つぼ形導体の円筒部に、該つぼ形導体の開口部側端面から傾斜するスリットを備え、該傾斜スリットと連続し、前記つぼ形導体の開口部側端面に対して垂直に伸びるスリットを備えていることを特徴とする真空遮断器用電極。請求項1に記載の真空遮断器用電極において、前記つぼ形導体の開口部側端面から前記傾斜スリット端部までの距離をH、前記垂直スリットの長さLとするとき、3.0≧HL/H>1.5の関係を有することを特徴とする真空遮断器用電極。円筒状に形成された絶縁筒の軸方向両端部が端板で封じられた真空容器と、該真空容器内に配置された相対的に開離する一対の固定及び可動電極と、該固定及び可動電極の裏面より前記真空容器外に延びる固定及び可動ロッドと、前記可動ロッドを前記端板に対して移動可能なように取り付けるベローズと、前記固定電極及び可動電極の周囲に設けられたシールドとを備えた真空遮断器において、前記固定電極及び可動電極は、請求項1又は2に記載の真空遮断器用電極であることを特徴とする真空遮断器。特許文献1に記載されているように、真空遮断器用電極を形成するつぼ形導体を深くすることで渦電流の影響が低減され、磁界強度の低下や残留磁界の増加を低減することができる。しかしながら、特許文献1では、つぼ形導体を深くすると共に円筒部の傾斜スリットが軸方向に延伸すると、コイル部の中心コイル高さ方向上下方向中心がアーク発生部から遠ざかるため、アンペアターンが同一の場合には、アーク発生部の磁界強度が低下してしまう。また、つぼ形導体を深くするとき、円筒部の傾斜スリットの傾斜角度を固定したまま延長させてターン数を増加させた場合は、磁界強度の増加と共に残留磁界も増加するため、遮断性能の低下が懸念される。更に、円筒部の傾斜スリットの形状傾斜角度、スリット高さを固定したままつぼ形導体を深くすると、傾斜スリットの下方に位置する円筒部に渦電流が発生するため、残留磁界が増加する。一方、特許文献2に記載の真空遮断器用電極のように、接点導体と傾斜スリットの間に垂直スリットが形成されていると、傾斜スリットがアーク発生部から遠ざかり、磁場強度が低下するため、望ましいスリット配置とはならない。本発明は上述の点に鑑みなされたもので、その目的とするところは、磁界強度の増加と残留磁界の低減を両立させることのできる真空遮断器用電極及び真空遮断器を提供することにある。本発明の真空遮断器用電極は、上記目的を達成するために、つぼ形導体の円筒部に、該つぼ形導体の開口部側端面から傾斜するスリットを備え、該傾斜スリットと連続し、前記つぼ形導体の開口部側端面に対して垂直に伸びるスリットを備えていることを特徴とする。具体的には、前記つぼ形導体の開口部側端面から前記傾斜スリット端部までの距離をH、前記垂直スリットの長さLとするとき、3.0≧HL/H>1.5の関係を有することを特徴とする。本発明によれば、磁界強度の増加と残留磁界の低減を両立させることができるという効果がある。以下、図示した実施例に基づき、本発明の真空遮断器用電極及び真空遮断器を説明する。図1乃至図3に、本発明の真空遮断器用電極の実施例1を示す。該図に示す如く、本実施例の真空遮断器用電極は、接点導体1とつぼ形導体2及び支持体3とから概略構成されている。接触導体1は円板形状をなし、その一方の端面には、つぼ形導体2の開口部側端面2a及び支持体3が接している。この接点導体1は、導電率が高く耐電圧性能に優れた材料、例えば銅を主成分とした合金で製作されている。つぼ形導体2は中空円筒形状を成し、円筒部2bと底部2cとからなる。円筒部2bには、開口部側端面2aに対して角度αで傾斜し、かつ、開口部側端面2aからHの距離まで伸びる傾斜スリット4、及び傾斜スリット4の端部から開口部側端面2aに対して垂直にLの距離だけ伸びる垂直スリット5が形成されている。また、つぼ形導体2の底部2cは、図示されない通電棒を介して外部回路と接続されている。尚、つぼ形導体2は、導電率の高い材料、例えば無酸素銅から製作されている。このつぼ形導体2の直径をDとすると、1つの傾斜スリット4が包囲する角度β図3参照は、1で与えられる。β=arcsin1支持体3は、円柱の両端面に該円柱よりも直径の大きく、かつ、つぼ形導体2の内径よりも直径の小さな円板が接続された形状であり、一方の端面には接触導体1の端面が接しており、他方の端面にはつぼ形導体2の底部2cが接している。この支持体3は、導電率が低く、かつ、弾性係数の高い材料、例えばステンレス鋼で製作されている。真空遮断器は、後述するが、図1乃至図3に示した真空遮断器用電極を2つ対向させて配置し、互いの真空遮断器用電極の接点導体1同士を接離することにより、電流の投入動作と遮断動作を行うものである。本実施例の真空遮断器用電極では、接点導体1を介してコイル部6に流入した電流により、接点導体1の端面に垂直な磁界、いわゆる縦磁界が発生する。この時の磁界強度は、コイル部6を流れる電流とコイルの巻き数の積、いわゆるアンペアターンに比例する。つぼ形導体2の底部2cなどの渦電流発生部は、アークから遠い方が電極間の縦磁界に与える渦電流の影響は小さく、一方、コイル部6は、アークに近い方が電極間の縦磁界強度が強くなる。よって、電流遮断性能を示す指標の一つとして、渦電流発生部までの距離とコイル高さの比を用いることができる。図4に示すように、つぼ形導体2に傾斜スリット4を形成した一般的な縦磁界電極では、つぼ形導体2のつぼ深さHtが、接点導体1から渦電流発生部円筒部2bのスリットが形成されていない部分までの距離を表す。よって、渦電流発生部までの距離/コイル高さ=Ht/Hにより電極の遮断性能を表すことができる。図4に示す一般的な縦磁界電極では、Ht/H=1であるが、本実施例では、傾斜スリット4の下端に垂直スリット5をもうけることで、2式とする。Ht/H>12図5に示すように、垂直スリット5がつぼ形導体2の底部2cに到達しない場合、つまり、HL<Htの場合には、垂直スリット5とつぼ形導体の底部2cとの間に位置する円筒部に渦電流が発生する。よって、接点導体から渦電流発生部までの距離はHLとなり、式2は、式3に修正される。尚、垂直スリット5がない場合には、L=0となる。HL/H>13図1乃至図3に示す真空遮断器用電極に対して、垂直スリット長さLを変化させた場合の磁場強度及び残留磁界とHL/Hとの関係を図6に示す。尚、磁場強度及び残留磁界は、最大値により規格化している。図6から分かるように、HL/Hを大きくすることにより磁場強度は増加する。一方、1<HL/H<1.5程度では、渦電流の影響低減効果と磁場強度の増加が相殺し、残留磁場は同程度であるが、HL/H>1.5程度になると残留磁場が減少し始める。また、電極寸法が増大すると装置が大型化するので、HL/Hは、3.0程度以下が望ましい。よって、磁界強度の増加と残留磁界の低減を両立させるためには、式4に示す条件が望ましい。3.0≧HL/H>1.54このように、本実施例の構成とすることにより、磁界強度の増加と残留磁界の低減を両立させる縦磁界型の真空遮断器用電極を提供することができる。また、本実施例は、従来の傾斜スリットを有する縦磁界電極の下端に、垂直スリットを設けるだけで容易に実現することができる。尚、上述した特許文献2における真空遮断器用電極は、接点導体側のスリットが垂直スリットで、この垂直スリットに傾斜スリットが続いている構成であり、本実施例の真空遮断器用電極のような、接点導体側のスリットが傾斜スリットで、この傾斜スリットに垂直スリットが続く構成とは異なる。傾斜スリットは縦磁界を発生させる役割をもち、接点電極に近いことが望ましいことから、特許文献2のように、接点導体と傾斜スリットの間に垂直スリットがあると、傾斜スリットがアーク発生部から遠ざかり、磁場強度が低下することは明らかであり、本実施例のような効果が得られないことになる。次に、実施例1の真空遮断器用電極を採用した本発明の真空遮断器を、図7を用いて説明する。該図に示す真空遮断器は、円筒状に形成された絶縁筒7の軸方向両端部が金属から成る端板8a及び8bで封じられた真空容器14と、この真空容器14内に配置された相対的に開離する一対の固定及び可動電極10a及び10bと、この固定及び可動電極10a及び10bの裏面より真空容器14外に延びる固定及び可動ロッド9a及び9bとから概略構成されている。また、端板8aを通して固定された固定ロッド9aの先端に固定電極10aが固定され、端板8bを通して移動可能なように可動ロッド9bが、ベローズ11介して取り付けられ、可動ロッド9bの先端に可動電極10bが固定されている。固定電極10a及び可動電極10bの周囲には、絶縁筒7を保護するためのシールド12が設けられている。そして、本発明の真空遮断器では、上述の固定電極10a及び可動電極10bとして、実施例1で説明した真空遮断器用電極が採用されている。次に、電流を遮断するときの動作について、図7を用いて説明する。図示しない操作器によって可動電極10bを固定電極10aと反対の方向に駆動することにより、固定電極10aと可動電極10bが開極し、両電極間にアーク13が発生する。アーク13を通して電流が接点導体1に流れ込み、つぼ形導体2を介して固定ロッド9又は可動ロッド9bに流れる。このような構成により、良好な遮断性能を有する真空遮断器を提供することができる。