第1の磁性層、第1の界面磁性層、非磁性層、第2の界面磁性層、及び第2の磁性層が順に積層された磁気抵抗効果素子であって、前記第1の磁性層の下層、前記第1の磁性層と前記第1の界面磁性層との間、前記第2の界面磁性層と前記第2の磁性層との間、及び前記第2の磁性層上のいずれかに第1の金属原子、第2の金属原子、及びB原子を含む金属層が設けられた磁気ランダムアクセスメモリ。前記金属層は、第1の金属原子及びB原子を含む第1の金属層並びに第2の金属原子及びB原子を含む第2の金属層を備えた金属層積層膜であることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。前記第1の金属原子はTiZrHfNb又はLaであり、前記第2の金属原子はTaWMoCr又はVであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。基板上方に第1の磁性層を形成する工程と、前記第1の磁性層上にB原子を含む第1の界面磁性層を形成する工程と、前記第1の界面磁性層上に非磁性層を形成する工程と、前記非磁性層上にB原子を含む第2の界面磁性層を形成する工程と、前記第2の界面磁性層上に第1の金属原子を含む第1の金属層を形成する工程と、熱処理をする工程と、前記第1の金属層を除去する工程と、前記第2の界面磁性層上に第2の金属原子を含む第2の金属層を形成する工程と、前記第2の金属層上に第2の磁性層を形成する工程と、を有する磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。基板上方に第1の磁性層を形成する工程と、前記第1の磁性層上にB原子を含む第1の界面磁性層を形成する工程と、前記第1の界面磁性層上に非磁性層を形成する工程と、前記非磁性層上にB原子を含む第2の界面磁性層を形成する工程と、前記第2の界面磁性層上に第1の金属原子を含む金属層を形成する工程と、前記金属層上に第2の磁性層を形成する工程と、熱処理をする工程と、を有する磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。前記金属層は、さらに第2の金属原子を含むことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。本発明が解決しようとする課題は、界面磁性層が十分に結晶化された磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供することである。実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、第1の磁性層、第1の界面磁性層、非磁性層、第2の界面磁性層、及び第2の磁性層が順に積層された磁気抵抗効果素子を有する。前記第1の磁性層の下層、前記第1の磁性層と前記第1の界面磁性層との間、前記第2の界面磁性層と前記第2の磁性層との間、及び前記第2の磁性層上のいずれかに第1の金属原子、第2の金属原子、及びB原子を含む金属層が設けられる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。第1の実施形態第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリについて以下説明する。図1は第1の実施形態において垂直磁化を有する磁気抵抗効果素子1の基本構造を示す断面図である。図1に示すように、第1の実施形態に係る磁気抵抗効果素子1は、下部電極2、配向制御膜3、第1の磁性層4、下層金属層5、第1の界面磁性層6、非磁性層7、第2の界面磁性層8、上層金属層9、第2の磁性層10、上部電極11を有している。第1の実施形態に係る磁気抵抗効果素子1において、図1に示すように、下部電極2上に配向制御膜3が設けられる。下部電極2には、例えばTa、Ir、Ru、Cu等が用いられる。配向制御膜3は、配向制御膜3上に設けられる第1の磁性層4の結晶配向を制御するものである。配向制御膜3には、例えばPt、Ir、Ru等又はこれらの原子からなる膜の積層膜が用いられる。下部電極2の膜厚は、例えば50Å程度であり、配向制御膜3の膜厚は、例えば50Å程度である。なお、下部電極2が配向制御膜の役割を果たす場合には、配向制御膜3が設けられていなくてもよい。配向制御膜3上には、第1の磁性層4が設けられる。第1の磁性層4は、例えば磁化参照層である。磁化参照層は、磁化を膜面に対して実質的に垂直に有する垂直磁化膜であり、磁化の向きが一方向に固定されているものである。第1の磁性層4は、磁化参照層の場合、例えばFePd、FePt、CoPt、CoPd、CoFePt等の合金が用いられ、他にもCo膜とPt膜を交互に積層したCoPt人工格子又はCo膜とPd膜を交互に積層したCoPd人工格子が用いられる。第1の磁性層4の膜厚は、例えば60Å程度である。第1の磁性層4上には、下層金属層5が設けられる。下層金属層5は、第1の磁性層4と第1の界面磁性層6との結晶配向を分断するものである。下層金属層5には、例えばTaが用いられる。下層金属層5の膜厚は、例えば5Å程度である。下層金属層5上には、第1の界面磁性層6が設けられる。第1の界面磁性層6には、例えばアモルファス状のCo40Fe40B20が結晶化したCo50Fe50用いられる。アモルファス状のCo40Fe40B20は、熱処理等によりB濃度が低下することにより、結晶化し、Co50Fe50となる。第1の界面磁性層6は、垂直磁化膜である第1の磁性層4等との間の交換結合により垂直磁化を持つ。第1の界面磁性層6の膜厚は、例えば10Å程度である。第1の界面磁性層6上には、トンネル絶縁膜として非磁性層7が設けられる。非磁性層7は、NaCl構造の酸化物であり、この酸化物の100面と第1の界面磁性層6と格子不整合度が小さい材料を選択することが望ましい。非磁性層7は、例えば、アモルファスCo40Fe40B20合金構造上で結晶成長すると、100方向に優先配向した絶縁膜を得ることができるものである。非磁性層7には、例えばMgO、CaO、SrO、TiO、VO、NbO等が用いられるが、他の材料でもよい。非磁性層7の膜厚は、例えば10Å程度である。非磁性層7上に第2の界面磁性層8が設けられる。第2の界面磁性層8には、上記第1の界面磁性層6と同様の材料が用いられ、例えばアモルファス状のCo40Fe40B20が結晶化したCo50Fe50が用いられる。第2の界面磁性層8は、垂直磁化膜である第2の磁性層10等との間の交換結合により垂直磁化を持つ。第2の界面磁性層8の膜厚は、例えば10Å程度である。第2の界面磁性層8上には、第1の金属原子、第2の金属原子及びB原子を含む上層金属層9が設けられる。第1の金属原子は、例えばTiZrHfNb又はLaが用いられ、第2の金属原子は例えばTaWMoCr又はVである。上層金属層9の膜厚は、例えば8Å程度である。上層金属層9は、例えば、第1の金属原子であるTi原子と第2の金属原子であるTa原子が合金化しているものである。他にも、図2のように、上層金属層9は、B原子を含むTi層である第1の金属層12とB原子を含むTa層である第2の金属層13とが積層された膜であってもよい。上層金属層9に含まれるB原子は、熱処理等により第1の界面磁性層6又は第2の界面磁性層8から拡散し、上層金属層9に含まれる第1の金属原子又は第2の金属原子と結合したものである。第1の金属層12の膜厚は、例えば3Å程度であり、第2の金属層13の膜厚は、例えば5Å程度である。上層金属層9に第1の金属原子が含まれていることにより、第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8に含まれるB原子の離脱を促進し、第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8の結晶化を促進することができる。これにより、第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8の結晶配向性が一致し、高いTMR比を得ることができる。さらに、上層金属層9に第2の金属原子が含まれている場合には、磁気抵抗効果素子1に高温の熱処理を行った際、第2の磁性層10に含まれる原子が非磁性層7及び第2の界面磁性層8に拡散することを防止し、磁気抵抗効果素子1に耐熱性を持たせることができる。上層金属層9は、第2の界面磁性層8上に接するように設けられていることから、第2の界面磁性層8の結晶化をより促進することができる。上層金属層9上には、第2の磁性層10が設けられる。第2の磁性層10は例えば磁化記憶層である。磁化記憶層は、磁化を膜面に対して実質的に垂直に有する垂直磁化膜であり、磁化の向きが可変なものである。垂直磁化膜である磁化記憶層には、例えば、Co膜とPt膜を交互に積層したCoPt人工格子又はCo膜とPd膜を交互に積層したCoPd人工格子が用いられる。第2の磁性層10の膜厚は、例えば10Åである。第2の磁性層10上には、上部電極11が設けられる。上部電極11には、例えばTa又はRuが用いられる。上部電極11の膜厚は、例えば100Å程度である。次に、第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造方法について以下図3を用いて説明する。図3aのように、半導体基板14に素子分離溝が形成され、素子分離絶縁膜15、例えばシリコン酸化膜がこの素子分離溝部に埋め込まれ、STIShallowTrenchIsolation構造が形成される。その後、半導体基板14上にゲート絶縁膜16としてシリコン酸化膜及びゲート絶縁膜16上にゲート電極17としてn型ポリシリコン膜が形成される。その後、ゲート電極17上にワード線18として例えばWSix膜を形成し、ワード線18上に窒化膜19として例えばSiN膜を形成する。その後、窒化膜19、ワード線18、ゲート電極17、及びゲート絶縁膜16をエッチングし、選択トランジスタ積層膜を形成する。その後、半導体基板14上に選択トランジスタ積層膜を覆うように、窒化膜として例えばシリコン窒化膜を覆い、この窒化膜をエッチバックすることにより、スペーサ膜20を形成する。その後、窒化膜19及びスペーサ膜20をマスクとしたイオン注入により、半導体基板14にソース領域S及びドレイン領域Dを形成し、選択トランジスタを形成する。次に、図3bのように、半導体基板14上に、第1の保護膜を覆うように第1の絶縁膜21として例えばシリコン酸化膜をプラズマCVDChemicalVaporDeposition法により形成する。その後、ソース領域Sが露出するようにリソグラフィ法及びRIE法ReactiveIonEtchingにてコンタクトホールを形成する。次に、スパッタ法又はCVD法により、このコンタクトホール内にフォーミングガスの雰囲気下においてメタルバリア膜図示なしとしてTi膜及びTiN膜を形成する。その後、メタルバリア膜上にコンタクトプラグ材を形成する。コンタクトプラグ材は、例えばCVDにより成膜したW膜である。さらに、コンタクトプラグ材及びメタルバリア膜をCMPChemicalMechanicalPolishingにより平坦化する。これにより第1の絶縁膜21内にソース領域Sに連通する第1のコンタクトプラグ22を形成する。次に、第1の絶縁膜21及び第1のコンタクトプラグ22上に、CVD法により窒化膜23を形成する。その後、ドレイン領域Dに連通するコンタクトホールを形成する。その後、コンタクトホール内にメタルバリア膜図示なしを形成し、メタルバリア膜上に第2のコンタクトプラグ24材としてW膜を形成する。その後、CMP処理により研磨することにより、第2のコンタクトプラグ24を形成する。これにより、第1の絶縁膜21内にドレイン領域Dに連通する第2のコンタクトプラグ24を形成する。次に、図3cのように、第1のコンタクトプラグ22、第2のコンタクトプラグ24、及び第1の絶縁膜21上に磁気抵抗効果素子1を形成する。第1のコンタクトプラグ22、第2のコンタクトプラグ24、及び第1の絶縁膜21上に下部電極2として、膜厚が50ÅのTa層を形成する。次に、下部電極2上に配向制御膜3として、例えば膜厚が50ÅのPt膜を形成する。その後、配向制御膜3上に第1の磁性層4として磁化参照層を形成する。磁化参照層は、例えば膜厚が10ÅのCoPt層である。その後、第1の磁性層4上に下層金属層5として例えば膜厚が5ÅのTa層を形成する。その後、下層金属層5上に第1の界面磁性層6として例えば膜厚が10Åのアモルファス状のCo40Fe40B20を形成する。次に、第1の界面磁性層6上に非磁性層7として膜厚が10Åのアモルファス状のMgOからなるトンネル絶縁膜を形成する。その後、非磁性層7上に第2の界面磁性層8として例えば膜厚が10Åのアモルファス状のCo40Fe40B20層を形成する。次に、第2の界面磁性層8上に、第1の金属原子を含む上層金属層9を形成する。上層金属層9は、例えば、第1の金属原子からなるTi層である。なお、上層金属層9には、さらに第2の金属原子、例えばTa原子が含まれていてもよい。この場合、上層金属層9は、例えば、第1の金属原子であるTi原子と第2の金属原子であるTa原子が合金化しているものである。他にも、図2のように、上層金属層9は、第1の金属層12として第1の金属原子からなるTi層と第2の金属層13として第2の金属原子からなるTa層とを順に積層した膜であってもよい。上層金属層9に第2の金属原子が含まれる場合には、磁気抵抗効果素子1に高温の熱処理を行った際、第2の磁性層10に含まれる原子が非磁性層7及び第2の界面磁性層8に拡散することを防止し、磁気抵抗効果素子1に耐熱性を持たせることができる。次に、上層金属層9上には第2の磁性層10として磁化記憶層を形成する。磁化記憶層は、例えばCo膜とPt膜を交互に積層したCoPt人工格子を形成する。次に、第2の磁性層10上には上部電極11として膜厚が100ÅのTa層を形成する。以上により磁気抵抗効果素子1が形成する。なお、磁気抵抗効果素子1において、第1の磁性層4を磁化参照層、第2の磁性層10を磁化記憶層としたが、第1の磁性層4を磁化記憶層、第2の磁性層10を磁化参照層としてもよい。以上において、下部電極2、配向制御膜3、第1の磁性層4、下層金属層5、第1の界面磁性層6、非磁性層7、第2の界面磁性層8、上層金属層9、第2の磁性層10、上部電極11は、例えばスパッタ法を用いて形成される。次に、真空中において300~350°Cで1時間程度の熱処理を行う。これにより、非磁性層7として用いられるMgOが結晶化し、熱処理によって第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8として用いられるアモルファス状のCo40Fe40B20が結晶であるCo50Fe50となる。Co40Fe40B20から離脱したB原子は、上層金属層9に含まれる第1の金属原子と結合する。第1の実施形態に係る磁気抵抗効果素子1では、第2の界面磁性層8上に第1の金属原子を含む上層金属層9が設けられているため、第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8に含まれるB原子の離脱を促進し、第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8の結晶化を促進することができる。なお、熱処理を行う際に、下層金属層5及び上層金属層9に含まれる第2の金属原子と第1の界面磁性層6又は第2の界面磁性層8から離脱したB原子とが結合してもよい。なお、この熱処理は窒素雰囲気下において行ってもよい。また、RTARapidThermalAnnealiingにより、真空中において400°Cで10~30秒程度ランプ熱処理を行ってもよい。次に、CVD法によりハードマスク図示なしとして、例えばシリコン酸化膜を形成する。その後、図3dのように、RIE法により、上部電極11、第2の磁性層10、上層金属層9、第2の界面磁性層8、非磁性層7、第1の界面磁性層6、下層金属層5、第1の磁性層4、配向制御膜3、下部電極2を第2のコンタクトプラグ24と磁気抵抗効果素子1が接続されたままになるようにエッチングする。次に、磁気抵抗効果素子1の保護膜として、CVD法により、磁気抵抗効果素子1を覆うように保護膜図示なしとしてシリコン窒化膜を形成する。次に、図3eのように、窒化膜23上に、保護膜図示なしを覆うように第2の絶縁膜25として、例えばシリコン酸化膜を形成する。次に、磁気抵抗効果素子1の上部電極11に接続する第3のコンタクトプラグ26及び第2のコンタクトプラグ24に接続する第4のコンタクトプラグ27を形成する。これは、第2の絶縁膜25をリソグラフィ法及びRIE法により加工し、コンタクトホールを形成した後に、Alを埋め込み、CMP処理することにより形成する。次に、第2の絶縁膜25、第3のコンタクトプラグ26及び第4のコンタクトプラグ27上に酸化膜28を形成する。その後、リソグラフィ法及びRIE法を用いて、酸化膜28を、第3のコンタクトプラグ26及び第4のコンタクトプラグ27が露出するように加工し、第1の配線29を形成するための溝を形成する。その後、この溝にAlを埋め込み、CMP処理をすることにより、第1の配線29を形成する。次に、酸化膜28及び第1の配線29上に第3の絶縁膜30を形成する。さらに、リソグラフィ法及びRIE法により第3の絶縁膜30を第1の配線29が露出するように加工し、ビアホールを形成する。その後、このビアホールにAlを埋め込み、CMP処理することによってビアプラグ31を形成する。次に、第3の絶縁膜30及びビアプラグ31上に酸化膜32を形成する。その後、リソグラフィ法及びRIE法によって酸化膜32をビアプラグ31が露出するように加工し、第2の配線33を形成するための配線溝を形成する。さらに、この配線溝にAlを埋め込みCMP処理をすることによって第2の配線33を形成する。なお、ダマシンプロセスを用いてCu配線を形成してもよい。この場合はTa、TaNのバリア膜、Cuシード層を形成し、Cuめっきによる埋め込みプロセスにより配線する。以上の製造工程により、第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリを形成する。以上のように、本発明の第1の実施形態によれば、第2の界面磁性層8と第2の磁性層10との間に第1の金属原子を含む上層金属層9が設けられている。これにより、第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8に含まれるB原子の離脱を促進し、第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8の結晶化を促進することができる。さらに、上層金属層9に第2の金属原子が含まれている場合には、磁気抵抗効果素子1に高温の熱処理を行った際、第2の磁性層10に含まれる原子が非磁性層7及び第2の界面磁性層8に拡散することを防止し、磁気抵抗効果素子1に耐熱性を持たせることができる。第2の実施形態本発明の第2の実施形態による磁気ランダムアクセスメモリについて説明する。第2の実施形態の構成について第1の実施形態の磁気ランダムアクセスメモリの構成と同一部分は同一符号で示し、その詳細な説明を省略する。第2の実施形態が、第1の実施形態と異なる点は、上層金属層9に第1の金属原子及び第2の金属原子が含まれている代わりに、下層金属層5に第1の金属原子及び第2の金属原子が含まれている点である。第2の実施形態による磁気ランダムアクセスメモリの製造方法について説明する。第1の実施形態においては、第2の界面磁性層8上に第1の金属原子及び第2の金属原子を含む上層金属層9を形成するのに対し、第2の実施形態においては、第1の磁性層4上に第1の金属原子含む下層金属層5を形成する。第1の実施形態と同様にして図3a及びbのように、半導体基板14上に選択トランジスタを形成し、第1の絶縁膜21、第1のコンタクトプラグ22、第2のコンタクトプラグ24を形成する。その後、第2のコンタクトプラグ24上に磁気抵抗効果素子1を形成する。次に、図3cのように、第1の実施形態と同様に、磁気抵抗効果素子1は、下部電極2、配向制御膜3、第1の磁性層4、下層金属層5、第1の界面磁性層6、非磁性層7、第2の界面磁性層8、上層金属層9、第2の磁性層10、上部電極11を順に形成するが、下層金属層5は、第1の金属原子として例えばTi原子を含むものであり、上層金属層9は例えばTa層を含むものである。下層金属層5には、さらに第2の金属原子としてTa原子が含まれていてもよい。下層金属層5に第2の金属原子が含まれている場合には、磁気抵抗効果素子1に高温の熱処理を行った際、第1の磁性層4に含まれる原子が第1の界面磁性層6及び非磁性層7に拡散することを防止し、磁気抵抗効果素子1に耐熱性を持たせることができる。さらに、下層金属層5は、第1の界面磁性層6の底面に接するように設けられていることから、第1の界面磁性層6の結晶化をより促進することができる。上層金属層9は、第1の金属原子が含まれていなくてもよいが、第1の金属原子として例えばTi膜が含まれている場合、第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8に含まれるB原子の離脱を促進し、第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8の結晶化をさらに促進することができる。その後、第1の実施形態と同様のプロセスを経て、第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリが形成される。以上のように、本発明の第2の実施形態によれば、第1の磁性層4と第1の界面磁性層6との間に第1の金属原子を含む下層金属層5が設けられている。これにより、第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8に含まれるB原子の離脱を促進し、第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8の結晶化を促進することができる。さらに、下層金属層5に第2の金属原子が含まれている場合には、磁気抵抗効果素子1に高温の熱処理を行った際、第1の磁性層4に含まれる原子が第1の界面磁性層6及び非磁性層7に拡散することを防止し、磁気抵抗効果素子1に耐熱性を持たせることができる。さらに、下層金属層5及び上層金属層9に第1の金属原子が含まれている場合には、第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8の結晶化をさらに促進することができる。第3の実施形態本発明の第3の実施形態による磁気ランダムアクセスメモリの製造方法について図4及び図5を用いて説明する。図4は、第3の実施形態において垂直磁化を有する磁気抵抗効果素子の基本構造を示す断面図であり、図5は、第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造方法を示す断面図である。第3の実施形態の構成について図1の第1の実施形態の磁気ランダムアクセスメモリの構成と同一部分は同一符号で示し、その詳細な説明を省略する。第1の実施形態に係る磁気抵抗効果素子1においては、図1のように、第1の金属原子、第2の金属原子、及びB原子を含む上層金属層9が除去されずに残されているが、第3の実施形態に係る磁気抵抗効果素子1においては、図4のように、B原子を含む上層金属層9が除去されており、代わりに金属層34が設けられている。第1の実施形態と同様にして図3a及びbのように、半導体基板14上に選択トランジスタを形成し、第1の絶縁膜21、第1のコンタクトプラグ22、第2のコンタクトプラグ24を形成する。次に、図5aのように、下部電極2、配向制御膜3、第1の磁性層4、下層金属層5、第1の界面磁性層6、非磁性層7、第2の界面磁性層8、第1の金属原子として例えばTi原子を含む上層金属層9を形成する。なお、上層金属層9には、さらに第2の金属原子として例えばTa原子が含まれていてもよい。次に、真空中において300~350°Cで1時間程度の熱処理を行う。これにより、非磁性層7として用いられるMgOが結晶化し、熱処理によって第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8として用いられるアモルファス状のCo40Fe40B20が結晶であるCo50Fe50となる。Co40Fe40B20から離脱したB原子は、上層金属層9に含まれる第1の金属原子として例えばTi原子と結合する。次に、図5bのように、真空中において上層金属層9を逆スパッタリングすることにより、上層金属層9をエッチングする。これにより、磁気抵抗効果素子1に耐熱性を持たせるために、上層金属層9に第2の金属原子を含ませる必要はない。次に、図5cのように、金属層34として、第2の金属原子からなるTa膜を形成し、第1の実施形態と同様にして、金属層34上に第2の磁性層10及び上部電極11を形成する。その後、第1の実施形態と同様のプロセスを経て、第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリが形成される。以上のように、本発明の第3の実施形態によれば、上層金属層9にB原子が含まれるように熱処理によりをした後に、B原子を含む上層金属層9を除去し、第2の金属原子からなる金属層34を形成している。これにより、上層金属層9に含まれる第1の金属原子が耐熱性を劣化させる場合を想定して、上層金属層9に第2の金属原子を含ませる必要が無く、第1の界面磁性層6及び第2の界面磁性層8を結晶化させることができ、さらに耐熱性も確保することができる。さらに、上層金属層9に含まれるB原子が再拡散することなく、磁気ランダムアクセスメモリを形成することができる。なお、上述した第1の実施形態乃至第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリにおいて、下層金属層5は、第1の磁性層4と第1の界面磁性層8との間に設けられているという前提で説明したが、第1の磁性層4の下層、例えば下部電極2と配向制御膜3との間、又は配向制御膜3と第1の磁性層4との間に設けられてもよい。なお、上述した第1の実施形態乃至第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリにおいて、上層金属層9は、第2の界面磁性層8と第2の磁性層10との間に設けられているという前提で説明したが、第2の磁性層10上に設けられてもよい。なお、上述した第1の実施形態乃至第3の実施形態において、第1の磁性層4に磁化記憶層が用いられ、第2の磁性層10に磁化参照層が用いられるものとして説明したが、第1の磁性層4に磁化参照層が用いられ、第2の磁性層10に磁化記憶層が用いられてもよい。なお、本発明は、上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの実施形態は、その他のさまざまな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。