ボンディングパッドと、前記ボンディングパッドと相互に拡散する連続ワイヤであって、前記ボンディングパッドを、第1の電気接点と、前記第1の電気接点と異なる第2の電気接点とに電気的に接続する前記連続ワイヤと、を備える、ワイヤボンディング構造。前記連続ワイヤが、前記ボンディングパッドを前記第1の電気接点と電気的に接続するための第1の部分と、前記ボンディングパッドと接触し、前記ボンディングパッドと相互に拡散する接点部と、前記ボンディングパッドを前記第2の電気接点と電気的に接続するための第2の部分と、を有する、請求項1に記載のワイヤボンディング構造。前記ワイヤの前記接点部は、実質的に均一な厚さを備えた平坦な形状を有し、前記ワイヤの前記第1および前記第2の部分は、前記接点部の厚さより大きい直径を備えた線形状を有する、請求項2に記載のワイヤボンディング構造。前記ワイヤの前記第1の部分および前記第2の部分の直径が、約12.7μm~約38.1μmの範囲にある、請求項3に記載のワイヤボンディング構造。前記ワイヤの前記接点部の前記厚さが5ミクロン以上である、請求項4に記載のワイヤボンディング構造。前記ワイヤの前記第1の部分が、前記ボンディングパッドと平行な基準面に対して約30°~70°の角度を有し、前記ワイヤの前記第2の部分が、前記基準面に対して約45°~90°の角度を有する、請求項3に記載のワイヤボンディング構造。前記基準面上の前記ワイヤの前記第1の部分の突出部と、前記基準面上の前記ワイヤの前記第2の部分の突出部とが一直線に沿って存在していない、請求項6に記載のワイヤボンディング構造。前記ワイヤの前記接点部が、前記基準面内で実質的に円の形状を有する、請求項6に記載のワイヤボンディング構造。前記ボンディングパッドが、金またはアルミニウムを含む、請求項1に記載のワイヤボンディング構造。前記ワイヤは、金線、銅線、パラジウム線、パラジウムメッキ銅線または銀ベース合金線を含む、請求項1に記載のワイヤボンディング構造。前記第1および前記第2の電気接点は、ダイボンディングパッド、接続パッド、導電性バンプまたはボンディングワイヤを含む、請求項1に記載のワイヤボンディング構造。第1のダイボンディングパッドを含む第1の半導体ダイと、第2のダイボンディングパッドを含む第2の半導体ダイであって、前記第1の半導体ダイが取り付けられている第2の半導体ダイと、電気接点を含む構成要素であって、前記第2の半導体ダイが取り付けられている構成要素と、前記第2のボンディングパッドと相互に拡散する連続ワイヤであって、前記第2の半導体ダイの前記第2のダイボンディングパッドを、前記第1の半導体ダイの前記第1のダイボンディングパッドと前記構成要素の前記電気接点とに電気的に接続する連続ワイヤと、を含む、半導体デバイス。前記構成要素が基板であり、前記電気接点が接点パッドである、請求項12に記載の半導体デバイス。前記基板は、プリント回路基板PCB、リードフレームおよびテープ自動ボンディングTABテープを含む、請求項13に記載の半導体デバイス。前記構成要素は第3の半導体ダイであり、前記電気接点が第3のダイボンディングパッドである、請求項12に記載の半導体デバイス。前記連続ワイヤは、前記第3のダイボンディングパッドと相互に拡散している、請求項15に記載の半導体デバイス。前記連続ワイヤが、前記第2のダイボンディングパッドを前記第1のダイボンディングパッドと電気的に接続するための第1の部分と、前記第2のダイボンディングパッドと接触し、前記第2のダイボンディングパッドと相互に拡散する接点部と、前記第2のダイボンディングパッドを前記電気接点と電気的に接続するための第2の部分と、を有する、請求項12に記載の半導体デバイス。前記ワイヤの前記接点部は、実質的に均一な厚さを備えた平坦な形状を有し、前記ワイヤの前記第1および前記第2の部分は、前記接点部の厚さより大きい直径を備えた線形状を有する、請求項17に記載の半導体デバイス。前記ワイヤの前記第1の部分および前記第2の部分の直径が、約12.7μm~約38.1μmの範囲にある、請求項18に記載の半導体デバイス。前記ワイヤの前記接点部の前記厚さが5ミクロン以上である、請求項18に記載の半導体デバイス。前記ワイヤの前記第1の部分が、前記第2のボンディングパッドと平行な基準面に対して約30°~70°の角度を有し、前記ワイヤの前記第2の部分が、前記基準面に対して約45°~90°の角度を有する、請求項18に記載の半導体デバイス。前記基準面上の前記ワイヤの前記第1の部分の突出部と、前記基準面上の前記ワイヤの前記第2の部分の突出部とが一直線に沿って存在していない、請求項21に記載の半導体デバイス。前記ワイヤの前記接点部が、前記基準面内で実質的に円の形状を有する、請求項21に記載の半導体デバイス。連続ワイヤを送る中央空洞を備えるワイヤボンディング装置によって加えられた力で、ボンディングパッドの頂面に対して前記ワイヤを押圧するステップと、高い温度で前記連続ワイヤを前記ボンディングパッドの前記頂面と相互に拡散させることによって、前記ボンディングパッドを、第1の電気接点と、前記第1の電気接点と異なる第2の電気接点とに電気的に接続するステップと、を備える、ワイヤボンディング構造を形成する方法。前記力が約15~35グラム重量である、請求項24に記載の方法。前記温度が約140~175°Cである、請求項24に記載の方法。前記連続ワイヤを前記ボンディングパッドの前記頂面と相互に拡散させる前記ステップ中に、約60~100mWのパワーの超音波エネルギーを印加する、請求項24に記載の方法。前記連続ワイヤを前記ボンディングパッドの前記頂面と相互に拡散させる前記ステップが、約80~200ミリ秒を要する、請求項24に記載の方法。ボンディングパッドの頂面に対して連続ワイヤを押圧する前記ステップ中に、前記ワイヤボンディング装置が前記ボンディングパッドの前記頂面に接触しない、請求項24に記載の方法。頂部半導体ダイ、および、前記頂部半導体ダイと前記基板との間の1つまたは複数の中間半導体ダイを含んだ半導体ダイ群を、基板に取り付けるステップと、前記半導体ダイ群内の半導体ダイの各々はダイボンディングパッドを含んでおり、前記基板は接点パッドを含んでおり、連続ワイヤを送る中央空洞を含むワイヤボンディング装置によって加えられた力で、前記1つまたは複数の中間半導体ダイのボンディングパッドの頂面に対して前記ワイヤを押圧し、続いて高い温度で前記連続ワイヤを前記ダイボンディングパッドの前記頂面上で相互に拡散させることにより、前記頂部半導体ダイの前記ダイボンディングパッドを、前記1つまたは複数の中間半導体ダイの前記ダイボンディングパッドの前記頂面、および、前記基板の前記接点パッドに電気的に接続するステップと、を備える、半導体デバイスを製造する方法。前記力が約15~35グラム重量である、請求項30に記載の方法。前記温度が約140~175°Cである、請求項30に記載の方法。前記連続ワイヤを前記ボンディングパッドの前記頂面と相互に拡散させる前記ステップ中に、約60~100mWのパワーの超音波エネルギーを印加する、請求項30に記載の方法。前記連続ワイヤを前記ボンディングパッドの前記頂面と相互に拡散させる前記ステップが、約80~200ミリ秒を要する、請求項30に記載の方法。ボンディングパッドの頂面に対して連続ワイヤを押圧する前記ステップ中に、前記ワイヤボンディング装置が前記ボンディングパッドの前記頂面に接触しない、請求項30に記載の方法。ここで図1~図6を参照して、ウォータフォールワイヤボンディング構造と、ウォータフォールワイヤボンディング構造を有する半導体デバイスと、ウォータフォールワイヤボンディング構造を有する半導体デバイスを製造する方法と、に関する実施形態について記載する。本技術は、様々な形態で具体化してもよく、本明細書で述べる実施形態に限定されるものとして解釈すべきでないことが理解されよう。むしろ、この開示が徹底的かつ完全であり、当業者に本技術が十分に伝わるように、これらの実施形態は提示されている。実際に本技術は、これらの実施形態の代替物、修正物および等価物をカバーするように意図されており、それらは添付の特許請求の範囲によって定義されるような本発明の範囲および精神に含まれる。さらに、本技術の以下の詳細な説明では、本技術を完全に理解するために多くの具体的な詳細を記載する。しかしながら、本技術はそのような特定の詳細を備えずに実行してもよいことは、当業者にとって明らかであろう。本明細書で使用し得るような頂部、底部、上部、下部、鉛直および/または水平の用語は、便宜および例示の目的のみのためのものであり、当該用語は位置を交換できるため、本技術の記述を限定することを意味しない。図1A、1Bおよび1Cはそれぞれ、本技術の実施形態によるワイヤボンディング構造100の概略的な側面図、概略的な上面図、および概略的な斜視図である。ワイヤボンディング構造100は、構成要素102を含んでいる。構成要素102は、その上に形成されたボンディングパッド104と、ボンディングパッド104の頂部にボンディングされた連続ワイヤ110と、を備えている。構成要素102は、半導体ダイまたは基板であってもよい。したがって、ボンディングパッド104は、半導体ダイ上の半導体ダイボンディングパッド、または、基板上の接点パッドであってもよい。図1Aに示したように、ボンディングパッド104の表面は、構成要素102へ窪ませることができる。あるいは、ボンディングパッド104の表面を、構成要素102の表面と実質的に同一平面上に存在させることができる。基板は、プリント回路基板PCB、リードフレームおよびテープ自動ボンディングTABテープを備えていてもよい。ボンディングパッド104は、金または、アルミニウムもしくは金メッキアルミニウムを含む。図1Aに示したように、連続ワイヤ110は、第1の部分112、第2の部分114および接点部116に分割し得る。第1の部分112は、ボンディングパッド104を第1の電気接点図示せずと接続するために使用される。第2の部分114は、ボンディングパッド104を第2の電気接点図示せずと接続するために使用される。第1の電気接点および第2の電気接点は、隣接した半導体ダイのダイボンディングパッド、基板の接点パッド、または、前に形成されたボンディング構造であってもよい。図1Aに示したように、ワイヤ110の第1の部分112および第2の部分114は、均一な直径を備えた実質的に円形の断面を有し、直径は約12.7μm~約38.1μmの範囲にあってもよい。例えば、ワイヤ110の第1の部分112および第2の部分114の直径は、約12.7μm、約15.2μm、約17.8μm、約20.3μm、約22.9μm、約25.4μm、約27.9μm、約30.5μm、約33.0μm、約35.6μmまたは約35.6μmであってもよい。第1の部分112と第2の部分114との間のワイヤ110の接点部116は、ボンディングパッド104と相互に拡散されている。これにより接点部116は、ボンディングパッド104の頂部に接合されている。接点部116は、実質的に均一な厚さを備えた平坦な形状を有する。接点部116の厚さは、第1の部分112および第2の部分114の直径より小さい。しかしながら、ワイヤ110とボンディングパッド104との間のボンディング強度を向上させるため、および、接点部116と、第1の部分112および第2の部分114との間の応力集中によって起こるひび割れなどの欠陥のリスクを減らすために、ワイヤ110の接点部116の厚さを十分に大きくしておくことが必要である。例えば、ワイヤ110の接点部116の厚さは、5ミクロン以上である。接点部116は、ボンディングパッド104の表面と平行な基準面A上に、実質的に円の形状を有していてもよい。基準面Aは、図1Aに示した水平面である。基準面A上の接点部116の直径は、ボンディングパッド104のボンディングパッド開口部BPO寸法、および、接点部116を形成するためのプロセスパラメータに依存する。この場合、接点部116の直径は、第1の部分112と第2の部分114の直径の約1.2~2倍の範囲にある。あるいは、接点部116はまた、基準面A上の楕円形状などの他の幾何形状を有することができる。ワイヤ110の第1の部分112は、ボンディングパッド104と平行な基準面Aに対して30°~70°の傾斜角θを有する。第2の部分114は、基準面Aに対して45°~90°の傾斜角φを有する。この場合、図1Bに示したように、第1の部分112と接点部116との間でワイヤ110が曲げられるとともに、接点部116と第2の部分114との間でワイヤ110が曲げられる。さらに、ワイヤ110の第1の部分112と、ワイヤ110の第2の部分114とは、同じ方向に整列している。すなわち、基準面A上のワイヤ110の第1の部分112の突出部と、基準面A上のワイヤ110の第2の部分114の突出部とは、一直線に沿って存在していることがわかる。あるいは、ワイヤ110の第1の部分112およびワイヤ110の第2の部分114は、異なる方向に整列させることができる。例えば、基準面A上のワイヤ110の第2の部分114の突出部は、基準面A上のワイヤ110の第1の部分112の突出部に対して、45°以下の傾斜角αを有することができる。ワイヤ110は、金線、銅線、パラジウム線、パラジウムメッキ銅線または銀系合金線であってもよい。ワイヤ110とボンディングパッド104との間のボンディング強度を向上させることができるように、ワイヤ110は、ボンディングパッドのボンディング面用の材料と同じ材料を含むことが好ましい。例えば、ワイヤ110が金線である場合、ボンディングパッド104は金または金メッキアルミニウムが好ましい。ワイヤボンディング構造100に関するさらなる詳細について、ウォータフォールワイヤボンディング工程を参照して、以下に記述する。図2A~2Eは、本技術の一実施形態による、図1Aに示したワイヤボンディング構造100を形成するためのウォータフォールワイヤボンディング工程を示す概略的な側面図である。図2Aは、キャピラリ120として知られている、ウォータフォールワイヤボンディング工程で使用するワイヤボンディング装置を示す。キャピラリ120は、針のような形状を有している。キャピラリ120は、例えば円形断面形状などを有するプロファイルドニードルヘッド122aprofiledneedlehead122と、連続ワイヤ110を送るための中央空洞124と、を備えている。連続ワイヤ110は、ウォータフォールワイヤボンディング工程中、キャピラリ120を通って送られる。キャピラリ120はまた、電流および超音波エネルギーを加えるためのトランスデューサ図示せずを備えていてもよい。図2Bに示したように、ボンディングパッド104は構成要素102上に配置されている。これは以下のように実現することができる。構成要素102の表面をマスクしてエッチングすることで、ボンディングパッド104の位置を画定する窪みを形成する。次いで、金またはアルミニウムなどの導体材料をコーティング工程によって窪みへ配置することで、構成要素102の表面より低い頂面を有するボンディングパッド104、または、構成要素102の表面と実質的に同一平面の頂面を有するボンディングパッド104を形成する。次に、図2Cに示したように、連続ワイヤ110を運ぶキャピラリ120は、ボンディングパッド上に配置した電気バンプ上にワイヤをボンディングするワイヤボンディング工程と比べて、基準面Aに対して比較的大きい角度で、ボンディングパッド104の表面に近づく。従って、キャピラリ120によって変形されていない前の第1の電気接点図示せずと接続しているワイヤ110の第1の部分112は、ボンディングパッド104と平行な基準面Aに対して、比較的大きい角度θを有する。ボンディングパッド104の表面が構成要素102の表面より低い場合、そのような大きい進入角により、ワイヤ110と、ボンディングパッド104を形成するための窪みの上部コーナー部の構成要素102と、の間が接触してしまうことが避けられる。ボンディングパッド102に対する第1の部分102の角度θは、約30°~70°が好ましい。図2Dに示したように、次いでキャピラリ120がさらに下げられ、高い温度で力および超音波エネルギーを加えることによって、プロファイルドニードルヘッド122を用いて、ボンディングパッド104の頂面に対してワイヤ110を押圧する。ワイヤボンディング工程の温度は、好ましくは約140°C~175°Cの範囲、より好ましくは約160°Cである。そのような低い加工温度のために、溶融温度が1000°Cを超える金線、銅線、パラジウム線、パラジウムメッキ銅線または銀系合金などのワイヤ110は全て、ウォータフォールワイヤボンディング工程中に溶融しない。むしろ、力、熱および超音波エネルギーの組合せによってワイヤ110が変形され、これにより、ワイヤ110の接点部116とボンディングパッド104の表面との中の材料が相互に拡散することによって、電気的ならびに物理的なボンディングが形成される。その結果、接点部116は、ボンディングパッド104に垂直で実質的に均一な厚さを有し、その厚さはワイヤ110の第1の部分112および第2の部分114の直径より小さい。ボンディングパッド104に対するワイヤ110の進入角が比較的大きいため、キャピラリ120のプロファイルドニードルヘッド122によって加えられる力は、ボンディングパッド104に垂直な方向に主成分を有する。この場合、ボンディングを促進するために有効な力を増加させることができる。従って、ウォータフォールワイヤボンディング工程に使用する全体の力をより小さくすることができる。また、ボンディングパッド104への潜在的な損傷を回避することができるとともに、ボンディングパッド104に作用する過度の力によって起こるボンディングパッド104上のへこみ、またはひび割れなどの欠陥のリスクを減らすことができる。さもなければ、ウォータフォールボンディング工程中では、ボンディングパッド104上に導電性バンプを配置することなく、ワイヤ110をボンディングパッド104に直接ボンディングするため、上記の問題は重要になるかもしれない。力は、好ましくは約15~35グラム重量gramforceの範囲であり、より好ましくは約20グラム重量である。比較すると、従来のボンディング工程中に加えられる力は、40グラム重量を超えることがある。さらに、進入角が大きいことによって、キャピラリ120によって引き起こされる応力をボンディングパッド104のボンディング面にわたってより均一に分散させることができるように、キャピラリ120のニードルヘッド122の断面形状に対応するとともに略円形状を有する接点部116を、基準面A上に作ることができる。基準面A上の接点部116の直径は、ボンディングパッド104のボンディングパッド開口部BPO寸法および、力、超音波エネルギーなどの接点部116を形成するためのプロセスパラメータに依存する。この場合、接点部116の直径は、ワイヤ110の直径の約1.2~2倍の間の範囲にある。さらに、ステッチボンド工程と異なり、キャピラリ120のニードルヘッド122は、ボンディングパッド104の表面に接触しない。したがって、ワイヤ110はウォータフォールワイヤボンディング工程全体にわたって連続性を維持する。すなわち、ワイヤ110は、ボンディング工程中、キャピラリ120によって加えられる力によって破損したり、完全に切断されたりすることなく、連続的な形状を維持する。キャピラリ120のトランスデューサ図示せずによって加える超音波エネルギーは、好ましくは60~100mWの範囲、より好ましくは約80mWである。超音波エネルギーは、ワイヤ110およびボンディングパッド104の中の材料の移動性を向上させるために加えられる。その結果、ウォータフォールワイヤボンディング工程において、導電性バンプがなく、小さいボンディング力であっても確実なボンディング強度を達成することができる。ウォータフォールボンディング工程中では、従来のボールボンディングまたはステッチボンディング工程と比べて、キャピラリ120はわずかに遅く移動してもよいことが理解されよう。例えば、キャピラリ120は、従来のボールボンディングまたはステッチボンディング工程で用いる速度に対して、0.8~1の速度で移動し得る。ワイヤボンディング工程の処理能力と信頼性とのバランスを取るために、ボンディング工程では、各ワイヤボンディング構造100を形成するために約80~200ミリ秒、好ましくは約100ミリ秒かかることがある。図2Eに示したように、ワイヤボンディング構造100を形成した後、キャピラリ120は、比較的大きい角度でボンディングパッド104の表面から離れる。これにより、ワイヤ110が、上記のようなボンディングパッド104のための構成要素102における窪みのコーナー部に、再度接触しないようにする。この場合、第2の電気接点図示せずと接続するワイヤ110の第2の部分114もまた、キャピラリによって変形されないように、ボンディングパッド104と平行な基準面Aに対して約45°~90°の角度φを有することが好ましい。上記のような、本技術によるワイヤボンディング構造およびウォータフォールワイヤボンディング工程は、半導体デバイス中の異なる構成要素を電気的に接続するために、様々な半導体デバイスに適用することができる。このことについて、以下に例を用いてさらに説明する。図3は、本技術によるウォータフォールワイヤボンディング工程で電気的に接続した2つの半導体ダイおよび1つの基板を含んでいる、半導体デバイス200を示す斜視図である。図3に示したように、半導体デバイス200は、第1の半導体ダイ210と、第2の半導体ダイ220と、基板230とを含んでいる。第1の半導体ダイ210は、複数の第1のダイボンディングパッド214を備えている。第2の半導体220は、複数の第2のダイボンディングパッド224を備えている。基板230は、複数の接点パッド234を備えている。第1の半導体ダイ210の第1のダイボンディングパッド214、第2の半導体ダイ220の第2のダイボンディングパッド224、および基板230の接点パッド234が露出するように、第1の半導体ダイ210と第2の半導体ダイ220と基板230とは順番に積み重ねられて、オフセット構造になる。第2の半導体ダイ220は、本技術によるウォータフォールワイヤボンディング工程によって、第1の半導体ダイ210および基板230に電気的に接続される。図1A~1Cに示したようなワイヤボンディング構造が、複数の第2のダイボンディングパッド224の各々に形成される。その結果、連続ワイヤ240が、滝のように、第1の半導体ダイ210から直列的に降りてくる。そして、複数のボンディングパッド224と相互に拡散される。そして、対応する第1のダイボンディングパッド214、第2のダイボンディングパッド224および接点パッド234が、接続される。したがって、このボンディング工程はウォータフォールワイヤボンディングと名づけられる。図3に示したものよりさらに多くのボンディングパッド214および224、接点パッド234、およびボンディングワイヤ240が存在してもよいことが理解されよう。半導体デバイス200に関するさらなる詳細について、図4A~4Eに示した半導体デバイス200を電気的に接続するためのウォータフォールワイヤボンディング工程を参照して、記述する。まず、図4Aに示すように、金線、銅線、パラジウム線、パラジウムメッキ銅線または銀ベース合金線などのボンディングワイヤの材料からなるボールが、ワイヤボンディング装置の基準位置にあるキャピラリ120の先端に形成される。次に、図4Bに示すように、キャピラリ120は、第1の半導体ダイ210の第1のダイボンディングパッド214まで移動し、ボールボンドを行う。具体的には、キャピラリ120が下降し、第1のダイボンディングパッド214に対してボールを押圧する一方で、超音波エネルギーがキャピラリ120のトランスデューサによって加えられる。また第1のダイボンディングパッド214は加熱され、ボンディングが促進される。熱、圧力および超音波エネルギーを組み合わせることにより、ボールおよび第1のダイボンディングパッド214がボンディングされる。次いで、キャピラリ120が上昇して第1のダイボンディングパッド214から離れるに従って、ワイヤ240がキャピラリ120を通って排出される。図4Cに示したように、キャピラリ120は、第2のダイボンディングパッド224まで移動し、前述したようなウォータフォールワイヤボンディング工程を行う。ウォータフォールワイヤボンディング工程の進入角が大きいために、曲がったワイヤ240のループ高さH、すなわち、ボンディングパッド224と曲がったワイヤ240の最高点との間の鉛直距離は、半導体ダイの厚さが1~6ミクロンである場合には75ミクロン以上である。ワイヤ240がダイ210と接触するリスクを減らすために、曲がったワイヤ240は、少なくとも、ワイヤ240の直径より大きい半導体ダイ210からのクリアランスを有する必要がある。次に、図4Dに示すように、キャピラリ120は連続的にワイヤ240を繰り出し、基板230の接点パッド234まで移動する。次いで、図4Eに示すように、キャピラリ120は、接点パッド234上にワイヤ240をステッチボンドによって直接ボンディングする。上記のようなウォータフォールワイヤボンディングによって、一列のダイボンディングパッドと接点パッドとを電気的に接続した後、キャピラリ120は、隣接した列のダイボンディングパッドおよび接点パッドに対して、頂部半導体ダイ210から基板230へ滝のように落ちて行く同様の態様で、ウォータフォールボンディングを行うことができる。上記ウォータフォールワイヤボンディング工程は、図3の斜視図に示したような半導体デバイス200における半導体ダイ210および220のダイボンディングパッド、ならびに基板230の接点パッドの全てに対して、繰り返し実行することができる。あるいは、キャピラリ120は、隣接した列のダイボンディングパッドおよび接点パッドに対して、底部基板230から始まり、頂部半導体ダイ210までの逆方向にウォータフォールボンディングを行うことができる。さらに、本技術によるウォータフォールワイヤボンディング工程を逆方向に適用して、すべての接点パッドおよびダイボンディングパッドに対して、下部基板から上部半導体ダイまでワイヤボンディングを連続して形成してもよいことが分かる。半導体ダイのボンディングパッドの隣接した列におけるボンディングシーケンスはまた、特定の構造に応じて調整することができる。一列のダイボンディングパッドおよび接点パッドを電気的に接続する間、ワイヤ240が基板上の接点パッドまたは頂部半導体ダイ上のダイボンディングパッドなどの最後の構成要素をボンディングシーケンスでボンディングするまで、ワイヤ240は切断されないことが分かる。図3に示した半導体デバイス200中のワイヤ240は、上記ウォータフォールワイヤボンディング工程中、一直線に沿っている。しかし、ワイヤはまた、ウォータフォールワイヤボンディング中、あるボンディング構造から別のボンディング構造へ方向を変更することができる。図5は、本技術によるウォータフォールワイヤボンディング工程を用いて電気的に接続された2つの半導体ダイ310、320および基板330を含む、半導体デバイス300を示す斜視図である。図5に示したように、連続ワイヤ340は、第1の半導体ダイ310の左から1番目のボンディングパッド314を、第2の半導体ダイ320の左から1番目のボンディングパッド324に接続する。次いで、第2の半導体ダイ320の左から前記1番目のボンディングパッド324を、基板330の左から2番目の接触パッド334に接続することにより、方向を変更する。ウォータフォールボンディング工程中に方向を変更できる能力によって、ワイヤレイアウト設計に柔軟性を与えることができる。上記ウォータフォールワイヤボンディング工程はまた、3つ以上の半導体ダイを含む半導体デバイスに適用することができる。例えば、図6は、本技術によるウォータフォールワイヤボンディング工程で電気的に接続した3つの半導体ダイ410、420および430ならびに基板440を有する、半導体デバイス400を示す斜視図である。図6に示すように、連続ワイヤ450を、第2の半導体ダイ420の第2のダイボンディングパッド424と、第3の半導体ダイ430の第3のボンディングパッド434との上に、それぞれボンディングする。半導体デバイスは、他の数の半導体ダイを含んでもよいことが理解されよう。本技術によるウォータフォールワイヤボンディングを使用して半導体デバイスを複数の半導体ダイと電気的に接続すると、従来のボールボンドおよびステッチボンドを使用するワイヤボンディング工程と比較して、必要とするステップおよび製造時間が少なくなる。例えば、ボールボンドまたはステッチボンドを使用する従来のワイヤボンディング工程では、キャピラリは、ワイヤボンディングを行った後に毎回、ワイヤを切断して基準点に戻る。対照的にウォータフォールワイヤボンディングでは、ワイヤを切断したり、キャピラリをワイヤボンディング装置の基準位置へ往復させたりすることなく、連続ワイヤを用いた連続的なワイヤボンディングが、キャピラリによって連続的に行われる。したがって、キャピラリの動きを減らすことによって、製造時間が節約される。さらに、ウォータフォールワイヤボンディング中、ボンディングパッド上に導電性バンプが配置されないため、コストおよび製造時間が節約できる。例えば、2-ダイスタック2diestack、4-ダイスタック4diestack、8-ダイスタック8diestackおよび16-ダイスタック16diestackを有する半導体デバイスに対して、UPH1時間当たりの生産数は、それぞれ22~40、40~55、52~61および59~64改善することができる。上記実施形態では、それぞれの半導体ダイ上の対応するダイボンディングパッド間で、ワイヤボンディングが行われる。本明細書で使用する、異なる半導体ダイ上の対応するダイボンディングパッドとは、ダイボンディングパッドを含むダイの端部に沿って互いに整列している、異なる半導体ダイ上のダイボンディングパッドをいう。従って、図6の斜視図から分かるように、ダイ410、420および430のそれぞれの上にある1番目左端のダイパッドが互いに対応し、一緒にワイヤボンディングされる。また、半導体ダイ410、420および430それぞれの上にある左から2番目のダイパッドが互いに対応し、一緒にワイヤボンディングされる。しかしながら、さらなる実施形態では、上記ウォータフォールワイヤボンディングステップは、それぞれのダイ上の対角線上に配向したダイボンディングパッド間で行ってもよい。例えば図6では、ダイ410の左端のダイボンディングパッドは、上記のステップに従って、ダイ420上の左から2番目のダイパッドにワイヤボンディングしてもよい。さらに、ボンディングワイヤは、ウォータフォールワイヤボンディング工程中、必ずしも同じ方向に沿わず、例えばジグザグコースを進むことによって方向を変更することができる。さらに、上記実施形態は隣接するダイ間のワイヤボンディングを示しているが、本技術は、互いに隣接していないダイ上のダイボンディングパッド間のワイヤボンディングを形成するために使用してもよいことが理解される。そのようなワイヤボンディングは、隣接しないダイ上の対応するダイボンディングパッド間、または隣接しないダイ上の対角線上のダイボンディングパッド間に形成してもよい。一側面において、本技術は、半導体デバイスのワイヤボンディング構造に関する。ワイヤボンディング構造は、ボンディングパッドを備える。またワイヤボンディング構造は、ボンディングパッドと相互に拡散する連続ワイヤであって、ボンディングパッドを、第1の電気接点と、第1の電気接点と異なる第2の電気接点とに電気的に接続する連続ワイヤを備える。実施形態では、連続ワイヤは、ボンディングパッドを第1の電気接点と電気的に接続するための第1の部分と、ボンディングパッドと接触し、ボンディングパッドと相互に拡散する接点部と、ボンディングパッドを第2の電気接点と電気的に接続するための第2の部分とを有する。ワイヤの接点部は、厚さが実質的に均一な平坦な形状を有している。ワイヤの第1および第2の部分は、直径が接点部の厚さより大きい線形状を有する。実施形態では、ワイヤの第1の部分および第2の部分の直径は、約12.7μm~約38.1μmの範囲にある。ワイヤの接点部の厚さは5ミクロン以上である。ワイヤの第1の部分は、ボンディングパッドと平行な基準面に対して約30°~70°の角度を有している。ワイヤの第2の部分は、基準面に対して約45°~90°の角度を有する。基準面上のワイヤの第1の部分の突出部および基準面上のワイヤの第2の部分の突出部は、一直線に沿って存在していない。ワイヤの接点部は、基準面内に実質的に円の断面形状を有する。実施形態では、ボンディングパッドは金またはアルミニウムを含む。ワイヤは、金線、銅線、パラジウム線、パラジウムメッキ銅線または銀ベース合金線を含む。第1および第2の電気接点は、ダイボンディングパッド、接点パッド、導電性バンプまたはボンディングワイヤを含む。他の側面において、本技術は、半導体デバイスに関する。デバイスは、第1のダイボンディングパッドを含む第1の半導体ダイと、第2のダイボンディングパッドを含む第2の半導体ダイであって、第1の半導体ダイが取り付けられている第2の半導体ダイと、電気接点を含む構成要素であって、第2の半導体ダイが取り付けられている構成要素と、第2のダイボンディングパッドと相互に拡散する連続ワイヤであって、第2の半導体ダイの第2のダイボンディングパッドを、第1の半導体ダイの第1のダイボンディングパッドと構成要素の電気接点とに電気的に接続する連続ワイヤと、を含んでいる。実施形態では、構成要素は基板である場合があり、電気接点は接点パッドである。基板はプリント回路基板PCB、リードフレームおよびテープ自動ボンディングTABテープを含む。あるいは、構成要素は第3の半導体ダイである場合があり、電気接点は第3のダイボンディングパッドである。連続ワイヤは、第3のダイボンディングパッドと相互に拡散する。連続ワイヤは、第2のボンディングパッドを第1のダイボンディングパッドと電気的に接続するための第1の部分と、第2のダイボンディングパッドと接触し、第2のボンディングパッドと相互に拡散する接点部と、第2のダイボンディングパッドを電気接点と電気的に接続するための第2の部分とを有する。ワイヤの接点部は、厚さが実質的に均一で平坦な形状を有し、ワイヤの第1および第2の部分は、直径が接点部の厚さより大きい線形状を有する。実施形態では、ワイヤの第1の部分および第2の部分の直径は、約12.7μm~約38.1μmの範囲にある。ワイヤの接点部の厚さは5ミクロン以上である。ワイヤの第1の部分は、第2のボンディングパッドと平行な基準面に対して約30°~70°の角度を有し、ワイヤの第2の部分は、基準面に対して約45°~90°の角度を有する。基準面上のワイヤの第1の部分の突出部および基準面上のワイヤの第2の部分の突出部は、一直線に沿って存在していない。ワイヤの接点部は、基準面内に実質的に円の断面形状を有する。さらに他の側面において、本技術は、半導体デバイスのボンディングパッド上にワイヤボンディング構造を形成する方法に関する。方法は、連続ワイヤを送る中央空洞を備えるワイヤボンディング装置によって加えられた力で、ボンディングパッドの頂面に対してワイヤを押圧するステップと、高い温度で連続ワイヤをボンディングパッドの頂面と相互に拡散させることによって、ボンディングパッドを、第1の電気接点と、第1の電気接点と異なる第2の電気接点とに電気的に接続するステップと、を備える。実施形態では、力は約15~35グラム重量である。温度は約140~175°Cである。連続ワイヤをボンディングパッドの頂面と相互に拡散させる前記ステップの間、約60~100mWの力を備えた超音波エネルギーを加える。連続ワイヤをボンディングパッドの頂面と相互に拡散させる前記ステップは、約80~200ミリ秒かかる。ボンディングパッドの頂面に対して連続ワイヤを押圧する前記ステップの間、ワイヤボンディング装置は、ボンディングパッドの頂面に接触しない。さらに他の側面において、本技術は、半導体デバイスを製造する方法に関する。方法は、頂部半導体ダイ、および、頂部半導体ダイと基板との間の1つまたは複数の中間半導体ダイを含んだ半導体ダイ群を、基板に取り付けるステップを備える。半導体ダイ群内の半導体ダイの各々はダイボンディングパッドを含んでいる。基板は接点パッドを含んでいる。また方法は、連続ワイヤを送る中央空洞を含むワイヤボンディング装置によって加えられた力で、1つまたは複数の中間半導体ダイのボンディングパッドの頂面に対してワイヤを押圧し、続いて高い温度で連続ワイヤをダイボンディングパッドの頂面上で相互に拡散させることにより、頂部半導体ダイのダイボンディングパッドを、1つまたは複数の中間半導体ダイのダイボンディングパッドの頂面、および、基板の接点パッドに電気的に接続するステップを備える。本発明に関する前述の詳細な説明は、例示と説明を目的として提示してきた。この説明は本発明を網羅することを意図するものでなく、また本発明を開示した厳密な形態に限定することを意図するものではない。上記の教示を考慮すれば、多くの修正および変更が可能である。記載した実施形態は、本発明の原理およびその実際の応用を最もよく説明し、それにより考えられる特定の用途に適した様々な実施形態において、および様々な修正形態で当業者が本発明を最もよく利用できるようにするために選択した。本発明の範囲は、本明細書に添付の特許請求の範囲によって定義されることが意図される。