表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を現像処理する現像装置において、前記基板を水平に保持した状態で鉛直軸周りに回転可能に設けられた基板保持部と、前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面に現像液を供給する現像液ノズルと、前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面に第1のリンス液を供給する第1のリンス液ノズルと、前記現像液ノズルと前記第1のリンス液ノズルとを移動させる移動機構とを有し、前記現像液ノズルと前記第1のリンス液ノズルとは、前記現像液ノズルが前記基板の中心上に位置するときに、前記現像液ノズルが前記基板の中心側から外周側へ移動する移動方向と逆の方向に、前記現像液ノズル、前記第1のリンス液ノズルの順に配置されていることを特徴とする現像装置。前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面にガスを吐出するガスノズルを有し、前記移動機構は、前記ガスノズルを前記基板の中心側から外周側へ移動させるものであり、前記現像液ノズルと前記第1のリンス液ノズルと前記ガスノズルとは、前記移動方向と逆の方向に、前記現像液ノズル、前記第1のリンス液ノズル、前記ガスノズルの順に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の現像装置。前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面に第2のリンス液を供給する第2のリンス液ノズルを有し、前記移動機構は、前記第2のリンス液ノズルを前記基板の中心側から外周側へ移動させるものであり、前記現像液ノズルと前記第1のリンス液ノズルと前記第2のリンス液ノズルとは、前記移動方向と逆の方向に、前記第2のリンス液ノズル、前記現像液ノズル、前記第1のリンス液ノズルの順に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の現像装置。表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を、水平に保持し、鉛直軸周りに回転させながら現像処理する現像装置において、前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面に現像液を供給する現像液ノズルと、前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面に第1のリンス液を供給する第1のリンス液ノズルと、前記現像液ノズル及び前記第1のリンス液ノズルの移動と、現像液及び第1のリンス液の供給とを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記現像液ノズルを前記基板の中心側から外周側へ移動させ、前記現像液ノズルから前記基板の表面に現像液を供給すると同時に、前記第1のリンス液ノズルが前記現像液ノズルよりも前記基板の中心側に配置された状態を保ったまま、前記第1のリンス液ノズルを前記基板の中心側から外周側へ移動させ、前記第1のリンス液ノズルから前記基板の表面に第1のリンス液を供給するよう制御することを特徴とする現像装置。前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面にガスを吐出するガスノズルを有し、前記制御部は、前記ガスノズルの移動と、ガスの吐出とを制御するものであって、前記現像液ノズルから前記基板の表面に現像液を供給し、前記第1のリンス液ノズルから前記基板の表面に第1のリンス液を供給すると同時に、前記ガスノズルが前記第1のリンス液ノズルよりも前記基板の中心側に配置された状態を保ったまま、前記ガスノズルを前記基板の中心側から外周側へ移動させ、前記ガスノズルから前記基板の表面にガスを吐出するよう制御することを特徴とする請求項4に記載の現像装置。前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面に第2のリンス液を供給する第2のリンス液ノズルを有し、前記制御部は、前記第2のリンス液ノズルの移動と、第2のリンス液の供給とを制御するものであって、前記現像液ノズルが前記第2のリンス液ノズルよりも前記基板の中心側に配置された状態を保ったまま、前記第2のリンス液ノズルを前記基板の中心側から外周側へ移動させ、前記第2のリンス液ノズルから前記基板の表面に第2のリンス液を供給すると同時に、前記現像液ノズルから前記基板の表面に現像液を供給し、前記第1のリンス液ノズルから前記基板の表面に第1のリンス液を供給するよう制御することを特徴とする請求項4又は5に記載の現像装置。前記現像液ノズルと前記第1のリンス液ノズルとが一体的に設けられていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の現像装置。前記現像液ノズルは、現像液を吐出する吐出方向が、前記基板の回転方向の成分を有するように、傾斜していることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の現像装置。前記現像液ノズルは、現像液を吐出する吐出口が、スリット状の形状を有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の現像装置。ところが、上記のパドルレス方式の現像処理方法を用いて、ウェハの現像処理を行う場合、次のような問題があった。パドルレス方式の現像処理を行う場合、基本的には、従来のパドル方式の現像処理を行う場合に比べ、処理時間を短くし、使用する現像液の液量を少なくすることができる。しかしながら、レジスト材料によっては、基板表面内でのCD値の均一性、現像液に溶解した溶解物が基板に再付着して形成される欠陥、といった評価項目における評価結果が許容値に対して示すマージンいわゆるプロセスマージン等よりなる、いわゆるプロセスの性能を、処理時間の短縮、及び使用する現像液の液量の削減と両立させることが難しい場合がある。特に、ArF液浸リソグラフィで用いられる液浸保護膜、又は最近多く用いられる撥水性レジストが成膜された基板を露光し、現像する場合、これらの液浸保護膜や撥水性レジストの表面では撥水性が極めて高いため、現像液又はリンス液を弾いてしまい、現像処理又はリンス処理の効率が悪い。その結果、プロセスの性能を確保するために、処理時間現像時間や処理液の液量を増やさなければならないという問題があった。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、液浸保護膜、又は撥水性レジストを含め、広範な種類の膜が成膜された基板を露光し、現像する場合にも、基板表面内でのCD値の均一性を向上させることができ、現像液に溶解した溶解物が基板に再付着して形成される欠陥が削減するように制御することができ、かつ、処理時間を短縮することができる現像装置を提供することにある。上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。第1の発明は、表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を現像処理する現像装置において、前記基板を水平に保持した状態で鉛直軸周りに回転可能に設けられた基板保持部と、前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面に現像液を供給する現像液ノズルと、前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面に第1のリンス液を供給する第1のリンス液ノズルと、前記現像液ノズルと前記第1のリンス液ノズルとを移動させる移動機構とを有し、前記現像液ノズルと前記第1のリンス液ノズルとは、前記現像液ノズルが前記基板の中心上に位置するときに、前記現像液ノズルが前記基板の中心側から外周側へ移動する移動方向と逆の方向に、前記現像液ノズル、前記第1のリンス液ノズルの順に配置されていることを特徴とする。第2の発明は、第1の発明に係る現像装置において、前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面にガスを吐出するガスノズルを有し、前記移動機構は、前記ガスノズルを前記基板の中心側から外周側へ移動させるものであり、前記現像液ノズルと前記第1のリンス液ノズルと前記ガスノズルとは、前記移動方向と逆の方向に、前記現像液ノズル、前記第1のリンス液ノズル、前記ガスノズルの順に配置されていることを特徴とする。第3の発明は、第1又は第2の発明に係る現像装置において、前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面に第2のリンス液を供給する第2のリンス液ノズルを有し、前記移動機構は、前記第2のリンス液ノズルを前記基板の中心側から外周側へ移動させるものであり、前記現像液ノズルと前記第1のリンス液ノズルと前記第2のリンス液ノズルとは、前記移動方向と逆の方向に、前記第2のリンス液ノズル、前記現像液ノズル、前記第1のリンス液ノズルの順に配置されていることを特徴とする。第4の発明は、表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を、水平に保持し、鉛直軸周りに回転させながら現像処理する現像装置において、前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面に現像液を供給する現像液ノズルと、前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面に第1のリンス液を供給する第1のリンス液ノズルと、前記現像液ノズル及び前記第1のリンス液ノズルの移動と、現像液及び第1のリンス液の供給とを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記現像液ノズルを前記基板の中心側から外周側へ移動させ、前記現像液ノズルから前記基板の表面に現像液を供給すると同時に、前記第1のリンス液ノズルが前記現像液ノズルよりも前記基板の中心側に配置された状態を保ったまま、前記第1のリンス液ノズルを前記基板の中心側から外周側へ移動させ、前記第1のリンス液ノズルから前記基板の表面に第1のリンス液を供給するよう制御することを特徴とする。第5の発明は、第4の発明に係る現像装置において、前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面にガスを吐出するガスノズルを有し、前記制御部は、前記ガスノズルの移動と、ガスの吐出とを制御するものであって、前記現像液ノズルから前記基板の表面に現像液を供給し、前記第1のリンス液ノズルから前記基板の表面に第1のリンス液を供給すると同時に、前記ガスノズルが前記第1のリンス液ノズルよりも前記基板の中心側に配置された状態を保ったまま、前記ガスノズルを前記基板の中心側から外周側へ移動させ、前記ガスノズルから前記基板の表面にガスを吐出するよう制御することを特徴とする。第6の発明は、第4又は第5の発明に係る現像装置において、前記基板の上方を前記基板の中心側から外周側へ移動可能に設けられており、前記基板の表面に第2のリンス液を供給する第2のリンス液ノズルを有し、前記制御部は、前記第2のリンス液ノズルの移動と、第2のリンス液の供給とを制御するものであって、前記現像液ノズルが前記第2のリンス液ノズルよりも前記基板の中心側に配置された状態を保ったまま、前記第2のリンス液ノズルを前記基板の中心側から外周側へ移動させ、前記第2のリンス液ノズルから前記基板の表面に第2のリンス液を供給すると同時に、前記現像液ノズルから前記基板の表面に現像液を供給し、前記第1のリンス液ノズルから前記基板の表面に第1のリンス液を供給するよう制御することを特徴とする。第7の発明は、第1乃至第6のいずれか一つの発明に係る現像装置において、前記現像液ノズルと前記第1のリンス液ノズルとが一体的に設けられていることを特徴とする。第8の発明は、第1乃至第7のいずれか一つの発明に係る現像装置において、前記現像液ノズルは、現像液を吐出する吐出方向が、前記基板の回転方向の成分を有するように、傾斜していることを特徴とする。第9の発明は、第1乃至第8のいずれか一つの発明に係る現像装置において、前記現像液ノズルは、現像液を吐出する吐出口が、スリット状の形状を有することを特徴とする。本発明によれば、液浸保護膜、又は撥水性レジストを含め、広範な種類の膜が成膜された基板を露光し、現像する場合にも、基板表面内でのCD値の均一性を向上させることができ、処理時間を短縮することができる。次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。実施の形態最初に、本発明の実施の形態に係る現像処理方法について説明する。本実施の形態に係る現像処理方法は、表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を、水平に保持し、鉛直軸周りに回転させながら現像処理する現像処理方法において、基板の上方に配置されたプリウェット液ノズルを基板の中心側から外周側へ移動させ、プリウェット液ノズルの吐出口から基板の表面にプリウェット液を供給するプリウェット液供給ステップと、基板の上方に配置された現像液ノズルを基板の中心側から外周側へ移動させ、現像液ノズルの吐出口から基板の表面に現像液を供給する現像液供給ステップと、基板の上方に配置された純水ノズルを基板の中心側から外周側へ移動させ、純水ノズルの吐出口から基板の表面に純水を供給する純水供給ステップと、基板の上方に配置されたガスノズルを基板の中心側から外周側へ移動させ、ガスノズルの吐出口から基板の表面にガスを吐出するガス吐出ステップとを有し、現像液ノズルがプリウェット液ノズルよりも基板の中心側に配置された状態を保ったまま、現像液供給ステップをプリウェット液供給ステップと同時に行い、純水ノズルが現像液ノズルよりも基板の中心側に配置された状態を保ったまま、純水供給ステップを現像液供給ステップと同時に行い、ガスノズルが純水ノズルよりも基板の中心側に配置された状態を保ったまま、ガス吐出ステップを純水供給ステップと同時に行うことを特徴とする。なお、本実施の形態におけるプリウェット液供給ステップ及び純水供給ステップのそれぞれは、本発明における第2のリンス液供給ステップ及び第1のリンス液供給ステップのそれぞれに相当する。また、本実施の形態におけるプリウェット液ノズル及び純水ノズルのそれぞれは、本発明における第2のリンス液ノズル及び第1のリンス液ノズルのそれぞれに相当する。また、本実施の形態におけるプリウェット液及び純水のそれぞれは、本発明における第2のリンス液及び第1のリンス液のそれぞれに相当する。本実施の形態に係る現像処理方法は、プリウェット液供給ステップと、現像液供給ステップと、純水供給ステップと、ガス吐出ステップとを同時に行うことを特徴とするため、現像処理時間を短縮することが可能になる。次に、本実施の形態に係る現像処理方法の具体例を説明する。本実施の形態に係る現像処理方法の具体例として、図1及び図2を参照し、本実施の形態に係る現像処理方法を行うために用いる現像装置を説明する。図1は、本実施の形態に係る現像処理方法を行うために用いる現像装置を備える塗布現像装置の全体構成を示す斜視図であり、図2はその平面図である。図1及び図2に示すように、塗布現像装置100は、キャリア載置部B1、処理部B2、インターフェース部B3等を有し、外部装置の露光部B4に隣接して設けられる。キャリア載置部B1は、基板であるウェハWが例えば13枚密閉収納されたキャリアC1を搬入出するためのものである。キャリア載置部B1は、キャリアC1を複数個載置可能な載置部90aを備えたキャリアステーション90と、このキャリアステーション90から見て前方の壁面に設けられる開閉部91と、開閉部91を介してキャリアC1からウェハWを取り出すための受け渡し手段A1とを有する。処理部B2は、筐体92で周囲を囲まれており、キャリア載置部B1の奥側に接続されている。処理部B2は、手前側から順に、加熱冷却系のユニットを多段化した棚ユニットU1、U2、U3と、後述する塗布現像ユニットを含む各処理ユニット間のウェハWの受け渡しを行い、交互に設けられた主搬送手段A2、A3とを有する。棚ユニットU1、U2、U3及び主搬送手段A2、A3は、キャリア載置部B1側から見て前後一列に配列されるとともに、各々の接続部位には図示しないウェハ搬送用の開口部が形成されており、ウェハWは処理部B2内を一端側の棚ユニットU1から他端側の棚ユニットU3まで自由に移動できるようになっている。主搬送手段A2、A3は、キャリア載置部B1から見て前後方向に配置される棚ユニットU1、U2、U3側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットU4、U5側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁93により囲まれる空間内に配置される。温湿度調節ユニット94、95は、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えている。液処理ユニットU4、U5は、例えば図1に示すように、塗布液レジスト液や現像液といった薬液供給用のスペースをなす収納部96の上に、塗布ユニットCOT、本実施の形態に係る現像方法を行うための現像装置としての現像ユニットDEV及び反射防止膜形成ユニットBARC等を複数段例えば5段に積層した構成を有する。また上述の棚ユニットU1、U2、U3は、液処理ユニットU4、U5にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば10段に積層した構成を有する。棚ユニットU1、U2、U3は、ウェハWを加熱ベークする加熱ユニット、ウェハWを冷却する冷却ユニット等を含む。露光部B4は、例えば第1の搬送室97及び第2の搬送室98よりなるインターフェース部B3を介し、処理部B2に接続されている。インターフェース部B3の内部には、図2に示すように、処理部B2と露光部B4との間でウェハWの受け渡しを行うための2つの受け渡し手段A4、A5の他、棚ユニットU6及びバッファキャリアC0が設けられている。この装置におけるウェハWの流れについて一例を示すと、先ず外部からウェハWの収納されたキャリアC1が載置部90aに載置され、開閉部91とともにキャリアC1の蓋体がはずされて受け渡し手段A1によりウェハWが取り出される。そしてウェハWは棚ユニットU1の一段をなす受け渡しユニット図示せずを介して主搬送手段A2へと受け渡され、棚ユニットU1~U3内の一の棚にて、塗布処理の前処理として例えばアドヒージョン疎水化処理、冷却処理が行われ、その後、塗布ユニットCOTにてレジスト液が塗布される。続いてウェハWは、棚ユニットU1~U3の一の棚をなす加熱ユニットで加熱ベーク処理され、更に冷却された後、棚ユニットU3の受け渡しユニットを経由してインターフェース部B3へと搬入される。このインターフェース部B3においてウェハWは例えば受け渡し手段A4→棚ユニットU6→受け渡し手段A5という経路で露光部B4へ搬送され、露光が行われる。露光後、ウェハWは逆の経路で主搬送手段A3まで搬送され、現像ユニットDEVにて現像されることでレジストマスクが形成される。その後、ウェハWは載置部90a上の元のキャリアC1へと戻される。次に、図3及び図4を参照し、本実施の形態に係る現像処理方法を行うために用いる現像装置の現像ユニットDEVについて説明する。図3は、現像ユニットDEVの構成を模式的に示す断面図、図4はその平面図である。現像ユニットDEVは、スピンチャック2、カップ体3、ノズル4、制御部7を具備する。スピンチャック2は、基板例えばウェハWの裏面側中央部を吸引吸着して水平姿勢に保持するための基板保持部である。スピンチャック2は、図3に示すように、回転軸21を介して回転駆動機構である駆動機構22と接続されており、ウェハWを保持した状態で回転及び昇降可能なように構成されている。図3に示す例では、スピンチャック2の回転軸上にウェハWの中心が位置するように設定されている。ただし、本実施の形態においては、回転軸上にウェハWの中心が位置していなくてもよく、例えば回転軸から半径1~15mm以内の領域にウェハWの中心が位置していればよい。カップ体3は、スピンチャック2上のウェハWを囲むようにして上方側に開口するように設けられる。カップ体3は、上部側が四角状であり、下部側が円筒状の外カップ31と、上部側が内側に傾斜した筒状の内カップ32とからなり、外カップ31の下端部に接続された昇降部33により外カップ31が昇降し、更に内カップ32は外カップ31の下端側内周面に形成された段部31aに押し上げられて昇降可能なように構成されている。スピンチャック2の下方側には、図3に示すように、円形板34が設けられており、この円形板34の外側には断面が凹部状に形成された液受け部35が全周に亘って設けられている。液受け部35の底面にはドレイン排出口36が形成されており、ウェハWからこぼれ落ちるか、あるいは振り切られて液受け部35に貯留された現像液やリンス液はこのドレイン排出口36を介して装置の外部に排出される。また、円形板34の外側には断面山形のリング部材37が設けられている。なお、図示しないが、円形板34を貫通する例えば3本の基板支持ピンである昇降ピンが設けられており、この昇降ピンと図示しない基板搬送手段との協働作用により、ウェハWはスピンチャック2に受け渡しされるように構成されている。ノズル4は、一列に配列されたプリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、リンス液ノズル4c、ガスノズル4dを有する。ノズル4は、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、リンス液ノズル4c、ガスノズル4dの各ノズルが、スピンチャック2に保持されたウェハWの表面と対向するようにして、昇降及び水平移動可能に設けられている。プリウェット液ノズル4aには、図3に示すように、供給路例えばプリウェット液配管61aの一端が接続されており、プリウェット液配管61aの他端側はプリウェット液の供給源62aと接続され、その途中には図示しない送液手段例えば吐出ストロークを代えることで吐出流量を調節可能なベローズポンプ等が設けられている。現像液ノズル4bには、図3に示すように、供給路例えば現像液配管61bの一端が接続されており、現像液配管61bの他端側は現像液の供給源62bと接続され、所定流量例えば600ml/minの現像液が供給されるように構成されている。また、現像液の供給源62bは、図示しない温度調整機構を備え、現像液を所定の温度例えば23°Cに調整してノズルに供給するようになされている。すなわち、常に処理の温度で現像液が供給されることによって、同じ種類のレジストが塗布されたウェハ群に対して均一な現像処理ができるように構成されている。純水ノズル4cには、図3に示すように、供給路例えば純水配管61cの一端が接続されており、純水配管61cの他端側は純水の供給源62cと接続され、その途中には図示しない流量調整バルブ等が設けられ、吐出流量が調節されている。なお、純水ノズル4cは、ウェハ表面の現像液を洗い流すためのリンス液として例えば純水を吐出するためのものである。従って、ウェハ表面の現像液を洗い流すためのリンス液であれば、純水ノズル4cから吐出する液体として純水以外のリンス液を用いてもよい。ガスノズル4dには、図3に示すように、供給路例えばガス配管61dの一端が接続されており、ガス配管61dの他端側はガスの供給源62dと接続される。ガスノズルは、N2ガスをウェハ表面に吹き付け、純水等のリンス液をウェハ表面から吹き飛ばすためのものである。従って、ウェハ表面の純水等のリンス液を吹き飛ばすためのガスであれば、ガスノズルから吐出するガスとしてN2ガス以外の不活性ガスを用いてもよい。また、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dの他、ウェハ表面に界面活性剤を供給するための界面活性剤ノズルを、更にノズル4に一体に設けてもよい。図4に示すように、ノズル4は、支持部材であるノズルアーム5の一端側に支持され、ノズルアーム5の他端側は図示しない昇降機構を備えた移動基体51と接続されている。更に移動基体51は例えばユニットの外装体底面にてX方向に伸びるガイド部材52に沿って横方向に移動可能なように構成されている。この移動機構によりノズル4は、ウェハWの外側と中央との間の直線上を移動可能になされている。なお、カップ体3の外側には、ノズル4の待機部53が設けられ、このノズル待機部53でノズル4の先端部の洗浄などが行われる。制御部7は、コンピュータよりなり、プリウェット液の供給源62a、現像液の供給源62b、純水の供給源62c、ガスの供給源62d、駆動機構22、昇降部33、移動基体51の動作を制御する。特に、本実施の形態においては、制御部7は、ノズル4がウェハWの中心側から外周側へ移動する際に、プリウェット液ノズル4aからプリウェット液を供給し、現像液ノズル4bから現像液を供給し、純水ノズル4cから純水を供給し、ガスノズル4dからガスを吐出するように制御する。制御部7が備える図示しない記憶部には、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dの移動動作、吐出動作、ウェハWの回転動作等が予め決められたソフトウェアからなる1つまたは複数の処理レシピと、その処理レシピのいずれかに基づき各動作が実施されるよう命令が組まれたコマンド部とを有する現像処理プログラムが格納されている。制御部7は記憶部に格納された現像処理プログラムを読み出し、現像処理工程が実施されるように制御を行う。現像処理プログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネトオプティカルディスク、メモリカードなどの記録媒体に記録され収納された状態で制御部7の記憶部に格納される。次に、本実施の形態に係る現像処理方法について、図5乃至図7を参照し、現像ユニットDEVによるウェハWの現像処理工程を例示しながら説明する。図5は、本実施の形態に係る現像処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。図6A乃至図6Cは、本実施の形態に係る現像処理方法において、ウェハの上にプリウェット液、現像液、純水又はガスが供給又は吐出されている状態を模式的に示す斜視図及び平面図である。図6Aa乃至図6Ciのそれぞれにおいて、左側が斜視図であり、右側が平面図である。また、図6Aa乃至図6Acのそれぞれは、図5におけるステップS1乃至ステップS3のそれぞれの工程に対応し、図6Bd及び図6Beは、ともに、図5におけるステップS4に対応し、図6Bf乃至図6Ciのそれぞれは、図5におけるステップS5乃至ステップS8のそれぞれの工程に対応する。図7は、本実施の形態に係る現像処理方法を説明するための図であり、一体的に設けられたプリウェット液ノズル、現像液ノズル、純水ノズル及びガスノズルよりなるノズルの構成を基板の一部とともに模式的に示す正面図及び側面図である。図7において、左側が正面図であり、右側が側面図である。本実施の形態に係る現像処理方法を行うための現像処理工程においては、使用されたレジストの種類、形成するレジストパターンの種類ライン系、ホール系等の諸条件によって処理レシピが決定されるが、以下の説明においては、所定の処理レシピに基づいて制御部7の制御により現像処理が行われるものとする。また、処理レシピは、ステップS1からステップS8までの各ステップを有する。ここで、レジストは例えばArFレジストAIM5796商品名:JSR社製が用いられるものとする。また、現像液は例えばNMD3商品名:東京応化工業社製が用いられるものとする。また、例えば現像液の温度は23°Cに設定され、現像液ノズル4bからの現像液の供給流量は600ml/min、プリウェット液ノズル4a及び純水ノズル4cからの純水の供給流量は1000ml/min、ガスノズル4dからのガスの吐出量は5000ml/minに設定されているものとする。なお、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、及び純水ノズル4cの内径は、例えば2~10mmφとすることができ、より好ましくは、例えば5mmとすることができる。本実施の形態に係る現像処理方法は、図5に示すように、ステップS1乃至ステップS8よりなる。ステップS1では、プリウェット液供給ステップを行う。ステップS2では、現像液ノズルがプリウェット液ノズルよりも基板の中心側に配置された状態を保ったまま、現像液供給ステップをプリウェット液供給ステップと同時に行う。ステップS3では、現像液ノズルがプリウェット液ノズルよりも基板の中心側に配置され、純水ノズルが現像液ノズルよりも基板の中心側に配置された状態を保ったまま、プリウェット液供給ステップ、現像液供給ステップ、及び純水供給ステップを同時に行う。ステップS4では、現像液ノズルがプリウェット液ノズルよりも基板の中心側に配置され、純水ノズルが現像液ノズルよりも基板の中心側に配置され、ガスノズルが純水ノズルよりも基板の中心側に配置された状態を保ったまま、プリウェット液供給ステップ、現像液供給ステップ、純水供給ステップ、及びガス吐出ステップを同時に行う。ステップS5では、純水ノズルが現像液ノズルよりも基板の中心側に配置され、ガスノズルが純水ノズルよりも基板の中心側に配置された状態を保ったまま、現像液供給ステップ、純水供給ステップ、及びガス吐出ステップを同時に行う。ステップS6では、ガスノズルが純水ノズルよりも基板の中心側に配置された状態を保ったまま、純水供給ステップ及びガス吐出ステップを同時に行う。ステップS7では、ガス吐出ステップを行う。ステップS8では、全てのステップが終了している。ステップS1を開始する前、外カップ31、内カップ32が下降位置にあり、ノズル4がノズル待機部53の上方に配置された状態において、その表面にレジストが塗布され、更に露光された後のウェハWが図示しない基板搬送手段により搬入される。そして、この基板搬送手段と図示しない昇降ピンとの協働作用により、ウェハWはスピンチャック2に受け渡される。次に、外カップ31及び内カップ32が上昇位置に設定されるとともに、現像液の供給を開始する位置である例えばウェハWの上方であって、かつウェハWの表面からわずかに高い位置開始位置とするに、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、リンス液ノズル4c、ガスノズル4dよりなるノズル4を、プリウェット液ノズル4aが基板表面の略中心上に来るように配置する。また、ステップS1を開始する前、ウェハWを鉛直軸周りに回転させる。ここで、ウェハWの回転数は、例えば1000~2000rpmの範囲とすることができ、例えば1500rpmで回転させることができる。始めに、ステップS1を行う。ステップS1では、図6Aaに示すように、プリウェット液ノズル4aがウェハWの中央の上方にある状態で、プリウェット液ノズル4aから少量のプリウェット液PW例えば純水をウェハWの中央部に供給を開始し、プリウェット液ノズル4aを基板の中心側から外周側へ移動させ、プリウェット液ノズル4aの吐出口から基板の表面にプリウェット液PWを供給するプリウェット液供給ステップが行われる。この際、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dも一体的に移動させられる。図6Aaに示すように、プリウェット液供給ステップが行われ、回転するウェハWの略中心の上方よりプリウェット液PWがウェハW上に供給されるため、遠心力によりウェハWの中心側から外周側に拡散し、ウェハWの略全面に亘る領域AR1は、プリウェット液PWで覆われ、ウェハW全面に対するプリウェット処理、即ちウェハ表面の濡れ性を向上させる処理が施され、その後供給される現像液がウェハWの表面に速やかに広がる状態になされる。なお、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dは、図6Aaに示すように、プリウェット液ノズル4aの移動方向と逆の方向に、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dの順に配列するように配置される。また、ノズル4の移動速度を、例えば5~20mm/secとすることができ、より好ましくは10mm/secとすることができる。その後、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dが一体的に移動し、現像液ノズル4bがウェハWの略中央の上方に来たときに、現像液ノズル4bから現像液Dの供給を開始し、ステップS2を行う。ステップS2では、図6Abに示すように、プリウェット液ノズル4aよりプリウェット液PWを供給し、現像液ノズル4bより現像液Dを供給した状態で、プリウェット液ノズル4a及び現像液ノズル4bがウェハWの上方をウェハWの中心側から外周側に向け移動するように、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、リンス液ノズル4c、ガスノズル4dよりなるノズル4を移動させる。換言すれば、現像液ノズル4bがプリウェット液ノズル4aよりもウェハWの中心側に配置された状態を保ったまま、現像液供給ステップをプリウェット液供給ステップと同時に行うものである。図6Abに示すように、ウェハWの中心側の領域AR21では、現像液供給ステップが行われ、回転するウェハWの略中心の上方より現像液Dが現像液ノズル4bによりウェハW上に供給され、ウェハWの表面が現像液Dで覆われる。一方、ウェハWの中心側の領域AR21の外周側の領域であるAR22では、プリウェット液供給ステップが行われ、回転するウェハWの上方であって、現像液ノズル4bよりもウェハWの外周側に配置されるプリウェット液ノズル4aによりプリウェット液PWがウェハW上に供給され、供給されたプリウェット液PWが遠心力によりウェハWの中心側から外周側に拡散し、ウェハWの表面がプリウェット液PWで覆われる。なお、ウェハWの中心側の領域AR21と、領域AR21の外周側の領域であるAR22との境界においては、ノズル4の移動速度とウェハWの回転数との関係によっては、プリウェット液PWと現像液Dとが混合し、図6Abに示すような明確な境界を有しない場合がある。領域AR21と領域AR22とが明確な境界を有しない場合であっても、領域AR22であって領域AR21との境界からある程度離れた領域では、現像液Dの濃度は、供給された現像液の濃度と略等しいため、現像処理が正常に進行する。その後、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dが一体的に移動し、純水ノズル4cがウェハWの略中央の上方に来たときに、純水ノズル4cから純水Rの供給を開始し、ステップS3を行う。ステップS3では、図6Acに示すように、プリウェット液ノズル4aよりプリウェット液PWを供給し、現像液ノズル4bより現像液Dを供給し、純水ノズル4cより純水Rを供給した状態で、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b及び純水ノズル4cがウェハWの上方をウェハWの中心側から外周側に向け移動するように、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dよりなるノズル4を移動させる。換言すれば、現像液ノズル4bがプリウェット液ノズル4aよりもウェハWの中心側に配置され、純水ノズル4cが現像液ノズル4bよりもウェハWの中心側に配置された状態を保ったまま、プリウェット液供給ステップ、現像液供給ステップ、及び純水供給ステップを同時に行うものである。図6Acに示すように、ウェハWの中心側の領域AR31では、純水供給ステップが行われ、回転するウェハWの略中心の上方より純水Rが純水ノズル4cによりウェハW上に供給され、ウェハW表面の現像液Dが純水で洗い流される。一方、ウェハWの中心側の領域AR31のすぐ外周側の領域であるAR32では、現像液供給ステップが行われ、回転するウェハWの上方であって、純水ノズル4cよりもウェハWの外周側に配置される現像液ノズル4bにより現像液DがウェハW上に供給され、ウェハWの表面が現像液Dで覆われる。また、ウェハWの領域AR32の外側の領域であるAR33では、プリウェット液供給ステップが行われ、回転するウェハWの上方であって、現像液ノズル4bよりもウェハWの外周側に配置されるプリウェット液ノズル4aによりプリウェット液PWがウェハW上に供給され、供給されたプリウェット液PWが遠心力によりウェハWの中心側から外周側に拡散し、ウェハWの表面がプリウェット液PWで覆われる。なお、ウェハWの中心側の領域AR31と、領域AR31の外周側の領域であるAR32との境界においては、ノズル4の移動速度とウェハWの回転数との関係によっては、純水Rと現像液Dとが混合し、図6Acに示すような明確な境界を有しない場合がある。領域AR31と領域AR32とが明確な境界を有しない場合であっても、領域AR32であって領域AR31との境界からある程度離れた領域では、現像液Dの濃度は、供給された現像液の濃度と略等しい。また、同様に、領域AR32であって領域AR33との境界からある程度離れた領域でも、現像液Dの濃度は、供給された現像液の濃度と略等しい。従って、例えば領域AR32のウェハWの半径方向の幅がある程度大きい場合等には、領域AR32においては、現像処理が正常に進行する。その後、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dが一体的に移動し、ガスノズル4dがウェハWの略中央の上方に来たときに、ガスノズル4dからガスGの供給を開始し、ステップS4を行う。ステップS4では、図6Bdに示すように、プリウェット液ノズル4aよりプリウェット液PWを供給し、現像液ノズル4bより現像液Dを供給し、純水ノズル4cより純水Rを供給し、ガスノズル4dよりガスGを吐出した状態で、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c及びガスノズル4dがウェハWの上方をウェハWの中心側から外周側に向け移動するように、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dよりなるノズル4を移動させる。換言すれば、現像液ノズル4bがプリウェット液ノズル4aよりもウェハWの中心側に配置され、純水ノズル4cが現像液ノズル4bよりもウェハWの中心側に配置され、ガスノズル4dが純水ノズル4cよりもウェハWの中心側に配置された状態を保ったまま、プリウェット液供給ステップ、現像液供給ステップ、純水供給ステップ、及びガス吐出ステップを同時に行うものである。図6Bdに示すように、ウェハWの中心側の領域AR41では、ガス吐出ステップが行われ、回転するウェハWの略中心の上方よりガスGがガスノズル4dによりウェハW上に吐出され、ウェハW表面の純水が吹き飛ばされ乾燥させられる。一方、ウェハWの中心側の領域AR41のすぐ外周側の領域であるAR42では、純水供給ステップが行われ、回転するウェハWの上方であって、ガスノズル4dよりもウェハWの外周側に配置される純水ノズル4cにより純水RがウェハW上に供給され、ウェハW表面の現像液Dが純水Rで洗い流される。また、ウェハWの領域AR42のすぐ外側の領域であるAR43では、現像液供給ステップが行われ、回転するウェハWの上方であって、純水ノズル4cよりもウェハWの外周側に配置される現像液ノズル4bにより現像液DがウェハW上に供給され、ウェハWの表面が現像液Dで覆われる。また、ウェハWの領域AR43の外側の領域であるAR44では、プリウェット液供給ステップが行われ、回転するウェハWの上方であって、現像液ノズル4bよりもウェハWの外周側に配置されるプリウェット液ノズル4aによりプリウェット液PWがウェハW上に供給され、供給されたプリウェット液PWが遠心力によりウェハWの中心側から外周側に拡散し、ウェハWの表面がプリウェット液PWで覆われる。その後、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dのそれぞれからプリウェット液PW、現像液D、純水R又はガスGを供給又は吐出した状態で、図6Beに示すように、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c及びガスノズル4dがウェハWの上方をウェハWの中心側から外周側に向け移動するように、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dよりなるノズル4を移動させる。また、図6Beに示すように、ウェハWの中心側の領域AR51では、ガス吐出ステップが行われ、領域AR51のすぐ外周側の領域であるAR52では、純水供給ステップが行われ、領域AR52のすぐ外周側の領域であるAR53では、現像液供給ステップが行われ、領域AR53の外周側の領域であるAR54では、プリウェット液供給ステップが行われる。このとき、図6Beに示すように、ウェハWの領域であってガスノズル4dからガスGがウェハWに吐出される領域及びその領域より中心側の領域であるAR51では、ガスノズル4dからガスGがウェハWに吐出される領域においては、回転するウェハWの上方よりガスGがガスノズル4dによりウェハW上に吐出されるガス吐出ステップが行われ、純水Rが吹き飛ばされ乾燥させられ、ガスGがウェハWに吐出される領域より中心側の領域においては、既に乾燥させられた状態である。その後、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dが一体的に移動し、プリウェット液ノズル4aがウェハWの外周に到達したときに、プリウェット液ノズル4aからのプリウェット液PWの供給を停止し、ステップS5を行う。ステップS5では、図6Bfに示すように、現像液ノズル4bより現像液Dを供給し、純水ノズル4cより純水Rを供給し、ガスノズル4dよりガスGを吐出した状態で、現像液ノズル4b、純水ノズル4c及びガスノズル4dがウェハWの上方をウェハWの中心側から外周側に向け移動するように、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dよりなるノズル4を移動させる。純水ノズル4cが現像液ノズル4bよりもウェハWの中心側に配置され、ガスノズル4dが純水ノズル4cよりもウェハWの中心側に配置された状態を保ったまま、現像液供給ステップ、純水供給ステップ、及びガス吐出ステップを同時に行うものである。図6Bfに示すように、ウェハWの領域であってガスノズル4dからガスGがウェハWに吐出される領域及びその領域より中心側の領域であるAR61では、ガスノズル4dからガスGがウェハWに吐出される領域においては、ガス吐出ステップが行われ、回転するウェハWの上方よりガスGがガスノズル4dによりウェハW上に吐出され、ウェハW表面の純水Rが吹き飛ばされ乾燥させられる。また、領域AR61のガスGがウェハWに吐出される領域より中心側の領域においては、既に乾燥させられた状態である。一方、ウェハWの中心側の領域AR61のすぐ外周側の領域であるAR62では、純水供給ステップが行われ、回転するウェハWの上方であって、ガスノズル4dよりもウェハWの外周側に配置される純水ノズル4cにより純水RがウェハW上に供給され、ウェハW表面の現像液Dが純水Rで洗い流される。また、ウェハWの領域AR62の外周側の領域であるAR63では、現像液供給ステップが行われ、回転するウェハWの上方であって、純水ノズル4cよりもウェハWの外周側に配置される現像液ノズル4bにより現像液DがウェハW上に供給され、ウェハWの表面が現像液Dで覆われる。その後、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dが一体的に移動し、現像液ノズル4bがウェハWの外周に到達したときに、現像液ノズル4bからの現像液の供給を停止し、ステップS6を行う。ステップS6では、図6Cgに示すように、純水ノズル4cより純水Rを供給し、ガスノズル4dよりガスGを吐出した状態で、純水ノズル4c及びガスノズル4dがウェハWの上方をウェハWの中心側から外周側に向け移動するように、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dよりなるノズル4を移動させる。ガスノズル4dが純水ノズル4cよりもウェハWの中心側に配置された状態を保ったまま、ガス吐出ステップを純水供給ステップと同時に行うものである。図6Cgに示すように、ウェハWの領域であってガスノズル4dからガスGがウェハWに吐出される領域及びその領域より中心側の領域であるAR71では、ガスノズル4dからガスGがウェハWに吐出される領域においては、ガス吐出ステップが行われ、回転するウェハWの上方よりガスGがガスノズル4dによりウェハW上に吐出され、ウェハW表面の純水Rが吹き飛ばされ乾燥させられる。また、領域AR71のガスGがウェハWに吐出される領域より中心側の領域においては、既に乾燥させられた状態である。一方、ウェハWの中心側の領域AR71のすぐ外周側の領域であるAR72では、純水供給ステップが行われ、回転するウェハWの上方であって、ガスノズル4dよりもウェハWの外周側に配置される純水ノズル4cにより純水RがウェハW上に供給され、ウェハW表面の現像液Dが純水Rで洗い流される。その後、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dが一体的に移動し、純水ノズル4cがウェハWの外周に到達したときに、純水ノズル4cからの純水Rの供給を停止し、ステップS7を行う。ステップS7では、図6Chに示すように、ガスノズル4dよりガスGを吐出した状態で、ガスノズル4dがウェハWの上方をウェハWの中心側から外周側に向け移動するように、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dよりなるノズル4を移動させる。図6Chに示すように、ウェハWの全ての領域AR8では、ガスノズル4dからガスGがウェハWに吐出される領域においては、ガス吐出ステップが行われ、回転するウェハWの上方よりガスGがガスノズル4dによりウェハW上に吐出され、ウェハW表面の純水Rが吹き飛ばされ乾燥させられる。また、領域AR8のガスGがウェハWに吐出される領域より中心側の領域においては、既に乾燥させられた状態である。その後、ステップS8では、図6Ciに示すように、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dが一体的に移動し、ガスノズル4dがウェハWの外周に到達したときに、ガスノズル4dからのガスの吐出を停止する。図6Ciに示すように、ウェハWの全ての領域AR9では、ガス吐出ステップが終了し、既に乾燥させられた状態である。なお、各ノズルは、ノズル4として一体的に移動させられるが、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dがウェハWの上方をウェハWの外周側から中心側に向かって順に配置されていればよい。従って、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dは、独立に移動させられてもよい。また、ウェハWの任意の場所に現像液Dが供給される供給量を、ウェハWの中心側と外周側との間で平均化するために、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dの各ノズルが移動させられる移動速度は、各ノズルがウェハWの中心側から外周側に向かって移動するのに伴って減少するように調整してもよい。ウェハWが一定の回転数で回転し、現像液ノズル4bから供給される現像液DがウェハWに供給される部分が半径の方向に沿って一定の幅を有するとした場合、ウェハWの中心側ほど単位時間当たりで現像液Dが供給される部分の面積が小さく、ウェハWの外周側ほど単位時間当たりで現像液Dが供給される部分の面積が大きい。従って、ウェハWの外周側ほど各ノズルが移動する移動速度を遅くすることによって、ウェハWの中心側と外周側との間で、任意の場所に供給される現像液Dの供給量が平均化される。また、任意の場所に現像液Dが供給される時間をウェハWの内側と外側との間で平均化するために、各ノズルがウェハWの上方をウェハWの中心側から外周側に向かって移動するのに伴って、ウェハWの回転数を増加させる又は減少させるなどして調整してもよい。また、現像液Dの温度を常温より高温にしてもよく、例えば50°Cの高温にすることができる。また、図7の側面図に示すように、ノズル4の現像液ノズル4bの吐出口から現像液Dを吐出する吐出方向は、ウェハWの回転方向の成分を有する。また、プリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dがノズル4として一体的に構成されているため、プリウェット液ノズル4aの吐出口からプリウェット液PWを吐出する吐出方向、純水ノズル4cの吐出口から純水Rを吐出する吐出方向も、ウェハWの回転方向の成分を有する。これにより、撥水性の高いレジストが塗布されたウェハW上に現像液Dを供給する場合においても、現像液DがウェハWの表面で弾かれることがないため、ウェハWの表面を現像液Dで被覆することができる。また、同様に、プリウェット液PW又は純水Rを供給した場合でも、プリウェット液PW又は純水RがウェハWの表面で弾かれることがなく、ウェハWの表面をプリウェット液PW又は純水Rで被覆することができる。ここで、図8を参照し、本実施の形態に係る現像処理方法が、従来の現像処理方法に比べて処理時間を短縮することができる作用効果について説明する。図8は、本実施の形態に係る現像処理方法の各工程のタイムチャートを、従来の現像処理方法の各工程のタイムチャートと比較して説明するための図である。図8aは、本実施の形態に係る現像処理方法の各工程のタイムチャートを示し、図8bは、従来の現像処理方法の各工程のタイムチャートを示す。従来の現像処理方法は、図8bに示すように、回転するウェハW上にプリウェット液を供給するプリウェット液供給ステップと、回転するウェハW上に現像液を供給する現像液供給ステップと、純水を供給してリンスする純水供給ステップと、ガスを吐出して純水よりなるリンス液を吹き飛ばしてウェハWを乾燥させるガス吐出ステップとを有し、これらのステップを順番に独立に行う。例えば、始めに、プリウェット液供給ステップを1~5secの間行い、次に、現像液供給ステップを10~60secの間行い、次に、純水供給ステップを10~30secの間行い、最後に、ガス吐出ステップを10~15secの間行う。従って、全てのステップを行うために、31~110secの時間が必要である。一方、本実施の形態に係る現像処理方法は、図8aに示すように、プリウェット液供給ステップと、現像液供給ステップと、純水供給ステップと、ガス吐出ステップとを同時に行うことを特徴とする。ウェハWの中心側と外周側とでノズル4の移動速度を調整する必要はあるものの、本実施の形態に係る現像処理方法でノズルがウェハWの中心から外周まで移動する時間を、従来の現像処理方法で現像液供給ステップを行う時間と略等しくすることによって、ウェハWの各領域の単位面積を覆う現像液の量は、略同じにすることができる。しかしながら、本実施の形態に係る現像処理方法では、ノズル4のプリウェット液ノズル4a、現像液ノズル4b、純水ノズル4c、ガスノズル4dの間隔を小さくすることによって、ノズル4が移動し、ウェハWの外周で現像液供給ステップが終了するのと略同時に、プリウェット液供給ステップ、純水供給ステップ、ガス吐出ステップを終了させることができる。従って、従来の現像処理方法におけるプリウェット液供給ステップ、純水供給ステップ、ガス吐出ステップの時間に略相当する時間を削減して短縮することができ、図8a及び図8bに示すように、上記の従来の現像処理方法を行う場合に31~110secの時間が必要であるのに対し、本実施の形態に係る現像処理方法を行う場合には例えば20~40secの時間でよく、現像処理時間を短縮することができる。更に、従来の現像処理方法は、現像液ノズル4bをウェハWの表面の略中心の上方に配置し、ウェハWの表面の略中心に現像液を供給する。従って、ウェハWの表面の外周側では、ウェハWを回転させることによって、ウェハWの表面の中心に供給された現像液を遠心力でウェハWの中心側から外周側に拡散させることによって、現像液で覆われることになる。しかしながら、撥水性の高いレジストを用いる場合には、遠心力で拡散する現像液は、レジスト表面ではじかれ、全ての領域で均一に現像液に覆われることが困難である。一方、本実施の形態に係る現像処理方法は、ウェハWの中心側から外周側に向かって螺旋状にウェハWの全ての場所に直接現像液ノズル4bの吐出口から現像液を供給することを特徴とする。従って、液浸保護膜又は撥水性の高いレジストを用いる場合にも、任意の領域に吐出口から吐出した現像液が直接供給されるため、現像液が撥水性の高いレジスト表面で弾かれることなく、全ての領域が均一に現像液で覆われることができ、全ての領域で現像処理が均一に進行する。そのため、現像処理方法の処理時間を通常より短縮しても、従来の現像処理方法と同等の現像処理結果が得られる、という作用効果を奏する。なお、本実施の形態では、プリウェット液ノズル4a、純水ノズル4c及びガスノズル4cと一体的に移動させられる現像液ノズル4bの移動速度を、現像液ノズル4bをウェハWの中心側から外周側へ移動させるにつれて減少させるが、ウェハWの中心側から外周側へ一定の移動速度で移動させてもよい。ウェハWの中心側から外周側へ移動させる場合に、単位時間及び単位面積当たりに供給される現像液の供給量が最も少なくなるウェハWの最外周において、現像処理に十分な量になるように調整されるのであれば、現像液ノズル4bを移動させる移動速度を、現像液ノズル4bをウェハWの中心側から外周側へ移動させるにつれて減少させなくてもよい。また、ウェハWの中心側と外周側において、単位時間及び単位面積当たりに供給される現像液が略等しくなるように調整できるのであれば、現像液ノズル4bを移動する移動速度を変化させるのに代え、ウェハWの回転数を変化させること、又は現像液ノズル4bからの現像液の供給量を変化させることによっても、ウェハWの中心側と外周側とで、単位時間及び単位面積当たりに供給される現像液の供給量が等しくなるようにすることもできる。また、現像液ノズル4bが、プリウェット液ノズル4a、純水ノズル4c及びガスノズル4dのいずれかのノズルと一体的に移動させられる場合、又は現像液ノズル4bが単独で移動させられる場合においても、現像液ノズル4bの移動速度を、現像液ノズル4bをウェハWの中心側から外周側へ移動させるにつれて減少させることによって、単位時間及び単位面積当たりに供給される現像液が略等しくなるように調整することができる。また、プリウェット液ノズル4a、純水ノズル4c及びガスノズル4dのいずれかのノズルが現像液ノズル4bと一体的に移動させられない場合においても、プリウェット液ノズル4a、純水ノズル4c又はガスノズル4dのいずれかの移動速度を、そのノズルをウェハWの中心側から外周側へ移動させるにつれて減少させることによって、単位時間及び単位面積当たりに供給される現像液が略等しくなるように調整することができる。実施の形態の第1の変形例次に、図9を参照し、実施の形態の第1の変形例について説明する。図9は、本変形例に係る現像処理方法を説明するための図であり、一体的に設けられたプリウェット液ノズル、現像液ノズル、純水ノズル及びガスノズルよりなるノズルの構成を基板の一部とともに模式的に表す正面図及び側面図である。左側が正面図であり、右側が側面図である。ただし、以下の文中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある以下の変形例についても同様。本変形例に係る現像処理方法は、現像液ノズル41bの吐出口から現像液を吐出する吐出方向が、ウェハWの回転方向の成分を有しない点で、実施の形態に係る現像処理方法と相違する。すなわち、実施の形態に係る現像処理方法において、現像液ノズル41bの吐出口から現像液を吐出する吐出方向が、ウェハWの回転方向の成分を有するのと相違し、本変形例に係る現像処理方法では、現像液ノズル41bの吐出口から現像液を吐出する吐出方向は、ウェハWの表面に垂直である。本変形例におけるノズル41は、プリウェット液ノズル41a、現像液ノズル41b、純水ノズル41c、ガスノズル41dよりなる。従って、現像液ノズル41bのみがウェハWの表面に垂直であるだけでなく、図9に示すように、プリウェット液ノズル41a、現像液ノズル41b、純水ノズル41c、ガスノズル41dの全てがウェハWの表面に垂直になるようにすることもできる。吐出口からの現像液の吐出方向以外の点については、本変形例に係る現像処理方法は、実施の形態に係る現像処理方法と同様である。実施の形態において説明したように、撥水性の高いレジストが塗布された基板上に、基板表面に垂直に現像液を供給すると、現像液が基板表面で弾かれてしまうため、基板表面が現像液で被覆されない。しかしながら、基板に塗布されたレジストの撥水性がそれほど高くない場合、ウェハWに供給される現像液の供給量が少なくウェハWに供給される際の勢いが弱い場合、又は現像液ノズル41bの吐出口からウェハWの表面までの距離が短く、ウェハWに供給される際の現像液の勢いが弱い場合においては、現像液が基板表面であまり弾かれることがない。従って、図9に示すように、現像液ノズル41bの吐出口から現像液を吐出する吐出方向を、ウェハWの表面に垂直になるようにすることができる。実施の形態の第2の変形例次に、図10を参照し、実施の形態の第2の変形例について説明する。図10は、本変形例に係る現像処理方法を説明するための図であり、一体的に設けられたプリウェット液ノズル、現像液ノズル、純水ノズル及びガスノズルよりなるノズルの構成を基板の一部とともに模式的に表す正面図及び側面図である。左側が正面図であり、右側が側面図である。図10aは、本変形例の一例を例示するものであり、図10b及び図10cは、本変形例の他の例を例示するものである。本変形例に係る現像処理方法は、図10aに示すように、現像液ノズルの吐出口が、矩形形状帯状を有する点において、実施の形態に係る現像処理方法と相違する。すなわち、実施の形態に係る現像処理方法において、現像液ノズルの吐出口が円形形状を有するのと相違し、本変形例に係る現像処理方法では、現像液ノズルの吐出口は矩形形状帯状を有する。吐出口が矩形形状帯状を有すること以外の点については、本変形例に係る現像処理方法は、実施の形態に係る現像処理方法と同様である。図10aの左側の正面図に示すように、ノズル42は、プリウェット液ノズル、現像液ノズル、純水ノズル、及びガスノズルが一体的に形成されている。すなわち、ノズル42は、一体のノズルにプリウェット液吐出口42a、現像液吐出口42b、純水吐出口42c、ガス吐出口42dの4つの吐出口が配列されている。プリウェット液吐出口42a、現像液吐出口42b、純水吐出口42c、ガス吐出口42dの4つの吐出口は、矩形形状帯状を有する。また、プリウェット液吐出口42a、現像液吐出口42b、純水吐出口42c、ガス吐出口42dの4つの吐出口は、矩形形状帯状を有する吐出口の長辺がウェハWの径方向、すなわちプリウェット液吐出口42a、現像液吐出口42b、純水吐出口42c、ガス吐出口42dが並んで配列される並びの方向に沿うように、配置される。また、図10aの左側の正面図に示すように、プリウェット液ノズル、現像液ノズル、純水ノズル、ガスノズルを一体的にしたノズル42を構成することもできる。矩形形状帯状の吐出口は、一つの吐出口が例えば長辺が8~15mm、短辺が0.1~1mm、好ましくは0.1~0.5mmの範囲内で形成される例えばスリット状の形状を有する。また、矩形形状帯状を有する吐出口の長辺がウェハWの径方向に沿うように配置されるとは、吐出口の長辺がウェハWの中心から外周に向かう直線半径に沿って伸びる場合だけでなく、ウェハWの中心から外周に向かう直線半径に角度をもたせて交差させている場合も含まれる。また、矩形形状帯状とは、実質的に矩形形状帯状となっていればよく、例えば水平断面が厳密に長方形をなしていなくともよく、例えば台形状である場合、又は各辺が波形状である場合も帯状に含まれる。矩形形状帯状を有する吐出口の長辺がウェハWの径方向に沿うように配置されることによって、吐出口から吐出され、ウェハWの表面に供給される現像液等の各処理液の、ウェハWの径方向に沿った単位長さ辺りの供給量を均一にすることができ、ウェハWの全面において略等しい供給量の処理液を用いて現像処理を行うことができる。その結果、現像液等の処理液の所定量を用いて効率よく現像処理を行うことができるため、基板表面内でのCD値の均一性を向上させることができるとともに、処理時間を短縮することができる。また、図10aの側面図に示すように、ノズル42の現像液吐出口42bから現像液を吐出する吐出方向は、ウェハWの回転方向の成分を有する。また、プリウェット液ノズル、現像液ノズル、純水ノズル、ガスノズルがノズル42として一体的に形成されているため、プリウェット液吐出口42aからプリウェット液を吐出する吐出方向、純水吐出口42cから純水を吐出する吐出方向も、ウェハWの回転方向の成分を有する。これにより、液浸保護膜又は撥水性の高いレジストが塗布されたウェハW上に現像液を供給した場合でも、現像液がウェハWの表面で弾かれることがないため、ウェハWの表面を現像液で被覆することができる。また、同様に、プリウェット液又は純水を供給した場合でも、プリウェット液又は純水がウェハWの表面で弾かれることがなく、ウェハWの表面をプリウェット液又は純水で被覆することができる。更に、図10b及び図10cに示すように、本変形例においては、吐出口が矩形形状帯状を有し、複数のノズルが一体的に形成されたノズルと、吐出口が円形形状を有するノズルとを組合せて用いてもよい。図10bは、矩形形状帯状を有するプリウェット液吐出口43a、現像液吐出口43b、純水吐出口43cの3吐出口が一体的に形成されたノズル43と、円形形状の吐出口を有するガスノズル43dとよりなる変形例を示している。また、図10cは、矩形形状帯状を有するプリウェット液吐出口44a、現像液吐出口44bの2吐出口が一体的に形成されたノズル44と、円形形状の吐出口を有する純水ノズル44c、ガスノズル44dとよりなる変形例を示している。図10b及び図10cに示すノズルを用いる場合においても、現像液吐出口43b、44bにおいては、矩形形状帯状を有する吐出口の長辺がウェハWの径方向に沿うように配置されることによって、現像液吐出口43b、44bから吐出され、ウェハWの表面に供給される現像液の、ウェハWの径方向に沿った単位長さ辺りの供給量を平均化することができ、ウェハWの全面において略等しい供給量の現像液を用いて現像処理を行うことができる。その結果、所定の現像液で効率よく現像処理を行うことができるため、ウェハWの表面内でのCD値の均一性を向上させることができるとともに、処理時間を短縮することができる。また、図10bに示すノズルの場合においても、図10aに示すノズルの場合と同様に、ノズル43の現像液吐出口43bから現像液を吐出する吐出方向は、ウェハWの回転方向の成分を有する。また、図10bに示すプリウェット液ノズル、現像液ノズル、純水ノズルがノズル43として一体的に形成されているため、プリウェット液吐出口43aからプリウェット液を吐出する吐出方向、純水吐出口43cから純水を吐出する吐出方向も、ウェハWの回転方向の成分を有する。これにより、液浸保護膜又は撥水性の高いレジストが塗布されたウェハW上に現像液を供給した場合でも、現像液がウェハWの表面で弾かれることがないため、ウェハWの表面を現像液で被覆することができる。また、同様に、プリウェット液又は純水を供給した場合でも、プリウェット液又は純水がウェハWの表面で弾かれることがなく、ウェハWの表面をプリウェット液又は純水で被覆することができる。また、図10cに示すノズルの場合においても、図10aに示すノズルの場合と同様に、ノズル44の現像液吐出口44bから現像液を吐出する吐出方向は、ウェハWの回転方向の成分を有する。また、図10cに示すプリウェット液ノズル、現像液ノズルがノズル44として一体的に形成されているため、プリウェット液吐出口44aからプリウェット液を吐出する吐出方向も、ウェハWの回転方向の成分を有する。これにより、液浸保護膜又は撥水性の高いレジストが塗布されたウェハW上に現像液を供給した場合でも、現像液がウェハWの表面で弾かれることがないため、ウェハWの表面を現像液で被覆することができる。また、同様に、プリウェット液を供給した場合でも、プリウェット液がウェハWの表面で弾かれることがなく、ウェハWの表面をプリウェット液で被覆することができる。以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。