"半導体薄膜の製造方法であって、4族元素の原子と水素原子とを含む化合物をプラズマと活性種とに分解する工程と、前記活性種を基板上に堆積させる工程とを備え、前記分解する工程において、プラズマ生成エネルギーは休止期間と供給期間とを繰り返すように間欠的に供給され、前記プラズマ生成エネルギーは前記供給期間において時間的に変動する、半導体薄膜の製造方法。前記プラズマ生成エネルギーは、電圧振幅の異なる2つのパルスが合成された信号に基づいて高周波電源によって発生される、請求項1に記載の半導体薄膜の製造方法。プラズマCVD装置であって、高周波電力発生手段と、基板配設部に配設された基板に処理を施す反応室とを備え、前記プラズマCVD装置は、前記反応室内において、4族元素の原子と水素原子とを含む化合物をプラズマと活性種とに分解し、前記活性種を基板上に堆積させ、前記高周波電力発生手段の出力を変調させるための基準信号であって電圧振幅の異なる2つのパルスが合成された間欠信号を発生する変調基準信号発生手段をさらに備えるプラズマCVD装置。前記変調基準信号発生手段は、複数の間欠信号発生手段と、前記複数の間欠信号発生手段の各々から出力された出力信号を合成する信号合成手段とを含む、請求項3に記載のプラズマCVD装置。前記複数の間欠信号発生手段の出力信号は、互いに同期しておりかつ同じ周期を有し、デューティー比が異なる、請求項4に記載のプラズマCVD装置。前記複数の間欠信号発生手段の出力信号は、互いに同期しており、かつ前記複数の間欠信号発生手段の出力信号のうちの1つの周期の整数倍の周期であって互いに異なる周期を有し、かつデューティー比が異なる、請求項4に記載のプラズマCVD装置。液晶表示デバイスにおける各表示画素のスイッチ素子や、太陽電池などの量産プロセスにおいて、製造設備の投資コストの面から、プラズマCVD装置のスループット向上が重要であり、そのためには成膜速度の高速化技術開発が問題となっている。この解決手段である間欠放電プラズマCVD法によって、ある程度良好な膜が得られているものの、間欠放電プラズマCVD法でさえも、製膜速度を速くすると膜質が劣化するという問題も存在する。したがって高速成膜時でも高品質な水素化アモルファスシリコン膜の形成方法の開発が引き続き望まれている。本発明の目的は、上記の課題を解決するためになされたものであり、活性ラジカルの発生を抑制し、太陽電池などの光半導体デバイスとしても十分活用できる高品質な半導体薄膜を形成する製造方法及びその製造方法を実現するプラズマCVD装置を提供することにある。この発明のある局面に係わる半導体薄膜の製造方法は、4族元素の原子と水素原子とを含む化合物をプラズマと活性種とに分解する工程と、活性種を基板上に堆積させる工程とを備え、分解する工程において、プラズマ生成エネルギーは休止期間と供給期間とを繰り返すように間欠的に供給され、プラズマ生成エネルギーは供給期間において時間的に変動する。好ましくは、プラズマ生成エネルギーは、電圧振幅の異なる2つのパルスが合成された信号に基づいて高周波電源によって発生される。この発明の別の局面に係わるプラズマCVD装置は、高周波電力発生手段と、基板配設部に配設された基板に処理を施す反応室とを備え、プラズマCVD装置は、反応室内において、4族元素の原子と水素原子とを含む化合物をプラズマと活性種とに分解し、活性種を基板上に堆積させ、高周波電力発生手段の出力を変調させるための基準信号であって電圧振幅の異なる2つのパルスが合成された間欠信号を発生する変調基準信号発生手段をさらに備える。好ましくは、変調基準信号発生手段は、複数の間欠信号発生手段と、複数の間欠信号発生手段の各々から出力された出力信号を合成する信号合成手段とを含む。好ましくは、複数の間欠信号発生手段の出力信号は、互いに同期しておりかつ同じ周期を有し、デューティー比が異なる。好ましくは、複数の間欠信号発生手段の出力信号は、互いに同期しており、かつ複数の間欠信号発生手段の出力信号のうちの1つの周期の整数倍の周期であって互いに異なる周期を有し、かつデューティー比が異なる。本発明の一実施例によれば、太陽電池などの光半導体デバイスとしても十分活用できる短時間に高品質な半導体薄膜を製造することができる。以下、本発明について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一又は相当部分には同一の符号を付してその説明は繰り返さない。[各実施の形態に共通する容量結合型プラズマCVD装置100Aの構成]図1は、容量結合型プラズマCVD装置100Aの構成を示す図である。図1を参照して、プラズマCVD装置100Aは、反応室1と、高周波電源3と、変調基準信号発生手段4Aと、マッチング回路5を含む。反応室1は、カソード電極2と、アノード電極7と、基板6とを含む。反応室1は密閉可能な筐体から構成される。反応室1内に搬入された基板6は、反応室1内で、p型層、n型層を形成されることが可能となっている。カソード電極2およびアノード電極7は、反応室1内にそれぞれ設置され、平行平板型の電極構造を有する。カソード電極2およびアノード電極7の電極間距離は、所望の処理条件に従って決定され、たとえば1mmから40mmであることが好ましい。カソード電極2に接続されたマッチング回路5と、マッチング回路5に接続された高周波電源3とは、反応室1外にそれぞれ設置される。カソード電極2に高周波電源3および変調用電源4がマッチング回路5を介して接続される。カソード電極2と基板6を固定したアノード電極7との間にプラズマが発生する。さらにプラズマCVD装置100Aにおいては、流量コントローラ図示せずは10sccmのシランガスと130sccmの水素ガスとを反応室1に流量制御しながら導入し導入口を図示せず、一定の流量割合で排気させ、反応室1内の圧力4.0Torrに維持する。高周波電源3とマッチング回路5とは接続され、高周波電源3の出力信号は、マッチング回路5に与えられる。変調基準信号発生手段4Aは、間欠信号発生源9,11と、サーキュレータ10と、アイソレータ12と、信号合成手段13とを含む。変調基準信号発生手段4Aは、高周波電源3とマッチング回路5との間の接続ノードと接続される。間欠信号発生源9の出力がサーキュレータ10を介して信号合成手段13に与えられ、また、間欠信号発生源11からの出力がアイソレータ12を介して信号合成手段13に与えられる。信号合成手段13は、上記の出力信号を合成し、マッチング回路5に出力する。間欠信号発生源9,11から出力されたそれぞれの信号が信号合成手段13に与えられ、合成された信号がマッチング回路5の入力端子に与えられる。信号合成手段13と接地電位との間にアイソレータ12と間欠信号発生源11とが直列に接続される。また信号合成手段13と接地電位との間に間欠信号発生源9とサーキュレータ10とが直列に接続される。間欠信号発生源9から出力された信号はサーキュレータ10を介して、信号合成手段13に入力される。サーキュレータ10は、信号合成手段13における反射信号が間欠信号発生源9へ影響を及ぼさないようにするために設置された回路手段である。なお、同様の機能を有する他の回路手段で代用しても構わない。また信号合成手段13における反射信号が小さく、間欠信号発生源9へ影響を及ぼさないならば、サーキュレータ10を省略しても構わない。一方、間欠信号発生源11からの信号はアイソレータ12を介して、信号合成手段13に入力される。アイソレータ12は信号合成手段13における反射信号が間欠信号発生源11へ影響を及ぼさないようにするために設置された回路手段で、同様の機能を有する他の回路手段で代用しても構わない。また信号合成手段13における反射信号が小さく、間欠信号発生源11へ影響を及ぼさないならば、アイソレータ12を省略しても構わない。高周波電源3からの信号は、信号合成手段13からの間欠信号によって変調され、マッチング回路5に入力される。マッチング回路5からの出力信号はカソード電極2へ入力される。図2は、実施の形態のプラズマCVD装置100Aで行なわれるプラズマ処理を説明するためのフローチャートである。図2を参照して、まず、プラズマCVD処理を行うために、ステップS11において、反応室1に4族元素の原子と水素原子とを含む化合物のガスを注入する。そして、ステップS12において、アノード電極7およびカソード電極2の間に電圧を印加する。この処理により、注入したガスは電離してプラズマ状態または活性種の状態に分離される。反応室1はプラズマまたは活性種の混合状態となる。そして、ステップS13において、アノード電極に設置している基板6に、活性種が基板6の表面および表面近傍で化学反応を起こし、基板6の表面上にアモルファスシリコン膜を生成する。このように、注入したガスをプラズマ状態と活性種の状態にすることにより、基板6の表面上に適切にアモルファスシリコン膜を生成させることが可能となる。[実施の形態]図3は、信号合成手段13から出力される変調用基準信号間欠放電波形W1Aとマッチング回路5から出力される変調高周波電力信号W2Aとを示す図である。図3を参照して、図3A、図3Bに示されているように、横軸に時間が示され、縦軸に信号の振幅が示される。ここで、変調用基準信号間欠放電波形W1Aのオンオフ状態により、変調高周波電力信号W2Aの出力信号が変調される。図3Aは、信号合成手段13から出力される変調用基準信号W1Aを示す図である。図3Aを参照して、変調用電源信号W1Aは、周期Tの高低2段のパルス振幅を持つパルス信号である。時刻0~t1間は振幅0のため、電力は供給されない。この時刻0~t1間は、ゲートパルス信号である信号W1Aはオフ状態となる。時刻t1~t12時間Ton1間は、一定の振幅V1の電力が供給され、時刻t12~t2時間Ton2の間は、一定の振幅V2V2>V1の電力が供給される。この時刻t1~t2間は、ゲートパルス信号である信号W1Bはオン状態となる。信号W1Aは周期Tで上記のような電力供給を繰り返す。一方、図1の高周波電源3は発振周波数13.56MHzの高周波電力信号図示せずを出力する。この高周波電力信号について直流的にオンオフの切り替えを一定周期で繰り返す。実施の形態では、間隔オン時間を0.5msec、オフ時間は2.0msecにそれぞれ設定する。次に、図3Bは、マッチング回路5から出力される変調高周波電力信号W2Aを示す図である。図3Bを参照して、信号W2Aは、マッチング回路5において、高周波電源3から出力されるオン時の高周波電力信号が変調用基準信号W1Aによって変調された変調高周波電力の信号を示す。この変調高周波電力はマッチング回路5を介してカソード電極2に供給される。これによりカソード電極2とアノード電極7との間の領域で電位差が生じ、注入されている気体が電離化しプラズマが発生する。このようにして、シランプラズマを両電極間に発生させることによって、基板6の表面上にa-Si:H膜水素化アモルファスシリコン膜を堆積させる。実施の形態では、高周波電力を直流的にオンオフ動作が一定周期で繰り返したが、プラズマ生成のための高周波電力を完全にオフ状態にせずとも、プラズマ生成のオンオフを行うことができればよい。なお、実施の形態においては、基板温度を200°Cに設定した。実施の形態の入力波形を用いることで、後に説明するように製膜時間が短縮でき高品質な水素化アモルファスシリコン膜を製膜することができる。[実施の形態の変形例1]実施の形態と比較しつつ、実施の形態の変形例1を説明する。以下の説明では、実施の形態と異なる部分のみについて説明し、実施の形態と同様な部分については、同一の符号を付して説明は繰り返さない。図4は、信号合成手段13から出力される変調用基準信号W1Bとマッチング回路5から出力される変調高周波電力信号W2Bとを示す図である。図4Aは、信号合成手段13から出力される変調用基準信号W1Bを示す図である。図4Aを参照して、変調用基準信号W1Bは、周期Tの高低2段のパルス振幅を持つパルス信号である。時刻0~t1の間は振幅0のため、電力は供給されない。この時刻0~t1間は、ゲートパルス信号である信号W1Bはオフ状態となる。時刻t1~t12時間Ton2間は、一定の振幅V2の電力が供給され、時刻t12~t2時間Ton1間は、一定の振幅V1V1<V2の電力が供給される。この時刻t1~t2間は、ゲートパルス信号である信号W1Bはオン状態となる。信号W1Bは周期Tで上記のような電力供給を繰り返す。一方、図1の高周波電源3は発振周波数13.56MHzの高周波電力信号図示せずを出力する。この高周波電力信号について直流的にオンオフの切り替えが一定周期で繰り返される。次に、図4Bは、マッチング回路5から出力される変調高周波電力信号W2Bを示す図である。図4Bを参照して、信号W2Bは、マッチング回路5において、高周波電源3から出力されるオン時の高周波電力信号が変調用基準信号W1Bによって変調された変調高周波電力の信号を示す。この変調高周波電力は、マッチング回路5を介してカソード電極2に供給される。これによりカソード電極2とアノード電極7との間の領域でプラズマが発生する。実施の形態の変形例1の入力波形を用いることで、後に説明するように製膜時間が短縮でき高品質な水素化アモルファスシリコン膜を製膜することができる。[実施の形態の変形例2]実施の形態と比較しつつ、実施の形態の変形例2を説明する。以下の説明では、実施の形態と異なる部分のみについて説明し、実施の形態と同様な部分については、同一の符号を付して説明は繰り返さない。図5は、信号合成手段13から出力される変調用基準信号W1Cとマッチング回路5から出力される変調高周波電力信号W2Cとを示す図である。図5Aは、信号合成手段13から出力される変調用基準信号W1Cを示す図である。図5Aを参照して、変調用基準信号W1Cは、周期Tの高低2段のパルス振幅を持つパルス信号である。時刻0~tA1の間は振幅0のため、電力は供給されない。この時刻0~tA1間は、ゲートパルス信号である信号W1Cはオフ状態となる。時刻tA1~tA12時間Ton11の間は、一定の振幅V1の電力が供給され、時刻tA12~tA2時間Ton12の間は、一定の振幅V2V2>V1の電力が供給される。この時刻tA1~tA2間は、ゲートパルス信号である信号W1Cはオン状態となる。時刻tA2~tA3の間は振幅0のため、電力は供給されない。この時刻tA2~tA3間は、ゲートパルス信号である信号W1Cはオフ状態となる。時刻tA3~tA4時間Ton11間は、一定の振幅V1の電力が供給される。この時刻tA3~tA4時間Ton11Ton12間は、ゲートパルス信号である信号W1Cはオン状態となる。さらに信号W1Cは周期T12で上記のような電力供給を繰り返す。実施の形態の波形W1Aと比較すると、波形W1Bはオン状態に常に振幅V2を有さず、振幅V2は周期T12で出力される。一方、図1の高周波電源3は発振周波数13.56MHzの高周波電力信号図示せずを出力する。この高周波電力信号について直流的にオンオフの切り替えが一定周期で繰り返される。図5Bは、マッチング回路5から出力される変調高周波電力信号W2Cを示す図である。図5Bを参照して、信号W2Cは、マッチング回路5において、高周波電源3から出力されるオン時の高周波電力信号が変調用基準信号W1Cによって変調された変調高周波電力の信号である。この変調高周波電力は、マッチング回路5を介してカソード電極2に供給される。これによりカソード電極2とアノード電極7との間の領域でプラズマが発生する。実施の形態の変形例2のように、波形W1Cのオン状態のときに常に高低2段のパルス電源が必要なく、一定の周期で高振幅V2のパルス電源が出力されていればよい。実施の形態の変形例2の入力波形を用いることで、後に説明するように製膜時間が短縮でき高品質な水素化アモルファスシリコン膜を製膜することができる。[実施の形態の信号合成手段13からの出力信号W1Aの生成方法]実施の形態の信号合成手段13からの変調用基準信号間欠放電波形W1Aの生成方法について説明する。なお、実施の形態の変形例1の出力信号W1Bについても下記の同様な処理を行うことにより、生成することができるため、説明は繰り返さない。図6は、図1の信号合成手段13からの出力信号W1Aを説明するための図である。図6を参照して、図6A~図6Cには、各図の横軸に時間が示され、縦軸に出力信号の振幅が示される。図6Aには間欠信号発生源9からの出力信号WX1が示され、図6Bには間欠信号発生源11からの出力信号WY1が示され、図6Cには図2Aと同様の信号合成手段13からの出力信号W1Aが示される。ここで、図6Aの出力信号WX1と図6Bの出力信号WY1とは、同期しており、同じ周期Tを有している。一方、出力信号WX1の振幅V1と比較し、出力信号WY1の振幅V2は大きい。また、間欠信号発生源9からの出力信号Aのオン時間をTON1とし、間欠信号発生源11からの出力信号Bのオン時間をTON2とすると、TON1とTON1とはそれぞれ異なる時間を有する。図1の信号合成手段13は、図6Aの出力信号WX1と図6Bの出力信号WY1とを合成し、図6Cの出力信号W1Aを生成する。この出力信号W1Aと図10Aの変調用電源4の出力信号W1とは、間欠放電波形であるが、信号W1Aにおいてオン時における高低2段のパルス状の変動V1,V2があるのに対して、信号W1においてオン時は振幅V1が一定で振幅の変動がない点で異なる。また、信号W1Aと信号W1とにおいて、パルス周波数及びデューティー比は同じである。信号W1Aの間欠放電におけるオン時の高振幅V2の継続時間は20usecTON2、オン時の低振幅V1の継続時間は480usecTON1、オフ時の継続時間は2msecたとえば時刻0~t1の間である。また、オン時の高振幅V2の継続時間TON2よりもオン時の低振幅V1の継続時間TON1の方が長い。一方、信号W1の間欠放電におけるオン時の振幅V1の継続時間は500usec、オフ時の継続時間は2msecである。図6Cに示されるように実施の形態の変形例1における信号合成手段13からの変調用基準信号W1Aは、低振幅V1の出力信号WX1の次に高振幅V2の出力信号WY1が継続するという時系列になっているが、これに限られない。たとえば、図3Aに示されるように実施の形態の変形例1における信号合成手段13からの変調用基準信号W1Bの場合、すなわち、高振幅V2の出力信号の次に低振幅V1の出力信号が継続するという時系列でも同様の効果が得られる。また、図示はしないが、高振幅V2の出力信号の前後に、低振幅V1の出力信号が分割されている場合、すなわち、低振幅V1の分割された一方の出力信号の次に高振幅V2の出力信号が継続し、その次に低振幅V1の分割された他方の出力信号が継続するという時系列でも同様な効果が得られる。[実施の形態の変形例2の信号合成手段13からの出力信号W1Cの生成方法]実施の形態の変形例2の信号合成手段13からの変調用基準信号間欠放電波形W1Cの生成方法について説明する。図7は、図1の信号合成手段13からの出力信号W1Cを説明するための図である。図7を参照して、図7A~図7Cには、各図の横軸に時間が示され、縦軸に出力信号の振幅が示される。図7Aには間欠信号発生源9からの出力信号WX2が示され、図5Bには間欠信号発生源11からの出力信号WY2が示され、図5Cには図2Aと同様の信号合成手段13からの出力信号W1Cが示される。ここで、図7Aの出力信号WX2と図7Bの出力信号WY2とは、同期している。一方、周期については異なり、出力信号WY2の周期は、出力信号WX2の周期の整数倍2倍の関係にある。また、出力信号WX2の振幅V1と比較し、出力信号WY2の振幅V2は大きい。また、間欠信号発生源9からの出力信号Aのオン時間をTON11とし、間欠信号発生源11からの出力信号Bのオン時間をTON12とすると、TON11とTON12とはそれぞれ異なる時間を有する。図1の信号合成手段13は、図7Aの出力信号WX2と図7Bの出力信号WY2とを合成し、図7Cの出力信号W1Cを生成する。この出力信号W1Cと図10Aの変調用電源4の出力信号W1とは、間欠放電波形であるが、信号W1Cにおいてオン時における高低2段のパルス状の変動V1,V2があるのに対して、信号W1においてオン時は振幅V1が一定で振幅の変動がない点で異なる。また、信号W1Cと信号W1とにおいて、パルス周波数及びデューティー比は同じである。信号W1Cの間欠放電におけるオン時の高振幅V2の継続時間は40usecTON12、オン時の低振幅V1の合計時間は960usec2TON11、オフ時の合計時間は4msecたとえば時刻tA2~tA3の間と時刻tA4~tA5の間の総和である。また、オン時の高振幅V2の継続時間TON12よりもオン時の低振幅V1の継続時間TON11の方が長い。一方、信号W1の間欠放電におけるオン時の振幅V1の継続時間は500usec、オフ時の継続時間は2msecである。図7Cに示されるように実施の形態の変形例2における信号合成手段13からの変調用基準信号W1Cがオン状態のときに、ある区間について低振幅V1の出力信号WX2の次に高振幅V2の出力信号WY2が継続するという時系列になっているが、これに限られない。次に、実施の形態とその変形例1、2を説明したが、従来例と比較しつつ、実施の形態の構成を取ることにより、製膜された水素化アモルファスシリコン膜の特性について説明を行う。図8は、実施の形態によって製膜された水素化アモルファスシリコン膜の特性と従来例によって製膜された水素化アモルファスシリコン膜の特性とを比較した表を示す図である。図8を参照して、実施の形態および従来例に対して、SiH2結合とSiH結合の比以下、SiH2/SiHと略す。、光導電率σphおよびSN比の項目が比較される。さらに、実施の形態の図1の間欠放電波形W1Aにて製膜した水素化アモルファスシリコン薄膜および図10の従来の間欠放電波形W1にて製膜した水素化アモルファスシリコン薄膜のそれぞれの製膜速度も併記した。測定条件は、上述したように入力波形である間欠放電波形W1,W1A以外の条件については同一である。入力波形である間欠放電波形W1,W1A以外の条件、たとえば、プロセス条件ガス流量、反応室1内の圧力、基板温度などは全て同じである。比較項目であるSiH2/SiHは、その値が小さいほど、水素化アモルファスシリコン膜中に含まれるSiH2が少ないことを意味し、水素化アモルファスシリコン膜が高品質であることを示している。比較項目である光導電率σphは、その値が大きいほど、水素化アモルファスシリコン膜中に含まれる欠陥密度が小さいことを意味し、水素化アモルファスシリコン膜が高品質であることを示している。比較項目であるSN比は、光導電率σphと同様に、その値が大きいほど、アモルファスシリコン膜中に含まれる欠陥密度が小さいことを意味し、水素化アモルファスシリコン膜が高品質であることを示している。実施の形態である間欠放電波形W1Aによって製膜された水素化アモルファスシリコン膜では、従来間欠放電波形W1にて製膜された水素化アモルファスシリコン膜に対して、Si-H2結合は減少し、光導電率σph及びSN比は約5倍程度増加している。一般に、製膜速度が小さいと膜質が改善される傾向にあるが、実施の形態である間欠放電波形W1Aにて製膜された水素化アモルファスシリコン膜は、従来の間欠放電波形W1にて製膜された水素化アモルファスシリコン膜に対して製膜速度が大きいにも関わらず、その膜質は良好であった。従って、実施の形態の構成によって、従来の水素化アモルファスシリコン膜に比較して、製膜時間が短縮できかつ高品質の水素化アモルファスシリコン膜を提供することができる。上記の効果は、実施の形態の変形例1および変形例2についても達成でき、実施の形態と同様に高品質の水素化アモルファスシリコン膜を提供することができる。以上の実施の形態では、水素化アモルファスシリコン膜を例にとって説明してきたが、これに限ることなく、4族水素化合物を原科ガスとして作製される、狭バンドギャップのa-SiGe:H膜あるいは広バンドギャップのa-SiC:H膜などのアモルファスシリコン系合金膜の同種元素同士の高速化、高品質化にも有効である。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"