"電磁波を透過する窓部が設けられたチャンバと、前記チャンバに収容され、エッチング対象物が載置されるステージと、前記窓部と前記ステージの間に配置された防着天板と、前記防着天板と共に前記ステージの周囲を囲う防着板と、前記チャンバの外部に配置され、前記窓部を介して前記防着天板を加熱する第1の加熱部とを具備するエッチング装置。請求項1に記載のエッチング装置であって、前記第1の加熱部は、前記窓部を介して前記チャンバの内部に赤外線を照射し、前記防着天板を加熱するエッチング装置。請求項1又は2に記載のエッチング装置であって、前記防着天板は、粗面化処理が施された石英からなるエッチング装置。電磁波を透過する窓部が設けられたチャンバの内部に収容されたステージにエッチング対象物を載置し、前記ステージを第1の温度に加熱し、前記窓部と前記ステージの間に配置された防着天板を前記チャンバの外部に配置された第1の加熱部により前記第1の温度より低い第2の温度に加熱し、前記防着天板と共に前記ステージの周囲を囲う防着板を前記防着板に埋め込まれた第2の加熱部により前記第2の温度に加熱し、前記エッチング対象物をエッチングするエッチング方法。電磁波を透過する窓部が設けられたチャンバの内部に収容されたステージにエッチング対象物を載置し、前記ステージを第1の温度に加熱し、前記窓部と前記ステージの間に配置された防着天板を前記チャンバの外部に配置された第1の加熱部により前記第1の温度より高い第3の温度に加熱し、前記防着天板と共に前記ステージの周囲を囲う防着板を前記防着板に埋め込まれた第2の加熱部により前記第3の温度に加熱し、前記エッチング対象物をエッチングするエッチング方法。しかしながら、特許文献1に記載の防着板装置は、防着板を加熱するためのヒーターが防着板に直接取り付けられた構成となっている。ここで、RIEでは、エッチングガスとしてハロゲン系ガス等の腐食性ガスが用いられることも多く、ヒーターの腐食が問題となる。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、防着板へのエッチング生成物の付着の影響を抑制することが可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るエッチング装置は、チャンバと、ステージと、防着天板と、防着板と、第1の加熱部とを具備する。上記チャンバは、電磁波を透過する窓部が設けられる。上記ステージは、上記チャンバに収容され、エッチング対象物が載置される。上記防着天板は、上記窓部と上記ステージの間に配置される。上記防着板は、上記防着天板と共に上記ステージの周囲を囲う。上記第1の加熱部は、上記チャンバの外部に配置され、上記窓部を介して上記防着天板を加熱する。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るエッチング方法は、電磁波を透過する窓部が設けられたチャンバの内部に収容されたステージにエッチング対象物を載置する。上記ステージは第1の温度に加熱される。上記窓部と上記ステージの間に配置された防着天板は上記チャンバの外部に配置された第1の加熱部により上記第1の温度より低い第2の温度に加熱され、上記防着天板と共に上記ステージの周囲を囲う防着板は上記防着板に埋め込まれた第2の加熱部により上記第2の温度に加熱される。上記エッチング対象物はエッチングされる。上記目的を達成するため、本発明の別の形態に係るエッチング方法は、電磁波を透過する窓部が設けられたチャンバの内部に収容されたステージにエッチング対象物を載置する。上記ステージは第1の温度に加熱される。上記窓部と上記ステージの間に配置された防着天板は上記チャンバの外部に配置された第1の加熱部により上記第1の温度より高い第3の温度に加熱され、上記防着天板と共に上記ステージの周囲を囲う防着板は上記防着板に埋め込まれた第2の加熱部により上記第3の温度に加熱される。上記エッチング対象物はエッチングされる。本実施形態に係るエッチング装置は、チャンバと、ステージと、防着天板と、防着板と、第1の加熱部とを具備する。上記チャンバは、電磁波を透過する窓部が設けられる。上記ステージは、上記チャンバに収容され、エッチング対象物が載置される。上記防着天板は、上記窓部と上記ステージの間に配置される。上記防着板は、上記防着天板と共に上記ステージの周囲を囲う。上記第1の加熱部は、上記チャンバの外部に配置され、上記窓部を介して上記防着天板を加熱する。この構成によれば、防着天板が加熱されるため、防着天板に接触するエッチング生成物の揮発性が大きくなり、エッチング生成物の防着天板への付着が抑制される。また、防着天板を加熱する第1の加熱部がチャンバの外に設けられているため、チャンバ内に腐食性ガスを導入する場合であっても、防着天板を加熱することが可能となる。上記第1の加熱部は、上記窓部を介して上記チャンバの内部に赤外線を照射し、上記防着天板を加熱してもよい。この構成によれば、チャンバの外部に配置された第1の加熱部により、チャンバ内部に配置された防着天板を加熱することが可能となる。チャンバ内部は真空もしくは低圧数Pa以下のプロセスガス雰囲気であるが、熱放射であれば有効に加熱することができる。上記防着天板は、粗面化処理が施された石英からなるものであってもよい。防着天板の表面に粗面化処理例えば、アルミナやイットリア等の溶射処理等を施すことにより、第1の加熱部から照射される赤外線に対する透過率を低下させ、昇温速度を向上させることが可能となる。さらに、粗面化による表面積の拡大により、堆積したエッチング生成物の剥離を防止することも可能となる。本実施形態に係るエッチング方法は、電磁波を透過する窓部が設けられたチャンバの内部に収容されたステージにエッチング対象物を載置する。上記ステージは第1の温度に加熱される。上記窓部と上記ステージの間に配置された防着天板は上記チャンバの外部に配置された第1の加熱部により上記第1の温度より低い第2の温度に加熱され、上記防着天板と共に上記ステージの周囲を囲う防着板は上記防着板に埋め込まれた第2の加熱部により上記第2の温度に加熱される。上記エッチング対象物はエッチングされる。防着板及び防着天板が加熱されていることにより、防着板及び防着天板に接触するエッチング生成物の揮発性が大きくなり、エッチング生成物の防着板への付着を抑制し、チャンバから排気することが可能である。ここで、防着板及び防着天板の温度をステージの温度より低くすることによって、エッチング生成物がエッチング対象物に再度付着する確率を低減し、パーティクルの発生を防止することが可能となる。本実施形態に係るエッチング方法は、電磁波を透過する窓部が設けられたチャンバの内部に収容されたステージにエッチング対象物を載置する。上記ステージは第1の温度に加熱される。上記窓部と上記ステージの間に配置された防着天板は上記チャンバの外部に配置された第1の加熱部により上記第1の温度より高い第3の温度に加熱され、上記防着天板と共に上記ステージの周囲を囲う防着板は上記防着板に埋め込まれた第2の加熱部により上記第3の温度に加熱される。上記エッチング対象物はエッチングされる。防着板及び防着天板が加熱されていることにより、防着板及び防着天板に接触するエッチング生成物の揮発性及び反応性が大きくなり、エッチング生成物の防着板への付着を抑制し、チャンバから排気することが可能である。ここで、防着板及び防着天板の温度をステージの温度より高くすることによって、特に被エッチング材料のエッチング生成物の揮発性が高い場合にはエッチング生成物が防着板や防着天板に再付着することなく排気され、クリーニングの頻度を減らすことが可能である。以下、本発明の実施形態を説明する。第1の実施形態第1の実施形態について説明する。[エッチング装置の構成]図1は、第1の実施形態に係るエッチング装置1の概略構成を示す模式図である。同図に示すように、エッチング装置1は、チャンバ本体2、チャンバ天板3、ステージ4、防着板5、防着天板6、プラズマ生成部7、電熱ヒーター8、赤外線ヒーター9、ガス導入系10及び真空排気系11を具備する。なお、エッチング装置1はこれ以外の構成を有するものであってもよい。チャンバ本体2とチャンバ天板3によって、チャンバCが形成され、当該チャンバの内部にステージ4が収容されている。また、ステージ4とチャンバCの間には、ステージ4を囲むように防着板5が配置され、防着板5と防着天板6によってプラズマ形成空間Rが形成されている。防着板5には、電熱ヒーター8が埋め込まれている。プラズマ生成部7はチャンバCの室外であるチャンバ天板3の背面に配置されている。さらに、プラズマ生成部7の近傍には、赤外線ヒーター9が配置されている。ガス導入系10及び真空排気系11はそれぞれチャンバCに接続されている。ステージ4には、エッチング対象物である基板Wが示されている。チャンバ本体2は、チャンバCの底面ステージ4が設置される面を底面とする、側面及び天面の一部を構成する。チャンバ本体2は、一般的なチャンバの材料、例えばアルミニウムよりなるものとすることができる。チャンバ本体2の天面には、開口2aが形成されている。チャンバ天板3は、チャンバ本体2に形成されている開口2aを塞ぐように配置され、チャンバCの天面を構成する。チャンバ天板3は、後述するプラズマ生成部7及び赤外線ヒーター9からチャンバC内部に供給される電磁波を透過させるための窓として機能する。チャンバ天板3は、電磁波を透過させ易く、かつ耐腐食性が高い材料、例えば石英あるいはサファイア等の材料からなるものとすることができる。ステージ4は、基板Wを支持可能に構成されている。また、ステージ4は、熱媒体温媒を循環するチラー12に接続され,チラー12から供給される熱媒体によってステージ4を加熱することができる.また,ステージ4は静電チャック機能を兼ね備えており基板Wを吸着することができる.基板Wを吸着したのち,ステージ4と基板Wの間にヘリウムを導入し、ステージ4の熱を基板に伝えるとともに基板全面の均熱を図ることができる。別の方法としては,ステージ4の加熱はチラー12からの熱媒体にはよらず,ステージ4に内蔵された図示しないヒーター以下、内蔵ヒーターによる加熱機構とすることができる。チラー12による加熱の場合には、最高温度が200°C程度であるのに対し,内蔵ヒーターによる場合は450°Cまで加熱することが可能となる。ただし、各所にあるOリング等が融ける等の不具合を防止するため、断熱板を介した上でチャンバ本体2と接する側をチラー12により冷却する必要がある。防着板5は、基板Wとチャンバ本体2との間に配置され、基板Wのエッチングにより生じるエッチング生成物がチャンバ本体2の内壁に付着することを防止する。防着板5は熱伝導性の高い材料、例えばアルミニウムからなるものを用い、その表面は耐腐食性が高い材料、例えば上記アルミニウムの表面をアルマイト処理あるいは溶射処理イットリア溶射等したものからなるものとすることができる。防着板5は筒状形状とすることができ、一端の開口がステージ4に面し、他方の開口が防着天板6に面するように配置されるものとすることができる。防着板5の側面には、基板Wをプラズマ形成空間Rに搬出入させるための開口5a及び開口5aを塞ぐシャッター5bが設けられている。防着板5には、後述する電熱ヒーター8が埋め込まれている。シャッター5bは防着板5と同じ材料からなり、かつ同じ表面処理が施されたものであることが望ましい。シャッター5bは閉鎖時には防着板として機能するため、以下の説明において防着板5はシャッター5bを含むものとする。防着天板6は、基板Wとチャンバ天板3との間に配置され、基板Wのエッチングにより生じるエッチング生成物がチャンバ天板3の内壁に付着することを防止する。防着天板6は耐腐食性が高い材料、例えば石英からなるものとすることができる。防着天板6は、防着板5の開口上記他方の開口を塞ぐように近接して配置され、防着板5と共にプラズマ形成空間Rを形成する。防着天板6は、その表面が粗面化されたものとすることができる。これにより、後述する赤外線ヒーター9から放出される赤外線に対する透過率を低下させ、昇温速度を向上させることが可能となる。さらに、粗面化による表面積の拡大により、堆積したエッチング生成物の剥離を防止することも可能となる。なお、防着天板6は、表面の粗面化に替えて、アルミナやイットリア等の皮膜処理が施されたものとすることもできる。皮膜処理によっても、透過率の減少及び表面積の増大を図ることが可能である。プラズマ生成部7は、ガス導入系10からプラズマ形成空間Rに導入されたエッチングガスをプラズマ化する。図2は、プラズマ生成部7を示す模式図である。同図に示すようにプラズマ生成部7は、ファラデーシールド71、マグネットユニット72及び2基のRFRadioFrequencyアンテナ73を有する。ファラデーシールド71は、チャンバCの室外であるチャンバ天板3上に配置され、高周波電源14に接続されている。ファラデーシールド71は、プラズマ形成空間Rのチャンバ天板3の近傍に高周波電力を印加することにより、チャンバ天板3へのエッチング生成物の付着を防止するものである。ファラデーシールド71は、例えば、棒状の電極体がチャンバ天板3に平行に、放射状に形成された電極とすることが可能である。マグネットユニット72は、ファラデーシールド71の上に配置されている。マグネットユニット72は永久磁石であり、プラズマ形成空間Rに固定磁場を形成する。RFアンテナ73は、マグネットユニット72上に配置され、高周波電源14に接続されている。RFアンテナ73はコイル状に巻回された導線からなり、高周波電源14から供給される高周波電力により、プラズマ形成空間Rに誘導磁場を形成する。プラズマ生成部7は以上のような構成を有するが、ここに示すものと異なる構成とすることも可能である。電熱ヒーター8は、シャッター5bを含む防着板5の内部に埋め込まれており、防着板5を加熱する。電熱ヒーター8は、防着板5を所定温度、例えば450°Cまで加熱することが可能なものとすることができる。電熱ヒーター8は例えばシースヒーターとすることが可能である。電熱ヒーター8は防着板5の内部に埋め込まれることにより、後述するエッチングガスが腐食性である場合であっても、その腐食を受けないものとすることが可能である。赤外線ヒーター9は、チャンバCの室外から、チャンバ天板3を介して防着天板6に赤外線を照射し、防着天板6を加熱する。図2に示すように、赤外線ヒーター9は赤外線管91及び反射板92を有する。赤外線管91は、チャンバ天板3の近傍に配置され、例えば、円環状の形状を有するものとすることができる。赤外線管91は赤外線を放射することが可能なものであれば種類は問わない。反射板92は、赤外線管91の背面、即ち、赤外線管91のチャンバ天板3と反対側に設けられ、赤外線管91から放射される赤外線をチャンバ天板3の方向に反射する。反射板92は例えば、曲面状の金属板とすることができる。赤外線ヒーター9は、防着天板6を所定温度、例えば450°Cまで加熱することが可能なものとすることができる。赤外線ヒーター9は以上のような構成を有するが、ここに示すものと異なる構成とすることも可能である。ガス導入系10は、チャンバC内にエッチングガスを供給する。ガス導入系10は例えば、ガスボンベと、当該ガスボンベに接続された配管と、配管上に接続されたマスフローコントローラー流量制御器とによって構成されるものとすることができる。ガス導入系10が供給するガス種は、エッチング対象の材料によって適宜変更されるが、例えばハロゲン系Cl2、HBr、HI、CF4等ガスとすることができる。真空排気系11は、チャンバC内を真空排気する。真空排気系11は例えば真空ポンプと、当該真空ポンプに接続された配管とによって構成されるものとすることができる。エッチング装置1は以上のように構成される。なお、エッチング装置1は独立した装置であってもよく、マルチチャンバー型装置成膜、エッチングあるいはアッシング等の各プロセスチャンバが連結された装置の一部であってもよい。[エッチング対象物]上記エッチング装置1を用いてエッチングを施すエッチング対象物について説明する。エッチング対象物は特に限定されず、RIEReactiveIonEtchingによりエッチングが可能なものであればよい。例えば、エッチング装置1を用いて磁気抵抗素子を製造する場合、基板上に磁性材料、非磁性材料、磁性材料が順に積層された積層体がエッチング対象物となる。このような積層体はエッチング装置1によりパターニングされ、素子間分離等が施される。磁性材料の例としてはCoxFe100-x、CoxFe100-xB等のCoFe系材料、非磁性材料の例としてはMgO等が挙げられる。特に、CoFe系材料等の磁性材料は蒸気圧が小さく、防着板等に再付着しやすい。このため、チャンバ天板に付着してプラズマの特性や分布に影響を与え、あるいは付着物が剥離してパーティクルとなり、素子の製造に影響を及ぼす。したがってこのような蒸気圧が小さい材料をエッチング対象とする場合には、エッチング生成物の防着板等への付着を防止する必要性が高い。ここで、本実施形態では、エッチング装置1を用いたエッチング方法後述によって、エッチング生成物の防着板への付着による影響を抑制することが可能であり、エッチング生成物の蒸気圧が小さい場合には特に有効である。[エッチング方法]エッチング装置1を用いたエッチング方法について説明する。防着板5のシャッター5bが開放された状態で、基板Wエッチング対象物を開口5aからプラズマ形成空間Rに搬入し、ステージ4に載置する。このとき、開口5a側のチャンバ本体2の内壁にはゲートバルブが設けられ、ロボット室が接続されており、ロボット室およびエッチング室の両方とも真空排気されていることが望ましい図示せず。シャッター5bを閉じ、真空排気系11によりチャンバC内が所定の圧力まで真空排気する。真空排気はこの後も継続する。このとき、ステージ4、防着板5及び防着天板6は所定温度まで加熱されている。ステージ4はチラー12又はステージ4の内蔵ヒーターを用いて、100~400°C程度となるまで加熱されているものとする。防着板5は電熱ヒーター8を用いて、室温~200°Cの温度範囲でステージ温度より低い温度となるまで加熱する。防着天板6は赤外線ヒーター9を用いて、室温~200°Cの温度範囲でステージ温度より低い温度となるまで加熱する。ステージ4の静電チャック機能を用いて基板Wを吸着した上,基板Wの裏面に熱媒体He等を導入することにより、ステージ温度を基板Wに伝え、均熱を図る。その後、エッチングを開始する。ガス導入系10からチャンバC内へ所定の流量でエッチングガスを導入する。例えば、ガス種:Cl2、流量:50sccm、圧力:0.5Paとすることができる。高周波電源14によりRFアンテナ73に高周波電力が印加されると、RFアンテナ73による誘導電場とマグネットユニット72による固定磁場の作用により、プラズマ形成空間Rにおいてエッチングガスがプラズマ化される。同時に、バイアス電源13によりステージ4にバイアス電力が印加され、プラズマ中のイオンが基板Wステージ4に対して加速される。例えば、アンテナ電力RFアンテナ73に印加される電力:800W、バイアス電力ステージ4に印加される電力:100Wとすることができる。また、ファラデーシールド71にも高周波電力が印加されても良い。基板Wに衝突するイオンによりエッチング対象物がエッチングされ、同時にエッチング生成物が生成する。多くのエッチング生成物は真空排気系11から排気されるが、一部は防着板5及び防着天板6に接触する。ここで、防着板5及び防着天板6の温度は基板温度より低いのでエッチング生成物は基板Wよりも防着板5及び防着天板6に付着する。エッチングが終了すると基板Wを交換し、新たな基板Wに対してエッチングを施す。所定枚数、例えば数枚~数百枚の基板Wにエッチングを施す毎に、防着板5及び防着天板6のクリーニングを実施する。クリーニングは、基板Wの代わりに堆積物が付着しても良いダミー基板とすることが望ましい。クリーニングの開始前に防着板5及び防着天板6の加熱温度を上記エッチングの際の基板温度より0~150°C程度高い温度としてプラズマを生成させ、クリーニングを施す。また、プラズマによる防着板5及び防着天板6の加熱を促進するために、エッチング時よりもガス導入系10からのエッチングガスの流量を増やして圧力を上昇させてもよい。例えば、ガス種:Cl2、流量:100sccm、圧力:3Paとすることができる。また、ガス種はエッチング時と同一でなくてもよく、例えばCl2、CF系、Cl2の順で導入することも可能である。さらに、アンテナ電力及びバイアス電力もエッチング時と異なってもよく、アンテナ電力:1500W、バイアス電力:50Wとすることができる。このとき、防着天板6に付着している材料の揮発性が低い場合にはファラデーシールド71に電力が投入されている事が望ましい。このクリーニングにより、エッチング時に防着板5及び防着天板6に付着したエッチング生成物を除去することが可能である。クリーニングが終了した後は、再びエッチングを実施することができ、以降、所定回数のエッチング毎にクリーニングが実施される。本実施形態に係るエッチングは以上のようにしてなされる。防着板5及び防着天板6を加熱することにより、防着板5及び防着天板6に接触するエッチング生成物の揮発性が大きくなり、エッチング生成物の防着板5及び防着天板6への付着を抑制することが可能である。さらに、エッチング時に防着板5及び防着天板6を基板Wより低い温度に加熱することにより、基板Wへの再付着を防止し、排気しきれないエッチング生成物は防着板5および防着天板6に付着する。第2の実施形態第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、エッチング時の防着板等の加熱条件が第1の実施形態とは異なる。エッチング装置の構成やエッチング対象物は第1の実施形態と同様であるため、説明を省略する。なお、第2の実施形態はエッチング生成物の揮発性が、第1の実施形態に比べて高い時に実施される。つまり基板Wおよびステージ4と比較して、防着板5及び防着天板6の温度を高く設定しても、反応生成物は再付着せず、ほぼすべてが排気される場合に適用される。[エッチング方法]エッチング装置1を用いたエッチング方法について説明する。防着板5のシャッター5bが開放された状態で、基板Wエッチング対象物を開口5aからプラズマ形成空間Rに搬入し、ステージ4に載置する。このとき、開口5a側のチャンバ本体2の内壁にはゲートバルブが設けられ、ロボット室が接続されており、ロボット室およびエッチング室の両方とも真空排気されていることが望ましい図示せず。シャッター5bを閉じ、真空排気系11によりチャンバC内が所定の圧力まで真空排気する。真空排気はこの後も継続する。このとき、ステージ4、防着板5及び防着天板6は所定温度まで加熱されている。ステージ4はチラー12又はステージ4の内蔵ヒーターを用いて、例えば基板Wの温度以下、基板温度が100~400°C程度となるまで加熱されている。防着板5は電熱ヒーター8を用いて、200~450°Cの温度範囲で基板温度より0~200°C程度高い温度となるまで加熱する。防着天板6は赤外線ヒーター9を用いて、200~450°Cの温度範囲で基板温度より0~200°C程度高い温度となるまで加熱されている。ステージ4の静電チャック機能を用いて基板Wを吸着した上、基板Wの裏面に熱媒体He等を導入することにより、ステージ温度を基板Wに伝え、均熱を図る。その後、エッチングを開始する。ガス導入系10からチャンバC内へ所定の流量でエッチングガスを導入する。例えば、ガス種:Cl2、流量:50sccm、圧力:0.5Paとすることができる。高周波電源14によりRFアンテナ73に高周波電力が印加されると、RFアンテナ73による誘導電場とマグネットユニット72による固定磁場の作用により、プラズマ形成空間Rにおいてエッチングガスがプラズマ化される。同時に、バイアス電源13によりステージ4にバイアス電力が印加され、プラズマ中のイオンが基板Wステージ4に対して加速される。例えば、アンテナ電力RFアンテナ73に印加される電力:800W、バイアス電力ステージ4に印加される電力:100Wとすることができる。また、ファラデーシールド71にも高周波電力が印加されても良い。基板Wに衝突するイオンによりエッチング対象材料がエッチングされ、同時にエッチング生成物が生成する。多くのエッチング生成物は真空排気系11から排気されるが、一部は防着板5及び防着天板6に接触する。ここで、防着板5及び防着天板6の温度は基板温度より高く、上述の通りエッチング生成物の揮発性が高いので、エッチング生成物が防着板5及び防着天板6に接触しても付着せず、チャンバCから排気される。エッチングが終了すると基板Wを交換し、新たな基板Wに対してエッチングを施す。所定枚数、例えば数枚~数百枚の基板Wにエッチングを施す毎に、防着板5及び防着天板6のクリーニングを実施する。ここで、第2の実施形態では防着板5及び防着天板6へのエッチング生成物の付着が抑制されているため、第1の実施形態よりもクリーニングの頻度は少なくてよい。クリーニングは、基板Wの代わりに堆積物が付着しても良いダミー基板とすることが望ましい。クリーニングの開始前に防着板5シャッター5bを含む、以下同じ及び防着天板6の加熱温度を上記エッチングの際の基板温度より0~150°C程度高い温度とする。なお、本実施形態では、エッチングの際に同様の温度となっているのでそのままでもよい。この状態でプラズマを生成させ、クリーニングを施す。また、プラズマによる防着板5及び防着天板6の加熱を促進するために、エッチング時よりもガス導入系10からのエッチングガスの流量を増やして圧力を上昇させてもよい。例えば、ガス種:Cl2、流量:100sccm、圧力:3Paとすることができる。また、ガス種はエッチング時と同一でなくてもよく、例えばCl2、CF系、Cl2の順で導入することも可能である。さらに、アンテナ電力及びバイアス電力もエッチング時と異なってもよく、アンテナ電力:1500W、バイアス電力:50Wとすることができる。このクリーニングにより、エッチング時に防着板5及び防着天板6に付着したエッチング生成物を除去することが可能である。クリーニングが終了した後は、再びエッチングを実施することができ、以降、所定回数のエッチング毎にクリーニングが実施される。本実施形態に係るエッチングは以上のようにしてなされる。防着板5及び防着天板6を加熱することにより、防着板5及び防着天板6に接触するエッチング生成物の揮発性が大きくなり、エッチング生成物の防着板5及び防着天板6への付着を抑制することが可能である。さらに、エッチング時に防着板5及び防着天板6を基板Wより高い温度に加熱することにより、エッチング生成物が防着板5及び防着天板6に付着する確率を低下させ、クリーニング頻度を低減させることが可能である。本発明はこの実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において変更することが可能である。測定1.基板温度とエッチング速度との関係基板エッチング対象物温度とエッチング速度の関係を測定した。図3は、基板温度とエッチング速度の関係を示すグラフである。エッチング対象材料はCo90Fe10とCo30Fe70であり、それぞれを8インチ基板に100nm成膜したものをエッチング対象物とした。エッチングガスはCl2とした。防着板の温度は200°Cとし、防着天板の温度は室温とした。他のエッチング条件は、Cl2流量:50sccm、Cl2圧力:0.5Pa、アンテナ電力:800W、バイアス電力:100W、エッチング時間:60秒である。図3に示すように、基板温度が上昇するにつれて、エッチング速度が上昇することがわかる。測定2.エッチング処理枚数とパーティクル数の関係基板温度:200°C、防着板:200°C、防着天板:室温、クリーニングなしクリーニングを施さない場合の、基板のエッチング処理枚数とパーティクル数の関係を測定した。図4は、エッチング処理枚数とパーティクル数の関係を示すグラフである。エッチング対象材料はCo90Fe10であり、8インチ基板に100nm成膜したものをエッチング対象物とした。エッチングガスはCl2とした。防着板の温度は200°Cとし、防着天板の温度は室温とした。他のエッチング条件は、Cl2流量:50sccm、Cl2圧力:0.5Pa、アンテナ電力:800W、バイアス電力:100W、エッチング時間:60秒である。図4に示すように、エッチング処理枚数が40枚を超えると、パーティクル数が顕著に増加することがわかる。測定3.エッチング処理枚数とパーティクル数の関係基板温度:200°C、防着板:200°C、防着天板:室温、クリーニングありクリーニングを施す場合の、エッチング処理枚数とパーティクル数の関係を測定した。図5は、エッチング処理枚数とパーティクル数の関係を示すグラフである。エッチング対象材料はCo90Fe10であり、8インチ基板に100nm成膜したものをエッチング対象物とした。エッチングガスはCl2とした。防着板の温度は200°Cとし、防着天板の温度は室温とした。他のエッチング条件は、Cl2流量:50sccm、Cl2圧力:0.5Pa、アンテナ電力:800W、バイアス電力:100W、エッチング時間:60秒である。エッチング処理枚数40枚毎にチャンバにクリーニングを施した。クリーニング条件は、Cl2流量:100sccm、Cl2圧力:3Pa、アンテナ電力:1500W、バイアス電力:50W、クリーニング時間:300秒とした。クリーニングの間、ファラデーシールドにも電力を入力した。図5に示すように、エッチング処理枚数に係わらず、パーティクル数は一定値20個程度以下に抑えられた。測定4.エッチング処理枚数とパーティクル数の関係基板温度:200°C、防着板:350°C、防着天板:350°C、クリーニングなしクリーニングを施さない場合の、エッチング処理枚数とパーティクル数の関係を測定した。図6は、エッチング処理枚数とパーティクル数の関係を示すグラフである。エッチング対象材料はCo30Fe70であり、8インチ基板に100nm成膜したものをエッチング対象物とした。エッチングガスはCl2とした。防着板及び防着天板の温度は350°Cとした。他のエッチング条件は、Cl2流量:50sccm、Cl2圧力:0.5Pa、アンテナ電力:800W、バイアス電力:100W、エッチング時間:60秒である。図6に示すように、エッチング処理枚数が90枚を超えると、パーティクル数が顕著に増加することがわかる。測定5.エッチング処理枚数とパーティクル数の関係基板温度:200°C、防着板:350°C、防着天板:350°C、クリーニングありクリーニングを施す場合の、エッチング処理枚数とパーティクル数の関係を測定した。図7は、エッチング処理枚数とパーティクル数の関係を示すグラフである。エッチング対象材料はCo30Fe70であり、8インチ基板に100nm成膜したものをエッチング対象物とした。エッチングガスはCl2とした。防着板及び防着天板の温度は350°Cとした。他のエッチング条件は、Cl2流量:50sccm、Cl2圧力:0.5Pa、アンテナ電力:800W、バイアス電力:100W、エッチング時間:60秒である。エッチング処理枚数90枚毎にチャンバにクリーニングを施した。クリーニング条件は、Cl2流量:100sccm、Cl2圧力:3Pa、アンテナ電力:1500W、バイアス電力:50W、クリーニング時間:300秒とした。クリーニングの間、ファラデーシールドにも電力を入力した。図7に示すように、エッチング処理枚数に係わらず、パーティクル数は一定値20個程度以下に抑えられた。まとめ測定1から、Co90Fe10よりもCo30Fe70の方が揮発性が高いことがわかる。Co30Fe70は150°C程度から化学反応の占める割合が高くなり,200°Cでは化学反応に支配されたエッチングが進んでいる事がわかる。Co90Fe10は200°C程度でのエッチング速度が室温のエッチング速度の倍程度と高くなるがこの時点でもイオン性のスパッタ的で等方性の高いエッチングの要素が含まれている事がわかる。これは反応生成物の融点と沸点の関係からも明らかで、FeCl2又はFeCl3の融点及び沸点の方がCoのそれよりも低いことがわかる下記表1参照。このためCo90Fe10はクリーニング頻度が高くなったとしても第1の実施形態が好適であり、Co30Fe70は第2の実施形態が好適であることがわかった。"