"発振部に接続された可変抵抗部を電源電圧に応じた制御電圧で制御し、発振部の発振周波数を電源電圧に応じて安定化する発振回路において、前記制御電圧を発生する制御電圧発生部は、電源電位と接地電位との間にダイオード素子と容量素子を直列に接続し、さらに容量素子に並列に初期化スイッチを接続し、ダイオード素子と容量素子との間から前記制御電圧を取り出す構成であり、任意または所定のタイミングで初期化スイッチをオンとする初期化信号を入力して前記制御電圧を接地電位に設定する初期化手段を備えたことを特徴とする発振回路。請求項1に記載の発振回路において、前記並列接続の容量素子と初期化スイッチは、初期化信号によりオンオフするスイッチングトランジスタとその寄生容量であることを特徴とする発振回路。請求項1に記載の発振回路において、前記初期化手段は、前記発振部の出力信号を前記初期化信号として前記制御電圧発生部の初期化スイッチに入力する構成であることを特徴とする発振回路。請求項1に記載の発振回路において、前記初期化手段は、前記発振部の出力信号の分周信号を前記初期化信号として前記制御電圧発生部の初期化スイッチに入力する構成であることを特徴とする発振回路。図5に示す発振回路の制御電圧発生部10は、ダイオード接続トランジスタP51,P52、N51,N52と抵抗素子R51,R52を直列接続した構成により、電源電圧の変動をモニタし、それに応じた制御電圧VBP,VBNを生成する構成である。そのため、所定の直流電流が流れ、マイクロファラッドレベルの容量素子に蓄えられた電荷を電源とする場合に、動作させることができなかった。本発明は、マイクロファラッドレベルの容量で供給する電源を用い、電流供給が小さくかつ電圧変動が大きい電源電圧に対して、安定した発振周波数を得ることができる発振回路を提供することを目的とする。本発明は、発振部に接続された可変抵抗部を電源電圧に応じた制御電圧で制御し、発振部の発振周波数を電源電圧に応じて安定化する発振回路において、制御電圧を発生する制御電圧発生部は、電源電位と接地電位との間にダイオード素子と容量素子を直列に接続し、さらに容量素子に並列に初期化スイッチを接続し、ダイオード素子と容量素子との間から制御電圧を取り出す構成であり、任意または所定のタイミングで初期化スイッチをオンとする初期化信号を入力して制御電圧を接地電位に設定する初期化手段を備える。本発明の発振回路において、並列接続の容量素子と初期化スイッチは、初期化信号によりオンオフするスイッチングトランジスタとその寄生容量である。本発明の発振回路において、初期化手段は、発振部の出力信号を初期化信号として制御電圧発生部の初期化スイッチに入力する構成である。本発明の発振回路において、初期化手段は、発振部の出力信号の分周信号を初期化信号として制御電圧発生部の初期化スイッチに入力する構成である。本発明の発振回路は、制御電圧発生部の直流電流を、初期化時を除きゼロ化することができ、消費電流を低減できるので、例えばマイクロファラッドレベルの容量素子から電荷が供給される電源でも動作させることができる。したがって、振動発電素子や太陽電池から生成される微小な電流でも、容量に蓄積することで、本発明の発振回路を動作させることができる。また、電源部の発電量を大きくする必要がないので、発電素子や蓄電用容量の体積を小さくすることができる。図1は、本発明の発振回路の実施例1の構成を示す。図1において、実施例1の発振回路は、発振部100、可変抵抗部200および制御電圧発生部300により構成される。発振部100は、図5に示す従来の発振回路におけるインバータ30に相当し、ここではNAND回路101、インバータ102、インバータ103をループ接続したリングオシレータを示す。NAND回路101の一方の入力端子に許可信号が入力して発振動作を開始し、発振信号がインバータ103の出力から分岐して出力端子に取り出される。なお、図5に示す電流源などは省略している。可変抵抗部200は、図5に示す従来の負荷容量部60に相当し、ここでは容量素子201と可変抵抗素子202を直列接続した構成を示す。なお、可変抵抗素子202は、図5に示すスイッチングトランジスタであるMOSFETのソースドレイン間抵抗を用いることができる。当該スイッチングトランジスタを制御電圧発生部300から入力する制御電圧により制御することにより、可変抵抗素子202の抵抗値が制御される。制御電圧発生部300は、図5に示す従来の制御電圧発生部10を改良したものである。電源端子と接地端子との間にダイオード素子301と容量素子302を直列接続し、容量素子302に初期化スイッチ303を並列接続した構成であり、ダイオード素子301と容量素子302との間から可変抵抗部200の可変抵抗素子202を制御する制御電圧を出力する。なお、ダイオード素子301は、図5に示す従来の制御電圧発生部10のダイオード接続トランジスタと同等である。また、初期化スイッチ303をスイッチングトランジスタで構成する場合、その寄生容量を容量素子302として利用し、容量素子302を省略した構成としてもよい。本構成では、初期化信号がHigh状態で初期化スイッチ303がオンになる期間以外、すなわち初期化信号がLow状態のときは直流電流が流れないので、電流供給が小さくかつ電圧変動が大きい電源電圧に対して、安定した発振周波数を得ることができる。以下、実施例1の発振回路において、電源電圧に応じて発振周波数が所定の範囲に安定化する動作について、図2を参照して説明する。初期化信号がLow状態で、初期化スイッチ303がオフのとき、制御電圧発生部300が出力する制御電圧は、電源電圧からダイオード素子301の閾値電圧だけ降下した電圧に設定され、電源電圧の変動に対応する制御電圧が可変抵抗部200に出力される。しかし、このままでは、容量素子302に電荷が蓄積して電源電圧の変動に応じた制御電圧が得られなくなるので、定期的に初期化信号をHigh状態にすることにより初期化スイッチ303をオンとし、容量素子302を接地電位に接続して蓄積した電荷を放電する。このとき、制御電圧発生部300から出力される制御電圧は接地電位となり、可変抵抗部200は所定の抵抗値に設定され、発振部100も所定の発振周波数に設定される。初期化信号がLow状態になると初期化スイッチ303がオフとなり、制御電圧発生部300の制御電圧は接地電位から、電源電圧からダイオード素子301の閾値電圧だけ降下した電圧になるまで上昇する。このとき、可変抵抗部200の抵抗値は減少し、これに応じて発振部100は電源電圧に対応する発振周波数まで低下する。このように、初期化信号を適切な間隔でHigh状態とすることにより、発振周波数を電源電圧の変動に応じた所定の範囲内に制御することができる。図3は、本発明の発振回路の実施例2の構成を示す。図3において、実施例2の発振回路は、実施例1の発振部100の出力端子の出力信号発振信号を、初期化信号として制御電圧発生部300の初期化スイッチ303に入力し、制御電圧をリセットする構成である。これにより、発振部100の出力信号の遷移のタイミングで、可変抵抗部200の容量値が初期化され、発振周波数が所定の範囲内に制御される。本構成では、初期化信号を生成する回路が不要のため、回路面積および消費電力の低減が可能になる。図4は、本発明の発振回路の実施例3の構成を示す。図4において、実施例3の発振回路は、実施例2の発振部100の出力端子の出力信号発振信号を分周回路400を介して分周し、その分周信号を初期化信号として制御電圧発生部300の初期化スイッチ303に入力する構成である。これにより、単位時間当たりに初期化する回数を低減できるため、実施例2の構成に比べて消費電力の低減が可能である。"