"互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、前記複数の基板のうち少なくとも一つの基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記複数の基板の外側とを導通させる貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、前記貫通電極形成工程は、前記基板に前記貫通電極を配置するための凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部内に金属ピンを挿入する金属ピン配置工程と、前記金属ピンの外周面および前記凹部の内周面に被膜を形成する成膜工程と、前記凹部と前記金属ピンとの間にガラスフリットを充填する充填工程と、前記凹部内に充填された前記ガラスフリットを加熱して硬化させる加熱硬化工程と、前記基板の少なくとも一面を研磨して前記金属ピンを露出させる研磨工程と、を有し、前記被膜は、前記金属ピンよりも前記ガラスフリットとの濡れ性が大きい材料で形成されていることを特徴とするパッケージの製造方法。前記被膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載のパッケージの製造方法。前記成膜工程は、スパッタ法を用いて行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパッケージの製造方法。前記金属ピン配置工程では、外周面に金属酸化膜が形成された前記金属ピンを前記凹部内に挿入することを特徴とする請求項1ないし請求項3の何れか1項に記載のパッケージの製造方法。請求項1ないし請求項4の何れか1項に記載のパッケージの製造方法を用いて製造されたことを特徴とするパッケージ。互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージであって、前記複数の基板のうち少なくとも一つの基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記複数の基板の外側とを導通する貫通電極を備えており、前記貫通電極は、前記基板を貫通する貫通孔内に配置された金属ピンと、前記金属ピンの外周面および前記凹部の内周面に形成された被膜と、前記貫通孔と前記金属ピンとの間に前記被膜を介して充填されたガラスフリットと、を有し、前記被膜は、前記金属ピンよりも前記ガラスフリットとの濡れ性が大きい材料で形成されていることを特徴とするパッケージ。請求項5または6記載のパッケージの前記キャビティ内に圧電振動片が気密封止されてなることを特徴とする圧電振動子。請求項7記載の前記圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。請求項7記載の前記圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。請求項7記載の前記圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。図14cに示す脱バインダ工程では、ガラスフリット33をガラス転移点以上に加熱するため、ガラス粒子の一部が溶融を始める。貫通孔21は、ガラス材料からなるベース基板に形成されているため、貫通孔21の内周面とガラスフリット33との濡れ性は大きい。これに対して、金属ピン30の芯材部31とガラスフリット33との濡れ性は小さい。そのため、ガラス粒子が溶融を始めたガラスフリット33は、芯材部31の外周面から剥離して、貫通孔21の内周面に引き寄せられる。これにより、芯材部31の周囲に隙間90が形成される。その後、図14dに示すように焼成工程を行うと、ガラス粒子の溶融したガラスフリット33が流動して、芯材部31の外周面に再付着する。この再付着は芯材部31の周方向において不均一に発生するので、最初に再付着した方向の反対側へ芯材部31が倒される。これにより、金属ピン30が傾いた状態でベース基板用ウエハ40と一体化されるという問題がある。なお、脱バインダ工程における芯材部31からのガラスフリット33の剥離も、芯材部31の周方向において不均一に発生する。そのため、最初に剥離した方向の反対側へ芯材部31が引き寄せられ、脱バインダ工程の段階で金属ピン30が傾く場合もある。その後、図14dに示すように焼成工程を行うと、金属ピン30が傾いた状態でベース基板用ウエハ40と一体化されることになる。この状態から、芯材部31を露出させるためにベース基板用ウエハ40の両面を研磨すると、傾いた金属ピン30の土台部32に研磨応力が集中し、ベース基板用ウエハ40が破損することになる。そこで本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、貫通電極の形成時に金属ピンの傾きを防止することができるパッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器、及び電波時計を提供することを目的とする。上述した課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明のパッケージの製造方法は、互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、前記複数の基板のうち少なくとも一つの基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記複数の基板の外側とを導通させる貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、前記貫通電極形成工程は、前記基板に前記貫通電極を配置するための凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部内に金属ピンを挿入する金属ピン配置工程と、前記金属ピンの外周面および前記凹部の内周面に被膜を形成する成膜工程と、前記凹部と前記金属ピンとの間にガラスフリットを充填する充填工程と、前記凹部内に充填された前記ガラスフリットを加熱して硬化させる加熱硬化工程と、前記基板の少なくとも一面を研磨して前記金属ピンを露出させる研磨工程と、を有し、前記被膜は、前記金属ピンよりも前記ガラスフリットとの濡れ性が大きい材料で形成されていることを特徴としている。この構成によれば、成膜工程により金属ピンの外周面に濡れ性を付与することができるので、加熱硬化工程においてガラスフリットが金属ピンの外周面から剥離するのを防止できる。また、成膜工程により凹部の内周面にも濡れ性を付与することができるので、加熱硬化工程においてガラスフリットが貫通孔の内周面から剥離するのも防止できる。そのため、ガラスフリットにより金属ピンが特定方向に倒されたり引き寄せられたりすることがなくなり、貫通電極の形成時に金属ピンの傾きを防止することができる。また、前記被膜は、シリコン酸化膜であることが好ましい。また、前記成膜工程は、スパッタ法を用いて行うことを特徴としている。この構成によれば、シリコン酸化膜はガラスフリットとの濡れ性に優れているので、金属ピンの傾きを確実に防止することができる。また、前記金属ピン配置工程では、外周面に金属酸化膜が形成された前記金属ピンを前記凹部内に挿入することが望ましい。この構成によれば、金属酸化膜は金属ピン自体よりもガラスフリットとの濡れ性が大きいので、ガラスフリットと金属ピンとの密着性を向上させることができる。また、本発明のパッケージは、上述したパッケージの製造方法を用いて製造されたことを特徴としている。また、互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージであって、前記複数の基板のうち少なくとも一つの基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記複数の基板の外側とを導通する貫通電極を備えており、前記貫通電極は、前記基板を貫通する貫通孔内に配置された金属ピンと、前記金属ピンの外周面および前記凹部の内周面に形成された被膜と、前記貫通孔と前記金属ピンとの間に前記被膜を介して充填されたガラスフリットと、を有し、前記被膜は、前記金属ピンよりも前記ガラスフリットとの濡れ性が大きい材料で形成されていることを特徴とする。この構成によれば、貫通電極の形成時に金属ピンの傾きを防止することができる。その結果、ベース基板の研磨時において、傾いた金属ピンに研磨応力が集中することがなくなり、ベース基板の破損を防止することができる。これにより、製品の不良率が低下するので、低コストのパッケージを提供することができる。また、本発明に係る圧電振動子は、上記本発明のパッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴としている。この構成によれば、低コストのパッケージを備えているので、低コストの圧電振動子を提供できる。また、本発明の発振器は、上記本発明の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴としている。また、本発明の電子機器は、上記本発明の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴としている。また、本発明の電波時計は、上記本発明の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴としている。本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上記本発明の圧電振動子を備えているので、低コストの製品を提供できる。本発明のパッケージの製造方法及びパッケージによれば、貫通電極の形成時に金属ピンの傾きを防止することができる。その結果、ベース基板の研磨時において、傾いた金属ピンに研磨応力が集中することがなくなり、ベース基板の破損を防止することができる。これにより、製品の不良率が低下するので、低コストのパッケージを提供することができる。また、本発明に係る圧電振動子によれば、低コストのパッケージを備えているので、低コストの圧電振動子を提供できる。本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上記本発明の圧電振動子を備えているので、低コストの製品を提供できる。以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。圧電振動子図1は、本実施形態における圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図である。また図2aは圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図2bは図2aに示すA-A線に沿った圧電振動子の断面図であり、図3は圧電振動子の分解斜視図である。なお図2では、後述するシリコン酸化膜36図10参照の図示を省略している。図1~図3に示すように、本実施形態の圧電振動子1は、ベース基板第1基板2及びリッド基板3が接合材23を介して陽極接合された箱状のパッケージ10と、パッケージ10のキャビティC内に収納された圧電振動片電子部品5とを備えた表面実装型の圧電振動子1である。そして、圧電振動片5とベース基板2の裏面2aに設置された外部電極6,7とが、ベース基板2を貫通する一対の貫通電極8,9によって電気的に接続されている。ベース基板2は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。ベース基板2には、一対の貫通電極8,9が形成される一対の貫通孔凹部21,22が形成されている。貫通孔21,22は、ベース基板2の裏面2aから表面2bに向かって漸次径が縮径した断面テーパ形状をなしている。リッド基板3は、ベース基板2と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板2に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。そして、リッド基板3の内面3b側には、圧電振動片5が収容される矩形状の凹部3aが形成されている。この凹部3aは、ベース基板2及びリッド基板3が重ね合わされたときに、圧電振動片5を収容するキャビティCを形成する。そして、リッド基板3は、凹部3aをベース基板2側に対向させた状態でベース基板2に対して接合材23を介して陽極接合されている。すなわち、リッド基板3の内面3b側は、中央部に形成された凹部3aと、凹部3aの周囲に形成され、ベース基板2との接合面となる額縁領域3cとを構成している。圧電振動片5は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。この圧電振動片5は、平行に配置された一対の振動腕部24,25と、一対の振動腕部24,25の基端側を一体的に固定する基部26とからなる音叉型で、一対の振動腕部24,25の外表面上には、振動腕部24,25を振動させる図示しない一対の第1の励振電極と第2の励振電極とからなる励振電極と、第1の励振電極及び第2の励振電極と後述するベース基板2上の引き回し電極27,28とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している何れも不図示。このように構成された圧電振動片5は、図2に示すように、金等のバンプBを利用して、ベース基板2の表面2bに形成された引き回し電極27,28上にバンプ接合されている。より具体的には、圧電振動片5の第1の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプBを介して一方の引き回し電極27上にバンプ接合され、第2の励振電極が他方のマウント電極及びバンプBを介して他方の引き回し電極28上にバンプ接合されている。これにより、圧電振動片5は、ベース基板2の表面2bから浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極27,28とがそれぞれ電気的に接続された状態となる。外部電極6,7は、ベース基板2の裏面2aにおける長手方向の両側に設置されており、各貫通電極8,9及び各引き回し電極27,28を介して圧電振動片5に電気的に接続されている。より具体的には、一方の外部電極6は、一方の貫通電極8及び一方の引き回し電極27を介して圧電振動片5の一方のマウント電極に電気的に接続されている。また、他方の外部電極7は、他方の貫通電極9及び他方の引き回し電極28を介して、圧電振動片5の他方のマウント電極に電気的に接続されている。貫通電極8,9は、焼成によって貫通孔21,22に対して一体的に固定された筒体29及び芯材部31によって形成されたものであり、貫通孔21,22を完全に塞いでキャビティC内の気密を維持しているとともに、外部電極6,7と引き回し電極27,28とを導通させる役割を担っている。具体的に、一方の貫通電極8は、外部電極6と基部26との間で引き回し電極27の下方に位置しており、他方の貫通電極9は、外部電極7と振動腕部25との間で引き回し電極28の下方に位置している。筒体29は、ペースト状のガラスフリット33図8参照が焼成されたものである。筒体29は、両端が平坦で且つベース基板2と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体29の中心には、後述するシリコン酸化膜36を介して、芯材部31が筒体29の中心孔を貫通するように配されている。また、本実施形態では貫通孔21,22の形状に合わせて、筒体29の外形が円錐台状断面テーパ状となるように形成されている。そして、この筒体29は、貫通孔21,22内に埋め込まれた状態で焼成されており、これら貫通孔21,22に対して後述するシリコン酸化膜36を介して強固に固着されている。上述した芯材部31は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材である。その金属材料として、鉄を58重量パーセント、ニッケルを42重量パーセント含有する合金42アロイが採用されている。芯材部31は、筒体29と同様に両端が平坦で、かつベース基板2の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。なお、貫通電極8,9が完成品として形成された場合には、上述したように芯材部31は、円柱状でベース基板2の厚さと同じ厚さとなるように形成されているが、製造過程では、後述する図7に示すように、芯材部31の一方の端部に連結された平板状の土台部32とともに鋲体型の金属ピン30を形成している。なお、金属ピン30は、その全体少なくとも芯材部31の外周面が、酸化鉄膜金属酸化膜34図10参照で覆われている。酸化鉄膜34は、鉄材料の金属ピン30を熱酸化することで形成される。リッド基板3の内面3b全体には、陽極接合用の接合材23が形成されている。具体的に、接合材23は、額縁領域3c及び凹部3aの内面全体に亘って形成されている。本実施形態の接合材23はSi膜で形成されているが、接合材23をAl膜で形成することも可能である。なお接合材として、ドーピング等により低抵抗化したSiバルク材で形成することも可能である。そして後述するように、この接合材23とベース基板2とが陽極接合され、キャビティCが真空封止されている。このように構成された圧電振動子1を作動させる場合には、ベース基板2に形成された外部電極6,7に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片5の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部24,25を接近離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部24,25の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。圧電振動子の製造方法次に、上述した圧電振動子の製造方法について説明する。図4は、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法のフローチャートである。図5は、ウエハ接合体の分解斜視図である。以下には、複数のベース基板2が連なるベース基板用ウエハ40と、複数のリッド基板3が連なるリッド基板用ウエハ50との間に複数の圧電振動片5を封入してウエハ接合体60を形成し、ウエハ接合体60を切断することにより複数の圧電振動子1を同時に製造する方法について説明する。なお、図5に示す破線Mは、切断工程で切断する切断線を図示したものである。図4に示すように、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程S10と、リッド基板用ウエハ作製工程S20と、ベース基板用ウエハ作製工程S30と、組立工程S40以下とを有している。そのうち、圧電振動片作製工程S10、リッド基板用ウエハ作製工程S20及びベース基板用ウエハ作製工程S30は、並行して実施することが可能である。初めに、圧電振動片作製工程を行って図1~図3に示す圧電振動片5を作製するS10。また、圧電振動片5を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、パッケージ10への圧電振動片5のマウント後に行う。リッド基板用ウエハ作製工程次に、図4,図5に示すように、後にリッド基板3となるリッド基板用ウエハ50を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するリッド基板用ウエハ作製工程を行うS20。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ50を形成するS21。次いで、リッド基板用ウエハ50の第1面50a図5における下面に、エッチング等により行列方向にキャビティC用の凹部3aを複数形成する凹部形成工程を行うS22。次に、後述するベース基板用ウエハ40との間の気密性を確保するために、ベース基板用ウエハ40との接合面となるリッド基板用ウエハ50の第1面50a側を少なくとも研磨する研磨工程S23を行い、第1面50aを鏡面加工する。次に、リッド基板用ウエハ50の第1面50a全体ベース基板用ウエハ40との接合面及び凹部3aの内面に接合材23を形成する接合材形成工程S24を行う。このように、接合材23をリッド基板用ウエハ50の第1面50a全体に形成することで、接合材23のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。なお、接合材23の形成は、スパッタやCVD等の成膜方法によって行うことができる。また、接合材形成工程S24の前に接合面を研磨しているので、接合材23の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ40との安定した接合を実現することができる。以上により、リッド基板用ウエハ作製工程S20が終了する。ベース基板用ウエハ作製工程次に、上述した工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板2となるベース基板用ウエハ40を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するベース基板用ウエハ作製工程を行うS30。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ40を形成するS31。貫通電極形成工程次いで、ベース基板用ウエハ40を厚さ方向に貫通し、キャビティCの内側と圧電振動子1の外側とを導通する貫通電極8,9図2b参照を形成する貫通電極形成工程S32を行う。以下に、貫通電極形成工程S32について詳細を説明する。図6はベース基板用ウエハの断面図であって、貫通孔形成工程及び金属ピン配置工程を説明するための工程図である。貫通電極形成工程S32では、まず図6aに示すように、ベース基板用ウエハ40を貫通する一対の貫通孔21,22を複数形成する貫通孔形成工程S33:凹部形成工程を行う。具体的には、プレス加工等によりベース基板用ウエハ40の第1面40aから凹部を形成した後、少なくともベース基板用ウエハ40の第2面40b側から鎖線部T1まで研磨することで、凹部を貫通させて、貫通孔21,22を形成することができる。これにより、ベース基板用ウエハ40ベース基板2の第2面40b側から第1面40a側に向かって漸次内径が大きくなるように貫通孔21,22を形成することができる。続いて図6bに示すように、貫通孔形成工程S33で形成された複数の貫通孔21,22内に、金属ピンの芯材部31を配置する金属ピン配置工程を行うS34A。図7は金属ピンの斜視図である。図7に示すように、金属ピン30は、平板状の土台部32と、土台部32上から土台部32の表面に略直交する方向に沿ってベース基板用ウエハ40の厚さよりも僅かに短い長さで形成されるとともに、先端が平坦に形成された芯材部31と、を有している。そして、図6bに示すように、貫通孔21,22の小径側ベース基板用ウエハ40の第2面40b側から金属ピン30の芯材部31を挿入する。この時、上述した金属ピン30の土台部32の表面がベース基板用ウエハ40の第2面40bに接触するまで、芯材部31を挿入する。ここで、芯材部31の軸方向と貫通孔21,22の軸方向とを略一致するように金属ピン30を配置する必要がある。しかしながら、土台部32上に芯材部31が形成された金属ピン30を利用するため、土台部32をベース基板用ウエハ40に接触させるまで押し込むだけの簡単な作業で、芯材部31の軸方向と貫通孔21,22の軸方向とを略一致させることができる。したがって、金属ピン配置工程S34時における作業性を向上することができる。なお、金属ピン30を挿入した後には、この状態を維持するために、ベース基板用ウエハの第2面40bにラミネート材35を貼り付けて、金属ピン30の露出部分土台部32を覆うのが好ましい。このラミネート材35は、例えば、紙製のテープ本体にアクリル系などの熱可塑性粘着剤が塗布されたものである。成膜工程さらに、図6cに示すように、貫通孔21,22に金属ピン30の芯材部31を挿入した状態で、貫通孔21,22の内周面および芯材部31の外周面に被膜を形成する成膜工程、S34B。被膜として、芯材部31よりもガラスフリットとの濡れ性が大きいシリコン酸化膜36を形成する。なお被膜として、芯材部31よりもガラスフリットとの濡れ性が大きい酸化チタン膜を形成してもよい。シリコン酸化膜36は、スパッタ処理により0.5~1.0μm程度の厚さに形成する。充填工程次いで、貫通孔21,22と芯材部31との間にガラスフリットを充填する充填工程S35を行う。図8はベース基板用ウエハの断面図であって、充填工程を説明するための工程図である。図8aに示すように、金属ピン30がセットされたベース基板用ウエハ40を真空印刷装置内に搬送し、貫通孔21,22内にペースト状のガラスフリット33を充填する。本実施形態の充填工程S35では、貫通孔21,22の大径側ベース基板用ウエハ40の第1面40a側からガラスフリット33を充填する。本実施形態で用いるガラスフリット33は、粉末状のガラス粒子と、有機溶剤と、エチルセルロース等からなるバインダとが主に配合されてなるペースト材である。まず、第1スキージ45の走査方向手前側にガラスフリット33を供給する。続いて、第1スキージ45をベース基板用ウエハ40の第1面40aに沿って走査する第1走査工程S35A。この際、ベース基板用ウエハ40の第1面40aと第1スキージ45の走査面とが平行となるように、例えばベース基板用ウエハ40の径方向一端側から他端側に向けて第1スキージ45を走査する図8a矢印参照。第1スキージ45を走査すると、第1スキージ45の先端により第1スキージ45の走査方向に沿って押し流されるようにガラスフリット33が流動する。これにより、ベース基板用ウエハ40上に沿ってガラスフリット33が均される。そして、貫通孔21,22の開口縁に沿って第1スキージ45を走査する際に、第1スキージ45の先端によって開口縁近傍のガラスフリット33が、貫通孔21,22内に押し流されるように流動する。その結果、貫通孔21,22内にガラスフリット33が充填される図8b参照。第1走査工程S35Aの終了後、ベース基板用ウエハ40の第1面40a上に残存している余分なガラスフリット33を除去する第2走査工程S35Bを行う。具体的には、図8cに示すように、第2スキージ46の先端をベース基板用ウエハ40の第1面40aに接触させた状態で、上述した第1スキージ45の走査条件と同様の条件によって第1スキージ45の走査方向とは逆方向例えば、ベース基板用ウエハ40の径方向他端側から一端側に沿って走査する図8c中矢印参照。これにより、図8cに示すように、貫通孔21,22の外部ベース基板用ウエハ40の第1面40a上に存在するガラスフリット33を除去できる。加熱硬化工程次に、貫通孔21,22内に充填されたガラスフリット33を加熱して硬化させる加熱硬化工程を行う。加熱硬化工程として、仮乾燥工程S36、脱バインダ工程S37および焼成工程S38を行う。図9は、ベース基板用ウエハの断面図であって、仮乾燥工程以降を説明するための工程図である。まず、図9aに示すように、充填工程S35で埋め込んだガラスフリット33を仮乾燥させる仮乾燥工程を行うS36。具体的には、ガラスフリット33が充填されたベース基板用ウエハ40を、乾燥炉内に搬送する。そして、乾燥炉内を例えば大気圧雰囲気下で80°C程度に保持し、ベース基板用ウエハ40を30分程度乾燥させる。ここで、ガラスフリット33に配合されている有機溶剤の沸点は85°Cより低い。したがって、仮乾燥工程S36において、ガラスフリット33に配合される有機溶剤が蒸発して除去される。この仮乾燥工程は、ベース基板用ウエハ40の第2面40bにラミネート材35を貼り付けた状態で行う。このラミネート材35の耐熱温度は100°C程度であるため、仮乾燥工程が終了した後、次の脱バインダ工程S37に移行する前に、ラミネート材35を除去する。次に、図9bに示すように、ガラスフリット33内に含まれるバインダを除去する脱バインダ工程を行うS37。具体的には、仮乾燥工程S36を終えたベース基板用ウエハ40を加熱炉のチャンバー内に移し、加熱炉内を例えば大気雰囲気下で480°C程度に保持し、ベース基板用ウエハ40を1時間程度加熱する。ガラスフリット33に配合されたバインダエチルセルロースの沸点は約350°C程度であるため、上記加熱によりバインダが除去される。脱バインダ工程では、ガラスフリット33をガラス転移点440°C以上に加熱するため、ガラスフリット33に含まれるガラス粒子の一部が溶融を始める。ここで、芯材部31とガラスフリット33との濡れ性は小さいが、芯材部31の外周面に形成されたシリコン酸化膜36とガラスフリット33との濡れ性は大きい。そのため、ガラスフリット33が芯材部31の外周面から剥離して、芯材部31の周囲に隙間が形成されることはない。また、貫通孔21,22の内周面にもシリコン酸化膜36が形成されているので、ガラスフリット33が貫通孔21,22の内周面から剥離することもない。したがって、ガラスフリット33により芯材部31が特定方向に引き寄せられることがなくなり、金属ピン30が傾くのを防止することができる。上述したように、脱バインダ工程は、ベース基板用ウエハ40の第2面40bからラミネート材35を剥がした状態で行う。また脱バインダ工程は、加熱炉内の平坦なステージ上にベース基板用ウエハ40を配置して行うが、ベース基板用ウエハ40には反りがあるため、一部の金属ピン30とステージとの間には隙間が存在する。この場合でも、本実施形態によれば、金属ピン30が傾くのを防止することができるのである。次に、図9cに示すように、ガラスフリット33中に含まれるガラス粒子を焼成して筒体29図2b参照を形成する焼成工程S38を行う。具体的には、脱バインダ工程S37を終えたベース基板用ウエハ40を焼成炉のチャンバー内に移し、焼成炉内を減圧した状態で例えば580°C程度に保持する。ガラスフリット33に含まれるガラス粒子の融点は、一般的に約500°C~600°C程度であるため、上記加熱によりガラス粒子が溶融する。この状態でガラスフリット33を30分程度焼成した後、ベース基板用ウエハ40を常温雰囲気下で放置して冷却する。これにより、ガラスフリット33が固化して筒体29となり、この筒体29と芯材部31及び貫通孔21,22とが互いに固着する。上述した本実施形態の脱バインダ工程では、ガラスフリット33が芯材部31の外周面から剥離して芯材部31の周囲に隙間が形成されることがない。そのため、焼成工程においてガラスフリット33が芯材部31の外周面に再付着することもない。したがって、ガラスフリット33により芯材部31が特定方向に倒されることがなくなり、金属ピン30が傾くのを防止することができる。また、脱バインダ工程において芯材部31の周囲に隙間が形成されないので、焼成工程後にその隙間が気泡となって残ることもない。その結果、貫通孔21,22及び芯材部31と筒体29との密着性を向上させ、キャビティC内の気密性を維持できる。また、筒体29に凹み等が形成されるのを抑制し、貫通電極8,9を覆うように形成される電極膜例えば、外部電極6,7や引き回し電極27,28に段切れが発生するのを抑制し、キャビティCの内部と外部との導通性を確保できる。次いで、ベース基板用ウエハ40を研磨する研磨工程を行うS38。図9dは、ベース基板用ウエハの断面図であって、研磨工程を説明するための工程図である。まず、図9dに示すように、焼成後にベース基板用ウエハ40の第2面40b側を研磨して金属ピン30の土台部32を除去する。これにより、芯材部31を位置決めさせる役割を果たしていた土台部32を除去することができ、芯材部31のみを筒体29の内部に取り残すことができる。上述したように、本実施形態の加熱硬化工程では、金属ピン30が傾くのを防止することができる。そのため、傾いた金属ピン30の土台部32に研磨応力が集中することがなくなり、ベース基板用ウエハ40が破損するのを防止することができる。続けて、両面研磨装置によりベース基板用ウエハ40の両面を研磨し、ベース基板用ウエハ40の第1面40a側を鎖線部T3まで研磨して芯材部31の先端を露出させるとともに、第2面40b側を鎖線部T2まで研磨する。その結果、筒体29と芯材部31とが一体的に固定された一対の貫通電極8,9を複数得ることができる。次に、ベース基板用ウエハ40の第2面40bに導電性材料をパターニングして、引き回し電極形成工程を行うS39。このようにして、ベース基板用ウエハ作製工程S30が終了する。図10は、ベース基板用ウエハ作製工程S30が終了した後の貫通電極の拡大断面図である。図10に示すように、貫通孔21,22の内周面と芯材部31の外周面とには、シリコン酸化膜36が予め形成されている。これにより、貫通孔21,22とガラスフリット33との間、及び、芯材部31とガラスフリット33との間の濡れ性が高く確保され、脱バインダ工程S37および焼成工程S38の各工程における所定温度の加熱時に、金属ピン30が傾くのを防止することができる。しかも、芯材部31の外周面には、鉄材料を含む芯材部31よりガラスフリットとの濡れ性が大きい酸化鉄膜34が形成されているので、芯材部31とガラスフリット筒体29との密着性を向上させることができる。組立工程次に、ベース基板用ウエハ作製工程S30で作製されたベース基板用ウエハ40の各引き回し電極27,28上に、圧電振動片作製工程S10で作製された圧電振動片5を、それぞれ金等のバンプBを介してマウントするS40。そして、上述した各ウエハ40,50の作製工程で作製されたベース基板用ウエハ40及びリッド基板用ウエハ50を重ね合わせる、重ね合わせ工程を行うS50。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ40,50を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片5が、リッド基板用ウエハ50に形成された凹部3aとベース基板用ウエハ40とで囲まれるキャビティC内に収納された状態となる。重ね合わせ工程S50後、重ね合わせた2枚のウエハ40,50を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構によりウエハの外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行うS60。具体的には、接合材23とリッド基板用ウエハ50との間に所定の電圧を印加する。すると、接合材23とリッド基板用ウエハ50との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片5をキャビティC内に封止することができ、ベース基板用ウエハ40とリッド基板用ウエハ50とが接合されたウエハ接合体60を得ることができる。そして、本実施形態のように両ウエハ40,50同士を陽極接合することで、接着剤等で両ウエハ40,50を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃等によるずれ、ウエハ接合体60の反り等を防ぎ、両ウエハ40,50をより強固に接合することができる。その後、一対の貫通電極8,9にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極6,7を形成しS70、圧電振動子1の周波数を微調整するS80。そして、接合されたウエハ接合体60を切断線Mに沿って切断する個片化工程S90を行う。そして、電気特性検査工程S100では、圧電振動子1の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等も併せてチェックする。最後に、圧電振動子1の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。以上により、圧電振動子1が完成する。このように、本実施形態では、貫通孔21,22に金属ピン30を挿入した状態でガラスフリット33を貫通孔21,22に充填する前の段階で、シリコン酸化膜のスパッタ処理を行なうことにより、貫通孔21,22とガラスフリット33との間、及び、芯材部31とガラスフリット33との間の濡れ性が高く確保され、脱バインダ工程S37および焼成工程S38の各工程における所定温度の加熱時に、金属ピン30が傾くのを防止することができる。その結果、ベース基板の研磨時において、傾いた金属ピンに研磨応力が集中することがなくなり、ベース基板の破損を防止することができる。これにより、製品の不良率が低下するので、低コストのパッケージを提供することができる。このように、低コストのパッケージ10を備えているので、低コストの圧電振動子1を提供できる。発振器次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図11を参照しながら説明する。本実施形態の発振器100は、図11に示すように、圧電振動子1を、集積回路101に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器100は、コンデンサ等の電子部品102が実装された基板103を備えている。基板103には、発振器用の上述した集積回路101が実装されており、この集積回路101の近傍に、圧電振動子1の圧電振動片5が実装されている。これら電子部品102、集積回路101及び圧電振動子1は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。このように構成された発振器100において、圧電振動子1に電圧を印加すると、この圧電振動子1内の圧電振動片5が振動する。この振動は、圧電振動片5が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路101に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路101によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子1が発振子として機能する。また、集積回路101の構成を、例えば、RTCリアルタイムクロックモジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。上述したように、本実施形態の発振器100によれば、上述した圧電振動子1を備えているので、低コストの発振器100を提供できる。電子機器次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図12を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子1を有する携帯情報機器110を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器110は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。携帯情報機器次に、本実施形態の携帯情報機器110の構成について説明する。この携帯情報機器110は、図12に示すように、圧電振動子1と、電力を供給するための電源部111とを備えている。電源部111は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部111には、各種制御を行う制御部112と、時刻等のカウントを行う計時部113と、外部との通信を行う通信部114と、各種情報を表示する表示部115と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部116とが並列に接続されている。そして、電源部111によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。制御部112は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部112は、予めプログラムが書き込まれたROMと、このROMに書き込まれたプログラムを読み出して実行するCPUと、このCPUのワークエリアとして使用されるRAM等とを備えている。計時部113は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子1とを備えている。圧電振動子1に電圧を印加すると圧電振動片5が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部112と信号の送受信が行われ、表示部115に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。通信部114は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部117、音声処理部118、切替部119、増幅部120、音声入出力部121、電話番号入力部122、着信音発生部123及び呼制御メモリ部124を備えている。無線部117は、音声データ等の各種データを、アンテナ125を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部118は、無線部117又は増幅部120から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部120は、音声処理部118又は音声入出力部121から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部121は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。また、着信音発生部123は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部119は、着信時に限って、音声処理部118に接続されている増幅部120を着信音発生部123に切り替えることによって、着信音発生部123において生成された着信音が増幅部120を介して音声入出力部121に出力される。なお、呼制御メモリ部124は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部122は、例えば、0から9の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。電圧検出部116は、電源部111によって制御部112等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部112に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部114を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、3V程度となる。電圧検出部116から電圧降下の通知を受けた制御部112は、無線部117、音声処理部118、切替部119及び着信音発生部123の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部117の動作停止は、必須となる。さらに、表示部115に、通信部114が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。すなわち、電圧検出部116と制御部112とによって、通信部114の動作を禁止し、その旨を表示部115に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部115の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×バツ印を付けるようにしても良い。なお、通信部114の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部126を備えることで、通信部114の機能をより確実に停止することができる。上述したように、本実施形態の携帯情報機器110によれば、上述した圧電振動子1を備えているので、低コストの携帯情報機器110を提供できる。電波時計次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図13を参照して説明する。本実施形態の電波時計130は、図13に示すように、フィルタ部131に電気的に接続された圧電振動子1を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。日本国内には、福島県40kHzと佐賀県60kHzとに、標準の電波を送信する送信所送信局があり、それぞれ標準電波を送信している。40kHz若しくは60kHzのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した2つの送信所で日本国内を全て網羅している。以下、電波時計130の機能的構成について詳細に説明する。アンテナ132は、40kHz若しくは60kHzの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、40kHz若しくは60kHzの搬送波にAM変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ133によって増幅され、複数の圧電振動子1を有するフィルタ部131によって濾波、同調される。本実施形態における圧電振動子1は、上述した搬送周波数と同一の40kHz及び60kHzの共振周波数を有する水晶振動子部138、139をそれぞれ備えている。さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路134により検波復調される。続いて、波形整形回路135を介してタイムコードが取り出され、CPU136でカウントされる。CPU136では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、RTC137に反映され、正確な時刻情報が表示される。搬送波は、40kHz若しくは60kHzであるから、水晶振動子部138、139は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは77.5KHzの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計130を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子1を必要とする。上述したように、本実施形態の電波時計130によれば、上述した圧電振動子1を備えているので、低コストの電波時計130を提供できる。なお、本発明の技術範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上述した実施形態では、本発明に係るパッケージの製造方法を使用しつつ、パッケージの内部に圧電振動片を封入して圧電振動子を製造したが、パッケージの内部に圧電振動片以外の電子部品を封入して、圧電振動子以外のデバイスを製造することも可能である。また、上述した実施形態では、音叉型の圧電振動片を用いた圧電振動子を例に挙げて本発明のパッケージの製造方法を説明したが、これに限らず、例えばATカット型の圧電振動片厚み滑り振動片を用いた圧電振動子等に、本発明を適用しても構わない。また、上述した実施形態では、仮乾燥工程S36及び脱バインダ工程S37を大気圧雰囲気で行う構成について説明したが、これに限らず、仮乾燥工程S36及び脱バインダ工程S37についても減圧雰囲気下で行っても構わない。また、上述した実施形態では、ベース基板用ウエハの貫通孔に鋲体型の金属ピンを配置して成膜工程を実施したが、これに限らず、ベース基板用ウエハの貫通しない凹部に棒状の金属ピンを配置して成膜工程を実施してもよい。"