"下記成分a~dが下記配合量で配合された樹脂組成物を含むA層と、a有機溶剤に溶解する樹脂であって、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂から選択される1種以上の樹脂、b熱硬化性樹脂、c充填剤、dフェノキシ樹脂成分aの質量と成分bの質量との比率が1:0.5~1:50であり、成分aと成分bとの合計質量と成分cの質量との比率が1:0.02~1:0.5であり、成分dの質量と成分aの質量との比率が1:0.2~1:10であり、該樹脂組成物100質量部に対して該成分a~該成分dの合計配合量が70質量部以上である40°C未満で固形であり、40°C以上140°C未満の温度で溶融する熱硬化性樹脂組成物を含むB層と、該A層を支持する支持体であるC層とが、C層、A層、B層の順に配設された接着フィルム。前記成分aがポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂から選択される1種以上の樹脂である請求項1に記載の接着フィルム。前記成分aがポリアミド樹脂である請求項1に記載の接着フィルム。前記成分aは、ポリブタジエン骨格を有する樹脂であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の接着フィルム。前記成分bが1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂である請求項1~4のいずれか1項に記載の接着フィルム。前記成分cがシリカを含む無機充填剤、又はアクリルゴム粒子、シリコン粒子を含む有機充填剤から選択される1種類以上であって、該無機充填剤及び該有機充填剤の平均粒径は、1μm以下である請求項1~5のいずれか1項に記載の接着フィルム。前記無機充填剤がヒュームドシリカである請求項6に記載の接着フィルム。前記成分dの分子量が5000~10000である請求項1~7のいずれか1項に記載の接着フィルム。前記成分dがフルオレン骨格を有する請求項1~8のいずれか1項に記載の接着フィルム。前記A層が配設された前記B層の表面の反対側の表面が保護フィルムで覆われている請求項1~9のいずれか1項に記載の接着フィルム。前記A層の厚さが1~15μm、前記B層の厚さが10~100μm、前記C層の厚さが10~150μmである請求項1~10のいずれか1項に記載の接着フィルム。請求項1~11のいずれか1項に記載の接着フィルムが用いられた多層プリント配線板。下記の工程1~6を含み、工程1:請求項1~11のいずれか1項に記載の接着フィルムを、回路基板の片面又は両面にラミネートする工程、工程2:前記接着フィルムがラミネートされた回路基板において、前記接着フィルムを構成するA層及びB層を熱硬化し、絶縁層を形成する工程、工程3:前記絶縁層が形成された前記回路基板に穴部を形成する工程工程4:前記穴部に残る前記接着フィルムの残渣を除去する工程工程5:前記残渣が除去された回路基板に導体層を形成する工程工程6:前記導体層が形成された絶縁層上に回路パターンを形成する工程工程1、工程2、工程3のいずれかの後、前記C層を剥離又は除去する工程を有する多層プリント配線板の製造方法。前記工程1に続いて、前記C層を剥離する工程、又は前記C層を除去する工程を有する請求項13に記載の多層プリント配線板の製造方法。前記工程2に続いて、前記C層を剥離する工程、又は前記C層を除去する工程を有する請求項13に記載の多層プリント配線板の製造方法。前記工程3に続いて、前記C層を剥離する工程、又は前記C層を除去する工程を有する請求項13に記載の多層プリント配線板の製造方法。前記工程1が真空ラミネーター装置によって行われる請求項13~16のいずれか1項に記載の多層プリント配線板の製造方法。本発明は、上述した現状に鑑み、ビルドアップ方式の多層プリント配線板に用いられ、平滑な表面粗化状態を有する層間絶縁層であっても高い接着強度を有する導体層を形成することができ、デスミア処理によって粗化されにくく、ブリスター欠陥を生じにくい接着フィルム、該接着フィルムを用いた多層プリント配線板、及び該多層プリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは上記の課題を解決すべく検討を進めた結果、有機溶剤に溶解する耐熱樹脂、熱硬化性樹脂、充填剤、フェノキシ樹脂を特定の比率で配合した樹脂組成物は、多層プリント配線板の製造工程におけるデスミア処理によって粗化されにくく、また、ブリスター欠陥を生じにくいため、回路基板との接合、及び導電層との接合に好適に用いることができることを見出した。すなわち、本発明は、以下の<1>~<14>の内容を含む。<1>下記成分a~dが下記配合量で配合された樹脂組成物を含むA層と、a有機溶剤に溶解する樹脂であって、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂から選択される1種以上の樹脂、b熱硬化性樹脂、c充填剤、dフェノキシ樹脂成分aの質量と成分bの質量との比率が1:0.5~1:50であり、成分aと成分bとの合計質量と成分cの質量との比率が1:0.02~1:0.5であり、成分dの質量と成分aの質量との比率が1:0.2~1:10であり、該樹脂組成物100質量部に対して該成分a~該成分dの合計配合量が70質量部以上である40°C未満で固形であり、40°C以上140°C未満の温度で溶融する熱硬化性樹脂組成物を含むB層と、該A層を支持する支持体であるC層とが、C層、A層、B層の順に配設された接着フィルム。<2>前記成分aがポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂から選択される1種以上の樹脂である上記<1>に記載の接着フィルム。<3>前記成分aがポリアミド樹脂である上記<1>に記載の接着フィルム。<4>前記成分aは、ポリブタジエン骨格を有する樹脂であることを特徴とする上記<1>~<3>のいずれかに記載の接着フィルム。<5>前記成分bが1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂である上記<1>~<4>のいずれかに記載の接着フィルム。<6>前記成分cがシリカを含む無機充填剤、又はアクリルゴム粒子、シリコン粒子を含む有機充填剤から選択される1種類以上であって、該無機充填剤及び該有機充填剤の平均粒径は、1μm以下である上記<1>~<5>のいずれかに記載の接着フィルム。<7>前記無機充填剤がヒュームドシリカである上記<6>に記載の接着フィルム。<8>前記成分dの分子量が5000~10000である上記<1>~<7>のいずれかに記載の接着フィルム。<9>前記成分dがフルオレン骨格を有する上記<1>~<8>のいずれかに記載の接着フィルム。<10>前記A層が配設された前記B層の表面の反対側の表面は、樹脂層で覆われている上記<1>~<9>のいずれかに記載の接着フィルム。<11>前記A層の厚さが1~15μm、前記B層の厚さが10~100μm、前記C層の厚さが10~150μmである上記<1>~<10>のいずれかに記載の接着フィルム。<12>上記<1>~<11>のいずれかに記載の接着フィルムが用いられた多層プリント配線板。<13>下記の工程1~6を含み、工程1、工程2、工程3のいずれかの後、前記C層を剥離又は除去する工程を有する多層プリント配線板の製造方法。工程1:請求項1~11のいずれか1項に記載の接着フィルムを、回路基板の片面又は両面にラミネートする工程工程2:前記接着フィルムがラミネートされた回路基板において、前記接着フィルムを構成するA層及びB層を熱硬化し、絶縁層を形成する工程、工程3:前記絶縁層が形成された前記回路基板に穴部を形成する工程工程4:前記穴部に残る前記接着フィルムの残渣を除去する工程工程5:前記残渣が除去された回路基板に導体層を形成する工程工程6:前記導体層が形成された絶縁層上に回路パターンを形成する工程<14>前記工程1に続いて、前記C層を剥離する工程、又は前記C層を除去する工程を有する上記<13>に記載の多層プリント配線板の製造方法。<15>前記工程2に続いて、前記C層を剥離する工程、又は前記C層を除去する工程を有する上記<13>に記載の多層プリント配線板の製造方法。<16>前記工程3に続いて、前記C層を剥離する工程、又は前記C層を除去する工程を有する上記<13>に記載の多層プリント配線板の製造方法。<17>前記工程1は、真空ラミネーター装置によって行われる上記<13>~<16>のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。本発明によれば、ビルドアップ方式の多層プリント配線板に用いられ、平滑な表面粗化状態を有する層間絶縁層であっても高い接着強度を有する導体層を形成することができ、デスミア処理によって粗化されにくく、ブリスター欠陥を生じにくい接着フィルム、該接着フィルムを用いた多層プリント配線板の製造方法を提供することができる。本発明の接着フィルムは、ビルドアップ方式の多層プリント配線板に用いられ、平滑な表面粗化状態を有する層間絶縁層であっても高い接着強度を有する導体層を形成することができる。本発明における回路基板とは、主として、ガラスエポキシ、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化性ポリフェニレンエーテル基板などの基板の片面又は両面に導体層及び回路パターンがプリント配線技術などによって形成されたものをいう。導線部分のみがプリントされたものは、プリント配線板という。また、回路基板と絶縁層とが交互に重ねられてできる積層体の片面又は両面に導体層及び回路パターンがプリント配線技術などによって形成されたものを多層プリント配線板という。また、本発明において、平滑または実質的に平滑とは、表面粗さRaが0.4μm未満であることを意味する。以下、本発明の接着フィルムについて詳細に説明する。本発明の接着フィルムは、下記成分a~dが下記配合量で配合された樹脂組成物を含むA層と、40°C未満で固形であり、40°C以上140°C未満の温度で溶融する熱硬化性樹脂組成物を含むB層と、該A層を支持する支持体であるC層とが、C層、A層、B層の順に配設されている。A層に含まれる樹脂組成物を構成する成分a~dは、下記のとおりである。a有機溶剤に溶解する樹脂であって、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂から選択される1種以上の樹脂、b熱硬化性樹脂、c充填剤、dフェノキシ樹脂また、成分a~dの配合量は、下記のとおりである。成分aの質量と成分bの質量との比率が1:0.5~1:50であり、成分aと成分bとの合計質量と成分cの質量との比率が1:0.02~1:0.5であり、成分dの質量と成分aの質量との比率が1:0.2~1:10であり、該樹脂組成物100質量部に対して該成分a~該成分dの合計配合量が70質量部以上である。本発明の接着フィルムにおいて、A層の厚さは、1~15μmの範囲であることが好ましい。また、B層の厚さは、プリント配線板に形成される導体層の厚みによって決定することができる。導体層の厚さが5~70μmである場合には、B層の厚さは10~100μmの範囲であることが好ましい。また、C層の厚さは、10~150μmの範囲であることが好ましい。<A層>A層は、回路基板が多層化された多層プリント配線板において、回路基板同士の接合及び回路基板と導電層との接合に寄与するとともに、回路基板同士を絶縁する絶縁層として機能する。成分a成分aは、有機溶剤に溶解する耐熱樹脂であり、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂から選択される。また、これらの何れかの樹脂の化学構造を有する共重合体等もこれらの耐熱樹脂に含まれる。これらの耐熱樹脂の中では、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂から選択される1種以上の樹脂であることが好ましく、さらにポリアミド樹脂であることが好ましい。本発明における成分aとして使用可能な耐熱樹脂は、有機溶剤に溶解する特性を有することが必須である。溶剤に溶解することができない耐熱樹脂は、ほかの成分と混合して組成物を調製することができないため、本発明に用いることができない。有機溶剤は、特に限定されないが、本発明では、20~30°Cの常温で液体であり、耐熱樹脂を溶解する性質を有するものであれば用いることができる。また、耐熱樹脂や熱硬化性樹脂と反応しない有機溶剤であることが必要であり、例えば、フェノール性水酸基を有するクレゾール等は除かれる。本発明において使用可能な好ましい有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ、メチルカルビトール、ブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等を挙げることができる。有機溶剤は2種類以上を組み合わせて用いてもよい。成分aとして使用可能な耐熱樹脂としては、破断伸度が10以上あり、50°Cでの弾性率が1GPa以下、及びガラス転移温度が160°C以上である耐熱樹脂が好ましい。破断伸度は、JISK7127に記載の方法に従って決定される。なお、本発明においてガラス転移温度が160°C以上であるとは、ガラス転移温度が分解温度よりも高く、実質的にガラス転移温度が観測できない場合も含む。また、分解温度とは、JISK7120に記載の方法に従って測定したときの質量減少量が5となる温度である。成分aとして使用可能な耐熱樹脂は、ポリブタジエン骨格を含んでいてもよく、熱硬化性樹脂例えば、エポキシ樹脂のエポキシ基と反応するフェノール性水酸基やアミド基を含有していても構わない。上述した耐熱樹脂は、それぞれ単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。成分aとして使用可能な耐熱樹脂の具体例として、以下に示す上市品を用いることができる。例えば、日本化薬株式会社製の可溶性ポリアミドBPAM-01及びBPAM-155、新日本理化株式会社製の可溶性ポリイミドリカコ-トSN20及びリカコートPN20、日本GEプラスチックス株式会社製の可溶性ポリエーテルイミドウルテム、東洋紡績株式会社製の可溶性ポリアミドイミドバイロマックスHR11NN及びバイロマックスHR16NNなどが挙げられる。上記耐熱樹脂の中で、ポリブタジエン骨格を有するBPAM-01及びBPAM-155は、金属箔の引き剥がし強さが十分であり、粗化処理化学処理後の無電解メッキの引き剥がし強さが高いため、好ましい。成分b成分bは、熱硬化性樹脂であり、150~200°Cの範囲で熱硬化するものであれば、特に限定されない。この温度は、多層プリント配線板の絶縁層を形成する際に、通常用いられる熱硬化温度に相当する。成分bとして使用可能な熱硬化性樹脂として、例えば、1分子中に2個以上エポキシ基を有するエポキシ樹脂、ビスマレイミド化合物とジアミン化合物の重合物、シアネートエステル化合物、ビスマレイミド化合物、ビスアリルナジド樹脂、ベンゾオキサジン化合物などの熱硬化性樹脂を挙げることができる。これらの熱硬化性樹脂の中では、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、ビスマレイミド化合物とジアミン化合物の重合物、シアネートエステル化合物が好ましい。さらに、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂が好ましい。1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂は、耐酸、耐アルカリなどの耐薬品性に優れる。1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂や、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、アラルキルノボラック型エポキシ樹脂などが挙げられる。上述したエポキシ樹脂の中でも、特に、ビフェニル骨格を有するアラルキルノボラック型エポキシ樹脂であることが好ましい。ビフェニル構造を有するノボラック型エポキシ樹脂とは、分子中にビフェニル誘導体の芳香族環を含有したアラルキルノボラック型のエポキシ樹脂であり、例えば、下記式1:式中、pは、1~5の整数を示すで示されるエポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、それぞれ単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。成分bとして使用可能な熱硬化性樹脂の好ましい具体例として、以下に示す上市品が挙げられる。日本化薬株式会社製のNC-3000上記式1のエポキシ樹脂、ただし、p=1.7、及びNC-3000-H上記式1のエポキシ樹脂、ただし、p=2.8が挙げられる。エポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ硬化剤が必要となる。エポキシ硬化剤としては、各種フェノール樹脂類、酸無水物類、アミン類、ヒドラジット類などが使用できる。フェノール樹脂類として、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂などを使用できる。酸無水物類として、無水フタル酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、メチルハイミック酸等を使用できる。アミン類として、ジシアンジアミド、ジアミノジフェニルメタン、グアニル尿素等を使用できる。信頼性を向上させるためには、ノボラック型フェノール樹脂であることが好ましい。さらに、トリアジン環含有ノボラック型フェノール樹脂、又はジシアンジアミドを使用すると、金属箔の引き剥がし強さや粗化処理化学粗化後の無電解銅めっきの引き剥がし強さが向上するため好ましい。市販されているエポキシ硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、トリアジン含有フェノールノボラック樹脂例えば、フェノライトLA-1356、DIC株式会社製,フェノライトLA7050シリーズ、DIC株式会社製、トリアジン含有クレゾールノボラック樹脂例えば、フェノライトLA-3018:DIC株式会社製などが挙げられる。また、エポキシ樹脂とエポキシ硬化剤の反応を速めるために、イミダゾール類、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート、3-3,4-ジクロロフェニル-1,1-ジメチルウレア等の硬化促進剤を併用することもできる。上述したエポキシ樹脂のほかに、本発明において、成分bとして使用可能な熱硬化性樹脂であるビスマレイミド化合物とジアミン化合物の重合物があり、上市品としては、株式会社プリンテック社製のテクマイトE2020等が挙げられる。また、成分bとして使用可能な熱硬化性樹脂としては、シアネートエステル化合物があり、上市品としては、ビスフェノールシアネートエステルである、ロンザ株式会社製のプリマセットPrimasetBA200、プリマセットPrimasetBA230S、プリマセットPrimasetLECY、及びバンディコ株式会社製のアロシーArocyL10が挙げられる。また、ノボラック型シアネートエステルである、ロンザ株式会社製のプリマセットPrimasetPT30、バンディコ株式会社製のアロシーArocyXU-371が挙げられる。また、ジシクロペンタジエン型シアネートエステルである、バンディコ株式会社製のアロシーArocyXP71787.02Lなどが挙げられる。また、成分bとして使用可能な熱硬化性樹脂としては、ビスマレイミド化合物があり、上市品としては、4,4’-ジフェノルメタンビスマレイミドである、三井化学株式会社製のBMI-S、ポリフェニルメタンマレイミドである、三井化学株式会社製のBMI-20などが挙げられる。また、成分bとして使用可能な熱硬化性樹脂には、ビスアリルナジド樹脂があり、上市品としては、ジフェニルメタン-4,4’-ビスアリルナジックイミドである、丸善石油化学株式会社製のBANI-Mなどが挙げられる。また、成分bとして使用可能な熱硬化性樹脂には、ベンゾオキサジン化合物があり、上市品としては、四国化成株式会社製のB-a型ベンゾオキサジンなどが挙げられる。成分c成分cである充填剤は、無機充填剤と有機充填剤とに分類できる。接着フィルム上に微細なプリント配線を形成する観点から、充填剤の粒径は小さいことが好ましい。具体的には、充填剤の平均粒径は、1μm以下であることが好ましく、0.5μm以下であることがより好ましい。さらに好ましくは、平均粒径が0.01~0.1μmである。接着フィルムに成分cを含有することによって、多層プリント配線板を製造する製造工程において、接着フィルムを熱硬化した後に行われるレーザー加工の際に発生する接着フィルムの残渣スミアの飛散の防止、及びレーザー加工によって形成されるビアホール形状の精度を高めることができる。また、接着フィルムが成分cを含有することによって、後述する粗化/デスミア処理において、接着フィルムの絶縁層表面の粗化の進行を抑制することができる。さらに、成分cとして無機充填剤を用いると、接着フィルムの熱膨張係数を下げることができ、有機充填剤を用いると、硬化物中の応力を緩和することができる。無機充填剤としては、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムなどが挙げられる。これらの中でも、特にシリカが好ましい。接着フィルムの耐湿性を向上させるためには、無機充填剤の表面がシランカップリング剤等の表面処理剤で処理されていることが好ましい。成分cとして使用可能な無機充填剤のうち、平均粒径が0.1μm以下のシリカの例として、ヒュームドシリカが挙げられる。ヒュームドシリカのなかでも、絶縁信頼性、耐熱性の観点から、エポキシ樹脂中における分散性が良好なものが好ましい。ヒュームドシリカの上市品として、例えば、日本アエロジル株式会社製のAEROSILR972、及びAEROSILR202等が使用できる。両者には、表面を疎水化する処理が施されており、エポキシ樹脂中における分散性が高められているため好ましい。有機充填剤としては、アクリルゴム粒子、シリコン粒子などが挙げられる。上述した無機充填剤及び有機充填剤は、それぞれ単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。成分d成分dは、フェノキシ樹脂である、A層にフェノキシ樹脂を配合することによって、A層とB層とを硬化して形成される絶縁層と、導体層との接合強度を向上させるとともに、導体層のブリスター欠陥を抑制できる。また、絶縁層とソルダーレジストとの接合強度を向上させることができる。フェノキシ樹脂の重量平均分子量が5000~100000であることが好ましい。フェノキシ樹脂の重量平均分子量が5000~100000であると、成分dを含んで構成される接着フィルムの可撓性及び機械的強度を向上させることができるとともに、接着フィルムの取扱性を容易にすることができる。また、例えば、デスミア処理に用いる薬品に対する耐性を向上できる。また、フェノキシ樹脂の重量平均分子量が5000~100000であれば、成分dを含んで構成される接着フィルムと導体層との結合強度を向上させる効果をさらに高めることができる。また、接着フィルムに接合される導体層のブリスターの発生を抑制する効果を一層高めることができる。なお、フェノキシ樹脂の重量平均分子量が100000を超えると、A層を形成するほかの成分との相溶性や有機溶剤への溶解性が著しく低下するため好ましくない。本発明において成分dは、フルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂であることが好ましい。成分dとしてフルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂を用いることにより、A層の耐薬品性を向上することができる。また、粗化/デスミア処理などにおいて、酸化剤によって絶縁層に適切な凹凸を付与することが容易になる。フェノキシ樹脂の上市品としては、YP-50、FX-273、FX-280、FX-293新日鐵化学株式会社製などが挙げられる。また、E-1256、YX-8100、YL-6742、YL-6835、YL-6953、YL-6954、YL-6974三菱化学株式会社製などが挙げられる。なかでも、フルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂として、FX-273,FX-293新日鐵化学工業株式会社製を用いることが好ましい。これらのフェノキシ樹脂は,各々単独で用いてもよく,2種類以上を組み合わせて使用してもよい。その他の成分本発明の接着フィルムにおいて、A層は、成分a~d以外の成分を含んでいてもよい。A層に配合される他の成分としては、例えば、オルベン、ベントンなどの増粘剤、イミダゾール系、チアゾール系、トリアゾール系、シランカップリング剤などの密着付与剤、フタロアニンブルー、フタロアニングリーン、アイオジングリーン、ジスアゾイエロー、カーボンブラック等の着色剤等の添加剤などが挙げられる。A層には、難燃剤が配合されていてもよい。難燃剤としては、無機難燃剤や樹脂難燃剤が挙げられる。無機難燃剤としては、例えば、成分cとして用いることのできる充填剤として例示した水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムなどが挙げられる。樹脂難燃剤としては、ハロゲン系樹脂であっても、非ハロゲン系樹脂であってもよいが、環境負荷への配慮から、非ハロゲン系樹脂を用いることが好ましい。樹脂難燃剤としては、充填剤として配合するものと、熱硬化性樹脂組成物と反応する官能基を有しているものとがある。前者の上市品の一例として、芳香族リン酸エステル系難燃剤である第八化学工業株式会社製のPX-200がある。また、ポリリン酸塩化合物であるクラリアントジャパン株式会社製のExolitOP930がある。さらに、熱硬化性樹脂組成物と反応する官能基を持っている難燃剤としては、エポキシ系リン含有難燃剤、フェノール系リン含有難燃剤などがある。エポキシ系リン含有難燃剤としては、例えば、東都化成株式会社製のFX-305がある。フェノール系リン含有難燃剤としては、例えば、三光株式会社製のHCA-HQ、ダウケミカル株式会社製のXZ92741がある。なお、上記の難燃剤は1種類だけで用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いて使用しても構わない。<A層における各成分の配合比>A層を形成する全固形分における成分aの割合は、成分cである充填剤を除く固形分のうち3質量~25質量であることが好ましく、より好ましくは、5質量~20質量であり、さらに好ましくは、5質量~18質量である。A層を形成する全固形分における成分aの割合が充填剤を除く固形分のうち3質量~25質量であれば、粗化/デスミア処理を施した接着フィルムと導体層との接合強度を十分に確保することができる。一方、A層を形成する全固形分における成分aの割合が25質量を超えると、粗化処理の際に、耐薬品性が低下する。このため、ビアホールのスミアを除去するよりも弱い粗化処理を設定することが必要になり、製造工程における条件の調整が煩雑化するため、好ましくない。また、成分aの割合が25質量を超えると、粗化/デスミア処理によってA層に脆弱な層が形成されやすくなったり、A層自体が除去されてA層の膜厚を確保できなくなったりするため、好ましくない。また、A層を形成する全固形分における成分bの配合量は、成分aの質量と成分bの質量との比率が1:0.5~1:50であることが好ましく、より好ましくは、1:1~1:20であり、さらに好ましくは、1:2~1:20である。成分aに対する成分bの配合量は、後述する、デスミア処理を施した後の接着フィルムの表面形状を決定する上で重要である。成分aと成分bの配合量が上記比率を満たすことによって、後述するB層に含まれる溶剤をA層の表面から抜き出すことができる。また、A層を形成する全固形分における成分aと成分bとの合計質量と成分cの質量との比率は、1:0.02~1:0.5であることが好ましい。成分aと成分bとの合計質量と成分cの質量との比率が1:0.02~1:0.5であると、接着フィルムと導体層無電解銅めっきとの接合強度を高めることができる。なお、成分cの比率が0.02未満であると、接着フィルムと導体層との接合強度が低下するため、好ましくない。また、成分cの比率が0.5を超えると、接着フィルムが熱硬化されてできる絶縁層のレーザー加工性が悪化し、接着フィルムの残渣スミアが増えたり、加工後のビアホールの形状が悪くなったりするおそれがある。A層を形成する成分のうち,成分dの配合量は,成分dの質量と成分aの質量との比率が1:0.1~1:10であり、より好ましくは、1:0.2~1:5であり、さらに好ましくは、1:0.5~1:3.3である。成分dであるフェノキシ樹脂の質量と成分aの質量との比率が1:0.1~1:10の範囲であれば、A層とB層を硬化して形成する絶縁層と導体層無電解銅めっきとの接合強度を向上させるとともに、導体層のブリスター欠陥を抑制できる。成分cとして用いる充填剤の含有量は、接着フィルムの質量に対して3~35質量の範囲であることが好ましい。充填剤の含有量が3~35質量であれば、スミアの飛散を抑制できるとともに、ビアホールの形状の精度を許容範囲に保持することができる。また、充填剤の含有量が3~35質量であれば、接着フィルムと導体層との接合強度を高めることができる。また、本発明の接着フィルムにおけるA層では、成分a~dを含む樹脂組成物以外の成分を含んでいてもよい。成分a~dを含む樹脂組成物以外の成分を含む場合には、成分a~dを含む樹脂組成物100重量部に対して成分a~成分dの合計配合量が70質量部以上であることを必要とする。成分a~dを含む樹脂組成物の配合量は、より好ましくは、75質量以上であり、更に好ましくは、80質量以上である。A層を構成する樹脂組成物のうち成分a~dを含む樹脂組成物の配合量が70質量未満であると、接着フィルムの層間絶縁層の表面粗さを平滑にしつつ、接着フィルムと導体層との接着強度を高めるという、本願の効果が十分に得られないため、好ましくない。<B層>本発明の接着フィルムのB層は、回路基板が多層化された多層プリント配線板において、接着フィルムをプリント配線が形成された回路基板にラミネートした際に、回路基板に接し、熱硬化の際に溶融して、回路基板の配線パターン内に流入する。また、回路基板に形成されたビアホールの内部に流入して、ビアホールの内部を充填する。ビルドアップ方式で製造される多層プリント配線板の製造工程において、本発明の接着フィルムを硬化させる硬化温度を考慮すると、B層は、40°C未満で固形であり、40°C以上140°C未満の温度で溶融する性質を有する熱硬化性樹脂組成物であることが好ましい。B層には、回路基板表面に形成されたプリント配線及び回路パターンが埋入するため、ラミネート工程の温度条件ラミネート温度というは、樹脂組成物の溶融粘度特性WO01/97582号公報に開示されているに従って決定することが好ましい。溶融粘度特性は、動的粘弾性率測定により求められる温度-溶融粘度曲線によって決定できる。測定開始温度を40°Cとし、5°C/分の昇温速度で測定した場合、動的粘弾性が1000Pasよりも低くなる温度領域でラミネートすることが好ましく、より好ましくは、500Pssよりも低くなる温度領域でラミネートすることが好ましい。真空ラミネーター装置によるラミネート温度は、60°C~140°Cであることが好ましく、より好ましくは70°C~120°Cである。また、B層の溶融温度は、好ましくは120°C以下であり、さらに100°C以下であることが好ましい。また、B層に、上述した溶融粘度特性によって決定されるラミネート温度よりも軟化点の低い樹脂を5質量以上、より好ましくは10質量以上配合することが好ましい。ラミネート温度よりも軟化点の低い樹脂の配合量が5未満であると、ラミネート工程においてB層が溶融する際に、回路間、ビアホール、スルーホールなどに、溶融したB層をボイド無く充填できるような溶融粘度を得ることが困難となる場合がある。B層を形成する熱硬化性樹脂組成物には、熱硬化性樹脂が含まれる。熱硬化性樹脂としては、A層を構成する樹脂組成物に含まれる成分bの熱硬化性樹脂と同様のものを挙げることができる。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ硬化剤が必要となる。エポキシ硬化剤としては、上述のものが適用可能である。また、上述したように、イミダゾール類、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート、33,4-ジクロロフェニル-1,1-ジメチルウレア等の硬化促進剤を併用することもできる。B層を形成する熱硬化性樹脂組成物には、充填剤が添加されていてもよい。充填剤の添加量は、本発明の接着フィルムを硬化して形成される絶縁層の特性及び接着フィルムの機能によって適宜調整可能である。充填剤の添加量は、好ましくは10~85質量、より好ましくは30~85質量である。上述の成分cとして例示した充填剤は、B層に添加される充填剤として用いることができる。成分cとして例示した無機充填剤及び有機充填剤を1種類若しくは2種類以上混合して用いることが好ましい。B層に添加される充填剤の平均粒径が小さくなれば、B層の溶融粘度が高くなる。このため、充填剤の平均粒径は、0.01μm~2.0μmとすることが好ましい。B層に添加する充填剤の平均粒径をこの範囲にすることにより、溶融したB層を回路間、ビアホール、スルーホールなどにボイド無く充填できる。また、B層にも難燃剤が配合されていてもよい。A層に配合可能な上述の難燃剤は、B層にも配合できる。<C層>本発明の接着フィルムにおけるC層は、A層を支持する支持体を構成している。多層プリント配線板を製造する製造工程において、接着フィルムが回路基板にラミネートされた後、C層は、A層から剥離又は除去される。支持体としては、例えば、ポリエチレン、ポリ塩化ビニルなどのポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、更には離型紙や銅箔、アルミニウム箔などの金属箔などを挙げることができる。支持体として銅箔を用いた場合には、導体層として銅箔を使用することもできる。銅箔としては、圧延銅、電解銅箔などがあげられる。銅箔の厚さは、2μm~36μmであることが好ましい。キャリア付き銅箔を使用すると、多層プリント配線板を製造する上での作業性を向上させることができる。支持体には、マット処理、コロナ処理、離型処理などが施されていてもよい。支持体の厚さは、10μm~150μmであることが好ましく、より好ましくは、25~50μmである。C層の厚さが10μm~150μmであれば、取扱性がよい。なお、C層は、最終的に剥離又は除去される。このため、資源浪費の観点から、厚さが150μmを超えると好ましくない。<保護フィルム>本発明の接着フィルムでは、A層が配設されたB層の表面の反対側の表面は、保護フィルムで覆われていてもよい。保護フィルムを設けることにより、B層への異物の付着や、B層の損傷を防止することができる。保護フィルムは、接着フィルムを回路基板にラミネートする前、或いは熱硬化処理の前にB層から剥離される。上述した支持体C層に用いることができる材料は、保護フィルムとしても用いることができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、1~40μmの範囲であることが好ましい。<接着フィルムの作製方法>本発明の接着フィルムは、当業者の公知の方法に従って作製できる。本発明の接着フィルムのC層、A層、B層をこの順に配設し、接着フィルムを作製する方法としては、2種類の作製方法が挙げられる。第1の方法は、C層の上にA層を形成し、さらにA層の上にB層を形成する方法である。例えば、有機溶剤に成分a、b、dを溶解し、さらに、成分cなどを混合することによってA層を形成するためのワニスを調製する。また、B層を形成するためのワニスを調整する。支持体であるC層に、A層を形成するワニスを塗布し、加熱あるいは熱風の吹きつけによって有機溶剤を乾燥させることにより、C層の上にA層を形成することができる。さらに、乾燥後のA層の上にB層を形成するワニスを塗布することにより、接着フィルムを作製することができる。有機溶剤の乾燥条件は、特に限定されないが、乾燥後に生成される樹脂組成物への有機溶剤の含有割合が、10質量以下、好ましくは5質量以下となるように乾燥させる。乾燥条件は、B層の温度-溶融粘度曲線に影響を与えるため、好ましくは、B層の温度-溶融粘度曲線を満たすように設定されることが好ましい。乾燥条件の一例としては、30~80質量の有機溶剤を含むワニスを50~150°Cで3~10分程度乾燥させる。第2の方法は、C層とA層とからなるフィルムと、B層とC層とからなるフィルムをラミネートする方法である。この方法では、支持体であるC層の上にB層を形成するワニスを塗布し、C層とB層とからなるフィルムを作製する。また、第1の方法に従ってC層とA層とからなるフィルムを作製する。続いて、C層とB層とからなるフィルムと、C層とA層とからなるフィルムとをラミネートする。この場合、接着フィルムは、C層、A層、B層、C層の順の層構成となり、B層に接合されるC層は保護フィルムとして機能することができる。なお、本発明の接着フィルムにおいて、A層ならびにB層は半硬化させておいてもよい。本発明の接着フィルムのA層を形成するワニスをC層に塗布する塗工装置としては、コンマコーター、バーコーター、キスコーター、ロールコーター、グラビアコーター、ダイコーターなど、当業者に公知の塗工装置を用いることができる。これらをA層の厚さに応じて適宜選択することができる。これらの塗工装置は、B層をA層の上に塗布する際にも適用できる。なお、A層及びB層の面積は、支持体であるC層の面積よりも小さいことが好ましい。支持体であるC層が帯状に形成されている場合には、C層の連続体の幅よりも狭い幅にA層を形成するワニスを塗布することが好ましい。帯状に形成された接着フィルムは、ロール状に巻き取って保存することができる。<多層プリント配線板の製造方法>次に、本発明の接着フィルムを用いて多層プリント配線板を製造する方法について説明する。本発明の多層プリント配線板の製造方法は、以下の工程1~6を含み、工程1、工程2、工程3のいずれかの後、前記C層を剥離又は除去する工程を有する。工程1:上述したA層、B層、C層を有する接着フィルムを、回路基板の片面又は両面にラミネートする工程工程2:前記接着フィルムがラミネートされた回路基板において、前記接着フィルムを構成するA層及びB層を熱硬化し、絶縁層を形成する工程工程3:前記絶縁層が形成された前記回路基板に穴部を形成する工程工程4:前記穴部に残る前記接着フィルムの残渣を除去する工程工程5:前記残渣が除去された回路基板に導体層を形成する工程工程6:前記導体層が形成された絶縁層上に回路パターンを形成する工程工程1本発明の接着フィルムは、回路基板の片面又は両面に、市販の真空ラミネーター装置を用いて好適にラミネートすることができる。ラミネート工程では、接着フィルムは、回路基板の上に配置された状態で加圧及び加熱されながら回路基板に圧着される。接着フィルムが保護フィルムを有している場合には、ラミネート工程の前に保護フィルムを除去する。真空ラミネーター装置としては、例えば、ニチゴーモートン株式会社製のバキュームアップリケーター、株式会社名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、日立インダストリーズ株式会社製のロール式ドライコータ、日立エーアイシー株式会社製の真空ラミネーターなどが挙げられる。ラミネート工程における温度条件は、好ましくは60°C~140°Cであり、圧着圧力は、好ましくは1~11kgf/cm29.8×104N/m2~107.9×104N/m2であり、環境圧力は、空気圧20mmHg26.7hPa以下の減圧下であることが好ましい。上述の条件により、回路基板に接着フィルムがラミネートされた積層体を形成する。ラミネート工程の後、積層体を室温付近に冷却する。冷却後、支持体であるC層を剥離又は除去する。ラミネート工程では、接着フィルムと、接着フィルムがラミネートされる回路基板とを必要によりプレヒートしておいてもよい。ラミネートの方法は、バッチ式であっても、ロールを用いた連続式であってもよい。なお、接着フィルムをラミネートする前の回路基板の表面に、予め黒化処理などの粗化処理が施されていることが好ましい。工程2続いて、回路基板にラミネートされたA層及びB層を加熱し、硬化させる。この加熱硬化によって絶縁層が形成される。温度条件は、150~220°Cとすることが好ましく、より好ましくは、160~200°Cである。温度条件が150°C~220°Cである場合の加熱時間は、20~80分間とすることが好ましい。また、160°C~200°Cである場合の加熱時間は、30~120分間とすることが好ましい。支持体としてのC層の表面に離型処理が施されている場合には、接着フィルムを加熱し、硬化させる工程2の後にC層を剥離することができる。なお、接着フィルムの層構造を説明する上で、A層とB層とを区別をしているが、回路基板にラミネートされたA層及びB層を加熱し、硬化させた後には、A層とB層との間に明確な界面が存在しない状態になっていることもある。例えば、A層を構成する成分の一部と、B層を構成する成分の一部とが相溶状態になっていることもある。界面部分がこのような状態になっているものも本発明の接着フィルムに含まれる。工程3A層及びB層からなる絶縁層が形成された回路基板に、ドリル加工、レーザー加工、プラズマ加工、又はこれらの組み合わせによって、ビアホールが形成される。レーザーとしては、炭酸ガスレーザーやYAGレーザー、UVレーザー、エキシマレーザーなどを用いることができる。支持体としてのC層の表面に離型処理が施されている場合には、接着フィルムを加熱し、硬化させる工程2の後であればよく、工程3の後にC層を剥離又は除去してもよい。工程4続いて、酸化剤を用いて、工程3において形成されたビアホールの内部に残る接着フィルムの残渣スミアを除去するとともに絶縁層の表面を粗化する粗化/デスミア処理を行う。粗化/デスミア処理に使用可能な酸化剤としては、過マンガン酸塩過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウムなど、重クロム酸塩、オゾン、過酸化水素、硫酸、硝酸などを用いることができる。デスミア処理では、ビルドアップ方式による多層プリント配線板の作製において絶縁層の粗化に汎用とされているアルカリ性過マンガン酸溶液例えば、過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウムの水酸化ナトリウム水溶液を使用することが好ましい。これにより、ビアホール内部のスミアを除去するとともに絶縁層の表面を粗化することができる。工程5粗化/デスミア処理によってスミアが除去されたビアホールの内部、及び接着フィルムの絶縁層の表面に、無電解銅めっきと電解めっきを組み合わせた方法で導体層を形成する。ビアホールの内部及び絶縁層の表面に導体層を形成した後、150°C~200°Cで20分~90分間、アニールanneal処理を施す。これにより、絶縁層と導体層との間の接合強度を向上させることができる。なお、工程5では、配線パターンと逆のパターンのめっきレジストを形成し、無電解銅めっきのみで導体層を形成してもよい。工程6導体層が形成された最外側の絶縁層上に、通常、回路パターンを形成する。回路パターンを形成する方法としては、例えば、当業者に公知のサブトラクディブ法、セミアディティブ法などを用いることができる。工程1~6を繰り返し行うことにより、多層プリント配線板を製造することができる。以下、実施例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。<A層を形成するワニスの作製>ワニスA1~A14下記表1に示す各成分a~d及び有機溶剤を表記の配合量にて混合し、ビーズミル分散処理を施してワニスA1~A14を作製した。表1における各成分は、下記のとおりである。a-1:ポリアミド樹脂BPAM-155日本化薬株式会社製b-1:ビフェニル型エポキシ樹脂NC3000-H日本化薬株式会社製b-2:硬化剤トリアジン含有フェノール性ノボラック樹脂LA-1356-60PDIC株式会社製b-3:硬化促進剤2-フェニルイミダゾール四国化成工業株式会社製c-1:ヒュームドシリカAEROSILR972日本アエロジル株式会社製、d-1:フェノキシ樹脂フルオレン骨格含有FX-293新日鐵化学株式会社製d-2:フェノキシ樹脂YP-50新日鐵化学株式会社製有機溶剤:ジメチルアセトアミド<B層の作製>下記表2に示す各成分を表記の配合量にて混合し、ビーズミル分散処理を施してB層を形成するワニスBを作製した。表2における各成分は、下記のとおりである。e:ビフェニル型エポキシ樹脂NC3000-Hf:硬化剤トリアジン含有クレゾールノボラックLA-3018-50PDIC株式会社製g:リン含有のフェノール性樹脂HCA-HQ-HS三光株式会社製h:フェノールノボラック樹脂TD2131DIC株式会社製i:硬化促進剤1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト2PZ-CNS-PW四国化成工業株式会社製j:充填剤メチルイソブチルケトン溶剤中でアミノシランカップリング剤処理を施したシリカフィラーSO-C2アドマファインテクノ株式会社製平均粒径0.5μm有機溶剤:ジメチルアセトアミド<実施例1の接着フィルムの作製>支持体C層として、厚さ38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムPETフィルムを用いた。コンマコーターを用いて、PETフィルムの表面に、ワニスA1を塗布後の厚さが5μmになるように、それぞれ塗布し、乾燥させた。なお、乾燥条件は、乾燥温度140°C、乾燥時間3分に設定した。これにより、ワニスA1によって形成されたA層とC層とを有する積層体1を形成した。続いて、以上のようにして得られた積層体1のA層の上にB層を形成した。B層の形成方法は、次のとおりである。コンマコーターを用いて、積層体のA層側に、B層を形成するワニスBを塗布後の厚さが35μmになるように塗布し、乾燥させた。乾燥条件は、乾燥温度105°C、乾燥時間1.2分に設定した。これにより、接着フィルム1を得た。<実施例2~8の接着フィルムの作製>実施例2~8の接着フィルム2~8は、ワニスA2~A8を用いたほかは接着フィルム1の作製方法に準じて作製した。<比較例1~6の接着フィルムの作製>比較例1~6の接着フィルム9~14は、ワニスA9~A14を用いたほかは接着フィルム1の作製方法に準じて作製した。<実施例1の多層プリント配線板の作製>予め電子回路が形成された、銅箔18μm、板厚0.4mmの銅張り積層板以下に示すに、ラミネーター装置を用いて、接着フィルム1をラミネートした。ラミネート後、支持体C層を剥離し、180°Cに設定された乾燥雰囲気中に60分間載置し、A層及びB層を硬化させて、A層及びB層を有する絶縁層付きの回路基板を得た。銅張り積層板として、MCL-E-679F日立化成工業社製を使用した。また、ラミネーター装置として、バッチ式真空加圧ラミネーターMVLP-500名機株式会社製を使用した。ラミネート条件は、真空度30mmHg以下、温度90°C、圧力0.5MPaに設定した。次に、絶縁層の所定の箇所に、レーザー加工によりビアホールを形成した。レーザー加工機として、炭酸ガスレーザー加工機LCO-1B21型日立ビアメカニクス株式会社製を使用した。形成条件は、ビーム径60μm、周波数500Hz、パルス幅5us、ショット数2とした。このようにして、ホール形成済回路基板1を得た。<実施例2~8の多層プリント配線板の作製>実施例2~8のホール形成済回路基板2~8は、接着フィルム2~8を用いたほかは、実施例1のホール形成済回路基板1の作製方法に準じて作製した。<比較例1~6の多層プリント配線板の作製>比較例1~6のホール形成済回路基板9~14は、接着フィルム9~14を用いたほかは、実施例1のホール形成済回路基板1の作製方法に準じて作製した。<実施例1の表面粗さを測定する基板の作製>複数作製したホール形成済回路基板1の一部から表面粗さを測定するための基板を作製した。ホール形成済回路基板1に対して、次に示す条件で、ビアホールのデスミア処理を施した。すなわち、80°Cに加熱された膨潤液にホール形成済回路基板1を3分間浸漬した。次に、80°Cに加熱された粗化液にホール形成済基板1を20分間浸漬した。続いて、45°Cに加熱された中和液に5分間浸漬した。このようにして、デスミア処理済回路基板1を得た。膨潤液として、CIRCUPOSITMLBCONDITIONER211ロームアンドハース電子材料社製を用いた。粗化液として、CIRCUPOSITMLBPROMOTER213ロームアンドハース電子材料社製を用いた。中和液として、CIRCUPOSITMLBNEUTRALIZERMLB216ロームアンドハース電子材料社製を用いた。<実施例2~8の表面粗さを測定する基板の作製>実施例2~8のデスミア処理済回路基板2~8は、ホール形成済回路基板2~8を用いたほかは、実施例1のデスミア処理済回路基板1の作製方法に準じて作製した。<比較例1~6の表面粗さを測定する基板の作製>比較例1~6のデスミア処理済回路基板9~14は、ホール形成済回路基板9~14を用いたほかは、実施例1のデスミア処理済回路基板1の作製方法に準じて作製した。<実施例1のブリスターの発生を評価する基板の作製>デスミア処理済回路基板1から接合強度を測定するための基板を作製した。デスミア処理済回路基板1に、次に示す導電層を形成する処理を施した。すなわち、デスミア処理済回路基板1を、室温25°Cにおいて、無電解銅めっき用触媒液に10分間浸漬した後、水洗し、室温25°Cにおいてめっき液に室温25°Cで15分間浸漬した。これにより、デスミア処理済回路基板の絶縁層の表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっきを施し、ブリスター評価基板1を得た。<実施例2~8のブリスターの発生を評価する基板の作製>実施例2~8のブリスター評価基板2~8は、デスミア処理済回路基板2~8を用いたほかは、実施例1のブリスター評価基板1の作製方法に準じて作製した。<比較例1~6のブリスターの発生を評価する基板の作製>比較例1~6のブリスター評価基板9~14は、デスミア処理済回路基板9~14を用いたほかは、実施例1のブリスター評価基板1の作製方法に準じて作製した。<実施例1の接合強度を測定する基板の作製>無電解銅めっきが形成されたブリスター評価基板1に、電解めっきにより厚さ約25μmの銅層をさらに形成した。続いて、1mm幅のレジストを形成し、塩化第二鉄を用いて銅層をエッチングすることにより、導体層形成済回路基板1を得た。無電解銅めっき用触媒液として、PdCl2を含む無電解銅めっき用触媒液HS-202B日立化成工業株式会社製を用いた。めっき液として、CUST-201日立化成工業株式会社製を用いた。<実施例2~8の接合強度を測定する基板の作製>実施例2~8の導体層形成済回路基板2~8は、デスミア処理済回路基板2~8を用いたほかは、実施例1の導体層形成済回路基板1の作製方法に準じて作製した。<比較例1~6の接合強度を測定する基板の作製>比較例1~6の導体層形成済回路基板9~14は、デスミア処理済回路基板9~14を用いたほかは、実施例1の導体層形成済回路基板1の作製方法に準じて作製した。<デスミア処理の効果の評価/レーザー加工性の評価>デスミア処理済回路基板1~14のビアホールの周辺領域を電子顕微鏡で観察し、ビアホールの断面形状及びビアホールの表面形状を電子顕微鏡で観察し、樹脂の飛散が顕著なもの、またはビアホールの形状がいびつなものを不良とし、それ以外を良好とした。結果は、表3に示す。電子顕微鏡として、SEMS4700株式会社日立製作所社製を使用した。<ブリスター発生有無の評価方法>上記電子顕微鏡を用いて、ブリスター評価基板1~14の導体層を観察した。導体層の膨れが導体層の全面に亘って観察された場合には×と評価し、導体層の膨れが導体層の一部端部領域に観察された場合には△と評価し、導体層の膨れが観察されなかった場合には○と評価した。結果は、表3に示す。<ピール強度の評価>導体層形成済回路基板1~14のそれぞれに対して、絶縁層と導体層との接合強度を評価した。接合強度は、ピール強度で表した。導体層形成済回路基板1~14のそれぞれに対して、絶縁層の上に形成された銅層の一端を絶縁層から剥離し、把持具で把持して、絶縁層の表面に対して垂直方向に向けて、引張速度50mm/分、室温中で荷重を付与し、引き剥がれたときの荷重を測定した。接合強度ピール強度は、0.6kN/m以上であれば良好と評価した。結果は、表3に示す。<表面粗さの測定>デスミア処理済回路基板1~14の絶縁層の表面粗さRaを測定した。測定には、マイクロマップMN5000型菱化システム社製を用いた。表面粗さRaの値が小さいほど、プリント配線の配線幅を細かくできるため、好ましい。表面粗さは、0.4μm未満を良好と評価した。結果は、表3に示す。<評価結果>ビアホール形状の評価において、ホール形成済回路基板1~8の結果は、実施例1~8のそれぞれに対応している。また、ホール形成済回路基板9~14の結果は、比較例1~6のそれぞれに対応している。ブリスター発生有無の評価において、ブリスター評価基板1~8の結果は、実施例1~8のそれぞれに対応している。また、ブリスター評価基板9~14の結果は、比較例1~6のそれぞれに対応している。ピール強度の評価において、導体層形成済回路基板1~8の結果は、実施例1~8のそれぞれに対応している。また、導体層形成済回路基板9~14の結果は、比較例1~6のそれぞれに対応している。表面粗さの測定において、デスミア処理済回路基板1~8の結果は、実施例1~8のそれぞれに対応している。また、デスミア処理済回路基板9~14の結果は、比較例1~6のそれぞれに対応している。表3に示す結果から、実施例1~8の多層プリント配線板は、回路基板に形成されたビアホールの断面形状も良好であり、加工性に優れることが判った。また、実施例1~8において、絶縁層の上に形成された導体層のピール強度は、いずれも0.6kN/m以上であった。また、実施例1~8において、絶縁層の表面粗さは、0.4μm未満であった。対して、比較例1~6の多層プリント配線板は、ビアホール形状は良好であるが、ピール強度、表面粗さ、ブリスター有無のいずれかが不良と評価されている。以上の結果から、実施例1~8の多層プリント配線板は、ビアホールの形状も良好であり、デスミア処理後にスミアが十分に除去されているため、レーザー加工性に優れることが判った。また、実施例1~8の多層プリント配線板は、デスミア処理後であっても、表面粗さが0.4μm以下を維持できる。従って、実施例1~8の多層プリント配線板は、ビアホール内部に残るスミアを完全に除去するようにデスミア処理を行っても、接着フィルムの表面を表面粗さが0.4μm以下に保つことができることが判った。また、実施例1~8の多層プリント配線板は、接着フィルムと導体層との十分な接合強度を得ることができることが判った。また、実施例1~8の多層プリント配線板は、導体層の全面に亘ってブリスター欠陥が発生することがないことが確認できた。従って、実施例1~9の多層プリント配線板は、多層プリント配線板に形成されるプリント配線の配線幅をさらに微細にする要求にも十分に応え得る。"