"短波長放射線を放出するガス放電ベースの放射線源を励起するための方法であって、真空チャンバに配置された2つの電極間のパルス状電流により、エミッタが、電極間でイオン化されて周期的に圧縮され、かつ励起されて、放出期間にわたって各パルスにより所望の短波長放射線を放出するパルス状放出プラズマを形成する、方法において、-前記プラズマ3の存在期間に対応する前記プラズマ3の寿命より短い前記パルス状電流のパルス繰り返し周期を設定することによって、前記プラズマ3が、パルス状電流高周波シーケンスにより連続的に維持されて、前記プラズマ3が、放出圧縮プラズマ31の高エネルギ状態と、緩和プラズマ32の低エネルギ状態との間で周期的に交替しながら維持されることと、-前記圧縮プラズマ31の発生用に前記緩和プラズマ32を励起するために、前記パルス繰り返し周期と等しいパルス幅を備えた50kHz~4MHzのパルス繰り返し周波数fが、前記パルス状電流用に用いられるという点で、励起エネルギが、緩和プラズマに結合されること、を特徴とする方法。50kHz~2MHzの周波数を備えたAC電流が、パルス状電流として用いられることを特徴とする、請求項1に記載の方法。100kHz~4MHzの周波数を備えたパルスDC電流が、パルス状電流として用いられることを特徴とする、請求項1に記載の方法。正弦関数、三角形関数、および矩形関数を含む群からの関数が、パルス状電流の形状として用いられることを特徴とする、請求項2または3に記載の方法。1ジュール以下の励起エネルギが、前記圧縮プラズマ31の発生のために、前記緩和プラズマ32の全ての励起用に前記緩和プラズマ32に結合されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記パルス繰り返し周波数fが、共振回路51の固有周波数f0に適合されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記放出期間temiが、前記パルス繰り返し周期の少なくとも1であることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。共振回路51と、前記共振回路51の誘導励起用の高周波発生器52と、コンデンサCと、を有する、ピーキング回路5が、前記パルス状電流を供給するために用いられ、-前記コンデンサCが、300nF~600nFの電気容量を有し、-前記ピーキング回路5が、20nH~30nHのインダクタンスLを有し、-前記ピーキング回路5が、0.025Ω~0.05Ωの電気抵抗を備えた抵抗器R有することを特徴とする、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。前記コンデンサCが、そこに元々蓄積されたエネルギの或る部分が前記プラズマ3にて消費された場合に、タイミングを合わせた電力供給によって再充電されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。短波長放射線を放出するガス放電ベースの放射線源を励起するための装置であって、少なくとも2つの電極が真空チャンバ内に設けられ、その中でエミッタが前記電極間に位置し、かつ高いパルス繰り返し周波数で前記電極間にパルス状電流を発生するための手段が設けられた、装置において、-共振回路51と、前記共振回路51の誘導励起用の高周波発生器52と、少なくとも1つのコンデンサCと、を備えて構成されるピーキング回路5が、パルス状電流の発生用の手段として設けられ、第1のコンデンサC1、抵抗器R3、インダクタL、および第2のコンデンサC2が、前記共振回路51に連続的に配置され、かつ上記の順番で互いに導電接続され、前記第1のコンデンサC1が、前記第2のコンデンサC2に導電接続されることと、-前記第1のコンデンサC1を再充電するために充電回路が設けられることと、-前記ピーキング回路5が、前記第1のコンデンサC1と前記抵抗器R3の間で前記充電回路の線路を通して電気的に接触され、前記充電回路の前記線路を切り替えるために前記充電回路の前記線路にスイッチS1が配置されることと、-前記コンデンサC1のタイミングを合わせた再充電を可能にするように、前記コンデンサC1と前記抵抗器R3の間で導電性接続を切り替えるために、前記コンデンサC1と前記抵抗器R3の間に別のスイッチS2が設けられることを特徴とする装置。本発明の目的は、パルス周期に対して不十分なプラズマ放出期間が改善され、かつ時間に関して一定である短波長放射線放出が、高い線量安定性で達成される、ガス放電発生プラズマに基づいた放射線源によって、短波長放射線を発生するための新しい可能性を見つけることである。短波長放射線を放出するガス放電ベースの放射線源を励起するための方法において、この放射線源では真空チャンバに配置された2つの電極間のパルス状電流により、エミッタが、電極間でイオン化されて周期的に圧縮され、かつ励起されて、放出期間にわたって各パルスにより所望の短波長放射線を放出するパルス状放出プラズマを形成し、上記の目的は、-プラズマの存在期間に対応するプラズマの寿命より短いパルス状電流のパルス繰り返し周期を設定することによって、プラズマが、パルス状電流の高周波シーケンスにより連続的に維持されて、プラズマが、放出圧縮プラズマの高エネルギ状態と、緩和プラズマの低エネルギ状態との間で周期的に交替しながら維持されるようにすることと、-圧縮プラズマを発生するために緩和プラズマを励起するために、パルス繰り返し周期と等しいパルス幅を備えた50kHz~4MHzのパルス繰り返し周波数が、パルス状電流用に用いられるという点で、励起エネルギが、緩和プラズマに結合されることと、において達成される。本発明は、次の考察に基づいている。すなわち、電極を用いて動作するガス放電ベースの放射線源において、放射線放出の出力電力および不変性、ならびに線量安定性を向上させるために、放出プラズマの寿命放出期間への、パルス状電流におけるパルス繰り返し周波数の適合を改善しなければならないという考察に基づいている。この適合は、次の点において、本発明に従って実行される。すなわち、発生された放出プラズマが、もはや放出しない残留プラズマとしてまだ少なくとも部分的に存在する場合に、第1の放電後に既に次のパルスが供給されて、残留プラズマによって促進される放電のおかげで電流フローが再び始まるようにする点で本発明に従って実行される。残留プラズマは、再開された電流フローによってますますイオン化され、かつ再び起こるピンチ効果によって、さらなる放出期間temiにわたって所望の短波長放射線を放出する、小さなソース体積を有する圧縮プラズマの高エネルギ状態に変換される。一旦プラズマが発生されると、パルス繰り返し周波数ならびにプラズマの励起および寿命のパルス幅における相互に適合された値によって、プラズマは、放出圧縮プラズマのエネルギ励起プラズマおよび緩和した、もはや放射しないプラズマに周期的に交替しながら維持されて、プラズマの完全な消滅が起きないようにする。エネルギ再充電のプロセスは、プラズマリサイクリングとして理解することができる。このプラズマリサイクリングゆえに、短波長放射線への電気エネルギの変換効率は、プラズマが常に再び再形成される方法と比較して向上される。なぜなら、エネルギを浪費する、エミッタ粒子の最初の予備イオン化、および十分な連続パルスを用いたエミッタの加熱が、不要になるからである。電流フローの全ての最大値において、プラズマは、電流誘起磁界の影響によって一度圧縮されるピンチ効果。AC電流が印加された場合に、圧縮は、AC電流のサイクル当たり二度行われるが、この場合に、電流方向は、一度反転する。AC電流の代わりにパルスDC電流もまた用いることができ、その場合に、電圧形態は、例えば正弦、三角形、または矩形形状などの異なる形状を有することができる。プラズマは、プラズマの放射線放出および空間的拡大ゆえに、個別電流強度最大値間に冷却するが、しかしイオン化状態のままである。放射中に、プラズマ温度は、典型的には~30-40eVである。EUV放射線の放出は、パルス間に消滅するが、しかしエミッタ粒子は、ほぼイオン化されたままであり、プラズマ温度が、数電子ボルト例えば1...10eVの範囲に低下するようにする。電極間の電気抵抗は、残留イオン化ゆえに永続的に低く、1kV未満の電圧範囲をまた使用できるのに対して、先行技術による周知の放射線源は、典型的には数キロボルトの電圧を用いる。本発明による方法では50kHz~2MHzの非常に高いパルス繰り返し周波数において、励起周波数のサイクルパルス繰り返し周期の1以上の放出期間temiが達成される。本発明の最良の実施形態において、プラズマは、放出期間temiの逆数に一致するパルス繰り返し周波数f=1/temiで動作される。そうすると、プラズマはまた、最大電流値間に短波長放射線を放出する準連続動作。パルス状電流の形状は、正弦、三角形、および矩形関数を含む群からの関数として選択および使用するのが有利である。さらに、任意のパルス形状が、もしそれが絶えず繰り返されるのであれば、パルス状電流の形状として使用可能である。好ましくは、1ジュール以下の励起エネルギが、圧縮プラズマの発生のために、緩和プラズマの全ての励起用に緩和プラズマに注入される。これは、プラズマの近くに配置されたコンポーネントの表面に対する損傷を低減し、短波長放射線を発生するために供給されるエネルギ量を低下させる。本発明による方法の連続的な実行のために、パルス繰り返し周波数fが、共振回路の固有周波数f0に適合される場合には有利である。さらに、放出期間temiが、パルス繰り返し周波数の少なくとも1である場合には、短波長放射線の発生に有利である。パルス状電流は、時間に対して任意の振幅波形例えば、矩形もしくは正弦を備えたAC電流およびまたパルスDC電流として供給することができる。この点において、回路におけるAC電流のパルス繰り返し周波数および振幅を互いにほぼ独立し設定できる場合には有利である。なぜなら、このようにして、設備の電気特性にパラメータを適合させることができ、放射特性を最適化することができるからである。真のAC電流は、プラズマにおけるイオンおよび電子の正味の移動がゼロに等しいという、パルスDC電流に勝る利点を提供する。50kHz~2MHzの周波数を備えたAC電流または100kHz~4MHzの周波数を備えたパルスDC電流のパルス状電流を、パルス状電流として用いるのが好ましい。パルス状電流を供給するための本発明による方法において、少なくとも以下の要素およびコンポーネント群、すなわち共振回路、共振回路の誘導励起用の高周波発生器、およびコンデンサCを含むピーキング回路を用いるのが好ましく、ここで、-コンデンサCは、300nF~600nFの電気容量を有し、-ピーキング回路は、20nH~30nHのインダクタンスLを有し、-ピーキング回路は、0.025Ω~0.05Ωの電気抵抗Rを有する。本発明による方法の好ましい実施形態において、コンデンサCは、そこに元々蓄積されたエネルギのある部分がプラズマにおいて消費された場合に、うまくタイミングを合わせた電気エネルギ供給によって再充電される。上記の目的は、高周波高電流放電によって短波長放射線を放出するガス放電ベースの放射線源を励起するための装置であって、この放射線源において、少なくとも2つの電極が、真空チャンバに設けられ、この真空チャンバにおいて、エミッタが、これらの電極間に位置し、かつ高いパルス繰り返し周波数で電極間にパルス状電流を発生するための手段が設けられ、-共振回路と、共振回路の誘導励起用の高周波発生器と、少なくとも1つのコンデンサと、を含むピーキング回路が、パルス状電流の発生用の手段として設けられ、第1のコンデンサ、抵抗器、インダクタL、および第2のコンデンサが、共振回路に連続的に配置され、かつ上記のシーケンスで互いに導電接続され、第1のコンデンサが、第2のコンデンサに導電接続されることと、-第1のコンデンサを再充電するための充電回路が設けられることと、-ピーキング回路が、第1のコンデンサと抵抗器との間で充電回路の線路を通して電気的に接触され、スイッチが、充電回路の線路を切り替えるために充電回路の線路に配置されることと、-別のスイッチが、コンデンサのタイミングを合わせた再充電を可能にするように、コンデンサと抵抗器との間で導電性接続を切り替えるためにコンデンサと抵抗器との間に設けられることと、を特徴とする装置によってさらに達成される。本発明は、ガス放電発生プラズマに基づいた放射線源であって、プラズマの放出期間がパルス周期に対して改善され、かつ時間に関して一定している、高い線量安定性を有する短波長放射線放出が達成される放射線源により短波長放射線を発生することを可能にする。実施形態例に関連して以下で本発明をより完全に説明する。実施形態例は、上記の放電条件を満たすことができるようにする回路に関する。以下において、第1に所望の出力PEUVを生成できる放電を発生できるように、このタイプの回路を原則としてどのように構成しなければならないかを示す。図面に示す回路は、プラズマ特性が、プラズマ3のインダクタンスL’およびプラズマ3の電気抵抗R’によって特徴付けられる等価回路である。図1による本発明の基本構成において、本発明には、2つの電極21および22間の真空チャンバ1であって、電極21および22間の放電の結果として、エミッタ送出ユニット4によって供給されるガスエミッタがプラズマ3に変換される真空チャンバ1に配置された放電ギャップ2と、電極21および22に接続され、かつ共振回路51、および共振回路51を駆動するための高周波発生器52を有するピーキング回路5と、が含まれる。共振回路51、電極21、22、および放電ギャップ2の構成はまた、以下で放電回路と呼ばれる。高周波発生器52は、高周波技術において用いられるような高出力発振回路によって実現される。高周波発生器52は、100kHz~4MHzのパルス繰り返し周波数で、数百ボルト~数kVを備えた必要な電圧パルスを発生することができる。高周波発生器52の総出力は、5~5000kWの範囲である。高周波発生器52は、共振回路51と誘導結合され、共振回路51を駆動する。共振回路51非常に一般化されて示されている、EN60617-4:1996は、インダクタLおよびコンデンサCを備えたLC回路であり、抵抗器Rを有する。50kHzの選択された最小パルス繰り返し周波数を備えたAC電流の形態をしたパルス状電流が、共振回路51によって周期的に供給される。したがって、周期期間は、2μsであり、1μsの間隔の交互極性を備えた電流パルスに帰着する。ガスもしくは蒸気またはその混合物が、ガスエミッタとして用いられる。ガスエミッタは、調整可能なガス入口41および対応するガス供給部42を介して、電極21および22の領域へ流される。本発明の代替実施形態において、エミッタはまた、固体または液体材料の蒸発によって電極21および22間の領域に供給できるが、そのときこの固体または液体材料は、必要な材料体積ゆえに補給しなければならない。液体または固体エミッタはまた、電極21および22に再生的に塗布することができ、そこから蒸発させることができる図示せず。後者の場合に、エミッタは、好ましくは、電極21または22の1つに再生的に塗布され、レーザ図示せずによって局所的に蒸発される。電極21および22ならびにそこで発生されるプラズマ3は、直列図1に非常に概略的に示されているまたは並列図2に非常に概略的に示されているに共振回路5に接続することができる。放電ギャップ2におけるガス放電用の電流を供給するためのピーキング回路5は、放電ギャップ2が、電極21および22間のプラズマ3ならびに共振回路51と直列に接続されるという点で、特に簡単な方法で実現することができる。この場合に、電極21および22間のプラズマ3は、抵抗器R’を形成する。共振回路51の残りの電気抵抗Rが、十分に低い場合に、プラズマ3の抵抗R’は、電気抵抗への主要な寄与をなす。共振回路51の所望の固有周波数は、下記の式に従い、インダクタンスLおよびキャパシタンスCの適切な選択を介して調整することができる。これに関連して、L=5...100nHおよびC=100...1000nFの現実的な値に対して、固有周波数f0に対する抵抗Rの影響は小さい。この場合に異なる従来のパルス放電ベースのプラズマ放射線源とは対照的に、共振回路51のインピーダンスをプラズマ3の電気抵抗R’に適合させることは必要ではない。なぜなら、プラズマ3に結合されない電気エネルギは、ほとんどその全体において、共振回路51の十分に低い電気抵抗Rで回復されるからである。共振回路51の励起および固有周波数f0間の周波数マッチングは、減衰振動に帰着し、抵抗損失だけが、抵抗R1を有するインダクタL、および抵抗R2を有するコンデンサCにおいて生じる。半振動当たりプラズマ3に供給されるエネルギは、共振回路51における高無効電流によって、共振回路51において利用可能なエネルギより小さく維持される。これは、強化されたフィードバックによって共振回路51の駆動を容易にする。プラズマ3に供給される所与の電力Pおよびプラズマ3の所与の抵抗R’において、共振回路51における実効電流強度は、である。これは、パルス状電流の周波数に依存しない。したがって、所与の最大電力Pにおいて電流強度を最大限にするために、プラズマ3の低い抵抗R’が望ましい。ピーキング回路5において、共振回路51は、高周波発生器52によって駆動され、所望のパルス繰り返し周波数fで発振し始める。したがって、電圧が電極21および22に印加され、それによって、電極21および22間に位置するエミッタは、エミッタの高電流励起が、例えば予備イオン化図示せず後に少なくとも一度行われた後で、電界の影響でイオン化されてプラズマ3に変換され、高密度で高温の圧縮プラズマ31を形成する。圧縮プラズマ31の放射線放出および拡大を介して、圧縮プラズマ31は、急速にエネルギを失い、部分的に再結合される。しかしながら、電極21および22に存在する電圧ゆえに、圧縮プラズマ31は、放電ギャップ2において緩和プラズマ32として留まる。プラズマ3の寿命は、最初の圧縮プラズマ31の発生で始まる。イオン化が、ある値を超えた場合に、電極21および22間に電流フローが存在し、電流フローによって発生された磁界が、ピンチ効果ゆえにプラズマ3の圧縮につながり、かつ高エネルギの状態を有して温度が急激に上昇する圧縮プラズマ31であって、そこから短波長放射が放出される圧縮プラズマ3が形成され得る。放出放射線6の波長は、用いられるエミッタ、および圧縮プラズマ31の温度に依存する。パルス状電流のパルスの終わりに、圧縮プラズマ31は、ローレンツ力の消滅ゆえに、所望の放射線を放出している間に拡大し、電荷再結合を介して低エネルギ状態すなわち緩和プラズマ32に入る。しかしながら、緩和プラズマ32が、そのイオン化状態を完全に失い、かつプラズマ3の寿命が終了する前に、次の電流パルスが、電極21および22間に既に供給され、ガス放電が、電極21および22間の電界を介して再び発生される。エミッタの新しく繰り返されるイオン化は、はるかに容易に行うことができる。なぜなら、エミッタの少なくとも一部が、緩和プラズマ32として、単純なイオン化状態にまだあるからである。したがって、別個の予備イオン化は、もはや必要ではない。したがって、比較的低い必要電圧において、緩和プラズマ32は、ピンチ効果および圧縮による極端な加熱に帰着する高電流強度により貫通される。このように、繰り返されるイオン化状態が、圧縮プラズマ31において再び達成される。すなわち、緩和プラズマ32は、リサイクルされ、放出圧縮プラズマ31に変換される。圧縮プラズマ31と緩和プラズマ32との間の繰り返される交互変換のこのプロセスは、放出放射線6が必要な限り、消滅なしに、すなわちプラズマ3のイオン化の完全な再結合なしに繰り返される。放出期間temiにわたって放出される放射線6は、中間焦点におけるさらなる使用のために、適切な手段図示せずによって集められ、導かれ、供給される。パルス状電流の1MHzパルス繰り返し周波数fを備えた上記の例において、プラズマ3は、-圧縮プラズマ31および緩和プラズマ32の位相の合計発生として-1usの寿命にわたって持続し、かつ圧縮プラズマ31として、その高エネルギ状態で、例えば50nsの放出期間temiにわたって短波長放射線6を放出する。放出期間temiは、電流サイクルにおける期間の5に達する。AC電流の半振動当たり、緩和プラズマ32に供給されるエネルギは、例えば10mJであり、典型的には共振回路51に存在する20mJのエネルギの半分である。したがって、この場合に、共振回路51の合計電力は20kWであり、そのうちの10kWが、プラズマ3に供給される。リチウム、スズ、およびキセノンが、13.5nm波長の放射線発生用のエミッタとして先行技術において確立された。最初の2つの元素が、通常の状態下では固体であるので、それらは、エミッタ送出ユニット4を通して、蒸気またはガス化合物例えばSnH4として放電ギャップ2に導入される。しかし、他の希ガスまたはガスおよび蒸気材料もまた、それらがEUV領域における十分に強い放出を伴う限り、エミッタとして考慮される。高周波励起下の放電回路の設計を例として説明するために、無視できる自己吸収を伴う光学的に薄いプラズマ3Xeプラズマが仮定される。放出放射線6は、立体角Ωで放出される。したがって、この構成のPEUVは、PEUV=hυA21nilπr2Ω/4πtemifr3によって与えられ、式中、niは、励起されたXeイオンの数密度であり、A21は、アインシュタインの自然放出係数であり、lπr2は、放出体積であり、長さl=1mmであり、ピンチ半径r=0.5mmリソグラフィにおける特定の用途からのエタンデュ制限によって与えられるであり、temiは、放出期間≒50nsであり、fは、パルス繰り返し周波数≒1MHzであり、hυは、92eVの光子エネルギ=13.5nm波長である。この式を用いれば、dni/dt=W12ni-A21ni≒0定常4であり、式中、niは、基底状態におけるXeイオンの数密度であり、W12は、電子衝撃を通した励起確率1→2であり、3から、EUV放射線出力は、PEUV=hυW12nilπr2Ω/4πtemif5となり、式中、W12=210-5gf[exp-hυ/kT]/hυkT0.5neであり、neは、電子密度-Z1niであり、Zは、例として、キセノンのイオン化状態≒10であり、gは0.2であり、fは0.8であり、kTは30eVプラズマ温度である。放出体積lπr2の使用可能なサイズは、放出電力を集めて供給するために用いられる光学装置図示せず、例えばスキャナ光学装置によって予め決定される。したがって、放出体積の使用可能なサイズは、光学系のエタンデュによって決定される。より大きな放出体積を用いれば、ビーム経路全体に沿って光損失がある。立体角Ωで体積lπr2から放出される、f≒1MHzのパルス繰り返し周波数の1kWを超える放出電力PEUVが必要である。式5によれば、この放出電力PEUVは、ni>41016cm-3のXeイオン密度に対して達成される。所与のピンチ半径rにおいて、これらのイオン密度niを達成するために、十分に高い電流Iが、円筒ピンチゾーンを通って流れなければならない。これは、ベネット平衡に基づいて大まかに推定することができる。lπr2Z1nikT=3.121015I2,kT=30eV,IkA6上記で明記したデータを用いれば、I≒5kAの電流が結果として得られる。この電流強度は、ピンチゾーンの通常の電流よりはるかに低い。非常に優れた近似で、プラズマ導電率σは、σ1/Ωm=19200kT1.5/Z0.8InΛkT=30eV,InΛ≒107によって与えられる。5kAの電流Itにおいて、ピンチの両端にわたる電圧降下は、約200Vである。その結果、プラズマ3の抵抗R’=1/σl/πr2は、0.026Ωである。圧縮プラズマ31のピンチにおける効率的な電力消費のために、放電回路における電線路の線路抵抗R’’は、多くても0.026Ωのこの値を有するべきである。したがって、放電回路における合計電気抵抗RPeakは、ほぼRPeak=R’R’’≒0.05Ωである。放電回路は、発振ケースとして周知のものにおいて動作されるべきである高Q回路。これは、回路インピーダンスL/Cが、電気抵抗RPeakに比べて高い場合である。L/C0.5の>>RPeak/2である場合に、L/C0.5≒5RPeak=0.25Ω8と仮定される。最適に選択されたジオメトリの下で、放電回路におけるインダクタンスLPeak≒30nHである。インダクタンスLPeak=L’L’’には、プラズマ3のインダクタンスL’およびピーキング回路5のインダクタンスL’’が含まれる。これは、C≒480nFのキャパシタンスを与える。放電回路のように、次に共振回路51は、固有周波数f0≒1.3MHzを有する。図2による実施形態例は、図1に示すものに対応するするが、しかしこの場合に、共振回路51ならびに電極21および22は、そこに位置するプラズマ3と並列に接続される。原則として、図1または図2による実施形態例における共振回路51に関して、図1および図2に単純化して示してあるピーキング回路5は、図3に示すように構成することができる。図3は、共振回路51が第1のコンデンサC1および第2のコンデンサC2それぞれが、U1tおよびU2tの時間当たりの電圧曲線をそれぞれ有すると、抵抗器R3と、インダクタLと、を有する。共振回路51は、インダクタLによって、高周波発生器52に誘導接続される。第1のコンデンサC1、抵抗器R3、インダクタL、および第2のコンデンサC2は、共振回路51に連続的に配置され、かつその順序で互いに導電接続される。共振回路51は、第2のコンデンサC2と第1のコンデンサC1との間の接続によって完成される。これは、C=C1C2/C1C29として、共振回路の合計キャパシタンスを提供する。図3による共振回路51は、それが、図1および2に示される実施形態例を実現するような方法で、導電性接続部によって接触される図示せず。スイッチS2が、共振回路51に設けられる。スイッチS2は、第1のコンデンサC1と抵抗器R3との間に配置される。さらに、第1のコンデンサC1を再充電するための充電回路図示せずが設けられる。ピーキング回路5は、第1のコンデンサC1と抵抗器R3との間で充電回路の線路によって電気的に接触される。スイッチS1が、充電回路の線路を切り替えるために、充電回路の線路に配置される。スイッチS2が、第1のコンデンサC1と抵抗器R3との間の導電性接続を切り替えるために、第1のコンデンサC1と抵抗器R3との間に設けられる。共振回路51は、線路によって電極21および22に導電接続される。充電回路は、プラズマ3において消費されたエネルギを決定するために、測定手段図示せずに接続される。第1のコンデンサC1の適合された再充電が、制御装置としての充電回路設計を介して可能になる。第1のコンデンサC1は、最初にスイッチS1を閉じることによってU1=U0に充電されるスイッチS2は開いている。スイッチS2が閉じている場合に、放電ギャップ2におけるガス放電を介して電流フローが存在する。It=[U0/ωL][exp-αt]sinωt10式中、α=R/2Lであり、ω=[1/LC-α2]05である。上記で既に決定したように、式6によるピンチプロセス用の最大電流は、5kAより大きくなければならない。その結果、第1のコンデンサC1は、少なくともU0>ωL5kA≒L/C0.55kA=1.25kV11の電圧に充電されなければならない。第1のコンデンサC1は、Sを閉じ、S2を開くことによって周期的に再充電される。この切り替えプロセスは、適切にタイミングを合わせられる。第1のコンデンサC1は、そこに元々蓄積されたエネルギのある部分が放電ギャップ2においてガス放電で消費された場合に、再充電される。切り替えプロセスの周期は、約1/ω~1/αの時間範囲が有利である。本発明によって、特にリソグラフィ用途に必要な短波長放射線の発生が可能になる。そうする際に、放射線の供給は、長い放出期間temiおよび高い線量安定性を伴って実行される。同時に、プラズマ3の電荷キャリアは、プラズマ3の近くに配置されたコンポーネント全ての腐食および汚染を低減するように、周知の先行技術におけるほど加速されない。"