"半導体からなる一対の光導波路を有し、前記一対の光導波路に対する電圧の印加により、入力光に対して位相差πradの二値位相変調を行うマッハツェンダー変調器を備え、前記マッハツェンダー変調器が、前記一対の光導波路のうち一方の光導波路を伝搬する光の位相をπrad変化させる位相変化部を有することを特徴とする、半導体光位相変調器。前記位相変化部は、半導体からなる光導波路と、該光導波路に対する電圧の印加により該光導波路を伝搬する光の位相を変化させる電極とを含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体光位相変調器。前記位相変化部は、前記一方の光導波路を伝搬する光の光路長を、前記一対の光導波路のうち他方の光導波路を伝搬する光の光路長よりも長くする光導波路部分を含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体光位相変調器。四値位相偏移変調方式の半導体光位相変調器であって、入力光を第1及び第二光に分岐する光分岐部と、半導体からなる一対の光導波路を有し、前記一対の光導波路に対する電圧の印加により、前記光分岐部から出力された前記第一光に対して位相差πradの二値位相変調を行う第一マッハツェンダー変調器と、半導体からなる一対の光導波路を有し、前記一対の光導波路に対する電圧の印加により、前記光分岐部から出力された前記第二光に対して位相差πradの二値位相変調を行う第二マッハツェンダー変調器と、前記第二マッハツェンダー変調器から出力された前記第二光の位相をπ/2rad変化させる第一位相変化部と、前記第一位相変化部から出力された前記第一光と、前記第二マッハツェンダー変調器から出力された前記第二光とを合波する光合波部とを備え、前記第1及び第二マッハツェンダー変調器が、前記一対の光導波路のうち一方の光導波路を伝搬する光の位相をπrad変化させる第二位相変化部を有することを特徴とする、半導体光位相変調器。前記第二位相変化部は、半導体からなる光導波路と、該光導波路に対する電圧の印加により該光導波路を伝搬する光の位相を変化させる電極とを含むことを特徴とする、請求項4に記載の半導体光位相変調器。前記第二位相変化部は、前記一方の光導波路を伝搬する光の光路長を、前記一対の光導波路のうち他方の光導波路を伝搬する光の光路長よりも長くする光導波路部分を含むことを特徴とする、請求項4に記載の半導体光位相変調器。四値位相偏移変調方式の半導体光位相変調器であって、入力光を第1及び第二光に分岐する光分岐部と、半導体からなる一対の光導波路を有し、前記一対の光導波路に対する電圧の印加により、前記光分岐部から出力された前記第一光に対して位相差πradの二値位相変調を行う第一マッハツェンダー変調器と、半導体からなる一対の光導波路を有し、前記一対の光導波路に対する電圧の印加により、前記光分岐部から出力された前記第二光に対して位相差πradの二値位相変調を行う第二マッハツェンダー変調器と、前記第一マッハツェンダー変調器から出力された前記第一光と、前記第二マッハツェンダー変調器から出力された前記第二光とを合波する光合波部とを備え、前記第一マッハツェンダー変調器が、前記一対の光導波路のうち一方の光導波路を伝搬する光の位相をπrad変化させる第三位相変化部を有し、前記第二マッハツェンダー変調器が、前記一対の光導波路のうち一方の光導波路を伝搬する光の位相を3π/2rad変化させる第四位相変化部と、前記一対の光導波路のうち他方の光導波路を伝搬する光の位相をπ/2rad変化させる第5の位相変化部とを有することを特徴とする、半導体光位相変調器。前記第3、第4及び第5の位相変化部は、半導体からなる光導波路と、該光導波路に対する電圧の印加により該光導波路を伝搬する光の位相を変化させる電極とを含むことを特徴とする、請求項7に記載の半導体光位相変調器。前記第三位相変化部は、前記第一マッハツェンダー変調器の前記一方の光導波路を伝搬する光の光路長を、前記第一マッハツェンダー変調器の他方の光導波路を伝搬する光の光路長よりも位相πradに相当する長さだけ長くする第一光導波路部分を含み、前記第四位相変化部は、前記第二マッハツェンダー変調器の前記一方の光導波路を伝搬する光の光路長を、前記第一マッハツェンダー変調器の前記他方の光導波路を伝搬する光の光路長よりも位相3π/2radに相当する長さだけ長くする第二光導波路部分を含み、前記第5の位相変化部は、前記第二マッハツェンダー変調器の他方の光導波路を伝搬する光の光路長を、前記第一マッハツェンダー変調器の前記他方の光導波路を伝搬する光の光路長よりも位相π/2radに相当する長さだけ長くする第三光導波路部分を含むことを特徴とする、請求項7に記載の半導体光位相変調器。請求項1~9のいずれか一項に記載された半導体光位相変調器を駆動する方法であって、前記マッハツェンダー変調器において二値位相変調を行う際に、前記一対の光導波路のうち一方の光導波路に印加する電圧の範囲と、他方の光導波路に印加する電圧の範囲とを互いに等しくすることを特徴とする、半導体光位相変調器の駆動方法。近年、光通信の高速化のため、従来の光強度変調方式とは異なるQPSK方式を備える光送信器が実用化されている。このような光送信器は、レーザ光を発生する光源と、該レーザ光をQPSK方式で変調する光位相変調器とによって実現される。そして、QPSK方式の光位相変調器は、例えば2つのマッハツェンダMachZehnder変調器が並列に結合されることにより構成される。図11は、このような光位相変調器の構成の一例を示す図である。図11に示される光位相変調器100は、被変調光Linを入力する光入力端101と、QPSK変調後の出力信号光Loutを出力する光出力端102とを備える。光入力端101には光分岐部103が結合されており、光入力端101から入力された被変調光Linは、光分岐部103によって2つの光Lin1及びLin2に分波される。光分岐部103の一方の出力端には、第一マッハツェンダー変調器110が結合されている。第一マッハツェンダー変調器110は、光分岐部103から出力された光Lin1に対し、ビット値0及びビット値1に対応する位相差をそれぞれ0rad及びπradとする二値位相偏移変調BPSK;BinaryPhaseShiftKeyingを行う。具体的には、光分岐部103から出力された光Lin1は、光分岐部111によって2つの光L11及びL12に更に分波される。光L11は光導波路112を伝搬し、光L12は光導波路113を伝搬する。このとき、例えばビット値0を表現する際には、光L11と光L12との位相差が0radとなるような電圧V11,V12が、光導波路112,113上の電極115,116にそれぞれ印加される。また、ビット値1を表現する際には、光L11と光L12との位相差がπradとなるような電圧V11,V12が、電極115,116にそれぞれ印加される。こうして位相変調された光L11及びL12は、光合波部114によって合波される。光分岐部103の他方の出力端には、第二マッハツェンダー変調器120が結合されている。第二マッハツェンダー変調器120は、光分岐部103から出力された光Lin2に対し、ビット値0及びビット値1に対応する位相差をそれぞれ0rad及びπradとするBPSK変調を行う。すなわち、光分岐部103から出力された光Lin2は、光分岐部121によって2つの光L21及びL22に更に分波される。光L21は光導波路122を伝搬し、光L22は光導波路123を伝搬する。そして、例えばビット値0を表現する際には、光L21と光L22との位相差が0radとなるような電圧V21,V22が、光導波路122,123上の電極125,126にそれぞれ印加される。また、ビット値1を表現する際には、光L21と光L22との位相差がπradとなるような電圧V21,V22が、電極125,126にそれぞれ印加される。こうして位相変調された光L21及びL22は、光合波部124によって合波される。第一マッハツェンダー変調器110の光合波部114の出力端は、光合波部130の一方の入力端に直接結合されている。これに対し、第二マッハツェンダー変調器120の光合波部124の出力端は、位相変化部140を介して光合波部130の他方の入力端に結合されている。位相変化部140は、光導波路141と、光導波路141上に設けられた電極142とを有しており、電極142に所定電圧V3が印加されることによって、光導波路141を伝搬する光L21及びL22に対してπ/2radの位相変化を与える。光合波部130の出力端は、光出力端102に結合されている。光合波部114から出力された光L11及びL12、並びに位相変化部140から出力された光L21及びL22は、光合波部130によって合波され、QPSK変調が為された出力信号光Loutとして、光出力端102から出力される。図12は、図11に示された光位相変調器100の入力端101及び各点A~Hにおける、光の位相の極座標表示信号空間ダイヤグラムを示す図である。同図に示されるように、入力端101に入力される被変調光Linは、単一の位相を有している。そして、光導波路112及び113の後端にそれぞれ位置する点A及びBでは、被変調光Linから分波された光L11及びL12が変調されることにより、互いの位相差がπradとなるように光L11及びL12の位相が揺動している。同様に、光導波路122及び123の後端にそれぞれ位置する点C及びDでは、被変調光Linから分波された光L21及びL22が変調されることにより、互いの位相差がπradとなるように光L21及びL22の位相が揺動している。そして、光合波部114の出力端に位置する点Eでは、光L11及びL12が合波されることにより位相差πを有するBPSK信号が生成される。同様に、光合波部124の出力端に位置する点Fでは、光L21及びL22が合波されることにより位相差πを有するBPSK信号が生成される。上述したように、第二マッハツェンダー変調器120の後段には、位相変化部140が設けられている。これにより、位相変化部140の出力端に位置する点Gでは、光L21及びL22の位相が更にπ/2rad変化するので、光L21及びL22は、光L11及びL12に対して更に位相差π/2radを有することとなる。したがって、これらの光が全て合波された光合波部130の出力端点Hでは、光L11、L21、L12、及びL22に4つの位相π/4、3π/4、5π/4、及び7π/4がそれぞれ割り当てられたQPSK信号が生成される。以上に説明した構成を備える光位相変調器100において、第1及び第二マッハツェンダー変調器110,120の光導波路112,113,122,及び123の材料として、低駆動電圧化および小型化が可能な化合物半導体例えばInPやGaAsが用いられることがある。例えば、半導体材料から成る光導波路に量子井戸構造を形成し、量子閉じ込めシュタルク効果QCSE;QuantumConfinedStarkEffectによる屈折率変化を生じさせることによって、光導波路を伝搬する光の位相を変化させることができる。但し、半導体光導波路におけるそのような作用は、同時に、光導波路を伝搬する光の吸収損失を招く。ここで、図13は、印加電圧と位相変化及び吸収損失との関係の一例を示すグラフである。同図において、グラフG21は印加電圧に対する位相変化を示しており、グラフG22は印加電圧に対する吸収損失を示している。これらのグラフG21,G22に示されるように、位相変化及び吸収損失の大きさは、印加電圧に対して非線形となる。マッハツェンダー変調器の光導波路が半導体によって構成された場合、印加電圧に対する半導体光導波路のこのような特性によって、以下に説明するような問題が生じる。なお、以下の説明では、第一マッハツェンダー変調器110を例示して説明するが、第二マッハツェンダー変調器120においても同様の問題が生じる。比較のため、印加電圧に対して位相が線形に変化する材料例えばリチウムナイオベイトLiNbO3によって光導波路112,113を構成した場合を考える。これらの光導波路112,113に対する印加電圧の振幅をV2π但し、V2πは光の位相が2πrad変化する電圧の1/2に設定し、光導波路112への印加電圧V11と、光導波路113への印加電圧V12との間に位相差0,πradに相当する電圧差を与えると、印加電圧V11,V12と光導波路112,113における位相変化量との関係は、図14aに示されるような関係となる。なお、図14aにおいて、横軸は印加電圧を示し、縦軸は位相変化量radを示している。また、図中の矢印A21,A22は印加電圧V11,V12の変動範囲をそれぞれ示しており、矢印A23は印加電圧V11,V12の電圧差V2π/2すなわちVπを示している。図14aに示されるように、印加電圧に対して位相が線形に変化する場合には、印加電圧がV2πの1/2であるときの位相変化量が正確にπradとなる。したがって、図14bの信号空間ダイヤグラムに示されるように、ビット値1を表現する際における位相差を正確にπradとすることができる。これに対し、光導波路112,113が半導体材料から成る場合には、印加電圧に対して位相が非線形に変化する図13を参照。その場合、図14aと同様の印加電圧を光導波路112,113に与えると、印加電圧V11,V12と光導波路112,113における位相変化量との関係は、図15aに示されるような関係となる。同図に示されるように、印加電圧に対して位相が非線形に変化する場合には、印加電圧がV2πの1/2であるときの位相変化量が正確にπradとならず、或る値Φ≠πとなる。したがって、図15bの信号空間ダイヤグラムに示されるように、ビット値1を表現する際における位相差がΦradとなってしまい、正確にπradとならない。図16は、QPSK方式の光位相変調器100において、印加電圧に対して位相が線形に変化する場合図16aと、非線形に変化する場合図16bとのそれぞれにおける、出力コンスタレーションの一例を示す図である。なお、図16において、正確にπ/2rad間隔で位相が割り当てられた場合の各光L11,L12,L21及びL22の位置理論位置を印で示している。印加電圧に対して位相が線形に変化する場合、図16aに示されるように、出力信号光Loutに含まれる各光L11,L12,L21及びL22には、π/2rad間隔の位相が高い精度で割り当てられる。これに対し、印加電圧に対して位相が非線形に変化する場合、図16bに示されるように、出力信号光Loutに含まれる各光L11,L12,L21及びL22には位相がπ/2rad間隔で正確に割り当てられず、各光の位相に歪みが生じることとなる。ここで、図16bにおける各光L11,L12,L21及びL22を示す点のうち、理論位置印から最も離れた点図16bにおいては第一象限に位置する点が原点に最も近寄っており、その点と原点との距離すなわち振幅と、図16aにおいてこの点に対応する第一象限の点から原点までの距離振幅との比をペナルティとみなすと、この値として3.9dBが得られた。なお、上記ペナルティの具体的な算出方法の例は、次のとおりである。図17は、ペナルティの算出方法を説明するための図である。図17aは、印加電圧に対して位相が線形に変化する場合における出力コンスタレーションを示しており、Re軸方向における振幅Qチャネルの振幅をX、Im軸方向における振幅Iチャネルの振幅をYで表している。また、図17bは、印加電圧に対して位相が非線形に変化する場合における出力コンスタレーションを示しており、Re軸方向における振幅Qチャネルの振幅をA、Im軸方向における振幅Iチャネルの振幅をBで表している。このとき、各データシンボルのペナルティPは例えば以下の数式1または2によって算出される。P=-20logA/X1P=-20logB/Y2そして、全データシンボルの中で最も大きなペナルティすなわち、理論位置印から最も離れた点における位相のずれをその送信データ列のペナルティとみなすとよい。光位相変調器の光導波路が半導体で構成される場合、印加電圧に対して位相が非線形に変化するので、上述したような位相歪みに起因する伝送品質の劣化が問題となる。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、光導波路が半導体から成る場合に位相歪みを低減することができる半導体光位相変調器及びその駆動方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決するために、本発明による第一半導体光位相変調器は、半導体からなる一対の光導波路を有し、一対の光導波路に対する電圧の印加により、入力光に対して位相差πradの二値位相変調を行うマッハツェンダー変調器を備え、マッハツェンダー変調器が、一対の光導波路のうち一方の光導波路を伝搬する光の位相をπrad変化させる位相変化部を有する。また、第一半導体光位相変調器では、位相変化部が、半導体からなる光導波路と、該光導波路に対する電圧の印加により該光導波路を伝搬する光の位相を変化させる電極とを含んでもよい。また、第一半導体光位相変調器では、位相変化部が、一方の光導波路を伝搬する光の光路長を、一対の光導波路のうち他方の光導波路を伝搬する光の光路長よりも長くする光導波路部分を含んでもよい。また、本発明による第二半導体光位相変調器は、四値位相偏移変調方式の半導体光位相変調器であって、入力光を第1及び第二光に分岐する光分岐部と、半導体からなる一対の光導波路を有し、一対の光導波路に対する電圧の印加により、光分岐部から出力された第一光に対して位相差πradの二値位相変調を行う第一マッハツェンダー変調器と、半導体からなる一対の光導波路を有し、一対の光導波路に対する電圧の印加により、光分岐部から出力された第二光に対して位相差πradの二値位相変調を行う第二マッハツェンダー変調器と、第一マッハツェンダー変調器から出力された第一光の位相をπ/2rad変化させる第一位相変化部と、第一位相変化部から出力された第一光と、第二マッハツェンダー変調器から出力された第二光とを合波する光合波部とを備え、第1及び第二マッハツェンダー変調器が、一対の光導波路のうち一方の光導波路を伝搬する光の位相をπrad変化させる第二位相変化部を有する。また、第二半導体光位相変調器は、第二位相変化部が、半導体からなる光導波路と、該光導波路に対する電圧の印加により該光導波路を伝搬する光の位相を変化させる電極とを含んでもよい。また、第二半導体光位相変調器は、第二位相変調部が、一方の光導波路を伝搬する光の光路長を、一対の光導波路のうち他方の光導波路を伝搬する光の光路長よりも長くする光導波路部分を含んでもよい。また、本発明による第三半導体光位相変調器は、四値位相偏移変調方式の半導体光位相変調器であって、入力光を第1及び第二光に分岐する光分岐部と、半導体からなる一対の光導波路を有し、一対の光導波路に対する電圧の印加により、光分岐部から出力された第一光に対して位相差πradの二値位相変調を行う第一マッハツェンダー変調器と、半導体からなる一対の光導波路を有し、一対の光導波路に対する電圧の印加により、光分岐部から出力された第二光に対して位相差πradの二値位相変調を行う第二マッハツェンダー変調器と、第一マッハツェンダー変調器から出力された第一光と、第二マッハツェンダー変調器から出力された第二光とを合波する光合波部とを備え、第一マッハツェンダー変調器が、一対の光導波路のうち一方の光導波路を伝搬する光の位相をπrad変化させる第三位相変化部を有し、第二マッハツェンダー変調器が、一対の光導波路のうち一方の光導波路を伝搬する光の位相を3π/2rad変化させる第四位相変化部と、一対の光導波路のうち他方の光導波路を伝搬する光の位相をπ/2rad変化させる第5の位相変化部とを有する。また、第三半導体光位相変調器は、第3、第4及び第5の位相変化部が、半導体からなる光導波路と、該光導波路に対する電圧の印加により該光導波路を伝搬する光の位相を変化させる電極とを含んでもよい。また、第三半導体光位相変調器は、第三位相変調部が、第一マッハツェンダー変調器の一方の光導波路を伝搬する光の光路長を、第一マッハツェンダー変調器の他方の光導波路を伝搬する光の光路長よりも位相πradに相当する長さだけ長くする第一光導波路部分を含み、第四位相変調部は、第二マッハツェンダー変調器の一方の光導波路を伝搬する光の光路長を、第一マッハツェンダー変調器の他方の光導波路を伝搬する光の光路長よりも位相3π/2radに相当する長さだけ長くする第二光導波路部分を含み、第5の位相変調部は、第二マッハツェンダー変調器の他方の光導波路を伝搬する光の光路長を、第一マッハツェンダー変調器の他方の光導波路を伝搬する光の光路長よりも位相π/2radに相当する長さだけ長くする第三光導波路部分を含んでもよい。また、本発明による半導体光位相変調器の駆動方法は、上記のうちいずれかの半導体光位相変調器を駆動する方法であって、マッハツェンダー変調器において二値位相変調を行う際に、一対の光導波路のうち一方の光導波路に印加する電圧の範囲と、他方の光導波路に印加する電圧の範囲とを互いに等しくする。本発明による半導体光位相変調器及びその駆動方法によれば、光導波路が半導体から成る場合に位相歪みを低減することができる。以下、添付図面を参照しながら本発明による半導体光位相変調器及びその駆動方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。第一実施の形態図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体光位相変調器として、マッハツェンダー変調器の基本的構成を概略的に示す平面図である。マッハツェンダー変調器10は、入力された光に対し、ビット値0及びビット値1に対応する位相差をそれぞれ0rad及びπradとするBPSKを行う。マッハツェンダー変調器10は、光分岐部11と、光分岐部11の2つの出力端のそれぞれに一端が結合された一対の光導波路アーム12及び13と、光導波路12及び13の他端に結合された光合波部14とを有する。光分岐部11及び光合波部14は、例えばマルチモード干渉MMI光結合器によって好適に構成される。また、光導波路12及び13のそれぞれには、電圧印加のための電極15及び16が設けられており、印加される電圧の大きさに応じて光導波路12及び13の屈折率が変化する。そして、この屈折率変化によって光導波路12,13の光路長が変化することにより、光導波路12,13を伝搬する光の位相が変化する。本実施形態のマッハツェンダー変調器10は、位相変化部17を更に有する。位相変化部17は、一対の光導波路12,13のうち一方の光導波路本実施形態では光導波路13に設けられ、その光導波路を伝搬する光の位相をπrad変化させる。一例では、位相変化部17は、GaAs、InP等の半導体からなる光導波路と、該光導波路に対して電圧を印加する電極とを含んでおり、該電極から光導波路への電圧の印加によって、光導波路を伝搬する光の位相をπrad変化させる。また、他の一例では、位相変化部17は、光導波路13を伝搬する光の光路長を、光導波路12を伝搬する光の光路長よりも長くする光導波路部分を含んでおり、光導波路13の光路長を光導波路12の光路長に比べて位相πradに相当する長さだけ長くすることによって、光導波路13を伝搬する光と光導波路12を伝搬する光との間にπradの位相差を生じさせる。なお、位相変化部17の構成はこれらに限られるものではなく、光導波路を伝搬する光の位相をπrad変化させ得るものであれば、他の構成が適用されてもよい。このマッハツェンダー変調器10の動作について説明する。マッハツェンダー変調器10に光Lin1が入力されると、光Lin1は、光分岐部11によって2つの光L11第一光及び光L12第二光に分波される。そして、光L11はマッハツェンダー変調器10の一方のアームに入力され、光L12はマッハツェンダー変調器10の他方のアームに入力される。すなわち、光L12は光導波路13を伝搬し、位相変化部17に入力される。位相変化部17は、光L12に対してπradの位相変化を与える。従って、この時点で光L11と光L12との間にはπradの位相差が生じる。位相変化部17から出力された光L12は、光導波路13を伝搬する。この光L12の位相は、電極16からの電圧印加により変化する。他方、光L11は、光導波路12を伝搬する。この光L11の位相は、電極15からの電圧印加により変化する。このとき、例えばビット値0を表現する際には、光L11と光L12との位相差が0radとなるような電圧V11,V12が、電極15,16にそれぞれ印加される。また、ビット値1を表現する際には、光L11と光L12との位相差がπradとなるような電圧V11,V12が、電極15,16にそれぞれ印加される。ここで、図2aは、マッハツェンダー変調器10においてBPSK変調を行う際の、印加電圧と位相変化量との関係を示すグラフである。なお、図2aにおいて、グラフG11は一方のアーム光導波路12における関係を示しており、グラフG12は他方のアーム光導波路13における関係を示している。また、図中の矢印A11は一方のアーム光導波路12における印加電圧V11の変動範囲を示しており、矢印A12は他方のアーム光導波路13における印加電圧V12の変動範囲を示している。図2aに示されるように、本実施形態では、光導波路12への印加電圧V11、及び光導波路13への印加電圧V12の電圧範囲振幅は互いに等しく、共にVπ但し、Vπは光の位相がπrad変化する電圧に設定される。そして、ビット値0を表現する際には、印加電圧V12としてVπが印加されることにより、光L12の位相は位相変化部17による変化量πradに加えて更にπrad位相が変化し、最終的に2πrad変化する。一方、印加電圧V11は0に設定され、光L11の位相は変化しない。これにより、光L11と光L12を合成した光の位相は0radとなる。また、ビット値1を表現する際には、印加電圧V12は0に設定され、光L12の位相変化は位相変化部17による位相変化πradのみとなる。一方、印加電圧V11としてVπが印加されることにより、光L11の位相はπrad変化する。これにより、光L11と光L12を合成した光の位相はπradとなる。こうして位相変調された光L11及びL12は、光合波部14によって合波され、BPSK信号として出力される。本実施形態のマッハツェンダー変調器10では、光導波路13を伝搬する光L12に対し、位相変化部17によってπradの位相変化が与えられるので、図2aに示されるように、光L12の位相は0~Vπの変調電圧に応じてπradと2πradとの間を遷移する。このため、印加電圧が0のときの位相変化量が、正確にπradとなる。他方、光導波路12を伝搬する光L11の位相は、0~Vπの変調電圧に応じて0radとπradとの間を遷移する。このため、印加電圧がVπのときの位相変化量が、正確にπradとなる。ここで、図2bは、光合波部14から出力される光の位相の極座標表示信号空間ダイヤグラムを示す図である。図15bに示された信号空間ダイヤグラムとは異なり、図2bでは、ビット値0及び1を表現する際における位相差をそれぞれ正確に0,πradとすることができる。このように、本実施形態のマッハツェンダー変調器10によれば、半導体光導波路における位相変化の非線形性に拘わらず、位相歪みを効果的に低減することができる。第二実施の形態図3は、第2実施形態に係る半導体光位相変調器1Aの構成を示す図である。図3に示される光位相変調器1Aは、被変調光Linを入力する光入力端2と、QPSK変調後の出力信号光Loutを出力する光出力端3とを備える。光入力端2には光分岐部4が結合されており、光入力端2から入力された被変調光Linは、光分岐部4によって2つの光Lin1及びLin2に分波される。光分岐部4の一方の出力端には、第一マッハツェンダー変調器20が結合されている。第一マッハツェンダー変調器20は、図1に示されたマッハツェンダー変調器10を具体化した構成を備えている。つまり、第一マッハツェンダー変調器20は、光分岐部4の一方の出力端に結合された光分岐部21と、光分岐部21の2つの出力端のそれぞれに一端が結合された一対の光導波路22及び23と、光導波路22及び23の他端に結合された光合波部24とを有する。光導波路22及び23のそれぞれには、電圧印加のための電極25及び26が設けられており、印加される電圧の大きさに応じて光導波路22及び23の屈折率が変化する。そして、この屈折率変化によって光導波路22,23の光路長が変化することにより、光導波路22,23を伝搬する光の位相が変化する。また、第一マッハツェンダー変調器20は、位相変化部27を更に有する。位相変化部27は、本実施形態における第二位相変化部であり、一対の光導波路22,23のうち一方の光導波路本実施形態では光導波路23に設けられ、その光導波路を伝搬する光の位相をπrad変化させる。位相変化部27は、半導体からなる光導波路23と、光導波路23に対して所定電圧V13を常に印加する電極28とを含んでおり、電極28から光導波路23への電圧V13の印加によって、光導波路23を伝搬する光の位相を常にπradだけ変化させる。第一マッハツェンダー変調器20は、図1に示されたマッハツェンダー変調器10と同様の動作を行うことによって、光分岐部4から出力された光Lin1に対し、ビット値0及びビット値1に対応する位相差をそれぞれ0rad及びπradとするBPSK変調を行う。位相変調された光L11及びL12は、光合波部24によって合波される。光分岐部4の他方の出力端には、第二マッハツェンダー変調器30が結合されている。第二マッハツェンダー変調器30は、第一マッハツェンダー変調器20と同様の構成を備えている。つまり、第二マッハツェンダー変調器30は、光分岐部4の他方の出力端に結合された光分岐部31と、光分岐部31の2つの出力端のそれぞれに一端が結合された一対の光導波路32及び33と、光導波路32及び33の他端に結合された光合波部34とを有する。光導波路32及び33のそれぞれには、電圧印加のための電極35及び36が設けられており、印加される電圧の大きさに応じて光導波路32及び33の屈折率が変化する。そして、この屈折率変化によって光導波路32,33の光路長が変化することにより、光導波路32,33を伝搬する光の位相が変化する。また、第二マッハツェンダー変調器30は、位相変化部37を更に有する。位相変化部37は、本実施形態における第二位相変化部であり、一対の光導波路32,33のうち一方の光導波路本実施形態では光導波路33に設けられ、その光導波路を伝搬する光の位相をπrad変化させる。位相変化部37は、半導体からなる光導波路33と、光導波路33に対して所定電圧V13を常に印加する電極38とを含んでおり、電極38から光導波路33への電圧V13の印加によって、光導波路33を伝搬する光の位相を常にπradだけ変化させる。第二マッハツェンダー変調器30は、図1に示されたマッハツェンダー変調器10と同様の動作を行うことによって、光分岐部4から出力された光Lin2に対し、ビット値0及びビット値1に対応する位相差をそれぞれ0rad及びπradとするBPSK変調を行う。位相変調された光L21及びL22は、光合波部34によって合波される。第一マッハツェンダー変調器20の光合波部24の出力端は、光合波部5の一方の入力端に直接結合されている。これに対し、第二マッハツェンダー変調器30の光合波部34の出力端は、位相変化部40を介して光合波部5の他方の入力端に結合されている。位相変化部40は、本実施形態における第一位相変化部であり、光導波路41と、光導波路41上に設けられた電極42とを有しており、電極42に所定電圧V3が印加されることによって、光導波路41を伝搬する光L21及びL22に対してπ/2radの位相変化を与える。これにより、位相変化部40の出力端では、光L21及びL22の位相が更にπ/2rad変化するので、光L21及びL22は、光L11及びL12に対して更に位相差π/2radを有することとなる。したがって、これらの光が全て合波された光合波部5の出力端では、光L11、L21、L12、及びL22に4つの位相π/4、3π/4、5π/4、及び7π/4がそれぞれ割り当てられたQPSK信号が生成される。光合波部5の出力端は、光出力端3に結合されている。光合波部24から出力された光L11及びL12、並びに位相変化部40から出力された光L21及びL22は、光合波部5によって合波され、QPSK変調が為された出力信号光Loutとして、光出力端3から出力される。以上の構成を備える半導体光位相変調器1Aでは、第一マッハツェンダー変調器20及び第二マッハツェンダー変調器30が、図1に示されたマッハツェンダー変調器10の構成を有する。したがって、これらのマッハツェンダー変調器20,30では、ビット値0及び1を表現する際における位相差をそれぞれ正確に0,πradとすることができる。これにより、出力信号光Loutに含まれる光L11、L21、L12、及びL22の4つの位相π/4、3π/4、5π/4、及び7π/4の位相歪みを低減することができ、伝送品質を高めることができる。ここで、図4は、本実施形態の光位相変調器1Aにおける出力コンスタレーションの一例を示す図である。なお、図4において、正確にπ/2rad間隔で位相が割り当てられた場合の各光L11,L12,L21及びL22の位置理論位置を印で示している。図4に示されるように、本実施形態では、出力信号光Loutに含まれる各光L11,L12,L21及びL22には、π/2rad間隔の位相が高い精度で割り当てられる。ここで、図4における各光L11,L12,L21及びL22を示す点のうち、理論位置印から最も離れた点における位相のずれを前述した方法によりペナルティとして算出した結果、1.1dBであった。この数値は、図16bにおいて算出された数値3.9dBと比較して、極めて小さな値である。このように、本実施形態によれば、位相歪みを効果的に低減することができる。第一変形例図5は、第2実施形態に係る半導体光位相変調器1Aの第1変形例として、半導体光位相変調器1Bの構成を示す図である。図5に示される光位相変調器1Bと第2実施形態に係る半導体光位相変調器1Aとの相違点は、各マッハツェンダー変調器が有する位相変化部の具体的構成である。すなわち、本変形例では、第一マッハツェンダー変調器20が、図3に示された位相変化部27に代えて位相変化部29を有し、第二マッハツェンダー変調器30が、図3に示された位相変化部37に代えて位相変化部39を有する。なお、位相変化部29,39は、本変形例における第二位相変化部である。位相変化部29は、光導波路23を伝搬する光L12の光路長を、光導波路22を伝搬する光L11の光路長よりも長くする光導波路部分29aを含んでおり、光導波路23の光路長を光導波路22の光路長に比べて位相πradに相当する長さだけ長くすることによって、光導波路22を伝搬する光L11と光導波路23を伝搬する光L12との間にπradの位相差を常に生じさせる。同様に、位相変化部39は、光導波路33を伝搬する光L22の光路長を、光導波路32を伝搬する光L21の光路長よりも長くする光導波路部分39aを含んでおり、光導波路33の光路長を光導波路32の光路長に比べて位相πradに相当する長さだけ長くすることによって、光導波路32を伝搬する光L21と光導波路33を伝搬する光L22との間にπradの位相差を常に生じさせる。また、本変形例の光位相変調器1Bは、図3に示された位相変化部40に代えて、位相変化部50を有する。位相変化部50は、本変形例における第一位相変化部であり、光導波路部分50aを含んでいる。光導波路部分50aは、光合波部34から光合波部5まで延びる光導波路の光路長を、光合波部24から光合波部5まで延びる光導波路の光路長と比較して、位相π/2radに相当する長さだけ長くする部分である。これにより、光合波部5に達する光L21,L22は、光合波部5に達する光L11,L12に対して更に位相差π/2radを有することとなる。したがって、これらの光が全て合波された光合波部5の出力端では、光L11、L21、L12、及びL22に4つの位相π/4、3π/4、5π/4、及び7π/4がそれぞれ割り当てられたQPSK信号が好適に生成される。以上の構成を備える半導体光位相変調器1Bでは、第2実施形態と同様に、第一マッハツェンダー変調器20及び第二マッハツェンダー変調器30が、図1に示されたマッハツェンダー変調器10の構成を有する。したがって、これらのマッハツェンダー変調器20,30では、ビット値0及び1を表現する際における位相差をそれぞれ正確に0,πradとすることができる。これにより、出力信号光Loutに含まれる光L11、L21、L12、及びL22の4つの位相π/4、3π/4、5π/4、及び7π/4の位相歪みを低減することができ、伝送品質を高めることができる。ここで、図6は、本変形例の光位相変調器1Bにおける出力コンスタレーションの一例を示す図である。なお、図6においても、図4と同様に各光L11,L12,L21及びL22の理論位置が印で示されている。図6に示されるように、本変形例においても、出力信号光Loutに含まれる各光L11,L12,L21及びL22には、π/2rad間隔の位相が高い精度で割り当てられる。図6における各光L11,L12,L21及びL22を示す点のうち、理論位置印から最も離れた点における位相のずれを前述した方法によりペナルティとして算出した結果、0.4dBであった。この数値は、図4において算出された数値1.1dBよりも更に小さな値である。このように、本変形例によれば、位相歪みを効果的に低減することができる。なお、この0.4dBという数値は、変調電圧の印加により光導波路22,23,32,及び33において発生する吸収損失によるものと考えられる。また、本変形例の位相変化部29,39及び50のように、光導波路の長さによって位相変化を生じさせることにより、第2実施形態と比較して、電圧印加による吸収損失の増大を回避することができる。したがって、本変形例の半導体光位相変調器1Bによれば、第2実施形態の半導体光位相変調器1Aと比較して、吸収損失に起因する伝送品質の劣化を抑えることができる。なお、本変形例では、位相変化部29,39及び50の全てにおいて光導波路部分29a,39a及び50aが設けられているが、位相変化部29,39及び50のうち一部にのみ光導波路部分を設け、他の位相変化部を、第2実施形態のように光導波路に電圧を印加する構成としてもよい。第二変形例図7は、第1変形例に係る半導体光位相変調器1Bの更なる変形例として、半導体光位相変調器1Cの構成を示す図である。図7に示される光位相変調器1Cと第1変形例に係る半導体光位相変調器1Bとの相違点は、第一位相変化部の有無、および第二位相変化部の構成である。すなわち、本変形例において、第一マッハツェンダー変調器20が位相変化部29を有している点は第1変形例と同様である。しかしながら、本変形例では、第二マッハツェンダー変調器30が、図5に示された位相変化部39に代えて位相変化部60を有しており、加えて、位相変化部61を更に有する。また、光位相変調器1Cは、図5に示された位相変化部50を備えていない。なお、本変形例において、位相変化部29は第三位相変化部であり、位相変化部60は第四位相変化部であり、位相変化部61は第5の位相変化部である。位相変化部60は、光導波路33を伝搬する光L22の光路長を、光導波路22を伝搬する光L11の光路長よりも長くする光導波路部分60aを含んでおり、光導波路33の光路長を光導波路22の光路長に比べて位相3π/2radに相当する長さだけ長くすることによって、光導波路33を伝搬する光L22の位相を3π/2rad変化させる。これにより、光導波路33を伝搬する光L22と光導波路22を伝搬する光L11との間には、3π/2radの位相差が常に生じる。また、位相変化部61は、光導波路32を伝搬する光L21の光路長を、光導波路22を伝搬する光L11の光路長よりも長くする光導波路部分61aを含んでおり、光導波路32の光路長を光導波路22の光路長に比べて位相π/2radに相当する長さだけ長くすることによって、光導波路32を伝搬する光L21の位相をπ/2rad変化させる。これにより、光導波路32を伝搬する光L21と光導波路22を伝搬する光L11との間には、π/2radの位相差が常に生じる。また、光L21と光L22との間には、πradの位相差が常に生じる。本変形例では、位相変化部29,60及び61の働きによって、光合波部5に達する光L22,L12及びL21は、光L11に対してそれぞれπ/2rad、πrad及び3π/2radの位相差を有することとなる。したがって、これらの光が全て合波された光合波部5の出力端では、光L11、L22,L12及びL21に4つの位相π/4、3π/4、5π/4、及び7π/4がそれぞれ割り当てられたQPSK信号が好適に生成される。なお、本変形例では位相変化部29,60及び61が光導波路部分29a,60a及び61aを含むように構成されているが、位相変化部29,60及び61は、第2実施形態の位相変化部27,37,及び40のように、半導体からなる光導波路と、該光導波路に対する電圧の印加により該光導波路を伝搬する光の位相を変化させる電極とを含み、電圧印加による屈折率変化によって光路長を変化させる構成を有しても良い。また、上述した第1変形例および第2変形例において、光導波路部分29a,39a,60a,61aの光路長は、例えば次のようにして好適に設定される。図8は、光分岐部21または31を拡大して示す平面図である。前述したように、光分岐部21,31は、例えばMMI光結合器によって好適に構成される。光導波路部分の光路長は、図8に示される光導波路の傾斜部分Aの長さを変更することによって任意の長さに調整することが可能である。まず、本来の傾斜部分Aの光路長Lに対し、差分ΔLを与えた場合の光路長L’は、L’=L2ΔL1-cosθとなる但し、θは傾斜部分Aの傾斜角度である。現実的な傾斜角θの範囲0°<θ<90°では、0<cosθ<1となり、ΔLを長くするほど傾斜部分Aの光路長も長くなることから、光路長差2ΔL1-cosθでの位相変化量は、ΔΦ=2ΔLneff/λである。ここで、neffはInPの実効屈折率である。例えば、neff=3.3、λ=1550nm、θ=45°として、ΔΦ=π/2、π、及び3π/2を与えるΔLを計算すると、それぞれ180nm、370nm、及び550nmとなる。なお、このような光導波路部分の光路長の調整は、光分岐部21,31と同様にMMI光結合器によって構成される光合波部24,34においても可能である。比較例図9は、上述した特許文献1に記載されたマッハツェンダー変調器の構成を示す平面図である。このマッハツェンダ変調器200は、入射光を導波する入射光導波路201と、導波光を2本の導波路202,203へ分波する分岐部204と、この分岐部204より分岐された2本の導波路202,203のそれぞれに設けられた位相変調器部205,206と、2本の導波路202,203からの出力光を合波する合波部207と、合波部207からの合波光を導波する出力光導波路208とを備える。そして、2つの位相変調器部205,206の導波路の等価屈折率は互いに異なっており、位相変調器部206に信号源209からの変調電気信号が印加されていない状態において、2つの位相変調器部205,206を伝搬した光の位相差はπradとなっている。このマッハツェンダー変調器200では、マッハツェンダー変調器において所望のチャープ特性を得るために、位相変調用の電極が片側の位相変調器部206にのみ配置され、他方の位相変調器部205の電極は接地電位に接続されている。すなわち、このマッハツェンダー変調器200は、位相変調器部205及び206の半導体光導波路の組成を互いに異ならせることによって、これらの屈折率を互いに異ならせるような構成に限定されたものである。図10は、図9に示されたマッハツェンダー変調器200の入力端、点A、点B、及び出力端における、信号空間ダイヤグラムを示している。同図に示されるように、入力端に入力される被変調光は、単一の位相を有している。そして、導波路203の後端に位置する点Aでは、被変調光から分波された光が変調されることにより、位相0~πradの範囲内で変動する。他方、導波路202の後端に位置する点Bでは、印加電圧が接地電位に固定されているため、光の位相は、導波路202との屈折率差による位相変化量πradで一定となる。したがって、図10に示されるように、出力端における出力信号光の位相は、上記第1実施形態の図2bのように変化することは不可能であり、BPSK信号を得ることはできない。このことから、特許文献1に記載されたマッハツェンダー変調器は、第1実施形態及び各変形例に係るマッハツェンダー変調器とはその構成および機能が全く異なるものである。以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。"