電圧の印加により振動する励振部と前記励振部の周囲を囲む枠部とを有し、X軸、Y’軸、Z’軸により規定されるATカット水晶材により形成される水晶素子と、前記枠部の一主面に接合されX軸、Y軸、Z軸により規定されるZカット水晶材により形成されるベースと、前記枠部の他主面に接合され前記Zカット水晶材で形成されるリッドと、を備え、前記水晶素子の前記Z’軸と前記ベース及び前記リッドの前記X軸又は前記Y軸との方向が一致している水晶デバイス。前記励振部は、外周部の厚さが中央部の厚さよりも薄く形成されるメサ形状、又は中央部の厚さが外周部の厚さよりも薄く形成される逆メサ形状に形成される請求項1に記載の水晶デバイス。前記励振部の一主面に対向した前記リッドの天井面と、前記励振部の他主面に対向した前記ベースの底面との少なくとも一方に前記励振部を振動させる励振電極が形成される請求項1に記載の水晶デバイス。前記ベースと前記枠部と前記リッドとは、前記Zカット水晶材と前記ATカット水晶材とを直接接合するシロキサン結合、又は前記Zカット水晶材と前記ATカット水晶材とを接着剤を用いて接合する接着接合により接合される請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の水晶デバイス。前記水晶素子の主面は長辺と短辺とにより形成され、前記水晶素子の前記短辺と前記Z’軸とが平行であり、前記長辺と前記X軸とが平行である請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の水晶デバイス。前記ベースと前記リッドとの厚さが同じである請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の水晶デバイス。電圧の印加により振動する励振部と前記励振部の周囲を囲む枠部とを有する水晶素子を複数有し、X軸、Y’軸、Z’軸により規定されるATカット水晶材により形成されるATカット水晶ウエハを用意する工程と、前記枠部の一主面に接合されるベースを複数有し、X軸、Y軸、Z軸により規定されるZカット水晶材により形成されるZカットベースウエハを用意する工程と、前記枠部の他主面に接合されるリッドを複数有し、前記Zカット水晶材により形成されるZカットリッドウエハを用意する工程と、前記ATカット水晶ウエハの前記Z’軸と前記Zカットベースウエハの前記X軸又は前記Y軸との方向を一致させて、前記ATカット水晶ウエハの一主面に前記Zカットベースウエハを接合する第1接合工程と、前記ATカット水晶ウエハの前記Z’軸と前記Zカットリッドウエハの前記X軸又は前記Y軸との方向を一致させて、前記ATカット水晶ウエハの他主面に前記Zカットリッドウエハを接合する第2接合工程と、前記第1接合工程及び前記第2接合工程の後に、前記ATカット水晶ウエハ、前記Zカットベースウエハおよび前記Zカットリッドウエハを切断して個々の水晶デバイスに分割する分割工程と、を備える水晶デバイスの製造方法。前記ATカット水晶ウエハ、前記Zカットベースウエハおよび前記Zカットリッドウエハは、それぞれ軸方向を特定する基準位置を示すマークオリエンテーションフラット、ノッチが形成されており、前記第1接合工程及び前記第2接合工程では前記マークを基準として前記ATカット水晶ウエハ、前記Zカットベースウエハ及び前記Zカットリッドウエハの前記軸方向を一致させる請求項7に記載の水晶デバイスの製造方法。しかしながら、特許文献1に開示された水晶デバイスは、水晶片に熱膨張係数が近いガラスを使用しているが、水晶片の熱膨張係数と一致しているわけでない。このため、プリント基板にハンダ付けする際などの大きな温度変化によってはパッケージ又はATカット水晶片に無理な応力が加わったりする。そのため熱膨張係数の近いガラスのパッケージに代えてATカットの水晶片のパッケージを使用することも考えられるが、ATカットの水晶片は人工水晶からの切り出し角度の影響でコストが高く付く。また、特許文献2に開示された水晶デバイスは、熱膨張について何ら言及しておらず、またプリント基板にハンダ付けする箇所はアルミナのベースが使われている。本発明は、ATカット板を励振部として使用し、コストを低減し且つ温度変化によって破損又は周波数変動が少ない表面実装型の水晶デバイスを提供することを目的とする。第1観点の水晶デバイスは、電圧の印加により振動する励振部と励振部の周囲を囲む枠部とを有し、X軸、Y’軸、Z’軸により規定されるATカット水晶材により形成される水晶素子と、枠部の一主面に接合されX軸、Y軸、Z軸により規定されるZカット水晶材により形成されるベースと、枠部の他主面に接合されZカット水晶材で形成されるリッドと、を備え、水晶素子のZ’軸とベース及びリッドのX軸又はY軸との方向が一致している。第2観点の水晶デバイスは、第1観点において、励振部が外周部の厚さが中央部の厚さよりも薄く形成されるメサ形状、又は中央部の厚さが外周部の厚さよりも薄く形成される逆メサ形状に形成される。第3観点の水晶デバイスは、第1観点において、励振部の一主面に対向したリッドの天井面と、励振部の他主面に対向したベースの底面との少なくとも一方に励振部を振動させる励振電極が形成される。第4観点の水晶デバイスは、第1観点から第3観点において、ベースと枠部とリッドとが、Zカット水晶材とATカット水晶材とを直接接合するシロキサン結合、又はZカット水晶材とATカット水晶材とを接着剤を用いて接合する接着接合により接合される。第5観点の水晶デバイスは、第1観点から第4観点において、水晶素子の主面は長辺と短辺とにより形成され、水晶素子の短辺とZ’軸とが平行であり、長辺とX軸とが平行である。第6観点の水晶デバイスは、第1観点から第5観点において、ベースとリッドとの厚さが同じである。第7観点の水晶デバイスの製造方法は、電圧の印加により振動する励振部と励振部の周囲を囲む枠部とを有する水晶素子を複数有し、X軸、Y’軸、Z’軸により規定されるATカット水晶材により形成されるATカット水晶ウエハを用意する工程と、枠部の一主面に接合されるベースを複数有し、X軸、Y軸、Z軸により規定されるZカット水晶材により形成されるZカットベースウエハを用意する工程と、枠部の他主面に接合されるリッドを複数有し、Zカット水晶材により形成されるZカットリッドウエハを用意する工程と、ATカット水晶ウエハのZ’軸とZカットベースウエハのX軸又はY軸との方向を一致させて、ATカット水晶ウエハの一主面にZカットベースウエハを接合する第1接合工程と、ATカット水晶ウエハのZ’軸とZカットリッドウエハのX軸又はY軸との方向を一致させて、ATカット水晶ウエハの他主面にZカットリッドウエハを接合する第2接合工程と、第1接合工程及び第2接合工程の後に、ATカット水晶ウエハ、ZカットベースウエハおよびZカットリッドウエハを切断して個々の水晶デバイスに分割する分割工程と、を備える。第8観点の水晶デバイスの製造方法は、第7観点において、ATカット水晶ウエハ、ZカットベースウエハおよびZカットリッドウエハにそれぞれ軸方向を特定する基準位置を示すマークオリエンテーションフラット、ノッチが形成されており、第1接合工程及び第2接合工程ではマークを基準としてATカット水晶ウエハ、Zカットベースウエハ及びZカットリッドウエハの軸方向を一致させる。本発明は、コストを低減し且つ温度変化によって破損又は周波数変動が少ない表面実装型の水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法が得られる。以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。第1実施形態<水晶デバイス100の構成>本実施形態の水晶デバイスは、プリント基板の表面にはんだ付けによって実装される表面実装型の水晶デバイスである。以下に本実施形態の水晶デバイスの構成を、図1及び図2を参照しながら説明する。図1aは、水晶デバイス100の斜視図であり、図1bは、図1aのA-A断面図である。また、図2aは、リッド120の平面図であり、図2bは、水晶素子130の平面図であり、図2cは、ベース110の平面図である。図1aに示されるように、水晶デバイス100は、リッド120と、ベース110と、水晶素子130とにより構成されている。水晶素子130はATカット水晶基板が基材として用いられる。ATカットの水晶基板は、主面YZ面が結晶軸XYZのY軸に対して、X軸を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜されている。以下の説明では、ATカットの水晶基板の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をY’軸及びZ’軸として用いる。すなわち、水晶デバイス100においては水晶デバイス100の長辺方向をX軸方向、水晶デバイス100の高さ方向をY’軸方向、X及びY’軸方向に垂直な方向をZ’軸方向として説明する。また、リッド120及びベース110はZカット水晶基板が基材として用いられている。Zカット水晶基板は結晶軸がX軸、Y軸、Z軸により定義される。以下の説明でリッド120及びベース110を個別に説明するときは、Zカットの水晶基板の軸方向を基準として説明する。水晶デバイス100は、上側Y’軸側にリッド120が配置され、下側-Y’軸側にベース110が配置され、リッド120とベース110とに挟まれた位置に水晶素子130が配置されている。また、ベース110の下面には外部電極140が形成されている。図2aに示されるように、リッド120は、Y軸方向と長辺とが平行であり、X軸方向と短辺とが平行である長方形の主面を有している。図1bに示されるように、リッド120には、Z軸側の主面である上面121と、-Z軸側の主面である天井面122とが形成されている。-Z軸側の面の外周部には水晶素子130と接合する面である接合面123が形成されている。天井面122は接合面123から凹んで形成されている。図2bに示されるように、水晶素子130は、励振電極131が形成されている励振部132と、励振部132の周囲を取り囲むように形成されている枠部133とを有している。また、励振部132と枠部133とは接続腕134によって接続されている。引出電極135は、励振部132の外周部から接続腕134および枠部133の一部を通り、枠部133の角まで形成されている。引出電極135は、枠部133の角の接続点136で、ベース110に形成されている接続電極114図1b及び図2c参照と接続される。水晶素子130に形成されている電極は、水晶上に形成されているクロム層Crと、クロム層Cr上に形成されている金層Auとにより構成されている。図2cに示されるように、ベース110は、Y軸方向と長辺とが平行であり、X軸方向と短辺とが平行である長方形の主面を有している。図1bに示されるように、この主面は、-Z軸側にあり水晶デバイス100の一部として組み立てられたときに水晶デバイス100の外部に面している下面111と、Z軸側にあり水晶デバイス100の内部に面している底面112との2つが形成されている。ベース110のZ軸側の面の外周部には、水晶素子130の枠部133と接合するための接合面113が形成されている。底面112は接合面113から凹んで形成されている。ベース110の接合面113には接続電極114が形成され、下面111には外部電極140が形成されている。接続電極114はベース110内に形成された導通部不図示を通して外部電極140と電気的に接続されている。水晶デバイス100は、リッド120及びベース110にZカット水晶基板が用いられ、水晶素子130にATカット水晶基板が用いられている。Zカット水晶基板はATカット水晶基板よりも安価であるため、水晶デバイス100では、リッド120及びベース110にATカット水晶基板が用いられる製品よりも製造コストを下げることができている。また、リッド120及びベース110に水晶材を用いることにより、水晶素子130とリッド120及びベース110との熱膨張係数が近くなる。水晶デバイス100には、リッド120及びベース110と水晶素子130との接合時、及びハンダリフロー時等に400°C近くまで加熱されることある。そのため、リッド120及びベース110と水晶素子130との間には熱膨張による応力がかかる。リッド120、ベース110及び水晶材130の熱膨張係数を近くすることにより水晶デバイス100への熱履歴による影響を少なくすることができる。さらに、リッド120及びベース110に水晶材を用いることにより、水晶デバイス100の組み立てに、後に説明するシロキサン接合を用いることができる。<結晶軸について>オートクレーブによって人工水晶の結晶はZ軸方向に大きく成長する。Zカット水晶基板は、人工水晶からZ軸に沿ってカットされて形成される。このためZカット水晶基板は結晶軸がX軸、Y軸、Z軸により定義される。また、ATカット水晶基板は、人工水晶からX軸を回転軸としてY軸からZ軸方向に35度15分回転した方向に沿ってカットされて形成される。Zカット水晶基板とATカット水晶基板とはカット方向が異なることにより、同じ人工水晶であっても各軸方向への熱膨張係数が異なる。水晶デバイス100は、水晶素子130、リッド120及びベース110に水晶材を用いることにより、水晶材同士の接合時またはハンダリフロー時等の熱膨張の影響が少なくなっている。それでもなお、水晶デバイス100のパッケージング時およびハンダリフロー時のように大きな温度変化が伴う場合には、水晶デバイス100が破損することがある。例えば水晶素子130の枠部133の角部、接続腕134と励振部132及び枠部133との接続部等には応力がかかりやすく、それらの個所は破損しやすい。しかし、リッド120及びベース110の結晶軸の方向と、水晶素子130の結晶軸の方向とを特定の方向に向けることにより、水晶デバイス100の破損率を大きく下げることができる。図3及び図4を参照してリッド120及びベース110の結晶軸の方向と、水晶素子130の結晶軸の方向とについて説明する。図3及び図4は、破損率が少ないリッド120と、水晶素子130と、ベース110との結晶軸の方向の組み合わせを示した図である。図3及び図4の左側には、上段からリッド120、水晶素子130、ベース110の斜視図を示している。また、斜視図の右側に、リッド120と、水晶素子130と、ベース110との結晶軸の方向の組み合わせに関してEX1からEX8の8つの例が示されている。リッド120と同じ段に示した結晶方向はリッド120の結晶方向を示しており、水晶素子130と同じ段に示した結晶方向は水晶素子130の結晶方向を示しており、ベース110と同じ段に示した結晶方向はベース110の結晶方向を示している。また、EX1からEX8の8つの例では、水晶素子130がATカット水晶基板の結晶軸を用いて表わされ、リッド120及びベース110がZカット水晶基板の結晶軸を用いて表わされている。ATカット水晶基板である水晶素子130は、その長辺とX軸とが平行であり、水晶素子130の短辺とZ’軸とが平行である。さらに、Zカット水晶基板であるリッド120及びベース110の長辺とY軸とが平行であり、リッド120及びベース110の短辺とX軸とが平行である。図3に示される第1例EX1は、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、リッド120及びベース110のY軸方向、Z軸方向、X軸方向とがそれぞれ一致している組み合わせの例である。第2例EX2は、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、リッド120及びベース110のY軸方向、-Z軸方向、-X軸方向とがそれぞれ一致している組み合わせの例である。第3例EX3は、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、リッド120のY軸方向、Z軸方向、X軸方向とがそれぞれ一致しており、さらに、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、ベース110のY軸方向、-Z軸方向、-X軸方向とがそれぞれ一致している組み合わせの例である。第4例EX4は、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、リッド120のY軸方向、-Z軸方向、-X軸方向とがそれぞれ一致しており、さらに、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、ベース110のY軸方向、Z軸方向、X軸方向とがそれぞれ一致している組み合わせの例である。図4に示される第5例EX5は、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、リッド120及びベース110の-Y軸方向、Z軸方向、-X軸方向とがそれぞれ一致している組み合わせの例である。第6例EX6は、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、リッド120及びベース110の-Y軸方向、-Z軸方向、X軸方向とがそれぞれ一致している組み合わせの例である。第7例EX7は、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、リッド120の-Y軸方向、Z軸方向、-X軸方向とがそれぞれ一致しており、さらに、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、ベース110の-Y軸方向、-Z軸方向、X軸方向とがそれぞれ一致している組み合わせの例である。第8例EX8は、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、リッド120の-Y軸方向、-Z軸方向、X軸方向とがそれぞれ一致しており、さらに、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、ベース110の-Y軸方向、Z軸方向、-X軸方向とがそれぞれ一致している組み合わせの例である。第1例EX1から第8例EX8は、いずれも水晶素子130のX軸、Y’軸、Z’軸がリッド120及びベース110のY軸、Z軸、X軸とそれぞれ一致している。上記のような水晶デバイスであれば、水晶デバイス100の製造工程や、水晶デバイス100を実装基板に搭載する工程等で熱処理がされても、水晶デバイス100にクラックが発生したり周波数が変動したりする、といった問題が生じないことが発明者の調査によって明らかになった。これら図3及び図4に示された組み合わせが好ましいことの理由は、熱膨張係数の観点から推測することができる。図5は、水晶材のX軸、Y軸及びZ軸方向の熱膨張係数と温度との関係が示されたグラフである。グラフの縦軸には熱膨張係数ppmが示され、グラフの横軸には温度°Cが示されている。熱膨張係数は、温度の上昇によって物体の長さが膨張する割合を1°Cあたりで示したものである。グラフの黒塗りの三角形で表わされた点は、水晶材のX軸及びY軸方向の熱膨張係数を示している。また、グラフの黒塗りの四角形で表わされた点は、水晶材のZ軸方向の熱膨張係数を示している。X軸及びY軸方向の熱膨張係数は、-250°Cで4.1ppmであり、温度が上昇するにしたがって熱膨張係数も上昇し、573°Cで15ppmとなる。Z軸方向の熱膨張係数は、-250°Cで8.6ppmであり、温度が上昇するにしたがって熱膨張係数も上昇し、573°Cで25.15ppmとなる。また、グラフで白抜きの円で表わされた点は、X軸及びY軸方向の熱膨張係数とZ軸方向の熱膨張係数との差の大きさを示している。X軸方向及びY軸方向とZ軸方向との熱膨張係数の差は、-250°Cで4.5ppmであり、温度が上昇するにしたがって熱膨張係数の差も上昇し、573°Cで10.15ppmとなっている。図5に示されたグラフからは、水晶材のX軸方向とY軸方向との熱膨張係数が等しく、Z軸方向の熱膨張係数がX軸及びY軸方向の熱膨張係数より高いことが分かる。また、ATカット水晶材のY’軸方向及びZ’軸方向はZ軸方向及びY軸方向の合成により定義できる。つまり、Y’軸方向及びZ’軸方向はZ軸方向の成分を含んでいるため、Y’軸方向とZ’軸方向とはX軸及びY軸方向よりも熱膨張係数が高いと考えられる。そのため、ATカット水晶基板とZカット水晶基板とが接合されて形成される圧電デバイスの温度が上昇した場合等には、ATカット水晶基板のZ’軸方向とZカット水晶基板のX軸及びY軸方向との熱膨張係数の差に起因した応力が圧電デバイスにかかると思われる。この熱膨張係数の差は温度が高くなるに従い増加するため、圧電デバイスは高温になるに従いクラック等の発生確率が高くなると考えられる。図3及び図4に示された例では、このようなATカット水晶基板とZカット水晶基板との熱膨張係数の差に起因した応力が圧電デバイスにかかりにくい状態になっていると考えられる。このような応力が圧電デバイスにかかりにくくなる要因の一つとしては、熱膨張係数が高いATカット水晶基板のZ’軸方向が圧電デバイスの短辺に平行である方向であることが考えられる。これは、水晶材の長さが短ければそれだけ水晶材が膨張する長さが短くなるため、熱膨張係数の差に起因した応力が弱くなると考えられるためである。また、リッド及びベースを同じ材料で形成し、更に互いの軸の向きが揃えられていることが良いと考えられる。これは、水晶素子のY’軸側の面と-Y’軸側の面とにかかる応力を等しくすることができるためである。例えば水晶素子のY’軸側の面と-Y’軸側の面とに異なる応力がかかった場合、水晶素子には水晶素子が反る方向に応力がかかる。水晶素子のY’軸側の面と-Y’軸側の面とにかかる応力が等しい場合は、互いの面にかかるY’軸方向の応力は相殺されるため水晶素子が反る方向への応力はかからない。また、Y’軸側の面と-Y’軸側の面とにかかる応力を等しくするためにリッドとベースとの厚さを等しく形成することが望ましいと考えられる。図3及び図4では、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、リッド120及びベース110のY軸方向、Z軸方向、X軸方向とがそれぞれ一致するように形成されている。一方、X軸方向とY軸方向との熱膨張率は等しいため、水晶素子130のX軸方向、Y’軸方向、Z’軸方向と、リッド120及びベース110のX軸方向、Z軸方向、Y軸方向とをそれぞれ一致させてもよいと考えられる。<水晶デバイス100の作製方法>図6から図9を参照して、リッド120及びベース110にZカット水晶基板が用いられ、水晶素子130にATカット水晶基板が用いられた水晶デバイス100の製造方法について説明する。図6は、水晶デバイス100作製のフローチャートである。ステップS101では、ATカット水晶ウエハW130を用意する工程が行われる。この工程では、ATカット水晶基板が準備され、ATカット水晶基板に複数の水晶素子130が形成されることによりATカット水晶ウエハW130が用意される。図7aは、ATカット水晶ウエハW130の概略平面図である。ATカット水晶ウエハW130はATカット水晶基板を基材としており、水晶素子130はATカット水晶素子としてATカット水晶ウエハW130に形成される。ATカット水晶ウエハW130の周縁部の一部には結晶方向を特定するためのオリエンテーションフラット80が形成されている。ATカット水晶ウエハW130には、オリエンテーションフラット80の代わりにノッチが形成されていても良い。ATカット水晶ウエハW130の直径は、例えば3インチまたは4インチである。ATカット水晶ウエハW130には、複数の水晶素子130が形成される。図7aには、ATカット水晶ウエハW130に3つの水晶素子130が形成された例が示されている。また、点線の枠60内には1つの水晶素子130が形成されている。図7bは、図7aの点線の枠60を拡大した図である。ATカット水晶ウエハW130には、励振部132と枠部133とを分けている貫通孔である溝部137が形成されている。また、ATカット水晶ウエハW130上には、励振電極131と引出電極135とが形成されている。図6のステップS101のATカット水晶ウエハW130を用意する工程では、図7a及び図7bに示すような、水晶素子130が形成されたATカット水晶ウエハW130が用意される。図6のステップS102では、ZカットベースウエハW110を用意する工程が行われる。この工程では、ZカットベースウエハW110が用意される。ZカットベースウエハW110は、基材としてZカット水晶基板が用いられており、周縁部の一部に結晶方向を特定するためのオリエンテーションフラット80が形成されている。また、ZカットベースウエハW110上には、複数の底面112図1b及び図2c参照の凹みが形成され、外部電極140、接続電極114等の電極が形成されることにより、複数のベース110が形成される。ステップS103では、ZカットリッドウエハW120を用意する工程が行われる。この工程では、ZカットリッドウエハW120が用意される。ZカットリッドウエハW120には基材としてZカット水晶基板が用いられており、周縁部の一部に結晶方向を特定するためのオリエンテーションフラット80が形成されている。また、ZカットリッドウエハW120上には、複数の天井面122図1b及び図2a参照の凹みが形成されることにより、複数のリッド120が形成される。以上のステップS101からステップS103の工程は順不同で行われる。ステップS104では、第1接合工程が行われる。第1接合工程はZカットベースウエハW110とATカット水晶ウエハW130とを接合する工程である。ZカットベースウエハW110とATカット水晶ウエハW130とは、オリエンテーションフラット80を目印として、図3又は図4に示された結晶軸に互いに正確に重ねあわされる。そして、後に説明するシロキサン結合により互いに接合される。シロキサン結合の際には、水晶片130の引出電極135の接続点136図2b参照とベース110の接続電極114図2c参照との両電極同士もしっかりと接合される。ステップS105では、第2接合工程が行われる。第2接合工程はZカットリッドウエハW120とATカット水晶ウエハW130とを接合する工程である。ZカットリッドウエハW120とATカット水晶ウエハW130とは、オリエンテーションフラット80を目印として、図3又は図4に示された結晶軸に互いに正確に重ねあわされる。そして、後に説明するシロキサン結合により互いに接合される。ステップS104の第1接合工程とステップS105の第2接合工程とは、順番を逆にして行われてもよいし第1接合工程と第2接合工程とが同時に行われてもよい。但し、最終的な接合工程は、所定の気圧より低い真空状態または不活性ガスで満たされた状態で行われる。励振部132の周囲が真空状態または不活性ガスで満たされた状態になることで、水晶デバイス100の周波数の安定が図られる。図8に、ZカットリッドウエハW120と、ATカット水晶ウエハW130と、ZカットベースウエハW110とを重ね合わせる前の図を示す。説明の都合上、仮想線でZカットリッドウエハW120にはリッド120が示され、ATカット水晶ウエハW130には水晶素子130が示され、ZカットベースウエハW110にはベース110が示されている。また説明の都合上、ZカットリッドウエハW120には42個のリッド120が描かれているが、実際の製造においては、1枚のウエハに数百から数千のリッド120が形成される。これは、ATカット水晶ウエハW130およびZカットベースウエハW110に関しても同様である。図8では、図3の第1例EX1の結晶軸の向きに合わせた接合例が示されている。ZカットリッドウエハW120とATカット水晶ウエハW130とZカットベースウエハW110との3枚の水晶ウエハの重ね合わせ時には、オリエンテーションフラット80を正確に位置合わせして重ね合わせる。このことにより、ATカットの水晶ウエハとZカットの水晶ウエハとの接合時に、結晶軸が正確に重なるように調整される。第1接合工程及び第2接合工程により、ZカットリッドウエハW120とATカット水晶ウエハW130とZカットベースウエハW110とを互いに接合することで、水晶デバイス100がウエハに固定された状態で形成される。このように、パッケージングと電極の接合とを同時に行うこと、また水晶デバイス100をウエハ単位で製造することにより、製造工程が簡略化され、生産性を向上させることができる。図6のステップS106は、分割工程である。水晶デバイス100は、ステップS105においてウエハに固定された状態で形成されている。分割工程では、ウエハに固定された状態の水晶デバイス100が、ダイシングソー又はレーザーソーにより切断され、個々の水晶デバイス100に形成される。ステップS104及びステップS105で行われるウエハ同士の接合は、シロキサン結合又は接着接合等の方法により行われる。以下に、ステップS104の第1接合工程及びステップS105の第2接合工程に示されるウエハ同士の接合方法について説明する。<シロキサン結合>図9aは、シロキサン結合を説明するための図である。水晶素子130にATカット水晶基板が用いられており、リッド120およびベース110にはZカット水晶基板が用いられている。そのため、各ウエハ同士の接合には、シロキサン結合Si-O-Si結合を用いることができる。シロキサン結合は水晶同士を直接接合する接合方法であり、接着剤を使用しない。シロキサン結合では、前処理として、ベース110の接合面113と、水晶素子130の枠部133のY’軸側及び-Y’軸側の面と、リッド120の接合面123とを鏡面状態に保ったまま酸素含有雰囲気中で短波長の紫外線を照射して各面を活性化し、清浄な状態にしておく。その後、真空中又は不活性ガス雰囲気中で、各面が活性化した状態のウエハ同士を互いに位置合わせして重ね合わせ、100°Cから200°C程度の比較的低温に加熱した状態で互いのウエハを押し合わせる。このような方法により各ウエハは互いにシロキサン結合で強固に結合される。前処理の方法は、紫外線照射による方法の他に、プラズマ処理による方法、イオンビームを接合面に照射する方法等が知られている。<接着接合>図9bは、接着接合を説明するための図である。図9bでは、ポリイミド系の接着剤70によりリッド120と水晶素子130とが接着され、ベース110と水晶素子130とが接着されている。リッド120及び水晶素子130と、ベース110及び水晶素子130とは、それぞれ水晶デバイス100内が密封された状態に保たれるように接合される。また、接合と同時に引出電極135と接続電極114とが接続される。水晶デバイス100の変形例水晶デバイス100には、水晶素子130とは異なった形のATカット水晶素子を用いても良い。以下に水晶素子130とは異なった形のATカット水晶素子を用いた水晶デバイスの例を示す。<水晶デバイス200の構成>図10aは、水晶デバイス200の断面図である。水晶デバイス200は、Zカットリッド120と、Zカットベース110と、ATカット水晶素子230とにより構成されている。水晶デバイス200には、上部Y’軸側にZカットリッド120が配置され、下部-Y’軸側にZカットベース110が配置され、Zカットリッド120とZカットベース110とに挟まれた位置に水晶素子230が配置されている。Zカットリッド120及びZカットベース110は、水晶デバイス100と同様の形状を有している。水晶素子230は、励振部232と枠部233とを有しており、互いに接続腕不図示によって接続されている。水晶素子230は、励振部232の周辺部238の厚さが中央部239の厚さよりも薄く形成されているメサ型の水晶素子である。中央部239のY’軸側と-Y’軸側との面には励振電極231が形成されており、枠部233には励振電極231から引き出された引出電極235が形成されている。<水晶デバイス300の構成>図10bは、水晶デバイス300の断面図である。水晶デバイス300は、Zカットリッド120と、Zカットベース110と、ATカット水晶素子330とにより構成されている。水晶デバイス300は、上部にZカットリッド120が配置され、下部にZカットベース110が配置され、Zカットリッド120とZカットベース110とに挟まれた位置に水晶素子330が配置されている。Zカットリッド120及びZカットベース110は、水晶デバイス100と同様の形状を有している。水晶素子330は、励振部332と枠部333とを有しており、互いに接続腕不図示によって接続されている。励振部332は、中央部339の厚さが周辺部338の厚さよりも薄く形成されている逆メサ型の水晶素子である。中央部339のY’軸側と-Y’軸側との面には励振電極331が形成されており、枠部333には励振電極331から引き出された引出電極335が形成されている。<水晶デバイス400の構成>図10cは、水晶デバイス400の断面図である。水晶デバイス400は、Zカットリッド420と、Zカットベース410と、ATカット水晶素子430とにより構成されている。水晶デバイス400は、上部にZカットリッド420が配置され、下部にZカットベース410が配置され、Zカットリッド420とZカットベース410とに挟まれた位置に水晶素子430が配置されている。水晶素子430は、励振部432と枠部433とを有しており、互いに接続腕不図示によって接続されている。水晶素子430の励振部432のY’軸側と-Y’軸側との主面には励振電極が形成されていない。水晶デバイス400の励振電極431は、Zカットリッド420の天井面422と、Zカットベース410の底面412とに励振電極431が形成され、両励振電極431が励振部432に作る電場によって励振部432を厚み滑りモードで振動をさせる。Zカットリッド420に形成されている励振電極431は、Zカットリッド420の-Y’軸側の外周部付近に形成される接続電極414と電気的に接続されている。Zカットリッド420の接続電極414は、水晶素子430の枠部433に形成される引出電極435を通してZカットベース410に形成されている接続電極414と電気的に接続される。さらに、接続電極414は外部電極440と電気的に接続されているため、Zカットリッド420に形成されている励振電極431は、外部電極440と電気的に接続される。Zカットリッド420に形成される励振電極431を外部電極440と電気的に接続する他の方法としては、Zカットリッド420に形成される励振電極431と外部電極440とを直接接続する電極を水晶デバイス430の外壁に形成する方法等がある。図10cでは、励振電極431が天井面422と底面412とに形成されているが、励振電極431は、天井面422または底面412のいずれか一方に形成され、他方の励振電極431は励振電極431が形成されなかった天井面422または底面412に向かいあう励振部432の面上に形成されても良い。例えば、励振部432のY’軸側の面に一方の励振電極431を形成し、Zカットベース410の底面412に他方の励振電極431を形成する。このようにすれば、Zカットリッド420に電極を形成する必要が無くなり、Zカットリッド420の形成工程を簡略化することができる。また、水晶デバイス400の水晶素子430の励振部432の形状は、メサ形状または逆メサ形状に形成されても良い。以上の水晶デバイス200、水晶デバイス300および水晶デバイス400は、図3又は図4に示された結晶方向でそれぞれ接合される。以上、本実施形態の最適な実施例について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本実施形態はその技術的範囲内において実施例に様々な変更変形を加えて実施することができる。