パルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナであって、第1導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第1導電層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に挟まれ、かつ前記第1導電層の半導体材料または前記第2導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、前記第1導電層に電気的に接続する第1電極と、前記第2導電層に電気的に接続する第2電極と、を備え前記第1導電層と前記半導体層と前記第2導電層との積層方向に垂直な法線を有する前記半導体層の面に、前記パルス光が入射することを特徴とする光伝導アンテナ。前記半導体層は、長手形状をなしている請求項1に記載の光伝導アンテナ。前記半導体層は、前記積層方向から見たとき、前記半導体層の幅Wが前記半導体層の前記光パルスが入射する入射面から前記半導体層のテラヘルツ波が出射する出射面に向うに従って漸増する部位を有する請求項1または2に記載の光伝導アンテナ。前記第2導電層は、前記積層方向に垂直な法線を有する前記第2導電層の面と前記半導体層の前記入射面とが同一平面上に位置し、かつ、前記半導体層上の一部のみに設けられている請求項1ないし3のいずれかに記載の光伝導アンテナ。前記積層方向に垂直な法線を有する前記半導体層の面を覆う被覆層を有する請求項1ないし4のいずれかに記載の光伝導アンテナ。前記半導体層のテラヘルツ波が出射する出射面に前記被覆層が設けられており、該出射面に設けられた前記被覆層の構成材料の比誘電率は、前記半導体層の前記半導体材料の比誘電率よりも高い請求項5に記載の光伝導アンテナ。前記半導体材料は、III-V属化合物半導体である請求項1ないし6のいずれかに記載の光伝導アンテナ。パルス光を発生する光源と、前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、前記光伝導アンテナは、第1導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第1導電層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に挟まれ、かつ前記第1導電層の半導体材料または前記第2導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、前記第1導電層に電気的に接続する第1電極と、前記第2導電層に電気的に接続する第2電極と、を備え、前記第1導電層と前記半導体層と前記第2導電層との積層方向に垂直な法線を有する前記半導体層の面に、前記パルス光が入射することを特徴とするテラヘルツ波発生装置。基板を有し、前記光源および前記光伝導アンテナは、それぞれ、前記基板上に該基板と一体的に形成されたものである請求項8に記載のテラヘルツ波発生装置。テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部と、前記テラヘルツ波発生部から出射し、対象物にて反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、を備え、前記テラヘルツ波発生部は、パルス光を発生する光源と、前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、前記光伝導アンテナは、第1導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第1導電層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に挟まれ、かつ前記第1導電層の半導体材料または前記第2導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、前記第1導電層に電気的に接続する第1電極と、前記第2導電層に電気的に接続する第2電極と、を備え、前記第1導電層と前記半導体層と前記第2導電層との積層方向に垂直な法線を有する前記半導体層の面に、前記パルス光が入射することを特徴とするカメラ。テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部と、前記テラヘルツ波発生部から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物の画像を生成する画像形成部と、を備え、前記テラヘルツ波発生部は、パルス光を発生する光源と、前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、前記光伝導アンテナは、第1導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第1導電層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に挟まれ、かつ前記第1導電層の半導体材料または前記第2導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、前記第1導電層に電気的に接続する第1電極と、前記第2導電層に電気的に接続する第2電極と、を備え、前記第1導電層と前記半導体層と前記第2導電層との積層方向に垂直な法線を有する前記半導体層の面に、前記パルス光が入射することを特徴とするイメージング装置。テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部と、前記テラヘルツ波発生部から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物を計測する計測部と、を備え、前記テラヘルツ波発生部は、パルス光を発生する光源と、前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、前記光伝導アンテナは、第1導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第1導電層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に挟まれ、かつ前記第1導電層の半導体材料または前記第2導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、前記第1導電層に電気的に接続する第1電極と、前記第2導電層に電気的に接続する第2電極と、を備え、前記第1導電層と前記半導体層と前記第2導電層との積層方向に垂直な法線を有する前記半導体層の面に、前記パルス光が入射することを特徴とする計測装置。本発明の目的は、従来よりも効率良くテラヘルツ波を発生することができる光伝導アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置を提供することにある。このような目的は、下記の本発明により達成される。本発明の光伝導アンテナは、パルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナであって、第1導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第1導電層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に挟まれ、かつ前記第1導電層の半導体材料または前記第2導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、前記第1導電層に電気的に接続する第1電極と、前記第2導電層に電気的に接続する第2電極と、を備え前記第1導電層と前記半導体層と前記第2導電層との積層方向に垂直な法線を有する前記半導体層の面に、前記パルス光が入射することを特徴とする。これにより、光パルスパルス光が第1不純物含有半導体層や第2不純物含有半導体層を介することなく、直接、半導体層に入射するので、光パルスが第1不純物含有半導体層や第2不純物含有半導体層で吸収されてしまうことを防止することができ、効率良くテラヘルツ波を発生することができる。また、この光伝導アンテナと光パルスを発生する光源とを基板上にその基板と一体的に形成してテラヘルツ波発生装置を製造することができ、これにより、テラヘルツ波発生装置の小型化を図ることができる。また、光源と光伝導アンテナとの位置合わせを、その光源と光伝導アンテナとを基板上に形成する際に行うことができ、これによって、テラヘルツ波発生装置を容易に製造することができる。本発明の光伝導アンテナでは、前記半導体層は、長手形状をなしていることが好ましい。これにより、半導体層により、その半導体層の長手方向に沿ってテラヘルツ波を導くことができ、これによって、指向性を有するテラヘルツ波を発生することができる。本発明の光伝導アンテナでは、前記半導体層は、前記積層方向から見たとき、前記半導体層の幅Wが前記半導体層の前記光パルスが入射する入射面から前記半導体層のテラヘルツ波が出射する出射面に向うに従って漸増する部位を有することが好ましい。これにより、半導体層によりテラヘルツ波を効率良く導くことができる。本発明の光伝導アンテナでは、前記第2導電層は、前記積層方向に垂直な法線を有する前記第2導電層の面と前記半導体層の前記入射面とが同一平面上に位置し、かつ、前記半導体層上の一部のみに設けられていることが好ましい。これにより、半導体層の入射面側の一部のみでテラへルツが発生するので、半導体層内でのテラへルツ波同士の干渉を抑制することができる。本発明の光伝導アンテナでは、前記積層方向に垂直な法線を有する前記半導体層の面を覆う被覆層を有することが好ましい。これにより、半導体層の腐食を防止することができる。本発明の光伝導アンテナでは、前記半導体層のテラヘルツ波が出射する出射面に前記被覆層が設けられており、該出射面に設けられた前記被覆層の構成材料の比誘電率は、前記半導体層の前記半導体材料の比誘電率よりも高いことが好ましい。これにより、テラヘルツ波は、誘電率のより高い物質中を進もうとする性質を有しているので、半導体層で発生したテラヘルツ波がその半導体層の出射面から確実に出射することができる。本発明の光伝導アンテナでは、前記半導体材料は、III-V属化合物半導体であることが好ましい。これにより、高い強度のテラヘルツ波を発生することができる。本発明のテラヘルツ波発生装置は、パルス光を発生する光源と、前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、前記光伝導アンテナは、第1導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第1導電層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に挟まれ、かつ前記第1導電層の半導体材料または前記第2導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、前記第1導電層に電気的に接続する第1電極と、前記第2導電層に電気的に接続する第2電極と、を備え、前記第1導電層と前記半導体層と前記第2導電層との積層方向に垂直な法線を有する前記半導体層の面に、前記パルス光が入射することを特徴とする。これにより、前記本発明の効果を有するテラヘルツ波発生装置を提供することができる。本発明のテラヘルツ波発生装置では、基板を有し、前記光源および前記光伝導アンテナは、それぞれ、前記基板上に該基板と一体的に形成されたものであることが好ましい。これにより、テラヘルツ波発生装置の小型化を図ることができる。また、光源と光伝導アンテナとの位置合わせを、その光源と光伝導アンテナとを基板上に形成する際に行うことができ、これによって、テラヘルツ波発生装置を容易に製造することができる。本発明のカメラは、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部と、前記テラヘルツ波発生部から出射し、対象物にて反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、を備え、前記テラヘルツ波発生部は、パルス光を発生する光源と、前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、前記光伝導アンテナは、第1導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第1導電層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に挟まれ、かつ前記第1導電層の半導体材料または前記第2導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、前記第1導電層に電気的に接続する第1電極と、前記第2導電層に電気的に接続する第2電極と、を備え、前記第1導電層と前記半導体層と前記第2導電層との積層方向に垂直な法線を有する前記半導体層の面に、前記パルス光が入射することを特徴とする。これにより、前記本発明の効果を有するカメラを提供することができる。本発明のイメージング装置は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部と、前記テラヘルツ波発生部から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物の画像を生成する画像形成部と、を備え、前記テラヘルツ波発生部は、パルス光を発生する光源と、前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、前記光伝導アンテナは、第1導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第1導電層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に挟まれ、かつ前記第1導電層の半導体材料または前記第2導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、前記第1導電層に電気的に接続する第1電極と、前記第2導電層に電気的に接続する第2電極と、を備え、前記第1導電層と前記半導体層と前記第2導電層との積層方向に垂直な法線を有する前記半導体層の面に、前記パルス光が入射することを特徴とする。これにより、前記本発明の効果を有するイメージング装置を提供することができる。本発明の計測装置では、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部と、前記テラヘルツ波発生部から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物を計測する計測部と、を備え、前記テラヘルツ波発生部は、パルス光を発生する光源と、前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、前記光伝導アンテナは、第1導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第1導電層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に挟まれ、かつ前記第1導電層の半導体材料または前記第2導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、前記第1導電層に電気的に接続する第1電極と、前記第2導電層に電気的に接続する第2電極と、を備え、前記第1導電層と前記半導体層と前記第2導電層との積層方向に垂直な法線を有する前記半導体層の面に、前記パルス光が入射することを特徴とする。これにより、前記本発明の効果を有する計測装置を提供することができる。以下、本発明の光伝導アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。<第1実施形態>図1は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第1実施形態を示す図である。この図1では、光伝導アンテナについては図2中のS-S線での断面図、光源装置についてはブロック図を示す。図2は、図1に示すテラヘルツ波発生装置の光伝導アンテナの平面図、図3は、図1に示すテラヘルツ波発生装置の光源装置の断面斜視図、図4は、図3中のA-A線での断面図、図5は、図3中のB-B線での断面図、図6は、図1に示すテラヘルツ波発生装置の光伝導アンテナにおけるi型半導体層の他の構成例を示す平面図である。なお、以下では、図1、図3~5中の上側を上、下側を下として説明を行う。図1に示すように、テラヘルツ波発生装置1は、励起光である光パルスパルス光を発生する光源装置3と、光源装置3で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナ2とを有している。なお、テラヘルツ波とは、周波数が、100GHz以上30THz以下の電磁波、特に、300GHz以上3THz以下の電磁波を言う。図3~図5に示すように、光源装置3は、本実施形態では、光パルスを発生する光パルス発生部4と、光パルス発生部4で発生した光パルスに対し、パルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部5と、第1のパルス圧縮部5でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、パルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部7と、光パルスを増幅する増幅部6とを有している。増幅部6は、第1のパルス圧縮部5の前段、または第1のパルス圧縮部5と第2のパルス圧縮部7との間に設けられるが、図示の構成では、増幅部6は、第1のパルス圧縮部5と第2のパルス圧縮部7との間に設けられている。これにより、第1のパルス圧縮部5でパルス圧縮がなされた光パルスが、増幅部6で増幅され、増幅部6で増幅された光パルスが、第2のパルス圧縮部7でパルス圧縮がなされる。また、光源装置3から出射する光パルスのパルス幅半値幅は、特に限定されないが、1f秒以上800f秒以下であることが好ましく、10f秒以上200f秒以下であることがより好ましい。また、光源装置3から出射する光パルスの周波数は、後述する光伝導アンテナ2のi型半導体層24のバンドギャップに対応する周波数以上に設定される。また、光パルス発生部4は、例えば、DBRレーザー、DFBレーザー、モード同期レーザー等、いわゆる半導体レーザーを用いることができる。この光パルス発生部4で発生する光パルスのパルス幅は、特に限定されないが、1p秒以上100p秒以下であることが好ましい。また、第1のパルス圧縮部5は、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行うものである。すなわち、第1のパルス圧縮部5は、可飽和吸収体を有しており、その可飽和吸収体により、光パルスを圧縮し、そのパルス幅を減少させる。また、第2のパルス圧縮部7は、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行うものである。すなわち、第2のパルス圧縮部7は、群速度分散補償媒体、本実施形態では、結合導波路構造を有しており、その結合導波路構造により、光パルスを圧縮し、そのパルス幅を減少させる。また、光源装置3の光パルス発生部4と、第1のパルス圧縮部5と、増幅部6と、第2のパルス圧縮部7とは、一体化、すなわち同一基板上に集積されている。具体的には、光源装置3は、半導体基板である基板31と、基板31上に設けられたクラッド層32と、クラッド層32上に設けられた活性層33と、活性層33上に設けられた導波路構成プロセス用エッチングストップ層34と、導波路構成プロセス用エッチングストップ層34上に設けられたクラッド層35と、クラッド層35上に設けられたコンタクト層36と、導波路構成プロセス用エッチングストップ層34上に設けられた絶縁層37と、基板31の表面に設けられたクラッド層32側の電極38と、コンタクト層36および絶縁層37の表面に設けられたクラッド層35側の電極391、392、393、394および395とを有している。また、光パルス発生部4の導波路構成プロセス用エッチングストップ層34と、クラッド層35との間には、回折格子30が設けられている。なお、導波路構成プロセス用エッチングストップ層は、活性層の直上に限らず、例えば、クラッド層の中に設けられていてもよい。なお、各部の構成材料は、特に限定されないが、一例として、基板31、コンタクト層36としては、それぞれ、例えば、GaAs等が挙げられる。また、クラッド層32、35、導波路構成プロセス用エッチングストップ層34、回折格子30としては、それぞれ、例えば、AlGaAs等が挙げられる。また、活性層33としては、例えば、多重量子井戸と呼ばれる量子効果を用いた構成等が挙げられる。具体的には、活性層33としては、例えば、井戸層GaAs井戸層とバリア層AlGaAsバリア層とを交互に複数ずつ設けてなる多重量子井戸等で構成された分布屈折率型多重量子井戸と呼ばれる構造のもの等が挙げられる。また、図示の構成では、光源装置3における導波路は、クラッド層32と、活性層33と、導波路構成プロセス用エッチングストップ層34と、クラッド層35とで構成されている。また、クラッド層35は、導波路の上部にのみ、その導波路に対応した形状に設けられている。また、クラッド層35は、不要な部分をエッチングにより除去することにより形成されている。なお、製造方法によっては、導波路構成プロセス用エッチングストップ層34を省略してもよい。また、クラッド層35およびコンタクト層36は、それぞれ、2つずつ設けられている。一方のクラッド層35およびコンタクト層36は、光パルス発生部4と、第1のパルス圧縮部5と、増幅部6と、第2のパルス圧縮部7の一部を構成し、連続的に設けられており、他方のクラッド層35およびコンタクト層36は、第2のパルス圧縮部7の一部を構成している。すなわち、第2のパルス圧縮部7には、1対のクラッド層35と、1対のコンタクト層36とが設けられている。また、電極391は、光パルス発生部4のクラッド層35に対応するように設けられ、また、電極392は、第1のパルス圧縮部5のクラッド層35に対応するように設けられ、また、電極393は、増幅部6のクラッド層35に対応するように設けられ、また、電極394および395は、それぞれ、第2のパルス圧縮部7の2つのクラッド層35に対応するように設けられている。なお、電極38は、光パルス発生部4、第1のパルス圧縮部5、増幅部6および第2のパルス圧縮部7の共通の電極である。そして、電極38と電極391とで光パルス発生部4の1対の電極が構成され、また、電極38と電極392とで第1のパルス圧縮部5の1対の電極が構成され、また、電極38と電極393とで増幅部6の1対の電極が構成され、また、電極38と電極394、電極38と電極395とで第2のパルス圧縮部7の2対の電極が構成される。なお、光源装置3の全体形状は、図示の構成では、直方体をなしているが、これに限定されないことは、言うまでもない。また、光源装置3の寸法は、特に限定されないが、例えば、1mm以上10mm以下×0.5mm以上5mm以下×0.1mm以上1mm以下とすることができる。なお、本発明では、光源装置の構成は、前述した構成に限定されないことは、言うまでもない。次に、光伝導アンテナ2について説明する。図1および図2に示すように、光伝導アンテナ2は、基板21と、基板21上に設けられた光伝導アンテナ本体20とを有している。基板21としては、光伝導アンテナ本体20を支持できるものであれば、特に限定されず、例えば、各種の半導体材料で構成された半導体基板、各種の樹脂材料で構成された樹脂基板、各種のガラス材料で構成されたガラス基板等を用いることができるが、半導体基板が好ましい。また、基板21として半導体基板を用いる場合、その半導体材料としては、特に限定されず、各種のものを用いることができるが、III-V属化合物半導体が好ましい。また、III-V属化合物半導体としては、特に限定されず、例えば、GaAs、InP、InAs、InSb等が挙げられる。また、基板21の形状は、図示の構成では、後述するn型半導体層22とi型半導体層24とp型半導体層23との積層方向から見たとき、四角形をなしている。なお、基板21の形状は、四角形には限定されず、この他、例えば、円形、楕円形や、三角形、五角形、六角形等の他の多角形等が挙げられる。以下では、n型半導体層22とi型半導体層24とp型半導体層23との積層方向から見たときを、平面視とも言う。また、n型半導体層22とi型半導体層24とp型半導体層23との積層方向を、単に、積層方向とも言う。光伝導アンテナ本体20は、n型半導体層第1導電層22と、テラヘルツ波を発生し、そのテラヘルツ波を導く機能を有するi型半導体層半導体層24と、p型半導体層第2導電層23と、絶縁層25と、1対の電極を構成する電極28第1電極および電極第2電極29とを備えている。この場合、基板21上に、n型半導体層22と、i型半導体層24と、p型半導体層23とが、基板21側からこの順序で積層されている設けられている。すなわち、基板21上には、n型半導体層22と、i型半導体層24と、p型半導体層23とが基板21側からこの順序で積層された積層体pin構造が形成されている。さらに換言すれば、i型半導体層24は、n型半導体層22と、p型半導体層23との間に挟まれて形成されている。そして、i型半導体層24のn型半導体層22とp型半導体層23との間に露出する面すなわち積層体の側面におけるi型半導体層24の部分のうち、図1中の左側の端面が、光パルスが入射する入射面241を構成し、図1中の右側の端面が、そのi型半導体層24で発生したテラへルツ波が出射する出射面242を構成する。すなわち、積層方向に垂直な法線を有するi型半導体層24の面側面の少なくとも一部は光パルスを透過し、積層方向に垂直な法線を有するi型半導体層24の面の少なくとも一部はi型半導体層24にて発生したテラヘルツ光を透過する、といえる。これにより、光パルスがn型半導体層22やp型半導体層23を通過することなく、直接、i型半導体層24に入射するので、光パルスがn型半導体層22やp型半導体層23で吸収されてしまうことを防止することができ、効率良くテラヘルツ波を発生することができる。また、絶縁層25は、基板21上と、n型半導体層22上のi型半導体層24が設けられていない部位とに設けられている。また、n型半導体層22上の絶縁層25の一部には、開口251が形成されている。また、電極28は、絶縁層25上に設けられており、開口251を介して、n型半導体層22に接触し、そのn型半導体層22に電気的に接続されている。また、電極29は、p型半導体層23上に設けられている。すなわち、電極29は、p型半導体層23に接触し、そのp型半導体層23に電気的に接続されている。この電極29は、p型半導体層23の略全体に設けられており、i型半導体層24で発生したテラヘルツ波を反射させる反射層を兼ねている。これにより、p型半導体層23の上面から外部に漏れるテラヘルツ波をi型半導体層24側積層体内部の側へ反射することができ、テラヘルツ波を効率良く導くことができる。ここで、i型半導体層24の形状は、特に限定されないが、長手形状をなしていることが好ましい。ここで、長手形状とは、平面視において一方の方向の長さよりも、一方の方向に直交する他方の方向の長さが大きい形状を指す。そして、この条件を満たせば、形状は長方形に限定されない。これにより、i型半導体層24により、そのi型半導体層24の長手方向に沿ってテラヘルツ波を導くことができ、これによって、指向性を有し、高い強度のテラヘルツ波を発生することができる。図示の構成では、i型半導体層24は、長手形状、具体的には、平面視で、扇形の中心側の部分扇形の外形を構成する2つの直線の交点を含む部分を除いたような形状をなしている。すなわち、i型半導体層24の入射面241は、平面であり、出射面242は、湾曲した凸面湾曲面である。平面視では、i型半導体層24の入射面241の形状は、直線状をなし、出射面242の形状は、円弧状曲線状をなしている。また、平面視で、i型半導体層24の幅Wは、入射面241側から出射面242側に向って漸増している。なお、i型半導体層24の幅Wに直交する長手方向の長さL1は、i型半導体層24の幅Wの最大幅よりも大きい。これにより、i型半導体層24によりテラヘルツ波を効率良く導くことができる。なお、i型半導体層24は、その一部のみが幅Wが入射面241側から出射面242側に向って漸増してもよい。すなわち、i型半導体層24は、平面視で、幅Wが入射面241側から出射面242側に向って漸増する部位を有していればよい。また、i型半導体層24の寸法は、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、i型半導体層24の長手方向の長さL1は、30μm以上3mm以下であることが好ましく、30μm以上0.3mm以下であることがより好ましい。また、i型半導体層24の図示の角度中心角θは、5°以上170°以下であることが好ましく、10°以上90°以下であることがより好ましい。また、n型半導体層22およびp型半導体層23の形状は、それぞれ、特に限定されないが、図示の構成では、n型半導体層22は、平面視で、i型半導体層24およびp型半導体層23を包含するように形成されている。また、i型半導体層24とp型半導体層23とは、平面視で同一形状をなしている。このように、平面視で、n型半導体層22およびp型半導体層23が、i型半導体層24と同一形状またはi型半導体層24を包含するように形成することにより、平面視で、i型半導体層24の略全体でテラヘルツ波が発生するので、高い強度のテラヘルツ波を発生することができる。前記n型半導体層22は、n型第1導電型の不純物を含む半導体材料で構成されている。n型半導体層22のキャリア濃度不純物濃度は、1×1017/cm3以上であることが好ましく、1×1020/cm3以上であることがより好ましく、1×1020/cm3以上1×1025/cm3以下であることがさらに好ましい。なお、n型不純物としては、特に限定されず、例えば、Si、Ge、S、Se等が挙げられる。また、n型半導体層22の厚さd1は、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、1μm以上4mm以下であることが好ましく、1μm以上10μm以下であることがより好ましい。また、p型半導体層23は、p型第2導電型の不純物を含む半導体材料で構成されている。p型半導体層23のキャリア濃度は、1×1017/cm3以上であることが好ましく、1×1020/cm3以上であることがより好ましく、1×1020/cm3以上1×1025/cm3以下であることがさらに好ましい。なお、p型不純物としては、特に限定されず、例えば、Zn、Mg、C等が挙げられる。また、p型半導体層23の厚さd2は、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、1μm以上2mm以下であることが好ましく、1μm以上10μm以下であることがより好ましい。また、i型半導体層24は、半導体材料で構成されている。このi型半導体層24を構成する半導体材料は、真性半導体であることが好ましいが、p型不純物やn型不純物を少量含んでいてもよい。換言すると、i型半導体層24は、n型不純物を含む場合は、n型半導体層22よりもキャリア濃度が低いといえ、また、p型不純物を含む場合は、p型半導体層23よりもキャリア濃度が低いといえる。なお、i型半導体層24は、n型不純物、p型不純物のいずれを含む場合でもn型半導体層22およびp型半導体層23よりもキャリア濃度が低いことが好ましい。具体的には、i型半導体層24のキャリア濃度は、1×1018/cm3以下であることが好ましく、1×1012/cm3以上1×1018/cm3以下であることがより好ましく、1×1012/cm3以上1×1016/cm3以下であることがさらに好ましい。また、i型半導体層24の厚さd3は、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、1μm以上4mm以下であることが好ましく、1μm以上10μm以下であることがより好ましい。i型半導体層24の厚さd3が、前記下限値未満であると、他の条件によってはi型半導体層24の形成が困難であり、また、前記上限値を超えると、他の条件によっては耐電圧が不十分となり、i型半導体層24内に大きい電界強度の電界を形成できず、これにより高い強度のテラヘルツ波を発生することができない。なお、p型半導体層23、n型半導体層22、i型半導体層24の半導体材料としては、それぞれ、特に限定されず、各種のものを用いることができるが、III-V属化合物半導体が好ましい。また、III-V属化合物半導体としては、特に限定されず、例えば、GaAs、InP、InAs、InSb等が挙げられる。また、絶縁層25の構成材料としては、絶縁性を有する材料であれば特に限定されず、例えば、フッ素系樹脂、ポリイミド、ポラジン系化合物、水素化ヒロキサン、ベンゾシクロブテン、SiN、SiO2等が挙げられる。なお、電極28および29には、それぞれ、図示しないパッド、導線、コネクター等を介して電源装置18が電気的に接続され、電極28と電極29との間に、電極28側が正となるように、直流電圧が印加される。次に、テラヘルツ波発生装置1の作用について説明する。テラヘルツ波発生装置1では、まず、光源装置3の光パルス発生部4で、光パルスを発生する。光パルス発生部4で発生した光パルスのパルス幅は、目標のパルス幅に比べて大きい。その光パルス発生部4で発生した光パルスは、導波路を通り、第1のパルス圧縮部5、増幅部6、第2のパルス圧縮部7をこの順序で順次通過する。まず、第1のパルス圧縮部5で、光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮がなされ、光パルスのパルス幅が減少する。次に、増幅部6で、光パルスが増幅される。最後に、第2のパルス圧縮部7で、光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮がなされ、光パルスのパルス幅がさらに減少する。このようにして、目標のパルス幅の光パルスが発生し、第2のパルス圧縮部7から出射する。光源装置3から出射した光パルスは、光伝導アンテナ2の側方からi型半導体層24の入射面241に照射され、その入射面241からi型半導体層24内に入射し、i型半導体層24でテラヘルツ波が発生する。このテラヘルツ波は、i型半導体層24により導かれ、そのi型半導体層24内を出射面242側に向って進む。また、i型半導体層24内を進むテラヘルツ波のうち、p型半導体層23を通過したテラヘルツ波は、電極29で反射し、p型半導体層23の上面から漏れてしまうことが防止され、これによりテラヘルツ波を効率良く導くことができる。そして、出射面242から、i型半導体層24の長手方向に指向性を有するテラヘルツ波が出射する。以上説明したように、このテラヘルツ波発生装置1によれば、光パルスがn型半導体層22やp型半導体層23を介することなく、直接、i型半導体層24に入射するので、光パルスがn型半導体層22やp型半導体層23で一部吸収されてしまうことを防止することができ、効率良くテラヘルツ波を発生することができる。また、i型半導体層24で発生したテラヘルツ波がそのi型半導体層24により所定の方向に導かれ、これによって、指向性を有するテラヘルツ波を発生することができる。また、光源装置3が第1のパルス圧縮部5、増幅部6および第2のパルス圧縮部7を有しているので、光源装置3の小型化、ひいてはテラヘルツ波発生装置1の小型化を図りつつ、所望の波高で、かつ所望のパルス幅の光パルスを発生することができ、これにより、所望のテラヘルツ波を確実に発生することができる。なお、光伝導アンテナ2のi型半導体層24の形状は、前述したものには限定されず、その他、例えば、図6a~図6eに示すもの等が挙げられる。図6aに示すi型半導体層24では、i型半導体層24の入射面241は、湾曲した凹面湾曲面であり、出射面242は、湾曲した凸面湾曲面である。平面視では、i型半導体層24の入射面241の形状および出射面242の形状は、それぞれ、円弧状曲線状をなしている。なお、入射面241の曲率半径と、出射面242の曲率半径とは、同一であってもよく、また、異なっていてもよい。図6bに示すi型半導体層24では、i型半導体層24の入射面241および出射面242は、それぞれ、湾曲した凸面湾曲面である。平面視では、i型半導体層24の入射面241の形状および出射面242の形状は、それぞれ、円弧状曲線状をなしている。なお、入射面241の曲率半径と、出射面242の曲率半径とは、同一であってもよく、また、異なっていてもよい。図6cに示すi型半導体層24では、i型半導体層24の入射面241および出射面242は、それぞれ、平面である。平面視では、i型半導体層24の入射面241の形状および出射面242の形状は、直線状をなしている。すなわち、i型半導体層24は、平面視で、台形であると言い換えることができる。図6dに示すi型半導体層24では、i型半導体層24の入射面241は、湾曲した凹面湾曲面であり、出射面242は、平面である。平面視では、i型半導体層24の入射面241の形状は、円弧状曲線状をなし、出射面242の形状は、直線状をなしている。図6eに示すi型半導体層24では、i型半導体層24の入射面241は、湾曲した凸面湾曲面であり、出射面242は、平面である。平面視では、i型半導体層24の入射面241の形状は、円弧状曲線状をなし、出射面242の形状は、直線状をなしている。<第2実施形態>図7は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第2実施形態を示す図である。この図7では、光伝導アンテナについては断面図、光源装置についてはブロック図を示す。なお、以下では、図7中の上側を上、下側を下として説明を行う。以下、第2実施形態について、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。図7に示すように、第2実施形態のテラヘルツ波発生装置1では、光伝導アンテナ2のp型半導体層23は、i型半導体層24上の入射面241側の一部のみに設けられている。図示の構成では、i型半導体層24の入射面241と、p型半導体層23の入射面側の端面側面、すなわち積層方向に垂直な法線を有する面とが一致同一平面上に位置し、p型半導体層23の長さL1と同方向の長さL2は、i型半導体層24の長手方向の長さL1よりも短く設定されている。これにより、i型半導体層24の入射面241側の一部のみでテラへルツが発生するので、i型半導体層24内の複数の領域において発生したテラへルツ波同士の干渉を抑制することができる。また、p型半導体層23の寸法は、i型半導体層24よりも小さければ特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、p型半導体層23の長さL2は、1μm以上2mm以下であることが好ましく、3μm以上30μm以下であることがより好ましい。また、L2/L1は、0.00033以上0.667以下であることが好ましく、0.001以上0.1以下であることがより好ましい。また、i型半導体層24上のp型半導体層23が設けられていない部位と、電極29との間、すなわち、i型半導体層24上のp型半導体層23よりも出射面242側には、p型半導体層23に連続して絶縁層26が設けられている。この絶縁層26の構成材料としては、絶縁性を有する材料であれば特に限定されず、例えば、前述した絶縁層25と同様のものを用いることができる。このテラヘルツ波発生装置1によれば、前述した第1実施形態と同様の効果も得られる。<第3実施形態>図8は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第3実施形態を示す図である。この図8では、光伝導アンテナについては断面図、光源装置についてはブロック図を示す。なお、以下では、図8中の上側を上、下側を下として説明を行う。以下、第3実施形態について、前述した第2実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。図8に示すように、第3実施形態のテラヘルツ波発生装置1では、光伝導アンテナ2は、被覆層27を有している。この被覆層27は、積層体の側面におけるi型半導体層24の部分、すなわち、積層方向に対して垂直な法線を有するi型半導体層24の表面を覆っている。なお、被覆層27は、i型半導体層24のn型半導体層22とp型半導体層23との間において露出する面全体を覆っている。これにより、i型半導体層24が封止され、i型半導体層24の腐食等を防止することができる。また、被覆層27の厚さd4は、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、10nm以上1mm以下であることが好ましく、1μm以上100μm以下であることがより好ましく、特に、i型半導体層24の入射面241に設けられている被覆層27の厚さd4は、1nm以上100μm以下であることが好ましく、10nm以上1μm以下であることがより好ましい。これにより、入射面241へ入射する光パルスの被覆層27での吸収を抑制しつつ、i型半導体層24を確実に封止することができる。被覆層27の構成材料としては、i型半導体層24を封止できる材料であれば特に限定されないが、被覆層27の構成材料の比誘電率誘電率は、i型半導体層24を構成する半導体材料の比誘電率よりも低いことが好ましい。テラヘルツ波は、誘電率のより高い物質中を進もうとする性質を有しているので、これにより、i型半導体層24によりテラヘルツ波を効率良く導くことができる。また、被覆層27の構成材料の比誘電率は、20以下であることが好ましく、2以上10以下であることがより好ましい。このような被覆層27の構成材料低誘電率材料としては、例えば、ポリイミド比誘電率:3、ポラジン系化合物比誘電率:2.3、SiN比誘電率:7、SiO2比誘電率:4、水素化ヒロキサン比誘電率:3、ベンゾシクロブテン比誘電率:2.7、フッ素系樹脂比誘電率:2.7等が挙げられる。このテラヘルツ波発生装置1によれば、前述した第2実施形態と同様の効果も得られる。なお、この第3実施形態は、前記第1実施形態にも適用することができる。<第4実施形態>図9は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第4実施形態を示す図である。この図9では、光伝導アンテナについては断面図、光源装置についてはブロック図を示す。なお、以下では、図9中の上側を上、下側を下として説明を行う。以下、第4実施形態について、前述した第3実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。図9に示すように、第4実施形態のテラヘルツ波発生装置1では、被覆層27のうち、i型半導体層24の出射面242に設けられた被覆層27aの構成材料の比誘電率誘電率は、i型半導体層24を構成する半導体材料の比誘電率よりも高い。これにより、テラヘルツ波は、誘電率のより高い物質中を進もうとする性質を有しているので、i型半導体層24で発生したテラヘルツ波がそのi型半導体層24の出射面242から確実に出射することができ、高い強度のテラヘルツ波を発生することができる。また、被覆層27aの厚さd5は、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、10nm以上1mm以下であることが好ましく、1μm以上100μm以下であることがより好ましい。これにより、i型半導体層24で発生したテラヘルツ波を出射面242からより確実に出射させることができる。また、被覆層27aの構成材料としては、その比誘電率がi型半導体層24を構成する半導体材料の比誘電率よりも高い材料、すなわち誘電体材料であれば特に限定されないが、被覆層27aを構成する誘電体材料の比誘電率は、20以上であることが好ましく、30以上200以下であることがより好ましい。このような誘電体材料高誘電率材料としては、例えば、窒素添加ハフニウムアルミネート比誘電率:20、酸化ハフニウム比誘電率:23、酸化イットリウム比誘電率:25、酸化ランタン比誘電率:27、五酸化ニオブ比誘電率:41、二酸化チタンルチル比誘電率:80、酸化チタン比誘電率:160等が挙げられる。なお、被覆層27a以外の被覆層27については、前述した第3実施形態と同様であるのでその説明は省略する。このテラヘルツ波発生装置1によれば、前述した第3実施形態と同様の効果も得られる。なお、この第4実施形態は、前記第1実施形態にも適用することができる。<第5実施形態>図10は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第5実施形態を示す断面図である。なお、以下では、図10中の上側を上、下側を下として説明を行う。以下、第5実施形態について、前述した第4実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。図10に示すように、第5実施形態のテラヘルツ波発生装置1では、基板21上に、光源装置3および光伝導アンテナ2がそれぞれ設けられている。この光源装置3および光伝導アンテナ2は、それぞれ、基板21上にその基板21と一体的に形成されたものである。すなわち、光源装置3と光伝導アンテナ2とがモノリシック化されている。また、このテラヘルツ波発生装置1では、光源装置3と光伝導アンテナ2との位置合わせは、光源装置3と光伝導アンテナ2とを基板21上に形成する際に、同時に行われるため、プロセス誤差範囲内での高い精度の位置合わせを行なうことができる。このため、光源装置3と光伝導アンテナ2とを別々に製造し、それらを位置合わせしつつ基台上に設置する場合に比べて、テラヘルツ波発生装置1を容易に製造することができる。また、光源装置3と光伝導アンテナ2とがモノリシック化されているので、テラヘルツ波発生装置1の小型化を図ることができる。また、このテラヘルツ波発生装置1によれば、前述した第4実施形態と同様の効果も得られる。なお、この第5実施形態は、前記第1~第3実施形態にも適用することができる。<イメージング装置の実施形態>図11は、本発明のイメージング装置の実施形態を示すブロック図、図12は、図11に示すイメージング装置のテラヘルツ波検出部を示す平面図、図13は、対象物のテラヘルツ帯でのスペクトルを示すグラフ、図14は、対象物の物質A、BおよびCの分布を示す画像の図である。図11に示すように、イメージング装置100は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部9と、テラヘルツ波発生部9から出射し、対象物150を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部11と、テラヘルツ波検出部11の検出結果に基づいて、対象物150の画像、すなわち、画像データを生成する画像形成部12とを備えている。なお、テラヘルツ波発生部9については、前述のテラヘルツ波発生装置1と同様であり、その説明を省略する。また、テラヘルツ波検出部11としては、目的の波長のテラヘルツ波を通過させるフィルター15と、フィルター15を通過した前記目的の波長のテラヘルツ波を検出する検出部17とを備えたものを用いる。また、検出部17としては、例えば、テラヘルツ波を熱に変換して検出するもの、すなわち、テラヘルツ波を熱に変換し、そのテラヘルツ波のエネルギー強度を検出し得るものを用いる。このような検出部としては、例えば、焦電センサー、ボロメーター等が挙げられる。なお、テラヘルツ波検出部11としては、前記の構成のものに限定されないことは、言うまでもない。また、フィルター15は、2次元的に配置された複数の画素単位フィルター部16を有している。すなわち、各画素16は、行列状に配置されている。また、各画素16は、互いに異なる波長のテラヘルツ波を通過させる複数の領域、すなわち、通過させるテラヘルツ波の波長以下、通過波長とも言うが互いに異なる複数の領域を有している。なお、図示の構成では、各画素16は、第1の領域161、第2の領域162、第3の領域163および第4の領域164を有している。また、検出部17は、フィルター15の各画素16の第1の領域161、第2の領域162、第3の領域163および第4の領域164に対応してそれぞれ設けられた第1の単位検出部171、第2の単位検出部172、第3の単位検出部173および第4の単位検出部174を有している。各第1の単位検出部171、各第2の単位検出部172、各第3の単位検出部173および各第4の単位検出部174は、それぞれ、各画素16の第1の領域161、第2の領域162、第3の領域163および第4の領域164を通過したテラヘルツ波を熱に変換して検出する。これにより、各画素16のそれぞれにおいて、4つの目的の波長のテラヘルツ波をそれぞれ確実に検出することができる。次に、イメージング装置100の使用例について説明する。まず、分光イメージングの対象となる対象物150が、3つの物質A、BおよびCで構成されているとする。イメージング装置100は、この対象物150の分光イメージングを行う。また、ここでは、一例として、テラヘルツ波検出部11は、対象物150を反射したテラヘルツ波を検出することとする。テラヘルツ波検出部11のフィルター15の各画素16においては、第1の領域161および第2の領域162を使用する。また、第1の領域161の通過波長をλ1、第2の領域162の通過波長をλ2とし、対象物150で反射したテラヘルツ波の波長λ1の成分の強度をα1、波長λ2の成分の強度をα2としたとき、その強度α2と強度α1の差分α2-α1が、物質Aと物質Bと物質Cとで、互いに顕著に区別できるように、前記第1の領域161の通過波長λ1および第2の領域162の通過波長λ2が設定されている。図13に示すように、物質Aにおいては、対象物150で反射したテラヘルツ波の波長λ2の成分の強度α2と波長λ1の成分の強度α1の差分α2-α1は、正値となる。また、物質Bにおいては、強度α2と強度α1の差分α2-α1は、零となる。また、物質Cにおいては、強度α2と強度α1の差分α2-α1は、負値となる。イメージング装置100により、対象物150の分光イメージングを行う際は、まず、テラヘルツ波発生部9により、テラヘルツ波を発生し、そのテラヘルツ波を対象物150に照射する。そして、対象物150で反射したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出部11で、α1およびα2として検出する。この検出結果は、画像形成部12に送出される。なお、この対象物150へのテラヘルツ波の照射および対象物150で反射したテラヘルツ波の検出は、対象物150の全体に対して行う。画像形成部12においては、前記検出結果に基づいて、フィルター15の第2の領域162を通過したテラヘルツ波の波長λ2の成分の強度α2と、第1の領域161を通過したテラヘルツ波の波長λ1の成分の強度差α1の差分α2-α1を求める。そして、対象物150のうち、前記差分が正値となる部位を物質A、前記差分が零となる部位を物質B、前記差分が負値となる部位を物質Cと判断し、特定する。また、画像形成部12では、図14に示すように、対象物150の物質A、BおよびCの分布を示す画像の画像データを作成する。この画像データは、画像形成部12から図示しないモニターに送出され、そのモニターにおいて、対象物150の物質A、BおよびCの分布を示す画像が表示される。この場合、例えば、対象物150の物質Aの分布する領域は黒色、物質Bの分布する領域は灰色、物質Cの分布する領域は白色に色分けして表示される。このイメージング装置100では、以上のように、対象物150を構成する各物質の同定と、その各部質の分布測定とを同時に行うことができる。なお、イメージング装置100の用途は、前記のものに限らず、例えば、人物に対してテラヘルツ波を照射し、その人物を透過または反射したテラヘルツ波を検出し、画像形成部12において処理を行うことにより、その人物が、拳銃、ナイフ、違法な薬物等を所持しているか否かを判別することもできる。<計測装置の実施形態>図15は、本発明の計測装置の実施形態を示すブロック図である。以下、計測装置の実施形態について、前述したイメージング装置の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については前述の実施形態と同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。図15に示すように、計測装置200は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部9と、テラヘルツ波発生部9から出射し、対象物160を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部11と、テラヘルツ波検出部11の検出結果に基づいて、対象物160を計測する計測部13とを備えている。次に、計測装置200の使用例について説明する。計測装置200により、対象物160の分光計測を行う際は、まず、テラヘルツ波発生部9により、テラヘルツ波を発生し、そのテラヘルツ波を対象物160に照射する。そして、対象物160を透過または反射したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出部11で検出する。この検出結果は、計測部13に送出される。なお、この対象物160へのテラヘルツ波の照射および対象物160を透過または反射したテラヘルツ波の検出は、対象物160の全体に対して行う。計測部13においては、前記検出結果から、フィルター15の第1の領域161、第2の領域162、第3の領域163および第4の領域164を通過したテラヘルツ波のそれぞれの強度を把握し、対象物160の成分およびその分布の分析等を行う。<カメラの実施形態>図16は、本発明のカメラの実施形態を示すブロック図である。また、図17に本発明のカメラの実施形態を示す概略斜視図を示す。以下、カメラの実施形態について、前述したイメージング装置の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については前述の実施形態と同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。図16および図17に示すように、カメラ300は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部9と、テラヘルツ波発生部9から出射し、対象物170にて反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部11と、記憶部14とを備えている。そして、これらの各部はカメラ300の筐体310に収められている。また、カメラ300は、対象物170にて反射したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出部11に収束結像させるレンズ光学系320と、テラヘルツ波発生部9にて発生したテラヘルツ波を筐体310の外部へ出射させるための窓部330を備える。レンズ320や窓部330はテラヘルツ波を透過屈折させるシリコン、石英、ポリエチレンなどの部材によって構成されている。なお、窓部330は、スリットのように単に開口が設けられている構成としても良い。次に、カメラ300の使用例について説明する。カメラ300により、対象物170を撮像する際は、まず、テラヘルツ波発生部9により、テラヘルツ波を発生し、そのテラヘルツ波を対象物170に照射する。そして、対象物170にて反射したテラヘルツ波をレンズ320によってテラヘルツ波検出部11に収束結像させて検出する。この検出結果は、記憶部14に送出され、記憶される。なお、この対象物170へのテラヘルツ波の照射および対象物170にて反射したテラヘルツ波の検出は、対象物170の全体に対して行う。また、前記検出結果は、例えば、パーソナルコンピューター等の外部装置に送信することもできる。パーソナルコンピューターでは、前記検出結果に基づいて、各処理を行うことができる。以上、本発明の光伝導アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の2以上の構成特徴を組み合わせたものであってもよい。また、前記実施形態では、第1導電層をn型半導体層とし、第2導電層をp型半導体層としたが、本発明では、これに限定されず、第1導電層をp型半導体層とし、第2導電層をn型半導体層としてもよい。また、本発明では、光源装置において、光パルス発生部が別体になっていてもよい。