"下部電極と下部電極上に形成された容量絶縁膜と容量絶縁膜上に形成された上部電極を有するキャパシタにおいて、前記容量絶縁膜は、c軸配向した結晶酸化ニオブ膜であるキャパシタ。前記下部電極の少なくとも表面は、酸素供給能力の高い導電材料で形成されてなる請求項1に記載のキャパシタ。前記酸素供給能力の高い導電材料は、白金膜、ルテニウム膜又は酸化ルテニウム膜である請求項2に記載のキャパシタ。半導体基板上に、能動素子と該能動素子に電気的に接続されるキャパシタとを備える半導体装置であって、前記キャパシタは、下部電極と下部電極上に形成された容量絶縁膜と容量絶縁膜上に形成された上部電極を有し、前記容量絶縁膜は、c軸配向した結晶酸化ニオブ膜である半導体装置。前記下部電極の少なくとも表面は、酸素供給能力の高い導電材料で形成されてなる請求項4に記載の半導体装置。前記酸素供給能力の高い導電材料は、白金膜、ルテニウム膜又は酸化ルテニウム膜である請求項5に記載の半導体装置。前記下部電極下の層間膜が、耐酸化性を有する絶縁膜である請求項4乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置。前記耐酸化性を有する絶縁膜が窒化シリコン膜である請求項7に記載の半導体装置。下部電極と下部電極上に形成された酸化ニオブからなる容量絶縁膜と容量絶縁膜上に形成された上部電極を有するキャパシタの製造方法において、前記酸化ニオブは、膜中の酸素含有量を制御してc軸配向した結晶膜となるように形成するキャパシタの製造方法。前記酸化ニオブは、膜中の酸素含有量を制御して非晶質膜として成膜した後、ポストアニールにより結晶化する請求項9に記載のキャパシタの製造方法。前記下部電極の少なくとも表面を、酸素供給能力の高い導電材料で形成し、非晶質膜の成膜時に膜中の酸素含有量を、結晶化のためのポストアニール時に電極から放出される酸素量を加味して制御する請求項10に記載のキャパシタの製造方法。前記非晶質の酸化ニオブ膜は、スパッタリング法、CVD法又はALD法で形成される請求項10又は11に記載のキャパシタの製造方法。前記非晶質の酸化ニオブはスパッタリング法で形成され、前記スパッタリングは、結晶酸化ニオブをスパッタリングターゲットして、スパッタリングガス中の酸素濃度を調整して実施される請求項12に記載のキャパシタの製造方法。前記下部電極として白金電極を用い、前記スパッタリングを不活性ガスIgと酸素O2ガスとの混合ガスを用いて、O2/IgO2で表される流量比で10以上80以下で行う請求項13に記載のキャパシタの製造方法。前記スパッタリング法で成膜された非晶質膜中の酸素含有量が、O/Nbで表される原子比で2.2以上である請求項14に記載のキャパシタの製造方法。前記下部電極としてルテニウム電極又は酸化ルテニウム電極を用い、前記スパッタリングを不活性ガスIgのみを用いて行う請求項13に記載のキャパシタの製造方法。前記不活性ガスとしてアルゴンArガスを用いる請求項14乃至16のいずれか1項に記載のキャパシタの製造方法。前記結晶化アニールは、500°C以上の温度で実施される請求項10乃至17のいずれか1項に記載のキャパシタの製造方法。前記酸化ニオブは、膜中の酸素含有量を制御して、成膜時の基板温度が、500°C未満であって、膜の堆積と同時に結晶化が進行する温度に調整して行う請求項9に記載のキャパシタの製造方法。前記酸化ニオブ膜は、スパッタリング法、CVD法又はALD法で形成される請求項19に記載のキャパシタの製造方法。前記酸化ニオブはスパッタリング法で形成され、前記スパッタリングは、結晶酸化ニオブをスパッタリングターゲットして、スパッタリングガス中の酸素濃度を調整して実施される請求項20に記載のキャパシタの製造方法。前記下部電極として白金電極を用い、前記スパッタリングを酸素ガス単独又は不活性ガスIgと酸素O2ガスとの混合ガスを用いて、O2/IgO2で表される流量比として10以上で行う請求項21に記載のキャパシタの製造方法。前記不活性ガスとしてアルゴンArガスを用いる請求項22に記載のキャパシタの製造方法。スパッタリング法により形成された酸化ニオブ膜の蛍光X線分析による酸素とニオブのピークの高さ比O/Nbピーク比が0.8以上である請求項21乃至23のいずれか1項に記載のキャパシタの製造方法。つまり、特許文献1にて製造される酸化ニオブ膜はアモルファス膜として形成されており、アモルファス非晶質状態の膜は、結晶状態の膜に比較して比誘電率が低い。一方、金属酸化物の結晶化は特許文献1に記載されるように粒界伝導の増加によりリーク電流が増大するという問題がある。DRAM素子に適用するには、高い比誘電率を有する容量絶縁膜を使用して、静電容量を大きくし、しかもリーク電流を低減することが必要である。本発明者らは、結晶酸化ニオブを容量絶縁膜として用いるために種々検討した結果、結晶酸化ニオブの結晶配向により、リーク電流特性に違いがあることを見出した。すなわち、本発明の一形態によれば、下部電極と下部電極上に形成された容量絶縁膜と容量絶縁膜上に形成された上部電極を有するキャパシタにおいて、前記容量絶縁膜は、c軸配向した結晶酸化ニオブ膜であるキャパシタが提供される。また、本発明の別の形態によれば、半導体基板上に、能動素子と該能動素子に電気的に接続されるキャパシタとを備える半導体装置であって、前記キャパシタは、下部電極と下部電極上に形成された容量絶縁膜と容量絶縁膜上に形成された上部電極を有し、前記容量絶縁膜は、c軸配向した結晶酸化ニオブ膜である半導体装置が提供される。酸化ニオブを容量絶縁膜として用いたキャパシタにおいて、静電容量が大きく、リーク特性に優れたキャパシタを容易に形成できる。このキャパシタをメモリセルに備えたDRAM素子を形成することにより、微細化してもデータ保持特性リフレッシュ特性に優れたDRAM素子を容易に形成することができる。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。実施例1酸化ニオブ膜を容量絶縁膜として有するキャパシタについて説明する。図1下部電極形成半導体基板111上に、酸化膜112を形成した後、キャパシタの下部電極113を形成する。材料に、白金Pt膜を用い、膜厚は10nmで形成した。酸化ニオブ膜形成容量絶縁膜として、非晶質状態の酸化ニオブ膜114を、RFスパッタ法を用いて10nm形成した。条件を以下に示す。ターゲット材Nb2O5圧力0.5Pa基板温度300°CRFパワー50WスパッタガスAr、O2成膜温度は、非晶質状態の酸化ニオブ膜が形成できるよう、低温で行う。本実施例では300°Cを用いた。スパッタガスには、アルゴンガスArと酸素ガスO2とを用い、これらを単独又は混合ガスとして用いた。ここで、アルゴンガスと酸素ガスとの全流量に対する酸素ガスの割合を、スパッタガス酸素比と定義する。例えばスパッタガス酸素比は、アルゴンガス単独の場合は0、酸素ガス単独の場合は100、混合ガス比がAr:O2=1:1の場合は50となる。なお、アルゴンガスに代えて他の不活性ガスを用いることができるが、窒素ガスは導電性の窒化ニオブを生成してリーク特性を悪化させてしまうため、好ましくない。入手の容易さなどの観点からはアルゴンガスが好ましい。スパッタガス酸素比を0,10、25,50,75,100と条件を変えて、6種類の非晶質状態の酸化ニオブ膜を成膜した。各スパッタガス酸素比での非晶質状態の酸化ニオブ膜の成膜レートは異なるが、成膜後の膜厚は10nmになるようにスパッタ時間を調整して形成した。各スパッタガス酸素比で成膜した非晶質状態の酸化ニオブ膜について、酸素OとニオブNbの組成を調べるため、RBSラザフォード後方散乱分析法で測定を行った。ニオブNbと酸素Oのピーク面積から原子数比率を求め、酸素含有量をO/Nb原子数比で示した。その結果を表1に示す。表1から、スパッタガス酸素比0の時、O/Nb原子数比は1.9と小さく、酸素含有量は少ない。スパッタガス酸素比を増加させるとO/Nb原子数比は徐々に増加し、スパッタガス酸素比50の時、最大値2.5の化学量論比をとる。それ以上では、減少している。即ち、スパッタガス酸素比を0から増加させるに従い、膜中に取り込まれる酸素量が増加してO/Nb原子数比は増加し、50で最大となった。スパッタガス酸素比がこれ以上大きい領域では、むしろO/Nb原子数比はやや減少しており、酸素取り込み量が減ることが判る。また、非晶質状態の酸化ニオブ膜に取り込まれる酸素含有量の最大値は、2.5であり、スパッタ法で用いるターゲット材であるNb2O5の化学量論比を示した。このように、ターゲット材としてNb2O5を用いた場合でも、スパッタ時の雰囲気中の酸素比を制御することで、酸素含有量の異なる酸化ニオブ膜を形成することができる。なお、以下の説明では、酸素とニオブ原子の比率O/Nb原子数比が化学量論比である2.5ではない膜の場合でも、簡略化のため特に区別せずに、酸化ニオブ膜として記載する。上部電極形成非晶質状態の酸化ニオブ膜を堆積した後に、上部電極115を形成する。材料には、白金Pt膜を用い、膜厚は10nmで形成した。ポストアニール処理上部電極を形成した後に、ポストアニール処理を行い、酸化ニオブ膜を結晶化させる。条件は次の条件を用いた。温度600°CガスO2時間10分本発明者らが行った実験の結果、非晶質の酸化ニオブは500°C以上で結晶化されることが判明している。そのため、アニール温度は、酸化ニオブが結晶化される500°C以上で行う。アニールに使用するガス雰囲気は、酸素ガスに代えて窒素ガスとすることも可能である。なお、アニール温度は500°C以上であればよいが、通常、キャパシタの形成前に基板上には半導体素子が形成されていることや、キャパシタの上下電極が高温になるほど表面荒れを起こすことから、半導体素子や電極への悪影響が懸念されるような高温でのアニールは好ましくない。好ましくは、アニール温度は600~650°Cの範囲である。以上の工程を経て、酸化ニオブを容量絶縁膜とするMIM構造のキャパシタが形成される。なお、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、下部電極および上部電極膜を所定の形状にパターニングしてもよい。また、ポストアニール処理は、上部電極を形成する前に実施してもよく、同様の結果が得られることが発明者らの検討で判っている。さらに、ポストアニールの工程は、上部電極上に設ける層間絶縁膜のアニールと兼用することも可能である。上述のように、酸化ニオブ膜を形成する際のスパッタガス中の酸素ガスの比率スパッタガス酸素比を変更した条件で、複数のキャパシタを作製した。作製した酸化ニオブ膜の結晶性を調べるためXRDX線回折による分析を行った。XRD分析図2に、各スパッタガス酸素比での酸化ニオブ膜のXRDパターンを示す。図中、a~fはそれぞれスパッタガス酸素比が0,10,25,50,75,100の場合を示し、後述の図4、図11においても同様である。XRDパターンは、六方晶相の結晶構造を示し、a軸配向に由来する2θ=28.6°のピーク100の矢印で示した箇所。以下、a軸ピークと称す、c軸配向に由来する2θ=22.6°のピーク001の矢印で示した箇所。以下、c軸ピークと称す]が観測された。スパッタガス酸素比を変えるに従い、a軸ピーク、c軸ピークの強度が徐々に変化する。スパッタガス酸素比0では、強いa軸ピークを示しており、ほぼa軸配向している。スパッタガス酸素比を増加させていくと、a軸ピークが徐々に小さくなって、代わってc軸ピークが出現し、a軸配向とc軸配向が混在したランダム配向となる。さらにスパッタガス酸素比を増加させていくと、スパッタガス酸素比50において、a軸ピークが消えて強いc軸ピークが現れ、ほぼc軸配向する。さらにスパッタガス酸素比を増加させて行くと、逆にc軸のピークは減少し、代わってa軸配向が現れることが示された。これらから、スパッタガス酸素比50でほぼc軸優先配向となり、50からずれるとc軸優先配向は弱くなると共にa軸優先配向が現れ、スパッタガス酸素比0では、ほぼa軸優先配向することが判る。そして、配向のスパッタガス酸素比依存性と、RBS法で調べた非晶質状態の酸化ニオブ膜成膜時の酸素含有量のスパッタガス酸素比依存性を見比べると、非晶質状態の酸化ニオブ膜成長時の酸素含有量が多いとc軸に優先配向され、酸素含有量が少ないとa軸に優先配向されることが判る。次に、作製した複数のキャパシタについて、誘電率特性、リーク耐圧特性を評価した。図3に、比誘電率左側の縦軸及びリーク耐圧右側の縦軸について、スパッタガス酸素比横軸の依存性を示す。誘電率特性評価図3で、スパッタガス酸素比0では比誘電率は58を示し、スパッタガス酸素比を増加させると、比誘電率は増大し、スパッタガス酸素比50において最大値82をとり、それ以上の酸素比では減少していく傾向を示した。スパッタガス酸素比50における、比誘電率82は、DRAM素子用のキャパシタとして一般に使用されている酸化ジルコニウム膜ZrO2の比誘電率約30などに比べて、非常に大きな値となっている。リーク耐圧特性評価図3のリーク耐圧の測定結果右側の縦軸は、リーク電流密度が1×10-8A/cm2となる際の印加電圧をリーク耐圧として示した。このリーク電流密度の値は、DRAM素子への応用上、許容できる上限の目安であり、これ以下に抑制することが要求される。キャパシタに電圧を0Vから印加していくと、最初は小さいリーク電流密度を示すが、電圧を増加させるに従い徐々にリーク電流密度は大きくなり、ある電圧で1×10-8A/cm2に達する。この電流密度に達した時の印加電圧をリーク耐圧として測定を行う。リーク耐圧は、キャパシタに印加できる最大電圧に対応する。例えば、DRAM素子の電源電圧にVddを用い、メモリセルのビット線に1/2Vddを与える一般的な電圧構成を用いる場合、キャパシタの容量絶縁膜にも1/2Vddの電圧が印加される。近年のDRAM素子では、最も電源電圧を下げた場合に、Vddとして1.0Vが用いられており、キャパシタの容量絶縁膜のリーク耐圧には0.5V以上であることが要求される。本試料のリーク耐圧特性は、スパッタガス酸素比0でリーク耐圧は約0.3Vを示し、スパッタガス酸素比を増加させると、リーク耐圧は増大し、50において最大の0.8Vをとり、それ以上では減少していくことが示された。このように、スパッタガス酸素比50では、実用上、十分な値が得られることが判った。リーク耐圧が0.5V以上であることを考慮すると、スパッタガス酸素比は10以上が好ましく、また80以下が好ましい。より好ましくは25以上、70以下である。図3の比誘電率およびリーク耐圧の酸素比率依存性と、図2の結晶の配向の酸素比率依存性の結果から、比誘電率、リーク耐圧は、結晶の配向に依存して変化していることが判る。すなわち、c軸配向すると誘電率は大きく、a軸配向すると誘電率は小さくなる。また、c軸配向するとリーク耐圧は大きく、a軸配向するとリーク耐圧は小さくなる。リーク耐圧の配向依存性は、酸化ニオブの結晶構造が六方晶であることと関係する。すなわち、c軸配向の場合には、キャパシタ下部電極の上面と平行な結晶表面はc面、つまり結晶のへき開面となるので、表面が平滑に形成され易いのに対し、a軸配向の場合は、表面に結晶の稜線が現れるため平滑性が悪くなる。実際、発明者らが、結晶状態の酸化ニオブ膜のAFM原子間力顕微鏡像を観察したところ、c軸配向に揃った結晶では表面が平滑であるのに対し、a軸配向に揃った結晶では表面の平滑性が低下しているモフォロジーが悪いという結果が得られている。このため、表面の平滑性の悪いa軸配向の酸化ニオブ膜では、電界の集中、膜厚のばらつきなどが起き易く、リーク耐圧が低下する原因となると考えられる。従来の酸化ニオブ膜を用いたキャパシタでは、結晶の配向について考慮がなされていないため、酸化ニオブがランダム配向となっていた。このため、良好なリーク特性を得ることが困難であった。これに対して本発明では、c軸配向に揃った酸化ニオブ膜を用いてキャパシタを形成することを特徴とする。これにより、良好なリーク特性と大きい静電容量の双方を備えたキャパシタを形成することができる。本発明では、結晶化された酸化ニオブ膜の配向性を制御する方法として、非晶質の酸化ニオブ膜の形成の際に、酸化ニオブ膜中の酸素含有量を制御する方法を用いる。すなわち、スパッタ法を用いて酸化ニオブ膜を堆積する場合には、スパッタの際の雰囲気スパッタガス中の酸素含有量を所定の値例えば50に設定することでc軸配向に揃った酸化ニオブ膜を形成することができる。なお、スパッタで酸化ニオブを形成する際のスパッタ雰囲気の酸素含有比は必ずしも50には限定されない。すなわち、c軸に配向した結晶膜が優先的に形成されればよく、キャパシタに必要な電気特性に応じて、10~80の範囲でスパッタガス酸素比率を設定すればよい。また、c軸配向に揃った酸化ニオブ膜の形成は、スパッタ法に限定されず、ALD法や、CVD法などを用いることもできる。すなわち、膜中の酸素含有量を制御して同様に非晶質の酸化ニオブ膜を堆積した後、ポストアニールにより結晶化することによって、結晶の配向をc軸方向に揃えることが可能となる。これらの方法は、スパッタ法よりも段差被覆性ステップカバレジに優れることから、3次元構造のキャパシタの製造において有利となる場合がある。ALD法の場合には、原料となるプリカーサ中に含まれる酸素元素の有無、成膜中の酸化剤酸化ガスの種類、パルス配給における酸素供給サイクルの時間、酸化ガス例えば酸素分圧を制御する事により、プリカーサの酸化程度を変えることができるので、非晶質の酸化ニオブ膜中の酸素含有量が最適となるように制御して堆積することで、その後のポストアニールではスパッタ法と同様にc軸配向を備えた酸化ニオブ膜を形成することができる。ALD法では原料となるプリカーサの分解温度を超えない温度で成膜する必要があるが、本実施例の方法では、比較的低温で非晶質膜を形成することから、プリカーサの選択範囲が広がるという利点がある。酸化ガスとしては、酸素O2以外に、オゾンO3や水蒸気H2Oなどを用いても良い。また、CVD法の場合にも、供給する酸化ガス例えば酸素の分圧を制御することにより、比較的低温で非晶質の酸化ニオブ膜中の酸素含有量を最適となるように制御して堆積することで、その後のポストアニールではスパッタ法と同様にc軸配向を備えた酸化ニオブ膜を形成することができる。実施例2実施例1では、電極に白金膜を用いた場合について結果を開示した。実施例2では、下部電極の材料を変えた場合の酸化ニオブ膜への影響について述べる。図4は、実施例2で形成したキャパシタの酸化ニオブ膜のXRDパターンを示す測定結果である。キャパシタは、電極の材料以外は実施例1と同様の方法で形成する。下部電極121の材料には、実施例1で用いた白金膜Ptに加えて、窒化チタン膜TiN、ルテニウム膜Ru、酸化ルテニウム膜RuO2の3種類用いた。また、比較のため下部電極用の導電膜を設けずに、酸化シリコン膜SiO2が上面に露出している状態の半導体基板も用意した。これら各種下部電極121上に、酸化ニオブ膜を、実施例1の図2と同様に、スパッタガス酸素比を0,25,50,75,100と変化させ成膜した。この後、実施例1と同様に、ポストアニールを行う。ポストアニールは、下部電極による酸化ニオブ膜の結晶性の影響を調べるため、上部電極を形成しないで行った。窒化チタン膜とルテニウム膜については、下部電極が酸化されることを抑制するため、ポストアニールにおける雰囲気ガスとして酸素ガスの代わりに窒素ガスを用いた。これは、下部電極が酸化されると正確な評価が困難になるためである。なお、窒素ガスの雰囲気中でアニールを行った場合でも、酸素ガス雰囲気でのアニールの場合と同様に膜中に最終的に存在する酸素原子の比率に応じて配向を生じることが、本発明者らにより確認されている。作製した各下部電極上の酸化ニオブ膜に対し、XRD分析を行った。XRD分析図4に、各試料のXRDパターンを示す。窒化チタン膜、酸化シリコン膜、白金膜、ルテニウム膜、酸化ルテニウム膜上に酸化ニオブ膜を形成した場合を示している。なお、白金膜は実施例1に示した結果であり、スパッタガス酸素比10の結果bが含まれる。図4には、5種類の電極について、キャパシタ下部電極の酸素配給能力の小さいものから大きいものに対応して、上段左から下段右に並べてある。酸化ニオブ膜への下地下部電極からの酸素配給能力は、まず酸素を含まない窒化チタン膜が最も少ない。次に酸化シリコン膜が少ない。酸化シリコン膜は多量の酸素を有するが酸素とSiは共有結合で強く結ばれており、酸化ニオブ膜へ与えられる酸素としては少ないので酸素配給能力は小さい。白金膜は様々なガスをある程度吸蔵する性質があり、通常のプロセス過程で酸素ガスをあらかじめ吸蔵しており、酸素ガスを酸化ニオブ膜に配給することができる。酸化ルテニウム膜は容易に酸素を放出してルテニウムに還元するので酸素配給能力は非常に高い。ルテニウム膜は酸化しやすく表面はほぼ酸化ルテニウム膜となっているので界面は酸化ルテニウム膜とほぼ同じ扱いになる。これらXRDパターンにおいて、六方晶相の結晶構造を示し、2θ=28.6°のピークはa軸配向に由来するピークa軸ピーク、2θ=22.6°のピークはc軸配向に由来するピークc軸ピークである。窒化チタン膜では、a軸ピークが観測されるが、c軸ピークは観測されなかった。スパッタガス酸素比を増加させるに従い、a軸ピークの強度はやや小さく変化した。酸化シリコン膜では、スパッタガス酸素比0で、強いa軸ピークと、弱いc軸ピークが観測された。スパッタガス酸素比を増加させるに従い、a軸ピークは弱くなった。ルテニウム膜は、スパッタガス酸素比0で、強いc軸ピークが観測された。スパッタガス酸素比を増加させると、c軸ピークは消滅した。酸化ルテニウム膜は、ルテニウム膜と同様の傾向を示した。なお、RuO2は2θ~28.0°に結晶ピークを持ち、そのピークが観察される。このピークは、酸化ニオブ膜のa軸ピークと近いので、区別して判定する必要がある。これらの結果を、キャパシタ下部電極の酸素配給能力の観点に注目して見てみる。白金膜は白金膜側からある程度の酸素配給があり、酸化ニオブ膜の酸素含有量の変化に合わせて配向がa軸からc軸に変化する。対して、窒化チタン膜はスパッタ酸素比を変えてもほぼa軸しか見えないのは、白金膜と異なり酸素配給能力がないためで、界面での酸素が不足しa軸配向してしまう。酸化シリコン膜の場合もa軸配向が支配的である。酸化シリコン膜では、窒化チタン膜と違って界面に酸素が存在するため酸素配給は可能な状態と思われたが、c軸ピークはわずかになったのは、界面の酸素がSiに強く拘束されており、酸素配給能力が小さいためといえる。ルテニウム膜及び酸化ルテニウム膜は酸素を大量に配給できるので界面では酸素過剰になる。そのため酸化ニオブ膜の方は酸素含有量が少ないアルゴンスパッタスパッタガス酸素比0においてc軸配向する。これら結果は、電極からの酸素供給量と、成膜の際に非晶質状態の酸化ニオブ膜自体に含まれる酸素との合計量が、ポストアニールにより結晶化する際の膜の配向を決めていることで説明される。したがって、用いる電極の酸素供給能力に応じて、非晶質状態の酸化ニオブ膜の酸素含有量を適切な酸素含有量になるように調整して形成することにより、c軸優先配向した酸化ニオブ膜を得ることができる。本発明においては、c軸に配向の揃った酸化ニオブ膜を容易に形成できると言う観点から、少なくとも下部電極表面に酸素供給能力の高い電極材料を用いることが好ましい。このような電極材料として、上述の、白金膜、ルテニウム膜、酸化ルテニウム膜を挙げることができる。電極は、これらの材料に限定されず、酸素供給能力が高い電導性の金属酸化膜を用いることができる。このような電導性の金属酸化膜として、酸化モリブデン、酸化イリジウム等を用いることができる。白金以外の導電材料で電極を形成する場合にも、ALD法やCVD法を用いて酸化ニオブ膜を堆積することが可能である。また、上部電極を形成してからポストアニール処理を行う場合には、上部電極の酸素供給能力も影響するため、下部電極と上部電極を同じ材料で形成することが、特性の安定化の観点から好ましい。上部電極を形成する前にポストアニールを行い結晶化させる場合には、上部電極の材料に依存した酸素供給能力の影響は酸化ニオブ膜の配向に影響を及ぼさない。したがって、下部電極と上部電極を異なる材料、特に上部電極を酸素供給能力の低い材料で形成する場合には、上部電極を形成する前にポストアニールを行うことが好ましい。実施例3本発明のキャパシタをDRAMに適用する方法を開示する。図5~10は、実施例3を説明するための断面図である。図5P型のシリコン等の半導体基板11上に、素子分離領域12をSTI法等で形成する。素子分離領域12で区画されて素子形成領域活性領域13が画定される。ゲート絶縁膜14、ゲート導電膜15、ゲート保護膜16を成膜した後、レジストマスクを用いて順次エッチングして、ゲート電極17を形成する。ゲート保護膜16には窒化シリコン膜を用いることができる。ゲート電極17をマスクに、半導体基板11上にイオン注入法を用いてN型の不純物を導入し、ソース/ドレイン領域18を形成する。ゲート電極17の側壁にサイドウォール19を形成する。サイドウォール19には窒化シリコン膜を用いることができる。ゲート電極17間を埋め込むようにゲート層間膜20を形成する。ゲート電極17間のソース/ドレイン領域18上と接続するセルコンタクトプラグ21を形成する。セルコンタクトプラグ層間膜22を形成する。セルコンタクトプラグ層間膜22を貫き、ビット線が接続される側のセルコンタクトプラグ21上と接続するビット線コンタクトプラグ23を形成する。ビット線コンタクトプラグ23と接続するビット線24を形成する。ビット線層間膜25を形成する。ビット線層間膜25を貫き、キャパシタが接続される側のセルコンタクトプラグ21上と接続するキャパシタコンタクトプラグ26を形成する。キャパシタ層間膜27を形成する。材料は酸化シリコン膜を用いた。図6フォトリソグラフィ技術を用いて、キャパシタホール形成領域が開口されたレジストマスク161を形成する。レジストマスク161を用いて、キャパシタ層間膜27を貫きキャパシタコンタクトプラグ26上を開口するエッチングを行い、キャパシタホール162を形成する。図7キャパシタホール162内から、キャパシタ層間膜27上にかけて、下部電極膜171を形成する。材料は、白金膜Pt用いた。下部電極膜171を、キャパシタホール162内の側面から底面に残るようにエッチバックして、下部電極171を形成する。下部電極171は、底部でキャパシタコンタクトプラグ26と接続される。尚、エッチバックにおいて、キャパシタホール162底部における下部電極膜171がエッチング除去されるのを防止するため、キャパシタホール162の下部電極膜171の凹部内に、レジスト膜などの保護膜を埋め込んでエッチバックを行う方法をとっても良い。図8実施例1に示したように、酸化ニオブ膜中の酸素含有量を制御して成膜を行い、非晶質状態の酸化ニオブ膜181を堆積する。膜厚は10nmとした。この後に600°Cの酸素雰囲気中で10分間のポストアニール処理を行う。この際に、ビット線層間膜25を窒化シリコン等の耐酸化性を備えた絶縁膜で形成しておくことにより、すでに形成されているMOSトランジスタ等の素子に酸化のダメージがおよぶことを回避できる。ポストアニール処理によって、c軸に配向が揃った酸化ニオブ膜が得られるように、あらかじめ酸化ニオブ膜を堆積する際の酸素含有量を適切に設定しておく。下部電極を白金で形成し、スパッタ法で酸化ニオブ膜を堆積する場合には、スパッタ時のガス雰囲気中の酸素ガスの割合流量比を50に設定することで、最終的にc軸に配向が揃った酸化ニオブ膜が形成される。図9上部電極膜191を成膜する。材料には、白金Pt膜を用いた。フォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いて、キャパシタ上部電極膜をパターニングして、メモリセル領域上にキャパシタ上部電極191を残存させる。この工程により、結晶化された酸化ニオブ膜を容量絶縁膜とするMIMキャパシタが形成される。図10キャパシタ上層間膜201を酸化シリコン膜で形成する。アルミニウム等の金属を用いて配線202を形成する。この後、必要に応じて、さらに上層の配線層や表面のパッシベーション膜を形成すれば、DRAM素子が完成する。電極材料には、実施例2で説明したように、ルテニウム膜Ruや、酸化ルテニウム膜RuO2などを用いても良く、最終的にc軸に配向が揃った酸化ニオブ膜が形成されるようにすればよい。以上の工程を経て、メモリセルにc軸配向された酸化ニオブ膜を容量絶縁膜として備えたキャパシタを用いたDRAMを形成することができる。形成されたキャパシタは、静電容量が大きく、リーク特性にも優れているため、微細化しても高性能データ保持特性リフレッシュ特性に優れたなDRAMを容易に形成することができる。実施例4実施例1~3では、非晶質の酸化ニオブ膜を成長して、ポストアニールによる結晶化を行う方法を示した。この方法では、非晶質膜を結晶化するために500°C以上の比較的高温のアニールが必要となる。ところが、半導体素子の微細化と伴に、プロセスの低温化が求められており、さらなる低温化も必要となってきている。実施例4では、そのような高温プロセスを必要としないキャパシタプロセスとして、成膜と同時に結晶化させる方法でc軸に配向の揃った酸化ニオブ膜を形成する方法について説明する。図11は、実施例4のXRDパターンを示す図。実施例1と同様に、白金膜を用いたキャパシタ用の下部電極を半導体基板上に形成する。本実施例では容量絶縁膜として、酸化ニオブ膜を非晶質状態ではなく結晶状態で成長する。本実施例では、RFスパッタ法を用いた。膜厚は15~20nmとなるように成膜時間を調整して成膜した。成膜条件は次の条件を用いた。ターゲットNb2O5圧力2.0Pa基板温度400°CRFパワー50WスパッタガスAr、O2実施例1~3との差異は、基板温度を高く設定本実施例では400°Cした状態でスパッタを行った点である、これにより、膜の堆積と同時に結晶化が進行し、結晶状態で成長させることができる。この結果、本実施例では、膜の堆積後の高温プロセスであるアニール処理ポストアニール処理は不要となる。したがって、成膜時の基板温度は、500°C未満であって、膜の堆積と同時に結晶化が進行する温度であればよい。スパッタガスには、アルゴンガスArと酸素ガスO2とを用いた。本実施例においても、スパッタガス酸素比を、0,10,50,100と変化させて成膜した。スパッタガス酸素比を変化させて作製した複数の酸化ニオブ膜に対し、XRF蛍光X線分析法により、酸素とニオブの組成比を調べた。表2にXRF法で測定した、酸素ピークのニオブピークに対する高さの比O/Nbピーク比のスパッタガス酸素比に対する依存性を示す。各成膜条件におけるO/Nbピーク比を比較することで、膜中に含まれる酸素原子の割合の変化を相対的に知ることができる。スパッタガス酸素比を0から50と増加するに従い、O/Nbピーク比が増加する。これは膜中の酸素原子が増加していることを示す。スパッタガス酸素比50以上では、O/Nbピーク比がほぼ飽和している。これはスパッタガス酸素比50以上では、膜中の酸素含有量がほぼ一定となり、安定した化学量論比組成を持つ結晶膜になっていることを示す。さらに、各種試料について、XRD分析を行い、結晶性を調べた。図11に、各試料のXRDパターンを示す。実施例2同様に、六方晶のa軸2θ~28.6°配向ピークおよびc軸配向ピーク2θ~22.6°が観察された。スパッタガス酸素比0では、a軸配向ピークおよびc軸配向ピークが現れているが、強度はいずれも弱い。スパッタガス酸素比を10に増加させると、a軸配向ピークが消え、強いc軸配向ピークが現れ、ほぼc軸優先配向が形成されることが判る。さらに、スパッタガス酸素比を増加させた場合、c軸配向ピークの強度は変化せず、強度は飽和した。この結果から、成膜時の酸素流量が結晶配向性に影響を及ぼしていること、スパッタガス酸素比を10以上に制御することにより配向性をc軸に制御できることが判った。実施例2の結果により、電極界面のトータルの酸素量が、配向性を決めることが示されている。このことから、成膜と同時に結晶化を行う本実施例の場合、成膜初期の電極上に形成された結晶核の配向性が、電極からの酸素供給量と、成膜時の酸素ガスにより決まり、それを引き継いで結晶膜が成長されると考えられる。実施例4では、成膜温度400°Cで、c軸優先配向した結晶化酸化ニオブ膜を得ることができ、高温のポストアニールを要した実施例1~3に比べて低温で形成することができることから、プロセスの低温化に有効である。本実施例では、スパッタ法で示したが、ALD法、CVD法などを用いることも可能である。すなわちALD法またはCVD法において、成膜の際の半導体基板の温度を酸化ニオブが結晶として成長する温度例えば400°Cに設定し、酸化ガスの供給量を制御しながら膜の堆積を行うことで、膜の堆積と結晶化を同時に進行させて、c軸に配向の揃った酸化ニオブ膜を形成することができる。"