"第1樹脂基材上に第2樹脂基材を積層して積層基材を形成する積層工程と、前記積層基材に対し、形成すべき導体パターンに対応するパターンの凸部を有するインプリントモールドを、第2樹脂基材の一面から、前記凸部が第2樹脂基材を貫通しかつ第1樹脂基材の厚みの中途まで達するように圧入する圧入工程と、前記インプリントモールドを積層基材から離型させて、第2樹脂基材を貫通しかつ第1樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を形成する離型工程と、少なくとも前記凹部の内面を覆うように、導電性の第1材料からなる導電層を形成する導電層形成工程と、前記第1材料と異なる第2材料からなる薄膜を、少なくとも前記凹部の底面上の導電層を覆い、かつ前記凹部の側壁面上の導電層を覆わないように形成する薄膜形成工程と、前記凹部内の側壁面上に形成されている導体層を、前記第2材料は溶解させずに第1材料のみを選択的に溶解させる選択エッチングにより除去する選択エッチング工程と、前記第2樹脂基材を除去する第2樹脂基材除去工程と、を有してなることを特徴とする回路基板の製造方法。形成すべき導体パターンに対応する凸部を有するインプリントモールドを、前記凸部が第1樹脂基材の一面から第1樹脂基材の厚みの中途まで達するように圧入する圧入工程と、前記インプリントモールドの凸部が第2樹脂基材を貫通するように、第2樹脂基材の一面から第2樹脂基材にインプリントモールドの凸部を押し込む貫通工程と、第1樹脂基材上に第2樹脂基材を積層して、第2樹脂基材を貫通しかつ第1樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を有する積層基材を形成する積層工程と、少なくとも前記凹部の内面を覆うように、導電性の第1材料からなる導電層を形成する導電層形成工程と、前記第1材料と異なる第2材料からなる薄膜を、少なくとも前記凹部の底面上の導電層を覆い、かつ前記凹部の側壁面上の導電層を覆わないように形成する薄膜形成工程と、前記凹部内の側壁面上に形成されている導電層を、前記第2材料は溶解させずに第1材料のみを選択的に溶解させる選択エッチングにより除去する選択エッチング工程と、前記第2樹脂基材を除去する第2樹脂基材除去工程と、を有してなることを特徴とする回路基板の製造方法。前記導電層形成工程において、前記導電層を、前記凹部内における第1樹脂基材に形成された凹部深さに相当する厚みで形成することを特徴とする請求項1または2に記載の回路基板の製造方法。前記第2材料として導電性材料を用いることを特徴とする請求項1~3のうちのいずれかの請求項に記載の回路基板の製造方法。前記第1材料として、Cuを用い、前記第2材料として、SnもしくはAlを用いることを特徴とする請求項4に記載の回路基板の製造方法。特許文献1に示される方法では、導体層110の主要部分を電解めっきにより形成しているため、凹部107内の導体層110の厚みが不均一となりやすい。例えば図5dに示しているように、幅の広い凹部107a内では、電解めっき層109aの厚みが、幅の狭い凹部107b内の電解めっき層109bの厚みよりも小さくなる傾向を示す。その結果、図5eに示しているように、最終的な配線パターンとして、幅の広い凹部107a内に形成された導体層110aが薄くなってしまいやすく、そのため電気的特性に問題が生じてしまうことがある。また、エッチングによって余分なめっき金属を除去するにあたっても、幅の広い凹部107a内で導体層110aが過剰にエッチングされて、その導体層110aが、さらに薄くなってしまったり、極端な場合は消失してしまったりすることもある。上記問題を回避するため、エッチング量を少なくすれば、樹脂層101の凸部上の導体層の厚みの大きい部分で、導体層がエッチングにより除去しきれずに、図5eに示すように、形成すべき配線パターン以外の部分に導体層110cが残ってしまうという不都合が生じる。また、エッチングの代わりとして、あるいはエッチングと併用して、バフ研磨などの機械的な研磨を適用して、不要な導体層を除去することも考えられるが、研磨による場合も、幅の広い凹部内では導体層の研磨深さが大きくなって、最終的に残る導体層の厚みが薄くなってしまいやすい。このように、インプリンティングを適用した特許文献1に記載の回路基板の製造方法では、導体層の厚みのばらつきを抑えることは困難であった。本発明は、以上のような事情に鑑みてなされたもので、インプリントを適用して樹脂基材に埋め込んだ導体パターンを形成するにあたって、ばらつきの少ない均一な厚みで導電層を形成しうる方法を提供することを課題としている。以上のような課題を解決するため、本発明においては、基本的には、2枚の樹脂基材を積層した積層基材として、インプリントモールドにより凹部を形成した積層基材を作製し、その後、少なくとも凹部内面に導電層を形成してから、その凹部底面の導電層の上に、エッチングマスクとして機能する薄膜を形成し、その後に、余分な導電層を選択エッチングにより除去し、これによって凹部の底面上に所定の厚みで導電層を残すようにして、導電層の厚みのばらつきを少なくするようにした。すなわち本発明の基本的な態様第1の態様による回路基板の製造方法は、第1樹脂基材上に第2樹脂基材を積層して積層基材を形成する積層工程と、前記積層基材に対し、形成すべき導体パターンに対応するパターンの凸部を有するインプリントモールドを、第2樹脂基材の一面から、前記凸部が第2樹脂基材を貫通しかつ第1樹脂基材の厚みの中途まで達するように圧入する圧入工程と、前記インプリントモールドを積層基材から離型させて、第2樹脂基材を貫通しかつ第1樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を形成する離型工程と、少なくとも前記凹部の内面を覆うように、導電性の第1材料からなる導電層を形成する導電層形成工程と、前記第1材料と異なる第2材料からなる薄膜を、少なくとも前記凹部の底面上の導電層を覆い、かつ前記凹部の側壁面上の導電層を覆わないように形成する薄膜形成工程と、前記凹部内の側壁面上に形成されている導電層を、前記第2材料は溶解させずに第1材料のみを選択的に溶解させる選択エッチングにより除去する選択エッチング工程と、前記第2樹脂基材を除去する第2樹脂基材除去工程と、を有してなることを特徴とすることを特徴とするものである。このような第1の態様の回路基板の製造方法においては、選択エッチング工程で、積層基材の凹部内の導電層のうち、凹部の側壁面上の導電層がエッチングにより除去され、凹部内の底面上の導電層については、第2材料からなる薄膜がエッチングマスクとして機能するため、エッチング後、凹部の第1樹脂基材内の導電層は、エッチングされずに凹部内に充填厚みのまま残る。凹部以外に形成された導電層は、第2樹脂基材を剥離することによって、完全に存在しない状態とすることができる。なお、凹部の底面上の導電層のうち、幅方向両端付近の部分は、選択エッチング工程で若干エッチングされて、その厚み凹部底面からの高さが、幅方向中央部薄膜で覆われている部分よりも若干減少することがあるが、エッチング時間を調整することによって、概ね平坦にすることができる。なお、導電層形成工程や薄膜形成工程において、仮に、積層基材の凹部以外の部分例えば第2樹脂基材の一面上に導電層や薄膜が形成された場合でも、その部分の導電層や薄膜は、選択エッチング工程後の第2樹脂基材除去工程で、第2樹脂基材とともに除去されてしまう。そのため、これらの個所に形成された導電層や薄膜が、回路基板製品として不都合を招くこともない。さらにこの場合、これらの個所の導電層および薄膜を、改めて別工程で除去する必要もない。また本発明の第2の態様による回路基板の製造方法は、形成すべき導体パターンに対応する凸部を有するインプリントモールドを、前記凸部が第1樹脂基材の一面から第1樹脂基材の厚みの中途まで達するように圧入する圧入工程と、前記インプリントモールドの凸部が第2樹脂基材を貫通するように、第2樹脂基材の一面から第2樹脂基材にインプリントモールドの凸部を押し込む貫通工程と、第1樹脂基材上に第2樹脂基材を積層して、第2樹脂基材を貫通しかつ第1樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を有する積層基材を形成する積層工程と、少なくとも前記凹部の内面を覆うように、導電性の第1材料からなる導電層を形成する導電層形成工程と、前記第1材料と異なる第2材料からなる薄膜を、少なくとも前記凹部の底面上の導電層を覆い、かつ前記凹部の側壁面上の導電層を覆わないように形成する薄膜形成工程と、前記凹部内の側壁面上に形成されている導電層を、前記第2材料は溶解させずに第1材料のみを選択的に溶解させる選択エッチングにより除去する選択エッチング工程と、前記第2樹脂基材を除去する第2樹脂基材除去工程と、を有してなることを特徴とする。このような第2の態様の回路基板の製造方法は、第2樹脂基材を貫通しかつ第1樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を有する積層基材を形成するまでの工程は、第1の態様の回路基板の製造方法の製造方法と異なるが、その後の導電層形成工程、薄膜形成工程、選択エッチング工程、および第2樹脂基材除去工程は、第1の態様の回路基板の製造方法と同じである。したがって、前述のような第1の態様の回路基板の製造方法による作用効果と同様な作用効果を得ることができる。また本発明の第3の態様による回路基板の製造方法は、前記第1または第2の態様の回路基板の製造方法において、さらに前記導電層形成工程で、前記導電層を、前記凹部内における第1樹脂基材に形成された凹部深さに相当する厚みで形成することを特徴とするものである。第3の態様の回路基板の製造方法によれば、最終的に凹部内に残る導電層の表面位置が第2樹脂基材の表面位置と実質的に同じになり、平面内に導電層を埋め込んだ回路基板を得ることができる。さらに本発明の第4の態様による回路基板の製造方法は、前記第1~3の態様の回路基板の製造方法おいて、前記第2材料として導電性材料を用いることを特徴とするものである。第4の態様によれば、凹部内の導電層上の薄膜も導体として機能するから、凹部内の導電層上の薄膜を残したままで、回路基板として使用することが可能となる。さらに本発明の第5の態様による回路基板の製造方法は、前記第4の態様の回路基板の製造方法おいて、前記第1材料として、Cuを用い、前記第2材料として、SnもしくはAlを用いることを特徴とするものである。第5の態様によれば、選択エッチング工程において、第2材料からなる薄膜をエッチングすることなく、凹部の側壁面上に形成された第1材料からなる導電層を、確実かつ容易にエッチングすることができる。本発明によれば、樹脂基材内に埋め込まれた導電層の厚みのばらつきが少ない回路基板を製造することができる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。図1a~iに、本発明の第1の実施形態の製造方法を段階的に示し、図2a~eに、その要部を拡大して示す。なお図2a~eは、それぞれ図1e~iに対応する。先ず積層工程として、図1aに示すように、シート状の第1樹脂基材11および第2樹脂基材12を積層する。このように第1、第2樹脂基材を積層した状態のものを、以下、積層基材13と称する。第1樹脂基材11および第2樹脂基材12の材料は、後述するインプリントモールドによる加圧時においてその加圧力により塑性変形可能な非導電性の樹脂であれば、特に限定されない。一般には、ABSアクリロニトリルブタジエンスチレン共重合体樹脂、LCP液晶ポリマ、PTFEポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂が好適である。また加圧時の温度などによっては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂も使用することができる。第1樹脂基材11および第2樹脂基材12の厚みは特に限定しないが、通常はそれぞれ5~50μm程度が好適である。また第1、第2樹脂基材11、12を積層するにあたっては、これらを単に重ね合わせるだけでもよいが、後工程でのハンドリングを考慮して、接着剤により仮止め程度に接着したり、あるいは適宜加熱して圧着したりしてもよい。一方、圧入工程の準備段階として、図1bに示すように、形成すべき導体パターンに対応する凸パターンを有するインプリントモールド14を準備しておく。このインプリントモールド14においては、その下面側の凸部14Aが、形成すべき導体パターンに対応するとともに、凸部14Aの間の凹部14Bが導体パターンの非形成部分に対応する。なおインプリントモールドの材料としては、従来からナノインプリントによる回路基板の製造に使用されている微細パターン転写用のモールド、例えばSiシリコン、あるいはSiO2、SiC、Al2O3などのセラミック、石英や石英系ガラス、Niなどの金属、ダイヤモンドライクカーボンDLCなどの硬質材料からなるものを用いることができる。そして圧入工程として、図1cに示すように、積層基材13における第2樹脂基材12の上面一面側にインプリントモールド14を押し当てて加圧し、インプリントモールド14の凸部14Aを、積層基材13内に圧入する。このとき、インプリントモールド14の圧入深さを、その凸部14Aが第2樹脂基材12を貫通しかつ第1樹脂基材11の厚みの中途まで達するように調整する。次いで離型工程として、インプリントモールド14を上昇させて、インプリントモールド14を積層基材13から離型させる。これにより積層基材13に、図1dに示すように、第2樹脂基材12を貫通しかつ第1樹脂基材11の厚みの中途まで達する凹部15が形成された状態となる。その後、導電層形成工程として、図1eおよび図2aに示すように、少なくとも積層基材13における凹部15の内面凹部の底面15Aおよび側壁面15Bを覆うように、導電性を有する第1材料からなる導電層16を形成する。この第1材料としては、一般に回路基板で導体パターンに使用されている良導電性の金属、例えばCu,Agなどを用いる。なお本実施形態では、積層基材13における凹部15の内面のみならず、積層基材13の上面第2樹脂基材12の一面をも覆うように導電層16を形成している。導電層16を形成するための具体的方法としては、例えば無電解めっきや蒸着により薄いシード層を形成し、その後、電解めっきを施す方法が好適である。また、導電性ペーストを印刷などによりコートし、その後焼成することによって導電層16を形成することもできる。また導電層16の形成態様としては、凹部15の全体を埋めてしまう、いわゆるビアフィリングではなく、凹部15の内面形状に沿った、いわゆるコンフォーマル形状とすることが望ましい。また導電層16の厚みは、凹部15における第1樹脂基材11の凹部深さD図2a参照と同じか、それに近い厚みとなるように定めることが望ましい。次いで、薄膜形成工程として、図1fおよび図2bに示すように、少なくとも積層基材13における凹部15の底面15A上の導電層を覆い、かつ少なくとも積層基材13における凹部15の側壁面15B上の導電層を覆わないように、第2材料からなる薄膜17を形成する。なお本実施形態では、薄膜17は、積層基材13における凹部15の底面15A上の導電層、および積層基材13の上面第2樹脂基材12の一面の導電層を覆い、かつ積層基材13における凹部15の側壁面15B上の導電層を覆わないように形成している。薄膜17は、その後の選択エッチング工程において、導電層エッチングに対するエッチングマスクとして機能するものである。したがって薄膜17の材料第2材料としては、導電層を構成している第1材料とは異なる材料であって、かつ選択エッチング工程でエッチングされない材料を選定する。また薄膜17の第2材料は、非導電性であってもよいが、最終的な使用形態を考慮すれば、後述するように、良導電性の金属からなる材料を用いることが望ましい。例えば導電層16の材料第1材料としてCuを用いる場合、薄膜17の材料第2材料としては、SnもしくはAlを用いることが望ましい。その他、Ni,Ti、Co,Crなども使用できる。薄膜17の形成のための具体的方法は特に限定されず、蒸着法やスパッタリングなど、種々の成膜法を適用できる。但し、凹部15の側壁面15B上の導電層を覆わずに、凹部15の底面15A上の導電層の上に成膜されるように、成膜方向が制御される成膜方法を選定する。すなわち、第2樹脂基材12の上面に対して垂直な面には成膜されず、主として第2樹脂基材12の上面に平行な面に成膜される成膜方法を選定すればよい。一般的な蒸着法でも、そのような成膜方向制御は容易に達成可能である。次いで選択エッチング工程として、図1gおよび図2cに示すように、凹部15における側壁面15Bに形成されている導電層16を、選択的に溶解、除去させる。すなわち、薄膜17を構成している第2材料は溶解させずに、導電層16を構成している第1材料のみを選択的に溶解させるような選択エッチング液を用いて、側壁面15B上の導電層をエッチングして除去する。例えば導電層16第1材料としてCuを用い、薄膜17第2材料としてSn、Ag、あるいはAlを用いた場合、エッチング液に市販の硫酸/過酸化水素系のエッチング液を用いることができる。このような選択エッチングを施せば、凹部15における側壁面15B上に形成されている導電層はエッチングにより除去されるが、凹部15における底面15A上の導電層は、薄膜17によりエッチングが阻止されるため、凹部15内に残留する。より詳細には、凹部15の底面15A上の導電層16のうち、その幅方向両端付近の領域P図2c参照を除いた中央部領域Qの導電層は、薄膜17によって覆われているため、選択エッチング前の厚みのまま残留する。一方、凹部15の底面15A上の導電層16のうち、幅方向両端付近の領域Pの導電層は、エッチングによって若干侵食される。ただし、選択エッチング工程における導電層16に対するエッチングは、主として凹部15内の空間から側壁面15Bに向かう方向に進行する。そのため、幅方向両端付近の領域Pでのエッチング深さ底面15Aに向かう方向への侵食深さは比較的小さい。したがって幅方向両端付近の領域Pでも、かなりの厚みで導電層16が残る。結局、凹部15の底部15A上には、中央部が比較的厚く、両端部付近が若干薄い状態で導電層16が残るが、全体的に見れば、凹部15内の導電層16は比較的平坦となっていると言うことができる。その後、第2樹脂基材除去工程として、図1hおよび図2dに示すように、第1樹脂基材11上の第2樹脂基材12を除去する。この除去方法としては、第2樹脂基材12を、選択的に溶解させてもよく、あるいは機械的に第2樹脂基材12を第1樹脂基材11から剥離させてもよい。なお第2樹脂基材12の除去に伴って、第2樹脂基材12上の導電層および薄膜も同時に除去される。第2樹脂基材12を除去した後には、第1樹脂基材11の凹部15内にのみ、導電層16が残った回路基板図2dが得られる。なおこの状態では、凹部15内の導電層16における中央部領域Qの上に、薄膜17も残っている。ここで、薄膜17の材料第2材料として、SnやAlなどの良導電性材料が用いられている場合には、導電層16上に薄膜17が残ったまま、回路基板として使用することができる。また場合によっては、前記第2樹脂基材除去工程終了後に、薄膜除去工程として、図1iおよび図2eに示すように、導電層16上の薄膜17を、エッチングや研磨によって除去して、回路基板としてもよい。このように薄膜17を除去しておけば、薄膜17の材料第2材料が良導電性材料でない場合でも、回路基板として好適に使用することができる。なお、インプリントモールド14としては、例えば図3a~dに示すように、凸部14Aが多段形状をなすものを用いても良く、その場合には、より微細な導体パターンを形成することができる。なお図3a~dは、図1b~eに対応して示すものであり、図3dより後の工程は、図1f~hもしくは図1f~iに示す工程と同様であればよい。なお、図示はしないが、前述のようにして導体パターンを形成した回路基板における、導体パターンの側の面の上に保護用の樹脂を被覆することによって、片面封止の回路基板とすることができる。また、樹脂基材を貫通するビアホールを、レーザ加工法やインプリント法の任意の手段により形成し、そのビアホールに導体を充填して貫通電極を形成した回路基板とすれば、その回路基板を2層以上の多層に積層した多層基板とすることも可能である。なお、以上の説明では、第1樹脂基材と第2樹脂基材とを積層して積層基材を形成した後、その積層基材における第2樹脂基材の表面インプリントモールドの凸部を押し込むことによって、第2樹脂基材を貫通しかつ第1樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を積層基材に形成することとしているが、このような凹部を有する積層基材を作製するまでの工程は、上述のようなプロセスに限定されるものではない。例えば、第1樹脂基材と第2樹脂基材とを積層する以前の段階で、積層基材の凹部となるべき形状の部分凹部及び貫通部を、第1および第2樹脂基材にそれぞれ個別に形成しておき、その後に第1及び第2樹脂基材を積層してもよい。その場合の一例について、図4a~gを参照して説明する。図4a~cに示すように、インプリントモールド14の凸部14Aを第1樹脂基材11の表面一面に押し込んで、第1樹脂基材11の厚みの中途まで達する凹部15-1を第1樹脂基材11に形成する。一方、それとは別に、図4d~fに示すように、インプリントモールド14の凸部14Aを第2樹脂基材12の表面一面に押し込んで、第1樹脂基材11の全厚みを貫通する貫通部15-2を第2樹脂基材12に形成する。その後、図4gに示すように、第1樹脂基材11と第2樹脂基材12とを、第1樹脂基材11の凹部15-1の位置と第2樹脂基材12の貫通部15-2の位置とが合致するように位置合わせしながら、第1樹脂基材11と第2樹脂基材12とを積層して、積層基材13とする。このように積層した状態で、第1樹脂基材11の凹部15-1と第2樹脂基材12の貫通部15-2とが連続する凹部15、すなわち第2樹脂基材12を貫通しかつ第1樹脂基材11の厚みの中途まで達する凹部15が積層基材13に形成される。なお、その後のプロセスとしては、例えば図1e~iに示したようなプロセスを適用すればよい。またその他、図示はしないが、図4a~cに示したと同様に、インプリントモールドの凸部を第1樹脂基材の表面一面に押し込んで、第1樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を第1樹脂基材に形成し、さらにその第1樹脂基材表面における凹部以外の部分に、第2樹脂基材を印刷などによって形成し、これによって、第2樹脂基材を貫通しかつ第1樹脂基材の厚みの中途まで達する凹部を有する積層基材を形成してもよい。以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはもちろんである。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。"