シリコン基板の一表面に、不純物拡散領域を形成する工程を備えた太陽電池の製造方法において、前記不純物拡散領域を形成する工程は、前記シリコン基板を回転させて、前記シリコン基板の一表面の外周縁部に、ドーパントを含む化合物とアルコールとを少なくとも含むドーパント溶液を滴下して塗布する第1工程と、前記シリコン基板の一表面の中心付近に前記ドーパント溶液を滴下し、前記シリコン基板を回転させて前記ドーパント溶液を塗布する第2工程と、前記シリコン基板を熱処理する第3工程とを備えた太陽電池の製造方法。前記第2工程のドーパント溶液のドーパント濃度は、前記第1工程のドーパント溶液のドーパント濃度よりも高い請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第2工程の後に、前記シリコン基板を乾燥させる第4工程を備えた請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。前記シリコン基板の一表面は、前記シリコン基板の受光面である請求項1~3のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。前記不純物拡散領域は、n型不純物拡散領域である請求項1~4のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。前記ドーパントは、リンである請求項1~5のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。前記ドーパント溶液は、PSG液である請求項1~6のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。しかしながら、太陽電池に用いるシリコン基板は、矩形または略矩形であり、また、シリコン基板の受光面には、凹凸構造が形成されているので、上記のように、PSG液をスピン塗布で行った場合、シリコン基板の外周縁部で、PSG液の塗布ムラが発生することがある。この塗布ムラと、その後の熱処理でシリコン基板面内のシート抵抗のばらつきが起こり、受光面銀電極とn領域間のコンタクト抵抗のシリコン基板面内のばらつきが発生する。また、発生する塗布ムラによっては、pn接合欠損が生じることもある。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、PSG液に代表されるドーパント剤を含むドーパント溶液をスピン塗布して熱処理し不純物拡散領域を形成する際、塗布ムラを抑えることで、熱処理後のシリコン基板面内のシート抵抗のばらつきを低減させ、太陽電池特性を向上させる太陽電池の製造方法を提供することにある。本発明の太陽電池の製造方法は、シリコン基板の一表面に、不純物拡散領域を形成する工程を備えた太陽電池の製造方法において、不純物拡散領域を形成する工程は、シリコン基板を回転させて、シリコン基板の一表面の外周縁部に、ドーパントを含む化合物とアルコールとを少なくとも含むドーパント溶液を滴下して塗布する第1工程と、シリコン基板の一表面の中心付近にドーパント溶液を滴下し、シリコン基板を回転させてドーパント溶液を塗布する第2工程と、シリコン基板を熱処理する第3工程とを備える。ここで、本発明の太陽電池の製造方法は、第2工程のドーパント溶液のドーパント濃度は、第1工程のドーパント溶液のドーパント濃度よりも高くてもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、第2工程の後に、シリコン基板を乾燥させる第4工程を備えてもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、シリコン基板の一表面は、シリコン基板の受光面であってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、不純物拡散領域は、n型不純物拡散領域であってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、ドーパントは、リンであってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、ドーパント溶液は、PSG液であってもよい。本発明によれば、シリコン基板の外周縁部のドーパント溶液のスピン塗布を、別に行うことにより、シリコン基板の外周縁部で発生する塗布ムラを抑えることで、シリコン基板面内において、不純物拡散領域のシート抵抗のばらつきが低減するため、太陽電池特性を向上させることができる。以下に、太陽電池の本発明の製造方法の一例を示す。太陽電池の本発明の製造方法は、n領域4の形成工程が異なる以外は、図3に示した製造フローと同様であるので、下記に示す実施例は、いずれもp型シリコン基板の受光面に形成したn領域4である不純物拡散領域の形成工程のみを示す。図1は、p型シリコン基板2のPSG液塗布面を上から見た模式図である。p型シリコン基板2は、150mm角でPSG液塗布面側に凹凸構造が形成されている。リン化合物として五酸化リン濃度が5のPSG液α、および五酸化リン濃度が10のPSG液βを用いた。p型シリコン基板2を回転させ、PSG液αをp型シリコン基板2の中心AよりXmm離れた滴下箇所Bに滴下し塗布を行い、その後、回転を止める。次に、p型シリコン基板2の中心AにPSG液βを滴下しp型シリコン基板2を回転させて塗布を行う。その後、p型シリコン基板2を乾燥させた。次に、窒素雰囲気で熱処理を行い、p型シリコン基板2の受光面に、n型ドーパントであるリンが拡散したn領域を形成した。ここで、PSG液αの塗布は、p型シリコン基板2を回転させながら滴下して行ったので、滴下箇所Bよりも外側に塗布させることができた。なお、上記乾燥は、上記熱処理で兼ねることが可能である。実施例1:PSG液αの滴下箇所B→X=30mm実施例2:PSG液αの滴下箇所B→X=50mm実施例3:PSG液αの滴下箇所B→X=70mm比較例実施例1~3で用いたp型シリコン基板2を使用して、p型シリコン基板2の受光面側にn領域を形成した。リン化合物として五酸化リン濃度が10のPSG液βを用い、p型シリコン基板2の中心Aに滴下しp型シリコン基板2を回転させて塗布して、p型シリコン基板2を乾燥させた。その後、窒素雰囲気で熱処理を行い、p型シリコン基板2の受光面に、n型ドーパントであるリンが拡散したn領域を形成した。実施例1、実施例2、実施例3、および比較例のシート抵抗値の測定結果を表1に示す。また、実施例1、実施例2、実施例3、および比較例の方法でn領域を作製した場合の太陽電池の変換効率を表2に示す。表1、2の値は、それぞれ、5サンプルについて測定を行い、その平均値とした。なお、図2に表1の測定箇所を示す。測定箇所は、5箇所であり、p型シリコン基板2の中心と、p型シリコン基板2の対角線上にp型シリコン基板2の中心から23mm、46mm、69mm、92mmである。また、表2の太陽電池の変換効率は、比較例を1.000とした場合の実施例1、2、3の値である。表1の結果から、比較例では、p型シリコン基板2の面内で35Ω/□~55Ω/□であったのに対し、実施例2では、p型シリコン基板2の面内で45Ω/□~55Ω/□内で収まるようになり、シート抵抗のばらつきを低減することができた。また、実施例1、3においても、比較例よりもシート抵抗のばらつきを低減することができた。これから、シリコン基板の外周縁部のPSG液のスピン塗布を、別に行うことで、シリコン基板の外周縁部で発生する塗布ムラを抑え、シリコン基板面内のシート抵抗のばらつきを低減することができた。さらに、表2の結果から、比較例に比べて、実施例2では1の変換効率の向上が確認でき、実施例1、3でも0.5の変換効率の向上が確認できた。したがって、上記より、シート抵抗のシリコン基板面内のばらつきを低減することで、受光面銀電極とn領域間のコンタクト抵抗のシリコン基板面内のばらつきを抑えることができるため、太陽電池の特性を向上させることができる。また、塗布ムラの発生が低減できるので、これによるpn接合欠損の発生も抑えることができる。さらにまた、シリコン基板が円形の場合でも、シート抵抗のシリコン基板面内のばらつきを低減するために、上記に示すPSG液塗布方法が有効であることを確認した。今回、リン化合物を含むPSG液について示したが、他のドーパントを用いた溶液をシリコン基板の一表面にスピン塗布し、熱処理により不純物拡散領域を形成する場合も同様の結果が得られる。さらに、受光面と裏面に電極が形成された太陽電池について記載したが、裏面にのみ電極が形成された裏面電極型太陽電池に不純物拡散領域を形成する場合も同様である。