20°Cにおける熱膨張係数が0±30ppbであるSiO2を主成分とする石英ガラス基板を、コロイダルシリカと水と酸とを含み、前記コロイダルシリカが、平均一次粒子径が5nm以上20nm未満である研磨スラリーであって、かつ前記研磨スラリー中の前記コロイダルシリカの含有量は10~30質量であり、さらに前記研磨スラリーのpHは1~4の範囲となるように調整された研磨スラリーを用いて、前記ガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さRmsが0.15nm以下になるように研磨することを特徴とする、EUV光を使用する半導体製造用露光装置の光学系に用いる反射マスク用ガラス基板の研磨方法。前記研磨スラリー中の前記コロイダルシリカの含有量は18~25質量であることを特徴とする、請求項1に記載のEUV光を使用する半導体製造用露光装置の光学系に用いる反射マスク用ガラス基板の研磨方法。前記研磨スラリー中のpHは1~3であることを特徴とする、請求項1、または2に記載のEUV光を使用する半導体製造用露光装置の光学系に用いる反射マスク用ガラス基板の研磨方法。幅が60nm以上の凹状欠点を142mm×142mmの範囲内で3個以下にする、請求項1~3のいずれか1項に記載のEUV光を使用する半導体製造用露光装置の光学系に用いる反射マスク用ガラス基板の研磨方法。前記研磨スラリーで研磨した後のガラス基板を、硫酸と過酸化水素水の熱溶液で洗浄し、さらに中性界面活性剤溶液で洗浄する、請求項1~4のいずれか1項に記載のEUV光を使用する半導体製造用露光装置の光学系に用いる反射マスク用ガラス基板の研磨方法。ガラス基板の表面をあらかじめ予備研磨し、その後に前記研磨スラリーで仕上げ研磨する請求項1~5のいずれか1項に記載のEUV光を使用する半導体製造用露光装置の光学系に用いる反射マスク用ガラス基板の研磨方法。前記研磨スラリー中の水が、光散乱方式で計測した0.1μm以上の微粒子数が実質的に1ケ/ml以下である純水または超純水である、請求項1~6のいずれか1項に記載のEUV光を使用する半導体製造用露光装置の光学系に用いる反射マスク用ガラス基板の研磨方法。請求項1~7のいずれか1項に記載のEUV光を使用する線幅が45nm以下の半導体製造用露光装置の光学系に用いる反射マスク用ガラス基板の研磨方法。しかしながら、特許文献2の研磨方法では、研磨材としてシリカ粒子を使用する場合に、研磨速度を向上させるためにその粒子径を1~600nmの広範囲にしており、特に好ましい範囲を20~200nmとしている。そして、微小突起を減少させる観点および経済性の観点から、シリカ粒子の濃度は10重量未満とし、さらに最も好ましくは7重量以下としている。つまり、特許文献2ではシリカ粒子の濃度を上げると微小突起が増加するために前記のように濃度を低くし、その代わりにシリカ粒子の粒子径を1~600nmにして、所望の研磨速度を得ているものと考えられる。その結果、この研磨材で研磨された磁気ディスク用基板の表面平滑性は、微小突起が減少してはいるものの、表面粗さRaが制約され、実施例のRaは0.2~0.3nmとなっている。つまり、特許文献2の研磨方法では、表面粗さRaが0.2~0.3nm程度の研磨しか得られないのである。このように表面粗さRaが0.2~0.3nmの表面平滑性では、EUVLに使用される反射型マスク用のガラス基板、とりわけ45nm以降の世代の半導体製造用露光装置の光学系に用いられる反射型マスクのように極めて高い表面精度と平滑性が要求されるガラス基板として使用することは困難である。また、特許文献3の研磨方法によって得られるディスク基板の平均表面粗さは、実施例に示される最良のものでも0.158nmであり、このような表面粗さでは45nm以降の世代の半導体製造用露光装置の光学系に用いられる反射型マスクとしては、同様に不充分である。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、EUVLに使用される反射型マスク用のガラス基板のように極めて高い表面平滑性および表面精度が要求されるガラス基板を研磨する方法と、表面粗さが従来に比べて小さいガラス基板とを提供することを目的とする。本発明者等は、上記課題を解決するために、45nm以降の世代の半導体製造用露光装置の光学系に用いることが可能な反射型マスク用ガラス基板の研磨について鋭意検討した結果、粒子径が従来より小さいコロイダルシリカと水とを含有する研磨スラリーのpHを酸性に調整して研磨することにより、表面粗さが小さい表面に研磨できることを見出し、本発明を完成したものである。すなわち、本発明は、ガラス基板を高い表面精度で研磨できる次の研磨方法とガラス基板を提供する。1平均一次粒子径が50nm以下のコロイダルシリカと水とを含み、pHを1~4の範囲となるように調整された研磨スラリーを用いて、SiO2を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さRmsが0.15nm以下になるように研磨することを特徴とするガラス基板の研磨方法。2平均一次粒子径が50nm以下のコロイダルシリカと水とを含み、pHを0.5~4の範囲となるように調整された研磨スラリーを用いて、SiO2を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さRmsが0.15nm以下になるように研磨することを特徴とするガラス基板の研磨方法。3平均一次粒子径が20nm未満のコロイダルシリカを用いる上記1または2のガラス基板の研磨方法。4幅が60nm以上の凹状欠点を142mm×142mmの範囲内で3個以下にする上記1、2または3のガラス基板の研磨方法。5前記研磨スラリーがコロイダルシリカと酸と水とを含有してなり、研磨スラリー中のコロイダルシリカの含有量が10~30質量である上記1~4のいずれかのガラス基板の研磨方法。6前記水が、レーザー光等を用いた光散乱方式で計測した0.1μm以上の微粒子数が実質的に1ケ/ml以下である純水または超純水である上記1~5のいずれかのガラス基板の研磨方法。7前記研磨スラリーで研磨した後のガラス基板を、硫酸と過酸化水素水の熱溶液で洗浄し、さらに中性界面活性剤溶液で洗浄する上記1~6のいずれかのガラス基板の研磨方法。8ガラス基板の表面をあらかじめ予備研磨し、その後に前記研磨スラリーで仕上げ研磨する上記1~7のいずれかのガラス基板の研磨方法。9上記1~8のいずれかの研磨方法で研磨された、SiO2を主成分とするガラス基板。10前記ガラス基板が、線幅が45nm以下の半導体製造用露光装置の光学系部品用のガラス基板である上記9のガラス基板。本発明よれば、ガラス基板を表面粗さが極めて小さく、平滑で表面精度が高い表面に研磨できるので、45nm以降の世代の半導体製造用露光装置の光学系に求められている反射型マスク等にも対応できる、平滑性に優れた高精度のガラス基板を得ることができる。また、研磨スラリーに含有されるコロイダルシリカの濃度を高くすることが可能になるので、所望の研磨速度でガラス基板を効率よく研磨できる。本発明においてガラス基板用の被研磨ガラスは、集積回路の高集積化と高精細化に対応可能なEUVL用反射型マスクとして使用できるガラス基板を得るために、熱膨張係数が小さくかつそのばらつきの小さいガラスが用いられる。具体的には20°Cにおける熱膨張係数が0±30ppb/°Cの低膨張ガラスが好適しており、特に20°Cにおける熱膨張係数が0±10ppb/°Cの超低膨張ガラスが好ましい。前記反射型マスクがこのような小さい熱膨張係数のガラスで形成されていれば、半導体製造工程における温度変化に充分に対応して高精細の回路パターンを良好に転写できる。上記低膨張ガラスおよび超低膨張ガラスとしては、SiO2を主成分とする石英ガラスが使用できる。具体的には例えばSiO2を主成分としTiO2を含有する合成石英ガラス、ULE登録商標:コーニングコード7972、ZERODUR独ショット社登録商標などの低膨張ガラスまたは低膨張結晶ガラスを挙げることができる。ガラス基板は通常四角形状の板状体で研磨されるが、形状はこれに限定されない。本発明の研磨方法は、コロイダルシリカと水とを含み、pHを0.5~4、好ましくはpHを1~4の範囲となるように調整された研磨スラリーを用いて実施できる。すなわち、本発明は、研磨材としてのコロイダルシリカシリカ粒子と、pHを調整する酸と、スラリー化する水とを含有する研磨スラリーによってガラス基板を研磨する。ここで、コロイダルシリカの平均一次粒子径は、50nm以下であり、好ましくは20nm未満、より好ましくは15nm未満である。また、コロイダルシリカの平均一次粒子径の下限は限定されないが、研磨効率を向上させる観点から5nm以上が好ましく、より好ましくは10nm以上である。コロイダルシリカの平均一次粒子径が50nm超であると、ガラス基板を所望の表面粗さに研磨することが困難となり、45nm以降の世代の半導体製造用露光装置の光学系部品等に適合するガラス基板が得られなくなるおそれがある。また、コロイダルシリカとしては、粒子径をきめ細かく管理する観点から、一次粒子が凝集してできる二次粒子をできるだけ含有していないことが望ましい。二次粒子を含む場合でも、その平均粒子径は70nm以下であるのが好ましい。なお、本発明におけるコロイダルシリカの粒子径は、SEM走査電子顕微鏡を用いて15~105×103倍の画像を計測することによって得られたものである。また、コロイダルシリカの含有量は、研磨スラリー中において10~30質量が好ましく、18~25質量がより好ましく、18~22質量であることが特に好ましい。コロイダルシリカの含有量が10質量未満では、研磨効率が低下するために研磨時間が長くなり好ましくない。特に本発明では、前記したように平均一次粒子径の細かい粒子のコロイダルシリカを研磨剤として使用するため、コロイダルシリカの含有量が10質量未満では、研磨効率が悪くなり経済的な研磨が得られなくなることがある。一方、コロイダルシリカの含有量が30質量を超えると、コロイダルシリカの使用量が増加するため経済性の面や洗浄性の面などの点で好ましくない。本発明において研磨スラリーは、前記したようにpHが0.5~4、好ましくは1~4、より好ましくは1~3、特に好ましくは1.8~2.5に酸によって調整される。本発明における研磨スラリーのpH調整の目的は、従来において実施されている酸性研磨と実質的に同じであり、研磨スラリーをこのように酸性にすることにより、ガラス基板の表面を化学的および機械的に研磨することが可能となる。すなわち、酸性の研磨スラリーで機械的研磨すると、ガラス表面の凸部が研磨スラリーの酸によって軟化されるため、凸部を機械的研磨で容易に除去できる。これにより、研磨効率が向上すると共に、研磨で取り除かれたガラス粉またはガラス屑が軟化されているので、該ガラス屑等による新たな傷の発生も防止できる。したがって、ガラス基板を平滑性よく効率的に研磨する方法として、研磨スラリーのpHを酸性に調整する方法は有効である。pHが0.5未満であると酸が強くなりすぎるため、研磨機の腐食の点で問題となる。pHが1未満であると、研磨機の腐食は問題とならないレベルであるが、研磨スラリーの取り扱い性が悪くなる。また、pHが4より大きくなると、ガラスに対する前記の化学的研磨効果が低下するので好ましくない。本発明において、研磨スラリーの上記pH調整は、無機酸または有機酸から選択された酸を単独または組み合わせて使用することにより行うことができる。便宜的には、酸性研磨の研磨スラリーのpH調整剤として知られている無機酸または有機酸の多くを適宜選択して用いることができる。例えば、無機酸として、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸などが挙げられるが、中でも硝酸が取り扱いやすさの点で好ましい。フッ酸などのガラスに対して浸蝕性の大きい酸は、傷を顕在させるので用いることはできない。また、有機酸としては、シュウ酸、クエン酸などを例示できる。本発明において、コロイダルシリカの濃度調整またはスラリー化のために用いられる水は、異物を取り除いた純水または超純水が好ましく使用できる。すなわち、取り除く異物微粒子は材質や形状に係わりなく、レーザー光等を用いた光散乱方式で計測した、最大径が0.1μm以上の微粒子数が実質的に1ケ/ml以下の純水または超純水が好ましい。水に0.1μm以上の異物が1ケ/mlより多く混入していると、該異物が研磨中に一種の研磨材として作用してガラスの研磨表面に引っ掻き傷やピットなどの表面欠点を生ぜしめるため、平滑性に優れた高品位の研磨面が得られにくくなる。なお、水中の異物は、例えば、メンブレンフィルターによる濾過や限外濾過により除去できるが、除去方法はこれに限定されない。本発明においてガラス基板の研磨は、コロイダルシリカの平均一次粒径と濃度およびpHが調整された研磨スラリーを研磨装置に供給して行うことができる。この研磨装置は図示しないが、例えば、不織布または研磨布等の研磨具を取り付けた研磨盤でガラス基板を両側から所定の荷重で挟み、該研磨具に前記研磨スラリーを供給しながら研磨盤をガラス基板に対して相対回転させることによって研磨できる。この場合、研磨スラリーの供給量、研磨荷重および研磨盤の回転速度等は、研磨速度や研磨精度などを考慮して適宜決める。本発明の研磨方法は、ガラス基板を複数の研磨工程で研磨するときの最後に行う仕上げ研磨として特に適している。このためガラス基板は、本発明の方法で研磨する前にあらかじめ所定の厚さに研磨加工すると共に、その表面粗さが一定以下になるように予備研磨しておくのが好ましい。この予備研磨は、1乃至複数の研磨工程により行うことができる。その研磨方法は限定されないが、例えば複数の両面ラップ研磨機を連接し、研磨材や研磨条件を変えながら該研磨機で順次研磨することにより、ガラス基板を所定の厚さと表面粗さに予備研磨できる。この予備研磨の表面粗さRmsとしては、例えば3nm以下が好ましく、より好ましくは1.0nm以下、更に好ましくは0.5nm以下である。さらに、本発明の研磨方法で最終研磨されたガラス基板は洗浄される。この洗浄により、研磨されたガラス基板の表面に付着している研磨剤、研磨ガラス屑やその他の異物などを取り除いて清浄にし、さらにガラス基板の表面を中性化することができる。したがって、この洗浄は、研磨に付帯する工程として重要である。この洗浄が不充分であると、後続の検査に不都合が生じるばかりでなく、ガラス基板としての必要品質が得られなくなる。好ましい洗浄方法の一つとして、例えば最初に硫酸と過酸化水素水の熱溶液で洗浄したあと、水ですすぎ洗浄し、次いで中性界面活性剤溶液で洗浄する方法を挙げることができる。しかし、洗浄方法はこれに限定されないで、その他の方法でもよい。本発明の研磨方法で研磨されたガラス基板は、原子間力顕微鏡以下、AFMとするで測定した表面粗さRmsが0.15nm以下であり、より好ましくは0.10nm以下である。本発明は、前記したように平均一次粒子径が50nm以下のコロイダルシリカを含有し、pHが1~4の範囲になるように調整された研磨スラリーを用いて、ガラス基板を研磨することにより、Rmsが0.15nm以下の高精細な平滑面を得ることができる。ここで、AFMとしては、セイコーインスツルメンツ社製SPI3800Nを使用している。Rmsが0.15nmより大きい表面粗さでは、高集積化と高精細化が一層強く求められる45nm以降の世代の半導体製造用露光装置の光学系部品、例えばEUVL用の反射型マスクやミラーなどのガラス基板として供し得なくなる。図1は研磨スラリーで最終研磨したあと洗浄したガラス基板の表面を例えば表面検査機M1350レーザーテック社製で観察したときの一部を平面図で概略的に例示したものであり、図2は図1のA-A部における表面粗さの一例を示す説明図である。図1および図2に示すように、研磨洗浄後のガラス基板3の表面には、一般に表面粗さRmsと別に凹状欠点1や凸状欠点2が存在する。凹状欠点1は、研磨材の粒度の影響や偏りなどにより発生すると考えられ、粒度が大きいほど形状が拡大し、かつ発生個数が増加する傾向が認められる。したがって、研磨材コロイダルシリカの粒径を小さくすることは、かかる凹状欠点の縮小化や減少化の面でも有効である。この凹状欠点1は、ガラス基板3のガラスに形成されているため、洗浄しても取り除くことができない恒久的な問題欠点となる。また、凸状欠点2は洗浄後に残存する研磨材や水に含まれる不純物異物などである。前記凹状欠点1と違って、この凸状欠点は洗浄方法を変えたり、異物を充分に除去した洗浄水を使用して洗浄することにより減らすことができる。本発明の好ましい実施態様におけるガラス基板では、幅60nm以上の凹状欠点1が、142mm×142mmの範囲内で3個以下、好ましくは1個以下になっている。また、幅60nm以上の凸状欠点2は、実質的に存在しないようにするのが好ましい。ここでいう凹状欠点1の幅は、図1および図2に示すように凹状欠点1の最大径wを指している。凸状欠点2の幅もこれと同じである。幅wが60nm以上の凹状欠点1が、142mm×142mmの範囲内に3個より多く存在すると、研磨表面の平坦性が悪くなるばかりでなく、該表面に反射多層膜を形成したとき、膜上の凹凸欠点となるので好ましくない。火炎加水分解法で製造されたTiO2を7質量含有する合成石英ガラスのインゴットを、縦153.0mm×横153.0mm×厚さ6.75mmの板状に内周刃スライサーを用いて切断し、60枚の合成石英ガラスの板材試料以下、試料基材というを作成した。次いで、これらを市販のNC面取り機で120のダイアモンド砥石を用い、縦、横の外形寸法が152mmで面取り幅が0.2~0.4mmになるよう面取り加工を実施した。この試料基材を、次の方法により予備研磨した。すなわち、先ず試料基材を、スピードファム社製20B両面ラップ機を使用し、研磨材として実質的にSiCからなるGC400フジミインコーポレーテッド社製を濾過水に18~20質量懸濁させたスラリーを用いて、厚さが6.63mmになるまでその主表面を研磨加工した。さらに、別の20B両面ラップ機を使用し、研磨材としてAl2O3が主成分のFO1000フジミインコーポレーテッド社製を18~20質量懸濁させたスラリーを用いて、前記試料基材を厚さが6.51mmになるまで研磨した。その後、酸化セリウムを主体としたスラリーとバフを用いて、該試料基材の外周を30μm研磨して端面を表面粗さRa0.05μmに鏡面加工した。次に、これらの試料基材を一次ポリッシュとしてスピードファム社製20B両面ポリッシュ機を使用し、研磨布としてLP66ローデス社製商品名、研磨材としてミレーク801A三井金属社製商品名を10~12質量懸濁させたスラリーを用いて、両面で50μm研磨した。さらに、二次ポリッシュとして20B両面ポリッシュ機を使用し、研磨布としてシーガル7355東レコーテックス社製商品名、研磨材は前述のミレーク801Aを用いて、両面で10μm研磨した後、簡易な洗浄を実施した。この予備研磨された試料基材のRmsは約0.8nmであった。次いで、予備研磨した60枚の試料基材を20枚づつの3グループに分けて最終研磨を実施した。すなわち、第一グループは従来の平均一次粒子径を有するコロイダルシリカと水とを含有する研磨スラリーを用いた。第二グループは、第一グループと同じコロイダルシリカと水とを含有する研磨スラリーに硝酸を添加しpHを所定値に調整した研磨スラリーを用いた。第三グループは、本発明による平均一次粒子径のコロイダルシリカと水とを含有する研磨スラリーに硝酸を添加して第二グループと同じpHに調整した研磨スラリーを用いた。各グループの研磨スラリーの調合方法を表1に示す。また、各グループの研磨スラリーの調合方法以外の仕上げ研磨条件は、すべて同一で以下のとおりである。研磨条件研磨試験機:浜井産業社製両面24B研磨機研磨パッド:カネボウ社製ベラトリックスK7512研磨定盤回転数:35rpm研磨時間:50分研磨荷重:80g/cm2希釈水:純水比抵抗値4.2MΩcm、0.2μm以上異物濾過スラリー流量:10l/min上記条件で試料基材を最終研磨したあと、第一槽目が硫酸と過酸化水素水の90°Cの溶液、第二槽目がすすぎ用の温純水、第三槽目が中性界面活性剤溶液による洗浄槽、これ以降を超純水によるすすぎ槽とIPAによる乾燥槽で構成した多段式自動洗浄機で洗浄した。この洗浄した試料基材をレーザーテック社製のフォトマスク用表面欠点検査機で検査し、142mm×142mm内の幅60nm以上の欠点数の計数と欠点の凹凸判定を行った。なお、各欠点はそれぞれ60~150nmの欠点と150nm超の欠点に分けて計数した。さらに、セイコーインスツルメンツ社製原子間力顕微鏡SP13800Nにより、該基板の表面粗さを計測した。この原子間力顕微鏡による表面粗さの計測は、各試料基材について任意の1ケ所、10μm×10μmの範囲を測定することによって行った。これらの測定結果を表2に示す。表2から明らかのように、コロイダルシリカの平均一次粒子径が62~80nmで、pHの調整を行わない研磨スラリーで研磨した第一グループの試料基材は、60nm以上の凹状欠点および凸状欠点の個数が非常に多く、かつ表面粗さRmsは平均値が0.1296nmであった。一方、上記の第一グループの研磨スラリーのpHを2に調整して研磨した第二グループの試料基材は、60nm以上の凹状欠点の減少はそれほど大きく認められなかったが、凸状欠点は著しく減少している。しかし、表面粗さRmsの平均値はコロイダルシリカの平均一次粒子径が同じであるため第一グループと実質同一であった。これに対し、本発明の研磨方法で研磨した第三グループの試料基材は、コロイダルシリカの平均一次粒子径が10~20nm未満で、pHを2に調整した研磨スラリーを用いているので、第二グループの試料基材では実現できなかった凹状欠点が著しく減少しているとともに、表面粗さRmsの平均値も顕著に小さくなっている。