基板を支持する基板支持部が設けられた処理室と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、前記基板支持部の下方に設けられ前記処理室内のガスを排気するガス排気部と、前記基板支持部の端部に設けられ、前記基板支持部の上方で生成される励起された処理ガスの前記基板支持部の下方への流れを抑制し、前記基板支持部の下方へ流れる処理ガスを失活させるガス流抑制流路と、少なくとも前記基板支持部の基板載置面より下方であって前記処理室の内壁に設けられた保護部材と、を有する基板処理装置。前記ガス流抑制流路は、少なくとも前記基板載置面より下方であって前記処理室の内壁の側面に設けられた保護部材と、前記基板支持部に設けられたカバーとの間の流路である請求項1記載の基板処理装置。処理室の内壁であって少なくとも基板支持部の基板載置面よりも下方の内壁に保護部材が設けられた処理室内に基板を搬入する工程と、端部にガス流を抑制するガス流抑制流路が設けられた基板支持部が、前記基板を支持する工程と、ガス供給部が、前記処理室内に処理ガスを供給する工程と、プラズマ生成部が、前記処理室内に供給された処理ガスを励起する工程と、前記基板支持部の下方から前記処理室内のガスを排気する工程と、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。以上説明した従来のプラズマ処理装置では、例えば、処理ガスの流量や処理室内の温度、高周波電力等のプロセス条件を大きく変更することなく、ウェハ表面に形成する膜の厚さを厚くしようとしても困難であった。本発明の目的は、現状のプロセス条件を大きく変更しなくても、成膜に寄与するガスを効率よく使用することができ、例えばウェハ表面に形成する膜の厚さを厚くすることが可能な基板処理技術を提供することにある。本発明に係る基板処理装置の代表的な構成は、次のとおりである。基板を支持する基板支持部が設けられた処理室と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、前記基板支持部の下方に設けられ前記処理室内のガスを排気するガス排気部と、前記基板支持部の端部に設けられ、前記基板支持部の上方で生成される励起された処理ガスの前記基板支持部の下方への流れを抑制し、前記基板支持部の下方へ流れる処理ガスを失活させるガス流抑制流路と、少なくとも前記基板支持部の基板載置面より下方であって前記処理室の内壁に設けられた保護部材と、を有する基板処理装置。また、本発明に係る半導体装置の製造方法の代表的な構成は、次のとおりである。処理室の内壁であって少なくとも基板支持部の基板載置面よりも下方の内壁に保護部材が設けられた処理室内に基板を搬入する工程と、端部にガス流を抑制するガス流抑制流路が設けられた基板支持部が、前記基板を支持する工程と、ガス供給部が、前記処理室内に処理ガスを供給する工程と、プラズマ生成部が、前記処理室内に供給された処理ガスを励起する工程と、前記基板支持部の下方から前記処理室内のガスを排気する工程と、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。上述のように基板処理装置や半導体装置の製造方法を構成すると、基板支持部上方で形成されるプラズマの排気速度が遅くなり、成膜に寄与するガスを効率良く生成し維持することができ、処理速度を向上させることができる。第1実施形態以下、本発明の第1実施形態を説明する。第1実施形態のプラズマ処理炉は、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ源ModifiedMagnetronTypedPlasmaSourceを用いてウェハ等の基板をプラズマ処理する基板処理炉以下、MMT装置と称するである。このMMT装置は、気密性を確保した処理室に基板を設置し、シャワーヘッドを介して反応ガスを処理室に導入し、処理室をある一定の圧力に保ち、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成するとともに磁界を形成し、マグネトロン放電を起こす。放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより長寿命となって電離生成率を高めるので高密度プラズマを生成できる。このように反応ガスを励起分解させて基板表面を酸化または窒化等の拡散処理、または基板表面に薄膜を形成する、または基板表面をエッチングする等、基板へ各種のプラズマ処理を施すことができる。図1に、このようなMMT装置の概略構成図を示す。図1は、本発明の第1実施形態に係る枚葉式処理装置であるMMT装置を模式的に示す垂直断面図である。MMT装置は、処理容器203を有し、この処理容器203は、第1の容器であるドーム型の上側容器210と第2の容器である碗型の下側容器211により形成され、上側容器210は下側容器211の上に被せられている。上側容器210は酸化アルミニウムアルミナ又は石英等の非金属材料で形成されており、下側容器211はアルミニウムで形成され、内壁表面に、酸化アルミニウム又は石英等の非金属材料で形成された内壁側面保護部材151、ウェハ搬送口保護部材152a、ウェハ搬送口側面保護部材152b、内壁下面保護部材153図2参照が取り付けられている。また、後述する基板支持部基板保持手段であるサセプタ217を、窒化アルミニウムや、セラミックス又は石英等の非金属材料で構成することによって、処理の際に膜中に取り込まれる金属汚染を低減している。サセプタ217は、第1の加熱部であるヒータ217bを搭載するヒータ一体型のサセプタである。処理容器203の上部には、光透過性窓部278が配設され、この光透過性窓部278に対応する反応容器203外側に、第2の加熱部であるランプ加熱ユニット光源280が設けられている。光透過性窓部278は、光を透過する例えば石英で構成される。シャワーヘッド236は、処理室201の上部に設けられ、リング状の枠体233と、光透過性窓部278と、ガス導入口234と、バッファ室237と、開口238と、遮蔽プレート240と、ガス噴出孔239とを備えている。遮蔽プレート240は、光を透過する例えば石英で構成される。バッファ室237は、ガス導入口234より導入されたガスを分散するための分散空間として設けられる。ガス導入口234には、ガスを供給するガス供給管232が接続されており、ガス供給管232は、開閉弁であるバルブ243a、流量制御器流量制御手段であるマスフローコントローラ241を介して図中省略の反応ガス230のガスボンベに繋がっている。シャワーヘッド236から反応ガス230が処理室201に供給され、また、サセプタ217の周囲から処理室201の底方向へ基板処理後のガスが流れるように、下側容器211の側壁にガスを排気するガス排気口235が設けられている。ガス排気口235にはガスを排気するガス排気管231が接続されており、ガス排気管231は、圧力調整器であるAPC242、開閉弁であるバルブ243bを介して排気装置である真空ポンプ246に接続されている。ガス供給管232、バルブ243a、マスフローコントローラ241等からガス供給部が構成され、ガス排気管231、APC242、バルブ243b、真空ポンプ246等からガス排気部が構成される。供給される反応ガス230を励起させる放電機構放電手段として、筒状、例えば円筒状に形成された第1の電極である筒状電極215が設けられる。筒状電極215は処理容器203上側容器210の外周に設置されて処理室201内のプラズマ生成領域224を囲んでいる。筒状電極215にはインピーダンスの整合を行う整合器272を介してRFパワー高周波電力を印加する高周波電源273が接続されている。主に、筒状電極215、整合器272、高周波電源273からプラズマ生成部が構成される。また、筒状、例えば円筒状に形成された磁界形成機構磁界形成手段である筒状磁石216は筒状の永久磁石となっている。筒状磁石216は、筒状電極215の外表面の上下端近傍に配置される。上下の筒状磁石216、216は、処理室201の半径方向に沿った両端内周端と外周端に磁極を持ち、上下の筒状磁石216、216の磁極の向きが逆向きに設定されている。従って、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極215の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。処理室201の底側中央には、基板であるウェハ200を保持するための基板支持部基板保持手段としてサセプタ217が配置されている。サセプタ217は、例えば窒化アルミニウムやセラミックス、又は石英等の非金属材料で形成され、内部に第1の加熱部加熱手段としてのヒータ217b、及び温度検出器不図示が一体的に埋め込まれており、ウェハ200を加熱できるようになっている。ヒータ217bは電力が印加されてウェハ200を500°C程度にまで加熱できるようになっている。サセプタ217は、シャフト268により支持されており、温度検出器25からの信号線は、シャフト268内を通って制御部121に接続されている。サセプタ217周辺の構造について、図2と図3を用いて説明する。図2は、本発明の第1実施形態に係るガス流抑制流路144の構造や配置を模式的に示す垂直断面図である。図3は、本発明の第1実施形態に係るガス流抑制流路144の一部を形成するカバー140を模式的に示す斜視図である。図2に示すように、ガス流抑制流路144が、後述するカバー140の垂直部140bと内壁側面保護部材151とで形成されている。なお、ガス流抑制流路144は、後述するカバー140の垂直部140bとウェハ搬送口側面保護部材152bとで構成しても良い。サセプタ217には、サセプタ217の端部から水平方向外側に突き出して、ガス流抑制流路144の一部を形成するカバー140が設置されている。カバー140は、例えば石英で形成される。図3に示すように、カバー140の水平部140aは、穴の無い水平方向に延びるリング状板であり、サセプタ217のウェハ200保持面の周端を取り囲んでいる。このように構成することで、ウェハ200の保持位置の最外周からサセプタ217の最外周までの距離を伸ばす事ができ、処理ガスやプラズマの流れが均一な部位が広がることによって、ウェハ200への処理均一性を向上させることができる。水平部140aの最外周には、水平部140aから90度屈曲して、垂直下方向に延びるスカート状の垂直部140bが設けられている。垂直部140bの一部は切り欠かれて、切り欠き部140cを形成し、基板処理時においてガス排気口235を塞がないようになっており、この切り欠き部140cは、ガス排気口235の位置に対応して設けられている。また、垂直部140bは、基板処理時においてウェハ搬送口160を塞ぐようになっている。カバー140は、下側容器211の側壁との距離が、例えば1.0mm以上2.5mm以下となるように設けられている。詳しくは、垂直部140bの外面と下側容器211の側壁の内面に設けられた後述する内壁側面保護部材151の内面との隙間が、1.0mm以上2.5mm以下となるように設けられている。製作精度の観点から、隙間の間隔を1mmより小さくするのは困難である。また、サセプタ217の直径はサセプタ217に載置する基板の大きさ以上の大きさになるように構成し、例えば約340mm、カバー140の水平部140aの幅は約60mmである。処理室201内に供給されたガスは、このカバー140と下側容器211の側壁との隙間を通過して、ガス排気口235から排気される。このように、狭い隙間という排気されにくい部分より排気されることとなるため、プラズマそのものも下側容器211側に漏れにくくなる。また電離したガスもカバー140上部に維持されるため、例えば成膜に寄与するガスを効率よく生成維持できる。このとき、サセプタ217の下側の空間のコンダクタンスは、サセプタ217の基板載置面よりも上側の空間のコンダクタンスよりも大きくなっているので、サセプタ217の基板載置面より上方の処理室201内の圧力は、サセプタ217より下方の処理容器203内の圧力よりも高くなる。つまり、カバー140により、サセプタ217上方の圧力をサセプタ217下方の圧力よりも高くすることができ、サセプタ217上方のプラズマ密度を高くすることができる。また、カバー140の全周から排気されるので、サセプタ217の周囲から処理容器203の底部方向へ均一に処理後のガスが流れるようになり、サセプタ217上を流れるガスの流量を、サセプタ217の円周方向において均一化することができ、例えば膜の均一性を確保することが可能となる。また、カバー140の垂直部140bの側面と処理室201の内壁との距離が、例えば1.0mm以上2.5mm以下と狭いので、サセプタ217の基板載置面からサセプタ217下側までの空間のコンダクタンスは、サセプタ217上側のコンダクタンスよりも小さくなっている。よってサセプタ217上側で生成されるプラズマを構成する活性化されたガスは、サセプタ217の基板載置面上側からゲートバルブ244の辺りに到達するまでに時間を要し、失活するようになっている。したがって、活性種やプラズマがゲートバルブ244をアタックすることを抑制でき、汚染の原因となる不純物が発生することを抑制できる。また、カバー140が処理室201内壁まで延出しウェハ搬送口160に接近していることによって、プラズマ生成領域224からアース電位にあるゲートバルブ244を見通せなくなっているので、プラズマがゲートバルブ244の方に引き寄せられることが抑制され、処理の均一性を向上することができ、また、活性種やプラズマがゲートバルブ244をアタックすることを抑制できる。また、サセプタ217の高さ位置を変化させることにより、処理の均一性向上や、汚染物質の発生を抑制しながら処理室201内の容積を変化することや、プラズマ生成領域224とウェハ200の位置関係を調整することができる。このように、成膜等の処理を行う際の、プロセスウィンドウプロセス条件の幅を広げることができる。また、カバー140がガス排気口235を塞がないように構成することで、サセプタ217の下側の空間において、ガス排気口235と同等のコンダクタンスを保ちつつ、サセプタ217の基板載置面上側の排気コンダクタンスを制御する事が可能になり、サセプタ217下側で汚染物質が発生したとしても、サセプタ217上側への流入を防ぐことができる。なお、本実施形態では、カバー140の水平部140aの内周部とサセプタ217の上面外周端部が重なっており、カバー140は、サセプタ217の上面周端部と側面の両方を覆うように設けられているが、サセプタ217の上面端部と側面のいずれかを覆うように設けてもよい。カバー140が、サセプタ217の側面のみを覆う場合は、サセプタ217の外周部が下側容器211の側壁に接近するように構成する。又は、図6の変形例に示すように、サセプタ217の側面に下側容器211の側壁に接近するようなサセプタ側面カバー143を取り付けるようにしてもよい。また、図2に示すように、下側容器211の内側には、下側容器211の側壁に接するように、酸化アルミニウム又は石英等の非金属材料で形成された内壁側面保護部材151などの絶縁物が設置され、保護部材151とカバー140との間にガス流抑制流路144が設けられている。このように構成することで、サセプタ217の基板載置面からサセプタ217の下側までの空間のコンダクタンスは、サセプタ217上側空間のコンダクタンスよりも小さくなり、サセプタ217上側で生成されるプラズマを構成する活性なガスは、サセプタ上側からゲートバルブ244付近に到達するまでに時間がかかり、失活するようになっている。また、ウェハ搬送口160の内側には、ウェハ搬送口160の内壁に接するように、酸化アルミニウム又は石英等の非金属材料で形成されたウェハ搬送口保護部材152などの絶縁物が設置されている。このように構成することで、金属で形成した下側容器211が、カバー140の垂直部140bと内壁側面保護部材151との間の通路において失活仕切れなかったプラズマに晒されることを防ぐ。その結果、ゲートバルブ244付近におけるプラズマの放電をより抑制することができる。更には、下側容器211の底壁に内壁下面保護部材153を設置している。このような構成とすることで、下側容器211が、カバー140の垂直部140bと内壁側面保護部材151との間の通路において失活仕切れなかったプラズマに晒されることを防ぐ。その結果、下側容器211がプラズマに晒されることによる金属汚染を、より確実に防ぐことができる。また、サセプタ217の内部には、さらにインピーダンスを変化させるための電極である第2の電極217cも装備されており、この第2の電極がインピーダンス可変機構274を介して接地されている。インピーダンス可変機構274は、コイルや可変コンデンサから構成され、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、上記電極及びサセプタ217を介してウェハ200の電位を制御できるようになっている。ウェハ200をマグネトロン型プラズマ源でのマグネトロン放電により処理するための処理炉202は、少なくとも処理室201、処理容器203、サセプタ217、筒状電極215、筒状磁石216、シャワーヘッド236、及び排気口235から構成されており、処理室201でウェハ200をプラズマ処理することが可能となっている。筒状電極215及び筒状磁石216の周囲には、この筒状電極215及び筒状磁石216で形成される電界や磁界が、外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板223が設けられている。サセプタ217は下側容器211と絶縁され、サセプタ217を昇降させるサセプタ昇降機構昇降手段でもあるシャフト268が設けられている。またサセプタ217には貫通孔217aが設けられ、下側容器211底面にはウェハ200を突上げるためのウェハ突上げピン266が少なくとも3箇所に設けられている。そして、サセプタ昇降機構268によりサセプタ217が下降させられた時にはウェハ突上げピン266がサセプタ217と非接触な状態で貫通孔217aを突き抜けるような位置関係となるよう、貫通孔217a及びウェハ突上げピン266が配置される。また、下側容器211の側壁には仕切弁となるゲートバルブ244が設けられ、開いている時には図中省略の搬送機構搬送手段により処理室201に対してウェハ200を搬入、または搬出することができ、閉まっている時には処理室201を気密に閉じることができる。また、制御部制御手段としてのコントローラ121は、信号線Aを通じてAPC242、バルブ243b、真空ポンプ246を、信号線Bを通じてサセプタ昇降機構268を、信号線Cを通じてゲートバルブ244を、信号線Dを通じて整合器272、高周波電源273を、信号線Eを通じてマスフローコントローラ241、バルブ243aを、さらに図示しない信号線を通じてサセプタに埋め込まれたヒータ217bやインピーダンス可変機構274を、信号線Fを通じてランプ加熱ユニット280をそれぞれ制御するよう構成されている。このように、コントローラ121は、MMT装置の各構成部の制御を行うものである。次に上記のような構成の処理炉を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウェハ200表面に対し、又はウェハ200上に形成された下地膜の表面に対し所定のプラズマ処理を施す方法について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は制御部121により制御される。ウェハ200は処理炉202を構成する処理室201の外部からウェハを搬送する図中省略の搬送機構によって処理室201に搬入され、サセプタ217上に搬送される。この搬送動作の詳細は次の通りである。サセプタ217が基板搬送位置まで下降し、ウェハ突上げピン266の先端がサセプタ217の貫通孔217aを通過する。このときサセプタ217表面よりも所定の高さ分だけ突き上げピン266が突き出された状態となる。次に、下側容器211に設けられたゲートバルブ244が開かれ、図中省略の搬送機構によってウェハ200をウェハ突上げピン266の先端に載置する。搬送機構が処理室201外へ退避すると、ゲートバルブ244が閉じられる。サセプタ217がサセプタ昇降機構268により上昇すると、サセプタ217上面にウェハ200を載置することができ、更にウェハ200を載置したサセプタ217を、ウェハ200を処理する位置まで上昇する。次に、真空ポンプ246、及びAPC242を用いて処理室201の圧力を1~260Paの範囲の内、所定の圧力に維持する。また、サセプタ217に埋め込まれたヒータ217bとランプ加熱ユニット280により、搬入されたウェハ200を150~950°Cの範囲の内、所定のウェハ処理温度に昇温するよう加熱する。ウェハ200の温度が目標の処理温度に達し、安定化したら、ガス導入口234から遮蔽プレート240のガス噴出孔239を介して、反応ガスである酸素ガス及び水素ガス230を処理室201に配置されているウェハ200の上面処理面に向けて、所定の流量例えば100~1000sccmで導入する。同時に、筒状電極215に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加する。印加する電力は、150~3000Wの範囲の内、所定の出力値を投入する。このときインピーダンス可変機構274は予め所望のインピーダンス値となるように制御しておく。筒状磁石216、216の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウェハ200の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域224に高密度プラズマが生成される。そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ217上のウェハ200の表面にプラズマ処理が施される。プラズマ処理が終わると、筒状電極への電力供給を停止し、酸素ガス及び水素ガスを処理室201から排気する。排気した後、ウェハ200は、図示略の搬送機構を用いて、基板搬入と逆の手順で処理室201外へ搬送される。図4に、本発明の第1実施形態に係る枚葉式処理装置を用いて成膜した酸化膜の膜厚データと比較用データを示す。図4のデータは、ヒータ設定温度を900°C、酸素ガスの流量を476sccm、水素ガスの流量を25sccm、高周波電源273のパワーを2kW、高周波印加時間を240秒としたときのデータであり、横軸はインピーダンス可変機構274を用いてサセプタ217の電圧をコントロールした電圧V、縦軸は膜厚Åである。41~43は、第1実施形態に係る枚葉式処理装置を用いて成膜した膜厚データであり、カバー140と下側容器211の側壁との距離を、2.5mmとし、41は処理室201内の圧力が180Pa、42は処理室201内の圧力が220Pa、43は処理室201内の圧力が260Paのときのデータである。51~53は、比較用のデータであり、カバー140と下側容器211の側壁との距離を、2.5mm程度とし、カバー140外周部に直径6mm程度の穴を多数配置した従来の枚葉式処理装置を用いて成膜した酸化膜の膜厚データであって、51は処理室201内の圧力が180Pa、52は処理室201内の圧力が220Pa、53は処理室201内の圧力が260Paのときのデータである。図4から、本発明の第1実施形態の枚葉式処理装置では、従来の枚葉式処理装置に比べ、同一処理時間における厚膜化が可能、すなわち処理速度の向上が可能となることが分かる。第2実施形態以下、本発明の第2実施形態を説明する。第2実施形態のプラズマ処理炉は、第1実施形態のプラズマ処理炉202のカバー140が、カバー142に変更されたものである。他は第1実施形態のプラズマ処理炉202と同様なので、説明を省略する。図5に示すように、カバー142の水平部142aの最外周に、排気用の穴142dが開けられている。図5は、本発明の第2実施形態に係るガス流抑制流路を形成するカバー142の斜視図である。穴142dは、直径が1mm以上で6mmより小さい孔であり、カバーの最外周全周に亘って複数存在する。従来装置のカバーの穴より、穴142dの直径が小さくなっている。また、カバーと容器側壁の内側との隙間は、従来装置と同様、2.5mmより大きくなっており、供給されたガスは、この隙間と穴142dから排気され、サセプタ217の周囲から処理容器203の底部方向へ均一に処理後のガスが流れ、下側容器211に配置されている排気口235より排気される。なお、カバーと容器側壁の内側との隙間は、第1実施形態と同様、1.0mm以上2.5mm以下とすることもできる。また、穴142dの直径を小さくする代わりに、カバーを厚くすることによって穴142dの長さを長くし、コンダクタンスを小さくするようにしてもよい。また、穴142dの数を減らしてコンダクタンスを小さくしてもよい。第2実施形態のカバー142によっても、第1実施形態のカバー140と同様に、狭い隙間と小さい孔142dから排気されることとなるため、プラズマや電離したガスがカバー142上部に維持され、下側容器211側に漏れにくくなるため、例えば成膜に寄与するガスを効率よく生成維持できる。つまり、カバー142により、サセプタ217上方の圧力をサセプタ217下方の圧力よりも高くすることができ、サセプタ217上方のプラズマ密度を高くすることができる。また、カバー142の全周から排気されるので、サセプタ217の周囲から処理容器203の底部方向へ均一に処理後のガスが流れるようになり、サセプタ217上を流れるガスの流量を、サセプタ217の円周方向において均一化することができ、膜の均一性を確保することが可能となる。なお、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。また、上述の実施形態では、ウェハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。また、上述の実施形態では、反応ガスとして酸素ガスと水素ガスを用いたが、処理内容に応じて、反応ガスとして窒素ガス、アンモニアガス等を用いることができる。本明細書には、少なくとも次の発明が含まれる。すなわち、第1の発明は、基板を支持する基板支持部が設けられた処理室と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、前記基板支持部の下方に設けられ前記処理室内のガスを排気するガス排気部と、前記基板支持部の端部に設けられ、前記基板支持部の上方で生成される励起された処理ガスの前記基板支持部の下方への流れを抑制し、前記基板支持部の下方へ流れる処理ガスを失活させるガス流抑制流路と、少なくとも前記基板支持部の基板載置面より下方であって前記処理室の内壁に設けられた保護部材と、を有する基板処理装置。このようにガス流抑制流路を設けると、基板支持部上方で形成されるプラズマの排気速度が遅くなり、成膜に寄与するガスを効率良く生成し維持することができ、処理速度を向上させることができる。第2の発明は、基板を支持する基板支持部が設けられた処理室と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、前記基板支持部の下方に設けられ前記処理室内のガスを排気するガス排気部と、前記基板支持部の端部に設けられ、前記処理室の内壁との距離が、1.0mm以上2.5mm以下となるように形成されたガス流抑制流路と、を有する基板処理装置。このように、カバーの最外周と処理室内壁との距離を1.0mm以上2.5mm以下にすると、基板支持部上方で形成されるプラズマの排気速度が遅くなり、成膜に寄与するガスを効率良く生成し維持することができ、処理速度を向上させることができる。第3の発明は、前記第1の発明又は第2の発明の基板処理装置であって、前記ガス流抑制流路は、前記基板支持部の上面端部と側面のいずれか、若しくは両方を覆うように設けられたカバーと前記処理室の内壁に設けられた保護部材の間の流路である基板処理装置。基板支持部の上面端部をカバーで覆うと、基板支持部上に載置された基板表面を流れる処理ガスの流れが乱されることが抑制され、基板内で均一な処理を行うことが容易となる。基板支持部の側面をカバーで覆うと、ガス排気口に向かう安定したガス流路が形成されるので、基板支持部上に載置された基板表面を流れる処理ガスの流れが乱されることが、さらに抑制される。第4の発明は、基板を支持する基板支持部が設けられた処理室と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、前記基板支持部の下方に設けられ前記処理室内のガスを排気するガス排気部と、前記基板支持部の上面端部を覆うカバーであって、該カバー水平面の外側全周に亘って、直径が1mm以上で6mmより小さい孔が形成されたカバーと、を有する基板処理装置。このように、カバー水平面の外側全周に亘って、直径が1mm以上で6mmより小さい孔を形成すると、基板支持部上方で形成されるプラズマの排気速度が遅くなり、成膜に寄与するガスを効率良く生成し維持することができ、処理速度を向上させることができる。また、基板支持部上に載置された基板表面を流れる処理ガスの流れが乱されることが抑制され、基板内で均一な処理を行うことが容易となる。第5の発明は、前記第4の発明の基板処理装置であって、前記カバーが、前記基板支持部の上面端部と側面の両方を覆うように設けられたカバーである基板処理装置。基板支持部の側面をカバーで覆うと、基板を搬入搬出する搬送口等の金属をプラズマがアタックすることが抑制され、汚染の原因となる不純物が発生することが抑制される。第6の発明は、処理室の内壁であって少なくとも基板支持部の基板載置面よりも下方の内壁に保護部材が設けられた処理室内に基板を搬入する工程と、端部にガス流を抑制するガス流抑制流路が設けられた基板支持部が、前記基板を支持する工程と、ガス供給部が、前記処理室内に処理ガスを供給する工程と、プラズマ生成部が、前記処理室内に供給された処理ガスを励起する工程と、前記基板支持部の下方から前記処理室内のガスを排気する工程と、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。このようにガス流抑制流路を設けると、基板支持部上方で形成されるプラズマの排気速度が遅くなり、成膜に寄与するガスを効率良く生成し維持することができ、処理速度を向上させることができる。第7の発明は、基板を処理室に搬入する工程と、前記処理室内に設けられた基板支持部であって、該基板支持部の端部に設けられ、前記処理室の内壁との距離が、1.0mm以上2.5mm以下となるように形成されたガス流抑制流路を有する基板支持部により、前記処理室に搬入した基板を支持する工程と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給する工程と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起する工程と、前記基板支持部の下方から前記処理室内のガスを排気する工程と、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。このように、カバーの最外周と処理室内壁との距離を1.0mm以上2.5mm以下にすると、基板支持部上方で形成されるプラズマの排気速度が遅くなり、成膜に寄与するガスを効率良く生成し維持することができ、処理速度を向上させることができる。第8の発明は、基板を処理室に搬入する工程と、前記処理室内に設けられた基板支持部の上面端部を覆うカバーであって、該カバー水平面の外側全周に亘って、直径が1mm以上で6mmより小さい孔が形成されたカバーを有する基板支持部により、前記処理室に搬入した基板を支持する工程と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給する工程と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起する工程と、前記基板支持部の下方から前記処理室内のガスを排気する工程と、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。このように、カバー水平面の外側全周に亘って、直径が1mm以上で6mmより小さい孔を形成すると、基板支持部上方で形成されるプラズマの排気速度が遅くなり、成膜に寄与するガスを効率良く生成し維持することができ、処理速度を向上させることができる。また、基板支持部上に載置された基板表面を流れる処理ガスの流れが乱されることが抑制され、基板内で均一な処理を行うことが容易となる。第9の発明は、基板を処理室に搬入し、該処理室内の基板支持部で支持する工程と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給する工程と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起する工程と、前記基板支持部と前記処理室の内壁との間の距離が1.0mm以上2.5mm以下であるガス流抑制流路から、前記基板支持部の上方のガスを前記基板支持部の下方へ流す工程と、前記基板支持部の下方から前記処理室内のガスを排気する工程と、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。このように、カバーの最外周と処理室内壁との距離を1.0mm以上2.5mm以下にすると、基板支持部上方で形成されるプラズマの排気速度が遅くなり、成膜に寄与するガスを効率良く生成し維持することができ、処理速度を向上させることができる。第10の発明は、基板を処理室に搬入し、該処理室内の基板支持部で支持する工程と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給する工程と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起する工程と、前記基板支持部の上面端部を覆うカバーの、水平面の外側全周に亘って形成された直径が1mm以上で6mmより小さい孔から、前記基板支持部の上方のガスを前記基板支持部の下方へ流す工程と、前記基板支持部の下方から前記処理室内のガスを排気する工程と、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。このように、カバー水平面の外側全周に亘って、直径が1mm以上で6mmより小さい孔を形成すると、基板支持部上方で形成されるプラズマの排気速度が遅くなり、成膜に寄与するガスを効率良く生成し維持することができ、処理速度を向上させることができる。また、基板支持部上に載置された基板表面を流れる処理ガスの流れが乱されることが抑制され、基板内で均一な処理を行うことが容易となる。