"第1及び第2基板を提供する段階と、第1マスク工程を利用して、前記第1基板上にゲートラインを形成する段階と、第2マスク工程を利用して、前記第1基板上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の半導体パターンと、前記半導体パターン上の画素領域を定義するように前記ゲートラインと交差するデータラインと、ソース電極と、ドレイン電極とを形成する段階と、第3マスク工程を利用して、前記データライン上の有機絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極とを形成し、前記有機絶縁膜を貫通する透過ホールを形成する段階と、第4マスク工程を利用して、前記有機絶縁膜を貫通して前記ドレイン電極と接続された画素電極及び透過ホールを形成し、前記透過ホールの前記画素電極を露出させる反射電極を前記画素電極上に形成する段階とを含み、前記ソース電極は、前記データラインと接続され、前記ドレイン電極は、前記画素電極と接続され、そして、前記有機絶縁膜は、単一層であり、前記ソース電極、ドレイン電極及び画素電極と接続されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。前記第1マスク工程が、前記基板上に前記ゲートラインと実際に並立するストレージラインを形成する段階をさらに含み、前記第2マスク工程は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ストレージラインと重畳されるように前記ドレイン電極及び半導体パターンを伸張させてストレージキャパシタを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1マスク工程が、前記ゲートラインとデータラインの中、少なくとも一つのラインと接続されたパッド下部電極を形成する段階をさらに含み、前記第3マスク工程が、前記パッド下部電極を露出させるコンタクトホールを形成する段階をさらに含み、前記第4マスク工程が、前記コンタクトホールを通じて前記パッド下部電極と接続されたパッド上部電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1マスク工程が、前記パッド下部電極から伸張され、前記データラインと接続されたデータリンクを形成する段階をさらに含み、前記第3マスク工程が、前記データリンク及びデータラインを露出させる複数のコンタクトホールを形成する段階をさらに含み、前記第4マスク工程が、前記コンタクトホールを通じて前記データリンク及びデータラインと接続されたコンタクト電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置の製造方法。前記コンタクト電極が前記画素電極と同一の透明導電膜及び前記反射電極と同一の反射金属層の中、少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。前記コンタクト電極をシーラントによって密封される領域に位置させることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。前記反射電極が、前記画素電極と接続され、前記透過ホールの側面を包むように形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第4マスク工程が、前記有機絶縁膜上に透明導電膜及び反射金属層を形成する段階と、前記反射金属層上に、互いに異なる厚さを有する第1及び第2フォトレジストパターンを形成する段階と、前記第1及び第2フォトレジストパターンをマスクとして利用したエッチング工程によって、前記透明導電膜及び反射金属層をパターニングして、前記画素電極、パッド上部電極、及びコンタクト電極を備えた透明導電パターンと、前記透明導電パターンと同一の端部を有する反射電極とを形成する段階と、前記第1フォトレジストパターンをマスクとして利用したエッチング工程によって、前記透過ホール内の画素電極及び前記パッド上部電極上の反射電極を除去する段階と、前記第1フォトレジストパターンを除去する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1及び第2フォトレジストパターンが、回折露光マスク、ハフトーンマスク、及び部分露光マスクの中の一つを利用したフォトリソグラフィ工程によって形成されることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置の製造方法。前記フォトリソグラフィ工程が前記部分露光マスクを利用する場合、第1及び第2部分露光マスクを利用した2回の露光工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1フォトレジストパターンが前記第1及び第2部分露光マスクでの遮断層に対応し、前記第2フォトレジストパターンが前記第1部分露光マスクでの遮断層に対応することを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置の製造方法。前記透過ホールが、前記ゲート絶縁膜まで前記有機絶縁膜を貫通することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。前記透過ホールが、前記ゲート絶縁膜まで前記有機絶縁膜を貫通することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第3マスク工程が、前記有機絶縁膜を貫通して前記ドレイン電極を露出させるドレインコンタクトホールを形成する段階をさらに含み、前記画素電極が、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と接続されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。前記反射電極及び画素電極が、前記ゲートラインとデータラインの中、少なくとも一つのラインと重畳されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。前記反射電極が、前記画素電極の端部より内側に位置する端部を有するように形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。従って、本発明の目的は、工程を単純化することのできる半透過型薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することである。本発明の上記目的を達成するため、本発明による液晶表示装置は、第1及び第2基板と、第1基板上のゲートラインと、第1基板上のゲート絶縁膜と、ゲートラインと交差して画素領域を限定するデータラインと、ゲートライン及びデータラインと接続された薄膜トランジスタと、ゲートラインとデータライン及び薄膜トランジスタ上に形成され、画素領域内で透過ホールを有する有機絶縁膜と、透過ホールを通じて画素領域の有機絶縁膜上に形成され、薄膜トランジスタと接続された画素電極及び画素電極上に形成され、画素電極と同一のエッジ部を備え、または画素電極のエッジ部より内側に位置したエッジ部を備え、透過ホールの画素電極を露出させる反射電極を含む。本発明の他の態様として、本発明による液晶表示装置の製造方法は、第1及び第2基板を提供する段階と、第1マスク工程を利用して第1基板上にゲートラインを形成する段階と、第2マスク工程を利用して第1基板上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の半導体パターンと、半導体パターン上の画素領域を限定するようにゲートラインと交差するデータラインと、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、第3マスク工程を利用してデータライン上の有機絶縁膜と、ソース電極及びドレイン電極を形成し、有機絶縁膜を貫通する透過ホールを形成する段階と、第4マスク工程を利用して有機絶縁膜を貫通してドレイン電極と接続された画素電極及び透過ホールを形成し、透過ホールの画素電極を露出させる反射電極を画素電極上に形成する段階とを含む。前述のように、本発明による半透過型薄膜トランジスタ基板及びその製造方法において、一つのマスク工程によって有機絶縁膜がパターン化され、複数のコンタクトホールが形成される。また、他の一つのマスク工程によって、画素電極及び反射電極を有する透明導電パターンが形成される。これに従って、本発明の半透過型薄膜トランジスタ基板の製造方法は4マスク工程により工程の単純化が可能になる。また、本発明による半透過型薄膜トランジスタ基板及びその製造方法において、各々異なる層上に形成されたデータリンクとデータラインとが、透明導電膜及び反射金属層の中、少なくとも一つを含むコンタクト電極によって共に接続される。この際、コンタクト電極が、シーラントによって密封される領域内に形成される。従って、反射金属層で形成されたコンタクト電極の露出による腐食の問題を防ぐことが可能になる。以下、図2~図15Bを参照しながら、本発明の好ましい実施形態を詳しく説明する。図2は、本発明の第1実施形態の半透過型薄膜トランジスタ基板を示した平面図であり、図3は、図2に示した半透過型薄膜トランジスタ基板をII-II’、III-III’、IV-IV’線に沿って切断した断面図である。図2及び図3に示した薄膜トランジスタ基板は、下部基板142の上にゲート絶縁膜144を介し交差して画素領域を定義するゲートライン102及びデータライン104、ゲートライン102及びデータライン104と接続された薄膜トランジスタ106、各画素領域に形成され薄膜トランジスタ106と接続された画素電極118、各画素の反射領域に画素電極118と重畳され形成された反射電極156とを備える。これに従って、各画素領域は、反射電極156及び画素電極118が形成された反射領域と、反射電極156の開口部を通じて画素電極118が露出された透過領域とに区分される。薄膜トランジスタ106は、ゲートライン102に供給されるスキャン信号に応じて、データライン104に供給される画素信号が画素電極118に充電され維持されるようにする。このために、薄膜トランジスタ106は、ゲートライン102、データライン104と接続されたソース電極110、ソース電極110と対向して画素電極118と接続されたドレイン電極112、ゲート絶縁膜144を介してゲートライン102と重畳されソース電極110とドレイン電極112との間にチャネルを形成する活性層116、活性層116とソース電極110及びドレイン電極112とのオーミック接触のためにチャネル部を除いた活性層116の上に形成されたオーミック接触層146とを備える。そして、活性層116及びオーミック接触層146を含む半導体パターン148は、工程上データライン104と重畳され形成される。画素電極118は、ゲートライン102とデータライン104との交差で定義された画素領域に形成される。具体的に言うと、画素電極118は、画素領域から有機絶縁膜154及び保護膜150を貫通するドレインコンタクトホール114と、有機絶縁膜154からゲート絶縁膜144まで貫通する透過ホール170とを経由しながら有機絶縁膜154の上に形成される。これに従って、画素電極118は、ドレインコンタクトホール114を通じてドレイン電極112と接続され、透過ホール170を通じて基板142とも接触する。また、画素電極118は、反射領域においてはその上に形成される反射電極156と重畳され、透過領域においては反射電極156の開口部を通じて露出され光を透過させる。このような画素電極118は、薄膜トランジスタ106を通じて供給された画素信号によってカラーフィルター基板図示せずの共通電極と電位差を発生させる。この電位差によって誘電異方性を有する液晶が回転して反射領域と透過領域との各々の液晶層を経由する光の透過率を調節するため、ビデオ信号に応じて輝度が変わる。反射電極156は、外部光を反射させるために各画素の反射領域に形成される。具体的に言うと、反射電極156は、透過ホール170に形成された画素電極118を露出させて透過領域を定義し、その透過領域を包む画素電極118の残部と重畳され反射領域を定義する。そして、反射電極156は、画素電極118と共にデータライン104及びゲートライン102のような信号ライン上で、隣接画素の反射電極156及び画素電極118と分離され形成される。この際、反射電極156は、画素電極118と同一のエッジ部を有したり、反射電極156のエッジ部が画素電極118のエッジ部より多少内側に位置されたりする。このような反射電極156は、画素電極118と共に有機絶縁膜154の表面に沿ったエンボッシング形状を有することによって、散乱効果で反射効率を増大させる。ここで、透過ホール170は、相対的に厚い有機絶縁膜154と、その下側の保護膜150及びゲート絶縁膜144まで貫通して形成されることによって、反射領域と透過領域から液晶層を経由する光経路の長さが同一になる。従って、反射モードと透過モードとの透過効率が同様になる。そして、本発明の薄膜トランジスタ基板は、画素電極118に供給されたビデオ信号を安定的に維持させるために、ドレイン電極112と接続されたストレージキャパシタ120をさらに備える。ストレージキャパシタ120のためにゲートライン102と並立するストレージライン122が形成され、ドレイン電極112が延長され、そのストレージライン122とゲート絶縁膜144とを介して重畳されることによって形成される。この際、ストレージライン122と重畳されたドレイン電極112の下には工程上半導体パターン148がさらに重畳される。そして、画素電極118は、ストレージライン122上からコンタクトホール114を通じてドレイン電極112と接続される。ゲートライン102は、ゲートパッド126を通じてゲートドライバー図示せずと接続される。ゲートパッド126は、ゲートライン102から延長されたゲートパッド下部電極128と、有機絶縁膜154からゲート絶縁膜144まで貫通する第1コンタクトホール130を通じてゲートパッド下部電極128と接続されたゲートパッド上部電極132とを備える。データライン104は、データパッド134を通じてデータドライバー図示せずと接続される。データパッド134は、前述したゲートパッド126と同様の構造で形成される。具体的に言うと、データパッド134は基板142上に形成されたデータパッド下部電極136と、有機絶縁膜154からゲート絶縁膜144まで貫通する第2コンタクトホール138を通じてデータパッド下部電極136と接続されたデータパッド上部電極140とを備える。このようなデータパッド134のデータパッド下部電極136は、別のコンタクト電極図示せずを通じてゲート絶縁膜144の上に半導体パターン148と共に形成されたデータライン104と接続される。ここで、図3Aに示した保護膜150は、図3Bに示したように削除されることもある。このような構成を有する本発明の実施形態の薄膜トランジスタ基板は、次のように4マスク工程で形成される。図4A及び図4Bは、本発明の実施形態の薄膜トランジスタ基板の製造方法の中、第1マスク工程を説明するための平面図及び断面図をそれぞれ示している。第1マスク工程において、下部基板142上に、ゲートライン102及びストレージライン122、ゲートライン102と接続されたゲートパッド下部電極128、データパッド下部電極136を含むゲート金属パターンが形成される。具体的に言うと、下部基板142上にスパッタリング方法等の蒸着方法を通じてゲート金属層が形成される。ゲート金属層としては、Mo、Cu、Al、Ti、Cr、Mo合金、AlNd等のAl合金、Cu合金を単一層構造として利用するか、又は、AlCr、AlMo、AlAl、AlCr、MoAlMo、CuMo、TiAlTi、MoAl、MoTiAl、Cu合金Mo、Cu合金Al、Cu合金Mo合金、Cu合金Al合金、AlMo合金、Mo合金Al、Al合金Mo合金、Mo合金Al合金等を二重層以上の複層構造として利用する。続いて、第1マスクを利用したフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程でゲート金属層がパターニングされることによって、ゲートライン102、ストレージライン122、ゲートパッド下部電極128、及びデータパッド下部電極136を含むゲート金属パターンが形成される。図5A及び図5Bは、本発明の実施形態の薄膜トランジスタ基板の製造方法の中、第2マスク工程を説明するための平面図及び断面図を示している。ゲート金属パターンが形成された下部基板142上にゲート絶縁膜144が形成され、その上に第2マスク工程において、データライン104、ソース電極110、及びドレイン電極112を含むソースドレイン金属パターンと、ソースドレイン金属パターンに沿ってその下に重畳された活性層116及びオーミック接触層146を含む半導体パターン148とが形成される。このような半導体パターン148及びソースドレインパターンは、回折露光マスクまたはハフトーンHalfToneを利用した一つのマスク工程で形成される。以下、回折露光マスクを利用した場合だけを例に取って説明する。具体的に言うと、ゲートパターンが形成された下部基板142上に、ゲート絶縁膜144、非晶質シリコン層、不純物nまたはpドーピングされた非晶質シリコン層、及びソースドレイン金属層が順次形成される。例えば、ゲート絶縁膜144、非晶質シリコン層、及び不純物ドーピングされた非晶質シリコン層はPECVD方法で、ソースドレイン金属層はスパッタリング方法で形成される。ゲート絶縁膜114としては、シリコン酸化物SiOx及びシリコン窒化物SiNx等の無機絶縁物質を利用し、ソースドレイン金属層としては、Mo、Cu、Al、Ti、Cr、Mo合金、AlNd等のAl合金、Cu合金を単一層構造として利用するか、又は、AlCr、AlMo、AlAl、AlCr、MoAlMo、CuMo、TiAlTi、MoAl、MoTiAl、Cu合金Mo、Cu合金Al、Cu合金Mo合金、Cu合金Al合金、AlMo合金、Mo合金Al、Al合金Mo合金、Mo合金Al合金等を二重以上の複層構造として利用する。そして、ソースドレイン金属層の上に回折露光マスクを利用したフォトリソグラフィ工程で段差を有するフォトレジストパターンが形成される。フォトレジストパターンは、半導体パターン及びソースドレインパターンが形成されるべきである領域には相対的に厚く形成され、薄膜トランジスタのチャネルが形成される領域には相対的に薄く形成される。このような段差を有するフォトレジストパターンを利用したエッチング工程において、データライン104、ソース電極110と一体化されたドレイン電極122を含むソースドレイン金属パターンと、その下の半導体パターン148とが形成される。次いで、アッシング工程でフォトレジストパターンの薄い部分は除去させ、厚い部分は薄く、アッシングされたフォトレジストパターンを利用したエッチング工程でソース電極110とドレイン電極112は分離させて、その下のオーミック接触層146は除去させる。続いて、ストリップ工程でソースドレイン金属パターン上に残存するフォトレジストパターンを除去させる。図6A及び図6Bは、本発明の実施形態の薄膜トランジスタ基板の製造方法の中、第3マスク工程を説明するための平面図及び断面図を示している。第3マスク工程において、ソースドレイン金属パターンを覆う保護膜150及び有機絶縁膜154が形成され、それを貫通する透過ホール170、ドレインコンタクトホール114、第1及び第2コンタクトホール130、138が形成される。ここで、保護膜150は削除されることもある。具体的に言うと、ソースドレイン金属パターンが形成されたゲート絶縁膜114上にPECVD等の蒸着方法で保護膜150が形成される。保護膜150としては、ゲート絶縁膜114のような無機絶縁物質が利用される。続いて、保護膜150上に反射領域でエンボッシング表面を有して、透過ホール170、ドレインコンタクトホール114、第1及び第2コンタクトホール130,138を有する有機膜154が形成される。有機絶縁膜154はフォトアクリル等の感光性有機物質をスピンコーティング方法等で保護膜150上にコーティングすることによって形成される。次いで、第3マスクを利用したフォトリソグラフィ工程で有機膜154をパターニングすることによって、第3マスクの透過部に対応して、有機絶縁膜154を貫通する透過ホール170、ドレインコンタクトホール114、第1及び第2コンタクトホール130,138が形成される。また、第3マスクで透過部を除いた残部が遮断部と回折露光部または半透過部を繰り返す構造を有し、これに対応して、有機絶縁膜154は反射領域から段差を有する遮断領域突出部及び回折露光領域溝部を繰り返す構造でパターニングされる。続いて、突出部及び溝部が繰り返された有機膜154を焼成することによって、反射領域で有機膜154の表面はエンボッシング形状を有する。このような有機膜154をマスクとして利用して、その下の保護膜150及びゲート絶縁膜144をパターニングすることによって、透過ホール170と第1及び第2コンタクトホール130、138はゲート絶縁膜144まで貫通するように、ドレインコンタクトホール114は保護膜150まで貫通するように延長される。図7A及び図7Bは、本発明の実施形態の薄膜トランジスタ基板の製造方法の中、第4マスク工程を説明するための平面図及び断面図を示しており、図8A~図8Fは、本発明の第4マスク工程を具体的に説明するための断面図を示している。エンボッシング形状を有する有機絶縁膜154上に、第4マスク工程において、画素電極118、ゲートパッド上部電極132、及びデータパッド上部電極140を含む透明導電パターンと、反射電極156とが形成される。このような透明導電パターンと反射電極156は、回折露光マスク、ハフトーンマスク、部分透過マスクを利用して形成される。図8Aを参照すると、スパッタリング等のような蒸着方法で有機絶縁膜154を覆うように透明導電膜117及び反射金属層155が積層される。透明導電膜117としては、ITO、TO、IZO、ITZO等が利用され、反射金属層155としては、Al、AlNd等のように反射率の高い金属が利用されたり、AlNdMo等のように二重層構造で利用されたりする。続いて、反射金属層155の上にフォトレジスト239が塗布された後、ハフトーンマスク230を利用したフォトリソグラフィ工程で露光及び現像されることによって、図8Bに示したように、段差を有するフォトレジストパターン240が形成される。具体的に言うと、図8Aに示したように、ハフトーンマスク230は、透明な石英基板232と、その上に形成されたハフトーン透過層236及び遮断層234を備える。遮断層234はCrやCrOx等のような金属で、ハフトーン透過層236はMoSix等で形成される。ここで、ハフトーン透過層236及びそれと重畳された遮断層234が位置する遮断部P1は、紫外線UVを遮断することによって、反射金属層155及び透明導電膜117が両方存在すべきである領域に、図8Bに示したように第1フォトレジストパターン240Aを残す。ハフトーン透過層236が位置する部分透過部P2は、紫外線UVを部分的に透過させることによって、透明導電膜117が存在すべきである領域に、図8Bに示したように第1フォトレジストパターン240Aより薄い第2フォトレジストパターン240Bを残す。そして、石英基板232が露出されたフル透過部P3は紫外線UVを全て透過させることによって、反射金属層155及び透明導電膜117が両方除去されるべきである領域に、図8Bに示したようにフォトレジストパターン240を残さない。図8Cを参照すると、フォトレジストパターン240をマスクとして利用したエッチング工程、例えば、ウェットエッチング工程で反射金属層155及び透明導電膜117がパターニングされることによって、画素電極118、ゲートパッド上部電極132、及びデータパッド上部電極140を含む透明導電パターンと、その透明導電パターンと重畳された反射電極156とが同じエッジ部を有するように形成される。画素電極118及び反射電極156は、画素領域から透過ホール170を経由しながら有機絶縁膜154と重畳されて形成され、ドレインコンタクトホール114を通じてドレイン電極112と接続される。この際、有機絶縁膜154の表面がエンボッシング形状を有するため、その上に形成された画素電極118及び反射電極156もエンボッシング形状を有する。ゲートパッド上部電極132及びデータパッド上部電極140は、第1及び第2コンタクトホール130、138の各々を通じてゲートパッド下部電極128及びデータパッド下部電極136と各々接続される。図8Dを参照すると、アッシング工程において、第1フォトレジストパターン240Aは厚さが薄くなり、第2フォトレジストパターン240Bは除去される。図8Eを参照すると、アッシングされた第1フォトレジストパターン240Aをマスクとして利用したウェットエッチング工程で露出された反射電極156がエッチングされることによって、透過ホール170内の画素電極118と、ゲートパッド上部電極132と、データパッド上部電極140とが露出される。この際、アッシングされた第1フォトレジストパターン240Aのエッジ部に従って画素電極118の上の反射電極156のエッジ部が露出されエッチングされることもある。従って、反射電極156のエッジ部が画素電極118のエッジ部より内側に位置することもある。図8Fを参照すると、図8Eで示した反射電極156の上に残存していた第1フォトレジストパターン240Aがストリップ工程で除去される。一方、図8Bに示したように、互いに厚さの異なる第1及び第2フォトレジストパターン240A、240Bを含むフォトレジストパターン240は、図9に示した2枚の露光不足を利用したマスク以下、部分露光マスクという。を連続的に利用した2回露光方法で形成されることもある。図9を参照すると、第1部分露光マスク250は、石英基板252と、その上に部分的に形成された遮断層254とを備える。第2部分露光マスク260は、石英基板262と、その上に部分的に形成された遮断層264とを備える。このような第1及び第2部分露光マスク250、260を順次利用してフォトレジスト239を2回連続して露光する。従って、2回の露光量の合計に応じてフォトレジスト239の現像液の反応量が変わることによって、図8Bに示したように、互いに厚さの異なる第1及び第2フォトレジストパターン240A、240Bが形成される。具体的に言うと、第1及び第2部分露光マスク250、260の遮断層254、264が位置する遮断部P1は、2回の露光で紫外線UVを全て遮断することによって、反射金属層155及び透明導電膜117が両方存在すべきである領域に、図8Bに示したように第1フォトレジストパターン240Aを残す。第1部分露光マスク250の遮断層254だけが位置する部分透過部P2は、2回の露光の中、2番目の紫外線UVだけを透過させることによって、透明導電膜117が存在すべきである領域に、図8Bに示したように第1フォトレジストパターン240Aより薄い第2フォトレジストパターン240Bを残す。そして、第1及び第2部分露光マスク250、260の石英基板252,262が位置するフル透過部P3は、2回の露光で紫外線UVを全て透過させることによって、反射金属層155及び透明導電膜117が両方除去されるべきである領域に、図8Bに示したようにフォトレジストパターン240を残さない。このように、本発明の実施形態の半透過型薄膜トランジスタ基板の製造方法は、4マスク工程で形成されるため、工程の単純化が可能になる。図10は、本発明の実施形態の半透過型薄膜トランジスタ基板の周辺部を概略的に示した図面である。図10に示した半透過型薄膜トランジスタ基板100は、ゲートパッド126と同一層に形成されたデータパッド134とデータライン104とを接続させるためのコンタクト電極160を備える。換言すると、コンタクト電極160は、データパッド134から伸張されたデータリンク135とデータライン104とを接続させる。ここで、コンタクト電極160は、アクティブ領域182に形成される画素電極118と同一の透明導電膜で形成されたり、反射電極156と同一の反射金属層で形成されたり、または透明導電膜及び反射金属層が積層された2重構造で形成されたりする。ここで、コンタクト電極160が反射金属層で形成されて外部に露出された場合には腐食問題が発生するため、シーラント180によって密封される領域、即ち、シーラント180とアクティブ領域182との間に位置して腐蝕を防ぐことが可能になる。図11Aは、図10に示したデータライン104とデータリンク135のコンタクト部を拡大して示した平面図であり、図11B及び図11Cは、図11Aに示したコンタクト部をV-V’線に沿って切断した断面図である。図11A及び図11Bに示したデータリンク135は、データパッド134、即ち、データパッド下部電極136から伸張されてシーラント180に密封される領域に位置するデータライン104に、隣接するか又は重畳される。第3コンタクトホール162は、有機絶縁膜154からゲート絶縁膜144まで貫通してデータリンク135を露出させ、第4コンタクトホール164は有機絶縁膜154及び保護膜150を貫通してデータライン104を露出させる。コンタクト電極160は、データパッド上部電極140のように透明導電層で形成された第1コンタクト電極166と、反射金属層で形成され第1コンタクト電極166を被覆する第2コンタクト電極168とで構成される。これとは異なり、コンタクト電極160は、第1コンタクト電極166だけで形成されるか、または第2コンタクト電極168だけで形成される。このようなコンタクト電極160は、第3及び第4コンタクトホール162、164を通じてデータリンク135とデータライン104とを接続させる。ここで、図11Bに示した保護膜150は、図11Cに示したように削除されることもある。このような半透過型薄膜トランジスタ基板の周辺部、即ち、データライン104とデータリンク135とのコンタクト部は、前述したように第4マスク工程で形成する。これを図12A~図15Bを参照しながら説明する。図12A及び図12Bを参照すると、第1マスク工程で下部基板142上にデータパッド下部電極136と共にデータリンク135を含むゲート金属パターンが形成される。このような第1マスク工程は、図4A及び図4Bで前述した通りである。図13A及び図13Bを参照すると、第2マスク工程でゲート絶縁膜144が形成され、その上に活性層116及びオーミック接触層146を含む半導体パターン148とデータライン104とが積層される。このような第2マスク工程は、図5A乃至図5Bで前述した通りである。図14A及び図14Bを参照すると、第3マスク工程で保護膜150及び有機絶縁膜154が形成され、それを貫通する第3及び第4コンタクトホール162、164が形成される。第3コンタクトホール162は有機絶縁膜154からゲート絶縁膜144まで貫通してデータリンク135を露出させ、第4コンタクトホール164は有機絶縁膜154及び保護膜150を貫通してデータライン104を露出させる。ここで、保護膜150は削除されることもある。このような第3マスク工程は、図6A及び図6Bで前述した通りである。図15A及び図15Bを参照すると、第4マスク工程でデータパッド上部電極140と共に第1及び第2コンタクト電極166、168を含むコンタクト電極160が形成される。コンタクト電極160は、第1及び第2コンタクトホール162、164を通じてデータリンク135及びデータライン104を接続させる。第1コンタクト電極166はデータパッド上部電極140と同一の透明導電膜で、第2コンタクト電極168は前述した反射電極156と同一の反射金属層で形成される。このようなコンタクト電極160は、図8Bに示した遮断部P1の第1フォトレジストパターン240Aに対応して形成される。この際、第2コンタクト電極168は、第1コンタクト電極166と同一形状のエッジ部を有するか、または内側に位置するエッジ部を有する。これとは違って、コンタクト電極160は、透明導電膜である第1コンタクト電極166だけで形成されることもある。この場合、コンタクト電極160は、図8Bに示した部分透過部P2の第2フォトレジストパターン240Bに対応して形成される。前述のように、本発明による半透過型薄膜トランジスタ基板及びその製造方法において、一つのマスク工程によって有機絶縁膜がパターン化され、複数のコンタクトホールが形成される。また、他の一つのマスク工程によって前記画素電極及び反射電極を有する透明導電パターンが形成される。従って、本発明の半透過型薄膜トランジスタ基板の製造方法は4マスク工程で行うことにより工程の単純化が可能になる。また、本発明による半透過型薄膜トランジスタ基板及びその製造方法において、各々異なる層上に形成されたデータリンクとデータラインが、透明導電膜及び反射金属層の中、少なくとも一つを含むコンタクト電極によって共に接続される。この際、コンタクト電極がシーラントによって密封される領域内に形成される。従って、反射金属層で形成されたコンタクト電極の露出による腐食問題を防ぐことが可能になる。以上、説明した内容を通じて、当業者なら本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で、多様な変更及び修正が可能であることが分かる。従って、本発明の技術的範囲は明細書の詳しい説明に記載された内容に限られるのでなく、特許請求の範囲によって決められるべきである。"