入射する露光光線が被転写体へ向けて透過する基板と、前記基板上に形成された、前記露光光線を遮光する遮光膜と、を備え、前記遮光膜には、格子状に配置される正nnは、3以上の整数角形の複数の開口部が形成されている、フォトマスク。前記開口部の最大径が、当該フォトマスクを用いて露光する露光装置の波長λ以上、その波長λを縮小倍率で割った値以下であることを特徴とする、請求項1に記載のフォトマスク。前記複数の開口部のうちの一の開口部と、前記一の開口部に隣接する他の開口部とは、それぞれ異なる回転角で配置されることを特徴とする、請求項1又は2に記載のフォトマスク。前記複数の開口部は、三角格子状に配置されることを特徴とする、請求項3に記載のフォトマスク。前記複数の開口部のうちの第1の開口部と、前記第1の開口部に隣接する6つ開口部とが、それぞれ異なる回転角で配置されることを特徴とする、請求項4に記載のフォトマスク。前記6つの開口部は、中心が正六角形のそれぞれの頂点に配置された第2乃至第7の開口部からなり、前記第1乃至第7の開口部のそれぞれの回転角は、所定の角度ピッチで、この順に増加することを特徴とする、請求項5に記載のフォトマスク。前記第2乃至第7の開口部は、右回り又は左回りに、この順で配置されることを特徴とする、請求項6に記載のフォトマスク。前記複数の開口部は、前記第1乃至第7の開口部からなる群がハニカム状に配置されることにより構成されることを特徴とする、請求項6又は7に記載のフォトマスク。露光光線を所定の透光率以上透光させる、形状が凸m角形mは3以上の整数の第1の透光部と、前記露光光線を前記透光率以上透光させる、前記第1の遮光部が配置された面と同一の面内で前記第1の遮光部に隣接し、形状が凸n角形nは3以上の整数の第2の透光部と、前記第1の透光部の外周および前記第2の透光部の外周に接し、前記露光光線を所定の遮光率以上遮光する遮光部と、を備え、前記第2の透光部に最も近い前記凸m角形の頂点を含む前記凸m角形の第1の辺と、第1の透光部に最も近い前記凸n角形の頂点を含む前記凸n角形の第2の辺と、が平行でない、又は、前記第1の辺と前記第2の辺が平行であるときは前記第1の辺および前記第2の辺は互いに対向しない部分を含み、mが3に等しい場合は前記凸m角形の最長の辺の長さを、mが4以上の場合は前記凸m角形の最も長い対角線の長さを第1の開口部径とし、nが3に等しい場合は前記凸n角形の最長の辺の長さを、nが4以上の場合は前記凸n角形の最も長い対角線の長さを第2の開口部径とするとき、前記第1の開口部径及び前記第2の開口部径の短い方の長さは、前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小露光装置の縮小倍率で割った長さ以下である、フォトマスク。露光光線を所定の透光率以上透光させる、形状が凸m角形mは3以上の整数の第1の透光部と、前記露光光線を前記透光率以上透光させる、前記第1の遮光部と、が配置された面と同一の面内で前記第1の遮光部に隣接し、形状が凸n角形nは3以上の整数の第2の透光部と、前記第1の透光部の外周および前記第2の透光部の外周に接し、前記露光光線を所定の遮光率以上遮光する遮光部と、を備え、前記第2の透光部に最も近い前記凸m角形の頂点を含む前記凸m角形の第1の辺と、第1の透光部に最も近い前記凸n角形の頂点を含む前記凸n角形の第2の辺とが平行でない、又は、前記第1の辺と前記第2の辺が平行であるときは前記第1の辺および前記第2の辺は互いに対向しない部分を含むフォトマスクに、mが3に等しい場合は前記凸m角形の最長の辺の長さを、mが4以上の場合は前記凸m角形の最も長い対角線の長さを第1の開口部径とし、nが3に等しい場合は前記凸n角形の最長の辺の長さを、nが4以上の場合は前記凸n角形の最も長い対角線の長さを第2の開口部径とするとき、前記第1の開口部径および前記第2の開口部径の短い方の長さに、前記露光光線を発生する縮小露光装置の縮小倍率を掛けた長さ以上の波長の前記露光光線を照射する、露光方法。ところが、発明者らは、半導体光デバイスにおける微細構造の作製においては、以下のような課題が有ることを見出した。上述のように、微細なフォトリソグラフィには、理論的な解像の限界、プロセス歩留まりの低下及びコスト上昇といった課題がある。特に、光通信や光情報処理用に適用する半導体光デバイス分野では、使用するウエハ及び作製プロセスがCMOSとは異なっている。そのため、半導体光デバイス分野では、先端CMOSプロセスに導入されている最先端の作製装置を用いて素子を作製することができない。よって、半導体光デバイスの作製には、一般に、先端CMOSプロセスと比べて、技術的に古い作製装置及び作製プロセスが適用される。また、フォトリソグラフィにおける素子の最小寸法は、露光装置の解像限界により決定される。ところが、光通信や光情報処理用に適用するフォトニック結晶構造は、0.1~0.4μm程度の微細な空孔の周期構造である。このような微細構造パターンを得るためには、例えば、露光波長がパターン寸法と同程度又はパターン寸法よりも短い、高価な露光装置が必要である。このような高価な装置としては、例えば、先端CMOSプロセスで用いられる、KrFKryptonFluoridelaser:KrFやArFArgonFluoridelaser:ArFなどの光源を用いる露光装置が挙げられる。さらに、近接効果補正や位相シフトなどの超解像技術を適用したフォトマスクが必要である。しかしながら、光近接効果補正を適用すれば、フォトマスクの複雑さが増大し、プロセスのコストが上昇してしまうという欠点が有る。また、特許文献1に記載のマスクの場合も、微細なフォトニック結晶を有するフォトマスクを作製すること自体が高コストである。つまり、従来の位相シフトマスクや光近接効果補正などの超解像技術を適用するには、高価なフォトマスクを作製しなければいけない。さらに、特許文献2に記載の位相マスクの場合も、位相マスクが高価である。加えて、特許文献2に記載の位相マスクは、光の干渉を利用するため、露光波長に依存した一定周期の構造しか作製できないという課題がある。従って、上述のような高価な装置やフォトマスクを用いた半導体光素子の作製は、現状の半導体光素子の販売価格から考えると、現実的ではない。一方、光によるリソグラフィ以外にも、EBリソグラフィを用いた半導体光素子の作製が考えられる。電子線の波長はpmオーダーであり、光の波長の1/100000程度である。よって、高価なフォトマスクを用いることなく、0.1~0.4μm程度の微細な空孔の周期構造パターンが、十分に解像可能である。しかし、EBリソグラフィは、電子銃から発生した電子ビームにより露光パターンを直接描画するため、スループットが低いことが課題となっている。現状、EBリソグラフィのスループットは、200mmウエハで3~10枚毎時程度であり、フォトリソグラフィで用いられる縮小投影露光装置のスループットの1/20~1/100に過ぎない。つまり、現状では、微細な半導体光デバイスの量産に適用可能な低コストかつ高スループットな作製方法は確立されていない。本発明は、上記の事情に鑑みて為されたものであり、露光光線の波長以下の大きさの露光パターンを、低コストかつ高スループットに得ることができるフォトマスク及び露光方法を提供することを目的とする。本発明の一態様であるフォトマスクは、入射する露光光線が被転写体へ向けて透過する基板と、前記基板上に形成された、前記露光光線を遮光する遮光膜と、を備え、前記遮光膜には、格子状に配置される正nnは、3以上の整数角形の複数の開口部が形成されているものである。本発明の一態様であるフォトマスクは、露光光線を所定の透光率以上透光させる、形状が凸m角形mは3以上の整数の第1の透光部と、前記露光光線を前記透光率以上透光させる、前記第1の遮光部が配置された面と同一の面内で前記第1の遮光部に隣接し、形状が凸n角形nは3以上の整数の第2の透光部と、前記第1の透光部の外周および前記第2の透光部の外周に接し、前記露光光線を所定の遮光率以上遮光する遮光部と、を備え、前記第2の透光部に最も近い前記凸m角形の頂点を含む前記凸m角形の第1の辺と、第1の透光部に最も近い前記凸n角形の頂点を含む前記凸n角形の第2の辺と、が平行でない、又は、前記第1の辺と前記第2の辺が平行であるときは前記第1の辺および前記第2の辺は互いに対向しない部分を含み、mが3に等しい場合は前記凸m角形の最長の辺の長さを、mが4以上の場合は前記凸m角形の最も長い対角線の長さを第1の開口部径とし、nが3に等しい場合は前記凸n角形の最長の辺の長さを、nが4以上の場合は前記凸n角形の最も長い対角線の長さを第2の開口部径とするとき、前記第1の開口部径及び前記第2の開口部径の短い方の長さは、前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小露光装置の縮小倍率で割った長さ以下であるものである。本発明の一態様である露光方法は、露光光線を所定の透光率以上透光させる、形状が凸m角形mは3以上の整数の第1の透光部と、前記露光光線を前記透光率以上透光させる、前記第1の遮光部と、が配置された面と同一の面内で前記第1の遮光部に隣接し、形状が凸n角形nは3以上の整数の第2の透光部と、前記第1の透光部の外周および前記第2の透光部の外周に接し、前記露光光線を所定の遮光率以上遮光する遮光部と、を備え、前記第2の透光部に最も近い前記凸m角形の頂点を含む前記凸m角形の第1の辺と、第1の透光部に最も近い前記凸n角形の頂点を含む前記凸n角形の第2の辺とが平行でない、又は、前記第1の辺と前記第2の辺が平行であるときは前記第1の辺および前記第2の辺は互いに対向しない部分を含むフォトマスクに、mが3に等しい場合は前記凸m角形の最長の辺の長さを、mが4以上の場合は前記凸m角形の最も長い対角線の長さを第1の開口部径とし、nが3に等しい場合は前記凸n角形の最長の辺の長さを、nが4以上の場合は前記凸n角形の最も長い対角線の長さを第2の開口部径とするとき、前記第1の開口部径および前記第2の開口部径の短い方の長さに、前記露光光線を発生する縮小露光装置の縮小倍率を掛けた長さ以上の波長の前記露光光線を照射するものである。本発明によれば、露光光線の波長以下の大きさの露光パターンを、低コストかつ高スループットに得ることができるフォトマスク及び露光方法を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。まず、本発明を理解するための準備として、フォトマスクを用いた露光プロセスの概要について説明する。図1は、フォトマスクを用いた露光プロセスの概要を説明するための一般的な半導体露光装置600の要部断面図である。一般的な半導体露光装置としては、ステッパやスキャナなどの縮小投影露光装置が広く用いられる。縮小投影露光装置は、フォトマスクに描画されたパターンを被転写体に縮小投影することにより、露光パターンを形成する。半導体基板1は、半導体露光装置内のステージ不図示上に保持される。例えば、半導体基板1は、Si、SiGe、InP又はGaAsなどの材料からなる。図1に示すように、半導体基板1上には、誘電体膜2が成膜されている。誘電体膜2上には、フォトレジスト膜3が形成されている。フォトレジスト膜3は、例えば、スピン塗付により形成される。但し、フォトレジスト膜3の形成方法については、スピン塗付に限定されない。フォトレジスト膜3の上方には、例えばマスクホルダー不図示により、フォトマスク10が固定される。フォトマスク10は、透過性基板4上に遮光膜5が形成されている。透過性基板4は、露光光線6を透過させる基板であり、一般に、ガラスや合成石英により構成される。遮光膜5は、露光光線6を遮光する膜であり、一般に、クロムにより構成される。つまり、露光光線6は、遮光膜5が形成されていない部分である開口部7を透過して、フォトレジスト膜3に到達する。また、露光光線6は、遮光膜5が形成されている部分である遮光部8によって遮られる。従って、露光光線6は、遮光部8の下方のフォトレジスト膜3には到達しない。これにより、フォトレジスト膜3には、開口部7を透過した露光光線6が明暗パターンとして照射される。これにより、現像後のフォトレジスト膜3には、フォトマスク10に対応した露光パターンが形成される。なお、開口部7は、厳密には露光光線6のすべてを透過させる必要はなく、フォトレジスト膜3が露光される以上の量の露光光線を透過させればよい。すなわち、フォトレジスト膜3が露光される光の量を感光しきい値Ith、露光光線6の量に対する透過光の量の比を透過率と定義すると、開口部7の透過率は、Ithを露光光線6の量で割った値以上であればよい。また、遮光部5も、厳密には露光光線6のすべてを遮光する必要はなく、感光しきい値Ithよりも少ない量の露光光線であれば透過させてもよい。すなわち、露光光線6の量に対する、遮光光される露光光線の量の比を遮光率と定義すると、開口部7の遮光率は、Ithを露光光線6の量で割った値よりも小さい値であればよい。なお、図1は半導体露光装置の模式図である。従って、図1に示す半導体露光装置600は、実際の半導体露光装置とは異なる寸法比率で示されている。また、図面の簡略化のため、図1では、露光光線6が通過するコンデンサレンズや投影レンズなどが省略されている。比較例1続いて、本発明の実施の形態にかかるフォトマスクの技術的効果を理解するための準備として、比較例1にかかるフォトマスク400について説明する。図2は、フォトマスク400の要部を拡大した上面図である。フォトマスク400は、図2に示すように、円形の開口部41が三角形の格子状に形成されている。遮光部42は、開口部41の間を覆っている。なお、開口部41は図1に示す開口部7に対応し、遮光部42は図1に示す遮光部8に対応する。フォトマスク400の断面構成については、一般的なフォトマスク10と同様であるので、説明を省略する。フォトマスク400では、格子状配置の一例として、開口部41が三角格子状に配置されている。これにより、開口部41は、代表的なフォトニック結晶構造パターンを構成している。以下、開口部41の直径をd4とし、開口部41間の周期をa4とする。以後、断りがない限り、上面図におけるフォトマスクにかかる寸法表示は、フォトマスク上における実寸法を示す。なお、被転写体図1の半導体基板1上のフォトレジスト膜3にかかる寸法表示は、フォトマスクにおける寸法に半導体露光装置の縮小投影倍率を乗算した値を示す。フォトマスク400において、開口部41の開口サイズ直径d4を露光光線の波長λの近傍まで小さくすると、露光光線の回折効果が大きくなる。ここで、フォトマスク400から被転写体例えば、図1のフォトレジスト膜3までの実効的な焦点距離をRとする。また、被転写体上における、露光光線の光軸からの距離をrとする。この場合、1つの円形の開口部41を透過した露光光線が被転写体上に作る光強度分布Irは、以下の式1及び2で表される。なお、式1において、J1は第1種1次Bessel関数を示す。式1で表される光強度分布Irは、一般にエアリーディスクと呼ばれ、同心円上に光強度分布が広がる。この広がりの尺度を示す、光強度の最初の零点の光軸からの距離r0は、以下の式3で表される。式3より、開口部41の直径d4が、露光光線の波長λに対して十分大きくない場合には、被転写体上における光強度分布Irの開口径開口部41の直径d4に対する広がりが顕著になる。図3は、図2のIII-III断面における、開口部を透過した露光光線のレジスト上での光強度分布を示す図である。この計算においては、露光光線の波長λを365nm水銀ランプのi線の露光波長、縮小投影露光装置の縮小倍率を1/5、とし、直径d4を1.0、1.25、1.5μmと変化させた。式3に示すように、開口部の直径が小さくなると、被転写体上の光が広がることがわかる。以下、特に断りが無い限り、上記の条件と同じ露光光線の波長及び縮小倍率を用いて、計算結果を示すこととする。実際の被転写体上の光強度分布は、複数の開口部41を透過した露光光線の重ね合わせである。よって、実際の被転写体上での光強度分布Itotalは、以下の式4及び5で表される。ここで、被転写体上における露光光線の光強度分布の計算結果を示す。図4は、図2のIV-IV断面における、開口部を透過した露光光線のレジスト上での光強度分布図である。すなわち、図4は、3つの開口部を透過した露光光線の重ね合わせによる、レジスト上での光強度分布を示している。この計算においては、直径d4を1.2μmで一定とし、三角格子の周期a4を、2.0、2.5、3.0、3.5μmと変化させた。図4に示すように、周期a4が小さくなるほど、すなわち隣接する開口部間の距離が小さくなるほど、干渉の影響で開口部と遮蔽部での光強度のコントラスト差が小さくなり、解像しなくなっていくことがわかる。次に、図5は、フォトマスク400を用いた場合の被転写体上の2次元的な光強度分布の計算結果を示す図である。なお、この計算においては、三角格子の周期a4を2.1μmとした。この条件において、開口部41の直径d4が1.2μm及び1.4μmの場合について、光強度分布を計算した。図5において、白い部分は光強度が強いことを示し、黒い部分は光強度が弱いことを示す。また、白線で示した等光強度線は、フォトレジスト膜の感光しきい値Ithを示す。すなわち、感光しきい値Ithよりも光強度が強い領域図5の白線の内部のフォトレジスト膜が感光し、露光パターンが形成される。開口部41の直径d4が小さい場合d4=1.2μmでは、光の回折が顕著になり、隣り合う開口部41間で干渉が起きる。この場合、正三角形の頂点に配置された開口部41は、それぞれ式1で示される同心円状のエアリーディスクを形成する。そのため、被転写体上において、正三角形の頂点に配置された3つの開口部41のそれぞれから等距離の点では、露光光線の回折光が同位相で重ね合わされる。また、被転写体上において、2つの開口部41から等距離の点についても、2つの開口部41からの回折光が、同位相で重ねあわされる。これにより、開口部41間の被転写体上では、光強度が強い領域及び光強度が弱い領域が周期的に形成され、コントラストの低下を招いてしまう。その結果、図4及び5に示すように、光強度のコントラスト低下により、円形の露光パターンが解像できない。一方、開口部41の直径d4が大きい場合d4=1.4μmでは、光の回折が小さくなり、隣り合う開口部41間での干渉が抑制される。その結果、図5に示すように、円形の露光パターンを解像できる。しかしながら、開口部41の直径d4を大きくしてしまうと、露光パターンも大きくなってしまう。そのため、フォトニック結晶作製に要する微細な露光パターンを形成することができなくなってしまう。実施の形態1次に、本発明の実施の形態1にかかるフォトマスク100について説明する。上述のフォトマスク400での現象を回避してフォトニック結晶構造を得るためには、開口部を透過した後の露光光線の回折効果による広がりを低減する必要がある。そのため、本実施の形態にかかるフォトマスク100では、開口部の形状が、円形ではなく、正多角形となっている。以下、本実施の形態にかかるフォトマスク100の構成について、具体的に説明する。図6は、実施の形態1にかかるフォトマスク100の要部を拡大した上面図である。フォトマスク100は、図6に示すように、正方形の開口部11が格子状に形成されている。遮光部12は、開口部11の間を覆っている。図6では、格子状配置の一例として、開口部11が三角格子状に配置されている。これにより、開口部11は、代表的なフォトニック結晶構造パターンを構成している。以下、開口部11の対角線の長さをd1とし、開口部11間の周期をa1とする。その他の構成は、比較例1にかかるフォトマスク400と同様であるので、説明を省略する。図7は、実施の形態1にかかるフォトマスク100の要部を更に拡大した上面図である。図7では、隣接する開口部を識別するため、隣接する開口部にそれぞれ111、112及び113の符号を付している。また、図7では、フォトマスク100上における位置を示すため、符号A~Rを付している。符号A~Dは、それぞれ開口部111の頂点を示す。符号E~Hは、それぞれ開口部112の頂点を示す。符号K~Nは、それぞれ開口部113の頂点を示す。符号I、J、O~Rは、それぞれ線分の端点を示す。さらに、図7では、符号を明瞭に表示するため、遮光部12のハッチングを省略している。図7に示すように、開口部111~113の形状は正方形である。そのため、同一の列図7の縦方向の列においては、隣接する2つの開口部の端、すなわち、開口部111の辺AD及びと開口部112の辺FGから等距離となる被転写体上の線分IJ上で、露光光線の光波が同位相で重ねあわされる。これにより、被転写体上の線分IJ上では、光強度分布が強くなる。しかし、異なる列間における被転写体上の点においては、隣接する開口部113の辺NM及び開口部111の辺ABから等距離となり、露光光線の光波が同位相で重ねあわされる線分の長さが、辺ABおよび辺NMの長さより短くなる。図7の線分OPは、辺ABおよび辺NMからの距離が等しい線分である。このとき、辺ABと辺NMから等距離となり、かつ露光光線の光波が同位相で重ねあわされる線OPの部分は、線分QRのみである。その他の線分OQおよび線分RP上の点については、辺ABと辺NMからの距離が等しいものの、露光光線の光波が同位相で重ねあわされる、すなわち、辺AB及び辺NM上と対向する区間が存在しない。そのため、重ねあわされる露光光線の光波の位相の同一性が緩和される。従って、隣接する異なる列の開口部11の間における被転写体上の点では、露光光線の光波の干渉の影響を抑制することができる。以上のように、開口部111~113の各辺は、隣接する開口部の辺と平行であるが、一部の辺は隣接する開口部の辺と完全には対向していない。その結果、隣接する開口部の辺がすべて平行かつ対向している場合と比較して、干渉の影響は少ない。従って、開口部の形状が円形である場合と比べて、干渉の影響を抑制することができる。なお、以上の説明から明らかなように、図6の開口部11の各辺が、隣接する開口部の辺と完全に対向していなくてもよい。さらには、開口部11の各辺は、隣接する開口部のすべての辺と平行でなくてもよい。要するに、開口部11の各辺と、隣接する開口部の各辺が対向する部分の長さ、あるいは平行である部分の長さが短いほど、干渉の影響は抑制される。従って、フォトマスク100によれば、被転写体上におけるコントラスト低下を防止し、露光光線の波長よりも小さな直径を有するスポット状の露光パターンを得ることが可能となる。すなわち、フォトマスク100によれば、露光光線の波長よりも小さな直径を有するスポットパターンにより構成された、フォトニック結晶構造パターンを得ることができる。フォトマスク100では、被転写体上における、隣接する開口部間の回折光による影響を低減することができる。換言すれば、開口透過による回折効果が現れる条件下で、隣接する開口部間の回折効果を利用して、露光光線の波長λ以下の寸法を有する露光パターンが得られる。従って、回折の効果が現れるためには、開口部11の対角線の長さd1が、露光光線の波長λを縮小投影露光装置の縮小倍率M0<M<1で割った値以下であることが必要である。一方、開口部11の対角線の長さd1を小さくし過ぎると、回折効果が顕著になり過ぎるとともに、露光光線の照度低下を招いてしまい、露光パターンが得られなくなる。対角線の長さd1が露光光線の波長以下となると、露光光線の伝搬する成分は透過できなくなる。そのため、開口部11の対角線の長さd1が、露光光線の波長λ以上であることが必要である。以上より、本実施の形態において、本発明の効果が得られる対角線の長さd1の条件は、以下の式6で表される。また、式6を書き換えると、波長λは、以下の式7で表される。すなわち、本実施の形態では、波長に下限がないのではなく、開口部11の対角線の長さd1に縮小倍率Mを掛けた長さの波長の露光光線を使用することが可能である。また、本実施の形態では、開口部の形状を正方形としているが、開口部の形状はこれに限定されない。すなわち、開口部の形状は、正方形を含む任意の正nnは、3以上の整数角形すなわち、正多角形とすることができる。その一例として、正六角形の場合について示す。図8は、開口部が正六角形の場合の被転写体上の2次元的な光強度分布の計算結果を示す図である。この計算においては、三角格子の周期aは2.1μm、開口部の対角線の長さdは1.2μmであり、円形の場合の計算例である図5左図と同じ条件を用いた。すなわち、円形の場合は開口部の直径が1.2μmのときに干渉によってパターンが形成されなかったのに対し、開口部の形状を正六角形とすることで、干渉の影響が抑制され、パターンが形成されることがわかる。以下では、正n角形の最も長い対角線の長さを、開口部の最大径と定義する。フォトマスク100では、開口部11の対角線の長さd1が、開口部の最大径に相当する。また、本実施の形態にかかるフォトマスクは、通常のフォトマスク作製方法により、開口部及び遮光部のパターン配置を変更するのみで作製が可能である。つまり、位相シフトマスクなどの高価なマスクや、電子線照射装置、先端プロセスに適用される露光装置などの高価な装置を要することなく、フォトニック結晶を作製することができる。従って、安価かつ技術的に簡易なプロセスにより、フォトニック結晶を作製することが可能となる。さらに、本実施の形態にかかるフォトマスクは、開口部の形状が正方形を含む正n角形であるので、開口部が円形で有る場合に比べ、より作製が容易である。一般に、フォトマスク上のパターンは、電子線描画装置やレーザ描画装置などを用いて描画される。よって、パターン形状が正n角形などの直線の多い形状の場合、描画グリッドを大きくすることができる。これにより、本実施の形態にかかるフォトマスクは、より短時間かつ低コストに作製することができる。実施の形態2次に、本発明の実施の形態2について、具体的な構成例を示して説明する。図9は、実施の形態2にかかるフォトマスク200の要部を拡大した上面図である。フォトマスク200は、実施の形態1にかかるフォトマスク100と比べ、開口部の形状及び配置が異なる。フォトマスク200は、正多角形の一つである正六角形の開口部21を有する。遮光部22は、開口部21の間を覆っている、以下、開口部21の最も長い対角線の長さをd2とし、開口部21間の周期をa2とする。フォトマスク200のその他の構成は、フォトマスク100と同様であるので、説明を省略する。フォトマスク200では、1つの開口部21と、1つの開口部21に隣接する、中心が正六角形の頂点上に配置された開口部21とが、互いに異なる回転角を有する。図9では、開口部21_0~21_6が、それぞれ異なる回転角を有している。フォトマスク300は、開口部21_0~21_6に相当する、それぞれ回転角が異なる7つの開口部からなる群が、ハニカム状に配置されている。図9では、基準となる回転角をΔθとすると、開口部21_mmは、0以上6以下の整数の回転角θmは、以下の式8により表される。フォトマスク200では、隣接する開口部の回転角はそれぞれ異なる。そのため、m×Δθの回転角を有する開口部は、mがいかなる整数の場合でも、開口部を平行移動させても互いに重ならないようにする必要がある。正nnは3以上の整数角形は、360°/nの回転対称性を有するため、回転角の異なる開口部が互いに重ならない条件は、以下の式9で表される。なお、図9では、基準となる回転角Δθを5°とした。また、中心の開口部21_0に対して、周囲の開口部21の回転角が反時計回り増加する例を掲載した。ただし、図9の構成はあくまで例示であって、整数mの選び方はこれに限定されない。また、開口部21の回転角は時計回りに増加してもよいし、開口部21_0~21_6は、正六角形の中心及び頂点の上にランダムに配置されてもよい。フォトマスク200によれば、フォトマスク100と比べて、同一の列図9の縦方向の列の隣接する2つの開口部21の間の被転写体上においても、開口部の端からの距離が異なる。従って、同一の列図9の縦方向の列の隣接する2つの開口部21の間における、露光光線の光波の干渉の影響を抑制することができる。また、隣接する異なる列の開口部21の間においても、それぞれの開口部21の端からの距離がランダムになり、被転写体上において重ねあわされる露光光線の光波の位相の同一性がより緩和される。従って、隣接する異なる列の開口部21の間における、露光光線の光波の干渉の影響をさらに抑制することができる。その結果、フォトマスク200によれば、フォトマスク100と同じ作用及び効果を奏するのみならず、被転写体上におけるコントラスト低下を更に防止し、露光光線の波長よりも小さな直径を有するスポット像を、より容易に得ることが可能となる。すなわち、フォトマスク200によれば、露光光線の波長よりも小さな直径を有するスポットにより構成されたフォトニック結晶構造パターンを、より容易に得ることができる。比較例2次に、後述する本発明の実施の形態3にかかるフォトマスクの技術的効果を理解するための準備として、比較例2にかかるフォトマスクについて説明する。図10は、比較例2にかかるフォトマスク500の要部を拡大した上面図である。フォトマスク500は、図10に示すように、円形の開口部51が格子状に形成されている。開口部51内には、開口部51と同心円の形状相似形状を有する遮光板53形成されている。遮光部52は、開口部51の間を覆っている。これにより、開口部51と遮光板53とは、輪帯形状の帯状開口部54を構成する。つまり、露光光線は、帯状開口部54を通じて、被転写体に到達する。なお、遮光板53は、例えば遮光部52と同じ材料で形成される。以下、開口部51の直径をd51、遮光板の直径をd53、開口部51間の周期をa5とする。フォトマスク500のその他の構成は、比較例1にかかるフォトマスク400と同様であるので、説明を省略する。比較例2にかかるフォトマスク500の開口部の形状を円形としているが、開口部の形状はこれに限定されない。すなわち、開口部の形状は、真円形ではなく、楕円形であってもよい。また、開口部の形状は、任意の正nnは、3以上の整数角形とすることができる。フォトマスク500では、遮光板53の大きさにより、帯状開口部54の大きさが変化する。ここで、遮光板53による遮光率tを定義する。遮光率tは、開口部51の面積と遮光板53の面積との比により、下記の式10で表される。このときの被転写体上の光強度分布Irは、第1種1次Bessel関数J1を用いて、以下の式11及び12で表される。ここで、フォトマスク500を用いた場合の、被転写体上での露光光線の光強度分布の計算結果を示す。なお、この計算においては、露光光線の波長λを365nm水銀ランプのi線の露光波長、縮小投影露光装置の縮小倍率を1/5、三角格子の周期a5を2.1μm、開口部51の直径d51を1.4μmとして光強度分布を計算した。図11は、フォトマスク500を用いた場合の単一の開口部が作る光強度分布の遮光率t依存性を示す光強度分布図である。図11では、遮光率tが0、0.25、0.5及び0.75の場合を示している。図11において、白い部分は光強度が強いことを示し、黒い部分は光強度が弱いことを示す。また、白線で示した等光強度線は、フォトレジスト膜の感光しきい値Ithを示す。すなわち、感光しきい値Ithよりも光強度が強い領域図11の白線の内側部分のフォトレジスト膜が感光することにより、露光パターンが形成される。フォトマスク500を用いた場合、図11に示すように、開口部51が遮光されていない場合遮光率t=0、すなわち開口部51が単純な円形開口である場合では、フォトレジスト膜が感光する円形領域の直径が最大となる。一方、遮光率tの値が大きくなるに従って、フォトレジスト膜が感光する円形領域の直径が小さくなる。つまり、遮光率を大きくする、すなわち、遮光板を大きくすることによって、開口部51の直径が同じであっても、実効的にフォトレジスト膜が感光する円形領域の直径を小さくすることができる。よって、フォトマスク500によれば、開口部内に相似形状の遮光板を設けることで、単一の開口部により形成される露光パターンのサイズを縮小することが可能となる。また、露光に用いる縮小投影露光装置の縮小倍率を1/5倍とすると、開口部51の直径1.4μmは、フォトレジスト膜3上では380nmに対応する。つまり、遮光板が無い場合には、直径が380nm以下の露光パターンを形成することはできない。しかし、上述のように、フォトマスク500によれば、遮光板により露光パターンのサイズを縮小できるので、露光波長365nm以下の直径を有する露光パターンを得ることが可能となる。これにより、フォトマスク500によれば、露光波長以下の大きさを有する露光パターンを得ることが可能となる。実施の形態3次に、本発明の実施の形態3にかかるフォトマスクについて説明する。図12は、実施の形態3にかかるフォトマスク300の要部を拡大した上面図である。フォトマスク300は、正六角形の開口部31の内部に、開口部31と同心かつ相似形正六角形の遮光板33が形成される。遮光部32は、開口部31の間を覆っている、以下、開口部31の最も長い対角線の長さをd31、遮光板33の最も長い対角線の長さをd33、開口部31間の周期をa3とする。これにより、開口部31と遮光板33とは、輪帯形状の帯状開口部34を構成する。つまり、露光光線は、帯状開口部34を通じて、被転写体に到達する。フォトマスク300のその他の構成は、実施の形態2にかかるフォトマスク200と同様であるので、説明を省略する。フォトマスク300は、開口部31の内部に遮光板33を有する。よって、フォトマスク300は、フォトマスク200と同じ作用及び効果を奏するのみならず、単一の開口部により形成される露光パターンのサイズを縮小することが可能となる。従って、フォトマスク300によれば、露光光線の波長よりも小さなサイズの露光パターンを、より容易に得ることが可能となる。すなわち、フォトマスク300によれば、露光光線の波長よりも小さな直径を有するスポットパターンにより構成されたフォトニック結晶構造パターンを、より容易に得ることができる。ちなみに、本実施の形態において、被転写体上における露光光線の照度を大きくしたい場合には、図11に示すように、遮光率tを、0.25以上0.50以下の範囲とすればよい。また、被転写体上においてフォトレジスト膜が感光する領域をなるべく狭めたい場合には、図11に示すように、遮光率tを、0.50以上0.75以下の範囲とすればよい。その他の実施の形態なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述の実施の形態では、周期的なフォトニック結晶構造を形成するためのパターンを示したが、例示であって本発明のフォトマスクで形成するパターンはこれに限定されない。例えば、一般的な電子回路に加え、イメージセンサや液晶パネルなど大面積を低コストかつ高スループットにパターンニングする際に有効である。上述の実施の形態におけるフォトマスクの断面構成及び材料はあくまで例示であって、フォトマスクの構成及び材料はこれに限定されない。上述の実施の形態における露光光線の波長を365nmとしたが、あくまで例示である。すなわち、水銀ランプのg線又はh線又はエキシマレーザ例えば、ArF、KrF又はF2によるレーザ光などの、他の波長の露光光線を用いることができる。また縮小倍率を1/5としたが、あくまで例示であって、他の縮小倍率も適用可能である。一般に、縮小倍率が低い方が、解像度が高くなる。上述の実施の形態では、開口部の配置の例として、三角格子について説明したが、四角格子などの他の格子配置を適用することも可能である。以上の説明から明らかなように、本発明の開口部は、隣接する開口部の辺同士の配置が所定の条件を満たせばよく、開口部の形状自体は特に限定されない。すなわち、開口部の形状は、正n角形にも限定されず、辺の長さが異なる多角形であってもよい。ただし、多角形は凸多角形であることが望ましい。一般の凸多角形の場合は、最も長い対角線の長さを開口部の最大径とすればよい。そして、開口部の辺の配置に関しては、隣接する開口部の辺同士が平行でなければよい。あるいは、隣接する開口部の辺同士が平行であっても、一方の辺の一部でも相手の辺に対向していなければよい。本発明では、辺が対向するとは、ある辺の上の点から、相手側の辺に垂線を下ろすことができることを意味する。従って、一方の辺の一部が相手の辺に対向していないとは、ある辺に、相手側の辺に垂線を下ろすことができない点が含まれることを意味する。上記の条件を満たす、隣接する典型的な開口部の例を示す。図13及び14は、隣接する典型的な開口部の例を示す図である。図13の符号A~Eは、それぞれ開口部61の頂点を示し、符号F~Hは、それぞれ開口部62の頂点を示す。図14の符号A~Eは、それぞれ開口部71の頂点を示し、符号F~Iは、それぞれ開口部72の頂点を示す。また、図4の符号Jは辺ED上において頂点Jに対向する点を示し、符号Kは辺FG上において頂点Eに対向する点を示す。なお、図7、13及び14では、符号としてアルファベットを用いているが、図7、13及び14の同一のアルファベットは、それぞれ異なる点を示していることは言うまでもない。例えば、図13に示すように、隣接する開口部61及び62については、開口部61の辺DEと開口部62の辺GFとが平行でなければよい。あるいは、図14に示すように、隣接する開口部71及び72について、開口部71の辺DEと開口部72の辺GFとが平行であっても、辺DEまたは辺GFの全体が他方に対向していない、すなわち、辺DEと辺GFとが対向する部分が一部であればよい。図14に示す例では、辺DEについては線分DJが辺GFに対向しておらず、辺GFについては線分KFが辺DEに対向していない。隣接する開口部の辺が、上記のような位置関係で配置されていれば、大小の差はあるものの、本発明の効果を得ることができる。なお、前述のように、本発明の効果を得るためには、開口部の対角線の長さが、露光光線の波長λを縮小投影露光装置の縮小倍率Mで割った値以下であることが必要である。開口部の形状が一般の凸多角形の場合は、最も長い対角線の長さが、露光光線の波長λを縮小投影露光装置の縮小倍率Mで割った値以下であることが必要である。さらに、開口部の形状が異なる形状の凸多角形である場合は、まず各凸多角形について最も長い対角線最長対角線の長さを求める。そして、各多角形の最長対角線の長さを比較したときに最も短い最長対角線の長さが、露光光線の波長λを縮小投影露光装置の縮小倍率Mで割った値以下であることが必要である。なお、開口部の形状が三角形の場合は、最も長い辺の長さが、露光光線の波長λを縮小投影露光装置の縮小倍率Mで割った値以下であることが必要である。上記の実施の形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載され得るが、以下には限られない。付記1入射する露光光線が被転写体へ向けて透過する基板と、前記基板上に形成された、前記露光光線を遮光する遮光膜と、を備え、前記遮光膜には、格子状に配置される正nnは、3以上の整数角形の複数の開口部が形成されている、フォトマスク。付記2前記開口部の最大径が、当該フォトマスクを用いて露光する露光装置の波長λ以上、その波長λを縮小倍率で割った値以下であることを特徴とする、付記1に記載のフォトマスク。付記3前記複数の開口部のうちの一の開口部と、前記一の開口部に隣接する他の開口部とは、それぞれ異なる回転角で配置されることを特徴とする、付記1又は2に記載のフォトマスク。付記4前記複数の開口部は、三角格子状に配置されることを特徴とする、付記3に記載のフォトマスク。付記5前記複数の開口部のうちの第1の開口部と、前記第1の開口部に隣接する6つ開口部とが、それぞれ異なる回転角で配置されることを特徴とする、付記4に記載のフォトマスク。付記6前記6つの開口部は、中心が正六角形のそれぞれの頂点に配置された第2乃至第7の開口部からなり、前記第1乃至第7の開口部のそれぞれの回転角は、所定の角度ピッチで、この順に増加することを特徴とする、付記5に記載のフォトマスク。付記7前記第2乃至第7の開口部は、右回り又は左回りに、この順で配置されることを特徴とする、付記6に記載のフォトマスク。付記8前記複数の開口部は、前記第1乃至第7の開口部からなる群がハニカム状に配置されることにより構成されることを特徴とする、付記6又は7に記載のフォトマスク。付記9前記複数の開口部のそれぞれの内側に形成された、前記前記複数の開口部のそれぞれと同心かつ相似形の遮光板、を更に備え、前記複数の開口部及び前記遮光板のそれぞれにより形成される帯状開口部を通じて、前記露光光線が前記基板に入射することを特徴とする、付記1乃至8のいずれか一項に記載のフォトマスク。付記10前記遮光板の面積を前記開口部の面積で除した値が、0.25以上0.75以下であることを特徴とする、付記1乃至9のいずれか一項に記載のフォトマスク。付記11露光光線を所定の透光率以上透光させる、形状が凸m角形mは3以上の整数の第1の透光部と、前記露光光線を前記透光率以上透光させる、前記第1の遮光部が配置された面と同一の面内で前記第1の遮光部に隣接し、形状が凸n角形nは3以上の整数の第2の透光部と、前記第1の透光部の外周および前記第2の透光部の外周に接し、前記露光光線を所定の遮光率以上遮光する遮光部と、を備え、前記第2の透光部に最も近い前記凸m角形の頂点を含む前記凸m角形の第1の辺と、第1の透光部に最も近い前記凸n角形の頂点を含む前記凸n角形の第2の辺と、が平行でない、又は、前記第1の辺と前記第2の辺が平行であるときは前記第1の辺および前記第2の辺は互いに対向しない部分を含み、mが3に等しい場合は前記凸m角形の最長の辺の長さを、mが4以上の場合は前記凸m角形の最も長い対角線の長さを第1の開口部径とし、nが3に等しい場合は前記凸n角形の最長の辺の長さを、nが4以上の場合は前記凸n角形の最も長い対角線の長さを第2の開口部径とするとき、前記第1の開口部径及び前記第2の開口部径の短い方の長さは、前記露光光線の波長を前記露光光線を発生する縮小露光装置の縮小倍率で割った長さ以下である、フォトマスク。付記12露光光線を所定の透光率以上透光させる、形状が凸m角形mは3以上の整数の第1の透光部と、前記露光光線を前記透光率以上透光させる、前記第1の遮光部と、が配置された面と同一の面内で前記第1の遮光部に隣接し、形状が凸n角形nは3以上の整数の第2の透光部と、前記第1の透光部の外周および前記第2の透光部の外周に接し、前記露光光線を所定の遮光率以上遮光する遮光部と、を備え、前記第2の透光部に最も近い前記凸m角形の頂点を含む前記凸m角形の第1の辺と、第1の透光部に最も近い前記凸n角形の頂点を含む前記凸n角形の第2の辺とが平行でない、又は、前記第1の辺と前記第2の辺が平行であるときは前記第1の辺および前記第2の辺は互いに対向しない部分を含むフォトマスクに、mが3に等しい場合は前記凸m角形の最長の辺の長さを、mが4以上の場合は前記凸m角形の最も長い対角線の長さを第1の開口部径とし、nが3に等しい場合は前記凸n角形の最長の辺の長さを、nが4以上の場合は前記凸n角形の最も長い対角線の長さを第2の開口部径とするとき、前記第1の開口部径および前記第2の開口部径の短い方の長さに、前記露光光線を発生する縮小露光装置の縮小倍率を掛けた長さ以上の波長の前記露光光線を照射する、露光方法。