"ケイ素-酸素含有層を基板上に形成する方法であって、前記方法は、ケイ素-窒素-水素含有層を前記基板上に堆積させることと、前記ケイ素-窒素-水素含有層を前記ケイ素-酸素含有層に変換するために、前記ケイ素-窒素-水素含有層をオゾン硬化温度でオゾン含有雰囲気中でオゾン硬化させることと、前記ケイ素-酸素含有層を形成するために、前記ケイ素-窒素-水素含有層をアミン硬化温度でアミン含有前駆体と水とを含む雰囲気中でアミン硬化させることとを連続するステップとして含む、方法。前記ケイ素-窒素-水素含有層が無炭素ケイ素-窒素-水素含有層である、請求項1に記載の方法。前記ケイ素-窒素-水素含有層が、ラジカル窒素および/または水素前駆体を生産するために、窒素および/または水素含有前駆体をプラズマ領域に流し込むことと、無プラズマ基板処理領域においてケイ素含有前駆体を前記ラジカル窒素および/または水素前駆体と組み合わせることと、前記ケイ素-窒素-水素含有層を前記基板上に堆積させることとによって形成される、請求項1に記載の方法。前記ケイ素含有前駆体が無炭素ケイ素含有前駆体である、請求項3に記載の方法。前記窒素および/または水素含有前駆体が、N2H2、NH3、N2、およびH2のうちの少なくとも1つを含む、請求項3に記載の方法。前記ケイ素含有前駆体がケイ素-窒素含有前駆体を含む、請求項3に記載の方法。前記ケイ素含有前駆体がNSiH33を含む、請求項3に記載の方法。前記オゾン硬化温度が250°C未満である、請求項1に記載の方法。前記アミン硬化温度が150°C未満である、請求項1に記載の方法。前記アミン硬化のステップが無プラズマ基板処理領域で行われる、請求項1に記載の方法。前記オゾン含有雰囲気がスチームをさらに含むとともに、前記基板が前記オゾン硬化温度にある、請求項1に記載の方法。前記アミン硬化温度が、前記オゾン硬化温度未満またはほぼ前記オゾン硬化温度である、請求項1に記載の方法。前記オゾン硬化のステップの期間が約20秒を超える、請求項1に記載の方法。前記アミン硬化のステップの期間が約20秒を超える、請求項1に記載の方法。前記ケイ素-窒素-水素含有層がSi-NおよびSi-H結合を含む、請求項1に記載の方法。前記アミン硬化のステップの後、500°Cより上または約500°Cのドライアニール温度に前記基板の温度を上昇させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記基板がパターン形成され、約32nm以下の幅を有するトレンチを有する、請求項1に記載の方法。前記アミン含有前駆体がアンモニアを含む、請求項1に記載の方法。誘電体層を形成する方法が説明される。この方法は、ケイ素-窒素-水素含有層を基板に形成することを含むことができる。この方法は、ケイ素-窒素-水素含有層をケイ素-酸素含有層に変えるために、ケイ素-窒素-水素含有層をオゾン硬化させることを含む。オゾン硬化の後、この層はアニールの前に低温でアミン-水混合液にさらされる。アミン硬化が存在すると、ケイ素-酸素含有層への変換がアニール中に低温でより迅速に完全に行われるようになる。アミン硬化により、さらに、アニールはケイ素-酸素含有層への変換を達成するのにさほど酸化性でない環境を使用できるようになる。本発明をよりよく理解し真価を認めるために、次に、本発明の実施形態による酸化ケイ素膜を製作する方法100の選択されたステップを示す流れ図である図1を参照する。これらのプロセスは様々な表面トポロジーに有用であるが、例示の方法100は、狭い間隙を含む基板を基板処理領域に移送することを含む工程102。基板は、基板上に形成されたデバイス構成要素例えば、トランジスタの間隔および構造を得るための複数の間隙を有することができる。間隙は、幅に対する高さのアスペクト比ARすなわち、H/Wを画定する高さおよび幅を有することができ、アスペクト比ARは、1:1よりも著しく大きい例えば、5:1以上、6:1以上、7:1以上、8:1以上、9:1以上、10:1以上、11:1以上、12:1以上など。多くの場合、高いARは、約90nmから約22nm以下までの範囲例えば、90nm未満、65nm未満、50nm未満、45nm未満、32未満nm、22nm未満、16nm未満などの小さい空隙幅に起因する。例示の方法100は、ケイ素-窒素-水素含有層を基板上および狭い間隙に形成することを含む。スピンオン誘電体SOD膜は、このカテゴリーならびにいくつかの化学気相堆積技法に該当する。ケイ素-窒素-水素含有層は、狭い間隙に流れ込んで充満するように堆積することができ、次に、酸化ケイ素に変換され得る。化学気相堆積で堆積されるケイ素-窒素-水素含有層は、さらに、共形に例えば、ライナとして堆積することができ、その後、後続の膜が堆積される。これらの領域ならびに介在する領域の各々は、本明細書で参照するケイ素-窒素-水素含有層に含まれる。ケイ素-窒素-水素含有層の堆積の後、堆積基板はオゾン含有雰囲気中でオゾン硬化させることができる106。硬化工程は、トレンチに含む膜中の窒素の濃度を減少させ、一方、酸素の濃度を増加させる。硬化のために基板処理領域に堆積基板をとどめることができ、またはオゾン含有雰囲気が導入される異なるチャンバに基板を移送することができる。基板のオゾン硬化温度は、異なる実施形態では、400°C未満もしくは約400°C、300°C未満もしくは約300°C、250°C未満もしくは約250°C、200°C未満もしくは約200°C、または150°C未満もしくは約150°Cとすることができる。基板の温度は、開示する実施形態では、室温25°C超もしくはほぼ室温、50°C超もしくは約50°C、100°C超もしくは約100°C、150°C超もしくは約150°C、または200°C超もしくは約200°Cとすることができる。上限のいずれかを下限のいずれかと組み合わせて、追加の開示される実施形態による基板温度の追加の範囲を形成することができる。表面近傍のネットワークを閉ざして表面直下の酸化を妨げることがある原子状酸素を生成しないようにするために諸実施形態では基板処理領域にプラズマは存在しない。オゾン硬化の期間は、諸実施形態では約5秒を超えるか、または約10秒を超えることができる。オゾン硬化の期間は、諸実施形態では約60秒未満とするか、または45秒未満もしくは約45秒とすることができる。再び、上限を下限と組み合わせて、追加の開示される実施形態によるオゾン硬化の期間の追加の範囲を形成することができる。硬化ステップ中の基板処理領域へのオゾンの流量まさにオゾン寄与は、開示する実施形態では、500sccm超もしくは約500sccm、1slm超もしくは約1slm、2slm超もしくは約2slm、または2slm超もしくは約2slmとすることができる。硬化ステップ中のオゾンの分圧は、開示する実施形態では、20Torr超もしくは約20Torr、30Torr超もしくは約30Torr、50Torr超もしくは約50Torr、または100Torr超もしくは約100Torrとすることができる。場合によっては、250°C未満もしくは約250°Cから400°Cより上例えば、550°Cの温度に上昇した温度にさらすと、ケイ素-窒素-水素含有膜から酸化ケイ素膜への変換が促進された。オゾン含有雰囲気に水分スチーム/H2Oを付加すると、上昇した温度400°Cより上である場合、酸化ケイ素膜への変換がさらに増加した。ケイ素-窒素含有層のオゾン硬化の後、堆積基板はアミン-水含有雰囲気でアミン硬化させることができる108。アミン-水含有雰囲気は、本明細書ではスチームと呼ばれることがある水蒸気をさらに含有する。再び、アミン-水含有雰囲気が導入される場合、硬化のために使用される同じ基板処理領域に堆積基板をとどめることができ、またはアミン硬化のステップ108のために異なるチャンバに基板を移送することができる。一般的に言えば、アミン-水含有雰囲気はアミン含有前駆体と水とを含むことができる。アミン含有前駆体はアンモニアを含有する場合も含有しない場合もあるが、孤立電子対を有する窒素原子を含有する。孤立電子対は、基板表面の方への行程の一部の間、化学結合に関与しない。水およびアミン例えば、アンモニアは表面への到着の前に相互作用し、結合前駆体を作り出すことができる。基板のアミン硬化温度は、異なる実施形態では、300°C未満もしくは約300°C、200°C未満もしくは約200°C、150°C未満もしくは約150°C、100°C未満もしくは約100°C、または75°C未満もしくは約75°Cとすることができる。基板の温度は、異なる実施形態では、室温25°C超もしくはほぼ室温、50°C超もしくは約50°C、75°C超もしくは約75°C、100°C超もしくは約100°C、または150°C超もしくは約150°Cとすることができる。上限のいずれかを下限のいずれかと組み合わせて、追加の開示される実施形態による基板温度の追加の範囲を形成することができる。開示する実施形態では、アミン硬化温度は、オゾン硬化温度未満であるか、またはオゾン硬化温度にほぼ等しい。アミン硬化の期間は、諸実施形態では約5秒を超えるか、または約10秒を超えることができる。アミン硬化の期間は、諸実施形態では約60秒未満とするか、または45秒未満もしくは約45秒とすることができる。再び、上限を下限と組み合わせて、追加の開示される実施形態によるアミン硬化の期間の追加の範囲を形成することができる。表面近傍のネットワークを変更して好ましい化学反応の表面下浸透を妨げることがある超反応性の酸素および窒素を生成しないようにするために、諸実施形態では基板処理領域にプラズマは存在しない。アミン硬化のステップ108中の基板処理領域へのアミン前駆体の流量は、開示する実施形態では、5slm超もしくは約5slm、10slm超もしくは約10slm、20slm超もしくは約20slm、または40slm超もしくは約40slmとすることができる。アミン硬化のステップ中のアミン前駆体の分圧は、開示する実施形態では、50Torr超もしくは約50Torr、100Torr超もしくは約100Torr、150Torr超もしくは約150Torr、または200Torr超もしくは約200Torrとすることができる。アミン硬化のステップ中の基板処理領域へのスチームの流量は、開示する実施形態では、1slm超もしくは約1slm、2slm超もしくは約2slm、5slm超もしくは約5slm、または10slm超もしくは約10slmとすることができる。アミン硬化のステップ中のスチームの分圧は、開示する実施形態では、10Torr超もしくは約10Torr、20Torr超もしくは約20Torr、40Torr超もしくは約40Torr、または50Torr超もしくは約50Torrとすることができる。スチームに対するアミン前駆体の流量比例えば、sccm単位は、本発明の実施形態では約1:1、2:1、または3:1よりも大きくすることができる。x:yよりも大きい比は、x/yよりも大きい比を有するとして規定される。アミン硬化の後、変換されたケイ素-酸素含有層は、酸化ケイ素膜の形成を完了するためにドライ環境で高温でドライアニールすることができる110。ドライ雰囲気は実質的に真空とすることができ、または貴ガスもしくは別の不活性ガス、すなわち、変換する膜に有意に取り込まれない任意の化学物質を含むことができる。基板のドライアニール温度は、異なる実施形態では、1100°C未満もしくは約1100°C、1000°C未満もしくは約1000°C、900°C未満もしくは約900°C、または800°C未満もしくは約800°Cとすることができる。基板の温度は、異なる実施形態では、500°C超もしくは約500°C、600°C超もしくは約600°C、700°C超もしくは約700°C、または800°C超もしくは約800°Cとすることができる。ドライアニールはインサイチュとするか、または別の処理領域/システム中とすることができ、バッチウエハプロセスまたは枚葉式ウエハプロセスとして行うことができる。硬化工程の酸素含有雰囲気は各々ケイ素-窒素-水素含有膜をケイ素-酸素含有膜または酸化ケイ素膜に変換するために酸素を供給することができる。本発明の実施形態では、ケイ素-窒素-水素含有膜に炭素が存在する場合もあり存在しない場合もある。存在しない場合、ケイ素-窒素-水素含有膜に炭素がないことにより、最終の酸化ケイ素膜に形成される孔が著しく少なくなる。さらに、酸化ケイ素への変換中の膜の体積減少すなわち、収縮が少なくなる。例えば、炭素含有ケイ素前駆体から形成されたケイ素-窒素-炭素層が、酸化ケイ素に変換されるとき40体積以上収縮することがある場合、実質的に無炭素ケイ素-窒素含有膜は約15体積以下だけの収縮となり得る。ケイ素-窒素-水素含有膜の流動性と、収縮のないこととの結果として、方法100により生産されたケイ素-酸素含有膜は、狭いトレンチを充満することができ、そこで、ボイドがなくなる。ケイ素-窒素-水素含有層を堆積させる例示の工程は、無炭素ケイ素前駆体を基板処理領域に供給することによって始まる化学気相堆積プロセスを含むことができる。無炭素ケイ素含有前駆体は、数ある種類のケイ素前駆体の中で、例えば、ケイ素-窒素含有前駆体、ケイ素-水素前駆体、またはケイ素-窒素-水素含有前駆体とすることができる。ケイ素前駆体は、無炭素に加えて無酸素とすることができる。酸素がないことにより、前駆体から形成されたケイ素-窒素含有層のシラノールSi-OH基の濃度は低くなる。堆積された膜の過剰なシラノール部分は、堆積された層から水酸基-OH部分を除去する堆積後のステップ中に気孔率および収縮の増加を引き起こすことがある。無炭素ケイ素前駆体の具体的な例は、数あるシリルアミンの中で、H2NSiH3、HNSiH32、およびNSiH33などのシリルアミンを含むことができる。シリルアミンの流量は、異なる実施形態では、200sccm超もしくは約200sccm、300sccm超もしくは約300sccm、または500sccm超もしくは約500sccmとすることができる。本明細書で与えられた流量は、すべてデュアルチャンバ基板処理システムを参照している。枚葉式ウエハシステムはこれらの流量の半分を必要とし、他のウエハサイズは処理される面積に比例した流量を必要とすることになる。これらのシリルアミンは、キャリアガス、反応性ガス、または両方として働く追加のガスと混合することができる。例示の追加のガスには、数あるガスの中で、H2、N2、NH3、He、およびArが含まれる。無炭素ケイ素前駆体の例は、さらに、シランSiH4を、単独で、または他のケイ素含有ガス例えば、NSiH33、水素含有ガス例えば、H2、および/または窒素含有ガス例えば、N2、NH3と混合して含むことができる。無炭素ケイ素前駆体は、さらに、ジシラン、トリシラン、より高次のシラン、および塩素化シランを、単独で、または互い組み合わせて、もしくは前に説明した無炭素ケイ素前駆体と組み合わせて含むことができる。ラジカル窒素前駆体を基板処理領域に供給することもできる。ラジカル窒素前駆体は、基板処理領域の外でより安定な窒素前駆体から生成された、窒素ラジカル含有前駆体である。例えば、NH3、ヒドラジンN2H4、および/またはN2を含有する安定な窒素前駆体化合物は、チャンバプラズマ領域で、または処理チャンバの外の遠隔プラズマシステムRPSで活性化されてラジカル窒素前駆体を形成することができ、次に、ラジカル窒素前駆体は基板処理領域に移送される。安定な窒素前駆体は、さらに、異なる実施形態ではNH3とN2、NH3とH2、NH3とN2とH2、およびN2とH2を含む混合物とすることができる。N2およびH2を有する混合物において、ヒドラジンをNH3の代わりに、またはNH3と組み合わせて使用することもできる。安定な窒素前駆体の流量は、異なる実施形態では、300sccm超もしくは約300sccm、500sccm超もしくは約500sccm、または700sccm超もしくは約700sccmとすることができる。チャンバプラズマ領域で生産されるラジカル窒素前駆体は、‐N、‐NH、‐NH2などのうちの1つまたは複数とすることができ、さらに、プラズマ中で形成されたイオン化種を伴うことができる。酸素の供給源は、さらに、遠隔プラズマ中でより安定な窒素前駆体と組み合わさることができ、その組合せは酸素を膜に予め与えるが、一方、流動性を減少させるように働くことになる。酸素の供給源は、O2、H2O、O3、H2O2、N2O、NO、またはNO2のうちの1つまたは複数を含むことができる。一般的に言えば、窒素を含有しないラジカル前駆体を使用することができ、次に、ケイ素-窒素-水素含有層の窒素は無炭素ケイ素含有前駆体からの窒素によって供給される。チャンバプラズマ領域を使用する実施形態では、ラジカル窒素前駆体は、堆積領域から仕切られた基板処理領域のセクションで生成され、前駆体は混合および反応して、ケイ素-窒素含有層を堆積基板例えば、半導体ウエハ上に堆積させる。ラジカル窒素前駆体は、水素H2、窒素N2、ヘリウムなどのようなキャリアガスを伴うこともできる。基板処理領域は、ケイ素-窒素-水素含有層の成長の間、および低温オゾン硬化の間、無プラズマとして本明細書で説明されることがある。無プラズマとは、領域にプラズマがまったくないことを必ずしも意味しない。チャンバプラズマ領域のプラズマの境界は画定するのが難しく、シャワーヘッドの開孔を通って基板処理領域に侵入することがある。誘導結合プラズマの場合には、例えば、少量のイオン化が基板処理領域内部で直接発生することがある。さらに、形成される膜の流動性の特質をなくすことなしに低強度プラズマを基板処理領域に作り出すことができる。ラジカル窒素前駆体を作り出している間、プラズマがチャンバプラズマ領域よりも非常に低いイオン密度を有するすべての原因は、本明細書で使用する無プラズマの範囲から外れていない。基板処理領域は、本明細書で説明するアミン硬化の間、同じ規定を使用して、無プラズマとすることもできる。基板処理領域において、無炭素ケイ素前駆体とラジカル窒素前駆体とは混合および反応して、ケイ素-窒素-水素含有膜を堆積基板上に堆積させる。堆積されたケイ素-窒素-水素含有膜は、諸実施形態ではいくつかのレシピの組合せにより共形に堆積させることができる。他の実施形態では、堆積されたケイ素-窒素-水素含有膜は、従来の窒化ケイ素Si3N4膜堆積技法と異なり流動性の特性を有する。形成の流動性の特質により、基板の堆積表面上の狭い間隙、トレンチ、および他の構造に膜が流れ込めるようになる。流動性は、ラジカル窒素前駆体を無炭素ケイ素前駆体と混合することから生じる様々な性質に起因する可能性がある。これらの性質には、堆積された膜中のかなり水素成分、および/または短鎖ポリシラザンポリマーの存在が含まれ得る。これらの短鎖は成長およびネットワーク化して、膜の形成の間およびその後により稠密な誘電材料を形成する。例えば、堆積された膜は、シラザンタイプのSi-NH-Si主鎖すなわち、無炭素Si-N-H膜を有することができる。ケイ素前駆体およびラジカル窒素前駆体の両方が無炭素である場合、堆積されたケイ素-窒素-水素含有膜も実質的に無炭素である。当然、無炭素とは、膜に微量の炭素もないことを必ずしも意味しない。堆積されるケイ素-窒素含有前駆体に入り込む炭素汚染物質は前駆体材料に存在することがある。しかし、これらの炭素不純物の量は、炭素部分を有するケイ素前駆体例えば、TEOS、TMDSOなど中に見いだされるものよりも非常に少ない。上述のように、堆積されるケイ素-窒素-水素含有層は、ラジカル窒素前駆体を無炭素ケイ素含有前駆体と組み合わせることによって生産することができる。無炭素ケイ素含有前駆体は、諸実施形態では実質的に無窒素とすることができる。実施形態によっては、無炭素ケイ素含有前駆体およびラジカル窒素前駆体の両方が窒素を含有する。他方、ラジカル前駆体は、諸実施形態では実質的に無窒素とすることができ、ケイ素-窒素-水素含有層の窒素は無炭素ケイ素含有前駆体で供給することができる。そこで、最も一般的に言えば、ラジカル前駆体はラジカル窒素および/または水素前駆体radical-nitrogen-and/or-hydrogenprecursorと本明細書では呼ばれることになり、それは、前駆体が窒素および/または水素を含有することを意味する。同様に、ラジカル窒素および/または水素前駆体を形成するためにプラズマ領域に流し込まれる前駆体は、窒素および/または水素含有前駆体と呼ばれることになる。これらの一般化は本明細書で開示される実施形態の各々に適用することができる。諸実施形態では、窒素および/または水素含有前駆体は水素H2を含み、一方、ラジカル窒素および/または水素前駆体は‐Hなどを含む。次に、本発明の実施形態による誘電体膜のFTIRスペクトルである図2~3を参照する。本明細書で説明するアミン硬化処置はオゾン硬化工程に続く。図2は、アミン硬化を使用しない処理中の様々な時点でのFTIRスペクトルを示す。約40秒持続した中程度のオゾン硬化の後のスペクトル202が示される。さらに、中程度のオゾン硬化と、次に低温水硬化とを順次適用した後のFTIRスペクトル204が示される。2つのFTIRスペクトル202および204の各々において、3kÅケイ素-酸素含有層内のSi-N結合の存在を示す900cm-1の近くの明白なピークがある。高温ドライアニールの後の別のFTIRスペクトル206が示され、スペクトル206は、Si-Nの濃度の減少しかし、依然としてかなり大きいを示す。別の基板は、期間延長したオゾン硬化40秒の代わりに100秒を使用するという唯一の例外を除いてスペクトル206と同じ条件下で処理されており、結果はFTIRスペクトル208として示される。FTIRスペクトル208は、Si-Nがケイ素-酸素含有膜にほとんど残っていないことを示し、図3におけるアミン硬化を導入する際の目標となるものである。アミン硬化工程を導入することにより、期間延長したオゾン処置を使用することなくSi-NのFTIRシグニチャを実質的に除去することができる。図3は、中程度のオゾン硬化期間延長したオゾン硬化でないと、それに続くアミン硬化とを使用して形成されたケイ素-酸素含有層からのFTIRスペクトルを示す。アミン硬化の後のスペクトル302、後続の低温水硬化の後のスペクトル304、およびドライアニールの後のスペクトル306が示される。アミン硬化を含めても、アミン硬化の後にスペクトルを取得した場合のFTIRスペクトルを変化させているようには見えない202アミン硬化なしを302アミン硬化ありと比較する。しかし、アミン硬化が存在すると、低温水硬化の後の900cm-1にSi-Nピークが減少する204を304と比較する。酸素処置は、開示する実施形態では低温水硬化の後に必要とされず、ウエハスループットを著しく向上させることができる。ドライアニールは、本発明の実施形態のケイ素-酸素含有層への変換を実質的に完了させる。例示の酸化ケイ素堆積システム本発明の実施形態を実施することができる堆積チャンバは、数あるタイプのチャンバの中で、高密度プラズマ化学気相堆積HDP-CVDチャンバ、プラズマ化学気相堆積PECVDチャンバ、準大気圧化学気相堆積SACVDチャンバ、および熱化学気相堆積チャンバを含むことができる。本発明の実施形態を実施することができるCVDシステムの具体例には、カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials,Inc.から入手可能なCENTURAULTIMA登録商標HDP-CVDチャンバ/システム、およびPRODUCER登録商標PECVDチャンバ/システムが含まれる。本発明の例示的な方法とともに使用することができる基板処理チャンバの例には、本出願の譲受人に譲渡された2006年5月30日出願のLubomirsky等のPROCESSCHAMBERFORDIELECTRICGAPFILLという名称の米国特許仮出願第60/803,499号に示され記載されたものを含むことができ、その内容全体がすべての目的のために参照により本明細書に組み込まれる。追加の例示的なシステムは、米国特許第6,387,207号および第6,830,624号に示され記載されたものを含むことができ、これらも同様にすべての目的ために参照により本明細書に組み込まれる。堆積システムの実施形態は、集積回路チップを生産するためのより大きい製造システムに組み込むことができる。図4は、開示する実施形態による堆積チャンバ、ベーキングチャンバ、および硬化チャンバからなる1つのそのようなシステム400を示す。図において、1対のFOUP前部開口一体化ポッド402は基板例えば、直径300mmウエハを供給し、この基板はロボットアーム404で受け取られ、低圧保持区域406に入れられた後、ウエハ処理チャンバ408a~fのうちの1つに入れられる。第2のロボットアーム410を使用して、基板ウエハを保持区域406から処理チャンバ408a~fに輸送し、かつ戻すことができる。処理チャンバ408a~fは、基板ウエハ上の流動性誘電体膜を堆積、アニール、硬化、および/またはエッチングするための1つまたは複数のシステム構成要素を含むことができる。1つの構成では、2対の処理チャンバ例えば、408c~dおよび408e~fを使用して基板上の流動性誘電体材料を堆積させることができ、第3の対の処理チャンバ例えば、408a~bを使用して、堆積された誘電体をアニールすることができる。別の構成では、同じ2対の処理チャンバ例えば、408c~dおよび408e~fは、基板上の流動性誘電体膜の堆積およびアニールの両方を行うように構成することができ、第3の対のチャンバ例えば、408a~bは、堆積された膜のUVまたはEビーム硬化のために使用することができる。さらに別の構成では、3対のすべてのチャンバ例えば、408a~fは、基板上の流動性誘電体膜を堆積およびアニールするように構成することができる。さらに別の構成では、2対の処理チャンバ例えば、408c~dおよび408e~fは流動性誘電体の堆積とUVまたはEビーム硬化との両方に使用することができ、一方、第3の対の処理チャンバ例えば、408a~bは誘電体膜をアニールするために使用することができる。説明したプロセスのうちの任意の1つまたは複数は、異なる実施形態では、図示の製造システムから分離されたチャンバで実行することができる。その上、プロセスチャンバ408a~fのうちの1つまたは複数は湿式処置チャンバとして構成することができる。これらのプロセスチャンバは、湿気を含む雰囲気中で流動性誘電体膜を加熱することを含む。したがって、システム400の実施形態は、堆積された誘電体膜に湿式アニールおよびドライアニールの両方を行うために湿式処置チャンバ408a~bおよびアニール処理チャンバ408c~dを含むことができる。図5Aは、開示する実施形態による基板処理チャンバ500である。遠隔プラズマシステムRPS510はガスを処理することができ、次に、そのガスはガス入口アセンブリ511を通って移動する。2つの別個のガス供給チャネルが、ガス入口アセンブリ511内に見える。第1のチャネル512は遠隔プラズマシステムRPS510を通過するガスを搬送し、第2のチャネル513はRPS510をバイパスする。開示する実施形態では、第1のチャネル502はプロセスガスに使用することができ、第2のチャネル513は処置ガスに使用することができる。リッドまたは導電性上部部分521および孔あき仕切りシャワーヘッドとも呼ばれる553が中間の絶縁リング524とともに示されており、この絶縁リングにより、孔あき仕切り553を基準にしてリッド521に交流電位を印加することができる。プロセスガスは第1のチャネル512を通ってチャンバプラズマ領域520中に移動し、チャンバプラズマ領域520で、単独でまたはRPS510と組合せで、プラズマによって励起することができる。チャンバプラズマ領域520および/またはRPS510の組合せは本明細書では遠隔プラズマシステムと呼ぶことがある。孔あき仕切りシャワーヘッド553は、チャンバプラズマ領域520をシャワーヘッド553の下の基板処理領域570から分離する。シャワーヘッド553により、チャンバプラズマ領域520に存在するプラズマが基板処理領域570中のガスを直接励起しないようにすることができ、一方、依然として、励起種はチャンバプラズマ領域520から基板処理領域570中に移動することができる。シャワーヘッド553は、チャンバプラズマ領域520と基板処理領域570との間に位置づけられ、チャンバプラズマ領域520内に作り出されたプラズマ放出物前駆体または他のガスの励起誘導体が、板の厚さを横断する複数の貫通孔556を通過できるようにする。シャワーヘッド553は、さらに、1つまたは複数の空洞体積部551を有し、この空洞体積部は、蒸気またはガスの形態の前駆体ケイ素含有前駆体などで充填することができ、小孔555から基板処理領域570中に通すが、チャンバプラズマ領域520中に直接通さない。シャワーヘッド553は、本開示の実施形態では、貫通孔556の最小直径550の長さよりも厚い。チャンバプラズマ領域520から基板処理領域570に貫入する励起種のかなり高い濃度を維持するために、貫通孔の最小直径550の長さ526は、シャワーヘッド553を通る貫通孔556の直径部分を途中までより大きく形成することによって制限することができる。貫通孔556の最小直径550の長さは、開示する実施形態では、貫通孔556の最小直径と同じ程度の大きさ以下とすることができる。図示の実施形態では、シャワーヘッド553はプロセスガスを分配することができ貫通孔556を介して、このプロセスガスは、酸素、水素および/または窒素、および/またはチャンバプラズマ領域520のプラズマによる励起の際のそのようなプロセスガスのプラズマ放出物を含有する。諸実施形態では、RPS510に、および/または第1のチャネル512を通してチャンバプラズマ領域520に導入されるプロセスガスは、酸素O2、オゾンO3、N2O、NO、NO2、NH3、N2H4を含むNxHy、シラン、ジシラン、TSA、およびDSAのうちの1つまたは複数を含むことができる。プロセスガスは、ヘリウム、アルゴン、窒素N2などのようなキャリアガスをさらに含むことができる。第2のチャネル513は、さらに、プロセスガスおよび/またはキャリアガス、および/または成長中の膜または堆積されたままの膜から不要成分を除去するのに使用される膜硬化ガスを送出することができる。プラズマ放出物は、プロセスガスのイオン化誘導体または中性誘導体を含むことがあり、本明細書では、導入されたプロセスガスの原子状構成要素を指してラジカル酸素前駆体および/またはラジカル窒素前駆体と呼ぶこともある。諸実施形態では、貫通孔556の数は約60と約2000との間とすることができる。貫通孔556は様々な形状を有することができるが、最も簡単には円形にされる。貫通孔556の最小直径550は、開示する実施形態では約0.5mmと約20mmとの間、または約1mmと約6mmとの間とすることができる。さらに、貫通孔の断面形状を選ぶのに自由裁量範囲があり、断面形状は円錐形、円筒形、またはこれら2つの形状の組合せにすることができる。ガスを基板処理領域570に導入するのに使用される小孔555の数は、異なる実施形態では約100と約5000との間、または約500と約2000との間とすることができる。小孔555の直径は約0.1mmと約2mmとの間とすることができる。図5Bは、開示する実施形態による、処理チャンバで使用するためのシャワーヘッド553の底面図である。シャワーヘッド553は図5Aに示されたシャワーヘッドに対応する。貫通孔556は、シャワーヘッド553の底部では内径IDが大きく、上部ではIDが小さく描かれている。小孔555は、シャワーヘッドの表面にわたって、貫通孔556の間でさえ、実質上均一に分布しており、これは本明細書で説明する他の実施形態よりも均一な混合を行うのに役立つ。シャワーヘッド553の貫通孔556を通って到着するプラズマ放出物が、空洞体積部551に由来して小孔555を通って到着するケイ素含有前駆体と組み合うとき、基板処理領域570内でペデスタル図示せずによって支持された基板上に例示的な膜は作り出される。基板処理領域570は、硬化などの他のプロセスのためにプラズマを支持するように装備することができるが、例示の膜の成長中にはプラズマは存在しない。プラズマは、シャワーヘッド553の上のチャンバプラズマ領域520、またはシャワーヘッド553の下の基板処理領域570で点火することができる。プラズマがチャンバプラズマ領域520に存在して、窒素-水素含有ガスの流入物からラジカル窒素前駆体を生じさせる。一般には高周波RF範囲の交流電圧が、処理チャンバの導電性上部リッド521とシャワーヘッド553との間に印加されて、堆積の間プラズマがチャンバプラズマ領域520で点火される。RF電源は13.56MHzの高いRF周波数を発生するが、他の周波数を単独でまたは13.56MHzの周波数と組み合わせて発生することもできる。基板処理領域570の下部プラズマをオンにして、膜を硬化させるか、または基板処理領域570と境界をなす内部表面を洗浄するとき、上部プラズマは低電力または無電力にしておくことができる。基板処理領域570のプラズマは、シャワーヘッド553とチャンバのペデスタルまたは底部との間に交流電圧を印加することによって点火される。プラズマが存在している間、洗浄ガスを基板処理領域570に導入することができる。本発明の実施形態では、プラズマはアミン硬化の間使用されない。ペデスタルは、基板の温度を制御するために熱交換流体が流れる熱交換チャネルを有することができる。この構成により、基板温度を冷却または加熱して、比較的低い温度室温から約120°Cに維持することができる。熱交換流体はエチレングリコールおよび水を含むことができる。ペデスタルのウエハ支持プラッタ好ましくは、アルミニウム、セラミック、またはこれらの組合せは、さらに、並列同心円の形態で完全に2回転するように構成された埋込み型単ループ埋め込みヒータ要素を使用して、比較的高い温度約120°Cから約1100°Cまでを達成するために抵抗加熱することができる。ヒータ要素の外側部分は支持プラッタの周辺に隣接して延びることができ、内側部分はより小さい半径を有する同心円の経路上を延びる。ヒータ要素への配線はペデスタルのステムを通過する。基板処理システムはシステムコントローラによって制御される。例示的な実施形態では、システムコントローラはハードディスクドライブ、フロッピー登録商標ディスクドライブ、およびプロセッサを含む。プロセッサは、シングルボードコンピュータSBC、アナログおよびデジタル入出力ボード、インターフェースボード、およびステッパモータコントローラボードを含む。CVDシステムの様々な部分は、ボード、カードケージ、およびコネクタの寸法およびタイプを規定するVersaModularEuropeanVME規格に準拠している。VME規格は、さらに、16ビットデータバスおよび24ビットアドレスバスを有するバス構成を規定する。システムコントローラはCVD機械の作業のすべてを制御する。システムコントローラは、コンピュータ可読媒体に記憶されたコンピュータプログラムであるシステム制御ソフトウェアを実行する。好ましくは、媒体はハードディスクドライブであるが、媒体は他の種類のメモリとすることもできる。コンピュータプログラムは、タイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、RF電力レベル、サセプタ位置、および他の特定のプロセスのパラメータを指示する命令のセットを含む。例えば、フロッピー登録商標ディスクまたは他の別の適切なドライブを含む他のメモリデバイスに記憶された他のコンピュータプログラムを使用して、システムコントローラに命令することもできる。膜積層を基板に堆積させるためのプロセス、またはチャンバを洗浄するためのプロセスは、システムコントローラによって実行されるコンピュータプログラムを使用して実施することができる。コンピュータプログラムコードは、例えば、68000アセンブリ言語、C、C、パスカル、フォートランなどの任意の従来のコンピュータ可読プログラミング言語で書くことができる。好適なプログラムコードは、従来のテキストエディタを使用して単一のファイルまたは複数のファイルに入力され、コンピュータのメモリシステムなどのコンピュータ利用可能媒体に記憶または組み入れられる。入力されたコードテキストが高級言語である場合、そのコードはコンパイルされ、次に、得られたコンパイラコードは、プリコンパイルされたMicrosoftWindows登録商標ライブラリルーチンのオブジェクトコードとリンクされる。リンクされたコンパイル済みオブジェクトコードを実行するには、システムユーザがオブジェクトコードを呼び出し、コンピュータシステムにコードをメモリにロードさせる。次に、CPUはコードを読み出して実行し、プログラムで識別されたタスクを行う。ユーザとコントローラとの間のインターフェースはフラットパネルタッチセンスモニタを介する。好ましい実施形態では、2つのモニタが使用され、一方は操作員用にクリーンルームの壁に取り付けられ、他方はサービス技術者用に壁の後ろに取り付けられる。2つのモニタは、同じ情報を同時に表示することができ、その場合、一度に一方だけが入力を受け入れる。特定のスクリーンまたは機能を選択するには、操作員はタッチセンスモニタの指定された区域に接触する。接触された区域が強調表示された色を変化させるか、または新しいメニューもしくはスクリーンが表示され、操作員とタッチセンスモニタとの間の通信が確認される。タッチセンスモニタの代わりに、またはそれに加えてキーボード、マウス、または他のポインティングもしくは通信デバイスなどの他のデバイスを使用することができ、それにより、ユーザはシステムコントローラと通信することができる。本明細書で使用する基板は、層が上に形成されるかどうかにかかわらず支持基板とすることができる。支持基板は、絶縁体、または様々なドーピング濃度およびプロファイルの半導体とすることができ、例えば、集積回路の製造に使用されるタイプの半導体基板とすることができる。酸化ケイ素の層は、少ない濃度の窒素、水素、炭素などのような他の元素成分を含むことがある。本発明のいくつかの実施形態では、酸化ケイ素は実質的にケイ素および酸素からなる。励起状態のガスとは、ガス分子の少なくとも一部が振動的に励起、解離、および/またはイオン化された状態にあるガスを述べている。ガスまたは前駆体は、2つ以上のガスまたは前駆体の組合せとすることができる。トレンチという用語が全体を通して使用されるが、それはエッチングされた形状寸法が大きい水平アスペクト比を有することを意味しない。表面の上から見て、トレンチは円形、楕円形、多角形、長方形、または様々な他の形状に見えることがある。ビアという用語は、垂直電気接続を形成するために金属で充填される場合もありされない場合もある低いアスペクト比のトレンチを指すのに使用される。前駆体という用語は、表面から材料を除去する、または表面に材料を堆積させるための反応に加わるあらゆるプロセスガスまたは蒸発した液滴を指すために用いられる。トレンチという用語が全体を通して使用されるが、それはエッチングされた形状寸法が大きい水平アスペクト比を有することを意味しない。表面の上から見て、トレンチは円形、楕円形、多角形、長方形、または様々な他の形状に見えることがある。ビアという用語は、垂直電気接続を形成するために金属で充填される場合もありされない場合もある低いアスペクト比のトレンチを指すのに使用される。本明細書で使用される共形層とは、ある表面上で、その表面と同じ形状の材料の概ね均一な層を指し、すなわち、層の表面と覆われている表面とが概ね平行である。堆積される材料を100共形にすることは多分できず、したがって、概ねという用語は許容できる公差を考慮に入れていることが当業者には認識されよう。いくつかの実施形態を説明したが、本発明の趣旨から逸脱することなく様々な変更、代替構造、および均等物を使用できることが当業者には認識されよう。さらに、いくつかのよく知られたプロセスおよび要素は、本発明を不必要に不明瞭にしないために説明されていない。その結果、上記の説明は本発明の範囲を限定するものと見なされるべきではない。ある範囲の値が与えられる場合、その範囲の上限と下限との間の各介在値は、文脈上別途明示しない限り下限の単位の10分の1まで明確に開示されていることを理解されたい。提示範囲における任意の提示値または介在値と、その提示範囲における任意の他の提示値または介在値との間のより小さい各々の範囲が包含される。これらのより小さい範囲の上限および下限は、独立してその範囲内に含まれても除外されてもよく、そのより小さな範囲内に限度のいずれかを含む範囲、またはどちらも含まない範囲、または両方を含む範囲は各々提示範囲内で明確に除外された限度に従ってやはり本発明内に包含される。提示範囲が限度の一方または両方を含む場合、これらの含まれる限度のいずれかまたは両方を除外する範囲も含まれる。本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される単数形1つのa、1つのan、およびそのtheは、文脈上別途明示しない限り複数の指示物を含む。したがって、例えば、1つのプロセスへの言及は複数のそのようなプロセスを含み、その前駆体への言及は当業者に知られている1つまたは複数の前駆体およびその均等物への言及を含む、などである。さらに、備えるcomprise、備えているcomprising、含むinclude、含んでいるincluding、および含むincludesという語は、本明細書および添付の特許請求の範囲で使用されるとき、提示した特徴、完全体、構成要素、またはステップの存在を明記するものであるが、1つまたは複数の他の特徴、完全体、構成要素、ステップ、作用、または群の存在または追加を排除しない。"