第1の加工物および第2の加工物の位置を選択的に維持するクランプ装置であって、クランプ面を備えるとともに、上記第2の加工物の直径よりも大きい上記第1の加工物の直径に関連付けられた直径を有しており、上記クランプ面に上記第1の加工物の外周部を選択的に静電気によって固定するように構成された、中心部を実質的に囲む静電クランプ板環状部と、ヒーターを備えるとともに、上記第2の加工物の直径に関連付けられた直径を有する、非静電気的な中心部と、上記第2の加工物を実質的に保持するように構成され、上記静電クランプ板環状部に応じた直径を有する加工物担持部とを備え、上記静電クランプ板環状部は、該静電クランプ板環状部の上記クランプ面に、上記加工物担持部を選択的に固定するように構成されており、上記非静電気的な中心部に関する上記第2の加工物の位置を選択的に維持するクランプ装置。上記静電クランプ板環状部は、上記第1の加工物の上記外周部に関連付けられた1つ以上の電極を備え、上記1つ以上の電極に供給される電圧によって、上記クランプ面に、少なくとも上記第1の加工物を静電気によって選択的に付着させる動作が可能である請求項1に記載のクランプ装置。上記1つ以上の電極に供給される電圧によって、上記クランプ面に、上記加工物担持部を静電気によって選択的に付着させる動作が可能である請求項2に記載のクランプ装置。1つ以上の補助クランプ部材をさらに備え、該補助クランプ部材は、上記第1の加工物および上記加工物担持部のうちの1つ以上における、少なくとも一部分を上記クランプ面に固定する請求項1に記載のクランプ装置。上記第1の加工物および上記第2の加工物の1つ以上は、珪素、炭化珪素、ゲルマニウムおよびヒ化ガリウムのうちの1つ以上を含む請求項1に記載のクランプ装置。上記加工物担持部は、酸化アルミニウム、炭化珪素、二酸化珪素のうちの1つ以上を含む請求項1に記載のクランプ装置。上記ヒーターは、上記非静電気的な中心部に関連付けられた、加熱ランプおよび抵抗性ヒーターのうちの1つ以上を備える請求項1に記載のクランプ装置。上記加工物担持部に上記第2の加工物が保持されているとき、上記ヒーターは、少なくとも上記第2の加工物の面の下側に位置する請求項1に記載のクランプ装置。上記静電クランプ板環状部と上記非静電気的な中心部との間に位置するシールドをさらに備え、該シールドは、上記静電クランプ板環状部と上記非静電気的な中心部との間に断熱層を形成する請求項1に記載のクランプ装置。上記加工物担持部は、上記第2の加工物を選択的に抑える1つ以上の保持装置をさらに備える請求項1に記載のクランプ装置。上記加工物担持部は、該加工物担持部に関する固定された回転位置に上記第2の加工物を選択的に維持するように構成された、平面およびピンのうちの1つ以上を備える請求項1に記載のクランプ装置。上記第1の加工物および上記第2の加工物のうちの1つ以上は、珪素、炭化珪素、ゲルマニウムおよびヒ化ガリウムのうちの1つ以上を含む請求項1に記載のクランプ装置。上記静電クランプ板環状部は、該静電クランプ板環状部の上記クランプ面に、上記加工物担持部を静電気によって選択的に固定するようにさらに構成されており、上記非静電気的な中心部に関する上記第2の加工物の位置を選択的に維持する請求項1に記載のクランプ装置。不定寸法の加工物のクランプ方法であって、第2の寸法より大きい第1の寸法の第1の加工物と、上記第2の寸法の第2の加工物とを供給し、上記第2の加工物を選択的に保持する、上記第1の寸法と近似した第3の寸法を持つ加工物担持部を供給し、上記第2の加工物を上記加工物担持部に設置し、非静電気的な中心部を実質的に囲む静電クランプ環状部を備えたクランプ装置のクランプ面に、上記第1の加工物および上記加工物担持部のうちの1つを設置し、上記静電クランプ環状部に対して型締力を選択的に供給して、上記クランプ面に、第1の加工物および加工物担持部のそれぞれを選択的に固定するクランプ方法。上記第2の加工物を保持している上記加工物担持部が上記クランプ面に固定されたとき、上記クランプ装置の上記中心部を加熱することをさらに含む請求項14に記載の方法。上記中心部の加熱は、上記第2の加工物に関連付けられた、加熱ランプアッセンブリーおよび抵抗性ヒーターアッセンブリーのうちの1つ以上にエネルギーを与えることを含む請求項15に記載の方法。上記第1の加工物が上記クランプ面に固定されたとき、上記静電クランプ環状部を冷却することをさらに含む請求項14に記載の方法。1つ以上の所定の状態に基づいて、上記第1の加工物、上記第2の加工物および上記加工物担持部のうちの1つ以上に、補助的な機械式の型締力を選択的に供給することをさらに含む請求項14に記載の方法。上記1つ以上の所定の状態には、上記第1の加工物、上記第2の加工物および上記静電チャックのうちの1つ以上の所定温度が含まれる請求項18に記載の方法。上記静電クランプに対する型締力の選択的な供給は、上記静電クランプ環状部に対してクランプ電圧の選択的に供給することを含み、上記クランプ面に、上記第1の加工物および上記加工物担持部のそれぞれを静電気によって選択的に固定する請求項14に記載の方法。発明者は、加工物の型締力が適切に維持される間、高温処理と低温処理との両方で1つのESCが様々な寸法の加工物を受け入れて支持し、一方、加工物に対する型締力を十分維持しつつ、クランプ装置の交換により生じる休止時間を最小限にする改善された静電クランプの必要性を見出した。本開示は、半導体処理システムにおいて様々な寸法の加工物を固定するシステム、器具、方法の提供によって、先行文献の制限を克服したものである。加えて、本発明は半導体処理システムにおいて様々な寸法の加工物を選択的に加熱するシステム、器具、方法の提供によって、先行文献の制限を克服したものである。加工物は静電気力、機械力もしくは両方よりクランプ面の固定位置に維持される。従って、以下の文書は発明のいくつかの様子の基本的理解事項を提供するために簡易化した発明の要約である。要約は、発明の広い範囲の概要ではない。発明のキーポイントや発明の重大な要素の特定でも発明の範囲の描写でもない。その目的は、後述する、より詳細な描写の序章として、簡易化した形で発明のいくつかの概念を提示することである。共通する加工物クランプ装置を活用して加工物の加熱および/または冷却が提供される間、本開示は様々な寸法の加工物の位置を選択的に維持する器具、システム、方法に対して広く導かれる。このように、前述および後述する目的を実現するために、発明は、下記の全部に記載されている特徴、そして特に請求項で示す特徴を備えている。下記の記述と添付の図面とは、発明の確かな実例となる実施形態を詳しく示す。これらの実施形態は表示されているが、発明の方針の中でいくつかの様々な方法を用いることができる。発明の別の目的、利点、目新しい点は下記の図と併せて考慮された発明の詳細な記述より明らかになるだろう。本開示は同じ静電クランプを用いる様々な寸法の加工物の固定と温度調節との両方を備える静電チャックとも呼ばれる、静電クランプESCに広く導かれる。開示はさらに半導体処理システムの様々な寸法の加工物を加熱することができるクランプ機構と、方法に導かれる。ここで、加工物は静電気力、機械力、または両方のいずれかによりクランプ面の定位置に維持される。本発明は、同様の参照番号が同様の要素全体に渡って参照するために使われた図面の言及をもって説明される。これらの態様の描写は、単に実例となるものであり、限られた意味の中で説明されるべきでないものだと理解できる。以下の描写の中では、説明の目的で、番号の特定の詳細が本発明の理解を提供するために示される。しかしながら、本発明はこれらの特定の詳細なしで実行できることは、当業者にとっては明白である。イオン注入システムでは、例えば、ESCはイオン注入と処理との間、クランプ面の固定位置で加工物を維持するために、加工物例えば、珪素、炭化珪素、ゲルマニウム、ヒ化ガリウムのうちの1つ以上を含む半導体ウエハーとそのクランプ面の静電クランプに活用される。イオン注入と加工物の処理とは、例えば、加工物の運搬と様々な並進運動の力を加工物に受けさせるのに関連することができる。本開示によれば、ESCは様々な寸法の加工物を保持および/または固定するために構成される。そのような半導体ウエハーは直径で100mmから150mmの差があり、少なくとも直径で300mmに達する。実際に産業指針は次の世代の半導体ウエハーサイズスケーリングを直径450mmとすることを考慮している。さらに、発明者はウエハーへ熱エネルギーを与える、および/または、ウエハーから熱エネルギーを取り除くためには、ESCの温度特性を変化させる能力の存在が必要であることを見出した。熱エネルギーの加工物への供給は、例えば、加工物の寸法少なくとも一部に基づいて選択的に行われる。本発明は同じ静電チャックに活用される可変の加工物や、様々な寸法の加工物を処理するために構成される模範的な静電チャックを有利的に提供する。さらに、小さな加工物および/または大きな加工物の選択的な加熱および/または冷却は、同じ静電チャックで適応し、その構成に基づく。例えば、本開示の静電チャックは、様々な加工サイクルの間、より大きい直径の加工物の選択的な冷却とクランプと同じように、小さな直径の加工物の選択的な加熱とクランプを提供する。ここで、本発明の模範的な態様に従った図を参照する。図1は模範的なイオン注入システム100を説明している。ここでイオン注入システムは加工物にイオンを注入するイオンビーム104に関連する加工物102例えば、珪素、炭化珪素、ゲルマニウム、ヒ化ガリウムのうちの1つ以上を含む、半導体基板または半導体ウエハーを走査するために動作可能である。静電クランプ105静電チャックまたはESCとも呼ばれるは後に詳細を詳しく述べるように、加工物102に実質的に固定する。上述したように、本発明の様々な態様は、図1の模範的なイオン注入システム100に含まれるが限定されるものではなく、どんなタイプの半導体処理器具や半導体処理システムにも関連して実施できる。模範的なイオン注入システム100は、例えば、端子106、ビーム線アッセンブリー108、そして最終ステーション110を備えている。最終ステーション110は一般的に処理チャンバー112を形成し、ここでイオンビーム104が一般に加工物の位置114に位置する加工物102に導かれる。端子106のイオン供給源116には、ビーム線アッセンブリー108に抽出されたイオンビーム120例えば、画一的なイオンビームを供給するために電源装置118から電力が供給される。ここでイオン供給源は、供給源チャンバーからイオンを抽出するための1つ以上の抽出電極122を備え、これによって、ビーム線アッセンブリー108に対してイオンビームを導いている。ビーム線アッセンブリー108は、例えば、供給源116に最も近い入口126と、最終ステーション110に最も近い出口128とを持つビームガイド124を備えている。ビームガイド124は、例えば、質量分析器130例えば、質量分析磁石を備えている。質量分析器130は、抽出されたイオンビーム120を受け取って、質量に対しるエネルギーの適切な比率や適切な範囲のイオンだけを分離孔132を介して加工物102に向けて通過させるための双極子磁性領域を形成する。質量分析器130を通過して分離孔132を抜け出したイオンは、一般的に、質量に対するエネルギーの所望の比率や範囲のイオンを持つ、分析または所望の質量のイオンビーム134を規定する。イオンビームが所望のビーム経路136に沿って加工物102に向けて運ばれるときに、ビームを形成または成形する、ビーム線アッセンブリー108に設けられた様々な構造図示しないが、イオンビーム104を維持または制限するためにさらに備えられていてもよい。1つの例では、所望のイオンビーム134は、加工物102の方向に導かれる。加工物は、通常、最終ステーション110に設けられた加工物走査システム138を介して位置づけられる。図1に図示される最終ステーション110は、例えば、直列型の最終ステーションを含んでいてもよい。直列型の最終ステーションは、排出処理チャンバー112内で、加工物の機械的な走査を行う。最終ステーションにおいて、加工物例えば、半導体ウエハー、表示パネル、または他の加工物は、加工物走査システム138を介して1つ以上の方向に、ビーム経路136を通るように機械的に平行移動される。本発明の模範的な態様の1つでは、イオン注入システム100は、実質的に静止した、所望のイオンビーム134例えば、スポットビームやペンシルビームとも呼ばれるを供給し、加工物走査システム138は、静止イオンビームに対して実質的に直交する2つ軸に沿って加工物を平行移動させる。ただし、複数の加工物が同時に走査されてもよく、処置単位や他のタイプの最終ステーションを代わりに用いることができ、そのような最終ステーションは本発明の範囲に入るように考慮されていることに注意すべきである。別の例では、システム100は、加工物102に対する1つ以上の走査平面に沿って、イオンビーム104を走査できる静電気ビーム走査システム図示しないを備えていてもよい。従って、本発明は、走査された、もしくは走査されていない如何なるイオンビーム104であっても、本発明の範囲に入るようにさらに考慮されている。本発明の一形態に従うと、加工物走査システム138は、走査アーム140を備えている。ここで走査アームは、イオンビーム104に対して、加工物102が交互に走査されるように構成されている。イオン注入システム100は、例えば、さらに制御部150によって制御される。ここで、イオン注入システムと加工物走査システム138との機能性は、制御部を介して制御される。本開示に従えば、模範的なESC105は、加工物102をクランプ面152で静電気的に保するために利用される。1つの例に従うと、図2に描写されているように、加工物走査システム138は、走査アーム154を備えている。ESC105は、走査アームに動作可能に連結され、例えば、走査アームに回転可能に連結される。走査アーム154は、平行移動に加えて、第2の軸に対して概ね垂直な第3の軸160に沿って。第2の軸158に対して回転するように構成されている。このように、走査アーム154は、イオンビーム134を通って図1の加工物102を選択的に平行移動および/または回転するように構成されている。本開示の1つの模範的な態様に従うと、図1と図2のESC105は、図3にさらに大きく詳細に描かれている模範的なクランプ装置200を備えている。図3のクランプ装置200は、例えば、図1と図2の不定の寸法の加工物102を固定するように構成されており、その上、後述するように、処理中の加工物の可変の熱調条件をさらに供給する。図3のクランプ装置200によってそれ自体固定する間加工物の工程は、例えば、図1に示されるようにイオン注入システム100を通したイオン注入または、寸法を変えられる加工物に固定することが求められるその他の半導体処理システムを備える。図3に描写されるように、クランプ装置200は、例えば第1のモードでクランプ装置に対して第1の寸法204例えば、300mmの直径を持つ半導体ウエハーの第1の加工物202に選択的に固定するように備えられている。そして第2のモードでクランプ装置のクランプ面210について第2の寸法208例えば破線で描写されている、150mmの直径を持つ半導体ウエハーの第2の加工物206に固定するように備えられている。本例では、加工物202の第1の寸法204は第2の加工物206の第2の寸法208よりも大きい。第1の加工物202は、別の例では、150mmのシリコンウエハーを備え、その上第2の加工物206は100mmの炭化珪素加工物から構成される。本発明の好ましい実施形態によれば、図4により具体的な詳細が描写されている。クランプ装置200は、例えば、環状部212と、該環状部によって囲まれた中心部214とを備えている。環状部212は、例えば、環状静電チャック216を備え、そしてクランプ装置200の中心部214は、後述するように、ヒーター218をさらに備える。環状部212例えば、環状静電チャック216は、例えば、図5と図6により具体的な詳細が描写されており、誘電層222例えば、誘電層の下に配列された1つ以上の電極220を備えている。誘電層は環状部のクランプ面224を、実質的に規定し、例えば、図3の第1の加工物202と環状静電チャック216内の1つ以上の電極との間に形成する静電容量を実質的に可能にする。環状部212は、例えば、第1の加工物202の図3の外周領域226と同じ寸法であり、かつ、該外周領域226を静電気的に固定するために構成されている。図5と図6に描写されている環状部212は、例えば、受け板228例えば、アルミニウム板をさらに備えている。受け板は、環状ESC216に対して構造的剛性を与えるものである。受け板228は、また、例えば、1以上の冷却水路230、1つ以上のヒーター図示しない、もしくは同様のものを介して、環状部216を冷却または加熱可能な構造を備えてもよい。環状部212は、別の例で、図3の第1の加工物202が静電気的に環状部212に固定されたとき、第1の加工物の外周領域226がクランプ装置200と接触し、一方で第1の加工物の中心領域232がクランプ装置の中心部214例えば、ヒーター218と接触または接触しないように構成されている。環状部212から供給される型締力は、例えば、クランプ装置200のクランプ面224に対する固定位置において、第1の加工物202を維持するのに十分であることが理解できるであろう。第1のモードで動作するとき、例えば、第1の加工物202は、環状部212のクランプ面224に固定される。ヒーター218は動作せず、クランプ装置200は、環状部がクランプ面224の固定位置において第1の加工物を維持するように動作する。従って、第1のモードで動作しているとき、環状部212は、例えば、環状部212内に規定された、水または他の冷却剤が還流する1つ以上の冷却水路230により熱的に冷却されていてもよい。例えば、図1のイオン注入システム100を介して第1の加工物202にイオンが注入される間、第1の加工物の熱容量が、該第1の加工物による経験則から得られた最高温度に十分に抑えられることを確保するために、イオン注入の注入量が制限される。従って、本例の第1のモードにおいて動作しているとき、クランプ装置200は、第1の加工物202の温度制御を行う。これにより、有利に加工物を処理できるように、第1の加工物が冷却される。図4のクランプ装置200は、開示の別の模範的な態様に従うと、図7により具体的な詳細が描写されているように、第2のモードにおいて、第2の加工物206の位置を選択的に維持するようにさらに構成されている。動作の第2のモードにおいて、クランプ装置200は、図4に描写されるヒーター218を介する処理例えば、イオン注入の間、第2の加工物206を加熱するためにさらに構成されている。上記の第2の加工物206は、例えば、第1の加工物202の寸法よりも小さい第2の寸法208である。従って、図7~図9に描写される部234が備えられ、この担持部は、第2の加工物206を実質的に支持するために構成されている。例えば、図7に描写されているように、第2の加工物206は担持部234に搭載される。担持部は、図3の第1の加工物202と同じ寸法例えば、第1の寸法204を持つ。故に、第1の加工物を取り扱うのと同じように、第2の加工物を取り扱うことができる例えば、担持するまたは固定する。例えば、担持部234は第3の寸法236例えば、第3の直径あり、担持部の第3の寸法は、図3の第1の加工物202の第1の寸法204と概ね同一である。図7~図9の担持部234は、例えば、酸化アルミニウム、炭化珪素、二酸化珪素および第2の加工物206の処理に用いられるその他の材料のうちの1つ以上から構成されている。担持部234は、より小さい第2の加工物が、図4のヒーター218とともに一般的配置に位置することが可能なように構成された結果、例えば、イオン注入のような処理の前および/または処理の間、第2の加工物が加熱される。図10に描写されるように、ヒーター218は、1つの例では、1つ以上のランプ要素236を備える。1つ以上のランプ要素は、第2の加工物206を選択的に加熱するように備えられている。或いは、ヒーター218は、図11の別の例で描写されているように、埋め込まれ、かつ、第2の加工物206を選択的に加熱するように構成された埋め込み抵抗コイル22を備えている。ここで、ヒーター218は、これらに代えて、第2の加工物206に熱を移動させるように構成された、クランプ装置200に内蔵された他の加熱装置図示せずを備えることができることにも注意すべきである。そして、全てのそのような加熱装置は、本発明の範囲に含まれる。本開示の別の例によれば、図7~図8に描写されているように、担持部234は、例えば、1つ以上の保持装置240例えば、つめ、指、ピン等によって、第2の加工物206を選択的に保持するように構成されている。1つ以上の保持装置240は、例えば、処理条件に応じて、固定式または可倒式に構成されている。一方、別の例によると、図9に描写されているように、担持部234の形状は、第2の加工物206が段242に設置されるように構成されている。このように、1つ以上の保持装置240が規定され、第2の加工物206は担持部に入れ子になっている。第2の加工物の面244は、例えば、担持部300に関連付けられた担持部面246に対して平坦となる、高くなる、または低くなることができる。1つ以上のピン248は、例えば、図7に描写されているように、第2の加工物の状態に応じで位置付けられる平面250に対して第2の加工物を並べるために担持部234にさらに組み入れられることができる。加えて、図10と図11に描写されるように、別の例では、1つ以上の補助的な機械式のクランプ252が備えられている。1つ以上の補助的な機械式のクランプは、環状静電チャック216により提供される静電気による固定に加えて、またはそれに代えて、クランプ装置に対する第1の加工物202および/または担持部234の固定を供給する。例えば、1つ以上の補助的な機械式のクランプ252は、第1の加工物、第2の加工物および環状静電チャック216のうちの1つ以上の所定の温度に基づいて、第1の加工物および/または担持部234のうちの1つ以上を固定するために導入される。従って、上述の1つのクランプ装置200を用いて、第1の寸法204例えば、標準のより大きいウエハーの第1の加工物202へのイオン注入を低い温度で実行でき、第2の寸法例えば、より小さいウエハーの第2の加工物206へのイオン注入を高い温度で実行できる。別の例に従うと、図12~図13により具体的な詳細が描写されているように、1つ以上のへり、段または障壁254が、中心部214および環状部212のうちの1つ以上の周りにさらに備えられている。1つ以上のへり、段および/または障壁254は、例えば、熱導電性のガスに対する障壁として通常備えられる。熱導電性ガスは、例えば、供給管258を介して1つ以上のへり、段および/または障壁によって規定された空間例えば、中心部214の空間として本例で描写されているに供給される。供給管258は、例えば、温度制御の目的で、ガスおよび電気信号例えば、サーモカップル等うちの1つ以上を中継するように動作可能である。熱導電性ガスは、処理されている加工物例えば、第1または第2の加工物に応じて、それぞれのヒーター218および/または環状部212を介して、図3の第1の加工物202または第2の加工物206に大きな熱伝導を与える。上述のように、ヒーター218は、上記の箇所に位置づけられる第2の加工物206を選択的に加熱するように備えられている。従って、別の模範的な態様に従うと、図12のクランプ装置200は、温度監視器具260を備える。例えば、サーモスタット、サーモカップル、または、クランプ装置のクランプ面および/または加工物例えば、図3の第1の加工物202および/または第2の加工物のうちの1つ以上の温度を決定するように構成された他の温度監視装置である。クランプ装置200の他の態様や機能と同様に処理条件および加工物の選択例えば、第1と第2の加工物の型204と208に基づいて、図1の制御部150は、ヒーター218、環状静電チャック216、1つ以上の冷却水路230を介した冷却および1つ以上の補助的な機械式のクランプ252のうちの1つ以上を動作させるようにさらに構成されている。加えて、別の模範的な態様に従うと、クランプ装置200は、図12~図13で描写された熱シールド262をさらに備えている。熱シールドは、実質的にヒーター218を取り囲み、クランプ装置の環状部212をヒーターで生成される高温にさらされること防いでいる。別例に従うと、装置シールド264は、イオンビームが当たる等のような加工からクランプ装置200への損害を最小限にしている。本開示は、図14に描写されているように、静電チャックに対して様々な寸法の加工物を効果的に固定するための方法300を含んでいる。模範的な方法は、一連の行為または事象として説明されているが、本発明はそのような行為または事象の順序付けた説明によって限定されない。本発明において、いくつかのステップは、異なる順番および/または描写されている以外の他のステップと同時に行われてもよいことに注意すべきである。加えて、本発明に従ったすべての描写されたステップは、方法の実施に必須ではない。その上、方法がここで描写され記述されたシステムと関連して実施されることができることは描写されていない他のシステムと関連するのと同様に、明白である。図14に描写された1つの例に従って、方法は、動作302で第1の加工物と第2の加工物とを供給することを含む。第1および第2の加工物は、異なる寸法である例えば、第1の加工物は、第2の加工物よりも大きい直径を持つ。判定は動作304で行われ、第1の加工物または第2の加工物が処理されるかが決定される。動作304での判定が第1の寸法の第1の加工物であるとすれば、動作306で第1の加工物はクランプ装置のクランプ面に直接設置される。そして、第1の加工物は、動作308でさらに固定される。動作310で、第1の加工物もまた処理の間冷却される。1つの例に従うと、環状部は冷却液によって冷却され、ヒーターを動作させないことで、第1の加工物を実質的に冷却することができる。クランプ装置の中心部は、例えば、第1の加工物に接触しない。第1の加工物は、動作312でクランプ装置のクランプ面からさらに取り外される。動作304での判定が、第2の寸法の第2の加工物の供給であった場合、動作314で加工物担持部がさらに供給される。加工物担持部は、第1の加工物の寸法例えば、直径と同じ寸法例えば、直径を持ち、前述のように加工物担持部は第2の加工物を選択的に維持するようにさらに構成されている。1つの例では、第2の加工物は、動作314で加工物担持部に設置され、加工物担持部は、動作316で静電クランプに設置される。ここで、第2の加工物は、クランプ装置の前述の中心部例えば、前述のヒーターに位置付けられる。そして、担持部は、動作318でクランプ装置例えば、静電気的な環状部または前述の補助的な機械式のクランプを介してに固定される。例えば、クランプ電圧は、クランプ面に対して加工物担持部を選択的に静電気によって固定する静電クランプ環状部に供給される。動作320では、第2の加工物が加熱される。1つの例で、第2の加工物は炭化珪素から構成され、高温注入が要求され、ヒーターは多くの熱例えば600°C~1400°Cを供給するように構成されている。動作322で、担持部はクランプ装置から取り外され、第2の加工物は動作324で担持部からさらに取り外される。このように本発明に従うと、共通のクランプ装置がさらに異なる直径を持つ第1と第2の加工物を固定するのに活用される。ここで、静電クランプはさらに必要な処理条件および/または要件に基づいて、それぞれの加工物を加熱または冷却をするように構成される。従って、本発明は様々な寸法の加工物に対して改善されたクランプ能力を提供する静電チャックを提供し、そしてさらに有利な処理、特に処理温度の向上を提供する。本発明は、特定の好ましい実施形態または複数の実施形態について明らかにして記述されているが、この明細書および添付図の参照および理解において、均等の交換または変更を他の当業者が成し得ることが可能であることは明白である。特に断りのない限り、本発明の実施形態において種々の機能を有する構成物アッセンブリー、装置、回路等について用いられた文言手段に付与された符号も含むは、構成上同一でなくとも同等の機能を有する構成物機能上同等の構成物についても用いられる。加えて、本発明特有の特徴は複数ある実施形態のうちの1つに関して開示されたが、このような特徴は、所定のまたは特定の利用に関して所望されるまたは好ましい他の形態について得られる1つ以上の他の特徴と組み合わせてもよい。