半導体材料から構成された基板を研磨する方法において、研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、研磨剤溶液が研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプAの少なくとも1つの研磨工程;および研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、結合されていない研磨材を含有する研磨剤スラリーが研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプBの少なくとも1つの研磨工程を有することを特徴とする、半導体材料から構成された基板を研磨する方法。タイプBの研磨工程をタイプAの研磨工程の前または後に実施する、請求項1記載の方法。タイプAの研磨工程およびタイプBの研磨工程を同じ研磨板上で実施する、請求項1または2記載の方法。タイプAの研磨工程およびタイプBの研磨工程を異なる研磨板上で実施する、請求項1または2記載の方法。基板を研磨材が結合されていない研磨パッドを用いて研磨するタイプCの少なくとも1つの研磨工程を有し、結合されていない研磨材を含有する研磨剤スラリーを、研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入する、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。研磨剤スラリーは、元素のアルミニウム、セリウムまたはケイ素の1つ以上の酸化物を研磨材として含有する、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。研磨剤スラリーは、0.25~20質量の固体量を有する、請求項6記載の方法。研磨剤スラリーは酸化剤を含有し、基板はゲルマニウムを有するかまたはゲルマニウムを含有する、請求項6または7記載の方法。研磨剤溶液は酸化剤を含有し、基板はゲルマニウムを有するかまたはゲルマニウムを含有する、請求項1記載の方法。清浄剤を研磨パッド上に開放気泡フォーム体を利用して研磨パッド上に分布させることにより、研磨パッドを研磨工程中に清浄化する、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。基板を、タイプAまたはタイプBの研磨工程後、またはこれら双方の研磨工程後にエッチングするかまたは清浄化する、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。本発明の目的は、半導体材料から構成された基板に対して改善された研磨法を規定することであり、この方法は、殊に微小荒さに関連して特に低い値をもたらす。この目的は、研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、研磨剤溶液が研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプAの少なくとも1つの研磨工程;および研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、結合されていない研磨材を含有する研磨剤スラリーが研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプBの少なくとも1つの研磨工程を有する、半導体材料から構成された基板を研磨する方法により達成される。タイプAおよびタイプBの研磨工程は、それぞれFAP工程である。これらのタイプは、タイプBの研磨工程で結合されていない研磨材を含有する研磨剤スラリーを基板と研磨パッドとの間に導入する点と、一方で、タイプAの研磨工程で研磨剤スラリーを、既述した表現として固体を含有しない研磨剤溶液によって代替する点で相違する。研磨剤の表現は、以下、研磨剤スラリーおよび研磨剤溶液に関する一般的な用語として使用される。研磨剤スラリー中の研磨材の割合は、有利に0.25~20質量である。研磨材粒子の粒径分布は、好ましくは性質上、単峰性である。平均粒径は、5~300nm、特に好ましくは5~50nmである。研磨材は、基板材料、好ましくは元素のアルミニウム、セリウムまたはケイ素の酸化物の1つ以上を機械的に除去する材料を含有する。コロイド分散系珪酸を含有する研磨剤スラリーは、特に好ましい。研磨剤スラリーのpHは、好ましくは9~11.5の範囲内にあり、好ましくは添加剤、例えば炭酸ナトリウムNa2CO3、炭酸カリウムK2CO3、水酸化ナトリウムNaOH、水酸化カリウムKOH、水酸化アンモニウムNH4OH、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAHまたは前記化合物の任意の望ましい混合物によって設定される。更に、研磨剤スラリーは、1つ以上の他の添加剤、例えば表面活性添加剤、例えば湿潤剤および界面活性剤、保護コロイドとして作用する安定剤、防腐剤、殺菌剤、アルコールおよび錯形成剤を含有することができる。研磨剤溶液は、最も簡単な場合には、水であり、好ましくは、半導体工業に使用するために常用の純度を有する脱イオン水DIWである。しかし、研磨剤溶液は、化合物、例えば炭酸ナトリウムNa2CO3、炭酸カリウムK2CO3、水酸化ナトリウムNaOH、水酸化カリウムKOH、水酸化アンモニウムNH4OH、テトラアンモニウムヒドロキシドTMAHまたはこれらの任意の望ましい混合物を含有していてもよい。この場合、研磨剤溶液のpHは、好ましくは10~12の範囲内にあり、研磨剤溶液中の前記化合物の割合は、好ましくは0.01~10質量である。更に、研磨剤溶液は、1つ以上の他の添加剤、例えば表面活性添加剤、例えば湿潤剤および界面活性剤、保護コロイドとして作用する安定剤、防腐剤、殺菌剤、アルコールおよび錯形成剤を含有することができる。本発明により研磨される適当な基板は、殊に材料、例えばケイ素、ヒ化ガリウム、SixGe1x、サファイアおよび炭化ケイ素から構成された半導体ウェーハを含む。特に好ましい基板は、ケイ素から構成された半導体ウェーハおよびこのケイ素に由来する基板である。ケイ素から構成された半導体ウェーハの研磨すべき表面は、結晶からの半導体ウェーハの分離後、半導体ウェーハのラッピング後、半導体ウェーハの研削後、半導体ウェーハのエッチング後または既に行なわれた半導体ウェーハの研磨後に生じるような状態で存在することができる。ケイ素から構成された半導体ウェーハに由来する基板は、殊に1つの層構造を有する基板、例えばエピタキシーにより析出された層を有する半導体ウェーハ、SOI基板silicononinsulatorおよびsSOI基板strainedsilicononinsulator歪みSOI基板およびその中間製品を意味するものと理解すべきである。中間製品は、ドナー半導体ウェーハをも含み、この場合このドナー半導体ウェーハの層は、殊にSOI基板の製造中に他の基板に移行している。再使用することができるようにするために、層移行によって覆われていないドナー半導体の表面は、比較的粗く、端部で特徴のある段を有し、したがってこの表面は、平坦化されなければならない。基板の研磨すべき表面は、ケイ素である必要はないし、ケイ素だけから構成されていない。例示的に、III-V化合物半導体を構成する層、例えばヒ化ガリウム、またはケイ素とゲルマニウムから構成された合金SixGe1xが含まれていてよい。更に、例は、リン化インジウム、窒化ガリウムおよびヒ化アルミニウムガリウムから構成された層である。SixGe1x層の表面は、しばしば転位によって引き起こされたパターンによって特徴付けられており、クロスハッチcrosshatchとして公知であり、一般に1つ以上の他の層が前記表面上に析出されうる前に平坦化されなければならない。ゲルマニウムまたはSixGe1xの層を有する基板が本発明により研磨されうるならば、研磨剤スラリーまたは研磨剤溶液、またはこれら双方は、酸化剤を他の添加剤として含有することができる。適当な酸化剤は、過酸化水素H2O2およびオゾンO3である。この添加剤は、ゲルマニウムを水溶性化合物に変換する。添加剤なしの場合には、ゲルマニウム含有粒子が研磨中に生じる可能性があり、研磨された表面に掻き傷を生じうる。本発明による方法は、原理的に両面研磨の形で実施されうる。この場合、半導体ウェーハの両面は、同時に研磨される。しかし、特に好適な適用範囲は、片面研磨される。この場合、大きな直径を有する基板、例えば300mmの直径を有するケイ素から構成された半導体ウェーハは、通常、片面研磨される。前記半導体ウェーハは、研磨ヘッドを利用して、研磨すべき側面によって研磨板上に存在する研磨パッドに対し圧縮される。また、研磨板は、基板を側方で包囲しかつ研磨中に研磨による滑りから基板を回避させるスナップリングを含む。現在の研磨ヘッドの場合には、研磨パッドから離れた半導体ウェーハの側面は、発揮される研磨圧力を伝導する弾性膜を支持する。この膜は、気体または液体のクッションを形成するできるだけ細分割されたチャンバー系の一部分である。しかし、研磨ヘッドは、弾性支持体裏面パッドが膜の代わりに使用される場合にも使用される。基板は、基板と研磨パッドとの間への研磨剤の供給ならびに研磨ヘッドおよび研磨板の回転で研磨される。この場合、研磨ヘッドは、最初に、研磨パッドの上を平行移動してもよく、それによって研磨パッド領域のよりいっそう包括的な使用が得られる。更に、本発明による方法は、シングルプレートポリシング機singleplatepolishingmachineおよびマルチプレートポリシング機multiplatepolishingmachine上で同様に実施されてよい。好ましくは2または3個の研磨板および研磨ヘッドを有するマルチプレートポリシング機の使用が好ましく、このような場合には、相応する数の基板を同時に研磨することができる。この場合には、異なる研磨パッドおよび異なる研磨剤が使用されてもよい。本発明による方法は、研磨パッド中に結合された研磨材を含有する少なくとも1つの研磨パッドを使用する。適当な研磨材は、例えば元素のセリウム、アルミニウム、ケイ素、ジルコニウムの酸化物の粒子および硬質材料、例えば炭化ケイ素、窒化ホウ素およびダイヤモンドの粒子を含有する。特に好適な研磨パッドは、複製された微小構造によって造形された表面トポグラフィーを有する。前記の複数の微小構造複数のポストは、例えば円筒形または多角形の断面を有する柱columnの形または錐体または角錐台の形を有する。このタイプの研磨パッドは、商業的に入手可能であり、例えば3MCorpUSAによって提供されている。このような研磨パッドのよりいっそう詳細な記載は、例えばWO92/13680A1およびUS2005/227590A1中に含まれている。本発明による方法は、そのつどタイプAおよびタイプBの少なくとも1つの研磨工程を有する。前記の研磨工程は、同じ研磨パッドを含んでいてもよいし、異なる研磨パッドを使用することもできる。本方法の特に好ましい実施態様によれば、一時的に少なくとも3つの副次工程1、2および3に細分割され、この場合平均材料除去量MRを制御する処理パラメーター、例えば研磨材、研磨材流量および研磨工程時間は、副次工程1の平均材料除去量が副次工程2の平均材料除去量より大きく、副次工程2では、平均材料除去量が副次工程3の平均材料除去量より大きいかまたは副次工程3の平均材料除去量に等しい結果を生じるように制御される。副次工程1、2および3の中、少なくとも1つの副次工程は、タイプAの研磨工程として構成され、少なくとも1つの副次工程は、タイプBの研磨工程として構成される。副次工程1は、好ましくはタイプAの研磨工程として具体化され、副次工程2は、好ましくはタイプBの研磨工程として具体化され、副次工程3は、タイプAの研磨工程として具体化されるかまたはタイプBの研磨工程として具体化される。更に、本発明による方法は、研磨工程、例えばCMP工程を有することができ、この工程は、本明細書中で、タイプCの研磨工程と呼称される。このような研磨工程は、好ましくはタイプAまたはタイプBの研磨工程の後に実施される。更に、基板は、タイプAまたはタイプBの研磨工程の後に、例えばアルカリ性エッチング剤を用いておよび/または酸性のpHを有するエッチング剤を用いてエッチングされることができるかまたは清浄化されることができる。微小荒さを減少させる努力は、対策を伴なうことによって支持されてよい。1つの好ましい対策は、研磨の最終段階で、好ましくは基板が研磨板から上昇する5~300秒前に研磨圧力を少なくとも10減少させ、この減少された研磨圧力で基板を、研磨板から上昇するまで研磨し続けることにある。更に、好ましい対策は、清浄剤を研磨パッド上に開放気泡フォーム体を利用して分布させることにより、研磨パッドを清浄剤を用いて清浄化することにある。この清浄化は、好ましくは原位置で、即ち基板の研磨中に行なわれる。この研磨パッドによる清浄化は、フォーム体がパッドに結合された任意の研磨材を含有しないという事実により、パッド状態調節と相違する。原理的に、開放気泡構造を有する任意の弾性プラスチックフォーム、例えばポリウレタンフォーム、ポリビニルアルコールフォーム、ポリスチレンフォーム、シリコーンフォーム、エポキシフォーム、尿素-ホルムアルデヒドフォーム、ポリイミドフォーム、ポリベンズイミダゾールフォーム、フェノール樹脂を基礎とするフォーム、ポリエチレンフォーム、ポリプロピレンフォーム、ポリアクリル酸フォーム、ポリエステルフォームおよびビスコースフォームが適している。それぞれ研磨工程で使用される研磨材は、殊に清浄化剤として適している。本発明は、好ましい例示的な実施多様の例により下記によりいっそう詳細に説明され、微小荒さの減少に関連する本発明の有利な作用効果は、比較実験により示されている。基板は、300mmの直径を有するケイ素から構成され、かつSi08Ge02の組成を有する弛緩型ケイ素ゲルマニウム合金から構成された上層を有する半導体ウェーハであった。この基板は、タイプnHance6EGのStrasbaughInc社からの片面ポリシング機上で研磨され、その後に清浄化され、乾燥され、かつ研磨された表面を検査するための工程に通過された。殊に、開発研究のために構成された個々のウェーハのポリシング機は、1個の研磨ヘッドおよび1個の研磨板を装備している。研磨ヘッドは、カルダン的にcardanically取り付けられており、裏面パッドで被覆された固定型基板および移動可能なスナップリングを有する。クッションは、基板中の孔を通じて、2つの同心的な圧力帯域、内部帯域および外部帯域中に確立されることができ、この場合基板は、研磨中、エアクッション上を浮動する。圧力は、圧縮されたエアベローズにより移動可能なスナップリングに加えられ、こうして、基板との接触下に研磨パッドに予め張力が及ぼされかつ研磨パッドが平らに維持される。比較例および例示的な実施態様のために、3MCorp社USAからのFAPパッドが使用された。この場合、このパッドは、パッド中に結合された酸化セリウムCeO2の研磨材粒子を有し、この研磨材粒子は、0.55μmの平均粒径を有する。第1の連続試験で、第1の比較例の半導体ウェーハと第1の例示的な実施態様の半導体ウェーハの双方は、3工程の研磨法、研磨工程1、2および3に掛けられる。比較例の場合には、研磨工程1、2おおび3は、タイプAの例外の研磨工程がない。これとは異なり、例示的な実施態様の半導体ウェーハは、研磨工程2および3がタイプBの研磨工程である相応する研磨に掛けられた。更に、実験パラメーターは、次の表中に纏められている。Glanzox3900は、濃厚物として、FujimiIncorporated社日本、によって提供された研磨剤スラリーの商品名である。10.5のpHを有する濃厚物は、30~40nmの平均粒径を有するコロイド状SiO2約9質量を含有する。表中に記載されたSiO2量は、研磨剤を基礎としている。研磨後に、半導体ウェーハは、清浄化され、乾燥され、かつ残りの微小荒さについて検査された。この場合には、3つの異なる測定法が使用された。RMS荒さroormeansquareRMS平方自乗平均は、ChapmanInstruments社USA、からの位相差プロフィルメーターを用いて、荒さ値に影響を及ぼす種々の側方相関長lateralcorrelationlengthsフィルターの長さ、空間的波長を考慮に入れて測定された。更に、暗野散乱光ヘイズは、KLATencor社USAからのSurfscanSP1を用いて、種々の検出器の配置に対して測定されたチャンネルモード:D=暗野;N=狭い、W=幅広、O=傾斜、N=標準。第3の測定は、半導体ウェーハの端部から1mmで中心部の10μm×10μmの測定平方面積上でのAFM測定atomicforcemicroscopyAFMであり、これは、同様にRMS荒さの測定にも使用される。測定の結果は、第2表、第3表および第4表中に纏められている。上記の表は、本発明により研磨を行なった場合に、著しく低いヘイズおよびRMS荒さ値を予想することができることを示す。第1の連続した実験例示的な実施態様1および比較例1での上記の実験は、研磨パッドの原位置での清浄化なしに実施された。更に、第2の連続した実験例示的な実施態様2および比較例2で、研磨パッドの原位置での清浄化が付加的に、清浄化剤としての研磨剤で含浸された、ポリエステルから構成された開放気泡スポンジを用いて実施されたことを除外して、同じタイプの半導体ウェーハは、同様に研磨された。前記実験を示す第2表、第3表および第4表中の列は、微小荒さが前記の付加的な測定により減少させることができたことを明示する。