チップ電極端子が表面に配置された半導体チップが載置された第1の基台と、配線および前記配線に接続する配線端子を有する配線用基台とを、一端縁が前記配線端子または前記チップ電極端子に接合された、湾曲した金属接続板の突出部が前記チップ電極端子または前記配線端子に当接するように配置する、基台配置工程と、前記半導体チップを動作させて電気信号を測定しながら、前記第1の基台と前記配線用基台との間隔を変化させることにより前記金属接続板の突出部が前記当接する位置をスライドさせ、前記電気信号に基づいて前記第1の基台と前記配線用基台との間隔を固定することで、前記金属接続板の前記突出部が前記当接する位置を固定する、基台固定工程とを備えた、半導体装置の製造方法。前記チップ電極端子、前記配線端子および前記金属接続板は、いずれも複数あり、前記基台配置工程では、それぞれの前記チップ電極端子が、対応する前記金属接続板を介して対応する前記配線端子と電気的に接続されるように、前記第1の基台と前記配線用基台とを配置する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。チップ電極端子が表面に配置された半導体チップが載置された第1の基台と、配線および前記配線に接続する配線端子を有する配線用基台と、一端縁が前記配線端子または前記チップ電極端子に接合され、他の部分の一部が前記チップ電極端子または前記配線端子に当接された金属接続板と、前記第1の基台および前記配線用基台を所定の間隔をおいて連結する基台間隔保持機構とを備えた半導体装置。前記チップ電極端子、前記配線端子および前記金属接続板は、いずれも複数あり、それぞれの前記チップ電極端子は、対応する前記金属接続板を介して対応する前記配線端子と電気的に接続されている、請求項3に記載の半導体装置。前記金属接続板は、湾曲しており、その突出部が前記チップ電極端子または前記配線端子に当接し、前記金属接続板は、前記接合された前記一端縁から前記当接する前記チップ電極端子または前記配線端子に向けて斜め方向に伸びている、請求項3または4に記載の半導体装置。前記金属接続板の前記当接する部分、および、前記金属接続板が当接する前記チップ電極端子または前記配線端子は、金めっき加工が施されている、請求項3または4に記載の半導体装置。しかしながら、図8に示すようなリボンボンディングを用いた構成の半導体装置51でも、スイッチングに起因して別の種類のノイズ共振ノイズが発生してしまう。すなわち、図9bに示す、パワーMOSFET51内部での寄生容量と電流経路部材56の有する寄生インダクタンスとのカップリングにより共振ノイズが発生してしまう。この共振ノイズの原因となるトランジスタ内部の寄生容量の測定は実質的に困難であり、かつトランジスタ間で個体差があるので、事前に予測して電流経路部材リボン56の適正なサイズや長さを決定して、パワーモジュールを作製することは不可能である。本発明は、上記従来の課題を考慮して、半導体チップと配線材間の寄生インダクタンスを微小化かつ適正化してノイズ発生を抑制した半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決するために、第1の本発明は、チップ電極端子が表面に配置された半導体チップが載置された第1の基台と、配線および前記配線に接続する配線端子を有する配線用基台とを、一端縁が前記配線端子または前記チップ電極端子に接合された、湾曲した金属接続板の突出部が前記チップ電極端子または前記配線端子に当接するように配置する、基台配置工程と、前記半導体チップを動作させて電気信号を測定しながら、前記第1の基台と前記配線用基台との間隔を変化させることにより前記金属接続板の突出部が前記当接する位置をスライドさせ、前記電気信号に基づいて前記第1の基台と前記配線用基台との間隔を固定することで、前記金属接続板の前記突出部が前記当接する位置を固定する、基台固定工程とを備えた、半導体装置の製造方法である。また、第2の本発明は、前記チップ電極端子、前記配線端子および前記金属接続板は、いずれも複数あり、前記基台配置工程では、それぞれの前記チップ電極端子が、対応する前記金属接続板を介して対応する前記配線端子と電気的に接続されるように、前記第1の基台と前記配線用基台とを配置する、第1の本発明の半導体装置の製造方法である。また、第3の本発明は、チップ電極端子が表面に配置された半導体チップが載置された第1の基台と、配線および前記配線に接続する配線端子を有する配線用基台と、一端縁が前記配線端子または前記チップ電極端子に接合され、他の部分の一部が前記チップ電極端子または前記配線端子に当接された金属接続板と、前記第1の基台および前記配線用基台を所定の間隔をおいて連結する基台間隔保持機構とを備えた半導体装置である。また、第4の本発明は、前記チップ電極端子、前記配線端子および前記金属接続板は、いずれも複数あり、それぞれの前記チップ電極端子は、対応する前記金属接続板を介して対応する前記配線端子と電気的に接続されている、第3の本発明の半導体装置である。また、第5の本発明は、前記金属接続板は、湾曲しており、その突出部が前記チップ電極端子または前記配線端子に当接し、前記金属接続板は、前記接合された前記一端縁から前記当接する前記チップ電極端子または前記配線端子に向けて斜め方向に伸びている、第3または第4の本発明の半導体装置である。また、第6の本発明は、前記金属接続板の前記当接する部分、および、前記金属接続板が当接する前記チップ電極端子または前記配線端子は、金めっき加工が施されている、第3または第4の本発明の半導体装置である。本発明により、半導体チップと配線材間の寄生インダクタンスを微小化かつ適正化してノイズ発生を抑制した半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態の一例について説明する。実施の形態1この実施の形態1は、本発明の製造方法に係る半導体装置の一例である。図1は、本発明の実施の形態1に係るパワー半導体装置30の断面図である。図1において、1および13は銅やアルミなどの高熱伝導特性を有する金属材料からなる放熱板、2ははんだ、3は銅やアルミなどの金属材料からなる金属板、4は窒化アルミ、窒化珪素、アルミナなどの高熱伝導特性を有するセラミクス材料からなる絶縁板、5および11は銅やアルミなどの導電性金属材料からなる配線、6ははんだや銀ペーストなどの導電性材料からなるダイボンド材、7はMOSFET、IGBT、SBDなどのパワー半導体チップ、8はパワー半導体チップ7の上面に形成されたチップ電極、9は銅などからなる金属接続板、10は銅やアルミなどの導電性金属材料からなる配線端子、12はエポキシやシリコーン樹脂材料などからなる絶縁樹脂、14は固定棒で、15は固定棒止めである。16はハウジング用のモールド樹脂である。なお、パワー半導体装置30が、本発明の半導体装置の一例にあたる。また、パワー半導体チップ7が、本発明の半導体チップの一例にあたり、チップ電極8が、本発明のチップ電極端子の一例にあたる。以上のように構成されたパワー半導体装置30の製造工程について説明する。図2a~dに、本実施の形態1のパワー半導体装置30の製造工程を説明するための断面図を示す。最初に、図2aに示すように、配線用基台17と半導体素子用基台18を、それぞれ作製する。なお、半導体素子用基台18が、本発明の第1の基台の一例にあたる。先ず、パワー半導体チップ7が実装される半導体素子用基台18を作製する工程について説明する。厚み1mmの窒化アルミ板からなる絶縁板4の両面に、AMC工法により厚み0.5mmのCu板を貼り付けて金属板3と配線5を形成する。配線5は、貼り付けた後にエッチングにより所望のパターンを描く。また金属板3には、はんだ2を介して2mm厚の銅板を貼り付けて放熱板1を設けた。はんだ2の材料として、Sn/Ag/Cuの鉛フリーはんだを用いた。このようにして、図2aに示すような、放熱性を有する半導体素子用基台18を形成する。次に、ダイボンド工程について説明する。パワー半導体チップ7には、サイズが5mm□で厚みが0.3mmのSiCによるMOSFETを使用する。ソース側のチップ電極8は、サイズがほぼ4mm×2mmで金めっき処理を施している。なお、ゲート側の電極端子については図示していない。このパワー半導体チップ7を、鉛フリーはんだSn/Ag/Cuをダイボンド材6として用いて配線5上に実装する。次に、上部の配線11が形成される上側の配線用基台17の製造工程について説明する。予めエッチング法によりパターニングを施した、厚み0.8mmのアルミ板を準備し、これを配線11とする。この配線11と、絶縁樹脂12と、放熱板13となる厚み2mmの銅板の位置合わせを行って積層した後に、加熱プレス処理して一体化する。絶縁樹脂12は、熱伝導を良くするためにサイズが直径5~10μmの球状シリカフィラーを80~90wt添加したエポキシ樹脂を用い、積層する前に予めドクターブレード法により厚み0.2mmのシートにしておく。これらを一体化した後に、配線端子10部に金属接続板9を接合する。金属接続板9は、幅1mm、厚み0.2mm、長さ5mmの直方体形状をしており、幅広の面の一方にアルミ、他方の面に金がめっき処理にて皮膜されており、アルミ皮膜面を内側にして、所定の湾曲形状にベント加工して作製する。その後、金属接続板9の一端の縁部のアルミ皮膜面を、配線端子10部に当接させた上に、超音波接合装置のウェッジツールを押し当てて、数ワット程度の超音波振動を印加して、この当接面に合金層を形成して接合する。金属接続板9の配線端子10に接合する側の面にアルミ皮膜を形成するのは、配線端子10との超音波接合装置を用いたボンディング性を向上させるためであり、反対面に金皮膜を形成するのは、チップ電極8との接触面への酸化皮膜形成を防止して、接続の信頼性を高めるためである。以上のようにして、図2aに示すような、配線用基台17を製造する。次に、配線用基台17と半導体素子用基台18を重ね合わせて固定する工程について説明する。配線用基台17および半導体素子用基台18には、それぞれ所定の位置に貫通孔が二箇所設けられており、この部分に下から上向きに固定棒14を突き刺す。図2bに示すように、2本の固定棒14を、それぞれ配線用基台17と半導体素子用基台18の両方の貫通孔を通るように突き刺すことにより、金属接続板9の湾曲して突出している部分が、チップ電極8に接する位置となるように、水平方向の位置が規制される。このように、金属接続板9の湾曲して突出している部分がチップ電極8に接するように、半導体素子用基台18の上に配線用基台17を配置する。この半導体素子用基台18の上に配線用基台17を配置する工程が、本発明の基台配置工程の一例にあたる。次に、図2cに示すように、パワー半導体チップ7に通電して電気信号をモニターしながら、半導体素子用基台18に対して配線用基台17の上下方向の固定する位置を決定する。固定棒14はボルト形状をしており、ナット形状をした固定棒止め15に対して固定棒14を回転することにより、配線用基台17と半導体素子用基台18との間隔を調整して固定できるようになっている。なお、固定棒14および固定棒止め15が、本発明の基台間隔保持機構の一例にあたる。電気信号をモニターしながら配線用基台17と半導体素子用基台18との間隔を調整できるので、測定された電気信号に基づいて共振ノイズの発生する位置を避けて配線用基台17の位置を固定することが可能となる。この配線用基台17の位置を固定する工程が、本発明の基台固定工程の一例にあたる。図3に、金属接続板9による配線端子10とチップ電極8との接続部の拡大断面図を示す。図3は、配線用基台17と半導体素子用基台18との間隔を変えた際の金属接続板9の挙動を表した図であり、チップ電極8の位置を基準にして、配線用基台17と半導体素子用基台18との距離が3mmのときの金属接続板9および配線端子10の位置を破線で示し、配線用基台17と半導体素子用基台18との距離を2mmにしたときの金属接続板9および配線端子10の位置を実線で示している。図3に示すA’点およびB’点は、それぞれ、配線用基台17と半導体素子用基台18との距離が3mmのときの金属接続板9上のA点およびB点に対応する、配線用基台17と半導体素子用基台18との距離が2mmになったときの金属接続板9上の位置を示している。配線用基台17と半導体素子用基台18との距離が3mmのときには、金属接続板9はA点で接しており、配線用基台17と半導体素子用基台18との距離が小さくなるにしたがって、金属接続板9上のA点およびB点が配線端子10から水平方向に遠ざかるように移動するとともに、金属接続板9がチップ電極8と接触する位置は、配線端子10へ近づくようにスライドしていき、配線用基台17と半導体素子用基台18との距離が2mmになったときには、B’点で、チップ電極8と接するようになる。配線用基台17と半導体素子用基台18との距離を3mmから2mmとすることで、接続に関与する金属接続板9の長さは、3.8mmから3.3mmに減少し、寄生インダクタンスも2.7nHから2.3nHまで減少方向に変化した。以上のようにして配線用基台17と半導体素子用基台18の位置を固定した後、最後に図2dに示すように、金属接続板9の周囲を含む配線5と配線11の間隙部と、配線用基台17および半導体素子用基台18全体の周囲を、モールド樹脂16で覆いハウジングを形成した。モールド工程は、モールド樹脂16としてパナソニック電工製エポキシ樹脂品番:CV8300YAを用い、トランスファー成型機神籐金属工業製ATA-5型にて金型温度185°C、注入圧力15MPa、時間240秒の条件で加工した。加工後も、寄生インダクタンス量に変化は生じなかった。この結果から、金属接続板9を適正な長さに調整して固定する基台固定工程の後に、モールド樹脂工程を付加することも可能であるので、モールド樹脂によるハウジング形成も可能である。図4aは、本実施の形態1のパワー半導体装置30に、外部負荷を接続した回路構成を示し、図4a中の円形の点線で囲んだ部分の等価回路を図4bに示す。図4bに示すように、ソース電極付近に可変インダクタンスの機能を挿入した回路となるので、MOSFET内部の寄生容量に応じてインダクタンスを可変することで、共振ノイズの発生を防止することができる。なお、上記した本実施の形態1において、金属接続板9は配線端子10の接合部から斜め方向に伸び出した形状をしているが、配線端子10と、金属接続板9の配線端子10との接合端とチップ電極8との接触点を結ぶ直線がなす角度は100度~160度であることが望ましい。その理由は、100度以下であると、チップ電極8との接触点のスムーズな移動が困難となり、160度以上になると金属接続板9の接触部に加わる荷重が小さくなりすぎ、振動などにより瞬間的に接触が外れることが生じるためである。また、上記した本実施の形態1では、金属接続板9が接するチップ電極8の表面を平面形状として説明したが、チップ電極8の表面を、金属接続板9の湾曲して突出している部分の形状に対応するように湾曲した凹部を有する形状としてもよい。図5は、表面の一部を、金属接続板9の湾曲して突出している部分の形状に対応する湾曲形状としたチップ電極35と、金属接続板9との接続部の断面拡大図である。図5では、チップ電極35の金属接続板9と接する側の表面の一部に湾曲した凹部を設けているが、チップ電極35の表面全面に亘って湾曲しているような形状としてもよい。チップ電極35の表面を、金属接続板9の湾曲して突出している部分に対応するように湾曲した形状とすることにより、図5に示すように、金属接続板9およびチップ電極35を側面から見たときの接触範囲は、表面が平面のチップ電極8の場合よりも大きくなり、金属接続板9とチップ電極35との接触面積を大きくできる。したがって、金属接続板9とチップ電極35との接続抵抗を小さくできるので、より大電流を流すことができる。また、上記した本実施の形態1では、金属接続板9の一端の縁部を配線端子10に接合し、湾曲した突出部をパワー半導体チップ7上のチップ電極8に当接させる構成で説明したが、金属接続板をチップ電極側に接合しておき、湾曲した突出部を配線端子側に当接させる構成としてもよい。図6に、金属接続板の湾曲した突出部を配線端子側に当接させる構成とした、本実施の形態1の他の構成のパワー半導体装置31の断面図を示す。図1と同じ構成部分には、同じ符号を用いている。図6に示すパワー半導体装置31の製造方法は、図2に示したパワー半導体装置30の製造方法と同様であり、パワー半導体チップ7を実装した半導体素子用基台20の上に配線用基台19を配置し、電気信号を測定しながら配線用基台19の固定位置を決定し、作製する。パワー半導体装置30では、配線用基台17の配線端子10に金属接続板9の一端の縁部を接合したのに対し、パワー半導体装置31の金属接続板21は、半導体素子用基台20側のパワー半導体チップ7上のチップ電極8に一端の縁部を接合している。金属接続板21の形状は、金属接続板9と同様の形状であり、湾曲した突出部分が、対面する配線用基台19上の配線端子10に当接するように配置されている。そして、配線用基台19と半導体素子用基台20との距離を変化させることにより、金属接続板21が配線端子10に当接する位置はスライドし、パワー半導体装置30と同様に、パワー半導体装置31のインダクタンスを変化させることができる。なお、図6に示す構成においても、図5に示したチップ電極35のように、配線端子10の表面に、金属接続板21の湾曲して突出している部分の形状に対応する湾曲した凹部を設ける構成としてもよい。実施の形態2この実施の形態2は、本発明の製造方法に係る半導体装置の一例である。図7は、本発明の実施の形態2に係るパワー半導体装置32の断面図である。図1と同じ構成部分には、同じ符号を用いている。本実施の形態2のパワー半導体装置32は、図1に示す実施の形態1のパワー半導体装置30と異なり、半導体素子用基台23には、2種類のパワー半導体チップ7a、7bが複数個実装されている。また、配線用基台22には、半導体素子用基台23に実装されている複数のパワー半導体チップ7a、7bのそれぞれに対応する位置の配線端子10に金属接続板9が接合されている。以上のように構成されたパワー半導体装置32の製造工程について説明する。先ず実施の形態1と同様に、下側の半導体素子用基台23を製造した後、二種類のパワー半導体チップ7a、7bを順次ダイボンドする。なお、本実施の形態2においては、パワー半導体チップ7aは実施の形態1で用いたサイズが5mm□で厚みが0.3mmのSiCのMOSFETであり、パワー半導体チップ7bはサイズが6mm×8mmで厚みが0.4mmのSiCのショットキーバリアダイオードSBDを用いた構成としている。次に、実施の形態1と同様に、上側の配線用基台22を製造する。実施の形態1と異なる点は、複数個の金属接続板9を接合して取り付ける点である。最後に、実施の形態1と同様に、放熱性を有する配線用基台22および半導体素子用基台23を重ね合わせて固定する工程を経て、パワー半導体装置32を完成する。複数の金属接続板9は、それぞれ対応するパワー半導体チップ7a、7bの所定のチップ電極8に一括して接触させる。その後、各パワー半導体チップ7a、7bに通電して、電気信号をモニターして共振ノイズが発生する位置を避けて、固定棒14にて、半導体素子用基台23に対する配線用基台22の上下方向の位置を固定する。図8に示すような従来の構造の半導体装置では、複数のパワー半導体チップ7a、7bに対し、1個ずつ接続を施していたのに対し、本実施の形態2では一括して接続が行える。さらに、パワー半導体チップ7a、7bはデバイス構造上あるいは製造工程上などの理由により、種類が異なると高さが異なることがあり、その際、従来の製造方法では、低いパワー半導体チップ7aの下側に銅板を設置するなどして、高さを揃える必要が生じる場合があるが、本実施の形態2においては、そのような製造工程を簡略化することが可能となる。また図8に示すような従来のパワー半導体装置の場合、電流経路部材リボン56ではリペアワークが行えないので、複数個のパワー半導体チップを組み込むパワー半導体装置では、チップ数の増大に伴い、共振ノイズ発生による製品不良率が上昇するが、本実施の形態2のパワー半導体装置の構造および製造方法では、共振ノイズ発生による製品不良率の上昇を抑制できる。なお、本実施の形態2においても、モールド樹脂16によりハウジングを形成しても良い。また、本実施の形態2では、金属接続板9を配線用基台22側の配線端子10に接合しておき、パワー半導体チップ7a、7b上のチップ電極8に接触させる構成としたが、図6に示した実施の形態1のパワー半導体装置31の構成のように、半導体素子用基台23側のチップ電極8上に金属接続板9を接合しておき、配線端子10に接触させる構成としてもよい。また、例えば、パワー半導体チップ7aに関しては、対向する配線端子10に金属接続板9を接合しておく構成とし、パワー半導体チップ7bに関しては、パワー半導体チップ7b上のチップ電極8に金属接続板9を接合しておく構成とする等、配線用基台22側および半導体素子用基台23側の両方に金属接続板9を接合しておくような構成としてもよい。以上に説明したように、本発明の半導体装置の製造方法を用いることにより、パワー半導体チップと配線材間の寄生インダクタンスを微小化かつ適正化できる、ノイズ発生のない安定した動作が行えるパワー半導体装置を生産性良く製造することができる。