n形半導体層と、p形半導体層と、前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられ、前記n形半導体および前記p形半導体層のバンド端発光よりも長波長の光を発光する少なくとも1つ以上の量子井戸を含む発光層と、を備え、前記p形半導体層に隣り合う前記量子井戸を構成する第1の障壁層および第2の障壁層のうちの前記p形半導体層に近い前記第1の障壁層にp形不純物がドープされたことを特徴とする半導体発光装置。前記第2の障壁層に、n形不純物がドープされたことを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。前記第1の障壁層のp形不純物濃度により前記量子井戸に生じる電界が低減されたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。前記発光層は、窒化物半導体を含み、前記p形不純物はマグネシウムMgであることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記発光層は、窒化物半導体を含み、前記n形不純物はシリコンSiであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。本発明の実施形態は、量子井戸に誘起される分極電界を低減し、発光効率を向上させることができる半導体発光装置を提供する。実施形態に係る半導体発光装置は、n形半導体層と、p形半導体層と、前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられ、前記n形半導体および前記p形半導体層のバンド端発光よりも長波長の光を発光する少なくとも1つ以上の量子井戸を含む発光層と、を備える。そして、前記p形半導体層に隣り合う前記量子井戸を構成する第1の障壁層および第2の障壁層のうちの前記p形半導体層に近い第1の障壁層にp形不純物がドープされる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。第1の実施形態図1aは、本実施形態に係る半導体発光装置100の断面を示す模式図である。図1bは、図1aにおける破線で囲まれた領域Aの構造を示している。本実施形態に例示する半導体発光装置100は、窒化物半導体を材料とする所謂青色LEDである。半導体発光装置100は、基板2の上に設けられたn形半導体層であるn形GaN層3と、p形半導体層であるp形GaN層5と、n形GaN層3とp形GaN層5との間に設けられた発光層4を備えている。さらに、発光層4とp形GaN層5との間に、p形AlGaN層6が設けられている。p形AlGaN層6は、発光層4からp形GaN層5への電子の流れを阻止する、所謂ブロック層である。これにより、発光層4の電子密度を高くして電子と正孔の再結合を促進することができる。p形GaN層5の表面には、p電極13が設けられる。そして、p形GaN層5およびp形AlGaN層6、発光層4が、選択的にメサエッチングされ、露出したn形GaN層3の表面にn電極15が設けられる。さらに、p形GaN層5の表面に、所謂Faceup型のLEDで用いられる透明電極を形成しても良い。一方、図1bに示すように、発光層4は、n形GaN層3とp形AlGaN層6との間に位置し、複数の量子井戸を含む。量子井戸は、2つの障壁層と、その間に設けられた井戸層と、で構成される。発光層4は、井戸層10a~10dを含み、それぞれ障壁層20a~20eの間に形成される。例えば、障壁層20a~20eは、GaN層であり、井戸層10a~10dは、InxGa1-xN層x=0.1~0.15である。障壁層20a~20eの厚さは、それぞれ4~10nm、井戸層10a~10dの厚さは、2~5nmとすることができる。これにより、障壁層20a~20eの間に設けられた井戸層10a~10dのエネルギー準位が量子化され複数の量子井戸が形成される。InxGa1-xNは、GaNおよびAlGaNよりもバンドギャップが狭く、井戸層10a~10dから放出される発光光は、GaNおよびAlGaNのバンド端発光よりも長波長である。そして、その発光光は、例えば、p形AlGaN層6およびp形GaN層5を透過して外部に放出される。基板2には、例えば、サファイア基板を用いる。そして、例えば、MOCVDMetalOrganicChemicalVaperDeposition法を用いて、基板2の上に、n形GaN層3、発光層4、p形AlGaN層6およびp形GaN層5を順に形成する。基板2とn形GaN層3との間には、例えば、n形不純物をドープしないGaNバッファ層を設けても良い。半導体発光装置100は、電子と正孔が発光層4の量子井戸の内部で再結合することにより発光する。電子および正孔は、p電極13とn電極15との間に供給される駆動電流により注入される。そして、p形GaN層5と隣り合う量子井戸井戸層10aを含む量子井戸における発光が発光層4から放出される発光光に占める割合は、他の量子井戸の発光よりも高い。このため、井戸層10aにおける電子と正孔の再結合を促進することにより、発光効率を効果的に向上させることができる。本実施形態では、井戸層10aの両側に設けられた第1の障壁層20aおよび第2の障壁層20bの内のp形GaN層5に近い障壁層20aにp形不純物をドープする。つまり、障壁層20aは、不純物をドープしないバックグランドレベルbackgroundlevelよりも高濃度のp形不純物を含む。これにより、井戸層10aの内部に誘起される分極電界が低減され、電子と正孔の再結合確率を高くすることが可能となる。図2aおよびbは、井戸層10aを含む量子井戸のバンドダイアグラムを示す。図2aは、障壁層20aにp形不純物をドープしない場合のバンドダイアグラムである。一方、図2bは、障壁層20aにp形不純物をドープした場合のバンドダイアグラムである。井戸層10aであるInGaN層、障壁層20aおよび20bであるGaN層に不純物をドープしない場合、井戸層10aにおけるエネルギーバンドは、図2aに示すように、障壁層20bから障壁層20aの方向に低下する構造となる。例えば、井戸層10aの中の任意の位置xにおける電子ポテンシャルφxは、式1で表される。ここで、電子ポテンシャルとは、コンダクションバンドECのエネルギーレベルを意味する。εrおよびε0は、それぞれInGaNおよび真空の誘電率である。Ptotalは、量子井戸内の分極電界であり、自発分極およびピエゾ分極の両方を含む。Eは、外部電界である。φx1は、障壁層20bの側における井戸層10aの端x1の電子ポテンシャルである。そして、井戸層10aの幅が狭く、外部電界Eが均一であるとすれば、x1と井戸層10aの障壁層20aの側の端x2との間における電子ポテンシャルの変化Δφbは、式2で表される。ここで、Δxは、井戸層10aの幅である。一方、障壁層20aへp形不純物をドープした場合の、コンダクションバンドECおよびバレンスバンドEVのポテンシャルシフト量Δφdは、式3で表される。ここで、kはボルツマン定数、Tは絶対温度である。Na1は、不純物をドープしないバックグランドのイオン化したアクセプタ濃度、Na2は、p形不純物をドープした場合のイオン化したアクセプタ濃度である。式4aおよび4bは、障壁層に含まれるドープされたp形不純物の濃度NA1と、イオン化したアクセプタ濃度Na1との関係、および、NA2と、Na2との関係をそれぞれ示す。NA1は、p形不純物のバックグランド濃度であり、NA2は、障壁層にドープされたp形不純物の濃度である。式3では、NA2≫NA1とした。ここで、EAは、アクセプタ準位からバレンスハンドEVへのホールの励起エネルギー、EF1およびEF2は、フェルミ準位、qは、単位電荷、gAは、バレンスバンドの縮退度である。NA2≫NA1とすれば、Δφd=EF1-EF2として、式4aおよび4bより、式3を求めることができる。例えば、図2aに示すように、障壁層20aのECおよびEVを上方にシフトさせることにより、井戸層10aにおける電子ポテンシャルの変化Δφbを補償することができる。すなわち、障壁層20aにp形不純物をドープすることにより、障壁層20aのECおよびEVをΔφdだけ上方にシフトさせてΔφbを低減し、分極電界の影響を緩和することが可能である。例えば、井戸層10aの幅を2nmとして、分極電界Ptotalを8×10-3Cm-2、外部電界Eを1x10-3Cm-2とすれば、式2よりΔφbは、0.229eVとなる。ここで、各定数は、以下の値を用いる。ε0:8.85×10-12Fm-1εr:8.9k:1.38×10-23J/KT:300K一方、Δφdは、式3を用いて表1のように求まる。ここで、バックグランドのp形不純物濃度NA1を1×1015cm-3とした。コンダクションバンドECおよびバレンスバンドEVは、p形不純物のドーピング量を増加させると、ポテンシャルが高くなる方向にシフトする。このため、表1に示すΔφdの量だけ、分極電界に起因する電子ポテンシャルの変化Δφbを補償することができる。例えば、p形不純物のドープ濃度NA2が1×1019cm-3のとき、Δφdは0.231eVとなり、Δφbの0.229eVとほぼ一致する。図2bは、ΔφbとΔφdとが等しい時のエネルギーバンドダイアグラムである。この場合、分極電界Ptotalは、ECおよびEVのシフトにより生じる電界で相殺される。そして、井戸層10aの内部における電子ポテンシャルは、同図に示すように、均一になる。その結果、井戸層10aにおける電子の波動関数E1のピーク位置と、正孔の波動関数H1のピーク位置と、を一致させることができる。これに対し、井戸層10aの内部において電子ポテンシャルの変化がある場合には、図9に示すように、電子の波動関数E5のピーク位置と、正孔の波動関数H5のピーク位置がずれてしまう。このため、井戸層10aにおける電子と正孔の再結合確率が低くなり発光効率が低下する。すなわち、本実施形態に係る半導体発光装置100では、障壁層20aにバックグランドレベルよりも高濃度のp形不純物を含ませることにより、井戸層10aの内部の分極電界を低減し、電子の波動関数E1のピーク位置と、正孔の波動関数H1のピーク位置と、を近づけることが可能となる。これにより、井戸層10aにおける電子と正孔の再結合確率を高くして発光効率を向上させることができる。図3は、半導体発光装置100の内部量子効率をシミュレーションした結果を示すグラフである。横軸に駆動電流を示し、縦軸に内部量子効率を示している。同図中に示すグラフB~Fは、障壁層20aに含まれるp形不純物濃度をパラメータとして内部量子効率の変化を示している。シミュレーションは、発光への寄与が高い井戸層10aについて実施した。そして、障壁層20aにドープするp形不純物をマグネシウムMgとし、ドープ濃度を1×1017から1×1020cm-3まで変化させた。図3に示すグラフB~Dでは、障壁層20aにドープするp形不純物を1×1017cm-3から1×1019cm-3に増やすことにより、内部量子効率が徐々に大きくなりピーク値が約10高くなることがわかる。そして、グラフFが示すように、p形不純物をさらに1×1020cm-3まで増加させると、内部量子効率のピークが高電流側に大きくシフトし、内部量子効率の値が大きくなる。すなわち、半導体発光装置の輝度が大きく向上することを示している。図4aおよびbは、井戸層10aを含む量子井戸のバンドダイアグラム、および、電子、正孔の波動関数のシミュレーション結果を示す模式図である。図4aは、障壁層20aにドープされたp形不純物濃度が1×1017cm-3の場合であり、図3のグラフBに対応する。一方、図4bは、p形不純物濃度が1×1020cm-3の場合であり、グラフFに対応する。図4aに示すように、p形不純物濃度が1×1017cm-3の場合、井戸層10aの内部の電子ポテンシャルは、障壁層20bから20aの方向に低下しており、電子の波動関数E2のピーク位置と、正孔の波動関数H2のピーク位置と、の間にズレが残っている。一方、図4bに示すp形不純物濃度が1×1020cm-3の場合には、井戸層10aの両端において電子ポテンシャルがほぼ同じレベルになっており、分極電界が相殺されたことがわかる。そして、電子の波動関数E3のピーク位置と、正孔の波動関数H3のピーク位置と、がほぼ一致している。前述した式2および式3を用いて計算した結果と、上記のシミュレーション結果と、を勘案すれば、p形不純物を1×1019~1×1020cm-3の濃度範囲で障壁層20aにドープすることが好ましい。これにより、井戸層10aの内部の電子ポテンシャルを平坦化し、発光効率を大幅に向上させることが可能となる。具体的には、n形GaN層3の上に発光層4を形成する工程において、井戸層10aとなるInGaN層を成長した後、例えば、原料ガスであるTMGtrimethylgariumおよびアンモニアNH3ガスに加えて、シクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを加えて、障壁層20aとなるGaN層にMgをドープする。この際、GaN層側からInGaN層へのMgの拡散を抑制するために、ドーピングガスの添加のタイミングを遅らせて成長することができる。例えば、Mgの拡散量を勘案して、GaN層の成長開始から所定の時間が経過した後にドーピングガスを添加する。また、ドーピングガスの添加量を徐々に増加させる制御を行っても良い。図5aおよびbは、本実施形態の変形例に係る半導体発光装置200の断面を示す模式図である。図5bは、図5aに示す発光層34における破線で囲まれた領域Aを拡大して示す模式図である。半導体発光装置200は、発光層34の構成において、半導体発光装置100と相違する。すなわち、発光層34では、p形AlGaN層6に隣接する障壁層20aにp形不純物がドープされ、さらに、障壁層20bにn形不純物がドープされる。n形不純物として、例えば、シリコンSiをドープすることができる。図6aおよび図6bは、半導体発光装置200における井戸層10aを含む量子井戸のバンドダイアグラムである。図6aは、障壁層20aおよび20bに、それぞれp形不純物とn形不純物をドープした場合の、コンダクションバンドECおよびバレンスバンドEVのシフト方向を示している。前述したように、障壁層20aにp形不純物をドープした場合、ECおよびEVは、ポテンシャルエネルギーが増加する方向、すなわち、同図中の上方へシフトする。これに対し、n形不純物がドープされる障壁層20bでは、ECおよびEVは、ポテンシャルエネルギーが減少する方向、同図中の下方にシフトする。障壁層20aにおけるECおよびEVのシフト量をΔφd1とし、障壁層20bにおけるECおよびEVのシフト量をΔφd2とすると、図6bに示すように、井戸層10aにおける電子ポテンシャルの変化Δφbと、Δφd1とΔφd2との和を等しくすることにより、井戸層10aの電子ポテンシャルを平坦化することができる。そして、電子の波動関数E4のピークと、正孔の波動関数H4のピークと、を一致させ、電子と正孔の再結合確率を高くすることができる。このように、半導体発光装置200では、障壁層20bにおけるECおよびEVのシフト量Δφd2が寄与するため、障壁層20aにおけるECおよびEVのシフト量をΔφd1を、半導体発光装置100のシフト量Δφdよりも小さくすることができる。すなわち、障壁層20aにドープするp形不純物の濃度を低くすることが可能となる。これにより、例えば、障壁層20aから井戸層10aへ拡散するp形不純物を少なくすることが可能となる。そして、井戸層10aに拡散したp形不純物に起因する発光効率の低下を抑制することができる。第2の実施形態図7aおよび図7bは、本実施形態に係る半導体発光装置300の断面を示す模式図である。図7bは、図7aに示す発光層44における破線で示した領域Aを拡大した断面図である。図7bに示すように、半導体発光装置300は、発光層44に1つの量子井戸を含む。この場合も、p形AlGaN層6に隣接する障壁層20aにp形不純物をドープすることにより、井戸層10aにおける電子と正孔の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。さらに、n形GaN層3に隣接する障壁層20bにn形不純物をドープしても良い。第3の実施形態図8aおよび図8bは、本実施形態に係る半導体発光装置400および500の発光層の断面を示す模式図である。半導体発光装置400および500の全体の断面は、発光層を除いて、図1aに示した半導体発光装置100と同じ構造を備えている。図8aに示す半導体発光装置400では、障壁層20a~20dにおいて、各井戸層10a~10dのp形AlGaN層6の側の端に接する部分にp形不純物がドープされている。すなわち、AlGaN層6に隣接する障壁層20aでは、p形不純物が全体にドープされる。一方、障壁層20b~20dでは、p形不純物がドープされたp形障壁部22と、アンドープもしくはn形不純物がドープされたn形障壁部21が設けられる。そして、n形GaN層3に隣接する障壁層20eは、アンドープ、もしくは、n形不純物がドープされる。これにより、井戸層10aだけでなく、井戸層10b~10dにおける分極電界も補償することが可能となり、発光効率を向上させることができる。一方、図8bに示す半導体発光装置500では、量子井戸を形成する障壁層20a~20fにおいて、p形不純物をドープした障壁層と、アンドープもしくはn形不純物がドープされた障壁層と、が交互に設けられる。すなわち、p形AlGaN層6に隣接する障壁層20a、および、障壁層20c、20eにp形不純物をドープし、障壁層20bおよび20d、20fは、アンドープもしくはn形不純物をドープする。これにより、井戸層10aおよび10c、10eにおける分極電界を補償して、各量子井戸における発光効率を向上させることができる。一方、井戸層10bおよび10dでは、コンダクションバンドECおよびバレンスバンドEVが電子ポテンシャルの変化Δφbを大きくする方向にシフトするので発光効率の向上は望めない。しかしながら、井戸層10a~10eを含む発光層全体としての発光効率の向上を図ることができる。上記の第1~第3の実施形態では、n形半導体層、p形半導体層および障壁層をGaNとし、量子井戸となる半導体層をInGaNとして説明したが、これらの材料に限られる訳ではなく、例えば、組成式AlxInyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1で表される所謂GaN系窒化物半導体を、適宜、組み合わせて構成することができる。さらに、本発明に係る実施形態は、量子井戸に分極電界が誘起される半導体材料を用いた半導体発光装置に適用できることは明らかである。なお、本願明細書において、窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦xyz≦1のIII-V族化合物半導体を含み、さらに、V族元素としては、N窒素に加えてリンPや砒素Asなどを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。