"製品であって、該製品は、電力増幅器と、受信増幅器と、前記電力増幅器とアンテナポートとの間に延在する第1伝送ラインと、前記受信増幅器と前記アンテナポートとの間に延在する第2伝送ラインと、前記第1伝送ラインのインピーダンスを変化させるよう構成された第1バルブと、前記第2伝送ラインのインピーダンスを変化させるよう構成された第2バルブと、を備え、前記第1及び第2バルブは、一方が開放されるときに他方が閉鎖されるよう制御可能とした製品。前記アンテナポートに接続されているアンテナを更に備える、請求項1に記載の製品。前記第1バルブ及び前記第2バルブを、相反するように制御するよう構成されている制御論理回路を更に備える、請求項1又は2に記載の製品。前記第1バルブは、ダブルゲート半導体デバイスを含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の製品。前記第1伝送ラインは伝送ラインセグメントを含み、前記第1バルブは、ノードにおいて前記第1伝送ラインに接続され、かつ前記伝送ラインセグメントに沿って配置されている第1ラインセグメントを有する第1ラインと、前記ノードにおいて前記第1伝送ラインに接続され、かつ前記伝送ラインセグメントに沿って配置されている第2ラインセグメントを有する第2ラインと、前記第1ライン及び第2ラインをグラウンドに接続又は切り離すよう構成されているスイッチとを含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の製品。前記スイッチはダブルゲート半導体デバイスを含む、請求項5に記載の製品。前記製品は、一次周波数の高調波を除去するためのフィルタを前記電力増幅器と前記アンテナとの間に含まない、請求項1~6のいずれか一項に記載の製品。前記第1バルブは0.5dB未満の挿入損失を有する、請求項1~7のいずれか一項に記載の製品。前記第1バルブによって実現される遮断量は、前記電力増幅器の一次周波数で少なくとも22dBである、請求項1~8のいずれか一項に記載の製品。方法であって、受信増幅器とアンテナとの間に接続されている受信伝送ライン上のRF信号を抑制しつつ、電力増幅器から送信伝送ラインを介して前記アンテナに前記RF信号を伝送するステップと、前記電力増幅器からのRF信号を前記送信伝送ライン上で抑制しつつ、前記アンテナから前記受信伝送ラインを介して前記RF信号を受け取るように切り替えるステップとを含む方法。前記受信伝送ライン上の前記RF信号を抑制することは、前記受信伝送ラインとグラウンドとの間に配置されているバルブをオン状態に維持することを含む、請求項10に記載の方法。前記バルブはダブルゲート半導体デバイスを含み、前記バルブをオン状態に維持することは、前記ダブルゲート半導体デバイスがそのソースとドレイン間で導電するように前記ダブルゲート半導体デバイスのゲートを制御することを含む、請求項11に記載の方法。前記電力増幅器からの前記RF信号を前記送信伝送ライン上で抑制することは、前記送信伝送ラインとグラウンドとの間に配置されているバルブをオン状態に維持することを含む、請求項10~12のいずれか一項に記載の方法。前記バルブはダブルゲート半導体デバイスを含み、前記バルブをオン状態に維持することは、前記ダブルゲート半導体デバイスがそのソースとドレイン間で導電するように前記ダブルゲート半導体デバイスのゲートを制御することを含む、請求項13に記載の方法。CMOSデバイスが、前記送信伝送ラインを介してRF信号を前記アンテナに伝送する前記電力増幅器から、前記受信伝送ラインを介して前記アンテナからRF信号を受信する前記受信増幅器へ切り替える、請求項10~14のいずれか一項に記載の方法。前記受信伝送ライン上の前記RF信号を抑制することにより、前記電力増幅器の一次周波数で少なくとも22dBの遮断量を実現する、請求項1~15のいずれか一項に記載の方法。作動に際して、トランシーバ100は、電力増幅器130をアンテナ110に接続することによりRF信号を送信し、受信増幅器140をアンテナ110に接続することによりRF信号を受信する。しかしながら、電力増幅器130及び受信増幅器140はいずれも同一のスイッチ120に接続されているため、スイッチ120が送信された高出力RF信号を受信伝送ライン160に接続するおそれが生じかねない。この現象は、寄生漏れとして知られている。スイッチ120は更に、電力増幅器により生成された約15~30ボルトの範囲にある高電圧に対する耐電性を有する必要がある。この範囲の電圧は、金属酸化膜半導体MOSスイッチの耐電性を超過するものである。本発明の例示的な製品には、半導体デバイス、トランシーバ及び通信機器が含まれる。種々の例において、製品は、相補型金属酸化膜半導体CMOS技術により完全にシリコン基板上に実装される。例示的な製品は、電力増幅器、受信増幅器並びに第1及び第2伝送ラインを備える。第1伝送ラインは電力増幅器とアンテナポートとの間に延在し、第2伝送ラインは受信増幅器とアンテナポートとの間に延在する。また、例示的な製品は、更に第1及び第2バルブを備える。第1バルブは第1伝送ラインのインピーダンスを変化させるよう、第2バルブは第2伝送ラインのインピーダンスを変化させるようそれぞれ構成される。この例において、第1及び第2バルブは一方が開放状態にあるときに他方が閉鎖状態になるよう制御可能である。種々の例において、製品は更に制御論理回路を備え、この制御論理回路は第1及び第2バルブが相反するように制御するよう構成されている。製品が通信機器を含む例において、例えば製品は更に、アンテナポートに接続されるアンテナを備えることができる。種々の例において、第1バルブ及び/又は第2バルブはダブルゲート半導体デバイスを含むことができる。バルブをオン状態又はオフ状態にそれぞれ切り替えるために、このダブルゲート半導体デバイスは、バルブをグラウンドに接続する、又は切り離すよう制御可能である。更に種々の例において、第1伝送ラインは伝送ラインセグメントを含み、第1バルブ及び/又は第2バルブは第1ライン及び第2ラインを含むことができ、これら両ラインはノードにおいて第1伝送ラインに接続される。これらの例において、第1ラインは伝送ラインセグメントに沿って配置される第1ラインセグメントを含み、第2ラインは伝送ラインセグメントに沿って配置される第2ラインセグメントを含む。幾つかの例において、例示的な製品は、電力増幅器とアンテナとの間に一次周波数の高調波を除去するためのフィルタを含まない。なぜなら回路全体は、第1伝送ラインにおける動作周波数付近の減衰量が僅かであるのに対し、電力増幅器における一次周波数以上の第1伝送ラインの周波数を大幅に減衰するからである。種々の例において、第1及び/又は第2バルブの挿入損失は0.5dB未満である。更に種々の例において、第1バルブは、電力増幅器の一次周波数で少なくとも22dBの遮断量を実現できる。本発明は、アンテナで交互に送受信するための方法に関するものでもある。例示的な方法においては、交互に、電力増幅器からRF信号をアンテナに伝送し、アンテナからRF信号を受信する。より具体的には、電力増幅器からRF信号をアンテナに伝送するステップは送信伝送ラインを介して行われ、このRF信号の伝送に際しては、受信増幅器とアンテナとの間に接続されている受信伝送ライン上のRF信号を抑制する。同様に、アンテナからRF信号を受信するステップは受信伝送ラインを介して行われ、このRF信号の受信に際しては、電力増幅器からのRF信号を送信伝送ライン上で抑制する。種々の例において、CMOSデバイスが、送信伝送ラインを介してRF信号をアンテナに伝送する電力増幅器から、受信伝送ラインを介してアンテナからRF信号を受信する受信増幅器へ切り替える。幾つかの例において、受信伝送ライン上のRF信号を抑制することは、受信伝送ラインとグラウンドとの間に配置されている第2バルブをオン状態に維持することを含む。同様に、幾つかの例において、電力増幅器からのRF信号を送信伝送ライン上で抑制することは、送信伝送ラインとグラウンドとの間に配置されている第1バルブをオン状態に維持することを含む。これらの例の幾つかにおいて、第1及び/又は第2バルブはダブルゲート半導体デバイスを含み、バルブをオン状態に維持するステップは、ダブルゲート半導体デバイスがそのソースとドレイン間で導電するようにダブルゲート半導体デバイスのゲートを制御することを含む。ダブルゲート半導体デバイスがそのソースとドレイン間で導電しないようにダブルゲート半導体デバイスのゲートを制御することにより、バルブがオフ状態に切り替わり、その結果伝送ラインそれぞれにおけるバルブのインピーダンスが除去される。これにより、電力増幅器からアンテナへの伝送、又はアンテナからの受信増幅器による受信が可能となる。本開示は、アンテナを選択的に送信増幅器又は受信増幅器に接続可能としたRFスイッチ装置に関するものである。更に本開示は、上述のRFスイッチ装置を含む製品、例えば集積回路ICや、携帯情報端末PDA、セルフォン携帯電話及びスマートフォン等のモバイル通信機器にも関する。これに加えて本開示は、RFスイッチ装置の操作方法及びこのようなRFスイッチ装置を組み込んだ装置の操作方法にも関する。本発明の例示的なRFスイッチ装置は2個のバルブを備え、一方のバルブは、アンテナと受信増幅器との間に配置される受信伝送ラインを制御するように構成され、他方のバルブは、アンテナと電力増幅器との間における送信伝送ラインを制御するように構成される。本明細書における他の箇所で具体的に定義するバルブは、伝送ラインをグラウンドに切り替え可能に接続する回路を含むものである。この回路がグラウンドに接続されると、回路を流れる電流が伝送ラインのインピーダンスを増加させ、これにより伝送ライン上の信号が大幅に減衰する。回路がグラウンドに接続されていないと、伝送ラインのインピーダンスは実質的に影響を受けなくなり、バルブに起因する信号の減衰は最小に留まる。この一対のバルブは、一方のバルブがオン状態のときに他方のバルブがオフ状態になるよう制御され、従ってアンテナは、電力増幅器から信号を受け取るか又は受信増幅器がアンテナから信号を受け取る。図2は、通信機器200の略図である。通信機器200は、アンテナ110と、電力増幅器130と、受信増幅器140と、電力増幅器130をアンテナ110に接続する送信伝送ライン210と、受信増幅器140をアンテナ110に接続する受信伝送ライン220とを備える。更に通信機器200は、伝送ライン210,220それぞれに接続されているバルブ230,240を備える。更に、通信機器200は、バルブ230,240を制御するように構成された制御論理回路250を備える。制御論理回路250は、制御ライン260上で制御信号を受け取り、相反する信号をバルブ230,240それぞれに出力するよう構成されている。例えば制御信号に基づいて、バルブ230が高電圧を受けると、バルブ220は低電圧を受ける。このことは、逆の場合にも同様に適用されるものである。制御論理回路250の一例は、NANDゲートである。図2に示すように、通信機器200は、バルブ230,240とアンテナ110との間と、バルブ230,240と増幅器130,140それぞれとの間における伝送ライン210,220に接続されるインピーダンス整合回路270も任意に備える。幾つかの実施形態において、インピーダンス整合回路270は、グラウンドと伝送ライン210,220上のノードとの間に接続されるコンデンサと、そのノードとバルブ230,240それぞれとの間における伝送ライン210,220と直列に配置されるインダクタとを備えることができる。通信機器200の実施形態によっては、電力増幅器130,受信増幅器140,バルブ230,240及びインピーダンス整合回路270は、パッケージ内の半導体チップ上に配置される。これら実施形態において、アンテナ110と伝送ライン210,220との間の接続は、パッケージを介して、例えば、チップ上のボンディングパッドをパッケージ上のボンディングパッドに接続したり、パッケージ上のボンディングパッドを、アンテナ110を含む回路基板上のボンディングパッドに接続したりすることにより、実現される。幾つかの実施形態において、チップはCMOSチップとして構成される。アンテナ110を接続するための伝送ライン210,220における終端は、本明細書においてアンテナポートと称する。図2に示されていないが、アンテナポートは、伝送ライン210と、伝送ライン220との接点に位置する。言うまでもなく、通信機器200は複数の周波数帯域に対応するため、図2に示されているバルブ及び増幅器に並列な更なるバルブ及び増幅器を追加して備えることができる。例えば高帯域及び低帯域は、2個の電力増幅器130及び2個の受信増幅器140によって対応可能である。それぞれの増幅器は、アンテナ110への専用の伝送ラインを有し、これら専用の伝送ラインはそれぞれ、対応するバルブにより制御される。スイッチは、一方の側のアンテナポート近年の手法では通常、アンテナは回路基板上、又は回路基板上に実装された所定の基板上にプリントされるを、一方の位置において、受信機の低ノイズ増幅器の入力端に接続し、また他方の位置において、電力増幅器の出力端に接続するものである。本明細書におけるバルブは、以下の、素子、配置及び特性を有する電気回路として定義する。即ちバルブは、伝送ラインセグメントと、ノードにおいて伝送ラインに接続され、かつ伝送ラインセグメントに沿って配置されるセグメントを含む第1導電ラインと、第1導電ラインをグラウンドに接続又は切り離すスイッチとを備える。このバルブにおいて、あるラインセグメントは他のラインセグメントに沿って配置され、これら2つのラインセグメントは一定の共通路にわたって隣同士に配置される。例えばこの共通路は、直線部、曲線部、8の字部又は矩形波部を含むことができる。ラインセグメントの例示的な配置は、図4~図6に示す。第1ラインセグメント及び伝送ラインセグメントは、電流が両セグメントを流れるとき、伝送ラインの電流は一方向に流れるのに対して、第1ラインの電流は逆方向に流れるよう配置される。第1ラインセグメント及び伝送ラインセグメントの電流は互いに逆の方向に流れ、しかも第1ラインセグメントは伝送ラインセグメントに沿って配置されるため、両セグメントに電流が流れた場合、伝送ラインセグメントのインピーダンスは、第1ラインに電流が流れない場合に比べて増加する。インピーダンスの増加により、伝送ラインに沿って伝搬される信号は減衰する。本明細書を通して、バルブは、第1ラインを電流が流れるときはオン状態に、電流が流れないときはオフ状態にあるものとする。伝送ラインにおけるインピーダンス及びRF信号の減衰量は、バルブがオン状態にある場合には高く大きく、オフ状態にある場合には低い小さい。実際に伝送ライン上で実現されるインピーダンスは、信号周波数、ラインセグメントの配置、及びそれぞれのラインセグメントに流れる電流量に依存する。本明細書におけるバルブは、従来技術のスイッチ120とは以下の点において区別される。即ちスイッチ120は、1つの伝送ラインを2つの伝送ラインのいずれかに交互に接続するのに対して、本明細書におけるバルブにおいては伝送ラインが切断されない。更に本明細書におけるバルブは、電界効果トランジスタFETとも区別されるものである。図3は、例示的なバルブ300を概略的に示している。バルブ300は、伝送ラインセグメント320を含む伝送ライン310と、伝送ラインセグメント320に沿って配置されている第1ラインセグメント340を含む第1ライン330とを備える。更にバルブ300は、第2ライン350と、伝送ラインセグメント320に沿って配置されている第2ラインセグメント360とを任意に備える。なお、図3において、ラインセグメント320,340,360はそれぞれの残部とは異ならせて示しているが、これらラインセグメントを構成する金属線の物理的寸法幅及び厚さは、ラインにおける他の箇所と同一にできることは言うまでもない。ライン330,350は、ノード370において伝送ライン310に接続されている。更にバルブ300は、ライン330,350をグラウンドに接続又は切り離すスイッチ380を備える。図示するように、ラインセグメント320,340及び任意の360は、それぞれに電流が流れるとき、第1及び第2ラインセグメント340,360を流れる電流は一方向に流れるのに対して、伝送ライン320を流れる電流はこの方向とは逆方向に流れるように構成されている。第2ライン350を含まない実施形態において、バルブがオン状態にあるとき、伝送ライン310及び第1ライン330を流れる電流はそれぞれ、バルブ300が受ける電流のおよそ半分である。第2ライン350を含む実施形態において、伝送ライン310を流れる電流はバルブ300が受ける電流のおよそ半分であるのに対して、ライン330,350それぞれを流れる電流はバルブ300が受ける電流のおよそ4分の1である。バルブ300の幾つかの実施形態において、バルブ300は0.5dB未満の挿入損失を有する。好適には、ノード370からセグメント340,360までの距離の差は波長における整数倍とし、これによりセグメント340,360に沿って位相が維持される。図4は、バルブ部分の一例を示している。この実施形態において、伝送ラインセグメント320は、円弧部を含み、第1及び第2ラインセグメント340,360は、伝送ラインセグメント320の両側に沿って配置されている。ラインセグメント320,340,360それぞれにおける電流の流れ方向は、矢印で示されている。図4の実施形態において、ラインセグメント320,340,360の長さは近似しているが同一ではない。言うまでもなく、ラインセグメント320,340,360の長さは、それぞれの円弧範囲の角度を異ならせることにより同一とすることができる。円弧部の例示的な直径は、300μm~1mmとする。また、図4のラインセグメント320,340,360の幅は同一であるが、実施形態によっては、第1及び第2ラインセグメント340,360の幅は同一とし、これらの幅は伝送ラインセグメント320と異ならせる。更に他の実施形態においては、それぞれのラインセグメント320,340,360の幅を互いに異ならせる。ラインセグメント320,340,360への接続は、図面の平面上又は平面下における配線層に接続されたビアを介して実現することができる。ラインセグメント320,340,360の幅は、例えば10μm~300μmとする。図5は、バルブ部分の他の一例を示している。この実施形態において、ラインセグメント320,340,360は積層状態の円弧部を含み、ラインセグメント340,360は、伝送ラインセグメント320に沿った状態で、伝送ラインセグメント320の上下に配置されている。図5は、ラインセグメント320,340,360を上面図及び断面図で示すものである。上面図は一組のリード線500を示し、これらリード線500はラインセグメント320,340,360のいずれにも接続可能である。ラインセグメント340,360への接続は、代替的にビアにより実現することもできる。ラインセグメント320,340,360それぞれにおける電流の流れ方向は、断面図に示されている。更に断面図は、ラインセグメント320,340,360間の誘電体層510も示している。図5の実施形態においては、ラインセグメント320,340,360の長さ、幅及び厚さは同一とされているが、他の実施形態においてはこれに限定されるわけではない。ラインセグメント320,340,360における円弧部の直径及び幅は、例えば、図5の実施形態においてもそれぞれ300μm~1mm及び10μm~300μmとする。図6は、バルブ部分の更に他の一例を示している。この実施形態において、伝送ラインセグメント320は8の字部を含み、ラインセグメント340,360は、伝送ラインセグメント320に沿って配置されている。この実施形態において、ラインセグメント320,340,360の長さ及び厚さは同一とされているのに対して、伝送ラインセグメント320の幅はラインセグメント340,360の幅よりも大きい。ラインセグメント320,340,360における8の字部における円弧部の直径及び幅は、例えば、図示の実施形態においてもそれぞれ300μm~1mm及び10μm~300μmとする。図7は、バルブ300の例示的な実施形態を概略的に示している。この実施形態において、バルブ300が備えるスイッチ380は、ソース及びドレインを有し、MOSゲート710及び接合ゲート720により制御されるダブルゲート半導体デバイスを含んでいる。上述した米国特許出願第12/070,019号には、このような構成が開示されている。米国特許出願第12/070,019号に記載されているように、MOSゲート710及び接合ゲート720は制御回路により互いに接続され、このような制御回路は場合によってコンデンサのみで構成することができる。言うまでもなく、シングルゲート半導体デバイスもスイッチ380として使用できる。図8は、オン状態の例示的なバルブに基づく伝送ライン上の減衰量を信号周波数の関数として示すグラフであり、図9は、オフ状態のバルブにおける同様のグラフである。いずれのグラフも6GHzまでの同一周波数範囲に亘っているが、異なる縦軸目盛りを採用している。図8に示すように、バルブがオン状態にあるときは、1GHzでの減衰量はおよそ10dBであり、この減衰量は周波数の減少に伴って増加する。図9に示すように、バルブがオフ状態にあるときは、減衰量はより低い周波数において十分小さく、6GHzでおよそ1.3dBである。従ってバルブがオフ状態にあるとき、およそ2GHzまでの動作範囲においては、伝送ライン上におけるRF信号の減衰量は僅かである。他方でバルブがオン状態にあるとき、電力増幅器130からのRF信号は大幅に減衰される。更なる減衰を実現するため、例えば複数個のバルブを直列配置することができる。幾つかの実施形態において、オン状態のバルブによって、電力増幅器130の一次周波数で実現される遮断量は、少なくとも22dBである。言うまでもなく、図8及び図9のグラフは、回路全体から取り出した場合の例示的なバルブの動作を示すものである。図10は、バルブ230がオフ状態にあるときの送信伝送ライン210における全体的な減衰量を示し、図9との違いは、通信機器200における回路の残部構成によるものである。図10に示すように、電力増幅器130がおよそ2GHzの周波数を伝送する場合には信号はほぼ減衰されないが、およそ4GHzの第2高調波は大幅に減衰され、より高い高調波も同様に減衰される。従って、バルブ230がオン状態であるときは、送信伝送ライン210は、電力増幅器130による一次周波数より大きな周波数が大幅に減衰されるため、図2に示す回路を含む製品は、電力増幅器130とアンテナ110との間に、一次周波数の高調波を除去するためのフィルタを含まないことができる。これら実施形態の幾つかにおいて、第2高調波の減衰量は、フィルタを配置しない場合、少なくとも20dBである。高次の高調波は、更に大きく減衰される。例えば第3高調波は場合により、少なくとも30dB減衰され得る。図11は、本発明に係る例示的な方法1100を示すフローチャートである。例えば方法1100は、RFスイッチ装置を含むトランシーバに接続されたアンテナを備える通信機器を作動させる方法に適用することができる。方法1100は、RF信号を伝送するステップ1110とRF信号を受け取るステップ1120との2つのステップを交互に切り替えるものである。RF信号を伝送するステップ1110において、RF信号は送信伝送ラインを介して電力増幅器からアンテナに伝送される。また、ステップ1110は、受信増幅器とアンテナとの間に接続された受信伝送ライン上でRF信号を抑制することを含む。本明細書で信号に関連して使用する抑制するは、信号を伝送する伝送ライン上で電気的に誘発されるインピーダンスに基づく減衰として定義する。従って当然ながら、図1に示す従来技術のように、伝送ライン上の信号が、受信増幅器130とアンテナ110との間における電気路を遮断するスイッチ120により受信増幅器130へ到達しない場合、実際にスイッチ120が受信増幅器130への信号の到達を阻止しているわけだが、本発明においては、スイッチが信号を抑制しているとは解さない。抑制するimpedingという動詞における他の時制も、同様の意味として定義する。ステップ1120において、RF信号はアンテナから受信伝送ラインを介して受け取られる。また、ステップ1120は、電力増幅器からのRF信号を送信伝送ライン上で抑制することを含む。電力増幅器からのRF信号は、例えば、電力増幅器が伝送を行わない場合の単なるノイズであり得る。種々の実施形態におけるステップ1110又はステップ1120の一方においては、いずれかの伝送ライン上におけるRF信号の抑制は、バルブをオン状態に維持することを含むものであり、この場合にバルブは伝送ラインとグラウンドとの間に配置される。これら実施形態の幾つかにおいて、バルブはダブルゲート半導体デバイスを含む。これら実施形態において、バルブをオン状態に維持することは、ダブルゲート半導体デバイスがそのソースとドレイン間で導電するようにダブルゲート半導体デバイスのゲートを制御することを含む。他の実施形態においては、CMOSデバイスが、送信伝送ラインを介してRF信号をアンテナにステップ1110で伝送する電力増幅器から、受信伝送ラインを介してアンテナからRF信号をステップ1120で受け取る受信増幅器へ切り替える。上述したように、本発明は特定の実施形態に関して説明されているが、当業者にとって本発明がこれら実施形態に限定されるものでないことは自明のことである。上述した発明に係る種々の特徴及び態様が、個別に又は組み合わせて適用され得る。更に本発明は、本明細書の記載内容に限定されることなく、かつ本明細書の趣旨内において種々の環境下及び用途で利用可能である。従って本明細書及び図面は、限定的なものとしてではなく説明に役立つものとして見なすべきものである。本明細書に使用されている備える、含む及び有するという用語は、技術内容を限定しないものとして理解すべきであることは言うまでもない。"