"保護対象の電力系統からアナログの電気量を入力し前記アナログ電気量をサンプリングしアナログ/ディジタル変換して得たディジタルデータを基に保護リレー演算を行い電力系統の事故の有無を判定するディジタル保護継電器と、保護対象外の電力系統の事故電流による外部磁界が原因で前記電気量を入力するアナログ入力部の補助変成器もしくは内部回路に発生する誘導量を打ち消して外部磁界の影響を抑制する抑制部とを備え、前記ディジタル保護継電器は電流差動継電器であり、前記抑制部は、前記ディジタル保護継電器の内部の複数の補助変成器のうち一部の設置方向を回転させた構成とし、外部磁界による誘導量を打ち消して外部磁界の影響を抑制することを特徴とするディジタル保護継電装置。前記ディジタル保護継電器の内部の複数の補助変成器のうち一部の設置方向を回転させた構成は、複数の補助変成器のうち一部を巻線の設置方向が反対方向を向くように配置する構成であることを特徴とする請求項1記載のディジタル保護継電装置。前記ディジタル保護継電器の内部の複数の補助変成器のうち一部の設置方向を回転させた構成は、複数の補助変成器自体の設置の方向は変更せず、一部の補助変成器とアナログ/ディジタル変換回路との間を接続する配線、およびアナログの電気量の入力部と一部の補助変成器との間を接続する配線を配線経路の途中で反転させる構成であることを特徴とする請求項1記載のディジタル保護継電装置。前記ディジタル保護継電器の内部の複数の補助変成器のうち一部の設置方向を回転させた構成は、複数の補助変成器のうち3個の補助変成器を120°ずつ回転配置させる構成であることを特徴とする請求項1記載のディジタル保護継電装置。ところが、電力系統での地絡事故や短絡事故などにより最大数10kAにも及ぶ大電流が流れ、周囲に大きな磁界を発生させることがある。この磁界がディジタル保護継電装置に侵入して及ぼす影響について、過去には問題が発生することがなかったが、ディジタル保護継電装置の回路の高精度化とともに問題となる可能性も出てきた。磁界の大きさは電流の大きさに比例し、電流からの距離に反比例する。図32のように、変電所11に大電流ifが流れた場合、交流磁界hが変電所11内に設置されたディジタル保護継電器12内部の回路ループに鎖交して、電圧あるいは電流の誘導量、すなわちノイズを発生させる。図33は従来のディジタル保護継電器に外部磁界が影響する様相の説明図である。ディジタル保護継電器12は電力系統13に隣接する別の電力系統13Aの大電流ifからの磁界hの影響を受けるものとする。ディジタル保護継電器12は、電力系統13の変成器14から入力される電気量a1を補助変成器15を介して入力する。補助変成器15の出力a2は、変成器14から入力される電気量a1より小さな出力である。つまり、補助変成器15は、変成器14から入力される電気量a1をそれより小さな補助変成器出力a2に変換するものである。補助変成器出力a2は信号線PNを伝達し、信号線PNを伝達してきたアナログ入力量a3はアナログ/ディジタル変換回路16でサンプリングされアナログ/ディジタル変換してディジタルの電気量データdigとなる。アナログ/ディジタル変換回路16の出力であるディジタルの電気量digは演算処理部17に入力され、演算処理部17において保護リレー演算が行われ電力系統の事故の有無が判定される。一方、ディジタル保護継電器12は電力系統13に隣接する別の電力系統13Aの大電流ifからの磁界hの影響を受けている。すなわち、ディジタル保護継電器12内部の補助変成器15の二次側巻線内に鎖交した磁界hが変化することにより外部磁界巻線誘導量exが生じる。さらに、信号線PNが構成する閉回路ループLPに鎖交する磁界hの変化により、外部磁界閉回路誘導量eyも発生する。これにより、アナログ/ディジタル変換回路16に入力されるアナログ入力量a3は、補助変成器出力a2の他に、外部磁界巻線誘導量exと外部磁界閉回路誘導量eyとの和が加算されたものとなる。外部磁界巻線誘導量exは、補助変成器15の巻線ループの総面積すなわち巻線の面積と巻数とに比例し、外部磁界閉回路誘導量eyは閉回路ループLPの面積に比例する。このようにディジタル保護継電器12外部からの磁界による誘導量により、ディジタル保護継電器12のアナログ/ディジタル変換回路16に入力される電気量は、本来の電力系統13から入力された電気量a1のみにより生ずる電気量から変化したものとなり、演算処理部17に入力されるディジタルの電気量も同様に変化したものとなる。このため、電力系統13の事故の有無を正しく判定することができない場合がある。また、この誘導量の波形は、本来保護すべき電力系統の電気量の波形か、他の電力系統からの誘導量の波形か区別が難しく、周波数が50Hzあるいは60Hzなどの電力系統周波数に一致しているため、フィルタによる選択削除は期待できず、演算処理部17において系統事故有無の判定演算を正しく行うことが困難となる。変電所における現実的な例として、ディジタル保護継電器12の至近約20mに実効値20kAの大電流が流れたと想定する。その場合に、ディジタル保護継電器12のプリント基板上の回路ループLPが100cm2程度であり、磁界に直行していた場合には、回路ループに発生する外部磁界閉回路誘導量eyは1ミリボルト程度である。これは近年のディジタル保護継電器12に使用される高分解能のアナログ/ディジタル変換器16の分解能より大きな値であるので動作に影響を及ぼす。ディジタル保護継電器12には、種々の方式があるが、外部磁界への影響に注意が必要なものとして、電流差動により動作するディジタル保護継電器12がある。図34は電流差動保護の動作原理の説明図、図35は従来の電流差動保護継電器の内部ブロック構成図である。図34に示すように、電流差動保護では、保護区間に流れ込むすべての端子の電流の総和を計算して、電流の総和が0の場合は事故なし、0でない場合は事故有りと判定する。例えば、変電所内の母線を保護する場合は、その母線18につながる全ての線路Fa~Fnの電流i1~inを用いて事故判定をする。また2つの変電所を結ぶ送電線を保護する場合は、両端の変電所での電流を用いて事故の判定を行う。この場合は変電所間で電流データの通信が行われる。保護区間である母線18に接続される複数の線路Fa、Fb、...Fnから流れ込む電流ia、ib、...inは、変流器19a~19nによりディジタル保護継電器12に入力できる小さな電流値ia1、ib1...in1に変換する。図35に示すように、ディジタル保護継電器12では、補助変成器15a~15nにより、変流器19a~19nからの出力電流ia1、ib1、...in1をアナログ入力回路補助変成器15の2次側からアナログ/ディジタル変換器16に至る回路に入力できるさらに小さな電流値ia2、ib2、...in2に変換する。アナログ入力回路では、ia2、ib2、...in2をサンプリングし、アナログ/ディジタル変換してディジタル値diga、digb、...dignに変換する。演算処理部17内の差動演算部DIF20では、diga、digb、...dignの和を演算して、記憶部MEM21等に記憶されている整定値isetと比較して、保護区間である母線18内の事故の有無判定を行う。保護区間PZ内に事故が起きていない場合は、保護区間に流れ込む電流は、同量がいずれかの端子から流れ出るため、キルヒホッフの法則より、ia、ib、...inの総和は0となる。一方保護区間PZ内に事故、すなわち地絡事故や短絡事故などが起きている場合は、事故箇所にて大地や、送電線の別の相、別の回線などへ電流が流失するため、ia、ib、...inの総和は0とならず、流出する事故電流となる。従って、演算処理部17では、ディジタル値diga、digb、...dignの総和が、予め定めた整定値isetより小さい場合は無事故、大きい場合は事故と判定Proする。この方式は電流差動方式と呼ばれ、事故箇所から流出する電流を直接演算するため、小さな事故電流でも検知することが可能である反面、その動作は外部磁界の影響を受けやすい傾向にある。図36は従来の電流差動保護継電器に対する外部磁界の影響の説明図である。ディジタル保護継電器12に、外部から磁界hが印加された場合、アナログ/ディジタル変換回路16の各回線入力には、誘導量exa、exb、...exnが発生する。これらの誘導量は、アナログ/ディジタル変換回路16によりサンプリングされ、アナログ/ディジタル変換され、ディジタル量diga、digb、...dignとして出力される。演算処理部17内の差動演算部DIF20では、diga、digb、...dignの和を演算して、整定値isetと比較して、大きい場合に保護区間PZ内に事故が有ると判定してしまう。電力系統13からの電気量がある場合は、それとの重ね合わせとなる。事故がない場合は、差電流が0となるべきであるが、磁界による誘導量がある場合、差電流が発生するため、事故ありと判定してしまう。特に母線保護継電器では、多数の回線の電気量を入力して和の演算を行うため、各回線の誘導量の和が大きくなり、誤った事故有無判定をし易い傾向にある。本発明の目的は、外乱による影響を受けず高感度に電力系統の事故の有無判定ができるディジタル保護継電装置を提供することである。本発明のディジタル保護継電装置は、保護対象の電力系統からアナログの電気量を入力し前記アナログ電気量をサンプリングしアナログ/ディジタル変換して得たディジタルデータを基に保護リレー演算を行い電力系統の事故の有無を判定するディジタル保護継電器と、保護対象外の電力系統の事故電流による外部磁界が原因で前記電気量を入力するアナログ入力部の補助変成器もしくは内部回路に発生する誘導量を打ち消して外部磁界の影響を抑制する抑制部とを備え、前記ディジタル保護継電器は電流差動継電器であり、前記抑制部は、前記ディジタル保護継電器の内部の複数の補助変成器のうち一部の設置方向を回転させた構成とし、外部磁界による誘導量を打ち消して外部磁界の影響を抑制することを特徴とする。本発明によれば、外部磁界検出部で求めた誘導量に基づきアナログ/ディジタル変換して得たディジタルデータに補正を加え、保護対象外の電力系統の事故電流による外部磁界が原因で電気量を入力するアナログ入力部の補助変成器もしくは内部回路に発生する誘導量を打ち消して外部磁界の影響を抑制するので、外乱による影響を受けず高感度に電力系統の事故の有無判定をすることができる。第1の実施の形態図1は、本発明の第1の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置の構成図である。この第1の実施の形態は、図33に示した従来例に対し、外部磁界の影響を抑制する抑制部として、磁界を遮蔽する磁気遮蔽筐体22をディジタル保護継電器12を覆うように設けたものである。抑制部は、保護対象外の電力系統の事故電流による外部磁界が原因で前記電気量を入力するアナログ入力部の補助変成器もしくは内部回路に発生する誘導量を抑制する。図1において、第1の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置は、電力系統13を保護するディジタル保護継電器12とディジタル保護継電器12の周囲を囲う磁気遮蔽筐体22とから構成されており、ディジタル保護継電器12の周囲にある別の電力系統13Aの大電流ifによる外部磁界hからディジタル保護継電器12を磁界から保護する。磁気遮蔽筐体22はディジタル保護継電器12の全体を囲んでいるが、必ずしも全体を囲う必要はなく、磁界の影響を受けやすい部位を重点的に囲うことも有効である。図2は本発明の第1の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置の他の一例を示す構成図である。図2では補助変成器15のみ遮蔽した一例である。また、図3は本発明の第1の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置の別の他の一例を示す構成図である。図3では補助変成器15と信号線PNとを遮蔽した一例である。図4は本発明の第1の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置のさらに別の他の一例を示す構成図である。図4では補助変成器15と信号線PNとアナログ/ディジタル変換回路16とを遮蔽した一例である。大電流による磁界は50Hzあるいは60Hzなどの周波数であり、種々の磁気シールド方法は、透磁率の高い物質すなわち磁性体による遮蔽が効果があり、コスト面でも優れている。磁気遮蔽筐体22の構造としては、図5に示すように、外部磁界に垂直な方向から見たときに、被遮蔽物であるディジタル保護継電器12の360°全周を隙間なく囲んでいることが重要である。このように構成された第1の実施の形態における磁気遮蔽筐体22による外部磁界に対する作用を説明する。図5に示すように外部から磁気遮蔽筐体22に侵入した磁束は、透磁率の高い遮蔽材の中を主に通り、磁気遮蔽筐体22中の空洞部分を避ける。このため、ディジタル保護継電器12のある磁気遮蔽筐体22内部では磁界が弱められる。遮蔽材料は、透磁率の高い方が侵入時の屈折角を大きくでき、同じ断面積でより多くの磁束を通すことができるため、遮蔽内部への磁束侵入を防止できる。従って、透磁率の高い材料のほうが薄い遮蔽材料でも効果を得ることができる。透磁率の高く遮蔽に適した材料としては、パーマロイ、珪素鋼板、鉄などがあげられる。遮蔽構造は、遮蔽対象の全周を隙間なく囲むことが望ましいとされるが、通常は隙間δができてしまう。隙間δができる場合は、図6aに示すように磁束の方向に対して直角方向の隙間は磁束の通り道を塞ぐ形となり、遮蔽内部へ磁束が拡散し遮蔽効果が著しく低下してしまう。一方、図6bに示すように並行方向の隙間は遮蔽効果の低下が少ない。図7は、本発明の第1の実施の形態における磁気遮蔽筐体の一例の構造図である。図7aは上下面図、図7bは正面図、図7cは左右側面図である。磁気遮蔽筐体22の内部には、補助変成器15とアナログ/ディジタル変換回路16とからなるアナログ入力部と、演算処理部17とが収納される。なお、図7における磁気遮蔽筐体22内部の各構成要素の個数や並びの順番は各種可能であり、特に規制されるものではない。磁気遮蔽筐体22は外部磁界を遮蔽するため、透磁率の高い材料、例えば鉄などで構成する。磁気遮蔽筐体22内部へは一般に外部からのケーブル接続が必要であり、6面全てを完全に遮蔽することは実際には困難なため、少なくとも上下面23と左右側面24は完全に遮蔽する。これにより上下左右方向からの磁界は遮蔽することができる。また、磁気遮蔽筐体22は内部の電子回路の発熱を放熱するため、一般に通風孔25a、25bが必要であるが、上下面23には、左右方向に長い通風孔25aを設け、また左右側面には上下方向に長い通風孔25bを設ける。これにより、上下左右方向から遮蔽材の中にバイパスされた磁界の通り道を塞ぐことがなく、遮蔽効果を低下させずに放熱効果を高めることができる。なお、この場合、前後方向の磁界に対する遮蔽効果が少ないが、磁界の影響を受けやすい補助変成器15の巻線及び内部基板ループの垂直方向を前後方向に向けないように配置することで、磁界への影響を少なくすることができる。図8は本発明の第1の実施の形態における複数の補助変成器に対する巻線ループ配置の一例を示す構造図、図9は本発明の第1の実施の形態における複数の補助変成器に対する巻線ループ配置の他の一例を示す構造図である。一般に補助変成器15のみ複数個まとめて一つのユニットに納めたものがよく使用されるが、このユニットを磁気遮蔽筐体22で囲うことは有効である。ユニットを直方体とした場合、6面全て遮蔽するのは一般には難しく、ケーブルの引き出しが行われる正面や背面は遮蔽をするのが困難である。そこで、上下左右面を遮蔽する。図8に示すように、外部磁界hの上方向成分hupは遮蔽されるが、前後方向成分hfbや左右方向成分hlrは遮蔽できない。前後方向成分hfbの影響を少なくするために、図8に示すように、補助変成器15の巻線ループの垂直方向をユニットの左右方向とする。また、左右方向成分hlrの影響を少なくするためには、図9に示すように、補助変成器15の巻線ループの垂直方向をユニットの上下方向とする。これにより、外部磁界hの影響を少なくすることができる。図10は、本発明の第1の実施の形態における個別の補助変成器に対する巻線配置の一例を示す構造図である。図10に示すように、一つ一つの補助変成器15を鉄の小箱である磁気遮蔽筐体22に収納するなども有効な方法である。完全に密閉してシールドすることは難しいが、鉄心26と巻線27とを有した補助変成器15を筒状に形成された磁気遮蔽筐体22に収納して外部磁界hの影響を軽減する。またアナログ入力部のみ単独で別置きとすることも可能である。その場合、小型化することができ、しかも最適な方法の遮蔽を行うことができる。図11に示すように補助変成器15とアナログ/ディジタル変換回路16と、ディジタルの電気量をケーブル28を経由して演算処理部17に送信するための送信回路29を収納した別置き方のユニット30として設置する。図11ではユニット30をを磁気遮蔽筐体22の中に収納した一例を示している。以上の説明は、磁気遮蔽筐体22の形状として直方体のものを示したが、実際には種々の形態をとることが可能であり、図12に示すように、箱形、円筒形、平板形としてもよい。図12aは被遮蔽体であるディジタル保護継電器22を直方体形状の磁気遮蔽筐体22で覆ったもの、図12bは被遮蔽体であるディジタル保護継電器22を円柱形状の磁気遮蔽筐体22で覆ったもの、図12cは被遮蔽体31を2枚の平板の磁気遮蔽材32で挟んで被遮蔽体31を覆ったものである。図12cに示すように、遮蔽をする場合に全周を遮蔽するのが困難な場合は、全周を囲わなくても遮蔽効果は少なくなるものの効果はある。図13は、本発明の第1の実施の形態における磁気遮蔽材で被遮蔽体の全体を覆わない形態の一例の説明図である。以下の説明では上下左右前後は特に意識しないで説明する。図13aは平板状の磁気遮蔽材31で一面のみ遮蔽したもの、図13bは隣あう二面を遮蔽するもの、図13cは向かい合う二面を遮蔽するもの、図13dはコの字形に三面を遮蔽するもの、図13eは近接する三面を遮蔽するもの、図13fは隣合う二面を除く四面を遮蔽するもの、図13gは向かい合う二面を除く四面すなわち筒状に遮蔽するもの、図13hは五面を遮蔽するもの、図13iは円筒状の磁気遮蔽材31の底面がないもの、図13jは円筒状の磁気遮蔽材31の片側のみ底面がないもので遮蔽する場合をそれぞれ示している。第1の実施の形態によれば、ディジタル保護継電器22の外部磁界の影響を受けやすい部分を抑制部で覆い外部磁界の影響を抑制するので、外部磁界による誤動作を防止できる。第2の実施の形態図14は、本発明の第2の実施の形態に係わるディジタル保護継電器の構成図である。この第2の実施の形態は、外部磁界の影響を抑制する抑制部として、ディジタル保護継電器の回路基板を形成するプリント基板上のパターンのループの面積を小さく形成するようにしたものである。図14において、電力系統13の変成器14から入力される電気量a1は、ディジタル保護継電器12の補助変成器15に入力され、電気量a1より小さな二次電気量a2に変換される。補助変成器15から出力された二次電気量a2は一対の信号線PNでアナログ/ディジタル変換器16に伝送される。この場合、信号線PNで形成される閉回路ループLP内において、ディジタル保護継電器12の周囲にある別の電力系統13Aの大電流ifによる外部磁界hの変化の影響で外部磁界閉回路誘導量eyが発生する。従って、外部磁界hの変化の影響で発生する外部磁界閉回路誘導量eyと二次電気量a2とが信号線PNを通過した後の電気量a3となる。すなわち、二次電気量a2と外部磁界閉回路誘導量eyとの和はアナログ/ディジタル変換回路16に入力され、アナログ/ディジタル変換回路16でサンプリングしてアナログ/ディジタル変換を行う。演算処理部17は、アナログ/ディジタル変換回路16から入力したディジタルの電気量を基に保護リレー演算を行い電力系統の事故の有無を判定する。第2の実施の形態では、正負一対の信号経路PNが構成するループLPに鎖交する磁界hの影響により発生する外部磁界閉回路誘導量eyを小さくする。図15は本発明の第2の実施の形態における閉回路ループLPに対する外部磁界の作用の説明図である。図15に示すように、閉回路ループLPの外部磁界閉回路誘導量eyはループに沿って発生し、その大きさは、ループの面積、より厳密には磁界の垂直面への投影面積に比例する。外部磁界閉回路誘導量eyの極性は磁界に対して一定の向きに発生する。従って、図16に示すように、閉回路ループが捩れていくつもの小ループで構成されている場合は、個々のループにおける誘導の極性が異なることになる。次に、磁界hに対する外部磁界回路誘導量eyを小さくする方法を説明する。図17は、本発明の第2の実施の形態におけるディジタル保護継電器のプリント基板33上のパターンの間隔を狭くする一例の斜視図である。図17では、信号線PNがプリント基板上のパターンである場合に、そのループ面積を小さくする場合を示している。いま、信号線PNの一方のパターンをP1、他方のパターンをP2とした場合、パターンP1とパターンP2とを互いに近接させて配置する。これにより、ループ面積を小さくすることができ外部磁界回路誘導量eyを小さくすることが可能である。図18は、本発明の第2の実施の形態におけるディジタル保護継電器でプリント基板上のパターンの間隔を狭くする他の一例の斜視図である。図18では、信号線PNがプリント基板33上のパターンであり、プリント基板33の層数が2層以上である場合に、そのループ面積を小さくする場合を示している。いま、一方のパターンをP1、他方のパターンをP2とした場合、パターンP1とパターンP2とを互いに異なる層に配置し、パターンP2を広い面積を持ったパターンとし、パターンP1はパターンP2の上に配置する。これにより、磁界に対するループ面積を小さくすることが可能である。図19は、本発明の第2の実施の形態におけるディジタル保護継電器でプリント基板上のパターンの間隔を狭くする別の他の一例の斜視図である。図19では、信号線PNがプリント基板33上のパターンである場合にループ面積を小さくする場合を示している。いま、プリント基板33上のパターンをP1、P2として、プリント基板の層数が2層以上である場合には、パターンP1、P2を、スルーホールにより層を適宜変更し、プリント基板33上でパターンP1、P2の進行方向に向かって左右の位置関係を順次入れ替え、パターンP1が進行方向に向かって左側にあるループ部分の面積をSS1L、SS2L、...、右側にあるループ部分の面積をSS1R、SS2R、...とした場合に、SS□Lの総和とSS□Rとの総和が近い値となるようにする。パターンP1が進行方向に向かって左側にあるループ部分での誘導起電力eL、パターンP1が進行方向に向かって右側にあるループ部分での誘導起電力eRとすると、誘導起電力eLと誘導起電力eRとは極性が反対で、それぞれ大きさが同じ起電力となる。従って、信号線PNで構成される閉回路ループに発生するトータルの誘導起電力はeLとeRとの和となるため、小さくすることができる。第2の実施の形態によれば、ディジタル保護継電器の回路基板を形成するプリント基板上のパターンのループの面積を小さく形成するので、事故電流による外部磁界がループに鎖交することにより誘導される誘導起電力の大きさを小さくでき、アナログ/ディジタル変換回路16は、自身の保護すべき電力系統の電気量を正しく入力しサンプリングして、アナログ/ディジタル変換して正しいディジタル値を出力し、正しく電力系統の事故の有無を判定することができる。第3の実施の形態図20は本発明の第3の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置の補助変成器15の構成図である。この第3の実施の形態は、外部磁界の影響を抑制する抑制部として、アナログ入力部の補助変成器15の二次巻線を2個以上の複数の分割巻線として構成し、各分割巻線は鉄心上の反対側の位置に装着したものである。図20において、補助変成器15は、鉄心26、一次巻線W1、二つに分割された二次巻線W2L、W2Rから構成されている。一次側巻線W1に電気量a1が入力された場合、二次巻線W2L、W2Rには二次出力a2L、a2Rが得られ、その向きは図20に図示されたとおりであり、補助変成器15の出力a2としては、二次出力a2L、a2Rの和が出力される。なお、鉄心26の有無および構造や一次巻線W1の取り付け位置は各種可能であり、図20に示すものに制約されるものではない。図21は図20に示した補助変成器15に対する外部磁界の作用の説明図である。外部磁界hにより、巻線W2Lには誘導量exL、巻線W2Rには誘導量exRが発生する。誘導量の向きは図21に示すとおりであり打ち消しあう方向にある。このため、誘導量exLと誘導量exRとが近い値である場合には、補助変成器15の出力に現れるトータルの巻線誘導量exは小さいものとなる。ここで、巻線W2L、W2Rの配置方法は、実際には種々の方法を取ることが可能である。図22は、本発明の第3の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置の他の一例の補助変成器の構成図である。図22に示すように鉄心26の四辺各々に、巻線W2U、W2L、W2D、W2Rを設けて、垂直方向からの磁界hvと、水平方向からの磁界hhの両方に対して対策することも可能である。この場合も、補助変成器15の出力に現れるトータルの巻線誘導量exは小さいものとなる。図23は、本発明の第3の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置の補助変成器の別の他の一例の構成図である。図23に示すように鉄心26の全周に巻線W2を設けて、あらゆる方向からの磁界hに対して対策することも可能である。この場合も補助変成器15の出力に現れるトータルの巻線誘導量enは小さいものとなる。第3の実施の形態によれば、外部磁界hによる補助変成器15の巻線への誘導を軽減することができ、補助変成器15は自身の保護すべき系統の電気量を正しい二次側出力値に変換して、アナログ/ディジタル変換回路16がサンプリングしてアナログ/ディジタル変換して演算処理部で整定値と比較することにより、正しく電力系統の事故の有無を判定することができる。従って、事故電流が流れた場合でも、外部磁界hの影響を軽減して、ディジタル保護継電器12は正しく電力系統の事故の有無を判定することができる。第4の実施の形態図24は本発明の第4の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置の構成図である。この第4の実施の形態は、ディジタル保護継電器12は電流差動継電器であり、外部磁界の影響を抑制する抑制部として、ディジタル保護継電器12の内部の複数の補助変成器15a~15nのうち一部の設置方向を回転させた構成としたものである。第4の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置が適用される系統は、図34に示した系統と同じであるとする。図24において、ディジタル保護継電器12に入力された電流ia1、ib1...in1を別の電流値ia2、ib2、...in2に変換する補助変成器15a~15nと、変換された電流値ia2、ib2、...in2をサンプリングし、アナログ/ディジタル変換してディジタル値diga、digb、...dignに変換するアナログ/ディジタル変換回路16と、アナログ/ディジタル変換されたディジタル値diga、digb、...dignの和を演算して、整定値isetと比較して、保護区間である母線18内の事故の有無判定を行う差動演算部DIF20と、整定値を記憶する記憶部MEM21とからなる演算処理部17から構成される。第4の実施の形態では、図24に示すように、複数の補助変成器15a~15nのうち一部を巻線の設置方向が反対方向を向くように配置する。あるいは、補助変成器15a~15n自体の設置の方向は変更せず、補助変成器15a~15nとアナログ/ディジタル変換回路16との間を接続する配線、およびディジタル保護継電器12の入力部と補助変成器15a~15nとの間を接続する配線を、配線経路の途中で反転させる。この場合、配線は反転するが、ディジタル保護継電器12への入力部での信号の極性と、アナログ/ディジタル変換回路16へ入力される信号の極性の対応は、補助変成器15a~15nを反転しない場合の極性と変わらず同一である。必要なことは、外部磁界hよって補助変成器15a~15nの巻線に発生する磁束の向きが各回線で反転するように設置することである。このように構成された第4の実施の形態において、保護区間である母線18内に事故が起きていない場合は、保護区間である母線18に流れ込む電流ia、ib、...inの総和は0となる。一方、保護区間である母線18内に事故、すなわち地絡事故や短絡事故などが起きている場合は、事故箇所にて電流が流失し、ia、ib、...inの総和は流出する事故電流に等しくなる。従って、演算処理部17では、差動演算部DIF20にてディジタル値diga、digb、...dignの和を演算し、予め定めた整定値isetより小さい場合は無事故、大きい場合は事故が起きているものと判定する。図25は、本発明の第4の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置に対する外部磁界の影響の説明図である。ディジタル保護継電器12が外部からの磁界hにさらされた場合には、図25に示すように、外部磁界hにより発生し各回線毎のアナログ/ディジタル変換回路16へ入力される誘導量exa、exb,exc...exnのうち一部の極性が反対となるため、差動演算部DIF20での和演算で相殺される。半数の極性が反対である場合に、誘導量に対する演算結果は最小になる。図26は、本発明の第4の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置の他の一例の構成図である。図26に示すように、ディジタル保護継電器12の補助変成器15a、15b、15cを120°づつ回転配置させるようにしてもよい。この場合、各回線に誘導される誘導量のベクトル向きは、図27に示すようになり、3回線毎の和演算の結果は零とすることができる。180°反転させる場合には、入力回線数が奇数の場合は、1回線分の誘導量が残るが120°の反転も組み合わせることにより、入力回線数が奇数の場合でも完全に誘導量を打ち消すことができる。第4の実施の形態によれば、複数の補助変成器15a~15nのうち一部の設置方向を回転させて外部磁界hによる誘導量を相殺するので、外部磁界hがあっても電力系統の事故の有無を正しく判定することができる。第5の実施の形態図28は、本発明の第5の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置の構成図である。この第5の実施の形態は、外部磁界の影響を抑制する抑制部として、外部磁界の大きさを検出しアナログ入力部に発生する誘導量を求める外部磁界検出部を備え、外部磁界検出部で求めた誘導量に基づきアナログ/ディジタル変換して得たディジタルデータに補正を加えるようにしたものである。図28において、ディジタル保護継電器12の中に、外部磁界検出部としての外部磁界検出専用の巻線34を設ける。外部磁界検出専用の巻線34からの誘導量exrefは、アナログ/ディジタル変換回路16によりサンプリングし、アナログ/ディジタル変換して外部磁界誘導量検出値digrに変換する。差動演算部DIF20では、外部磁界誘導量検出値digrに所定の補正係数cを乗算して、各回線の補助変成器の誘導量の予測値とし、それをさし引くことにより外部磁界の影響を相殺する。なお外部磁界検出専用巻線34は空き回線の補助変成器15zを流用して、一次側巻線を未接続とすることでも実現可能である。図29は、本発明の第5の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置の他の一例の構成図である。図29に示すように、外部磁界検出部として、プリント基板上に面積が数100cm2オーダのパターンループ35を設けるようにしてもよい。そして、パターンループ35からの誘導量exrefをアナログ/ディジタル変換回路16によりサンプリングし、アナログ/ディジタル変換して外部磁界誘導量検出値digrに変換する。この場合も図28で示した場合と同様に外部磁界の影響を相殺できる。図30は、本発明の第5の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置の別の他の一例の構成図である。図30に示すように、ディジタル保護継電器12の演算処理部17において、予め外部磁界誘導量相殺値esetを記憶する外部磁界誘導量設定記憶部36を設けておき、差動演算部DIF20における和演算おいて、外部磁界誘導量相殺値esetを差し引くことによって、外部磁界の影響を相殺するようにしてもよい。図31は、本発明の第5の実施の形態に係わるディジタル保護継電装置のさらに別の他の一例の構成図である。図31に示すように、ディジタル保護継電器12のアナログ入力部において、補助変成器15に生じる誘導量を基板パターンの信号線PNにより故意に形成したパターンループ37により生じる誘導量にて打ち消すようにしてもよい。第5の実施の形態によれば、外部磁界があっても電力系統の事故の有無を正しく判定することができる。"