"直流電圧を受け取る第1ターミナルと第2ターミナル、前記第1ターミナルと第2ターミナルの間に直列に接続された第1コンデンサと第2コンデンサと、前記第1コンデンサと第2コンデンサの間に設けた中心接続点、前記第1ターミナルと中心接続点との間に直列接続された第3コンデンサと第4コンデンサと、該第3コンデンサと第4コンデンサのそれぞれの両端電圧が等しくなるように調節する第1電圧調整回路を有し、前記第1のターミナと中心接続点との間に接続された上側エネルギー伝達回路、前記中心接続点と第2ターミナルとの間に直列接続された第5コンデンサと第6コンデンサと、該第5コンデンサと第6コンデンサのそれぞれの両端電圧が等しくなるように調節する第2電圧調整回路を有し、前記中心接続点と第2のターミナとの間に接続された下側エネルギー伝達回路、直流電圧を交流電圧に変換するため、前記第1ターミナル、第2ターミナル、中心接続点、第3コンデンサと第4コンデンサの間に設けた上側中間接続点、第5コンデンサと第6コンデンサの間に設けた下側中間接続点、のそれぞれと接続される5つの入力端子を有するスイッチング回路、を含む多重レベルクランプ変換器。上記第1電圧調整回路は、Hブリッジ回路の4本のアームのそれぞれに挿入されたトランジスタダイオードカップリングを有し、第1ターミナルと上側中間接続点との間に接続された第1のHブリッジ回路、Hブリッジ回路の4本のアームのそれぞれに挿入されたトランジスタダイオードカップリングを有し、上側中間接続点と中心接続点との間に接続された第2のHブリッジ回路、第1巻線が第1のHブリッジ回路の中心ブリッジラインに挿入され、第2の巻線が第2のHブリッジ回路の中心ブリッジラインに挿入され、第1のHブリッジ回路と第2のHブリッジ回路との間に接続された第1変圧器を含む請求項1に記載の多重レベルクランプ変換器。上記第2電圧調整回路は、Hブリッジ回路の4本のアームのそれぞれに挿入されたトランジスタダイオードカップリングを有し、前記中心接続点と下側中間接続点との間に接続された第3のHブリッジ回路、Hブリッジ回路の4本のアームのそれぞれに挿入されたトランジスタダイオードカップリングを有し、下側中間接続点と第2ターミナルとの間に接続された第4のHブリッジ回路、第1巻線が第3のHブリッジ回路の中心ブリッジラインに挿入され、第2の巻線が第4のHブリッジ回路の中心ブリッジラインに挿入され、第3のHブリッジ回路と第4のHブリッジ回路との間に接続された第2変圧器を含む請求項1に記載の多重レベルクランプ変換器。上記第1電圧調整回路は、Hブリッジ回路の対角線方向にある2本のアームのそれぞれに挿入されたトランジスタダイオードカップリングと、別の対角線方向にある2本のアームのそれぞれに挿入されたダイオードとを有し、第1ターミナルと上側中間接続点との間に接続された第1のHブリッジ回路、Hブリッジ回路の対角線方向にある2本のアームのそれぞれに挿入されたトランジスタダイオードカップリングと、別の対角線方向にある2本のアームのそれぞれに挿入されたダイオードとを有し、上側中間接続点と中心接続点との間に接続された第2のHブリッジ回路、第1巻線が第1のHブリッジ回路の中心ブリッジラインに挿入され、第2の巻線が第2のHブリッジ回路の中心ブリッジラインに挿入され、第1のHブリッジ回路と第2のHブリッジ回路との間に接続された第1変圧器を含む請求項1に記載の多重レベルクランプ変換器。上記第2電圧調整回路は、Hブリッジ回路の対角線方向にある2本のアームのそれぞれに挿入されたトランジスタダイオードカップリングと、別の対角線方向にある2本のアームのそれぞれに挿入されたダイオードとを有し、前記中心接続点と下側中間接続点との間に接続された第3のHブリッジ回路、Hブリッジ回路の対角線方向にある2本のアームのそれぞれに挿入されたトランジスタダイオードカップリングと、別の対角線方向にある2本のアームのそれぞれに挿入されたダイオードとを有し、下側中間接続点と第2ターミナルとの間に接続された第4のHブリッジ回路、第1巻線が第3のHブリッジ回路の中心ブリッジラインに挿入され、第2の巻線が第4のHブリッジ回路の中心ブリッジラインに挿入され、第3のHブリッジ回路と第4のHブリッジ回路との間に接続された第2変圧器を含む請求項1に記載の多重レベルクランプ変換器。上記上側エネルギー伝達回路は、上記第1の変圧器の第1の巻線又は第2の巻線のいずれかに接続され、パルスを供給するパルスインジェクタを更に含む、請求項2,4のいずれかに記載の多重レベルクランプ変換器。上記下側エネルギー伝達回路は、上記第2の変圧器の第1の巻線又は第2の巻線のいずれかに接続され、パルスを供給するパルスインジェクタを更に含む、請求項3,5のいずれかに記載の多重レベルクランプ変換器。上記スイッチング回路は、直流電圧を三相の交流電圧に変換する三相回路である、請求項1に記載の多重レベルクランプ変換器。更に、第3コンデンサの両端電圧と第4コンデンサの両端電圧との電圧差を生成する比較器と、第1のHブリッジ回路と第2のHブリッジ回路におけるトランジスタを制御するコントローラを含む、請求項2,4のいずれかに記載の多重レベルクランプ変換器。更に、第5コンデンサの両端電圧と第6コンデンサの両端電圧との電圧差を生成する比較器と、第3のHブリッジ回路と第4のHブリッジ回路におけるトランジスタを制御するコントローラを含む、請求項3,5のいずれかに記載の多重レベルクランプ変換器。上記トランジスタは、ワイドバンドギャップ半導体で構成される、請求項2-10のいずれかに記載の多重レベルクランプ変換器。更に、所定の中立電圧と比べ、中心接続点における電圧の変位を検出する検出部、検出した電圧の変位を表す制御信号を出力する制御部、入力端と出力端を有し、上記制御信号を受けて電圧の変位に相当する可変電圧を生成し、上記入力端には上記中心接続点が接続され、生成した可変電圧を上記中心接続点における電圧に加算し、上記出力端からは上記所定の中立電位と大略等しい電位を出力する、可変電圧生成器、を含む、請求項1に記載の多重レベルクランプ変換器。上記トランジスタダイオードカップリングは、IGBTダイオードカップリングおよびGCTダイオードカップリングのうちのいずれかである、請求項2に記載の多重レベルクランプ変換器。本発明の課題は、接続点Vcp、Vcnにおいて双方向供給が実現できる安価な変換器を提供することである。更なる課題は、大きな容量のコンデンサを用いることなく、接続点Vcp、Vc、Vcnでの電圧変動を抑制することができる変換器を提供することである。本発明に係る多重レベルクランプ変換器は、直流電圧を受け取る第1ターミナルと第2ターミナル、前記第1ターミナルと第2ターミナルの間に直列に接続された第1コンデンサと第2コンデンサと、前記第1コンデンサと第2コンデンサの間に設けた中心接続点、前記第1ターミナルと中心接続点との間に直列接続された第3コンデンサと第4コンデンサと、該第3コンデンサと第4コンデンサのそれぞれの両端電圧が等しくなるように調節する第1電圧調節回路を有し、前記第1のターミナと中心接続点との間に接続された上側エネルギー伝達回路、前記中心接続点と第2ターミナルとの間に直列接続された第5コンデンサと第6コンデンサと、該第5コンデンサと第6コンデンサのそれぞれの両端電圧が等しくなるように調節する第2電圧調節回路を有し、前記中心接続点と第2のターミナとの間に接続された下側エネルギー伝達回路、直流電圧を交流電圧に変換するため、前記第1ターミナル、第2ターミナル、中心接続点、第3コンデンサと第4コンデンサの間に設けた上側中間接続点、第5コンデンサと第6コンデンサの間に設けた下側中間接続点、のそれぞれと接続される5つの入寮区端子を有するスイッチング回路、を含む。本発明においては、上側中間接続点Vcpには、接続点Vp、Vcから電流を受けたり流出したりして、上側中間接続点Vcpの電位を接続点VpとVcの中心電位に保持する。更に、下側中間接続点Vcnには、接続点Vc、Vnから電流を受けたり流出したりして、下側中間接続点Vcnの電位を接続点VcとVnの中心電位に保持する。また、接続点Vcは、接続点VpとVnの中心電位からズレない電位に保持する。したがって、上側中間接続点Vcp、中心接続点、下側中間接続点Vcnにおける電位を一定に保持することができ、スイッチング回路の動作を安定化することができる。図1A、1Bは、図1Cで示されるように並べられ、本発明の第1の実施の形態に基づく多重レベルクランプ変換器を示す。多重レベルクランプ変換器は、DC源であるパワーソース2、2つの分圧器4,6、コンデンサCa,Cb、比較器16、コントローラ12、可変電圧生成器18、上側エネルギー伝達回路20、下側エネルギー伝達回路22、スイッチング回路24,26,28を含む。2Aから2Aまでの電位差を提供することができるDC源2は、ターミナル8、10を介して、直列接続された分圧器4、6、および直列接続されたコンデンサCa、Cbへ接続される。ターミナル8、10は、更にターミナルVp、Vnにそれぞれ接続される。ターミナル8には電圧レベル2Aが提供され、ターミナル10には電圧レベル2Aが提供されるように、DC源2は所定のDC電圧を生成する。分圧器4、6は、同じ抵抗値を有する抵抗器によって構成される。したがって、分圧器4と6の間の接続点Jcの電位は、ターミナル8,10間の中立電位である。コンデンサCa,Cbは同じ容量を有する。したがって、コンデンサCa,Cbはそれぞれ電圧2Aに充電される。言いかえれば、コンデンサCaの両端電圧は、コンデンサCbの両端電圧と同じである。したがって、理想的には、コンデンサCa,Cb間の接続点Jfの電位は、ターミナル8,10間の中心電圧に等しい。以下、接続点やターミナルを示すシンボルJcやJfのようなものは、さらにその接続点あるいはターミナルにおける電位をも示す。DC源2は、バッテリー、太陽電池あるいはACDCコンバーターのような任意のDC源であってよい。比較器16は電圧Jc、Jfを比較し、電位Jc、Jfの電位差を出力する。電位差は、可変電圧生成器18の動作を制御するコントローラ12に加えられる。コンデンサCa、CbはDC源2によって充電され、スイッチング回路24、26、28によって負荷に供給されるので、コンデンサCa、Cbの充電値は、理想的には定電圧レベルであるが、変動する。したがって、接続点Jfの電圧は0ボルトから上下に変位する。可変電圧生成器18は接続点Jfにおける電圧変位を検出し、変位した電圧を補償する電圧を出力する。その結果、ターミナルVcの出力電圧は0ボルトに維持される。上側エネルギー伝達回路20には入力端子Vp、Vcがあり、その間にコンデンサC1、C2が直列に接続される。コンデンサC1とC2の間の接続点である出力端子Vcpは、上側中間接続点と呼ぶ。入力端子Vp、Vcは、さらに上側エネルギー伝達回路20の出力端子としても機能する。同様に、下側エネルギー伝達回路22には入力端子Vc、Vnがあり、その間にコンデンサC3、C4が直列に接続される。コンデンサC3とC4の間の接続点である出力端子Vcnは、下側中間接続点と呼ぶ。入力端子Vc、Vnは、さらに下側エネルギー伝達回路22の出力端子としても機能する。上側エネルギー伝達回路20および下側エネルギー伝達回路22は、両者合わせて、多重レベルエネルギー、例えば5レベルエネルギー、を転送するエネルギー伝達回路を構成する。一例によれば、コンデンサC1、C2、C3、C4の容量は、同一にする。エネルギー伝達回路20,22の動作により、出力端子Vp,Vcp,Vc,Vcn、Vnの電圧を、それぞれ2A、A、0、A、-2Aとすることができる。上側エネルギー伝達回路20は、ターミナルVp、Vcp間に接続された、4つのトランジスタQP1、QP2、QP3、QP4を含む第1のHブリッジ回路と、ターミナルVcp、Vc間に接続された4つのトランジスタQP5、QP6、QP7、QP8を含む第2のHブリッジ回路とを有する。トランジスタQP1、QP2、QP3、QP4、QP5、QP6、QP7、QP8は、逆方向に接続された、ダイオードDP1、DP2、DP3、DP4、DP5、DP6、DP7、DP8とそれぞれ結合されている。トランジスタQP1と結合されたダイオードDP1はトランジスタダイオードカップリングを構成する。変圧器21は、第1巻線TP1および第2巻線TP2を有する。変圧器21の変圧比は11である。第1巻線TP1は、トランジスタQP1とQP2間の接続点と、トランジスタQP3とQP4間の接続点との間に接続される。第2巻線TP2は、トランジスタQP5とQP6間の接続点と、トランジスタQP7とQP8間の接続点との間に接続される。4つのトランジスタは、Hブリッジ回路の4つのアームにそれぞれ挿入され、また、巻線はHブリッジ回路の中心ブリッジラインに挿入される。同様に、下側エネルギー伝達回路22は、ターミナルVc、Vcn間に接続された、4つのトランジスタQN1、QN2、QN3、QN4を含む第3番のHブリッジ回路と、ターミナルVcn、Vn間に接続された、4つのトランジスタQN5、QN6、QN7、QN8を含む第4番のHブリッジ回路とを有する。トランジスタQN1、QN2、QN3、QN4、QN5、QN6、QN7、QN8は、逆方向に接続された、ダイオードDN1、DN2、DN3、DN4、DN5、DN6、DN7、DN8とそれぞれ結合されている。トランジスタQN1と結合されたダイオードDN1はトランジスタダイオードカップリングを構成する。変圧器23は、第1巻線TN1および第2巻線TN2を有する。変圧器23の変圧比は11である。第1巻線TN1は、トランジスタQN1とQN2間の接続点と、トランジスタQN3とQN4間の接続点の間に接続される。第2巻線TN2は、トランジスタQN5とQN6間の接続点と、トランジスタQP7とQP8間の接続点の間に接続される。4つのトランジスタは、Hブリッジ回路の4つのアームにそれぞれ挿入され、また、巻線はHブリッジ回路の中心ブリッジラインに挿入される。トランジスタダイオードカップリングは、IGBTダイオードカップリングあるいはGCTダイオードカップリングによって形成することができる。上側エネルギー伝達回路20は、コンデンサC1の両端電圧とコンデンサC2の両端電圧との平衡を保つために設けられている。したがって、接続点Vcの電圧が0である場合、ターミナルVcpの電圧はAに維持される。図2Aに示すように、上側エネルギー伝達回路20は、比較器19aと接続される。比較器19aの一方の入力は、ターミナルVcpに接続され、他方の入力は、A電圧を提供する定電圧源19bに接続される。比較器19aは、ターミナルVcpの電圧を定電圧Aと比較し、所望電圧Aに対し、ターミナルVcpでの電圧がどちらの方に、どれだけ変位しているかの情報を出力する。比較器19aの出力は、コントローラ30に出力され、トランジスタQP1QP8のONおよびOFFを制御する。比較器19aは、ターミナルVcpにおける電位と定電圧Aとを比較する代わりに、コンデンサC1の両端電圧とコンデンサC2の両端電圧を比較するようにしてもよい。下側エネルギー伝達回路22は、コンデンサC3の両端電圧とコンデンサC4の両端電圧との平衡を保つために設けられている。したがって、ターミナルVcnの電圧はAに維持される。図3Aに示すように、下側エネルギー伝達回路22は、比較器19cと接続される。比較器と19cの一方の入力は、ターミナルVcnに接続され、他方の入力は、A電圧を提供する定電圧源19dに接続される。比較器19cは、ターミナルVcnの電圧を定電圧Aと比較し、所望電圧Aに対し、ターミナルVcnでの電圧がどちらの方に、どれだけ変位しているかの情報を出力する。比較器19cの出力は、コントローラ30に出力され、トランジスタQN1QN8のONおよびOFFを制御する。比較器19cは、ターミナルVcnにおける電位と定電圧Aとを比較する代わりに、コンデンサC3の両端電圧とコンデンサC4の両端電圧を比較するようにしてもよい。第1のHブリッジ回路、第2のHブリッジ回路および変圧器21は、第1の双方向電圧調整回路を構成し、コンデンサC1の両端電圧およびコンデンサC2の両端電圧が互いに等しくなるように電圧を調節する。第3のHブリッジ回路、第4のHブリッジ回路および変圧器23は、第2の双方向電圧調整回路を構成し、コンデンサC3の両端電圧およびコンデンサC4の両端電圧が互いに等しくなるように電圧を調節する。図2Aを用いて、上側エネルギー伝達回路20の動作を説明する。特にスイッチング回路により電流が接続点Vcpから流出し、ターミナルVcpの電圧レベルが、電圧レベルAより低くなる場合について説明する。この場合、コンデンサC1に蓄積された電圧は、コンデンサC2のそれより大きいVc1Vc2。この場合、比較器19aは、Vc1Vc2を示す信号を生成し、また、コントローラ30は、トランジスタQP2、QP3をONするための制御信号を生成する。初期状態においては、トランジスタQP1QP8はすべてOFFに維持されている。トランジスタQP2、QP3がONにされると、図2Aの実線で示すように、コンデンサC1から放電電流IP1が流れる、すなわち、コンデンサC1から、トランジスタQP3を介して変圧器21の第1巻線TP1へと流れ、更に、トランジスタQP2を介してコンデンサC1へと流れる。従って、変圧器21の第2巻線TP2に起電力が発生し、充電電流IP2が図2Aの点線で示すように、第2巻線TP2、ダイオードDP7、コンデンサC2およびダイオードDP6を介して流れる。したがって、コンデンサC1に蓄積された多目の電荷は、コンデンサC2に転送され、それによって、コンデンサC1とC2の間で、多目の電荷は平均化させる。その後のバランス制御サイクルにおいて、比較器19aからVc1Vc2を示す信号が再び生成されれば、コントローラ30は、トランジスタQP1、QP4をONにする制御信号を生成する。トランジスタQP1、QP4がONされれば、放電電流IP1は、コンデンサC1からトランジスタQP1、そして変圧器21の第1巻線TP1前のバランス制御サイクルで観察された方向とは逆方向、トランジスタQP4、コンデンサC1を通って流れる。従って、前のバランス制御サイクルで観察された起電力とは反対方向の起電力が、変圧器21の第2巻線TP2に生成される。その結果、充電電流は、第2巻線TP2からダイオードDP5、コンデンサC2およびダイオードDP8を流れる。これにより、コンデンサC1に蓄積された多目の電荷は、コンデンサC2に転送され、それによって、コンデンサC1とC2の間で多目の電荷は平均化される。このようにして、変圧器21は各バランス制御サイクルの後に反対方向で励磁される。したがって、鉄心が交互に反対方向で磁化されるので、変圧器21はよい状態で維持することができる。なお、変圧器21を単一方向に磁化されるように使用することも可能である。この場合、図9A、9Bに示すように、Hブリッジ回路中の対角線方向にあるトランジスタ、例えばトランジスタQP1、QP4、あるいはトランジスタQP2、QP3を除去することができる。図2Bを用い、上側エネルギー伝達回路20の動作、特に、スイッチング回路により電流が接続点Vcpに供給される場合について説明する。この場合、ターミナルVcpの電圧レベルは、電圧レベルAより大きい。この場合、コンデンサC1に蓄積された電荷は、コンデンサC2に蓄積された電荷より小さいVc1Vc4。この場合、比較器19cは、Vc3Vc4を示す信号を生成し、また、コントローラ30は、トランジスタQN2、QN3をONするための制御信号を生成する。その後の一連の動作は図2Aにおいて説明した動作と同様である。変圧器21でも説明したように、変圧器23も単一方向に励磁されるように構成されれば、Hブリッジ回路中の対角線方向にあるトランジスタ、例えばトランジスタQN1、QN4、あるいはトランジスタQN2、QN3を除去することができる。図3Bを用い、下側エネルギー伝達回路22の動作、特に、ターミナルVcnの電圧レベルが電圧レベルAより大きくなる場合について説明する。この場合、コンデンサC3に蓄積された電荷は、コンデンサC4に蓄積された電荷より小さいVc3図9A、9Bは、実施の形態2に基づく上側エネルギー伝達回路20および下側エネルギー伝達回路22を示す。図9Aにおいて、上側エネルギー伝達回路20は、各バランス制御サイクルの先頭において注入パルスを出力し、充電と放電を確実に実行せしめるパルスインジェクタ50を更に有する。パルスインジェクタ50はブリッジ回路を構成するトランジスタT51、T52、T53、T54と、コンデンサC51およびダイオードD51、D52、D53、D54を有し、ダイオードD51、D52、D53、D54はそれぞれ、トランジスタT51、T52、T53、T54に逆方向に接続されている。パルスインジェクタ50は、コントローラ30にも接続されており、トランジスタT51T54のONおよびOFFを制御する。パルスインジェクタ50は第1の巻線TP1に挿入されているが、第2の巻線TP2に挿入することも可能である。上述したように、比較器19aは、所望の電圧Aに対するターミナルVcpにおける電位差および電位方向を示す信号を生成する。ここで、電位差はコンデンサC1での電圧とコンデンサC2での電圧が不平衡である場合に、平衡になるようにするために相殺しなければならない電圧の量を示す一方、電位方向は、コンデンサC1あるいはC2からコンデンサC2あるいはC1に電荷のトランスファーが行なわれる方向を示す。上述の2つの情報に基づいて、コントローラ30はパルスインジェクタ50に制御信号を出力する。電荷のトランスファーがコンデンサC1からコンデンサC2に向かって行なわれる場合、コントローラ30から信号VS1が出力され、トランジスタT52、T53をONにし、トランジスタT51、T54をOFFに維持する。信号VS1のタイミングは次のようになっている。時刻t1におけるパルスのステップアップによりトランジスタ、QP2とQP3がONとなり、信号VS1は時刻t1の直後である時刻t1aにおいてステップアップする。そして、時刻t1bにおいてステップダウンする。時刻t1aから時刻t1bまでのパルス期間は、相殺するために必要な電荷のチャージ量により決められる。すなわち、比較器19aから生成された電圧によって決められる。コンデンサC51は予め決められた所定の電圧で充電されている。コンデンサC1とC2の間で相殺しなければならない電圧値は信号VS1のパルス期間によって調節される。電圧が高くなると、パルス期間も広くなる。トランジスタT52、T53のONにより、コンデンサC51に充電された電位は、出力端子O51とO52の間から出力される。そのように出力されたパルスは図10Eに示される信号VS1に対応し、それは正方向のパルスである。VS1に示される正方向のパルスにより、第1の巻線TP1は急激に励磁され、急峻に立ち上がる電流を流し始める。VS1での正方向のパルスがなくなった後も、第1の巻線TP1は、コンデンサC1の放電により、緩やかに増加する電流を受け続ける。これは、コントローラ30から制御信号を受け取るトランジスタT52、T54のONによって実行される。同様な電流が、第2の巻線TP2に生成され、コンデンサC2を充電する。電荷のトランスファーがコンデンサC2からコンデンサC1に向かって行なわれる場合、コントローラ30から信号VS2が出力され、トランジスタT51、T54をONにし、トランジスタT52、T53をOFFに維持する。信号VS2のタイミングは次のようになっている。時刻t3におけるパルスのステップアップによりトランジスタ、QP6とQP7がONとなり、信号VS2は時刻t3の直後である時刻t3aにおいてステップアップする。そして、時刻t3bにおいてステップダウンする。時刻t3aから時刻t3bまでのパルス期間は、相殺するために必要な電荷のチャージ量により決められる。すなわち、比較器19aから生成された電圧によって決められる。コンデンサC51は予め決められた所定の電圧で充電されている。コンデンサC1とC2の間で相殺しなければならない電圧値は信号VS2のパルス期間によって調節される。電圧が高くなると、パルス期間も広くなる。トランジスタT51、T54のONにより、コンデンサC51に充電された電位は、出力端子O51とO52の間から出力される。そのように出力されたパルスは図10Fに示される信号VS2に対応し、それは負方向のパルスである。VS2に示される負方向のパルスにより、第1の巻線TP1は急激に励磁され、急峻に立ち上がる負方向電流上述した信号VS1の場合に流れる電流とは逆方向の電流を流し始める。VS2での負方向のパルスがなくなった後も、第2の巻線TP2は、コンデンサC2の放電により、緩やかに増加する電流を受け続ける。これは、コントローラ30から制御信号を受け取るトランジスタT51、T53のONによって実行される。同様な電流が、第1の巻線TP1に生成され、コンデンサC1を充電する。図9Bにおいて、下側エネルギー伝達回路22は、各バランス制御サイクルの先頭において注入パルスを出力し、充電と放電を確実に実行せしめるパルスインジェクタ60を更に有する。パルスインジェクタ60はブリッジ回路を構成するトランジスタT61、T62、T63、T64と、コンデンサC61およびダイオードD61、D62、D63、D64を有し、ダイオードD61、D62、D63、D64はそれぞれ、トランジスタT61、T62、T63、T64に逆方向に接続されている。パルスインジェクタ60は、コントローラ30にも接続されており、トランジスタT61T64のONおよびOFFを制御する。パルスインジェクタ60は第1の巻線TN1に挿入されているが、第2の巻線TN2に挿入することも可能である。下側エネルギー伝達回路22の動作は、上述した上側エネルギー伝達回路20の動作と同じであるので、その説明は省略する。図11H、11Aにおいて、パルスインジェクタ50の更に別の動作を説明する。図11Eに示したように、パルスインジェクタ50は、トランジスタT52、T53をONするために制御信号の初めにパルスを生成したが、制御信号の終了の前にパルスを生成することも可能である。この様にすれば、コンデンサを相殺させるための充放電の動作を確実に終了せしめることができる。同じ制御はパルスインジェクタ60についても行うことができる。パルスインジェクタ50、60において使用されるコンデンサC51、C61は、コンデンサC1、C2、C3、C4の容量よりも、より小さい容量のものを使用することができる。パルス期間を制御することにより、一方のコンデンサから他方のコンデンサに転送されるチャージの量を容易に制御することができる。更に、パルスインジェクタ50、60において低電圧のスイッチが使用されるので、パルスインジェクタ50、60中のONおよびOFFのタイミングを高速で制御することができる。本願の多重レベルクランプ変換器によれば、たとえ接続点Vcpにおいて、多大な量の電流の流入または流出が行われていても、接続点Vcpにおける電位を強制的に中心レベルAに調節することができる。ここで、中心レベルAは、最高レベル2Aと中立レベル0の間の中心である。本願の多重レベルクランプ変換器によれば、たとえ接続点Vcnにおいて、多大な量の電流の流入または流出が行われていても、接続点Vcnにおける電位を強制的に中心レベルAに調節することができる。ここで、中心レベルAは、最低レベル2Aと中立レベル0の間の中心である。本願の多重レベルクランプ変換器によれば、コンデンサCa、Cbのそれぞれにおける両端電圧が変動しても、ターミナルVcにおける電位を強制的に中立レベルに調節することができる。これは変動した電圧と等しい電圧を生成し、生成した電圧を接続点Jfにおける電圧に加えることにより達成される。したがって、小さな容量のコンデンサCa、Cbを使用することができる。さらに、動作の初期状態において、コンデンサCa、Cbのチャージを予め等しくしておく必要はない。本願発明において、コンデンサCa、Cbに十分に大きな容量を持たせれば、可変電圧生成器18、比較器16およびコントローラ12は省略することも可能である。この場合、接続点JfをターミナルVcに直接接続することができる。本発明において、3つのスイッチング回路24、26、28を設けずに、単一位相の交流電源であれば、1つのスイッチング回路を使用することも可能である。以上、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照して説明したが、種々の変更や修正は、当業者に明白であり、かかる変更や修正は、本願の特許請求の範囲に含まれるものである。"