"第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主面上に順に積層されたアバランシェ増倍層、電界緩和層、光吸収層、及び窓層と、前記窓層の一部に設けられた第2導電型の不純物領域と、前記不純物領域上に配置されて前記不純物領域に接続され、前記半導体基板の前記主面に対向する平面視において直線状である直線状電極とを備えることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。前記直線状電極と前記不純物領域の外端との間隔は30μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のアバランシェフォトダイオード。前記不純物領域は、平面視において長方形又は角丸長方形であり、前記直線状電極は前記不純物領域の長辺方向に延びることを特徴とする請求項1又は2に記載のアバランシェフォトダイオード。前記不純物領域は、平面視において長方形である長方形領域と、前記長方形領域の2つの短辺にそれぞれ接合された2つの半円状領域とを有することを特徴とする請求項1又は2に記載のアバランシェフォトダイオード。前記半円状領域上に配置され、前記直線状電極に接合された半円状電極を更に備えることを特徴とする請求項4に記載のアバランシェフォトダイオード。前記不純物領域を除く前記窓層上に設けられた遮光メタルを更に備えることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載のアバランシェフォトダイオード。前記直線状電極は、互いに平行に配置された直線状の複数の電極部を有することを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載のアバランシェフォトダイオード。隣り合う前記直線状電極部の間隔は60μm以下であることを特徴とする請求項7に記載のアバランシェフォトダイオード。前記直線状電極は、前記複数の電極部に直交しそれらに共通に接続された電極部を更に有することを特徴とする請求項7又は8に記載のアバランシェフォトダイオード。前記窓層の前記不純物領域以外の領域上に配置された電極パッドを更に備え、前記直線状電極と前記電極パッドの接続部が前記不純物領域上を横切る箇所は1箇所だけであることを特徴とする請求項1~9の何れか1項に記載のアバランシェフォトダイオード。前記直線状電極は、2つに分離されていることを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載のアバランシェフォトダイオード。前記窓層の前記不純物領域以外の領域上に配置された2つの電極パッドを更に備え、2つに分離された前記直線状電極と前記2つの電極パッドのそれぞれ接続部が前記不純物領域上を横切る箇所は2箇所だけであることを特徴とする請求項11に記載のアバランシェフォトダイオード。前記直線状電極の延在方向に対して垂直な方向において、前記不純物領域の幅に対する前記直線状の電極の幅の割合が20以下であることを特徴とする請求項1~12の何れか1項に記載のアバランシェフォトダイオード。前記直線状電極は角部がないことを特徴とする請求項1~13の何れか1項に記載のアバランシェフォトダイオード。前記直線状電極は透明電極であることを特徴とする請求項1~14の何れか1項に記載のアバランシェフォトダイオード。前記不純物領域の不純物濃度は1×1019cm-3以上であることを特徴とする請求項1~15の何れか1項に記載のアバランシェフォトダイオード。請求項1~16の何れか1項に記載のアバランシェフォトダイオードを複数個アレイ状に配列していることを特徴とするアバランシェフォトダイオードアレイ。従来のアバランシェフォトダイオードのp側電極はリング状であった。しかし、リング状の電極は面積が大きいため、入射光を遮光する面積が大きくなり、開口率が下がる。電極に接続された不純物領域の面積を大きくすれば、開口率を上げることができる。しかし、電極からの距離が遠いほど不純物領域に電界がかからなくなるため、帯域が小さくなる。また、面内の増倍率が不均一になり、面内の受光感度も不均一になる。従って、従来のアバランシェフォトダイオードでは不純物領域の面積を一定以上大きくできないため、大きな開口率を実現することができないという問題があった。また、リング状の電極を有するアバランシェフォトダイオードを複数個アレイ状に配列した場合、開口率が低下するという問題があった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は大きな開口率を実現することができるアバランシェフォトダイオード及びアバランシェフォトダイオードアレイを得るものである。本発明に係るアバランシェフォトダイオードは、第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主面上に順に積層されたアバランシェ増倍層、電界緩和層、光吸収層、及び窓層と、前記窓層の一部に設けられた第2導電型の不純物領域と、前記不純物領域上に配置されて前記不純物領域に接続され、前記半導体基板の前記主面に対向する平面視において直線状である電極とを備えることを特徴とする。本発明により、大きな開口率を実現することができる。本発明の実施の形態に係るアバランシェフォトダイオード及びアバランシェフォトダイオードアレイについて図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係るアバランシェフォトダイオードを示す上面図である。図2は、図1のI-IIに沿った断面図である。n型InP基板1の主面上に、n型InP層バッファ層2、厚さ0.15~0.4μmのアンドープAlInAsからなるアバランシェ増倍層3、厚さ0.03~0.06μmのp型InP電界緩和層4、厚さ2~3μmのアンドープInGaAsからなる光吸収層5、厚さ約2μmのアンドープInP窓層6、InGaAsコンタクト層7が順に積層されている。アンドープInP窓層6の一部にp型不純物領域8が設けられている。n型InP基板の不純物濃度は約5×1018cm-3、p型InP電界緩和層4の不純物濃度は0.5~1×1018cm-3、p型不純物領域8の不純物濃度は1×1019~1×1020cm-3である。Ti/Au等からなる直線状p側電極9が、InGaAsコンタクト層7を介してp型不純物領域8上に配置されてp型不純物領域8に接続されている。窒化シリコンからなる表面保護膜10がアンドープInP窓層6を覆っている。表面保護膜10の厚さは、入射光の波長λの4分の1の厚さである。AuGe/Auからなるn側電極11が、n型InP基板1の裏面に接続されている。入射光は例えば波長λ=1.55μmのレーザ光である。直線状p側電極9は、n型InP基板1の主面に対向する平面視において直線状である。図3は、図1の領域Aを拡大した上面図である。直線状p側電極9は角部がなく丸みを帯びている。直線状p側電極9の幅wは5μmである。直線状p側電極9とp型不純物領域8の外端との間隔aは14.5μmである。直線状p側電極9の延在方向のp型不純物領域8の長さbは、p型不純物領域8の幅cより長い。p型不純物領域8は、平面視において長方形又は角丸長方形である。直線状p側電極9はp型不純物領域8の長辺方向に延びる。直線状p側電極9は、アンドープInP窓層6のp型不純物領域8以外の領域上に配置された電極パッド13に接続されている。両者の接続部はp型不純物領域8の短辺を横切る。続いて、本実施の形態に係るアバランシェフォトダイオードの製造方法について簡単に説明する。まず、n型InP基板1上に、MOCVDMetalorganicchemicalvapordeposition法等を用いて、n型InP層バッファ層2、アバランシェ増倍層3、p型InP電界緩和層4、光吸収層5、アンドープInP窓層6、InGaAsコンタクト層7を順にエピタキシャル成長させる。次に、アンドープInP窓層6の一部にZnを光吸収層5に達する深さまで拡散させてp型不純物領域8を形成する。拡散方法として、マスク等を用いた気相拡散や熱拡散等を用いる。例えば、熱拡散を行う場合には、アンドープInP窓層6上にSiN膜図示せずを成膜し、p型不純物領域8を形成する領域上においてSiN膜に開口を形成し、この開口とSiN膜上にZnO膜図示せず等の拡散源を形成し、SiN膜をマスクとして所定時間の熱処理を行う。なお、Znの代わりにCdやBe等の不純物を用いてもよい。次に、SiN膜やZnO膜を除去した後、InGaAsコンタクト層7を形成する。次に、プラズマCVD法等によりアンドープInP窓層6の表面に反射防止膜としても機能する表面保護膜10を形成し、フォトリソグラフィ技術とフッ酸等を用いたエッチングとを組み合わせて、直線状p側電極9を形成する領域において表面保護膜10に開口を形成する。次に、表面保護膜10上にフォトレジスト図示せずを設け、これをパターニングして、表面保護膜10の開口においてフォトレジストに開口を形成する。次に、電子ビームEB蒸着によりTi/Au膜を形成した後、この膜の不要部分をフォトレジストとともにリフトオフして直線状p側電極9を形成する。この時、表面保護膜10上に、直線状p側電極9に接続された電極パッド13を同時に形成する。その後、n型InP基板1の裏面を研磨し、n側電極11を形成する。以上の工程により、本実施の形態に係るアバランシェフォトダイオードが製造される。続いて、本実施の形態に係るアバランシェフォトダイオードの動作を説明する。n側電極11がプラス、直線状p側電極9がマイナスとなるように外部から逆バイアス電圧を印加すると、空乏層12ができる。この状態で例えば1.55μmの光を入射させる。光はアンドープInP窓層6を透過し、光吸収層5において吸収されて電子-正孔対フォトキャリアが発生する。発生した電子はn側電極11側に移動し、ホールは直線状p側電極9側に移動する。逆バイアス電圧が充分に高い場合、アバランシェ増倍層3において電子はイオン化して新たな電子-ホール対を生成し、新たに生成された電子とホールと共にさらなるイオン化を引き起こすことによって、電子とホールが雪崩的に増倍するアバランシェ増倍が引き起こされる。続いて、実施の形態1の効果を比較例と比較して説明する。図4は、比較例に係るアバランシェフォトダイオードを示す上面図である。比較例では、半径dの円形のp型不純物領域8を囲むようにリング状電極14が設けられている。本実施の形態の直線状p側電極9は比較例のリング状電極14よりも面積を小さくできるため、大きな開口率を実現することができる。また、p型不純物領域8を長方形又は角丸長方形にすることにより、円形のp型不純物領域8よりも大きな開口率を実現することができる。さらに、p型不純物領域8を角丸長方形にして角部を無くすことで、p型不純物領域8の角部での電界集中を避けることができる。図5は、本発明の実施の形態1に係るp型不純物領域8の面積と開口率の関係を示す図である。直線状p側電極9の幅wを5μmとした。比較例では、p型不純物領域8の面積を大きくすると開口率は向上するが、半径dが14.5μmで開口率が約55、半径dが30μmでも開口率が約73である。一方、実施の形態1では、直線状p側電極9の長さbを変えれば、p型不純物領域8の面積を自由に設計でき、約85もの大きな開口率を実現することができる。また、直線状p側電極9の延在方向に対して垂直な方向において、p型不純物領域8の幅cに対する直線状p側電極9の幅wの割合を20以下とすることで、約80以上の大きな開口率を実現することができる。具体的には、幅wを5μmとして、幅cに対する幅wの割合を約15とした場合、開口率は約85となる。幅wを3μm、間隔aを30μmとして、幅cに対する幅wの割合を約5とした場合、開口率は約95となる。図6は、本発明の実施の形態1に係る直線状p側電極9とp型不純物領域8の外端との間隔aに対する帯域の変化を示す図である。間隔aが大きいほど帯域は小さくなるが、間隔aが30μm以下であれば帯域劣化を抑えることができる。また、p型不純物領域8が大きくなると面内の増倍率が不均一になるが、間隔aが30μm以下であれば、面内で均一な増倍率を実現することができる。また、直線状p側電極9と電極パッド13の接続部がp型不純物領域8上を横切る箇所は1箇所だけである。これにより、p型不純物領域8の端部での電界集中を避けることができる。また、p型InP電界緩和層4を設けることにより、エッジブレークダウンを抑制することができる。p型InP電界緩和層4の代わりにAlInAs電界緩和層を用いてもよい。実施の形態2.図7は、本発明の実施の形態2に係るアバランシェフォトダイオードを示す上面図である。直線状p側電極9は、互いに平行に配置された直線状の複数の電極部9a,9b,9cと、複数の電極部9a,9b,9cに直交しそれらに共通に接続された電極部9dとを有する。間隔aは20μmである。隣り合う電極部9a,9b,9cの間隔eは40μmである。電極部9a,9b,9cの幅wはそれぞれ5μmである。p型不純物領域8は、平面視において長方形又は角丸長方形である。p型不純物領域8の長さbは幅fより長い。続いて、実施の形態2の効果を説明する。実施の形態1では、1本の直線状p側電極9を用いるため、p型不純物領域8の幅cに制限がある間隔aが30μm以下であるため、幅cの最大値=2×30μm電極幅w。一方、実施の形態2では、並行に配列した複数の電極部9a,9b,9cを用いるため、p型不純物領域8の幅fを自由に設計できる。従って、長さbを一定にしつつ、p型不純物領域8の面積を大きくすることができる。また、実施の形態1で説明したように、p型不純物領域8は直線状p側電極9から30μm以内に存在する必要がある。従って、隣り合う電極部9a,9b,9cの間隔eを30×2=60μm以下にする必要がある。また、電極部9dと電極パッド13の接続部がp型不純物領域8上を横切る箇所は1箇所だけである。これにより、p型不純物領域8の端部での電界集中を避けることができる。実施の形態3.図8は、本発明の実施の形態3に係るアバランシェフォトダイオードを示す上面図である。p型不純物領域8は、平面視において長方形である長方形領域8aと、長方形領域8aの2つの短辺にそれぞれ接合された2つの半円状領域8bとを有するこのように長方形領域8aに半円状領域8bを接合して角部を無くすことで、p型不純物領域8の角部での電界集中を避けることができる。実施の形態4.図9は、本発明の実施の形態4に係るアバランシェフォトダイオードを示す上面図である。図10は図9のI-IIに沿った断面図である。半円状領域8b上に半円状電極15が配置されている。この半円状電極15は直線状p側電極9に接合されている。実施の形態4では、半円状領域8bの端部以外の大部分が半円状電極15で遮光され、長方形領域8aの中央部も直線状p側電極9で遮光される。これにより、帯域や増倍率が面内で均一な2つの長方形の不純物領域を実現できる。図11は、図9の領域Aを拡大した上面図である。図12は、図9の領域Bを拡大した上面図である。直線状p側電極9と半円状電極15は角部がない。これにより、直線状p側電極9と半円状電極15の角部での電界集中を避けることができる。実施の形態5.図13は、本発明の実施の形態5に係るアバランシェフォトダイオードを示す上面図である。図14は図13のI-IIに沿った断面図であり、図15は図13のIII-IVに沿った断面図である。p型不純物領域8を除くアンドープInP窓層6上に遮光メタル16が設けられている。これにより、受光部であるp型不純物領域8以外に光が入射されるのを防ぐことができるため、p型不純物領域8の端部で増倍率が不均一になるのを防ぐことができる。実施の形態6.図16は、本発明の実施の形態6に係るアバランシェフォトダイオードを示す上面図である。直線状p側電極9が中央で2つに分離され、それぞれ異なる2つの電極パッド13に接続されている。2つの電極パッド13はアンドープInP窓層6のp型不純物領域8以外の領域上に配置されている。2つに分離された直線状p側電極9と2つの電極パッド13のそれぞれの接続部がp型不純物領域8上を横切る箇所は2つだけである。その他の構成は実施の形態3と同様である。2つの電極パッド13から電流を注入することで、面内の電界を均一にすることができる。また、直線状p側電極9が中央で2つに分離されているため、開口率を上げることができる。実施の形態7.図17は、本発明の実施の形態7に係るアバランシェフォトダイオードを示す上面図である。実施の形態6とは異なり、分離された2つの直線状p側電極9が互いに平行に配置されている。両者の間隔eは40μmである。これにより実施の形態6と同様の効果を得ることができる。実施の形態8.図18は、本発明の実施の形態8に係るアバランシェフォトダイオードアレイを示す上面図である。実施の形態5のアバランシェフォトダイオードを16個アレイ状に配列している。これにより、正方形の受光領域を実現できる。例えば、隣り合うp型不純物領域8の間隔を15.5μm、間隔aを21μm、直線状p側電極9の幅wを5μmとした場合、受光領域の幅gは21μm21μm5μm15.5μm×16=1mmとなる。さらに、受光領域の長さhを1mmとすれば、1mm角の正方形の受光領域を実現できる。その開口率は42μm×100/21μm21μm5μm15.5μm≒67となる。なお、個々のp型不純物領域8の面積が大きいほど、全体の開口率が上がる。また、上記の例に限らず、実施の形態1~7のアバランシェフォトダイオードを複数個アレイ状に配列することで同様の効果を得ることができる。なお、上記の実施の形態1~8において、直線状p側電極9として透明電極を用いることで、開口率を更に上げることができる。例えば、実施の形態8の直線状p側電極9が通常の電極の場合、開口率が42μm×100/21μm21μm5μm15.5μm≒67である。これに対して、透明電極の場合には開口率が21μm21μm5μm×100/21μm21μm5μm15.5μm≒75に向上する。また、上記の実施の形態1~8において、p型不純物領域8の不純物濃度を1×1019cm-3以上とすることが好ましい。これにより、p型不純物領域8の抵抗が下がるため、p型不純物領域8に均一に電界を印加することができる。この結果、帯域や増倍率の面内の不均一を更に抑制することができる。"