"第1の電子素子上に形成され、少なくとも表面がSnを含む金属層よりなる第1の電極と、第2の電子素子上に形成された第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極とを接合する、SnおよびBiをそれぞれ第1および第2の金属元素として含むハンダ合金よりなるハンダ接合部と、を含み、前記ハンダ接合部と前記第1の電極との間の第1の界面には、SnおよびBiとは別の第3の金属元素とSnとの合金層が形成されていることを特徴とする電子装置。前記第3の金属元素は、Zn,Ni,Cr,Co,Mo,WおよびVよりなる群から選ばれることを特徴とする請求項1記載の電子装置。前記ハンダ接合部は、Sb,Zn,Ag,Al,Mg、Si,Pt,Ta,Fe,Ge,Pd,AuおよびInよりなる群から選ばれる金属元素をさらに含むことを特徴とする請求項1または2記載の電子装置。前記第2の電極はCuまたはCu合金よりなり、前記ハンダ接合部と前記第2の電極との間の第2の界面には、前記第3の金属元素とCuの合金層が形成されていることを特徴とする請求項1~3のうち、いずれか一項記載の電子装置。少なくとも表面がSnを含む金属層よりなる第1の電子素子の第1の電極上に、SnおよびBiとは別の第3の金属元素の錯体または塩を含む層を形成する工程と、第2の電子素子の第2の電極上にSnとBiを含むハンダ合金のペーストを塗布する工程と、前記第1の電極上に、前記層および前記ペーストを介して、第2の電子素子の第2の電極を当接させる工程と、前記ペースト中のハンダ合金をリフローさせ、前記第1の電極と前記第2の電極を、ハンダ接合部により電気的および機械的に結合する工程と、を含み、前記リフロー工程では前記第1の電極と前記ハンダ接合部の間の第1の界面に、SnおよびBi以外の第3の金属元素とSnとの合金層が形成されることを特徴とする電子装置の製造方法。前記第3の金属元素の錯体または塩を含む層を形成する工程は、前記第1の電極上に前記第3の金属元素の錯体または塩を含むペーストを塗布することにより実行されることを特徴とする請求項5記載の電子装置の製造方法。少なくとも表面がSnを含む金属層よりなる第1の電子素子の第1の電極上に、SnおよびBiとは別の第3の金属元素の錯体または塩と、SnとBiを含むハンダ合金とのペーストを塗布する工程と、前記第1の電極上に、前記層および前記ペーストを介して、第2の電子素子の第2の電極を当接させる工程と、前記ペースト中のハンダ合金をリフローさせ、前記第1の電極と前記第2の電極を、ハンダ接合部により電気的および機械的に結合する工程と、を含み、前記リフロー工程では前記第1の電極と前記ハンダ接合部の間の第1の界面に、SnおよびBi以外の第3の金属元素とSnの合金層が形成されることを特徴とする電子装置の製造方法。前記リフロー工程では、前記第1の電極と反応しなかった前記第3の金属元素の錯体または塩が、前記ハンダ接合部の外に排出されることを特徴とする請求項7記載の電子装置の製造方法。前記第3の金属元素の錯体または塩は、Znとエチレンジアミン四酢酸EDTA、ニトリロ三酢酸NTA、ジエチレントリアミン五酢酸DTPA、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸HEDTA、メチルグリシン二酢酸MGDA、トリエチレンテトラアミン六酢酸TTHA、プロパンジアミン四酢酸PDTAより選ばれる有機錯体とを反応させた金属錯体、またはその有機塩よりなることを特徴とする請求項5~8のうち、いずれか一項記載の電子装置の製造方法前記第3の金属元素の錯体または塩は、Znとアミン無機塩を反応させた金属錯体あるいはその無機塩よりなることを特徴とする請求項5~8のうち、いずれか一項記載の電子装置の製造方法。前記第3の金属元素の錯体または塩は、Znイオンの無機錯体よりなることを特徴とする請求項5~8のうち、いずれか一項記載の電子装置の製造方法。一方、特許文献1あるいは2に開示されたPbフリーハンダ接合技術をSn系電極部、例えばSn層で覆われた金属電極パッドへのハンダ接合に適用した場合には、電極部からハンダ中にSnの拡散が生じ、ハンダ接合部の組成が変化してしまい、ハンダ接合部にSnリッチ相が形成される可能性が考えられる。Sn系電極部は、Pbフリーハンダとの間に低抵抗で強固な結合を形成できるため、モバイル機器をはじめ、様々な電子装置において広く使われている。このようにハンダ接合部にSnリッチ相が形成された場合、当初の最適なPbフリーハンダ合金の微粒なハンダ組織は粗粒な組織へと変化してしまい、すべりが生じる粒界の面積が減少してしまう。その結果、ハンダ接合部の延性が悪化してしまい、モバイル機器に不可欠な落下試験や圧迫試験に対する耐衝撃性が劣化してしまうという問題点が生じる。また前記Sn系電極部がSn-Ag合金よりなる場合には、ハンダ中にAgが拡散し、針状のAg3Sn相を形成してしまい、接合部にクラックが発生する問題点が生じることもある。一の側面によれば電子装置は、第1の電子素子上に形成され、少なくとも表面がSnを含む金属層よりなる第1の電極と、第2の電子素子上に形成された第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極とを接合する、SnおよびBiをそれぞれ第1および第2の金属元素として含むハンダ合金よりなるハンダ接合部と、を含み、前記ハンダ接合部と前記第1の電極との間の第1の界面には、SnおよびBiとは別の第3の金属元素とSnとの合金層が形成されている。他の側面によれば電子装置の製造方法は、少なくとも表面がSnを含む金属層よりなる第1の電子素子の第1の電極上に、SnおよびBiとは別の第3の金属元素の錯体または塩を含む層を形成する工程と、第2の電子素子の第2の電極上にSnとBiを含むハンダ合金のペーストを塗布する工程と、前記第1の電極上に、前記層および前記ペーストを介して、第2の電子素子の第2の電極を当接させる工程と、前記ペースト中のハンダ合金をリフローさせ、前記第1の電極と前記第2の電極を、ハンダ接合部により電気的および機械的に結合する工程と、を含み、前記リフロー工程では前記第1の電極と前記ハンダ接合部の間の第1の界面に、SnおよびBi以外の第3の金属元素とSnの合金層が形成される。さらに他の側面によれば電子装置の製造方法は、少なくとも表面がSnを含む金属層よりなる第1の電子素子の第1の電極上に、SnおよびBiとは別の第3の金属元素の錯体または塩と、SnとBiを含むハンダ合金とのペーストを塗布する工程と、前記第1の電極上に、前記層および前記ペーストを介して、第2の電子素子の第2の電極を当接させる工程と、前記ペースト中のハンダ合金をリフローさせ、前記第1の電極と前記第2の電極を、ハンダ接合部により電気的および機械的に結合する工程と、を含み、前記リフロー工程では前記第1の電極と前記ハンダ接合部の間の第1の界面に、SnおよびBi以外の第3の金属元素とSnとの合金層が形成される。本発明によれば、少なくとも表面がSnを含む金属層よりなる第1の電極と第2の電極とを、Sn-Bi系ハンダ合金をリフローさせることにより接合する際に、第1の電極上に前記第3の金属元素とSnの合金層を形成することにより、前記第1の電極からハンダ合金へのSnやその他の金属元素の拡散を阻止することができ、前記Sn-Bi系ハンダ合金の組成が所望の組成からずれてしまいハンダ接合部の微構造が変化してしまう問題を抑止することが可能で、ハンダ接合部における衝撃耐性の劣化を回避することが可能となる。[第1の実施形態]図1A~図1Gは、第1の実施形態による電子装置の製造方法を説明する工程断面図である。図1Aを参照するに、SnあるいはSn-Ag合金、あるいはSn-Ag-Cu合金などのSn系電極22A,22Bが形成された回路基板21上に、前記Sn系電極21A,21Bを露出するマスクパターン23が形成され、図1Bの工程において前記図1Aの構造上に、前記Sn系電極22A,22Bを含むように、Znの活性な金属錯体、例えばZnのエチレンジアミン四酢酸EDTA錯体240を、例えばメタノール、エタノールなどの低級アルコールや塩酸、硫酸などの無機酸などの溶媒に溶解した形で、スプレー法あるいはシャワー法、あるいは浸漬法により付着させる。さらに図1Cの工程において、このように金属錯体が付着された図1Bの構造を水洗し、さらに乾燥させることにより、前記マスク23上に、前記Sn系電極21A,21Bの表面を含め、前記金属錯体の層24を形成する。例えば前記ZnのEDTA錯体240は、例えばメタノール、エタノールなどの低級アルコールあるいは塩酸、硫酸などの無機酸などの溶媒中に溶解され、前記Sn系電極21A,21Bの表面に、10-9mol/cm2~10-11mol/cm2の面密度で、100nm~1000nmの厚さに塗布される。次に図1Dの工程において、前記マスクパターン23を印刷マスクに使い、Sn-Bi系のハンダペースト25を、スキージ26を矢印の方向に動かすことにより、前記図1Cの構造上に塗布する。このような塗布の結果、図1Dに示すように前記Sn-Bi系のハンダペーストパタ―ン25A,25Bが、前記Sn系電極22A,22B上に、前記Znの金属錯体層24を介して形成された構造が得られる。ここで前記Sn-Bi系のハンダペースト25を構成するハンダ合金は、粒径が10μm~25μmの粉末であり、各粒子中にBiを45wt~65wtの割合で含み、SnおよびBiの他、Sb,Zn,Ag,Al,Mg、Si,Pt,Ta,Fe,Ge,Pd,AuあるいはInなどの元素をさらに0.01wt~8wtの範囲で含むもので、リフローした場合に大きな粒界面積で特徴づけられる微構造を生じるように、組成を最適化されている。さらに図1Eに示すように前記マスクパターン23を除去し、図1Fに示すようにSn-Bi系のハンダボール33A,33Bを例えばCuなどよりなる電極パッド32A,32B上にそれぞれ担持した半導体チップ31を、前記ハンダボール33A,33Bが前記ハンダペーストパタ―ン25A,25Bにそれぞれ当接するように、前記回路基板21上に載置する。前記Sn-Bi系のハンダボール33A,33Bも、前記ハンダペースト25と同じく、Biを45wt~65wtの割合で含み、SnおよびBiの他、Sb,Zn,Ag,Al,Mg、Si,Pt,Ta,Fe,Ge,Pd,AuあるいはInなどの元素をさらに0.01wt~8wtの範囲で含み、リフローした場合に大きな粒界面積で特徴づけられる微構造を生じるように、組成を最適化されているものである。さらにこの状態において前記Sn-Bi系のハンダボール33A,33BおよびSn-Bi系のハンダペーストパタ―ン25A,25Bを、例えば139°Cの温度でリフローさせることにより、図1Gに示すように、前記Sn系電極22Aと対応する電極パッド32AがSn-Bi系のハンダ接合部34Aにより、また前記Sn系電極22Bと対応する電極パッド32BがSn-Bi系のハンダ接合部34Bにより接合された構造が得られる。その際、以下に説明するように、前記Sn系電極22Aあるいは22B上に形成されていたZnのEDTA金属錯体層24は、それぞれの電極22Aおよび22B中のSnと反応して、Sn-Zn合金層24Aあるいは24Bに変化している。図2は、図1G中、線A-A’に沿った断面図を示す。図2を参照するに、前記Sn-Bi系ハンダ接合部34Aは前記Sn-Bi系ハンダペーストパタ―ン25AとSn-Bi系ハンダペーストパタ―ン33Aがリフローして形成されたものであり、前記Sn系電極22AとSn-Bi系ハンダ接合部34Aの間には、前記Sn-Zn合金層24Aが形成されているのがわかる。同様に、前記Sn-Bi系ハンダ接合部34Bは前記Sn-Bi系ハンダペーストパタ―ン25BとSn-Bi系ハンダペーストパタ―ン33Bがリフローして形成されたものであり、前記Sn系電極22BとSn-Bi系ハンダ接合部34Bの間には、前記Sn-Zn合金層24Bが形成されているのがわかる。図3は、図4に示す断面構造の試料におけるSnとZnの深さ分布を、線B-B’に沿ってXPS法により求めた結果を示すグラフである。まず図4を参照するに、図3の分析で使われた試料は前記図2に断面を示す接合構造において、Sn-Bi接合部34Aから上を省略した構造を有し、前記Sn系電極22A上に前記ZnのEDTA錯体層24を図1Bの工程におけると同様に形成した後、約139°Cの温度で熱処理することにより得られるもので、前記Sn-Zn合金層34Aは約132nmの厚さを有している。図3のグラフより、前記Sn-Zn合金層34A中へのSn系電極22AからのSnの拡散は、前記Sn-Zn合金層34Aが132nm以上の厚さを有している場合、十分に阻止できることがわかる。このように本実施形態では、Sn系電極上にZnのEDTA錯体を形成しておくことにより、その上にSn-Bi系のハンダをリフローさせて接合した場合に、Snの拡散を阻止するSn-Zn合金層を形成することにより、前記Sn系電極からSn-Bi系ハンダへのSnの拡散を抑制することができ、Sn-Bi系ハンダの組成変動、およびこれに伴う微構造の変動を回避することができる。本実施形態では、図1Gの工程で前記Sn-Bi系ハンダペーストパタ―ン25Aあるいは25Bをリフローさせる際に、前記ハンダペーストパタ―ン25Aあるいは25Bに含まれているフラックスによりSn系電極22A,22B表面の酸化膜が除去され、同時に、このように酸化膜が除去された電極表面がZn錯体層24に加熱接触し、表面活性化接合のような現象が擬似的に発生し、Snの拡散を抑制するSn-Zn合金層24A,24Bが形成されるものと考えられる。本実施形態ではSn系電極上にSn-Bi系ハンダを接合した場合にもSn-Bi系ハンダの微構造が最適に維持されるため、ハンダ接合部に延性が確保され、モバイル機器など、耐衝撃性を要求される電子機器への応用が可能となる。本実施形態において適用可能な金属錯体は、前記ZnとEDTAの金属錯体に限定されるものではなく、上記エチレンジアミン四酢酸EDTAの他にも、Znをニトリロ三酢酸NTA、ジエチレントリアミン五酢酸DTPA、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸HEDTA、メチルグリシン二酢酸MGDA、トリエチレンテトラアミン六酢酸TTHA、プロパンジアミン四酢酸PDTA等の有機錯体と反応させた例えばエチレンジアミン四酢酸亜鉛二ナトリウム、ニトリロ三酢酸亜鉛ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸亜鉛ナトリウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸亜鉛ナトリウムなどの金属錯体や例えばエチレンジアミン四酢酸亜鉛やニトリロ三酢酸亜鉛やエチレントリアミン五酢酸亜鉛などのその有機塩、あるいはZnとアミン無機塩を反応させた例えばモノエチルアミン臭化水素酸亜鉛などの活性な金属錯体あるいは例えばモノエチルアミン臭化水素酸亜鉛塩やジエチルアミン臭化水素酸亜鉛塩などのその無機塩、さらに例えば塩化亜鉛や塩化亜鉛アンモニウムなどのZnイオンの無機錯体を使うこともできる。一方、Znをこのような活性な金属錯体あるいは塩の形ではなく、例えば前記Sn系電極22A,22B上にスパッタ法などにより形成した場合には、反応性が十分でないため、あるいはハンダ合金中に溶解してしまい、ハンダリフロー温度においてこのようなSn-Zn合金層をSn系電極24A,24Bの表面に形成するのは困難である。さらにこのようなSnの拡散バリアを形成できる金属錯体あるいは塩としては、Zn以外にも、Snと合金を形成しない、あるいは形成しにくいNi,Cr,Co,Mo,WあるいはVの金属錯体あるいは塩を使うことができる。前記錯体や塩の融点は200°C以下であるのが好ましく、ハンダの融点以下で反応するように、特に150°C以下であるのが好ましい。図5は、本実施形態により得られたハンダ接合部34Aの微構造を示す顕微鏡写真、図6は比較対照例によるハンダ接合部の微構造を示す顕微鏡写真である。図6の比較例では、先の図1Bの工程を省略しており、その結果、前記Sn系電極22Aとハンダ接合部34Aの間にSn-Zn合金層24Aは形成されていない。図5を参照するに、本実施形態ではハンダ接合部34Aに所望の、細粒で粒界面積の大きい微構造のハンダ合金が形成されているのに対し、図6の比較対照例ではハンダ接合部34A中においてSnリッチな結晶とBiリッチな結晶が成長し、粒界面積が減少しているのがわかる。なお図5,図6において明るい部分がBiリッチな結晶を、暗い部分はSnリッチな結晶を表している。なお本実施形態においてSn系電極22A,22Bは、少なくとも表面がSnを含む金属層よりなるものであればよいことは明らかである。[第2の実施形態]図7A~図7Eは、第2の実施形態による電子装置の製造方法を説明する工程断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図7Aを参照するに、本実施形態では先の図1Aの工程に対応して回路基板21上にマスクパターン23を、前記回路基板21上のSn系電極22A,22Bが露出するように形成し、図7Bの工程において、前記マスクパターン23をマスクにSn-Bi系ハンダペースト45を、スキージ26を矢印方向に動かすことにより塗布し、前記Sn系電極22A,22B上にハンダペーストパタ―ン45A,45Bをそれぞれ形成する。ここで前記ハンダペースト45は、先の実施形態におけるSn-Bi系ハンダペースト25に、ZnのEDTA錯体や塩など、活性なZn化合物を混合したものである。前記図7Bの工程の後、図7Cに示すように前記マスクパターン23が除去され、図7Dに示すように電極パッド32A,32B上にSn-Biハンダボール33A,33Bをリフローにより接合された半導体チップ31が、前記回路基板21上に、前記Sn-Bi系ハンダボール33A,33Bが前記ハンダペーストパタ―ン45A,45Bにそれぞれ当接するように載置される。さらに前記図7Dの構造を例えば150°Cの温度で熱処理し、前記Sn-Bi系ハンダボール33A,34Aおよびハンダペーストパタ―ン45A,45Bを溶融させることにより、図7Eの構造の電子装置が得られる。すなわち、前記Sn-Bi系ハンダボール33Aおよびハンダペーストパタ―ン45Aの溶融の結果、図7Eに示すように前記Sn系電極22Aが前記半導体チップ31上のCu電極パッド32Aとハンダ接合部44Aにより電気的および機械的に接合され、前記Sn系電極22Bが前記半導体チップ31上のCu電極パッド32Bとハンダ接合部44Bにより電気的および機械的に接合される。その際、本実施形態では前記ハンダペースト45、従ってハンダペーストパタ―ン45A,45B中に含まれていたZnのEDTA錯体など、Znの活性な化合物が前記Sn電極22A,22B中のSnと反応することにより、特に前記Sn電極22Aとハンダ接合部34Aの界面、また前記Sn電極22Bとハンダ接合部34Bの界面に沿って、図8の拡大図に示すように、Sn-Zn合金層24A,24Bがそれぞれ形成される。ただし図8は前記図7E中、線C-C’に沿った断面図である。このようにして形成されたSn-Zn合金層24A,24Bは、先の実施形態の場合と同様に、前記Sn系電極22Aからハンダ接合部34Aへの、また前記Sn系電極22Bからハンダ接合部34BへのSnの拡散を阻止する。さらに本実施形態では、このようにハンダペーストパタ―ン45A,45B中に活性なZn化合物が分散している結果、Cuよりなる半導体チップ31上の電極パッド32Aとハンダ接合部34Aとの界面、またCuよりなる半導体チップ31上の電極パッド32Bとハンダ接合部34Bとの界面に、Cu-Zn合金層44A,44Bが、Snのバリア拡散バリア層としてそれぞれ形成される。本実施形態では、Sn-Biハンダよりなるハンダ接合部34Aの、電極22A側および電極32A側の端部にこのようにSnのバリア層24Aあるいは44Aが形成されるため、ハンダ接合部34Aの組成が所定の最適な組成から偏倚することがなく、電気抵抗が低く、かつ衝撃に強い強靱な結合が得られる。なお本実施形態において、前記ハンダペースト45を構成するSn-Bi系ハンダ合金は、例えばBiを45wt~65wtの割合で含み、さらにSb,Zn,Ag,Al,Mg、Si,Pt,Ta,Fe,Ge,Pd,AuあるいはInなどの元素を0.01wt~8wtの範囲で含むものであってもよい。なお本実施形態では、SnやCuと反応しなかったZn原子は、図7Eのリフローの際に、フラックスと共に接合部外に排出される。本実施形態において適用可能な金属錯体は、前記ZnとEDTAの金属錯体に限定されるものではなく、上記エチレンジアミン四酢酸EDTAの他にも、Znをニトリロ三酢酸NTA、ジエチレントリアミン五酢酸DTPA、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸HEDTA、メチルグリシン二酢酸MGDA、トリエチレンテトラアミン六酢酸TTHA、プロパンジアミン四酢酸PDTA等の有機錯体と反応させた例えばエチレンジアミン四酢酸亜鉛二ナトリウム、ニトリロ三酢酸亜鉛ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸亜鉛ナトリウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸亜鉛ナトリウムなどの金属錯体や例えばエチレンジアミン四酢酸亜鉛やニトリロ三酢酸亜鉛やジエチレントリアミン五酢酸亜鉛などのその有機塩、あるいはZnとアミン無機塩を反応させた例えばモノエチルアミン臭化水素酸亜鉛などの活性な金属錯体あるいは例えばモノエチルアミン臭化水素酸亜鉛塩やジエチルアミン臭化水素酸亜鉛塩などのその無機塩、さらに例えば塩化亜鉛や塩化亜鉛アンモニウムなどのZnイオンの無機錯体を使うこともできる。一方、Znをこのような活性な金属錯体あるいはその塩の形ではなく、例えば前記Sn系電極22A,22B上にスパッタ法などにより金属膜の形で形成した場合には、反応性が十分でないためハンダリフロー温度においてこのようなSn-Zn合金層の形成は困難である。前記錯体や塩の融点は200°C以下であるのが好ましく、ハンダの融点以下で反応するように、特に150°C以下であるのが好ましい。さらにこのようなSnと反応してSnの拡散バリアとなる金属錯体としては、Zn以外にも、Snと合金を形成しない、あるいは形成しにくいNi,Cr,Co,Mo,WあるいはVを使うことができる。以下、本実施形態を実施例により、より詳細に説明する。実施例1では前記ハンダペースト45としてエチレンジアミン四酢酸EDTAとZnからなる金属錯体を混入したSn-Bi系のハンダペーストを使って、前記図7A~図7Eのプロセスを実行した。本実施例では、前記ハンダペースト45は粒径が10μm~25μmのSn-Bi-Sb系ハンダ合金粒子およびフラックス成分を含み、ハンダ合金粒子は前記ハンダペースト45中に40wtの重量比で含まれている。また前記ハンダペースト45はフラックスを9wtの含有率で含み、さらに前記金属錯体を1の含有率で含む。また実施例1では前記回路基板21上のSn系電極22A,22BとしてSn-Ag-Cu系の合金を使った。上記ハンダペースト45を前記図7Bの工程に対応してスクリーン印刷にてプリント基板上に塗布し、印刷されたハンダペーストパタ―ン45A,45B上に図7Dの工程において半導体チップ31をチップマウンターで搭載し、N2リフローを用いて半導体チップ31と回路基板21とをハンダ接合した。リフロー時、予備加熱を、温度を100°C~120°Cとし90秒~120秒間実行し、ピーク加熱を170°Cで50秒~60秒実行した。また冷却速度は2°C/秒~3°C/秒とした。本実施例により、サイズが8.5mm×8.5mmで周辺に約120個のSn-Ag-Cu系ハンダバンプを配置した半導体チップを前記半導体チップ31として準備し、さらに回路基板21として、前記半導体チップ31と同じ配置のCu電極を有する40mm×40mmのサイズのFR-4基板を準備した。さらに回路基板側21側の引き出し配線を用いて各々の接合部34A,34Bにつき導通を確認した後、1.6mの落下高さで回路基板21、より正確には接合部34A,34Bに4000μεの歪みを与える落下衝撃試験を50サイクル繰り返し行った。本実施形態の電子装置では、この試験後における接続抵抗の増加は、5以内であるのが確認された。さらに前記ハンダ接合部34A,34Bの断面を走査型電子顕微鏡および電子線プローブマイクロアナライザにより解析した結果、ハンダ合金の平均粒径は前記図5でも示したように1μm以下であり、接合部全体にハンダ組織が微細に分散析出しており、落下衝撃性劣化の原因となるハンダ組織の粗大化およびBi相やAg3Sn相の偏析が生じていないことが確認された。さらに、前記Sn系電極22A,22Bとハンダ接合部34A,34Bの接合部分のXPS分析を行った結果、電極22A,22Bの内部にSn-Zn合金層24A,24Bが実際に形成されていることが確認された。このように実施例1の結果によれば、Sn-Zn合金層24A,24Bを形成することにより、前記Sn系電極22A,22BとしてSn-Ag-Cu系合金を使った場合、SnのみならずAgの拡散も効果的に阻止されることが示された。実施例1の電子装置では、Sn系電極22A,22BをSn-Ag-Cu系電極により構成していたが、実施例2ではこれを、Sn電極を用いて構成し、先の実施例1と同様にして導通確認および落下衝撃試験を実施した。この場合にも、落下衝撃試験を50サイクル実施した後の接続抵抗値の増加は5以内であるのが確認された。また、ハンダ接合部34A,34Bの断面を走査型電子顕微鏡および電子線プローブマイクロアナライザにより解析した結果、ハンダの平均粒径は1μm以下であり、接合部全体にハンダ組織が微細に分散析出しており、落下衝撃性劣化の原因となるハンダ組織の粗大化およびBi相の偏析は生じていないことが確認された。実施例1においてハンダ合金粒子をSn-Bi-Sb系のハンダ合金からSn-Bi-Ag系のハンダ合金に変更し、前記図7A~図7Eのプロセスにより電子装置を作製した。さらに前記実施例1と同様にして導通確認の後落下衝撃試験を実施したところ、落下衝撃試験を50サイクル繰り返した後でも、接続抵抗値の増加は5以下であるのが確認された。さらに前記ハンダ接合部34A,34Bの断面を走査型電子顕微鏡および電子線プローブマイクロアナライザを使って解析した結果、前記Sn-Bi-Ag系ハンダ合金の平均粒径はやはり1μm以下で、接合部全体にハンダ組織が微細に分散析出しており、落下衝撃性劣化の原因となるハンダ組織の粗大化や、Bi相およびAg3Sn相の偏析は生じていないことが確認された。実施例4では、前記実施例1におけるエチレンジアミン四酢酸EDTAの代わりに、ニトリロ三酢酸NTAを使い、実施例1と同様にして電子装置を作製し、導通確認の後、落下衝撃試験を実施した。その結果、落下衝撃試験を50サイクル繰り返した後でも接続抵抗値の増加は5以内であることが確認された。さらにハンダ接合部34A,34Bの断面を走査型電子顕微鏡および電子線プローブマイクロアナライザで解析した結果、前記ハンダ合金の平均粒径はやはり1μm以下であり、接合部全体にハンダ組織が微細に分散析出しており、落下衝撃性劣化の原因となるハンダ組織の粗大化や、Bi相の偏析、Ag3Sn相の偏析の生じていないことが確認された。[比較例]実施例1において、Znの金属錯体を含まないハンダペーストを使い、図7A~図7Eのプロセスで電子装置を作製した。さらに実施例1と同様にして導通確認および落下衝撃試験を実施したところ、落下衝撃試験を30サイクル実施しただけで、接続抵抗値が50以上増加するのが確認された。さらにこの試料に対し、ハンダ接合部の断面を走査型電子顕微鏡および電子線プローブマイクロアナライザにより解析したところ、前記Sn系電極22Aあるいは22Bとハンダ接合部34Aあるいは34Bの接合界面にBiが層状に偏析しており、同箇所にてクラックが形成されていることが確認された。なお本実施形態においても、前記Sn系電極22A,22Bは、少なくとも表面がSnを含む金属層よりなるものであればよいことは明らかである。以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形変更が可能である。"