"潜像書込装置により形成した像担持体の潜像に、露光とは別の光源からの検知光を照射し、像担持体の光減衰による表面電荷量の変化を誘導電流として検出する潜像測定方法を用いた潜像計測装置であって、前記検知光の照射が一箇所のみであることを特徴とする潜像計測装置。前記検知光の照射位置が、潜像近傍の非画像部領域であることを特徴とする請求項1に記載の潜像計測装置。前記検知光の照射位置が、照射した書き込み光の副走査方向幅方向の端部から、非画像部方向に、潜像を形成したビームスポット径の1/2以上かつビームスポット径以下離れた非画像部領域であることを特徴とする請求項2に記載の潜像計測装置。前記検知光の照射位置が、書き込み光を照射した画像部領域であることを特徴とする請求項1に記載の潜像計測装置。前記検知光の照射位置が、照射した書き込み光の副走査方向幅方向の中央であることを特徴とする請求項4に記載の潜像計測装置。前記潜像の書込みエネルギーは、像担持体の帯電電位を最も減衰させる露光エネルギー以下であることを特徴とする請求項4または5に記載の潜像計測装置。潜像の画像部電位が感光体の飽和電位以下であることを特徴とする請求項4または5に記載の潜像計測装置。静電潜像を担持する感光体と、該感光体を帯電する帯電手段と、前記感光体上に画像情報に基づいて静電潜像を形成する露光手段と、該静電潜像を現像してトナー像化するための現像手段と、該トナー像を被転写体上に転写するための転写手段と、転写された被転写体上のトナー像を定着するための定着手段、及び、潜像測定装置を有する画像形成装置であって、前記潜像測定装置が、請求項1乃至7のいずれかに記載の潜像測定装置であることを特徴とする画像形成装置。プロセスコントロール実施時に潜像測定することを特徴とする請求項8に記載の画像形成装置。所定枚数の画像を形成した後に潜像測定することを特徴とする請求項8または9に記載の画像形成装置。本発明は、短時間で、感光体の劣化を正確に把握でき、かつ潜像の形状を予測できをる潜像計測装置の提供を目的とする。本発明者らが鋭意検討した結果、書き込み光に対する特定位置一箇所に検知光を照射することで、検知光及び暗減衰の影響を受けず、感光体の劣化を正確に短時間で把握できることを見いだした。上記課題は、本発明の、下記第1項~第10項によって解決される。1潜像書込装置により形成した像担持体の潜像に、露光とは別の光源からの検知光を照射し、像担持体の光減衰による表面電荷量の変化を誘導電流として検出する潜像測定方法を用いた潜像計測装置であって、前記検知光の照射が一箇所のみであることを特徴とする潜像計測装置、2前記検知光の照射位置が、潜像近傍の非画像部領域であることを特徴とする前記第1項に記載の潜像計測装置、3前記検知光の照射位置が、照射した書き込み光の副走査方向幅方向の端部から、非画像部方向に、潜像を形成したビームスポット径の1/2以上かつビームスポット径以下離れた非画像部領域であることを特徴とする前記第2項に記載の潜像計測装置。4前記検知光の照射位置が、書き込み光を照射した画像部領域であることを特徴とする前記第1項に記載の潜像計測装置、5前記検知光の照射位置が、照射した書き込み光の副走査方向幅方向の中央であることを特徴とする前記第4項に記載の潜像計測装置、6前記潜像の書込みエネルギーは、像担持体の帯電電位を最も減衰させる露光エネルギー以下であることを特徴とする前記第4項または第5項に記載の潜像計測装置、7潜像の画像部電位が感光体の飽和電位以下であることを特徴とする前記第4項または第5項に記載の潜像計測装置、8静電潜像を担持する感光体と、該感光体を帯電する帯電手段と、前記感光体上に画像情報に基づいて静電潜像を形成する露光手段と、該静電潜像を現像してトナー像化するための現像手段と、該トナー像を被転写体上に転写するための転写手段と、転写された被転写体上のトナー像を定着するための定着手段、及び、潜像測定装置を有する画像形成装置であって、前記潜像測定装置が、前記第1項乃至第7項のいずれかに記載の潜像測定装置であることを特徴とする画像形成装置、9プロセスコントロール実施時に潜像測定することを特徴とする前記第8項に記載の画像形成装置、10所定枚数の画像を形成した後に潜像測定することを特徴とする前記第8項または第9項に記載の画像形成装置。以下の詳細かつ具体的な説明から理解されるように、潜像の形状を正確に予測することができ、感光体の劣化を正確に把握できる潜像計測装置を提供できる。本発明の潜像計測装置について詳細に説明する。本発明の潜像計測装置は、潜像書込装置により形成した像担持体の潜像に、露光とは別の光源からの検知光を照射し、像担持体の光減衰による表面電荷量の変化を誘導電流として検出する潜像測定方法を用いた潜像計測装置であって、前記検知光の照射が一箇所のみである。本発明では、劣化していない感光体では潜像の非画像部となり、且つ劣化した感光体では、潜像の画像領域内となる位置、または、画像部領域の中央に検知光を照射して潜像をする。前記劣化していない感光体では潜像の非画像部となり、且つ劣化した感光体では、潜像の画像領域内となる位置としては、書き込み光の副走査方向幅方向の端部から非画像部方向に、潜像を形成したビームスポット径の1/2以上かつビームスポット径以下離れた非画像部領域であることが好ましい。前記位置の感光体電荷は、感光体の劣化に伴い、帯電量の変化量のもっとも大きい領域であり、この位置に検知光を照射して計測することにより精度のよい計測が可能となる。また、検知光照射位置が潜像から離れすぎると、潜像の劣化広がりが発生してもそれを検知することができない。よって、書き込み光の副走査方向幅方向の端部から潜像を形成したビームスポット径の1/2以上、かつ潜像を形成したビームスポット径以下離れた位置に検知光を照射すると精度のよい計測が可能となる。前記、ビームスポット径とは、1e2径をいう。本発明の誘導電流を用いた潜像計測装置を、図4を用いて説明する。潜像計測装置は、ドラム状に形成された感光体51を有し、この感光体51は、図4に示すように、時計方向に回転駆動される。このとき、感光体51の周面が帯電装置52によって帯電され、潜像書込装置53によって露光されて、感光体51に静電潜像が形成される。この静電潜像を潜像計測部54で潜像計測し、その後LED55で光照射して除電し、初期化される。潜像計測部は透明電極54.1と検知光を照射するレーザービーム光学系54.2、誘導電流を計測する計測部54.3を有する。透明電極54.1は、透明ガラスに透明導電性薄膜を成膜したもので、電極背面から感光体51に向けてレーザー光の照射が可能である。透明ガラスとしては石英ガラス等の透過波長域が広いものが望ましく、透明導電薄膜としてはITO膜が好ましく用いられるが、これ以外でも問題はない。透明導電膜の成膜は、ガラスの片側全面に成膜するものであっても、パターンマスクを用い、細線≦1mmでメッシュ状に成膜したものでもよい。メッシュ状に成膜する場合は[ITO成膜部分の面積/ITO成膜なし部分の面積]の面積比が0.2前後であるようにすると、透明電極を通過させる光が800nm以上の波長を含むとき、この波長の光を大きく損なうことなく通過させることができる。また、通過させる光がレーザである場合、レーザ入射側のガラス表面で反射したレーザが発光部に戻り、複合共振器を形成して、レーザ光に揺らぎが生じる、いわゆる戻り光ノイズを防ぐため、レーザ入射側の透明ガラスに反射防止膜をつけるのが好ましい。透明電極は感光体軸方向に配置されている。軸方向に長い一つの電極であってもよく、複数個の電極が軸方向に一定間隔で並んでいてもよい。これらの透明電極を感光体51に対して0.1mm程度のギャップになるよう配置する。この際に特許文献2特開2007-178322号公報に示されるギャップ調整用コロを設けるとドラム表面にキズをつけずに安定してデータを得ることができる。次に、検知光を照射するレーザービーム光学系54.2の説明を行う。使用する光源は感光体51が感度を有する波長のレーザー光源を用いることが望ましく、該レーザー光源が感光体51に与える露光エネルギーは、所定の帯電電位例えば-800Vを最も減衰する飽和電位例えば-100Vにするのに必要な露光エネルギー程度になるようLDパワーと点灯時間とを調整する。光パワーはレーザ駆動電流を調節して決め、レーザ点灯時間は感光体のキャリアトランジットタイムを基準-800Vにおけるトランジットタイムはおよそ300μsにこれ以下に設定するのが好ましい。これは測定される信号強度は電極に誘起される電荷密度の流れであり、時間が短い程、信号が大きくなるためである。また、LDのビームスポット径レーザビームは通常ガウシアン分布をしたビームを想定し、最大強度の1/e2約13.5の強度になる範囲位置直径は、検知光の信号強度誘導電流が計測できる程度に大きいことが望ましい。また、特許文献1特開2006-038666号公報にあるように、検知光を主走査方向にポリゴンミラーで走査することで副走査方向のサイズに比べて主走査方向のサイズを大きくすることにより検出信号のS/N比を向上させることが可能なラインLD等を用いることが望ましい。本発明は、これらのレーザービーム光学系を用いて、主走査方向、副走査方向に所望の位置に移動してから検知光を点灯させ、誘導電流を計測する。誘導電流を計測する計測部54.3は、電流を増幅する増幅器と信号を出力するオシロスコープからなる。また、検知光を照射するレーザービーム光学系54.2、誘導電流を計測する計測部54.3、感光体を駆動する駆動回転コントローラは、PCコントローラで制御されている。本発明の潜像計測装置は、画像形成装置に搭載することができる。本発明の潜像計測装置を画像形成装置に搭載することにより、経時変動や環境変動等による感光体特性変化に対応した制御が可能で安定した画像を形成できる画像形成装置の提供可能となる。図5に画像形成装置例を示す。画像形成装置はドラム状に形成された感光体7.1を有し、この感光体7.1は、図5に示す矢印C方向のように時計方向に回転駆動される。このとき、感光体7.1の周面が帯電装置7.2によって帯電される。その帯電後の感光体表面は書込ユニット7.9の露光装置7.3によって画像露光され、前記感光体7.1に静電潜像が形成される。この静電潜像は現像装置7.4によってトナー像として可視像化され、該トナー像は図示していない給紙装置から矢印A方向に給送された転写材Pに転写装置7.5の作用により転写される。トナー像を転写された転写材Pは定着装置7.6を通り、このときそのトナー像に熱及び/または圧力が与えられ、当該トナー像が転写材P上に定着される。トナー像転写後に感光体表面に付着する転写残トナーは、クリーニング装置7.7によって除去され、クリーニングされた感光体表面には除電ランプ7.8からの除電光が照射されて感光体の表面電位が初期化される。図5に示した例では、感光体上に形成されたトナー像を直に最終的な転写材Pに転写するように構成されているが、感光体上のトナー像を中間転写体より成る転写材に転写し、その中間転写体上のトナー像を最終転写材に転写するように構成することもできる。潜像計測装置7.10は、露光装置7.3と現像装置7.4の間に配置される。潜像計測装置7.10は先に説明したが、感光体と所定の距離の位置に配置される透明電極、レーザービーム光学系、誘導電流を計測する計測部から構成される。レーザービームの代わりに発光ダイオードLEDを使用してもよい。潜像電位計測は通常の画像形成時ではなく、起動時や一定枚数画像形成後、一定時間経過後等、画像形成装置を制御する時にあわせて行うとよい。潜像電位計測時は所定のテスト潜像パターンラインorドットを露光装置7.3により露光し、1ラインの潜像またはドット潜像にあたる感光体上の部位が信号検出部直前に来たところで帯電回転を停止、検知光を照射し、発生した誘導電流の計測を行う。次に、感光体ドラムを副走査方向の検知間隔になるまで感光体を回転移動例えば10μmして感光体を停止し、先の検知光照射位置から検知光の主走査方向のスポット径所定の間隔だけ主走査方向へ移動した位置に検知光を照射するようレーザービーム光学系を制御する。これらの検知光照射、誘導電流の測定を繰り返す。計測潜像のプロファイルに応じて、潜像がボケている場合には、感光体が劣化していると判断して本体の制御部へ通知することにより、感光体劣化に応じた制御が可能となる。このように、画像形成装置内に潜像計測装置を併設することにより、経時や環境で変動した感光体特性による潜像のボケを精度よく検出し、それに応じた制御を行うことが可能となる。また、現像装置や、感光体およびその周辺機器を、複数配置したカラー画像形成装置にも使用できる。図6に多色対応画像形成装置を示す。なお図中のYはイエロー、Mはマゼンダ、Cはシアン、Kはブラックの各色を示す。図6において、感光体81Y,81M81C81Kは矢印の方向に回転し、回転順に帯電器82Y,82M82C82K、現像器84Y,84M84C84K、転写用帯電手段86Y,86M86C86K、クリーニング手段85Y,85M85C,85Kが配備されている。帯電器82Y,82M82C82Kは、感光体表面を均一に帯電するための帯電装置を構成する帯電部材である。この帯電器と現像器84Y,84M84C84Kの間の感光体表面に書き込みユニットによりビームが照射され、感光体に静電潜像が形成されるようになっている。そして、静電潜像に基づき、現像器により感光体面上にトナー像が形成される。さらに、転写用帯電手段86Y,86M86C86Kにより、図示しない記録紙に各色順次転写トナー像が転写され、最終的に定着手段830により記録試に画像が定着する。潜像書込位置と各現像器84Y,84M84C84Kの間には潜像計測装置810Y,810M810C810Kが配置され、各感光体の状態を計測することが可能となる。潜像測定を実施するタイミングについて説明する。画像形成装置では経時や環境による変動に応じてプロセスを制御しプロセスコントロール、安定で高品質な画像形成を行っている。感光体の経時劣化や環境変動なども画像に非常に影響する。よって、プロセスコントロール実施時に潜像計測も同時に行い、潜像計測結果を本体の制御部へフィードバックしプロセスコントロールすることにより、感光体の経時や環境における変動を制御することが可能となる。感光体の経時劣化や環境変動に基いて本体の制御部へフィードバック場合のフローチャートを図7に示す。前記感光体の変動としては環境的な変動より、経時的な変動劣化が主に問題になり、感光体の劣化は画像形成枚数に依存しているため、潜像測定を実施するタイミングを、一定枚数以上画像形成後とすることができる。感光体の劣化としては、例えば、クリーニング部材による感光体磨耗や、感光体への放電時の放電生成物の付着による画像劣化が挙げられる。これらは使用条件や使用環境等により、発生時期は特定できないものの、画像形成枚数に応じて発生する現象であり、これらの劣化を予測したタイミング形成枚数時に計測することにより、感光体劣化に応じた制御が可能となる。感光体の経時劣化や環境変動に基いて本体の制御部へフィードバック場合のフローチャートを図8に示す。次に本発明の潜像測定の測定方法を実施例により、詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。実施例1下記の条件で潜像を書き込み誘導電流を測定した。まず、感光体ドラムを回転させ、帯電装置52による帯電し、潜像書き込み装置53により潜像の書き込みを行う。潜像は主走査方向のライン潜像を形成し、その幅副走査方向幅は2ドットラインを形成し、そのライン幅は約100μmである。次に、ライン潜像を形成した感光体上の下記の位置が、信号検出部直前にきたところで帯電回転を停止、検知光を照射する。検知光の照射は任意波形発生装置を使用し、OneshotPulseを発生させトリガーとして行った。このとき発生した電位減衰=電荷変化による誘導電流変位電流を測定する。また、検知光による生成キャリアが移動するまでのトランジットタイムを考慮し計測を行った。なお、-800Vにおけるトランジットタイムはおよそ300μsである。主走査方向の位置の制御はポリゴンミラー等を使用したスキャンをもちいて、点灯開始時間だけを制御する。また、感光体回転時は除電ランプをONし、表面の電荷を除電する。感光体ドラム:積層OPC有機光半導体ドラム60mmφ×334mm長帯電電位:800‐V書込みレーザビーム径1e2径:主走査方向50μm×副走査方向60μmレーザビーム径1e2径:主走査方向24μm×副走査方向24μmレーザビーム波長:655nm露光エネルギー:0.3μJ/cm2感光体帯電電位800Vを100Vにするための必要露光エネルギーレーザのトリガー:任意波形発生装置アジレントテクノロジーHP33120Aを使用点灯パルス幅2μs検知光照射位置:書き込み光を照射した副走査方向の上端部から、約50μm上の非画像部図9中1の位置従来は、一回の検知光照射ではなく、感光体ドラムを副走査方向の検知間隔になるまでOPCを回転移動して回転を停止、検知光照射、誘導電流の測定を繰り返す潜像計測方法であった。誘導電流は感光体上が帯電している場合、その帯電電荷量に応じた誘導電流が計測され、誘導電流は感光体上にたくさん電荷が乗っている非画像部に比べ、画像部では感光体上の電荷量が減少するため少なくなる。また誘導電流は電流が計測された時間を乗じて誘導電荷量に換算することができる。この従来の計測方向と一度の検知光照射のみ得られた計測潜像プロファイルの比較を行った結果、従来の方式では誘導電荷量が600μCm2であるのに比べて700μCm2図9×印と10程度計測電流量が多くなっており、非画像部の電荷量と同等の誘導電荷量を計測できていることが確認できた。本発明の潜像測定方法を、劣化していない感光体に形成される潜像の非画像部に照射する場合を例に、図9により説明する。従来方法で測定した結果を点線、本発明の潜像測定方法で測定した結果を×で示す。検知光を複数回照射する従来の方法では、計測に数秒から十数秒かかるため、劣化していない感光体を測定しても、検知光及び暗減衰の影響を受けて潜像のボケが生じ、誘導電荷量が非画像部の電荷量よりも-600μC/m2と少なく測定されているのに対し、検知光の照射が一箇所である本発明の方法では、非画像部の電荷量と同等の-700μC/m2図9の×印の誘導電荷量が測定され、検知光を複数回照射して測定する従来の測定方法よりも非画像部の電荷量に近い値が測定され、感光体の劣化を正確かつ迅速に把握できていることが分かる。また、劣化していない感光体と、劣化した感光体に照射する場合を例に、図10により説明する。劣化した感光体の潜像は図10の太線のようにブロードになっていると予測される。劣化前後の感光体において同位置で計測した場合、劣化前の感光体潜像計測結果図中×印に比べて劣化感光体における潜像計測結果はであり、劣化した感光体から得られる誘導電荷量が、劣化していない感光体から得られる誘導電荷量より少なくなっており、潜像の形状が広く浅く形成され、感光体が劣化していることを把握できる。なお、上記実施例では、書き込み光を照射した副走査方向の上端部から約50μm上の非画像部に検知光を照射した場合について示したが、書き込み光を照射した副走査方向の下端部から約50μm下の非画像部に検知光を照射した場合でも同様の効果が得られる。検知光の径が主副同等なものについて説明を行ったが、ラインLDのような主走査方向に幅の広いLDを使用し、検知光照射時の誘導電流量が増加させ、計測制度を向上することも可能である。また、上記実施例では、検知光にLDを用いたが、LEDを使用することも可能である。潜像は検知光照射時の誘導電流が計測しやすい主走査方向のライン潜像が望ましいが、ドット潜像等でも計測が可能である。実施例2検知光照射位置:副走査方向上端部照射位置から30μm上方の非画像部上記実施例1の測定位置を示す図1の1よりも潜像側の位置に代える他は実施例1と同様にして潜像を測定した。上記照射位置は、感光体の劣化に対して潜像の変化量が最も大きい位置であり、形状変化を計測しやすい位置である。劣化していない通常の感光体では、書き込み光を照射した端部から、潜像を形成したビームスポット半径以上離れた位置では露光時の光エネルギーが小さいため、感光体の電荷はあまり減衰しない。本実施例で測定された劣化していない感光体の誘導電荷量は-700μC/m2であった。これに対し、劣化した感光体を測定した結果、潜像の劣化に伴い約-500μC/m2程度まで低下していた。この位置の感光体電荷は、感光体の劣化に伴い、帯電量の変化量のもっとも大きい領域であり、この位置に検知光を照射して計測することにより精度のよい計測が可能であることが分かる。実施例3潜像形状を主走査方向の3ドットラインライン幅は約150μmとし、検知光照射位置を、書き込み光を照射した画像部の副走査方向中央部とする他は実施例1と同様にして潜像を測定した。劣化した感光体では、劣化してない感光体に比し、形成される潜像が広く浅くなる。本実施例で測定された劣化していない感光体の誘導電荷量は、-100μC/m2であるのに対し、劣化した感光体の誘導電荷量は、-150μC/m2であった。上記結果は、劣化した感光体から得られる誘導電荷量が、劣化していない感光体から得られる誘導電荷量よりも小さくなっており、感光体の劣化により形成される潜像が広く浅くなっていることを捉えており、書き込み光を照射した画像部の副走査方向中央部を計測することにより、感光体の劣化を計測することが可能であることが分かる。実施例4書込露光エネルギーを0.15μJ/cm2感光体帯電電位800Vを100Vにするための必要露光エネルギーの1/2にする他は実施例3と同様にして潜像を測定した。劣化していない通常の感光体を使用した場合の書き込み光を照射した潜像副走査方向中央部の潜像電荷量は約-350μC/m2であった。これに対し、劣化感光体の潜像は約-450μC/m2と増加した。必要露光エネルギー以下本実施例では1/2にしたことにより、劣化感光体に書き込み光を照射しても、書き込み光に対して鈍感になり、画像部の電位があまり変化しないのに対し、劣化していない感光体では電位が感度の高い領域になり、画像部の電位が大きく変化するため、劣化感光体からの電荷量と劣化していない感光体からの電荷量との比が大きくなり、より精度の高い計測をすることが可能となることが分かる。実施例5潜像形状を2ドット主走査方向ライン副走査方向のライン幅は約100μmにする他は実施例3と同様にして潜像を測定した。劣化していない通常の感光体を使用した場合の書き込み光を照射した潜像副走査方向中央部の潜像電荷量は約-400μC/m2であった。これに対し、劣化感光体の潜像は約-550μC/m2と増加した。潜像を小さくすることにより画像部の電位は感光体の飽和電位より非画像部電位に近い電位となり、実施例4と同様に、画像部の電位が感度の高い領域になり、感光体の劣化時の変化量が大きくなって、精度の高い計測をすることが可能となる。本実施例では2ドットット主走査方向ライン副走査方向のライン幅は約100μmについて説明を実施しているが、画像部の電位が飽和電位より非画像部電位に近くなれば同様の効果となり、ドットもしくはラインの大きさはこれに限るものではない。図4について51感光体52帯電装置53潜像書込装置54潜像計測部54.1透明電極54.2レーザービーム光学系54.3誘導電流を計測する計測部55LED図5について7.1感光体7.2帯電装置7.3露光装置7.4現像装置7.5転写装置7.6定着装置7.7クリーニング装置7.8除電ランプ7.9書込ユニット7.10潜像計測装置図6について81Y,81M81C81K感光体82Y,82M82C82K帯電器84Y,84M84C84K現像器85Y,85M85C,85Kクリーニング手段86Y,86M86C86K転写用帯電手段88転写ベルト810Y,810M810C810K潜像計測装置820書込ユニット830定着手段"