前面板と、前記前面板と対向配置された背面板と、を備え、前記前面板は、表示電極と前記表示電極を覆う誘電体層と前記誘電体層を覆う保護層とを含み、前記保護層は、下地層と前記下地層上に分散配置された金属酸化物粒子とを有し、前記金属酸化物粒子は、V、Mn、Co、Ni、Cu、MoおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とCaとOとの化合物である、プラズマディスプレイパネル。前記下地層は、MgOと、CaO、SrOおよびBaOからなる群より選ばれた少なくとも一種の酸化物を有する、請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。CaOは、MgOに比べて化学的に不安定であり、空気中の水分や炭酸ガスと容易に反応して、水酸化物や炭酸化物を形成する。水酸化物や炭酸化物が形成されると、2次電子放出能力が低下する。つまり、PDPの駆動電圧を下げることができないといった課題がある。ここに開示された技術は、上記課題を解決するためになされたものである。すなわち、保護層における2次電子放出能力の低下を抑制することにより、駆動電圧を下げることが可能なPDPを提供することを目的とする。上記目的は、以下のPDPによって達成される。前面板と、前面板と対向配置された背面板と、を備える。前面板は、表示電極と表示電極を覆う誘電体層と誘電体層を覆う保護層とを含む。保護層は、下地層と下地層上に分散配置された金属酸化物粒子とを有し、金属酸化物粒子は、V、Mn、Co、Ni、Cu、MoおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とCaとOとの化合物である。上記の構成によれば、保護層における2次電子放出能力の低下を抑制できる。よって、駆動電圧を下げることが可能なPDPを提供できる。実施の形態[1.PDP1の構成]本実施の形態のPDP1は、交流面放電型PDPである。図1に示すように、PDP1は、前面ガラス基板5などを含む前面板2と、背面ガラス基板11などを含む背面板3とが対向した構造である。前面板2と背面板3の外周部は、ガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間15には、NeネオンおよびXeキセノンなどの放電ガスが55kPa~80kPaの圧力で封入されている。前面板2は、前面ガラス基板5上に形成された走査電極6と維持電極7とを含む表示電極8を有する。さらに、前面板2は、表示電極8を被覆する誘電体層9と、誘電体層9を被覆する保護層10とを有する。また、走査電極6と維持電極7は、一例として、透明電極6a、7aにバス電極6b、7bを積層した構造である。なお、前面板2は、ブラックストライプを備えてもよい。また、走査電極6および維持電極7は、透明電極6a、7aが省略されていてもよい。背面板3は、背面ガラス基板11上に形成された複数のアドレス電極12を有する。アドレス電極12は、表示電極8と直交する方向に配置されている。さらに、背面板3は、アドレス電極12を被覆する下地誘電体層13と、下地誘電体層13上のアドレス電極12の間に相当する位置に形成された隔壁4とを有する。さらに、背面板3は、隣接する隔壁4の間に形成された蛍光体層14R、14G、14Bと、を有する。表示電極8とアドレス電極12とが交差する位置に放電セルが形成されている。放電セルは、赤色に発光する蛍光体層14Rと、緑色に発光する蛍光体層14Gと、青色に発光する蛍光体層14Bとによりカラー表示をする。[2.PDP1の製造方法][2-1.前面板2の製造方法]フォトリソグラフィ法によって、前面ガラス基板5上に、走査電極6および維持電極7が形成される。具体的には、まず、前面ガラス基板5上に透明電極6a、7aが形成される。透明電極6a、7aは、ITOIndiumTinOxide膜がパターニングされたものである。バス電極6b、7bは、導電性を確保するための銀Agを含む。なお、バス電極6b、7bは、画像表示面のコントラストを向上するため黒色顔料を含む黒色電極と、導電性を確保するための金属電極との積層構造でもよい。バス電極6b、7bの材料には、銀Agと銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、電極ペーストが、前面ガラス基板5に塗布される。次に、乾燥炉によって、電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、電極ペーストが露光される。次に、電極ペーストが現像され、バス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、バス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、バス電極6b、7bが形成される。電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。透明電極6aと透明電極7aとの間の相対的に狭い領域にメインギャップが形成される。メインギャップは、PDP1において維持放電が発生する領域である。透明電極6aと透明電極7aとの間の相対的に広い領域にインターピクセルギャップが形成される。維持放電は、インターピクセルギャップまでは広がらない。すなわち、放電領域は、メインギャップを挟んで、概ねバス電極6bとバス電極7bとの間の領域である。次に、誘電体層9が形成される。誘電体層9の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む誘電体ペーストが用いられる。まずダイコート法などによって、誘電体ペーストが所定の厚みで表示電極8を覆うように前面ガラス基板5上に塗布される。次に、乾燥炉によって、誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融していた誘電体ガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、誘電体層9が形成される。ここで、誘電体ペーストをダイコートする方法以外にも、スクリーン印刷法、スピンコート法などを用いることができる。また、誘電体ペーストを用いずに、CVDChemicalVaporDeposition法などによって、誘電体層9となる膜を形成することもできる。次に、誘電体層9上に保護層10が形成される。保護層10の詳細は、後述される。以上の工程により、前面板2が完成する。[2-2.背面板3の製造方法]フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板11上に、アドレス電極12が形成される。アドレス電極の材料には、導電性を確保するための銀Agと銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むアドレス電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、アドレス電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板11上に塗布される。次に、乾燥炉によって、アドレス電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、アドレス電極ペーストが露光される。次に、アドレス電極ペーストが現像され、アドレス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、アドレス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、アドレス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、アドレス電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、アドレス電極12が形成される。ここで、アドレス電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。次に、下地誘電体層13が形成される。下地誘電体層13の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、下地誘電体ペーストが所定の厚みでアドレス電極12が形成された背面ガラス基板11上にアドレス電極12を覆うように塗布される。次に、乾燥炉によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、下地誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融していた誘電体ガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、下地誘電体層13が形成される。ここで、下地誘電体ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、ダイコート法、スピンコート法などを用いることができる。また、下地誘電体ペーストを用いずに、CVDChemicalVaporDeposition法などによって、下地誘電体層13となる膜を形成することもできる。次に、フォトリソグラフィ法によって、隔壁4が形成される。隔壁4の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。まず、ダイコート法などによって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層13上に塗布される。次に、乾燥炉によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像され、隔壁パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、隔壁パターンが所定の温度で焼成される。つまり、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。また、隔壁パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、隔壁4が形成される。ここで、フォトリソグラフィ法以外にも、サンドブラスト法などを用いることができる。次に、蛍光体層14R、14G、14Bが形成される。蛍光体層14R、14G、14Bの材料には、蛍光体粒子とバインダと溶剤などとを含む蛍光体ペーストが用いられる。まず、ディスペンス法などによって、蛍光体ペーストが所定の厚みで隣接する隔壁4間の下地誘電体層13上および隔壁4の側面に塗布される。次に、乾燥炉によって、蛍光体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、蛍光体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、蛍光体ペースト中の樹脂が除去される。以上の工程によって、蛍光体層14R、14G、14Bが形成される。ここで、ディスペンス法以外にも、スクリーン印刷法などを用いることができる。以上の工程により、背面板3が完成する。[2-3.前面板2と背面板3との組立方法]まず、ディスペンス法によって、背面板3の周囲に封着材図示せずが形成される。封着材図示せずの材料には、ガラスフリットとバインダと溶剤などを含む封着ペーストが用いられる。次に乾燥炉によって、封着ペースト中の溶剤が除去される。次に、表示電極8とアドレス電極12とが直交するように、前面板2と背面板3とが対向配置される。次に、前面板2と背面板3の周囲がガラスフリットで封着される。最後に、放電空間15にNe、Xeなどを含む放電ガスが封入される。[3.保護層10の詳細][3-1.第1の形態]図2に示すように、第1の形態の保護層10は、誘電体層9上に形成された下地層91の上に、金属酸化物粒子92が付着している。下地層91は、一例として、MgOとCaOとの混合膜である。金属酸化物粒子92は、一例として、CaMoO4粒子である。[3-1-1.下地層91の形成方法]下地層91は、一例として、EBElectronBeam蒸着装置により形成される。材料は、単結晶のMgOと単結晶のCaOとが焼結したペレットである。ペレットには、さらに不純物としてAl、Siなどが添加されていてもよい。まず、EB蒸着装置の成膜室に配置されたペレットに電子ビームが照射される。電子ビームのエネルギーを受けたペレットは蒸発する。蒸発したMgOとCaOとは、成膜室内に配置された前面ガラス基板5の誘電体層9上に付着する。誘電体層9上に付着したMgOとCaOとは、MgOとCaOとの混合膜を形成する。MgOとCaOとの混合膜は、誘電体層9を被覆する。MgOとCaOとの混合膜の膜厚は、電子ビームの強度、成膜室の圧力などによって、所定の範囲に収まるように調整される。なお、下地層91におけるCaOの濃度は、5mol以上40mol以下の範囲で適宜設定される。さらに、下地層91は、MgOとCaOとの混合膜の他にも、酸化ストロンチウムSrO、酸化バリウムBaO、酸化アルミニウムAl2O3などの金属酸化物を含む膜を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物を含む膜を用いることもできる。[3-1-2.金属酸化物粒子92の付着方法]金属酸化物粒子92は、一例として、スリットコータおよび乾燥装置により付着される。スリットコータは、テーブル、塗布ヘッド、テーブル駆動系、レーザ変位計などを備える。材料は、平均粒径が0.7~1.5μmのCaMoO4粒子を、5体積の濃度で希釈溶剤中に分散させた溶液である。なお平均粒径とは、体積累積平均径D50のことである。また、平均粒径の測定には、レーザ回折式粒度分布測定装置MT-3300日機装株式会社製が用いられた。希釈溶剤は、例えば、3メチルー3メトキシブタノール95体積、αターピネオール5.0体積の混合溶剤である。溶液の粘度は10mPasに調整された。まず、スリットコータのテーブル上に、前面ガラス基板5が設置される。前面ガラス基板5は、テーブル上に真空チャックされ、固定される。レーザ変位計などによりスリットコータの塗布ヘッドと前面ガラス基板5間の距離ギャップが測定される。例えば、100μmの距離を保つように、塗布ヘッドの高さが調節される。さらに塗布ヘッドは、例えば、50mm/sの等速度で移動する。溶液タンクから塗布ヘッド送られた溶液は、15μmの膜厚になるように前面ガラス基板5上に均一に塗布される。LaO粒子が希釈溶剤に分散した塗膜が下地層91上に形成される。CaMoO4粒子は沈降し、下地層91に付着する。次に、前面ガラス基板5は、乾燥装置へ移送される。一例として、乾燥装置は真空チャンバー、加熱ヒータ、テーブル、真空ポンプ、圧力計などを備える。加熱ヒータにより予め所定の温度に保持されている大気圧の真空チャンバー内のテーブル上に前面ガラス基板5が設置される。その後、真空ポンプが、真空チャンバー内部を所定の圧力まで排気する。真空チャンバー内部の圧力が降下することにより、塗膜から希釈溶剤が脱離する。一例として、本実施例においては、真空チャンバー温度:70°C~100°C、圧力:0.1Pa~10Pa、処理時間:5minであった。上記工程によって、CaMoO4粒子は下地層91との面積比で0.1以上10以下の被覆率になっている。被覆率とは、1個の放電セルの領域において、金属酸化物粒子92が付着している面積aを1個の放電セルの面積bの比率で表したものである。つまり、被覆率=a/b×100の式により計算されたものである。測定方法としては、例えば、隔壁4により区切られた1個の放電セルに相当する領域がカメラにより撮像される。次に、撮像された画像が、x×yの1セルの大きさにトリミングされる。次に、トリミング後の画像が白黒データに2値化される。次に、2値化されたデータに基づき金属酸化物粒子92による黒エリアの面積aを求める。最後に、被覆率が、a/b×100の式により計算される。なお、本乾燥条件は、用いられる希釈溶剤の種類、塗膜の膜厚などによっても変動するため、適宜変更し得る。なお、金属酸化物粒子92の付着には、スリットコータの他にも、スクリーン印刷法、スプレー法、スピンコート法、ダイコート法なども用いることができる。また、希釈溶剤に、有機樹脂などが添加されてもよい。有機樹脂の添加により、溶液の粘度を上げることができる。有機樹脂が添加された場合には、有機樹脂を除去するために焼成工程を付加することが好ましい。[3-1-3.金属酸化物粒子92の製造方法]一例として、CaMoO4粒子の製造方法が説明される。まず、炭酸カルシウムCaCO3の粉末と酸化モリブデンMoO3の粉末とが混合される。混合粉末におけるMoO3粉末の濃度は、0.5mol以上、10mol以下の範囲で適宜調整される。次に、混合粉末が焼成される。焼成温度は、900°C以上1200°C以下が好ましい。焼成時の雰囲気は、窒素などの不活性ガスが好ましい。焼成時のトップキープ時間は、1時間程度が好ましい。なお、CaOの代わりに、SrO、BaOからなる群より選ばれた少なくとも一種の酸化物を用いることができる。さらに、MoO3の代わりに、バナジウムV、マンガンMn、コバルトCo、ニッケルNi、銅CuおよびタングステンWからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素の酸化物を用いることができる。つまり、CaMoO4におけるMoの代わりに、V、Mn、Co、Ni、CuおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素を用いることができる。[3-2.第2の形態]図3に示すように、第2の形態の保護層10は、誘電体層9上に形成された母材94の中に、金属酸化物95が点在している。母材94は、一例として、MgOとCaOとの混合膜である。金属酸化物95は、一例として、CaMoO4である。[3-2-1.母材94および金属酸化物95の形成方法]母材94および金属酸化物95は、一例として、EBElectronBeam蒸着装置により形成される。母材94の材料は、単結晶のMgOと単結晶のCaOとが焼結した混合ペレットである。金属酸化物95の材料は、一例として、CaMoO4ペレットである。混合ペレットおよびCaMoO4ペレットにおけるCaOの濃度は、5mol以上40mol以下の範囲で適宜調整される。混合ペレットおよびCaMoO4ペレットにおけるCaMoO4の濃度は、0.5mol以上、10mol以下の範囲で適宜調整される。混合ペレットには、さらに不純物としてAl、Siなどが添加されていてもよい。なお、CaMoO4ペレットは、上述方法によって製造されたCaMoO4粒子を焼結することによって、製造される。まず、EB蒸着装置の成膜室に配置された混合ペレットおよびCaMoO4ペレットに電子ビームが照射される。電子ビームのエネルギーを受けた混合ペレットおよびCaMoO4ペレットは蒸発する。蒸発したMgO、CaOおよびCaMoO4は、成膜室内に配置された前面ガラス基板5の誘電体層9上に付着する。誘電体層9上に付着したMgOとCaOは、母材94であるMgOとCaOとの混合膜を形成する。金属酸化物95であるCaMoO4は、は母材94中に入り込む。つまり、CaMoO4は、母材94中に点在する。CaMoO4が点在したMgOとCaOとの混合膜の膜厚は、電子ビームの強度、成膜室の圧力などによって、所定の範囲に収まるように調整される。なお、母材94は、MgOとCaOとの混合膜の他にも、SrO、BaO、Al2O3などの金属酸化物を含む膜を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物を含む膜を用いることもできる。さらに、CaMoO4におけるMoの代わりに、V、Mn、Co、Ni、CuおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素を用いることができる。[3-3.第3の形態]図4に示すように、第3の形態の保護層10は、第1粒子97、第2粒子98および第3粒子99が混在している。第1粒子97は、一例として、MgO粒子である。第2粒子98は、一例として、CaO粒子である。第3粒子99は、一例として、CaMoO4粒子である。[3-3-1.第1粒子97、第2粒子98および第3粒子99の形成方法]第1粒子97、第2粒子98および第3粒子99から構成される保護層10は、一例として塗布法により誘電体層9上に形成される。第1粒子97には、平均粒径が10nm~100nmの単結晶MgO粒子以降、ナノMgO粒子と称するが用いられる。第2粒子98には、平均粒径が10nm~100nmの単結晶CaO粒子以降、ナノCaO粒子と称するが用いられる。第3粒子99には、平均粒径が10nm~100nmのCaMoO4粒子以降、ナノCaMoO4粒子と称するが用いられる。ナノMgO粒子は、気相生成法によって作製される。具体的には、マグネシウムがプラズマや電子ビームなどの高エネルギー下で気化されることにより、マグネシウム蒸気が生成される。次に、マグネシウム蒸気が、酸素ガスを含む冷却ガス例えばアルゴンガスによって短時間に冷却されることにより、ナノMgO粒子が作製される。ナノCaO粒子およびナノCaMoO4粒子も同様の方法で作製される。塗布材料であるナノ粒子ペーストは、ナノMgO粒子、ナノCaO粒子およびナノCaMoO4粒子が混合されたナノ混合粒子と、ナノ混合粒子と同等の重量のビヒクルとが混錬されることにより製造される。ビヒクルは、一例として、ターピネオールを60重量、プチルカルビトールアセテートを30重量およびアクリル樹脂を10重量混合されたものである。次に、ナノ粒子ペーストがスクリーン印刷法などにより誘電体層9上に塗布される。誘電体層9上に塗布されたナノ粒子ペーストは、乾燥、焼成されることにより、ビヒクルが除去される。上記の工程によって、ナノMgO粒子、ナノCaO粒子およびナノCaMoO4粒子から構成された保護層10が形成される。なお保護層10におけるナノCaO粒子の濃度は、5mol以上40mol以下の範囲で適宜調整される。保護層10におけるCaMoO4の濃度は、0.5mol以上、10mol以下の範囲で適宜調整される。なお、第1粒子97および第2粒子98は、MgOの他にも、SrO、BaO、Al2O3などの金属酸化物を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物を用いることもできる。さらに、第3粒子99は、CaMoO4におけるMoの代わりに、V、Mn、Co、Ni、CuおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素を用いることができる。[4.まとめ]本実施の形態におけるPDP1は、前面板2と、前面板2と対向配置された背面板3と、を備える。前面板2は、表示電極8と表示電極8を覆う誘電体層9と誘電体層9を覆う保護層10とを含む。第1の形態の保護層10は、下地層91と下地層91上に分散配置された金属酸化物粒子92とを有する。金属酸化物粒子92は、V、Mn、Co、Ni、Cu、MoおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とCaとOとの化合物である。さらに、下地層91は、CaO、SrOおよびBaOからなる群より選ばれた少なくとも一種の酸化物を有することが好ましい。第2の形態の保護層10は、母材94としてMgOと、金属酸化物95としてV、Mn、Co、Ni、Cu、MoおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とCaとOとの化合物とを有する。さらに、保護層10は、母材94にCaO、SrOおよびBaOからなる群より選ばれた少なくとも一種の酸化物を有することが好ましい。第3の形態の保護層10は、第1粒子97としてMgO粒子と、第3粒子としてV、Mn、Co、Ni、Cu、MoおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とCaとOとの化合物粒子とを有する。さらに、保護層10は、第2粒子98としてCaO、SrOおよびBaOからなる群より選ばれた少なくとも一種の酸化物粒子を有することが好ましい。X線回折分析によると、MgOとCaOとの混合膜からなる従来の保護層と比較して、本実施の形態に係る保護層10では、CaCo3や水酸化カルシウムCaOH2のピーク強度が小さいことが確認された。つまり、本実施の形態に係る保護層10は、従来の保護層と比較して、変質が抑制された。さらに、本実施の形態に係る保護層10を有するPDP1は、従来の保護層を有するPDPと比較して維持電圧を低下させることができた。