それぞれ電極を有する複数のデバイスと、該デバイスの該電極に接続する複数の金属ポストが封止剤で封止されたパッケージを形成するパッケージ形成方法であって、フィラーを含有する第1封止剤を少なくとも該金属ポストの端面に至らない高さまで供給して該複数のデバイスを封止する第1封止ステップと、フィラーを含有しない第2封止剤を該第1封止剤上に供給して、該第2封止剤で該金属ポストを覆うように該第1封止剤を被覆する第2封止ステップと、該第2封止ステップを実施した後、該金属ポストを該第2封止剤とともに切削又は研削除去して該金属ポストの高さを揃えるとともに、該金属ポストの端面を露出させる加工ステップと、を具備したことを特徴とするパッケージ形成方法。ところが、バイト工具の単結晶ダイアモンドからなる切刃でフィラーを含む封止剤を切削するか、又は研削砥石でフィラーを含む封止剤を研削すると、バイト工具の切刃や研削砥石がすぐさま摩滅してしまうという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、バイト工具の切刃や研削砥石の磨耗を抑制可能なパッケージ形成方法を提供することである。本発明によると、それぞれ電極を有する複数のデバイスと、該デバイスの該電極に接続する複数の金属ポストが封止剤で封止されたパッケージを形成するパッケージ形成方法であって、フィラーを含有する第1封止剤を少なくとも該金属ポストの端面に至らない高さまで供給して該複数のデバイスを封止する第1封止ステップと、フィラーを含有しない第2封止剤を該第1封止剤上に供給して、該第2封止剤で該金属ポストを覆うように該第1封止剤を被覆する第2封止ステップと、該第2封止ステップを実施した後、該金属ポストを該第2封止剤とともに切削又は研削除去して該金属ポストの高さを揃えるとともに、該金属ポストの端面を露出させる加工ステップと、を具備したことを特徴とするパッケージ形成方法が提供される。本発明のパッケージ形成方法によると、フィラーを含む第1封止剤で金属ポストの端面を露出させてデバイスを封止した上にフィラーを含まない第2封止剤を積層し、フィラーを含まない第2封止剤を金属ポストとともに切削又は研削するようにしたため、加工工具の磨耗を抑制することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明のパッケージ形成方法の第1封止ステップを示す断面図が示されている。半導体ウエーハ13の表面13aには格子状に形成された複数の分割予定ラインストリート15によって区画された各領域にLSI等のデバイス17が形成されている。半導体ウエーハ13は予め裏面13bが研削されて所定の厚さ100μm程度に薄化された後、表面13a上に再配線層21が形成される。更に、再配線層21上にデバイス17中の電極19に電気的に接続する複数の金属ポスト23を形成した後、半導体ウエーハ13の表面13a側を金属ポスト23の端面が露出した状態となるように第1封止剤25で封止する。第1封止剤25としては、第1封止剤25の熱膨張率を半導体ウエーハ13の熱膨張率に近づけるために、SiCからなるフィラーが混入されたエポキシ樹脂等の樹脂を使用する。次いで、図2の第2封止ステップに示すように、第1封止剤25上をフィラーを含まないエポキシ樹脂等の樹脂からなる第2封止剤27で金属ポスト23を埋設するように封止して、WL-CSPウエーハ11を形成する。ここで、第2封止剤27の厚さは第1封止剤25に比べて薄く形成することが好ましい。本実施形態のWL-CSPウエーハ11では、フィラーを含まない第2封止剤27で金属ポスト23を埋設するように封止しているが、半導体ウエーハ13の表面13a側を封止する第1封止剤25がフィラーを含んでいるため、第1封止剤25の熱膨張率が半導体ウエーハ13の熱膨張率に近く、熱膨張率の差によって生じる加熱時のパッケージの破損を防止できる。本発明のパッケージ形成方法の第1実施形態の加工方法では、上述した第1封止ステップ及び第2封止ステップを実施した後、図3に示すバイト切削装置2を使用して、金属ポスト23を第2封止剤27とともに切削して金属ポスト23の高さを揃えるとともに、金属ポスト23の端面を露出させる加工ステップを実施する。図3に示すバイト切削装置2は、ベース4を有しており、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向に伸びる一対のガイドレール一本のみ図示8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿ってバイト切削ユニットバイト加工手段10が上下方向に移動可能に装着されている。バイト切削ユニット10は、そのハウジング20が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。バイト切削ユニット10は、ハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容されたスピンドル22図4参照と、スピンドル22を回転するモータ24と、スピンドル22の先端に固定されたマウント26と、マウント26に着脱可能に装着されたバイトホイール28とを含んでいる。バイトホイール28には先端に切刃30aを有するバイト工具30が着脱可能に取り付けられている。切刃30aは、ダイアモンドチップから構成されている。バイト切削ユニット10は、バイト切削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモータ16とから構成されるバイト切削ユニット送り機構18を備えている。パルスモータ16をパルス駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。ベース4の中間部分にはチャックテーブル34を有するチャックテーブル機構32が配設されており、チャックテーブル機構32は図示しないチャックテーブル移動機構によりY軸方向に移動される。35は蛇腹であり、チャックテーブル機構32をカバーする。ベース4の前側部分には、第1のウエーハカセット36と、第2のウエーハカセット38と、ウエーハ搬送ロボット40と、複数の位置決めピン44を有する位置決め機構42と、ウエーハ搬入機構ローディングアーム46と、ウエーハ搬出機構アンローディングアーム48と、スピンナ洗浄ユニット50とが配設されている。また、ベース4の概略中央部には、チャックテーブル34を洗浄する洗浄水噴射ノズル51が設けられている。この洗浄水噴射ノズル51は、チャックテーブル34が装置手前側のウエーハ搬入搬出領域に位置づけられた状態において、チャックテーブル34に向かって洗浄水を噴射する。次に、図4を参照して、バイト切削装置2を使用した加工ステップについて詳細に説明する。図2に示した第2封止ステップを終了したWL-CSPウエーハ11をバイト切削装置2のチャックテーブル34で吸引保持する。そして、バイト切削装置2のスピンドル22を約2000rpmで回転させつつバイトホイール送り機構18を駆動してバイト工具30の切刃30aを第2封止剤27に所定深さ切り込ませ、チャックテーブル34を矢印Y1方向に例えば1mm/sの送り速度で移動させながら、第2封止剤27を金属ポスト23とともに切削する。この切削加工時には、チャックテーブル34は回転させずにY軸方向矢印Y1方向に加工送りして切削加工を実施する。チャックテーブル34に吸引保持されたWL-CSPウエーハ11の左端が切刃30aの取付位置を通過すると、WL-CSPウエーハ11の切削加工が終了し、第2封止剤27の表面は平坦となり、金属ポスト23は第2封止剤27とともに切削されてその高さが均一に加工される。図5は切削加工終了後のWL-CSPパッケージ11Aの断面図を示している。本実施形態のWL-CSPウエーハ11では、フィラーを含まない第2封止剤27が露出しているため、加工ステップは研削砥石を使用した研削加工でも可能である。加工ステップの第2実施形態を図6を参照して説明する。この研削加工ステップでは、図6に示すように、研削装置のチャックテーブル52でWL-CSPウエーハ11の半導体ウエーハ13側を吸引保持して、第2封止剤27を露出させる。図6において、研削ユニット54のスピンドル56の先端に固定されたホイールマウント58には、複数のねじ60により研削ホイール62が着脱可能に装着されている。研削ホイール62は、ホイール基台64の自由端部下端部に複数の研削砥石66を環状に配設して構成されている。本実施形態の加工ステップでは、チャックテーブル52を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール62を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を駆動して研削ホイール62の研削砥石66を第2封止剤27に接触させる。そして、研削ホイール62を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りしながら第2封止剤27を研削し、引き続いて金属ポスト23を第2封止剤27とともに研削して、図5に示すように、金属ポスト23を第2封止剤27から露出させるとともにその高さが均一になるように加工する。この第2実施形態の加工ステップでは、研削の対象となる第2封止剤27はフィラーを含んでいない樹脂等の封止剤からなり、更に研削加工する金属ポスト23はその先端部分のみでよいため、研削砥石66の磨耗が促進されることはない。加工ステップ終了後、図7に示すように、露出した金属ポスト23の端面によく知られた方法により半田ボール等のバンプ29を形成する。そして、切削ブレード等で分割予定ライン15に沿って切削すると、WL-CSP11AはCSPChipSizePackage31に分割される。