"基板上に配置された金属含有層を少なくとも部分的にエッチングする方法であって、前記金属含有層の一部がエッチングマスクの下に配置される一方で、前記金属含有層の一部が前記エッチングマスクの下に配置されず、前記方法は、エッチングチャンバに前記基板を配置するステップと、前記エッチングチャンバ内にエッチャントガスを流入させるステップと、前記エッチングチャンバ内で前記エッチャントガスからプラズマを生成するステップと、前記エッチングマスクの下に配置されていない前記金属含有層の一部をエッチングして取り去るステップであって、前記金属含有層の前記エッチングにより取り去られた部分の一部が、前記基板が前記エッチングチャンバ内にある間に、再堆積して残留側壁パッシベーションが形成されるステップと、前記エッチングチャンバへの前記エッチャントガスの前記流入を中断するステップと、前記エッチングチャンバ内にエッチングマスク剥離ガスを流入させるステップと、前記エッチングチャンバ内の前記エッチングマスク剥離ガスからプラズマを生成するステップと、前記基板が前記エッチングチャンバ内にある間に、前記エッチングマスクを剥離させて取り去り、残留側壁パッシベーションの一部を除去するステップと、前記エッチングチャンバから前記基板を取り出すステップと、を備える方法。請求項1記載の方法であって、更に、前記エッチングチャンバ内において、前記基板に、前記エッチャントガスからの前記プラズマを静電気的に引き付けるステップと、前記エッチングチャンバ内において、前記基板に、前記エッチングマスク剥離ガスからの前記プラズマを静電気的に引き付けるステップと、を備える方法。請求項2記載の方法であって、前記エッチングチャンバは、金属エッチングチャンバである、方法。請求項3記載の方法であって、前記エッチングマスクを剥離させて取り去り、前記残留側壁パッシベーションの一部を除去する前記ステップは、更に、前記エッチングチャンバの壁から残留物を除去する、方法。請求項4記載の方法であって、前記エッチングマスク剥離ガスは酸素を含む、方法。請求項5記載の方法であって、更に、ロードロック内に前記基板を配置するステップと、前記エッチングチャンバ内に前記基板を配置するために、前記ロードロックから前記基板を取り出すステップと、を備える方法。請求項6記載の方法であって、更に、前記エッチングチャンバから前記基板を取り出した後、腐食パッシベーションチャンバに前記基板を配置するステップと、ウエハを非プラズマ高温水蒸気に晒すステップと、を備える方法。請求項7記載の方法であって、更に、前記腐食パッシベーションチャンバから冷却ステーションに前記基板を搬送するステップと、前記冷却ステーションにおいて前記基板を冷却するステップと、前記冷却ステーションから前記ロードロックへ前記基板を搬送するステップと、を備える方法。請求項8記載の方法であって、更に、前記エッチングステップ及び前記剥離ステップの間、圧力を1乃至80ミリトールに維持するステップを備える、方法。請求項9記載の方法であって、更に、前記エッチングステップ及び前記剥離ステップの間、前記基板を10°C乃至100°Cの温度に維持するステップを備える、方法。請求項10記載の方法であって、前記エッチャントガスからの前記プラズマを静電気的に引き付ける前記ステップは、前記基板を支持するチャックに、-10乃至-1,000ボルトのバイアス電力でバイアスをかけるステップを含み、前記エッチングマスク剥離ガスからの前記プラズマを静電気的に引き付ける前記ステップは、前記基板を支持する前記チャックに、-10乃至-1,000ボルトのバイアス電力でバイアスをかけるステップを含む、方法。請求項4記載の方法であって、更に、前記エッチングステップ及び前記剥離ステップの間、圧力を1乃至80ミリトールに維持するステップを含む、方法。請求項12記載の方法であって、更に、前記エッチングステップ及び剥離ステップの間、前記基板を10°C乃至100°Cの温度に維持するステップを含む、方法。請求項13記載の方法であって、前記エッチャントガスからの前記プラズマを静電気的に引き付ける前記ステップは、前記基板を支持するチャックに、-10乃至-1,000ボルトのバイアス電力でバイアスをかけるステップを含み、前記エッチングマスク剥離ガスからの前記プラズマを静電気的に引き付ける前記ステップは、前記基板を支持する前記チャックに、-10乃至-1,000ボルトのバイアス電力でバイアスをかけるステップを含む、方法。基板上に配置された金属含有層を少なくとも部分的にエッチングする方法であって、前記金属含有層の一部がエッチングマスクの下に配置される一方で、前記金属含有層の一部が前記エッチングマスクの下に配置されず、前記方法は、エッチングチャンバに前記基板を配置するステップと、前記エッチングマスクの下に配置されていない前記金属含有層の一部をエッチングして取り去るステップであって、前記金属含有層の前記エッチングにより取り去られた部分の一部が、前記基板が前記エッチングチャンバ内にある間に、再堆積して前記基板上に残留側壁パッシベーションが形成されるステップと、前記基板が前記エッチングチャンバ内にある間に、前記エッチングマスクを剥離させて取り去り、側壁パッシベーションの一部を除去するステップと、前記エッチングチャンバから前記基板を取り出すステップと、を備える方法。基板上に配置された金属含有層を少なくとも部分的にエッチングする装置であって、前記金属含有層の一部がエッチングマスクの下に配置される一方で、前記金属含有層の一部が前記エッチングマスクの下に配置されず、前記装置は、エッチングチャンバに前記基板を配置する手段と、前記エッチングチャンバ内にエッチャントガスを流入させる手段と、前記エッチングチャンバ内で前記エッチャントガスからプラズマを生成する手段と、前記エッチングマスクの下に配置されていない前記金属含有層の一部をエッチングして取り去る手段であって、前記金属含有層の前記エッチングにより取り去られた部分の一部が、前記基板が前記エッチングチャンバ内にある間に、再堆積して残留側壁パッシベーションが形成される手段と、前記エッチングチャンバへの前記エッチャントガスの前記流入を中断する手段と、前記エッチングチャンバ内にエッチングマスク剥離ガスを流入させる手段と、前記エッチングチャンバ内の前記エッチングマスク剥離ガスからプラズマを生成する手段と、前記基板が前記エッチングチャンバ内にある間に、前記エッチングマスクを剥離させて取り去り、残留側壁パッシベーションの一部を除去する手段と、前記エッチングチャンバから前記基板を取り出す手段と、を備える装置。前記の観点から、残留側壁パッシベーションの改良された除去を提供することが望ましい。更に、費用の少ないエッチングルールを提供することが望ましい。更に、エッチングツールのスループットを増加させることが望ましい。本発明は、一実施形態において、エッチングツールのエッチングチャンバにおいて、金属層をエッチングし、有機材料のエッチングマスクを剥離させ、残留側壁パッシベーションを除去する方法に関する。エッチングマスクの剥離及び側壁パッシベーションの除去は、エッチングチャンバ内の酸素プラズマ又はその他の剥離プラズマによって、エッチングチャンバ内で達成される。このエッチングチャンバは、エッチングマスクの剥離と残留側壁パッシベーションの除去との両方を約30秒間で行うことが可能な場合がある。腐食パッシベーションは、高温度環境においてウエハを水蒸気に晒す腐食パッシベーションチャンバ内で提供される。本発明は、第二の実施形態において、基板上に配置された金属含有層を少なくとも部分的に通じてエッチングする方法に関し、前記金属含有層の一部はエッチングマスクの下に配置され、前記金属含有層の一部はエッチングマスクの下に配置されず、エッチングチャンバ内に基板を配置することと、エッチングチャンバ内にエッチャントガスを流入させることと、エッチングチャンバ内のガスからプラズマを生成することと、エッチングマスクの下に配置されていない金属含有層をエッチングで取り去ること及び残留側壁パッシベーションを形成することと、エッチャントガスの流入を中断することと、エッチングマスク剥離ガスをエッチングチャンバに流入させることと、エッチングチャンバ内のエッチングマスク剥離ガスからプラズマを形成することと、エッチングマスクを剥離させ取り去ること及び基板がエッチングチャンバ内にある間にある程度の残留側壁パッシベーションを除去することと、エッチングチャンバから基板を取り出すことと、のステップを含む。本発明の前記その他の特徴は、本発明の詳細な説明において、図との関連において、更に詳しく説明されよう。本発明は、同様の参照番号が類似の要素を示す添付図面の各図において、例示的且つ非限定的に示される。以下、添付図面に例示したくつかの好適な実施形態に基づき、本発明を詳細に説明する。以下の説明において、本発明の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細について述べる。しかしながら、当業者に明らかなように、本発明は、こうした具体的な詳細の一部又は全部がなくとも実施することができる。また、本発明がいたずらに不明瞭になるのを避けるために、周知の工程ステップ及び/又は構造については説明していない。説明を容易にするために、図3では、本発明のエッチングツールの説明図を示しており、これは、ロードロック32と、エッチングチャンバ34と、腐食パッシベーションチャンバ36と、冷却ステーション38とを備える。図4A及び4Bは、下で説明する工程のフローチャートを示す。エッチングツール30の動作において、基板44は、ロードロック32に配置され、これにより、エッチングツール30内の負圧を維持しながら、半導体ウエハをエッチングツール30に入れることができるステップ402。図3に示す例において、基板44は、金属含有層45が付いた半導体ウエハであり、金属含有層の一部はエッチングマスク46の下に配置されている。ロードロック32から、ウエハは、金属エッチングチャンバ34に搬送されるステップ404。好適な実施形態において、エッチングチャンバ34は、反応イオンチャンバである。本発明の他の実施形態において、エッチングチャンバ34は、プラズマ生成デバイスを有する他のタイプのエッチングチャンバを使用することができる。好適な実施形態において、エッチングチャンバ内の圧力は、1乃至80ミリトールに維持される。更に好ましくは、エッチングチャンバ内の圧力は、1乃至40ミリトールに維持される。最も好ましくは、エッチングチャンバ内の圧力は、5乃至20ミリトールに維持される。これは、多くの従来技術の剥離チャンバにおいて維持される圧力よりも低い圧力である。エッチングチャンバ34のエッチングサイクル中には、エッチャントガスをエッチングチャンバ34内に流入させるステップ406。本発明の好適な実施形態において、エッチャントガスは、Cl2及びBCl3三塩化ホウ素を含む。他の実施形態において、N2又はCHF3等の添加物を、エッチングの性質に応じて追加することができる。エッチャントガスの量は、従来技術において知られている。電力は、高周波電力として、エッチャントガスに供給され、プラズマを生成するためにエッチャントガスに誘導結合されるステップ408。好適な実施形態において、エッチャントガスに供給される電力は、300乃至3,000ワットである。更に好ましくは、エッチャントガスに供給される電力は、300乃至1,500ワットである。最も好ましくは、エッチャントガスに供給される電力は、600乃至1,000ワットである。他の実施形態では、エッチャントガスをプラズマに変換するために、マイクロ波電力又は静電結合等、他の方法を使用する。基盤を支持するチャックにバイアス電圧を加え、ウエハ全体で電位を生じさせ、これにより、エッチャントガスから生成されたプラズマをウエハに静電気的に引き付けるステップ410。好適な実施形態において、バイアス電圧は、-10乃至-1,000ボルトである。更に好ましくは、バイアス電圧は、-25乃至-600ボルトである。最も好ましくは、バイアス電圧は、-50乃至-400ボルトである。バイアス電圧は様々な要素に応じて変化するため、バイアス電力を測定する方が容易である。本発明の好適な実施形態において、バイアス電力は、10乃至800ワットである。更に好ましくは、バイアス電力は、25乃至500ワットである。最も好ましくは、バイアス電力は、50乃至250ワットである。ウエハ温度は、10乃至100°Cに維持されるステップ412。更に好ましくは、ウエハは、20乃至80°Cの温度に維持される。最も好ましくは、ウエハは、40乃至60°Cの温度に維持される。エッチャントガスからのプラズマは、ウエハの表面に衝突し、エッチングマスクの下になっていない金属含有層の一部をエッチングして取り去るステップ414。金属含有層のエッチングされた部分から出た残留物の一部は、金属含有層上に再堆積し、残留側壁パッシベーションを形成する。加えて、炭素ベースの残留物及びその他の残留物といったエッチャントガスからの残留物は、有機物の性質を有し、エッチングチャンバ34の壁に堆積する。金属含有層が十分にエッチングされた後、エッチャントガスの流入が中断されステップ416、エッチングは停止され、エッチングサイクルは完了する。次に、剥離サイクルが開始される。剥離ステップ中、エッチングマスク剥離ガスが、次にエッチングチャンバ34に導入されるステップ418。本発明の好適な実施形態において、剥離ガスは、0乃至100のアルゴン及び0乃至100の酸素を含む。更に好ましくは、剥離ガスは、0乃至50のアルゴン及び50乃至100の酸素を含む。最も好ましくは、剥離ガスは、0乃至10のアルゴン及び90乃至100の酸素を含み、例えば、5のアルゴン及び95の酸素である。他の実施形態において、剥離ガスは、酸素と、アルゴンと、四フッ化炭素と、ヘリウムと、キセノンと、六フッ化硫黄と、窒素と、水素と、ネオンとを、別個に含むことが可能であり、或いはこれらの混合物を含むことが可能である。好ましくは、剥離ガスの混合物は、約70乃至80のヘリウムと約20乃至30の酸素とにすることが可能であり、或いは窒素と水素とにすることが可能である。好適な実施形態においては、電力は、高周波電力として、剥離ガスに供給され、エッチングチャンバにおいて剥離ガスからプラズマを生成するために誘導結合される。ステップ420高周波電力は、酸素を励起及びイオン化し、酸素を酸素プラズマに変換する。好適な実施形態において、剥離ガスに供給される電力は、300乃至3,000ワットである。更に好ましくは、剥離ガスに供給される電力は、300乃至1,500ワットである。最も好ましくは、剥離ガスに供給される電力は、600乃至1,000ワットである。本発明の好適な実施形態において、エッチャントガスに投入する電気量は、剥離ガスに投入する電気量と同じであり、複雑性の少ない手順が提供される。しかしながら、他の好適な実施形態においては、エッチャントガスに投入する電気量は、剥離ガスに投入する電気量とは異なる。基板を支持するチャックにバイアス電圧を加え、これにより、剥離ガスから生成されたプラズマをウエハに静電気的に引き付けるステップ422。好適な実施形態において、バイアス電圧は、-10乃至-1,000ボルトである。更に好ましくは、バイアス電圧は、-100乃至-800ボルトである。最も好ましくは、バイアス電圧は、-200乃至-600ボルトである。バイアス電圧は様々な要素に応じて変化するため、バイアス電力を測定する方が容易である。本発明の好適な実施形態において、バイアス電力は、50乃至1,500ワットである。更に好ましくは、バイアス電力は、100乃至1,000ワットである。最も好ましくは、バイアス電力は、500乃至800ワットである。本発明の好適な実施形態において、エッチング中に使用されるバイアス電圧及びバイアス電力は、剥離中に使用されるバイアス電圧及びバイアス電力とは異なる。しかしながら、他の好適な実施形態において、エッチング中に使用されるバイアス電圧及びバイアス電力は、剥離中に使用されるバイアス電圧及びバイアス電力と同じである。剥離中、ウエハ温度は、10乃至100°Cの好ましい温度に維持されるステップ424。更に好ましくは、ウエハは、20乃至80°Cの温度に維持される。最も好ましくは、ウエハは、40乃至60°Cの温度に維持される。本発明の好適な実施形態において、エッチング中のウエハ温度は、剥離中のウエハ温度とほぼ等しい温度に維持され、複雑性の少ない手順が提供される。しかしながら、他の実施形態において、エッチング中、エッチング中のウエハ温度は、剥離中のウエハ温度とは異なる。剥離ガスによって生成されたプラズマは、この例においてはフォトレジストマスクであるエッチングマスクステップ426と、ほとんど又はすべての残留側壁パッシベーションステップ428とを剥離させ取り去る。エッチングチャンバのプラズマソースにより生成された励起酸素ラジカルは、有機フォトレジスト層の剥離において主要なコンポーネントとなる。酸素プラズマは、炭素ベースの残留物をエッチングチャンバ34の壁から取り除くことが分かっているステップ430。その結果、エッチングチャンバ34内のウエハからフォトレジストを剥離させる間に、エッチングチャンバ34はエッチングチャンバ自体をクリーニングする。このクリーニングにより、追加のクリーニングを行う必要性が減少する。剥離ガスの流入は、その後、中断されるステップ432。次に、ウエハは、エッチングチャンバ34からステップ434、腐食パッシベーションチャンバ36へ搬送されるステップ436。腐食パッシベーションチャンバ36は、腐食保護を設けるために高温の非プラズマ水蒸気にウエハを晒すことで腐食パッシベーションを提供するステップ438。本発明の一態様は、プラズマソースを使用することなく、腐食パッシベーションを提供する。高温の非プラズマ水蒸気は、下流プラズマソースからの水蒸気プラズマを利用した腐食パッシベーションとほぼ同じスループットで、腐食パッシベーションを提供することが分かっている。腐食パッシベーションチャンバ36の水蒸気は、塩素残留物と共にHClを形成する。高温によりHClを放逐し、塩素がアルミニウムと反応する前にアルミニウム表面から塩素を除去することにより、腐食パッシベーションが提供される。他の実施形態では、水蒸気プラズマを使用する腐食パッシベーションチャンバを使用することができる。ウエハは、次に、腐食パッシベーションチャンバ36から、冷却ステーション38へ搬送されステップ440、ここで半導体ウエハは冷却されるステップ442。半導体ウエハは、次に、冷却ステーション38から、ロードロック32へ戻りステップ444、エッチングツール30内の負圧を維持しながら、エッチングルール30から半導体ウエハを取り出すことができるようになる。半導体ウエハは、その後、エッチングツール30のロードロック32からステップ446、湿式化学剤槽へ搬送されステップ448、ここでウエハは侵襲性化学物質に晒され、残りの残留側壁パッシベーションが除去される。EKC265及びACT935は、残留側壁パッシベーションを剥離させるために湿式化学剤槽において使用される化学物質の例である。ほとんど又はすべての残留側壁パッシベーションはエッチングチャンバにおいて除去されるため、ウエハを化学剤槽に入れておく時間は、従来技術よりも大幅に短縮することになる。ウエハは、その後、湿式槽から取り出されステップ450、更に処理が施され、デバイスが完成する。本発明の好適な実施形態におけるエッチングツール及び湿式化学剤槽での処理時間は、エッチングチャンバでのエッチング時間と、エッチングチャンバでのエッチングマスク剥離及び残留側壁パッシベーション除去時間と、腐食パッシベーションチャンバでの腐食パッシベーション時間と、エッチングチャンバ及び腐食パッシベーションチャンバ間での搬送時間と、湿式化学剤槽での時間との合計を含む。エッチングチャンバを使用した好適な実施形態でのエッチングマスク剥離時間は、従来技術の剥離チャンバでのエッチングマスク剥離時間よりも短くなる傾向にある。好適な実施形態のエッチングチャンバでの残留側壁パッシベーション時間は、通常、従来技術の湿式化学剤槽での残留側壁パッシベーションよりも大幅に短い。例えば、好適な実施形態のエッチングチャンバでの残留側壁パッシベーション除去時間は、30秒乃至1分程度にすることが可能であり、一方、従来技術の湿式化学剤槽での残留側壁パッシベーションは、20分程度かかる場合がある。エッチングチャンバが残留側壁パッシベーションの剥離に使用されるため、好適な実施形態の湿式化学剤槽での時間は、従来技術の湿式化学剤槽での時間よりも大幅に短くなる。例えば、好適な実施形態において、湿式化学剤槽での時間は、5乃至10分程度にすることが可能であり、一方、従来技術の湿式化学剤槽での時間は、20分程度になる場合がある。こうした湿式化学剤槽で短縮される時間は、スループットを増やすだけでなく、ウエハ当たりの消費化学物質の量も減少するため、化学物質の補給頻度を減らすこと、或いは槽のサイズを小さくすることが可能となる。好適な実施形態の腐食パッシベーションでの腐食パッシベーション時間は、従来技術の剥離チャンバでの腐食パッシベーション時間と同程度の長さにすることができる。本発明の好適な実施形態において、各エッチングツールシステム30は、単一のロードロックと、単一の腐食パッシベーションチャンバと、単一の冷却ステーションと、少なくとも三つのエッチングツールチャンバとを備える。本発明の別の実施形態において、エッチングマスク剥離中には、純酸素が使用される。加えて、単一のガスの使用により、更に簡単な工程にすることが可能である。他の実施形態においては、他の添加物をアルゴンの代わりに使用することができる。他の実施形態において、エッチングツールは、ロードロックと、エッチングチャンバと、冷却ステーションとを備え、腐食パッシベーションチャンバを備えない。本発明の別の実施形態において、湿式化学剤槽は使用されず、残留側壁パッシベーションの除去は、すべてエッチングチャンバ内で行われる。湿式化学剤槽の排除により、望ましいドライ工程が提供され、有害で、時間がかかり、高価である湿式槽の必要性が排除される。以上、いくつかの好適な実施形態の観点から本発明を説明してきたが、本発明の範囲に入る変形例、置換例、及び均等物が存在する。また、本発明の方法及び装置を実施する多くの代替方法が存在することにも留意されたい。従って、前記特許請求の範囲は、本発明の本来の趣旨及び範囲に入るすべての変形例、置換例、及び均等物を含むものとして解釈されるべきである。"