"半導体発光デバイスをパッケージングする方法であって、前記発光デバイスをサブマウントの上に配置すること、および、前記発光デバイスから放出された光を受け取り波長変換するように、中実波長変換部材を、前記サブマウント上で、前記発光デバイスを覆い、かつ前記発光デバイスからずらして位置決めすることを含むことを特徴とする方法。前記中実波長変換部材は、波長変換材料を中に有するガラス、シリコン、および/または硬化エポキシの剛性波長変換部材を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記波長変換材料は、燐光体を含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。前記発光デバイスは、発光ダイオードLEDを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。前記波長変換部材は、前記発光デバイスと反対側のその表面上で平坦および/または凸形であることを特徴とする請求項2に記載の方法。前記サブマウントは、半導体基板を含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。剛性波長変換部材を前記サブマウント上で位置決めする前に、その波長変換特性を決定するために前記剛性波長変換部材を試験することを特徴とする請求項2に記載の方法。発光デバイスを受け取るように構成されたマウント位置を含む半導体基板を供給すること、前記マウント位置から前記基板の外部表面に延びる第1の導電経路を形成すること、前記マウント位置から前記基板の外部表面に延びる第2の導電経路を形成することであって、前記第1の導電経路および前記第2の導電経路はドープされた領域を含み、前記マウント位置に、そこから延びた前記第1の導電経路の端部上で第1のボンドパッドを形成すること、前記マウント位置に、そこから延びた前記第2の導電経路の端部上で第2のボンドパッドを形成すること、を含むことを特徴とする方法。前記第1と第2の導電経路を結合し、前記マウント位置に位置決めされた発光デバイスに対して静電気放電ESD保護を提供する、一体化された、対向するツェナーダイオード接合を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。前記半導体基板は、半導体材料の第1の導電型のドープ領域を含み、一体化された、対向するツェナーダイオード接合を形成することは、前記第1の導電経路のドープ領域として、前記第1の導電型のドープ領域内に半導体材料の反対の導電型のドープ領域を形成すること、および前記第2の導電経路のドープ領域として、前記第1の導電型のドープ領域内に半導体材料の第2の反対の導電型のドープ領域を形成することを含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。発光デバイスパッケージを形成する方法であって、請求項10に記載の方法を含み、前記第1のボンドパッドに結合された前記発光デバイスの第1のノードと、前記第2のボンドパッドに結合された前記発光デバイスの第2のノードとを有したマウント位置に、前記発光デバイスを位置決めすること、および、前記発光デバイスから放出された光を受け取り波長変換するように、前記発光デバイスを覆って中実波長変換部材を位置決めすることをさらに含むことを特徴とする方法。中実波長変換部材を前記サブマウント上に位置決めする前に、その波長変換特性を決定するために前記中実波長変換部材を試験することを特徴とする請求項11に記載の方法。前記中実の波長変換部材を試験することは、前記波長変換部材をある特定の発光デバイスの出力に整合させることを含み、前記中実波長変換部材を位置決めすることは、前記波長変換部材のある特定の発光デバイス出力への整合を基準にして、前記波長変換部材が前記発光デバイス上を覆うように位置決めするように選択することを含み、前記ある特定の発光デバイス出力は下に位置する前記光デバイスに関連している、請求項12に記載の方法。前記波長変換部材は、前記発光デバイスと反対側のその表面上で平坦および/または凹形であることを特徴とする請求項12に記載の方法。前記マウント位置が、発光デバイスを受け取るように構成された、半導体基板内のキャビティを含み、前記キャビティが、フロアと、前記フロアに対して少なくとも約90°の角度で曲げられた側壁とを有することを特徴とする請求項8に記載の方法。複数の発光デバイスを供給することであって、それぞれの発光デバイスは予め定められた関連する発光デバイスの出力を有し、複数の波長変換部材を供給することであって、それぞれの波長変換部材は予め定められた波長変換特性を有し、前記発光デバイスの1つを、前記波長変換部材の1つに、それらの予め定められた関連する発光デバイスの出力と予め定められた波長変換特性を基準にして整合させることとを含む方法。整合に続いて、前記発光デバイスのうち整合する1つを覆うように位置決めされた前記波長変換部材の1つを、発光デバイスパッケージに組み立てて、前記発光デバイスの所望の出力を供給することを特徴とする請求項16に記載の方法。前記波長変換部材は、波長変換材料を中に有するガラス、シリコン、および/または硬化エポキシの剛性波長変換部材を含み、前記発光デバイスパッケージの組み立ては、前記波長変換部材を、対応する前記発光デバイスの1つからずらして位置決めすることを含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記発光デバイスの出力は周波数を含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。前記波長変換特性は色点を含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。整合は、前記発光デバイスのそれぞれの関連する発光デバイスの出力の差異を基準にして異る波長変換特性を持たせるため、整合した前記波長変換部材の選択を含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。前記関連する発光デバイスの出力は周波数を含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。前記波長変換特性は光透過パターンを含み、前記関連する発光デバイスの出力は、前記発光デバイスの関連したチップ形状に関連した発光パターンを含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。前記複数の波長変換部材を供給する前に、関連した波長変換特性を決定するために前記複数の波長変換部材を試験することを特徴とする請求項16に記載の方法。前記中実波長変換部材を位置決めする前に、前記複数の中実波長変換部材の1つを前記中実波長変換部材として選択することを特徴とする請求項1に記載の方法。従来の白色LEDパッケージで一般に遭遇されるいくつかの問題は、放出の均一性と、パッケージによって生成される視像opticalimageのサイズに関するものである。従来のパッケージは、典型的には金属取付け用キャップのサイズの関数である大きな視像サイズを有する傾向がある。さらに、波長変換材料は、LEDチップのサイズに比べて大きな面積全体にわたって分布する可能性があるため、また、コーティング内での波長変換材料の正確な分布は、制御することが困難である可能性があるため、光出力の均一性と再現性が損なわれるおそれがある。本発明の諸実施形態は、半導体発光デバイスをパッケージングする方法を提供する。発光デバイスは、サブマウントのキャビティ内で配置される。中実波長変換部材solidwavelengthconversionmemberが、発光デバイスから放出された光を受け取り波長変換するように、サブマウント上で、発光デバイスを覆って位置決めされる。中実波長変換部材は、波長変換材料を中に有するガラス、シリコン、および/または硬化エポキシの剛性波長変換部材とすることができる。波長変換材料は、燐光体とすることができる。波長変換部材は、発光デバイスと反対側のその表面上で平坦および/または凹形とすることができる。波長変換部材をサブマウント上で位置決めする前に、その波長変換特性を決定するために波長変換部材を試験することができる。本発明の他の実施形態では、半導体発光デバイス用のサブマウントは、発光デバイスを受け取るように構成されたキャビティをその中に有する半導体基板を含む。キャビティ内の第1のボンドパッドは、キャビティ内で受け取られた発光デバイスの第1のノードに結合するように位置決めされる。キャビティ内の第2のボンドパッドは、その中で位置決めされた発光デバイスの第2のノードに結合するように位置決めされる。キャビティは、フロアと、そのフロアに対して少なくとも約90°の角度で曲げられたangled側壁とを含むことができる。第1および第2のボンドパッドは、キャビティ内のフロア上で位置決めすることができる。本発明の他の実施形態では、キャビティは、少なくともその中で受け取られる発光デバイスの高さの、フロアから半導体基板の上部表面までの高さを有する。受取り用凹部を、半導体基板の上部表面内で、キャビティに隣接して設けることができる。その凹部は、中実波長変換要素を受け取るように、またキャビティ内の発光デバイスから放出される光を受け取るためにキャビティを覆って波長変換要素を位置決めするように構成することができる。反射材料コーティングは、キャビティのフロアおよび/または側壁上で設けることができる。本発明の他の実施例では、半導体基板は、基板を介して、第1のボンドパッドから半導体基板の外部表面にかけて延びる第1の導電経路を含む。第2の導電経路は、基板を介して、第2のボンドパッドから基板の外部表面にかけて延びる。第1および第2の導電経路は共に、半導体基板の外部表面の下側に延びることができる。第1の外部取付け用パッドおよび第2の外部取付け用パッドは、半導体基板の外部表面上で位置決めすることができる。第1の導電経路は第1の外部取付け用パッドに延びることができ、第2の導電経路は第2の外部取付け用パッドに延びることができる。本発明の他の実施形態では、一体化された、対向するツェナーダイオード接合が、第1と第2の導電経路を結合し、キャビティ内で取り付けられた発光デバイスに対して静電気放電ESD保護を提供する。対向するツェナーダイオード接合は、第1の導電経路の少なくとも一部分および第2の導電経路の少なくとも一部分を形成する半導体材料の第1の導電型のドープ領域と、それらの間で位置決めされた半導体材料の反対の導電型のドープ領域とを含むことができる。第1の導電型はn型とすることができ、反対の導電型はp型とすることができる。n型ドープ領域は、第1および第2のボンドパッドまたは第1および第2の外部取付け用パッドのうち、それぞれのパッドと接触することができる。半導体基板は、p型基板とすることができ、n型ドープ領域は、p型基板内のn型ドーパントのウェルとすることができる。第1および第2の導電経路は、それぞれの第1型ドープ領域から延びるそれぞれの金属充填バイア部分をさらに含む。本発明の他の実施形態では、上述のようなサブマウントを含む発光デバイスパッケージは、キャビティ内で、発光デバイスと波長変換部材の間でカプセルの材料をさらに含む。カプセルの材料は、少なくとも約1.5の屈折率を有することができる。本発明の他の実施形態では、発光デバイスパッケージは、その中にキャビティを有する半導体基板を含む。キャビティは、フロアと、そのフロアに対して少なくとも約90°の角度で曲げられた側壁とを有することができる。キャビティ内の第1のボンドパッドは、キャビティ内で受け取られた発光デバイスの第1のノードに結合するように位置決めされ、キャビティ内の第2のボンドパッドは、その中で位置決めされた発光デバイスの第2のノードに結合するように位置決めされる。第1の導電経路は、基板を介して、第1のボンドパッドから半導体基板の外部表面にかけて延び、第2の導電経路は、基板を介して、第2のボンドパッドから基板の外部表面にかけて延びる。発光デバイスは、キャビティ内で受け取られ、第1および第2のボンドパッドに結合されたノードを有する。一体化された、反対のツェナーダイオード接合は、第1と第2の導電経路を結合し、発光デバイスに静電気放電ESD保護を提供する。中実波長変換部材は、発光デバイスから放出された光を受け取り波長変換するように、半導体基板の上部表面上で、発光デバイスを覆って位置決めされる。本発明の他の実施形態では、半導体発光デバイス用のサブマウントを形成する方法は、発光デバイスを受け取るように構成された、半導体基板内のキャビティを形成することを含む。キャビティは、フロアと、そのフロアに対して少なくとも約90°の角度で曲げられた側壁とを有する。第1の導電経路が、キャビティから基板の外部表面に延びて形成され、第2の導電経路が、キャビティから基板の外部表面に延びて形成される。第1のボンドパッドが、キャビティ内で、その中で形成された第1の導電経路の端部上で形成され、第2のボンドパッドが、キャビティ内で、その中で形成された第2の導電経路の端部上で形成される。本発明の他の実施形態では、発光デバイスの第1のノードが第1のボンドパッドに結合され、また発光デバイスの第2のノードが第2のボンドパッドに結合されて、発光デバイスをキャビティ内で位置決めすることによって、発光デバイスパッケージが、サブマウントを使用して形成される。中実波長変換部材は、発光デバイスから放出された光を受け取り波長変換するように、基板上で、発光デバイスを覆って位置決めされる。中実波長変換部材は、その波長変換特性を決定するために、基板上で位置決めする前に試験することができる。次に、以下、本発明について、本発明の諸実施形態が示されている添付の図面を参照して、より完全に述べる。しかし、この発明は、多数の異なる形態で実施することができ、本明細書で述べられている諸実施形態に限定されると解釈すべきでない。むしろ、これらの実施形態は、これらの開示が徹底した、かつ完全なものとなる、また本発明の範囲を当業者に完全に伝えるように提供されている。図面では、諸層および諸領域のサイズおよび相対サイズは、図が見やすいように誇張されている可能性がある。同様の部材は、全体にわたって同様の要素を参照する。層、領域、または基板など、ある要素が別の要素上にある、またはそれに結合されると称されたとき、直接その他の要素上にある、または結合することができ、また介在要素が存在することもできることは理解されよう。表面など、ある要素の一部が内部と称される場合、その要素の他の諸部よりデバイスの外側から遠いものであることは理解されよう。さらに、下にまたは上にあるなど、相対的な用語が本明細書で使用され、図に示されているように、基板または底部層に比べて、ある層または領域の、別の層または領域に対する関係を述べる可能性がある。これらの用語は、図に示されている向きに加えて、デバイスの異なる向きを包含することが意図されていることは理解されよう。直接という用語は、介在要素がないことを意味する。本明細書では、および/またはという用語は、1つまたは複数のリストされた関連項目の任意の、またすべての組合せを含む。第1、第2などの用語が、様々な要素、構成要素、領域、層、および/またはセクションについて述べるために本明細書で使用される可能性があるが、これらの要素、構成要素、領域、層、および/またはセクションは、これらの用語によって限定されるべきでない。これらの用語は、ある要素、構成要素、領域、層、またはセクションを別の領域、層、またはセクションと区別するために使用されるにすぎない。したがって、下記で論じられる第1の要素、構成要素、領域、層、またはセクションは、本発明の教示から逸脱することなしに、第2の要素、構成要素、領域、層、またはセクションと名付けることができる。また、当業者には理解されるように、本発明は、半導体ウェハやダイシングされたチップに関連して述べられているが、そのようなチップは、任意のサイズにダイシングすることができる。したがって、本発明は、添付の図に示されている相対サイズおよび間隔に限定されない。さらに、図面のいくつかの特徴は、図面が見やすいように、また説明が容易なように誇張された寸法で示されている。本明細書では、半導体発光デバイスという用語は、発光ダイオード、レーザダイオード、ならびに/あるいは、シリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウム、および/または他の半導体材料を含むことができる1つまたは複数の半導体層と、サファイア、シリコン、炭化ケイ素、および/または他のマイクロエレクトロニック基板を含むことができる基板と、金属、および/または他の導電層を含むことができる1つまたは複数のコンタクト層とを含む他の半導体デバイスを含むことができる。いくつかの実施形態では、紫外線、青色、および/または緑色発光ダイオードLEDを提供することができる。次に、本明細書における説明を容易に理解するために、概して炭化ケイ素をベースとする基板上の、窒化ガリウムをベースとする発光ダイオードを参照して、本発明の諸実施形態について述べる。しかし、本発明の他の実施形態が、様々な異なる組合せの基板およびエピタキシャル層に基づくことができることは、当業者には理解されよう。たとえば、組合せには、GaP基板上のAlGaInPダイオード、GaAs基板上のInGaAsダイオード、GaAs基板上のAlGaAsダイオード、SiCまたはサファイアAl2O3基板上のSiCダイオード、ならびに/あるいは、窒化ガリウム、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、サファイア、酸化亜鉛、および/または他の基板上の窒化物をベースとするダイオードが含まれる可能性がある。したがって、たとえば、半導体発光デバイスは、ノースカロライナ州ダーラムのCree,Inc.によって製造および販売されているデバイスなど、窒化ガリウムをベースとするLED、または炭化ケイ素基板上で作製されたレーザとすることができる。本発明は、米国特許に述べられているLEDおよび/またはレーザと共に使用するのに好適なものとすることができ特許文献1から15参照、それらの開示は、参照により本明細書で完全に述べられているかのように本明細書に組み込む。他の好適なLEDおよび/またはレーザは、2003年1月9日に公表されたGroupIIINitrideBasedLightEmittingDiodeStructuresWithaQuantumWellandSuperlatticeGroupIIINitrideBasedQuantumWellStructuresandGroupIIINitrideBasedSuperlatticeStructuresという名称の米国特許出願公開特許文献16参照、ならびにLightEmittingDiodesIncludingModificationsforLightExtractionandManufacturingMethodsThereforという名称の米国特許出願公開特許文献17参照に述べられている。さらに、その開示を参照により完全に述べられているかのように本明細書に組み込む2003年9月9日出願のPhosphorCoatedLightEmittingDiodesIncludingTaperedSidewallsandFabricationMethodsThereforという名称の米国特許出願第10/659241号明細書に述べられているものなど、燐光体でコーティングされたLEDもまた、本発明の諸実施形態において使用するのに好適なものとすることができる。LEDおよび/またはレーザは、発光が基板を介して行われるように動作するように構成することができる。そのような実施形態では、基板は、たとえば上記で引用されている特許文献17に述べられているように、デバイスの光出力を強化するようにパターン形成することができる。本発明のいくつかの実施形態では、発光ダイオードLEDチップを取り付けるためのパッケージは、LEDチップを受け取るためのキャビティを含む半導体サブマウントを含む。キャビティは、フロアと、そのフロアに対して少なくとも90°の角度で曲げられた側壁とを含むことができる。パッケージはさらに、LEDのアノード接点およびカソード接点を接続するために、キャビティのフロア上で少なくともアノードボンドパッドとカソードボンドパッドとを含むことができる。キャビティの深さは、その中で取り付けられるLEDチップの高さよりわずかに大きなものとすることができる。導電バイア接続が基板を介して延び、アノードボンドパッドおよびカソードボンドパッドをそれぞれの外部取付け用パッドに電気的に接続し、外部取付け用パッドは、サブマウントの1つまたは複数の外部側壁上に取り付けることができる。具体的には、そのような導電バイア接続は、パッケージが、事実上絶縁性および/または半絶縁性である場合に使用することができる。いくつかの実施形態では、外部取付け用パッドは、サブマウントの下側に接して形成することができる。キャビティのフロア表面および側壁表面は、反射率を高めるために、銀など反射材料でコーティングすることができる。本発明のいくつかの実施形態では、光学的に透明なカプセルの材料が、キャビティ内の取付け済みLEDチップを取り囲み、保護することができる。カプセルの材料は、チップ/カプセルの材料の境界での反射を減少させ、光抽出を改善することができる約1.5以上の屈折率を有することができる。外部取付け用パッドは、めっき、または他の方法によって、サブマウントの外部表面上で形成することができる。いくつかの実施形態における剛性波長変換要素は、ガラス、シリコーン、エポキシ、または浸漬されたimmersed波長変換材料を有する任意の他の光学的に透明な材料とすることができ、LEDチップの上にあり、キャビティを覆い、その結果、キャビティから逃げる光が波長変換要素を通過し、その中の波長変換材料と相互作用し、波長変換された光を放出することができる。剛性波長変換要素は、平坦なもの、湾曲したものとすることができ、または、所定の光透過パターンを有する薄いレンズを形成するように形作ることができる。たとえば、波長変換要素は、特定のLEDチップ形状の光透過パターンに合致する光透過パターンを有することができる。本発明のいくつかの実施形態では、サブマウントは、第1および第2の高濃度ドープされたn型領域と高濃度ドープされたp型領域とを含み、前記第1および第2のn型領域のそれぞれでツェナー接合を形成する。アノードボンドパッドは、第1のn型領域と電気接触することができ、一方、カソード接点は、第2のn型領域と接触することができる。したがって、LEDチップに対するアノードリードとカソードリードは、取付け済みLEDチップに対して静電気放電ESD保護を提供することができる1対の対向するツェナーダイオード接合によって接続することができる。いくつかの実施形態では、サブマウント内の第1および第2の高濃度ドープされたn型領域が、p型基板内にn型ドーパントのウェルを注入または拡散することによって作製される。金属めっきバイア、または金属充填バイアが、外部接続のために、サブマウントの反対の表面にウェルを接続することができる。次に、本発明の諸実施形態について、図2~7に示されている様々な実施形態を参照して、さらに述べる。より具体的には、発光デバイスパッケージとそのためのサブマウントのいくつかの実施形態が、図2~5に示されている。背景として、従来の滴型上部globtopの白色固体エミッタすなわち、波長変換材料が、従来式で取り付けられたLEDチップの上部を覆うエポキシの塊として付着されるデバイスでは、パッケージされたデバイスによって生成される白色像のサイズは、コンバータを閉じ込めるパッケージリフレクタの光共振器によって画定される。本発明のいくつかの実施形態は、白色コンバータをチップに近づけて配置することを可能にし、おそらくはその像のサイズを縮小する。これは、光共振器内側の従来のワイアボンドおよびワイアボンドパッドの必要をなくすることができる、外側電極パッドに対するバイア電極コネクタによって可能にすることができる。さらに、白色コンバータは、チップレベルで形成することができ、これにより、様々なパッケージプラットフォームにおいて使用することができる柔軟な白色エミッタパッケージを得ることができる。既存のコーティングされた白色チップ解決策に比べて、本発明のいくつかの実施形態は、比較的高コストのLEDチップと組み合わされる前に、確実に正しいカラーポイントを実現するように予めスクリーニングすることができる、予め製造された白色コンバータを使用することができることから利益をもたらすことができる。また、予め製造された波長変換部材は、たとえば特定の発光デバイスを予め試験することによって決定された周波数など特定の発光デバイス出力、およびパッケージされた発光デバイスの所望の出力に合致させることができる。その結果、低コストと改善された歩留まりで、再現可能な、また制御された白色または他の発光を実現することができるチップパッケージを得ることができる。次に、図2の横断面図を参照して、次に本発明のいくつかの実施形態によるサブマウントを含む半導体発光デバイスパッケージについて述べる。図2に示されているように、発光ダイオードLEDチップ12を取り付けるために、パッケージ10が設けられる。図2に示されている実施形態におけるパッケージ10は、LEDチップ12など発光デバイスを受け取るように構成されたキャビティ16を中に有する半導体サブマウント/基板14を含む。キャビティ16は、フロア18と、側壁20とを含むことができる。側壁20は、そのフロアに対して少なくとも約90°の角度で曲げることができる。また、キャビティ16は、たとえばLEDチップ12またはその中で取り付けられる他の発光デバイスの高さより少なくともわずかに大きな高さの、フロア18から半導体基板14の上部表面までの高さ深さを有することができる。図2に示されている諸実施形態の場合、パッケージ10はまた、LED12またはその中の他の発光デバイスのアノード接点ノードおよびカソード接点ノードを接続するために、キャビティ16のフロア18上で位置決めされたアノードボンドパッド22Aとカソードボンドパッド22Bとを含む。本発明のいくつかの実施形態によるボンドパッド22A、22Bを使用することによって、ワイアボンドを必要とすることなしに、サブマウント混成物を製造することができ、これにより、チップおよび/またはパッケージサイズを削減することができる。いくつかの実施形態では、半導体サブマウント/基板14は、シリコンである。キャビティ16は、エッチングおよび/または他の好適な手段によってシリコンサブマウント内で形成することができる。キャビティ16など凹部を作り出すためのシリコンウェハのリソグラフィ、ドーパントの拡散および注入、ツェナーダイオード接合の形成、およびその中の導電バイアの形成を含むシリコン処理方法は、半導体技術において周知であり、本発明に特定の態様に関するものを除いて、本明細書ではそれ以上述べない。本明細書における諸実施形態の説明は、概してシリコンを参照して提示されることになるが、他の半導体材料をサブマウント/基板14用に使用することができる。バイア接続24A、24Bおよびドープ領域34A、34Bを含む導電経路は、本発明のいくつかの実施形態では、サブマウント/基板14を介して、またはその中に延び、アノード24Aボンドパッドおよびカソード24Bボンドパッドをそれぞれの外部取付け用パッド26A、26Bに電気的に接続する。外部取付け用パッド26A、26Bは、サブマウント/基板14の外部表面28を画定する1つまたは複数の壁上に取り付けることができる。電気バイアは、注入、拡散によって、かつ/または金属バイアとしてめっきもしくは同様の方法によって形成することができる。金属バイアは、回路板またはヒートシンク組立体に対する熱放散のために抵抗を低下させるという追加の利点を有する。本発明のいくつかの実施形態では、外部取付け用パッド26A、26Bは、サブマウント/基板14の外部表面28の下側に接して形成される。外部取付け用パッド26A、26Bは、たとえばめっきまたは他の方法によって、サブマウントの外部表面上で形成することができる。キャビティ16のフロア18表面および側壁20表面は、キャビティ16の反射率を高めるために、銀など反射材料でコーティングすることができる。光学的に透明なカプセルの材料30によって、キャビティ16内のLEDチップ12など、取付け済み発光デバイスを取り囲む、かつ/または保護することができる。本発明のいくつかの実施形態では、チップ/カプセルの材料の境界での反射を減少させ、光抽出を改善するために、カプセルの材料30は、約1.5以上の屈折率を有することができる。波長変換要素32は、サブマウント/基板14の上部表面上で、発光デバイス/LEDチップ12を覆って位置決めされる。波長変換要素32は、キャビティ16に隣接する、半導体サブマウント/基板14の上部表面内の凹部32’内で位置決めすることができる。波長変換要素32は、ガラス、シリコーン、硬化エポキシ、および/または、燐光体など浸漬された波長変換材料を有する他の光学的に透明な材料のうち1つまたは複数とすることができる。波長変換要素32は、キャビティ16を覆い、その結果、キャビティ16から逃げる光が波長変換要素32を通過し、その中の波長変換材料と相互作用し、たとえば合成された白色光など波長変換された光を放出することができる。本発明のいくつかの実施形態では、波長変換要素32は、中実部材である。具体的には、そのような諸実施形態における波長変換要素32、32’、32は、剛性の、半剛性の、または可撓性の中実部材とすることができる。図3Aおよび図3Bに示されているように、波長変換要素32、32’、32は、平坦な断面32を有することができ、または、湾曲した形状32’は、所定の光透過パターンを有する薄いレンズ32を形成するように形作ることができる。たとえば、波長変換要素は、特定のLEDチップ形状の光透過パターンに合致する、または所定の近視野または遠視野光パターンを形成するように形作られる光透過パターンを有することができる。波長変換要素は、平坦なもの32図3A、湾曲したもの32’図3A、ならびに/あるいは、発光デバイス12の反対側のその上面および/または下面上の凸形32図3Bおよび/または凹形とすることができる。また、波長変換要素は、堆積する、または他の方法でカプセルの材料内に埋め込むことができる燐光体被膜を含むことができる。本発明のいくつかの実施形態における波長変換要素32は、たとえば、スクリーン印刷、インクジェット印刷、ならびに/または均一な成型および切断など、低コスト、大面積製造技法を使用して、サブマウントと別々に、予め作製することができる。さらに、波長変換要素32は、サブマウント/基板14上で位置決めする前に、発光の均一性を改善するために、個々に、またはバルクシートで成形および試験することができる。波長変換要素32を予め製造する、かつ/または試験することは、特に複数の燐光体を含む波長変換要素を製造することに対して、歩留まりなどにおいて利点をもたらす可能性がある。再び図2に戻れば、本発明のいくつかの実施形態では、サブマウント/基板14は、第1および第2の高濃度ドープされたn型領域34A、34Bを含むことができる。高濃度ドープされたp型領域36は、第1および第2のn型領域34A、34Bと共に、概略的に示されたツェナー接合35A、35Bを形成することができる。その作製方法に応じて、それらの接合は、水平に、または垂直に形成することができる。アノードボンドパッド22Aは、第1のn型領域34Aと電気接触することができ、一方、カソードボンドパッド22Bは、第2のn型領域34Bと電気接触することができる。したがって、キャビティ16内の発光デバイス12のアノードリードノードとカソードリードノードは、一緒に取付け済み発光デバイス/LEDチップ12に対して静電気放電ESD保護を提供することができる図2に概略的に示されている1対の対向するツェナーダイオード接合によって接続することができる。図2にさらに示されているように、パッケージ10は、たとえば従来の方法によって基板31上に取り付けることができる。基板31は、たとえば、プリント回路板、または熱放散を改善することができる金属コアプリント回路板とすることができる。次に、図4を参照して、本発明の他の実施形態について述べる。図4に示されているように、パッケージ100のサブマウント/基板14内の第1および第2の高濃度ドープされたn型領域34A、34Bは、たとえば、p型基板内にn型ドーパントのウェルを注入または拡散することによって作製することができる。金属めっきバイア38A、38Bがウェルをサブマウント/基板14の反対の表面に接続し、外部接続のために、サブマウント/基板14の外部表面に対する第1および第2の導電経路を完成することができる。これにより、LEDと熱放散要素ヒートシンク、金属コアPCBなどとの間で熱抵抗を低減することもできる。ボンドパッド22A、22Bと取付け用パッド26A、26Bは、概して、それぞれn型領域34A、34Bと直接電気接触するべきであり、p型領域36とまたは互いに接触するべきでなく、そうでない場合には、LEDチップ12または埋め込まれたツェナーダイオード接合35A、35Bのアノード接続用ノードとカソード接続用ノードの短絡が発生するおそれがある。したがって、たとえば、絶縁領域をパッド26A、26Bと半導体基板のp型領域との間で位置決めすることができ、あるいは、パッド26A、26Bは、p型領域に重なり合わないようにサイズを制限することができる。静電気放電ESD機能が必要とされない場合など、本発明のいくつかの実施形態では、サブマウントは、半絶縁半導体、セラミック、または類似の材料など、絶縁材料から作製することができる。次に、図5を参照して、本発明の他の実施形態について述べる。図5に示されている本発明の諸実施形態で例示されているように、パッケージ200は、光漏斗lightfunnel220が取り付けられる平面基板214を含むことができる。光漏斗220は、その中で位置決めされるカプセルの材料16の屈折率より小さい屈折率を有する反射中実材料または透明な材料とすることができ、その結果、光漏斗220上で入射する光を、光漏斗220によって画定されたキャビティ16を覆って位置決めされた波長変換要素32に向かって内部反射させることができる。本発明の諸実施形態は、たとえば、純色および/または白色LEDパッケージを提供するのに好適なものとすることができる。具体的には、本発明のいくつかの実施形態は、フットプリントが小さい白色発光パッケージを使用するチップオンボード組立体用に、また、たとえば、導波路内に結合するために、または小ピクセルディスプレイ用に小さいエミッタサイズが望ましい他の白色光応用分野に使用することができる。上述のように、本発明のいくつかの実施形態は、デバイスから放出された光を受け取り波長変換するために、中実波長変換部材をサブマウント上で発光デバイスを覆って位置決めして、サブマウントのキャビティ内で半導体発光デバイスをパッケージングすることを可能にすることができる。本発明について、p型ドープ基板内のn型ドープ領域によって形成されたツェナーダイオード接合を含む諸実施形態を参照して上述したが、本発明の他の実施形態では、p型ドープ領域をn型ドープ基板内で設けることができることは理解されよう。本発明の他の実施形態は、ツェナーダイオード接合を基板内に含むことを必要とせず、外部回路に対する電気接続を、基板14を介して形成された導電バイアによってなど、他の手段によって設けることができる。次に、半導体基板を使用して半導体発光デバイス用のサブマウントを形成するための方法の特定の実施形態について、図6の流れ図を参照して、さらに述べる。図6に示されているように、動作は、発光デバイスを受け取るように構成された半導体基板内でキャビティを形成することによって、ブロック600で始まる。キャビティは、フロアと側壁を有することができ、側壁は、フロアに対して少なくとも約90°の角度で曲げることができる。第1および第2の導電経路を、キャビティから基板の外部表面に延びるように基板内に形成するブロック610。第1のボンドパッドは、キャビティ内で、第1の導電経路の端部上で形成され、第2のボンドパッドは、キャビティ内で、第2の導電経路の端部上で形成されるブロック620。次に図6を参照してさらに述べるように、追加の動作を、本発明の特定の実施形態に従って実施することができる。外部ボンドパッドを、基板の外部表面上で、それぞれの導電経路の端部で形成することができるブロック630。さらに、剛性波長変換部材を受け取るように構成された半導体基板の上部表面上で凹部を形成することができるブロック640。本発明のいくつかの実施形態では、キャビティのフロアおよび/または側壁を含めて、キャビティの内部表面が、反射材料でコーティングされるブロック650。次に、本発明のいくつかの実施形態による発光デバイスパッケージを形成する方法について、図7の流れ図を参照して述べる。図7に示されているように、動作は、サブマウントを設けることによってブロック700で始まる。たとえば、サブマウントは、たとえば、上記の図6を参照して述べたように形成された半導体基板とすることができる。発光デバイスは、サブマウント/基板のキャビティ内で位置決めされるブロック710。発光デバイスの第1のノードは、キャビティ内で形成された第1のボンドパッドと接触して位置決めすることができ、発光デバイスの第2のノードは、基板のキャビティ内で形成された第2のボンドパッドと接触して配置することができる。本発明による方法の特定の実施形態では、中実波長変換部材が、その波長変換特性を決定するために予め試験されるブロック720。そのような試験は、波長変換部材を発光デバイスパッケージに接続する前にその波長特性を試験することによって、形成済み発光デバイスパッケージのより高い歩留まりを実現することができる。試験の後で、中実波長変換部材は、発光デバイスから放出された光を受け取り波長変換するように、サブマウント上で、発光デバイスを覆って位置決めされるブロック730。図3Aおよび図3Bに示されているように、波長変換部材は、キャビティ内で取り付けられた発光デバイスと反対側の、波長変換部材の上部表面上で平坦および/または凹形を有することができる。図6および図7の流れ図、ならびに図2から図5の概略図は、本発明のいくつかの実施形態によるサブマウントおよび/または発光デバイスパッケージを形成するための方法の可能な実施態様の機能および動作を例示する。いくつかの代替の実施態様では、図について述べる上で指摘した諸動作は、図で指摘されている順序を外れて行われる可能性があることに留意されたい。たとえば、連続して示されている2つのブロック/動作は、実際、必要とされる機能に応じて、実質的に同時に実行することができ、あるいは、逆の順序で実行することができる。上記で指摘したように、半導体基板チップキャリア/サブマウントの凹形キャビティ内でLEDチップを取り付けることにより、LEDチップそれ自体よりあまり大きくない、視像サイズが小さい白色放出チップが得られる。凹形キャビティは、光共振器および集光器として働くことができる。また、取付済みLEDチップは、予め製造された、またはその場でin-situ形成された白色コンバータ要素を、LEDチップを覆って近接して配置するための手段を提供することができる。この配置により、LEDチップの像サイズと実質的に同じである白色エミッタの像サイズが実現される可能性がある。所望の機能に応じて、サブマウントは、従来の電子パッケージ内に一体化することができる。また、サブマウントは、独立したチップスケールパッケージを提供するために、それ自体カプセル封じすることができ、それにより、その機械的安定性が改善される可能性がある。前述は、本発明を例示するものであり、本発明を限定するものと解釈すべきでない。本発明の幾つかの例示的な実施形態について述べたが、本発明の新規な教示および利点から実質的に逸脱することなしに、例示的な諸実施形態において多数の修正が可能であることを、当業者なら容易に理解するであろう。したがって、そのような修正すべてを、特許請求の範囲で規定されている本発明の範囲内に含むものとする。したがって、前述は本発明を例示するものであり、開示されている特定の実施形態に限定されるものと解釈すべきでないこと、また、開示されている諸実施形態ならびに他の実施形態に対する修正は添付の特許請求の範囲内に含むものとすることを理解されたい。本発明は、特許請求の範囲の均等物をその中に含めて、添付の特許請求の範囲によって規定される。"