"単結晶ダイヤモンドプレートを製造する方法であって、実質的に表面欠陥のない表面を有するダイヤモンド基体を与える工程;化学蒸着CVDによって、前記表面上にホモエピタキシャルにダイヤモンドを成長させる工程;及び、化学蒸着によってホモエピタキシャル成長した前記ダイヤモンドと、単結晶のCVDダイヤモンドプレートを製造するために、ダイヤモンド成長が生じた前記基体の表面を横切る前記基体を切り離す工程と;を包含する、上記製造方法。化学蒸着によってホモエピタキシャル成長した前記ダイヤモンドと前記基体が、前記基体の表面に対して垂直に切り離される、請求項1に記載の方法。化学蒸着によってホモエピタキシャル成長した前記ダイヤモンドの成長厚さは、約10mmより大きい、請求項1又は2に記載の方法。化学蒸着によってホモエピタキシャル成長した前記ダイヤモンドの成長厚さは、約12mmより大きい、請求項3に記載の方法。化学蒸着によってホモエピタキシャル成長した前記ダイヤモンドの成長厚さは、約15mmより大きい、請求項4に記載の方法。化学蒸着による単結晶ダイヤモンドプレートは、10mmを超える少なくとも1つの長さ寸法を有する、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。ダイヤモンド基体は、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法によって製造された、化学蒸着による単結晶ダイヤモンドプレートである、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。化学蒸着による単結晶ダイヤモンドプレートに残存している前記の元の基体は除去される、請求項1~7のいずれか1項に記載の方法。化学蒸着による単結晶ダイヤモンドプレートは、矩形、方形、平行四辺形又は類似形状を有する、請求項1~8のいずれか1項に記載の方法。化学蒸着による001単結晶ダイヤモンドプレートにおいて、それの向かい合う側に、{100}側表面によって範囲が定められる主表面を有する前記ダイヤモンドプレートであって、各々の主表面が、10mmを超える少なくとも1つの長さ寸法を有している、上記ダイヤモンドプレート。少なくとも1つの長さ寸法が12mmを超えている、請求項10に記載のダイヤモンドプレート。少なくとも1つの長さ寸法が15mmを超えている、請求項11に記載のダイヤモンドプレート。10mmを超える第1の長さ寸法及び第2の長さ寸法を有している、請求項10に記載のダイヤモンドプレート。第1の長さ寸法及び/又は第2の長さ寸法が12mmを超えている、請求項13に記載のダイヤモンドプレート。第1の長さ寸法及び/又は第2の長さ寸法が15mmを超えている、請求項14に記載のダイヤモンドプレート。ダイヤモンドプレートは、{100}側表面によって範囲が定められている、矩形を有する001単結晶ダイヤモンドプレートであり;しかも、少なくとも1つの長さ寸法が、軸寸法、横方向寸法又は横方向エッジ寸法である、請求項10~15のいずれか1項に記載のダイヤモンドプレート。少なくとも1つの長さ寸法が、{100}側表面と主表面の交差によって形成された<100>エッジである、請求項10~16のいずれか1項に記載のダイヤモンドプレート。第1の長さ寸法及び第2の長さ寸法が、各々の{100}側表面と主表面の交差によって形成された直交<100>エッジである、請求項13~16のいずれか1項に記載のダイヤモンドプレート。ダイヤモンドプレートが、矩形、方形、平行四辺形又は類似形状を有している、請求項10~18のいずれか1項に記載のダイヤモンドプレート。化学蒸着による単結晶ダイヤモンドプレートであって、それの向かい合う側に主表面を有し且つそれら主表面と交差する転位を有している該ダイヤモンドプレートにおいて、主表面と交差する前記転位の密度が、50/mm2を超えていない、上記ダイヤモンドプレート。主表面と交差する転位の密度が、20/mm2を超えていない、請求項20に記載のダイヤモンドプレート。主表面と交差する転位の密度が、10/mm2を超えていない、請求項21に記載のダイヤモンドプレート。主表面と交差する転位の密度が、5/mm2を超えていない、請求項22に記載のダイヤモンドプレート。ダイヤモンドプレートにおける他の平面と交差する転位の密度が、主表面と交差する転位の各々の密度限界を超えていない、請求項20~23のいずれか1項に記載のダイヤモンドプレート。少なくとも1つの長さ寸法が10mmを超えている、請求項20~24のいずれか1項に記載のダイヤモンドプレート。化学蒸着による単結晶ダイヤモンドプレートであって、それの向かい合う側に主表面を有し且つ成長の間に生じた転位を有している前記ダイヤモンドプレートにおいて、それら転位が、前記主表面の少なくとも1つに概して平行な方向に配列している、上記ダイヤモンドプレート。転位の方向が、主表面の少なくとも1つに対して30°より小さい角度である、請求項26に記載のダイヤモンドプレート。転位の方向が、主表面の少なくとも1つに対して20°より小さい角度である、請求項27に記載のダイヤモンドプレート。転位の方向が、主表面の少なくとも1つに対して10°より小さい角度である、請求項28に記載のダイヤモンドプレート。転位の方向が、主表面の少なくとも1つに対して5°より小さい角度である、請求項29に記載のダイヤモンドプレート。各々の主表面が、転位の全般的方向の方向に対応する第1の長さ寸法であって、2mmを超える前記長さ寸法を有している、請求項26~30のいずれか1項に記載のダイヤモンドプレート。第1の長さ寸法が3mmを超えている、請求項31に記載のダイヤモンドプレート。第1の長さ寸法が4mmを超えている、請求項32に記載のダイヤモンドプレート。第1の長さ寸法が5mmを超えている、請求項33に記載のダイヤモンドプレート。第1の長さ寸法が7mmを超えている、請求項34に記載のダイヤモンドプレート。第1の長さ寸法に直交する各々の主表面の第2の長さ寸法が、第1の長さ寸法に等しいか又はそれより大きい、請求項31~35のいずれか1項に記載のダイヤモンドプレート。化学蒸着による単結晶ダイヤモンドプレートであって、それの向かい合う側に主表面を有し且つ成長の間に生じた転位を有している前記ダイヤモンドプレートにおいて、平均的な転位方向が、前記主表面の少なくとも1つに対して垂直な線から偏っている方向を向いている、上記ダイヤモンドプレート。平均的な転位方向が、主表面の少なくとも1つに対して垂直な線から、20°を超える角度だけ偏っている、請求項37に記載のダイヤモンドプレート。平均的な転位方向が、主表面の少なくとも1つに対して垂直な線から、30°を超える角度だけ偏っている、請求項38に記載のダイヤモンドプレート。平均的な転位方向が、主表面の少なくとも1つに対して垂直な線から、40°を超える角度だけ偏っている、請求項39に記載のダイヤモンドプレート。平均的な転位方向が、主表面の少なくとも1つに対して垂直な線から、50°を超える角度だけ偏っている、請求項40に記載のダイヤモンドプレート。化学蒸着板の面積を広くする、ダイヤモンドのホモエピタキシャル成長は、多くの困難を引き起こす。もし、ダイヤモンドプレート上に理想的なホモエピタキシャル成長を達成することが可能であるならば、達成された該ホモエピタキシャル成長は、実質的に添付図面の図1及び図2に例示されるものである。例示されるその成長形態は、競合する多結晶ダイヤモンド成長が全く存在しないものと考えられる。しかし、実際には、一般に多結晶成長による競合は存在し、その多結晶成長は、表面であってそれに接してダイヤモンド基体のプレートが置かれている該表面から成長する。このことは、添付図面の図3に例示する。図3に関し、ダイヤモンド基体10は、表面12の上に置かれて与えられる。表面12のための例示的材料には、モリブデン、タングステン、シリコン及び炭化ケイ素が包含される。化学蒸着によりダイヤモンドが成長する間、単結晶ダイヤモンド成長が、001面14及び側表面で起こり、それら側表面16の2つは図示されている。側表面16は、{010}面である。成長はまた、基体の角及び頂点18でも起こり、該基体から外へ向かって延びる。そのような成長は全て、ホモエピタキシャル単結晶成長になる。基体に存在する各々の表面の上の該成長、及び、成長している間に生じるあらゆる新しい表面の上の該成長は、成長セクターを構成する。例えば、図3におけるダイヤモンド成長24は、{101}平面から生じ、従って、{101}成長セクターである。ホモエピタキシャル単結晶成長と競合することは、表面12で生じる多結晶ダイヤモンド成長20になるであろう。表面14上に生成する単結晶ダイヤモンド層の厚さに依っては、図3に例示するように、多結晶ダイヤモンド成長20は恐らく、線22に沿って成長するホモエピタキシャル単結晶ダイヤモンド成長と接触するであろう。図2に基づくと、人は、基体の側面の表面上で完全に横方向の成長が、元の基体の材料を含有するより大きい基体を作るのに用いることができると期待するかも知れない。しかし、図3から明らかなように、そのようなプレートは現実には、競合する多結晶ダイヤモンド成長を含んでいる。プレートは、元の基体に対して平行に作られるが、成長層がより高くなると、双晶を包含するものと思われ、とりわけ、{111}成長セクターにおける材料からはそうであると思われる。多結晶ダイヤモンドが単結晶ダイヤモンドと競合しない成長条件下では、ダイヤモンド基体のエッジに存在している異なる形状及び作業条件が多結晶成長を抑制するのに用いられる方法によって悪化される結果として、横方向の単結晶成長の質が、概して乏しくなるという問題が依然として残る。化学蒸着によるダイヤモンド成長のために使用される基体の欠陥は、その上に成長する層の中に複製する。明らかに、そのプロセスは、ホモエピタキシャル成長であるので、双晶等の領域は、新たな成長に引き継がれる。加えて、転位等の構造は、引き継がれるが、なぜなら、まさにその本質から、線状転位は、簡単には自己終結することはできず、しかも、2つの向かい合う転位が消滅する可能性は非常に小さいからである。成長プロセスが始まる度に、更なる転位が、主として表面上の異質部分に形成される。それら異質部分は、ピット、塵粒、成長セクターの境界等である場合がある。このように、単結晶のCVDによるダイヤモンドの基体において、転位は、特殊な問題であり、1つのプロセスからの結晶成長が次の成長のための基体として用いられる一連の成長において、転位密度は実質的に増大する傾向がある。発明の概要本発明による、単結晶ダイヤモンドのプレートを製造する方法は、実質的に表面欠陥のない表面を有するダイヤモンド基体を与える工程;化学蒸着CVDによって、前記表面上にホモエピタキシャル成長によりダイヤモンドを成長させる工程;及び、化学蒸着によってホモエピタキシャル成長した前記ダイヤモンドと、ダイヤモンド成長が生じた前記基体の表面を、典型的には該基体表面に垂直に即ち、90°又は約90°で、横切る前記基体とを切り離して、化学蒸着による単結晶ダイヤモンドのプレートを製造する工程と;を包含する。基体表面上の、化学蒸着によるダイヤモンドのホモエピタキシャル成長は、WO01/96634号明細書に記載されている方法によって起こるのが好ましい。この方法を用いれば、とりわけ、基体上に厚くて高純度の単結晶ダイヤモンドを成長させることが可能である。10mmより大きい、好ましくは12mmより大きい、また、より好ましくは15mmより大きい、化学蒸着によりホモエピタキシャル成長したダイヤモンドの成長厚さを達成することができる。このように、本発明の方法によって、10mmを超える、好ましくは12mmを超える、また、より好ましくは15mmを超える少なくとも1つの長さ寸法を有する、化学蒸着による単結晶ダイヤモンドプレートを製造することが可能である。長さ寸法は、主表面上の、又は主表面近辺の2つの地点の間で測定された長さ測定値であれば如何なるものも意味する。例えば、そのような長さ寸法は、基体のエッジの長さ;1つのエッジ若しくは該エッジ上の地点から、もう1つのエッジ若しくは該エッジ上のもう1つの地点までの測定値;軸;又は、他の類似の測定値;である場合もある。とりわけ、本発明の方法によって、10mmを超える、好ましくは12mmを超える、また、より好ましくは15mmを超える少なくとも1つの長さ寸法例えば、<100>エッジの長さ寸法を有する{100}側表面又は面により範囲が定められている、矩形001の単結晶ダイヤモンドプレートを製造することが可能である。その場合、本方法によって製造された、化学蒸着による単結晶ダイヤモンドのプレートはそれ自体、本発明の方法における基体として使用することができる。化学蒸着による厚い単結晶ダイヤモンドは、該ダイヤモンドプレートの主表面の上にホモエピタキシャル的に成長させることができる。本発明は、もう1つの面によって、化学蒸着による001単結晶ダイヤモンドプレートであって、それの向かい合う側に、{100}側表面により範囲が定められている主表面を有している該プレート即ち、主表面が{001}面であるプレートであって、各々の主表面が、10mmを超える少なくとも1つの長さ寸法を有している該プレート;を提供する。本発明の1つの形体において、プレートは、矩形、方形、平行四辺形、又は類似形状を有しており、該プレートの側表面の少なくとも1つ好ましくは、両方の側表面は、10mmを超える、好ましくは12mmを超える、また、更に好ましくは15mmを超える寸法を有している。最も好ましいのは、10mmを超えるプレートのエッジ寸法又は複数のエッジ寸法が<100>方向にあるような具合に、これら側表面が{100}の表面又は面であることである。更に、本発明の方法は、ダイヤモンドの大きいプレート又は大きい断片であって、それから{100}側表面及び{001}主表面によって範囲が定められるそのようなプレートを作成することができる該プレート又は断片を提供する。ダイヤモンド基体の表面に起こるダイヤモンドのホモエピタキシャル成長において、その表面の如何なる転位又は欠陥も、又は基体との界面に生じる如何なる転位又は欠陥も、又は基体のエッジから生じる如何なる転位又は欠陥も、ダイヤモンド成長では概して垂直に伝播する。従って、切り離し工程を、ダイヤモンド成長が起こった表面に対して実質的に垂直に行う場合、切り離された表面は、該表面と交差する該材料の内部に転位を実質的に全く有さない。なぜなら、それら転位は、該表面に対して概して平行に進んでいるからである。従って、該材料の体積の転位密度の減少化は、この新たなプレートを基体として使用する方法を繰返すことによって達成することができ、また、その結果、この基体に対して垂直に切り取られたプレートであれば如何なるプレートの主表面でも切り取ることによって、転位密度の更なる減少化が達成される。更に、存在している転位が、主表面に対して概して垂直ではなく、主表面に対して概して平行に進んでいるプレートによって恩恵を受ける用途がある。概して、化学蒸着による最高品質の成長は、垂直な成長セクター100内に含まれているものである。更に、基体のエッジは、転位を形成することがあり、これら転位は概して上向きに垂直に生じるので、その場合、化学蒸着による成長の最高品質の体積は、基体のエッジから立ち上がっている垂直平面によって範囲が定められるものとなる。本発明の方法によると、完全にこの体積内部から1つ以上の新しい大面積プレートを作成することが可能となり、このようにして、プレート内部の欠陥は最小限に抑えられ、しかも、それの結晶品質は最大となる。本発明の種々の特徴を組み合わせると、出発基体材料よりも転位密度がより低く;しかも、本方法が繰り返される回数によってのみ、転位密度の下限が設定される;ダイヤモンドを造ることが可能となる。とりわけ、本発明の大面積プレートと、続いてそのプレートの上に合成されるあらゆる層とは、50/mm2未満、好ましくは20/mm2未満、更に好ましくは10/mm2未満、なお更に好ましくは5/mm2未満である転位密度を有することがあり、典型的には、成長方向に対して垂直な表面この表面は概して、化学蒸着によるダイヤモンドでは最大の転位密度を示すと交差している。欠陥密度は、暴露プラズマエッチングと呼ばれる欠陥を暴露するように最適化されたプラズマエッチング又は化学的エッチングを使用した後例えば、WO01/96634号明細書に記載されているタイプの、短いプラズマエッチングを使用した後、光学的評価を行うことによって非常に容易に特徴付けられる。加えて、プレートの主表面と交差している転位密度が一番の関心事である用途に関し、その場合には、本発明の方法によって作成されるプレートは、50/mm2未満、好ましくは20/mm2未満、いっそう好ましくは10/mm2未満、また、更にいっそう好ましくは5/mm2未満である、それの主表面の上の転位密度を示すことがある。基体が、天然基体又は高圧高温による合成基体である場合、垂直に切り取られたプレートが元の基体からの材料を含有することは、通常、好都合ではないとは言え、このことは行われることがある。基体それ自体が、化学蒸着によるダイヤモンドプレートであって、それ自体本方法によって造られていることもある該プレートである場合、このプレートの中に基体からの材料を含有することは好都合である場合がある。具体例の記述次に、添付図面を参照しながら本発明の具体例を記述する。図4に関し、ダイヤモンドプレート30が与えられている。ダイヤモンドプレート30は、単結晶ダイヤモンドのプレートである。上部表面32は001面であり、側表面34は{010}面である。表面32には、実質的に表面欠陥がない;より詳しく言えば、WO国際公開01/96634号明細書に記載されているような結晶欠陥が実質的にない。WO01/96634号明細書に記載の方法によると、ダイヤモンド成長36は、ダイヤモンド基体30の上に起こる。このダイヤモンド成長は、上部表面32の上に垂直に;基体30の角38から外に向かって;また、側表面34から外に向かって;起こる。このダイヤモンド成長は通常、高品質のホモエピタキシャル単結晶であるとは言え、先に記述したように、{111}上には転位及び双晶が存在することがある。表面に接して基体が置かれている該表面の上には、ある種の多結晶ダイヤモンド成長が生じる。この多結晶ダイヤモンド成長は、ダイヤモンド成長領域36の厚さにもよるが、この領域の下部表面40と接触する。ひとたび所望の厚さのダイヤモンド成長36が生じてしまえば、ダイヤモンド成長領域36及び基体30は、線44によって例示されるように、表面32に対して垂直に約90°で切り離す。このことによって、高品質の単結晶ダイヤモンドのプレート46が製造される。元の基体とダイヤモンド成長の間の界面は、実際的には、その試料のバルクから見分けがつかない。元の基体材料は、プレート46の一部分を成すこともあり、又はそれから取り除くこともある。1枚より多いプレートであって、各々のプレートが次のプレートに平行であり、基体に対して垂直であるそれらプレートを製造することができる。WO01/96634号明細書に記載の方法を用いれば、深さが10mmを超えるダイヤモンド成長領域36を製造することが可能である。従って、製造されるダイヤモンドプレート46は、長さが10mmを超える側表面48を有する。板46は、本発明の方法のための基体として用いることができる。従って、板46が、長さが10mmより大きい側表面48を有し、しかも、厚さが10mmを超えるダイヤモンド成長が、該プレートの主表面50の上に造られている場合、方形、矩形又は類似形状のプレートであって、4つの側表面全てが長さが10mmを超えている該プレートを造ることが可能である。図4における切り離し工程は、表面32に対して垂直に行うように示されている。切り離し工程は、基体に対して平行であるプレートを除き、表面32に対して垂直以外の角度で行うことができる。基体に対して垂直以外の角度で造られたプレートであって、基体が001主表面を有する該プレートは、{100}以外の主表面、例えば、{110}、{113}、{111}又はより大きい順位の面を有している。更に、図4の切り離し面44に対して直角である面であって、{100}主表面を有するプレートともなる該面;又は、切り離し面44に対して他のあらゆる角度である面であって、タイプ{hko}の主表面を有するプレートとなる該面;に沿って切り離すことが可能である。単結晶ダイヤモンドプレートを得るためには、エッジにおける多結晶成長又は欠陥成長に対するある種のトリミングを行う必要がある場合もある。通常の方法は、001主表面を有する基体に制限されねばならないのではなくて、他の基体、例えば、{110}主表面、{113}主表面又は、{111}主表面さえもを有する基体に対して同等に適用することができるのかも知れないが、概して、好ましい方法は、001主表面を有する基体を使用することであるということを、当業者は理解するものと思われる。なぜなら、化学蒸着による最も高い品質のダイヤモンド成長は、この面に最も容易に成長することができ、しかも、この面で成長する化学蒸着により形成される面の蒸着は通常、成長した材料から大きいプレートの切片を造るのに最も適しているからである。こういう訳で、001主表面を有する基体プレートの重要な寸法は、{100}側表面によってのみ範囲が定められて造ることのできる最も大きい矩形プレートである。このプレートの上での成長によって、図1に示されるように、45°だけ回転している{110}の側表面又は面により範囲が定められるプレートを比較的容易に造ることができる。なぜなら、これは、{111}成長セクター材料の使用を制限するか、又は全くそれを全く使用しないからである。{110}側表面によって範囲が定められるこの新たなプレートは、{100}により範囲が定められるプレートの面積の少なくとも2倍の面積を有する。しかし、元の{100}により範囲が定められるプレートは通常、記載されている最も大きい{100}により範囲が定められるプレートであって、それから造ることのできる該プレートを残す。こういう訳で、本明細書において、単結晶ダイヤモンドプレートが既に{100}エッジを有していない場合、001主表面を有する単結晶ダイヤモンドプレートの大きさに対する言及はしばしば明示的に、記載されている最も大きい面積の矩形プレートであって{100}エッジにより範囲が定められる該矩形プレートの大きさを指す。本発明の方法を適用すれば、以前可能ではなかった生成物の製造が可能となる。例えば、透明な開口、支持、機械的保全、真空度の保全、等の理由で、より小さい複数の窓の組立て品が十分ではない場合、今や大面積の窓は、可能性がある。大面積が、高電圧デバイスの活性領域の周辺にアーク放電するのを防ぐ場合、該高電圧デバイスもまた、可能性がある。更に、本発明の、転位密度の低い材料は、例えば、電子デバイスであってその中で転位が電荷担体のトラップ又は電気的短絡回路として作用する該電子デバイスのような用途を可能にする。化学蒸着によるダイヤモンド層の成長方向は通常、その中の転位構造によって決定されることもある。存在し得る構成の範囲が存在する。1最も簡単なケースは、全ての転位が、概ね平行に且つ成長方向に成長し、該成長方向を非常に明らかにしているケースである。2もう1つの一般的ケースは、転位が、成長方向の周りに扇形に徐々に広がり、通常、該成長方向の周りに、この軸の周りに典型的には20°未満、より典型的には15°未満、更にいっそう典型的には10°未満、最も典型的には5°未満の角度で対称の形を示しているケースである。また、化学蒸着によるダイヤモンド層の小さい領域からの成長方向は、それら転位から容易に決定される。3ときどき、成長面はそれ自体、局部的成長方向に対して直角であるのではなく、これから幾らか小さい角度だけ離れている。そのような状況下、転位は、それらが見出だされる成長領域の基体表面に対して直角な方向に向かって偏ることがある。とりわけ、エッジ近辺において、成長方向は、例えば、{001}成長主表面を有する基体の上の{101}エッジ面において、層のバルクと実質的に異なることがある。これら両方の例において、基体全体を考慮すれば、全般的成長方向は、転位構造から非常に明らかであるが、材料が2以上の成長セクターから形成されることは同等に明らかである。従って、それら転位の方向が重要である用途においては、1つだけの成長セクターからの材料を用いることが一般的には望ましい。本明細書の目的のための転位の方向は、上記のモデルに基づく転位分布の解析によって、層の成長方向であるように示唆される方向である。従って、典型的には、特定の成長セクター内における転位の方向は、ベクトル平均を用いた転位の平均方向であるのが好ましく、しかも、それら転位の少なくとも70、いっそう典型的には80、また、更にいっそう典型的には90が、その平均方向の20°以内、いっそう好ましくは15°以内、更にいっそう好ましくは10°以内、また、最も好ましくは5°以内である方向に存在している。転位の方向は、例えば、X線トポグラフィによって決定することができる。そのような方法は、必ずしも個々の転位を解析するのではなく、転位の群であって、通常、その群における転位の合計にある程度比例する強度を有する該群を解析することができる。その場合、単純な強度平均、又は好ましくは強度の荷重ベクトル平均を行うことは、転位方向の平面内の断面を画像化するトポグラフによって可能となり、それの方向に対して垂直に撮られるトポグラフは、線でなくて点のパターンを有することではっきり識別することができる。プレートの元の成長方向が既知である場合は、これは、知覚できる出発点であって、その点から転位方向が決定される該出発点である。上記の方法によって転位方向を決定した後、その方位の確定は、化学蒸着による単結晶ダイヤモンドプレートの主表面に対して分類することができる。図5に関連するが、ダイヤモンドプレート60は、向かい合う主表面62及び64を有している。概して線66によって示されている転位方向66が、ダイヤモンドプレート60の主表面62,64の少なくとも1つの平面68,70から30°未満、好ましくは20°未満、更に好ましくは15°未満、更にいっそう好ましくは10°未満、また、最も好ましくは5°未満の角度αを成している場合、転位方向66は、ダイヤモンドプレート60の主表面62,64に対して概して平行に向けられているものと見なされる。この転位方向は典型的には、化学蒸着による単結晶ダイヤモンドプレートが、成長が起こった基体に対して実質的に垂直に切り離される場合に、とりわけ、垂直な成長セクター001内に含まれている、化学蒸着による最高品質の成長から切り離される場合に達成される。主表面62,64に対して概して平行である転位方向によって恩恵を受ける用途には、光学的用途であって、そこでプレートを通過する光線を横切って観測される屈折率の変化に及ぼす影響が、同じ転位分布が主表面に対して実質的に垂直である場合の影響と比べて、それの拡散を実質的に減少させる該用途が包含される。そのような用途は、今や、本発明の方法によって可能となっているように、プレートの横方向寸法が両方とも、2mm、更に好ましくは3mm、更にいっそう好ましくは4mm、なお更にいっそう好ましくは5mm、なお更にいっそう好ましくは7mmを超える該プレートを造ることができることによって恩恵を受ける。転位方向を、プレートの主表面に対して概して平行であるように選択することによって恩恵を受ける更なる用途は、高電圧を使用する用途であってそこで転位が印加電圧の方向に短絡回路を与えることのできる該用途にある。もう1つの用途は、レーザー窓に関する用途であって、そこで転位に平行に進む光線の影響によって、局部的電界が高められて、破損することもあり得る該用途である。これは、転位方向を光線の方向から偏らせるか、又は、好ましくは、転位方向をレーザー窓の主表面に平行に設定する、ことによって制御することができる。このように、レーザーの最大損失限界は、本発明の方法を実施することによって達成することができる。転位方向を分類するもう1つの方法は、プレートの主表面に垂直な線に対するその方位の確定である。図6に関連するダイヤモンドプレート80は、向かい合う主表面82及び84を有している。転位方向86の間の角度βが上記の方法によって決定されて、垂線88が20°を超え、いっそう好ましくは30°を超え、更にいっそう好ましくは40°を超え、また最も好ましくは50°を超える場合、転位方向86は、該プレートの主表面82,84の少なくとも1つに対する垂線88から偏っているものと見なされる。この転位方向は典型的には、化学蒸着による単結晶ダイヤモンドプレートが、成長が起こった基体の表面に対する角度で切り離されるとき、達成することができる。代替的に、それは、プレートが成長が起こった基体に対して実質的に垂直に切り離される所に生じることがあるものの、成長表面それ自体が、元の基体表面に平行でない領域、例えば、001基体の上に成長した層の{101}成長セクターには生じない。実質的な利点は、転位方向が、プレートの主表面の少なくとも1つに対して垂直な線から確実に偏らせることによって、幾つかの用途において達成することができる。そのような必要条件は、エタロンにダイヤモンドを施すときに見出だされる。本発明は、次の非制限的な諸実施例によって更に理解することができる。実施例1WO01/96633号明細書に記載されている方法に従って、化学蒸着によるダイヤモンド成長を行うために、2つの{001}合成ダイヤモンド基体を造った。次いで、これらダイヤモンド基体の上に、層を6.7mmの厚さまで成長させた。それら層は、それらの転位方向について特徴付けを行って、X線トポグラフィによって認識できる転位の90を超えるものは成長方向の20°以内にあり、また、転位の80を超えるものは成長方向の10°以内にあることが分かった。これら層の各々から1枚のプレートを切り取ったが、それは、各々のプレートの主表面が>6×5mmの寸法を有し、しかも、成長方向がそれら主表面の平面に存在するようなやり方で行った。次いで、化学蒸着によるダイヤモンド成長の第2の段階のために、1枚のプレートを用いた。そのプレートは、WO01/96633号明細書に記載されている方法に従って造り、このようにして、4mmを超える厚さの第2の層であって、主表面に成長方向を含むように切断される4×4mmのプレートを造るのに適している該第2の層を生成した。次いで、この層は、小平面を造り、暴露プラズマエッチングの方法を用いることによって、成長方向における該層の転位密度について特徴付けを行った。そうすることによって、転位密度は非常に小さく、10/mm2の範囲にあることが分かった。実施例2光学的用途における重要なパラメータは、例えば、複屈折性及び屈折率のような特性値の均一性及び拡散性である。これらの特性は、転位群を取り囲む歪み場によって影響を受ける。WO01/96633号明細書に記載される方法に従って、化学蒸着によるダイヤモンド成長を行うために、2つの{001}合成ダイヤモンド基体を造った。このダイヤモンドの上に、層を4mmの厚さまで成長させた。それら層は、転位方向について特徴付けを行って、平均転位方向は成長方向の15°以内にあることが分かった。これら層から2枚のプレートを切り取ったが、それは、それらプレートの主表面が>4×4mmの寸法を有し、しかも、成長方向がそれら主表面の平面に存在するようなやり方で行った。続いて、これらの層は、第2の成長プロセスにおける基体として用いた。X線トポグラフィによって、結果として得られた3.5mmの厚さまで成長した物は、非常に小さい転位含有量を有していること、及び、新たな過度の成長物における転位は、基体として用いた、化学蒸着による元の層の転位に対して垂直であることが分かった。この第2の成長の後のそれら試料は、非常に小さい散乱性と複屈折性とを必要とする光学的用途に用いた。実施例3WO01/96633号明細書に記載される方法に従って、化学蒸着によるダイヤモンド成長を行うために、1つの合成ダイヤモンド基体を造った。次いで、このダイヤモンドの上に、層を4mmの厚さまで成長させた。その合成条件は、この層が、固体中で測定して、7×1016[B]原子/cm3の濃度までホウ素でドーピングされるような条件であった。該層は、それの転位方向について特徴付けを行って、平均転位方向は成長方向の25°以内にあることが分かった。この層から2枚のプレートを切り取った。それは、それらプレートの主表面が>4×4mmの寸法を有し、しかも、成長方向がそれら主表面の平面に存在するようなやり方で行った。これらプレートは、主表面と交わる転位の密度が、ホウ素によるドーピングと組み合されて低いので、例えば、ダイヤモンドの金属半導体接合電界効果トランジスタMESFETのような電子デバイスのための基板としての特殊用途を有した。実施例4WO01/96633号明細書に記載される方法を用いて、合成による6×6mmの基体1bを造った。次いで、この基体は、複数の段階で成長させ、典型的には、各々の段階で約3mmの成長を加えながら成長させた。各々の段階の終わりに、層は、該層の周辺に成長した多結晶ダイヤモンド層の中に保持され、この多結晶層は、レーザートリミングを用いてトリミングを行い直径約25mmのディスクにした。次いで、凹みタングステン又は他の金属のディスクの中に取り付けたが、それは、単結晶が多結晶ダイヤモンド層の上にさらされている地点が、該タングステンディスクの上面の0.3mm以内までほぼ均一となるようなやり方で行った。上記の技術を用いて、10~18mmの範囲の最終厚さを有する層を成長させることが可能となり、該層から、{100}エッジを有するプレートを垂直に切り取ることができた。平面内の第1の<100>の寸法が10~16mmであり、第2の直交寸法が3~8mmである該プレートを造った。これらの板は、次いで、再び上記の技術を用いながら、基体として作成して、成長の第2の段階のために用い、10~18mmの厚さの層を生成した。これらの層から、主表面内の<100>の第2の寸法が10~18mmより大きく、しかも、10~18mmの範囲の、第1の<100>の寸法を保持している該垂直プレートを切り取ることができた。例えば、直交する方向<100>で寸法を測定したとき、15mm×12mmより大きいプレートを作成した。"