"GaNベース半導体を結晶成長させるための基板材料としての多結晶窒化アルミニウム基材であって、20°Cから600°Cまでの平均線膨張係数が4.9×10-6/K以上6.1×10-6/K以下、20°Cから1100°Cまでの平均線膨張係数が5.5×10-6/K以上6.6×10-6/K以下であることを特徴とする、多結晶窒化アルミニウム基材。多結晶窒化アルミニウム基材は窒化アルミニウム結晶と粒界相からなり、窒化アルミニウム結晶の含有量が、体積分率で56.2以上939以下である、請求項1に記載の多結晶窒化アルミニウム基材。粒界相は、Ca、Y、La、Ce、Nd、Pr,Eu、Gd,Dy,Ho,Er、Yb,Luからなる群から選ばれる少なくとも一種とアルミニウムとの複合酸化物を含む、請求項1または2に記載の多結晶窒化アルミニウム基材。粒界相は窒化チタンTiNを含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の多結晶窒化アルミニウム基材。窒化アルミニウム結晶粒子の平均粒径が7μm以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の多結晶窒化アルミニウム基材。熱伝導率が46W/mK以上である、請求項1~5のいずれか1項に記載の多結晶窒化アルミニウム基材。直径が50mm以上である、請求項1~6のいずれか1項に記載の多結晶窒化アルミニウム基材。表面粗さRaが0.2μm以下であり、厚さが3mm以下である、請求項1~7のいずれか1項に記載の多結晶窒化アルミニウム基材。GaNベース半導体を製造する方法であって、請求項1~8のいずれか1項に記載の多結晶窒化アルミニウム基材を用いてGaNベース半導体結晶を成長させることを含むことを特徴とする、GaNベース半導体の製造方法。GaNベース半導体をバッファー層を介して結晶成長させる、請求項9記載のGaNベース半導体の製造方法。GaNベース半導体が、GaN、InGaN、AlGaN、およびInAlGaNからなる群から選択される一種からなる、請求項9または10に記載のGaNベース半導体の製造方法。GaN窒化ガリウムベース結晶とエピタキシャル基板との線膨張係数の差のために、エピタキシャル成長後に反りが発生し、最悪の場合は割れるという問題があった。そのため、反りのないGaNエピタキシャル基板の成長法が望まれていた。しかしながら、未だ満足な方法は開発されていない状況である。また、製造コスト削減のためにエピタキシャル基板のコスト低減を図る必要があった。したがって、本発明の目的は、反りの少ない窒化ガリウムベース結晶を得るための安価な材料を得ることである。本発明による多結晶窒化アルミニウム基材は、GaNベース半導体を粒成長させるための基板材料としての多結晶窒化アルミニウム基材であって、20°Cから600°Cまでの平均線膨張係数が4.9×10-6/K以上6.1×10-6/K以下、20°Cから1100°Cまでの平均線膨張係数が5.5×10-6/K以上6.6×10-6/K以下であることを特徴とするものである。また、本発明の態様によれば、多結晶窒化アルミニウム基材は、窒化アルミニウム結晶と粒界相からなり、窒化アルミニウム結晶の含有量が体積分立で56.2以上939以下であることが好ましい。また、本発明の態様によれば、粒界相は、Ca、Y、La、Ce、Nd、Pr,Eu、Gd,Dy,Ho,Er、Yb,およびLuからなる群から選ばれる少なくとも一種とアルミニウムとの複合酸化物を含むことが好ましい。また、本発明の態様によれば、粒界相は、窒化チタンTiNを含むことが好ましい。また、本発明の態様によれば、窒化アルミニウム結晶粒子の平均粒径が7μm以下であることが好ましい。また、本発明の態様によれば、熱伝導率が46W/mK以上であることが好ましい。また、本発明の態様によれば、多結晶窒化アルミニウム基材の直径が50mm以上であることが好ましい。また、本発明の態様によれば、多結晶窒化アルミニウム基材の表面粗さRaが、0.2μm以下、厚さが3mm以下であることが好ましい。また、本発明の別の態様によるGaNベース半導体の製造方法は、上記多結晶窒化アルミニウム基材を用いてGaNベース半導体結晶を成長させることを特徴とするものである。また、本発明の態様によれば、GaNベース半導体をバッファー層を介して結晶成長させることが好ましい。また、本発明の態様によれば、GaNベース半導体が、GaN、InGaN、AlGaN、およびInAlGaNからなる群から選択される一種から選ばれることが好ましい。本発明によれば、常温から1100°Cまでの線熱膨張係数がGaNに近似した多結晶窒化アルミニウム基板を提供できる。また、これを使ったGaNベース半導体を歩留まり良く得ることを可能とするものである。本発明による多結晶窒化アルミニウム基板は、GaNベース半導体を結晶成長させるための基板材料としての多結晶窒化アルミニウム基材であって、20°Cから600°Cまでの平均線膨張係数が4.9×10-6/K以上6.1×10-6/K以下、20°Cから1100°Cまでの平均線膨張係数が5.5×10-6/K以上6.6×10-6/K以下であることを特徴とするものである。多結晶窒化アルミニウム基板とは、窒化アルミニウム粉末を焼結により固めた基板を意味する。本発明は、多結晶窒化アルミニウム基板の20°Cから600°Cまでの平均線膨張係数が4.9×10-6/K以上6.1×10-6/K以下、20°Cから1100°Cまでの平均線膨張係数が5.5×10-6/K以上6.6×10-6/K以下であることを特徴とするものである。線膨張係数とは、温度変化に対し長さの変化量を示した値を意味する。測定方法は、JISR1618に準じた方法より行うものとする。また、単位は/Kケルビンが使われている。本発明では、例えば20°Cから600°Cの平均線膨張係数は20°Cを基準としたときの600°Cに於ける長さの増加率膨張率を温度差である580°Cで除した値である。また、20°Cから1100°Cの線膨張係数は、20°Cを基準としたときの1100°Cに於ける長さの増加率膨張率を温度差である1080°Cで除した値である。一般的に、エピタキシャル成長において考慮しなければならないのは、主にGaNa面の線膨張係数である。GaNa面の線膨張係数は常温近傍に於いて5.59×10-6/Kであるのに対し、サファイアは約7~8×10-6/K、SiCは約6.6×10-6/K、であり約1.0×10-6/Kの線膨張係数の差があった。また、サファイアやSiCは単結晶体であることから、材質としての線膨張係数の調整ができない。線膨張係数の差を問題なくするには、GaNベース半導体を小さくする必要があるが半導体素子LED、半導体レーザなどの量産性が悪く、コストアップの要因となる。それに対し、本発明による多結晶窒化アルミニウム基板は、20°Cから600°Cまでの平均線膨張係数が4.9×10-6/K以上6.1×10-6/K以下、20°Cから1100°Cまでの平均線膨張係数が5.5×10-6/K以上6.6×10-6/K以下であるため、GaNベース半導体を大口径化しても反りの問題を低減できるので、半導体素子の量産性を向上させることができる。多結晶窒化アルミニウム基材は、窒化アルミニウム結晶と粒界相からなり、窒化アルミニウム結晶の含有量が体積分率で56.2以上939以下であることが好ましい。多結晶体は窒化アルミニウム粉末AlN粉末を固めて焼結したものである。焼結性を上げるために焼結助剤を用いることが好ましい。窒化アルミニウム結晶の含有量が体積分率56.2以上939以下とは、残部が粒界相であることを意味する。窒化アルミニウム結晶の割合が56.2未満であったり、93.9を超えると、目的とする線膨張係数が得られ難い。なお、気孔率は1体積以下、さらには0.5体積以下であることが好ましい。多結晶窒化アルミニウム基板上にGaN層を成長させるため、基板表面は気孔による凹凸がなく平坦であることが必要である。そのため、基板の表面粗さRaは0.2μm以下であることが好ましく、Raが0.05μm以下となるような鏡面加工を基板に施すことが好ましい。また、粒界相は、Ca、Y、La、Ce、Nd、Pr,Eu、Gd,Dy,Ho,Er、Yb,およびLuからなる群から選ばれる少なくとも一種とアルミニウムとの複合酸化物を含むことが好ましい。粒界相は、焼結工程中に焼結助剤が変化してできる相である。その粒界相があることにより焼結性が向上すると共に線熱膨張係数の制御が行い易い。これら粒界相成分は、窒化アルミニウム結晶よりも線膨張係数が大きいので、窒化アルミニウム基板の線膨張係数の調整には効果的である。複合酸化物になっているか否かはXRDにて分析可能である。第一の焼結助剤であるCa、Y、La、Ce、Nd、Pr,Eu、Gd,Dy,Ho,Er、Yb,およびLuからなる群から選ばれる少なくとも一種は、焼結性を上げる効果があり、酸化物として添加することが好ましい。これら希土類元素を用いれば常圧焼結も可能である。また、第二の焼結助剤であるアルミニウムの酸化物は、窒化アルミニウム粉末中の不純物酸素を活用してもよいし、焼結助剤として酸化アルミニウムを添加する方式でもよい。酸化アルミニウムの存在は、第一の焼結助剤と複合酸化物を形成し易いためである。また、これら複合酸化物は線膨張係数を調整し易く、かつ1100°C付近での高温下でも安定な材料である。第一の焼結助剤として、Ca、Y、La、Ce、Nd、Pr,Eu、Gd,Dy,Ho,Er、Yb,およびLuからなる群から選ばれる少なくとも一種を、酸化物換算で4~30質量含むことが好ましい。また、第二の焼結助剤としてアルミニウムを、酸化物換算で1~23質量含むことが好ましい。また、線膨張係数の調整には、第三の焼結助剤として、TiN窒化チタンを5~25質量添加することも効果的である。第一の焼結助剤である上記の希土類元素は高価であるから、その一部をTiNに置き換えることにより、線膨張係数を制御した上でコストダウンを可能とすることができる。また、第一の焼結助剤と併用することにより常圧焼結での製造を可能とする。なお、粒界相成分として第一の焼結助剤を用いずに、TiNのみで線膨張係数を調整することも可能である。ただし、第一の焼結助剤を用いないことから焼結性が悪いため、ホットプレスなどの加圧焼結により焼結することが好ましい。また、窒化アルミニウム結晶粒子の平均粒径は7μm以下であることが好ましい。線熱膨張係数の制御には、窒化アルミニウム結晶粒子同士の粒界に窒化アルミニウム結晶粒子より線膨張係数の大きな粒界相が存在することが効果的である。窒化アルミニウム結晶粒子があまり大きいと、窒化アルミニウム結晶粒子と粒界相との存在割合が不均一になり、線膨張係数の部分的なバラツキを生じる恐れがある。平均粒径7μm以下の比較的小さな粒径であれば部分的なバラツキを低減できる。なお、平均粒径の下限値は特に限定されるものではないが、1μm以上が好ましい。平均粒径が1μm未満では原料粉末を粒径の小さなものを使わなければならず、原料コストの増加を招く。また、平均粒径を7μm以下とすることにより、研磨加工により窒化アルミニウム結晶粒子が脱落したとしても大きなクレータ脱粒痕にならず平坦面を得やすい。GaNベースの結晶を成長させるには平坦面を得ることも重要である。また、多結晶窒化アルミニウム基板は、熱伝導率が46W/mK以上であることが好ましい。熱伝導率が高いとGaNベース半導体を結晶成長工程中の放熱性が上がり、膨張による反りの発生を抑制できる。例えば、サファイア基板の熱伝導率は約46W/mK程度である。熱伝導率の高い窒化アルミニウム結晶粒子を主相とすることにより、それ以上の熱伝導率を実現することができる。なお、熱伝導率の上限は特に限定されるものではないが、焼結助剤を多く含んでいると、その熱伝導率は170W/mK以下となる。以上のような多結晶窒化アルミニウム基板であれば、高温下における反りの問題を抑制できるので、基板の直径Lが100mm以上と大型にすることも可能である。なお、直径の上限は特に限定されるものではないが、作り易さを考慮すれば、直径Lが300mm以下であることが好ましい。なお、図1では円盤状で示したが、結晶成長面が四角形、長方形であってもよい。また、基板の厚さは3mm以下であることが好ましい。本発明による基板であれば、厚さを3mm以下と薄くした上で熱膨張係数の調整が可能となる。またさらに、基板の厚さWは、0.3~1.5mm、さらには0.5~1.0mmであることが好ましい。基板が1.5mmを超えて厚いと放熱性が悪くなる。一方、0.3mmより薄いと基板の強度が不十分になり取扱い性が低下する。このような多結晶窒化アルミニウム基板は、GaNベース半導体を結晶成長させるための基板材料として有効である。以下、上記した多結晶窒化アルミニウム基板を用いてGaNベース半導体を製造する方法について説明する。図2は、GaNベース半導体の製造工程の一例を示した概略断面図である。図中、1は多結晶窒化アルミニウム基材、2はGaNベース半導体層、3はバッファー層である。まず、多結晶窒化アルミニウム基板1上にバッファー層を形成する。バッファー層は、GaNベース半導体層と同じ材質であることが好ましい。次に、バッファー層の上にGaNベース半導体を結晶成長させていく。GaNベース半導体は、GaN、InGaN、AlGaN、およびInAlGaNからなる群から選択される一種であることが好ましい。いずれもGaNをベースとするものであり、GaNa面の線膨張係数は常温で5.59×10-6/K近傍のものである。GaNベース半導体の結晶成長工程は、サセプタ図示しない上に多結晶窒化アルミニウム基板1を配置し、500~600°Cにて有機金属気相成長法MOCVD法により、TMGガストリメチルガリウムガス、アンモニアガスを流し、GaNバッファー層を形成する。次に、1000~1100°CにてGaN層の膜厚を厚くさせる結晶成長させる。MOCVD法は500~1100°Cの高温下で行われるものであるから、この温度範囲での線膨張係数の制御が有効なのである。特に、1100°Cの高温から600°Cまでの冷却工程における基板の膨張または収縮が反りに影響を与える。本発明による多結晶窒化アルミニウム基板では、線膨張係数をGaNベース半導体に近似させてあるので反りの問題を大幅に抑制できる。このため、多結晶窒化アルミニウム基板を直径50mm以上と大型化しても反りの問題を抑制できる。その結果、GaNベース半導体を大きな範囲面積で成長させることができるので、発光素子を一度に多数個取りできるため量産性が向上する。なお、LEDや半導体レーザなどの発光素子を製造する場合には、GaNベース半導体層や絶縁層など各種層の形成やエッチングなどを行って製造していくことは言うまでもない。また、発光素子を製造する際に多結晶窒化アルミニウム基板が不要な場合は除去してもかまわない。粒界相を具備する多結晶窒化アルミニウム基板であれば、アルカリ溶液などにより除去し易い。また、削り取ることも可能である。また、基板除去工程の量産性を考慮すると、多結晶窒化アルミニウム基板の厚さは3mm以下であることが好ましい。次に、本発明による多結晶窒化アルミニウム基板の製造方法について説明する。本発明による多結晶窒化アルミニウム基板は、その製造方法は特に限定されるものではないが、歩留まり良く製造する方法として次の方法が挙げられる。まず、原料粉末として窒化アルミニウム粉末を用意する。窒化アルミニウム粉末は平均粒径0.6~2μmであることが好ましい。平均粒径0.6μm未満では粒径が細かすぎて窒化アルミニウム粉末の価格が高くなる恐れがある。また、2μmを超えると焼結後の窒化アルミニウム結晶の平均粒径が7μmを超える可能性が高い。より、好ましくは平均粒径1.0~1.5μmの窒化アルミニウム粉末を使うことである。また、窒化アルミニウム粉末中の酸素含有量は0.6~2質量のものが好ましい。次に、焼結助剤として、第一の焼結助剤Ca、Y、La、Ce、Nd、Pr,Eu、Gd,Dy,Ho,Er、Yb,およびLuからなる群から選ばれる少なくとも一種からなる酸化物、第二の焼結助剤アルミニウムの酸化物、第三の焼結助剤TiNを必要量調製し、窒化アルミニウム粉末と混合する。焼結助剤の平均粒径は、窒化アルミニウム粉末と同程度の0.6~2μmであることが好ましい。焼結助剤の添加量は、窒化アルミニウム結晶の体積分率で56.2以上939以下の範囲になるように混合することが好ましい。焼結助剤粉末の平均粒径を、窒化アルミニウム粉末と同程度にしておけば、体積分率の調製も行い易い。次に、窒化アルミニウム粉末、焼結助剤粉末、バインダ、溶剤、および分散材等を混合し、原料スラリーを調製する。続いて、調製した原料スラリーを使って成形体を作製する。成形体の作製方法は、ドクターブレード法を使ったシート成形や、スラリーから作製した造粒粉を金型にて成形したプレス成形が挙げられる。ドクターブレード法であれば、直径50mm以上、さらには100mm以上の大型の成形体を作製し易い。また、成形体がシート状の場合、必要であれば成形体を加工して円盤状の成形体を作製してもよい。次に、成形体の焼結工程を実施する。焼結温度は、1600~1900°Cで行うことが好ましい。焼結助剤として第一の焼結助剤を用いている場合は常圧焼結法で焼結できる。第一の焼結助剤を用いない場合は、ホットプレスなどの加圧焼結法を用いることが好ましい。また、焼結雰囲気は不活性雰囲気中が好ましい。このようにして得られた焼結体のGaNベース半導体形成面に、鏡面加工を施す。表面加工は、ダイヤモンド砥石を用いて、表面粗さRa0.2μm以下、好ましくは0.05μm以下となるように研磨していく。また、必要に応じ、側面や裏面の形状を整える加工を行ってもよい。以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明がこれら実施例に限定して解釈されるものではない。実施例1窒化アルミニウム粉末平均粒径1μm、酸素含有量1.0質量とイットリアY2O3粉末平均粒径1μmとアルミナAl2O3粉末平均粒径1μmとを、表1に示した割合で混合して原料粉末を調製した。なお、表中の混合量は、第一の焼結助剤であるイットリア、第二の焼結助剤であるアルミナ、および窒化アルミニウム粉末を混合して100重量部となるように混合したものである。混合には、トルエン、エタノール等の溶剤に原料粉を添加し、更に分散剤を添加した。その後、有機バインダと可塑剤とを添加してさらに混合を行い、ドクターブレード法にて厚さ1.2mmのグリーンシートを成形した。このグリーンシートを縦170mm×横170mmに裁断した後、脱脂し、1700°C×5時間で窒素中にて焼結し、試料1の多結晶窒化アルミニウム基板を作製した。また、同様の作業を繰り返して、試料2~8の多結晶窒化アルミニウム基板を作製した。各試料の線熱膨張係数を測定した。線膨張係数の測定はJISR1618に準じて行った。20~1300°Cまでを約0.1°Cから0.3°C間隔にて測定したが、代表値として100°C間隔の値を表示した。次に、粒界相の構成相をXRDにて分析した。また、熱伝導率はレーザフラッシュ法により測定した。また、窒化アルミニウム結晶粒子の平均粒径を測定した。窒化アルミニウム結晶粒子の平均粒径は、試料の任意の部分の断面の拡大写真100μm×100μmを撮り、線インターセプト法により測定した。その結果を表1に示す。表1において、試料2~7が実施例、試料1および試料8が比較例になる。各試料は粒界相にYAG相Y3Al5O12またはYAP相YAlO3といった複合酸化物が検出された。なお、複合酸化物の特定は、XRDにより行った。実施例2次に、第一の焼結助剤としてGd2O3試料9~14を第二の焼結助剤としてアルミナを使用して実施例1と同様の実験を行った。なお、窒化アルミニウム粉末不純物酸素量1.2質量、第一の焼結助剤および第二の焼結助剤の平均粒径はいずれも平均粒径1.2μmのものを用いた。焼結温度は1700~1800°Cの範囲であり、いずれも窒素雰囲気中で焼結した。得られた各試料に対し、実施例1と同様の測定を行った。その結果を表2に示す。表2において、試料10~13が実施例、試料9および試料14が比較例になる。各試料は粒界相にGa3Al5O12またはGaAlO3といった複合酸化物が検出された。第一の焼結助剤をGd2O3に変更しても、線膨張係数の制御は可能であることが分かる。実施例3次に、第一の焼結助剤としてDy2O3試料15~20を第二の焼結助剤としてアルミナを使用して実施例1と同様の実験を行った。なお、窒化アルミニウム粉末不純物酸素量1.2質量、第一の焼結助剤および第二の焼結助剤の平均粒径はいずれも平均粒径1.2μmのものを用いた。焼結温度は1700~1800°Cの範囲であり、いずれも窒素雰囲気中で焼結した。得られた各試料に対し、実施例1と同様の測定を行った。その結果を表3に示す。表3において、試料16~19が実施例、試料15および試料20が比較例になる。各試料は粒界相にDy3Al5O12またはDyAlO3といった複合酸化物が検出された。第一の焼結助剤をDy2O3に変更しても、線膨張係数の制御は可能であることが分かる。なお、複合酸化物の特定は、XRDにより行った。実施例4次に、第一の焼結助剤としてHo2O3試料21,Er2O3試料22、Yb2O3試料23、第二の焼結助剤としてアルミナを使用した。また、添加量はAlN焼結体の体積分率が80になるような添加量に調整した。なお、窒化アルミニウム粉末不純物酸素量1.2質量、第一の焼結助剤および第二の焼結助剤の平均粒径はいずれも平均粒径1.2μmのものを用いた。焼結温度は1700~1800°Cの範囲であり、いずれも窒素雰囲気中で焼結した。得られた各試料に対し、実施例1~3と同様の測定を行った。その結果を表4に示す。表4から、実施例1~3以外の焼結助剤に変更しても線膨張係数の制御は可能であることが分かる。実施例5次に、第一の焼結助剤としてイットリア、第二の焼結助剤としてアルミナ、第三の焼結助剤として窒化チタンTiN線膨張係数=9.4×10-6/Kを使用して多結晶窒化アルミニウム基板を作製した。窒化アルミニウム粉末不純物酸素量0.8質量、第一の焼結助剤、第二の焼結助剤および第三の焼結助剤ともに平均粒径1μmのものを用いた。また、焼結温度は1720°Cで行った。その結果を表5に示す。表5から、TiNを用いても線膨張係数の制御が可能であることが分かる。実施例6試料1~25の多結晶窒化アルミニウム基板を加工して、直径2インチ50.8mm×厚さ1mm、表面粗さRa0.01μmの円盤状に加工した。各試料を用いてGaN半導体を結晶成長させた。MOCVD装置内のサセプタ上に試料多結晶窒化アルミニウム基板を配置し、500~600°Cにて有機金属気相成長法MOCVD法により、TMGガストリメチルガリウムガス、アンモニアガスを流しGaNバッファー層を形成した。次に、1000~1100°CにてGaN層の膜厚を厚くさせた結晶成長させた。バッファー層は0.02μm、最終的なGaN層の厚さは3μmとした。また、GaN層は多結晶窒化アルミニウム基板表面直径2インチに設けた。得られたGaNベース半導体の反りの有無を測定した。反りの不具合がなかったもの次工程に使えるものを○、反りによって不良となったもの次工程に使えないものを×で示した。その結果を表6に示す。反りの少ないGaN単結晶を得るためには、20°Cから600°Cに於ける平均線膨張係数が4.9×10-6/K以上6.1×10-6/K以下、20°Cから1100°Cまでの平均線膨張係数が5.5×10-6/K以上6.6×10-6/K以下であることが重要であることが分かる。また、実施例の試料試料2~7、10~13、16~19、21~25は、熱伝導率も46W/m/K以上と高いことから放熱性が良く、この点も反りの不具合を抑制できる効果に有効であると考えられる。この結果、LEDや半導体レーザなどの発光素子を効率よく製造することができる。"