"I-B族元素をA、III-B族元素をBおよびVI-B族元素をCとしたときに、組成式がAWBCX0.8≦W≦1.0、1.9≦X≦2.1であるp型の第1の半導体層と、該第1の半導体層にpn接合した、組成式がAYBCZ0.8≦Y≦1.0、1.5≦Z≦1.7であるn型の第2の半導体層とを具備することを特徴とする光電変換装置。I-B族元素をA、III-B族元素をBおよびVI-B族元素をCとしたときに、下部電極上にI-B族元素およびIII-B族元素を含む皮膜を形成する工程と、VI-B族元素の濃度が第1の濃度の雰囲気において前記皮膜を加熱することによって、前記皮膜を組成式がAYBCZ0.8≦Y≦1.0、1.5≦Z≦1.7であるn型の半導体層にする工程と、VI-B族元素の濃度が前記第1の濃度よりも高い第2の濃度の雰囲気において前記半導体層を加熱することによって、前記半導体層の上部を組成式がAWBCX0.8≦W≦1.0、1.9≦X≦2.1であるp型の半導体層にする工程とを具備することを特徴とする光電変換装置の製造方法。I-B族元素をA、III-B族元素をBおよびVI-B族元素をCとしたときに、下部電極上にI-B族元素およびIII-B族元素を含む第1の皮膜を形成する工程と、VI-B族元素の濃度が第3の濃度の雰囲気において前記第1の皮膜を加熱することによって、前記第1の皮膜を組成式がAWBCX0.8≦W≦1.0、1.9≦X≦2.1であるp型の半導体層にする工程と、前記半導体層上にI-B族元素AおよびIII-B族元素Bを含む第2の皮膜を形成する工程と、VI-B族元素の濃度が前記第3の濃度よりも低い第4の濃度の雰囲気において前記第2の皮膜を加熱することによって、前記第2の皮膜を組成式がAYBCZ0.8≦Y≦1.0、1.5≦Z≦1.7であるn型の半導体層にする工程とを具備することを特徴とする光電変換装置の製造方法。I-III-VI族化合物半導体を含む光電変換装置には、光電変換効率の向上が常に要求される。この光電変換効率は、光電変換装置において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示し、例えば、光電変換装置から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置に入射される太陽光のエネルギーの値で除されて、100が乗じられることで導出される。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、光電変換装置における光電変換効率の向上を目的とする。本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、I-B族元素をA、III-B族元素をBおよびVI-B族元素をCとしたときに、組成式がAWBCX0.8≦W≦1.0、1.9≦X≦2.1であるp型の第1の半導体層と、該第1の半導体層にpn接合した、組成式がAYBCZ0.8≦Y≦1.0、1.5≦Z≦1.7であるn型の第2の半導体層とを具備する。本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、I-B族元素をA、III-B族元素をBおよびVI-B族元素をCとしたときに、下部電極上にI-B族元素およびIII-B族元素を含む皮膜を形成する工程と、VI-B族元素の濃度が第1の濃度の雰囲気において前記皮膜を加熱することによって、前記皮膜を組成式がAYBCZ0.8≦Y≦1.0、1.5≦Z≦1.7であるn型の半導体層にする工程と、VI-B族元素の濃度が前記第1の濃度よりも高い第2の濃度の雰囲気において前記半導体層を加熱することによって、前記半導体層の上部を組成式がAWBCX0.8≦W≦1.0、1.9≦X≦2.1であるp型の半導体層にする工程とを具備する。本発明の他の実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、I-B族元素をA、III-B族元素をBおよびVI-B族元素をCとしたときに、下部電極上にI-B族元素およびIII-B族元素を含む第1の皮膜を形成する工程と、VI-B族元素の濃度が第3の濃度の雰囲気において前記第1の皮膜を加熱することによって、前記第1の皮膜を組成式がAWBCX0.8≦W≦1.0、1.9≦X≦2.1であるp型の半導体層にする工程と、前記半導体層上にI-B族元素AおよびIII-B族元素Bを含む第2の皮膜を形成する工程と、VI-B族元素の濃度が前記第3の濃度よりも低い第4の濃度の雰囲気において前記第2の皮膜を加熱することによって、前記第2の皮膜を組成式がAYBCZ0.8≦Y≦1.0、1.5≦Z≦1.7であるn型の半導体層にする工程とを具備する。本発明によれば、光電変換効率の高い光電変換装置を提供することが可能となる。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同一符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。<第1の実施形態に係る光電変換装置の構成>図1は、第1の実施形態に係る光電変換装置11の構成を示す斜視図である。図2は、図1の光電変換装置11のXZ断面図である。なお、図1および図2には、光電変換セル10の配列方向図1の図面視左右方向をX軸方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。光電変換装置11は、基板1の上に複数の光電変換セル10が並設された構成を有している。図1では、図示の都合上、2つの光電変換セル10のみが示されているが、実際の光電変換装置11には、図面のX軸方向、或いは更に図面のY軸方向に、多数の光電変換セル10が平面的に二次元的に配列されている。各光電変換セル10は、下部電極層2、第1の半導体層3、第2の半導体層4、上部電極層5、および集電電極7を主に備えている。光電変換装置11では、上部電極層5および集電電極7が設けられた側の主面が受光面となっている。また、光電変換装置11には、第1~3溝部P1,P2,P3といった3種類の溝部が設けられている。基板1は、複数の光電変換セル10を支持するものであり、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂、または金属等の材料で構成されている。ここでは、基板1が、1~3mm程度の厚さを有する青板ガラスソーダライムガラスで構成されているものとする。下部電極層2は、基板1の一主面の上に設けられた導電層であり、例えば、モリブデンMo、アルミニウムAl、チタンTi、タンタルTa、または金Au等の金属、あるいはこれらの金属の積層構造体からなる。また、下部電極層2は、0.2~1μm程度の厚さを有し、例えば、スパッタ法または蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成される。第1の半導体層3は、下部電極層2のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられた、第1の導電型を有する半導体層である。また、第2の半導体層4は、第1の半導体層3の一主面の上に設けられ、第1の半導体層3とpn接合された半導体層であり、第1の半導体層3の導電型とは異なる導電型を有する。第1の半導体層3と第2の半導体層4との接合によって、第1の半導体層3および/または第2の半導体層4で光電変換されて生じた正負キャリアが良好に電荷分離される。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体キャリアが異なる半導体のことである。第1の半導体層3の導電型がp型である場合、第2の半導体層4の導電型はn型である。第1の半導体層3の導電型がn型である場合、第2の半導体層4の導電型はp型である。第1の半導体層3および第2の半導体層4は、カルコパイライト系のI-III-VI族化合物を主に含み、第1の半導体層3と第2の半導体層4とで1~3μm程度の厚さを有している。ここで、I-III-VI族化合物は、I-B族元素本明細書において、族の名称は旧IUPAC方式で記載している。なお、I-B族元素は、新IUPAC方式では11族元素とも言うとIII-B族元素13族元素とも言うとVI-B族元素16族元素とも言うとの化合物である。そして、I-III-VI族化合物としては、例えば、CuInSe2二セレン化銅インジウム、CISとも言う、CuIn,GaSe2二セレン化銅インジウムガリウム、CIGSとも言う、CuIn,GaSe,S2二セレンイオウ化銅インジウムガリウム、CIGSSとも言う等が挙げられる。第1の実施形態に係る光電変換装置11は、第1の半導体層3の導電型がp型であり、第2の半導体層4の導電型がn型である。ここで、第1の半導体層3は、I-B族元素をA、III-B族元素をBおよびVI-B族元素をCとしたときに、組成式がAWBCX0.8≦W≦1.0、1.9≦X≦2.1である。一方、第2の半導体層4は、組成式がAYBCZ0.8≦Y≦1.0、1.5≦Z≦1.7である。つまり、第1の半導体層3と第2の半導体層4とは、I-B族元素およびIII-B族元素の組成比が近似しているが、VI-B族元素の組成比が異なることによって、その導電型が異なるものとなっている。これにより、第1の半導体層3と第2の半導体層4とがpnホモ接合を形成することとなり、欠陥が少なく、良好な光電変換が行なわれることとなる。また、第1の半導体層3および第2の半導体層4は、実質的に、VI-B族元素の比率が異なっているだけであるため、第1の半導体層3と第2の半導体層4の作製において、同じ原料溶液を用い、熱処理時の雰囲気中のVI-B族元素の濃度を変えるだけでよく、製造工程が簡略かされる。この製造工程についての詳細は後述する。上部電極層5は、第2の半導体層4の上に設けられた、n型の導電型を有する透明導電膜であり、第1の半導体層3および/または第2の半導体層4において生じた電荷を取り出す電極である。上部電極層5は、第2の半導体層4よりも低い抵抗率を有する物質によって構成されている。上部電極層5は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、ZnO、In2O3およびSnO2等の金属酸化物半導体等が採用され得る。これらの金属酸化物半導体には、Al、B、Ga、InおよびF等のうちの何れかの元素が含まれても良い。このような元素が含まれた金属酸化物半導体の具体例としては、例えば、AZOAluminumZincOxide、GZOGalliumZincOxide、IZOIndiumZincOxide、ITOIndiumTinOxide、FTOFluorinetinOxide等がある。上部電極層5は、スパッタ法、蒸着法、または化学的気相成長CVD法等によって、0.05~3.0μmの厚さを有するように形成される。ここで、第4の半導体層4から電荷が良好に取り出される観点から言えば、上部電極層5は、1Ωcm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有するものとすることができる。上部電極層5は、第1の半導体層3および/または第2の半導体層4が吸収する光の波長領域に対して光を透過させ易い性質光透過性とも言うを有する素材によって構成され得る。これにより、上部電極層5とが設けられることで生じる、第1の半導体層3における光の吸収効率の低下が低減される。また、光透過性が高められると同時に、光反射のロスが防止される効果と光散乱効果とが高められ、更に光電変換によって生じた電流が良好に伝送される観点から言えば、上部電極層5は、0.05~0.5μmの厚さとなるようにすることができる。また、上部電極層5は複数層から成るものであってもよい。例えば、第2の半導体層4側に、第2の半導体層4とヘテロ接合をするためのバッファ層を有していてもよい。バッファ層としては、例えば、硫化カドミウムCdS、硫化インジウムIn2S3、硫化亜鉛ZnS、酸化亜鉛ZnO、セレン化インジウムIn2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等の化合物半導体によって構成されている。そして、電流の損失が低減される観点から言えば、第2の半導体層4は、1Ωcm以上の抵抗率を有するものとすることができる。なお、第2の半導体層4は、例えばケミカルバスデポジションCBD法等で形成される。また、バッファ層は、第2の半導体層4の一主面の法線方向に厚さを有する。この厚さは、10~200nmに設定され、第2の半導体層4上に上部電極層5がスパッタリング等で製膜される際のダメージが抑制される観点から言えば、100~200nmとすることができる。集電電極7は、Y軸方向に離間して設けられ、それぞれがX軸方向に延在している。集電電極7は、導電性を有する電極であり、例えば、銀Ag等の金属からなる。集電電極7は、第1の半導体層3において発生して上部電極層5において取り出された電荷を集電する役割を担う。集電電極7が設けられれば、上部電極層5の薄層化が可能となる。集電電極7および上部電極層5によって集電された電荷は、第2溝部P2に設けられた接続導体6を通じて、隣の光電変換セル10に伝達される。接続導体6は、例えば、図2に示されるように集電電極7のY軸方向への延在部分によって構成されている。これにより、光電変換装置11においては、隣り合う光電変換セル10の一方の下部電極層2と、他方の集電電極7とが、第2溝部P2に設けられた接続導体6を介して電気的に直列に接続されている。なお、接続導体6は、これに限定されず、上部電極層5の延在部分によって構成されていてもよい。集電電極5は、良好な導電性が確保されつつ、第1の半導体層3への光の入射量を左右する受光面積の低下が最小限にとどめられるように、50~400μmの幅を有するものとすることができる。なお、上記の第1の実施形態に係る光電変換装置11では、上部電極層5および集電電極7が設けられた側が受光面となっているが、基板1側が受光面となっていてもよい。その場合、基板1および下部電極層2が透光性を有する部材で構成される。透光性を有する下部電極層2としては、薄膜の金属膜やp型の透明導電膜等が採用され得る。p型の透明導電膜としては、CuAlO2、SrCu2O2およびCuNbO3等がある。<第1の実施形態に係る光電変換装置における第1の半導体層および第2の半導体層の製造方法>第1の半導体層3は、いわゆる塗布法または印刷法と称されるプロセスによって形成される。塗布法では、第1の半導体層3を構成する元素が含まれた原料溶液が下部電極層2の上に塗布され、その後、乾燥と熱処理とが順次に行われる。原料溶液は、I-III-VI族化合物半導体を構成するI-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素が一つの分子中に含まれる単一源前駆体米国特許第6992202号明細書を参照が溶媒に溶解されたものが用いられ得る。また、原料溶液に用いる溶媒としては各種有機溶媒や水が用いられる。単一源前駆体は、例えば、化学式1に示されるような構造のものが用いられ得る。なお、化学式1において、Eはカルコゲン元素であり、Rは有機化合物であり、R-Eはカルコゲン元素含有有機化合物である。また、Lはルイス塩基であり、AはI-B族元素であり、BはIII-B族元素である。ここでカルコゲン元素とは、VI-B族元素のうちのS、Se、Teをいう。また、カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物であり、炭素元素とカルコゲン元素との共有結合を有する有機化合物である。カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、チオール、スルフィド、ジスルフィド、チオフェン、スルホキシド、スルホン、チオケトン、スルホン酸、スルホン酸エステル、スルホン酸アミド、セレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシド、セレノン、テルロール、テルリド、ジテルリド等が挙げられる。原料溶液を容易に作製できるという観点から、単一源前駆体に用いられるカルコゲン元素含有有機化合物は、金属に対する配位力の高い、チオール、スルフィド、ジスルフィド、セレノール、セレニド、ジセレニド、テルロール、テルリド、ジテルリド等が用いられてもよい。また、ルイス塩基とは、非共有電子対を有する化合物のことである。ルイス塩基としては、非共有電子対を有するV-B族元素15族元素ともいうを具備した官能基や非共有電子対を有するVI-B族元素を具備した官能基を有する有機化合物が用いられる。有機溶媒に対する溶解性を高め、濃度の高い原料溶液を容易に作製できるという観点から、ルイス塩基はアリール基を有する化合物が用いられてもよい。このようなルイス塩基としては、例えば、トリアリールホスフィンが挙げられる。単一源前駆体の具体例としては、例えば、カルコゲン元素含有有機化合物がフェニルセレノールであり、ルイス塩基がトリフェニルホスフィンであり、I-B族元素がCuであり、III-B族元素がInである場合、下記化学式2のような構造のものが挙げられる。単一源錯体の他の具体例としては、化学式2におけるIII-B族元素としてInの代わりにGaが用いられた、下記化学式3のような構造のものが挙げられる。I-III-VI族化合物としてCIGSのようにInとGaとを有する場合、化学式2の単一源錯体と化学式3の単一源錯体の混合物が原料溶液に含まれてもよい。なお、化学式2および化学式3においてPhはフェニル基のことである。第1の半導体層3は、上記のように作製された原料溶液が下部電極層2の一主面の上に塗布され第1の皮膜が形成された後に、この第1の皮膜に対して熱処理が施されることで形成される。原料溶液の塗布は、例えば、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレー、またはダイコータ等が用いられて行われる。第1の皮膜の熱処理は、カルコゲン元素VI-B族元素を含む不活性雰囲気またはカルコゲン元素VI-B族元素を含む還元雰囲気において行われ、熱処理温度は、例えば、400~600°Cであれば良い。カルコゲン元素は、S蒸気、Se蒸気、H2SおよびH2Se等の状態で雰囲気中に含有され得る。雰囲気中のカルコゲン元素の濃度は、体積比率で100~300ppmとされる。この熱処理工程では、I-B族元素とIII-B族元素とVI-B族元素とが化学反応してI-III-VI族化合物の多結晶体となる。雰囲気中のカルコゲン元素の濃度が上記範囲であると、I-B族元素をA、III-B族元素をBおよびVI-B族元素をCとしたときに、組成式がAWBCX0.8≦W≦1.0、1.9≦X≦2.1であるp型の第1の半導体層3となる。次に、この第1の半導体層3の一主面の上に、上記原料溶液が塗布され第2の皮膜が形成された後に、この第2の皮膜に対して熱処理が施されることで形成される。第2の皮膜の熱処理も、カルコゲン元素を含む不活性雰囲気またはカルコゲン元素を含む還元雰囲気において行われ、熱処理温度は、例えば、400~600°Cであれば良い。雰囲気中のカルコゲン元素の濃度は、上記第1の半導体層3の作製時の濃度よりも低い、体積比率で20~90ppmとされる。雰囲気中のカルコゲン元素の濃度が上記範囲であると、I-B族元素をA、III-B族元素をBおよびVI-B族元素をCとしたときに、組成式がAYBCZ0.8≦Y≦1.0、1.5≦Z≦1.7であるn型の第2の半導体層4となる。以上のように第1の半導体層3および第2の半導体層4は、同じ原料溶液が用いられ、熱処理時の雰囲気中のVI-B族元素の濃度を変えるだけで、容易に異なる導電型の半導体層として作製され得る。よって、組成比の異なる原料溶液を用意する必要はなく、光電変換装置11の製造工程が簡略化できる。<第2の実施形態に係る光電変換装置の構成>第2の実施形態に係る光電変換装置11は、第1の半導体層3の導電型がn型であり、第2の半導体層4の導電型がp型である点で第1の実施形態と異なっている。ここで、第1の半導体層3は、I-B族元素をA、III-B族元素をBおよびVI-B族元素をCとしたときに、組成式がAYBCZ0.8≦Y≦1.0、1.5≦Z≦1.7である。一方、第2の半導体層4は、組成式がAWBCX0.8≦W≦1.0、1.9≦X≦2.1である。第2の実施形態に係る光電変換装置11においても第1の実施形態と同様、第1の半導体層3と第2の半導体層4とがpnホモ接合を形成することとなり、欠陥が少なく、良好な光電変換が行なわれることとなる。第2の実施形態に係る光電変換装置11においては、基板1、下部電極層2、および集電電極7は上記第1の実施形態に係る光電変換装置11と同様のものが採用され得る。第2の実施形態に係る光電変換装置11は、上部電極層5および集電電極7が設けられた側が受光面となっている。上部電極層3は、p型の導電型を有する透明導電膜であり、第1の半導体層3および/または第2の半導体層4において生じた電荷を取り出す電極である。上部電極層5は、第2の半導体層4よりも低い抵抗率を有する物質によって構成されている。上部電極層5は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、CuAlO2、SrCu2O2およびCuNbO3等の金属酸化物半導体等が採用され得る。上部電極層5は、スパッタ法、蒸着法、または化学的気相成長CVD法等によって、0.05~3.0μmの厚さを有するように形成される。ここで、第2の半導体層4から電荷が良好に取り出される観点から言えば、上部電極層5は、1Ωcm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有するものとすることができる。上部電極層5は、第1の半導体層3および/または第2の半導体層4が吸収する光の波長領域に対して光を透過させ易い性質光透過性とも言うを有する素材によって構成され得る。これにより、上部電極層5とが設けられることで生じる、第1の半導体層3における光の吸収効率の低下が低減される。また、光透過性が高められると同時に、光反射のロスが防止される効果と光散乱効果とが高められ、更に光電変換によって生じた電流が良好に伝送される観点から言えば、上部電極層5は、0.05~0.5μmの厚さとなるようにすることができる。なお、上記の第2の実施形態に係る光電変換装置11では、上部電極層5および集電電極7が設けられた側が受光面となっているが、基板1側が受光面となっていてもよい。その場合、基板1および下部電極層2が透光性を有する部材で構成される。透光性を有する下部電極層2としては、薄膜の金属膜やn型の透明導電膜等が採用され得る。n型の透明導電膜としては、上記第1の実施形態に係る光電変換装置11で用いられるn型の透明導電膜等が採用され得る。<第2の実施形態に係る光電変換装置における第1の半導体層および第2の半導体層の製造方法>第1の半導体層3および第2の半導体層4は、上記第1の実施の形態に係る光電変換装置で用いられた原料溶液が下部電極層2の一主面の上に塗布され皮膜が形成された後に、この皮膜に対して熱処理が施されることで形成される。皮膜の熱処理は、カルコゲン元素VI-B族元素を含む不活性雰囲気またはカルコゲン元素VI-B族元素を含む還元雰囲気において行われ、熱処理温度は、例えば、400~600°Cであれば良い。この熱処理は、雰囲気中のカルコゲン元素の濃度が体積比率で20~90ppmである第1の熱処理工程と、雰囲気中のカルコゲン元素の濃度が、第1の熱処理工程の雰囲気よりも高い、体積比率で100~300ppmである第2の熱処理工程とを具備する。まず、第1の熱処理工程によって、皮膜は、組成式がAYBCZ0.8≦Y≦1.0、1.5≦Z≦1.7であるn型の第1の半導体層3となる。続いて、第2の熱処理工程によって、この第1の半導体層3の上部が、組成式がAWBCX0.8≦W≦1.0、1.9≦X≦2.1であるp型の第2の半導体層4となる。以上のように第1の半導体層3および第2の半導体層4は、同じ原料溶液が用いられ、熱処理時の雰囲気中のVI-B族元素の濃度を変えるだけで、容易に異なる導電型の半導体層として作製され得る。よって、組成比の異なる原料溶液を用意する必要はなく、光電変換装置11の製造工程が簡略化できる。なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が施されることは何等差し支えない。"