"基板と、前記基板に対して垂直方向に振動可能に、前記基板に支持された振動部と、前記振動部に設けられ、入力信号に応じた逆圧電効果により駆動し、前記振動部を振動させる駆動部と、前記基板に対して垂直方向に、前記振動部の上方に設けられた磁石部と、前記磁石部と対向するように前記振動部に設けられ、前記磁石部の磁束に応じた電磁誘導により出力信号を出力するコイル部とを備えることを特徴とするカップリング素子。前記磁石部は、前記コイル部の中心に向かって細くなるように形成されることを特徴とする請求項1に記載のカップリング素子。前記磁石部は、永久磁石と、前記永久磁石の先端に接合された磁性体とから構成され、前記磁性体は、前記コイル部の中心に向かって細くなるように形成されることを特徴とする請求項1に記載のカップリング素子。前記コイル部は、重畳して設けられた2つのコイルからなることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のカップリング素子。前記コイル部は、複数設けられ、前記複数のコイル部がそれぞれ出力信号を出力することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のカップリング素子。前記コイル部は、複数設けられ、前記複数のコイル部のいずれかが、前記磁石部の磁場に応じたローレンツ力により、前記振動部の振動を制御することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のカップリング素子。本発明は、上記問題点を鑑み、低消費電力、高効率で、高絶縁性を有するカップリング素子を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の第1の態様は、基板と、前記基板に対して垂直方向に振動可能に、前記基板に支持された振動部と、前記振動部に設けられ、入力信号に応じた逆圧電効果により駆動し、前記振動部を振動させる駆動部と、前記基板に対して垂直方向に、前記振動部の上方に設けられた磁石部と、前記磁石部と対向するように前記振動部に設けられ、前記磁石部の磁束に応じた電磁誘導により出力信号を出力するコイル部とを備えるカップリング素子であることを要旨とする。また、本発明の第1の態様に係るカップリング素子においては、前記磁石部は、前記コイル部の中心に向かって細くなるように形成されることができる。また、本発明の第1の態様に係るカップリング素子においては、前記磁石部は、永久磁石と、前記永久磁石の先端に接合された磁性体とから構成され、前記磁性体は、前記コイル部の中心に向かって細くなるように形成されることができる。また、本発明の第1の態様に係るカップリング素子においては、前記コイル部は、重畳して設けられた2つのコイルからなることができる。また、本発明の第1の態様に係るカップリング素子においては、前記コイル部は、複数設けられ、前記複数のコイル部がそれぞれ出力信号を出力することができる。また、本発明の第1の態様に係るカップリング素子においては、前記コイル部は、複数設けられ、前記複数のコイル部のいずれかが、前記磁石部の磁場に応じたローレンツ力により、前記振動部の振動を制御することができる。本発明によれば、低消費電力、高効率で、高絶縁性を有するカップリング素子を提供することができる。次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、断面図と平面寸法の関係、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。また、以下に示す実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。カップリング素子本発明の実施の形態に係るカップリング素子は、図1、図2に示すように、回路基板1と、振動可能に回路基板1に支持される振動部15と、振動部15に設けられたコイル部11と、駆動部12と、コイル部11に対向して設けられた磁石部2とを備える。回路基板1は、例えば矩形平板状である。振動部15は、回路基板1に対して垂直方向に振動可能に回路基板1に支持される。振動部15は、例えば、回路基板1に、回路基板1の上面から下面に貫通する、平面視U字型の孔部が形成されることにより、回路基板1に対して片持ち梁構造となっている。振動部15は、例えば矩形平板状であり、回路基板1よりも厚さが薄く形成されている。駆動部12は、振動部15に設けられ、入力信号に応じた逆圧電効果により駆動し、振動部15を振動させる。駆動部12は、振動部15の、回路基板1に支持される一端側に設けられ、コイル部11は、他端側に設けられる。コイル部11は、振動部15がなす平面上に、二次元的に周回されている。コイル部11は、磁石部2と対向するように振動部15に設けられ、磁石部2の磁束に応じた電磁誘導により出力信号を出力する。磁石部2は、磁極を結ぶ線が回路基板1に対する垂線に沿うように、振動部15の上方に設けられている。磁石部2は、例えば、磁極をコイル部11に対して垂直に設けられた永久磁石21と、永久磁石21のコイル部11側に接合され、強磁性体からなる磁性体22とから構成される。磁石部2は、コイル部11に向かって垂直に配置されていることにより、コイル部11を通過する磁束の磁束密度が大きい。磁石部2の、コイル部11側の端部は、コイル部11の中心に向かって細くなるように形成されており、コイル部11を通過する磁束密度がより大きくなっている。図2bに示すように、回路基板1及び振動部15は、例えば単結晶シリコン等からなる支持基板101と、シリコン酸化膜SiO2、シリコン窒化膜SiN等からなる誘電体膜102とからなる。コイル部11及び駆動部12は、誘電体膜102の内部に形成されている。支持基板101として、半導体製造技術を発展させた微小電気機械システムMEMS技術において、一般的な材料である単結晶シリコンを使用することで、異方性エッチングによる高精度な微細加工が実施できる。また、誘電体膜102として、フェライト含有誘電体、フェライト含有樹脂等、高透磁率材料を採用してもよい。振動部15を被覆する材料として,透磁率の高い材料を使用することで,振動部15の上方に位置する磁石部2からの磁場を効率よくコイルへ導くことができる。図3に示すように、駆動部12は、電極層121と、電極層121の上面に積層された圧電体層122と、圧電体層122の上面に積層された電極層123とを備える。電極層121,123は、それぞれ誘電体膜102から外部に露出した2つの電極パッド14と接続される。2つの電極パッド14及び電極層121,123を介して信号を印加され、圧電体層122が変位することにより、振動部15は、コイル部11に対して垂直方向に振動する。振動部15が振動すると、コイル部11を通る磁石部2の磁束が変動して、コイル部11の両端にそれぞれ接続される2つの端子である電極パッド13の間に電圧が生じる。電極パッド13間に生じた二次電圧の位相を検出し、電極パッド14に入力する電圧に対してフィードバック制御することにより、振動部15の振動を、振動部15の機械的強度の共振周波数で行うことができる。振動部15が共振周波数で振動することにより、コイル部11が効率よく変位し、磁石部2の磁束との電磁誘導により、コイル部11の両端に誘導起電力を発生させ、高効率にエネルギを伝達することができる。また、磁石部2の先端部が、コイル部11に向かって細くなるように形成されていることにより、コイル部11を通る磁束の磁束密度をより大きくすることができる。回路基板1は、振動部15の形成、コイル部11や電極パッド13,14の形成及び駆動部12の形成プロセスを、MEMS技術により一貫して行うことができる。また、μmオーダでの加工ができるため、微小な力で大きな変位する振動部15の形成が可能である。図4に示すように、磁石部2として、磁極の先端が細く形成された永久磁石21a~21hを用いてもよい。図4aに示す永久磁石21aは錐体、図4bに示す永久磁石21bは截頭錐体である。図4cに示す永久磁石21cは半球、図4dに示す永久磁石21dは截頭半球である。図4eに示す永久磁石21eは半扁球、図4fに示す永久磁石21fは截頭半扁球である。図4gに示す永久磁石21gは階段状に先端が細くなるように形成されている。図4hに示す永久磁石21hは、先端の一部が截頭錐体となっている。図5に示すように、磁石部2として、永久磁石21と、永久磁石21に接合され、先端側が細く形成された磁性体22a~22hとを用いてもよい。図5aに示す磁性体22aは錐体、図5bに示す磁性体22bは截頭錐体である。図5cに示す磁性体22cは半球、図5dに示す磁性体22dは截頭半球である。図5eに示す磁性体22eは半扁球、図5fに示す磁性体22fは截頭半扁球である。図5gに示す磁性体22gは階段状に先端が細くなるように形成されている。図5hに示す磁性体22hは、先端の一部が截頭錐体となっている。-変形例-以下、本発明の実施の形態に係るカップリング素子の変形例について説明する。以下の変形例において説明しない他の構成は、上述の本発明の実施の形態と実質的に同様であるので重複する説明を省略する。図6に示すように、振動部15は、上面の全域に亘って駆動部12aが設けられてもよい。駆動部12aは、振動部15の上面全域に設けられた電極層121aと、電極層121aの上面に、上面の一部を除いて積層された圧電体層122aと、圧電体層122aの上面に積層された電極層123aとを備える。電極層121a,123aは、それぞれ外部に露出した2つの電極パッドと接続される。また、駆動部12aは、誘電体膜102の内部に設けられるようにしてもよい。振動部15の上面の全域に亘って設けられた駆動部12aは、圧電体層122aの変位量が大きいため、振動部15の振動量を大きくすることができ、コイル部11に発生する誘導起電力を大きくすることができる。図7に示すように、振動部15は、積層された圧電体層122bと、積層された圧電体層122bのそれぞれの間に、互い違いに積層された電極層121b及び電極層123bとを備える駆動部12bが設けられてもよい。駆動部12bは、振動部15の、回路基板1に支持される一端側に設けられる。駆動部12bは、圧電体層122bが積層されているため変位量が大きく、振動部15の振動量を大きくすることができ、コイル部11に発生する誘導起電力を大きくすることができる。図8に示すように、振動部15は、上面の広域に亘って駆動部12cが設けられ、下面の全域に亘って駆動部12dが設けられるようにしてもよい。駆動部12cは、振動部15の上面の広域に設けられた電極層121cと、電極層121cの上面に、上面の一部を除いて積層された圧電体層122cと、圧電体層122aの上面の広域に積層された電極層123aとを備える。駆動部12dは、振動部15の下面の広域に設けられた電極層121dと、電極層121dの下面の広域に積層された圧電体層122dと、圧電体層122dの下面の広域に積層された電極層123dとを備える。電極層121d,123dは、圧電体層122dが設けられていない箇所に、絶縁膜103が設けられており、互いに絶縁されている。振動部15のそれぞれ両面に設けられた駆動部12c及び駆動部12dは、振動部15の振動量を大きくすることができ、コイル部11に発生する誘導起電力を大きくすることができる。図9に示すように、振動部15eは、シリコン酸化膜SiO2、シリコン窒化膜SiN等の誘電体から構成されてもよい。振動部15eは、化学蒸着、物理蒸着、溶液キャスト法等により形成可能である。振動部15eは、例えば、樹脂等からなる接合部105を介して、支持基板104に振動可能に支持される。コイル部11は、振動部15eの内部に埋め込まれるよう設けられてもよく、振動部15eの表面に設けられるようにしてもよい。図10に示すように、振動部15fは、圧電体層122を主として構成されるようにしてもよい。振動部15fは、平板状の圧電体層122fと、圧電体層122fの両面に形成された電極層121f,123fとを備える。コイル部11は、圧電体層122fの内部に埋め込まれるよう設けられてもよく、絶縁膜を介して振動部15fの表面に設けられるようにしてもよい。バルクの圧電材料から構成される振動部15fは、駆動部としての薄膜状の圧電体よりも安定した圧電特性を得ることができる。バルクの圧電材料から構成される振動部15fは、薄膜状の圧電体よりも電極の短絡の可能性が低い。図11に示すように、振動部15g及びコイル部11gは、1枚の金属板106を選択的に貫通させることにより形成されてもよい。金属板106は、機械加工や成型加工が容易であり、材料が非常に安価であるため、低コストでのデバイス製作が可能となる。また、振動部15gと磁石部2とのパッケージング材料としても使用することが出来るため、振動部15gとパッケージ部との一体成型が可能となる。図12に示すように、振動部15hは、樹脂から構成されてもよい。振動部15hは、樹脂基板105hから形成される。振動部15hは、樹脂基板105hを加工することで端部に形成された接合部において、支持基板104に振動可能に支持される。コイル部11は、振動部15hの内部に埋め込まれるよう設けられてもよく、振動部15hの表面に設けられるようにしてもよい。図13に示すように、振動部15が備えるコイル部11は、互いに接続された複数のコイルにより形成されてもよい。コイル部111,112は、回路基板1に対して垂直方向に重畳して設けられた2つのコイル111,112から構成される。コイル111,112は、それぞれの中心において互いに接続され、他所は誘電体膜等により絶縁されている。重畳して設けられたコイル部111,112は、磁石部2の磁束に応じた電磁誘導により、出力信号として、より大きな誘導起電力を得ることができる。図14に示すように、重畳して設けられたコイル部111,112は、複数設けられてもよい。複数のコイル部111j,112j,111k,112kは、磁石部2の磁束に応じた電磁誘導により、出力信号として、図13に示すコイル部111,112の場合より更に大きな誘導起電力を得ることができる。図15に示すように、複数のコイル部11m、11nを備える振動部15mは、コイル部11nを、振動の制御に用いることができる。コイル部11mは、磁石部2の磁束に応じて電極パッド13mの間に誘導起電力を生じる。コイル部11nは、電極パッド13nからの入力及び磁石部2の磁場に応じたローレンツ力により、振動部15mの振動を制御する。振動部15mの振動の制御は、電極パッド13mに生じた二次電圧の位相を電極パッド13nに入力する信号にフィードバック制御することにより行うことができる。振動部15が共振振動をしている状態において、入力信号をオフにしてから停止するまで、振動の減衰に時間を要する。コイル部11nは、磁石部2とのローレンツ力を利用することにより、停止までの時間を短くすることができる。図16に示すように、振動部15oのコイル部11oは、誘電体膜102の上面に露出して設けられてもよい。これにより、コイル部11oと磁石部2との間の距離を短くすることができ、より大きな誘導起電力を得ることができる。図17に示すように、1つの回路基板が、それぞれ、駆動部12p,12q、コイル部11p,11qを備える2つの振動部15p,15qを備えるようにしてもよい。2つの振動部15p,15qは、同一の支持基板101及び誘電体膜102からなり、それぞれ駆動部12p,12qが設けられた、支持される一端側において、共通の支持部によって支持される。支持基板101からなる支持部は、例えば他の基板106に接合される。振動部15p,15qは、それぞれ支持部を中心に振動することにより、コイル部11p,11qのそれぞれ両端に誘導起電力が生じる。磁石部2は、コイル部11p,11qそれぞれに対応して複数設けられてもよく、コイル部11p,11qに対して共通の磁石部を用いるようにしてもよい。振動部15p,15qの両先端側にコイル部11p,11qを配置して、振動部15p,15qの中心を支点として振動することで、一つの入力信号で,二つの出力信号を取り出すことができる。図18に示すように、振動部15rは、回路基板1rに支持された一端側において、2つのトーションビーム16により、回路基板1rに支持されるようにしてもよい。振動部15rは、2つのトーションビーム16を結ぶ線を回転軸として、回路基板1rに対して垂直方向に振動する。振動部15rは、コイル部11rが設けられる一端側の反対側に、トーションビーム16から長さdだけ延伸している。これにより、振動部15rと回路基板1rとの接合部分を、振動部15rの側面部とすることができるため、振動部15rのバネ剛性を低減でき、その結果、振動部15rの振動振幅を増加させることができる。図19に示すように、回路基板1sは、複数の振動部15s1,15s2,...,15snn:2以上の整数を備えるようにしてもよい。1つの回路基板1sに複数の振動部15s1~15snを配列することで、1つの入力信号に対して、複数の信号出力が可能となる。図20に示すように、振動部15tは、先端部におもり部17を有するようにしてもよい。おもり部17は、例えば、振動部15tの先端部の下面に、支持基板101により形成された凸部とすることができる。振動部15tの先端部におもり部17を有することにより、振動部15tの振動振幅を増加させることができる。図21に示すように、図18に示す例において、振動部15uは、トーションビーム16uからコイル部11uが設けられる一端側に向かって幅が広くなるように形成される。振動部15uの先端部近傍のおもさが増加することで、振動部15uの振動振幅を増加させることができる。図22,23に示すように、振動部151,152は、それぞれ、棒状であり、先端部が渦状に形成された同形状の2つの上層振動部151、下層振動部152から構成される。コイル部11vは、上層振動部151の上面から下層振動部152の下面にかけて形成されている。振動部151,152の形状を渦状とすることで,振動部151、152の長さを増加させることができるので、振動振幅を増加させることができる。図24に示すように、振動部15w及びコイル部11wは、同一の基板から構成されるようにしてもよい。基板は、例えば、上層から順に、金属板107、絶縁膜108、支持基板109とからなる。振動部15w及びコイル部11wは、同様の断面である延伸部113,114の断面を図24bに示すように、金属板107、絶縁膜108、を選択的にエッチングすることにより形成可能である。コイル部11wの中心は、ワイヤ115によりワイヤボンディングされるようにすればよい。振動部15wとコイル部11wを一枚の金属板107から、機械成型によって製作することが出来るため、製作時間の短縮、および、コストの低減が可能となる。図25に示すように、振動部15の周囲の領域DにCMOS回路等の集積回路を形成することができる。シリコン基板を使用した振動部15形成の過程またはその前後で、シリコン基板上に、集積回路を形成できることから、駆動デバイス部と信号処理回路を一体化することができる。そのため、小型化、プロセスの低コスト化が可能となる。その他の実施の形態上記のように、本発明を上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。上記の他、各変形例を互いに応用した構成等、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"