"支持基板1上に電子構成要素を支持する半導体層2’を備える、無線周波数用途又は電力用途のための電子装置において、前記支持基板1が、少なくとも30W/mKの熱伝導率を有するベース層12と、少なくとも5μmの厚さを有する表面層13、14とを含み、前記表面層が、少なくとも3000オームcmの電気抵抗率及び少なくとも30W/mKの熱伝導率を有することを特徴とする、電子装置。前記支持基板1が、シリコンベース基板12上に5μmよりも大きい厚さを有するAlN、アルミナ又は非晶質ダイヤモンドライクカーボンの表面層13を含む、二重層基板であることを特徴とする、請求項1に記載の電子装置。前記支持基板1が、5μmよりも大きい厚さを有する多孔性表面領域14を含むシリコン基板であることを特徴とする、請求項1に記載の電子装置。前記支持基板1が、5μmよりも大きい厚さを有するAlN又はアルミナ被覆で包まれたアルミニウム基板であることを特徴とする、請求項1に記載の電子装置。前記支持基板1が、1015at/cm3よりも高い濃度で金をドープされた表面領域であって、5μmよりも大きい厚さを有する表面領域を含む、シリコン基板であることを特徴とする、請求項1に記載の電子装置。前記電子構成要素を支持する前記半導体層2’が、シリコン、ゲルマニウム又はIII‐V族合金でできていることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の電子装置。50nmよりも小さい厚さを有する酸化シリコン層が、前記支持基板1と前記電子構成要素を支持する前記半導体層2’との間に挿入されることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の電子装置。AlN、アルミナ、非晶質ダイヤモンドライクカーボン又は高抵抗性多結晶質シリコンの層が、前記支持基板1と前記電子構成要素を支持する前記半導体層2’との間に挿入されることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の電子装置。当該電子装置が、150mm以上の直径を有するウェハであることを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載の電子装置。当該電子装置がチップであることを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載の電子装置。前記表面層が、前記ベース層と前記半導体層との間にあることを特徴とする、請求項1~10のいずれか一項に記載の電子装置。支持基板1上に電子構成要素を支持する層2’を備える、無線周波数用途又は電力用途のための装置を製造するためのプロセスであって、以下の連続的なステップ、すなわち、a前記支持基板1上に半導体層2を含む構造を形成するステップと、b前記半導体層2に前記電子構成要素を製造するステップとを含む、プロセスにおいて、ステップaでは、少なくとも30W/mKの熱伝導率を有するベース層12と、少なくとも5μmの厚さを有する表面層13、14とを含む前記支持基板1であって、前記表面層が、少なくとも3000オームcmの電気抵抗率と、少なくとも30W/mKの熱伝導率とを有する、前記支持基板1が使用されることを特徴とする、プロセス。前記支持基板1が、シリコンベース基板12上に5μmよりも大きい厚さを有するAlN、アルミナ又は非晶質ダイヤモンドライクカーボンの層13を含む、二重層基板であることを特徴とする、請求項12に記載のプロセス。前記支持基板が、5μmよりも大きい厚さを有する多孔性表面領域を含むシリコン基板であることを特徴とする、請求項12に記載のプロセス。支持基板1上に電子構成要素を支持する層2’を備える、無線周波数用途又は電力用途のための装置を製造するためのプロセスであって、以下の連続的なステップ、すなわち、aドナー基板20の半導体層2に前記電子構成要素を製造するステップと、b前記電子構成要素を支持する前記半導体層2’を中間基板4上に接合するステップと、c前記電子構成要素を支持する前記層2’を前記中間層4上に移し替えるために前記ドナー基板20の残り22を除去するステップと、d前記電子構成要素を支持する前記層2’を前記支持基板1上に接合するステップと、e前記中間基板4を除去するステップとを含む、プロセスにおいて、ステップdでは、少なくとも30W/mKの熱伝導率を有するベース層12と、少なくとも5μmの厚さを有する表面層13、14とを含む前記支持基板1であって、前記表面層が、少なくとも3000オームcmの電気抵抗率と、少なくとも30W/mKの熱伝導率とを有する、前記支持基板1が使用されることを特徴とする、プロセス。前記支持基板が、シリコンベース基板12上に5μmよりも大きい厚さを有するAlN、アルミナ又は非晶質ダイヤモンドライクカーボンの層13を含む、二重層基板であることを特徴とする、請求項15に記載のプロセス。前記支持基板が、5μmよりも大きい厚さを有する多孔性表面領域を含むシリコン基板であることを特徴とする、請求項15に記載のプロセス。前記支持基板が、5μmよりも大きい厚さを有するAlN又はアルミナ被覆で包まれたアルミニウム基板であることを特徴とする、請求項15に記載のプロセス。前記支持基板が、1015at/cm3よりも高い濃度で金をドープされた表面領域であって、5μmよりも大きい厚さを有する表面領域を含む、シリコン基板であることを特徴とする、請求項15に記載のプロセス。前記ドナー基板20が、第1の基板22と、50nmよりも小さい厚さを有する酸化シリコン層23と、前記半導体層2とを連続的に含み、ステップcの間、前記酸化シリコン層23が、前記電子構成要素を支持する前記半導体層2’上に残されることを特徴とする、請求項15~19のいずれか一項に記載のプロセス。装置は、図1Aから図1Eまで及び図4Aから図4Fまでをそれぞれ参照にして以下に記載される、2つの主なプロセスに従って、製造され得る。第1のプロセス:支持基板上の半導体層における構成要素の製造第1のプロセスは、一般に、支持基板と、構成要素を受け入れるための薄い半導体層とを備える構造をまず製造することと、その半導体層に構成要素を製造することとからなる。構成要素を製造するための技術は、高温、すなわち、典型的には1000°Cよりも高い温度を伴う。従って、このことは、支持基板が、そのような温度に耐え得る必要があることを意味する。その上、支持基板は、構成要素を製造する間にその構造に応力が発生することを阻止するために、構成要素を支持する半導体層の材料の熱膨張係数とほぼ同じ程度の熱膨張係数を問題となっている温度で有するべきである。このようにして、シリコンでできた構成要素を支持する半導体層の場合、および、800°Cにさらされることを要求する構造を製造するためのプロセスの場合、支持基板の熱膨張係数は、1x10-6K-1と5x10-6K-1との間にある。図1Aを参照にすると、以下に詳細に記載される基板から選択される支持基板1が、準備される。図1Bを参照にすると、半導体層2を含むドナー基板20が準備される。半導体層2の厚さは、典型的には10nmと10μmとの間にある。半導体層2は、好適には、シリコン、ゲルマニウム、又は1つ若しくは複数のIII族元素の窒化物例えば、窒化ガリウム、或いはInP若しくはAsGaなどのIII‐V族合金を含む。層2は、特にバルク基板の場合、ドナー基板の一体化した部分であってもよい。代替の実施形態では、層2は、エピタキシーによって基板22この場合には層2の材料のエピタキシャル成長に適した基板22の材料上に形成されていてもよいし、基板22上に接合されていてもよい。図1Cを参照にすると、半導体層2は支持基板1上に接合される。任意選択で、ある層ここには図示されていないが、接合を容易にするために半導体層2上に形成されてもよい。この接合層は、意図された用途と適合する電気的及び/又は熱的特性を有し、接合を可能にする材料で作製されてもよい。例えば、接合層は、その接合層の厚さが50nmを超えないならば、アルミナ、AlN、高い電気抵抗性多結晶質シリコン、又は酸化シリコンからなってもよい。図1Dを参照にすると、支持基板1上に半導体層2だけをとどめるように、ドナー基板20の一部22は除去される。この移し替えは、典型的には、スマートカットSmart-Cut登録商標プロセスによって実行されてもよく、それによって、図1Bに示されるようにドナー基板20は、脆化ゾーン21を形成するように、移し替えられる層2の厚さに対応する深さに原子種の注入を前もって受けていることになる。接合後、脆化ゾーンに対して熱的及び/又は機械的応力を加えることは、残りの構造からのドナー基板の分離を目的として、そのドナー基板の劈開を可能にする。あるいは、ドナー基板は、化学的及び/又は物理的エッチングによって得られる、そのドナー基板の裏面からの薄型化によって除去されてもよい。図1Eを参照にすると、構成要素は、当業者に知られた任意の技術によって、半導体層2に形成される。このプロセスの実施に適しており、優れた電気抵抗率と優れた熱伝導率との両方を有する支持基板は、図2及び図3を参照にして次に記載される。支持基板1は、電子装置のための機械的支えを構成するベース層と、高い熱伝導率と高い電気抵抗率との両方を有するように選択された表面層とを有利に含む。表面とは、その層が、半導体層2に最も近いベース層の側面上に位置することを意味する。しかしながら、いくつかの実施形態では、表面層を形成する手法次第で、ベース層は、表面層によって封入されてもよい。あるいは、表面層は、ベース層の両側上に成膜されてもよい。表面層は少なくとも5μmの厚さを有する。表面層は、高い熱伝導率と高い電気抵抗率との両方を有する。好適には、表面層の熱伝導率は少なくとも30W/mKであり、その表面層の電気抵抗率は少なくとも3000オームcmである。ベース層は、電子装置に対して十分な剛性を与えるように選択された厚さを有する。ベース層は、好適には、支持基板全体を通した熱放散を可能にするために、高い熱伝導率すなわち、少なくとも30W/mKを有する。しかしながら、ベース層は、半導体層から少なくとも5μm厚さの表面層によって分離された半導体層から比較的離れているので、そのベース層は、任意特定の電気抵抗率を示すことを必要としない。特に、ベース層は、表面層の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有してもよい。この点において、ベース層は、大きな直径で利用可能である材料であって、サファイアよりも費用のかからない材料ででき得る一方で、より高い熱伝導率を示す。熱伝導率及び電気抵抗率の要求を切り離すことによって、従って、構成要素に最も近い5μm厚さの層における高い電気抵抗率と、高い熱伝導率とを示す支持基板を定義することが可能である。従って、電気抵抗率を規定する層と、熱伝導率を規定する層とを独立して選択することが可能である。支持基板のいくつかの実施形態は、以下に記載される。二重層支持基板二重層とは、本文において、支持基板が、異なる熱伝導率及び電気抵抗率を有する少なくとも2つの層を含むことを意味する。その少なくとも2つの層は、異なる材料でできていてもよい。図2を参照にすると、支持基板1は、高い熱伝導率を有する第1の材料でできたベース基板12であって、同じく高い熱伝導率を有するが何よりも高い電気抵抗率を有する第2の材料でできた表面層13で被覆された、ベース基板12を含む。第2の材料は、好適には、薄層2の半導体材料に対して優れた付着性を更に有する。これが無い場合には、上記したような接合層が、その支持基板の表面上に設けられてもよい。この基板1は、第2の材料の厚い層すなわち、典型的には10μmよりも大きい厚さ、いずれにしても5μmよりも大きい厚さを有する層13を第1の材料の基板12上に成膜することによって製造される。1つの好適な実施形態によれば、第1の材料はシリコンであり、第2の材料はAlN又は非晶質のDLCとして知られてもいるダイヤモンドライクカーボンである。これらの材料の成膜のための技術は、当業者に知られている。AlN成膜は、化学蒸着CVD及び特に高温化学蒸着HTCVDプロセスを含んでもよい。AlN成膜に適した更なるプロセスは、パルス状のDCスパッタリングである。非晶質ダイヤモンドライクカーボン成膜のために、以下の技術、すなわち、プラズマ促進化学蒸着PECVD、フィルター処理された陰極真空アークFCVA:filteredcathodicvacuumarc技術、パルスレーザー成膜PLDが挙げられ得る。任意選択で、基板1の厚い層13上に層2を接合すること考慮して、微細な酸化シリコン層3が層2上に形成されてもよい。前の事例に記載されたように、酸化物層は50nmよりも小さい厚さを有する。改変された表面領域を有する支持基板本発明に係る支持基板を得るための代替の実施形態は、バルク基板に対して、熱伝導率及び/又は電気抵抗率の点で改善された特性を基板の表面領域に与える表面処理の利用を含む。この点において、ベース層及び表面層は同じ材料でできていてもよいが、表面層の電気抵抗率及び/又は熱伝導率がベース層の電気抵抗率及び/又は熱伝導率と異なるように、表面層の材料は、構造的に並びに/或いは化学的に及び/又は物理的に改変される。より詳細には、バルクシリコン基板の表面は、表面上に、厚い、すなわちおよそ5μmの厚さを有する、多孔性表面層を形成するために、多孔を持たせられporosifiedてもよい。多孔性表面層は、例えばHF型電解質における電気化学反応によって形成される。多孔を持たせられた領域において高い抵抗率を得ることは、この領域の形態構造と関連付けられる。従って、非常に高い電気抵抗率を有する基板の表面領域が形成されることを確実にすることが可能である。図3は、そのような支持基板1上に構成要素の層2’を備える装置を例示し、層2’の下に位置する基板1の領域14は、非常に高い抵抗率を有する。その上、その基板はシリコンでできているので、その基板は、意図された用途のための十分な熱伝導率を有する。第2のプロセス:構成要素を支持する層の支持基板上への移し替え第2のプロセスは、一般に、ドナー基板と呼ばれる基板の半導体層に構成要素を製造することと、構成要素を含む層を最終的な支持基板上に移し替えるために2度の移し替えを実行することとからなる。図4Aに示されるように、半導体層2を含むドナー基板20が準備される。半導体層2の厚さは、典型的には10nmと10μmとの間にある。半導体層2は、好適には、シリコン、ゲルマニウム、又は1つ若しくは複数のIII族元素の窒化物例えば、窒化ガリウム、或いは例えばInP若しくはAsGaなどのIII‐V族合金を含む。層2は、特にバルク基板の場合には、ドナー基板の一体化した部分であってもよい。代替の実施形態では、層2は、ドナー基板20を形成するために、エピタキシーこの場合には層2の材料のエピタキシャル成長に適した基板22の材料によって基板22上に形成されていてもよいし、基板22上に接合されていてもよい。ドナー基板の材料は、構成要素の製造のために使用される高温に耐えるのに適している。その材料はまた、プロセスの様々なステップの間の取り扱いのために十分な剛性を全体に与えるべきでもある。本発明の1つの好適な実施形態によれば、ドナー基板は、絶縁体上の半導体SOI:semiconductoroninsulator型の基板であり、すなわち、機械的な基板として作用する第1の基板22と、50nmよりも小さい厚さを有する酸化シリコンの層又はAlN、アルミナ若しくは高抵抗性多結晶質シリコンの層であり得る埋め込まれた層23と、構成要素が製造される層2とを連続的に備える。この実施形態は、図4Aから図4Fまでに例示される。図4Bを参照にすると、必要とされる構成要素は、当業者に知られたプロセスを用いて、半導体層2に及び/又は半導体層2上に製造される。図4Cを参照にすると、構成要素を含む半導体層2’は、中間基板4上に接合される。この場合では、半導体層2’の構成要素は、その構成要素が製造された配置に対して逆にされた位置に見られる。図4Dを参照にすると、ドナー基板の残り22は、中間基板4上に、層23で被覆された構成要素を支持する層2’だけを残すように、除去される。典型的には後に化学的エッチングが続く機械的なエッチングによって実行される、このドナー基板除去ステップにおいて、層23は、エッチング剤に対してバリア層として作用し、層2’を保護することを可能にする。図4Eを参照にすると、前のステップにおいて得られた構造は、装置の最終的な支持基板である支持基板1上に接合され、層23は境界面に位置している。支持基板1は、本発明に係る基板であり、すなわち、少なくとも5μm厚さの表面層で、高い電気抵抗率と、高い熱伝導率との両方を有する基板である。但し、ドナー基板の接合処理及び薄型化処理が、構成要素の製造よりも低い温度で実施されるならば、支持基板に加えられる熱応力は、第1のプロセスの場合よりも低い。この手法では、支持基板は、400°Cと600°Cとの間の温度に耐えるべきであり、その支持基板の熱膨張係数の影響はまた、第1のプロセスの場合よりも低い。プロセスの実施のために適した支持基板は、以下に記載される。もちろん、第1のプロセスの実施のために考案された支持基板はまた、加えられる熱応力がより低いので、第2のプロセスに使用するのにも適している。この接合ステップでは、層23は、支持基板1上への層2’の付着を容易にするための接合層として作用する。図4Fを参照にすると、中間基板4は、支持基板1上に、再び埋め込まれる層23と、構成要素を含む半導体層2’とだけを残すように除去される。従って、構成要素は、その構成要素が製造された配置に戻される。この除去ステップは、当業者に知られた任意の技術を用いて実施されてもよい。例えば、ドナー基板は、そのドナー基板の裏面からの薄型化であって、化学的及び/又は物理的エッチング研磨による材料除去を含む薄型化をされてもよい。構成要素を支持する層のこの移し替えプロセスを実施するために、そのプロセスの実施の例を記載する文献US6,911,375号に対して、参照がなされてもよい。層23が酸化シリコンの層である場合、その層は、装置に熱障壁を形成しないように十分に薄いことが留意されるべきである。高い電気抵抗率及び高い熱伝導率の両方を有し、このプロセスに使用するのに適した複数の支持基板は、次に記載される。改変された表面層を有する支持基板図3に示される他の実施形態は、熱伝導率及び/又は電気抵抗率の点で改善された特性を基板の表面層に与える表面処理にさらされるバルク基板の使用を含む。この点において、多孔性表面層を有するシリコン支持基板は、この第2のプロセスの実施に適している。1つの代替案によれば、アルミニウム基板は、陽極処理されるか、窒化処理される。陽極処理は、基板について厚さ数十μmまでのアルミナ被覆14の形成をもたらす。その上、形成される層が厚ければ厚いほど、その層の多孔性はより高くなる。アルミニウム基板の窒化処理は、基板についてAlN被覆14の形成を引き起こす。そのようなAlN層を得る更なる手段は、基板を被覆するアルミナ層の炭素還元を実行することから成る。このAlN層の厚さは、大きく、すなわち、典型的には5μmよりも大きい厚さを有する。更なる選択肢は、この層において1015at/cm3よりも高い金濃度を得るように、シリコン基板の上面の比較的かなり大きな厚さすなわち、少なくとも5μおよび好適には数十μmにわたって、金を拡散することである。そのような支持基板は、例えば、金層をシリコン基板の上面上に成膜することによって、更に、シリコン基板のその厚さに金原子の拡散を引き起こす熱処理を加えることによって、得られる。熱処理条件、特にその熱処理の期間は、金が、約5μmの厚さを超えて、更に、その基板の厚さ全体にわたらないで、基板の表面層だけに拡散するように、決定される。論文Semi‐insulatingsiliconformicrowavedevices、D.M.Jordanら、SolidStatePhenomena、第156~158巻2010、第101~106頁は、金を基板全体にわたって拡散することによってシリコン基板をドーピングするためのプロセスを開示するが、SOI型構造の形成のために、封入層の使用を必要とする。得られた装置次に、図1E及び図4Fに一般に例示されるように、構成要素を支持する半導体層に最も近い層上で少なくとも高い電気抵抗率と、高い熱伝導率との両方を有する支持基板1上に、構成要素を支持する薄層2’を備えるウェハが得られる。特に、そのウェハは、そのウェハの構造において、熱障壁を備えていない。なぜなら、そのウェハの断熱性が支持基板内の熱放散を阻害しないように、構成要素を支持する層と支持基板との間に配置された任意の接合層が、断熱材として作用しない材料例えばAl、AlN又は高抵抗性多結晶質シリコン、又は十分に微細なすなわち、50nmよりも小さい厚さを有する酸化シリコンでできているからである。図2及び図3は、支持基板の性質に従って、ウェハの様々な実施形態を例示する。ウェハは、150mmよりも大きい、好適には200mmよりも大きい直径を有利に有する。更にまた、ウェハは、個々のチップに分離するためにそのウェハの厚さに沿って切断されてもよく、その切断技術は当業者に知られている。チップの形成はまた、支持基板の薄型化も含んでもよい。実際、その基板は、プロセスを実施するためのステップの間に十分な剛性を表わすために比較的かなり大きな厚さ典型的には、およそ1mmで提供されるが、チップは、より薄い支持基板典型的には、およそ50μmまたは20μmを用いて機能してもよい。最後に、上記で与えられた例は、本発明の用途の分野に関して決して限定的ではない単なる特定の例示に過ぎないことは明白である。"