"半導体基板内に形成され、光を電気信号に変換する光電変換素子と、前記半導体基板上に前記光電変換素子に対応するように配置され、入射光を前記光電変換素子上に集光する第1のマイクロレンズと、前記半導体基板上に形成され、光を遮光する遮光膜と、前記遮光膜上に形成され、入射光を前記遮光層上に集光する第2のマイクロレンズと、を具備することを特徴とする固体撮像装置。前記第1のマイクロレンズは第1球面を有し、前記第2のマイクロレンズは第2球面を有し、前記第2球面の曲率は前記第1球面の曲率より大きいことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記第2球面の高さは、前記第1球面の高さよりも高いことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。前記第2のマイクロレンズは、前記半導体基板に対して上方から見たとき、帯状の形状を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像装置。前記第2のマイクロレンズは、前記半導体基板に対して上方から見たとき、円形の形状を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像装置。遮光領域への光漏れを防止し、光漏れによる画質の劣化を低減することができる固体撮像装置を提供する。一実施態様の固体撮像装置は、半導体基板内に形成され、光を電気信号に変換する光電変換素子と、前記半導体基板上に前記光電変換素子に対応するように配置され、入射光を前記光電変換素子上に集光する第1のマイクロレンズと、前記半導体基板上に形成され、光を遮光する遮光膜と、前記遮光膜上に形成され、入射光を前記遮光層上に集光する第2のマイクロレンズとを具備することを特徴とする。以下、図面を参照して実施形態の固体撮像装置について説明する。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。[第1実施形態]図1は、第1実施形態の固体撮像装置の構造を示す平面図である。図示するように、固体撮像装置は、画素領域11と遮光領域12とを備えている。画素領域11は、遮光層が開口された領域であり、光学レンズからの入射光を取り込み、光電変換素子例えば、フォトダイオードによって入射光を電気信号に変換する。遮光領域12は、遮光層によって入射光が遮られた領域である。遮光領域12内には、画素領域11からの信号を処理する回路や画素領域11の動作を制御する回路が設けられる。画素領域11内には、マイクロレンズ13が行列状に複数配列されている。マイクロレンズ13の各々は、光電変換素子の各々に対応するように配置されている。マイクロレンズ13に入った入射光は、マイクロレンズ13によって光電変換素子上に集光される。遮光領域12には、画素領域11を囲むように、画素領域11に隣接してマイクロレンズ14が形成されている。マイクロレンズ14は、帯状の形状を有し、画素領域11を囲んでいる。図1には、帯状の2列のマイクロレンズ14が画素領域11を囲む例を示すが、これに限るわけではなく、その他の複数列、例えば3列あるいは4列、または単数列1列で囲んでもよい。1列のマイクロレンズで画素領域11を囲む例を、第2実施形態にて記述する。さらに、図1にはマイクロレンズ14が画素領域11を囲む例を示したが、これに限るわけではなく、画素領域11が矩形形状である場合、4辺あるいは2辺例えば、対向する2辺、1辺のみにマイクロレンズを形成してもよい。次に、第1実施形態の固体撮像装置の断面構造について説明する。図2は、第1実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図であり、図1中の2-2線に沿った断面である。遮光領域12と接する画素領域11の断面は以下のようになっている。図2に示すように、支持基板21上には絶縁膜22が形成されている。絶縁膜22内には、配線層23が配置されている。絶縁膜22は、例えばシリコン酸化膜から形成される。配線層23は、例えばメタル膜から形成される。絶縁膜22上には、シリコン半導体基板24が配置されている。半導体基板24内には、光電変換素子例えば、フォトダイオード25が形成されている。半導体基板24上には保護膜26が形成され、保護膜26上にはベース層27が形成される。保護膜26は、例えばシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜から形成される。ベース層27は、例えば透明な樹脂膜から形成される。ベース層27上には、カラーフィルタ28が形成されている。カラーフィルタ28の各々は、光電変換素子画素25の各々に対応するように配置されている。すなわち、例えば、赤R、緑G、青Bのうち、いずれか1つの色だけを透過するフィルタが、1つの光電変換素子25に対して配置されている。なお、カラーフィルタ28は、赤、緑、青に加え、白Wを透過する部分を有してもよい。カラーフィルタ28は、例えば、ベイヤー配列や、WRGB配列などの配列パターンを有する。カラーフィルタ28上には、オーバーコート層29が形成されている。オーバーコート層29上には、マイクロレンズ13が形成されている。マイクロレンズ13は、光電変換素子画素25及びカラーフィルタ28に対応するように、光電変換素子25上に配置されている。マイクロレンズ13は球面または曲面を有する。マイクロレンズ13は、入射光を光電変換素子25上に集光する。なお、オーバーコート層29は、例えば透明な樹脂膜から形成され、入射光に対して透過性を有する。画素領域11と接する遮光領域12の断面は以下のようになっている。支持基板21上には、絶縁膜22、配線層23、半導体基板24、光電変換素子25、保護膜26が順に形成されている。ここまでは、画素領域11と同様である。保護膜26上には、遮光層30が形成されている。遮光層30は、メタル層、例えばアルミニウムAlから形成される。遮光層30上には、保護膜26を介してベース層27が形成されている。さらに、ベース層27上には、オーバーコート層29が形成されている。オーバーコート層29上には、マイクロレンズ13及びカラーフィルタ28に近接してマイクロレンズ14が形成されている。マイクロレンズ14は、マイクロレンズ13が有する球面と異なる球面または曲面を有する。マイクロレンズ14が有する球面の曲率は、カラーフィルタ28上のマイクロレンズ13が有する球面の曲率より大きい。さらに、マイクロレンズ14が有する球面の高さは、マイクロレンズ13が有する球面の高さよりも高い。言い換えると、マイクロレンズ14が有する球面の底部から最も高い接点までの高さは、マイクロレンズ13が有する球面の底部から最も高い接点までの高さよりも高く形成されている。なお、マイクロレンズ14は、マイクロレンズ13を形成した後、マイクロレンズ13の形成工程とは別の工程にて形成してもよい。これにより、マイクロレンズ13と異なる形状を有するマイクロレンズ14を容易に形成できる。第1実施形態では、遮光層30上に形成されたマイクロレンズ14により、光学レンズからの入射光41が遮光層30下へ迷光として侵入するのを防止する。更に、画素領域11と遮光領域12との間の境界部において、マイクロレンズ14が有する球面の曲率をマイクロレンズ13が有する球面の曲率より大きくすると、マイクロレンズ14に入った入射光41は遮光層30下により入り込みにくくなり、マイクロレンズ14によって集光される。集光された光は、遮光層30に達し、遮光層30によって遮光される。これにより、画素領域と遮光領域との間から入る入射光41が、迷光として遮光層30下に侵入し、黒レベルを検出する画素に入るのを防止でき、迷光によって黒レベルの基準信号が影響を受けるのを低減することができる。以上により、本実施形態によれば、遮光領域への光漏れを防止でき、光漏れによる画質の劣化を低減することができる。[第2実施形態]第2実施形態では、画素領域の周囲の遮光層上に1列の帯状のマイクロレンズが形成された例を示す。図3は、第2実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図である。画素領域11の断面構造は第1実施形態と同様である。以下に、画素領域11と接する遮光領域12の断面構造を述べる。遮光層30上には、マイクロレンズ13及びカラーフィルタ28に近接してマイクロレンズ31が形成されている。マイクロレンズ31は、マイクロレンズ13が有する球面と異なる球面または曲面を有する。マイクロレンズ31が有する球面の曲率半径は、カラーフィルタ28上のマイクロレンズ13の曲率半径より大きい。マイクロレンズ31が有する球面の幅は、マイクロレンズ13が有する球面の幅より大きい。さらに、マイクロレンズ31が有する球面の高さは、マイクロレンズ13が有する球面の高さより高い。言い換えると、マイクロレンズ31が有する球面の底部から最も高い接点までの高さは、マイクロレンズ13が有する球面の底部から最も高い接点までの高さよりも高く形成されている。なお、図3には、帯状の1列のマイクロレンズ31が画素領域11を囲む例を示したが、これに限るわけではなく、複数列、例えば2列あるいは3列、4列で囲んでもよい。その他の構造は、前述した第1実施形態と同様である。また、マイクロレンズ31は、マイクロレンズ13を形成した後、マイクロレンズ13の形成工程とは別の工程にて形成してもよい。これにより、マイクロレンズ13と異なる形状を有するマイクロレンズ31を容易に形成できる。第2実施形態では、遮光層30上に形成されたマイクロレンズ31により、光学レンズからの入射光41が遮光層30下へ迷光として侵入するのを防止する。更に、画素領域11と遮光領域12との間の境界部において、マイクロレンズ31が有する球面の幅及び高さをマイクロレンズ13が有する球面の幅及び高さより大きくすると、マイクロレンズ31に入った入射光41は遮光層30下により入り込みにくくなり、マイクロレンズ31によって集光される。集光された光は、遮光層30に達し、遮光層30によって遮光される。これにより、画素領域と遮光領域との間から入る入射光41が、迷光として遮光層30下に侵入し、黒レベルを検出する画素に入るのを防止でき、迷光によって黒レベルの基準信号が影響を受けるのを低減することができる。以上により、本実施形態によれば、遮光領域への光漏れを防止でき、光漏れによる画質の劣化を低減することができる。[変形例]第1、第2実施形態では、画素領域11の周囲に帯状のマイクロレンズ断面が蒲鉾状が形成される例を示したが、図4に示すように、画素領域11を囲む遮光層上に、円形状のマイクロレンズ32を形成してもよい。すなわち、半導体基板の上方から見たマイクロレンズ32の形状が帯状ではなく、円形状であってもよい。マイクロレンズ32の断面構造は、図2及び図3に示したマイクロレンズ14,31の構造と同様である。その他の構成及び効果は、前述した実施形態と同様である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"