酸化インジウム中に酸化ジルコニウム0.1~5重量含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とする透明電極膜。酸化インジウム中に酸化ジルコニウム0.1~5重量含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とする透明電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット。本発明は、上記の諸問題点の解決、良好な可視光の透過率と高導電性を維持しながら、適度なエッチング性を備えた透明電極膜を得る。また、この透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、高密度でノジュール発生が少ない焼結体ターゲットを効率的に製造し、これによってノジュールの発生に伴う生産性の低下や品質の低下を抑制し、さらに粉砕メディアからの汚染コンタミを無視できるターゲットを得ることを目的とする。本発明は、1酸化インジウム中に酸化ジルコニウム0.1~5重量含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とする透明電極膜2酸化インジウム中に酸化ジルコニウム0.1~5重量含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とする透明電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット、を提供する。良好な可視光の透過率と高導電性を維持しながら、適度なエッチング性を備えた透明電極膜を得るものであり、また透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、高密度でノジュール発生が少ない焼結体ターゲットを効率的に製造し、これによってノジュールの発生に伴う生産性の低下や品質の低下を抑制し、さらに粉砕メディアからの汚染コンタミを無視できるターゲットを得ることができるという優れた特長を有する。また、室温又は低温での膜特性に優れている。透明導電膜の導電性は、一般に面積抵抗Ω/□で表され、通常5Ω/□程度という面積抵抗が要求されており、上記のような液晶ディスプレー画面に適用する場合においては液晶画面の高精細化とともにさらに低い面積抵抗が要求されている。面積抵抗は比抵抗を透明導電膜の厚みで割った値で表される。したがって、透明導電膜の面積導電率は導電率比抵抗の逆数と、膜厚の積で表現され、この導電率σΩ-1cm-1は膜に含まれるキャリヤ正孔又は電子の持つ電荷eクーロンとキャリヤ移動度μcm2/Vsec及びキャリヤ濃度ncm-3の積で表されるσΩ-1cm-1=eμn。したがって、透明導電膜の導電率を向上させ、比抵抗と面積抵抗とを低下させるためには、キャリヤ移動度μcm2/Vsec2及びキャリヤ濃度ncm-3のいずれか一方又は双方を増大させればよい。このことから、本発明者らはキャリヤ濃度nを高めるためのドーパントとして、酸化インジウムIn2O3に高濃度~5重量までで固溶する酸化ジルコニウムZrO2に着目した。この酸化ジルコニウムドーパントは後述するように、良好な可視光の透過率と高導電性を維持することができることが判明した。酸化ジルコニウムZrO2の含有量が5重量を超えると酸化インジウム中に酸化ジルコニウムを固溶させることができず、余剰酸化ジルコニウム粒が析出し透過率を悪化させる。また、0.1重量未満では酸化ジルコニウムドーパントとしての機能を生じさせることができず、良好な可視光の透過率と高導電性を維持することができない。したがって、酸化インジウム中に酸化ジルコニウム0.1~5重量含有させることが必要である。この酸化ジルコニウムドーパントは、耐酸性はITOの成分であるSnO2程高くないがZnO程卑ではなく、適度なエッチング特性が得られるという優れた特長がある。さらに、スパッタリング時の膜特性を左右する要因として、上記に示すようにターゲットの密度が挙げられ、ターゲットの密度が高いほど安定したスパッタリング特性と良好な膜が得られる。ターゲットの密度を向上させるためには、成形前の粉体が細かいほど良いが、上記の酸化ジルコニウムジルコニアドーパントは粉砕のために既存の粉砕メディア、即ちジルコニアビーズやジルコニアライニングの容器を使用して粉砕することができ、粉砕メディア自体が汚染源コンタミ源とならないという大きな利点がある。これによって、粉砕のレベルを向上させ、従来に比べてはるかに高純度でかつ高密度のスパッタリングターゲットを得ることができる。また、このような高密度ターゲットを使用することにより、ノジュールの発生を抑え、このノジュールに起因する異常放電やスプラッシュが原因となって生ずるパーティクルの発生を抑え、導電膜の品質低下を効果的に抑制できる。次に、本発明の実施例について説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内で、実施例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。実施例酸化インジウムIn2O3粉に酸化ジルコニウムZrO2粉を5重量となるように所定量混合した後、ジルコニアZrO2ボールビーズを粉砕メディアとして用いて微粉砕を行った。焼結密度を上げるために、0.8μm以下まで粉砕を実施した。この混合粉末を使用して、1tトン/cm2の圧力でプレス成形を行いφ200×8mmの成形体とし、さらにCIP等方冷間プレスを行った。そしてこの成形体を酸素雰囲気中1640°Cの温度で4時間焼結を行い焼結体以下、IZO焼結体という。ターゲットを得た。焼結密度は98に達した。酸化ジルコニウムの固溶をIZO焼結体ターゲットのXRDX線回折により確認した。対比のために実施例の酸化ジルコニウム含有量5重量以外に、上記実施例と同様の条件で、酸化ジルコニウム含有量1重量及び酸化ジルコニウム含有量10重量本発明の範囲外のIZO焼結体ターゲットを作成した。酸化ジルコニウム含有量10重量のXRD測定結果を図1に示す。また、酸化ジルコニウム含有量5重量及び酸化ジルコニウム含有量1重量IZO焼結体ターゲットにおけるXRD測定結果を図2及び図3に示す。図1の酸化ジルコニウム10重量を含有するターゲットでは、2θが30.24度、35.04度、50.36度、60.24度のところに立方晶ZrO2のピークが見られ、立方晶ZrO2が完全に固溶していないことが分かる。なお、これらのピークは立方晶In2O3の30.50度、35.38度、50.94度、60.56度のピークと近いため、一見するとIn2O3のピークが低角側に広がったように見える。しかし、図2及び図3に示す通り、これらのピークは酸化ジルコニウム含有量5重量及び酸化ジルコニウム含有量1重量の本発明の範囲にあるIZO焼結体ターゲットでは観察されず、ZrO2が固溶しているのが分かる。次に、このIZO焼結体ターゲットを用いてガラス基板にDCスパッタにより、次の条件で透明電極膜を形成した。スパッタガス:ArO2スパッタガス圧:0.4Paスパッタガス流量:8SCCM酸素濃度:1投入パワー:0.5W/cm2この場合のノジュールの発生量被覆率を測定したが、本実施例のIZO焼結体におけるノジュールの被覆率は10以下であった。また、成膜の比抵抗Ωcm及び550nmでの透過率の膜特性を調べ、その結果を表1に示す。なお、表1においては室温、酸素濃度1成膜時の膜特性を示す。また、比較のために、同様の条件で作製したITO膜比較例1及びIXO膜比較例2の比抵抗Ωcm及び550nmでの透過率の膜特性を表1に掲載した。この表1から明らかなように、比抵抗及び透過率は本発明の実施例と比較例1のITOとは殆ど遜色なく、本発明の実施例の良好な可視光の透過率と高導電性を維持しているのが分かる。一般に、ITO膜に対して本発明のIZO焼結体ターゲットを使用したIZO膜は基板温度を上げて成膜した状態での膜特性は大差ないが、室温で成膜した膜での特性がより優れているという結果が得られた。近年、液晶ディスプレー等の軽量化からガラス基板に替えてプラスチックシートやフイルムを使用する傾向にある。プラスチックスは耐熱性に劣るので、基板を加熱しない、あるいは低温での成膜が求められている。したがって、上記のような室温又は低温での膜特性に優れている本件発明の透明電極は、この目的に合致し、優れた材料と言える。他方、比較例2のIXO膜では透過率は高いが、比抵抗が著しく低くなっている。また、比較例1及び2では、本実施例と同等の0.8μm以下までの粉砕を実施すると、ジルコニアのコンタミが著しく増大しているのが確認できた。なお、比較例1及び2のターゲットの密度はそれぞれ93、87であり、本実施例よりも低く、ノジュール被覆率は70に達していた。次に、上記実施例と比較例1及び2の透明電極膜について、基板温度とエッチング速度との関係を表2に示す。エッチャントはHCl:H2O:HNO3=1:1:0.08の混酸を用いた。表2から明らかなように、ITOである比較例1に対して、基板温度が室温の場合及び200°Cの場合、いずれも本実施例であるIZOのエッチング速度が勝っていることが分かる。特に基板温度が200°Cの場合に、その差が著しい。また、比較例2のIXOでは室温のエッチング性は92700Å/min、200°Cでは90900Å/minと異常に高いが、反面オーバーエッチングになりやすく、好ましくない。