基板と、該基板の一方の主表面上に、一定の間隔で形成された下部配線と、前記基板の前記主表面上に、前記下部配線を露出して形成されたスペーサ絶縁膜と、前記スペーサ絶縁膜上に形成された上部配線とを備える高密度配線構造前記下部配線を挟む位置に形成された前記スペーサ絶縁膜の側壁面間には、前記主表面に沿った方向での間隔が、前記スペーサ絶縁膜の上面における間隔よりも大きい部分があることを特徴とする請求項1に記載の高密度配線構造。前記スペーサ絶縁膜の側壁面が、凹状の湾曲面であることを特徴とする請求項2に記載の高密度配線構造。基板の一方の主表面上に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、該スペーサ絶縁膜をパターニングして、下部配線形成領域の前記基板の主表面を露出させる工程と、露出した前記基板の主表面上、及び、前記スペーサ絶縁膜の上側表面上に配線材料を堆積させて、前記基板の主表面上に下部配線を形成するとともに、前記スペーサ絶縁膜の上側表面上に上部配線を形成する工程とを備え、前記下部配線を挟む位置に形成された前記スペーサ絶縁膜の側壁面間には、前記主表面に沿った方向での間隔が、前記スペーサ絶縁膜の上面における間隔よりも大きい部分があることを特徴とする高密度配線構造の製造方法。前記スペーサ絶縁膜の側壁面が、凹状の湾曲面として形成されることを特徴とする請求項4に記載の高密度配線構造の製造方法。前記スペーサ絶縁膜は、等方性エッチングによりパターニングされることを特徴とする請求項4又は5に記載の高密度配線構造の製造方法。前記上部配線及び前記下部配線を樹脂で埋め込む工程を備えることを特徴とする請求項4~6のいずれか一項に記載の高密度配線構造の製造方法。しかしながら、上述の従来例の配線構造の製造方法では、2つの基板のそれぞれに同様の配線構造を形成した後、これらを貼り合わせる。このため、通常の2倍の工程が必要になる。また、2つの基板を貼りあわせるにあたり、一方の基板に形成された配線を他方の基板に形成された配線の間に収めるために、高精度の位置合わせの技術が要求される。この発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、この発明の目的は、従来の製造方法と比べて、少ない工程数で形成可能であり、また、高精度の位置合わせ技術を必要としない、配線構造とその製造方法を提供することにある。上述した目的を達成するために、この発明の高密度配線構造は、基板と、下部配線と、スペーサ絶縁膜と、上部配線とを備えて構成される。下部配線は、基板の一方の主表面上に、一定の間隔で形成されている。スペーサ絶縁膜は、基板の主表面上に、下部配線を露出して形成されている。上部配線は、スペーサ絶縁膜上に形成されている。また、この発明の配線構造の製造方法は、以下の工程を備えて構成される。先ず、基板の一方の主表面上に、スペーサ絶縁膜を形成する。次に、スペーサ絶縁膜をパターニングして、下部配線形成領域の基板の主表面を露出させる。このとき、下部配線を挟む位置に形成されたスペーサ絶縁膜の側壁面間には、主表面に沿った方向での間隔が、スペーサ絶縁膜の上面における間隔よりも大きい部分がある。次に、露出した基板の主表面上、及び、スペーサ絶縁膜の上側表面上に配線材料を堆積させて、基板の主表面上に下部配線を形成するとともに、スペーサ絶縁膜の上側表面上に上部配線を形成する。この発明の配線構造によれば、基板の主表面上に下部配線を設け、基板の主表面上に形成されたスペーサ絶縁膜上に上部配線を設けている。このように、配線を2層に設けているので、1層の構造に比べて、より高密度で金属配線を設けることが可能になる。また、この発明の配線構造の製造方法によれば、スペーサ絶縁膜の形成、パターニング、配線材料の蒸着の工程で、配線構造を形成することができる。従来の2つの基板にそれぞれ配線を設けて、これら基板を貼りあわせる技術に比べて、少ない工程で2層の配線を形成することができる。以下、図を参照して、この発明の実施の形態について説明するが、各構成要素の形状、大きさ及び配置関係については、この発明が理解できる程度に概略的に示したものに過ぎない。また、以下、この発明の好適な構成例につき説明するが、各構成要素の材質及び数値的条件などは、単なる好適例にすぎない。従って、この発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の構成の範囲を逸脱せずにこの発明の効果を達成できる多くの変更又は変形を行うことができる。図1及び図2を参照して、配線構造の製造方法について説明する。図1及び図2は、配線構造の製造方法を説明するための工程図であり、断面の切り口で示してある。先ず、基板10を用意する。基板10として、例えば、シリコン基板Si基板あるいは、炭化ケイ素基板SiC基板を用いることができる。なお、基板10の材質は、後述する工程で行われるエッチングに対する耐性を有していればよく、Si基板やSiC基板に限定されない。次に、基板10の一方の主表面10a上に、スペーサ絶縁膜20を形成する。スペーサ絶縁膜20は、例えば、シリコン酸化膜SiO2膜又はシリコン窒化膜SiN膜として形成される。スペーサ絶縁膜20の形成は、例えば、プラズマ励起化学気相成長法PE-CVD法で行われる図1A。次に、スペーサ絶縁膜20のパターニングを行う。この工程では、先ず、従来周知のフォトリソグラフィ技術を用いて、スペーサ絶縁膜20の上側表面20a上にレジストパターン30を形成する。このレジストパターン30は、後述する工程で形成する上部配線及び下部配線の形成領域に対応してパターニングされている。レジストパターン30は、下部配線が形成される下部配線形成領域42のスペーサ絶縁膜20を露出し、上部配線が形成される上部配線形成領域40のスペーサ絶縁膜20を覆う図1B。レジストパターン30の側面30aは、スペーサ絶縁膜20の上側表面20aに対して直角に近い角度であるのが好ましい。次に、このレジストパターン30をマスクとして用いたエッチングを行うことにより、スペーサ絶縁膜20のパターニングを行う。このエッチングは、例えば、誘導結合プラズマイオンエッチングICP-RIE法などのドライエッチングとすることができる。パターニングされたスペーサ絶縁膜22は、下部配線形成領域42の基板10の主表面10aを露出し、上部配線形成領域40の基板10の主表面10aを覆う図1C。この工程で行われるエッチングは、エッチング条件が調整されて、等方性エッチングとして行われる。等方的なエッチングにより、下部配線形成領域42におけるスペーサ絶縁膜22の側壁面22bは凹状に湾曲した湾曲面として形成される。すなわち、下部配線形成領域42を挟む部分でのスペーサ絶縁膜22の、基板10の主表面10aに沿った方向での間隔W1には、スペーサ絶縁膜22の上面22aにおける間隔W2よりも大きい部分がある。なお、このエッチングは、等方的なエッチングであれば良く、ドライエッチングに限定されない。例えば、フッ酸を用いたウェットエッチングなどで行っても良い。スペーサ絶縁膜22のパターニングを行った後、上部配線50及び下部配線52を形成する。この工程では、基板10の主表面10aに直交する方向図中、矢印Iで示す。に、金属配線材料の静止蒸着を行う。この金属配線材料は、例えば、銅Cu、ニッケルNi及び金Auなど、任意好適な従来周知の金属を用いればよい。この静止蒸着により、スペーサ絶縁膜22の上側表面22a上に上部配線50が形成されるとともに、下部配線形成領域42内に露出している基板10の主表面10a上に、下部配線52が形成される。なお、スペーサ絶縁膜22は、側壁面22bが凹状に形成されているなど、下部配線形成領域42を挟む部分でのスペーサ絶縁膜22の、基板10の主表面10aに沿った方向での間隔W1には、スペーサ絶縁膜22の上側表面22aにおける間隔W2よりも大きい部分がある。このため、蒸着の際に、配線材料は、いわゆる段切れを起こし、上部配線50と下部配線52とに分かれて生成される図1D。上述した工程を経て形成された配線構造では、下部配線52は、一定の間隔で周期的に形成されている。また、下部配線52に挟まれる領域にスペーサ絶縁膜22が形成されている。このスペーサ絶縁膜22は、下部配線52を露出している。また、スペーサ絶縁膜22の上側表面22a上に、上部配線50が形成されている。このように、上述した製造方法により製造された配線構造では、基板の主表面上に下部配線を設け、基板の主表面上に形成されたスペーサ絶縁膜上に上部配線を設けている。例えば、特許文献1に開示されている技術では、隣り合う配線間には、少なくとも絶縁膜の厚みの分だけの間隔が必要である。これに対し、この実施形態の配線構造では、隣り合う上部配線50と下部配線52とは、基板10の主表面10aに直交する方向に離間している。このため、上部配線50と下部配線52の水平位置が重なっていても良い。従って、この実施形態の配線構造では、特許文献1に開示されている構造よりもさらに、高密度の配線構造を実現することができる。また、この製造方法では、スペーサ絶縁膜の形成、パターニング、配線材料の蒸着の工程で、2層の配線構造を形成することができる。このため、従来の2つの基板にそれぞれ配線を設けて、これら基板を貼りあわせる技術に比べて、少ない工程で形成することができる。上部配線50及び下部配線52を備える配線構造が形成された後、上部配線50及び下部配線52に対して、従来周知のワイヤボンディング技術を用いて、ワイヤ配線54を接続する。さらに、上部配線50及び下部配線52を覆う樹脂層60を設ける、すなわち、樹脂封止を行う。この樹脂封止については、従来周知の技術を用いて行うことができるので、説明を省略する。また、図2では、ワイヤ配線が、上部配線及び下部配線の長手方向に対して同じ位置に接続される例が示されているが、この例に限定されない。すなわち、ワイヤ配線54の、上部配線50及び下部配線52の長手方向に対する位置は異なっていても良い。