"イオン源からイオンビームを引き出す電極に第1の電圧を印加して前記イオン源からイオンビームを引き出す工程と、前記引き出されたイオンビームが通過する減速器へ第2の電圧を印加することによって前記イオンビームの加速エネルギーを減少させる減速工程と、前記減速器を通過した前記イオンビームを基板へ照射することによって、当該イオンビームに含まれるイオンに基づく第1の不純物プロファイルに加え、当該イオンビームに含まれる中性粒子に基づく第2の不純物プロファイルを前記基板に形成する注入工程と、前記第1の電圧および前記第2の電圧を前記第2の不純物プロファイルに応じて設定する設定工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記引き出し工程、前記減速工程および前記注入工程は、真空環境下で行われ、前記設定工程は、前記真空環境の真空度を前記第2の不純物プロファイルに応じて設定することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記設定工程は、前記第1の不純物プロファイルの形成に伴って生じる格子間シリコンの分布が、前記第2の不純物プロファイルの形成に伴って生じる空格子の分布と重なるように、前記第1の電圧および前記第2の電圧を設定することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記イオン源は、少なくともn価n≧2以上の各価のイオンを発生し、前記第1の不純物プロファイルは、前記各価イオンの不純物プロファイルによって形成されることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記引き出し工程、前記減速工程および前記注入工程を、前記第1の電圧および前記第2の電圧を変えながら繰り返し行うことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、スループットを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することである。実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。前記半導体装置の製造方法は、引き出し工程、減速工程、注入工程および設定工程を含む。前記引き出し工程では、イオン源からイオンビームを引き出す電極に第1の電圧を印加して前記イオン源からイオンビームを引き出す。前記減速工程では、前記イオンビームが通過する減速器へ第2の電圧を印加することによって前記イオンビームの加速エネルギーを減少させる。前記注入工程では、前記減速器を通過した前記イオンビームを基板へ照射することによって、当該イオンビームに含まれるイオンに基づく第1の不純物プロファイルに加え、当該イオンビームに含まれる中性粒子に基づく第2の不純物プロファイルを前記基板に形成する。前記設定工程では、前記第1の電圧および前記第2の電圧を前記第2の不純物プロファイルに応じて設定する。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によって本発明が限定されるものではない。また、以下では、半導体装置の製造方法を単に製造方法と記載する。第1の実施形態まず、第1の実施形態にかかる製造方法について、図1Aおよび図1Bを用いて説明する。図1Aおよび図1Bは、第1の実施形態にかかる製造方法の説明図である。第1の実施形態にかかる製造方法は、不純物となる物質をイオン化して半導体基板へ注入する工程、いわゆる、イオン注入工程を含む。すなわち、第1の実施形態にかかる製造方法では、イオン注入装置によって発生させたイオンビームを、半導体基板たとえば、シリコンウエハへ照射し、半導体基板に不純物拡散層を形成する。イオンビームを比較的高いエネルギーに加速した後に減速するイオン注入装置では、イオンビームを減速する際にイオンの衝突が発生し、一部のイオンが中性化する。イオンの中性化により発生する中性粒子は、電界では制御できないため、減速器によって減速されずに、半導体基板へ注入される。そこで、第1の実施形態にかかる製造方法では、イオンビームの減速比を制御することによって中性化するイオンの量を制御する。すなわち、イオンによって半導体基板に形成される不純物プロファイルとは別に、イオンビームの減速比を制御することによって、中性粒子による所望の不純物プロファイルを半導体基板に形成する。例えば、図1Aに示すイオン注入装置において、引き出し電極によって加速されて引き出されたイオンビームの加速エネルギーをE2keVとし、減速器によって減速されるイオンビームの加速エネルギーをE1keVとする。この場合、減速比=E2/E2-E1を大きくすればするほど、中性化するイオンの量が多くなる。加速エネルギーE2keVは、引き出し電極に印加する電圧以下、引き出し電圧と記載するの電圧値によって変化する。また、加速エネルギーE1keVは、減速器に印加する電圧以下、減速電圧と記載するの電圧値によって変化する。このように、第1の実施形態にかかる製造方法では、引き出し電圧および減速電圧を制御することによってイオンビームに含まれるイオンの中性化を制御して、イオンビームに含まれる中性粒子の量を調整する。また、中性粒子は、減速器によって減速されずに、半導体基板へ注入されることから、第1の実施形態にかかる製造方法では、引き出し電圧を制御することで、中性粒子が半導体基板へ注入されるエネルギーを調整する。このように引き出し電圧および減速電圧を制御することで、図1Bに示すように、イオンによる不純物プロファイルXPaに加え、中性粒子による所望の不純物プロファイルXPbを一度のイオン注入工程によって半導体基板に形成することが可能となる。なお、イオンは減速器によって減速され、中性粒子は減速器によって減速されないため、半導体基板への中性粒子の注入エネルギーは、イオンの注入エネルギーよりも大きい。そのため、不純物プロファイルXPaの形成位置よりも深い領域に不純物プロファイルXPbが形成される。以上のように、第1の実施形態にかかる製造方法では、不純物プロファイルXPaと不純物プロファイルXPbを一度のイオン注入工程によって形成する。そのため、不純物プロファイルXPaと不純物プロファイルXPbを別々のイオン注入工程によって形成する場合に比べ、イオン注入工程の数を低減させることができる。すなわち、第1の実施形態にかかるイオン注入工程では、スループットを向上させることができるという極めて顕著な効果を奏することができる。なお、不純物プロファイルXPaが第1の不純物プロファイルに対応し、不純物プロファイルXPbが第2の不純物プロファイルに対応する。また、引き出し電圧が第1の電圧に対応し、減速電圧が第2の電圧に対応する。ここで、p型のMOSFETを含む半導体装置を製造する際のイオン注入工程を一例に挙げ、第1の実施形態に係る製造方法をさらに具体的に説明する。まず、図2を参照して、p型のMOSFETの構成を説明する。図2は、第1の実施形態にかかる半導体装置の構成を示す図である。図2に示すように、第1の実施形態にかかる半導体装置30においては、p型の半導体基板31にn型のウェル領域32が形成される。半導体基板31は、例えば、単結晶のシリコン基板である。n型のウェル領域32には、素子分離領域33が選択的に形成される。また、n型のウェル領域32には、ソースエクステンション領域34、ドレインエクステンション領域35、ソース領域36、ドレイン領域37が形成される。さらに、n型のウェル領域32上には、ゲート絶縁膜38を介してゲート電極39が形成される。ゲート絶縁膜38およびゲート電極39の両側の側面にはゲート絶縁膜38およびゲート電極39を挟むように、酸化シリコン膜からなる一対の側壁スペーサ40が形成される。さらに、対向する一対の側壁スペーサ40の外側を挟んで、窒化シリコン膜からなる一対の側壁スペーサ41が形成されている。ここで、ソース領域36およびドレイン領域37は、第1の不純物プロファイルXP1と第2の不純物プロファイルXP2とによって形成され、これらの不純物プロファイルXP1,XP2は、一度のイオン注入によって形成される。そして、これら第1の不純物プロファイルXP1および第2の不純物プロファイルXP2によって、例えば、浅いpn接合で、かつ寄生抵抗および漏れ電流が低い不純物拡散層が形成することができる。かかるソース領域36およびドレイン領域37を形成するために、図3に示すイオン注入装置が用いられる。図3は、第1の実施形態にかかる製造方法を実施するためのイオン注入装置の構成を示す図である。図3に示すように、第1の実施形態に係る製造方法に用いるイオン注入装置1は、イオン源10と、引き出し電極11と、質量分析器12と、減速器13と、回転ディスク14と、ディスク制御器15とを備える。これらは、真空ポンプ5を備える真空チャンバ4内に設けられ、制御装置3によって制御される。イオン源10は、アークチャンバを備え、かかるアークチャンバ内にBF3ガスが導入される。アークチャンバ内のBF3ガスは、アーク放電によって分解され、主としてボロンイオンBを含むイオンが生成される。なお、アークチャンバには、電圧V1が印加される。引き出し電極11には、引き出し電圧V2が印加される。引き出し電圧V2は、アークチャンバに印加される電圧V1よりも低い電圧であり、そのため、アークチャンバと引き出し電極11との間に電界が発生する。かかる電界によって、ボロンイオンを含むイオンが加速され、イオン源10からイオンビームとして引き出される。かかるイオンビームは、質量分析器12内へ導入される。質量分析器12は、イオン源10から引き出されたイオンビームから所定の質量であるボロンイオンを分離して取り出す。質量分析器12によりボロンイオンが取り出されたイオンビームは、減速器13へ導入される。減速器13には、引き出し電圧V2よりも高い電圧である減速電圧V3が印加される。これにより、減速器13は、質量分析器12から出力されるイオンビームを減速する。ディスク制御器15は、回転ディスク14の回転軸O方向に対する垂直方向への移動を制御する。つまり、イオン注入装置1では、回転ディスク14を図面視において前後左右に機械的に移動してイオン注入を行うメカニカルスキャン方式のイオン注入を行う。なお、ここでは、回転ディスク14に8枚の半導体基板2例えば、シリコンウエハを装着した例を示しているが、回転ディスク14に装着される半導体基板2の数は8枚に限定されるものではない。制御装置3は、電圧出力部20と、記憶部21と、制御部22とを備える。電圧出力部20は、制御部22の制御に基づいて、イオン源10のアークチャンバに印加する電圧V1、引き出し電極11に印加する引き出し電圧V2、および、減速器13に印加する減速電圧V3を出力する。記憶部21は、イオン注入に関する種々の情報を記憶する。例えば、電圧V1~V3の情報および真空チャンバ4内の真空度の情報を含むイオン注入条件の情報を記憶する。かかるイオン注入条件の情報は、例えば、制御装置3の図示しない入力部によって入力され、記憶部21に記憶される。制御部22は、記憶部21に記憶されたイオン注入条件の情報に基づいて、電圧出力部20から出力する電圧V1~V3の大きさ、真空チャンバ4内の真空度、およびディスク制御器15を制御する。このように構成されるイオン注入装置1によって、図2に示すソース領域36およびドレイン領域37は次のように生成される。図4は、第1の実施形態にかかる製造方法の手順を示す図、図5は、第1の実施形態にかかる半導体装置30に形成する不純物プロファイルを示す図、図6は、第1の実施形態にかかる半導体装置30の製造方法を説明するための工程断面図である。図4に示すように、まず、設定工程が実施されるステップS10。かかる設定工程では、ボロンイオンBによる第1の不純物プロファイルXP1とボロンの中性粒子による第2の不純物プロファイルXP2とを形成するためのイオン注入条件が設定される。イオン注入条件の設定は、例えば、制御装置3の図示しない入力部からイオン注入条件を入力し、かかるイオン注入条件の情報が制御部22によって記憶部21に記憶されることによって行われる。ここでは、第1の不純物プロファイルXP1と第2の不純物プロファイルXP2とが半導体基板2に形成されるように、イオン注入条件が設定される。図5に示すように、第1の不純物プロファイルXP1は、ボロンイオンBを加速エネルギー1kevおよびドーズ量3×1015cm2でイオン注入して形成される不純物プロファイルである。また、第2の不純物プロファイルXP2は、ボロンの中性粒子を加速エネルギー3kevおよびドーズ量4×1014cm2でイオン注入して形成される不純物プロファイルである。次に、真空度制御工程が実施されるステップS11。かかる真空度制御工程では、制御部22が記憶部21からイオン注入条件を読み出し、読み出したイオン注入条件に基づいて真空ポンプ5を制御する。これにより、真空チャンバ4内の真空度が制御される。次に、イオン源10からイオンビームを引き出す引き出し工程が実施されるステップS12。かかる引き出し工程においては、制御部22が記憶部21からイオン注入条件を読み出し、読み出したイオン注入条件に基づいて電圧出力部20を制御する。これにより、電圧出力部20からイオン源10のアークチャンバに電圧V1が印加されると共に、電圧出力部20から引き出し電極11に引き出し電圧V2が印加され、イオン源10からイオンビームが引き出される。また、イオン源10から引き出されたイオンビームを減速させる減速工程が実施されるステップS13。かかる減速工程においては、制御部22が記憶部21からイオン注入条件を読み出し、読み出したイオン注入条件に基づいて電圧出力部20を制御する。これにより、減速器13に減速電圧V3が印加され、イオンビームが減速する。減速器13によって減速されたイオンビームは、図6に示すように、n型のウェル領域32が形成された半導体基板31に照射される。これにより、注入工程が実施されるステップS14。かかる注入工程では、上述のように、引き出し電圧V2や減速電圧V3が設定されている。そのため、図5に示す第1の不純物プロファイルXP1と第2の不純物プロファイルXP2とがn型のウェル領域32に形成され、図2に示すように、p型のMOSFETのソース領域36およびドレイン領域37が形成される。このように、第1の実施形態にかかる製造方法では、一度のイオン注入処理によって、ボロンイオンによる不純物プロファイルXP1に加え、ボロンの中性粒子による所望の不純物プロファイルXP2が半導体基板31に形成される。すなわち、一度のイオン注入によって、2つの不純物プロファイルを半導体基板31に形成することができ、その結果、スループットを向上させることができる。また、上述した引き出し工程、減速工程および注入工程は、真空チャンバ4内において真空環境下で行われる。イオンの中性化は、真空チャンバ4内の真空度によっても変化する。かかる真空環境下において、真空チャンバ4内の真空度を低下させると、その分だけ増加した粒子との衝突確率が増加する。例えば、真空チャンバ4内の真空度を1×103Paから1×102Paへ1/10倍低下させると、中性化されたイオンは10倍増加する。そこで、第1の実施形態にかかる製造方法では、真空度調整工程によって、真空チャンバ4内の真空度を制御することで、中性化されたイオン濃度を制御する。すなわち、イオンビームに含まれる中性粒子の量を制御する。これにより、第1の不純物プロファイルXP1および第2の不純物プロファイルXP2をより精度良く形成することが可能となる。第2の実施形態次に、第2の実施形態にかかる製造方法について説明する。第2の実施形態にかかる製造方法は、第1の実施形態にかかる製造方法に対し、さらに、残留欠陥を低減した不純物拡散層を形成する。なお、第2の実施形態にかかる製造方法においては、第1の実施形態にかかる製造方法と同様に、イオン注入装置1が用いられる。また、第1の実施形態と同様に、p型のMOSFETを有する半導体装置30図2参照を製造する場合を例に挙げて説明する。第2の実施形態にかかる製造方法では、第1の実施形態にかかる製造方法と同様に、一度のイオン注入処理によって、ボロンイオンBによる不純物プロファイルXP3に加え、ボロンの中性粒子による不純物プロファイルXP4が基板に形成される。そして、不純物プロファイルXP3に対して不純物プロファイルXP4を適切に設定することによって、アニール処理後に残留欠陥を低減したソース領域36およびドレイン領域37を形成する。これにより、スループットを向上させつつも、さらに、p型のMOSFETの高性能化と性能安定性の向上を図ることが可能となる。以下、第2の実施形態にかかる製造方法について具体的に説明する。まず、残留欠陥について説明する。図7A、図7B、図8Aおよび図8Bは、残留欠陥の発生原理の説明図である。図7Aに示すように、イオン注入によって不純物プロファイルXP3を形成する場合を考える。この場合、図7Aに示すように、不純物プロファイルXP3のピーク濃度位置よりも浅い位置にピーク濃度を有する空格子Ya1が形成され、不純物プロファイルXP3のピーク濃度位置よりも深い位置にピーク濃度を有する格子間シリコンYb1が配置される。図7Bは、図7Aに示す半導体基板31の内部状態を簡易模式的に表している。このような状態で、アニール処理を行った場合、図8Aおよび図8Bに示すように、格子間シリコンYb1によって半導体基板31に2次欠陥が形成される。2次欠陥が形成される位置は、格子間シリコンYb1のピーク濃度位置Xa=XpΔXp付近図7A参照であり、かかる2次欠陥は漏れ電流の増加要因となる恐れがある。そこで、第2の実施形態にかかる製造方法では、格子間シリコンYb1の濃度分布に応じた不純物プロファイルXP4を形成した後に、かかる不純物プロファイルが形成された基板のアニール処理を行う。図9A、図9B、図10Aおよび図10Bは、第2の実施形態にかかる製造方法の説明図である。第2の実施形態にかかる製造方法では、イオン注入装置1によって、図9Aに示すように、不純物プロファイルXP3に加え、不純物プロファイルXP4を一度に基板に形成する。不純物プロファイルXP4は、その形成に伴って生じる空格子Ya2の分布を不純物プロファイルXP3の形成によって生じる格子間シリコンYb1の分布とほぼ一致させた不純物プロファイルである。すなわち、不純物プロファイルXP4は、その形成に伴って生じる空格子Ya2のピーク濃度およびその位置が格子間シリコンYb1とほぼ一致するプロファイルである。図9Bは、図9Aに示す半導体基板31の内部状態を簡易模式的に表している。なお、空格子Ya2および格子間シリコンYb2は、不純物プロファイルXP4を形成する際に形成される。このような状態で、アニール処理を行った場合、図10Aおよび図10Bに示すように、基板内に形成される2次欠陥が低減される。これは、アニール後、格子間シリコンYb1が空格子Ya2に再配置され、また、格子間シリコンYb2は、密度が低いため、2次欠陥は形成されにくいためである。このように、第2の実施形態では、イオン注入装置1によって、2つの不純物プロファイルXP3,XP4を一度に形成することでスループットを向上させ、さらに、半導体基板31に形成される2次欠陥を低減して漏れ電流の増加を抑制することができる。なお、格子間シリコンYb1と空格子Ya2とは、分布がほぼ一致することが望ましいが、かならずしもこれに限定されない。すなわち、不純物プロファイルXP3の形成に伴って生じる格子間シリコンYb1の分布が、不純物プロファイルXP4の形成に伴って生じる空格子Ya2の分布と効果的に重なるように、不純物プロファイルXP4が形成されれば、2次欠陥を低減することができる。なお、第2の実施形態では、イオン注入装置1によって、2つの不純物プロファイルXP3,XP4を一度に形成することとしたが、これに限定されるものではない。例えば、不純物プロファイルXP3のイオン注入工程以下、第1イオン注入工程と記載すると、不純物プロファイルXP4のイオン注入工程以下、第2イオン注入工程と記載するとを別々に実施するようにしてもよい。また、第1イオン注入工程によって注入する物質と第2イオン注入工程によって注入する物質とを反対の導電型としてもよい。例えば、不純物プロファイルXP3をn型の物質で形成し、不純物プロファイルXP4をp型の物質で形成してもよく、また、その逆でもよい。また、注入する物質を導電型とするのではなく、非導電型としてもよい。第3の実施形態次に、第3の実施形態にかかる製造方法について説明する。第3の実施形態にかかる製造方法は、ピーク位置が異なる3つ以上の不純物プロファイルを効率的に基板に形成する。なお、第3の実施形態にかかる製造方法においては、第1および第2の実施形態にかかる製造方法と同様に、イオン注入装置1が用いられる。第3の実施形態にかかる製造方法では、深さピーク濃度の位置が異なる3つ以上の不純物プロファイルを形成することによって厚い不純物層を形成する。ここでは、一例として、深さの異なる11個の不純物プロファイルを形成するが、これに限定されるものではない。具体的には、第3の実施形態にかかる製造方法では、図11に示すように、半導体装置の一例である固体撮像素子50の画素分離領域53を形成する。すなわち、シリコン基板51に形成されたn型のエピタキシャル層52に深さが異なる不純物プロファイルXP10~XP20を形成する。図11は、第3の実施形態にかかる半導体装置の断面図である。以下、図11に示す半導体装置の製造方法を図12~図15を参照して具体的に説明する。図12は、第3の実施形態にかかる製造方法の手順を示す図、図13~図15は、第3の実施形態にかかる製造方法を説明するため工程断面図である。なお、第3の実施形態においては、イオン注入装置1のイオン源10は、1価~3価のボロンイオンB,B,Bを発生するものとする。図11に示すように、まず、設定工程が実施されるステップS20。かかる設定工程では、電圧V1~V3の情報および真空チャンバ4内の真空度の情報を含む第1~第3のイオン注入条件が設定される。次に、第1の真空度制御工程が実施されるステップS21。かかる第1の真空度制御工程では、制御部22が記憶部21から第1のイオン注入条件を読み出し、第1のイオン注入条件に基づいて真空ポンプ5を制御する。これにより、真空チャンバ4内の真空度が制御される。次に、第1のイオン注入工程が実施されるステップS22。かかる第1のイオン注入工程では、制御部22が記憶部21から第1のイオン注入条件を読み出し、第1のイオン注入条件に基づいて電圧出力部20を制御する。これにより、電圧出力部20からイオン源10のアークチャンバに電圧V1が印加されると共に、電圧出力部20から引き出し電極11に引き出し電圧V2が印加され、イオン源10からイオンビームが引き出される。また、電圧出力部20から減速器13に減速電圧V3が印加され、イオン源10から引き出されたイオンビームが減速する。減速器13によって減速されたイオンビームは、シリコン基板51に形成されたn型のエピタキシャル層52のうち、上方にマスク54が形成されていない領域に照射される。ここでは、上述のようにイオン源10は、1価~3価のボロンイオンB,B,Bを発生する。また、予め設定された第1のイオン注入条件に基づき、引き出し電圧V2および減速電圧V3が制御され、また、真空チャンバ4内の真空度が制御される。そのため、イオンビームの中性化が発生し、図13に示すように、n型のエピタキシャル層52に対してボロンイオンB,B,Bおよびボロンの中性粒子による4つの不純物プロファイルXP10,XP13,XP16,XP19が形成される。なお、どの深さに4つの不純物プロファイルを形成するかは、第1のイオン注入条件を調整することによって、適宜変更可能である。次に、第2の真空度制御工程が実施されるステップS23。かかる第2の真空度制御工程では、制御部22が記憶部21から第2のイオン注入条件を読み出し、第2のイオン注入条件に基づいて真空ポンプ5を制御する。これにより、真空チャンバ4内の真空度が制御される。次に、第2のイオン注入工程が実施されるステップS24。かかる第2のイオン注入工程では、制御部22が記憶部21から第2のイオン注入条件を読み出し、第2のイオン注入条件に基づいて電圧出力部20を制御する。これにより、図14に示すように、n型のエピタキシャル層52に対してボロンイオンB,B,Bおよびボロンの中性粒子による4つの不純物プロファイルXP11,XP14,XP17,XP20が形成される。なお、どの深さに4つの不純物プロファイルを形成するかは、第2のイオン注入条件を調整することによって、適宜変更可能である。次に、第3の真空度制御工程が実施されるステップS25。かかる第3の真空度制御工程では、制御部22が記憶部21から第3のイオン注入条件を読み出し、第3のイオン注入条件に基づいて真空ポンプ5を制御する。これにより、真空チャンバ4内の真空度が制御される。次に、第3のイオン注入工程が実施されるステップS26。かかる第3のイオン注入工程では、制御部22が記憶部21から第3のイオン注入条件を読み出し、第3のイオン条件に基づいて電圧出力部20を制御する。第3のイオン注入条件では、イオンビームに中性化を抑制するように、引き出し電圧V2、減速電圧V3および真空チャンバ4内の真空度などが設定されている。そのため、図15に示すように、n型のエピタキシャル層52に対してボロンイオンB,B,Bによる3つの不純物プロファイルXP12,XP15,XP18が形成される。なお、どの深さに3つの不純物プロファイルを形成するかは、第3のイオン注入条件を調整することによって、適宜変更可能である。このように、第3の実施形態にかかる製造方法では、イオン源10において、1価~3価のイオンを発生させ、かつ、引き出し電圧V2、減速電圧V3および真空チャンバ4内の真空度などを制御する。これにより、不純物プロファイルXP10~XP20を、3回のイオン注入工程によって形成することが可能となる。なお、上述の例では、イオン源10において1価~3価のボロンイオンB,B,Bを発生させるようにしたが、これに限定されるものではない。例えば、イオン源10において1価および2価のボロンイオンB,Bを発生させ、3つの不純物プロファイルを形成してもよい。また、例えば、イオン源10において主として1価のボロンイオンBを発生させ、ボロンイオンとボロンの中性粒子によって2つの不純物プロファイルを形成してもよい。この場合、図11に示す画素分離領域53を形成するために、6回のイオン注入工程によって、不純物プロファイルXP10~XP20を形成することができる。以上のように、第3の実施形態にかかる製造方法では、不純物プロファイルXP10~XP20毎にイオン注入処理を行う場合に比べ、スループットを大幅に向上することが可能となる。すなわち、不純物プロファイルXP10~XP20毎にイオン注入処理を行う場合、注入深さ毎に引き出し電圧V2や減速電圧V3を変更することになり、条件毎にイオンビームの立上げ時間を要する。一方、第3の実施形態にかかる製造方法では、1条件で複数の深さの注入が行えるため、一度に複数の不純物プロファイルを形成することができる。そのため、例えば、上述のように、数μmもの厚いエピタキシャル層52の分離を行う画素分離領域53を形成する場合に、スループットを大幅に向上することが可能となる。本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、上述した実施形態では、イオン源において生成するイオンとしてボロンイオンを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。また、半導体装置として、p型のMOSFETを有する半導体装置30や固体撮像素子50を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。"