透光性絶縁基板上に形成された薄膜太陽電池、封止材料、裏面保護材をこの順で含む薄膜太陽電池モジュールであって、前記透光性絶縁基板は、前記薄膜太陽電池が形成されていない面に識別表示部を有し、前記薄膜太陽電池が形成されている面には、識別表示は有さない薄膜太陽電池モジュール。前記透光性絶縁基板は、厚さ2mm以上のガラス基板である請求項1に記載の薄膜太陽電池モジュール。前記識別表示部は、前記薄膜太陽電池の発電領域にある請求項1または2に記載の薄膜太陽電池モジュール。前記識別表示部は、少なくとも第1レーザスクライブ工程と、半導体層形成工程と、第2レーザスクライブ工程と、裏面電極層形成工程と、第3レーザスクライブ工程を含む薄膜太陽電池形成工程の情報を有する請求項1から3のいずれかに記載の薄膜太陽電池モジュール。しかしながら、特許文献1に開示された方法では、工程の段階に応じて、2種類のマークを用いているため、読み取り装置を用いて第1のマークの情報を読み取り、第2のマークとして付与する工程が必要となるという問題があった。また、特許文献1に開示された方法では、封止工程以降の管理を行う第2のマークが太陽電池の裏面側に付されているため、太陽電池モジュールの製造工程における作業時に太陽電池モジュールを裏返す場合があった。さらに、近年、薄膜太陽電池モジュールを設置した後のメンテナンスを含む管理が求められている。特許文献1に開示された方法では、屋外に設置した後にマークを確認するためには、設置台から取り外して裏面側を確認しなければならないという問題があった。本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は薄膜太陽電池モジュールの製造、設置後のメンテナンスまで一貫して、簡便に管理を行うことが可能な薄膜太陽電池モジュールを実現することにある。本発明に係る薄膜太陽電池モジュールであって、透光性絶縁基板上に形成された薄膜太陽電池、封止材料、裏面保護材をこの順で含む薄膜太陽電池モジュールであって、透光性絶縁基板は、薄膜太陽電池が形成されていない面に識別表示部を有し、薄膜太陽電池が形成されている面には、識別表示は有さないことを特徴としている。本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの透光性絶縁基板は、厚さ2mm以上のガラス基板であることを特徴としている。本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの識別表示部は、前記薄膜太陽電池の発電領域にあることを特徴としている。本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの識別表示部は、少なくとも第1レーザスクライブ工程と、半導体層形成工程と、第2レーザスクライブ工程と、裏面電極層形成工程と、第3レーザスクライブ工程を含む薄膜太陽電池形成工程の情報を有することを特徴としている。本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを用いることにより、薄膜太陽電池の製造、薄膜太陽電池モジュールの製造、設置後のメンテナンスまで一貫して、簡便に管理を行うことが可能となる。以下に、本発明の薄膜太陽電池について説明する。図1及び図2に、本発明の薄膜太陽電池の概略図を示す。図1は光入射側からみた平面図であり、図2は、図1に示したA―A ́面での断面図である。図1に示すように、本発明の薄膜太陽電池は、透光性絶縁基板1上に集積型の薄膜太陽電池100が形成されており、透光性絶縁基板1の光入射面に、ただ1つの識別表示部7を有している。薄膜太陽電池100を形成する面は、透光性絶縁基板1の光入射面の逆側である。以下、透光性絶縁基板の光入射面を透光性絶縁基板の表面、薄膜太陽電池を形成する面を透光性絶縁基板の裏面とする。図2に、図1に示したA―A ́における断面図を示す。透光性絶縁基板1上に、透明導電膜からなる透明電極層2、半導体層3、裏面電極層4をこの順に積層している。光は、透光性絶縁基板1側から、入射する。各層を分離することで複数の薄膜太陽電池セル200を形成した。隣接する薄膜太陽電池セル200において、一方の透明電極層2と他方の裏面電極層4を互いに電気的に接続することで、複数の薄膜太陽電池セル200が直列に接続された高電圧高出力の集積型の薄膜太陽電池100を構成している。さらに、薄膜太陽電池100には、発電した電力をとりだすために、一端に正極端子部5を形成し、他端に負極端子部6を形成した。透光性絶縁基板1の表面に、ただ1つの識別表示部7を有している。尚、本発明においては、発電が可能な領域を発電領域とした。発電領域は、薄膜太陽電池セルと電気的につながった領域であり、図2で示す薄膜太陽電池100の領域である。図3に、図1、2で示した薄膜太陽電池の形成工程のフロー図を示す。本願において、薄膜太陽電池の形成工程とは、少なくとも、半導体層形成工程、裏面電極層形成工程を含む工程をさす。まず、透明電極層形成工程S1Sはステップを表す。以下同様で、透光性絶縁基板1上に透明電極層2を形成した。透光性絶縁基板1として、厚さ4mmのガラス基板を用い、透明電極層2として、膜厚約約600nmのSnO2酸化スズを熱CVD法で形成した。SnO2酸化スズ表面には、山と谷の高さの差が約350~550nmの微細な凹凸を形成した。透明電極層2の表面に微小な凹凸を形成することで、入射光の半導体層中での光路長を伸ばし、半導体層における吸収量を増やすためである。透光性絶縁基板1としては、ポリイミド等の透過性の高い耐熱性樹脂基板を用いても良い。透明電極層2としては、たとえば、ZnO酸化亜鉛、ITOIndiumTinOxideからなる層を用いることもできる。製膜方法としては、蒸着法、スパッタリング法、熱CVD法などが用いることができる。透明電極層2には、光の透過性と、シート抵抗のバランスが要求される。透過性が低い場合は十分な短絡電流値が得られなくなり、シート抵抗が高い場合は薄膜太陽電池デバイスを直列接続する場合の抵抗成分となる。よって、必要に応じて、透明電極層2を形成した後に、透明電極層の膜特性を測定することが望ましい。膜特性を測定することにより、特性が十分得られていない透明電極層2を、以降の工程にまわさないことが可能となる。また、透光性絶縁基板上に透明電極層が形成された状態で工程に搬入する場合も同様に、透明電極層の膜特性を測定することが望ましい。受け入れ確認の試験を兼ねることもできる。また、透明電極層形成工程S1は、透光性絶縁基板1上に透明電極層2が形成された状態で工程に搬入し、用いることによって省略してもよい。次に、識別表示部形成工程S2で、透光性絶縁基板1の表面に識別表示部7を形成した。透明電極層2が形成された透光性絶縁基板1上の表面に、転写フィルム材を載置し、レーザを照射することで識別表示部7を形成した。識別表示部7は、この後の工程管理に用いるものである。透明電極層形成工程S1の前ではなく後に工程管理に用いる識別表示部を形成することで、透光性絶縁基板上に透明電極層が形成された状態で工程に搬入する場合と、透明電極層を形成する場合の両方を同じ管理システムで管理することが可能となる。次に、第1レーザスクライブ工程S3で、透明電極層2を分離した。薄膜太陽電池セルを直列接続し集積型の薄膜太陽電池を形成するためには、各薄膜太陽電池セルの透明電極層2、半導体層3、裏面電極層4を分離する必要があるからである。レーザスクライブに用いるレーザ光としては、YAGレーザ光の基本波、第2高調波、YVO4レーザ光の基本波、第2高調波等を用いることができる。レーザを透明電極層2側からあてる場合、第1レーザスクライブを行うライン上に、識別表示部があってもよい。厚さが2mm以上である4mmのガラス基板を用いているので、ガラス基板の厚さによりレーザの焦点がずれレーザパワー密度が小さくなり、識別表示部に傷をつけることはないからである。本実施例においては、第1レーザスクライブ工程S3の後に、透光性絶縁基板を純水で洗浄し、乾燥させた。洗浄した基板を乾燥させる方法としては、エアブロー、加熱乾燥等の方法がとられる。次に、半導体層形成工程S4で、半導体層3を形成した。アモルファスシリコン薄膜からなるp、i、n層が順次積層された構造と微結晶シリコン薄膜からなるp、i、n層が順次積層された構造を組み合わせた、タンデム構造の半導体層3を、プラズマCVD法で製膜した。半導体層3は、アモルファスシリコンからなるp、i、n層、又は微結晶シリコンからなるp、i、n層が順次積層されたシングル構造の半導体層でもよく、p、i、n層が順次積層された構造を3つ組み合わせたトリプル構造の半導体層を用いてもよい。または、p、i、n層が順次積層された構造と構造の間に、ZnO等からなる中間層が挿入されたタンデム構造の半導体層を用いてもよい。あるいは、アモルファスシリコン薄膜からなるp層と、微結晶シリコンからなるi層とn層を組み合わせた構造のように、p、i、n層のうち少なくとも1層をアモルファスシリコンから構成し、残りの層を微結晶シリコンから構成して、p、i、n層にアモルファスシリコンと微結晶シリコンを混在させてもよい。次に、第2レーザスクライブ工程S5で、半導体層3を分離した。この時、レーザ光としては、第1レーザスクライブ工程と同じのものを使うことができる。次に、裏面電極層形成工程S6において裏面電極層4を形成した。裏面電極層4は、Ag、Al、Ti等の金属膜単膜や金属膜の積層膜でもよく、SnO2、ZnO、ITOなどの透明導電膜を半導体層3に接するように形成し、その上に金属膜を形成した透明導電膜と金属膜の積層膜であってもよい。製膜法としては、蒸着法、スパッタリング法等が用いられる。次に、第3レーザスクライブ工程S7で、裏面電極層4と半導体層3を分離した。第3レーザスクライブ工程では、裏面電極層4を分離することが必須であるが、裏面電極層4のみをレーザ光で分離する場合、レーザ条件によっては、裏面電極層4の分離溝直下のレーザ光があたった半導体層3が結晶化し、隣接する薄膜太陽電池デバイス間で短絡が発生することがある。これを防止するために、裏面電極層4と半導体層3をあわせて分離することが望ましい。工程S1から工程S7で、薄膜太陽電池セル200が直列に接続された薄膜太陽電池100が形成される。次に、出力電力の第1の測定工程S8で、薄膜太陽電池100の出力電力を測定した。出力電力を測定し、特性が低ければ、この後の薄膜太陽電池モジュール作成工程以降、この薄膜太陽電池は除外するという判断を行ってもよい。出力特性の測定工程S8は、必ず必要な工程ではないが、生産効率の向上という観点からは、存在するほうが望ましい工程である。識別表示部形成工程S2で説明したように、透明電極層2に傷をつけずに、マーキング部10を形成することができるため、識別表示部を形成した発電領域にある薄膜太陽電池セルにおいても、電圧の低下はみられなかった。S1からS8の工程を管理するために、識別表示部形成工程S2において、透光性絶縁基板1の表面に形成した識別表示を用いた。識別表示部形成工程S2の段階で、識別表示部には、少なくとも基板No.の情報を入れている。基板No以外にも、基板メーカー、基板品種、基板ロットNo、基板品種等の種々の情報を含むことができる。これらの情報は、工程を管理するサーバに保存されている。工程S3より後の工程においては、識別表示部を読み取り、工程を管理するサーバに情報を追加していくことにより、工程管理を行った。読み取りには、CCDカメラ方式を用いた。読み取り方式としては、他にレーザ方式や、CCDラインセンサ方式を用いることができる。各工程で読み取った情報は、サーバに送られ、処理日時、処理系列等の情報が追加されていくことになる。識別表示部は透光性絶縁基板の表面に形成しているため、識別表示部の上に膜が製膜され、識別表示が、工程を重ねるにつれ読み取りにくくなっていくということはなくなった。識別表示部は、工程S1から工程S7までの薄膜太陽電池の形成工程、出力電力の第1の測定工程S8の際に使用するだけでなく、薄膜太陽電池モジュールの製造工程においても、引き続いて用いる。1つの識別表示部で、薄膜太陽電池の製造から、薄膜太陽電池モジュールの製造まで、管理を行うことで、より正確な管理が可能となる。複数の識別表示部で管理を行った場合は、情報のやり取りミスが発生する可能性があるが、1つであればその可能性がないからである。図4を用いて、識別表示部形成工程S2を詳細に説明する。図4aはレーザ照射時の模式図であり、図4bは転写フィルム材を離間したときの模式図である。図4aに示すように、透光性絶縁性基板1の光入射側に転写フィルム材8を載置し、透明電極層2側から、レーザ発振機9から発振されるレーザ光を照射した。転写フィルム材8のレーザ光があたった箇所には、マーキング部10が形成される。転写フィルム材8として、tesaテサソシエタスヨーロピアの登録商標テープの1種であるtesa6926テサテープ株式会社製を用い、レーザ光として、YAGレーザの基本波波長:1064nmを用いた。レーザ光は、YVO4レーザの基本波を用いても良い。レーザ光を転写フィルム材8にあてることで、熱エネルギにより、転写フィルム材中の主成分である炭素とチタンがガラス基板表面に十分な接着強度をもって接着した。転写フィルム材8にあたるレーザ光のパワー密度を調整することにより、接着強度を調整することができる。十分な接着強度とは、薄膜太陽電池モジュールを屋外に設置した後、必要な耐久期間中、剥離することのない接着強度である。透明電極層2にレーザ光を照射したことで、透明電極層2が蒸散し、凹凸部ができた場合、半導体層3で十分に透明電極層2が被覆できず、裏面電極層4と透明電極層2の接触による短絡が発生する場合がある。この短絡を防ぐためには、ガラス基板の厚さを、2mm以上にすることが望ましい。ガラス基板の厚さが2mm以上であれば、透明電極層2にレーザ光で傷をつけてしまうことはない。通常、波長1064nmの光は透明電極層で吸収されるが、レーザの焦点を絶縁基板1と転写フィルム材8の境界に合わせると、透明電極層2にあたるレーザ光のパワー密度は小さくなり、傷がつくことはないためと推測される。透明電極層2として、SnO2ではなく、ZnO、ITOを用いた場合も同様である。また、ガラス基板の厚さを2mm以上とすることで、第1レーザスクライブ工程S3、第2レーザスクライブ工程S5、第3レーザスクライブ工程S7で、レーザ照射した場合も、レーザが識別表示部に損傷を与えることがなくなった。よって、レーザを用いて薄膜太陽電池の透明電極層、半導体層、裏面電極層を分離し、集積型の薄膜太陽電池を形成することが可能となった。図4bに示したように、透光性絶縁基板1に、マーキング部10を形成した後、転写フィルム材8を透光性絶縁基板1から離間した。マーキング部10が識別表示部7となる。識別表示部7は、高い接着性を持ち、透光性絶縁基板7から剥離しにくい状態となっている。透光性絶縁基板としてガラス基板を用いた場合、レーザ等で傷をつける方法で識別表示部を形成すると、基板割れの原因となる。本実施例のように、基板表面に転写フィルム材を載せて、識別表示を形成することで、後の工程での基板割れを防ぐことが可能となった。図5及び図6に、本発明の薄膜太陽電池モジュールの概略図を示す。図5は光入射側からみた平面図であり、図6は、図5に示したB―B ́面での断面図である。図5に示すように、薄膜太陽電池モジュールは、図1に示す薄膜太陽電池100の周囲をフレーム11で取り囲んでいる。薄膜太陽電池100の表面に1つの識別表示部7を設けている。図6は、図5のB―B ́断面を模式的に示した図である。正極集電部14を、図2に示した薄膜太陽電池100の正極端子部5に接合し、さらに負極集電部15を負極端子部6に接合している。透光性絶縁基板1上に形成された薄膜太陽電池100を、封止材12と裏面保護材13により封止している。フレーム11と、封止した薄膜太陽電池100の周端部との間には、シール材16として、ブチルゴムを入れた。ブチルゴムの代わりに、シリコーン樹脂等の樹脂をはさみこむようにしてもよい。さらに、薄膜太陽電池モジュールの光入射側に、識別表示部7がつけられている。図6には、記載を省略しているが、正極集電部と負極集電部に引出し電極を取り付け、引出し電極に接続する状態で、裏面側に端子ボックスを取り付けている。図7に、本発明の薄膜太陽電池モジュールの製造工程を示す。本願において、薄膜太陽電池モジュールの形成工程とは、少なくとも、集電部引出し電極取付け工程、載置工程、封止工程、端子ボックス取付け工程を含む、薄膜太陽電池形成後の工程をさす。集電部引出し電極取付け工程S9で、正極端子部に正極集電部14を接合し、負極端子部に負極集電部15を接合し、正極集電部と負極集電部にそれぞれ引出し電極を取り付ける。正極集電部14、負極集電部15、正極、負極の引出し電極は、同一材料すなわち銅箔で作られている。引出し電極の取付けは、電気的かつ機械的に行われ、接合の手段としては、半田付けまたは導電性ペーストなどを用いる。半田付けの場合には、電極端子部と集電部のいずれか一方または両方にあらかじめ銀入り半田ペーストを塗布する方法が好ましい。また、半田付け時に半導体層に局所的加熱を与えないようにするため、パルスヒート方式にて半田付けすることが望ましい。正極、負極の引出し電極の他端は、薄膜太陽電池100のほぼ中央部に位置し、かつ薄膜太陽電池100の面に対して垂直に折り曲げられた立ち上がり端子部となっている。正極の引出し電極及び負極の引出し電極は、絶縁被膜で覆われている。正極の引出し電極及び負極の引出し電極は、複数の薄膜太陽電池セルにまたがっているが、絶縁被膜の存在により、隣接する薄膜太陽電池デバイスが引出し電極を介して短絡することはない。正極集電部14、負極集電部15、正極の引出し電極及び負極の引出し電極は、フラットケーブルの形状が望ましい。半導体層に局所的な荷重による負荷がかかることを避けるためである。ここでは、集電部と引出し電極が別の部品となっている場合について説明したが、T字型の集電部と引出し電極があらかじめ一体となっている部品を用いてもよい。次に、載置工程S10で、立ち上がり端子部を貫通孔に通線する状態で、薄膜太陽電池100の裏面全体に、封止材12と裏面保護材13を載置した。封止材としては、生産工程での管理、作業の容易性から、熱可塑性樹脂が望ましい。エチレンビニルアセテート樹脂EVA、または架橋反応工程が不要なポリオレフィン樹脂の1種であるアイオノマー樹脂が用いられる。封止材12は、フィルム状のものが望ましい。粉末状、液状のものでも、使用することは可能であるが、作業性、生産効率を考慮すると、フィルム状が望ましい。フィルムの厚さとしては、250~500μm程度が望ましい。正極の引出し電極、負極の引出し電極を確実に埋設させることができるからである。裏面保護材13としては、薄膜太陽電池モジュールの耐候性、絶縁性を確保するため、金属箔を樹脂ではさみこんだものを用いている。PET/Al/PETPET:ポリエチレンテレフタレートの3層構造のものが、安価で、耐候性、絶縁性を確保することができるため、望ましい。裏面保護材して、ガラスを用いることもできる。ガラスを用いることで、より高い耐候性を得ることが可能となる。次に、封止工程S11で、薄膜太陽電池100上に、封止材12、裏面保護材13を載置した後、封止装置を用いて、圧力をかけながら加熱し、封止した。薄膜太陽電池全体を封止してあるので、正極及び負極の引出し電極の引っ張り強度も強く、断線のおそれもなくなる。次に、端子ボックス取付け工程S12で、端子ボックスを取り付けた。薄膜太陽電池100の封止後の状態は、正極の引出し電極及び負極の引出し電極の立ち上がり端子部が保護シートから突出しており、この立ち上がり端子部に対して接続する状態で端子ボックスを取り付ける。この取付けに際しては、端子ボックスの内部にシリコーン樹脂を充填し、端子ボックスと保護シートとをシリコーン樹脂で接着している。次に、出力電力の第2の測定工程S13で、出力電力を測定した。本工程は、必須の工程ではないが、製品の出力特性を管理するという観点からは行ったほうが望ましい工程である。次に、フレーム取付け工程S14で、封止材12を介して透光性絶縁基板1と裏面保護材13で、封止した薄膜太陽電池100の周端部にフレーム取付けを行った。周端部にシール材16を載置し、断面略コ字形状のアルミ製のフレーム11の溝に太陽電池モジュールを差し込み、固定した。シール材16として、防湿性素材であるブチルゴムを使用した。工程S9から工程S14で、薄膜太陽電池モジュールが形成された。薄膜太陽電池モジュールの製造工程においても、識別表示部形成工程S2で形成した識別表示部を引き続き管理に用いた。識別表示部は、ガラス基板の薄膜太陽電池を形成した面の逆側に形成しているため、載置工程S10、封止工程S11において、裏面保護材12として透明性のないものを用いた場合でも、識別表示部が隠れてしまうおそれなく、使用することが可能となった。また、発電領域に識別表示部をのせる構造としておくことで、太陽電池モジュールを設置後のメンテナンス等の管理に使用する場合でも、識別表示部がフレームに隠れることはなく、容易に識別できるようになった。なぜなら、発電領域にフレームがかかったり、フレームの影となるような設計とはしないためである。さらに、発電領域は、フレームの影になるような近い場所にはないため、設置後の長い年月の中でフレーム周辺に蓄積されていく汚れで識別表示部が識別できなくなるということもなくなった。尚、本実施例においては、フレーム取付けを行う場合について述べたが、フレーム取付けは必須ではなく、周端部に樹脂等を載置させるだけでもよい。図8aから図8dに、識別表示部の例を示す。図8aは、コード17と文字と数字からなる群の組合せである。コード17と文字等の両方を用いることで、より確実な読み取りが可能となる。また、文字と数字からなる群の場合、目視での確認も可能であるため、読み取り装置がなくても確認することが可能となる。コード17は、1次元コードでもよく、2次元コードでもよい。情報量が多い場合は、2次元コードを用いることが望ましい。2次元コードとすることで、バーコードの数十倍~数百倍のデータを管理することが可能となる。図8bに示したように、コード17と、コード17を取り囲むように、文字と数字が配列された組合せとしてもよい。このようなデザインとすることで、識別表示部の横幅を小さくすることが可能となる。図8cに示したように、文字と数字からなる群だけでもよく、図8dに示したように、コード17のみでもよい。識別表示部の面積が小さくなるため、少ない転写フィルム材での形成が可能となる。図8aから図8cに、文字と数字からなる群について示したが、文字または数字のみでもよい。本願においては、図8aから図8dのいずれの場合も、1つの識別表示部としている。コードと文字等の組合せであっても、同じ情報を有する識別表示であるからである。図9aから図9dに、識別表示部を取り付ける箇所の別の例を示す。図9は、いずれも、透光性絶縁基板1の裏面上に形成された薄膜太陽電池100を示したものである。透光性絶縁基板1の光入射面側に識別表示部7が示されている。図9aが、図1と異なる点は、識別表示部7の大きさである。識別表示部7が複数の薄膜太陽電池セルにわたって形成されている。識別表示部を大きく示すことで、より確認しやすくなる。図9bが、図1と異なる点は、辺の中での識別表示部7の位置である。図9bに示したように、辺の周辺部にあるのではなく、辺の中心部に形成している。製造工程の中で、搬送する際に、搬送ローラー等が周辺部にあたる場合がある。識別表示部7を辺の中心部に形成することで、搬送ローラーとの接触により識別表示部に傷が入ることを防ぐことが可能となる。図9cが、図1と異なる点は、識別表示部7が薄膜太陽電池のほぼ中央に形成されている点である。ほぼ中央に形成することで、工程内での読み取りをより簡便となり、設置後のメンテナンス等の管理に使用する場合でも、識別が容易である。周辺部にあると長い年月で汚れが付着しやすいが、中央部であれば、雨等で汚れが洗い流されるため、明瞭な状態で残りやすいからである。図9dが、図1と異なる点は、識別表示部7が薄膜太陽電池の発電領域の端に形成されている点である。より具体的には、識別表示部7は、図2で示した薄膜太陽電池の正極端子部5が形成された箇所に対応する位置に形成している。この位置に形成することで、識別表示部が太陽電池セル200への光入射を妨げることはなくなるため、より高い太陽電池モジュールの変換効率を得ることが可能となる。短絡電流値が高くなるためである。また、識別表示部7は、正極端子部5ではなく、負極端子部6が形成された箇所に対応する位置に形成してもよい。図9に4つの具体例を示したが、これに限定されるものではない。以上、実施例において具体的に説明を行ったが、本発明はそれらに限定されるものではない。それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。