"直列の複数のキャパシタを有する、前記キャパシタの1つがk番目のキャパシタとして規定されている、モジュールと、前記キャパシタにおける電圧を10Hzと100Hzとの間でサンプリングする、キャパシタ当たりの電圧変化の振幅が所定の閾値を超えている、手段と、前記サンプリングが行われる時間間隔Δtiの間、前記モジュールのk番目のキャパシタのΔvi及び前記モジュール全体のΔviを測定する手段とを備え、前記モジュールの前記k番目のキャパシタのΔviと前記モジュール全体のΔviとの比が、前記k番目のキャパシタの測定相対容量を規定する装置。前記所定の閾値は、0.5Vから1Vの範囲内の値である請求項1に記載の装置。前記各キャパシタのそれぞれの測定相対容量の関数として、前記モジュールの前記キャパシタの特定の1つを選択的に放電する手段を更に備える請求項1に記載の装置。前記キャパシタはウルトラキャパシタである請求項1に記載の装置。直列の複数のキャパシタを有するモジュールを有する、前記キャパシタの1つがk番目のキャパシタとして規定されている、装置を使用する方法であって、前記キャパシタにおける電圧のサンプリングを10Hzと100Hzとの間で行う、キャパシタ当たりの電圧変化の振幅が所定の閾値を超えている、ステップと、前記サンプリングが行われる時間間隔Δtiの間、前記モジュールのk番目のキャパシタのΔvi及び前記モジュール全体のΔviを測定するステップと、前記モジュールの前記k番目のキャパシタのΔviと前記モジュール全体のΔviとの比を計算して、前記k番目のキャパシタの測定相対容量を規定するステップとを備える方法。前記所定の閾値は、0.5Vから1Vの範囲内の値である請求項5に記載の方法。前記各キャパシタのそれぞれの測定相対容量の関数として、前記モジュールの前記キャパシタの特定の1つを選択的に放電するステップを更に備える請求項5に記載の方法。前記キャパシタはウルトラキャパシタである請求項5に記載の方法。各キャパシタがそれぞれの温度を有する、キャパシタの直列モジュールにおける使用方法であって、前記直列モジュールにおける各キャパシタの温度を測定し、前記直列モジュールにおける第2キャパシタの温度より高い温度を有する、前記直列モジュールにおける第1キャパシタを特定し、前記第1キャパシタが前記第2キャパシタの個別の電圧より低い個別の電圧に充電されるようにする方法。前記第1キャパシタが前記第2キャパシタの個別の電圧より低い個別の電圧に充電されるようにするステップは、ある期間前記第1キャパシタに抵抗を接続して、前記第1キャパシタの電圧を低下させることを含む請求項9に記載の方法。前記キャパシタはウルトラキャパシタである請求項9に記載の方法。各モジュールがそれぞれの温度を有する、キャパシタの複数の直列モジュールを使用する方法であって、各モジュールの温度を測定し、第2モジュールの温度より高い温度を有する、第1モジュールを特定し、前記第1モジュールが前記第2モジュールの個別の電圧より低い個別の電圧に充電されるようにする方法。前記第1モジュールが前記第2モジュールの個別の電圧より低い個別の電圧に充電されるようにするステップは、ある期間前記第1モジュールに抵抗を接続して、前記第1モジュールの電圧を低下させることを含む請求項12に記載の方法。前記第1モジュールが前記第2モジュールの個別の電圧より低い個別の電圧に充電されるようにするステップは、前記第1モジュールには前記第2モジュールより小さい充電電流を与えることを含む請求項12に記載の方法。前記第1モジュールが前記第2モジュールの個別の電圧より低い個別の電圧に充電されるようにするステップは、前記第1モジュールには前記第2モジュールより短い期間、充電電流を与えることを含む請求項12に記載の方法。前記キャパシタはウルトラキャパシタである請求項12に記載の方法。各キャパシタがそれぞれの相対容量を有し、各キャパシタが特定の瞬間にそれぞれの電荷を有し、各キャパシタが特定の瞬間にそれぞれの電圧を有する、キャパシタの直列モジュールにおける使用方法であって、前記キャパシタのそれぞれにおける電圧の測定によって各キャパシタのそれぞれの相対容量の推定値を得、前記直列モジュールの第2キャパシタの推定相対容量より小さい推定相対容量を有する、前記直列モジュールの第1キャパシタを特定し、前記第1キャパシタが前記第2キャパシタの個別の充電レベルより低い個別の充電レベルに充電されるようにする方法。前記第1キャパシタが前記第2キャパシタの個別の充電レベルより低い個別の充電レベルに充電されるようにするステップは、ある期間前記第1キャパシタに抵抗を接続して、前記第1キャパシタの電荷を減少させることを含む請求項17に記載の方法。前記キャパシタはウルトラキャパシタである請求項17に記載の方法。前記モジュールが特定の瞬間にその内部を流れるそれぞれの電流を有し、それぞれの電流がさまざまな時間において正、負、又は0の値を規定し、前記キャパシタのそれぞれにおける電圧の測定によって各キャパシタのそれぞれの相対容量の推定値を得るステップは、多数の相対容量測定を行って前記相対容量測定の値を平均化することを含み、各相対容量測定は、前記モジュールを流れる電流が第1の所定の閾値より小さい値である第1の時点において、前記キャパシタのそれぞれにおける電圧を測定して、前記直列モジュールの両端の電圧を表す電圧和を規定するステップと、第2の時点において、前記モジュールを流れる電流が前記第1の所定の閾値を超過し、後に前記第1の所定の閾値より小さい値に低下した後、前記キャパシタのそれぞれにおける電圧を再び測定して、前記直列モジュールの両端の電圧を表す電圧和を再び規定するステップと、各キャパシタについて、前記第1の時点における電圧と前記第2の時点における電圧との差が、それぞれの電圧変化を規定するステップと、前記直列アレイについて、前記第1の時点における前記直列モジュールの両端の電圧と前記第2の時点における前記直列モジュールの両端の電圧との差が、前記直列モジュールの個別の電圧変化を規定するステップと、各キャパシタについて、そのそれぞれの電圧変化の、前記直列モジュールの電圧変化に対する比が、各相対容量測定値を規定するステップとを行うことによってなされる、請求項17に記載の方法。前記第1キャパシタが前記第2キャパシタの個別の充電レベルより低い個別の充電レベルに充電されるようにするステップは、電圧の測定が行われるいかなる時においても行われない請求項17に記載の方法。前記第1キャパシタが前記第2キャパシタの個別の充電レベルより低い個別の充電レベルに充電されるようにするステップが行われないときにのみ、電圧の測定が行われる請求項17に記載の方法。各キャパシタがそれぞれの温度を有する、キャパシタの直列モジュールとともに用いられる装置であって、前記直列モジュールにおける各キャパシタの温度を測定する手段と、前記直列モジュールにおける第2キャパシタの温度より高い温度を有する、前記直列モジュールにおける第1キャパシタを特定する手段と、前記第1キャパシタが前記第2キャパシタの個別の電圧より低い個別の電圧に充電されるようにする手段とを備える装置。前記第1キャパシタが前記第2キャパシタの個別の電圧より低い個別の電圧に充電されるようにする手段は、前記第1キャパシタに接続可能な抵抗を有し、それによって前記第1キャパシタの電圧を低下させる請求項23に記載の装置。前記キャパシタはウルトラキャパシタである請求項23に記載の装置。各モジュールがそれぞれの温度を有する、キャパシタの複数の直列モジュールとともに用いられる装置であって、各モジュールの温度を測定する手段と、第2モジュールの温度より高い温度を有する第1モジュールを特定する手段と、前記第1モジュールが前記第2モジュールの個別の電圧より低い個別の電圧に充電されるようにする手段とを備える装置。前記第1モジュールが前記第2モジュールの個別の電圧より低い個別の電圧に充電されるようにする手段は、前記第1モジュールに選択的に接続可能な抵抗を有し、それによって前記第1モジュールの電圧を低下させる請求項26に記載の装置。前記第1モジュールが前記第2モジュールの個別の電圧より低い個別の電圧に充電されるようにする手段は、前記第1モジュールに前記第2モジュールより小さな充電電流を与える手段を有する請求項26に記載の装置。前記第1モジュールが前記第2モジュールの個別の電圧より低い個別の電圧に充電されるようにする手段は、前記第1モジュールに前記第2モジュールより短い期間充電電流を与える手段を有する請求項26に記載の装置。前記キャパシタはウルトラキャパシタである請求項26に記載の装置。各キャパシタがそれぞれの相対容量を有し、各キャパシタが特定の瞬間にそれぞれの電荷を有し、各キャパシタが特定の瞬間にそれぞれの電圧を有する、キャパシタの直列モジュールとともに用いられる装置であって、前記キャパシタのそれぞれにおける電圧の測定によって各キャパシタのそれぞれの相対容量の推定値を得る手段と、前記直列モジュールの第2キャパシタの推定相対容量より小さい推定相対容量を有する、前記直列モジュールの第1キャパシタを特定する手段と、前記第1キャパシタが前記第2キャパシタの個別の充電レベルより低い個別の充電レベルに充電されるようにする手段とを備える装置。前記第1キャパシタが前記第2キャパシタの個別の充電レベルより低い個別の充電レベルに充電されるようにする手段は、前記第1キャパシタに選択的に接続可能な抵抗を有し、これによって前記第1キャパシタの電荷を減少させることを含む請求項31に記載の装置。前記キャパシタはウルトラキャパシタである請求項31に記載の装置。前記モジュールが特定の瞬間にその内部を流れるそれぞれの電流を有し、それぞれの電流がさまざまな時間において正、負、又は0の値を規定し、前記キャパシタのそれぞれにおける電圧の測定によって各キャパシタのそれぞれの相対容量の推定値を得る手段は、多数の相対容量測定を行って前記相対容量測定の値を平均化する手段を含み、各相対容量測定は、前記モジュールを流れる電流が第1の所定の閾値より小さい値である第1の時点において、前記キャパシタのそれぞれにおける電圧を測定して、前記直列モジュールの両端の電圧を表す電圧和を規定するステップと、第2の時点において、前記モジュールを流れる電流が前記第1の所定の閾値を超過し、後に前記第1の所定の閾値より小さい値に低下した後、前記キャパシタのそれぞれにおける電圧を再び測定して、前記直列モジュールの両端の電圧を表す電圧和を再び規定するステップと、各キャパシタについて、前記第1の時点における電圧と前記第2の時点における電圧との差が、それぞれの電圧変化を規定するステップと、前記直列アレイについて、前記第1の時点における前記直列モジュールの両端の電圧と前記第2の時点における前記直列モジュールの両端の電圧との差が、前記直列モジュールの個別の電圧変化を規定するステップと、各キャパシタについて、そのそれぞれの電圧変化の、前記直列モジュールの電圧変化に対する比が、各相対容量測定値を規定するステップとを行うことによってなされる、請求項31に記載の装置。前記第1キャパシタが前記第2キャパシタの個別の充電レベルより低い個別の充電レベルに充電されるようにするステップは、電圧の測定が行われるいかなる時においても行われない請求項31に記載の装置。前記第1キャパシタが前記第2キャパシタの個別の充電レベルより低い個別の充電レベルに充電されるようにするステップが行われないときにのみ、電圧の測定が行われる請求項31に記載の装置。キャパシタの直列モジュールを更に備える請求項23,24,25,31,32,33,34,35,又は36のいずれか1項に記載の装置。キャパシタの複数の直列モジュールを更に備える請求項26,27,28,29,又は30のいずれか1項に記載の装置。キャパシタの直列回路を有するモジュールの使用方法であって、前記キャパシタの直列回路を流れる電流を監視するステップと、前記キャパシタの直列回路を流れる電流と前記キャパシタの直列回路の両端の電圧との所定の組み合わせの場合には、前記キャパシタの直列回路の両端の電圧を低下又は制限するステップとを備える方法。前記キャパシタの直列回路を流れる電流と前記キャパシタの直列回路の両端の電圧との所定の組み合わせには、所定の閾値を超える電流を含む請求項39に記載の方法。キャパシタの直列回路を有するモジュールとともに用いられる装置であって、前記キャパシタの直列回路を流れる電流を監視する手段と、前記キャパシタの直列回路を流れる電流と前記キャパシタの直列回路の両端の電圧との所定の組み合わせに応じて、前記キャパシタの直列回路の両端の電圧を低下又は制限する手段とを備える装置。前記キャパシタの直列回路を流れる電流と前記キャパシタの直列回路の両端の電圧との所定の組み合わせには、所定の閾値を超える電流を含む請求項41に記載の装置。キャパシタの直列回路を有するモジュールを更に備える請求項41又は42に記載の装置。図1に示されているように、直列に接続された複数のウルトラキャパシタ3を備えるモジュール4を監視及びバランシングする装置1は、電子ボード2図面における破線内を備えている。モジュール4のウルトラキャパシタ3から供給電力を直接得ることによって電子ボード2のさまざまな構成要素の動作に必要な電力を供給する内部電源6によって電力を供給されるマイクロコントローラ5を、電子ボード2は備えている。この内部電源6の消費電力は、ウルトラキャパシタ3の放電をできるだけ小さくするために、非常に小さい。電子ボード2は、外部電源図1では明瞭にするために省略されているから電力を引いてもよいが、そのような外部電源がない場合には、電子ボード2は、主に、ウルトラキャパシタ3が少なくともある閾値レベルを超えるまで充電されている場合にのみ機能するように使用される。電子ボードは、マイクロコントローラ5に接続されたデータ記憶手段9を更に備える。電子ボード2に接続されたサーミスタ7が、モジュール4の温度を監視するためにモジュール4の近傍に配置されている。このサーミスタ7から生じた信号は、整形されてマイクロコントローラ5のAN2入力アナログ入力に接続される。電子ボード2は、特有の機能を有するいくつかの部分、すなわち、モジュール4のウルトラキャパシタ3のそれぞれから生じた信号の多重化及びアナログ整形を行う第1部分10ウルトラキャパシタ3の受動的バランシングを行う第2部分20ウルトラキャパシタの能動的バランシングactivebalancingを行う第3部分30を備えている。第1部分10。第1部分10は、図2に詳細に示されている。その目的は、今から説明されるように、各ウルトラキャパシタ3で生じた信号を、その端子における電圧を測定するために整形することである。説明の簡単のために、偶数個のキャパシタ3を仮定し、それらをキャパシタの直列回路に沿って奇odd及び偶evenと表記する。モジュール4の全ての偶ウルトラキャパシタ3によって構成された、ウルトラキャパシタ3の第1グループ11から始めると、第1グループ11の第1ウルトラキャパシタ3の抵抗RP1に直列のトランジスタQP1は、トランジスタQP2K及び第1グループ11のウルトラキャパシタ3の抵抗RP2Kの集合の全体のように、偶と称される測定ライン101に導かれる。同様に、モジュール4の全ての奇ウルトラキャパシタ3によって構成された、ウルトラキャパシタ3の第2グループ12から始めると、第2グループ12の第1ウルトラキャパシタ3の抵抗RI1に直列のトランジスタQI1は、トランジスタQI2K1及び第2グループ12のウルトラキャパシタ3の抵抗RI2K1の全てのように、奇と称される測定ライン102に導かれる。それぞれ偶及び奇であるウルトラキャパシタ3の端子電圧を代表すべき偶及び奇測定ライン101及び102には、一方では全体として電圧の差分測定を可能にするため、他方ではトランジスタQP1及びQI1とそれぞれ交信するために、トランジスタQP2及びQI2が配置される。トランジスタQP2及びQI2のベースは、各ウルトラキャパシタ3の端子電圧の測定を制御するマイクロコントローラ5に接続されている。偶及び奇測定ラインから生じた電圧のそれぞれは、それぞれ比R1/RP1及びR2/RI1に比例する増幅比を有し反転増幅器として実装されるオペアンプA1及びA2によって、それぞれバッファリングされる。オペアンプA1の出力は、第1アナログマルチプレクサM1の入力S1及び第2アナログマルチプレクサM2の入力S2に接続されている。同様に、オペアンプA2の出力は、第1アナログマルチプレクサM1の入力S2及び第2アナログマルチプレクサM2の入力S1に接続されている。各マルチプレクサM1,M2は、他方のマルチプレクサM1,M2の入力Cに接続された入力Cを有する。これらの2つの入力Cは、アンプA1及びA2の出力電圧の極性の反転を論理出力信号I/Oによって選択されるようにするマイクロコントローラ5の出力に接続されている。したがって、2つのアナログマルチプレクサM1,M2の入力Cにおいて0に等しい論理信号に対しては、アナログマルチプレクサM1の出力信号Dは出力信号A1に等しく、アナログマルチプレクサM2の出力信号Dは出力信号A2に等しい。反対に、2つのアナログマルチプレクサM1,M2の入力Cにおいて1に等しい論理信号に対しては、アナログマルチプレクサM1の出力信号Dは出力信号A2に等しく、アナログマルチプレクサM2の出力信号Dは出力信号A1に等しい。2つのアナログマルチプレクサM1,M2の2つの出力信号Dは、次に、減算器として構成されたオペアンプA3によって比較される。この減算器の出力電圧は、アナログマルチプレクサM1から生じた信号とアナログマルチプレクサM2から生じた信号との差に比例する。この出力電圧は、偶ウルトラキャパシタ3と奇ウルトラキャパシタ3との間に時刻tにおいて存在する、ウルトラキャパシタ3の端子電圧差を代表するものである。この電圧は、マイクロコントローラ5の入力AN1にデジタル化された信号を送り返すA/Dコンバータに向けて送られる。これらのデジタル信号の値は、記憶手段9に格納され、後に、特にウルトラキャパシタ3の2つのグループの充電電圧の揺れについての統計情報の作成に用いられる。構成要素A1,A2,A3,M1,及びM2には従来通り±5Vと±15Vの間の電圧が供給されるのに対して、ウルトラキャパシタの電圧測定値は数百分の1Vの近辺のレベルに達し得る。したがって、減衰比R1/RP1及びR2/RI1は、この動作範囲内に収まるように選択される。増幅比R5/R3及びR6/R4は、オペアンプA3の出力におけるウルトラキャパシタ3の測定スケールを元の状態に戻す。第2部分20。第2部分20は、各ウルトラキャパシタ3と並列の抵抗RPKの配列から成っている。この抵抗には非常に高い抵抗が選ばれるので、ウルトラキャパシタ3はこの抵抗RPKを通して非常にゆっくりとしか放電しない。このように、たとえキャパシタ3が、電子回路10,30に電力を与えるのに十分な高い電圧を保持しないという意味で消耗しても、ある程度のバランシングが実行され得る。第3部分30。第3部分30は、図3に詳細に示されている。この部分は、抵抗RK1によるウルトラキャパシタ3の放電原理に基づくウルトラキャパシタSCK3の間の能動的バランシングに関係する。例示的実施形態において、この抵抗RK1は、5Ωの値を有し、スイッチとして構成されたNPN形のパワートランジスタQK1によってウルトラキャパシタ3と並列に切り替えられる。トランジスタQK1の制御のためのベース電流は、ウルトラキャパシタ3から直接取り込まれ、もう1つのトランジスタQK2によって決定される。後者は、マイクロコントローラ5から生じるデジタル出力信号VCKによって制御される第3のトランジスタQK3によって制御される。マイクロコントローラ5から生じる命令は、QK3及びRK5によって制御される電流ICKに変換される。能動的バランシングから生じる放電によって影響されることが意図されていないウルトラキャパシタ3に干渉しないように、この電流ICKの値は小さい。よって、マイクロコントローラ5から来る論理信号VCKの送信の結果として、各ウルトラキャパシタ3は、抵抗RK1で分流されることによって個々に放電される。このようにして、同じモジュールの他のウルトラキャパシタ3の電圧より高い電圧を有するウルトラキャパシタ3の充電電圧は、モジュール内のバランシングを行うために放電され得る。さまざまな直列、並列、又は直並列接続においては、一般に、1つではなく、いくつかのモジュールが存在する。モジュール4のマイクロコントローラ5は、モジュール間通信の直流的な絶縁を可能にする光カプラによって、モジュール4に直列又は並列に接続された他のモジュールと通信する。よってマイクロコントローラ5は、近傍のモジュールの電圧と比較してモジュール4の端子電圧をバランシングするため、自身と通信を行った近傍のモジュールの端子電圧を考慮に入れ得る。よって、他のモジュールの端子で測定された充電電圧が低いと、モジュール4の端子における充電電圧が、モジュール4の電子ボード2のマイクロコントローラ5の命令によって低くなる。このようにして、モジュール4のウルトラキャパシタ3の直列回路の電圧は、モジュール内バランシングを行うために低下させられ得る。これにより、モジュール4の内部においてウルトラキャパシタ3のそれぞれの間でウルトラキャパシタ3のバランシングが可能になり、モジュールのそれぞれの間でモジュールのバランシングが可能になる。典型的なモジュールは、直列に接続された6~32個のいずれかの数のウルトラキャパシタ3の回路を有し得る。相対容量の測定。上述した装置1は、どのキャパシタがより小さい容量を有し、どのキャパシタがより大きな容量を有するかを常時監視しており、より小さい容量を有するキャパシタのみを放電するが、そのようなキャパシタが高電圧である又は高電圧に近づいているときにのみ、そのようにする。装置1は、モジュールが電圧充電/放電サイクルのどこにあるかには依存せずに、そのようなことを行う。よって、損失となるエネルギーは、バランシングを行うのに厳密に必要なエネルギーに過ぎない。しかし、鋭い読者は、この種のバランシングを行うためには、セルの直列回路における近傍のものと比較した、モジュール4の各ウルトラキャパシタ3の相対容量を知る必要があるということが分かるであろう。2つの別個のアルゴリズムについて述べる。これらのそれぞれは、相対容量を算出するという目標に向けて役立つと考えられる。第1アルゴリズム。セルのそれぞれのこのような相対容量を推定する第1アルゴリズムは、さまざまな時刻における、各ウルトラキャパシタ3の端子電圧の分析に基づいている。図4は、充電及び放電のサイクルライフサイクルと呼ばれることがあるの期間にわたって、モジュール4の測定された端子電圧ここでは垂直軸においてVMODULEと表記されているを示しており、時間の流れが水平軸上に示されている。モジュール4の電圧の取得は、10Hzと100Hzとの間の頻度で行われる。これは、サンプリングが毎秒10回と毎秒100回の間の頻度で行われるということを意味する。このようなサンプリングが行われると、ΔVi及び傾きΔVi/Δtiが計算される。これは、この比が正であるときには、モジュール4が充電されていることを意味し、この比が負であるときには、モジュール4が放電させられていることを意味する。充電又は放電のサイクルは、次の場合、そして次の場合にのみ、容量測定に有効であると認められる。すなわち、ΔVi/Δti<RIであること。RIはモジュール4の総容量から計算される定数であり、信頼できる測定値を得るために、これは十分に低い電流レベルに対応している。かつ、サイクルの電圧振幅が、ウルトラキャパシタ3当たり、0.5と1Vとの間の閾値より大きい。これらの条件下で、特定のモジュール4のウルトラキャパシタ3のそれぞれの相対容量は、式によって計算される。測定された相対容量を利用する第2アルゴリズム。本発明のもう1つの実施形態においては、各キャパシタでの電圧の測定によって、各キャパシタのそれぞれの相対容量の推定値が得られる。直列モジュールの第1キャパシタが、その直列モジュールの第2キャパシタの推定相対容量より小さな推定相対容量を有するとして特定される。第1キャパシタは、第2キャパシタの個別の充電レベルより低い個別の充電レベルに充電される。これによって容量が小さい方のキャパシタの耐用年数が伸び得ることが期待される。他の例と同様に、ここではキャパシタはウルトラキャパシタであってもよい。第1キャパシタが、第2キャパシタの個別の充電レベルより低い個別の充電レベルに充電されるようにするという結果を得るための1つの方法は、抵抗を第1キャパシタにある期間接続し、これによって第1キャパシタの電荷を減少させることであり得る。どのようにして各キャパシタのそれぞれの相対容量が得られるかを説明することが役に立つかも知れない。例示的な一連のステップにおいて、これは、各キャパシタの電圧の測定によって行われ、特に、多数の相対容量測定を行って相対容量測定の値を平均化することによって行われる。相対容量測定は、前記モジュールを流れる電流が第1の所定の閾値より小さい値である第1の時点において、前記キャパシタのそれぞれにおける電圧を測定して、前記直列モジュールの両端の電圧を表す電圧和を規定するステップと、第2の時点において、前記モジュールを流れる電流が前記第1の所定の閾値を超過し、後に前記第1の所定の閾値より小さい値に低下した後、前記キャパシタのそれぞれにおける電圧を再び測定して、前記直列モジュールの両端の電圧を表す電圧和を再び規定するステップと、各キャパシタについて、前記第1の時点における電圧と前記第2の時点における電圧との差が、それぞれの電圧変化を規定するステップと、前記直列アレイについて、前記第1の時点における前記直列モジュールの両端の電圧と前記第2の時点における前記直列モジュールの両端の電圧との差が、前記直列モジュールの個別の電圧変化を規定するステップと、各キャパシタについて、そのそれぞれの電圧変化の、前記直列モジュールの電圧変化に対する比が、各相対容量測定値を規定するステップとを行うことによってなされ得る。電圧の測定が行われる時には、第1キャパシタが、第2キャパシタの個別の充電レベルより低い個別の充電レベルに充電されるようにする、という動作を避けることが好ましいと考えられる。言い方を変えると、第1キャパシタが、第2キャパシタの個別の充電レベルより低い個別の充電レベルに充電されるようにする、というステップが行われるときには、電圧測定の実行を避けることが好ましいと考えられる。平易な言葉でいうと、バランシングが行われているときにはサンプリングを避けること、又はサンプリングが行われているときにはバランシングを避けることが好ましいと考えられる。なぜ直列アレイを流れる電流が比較的小さい期間に電圧測定が行われるのかを説明することは、役に立つかも知れない。キャパシタはそれぞれ内部抵抗を有するということが洞察されている。電圧測定の際に電流が大きい場合には、内部抵抗の両端のIRドロップが電圧の測定値を乱すであろう。このため、電流が比較的小さい時に電圧測定を行うことが好ましいと考えられる。このアルゴリズムに関する限り、電圧測定を成し遂げる1つの方法は、図1のアナログ-デジタル入力AN1に順に渡すマルチプレクサ図1の箱10内の回路の部分の役割を用いることによって、キャパシタのそれぞれを、1つずつ、図2に示されているようなアナログ回路に選択的に接続することである、ということが分かるであろう。図5に注目して、このアルゴリズムを図によって説明する。上の垂直軸は、モジュール全体の両端の電圧キャパシタの直列回路の両端の電圧を意味するを示す。下の垂直軸は、充電又は放電中にモジュールを流れる電流を示す。水平軸は、充電期間中及び後の放電期間中の時間の経過を示す。キャパシタ内に蓄電され、キャパシタの電圧はかなりの範囲にわたって蓄積された電荷に関して直線的であるので、下の曲線電流は、おおよそ上の曲線電圧の1階微分であるということが分かるであろう。同じことを違う言い方で言うと、上の曲線電圧は、下の曲線電流に関して、おおよそ積分又は曲線の下の面積である。下の垂直軸において、比較的小さい所定の電流閾値が、電流ゼロのわずかに上又は下に示されている。この間隔は述べたばかりの状況、すなわち、キャパシタ内のIRドロップが比較的小さいときに電圧の読み取りを行うことが望ましいということに関係している。上の曲線において円で囲まれた領域明瞭のために拡大は、モジュールを流れる電流が比較的小さいとき下の曲線に示されているようにに行われるデルタ-VΔV測定を示す。このΔVの値時間間隔デルタ-tΔtにわたるが、セルの直列アレイにおける特定のセルについて測定される。重要なことに、直前又は直後又は両方に、セルの直列アレイにおける他のセルについて類似したΔVの値が測定される。これらのΔVの値は、合計されて、直列アレイ全体の両端の総電圧が求められる。例示的装置においては、各セル電圧測定には150マイクロ秒かかる。例えば18セルの典型的な直列回路では、これは18回の測定が3ミリ秒程度で完了するということを意味する。相対容量測定は、より詳細に論じられ得る。本質にまとめると、計算は、セル電圧と比較した、モジュールの端子電圧の変化に基づいていることが分かるであろう。モジュール内のセルnについて、モジュールに例えば17セルが含まれていると仮定すると、相対容量Cn全セルの平均容量のパーセンテージで表現されるは、Cn[]=ΔVmodule/17/Vnであり、ここで、Vmoduleはモジュールの端子電圧であり、Vnはセルnのセル電圧である。有効な電圧測定値を得るために、次の条件、すなわち、Vmodule>0.5V17=8.5V|Imodule|<7Aを適用する。最初の条件は、各セルはその電圧を少なくとも2分の1ボルト変化させられるという目標によって動機付けられている。モジュール当たり17セルを再び仮定しており、これは、モジュールのΔVが8.5Vを超えているであろうことを意味している。2番目の条件は、電圧サンプリングの時に、モジュールを流れる電流の絶対値は7Aを超えていないであろうという目標によって動機付けられている。各キャパシタの容量を176ファラッドと仮定し、1秒の時間間隔Δtを仮定すると、電流測定値<7AはVmodule<40mVを意味する。相対容量計算の入力の1つは回路stringの両端の総電圧であり得ることが分かるであろう。これは、装置が回路全体の両端の総電圧を測定する手段を含む必要があるのかという疑問を生じさせる。装置が回路全体の両端の電圧を別途測定するように設定することは可能であろうが、単純に個々のセルの両端の電圧を加算して回路全体の両端の電圧を求めれば十二分である。回路における各キャパシタの相対容量に関して、アルゴリズムを説明する。これ単なる相対容量は、高すぎる電圧に充電される危険を減少させるためにどのキャパシタに放出させるかを選ぶことを可能にするのに十分である、ということが理解されるであろう。そうは言っても、装置によっては、正確な電流測定も可能であるかも知れず、回路を流れる電流が測定される。そうであれば、電量分析が可能かも知れない。これは、正確な電圧測定とともに、回路におけるさまざまなキャパシタの実際の又は絶対的な容量の測定又は少なくとも推定を可能にするであろう。その場合には、高すぎる電圧に充電される危険を減少させるためにどのキャパシタに放出させるかを選ぶことを可能にするために、絶対的な容量が同様に採用され得る。これが行われると、2つの絶対的な容量の相対値が相対容量となることが理解され、上述の方法が必要に応じて変更を加えて実行され得、それによって特定のキャパシタに同一の寿命を延ばす利益がもたらされる、ということが理解されるであろう。信頼できる電流センサがモジュールに使用できる場合には、モジュールの寿命を延ばす更に他のアプローチが可能になる。このアプローチは、モジュールを流れる大電流はモジュールの耐用年数を縮めると仮定する耐用年数モデルを利用する。このモデルを仮定すると、大電流閾値を超える電流が検出されたときには可能であればいつでも、モジュールの両端のキャパシタの直列回路の両端の電圧を低下させ又は制限することが、保護のためのステップとなる。このアプローチのより洗練された変形は、電流及び電圧の空間を規定し、電流と電圧の特定の組み合わせが生じたときにモジュールの両端の電圧を低下させ又は制限することである。温度測定及びセル寿命の延伸。本発明の他の実施形態においては、直列モジュールの各キャパシタの温度が測定される。直列モジュールの第2キャパシタの温度より高い温度を有する、直列モジュールの第1キャパシタが特定される。第1キャパシタは、第2キャパシタの個別の電圧より低い個別の電圧に充電させられる。上述のように、これを行う1つの方法は、ある期間第1キャパシタに抵抗を接続することによるものであり、これによって第1キャパシタの電圧を低下させる。ここでは、他の例と同様に、キャパシタはウルトラキャパシタであり得る。これにより、より暖かいキャパシタの耐用年数が延びることが期待される。各モジュールがそれぞれの温度を有する、キャパシタの複数の直列モジュールに、このアプローチの変形が適用される。各モジュールの温度が測定される。第2モジュールの温度より高い温度を有する、第1モジュールが特定される。第1モジュールは、第2モジュールの個別の電圧より低い個別の電圧に充電させられる。これは、ある期間第1モジュールに抵抗を接続することによって成され、これによって第1モジュールの電圧を低下させる。よりあざやかに、第1モジュールには第2モジュールより小さな充電電流を与えることによって、又は、第1モジュールには第2モジュールより短い時間、充電電流を与えることによって、これは成される。ここでは、他の例と同様に、キャパシタはウルトラキャパシタであり得る。これにより、より暖かいモジュールの耐用年数が延びることが期待される。本文書を読み終えた鋭い読者は、本発明の無数の明らかな改良及び変形を考え出すのに何の困難もないであろうし、それらの全ては以下の特許請求の範囲に含まれることが意図されている。"