"アミノ基が芳香環に直接結合された芳香族アミン化合物と、分子内にエポキシ基およびメタアクリロイル基を有する化合物とを反応させて得られる芳香族アミン型メタアクリレート化合物を含有することを特徴とする転写材料用硬化性組成物。前記芳香族アミン化合物が4,4-ジアミノジフェニルメタン、3,4-ジアミノジフェニルメタン、3,3-ジアミノジフェニルメタン、4,4-エチレンジアニリン、2,2-エチレンジアニリン、o-トリジン、o-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、2,6-ジアミノトルエン、2,4-ジアミノトルエン、2,3-ジアミノトルエン、3,4-ジアミノトルエン、1,5-ジアミノナフタレン、1,8-ジアミノナフタレン、2,3-ジアミノナフタレン、アニリン、o-トルイジン、m-トルイジン、p-トルイジン、2,6-ジメチルアニリン、2,4-ジメチルアニリン、2,5-ジメチルアニリン、3,5-ジメチルアニリン、3,4-ジメチルアニリン、2,7-ジアミノフルオレンまたは9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレンである請求項1に記載の転写材料用硬化性組成物。前記分子内にエポキシ基およびメタアクリロイル基を有する化合物が、メタクリル酸グリシジルおよび3,4-エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレートから選択される少なくとも一つである請求項1または2に記載の転写材料用硬化性組成物。さらに、前記芳香族アミン型メタアクリレート化合物以外のラジカル重合性化合物を含有する請求項1~3のいずれか1項に記載の転写材料用硬化性組成物。さらに、熱ラジカル重合開始剤を含有する請求項1~4のいずれか1項に記載の転写材料用硬化性組成物。さらに、活性エネルギー線ラジカル重合開始剤を含有する請求項1~5のいずれか1項に記載の転写材料用硬化性組成物。請求項1~5のいずれか1項に記載の転写材料用硬化性組成物を基板に塗布し、塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜に、表面に凹凸パターンを有する型を押し当てる工程と、前記塗布膜に型を押し当てた状態で塗布膜を加熱することにより塗布膜を硬化させる工程と、前記硬化した塗布膜から型を外す工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。請求項1~4および6のいずれか1項に記載の転写材料用硬化性組成物を基板に塗布し、塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜に、表面に凹凸パターンを有する型を押し当てる工程と、前記塗布膜に型を押し当てた状態で塗布膜に活性エネルギー線を照射することにより塗布膜を硬化させる工程と、前記硬化した塗布膜から型を外す工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。前記型が活性エネルギー線を透過させる材料で形成されており、活性エネルギー線を、前記型を介して前記塗布膜に照射する請求項8に記載のパターン形成方法。前記基板が活性エネルギー線を透過させる材料で形成されており、活性エネルギー線を、前記基板を介して前記塗布膜に照射する請求項8に記載のパターン形成方法。前記パターンが、10μm以下の微細パターンである請求項7~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。基体上に磁性膜を備えてなる基板の前記磁性膜上に請求項7~11のいずれか1項に記載のパターン形成方法でパターンを形成し、このパターンをレジストとして前記磁性膜の一部を除去するか、または前記磁性膜の一部を非磁性化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項12に記載の製造方法で得られた磁気記録媒体。請求項13に記載の磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置。本発明は、アルゴンガスと酸素ガスとのドライエッチング速度の選択性が高く、かつレジスト等に用いる微細パターンを熱またはUVナノインプリント法によって形成することができる転写材料用硬化性組成物およびその形成方法を提供することを課題とする。本発明者らは上記の課題を、鋭意検討した結果、以下の芳香族アミン型メタアクリレート化合物を含有する硬化性組成物をインプリント用転写材料として用いることで、良好なインプリント性を有するだけではなく、パターン形成後の下地層加工におけるレジストとしての性能であるエッチング耐性に優れた硬化物を形成することのできる組成物が得られ、この組成物が半導体や磁気記録媒体の加工に優れた特性を示すことを見出した。すなわち本発明は、以下の[1]~[14]に記載の実施態様を有するものである。[1]アミノ基が芳香環に直接結合された芳香族アミン化合物と、分子内にエポキシ基およびメタアクリロイル基を有する化合物とを反応させて得られる芳香族アミン型メタアクリレート化合物を含有することを特徴とする転写材料用硬化性組成物。[2]前記芳香族アミン化合物が4,4-ジアミノジフェニルメタン、3,4-ジアミノジフェニルメタン、3,3-ジアミノジフェニルメタン、4,4-エチレンジアニリン、2,2-エチレンジアニリン、o-トリジン、o-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、2,6-ジアミノトルエン、2,4-ジアミノトルエン、2,3-ジアミノトルエン、3,4-ジアミノトルエン、1,5-ジアミノナフタレン、1,8-ジアミノナフタレン、2,3-ジアミノナフタレン、アニリン、o-トルイジン、m-トルイジン、p-トルイジン、2,6-ジメチルアニリン、2,4-ジメチルアニリン、2,5-ジメチルアニリン、3,5-ジメチルアニリン、3,4-ジメチルアニリン、2,7-ジアミノフルオレンまたは9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレンである1に記載の転写材料用硬化性組成物。[3]前記分子内にエポキシ基およびメタアクリロイル基を有する化合物が、メタクリル酸グリシジルおよび3,4-エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレートから選択される少なくとも一つである1または2に記載の転写材料用硬化性組成物。[4]さらに、前記芳香族アミン型メタアクリレート化合物以外のラジカル重合性化合物を含有する1~3のいずれか1項に記載の転写材料用硬化性組成物。[5]さらに、熱ラジカル重合開始剤を含有する1~4のいずれか1項に記載の転写材料用硬化性組成物。[6]さらに、活性エネルギー線ラジカル重合開始剤を含有する1~5のいずれか1項に記載の転写材料用硬化性組成物。[7]1~5のいずれか1項に記載の転写材料用硬化性組成物を基板に塗布し、塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜に、表面に凹凸パターンを有する型を押し当てる工程と、前記塗布膜に型を押し当てた状態で塗布膜を加熱することにより塗布膜を硬化させる工程と、前記硬化した塗布膜から型を外す工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。[8]1~4および6のいずれか1項に記載の転写材料用硬化性組成物を基板に塗布し、塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜に、表面に凹凸パターンを有する型を押し当てる工程と、前記塗布膜に型を押し当てた状態で塗布膜に活性エネルギー線を照射することにより塗布膜を硬化させる工程と、前記硬化した塗布膜から型を外す工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。[9]前記型が活性エネルギー線を透過させる材料で形成されており、活性エネルギー線を、前記型を介して前記塗布膜に照射する8に記載のパターン形成方法。[10]前記基板が活性エネルギー線を透過させる材料で形成されており、活性エネルギー線を、前記基板を介して前記塗布膜に照射する8に記載のパターン形成方法。[11]前記パターンが、10μm以下の微細パターンである7~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。[12]基体上に磁性膜を備えてなる基板の前記磁性膜上に7~11のいずれか1項に記載のパターン形成方法でパターンを形成し、このパターンをレジストとして前記磁性膜の一部を除去するか、または前記磁性膜の一部を非磁性化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。[13]12に記載の製造方法で得られた磁気記録媒体。[14]13に記載の磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置。本発明の転写材料用硬化性組成物を用いれば、高いスループットで、アルゴンガスと酸素ガスとのエッチング速度の選択性が高い微細パターンを形成することができる。そしてそのような転写材料用硬化性組成物を用いる本発明のパターン形成方法は、以下三つの特徴を有する。1インプリント時の転写性能が良好である2インプリント後の磁性層露出のための底抜きや当該組成物から形成された硬化膜の剥離の際には、酸素ガスを用いて反応性イオンエッチングを行うことにより、容易に硬化膜を除去できる3一方媒体を加工する際のアルゴンガスを用いたエッチングにおいてはレジストとしての良好な耐性を示す。また本発明の微細パターン形成方法を用いることにより、半導体や磁気記録媒体製造プロセス等における微細パターンを作成することが出来る。以下、本発明の転写材料用硬化性組成物および該組成物を用いたパターンの形成方法を詳細に説明する。転写材料用硬化性組成物本発明の転写材料用硬化性組成物は、4,4-ジアミノジフェニルメタンなどのアミノ基が芳香環に直接結合された芳香族アミンAと、分子内にエポキシ基およびメタアクリロイル基を有する化合物Bとを反応させて得られる芳香族アミン型メタアクリレート化合物を含むことを特徴とする。芳香族アミンAは、アミノ基が芳香環に直接結合してなる分子構造を有する。アミノ基が芳香環に直接結合されていない芳香族アミン、例えばm-キシリレンジアミンのような、アミノ基と芳香環とがメチレンを介して結合されている芳香族アミンを用いると、当該組成物から得られる転写パターンの矩形性に劣る傾向がある。芳香環としては特に限定されず、例えば、ベンゼン骨格、ナフタレン骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格等が挙げられる。尚、本発明においてメタアクリロイル基とは、アクリロイル基とメタクリロイル基との総称である。同様に、メタアクリレートとは、アクリレートとメタクリレートとの総称である。4,4-ジアミノジフェニルメタン以外の芳香族アミン化合物Aとして、3,4-ジアミノジフェニルメタン、3,3-ジアミノジフェニルメタン、4,4-エチレンジアニリン、2,2-エチレンジアニリン、o-トリジン、o-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、2,6-ジアミノトルエン、2,4-ジアミノトルエン、2,3-ジアミノトルエン、3,4-ジアミノトルエン、1,5-ジアミノナフタレン、1,8-ジアミノナフタレン、2,3-ジアミノナフタレン、アニリン、o-トルイジン、m-トルイジン、p-トルイジン、2,6-ジメチルアニリン、2,4-ジメチルアニリン、2,5-ジメチルアニリン、3,5-ジメチルアニリン、3,4-ジメチルアニリン、2,7-ジアミノフルオレン、および9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレンなどを挙げることができる。分子内にエポキシ基およびメタアクリロイル基を有する化合物Bとしては、芳香族アミン化合物Aのアミノ基と反応することのできるエポキシ基を有し、さらにメタアクリロイル基を有する限り特に制限されず、たとえばメタアクリル酸グリシジルおよび3,4-エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート等が挙げられ、これらの中でメタクリル酸グリシジルおよび3,4-エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレートが入手しやすい点でより好ましい。上記芳香族アミン化合物Aと、分子内にエポキシ基およびメタアクロイル基を有する化合物Bとを反応させる際に、これらの配合比は特に限定されないが、一般的には芳香族アミン化合物A内のアミノ基1モルに対して、化合物B内のエポキシ基1~5モルであり、好ましくは2~3モルである。この範囲を外れると一方の原料が使われずに大量に残るため、経済的に不利になる場合がある。また、反応容器に加える順番も、特に限定されないが、AおよびBの全量を混合させてから反応させることが好ましい。この反応において、反応時間を短くする目的で、触媒を用いることができる。このような触媒としては、例えば、2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノール、ベンジルジメチルアミン、トリエチルアミン、N,Nジメチルピペリジン、1,4-ジアザビシクロオクタン{トリエチレンジアミン}、トリメチルベンジルアンモニウムクロライド、塩化リチウム、トリフェニルホスフィン等を用いることができる。これらの中でも、2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノールが好ましく、その添加量は、芳香族アミン化合物1モルに対して通常0.005~0.05モルである。反応温度は80~140°Cの範囲が好ましく、100~120°Cの範囲が更に好ましい。反応温度が80°Cより低いと反応速度が低くなり、また、140°Cを超えると生成物が熱重合を起こしやすい。また、反応中にゲル化を防ぐ目的で、重合禁止剤を添加することが望ましい。このような禁止剤としては、ハイドロキノン、p-メトキシフェノール、2-t-ブチルハイドロキノン、2-t-ブチル-4-メトキシフェノール、2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール、4-t-ブチルカテコール、2,5-ジ-t-ブチルハイドロキノン、2,5-ジ-t-アミルハイドロキノン、4,4-チオ-ビス6-t-ブチル-m-クレゾール、2,6-ジ-t-ブチル-4-エチルフェノールステアリル-β-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート、2,2-メチレンビス4-メチル-6-t-ブチルフェノール、4,4-ブチリデンビス3-メチル-6-t-ブチルフェノール、1,3,5-トリメチル-2,4,6-トリス3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジルベンゼン、テトラキス-[メチレン-3-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート]メタン、トリス3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル-s-トリアジン-2,4,6-1H,3H,5Hトリオン、トコフェロール等のフェノール系化合物、フェノチアジン、スチリルフェノチアジン、ジラウリル3,3-チオジプロピオネート、ジミリスチル3,3-チオジプロピオネート、ジステアリル3,3-チオジプロピオネート、ジブチルジチオカルバミン酸銅等の硫黄系化合物、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト等のリン系化合物等が挙げられる。これらは単独で、または2種類以上組み合わせて用いることができる。重合禁止剤の添加量としては、反応液組成物中の重合禁止剤以外の全ての成分の合計量100質量部に対して0.01から1質量部、より好ましくは0.1から0.35質量部である。重合禁止剤の添加量が0.01質量部より少ないと効果が小さく、1質量部よりも多いと硬化性や着色に悪影響を与えることがある。また、上記反応は、同様に重合を防止する目的で酸素を共存させた状態で行うこともできる。共存させる酸素濃度としては、爆発限界も加味して気相中の濃度として10mol以下が望ましい。10molを越えても、重合禁止には効果があるが着火源があると引火しやすく危険である。上記反応においては、溶媒を用いてもよい。用いうる溶媒としては、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、ジクロロエタン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル系溶媒等を挙げることができる。上記反応により、化合物Bのエポキシ基が開環し、第1アミンである芳香族アミン化合物Aのアミノ基に結合して、第2または第3アミンである芳香族アミン型メタアクリレート化合物が得られる。前記芳香族アミン型メタアクリレート化合物は、官能基としてメタアクリロイル基を有していることから、本発明の転写材料用硬化性組成物は、ラジカル重合やポリチオールとの重付加を併用したラジカル付加重合を行うことができる。尚、本願明細書においてメタアクリロイル基とは、アクリロイル基およびメタクリロイル基から選ばれる1種以上を意味する。本発明の転写材料用硬化性組成物は、上記の芳香族アミン型メタアクリレート化合物を含むことにより、インプリント時の転写性能が良好であり、またその硬化物は、インプリント後底出しや剥離の際には、酸素ガスを用いて反応性イオンエッチングを行うことで容易に除去され、また基材-媒体加工時のArミリング等のエッチング工程において耐性を示す。また、本発明の転写材料用硬化性組成物は、官能基としてメタアクリロイル基を含有しているので、ラジカル重合を行うことができる。<転写材料用硬化性組成物のその他の成分>本発明の転写材料用硬化性組成物は、上記芳香族アミン型メタアクリレート化合物Iのメタアクリロイル基と共重合できる官能基を持った、芳香族アミン型メタアクリレート化合物I以外のラジカル重合性化合物IIを含んでもよい。ラジカル重合性化合物IIとしては、炭素-炭素二重結合を少なくとも一つ有する化合物、具体的にはメタアクリロイルオキシ基、スチリル基、ビニル基、アリル基、フマル基、マレイル基等を持つ化合物が挙げられる。これらの中でもメタアクリロイルオキシ基を持つ化合物が特に好ましく、たとえば、メタアクリル酸エステルの構造を1つ以上有するモノマーまたはオリゴマーが好適である。前記メタアクリル酸エステルの構造を1つ以上有するモノマーまたはオリゴマーとしては、単官能もしくは多官能のメタアクリレートが使用できる。具体的には、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸-n-プロピル、メタアクリル酸イソプロピル、メタアクリル酸-n-ブチル、メタアクリル酸イソブチル、メタアクリル酸-sec-ブチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸-2-エチルヘキシル、メタアクリル酸デシル、メタアクリル酸イソボルニル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート、ジエチレングリコールジメタアクリレート、トリエチレングリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールペンタメタアクリレート、N,N-ジメチルメタアクリルアミド、N,N-ジエチルメタアクリルアミド、N-メタアクリロイルモルフォリン等が挙げられる。またメタアクリロイルオキシ基を持つ化合物として、さらには、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、N-グリシジル型エポキシ樹脂、ビスフェノールAのノボラック型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、アミノ基含有エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノリック型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε-カプロラクトン変性エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂にメタアクリル酸を付加させたいわゆるエポキシメタアクリレートも用いることが出来る。さらにメタアクリロイルオキシ基を持つ化合物の他の例として、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、トリプロピレングリコールメタアクリレート、1,4-ブチレングリコールモノメタアクリレート、2-ヒドロキシ-3-クロロプロピルメタアクリレート、グリセロールモノメタアクリレート、グリセロールジメタアクリレート、グリセロールメタクリレートアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアクリレートなどと反応させたウレタンメタアクリレートなどの活性水素含有メタアクリレート系モノマーも用いることが出来る。前記スチリル基を有する化合物としては、具体的には、スチレン、2,4-ジメチル-α-メチルスチレン、o-メチルスチレン、m-メチルスチレン、p-メチルスチレン、2,4-ジメチルスチレン、2,5-ジメチルスチレン、2,6-ジメチルスチレン、3,4-ジメチルスチレン、3,5-ジメチルスチレン、2,4,6-トリメチルスチレン、2,4,5-トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、o-エチルスチレン、m-エチルスチレン、p-エチルスチレン、o-クロロスチレン、m-クロロスチレン、p-クロロスチレン、o-ブロモスチレン、m-ブロモスチレン、p-ブロモスチレン、o-メトキシスチレン、m-メトキシスチレン、p-メトキシスチレン、o-ヒドロキシスチレン、m-ヒドロキシスチレン、p-ヒドロキシスチレン、2-ビニルビフェニル、3-ビニルビフェニル、4-ビニルビフェニル、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、4-ビニル-p-ターフェニル、1-ビニルアントラセン、α-メチルスチレン、o-イソプロペニルトルエン、m-イソプロペニルトルエン、p-イソプロペニルトルエン、2,3-ジメチル-α-メチルスチレン、3,5-ジメチル-α-メチルスチレン、p-イソプロピル-α-メチルスチレン、α-エチルスチレン、α-クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、2,4-ジイソプロピルスチレン等が挙げられる。前記ビニル基を有する化合物としては、具体的には、メタアクリロニトリル及びその誘導体、有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニル、アジピン酸ジビニル等が挙げられる。尚、本発明においてメタアクリロニトリルとは、アクリロニトリルとメタクリロニトリルとの総称である。前記アリル基を有する化合物としては、例えば、酢酸アリル、安息香酸アリル、アジピン酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル、フタル酸ジアリル等が挙げられる。前記フマル基を有する化合物としては、例えば、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソプロピル、フマル酸ジ-sec-ブチル、フマル酸ジイソブチル、フマル酸ジ-n-ブチル、フマル酸ジ-2-エチルヘキシル、フマル酸ジベンジル等が挙げられる。前記マレイル基を有する化合物としては、例えば、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジ-sec-ブチル、マレイン酸ジイソブチル、マレイン酸ジ-n-ブチル、マレイン酸ジ-2-エチルヘキシル、マレイン酸ジベンジル等が挙げられる。その他上記芳香族アミン型メタアクリレート化合物Iのメタアクリロイル基と共重合できる官能基を持ったラジカル重合性化合物IIとして、イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル、イタコン酸ジ-sec-ブチル、イタコン酸ジイソブチル、イタコン酸ジ-n-ブチル、イタコン酸ジ-2-エチルヘキシル、イタコン酸ジベンジル等、有機カルボン酸のN-ビニルアミド誘導体N-メチル-N-ビニルアセトアミド等、マレイミド及びその誘導体N-フェニルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド等も挙げられる。本発明の転写材料用硬化性組成物において、芳香族アミン型メタアクリレート化合物Iと芳香族アミン型メタアクリレート化合物I以外のラジカル重合性化合物IIとを含む場合、両者の配合割合は、両者の合計量を100質量部として、好ましくはI30~95質量部、II70~5質量部であり、更に好ましくはI50~9質量部、II50~5質量部あり、特に好ましい混合比率はI70~95質量部、II30~5質量部である。I以外のラジカル重合性化合物を上記の割合で配合することにより、組成物の硬化性や密着性を改善することができる。本発明の転写材料用硬化性組成物中に含まれる硬化性官能基であるメタアクリロイル基を硬化反応させる方法としては、熱重合による硬化と活性エネルギー線重合による硬化の方法があり、これらの重合様式に応じてそれぞれ最適な重合開始剤を必要に応じて添加することが望ましい。熱重合の場合に使用することができる熱ラジカル重合開始剤としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセテートパーオキサイド、アセチルアセテートパーオキサイド、1,1-ビスt-ブチルパーオキシブタン、1,1-ビスt-ブチルパーオキシ-シクロヘキサン、1,1-ビスt-ブチルパーオキシ-2-メチルシクロヘキサン、1,1-ビスt-ブチルパーオキシ-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビスt-ブチルパーオキシシクロドデカン、1,1-ビスt-ヘキシルパーオキシ-シクロヘキサン、1,1-ビスt-ヘキシルパーオキシ-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、2,2-ビス4,4-ジ-t-ブチルパーオキシシクロヘキシルプロパン、t-ブチルハイドロパーオキサイド、t-ヘキシルハイドロパーオキサイド、1,1,3,3-テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、p-メチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、ジ-t-ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、t-ブチルクミルパーオキサイド、α,α-ビスt-ブチルパーオキシジイソプロピルベンゼン、2,5-ジメチル-2,5-ビスt-ブチルパーオキシヘキサン、2,5-ジメチル-2,5-ビスt-ブチルパーオキシヘキシン-3、イソブチリルパーオキサイド、3,3,5-トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシン酸パーオキサイド、m-トルオイルベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジ-n-プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス4-t-ブチルシクロヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ-2-エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジ-2-エトキシヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ-3-メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ-S-ブチルパーオキシジカーボネート、ジ3-メチル-3-メトキシブチルパーオキシジカーボネート、α,α-ビスネオデカノイルパーオキシジイソプロピルベンゼン、t-ブチルパーオキシネオデカノエート、t-ヘキシルパーオキシネオデカノエート、1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、1-シクロヘキシル-1-メチルエチルパーオキシネオデカノエート、クミルパーオキシネオデカノエート、t-ブチルパーオキシピバレート、t-ヘキシルパーオキシピバレート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-ヘキシルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、2,5-ジメチル-2,5-ビス2-エチルヘキサノイルパーオキシヘキサン、1-シクロヘキシル-1-メチルエチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシ-3,5,5-トリメチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t-ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキシルモノカーボネート、t-ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、t-ブチルパーオキシイソブチレート、t-ブチルパーオキシマレート、t-ブチルパーオキシベンゾエート、t-ヘキシルパーオキシベンゾエート、t-ブチルパーオキシ-m-トルイルベンゾエート、t-ブチルパーオキシラウレート、t-ブチルパーオキシアセテート、ビスt-ブチルパーオキシイソフタレート、2,5-ジメチル-2,5-ビスm-トルイルパーオキシヘキサン、2,5-ジメチル-2,5-ビスベンゾイルパーオキシヘキサン、t-ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、3,3,4,4-テトラt-ブチルパーオキシカルボニルベンゾフェノンなどの、有機過酸化物、または、1-[1-シアノ-1-メチルエチルアゾ]ホルムアミド、1,1-アゾビスシクロヘキサン-1-カルボニトリル、2,2-アゾビス2-メチルブチロニトリル、2,2-アゾビスイソブチロニトリル、2,2-アゾビス2,4-ジメチル-4-メトキシバレロニトリル、2,2-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、2-フェニルアゾ-4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2-アゾビス2-メチルプロピオンアミジンジヒドロクロリド、2,2-アゾビス2-メチル-N-フェニルプロピオンアミジンジヒドロクロリド、2,2-アゾビス[N-4-クロロフェニル-2-メチルプロピオンアミジン]ジヒドロクロリド、2,2-アゾビス[N-4-ヒドロフェニル-2-メチルプロピオンアミジン]ジヒドロクロリド、2,2-アゾビス[2-メチル-N-2-プロペニルプロピオンアミジン]ジヒドロクロリド、2,2-アゾビス[N-2-ヒドロキシエチル-2-メチルプロピオンアミジン]ジヒドロクロリド、2,2-アゾビス[2-メチル-N-フェニルメチルプロピオンアミジン]ジヒドロクロリド、2,2-アゾビス[2-2-イミダゾリン-2-イルプロパン]ジヒドロクロリド、2,2-アゾビス[2-5-メチル-2-イミダゾリン-2-イルプロパン]ジヒドロクロリド、2,2-アゾビス{2-[1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリン-2-イル]プロパン}ジヒドロクロリド、2,2-アゾビス[2-4,5,6,7-テトラヒドロ-1H-1,3-ジアゼピン-2-イルプロパン]ジヒドロクロリド、2,2-アゾビス[2-3,4,5,6-テトラヒドロピリミジンー2-イルプロパン]ジヒドロクロリド、2,2-アゾビス[2-5-ヒドロキシ-3,4,5,6-テトラヒドロピリミジン-2-イルプロパン]ジヒドロクロリド、2,2-アゾビス2-メチルプロピオンアミド、2,2-アゾビス[2-メチル-N-2-ヒドロキシエチルプロピオンアミド]、2,2-アゾビス{2-メチル-N-[1,1-ビスヒドロキシメチル-2-ヒドロキシエチル]プロピオンアミド}、2,2-アゾビス{2-メチル-N-[1,1-ビスヒドロキシメチルエチル]プロピオンアミド}、2,2-アゾビス2-メチルプロパン、2,2-アゾビス2,4,4-トリメチルペンタン、ジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート、4,4-アゾビス4-シアノペンタン酸、2,2-アゾビス[2-ヒドロキシメチルプロピオニトリル]などの、アゾ化合物等が挙げられる。活性エネルギー線硬化の場合に用いられる活性エネルギー線は、上記の化合物のメタアクリロイル基に作用して組成物を硬化させるものであれば特に限定されるものではない。例えば、紫外線、X線等の放射線、電子線を挙げることができる。これらの中では紫外線や電子線を好適に使用できる。電子線を用いた場合のように、重合開始剤が無くてもメタアクリロイル基を硬化することが出来る場合もあるが、本組成物に用いる活性エネルギー線と官能基の種類によって、必要に応じて活性エネルギー線ラジカル重合開始剤を添加することが望ましい。本発明で用いる紫外線ラジカル重合開始剤としては、4-フェノキシジクロロアセトフェノン、4-t-ブチル-ジクロロアセトフェノン、4-t-ブチル-トリクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、2-ヒドロキシ-2-シクロヘキシルアセトフェノン2-ヒドロキシ-2-フェニル-1-フェニルプロパン-1-オン、1-4-ドデシルフェニル-2-ヒドロキシ-2-メチルプロパン-1-オン、1-4-イソプロピルフェニル-2-ヒドロキシ-2-メチルプロパン-1-オン、4-2-ヒドロキシエトキシ-フェニル-2-ヒドロキシ-2-プロピルケトン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2-メチル-1-[4-メチルチオフェニル]-2-モルホリノプロパン-1-オン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンなどの、アセトフェノン系光ラジカル重合開始剤や、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテルなどの、ベンゾイン系光ラジカル重合開始剤や、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、4-フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、アクリル化ベンゾフェノン、3,3-ジメチル-4-メトキシベンゾフェノン、4,4-ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4-ジエチルアミノベンゾフェノン、3,3,4,4-テトラt-ブチルパーオキシカルボニルベンゾフェノンなどの、ベンゾフェノン系光ラジカル重合開始剤や、チオキサントン、2-クロロチオキサントン、2-メチルチオキサントン、2,4-ジメチルチオキサントン、2,4-ジエチルチオキサントン、2,4-ジイソプロピルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、1-クロロ-4-プロポキシチオキサントン、2,4-ジクロロチオキサントンなどの、チオキサントン系光ラジカル重合開始剤、ベンジル、ベンジルメチルケタール、9,10-フェナンスレンキノン、カンファーキノン、ジベンゾスベロン、2-エチルアントラキノン、4,4-ジエチルイソフタロフェノンなどの、ケトン系光ラジカル重合開始剤や、2,2-ビス2-クロロフェニル-4,4,5,5-テトラフェニル-1,2-イミダゾールなどの、イミダゾール系光ラジカル重合開始剤や、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイドなどのアシルホスフィンオキサイド系光ラジカル重合開始剤や、カルバゾール系光ラジカル重合開始剤や、トリフェニルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、p-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-クロルフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、2,4-シクロペンタジエン-1-イル[1-メチルエチルベンゼン]-鉄-ヘキサフルオロホスフェートなどの、ルイス酸のオニウム塩などの光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの重合開始剤は単独で、あるいは2種類以上を組み合わせて用いることができる。また、熱ラジカル重合開始剤と活性エネルギー線ラジカル重合開始剤とを併用することもできる。本発明の転写材料用硬化性組成物がさらにIII活性エネルギー線ラジカル重合開始剤または熱ラジカル重合開始剤を含有する場合、IとIIとの配合割合は前述のとおりであり、IIIの配合割合は、IとIIとの合計量100質量部に対して、III0.2~10質量部であり、更に好ましくはIII0.5~7質量部であり、特に好ましくはIII1~5質量部である。IIIの割合が0.2質量部より少ないと硬化性が低くなる傾向があり、10質量部を超えると塗膜物性が低下する傾向がある。さらに、本発明の転写材料用硬化性組成物は、重合開始剤の他に粘度調整剤、分散剤、表面調整剤などの添加剤を含有することができる。その場合には、その合計が硬化性組成物の30質量以下となるようにすることが好ましい。添加剤の量が多すぎると、本発明の硬化性組成物を用いて得られる微細パターンのエッチング耐性が劣ってしまうおそれがある。本発明の転写材料用硬化性組成物を用いて、微細パターンを形成する場合、塗布性向上のため、必要に応じて溶媒等を添加することができる。希釈溶媒としては、前記芳香族アミン型メタアクリレート化合物の製造反応時に用いた溶媒をそのまま使用することも出来るし、反応溶媒を減圧下に留去した後、違う溶媒を添加することも出来る。このような溶媒としては、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒、トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル系溶媒、2-プロパノール、ブタノールおよびヘキサノール、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のアルコール系溶媒、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、n-メチルピロリドン等のアミド系溶媒などを挙げることができる。パターンの形成方法次に、本発明の転写材料用硬化性組成物を用いて、パターンを形成する方法を説明する。特に、この形成方法によれば、10μm以下の微細パターンを形成することができる。ここで、10μm以下の微細パターンとは、型に刻み込んだ凹凸の線幅寸法が10μm以下のパターンであり、つまり1つの凹の線幅と1つの凸の線幅との合計ピッチが10μm以下であるパターンを意味する。本発明のパターンの形成方法の一例は、本発明の転写材料用硬化性組成物を基板に塗布し、塗布膜を形成する工程と、基板に塗布した転写材料用硬化性組成物に型を押し当てる工程と、型を押し当てた状態で転写材料用硬化性組成物を加熱することにより転写材料用硬化性組成物を硬化させる工程と、硬化した転写材料用硬化性組成物から型を外す工程とを含む。また、本発明のパターンの形成方法の他の例は、本発明の転写材料用硬化性組成物を基板に塗布し、塗布膜を形成する工程と、基板に塗布した転写材料用硬化性組成物に型を押し当てる工程と、型を押し当てた状態で転写材料用硬化性組成物に活性エネルギー線を照射することにより前記転写材料用硬化性組成物を硬化させる工程と、硬化した転写材料用硬化性組成物から型を外す工程とを含む。[1、塗布工程]基板に硬化性組成物を塗布する方法に特に制限はなく、例えば、スピンコートやディップコートなどの方法を用いることができるが、基板上の転写材料用硬化性組成物からなる塗布膜の膜厚が均一になる方法を用いることが好ましい。図1aは基板上に本発明の硬化性組成物が塗布された状態を示しており、基板16上に塗布膜14が設けられている。なお基板とは、ガラス板などの基体自体およびその基体上に、磁性膜および/または保護膜などのパターンが形成されるべき層が設けられたものを指す。[2、転写工程および硬化工程]微細パターンは、塗布膜に微細パターンを既に付けられた型を押し付けること転写で形成することができる。塗布膜に型を押し付けた後、硬化性組成物を硬化するために活性エネルギー線による硬化、もしくは熱硬化を行う。また、両方法を組み合わせ、加熱下で活性エネルギー線を照射することもできる。図1bおよびcは、基板上に塗布された本発明の硬化性組成物に型を押し当て、活性エネルギー線照射および/または熱により該組成物を硬化させる工程を示している。図1bは、基板16上に設けられた塗布膜14に型16が押し当てられた状態を示し、図1cは、塗布膜14に型12が押し当てられた状態で、塗布膜14に活性エネルギー線が照射され、または熱が加えられた状態を示している。型の素材については特に制限はないが、紫外線等の活性エネルギー線で硬化性組成物を硬化させる場合、活性エネルギー線が透過する樹脂、ガラスまたは石英製の型を使用すると、活性エネルギー線が透過しない基板を使用した場合にでも、活性エネルギー線が、型の、前記塗布膜が接している面とは反対の面の側から、型を通過して、前記塗布膜に照射されるようにすることにより、硬化性組成物を硬化させ、微細パターンを形成することができ、好ましい。つまり、図1cにおいて、活性エネルギー線が型12の上側から照射され、型12を通過し、微細パターンが形成されている塗布膜14に到達するようにする。基板が活性エネルギー線を透過させる透明基板などである場合には、通常活性エネルギー線が、基板の、前記塗布膜が接している面とは反対の面の側から、基板を通過して、前記塗布膜に照射されることにより、硬化が行われる。つまり、図1cにおいて、活性エネルギー線が基板16の下側から照射され、基板16を通過し、微細パターンが形成されている塗布膜14に到達するようにする。本発明に用いられる活性エネルギー線は、上記のメタアクリロイル基に作用して組成物を硬化させるものであれば特に限定されるものではない。例えば、紫外線、X線等の放射線、電子線を挙げることができる。これらの中では紫外線や電子線を好適に使用できる。また、型を押し付ける際、あるいはその後の加熱もしくはエネルギー線照射をする際の雰囲気に特に制限はないが、硬化した硬化性組成物中に気泡が残ることを防ぐために真空とすることが好ましい。また硬化性官能基が、メタアクリロイル基、アリル基、ビニル基などの炭素-炭素二重結合である場合には、酸素による重合阻害を防ぐことができるため、型の押し付けおよびその後の加熱もしくはエネルギー線照射を真空中で行うことが好ましい。[3、離型工程]本発明の硬化性組成物からなる塗布膜を硬化させた後に、型を塗布膜から外す。図1dは、硬化され、微細パターンが形成された塗布膜14から型12が外された状態を示す。型を外した後、微細パターンの耐熱性や物理強度を向上させるためにさらに加熱して硬化度を高めることもできる。このとき、加熱の方法に特に制限はないが、形成したパターンが崩れないように塗布膜のガラス転移点以下の温度を保って徐々に昇温し、加熱の上限は、塗布膜の熱分解を防ぐため、250°Cとすることが好ましい。このようにして10μm以下の微細パターンが形成される。この微細パターンは本発明の転写材料用硬化性組成物が硬化したものであり、アルゴンガスと酸素ガスとのエッチング速度の選択性が高い。そのため、本発明の10μm以下の微細パターン形成方法により形成された微細パターンは、エッチングに用いるガスアルゴンガスに対して耐性が高いのでエッチングの度合いを容易に制御することができ、除去する際に用いられるガス酸素ガスに対しては耐性が低いので容易に除去される。従って、前記微細パターンは、優れたレジストとなるので、半導体や磁気記録媒体をはじめとした幅広い用途に適用可能である。上記のように、本発明の転写材料用硬化性組成物は磁気記録媒体をはじめとした幅広い用途に適用可能である。より詳しくは、磁気記録媒体の用途として、上記の微細パターンを、磁気記録媒体の磁性膜の一部除去加工、もしくは非磁性化する方法に適用することができる。その方法を以下に説明する。1.底抜き硬化性組成物を反応性イオンエッチングRIE、イオンミリングともいうによりエッチングし、凹凸の凹部分に対応する磁性膜表面を露出させる。図2に、この工程の概略を示す。図2には、基体上に磁性膜が設けられてなる基板の前記磁性膜上に、本発明の硬化性組成物からなる、微細パターンが形成された硬化膜が設けられており、その硬化膜の上方から反応性イオンエッチングを行う図2の上の図。その結果、微細パターンが形成された硬化膜の凹部が削られ、微細パターンに対応して、磁性膜上に硬化膜が存在しない部分が形成される図2の下の図。2.磁性層の一部除去加工もしくは非磁性化イオンミリングにより露出した磁性部をエッチングするもしくは反応性ガスにより露出した磁性部を非磁性化する。このとき、硬化性組成物は、イオンミリングおよび反応性ガスに耐性を持たなければならない。図3に、この工程の概略を示す。図3の左の図は、イオンミリングイオンエッチングの工程を示し、微細パターンが形成され、前記底抜きがなされた硬化膜の上方からイオンミリングすると図3左上の図、硬化膜が存在しない部分の磁性膜がエッチングされる図3左下の図。図3の右の図は、反応性ガスによる非磁性化処理の工程を示し、微細パターンが形成され、前記底抜きがなされた硬化膜の上方から反応性ガスで処理すると図3右上の図、硬化膜が存在しない部分の磁性膜が非磁性化される図3右下の図。なお、磁性部を非磁性化する方法としては、たとえば特開2007-273067号公報に記載されているような、磁性部に、イオンビーム法などによりケイ素、ホウ素、フッ素、リン、タングステン、炭素、インジウム、ゲルマニウム、ビスマス、クリプトン、アルゴンなどの原子を注入し、磁性部を非晶質化する方法が挙げられる。その後、前記硬化性組成物からなる膜を除去することにより、磁気記録媒体が得られる。以上の方法により製造した磁気記録媒体を磁気記録再生装置に組み込むことにより、従来と同等以上の記録再生特性を確保しつつ、記録密度を大幅に増加した磁気記録再生装置を製造することができる。以下、本発明を実施例により詳細に説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。合成例1温度計および冷却管を取り付けた300mLの3口フラスコに4,4-ジアミノジフェニルメタン10.0g0.05mol、メタクリル酸グリシジル28.7g0.20mol、2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノール0.3g1.13mmol、p-メトキシフェノール0.1g0.81mmolを加え、乾燥空気で混合液をバブリングかつ撹拌しながら110°Cで反応させた。3時間反応させた後、ガスクロマトグラフィーにより、反応液中のメタクリル酸グリシジルが全て反応で消費したことを確認した後、オイルバスから3口フラスコを上げ、反応を終了した。上記反応生成物の1H-NMRスペクトルを図4に示す。2ppm付近のピークがメタクリロイル基のメチル基の水素12H、56ppmおよび61ppm付近のピークがメタクリロイル基の炭素-炭素二重結合上の水素8H、65~70ppm付近のピークが芳香環上の水素8Hと推定される。また、これら以外の水素の合計24Hの数も残りのピークの積分値とほぼ一致することから、ガスクロマトグラフィーの結果と合わせ、式1で表される化合物位置異性体を含むが得られていると推定される。合成例2温度計および冷却管を取り付けた100mLの3口フラスコに1,5-ジアミノナフタレン1.39g8.79mmol、メタクリル酸グリシジル5.0g35.2mmol、2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノール0.05g0.19mmol、p-メトキシフェノール20mg0.16mmolを加え、乾燥空気で混合液をバブリングかつ撹拌しながら110°Cで反応させた。3時間反応させた後、ガスクロマトグラフィーにより、反応液中のメタクリル酸グリシジルが全て反応で消費したことを確認した後、オイルバスから3口フラスコを上げ、反応を終了した。上記反応生成物の1H-NMRスペクトルを図5に示す。19ppm付近のピークがメタクリロイル基のメチル基の水素12H、56ppmおよび61ppm付近のピークがメタクリロイル基の炭素-炭素二重結合上の水素8H、65~73ppm付近のピークが芳香環上の水素6Hと推定される。また、これら以外の水素の合計24Hの数も残りのピークの積分値とほぼ一致することから、ガスクロマトグラフィーの結果と合わせ、式2で表される化合物位置異性体を含むが得られていると推定される。合成例3温度計および冷却管を取り付けた100mLの3口フラスコにm-フェニレンジアミン1.9g17.6mmol、メタクリル酸グリシジル10.0g0.07mol、2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノール0.1g0.38mmol、p-メトキシフェノール40mg0.32mmolを加え、乾燥空気で混合液をバブリングかつ撹拌しながら110°Cで反応させた。3時間反応させた後、ガスクロマトグラフィーにより、反応液中のメタクリル酸グリシジルが全て反応で消費したことを確認した後、オイルバスから3口フラスコを上げ、反応を終了した。上記反応物の1H-NMRスペクトルを図6に示す。19ppm付近のピークがメタクリロイル基のメチル基の水素12H、56ppmおよび62ppm付近のピークがメタクリロイル基の炭素-炭素二重結合上の水素8H、62~70ppm付近のピークが芳香環上の水素4Hと推定される。また、これら以外の水素の合計24Hの数も残りのピークの積分値とほぼ一致することから、ガスクロマトグラフィーの結果と合わせ、式3で表される化合物位置異性体を含むが得られていると推定される。合成例4温度計および冷却管を取り付けた100mLの3口フラスコにp-フェニレンジアミン1.9g17.6mmol、メタクリル酸グリシジル10.0g0.07mol、2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノール0.1g0.38mmol、p-メトキシフェノール40mg0.32mmolを加え、乾燥空気で混合液をバブリングかつ撹拌しながら110°Cで反応させた。3時間反応させた後、ガスクロマトグラフィーにより、反応液中のメタクリル酸グリシジルが全て反応で消費したことを確認した後、オイルバスから3口フラスコを上げ、反応を終了した。上記反応物の1H-NMRスペクトルを図7に示す。19ppm付近のピークがメタクリロイル基のメチル基の水素12H、56ppmおよび61ppm付近のピークがメタクリロイル基の炭素-炭素二重結合上の水素8H、67~69ppm付近のピークが芳香環上の水素4Hと推定される。また、これら以外の水素の合計24Hの数も残りのピークの積分値とほぼ一致することから、ガスクロマトグラフィーの結果と合わせ、式4で表される化合物位置異性体を含むが得られていると推定される。合成例5温度計および冷却管を取り付けた100mLの3口フラスコにアニリン1.64g17.6mmol、メタクリル酸グリシジル5.0g0.035mol、2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノール0.05g0.19mmol、p-メトキシフェノール20mg0.16mmolを加え、乾燥空気で混合液をバブリングかつ撹拌しながら110°Cで反応させた。3時間反応させた後、ガスクロマトグラフィーにより、反応液中のメタクリル酸グリシジルが全て反応で消費したことを確認した後、オイルバスから3口フラスコを上げ、反応を終了した。上記反応物の1H-NMRスペクトルを図8に示す。19ppm付近のピークがメタクリロイル基のメチル基の水素6H、56ppmおよび61ppm付近のピークがメタクリロイル基の二重結合上の水素4H、66~72ppm付近のピークが芳香環上の水素5Hと推定される。また、これら以外の水素の合計12Hの数も残りのピークの積分値とほぼ一致することから、ガスクロマトグラフィーの結果と合わせ、式5で表される化合物位置異性体を含むが得られていると推定される。合成例6温度計および冷却管を取り付けた100mLの3口フラスコに4,4-エチレンジアニリン1.00g4.7mmol、メタクリル酸グリシジル2.68g0.019mol、2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノール0.02g0.075mmol、p-メトキシフェノール10mg0.08mmolを加え、乾燥空気で混合液をバブリングかつ撹拌しながら110°Cで反応させた。3時間反応させた後、ガスクロマトグラフィーにより、反応液中のメタクリル酸グリシジルが全て反応で消費したことを確認した後、オイルバスから3口フラスコを上げ、反応を終了した。合成例7温度計および冷却管を取り付けた100mLの3口フラスコにm-キシリレンジアミン2.4g0.018mol、メタクリル酸グリシジル10.0g0.07mol、p-メトキシフェノール35mg0.28mmolを加え、乾燥空気で混合液をバブリングかつ撹拌しながら60°Cで反応させた。4時間反応させた後、ガスクロマトグラフィーにより、反応液中のメタクリル酸グリシジルが全て反応で消費したことを確認した後、オイルバスから3口フラスコを上げ、反応を終了した。上記反応物の1H-NMRスペクトルを図9に示す。2ppm付近のピークがメタクリロイル基のメチル基の水素12H、56ppmおよび61ppm付近のピークがメタクリロイル基の炭素-炭素二重結合上の水素8H、71~72ppm付近のピークが芳香環上の水素4Hと推定される。また、これら以外の水素の合計28Hの数も残りのピークの積分値とほぼ一致することから、ガスクロマトグラフィーの結果と合わせ、式6で表される化合物位置異性体を含むが得られていると推定される。実施例1合成例1で得られた反応液50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、硬化性組成物を得た。この硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した後ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。膜厚は約0.2μmであった。この硬化性組成物を塗布して表面に薄膜が形成されたガラス基板を窒素気流下、紫外線波長365nmに於いて照度35mW/cm2を15秒間照射した。後述の方法により、得られた樹脂薄膜のアルゴンガスによる反応性イオンエッチング速度および酸素ガスによる反応性イオンエッチング速度を測定した。実施例2合成例2で得られた反応液50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、硬化性組成物を得た。この硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した後ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。膜厚は約0.2μmであった。この硬化性組成物を塗布して表面に薄膜が形成されたガラス基板を窒素気流下、紫外線波長365nmに於いて照度35mW/cm2を15秒間照射した。後述の方法により、得られた樹脂薄膜のアルゴンガスによる反応性イオンエッチング速度および酸素ガスによる反応性イオンエッチング速度を測定した。実施例3合成例3で得られた反応液50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、硬化性組成物を得た。この硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した後ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。膜厚は約0.2μmであった。この硬化性組成物を塗布して表面に薄膜が形成されたガラス基板を窒素気流下、紫外線波長365nmに於いて照度35mW/cm2を15秒間照射した。後述の方法により、得られた樹脂薄膜のアルゴンガスによる反応性イオンエッチング速度および酸素ガスによる反応性イオンエッチング速度を測定した。実施例4合成例4で得られた反応液50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、硬化性組成物を得た。この硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した後ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。膜厚は約0.2μmであった。この硬化性組成物を塗布して表面に薄膜が形成されたガラス基板を窒素気流下、紫外線波長365nmに於いて照度35mW/cm2を15秒間照射した。後述の方法により、得られた樹脂薄膜のアルゴンガスによる反応性イオンエッチング速度および酸素ガスによる反応性イオンエッチング速度を測定した。実施例5合成例5で得られた反応液50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、硬化性組成物を得た。この硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した後ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。膜厚は約0.2μmであった。この硬化性組成物を塗布して表面に薄膜が形成されたガラス基板を窒素気流下、紫外線波長365nmに於いて照度35mW/cm2を15秒間照射した。後述の方法により、得られた樹脂薄膜のアルゴンガスによる反応性イオンエッチング速度および酸素ガスによる反応性イオンエッチング速度を測定した。実施例6合成例6で得られた反応液50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、硬化性組成物を得た。この硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した後ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。膜厚は約0.2μmであった。この硬化性組成物を塗布して表面に薄膜が形成されたガラス基板を窒素気流下、紫外線波長365nmに於いて照度35mW/cm2を15秒間照射した。後述の方法により、得られた樹脂薄膜のアルゴンガスによる反応性イオンエッチング速度および酸素ガスによる反応性イオンエッチング速度を測定した。比較例1ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートKAYARADDPHA日本化薬製50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。膜厚は約0.2μmであった。樹脂を塗布したガラス基板を窒素気流下、紫外線波長365nmに於いて照度35mW/cm2を15秒間照射した。後述の方法により、得られた樹脂薄膜のアルゴンガスによる反応性イオンエッチング速度および酸素による反応性イオンエッチング速度を測定した。エッチング速度測定方法硬化した薄膜上にガラス小片を貼り付け、以下の条件の反応性イオンエッチング装置でエッチング処理を実施した。ガラス小片を取り外し、ガラス小片に保護された薄膜部分とエッチングされた薄膜部分段差を測定した。エッチング速度nm/sec=段差nm÷処理時間sec反応性イオンエッチングの条件アルゴンガスエッチングガス:アルゴン圧力:0.5Paガス流量:40sccmプラズマ電圧:200Wバイアス電圧:20W処理時間:200sec酸素ガスエッチングガス:酸素圧力:0.5Paガス流量:40sccmプラズマ電圧:200Wバイアス電圧:20W処理時間:20sec実施例1~6および比較例1の各ガスにおけるエッチング速度を表1に示した。実施例1~6の樹脂薄膜は、比較例1の樹脂薄膜に比べてアルゴンのエッチング速度が約12と小さく、アルゴンエッチング耐性が高いことが分かる。また、実施例1~6の樹脂薄膜は、酸素とアルゴンとのエッチング速度の比率がいずれも比較例1の場合より大きい。以上より本発明の転写材料用硬化性組成物の硬化膜は、アルゴン耐性およびエッチング速度の選択性が芳香族アミン骨格を有さない比較例の硬化膜に比べて高く、レジストとして好適に用いることができることがわかる。実施例7合成例1で得られた反応液50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。次に、作製した硬化性組成物膜つきガラス基板の樹脂を塗布した面に、図10に示す石英ガラス製の半径方向に沿って凹凸形状がパターニングされた型凹部の深さ150nmのパターニングされた面を下にして載せ、UVナノインプリントプレス装置ST200東芝機械株社製にセットしてプレスし、波長365nm、強度6.5mW/cm2の紫外光を照射した。型の載った円板をプレス装置から取り出し、型をはずしてガラス円板上の被膜を観察したところ、パターンの抜けや塗膜のムラなどの塗膜の状態不良は見られなかった。転写された基板の断面を走査型電子顕微鏡SEMで観察した結果を図11に示す。図11より、型のパターンが矩形状に非常に良く転写されていることがわかる。実施例8合成例2で得られた反応液50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。次に、作製した硬化性組成物膜つきガラス基板の樹脂を塗布した面に、図10に示す石英ガラス製の半径方向に沿って凹凸形状がパターニングされた型凹部の深さ150nmのパターニングされた面を下にして載せ、UVナノインプリントプレス装置ST200東芝機械株社製にセットしてプレスし、波長365nm、強度6.5mW/cm2の紫外光を照射した。型の載った円板をプレス装置から取り出し、型をはずしてガラス円板上の被膜を観察したところ、パターンの抜けや塗膜のムラなどの塗膜の状態不良は見られなかった。転写された基板の断面を走査型電子顕微鏡SEMで観察した結果を図12に示す。図12より、型のパターンが矩形状に非常に良く転写されていることがわかる。実施例9合成例3で得られた反応液50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。次に、作製した硬化性組成物膜つきガラス基板の樹脂を塗布した面に、図10に示す石英ガラス製の半径方向に沿って凹凸形状がパターニングされた型凹部の深さ150nmのパターニングされた面を下にして載せ、UVナノインプリントプレス装置ST200東芝機械株社製にセットしてプレスし、波長365nm、強度6.5mW/cm2の紫外光を照射した。型の載った円板をプレス装置から取り出し、型をはずしてガラス円板上の被膜を観察したところ、パターンの抜けや塗膜のムラなどの塗膜の状態不良は見られなかった。転写された基板の断面を走査型電子顕微鏡SEMで観察した結果を図13に示す。図13より、型のパターンが矩形状に非常に良く転写されていることがわかる。実施例10合成例4で得られた反応液50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。次に、作製した硬化性組成物膜つきガラス基板の樹脂を塗布した面に、図10に示す石英ガラス製の半径方向に沿って凹凸形状がパターニングされた型凹部の深さ150nmのパターニングされた面を下にして載せ、UVナノインプリントプレス装置ST200東芝機械株社製にセットしてプレスし、波長365nm、強度6.5mW/cm2の紫外光を照射した。型の載った円板をプレス装置から取り出し、型をはずしてガラス円板上の被膜を観察したところ、パターンの抜けや塗膜のムラなどの塗膜の状態不良は見られなかった。転写された基板の断面を走査型電子顕微鏡SEMで観察した結果を図14に示す。図14より、型のパターンが矩形状に非常に良く転写されていることがわかる。実施例11合成例5で得られた反応液50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。次に、作製した硬化性組成物膜つきガラス基板の樹脂を塗布した面に、図10に示す石英ガラス製の半径方向に沿って凹凸形状がパターニングされた型凹部の深さ150nmのパターニングされた面を下にして載せ、UVナノインプリントプレス装置ST200東芝機械株社製にセットしてプレスし、波長365nm、強度6.5mW/cm2の紫外光を照射した。型の載った円板をプレス装置から取り出し、型をはずしてガラス円板上の被膜を観察したところ、パターンの抜けや塗膜のムラなどの塗膜の状態不良は見られなかった。転写された基板の断面を走査型電子顕微鏡SEMで観察した結果を図15に示す。図15より、型のパターンが矩形状に非常に良く転写されていることがわかる。実施例12合成例6で得られた反応液50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。次に、作製した硬化性組成物膜つきガラス基板の樹脂を塗布した面に、図10に示す石英ガラス製の半径方向に沿って凹凸形状がパターニングされた型凹部の深さ150nmのパターニングされた面を下にして載せ、UVナノインプリントプレス装置ST200東芝機械株社製にセットしてプレスし、波長365nm、強度6.5mW/cm2の紫外光を照射した。型の載った円板をプレス装置から取り出し、型をはずしてガラス円板上の被膜を観察したところ、パターンの抜けや塗膜のムラなどの塗膜の状態不良は見られなかった。転写された基板の断面を走査型電子顕微鏡SEMで観察した結果を図16に示す。図16より、型のパターンが矩形状に非常に良く転写されていることがわかる。比較例2合成例7で得られた反応液50質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート950質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンIrgacure369チバジャパン製を1.5質量部添加し溶解させた後、0.2μmのフィルターでろ過し、得られた硬化性組成物0.5mlをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を500rpmで5秒間回転、次いで3000rpmで2秒間、さらに5000rpmで20秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。次に、作製した硬化性組成物膜つきガラス基板の樹脂を塗布した面に、図10に示す石英ガラス製の半径方向に沿って凹凸形状がパターニングされた型凹部の深さ150nmのパターニングされた面を下にして載せ、UVナノインプリントプレス装置ST200東芝機械株社製にセットしてプレスし、波長365nm、強度6.5mW/cm2の紫外光を照射した。型の載った円板をプレス装置から取り出し、型をはずしてガラス円板上の被膜を観察したところ、パターンの抜けや塗膜のムラなどの塗膜の状態不良は見られなかった。転写された基板の断面を走査型電子顕微鏡SEMで観察した結果を図17に示す。図17より、型のパターンが矩形状に転写されていないことが分かる。"