透光性を有する下部透明基板100と、前記下部透明基板100にコーティングされて電源の印加を受ける下部透明電極200と、メタルが蒸着され、エッチングされた後、下端が前記下部透明電極200に所定の深さ位収容されて形成されたn-電極310と、複数の層で構成され、前記n-電極310の上に蒸着された後エッチングされて、電源印加時に光を発光させるエピタキシャル膜300と、前記エピタキシャル膜300を構成する複数の層のうち、最上端に形成されるp-コンタクト層360の上にメタルが蒸着されてエッチングされることによって形成されたp-電極370と、前記n-電極310と前記p-電極370に各々連結される下部透明電極200と上部透明電極400との間に詰められて、電源印加時に発生するポジティブとネガティブ極性を遮断する透明不導体600と、前記透明不導体600と前記p-電極370の上に積層される上部透明電極400と、透光性を有し、前記上部透明電極400の上に積層される上部透明基板500と、を含むことを特徴とする、透明LEDウエハモジュール。前記エピタキシャル膜300は、前記下部透明電極200に蒸着された後、エッチングされて形成され、かつ前記n-電極310の上端と同一な高さに前記n-電極310の一側に成長するAlGalnN<アルミニウム-ガリウム-インジウム燐化物>バッファ320と、前記n-電極310と前記AlGalnNバッファ320の上に積層されるn-AlGalnN膜330と、前記n-AlGalnN膜330の上に積層され、多数個の量子ウェルQumntumWellで構成が電源が可視光を発光するAlGalnN活性層340と、前記AlGalnN活性層340の上に積層されるp-AIGalnNクラッド膜350と、前記p-AIGalnNクラッド膜350に積層されるp-コンタクト層<pohmiccontactlayer>360と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の透明LEDウエハモジュール。前記n-電極310と前記p-電極370を各々n-AllnGaP<アルミニウム-ガリウム-アーセナイド>層200aとp-Gap<ガリウムホスフィド>層200dに成長させ、かつ、前記エピタキシャル膜300は、前記n-AllnGaP<アルミニウム-ガリウム-アーセナイド>層200aに成長された前記n-電極310の上に積層されるn-AlGalnN膜330をn-AllnGaP<アルミニウム-ガリウム-アーセナイド>層200aに成長させ、前記AlGalnN膜330の上のAlGalnN活性層340をAllnGaP活性層200cに成長させ、前記AlGalnN活性層340の上に順次に積層されるp-AlGalnNクラッド膜350とp-コンタクト層360をp-AllnGaP層200cに成長させることを特徴とする、請求項1に記載の透明LEDウエハモジュール。前記n-電極310と前記p-電極370を各々金属電気接触部100f、100gに成長させ、かつ、前記エピタキシャル膜300は、前記金属電気接触部100fの上に成長された1つ以上のp-AllnGaPクラッディング層100bと、前記p-AllnGaPクラッディング層100bの上に成長されたAllnGaP活性層100cと、前記AllnGaP活性層100cの上に成長されたn-AllnGaPクラッディング層100dと、前記n-AllnGaPクラッディング層100dの上に成長されたn-Gap層100eと、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の透明LEDウエハモジュール製造方法。前記上下部透明電極400、200を通じて電源が印加されて前記AlGalnN活性層340から発生される熱が前記上下部透明基板500、100を通じて放熱されることを特徴とする、請求項1に記載の透明LEDモジュール製造方法。a透光性の下部透明基板100に下部透明電極200をコーティングさせるステップと、b前記aステップでコーティングされた下部透明電極200の上にメタルを蒸着させ、エッチングしてn-電極310を形成させるステップと、c複数の層からなって前記n-電極310の上に蒸着された後、エッチングされて形成され、電源印加時に光を発光させるエピタキシャル膜300と、d前記エピタキシャル膜300の最上端に形成されるp-コンタクト層360の上にメタルを蒸着させ、エッチングしてp-電極370を形成させるステップと、e電源印加時、前記bステップと前記dステップで形成されたn-電極310とp-電極370に各々連結される下部透明電極200と上部透明電極400との間にポジティブとネガティブ極性を遮断するために透明不導体600を詰めるステップと、f前記p-電極370と前記透明不導体の上に上部透明電極400を積層させ、その上に上部透明基板500を積層させるステップと、を含むことを特徴とする、透明LEDウエハモジュール製造方法。前記cステップは、c-1前記bステップで形成された前記n-電極310の露出した上端の高さと同一な高さに一側にAlGalnNバッファ320を蒸着及びエッチングして成長させるステップと、c-2ステップS821の以後、n-電極310とAlGalnNバッファ320の上にn-AlGalnN膜330が蒸着とエッチング工程を通じて積層されS822、その上に複数の量子ウェルQumntumWellで構成されて、前記aステップとfステップで各々形成された下部透明電極200と上部透明電極400を通じて電源の印加を受けて光を発光するAlGalnN活性層340が積層されるステップと、c-3前記AlGalnN活性層340の上にp-AIGalnNクラッド膜350を積層させS824、p-コンタクト層<pohmiccontactlayer>360を積層させるステップと、を含むことを特徴とする、請求項6に記載の透明LEDウエハモジュール製造方法。前記bステップと前記dステップにおいて、前記n-電極310と前記p-電極370を各々n-AllnGaP<アルミニウム-ガリウム-アーセナイド>層200aとp-Gap<ガリウムホスフィド>層200dに成長させ、かつ、前記cステップは、c-4前記n-AllnGaP<アルミニウム-ガリウム-アーセナイド>層200aに成長された前記n-電極310の上に積層されるn-AlGalnN膜330をn-AllnGaP<アルミニウム-ガリウム-アーセナイド>層200aに成長させるステップと、c-5前記AlGalnN膜330の上のAlGalnN活性層340をAllnGaP活性層200cに成長させるステップと、c-6前記AlGalnN活性層340の上に順次に積層されるp-AlGalnNクラッド膜350とp-コンタクト層360をp-AllnGaP層200cに成長させるステップと、を含むことを特徴とする、請求項6に記載の透明LEDウエハモジュール製造方法。前記上下部透明電極400、200を通じて電源が印加されて前記AlGalnN活性層340から発生する熱は前記上下部透明基板500、100を通じて放熱されることを特徴とする、請求項6に記載の透明LEDウエハモジュール製造方法。a’GaAs<ガリウムアーセナイド>基板100aの上に1つ以上のp-AllnGaPクラッディング層100bを成長させるステップと、b’前記p-AllnGaPクラッディング層100bの上にAllnGaP活性層100cを成長させるステップと、c’前記活性層100cの上にn-AllnGAPクラッディング層100dを成長させるステップと、d’前記n-AllnGAPクラッディング層100dの上にn-GAP層100eを成長させるステップと、e’前記GaAs基板100aを除去し、p-AllnGaPクラッディング層100bに金属電気接触部100fを成長させて下部透明基板100にコーティングされた下部透明電極200に積層させるステップと、f’前記n-GAP層100eの上に金属電気接触部100gを成長させ、前記金属電気接触部100gに上部透明電極400と上部透明基板500を順次に積層させるステップと、を含むことを特徴とする、透明LEDウエハモジュール製造方法。したがって、本発明は前述した問題点を解決するために、エピタキシャル過程で透明素材ウエハに成長させ、かつ両面全体を透明素材に成長させた後、積層構造を作って光量を確保し、エピタキシャルステップでLEDモジュールを完成し、工程過程を減らすことは勿論であり、実際的に高い光量を確保することができるようにする透明LEDウエハモジュール及びその製造方法を提供するものである。本発明はLEDチップ素子で多数のエピタキシepitaxyを透明ガラス基板に成長させ、かつエピタキシから出る熱がガラス基板で放熱できるように最小にエピタキシのみを成長させ、2次に、またガラス基板に最小のエピタキシを成長させて放熱問題がガラス基板で解決されるようにする透明LEDウエハモジュール及びその製造方法を提供するものである。そして、本発明はガラス基板の積層時、透明基板エピタキシは両側n極p極全て透明ガラス基時の内にあるの間に空間を作って1次成長されたガラス基板にある最小限のエピタキシの発熱が2次成長されたガラス基板に熱伝導されないようにし、多数枚の透明基板に搭載されたエピタキシの発熱がそれぞれのガラス基板のみに影響を与えるようにして、ウエハとウエハの垂直積層構造を通じて360度の高い光量を確保することができるようにする透明LEDウエハモジュール及びその製造方法を提供するものである。前述した目的を達成するために、透光性を有する下部透明基板、下部透明基板にコーティングされて電源の印加を受けた下部透明電極、下部透明電極に所定間隔だけ離隔するように積層される複数のエピタキシャル膜、エピタキシャル膜が形成されることによって形成されるn-電極とp-電極との間に極性を遮断するためにエピタキシャル膜の離隔した空間の間間に介される透明不導体、p-電極と接触する上部透明電極、及び上部透明電極に積層される上部透明基板を含むことを特徴とする透明LEDウエハモジュールを提供し、底面の下部透明基板に下部透明電極をコーティングさせるステップ、透明電極のためにエピタキシャル膜を形成させるステップ、エピタキシャル膜が形成されることによって形成されるn-電極とp-電極との間に極性を遮断するための透明不導体を詰めるステップ、及びp-電極の上に上部透明電極を積層させ、その上に上部透明基板を積層させるステップを含むことを特徴とする、透明LEDウエハモジュール製造方法を提供する。前述した本発明は、半導体LED素子エピタキシャル過程で透明素材ウエハに成長させ、かつ両面全体を透明素材に成長させた後、また透明ガラス基板を積層させることによって、高い光量を確保することができる効果がある。本発明は、多数のエピタキシャル成長過程を通じてそれぞれのエピウエハに低い電流を印加し、多数のチップ素子が発光し、また積層構造を成して光量を高める効果がある。本願発明は、透明ガラス素材を使用することによって、透光効果を向上させることができるだけでなく、厚い石英ガラス基板の両面にn、p電極が当たるようにすることによって、放熱効果を同期に有するようにすることができる効果がある。即ち、本願発明のガラスからなる基板は放熱個数が金属より高くないが、1つのウエハに印加される電流量が非常に低いため、非常に低い熱が発生して熱伝導を透明電極がコーティングされたガラス基板を通じて放熱することができるので、半導体LED素子を高電流動作に容易に適用できる効果がある。本願発明は、ガラス基板の間をあけて置く構造で透明ガラス基板を積層させながら付着することによって、高輝度ledモジュールを生産できる効果があり、エピタキシャル成長ステップでLEDモジュールを完成し、工程過程を減らすことは勿論であり、実際的に高い光量を確保することができる効果がある。本願発明は、透明基板の上に水平方向に多数のエピタキシャルを成長させ、併せて、垂直方向に多数のエピタキシャルが成長されるように積層させることによって、高い光を放射させることができる効果がある。そして、本発明はパッケージのボリュームを最小化することができ、エポキシモールディング樹脂でチップをモールディングすることを排除する構造を有することによって、UVを使用する半導体LED素子を容易に具現することができる効果がある。上記の目的を達成するために本発明に従う透明LEDウエハモジュールは、透光性を有する下部透明基板100と、前記下部透明基板100にコーティングされて電源の印加を受ける下部透明電極200と、メタルが蒸着され、エッチングされた後、下端が前記下部透明電極200に所定の深さ位収容されて形成されたn-電極310と、複数の層で構成され、前記n-電極310の上に蒸着された後エッチングされて、電源印加時に光を発光させるエピタキシャル膜300と、前記エピタキシャル膜300を構成する複数の層のうち、最上端に形成されるp-コンタクト層360の上にメタルが蒸着されてエッチングされることによって形成されたp-電極370と、前記n-電極310と前記p-電極370に各々連結される下部透明電極200と上部透明電極400との間に詰められて、電源印加時に発生するポジティブとネガティブ極性を遮断する透明不導体600と、前記透明不導体600と前記p-電極370の上に積層される上部透明電極400と、透光性を有し、前記上部透明電極400の上に積層される上部透明基板500と、を含むことを特徴とする。明細書及び請求範囲に使われた用語や単語は、通常的または辞典的な意味に限定解釈されず、発明者は自分の発明を最も最善の方法により説明するために、用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づいて本発明の技術的事象に符合する意味と概念として解釈されなければならない。以下、添付した図面を参照して本発明に従う透明LEDモジュールについて詳細に説明する。本発明に係る透明LEDモジュールは、図4に示すように、下部透明基板100、下部透明電極200、n-電極310、p-電極370、エピタキシャル膜300、透明不導体600、上部透明電極400、及び上部透明基板500を含む。下部透明基板100は、透光性に優れる石英ガラスからなっており、光の発光時に発生する熱を放熱させる。下部透明電極200はやはり透光性に優れる構成要素であって、下部透明基板100にコーティングされるが、この際、下部透明電極200は抵抗値が大きな方であるので、該当抵抗値を減らすために厚くコーティングされる。n-電極310は、下部透明電極200にメタルが蒸着された後、エッチングされて形成されるが、n-電極310の下端は下部透明電極200に所定深さ位収容されて形成され、上端はエピタキシャル膜300のn-AlGalnN膜330と接触するように露出して形成される。エピタキシャル膜300は複数の層からなってn-電極310の上に蒸着された後、エッチングされて形成され、電源印加時に光を発光させる。p-電極370はエピタキシャル膜300を構成する複数の層のうち、最上端に形成されるp-コンタクト層360の上にメタルが蒸着され、エッチングされることによって形成される。透明不導体600は、n-電極310とp-電極370に各々連結される下部透明電極200と上部透明電極400との間に詰められて、電源印加時に発生するポジティブとネガティブ極性を遮断する。上部透明電極400は、印加される電源がエピタキシャル膜300に伝達できるようにp-電極370と接触するように積層され、上部透明基板500は前述した下部透明基板200と同様に透光性に優れる石英ガラスからなっており、光の発光時に発生する熱を放熱させる。一方、エピタキシャル膜300は、AlGalnNバッファ320、n-AlGalnN膜330、AlGalnN活性層340、p-AlGalnNクラッド膜350、及びp-コンタクト層360を含む。AlGalnNバッファ320は、n-電極310の上端と同一な高さにn-電極310の一側に、そして下部透明電極200に蒸着された後、エッチングされて積層される。n-AlGalnN膜330は、n-電極310とAlGalnNバッファ320の上に積層される。AlGalnN活性層340は、n-AlGalnN膜330に積層されて形成され、電源の印加を受けて光を発光させる。p-AlGalnNクラッド膜350は、AlGalnN活性層340に積層されて形成され、p-コンタクト層<pohmiccontactlayer>360はAlGalnN活性層340に積層されて形成される。更に他の実施形態として、n-電極310はn-AllnGaP層200aに、エピタキシャル膜300のn-AlGalnN膜330もn-AllnGaP層200aに、AlGalnN活性層340はAllnGaP活性層200bに、p-AlGalnNクラッド膜350とp-コンタクト層360はp-AllnGaP層200cに、そしてp-電極370はp-Gap層200dに実施することができる。前述したような実施は、結果的にp-Gap層200dの実施のためのものであって、p-GaP層200dへの実施は電流の拡散に優秀性を適用するためである。そして、更に他の実施形態として、図9に示すように、GaAs基板100aの上に1つ以上のp-AllnGaPクラッディング層100bが成長し、p-AllnGaPクラッディ層100bの上に活性層100c、n-AllnGAPクラッディング層100d、及び最上端にn-GAP層100eが成長する。この際、活性層100cから放出される光はp-AllnGaPクラッディング層100bとn-GAP層100eを通じて直ちに放出されるか、LEDダイの内部表面のうちの1つ以上に反射された後に放出される。上記において、p-AllnGaPクラッディング層100bは光が最上端を通じて抜け出るようにするために形成される。p-AllnGaPクラッディ層100bと接触しているGaAs基板100aが除去され、p-AllnGaPクラッディ層100bに金属電気接触部100fを形成させる。以後、下部透明電極200がコーティングされた下部透明ガラス基板100の上にp-AllnGaPクラッディング層100b、p-AllnGaPクラッディ層100b、活性層100c、n-AllnGAPクラッディング層100d、及び最上端にn-GAP層100eが積層されてなされたLEDダイが実装される。そして、最上端のn-GAP層100eに金属電気接触部100gが形成され、次に透明不導体600がウィンドウを形成して詰められて、最後に上部透明電極400が実装され、次に上部透明基板500が実装される。以下、添付した図面を参照して本発明に係る透明LEDモジュール製造方法について詳細に説明する。図1は本発明に係る透明LEDモジュールの製造方法を説明するためのフローチャートであり、図2は透明LEDモジュールが形成される過程を説明するための図である。一定の面積を成して、石英ガラスからなって、光の透過が容易な透光性の透明基板100に下部透明電極200をコーティングさせるステップを遂行するS810。ステップS810でコーティングされた下部透明電極200の上にメタルを蒸着させ、エッチングしてn-電極310を形成させるステップを遂行するS820。ステップS820で、n-電極310の下部は下部透明電極200に所定深さ位収容されるように蒸着されてエッチングされ、n-電極310の上部は後述するエピタキシャル膜300のn-AlGalnN膜330と接触できるように露出して形成される。ステップS820の以後に、複数の層からなるエピタキシャル膜300を蒸着とエッチング工程を通じて形成させるステップを遂行するS830。ステップS830で形成されたエピタキシャル膜300のp-コンタクト層360にn-電極310を形成する‘S820’のような工程によりメタルを蒸着させ、エッチングしてp-電極370を形成させるステップを遂行するS840。電源印加時、ステップS820とステップS840で各々形成されたn-電極310とp-電極370との間のポジティブとネガティブ極性を遮断するためにn-電極310とp-電極370に各々連結される下部透明電極200と上部透明電極400との間に透明不導体600を詰めるステップを遂行するS850。前述したステップS840で蒸着後、エッチングされることによって形成されたp-電極の上に上部透明電極400を積層させ、その上に上部透明基板500を成長させるステップを遂行するS860。光の透過性及び放熱などを考慮して、下部透明基板100と上部透明基板500とに下部透明電極200と上部透明電極400とを各々コーティングし、かつ下部透明基板100と上部透明基板500との上にコーティングされる下部透明電極200と上部透明電極400とは抵抗値が大きな方であるので、抵抗値を減らすために厚さを厚くコーティングする。一方、エピタキシャル膜を形成させる前述したステップS820について図3を参照してより詳細に説明する。図3は、本発明に係るエピタキシャル膜を形成させるステップの具体的なフローチャートである。即ち、前述したステップS830はステップS820で下部透明基板100にコーティングされた下部透明電極200に蒸着され、エッチングされて形成されたn-電極310の露出した上部と同一な高さに、一側にMOCVDmetalorganicchemicalvapordepositionを用いて513210乃至50013210のAIGalnNバッファ320を成長後、エッチングさせるステップが遂行されるS821。ステップS821の以後、n-電極310とAIGalnNバッファ320の上にMOCVDmetalorganicchemicalvapordepositionを用いて1um乃至10umのn-AlGalnN膜330が蒸着とエッチング工程を経て積層されS822、その上に多数個の量子ウェルQumntumWellから構成されて、前述したステップS820とステップS840で各々形成されたn-電極310とp-電極370を通じて印加される電源を通じて光を発光するAlGalnN活性層340が積層されるステップが遂行されるS823。ステップS824でのAlGalnN活性層340の上にMOCVDmetalorganicchemicalvapordepositionを用いて513210乃至50013210のp-AIGalnNクラッド膜350を積層させS824、その上にMOCVDmetalorganicchemicalvapordepositionを用いて513210乃至50013210のp-コンタクト層<pohmiccontactlayer>360を積層させるステップが遂行されるS825。参考に、ここで前述した工程が進行される上下部ガラス基板100、500は、一定の面積を有する個別モジュールに分割されている基板に多数のエピタキシャルを蒸着させる。この際、n-電極310とp-電極370は各々ラッピングLappingとポリシングPolishignからなる下部透明電極200と上部透明電極400の面と接触するように積層される。前述したように製造された透明LEDウエハモジュールは、上下部透明電極400、200に電流が供給されれば、活性層340で発光する光を上下部透明ガラス基板500、100を通じて直接両面に放出されるようにする。参考に、前述した上下部透明基板100、500は全体工程が完了した後、ソーイングSawing工程を経ることによって一定の面積を有する。一方、本発明に係る透明LEDウエハモジュールのエピタキシャル膜が水平方向に複数個が形成されたものを示す図5と、複数のエピタキシャル膜が形成された透明LEDウエハモジュールが垂直方向に積層されるものを示す図6に示すように、前述した複数のエピタキシャル膜300は透明電極200がコーティングされたガラス基板100に水平に成長することができ、垂直方向に積層構造を有する複数の成長がなされて、電流が供給されれば積層構造で成長されたエピタキシャル活性層340で発光する光がガラス基板100、500を通じて放出される。前述したようにエピタキシャル膜300が水平及び垂直方向に形成されて、図7に示すように、複数のエピタキシャル膜300が横及び縦方向に行と列を成しながら配列されることによって、エピタキシャル膜300に含まれて供給される電流の印加を受けて光を発光する活性層340から高い光量を確保することができ、この際、複数のエピタキシャル膜300から出る発熱量は上下部のガラス基板100で吸収されて放熱される。更に他の実施形態として、図8に示すように、n-電極310とn-AlGalnN膜形成ステップは、1.5ミクロン厚さのn-AllnGaP層200aを成長するステップ、活性層形成ステップは0.5ミクロン厚さのAllnGaP活性層200bを成長するステップ、p-電極形成ステップ及びクラッド膜形成ステップは1.0ミクロン厚さのp-AllnGaP層200cをAllnGaP活性層200bの上に成長させるステップ、そしてp-電極形成ステップは30ミクロン厚さのp-Gap層200dをVPEvaporphaseepitaxyにより、またはLPEliquidphaseepitaxy、MBEmolecularbeamepitaxyにより成長するステップで実施することができる。特に、p-Gap層を相対的に厚い厚さで成長させることは電流の拡散を向上させるためである。前述した全ての層の成長はMOCVDmetalorganicchemicalvapordepositionを用いてなされる。監禁層confiniglayerまたはクラッディング層と呼ばれる各層は応力stressを低減させ、バンドギャップを変更して電流の拡散を目的とする。更に他の実施形態として、図9に示すように、GaAs基板100aの上に1つ以上のp-AllnGaPクラッディング層100bが成長し、p-AllnGaPクラッディ層100bの上に活性層100c、n-AllnGAPクラッディング層100d、及び最上端にn-GAP層100eが成長する。この際、活性層100cから放出される光はp-AllnGaPクラッディング層100bとn-GAP層100eを通じて直ちに放出されるか、LEDダイの内部表面のうちの1つ以上に反射された後に放出される。上記において、p-AllnGaPクラッディング層100bは光が最上端を通じて抜け出るようにするために形成される。p-AllnGaPクラッディ層100bと接触しているGaAs基板100aが除去され、p-AllnGaPクラッディ層100bに金属電気接触部100fを形成させる。以後、下部透明電極200がコーティングされた下部透明ガラス基板100の上に、p-AllnGaPクラッディング層100b、p-AllnGaPクラッディ層100b、活性層100c、n-AllnGAPクラッディング層100d、及び最上端にn-GAP層100eが積層されてなされたLEDダイが実装される。そして、最上端のn-GAP層100eに金属電気接触部100gが形成され、次に、透明不導体600がウィンドウを形成して詰められて、最後に上部透明電極400が実装され、次に、上部透明基板500が実装される。n-GAP層100eの上、金属電気接触部100gは光を放出するようにしながら活性層100cのために適した電流拡散を提供することができる他の形態であることがあり、上下部透明電極200、400はLEDダイに対する電力供給源に連結されて電源の印加を受けてLEDチップに流すが、この際、電流量は上下部透明電極200、400とチップが当たる比表面積にどれ位の電流を流すことができるかによる。例えば、電流量が113187の場合、最小限のチップサイズが出て、比表面積チップが若干含浸されるが分かることは勿論である。ここに該当する電流を計算して電流の不足現象が表れる場合、113187より小さくしなければならず、電流が充分であれば113187より大きくしなければならない。そして、チップ間隔は最終商品の光源の明るさとサイズを設定した後、その明るさをチップ個数で割って算定される。即ち、ビームプロジェクトが強烈な光源を必要として5重でバックライトを構成する場合、チップ個数はバックライト口径面積に5を掛けた後、チップ間隔で割れればチップ個数を決定することができる。以上、本発明は実施形態として記載された具体的な例に対してのみ詳細に説明されたが、当業者が本発明の技術事象の範囲内で多様な変形と修正が可能であることは明白であり、このような変形と修正やはり添付した特許請求範囲に属することは当然である。