絶縁層を貫通する貫通導体と、前記絶縁層の表面に前記貫通導体を覆うランド部を有して配設された帯状の信号配線と、前記絶縁層の表面に前記信号配線の周囲を所定の間隔をあけて取り囲むように配設された接地導体または電源導体と、を具備して成る配線基板であって、前記信号配線は、前記ランド部の直径よりも広い幅で且つ前記接地導体または電源導体との間隔が一定である幅広部と、該幅広部と前記ランド部との間を接続し、前記ランド部の直径よりも狭い幅で且つ前記信号配線を伝播する信号の波長の4分の1未満の長さの幅狭部とを有することを特徴とする配線基板。本発明の課題は、接地導体または電源導体により所定の間隔をあけて取り囲まれた帯状の信号配線の一端に貫通導体が接続されて成る配線基板において、信号配線と貫通導体との接続部における信号の反射を低減し、信号配線に30GHz以上の超高周波の信号を効率よく伝送させることが可能な配線基板を提供することにある。本発明の配線基板は、絶縁層を貫通する貫通導体と、絶縁層の表面に貫通導体を覆うランド部を有して配設された帯状の信号配線と、絶縁層の表面に信号配線の周囲を所定の間隔をあけて取り囲むように配設された接地導体または電源導体と、を具備して成る配線基板であって、信号配線は、ランド部の直径よりも広い幅で且つ接地導体または電源導体との間隔が一定である幅広部と、幅広部とランド部との間を接続し、ランド部の直径よりも狭い幅で且つ信号配線を伝播する信号の波長の4分の1未満の長さの幅狭部とを有することを特徴とするものである。本発明の配線基板によれば、信号配線における幅広部とランドとの間に、ランドの直径よりも狭い幅で且つ信号配線を伝播する信号の波長の4分の1未満の長さの幅狭部を設けたことから、信号配線と貫通導体との接続部における容量成分の過多に起因する特性インピーダンスの低下を幅狭部により形成されるインダクタンス成分で補完して、信号の反射を抑えることができる。したがって、信号配線に30GHz以上の超高周波数の信号を効率よく伝送させることが可能となる。次に、本発明の配線基板における実施形態の一例を図1および図2を基に説明する。図1に示すように、本例の配線基板は、複数の絶縁層1が積層されて成る絶縁基板1Aの表面および各絶縁層1の間に複数の配線導体2が配設されているとともに絶縁層1を貫通する貫通導体3により上下の配線導体2同士が接続された多層配線構造をしている。さらにその上下面には、配線導体2の一部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層4が被着されている。絶縁層1は、例えばガラスクロスにアリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成り、厚みが100~350μm程度である。このような絶縁層1は、ガラスクロスにアリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂およびトリアリルイソシアヌレート等の架橋剤およびパーへキシン25BやパーブチルDパーブチルP等のジアルキルパーオキサイド類有機過酸化物等の重合開始剤から成る熱硬化性樹脂組成物を含浸させた未硬化のプリプレグを準備するとともにそのプリプレグに必要な加工を施した後、複数を積層して熱硬化させることにより形成される。配線導体2は、例えば銅箔から成り、厚みが5~20μm程度である。このような配線導体2は、例えばポリエチレンテレフタレート等の樹脂から成る転写用基材シートの表面に銅箔を剥離可能な状態で貼着した後、その銅箔を周知のフォトリソグラフィー技術を用いて所定のパターンにエッチングし、そのエッチングされた銅箔を絶縁層1用のプリプレグの表面にプレスして埋入させた後、転写用機材シートを除去することによって形成される。貫通導体3は、例えば錫と銀とビスマスと銅との合金から成る金属粉末を含む金属ペーストの硬化物から成り、直径が50~100μm程度である。このような貫通導体3は、例えば、絶縁層1用のプリプレグにレーザ加工により直径が50~100μm程度の貫通孔を穿孔するとともにその貫通孔内に錫と銀とビスマスと銅との合金から成る金属粉末とトリアリルイソシアヌレート等の液状の架橋剤とを混練した金属ペーストをスクリーン印刷法により充填し、それを絶縁層1用のプリプレグとともに熱硬化させることによって形成される。ソルダーレジスト層4は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂から成り、厚みが10~20μm程度である。このようなソルダーレジスト層4は、配線導体2が配設された絶縁基板1Aの上下面に感光性を有する熱硬化性樹脂組成物のペーストを10~20μmの厚みに塗布するとともに、配線導体2の一部を露出させる開口部を有するように露光および現像した後、熱硬化させることによって形成される。絶縁基板1Aの上面中央部には、半導体素子Sの電極Tが半田バンプを介して接続される複数の半導体素子接続パッド5が例えば格子状に配列されている。半導体素子接続パッド5は、最上層の配線導体2の一部をソルダーレジスト層4の開口部から円形状に露出させることにより形成されており、その直径は50~100μm程度である。また、絶縁基板1Aの下面には、外部の電気回路基板不図示に半田ボールを介して接続される複数の外部接続パッド6が例えば格子状に配列されている。外部接続パッド6は、最下層の配線導体2の一部をソルダーレジスト層4の開口部から円形状に露出させることにより形成されており、その直径は300~1000μm程度である。そして、これらの半導体素子接続パッド5と外部接続パッド6とは所定のもの同士が配線導体2および貫通導体3を介して互いに電気的に接続されている。配線導体2は、用途によって信号配線および接地導体および電源導体に機能化されている。このうち信号配線は、絶縁基板1Aの中央部から外周部にかけて延びる帯状のパターンにより構成されており、半導体素子Sに入出力される電気信号を伝播させるための線路として機能する。また、接地導体および電源導体は、絶縁層1上の広い面積を占めるベタパターンにより構成されており、配線基板に搭載される半導体素子Sに接地電位や電源電位を供給する供給路として機能する。さらにこれらの接地導体および電源導体は、信号配線との間に所定の間隔をあけて配設されることにより、信号配線に所定の特性インピーダンスを付与するとともに信号配線を電磁的にシールドする機能も有している。ここで、本例における信号配線および接地導体および電源導体の例を図2に示す。図2は、絶縁基板1Aの内部における特定の絶縁層1および配線導体2を部分的に示した平面図であり、2Sが信号配線、2Gが接地導体、2Pが電源導体である。また、3S、3G、3Pは、図2に示した層の上層から接続される貫通導体3の位置を示している。なお、この図における右側が配線基板の中央部側、左側が外周部側に対応している。図2に示すように、信号配線2Sは、概ね帯状のパターンであり、絶縁基板1Aの内部における絶縁層1上を配線基板の中央部から外周部にかけて延びている。この信号配線2Sを高速信号が伝播される。信号配線2Sにおける絶縁基板1Aの中央部側の端部には円形状のランド部Lが設けられており、このランド部Lに上層からの貫通導体3Sが接続されている。ランド部Lは、その直径が上層からの貫通導体3Sの直径よりも50~100μm程度大きなものとなっており、上層からの貫通導体3Sの下端を完全に覆うようになっている。ランド部Lには、幅狭部Nが接続されている。幅狭部Nは、その幅がランド部Lの直径よりも狭く、ランド部Lの直径の4分の1~4分の3程度であり、その長さが信号配線2Sを伝播する信号の波長の4分の1未満の長さとなっている。この幅狭部Nは、このように幅がランド部Lの直径の4分の1~4分の3程度と狭いことから、インダクタンス成分として作用する。幅狭部Nには幅広部Wが接続されている。幅広部Wは、信号配線2Sの主要部分を占めており、その幅がランド部Lの直径よりも広く、100~350μm程度の幅となっている。このように信号配線2Sの主要部分である幅広部Wの幅が100~350μm程度と広いことにより、信号配線2に周波数が30GHz以上の超高周波の信号を大きな減衰なく伝播させることができる。信号配線2Sの周囲には、接地導体2Gが信号配線2Sを50~350μmの間隔をあけて取り囲むようにして配設されている。接地導体2Gは広い面積のベタパターンであり、上層からの貫通導体3Gが多数接続されている。このように接地導体2Gが信号配線2Sを所定の間隔をあけて取り囲むことにより、信号配線2Sに所定の特性インピーダンスが付与されている。なお、接地導体2Gと信号配線2Sとの間隔は、絶縁層1の誘電率や厚み、あるいは信号配線2Sの幅や厚み、他の層の導体層2との距離などを勘案して信号配線2Sの特性インピーダンスが所定の値となるように適宜決められる。電源導体2Pは、この層では円形のランドのみが存在し、接地導体2Gからは所定の間隔をあけて絶縁されている。電源導体2Pに対しては上層からの貫通導体3Pが接続されている。そして本発明においては、貫通導体3Sが接続されるランド部Lと信号配線2Sの主要部分である幅広部Wとの間に、ランド部Lの直径よりも幅の狭い幅狭部Nが信号配線2Sを伝播する信号の波長の4分の1未満の長さで形成されていることが重要である。このような幅狭部Nが形成されていることにより、ランド部Lおよび貫通導体3Sと接地導体2Gとの間に形成される容量成分の過多による特性インピーダンスの低下を幅狭部Nにより形成されるインダクタンス成分で補完することができる。それにより信号配線2Sに伝播される信号の周波数が30GHz以上の超高周波であったとしても、信号の反射を抑制し、信号配線2Sに信号を効率よく伝播させることができる。また、幅狭部Nの長さが信号配線2Sを伝播する信号の波長の4分の1未満の長さとなっていることから、この幅狭部Nで信号が反射することが有効に防止される。なお、幅狭部Nの幅がランド部Lの直径の4分の1未満であると、幅狭部Nの正確な形成が困難となり幅狭部Nで信号配線2Sの断線が発生してしまう危険性が大きくなり、4分の3を超えると、幅狭部Nに十分なインダクタンス成分を付与することができなくなる。したがって、幅狭部Nの幅はランド部Lの直径の4分の1~4分の3の範囲であることが好ましい。また、幅狭部Nの長さが信号配線2Sを伝播する信号の波長の4分の1以上であると、幅狭部Nにおけるインピーダンスの上昇に起因して信号の反射が発生し、信号配線2Sに信号を効率よく伝播させることが困難となる。したがって、幅狭部Nの長さは、信号配線2Sを伝播する信号の波長の4分の1未満に特定される。ここで、図2に示した配線基板をモデル化した本発明に対応する解析モデルと、図4に示した配線基板をモデル化した従来技術に対応する解析モデルとを電磁界シミュレーターにより反射特性をシミュレーションした結果を図3に示す。図3において実線で示したグラフが本発明に対応する解析モデルの反射特性であり、破線で示したグラフが従来技術に対応する解析モデルの反射特性である。図3から分かるように、従来技術に対応する解析モデルでは30GHzより低い周波数で反射損が-15dBを超えてしまい、30GHz以上の信号を良好に伝播させることができないことが分かる。これに対し、本発明に対応する解析モデルでは30GHzにおいても反射損が-15dBを大きく下回り、30GHz以上の超高周波信号でも良好に伝播させることが可能である。かくして、本発明の配線基板によれば、信号配線と貫通導体との接続部における信号の反射を低減し、信号配線に30GHz以上の超高周波の信号を効率よく伝送させることが可能な配線基板を提供することができる。なお、本発明は上述の実施形態の一例の限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述の一例では、信号配線2Sを接地導体2Gが取り囲むように配設していたが、接地導体2Gと電源導体2Pとを入れ替えて、信号配線2Sを電源導体2Pが取り囲むように配設してもよい。