"電気機械干渉変調器IMODシステムであって、基板と、前記基板上に形成された第1の光学スタックを備える第1のIMODであって、前記第1の光学スタックが、第1の吸収層と、少なくとも第1の開状態と第1の崩壊collapsed状態とを有する第1の可動反射層と、前記第1の開状態で前記第1の可動反射層と前記第1の光学スタックとの間に画定された第1のギャップとを備える、第1のIMODと、前記基板上に形成された第2の光学スタックを備える第2のIMODであって、前記第2の光学スタックが、第2の吸収層と、少なくとも第2の開状態と第2の崩壊状態とを有する第2の可動反射層と、前記第2の開状態で前記第2の可動反射層と前記第2の光学スタックとの間に画定された第2のギャップとを備える、第2のIMODとを備え、前記第2のIMODが、前記状態のうちの1つで前記第1のIMODとは異なる反射可視波長に対応し、前記第2の光学スタックが、前記第1の光学スタックとは異なる光路長を規定し、前記第2のギャップが、それぞれ前記第1の開状態および前記第2の開状態で前記第1のギャップと同じサイズである電気機械干渉変調器システム。前記第1の光学スタックが、前記第1の吸収層と前記第1の可動反射層との間に第1の透明固体層を備え、前記第2の光学スタックが、前記第2の吸収層と前記第2の可動反射層との間に第2の透明固体層を備え、前記第2の透明固体層が、前記第1の透明固体層とは異なる厚さを有する、請求項1に記載の電気機械干渉変調器システム。前記透明固体層の各々が透明導体を備える、請求項2に記載の電気機械干渉変調器システム。前記透明固体層の各々が誘電体である、請求項2に記載の電気機械干渉変調器システム。前記第1の光学スタックが、前記第1の開状態で前記第1の透明固体層と前記第1のギャップとの間に追加の第1の吸収層をさらに備え、前記第2の光学スタックが、前記第2の開状態で前記第2の透明固体層と前記第2のギャップとの間に追加の第2の吸収層をさらに備える、請求項2に記載の電気機械干渉変調器システム。前記第1の吸収層、前記第2の吸収層、前記追加の第1の吸収層、および前記追加の第2の吸収層がそれぞれ、半反射厚さを有する金属材料または半導体材料を備える、請求項5に記載の電気機械干渉変調器システム。前記第1の崩壊状態および前記第2の崩壊状態が前記第1のIMODおよび前記第2のIMODについて異なる色を規定し、前記第1の開状態および前記第2の開状態が前記第1のIMODおよび前記第2のIMODについて共通のカラーアピアランスを規定する、請求項5に記載の電気機械干渉変調器システム。前記開状態での前記共通のカラーアピアランスが暗い、請求項7に記載の電気機械干渉変調器システム。前記第1のIMODおよび前記第2のIMODの各々が、少なくとも3:1のコントラスト比を規定し、前記コントラスト比が、前記それぞれの開状態での反射率に対する前記それぞれの崩壊状態での反射率の比である、請求項8に記載の電気機械干渉変調器システム。ピクセルのアレイを備え、各ピクセルが前記第1のIMODと前記第2のIMODと第3のIMODとを備え、各ピクセル内の前記3つのIMODが、前記それぞれの崩壊状態で3つの異なる色を規定し、前記第3のIMODが、前記基板上に形成された第3の光学スタックを備え、前記第3の光学スタックが、第3の吸収層と、少なくとも第3の開状態と第3の崩壊状態とを有する第3の可動反射層と、前記第3の開状態で前記第3の可動反射層と前記第3の光学スタックとの間に画定された第3のギャップと、前記第3の吸収層と前記第3の可動反射層との間の第3の透明固体層であって、前記第3の透明固体層が、前記第1の透明固体層および前記第2の透明固体層とは異なる厚さを有し、前記第3のギャップが、前記それぞれの開状態で前記第1のギャップおよび前記第2のギャップと同じサイズである、第3の透明固体層とを備える、請求項2に記載の電気機械干渉変調器システム。前記第1の光学スタックが、前記第1の透明固体層と前記第1のギャップとの間に第1の平坦化層をさらに備え、前記第2の光学スタックが、前記第2の透明固体層と前記第2のギャップとの間に第2の平坦化層をさらに備え、前記第2の平坦化層が、前記第1の平坦化層とは異なる厚さを有し、前記第1の平坦化層および前記第2の平坦化層の前記異なる厚さが、前記第1の光学スタックおよび前記第2の光学スタックの均一な総厚さを規定するために前記第1の透明固体層および前記第2の透明固体層の前記異なる厚さを補完し、前記第1の透明固体層が、前記第1の平坦化層の屈折率とは異なる屈折率を有し、前記第2の透明固体層が、前記第2の平坦化層の屈折率とは異なる屈折率を有する請求項5に記載の電気機械干渉変調器システム。前記追加の第1の吸収層が、前記第1の開状態で前記第1の平坦化層と前記第1のギャップとの間にあり、前記追加の第2の吸収層が、前記第2の開状態で前記第2の平坦化層と前記第2のギャップとの間にある、請求項11に記載の電気機械干渉変調器システム。ピクセルの前記アレイがカラーディスプレイを形成する、請求項10に記載の電気機械干渉変調器システム。ディスプレイと、前記ディスプレイと通信するように構成されたプロセッサであって、画像データを処理するように構成された、プロセッサと、前記プロセッサと通信するように構成されたメモリデバイスとをさらに備える、請求項1に記載の電気機械干渉変調器システム。前記ディスプレイに少なくとも1つの信号を送るように構成されたドライバ回路と、前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部分を送るように構成されたコントローラとをさらに備える、請求項14に記載の電気機械干渉変調器システム。前記プロセッサに前記画像データを送るように構成された画像ソースモジュールをさらに備える、請求項14に記載の電気機械干渉変調器システム。基板と、複数の干渉変調器IMODであって、各IMODが、前記基板上に形成された光学スタックであって、誘電体層と、前記誘電体層の一方の面の第1の吸収層と、前記誘電体層の反対の面の第2の吸収層とを備える、光学スタックと、少なくとも開状態と崩壊状態とを有する可動反射層と、前記開状態で前記可動反射層と前記光学スタックとの間に画定されたエアギャップとを備える、干渉変調器IMODとを備える、電気機械干渉変調器カラーディスプレイシステム。前記複数のIMODが、少なくとも2つの異なるIMODタイプを備え、前記崩壊状態が、前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々について異なる色を規定し、前記開状態が、前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々について前記崩壊状態に対して実質的に低い反射率を規定する、請求項17に記載の電気機械干渉変調器カラーディスプレイシステム。前記複数のIMODが、少なくとも2つの異なるIMODタイプを備え、前記開状態が、各IMODタイプについて実質的に暗いアピアランスを規定する、請求項17に記載の電気機械干渉変調器カラーディスプレイシステム。前記IMODタイプの各々が、少なくとも3:1のコントラスト比を規定し、前記コントラスト比が、前記開状態での反射率に対する前記崩壊状態での反射率の比である、請求項19の電気機械干渉変調器カラーディスプレイシステム。前記複数のIMODが、異なる色を表す少なくとも2つの異なるIMODタイプを備え、前記ギャップが、前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々について前記開状態で同じ高さを有する、請求項17に記載の電気機械干渉変調器カラーディスプレイシステム。前記複数のIMODが、干渉的に拡張された異なる色を表す少なくとも2つの異なるIMODタイプを備え、前記光学スタックが、前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々について異なる光路長を規定する、請求項17に記載の電気機械干渉変調器カラーディスプレイシステム。基板と、前記基板上の静止電極であって、前記基板上の第1の吸収層と、前記第1の吸収層上の透明固体層と、前記誘電体層上の第2の吸収層とを備える、静止電極と、前記静止電極上の可動電極であって、前記可動電極が少なくとも開状態と崩壊状態とを有し、前記静止電極と前記可動電極とが、前記開状態でそれらの間にギャップを画定する、可動電極とを備える、電気機械システムデバイス。前記電気機械システムデバイスが、前記開状態で実質的に暗いアピアランスを干渉的に反射するように構成された、請求項23に記載の電気機械システムデバイス。対応する異なる色を反射するための少なくとも2つの異なる干渉変調器IMODタイプをもつ電気機械干渉変調器システムであって、前記電気機械干渉変調器システムをサポートするための手段と、前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々内の光路長を規定するための手段であって、前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々について異なり、サポートするための前記手段上に配置された、規定するための手段と、光を吸収するための第1の手段であって、前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々について、光路長を規定するための前記手段とサポートするための前記手段との間に配置された、吸収するための第1の手段と、光を反射するための手段であって、前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々について、光路長を規定するための前記手段上に配置された、反射するための手段と、前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々について共通のサイズのギャップを通して、反射するための前記手段を移動するための手段であって、少なくとも開状態と崩壊状態とを画定する、移動するための手段とを備える、電気機械干渉変調器システム。光路長を規定するための前記手段がそれぞれ透明固体誘電材料を備える、請求項25に記載の電気機械干渉変調器システム。前記透明固体層が、前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々について異なる厚さを有する、請求項26に記載の電気機械干渉変調器システム。前記透明固体層が、前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々について異なる材料を備える、請求項26に記載の電気機械干渉変調器システム。光を吸収するための第2の手段であって、前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々について、光路長を規定するための前記手段と前記ギャップとの間に配置された、吸収するための第2の手段をさらに備える、請求項25に記載の電気機械干渉変調器システム。光路長を規定するための前記手段が、前記ギャップと、光路長を規定するための前記手段の各々との間の表面を平坦化するための手段をさらに備える、請求項29に記載の電気機械干渉変調器システム。移動するための前記手段が第1の電極と第2の電極とを備え、前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々について、前記第1の電極が前記ギャップの一方の側に配置され、前記第2の電極が前記ギャップの反対側に配置された、請求項25に記載の電気機械干渉変調器システム。光路長を規定するための前記手段が、前記崩壊状態で前記少なくとも2つの異なるIMODタイプの各々について異なる色を生成する、請求項25に記載の電気機械干渉変調器システム。第1の領域、第2の領域、および第3の領域においてそれぞれ少なくとも第1の電気機械干渉変調器IMOD、第2のIMOD、および第3のIMODを製造する方法であって、前記方法が、透明基板を設けることと、前記基板上に第1の吸収層を形成することと、前記第1の領域において前記吸収層上に第1の透明固体層を形成することと、前記第2の領域において前記吸収層上に第2の透明固体層を形成することと、前記第3の領域において前記吸収層上に第3の透明固体層を形成することと、前記透明固体層の各々上に可動反射層を形成することであって、前記可動反射層が少なくとも開状態と崩壊状態とを有し、前記可動反射層と前記透明固体層の各々とが、前記開状態でそれらの間にギャップを画定し、前記ギャップが、前記第1の領域、前記第2の領域、および前記第3の領域において、開状態で同じ高さを有する、形成することとを備え、前記第1の透明固体層、前記第2の透明固体層、および前記第3の透明固体層がそれぞれ、それぞれ前記第1の領域、前記第2の領域、および前記第3の領域において前記開状態および前記崩壊状態のうちの1つについて異なる色を表す異なる光路長を規定する方法。前記第3の透明固体層を形成することが、平坦化層を形成することを備え、前記平坦化層が、前記ギャップと前記対応する透明固体層との間の前記第1の領域、前記第2の領域、および前記第3の領域の各々において、前記基板の上方の共通の高さにおいて実質的に平坦な表面を画定する、請求項33に記載の方法。前記ギャップと、前記第1の透明固体層、前記第2の透明固体層、および前記第3の透明固体層の各々との間に第2の吸収層を形成することをさらに備える、請求項33に記載の方法。電気機械干渉変調器デバイスを製造する方法であって、前記方法が、透明基板を設けることと、前記基板上に第1の吸収層を形成することと、前記第1の吸収層上に誘電体層を形成することと、前記誘電体層上に第2の吸収層を形成することと、前記誘電体層上に可動反射層を形成することであって、前記可動反射層が少なくとも開状態と崩壊状態とを有し、前記誘電体層と前記反射層とが、前記開状態でそれらの間にギャップを画定する、形成することとを備える、方法。前記可動反射層を形成することが、前記誘電体層上に犠牲層を堆積させることと、前記犠牲層上に可動反射層を堆積させることと、前記可動反射層と前記誘電体層との間に前記ギャップを形成するために前記犠牲層を除去することとを備える、請求項36に記載の方法。電気機械干渉変調器デバイスを動作させる方法であって、前記方法が、基板と、異なるタイプの少なくとも2つのIMODとを設けることであって、異なるタイプの前記少なくとも2つのIMODの各々が、前記基板上に形成された光学スタックと、可動反射層と、前記可動反射層と前記光学スタックとの間に画定されたギャップとをさらに備え、前記光学スタックが、誘電体層と、前記誘電体層と前記基板との間に形成された吸収層とをさらに備える設けることと、異なるタイプの前記少なくとも2つのIMODのうちの第1のIMODタイプにおける前記ギャップを実質的に閉じるために、前記第1のIMODタイプにおける前記可動反射層を前記光学スタックのほうへ作動させることと、前記第1のIMODタイプにおける前記可動反射層を作動させたときに第1の色を反射することと、異なるタイプの前記少なくとも2つのIMODのうちの第2のIMODタイプにおける前記ギャップを実質的に閉じるために、前記第2のIMODタイプにおける前記可動反射層を前記光学スタックのほうへ作動させることと、前記第2のIMODタイプにおける前記可動反射層を作動させたときに前記第1の色とは異なる第2の色を反射することとを備える、方法。前記第1のIMODタイプにおける前記ギャップを実質的に開くために、前記光学スタックから離れて前記第1のIMODタイプにおける前記可動反射層を緩和することと、前記第1のIMODタイプにおける前記可動反射層を緩和したときに開状態可視アピアランスを生成することと、前記第2のIMODタイプにおける前記ギャップを実質的に開くために、前記光学スタックから離れて前記第2のIMODタイプにおける前記可動反射層を緩和することと、前記第2のIMODタイプにおける前記可動反射層を緩和したときに実質的に同じ開状態可視アピアランスを生成することとをさらに備える、請求項38に記載の方法。前記可動反射層が少なくとも開状態と閉状態とを有し、異なるタイプの前記少なくとも2つのIMODの各々について、前記ギャップが、前記開状態で同じ高さを有する、請求項38に記載の方法。以下の詳細な説明は、発明的態様について説明する目的で、いくつかの実装形態を対象とする。しかしながら、本明細書の教示は、多数の異なる方法で適用され得る。説明する実装形態は、動いていようとたとえば、ビデオ、静止していようとたとえば、静止画像、およびテキストであろうと、グラフィックであろうと、絵であろうと、画像を表示するように構成された任意のデバイスにおいて実装され得る。より詳細には、実装形態は、限定はしないが、携帯電話、マルチメディアインターネット対応セルラー電話、モバイルテレビジョン受信機、ワイヤレスデバイス、スマートフォン、Bluetooth登録商標デバイス、携帯情報端末PDA、ワイヤレス電子メール受信機、ハンドヘルドまたはポータブルコンピュータ、ネットブック、ノートブック、スマートブック、プリンタ、コピー機、スキャナ、ファクシミリデバイス、GPS受信機/ナビゲータ、カメラ、MP3プレーヤ、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、クロック、計算器、テレビジョンモニタ、フラットパネルディスプレイ、電子リーディングデバイスたとえば、電子リーダー、コンピュータモニタ、自動車ディスプレイたとえば、オドメータディスプレイなど、コックピットコントロールおよび/またはディスプレイ、カメラビューディスプレイたとえば、車両における後部ビューカメラのディスプレイ、電子写真、電子ビルボードまたは標示、プロジェクタ、アーキテクチャ構造物、電子レンジ、冷蔵庫、ステレオシステム、カセットレコーダーまたはプレーヤ、DVDプレーヤ、CDプレーヤ、VCR、ラジオ、ポータブルメモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯機/乾燥機、パッケージングたとえば、MEMSおよび非MEMS、審美構造物たとえば、1つの宝飾品上の画像のディスプレイ、ならびに様々な電気機械システムデバイスなど、様々な電子デバイス中に実装されるかまたはそれらに関連付けられ得ると考えられる。また、本明細書の教示は、限定はしないが、電子スイッチングデバイス、無線周波フィルタ、センサー、加速度計、ジャイロスコープ、動き感知デバイス、磁力計、コンシューマーエレクトロニクスのための慣性構成要素、コンシューマーエレクトロニクス製品の部品、バラクタ、液晶デバイス、電気泳動デバイス、駆動方式、製造プロセス、電子テスト機器など、非ディスプレイ適用例において使用され得る。したがって、本教示は、単に図に示す実装形態に限定されるものではなく、代わりに、当業者に直ちに明らかになるであろう広い適用性を有する。いくつかの実装形態では、電気機械システム干渉変調器デバイスは、カラーディスプレイまたはグレースケールディスプレイを形成する複数の干渉変調器を有することができる。各干渉変調器は、少なくとも2つの異なる干渉変調器タイプのうちの1つであり、異なる干渉変調器タイプは、異なる干渉反射色たとえば、RGBディスプレイの赤緑青または濃淡たとえば、グレースケールを生成するように別様に構成される。開状態または崩壊状態のうちの1つで異なる色または波長を干渉的に反射することが可能であるにもかかわらず、異なる干渉変調器タイプは、開状態で同じサイズのエアギャップを有することができる。たとえば、異なる干渉変調器タイプは、共通のギャップサイズをもつ開状態で暗く見えることがあるが、少なくとも2つの異なる干渉変調器タイプについての光路長、したがって反射色/濃淡は、崩壊状態で異なることがある。少なくとも2つの異なる干渉変調器タイプの各々についての透明層の厚さおよび/または材料は異なることがある。光学スタックの各々は、透明層の両面に位置する2つの吸収体absorberを含むことができ、それらの吸収体は、ある状態たとえば、開で干渉変調器について色飽和度colorsaturationを調整することを助けることができ、他の状態たとえば、閉で共通の背景状態たとえば、暗を達成することを助けることもできる。本開示で説明する主題の特定の実装形態は、以下の潜在的な利点のうちの1つまたは複数を実現するように実装され得る。各IMODタイプについての開状態での一定または同じサイズのエアギャップは、犠牲層の単一の厚さを堆積するだけでよいので、IMOD構造を作製する複雑さを低減することができる。単一のギャップサイズも、複数のエアギャップサイズに伴うエッチ腐食問題およびエッチ関係不均一性を低減することができることを、当業者は容易に認識されよう。複数のエアギャップサイズは、異なる厚さの犠牲層をエッチングすることによって生成されるが、これは、犠牲材料のより小さい厚さが除去された後、より大きい厚さが依然として除去されている、より長い時間期間の間、構造材料をエッチャントにさらすことになる。さらに、単一のエアギャップを画定することは、より少ない堆積、より少ないマスクを採用することができ、低減された材料消費量は、最終的にコストを低減し、IMOD構造を作製する効率を改善し得る。別の潜在的な利点は、一定のエアギャップを用いると、異なるIMODタイプたとえば、異なるIMOD色/濃淡の機械層のスチフネスを改変することなしに、異なるIMODのために単一の作動電圧を採用することができることである。最後に、上記の利点とは無関係に、光学スタック内の2つの光吸収体の使用は、色飽和度など、画質のアスペクトを調整するための追加変数を与えることができる。説明する実装形態が適用され得る好適なMEMSデバイスの一例は反射型ディスプレイデバイスである。反射型ディスプレイデバイスは、光学干渉の原理を使用してそれに入射する光を選択的に吸収および/または反射するために干渉変調器IMODを組み込むことができる。IMODは、吸収体、吸収体に対して可動である反射体reflector、ならびに吸収体と反射体との間に画定された光共振キャビティを含むことができる。反射体は、2つ以上の異なる位置に移動され得、これは、光共振キャビティのサイズを変化させ、それにより干渉変調器の反射率reflectanceに影響を及ぼすことがある。IMODの反射スペクトルは、かなり広いスペクトルバンドをもたらすことができ、そのスペクトルバンドは、異なる色を生成するために可視波長にわたってシフトされ得る。スペクトルバンドの位置は、光共振キャビティの厚さを変更することによって、すなわち、反射体の位置を変更することによって調整され得る。図1は、干渉変調器IMODディスプレイデバイスの一連のピクセル中の2つの隣接ピクセルを示す等角図の一例を示している。IMODディスプレイデバイスは、1つまたは複数の干渉MEMSディスプレイ要素を含む。これらのデバイスでは、MEMSディスプレイ要素のピクセルが、明状態または暗状態のいずれかにあることがある。明緩和、開またはオン状態では、ディスプレイ要素は、たとえば、ユーザに、入射可視光の大部分を反射する。逆に、暗作動、閉またはオフ状態では、ディスプレイ要素は入射可視光をほとんど反射しない。いくつかの実装形態では、オン状態の光反射特性とオフ状態の光反射特性は逆にされ得る。MEMSピクセルは、黒および白に加えて、主に、カラーディスプレイを可能にする特定の波長において、反射するように構成され得る。IMODディスプレイデバイスは、IMODの行/列アレイを含むことができる。各IMODは、光ギャップまたはキャビティとも呼ばれるエアギャップを形成するように互いから可変で制御可能な距離をおいて配置された反射層のペア、すなわち、可動反射層と固定部分反射層とを含むことができる。可動反射層は少なくとも2つの位置の間で移動され得る。第1の位置、すなわち、緩和位置では、可動反射層は、固定部分反射層から比較的大きい距離をおいて配置され得る。第2の位置、すなわち、作動位置では、可動反射層は、部分反射層により近接して配置され得る。それら2つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置に応じて、強め合うようにまたは弱め合うように干渉し、各ピクセルについて全反射状態または無反射状態のいずれかを引き起こすことがある。いくつかの実装形態では、IMODは、作動していないときに反射状態にあり、可視スペクトル内の光を反射し得、また、作動していないときに暗状態にあり、可視範囲外の光たとえば、赤外光を反射し得る。ただし、いくつかの他の実装形態では、IMODは、作動していないときに暗状態にあり、作動しているときに反射状態にあり得る。いくつかの実装形態では、印加電圧の導入が、状態を変更するようにピクセルを駆動することができる。いくつかの他の実装形態では、印加電荷が、状態を変更するようにピクセルを駆動することができる。図1中のピクセルアレイの図示の部分は、2つの隣接する干渉変調器12を含む。図示のような左側のIMOD12では、可動反射層14が、部分反射層を含む光学スタック16からの所定の距離における緩和位置に示されている。左側のIMOD12の両端間に印加された電圧V0は、可動反射層14の作動を引き起こすには不十分である。右側のIMOD12では、可動反射層14は、光学スタック16の近くの、またはそれに隣接する作動位置に示されている。右側のIMOD12の両端間に印加された電圧Vbiasは、可動反射層14を作動位置に維持するのに十分である。図1では、ピクセル12の反射特性が、概して、ピクセル12に入射する光を示す矢印13と、左側のピクセル12から反射する光15とを用いて示されている。詳細に示していないが、ピクセル12に入射する光13の大部分は透明基板20を透過され、光学スタック16に向かうことになることを、当業者なら理解されよう。光学スタック16に入射する光の一部分は光学スタック16の部分反射層を透過されることになり、一部分は反射され、透明基板20を通って戻ることになる。光学スタック16を透過された光13の部分は、可動反射層14において反射され、透明基板20に向かっておよびそれを通って戻ることになる。光学スタック16の部分反射層から反射された光と可動反射層14から反射された光との間の強め合うまたは弱め合う干渉が、ピクセル12から反射される光15の1つまたは複数の波長を決定することになる。光学スタック16は、単一の層またはいくつかの層を含むことができる。その1つまたは複数の層は、電極層と、部分反射および部分透過層と、透明な誘電体層とのうちの1つまたは複数を含むことができる。いくつかの実装形態では、光学スタック16は、電気伝導性であり、部分的に透明で、部分的に反射性であり、たとえば、透明基板20上に上記の層のうちの1つまたは複数を堆積させることによって、作製され得る。電極層は、様々な金属、たとえば酸化インジウムスズITOなど、様々な材料から形成され得る。部分反射層は、様々な金属、たとえば、クロムCr、半導体、および誘電体など、部分的に反射性である様々な材料から形成され得る。部分反射層は、材料の1つまたは複数の層から形成され得、それらの層の各々は、単一の材料または材料の組合せから形成され得る。いくつかの実装形態では、光学スタック16は、光吸収体と導体の両方として働く、金属または半導体の単一の半透明の膜thicknessを含むことができるが、たとえば、光学スタック16の、またはIMODの他の構造の異なる、より伝導性の高い層または部分が、IMODピクセル間で信号をバスで運ぶbusように働くことができる。光学スタック16は、1つまたは複数の伝導性層または伝導性/吸収層をカバーする、1つまたは複数の絶縁層または誘電体層をも含むことができる。いくつかの実装形態では、光学スタック16の1つまたは複数の層は、以下でさらに説明するように、平行ストリップにパターニングされ得、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成し得る。当業者によって理解されるように、パターニングという用語は、本明細書では、マスキングプロセスならびにエッチングプロセスを指すために使用される。いくつかの実装形態では、アルミニウムAlなどの高伝導性および反射性材料が可動反射層14のために使用され得、これらのストリップはディスプレイデバイスにおける列電極を形成し得る。可動反射層14は、光学スタック16の行電極に直交する1つまたは複数の堆積された金属層の一連の平行ストリップとして形成されて、ポスト18の上に堆積された列とポスト18間に堆積された介在する犠牲材料とを形成し得る。犠牲材料がエッチング除去されると、画定されたギャップ19または光キャビティが可動反射層14と光学スタック16との間に形成され得る。いくつかの実装形態では、ポスト18間の間隔は1~1000μm程度であり得、ギャップ19は<10,000オングストロームÅ程度であり得る。いくつかの実装形態では、IMODの各ピクセルは、作動状態にあろうと緩和状態にあろうと、本質的に、固定反射層および可動反射層によって形成されるキャパシタである。電圧が印加されないとき、可動反射層14aは、図1中の左側のピクセル12によって示されるように、機械的に緩和した状態にとどまり、可動反射層14と光学スタック16との間のギャップ19がある。しかしながら、電位差、たとえば、電圧が、選択された行および列のうちの少なくとも1つに印加されたとき、対応するピクセルにおける行電極と列電極との交差部に形成されたキャパシタは帯電し、静電力がそれらの電極を引き合わせる。印加された電圧がしきい値を超える場合、可動反射層14は、変形し、光学スタック16の近くにまたはそれに対して移動することができる。光学スタック16内の誘電体層図示せずが、図1中の右側の作動ピクセル12によって示されるように、短絡を防ぎ、層14と層16との間の分離距離を制御し得る。その挙動は、印加電位差の極性にかかわらず同じである。いくつかの事例ではアレイ中の一連のピクセルが行または列と呼ばれることがあるが、ある方向を行と呼び、別の方向を列と呼ぶことは恣意的であることを、当業者は容易に理解されよう。言い換えれば、いくつかの配向では、行は列と見なされ得、列は行であると見なされ得る。さらに、ディスプレイ要素は、直交する行および列に一様に配置されるかアレイ、または、たとえば、互いに対して一定の位置オフセットを有する、非線形構成で配置され得るモザイク。アレイおよびモザイクという用語は、いずれかの構成を指し得る。したがって、ディスプレイは、アレイまたはモザイクを含むものとして言及されるが、その要素自体は、いかなる事例においても、互いに直交して配置される必要がなく、または一様な分布で配設される必要がなく、非対称形状および不均等に分布された要素を有する配置を含み得る。図2は、3×3干渉変調器ディスプレイを組み込んだ電子デバイスを示すシステムブロック図の一例を示している。電子デバイスは、1つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成され得るプロセッサ21を含む。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサ21は、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、または他のソフトウェアアプリケーションを含む、1つまたは複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成され得る。プロセッサ21は、アレイドライバ22と通信するように構成され得る。アレイドライバ22は、たとえば、ディスプレイアレイまたはパネル30に、信号を与える行ドライバ回路24と列ドライバ回路26とを含むことができる。図2には、図1に示したIMODディスプレイデバイスの断面が線1-1によって示されている。図2は明快のためにIMODの3×3アレイを示しているが、ディスプレイアレイ30は、極めて多数のIMODを含んでいることがあり、列におけるIMODの数とは異なる数のIMODを行において有し得、その逆も同様である。図3は、図1の干渉変調器についての可動反射層位置対印加電圧を示す図の一例を示している。MEMS干渉変調器の場合、行/列すなわち、コモン/セグメント書込みプロシージャが、図3に示すこれらのデバイスのヒステリシス特性を利用し得る。干渉変調器は、可動反射層またはミラーに緩和状態から作動状態に変更させるために、たとえば、約10ボルトの電位差を必要とし得る。電圧がその値から低減されると、電圧が低下して、たとえば、10ボルトより下に戻ったとき、可動反射層はそれの状態を維持するが、電圧が2ボルトより下に低下するまで、可動反射層は完全には緩和しない。したがって、図3に示すように、印加電圧のウィンドウがある電圧の範囲、約3~7ボルトが存在し、そのウィンドウ内でデバイスは緩和状態または作動状態のいずれかで安定している。これは、本明細書ではヒステリシスウィンドウまたは安定性ウィンドウと呼ばれる。図3のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイ30の場合、行/列書込みプロシージャは、一度に1つまたは複数の行をアドレス指定するように設計され得、その結果、所与の行のアドレス指定中に、作動されるべきアドレス指定された行におけるピクセルは、約10ボルトの電圧差にさらされ、緩和されるべきピクセルは、ほぼ0ボルトの電圧差にさらされる。アドレス指定後に、それらのピクセルは、それらが前のストローブ状態にとどまるような、約5ボルトの定常状態またはバイアス電圧差にさらされる。この例では、アドレス指定された後に、各ピクセルは、約3~7ボルトの安定性ウィンドウ内の電位差を経験する。このヒステリシス特性の特徴は、たとえば、図1に示した、ピクセル設計が、同じ印加電圧条件下で作動または緩和のいずれかの既存の状態で安定したままであることを可能にする。各IMODピクセルは、作動状態にあろうと緩和状態にあろうと、本質的に、固定反射層および可動反射層によって形成されるキャパシタであるので、この安定状態は、電力を実質的に消費するかまたは失うことなしに、ヒステリシスウィンドウ内の定常電圧において保持され得る。その上、印加電圧電位が実質的に固定のままである場合、電流は本質的にほとんどまたはまったくIMODピクセルに流れ込まない。いくつかの実装形態では、所与の行におけるピクセルの状態の所望の変化もしあればに従って、列電極のセットに沿ってセグメント電圧の形態のデータ信号を印加することによって、画像のフレームが作成され得る。次に、フレームが一度に1行書き込まれるように、アレイの各行がアドレス指定され得る。第1の行におけるピクセルに所望のデータを書き込むために、第1の行におけるピクセルの所望の状態に対応するセグメント電圧が列電極上に印加され得、特定のコモン電圧または信号の形態の第1の行パルスが第1の行電極に印加され得る。次いで、セグメント電圧のセットは、第2の行におけるピクセルの状態の所望の変化もしあればに対応するように変更され得、第2のコモン電圧が第2の行電極に印加され得る。いくつかの実装形態では、第1の行におけるピクセルは、列電極に沿って印加されたセグメント電圧の変化による影響を受けず、第1のコモン電圧行パルス中にそれらのピクセルが設定された状態にとどまる。このプロセスは、画像フレームを生成するために、一連の行全体、または代替的に、一連の列全体について、連続方式で繰り返され得る。フレームは、何らかの所望の数のフレーム毎秒でこのプロセスを断続的に反復することによって、新しい画像データでリフレッシュおよび/または更新され得る。各ピクセルの両端間に印加されるセグメント信号とコモン信号の組合せすなわち、各ピクセルの両端間の電位差は、各ピクセルの得られる状態を決定する。図4は、様々なコモン電圧およびセグメント電圧が印加されたときの干渉変調器の様々な状態を示す表の一例を示している。当業者によって容易に理解されるように、セグメント電圧は、列電極または行電極のいずれかに印加され得、コモン電圧は、列電極または行電極のうちの他方に印加され得る。図4にならびに図5Bに示すタイミング図に示すように、開放電圧VCRELがコモンラインに沿って印加されたとき、コモンラインに沿ったすべての干渉変調器要素は、セグメントラインに沿って印加された電圧、すなわち、高いセグメント電圧VSHおよび低いセグメント電圧VSLにかかわらず、代替的に開放または非作動状態と呼ばれる、緩和状態に入れられることになる。特に、開放電圧VCRELがコモンラインに沿って印加されると、そのピクセルのための対応するセグメントラインに沿って高いセグメント電圧VSHが印加されたときも、低いセグメント電圧VSLが印加されたときも、変調器の両端間の潜在的な電圧代替的にピクセル電圧と呼ばれるは緩和ウィンドウ図3参照。開放ウィンドウとも呼ばれる内にある。高い保持電圧VCHOLDHまたは低い保持電圧VCHOLDLなどの保持電圧がコモンライン上に印加されたとき、干渉変調器の状態は一定のままであることになる。たとえば、緩和IMODは緩和位置にとどまることになり、作動IMODは作動位置にとどまることになる。保持電圧は、対応するセグメントラインに沿って高いセグメント電圧VSHが印加されたときも、低いセグメント電圧VSLが印加されたときも、ピクセル電圧が安定性ウィンドウ内にとどまることになるように、選択され得る。したがって、セグメント電圧スイングvoltageswing、すなわち、高いVSHと低いセグメント電圧VSLとの間の差は、正または負のいずれかの安定性ウィンドウの幅よりも小さい。図6Aおよび図6Bは、ディスプレイデバイス40の一実施形態を示すシステムブロック図である。ディスプレイデバイス40は、たとえば、セルラー電話または携帯電話であり得る。ただし、ディスプレイデバイス40の同じ構成要素またはディスプレイデバイス40の軽微な変形が、テレビジョン、電子リーダーおよびポータブルメディアプレーヤなど、様々なタイプのディスプレイデバイスを示す。高いアドレス指定電圧VCADDHまたは低いアドレス指定電圧VCADDLなどのアドレス指定または作動電圧がコモンライン上に印加されたとき、それぞれのセグメントラインに沿ったセグメント電圧の印加によって、データがそのコモンラインに沿った変調器に選択的に書き込まれ得る。セグメント電圧は、作動が印加されたセグメント電圧に依存するように選択され得る。アドレス指定電圧がコモンラインに沿って印加されたとき、一方のセグメント電圧の印加は、安定性ウィンドウ内のピクセル電圧をもたらし、ピクセルが非作動のままであることを引き起こすことになる。対照的に、他方のセグメント電圧の印加は、安定性ウィンドウを越えるピクセル電圧をもたらし、ピクセルの作動をもたらすことになる。作動を引き起こす特定のセグメント電圧は、どのアドレス指定電圧が使用されるかに応じて変動することができる。いくつかの実装形態では、高いアドレス指定電圧VCADDHがコモンラインに沿って印加されたとき、高いセグメント電圧VSHの印加は、変調器がそれの現在位置にとどまることを引き起こすことがあり、低いセグメント電圧VSLの印加は、変調器の作動を引き起こすことがある。当然の結果として、低いアドレス指定電圧VCADDLが印加されたとき、セグメント電圧の影響は反対であり、高いセグメント電圧VSHは変調器の作動を引き起こし、低いセグメント電圧VSLは変調器の状態に影響しないすなわち、安定したままであることがある。いくつかの実装形態では、常に変調器の両端間で同じ極性電位差を引き起こす保持電圧、アドレス電圧、およびセグメント電圧が使用され得る。いくつかの他の実装形態では、変調器の電位差の極性を交番する信号が使用され得る。変調器の両端間の極性の交番すなわち、書込みプロシージャの極性の交番は、単一の極性の反復書込み動作後に起こることがある電荷蓄積を低減または抑止し得る。図5Aは、図2の3×3干渉変調器ディスプレイにおけるディスプレイデータのフレームを示す図の一例を示している。図5Bは、図5Aに示すディスプレイデータのフレームを書き込むために使用され得るコモン信号およびセグメント信号についてのタイミング図の一例を示している。それらの信号は、たとえば、図2の3×3アレイに印加され得、これは、図5Aに示すライン時間60eディスプレイ配置を最終的にもたらすことになる。図5A中の作動変調器は暗状態にあり、すなわち、その状態では、反射光の実質的部分が、たとえば、閲覧者に、暗いアピアランスをもたらすように可視スペクトルの外にある。図5Aに示すフレームを書き込むより前に、ピクセルは任意の状態にあることがあるが、図5Bのタイミング図に示す書込みプロシージャは、各変調器が、第1のライン時間60aの前に、開放されており、非作動状態に属すると仮定する。第1のライン時間60a中に、開放電圧70がコモンライン1上に印加され、コモンライン2上に印加される電圧が、高い保持電圧72において始まり、開放電圧70に移動し、低い保持電圧76がコモンライン3に沿って印加される。したがって、コモンライン1に沿った変調器コモン1,セグメント1、1,2および1,3は、第1のライン時間60aの持続時間の間、緩和または非作動状態にとどまり、コモンライン2に沿った変調器2,1、2,2および2,3は、緩和状態に移動することになり、コモンライン3に沿った変調器3,1、3,2および3,3は、それらの前の状態にとどまることになる。図4を参照すると、コモンライン1、2または3のいずれも、ライン時間60a中に作動を引き起こす電圧レベルにさらされていないのですなわち、VCREL-緩和、およびVCHOLDL-安定、セグメントライン1、2および3に沿って印加されたセグメント電圧は、干渉変調器の状態に影響しないことになる。第2のライン時間60b中に、コモンライン1上の電圧は高い保持電圧72に移動し、コモンライン1に沿ったすべての変調器は、アドレス指定または作動電圧がコモンライン1上に印加されなかったので、印加されたセグメント電圧にかかわらず、緩和状態にとどまる。コモンライン2に沿った変調器は、開放電圧70の印加により、緩和状態にとどまり、コモンライン3に沿った変調器3,1、3,2および3,3は、コモンライン3に沿った電圧が開放電圧70に移動するとき、緩和することになる。第3のライン時間60c中に、コモンライン1は、コモンライン1上に高いアドレス電圧74を印加することによってアドレス指定される。このアドレス電圧の印加中に低いセグメント電圧64がセグメントライン1および2に沿って印加されるので、変調器1,1および1,2の両端間のピクセル電圧は変調器の正の安定性ウィンドウの上端よりも大きくすなわち、電圧差は、あらかじめ定義されたしきい値を超えた、変調器1,1および1,2は作動される。逆に、高いセグメント電圧62がセグメントライン3に沿って印加されるので、変調器1,3の両端間のピクセル電圧は、変調器1,1および1,2のピクセル電圧よりも小さく、変調器の正の安定性ウィンドウ内にとどまり、したがって変調器1,3は緩和したままである。また、ライン時間60c中に、コモンライン2に沿った電圧は低い保持電圧76に減少し、コモンライン3に沿った電圧は開放電圧70にとどまり、コモンライン2および3に沿った変調器を緩和位置のままにする。第4のライン時間60d中に、コモンライン1上の電圧は、高い保持電圧72に戻り、コモンライン1に沿った変調器を、それらのそれぞれのアドレス指定された状態のままにする。コモンライン2上の電圧は低いアドレス電圧78に減少される。高いセグメント電圧62がセグメントライン2に沿って印加されるので、変調器2,2の両端間のピクセル電圧は、変調器の負の安定性ウィンドウの下端を下回り、変調器2,2が作動することを引き起こす。逆に、低いセグメント電圧64がセグメントライン1および3に沿って印加されるので、変調器2,1および2,3は緩和位置にとどまる。コモンライン3上の電圧は、高い保持電圧72に増加し、コモンライン3に沿った変調器を緩和状態のままにする。最後に、第5のライン時間60e中に、コモンライン1上の電圧は高い保持電圧72にとどまり、コモンライン2上の電圧は低い保持電圧76にとどまり、コモンライン1および2に沿った変調器を、それらのそれぞれのアドレス指定された状態のままにする。コモンライン3上の電圧は、コモンライン3に沿った変調器をアドレス指定するために、高いアドレス電圧74に増加する。低いセグメント電圧64がセグメントライン2および3上に印加されるので、変調器3,2および3,3は作動するが、セグメントライン1に沿って印加された高いセグメント電圧62は、変調器3,1が緩和位置にとどまることを引き起こす。したがって、第5のライン時間60eの終わりに、3×3ピクセルアレイは、図5Aに示す状態にあり、他のコモンライン図示せずに沿った変調器がアドレス指定されているときに起こり得るセグメント電圧の変動にかかわらず、保持電圧がコモンラインに沿って印加される限り、その状態にとどまることになる。図5Bのタイミング図では、所与の書込みプロシージャすなわち、ライン時間60a~60eは、高い保持およびアドレス電圧、または低い保持およびアドレス電圧のいずれかの使用を含むことができる。書込みプロシージャが所与のコモンラインについて完了されるとまた、コモン電圧が、作動電圧と同じ極性を有する保持電圧に設定されると、ピクセル電圧は、所与の安定性ウィンドウ内にとどまり、開放電圧がそのコモンライン上に印加されるまで、緩和ウィンドウを通過しない。さらに、各変調器が、変調器をアドレス指定するより前に書込みプロシージャの一部として開放されるので、開放時間ではなく変調器の作動時間が、必要なライン時間を決定し得る。詳細には、変調器の開放時間が作動時間よりも大きい実装形態では、開放電圧は、図5Bに示すように、単一のライン時間よりも長く印加され得る。いくつかの他の実装形態では、コモンラインまたはセグメントラインに沿って印加される電圧が、異なる色の変調器など、異なる変調器の作動電圧および開放電圧の変動を相殺するように変動し得る。上記に記載した原理に従って動作する干渉変調器の構造の詳細は大きく異なり得る。たとえば、図6A~図6Eは、可動反射層14とそれの支持構造とを含む、干渉変調器の異なる実装形態の断面図の例を示している。図6Aは、金属材料のストリップ、すなわち、可動反射層14が、基板20から直角に延在する支持体18上に堆積される、図1の干渉変調器ディスプレイの部分断面図の一例を示している。図6Bでは、各IMODの可動反射層14は、概して形状が正方形または長方形であり、コーナーにおいてまたはその近くでテザー32に接して支持体に取り付けられる。図6Cでは、可動反射層14は、概して形状が正方形または長方形であり、フレキシブルな金属を含み得る変形可能層34から吊るされる。変形可能層34は、可動反射層14の外周の周りで基板20に直接または間接的に接続することがある。これらの接続は、本明細書では支持ポストと呼ばれる。図6Cに示す実装形態は、変形可能層34によって行われる可動反射層14の機械的機能からのそれの光学的機能の分離decouplingから派生する追加の利益を有する。この分離は、反射層14のために使用される構造設計および材料と、変形可能層34のために使用される構造設計および材料とが、互いとは無関係に最適化されることを可能にする。図6Dは、可動反射層14が反射副層14aを含む、IMODの別の例を示している。可動反射層14は、支持ポスト18などの支持構造上に載る。支持ポスト18は、たとえば、可動反射層14が緩和位置にあるとき、可動反射層14と光学スタック16との間にギャップ19が形成されるように、下側静止電極すなわち、図示のIMODにおける光学スタック16の一部からの可動反射層14の分離を可能にする。可動反射層14は、電極として働くように構成され得る伝導性層14cと、支持層14bとをも含むことができる。この例では、伝導性層14cは、基板20から遠位にある支持層14bの一方の面に配設され、反射副層14aは、基板20の近位にある支持層14bの他方の面に配設される。いくつかの実装形態では、反射副層14aは、伝導性であることがあり、支持層14bと光学スタック16との間に配設され得る。支持層14bは、誘電材料、たとえば、酸窒化ケイ素SiONまたは二酸化ケイ素SiO2の、1つまたは複数の層を含むことができる。いくつかの実装形態では、支持層14bは、たとえば、SiO2/SiON/SiO23層スタックなど、複数の層のスタックであり得る。反射副層14aと伝導性層14cのいずれかまたは両方は、たとえば、約0.5のCuまたは別の反射金属材料を用いた、Al合金を含むことができる。誘電支持層14bの上および下で伝導性層14a、14cを採用することは、応力のバランスをとり、伝導の向上を与えることができる。いくつかの実装形態では、反射副層14aおよび伝導性層14cは、可動反射層14内の特定の応力プロファイルを達成することなど、様々な設計目的で、異なる材料から形成され得る。図6Dに示すように、いくつかの実装形態はブラックマスクblackmask構造23をも含むことができる。ブラックマスク構造23は、周辺光または迷光を吸収するために、光学不活性領域においてたとえば、ピクセル間にまたはポスト18の下に形成され得る。ブラックマスク構造23はまた、光がディスプレイの不活性部分から反射されることまたはそれを透過されることを抑止し、それによりコントラスト比を増加させることによって、ディスプレイデバイスの光学的特性opticalpropertyを改善することができる。さらに、ブラックマスク構造23は、伝導性であり、電気的バス層として機能するように構成され得る。いくつかの実装形態では、行電極は、接続された行電極の抵抗を低減するために、ブラックマスク構造23に接続され得る。ブラックマスク構造23は、堆積およびパターニング技法を含む様々な方法を使用して形成され得る。ブラックマスク構造23は1つまたは複数の層を含むことができる。たとえば、いくつかの実装形態では、ブラックマスク構造23は、それぞれ、約30~80Å、500~1000Å、および500~6000Åの範囲内の厚さをもつ、光吸収体として働くモリブデンクロムMoCr層と、SiO2層と、反射体およびバス層として働くアルミニウム合金層とを含む。1つまたは複数の層は、たとえば、MoCr層およびSiO2層の場合は、CF4および/またはO2、ならびにアルミニウム合金層の場合は、Cl2および/またはBCl3を含む、フォトリソグラフィおよびドライエッチングを含む、様々な技法を使用してパターニングされ得る。いくつかの実装形態では、ブラックマスク23はエタロンetalonまたは干渉スタックinterferometricstack構造であり得る。そのような干渉スタックブラックマスク構造23では、伝導性吸収体は、各行または列の光学スタック16における下側静止電極間で信号を送信するかまたは信号をバスで運ぶために使用され得る。いくつかの実装形態では、スペーサ層35が、ブラックマスク23中の伝導性層から吸収層16aを概して電気的に絶縁するのに、役立つことができる。図6Eは、可動反射層14が自立している、IMODの別の例を示している。図6Dとは対照的に、図6Eの実装形態は支持ポスト18を含まない。代わりに、可動反射層14は、複数のロケーションにおいて、下にある光学スタック16に接触し、可動反射層14の湾曲は、干渉変調器の両端間の電圧が作動を引き起こすには不十分であるとき、可動反射層14が図6Eの非作動位置に戻るという、十分な支持を与える。複数のいくつかの異なる層を含んでいることがある光学スタック16は、ここでは明快のために、光吸収体16aと誘電体16bとを含む状態で示されている。いくつかの実装形態では、光吸収体16aは、固定電極としても、部分反射層としても働き得る。図6A~図6Eに示す実装形態などの実装形態では、IMODは直視型デバイスとして機能し、直視型デバイスでは、画像が、透明基板20の正面、すなわち、変調器が配置された面の反対の面から、閲覧される。これらの実装形態では、デバイスの背面部分すなわち、たとえば、図6Cに示す変形可能層34を含む、可動反射層14の背後のディスプレイデバイスの任意の部分は、反射層14がデバイスのそれらの部分を光学的に遮蔽するので、ディスプレイデバイスの画質に影響を及ぼすことまたは悪影響を及ぼすことなしに、構成され、作用され得る。たとえば、いくつかの実装形態では、バス構造図示せずが可動反射層14の背後に含まれ得、これは、電圧アドレス指定およびそのようなアドレス指定に起因する移動など、変調器の電気機械的特性から変調器の光学的特性を分離する能力を与える。さらに、図6A~図6Eの実装形態は、たとえば、パターニングなどの処理を簡略化することができる。図7は、干渉変調器のための製造プロセス80を示す流れ図の一例を示しており、図7A~図7Eは、そのような製造プロセス80の対応する段階の断面概略図の例を示している。いくつかの実装形態では、製造プロセス80は、図7に示されていない他のブロックに加えて、たとえば、図1および図6に示す一般的なタイプの干渉変調器を製造するために実装され得る。図1、図6および図7を参照すると、プロセス80はブロック82において開始し、基板20上への光学スタック16の形成を伴う。図7Aは、基板20上に形成されたそのような光学スタック16を示している。基板20は、ガラスまたはプラスチックなどの透明基板であり得、それは、フレキシブルであるかまたは比較的固く曲がらないことがあり、光学スタック16の効率的な形成を可能にするために、事前準備プロセス、たとえば、洗浄にかけられていることがある。上記で説明したように、光学スタック16は、電気伝導性であり、部分的に透明で、部分的に反射性であることがあり、たとえば、透明基板20上に、所望の特性を有する1つまたは複数の層を堆積させることによって、作製され得る。図7Aでは、光学スタック16は、副層16aおよび16bを有する多層構造を含むが、いくつかの他の実装形態では、より多いまたはより少ない副層が含まれ得る。いくつかの実装形態では、副層16a、16bのうちの1つは、組み合わせられた導体/吸収体副層16aなど、光吸収特性と伝導特性の両方で構成され得る。さらに、副層16a、16bのうちの1つまたは複数は、平行ストリップにパターニングされ得、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成し得る。そのようなパターニングは、当技術分野で知られているマスキングおよびエッチングプロセスまたは別の好適なプロセスによって実行され得る。いくつかの実装形態では、副層16a、16bのうちの1つは、1つまたは複数の金属層たとえば、1つまたは複数の反射層および/または伝導性層上に堆積された副層16bなど、絶縁層または誘電体層であり得る。さらに、光学スタック16は、ディスプレイの行を形成する個々の平行ストリップにパターニングされ得る。プロセス80はブロック84において続き、光学スタック16上への犠牲層25の形成を伴う。犠牲層25は、キャビティ19を形成するために後でたとえば、ブロック90において除去され、したがって、犠牲層25は、図1に示した得られた干渉変調器12には示されていない。図7Bは、光学スタック16上に形成された犠牲層25を含む、部分的に作製されたデバイスを示している。光学スタック16上への犠牲層25の形成は、後続の除去後に、所望の設計サイズを有するギャップまたはキャビティ19図1および図7Eも参照を与えるように選択された厚さの、モリブデンMoまたはアモルファスシリコンSiなど、フッ化キセノンXeF2エッチング可能材料の堆積を含み得る。犠牲材料の堆積は、物理蒸着PVD、たとえば、スパッタリング、プラズマ強化化学蒸着PECVD、熱化学蒸着熱CVD、またはスピンコーティングなど、堆積技法を使用して行われ得る。プロセス80はブロック86において続き、支持構造、たとえば、図1、図6および図7Cに示すポスト18の形成を伴う。ポスト18の形成は、支持構造開口を形成するために犠牲層25をパターニングすることと、次いで、PVD、PECVD、熱CVD、またはスピンコーティングなど、堆積方法を使用して、ポスト18を形成するために開口中に材料たとえば、ポリマーまたは無機材料、たとえば、酸化ケイ素を堆積させることとを含み得る。いくつかの実装形態では、犠牲層中に形成された支持構造開口は、ポスト18の下側端部が図6Aに示すように基板20に接触するように、犠牲層25と光学スタック16の両方を通って、下にある基板20まで延在することがある。代替的に、図7Cに示すように、犠牲層25中に形成された開口は、犠牲層25は通るが、光学スタック16は通らないで、延在することがある。たとえば、図7Eは、光学スタック16の上側表面と接触している支持ポスト18の下側端部を示している。ポスト18、または他の支持構造は、犠牲層25上に支持構造材料の層を堆積させることと、犠牲層25中の開口から離れて配置された支持構造材料の部分をパターニングすることとによって形成され得る。支持構造は、図7Cに示すように開口内に配置され得るが、少なくとも部分的に、犠牲層25の一部分の上に延在することもある。上述のように、犠牲層25および/または支持ポスト18のパターニングは、パターニングおよびエッチングプロセスによって実行され得るが、代替エッチング方法によっても実行され得る。プロセス80はブロック88において続き、図1、図6および図7Dに示す可動反射層14などの可動反射層または膜の形成を伴う。可動反射層14は、1つまたは複数のパターニング、マスキング、および/またはエッチングステップとともに、1つまたは複数の堆積ステップ、たとえば、反射層たとえば、アルミニウム、アルミニウム合金堆積を採用することによって、形成され得る。可動反射層14は、電気伝導性であり、電気伝導性層electricallyconductivelayerと呼ばれることがある。いくつかの実装形態では、可動反射層14は、図7Dに示すように複数の副層14a、14b、14cを含み得る。いくつかの実装形態では、副層14a、14cなど、副層のうちの1つまたは複数は、それらの光学的特性のために選択された高反射性副層を含み得、別の副層14bは、それの機械的特性のために選択された機械的副層を含み得る。犠牲層25は、ブロック88において形成された部分的に作製された干渉変調器中に依然として存在するので、可動反射層14は、一般にこの段階では可動でない。犠牲層25を含んでいる部分的に作製されたIMODは、本明細書では非開放unreleasedIMODと呼ばれることもある。図1に関して上記で説明したように、可動反射層14は、ディスプレイの列を形成する個々の平行ストリップにパターニングされ得る。プロセス80はブロック90において続き、キャビティ、たとえば、図1、図6および図7Eに示すキャビティ19の形成を伴う。キャビティ19は、ブロック84において堆積された犠牲材料25をエッチャントにさらすことによって形成され得る。たとえば、MoまたはアモルファスSiなどのエッチング可能犠牲材料が、ドライ化学エッチングによって、たとえば、一般に、キャビティ19を囲む構造に対して選択的に除去される、所望の量の材料を除去するのに有効である時間期間の間、固体XeF2から派生した蒸気などの気体または蒸気エッチャントに犠牲層25をさらすことによって、除去され得る。他のエッチング方法、たとえば、ウェットエッチングおよび/またはプラズマエッチングも使用され得る。犠牲層25がブロック90中に除去されるので、可動反射層14は、一般に、この段階後に可動となる。犠牲材料25の除去後に、得られた完全にまたは部分的に作製されたIMODは、本明細書では開放IMODと呼ばれることがある。干渉変調器IMODディスプレイシステムは、一般に、電気機械デバイスのアレイを含み、各電気機械デバイスは、3つの異なる色たとえば、RGBディスプレイの赤緑青または濃淡たとえば、グレースケールを表す3つの異なるエアギャップサイズを有する。たとえば、各電気機械デバイスは、カラーディスプレイにおけるピクセルを表し、各ピクセルは、一般に、3つのIMODタイプまたはサブピクセルを含む。以下で、異なる干渉電気機械アーキテクチャのための実装形態のいくつかの例について説明する。図8Aは、一定のエアギャップと3つの異なる誘電体厚さとを有する、3つすべてが開状態で示された、3つの異なる色に対応する、3つの異なる干渉変調器の実装形態の概略断面図の一例を示している。図8Aは、開状態でのデバイスを示しており、図8Bは、閉状態でのデバイスを示している。電気機械デバイスは、異なる状態での異なるギャップサイズをもつ3つ以上の状態を有することが可能であるが、現在説明している実装形態は、本明細書のギャップサイズへの言及が全開状態での最大ギャップサイズを指すような、全開または全閉の2状態デバイスを仮定する。図8Aは、少なくとも3つの異なるタイプのIMOD構造800a、800bおよび800cが形成される基板805を含む電気機械システムデバイスを示している。少なくとも3つの異なるタイプのIMOD構造800a、800bおよび800cの各々は、上記状態のうちの1つで異なる色を反射するように構成される。異なるIMOD構造800a、800bおよび800cは、光学スタック16と、エアギャップ840と、可動反射層850とを含む。図示した実装形態では、光学スタック16は基板805上に形成される。図は簡略図であり、下にあるまたは介在するバッファ層、ブラックマスク層、およびバス層など、追加の層が存在し得ることを、当業者は容易に理解されよう。光学スタック16は、光吸収層810と、吸収層810上に形成された透明固体層820とを含み得る。透明固体層820は誘電体層であり得る。いくつかの実装形態では、光学スタック16は、透明固体層820上に形成された第2の吸収層830をさらに含み得る。さらに、光学スタック16は、ITOなどの透明な導体層図示せずをさらに含み得る。IMOD構造800a、800bおよび800cは、第2の吸収層830の上方の可動反射層850で構成され得、反射層850と第2の吸収層830との間に形成されたエアギャップ840をも含むことができる。光吸収体は、一般に、モリブデンMo、クロムCr、シリコンSi、ゲルマニウムGe、またはそれらの混合物など、半透明の金属あるいは半導体層である。可動反射層850は、電気機械デバイスのための可動または上側電極として働くことができ、いくつかの形態たとえば、図7A~図7F参照のいずれかをとることができる。光学スタック16は、1つまたは複数の導体を含み、電気機械デバイスの静止または下側電極として働く。図8Aでは、電気機械システムデバイスは、各々が同じ一定のまたは均一なエアギャップ840を有する、3つのIMOD構造800a、800bおよび800cを含む。エアギャップ840は、上側電極と下側電極との間に犠牲材料の単一の厚さを堆積することと、開放エッチングによる電極間からの犠牲材料の後続の除去とによって形成される。開放のための気相エッチャントは、フッ化キセノンXeF2、フッ素F2、またはフッ化水素HFなど、フッ素ベースのエッチャントであり得、犠牲層は、周囲の構造材料に対するFベースのエッチャントによる選択的除去のために、たとえば、モリブデンMo、アモルファスSi、タングステンW、またはチタンTiから形成され得る。一定のまたは均一なエアギャップ840は、単一の犠牲層を堆積するだけでよいので、IMOD構造を作製する複雑さを低減することができる。一般に、IMOD構造は、複数のエアギャップサイズを生成するために、異なる厚さおよび/または複雑なマスキングシーケンスをもつ複数の犠牲層を使用する。異なるサイズのエアギャップを作製するいくつかの例示的な方法は、米国特許第7,297,471号および米国特許公開第2007/0269748号に記載されている。異なるサイズのエアギャップ層を生成することが、複数の堆積、複数のマスク、および複数のエッチングを必要とすることがあるので、同じ材料の複数の厚さの同時開放エッチングは、異なる厚さを形成するために、複数のパターニングプロセス中のエッチ損傷に加えて、エアギャップにおけるエッチ腐食問題およびエッチ関係不均一性を生じることを、当業者は容易に認識されよう。図示した実装形態とは対照的に、犠牲材料の複数の厚さが採用されたとき、除去または開放エッチング中に、より薄い犠牲層が最初に除去され、その後、より厚い犠牲層が依然として除去されている間、より薄い犠牲層の除去によって露出された永続的な構造が、エッチャントへの延長された曝露を受ける。そのようなエッチャントは、一般に、延長された曝露が、より小さいギャップサイズをもつIMODにおいて永続的な構造に損傷を与えることがあるような、完全とは言えないエッチ選択性を示す。しかしながら、ただ1つの堆積と1つのマスクとを使用して、単一のエアギャップのための単一の犠牲層を作成することができ、それによって上述の問題をなくす。さらに、より少ない堆積、より少ないマスク、および低減された材料消費量は、最終的にコストを低減し、IMOD構造を作製する効率を改善し得る。図8Aはまた、異なる透明固体層820の厚さを有する3つのIMOD構造800a、800bおよび800cを含む電気機械システムデバイスを示している。透明固体層820は、SiO2、あるいはSiOxNy、Al2O3、TiO2、ZrO2、HfO2、In2O3、SnO2、ZnO、SiN、またはそれらの混合物のような、別の実質的に透明な材料など、誘電材料を含むことができる。いくつかの実装形態では、透明固体層820は、厚さ約1000オングストロームÅ~8000Åであり得る。透明固体層820は、入射光が3つのIMOD構造800a、800bおよび800cの各々について異なる光路長を進むように、異なる厚さを有する以外は同じ材料を含むように構成され得る。たとえば、光路長は、光が通って進む材料の屈折率を乗算した、光が進む距離の積である。光が構造に当たると、光路長に応じて特定の波長の強め合う干渉があり得る。一例では、IMOD構造は、閉状態で色を反射するように構成され、透明固体層820は、約1.46の屈折率を有するSiO2から作成されており、IMODのうちの1つ構造800aが、約1360Åの誘電体厚さを有する青い光たとえば、λ~450nmを反射するように構成され、1つ構造800bが、約1720Åの誘電体厚さを有する緑の光たとえば、λ~550nmを反射するように構成され、第3のIMOD構造800cが、約2000Åの誘電体厚さを有する赤い光たとえば、λ~630nmを反射するように構成され得る。電気機械システムデバイスは、入射光を部分的に吸収するように構成された第1の吸収層810をも含むことができる。いくつかの実装形態では、電気機械システムデバイスは、透明固体層820とエアギャップ840との間に形成された第2の吸収層830をも含む。電気機械システムは、崩壊状態で第2の吸収層830から可動層850を絶縁するために、第2の吸収層830上に極めて薄い誘電体パッシベーション層図示せずをさらに含み得る。吸収層810は、部分透明であり、10Å~80Åの、Mo、Cr、Si、Ge、またはそれらの合金など、金属または半導体膜を含み得る。概して、吸収層810は、半反射厚さを有する金属材料を含む。吸収層810の厚さは、電磁界が材料の表面から1/eまで減衰する、材料の表面からの深さとして定義される、光周波数における材料の表皮深さskindepthよりも小さい。表皮深さは導電率の逆数に応じて変化し、これは、より良い導体がより低い表皮深さを有することを意味する。一実装形態では、吸収層810と吸収層830の両方は、それぞれ約25Åの厚さを有するMoCrを含む。いくつかの実装形態では、吸収層810および830の厚さならびに材料構造は、反射色純度、特に色相および色飽和度に影響を及ぼすことができる。2つの吸収層810および830を使用する別の態様は、図8Aに示すように、IMOD構造800a、800bおよび800cが共通のギャップサイズをもつ開状態または緩和状態にあるときに、暗または白など、実質的に同様のまたは共通のカラーアピアランスを反射し、図8Bに示すように、IMOD構造800a、800bおよび800cが閉状態または崩壊状態にあるときに、異なる色または濃淡を反射する能力である。電圧がIMOD構造に印加されると、可動反射層850は、光学スタック16に向かって静電的に変位させられ、可動反射層850と光スタック16との間の距離を変更する。これにより、開状態と閉状態との間でIMOD構造を作動させることが可能になる。同等の光学スタックは、様々な異なるIMODが閉じられたときの光路長を規定するので、典型的な色IMODアレイは、閉状態では共通の背景アピアランスたとえば、黒または白を達成するが、開状態では、IMOD構造は、異なるギャップサイズに応じて異なる色または濃淡を反射する。いくつかの実装形態では、光路長は、開状態と閉状態の両方で異なるIMODタイプについて異なるので、共通の開ギャップサイズと異なる光学スタックとを採用することは、共通の背景状態を取得する際の課題を提示することができる。ただし、2つの吸収層810および830を有することは、閉状態が異なる色を反射し、開状態が共通の暗いまたは白いアピアランスを反射することを可能にすることができる。図8Aは、開状態または緩和状態での電気機械システムデバイスを示している。透明固体層820が、3つの異なる光路長に対応する各IMOD構造800a、800bおよび800cについて3つの異なる厚さを含むので、3つの層820およびギャップ840によって規定された光路長のみを使用して黒い状態を反射するための光路長を有するように3つすべてのIMOD構造800a、800bおよび800cを構成することは困難であることを、当業者は諒解されよう。いくつかの実装形態では、この困難を克服するために、入射光が、異なる光路長を進む光にもかかわらず、開状態で3つのIMOD構造800a、800bおよび800cの各々について実質的に吸収されるように、第2の吸収層830がデバイスに追加され得る。とはいえ、異なる光路長を用いると、各IMOD構造は、依然として、暗さの様々な程度を表す異なるスペクトルを反射することができる図10A~図10Cおよび付随する説明を参照。明状態または色状態での反射率対暗状態での反射率との間の比であるコントラスト比によって、開状態での暗さの十分性が判断され得る。十分なコントラスト比を構成することは、所望の適用例に依存する。暗状態またはオフ状態図示した実装形態のための開状態と、明状態またはオン状態図示した実装形態のための閉状態との反射比が、たとえば、3:1よりも大きいとき、3つの色IMODタイプの各々は、ディスプレイの実際の可視性のための十分に暗くなり得る。たとえば、10:1よりも大きいコントラスト比はプリント品質に近づく。表Iに関して以下で説明するように、図示する実装形態の一例では、RGBの各IMODタイプについてのコントラスト比は、各IMODタイプの明状態をそれ自体の暗状態と比較した10:1を実質的に超える。事実上、各IMODタイプは、IMODタイプの明状態のすべてをそれ自体の暗状態と比較した10:1比を超える。いくつかの実装形態では、第1の吸収層810および第2の吸収層830は、実質的に均一な暗いアピアランスを生成するためにMoCrを含む。図示した実装形態は、開状態で低い反射率構成を表し、得られたピクセルディスプレイは暗い。この実装形態は、オフになったきに暗く見えるモバイルフォンなど、潜在的なディスプレイ製品適用例をもつ。代替的に、第1の吸収層810および第2の吸収層830は、実質的に均一な白いアピアランスを生成するためにGeを含むことができる。この実装形態は、高い反射率構成を表すことができ、オフになったときに白く表示される電子ペーパーまたは電子ブックなど、ディスプレイ製品適用例において潜在的に使用され得る。図8Bは、閉状態での図8Aの干渉変調器の概略断面図の一例を示している。閉状態では、各IMOD構造800a、800bまたは800cは、異なる光学スタック16によって設定された異なる光路に応じて特定の色の光を反射するように構成され得る。電圧がIMOD構造800a、800bまたは800cのうちの1つに印加されたとき、そのデバイスの可動反射層850は光学スタック16に静電的に引きつけられる。可動反射層850は、Al、AlCu合金、または同様の反射性材料を含み得る。いくつかの実装形態では、可動反射層850は、Al薄膜上に形成された、引張応力がかかっているフレキシブル膜を含むか、またはそれに付着させられる。可動反射層850は、平衡応力の増加のために上および下にある同様の導体層と一体化された誘電たとえば、SiON機械層を含むことができる。さらに、可動反射層850は、電気機械システムデバイスが閉状態にあるときに第2の吸収層830が電気導体に接触しないように、極めて薄い誘電体パッシベーション層図示せずをさらに含み得る。可動反射層850および/またはそれに関連する他の導電層は、光学スタック16に組み込まれた透明な導体に静電的に引きつけられた可動電極として機能することができる。いくつかの実装形態では、ITO層は、吸収層810と基板805との間に形成され得る。いくつかの他の実装形態では、吸収層810および830の一方または両方は、静止電極として働くことができる。いくつかの実装形態では、透明導電性材料は、吸収層830と透明固体層820との間に形成され得るか、または、代替的に、透明固体層として使用され得る。均一なサイズのギャップに近接して静止電極を配置するための潜在的な利点は、可動反射層850が、異なる色または濃淡についてIMODを崩壊させるために単一の作動電圧を維持するために、各IMOD構造800a、800bおよび800cについて異なるスチフネスを有する必要がないということである。異なるサイズのエアギャップは、一定の電圧を維持するために、異なる機械層スチフネスに関する補償を必要とすることがある。さらに、一定のエアギャップ840を用いると、スチフネスを改変することなしに、異なるIMODのために単一の作動電圧が採用され得、それにより、電力消費量を改善し、ならびに様々なスチフネスを達成することについての複雑な作製問題をなくす。図8Cは、一定のエアギャップと3つの異なる誘電材料とを有する、3つすべてが開状態で示された、3つの異なる干渉変調器を示す別の実装形態の概略断面図の一例を示している。各IMOD構造800a、800bおよび800cは、SiO2、SiOxNy、Al2O3、TiO2、ZrO2、HfO2、In2O3、SnO2、ZnO、SiN、またはそれらの混合物の組合せなど、3つの異なる材料を有する透明固体層820を含む。3つの異なる材料を有することによって、各IMOD構造800a、800bおよび800cは、異なる光路長に対応する異なる屈折率を有し得るたとえば、SiO2は約1.46の屈折率を有し、SiONは約1.49の屈折率を有し、Al2O3は約1.78の屈折率を有する。したがって、各IMOD構造は、異なる誘電材料に対応する異なる色または濃淡の光を反射するように構成され得る。誘電材料を変更することによって、各誘電材料の厚さは、異なるIMODタイプまたは色について、たとえば、±200Å以内に互いに近接するか、さらには同じになることがあり、それによって、トポグラフィおよび関連する問題を低減することが諒解される。図9Aは、一定のエアギャップと、異なる厚さの誘電体層上に形成された平坦化層とを有する、3つの異なる干渉変調器を示す代替実装形態の概略断面図の一例を示している。平坦化層925は、透明誘電体であり、少なくともIMODタイプのいくつかについて透明固体層920上に形成され得、エアギャップ940と透明固体層920との間の表面を実質的に平坦化するように動作し得る。平坦化層925は、各IMOD構造900a、900bおよび900cについて異なる厚さを有することができ、透明固体層920および平坦化層925の均一な総厚さを規定するために透明固体層920の異なる厚さを補完することができる。平坦化層925は、ケイ酸塩またはシロキサンベースのスピンオンガラス材料など、硬化性ポリマーまたはスピンオン誘電体を含み得る。いくつかの実装形態では、透明固体層920は、たとえば、TiO2、Al2O3、または他の実質的に透明な誘電材料を含む平坦化層925とは異なる屈折率を有することができる。異なるIMODタイプについての2つの材料の異なる厚さは、反射色または濃淡を規定するために、異なる光路長を与えることができる。図9Bは、閉状態での図9Aの干渉変調器の概略断面図の一例を示している。各IMOD構造900a、900bまたは900cは、崩壊状態で異なる色または濃淡の光を反射するように構成される。平坦化層925の極めて正確な厚さ制御のために、まず平坦化層925をコーティングし、それの厚さを測定し、次いで、その厚さが所望のレベルまで低減されるまでエッチバックプロセスを実行する、コートエッチバックcoatthenetchbackプロセスが使用され得る。図9Cは、一定のエアギャップと、3つの異なる誘電材料上に形成された平坦化層とを有する、開状態での3つの異なる干渉変調器を示す別の実装形態の概略断面図の一例を示している。上記材料は、異なる屈折率を有し、したがって、異なる光路長を達成しながら、同様の厚さで作成され得る。平坦化層925は、エアギャップ940と透明固体層920との間の表面を平坦化することによって厚さのわずかな変動を補償する。いくつかの実装形態では、吸収層は、色の特定の波長についての色純度に影響を及ぼし得る。色純度を測定する1つ方法は、反射率曲線による方法である。理論反射率曲線は、波長に対する可視光の反射率の量をプロットし、モデル化された材料および寸法について、予想される反射率、色飽和度、反射率ピーク、および反射率半値ピーク幅halfpeakwidthを示すことができる。図9A~図9Cでは、各IMOD構造900a、900bまたは900cは、開状態で約1250Åの高さを有するエアギャップを含む。さらに、各IMOD構造900a、900bまたは900cは、異なる厚さのそれぞれの透明層を形成する誘電体層を含み、第1のIMOD900a構造は、約1360Åの誘電体厚さを有し、第2のIMOD構造900bは、約1720Åの誘電体厚さを有し、第3のIMOD構造900cは、約2000Åの誘電体厚さを有する。各誘電体層は、約1.46の屈折率を有するSiO2から作成されている。さらに、各IMOD構造900a、900bまたは900cは、誘電体層の両面に位置する2つの吸収体を含む。2つの吸収体は、それぞれ25Åの厚さを有するMoCrから作成される。崩壊状態では、各IMOD構造のエアギャップは、崩壊して0Å限界に近づくが、いくつかの制限、たとえば、表面粗さにより、必ずしも0Åに達するとは限らない。図10A~図10Cは、上述のIMOD構造800a、800bおよび800cの赤緑青色スペクトルについての例示的な反射率曲線を示している。第1のIMOD構造800a、第2のIMOD構造800b、および第3のIMOD構造800cは、それぞれ青色スペクトル、緑色スペクトル、および赤色スペクトルに対応する。表Iは、開状態と崩壊状態の両方での赤波長、緑波長、および青波長についての例示的なパラメータと、それらのそれぞれの反射率割合および明所視積分反射率photopicintegratedreflectivity割合とを明らかにしている。明所視積分反射率は、アイスペクトル応答係数eyespectralresponsefactorEを乗算された反射率Rλの積を積分することによって計算される。アイスペクトル応答係数Eは、異なる波長に対する眼感度eyesensitivityの変動を表す。いくつかの実装形態では、緑色光子は、いくつかの色にさらされたときに、眼感度により、青色光子よりもより明るく見える。したがって、反射率の明所視積分photopicintegrationは、たとえば、閲覧者にとって、画像がどのくらい明るく/暗く見えるかのより有益なinformative尺度を与える。図10Aは、一定のギャップ実装形態による、開状態および閉状態での青干渉変調器についての反射率曲線の一例を示している。y軸に沿って、反射率値は、0.0~0.8のスケールに沿って示され、その値に100を乗算することによって割合値に変換される。x軸に沿って、波長は、350nm~800nmの範囲内でナノメートルnm単位で測定される。反射率曲線1010は、閉状態で73.5の反射率を有する450nmにおいてピークを示す。開状態では、反射率曲線1020は0.8の反射率を示す。ピーク波長において、コントラスト比は、曲線1020の反射率値で除算された曲線1010のピーク反射率値をとることによって計算され得る。この場合、ピーク波長におけるコントラスト比は約[91:1]である。図10Bは、開状態で図10Aの青干渉変調器と同じギャップを有する、開状態および閉状態での緑干渉変調器についての反射率曲線の一例を示している。反射率曲線1030は、閉状態で77.6の反射率を有する550nmにおいてピークを示す。開状態では、反射率曲線1040は0.8の反射率を示す。この場合、ピーク波長において曲線1030におけるピーク反射率値を曲線1040における反射率値で除算したときのコントラスト比は、約[97:1]である。図10Cは、開状態で図10Aの青干渉変調器および図10Bの緑干渉変調器と同じギャップを有する、開状態および閉状態での赤干渉変調器についての反射率曲線の一例を示している。反射率曲線1050は、閉状態で80の反射率を有する630nmにおいてピークを示す。開状態では、反射率曲線1060は1.4の反射率を示す。この場合、ピーク波長において曲線1050におけるピーク反射率値を曲線1060における反射率値で除算したときのコントラスト比は、約[57:1]である。図10A~図10Cは、例示的なIMOD構造800a、800bおよび800cが閉状態で明確な色を生成することを証明している。図10A~図10Cはまた、例示的なIMOD構造が開状態で実質的に同様の暗いアピアランスを生成し、波長における最小反射率が個々の色のピークに対応することを示している。上述のように、暗いアピアランスの十分性はコントラスト比によって判断され得る。たとえば、3:1よりも大きいコントラスト比をもつIMODデバイスは、十分に暗いアピアランスを有し得る。他の適用例では、10:1よりも大きいコントラスト比はプリント品質に近づく。図10A~図10Cの例の場合、各IMODのコントラスト比は、すべての3つのデバイス色の明状態と比較した各デバイスタイプ色の暗状態について両方の尺度を超える。したがって、すべての3つのIMOD構造は、開状態で異なる光路長を有するにもかかわらず、開状態で実質的に同様の暗いアピアランスを生成する。スタック16中の材料の複素屈折率の波長依存性の組合せにより、対応するピーク波長の周りのより広範囲の可視波長にわたって反射率が最小限に抑えられるような、それらの材料の特定の組合せを選択することによって、暗状態での反射率スペクトルのさらなる最適化が可能である。第2の吸収層を設けることにより、反射率のパラメータ、色飽和度のパラメータ、反射率ピークのパラメータ、および第2の吸収層をもたないIMODに対する反射率半値ピーク幅のパラメータのうちの1つにおいて反射率特性が変化し得る。異なるIMODタイプのうちの少なくとも1つは、光学スタック中の透明層の両面の第1および第2の吸収層を含む。得られたより狭い反射率ピークは、シャープ化された色飽和度または色コントラストを表す。異なるIMODタイプのうちの1つまたは複数は、赤IMODなど、特定のIMODタイプについて色飽和度をシャープ化するために、必要に応じて、第2の吸収体を与えられ得る。一例では、透明固体層を通る光路長は、エアギャップを通る光路長に等しくなり得る。D1refractive_index誘電体=D2refractive_index空気。D1は、透明固体層の厚さを表し、または、いくつかの実装形態では、2つの吸収体間の距離を表す。D2は、エアギャップの厚さを表す。第1および第2の吸収層の厚さならびに材料構造を調整することによって、第1および第2の吸収層が同じ厚さならびに材料構造を有するか否かにかかわらず、選択されたIMODタイプについての反射色の反射率を強調し、それによってその反射色のコントラスト比を改善することも可能である。図11Aおよび図11Bは、複数の干渉変調器を含むディスプレイデバイス40を示すシステムブロック図の例を示している。ディスプレイデバイス40は、たとえば、セルラー電話または携帯電話であり得る。ただし、ディスプレイデバイス40の同じ構成要素またはディスプレイデバイス40のわずかな変形形態は、テレビジョン、電子リーダーおよびポータブルメディアプレーヤなど、様々なタイプのディスプレイデバイスを示す。ディスプレイデバイス40は、ハウジング41と、ディスプレイ30と、アンテナ43と、スピーカー45と、入力デバイス48と、マイクロフォン46とを含む。ハウジング41は、射出成形および真空成形を含む様々な製造プロセスのうちのいずれかから形成され得る。さらに、ハウジング41は、限定はしないが、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、およびセラミック、またはそれらの組合せを含む、様々な材料のうちのいずれかから作成され得る。ハウジング41は、異なる色の、または異なるロゴ、ピクチャ、またはシンボルを含んでいる、他の取外し可能な部分と交換され得る、取外し可能な部分図示せずを含むことができる。ディスプレイ30は、本明細書で説明する、双安定またはアナログディスプレイを含む、様々なディスプレイのうちのいずれかであり得る。ディスプレイ30はまた、プラズマ、EL、OLED、STNLCD、またはTFTLCDなど、フラットパネルディスプレイ、あるいはCRTまたは他の管デバイスなど、非フラットパネルディスプレイを含むように構成され得る。さらに、ディスプレイ30は、本明細書で説明する干渉変調器ディスプレイを含むことができる。ディスプレイデバイス40の構成要素は図11Bに概略的に示されている。ディスプレイデバイス40は、ハウジング41を含み、それの中に少なくとも部分的に密閉された追加の構成要素を含むことができる。たとえば、ディスプレイデバイス40は、トランシーバ47に結合されたアンテナ43を含むネットワークインターフェース27を含む。トランシーバ47はプロセッサ21に接続され、プロセッサ21は調整ハードウェア52に接続される。調整ハードウェア52は、信号を調整するたとえば、信号をフィルタ処理するように構成され得る。調整ハードウェア52は、スピーカー45およびマイクロフォン46に接続される。プロセッサ21は、入力デバイス48およびドライバコントローラ29にも接続される。ドライバコントローラ29は、フレームバッファ28に、およびアレイドライバ22に結合され、アレイドライバ22は次にディスプレイアレイ30に結合される。電源50が、特定のディスプレイデバイス40設計によって必要とされるすべての構成要素に電力を与えることができる。ネットワークインターフェース27は、ディスプレイデバイス40がネットワークを介して1つまたは複数のデバイスと通信することができるように、アンテナ43とトランシーバ47とを含む。ネットワークインターフェース27はまた、たとえば、プロセッサ21のデータ処理要件を軽減するための、何らかの処理能力を有し得る。アンテナ43は信号を送信および受信することができる。いくつかの実装形態では、アンテナ43は、IEEE16.11a、b、またはgを含むIEEE16.11規格、あるいはIEEE802.11a、b、gまたはnを含むIEEE802.11規格に従って、RF信号を送信および受信する。いくつかの他の実装形態では、アンテナ43は、BLUETOOTH規格に従ってRF信号を送信および受信する。セルラー電話の場合、アンテナ43は、3Gまたは4G技術を利用するシステムなどのワイヤレスネットワーク内で通信するために使用される、符号分割多元接続CDMA、周波数分割多元接続FDMA、時分割多元接続TDMA、モバイル通信のためのグローバルシステムGlobalSystemforMobilecommunicationsGSM登録商標、GSM/ジェネラルパケットラジオサービスGSM/GeneralPacketRadioServiceGPRS、発展したデータGSM環境EnhancedDataGSMEnvironmentEDGE、テレスティアルトランクドラジオTerrestrialTrunkedRadioTETRA、広帯域CDMAW-CDMA、エボリューションデータオプティマイズドEvolutionDataOptimizedEV-DO、1xEV-DO、EV-DORevA、EV-DORevB、高速パケットアクセスHSPA、高速ダウンリンクパケットアクセスHSDPA、高速アップリンクパケットアクセスHSUPA、発展型高速パケットアクセスHSPA、LongTermEvolutionLTE、AMPS、または他の知られている信号を受信するように設計される。トランシーバ47は、アンテナ43から受信された信号がプロセッサ21によって受信され、プロセッサ21によってさらに操作され得るように、その信号を前処理することができる。トランシーバ47はまた、プロセッサ21から受信された信号がアンテナ43を介してディスプレイデバイス40から送信され得るように、その信号を処理することができる。いくつかの実装形態では、トランシーバ47は受信機によって置き換えられ得る。さらに、ネットワークインターフェース27は、プロセッサ21に送られるべき画像データを記憶または生成することができる画像ソースによって置き換えられ得る。プロセッサ21は、ディスプレイデバイス40の全体的な動作を制御することができる。プロセッサ21は、ネットワークインターフェース27または画像ソースから圧縮された画像データなどのデータを受信し、そのデータを生画像データに、または生画像データに容易に処理されるフォーマットに、処理する。プロセッサ21は、処理されたデータをドライバコントローラ29に、または記憶のためにフレームバッファ28に送ることができる。生データは、一般に、画像内の各ロケーションにおける画像特性を識別する情報を指す。たとえば、そのような画像特性は、色、飽和、およびグレースケールレベルを含むことができる。プロセッサ21は、ディスプレイデバイス40の動作を制御するためのマイクロコントローラ、CPU、または論理ユニットを含むことができる。調整ハードウェア52は、スピーカー45に信号を送信するための、およびマイクロフォン46から信号を受信するための、増幅器およびフィルタを含み得る。調整ハードウェア52は、ディスプレイデバイス40内の個別構成要素であり得、あるいはプロセッサ21または他の構成要素内に組み込まれ得る。ドライバコントローラ29は、プロセッサ21によって生成された生画像データをプロセッサ21から直接、またはフレームバッファ28から取ることができ、アレイドライバ22への高速送信のために適宜に生画像データを再フォーマットすることができる。いくつかの実装形態では、ドライバコントローラ29は、生画像データを、ラスタ様フォーマットを有するデータフローに再フォーマットすることができ、その結果、そのデータフローは、ディスプレイアレイ30にわたって走査するのに好適な時間順序を有する。次いで、ドライバコントローラ29は、フォーマットされた情報をアレイドライバ22に送る。LCDコントローラなどのドライバコントローラ29は、しばしば、スタンドアロン集積回路ICとしてシステムプロセッサ21に関連付けられるが、そのようなコントローラは多くの方法で実装され得る。たとえば、コントローラは、ハードウェアとしてプロセッサ21中に埋め込まれるか、ソフトウェアとしてプロセッサ21中に埋め込まれるか、またはハードウェアにおいてアレイドライバ22と完全に一体化され得る。アレイドライバ22は、ドライバコントローラ29からフォーマットされた情報を受信することができ、ビデオデータを波形の並列セットに再フォーマットすることができ、波形の並列セットは、ディスプレイのピクセルのx-y行列から来る、数百の、および時には数千のまたはより多くのリード線に毎秒何回も適用される。いくつかの実装形態では、ドライバコントローラ29、アレイドライバ22、およびディスプレイアレイ30は、本明細書で説明するディスプレイのタイプのうちのいずれにも適している。たとえば、ドライバコントローラ29は、従来のディスプレイコントローラまたは双安定ディスプレイコントローラたとえば、IMODコントローラであり得る。さらに、アレイドライバ22は、従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバたとえば、IMODディスプレイドライバであり得る。その上、ディスプレイアレイ30は、従来のディスプレイアレイまたは双安定ディスプレイアレイたとえば、IMODのアレイを含むディスプレイであり得る。いくつかの実装形態では、ドライバコントローラ29はアレイドライバ22と一体化され得る。そのような実装形態は、セルラーフォン、ウォッチおよび他の小面積ディスプレイなどの高集積システムでは一般的である。いくつかの実装形態では、入力デバイス48は、たとえば、ユーザがディスプレイデバイス40の動作を制御することを可能にするように、構成され得る。入力デバイス48は、QWERTYキーボードまたは電話キーパッドなどのキーパッド、ボタン、スイッチ、ロッカー、タッチセンシティブスクリーン、あるいは感圧膜または感熱膜を含むことができる。マイクロフォン46は、ディスプレイデバイス40のための入力デバイスとして構成され得る。いくつかの実装形態では、ディスプレイデバイス40の動作を制御するために、マイクロフォン46を介したボイスコマンドが使用され得る。電源50は、当技術分野でよく知られている様々なエネルギー蓄積デバイスを含むことができる。たとえば、電源50は、ニッケルカドミウムバッテリーまたはリチウムイオンバッテリーなどの充電式バッテリーであり得る。電源50はまた、再生可能エネルギー源、キャパシタ、あるいはプラスチック太陽電池または太陽電池塗料を含む太陽電池であり得る。電源50はまた、壁コンセントから電力を受け取るように構成され得る。いくつかの実装形態では、制御プログラマビリティがドライバコントローラ29中に存在し、これは電子ディスプレイシステム中のいくつかの場所に配置され得る。いくつかの他の実装形態では、制御プログラマビリティがアレイドライバ22中に存在する。上記で説明した最適化は、任意の数のハードウェアおよび/またはソフトウェア構成要素において、ならびに様々な構成において実装され得る。本明細書で開示する実装形態に関して説明した様々な例示的な論理、論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実装され得る。ハードウェアとソフトウェアの互換性が、概して機能に関して説明され、上記で説明した様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路およびステップにおいて示された。そのような機能がハードウェアで実装されるか、ソフトウェアで実装されるかは、特定の適用例および全体的なシステムに課された設計制約に依存する。本明細書で開示する態様に関して説明した様々な例示的な論理、論理ブロック、モジュール、および回路を実装するために使用される、ハードウェアおよびデータ処理装置は、汎用シングルチップまたはマルチチッププロセッサ、デジタル信号プロセッサDSP、特定用途向け集積回路ASIC、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGAまたは他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲートまたはトランジスタ論理、個別ハードウェア構成要素、あるいは本明細書で説明した機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せを用いて実装または実行され得る。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサ、あるいは任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、または状態機械であり得る。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組合せ、たとえば、DSPとマイクロプロセッサとの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、DSPコアと連携する1つまたは複数のマイクロプロセッサ、あるいは任意の他のそのような構成として実装され得る。いくつかの実装形態では、特定のステップおよび方法が、所与の機能に固有である回路によって実行され得る。1つまたは複数の態様では、説明した機能は、本明細書で開示する構造を含むハードウェア、デジタル電子回路、コンピュータソフトウェア、ファームウェア、およびそれらの上記構造の構造的等価物において、またはそれらの任意の組合せにおいて実装され得る。また、本明細書で説明する主題の実装形態は、1つまたは複数のコンピュータプログラムとして、すなわち、データ処理装置が実行するためにコンピュータ記憶媒体上に符号化された、またはデータ処理装置の動作を制御するための、コンピュータプログラム命令の1つまたは複数のモジュールとして、実装され得る。図12は、干渉変調器のための製造プロセスを示す流れ図の一例を示している。そのようなステップは、図12および図13に示されていない他のステップとともに、図1~図7Eに示した概略的なタイプのIMODを製造するためのプロセスにおいて存在し得る。たとえば、ブラックマスク層、バス層、および吸収層など、下にあるまたは介在する層を堆積させる追加のプロセスが存在し得ることを理解されよう。図12を参照すると、プロセス1200は、第1の領域、第2の領域、および第3の領域においてそれぞれ第1のIMOD、第2のIMOD、および第3のIMODを製造する方法を示している。プロセス1200はブロック1205において開始し、透明基板を設ける。プロセス1200はブロック1210において続き、基板上に第1の吸収層を形成する。プロセス1200は次いでブロック1215において続き、第1の領域において吸収層上に第1の透明固体層を形成する。プロセス1200は次いでブロック1220において続き、第2の領域において吸収層上に第2の透明固体層を形成する。プロセス1200は次いでブロック1225において続き、第3の領域において吸収層上に第3の透明固体層を形成する。プロセス1200は次いでブロック1230において続き、透明固体層の各々上に、開状態と崩壊状態とを有する可動反射層を形成する。可動反射層と、透明固体層の各々とは、開状態でそれらの間にギャップを画定し、ギャップは、第1の領域、第2の領域および第3の領域において同じ高さを有する。第1の透明固体層、第2の透明固体層、および第3の透明固体層がそれぞれ、それぞれ第1の領域、第2の領域、および第3の領域において開状態および崩壊状態のうちの1つについて異なる色を表す異なる光路長を規定する。図13は、干渉変調器のための製造プロセスを示す流れ図の別の例を示している。図13を参照すると、プロセス1300はブロック1305において開始し、透明基板を設ける。プロセス1300はブロック1310において続き、基板上に第1の吸収層を形成する。プロセス1300は次いでブロック1315において続き、第1の吸収層上に誘電体層を形成する。プロセス1300は次いでブロック1320において続き、誘電体層上に第2の吸収層を形成する。プロセス1300は次いでブロック1325において続き、誘電体層上に、開状態と崩壊状態とを有する可動反射層を形成する。誘電体層と反射層とは、開状態でそれらの間にギャップを画定する。図14は、電気機械干渉変調器デバイスを動作させる方法を示す流れ図の一例を示している。図14を参照すると、方法1400はブロック1405において開始し、基板と、異なるタイプの少なくとも2つのIMODとを設ける。異なるタイプの少なくとも2つのIMODの各々は、基板上に形成された光学スタックと、可動反射層と、可動反射層と光学スタックとの間に画定されたギャップとを含むことができる。光学スタックは、誘電体層と、誘電体層と基板との間に形成された吸収層とをさらに含むことができる。方法1400はブロック1410において続き、異なるタイプの少なくとも2つのIMODのうちの第1のIMODタイプにおけるギャップを実質的に閉じるために、第1のIMODタイプにおける可動反射層を光学スタックのほうへ作動させる。方法1400は次いでブロック1415において続き、第1のIMODタイプにおける可動反射層を作動させたときに第1の色を反射する。方法1400はブロック1420においてさらに続き、異なるタイプの少なくとも2つのIMODのうちの第2のIMODタイプにおけるギャップを実質的に閉じるために、第2のIMODタイプにおける可動反射層を光学スタックのほうへ作動させる。次いで、方法1400はブロック1425において続き、第2のIMODタイプにおける可動反射層を作動させたときに第1の色とは異なる第2の色を反射する。本開示で説明する実装形態への様々な修正は当業者には容易に明らかであり得、本明細書で定義した一般原理は、本開示の趣旨または範囲から逸脱することなく他の実装形態に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で示した実装形態に限定されるものではなく、本明細書で開示する特許請求の範囲、原理および新規の特徴に一致する、最も広い範囲を与られるべきである。例示的という単語は、本明細書ではもっぱら例、事例、または例示の働きをすることを意味するために使用される。例示的として本明細書で説明するいかなる実装形態も、必ずしも他の実装形態よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきではない。さらに、上側および下側という用語は、図の説明を簡単にするために時々使用され、適切に配向されたページ上の図の配向に対応する相対位置を示すが、実装されたIMODの適切な配向を反映しないことがあることを、当業者は容易に諒解されよう。また、別個の実装形態に関して本明細書で説明されたいくつかの特徴は、単一の実装形態において組合せで実装され得る。また、逆に、単一の実装形態に関して説明された様々な特徴は、複数の実装形態において別個に、あるいは任意の好適な部分組合せで実装され得る。その上、特徴は、いくつかの組合せで働くものとして上記で説明され、初めにそのように請求されることさえあるが、請求される組合せからの1つまたは複数の特徴は、場合によってはその組合せから削除され得、請求される組合せは、部分組合せ、または部分組合せの変形形態を対象とし得る。同様に、動作は特定の順序で図面に示されているが、これは、望ましい結果を達成するために、そのような動作が、示される特定の順序でまたは順番に実行されることを、あるいはすべての図示の動作が実行されることを必要とするものとして理解されるべきでない。いくつかの状況では、マルチタスキングおよび並列処理が有利であり得る。その上、上記で説明した実装形態における様々なシステム構成要素の分離は、すべての実装形態においてそのような分離を必要とするものとして理解されるべきでなく、説明するプログラム構成要素およびシステムは、概して、単一のソフトウェア製品において互いに一体化されるか、または複数のソフトウェア製品にパッケージングされ得ることを理解されたい。さらに、他の実装形態が以下の特許請求の範囲内に入る。場合によっては、特許請求の範囲に記載の行為は、異なる順序で実行され、依然として望ましい結果を達成することができる。"