過酸化水素、グリシン、燐酸及び水を含むことを特徴とするエッチング液。さらにpH調整剤を含んでなることを特徴とする請求項1に記載のエッチング液。pH調整剤がアンモニアであることを特徴とする請求項2に記載のエッチング液。エッチング液のpHが3.5以上7以下の範囲であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のエッチング液。エッチング液全体に対し、過酸化水素が0.1~6重量の範囲、グリシンが1~10重量の範囲、燐酸が0.01~5重量の範囲で含まれることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のエッチング液。本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、銅及びモリブデンの積層膜を同時にエッチングできる液を提供することにある。本発明者らは、銅及びモリブデン積層膜をエッチングできるエッチング液について鋭意検討した結果、過酸化水素、グリシン、燐酸及び水を含む液が、銅及びモリブデンの積層膜を同時にエッチングできることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、以下に示すとおりのエッチング液である。[1]過酸化水素、グリシン、燐酸及び水を含むことを特徴とするエッチング液。[2]さらにpH調整剤を含んでなることを特徴とする上記[1]に記載のエッチング液。[3]pH調整剤がアンモニアであることを特徴とする上記[2]に記載のエッチング液。[4]エッチング液のpHが3.5以上7以下の範囲であることを特徴とする上記[1]~[3]のいずれかに記載のエッチング液。[5]エッチング液全体に対し、過酸化水素が0.1~6重量の範囲、グリシンが1~10重量の範囲、燐酸が0.01~5重量の範囲で含まれることを特徴とする上記[1]~[4]のいずれかに記載のエッチング液。本発明のエッチング液は、半導体やフラットパネルディスプレイの製造において、銅及びモリブデン積層膜を同時にエッチングでき、エッチング速度をコントロールでき、サイドエッチング量が小さく、しかもエッチング状態をテーパー状にできるため、工業的に極めて有用である。本発明のエッチング液は、銅及びモリブデンの積層膜をエッチングするのに使用される。銅が上層、モリブデンが下層でも良いし、銅が下層、モリブデンが上層でも良い。また銅の上層、下層のいずれもモリブデンという積層膜でも使用することができる。本発明のエッチング液の必須成分は、過酸化水素、グリシン、燐酸及び水である。いずれの成分が欠けても、銅及びモリブデン積層膜のエッチング形状は悪化する。本発明のエッチング液において、過酸化水素としては、特に制限はなく、一般に流通している過酸化水素を使用することができる。本発明のエッチング液を、半導体又はフラットパネルディスプレイの製造に使用する場合は、金属イオン含有量が少ないものを使用することが好ましい。本発明のエッチング液において、グリシンとしては、特に制限はなく、一般に流通しているものを使用することができる。本発明のエッチング液において、燐酸としては、特に制限はなく、一般に流通しているものを使用することができる。本発明のエッチング液は、そのpHにより、エッチング速度、エッチング状態が変化する。銅及びモリブデンの積層膜をサイドエッチング量を小さく、しかもテーパー状にエッチングするには、pHを3.5以上7以下にすることが好ましい。本発明のエッチング液のpHを3.5以上7以下にするため、塩基成分を添加することが好ましく、該塩基成分としては、例えばアンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム等の第四級アンモニウム水酸化物、水酸化カリウム等の金属水酸化物などが挙げられ、その中でもpHコントロールが容易で、少量で効果を発現し、しかも安価なアンモニアを使用するのが最も好ましい。本発明のエッチング液の組成は、エッチング性に優れたエッチング液となることから、エッチング液全体に対し、過酸化水素が0.1~6重量、グリシンが1~10重量、燐酸が0.01~5重量であることが好ましい。本発明のエッチング液は、半導体、フラットパネルディスプレイの製造工程において、銅及びモリブデン積層膜のエッチング液として使用される。本発明のエッチング液は、銅及びモリブデンのエッチング速度のバランスが優れる為、サイドエッチングが大きくなることはなく、テーパー状にエッチングできる。また酸化剤の過酸化水素が消費された場合は、過酸化水素を添加することでエッチング速度を回復できるので、工業的にエッチングをコントロールしやすい。本発明のエッチング液は、非常にエッチング性能が高いので、低温でも十分使用することができ、使用温度としては、特に0~100°Cの範囲が好ましい。本発明のエッチング液は、バッチ式、枚葉式いずれも問題なく使用することができ、また、スプレー噴霧による洗浄やその他の方法を使用しても差し支えない。さらに、必要に応じて超音波を併用することができる。エッチング後のリンスとしては、アルコールのような有機溶剤を使用する必要はなく、水でリンスするだけで十分である。本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、表記を簡潔にするため、以下の略記号を使用した。HPO:過酸化水素Gly:グリシンPA:燐酸NH4OH:アンモニア水TMAH:水酸化テトラメチルアンモニウムKOH:水酸化カリウムCu:銅Mo:モリブデン実施例1~13、比較例1~3膜厚20nmのMo層の上に200nmのCu層、さらにその上層にノボラック系フォトレジスト層を成膜した基板に回路パターンをマスクして露光した。HPO、Gly、PAの混合水溶液にNH4OHを添加し、pHを調整した。エッチング液の組成とpHを表1に記載した。これらのエッチング液に、室温でCu及びMoを成膜した基板を浸漬した。これを水洗乾燥し、エッチング性能を電子顕微鏡SEMで確認した。エッチング時間は下層のMo層までエッチングされた時間とした。エッチング状態がテーパ状のものは○、垂直もしくは、下層の方が狭い場合逆テーパー状は×と評価した。なお、エッチング時間が3分を超えた場合は、180以上と記し、エッチング不能と判断した。したがって、サイドエッチング量、エッチング状態は測定しなかった。表1から明らかなように、本発明のエッチング液は、Mo及びCuをテーパー状にエッチングすることができる。過酸化水素を用いない比較例1、グリシンを用いない比較例2では、エッチング時間が180秒以上と長く、エッチング不能であった。燐酸を用いない比較例3では、エッチング状態が劣るものである。実施例14HPO3重量、Gly3重量の混合水溶液にPAを0.07重量添加し、pHを4に調整した残部は水。このエッチング液に、実施例1と同様の基板を浸漬した。エッチング時間は92秒だった。これを水洗乾燥し、エッチング性能を電子顕微鏡SEMで確認した。このサイドエッチング量は1.2μmであり、エッチング状態はテーパー状エッチング状態:○だった。実施例15HPO3重量、Gly3重量PA1重量の混合水溶液にTMAHを1.3重量添加し、pHを6に調整した残部は水。このエッチング液に、実施例1と同様の基板を浸漬した。エッチング時間は76秒だった。これを水洗乾燥し、エッチング性能を電子顕微鏡SEMで確認した。このサイドエッチング量は0.5μmであり、エッチング状態はテーパー状エッチング状態:○だった。実施例16HPO3重量、Gly3重量、PA1重量の混合水溶液にKOHを0.7重量添加し、pHを6に調整した残部は水。このエッチング液に、実施例1と同様の基板を浸漬した。エッチング時間は67秒だった。これを水洗乾燥し、エッチング性能を電子顕微鏡SEMで確認した。このサイドエッチング量は0.6μmであり、エッチング状態はテーパー状エッチング状態:○だった。実施例17:膜厚200nmのCu層の上層に膜厚20nmのMo層さらにその上層にノボラック系フォトレジスト層を成膜した基板に回路パターンをマスクして露光した。HPO3重量、Gly3重量、PA1重量の混合水溶液にNH4OHを添加し、pHを6に調整した残部は水。このエッチング液に、室温で、Cu及びMoを成膜した基板を120秒浸漬した。これを水洗乾燥し、エッチング性能を電子顕微鏡SEMで確認した。このサイドエッチング量は1.1nmであり、エッチング状態はテーパー状エッチング状態:○だった。