可動オブジェクトの位置を測定するように構成された位置測定システムのターゲット面を較正する方法において、前記位置測定システムは、前記可動オブジェクト上に設けられた前記ターゲット面と、静止センサシステムと、前記センサシステムの少なくとも1つの測定信号に基づいて前記可動オブジェクトの位置を計算する処理デバイスとを含み、前記処理デバイスは前記ターゲット面の凹凸を補正する前記ターゲット面の補正マップを含む方法であって、前記ターゲット面を測定し、前記測定されたターゲット面ならびに前記ターゲット面および/または前記ターゲット面に影響を及ぼす物理的オブジェクトの1つ以上の変形モードに基づいて前記ターゲット面全体の再較正された補正マップを決定することによって前記ターゲット面の前記補正マップを再較正するステップを含む、方法。前記ターゲット面の測定は、前記ターゲット面の一部を測定することを含む、請求項1に記載の方法。前記測定されたターゲット面は、前記変形モードのうちの1つ以上における変形の許容度を求めるために使用される、請求項1に記載の方法。前記ターゲット面を測定するステップは、前記センサシステムによって実行される、請求項1に記載の方法。前記ターゲット面を測定するステップは、前記ターゲット面の冗長位置測定に基づく、請求項1に記載の方法。前記再較正された補正マップを決定するステップは、前記測定されたターゲット面に基づいて前記1つ以上の変形モードのうちの少なくとも1つの関連する変形モードを選択するステップを含む、請求項1に記載の方法。前記1つ以上の変形モードは、前記ターゲット面を故意に変形させ、続いて全ターゲット面マップを測定し、前記全ターゲット面マップから1つ以上の変形モードを計算することによって決定される、請求項1に記載の方法。前記1つ以上の変形モードは、屈曲モードまたはトルクモードであり、または、前記ターゲット面の規則性に対する、前記ターゲット面のコーティングおよび/または前記ターゲット面が前記可動オブジェクト上に設けられる際の接着剤の時間効果に基づく、請求項1に記載の方法。前記方法は前記可動オブジェクトの衝突後に行われる、請求項1に記載の方法。前記較正で使用される前記1つ以上の変形モードのタイプは、前記較正に先行する前記可動オブジェクトの衝突のタイプに基づく、請求項9に記載の方法。前記可動オブジェクトはリソグラフィ装置のステージである、請求項1に記載の方法。可動オブジェクトの位置を測定する位置測定システムであって、静止センサシステムと、前記可動オブジェクト上に設けられるターゲット面であって、前記静止センサシステムは、前記ターゲット面上で反射される測定ビームを供給し、前記反射された測定ビームを受け、前記反射された測定ビームに基づいて測定信号を供給するように構成されるターゲット面と、前記センサシステムの少なくとも1つの測定信号に基づいて前記可動オブジェクトの位置を計算する処理デバイスであって、前記ターゲット面の凹凸を補正する前記ターゲット面の補正マップを含む処理デバイスと、を含み、前記処理デバイスは、前記ターゲット面の測定と、前記測定された部分ならびに前記ターゲット面および/または前記ターゲット面に影響を及ぼす物理的オブジェクトの1つ以上の変形モードとに基づいた再較正された補正マップの決定とに基づいて、前記エラーマップを再較正または調整するように構成される、位置測定システム。前記センサシステムは、干渉計位置測定システムまたはエンコーダ位置測定システムなどの光学位置測定システムである、請求項12に記載の位置測定システム。前記可動オブジェクトはリソグラフィ装置のステージである、請求項12に記載の位置測定システム。リソグラフィシステムであって、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン形成された放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記パターン形成された放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、を含み、前記リソグラフィ装置は、可動オブジェクトの位置を測定する位置測定システムであって、静止センサシステムと、前記可動オブジェクト上に設けられるターゲット面であって、前記静止センサシステムは、前記ターゲット面上で反射される測定ビームを提供し、前記反射された測定ビームを受け、前記反射された測定ビームに基づいて測定信号を供給するように構成されるターゲット面と、前記センサシステムの少なくとも1つの測定信号に基づいて前記可動オブジェクトの位置を計算する処理デバイスであって、前記ターゲット面の凹凸を補正する前記ターゲット面の補正マップを含む処理デバイスと、を含む位置測定システムを含み、前記処理デバイスは、前記ターゲット面の測定と、前記測定されたターゲット面ならびに前記ターゲット面および/または前記ターゲット面に影響を及ぼす物理的オブジェクトの1つ以上の変形モードとに基づいた再較正された補正マップの決定に基づいて、前記エラーマップを再較正または調整するように構成される、リソグラフィ装置。0008位置測定システムのターゲット面を再較正する方法を提供することが望ましく、較正が効率的に行われ得る。さらに、位置測定システムおよびその位置測定システムを有するリソグラフィ装置を提供することが望ましく、当該位置測定システムは、位置測定システムのターゲット面の効率的な再較正を行うことが可能である。0009本発明の一実施形態に従って、可動オブジェクトの位置を測定するように構成された位置測定システムのターゲット面を較正する方法が提供される。位置測定システムは、可動オブジェクト上に設けられたターゲット面と、静止センサシステムと、センサシステムの少なくとも1つの測定信号に基づいて可動オブジェクトの位置を計算する処理デバイスとを含む。処理デバイスはターゲット面の凹凸を補正するターゲット面の補正マップを含む。当該方法は、ターゲット面を測定し、測定されたターゲット面ならびにターゲット面および/またはターゲット面に影響を及ぼす物理的オブジェクトの1つ以上の変形モードに基づいてターゲット面全体の再較正された補正マップを決定することによってターゲット面の補正マップを再較正することを含む。0010本発明の別の実施形態に従って、静止センサシステムと可動オブジェクト上に設けられるターゲット面とを含む、可動オブジェクトの位置を測定する位置測定システムが提供される。静止センサシステムは、ターゲット面上で反射される測定ビームを供給し、反射された測定ビームを受け、反射された測定ビームに基づいて測定信号を供給するように構成される。処理デバイスは、センサシステムの少なくとも1つの測定信号に基づいて可動オブジェクトの位置を計算する。処理デバイスは、ターゲット面の凹凸を補正するターゲット面の補正マップを含む。処理デバイスは、ターゲット面の測定と、測定されたターゲット面ならびにターゲット面および/またはターゲット面に影響を及ぼす物理的オブジェクトの1つ以上の変形モードとに基づいた再較正された補正マップの決定に基づいて、エラーマップを再較正または調整するように構成される。0011本発明のさらなる実施形態に従って、リソグラフィシステムであって、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン形成された放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン形成された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、を含む、リソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、静止センサシステムと、可動オブジェクト上に設けられるターゲット面とを含む、可動オブジェクトの位置を測定する位置測定システムを含む。静止センサシステムは、ターゲット面上で反射される測定ビームを供給し、反射された測定ビームを受け、反射された測定ビームに基づいて測定信号を供給するように構成される。処理デバイスは、センサシステムの少なくとも1つの測定信号に基づいて可動オブジェクトの位置を計算する。処理デバイスは、ターゲット面の凹凸を補正するターゲット面の補正マップを含む。処理デバイスは、ターゲット面の測定と、測定されたターゲット面ならびにターゲット面および/またはターゲット面に影響を及ぼす物理的オブジェクトの1つ以上の変形モードとに基づいた再較正された補正マップの決定に基づいて、エラーマップを再較正または調整するように構成される。0012本発明のさらなる特徴および利点、ならびに本発明のさまざまな実施形態の構造および動作を、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。なお本発明は、本明細書に記載の特定の実施形態に限定されない。このような実施形態は、例示のためにのみ本明細書で示される。本明細書の教示に基づいて、追加の実施形態が当業者には明らかであろう。0019本明細書は、本発明の特徴を組み入れた1つ以上の実施形態を開示する。開示される実施形態は、本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は、開示される実施形態に限定されない。本発明は、添付の請求項により定義される。0020説明されている実施形態および本明細書での一実施形態、実施形態、例示的実施形態などに関する言及は、説明されている実施形態が特定の特徴、構造、または特性を含み得るが、各実施形態がその特定の特徴、構造、または特性を必ずしも含むとは限らないことを示す。また、そのような表現は同一の実施形態を必ずしも示すものではない。さらに、実施形態と関連して特定の特徴、構造、または特性が説明される場合、明示的に説明されているか否かによらず、他の実施形態と関連してそのような特徴、構造、または特性を達成することは当業者の知識の範囲内であると理解されたい。0021本発明の実施形態は、ハードウエア、ファームウエア、ソフトウエア、またはこれらの組合せの形式で実現されてよい。本発明の実施形態は、1つ以上のプロセッサにより読取かつ実行可能である機械読取可能媒体に記憶された命令として実現されてもよい。機械読取可能媒体は、機械例えば、演算デバイスにより読取可能な形式で情報を記憶または伝送する任意の機構を含んでよい。例えば、機械読取可能媒体は、読出し専用メモリROM、ランダムアクセスメモリRAM、磁気ディスク記録媒体、光記録媒体、フラッシュメモリデバイス、電気的、光学的、または音響的もしくはその他の伝送信号形式例えば、搬送波、赤外信号、デジタル信号、またはその他を含んでよい。また本明細書では、ファームウエア、ソフトウエア、ルーチン、命令は、ある動作を実行するためのものとして記述されていてもよい。しかし、当然のことながら、これらの記述は単に便宜上のものであり、これらの動作は、そのファームウエア、ソフトウエア、ルーチン、命令などを実行する演算デバイス、プロセッサ、コントローラ、または他のデバイスにより実際に得られるものである。0022しかし、そのような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実行され得る例示的環境を提示することは有益である。0023図1は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームB例えば、紫外線または他の適切な放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1位置決めデバイスPMに連結されたマスクサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、を備える。また、リソグラフィ装置は、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2位置決めデバイスPWに連結された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTまたは基板サポートを備える。さらに、リソグラフィ装置は、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば、屈折投影レンズシステムPSを備える。0024照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。0025マスクサポート構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちパターニングデバイスの重量を支える。サポートは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。マスクサポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。マスクサポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。マスクサポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用されるレチクルまたはマスクという用語はすべて、より一般的なパターニングデバイスという用語と同義であると考えるとよい。0026本明細書において使用されるパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。0027パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。0028本明細書において使用される投影システムという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される投影レンズという用語はすべて、より一般的な投影システムという用語と同義であると考えるとよい。0029本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの例えば、透過型マスクを採用しているものである。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているものであってもよい。0030リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルまたは基板サポートおよび/または2つ以上のマスクテーブルまたはマスクサポートを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルまたはサポートは並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブルまたはサポート上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルまたはサポートを露光用に使うこともできる。0031また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体例えば水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間例えば、マスクと投影システムとの間に液浸液を加えてもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させるために使用することができる。本明細書において使用される液浸という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。0032図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源SOからイルミネータILへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。0033イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。0034放射ビームBは、マスクサポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクMAを通り抜けた後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2位置決めデバイスPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置付けるように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1位置決めデバイスPMおよび別の位置センサ図1には明示的に示されていないを使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルMTの移動は、第1位置決めデバイスPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTまたは基板サポートの移動も、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合はスキャナとは対照的に、マスクテーブルMTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできるこれらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、複数のダイがマスクMA上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。0035例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。00361.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTまたはマスクサポートおよび基板テーブルWTまたは基板サポートを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTまたは基板サポートは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。00372.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMTまたはマスクサポートおよび基板テーブルWTまたは基板サポートを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。マスクテーブルMTまたはマスクサポートに対する基板テーブルWTまたは基板サポートの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅非スキャン方向が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さスキャン方向が決まる。00383.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルMTまたはマスクサポートを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTまたは基板サポートを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTまたは基板サポートの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0039上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0040図2は、基板ステージ2の位置を測定するための、概して符号1で示される位置測定システムを示している。位置測定システム1は、リソグラフィ装置の静止フレーム3上に設けられたセンサシステムを含む干渉計位置測定システムである。静止という用語は、本明細書において、センサシステムが基板ステージ2とともに移動しないことを示すために使用される。静止という用語は、センサシステムが同一の位置に完全にとどまることを必要としない。例えば、センサシステムは、メトロロジフレーム3に対してわずかに移動し得る投影システムPS上に設けられる場合がある。0041センサシステムは、基板ステージ2上に設けられた反射面5の形をとるターゲット面に向けて誘導される測定ビームを供給する光源4を含む。この実施形態において、反射面5は基板ステージ2のミラーブロック6上に配置される。他の実施形態において、反射面5は、測定システムの別のミラー要素、例えば、基板ステージ2上に設けられたグリッドプレート上に配置され得る。0042反射面5は、センサシステムの光センサ7に対して測定信号を反射することができ、光センサ7は、基板ステージの位置量に関する測定信号を供給する。0043干渉計測定システムでは、反射された測定ビームは、光源4から直接生じる基準ビームと合成される。このため、半透明ミラー8が、光源4から生じるビームの経路に設けられる。この半透明ミラー8は、光ビームを測定ビームと基準ビームとに分割する。反射面5上での反射の後、測定ビームおよび基準ビームは、基板ステージ2の位置変化を表す強度差を有する合成光ビームに合成される。さまざまな例において、光源4、光センサ7、および/または半透明ミラー8は単一のデバイスに組み込まれ、または図2に示すように別々のデバイスとして設けられる。0044合成された光ビームは、光センサ7への入力として使用され、基板ステージ2の位置を表す測定信号が得られる。処理デバイス9は、光センサ7によって受信された測定信号に基づいて基板ステージ2の位置を計算するために設けられる。0045コンパレータにおいて、この測定位置が、セットポイントジェネレータ10に由来するセットポイント位置から減じられ得る。実測位置とセットポイント位置の差を、基板ステージ2のアクチュエータシステム12に供給される制御信号を提供して所望の位置へ基板ステージ2を動かす制御デバイス11への入力として、使用することができる。0046上記位置測定システム1は、1自由度について説明される。一例において、位置測定システム1は、複数、通常6自由度で基板ステージ2の位置を求めるように構成され、これに基づいて基板ステージ2は所望位置に移動される。通例、位置測定システム1は、複数の反射面を有して可能な複数の方向での基板ステージ2の位置を求め得る。0047一例において、処理デバイス9は、場合により光センサ7に組み込まれる、独立型のデバイスであり得る。しかし、枠14によって図2に示すように、処理デバイス9は、セットポイントジェネレータ8、コンパレータ、制御デバイス11などの位置制御システムの他の要素を組み入れてもよい。処理デバイス9は、リソグラフィ装置のメインプロセッサの一部であってよく、基板ステージ2の位置制御専用のデバイスであってよく、または他の適切なデバイスに組み込まれてもよい。0048位置測定システムの反射面5は、完全には平坦でないこともある。測定位置における反射面5の凹凸を補償しない場合、基板ステージ2は不正確な位置に移動されることがあり、これは、基板ステージ2上に支持される基板に対するオーバーレイ精度に大きな影響を及ぼし得る。0049反射面5の凹凸を補償するために、反射面の補正マップ13が処理デバイス9内に設けられる。この補正マップ13は、反射面5の公知の凹凸についての光センサ7からの測定信号を補正するために使用される。そのような反射面5は、反射面5の凹凸を表す補正マップ13を得るためにリソグラフィ装置の使用前に較正され得る。0050反射面5の完全測定および較正ならびに反射面5に関する対応露光位置の較正には、位置測定システム1の完全設定についてかなりの時間、例えば、1~3時間が使用され得る。一般に較正はリソグラフィ装置の実際の使用の前に行われる。しかし、リソグラフィ装置の生産運転中、例えば、基板ステージ2の衝突後に較正が必要とされることがあり得る。そのような衝突は1日当たり数回起こるおそれがあり、反射面5の変形、例えば基板ステージ2のミラーブロック6の変形の原因となり得る。そのような変形は、リソグラフィプロセスのオーバーレイ精度に大きな影響を及ぼし得るため、再較正が必要とされ得る。0051上述の通り、そのような完全再較正には時間がかかり、例えば、2時間かかり得る。従って、完全再較正には貴重な生産時間が使用されることになり得る。0052一実施形態において、位置測定システム1の反射面5の時間効率の良い再較正方法が提供される。一例において、反射面5の一部または全体を、より早くまたは低減空間解像度で測定し、この測定および反射面の1つ以上の変形モードに基づいて全反射面5の再較正された補正マップ13を決定することによって、反射面5の再較正ステップが行われる。0053発明者らは、反射面5下の物理的に変形したオブジェクトから生じる反射面5の変形のモードが一定であり得ることを見出した。ステージまたは反射面のそのような一定の変形形状は、変形モードと呼ばれる。反射面自体の変形モードは、接着剤、ステージなどの変形と関係することができる。0054反射面5の変形モードが公知である場合、反射面5の一部の測定は、反射面5の残りの部分の変形を適切に予測するのに十分な情報を提供し得る。ターゲット面の一部の測定は、全ターゲット面と比較してより速い測定または低減空間解像度を含み得る。反射面5の一部のみの測定は、反射面5の完全測定および完全較正ならびに関連する露光位置への影響と比べてかなり時間がかからない。従って、再較正をより効率的に行うことができる。0055一例において、ターゲット面の測定は、冗長位置測定システムを用いて行われる。0056図3aは、反射面5を有するステージ2を含む実施形態を示している。2つの測定ビーム20a、20bを用いてx方向の基板ステージの位置を求める。測定ビーム20a、20bの各々を用いてx方向のステージ2の位置を測定し得る。従って、測定ビーム20a、20bは、位置測定システムの静止センサシステムに対するステージ2の位置に関する冗長情報を提供する。反射面5の一部の凹凸を測定して以下に説明する全反射面5のマップを予測するために、そのような冗長位置測定システムを用いることができる。0057図3bは、例えば、反射面5を有するステージ2の衝突によって引き起こされた変形後の、反射面5を有するステージ2を含む実施形態を示している。衝突の結果、図3aのステージ2の矩形形状が図3bに示す平行六面体形状に変形する。ステージの衝突が常にそのような平行六面体形状への変形を引き起こすとすると、反射面5の一部のみの測定は、全反射面5を予測するのに十分であり得る。0058測定ビーム20a、20bの異なる高さ位置および反射面5の変形形状に起因して、測定ビーム20a、20bは、ステージの異なるX位置を測定する。これらの測定位置間の差および測定ビーム20a、20b間の高低差は、ステージ2の変形の基準である。ステージ2の変形モードは公知であるので、測定位置の差は、当該変形モードでステージが変形する許容度として用いることができる。結果として、全反射面5の補正マップは、測定許容度および公知の変形モードに基づいて決定することができる。0059平行六面体形状は基板ステージの想定される変形モードの一例として用いられることに留意する。さまざまな例において、基板ステージは、しばしば屈曲モードやトルクモードなどの他の変形モードに従うことがある。これらの変形モードは、ステージの板バネの再位置決めによって引き起こされ得る、ステージでの力、応力から生じ得る。また変形モードは、反射面5のコーティングおよび/または反射面5を設ける際に使用される接着剤に及ぼす時間効果に基づき得る。0060さらに、これらの異なる変形モードの組合せが、衝突または基板ステージ2の変形の他の原因からもたらされ得る。冗長位置測定システムの測定に基づいて、異なる変形モードの別個の許容度を求めることができ、異なる変形モードおよび関連する許容度に基づいて、反射面5の対応する補正マップを決定することができる。0061図4に、基板テーブル6の上部および下部のRz測定についての冗長位置測定システムの一例が示されている。図4aは、X方向の4つの測定ビームX1、X2、X3、X4を含む基板テーブル6のY/Z平面の概略側面図である。X1およびX2は基板テーブル6の上部に対する計測であり、一方、X3およびX4は基板テーブル6の下部に対する計測である。例えば、基板テーブル6のRz測定は、X1およびX2に基づいて求めることができる。図4bは、Y方向の4つの測定ビームY1、Y2、Y3、Y4を含む基板テーブル6のX/Z平面の概略側面図である。Y1およびY2は基板テーブル6の上部に対する計測であり、一方、Y3およびY4は基板テーブル6の下部に対する計測である。従って、Rz測定は、基板テーブル6の上部および下部について二重に冗長であり、上側ミラー面および下側ミラー面のミラー形状ならびにXビームおよびYビームの再構成を可能にする。0062本発明の実施形態の較正方法を使用するために、ステージの変形モードが公知であることは重要であり得る。これらの変形モードは、例えば、ステージの数学的モデルから変形モードを抽出することによって得られ得る。別の実施形態においては、例えば、ステージを衝突させることによってステージの反射面を故意に変形させ、続いて反射面の完全マップを測定することによって、1つ以上の変形モードが決定され得る。この情報に基づいて、ステージの変形に起因する反射面の1つ以上の変形モードが決定され得る。0063較正方法は、例えばステージの衝突の後に位置測定システムの反射面が変形すると考えられる理由がある場合に、特に行われ得る。ステージが複数の変形モードで変形し得る場合、反射面の補正マップを計算するステップは、反射面5の測定部分に基づいて1つ以上の変形モードのうちの少なくとも1つの関連する変形モードの選択を含み得る。この選択は、例えば予想される変形のタイプに基づき得る。例えば、ステージの衝突は、反射面のコーティングの変化の影響と比較して、より反射面の異なる変形につながることになる。z方向のステージの衝突の後に再較正が行われ、かつそのような衝突が、概して屈曲モードおよびトルクモードの変形を招くと分かる場合、これらのモードは再較正モードとして選択され得る。0064上述の通り、冗長干渉計位置測定システムの使用は、ステージの1つ以上の変形モードにおけるステージ変形の許容度を求めるために説明されている。この許容度を求めるために、位置測定システムの反射面の一部のみが求められ得る。許容度および1つ以上の変形モードを用いて位置測定システムの全ターゲット面の補正を予測する。0065較正方法は、ターゲット面を有する他の位置測定システム、特にステージ上に設けられる反射面を有する光学位置測定システム、例えば、エンコーダ型位置測定システムとともに使用されてターゲット面の凹凸の補正マップが決定され得る。例えば、位置測定システムは、冗長位置測定システムである。0066較正方法は、パターニングデバイスサポートなどの他の可動オブジェクトの位置を求めるように配置された位置測定システムに使用され得る。さらに、この方法は、生産運転中に実行可能である高速較正を含み得る。この再較正は、新規の更新されたステージ露光またはアライメント位置に対する変形ステージ/面との関係をもたらし得る。0067本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0068光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。0069本明細書で使用される放射およびビームという用語は、紫外線UV例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する、および極端紫外線EUV例えば、5~20nmの範囲の波長を有する、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。0070レンズという用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0071以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す1つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスクの形態であってもよい。0072上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。0073発明の概要および要約の項目は、発明者が想定するような本発明の1つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、すべての例示的実施形態を述べることはできず、従って本発明および請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。0074本発明を、複数の特定の機能の実施およびそれらの関係を示す機能構成ブロックを用いて説明してきた。これらの機能構成ブロックの境界は、説明の都合上、本明細書において任意に定義されている。これらの特定の機能やそれらの関係が適切に実現される限り、別の境界を定義することができる。0075特定の実施形態に関する前述の説明は、本発明の全般的な特徴をすべて示すものであり、従って当業者の知識を適用すれば、過度の実験を行わなくとも、本発明の一般的な概念から逸脱することなく、そのような特定の実施形態などのさまざまな用途に対して容易に変更および/または改変を行うことができる。従って、そのような改変や変更は、本明細書で提示した教示ならびに説明に基づき、開示した実施形態の等価物の趣旨および範囲内に収まるものとする。なお、当然ながら、ここで用いた語法や用語は説明のためであって限定を意図するものではなく、本明細書の用語あるいは語法は、上記教示や説明を考慮しながら当業者が解釈すべきものである。0076本発明の範囲は上述の例示的実施形態のいずれによっても限定されるべきでなく、添付の特許請求の範囲および等価物によってのみ規定されるべきである。