常温で金属間接合することができる。そして、金属間接合により第1接続電極と第2接続電極との確実で信頼性の高い接続ができる。[適用例10]上記適用例にかかる光フィルターの製造方法において、前記第1接続電極、前記第1反射膜および前記第2接続電極、前記第2反射膜が同じ金属材料であることが好ましい。この製造方法によれば、第1基板に形成される第1接続電極と第1反射膜が同じ金属材料で形成され、第2基板に形成される第2接続電極と第2反射膜が同じ金属材料で形成する。このことから、第1基板または第2基板の作成において、第1接続電極と第1反射膜または第2接続電極と第2反射膜を同じ工程で形成することができ、効率的に光フィルターを製造することができる。[適用例11]上記適用例にかかる光フィルターの製造方法において、前記金属材料がAgまたはAg合金であることが好ましい。この製造方法によれば、第1接続電極と第1反射膜および第2接続電極と第2反射膜をAgまたはAg合金で形成する。このAgまたはAg合金は反射膜の材料として良好な材料であり、また配線の材料としても抵抗が小さく良好な材料である。このことから、本適用例によれば特性の優れた光フィルターを提供することができる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更して概略の構成を示している。第1の実施形態以下、本発明に係る第1実施形態を図面に基づいて説明する。<測色装置の概略構成>図1は光分析装置としての測色装置の構成を示すブロック図である。測色装置1は、検査対象Aに光を照射する光源装置2と、測色センサー3光フィルターモジュールと、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備える。この測色装置1は、検査対象Aに光源装置2から光を照射し、検査対象Aから反射された検査対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度を分析して測定する装置である。<光源装置の構成>光源装置2は、光源21、複数のレンズ22図1には1つのみ図示を備え、検査対象Aに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置2は、光源21から射出された光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Aに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば検査対象Aが発光部材である場合、光源装置2を設けずに測色装置を構成してもよい。<測色センサーの構成>光フィルターモジュールとしての測色センサー3は、エタロン波長可変干渉フィルター5と、静電アクチュエーターに印加する電圧を制御し、エタロン5で透過させる光の波長を変える電圧制御部32と、エタロン5を透過した光を受光する受光部31と、を備える。また、測色センサー3は、検査対象Aで反射された反射光検査対象光を、エタロン5に導光する光学レンズ図示せずを備えている。そして、この測色センサー3は、光学レンズに入射した検査対象光をエタロン5で所定波長帯域の光に分光し、分光した光が受光部31にて受光される。受光部31は、フォトダイオードなどの光電変換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光部31は制御装置4に接続され、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。エタロンの構成図2は、エタロンの構成を示す平面図であり、図3は、図2のA-A断線に沿う断面図である。また、図4は図2のB-B断線に沿う断面図である。図2に示すように、光フィルターとしてのエタロン5は、平面視で正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば10mmに形成されている。このエタロン5は、図3、図4に示すように、固定基板第1基板51および可動基板第2基板52を備えている。これらの基板51,52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などの基材からなり、板状の基材をエッチングすることにより形成されている。そして、エタロン5は、固定基板51および可動基板52が接合膜53にて接合されて一体に構成される。なお、接合膜53は、ポリオルガノシロキサンを用いたプラズマ重合膜が採用されている。固定基板51と可動基板52との間には、光の反射特性と透過特性とを有する第1反射膜54、および第2反射膜55が設けられる。ここで、第1反射膜54は、固定基板51の可動基板52に対向する面に固定され、第2反射膜55は、可動基板52の固定基板51に対向する面に固定されている。また、これらの第1反射膜54および第2反射膜55は、ギャップを介して対向配置されている。さらに、固定基板51と可動基板52との間には、静電アクチュエーター56が設けられ、第1反射膜54と第2反射膜55の間のギャップ寸法の調整をする。静電アクチュエーター56は、固定基板51に設けられた第1駆動電極561と、可動基板52に設けられた第2駆動電極562とから構成されている。なお、エタロン5は、第1駆動電極561と第2駆動電極562との距離が第1反射膜54と第2反射膜55との距離より大きく形成されている。例えば、第1駆動電極561と第2駆動電極562の間に電圧を印加しない初期状態において、第1駆動電極561と第2駆動電極562との距離が2μm、第1反射膜54と第2反射膜55との距離ギャップ寸法が0.5μmに設定されている。このため、第1駆動電極561と第2駆動電極562との間のギャップ寸法が微小となったときに急激に引っ張る力が増加するプルイン現象を抑制することができる構成となっている。また、図2、図4に示すように、可動基板52には、第2駆動電極562に接続する第2接続電極572が設けられている。この第2接続電極572の一部は可動基板52に形成された薄肉部582に設けられている。固定基板51には外部との接続を果たす電極パッド564Pが設けられ、電極パッド564Pには第1接続電極571が接続されている。そして、薄肉部582が固定基板51に向かって変形し、第2接続電極572と第1接続電極571とが金属間接合され、固定基板51と可動基板52との間の電気的接続を可能としている。このようにして、一方の基板である固定基板51から外部との接続を可能とする構造が得られる。次に、エタロン5の構成の理解のために固定基板51および可動基板52の構成について詳細に説明する。固定基板の構成図5は固定基板の構成を示す平面図であり、可動基板と対向する面を見た図である。固定基板51は、厚みが例えば500μmの石英ガラス基材をエッチング加工して形成される。この固定基板51には、エッチングにより固定基板51の中央を中心とする円形の凹部が設けられ、電極形成部511および反射膜形成部512が形成される。電極形成部511は反射膜形成部512より深くエッチングされ、円柱状の反射膜形成部512が突出して、その周りに同心円状に電極形成部511が形成されている図3、図4参照。反射膜形成部512には、円形状の第1反射膜54が形成され、この第1反射膜54はAg、Ag合金などの金属膜により約100nmの厚みで形成されている。なお、第1反射膜54はAgC合金や、TiO2などの誘電体膜の上にAgC合金やAg合金などを積層した構成でもよい。そして、電極形成部511に円環状の第1駆動電極561が形成されている。この第1駆動電極561は導電膜であり、例えばITOIndiumTinOxide:酸化インジウムスズ膜が用いられる。また、第1駆動電極561はCr膜を下地とし、その上にAu膜を積層したCr/Au膜などを用いても良い。第1駆動電極561の厚みは約50nmに形成される。また、電極形成部511の外周縁から固定基板51の対角の位置にある頂点C1,C2に向かって溝が延出している。頂点C1に向かう溝には第1駆動電極561に接続された導通電極563が形成されている。そして、導通電極563に接続され、固定基板51の頂点C1を有する隅部に、外部との接続を果たす電極パッド563Pが形成されている。固定基板51の頂点C2側にも外部との接続を果たす電極パッド564Pが形成されている。頂点C2に向かう溝には、第1駆動電極561に接続しない第1接続電極571が形成されている。そして、第1接続電極571は電極パッド564Pに接続されている。なお、導通電極563,電極パッド563Pおよび第1接続電極571,電極パッド564Pが設けられる溝は、エッチングにより電極形成部511と同じ深さに形成されている。導通電極563,電極パッド563P,電極パッド564Pは、例えば導電材料のITO膜で形成される。また、第1接続電極571は金属膜で形成され、例えばCr/Au膜が用いられている。第1接続電極571はCr/Au膜の他に、Ag膜、Ag合金膜、Al膜などを用いても良い。固定基板51において、電極形成部511、反射膜形成部512、電極形成部511より延出した溝を除いた平面の部分が可動基板52と接合される接合面515となる。この接合面515には、主材料としてポリオルガノシロキサンを用いた接合膜53が設けられている。接合膜53はCVDChemicalVaporDepositionなどにより成膜されたプラズマ重合膜が採用される。可動基板の構成図6は可動基板の構成を示す平面図であり、固定基板と対向する面を見た図である。可動基板52は、厚みが例えば200μmの石英ガラス基材の一面をエッチングにより加工することで形成される。可動基板52の四隅のうち対角となる2つの隅部には切欠部526が形成されている。この切欠部526は、固定基板51の電極パッド563P,564Pと対応する位置に形成される。この可動基板52には、基板中央を中心とする円柱状の可動部522と、その周りに同心円状に可動部522を保持する連結保持部523と、が形成されている。連結保持部523は、固定基板51と対向する面とは反対の面に円環状の溝が形成され、可動部522の厚みより薄くなるように形成されている図3、図4参照。このように、可動基板52はダイヤフラム構造を持ち、可動部522が可動基板52の厚み方向に移動しやすいように構成されている。また、連結保持部523と一つの切欠部526との間には円形の凹部581が形成されている図2参照。この凹部581は連結保持部523と同様に、固定基板51と対向する面とは反対の面に形成される。この凹部581の底部は連結保持部523と同じ深さに形成され、可動基板52の厚みに対して薄い、薄肉部582が形成される。この薄肉部582は、可動基板52の厚み方向に対して可撓性を有している。薄肉部582は円形の凹部581により形成されるため、本実施形態では円形であるが、この形には限らず矩形、多角形等どのような形状であっても良い。薄肉部582の形状が円形であれば、薄肉部582を変形させたとき、境界面での応力が均等となり薄肉部582が変形し易い。また、薄肉部582の変形による応力の集中が起こらず薄肉部582の破損を防止することができる。この薄肉部582を形成する位置は、固定基板51と可動基板52とを接合するアライメント状態で平面を透視した場合、固定基板51の第1接続電極571の一部と重なる位置に形成される。このように、可動基板52の固定基板51に対向する面は基材の平面を利用し、エッチング加工された面を有していない。そして、可動基板52の中央部に第2反射膜55と、その第2反射膜55を取りまくように連結保持部523に形成された第2駆動電極562が設けられている。なお、この第2駆動電極562は可動部522に設けられていてもよい。第2反射膜55の材料としてAgまたはAg合金が用いられるが、AgC合金やTiO2などの誘電体膜の上にAgC合金やAg合金などを積層した構成でもよい。なお、第2反射膜55は約100nmの厚みに形成されている。第2駆動電極562は導電膜であり、第1駆動電極と同様に、例えばITO膜が用いられる。そして、可動基板52には、第2駆動電極562から薄肉部582を通過して切欠部526へ向かう、第2接続電極572が形成されている。第2接続電極572は金属膜で形成され、例えばCr/Au膜が用いられている。第2接続電極572はCr/Au膜の他に、Ag膜、Ag合金膜、Al膜などを用いても良い。そして、固定基板51における接合面515と対向する部分が、可動基板52の接合面となる。この接合面には、主材料としてポリオルガノシロキサンを用いた接合膜が設けられている。接合膜はCVDなどにより成膜されたプラズマ重合膜が採用される。なお、本実施形態では薄肉部を固定基板と対向する面とは反対の面に凹部を設けることで形成したが、固定基板と対向する面に凹部を設けて形成しても良い。さらに、凹部を両面から設けて薄肉部を形成しても良い。また、本実施形態では、可動基板に薄肉部を形成したが、固定基板に薄肉部を設けることも可能であり、さらに、両者の基板に薄肉部を形成しても良い。エタロンと電圧制御部との接続図1、図2に戻り、電圧制御部32は、制御装置4からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター56の第1駆動電極561および第2駆動電極562に印加する電圧を制御する。上述のエタロン5と電圧制御部32との接続では、2つの電極パッド563Pおよび電極パッド564Pに、それぞれ、電圧制御部32に接続された導線を接続する。ここで、エタロン5の可動基板52は、電極パッド563Pおよび電極パッド564Pに対向する位置が切り欠かれた切欠部526が形成されている。このため、電極パッド563P,564Pが露出しており、この電極パッド563P,564Pと外部配線との接続が容易である。<制御装置の構成>制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、および測色処理部43分析処理部などを備えて構成されている。光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御部32は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長を透過させるよう、静電アクチュエーター56への印加電圧を設定する。測色処理部43は、測色センサー制御部42を制御して、エタロン5の反射膜間のギャップ寸法を変動させて、エタロン5を透過する光の波長を変化させる。また、測色処理部43は、受光部31から入力される受光信号に基づいて、エタロン5を透過した光の光量を取得する。そして、測色処理部43は、上記により得られた各波長の光の受光量に基づいて、検査対象Aから反射された光の色度を算出する。<エタロンの製造方法>次に、上記エタロンの製造方法について説明する。エタロン5の製造は、固定基板51および可動基板52をそれぞれ製造し、両者を貼り合わせることで行なわれる。固定基板の製造工程図7、図8は固定基板の製造工程を説明する断面図である。この断面図は図2のB-B断線に沿う断面に相当する。図7aに示すように、固定基板51の表面にレジスト61を塗布し、エッチングする部分のレジストを除去する。ここでは、反射膜を形成する部分と、接合面図示せずのレジストを残すようにパターニングする。次に、図7bに示すように、レジスト61をマスクとして、所定時間のウェットエッチングを行ない、その後レジスト61を剥離する。このエッチングにより電極形成部511を形成し、レジスト61で覆われた部分にエッチング残部62が残る電極形成部形成工程。そして、固定基板51の表面に再度レジストを塗布し、エッチング残部62の部分のレジストを除去して所定時間のウェットエッチングを行なうことで、図7cに示すような、反射膜形成部512を形成する。続いて、固定基板51の表面にITO膜をスパッタリングなどで成膜してパターニングし、図8aに示すように、電極形成部511に第1駆動電極561、導通電極563、電極パッド563P、564Pを形成する。次に、固定基板51の表面に金属膜としてCr/Au膜をスパッタリングなどで成膜してパターニングし、図8bに示すように、電極パッド564Pに接続する第1接続電極571を形成する第1電極形成工程。そして、固定基板51の表面にAg合金膜をスパッタリングなどで成膜してパターニングし、図8cに示すように、第1反射膜54を反射膜形成部512に形成する第1反射膜形成工程。そして、図示しないが、接合面にプラズマ重合膜を成膜して接合膜を形成する。このように、上記工程を経て固定基板51が製造される。可動基板の製造工程図9、図10は可動基板の製造工程を説明する断面図である。この断面図は図2のB-B断線に沿う断面に相当する。図9aに示すように、可動基板52の表面にレジスト61を塗布し、エッチングする部分のレジストを除去する。ここでは、連結保持部523と薄肉部582を形成する部分のレジストを除去する。次に、レジスト61をマスクとして、所定時間のウェットエッチングを行ない、レジストを剥離する。このエッチングにより、図9bに示すように、連結保持部523と薄肉部582とを形成する薄肉部形成工程。そして、図9cに示すように、前工程でエッチングを施した面とは反対の面にITO膜63をスパッタリングなどで成膜する。続いて、図9dに示すように、ITO膜63をパターニングして第2駆動電極562を形成する。次に、図10aに示すように、可動基板52の表面に金属膜としてCr/Au膜65をスパッタリングなどで成膜する。そして、Cr/Au膜65をパターニングし、図10bに示すように、第2駆動電極562に接続する第2接続電極572を形成する第2電極形成工程。続いて、可動基板52の表面にAg合金膜をスパッタリングなどで成膜してパターニングし、図10cに示すように、第2反射膜55を形成する第2反射膜形成工程。そして、図示しないが、接合面にプラズマ重合膜を成膜して接合膜を形成する。このように、上記工程を経て可動基板52が製造される。固定基板と可動基板の接合工程および第1接続電極と第2接続電極の接続工程図11は固定基板と可動基板の接合工程および第1接続電極と第2接続電極の接続工程を説明する断面図である。図11aに示すように、固定基板51と可動基板52とを接合する。具体的には、固定基板51と可動基板52の接合面に形成された接合膜図示せず、図3参照にO2プラズマまたはUV処理、N2プラズマ活性処理などを行い、活性化エネルギーを表面に付与する。その後、2つの基板51,52のアライメントを行い重ね合わせ、荷重をかけることにより、固定基板51と可動基板52とを接合する接合工程。次に、図11bに示すように、固定基板51および可動基板52を加熱しながら、可動基板52の薄肉部582にニードルなどを用いて可動基板52から固定基板51の方向に外力を与える。この外力により薄肉部582が変形して第1接続電極571と第2接続電極572とが接触する。この状態で、一定時間の保持がなされると、電極材料のAu同士が金属間接合する接続工程。この第1接続電極571と第2接続電極572とが金属間接合された状態では、ニードルでの外力を取り去っても薄肉部582が元に戻ろうとする力は弱く、接合は維持される。このようにして、上記の工程を経てエタロン5が製造される。なお、加熱は各基板全体を加熱する必要は無く、接続する部分の加熱がなされれば良い。また、基板の加熱をせずに常温の状態での第1接続電極571と第2接続電極572とを接続する方法として、基板の接合前に不活性ガスなどのイオンビームにより電極接触部表面に活性化処理を施した後、上記と同様にニードルなどを用いて外力を加えて金属間接合を行なうこともできる。金属間接合を行なう場合、上記の加熱、表面活性化処理、に加えて接触部に超音波を加えてもよく、さらに、これらを組み合わせて金属間接合を行なうことも可能である。このように、接続電極間を金属間接合することにより、確実で信頼性の高い接続ができる。薄肉部582に外力を与える方法については、上記のニードルによる押圧に限定されず、公知の方法を採用できる。金属間接合において、本実施形態では接続電極の材料がAuとAuの接合を例にとって説明したが、AgとAg、Ag合金とAg合金、AlとAlの組み合わせであっても接合が可能である。特に、接続電極をAgとAgまたはAg合金とAg合金とした場合、この金属は第1反射膜、第2反射膜に利用することができるため、接続電極と反射膜を形成する工程を同じ工程とすることができ製造工程の効率化を図ることができる。また、薄肉部582の形成位置は連結保持部523より電極パッド564Pに近い位置が好ましい。これは、接続電極を接続した後の反力第1接続電極と第2接続電極との接続を引き剥がす力の影響が反射膜に及ばないようにする場合には有効な手段である。第1実施形態の作用効果以上、本実施形態によれば以下の効果を有する。本実施形態の光フィルターとしてのエタロン波長可変干渉フィルター5は、固定基板51の第1接続電極571と、可動基板52の薄肉部582に形成された第2接続電極572とが金属間接合により接続されている。可動基板52に形成された薄肉部582は変形し易いため、中間部材を用いず固定基板51と可動基板52との電気的接続が容易である。また、この構造により固定基板51側に可動基板52と電気的接続がなされる端子を配置することができ、固定基板51側で外部回路との接続が可能となる。また、薄肉部582は可動基板52の固定基板51と対向する面とは反対の面に凹部581を設けることで形成される。つまり、薄肉部582は固定基板51の第1接続電極571に近い位置に形成することができる。そして、薄肉部582が平面視で円形状であることから可動基板52の厚み方向に変形し易く、薄肉部582に形成された第2接続電極572と、固定基板51の第1接続電極571とを容易に接続できる。さらに、薄肉部582は固定基板51に近づく方向に変形された状態で、第1接続電極571と第2接続電極572とが接続されている。このため、第1接続電極571と第2接続電極572が接続される前の状態では、両者間に間隙があるため、第1接続電極571と第2接続電極572との接続に必要な電極の膜厚を設定でき、信頼性の高い接続が可能である。エタロン5の製造方法では、固定基板51と可動基板52を接合した後、薄肉部582に外力を加え、固定基板51の第1接続電極571と可動基板52の第2接続電極572とを接続する。このため、中間部材を用いず固定基板51と可動基板52との電気的接続が可能である。可動基板52に形成された薄肉部582は変形し易いため、接続が容易にできる。また、本実施形態では、固定基板51と可動基板52とを先に接合することで固定基板51と可動基板52との間の平行度を確保でき、反射膜間の平行度およびギャップ寸法を精度良く確保できる。そして、固定基板51と可動基板52と接合した後に第1接続電極571と第2接続電極572とを接続するため、接続電極の接続工程が基板接合の精度に影響を与えない。エタロン5の分光精度は反射膜間のギャップ寸法に依存しており、分光精度を確保できるエタロンの製造方法を提供できる。本実施形態の光フィルターモジュールとしての測色センサー3は、中間部材を用いず固定基板51と可動基板52との電気的接続が可能なエタロン5を備えている。このように、簡単な構造で固定基板51の第1接続電極571と可動基板52の第2接続電極572とを接続でき、測色センサー3の構造の簡素化に貢献できる。本実施形態の光分析装置としての測色装置1は、中間部材を用いず固定基板51と可動基板52との電気的接続が可能なエタロン5を備えている。このように、簡単な構造で固定基板51の第1接続電極571と可動基板52の第2接続電極572とを接続でき、測色装置1の構造の簡素化に貢献できる。第1実施形態におけるエタロンの変形例次に、第1実施形態で説明したエタロンの変形例について説明する。図12は第1実施形態におけるエタロンの変形例を示す断面図である。第1実施形態と同じ構成については同じ符号を付し説明を省略する。本変形例では第2駆動電極とそれに接続される第2接続電極とが同じ金属材料で形成され、第1接続電極とそれに接続される電極パッドとが同じ金属材料で形成されている点が、第1実施形態と異なる。エタロン6は、固定基板51と可動基板52とが接合されて構成されている。固定基板51には、第1接続電極571Aと電極パッド566Pとが設けられ、Cr/Au膜で連続して形成されている。また、円環状の第1駆動電極561Aと、第1駆動電極561Aから引き出される導通電極563A、および導通電極563Aに接続される電極パッド565Pとが設けられ、これらはCr/Au膜で連続して形成されている。可動基板52には、第2駆動電極562Aと、第2駆動電極562Aに接続される第2接続電極572Aが設けられ、Cr/Au膜で連続して形成されている。この第2接続電極572Aの一部は可動基板52に形成された薄肉部582に形成されている。そして、薄肉部582が変形して第2接続電極572Aと第1接続電極571Aとが金属間接合され、固定基板51と可動基板52との間の電気的接続を可能としている。このように、エタロン6において、反射膜を除き、導電体である電極を同じ金属材料を用いて連続して形成しても良く、製造工程を簡略することができる。また、このような構造であっても、第1実施形態にかかるエタロン5と同様の効果を得ることができる。第2実施形態次に、エタロンの他の実施形態について説明する。図13は第2実施形態におけるエタロンを示す断面図である。図14は固定基板の構成を示す平面図である。第2実施形態のエタロンは、第1接続電極の一部が第1基板の厚み方向に突出する突部に設けられている点において第1実施形態と異なる。構成要素としては固定基板の構成の一部が異なり、可動基板は第1実施形態と同じ構成である。このため、第1実施形態と同じ構成については同じ符号を付し、説明を省略する。図13に示すように、エタロン7は固定基板51と可動基板52とが接合されて構成されている。可動基板52の薄肉部582に対応する位置の固定基板51には、突部514が形成されている。突部514は可動基板52に向かい、固定基板51の厚み方向に突出している。そして、図14に示すように、突部514は直方体の形状で、先端部は平坦面を有している。この平坦面の電極形成部511からの高さは反射膜形成部512と同じ高さに形成されている。このような構成にすることで、突部514と電極形成部511とを同じ工程で形成することができる。そして、突部514の先端部の平坦面から側面を経て電極パッド564Pに接続される第1接続電極591が形成されている。第1接続電極591はCr/Au膜で形成される。固定基板51の突部514に対向する可動基板52の薄肉部582にはCr/Au膜で形成された第2接続電極592が形成され、薄肉部582が変形して第2接続電極592と第1接続電極591とが金属間接合される。このように、固定基板51と可動基板52との間の電気的接続を可能としている。上記のエタロン7では、固定基板51にその厚み方向に突出する突部514を設けることで、第1接続電極591と第2接続電極592の距離が短くなり、薄肉部582の変形量が小さくてすみ、第2接続電極592と第1接続電極591とを容易に接続できる。また、接続後の反力第1接続電極591と第2接続電極592との接続を引き剥がす力が小さく、エタロン7に応力がかからないという利点がある。変形例次に、第2実施形態で説明したエタロンの変形例について説明する。図15は第2実施形態におけるエタロンの変形例を示す断面図である。第2実施形態と同じ構成については同じ符号を付し説明を省略する。本変形例では第2駆動電極とそれに接続される第2接続電極とが同じ金属材料で形成され、第1接続電極とそれに接続される電極パッドとが同じ金属材料で形成されている点が、第2実施形態と異なる。エタロン8は、固定基板51と可動基板52とが接合されて構成されている。固定基板51の突部514には、第1接続電極591Aが形成され、それに接続する電極パッド566Pが設けられ、Cr/Au膜で連続して形成されている。また、円環状の第1駆動電極561Aと、第1駆動電極561Aから引き出される導通電極563A、および導通電極563Aに接続される電極パッド565Pとが設けられ、これらはCr/Au膜で連続して形成されている。可動基板52には、第2駆動電極562Aと、第2駆動電極562Aに接続される第2接続電極592Aが設けられ、Cr/Au膜で連続して形成されている。この第2接続電極592Aの一部は可動基板52に形成された薄肉部582に形成されている。そして、薄肉部582が変形して第2接続電極592Aと第1接続電極591Aとが金属間接合され、固定基板51と可動基板52との間の電気的接続を可能としている。このように、エタロン8において、反射膜を除き、導電体である電極を同じ金属材料を用いて連続して形成しても良く、製造工程を簡略することができる。また、このような構造であっても、第2実施形態のエタロンと同様の効果を得ることができる。第1実施形態では、光分析装置として測色装置1を例示したが、その他、様々な分野に光フィルター、光フィルターモジュール、光分析装置を用いることができる。例えば、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムとして用いることができる。このようなシステムとしては、例えば、光フィルターとしてエタロン波長可変干渉フィルターを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器などのガス検出装置を例示できる。第3実施形態以下、ガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。図16は、エタロンを備えたガス検出装置の一例を示す断面図である。図17は、ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。このガス検出装置100は、図16に示すように、センサーチップ110と、吸引口120A、吸引流路120B、排出流路120C、および排出口120Dを備えた流路120と、本体部130と、を備えて構成されている。本体部130は、流路120を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー131、排出手段133、筐体134、光学部135、フィルター136、エタロン波長可変干渉フィルター5、および受光素子137受光部等を含む検出部光フィルターモジュールと、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部138、電力を供給する電力供給部139等から構成されている。また、光学部135は、光を射出する光源135Aと、光源135Aから入射された光をセンサーチップ110側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子137側に透過するビームスプリッター135Bと、レンズ135C,135D,135Eと、により構成されている。また、図17に示すように、ガス検出装置100には、操作パネル140、表示部141、外部とのインターフェイスのための接続部142、電力供給部139が設けられている。電力供給部139が二次電池の場合には、充電のための接続部143を備えてもよい。さらに、ガス検出装置100の制御部138は、CPU等により構成された信号処理部144、光源135Aを制御するための光源ドライバー回路145、エタロン5を制御するための電圧制御部146、受光素子137からの信号を受信する受光回路147、センサーチップ110のコードを読み取り、センサーチップ110の有無を検出するセンサーチップ検出器148からの信号を受信するセンサーチップ検出回路149、および排出手段133を制御する排出ドライバー回路150などを備えている。次に、ガス検出装置100の動作について、以下に説明する。本体部130の上部のセンサー部カバー131の内部には、センサーチップ検出器148が設けられており、このセンサーチップ検出器148でセンサーチップ110の有無が検出される。信号処理部144は、センサーチップ検出器148からの検出信号を検出すると、センサーチップ110が装着された状態であると判断し、表示部141へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。そして、例えば利用者により操作パネル140が操作され、操作パネル140から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部144へ出力されると、まず、信号処理部144は、光源ドライバー回路145に光源作動の信号を出力して光源135Aを作動させる。光源135Aが駆動されると、光源135Aから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源135Aには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部144へ出力される。そして、信号処理部144は、光源135Aから入力された温度や光量に基づいて、光源135Aが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路150を制御して排出手段133を作動させる。これにより、検出すべき標的物質ガス分子を含んだ気体試料が、吸引口120Aから、吸引流路120B、センサーチップ110内、排出流路120C、排出口120Dへと誘導される。また、センサーチップ110は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ110では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、およびレイリー散乱光が発生する。これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部135を通ってフィルター136に入射し、フィルター136によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光がエタロン5に入射する。そして、信号処理部144は、電圧制御部146を制御し、エタロン5に印加する電圧を調整し、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光をエタロン5で分光させる。この後、分光した光が受光素子137で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路147を介して信号処理部144に出力される。信号処理部144は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ROMに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部144は、表示部141にその結果情報を表示させたり、接続部142から外部へ出力したりする。なお、図16,17において、ラマン散乱光をエタロン5により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置100を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光フィルターモジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の光分析装置とする。このような構成でも、本発明の光フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。第4実施形態次に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。図18は、エタロン5を利用した光分析装置の一例である食物分析装置の構成を示すブロック図である。この食物分析装置200は、検出器光フィルターモジュール210と、制御部220と、表示部230と、を備えている。検出器210は、光を射出する光源211と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ212と、撮像レンズ212から導入された光を分光するエタロン波長可変干渉フィルター5と、分光された光を検出する撮像部受光部213と、を備えている。また、制御部220は、光源211の点灯消灯制御、点灯時の明るさの制御を実施する光源制御部221と、エタロン5を制御する電圧制御部222と、撮像部213を制御し、撮像部213で撮像された分光画像を取得する検出制御部223と、信号処理部224と、記憶部225と、を備えている。この食物分析装置200は、装置を駆動させると、光源制御部221により光源211が制御されて、光源211から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ212を通ってエタロン5に入射する。エタロン5は電圧制御部222の制御により所望の波長を分光可能な電圧が印加されており、分光された光が、例えばCCDカメラ等により構成される撮像部213で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部225に蓄積される。また、信号処理部224は、電圧制御部222を制御してエタロン5に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。そして、信号処理部224は、記憶部225に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部225には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部224は、求めたスペクトルのデータを、記憶部225に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、およびその含有量を求める。また、得られた食物成分および含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。さらに、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、さらには、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。そして、信号処理部224は、得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部230に表示させる処理をする。また、図18において、食物分析装置200の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、自動車運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。さらには、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。さらには、本発明の光フィルター、光フィルターモジュール、光分析装置としては、以下のような装置に適用することができる。例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光フィルターモジュールに設けられたエタロンにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光フィルターモジュールを備えた光分析装置により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。第5実施形態また、他の光分析装置として、本発明のエタロン波長可変干渉フィルターにより光を分光して、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、エタロンを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。図19は、分光カメラの構成を示す斜視図である。分光カメラ300は、図19に示すように、カメラ本体310と、撮像レンズユニット320と、撮像部330とを備えている。カメラ本体310は、利用者により把持、操作される部分である。撮像レンズユニット320は、カメラ本体310に設けられ、入射した画像光を撮像部330に導光する。また、この撮像レンズユニット320は、対物レンズ321、結像レンズ322、およびこれらのレンズ間に設けられたエタロン5を備えて構成されている。撮像部330は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット320により導光された画像光を撮像する。このような分光カメラ300では、エタロン5により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。さらには、本発明のエタロンをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。また、本発明のエタロンを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。さらには、光フィルターモジュールおよび光分析装置を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、エタロンにより、物質から射出された赤外エネルギー赤外光を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。上記に示すように、本発明の光フィルター、光フィルターモジュール、および光分析装置は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明のエタロンは、上述のように、1つのデバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光フィルターモジュールや光分析装置の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用として好適に用いることができる。本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更することができる。そして、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有するものにより可能である。"