低温加圧焼結接合によって相互に材料密着結合で接合される第1接合素子10と第2接合素子50を含む構成体であって、前記両方の接合素子10、50は、それぞれ、表面部分18、58、68の一部として、もう一方のそれぞれの前記接合素子に接合されるべき接触面16、56、66を有し、それら接触面16、56、66の間には貴金属含有接合剤42が配置され、かつ、少なくとも一方の接合素子10の前記表面部分18は卑金属から構成され、この卑金属は、前記接触面16に隣接する領域に金属酸化物の層240を有する一方、前記接触面そのものは、金属として、すなわち金属酸化物の層を含まないように形成され、それによって、前記接合剤42と直接接触する、構成体。前記接合剤42中の貴金属の質量分率が100までである、請求項1に記載の構成体。前記接合剤42の主たる部分が金属の銀である、請求項1または2に記載の構成体。前記卑金属がアルミニウム、銅または銅合金である、請求項1に記載の構成体。請求項1~4のいずれか一項に記載の構成体の製造方法において、平面状の金属酸化物の層20を備え卑金属からなる表面部分18を有する第1接合素子10を用意するステップと、前記第1接合素子10の第1接触面16として設けられる前記表面部分18の領域に還元剤30を施与するステップと、前記還元剤30に焼結ペースト40からなる層を施与するステップと、前記焼結ペースト40からなる層の上に第2接合素子50の第2接触面56を配置するステップと、材料密着結合の低温加圧焼結接合を形成するために、構成体に温度および圧力を加えるステップと、を含むことを特徴とする方法。前記還元剤30が無機酸、あるいは、有機酸、好ましくはクエン酸、またはステアリン酸のような飽和脂肪酸、または不飽和脂肪酸である、請求項5に記載の方法。前記圧力を加える操作が、前記温度を加える操作が開始された後に開始される、請求項5に記載の方法。貴金属フレークおよび溶剤から構成される前記焼結ペースト40が、ステンシル印刷法またはスプレー法によって施与される、請求項5に記載の方法。前記還元剤30が固相または液相で施与される、請求項5に記載の方法。前記還元剤30が、低温加圧焼結接合を形成するために、構成体に加えられる温度を超えることなくかつその温度より20Kまでだけ低い沸点または昇華点を有する、請求項5に記載の方法。本発明は、2つの接合素子の材料密着結合の接合を含む構成体、および関連する製造方法であって、2つの接合素子の少なくとも一方が卑金属から構成される被接合接触面を有し、かつ、材料密着結合の接合は低温加圧焼結接合であるような構成体および製造方法を提供するという目的に基づいている。この目的は、請求項1の特徴を含む構成体と、請求項5による方法とによって、本発明に従って達成される。好ましい実施形態はそれぞれの従属請求項に記述される。本発明による構成体は、低温加圧焼結接合によって相互に材料密着結合で接合される2つの接合素子を有する。このため、この2つの接合素子のそれぞれは、表面部分の一部としてのそれぞれの接触面を有する。2つの接合素子のそれぞれの接触面は、貴金属含有接合剤によって、相互に材料密着結合で接合される。前記接合剤は、100までの貴金属の質量分率を有する。この場合、質量基準で80および99の間の値が有利である。このため、それぞれの接合素子の接触面は表面部分の一部を形成する。2つの接合素子の少なくとも一方においては、前記表面部分は卑金属から構成され、その卑金属の表面は、接合剤に隣接する接触面の領域において金属であり、また、前記接触面に側方から隣接するこの卑金属の表面領域は、金属酸化物を有する。卑金属は、アルミニウム、銅または銅合金であることが望ましい。本発明によるこのような構成体を製造するため、以下の連続的なステップを含むことを特徴とする方法が用いられる。すなわち、その上に平面状の金属酸化物の層を含む卑金属からなる表面部分を有する第1接合素子を用意するステップ。第1接合素子の第1接触面として設けられるその表面部分の領域に還元剤を施与するステップ。この場合、この還元剤は液相または固相で施与するのが有利である。さらに、この還元剤そのものは、低温加圧焼結接合を形成するために、以下のさらなる製造工程において構成体に加えられる温度を超えることなくかつその温度より20Kまでだけ低い沸点または昇華点を有することが望ましい。基本的に、いくつかの有機酸または無機酸がこの目的に適している。焼結ペーストからなる層を還元剤に施与するステップ。この場合、接触面がなお完全に還元剤によってカバーされることが望ましい。低温加圧焼結接合形成用としての焼結ペーストは、好ましくは貴金属フレークと溶剤との混合物から構成される。焼結ペーストからなる層の上に第2接合素子の第2接触面を配置するステップ。材料密着結合の低温加圧焼結接合を形成するために構成体に温度および圧力を加えるステップ。この場合、最初に温度を加えて接合素子を少なくとも部分的に加熱してから、圧力を加えることが望ましい。本発明による方法においては、金属酸化物の層は還元剤によって還元されて金属を形成し、一方、酸そのものは、酸化されて適切な温度の作用の下で同時に沸騰または昇華し、その結果、引き続いて行われる圧力印加の下で、焼結ペーストの貴金属フレークと卑金属の表面との間の金属間化合物が形成される。第2接合素子が卑金属からなる場合に、還元剤を付加的に焼結ペーストにも施与するとしても、本発明による構成体の製造に関しては当然のことながら同等である。この場合には、第2接合素子の接触面の金属酸化物層が還元されて金属になる。本発明による構成体および本発明による方法の本質的な利点は、卑金属からなる接合素子に対して、その接触面の領域に、高コストの処理法で貴金属の表面を設ける必要がないという点にある。非金属材料からなる接合素子の場合には、適切な卑金属、例えば銅からなる表面を設けることで十分であり、これによって、コストが節減され、かつ処理手順が簡単化される。以下、本発明を、図1および2に示す代表的な実施形態に基づいてさらに詳しく説明する。図1は、本発明による製造方法の異なるステップを示しており、その内の図1eは、基板10およびパワー半導体素子50から構成される、本発明による第1の構成体を示す。図1aは、パワーエレクトロニクスの分野で用いられているような典型的な基板10の一部分を示す。前記基板10は、好ましくは例えば窒化アルミニウムのような工業用セラミックである前記絶縁材料体12と、この絶縁材料体12の主面の少なくとも一方に装着される複数の金属導体トラック14とから構成される。前記導体トラック14は、好ましくは例えば銅のような卑金属から形成され、基板10上の回路構造を形成するために相互に電気絶縁される。導体トラック14の表面は、通常、酸化銅の層20を有する。これは、基本的に、大気の酸素による銅の酸化プロセスの結果生成されるものである。このような酸化物を含む卑金属の表面は、通常、低温加圧焼結接合処理することが不可能である。それは、この場合、焼結金属の接合素子への必要な接合が必要な品質をもって形成されないからである。絶縁材料体12と反対側の導体トラック14のそれぞれの面は、第1接合素子、すなわち基板10の表面部分18を形成し、この表面部分18は、続いて、第2のそれぞれの接合素子、この場合パワー半導体素子50に接合するための、前記表面部分18の一部としての第1接触面16になる。図1bは、方法の第1ステップ実施後の基板10を示す。すなわち、基板10の表面部分18の第1接触面16に還元剤30が施与されている。この還元剤30は、以後の方法の手順において、接触面16上の金属酸化物20を還元する機能を有する。この場合、還元剤30としては、その還元作用が即時には発現しないような還元剤30を施与することが望ましい。即時には発現しないという表現は、還元作用が、通常の条件の下では十分に発現せず、温度が、好ましくは少なくとも100°Cに増大した時に初めて十分に発現することを意味するものとする。このような還元剤30は、液相で、しかし好ましくは固相で第1接触面16に施与できる。この場合、無機酸または有機酸が用いられるが、特に有利な還元剤は、ステアリン酸のような飽和脂肪酸であり、あるいは不飽和脂肪酸である。還元剤の選択においては、低温加圧焼結接合を形成するために、前記還元剤が、以下のさらなる方法の工程において構成体に加えられる温度を超えることなくかつその温度より20Kまでだけ低い沸点または昇華点を有すると、同様に有利である可能性がある。図1cによれば、方法の次の手順として、焼結ペースト40が還元剤30の上に塗着される。この場合、焼結ペースト40が、還元剤30を完全にまたはほぼ完全にカバーすることが望ましい。焼結ペースト40としては、先行技術に従って、貴金属のフレーク、好ましくは銀のフレークと、ペースト状の性質を形成するための溶剤との混合物が用いられる。前記焼結ペースト40は、固相で存在する還元剤30の上に、既知の方式で、例えばスクリーン印刷またはステンシル印刷によって、あるいはスプレー法によって施与できる。液相で存在する還元剤30に対しては、焼結ペーストからなる予備乾燥薄膜を、既知のピックアンドプレース法で装着できる。図1dは、方法の次のステップにおいて焼結ペースト40の上に配置されたパワー半導体素子50を示す。前記パワー半導体素子は、基板10に面する主面を有しており、前記主面は、同時に第2接合素子の第2表面部分58を形成する。パワー半導体素子50は、前記表面部分58の一部として、第2接触面56としての金属化部分52を有する。この金属化部分52は、半導体材料に対する多層の接点から形成され、その最後の最外層として銀の層を有する。さらに、パワー半導体素子50は、基板10の反対側では、回路に適合した接続用の電気接点面54を有する。低温加圧焼結接合を形成するには、方法の次のステップとして、圧力および温度を加えることが想定されている。この場合、圧力は、パワー半導体素子50を介して、かつ基板10を介して、圧力要素図示なしおよび対抗要素同様に図示なしによって焼結ペースト40に印加される。温度は、具体的には、例えば圧力要素および対抗要素を加熱することによって、焼結ペースト40に加えることができる。圧力および温度を加える態様の特に好ましい一実施形態においては、低温加圧焼結接合に関して知られる圧力をまだ導入せずに、まず最初に、圧力要素および対抗要素を熱接触させて温度を加える。これによって、まず、金属酸化物20の還元が開始されるかあるいは顕著に促進され、次に、焼結ペースト40の溶剤が追い出される。すなわち、温度を加えることによって、接触面16の金属酸化物20が還元されて金属表面が形成され、優れた品質の低温加圧焼結接合処理を行うことが可能になる。上記の効果を得るように温度を加えた後に初めて、基板10およびパワー半導体素子50の間の低温加圧焼結接合を最終的に形成するために、圧力が印加される。図1eはこのようにして得られる構成体を示しているが、図1eは、接触面16に側方から隣接する残存の金属酸化物240と、導体トラック14の表面18上の接合剤として接触面16の上に配置される焼結金属42とを示している。従って、上記の方法によって、卑金属からなる表面を有する第1接合素子、この場合は銅の導体トラックを有する基板を、貴金属表面を有する第2接合素子に、低温加圧焼結接合を用いて恒久的な耐久性と優れた導電性とを備えた態様で接合することが可能になる。当然のことながら、この方法は、卑金属からなる表面を有する2つの接合素子にも、同様に等しく適用することができる。この点に関して、図2は、図1に関して述べたのと類似の、本発明による基板10の第2の構成体であって、アルミニウム製の冷却部品60およびこれらを結合する焼結金属42を含む構成体を示す。基板10は、図1aに関して述べた基板と異なって、その第2の主面に、第1主面上のものと同一に形成される別の金属層16を有している。但し、この金属層は、導体トラック構造を有するものではない。冷却部品60は、例えば、電気技術における、特にまたパワーエレクトロニクスにおける押し出し型ヒートシンクのように多様に用いられるヒートシンクである。このようなヒートシンク60の場合には、周知のように、表面68は大気酸素に起因する酸化アルミニウムの層を有する。本発明による方法を適用することによって、この層は、基板に対する低温加圧焼結接合を生成する間に還元されてアルミニウムを形成する。その結果、ヒートシンク60の接触面66の領域においては、金属アルミニウムが焼結金属42に対する接合を形成することが可能になった。基板10の銅の層16と焼結金属42との間の接合は、図1に関して述べたのと原理的に同様に生起した。但しこの場合、接触面は銅の層の全主面を包含する。