建築物や移動体車両の壁や窓に生じる放射や輻射による熱を利用した冷暖房装置において、縮退半導体ウエハの表裏対向面に複数個のカーボンナノチューブ構造体を成長させ、前記縮退半導体ウエハ上の表裏に成長された個々のカーボンナノチューブ構造体セルを電気的に接続してトムソン素子を構成し構造物の壁や窓の内側面に配置し、前記トムソン素子の電圧印加方向による電流の流れでゼーベック係数の差による吸熱あるいは発熱を発現させるようにしたことを特徴とする冷暖房装置。不純物Bまたは不純物Pをキャリア濃度3×1025m-3~1×1027m-3ドープした縮退半導体Siウエハであることを特徴とする請求項第1項の冷暖房装置。建築物や移動体車両の壁や窓に生じる放射や輻射による熱を利用した冷暖房装置において、縮退半導ウエハの表裏対向面に成長させた、カーボンナノチューブ構造体縮退Siウエハカーボンナノチューブ構造体からなるトムソン素子を構成し、構造物の壁や窓の内側面に配置し、トムソン素子に電流を流して、ゼーベック係数の差による吸熱あるいは発熱を発現させるようにした冷暖房システムに関する。本発明の冷暖房装置は、カーボンナノチューブを縮退半導体ウエハの表裏対向面に成長させて、カーボンナノチューブ構造体縮退半導体ウエハカーボンナノチューブ構造体からなるトムソン素子を構成する。このトムソン素子に電流を流し、電流方向でゼーベック係数の差による吸熱あるいは発熱を発現させたものである。本発明は、夏場は建築物や移動体車両の吸熱現象を利用して冷房用とし、冬場は発熱現象を利用した暖房システムを構築できる。カーボンナノチューブの性質を利用してトムソン素子に応用する際には、高品質なカーボンナノチューブが多量に必要になる。現在主流となっているカーボンナノチューブの合成法は、アーク放電法、レーザーアブレーションLA法、CVD法の3種類である。アーク放電法は、グラファイト電極をおき、その間にアーク放電を起こし、陽極の電極を蒸発させることにより単層カーボンナノチューブを合成する方法である。アーク放電法は、単層、ニ層、多層との作り分けが可能であり結晶性の良いカーボンナノチューブが得られるが、生成物中に不純物が多い。レーザーアブレーション法は、触媒金属の微粒子を混ぜ込んだグラファイトターゲットにレーザーを照射しプラズマを発生させ、このプラズマを加熱してカーボンナノチューブを合成する方法である。レーザーアブレーション法は、得られるカーボンナノチューブの結晶性は良いが、合成効率が悪い。CVD法は電子炉を用いて800°Cから1200°C程度まで高温にした触媒に、炭素源を通し、熱や触媒によって分解した炭素から単層カーボンナノチューブを合成する方法である。CVD法は、カーボンナノチューブの多量合成が可能だが結晶性が悪かった。そこで非特許文献3にあるように、カーボンナノチューブを高速で量産できるスーパーグロス法が開発された。本発明は、高品質なカーボンナノチューブを縮退Siウエハ表面に大面積に渡り成長できるスーパーグロス法を使っている。本願発明は、製造方法の発明でなく冷暖房装置という物の発明である。カーボンナノチューブの製造方法は、合成効率が悪くても従来のCVD法やレーザーアブレーション法で十分製造可能である。以上説明したように本発明の冷暖房装置は、建築物や移動体車両の壁や窓に生じる放射や輻射による熱を利用した冷暖房装置において、カーボンナノチューブを縮退半導体ウエハの表裏両対向面に成長させ、この成長させたカーボンナノチューブ構造体縮退半導体ウエハカーボンナノチューブ構造体からなるトムソン素子をDC電流の流れる方向で、ゼーベック係数の差による吸熱あるいは発熱を発現させるようにした冷暖房システムである。本発明の冷暖房装置は、短時間でかつ製造コストも劇的に低減できるので、その工業的価値は極めて高い。本発明の冷暖房装置は、カーボンナノチューブを縮退半導体に成長させた、カーボンナノチューブ構造体セル縮退Siウエハカーボンナノチューブ構造体セルからなるトムソン素子にDC電流を流して、ゼーベック係数の差による吸熱あるいは発熱を発現させるようにしたトムソン素子を利用するもので、建築物や移動体車両の壁や窓に配置して発熱吸熱セルとし、夏場は吸熱現象を利用する冷房用、冬場は発熱現象を利用した暖房システムを構築できる。以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。縮退p型半導体として、BをドープしたSi基板101を800°C近くの合成温度下で、水素還元雰囲気、水分添加酸化雰囲気でスーパーグロス法を行っている。Si基板101の表面は、単層カーボンナノチューブ102と裏面に単層カーボンナノチューブ103が高密度に一斉に成長し、あたかも霜柱の成長の如く、Si基板101に対して垂直に配向して成長している。カーボンナノチューブの重さ、体積から密度を求めると0.03g/cm3となる。単層カーボンナノチューブの平均サイズ直径は2.8nmである。この単層カーボンナノチューブは、従来材料では到達しえない電気伝導性、熱伝導性および機械強度をもつ。縮退p型Siウエハの表の面には、カーボンナノチューブ構造体セル105、106を配置する。カーボンナノチューブ構造体セル105、106は、裏面の対向する位置にカーボンナノチューブ構造体セルを配置し、電気的に直列に接続した構造のトムソン素子を構成している。一個のトムソン素子の寸法サイズは、10mm×12.5mmである。縮退p型Siのゼーベック係数は、750μVKである。104は、DC電源であり、トムソン素子を構成するカーボンナノチューブ102とカーボンナノチューブ103の間に電圧を印加して縮退p型Siにトムソン効果を起こさせる。図1の回路接続では、トムソン素子は、吸熱と発熱を発現する。建築物や移動体車両の窓に配置されたトムソン素子のDC電源104を逆にすれば、発熱と吸熱となる。建物の外の温度が60°Cの場合、建物の内部の温度を20°Cの温度差にするには、トムソン素子にジュール熱損失熱伝導損失を含めて、5Wの熱量を供給できれば良い。このときのトムソン素子の長さは約36cmであり、直径360mmφ、厚み1280μmの縮退p型Siウエハ1枚で対応できる。以下、本発明の他の実施例について図面を用いて詳細に説明する。縮退n型半導体として、PをドープしたSi基板201を800°C近くの合成温度下で、水素還元雰囲気、水分添加酸化雰囲気でスーパーグロス法を行っている。Si基板201の表面は、単層カーボンナノチューブ202と裏面に単層カーボンナノチューブ203が高密度に一斉に成長し、あたかも霜柱の成長の如く、Si基板201に対して垂直に配向して成長している。カーボンナノチューブの重さ、体積から密度を求めると0.03g/cm3となる。単層カーボンナノチューブの平均サイズ直径は2.8nmである。この単層カーボンナノチューブは、従来材料では到達しえない電気伝導性、熱伝導性および機械強度をもつ。縮退n型Siウエハの表の面には、カーボンナノチューブ構造体セル205、206を配置する。カーボンナノチューブ構造体セル205、206は、裏面の対向する位置にカーボンナノチューブ構造体セルを配置し、電気的に直列に接続した構造のトムソン素子を構成している。一個のトムソン素子の寸法サイズは、4.6mm×5.8mmである。204は、DC電源であり、トムソン素子を構成するカーボンナノチューブ202とカーボンナノチューブ203の間に電圧を印加して縮退n型Siにトムソン効果を起こさせる。カーボンナノチューブ構造体セル縮退n型Siウエハカーボンナノチューブ構造体セルからなるトムソン素子の場合は、縮退n型Siのゼーベック係数が、-350μVKであった。図2の回路接続では、トムソン素子は、吸熱と発熱を発現する。建築物や移動体車両の窓に配置されたトムソン素子のDC電源204を逆にすれば、発熱と吸熱となる。建物の外の温度が60°Cの場合、建物の内部の温度を20°Cの温度差にするには、トムソン素子にジュール熱損失熱伝導損失を含めて、5Wの熱量を供給できれば良い。このときのトムソン素子の長さは約40cmであり、直径400mmφ、厚み1330μmの縮退n型Siウエハ1枚で対応できる。