"第一のモジュール基板電極へのフリップチップによる固相-固相接合用の電極を第一の電極面に、第二のモジュール基板電極へのはんだリフロー接合用の電極を第二の電極面に備える、半導体チップ。固相-固相接合用の電極を第一の電極面に、リフロー接合用の電極を第二の電極面に備える半導体チップと、前記固相-固相接合用電極に対応した電極を備える第一のモジュール基板と、前記リフロー接合用電極に対応した電極を備える第二のモジュール基板とを有し、半導体チップが、第一の電極面の前記固相-固相接合用電極とこれに対応した前記電極とにおいて第一のモジュール基板にフリップチップにより接合されており、第二の電極面の前記リフロー接合用電極とこれに対応した前記電極とにおいて第二のモジュール基板にはんだリフローにより接合されている、半導体モジュール。半導体チップ周辺に該チップの発熱を基板間で均熱化する導熱体または導電熱体が配置されている、請求項2に記載の半導体モジュール。導熱体または導電熱体が、第一モジュール基板電極へのフリップチップによる固相-固相接合用電極を第一電極面に、第二モジュール基板電極へのリフロー接合用電極を第二電極面に備える、請求項3に記載の半導体モジュール。固相-固相接合用の電極を第一の電極面に、リフロー接合用の電極を第二の電極面に備えた半導体チップを、該固相-固相接合用電極に対応した電極を備える第一のモジュール基板に、該電極間にてフリップチップにより接合し、第一のモジュール基板に接合された半導体チップを、前記リフロー接合用電極に対応した電極を備える第二のモジュール基板に、該電極間にてはんだリフローにより接合する、半導体チップ実装方法。半導体チップ周辺に該チップの発熱を基板間で均熱化する導熱体または導電熱体を配置する、請求項5に記載の半導体チップ実装方法。導熱体または導電熱体が固相-固相接合用電極を第一電極面に、リフロー接合用電極を第二電極面に備え、該導熱体または導電熱体を、固相-固相接合用電極に対応した電極を備える第一のモジュール基板に、該電極間にてフリップチップにより接合し、第一のモジュール基板に接合された該導熱体または導電熱体を、リフロー接合用電極に対応した電極を備える第二のモジュール基板に、該電極間にてはんだリフローにより接合する、請求項6に記載の半導体チップ実装方法。このような高密度化の障害になっていたワイヤーボンディングを解消することを目指して、チップの表面側にも配線基板を用いて三次元積層実装を図ることが考えられるが、そのために次の懸念が生じる。1チップ表面側に複数の電極があるため、チップ上の電極パターンと基板配線パターンとの間に精密な位置合わせによる接合が必要である。位置合わせが悪いと電極間のショートや電流容量の減少、また、反射等のノイズが生じるためである。2チップ両面に配線基板が接合されるため、実装時やチップ動作時の基板間の熱分布の発生を抑制し、熱歪によるダメージを受けにくくする必要がある。本発明は上記事情に鑑み、半導体チップの高密度実装法、特にシリコン半導体では達成不可能な高温領域で高速動作するパワーチップの高密度三次元実装法や、これにより実装された半導体チップ、半導体モジュールを提供することを目的とする。本発明は、第一のモジュール基板電極へのフリップチップによる固相-固相接合用の電極を第一の電極面に、第二のモジュール基板電極へのはんだリフロー接合用の電極を第二の電極面に備える、半導体チップを提供する。また、固相-固相接合用の電極を第一の電極面に、リフロー接合用の電極を第二の電極面に備える半導体チップと、前記固相-固相接合用電極に対応した電極を備える第一のモジュール基板と、前記リフロー接合用電極に対応した電極を備える第二のモジュール基板とを有し、半導体チップが、第一の電極面の前記固相-固相接合用電極とこれに対応した前記電極とにおいて第一のモジュール基板にフリップチップにより接合されており、第二の電極面の前記リフロー接合用電極とこれに対応した前記電極とにおいて第二のモジュール基板にはんだリフローにより接合されている、半導体モジュールを提供する。この半導体モジュールにおいて、半導体チップ周辺に該チップの発熱を基板間で均熱化する導熱体または導電熱体が配置されていること、導熱体または導電熱体が、第一モジュール基板電極へのフリップチップによる固相-固相接合用電極を第一電極面に、第二モジュール基板電極へのリフロー接合用電極を第二電極面に備えることなども提供する。さらにまた、固相-固相接合用の電極を第一の電極面に、リフロー接合用の電極を第二の電極面に備えた半導体チップを、該固相-固相接合用電極に対応した電極を備える第一のモジュール基板に、該電極間にてフリップチップにより接合し、第一のモジュール基板に接合された半導体チップを、前記リフロー接合用電極に対応した電極を備える第二のモジュール基板に、該電極間にてはんだリフローにより接合する、半導体チップ実装方法を提供する。この実装方法において、半導体チップ周辺に該チップの発熱を基板間で均熱化する導熱体または導電熱体を配置すること、導熱体または導電熱体が固相-固相接合用電極を第一電極面に、リフロー接合用電極を第二電極面に備え、該導熱体または導電熱体を、固相-固相接合用電極に対応した電極を備える第一のモジュール基板に、該電極間にてフリップチップにより接合し、第一のモジュール基板に接合された該導熱体または導電熱体を、リフロー接合用電極に対応した電極を備える第二のモジュール基板に、該電極間にてはんだリフローにより接合することなども提供する。図4~図7は本発明の一実施形態を示す。まず、パワーチップ1の第一の電極面、すなわち複数の電極、例えばソース電極2及びゲート電極3を有する面の電極構造を、固相-固相接合に対応するものとする。この固相-固相接合用電極2,3については、SiCチップ表面にNi、Ti、Ag、Pt、Pd、Alなどの金属元素によりオーミックコンタクトを形成し、その上にAu、AuSnなどの固相-固相接合金属を形成する。例えば、特開2008117923号公報にはSiCNiAuNiの上に固相-固相接合金属を形成することが開示されている。シリコンカーバイド結晶へのアロイオーミックコンタクトの形成材料として、n型結晶に対してはNi、Ti、Mo、Cr、W、AuTa、TaSi2などが、また、p型結晶に対してはAl、AlSi、AL/Ti、Al/TaSi2などが知られている。一方、パワーチップ1の第二の電極面、すなわちダイボンド側の電極面に形成される電極4は、はんだによるリフローに対応する電極とする。このリフロー用電極4については、SiCチップ表面にNi、Ti、Ag、Pt、Pd、Alなどの金属元素によりオーミックコンタクトを形成し、その上にAu、Ag、Niなど高温鉛フリーはんだによるリフロー可能な金属を形成する。例えば、上記文献にはSiCNiAuNiの上にリフロー可能な金属を形成することが開示されている。以上の固相-固相接合用電極2,3及びリフロー用電極4を持つパワーチップ1を、まず、第1の配線基板12上にフェースダウン方式によるフリップチップ手法で位置合わせ及び接合する図4、図5参照。具体的には、パワーチップ1の上記複数の電極2,3を持つ面の各電極に対応する基板電極パターン121,122に対してそれぞれ位置合わせを行い、加圧、加熱、超音波振動等を適宜与えて固相-固相反応により電極接合する。すなわち、この接合方式は固相-固相によるもので、拡散により接合する方法を用いる。この方法の特徴としては、たとえば、金-金の熱圧着法によれば、200°C程度での接合の後に300°Cに熱せられても接合強度などが変化しないことにある。この場合、接合中に液相の状態がないため、正確な位置合わせが可能となる。尚、この接合においては、多数のチップを仮止め段階で接合し、その後、すべてのチップ接合の固相-固相反応を同時に進行させる方法を採ってもよい。次に、上記固相-固相電極接合が終了したパワーチップ1を、その固相-固相接合側とは反対側の電極4と第2の基板13上のダイボンド電極131とを位置合わせして、第2の基板13上に配置し、リフロー工程によりダイボンド接合を行う図6、図7参照。このときの位置合わせ精度はフリップチップ接合時よりも低くてよい。はんだ層14は、チップ1のダイボンディング側の電極面、第2の基板13の電極面、またはその双方に、例えばはんだペーストを塗布するなど従来知られている手法により準備されている。以上によれば、まずはフリップチップ方式によるチップ1上の電極パターンと第一基板12の配線パターンとの間の精密な位置合わせ及び接合が可能になり、続いて第一基板12に搭載されたチップ1のはんだリフローによる第二基板13へのダイボンディングが可能になり、チップ1の上下面を基板12,13で挟んだ三次元積層構造を持つ半導体モジュール、パワーチップ1の場合ではパワーモジュールが実現される。このモジュールでは、三次元積層実装によって配線密度が向上され、また放熱方向が上下基板方向とされており、高パワー密度化を推し進めることができる。ところで、複数のチップ1をそれぞれの両面にて基板12,13により挟み込む場合、実装時やチップ動作時に両基板12,13に温度差が生じると、熱歪によりチップ1に過大な応力が生じ得る。これを回避すべく、両基板1の温度差を極力低減するために、基板12,13の材料として、AlN、SiNなどの高導熱性の材料を用いることが好ましい。また、パワーチップ1周辺に該チップ1の発熱を配線基板12,13間で均熱化するための導熱体を配置することも好ましい。具体的には、導熱体を基板12,13間の絶縁をとりながら両基板12,13間を均熱化するのに用いる。図8は導熱体構造を示す。導熱体本体15は基板12,13と同じ、あるいは同等以上の熱伝導性を示す絶縁体からなり、片面に固相-固相接合用金属電極151、他面にリフロー可能なダイボンディング金属電極152を形成したもので、具体的にはAlN熱伝導率250WmKやSiN熱伝導率:150WmKなどを用いることができる。この導熱体15はチップ1の固相-固相接合プロセスにおいて、チップ1と同等の手順で接合され、その場合の断面図を図9に示す。導熱体15は、チップ1の発熱による局所的高温状態を改善するために使用され、その配置はチップ1周辺に適時行われる。この配置例を図9に示す。同図で複数の導熱体15がチップ1の周辺にこれを取り囲むように配置されている。これによれば、チップ1動作時の発熱を基板間で効果的に均熱化し、熱歪みの発生を抑制、防止することができる。上記導熱とともに、基板12,13間の電気的接続を必要とするときや、チップ1の電極からの電流を他の基板に流入させたい場合には、金属銅、アルミ、Ni、W、Mo142WmKなどで形成した、導電性を併せ持つ導電熱体16を用いてもよい。この導電熱体16も図10に例示したように所望の導熱近熱化効果及び導電効果が得られるようチップ1周囲に配置される。これら導熱体15及び導電熱体16の配置個数や位置はチップ1とともに、配線パスと熱パスを事前設計して決定することができる。尚、以上の実施形態ではパワーチップをメインに説明しているが、LED等で用いられる他の半導体チップにも本発明が適用可能であることは言うまでもない。"