"圧縮歪みを有する量子井戸層を含む活性層を備えた化合物半導体からなる半導体発光素子であって、前記量子井戸層の総膜厚が当該量子井戸層の臨界膜厚よりも大きく、かつ前記量子井戸層の格子不整合が1.0以上2.5未満であることを特徴とする半導体発光素子。ところで、SLDは、半導体レーザと同様の結晶構造を備えつつも、敢えて発振条件を満たさないように、端面無反射コーティング、傾斜電極構造、湾曲電極構造といった種々の構成を備えている。そのため、SLDでは、半導体レーザ同様の光出力を得るために、半導体レーザの数倍の印加電流が必要とされている。このようなSLDでは、内在する歪みエネルギーにより不安定な状態となっていた結晶が、通電によるアニーリングによって安定な状態に変化することが考えられる。かかる状態変化としては、例えば量子井戸を構成するInの空間的な拡散、それに伴う実効的な量子井戸厚の変化、導波路を構成する半導体材料の僅かな屈折率変化などが挙げられる。これらの状態変化は、最終的に光閉じ込め係数の変化を誘発し、特性の劣化につながるおそれがある。本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、長時間使用した場合であっても特性の劣化を抑制できる半導体発光素子を提供することを目的とする。上記課題の解決のため、本発明に係る半導体発光素子は、圧縮歪みを有する量子井戸層を含む活性層を備えた化合物半導体からなる半導体発光素子であって、量子井戸層の総膜厚が当該量子井戸層の臨界膜厚よりも大きく、かつ量子井戸層の格子不整合が1.0以上2.5未満であることを特徴としている。この半導体発光素子では、量子井戸層の総膜厚を臨界膜厚よりも大きい範囲とし、かつ量子井戸層の格子不整合を1.0以上2.5未満としている。これにより、半導体発光素子の結晶内部具体的には量子井戸層よりも上層部分に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。したがって、この半導体発光素子では、比較的大きな印加電流を長時間通電させた場合であっても結晶内部に状態変化が生じることを抑制でき、特性の劣化を抑制することが可能となる。本発明によれば、長時間使用した場合であっても特性の劣化を抑制できる。以下、図面を参照しながら、本発明に係る半導体発光素子の好適な実施形態について詳細に説明する。図1は、本発明に係る半導体発光素子の一実施形態を示す斜視図である。同図に示す半導体発光素子1は、スーパールミネッセントダイオード以下SLDと記すであり、n型GaAs基板10上に複数の半導体層を備えて構成されている。n型GaAs基板10上の半導体層は、例えば厚さ1.5μm程度のN型Al0.3Ga0.7Asクラッド層20と、厚さ120nm程度のノンドープAl0.2Ga0.8As光ガイド層30と、InGaAlAs/Al0.2Ga0.8As多重量子井戸層を含む活性層40と、厚さ120nm程度のノンドープAl0.2Ga0.8As光ガイド層50と、厚さ0.1μm程度のP型Al0.3Ga0.7Asクラッド層60と、厚さ20nm程度の高Al組成エッチングストップ層70と、厚さ1.4μm程度のP型Al0.3Ga0.7Asクラッド層80と、P型GaAsコンタクト層90とがこの順で積層されて構成されている。半導体発光素子1は、活性層40と、活性層40を挟み込むクラッド層20,60とによって、ダブルへテロ構造となっている。クラッド層20,60は、活性層40の材料より屈折率が小さい材料からなることによって、活性層40に光を閉じ込めるように作用する。活性層40は、量子井戸層及び障壁層を含む多重量子井戸MultipleQuantumWell:MQW構造を有している。また、活性層40は、光ガイド層30,50による分離閉じ込めヘテロ構造SeparateConfinementHeterostructure:SCHを有している。この光ガイド層30,50は、量子井戸層及び障壁層を挟み込み、量子井戸層内にキャリア電子及び正孔を閉じ込めるように作用する。量子井戸層では、これらの電子と正孔が再結合し、光が発生する。なお、図示していないが、基板10に対してクラッド層20と反対側、及びコンタクト層90に対してクラッド層60と反対側には、外部から電流を注入するための電極層が形成される図示略。また、クラッド層80及びコンタクト層90はリッジ形状をなしており、コンタクト層90上の電極層は、リッジ部分にのみ電気的に接触するようになっている。これによって、外部から注入される電流、すなわち電子と正孔とは、リッジ部分に対応する活性層40の活性領域にのみ効率よく導かれる。活性領域とその周辺部との屈折率差によって、活性層40には実効的な屈折率差が生じるため、活性層40内にはリッジ部分に応じた屈折率型の光導波路が生成されることとなる。したがって、半導体発光素子1をリッジ型の構成にすることによって、電流注入領域と光導波領域が制限され、空間横基本モード動作が実現される。また、図1に示すように、半導体発光素子1におけるリッジ部分は、半導体層の端面に対して7°程度傾斜を有している。これによって、導波路からみた出射面及び反射面での反射率は極端に低下するため、レーザ発振を抑制することができ、発光ダイオードのように比較的広帯域なスペクトル分布を有すると共に、半導体レーザのように比較的高出力を得ることができるSLDが実現される。次に、上述した活性層40について更に詳細に説明する。活性層40においては、量子井戸層の総膜厚は、下記式1で表される当該量子井戸層の臨界膜厚よりも大きくなっている。量子井戸層の総膜厚とは、半導体発光素子1中の一つの量子井戸層の厚さに当該半導体発光素子1が有する量子井戸層の数を掛け合わせて算出した膜厚である。式1において、hcは臨界膜厚、aeは量子井戸層の格子定数、asは基板の格子定数、fは格子不整合の絶対値の最大値=as-ae/as、νはポアソン比弾性スティフネス係数との関係はC11/C11C12を表す。JWMatthewsandAEBlackesleeJCrystGrowth27118参照また、量子井戸層の格子不整合は、Inの更なる導入により、1.0以上2.5未満となっている。これにより、量子井戸層より上層の半導体層の結晶内部にはミスフィット転位が発生し、結晶内部に蓄積された圧縮歪エネルギーが緩和される。リッジ部分において、コンタクト層90の表面には、図2に示すように、ミスフィット転位に由来するクロスハッチが現れる。以上のような半導体発光素子1では、圧縮歪みエネルギーが緩和されることにより、通電によるアニーリングによって結晶内部の状態が変化することを抑えることができる。結晶内部の状態変化に伴う光の閉じ込め係数により、例えば水平方向視野像の乱れといった特性の劣化が生じるおそれがある。これに対し、半導体発光素子1では、比較的大きな印加電流を長時間通電させた場合であっても結晶内部に状態変化が生じることを抑制でき、特性の劣化を抑制することが可能となる。本発明に係る半導体発光素子の作用効果を確認するため、図3に示すように、量子井戸層の総膜厚と格子不整合とを調整しながら複数のサンプルを作製した。次に、作製した各サンプルについて初期特性を評価し、連続通電試験スクリーニングを実施した後、再び特性の評価を行った。特性の評価は、キンクの発生の有無を明確に判別するため、印加電流に対するスロープ効率=ΔP/ΔIの測定によって行った。また、スクリーニングの条件は、温度Top=50°C、動作電流ACC=160mAとし、50時間の通電を行った。図4は、比較例1におけるスクリーニング前後での印加電流とスロープ効率との関係を示す図である。比較例1は、格子不整合が約0.10、量子井戸層の総膜厚が約45nm臨界膜厚未満のサンプルである図3におけるA。この比較例1では、通電前のスロープ効率に比べて通電後のスロープ効率が低くなっているほか、印加電流が150mA前後となるあたりでスロープ効率が低下しており、キンクの発生が確認された。また、スクリーニング後の偏光比=TE/TM比は約8.1であった。なお、比較例1では、量子井戸層の総膜厚が比較的厚いため、印加電流の増加に伴って発振条件が満たされ、SLDとしての特性が失われ易いという問題がある。図5は、比較例2におけるスクリーニング前後での印加電流とスロープ効率との関係を示す図である。比較例2は、格子不整合が約0.45、量子井戸層の総膜厚が約35nm臨界膜厚未満のサンプルである図3におけるB。この比較例2では、比較例1と同様に、通電前のスロープ効率に比べて通電後のスロープ効率が低くなっているほか、印加電流が150mA前後となるあたりでスロープ効率が低下しており、キンクの発生が確認された。また、スクリーニング後の偏光比=TE/TM比は約58.8であった。なお、比較例3は、格子不整合が約0.40、量子井戸層の総膜厚が約12nm臨界膜厚未満のサンプルである図3におけるC。この比較例3の総膜厚では、活性層が単一量子井戸SingleQuantumWell:SQW構造にほぼ限定される。このため、第2励起準位に由来する発光が生じ、スロープ効率が向上するので、キンクの有無の発見が困難となる。図6は、実施例1におけるスクリーニング前後での印加電流とスロープ効率との関係を示す図である。実施例1は、格子不整合が約1.1、量子井戸層の総膜厚が約33nm臨界膜厚以上のサンプルである図3におけるD。この実施例1では、通電前のスロープ効率に比べて通電後のスロープ効率が僅かに低くなっているものの、印加電流を増加させた場合でもスロープ効率の低下は見られず、キンクが抑制されていることが確認された。図7は、実施例2におけるスクリーニング前後での印加電流とスロープ効率との関係を示す図である。実施例2は、格子不整合が約1.6~1.8、量子井戸層の総膜厚が約22nm臨界膜厚以上のサンプルである図3におけるE。この実施例2では、印加電流を増加させた場合でも通電前のスロープ効率と通電後のスロープ効率とがほぼ同等となっており、キンクが抑制されていることが確認された。また、スクリーニング後の偏光比=TE/TM比は約125.4であり、比較例に比べて高い偏光比が得られた。以上のことから、本発明の半導体発光素子のように量子井戸層の総膜厚と格子不整合とを調整することにより、比較的大きな印加電流を長時間通電させた場合であっても特性の劣化を抑制できることが確認できた。キンクの発生を抑制できることにより、水平方向視野像の乱れが抑えられ、半導体発光素子の集光性やファイバとの結合性を良好に確保することができる。"