"断面形状が丸又は略四角形の導体、及び該導体を被覆する絶縁皮膜を有する絶縁電線であって、導体の断面形状が丸の場合は2本の絶縁電線を長さ120mm中に18回撚り合わせた試験片、導体の断面形状が略四角形の場合は2本の絶縁電線を略四角形の長辺同士を120mm接触させた試験片について、2本の絶縁電線の両端に交流電圧を印加し、電圧を70V/秒の速さで上昇して放電量が100pCに達した時の交流電圧の最大値ピーク値をコロナ放電開始電圧とした時に、温度150°Cで測定したコロナ放電開始電圧が、温度25°Cで測定したコロナ放電開始電圧の84以上であることを特徴とする絶縁電線。前記絶縁皮膜がポリイミド樹脂からなることを特徴とする、請求項1に記載の絶縁電線。前記ポリイミド樹脂のイミド基濃度が33以下であることを特徴とする、請求項2に記載の絶縁電線。前記絶縁皮膜の厚みが10μm以上150μm以下である、請求項1又は2に記載の絶縁電線。請求項1~4のいずれか1項に記載の絶縁電線を捲線してなる電機コイル。請求項5に記載の電機コイルを有するモータ。導電層や半導電層を使用する方法では、コロナ放電開始電圧は向上するものの導電層、半導電層により絶縁電線の表面抵抗が小さくなることで交流通電時に電線の表面に流れる漏れ電流が大きくなり、絶縁電線の表面が発熱して劣化しやすくなる。また絶縁電線末端の導体露出部と導電層、半導電層とが短絡するおそれがあるため、絶縁電線末端で導電層、半導電層を剥離する工程が必要となる。絶縁層の低誘電率化による方法はコロナ放電開始電圧の向上に有効である。そのため適用電圧の高い、車載用の高出力モータ等の用途に使用される絶縁電線ではポリイミド等の誘電率の低い材料を絶縁層として用いている。しかし絶縁電線に要求される耐コロナ放電特性はますます高まっており現状の材料では不十分である。また上記モータは高温雰囲気で使用されることが多く、室温での特性と共に高温雰囲気での特性も求められている。高温雰囲気では空気密度が低下するため、一般に、温度が高くなると絶縁電線のコロナ放電開始電圧は低くなる。そのため高温雰囲気においてもコロナ放電開始電圧の高い絶縁電線が求められている。本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、コロナ放電開始電圧を高くできると共に、コロナ放電開始電圧の温度依存性が低く、高温でのコロナ放電開始電圧の高い絶縁電線及びそれを用いた電機コイル、モータを提供することを課題とする。本発明は、断面形状が丸又は略四角形の導体、及び該導体を被覆する絶縁皮膜を有する絶縁電線であって、導体の断面形状が丸の場合は2本の絶縁電線を長さ120mm中に18回撚り合わせた試験片、導体の断面形状が略四角形の場合は2本の絶縁電線を略四角形の長辺同士を120mm接触させた試験片について、2本の絶縁電線の両端に交流電圧を印加し、電圧を70V/秒の速さで上昇して放電量が100pCに達した時の交流電圧の最大値ピーク値をコロナ放電開始電圧とした時に、温度150°Cで測定したコロナ放電開始電圧が、温度25°Cで測定したコロナ放電開始電圧の84以上であることを特徴とする絶縁電線である請求項1。コロナ放電開始電圧以下、PDIVは温度と共に低下するため、従来の絶縁電線で150°CでのPDIVが25°C室温でのPDIVの84以上となるものはなかった。また本発明の絶縁電線は、温度上昇に伴うPDIVの低下割合が150°C付近から小さくなるため、150°CでのPDIVが室温でのPDIVの84以上であれば使用環境である室温から300°Cまでの範囲においてコロナ放電開始電圧が高い絶縁電線が得られる。絶縁皮膜がポリイミド樹脂からなると好ましい請求項2。ポリイミド樹脂は誘電率が低く、また耐熱性に優れる樹脂であるため、室温及び高温でのPDIVの高い絶縁電線が得られる。またポリイミド樹脂のイミド基濃度が33以下であるとさらに好ましい請求項3。イミド基濃度が低いほど温度上昇によるPDIV低下が少ない。イミド基濃度は、ポリイミド前駆体をイミド化した後のポリイミド樹脂において、イミド基部分の分子量/全ポリマーの分子量×100で計算される値である。イミド基は極性が高く、ポリイミド樹脂中の誘電率を上げる原因となる。ポリイミド前駆体は芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物とを反応して得られるので、各モノマー芳香族ジアミン又は芳香族テトラカルボン酸二無水物の分子量を大きくすることでイミド基濃度を33以下として誘電率を低下できる。なお絶縁電線の皮膜に汎用されている一般的なポリイミド樹脂はピロメリット酸二無水物と4,4’-ジアミノジフェニルエーテルとを重合して得られるポリイミド前駆体ポリアミック酸をイミド化して得られるもので、イミド基濃度は36.6である。絶縁皮膜の膜厚が大きいほどPDIVは向上するが、膜厚が大きすぎると絶縁電線でコイルを形成した際の占積率が小さくなる。従って好ましい絶縁皮膜の厚みの範囲は10μm以上150μm以下である請求項4。請求項5に記載の発明は、上記の絶縁電線を捲線してなる電機コイルである。また請求項6に記載の発明は、前記電機コイルを有するモータである。室温及び高温雰囲気での耐コロナ放電特性に優れるため、高電圧が印加された場合でも絶縁皮膜の劣化が起こりにくく、寿命の長いコイル及びモータを得ることができる。本発明によれば、コロナ放電開始電圧を高くできると共に、コロナ放電開始電圧の温度依存性が低く、高温でのコロナ放電開始電圧の高い絶縁電線を提供することができる。本発明の絶縁電線は、導体上に1層以上の絶縁皮膜を有するものである。図1は本発明の絶縁電線の一例を示す断面模式図であり、図1aは導体の断面形状が略四角形の絶縁電線、図1bは導体の断面形状が丸の絶縁電線である。導体1の外側に、導体1を被覆する絶縁皮膜2がある。絶縁皮膜2は単層としても良いし、多層としても良い。図2aは本発明の電機コイルの一例を示す模式図であり、図2bは図2aのA-A’断面図である。磁性材料からなるコア13の外側に絶縁電線11を捲線して電機コイル12が形成される。コアと電機コイルからなる部材は、モータのロータやステータとして使用される。例えば、図3に示すように、コア13と電機コイル12とからなる分割ステータ14を複数組み合わせて環状に配置したステータ15を、モータの構成部材として使用する。導体としては、銅や銅合金、アルミニウム等を使用できる。導体の大きさは特に限定されないが、断面が略四角形の場合は一辺の長さが500μm~5mmのもの、断面が丸の場合は導体径が100μm~5mmのものが一般に使用される。絶縁皮膜は、150°CでのPDIVが25°CでのPDIVの84以上となるような樹脂材料を溶剤に溶解した樹脂ワニスを導体上に塗布、焼付けして形成する。絶縁皮膜全体の厚みは10μm~150μm程度である。1回の塗布、焼付け工程では数μm程度の皮膜しか形成できないため、通常樹脂ワニスの塗布、焼付け工程を数回繰り返して絶縁皮膜を形成する。さらに好ましい絶縁皮膜の厚みは10μm以上50μm以下である。塗布、焼付けは通常の絶縁電線の製造と同様に行うことができる。例えば導体又は絶縁皮膜を被覆した導体に樹脂ワニスを塗布した後、設定温度を350~500°Cとした炉内を1パス当たり5~10秒間通過させて焼付ける作業を数回繰り返して絶縁皮膜を形成する。絶縁皮膜の最外層に表面潤滑層を有するとさらに加工性が向上して好ましい。また絶縁電線の外側に表面潤滑油を塗布しても良い。この場合はさらにインサート性や加工性が向上する。コロナ放電開始電圧PDIVの測定方法を説明する。断面が丸の絶縁電線の場合は、図4に示すように、120mm長さの間に撚り数が18個となるように2本の絶縁電線を撚り合わせた試験片を作製する。断面が略四角形の絶縁電線の場合は図5aに示すように略四角形の長辺同士を120mm接触させた試験片を作製する。図5bは図5aのA-A’断面である。絶縁電線は、長辺長さl、短辺長さhの略四角形であり、2本の絶縁電線は長辺同士が接している。各試験片において2本の絶縁電線の両端に交流電圧を印加する。電圧を70V/secの速さで上昇し、放電量が100pCに達した時の電圧を測定し、交流電圧の最大値ピーク値をコロナ放電開始電圧PDIVとする。以下、150°CでのPDIVが25°CでのPDIVの84以上となるような樹脂材料のとして特に好ましい、イミド基濃度が33以下のポリイミド樹脂について説明する。ポリイミド樹脂ワニスの主成分であるポリイミド前駆体樹脂ポリアミック酸は、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの縮合重合によって得られる。この縮合重合反応は従来のポリイミド前駆体の合成と同様な条件にて行うことができる。芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物PMDA、4,4’-オキシジフタル酸二無水物ODPA、3,4,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物BPDA、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDA、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ2,2,2-オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボンキシフェニルヘキサフルオロプロパン二無水物、5-2,5-ジオキソテトラヒドロフリル-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸二無水物等が例示される。また、イミド基濃度を下げるため、分子量が大きい下記式1で示されるビスフェノールAジフタル酸二無水物BPADAを使用しても良い。これらの芳香族テトラカルボン酸二無水物は1種を用いても2種以上を併用しても良い。この中でもピロメリット酸二無水物PMDAは低分子量で剛直な構造を持つため、ポリイミド樹脂の耐熱性を向上できる点で好ましい。芳香族ジアミンとしては、4,4’-ジアミノジフェニルエーテルODA、4,4’-メチレンジアニリンMDA、2,2-ビス[4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼンTPE-Q、1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼンTPE-R、1,1-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]シクロヘキサン4-APBZ、1,3-ビス3-アミノフェノキシベンゼン3-APB、1,5-ビス3-アミノフェノキシナフタレン1,5-BAPN等が例示される。この中でも2,2-ビス[4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP、1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼンTPE-R、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼンTPE-Qは分子量が大きく、イミド基濃度を低減できるため好ましく使用できる。これらの芳香族ジアミンとODA、MDA等の分子量の小さい芳香族ジアミンとを組み合わせて使用することで、イミド基濃度を調整できる。芳香族テトラカルボン酸二無水物、芳香族ジアミンは、イミド化後のイミド基濃度が33.0以下となるように選択する。イミド基濃度はポリイミド前駆体をイミド化した後のポリイミド樹脂において、イミド基部分の分子量/全ポリマーの分子量×100で計算される値である。具体的には以下の方法でイミド基濃度を計算する。芳香族テトラカルボン酸二無水物、芳香族ジアミンの分子量からユニット単位でのイミド基濃度を計算する。例えば下記式2で示されるポリイミドの場合、イミド基濃度はイミド基分子量=70.03×2=140.06ユニット分子量=894.96となるため、イミド基濃度=140.06/894.96×100=15.6となる。上記の芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンを混合して反応させる。芳香族ジアミンの合計量当量と、芳香族テトラカルボン酸二無水物の合計量当量を約1:1とすると反応が良好に進行して好ましい。それぞれの材料を混合し、有機溶媒中で加熱して反応させてポリイミド前駆体樹脂を得る。有機溶媒としては、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ-ブチロラクトン等の非プロトン性極性有機溶媒が使用できる。これらの有機溶媒は単独で用いても2種以上を組み合わせても良い。有機溶媒の量は、芳香族テトラカルボン酸二無水物、芳香族ジアミンを均一に分散させることができる量であれば良く特に制限されないが、通常これらの成分の合計量100質量部あたり100質量部~1000質量部樹脂濃度で10~50程度となるように使用する。有機溶媒量を少なくするとできあがったポリイミド樹脂ワニスの固形分量が多くなりコスト低減に有効である。ポリイミド樹脂ワニスには顔料、染料、無機又は有機のフィラー、潤滑剤、密着向上剤等の各種添加剤や反応性低分子、相溶化剤等を添加しても良い。密着向上剤としてメラミンを添加すると、導体との密着力を向上できる。さらに本発明の趣旨を損ねない範囲で他の樹脂を混合して使用することもできる。次に、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明する。なお本発明の範囲はこの実施例のみに限定されるものではない。実施例1~4、比較例1ポリイミド前駆体樹脂の作製表1に示す種類と量の芳香族ジアミンODA、BAPP、TPE-QをN-メチルピロリドンに溶解させた後、表1に示す種類と量の芳香族テトラカルボン酸無水物PMDAを加えて窒素雰囲気下室温で1時間撹拌した。その後60°Cで20時間撹拌し反応を終え、室温まで冷却し、密着向上剤としてメラミン日本サイテックインダストリーズ株製、商品名:サイメル303を混合してポリイミド樹脂ワニスを得た。各成分の分子量から計算したイミド基濃度を表1中に記載している。絶縁電線の作製厚み1.5mm、幅3.0mmの平角導体の表面に、作製したポリイミド樹脂ワニスを常法によって塗布、焼付けする工程を複数回繰り返して厚み約35μmの絶縁皮膜を形成し、実施例1~4、比較例1の絶縁電線を作製した。比較例2絶縁電線の作製ポリエステルイミドワニスとして、日立化成株製の商品名ISOMID40SM-45固形分:45を準備した。またポリイミド樹脂ワニスとして比較例1のポリイミド樹脂ワニスを準備した、厚み1.5mm、幅3.0mmの平角導体の表面に各樹脂ワニスを塗布、焼き付けし、導体上にポリイミド10μm、ポリエステルイミド50μm、ポリイミド10μm、合計膜厚70μmの絶縁皮膜を形成して絶縁電線を作製した。コロナ放電開始電圧の測定得られた各絶縁電線について、図5に示すように2本の絶縁電線を120mm長さ接触させた試験片を作製した。2本の絶縁電線の両端に交流電圧を印加し、電圧を70V/secの速さで上昇し、放電量が100pCに達した時の電圧を測定し交流電圧の最大値ピーク値を求めた。測定結果を表2、表3に示す。またPDIVと温度とをグラフにしたものを図6に示す。比較例1及び実施例1~4のポリイミドは、芳香族ジアミンとして分子量の小さいODAと分子量の大きいBAPPを併用し、BAPPの比率を0~75まで変えてイミド基濃度を調整したものである。イミド基濃度が33以下の実施例1~4では、全て150°CでのPDIV残率25°CでのPDIVに対する割合は84以上であり、室温でのPDIVも高い。またイミド基濃度が低くなるほど高温でのPDIV残率の低下は小さくなっている。これに対し、イミド基濃度が36.6の比較例1は150°CでのPDIV残率は82にまで低下しており、室温でのPDIVも実施例1~4に比べると低い。比較例2は、絶縁皮膜の大部分にポリエステルイミドを用いたものである。エステルイミドを用いた場合は高温でのPDIV残率の低下が大きく、150°CでのPDIV残率は81である。"