複数の受光素子を備える撮像部と、前記受光素子へ入射する光を集光する、前記受光素子と一対一に平面配置された複数の微小レンズを備える集光部と、被写体からの光が前記受光素子に入射する経路上に、アモルファスシリコンを含むバンドパスフィルターと、を備えることを特徴とする画像取得装置。請求項1に記載の画像取得装置であって、前記撮像部と前記集光部との間に配置され、互いに隣り合う前記微小レンズ間での光線クロストークを防ぐ遮光部を備え、前記撮像部、前記集光部、前記遮光部の少なくとも一つに前記バンドパスフィルターが内蔵されていることを特徴とする画像取得装置。請求項1又は2に記載の画像取得装置であって、前記被写体に光を照射する光源を備えることを特徴とする画像取得装置。請求項3に記載の画像取得装置であって、前記光源の発光ピーク波長と前記バンドパスフィルターの透過ピーク波長とが、一致していることを特徴とする画像取得装置。請求項4に記載の画像取得装置であって、前記バンドパスフィルターは、二つのミラー層と前記二つのミラー層に挟まれたスペーサー層とで構成され、前記ミラー層は、前記光源の発光ピーク波長λにおいて、互いに略λ/4の光学路長を有する、前記アモルファスシリコン薄膜と、前記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜と、が交互に積層された構造であり、前記スペーサー層は、前記光源の発光ピーク波長λにおいて、略λ/2の光学路長を有する、前記アモルファスシリコン薄膜、あるいは、前記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜であることを特徴とする画像取得装置。請求項4に記載の画像取得装置であって、前記バンドパスフィルターは、二つのミラー層と前記二つのミラー層に挟まれたスペーサー層とで構成され、前記ミラー層は、前記光源の発光ピーク波長λよりも短い波長λ2において、互いに略λ2/4の光学路長を有する、前記アモルファスシリコン薄膜と、前記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜と、が交互に積層された構造であり、前記スペーサー層は、前記光源の発光ピーク波長λよりも長い波長λ3において、略λ3/2の光学路長を有する、前記アモルファスシリコン薄膜、あるいは、前記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜であることを特徴とする画像取得装置。請求項4に記載の画像取得装置であって、前記バンドパスフィルターは、前記アモルファスシリコン薄膜と、前記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜と、が交互に奇数2n1n=2、3、層積層された構造であり、前記バンドパスフィルターのn1層目以外の光学路長は、前記光源の発光ピーク波長λよりも短い波長λ5において略λ5/4であり、n1層目の光学路長は、前記光源の発光ピーク波長λよりも短い波長λ5において略λ5/4よりも小さいことを特徴とする画像取得装置。人体の生体情報を取得し、個人認証を行う生体認証装置であって、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の画像取得装置を備えたことを特徴とする生体認証装置。請求項8に記載の生体認証装置を備えたことを特徴とする電子機器。しかしながら、太陽光に含まれる近赤外光の光強度は静脈パターン撮影用の近赤外光源の光強度よりも大きいため、可視光カットフィルターを用いたとしても、撮像部が飽和し静脈パターンが白とび画像となり、認証が不可能になったりする不都合を生じ得る。また、バンドパスフィルターは通常、誘電体多層膜干渉フィルター、多層膜カットフィルターあるいは、色ガラスからなるため、フィルター自体が厚くなり、装置の厚みを増加させてしまう。さらには高価であるので、装置のコストアップに繋がってしまう。誘電体多層膜単独でバンドパスフィルターを形成した場合には、厚みの増加はないものの、透過中心波長の両側に副透過帯が現れ、可視光を透過してしまい、この影響で撮像部が飽和し、静脈パターンが白とび画像となり、認証が不可能になったりする不都合を生じ得るという課題がある。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る画像取得装置は、複数の受光素子を備える撮像部と、上記受光素子へ入射する光を集光する、上記受光素子と一対一に平面配置された複数の微小レンズを備える集光部と、被写体からの光が上記受光素子に入射する経路上に、アモルファスシリコンを含むバンドパスフィルターと、を備えることを特徴とする。本適用例によれば、アモルファスシリコンが可視領域において、大きな吸収を持っているため、誘電体多層膜単独でバンドパスフィルターを構成した際に現れる副透過帯透過中心波長の両側に現れるのうち、可視領域のものを強く抑制できることとなり、これによって、多層膜カットフィルターあるいは、色ガラスを用いずとも透過帯域を十分に制限することが可能となる。したがって、上記アモルファスシリコンを含む上記バンドパスフィルターを備えることで、指に太陽光が照射された際に、撮像部が飽和し、静脈パターンが白とび画像となり、認証が不可能になったりする不都合を回避できる。また、多層膜カットフィルターあるいは、色ガラスが不要であるため、上記画像取得装置の薄型化、低コスト化も可能となる。[適用例2]上記適用例に記載の画像取得装置において、上記撮像部と上記集光部との間に配置され、互いに隣り合う上記微小レンズ間での光線クロストークを防ぐ遮光部を備え、上記撮像部、上記集光部、上記遮光部の少なくとも一つに、上記バンドパスフィルターが内蔵されていることを特徴とする。本適用例によれば、上記撮像部、上記集光部、上記遮光部の少なくとも一つに、上記アモルファスシリコンを含む上記バンドパスフィルターが内蔵されているため、上記画像取得装置のより一層の薄型化を実現できる。[適用例3]上記適用例に記載の画像取得装置において、上記被写体に光を照射する光源を備えることを特徴とする。本適用例によれば、上記被写体に光を照射する光源を備えるため、室内等で静脈パターンを撮影することが可能となる。[適用例4]上記適用例に記載の画像取得装置において、上記光源の発光ピーク波長と上記バンドパスフィルターの透過ピーク波長とが、一致していることを特徴とする。本適用例によれば、上記光源の発光ピーク波長と上記アモルファスシリコンを含む上記バンドパスフィルターの透過ピーク波長とが、一致しているため、上記光源を使用して静脈パターンを撮影する際に、上記アモルファスシリコンを含む上記バンドパスフィルターを備えたことによる上記受光素子への入射光量の低下を抑制できる。したがって、室内などで上記光源を使用する場合、屋外で指に太陽光が照射される場合のいずれにおいても、静脈パターンを撮影することが可能となる。なお、本発明において、発光ピーク波長と透過ピーク波長とが一致するとは、双方の数値が完全に一致する場合のほか、双方の数値が実質的に一致する場合双方の数値が一致するに等しい場合も含意する。例えば、発光ピーク波長と透過ピーク波長とが形式的には相違する場合でも、例えば両者間の相違が製造誤差の範囲内にあるならば、両者は実質的に一致するすなわち本発明の範囲に属すると観念される。もっとも、発光ピーク波長と透過ピーク波長とが完全に一致する構成は、発明の効果の観点から格別に有効な構成ではあるが、上記受光素子への入射光量の低下を抑制するという所期の効果にとって必須の構成とまでは言えない。[適用例5]上記適用例に記載の画像取得装置において、上記バンドパスフィルターは、二つのミラー層と上記二つのミラー層に挟まれたスペーサー層とで構成され、上記ミラー層は、上記光源の中心波長λにおいて、互いに略λ/4の光学路長を有する、上記アモルファスシリコン薄膜と、上記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜と、が交互に積層された構造であり、上記スペーサー層は、上記光源の中心波長λにおいて、略λ/2の光学路長を有する、上記アモルファスシリコン薄膜、あるいは、上記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜であることを特徴とする。本適用例によれば、透過ピーク波長が上記光源の発光ピーク波長と一致し、可視領域の副透過帯透過中心波長の両側に現れるの発生を抑制した上記バンドパスフィルターを実現できる。したがって、室内等で上記光源を使用する場合、屋外で指に太陽光が照射される場合のいずれにおいても、好適な静脈パターンを撮影することが可能となる。[適用例6]上記適用例に記載の画像取得装置において、上記バンドパスフィルターは、二つのミラー層と上記二つのミラー層に挟まれたスペーサー層とで構成され、上記ミラー層は、上記光源の中心波長λよりも短い波長λ2において、互いに略λ2/4の光学路長を有する、上記アモルファスシリコン薄膜と、上記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜と、が交互に積層された構造であり、上記スペーサー層は、上記光源の中心波長λよりも長い波長λ3において、略λ3/2の光学路長を有する、上記アモルファスシリコン薄膜、あるいは、上記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜であることを特徴とする。本適用例によれば、透過ピーク波長が上記光源の発光ピーク波長と一致し、可視領域の副透過帯透過中心波長の両側に現れるの発生をより一層抑制した上記バンドパスフィルターを実現できる。したがって、室内等で上記光源を使用する場合、屋外で指に太陽光が照射される場合のいずれにおいても、より一層好適な静脈パターンを撮影することが可能となる。[適用例7]上記適用例に記載の画像取得装置において、上記バンドパスフィルターは、上記アモルファスシリコン薄膜と、上記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜と、が交互に奇数2n1n=2、3、層積層された構造であり、上記バンドパスフィルターのn1層目以外の光学路長は、前記光源の中心波長λよりも短い波長λ5において略λ5/4であり、n1層目の光学路長は、上記光源の中心波長λよりも短い波長λ5において略λ5/4よりも小さいことを特徴とする。本適用例によれば、透過ピーク波長が上記光源の発光ピーク波長と一致し、可視領域の副透過帯透過中心波長の両側に現れるの発生をより一層抑制した上記バンドパスフィルターを実現できる。したがって、室内等で上記光源を使用する場合、屋外で指に太陽光が照射される場合のいずれにおいても、より一層好適な静脈パターンを撮影することが可能となる。[適用例8]本適用例に係る生体認証装置は、人体の生体情報を取得し、個人認証を行う生体認証装置であって、上記適用例に記載の画像取得装置を備えたことを特徴とする。本適用例によれば、室内、屋外を問わず静脈パターンを撮影できる画像取得装置を備えるため、あらゆる環境下で個人認証を行うことが可能となる。[適用例9]本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の生体認証装置を備えたことを特徴とする本適用例によれば、室内、屋外を問わず静脈パターンによる個人認証が可能となるため、あらゆる環境下で、例えば、電子機器のロック状態の解除、電子機器へのログインなどを簡便に行うことが可能となる。第1実施形態以下、図面を参照し、第1実施形態に係る画像取得装置について説明する。なお、以下の全ての図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。図1は本実施形態に係る画像取得装置1の斜視図である。本実施形態の画像取得装置1は、筐体10と筐体10の上面に開口部11を有し、開口部11に対応する位置に画像取得部12が備えられている。開口部11は撮影対象である指不図示が筐体10上面部と接するように置かれた場合に、この指によって覆われる大きさで形成されている。なお、開口部11の指による覆われ方に個人差が生じないように、指ガイドを設置することも可能である。開口部11を指で覆った際に、同じく指で覆われる位置に撮影対象となる指に光を照射する発光ピーク波長が850nmの光源13が備えられている。光源13としてはLED発光ダイオード、LDレーザダイオード、有機ELエレクトロルミネッセンス素子などを用いることができる。光源13から発光する光は、近赤外光、特に波長700nmから波長900nm付近の近赤外光が望ましい。波長700nmから波長900nm付近の近赤外光は、一般的に生体の窓と呼ばれる波長範囲であり、生体組織をよく透過する。一方で静脈を流れる血液に含まれる還元ヘモグロビンにより吸収されるため、他の波長の光源を用いた場合と比較し、より鮮明な静脈パターンを撮影できる。図1においては、光源13は下から上へ向けて、すなわち、画像取得装置1から指へ向かう方向に光を照射しているが、これは一例に過ぎない。指の側方から光を照射するような位置に、すなわち、画像取得装置1に指ガイドを設置し、指ガイド内に光源13を配置し、指を照射してもよい。また、図1では光源13は6個示されているが、これに限らない。光源13を6個以上配置し、撮影のための光量を増加させるとともに、撮影範囲をより均等な光量で照明することにより、より高品質な静脈パターンの撮影が可能になる。図2は、図1の画像取得装置1のA-A’線における模式断面図、すなわち、画像取得部12の断面を模式的に示す図である。図2に示すように、画像取得部12は、透明支持体34、遮光層35、開口部36からなる遮光部22と、複数の受光素子38を備える撮像部23と、透明支持体31、バンドパスフィルター33、複数の微小レンズ32からなる集光部21とから構成され、接着層37により一体化されている。集光部21と遮光部22とは所定の間隔を持って配置されており、接着層37は複数の微小レンズ32が形成されている領域の外周部に設けられている。同様に、遮光部22と撮像部23とは所定の間隔を持って配置されており、接着層37は双方の基板間に充填されている。遮光部22は透明支持体34、遮光層35、開口部36で構成されており、透明支持体34はガラスあるいは石英等の近赤外光に透明な材料で形成されている。遮光層35は、近赤外光吸収層として機能するもので、光吸収材料が混入された樹脂材料、Cr等が用いられる。開口部36は、遮光層35をフォトリソグラフィー技術等で部分的に除去することで形成される。なお、遮光部22の構成として、上記の開口部36を有する遮光層35の他に、開口部を有する、光吸収材料が混入された樹脂材料等からなる一定の高さの隔壁を用いてもよい。撮像部23は、複数の受光素子38が備えられ、一般的なCMOSイメージセンサーやCCDイメージセンサーを用いることができる。集光部21は、ガラスあるいは石英等の透明支持体31、バンドパスフィルター33上に、微小レンズ32を平面状にアレイ配列したものであるが、その微小レンズ32として球面レンズを用いることも非球面レンズを用いることもできる。非球面レンズを用いることで光学特性を向上させることができる。微小レンズ32の具体的な作成方法として、リフロー法や面積諧調マスク法、研磨法などの加工法、あるいは、それらの加工法で作成した型を用いた成型加工法などを用いることができる。材料は透明樹脂やガラスなどを用いることができる。図3はバンドパスフィルター33の構成を示す模式図である。図3に示すように、バンドパスフィルター33は、ガラスあるいは石英等の透明支持体31上に形成されたアモルファスシリコンa-Si薄膜41、二酸化ケイ素SiO2薄膜42の薄膜積層体である。薄膜積層体からなるバンドパスフィルターは、一般的に知られているように、光学路長がλ/4の高屈折率層と低屈折率層を対としたミラー層の上に光学路長がλ/2のスペーサー層を設け、その上に先のミラー層を逆転させて積層した基本構造を有する。本実施形態のバンドパスフィルター33も、同様な構造を有す。ミラー層43は、光源13の発光ピーク波長λ850nmにおいて、互いに略λ/4の光学路長を有する、高屈折率層としてのa-Si薄膜41と、低屈折率層としてのSiO2薄膜42とが交互に積層された構造であり、スペーサー層44は、光源13の発光ピーク波長λ850nmにおいて、略λ/2の光学路長を有するSiO2薄膜42である。具体的には、透明支持体31側から、a-Si54.0nm、SiO2143.4nm、a-Si54.0nm、SiO2286.9nm、a-Si54.0nm、SiO2143.4nm、a-Si54.0nmの7層構成でこの順に積層されており、カッコ内の数字はa-Si薄膜41またはSiO2薄膜42の膜厚である。なお、850nmにおけるa-Siの屈折率は3.935、SiO2の屈折率は1.482である。なお、スペーサー層44の光学路長は、薄膜の膜厚と屈折率との積で表される。本実施形態の静脈パターン撮影手順は次の通りである。撮影時に指が筐体10上面部の開口部11、光源13を覆うように置かれ、光源13から照射された近赤外光が指に入射する。入射した近赤外光は、指の内部を散乱して伝播する。このとき、静脈の血液では近赤外光が吸収されるが、その他の部分は透過する。したがって、指内部で散乱して、開口部11に放射される近赤外光を複数の受光素子38で受光することによって、静脈パターンを撮影することができる。開口部11に放射される近赤外光は透明支持体31、バンドパスフィルター33、微小レンズ32、透明支持体34、開口部36、接着層37をこの順で透過し、受光素子38に入射する。なお、図2に示すように、受光素子38、開口部36、及び微小レンズ32は、同軸上に配置され、開口部11に放射される近赤外光は微小レンズ32のレンズ面でレンズ作用を受け、受光素子38に向かって収束しながら進行する。このとき、遮光層35、開口部36は集光部21の各微小レンズ32を透過した光線のクロストークを抑制し、鮮明な静脈パターンの撮影に寄与するものである。図4は本実施形態において用いたバンドパスフィルターの波長-透過率特性を示す図である。図示するように、光源13の発光ピーク波長850nmとバンドパスフィルター33の透過ピーク波長が一致しているため、光源13を使用して静脈パターンを撮影する際に、バンドパスフィルター33を備えたことによる受光素子38への入射光量の低下を抑制できる。したがって、室内等において、光源13を照明とした静脈パターンの撮影が可能となる。一般的に知られているようにa-Siは可視領域において、大きな吸収を持っている。このため、誘電体多層膜単独でバンドパスフィルター33を構成した際に現れる副透過帯透過ピーク波長の両側に現れるのうち、可視領域のものを強く抑制できることとなり、多層膜カットフィルターあるいは、色ガラスを用いずとも透過帯域を十分に制限することが可能となる。したがって、指に太陽光が照射された際に、撮像部23が飽和し、静脈パターンが白とび画像となり、認証が不可能になったりする不都合を回避できる。これにより、室内等で光源13を照明として使用する場合、屋外で指に太陽光が照射される場合のいずれにおいても、好適な静脈パターンを撮影することが可能となる。また、多層膜カットフィルターあるいは、色ガラスが不要となるため、画像取得装置1の低コスト化が可能となる。またさらに、本実施形態では、バンドパスフィルター33が集光部21の透明支持体31上に形成されているため、バンドパスフィルター33を備えたことによる、画像取得装置1の厚みの増加をほぼなくすことが可能となる。第2実施形態次に、第2実施形態の画像取得装置について説明する。第2実施形態の画像取得装置は、第1実施形態に係る画像取得装置1と同様の基本構成を備えており、画像取得装置1との違いは、画像取得部12のバンドパスフィルター33を構成するa-Si薄膜41とSiO2薄膜42の膜厚が異なることである。したがって、画像取得装置1の斜視図、および画像取得部12の断面図は図1、図2と同様であり、バンドパスフィルター33の構成を示す模式図は図3と同様である。本実施形態において第1実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態のバンドパスフィルター33は、二つのミラー層43と二つのミラー層43に挟まれたスペーサー層44とで構成され、ミラー層43は、光源13の発光ピーク波長λ850nmよりも短い700nmにおいて、互いに略λ/4の光学路長を有する、a-Si薄膜41と、SiO2薄膜42とが交互に積層された構造である。スペーサー層44は、光源13の発光ピーク波長850nmよりも長い960nmにおいて、略λ/2の光学路長を有するSiO2薄膜42である。具体的には、透明支持体31側から、a-Si41.8nm、SiO2117.8nm、a-Si41.8nm、SiO2325nm、a-Si41.8nm、SiO2117.8nm、a-Si41.8nmの7層構成でこの順に積層されており、カッコ内の数字はa-Si薄膜41またはSiO2薄膜42の膜厚である。なお、700nmにおけるa-Siの屈折率は4.187、SiO2の屈折率は1.486であり、960nmにおけるSiO2の屈折率は1.477である。図5は本実施形態において用いたバンドパスフィルターの波長-透過率特性を示す図である。図示するように、光源13の発光ピーク波長λ850nmとバンドパスフィルター33の透過ピーク波長が一致している。このため、第1実施形態と同様な効果、すなわち、光源13を使用して静脈パターンを撮影する際に、バンドパスフィルター33を備えたことによる受光素子38への入射光量の低下を抑制できる。したがって、室内等において、光源13を照明とした静脈パターンの撮影が可能となる。また、第1実施形態と同様に、本実施形態のバンドパスフィルター33も可視領域において大きな吸収を持つa-Si薄膜41を含んでおり、さらに、a-Si薄膜41、SiO2薄膜42の膜厚を上記のごとく調整することにより、誘電体多層膜単独でバンドパスフィルター33を構成した際に現れる副透過帯透過ピーク波長の両側に現れるのうち、可視領域のものを、第1実施形態と比して、より一層強く抑えられることを見出した。したがって、指に太陽光が照射された際に、撮像部23が飽和し、静脈パターンが白とび画像となり、認証が不可能になったりする不都合を回避できる。これにより、室内等で光源13を照明として使用する場合、屋外で指に太陽光が照射される場合のいずれにおいても、より一層好適な静脈パターンを撮影することが可能となる。第3実施形態次に、第3実施形態の画像取得装置について説明する。第3実施形態の画像取得装置は、第1実施形態に係る画像取得装置1と同様の基本構成を備えており、画像取得装置1との違いは、画像取得部12のバンドパスフィルター33を構成するa-Si薄膜41とSiO2薄膜42の膜厚が異なることである。したがって、画像取得装置1の斜視図、および画像取得部12の断面図は図1、図2と同様であり、バンドパスフィルター33の構成を示す模式図は図3と同様である。本実施形態において第1実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態のバンドパスフィルター33は、a-Si薄膜41と、SiO2薄膜42が交互に奇数2n1n=2、3、層積層された構造であり、バンドパスフィルター33のn1層目以外の光学路長は、光源13の発光ピーク波長λ850nmよりも短い700nmにおいて、略λ/4の光学路長を有する。一方、n1層目の光学路長は、光源13の発光ピーク波長よりも短い700nmにおいてλ/4よりも小さい光学路長を有する。具体的には、透明支持体31側から、a-Si41.8nm、SiO2117.8nm、a-Si41.8nm、SiO238nm、a-Si41.8nm、SiO2117.8nm、a-Si41.8nmの7層構成でこの順に積層されており、カッコ内の数字はa-Si薄膜41またはSiO2薄膜42の膜厚である。なお、700nmにおけるa-Siの屈折率は4.187、SiO2の屈折率は1.486である。図6は本実施形態において用いたバンドパスフィルターの波長-透過率特性を示す図である。図示するように、光源13の発光ピーク波長λ850nmとバンドパスフィルター33の透過ピーク波長が一致している。このため、第1実施形態、第2実施形態と同様な効果、すなわち、光源13を使用して静脈パターンを撮影する際に、バンドパスフィルター33を備えたことによる受光素子38への入射光量の低下を抑制できる。したがって、室内等において、光源13を照明とした静脈パターンの撮影が可能となる。また、第1実施形態、第2実施形態と同様に、本実施形態のバンドパスフィルター33も可視領域において大きな吸収を持つa-Si薄膜41を含んでおり、さらに、a-Si薄膜41、SiO2薄膜42の膜厚を上記のごとく調整することにより、誘電体多層膜単独でバンドパスフィルター33を構成した際に現れる副透過帯透過ピーク波長の両側に現れるのうち、可視領域のものを、第1実施形態、第2実施形態と比して、より一層強く抑えられることを見出した。したがって、指に太陽光が照射された際に、撮像部23が飽和し、静脈パターンが白とび画像となり、認証が不可能になったりする不都合を回避できる。これにより、室内等で光源13を照明として使用する場合、屋外で指に太陽光が照射される場合のいずれにおいても、さらにより一層好適な静脈パターンを撮影することが可能となる。第4実施形態<生体認証装置>次に、本実施形態の生体認証装置について説明する。図7aは生体認証装置としての静脈認証装置のブロック図である。図7aに示すように、生体認証装置としての静脈認証装置80は、記憶部81、撮像部82、発光部83、認証実行部84、及び制御部85を有する。なお、静脈認証装置80は画像取得装置1を備える。すなわち、撮像部82、発光部83は画像取得装置1に相当し、撮像部82は画像取得部12に、発光部83は光源13に相当する。発光部83は、制御部85から伝達される信号に基づいて、近赤外光を指に向けて出射する。撮像部82は、制御部85から伝達される制御信号に基づいて撮影動作を開始し、取得した静脈パターンを制御部85に出力する。制御部85は、記憶部81に格納されたプログラムに基づいて信号の演算処理、信号伝送といった各種の処理を実行し、撮像部82から出力される静脈パターンを認証実行部84に伝達する。記憶部81は、ハードディスク、半導体メモリーDRAMDynamicRandomAccessMemory、又はSRAMStaticRandomAccessMemoryといった記憶装置である。記憶部81には、生体認証を実現するためのプログラム、画像構成を実現するためのプログラム、認証時に用いられる予め登録された静脈パターン、及び認証履歴といった情報が格納される。認証実行部84は、取得静脈パターンと予め登録された静脈パターンに基づいて認証を実行する。認証実行部84による具体的な認証方法は任意である。静脈認証の方法は、静脈パターンの類似性を判別する各種方法に依存する。図7bを参照して、静脈認証装置80の動作について説明する。まず静脈認証装置80は非動作状態にある。次に、静脈認証装置80の静脈認証機能が活性化されるS1。次に、静脈認証装置80は静脈パターン取得を実行するS2。すなわち、制御部85は、撮像部82を動作状態とし、発光部83から近赤外光を出射させる。これにより静脈パターンが取得される。次に、認証実行部84は、撮像部82が取得した静脈パターン及び予め登録された静脈パターンに基づいて静脈認証を行うS3。なお、静脈認証の具体的な方法は、画像処理技術の多様性に応じて様々である。最終的に、認証実行部84は、認証が成功したかどうかを判断するS4。認証成功の場合、認証実行部84は、認証成功を示す信号を制御部85に出力する。認証失敗の場合、認証実行部84は、認証失敗を示す信号を制御部85に出力する。認証成功の場合、制御部85は認証成功の信号を外部に出力するS5。また、認証失敗の場合は、静脈認証装置80は非動作状態に戻る。上述の説明から明らかなように、静脈認証を確実に行うには、良好な静脈パターンの取得が必要不可欠である。静脈認証装置80は、室内、屋外を問わず良好な静脈パターンを撮影できる画像取得装置1を備えるため、あらゆる環境で静脈認証を確実に行うことが可能になる。第5実施形態<電子機器>次に、上述の実施形態にかかる静脈認証装置80を電子機器に適用した例について説明する。図8aは、電子機器としての携帯電話きの斜視図である。本実施形態の電子機器としての携帯電話機100は、表示部101、操作ボタン102及び静脈認証装置80を備えている。静脈認証装置80は、内部に組み込まれた画像取得装置1によって取得された静脈パターンで個人認証を行い、携帯電話機100のロック状態を解除したり、金融決済の際の個人認証を行うことができる。携帯電話機100は、室内、屋外を問わず静脈パターンを撮影できる画像取得装置1を有する静脈認証装置80を備えているため、あらゆる環境下で個人認証を行うことができる。図8bは、電子機器としてのモバイルパソコンの斜視図である。本実施形態の電子機器としてのいモバイルパソコン110は、表示部111、入力ボタン112及び静脈認証装置80を備えている。静脈認証装置80は、内部に組み込まれた画像取得装置1によって取得された静脈パターンで個人認証を行い、モバイルパソコン110にログインしたり、金融決済の際の個人認証を行うことができる。モバイルパソコン110は、室内、屋外を問わず静脈パターンを撮影できる画像取得装置1を有する静脈認証装置80を備えているため、あらゆる環境下で個人認証を行うことができる。なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上記実施形態では、バンドパスフィルター33として、a-Si薄膜41と、SiO2薄膜42とから構成される薄膜積層体を例にして説明したが、窒化シリコン等、近赤外光に透明であり、a-Siと屈折率の異なる材料であれば、SiO2に代わり、バンドパスフィルター33に適用することが可能である。上記実施形態では、バンドパスフィルター33を、集光部21の透明支持体31と微小レンズ32との間に設けた構成としたが、バンドパスフィルター33を、集光部21の透明支持体31の微小レンズ32が形成されていない側に設けてもよい。また、バンドパスフィルター33を、遮光部22の透明支持体34の遮光層35が形成されていない側に設けてもよく、バンドパスフィルター33を遮光部22の透明支持体34と遮光層35の間、あるいは、遮光層35、開口部36上に設けてもよい。さらに、バンドパスフィルター33を撮像部23の受光素子38上に設けてもよい。