セラミックス基板上に所定形状の銅回路板を接合したセラミックス回路基板において、上記銅回路板をエッチングにより回路形成する方法において、エッチング後に酸およびアルカリによる再洗浄をすることを特徴とするセラミックス銅回路基板の製造方法。酸による再洗浄が5wt以下のシュウ酸溶液であることを特徴とする請求項1記載のセラミックス銅回路基板の製造方法。酸洗浄の後にアルカリ系洗剤による追加洗浄を行なうことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項に記載のセラミックス銅回路基板の製造方法。酸洗浄およびアルカリ追加洗浄後に酸による中和を行なうことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のセラミックス銅回路基板の製造方法。酸洗浄、アルカリ追加洗浄および中和工程後に防錆処理を行なうことを特徴とする請求項4記載のセラミックス銅回路基板の製造方法。セラミックス銅回路基板の銅回路のセラミックス面に深さ50μm以下の溝が形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のセラミックス銅回路基板の製造方法。セラミックス基板が酸化物セラミックス基板であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のセラミックス銅回路基板の製造方法。セラミックス基板と銅回路板の接合方法が直接接合法によって接合されていることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のセラミックス銅回路基板の製造方法。しかしながら、DBC基板ではセラミック基板の表面状態の凹凸などに起因するセラミックスと銅板の間の微視的空間が発生する場合がある。すなわち、ペーストを塗布して接合する活性金属法はセラミックの表面状態の影響が緩和され面で接合されやすいが、DBC法では基板表面に存在するピンホールなどが未接合のまま銅板が接合される可能性がある。DBC法では未接合の箇所が点在していても、銅回路の接合強度については規格を満足するように工程条件を調整することが可能である。しかしながら、エッチング工程では溶液中で処理が行なわれるため、未接合部分にエッチング液や洗浄液が残り、後工程で液の染み出しにより、回路やセラミックス部分が汚染されやすいという問題があった。また、DBC接合の中には銅板のフクレ防止など接合性向上のために、セラミックスとの接合側の銅板に溝を形成しているタイプもあり、溝部分から液の染み出しが発生しやすくなる問題点もあった。銅回路パターンからの液の染み出し汚れは外観上の不良として認識することにより歩留まりの低下を招くものの選別が可能である。しかしながら、セラミック基板上に付着した目視にて確認できないレベルの残渣がアッセンブリー工程で析出する可能性もある。すなわち、はんだ接合時の炉雰囲気では、エッチング液である塩化第二鉄や塩化第二銅が還元されセラミック表面に析出し、甚だしい場合には絶縁ショートなどを引き起こす可能性がある。本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、DBC法により接合した銅回路基板においてエッチングによる回路形成におけるショート不良や外観不良の発生を防止し、パターン精度の高いセラミックス回路基板を提供することを目的とする。本発明のセラミックス銅回路基板の製造方法は、セラミックス基板上に所定形状の銅回路板を接合したセラミックス回路基板において、上記銅回路板をエッチングにより回路形成する方法において、エッチング後に酸およびアルカリによる再洗浄をすることを特徴とするものである。また、酸による再洗浄が5以下のシュウ酸溶液であることが好ましい。また、酸洗浄の後にアルカリ系洗剤による追加洗浄を行なうことが好ましい。また、酸洗浄およびアルカリ追加洗浄後に酸による中和を行なうことが好ましい。また、酸洗浄、アルカリ追加洗浄および中和工程後に防錆処理を行なうことが好ましい。また、セラミックス銅回路基板の銅回路のセラミックス面に深さ50μm以下の溝が形成されていることが好ましい。また、セラミックス基板が酸化物セラミックス基板であることが好ましい。また、セラミックス基板と銅回路板の接合方法が直接接合法によって接合されていることが好ましい。本発明に係るセラミックス銅回路基板の製造方法によれば、酸洗浄アルカリ洗浄、必要に応じ、中和防錆処理の一連の再洗浄を行なうことによりエッチング工程で発生する銅回路とセラミックス基板間の染み出し不良を低減することが可能となる。本発明のセラミックス銅回路基板の製造方法は、セラミックス基板上に所定形状の銅回路板を接合したセラミックス回路基板において、上記銅回路板をエッチングにより回路形成する方法において、エッチング後に酸およびアルカリによる再洗浄をすることを特徴とするものである。まず、セラミックス基板としては、アルミナ基板Al2O3や、アルミナAl2O3とジルコニアZrO2の混合物基板などの酸化物セラミックス基板が好ましい。酸化物セラミックス基板であれば、銅板との直接接合法を行い易い。なお、セラミックス基板としては、窒化アルミニウム基板AlNや窒化珪素基板Si3N4などのように窒化物系セラミックス基板を用いてもよい。窒化物系セラミックス基板と銅板とで直接接合法を行う場合は、窒化物系セラミックス基板表面に酸化膜を設けることが必要である。また、アルミナ基板としては、純度が94質量以上であるアルミナ基板などがあげられる。上記アルミナ基板は、例えば以下のような製造方法によって調製される。すなわち、α-アルミナ結晶から成る高純度アルミナ粉末に焼結助剤としての酸化ケイ素SiO2、酸化カルシウムCaO等を6質量以下添加する。さらに必要に応じて有機結合剤を添加した原料混合体をドクターブレード法等により成形し、得られたシート状成形体を脱脂した後、温度1300~1700°Cで焼結して製造される。焼結後の基板は、ブラシやホーニングなどで付着物を除去する。基板表面の表面粗さを低減するために研磨することも可能であるが、コスト面では不利になる。また、アルミナAl2O3とジルコニアZrO2の混合物基板を使う場合は、アルミナとジルコニアの合計を100質量としたときジルコニアを20~80質量含有する。また、必要に応じ、酸化ケイ素などの焼結助剤を6質量以下添加するものとする。後述する直接接合法によりセラミックス基板と銅回路板を接合する場合、銅回路板としては酸素を100~1000wtppm含有するタフピッチ電解銅から成る銅回路板を使用することが好ましい。また、酸素含有量が100wtppm未満の銅回路板を使う場合は、銅回路板の接合面側に酸化膜を予め形成することが好ましい。酸化膜の厚さは1~10μmが好ましい。また、酸化膜の形成方法は、接合面側を熱処理する方法や酸化銅粉末ペーストを塗布する方法がある。なお、酸化膜を形成する方法はタフピッチ電解銅からなる銅回路板に用いてもよい。銅板中の酸素または銅板表面の酸素は直接接合時に発生するCu-O共晶の量を増加させ、セラミックス基板と銅回路板との接合強度を向上させることができるので好ましい。また、直接接合法では、Cu-O共晶を形成するために、不活性ガス雰囲気中で1065~1085°Cに加熱して接合する。これにより、アルミナ基板を使ったセラミックス回路基板が形成される。銅回路板は、接合時のフクレ防止のために50μm以下の溝をセラミックス基板と接合する面に形成する場合がある。溝の幅はパターン形状にも関係するが10~30mmの間隔で形成されることが好ましい。また、溝の深さは、エッチング処理の残渣除去のためには浅い方がよく、40μm以下であることが望ましい。なお、溝を形成する場合、溝深さは5μm以上であることが好ましい。溝深さが5μm未満では溝を設ける効果が不十分である。上記目的を達成するため、本願発明者らは、特にエッチング後に再洗浄を行なうことについて種々検討した。エッチング液などの残渣であるからには、再洗浄を行なわなくても清浄な溶液により洗浄能力を強力にし長時間洗浄をすることにより除去が進むことは明らかであるが、過剰な洗浄が行なわれると生産コストは増加する。このためDBCの接合状態やエッチング液などにあわせた洗浄方法を設定することにより、効率良く洗浄を行なえることを見出した。すなわち通常の銅エッチング液である塩化第二鉄、塩化第二銅を使用してエッチングを行なったあとに、シュウ酸などの銅回路を傷めることのないような弱酸を用いて洗浄をすることによりエッチング液などの無機物を除去することが可能である。ついでアルカリ洗浄液を用いて付着している有機物を除去することが可能である。この後に酸洗浄によりアルカリを中和することにより、アルカリ洗浄の影響を残さないことが可能である。最後に、防錆剤により上記洗浄のため活性化した銅回路表面の酸化を防ぐことが可能である。これら一連の工程を行なうことにより、エッチング液などの残渣を除去することが可能であるという知見を得た。銅板を接合したセラミックス基板は、フォトレジスト法や印刷法によりレジストを形成する。レジストを施した銅接合基板を塩化第二鉄や塩化第二銅を使用したベルト型エッチング装置中で処理することにより回路形成を行なう。エッチング処理を行なった後にレジストの剥離を行なう。レジストの剥離は有機溶剤系、水系剥離液、アルカリ系剥離液等の使用したレジストにあわせた薬液が使用される。その後、湯洗水洗純水洗などの工程で薬液を洗浄したのち温風などで乾燥する。上記銅回路基板のエッチング残渣除去のために再洗浄を行なう。再洗浄は上記工程の水洗浄などの後に乾燥工程を経ることなく直接行なうことが可能であるが、乾燥することによる残渣成分が析出しやすくなるために乾燥後に行なうことが望ましい。再洗浄では最初に弱酸により酸洗浄を行なう。酸洗浄を行なうことにより、セラミックスや回路に付着したエッチング液の残渣を除去することが可能である。使用する酸は硫酸塩酸硝酸などの無機酸やシュウ酸酢酸クエン酸などの有機酸など一般的な酸が使用可能である。しかしながら、希釈をしても銅回路に影響を及ぼすような強酸ではなく弱酸有機酸がよく、できればシュウ酸を使用するのがよい。弱酸による酸洗浄に用いる洗浄液は、酸成分が5質量以下、さらには1~5質量であることが好ましい。特に、シュウ酸が1~5質量以下の酸性水溶液であることが好ましい。酸成分が5質量を超えると酸性が強くなりすぎるおそれがある。酸洗浄を行なった上記銅回路基板のアルカリ洗浄を行なう。酸洗浄の後にアルカリ洗浄を行なうことにより残っていた酸洗浄にて除去できなかった不純物、特に有機物不純物の除去が可能である。使用するアルカリ洗浄剤は、水酸化ナトリウム水溶液が好ましい。水酸化ナトリウム水溶液中の水酸化ナトリウムの割合は1~5質量であることが好ましい。水酸化ナトリウムの割合が1質量未満では添加の効果が不十分であり、5質量を超えるとアルカリ性が強くなりすぎて基板が損傷するおそれがある。アルカリ洗浄剤としては、例えば、株カイジョー製ソノクレン、上村工業株製アサヒクリーナやUクリーナー、奥野製薬工業株製エースクリーンなどが挙げられる。アルカリ洗浄を行なった上記銅回路基板は酸により中和処理を行なうことが好ましい。これは、アルカリ洗浄液の反応を終了させ、アルカリ成分による基板の損傷を防ぐ目的である。このため、酸処理は時間が短く洗浄の効果は少ない。酸処理に使用される薬品は塩酸や硫酸などの一般の酸が挙げられる。中和用酸洗浄剤は、塩酸または硫酸を5~20質量添加した酸水溶液であることが好ましい。アルカリ洗浄により残ったアルカリ洗浄液を短時間で中和するため5~20質量と1回目の酸洗浄よりも、濃度の濃い酸性溶液を用いることが好ましい。また、洗浄時間は2分以下が好ましい。また、中和処理後に防錆剤により酸化防止処理を行なうことが好ましい。上記の一連の処理により銅回路の表面が活性化するため、その後の保管時の表面酸化を防止するのが目的である。使用する防錆剤は市販の水溶性防錆剤が使用可能である。例えば、千代田ケミカル株製チオライト、キレスト株製キレスライトなどが挙げられる。上記処理を行なった銅回路基板を乾燥することにより再洗浄工程が完了する。銅回路基板のサイズによって洗浄の条件処理溶液に浸漬する時間などをコントロールする必要があるが、一連の工程によりエッチング時の残渣の除去が可能である。実施例実施例1平均粒径2.5μmのα-アルミナ結晶から成り、純度が99.9の低ソーダアルミナ粉末に対して焼結助剤としての酸化ケイ素SiO2を1.1質量、酸化カルシウムCaOを1.4質量、酸化マグネシウムMgOを0.7質量、酸化ナトリウムNaO2を0.2質量添加し、さらに有機結合剤を添加して原料混合体をそれぞれ調製した。各原料混合体をドクターブレード法によりシート成形して板状の成形体を調製し、この成形体を窒素真空中で800°Cで4時間加熱して脱脂した。この脱脂体を温度1600°Cで10時間焼結することにより、縦50mm×横50mm×厚さ0.635mmのアルミナ基板を作製した。一方、厚さ0.30mmのタフピッチ電解銅酸素含有量300wtppmから成る銅回路板を各アルミナ基板の表面側に接触配置する一方、背面側に厚さ0.25mmのタフピッチ電解銅酸素含有量300wtppmから成る裏銅板を接触配置して積層体とした。銅回路板には、セラミックス接触面側に20mm幅で深さ35μmの溝を形成したものを用いた。次に、内部を窒素ガス雰囲気に調整し、温度を1075°Cに設定した加熱炉内に、上記各積層体を挿入して10分間加熱することにより、アルミナ基板の両面に銅板をDBC法直接接合法によって接合した。こうして調製したセラミックス回路基板は、アルミナ基板の表裏それぞれの面側に回路形成をするためにUV硬化型レジストパターンを印刷した。その後ベルト型UV乾燥機により照射電圧550V、コンベア速度0.5mminの条件で硬化した。次に塩化第二鉄を使用した両面連続エッチング装置によりエッチング液温度50°C、ベルトスピード0.3m/minでエッチングを行なった。エッチング後60°Cの湯洗を10分間行なった後、60°Cの水酸化ナトリウムNaOH4wt溶液中にて20分間浸漬してレジスト膜を剥離した。その後、湯洗、水洗、純水洗を行なったあとにアルコールで置換し熱風乾燥を行い回路基板を得た。本回路基板の外観を検査したところ薄い染み出し汚れが観察された。染み出し汚れ不良を除いて得られた回路基板の一部をサンプリングして比較例1とした。残りの回路基板の再洗浄を行なった。最初の酸洗工程では超音波洗浄機中で60°Cの1wtシュウ酸溶液にて15分間洗浄を行なった。その後、水浴中で揺動を10回、水切りを10回行なって酸洗工程を終了した。このとき一部のサンプルについては一連の工程から酸洗工程のみ行なわずに直接アルカリ洗浄工程に投入し比較例2とした。なお、回路基板は以降の工程を含めて一枚ずつラックに入れて行なった。次のアルカリ洗浄工程では、50°Cの株水酸化ナトリウム3wt水溶液中にて20分間洗浄を行なった。その後、流水中で揺動を10回、水切りを10回行なってアルカリ洗浄工程を終了した。このとき一部のサンプルについては、一連の工程からアルカリ洗浄工程のみ行なわずに直接中和工程に投入して比較例3とした。次の中和工程では、10塩酸室温にて20秒間浸漬を行なった。その後、水浴中で揺動を10回、水切りを10回行なって中和工程を終了した。このとき一部のサンプルについては一連の工程から中和工程のみ行なわずに直接防錆処理工程に投入して比較例4とした。次の防錆処理工程では、千代田ケミカル株製のチオライト3溶液中室温にて1分間浸漬を行なった。その後、流水中で1分間洗浄を行ない、純水浴中で1分間洗浄を行ない、アルコールに置換した後で10分間の遠心乾燥と10分間の真空乾燥を行ない再洗浄工程を終了した。上記工程を経た回路基板を実施例とした。このとき一部のサンプルについては一、連の工程から防錆処理工程のみ行なわずに直接防錆処理工程に投入して比較例5とした。実施例および比較例の外観不良の結果を表1に示す。この後、再洗浄の効果を確認するために実施例および比較例について加熱試験を行った。加熱試験は連続式ベルト炉で350°Cにて水素10を含む窒素中に処理を行なった後に外観を確認した。染み出し不良はパターン間の黒色の析出物として観察された。実施例および比較例の染み出し不良結果を表1に示す。比較例1で発生した黒色の析出物を調べるためにアドバンテスト製デジタルマルチメータによるパターン間の抵抗を測定した。測定電圧を3Vとしたところ、実施例および染み出し不良の発生しない比較例ではいずれも10nA以下と良好な抵抗を示した。これに対して染み出し不良が観察された比較例1ではパターン間で導通が確認された。さらに、黒色の析出物について元素分析を行なったところ鉄Feならびに塩素Cl成分が検出された。両元素はエッチング液の成分である塩化第二鉄FeCl3の構成元素であるためエッチング液の残渣であるとみなされる。なお、黒色の析出物の発生した比較例1についても再洗浄を実施したところ黒色の析出物は除去でき、さらに過熱試験を行っても染み出し汚れ黒色の析出物の発生は観察されなかった。このことによりの再洗浄は、加熱により染み出した析出物の除去にも効果があることが判明した。また、本法によればDBC法を適用できるため活性金属法に比較して安価での製造が可能である。さらにエッチング法によるパターン形成で不良の少ない寸法精度の良いセラミックス回路基板を得ることが可能となる。