基板の第1の主面に、前記第1の主面に対向して見た場合に環状の第1の溝、及び第2の溝を形成する工程と、前記第1及び第2の溝を埋め込むように、前記基板の第1の主面上に絶縁膜を形成する工程と、前記第1の溝上の絶縁膜上にマスクが位置し、かつ前記第2の溝上の絶縁膜上に複数に分割されたマスクが位置するようにマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンを用いたエッチングにより、前記基板の第1の主面が露出しないように前記絶縁膜の一部を除去する工程と、前記マスクパターンを除去した後、前記第1の主面上の絶縁膜を除去する工程と、前記絶縁膜を除去する工程の後、前記基板の第1の主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記絶縁膜で埋め込まれた前記第2の溝の前記基板上での位置を基準として位置合わせした第1のパターンを、前記フォトレジスト膜に転写する工程と、前記絶縁膜で埋め込まれた環状の前記第1の溝の内側に位置する前記基板に、前記基板を厚さ方向に貫通する貫通電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1及び第2の溝を形成する工程では、複数の前記第2の溝を、前記第1の主面に対向して見た形状がラインアンドスペース形状となるように形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記マスクパターンを形成する工程では、前記第2の溝上の絶縁膜上に位置するマスクとして、前記第2の溝の延在方向に沿って複数に分割されたマスクを形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記第1及び第2の溝を形成する工程では、前記複数の第2の溝の個々を幅が1~3μm、前記第2の溝の延在方向における長さが30~50μmとなるように形成し、かつ、前記ラインアンドスペースのピッチが2~6μmとなるように、前記第2の溝を形成することを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法。前記絶縁膜の一部を除去する工程では、ウェットエッチングにより、前記絶縁膜の一部を除去することを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記第1のパターンを前記フォトレジスト膜に転写する工程の後、前記貫通電極を形成する工程の前に、前記基板の第1の主面と厚さ方向に対向する第2の主面側から前記基板を研削して、前記絶縁膜で埋め込まれた前記第1及び第2の溝の底部が露出するまで前記基板の厚さを減ずる工程を更に有することを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記絶縁膜を形成する工程では、TEOSを原料に用いた化学気相成長法により、前記絶縁膜を形成することを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記フォトレジスト膜に転写した前記第1のパターンを用いて、前記基板の第1の主面に素子分離領域を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項1~7の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記基板を裁断領域に沿って切断することで、前記基板を個片化する工程を更に有し、前記第1及び第2の溝を形成する工程では、前記基板の前記裁断領域に前記第2の溝を形成することを特徴とする請求項1~8の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。基板と、前記基板の第1の主面に設けられ、前記第1の主面に対向して見た場合に環状となる絶縁リングと、前記基板の第1の主面に設けられたアライメントマークと、前記基板の第1の主面上に設けられた絶縁膜であって、前記アライメントマーク上の絶縁膜の上面は第1の高さと第2の高さに位置する絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体ウェハ。前記アライメントマークは、前記第1の主面に対向して見た形状がラインアンドスペース形状であることを特徴とする請求項10に記載の半導体ウェハ。前記アライメントマーク上の絶縁膜において、前記第1の高さは前記第2の高さよりも高く、前記第2の高さに位置する上面は前記アライメントマークの延在方向に延在することを特徴とする請求項11に記載の半導体ウェハ。前記アライメントマークを構成する複数のマークの個々を幅が1~3μm、前記アライメントマークの延在方向の長さが30~50μmとなるように形成し、かつ、前記ラインアンドスペースのピッチが2~6μmとなることを特徴とする請求項11又は12に記載の半導体ウェハ。基板と、前記基板のチップ領域の第1の主面に設けられ、前記第1の主面に対向して見た場合に環状となる絶縁リングと、前記基板のチップ領域の第1の主面に設けられたアライメントマークと、前記基板のチップ領域の第1の主面上に設けられた絶縁膜であって、前記アライメントマーク上の絶縁膜の上面は第1の高さと第2の高さに位置する絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。前記アライメントマークは、前記第1の主面に対向して見た形状がラインアンドスペース形状であることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。前記アライメントマーク上の絶縁膜において、前記第1の高さは前記第2の高さよりも高く、前記第2の高さに位置する上面は前記アライメントマークの延在方向に延在することを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。前記アライメントマークを構成する複数のマークの個々を幅が1~3μm、前記アライメントマークの延在方向の長さが30~50μmとなるように形成し、かつ、前記ラインアンドスペースのピッチが2~6μmとなることを特徴とする請求項15又は16に記載の半導体装置。上記の方法とは異なり、絶縁リング等をビアファーストで形成せず、素子分離領域フィールドを形成する工程が基板に施す最初の工程であれば、当該素子分離領域の基板上での位置を調整する必要は無い。すなわち、素子分離領域の形成時には、基板上に他の部材が形成されていないため、これらの部材に対して素子分離領域の位置合わせを行う必要が無い。一方、上記のように、ビアファーストで既に絶縁リングが形成された基板上に素子分離領域を形成する場合、当該素子分離領域は基板上での位置を調整して位置合わせして形成する必要がある。即ち、絶縁リング形成の後、基板に対して素子分離領域用のパターニングをする前に、フォトリソグラフィに用いるアライメントマークを形成しておく必要がある。しかしながら、従来の方法では、アライメントマーク用のトレンチが深く、その幅が狭いため、トレンチ内に絶縁膜を埋設させると内部にシームやボイドが発生する場合があった。アライメントマーク用のトレンチはラインアンドスペース形状で形成するため、シームやボイドなどの埋設不良箇所に応力が集中して、この部分を起点に基板内にクラックが発生する場合があった。このクラックは素子領域にまで達することがあり、この場合、製造歩留まりが低下することとなっていた。一実施形態は、基板の第1の主面に、前記第1の主面に対向して見た場合に環状の第1の溝、及び第2の溝を形成する工程と、前記第1及び第2の溝を埋め込むように、前記基板の第1の主面上に絶縁膜を形成する工程と、前記第1の溝上の絶縁膜上にマスクが位置し、かつ前記第2の溝上の絶縁膜上に複数に分割されたマスクが位置するようにマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンを用いたエッチングにより、前記基板の第1の主面が露出しないように前記絶縁膜の一部を除去する工程と、前記マスクパターンを除去した後、前記第1の主面上の絶縁膜を除去する工程と、前記絶縁膜を除去する工程の後、前記基板の第1の主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記絶縁膜で埋め込まれた前記第2の溝の前記基板上での位置を基準として位置合わせした第1のパターンを、前記フォトレジスト膜に転写する工程と、前記絶縁膜で埋め込まれた環状の前記第1の溝の内側に位置する前記基板に、前記基板を厚さ方向に貫通する貫通電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。他の実施形態は、基板と、前記基板の第1の主面に設けられ、前記第1の主面に対向して見た場合に環状となる絶縁リングと、前記基板の第1の主面に設けられたアライメントマークと、前記基板の第1の主面上に設けられた絶縁膜であって、前記アライメントマーク上の絶縁膜の上面は第1の高さと第2の高さに位置する絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体ウェハに関する。他の実施形態は、基板と、前記基板のチップ領域の第1の主面に設けられ、前記第1の主面に対向して見た場合に環状となる絶縁リングと、前記基板のチップ領域の第1の主面に設けられたアライメントマークと、前記基板のチップ領域の第1の主面上に設けられた絶縁膜であって、前記アライメントマーク上の絶縁膜の上面は第1の高さと第2の高さに位置する絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置に関する。第2の溝上に位置する絶縁膜上に複数に分割されたマスクを有する、マスクパターンを形成する。このマスクパターンを用いて、第1の主面上の絶縁膜を除去することにより、第2の溝上の絶縁膜内に生じる応力を分散させてクラックの発生を抑制することができる。特開2005-217071号公報には、チップ積層時の位置合わせ基準となるアライメントマークを、TSV本体を形成する工程によって同時に形成する方法が開示されている。より詳しくは、ウェハから切り出した複数のチップを互いに積層する際、位置合わせのずれを起こさないよう、ボンディング装置にチップの位置を認識させるためのアライメントマークとして、TSVと同様の基板を貫通する導電材料を用いて構成し、TSV形成工程時に同時に形成するという技術である。そこで、本発明者は、上記技術の応用例として、素子形成工程の最初の工程であるSTIフィールドパターンを転写する工程フォトリソグラフィ工程の際に、位置合わせの基準となるアライメントマークを、絶縁リングと同時に形成する方法について、事前に検討した。通常、半導体装置の構成要素が何も形成されていないウェハ上に最初にSTIを形成する場合、いかなる要素に対しても位置合わせをする必要が無いので、STI形成工程においてアライメントマークは必要無い。また、STI形成工程の後の工程においては、STI形成工程で同時に形成したアライメントマークを基準に位置合わせすれば良い。一方、本願で対象にする構造は、TSVの周囲を囲む絶縁リングを最初に形成した後ビアファースト、素子形成工程に入る。従って、この絶縁リングに対してSTIを位置合わせするためのアライメントマークフィールド合わせマークが必要となり、これを形成する方法として上述の技術を検討した。本発明者が検討したフィールド合わせマークは、リソグラフィ工程の際に認識できるよう、絶縁溝がラインアンドスペースL/S状に配列した形状である。以下では、図1~3を参照して、本発明者が検討した半導体装置及びその製造方法を説明する。図1Aに示すように、この半導体装置は、半導体基板17上にスクライブ領域2に囲まれたチップ領域3を有する。チップ領域3には素子領域4と貫通電極5が設けられ、スクライブ領域2にはアライメントマーク1が設けられている。図1Bは図1Aの貫通電極5近傍のA’-A’方向の断面図、図1Cは図1Aのアライメントマーク1の一部のB’-B’方向の断面図を表す。図1Bに示すように、貫通電極5は、表面電極33、配線層14及び裏面電極34から構成される。配線層14及び裏面電極34の一部は、層間絶縁膜16を貫通している。素子領域4には、貫通電極5を囲むように環状の絶縁リング6が設けられており、貫通電極5をトランジスタ等の他の素子8から絶縁分離している。素子8はコンタクトプラグ8bを介して配線8aに接続されている。図1Cに示すように、スクライブ領域2には、アライメントマーク1及び配線層15が設けられている。絶縁リング6とアライメントマーク1の、基板厚み方向38における長さは同じとなっている。また、素子領域4及びスクライブ領域2には、素子分離領域STI7が設けられている。素子領域4及びスクライブ領域2の層間絶縁膜16上には、シリコン酸窒化膜36a及びポリイミド膜36bからなる保護膜36が形成されている。図2及び3は、図1の半導体装置の絶縁リング6及びアライメントマーク1の形成工程を表したものであり、説明を簡略化するため、その他の部分については示していない。なお、図2及び3において、A図は図1Bの絶縁リング6の形成工程、B図は図1Cのアライメントマーク1の形成工程、C図はA図の点線で囲まれた部分Pの拡大図、D図はB図の点線で囲まれた部分Qの拡大図を表す。図3Eは第1の主面17aにおけるアライメントマーク1全体の上面図である。また、図3Fは図3の工程においてアライメントマーク1上に位置する絶縁膜26内に発生する応力の状態を表す模式的断面図であり、一部の構造は省略している。図2に示すように、シリコン半導体基板17の第1の主面17a上にフォトレジスト膜20を形成した後、リソグラフィー技術により、フォトレジスト膜20にパターンを形成する。続いて、フォトレジスト膜20をマスクに用いて、半導体基板17のドライエッチングを行う。これにより、環状のトレンチ絶縁リング用のトレンチ32と、アライメントマーク用のトレンチ25を同時に形成する。アライメントマーク用のトレンチ25は、第1の主面17aに対向して見た形状が、トレンチ25の幅方向25bに一定のピッチで複数のトレンチ25が配列されたラインアンドスペースL/S形状に形成される。なお、ピッチとは、隣り合うトレンチ25間に位置する半導体基板17の幅方向25bの距離を表す。図3に示すように、フォトレジスト膜20を除去した後、半導体基板17内の両トレンチ25、32を同時に絶縁膜26で埋め込む。ここでは、絶縁膜26として、TEOSTetraEthOxySilane;SiOC2H54を原料に用いたCVD法化学気相成長法で形成したNSGNone-dopedSilicateGlass膜を用いる。これにより、絶縁リング6と、アライメントマーク1を形成する。絶縁リング用のトレンチ32及びアライメントマーク用のトレンチ25上のTEOS-NSG膜26上を、フォトレジスト膜20で保護した状態でウェットエッチングを行い、TEOS-NSG膜26の膜厚を低減する。上記ウェットエッチング後には、半導体基板17の第1の主面17a上の絶縁膜26内に応力が発生する。この応力はトレンチの幅方向25bなどに発生し、図3Fに示すように、この応力は絶縁膜26の膜厚が厚い部分で大きく、膜厚が薄い部分で小さくなる。このため、特に膜厚が厚い部分の面積が大きなアライメントマーク1上の絶縁膜26内で大きくなる。この結果、絶縁膜26の下に位置する半導体基板17全体の応力バランスが崩れて、ラインアンドスペース形状のアライメントマーク1に応力が集中することとなる。ここで、絶縁リング用トレンチ32と同様に形成したアライメントマーク用トレンチ25は深さが深く~40μm、深さに比べてその幅が狭い~2μmため、埋設性が低く、絶縁膜26内にシームやボイド56を生じ得る。特に、複数のトレンチ25がL/S状に配列したアライメントマーク1では、シーム等56はトレンチ25の幅方向25bにおける中央部付近に形成される。このため、絶縁膜26内に発生したこの応力は、アライメントマーク1内のシーム等56に集中することとなり、半導体基板17にはこのシーム等56を起点にして、トレンチ25の終端部25aからトレンチの延在方向25cに延びるクラック57を生じさせることが、本発明者の検証により分かった。このようなクラック57は素子領域4にまで達することもあり、製造歩留まりの低下の一原因となる。このように、本検討例の製造方法には改善の余地があることが分かった。そこで、本発明者は、上記クラック57の発生を防止する方法を検討した。この結果、絶縁膜26のウェットエッチング用のマスクパターンとして、アライメントマーク用トレンチ25上では複数に分割されたマスクを有するマスクパターンを用いればよいことを発見した。このようなマスクパターンを用いて絶縁膜26のウェットエッチングを行うと、その上にマスクが設けられていない絶縁膜26の部分は除去される。このため、平面視では、マスクパターンの形状と同様に、アライメントマーク用トレンチ25上の絶縁膜26の上部も複数に分割される。この際、アライメントマーク用トレンチ25上において、エッチングされなかった絶縁膜26の部分の上面は変化せずに第1の高さのままとなる。一方、エッチングされた絶縁膜26の部分の上面は第2の高さまで低くなり、第1の高さ>第2の高さとなる。このようにエッチング後に、アライメントマーク用トレンチ25上では、絶縁膜26は第1の高さと、第2の高さの2段階の高さの上面を有することとなる。上記のように、アライメントマーク用トレンチ25上の絶縁膜26上部がエッチングにより複数に分割されると、平面視において各分割された絶縁膜26の面積が小さくなるため、絶縁膜26内に発生する応力を分散させて小さくすることができる。従って、この絶縁膜26の下に位置するアライメントマーク1に集中する応力も小さくすることができる。この結果、半導体基板17内でのクラックの発生を防止して、製造歩留まりを向上させることができる。以下に、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。なお、これらの実施例は、本発明のより一層の深い理解のために示される具体例であって、本発明は、これらの具体例に何ら限定されるものではない。第1実施例図4及び5は、第1実施例の製造方法により製造した半導体装置を表す図である。図4Aに示すように、この半導体装置は、半導体基板17上にスクライブ領域裁断領域2に囲まれたチップ領域3を有する。チップ領域3には素子領域4と貫通電極5が設けられている。後述するように、この貫通電極5を介して、複数の半導体チップを電気的に接続できるようになっている。また、スクライブ領域2にはアライメントマーク1が設けられている。図4Bは図4Aの貫通電極5近傍のA’-A’方向の断面図、図4Cは図4Aのアライメントマーク1の一部のB’-B’方向の断面図、図4Dは第1の主面17aにおけるアライメントマーク1全体の上面図を表す。図4Bに示すように、貫通電極5は、表面電極33、配線層14及び裏面電極34から構成される。配線層14及び裏面電極34の一部は、層間絶縁膜16を貫通している。チップ領域3には、第1の主面17aに対向して見た場合に環状の絶縁リング6が設けられている。絶縁リング6は、第1の主面17aから半導体基板17の厚み方向38に伸長して、第2の主面17bまで半導体基板17内を貫通して設けられている。また、絶縁リング6は、貫通電極5を囲むように設けられており、貫通電極5を他の素子8から絶縁分離している。素子8はコンタクトプラグ8bを介して配線8aに接続されている。図4C及び4Dに示すように、スクライブ領域2にはアライメントマーク1及び配線層15が設けられている。アライメントマーク1は複数のマークがその幅方向25bに一定のピッチで配列されたラインアンドスペース形状に形成されている。アライメントマーク1を構成する各マークは、第1の主面17aに対向して見た場合に、方向25cに延在する。半導体基板17の厚み方向38において、アライメントマーク1は、絶縁リング6と同じ深さとなっている。また、素子領域4及びスクライブ領域2には、素子分離領域STI7が設けられている。素子領域4及びスクライブ領域2の層間絶縁膜16上には、シリコン酸窒化膜36a及びポリイミド膜36bからなる保護膜36が形成されている。図5~15は、本実施例の半導体装置の製造方法を説明する図である。以下、これらの図面を参照して、本実施例の製造方法を説明する。なお、図5は本実施例の製造方法を表すフローチャートである。図6~14において、A図は図4Bに対応する断面図、B図は図4Cに対応する断面図、C図はアライメントマーク1の全体又はそれに対応する構造を第1の主面17aに対向する方向から見た上面図を表す。図7Cにおいて、アライメントマーク用のトレンチ25は、その位置関係を明確にするために透視図として示す。図8Dは図8の工程においてアライメントマーク用のトレンチ25上の絶縁膜26内に発生する応力の状態を表す模式的断面図であり、一部の構造を省略している。また、図15Aは複数の半導体チップ40を積層した状態を表す断面図、図15Bは図15Aの点線で囲まれた部分50の拡大図を表す。図6に示すように、シリコン半導体基板17の第1の主面17a上に、フォトレジスト膜20を形成する。リソグラフィー技術により、フォトレジスト膜20内に絶縁リング及びアライメントマーク用のパターンを形成する。このフォトレジスト膜20のパターンを用いて半導体基板17のドライエッチングを行う。これにより、絶縁リング用のトレンチ第1の溝32、およびアライメントマーク用のトレンチ25を形成する図5のS11。本実施例では、絶縁リング用のトレンチ第1の溝32は第1の主面17aに対向して見た形状が環状であり、深さ40μm、幅2μm、リング径20μmとする。絶縁リング用のトレンチ32の寸法は特に限定されないが、例えば、深さ30~50μm、幅1~3μm、リング径15~30μmとすることができる。アライメントマーク用のトレンチ第2の溝25は第1の主面17aに対向して見た形状がラインアンドスペース形状であり、深さ40μm、幅方向25bの長さ2μm、ピッチ隣り合うトレンチ25間に位置する半導体基板17の幅方向25bの距離が4μm、トレンチの延在方向25cの長さ42μmとする。アライメントマーク用のトレンチ25は絶縁リング用のトレンチ32と同一工程により形成するので、両者の深さは同一となる上記の例では、40μm。また、アライメントマーク用のトレンチ25の寸法は、アライメントマークを検出するマークセンサーの検出可能寸法によって決まる。ここでは、アライメントマークがウェハ上で占有する面積を極力小さくするために、マークセンサーの検出可能寸法の下限に近い寸法が望ましい。アライメントマーク用のトレンチ第2の溝25の寸法は例えば、複数の第2の溝の個々を、幅方向25bの長さが1~3μm、トレンチの延在方向25cにおける長さが30~50μmとなるように形成し、かつ、ラインアンドスペースのピッチが2~6μmとすることができる。図7に示すように、フォトレジスト膜20を除去する。TEOSTetraEthOxySilane;SiOC2H54を原料に用いたCVD法により、半導体基板17上にNSGNone-dopedSilicateGlass膜26を形成する以下、この膜26をTEOS-NSG膜と呼ぶ。このような堆積法によって形成するTEOS-NSG膜26の膜厚半導体基板17上の膜厚は、トレンチ25、32を完全に埋設するという観点からトレンチ25、32の幅の1/2以上の膜厚である。また、TEOS-NSG膜26を用いたのは、高アスペクト比のトレンチ25、32を埋設する際に、極力ボイドが発生しないようにするために、カバレッジ性が良好でコンフォーマルに形成できるからである。同様の効果を奏する場合、絶縁膜26として他の材料を用いても良い。例えば、絶縁膜26として、薄い窒化シリコン膜及びTEOS-NSG膜を使用することができる。図8に示すように、後の研磨工程で、半導体基板17上のTEOS-NSG膜26を除去する際のCMP負荷を減らすため、ウェットエッチングによりTEOS-NSG膜26の膜厚を低減する。この際、アライメントマーク用のトレンチ25内に形成したTEOS-NSG膜26内にはシームが発生する場合がある。この場合にそのままTEOS-NSG膜26をウェットエッチングするとTEOS-NSG膜26内のシームが深化してしまう。そのため、アライメントマーク用のトレンチ25上のTEOS-NSG膜26はフォトレジスト膜20などの保護膜マスクパターンで保護した状態でウェットエッチングを行う。この際、アライメントマーク用のトレンチ25上のフォトレジスト膜マスクパターン20は、2つに分割されたマスク20a及び20bを有するように形成する。このフォトレジスト膜20を用いたウェットエッチングにより、アライメントマーク用のトレンチ25上の絶縁膜26上部は、部分26a、26bに分割される。部分26a、26bは第1の高さに位置する上面26cを有する。部分26aと26bはトレンチ26eによって分断され、トレンチ26eの底部に位置する上面26dは、第2の高さを有する。上面26cはエッチング前図7の工程後の絶縁膜26の高さと同じ第1の高さに位置する。上面26dは、エッチングにより形成されたトレンチ26eの底部に形成されておりトレンチ25の延在方向25cに延在すると共に、第1の高さよりも低い第2の高さに位置する。また、半導体基板17上の絶縁膜26は、ウェットエッチングによりその上部が2つの部分26aと26bに分割されており、その下部は一体化している。この半導体基板17の第1の主面17a上の絶縁膜26内には応力が発生する。図3Fで前述したように、この応力は絶縁膜26の膜厚が厚い部分で大きく、膜厚が薄い部分で小さくなる。また、特に膜厚が厚い部分の面積が大きなトレンチ25上の絶縁膜26内で大きくなる。しかしながら、本実施例では上記のように、分割されたマスクを有するマスクパターン20を用いてトレンチ25上の絶縁膜26をエッチングするため、トレンチ25上の絶縁膜26上部も複数に分割される。従って、図8Dに示すように、平面視において各分割された絶縁膜26の面積が小さくなるため、絶縁膜26内に発生する応力を分散させて小さくすることができる。このため、トレンチ25内に埋め込まれた絶縁膜26内にシームやトレンチが発生した場合であっても、シーム等に集中する応力を小さくすることができる。この結果、半導体基板17内でのクラックの発生を防止して、製造歩留まりを向上させることができる。図9に示すように、フォトレジスト膜20を除去した後、950°Cで60分間、熱処理を行い、TEOS-NSG膜26の脱ガス処理を行う。次に、化学機械研磨法CMP法により、半導体基板17の第1の主面17a上のTEOS-NSG膜26を除去することで、絶縁リング6及びアライメントマーク1を完成させる図5のS12。図10に示すように、半導体基板17上にフォトレジスト膜20を形成する。リソグラフィー技術により、STI用のフィールドパターンを、フォトレジスト膜20に転写して第1のパターン29を形成する。この際、本実施例では、上記のようにして形成したアライメントマーク1を、STI用のフィールドパターンの位置合わせマークとして用いることができる。即ち、上記アライメントマーク1の半導体基板17上での位置を基準として位置合わせしたフィールドパターンをフォトレジスト膜20に転写することで、フォトリソグラフィの位置合わせのずれを低減できる。フォトレジスト膜20の第1のパターン29を用いて、半導体基板17をエッチングする。これにより、図11に示すように、STI用のトレンチ7aを形成する図5のS21。この後、フォトレジスト膜20を除去する。半導体基板17上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の絶縁膜を埋設させた後、絶縁膜に対してCMP処理を施す。これにより、STI素子分離領域7を形成する図5のS22。図12に示すように、半導体基板17の活性領域30に、トランジスタ等の素子8を形成する図5のS23。半導体基板17上に数段階に分けて層間絶縁膜16を形成する。層間絶縁膜16を形成する途中の工程で、トランジスタ8の不純物拡散層に到達するコンタクトプラグ8b、配線8a、絶縁リング6で囲まれた半導体基板17内の領域の上方に配線層14、アライメントマーク1の上方に配線層15を形成する。配線層14は、後の工程で形成する表面電極33、裏面電極34と接続するためのパッドとして機能する。配線層14は、アルミニウムAlや銅Cu等からなる複数の配線14a~14dと、複数の配線間を接続するタングステン等の金属膜からなる複数のコンタクトプラグ14e~14gとからなる。また、配線層15は、複数の配線15a~15dと、複数の配線間を接続する複数のコンタクトプラグ15e~15gとからなる。図13に示すように、配線層14を覆うように層間絶縁膜16上に、シリコン酸窒化膜SiON36aと、ポリイミド膜パッシべーション膜36bからなる保護膜36を形成する。次に、配線層14の上面を露出させるように保護膜36内に第1の開口33aを形成する。スパッタにより、第1の開口33aを含む保護膜36上にシード膜11を形成する。保護膜36上にフォトレジスト膜図示していないを形成した後、パターニングを行って、第1の開口33a内に設けたシード膜11を露出させる。電界メッキ法により、露出したシード膜11上に順に銅バンプ13、及び半田膜12を形成する。保護膜36上のフォトレジスト膜を除去した後、露出したシード膜11を除去する。このシード膜11、銅バンプ13、及び半田膜12から表面電極33が構成される図5のS3。図14に示すように、半導体基板17の表面電極33を設けた側に、接着層図示していないを介して支持基板図示していないを設ける。この後、半導体基板17の第1の主面17aと厚さ方向に対向する第2の主面17bを例えば、775μmから40~50μmの厚さまで薄膜化する図5のS4。この研削工程により、半導体基板17の第2の主面17b側には、予め形成した絶縁リング6及びアライメントマーク1の底部が露出する。半導体基板17の第2の主面17b側から、配線層14が露出するように、環状の絶縁リング6の内側に位置する半導体基板17に対して異方性ドライエッチングを行う。この際、半導体基板17を貫通すると共に、層間絶縁膜16の一部内に伸長する第2の開口34aを形成する。次に、スパッタ法により、半導体基板17の第2の主面17b上の全面に、チタンTi膜及び銅Cu膜を積層させて、シード膜10を形成する。半導体基板17の第2の主面17b上に、第2の開口34aと同じ位置に第3の開口を有するフォトレジストパターン図示していないを形成する。電気めっき法により、第3の開口内に順に銅バンプ19、及びSnAg膜等の半田膜9を形成する。このシード膜10、銅バンプ19、及び半田膜9の3層により、裏面電極34が形成される。次に、フォトレジストパターンを除去した後、露出したシード膜10の部分を除去する図5のS5。この後、リフローにより、半田膜9の表面を凸状とする。接着層及び支持基板を除去する。以上のようにして、図4に示す半導体装置を得る。この半導体装置では、スクライブ領域2で区画された各チップ領域3に、半導体基板17を貫通するように貫通電極5が設けられている。貫通電極5は、上端および下端に接続用のバンプ表面電極33、裏面電極34を備えており、後述するように、複数の半導体チップ40を積層する際に貫通電極5を介して上下に配置された半導体チップ40間が電気的に接続される。貫通電極5は、半導体基板17を貫通する貫通プラグ表面電極33、裏面電極34と、半導体基板17上の層間絶縁膜16を貫通する配線層14で構成されている。貫通電極5の半導体基板17を貫通する部分は、環状の絶縁リング6で囲まれており、他の素子8等とは絶縁分離されている。次に、スクライブ領域裁断領域2に沿って半導体基板17のスクライブを行う図5のS6。これにより、半導体基板17を個片化して半導体チップを形成する。図15に示すように、異なる半導体チップ40の表面電極33と裏面電極34が互いに接するようにして、複数の半導体チップ40をマウントする。リフローにより、各半導体チップ40の表面電極33と裏面電極34の半田膜9、12を接合する。半導体チップ40間にアンダーフィル41を充填した後、複数の半導体チップ40を、パッケージ基板42上にマウントする。この後、モールドレジン43によってモールドすることにより、本実施例の半導体装置が完成する図5のS7。本実施例の半導体装置としては、例えば、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ等の記憶デバイスや、MPU、DSP等の演算処理デバイスを挙げることができる。以上のように、本実施例では、アライメントマーク用のトレンチ25上において、2つに分割されたマスク20a及び20bを有するフォトレジスト膜マスクパターン20を形成する。このフォトレジスト膜20を用いて、絶縁膜26のウェットエッチングを行うことにより、トレンチ25上に位置する絶縁膜26の上部も複数に分割される。従って、平面視において各分割された絶縁膜26の面積が小さくなり、トレンチ25上の絶縁膜26内に発生する応力を分散させて小さくすることができる。これにより、この絶縁膜26の下に位置するアライメントマーク1内にシームやボイドが発生した場合であっても、シーム等に集中する応力を小さくすることができる。この結果、半導体基板17内でのクラックの発生を防止して、製造歩留まりを向上させることができる。なお、本実施例では、アライメントマーク用のトレンチ25として、平面視でラインアンドスペース形状のトレンチ25を形成した。しかし、トレンチ25はラインアンドスペース形状に限定されず、他の形状であってもその上に形成する絶縁膜26の上部を複数に分割することにより、絶縁膜26内の応力を分散させ、その下のアライメントマーク1に集中する応力を小さくして本発明の効果を奏することができる。一方、ラインアンドスペース形状のトレンチ25の場合、トレンチの延在方向25cに沿って、その上の絶縁膜26上部を分割することにより、絶縁膜26内の応力を効果的に分散させることができる。従って、絶縁膜26の下に位置するアライメントマーク1に集中する応力も小さくすることができ、ラインアンドスペース形状のトレンチ25を形成する工程に対しては、本発明を適用してより効果的であると言える。本実施例では、トレンチの延在方向25cに沿って、絶縁膜26の上部を複数に分割した。しかし、絶縁膜26の上部を複数に分割する方向であれば、その方向はトレンチの延在方向25cに限定されず、他の方向であっても絶縁膜26内の応力を分散させて本発明の効果を奏することができる。一方、ラインアンドスペース形状のように一定の方向に延在するトレンチ25の場合、トレンチの延在方向25cに沿って、その上の絶縁膜26上部を分割することにより、絶縁膜26内の応力を効果的に分散させることができる。従って、絶縁膜26の下に位置するアライメントマーク1に集中する応力も効果的に小さくすることができ、トレンチの延在方向25cに沿って絶縁膜26の上部を複数に分割する工程に対しては、本発明を適用してより効果的であると言える。トレンチ25上において、分割後の絶縁膜26上部の数は特に限定されず、本実施例のように2つとしても良く、3つ以上としても良い。一般的には、より多数の絶縁膜26に分割したほうが、応力が効果的に分散されてクラックが発生しにくくなるが、絶縁膜26上部の分割時のリソグラフィー工程やエッチング後のCMP処理工程での加工性等を考慮して、分割後の絶縁膜26上部の数を適宜、好適な数とすることができる。本実施例では、アライメントマーク1はSTI7の位置合わせ時にフィールド合わせマークとして使用した。アライメントマーク1は、STI7の位置合わせに加えて他の構造の位置合わせ用のフィールド合わせマークとして使用することも可能である。例えば、図14の工程において、第2の開口34aを形成する際の位置合わせ用のフィールド合わせマークとして使用することができる。また、本実施例では、絶縁リング用のトレンチ32及びアライメントマーク用のトレンチ25を埋設する絶縁膜として、TEOS-NSG膜26を例示したが、トレンチ25、32を埋設する材料はこれに限定されない。アライメントマーク1のように深く、深さに対して幅が狭いトレンチ25を絶縁膜で埋設する場合、TEOS-NSG膜でなくとも埋設不良によりシームやボイドを生じ易い。従って、本発明は、TEOS-NSG膜26に限定されず、他の絶縁膜でトレンチ25、32を埋め込む工程に適用して同様に効果的である。一方、TEOS-NSG膜26を用いた場合、焼き締めDegasのための熱処理が必要となる。TEOS-NSG膜26はこの熱処理により膜収縮を起こし、シームが拡大することがある。従って、TEOS-NSG膜26によってトレンチ25を埋め込む工程に対しては、本発明を適用してより効果的であると言える。第1変形例上記第1実施例では、半導体基板17のスクライブ領域2にアライメントマーク1を形成したが、本変形例は半導体基板17のスクライブ領域2以外の領域にアライメントマーク1を形成する点が異なる。図16Aは、半導体基板17の非有効ショット領域45にアライメントマーク1を設けた例を表す平面図である。半導体基板17には、後の工程でリソグラフィーの露光等を行うことにより半導体装置が形成される半導体チップからなる複数の有効ショット領域図16Aで斜線で表示された領域46と、半導体装置が形成されない非有効ショット領域図16Aで白色の領域45が存在する。非有効ショット領域45とは、正常な半導体装置のパターン形成ができない半導体チップが位置する領域を指す。すなわち、半導体基板17は円形で構成され、半導体チップは矩形で構成されるため半導体基板17の終端部に掛かった半導体チップでは、一部が半導体基板17からはみ出してしまい、パターン形成ができない状態となる。半導体装置の設計が完了した時点で半導体チップのサイズが決まるので、半導体基板17において非有効ショット領域45となる位置は予め把握することができる。半導体基板17の終端部にパターン形成を繰り返すと、異物発生の原因となるので、非有効ショット領域45にはパターンを形成しない。したがって、非有効ショット領域45は半導体装置の製造に寄与しない無駄な領域となる。本変形例では、上記の無駄な領域となる非有効ショット領域45を利用してアライメントマーク1を形成することにより、有効ショット領域46内にアライメントマーク1用の領域を確保する必要がなくなり、微細化に対応した半導体装置とすることができる。なお、アライメントマーク1を形成する非有効ショット領域45の数及び位置は図16Aの例に限定されず、適宜、所望の数及び位置の非有効ショット領域45にアライメントマーク1を形成することができる。図16Bは、他の例を示す図であり、半導体基板17のチップ領域3内にアライメントマーク1を形成する例を示した図であり、第1実施例の図4Aに対応する図面である。図16Bに示すように、アライメントマーク1はチップ領域3内に形成しても良い。また、チップ領域3内のアライメントマーク1の形成位置及び数は、図16Bの例に限定されるわけではなく、所望の数のアライメントマーク1を、チップ領域3内の所望の位置に形成することができる。