"次の工程を含む、3つのオリフィスノズルからの液体のスプレーの方向を変えるための方法:ai十分な圧力下で液体源から液体を供給され、そこから液体の流れを噴出する第1オリフィス;iiガス源からガスを供給される第1ガスオリフィスであって、該ガスは制御された圧力で供給されて該第1ガスオリフィスからガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第1ガスオリフィス;iii第2ガス源から第2ガスを供給される第2ガスオリフィスであって、該ガスは制御された圧力で供給されて該第2ガスオリフィスからガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第2ガスオリフィス、を有するノズルを装備し;そしてb該中央オリフィスからの液体の流れに方向を付与するように第1ガスオリフィス及び第2ガスオリフィスの少なくとも1つのガス流の流れを修正することにより、該ノズルからの液体のスプレー方向を調節する。該ノズルからの液体のスプレー方向が、第1ガスオリフィス及び第2ガスオリフィスからのガスの流れを調節することにより処理プロセスの間に変えられる、請求項1に記載の方法。物質、特に有機物質、そして最も特には半導体ウエハーのような支持体からのホトレジスト物質、を除去する処理のための他の技術及び組成物を明らかにすることが望まれるであろう。浸漬浴環境中におけるホトレジスト被覆支持体への硫酸及び又はその脱水種及び前躯体例えば、三酸化硫黄、チオ硫酸、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ二硫酸、フルオロ硫酸、及びクロロ硫酸の適用は、高められた温度においてさえも、堅牢に処理されたホトレジストの除去には効果的でないことが分かっていた。この事からすると、水硫酸モル比が約5:1未満である液状硫酸組成物を、その温度が水蒸気への暴露前の液状硫酸組成物の温度より高くなるのに有効であるような量の水蒸気に暴露する場合に、硫酸及び脱水硫酸種及び前駆体が物質、特に有機物質及び最も特には支持体表面からのホトレジスト物質の除去に効果的であり得るということは、驚くべきものとして発見された。本発明の実施態様において、該液状硫酸組成物は、その温度が、、チオ硫酸、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ二硫酸、フルオロ硫酸、及びクロロ硫酸、を含む。本発明の1実施態様において、硫酸の脱水種は硫酸と酸化剤との錯体である。物質、好ましくは有機物質そしてより好ましくはホトレジストの、本明細書中で提供される支持体からの除去方法において、その表面に物質を有する支持体は処理室中に置かれる。液状硫酸組成物は、該支持体表面を実質的に均一被覆するのに有効である量と仕方で該支持体上に投与される。本発明の目的のため、該水硫酸モル比は、脱水硫酸種及び前駆体を含む組成物の場合は、該最終混合物における水に対する該脱水硫酸種及び前駆体の存在モル数におけるモル比に基づいて計算される。本発明の1つの実施態様において、該支持体は、水硫酸モル比が約5:1未満である液状硫酸組成物が、表面に適用されたときに、表面に実質的均一に被覆するような表面を提供するのを促進するように、前処理液体によって前処理される。本発明の目的のために、もし十分な量の液状硫酸組成物が該表面を完全に被覆するように該表面に適用された場合に該液状硫酸組成物の突起形成が実質的に観察されなければ即ち表面での液体の不連続性が無ければ、液状硫酸組成物は実質的均一に表面を被覆していると考えられる。一つの実施態様における該前処理組成物は、支持体の表面特性を改質するための水硫酸モル比が約5:1未満の液状硫酸組成物の適用を含み、それにより引き続く又は連続した水硫酸モル比が約5:1未満の液状硫酸組成物の適用が該支持体を実質的均一に被覆するであろう。所望により、望むように該支持体の表面特性を改質するように作用する界面活性剤又は溶媒のような他の表面改質成分を該前処理液体に用いることが出来る。本発明のもう1つの態様において、支持体表面からの物質除去の有効性及び効率は該液状硫酸組成物の水硫酸モル比が約3:1未満、又は約2:1未満である場合に特に増加することが見出された。本発明の好ましい実施態様において、支持体表面からの物質除去の有効性及び効率は該液状硫酸組成物の水硫酸モル比が約1:2未満である場合に特に増加することが見出された。本発明の1つの実施態様において、該液状硫酸組成物は水を含まない。しかし、物質を容易に得るために、本発明の実施態様は、該液状硫酸組成物が、少なくとも通常原料物質中に存在する程度の水を含むであろうことが期待されている。本発明のもう1つの実施態様において、該液状硫酸組成物は約1:2から約1:4の水硫酸モル比を有する。換言すれば、該液状硫酸は、好ましくは約50容量超、より好ましくは80容量超、そして最も好ましくは90容量の容量濃度を持つ。本発明の目的のためには、硫酸の容量比が議論される場合は、硫酸の含有量は98重量の硫酸源に基づいて計算される。かくて、50容量の含有量で硫酸を含む硫酸水組成物は、50容量の98重量硫酸と、50容量の水を含む。好ましくは、該支持体は、該液状硫酸組成物投与の前、投与中又は投与後に、少なくとも約90°Cの温度まで加熱される。該液状硫酸組成物は、該支持体上の該液状硫酸組成物の温度が、水蒸気に暴露される前の該液状硫酸組成物の温度より高くなるのに有効な量の水蒸気に暴露される。本発明の1つの実施態様において、該液状硫酸組成物は、該支持体表面の該液状硫酸組成物の温度がは、硫酸画分100~37においてほぼ直線的に減少する。理論的に確認されてはいないが、溶液の温度上昇混合の熱は水分子が夫々の硫酸分子と協調することによる水和熱によって生じると信じられる。本発明において、この水と硫酸との間の強い親和力は、該硫酸組成物の温度が水の沸点より高い場合であっても雰囲気からの水蒸気を該硫酸組成物中に引き込む脱水作用を駆り立てる。約55容量の硫酸のときに、水和熱は添加水の熱容量とバランスし、そして付加的な添加水は混合物にたいして正味の冷却効果を持つ。約37容量の硫酸のときに硫酸の水和は完全であると思われる。図1及び2の上の軸には、溶液中の水:硫酸のモル比を示す。水和は硫酸1モルあたり約5モルの水が存在するときに完全であると思われる。図1に対照して、本発明は、水蒸気の該硫酸組成物中への凝縮によって該硫酸組成物に水を添加する。これは、硫酸と水との混合の熱によるだけでなく、該水が該硫酸組成物中に凝縮するときに取り戻される該水の蒸発熱による該組成物の加熱をもたらす。液状の水を硫酸に添加するのに比べて、水蒸気の蒸発熱からの熱的寄与は予定の希釈量に対して、より大きな温度上昇を与える。図3A及び3Bは本発明のプロセスを実施するのに有用な装置の1例を示す。図3Aは化学混合多重管90、再循環タンク50、及び加工容器12を含む主要システム構成部分を示す、回分スプレー加工装置10の概観を示す。該装置10は、FSIInternationalIncChaskaMNから商業的に入手できるMERCURYTM又はZETATMスプレー加工機中に含まれるようなスプレー加工装置の概観的な描写である。装置10は一般に容器12及び加工室16の境界とする蓋14を含む。ウエハー様物体18は運搬装置20例えばTEFRON登録商標TMカセット中に置かれ、該支持体は回転台支柱図示せずにより回転台22を回転させて順次保持される。回転台22はモーターで動く軸24に結合している。水又は窒素は供給経路群32から供給出来、回転台支持体結合し得る。該再循環システムは化学薬品供給経路67及び68を含むことが出来る。化学品供給経路67は濾過装置64及び66、ポンプ62を含むことが出来、流体的に再循環供給タンク50に結合される。該再循環供給タンクは、再循環排水路54及び新たに調製した化学薬品経路52からの加工用化学薬品が供給され得る。窒素シール56はタンク50の上部空間に使用できる。タンク50中の加工用化学薬品の温度を調節するため、タンク50は加熱コイル58、冷却コイル60、及び温度検出器41を含み得る。化学薬品供給経路68は例えば窒素及び脱イオン洗浄水を供給し得る。化学薬品の加工室16への供給後、未使用の化学薬品は全て排水路70に入り、排水用多重管71に流れる。排水多重管から、該化学薬品は再循環排水路54、排気路72、脱イオン水排水路74、補助路76、補助路78、補助路80及び補助路82のような様々の出口に向けられる。供給路34はまた新たな化学薬品を混合する多重管90と流体的に結合し得る。該多重管中で、経路9194からの新しい化学薬品の調整された流れが混合されて望みの混合物となり、それは経路群98及び34から中央スプレー支柱36へ、又は経路98及び38から側部スプレー支柱40へ、送られる。所望により、該化学薬品混合物は経路98中のライン内赤外線加熱器加熱器は示さずによって加熱され得る。別法として、1種又は多種の供給される化学薬品は経路9194の一つ又は多数の中で赤外線加熱器により加熱され得る。装置10の構成と用途は、被譲渡人の同時係属中の米国特許出願ベンソン等、名称回転ユニオン継手、液体配送システム、及び関連方法、出願2004年3月12日、米国出願番号SerialNo10799250、この同時係属出願は全文が引例として本明細書に含まれる、のみならず、米国特許第5971368;6235641;及び6648307中にも更に記述されている。図3Bは、本発明に従って装置10を用いる実際の代表的な形態の1つを示す。液状硫酸組成物42は、有機物質被覆支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、中央スプレー支柱36及び又は側部スプレー支柱40示されずからウエハー18上に投与される。この実質的に均一な被覆は、例えば、同じ装置を用い、水硫酸モル比が約5:1未満である液状硫酸組成物が表面に適用された場合該表面に実質的均一に被覆するような表面を提供する前処理液体を用いる前処理によって容易化することができる。前記したように、該前処理用組成物は、例えば支持体の表面特性を改質するための液状硫酸組成物の前適用であり得、それにより、水硫酸モル比が約5:1未満である液状硫酸組成物の引き続く又は連続的な適用は該支持体を実質的均一に被覆するであろう。所望により、支持体の表面特性を望まれるように改質する作用をもつ界面活性剤又は溶媒のような他の表面改質成分を用いることが出来る。付加的成分を、前処理溶液の化学的改質を提供するために添加することが出来る。例えば、少量の酸を水性前処理溶液に添加し得る。該液状硫酸組成物42の投与後又は投与中、又は投与前、熱水44が回転台22上に投与される。一部の熱水44の蒸発は室の雰囲気中の水蒸気量湿度を増す。ウエハー18は、除去されるべき有機物質で被覆されていた。好ましい実施態様において、該有機物質はホトレジスト物質である。除去するのに手強い有機物質は前段のウエハー加工工程で熱に曝して焼付けられたホトレジストを含む。特に除去するのに手強い有機物質は前段のウエハー加工工程で強くイオン注入されたものである。本発明の方法は強くイオン注入されたホトレジスト物質の除去に特別に且つ驚くほど有効である。該液状硫酸組成物42はその水硫酸モル比が約5:1未満である。かくて、該液状硫酸組成物の水含有量は限られている。1つの実施態様において、該液状硫酸組成物は、ここでより詳細に議論されるように、続いて添加される水蒸気の硫酸との協働を実質的に阻害しない溶媒を含むことが出来る。好ましいそのような溶媒は、フッ素を基材とする液体のような、処理される支持体例えばウエハーに不活性なものである。そのような不活性な溶媒の例は、3MStPaulMNから商業的に入手可能なFluorinertTM溶媒を含む。上記のモル比は水硫酸モル比であって、溶媒硫酸モル比であることに注意すべきである。これは、続いて添加される水蒸気の硫酸との協働を実質的に阻害しない溶媒は本発明の実施態様のこの比率の要因ではないことを強調するものである。より好ましくは、該液状硫酸組成物は高度に濃縮されている。好ましくは、該液状硫酸組成物は、少なくとも約80容量、より好ましくは少なくとも約90容量、そして最も好ましくは少なくとも約94容量の硫酸濃度で投与される。図1および2に示されるように、これらの高い硫酸濃度は、該硫酸組成物中に凝縮する水蒸気単位当り最大の温度上昇をもたらす。本発明の実施態様において、該液状硫酸組成物42は過酸化水素を含む。該過酸化水素は有機種の炭酸ガスと水への分解を助ける酸化剤として働く。過酸化水素は、通常水含有溶液として提供され、濃硫酸と混合されて水硫酸モル比が約5:1未満の液状硫酸組成物を提供する。有利には、濃硫酸と水含有過酸化水素溶液との混合は発熱反応による熱を発生し、そのため、得られる過酸化水素を含む液状硫酸組成物は、該組成物を加熱するための外部熱源からのより少ないエネルギーを使用しつつ、高められた温度で提供され得る。該発熱反応は、通常は該組成物のための重要な熱源である。しかし、本発明においては硫酸組成物と水蒸気との反応が望ましい熱を提供する、そして水を基材とする過酸化水素の過剰添加はこの硫酸蒸気反応を阻害する。それ故、ここに記述するような濃硫酸組成物への蒸気の効果についての知識により、熟練技術者は有機物を酸化するのに十分な反応種を供給しつつ、同時に硫酸蒸気反応によって発生する熱を最適化するように過酸化水素濃度を調整することが出来る。本発明の態様において、酸化剤が、液状硫酸組成物の投与の前、投与中又は投与後に、処理室中に導入され得る。例えば、過酸化水素は該液状硫酸組成物の処理室への導入前に、又は別法として該硫酸組成物の処理室への適用中又は適用後に、該液状濃硫酸と混合し得る。過酸化水素と液状濃硫酸との混合は静止混合機又は能動的混合技術の使用により達成でき、又は単に1つの液体を他の液体と接触させ、単なる拡散によって達成される混合により達成できる。オゾンのような他の剤は、望まれるように、該液状硫酸組成物中に同様にして混合されることがあろう。オゾンのような水を含まない酸化剤はそれらが硫酸組成物を希釈しないので、過酸化水素より優れていることがあろう。例えば、過酸化水素以外の酸化剤はこの独創的な硫酸蒸気プロセスに使用されることがあろう。例えば、オゾン、硝酸、クロメートイオン法、そして下記のような残りの処理工程を行うことにより予備加熱することが出来る。該浴用液体は、例えば脱イオン水、硫酸含有脱イオン水、硫酸過酸化水素混合物、不活性流体フルオロカーボンのような、硫酸オゾン混合物、のようなものであり得る。この実施態様は、より効果的にウエハーを加熱することにより、該処理プロセスの能力を高める点で実質的な利益を提供することが出来る。この実施態様を採用するのに使用できる特に適当なプロセスシステムは、FSIInternationalChaskaMinnesotaから商業的に入手可能なMagellanTMシステムである。水蒸気は任意の適切な方法で該室に導入される。図3Bに示されるように、加熱された脱イオン水44は、中央スプレー支柱36の底46から回転する回転台22上に飛び散る。この飛び散り手法において水蒸気が発生する。代替法として、水蒸気は、該処理室中での水の加熱及び又は撹拌によるような、任意の適切な代わりの水蒸気発生技術によって該処理室内に発生させ得る。更にもう1つの代替法において、該水蒸気は該処理室の外で発生させ望みの水蒸気形状で該処理室中に導入され得る。例えば、外部で生産した水蒸気はガスとして、又は混合ガスの成分として、該室に導入され得るであろう。1つの実施態様において、蒸気は水好ましくは熱水の管を通してガス例えば窒素を泡立てることにより生産できるであろう。もう1つの実施態様において、該ガスは一定量の水の表面上を通過させることが出来よう。もう1つの実施態様において、該ガスは化学工学技術において普通に使用されているような注水充填塔を通過させることが出来る。もう1つの実施態様において、実質的に純粋な水蒸気が液状の水を沸騰させて生産できるであろう。これらの任意の代替法からの該ガス状生産物は更に加熱することが出来るであろう。他の実施態様もまた可能である。好ましくは、該水蒸気は、約70°C~約150°Cの水蒸気温度でウエハーに暴露されるように導入される。より好ましくは、該水蒸気は約80°C~約110°Cの水蒸気温度でウエハーに暴露されるように導入される。特に有利な実施態様において、該水蒸気は、約85°C~約98°Cの水蒸気温度でウエハーに暴露されるように導入される。この実施態様は水蒸気が上記した飛び散り手法により水蒸気が容易に発生するので有利である。該水は沸点にはないので、不適当な跳ね飛びの無い水流流入の制御をより容易行ない得る。別の有利な実施態様において、該水蒸気は約100°Cの水蒸気温度でウエハーに暴露されるように導入される。この実施態様は、常用の蒸気形成装置により該処理槽の中又は外で常用の条件下で水を沸騰させて蒸気を形成させることを比較的容易にする。もう1つの実施態様において、該水蒸気は、水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも高い温度で供給される。この実施態様は上に議論されたような該液状硫酸中への該水蒸気の凝縮に基づくエネルギーの移転のみならず、直接の熱移転による該液状硫酸組成物の直接加熱という利益を提供する。1つの実施態様において、該水蒸気は、この目的のため、約150°Cより高い温度で供給される。所望により、該水蒸気は更に、望まれる過酸化水素又はオゾンのような他の剤を含み得る。該水蒸気は、該液状硫酸組成物の温度を該水蒸気への暴露前の該液上硫酸組成物の温度よりも高く、そして好ましくは更に該水蒸気の温度よりも高く、するのに有効な量で該処理室中に導入される。本発明の1つの実施態様において、該液状硫酸組成物は、該支持体上の該液上硫酸組成物の温度がされた液体の温度を測定することが出来る。この測定を行なうため、温度プローブは該処理槽中に置かれることがある。1つの実施態様において、色が変化する温度指示物質が該処理槽中で到達する最大温度を指示するのに用いられることがある。該液状硫酸組成物の水蒸気への暴露は、該有機物質被覆支持体上に置かれた場合の該液状硫酸組成物の温度を上昇させるのに有効な随意のときに行なうことが出来る。1つの実施態様において、水蒸気は該液状硫酸組成物の投与中に該処理室に導入される。この実施態様において、該液状硫酸組成物の温度は該組成物の該支持体との接触の前に上昇し始めることがある。この実施態様において、上に議論されたような水蒸気への暴露に基づく該液状硫酸組成物の温度上昇は、投与されたときの該液状硫酸組成物の温度と水蒸気への暴露後の該液状硫酸組成物の最大温度との差として捉えられる。本発明のもう1つの実施態様において、該液状硫酸組成物は連続的な流れではなく、むしろ複数回の不連続なパルスで供給される。これらのパルスは、好ましくは短く即ち約3~10秒の長さ、そして急速な流れ即ち流速約2~8リットル分である。好ましくは、パルスと液体流れの無い状態との間に約5~20秒の時間間隔がある。パルス液体による操作の場合、水蒸気は所望によりパルスの間だけ導入され、本発明の加工の間該室から噴出される水蒸気の量を削減する。同様に、水蒸気は所望によりパルスの間だけ導入されて支持体との接触前の該硫酸組成物温度上昇を高め、又はパルスとパルスの間に導入されて支持体上にある該組成物の加熱を強める。もう1つの実施態様において、該液状硫酸組成物の投与は、水蒸気の導入前に停止される。この実施態様の1態様において、該支持体は比較的流れの無い該液状硫酸組成物の被覆とともに供給される。所望により、該支持体の回転は、該液状硫酸組成物の投与中及び又は投与後、そして該液状硫酸組成物の水蒸気への暴露中、約20rpm未満の速度に低下され又は停止される。このプロセスはこの被覆の支持体上での保持又は溜りを促進するために行なわれる。理論的に確認されてはいないが、該液状硫酸組成物は特に該液状硫酸組成物の水蒸気への暴露中塊としての動きが殆んど無いため、該液体は、該支持体上の全ての点に渡って同等の速度で、支持体表面の望ましくない物質を溶解及び又はそうでなければ除去、する傾向があると信じられる。この高められた均一性は、該液状硫酸組成物の水蒸気への均一な暴露によるのであろう。更に又は別に、望ましくない物質の除去、硫酸溶液混合物の新しい層の適用、及び該室への蒸気の再導入、によって増す。上に注釈したように、該液状硫酸組成物42はスプレー支柱36及び又は40からウエハー18上に投与される。ウエハー処理装置のある構成において、スプレー支柱の位置決め及び該支柱からの流体の流れの方向が本発明のプロセスの性能に影響することが見出された。固定されたスプレー支柱構成を持つあるウエハー処理装置において、投与される液体は、液体の高い濃度を導く仕方において、ウエハーに部分的に付着し易い。例えば、中央スプレー支柱36から投与された液体は該中央スプレー支柱の近くに高い濃度で支持体上に付着され易い。また、該回転台22のある配置において、該中央支柱からの該液体の大きな画分がウエハー群の間を通り抜け、そして無駄になる可能性がある。有利に、極めて優れた付着効率と均一性が、側部容器スプレー支柱40を用いて達成できる。しかし、SBSPにより、該室の面に垂直に、該回転台の回転軸の方向真直ぐに投与されたスプレーもまた、該中央スプレー支柱の近くに過剰に液体を付着し易い。該垂直スプレーは、更に該回転台のある配置においてウエハー群の間を通り抜ける液体を無駄にする。極めて優れた付着パターンは、スプレー支柱からの液体のスプレーに、該室の主表面から垂直でないように及び又は該回転台の中心から離れるように、角度をつけることにより観察される。角度をつけたスプレーにより該CSP近くの付着はより少なく集中するが、個々の角度が均一な被覆に十分な訳ではない。本発明の1つの実施態様において、スプレーの角度は一定である。本発明のもう1つの実施態様において、支持体エネルギーへの暴露、のような更なる処理工程もまた記載された方法の間で期待される。本発明の方法に使用する装置は、FSIInternationalChaskaMinnesotaから1つ又はそれより多い商品名MERCURYTM又はZETATMのもとに入手可能なタイプの遠心スプレー加工機のような公知のプログラム可能なスプレー加工機を改造し、該必要溶液を持つ化学品貯蔵器を提供し、個々に指示されたようなプログラムで該機械の制御器を構成することにより調製できる。他の公知の回分スプレー及び単一ウエハースプレー機もまた、本発明を実施するため、同様に改造し得ることが理解されるであろう。もう1つの実施態様において、本発明のプロセスは、単一ウエハーsinglewafer様式において、ある時間1つのウエハーに適用できる。図7は、そのような単一ウエハー加工装置100の1実施態様を示し、そこでは、該うえはーが、モーター104の軸上に装着された保持チャック示さずに保持されている間に、輸送管101からウエハー103上に硫酸組成物102が投与される。水蒸気105は輸送管106を通って導入される。該装置は、望ましいレベルの蒸気がウエハー表面に保持され得るよう十分に密閉された室中にある。1つの実施態様において、装置100は、輸送管101からの硫酸組成物の連続的投与で操作され、その場合、輸送管101はウエハー103に対して固定されていても動いてもよい。蒸気は該投与の前、投与中、又は投与後のいずれかで該装置中に導入され得る。もう1つの実施態様において、ウエハー全体は該硫酸組成物で濡らされそして該投与は停止され、該組成物が比較的均一な厚さでウエハー上に皮膜を形成させる。この実施態様において、該ウエハーには、上記したように比較的流れにくい該液状硫酸組成物の被覆が供給され得る。所望により、該支持体の回転は、該支持体上への液状硫酸組成物の被覆の保持を促進するため低速とし又は停止される。蒸気は該投与開始の前、投与中、又は投与後に該装置中に導入し得る。所望により、該投与は、該ウエハー表面への反応物質の真新しい供給を提供するため繰り返すことが出来る。所望により、該ウエハーは、ウエハー上にある殆どの該硫酸組成物を放棄するため投与の間急速に回転させることが出来る。所望により、該ウエハーは、レジストの薄膜を産生するため半導体産業で使用される方法で投与管101を動かすことにより硫酸組成物の薄膜で被覆され得る。本発明の1つの実施態様において、該硫酸組成物は、それが投与管101を離れたときの温度と実質的に同じ温度で該ウエハーに到達する。1つの実施態様において、該組成物を、該ウエハーとの接触以前に蒸気を吸収し加温し得るように、小さな液滴に分解するのが有利であり得る。そのような液滴は、例えば該硫酸組成物を蒸気組成物又は他のガスで霧化する、又は該硫酸組成物をスプレーノズルに通過させる、又は他の方法、により産生できる。この加熱硫酸組成物の霧を水の上で動かすことも有利であり得る。本発明の1つの実施態様において、該硫酸組成物はそれが該投与管101を離れる前に、該組成物を水蒸気を含むガスと接触させて予熱することができる。例えば、水蒸気を含むガスは、耐熱性管中例えば水晶で、T型で該硫酸組成物と混合され得るであろう。この実施態様は得られる該硫酸組成物の温度が、混合調製された硫酸組成物又は該蒸気の温度よりもかなり高くなり得るという有利を提供する。ここに記載されたような方法の様々な実施態様は図面の特定の装置の使用に限定されるのではなく、むしろ本明細書中に記載された方法を実施する場合の使用に適切な処理機械の全ての構成における使用に適用されるものである。本発明の原理は、次に続く説明例との関連において、今ここで記載されるであろう。実験手法A試料調製水試料がイオン注入ホトレジスト除去の有効性を評価するため次のように調製された:直径200mmのシリコンウエハーがShipleyUV6248nmホトレジストで被覆された。ウエハーの幾つかにはレジストパターンがつくられ、その他は全面にレジスト層を設けた夫々、パターンウエハー及びブランケットウエハー。パターン及びブランケットウエハーの両方に、40keV、5×1014又は1×1015原子cm25E14又は1E15の投与量で砒素を注入した。レジスト被覆されたウエハーの凡そ2×2cmの断片群が完全パターンウエハー及びブランケットウエハーの群から切り取られ、そして高温エポキシを持つキャリヤーウエハーの中心部近くに取付けられた。5個のレジスト試料が典型的に各々のキャリヤーウエハーに取付けられた:ブランケットレジスト注入ナシ、ブランケット5E14、パターン5E14、ブランケット1E15、及びパターン1E15。B剥がし効率の評価加工後、該試料は明視野及び暗視野光学顕微鏡で試験された。表1は、ブランケット及びパターンレジスト試料の評価基準を示す。該パターン試料は様々なリソグラフィーのテストパターンからなる。該パターン試料上の細線配列及びブランケット膜の剥がしは、処理の剥がし効率の尺度を提供した。C室の温度測定該加工室の側壁上に流延された該硫酸過酸化水素の液状組成物の温度は温度検知器41により測定された。この温度は1秒間隔で記録され該加工を通しての該室の温度の経過を提供した。Dウエハー上の温度測定ウエハー上の最大温度の測定は、該ウエハー群に取付けた、特定の上昇温度で可逆的に色が変わるラベルOmegaEngineeringStamfordCTからのTL10シリーズによりなされた。該ラベルは該剥れる化学品から保護するため高温エポキシを付けた07mmのガラス板で覆われた。E処理プロセス上記の方法で調製した該ウエハーは、FSIInternationalIncChaskaMNから商業的に入手可能なZETATMスプレー加工機中で、次の条件で処理された:1.該試料ウエハーは、27個のウエハー運搬カセット20の溝13中に載せられそして他の溝は裸ウエハーで満たされた。このカセットと第2のバランスカセットは該回転台22上に載せられた。第2の試料ウエハーは必要な場合溝15中に乗せられた。2.該回転台22は、120rpmで回転し、再循環浴50からの加熱した硫酸110°Cが、中央36及び側部40スプレー支柱の両方から凡そ5l分の速度で3分間、該ウエハー上に投与された。50cc分の過酸化水素が該投与の最後の凡そ1分間、該流れに添加された。この工程は該ウエハーを予熱し且つ完全に濡らすことを提供した。3.該回転台は120rpmで回転し、該混合多重管90からの新規な硫酸組成物硫酸及び過酸化水素SPMの混合物の900cc分の流れが、該中央スプレー支柱36から30秒間投与された。該硫酸は、過酸化水素添加前に、ライン内赤外線加熱器により95°Cに予熱された。SPM組成物の混合比は、夫々の処理において表2に挙げたように変化した。4.該加工は、本発明の処理において凡そ8l分の95°C脱イオン水44が回転台22上に投与され水蒸気を発生した以外は上記3のようにして、6分間継続した。5.6分間の脱イオン水洗浄の後、該試料は、80°CのSC1溶液1:1:15容量比のアンモニア:過酸化水素:水で75秒処理された。6.該試料は脱イオン水中で洗浄され窒素ガス中で乾燥された。実施例実施例1:上記からの処理プロセスEが、SPMの10:1混合物を使用し、水蒸気添加のあり、なし、により2回行なわれた表2のプロトコール3及び4。該室の壁に対して流延した該液体の温度は該側部容器温度検出器41により測定された。図4は、2つの処理の温度分布を示す。両方の場合において、硫酸の該5l分の再循環流れは、最初の3分間の処理において、側部容器検出器を凡そ65°Cに加熱した。3~9分でSPM比較例の温度は凡そ7°C低下し58°C近くになった。対照的に、該SPM水蒸気の本発明の実施例は、同じ時間で60°C上昇し125°Cになった。該室への水蒸気の添加は、該流延した液体の温度を著しく上昇させた。実施例2:上記からの処理プロセスEは、表2からの該8つのプロトコールを使用して8回行なわれた。各々の処理についての流延液体の最大温度は該SPM投与工程の終り例えば図4から読める540秒に該側部容器温度検出器41により測定された。最大ウエハー上温度は、温度検出ラベルにより測定された。図5は、各々の処理における、ライン内赤外線加熱器により95°Cに予備加熱された硫酸を使用したSPMの混合時温度図1から計算された、最大ウエハー上温度、及び最大側部容器温度を示す。SPMの混合時温度は過酸化水素濃度の上昇硫酸の減少により上昇した。比較例における最大ウエハー上温度及び側部容器温度もまた過酸化水素濃度の増加により上昇したが、該SPMの混合時温度よりも明らかに低かった。対照的に、本発明の水蒸気による処理は、該比較例の処理よりも50~100°C高いウエハー上温度を達成した。これらの本発明の温度はまた、該水蒸気温度又は該比較例におけるウエハー上SPM温度該比較例の処理は蒸気への暴露前の支持体上のSPMの温度を表すの何れよりも実質的に高い。更に、比較例及び本発明の処理の間の該温度上昇は、過酸化水素濃度の上昇により低下した。図6は、混合時SPMと最大ウエハー上温度との間の該温度の差異を示す。本発明の蒸気プロセスの利点は硫酸濃度の低下により低下する。最大ウエハー上温度を達成するためには高濃度の硫酸が望まれる。硫酸、過酸化水素又は両方の混合前温度を上昇させて該混合時液体の温度を上昇させることもまた望まれる。1つの実施態様は95°Cより高い温度で操作する再循環タンクからの硫酸を利用するであろう。実施例3:上記からの処理プロセスEは、表2の8つのプロトコールを使用して8回行なわれた。パターン及びブランケット、5E14及び1E15注入レジスト、の試料を搭載したキャリヤーウエハーが該カセットの溝13中で加工された。表3は、表1中の指針による該試料の評価結果を示す。全てに場合で、該比較例の処理プロトコール2,4,6及び8は該注入レジストの完全な除去に失敗し、全ての評価でスコアは1であった。対照的に、本発明の処理プロトコール1,3,5及び9は該パターン及びブランケット5E14レジストを完全に除去し、全ての評価でスコアは5であった。該比較例の処理よりも遥かに良かったものの、これらの本発明の特定のプロトコールは1E15注入レジストを完全に除去することは出来なかった。プロトコール1,3及び5は同様に働き、該パターンレジストを殆んど除去した。プロトコール7は該ブランケットレジストには僅かによりよく働いたが、該パターンレジストへの働きはずっと悪かった。最大の剥がし性能を達成するには高濃度の硫酸が望ましい。実施例4:上記からの処理プロセスEの改訂版が1E15ブランケット及びパターンウエハー試料に対して行なわれた。該プロセスは次の通りである:該再循環タンクからの硫酸の5l分の流れが4区分において該中央及び側部スプレー支柱から投与された:20rpmの時計方向回転台回転で45秒間、300rpmの時計方向で45秒間、20rpmの逆時計方向で45秒間、及び300rpm逆時計方向で45秒間。10:1SPMの1600cc分の流れ該再循環タンクからの110°C硫酸の1500cc分及び新規な20°Cの過酸化水素の150cc分が2区分において該中央及び側部スプレー支柱から投与された:120rpm時計方向で120秒、120rpm逆時計方向で120秒。8l分の95°Cの水が該回転台上に投与され水蒸気を発生した。増加した化学品暴露時間、上昇した温度、及び回転の方向転換の組合せが該パターン及びブランケット1E15インプラントレジストの完全な除去全てスコア5をもたらした。実施例5:ある場合には、注入されていない又は軽度に注入されたレジストはしばしば硫酸だけで除去できるように、酸化剤を該硫酸に添加する必要は無い。1つの実施例において、該再循環タンクからの95°Cの硫酸の5l分の流れが該中央及び側部スプレー支柱から120rpmで3分間投与された。この処理は注入されていないブランケットレジストを完全に除去した。ここで用いる全ての及び比率は、他の指示がなければ容量と容量比である。全ての云われた温度は1気圧の大気圧を仮定している。もし該処理プロセスが異なる圧力で行われるならば、該プロセスに含まれる様々な成分の温度はそれに従って調整され得ると理解されるであろう。引用された全ての刊行物、特許及び特許資料は、仮令個々に引例により含まれていても、全文がここにおいて引例により含まれる。この資料により記載されているつもりの本発明の数多い特性と利点は前述の記載中で明らかにされた。しかし、本発明の特別な形または態様は説明されたが、形の改変、部分の配置、のような改変を含む様々な改変は、本発明の本質及び範囲から離れることなく成され得ると理解される。"