"基板上で多重ドープ接合を形成する方法であって、ホウ素原子をドープされた前記基板を提供する工程であり、前記基板が前面の基板表面を含む工程と、前記前面の基板表面にインクパターンでインクを堆積する工程であり、前記インクが1組のシリコン含有粒子および1組の溶媒を含む工程と、高密度の薄膜インクパターンを形成するために、ベーキングアンビエント中で前記基板を第1の温度へ、および第1の期間、加熱する工程と、前記基板を堆積アンビエントを有する拡散炉内でドーパント源にさらし、前記堆積アンビエントが第2の温度で、および第2の期間、POCl3ガスを含む工程であり、PSG層が、前記前面の基板表面および前記高密度の薄膜インクパターンの上に形成される工程と、第3の温度へおよび第3の期間、ドライブインアンビエント中で前記基板を加熱する工程と、を含み、第1のシート抵抗を有する第1の拡散領域が、前記高密度の薄膜インクパターンによって覆われた前記前面の基板表面の下で形成され、また、第2のシート抵抗を有する第2の拡散領域が、前記高密度の薄膜インクパターンで覆われていない前記前面の基板表面の下で形成され、ここで前記第1のシート抵抗が前記第2のシート抵抗より実質的に小さい、方法。前記第1の温度が約100°Cと約600°Cの間にあり、前記第1の期間が約10秒と約20分の間にある、請求項1に記載の方法。前記第1の温度が約300°Cと500°Cの間にあり、前記第1の期間が約30秒と約3分の間にある、請求項1に記載の方法。前記第1の温度が約400°Cであり、前記第1の期間が約1分である、請求項1に記載の方法。キャリアN2ガスと反応性O2ガスの比が約1:1から約1.5:1の間にあり、前記第2の温度が約700°Cと約1000°Cの間にあり、5分と約35分の前記第2の期間の、請求項1に記載の方法、前記第2の温度が約725°Cと約850°Cの間にあり、前記第2の期間が約10分と約35分の間にある、請求項1に記載の方法。前記第2の温度が約750°Cと約825°Cの間にあり、前記第2の期間が約15分と約30分の間にある、請求項1に記載の方法。前記第2の温度が約800°Cであり、前記第2の期間が約20分である、請求項1に記載の方法。前記第3の温度が約850°Cと約1050°Cの間にあり、前記第3の期間が約10分と約60分の間にある、請求項1に記載の方法。前記第3の温度が約860°Cと約950°Cの間にあり、前記第3の期間が約15分と約30分の間にある、請求項1に記載の方法。前記第3の温度が約875°Cであり、前記第3の期間が約25分である、請求項1に記載の方法。前記第1のシート抵抗が約20Ohm/sqと約70Ohm/sqの間にあり、前記第2のシート抵抗が約70Ohm/sqと約140Ohm/sqの間にある、請求項1に記載の方法。前記第1のシート抵抗が約30Ohm/sqと約60Ohm/sqの間にあり、前記第2のシート抵抗が約80Ohm/sqと約120Ohm/sqの間にある、請求項1に記載の方法。前記第1のシート抵抗が約30Ohm/sqと約50Ohm/sqの間にあり、前記第2のシート抵抗が約90Ohm/sqと約110Ohm/sqの間にある、請求項1に記載の方法。前記ベーキングアンビエントが不活性のアンビエントと酸化性のアンビエントのうちの1つである、請求項1に記載の方法。前記ドライブインアンビエントが不活性のアンビエントと酸化性のアンビエントのうちの1つである、請求項1に記載の方法。ベーキングアンビエント中で、第1の温度に、および第1の期間、前記基板を加熱するステップの後に、前記基板を洗浄するステップを含む、請求項1に記載の方法。前記シリコン含有粒子がケイ酸塩である、請求項1に記載の方法。基板上で多重ドープ接合を形成する方法であって、ホウ素原子をドープされた前記基板を提供する工程であり、前記基板が前面の基板表面を含む工程と、前記前面の基板表面にインクパターンでインクを堆積する工程であり、前記インクが1組のシリコン含有粒子および1組の溶媒を含む工程と、高密度の薄膜インクパターンを形成するために、ベーキングアンビエント中で前記基板を第1の温度へ、および第1の期間、加熱する工程と、前記基板を堆積アンビエントを有する拡散炉内でドーパント源にさらし、前記堆積アンビエントが第2の温度で、および第2の期間、H3PO4を含む工程であり、PSG層が、前記前面の基板表面および前記高密度の薄膜インクパターンの上に形成される工程と、第3の温度へおよび第3の期間、ドライブインアンビエント中で前記基板を加熱する工程と、を含み、第1のシート抵抗を有する第1の拡散領域が、前記高密度の薄膜インクパターンによって覆われた前記前面の基板表面の下で形成され、また、第2のシート抵抗を有する第2の拡散領域が、前記高密度の薄膜インクパターンで覆われていない前記前面の基板表面の下で形成され、ここで前記第1のシート抵抗が前記第2のシート抵抗より実質的に小さい、方法。基板上で多重ドープ接合を形成する方法であって、リン原子をドープされた前記基板を提供する工程であり、前記基板が前面の基板表面を含む工程と、前記前面の基板表面にインクパターンでインクを堆積する工程であり、前記インクが1組のシリコン含有粒子および1組の溶媒を含む工程と、高密度の薄膜インクパターンを形成するために、ベーキングアンビエント中で前記基板を第1の温度へ、および第1の期間、加熱する工程と、前記基板を堆積アンビエントを有する拡散炉内でドーパント源にさらし、前記堆積アンビエントが第2の温度で、および第2の期間、BBr3を含む工程であり、BSG層が、前記前面の基板表面および前記高密度の薄膜インクパターンの上に形成される工程と、第3の温度へおよび第3の期間、ドライブインアンビエント中で前記基板を加熱する工程と、を含み、第1のシート抵抗を有する第1の拡散領域が、前記高密度の薄膜インクパターンによって覆われた前記前面の基板表面の下で形成され、また、第2のシート抵抗を有する第2の拡散領域が、前記高密度の薄膜インクパターンで覆われていない前記前面の基板表面の下で形成され、ここで前記第1のシート抵抗が前記第2のシート抵抗より実質的に小さい、方法。次に、本発明を、添付図面に示す本発明のいくつかの好ましい実施形態を参照して詳細に説明する。以下の説明では、本発明を完全に理解できるようにするために、多くの特定の詳細を記載する。しかし、本発明がこれらの特定の詳細のいくつかまたは全てを用いずに実施することができることは、当業者には明らかであろう。他の場合、本発明を不要に曖昧にしないために、よく知られているプロセスステップおよび/または構造は、詳細には説明していない。前述したように、基板上に太陽電池用などの多重ドープ接合を形成することは、問題を含む傾向があり、それは多数の個別の拡散およびパターニングステップが必要になることが多く、結果的に製造原価を増加させるからである。1つの有利な手法では、1組の高濃度ドープ領域堆積されたシリコン含有粒子の下でおよび1組の低濃度ドープ領域堆積されていない領域の下での両者とも1つのドーパント拡散アンビエントにおいて形成され得るように、シリコン基板が処理されてもよい。たとえば、選択エミッタなどの多重ドープ接合を形成するために、ガスの組合せおよびマスキングステップが、IV族基板上にドーパントを堆積するために、使われることが多い。すなわち、マスクが最初に堆積され、次いで、基板は、高濃度ドープの領域を形成するために第1のドーパントガスにさらされる。次いで、マスクは除去され、次いで、IV族の基板は、第2のより低い濃度のドーパントガスにさらされ、それにより選択エミッタ構成を形成する。石英チューブ炉において、ホウ素ドープのシリコン基板にリンを拡散するため、POCl3オキシ塩化リンが使われる。その反応は典型的には次のとおりである。POCl3拡散プロセスに必要とされる典型的なガスは、アンビエント窒素ガスメインN2ガス、液体のPOCl3で満たされたバブラーを通って流されるキャリア窒素ガスキャリアN2ガス、堆積処理ガスを形成するために、蒸発したPOCl3と反応するように構成されている反応性酸素ガス反応性O2ガスおよび任意選択的に、後で酸化物層を形成するように構成されているメイン酸素ガスメインO2ガスを含む。一般に、シリコン基板は、窒素ガスアンビエントメインN2ガスを有する加熱されたチューブ炉に最初に配置される。次いで、堆積ガスPOCl3蒸気が、チューブ炉へ流され、堆積温度まで加熱され、また、反応性O2酸素ガスにさらされて、シリコン基板上でP2O5五酸化リンを形成すると共に、シリコン基板内の金属不純物と相互に作用し除去するCl2塩素ガスも形成する。P2O5は、次にはシリコン基板と反応し、SiO2および遊離したP原子を形成する。堆積中に同時に起こるシリコンウェハの酸化は、SiO2P2O5層PSGまたはリンケイ酸ガラスの形成をもたらす。遊離したリンの原子がシリコン基板の内部へさらに拡散し、電荷キャリア生成に役立つために格子中のシリコン原子に置換型でとって代わることを可能にするために、堆積温度またはより高い温度を使って、追加のドライブインステップいかなるPOCl3の流れもないが、通常用いられる。このステップの間、メインN2ガスおよび/またはメインO2のガスを含んでもよいアンビエントガスが、チューブ炉へ流される。酸素を使用すると、シリコンウェハの表面で酸化膜の形成がもたらされるであろう。そのような酸化物層は、PSG層からシリコン基板へのP原子の拡散を減じ、生じる拡散プロフィールに対するより多くの制御を可能にする。一般に、所定温度に対して、リンはシリコン中よりもSiO2中で拡散するのが遅い。対照的に、シリコンウェハのリンドーピングの他の手法は、噴霧技術であり、それによって、リン酸H3PO4混合物通常水またはエタノールもしくはメタノールのようなアルコールと混合されるが、ウェハ上に噴霧され、次いで、熱処理にさらされる。ドーパント源としてリン酸を使うシリコンウェハへのリンの拡散は、以下の反応によって生じる。第1ステップは、五酸化リンP2O5をシリコン表面で生成する、リン酸の脱水を含み、五酸化リンP2O5はその後リンの源として働く。P2O5は、次にはシリコン基板と反応し、S1O2および遊離したP原子を形成する。このプロセスの具体例は、2010年1月25日出願の米国特許出願第12/692,878号明細書でさらに開示され、その全開示を参照により組み込む。同様に、ホウ素は、BBr3三臭化ホウ素を使用してリンドープのシリコン基板に堆積され得る。その反応は典型的には以下のとおりである。一般に、シリコン基板は、窒素ガスメインN2ガス、液体のBBr3で満たされたバブラーを通って流されるキャリア窒素ガスキャリアN2、蒸発したBBr3と反応し、シリコン基板上でB2O3三酸化二硼素を形成するように構成される反応性酸素ガス反応性O2ガス、および任意選択的に、後で酸化物層を形成するように構成されているメイン酸素ガスメインO2ガスを有する、加熱されたチューブ炉に最初に配置される。B2O3は、次にシリコン基板と反応し、SiO2および遊離したホウ素原子を形成する。堆積中に同時に起こるシリコンウェハの酸化は、SiO2-B2O3層BSGまたはホウケイ酸ガラスを生じる。遊離したホウ素の原子がシリコン基板の内部へさらに拡散し、電荷キャリア生成に役立つために格子中のシリコン原子に置換型でとって代わることを可能にするために、堆積温度またはより高い温度を使って、追加のドライブインステップいかなるBBr3の流れもないが、通常用いられる。このステップの間、窒素メインN2および/または酸素メインO2のガスを含んでもよいアンビエントガスが、チューブ炉へ流される。酸素を使用すると、シリコンウェハの表面で酸化膜の形成がもたらされるであろう。そのような酸化物層は、B2O3層からシリコン基板へのホウ素原子の拡散を減じ、生じる拡散プロフィールに対するより多くの制御を可能にする。一般に、所定温度に対して、ホウ素はシリコン中よりもSiO2中で拡散するのが遅い。いくつかの場合において、よりよい拡散均一性を可能にするために、シリコンウェハ上に、堆積に先立っての酸化物層を成長してもよい。選択エミッタの場合には、約70Ohm/sqから約140Ohm/sqの間のシート抵抗を有する低濃度ドープ領域が最適であり、一方、約20Ohm/sqから約70Ohm/sqの間のシート抵抗を有する高濃度ドープ領域同一のドーパント型のが最適である。理論に縛られることを望むものではないが、発明者らは、堆積されたシリコン粒子含有の薄膜のシリコン表面領域下にある基板の相対的により小さい表面積との比較でが実質的に大きいほど、表面PSGまたは、ホウ素ドーパント源の場合はBSGがより多く形成が可能となり、同様に、より大量のリンが、下にあるウェハにドライブインをされることが可能になると考える。すなわち、リンのドーパントの場合には、このより大きなシリコン表面面積は、P2O5からのリンの還元上記の式1A~式1Bまたは式3A~式3Bに記述された反応によるを、シリコン基板表面上での還元よりも大きくすることを可能にする。次いで、リンは、シリコン含有粒子の部分的な焼結によってシリコン粒子含有の薄膜内に形成されたシリコンクラスタの経路を通して、下にあるシリコン基板へ拡散し得る。さらに、シリコン原子が反応に必要とされるので、非シリコン含有粒子から構成された薄膜は、多くの未反応のP2O5が形成されることを可能にするだけで、下にあるウェハ内へのリンのドライブインの減少をもたらす。同様に、ホウ素のドーパントの場合には、このより大きなシリコン表面面積は、B2O3からのホウ素の還元上記の式4A~式4Bに記述された反応によるを、シリコン基板表面上での還元よりも大きくすることを可能にする。次いで、ホウ素は、シリコン含有粒子の部分的な焼結によってシリコン粒子含有の薄膜内に形成されたシリコンクラスタの経路を通して、下にあるシリコン基板へ拡散し得る。その結果として、図2~図5は、シリコン含有粒子それぞれ、Si、SiOxおよびSixNyから構成される薄膜の結果を記述し、一方、図7~図9は、非シリコン含有粒子それぞれ、Al2O3およびZrO2から構成される薄膜の結果を記述する。シリコン基板表面上にシリコン含有粒子の層を堆積する方法の1つは、コロイド分散体またはインクなどの液体の使用を介しての堆積である。一般に、IV族粒子のコロイド分散は可能である。というのは溶媒と粒子表面の相互作用が、比重の差を克服するほど十分に強いからである。この比重の差は、液体中において材料が沈むか浮かぶかのいずれかに通常帰着するものである。換言すれば、より小さなナノ粒子は、より大きなナノ粒子より容易に分散する。溶媒の例としては、アルコール、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、エステル、アミン、オルガノシロキサン、ハロゲン化炭化水素、および他の炭化水素溶媒が含まれる。さらに、粘性、密度、極性、その他などの物理的特性を最適化するために、これらの溶媒が混合されることもある。さらに、コロイド分散体中でシリコン含有粒子をより良く分散させるために、アルコール、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、エステル、およびアミン、ならびにオルガノシクロキサンなどの有機化合物の添加によって、粒子キャッピング基を形成してもよい。別の方法として、キャッピング基は、プラズマチャンバ内へのガスの添加によってインサイチュに加えられることもある。これらのキャッピング基は、その後、焼結プロセス中に、または焼結プロセス直前の、より低い温度での予熱中に除去され得る。たとえば、キャッピングされたIV族半導体粒子の調製に使用するのに適したバルキーなbulkyキャッピング剤として、C4~C8分岐アルコール、環式アルコール、アルデヒド、および第3級ブタノール、イソブタノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ブタナール、イソブタナール、シクロヘキサノンケトンなどのケトン、およびメトキシトリストリメチルシリルシランMTTMSS、トリストリメチルシリルシランTTMSS、デカメチルテトラシロキサンDMTSおよびトリメチルメトキシシランTMOSなどのオラガノシロキサンoraganosiloxane、が挙げられる。いったん調剤されると、シリコン含有粒子を高密度の導電性薄膜へ焼結させるために、コロイド分散体は基板に塗布され、熱処理にさらされ得る。塗布方法の例として、ロールコーティング、スロットダイコーティング、グラビア印刷、フレキソドラム印刷、およびインクジェット印刷などが挙げられるが、これらに限定はされない。ここで、図1、選択エミッタを有する太陽電池の簡略図を参照する。通常の構成において、n拡散層114およびn-拡散層108が、p-低濃度ドープシリコン基板110の上に最初に形成される。次いで、SiO2層106が、シリコン基板110の前面表面を不活性化するのを助けるために、p-低濃度ドープシリコン基板110の上に形成される。次いで、SiNx104層がSiO2層106の前面上に形成される。SiO2層106と同様に、SiNx層104は、シリコン基板110の表面を不活性化するのを助け、外部源からのウェハバルクの両方の汚染を最小限にすると共に、シリコン基板110の表面での少数キャリアの再結合を低減する。加えて、SiNx104層は、太陽電池の前面の反射率を低減するように最適化され得て、効率したがって性能を実質的に改善する。次いで、前面メタルコンタクト102および裏面電界BSF/裏面メタルコンタクト116が、シリコン基板110上に一般に形成される。前面メタルコンタクト102は、Ag粉末70から80重量、ホウケイ酸鉛ガラスPbO-B2O3-SiO21から10重量および有機成分15から30重量を含むAgペーストから一般に形成される。BSF/裏面メタルコンタクト116は、アルミニウムから一般に形成されており、反発する電界を生じ、かつそれにより、少数キャリアの裏面再結合の影響を最小限にするように構成される。さらに、モジュールの中への相互接続のためのはんだ付けを容易にするために銀パッド図示せずが、BSF/裏面メタルコンタクト116の上に、一般に施される。シリコン含有粒子実験1ここで図2を参照し、本発明による、2組のシリコン基板に対するシート抵抗を測定した。第1の下位組は堆積されたSi粒子で覆われパターン付き、第2の組はSi粒子が堆積されていなかったパターン無し。Ohm/sq単位でのシート抵抗を垂直軸204に沿って示す。すべての基板は、p型で、鋸損傷エッチングされたシリコン基板で、約180umの厚さとおよび約2Ohmcmの抵抗を有していた。基板を、最初にピラニア硫酸H2SO4と過酸化水素H2O2の混合物で洗浄した。この清浄化の後に、脱イオン水でのリンスステップを続け、次いでバッファード酸化物エッチ液BOE浸液、その後最終の脱イオン水すすぎを行った。次いで、有機溶媒中の1組のSi粒を基板の片面へ堆積するのに先立って、基板をN2を使い乾燥した。次いで、溶媒分子を蒸発させ、薄膜の密度を高めるために、基板をベーキングアンビエント中で、125°Cの温度で約5分のベーキングの期間で、ベーキングした。その結果、発明者らは、ベーキング期間は約10秒と約20分の間であってもよいと考える。発明者らは、約100°Cと約600°Cの間のベーキング温度が望ましく、約300°Cと約500°Cの間のベーキング温度は、より望ましく、また約400°Cのベーキング温度は、最も望ましいとさらに考える。次いで、基板を、POCl3、N2およびO2の雰囲気を有する拡散炉内でドーパント源にさらした。基板の最初の堆積温度はすべて、20分間、約800°Cであった。発明者らは、最初の堆積温度は好ましくは約725°Cと約850°Cの間で、より好ましくは約750°Cと約825°Cの間で、最も好ましくは約800°Cであってもよいと考える。最初の堆積期間は、好ましくは約10分と約35分の間で、より好ましくは約15分と約30分の間で、最も好ましくは約20分であってもよい。さらに、堆積中の窒素キャリアN2ガスと酸素反応性O2のガスの比は、1:1を使用した。発明者は、堆積ステップ中、キャリアN2ガスと反応性O2の比は1:1と1.5:1の間が望ましいと考える。最初の堆積の後に、N2アンビエント中で約900°Cドライブインの温度で約25分間のドライブインステップを行った。基板表面および高密度の膜表面の上の、残余のPSGガラス層は次に、約5分間のBOEの洗浄ステップで除去した。プロセスの結果は、パターン領域の平均シート抵抗が52.1Ohm/sq、および非パターン領域の平均シート抵抗が128.2Ohm/sqであった。したがって、この高濃度ドープと低濃度ドープの領域間での差異のあるドーパントプロフィールシート抵抗に反映されたは、先に記述したように、選択エミッタの形成に有用である。発明者らは、ドライブイン温度は、好ましくは約850°Cと1050°Cの間で、より好ましくは約860°Cと約950°Cの間で、最も好ましくは約875°Cであってもよいと考える。ドライブイン期間は、好ましくは約10分と約60分の間で、より好ましくは約15分と約30分の間で、最も好ましくは約25分であってもよい。実験2ここで図3を参照し、本発明による、2組のシリコン基板に対するシート抵抗を測定した。第1の下位組は堆積されたSiOx粒子SiO2などで覆われパターン付き、第2の組はSiOx粒子が堆積されていなかったパターン無し。ここでxは正の整数である。Ohm/sq単位でのシート抵抗を垂直軸304に沿って示す。すべての基板は、p型で、鋸損傷エッチングされたシリコン基板で、約180umの厚さとおよび約2Ohmcmの抵抗を有していた。基板を、最初にピラニア硫酸H2SO4と過酸化水素H2O2の混合物で洗浄した。この清浄化の後に、脱イオン水でのリンスステップを続け、次いで後続のバッファード酸化物エッチ液BOE浸液、その後最終の脱イオン水すすぎを行った。次いで、有機溶媒中の1組のSiOx粒子を基板の片面へ堆積するのに先立って、基板をN2を使い乾燥した。次いで、溶媒分子を蒸発させ、薄膜の密度を高めるために、基板をベーキングアンビエント中で、125°Cの温度で約5分のベーキングの期間で、ベーキングした。その結果、発明者らは、ベーキング期間は約10秒と約20分の間であってもよいと考える。発明者らは、約100°Cと約600°Cの間のベーキング温度が望ましく、約300°Cと約500°Cの間のベーキング温度は、より望ましく、また約400°Cのベーキング温度は、最も望ましいとさらに考える。次いで、基板を、POCl3、N2およびO2の雰囲気を有する拡散炉内でドーパント源にさらした。基板の最初の堆積温度はすべて、20分間、約800°Cであった。発明者らは、最初の堆積温度は好ましくは約725°Cと約850°Cの間で、より好ましくは約750°Cと約825°Cの間で、最も好ましくは約800°Cであってもよいと考える。最初の堆積期間は、好ましくは約10分と約35分の間で、より好ましくは約15分と約30分の間で、最も好ましくは約20分であってもよい。さらに、堆積中の窒素キャリアN2ガスと酸素反応性O2のガスの比は、1:1を使用した。発明者は、堆積ステップ中、キャリアN2ガスと反応性O2の比は1:1と1.5:1の間が望ましいと考える。最初の堆積の後に、N2アンビエント中で約900°Cドライブインの温度で約25分間のドライブインステップを行った。基板表面および高密度の膜表面の上の、残余のPSGガラス層は次に、約5分間のBOEの洗浄ステップで除去した。プロセスの結果は、パターン領域の平均シート抵抗が22.9Ohm/sq、および非パターン領域の平均シート抵抗が100.6Ohm/sqであった。したがって、この高濃度ドープと低濃度ドープの領域間での差異のあるドーパントプロフィールシート抵抗に反映されたは、先に記述したように、選択エミッタの形成に有用である。発明者らは、ドライブイン温度は、好ましくは約850°Cと1050°Cの間で、より好ましくは約860°Cと約950°Cの間で、最も好ましくは約875°Cであってもよいと考える。ドライブイン期間は、好ましくは約10分と約60分の間で、より好ましくは約15分と約30分の間で、最も好ましくは約25分であってもよい。実験3ここで図4を参照し、本発明による、2組のシリコン基板に対するシート抵抗を測定した。第1の下位組は堆積されたSixNy粒子S13N4などで覆われパターン付き、第2の組はSixNy粒子が堆積されていなかったパターン無し。ここでxおよびyは正の整数である。Ohm/sq単位でのシート抵抗を垂直軸404に沿って示す。すべての基板は、p型で、鋸損傷エッチングされたシリコン基板で、約180umの厚さとおよび約2Ohmcmの抵抗を有していた。基板は、最初にピラニア硫酸H2SO4と過酸化水素H2O2の混合物で洗浄した。この清浄化の後に、脱イオン水でのリンスステップを行い、次いで後続のバッファード酸化物エッチ液BOE浸液、その後最終の脱イオン水すすぎを行った。次いで、有機溶媒中の1組のSixNyを基板の片面へ堆積するのに先立って、基板をN2を使い乾燥した。次いで、溶媒分子を蒸発させ、薄膜の密度を高めるために、基板をベーキングアンビエント中で、125°Cの温度で約5分のベーキングの期間で、ベーキングした。その結果、発明者らは、ベーキング期間は約10秒と約20分の間であってもよいと考える。発明者らは、約100°Cと約600°Cの間のベーキング温度が望ましく、約300°Cと約500°Cの間のベーキング温度は、より望ましく、また約400°Cのベーキング温度は、最も望ましいとさらに考える。次いで、基板を、POCl3、N2およびO2の雰囲気を有する拡散炉内でドーパント源にさらした。基板の最初の堆積温度はすべて、20分間、約800°Cであった。発明者らは、最初の堆積温度は好ましくは約725°Cと約850°Cの間で、より好ましくは約750°Cと約825°Cの間で、最も好ましくは約800°Cであってもよいと考える。最初の堆積期間は、好ましくは約10分と約35分の間で、より好ましくは約15分と約30分の間で、最も好ましくは約20分であってもよい。さらに、堆積中の窒素キャリアN2ガスと酸素反応性O2のガスの比は、1:1を使用した。発明者は、堆積ステップ中、キャリアN2ガスと反応性O2の比は1:1と1.5:1の間が望ましいと考える。最初の堆積の後に、N2アンビエント中で約900°Cドライブインの温度で約25分間のドライブインステップを行った。基板表面および高密度の膜表面の上の、残余のPSGガラス層は次に、約5分間のBOEの洗浄ステップで除去した。プロセスの結果は、パターン領域の平均シート抵抗が72.2Ohm/sq、および非パターン領域の平均シート抵抗が115.5Ohm/sqであった。したがって、この高濃度ドープと低濃度ドープの領域間での差異のあるドーパントプロフィールシート抵抗に反映されたは、先に記述したように、選択エミッタの形成に有用である。発明者らは、ドライブイン温度は、好ましくは約850°Cと1050°Cの間で、より好ましくは約860°Cと約950°Cの間で、最も好ましくは約875°Cであってもよいと考える。ドライブイン期間は、好ましくは約10分と約60分の間で、より好ましくは約15分と約30分の間で、最も好ましくは約25分であってもよい。実験4ここで図5を参照し、本発明による、2枚のシリコン基板に対するFTIRを測定した。第1の下位組は堆積されたSi粒子で覆われパターン付き、第2の組はSi粒子が堆積されていなかったパターン無し。ここでxおよびyは正の整数である。発明者らは、SiOx粒子図3に示す、およびSixNy粒子図4に示すをはじめとして他のシリコン含有粒子を使って、実質的に同様の結果を達成した。第1のスペクトル506は、インクが堆積されていなかった基板の吸光度を示し、一方、第2のスペクトル508は、堆積されたインクを有する基板の吸光度を示す。一般に、FTIRフーリエ変換分光法は、それによってスペクトルが、発光源の時間コヒーレンスtemporalcoherenceの測定に基づいて集められる測定技術であり、電磁放射または他の型の放射502水平軸上で波数として示されるの時間領域測定time-domainmeasurementを使うものである。特定のサンプル内の化学結合に特有のある共振周波数において、放射502が吸収され垂直軸上の吸光度A.U.任意単位として示される、スペクトル中の一連のピークが得られ、次いで、それをサンプル内の化学結合を同定するために使うことができる。放射吸収は、所与の周波数で吸収する結合の数に比例する。ここで、本発明による、2枚の研磨された単結晶シリコン基板、堆積されたSi粒子で覆われているパターン付き第1の基板およびSi粒子が堆積されていないパターン無し第2の基板。インクで覆われた基板を、液体中の溶媒をベークオフするために約5分間、約125°Cに加熱した。基板を一般的なチューブ炉に挿入し、約20分間、約800°CでPOCl3堆積ステップにさらし、堆積中、窒素キャリアN2と酸素反応性O2のガス比は1:1を使用した。後続のドライブインのステップは実行しなかった。従って、このプロセスは、堆積されたシリコン粒子を有する結晶シリコン基板と有しない結晶シリコン基板の両方の上にP2O5を堆積した後に終了した。第1のスペクトル506および第2のスペクトル508は、P=0リンと酸素の二重結合に特有である1330cm1、ならびに、Si-0シリコンと酸素の一重結合に特有である、450cm1、800cm1および1100cm1あたりの領域においてピークを示し、すべて堆積されたPSG膜に典型的なものである。第2のインクスペクトル508の吸光度は、第1の非インクスペクトル504の吸光度より実質的により大きく、インク領域に埋め込まれたPSGが、非インク領域上でよりも著しく多いということを示している。非インク領域と比較して、インク領域において著しくより多くのPSGが埋め込まれているという証明は、シリコン基板表面と比較して、PSG堆積のためにシリコン粒子含有インク層によって提供されたより大きなシリコン表面領域と整合するものである。理論に縛られることを望むものではないが、発明者らは、堆積されたシリコン含有粒子のシリコン表面領域下にある基板の相対的により小さい表面積との比較でが実質的に大きいほど、より多量の表面のPSGが形成されることが可能となり、同様に、より大量のリンが、内部へドライブインをされることが可能になると考える。その、堆積されたシリコン含有粒子の下にある対応する基板は、粒子で覆われていない基板領域の有限のドーパント源と比較して、擬似的に無限のドーパント源にさらされることになる。ここで図6を参照し、本発明による、シリコン含有粒子を用いて、基板上に多重ドープ接合を形成する簡略法を示す。最初に、602において、インクを、あるインクパターンで前面の基板表面の上に堆積し、このインクは、1組のシリコン含有粒子および1組の溶媒を含む。次に、604において、高密度の薄膜インクパターンを形成するために、基板を、第1の温度へ、および第1の期間、ベーキングアンビエントにおいて加熱する。606において、基板を、堆積アンビエントを有する拡散炉内のドーパント源にさらし、この堆積アンビエントは、第2の温度で、および第2の期間、POCl3、キャリアN2ガス、メインN2ガスおよび反応性O2ガスを含む。それから最後に、608において、基板を、第3の温度へ、第3の期間、ドライブインアンビエントにおいて加熱する。非シリコン含有粒子実験5ここで図7を参照し、本発明による、2組のシリコン基板に対するシート抵抗を比較した。第1の下位組は堆積されたAl2O3粒子で覆われパターン付き、第2の組は堆積されたAl2O3粒子が堆積されていなかったパターン無し。Ohm/sq単位でのシート抵抗を垂直軸704に沿って示す。すべての基板は、p型で、鋸損傷エッチングされたシリコン基板で、約180umの厚さとおよび約2Ohmcmの抵抗を有していた。基板は、最初にピラニア硫酸H2SO4と過酸化水素H2O2の混合物で洗浄した。この清浄化の後に、脱イオン水でのリンスステップを続け、次いで後続のバッファード酸化物エッチ液BOE浸液、その後最終の脱イオン水すすぎを行った。次いで、有機溶媒中の1組のAl2O3粒子を基板の片面へ堆積するのに先立って、基板をN2を使い乾燥した。次いで、溶媒分子を蒸発させ、薄膜の密度を高めるために、基板をベーキングアンビエント中で、125°Cの温度で約5分のベーキングの期間で、ベーキングした。次いで、基板を、POCl3、N2およびO2の雰囲気を有する拡散炉内でドーパント源にさらした。基板の最初の堆積温度はすべて、約20分間、約800°Cであった。最初の堆積の後に、N2アンビエント中で約900°Cドライブインの温度で約25分間のドライブインステップを行った。基板表面および高密度の膜表面の上の、残余のPSGガラス層は、次に、約5分間のBOEの洗浄ステップで除去した。プロセスの結果は、パターン領域の平均シート抵抗が359.3Ohm/sq、および非パターン領域の平均シート抵抗が109.4Ohm/sqであった。したがってその、この高濃度ドープと低濃度ドープの領域間での差異のあるドーパントプロフィールシート抵抗に反映されたは、先に記述したように、選択エミッタの形成に適していない。実験6ここで図8A~8Bを参照し、Al2O3粒子を用いて処理されたシリコン基板に対して1組のFTIR赤外線フーリエ変換グラフを示す。発明者らは、ZrO2粒子図9に示すをはじめとして他の非シリコン含有粒子を使って、実質的に同様の結果を達成した。図8Aは、堆積されたAl2O3粒子を有する基板の吸光度スペクトルAl2O3吸光度スペクトル808、および、Al2O3粒子が堆積されていなかった基板の吸光度スペクトル806を示し、一方、図8Bは、図8Aの、Al2O3粒子が堆積されなかった基板の吸光度スペクトル806をより詳細に示す。ここで、本発明による、2枚の研磨された単結晶シリコン基板、堆積されたAl2O3粒子で覆われている第1の基板パターン付きおよびAl2O3粒子が堆積されていない第2の基板パターン無し。堆積されたAl2O3粒子を有する基板を、液体中の溶媒をベーキング出しするために約5分間、約125°Cに加熱した。基板を一般的なチューブ炉に挿入し、約20分間、約800°CでPOCl3堆積ステップにさらした。後続のドライブインのステップは実行しなかった。このプロセスは、結晶シリコン基板と堆積されたシリコン流体領域の両方の上にP2O5を堆積した後に、このように終了した。図8Aは、1260cm1P=0、1120cm1P-O、726cm1P-OPおよび470cm10の=P-0のあたりにピークを示し、これらはPSGではなくP2O5に典型的なものである。対照的に、図8Bの吸光度スペクトル806は、P=0リンと酸素の2重結合に特有である約1330cm1でのピーク、およびSiOに特有である450cm1、800cm1および1100cm1あたりにピークを示し、すべて、堆積されたPSG膜に典型的なものである。Al2O3で覆われた基板808の、P2O5に対応する、吸光度スペクトルは、覆われていない基板806のPSGに対応する吸光度スペクトルより実質的に大きく、非インク領域上のPSGより、インク領域内に埋め込まれているP2O5の方が著しく多いことを示す。非インク領域のPSGと比較して、インク領域において著しくより多くのP2O5が埋め込まれているという証明は、シリコン基板表面と比較して、インク層によって提供されたより大きな表面領域と整合するものである。理論に縛られることを望むものではないが、発明者らは、堆積された非シリコン含有粒子の表面積下にある基板の相対的により小さい表面積との比較でが実質的に大きいほど、基板のインクで覆われない領域上で形成されるPSGの量と比較して、より多量のP2O5が、堆積可能になると考える。しかしながら、非シリコン含有粒子薄膜内のSi原子の欠如により、P2O5は実質的に未反応のままであり、また、基板の中へのリンのドライブインの増加を一般にもたらさない。実験6ここで図9を参照し、2組のシリコン基板に対するシート抵抗を測定した。第1の下位組は堆積されたZrO2粒子で覆われパターン付き、第2の組はZrO2粒子が堆積されていなかったパターン無し。Ohm/sq単位でのシート抵抗を垂直軸904に沿って示す。すべての基板は、p型で、鋸損傷エッチングされたシリコン基板で、約180umの厚さとおよび約2Ohmcmの抵抗を有していた。基板は、最初にピラニア硫酸H2SO4と過酸化水素H2O2の混合物で洗浄した。この清浄化の後に、脱イオン水でのリンスステップを続け、次いで後続のバッファード酸化物エッチ液BOE浸液、その後最終の脱イオン水すすぎを行った。次いで、有機溶媒中の1組のZrO2粒子を基板の片面へ堆積するのに先立って、基板をN2を使い乾燥した。次いで、溶媒分子を蒸発させ、薄膜の密度を高めるために、基板をベーキングアンビエント中で、125°Cの温度で約5分のベーキングの期間で、ベーキングした。次いで、基板を、POCl3、N2およびO2の雰囲気を有する拡散炉内でドーパント源にさらした。基板の最初の堆積温度はすべて、20分間、約800°Cであった。最初の堆積の後に、N2アンビエント中で約900°Cドライブインの温度で約25分間のドライブインステップを行った。基板表面および高密度の膜表面の上の、残余のPSGガラス層は、次に、約5分間のBOEの洗浄ステップで除去した。プロセスの結果は、パターン領域の平均シート抵抗が384.3Ohm/sq、および非パターン領域の平均シート抵抗が127.6Ohm/sqであった。したがって、この高濃度ドープと低濃度ドープの領域間での差異のあるドーパントプロフィールシート抵抗に反映されたは、先に記述したように、選択エミッタの形成に適していない。本開示の目的のために、および特に指定がない限り、1つは1つまたは複数を意味する。本明細書に引用した全ての特許、特許出願、参考文献、および刊行物は、それらが個別に参照として組み込まれている場合と同程度に、それらの全体を参照により組み込む。本発明を、様々な特定の例示の実施形態を参照して説明してきた。しかし、本発明の精神および範囲内で、多くの変更および修正を施すことができることを理解すべきである。たとえば、上記の実験には、ホウ素ドープの基板へのPOCl3プロセスを一般に含むが、発明者らは、実質的に同様の結果が、ホウ素ドープの基板上へのリン酸H3PO4プロセス、およびリンドープの基板上へのBBr3プロセスで達成することができると考える。さらに、シリコン含有粒子はケイ酸塩たとえばAlSiOx、SixGe1x、SiCxなども含んでもよい。さらに、シリコン含有粒子は真性でも、またはドープされていてもよい。本発明の利点は、太陽電池などの電気デバイスのための低コストかつ効率的な接合の製造を含む。例示的な実施形態および最良の形態を開示してきたが、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の主題および精神の範囲内で、開示した実施形態に修正および変更を施すことができる。"