導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されてなるビルドアップ層と、前記樹脂絶縁層の表面から突出して形成され、下部に位置する円柱部及び上部に位置する凸部からなる導電性パッドと、を備え、前記導電性パッドの前記凸部の表面は、連続した曲面形状であることを特徴とする、多層配線基板。前記導電性パッドの全面を覆うはんだ層を備えることを特徴とする、請求項1に記載の多層配線基板。前記導電性パッドと前記はんだ層との間に、前記導電性パッドの全面を被覆して形成されたバリアメタル層を備え、前記はんだ層は、前記導電性パッドの全面を被覆するバリアメタル層を介して前記導電性パッドを覆い、前記導電性パッドの前記樹脂絶縁層側に位置する側端面上に形成された前記バリアメタル層の被覆厚みは、該側端面よりも上部に位置する前記導電性パッドの表面上に形成された前記バリアメタル層の被覆厚みよりも大きいことを特徴とする、請求項2に記載の多層配線基板。前記はんだ層は、前記バリアメタル層上にのみ形成され、前記樹脂絶縁層とは接触しないことを特徴とする、請求項3に記載の多層配線基板。本発明は、導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されてなるビルドアップ層と、少なくとも1層の樹脂絶縁層の表面上において、表面から突出して形成された導電性パッドと、導電性パッドの上面において形成されたはんだ層とを備える多層配線基板において、導電性パッドへの応力集中を抑制し、半導体素子との接続不良及び導電性パッドの破損を抑制することを目的とする。上記目的を達成すべく、本発明は、導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されてなるビルドアップ層と、前記樹脂絶縁層の表面から突出して形成され、下部に位置する円柱部及び上部に位置する凸部からなる導電性パッドと、を備え、前記導電性パッドの前記凸部の表面は、連続した曲面形状であることを特徴とする、多層配線基板に関する。本発明によれば、樹脂絶縁層の表面から突出した導電性パッドを、下部に位置する円柱部及び上部に位置し、連続した曲面状の表面を有する凸部から構成するようにしている。したがって、導電性パッドは、従来のように鋭角な縁部を有しないので、当該導電性パッドにはんだを供給して、多層配線基板を半導体素子とフリップチップ接合した場合においても、導電性パッドに対して応力集中が生じない。したがって、半導体素子との接続不良や導電性パッドの破損を抑制することができる。なお、導電性パッドを連続した曲面状の表面を有する凸部のみから構成した場合においても、導電性パッドは鋭角な縁を有しないので、上述のような作用効果が期待できるが、凸部の端部の厚さが小さくなると、当該箇所において応力集中が生じるようになる。その結果、従来同様に、半導体素子との接続不良や導電性パッドの破損を生じる場合がある。しかしながら、本発明のように、導電性パッドを下方に位置させた円柱部と上方に位置させた凸部とから構成することにより、下方に円柱部が存在することに起因して、凸部の端部の厚さが小さくなるようなことがないので、上述した不利益を被ることがない。また、上述のような構成の導電性パッドを介して多層配線基板と半導体素子とをフリップチップ接合する場合においては、導電性パッドの全面を覆うようにしてはんだ層を形成することが好ましい。この場合、導電性パッドに対して十分な量のはんだを供給することができるので、多層配線基板の、半導体素子とのフリップチップ接合をより確実に行うことができる。さらに、本発明の一例において、導電性パッドとはんだ層との間に、導電性パッドの全面を被覆して形成されたバリアメタル層を備え、はんだ層は、導電性パッドの全面を被覆するバリアメタル層を介して導電性パッドを覆い、導電性パッドの樹脂絶縁層側に位置する側端面上に形成されたバリアメタル層の被覆厚みは、該側端面よりも上部に位置する前記導電性パッドの表面上に形成されたバリアメタル層の被覆厚みよりも大きくすることができる。上述のように、導電性パッドの全面を覆うようにしてはんだ層を形成した場合、はんだ層と樹脂絶縁層、特にレジスト層との密着性は著しく低い。したがって、多層配線基板と半導体素子とをフリップチップ接合する前後において、はんだ層と樹脂絶縁層との間で剥離が生じ、半導体素子の接続不良等を生じる場合がある。しかしながら、上述のように導電性パッドとはんだ層との間にバリアメタル層を形成した場合、このバリアメタル層の樹脂絶縁層に対する密着性ははんだ層の樹脂絶縁層に対する密着性に比して十分に高い。さらに、導電性パッドの樹脂絶縁層側に位置する側端面上に形成されたバリアメタル層の被覆厚みは、該側端面よりも上部に位置する前記導電性パッドの表面上に形成されたバリアメタル層の被覆厚みよりも大きくしているので、上述した密着性の向上はより顕著になる。したがって、多層配線基板と半導体素子とをフリップチップ接合する前後において、バリアメタル層と樹脂絶縁層との間で剥離が生じず、その結果、はんだ層と樹脂絶縁層との間でも剥離が生じなくなる。このため、半導体素子の接続不良等を防止することができる。なお、上記はんだ層をバリアメタル層上にのみ形成し、樹脂絶縁層と接触しないようにすれば、例えば、上記はんだ層の、樹脂絶縁層と接触した端部が部分的に剥離したりすることを抑制することができる。以上説明したように、本発明によれば、導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されてなるビルドアップ層と、少なくとも1層の樹脂絶縁層の表面上において、表面から突出して形成された導電性パッドと、導電性パッドの上面において形成されたはんだ層とを備える多層配線基板において、導電性パッドへの応力集中を抑制し、半導体素子との接続不良及び導電性パッドの破損を抑制することができる。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。多層配線基板図1及び図2は、本実施形態における多層配線基板の平面図であり、図1は、多層配線基板を上側から見た場合の状態を示し、図2は、多層配線基板を下側から見た場合の状態を示している。また、図3は、図1及び2に示す多層配線基板をI-I線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図であり、図4は、図3に示す導電性パッドの近傍を拡大して示す断面図である。但し、以下に示す多層配線基板は本発明の特徴を明確にするための例示であって、導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されてなるビルドアップ層と、樹脂絶縁層の表面から突出して形成され、下部に位置する円柱部及び上部に位置する凸部からなる導電性パッドとを備え、導電性パッドの凸部の表面が、連続した曲面形状であれば特に限定されるものではない。図1~3に示す多層配線基板10は、必要に応じてシリカフィラー等を含む熱硬化性樹脂組成物からなる第1の樹脂絶縁層21及び第2の樹脂絶縁層22と、銅等の電気的良導体からなり、それぞれ所定のパターンを有する第1の導体層31及び第2の導体層32とが交互に積層されている。また、第1の樹脂絶縁層21上には、開口部41Aが形成されてなる、例えばエポキシ系のレジスト材からなる第1のレジスト層41が形成され、第2の樹脂絶縁層22上には、開口部、すなわちビアホール42Aが形成されてなる、例えばエポキシ系のレジスト材からなる第2のレジスト層42が形成されている。なお、順次に積層されてなる第1のレジスト層41、第1の樹脂絶縁層21、第1の導電層31、第2の樹脂絶縁層22、第2の導電層32及び第2のレジスト層42は、ビルドアップ層を構成する。また、第1の樹脂絶縁層21及び第2の樹脂絶縁層22には、これらの層を厚さ方向に貫通するようにして開口部、すなわちビアホール21A及び22Aがそれぞれ形成され、これらビアホール21A及び22Aを埋設するようにして、ビア導体51及び52がそれぞれ形成されている。なお、ビア導体52によって第1の導体層31及び第2の導体層32は互いに電気的に接続されるようになる。この場合、第1の導体層31の、ビア導体51と電気的に接触する部分311はビアランドを構成し、ビア導体51と接触していない部分312は配線層を構成する。同じく、第2の導体層32の、ビア導体52と電気的に接触する部分321はビアランドを構成し、ビア導体52と接触していない部分322は配線層を構成する。第1のレジスト層41の開口部41Aからは、第1の樹脂絶縁層21上に形成された第1の導電性パッド61が露出している。なお、ビア導体51によって第1の導体層31及び第1の導電性パッド61は互いに電気的に接続されるようになる。なお、第1の導電性パッド61は、多層配線基板10をマザーボードに接続するための裏面ランドLGAパッドとして利用されるものであって、多層配線基板10の裏面において矩形状に配列されている。また、第2のレジスト層42のビアホール42A内には、このビアホール42Aを埋設するようにしてビア導体53が形成され、さらに第2のレジスト層42の表面から突出するとともにビア導体53と連続するようにして、第2の導電性パッド62が形成されている。なお、ビア導体53によって第2の導体層32及び導電性パッド62は互いに電気的に接続されるようになる。なお、第2の導電性パッド62は、図示しない半導体素子をフリップチップ接続するためのパッドFCパッドであり、半導体素子搭載領域を構成する。第2の導電性パッド62は、多層配線基板10の表面の略中心部において矩形状に配置されている。また、上述した説明から明らかなように、ビア導体51、52及び53によって、第1の導電性パッド61、第1の導体層31、第2の導体層32及び第2の導電性パッド62は、多層配線基板10の厚さ方向において電気的に接続されている。図3及び図4に示すように、第2の導電性パッド62は、その下方に位置する円柱部621と、その上方に位置する連続した曲面状の表面を有する凸部622とから構成されている。また、第2の導電性パッド62の全体を覆うようにしてNi/Auメッキ膜等からなるバリアメタル層63が形成され、バリアメタル層63を覆うようにして、例えばSn-Ag、Sn-Cu、Sn-Ag-Cu、Sn-Sb等の実質的にPbを含有しないはんだからなるはんだ層64が形成されている。また、バリアメタル層63の、第2の導電性パッド62の第2のレジスト層42側に位置する側端面62A上に形成されたバリアメタル層63の被覆厚みt1が、側端面62Aよりも上部に位置する第2の導電性パッド62の表面62B上に形成されたバリアメタル層63の被覆厚みt2よりも大きくなっている。さらに、はんだ層64は、バリアメタル層63上にのみ形成され、第2のレジスト層42と接触しないように構成されている。なお、多層配線基板10の大きさは、例えば200mm×200mm×0.8mmの大きさに形成することができる。図3及び図4に示すように、第2の導電性パッド62は第2のレジスト層42の表面から突出して形成され、下部に位置する円柱部621及び上部に位置し、連続した曲面状の表面を有する凸部622から構成するようにしている。したがって、導電性パッド62は、鋭角な縁部を有しないので、当該導電性パッドにはんだを供給して、多層配線基板10を半導体素子とフリップチップ接合した場合においても、導電性パッドに対して応力集中が生じない。したがって、半導体素子との接続不良や導電性パッドの破損を抑制することができる。なお、第2の導電性パッド62を連続した曲面状の表面を有する凸部622のみから構成した場合においても、第2の導電性パッド62は鋭角な縁部を有しないので、上述のような作用効果が期待できるが、凸部622の端部の厚さが小さくなると、当該箇所において応力集中が生じるようになる。その結果、従来同様に、半導体素子との接続不良や導電性パッドの破損を生じる場合がある。しかしながら、本実施形態では、第2の導電性パッド62を下方の位置させた円柱部621と上方に位置させた凸部622とから構成しており、下方に円柱部621が存在することに起因して、凸部622の端部の厚さが小さくなるようなことがないので、上述した不利益を被ることがない。また、本実施形態では、第2の導電性パッド62の全面を覆うようにしてはんだ層64を形成しているので、第2の導電性パッド62に対して十分な量のはんだを供給することができ、多層配線基板10の、半導体素子とのフリップチップ接合をより確実に行うことができる。さらに、本実施形態では、第2の導電性パッド62とはんだ層64との間に、第2の導電性パッド62の全面を覆うようにしてバリアメタル層63を形成している。第2の導電性パッド62の全面を覆うようにしてはんだ層64を形成した場合、はんだ層64と第2のレジスト層42との密着性は著しく低い。したがって、多層配線基板10と半導体素子とをフリップチップ接合する前後において、はんだ層64と第2のレジスト層42との間で剥離が生じ、半導体素子の接続不良等を生じる場合がある。しかしながら、上述のように第2の導電性パッド62とはんだ層64との間にバリアメタル層63を形成した場合、このバリアメタル層63の第2のレジスト層42に対する密着性は、はんだ層64の第2のレジスト層42に対する密着性に比して十分に高い。また、第2の導電性パッド62の第2のレジスト層42側に位置する側端面62A上に形成されたバリアメタル層63の被覆厚みt1を、側端面62Aよりも上部に位置する第2の導電性パッド62の表面62B上に形成されたバリアメタル層63の被覆厚みt2よりも大きくしているので、上述した密着性の向上はより顕著になる。したがって、多層配線基板10と半導体素子とをフリップチップ接合する前後において、バリアメタル層63と第2のレジスト層42との間で剥離が生じず、その結果、はんだ層64と第2のレジスト層42との間でも剥離が生じなくなる。このため、半導体素子の接続不良等を防止することができる。なお、バリアメタル層63の上述した厚みの制御は、例えばメッキ法等によって形成した場合に自ずから実現できるものである。例えば、メッキ法によって第2の導電性パッド62上にバリアメタル層63を形成した場合、第2の導電性パッド62は、その上部が連続した曲面状の表面を有する凸部622を有しているので、メッキだれが生じ、その結果、上述のように、第2の導電性パッド62の第2のレジスト層42側に位置する側端面62A上に形成されたバリアメタル層63の被覆厚みt1が、側端面62Aよりも上部に位置する第2の導電性パッド62の表面62B上に形成されたバリアメタル層63の被覆厚みt2よりも大きくなる。また、本実施形態では、はんだ層64をバリアメタル層63上にのみ形成し、第2のレジスト層42と接触しないようにしているので、例えば、はんだ層64の、第2のレジスト層42と接触した端部が部分的に剥離したりすることを抑制することができる。なお、上述した作用効果を奏することができれば、第2の導電性パッド62を構成する円柱部621及び凸部622の大きさは特に限定されない。第2の導電性パッド62の円柱部621は、第2の導電性パッド62を形成する際に使用するマスクパターンの開口を円形にしてメッキ処理を行うことにより所定のメッキ膜として得ることができる。一方、第2の導電性パッド62の凸部622は、メッキ処理を行う際のメッキ液に含有させる添加剤を調節することによって形成することができる。また、第2の導電性パッド62をメッキ処理で形成した後の、上記マスクパターンをエッチング除去する際において、異方性エッチングを行ったり、エッチング時間を長時間化したりすることによっても形成することができる。多層配線基板の製造方法次に、図1~図4に示す多層配線基板10の製造方法について説明する。図5~図14は、本実施形態における多層配線基板10の製造方法における工程図である。最初に、図5に示すように、両面に銅箔12が貼り付けられた支持基板11を準備する。支持基板11は、例えば耐熱性樹脂板例えばビスマレイミド-トリアジン樹脂板や、繊維強化樹脂板例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂板等から構成することができる。次いで、支持基板11の両面に形成された銅箔12上に、接着層としてのプリプレグ層13を介して、例えば真空熱プレスにより剥離シート14を圧着形成する。剥離シート14は、例えば第1の金属膜14a及び第2の金属膜14bからなり、これらの膜間にはCrメッキ等が施されて、外部張力によって互いに剥離可能に構成されている。なお、第1の金属膜14a及び第2の金属膜14bは銅箔から構成することができる。次いで、図6に示すように、支持基板11の両側に形成された剥離シート14上にそれぞれ感光性のドライフィルムを積層し、露光及び現像することによりマスクパターン15を形成する。マスクパターン15には、アライメントマーク形成部Pa及び外周部画定部Poに相当する開口部がそれぞれ形成されている。次いで、図7に示すように、支持基板11の両側において、マスクパターン15を介して剥離シート14に対してエッチング処理を行い、剥離シート14の、上記開口部に相当する位置に、アライメントマーク形成部Pa及び外周部画定部Poを形成する。図8は、図7に示すアセンブリを上側から見た場合の平面図であるが、アライメントマーク形成部Paは、剥離シート14においてプリプレグ13が露出するようにして形成された開口部として構成され、外周部画定部Poは、剥離シート14の端部をプリプレグ13が露出するようにして切除して形成された切り欠きとして構成される。なお、アライメントマーク形成部Pa及び外周部画定部Poを形成した後、マスクパターン15はエッチング除去する。また、マスクパターン15を除去した後に露出した剥離シート14の表面に対してエッチング処理を施し、その表面を粗化しておくことが好ましい。これにより、剥離シート14と後述する樹脂層との密着性を高めることができる。次いで、図9に示すように、剥離シート14上に樹脂フィルムを積層し、真空下において加圧加熱することにより硬化させて第1の樹脂絶縁層21を形成する。これにより、剥離シート14の表面が第1の樹脂絶縁層21で覆われるとともに、アライメントマーク形成部Paを構成する開口部及び外周部画定部Poを構成する切り欠きは、第1の樹脂絶縁層21が充填された状態となる。これによって、アライメントマーク形成部Paの部分にアライメントマークAMの構造が形成される。また、外周部画定部Poも第1の樹脂絶縁層21で覆われるようになるので、以下に示す剥離シート14を介した剥離工程において、剥離シート14の端面が例えばプリプレグ13から剥がれて浮き上がり、剥離工程を良好に行うことができずに、目的とする多層配線基板10を製造できなくなるというような不利益を排除することができる。次いで、図10に示すように、第1の樹脂絶縁層21に対して、例えばCO2ガスレーザやYAGレーザから所定強度のレーザ光を照射し、ビアホール21Aを形成した後、ビアホール21Aを含む第1の樹脂絶縁層21に対して粗化処理を実施する。なお、第1の樹脂絶縁層21がフィラーを含む場合は、粗化処理を実施するとフィラーが遊離して第1の樹脂絶縁層21上に残存するようになるので、適宜水洗を行う。次いで、ビアホール21Aに対してデスミア処理及びアウトラインエッチングを施し、ビアホール21A内を洗浄する。なお、上述のように水洗浄を実施した場合は、デスミア工程における水洗浄の際に、上記フィラーが第1の樹脂絶縁層上21に残存することを抑制することができる。また、上記水洗浄とデスミア処理との間に、エアーブローを行うことができる。これによって、遊離したフィラーが上述した水洗浄によって完全に除去されていない場合でも、エアーブローにおいてフィラーの除去を補完することができる。次いで、第1の樹脂絶縁層21に対してパターンメッキを行い、第1の導体層31及びビア導体51を形成する。なお、第1の導体層31及びビア導体51は、セミアディティブ法によって、以下のようにして形成する。最初に、第1の樹脂絶縁層21上に無電解メッキ膜を形成した後、この無電解メッキ膜上にレジストを形成し、このレジストの非形成部分に電解銅メッキを行うことによって形成する。第1の導体層31及びビア導体51を形成した後、レジストはKOH等で剥離除去する。次いで、第1の導体層31に粗化処理を施した後、第1の導体層31を覆うようにして、第1の樹脂絶縁層21上に樹脂フィルムを積層し、真空下において加圧加熱することにより硬化させて第2の樹脂絶縁層22を形成する。次いで、図11に示すように、第2の樹脂絶縁層22に対して、例えばCO2ガスレーザやYAGレーザから所定強度のレーザ光を照射し、ビアホール22Aを形成した後、ビアホール22Aを含む第2の樹脂絶縁層22に対して粗化処理を実施する。なお、第2の樹脂絶縁層22がフィラーを含む場合は、粗化処理を実施するとフィラーが遊離して第2の樹脂絶縁層22上に残存するようになるので、適宜水洗を行う。次いで、ビアホール22Aに対してデスミア処理及びアウトラインエッチングを施し、ビアホール22A内を洗浄する。なお、上述のように水洗浄を実施した場合は、デスミア工程における水洗浄の際に、上記フィラーが第2の樹脂絶縁層上22に残存することを抑制することができる。また、上記水洗浄とデスミア処理との間に、エアーブローを行うことができる。これによって、上述した水洗浄によって遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブローにおいてフィラーの除去を補完することができる。次いで、第2の樹脂絶縁層22に対してパターンメッキを行い、第1の導体層31等の場合と同様に、セミアディティブ法等により第2の導体層32及びビア導体52を形成する。次いで、第2の樹脂絶縁層22上に第2のレジスト層42を形成し、この第2のレジスト層42に対して所定のマスクを介して露光及び現像処理を施して開口部42Aを形成した後、第1の導体層31等の場合と同様に、セミアディティブ法等により第2の導電性パッド62及びビア導体53を形成する。なお、第2の導電性パッド62は、円柱部621及び凸部622から構成されているので、第2の導電性パッド62を形成する際に使用するマスクパターンの開口を円形にしてメッキ処理を行うことにより円柱部621を所定のメッキ膜として形成するとともに、凸部622は、メッキ処理を行う際のメッキ液に含有させる添加剤を調節することによって形成する。また、第2の導電性パッド62をメッキ処理で形成した後の、上記マスクパターンをエッチング除去する際において、異方性エッチングを行ったり、エッチング時間を長時間化したりすることによっても形成することができる。次いで、図12に示すように、上記工程を経て得られた積層体10aを外周部画定部Poより僅かに内側に設定された切断線に沿って切断し、積層体10aから不要な外周部を除去して、多層配線基板としての有効領域を画定する。次いで、図13に示すように、外周部画定部Poを基準にして不要な外周部を除去した後、積層体10aの剥離シート14を構成する第1の金属膜14a及び第2の金属膜14bの剥離界面で剥離し、積層体10aから支持基板11を除去する。これによって、図13に示すような、同一構造の積層体10bを得る。その後、図14に示すように、積層体10bの下方に残存する剥離シート14の第1の金属膜14aに対してエッチングを施し、第1の樹脂絶縁層21上に第1の導電性パッド61を形成する。また、第1の導電性パッド61が露出するような開口部41を有する第1のレジスト層41を形成し、さらに、第2の導電性パッド62の全体を覆うようにして、例えば、無電解Niめっきと無電解Auめっきとを順次施すことで、Ni/Auメッキ膜からなるバリアメタル層63を形成し、このバリアメタル層63の露出面全体を覆うようにしてはんだ層64を形成することにより、図1~4に示すような多層配線基板10を得る。なお、上述したアライメントマークAMは、例えば第1のレジスト層41を形成する際の位置基準として用いることができる。また、本実施形態では、多層配線基板10の製造工程において、アライメントマークAMを形成するようにしているが、アライメントマークAMは必ずしも必要とされるものではない。また、本実施形態のように、剥離シート14に対してエッチング処理を実施してアライメントマークAMを形成する代わりに、ドリル加工などの機械加工によってアライメントマークAMを形成することもできる。以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。