"半導体デバイス設計用の光波データを、コンピューティングデバイスのプロセッサによって複数の領域に分割すること102と、前記光波データを前記領域に分割した後で、各領域の前記光波データだけを考慮し、各領域の複数の隣接領域の前記光波データは考慮せずに、前記プロセッサによって、各領域の前記光波データに対する第1の波面処理を実行すること104と、各領域の前記光波データに対する前記第1の波面処理を実行した後、前記第1の波面処理の結果に基づいて、前記プロセッサによって、各領域の前記光波データを規格化すること106と、各領域の前記光波データを規格化した後、規格化された各領域の前記光波データに少なくとも基づき、各領域の前記光波データと各領域の前記隣接領域の前記光波データを含む各領域の回りの保護帯とを考慮して、前記プロセッサによって、各領域の前記光波データに対する第2の波面処理を実行すること108とを含む方法100。前記光波データを受け取ること101をさらに含み、前記光波データは、1つ又は複数のマスク設計プロセスに従って生成され、前記第1の波面処理及び前記第2の波面処理は、前記1つ又は複数のマスク設計プロセスの1つ又は複数の型式には依存せず且つそれらに関わりなく実行され、前記光波データが分割されてなる前記領域は、前記マスク設計プロセスが独立且つ並列に実行された領域に対応する、請求項1に記載の方法。前記光波データを受け取ること101をさらに含み、前記光波データは、各領域に対して独立且つ並列に光近接効果補正OPCを実行して、前記OPCの結果を前記光波データに変換することによって生成される、請求項1に記載の方法。前記光波データを受け取ること101をさらに含み、前記光波データは、各領域に対して独立且つ並列にソースマスク最適化を実行することによって生成される、請求項1に記載の方法。前記光波データを受け取ること101をさらに含み、前記領域は、第1の領域であって、前記第1の領域の各々に対して独立且つ並列に実行される第1のマスク設計プロセスに従って前記光波データが生成される前記第1の領域と、第2の領域であって、前記第2の領域の各々に対して独立且つ並列に実行される第2の設計プロセスに従って前記光波データが生成される前記第2の領域とを含む、請求項1に記載の方法。前記第1のマスク設計プロセスは光近接効果補正であり、前記第2のマスク設計プロセスはソースマスク最適化である、請求項5に記載の方法。前記第2の波面処理の結果を出力すること122をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記半導体デバイス設計の半導体デバイスのインスタンスを作製するために前記第2の波面処理の結果を用いること122をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記光波データを前記領域に分割することは、前記光波データを、行及び列を有する格子に編成された複数の矩形領域に分割することを含む、請求項1に記載の方法。前記第2の波面処理を実行することは、前記領域を4つのグループに編成し、前記格子の奇数番目の行の前記領域が、第1のグループから始まるグループに逐次的且つ反復的に割り当てられ、前記格子の偶数番目の行の前記領域が、第3のグループから始まるグループに逐次的且つ反復的に割り当てられるようにすること110と、前記第1のグループの前記領域に対して並列に前記第2の波面処理を実行すること114と、前記第1のグループの前記領域に対して前記第2の波面処理を実行した後で、第2のグループの前記領域に対して並列に前記第2の波面処理を実行すること114と、前記第2のグループの前記領域に対して前記第2の波面処理を実行した後で、第3のグループの前記領域に対して並列に前記第2の波面処理を実行すること114と、前記第3のグループの前記領域に対して前記第2の波面処理を実行した後で、第4のグループの前記領域に対して並列に前記第2の波面処理を実行すること114とを含む、請求項9に記載の方法。各領域の前記光波データに対する前記第1の波面処理を実行することは、各領域の前記光波データだけを考慮し、前記隣接領域の前記光波データを考慮せずに、各領域に対して単純な並列形式で実行される、請求項1に記載の方法。各領域の前記光波データに対する前記第1の波面処理を実行することは、前記光波データ内に元から存在する各領域の光学ドメイン値から、各領域の空間ドメイン値を生成することを含む、請求項1に記載の方法。前記第1の波面処理の前記結果に基づいて各領域の前記光波データを規格化することは、前記光波データ内の各領域の前記光学ドメイン値を、生成された前記空間ドメイン値に基づいて規格化することを含む、請求項12に記載の方法。各領域の前記光波データに対する前記第2の波面処理を実行することは、各領域の前記光波データの前記規格化から生じる、各領域の規格化された光学ドメイン値、及び前記第2の波面処理によって既に生成された各領域の前記空間ドメイン値から再変換された各領域の規格化された光学ドメイン値のうちの1つ又は複数から、各領域の空間ドメイン値を生成することを含む、請求項13に記載の方法。前記第2の波面処理を実行することは、前記領域を、第1のグループ及び最後のグループを含む複数のグループに編成し、各領域が1つのグループだけに割り当てられ、所与のグループの所与の領域の回りの前記保護帯が前記所与のグループの他のいずれの領域とも重なり合わず、且つ前記所与のグループの他のいずれの領域の回りの保護帯とも重なり合わないようにすること110と、各グループの前記領域に対して並列に前記第2の波面処理を逐次的に実行し、前記第2の波面処理が最初に前記第1のグループの前記領域に対して並列に実行され、前記第2の波面処理が最後に前記最後のグループの前記領域に対して並列に実行されるようにすること114とを含む、請求項1に記載の方法。前記第2の波面処理を実行することは、前記領域の前記光波データが効果的に縫合されることをもたらす、請求項1に記載の方法。前記第2の波面処理を実行することは、線形計画問題を解くことを含む、請求項1に記載の方法。前記第2の波面処理は、前記第1の波面処理よりも粒度が細かい、請求項1に記載の方法。コンピューティングデバイスのプロセッサによって実行されたときに方法100が実行されるコンピュータプログラムをストアしたコンピュータ可読媒体であって、前記方法は、半導体デバイス設計用の光波データを複数の領域に分割すること102と、前記光波データを前記領域に分割した後、各領域の前記光波データだけを考慮し、各領域の複数の隣接領域の前記光波データは考慮せずに、各領域の前記光波データに対して第1の波面処理を実行すること104と、前記光波データに対して前記第1の波面処理を各領域の実行した後で、前記第1の波面処理の結果に基づいて、各領域の前記光波データを規格化すること106と、各領域の前記光波データを規格化した後、規格化された各領域の前記光波データに少なくとも基づき、各領域の前記光波データと、各領域の前記隣接領域の前記光波データを含む各領域の回りの保護帯とを考慮して、各領域の前記光波データに対して第2の波面処理を実行すること108とを含む、コンピュータ可読媒体。マスクを用いて作製される半導体デバイスであって、前記マスクは、半導体デバイス設計用の光波データを、コンピューティングデバイスのプロセッサによって複数の領域に分割すること102と、前記光波データを前記領域に分割した後、各領域の前記光波データだけを考慮し、各領域の複数の隣接領域の前記光波データは考慮せずに、前記プロセッサによって、各領域の前記光波データに対する第1の波面処理を実行すること104と、各領域の前記光波データに対する前記第1の波面処理を実行した後で、前記第1の波面処理の結果に基づいて、前記プロセッサによって、各領域の前記光波データを規格化すること106と、各領域の前記光波データを規格化した後、各領域の規格化された前記光波データに少なくとも基づき、各領域の前記光波データと、各領域の前記隣接領域の前記光波データを含む各領域の回りの保護帯とを考慮して、前記プロセッサによって、各領域の前記光波データに対する第2の波面処理を実行すること108とを含む方法100を実行することによって生成される、半導体デバイス。本発明の目的は、半導体デバイス設計用のマスクデータの波面処理を行うための、従来技術の欠陥を克服する改善された方法を提供することにある。本発明の実施形態の方法は、光波データを領域に分割するコンピューティングデバイスのプロセッサを含む。光波データを領域に分割した後、プロセッサは、各領域の光波データだけを考慮し、各領域の複数の隣接領域の光波データを考慮せずに、各領域の光波データに対して第1の波面処理を実行する。各領域の光波データに対して第1の波面処理を実行した後、プロセッサは、第1の波面処理の結果に基づいて、各領域の光波データを規格化する。各領域の光波データを規格化した後、プロセッサは、規格化された各領域の光波データに少なくとも基づいて、各領域の光波データに対して第2の波面処理を実行する。第2の波面処理は、各領域の光波データと、各領域の隣接領域の光波データを含む各領域の回りの保護帯とを考慮する。一実施形態において、本方法は光波データを受け取ることを含む。光波データは、1つ又は複数のマスク設計プロセスによって生成することができる。第1の波面処理及び第2の波面処理は、これらマスク設計プロセスの型に依存せず且つそれらに関わりなく実行される。例えば、光波データは、各領域に対して独立且つ並列に光近接効果補正OPCを実行し、OPCの結果を光波データに変換する例えばフーリエ変換によりことによって生成することができる。この実施例及び他の実施例において、光波データが分割される領域は、マスク設計プロセスが独立且つ並列に実行される領域に対応することに留意されたい。第2の例として、光波データは、各領域に対して独立且つ並列にソースマスク最適化SMOを実行することにより生成することができる。第3の例として、領域は第1の領域及び第2の領域を含むことができる。光波データは、第1の領域に対して、第1の領域の各々に対して独立且つ並列に実行される第1のマスク設計プロセスに従って生成することができる。これと比べて、光波データは、第2の領域に対して、第2の領域の各々に対して独立且つ並列に実行される第2のマスク設計プロセス第1のマスク設計プロセスとは異なるに従って生成することができる。例えば、第1のマスク設計プロセスはOPCとすることができ、一方第2のマスク設計プロセスはSMOとすることができ、ここでOPCは、半導体デバイスの比較的まばらな集積を有する領域に対して実行することができ、SMOは、そのデバイスの比較的密な集積を有する領域に対して実行することができる。本発明の実施形態のコンピュータ可読媒体は、その上にストアされたコンピュータプログラムを有する。コンピューティングデバイスのプロセッサによるコンピュータプログラムの実行により、方法が実行される。本方法は、半導体デバイス設計の光波データを領域に分割する。光波データを領域に分割した後、本方法は、各領域の光波データだけを考慮し、各領域の複数の隣接領域の光波データを考慮せずに、各領域の光波データに対して第1の波面処理を実行する。各領域の光波データに対して第1の波面処理を実行した後、本方法は、第1の波面処理の結果に基づいて、各領域の光波データを規格化する。各領域の光波データを規格化した後、本方法は、規格化された各領域の光波データに少なくとも基づき、各領域の光波データに対して第2の波面処理を実行する。第2の波面処理には、各領域の光波データと、各領域の隣接領域の光波データを含む各領域の回りの保護帯とを考慮する。本発明の実施形態の半導体デバイスは、マスクを用いて作製される。マスクは、方法を実行することによって生成される。本方法は、光波データを領域に分割するコンピューティングデバイスのプロセッサがことを含む。光波データを領域に分割した後、プロセッサは、各領域の光波データだけを考慮し、各領域の複数の隣接領域の光波データは考慮せずに、各領域の光波データに対して第1の波面処理を実行する。各領域の光波データに対して第1の波面処理を実行した後、プロセッサは、第1の波面処理の結果に基づいて、各領域の光波データを規格化する。各領域の光波データを規格化した後、プロセッサは、規格化された各領域の光波データに少なくとも基づき、各領域の光波データに対して第2の波面処理を実行する。第2の波面処理は、各領域の光波データと、各領域の隣接領域の光波データを含む各領域の回りの保護帯とを考慮する。背景技術の節で記したように、リソグラフィ結像形成用に最適化された光波に対して波面処理を実行することができ、その結果、波面処理によって生成されたマスクパターンを用いる後続のフォトリソグラフィは、例えば作製プロセス中の半導体デバイスを含む半導体ウェハの上に、所望の構造部を適切にリソグラフィによりプリントすることができる。波面処理の実行を速めるために、従来技術の一手法は、最適化された光波データを多数の作業ユニットに分割し、波面処理を各作業ユニットについて独立に、そして多くの場合並列に実行する。即ち、各作業ユニットには、波面処理が実行される全ての他の作業ユニットと同時ではなくても並行して、独立に波面処理が実行される。独立の作業ユニットが逐次的に処理されるときでも、全体の処理時間は、作業が別個の部分に分割されるとその影響が緩和される望ましくない非直線性を処理動作が含むときには、通常短くなるであろう。この手法の問題は、作業ユニット間の境界で起る。ひとたび波面処理が各作業ユニットに対して実行されると、問題のフォトマスクを実現するために作業ユニットは再び縫合される必要がある。しかし、波面処理は各ユニットに対して独立に実行されるので、作業ユニットがそこで縫合される作業ユニットの境界において不一致及び不適合が起る可能性がある。これらの不一致及び不適合を最小にするために、従来技術の手法は、所与の作業ユニットに対して波面処理を実行するときに所与の作業ユニットの回りの保護帯guardbandを考慮する。保護帯は、所与の作業ユニットの直ぐ隣にある各作業ユニット内の光波データの一部分を考慮に入れたものである。しかし、この回避策は作業ユニットの境界における不一致及び不適合を完全には解消しない。この理由は、保護帯が所与の作業ユニットの直ぐ隣にある各作業ユニット内の元の光波データの一部分を考慮に入れたものであるからである。即ち、保護帯は、各々の隣接作業ユニット内の波面処理後の実際のマスク形状データの一部分を考慮に入れることができない。この理由は、各作業ユニットの光波データが、全ての他の作業ユニットの光波データと独立に、そして多くの場合並列に即ち並行して波面処理されるからである。各作業ユニットの波面処理は、単に各作業ユニットの元の光波データだけを利用したものである。同様の不適合は、重なり合う作業ユニットを用いて処理される大きな面積のリソグラフィマスク、例えば、その構造部が光近接効果補正OPCによって又は補助構造部レイアウトによって処理される大きなマスクを設計するための他の手法においても生じる。一般に、不適合は、別個の作業ユニットとして処理される隣接マスク領域のマスクパターン内で生じる可能性がある。本発明の実施形態は、これらの問題を克服する。具体的には、2つの型の波面処理が光波データに対して実行される。光波データは領域に分割される。第1の波面処理が、各領域の光波データに対して実行され、その結果に基づいて各領域の光波データを規格化することができる。この第1の波面処理は、粗い波面処理と考えることができ、その理由は、各領域の光波データだけが考慮され、いずれの隣接領域の光波データも考慮されないためである。ひとたび各領域のマスクデータが規格化されると、第1の波面処理に基づいて規格化された各領域のマスクデータに少なくとも基づいて、各領域のマスクデータに対する第2の波面処理が実行される。この第2の波面処理は、微細波面処理と考えることができ、その理由は、各領域のマスクデータ、並びに各領域の回りの隣接領域のマスクデータを含む保護帯が考慮されるからである。第2の波面処理は、領域を効果的に再縫合して、フォトリソグラフィに用いることができるフォトマスクを形成する。一実施形態において、第2の波面処理は、領域をグループに編成することによって実行される。各々の領域は、1つのグループにのみ割り当てられる。所与のグループの所与の領域の回りの保護帯は、所与のグループの他のいずれの領域とも重なり合わず、且つ、所与のグループの他のいずれの領域の回りの保護帯とも重なり合わない。従って、第2の波面処理は、各グループの領域に対して並列に、逐次的に実行することができる。例えば、第2の波面処理は、初めに1つのグループの領域に対して並列に実行され、次いで他のグループの領域に対して並列に実行され、以下同様に、全てのグループの領域が第2の波面処理を受けるまで実行することができる。このようにして、波面処理は、領域境界における不一致及び不適合が少なくとも実質的に解消されるように実行することができる。さらに、第2の波面処理中でも、グループ毎にグループの領域に対して並列処理が行われるので、動作が過度に低下することはない。従って、波面処理はソースマスク最適化SMOの要素と考えることができ、それゆえに、随意に並列波面処理のために別個の作業ユニットに分割される光波の拡張セットを、SMOステップを用いて生成することができる。しかし、光波の拡張セットはまた、マスクパターンの予備的セットのフーリエ変換を行うことによって生成することもでき、ここで予備的とは、パターンがさらに完全に設計される必要があることを意味する。フーリエ変換は、マスクパターンを含むマスクから外側に回折される振幅を与える。SMO、OPC、又は補助構造部生成などの任意のマスク設計法を随意に用いて、予備的マスクパターンを設計することができる。次に、隣接する作業ユニットの光波を波振幅の単純平均によって縫合し、予備的マスクパターンのセット全体の回折振幅を与えることができる。この平均には、例えば、傾斜重みのような加重をかけることができ、その結果、2つの重なり合う作業ユニットのうちの対応する1つの中心に最も近い、重なり合う保護帯の特定の側に対して、近い方のユニットの波の加重をより強めることができる。これと比べて、重なり合う保護帯の反対の側にたいしては、他方の作業ユニットのパターンの加重を強めることができ、加重は、これら2つの側の間の中間領域を直線的に横切るような傾斜型とされる。この点で、このような光波は、予備的マスクパターンが典型的には膜内の開口を表す形状をとり、従って典型的には性質上2値である点で、予備的マスクパターン自体とは異なる。適合しない2値形状が隣接作業ユニットの保護帯内で重なり合う場合、これら2値形状が非常に異なった不適合トポロジを有し得るので、従来技術では一般に、適合しない形状間の折り合いを付ける最適縫合を表す形状を決定することが不可能である。従って、SMOを伴わない、例えば、OPC又は補助構造部生成のようなマスク設計プロセスにおいて、個別の重なり合う作業領域内の予備的マスクパターンに対して独立にOPC又は補助構造部生成プロセスを適用することによって予備的マスク設計を形成し、次いで、これら設計を、処理された予備的設計の第1のフーリエ変換を行うことによって縫合して、光波のセットを得ることが可能である。その後、光波は、例えば傾斜加重平均によって縫合される。次に縫合された波面処理を用いて、OPC処理された又は補助されたマスクパターンの、縫合不適合がない縫合セットが生成される。そのようなステップはまた、マスク設計が暫定的に完了したが、さらに改善が望まれるある程度の数の問題領域がその後に識別された場合にも適用することができる。各々の問題領域は別個の作業ユニットとして取り扱うことができ、この作業ユニットは次に、例えば、SMO、又はプロセスウィンドウOPCのような強化されたOPC法により、又は補助構造部の修正セットを用いて、修正又は改善され、次いで、作業領域及び重なり合う保護帯をフーリエ変換によって光波に変換することができる。次にこれらの光波が、例えば、傾斜加重平均によって縫合される。次に、縫合された波面処理結果を用いて、周囲領域と適合する修正された領域内のマスクパターンを生成する。従って、このようにして従来技術に付随する問題が回避される。図1は、本発明の実施形態による方法100を示す。方法100は、コンピュータ可読データ記憶媒体上にストアされるコンピュータプログラムとして実施することができる。コンピュータ可読データ記憶媒体は、ダイナミックランダムアクセスメモリのような揮発性コンピュータ可読媒体、ハードディスクドライブ又はフラッシュメモリのような不揮発性コンピュータ可読媒体、及び/又は他の型のコンピュータ可読媒体とすることができる。コンピューティングデバイス、例えばコンピュータなどのプロセッサがコンピュータプログラムを実行して、その結果、方法100の実行がもたらされる。従って、コンピューティングデバイスのプロセッサは、方法100の各パートを実行するものと考えることができる。光学的パターンが、波面処理のための入力データとして準備される101。光学的パターンは、ウェハ上の目標設計のフーリエ変換、又はOPC処理されたマスク設計のフーリエ変換を行うことによって、又はソースマスク最適化SMOからの出力によって準備することができる。これらの光学ドメイン値は、集合的に一般に光波データ呼ばれ、典型的には周波数ドメイン値であり、連続的であり得る。光学的パターンは、理想的なマスク形状及び理想的な波面処理を表す。これに比べると、例えば、空間ドメイン値は、実際のマスク形状を表すことができ、例えば2階調マスクを用いる場合には、2値のみを取ることができる。例えば、ガラスマスク上のクロムの場合、マスクの透過率値はゼロ又は1のどちらかとなる。その場合は、これに比べると光学的パターンでは許容される中間値は、存在することができない。従って、パート101で受け取られる光波データは、OPC又はSMOなど殆ど全ての型式のマスク設計プロセスによって準備することができる。例えば、OPC型のプロセスにおいて、OPCは典型的には光波データを生成するものとは見なされない。これに比べて、方法100のパート101は、有利なことに、そして従来技術とは対照的に、それにもかかわらずOPCの出力を光波データとして扱う。従って、全体として方法100は、それゆえに本発明の実施形態は、極めて全般的な種類の設計プロセスを縫合する方法を、その設計プロセス自体がそのような縫合が可能であることを想定しない場合にも、提供する。このことは、方法100を以下で詳しく説明する際により明白となるであろう。光学的パターンは、領域に分割される102。従って、各光学的パターンが分割された各領域は、光学ドメインの光学的パターンを含む。図2は、本発明の実施形態による、方法100のパート102の典型的な実行を示す。マスクデータ200が、集合的に領域202と呼ばれる、領域202A、202B、..、202Nに分割される。マスクデータ200は、より一般的には光波データと呼ばれる。図2の例において、領域202は、いくつかの行及びいくつかの列を有する格子に編成された矩形領域である。図2には、図示の便宜上、4つの行及び4つの列だけが描かれている。しかし、実際には通常、多数の行及び多数の列、例えば、少なくとも数百の行及び数百の列が存在することになる。図2において、領域202の1つの特定の領域204を例示的に取り上げる。領域204は、各領域202がいくつかの隣接領域をどのように有するかを示すために取り上げる。領域204は、具体的には8つの隣接領域、206A、206B、206C、206D、206E、206F、206G、及び206Hを有し、これらは集合的に隣接領域206と呼ばれる。隣接領域206は、それぞれ領域204と辺を共有する領域206B、206D、206E、及び206Gを含む。隣接領域206はまた、それぞれ領域204と角を共有する領域206A、206C、206F、及び206Hを含む。再び図1を参照すると、マスクデータ即ち光波データが領域に分割された後、第1の波面処理と呼ばれる処理が、各領域のマスクデータ即ち光波データに対して実行される104。第1の波面処理は、各領域のマスクデータ即ち光波データに対して、一実施形態においては並列に実行することができる。即ち、この波面処理は、所与の領域のマスクデータ即ち光波データに対して、あらゆる他の領域のマスクデータ即ち光波データに対するこの波面処理の実行と並列に、実行することができる。所与の領域の第1の波面処理は、その所与の領域のマスクデータだけを考慮し、所与の領域の隣接領域など、他のいかなる領域のマスクデータ即ち光波データも考慮しない。この点で、第1の波面処理は、粗い波面処理と考えることができ、その理由は、これが所与の領域の波面処理を実行するときに所与の領域の隣接領域を考慮しないためである。第1の波面処理は、光学ドメインのマスクデータ即ち光波データの光学値を空間ドメインに変換する。従って、元の光学的パターン値即ち光学値は、実際のマスク形状を表す空間値に変換される。図3は、本発明の実施形態による、方法100のパート104の典型的な実行を示す。図2のマスクデータ200は、図3ではマスクデータ200’として示され、光学値が第1の波面処理によって空間値に変換されたことを表す。従って、図2の領域202は、図3において対応する領域202’を有する。上記のように、マスクデータ200は、より一般的には光波データと呼ばれる。図2の領域202が光学値の領域を表すのに対して、図3の領域202’は、光学値が変換された空間値の領域を表す。領域202’は、図3では領域同士が互いに触れない分解された形式で示されており、各領域202が、その領域202のマスクデータ即ち、光波データだけを考慮し、他のいずれかの領域202のマスクデータ即ち、光波データを考慮せずに、対応する領域202’に変換されたことを強調するようになっている。例えば、領域204’は、図2の対応する領域204の光学値が変換された空間値を表す。この変換においては、図2の隣接領域206の光学値も、図3の隣接領域206’の空間値も考慮されていない。再び図1を参照すると、第1の波面処理が実行された後、各領域のマスクデータ即ち、光波データが第1の波面処理の結果に基づいて規格化される106。即ち、各領域の光学値は、第1の波面処理から得られる全ての領域の空間値に基づいて規格化される。このような規格化は、あらゆる領域が同じ輝度又は強度レベルを有することを保証する。これが実行される理由は、最終的にフォトマスクがフォトリソグラフィ中に用いられるとき、フォトマスク全体が光源に曝されるためである。即ち、フォトマスクのすべての領域は、同時に光源に曝される。パート106の規格化は、照射量整合doseMatchingと呼ぶことができる。照射量整合は、各領域におけるマスクデータ即ち、光波データの光学値が、フォトリソグラフィ中に用いられる同じ照射量の光に対する露光に基づくものであることを保証する。一実施形態において、規格化は、以下のように第1の波面処理の結果に基づいて実行される。初めに、例えば分割された光学的パターンの回折次数値の平均値などの光学値が、各領域に存在する。これらの値は、doInitA、doInitB、doInitC、...、doInitNのように表すことができる。第1の波面処理は、各々の波面処理されたマスク形状のフーリエ変換値の平均値を取ることによって得られる周波数ドメインの値をもたらす。これらの値は、doWeA、doWeB、doWeC、...、doWeNのように表すことができる。次に、各領域に関する変換効率を、前者の値を後者の値で割ることにより決定することができる、即ち、doInitA/doWeA、doInitB/doWeB、doInitC/doWeC、...、doInitN/doWeNとなる。最小の変換効率が規格化のために選択され、これはKで表すことができる。各々の初期光学値即ち、doInitA、doInitB、などにKを掛けて、各領域の規格化された光学値が得られる。図4は、本発明の実施形態による方法100のパート6の代表的な実行を示す。図2のマスクデータ200は、図4ではマスクデータ200で示され、光学値が規格化されたこと第1の波面処理から得られた空間値に基づいてを表す。従って、図2の領域202は、図4中に、集合的に領域202と呼ばれる、対応する領域202A、202B、...202Nを有する。上記のように、マスクデータ200はより一般的に光波データと呼ぶことができる。図2の領域202が規格化されていない光学値の領域を表すのに対して、図4の領域202は規格化された光学値の領域を表す。領域202は、図4においては分解された形式で描かれていない。この理由は、光学値が、図3の全ての領域202’の空間値を用いて規格化されているからである。即ち、上記のように、全ての領域202’の空間値が分析されて最終的に最小変換効率値が探し当てられる。最小変換効率値に基づいて、図2の領域202の光学値が規格化されて図4の領域202の規格化された光学値がもたらされる。従って、このように、図3の全ての領域202’の空間値を用いて、領域202の規格化された光学値が生成されると言うことができる。図5は、本発明の特定の実施形態に従い、どのようにして空間ドメイン値を光学ドメイン値に戻すことができるかを示す。具体的には、図5のマスクデータ200’は、第1の波面処理によって光学値が変換された空間値を表す。図5において、2つの領域202A’及び202B’を具体的に取り上げる。重み関数404は、領域202A’に対して、領域202A’の空間値を変換して光学値に戻すときに領域202A’が用いられる程度を、領域202B’が用いられる程度に対立するものとして示す。重み関数404はまた、領域202B’に対して、領域202B’の空間値を変換して光学値に戻すときに領域202A’が用いられる程度を、領域202B’が用いられる程度に対立するものとして示す。重み関数404は、直線的傾斜として図示されるが、他の実施形態においては別の型式の重み関数にすることができる。区域402の左側までは、領域202A’の空間値を光学値に戻すときに領域202B’は全く使われない又は、言い換えれば、領域202A’だけが考慮される。しかし区域402内では、この変換に用いられる領域202A’の部分が左から右に向かって減少し図5の特定の波動関数404内では直線的に、その結果、用いられる領域202B’の部分が増加する。同様に、区域402の右側までは、領域202B’の空間値を光学値に戻すときに領域202A’は全く使われない又は、言い換えれば、領域202B’だけが考慮される。しかし区域402内では、この変換に用いられる領域202A’の部分が右から左に向かって増加し図5の特定の波動関数404内では直線的に、その結果、用いられる領域202B’の部分が減少する。再び図1を参照すると、各領域のマスクデータ即ち、光波データが規格化された後、第2の波面処理が、各領域のマスクデータ即ち、光波データに対して実行される108。パート104の第1の波面処理とは異なり、パート108における所与の領域の第2の波面処理には、所与の領域のマスクデータ即ち、光波データのみならず、所与の領域の隣接領域のマスクデータ即ち、光波データが考慮される。この点で、第2の波面処理は、所与の領域に対して波面処理を行うときに所与の領域の隣接領域が考慮されるので、第1の波面処理よりも粒度が細かい微細波面処理と考えることがでる。第2の波面処理はまた、光学ドメイン内のマスクデータの光学値を空間ドメインに変換する。種々の実施形態において、空間ドメインに変換されるマスクデータの光学値は以下の1つ又は複数とすることができる。第1に、光学値は、パート106の規格化から得られる規格化された光学値とすることができる。第2に、所与の領域が第2の波面処理の実行により既に空間値に変換されている場合、そして所与の領域が別の領域を空間値に変換するのに必要とされる場合、光学値は、所与の領域の空間値が規格化された光学値に再変換されたものとすることができる。従っていずれの場合にも、第2の波面処理によって空間値に変換される光学値が、最終的に規格化された光学値となる。さらに、マスクデータ即ち、光波データの光学値を空間ドメインの空間値に変換する方法は、従来的に遂行される方法とすることができる。所与の領域の第2の波面処理には、所与の領域の隣接領域が考慮されるので、これらの領域の境界における不一致及び不適合は解消されるが、このことは、後で詳細な説明においてより詳しく論じる。さらに、第2の波面処理は、所与の領域の第2の波面処理に所与の領域の隣接領域が考慮されるという事実により、領域同士を効果的に縫合すると言える。一実施形態において、波面処理、例えば第2の波面処理は、Methodforformingarbitrarylithographicwavefrontsusingstandardmasktechnologyと題する、2009年4月29日出願の米国特許出願第12/431,865号に記載されているように実行される。この手法においては、線形計画問題を解いて、最適化された空間的データが得られる。線形計画問題においては、輝度を最大にすること又はマスクエラー増大因子MEEFを最小にすることが、目標の光学値及び製造可能性に関する種々の制約下での目的と考えることができる。図6は、本発明の実施形態による、単一の代表領域に対する方法100のパート108の代表的な実行を図示する。規格化された光学値の代表領域204を、その隣接領域と共に具体的に示す。領域206A’’’206B’’’、206C’’’、及び206D’はトリプルプライムで示されるが、その理由は、これらの領域が既に第2の波面処理を受けており、それゆえに空間値を含んでいるからである。これに比べて、領域206E、206F、206G、及び206Hはダブルプライムで示されるが、その理由はこれらの領域が未だ第2の波面処理を受けておらず、それゆえに規格化された光学値を含んでいるからである。図6の焦点は、領域204の領域204’’’への変換、即ち、第2の波面処理による規格化された光学値の領域から空間的光学値の領域への変換である。保護帯502を図6に示す。保護帯502は、領域204に対して第2の波面処理を実行して領域204’’’を生成するときに、各々の領域206A’’’、206B’’’、206C’’’、206D’’’、206E’’、206F、206G、及び206Hが考慮される程度を示す。即ち、領域204の隣接領域の各々の一部分が、領域204に対して第2の波面処理を実行して領域204’’’を生成するときに考慮に入れられる。領域204及びその隣接領域からの領域204’’’の生成は、これらの領域の規格化された光学値に基づく。しかし、領域206A’’’、206B’’’、206C’’’、及び206D’’’は空間値を含み、光学値を含まない。それゆえに、領域206A’’’、206B’’’、206C’’’、及び206D’’’の空間値は、領域204’’’の生成のために、一時的に変換されて規格化された光学値に戻される。これに比べて、領域206E、206F、206G、及び206Hはもとから依然として規格化された光学値を含むので、領域204に対して第2の波面処理を実行して領域204’’’を生成するために、変換される必要はない。上記のように、本発明の実施形態の第2の波面処理は領域の境界における不一致及び不適合を解消するのに対して、従来技術では、それら不一致及び不適合をせいぜい最小にすることはできるが、解消することはできない。従来技術は、領域毎に実行される波面処理の並列的実行の性質のために、それらを完全には解消することができない。即ち、全ての領域に対する波面処理を並列に実行し、一領域に対する波面処理が他の各々の領域に対して実行される波面処理と並行して及び/又は同時に実行されるようにすることによっては、従来技術において領域の境界における依存関係を適合させることはできない。これと比べて、本発明の一実施形態においては、領域の境界におけるそれら不一致及び不適合を完全に解消するために、ハイブリッド型の逐次-並列手法を使用する。具体的には、領域を適切にグループに編成し、各々の領域が1つグループにのみ割り当てられるようにする。この編成は、所与のグループの所与の領域の回りの保護帯が、所与のグループの他のいずれの領域とも重なり合わず、さらに所与のグループの他のいずれの領域の回りの保護帯とも重なり合わないようにする。各グループ内の領域は、並列に第2の波面処理を受けることができ、その結果、所与のグループ内の各領域が、第2の波面処理を受ける同じグループ内の他のあらゆる領域と並行して及び/又は同時に第2の波面処理を受ける。しかし、グループそれ自体は逐次的に処理される。例えば、初めに第1のグループの全ての領域が処理され即ち、第2の波面処理を並列に受けることにより、その後、第2のグループの全ての領域が処理され、以下同様である。この手法では、所与のいずれの時点でも所与のグループの領域だけが並列に第2の波面処理を受けるので、並列処理が逐次的に用いられる。異なるグループの領域は、逐次的に処理される。次にこの手法を詳しく説明する。再び図1を参照すると、一実施形態において、パート108は、上記のように、初めに領域をグループに編成することによって実行される110。図7は、本発明の実施形態により、図2のマスクデータ200の領域202をどのように4つの異なるグループに分割することができるかを示す。図7の各領域202の中央に文字A、B、C、又はDがある。文字A、B、C、及びDは、領域202が分割された4つのグループA、B、C、及びDに対応し、ここで特定の領域202の内部の文字はその領域202が所属するグループを示す。上記のように、マスクデータ200は、より一般的に光波データと考えることができる。領域202は、これら4つのグループA、B、C、及びDに、以下のように編成される。格子の奇数番目の行、例えば、第1の行604A及び第3の行604Cの領域202は、グループAから出発して逐次的且つ反復的にグループA、B、C、及びDに割り当てられる。これと比べて、偶数番目の行、例えば、第2の行604B及び第4の行604Dの領域202は、グループCから出発して逐次的且つ反復的にグループA、B、C、及びDに割り当てられる。この、領域202の4つのグループA、B、C、及びDへの編成は、所与の領域の回りの保護帯が同じグループ内のいずれの他の領域とも重なり合わず、且つ、同じグループ内の他のいずれの領域の保護帯とも重なり合わないことを保証する。例えば、図7において、グループAに属する領域202の回りの保護帯を点線602で示す。グループAに属するそのような各領域202の回りの保護帯は、同じグループA内の他のいずれの領域とも重なり合わず、且つ、グループA内の他のいずれの領域の保護帯とも重なり合わない。従って、グループA内の領域202は並列に第2の波面処理を受けることができ、グループA内の各領域202の保護帯がグループA内の他のいずれの領域202とも重なり合わないので、境界における不一致及び不適合が完全に解消される。これは、領域を並列に波面処理することにより、処理される他の領域と重なり合う保護帯を有する領域が処理されることになる従来技術とは対照的である。例えば、図7に関連して、領域202Aは、従来技術においては領域202Bと並列に処理され得る。しかし、領域202Aの保護帯は領域202Bと重なり合い、逆もまた同様である。このことは、これら2つの領域202A及び202Bが同時に処理されるとき競合状態が起る可能性があり、その結果、領域202Aと領域202Bとの間の境界における不一致及び不適合をせいぜい最小にすることはできるが、本発明の実施形態におけるように完全に解消することはできないことを意味する。再び図1を参照すると、現在グループが、領域が編成されたグループのうちの第1のグループに設定される112。第2の波面処理が、現在グループの全ての領域に対して並列に実行される114。その後、現在グループが最後のグループではない場合には116、現在グループは次のグループに進み118、方法100はパート114で新たな現在グループに対して繰返される。ひとたび全ての領域のグループが第2の波面処理を受けると、現在グループが最後のグループとなり116、パート108は終了する120。再び図7を参照すると、初めにグループA内の領域202が並列に第2の波面処理を受ける。これが終了すると、次にグループB内の領域202が並列に第2の波面処理を受ける。これが終了すると、グループC内の領域202が並列に第2の波面処理を受ける。これが終了すると、グループD内の領域202が並列に第2の波面処理を受ける。従って、所与のグループの領域の波面処理は、この所与のグループの他の領域とは並列に実行されるが、この所与のグループの領域の波面処理は、他のグループの領域に対しては直列に即ち、逐次的に実行される。再び図1を参照すると、ひとたび第2の波面処理が実行されると、結果として得られる製造可能マスク形状データは、出力され又は半導体デバイスのインスタンスを作製するために使用され、後者は従来と同様である122。第2の波面処理の結果は、領域の境界間の不一致及び不適合が解消された空間値を含む実際のマスク形状データである。このマスクデータはマスクを表すものであり、これは、例えば、ユーザに対してディスプレイ装置上に表示すること、ネットワーク上で通信すること、印刷装置を用いて印刷すること、及び記憶装置上に記憶することなどによって、出力することができる。最終的に、このマスクデータが表すマスクはリソグラフィに用いられ、マスクに対応する設計を有する半導体デバイスのインスタンスが作製される。このように、方法100は、大部分のマスク設計プロセスが効率のために独立した作業ユニット内で行われる、極めて全般的な種類のマスク設計プロセスを縫合する方法を提供する。SMO以外の全ての従来技術において、マスク設計プロセスは、光波データを生じるものとは全く考えられておらず、それに比べると方法100はこれが出発点であると想定する。さらにSMOでさえも、方法100におけるように光波データを縫合することはせず、また波面処理自体のその後の縫合も行わない。方法100における波面処理から得られる光波は、例えば、独立に設計された作業ユニット即ち、領域のマスクパターンに対してフーリエ変換を行うことによって得ることができる。従って、一般に、方法100は、SMO、OPCなどの全ての型式のマスク設計プロセスに適用可能である。方法100の核心は、光波データを、記述された領域に対して独立に生成し、次いで方法100によって縫合することができることである。方法100のこの利点を強調するために、図8及び図9は、本発明の異なる実施形態による、方法100を実行することができる2つの異なる型式のフォトマスクを示す。図8において、フォトマスク700又はマスクデータが、領域702A、702B、...、702Nに分割され、これらは集合的に領域702と呼ばれる。OPCを各領域702に対して独立に実行し、次いでフーリエ変換を行って、光波データを生じさせることができ、この光波データに対して方法100が実行される。代替的に、SMOを各領域702に対して独立に実行して光波データを生じさせることができ、この光波データに対して方法100が実行される。即ち、OPC又はSMOのようなマスク設計プロセスの結果が光波データを生じる限り、方法100を実行するのにどのような型のマスク設計プロセスを用いるかは問題ではない。従って、方法100は、各領域702に対して、他のあらゆる領域702とは独立に適用されるマスク設計プロセスの結果を縫合することができる一般化された手法である。並列処理を有利に用いて、領域702毎に光波データを生成することができ、次いで、方法100を用いて、異なる領域702の光波データを縫合することができる。さらに、異なるマスク設計プロセスを異なる領域に用いることができる。例えば、図9において、フォトマスク750又はマスクデータを中央処理装置CPUのようなプロセッサ用のものとする。フォトマスク750は、一次領域752と、集合的に二次領域754と呼ばれる2つの二次領域754A及び754Bとを有する。一次領域752は比較的まばらな半導体デバイスの集積を有し、これに対して二次領域754は比較的密な半導体デバイスの集積を有する。図9の例において、二次領域754は、スタティックランダムアクセスメモリSRAM、例えば、図9のプロセッサのレベル2L2キャッシュに対応するものとすることができる。一次領域752は第1の領域に分割することができ、二次領域754は第2の領域に分割することができるが、これは図9には描いていない。伝統的なOPCを第1の領域に対して並列に実行し、結果をフーリエ変換して光波データを得ることができ、一方SMOを第2の領域に対して並列に実行して光波データを生じさせることができる。次に、全ての第1及び第2の領域の光波データが、方法100を実行することによって縫合される。従って、図9は、必要に応じて異なるマスク設計プロセスを異なる領域に用いることができること、そしてそのような異質に生成された光波データでもなお方法100によって縫合することができることを示す。このことは、フォトマスク750の異なる部分に異なる型式のマスク設計プロセスの利点を生かすことができるので、有利である。領域752におけるような半導体デバイスのまばらな集積には、SMOよりも典型的には迅速に実行されるOPCを実行することができる。これと比べて、領域754におけるような半導体デバイスの密な集積にだけ、OPCよりも典型的にはゆっくり実行されるSMOを実行することができる。換言すれば、方法100は、領域毎に独立に生成された光波データを入力として受け取るので、所与の領域の光波データを生成するのにどのようなマスク設計プロセスが用いられたかは、方法100の最終的な実行には問題にならない。図9が例証するように、OPC及びその後のフーリエ変換を用いて幾つかの領域の光波データを生成することができ、SMOを用いてその他の領域の光波データを生成することができる。方法100は、所与の領域の光波データを生成するのに用いられるマスク設計プロセスには依存せず、このことは、異なるマスク設計プロセスを用いて異なる領域の光波データを生成することができることを意味する。図8及び図9において、光波データを生じさせるためにOPC及び/又はSMOのような1つ又は複数のマスク設計プロセスが独立且つ並列に実行される領域は、方法100のパート102において全体としてのマスクデータが分割されてなる領域とすることができる。換言すれば、パート102におけるマスクデータの領域への分割は、光波データを生じさせるためにマスク設計プロセスが実行されたのと同じ領域を用いることによって、簡単に遂行することができる。従って、そのような実施形態において、パート102におけるマスクデータの領域への分割は、新たな分割ではなく、それら領域に対して独立且つ並列にマスク設計プロセスを実行する前に行われたのと同じ分割である。最後に、本明細書では特定の実施形態を示し説明したが、当業者であれば、同じ目的を達成するように計算されたいずれかの配置により、図示した特定の実施形態を置き換えることができることを認識するであろうことを留意されたい。本明細書で説明したものに加えて、本発明の実施形態の他の用途及び使用が、少なくとも幾つかの実施形態に対して適用可能である。本出願は、本発明のあらゆる適合及び変形をカバーすることを意図したものである。従って、本発明は特許請求の範囲及びその均等物によってのみ限定されるべきであることが明白に意図されている。"