アモルファス膜に照射するレーザ光を出力するレーザ光源と、前記レーザ光を前記アモルファス膜に誘導する光学系と、前記光学系の一部を構成し、前記アモルファス膜に照射するレーザ光を集光する対物レンズと、前記光学系のレーザ光光路上で前記対物レンズよりも前段側に位置して配置され、前記レーザ光の一部を透過させるレーザ光透過領域および前記レーザ光の一部を遮蔽するレーザ光遮蔽領域を有し、前記レーザ光透過領域とレーザ光遮蔽領域とによってイメージパターンを形成する光学部材と、を備え、前記光学部材は、前記レーザ光遮蔽領域に、前記対物レンズの解像度Rと対物レンズの倍率Mの逆数との積で求められる値R/Mよりも小さく、かつ前記レーザ光の波長よりも大きい規制寸法を有して前記レーザ光の透過を可能にする昇温抑制用レーザ光透過部が設けられていることを特徴とするアモルファス膜結晶化装置ただし、対物レンズの倍率Mは、アモルファス膜と対物レンズとの距離bと前記光学部材と対物レンズとの距離aとの比b/a、又は、アモルファス膜上のパターンイメージサイズdと前記光学部材のパターンイメージサイズDの比d/Dにより決定される。前記昇温抑制用レーザ光透過部は、前記レーザ光の照射面において前記規制寸法を短幅側に有する細片形状を有することを特徴とする請求項1記載のアモルファス膜結晶化装置。前記昇温抑制用レーザ光透過部は、前記レーザ光の照射面において前記規制寸法を径とする円形状を有することを特徴とする請求項1または2に記載のアモルファス膜結晶化装置。前記昇温抑制用レーザ光透過部は、貫通部位または前記レーザ光の透過率が相対的に高い部位で構成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のアモルファス膜結晶化装置。前記光学部材は、前記レーザ光が照射されない未照射領域を有することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のアモルファス膜結晶化装置。前記レーザ光の照射によって前記アモルファス膜の順次側面結晶化を行うものであることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のアモルファス膜結晶化装置。レーザ光透過領域とレーザ光遮蔽領域とを有する光学部材を通してレーザ光を照射し、前記レーザ光透過領域と前記レーザ光遮蔽領域に応じて前記光学部材を透過したパターンのレーザ光を対物レンズで集光してアモルファス膜に照射し、順次側面結晶化によって前記アモルファス膜を結晶化させる結晶化方法であって、前記レーザ光遮蔽領域に照射される前記レーザ光の一部を、前記レーザ光遮蔽領域内で前記対物レンズの解像度と倍率の逆数との積よりも小さく絞って前記光学部材を透過させて、少なくともその一部を前記レーザ光透過領域を透過した前記レーザ光が前記アモルファス膜に照射される照射領域に照射することを特徴とするアモルファス膜結晶化方法。従来の装置で使用している光学部材は、上記のようにレーザ光透過領域とレーザ光遮蔽領域で構成されている。レーザ光遮蔽領域はレーザビームを完全に遮蔽することで、レーザ光透過領域のパターンを正確に被照射物であるアモルファス膜にイメージとして投影できるようにする。レーザ光遮蔽領域は金属であるCrやCrO膜を石英ガラスに付けたものなどで構成され、入射されたレーザ光を吸収し、光を熱に変えることで、レーザ光を遮蔽している。そのために、高温の熱が発生し、Cr膜やCrO膜がダメージを受けるという問題がある。また、光学部材で熱が発生すると空気の対流が発生し、光学部材によるパターンイメージを歪める原因になる。上記した熱の発生による弊害を防止するために光学部材を冷却する方法も考えられる。例えば、光学部材にエアーを吹き付けるなどして冷却することが考えられるが、光学部材を冷却した空気に乱流が発生し、パターンイメージの歪みを発生させるおそれがある。また、水などの冷却剤を用いる方法が考えられるが、冷却剤の流量制御や冷却剤の蒸発による蒸気の制御が難しいという問題がある。この発明は、上記のような従来のものの課題を解決するためになされたものであり、冷却手段を講じることなくレーザ光照射時の前記光学部材における熱の発生を少なくして昇温による弊害を排除できるすることができるアモルファス膜結晶化装置および結晶化方法を提供することを目的とする。すなわち、本発明のアモルファス膜結晶化装置のうち、第1の本発明は、アモルファス膜に照射するレーザ光を出力するレーザ光源と、前記レーザ光を前記アモルファス膜に誘導する光学系と、前記光学系の一部を構成し、前記アモルファス膜に照射するレーザ光を集光する対物レンズと、前記光学系のレーザ光光路上で前記対物レンズよりも前段側に位置して配置され、前記レーザ光の一部を透過させるレーザ光透過領域および前記レーザ光の一部を遮蔽するレーザ光遮蔽領域を有し、前記レーザ光透過領域とレーザ光遮蔽領域とによってイメージパターンを形成する光学部材と、を備え、前記光学部材は、前記レーザ光遮蔽領域に、前記対物レンズの解像度Rと対物レンズの倍率Mの逆数との積で求められる値R/Mよりも小さく、かつ前記レーザ光の波長よりも大きい規制寸法を有して前記レーザ光の透過を可能にする昇温抑制用レーザ光透過部が設けられていることを特徴とする。ただし、対物レンズの倍率Mは、アモルファス膜と対物レンズとの距離bと前記光学部材と対物レンズとの距離aとの比b/a、又は、アモルファス膜上のパターンイメージサイズdと前記光学部材のパターンイメージサイズDの比d/Dにより決定される。第2の本発明のアモルファス膜結晶化装置は、前記第1の本発明において、前記昇温抑制用レーザ光透過部は、前記レーザ光の照射面において前記規制寸法を短幅側に有する細片形状を有することを特徴とする。第3の本発明のアモルファス膜結晶化装置は、前記第1または第2の本発明において、前記昇温抑制用レーザ光透過部は、前記レーザ光の照射面において前記規制寸法を径とする円形状を有することを特徴とする。第4の本発明のアモルファス膜結晶化装置は、前記第1~第3の本発明のいずれかにおいて、前記昇温抑制用レーザ光透過部は、貫通部位または前記レーザ光の透過率が相対的に高い部位で構成されていることを特徴とする。第5の本発明のアモルファス膜結晶化装置は、前記第1~第4の本発明のいずれかにおいて、前記光学部材は、前記レーザ光が照射されない未照射領域を有することを特徴とする。第6の本発明のアモルファス膜結晶化装置は、前記第1~第5の本発明のいずれかにおいて、前記レーザ光の照射によって前記アモルファス膜の順次側面結晶化を行うものであることを特徴とする。第7の本発明のアモルファス膜結晶化方法は、レーザ光透過領域とレーザ光遮蔽領域とを有する光学部材を通してレーザ光を照射し、前記レーザ光透過領域と前記レーザ光遮蔽領域に応じて前記光学部材を透過したパターンのレーザ光を対物レンズで集光してアモルファス膜に照射し、順次側面結晶化によって前記アモルファス膜を結晶化させる結晶化方法であって、前記レーザ光遮蔽領域に照射される前記レーザ光の一部を、前記レーザ光遮蔽領域内で前記対物レンズの解像度と倍率の逆数との積よりも小さく絞って前記光学部材を透過させて、少なくともその一部を前記レーザ光透過領域を透過した前記レーザ光が前記アモルファス膜に照射される照射領域に照射することを特徴とする。本発明によれば、レーザ光遮蔽領域にある昇温抑制用レーザ光透過部に照射されたレーザ光は、レーザ光遮蔽領域のうち昇温抑制用レーザ光透過部の領域においてレーザ光が透過するものの、対物レンズの解像度と倍率の逆数との積よりも小さい規制寸法を有する領域を透過することでアモルファス膜上で十分なエネルギーを有して照射されることがない。対物レンズの解像度は、レーザ光照射によって光学部材のパターンがアモルファス膜上でパターン化できる最小の寸法である。すなわち、SLS方法のプロセスに用いる条件結晶化に用いるエネルギー密度および対物レンスの焦点位置でアモルファス膜が結晶化されない最小の寸法アモルファス膜表面換算である。また、対物レンズの倍率Mは以下により決定することができる。すなわち、対物レンズの倍率M=アモルファス膜と対物レンズとの距離b/前記光学部材と対物レンズとの距離a、又は、対物レンズの倍率M=アモルファス膜上のパターンイメージサイズd/光学部材のパターンイメージサイズDしたがって、対物レンズの倍率は、光学部材と対物レンズとアモルファス膜との位置関係によって異なってくる。また、対物レンズと光学部材との距離は、光軸における対物レンズの光心と光学部材表面との距離、対物レンズとアモルファス膜との距離は、光軸における対物レンズの光心とアモルファス膜表面との距離で示すことができる。なお、昇温抑制用レーザ光透過部の領域が、上記対物レンズの解像度と倍率の逆数との積よりも小さい寸法を有していない場合、該領域が透過したレーザ光が十分なエネルギーを有する状態でアモルファス膜に照射され、レーザ光遮蔽領域としての機能を損なう。なお、昇温抑制用レーザ光透過部が前記積より小さい規制寸法を有するとは、面方向における昇温抑制用レーザ光透過部のいずれの位置においても、いずれかの方向面方向におけるで前記積よりも小さい寸法を有していることを示している。また、昇温抑制用レーザ光透過部の規制寸法が前記レーザ光の波長よりも大きい寸法を有していないと、昇温抑制用レーザ光透過部をレーザ光が透過する際に、回折が顕著に生じ、アモルファス膜の照射面以外に散乱する。このため、昇温抑制用レーザ光透過部は前記レーザ光の波長よりも大きい規制寸法を有していることが必要である。なお、昇温抑制用レーザ光透過部が前記レーザ光の波長よりも大きい規制寸法を有していることについては、上記規制寸法がこの条件を満たすことを示している。なお、上記対物レンズの解像度、レーザ光の波長は一律ではないので、昇温抑制用レーザ光透過部に要求される規制寸法も特定の数値に限定されるものではない。通常は、要求される規制寸法としてはアモルファス膜上において0.5~1.0μmとなる寸法が例示される。なお、本発明における光学部材としては、特定の材料に限定されるものではなく、レーザ光照射領域とレーザ光遮蔽領域とが得られるものであればよく、レーザ光遮蔽領域を光学部材表面への膜形成などによって形成することも可能である。レーザ光透過領域は、レーザ光が透過してアモルファス膜へのレーザ光照射によって順次側面結晶化がなされる程度にアモルファス膜にエネルギーを付与できるものであればよい。レーザ光透過領域は、貫通部位で形成されていてもよく、また、透過率の相対的に高い部位で構成されているものであってもよい。一方、レーザ光遮蔽領域は、レーザ光が透過しない領域の他、前記レーザ光透過領域に比べて相対的に低いエネルギーでレーザ光が透過するものであってもよい。すなわち、レーザ光遮蔽領域を透過するレーザ光のエネルギーがレーザ光透過領域を透過するレーザ光のエネルギーと区別されて順次側面結晶化が良好になされるものであればよい。本発明の昇温抑制用レーザ光透過部は、レーザ光遮蔽領域でレーザ光の透過がなされない場合、該レーザ光遮蔽領域内で部分的にレーザ光の透過を許容するものである。該レーザ光の透過は、レーザ光透過領域に比べてアモルファス膜に小さなエネルギーを与えるに過ぎない。また、レーザ光遮蔽領域で、制限されつつレーザ光の透過がなされる場合、昇温抑制用レーザ光透過部は、このレーザ光遮蔽領域よりも高い透過率でレーザ光が透過する。ただし、昇温抑制用レーザ光透過部における透過レーザ光は、レーザ光透過領域を透過するレーザ光よりもアモルファス膜に与えるエネルギー量は格段に小さくなっており、順次側面結晶化の支障とならない。なお、昇温抑制用レーザ光透過部の形状は、上記規制寸法を満たすものであれば特に限定されるものではない。例えば、上記規定の規制寸法を短幅方向に有する細片形状とすることができる。昇温抑制用レーザ光透過部を貫通部位で構成する場合は、スリット形状と言うこともできる。該細片は、複数を所定の間隔で並列させたり、縦横に並べて配置することができ、光学部材の昇温を効果的に抑制することができる。また、昇温抑制用レーザ光透過部の形状として、上記規定の規制寸法を径とする円形状にすることもできる。昇温抑制用レーザ光透過部を貫通部位で構成する場合は、孔形状と言うこともできる。該円形状は、複数を点在させることで、光学部材の昇温を効果的に抑制することができる。昇温抑制用レーザ光透過部は、形状の異なるものを光学部材に設けるようにしてもよい。本発明は、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイの画素スイッチや駆動回路に用いられる薄膜トランジスタの多結晶あるいは単結晶半導体膜を製造するSLS結晶化方法およびその装置として好適に用いることができる。以上説明したように本発明によれば、光学部材のレーザ光遮蔽領域内に設けた昇温抑制用レーザ光透過部を通して、レーザ光が結晶化に支障がないように透過し、光学部材での熱の発生を抑えて昇温による損傷を効果的に防止し、耐久性を向上させる。また光学部材での熱の発生を抑えることにより、パターンイメージの歪発生を防止することができる。以下に、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明のアモルファス膜結晶化装置に相当するレーザアニール装置1を示す概略図である。レーザアニール装置1は、アモルファスシリコン膜が形成された基板2を載置するステージ3を有している。さらに、該ステージ3をX軸方向に移動するX移動モータ4a、Y軸方向に移動可能とするY移動モータ4bを有し、各モータには、X移動ドライバ5a、Y移動ドライバ5bが電気的に接続されている。各ドライバは、コンピュータで構成されるシステムコントローラ6に接続されて、各移動モータの制御が可能になっている。さらにレーザアニール装置1では、所定波長のレーザ光10aを出力するレーザ光源10を備えている。上記シリコン膜は、処理前においてアモルファスの状態にある。レーザ光源10としては、例えばコヒレント社のレーザ発振器LS20001もしくはLSX315波長308nm、繰り返し発振数300Hzを用いることができる。但し、本発明としてはレーザ光源10が特定のものに限定されるものではない。レーザ光源10で発振されたレーザ光10aの照射方向には、アッテネータ11が配置され、アッテネータ11の出射方向に、ミラー12、ビーム整形器13、対物レンズ14などにより構成される光学系15が設置されている。この光学系15を通してレーザ光10aが誘導され、基板2のシリコン膜に照射される。アッテネータ11は、レーザ光10aを減衰して所定のエネルギーに調節する。アッテネータ11には、減衰率の調整が可能な可変アッテネータを用いることも可能である。アッテネータ11では、例えばシリコン膜上で約600mJ/cm2-1000mJ/cm2のエネルギ密度となるようにレーザ光10aの減衰率を調整する。ミラー12は、レーザ光源10から出力されたレーザ光10aの照射方向を偏向するものであり、例えばレーザ光源10から水平方向に出力されたレーザ光10aをシリコン膜が形成された基板2に照射させるために垂直に向きを変えるものである。ビーム整形器13は、レーザ光10aを矩形状、円形状などのビーム断面形状に整形するものである。対物レンズ14は、レーザ光10aを集光して基板2上のシリコン膜表面付近に照射するものであり、光軸における対物レンズ14の光心とシリコン膜表面との距離は、図中bで示されている。また、レーザ光10aの光路上には、対物レンズ14の入射側において、レーザ光遮蔽領域20aとレーザ光透過領域20bとを有し、これらのレーザ光透過領域20aとレーザ光遮蔽領域20bとによってパターンを形成する光学部材20が配置されている。光軸における光学部材20と対物レンズ14の距離は図中aで示される。なお、この形態では、シリコン膜を処理の対象としているが、本発明は、アモルファス膜を結晶膜に処理したり、結晶膜を改質処理したりするものであり、その材料がシリコンに限定されるものではない。光学部材20は、図2aに示すように、矩形の形状を有し、その内側に面方向において、短冊状のレーザ光透過領域20aが長尺辺を隣接するようにして並列して設けられており、隣接するレーザ光透過領域20a間は小間隔になっている。光学部材20は、面方向において、レーザ光透過領域20a以外はレーザ光遮蔽領域20bになっている。上記レーザ光透過領域20aとレーザ光遮蔽領域20bとを有する光学部材20の製造方法は本発明としては特に限定されるものではない。例えば、レーザ光を透過する材料で光学部材を構成し、レーザ光透過領域20aの部分を覆うシャドウマスクなどを用いてレーザ光透過領域20a以外の領域に金属薄膜を蒸着などによって被覆することでレーザ光遮蔽領域20bを形成することができる。また、光学部材表面に被覆された金属薄膜に対し、レーザ光透過領域20aに相当する領域でエッチングなどによって金属薄膜を除去することによって光学部材20を得るようにしてもよい。この実施形態では、光学部材20本体をレーザ光が透過する材料で構成し、レーザ光透過領域20aを除いたレーザ光遮蔽領域20bにCrまたはCrOからなる金属膜が成膜されている。さらに、光学部材20のレーザ光遮蔽領域20bには、図3に示すようにレーザ光透過領域20aの端縁に沿うように細幅の昇温抑制用レーザ光透過部21が間隔を置いて縦横に並列されている。この形態では、昇温抑制用レーザ光透過部21の幅と昇温抑制用レーザ光透過部21間の間隔幅とは略同幅になっている。したがって、レーザ光遮蔽領域20bにおいて、昇温抑制用レーザ光透過部21の総面積とそれ以外の総面積は、約1/2ずつになっている。昇温抑制用レーザ光透過部21の幅は、対物レンズの解像度Rと以下で説明する対物レンズの倍率Mの逆数との積R/Mよりも小さくなっている。さらに、昇温抑制用レーザ光透過部21の幅は、レーザ光10aの波長よりも大きくなっている。この形態では、その幅は、例えばレーザ光10aの波長である308nmを超えている。対物レンズの倍率は、図4に示すように、基板2上のアモルファス膜と対物レンズ14との距離bと光学部材20と対物レンズ14との距離aとの比b/a、又は、基板2上のアモルファス膜上のパターンイメージサイズdと光学部材20のパターンイメージサイズDの比d/Dにより決定される。各距離は光軸上で評価でき、対物レンズ14における距離の基点は、光心とする。次に、レーザアニール装置1の動作について説明する。レーザ光源10からはレーザ光10aが出力される。この実施形態では、308nmの波長を持つエキシマレーザ光が出力される。レーザ光10aは、アッテネータ11で、結晶化シリコンに適したエネルギーに調節され、ミラー12で偏向されてビーム整形器13に入射される。ビーム整形器13では、所望のビーム断面形状に成形される。例えば、長軸125mm、短軸6mmのビーム断面形状に整形する。ビーム整形器13を経たレーザ光10aは、光学部材20に至り、レーザ光透過領域20aの形状、配置にしたがったパターンによってパターン化され、対物レンズ14に至る。レーザ光10aは、対物レンズ14を透過する際に集光されて基板2上のシリコン膜に所定のパターンイメージで照射される。光学部材20の位置を変えてレーザ光10aを基板2上のシリコン膜に所定のパターンイメージで照射することで順次側面結晶化を行うことができる。また、前記X移動モータ4a、Y移動モータ4bによってステージ2をピッチ送りしながら移動させることで、レーザ光10aとシリコン膜との相対的な位置を変更することができる。なお、対物レンズ14と基板2との間に図示しないシャッタがあるが、シリコンアモルファスシリコン膜が塗布されていない基板の端面で、レーザ光を遮断させるためのものである。対物レンズ14の後にシャッタを配置する理由は以下の通りである。対物レンズ14をレーザ光10aが通過するか否かにより、温度変化が生じて、対物レンズ14のフォーカスシフト等の影響を受ける。シャッタを閉じた状態でも、レーザ光10aを対物レンズ14に通過させることにより、その影響を緩和させることができる。シャッタには、45°傾けられたミラーが付いており、光学系に反射させることなく、図示しないビームダンプに向けてレーザ光10aのエネルギーを消費させることができる。図2bは、レーザ光10aが照射されているレーザ光透過領域20aの周辺を示す図であり、光学部材20の一部を図示している。なお、装置の振動やレーザ光10aの位置の揺らぎのため、レーザ光透過領域20aに合ったサイズでレーザ光10a光学部材20に入射することはできない。そこで、パターンサイズよりレーザ光10aを大きく整形し、光学部材20に入射するため、レーザ光10aは、レーザ光透過領域20a間のレーザ光遮蔽領域20bに照射されるだけでなく、レーザ光透過領域20aの周囲にもレーザ光20aが照射され高温が発生する。また、レーザ光遮蔽領域20bで、レーザ光が照射されない領域は、非照射領域でもある。従来の光学部材では、図7に示すように、特にレーザ光透過領域20aの周囲にあるレーザ光遮蔽領域20bの一部が特に高温になり、経時的に損傷が生じやすくなる。また、損傷が生じる前においても、空気の対流が生じ、光学部材20によるパターンイメージが損なわれる。一方、この実施形態の光学部材20では、本来のレーザ光遮蔽領域20bのうち、1/2の面積は昇温抑制用レーザ光透過部21になっており、この部分ではレーザ光10aが照射された際の加熱が抑えられる。これにより光学部材20全体の昇温が小さくなる。以上のように、この実施形態によれば、光学部材20のレーザ光遮蔽領域20bの金属部分を最小限にすることで、熱の発生を抑えることができるために、光学部材20のダメージを低減することができる。さらに、光学部材20のパターンをアモルファスシリコン膜に正確に投影することができる。なお、光学部材のレーザ光遮蔽領域に設ける昇温抑制用レーザ光透過部としては、上記細幅形状のものに限定されるものではなく、本発明の規制寸法の規定を満たせばその形状は特定のものに限定されるものではない。図5は、他の形態の光学部材30を示すものであり、該光学部材30は、前記実施形態と同様にレーザ光透過領域30a、レーザ光遮蔽領域30bを有している。光学部材30では、昇温抑制用レーザ光透過部21に代えて、円形の昇温抑制用レーザ光透過部31をレーザ光遮蔽領域30bに点在させたものであり、昇温抑制用レーザ光透過部31の径は、対物レンズ14の解像度よりも小さく、レーザ光10aの波長よりも大きくなっている。昇温抑制用レーザ光透過部30aとレーザ光遮蔽領域30bの残部の合計面積は略同じになっている。この実施形態においても、レーザ光10aを照射した際に、レーザ光遮蔽領域30bでの熱の発生が抑えられ、光学部材30の昇温によるダメージの発生やパターンイメージの歪み発生が防止される。