"半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、次式Iで表される多官能エポキシ樹脂式中、OGはグリシジルエーテル基を示し、nは整数を示す。、次式IIで表される硬化剤式中、nは1~6の整数を示す。、無機充填剤、および次式IIIで表されるカップリング剤XはN、Sのいずれかの元素を示し、nは1~5の整数、mは0~2の整数を示す。R1は水素原子または置換基を有していてもよい炭素数1~8の炭化水素基を示し、R2はメチル基またはエチル基を示す。を必須成分として含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。前記式Iのnが0~3であることを特徴とする請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。請求項1または2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子が封止されていることを特徴とする半導体装置。しかしながら、これらの技術では、反りを低減することができる一方で、ワイヤースイープ性や耐リフロー性で所定のレベルを達成することは難しかった。本発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、エリアアレイ型の半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、反りを低減することができ、耐リフロー性、ワイヤースイープ性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供することを課題としている。上記の課題を解決するために、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、次式Iで表される多官能エポキシ樹脂式中、OGはグリシジルエーテル基を示し、nは整数を示す。、次式IIで表される硬化剤式中、nは1~6の整数を示す。、無機充填剤、および次式IIIで表されるカップリング剤式中、XはN、Sのいずれかの元素を示し、nは1~5の整数、mは0~2の整数を示す。R1は水素原子または置換基を有していてもよい炭素数1~8の炭化水素基を示し、R2はメチル基またはエチル基を示す。を必須成分として含有することを特徴としている。この半導体封止用エポキシ樹脂組成物においては、式Iのnが0~3であることが好ましい。本発明の半導体装置は、前記の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子が封止されていることを特徴とする。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置によれば、反りを低減することができ、耐リフロー性、ワイヤースイープ性にも優れている。以下に、本発明について詳細に説明する。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、上記式Iで表される多官能エポキシ樹脂が配合される。式Iで表される多官能エポキシ樹脂を用いることで、反りを低減することができる。式Iで表される多官能エポキシ樹脂の繰り返し数nは、4以上のものであってもよいが、流動性および充填性の向上を考慮すると、nが3以下のものが好ましく、n=0のものが最も好ましい。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、式Iで表される多官能エポキシ樹脂以外に、他のエポキシ樹脂を配合することができる。このような他のエポキシ樹脂としては、例えば、グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型、オレフィン酸化型脂環式等の各種のエポキシ樹脂を用いることができる。さらに具体的には、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のアルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラキスフェノールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ビスフェノールA型ブロム含有エポキシ樹脂等のブロム含有エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂等を用いることができる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、特に融点または軟化点が室温を超えているエポキシ樹脂を含むことが好ましい。例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量170~210、融点80~130°Cのものが好適に用いられ、流動性および耐リフロー性を高めることができる。式Iで表される多官能エポキシ樹脂の含有量は、エポキシ樹脂の全量に対して20~100質量が好ましい。式Iで表される多官能エポキシ樹脂をこの範囲内の量で用いることにより、反りを有効に低減することができる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、式IIで表されるキシリレンアラルキル型フェノールノボラック樹脂の硬化剤が配合される。式IIにおいて、nは1~6の整数を示す。式IIで表される硬化剤を用いることで、反りと耐リフロー性を改善することができる。例えば、多官能のトリフェノールメタン型樹脂の硬化剤は、架橋間密度を上げ、ガラス転移温度を高くし、成形収縮を小さくできるため、PBGAのようなSmile反りを起こしやすいパッケージの反りを低減させることができる。一方でビフェニルアラルキル型フェノール樹脂は、架橋間密度が低いため、靭性が高まるが、熱時剛性が下がる傾向にある。これに対してキシリレンアラルキル型フェノールノボラック樹脂は、ガラス転移温度と熱時剛性の点でバランスがよく、反りと耐リフロー性を改善することができる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、式IIで表されるキシリレンアラルキル型フェノールノボラック樹脂の硬化剤以外に、他の硬化剤を配合することができる。このような他の硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、フェノールキシリレン重合体等の多価フェノール化合物や、ナフトール化合物、トリアジン骨格を有するフェノール樹脂等を用いることができる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物における硬化剤の含有量は、例えば上記のようなフェノール系の硬化剤を用いる場合、フェノール性水酸基とエポキシ樹脂のエポキシ基との当量比OH基当量/エポキシ基当量が0.5~1.5となる量であり、より好ましくは当量比が0.8~1.2となる量である。当量比が小さ過ぎると硬化特性が低下する場合があり、当量比が大き過ぎると耐湿信頼性等が不十分になる場合がある。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、硬化促進剤を配合することができる。硬化促進剤としては、特に制限されず、例えば公知のものを用いることができる。具体的には、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、1,8-ジアザビシクロウンデセン等の第3級アミン類、2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール類等を用いることができる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、無機充填剤が配合される。無機充填剤としては、特に制限されず、例えば公知のものを用いることができる。具体的には、例えば、溶融球状シリカ等の溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、アルミナ、窒化珪素、酸化カルシウム等を用いることができる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、充填性や流動性を考慮すると、溶融球状シリカが好ましく、特に真球に近いものが好ましい。熱伝導性を考慮すると、アルミナ、結晶シリカ、窒化珪素等が好ましい。無機充填剤の含有量は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して85~95質量が好ましい。無機充填剤の含有量が少な過ぎると、線膨張が大きくなるため、リフロー時の反りの変化量が大きくなる場合がある。無機充填剤の含有量が多過ぎると、十分な流動性が確保されず、ワイヤースイープが大きくなる場合がある。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、式IIIで表わされるカップリング剤が配合される。式IIIで表わされるカップリング剤を配合することで、反りを低減し、ワイヤースイープ性と耐リフロー性を高めることができる。これは、カップリング剤により収縮率や熱時の弾性率が変動し、反りに影響を与えるためと推定される。式IIIにおいて、XはN、Sのいずれかの元素を示し、nは1~5の整数、mは0~2の整数を示す。R1は水素原子または置換基を有していてもよい炭素数1~8の炭化水素基を示し、R2はメチル基またはエチル基を示す。R1の炭素数1~8の炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アリール基等を挙げることができる。アルキル基としては、直鎖または分岐のものを用いることができ、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基等を挙げることができる。アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニル基、ベンジル基、フェネチル基等を挙げることができる。具体的には、例えば、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ-アニリノプロピルトリエトキシシラン等のアミノシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルジメトキシシラン等のメルカプトシラン等を用いることができる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。中でも、熱時反りの改善を考慮すると、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシランが好ましい。また式IIIで表わされるカップリング剤の含有量は、反りの低減やワイヤースイープ性と耐リフロー性を高めること等を考慮すると半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して0.02~1質量が好ましい。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲内において、さらに他の添加剤を配合することができる。このような添加剤としては、例えば、離型剤、難燃剤、着色剤、低弾性化剤等を用いることができる。離型剤としては、例えば、カルナバワックス、ステアリン酸、モンタン酸、ステアリン酸塩、カルボキシル基含有ポリオレフィン、モンタン酸、ビスアマイド等を用いることができる。難燃剤としては、例えば、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム等の金属水酸化物、2以上の元素を含む複合金属水酸化物、チタネート系カップリング剤等で表面処理した金属水酸化物または金属酸化物、表面処理した赤リン、ホスフィン、リン酸エステル等の有機リン等のリン系難燃剤、酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等を用いることができる。着色剤としては、例えば、カーボンブラック、染料、顔料等を用いることができる。低弾性化剤としては、例えば、シリコーンエラストマー、シリコーンオイル、シリコーンゲル等を用いることができる。上記の添加剤は、樹脂との混合の前に予め溶融混合し、冷却粉砕化したマスターバッチを用いることもできる。上記以外の添加剤としては、例えば、ハイドロタルサイトや、ビスマス系、マグネシウムアルミニウム系等の無機イオントラップ剤等を用いることができる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、次のようにして製造することができる。上記のエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤、カップリング剤および必要に応じて他の添加剤を配合し、ミキサー、ブレンダー等を用いて十分均一になるまで混合する。その後、熱ロールやニーダー等の混練機により加熱状態で溶融混合し、これを室温に冷却した後、公知の手段により粉砕することにより半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造することができる。なお、半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、粉末状であってもよいが、取り扱いを容易にするために、成形条件に合うような寸法と質量に打錠したタブレットとしてもよい。本発明の半導体装置は、上記のようにして得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いてIC、LSI等の半導体素子を封止することにより製造することができる。この封止には、低圧トランスファ成形、コンプレッション成形、インジェクション成形等の従来より用いられている成形方法を適用することができる。低圧トランスファ成形においては、半導体素子が実装された回路基板を金型のキャビティ内に配置した後、このキャビティ内に溶融状態の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を所定の圧力で注入する。溶融した半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、回路基板上の半導体素子を包み込みながらキャビティ内を流動し、キャビティ内に充満する。このときの注入圧力は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物や半導体装置の種類に応じて適宜に設定することができるが、例えば4~7MPa、金型温度は、例えば160~190°C、成形時間は、例えば30~300秒等に設定することができる。次に、金型を閉じたまま後硬化ポストキュアを行った後、型開きして成形物すなわち半導体装置パッケージを取り出す。このときの後硬化条件は、例えば160~190°Cで2~8時間に設定することができる。このような本発明の半導体装置によれば、常温での凸反りSmile反りを低減することができ、耐リフロー性にも優れている。なお、半導体素子の封止は、一括封止法で行うこともできる。すなわち、1枚の有機基板の片面に多数の半導体素子チップを電気的に接続して格子状に配列したものを用意する。これを成形金型のキャビティにセットした後、成形金型のゲート側より、ベント側から空気を排出しながら半導体封止用エポキシ樹脂組成物をキャビティに注入し、半導体封止用エポキシ樹脂組成物で一括封止を行う。次いで、個々のパッケージの外周に沿って切断分離することにより、多数個のパッケージを一括して得ることができる。本発明の半導体装置のパッケージ形態としては、例えば、半導体封止用エポキシ樹脂組成物で半導体素子を封止したBGABallGridArray、CSPChipScalePackage等が挙げられる。また、PoPPackageonPackage等にも適用することができる。以下に、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。なお、表1に示す配合量は質量部を表す。表1に示す配合成分として、以下のものを用いた。エポキシ樹脂エポキシ樹脂A、結晶性多官能エポキシ樹脂前記式Iで表わされる多官能エポキシ樹脂n=0、新日鐵化学株製GK-3007、エポキシ当量175g/eq、融点140°Cエポキシ樹脂1、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン株式会社製YX4000HK、エポキシ当量195g/eq、融点95°Cエポキシ樹脂2、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン株式会社製YL6121H、エポキシ当量175g/eq、融点130°Cエポキシ樹脂3、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン株式会社製YL6810、エポキシ当量173g/eq、軟化点45°C硬化剤硬化剤A、キシリレンアラルキル型フェノール樹脂、前記式IIで表わされる硬化剤、エアウォーター社製HE112C-05、水酸基当量176g/eq硬化剤1、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、明和化成工業株製MEH7851SS、水酸基当量203g/eq硬化促進剤トリフェニルホスフィン、北興化学工業株製TPP無機充填剤溶融シリカ溶融球状シリカ、電気化学工業株製FB945カップリング剤カップリング剤1、前記式IIIで表わされるカップリング剤、Nフェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業株製KBM573カップリング剤2、前記式IIIで表わされるカップリング剤、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業株製KBM803カップリング剤3、γグリシドキシプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業株製KBM403離型剤カルナバワックス、大日化学工業株製F1-100着色剤カーボンブラック、三菱化学株製♯40表1に示す各配合成分を、表1に示す割合で配合し、ブレンダーで30分間混合し均一化した後、80°Cに加熱したニーダーで混練溶融させて押し出し、冷却後、粉砕機で所定粒度に粉砕して粒状の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。この半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて次の評価を行った。PBGA反り35×35×0.5mmtPBGA基板封止サイズ29×29×0.80mmt、BT基板、レジストPSR4000、チップ:8×9×0.35mmtパッシベーションSiNを175°C、90sキュア、注入圧9.8MPa、注入時間13sの条件にて成形し、後硬化してPBGAのパッケージを作製した。このパッケージについて、AKROMETRIX社製のシャドウモアレを用いて、常温25°Cの反りを測定した。耐リフロー性上記のPBGA基板24サンプルについて、30°C/60Rh/168hrMax260°Cのリフローを3回通し、超音波測定装置にてチップと基板の剥離を観察し、剥離があったものの数で評価した。ワイヤースイープ性35×35のPBGA封止サイズ29×29×1.17mmtにチップ8.35×8.35×0.35mmtを実装し、23μmφの金ワイヤーをボンディングした。ワイヤーパッド間距離は130μmであり、コーナー部にMax5mmlのワイヤーを3本ずつボンディングした。上記の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止を行い、ワイヤースイープを観察して平均値Aveをワイヤースイープ率とした。評価結果を表1に示す。表1より、式Iで表される多官能エポキシ樹脂、式IIで表わされる硬化剤、式IIIで表わされるカップリング剤を用いた実施例1~7ではPBGAの反りが小さく、耐リフロー性を有し、ワイヤースイープ性も良好であった。これに対して式IIで表わされる硬化剤を用いなかった比較例1では反りが発生し、チップの剥離も見られた。式Iで表される多官能エポキシ樹脂を用いなかった比較例2では、反りが発生した。式IIIで表わされるカップリング剤以外のものを用いた比較例3では、反りが発生し、チップと基板の両方に剥離が見られ、ワイヤースイープ率も高くなった。"