"高エネルギー線の照射により発生する酸を触媒として、架橋剤及び/又はレジストポリマー中の架橋性官能基を有する繰り返し単位により、レジストポリマー間に架橋が形成され、アルカリ性現像液に対して不溶化する機構を有する化学増幅ネガ型レジスト組成物において、レジストポリマーが、下記一般式1の繰り返し単位と下記一般式2、3及び4から選ばれる1種以上の繰り返し単位を含有するレジストポリマーであり、式中、Aは一部又は全部の水素原子がフッ素原子、又は一部のメチレン基が酸素原子に置換されていてもよい炭素数1~10の2価炭化水素基を表す。Rfは同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、又はペンタフルオロエチル基を表すが、全てが水素原子となることはない。Bは単結合、又は鎖の中間にエーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を表す。R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。R2、R3及びR4はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を表し、但し、R2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して2価の有機基として、式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。R5はそれぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。aは0~4の整数、bは1~5の整数、c及びdは1~4の整数、eは0以上4-c以下の整数、fは0以上4-d以下の整数である。pはそれぞれ独立に0又は1を表し、tは0~2の整数を表す。該レジスト用ポリマーを構成する全繰り返し単位中、上記一般式1で示される繰り返し単位は0.5~10モルを占め、かつ、上記一般式2、3及び4で示される繰り返し単位を合計した量の割合は50~99.5モルを占めることを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト組成物。上記レジスト用ポリマーは、更に下記一般式5、6及び7式中、Cは単結合、又は鎖の中間にエーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を表す。R1は前記の通り、R6はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、ハロゲン置換されていてもよい炭素数1~8のアルキル基又はアルコキシ基、炭素数6~20の芳香環含有炭化水素基、又は炭素数1~12のハロゲン置換されていてもよいアシルオキシ基を表し、gは0~5の整数、h及びiは0~4の整数、qは0又は1、sは0~2の整数である。で示される繰り返し単位より選ばれる1以上を含有するものである請求項1記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。上記レジスト用ポリマーは、更に、下記一般式M-1又はM-2式中、R1は前記の通り、R8は、水素原子、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R9はそれぞれ独立に炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を含んでもよい1価炭化水素基、又はハロゲン原子を表す。eは0~4の整数、uは0~2の整数を表す。で示される繰り返し単位を含有する、請求項1又は2記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。更に、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有しないポリマーを配合した請求項1乃至3のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。更に、塩基性化合物を含有する請求項1乃至4のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。架橋剤として、アルコキシメチルグリコールウリル及びアルコキシメチルメラミンから選ばれる架橋剤を含有する請求項1乃至5のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。被加工基板上に請求項1乃至3のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線をパターン照射する工程、アルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。上記高エネルギー線が、EUVあるいは電子線である請求項7記載のレジストパターン形成方法。上記被加工基板はフォトマスクブランクである請求項7又は8記載のレジストパターン形成方法。上記フォトマスクブランクの最表面が、クロム系材料にて形成されたものである請求項7乃至9のいずれか1項記載のパターン形成方法。上述のポリマーに組み込まれた酸発生剤は、原理的にはネガ型レジスト組成物にも適用可能である。しかし、酸発生剤を組み込んだ繰り返し単位は、その構造由来の物性より、露光前には中性かつ脂溶性が高い状態であるのに対し、高エネルギー線を受けて分解すると強酸性へと変化して、高い水溶性を示す。そこで、アルカリ性現像液で現像しようとした場合には、酸発生剤を組み込んだポリマーの極性変化は、ポジ型パターンを作る場合には有利に働くが、ネガ型パターンを作る場合にはむしろ不利になる。そこで、より高い解像性を狙うレジスト組成物を得ようとした場合には、ネガ型レジスト組成物では酸発生剤を組み込んだポリマーを用いる技術の適用は積極的には行われなかった。従って、本発明はLERの低減等の効果を与える、酸発生剤を組み込んだポリマーを含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物及び高解像性を得るためのレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明者らが、酸発生剤を組み込んだポリマーのネガ型レジスト組成物への適用を試みたところ、微細パターンの形成時にパターン間のブリッジやスカムを発生し易いことが判明した。しかし、特定の範囲の構造を持つ酸発生剤単位と、その他の繰り返し単位の組み合わせを特定の範囲とすると、不利な方向を持つ溶解コントラストにもかかわらず、高い解像性が得られると共に、本来のLERの低減効果が同時に得られ、更には、意外なことに、アンダーカットを生じやすい基板上でのパターン形成において、アンダーカット発生が抑制されたパターン形状が得られることを見出し、本発明をなすに至った。即ち、本発明は下記の化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供する。請求項1:高エネルギー線の照射により発生する酸を触媒として、架橋剤及び/又はレジストポリマー中の架橋性官能基を有する繰り返し単位により、レジストポリマー間に架橋が形成され、アルカリ性現像液に対して不溶化する機構を有する化学増幅ネガ型レジスト組成物において、レジストポリマーが、下記一般式1の繰り返し単位と下記一般式2、3及び4から選ばれる1種以上の繰り返し単位を含有するレジストポリマーであり、式中、Aは一部又は全部の水素原子がフッ素原子、又は一部のメチレン基が酸素原子に置換されていてもよい炭素数1~10の2価炭化水素基を表す。Rfは同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、又はペンタフルオロエチル基を表すが、全てが水素原子となることはない。Bは単結合、又は鎖の中間にエーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を表す。R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。R2、R3及びR4はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を表し、但し、R2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して2価の有機基として、式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。R5はそれぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。aは0~4の整数、bは1~5の整数、c及びdは1~4の整数、eは0以上4-c以下の整数、fは0以上4-d以下の整数である。pはそれぞれ独立に0又は1を表し、tは0~2の整数を表す。該レジスト用ポリマーを構成する全繰り返し単位中、上記一般式1で示される繰り返し単位は0.5~10モルを占め、かつ、上記一般式2、3及び4で示される繰り返し単位を合計した量の割合は50~99.5モルを占めることを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト組成物。請求項2:上記レジスト用ポリマーは、更に下記一般式5、6及び7式中、Cは単結合、又は鎖の中間にエーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を表す。R1は前記の通り、R6はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、ハロゲン置換されていてもよい炭素数1~8のアルキル基又はアルコキシ基、炭素数6~20の芳香環含有炭化水素基、又は炭素数1~12のハロゲン置換されていてもよいアシルオキシ基を表し、gは0~5の整数、h及びiは0~4の整数、qは0又は1、sは0~2の整数である。で示される繰り返し単位より選ばれる1以上を含有するものである請求項1記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。請求項3:上記レジスト用ポリマーは、更に、下記一般式M-1又はM-2式中、R1は前記の通り、R8は、水素原子、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R9はそれぞれ独立に炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を含んでもよい1価炭化水素基、又はハロゲン原子を表す。eは0~4の整数、uは0~2の整数を表す。で示される繰り返し単位を含有する、請求項1又は2記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。請求項4:更に、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有しないポリマーを配合した請求項1乃至3のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。請求項5:更に、塩基性化合物を含有する請求項1乃至4のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。請求項6:架橋剤として、アルコキシメチルグリコールウリル及びアルコキシメチルメラミンから選ばれる架橋剤を含有する請求項1乃至5のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。請求項7:被加工基板上に請求項1乃至3のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線をパターン照射する工程、アルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。請求項8:上記高エネルギー線が、EUVあるいは電子線である請求項7記載のレジストパターン形成方法。請求項9:上記被加工基板はフォトマスクブランクである請求項7又は8記載のレジストパターン形成方法。請求項10:上記フォトマスクブランクの最表面が、クロム系材料にて形成されたものである請求項7乃至9のいずれか1項記載のパターン形成方法。本発明によれば、超微細パターンを要求されるレジストパターンの形成において、上述の一般式1で示される酸発生能を有する繰り返し単位と、上述の一般式2~4で示されるアルカリ性現像液への溶解性を与える繰り返し単位とを特定の範囲で組み合わせたレジスト用ポリマーを用いることで、ラインエッジラフネスの改善に加え、ネガ型レジスト組成物特有のアンダーカットの度合いが小さいレジストプロファイルの形成を可能とし、かつ高解像性を与える化学増幅ネガ型レジスト組成物を得ることができる。本発明は、高エネルギー線の照射により発生する酸を触媒として、架橋剤及び/又はポリマー中の架橋性官能基を有する繰り返し単位より生じた求電子反応活性点が、ポリマーの芳香環及び/又は水酸基と反応して、ポリマー間に架橋が形成され、アルカリ性現像液に対して不溶化する機構により、アルカリ性現像液による現像でレジストパターンを与えるレジスト膜を形成するための化学増幅型レジスト組成物に関する。本発明のレジスト組成物は、レジスト用ポリマーとして、下記一般式1で示される繰り返し単位と、下記一般式2、3及び4より選ばれる1種以上の繰り返し単位を含有するものを用いる。式中、Aは一部又は全部の水素原子がフッ素原子、又は一部のメチレン基が酸素原子に置換されていてもよい炭素数1~10の2価炭化水素基を表す。Rfは同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、又はペンタフルオロエチル基を表すが、全てが水素原子となることはない。Bは単結合、又は鎖の中間にエーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を表す。R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。R2、R3及びR4はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を表し、但し、R2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して2価の有機基として、式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。R5はそれぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基を表す。aは0~4の整数、bは1~5の整数、c及びdは1~4の整数、eは0以上4-c以下の整数、fは0以上4-d以下の整数である。pはそれぞれ独立に0又は1を表し、tは0~2の整数を表す。この場合、上記レジスト用ポリマーは、上記一般式1で示される繰り返し単位が上記レジスト用ポリマーの全繰り返し単位中0.5~10モルを占め、上記一般式2、3及び4で示される繰り返し単位の合計量の割合が上記レジスト用ポリマー中50~99.5モルである。上記一般式1は高エネルギー線の照射を受けた際、スルホニウムカチオンが分解し、ポリマーに結合されたスルホン酸基を発生する繰り返し単位である。本繰り返し単位はスルホン酸の硫黄原子が結合する炭素原子に1以上のフッ素原子、トリフルオロメチル基、又はペンタフルオロエチル基が結合されていることから、高エネルギーを受けて発生する酸は強い酸性度を示す。上記リンカーであるAはフッ素原子又は酸素原子に置換されていてもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキレン基等の2価炭化水素基であるが、好ましい具体例を下記構造式式1のスルホニウムカチオンを除いた形で記載するにて示す。式中、Rfは上記の通りである。更に、リンカーAのその他の選択方法として、特開2007-197718号公報特許文献8、特開2007-32860号公報特許文献9、国際公開第2006/121096号パンフレット特許文献10も参考にできる。上記式1中、R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を表し、但し、R2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して、2価の有機基として式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。R2、R3及びR4の好ましい具体例としては、アルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロプロピルメチル基、4-メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。オキソアルキル基としては、2-オキソシクロペンチル基、2-オキソシクロヘキシル基、2-オキソプロピル基、2-オキソエチル基、2-シクロペンチル-2-オキソエチル基、2-シクロヘキシル-2-オキソエチル基、2-4-メチルシクロヘキシル-2-オキソエチル基等を挙げることができる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、チエニル基等や、4-ヒドロキシフェニル基、4-メトキシフェニル基、3-メトキシフェニル基、2-メトキシフェニル基、4-エトキシフェニル基、4-tert-ブトキシフェニル基、3-tert-ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基、2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-n-ブチルフェニル基、2,4-ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基、メチルナフチル基、エチルナフチル基等のアルキルナフチル基、メトキシナフチル基、エトキシナフチル基等のアルコキシナフチル基、ジメチルナフチル基、ジエチルナフチル基等のジアルキルナフチル基、ジメトキシナフチル基、ジエトキシナフチル基等のジアルコキシナフチル基等が挙げられる。アラルキル基としてはベンジル基、1-フェニルエチル基、2-フェニルエチル基等が挙げられる。アリールオキソアルキル基としては、2-フェニル-2-オキソエチル基、2-1-ナフチル-2-オキソエチル基、2-2-ナフチル-2-オキソエチル基等の2-アリール-2-オキソエチル基等が挙げられる。また、R2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して硫黄原子と共に、環状構造を形成する場合には、下記式で示される基が挙げられる。式中、R4は上記と同様である。上述のスルホニウムカチオンの好ましい例を示すと、トリフェニルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-ヒドロキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-ヒドロキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、ジフェニル4-チオフェノキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルビス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、トリス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、2-ナフチルジフェニルスルホニウム、4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-n-ヘキシルオキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、ジメチル2-ナフチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、4-メトキシフェニルジメチルスルホニウム、トリメチルスルホニウム、2-オキソシクロヘキシルシクロヘキシルメチルスルホニウム、トリナフチルスルホニウム、トリベンジルスルホニウム、ジフェニルメチルスルホニウム、ジメチルフェニルスルホニウム、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム、ジフェニル2-チエニルスルホニウム、4-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、2-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、4-メトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、2-メトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム等が挙げられる。より好ましくはトリフェニルスルホニウム、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、ジメチルフェニルスルホニウム等が挙げられる。上記式1の繰り返し単位としては、特に下記式1aで示されるものが好ましく、これを用いることによって高い解像性が期待できる。式中、R1~R4は上記の通り。上記一般式1として、具体的には下記のものを例示できる。上記本発明のレジスト組成物に含まれるレジストポリマーは、アルカリ性現像液に対する溶解性を与え、分子中に極性を持つことによってポリマーに密着性を与える単位として下記一般式2、3及び4式中、R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表し、R5はそれぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。aは0~4の整数、bは1~5の整数、c及びdは1~4の整数、eは0以上4-c以下の整数、fは0以上4-d以下の整数である。pはそれぞれ独立に0又は1を表し、tは0~2の整数を表す。より選択される1以上の繰り返し単位を含有する。上記一般式2、3及び4中、Bは単結合、又は鎖の中間にエーテル性酸素原子エーテル結合を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を表す。好ましいアルキレン基の例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、及び分岐又は環構造を持つ炭素骨格の構造異性体等が挙げられ、エーテル性酸素を含む場合には、一般式2中のpが1である場合には、エステル酸素に対してα位の炭素とβ位の炭素の間を除くいずれの箇所に入ってもよい。また、pが0である場合には、主鎖と結合する原子がエーテル性酸素となり、該エーテル性酸素に対してα位の炭素とβ位の炭素の間を除くいずれの箇所に第2のエーテル性酸素が入ってもよい。なお、上記アルキレン基の炭素数が10を超える場合はアルカリ性現像液に対する溶解性が低くなり、好ましくない。R5はそれぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表す。炭素数1~6のアルキル基の好ましい例として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、及び分岐又は環構造を持つ炭素骨格の構造異性体が挙げられ、炭素数が6を超えると、アルカリ性現像液に対する溶解性が低くなり、好ましくない。aは0~4の整数、bは1~5の正の整数であるが、tが0の場合、好ましくはaは0~3の整数、bは1~3の正の整数であり、tが1又は2の場合、好ましくはaは0~4の整数、bは1~5の正の整数である。更に、tは0~2の整数を表し、0の場合はベンゼン骨格、1の場合はナフタレン骨格、2の場合はアントラセン骨格をそれぞれ示すが、これらの場合、リンカーBのナフタレン環及びアントラセン環への置換位置は何れの位置でもよい。また、cは1~4の整数、dは1~4の整数であり、eは0以上4-e以下の整数、fは4-d以下の整数である。上記一般式2で示される繰り返し単位のうち、pが0かつBが単結合である場合、つまり芳香環が高分子化合物の主鎖に直接結合した、即ちリンカーのない場合の繰り返し単位は、ヒドロキシスチレン単位に代表される水酸基が置換された芳香環に1位置換あるいは非置換のビニル基が結合されたモノマーに由来する単位であるが、好ましい具体例としては、3-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、5-ヒドロキシ-2-ビニルナフタレン、6-ヒドロキシ-2-ビニルナフタレン等を挙げることができる。また、pが1である場合、つまりリンカーとしてエステル骨格を有する場合の繰り返し単位は、メタアクリル酸エステルに代表される、カルボニルオキシ基が置換したビニルモノマー単位である。メタアクリル酸エステル由来のリンカー-CO-O-B-を持つ場合の一般式2の好ましい具体例を以下に示す。また、アセナフチレン誘導体上記一般式3の原料及びインデン誘導体上記一般式4の原料を上記レジスト用ポリマーの繰り返し単位用原料として用いることによって、高いエッチング耐性が得られることが公知であるが、下記繰り返し単位は相当する単量体が入手容易であり、目的の効果を好ましく達成することができる。本発明のレジスト組成物に含まれる上記レジスト用ポリマーは、高解像性を得るために、レジスト用ポリマーの全繰り返し単位中、5モル以上のフェノール性水酸基のような酸性を示す官能基を持たない繰り返し単位が含まれることが好ましい。酸性を示す官能基を持たない繰り返し単位の好ましい例としては、下記一般式5、6及び7式中、Cは単結合、又は鎖の中間にエーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を表す。R1は前記の通り、R6はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、ハロゲン置換されていてもよい炭素数1~8のアルキル基又はアルコキシ基、炭素数6~20の芳香環含有炭化水素基、又は炭素数1~12のハロゲン置換されていてもよいアシルオキシ基を表し、gは0~5の整数、h及びiは0~4の整数、qは0又は1、sは0~2の整数である。を挙げることができる。上記R6において、これらがハロゲン原子を表す場合、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が挙げられる。また、R6がアルキル基あるいはアルコキシ基である場合、アルキル部分は炭素数1~10、特に1~8のものが好ましく、好ましいアルキル部分としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基やその構造異性体、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基を挙げることができる。一方、炭化水素基、あるいは炭化水素オキシ基の炭化水素部分が芳香族含有基である場合、炭素数6~20の置換基を有していてもよい芳香族含有基であることが好ましく、好ましい芳香環含有炭化水素基としては、アルキル基置換もしくは非置換の、フェニル基、ナフチル基、ベンジルオキシ基、ナフチルオキシ基、フェネチル基を挙げることができる。また、R6が炭素数1~12のハロゲン置換されていてもよいアシルオキシ基である場合、好ましい置換基としてメチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、シクロオクチルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基、ナフチルカルボニルオキシ基を挙げることができる。また、別概念の酸性を示す官能基を持たないとして、上記レジスト用ポリマーには、更に酸触媒により架橋を形成する機能を有する繰り返し単位を含有していてもよい。該酸触媒により架橋を形成する機能を有する繰り返し単位は、反応機構として、酸触媒により脱アルコールあるいは脱水、もしくは開環反応を生じてカチオンセンターを形成し、芳香環あるいは水酸基に対して求電子置換反応による結合を形成する活性構造を有するものである。この際、上記酸触媒により架橋を形成する機能を有する繰り返し単位としては、エポキシ基を始めとするオキシラン構造を持つ繰り返し単位等公知の活性構造例えば特開平8-41150号公報:特許文献11が利用できるが、それ以外にも、下記のようなウレア構造を含む繰り返し単位は保存安定性の点から、より好ましい単位として用いることができる。このような機能を有する繰り返し単位の好ましい具体例としては、下記M-1及びM-2を挙げることができる。本発明のレジスト組成物に含まれる、酸性を示さないレジスト用ポリマーに含まれてもよい有用な繰り返し単位としては、下記一般式M-1及びM-2式中、R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。R8は、水素原子、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表し、R9はそれぞれ独立に炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を含んでもよい1価炭化水素基、又はハロゲン原子を表す。eは0~4の整数、uは0~2の整数を表す。を挙げることができる。上記一般式M-1及びM-2で示される繰り返し単位は、高エネルギー線照射により発生した酸を触媒として、アルコールあるいは水が脱離し、芳香環あるいは水酸基と反応することで、ポリマー間に架橋を形成する機能を有する。この繰り返し単位を、後述のレジスト組成物に添加する高分子化合物でない架橋剤の一部あるいは全部として置き換えることにより、保存安定性を損ねることなく、レジスト膜の感度を向上させることができる。上記架橋性単位を導入するためには、例えば1,3-ジアミノ-2-プロパノール8を出発原料に用いた下記反応を行うことで重合性モノマーを得ることができる。なお、Meはメチル基、Etはエチル基を表す。上記レジスト用ポリマーに加える酸性を示さない繰り返し単位の、その他の例としては、下記一般式11、12、13式中、R1は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表し、Yは酸素原子又はメチレン基を表し、Zは水素原子又は水酸基を表し、R’は炭素数1~4のアルキル基を表し、pは0~3の整数を表す。で示される単位を挙げることができる。これらの単位は、酸性を示さず、基板に対する密着性を与える単位として補助的に用いることができる。上記レジスト用ポリマーを用いたレジスト膜は、レジスト膜を形成した際に、酸発生成分の局在化を防止できるため、LERを小さくする目的に対しては有効であることが公知であるが、上述の通り、ポリマーの露光前後での溶解挙動は、ネガ型には不利である。しかし、下記のような設計を行った場合には、LERと高解像性が両立できることが判明した。即ち、上記一般式1で示される、フッ素原子含有スルホン酸塩側鎖を有する繰り返し単位の、上記レジスト用ポリマー中の全繰り返し単位に対する割合は、0.5~10モルとされる。本発明のレジスト組成物には、補助的にポリマーに結合されていない酸発生剤や、上記一般式1で示されたようなフッ素原子含有スルホン酸ではない、酸性度のやや低いスルホン酸塩単位を含むポリマーが用いられてもよいが、この単位が0.5モルより低い場合には、有効な感度を得ようとすると補助的な酸発生剤量を多く使用しなければならず、高分子に結合されていない酸発生剤量が増えた場合にはLERが悪化し、また、弱いスルホン酸塩単位の使用量が増えた場合には高解像性を得にくくなる。また、上記一般式2、3及び4で示されるフェノール性水酸基を含有する繰り返し単位の上記レジスト用ポリマーの全繰り返し単位に対する割合は50~99.5モルとされ、好ましくは60~99.5モルである。特に用いられるこのグループの繰り返し単位の中半分以上が上記一般式2においてpが1であるものでない場合には、下限は65モル以上であることが好ましい。また、用いられるこのグループの繰り返し単位の中半分以上が上記一般式2の単位である場合、上限は85モル以下であることが好ましい。このフェノール性水酸基を含有する繰り返し単位の量が60モルより低い場合には、現像時にスカムの発生が起きやすく、また、レジストパターン間にブリッジが発生し易くなる。更に、上記式5、6又は7で示される繰り返し単位を導入する場合、ポリマー全体100モルに対する導入比は、好ましくは40モル以下、より好ましくは30モル以下である。これらの繰り返し単位の導入比が高すぎる場合、レジストポリマーのアルカリ性現像液に対する溶解性が低くなりすぎ、スカムの原因になる場合がある。また、上記M-1又はM-2のような架橋性繰り返し単位を高分子化合物に導入する場合、ポリマー全体に対する導入比は、目安として5モル以上とすることで溶解性変化能を確保することができ、上限を20モル程度とすることで、上述のポリマー設計をそのまま適用することができる。また、他の架橋剤と併用することで、導入比を5モル未満としてもよい。上記式11、12、13のいずれかの繰り返し単位を導入する場合、ポリマー全体に対する導入比は、好ましくは30モル以下、より好ましくは20モル以下である。これらの繰り返し単位の導入比が高すぎる場合、エッチング耐性が悪くなる場合がある。本発明のレジスト組成物に用いる上記繰り返し単位を含有するポリマーは、公知の方法によって、それぞれの単量体を必要に応じて保護、脱保護反応を組み合わせ、共重合を行って得ることができる。共重合反応は特に限定されるものではないが、好ましくはラジカル重合である。これらの方法については特許文献6~10を参考にすることができる。上記のポリマーの好ましい分子量は、一般的な方法としてポリスチレンを標準サンプルとしてゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによって測定した場合、重量平均分子量が1,000~50,000であり、好ましくは1,000~20,000である。重量平均分子量が1,000より小さいと、従来知られているように、パターンの頭が丸くなって解像力が低下すると共に、ラインエッジラフネスが劣化する。一方、上記分子量が必要以上に大きくなった場合、解像するパターンにもよるが、ラインエッジラフネスが増大する傾向を示し、特にパターン線幅が100nm以下のパターンを形成する場合には、上記分子量を20,000以下に制御することが好ましい。GPC測定に一般的に用いられるのはテトラヒドロフランTHF溶媒であるが、本発明においてはTHFに溶解しない場合もあり、そのときはジメチルホルムアミドDMFに100mM以下の臭化リチウムを添加した溶媒で測定することができる。更に、本発明に用いるポリマーにおいては、分子量分布Mw/Mnが1.0~3.0、特に1.0~2.5と狭分散であることが好ましい。分子量分布が広い場合には、現像後、パターン上に異物が生じたり、パターンの形状が悪化することがある。また、その他の繰り返し単位として、上述のその他の繰り返し単位を始めとする材料を組み込むことが可能であるが、高解像性を得るためには、フェノール性水酸基を持つ繰り返し単位が有する程度、あるいはそれ以上の酸性度を示さないものであることが好ましい。本発明のレジスト組成物には、上述の一般式1で示される繰り返し単位を含有するレジスト用ポリマーの他に、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有しないレジストポリマーを含有していてもよい。上記一般式1で示される繰り返し単位を含有しないレジストポリマーは、酸触媒によって、後述する架橋剤、あるいは上述のレジストポリマー中の架橋形成能を有する繰り返し単位と反応して現像液に対して不溶化する機能を持つポリマーであり、すでに多数が公知である。また、LERを増大させないためには、上述の一般式1で示される繰り返し単位を含有するレジストポリマーと相溶性が高いことが必要であり、上述の一般式1で示される繰り返し単位を含有するレジストポリマーに対して、上記一般式1を含まないものの、それ以外の繰り返し単位は類似のものを主たる繰り返し単位として含むもの、即ち上述の一般式2~7、M-1、M-2を主たる繰り返し単位として含むレジストポリマーが好ましい。上述の、主たる構成要素として上記一般式2~7より選ばれる繰り返し単位を含有し、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有しないレジストポリマーを、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有するレジストポリマーと混合して用いる場合、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有しないレジストポリマーとして1種類のポリマーを単独で用いることも、複数種類のポリマーを混合して用いることもできる。ポリマーに必要な設計として重要な点は、上述の相溶性の点と、溶解速度の設計である。レジスト膜の溶解速度を適正なものとするためには、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有しないレジストポリマー全体として、上記一般式2、3及び4で示されるフェノール性水酸基を含有する繰り返し単位の、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有しないレジストポリマーの全繰り返し単位に対する割合が、50~95モル、より好ましくは60~90モルであることが好ましい。このフェノール性水酸基を含有する繰り返し単位の量が50モルより低い場合には、現像時にスカムの発生が起きやすく、また、レジストパターン間にブリッジが発生し易くなる。また、95モルより多い場合には、パターン形成時にアンダーカットが入り易くなり、基板によってはパターン倒壊の原因となりやすい。また、残りの部分の繰り返し単位として、5~7の繰り返し単位は、良好な相溶性や、エッチング特性を得るために有用な繰り返し単位であり、M-1、M-2の繰り返し単位は、感度向上に有用である。この場合、式1の繰り返し単位を含有しないレジストポリマーを2種以上使用する際、そのうち1種以上が上記範囲を外れても、配合する式1の繰り返し単位を含有しないレジストポリマー全体として上記範囲に含まれればよい。上述の上記一般式1で示される繰り返し単位を含有しないレジストポリマーを上記一般式1で示される繰り返し単位を含有するレジストポリマーと混合して用いる場合、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有するレジストポリマーの全レジストポリマーに対する割合は、30~100質量の範囲であることが好ましい。30質量未満である場合には、LERを改善する効果が十分に発現しない可能性がある。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物は、上述した架橋性繰り返し単位を含まない場合、別途、架橋剤が添加される。また、架橋性繰り返し単位を含む場合にも、補助的に架橋剤を加える場合もある。化学増幅ネガ型レジスト組成物用の架橋剤は既に多数のものが公知であり、特許文献1~3にも例示されている。別途添加される好ましい架橋剤としては、アルコキシメチルグリコールウリル類、アルコキシメチルメラミン類を挙げることができ、具体的には、テトラメトキシメチルグリコールウリル、1,3-ビスメトキシメチル-4,5-ビスメトキシエチレンウレア、ビスメトキシメチルウレア、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサエトキシメチルメラミン等が例示される。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物における架橋剤の添加量としては、レジスト用ポリマー全体を100質量部とした場合、2~40質量部、好ましくは5~20質量部である。架橋剤は単独で用いても、複数種類を混合して用いてもよい。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物には、使用する上述の一般式1で示されるポリマーの持つ繰り返し単位により、高エネルギー線が照射された際に酸が発生し、かつ発生した酸はポリマーに結合されることで拡散が制御されるという特性があるため、基本的にはその他の酸発生剤を加える必要はない。しかし、補助的に感度を上げたい場合や、パターン形状の調整等を目的として、その他の酸発生剤を少量添加してもよい。但し、過剰な添加を行った場合にはポリマーに結合された酸発生剤を用いることによる効果が失われる可能性がある。そこで、添加量は組成物中の上記ポリマーに繰り返し単位として含まれる上記一般式1の構造に基づくモル当量を超えないことが好ましく、より好ましくは上記一般式1の構造に基づくモル当量の2分の1以下である。上記ポリマーとは別に添加するその他の酸発生剤は、調整を行いたい物性に応じて適宜公知の酸発生剤特許文献1~3にも多くの例が挙げられているを参考にして選択される。添加されてもよい酸発生剤の好ましい例を下記に示す。また、その他の酸発生剤の添加方法として、上記一般式1とは異なる、高エネルギー線の照射を受けた際、スルホニウムカチオンが分解し、ポリマーに結合されたスルホン酸基を発生する繰り返し単位を持ち、上記一般式1を含まないポリマーを含有させてもよい。ネガ型に用いるポリマーに、側鎖がフッ素置換されていないスルホン酸基を発生する繰り返し単位を導入すると、レジスト材料としての溶解性が確保しにくくなる場合があり、ネガ化反応を十分に進行させる量が導入できない場合がある。しかし、側鎖がフッ素置換されていないスルホン酸基を発生する繰り返し単位を持つ材料を本発明のレジスト組成物に添加すると、側鎖がフッ素置換された酸発生繰り返し単位より発生したスルホン酸と側鎖がフッ素置換されていないスルホニウム繰り返し単位の間で一部カチオン交換が起こり、酸の拡散を抑制しつつ、酸強度の微調整を行うことができる。側鎖がフッ素置換されていないスルホン酸基を発生する繰り返し単位の好ましいものとしては、下記一般式14式中、R1~R4は上記式1と同じである。R0はそれぞれ独立に炭素数1~10のアルキル基を表す。Dは単結合あるいは鎖の中間にエーテル結合を含んでもよい炭素数1~10の2価の有機基を表す。Eはベンゼン環又は3個以下の芳香環からなる縮合多環芳香族基を表す。sは0又は1を表し、zは0~3の整数を表す。を挙げることができる。芳香族骨格Eは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環等のベンゼン環又は3個以下の芳香環からなる縮合多環芳香族基より選択され、Dは単結合あるいは酸素原子により置換されていてもよい炭素数1~10の2価の有機基である。一般式14で示される単位を与える好ましい具体例を、式14のスルホニウムカチオンを除いた形で下記に示す。なお、カチオン部分は上記一般式1で好ましいものとして挙げたものが、ここでも好ましいカチオンとして用いることができる。式中、R1は上記の通り。上記繰り返し単位14を含有するポリマーは、上述した、上記繰り返し単位1を含有するポリマーと同様な設計を行って、レジスト組成物に添加されることが好ましいが、ポリマー中の構成比の上限については上記繰り返し単位1の場合よりも低く設定することが好ましく、上記繰り返し単位14を含有するポリマー全体の繰り返し単位に対して0.5モル以上、5モル以下、かつ、レジスト組成物全体に含まれる上記繰り返し単位1のモル比を上回らない、好ましくは半分以下となるように設計される。このように設計することで、得られるポリマーの溶剤溶解性に問題が生じないようにすることができる。また、0.5モル未満となった場合には十分な添加効果が得られなくなることがある。また、本発明のレジスト組成物は、後述の溶剤を加えることによって基本的なレジスト組成物が得られるが、必要に応じ、塩基性化合物、界面活性剤、溶解阻害剤詳細は省略等を加えることもできる。塩基性化合物は、発生酸単位がポリマーに結合されていない化学増幅型レジスト組成物では事実上必須構成成分であるが、本発明のレジスト組成物においても、高解像性を得るため、あるいは適正感度に調整を行うために、塩基性化合物を添加することが好ましい。その添加量は、上記全レジストポリマー100質量部に対し、0.01~5質量部、特に0.05~3質量部が好ましい。また、用いることができる塩基性化合物は多数が知られており特許文献1~5のいずれにも開示がある、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド類、イミド類、カーバメート類、アンモニウム塩類等が知られている。これらの具体例は特許文献1や特許文献4に多数例示されているが、基本的にはこれらの全てを使用することができ、また2つ以上の塩基性化合物を選択し、混合して使用することもできる。特に好ましく配合される塩基性化合物としては、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス2-メトキシメトキシエチルアミンN-オキシド、モルホリン誘導体、イミダゾール誘導体等が挙げられる。また、パターン形成時に、パターンが基板界面で溶解しにくくなる現象、いわゆる裾引き形状になり易い基板上、これはクロム系化合物による表面を持つ基板もそうであるが、このような基板上でパターンを形成する場合、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合する水素原子を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物アミン及びアミンオキシドの窒素原子が芳香環の環構造に含まれるものを除くを用いると、パターン形状の改善を図ることができる。上述のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合する水素原子を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物は、下記一般式15~17で示される少なくともカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合する水素原子を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物が好ましいが、これに限られるものではない。式中、R10、R11はそれぞれ炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、又は炭素数1~10のアルキルチオアルキル基のいずれかである。またR10とR11が結合してこれらが結合する窒素原子と共に環構造を形成してもよい。R12は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基、又はハロゲン基のいずれかである。R13は単結合、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、又は炭素数6~20のアリーレン基である。R14は炭素数2~20の直鎖状又は分岐状の置換可アルキレン基であり、但し、アルキレン基の炭素-炭素間にカルボニル基-CO-、エーテル基-O-、エステル基-COO-、スルフィド-S-を1個あるいは複数個含んでいてもよい。また、R15は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、又は炭素数6~20のアリーレン基である。上記の炭素数6~20のアリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、ナフタセニル基、フルオレニル基を、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、デシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、デカヒドロナフタレニル基を、炭素数7~20のアラルキル基として具体的には、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、アントラセニルメチル基を、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基として具体的には、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基を、炭素数2~10のアルコキシアルキル基として具体的には、メトキシメチル基、2-メトキシエチル基、エトキシメチル基、2-エトキシエチル基、プロポキシメチル基、2-プロポキシエチル基、ブトキシメチル基、2-ブトキシエチル基、アミロキシメチル基、2-アミロキシエチル基、シクロヘキシルオキシメチル基、2-シクロヘキシルオキシエチル基、シクロペンチルオキシメチル基、2-シクロペンチルオキシエチル基及びそのアルキル部の異性体を、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基として具体的には、ホルミルオキシメチル基、アセトキシメチル基、プロピオニルオキシメチル基、ブチリルオキシメチル基、ピバロイルオキシメチル基、シクロヘキサンカルボニルオキシメチル基、デカノイルオキシメチル基を、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基として具体的には、メチルチオメチル基、エチルチオメチル基、プロピルチオメチル基、イソプロピルチオメチル基、ブチルチオメチル基、イソブチルチオメチル基、t-ブチルチオメチル基、t-アミルチオメチル基、デシルチオメチル基、シクロヘキシルチオメチル基を、それぞれ例示できるが、これらに限定されない。一般式15で示されるカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合する水素原子を含有しないアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。即ち、o-ジメチルアミノ安息香酸、p-ジメチルアミノ安息香酸、m-ジメチルアミノ安息香酸、p-ジエチルアミノ安息香酸、p-ジプロピルアミノ安息香酸、p-ジブチルアミノ安息香酸、p-ジブチルアミノ安息香酸、p-ジペンチルアミノ安息香酸、p-ジヘキシルアミノ安息香酸、p-ジエタノールアミノ安息香酸、p-ジイソプロパノールアミノ安息香酸、p-ジメタノールアミノ安息香酸、2-メチル-4-ジエチルアミノ安息香酸、2-メトキシ-4-ジエチルアミノ安息香酸、3-ジメチルアミノ-2-ナフタレン酸、3-ジエチルアミノ-2-ナフタレン酸、2-ジメチルアミノ-5-ブロモ安息香酸、2-ジメチルアミノ-5-クロロ安息香酸、2-ジメチルアミノ-5-ヨード安息香酸、2-ジメチルアミノ-5-ヒドロキシ安息香酸、4-ジメチルアミノフェニル酢酸、4-ジメチルアミノフェニルプロピオン酸、4-ジメチルアミノフェニル酪酸、4-ジメチルアミノフェニルリンゴ酸、4-ジメチルアミノフェニルピルビン酸、4-ジメチルアミノフェニル乳酸、2-4-ジメチルアミノフェニル安息香酸、2-4-ジブチルアミノ-2-ヒドロキシベンゾイル安息香酸等が挙げられる。一般式16で示されるカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合する水素原子を含有しないアミン化合物は上記の具体的に例示されたアミン化合物を酸化したものであるが、これらに限定されない。一般式17で示されるカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合する水素原子を含有しないアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。即ち、1-ピペリジンプロピオン酸、1-ピペリジン酪酸、1-ピペリジンリンゴ酸、1-ピペリジンピルビン酸、1-ピペリジン乳酸等が挙げられる。一般式16で示されるアミンオキシド構造を有する化合物は、化合物の構造に応じた最適な方法を選択して製造することができるが、例として、窒素含有化合物の酸化剤を使用した酸化反応を用いる方法、あるいは含窒素化合物の過酸化水素水希釈溶液中での酸化反応を用いる方法を挙げることができる詳細は特開2010-164933号公報参照。上記反応は酸化剤m-クロロ過安息香酸を用いたアミンの酸化反応であり、酸化反応の常法となる他の酸化剤を用いて反応を行うこともできる。反応後は、反応混合物を必要に応じて蒸留、クロマトグラフフィー、再結晶等の常法により精製することができる詳細は特開2008-102383号公報参照。本発明のレジスト組成物には、塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤を用いる場合、特許文献1~5にも多数の例が記載されているように多数のものが公知であり、それらを参考にして選択することができる。また、特開2008-304590号公報特許文献12に開示されているようなフッ素を含有するポリマーを添加することもできる。なお、界面活性剤の添加量としては、レジスト組成物中の全高分子化合物100質量部に対して2質量部以下、好ましくは1質量部以下であり、配合する場合は0.01質量部以上とすることが好ましい。本発明のレジスト組成物の調製に使用される有機溶剤としては、高分子化合物、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、メチル-n-アミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れている乳酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及びこれらの混合溶剤が好ましく使用される。有機溶剤の使用量は、全高分子化合物100質量部に対して1,000~10,000質量部、特に2,000~9,700質量部が好適である。このような濃度に調整することにより、回転塗布法を用い、膜厚が10~200nmのレジスト膜を安定して平坦度よく得ることができる。本発明のレジスト組成物を使用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができる。一般論としては、集積回路製造用の基板表層の材料がSi、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜等であるシリコンウエハー等、あるいはマスク回路製造用の基板表層の材料がCr、CrO、CrON、MoSi等である石英基板等にスピンコーティング等の手法で膜厚が0.05~2.0μmとなるように塗布し、これをホットプレート上で60~150°C、1~10分間、好ましくは80~140°C、1~5分間プリベークする。次いで目的のパターンを形成するためのマスクを用い、あるいはビーム露光により、遠紫外線、エキシマレーザー、X線等の高エネルギー線又は電子線を露光量1~200mJ/cm2、好ましくは10~100mJ/cm2となるように照射する。露光は通常の露光法の他、場合によってはマスクとレジスト膜の間を液浸するImmersion法を用いることも可能である。その場合には水に不溶な保護膜を用いることも可能である。次いで、ホットプレート上で、60~150°C、1~5分間、好ましくは80~140°C、1~3分間ポストエクスポージャーベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは2~3質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像して、基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明のレジスト組成物は、特に高いエッチング耐性を持ち、かつ露光後、露光後加熱までの時間が延長された場合にもパターン線幅の変化が小さいことが要求される条件で使用される際に有用である。このことから、特に電子線リソグラフィーによるフォトマスクブランクの加工に有効である。また、被加工基板として、レジストパターンの密着性に優れ取り難いことからパターン剥がれやパターン崩壊を起こし易い材料を表面に持つ基板への適用に特に有用であり、特にパターン崩壊が問題になる基板表面の材料が金属クロムや酸素原子、窒素原子、炭素原子の1以上の軽元素を含有するクロム化合物をスパッタリング成膜した基板上、これはフォトマスクブランクで常用されるものであるが、これらの上でのパターン形成に有用である。以下、合成例、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記例中、Meはメチル基を表す。また、共重合組成比はモル比であり、重量平均分子量Mwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量を表す。[ポリマー合成例1]窒素雰囲気下、200mLの滴下シリンダーに4-1-エトキシエトキシスチレン57.66g、アセナフチレン6.52g、4-メチルスチレン8.61g、下記Z-1のモノマー7.21g、ジメチル-2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオネート和光純薬工業株製、商品名V6017.89g、溶媒としてメチルエチルケトンを90g加えた溶液を調製した。更に窒素雰囲気下とした別の500mL重合用フラスコに、メチルエチルケトンを59g加え、80°Cに加温した状態で、上記で調製した溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合温度を80°Cに維持しながら18時間撹拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液にメタノール60g、シュウ酸二水和物を1.6g加え、50°Cで4時間撹拌した。室温まで冷却後トリエチルアミンを2.1g加え中和を行った。得られた反応溶液を濃縮後、THF120gに再溶解し、ヘキサン1,000gに滴下して析出した共重合体を濾別した。濾別したポリマーを300gのヘキサンで二回洗浄を行い、洗浄した共重合体を酢酸エチル230gと水90gに溶解した。得られた2層溶液を分液ロートに移し、そこに酢酸0.48gを加えて分液操作を行った。続いて下層を抜き出し、残った有機層に水90g、ピリジン0.67gを加えて分液操作を行った。更に下層を抜き出し、水90gを加えての分液操作を4回繰り返した。その後、有機層である酢酸エチルを濃縮し、アセトン100gに溶解させ、得られたアセトン溶液を2Lの水に滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別したポリマーを1Lの水で二回洗浄を行い、得られた共重合体を50°Cで24時間乾燥を行って、ポリマー1を50g得たポリマー1Mw=4,610Mw/Mn=1.52。[ポリマー合成例2]窒素雰囲気下、200mLの滴下シリンダーに4-1-エトキシエトキシスチレン55.98g、アセナフチレン4.86g、4-メチルスチレン2.64g、上記Z-1のモノマー6.71g、下記Y-1のモノマー8.69g、ジメチル-2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオネート和光純薬工業株製、商品名V6017.17g、溶媒としてメチルエチルケトンを90g加えた溶液を調製した。更に窒素雰囲気下とした別の500mL重合用フラスコに、メチルエチルケトンを59g加え、80°Cに加温した状態で、上記で調製した溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合温度を80°Cに維持しながら18時間撹拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液にメタノール60g、シュウ酸二水和物を1.6g加え、50°Cで4時間撹拌した。室温まで冷却後トリエチルアミンを2.1g加え中和を行った。得られた反応溶液を濃縮後、THF120gに再溶解し、ヘキサン1,000gに滴下して析出した共重合体を濾別した。濾別したポリマーを300gのヘキサンで二回洗浄を行い、洗浄した共重合体を酢酸エチル230gと水90gに溶解した。得られた2層溶液を分液ロートに移し、分液操作を行った。続いて下層を抜き出し、残った有機層に水90g加えて分液操作を4回行った。その後、有機層である酢酸エチルを濃縮し、アセトン100gに溶解させ、得られたアセトン溶液を2Lの水に滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別したポリマーを1Lの水で二回洗浄を行い、得られた共重合体を50°Cで24時間乾燥を行って、ポリマー2を50g得たポリマー2Mw=4,750Mw/Mn=1.60。[ポリマー合成例3]窒素雰囲気下、200mLの滴下シリンダーに4-ヒドロキノンモノメタクリレート56.19g、アセナフチレン8.24g、4-メチルスチレン7.99g、上記構造モノマーZ-17.58g、ジメチル-2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオネート和光純薬工業株製、商品名V601を8.31g、溶媒としてメチルエチルケトンを90g加えた溶液を調製した。更に窒素雰囲気下とした別の300mL重合用フラスコに、メチルエチルケトンを59g加え、80°Cに加温した状態で、上記で調製した溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合温度を80°Cに維持しながら4時間撹拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を1,300gのヘキサンに滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別した共重合体をヘキサン300gで二回洗浄を行い、更に得られた濾別体をメチルエチルケトン140gに溶解し、0.02μmのナイロンフィルターを通したメチルエチルケトン溶液をヘキサン1,300gに滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別した共重合体をヘキサン300gで二回洗浄を行い、乾燥して白色の共重合体を75gで得たポリマー7Mw=4,100Mw/Mn=1.59。[ポリマー合成例4~13]各単量体の種類、配合比を変えた以外は、ポリマー合成例1~3と同様の手順により、表1に示した樹脂を製造した。表1中、各単位の構造を表2に示す。なお、下記表1において、導入比はモル比を示す。[実施例1~15、比較例1]ネガ型レジスト組成物の調製上記で合成したポリマーポリマー1~13、下記式で示されるポリマーK、酸発生剤PAG-1、PAG-2、塩基性化合物Base-1、Base-2を表3に示す組成で有機溶剤中に溶解してレジスト組成物を調合し、更に各組成物を0.2μmのテフロン登録商標製フィルターで濾過することにより、ネガ型レジスト組成物の溶液をそれぞれ調製した。表6中の有機溶剤は、PGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、EL乳酸エチルである。また、各組成物には、添加剤として、テトラメトキシメチルグリコールウリルTMGU、界面活性剤としてPF-636OMNOVASOLUTIONS製を0.075質量部添加した。電子ビーム描画評価上記調製したネガ型レジスト組成物実施例1~15、比較例1をACT-M東京エレクトロン株製を用いて152mm角の最表面が酸化窒化クロム膜であるマスクブランク上にスピンコーティングし、ホットプレート上で、110°Cで600秒間プリベークして80nmのレジスト膜を作製した。得られたレジスト膜の膜厚測定は、光学式測定器ナノスペックナノメトリックス社製を用いて行った。測定はブランク外周から10mm内側までの外縁部分を除くブランク基板の面内81箇所で行い、膜厚平均値と膜厚範囲を算出した。更に、電子線露光装置株ニューフレアテクノロジー製、EBM-5000plus、加速電圧50keVを用いて露光し、120°Cで600秒間ベークPEB:postexposurebakeを施し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ネガ型のパターンを得ることができた。更に得られたレジストパターンを次のように評価した。作製したパターン付きウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡で観察し、200nmの1:1のラインアンドスペースを1:1で解像する露光量を最適露光量μC/cm2とし、400nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量における最小寸法を解像度とし、200nmLSのエッジラフネスをSEMで測定した。パターン形状については、矩形か否かを目視にて判定した。EB描画における本発明のレジスト組成物及び比較用のレジスト組成物の評価結果を表7に示す。上記表7に示す通り、本発明のレジスト組成物は、比較例1に挙げられたレジスト組成物と比較して、解像性、ラインエッジラフネスに優れていることを示した。このことから、特に超LSI製造用の電子線リソグラフィーによる微細パターン形成材料、マスクパターン形成材料として好適な化学増幅ネガ型レジスト組成物を提供することができる。"