主成分が化学式R11-xR2xBaMn2O6で示される構造を有し、1R1がNdからなり、R2がSm、EuおよびGdのうちの少なくとも1種からなるとき、xが0.05≦x≦1.0であり、2R1がNdからなり、R2がTb、Dy、Ho、ErおよびYのうちの少なくとも1種からなるとき、0.05≦x≦0.8であり、3R1がSm、EuおよびGdのうちの少なくとも1種からなり、R2がTb、Dy、HoおよびYのうちの少なくとも1種からなるとき、0≦x≦0.4であり、4R1がSm、EuおよびGdのうちの少なくとも1種からなり、R2がSm、EuおよびGdのうちのR1として選ばれなかった残りの少なくとも1種からなるとき、0≦x≦1.0である、半導体セラミック。素子本体と、前記素子本体の少なくとも一部を挟んで形成される少なくとも1対の電極とを備える、抵抗素子であって、前記素子本体が請求項1に記載の半導体セラミックから構成される、抵抗素子。突入電流を抑制するためのサーミスタ素子として用いられる、請求項2に記載の抵抗素子。前記素子本体は板状をなし、前記電極は、互いに対向するように、板状の前記素子本体の各主面上に形成される、請求項2または3に記載の抵抗素子。そこで、この発明の目的は、優れた突入電流耐性を有し、定常状態での発熱を抑制し得る抵抗素子、およびこの抵抗素子を構成するために有利に用いることができる半導体セラミックを提供しようとすることである。この発明は、まず、半導体セラミックに向けられる。この発明に係る半導体セラミックは、主成分が化学式R11-xR2xBaMn2O6で示される構造を有し、1R1がNdからなり、R2がSm、EuおよびGdのうちの少なくとも1種からなるとき、xが0.05≦x≦1.0であり、2R1がNdからなり、R2がTb、Dy、Ho、ErおよびYのうちの少なくとも1種からなるとき、0.05≦x≦0.8であり、3R1がSm、EuおよびGdのうちの少なくとも1種からなり、R2がTb、Dy、HoおよびYのうちの少なくとも1種からなるとき、0≦x≦0.4であり、4R1がSm、EuおよびGdのうちの少なくとも1種からなり、R2がSm、EuおよびGdのうちのR1として選ばれなかった残りの少なくとも1種からなるとき、0≦x≦1.0である、ことを特徴としている。この発明は、また、素子本体と、素子本体の少なくとも一部を挟んで形成される少なくとも1対の電極とを備える、抵抗素子にも向けられる。この発明に係る抵抗素子は、素子本体がこの発明に係る半導体セラミックから構成されることを特徴としている。この発明に係る抵抗素子は、好ましくは、突入電流を抑制するためのサーミスタ素子として用いられる。この発明に係る抵抗素子において、素子本体は板状をなし、電極は、互いに対向するように、板状の素子本体の各主面上に形成されることが好ましい。この発明に係る半導体セラミックによれば、比抵抗が比較的小さく、B定数が大きいという2つの条件を満足させることができる。したがって、この半導体セラミックを用いて、抵抗素子を構成すると、その発熱を抑制しながら、突入電流耐性および突入電流抑制効果が高く、定常状態での消費電力が抑制された、パワーサーミスタとして好適な抵抗素子とすることができる。これは、以下の理由によるものと推測される。この発明に係る半導体セラミックは、主成分が化学式R11-xR2xBaMn2O6で示される構造を有している。すなわち、この発明に係る半導体セラミックの主成分は、ペロブスカイト構造のAサイトに入る希土類元素とバリウムとが整列した、Aサイト整列Mn化合物である。Aサイト整列Mn化合物は、従来から知られているように、ある特定の温度で急激に抵抗が変化するCTRCriticalTemperatureResistance特性を示す、すなわち、B定数が大きい。これに加えて、この発明において規定される組成範囲とすることにより、CTR特性を低下させることなく、突入電流印加時の素子発熱および素子放熱の良好なバランスを実現し、突入電流を抑制しながら素子破壊を抑制し、さらに、オン抵抗を抑制することにより、素子の発熱の問題を解決することが可能となる。つまり、この発明に係る半導体セラミックを用いれば、定常状態室温近傍では電荷整列型絶縁体といわれる高い比抵抗を示し、突入電流抑制素子として機能し、突入電流が印加され素子が発熱した際には電荷整列型絶縁体から金属状態へと変化し、急激に比抵抗が低下して、大きな突入電流を流すことが可能となり、突入電流を吸収し、さらに素子の発熱を抑制することが可能となる。図1を参照して、この発明の一実施形態による抵抗素子1について説明する。抵抗素子1は、半導体セラミックからなる円板状の素子本体2と、素子本体2の相対向する主面上にそれぞれ形成される1対の電極とを備えている。図1では、一方の電極3のみが図示されている。図示しない他方の電極は、図示した電極3と対向するように形成されている。図示した一方の電極3には、たとえばはんだ5を介してリード線6が接続され、図示しない他方の電極には、同様にはんだを介してリード線7が接続されている。図1に示した抵抗素子1は、リード線6および7を介して、図示しない配線基板に実装され、突入電流を抑制するためのサーミスタ素子、すなわちパワーサーミスタとして有利に用いられる。なお、素子本体2は、図示したような円板状に限らず、その他任意の板状とすることができる。上記の抵抗素子1における素子本体2を構成する半導体セラミックは、Aサイト整列Mn化合物を主成分とするものである。より詳細には、この半導体セラミックは、主成分が化学式R11-xR2xBaMn2O6で示される構造を有している。そして、1R1がNdからなり、R2がSm、EuおよびGdのうちの少なくとも1種からなるとき、xが0.05≦x≦1.0であり、2R1がNdからなり、R2がTb、Dy、Ho、ErおよびYのうちの少なくとも1種からなるとき、0.05≦x≦0.8であり、3R1がSm、EuおよびGdのうちの少なくとも1種からなり、R2がTb、Dy、HoおよびYのうちの少なくとも1種からなるとき、0≦x≦0.4であり、4R1がSm、EuおよびGdのうちの少なくとも1種からなり、R2がSm、EuおよびGdのうちのR1として選ばれなかった残りの少なくとも1種からなるとき、0≦x≦1.0である。このような抵抗素子1に備える素子本体2を製造するため、出発原料の準備、仮焼、成形、脱脂、本焼成、再酸化の各工程が実施されるが、特に、本焼成工程では、酸素分圧が1×10-6MPa~5×10-12MPaに制御されることが好ましい。これによって、本焼成工程の比較的低温時に酸素欠陥が生じ、その結果、比較的短時間で効率良く、AサイトでのR1/R2とBaとの整列を実現できることが本件発明者によって見出されている。また、その後に実施される再酸化処理についても、短時間化が図れることもわかっている。次に、素子本体2の所定の面上に、たとえば、Agを導電成分とする導電性ペーストを焼き付けることによって、電極3および他方の電極が形成され、抵抗素子1が完成される。以下、この発明を実験例に基づいて、より具体的に説明する。[実験例]出発原料として、高純度3N以上の炭酸バリウムBaCO3および酸化マンガンMn3O4を準備するとともに、希土類元素Ndを含む化合物である水酸化ネオジウムNdOH3、ならびに他の希土類元素の酸化物である、酸化サマリウムSm2O3、酸化ユウロビウムEu2O3、酸化ガドリニウムGd2O3、酸化テルビウムTb4O7、酸化ホルミウムHo2O3、酸化ジスプロシウムDy2O3、酸化エルビウムEr2O3および酸化イットリウムY2O3を準備した。次に、これら出発原料が、焼成後において表1~表3に示す組成となるように秤量し、純水および分散剤を加え、直径2mmのPSZボールを用いて24時間粉砕混合処理を行なった。次に、上記の出発原料を含む粉砕混合処理後のスラリーを乾燥させ、造粒を行なった後、大気中において、800°Cの温度で2時間仮焼した。次に、得られた仮焼粉に、純水、分散剤およびバインダを加え、直径5mmのPSZボールを用いて24時間粉砕処理を行ない、乾燥させてプレス用の原料を得た。その後、プレス機を用いて、直径10mm、厚み1~3mmの円板状のプレス単板を2000kgf/cm2の圧力で作製した。ここで、厚み1~3mmというように、厚みの異なる試料を複数作製したのは、組成によって比抵抗が異なるためであり、厚み、および後述する電極面積を変えることにより、素子抵抗が室温で一般的によく使用される4~8Ω程度に収まるように調整を行なった。次に、上記プレス単板を、大気中において、450°Cの温度で2時間脱脂処理した後、H2/H2O/N2雰囲気中において、1300°Cの温度で12時間本焼成した。次いで、酸素雰囲気中において、600°Cの温度で24時間再酸化熱処理し、素子本体を得た。次に、上記素子本体の両主面に、Agペーストを塗布し、大気中において800°Cの温度で焼付け処理を行なうことによって、電極を形成し、各試料となる抵抗素子を得た。このようにして得られた抵抗素子について、抵抗測定器ケースレー2430と温度槽Despatch製とを使用して、4端子法で抵抗の温度依存性評価を行なった。10°C刻みで測定した抵抗の温度依存性から、次式を用いて、温度が変化した際にどれくらい抵抗が変化したかを示す指標であるB定数を算出した。B定数=lnR1/R2/1/T1-1/T2ただし、R1、R2は、それぞれ、T1、T2の温度[K]で測定した抵抗値[Ω]である。この実験例で得られた試料を代表して、試料16についての抵抗の温度依存性およびB定数が、図2に示されている。図2に示すように、試料16に代表される、この発明に係る半導体セラミックは、ある温度にて急激に抵抗が低下するCTR特性を示す。これは、転移温度以下では、電荷整列絶縁体という特殊な状態にあって、キャリアが凍結された状態であるが、温度上昇に伴い、電荷整列状態が崩れ、一気にキャリアが動けるようになるため、急激な抵抗変化を示すことによる。図示しないが、試料16以外の試料であって、この発明の範囲内の試料については、図2に示したものと実質的に同様の傾向が現れることが確認された。次に、各試料について、まず、室温で初期抵抗を測定し、その後、AC240V、位相90°、保護抵抗1300Ωの条件にて、突入電流耐性試験を実施した。突入電流耐性試験では、上記条件で試料に突入電流を後述する各負荷容量条件で5回印加し、印加後1分間放置して再度抵抗を測定し、この抵抗が初期抵抗の±25以内であった場合は合格と判定し、初期抵抗の±25を超えた場合は不合格と判定とした。負荷容量については、15μF、22μF、33μF、47μF、68μF、100μF、150μF、220μF、300μFと次第に大きくして、合格判定であった最大負荷容量を、突入電流耐性の指標となる最大許容負荷容量とした。この最大許容負荷容量が表1~表3に示されている。この発明では、最大許容負荷容量が150μF以上を合格と判定し、それ以外を不合格と判定した。さらに、各試料に係る抵抗素子の素子本体にアロンセラミックス耐熱性無機接着剤でK熱電対を接着した状態とし、室温において、直流2Aの電流を抵抗素子に流し、しばらく待って定常状態になってからの素子温度をK熱電対によって測定した。この素子温度が表1~表3に示されている。測定された素子温度が150°C以下の場合を合格と判定し、150°Cを超えると不合格と判定した。150°Cを合否の判定基準としたのは、従来から知られているMn系スピネル材料を使用し、かつ室温抵抗が同じ8Ωである村田製作所製NTPA78R0サーミスタで評価した場合、室温において、直流2Aの電流を流したとき、素子温度が192°Cであったため、それより十分低い150°C以下であれば、前述した課題を解決する効果が十分にあるためである。表1~表3において、を付した試料は、この発明の範囲外のものである。表1に示した試料1~19は、この発明に係る半導体セラミックの組成に関して、主成分が化学式R11-xR2xBaMn2O6で示される場合であって、R1がNdからなり、R2がSm、EuおよびGdのうちの少なくとも1種からなるとき、xが0.05≦x≦1.0である、との根拠を与えるものである。試料1が、この発明の範囲外のx=0であり、最大許容負荷容量が150μF未満となっている。表1に示した試料20~44は、この発明に係る半導体セラミックの組成に関して、主成分が化学式R11-xR2xBaMn2O6で示される場合であって、R1がNdからなり、R2がTb、Dy、Ho、ErおよびYのうちの少なくとも1種からなるとき、0.05≦x≦0.8である、との根拠を与えるものである。試料24、29、34、39および44が、この発明の範囲外のx=1であり、2Aの直流電流を印加した際の素子温度が150°Cを超えている。表2に示した試料45~62は、この発明に係る半導体セラミックの組成に関して、主成分が化学式R11-xR2xBaMn2O6で示される場合であって、R1がSm、EuおよびGdのうちの少なくとも1種からなり、R2がSm、EuおよびGdのうちのR1として選ばれなかった残りの少なくとも1種からなるとき、0≦x≦1.0である、との根拠を与えるものである。表2に示した試料63~87および表3に示した試料88~137は、この発明に係る半導体セラミックの組成に関して、主成分が化学式R11-xR2xBaMn2O6で示される場合であって、R1がSm、EuおよびGdのうちの少なくとも1種からなり、R2がTb、Dy、HoおよびYのうちの少なくとも1種からなるとき、0≦x≦0.4である、との根拠を与えるものである。試料67、72、77、82、87、92、97、102、107、112、117、122、127、132および137が、この発明の範囲外のx=0.5であり、2Aの直流電流を印加した際の素子温度が150°Cを超えている。中でも、試料67、72、107、112、117、122、127、132および137では、さらに、最大許容負荷容量が150μF未満となっている。なお、試料45、51、63、68、73、78および83は、便宜上互いに異なる試料番号が付与されているが、互いに同じ試料である。また、試料57、88、93、98、103および108についても、互いに同じ試料である。また、試料113、118、123、128および133についても、互いに同じ試料である。表1~表3から明らかなように、この発明の範囲内の組成を有する半導体セラミックをもって構成された抵抗素子によれば、最大許容負荷容量が150μF以上で、2Aの直流電流を印加した際に素子の発熱温度を150°C以下に抑制することが可能となる。つまり、既存のMn系スピネルサーミスタと同等以上の突入電流耐性を有していながら、オン状態の素子発熱を150°C以下に抑制することが可能となり、従来からの課題であったオン状態での素子発熱による弊害を小さくすることが可能となる。上述のように、既存材料の課題を解決できた理由としては、この発明の範囲内の組成を有する半導体セラミック材料が有する抵抗の温度依存性が挙げられる。図3に、この実験例において得られた試料16に係る半導体セラミックについての抵抗の温度依存性と前述の村田製作所製NTPA78R0サーミスタで用いられるMn系スピネル材料についての抵抗の温度依存性とが比較して示されている。図3からわかるように、NTPA78R0と試料16とは室温でほぼ同じ抵抗であるが、温度の上昇に伴い、NTPA78R0では、徐々にしか抵抗が低下しないのに対し、試料16では、ある温度で急激に抵抗が低下し、抵抗の温度依存性が小さくなる特徴的な特性を示す。2つの試料は互いに組成が異なるため、各々の熱伝導率などについても互いに異なることになるが、ともに酸化物であるので、それほど大きく変わることはない。そのため、素子本体の形状体積が互いに同じであるならば、図3に現れた両者間の差は、抵抗の温度依存性の差ということになる。したがって、この発明の範囲内の組成を有する半導体セラミックによれば、図3に示すように、急激に抵抗が低下する温度と発熱とのバランスにより、温度が過度に上昇することなく、発熱を抑制できたものと考えられる。そのため、温度が抑えられるだけでなく、温度ふらつきによる抵抗電流のふらつきも抑制され、既存材料の課題を解決することが可能となる。