"円板状の基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、高周波電源と、処理ガスを供給するガス供給装置と、前記高周波電源と接続され且つ少なくとも1つのガス供給系を介して前記ガス供給装置と接続される円板状の電極構造体とを備える基板処理装置において、前記電極構造体は、前記載置台と対向して配置され、内部に少なくとも1つのバッファ室を有し、且つ前記ガス供給系と接続される複数の接続部を有し、各前記バッファ室は、多数のガス穴を介して前記収容室内と連通すると共に、前記複数の接続部を介して前記ガス供給系と連通し、各前記バッファ室に関し、前記複数の接続部は、前記電極構造体の中心を中心とする円周上において均等間隔に配置されることを特徴とする基板処理装置。前記電極構造体は内部に複数の前記バッファ室を有し、全前記バッファ室に対応する前記接続部の合計数をnとした場合、各前記接続部は、前記電極構造体の中心を中心とする回転角度で360°/n±3°毎に配置されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。前記電極構造体は、前記収容室側から順に積層された天井電極板、冷却板及び上部電極体によって構成され、該天井電極板、前記冷却板及び前記上部電極体は導電性材料からなり、前記複数の接続部は前記上部電極体に配置され、該上部電極体は前記高周波電源と接続されることを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理装置。前記ガス供給系は少なくとも前記接続部に接続される部分が絶縁性材料からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。円板状の基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、高周波電源と、処理ガスを供給するガス供給装置とを備える基板処理装置が有する電極構造体において、円板状を呈すると共に、前記高周波電源と接続され且つ少なくとも1つのガス供給系を介して前記ガス供給装置と接続され、前記載置台と対向して配置され、内部に少なくとも1つのバッファ室を有し、且つ前記ガス供給系と接続される複数の接続部を有し、各前記バッファ室は、多数のガス穴を介して前記収容室内と連通すると共に、前記複数の接続部を介して前記ガス供給系と連通し、各前記バッファ室に関し、前記複数の接続部は、前記電極構造体の中心を中心とする円周上において均等間隔に配置されることを特徴とする電極構造体。しかしながら、上述した図7の電極構造体70を用いてウエハWにエッチング処理を施した際、ウエハWにおいて微少な異常放電アーキングが発生することがあった。具体的には、アーキングが、接続部74a,74bが配置される位置とシャワーヘッド71の中心に関して対称の位置において発生した。アーキングはウエハW上に形成される半導体デバイスの配線や絶縁膜を破壊することがあるため、アーキングの発生を防止する必要がある。本発明の目的は、基板上における異常放電の発生を防止することができる基板処理装置及び電極構造を提供することにある。上記目的を達成するために、請求項1記載の基板処理装置は、円板状の基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、高周波電源と、処理ガスを供給するガス供給装置と、前記高周波電源と接続され且つ少なくとも1つのガス供給系を介して前記ガス供給装置と接続される円板状の電極構造体とを備える基板処理装置において、前記電極構造体は、前記載置台と対向して配置され、内部に少なくとも1つのバッファ室を有し、且つ前記ガス供給系と接続される複数の接続部を有し、各前記バッファ室は、多数のガス穴を介して前記収容室内と連通すると共に、前記複数の接続部を介して前記ガス供給系と連通し、各前記バッファ室に関し、前記複数の接続部は、前記電極構造体の中心を中心とする円周上において均等間隔に配置されることを特徴とする。請求項2記載の基板処理装置は、請求項1記載の基板処理装置において、前記電極構造体は内部に複数の前記バッファ室を有し、全前記バッファ室に対応する前記接続部の合計数をnとした場合、各前記接続部は、前記電極構造体の中心を中心とする回転角度で360°/n±3°毎に配置されることを特徴とする。請求項3記載の基板処理装置は、請求項1又は2記載の基板処理装置において、前記電極構造体は、前記収容室側から順に積層された天井電極板、冷却板及び上部電極体によって構成され、該天井電極板、前記冷却板及び前記上部電極体は導電性材料からなり、前記複数の接続部は前記上部電極体に配置され、該上部電極体は前記高周波電源と接続されることを特徴とする。請求項4記載の基板処理装置は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置において、前記ガス供給系は少なくとも前記接続部に接続される部分が絶縁性材料からなることを特徴とする。上記目的を達成するために、請求項5記載の電極構造体は、円板状の基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、高周波電源と、処理ガスを供給するガス供給装置とを備える基板処理装置が有する電極構造体において、円板状を呈すると共に、前記高周波電源と接続され且つ少なくとも1つのガス供給系を介して前記ガス供給装置と接続され、前記載置台と対向して配置され、内部に少なくとも1つのバッファ室を有し、且つ前記ガス供給系と接続される複数の接続部を有し、各前記バッファ室は、多数のガス穴を介して前記収容室内と連通すると共に、前記複数の接続部を介して前記ガス供給系と連通し、各前記バッファ室に関し、前記複数の接続部は、前記電極構造体の中心を中心とする円周上において均等間隔に配置されることを特徴とする。請求項1記載の基板処理装置及び請求項5記載の電極構造体によれば、高周波電源と接続される電極構造体が有する各バッファ室に関し、少なくとも1つのガス供給系と接続される複数の接続部は、電極構造体の中心を中心とする円周上において均等間隔に配置される。これにより、各バッファ室内へ処理ガスを均等に供給することができ、もって、各バッファ室を介して収容室内へ導入される処理ガスの分布を均一にすることができると共に、電極構造体の構造を該電極構造体の中心に関して対称的にすることができ、もって、収容室内に発生する電界の分布を均一にすることができる。その結果、基板上のプラズマ密度の分布を均一にすることができ、もって、基板上における異常放電の発生を防止することができる。請求項2記載の基板処理装置によれば、全バッファ室に対応する接続部の合計数をnとした場合、各接続部は、電極構造体の中心を中心とする回転角度で360°/n±3°毎に配置されるので、各バッファ室を介して収容室内へ導入される処理ガスの分布をより均一にすることができると共に、電極構造体の構造をより対称的にすることができる。請求項3記載の基板処理装置によれば、複数の接続部は、高周波電源と接続される上部電極体に配置されるので、高周波電力が供給される上部電極体の構造を対称的にすることができ、もって、収容室内に発生する電界の分布を確実に均一にすることができる。請求項4記載の基板処理装置によれば、ガス供給系は少なくとも接続部に接続される部分が絶縁性材料からなるので、該ガス供給系が電界の分布に影響を与えることが無く、もって、収容室内に発生する電界の分布をより確実に均一にすることができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。まず、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。図1は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。この基板処理装置は基板としての半導体ウエハにプラズマ処理としてエッチング処理を施すように構成されている。図1において、基板処理装置10は、例えば、直径が300mmである円板状の半導体ウエハ以下、単にウエハという。Wを収容するチャンバ11収容室を有し、該チャンバ11内の底面には円柱状のサセプタ支持台12が配置され、該サセプタ支持台12上には円柱状のサセプタ13載置台が配置されている。サセプタ13の上には、ESCElectrostaticChuck14載置台が配置されている。ESC14は、例えば、アルミニウムからなり、ESC14の上面にはアルミナ等のセラミック等が溶射されて溶射皮膜図示しないが形成される。該溶射皮膜内には、直流電源15が電気的に接続されている静電電極板16が配される。チャンバ11内に収容されたウエハWは、ESC14の上面以下、載置面という。に載置される。静電電極板16に直流電源15から正の高直流電圧が印加されると、載置面と接触するウエハWの接触面には負電位が発生して静電電極板16及びウエハWの接触面の間に電位差が生じ、該電位差に起因するクーロン力又はジョンソンラーベック力によってウエハWはESC14の載置面に吸着保持される。ESC14の載置面には、複数の伝熱ガス供給孔17が開口している。これら複数の伝熱ガス供給孔17は、伝熱ガス供給ライン18を介して伝熱ガス供給部図示しないに接続され、該伝熱ガス供給部は伝熱ガスとしてのヘリウムHeガスを、伝熱ガス供給孔17を介してウエハWの接触面及び載置面の間に供給する。ウエハWの接触面及び載置面の間隙に供給されたヘリウムガスはウエハWの熱をESC14に効果的に伝達する。サセプタ13は、例えば、アルミニウム合金からなり、サセプタ13には下部高周波電源19が下部整合器Matcher20を介して接続されており、該下部高周波電源19は比較的低い周波数の高周波電力をサセプタ13に供給する。これにより、サセプタ13は、後述するシャワーヘッド24及び該サセプタ13の間の空間である処理空間Sに高周波電力を供給する下部電極として機能する。また、下部整合器20は、下部高周波電源19の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとを整合させる。サセプタ支持台12の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室21が設けられる。この冷媒室21には、チラーユニット図示しないから冷媒用配管22を介して低温の冷媒、例えば、冷却水やガルデン登録商標が循環供給される。該低温の冷媒によって冷却されたサセプタ支持台12はESC14を介してウエハWを冷却する。また、ESC14上には円環状のフォーカスリング23が配される。フォーカスリング23は、導電性材料、例えば、シリコンからなり、ESC14の載置面に吸着保持されたウエハWの周りを囲う。また、フォーカスリング23は、処理空間Sに発生したプラズマをウエハWの表面に向けて収束し、エッチング処理の効率を向上させる。チャンバ11の天井部には、ESC14に載置されたウエハWと対向するように円板状のシャワーヘッド24電極構造体が配置されている。該シャワーヘッド24は、処理空間S側から順に積層された、天井電極板25、冷却板26及び上部電極支持体27上部電極体を有する。上部電極支持体27には給電筒28及び上部整合器29を介して上部高周波電源30が接続されている。該上部高周波電源30は上部電極支持体27に比較的高い周波数の高周波電力を供給する。天井電極板25、冷却板26及び上部電極支持体27は導電性材料、例えば、アルミニウム合金からなるため、上部電極支持体27に供給された高周波電力は冷却板26及び天井電極板25を介して処理空間Sに供給される。すなわち、シャワーヘッド24は処理空間Sに高周波電力を供給する上部電極として機能する。なお、上部整合器29の機能は上述した下部整合器20と同じである。なお、シャワーヘッド24の外周部は円環状の誘電体部材31で覆われており、該誘電体部材31はシャワーヘッド24をチャンバ11の壁部から絶縁する。また、給電筒28の外側は、筐体状の接地導電性部材32で覆われており、接地導電性部材32の上面中央部において給電筒28が貫通している。接地導電性部材32及び給電筒28の間には絶縁性部材33が介在する。また、シャワーヘッド24において、冷却板26は、該シャワーヘッド24の中心以下、シャワーヘッド中心という。を中心とする円板状の空間からなる中央バッファ室34と、該中央バッファ室34と同心の円環状の空間からなる周縁バッファ室35とを内部に有し、中央バッファ室34及び周縁バッファ室35は円環状隔壁部材、例えば、Oリング37によって区画されている。さらに、冷却板26及び天井電極板25は、中央バッファ室34及び周縁バッファ室35を処理空間Sと連通させる多数の貫通ガス穴36を有する。また、シャワーヘッド24では上部電極支持体27に導電性材料、例えば、アルミニウムからなる複数のクランプ38,40接続部が配置されている。具体的には、2つのクランプ38が中央バッファ室34に対応する位置に配置され、2つのクランプ40が周縁バッファ室35に対応する位置に配置されている。2つのクランプ38は2つに分岐したパイプからなる中央ガス供給系39と接続され、2つのクランプ40は2つに分岐したパイプからなる周縁ガス供給系41と接続されている。なお、中央ガス供給系39及び周縁ガス供給系41においてそれぞれクランプ38,40に接続される部分、具体的には、接地導電性部材32の内部に存在する部分は、絶縁性材料、具体的には、樹脂からなる。中央バッファ室34は2つのクランプ38を介して中央ガス供給系39と連通し、周縁バッファ室35は2つのクランプ40を介して周縁ガス供給系41と連通している。なお、中央ガス供給系39及び周縁ガス供給系41は、処理ガス及び付加ガスの混合ガスの中央ガス供給系39及び周縁ガス供給系41のそれぞれへの流量を調整する分流量調整装置42に接続されている。該分流量調整装置42は、処理ガスを供給する処理ガス供給装置及び付加ガスを供給する付加ガス供給装置ともに図示しないに接続されている。なお、本実施の形態における処理ガスは、例えば、CF系のガスや酸素ガスが該当し、付加ガスは、例えば、アルゴンガスが該当する。シャワーヘッド24では、分流量調整装置42から中央ガス供給系39及び周縁ガス供給系41を介して処理ガスを含む混合ガスが中央バッファ室34及び周縁バッファ室35に導入され、該導入された混合ガスは多数の貫通ガス穴36を介して処理空間Sに導入される。したがって、シャワーヘッド24はガス導入装置として機能する。また、シャワーヘッド24では、冷却板26内に冷媒室図示しないが設けられ、該冷媒室内には後述する冷媒導入部43a,43bから導入された冷媒、例えば、冷却水やガルデン登録商標が供給される。冷却板26は、中央バッファ室34及び周縁バッファ室35内に導入された混合ガスを冷媒室の冷媒によって冷却する。本実施の形態では、周縁バッファ室35に対応する貫通ガス穴36から導入される混合ガスは、載置面に載置されたウエハWの周縁部に向けて分布し、中央バッファ室34に対応する貫通ガス穴36から導入される混合ガスは、載置面に載置されたウエハWの中央部に向けて分布する。なお、分流量調整装置42が中央ガス供給系39及び周縁ガス供給系41のそれぞれへ分配する混合ガスの流量を調整することにより、ウエハW上の混合ガスの密度分布を調整することができる。図2は、図1におけるシャワーヘッド、クランプ、中央ガス供給系及び周縁ガス供給系の位置関係を概略的に示す平面図である。図2において、中央バッファ室34に対応する2つのクランプ38は、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において均等間隔、具体的には180°±3°毎に配置されている。一方、中央バッファ室34はシャワーヘッド中心を中心とする円板状の空間からなる。したがって、中央バッファ室34において、混合ガスはシャワーヘッド中心を中心として対称的に導入される。その結果、中央バッファ室34内へ混合ガスを均等に供給することができる。また、周縁バッファ室35に対応する2つのクランプ40も、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において均等間隔、具体的には180°±3°毎に配置されており、周縁バッファ室35はシャワーヘッド中心を中心とする円環状の空間からなる。したがって、周縁バッファ室35においても、混合ガスはシャワーヘッド中心を中心として対称的に導入される。その結果、周縁バッファ室35内へ混合ガスを均等に供給することができる。さらに、シャワーヘッド24では、クランプ38,40の合計数は4であり、シャワーヘッド中心を中心とする回転系において各クランプ38,40は、回転角度で360°/4±3°毎に配置されている。具体的には、隣接するクランプ38,40の間における、シャワーヘッド中心を中心とする回転角度は90°±3°である。これにより、混合ガスを、中央バッファ室34及び周縁バッファ室35を介して処理空間Sへ対称的に導入することができる。したがって、処理空間Sへ導入される混合ガスの分布をより均一にすることができる。なお、シャワーヘッド24では、クランプ38,40や中央ガス供給系39、周縁ガス供給系41を避けるように、冷媒導入部43a,43b、並びに、測温センサであるPTセンサ44が配置されている。図1に戻り、基板処理装置10では、サセプタ13にはハイパスフィルタ45が電気的に接続され、該ハイパスフィルタ45は上部高周波電源30からの高周波電力をグランドに通電する。また、シャワーヘッド24にはローパスフィルタ46が電気的に接続され、該ローパスフィルタ46は下部高周波電源19からの高周波電力をグランドに通電する。また、基板処理装置10では、チャンバ11の内側壁とESC14サセプタ13の側面とによって、ESC14上方のガスをチャンバ11の外へ排出する流路が形成され、該流路の途中には排気プレート47が配置される。該排気プレート47は多数の孔を有する板状部材であり、処理空間Sにおいて発生するプラズマを捕捉又は反射してプラズマの漏洩を防止する。この基板処理装置10では、処理空間Sにシャワーヘッド24から混合ガスが導入されてサセプタ13及びシャワーヘッド24から高周波電力が供給されると、処理空間Sにおいて高周波電界が発生し、混合ガス中の処理ガスが励起されてプラズマとなる。該プラズマはウエハWにエッチング処理を施す。なお、上述した基板処理装置10の各構成部品の動作は、基板処理装置10が備える制御部図示しないのCPUがエッチング処理に対応するプログラムに応じて制御する。本実施の形態に係る基板処理装置10によれば、中央バッファ室34に関し、中央ガス供給系39と接続される2つのクランプ38は、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において均等間隔に配置される。また、周縁バッファ室35に関し、周縁ガス供給系41と接続される2つのクランプ40は、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において均等間隔に配置される。これにより、中央バッファ室34及び周縁バッファ室35内へ処理ガスを均等に供給することができ、もって、中央バッファ室34及び周縁バッファ室35を介して処理空間Sへ導入される処理ガスの分布を均一にすることができる。また、高周波電力を処理空間Sに供給するシャワーヘッド24の構造をシャワーヘッド中心に関して対称的にすることができ、もって、処理空間Sに発生する電界の分布を均一にすることができる。その結果、ウエハW上に発生するプラズマ密度の分布を均一にすることができ、もって、ウエハW上におけるアーキングの発生を防止することができる。上述した基板処理装置10では、合計数が4つのクランプ38,40に関し、各クランプ38,40は、シャワーヘッド中心を中心とする回転角度で90°n±3°毎に配置される。したがって、処理空間Sへ導入される処理ガスの分布をより均一にすることができる。また、シャワーヘッド24の構造をシャワーヘッド中心に関してより対称的にすることができる。また、上述した基板処理装置10では、4つのクランプ38,40が、上部高周波電源30と接続される上部電極支持体27に配置されるので、高周波電力が供給される上部電極支持体27及び4つのクランプ38,40がなす構造を対称的にすることができ、もって、処理空間Sに発生する電界の分布を確実に均一にすることができる。さらに、上述した基板処理装置10では、中央ガス供給系39及び周縁ガス供給系41はそれぞれクランプ38,40に接続される部分が樹脂からなるので、上部電極支持体27に供給される高周波電力がクランプ38,40を介して中央ガス供給系39及び周縁ガス供給系41に伝わることがない。したがって、中央ガス供給系39及び周縁ガス供給系41は処理空間Sにおける電界の分布に影響を与えることが無く、もって、処理空間Sに発生する電界の分布をより確実に均一にすることができる。上述した実施の形態では、2つのクランプが各バッファ室に対応して上部電極支持体27に配置されたが、各バッファ室に対応して配置されるクランプの数は2つに限られず、例えば、3つ以上であってもよい。この場合、各バッファ室に対応するN個のクランプは、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において均等間隔、具体的には、360°/N毎に配置される。また、シャワーヘッド24が有するバッファ室の数も2つに限られず、1つ又は3つ以上であってもよい。この場合においても、上部電極支持体27に配置されるクランプの合計数をn個とすると、シャワーヘッド中心を中心とする回転系において各クランプは、回転角度で360°/n±3°毎に配置される。例えば、図3に示すように、シャワーヘッド24が3つのバッファ室を有し、上部電極支持体27において各バッファ室に対応して配置されるクランプの数が2つである場合には、クランプの合計数は6であり、シャワーヘッド中心を中心とする回転系において各クランプは、回転角度で60°±3°毎に配置される。また、上述した実施の形態では、冷媒導入部43a,43bはシャワーヘッド中心に関して対称に配置されていないが、上部電極支持体27において2つの冷媒導入部をシャワーヘッド中心に関して対称、具体的には、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において均等間隔、例えば、180°±3°毎に配置してもよい。これにより、シャワーヘッド24の構造をシャワーヘッド中心に関してさらに対称的にすることができ、処理空間Sに発生する電界の分布を確実に均一にすることができる。また、その他、上部電極支持体27に配置される複数の構成要素は可能な限り、シャワーヘッド中心に関して対称的に配置するのがよい。なお、上述した実施の形態において、クランプ等の配置の位置公差として±3°が設定されているが、一般的な機械加工の公差も±3°であるため、上述したクランプ等の配置を実現するために、特別な公差管理は不要であり、もって、シャワーヘッド24の製造コストの上昇を防止することができる。次に、本発明の実施例を具体的に説明する。実施例まず、基板処理装置10においてウエハWにエッチング処理を施した際、ウエハWにおけるアーキングの発生の有無を観測したところ、アーキングの発生は確認されなかった。また、ウエハWの表面における電荷分布を観測したところ、電荷分布は同心円分布となり、円周方向に関して電荷の偏在の発生は確認されなかった。また、基板処理装置10においてウエハWの酸化膜にエッチング処理を施し、このときのエッチレートの分布を観測し、該観測結果を図4Bのグラフに示した。さらに、基板処理装置10においてウエハWのフォトレジスト膜にエッチング処理を施し、このときのエッチレートの分布を観測し、該観測結果を図5Bのグラフに示した。比較例まず、図7の電極構造体70を備える基板処理装置以下、従来の基板処理装置という。においてウエハWにエッチング処理を施した際、ウエハWにおけるアーキングの発生の有無を観測したところ、接続部74a,74bが配置される位置とシャワーヘッド71の中心に関して対称の位置においてアーキングの発生を確認した。また、ウエハWの表面における電荷分布を観測したところ、接続部74a,74bが配置される位置とシャワーヘッド71の中心に関して対称の位置において電荷の偏在の発生を確認した。また、従来の基板処理装置においてウエハWの酸化膜にエッチング処理を施し、このときのエッチレートの分布を観測し、該観測結果を図4Aのグラフに示した。さらに、従来の基板処理装置においてウエハWのフォトレジスト膜にエッチング処理を施し、このときのエッチレートの分布を観測し、該観測結果を図5Aのグラフに示した。実施例と比較例とを比較すると、比較例ではアーキングが発生し、電荷の偏在も発生した一方、実施例ではアーキングが発生せず、電荷の偏在も発生しなかったことから、実施例では、処理空間Sへ導入される処理ガスの分布が均一となり、且つ処理空間Sに発生した電界の分布も均一になった結果、ウエハW上に発生したプラズマ密度の分布が均一になったことが分かった。また、図4Aのグラフ及び図4Bのグラフを比較し、さらに、図5Aのグラフ及び図5Bのグラフを比較した結果、酸化膜のエッチング処理、及びフォトレジスト膜のエッチング処理のいずれにおいても、実施例におけるエッチレートの分布のばらつきが、比較例におけるエッチレートの分布のばらつきよりも小さいことが分かった。ここからも、実施例では、ウエハW上に発生したプラズマ密度の分布が均一になったことが分かった。"