"スター結線されたSRモータのU相、V相およびW相コイル、ならびに前記各コイルの中性点にそれぞれ接続されるとともに、電源の正極および負極に接続されSRモータの各コイルに制御電流を供給するスイッチ回路が実装されたスイッチ装置を備えるSRモータ用制御装置において、前記スイッチ回路は、接続点にて直列に接続されるとともに前記接続点に前記中性点が接続される2つの半導体スイッチ素子を有する第1のハーフブリッジ回路と、接続点にて直列に接続されるとともに前記接続点に前記U相が接続される2つの半導体スイッチ素子を有する第2のハーフブリッジ回路と、接続点にて直列に接続されるとともに前記接続点に前記V相が接続される2つの半導体スイッチ素子を有する第3のハーフブリッジ回路と、接続点にて直列に接続されるとともに前記接続点に前記W相が接続される2つの半導体スイッチ素子を有する第4のハーフブリッジ回路より構成され、前記スイッチ装置は、前記第1から第4のハーフブリッジ回路のうち前記第1のハーフブリッジ回路が独立して実装された第1のパワーモジュールを備えていることを特徴とするSRモータ用制御装置。請求項1に記載されたSRモータ用制御装置において、前記スイッチ装置は、前記第2から第4のハーフブリッジ回路が実装された第2のパワーモジュールを備えていることを特徴とするSRモータ用制御装置。請求項1に記載されたSRモータ用制御装置において、前記スイッチ装置は、前記第2のハーフブリッジ回路が実装された第2パワーモジュールと、前記第3のハーフブリッジ回路が実装された第3パワーモジュールと、前記第4のハーフブリッジ回路が実装された第4パワーモジュールとを備えていることを特徴とするSRモータ用制御装置。そのため、実際のパワーモジュールにこの4つのハーフブリッジ回路を実装する場合には、上記の各ハーフブリッジ回路の使用特性を考慮する必要がある。そこで、この発明の目的は、各ハーフブリッジ回路の使用特性を考慮し、各ハーフブリッジ回路を実際のパワーモジュールに実装することを目的とする。上記の課題を解決するために本発明のSRモータ用制御装置は、スター結線されたSRモータのU相、V相およびW相コイル、ならびに各コイルの中性点にそれぞれ接続されるとともに電源の正極および負極に接続され、SRモータの各コイルに制御電流を供給するスイッチ回路が実装されたスイッチ装置を備える。ここで、スイッチ回路は、接続点にて直列に接続されるとともに前記接続点に前記中性点が接続される2つの半導体スイッチ素子を有する第1のハーフブリッジ回路と、接続点にて直列に接続されるとともに前記接続点に前記U相が接続される2つの半導体スイッチ素子を有する第2のハーフブリッジ回路と、接続点にて直列に接続されるとともに前記接続点に前記V相が接続される2つの半導体スイッチ素子を有する第3のハーフブリッジ回路と、接続点にて直列に接続されるとともに前記接続点に前記W相が接続される2つの半導体スイッチ素子を有する第4のハーフブリッジ回路より構成される。そして、スイッチ装置は、上記の4つのハーフブリッジ回路のうち第1のハーフブリッジ回路が独立して実装された第1のパワーモジュールを備えている。本発明のSRモータ用制御装置では、スイッチ装置において、第1のハーフブリッジ回路が、他のハーフブリッジ回路から独立して第1のパワーモジュールに実装される構成となっている。ここで、各コイルの中性点が接続される第1のハーフブリッジ回路は、SRモータを作動させるときに、間欠的に作動する他のハーフブリッジ回路と異なり、常時ON-OFF作動し、使用頻度の高いという使用特性を有する。そのため、第1のハーフブリッジ回路を他のハーフブリッジ回路から独立した状態でパワーモジュールに実装すれば、常時ON-OFF動作し使用頻度が高く発熱量の大きいという、第1のハーフブリッジ回路の使用特性を考慮した上で、パワーモジュールの設計を行うことが容易となる。本発明のSRモータ用制御装置によれば、各ハーフブリッジ回路の使用特性を考慮した上で、各ハーフブリッジ回路を実際のパワーモジュールに実装することができる。次に、図1および図2に基づき本発明の第1の実施形態であるSRモータ用制御装置1について、説明する。ここで、図1は、第1の実施形態におけるSRモータ用制御装置1を示すブロックであり、図2は、第1の実施形態におけるSRモータ用制御装置1を示す斜視図である。SRモータ用制御装置1は、主に、複数の冷却フィン17aが設けられているアルミ製の取り付けプレート17と、取り付けプレート17に取り付けられるスイッチ装置40、同じく取り付けプレート17に取り付けられるコンデンサー6,7および制御基板20と、スイッチ装置40、コンデンサー6,7および制御基板20を覆うケース18とを備えている。そして、スイッチ装置40には、スイッチ回路30が実装されている。スイッチ装置40は、第1のパワーモジュール110と第2のパワーモジュール120から構成される。そして、各パワーモジュール110,120は、スター結線されたSRモータMのU相、V相およびW相コイルU,V,W、ならびに各コイルU,V,Wの中性点Nに電気的に接続されるとともに、電源バッテリーBTの正極および負極-に電気的に接続される。そして、各パワーモジュール110,120は、制御基板20からの制御信号に基づきON-OFF作動し、このON-OFF作動により電源からの電流を制御し、SRモータMの各コイルU,V,Wに制御電流を供給する。スイッチ回路30は、第1から第4のハーフブリッジ回路2,3,4,5から構成されている。そして、第1のハーフブリッジ回路2は、他のハーフブリッジ回路3,4,5から独立して第1のパワーモジュール110に実装され、第2から第4のハーフブリッジ回路3,4,5は第2のパワーモジュール120に実装されている。第1のハーフブリッジ回路2は、接続点2cにて直列に接続された2つのIGBT半導体スイッチ素子2a,2bを備える。そして、第1のハーフブリッジ回路2が実装されている第1のパワーモジュール110は、接続点2cにて直列に接続された2つのIGBT半導体スイッチ素子2a,2bを有するとともに、一方のIGBT2aのコレクタ端子が接続されている導電性の正極端子2pと、他方のIGBT2bのエミッタ端子に接続されている導電性の負極端子2nと、2つのIGBT2a,2bの接続点2cに接続されている導電性の出入力端子2sを備える。また、第2から第4のハーフブリッジ回路3,4,5は、それぞれ接続点3c,4c,5cで直列に接続された2つのIGBT3a,3b4a,4b5a,5bを備える。そして、第2から第4のハーフブリッジ回路3,4,5が実装されている第2のパワーモジュール120は、第2のハーフブリッジ回路3を構成する2つのIGBT半導体スイッチ素子3a,3b、第3のハーフブリッジ回路4を構成する2つのIGBT半導体スイッチ素子4a,4b、および第4のハーフブリッジ回路5を構成する2つのIGBT半導体スイッチ素子5a,5bを備える。すなわち、第2のパワーモジュール120は、合計6つのIGBT半導体スイッチ素子3a,3b,4a,4b,5a,5bを備え、これらのIGBT3a,3b,4a,4b,5a,5bは、上記のようにそれぞれ接続点3c,4c,5cにて直列に接続されている。そして、第2のパワーモジュール120は、第2のハーフブリッジ回路3の一方のIGBT3aのコレクタ端子に接続されている導電性の正極端子3pと、他方のIGBT3bのエミッタ端子に接続されている導電性の負極端子3nと、2つのIGBT3a,3bの接続点3cに接続されている導電性の出入力端子3sを備える。同様に、第2のパワーモジュール120は、第3のハーフブリッジ回路4の一方のIGBT4aのコレクタ端子に接続されている導電性の正極端子4pと、他方のIGBT4bのエミッタ端子に接続されている導電性の負極端子4nと、2つのIGBT4a,4bの接続点4cに接続されている導電性の出入力端子4sを備える。さらに、第2のパワーモジュール120は、第4のハーフブリッジ回路5の一方のIGBT5aのコレクタ端子に接続されている導電性の正極端子5pと、他方のIGBT5bのエミッタ端子に接続されている導電性の負極端子5nと、2つのIGBT5a,5bの接続点5cに接続されている導電性の出入力端子5sを備える。次に、スイッチ装置40と電源BTおよびSRモータMの各コイルU,V,Wおよび中性点Nとの接続、ならびにスイッチ装置40とコンデンサ6,7との接続について説明する。第1のパワーモジュール110の正極端子2pおよび第2のパワーモジュール120の正極端子3p,4p,5pは電源BTの正極に電気的に接続され、第1のパワーモジュール110の負極端子2nおよび第2のパワーモジュール120の負極端子3n,4n,5nは電源BTの正極-に電気的に接続される。そして、第1のパワーモジュール110の出力端子2sは、SRモータMの中性点Nに電気的に接続され、第2のパワーモジュール120の出力端子3s,4s,5sは、それぞれSRモータMの各コイルU,V,Wに電気的に接続される。また、コンデンサ6,7の各端子は、第1のパワーモジュール110の正極および負極端子2p,2nにそれぞれ接続される。次に、本実施形態のSRモータ用制御装置1が有する効果について説明する。SRモータ用制御装置1において、4つのハーフブリッジ回路2,3,4,5のうち、各コイルU,V,Wの中性点Nが接続された第1のハーフブリッジ回路2は作動頻度が高く電流の流れる時間が長いという使用特性を有する。このように第1のハーフブリッジ回路2は、他のハーフブリッジ回路3,4,5に比べて作動頻度が高いとともに電流の流れる時間が長いため、発熱量が大きくなるという特徴を有する。そのため、第1のハーフブリッジ回路2は、使用するIGBT半導体スイッチ素子の電気容量などの特性や、放熱設計を他のハーフブリッジ回路3,4,5と異なるものとする必要がある。本実施形態では、上記に記すような使用特性を有する第1のハーフブリッジ回路2を、他のハーフブリッジ回路3,4,5から独立して第1のパワーモジュール110に実装することにより、他のハーフブリッジ回路3,4,5から別個独立して使用特性に見合ったIGBTを備えるパワーモジュールを選定することができる。また、第1のハーフブリッジ回路2が実装された第1のパワーモジュール110の放熱設計を他のハーフブリッジ回路3,4,5から別個独立した条件下で設計することが可能となる。次に、図3に基づき本発明の第2の実施形態のSRモータ用制御装置200について説明する。ここで、図3は、本実施形態のSRモータ用制御装置200を示すブロック図である。本実施形態のSRモータ用制御装置200は、第1の実施形態のSRモータ用制御装置1に比してスイッチ装置第1および第2のパワーモジュールに備わる半導体スイッチ素子の種類のみが異なり、その他の構造は第1の実施形態のSRモータ用制御装置1と同一である。そのため、第1および第2のパワーモジュールについてのみ説明し、その他については同一の符号を付し説明を省略する。本実施形態のスイッチ装置31は、第1の実施形態と同様に第1および第2のパワーモジュール210,220より構成され、第1のパワーモジュール210には第1のハーフブリッジ回路22が実装され、第2のパワーモジュール220には第2から第3のハーフブリッジ回路33,44,55が実装されている。第1のハーフブリッジ回路22は、接続点22cにて直列に接続されたパワーMOSFET22a,22bを備える。そして、第1のハーフブリッジ回路22が実装された第1のパワーモジュール210は、一方のFET22aのドレイン端子が接続されている導電性の正極端子22pと、他方のFET22bのソース端子に接続されている導電性の負極端子22nと、2つのFET22a,22bの接続点22cに接続されている導電性の出入力端子22sを備える。また、第2から第4のハーフブリッジ回路33,44,55は、それぞれ接続点33c,44c,55cで接続された2つのパワーMOSFET33a,33b44a,44b55a,55bを備える。そして、第2から第4のハーフブリッジ回路33,44,55が実装されている第2のパワーモジュール220は、第2のハーフブリッジ回路33を構成する2つのFET半導体スイッチ素子33a,33b、第3のハーフブリッジ回路44を構成する2つのFET半導体スイッチ素子44a,44b、および第4のハーフブリッジ回路55を構成する2つのFET半導体スイッチ素子55a,55bを備える。すなわち、第2のパワーモジュール220は、合計6つのFET半導体スイッチ素子33a,33b,44a,44b,55a,55bを備え、これらのFET33a,33b,44a,44b,55a,55bは、上記のようにそれぞれ接続点33c,44c,55cにて直列に接続されている。そして、第2のパワーモジュール220は、第2のハーフブリッジ回路33の一方のFET33aのドレイン端子に接続されている導電性の正極端子33pと、他方のFET33bのソース端子に接続されている導電性の負極端子33nと、2つのFET33a,33bの接続点33cに接続されている導電性の出入力端子33sを備える。同様に、第2のパワーモジュール220は、第3のハーフブリッジ回路44の一方のFET4aのドレイン端子に接続されている導電性の正極端子44pと、他方のFET44bのソース端子に接続されている導電性の負極端子44nと、2つのFET44a,44bの接続点44cに接続されている導電性の出入力端子44sを備える。さらに、第2のパワーモジュール220は、第4のハーフブリッジ回路55の一方のFET5aのドレイン端子に接続されている導電性の正極端子55pと、他方のFET55bのソース端子に接続されている導電性の負極端子55nと、2つのFET55a,55bの接続点55cに接続されている導電性の出入力端子55sを備える。そして、第1のパワーモジュール210の正極端子22pおよび第2のパワーモジュール220の正極端子33p,44p,55pは電源BTの正極に電気的に接続され、第1のパワーモジュール210の負極端子22nおよび第2のパワーモジュール220の負極端子33n,44n,55nは電源BTの負極-に電気的に接続される。また、第1のパワーモジュール210の出力端子22sは、SRモータMの中性点Nに電気的に接続され、第2のパワーモジュール220の出力端子33s,44s,55sは、それぞれSRモータMの各コイルU,V,Wに電気的に接続される。次に、本実施形態のSRモータ用制御装置200が有する効果について説明する。SRモータ用制御装置200において、4つのハーフブリッジ回路22,33,44,55のうち、各コイルU,V,Wの中性点Nが接続された第1のハーフブリッジ回路22は作動頻度が高く電流の流れる時間が長いという使用特性を有する。このように第1のハーフブリッジ回路22は、他のハーフブリッジ回路33,44,55に比べて作動頻度が高いとともに電流の流れる時間が長いため、発熱量が大きくなるという特徴を有する。そのため、第1のハーフブリッジ回路22は、使用するFET半導体スイッチ素子の電気容量などの特性や、放熱設計を他のハーフブリッジ回路33,44,55と異なるものとする必要がある。本実施形態では、上記に記すような使用特性を有する第1のハーフブリッジ回路22を、他のハーフブリッジ回路33,44,55から独立して第1のパワーモジュール210に実装することにより、他のハーフブリッジ回路33,44,55から別個独立して使用特性に見合ったFETを備えるパワーモジュールを選定することができる。また、第1のハーフブリッジ回路22が実装された第1のパワーモジュール210の放熱設計を他のハーフブリッジ回路33,44,55から別個独立した条件下で設計することが可能となる。第3の実施形態次に、図4から図6に基づき第3の実施形態であるSRモータ用制御装置300について、説明する。ここで、図4は、本実施の形態におけるSRモータ用制御装置300を示すブロック図である。また、図5は、本実施の形態におけるSRモータ用制御装置300を示す斜視図であり、図6は、本実施の形態におけるSRモータ用制御装置300を示す展開斜視図である。図5に示すように、SRモータ用制御装置300は、主に、複数の冷却フィン17aが設けられているアルミ製の取り付けプレート17と、取り付けプレート17に取り付けられるスイッチ装置42、同じく取り付けプレート17に取り付けられるコンデンサー6,7,8および制御基板20と、スイッチ装置42、コンデンサー6,7,8および制御基板20を覆うケース18とを備えている。また、SRモータ用制御装置300は、電源BTとスイッチ装置42とを接続する正極および負極バスバー9,10、SRモータMとスイッチ装置42とを接続する4つのバスバー11,12,13,14、およびコンデンサー6,7,8とスイッチ装置42とを接続するコンデンサー接続部材としてのコンデンサー用バスバー15,16とを備えている。そして、スイッチ装置42には、スイッチ回路30が実装されている。スイッチ装置42は同一構造の第1から第4パワーモジュール310,320,330,340から構成される。そして、各パワーモジュール310,320,330,340は、スター結線されたSRモータMのU相、V相およびW相コイルU,V,W、ならびに各コイルU,V,Wの中性点Nにそれぞれバスバー11,12,13,14を介して接続されるとともに、電源バッテリーBTの正極および負極-に正極および負極バスバー9,10を介して接続される。そして、各パワーモジュール310,320,330,340は、制御基板20からの制御信号に基づきON-OFF作動し、このON-OFF作動により、SRモータMの各コイルU,V,Wに制御電流を供給する。スイッチ回路30は、第1から第4のハーフブリッジ回路2,3,4,5から構成されている。そして、第1のハーフブリッジ回路2は、他のハーフブリッジ回路3,4,5から独立して第1パワーモジュール310に実装されるとともに、第2から第4のハーフブリッジ回路3,4,5もそれぞれ互いに独立して第2から第4パワーモジュール320,330,340に実装されている。第1のハーフブリッジ回路2は、接続点2cにて直列に接続された2つのIGBT半導体スイッチ素子2a,2bを備える。同様に、第2から第4のハーフブリッジ回路3,4,5は、それぞれ接続点3c,4c,5cで直列に接続された2つのIGBT3a,3b4a,4b5a,5bを備える。そして、第1のハーフブリッジ回路2が実装されている第1パワーモジュール310は、上記のように接続点2cにて直列に接続された2つのIGBT半導体スイッチ素子2a,2bを有するとともに、一方のIGBT2aのコレクタ端子が接続されている導電性の正極端子2pと、他方のIGBT2bのエミッタ端子に接続されている導電性の負極端子2nと、2つのIGBT2a,2bの接続点2cに接続されている導電性の出入力端子2sを備える。ここで、正極および負極端子2p,2nならびに出入力端子2sは、第1パワーモジュール310の上面に、正極端子2p、負極端子2n、出入力端子2sの順に直線上に配置されている。同様に、第2のハーフブリッジ回路3が実装されている第2パワーモジュール320は、上記のように接続点3cにて直列に接続された2つのIGBT半導体スイッチ素子3a,3bを有するとともに、一方のIGBT3aのコレクタ端子が接続されている導電性の正極端子3pと、他方のIGBT3bのエミッタ端子に接続されている導電性の負極端子3nと、2つのIGBT3a,3bの接続点3cに接続されている導電性の出入力端子3sを備える。ここで、正極および負極端子3p,3nならびに出入力端子3sは、第2パワーモジュール320の上面に、正極端子3p、負極端子3n、出入力端子3sの順に直線上に配置されている。同じく、第3のハーフブリッジ回路4が実装されている第3パワーモジュール330は、上記のように接続点4cにて直列に接続された2つのIGBT半導体スイッチ素子4a,4bを有するとともに、一方のIGBT4aのコレクタ端子が接続されている導電性の正極端子4pと、他方のIGBT4bのエミッタ端子に接続されている導電性の負極端子4nと、2つのIGBT4a,4bの接続点4cに接続されている導電性の出入力端子4sを備える。ここで、正極および負極端子4p,4nならびに出入力端子4sは、第3パワーモジュール330の上面に、正極端子4p、負極端子4n、出入力端子4sの順に直線上に配置されている。さらに、第4のハーフブリッジ回路5が実装されている第4パワーモジュール340は、上記のように接続点5cにて直列に接続された2つのIGBT半導体スイッチ素子5a,5bを有するとともに、一方のIGBT5aのコレクタ端子が接続されている導電性の正極端子5pと、他方のIGBT5bのエミッタ端子に接続されている導電性の負極端子5nと、2つのIGBT5a,5bの接続点5cに接続されている導電性の出入力端子5sを備える。ここで、正極および負極端子5p,5nならびに出入力端子5sは、第4パワーモジュール340の上面に、正極端子5p、負極端子5n、出入力端子5sの順に直線上に配置されている。そして、第1パワーモジュール310の出入力端子2sには、棒状の導電板材からなり、SRモータMの中性点Nに接続される中性点バスバー11が取り付けられている。また、第2から第4パワーモジュール320,330,340の出入力端子3s,4s,5sには、同じく棒状の導電板材からなり、SRモータのU相、V相およびW相コイルU,V,Wに接続されるU相、V相およびW相バスバー12,13,14が取り付けられている。次に、第1から第4パワーモジュール310,320,330,340の配置、および第1から第4パワーモジュール310,320,330,340への正極および負極バスバー9,10の取り付けについて説明する。図5に示すように、パワーモジュール310,320,330,340は、第1パワーモジュール310から、第2パワーモジュール320、第3パワーモジュール330、第4パワーモジュール340の順に、互いに近接して直線的に並列して配置されている。そして、パワーモジュール310,320,330,340の正極端子2p,3p,4p,5p同士は互いに直線状に配置され、負極端子2n,3n,4n,5n同士は互いに直線状に配置されるように、パワーモジュール310,320,330,340は配置される。また、正極バスバー9は、棒状直線形状の導電板材からなり、一端部を電源BTに接続される電源接続部9とするとともに、第1から第4パワーモジュール310,320,330,340の各正極端子2p,3p,4p,5pにネジ締結により接続される。同様に、負極バスバー10は、棒状直線形状の導電板材からなり、一端部を電源BTに接続される電源接続部10aとするとともに、第1から第4ワーモジュール310,320,330,340の各負極端子2n,3n,4n、5nにネジ締結により接続される。なお、正極および負極バスバー9,10の電源接続部9a,10aはともに、制御装置300において同一の方向に配置されており、ケース18から同一の方向に向けて突出するように設定されている。本実施の形態では、パワーモジュール310,320,330,340に備わる正極端子2p,3p,4p,5p同士は互いに直線状に配置されているため、これらの正極端子2p,3p,4p,5pを接続する正極バスバー9は直線的な棒状に形成することができる。このように、正極バスバー9は屈曲することなく直線的な棒状にて構成でき、簡易な形状とすることができる。そのため、正極バスバー9を形成するために複雑な加工を要することがない。また、正極バスバー9は直線的な棒状であるため、歩留まりがよい。そのため、正極バスバー9は低コストにて製作することができる。なお、負極バスバー10も正極バスバー9と同一の形状であるため、正極バスバー9と同様の効果を有する。また、中性点バスバー11が取り付けられている第1パワーモジュール310は、第1から第4パワーモジュール310,320,330,340のうち、正極および負極バスバー9,10の電源接続部9a,10aに最も近接して配置されている。すなわち、スイッチ装置30において、電源BTから電力が供給される電源接続部9a,10aから第1のパワーモジュール2への電流経路は、他のパワーモジュール320,330,340に比して最短となる。ここで、SRモータMを駆動回生させる場合、中性点バスバー11が取り付けられている第1パワーモジュール310は、他のパワーモジュール320,330,340と異なり常時ON-OFF作動を行っている。そのため、正極および負極バスバー9,10において、電源接続部9a,10aと第1のパワーモジュール2との間を流れる電流の電流量は、電源接続部9a,10aと他のパワーモジュール320,330,340との間を流れる電流の電流量に比して大きなものとなる。このような電流が流れるスイッチ装置42において、上記のように第1パワーモジュール310は電源接続部9a,10aに最も近接して配置されているため、第1パワーモジュール310と電源接続部9a,10aとの間の正極および負極バスバー9,10のインピーダンスを小さくすることができる。そのため、電流量の大きい電源接続部9a,10aと第1パワーモジュール310との間の電気的な損失を小さくすることができ、制御装置300は効率の高いものとなっている。また、上記のように制御装置300は、コンデンサー6,7,8とスイッチ装置42とを接続するコンデンサー接続部材としてのコンデンサー用バスバー15,16とを備えている。図5に示すように、コンデンサー用バスバー15,16は、L字形状をした導電板材から形成されている。また、バスバー15の一端部は第1パワーモジュール310の正極端子2pにネジ締結により接続されるとともに、他端部はコンデンサ6,7,8にネジ締結により接続されており、バスバー16の一端部は第1パワーモジュール310の負極端子2nにネジ締結により接続されるとともに、他端部はコンデンサ6,7,8にネジ締結により接続されている。ここで、コンデンサー6,7,8は電源BTの電圧の電圧値が変動低下を補うために設けられており、コンデンサー6,7,8からの電流はコンデンサー用バスバー15,16を経由して各パワーモジュール310,320,330,340に供給される。このようにコンデンサー6,7,8から各パワーモジュール310,320,330,340に電流が供給される制御装置300において、上記のように、SRモータMを駆動回生させる場合、中性点バスバー11が取り付けられている第1パワーモジュール310は、他のパワーモジュールと異なり常時ON-OFF作動を行っている。そのため、コンデンサ6,7,8と第1パワーモジュール310との間を流れる電流の電流量は、コンデンサ6,7,8と他のパワーモジュール320,330,340との間を流れる電流の電流量に比して大きなものとなる。このような電流が流れるスイッチ装置30において、上記のようにコンデンサー6,7,8は第1パワーモジュール310に最短の電流経路にて接続されている。そのため、コンデンサー6,7,8と第1パワーモジュール310との間のインピーダンスを小さくすることができる。そのため、電流量の大きいコンデンサー6,7,8と第1のパワーモジュール2との間の電気的な損失を小さくすることができ、制御装置300は効率の高いものとなっている。次に、第3の実施形態の制御装置300において、正極バスバー9および負極バスバー10の3つの変形例第1から第3の変形例を図7から図9に示す。図7から図9に示される第1から第3の変形例では正極バスバーおよび負極バスバーの形状、および電源接続部が配置される位置のみが変形されているため、正極バスバーおよび負極バスバーの形状および電源接続部の配置について説明し、その他については本実施の形態の制御装置300と同一の符号を付し、その説明を省略する。図7に示される第1の変形例では、正極および負極バスバー9A,10Aは、第3の実施形態の正極および負極バスバー9,10と同様に棒状に形成されている。しかしながら、正極および負極バスバー9A,10Aは、第4パワーモジュール340側からケース18の外側に向けて突出するように設定されており、この突出した正極および負極バスバー9A,10Aの端部に電源接続部9Aa,10Aaが設定される。図8に示される第2の変形例では、正極および負極バスバー9B,10Bは、第3の実施形態の正極および負極バスバー9,10と同様に棒状に形成されている。そして、正極バスバー9Aにおいて第4パワーモジュール340から外側に延びる部分には電源バスバー9Bbが一体的に接続される。この電源バスバー9BbはU相~VW相バスバー12,13,14と反対側の方向にてケース18の外側に向けて突出するように設定されており、この突出した電源バスバー9Bbの端部に電源接続部9Baが設定される。同様に、負極バスバー10Bにおいて第1パワーモジュール310から外側に延びる部分には電源バスバー10Bbが一体的に接続される。この電源バスバー10BbはU相~V相バスバー12,13,14と反対側の方向にてケース18の外側に向けて突出するように設定されており、この突出した電源バスバー10Bbの端部に電源接続部10Baが設定される。なお、第2の変形例において、正極バスバー9Bと電源バスバー9Bb、並びに負極バスバー10Bと電源バスバー10Bbとは別部材でなく同一部材により一体に形成されてよい。図9に示される第3の変形例では、正極および負極バスバー9C,10Cは、第3の実施の形態の正極および負極バスバー9,10と同様に棒状に形成されている。そして、正極バスバー9Cにおいて第4パワーモジュール340から外側に延びる部分には電源バスバー9Cbが一体的に接続される。この電源バスバー9CbはU相~W相バスバー12,13,14と同じ方向にてケース18の外側に向けて突出するように設定されており、この突出した電源バスバー9Cbの端部に電源接続部9Caが設定される。同様に、負極バスバー10Cにおいて第1パワーモジュール310から外側に延びる部分には電源バスバー10Cbが一体的に接続される。この電源バスバー10CbはU相~W相バスバー12,13,14と同じ方向にてケース18の外側に向けて突出するように設定されており、この突出した電源バスバー10Cbの端部に電源接続部10Caが設定される。なお、第3の変形例において、正極バスバー9Cと電源バスバー9Cb、並びに負極バスバー10Cと電源バスバー10Cbとは別部材でなく同一部材により一体に形成されてよい。第4の実施形態次に、図10に基づき本発明の第4の実施形態のSRモータ用制御装置400について説明する。ここで、図10は、本実施形態のSRモータ用制御装置400を示すブロック図である。本実施形態のSRモータ用制御装置400は、第3の実施形態のSRモータ用制御装置300に比してスイッチ装置第1から第4パワーモジュールに備わる半導体スイッチ素子の種類みが異なり、その他の構造は第3の実施形態のSRモータ用制御装置300と同一である。そのため、第1から第4パワーモジュールについてのみ説明し、その他については同一の符号を付し説明を省略する。スイッチ装置43は同一構造の第1から第4パワーモジュール410,420,430,440から構成される。そして、スイッチ回路31は、第1から第4のハーフブリッジ回路22,33,44,55から構成されている。また、第1のハーフブリッジ回路22は、他のハーフブリッジ回路33,44,55から独立して第1パワーモジュール410に実装されるとともに、第2から第4のハーフブリッジ回路33,44,55もそれぞれ互いに独立して第2から第4パワーモジュール420,430,440に実装されている。第1のハーフブリッジ回路22は、接続点22cにて直列に接続された2つのFET半導体スイッチ素子22a,22bを備える。同様に、第2から第4のハーフブリッジ回路33,44,55は、それぞれ接続点33c,44c,55cで直列に接続された2つのFET33a,33b44a,44b55a,55bを備える。そして、第1のハーフブリッジ回路22が実装されている第1パワーモジュール410は、上記のように接続点22cにて直列に接続された2つのFET半導体スイッチ素子22a,22bを有するとともに、一方のFET22aのドレイン端子が接続されている導電性の正極端子22pと、他方のFET22bのソース端子に接続されている導電性の負極端子22nと、2つのFET22a,22bの接続点22cに接続されている導電性の出入力端子22sを備える。ここで、正極および負極端子22p,22nならびに出入力端子22sは、第1パワーモジュール410の上面に、正極端子22p、負極端子22n、出入力端子22sの順に直線上に配置されている。同様に、第2のハーフブリッジ回路33が実装されている第2パワーモジュール420は、上記のように接続点33cにて直列に接続された2つのFET半導体スイッチ素子33a,33bを有するとともに、一方のFET33aのドレイン端子が接続されている導電性の正極端子33pと、他方のFET33bのソース端子に接続されている導電性の負極端子33nと、2つのFET33a,33bの接続点33cに接続されている導電性の出入力端子33sを備える。ここで、正極および負極端子33p,33nならびに出入力端子33sは、第2パワーモジュール420の上面に、正極端子33p、負極端子33n、出入力端子33sの順に直線上に配置されている。同じく、第3のハーフブリッジ回路44が実装されている第3パワーモジュール430は、上記のように接続点44cにて直列に接続された2つのFET半導体スイッチ素子44a,44bを有するとともに、一方のFET44aのドレイン端子が接続されている導電性の正極端子44pと、他方のFET44bのソース端子に接続されている導電性の負極端子44nと、2つのFET44a,44bの接続点44cに接続されている導電性の出入力端子44sを備える。ここで、正極および負極端子44p,44nならびに出入力端子44sは、第3パワーモジュール430の上面に、正極端子44p、負極端子44n、出入力端子44sの順に直線上に配置されている。さらに、第4のハーフブリッジ回路55が実装されている第4パワーモジュール440は、上記のように接続点55cにて直列に接続された2つのFET半導体スイッチ素子55a,55bを有するとともに、一方のFET55aのドレイン端子が接続されている導電性の正極端子55pと、他方のFET55bのソース端子に接続されている導電性の負極端子55nと、2つのFET55a,55bの接続点55cに接続されている導電性の出入力端子55sを備える。ここで、正極および負極端子55p,55nならびに出入力端子55sは、第4パワーモジュール440の上面に、正極端子55p、負極端子55n、出入力端子55sの順に直線上に配置されている。"