ナノ粒子の形態で被覆するための材料によるイオンクラスタ源技術によって、少なくとも1つのAFM先端を被覆するための方法。前記材料が、金属材料、磁気材料、圧電材料、導電性材料、絶縁材料、誘電材料、半導体材料及びそれらの任意の組み合わせを含むリストから選択される、請求項1に記載の方法。前記材料が、金属材料、磁気材料又は半導体材料から選択される、請求項2に記載の方法。ヘリウム、アルゴン、酸素、窒素又はそれらの任意の組み合わせから選択されるガスが、イオンクラスタ源技術のクラスタ領域で使用される、請求項1~3のうちいずれか1項に記載の方法。前記ガスがアルゴン又はヘリウムから選択される、請求項4に記載の方法。前記技術が、前記イオンクラスタ源技術のクラスタ領域に取り付けられた前記室内の真空状態又は超真空状態で実行される、請求項1~5のうちいずれか1項に記載の方法。請求項1~6のうちいずれか1項に記載の方法によって得ることができる被覆されたAFM先端。表面の形態学的な特徴付け、対象物及びナノ粒子の蒸着の磁気特性又は圧電特性の決定のための請求項7に記載の前記AFM先端の使用。本発明は、イオンクラスタ源ICSでナノ粒子を蒸着することによって原子間力顕微鏡AFM先端を被覆するための方法を提供する。本発明の第1の態様は、ナノ粒子の形態で被覆するための材料によるイオンクラスタ源技術によって、少なくとも1つのAFM先端を被覆するための方法に関する。好ましい実施形態では、AFM先端を被覆するために使用される材料は、金属材料、磁気材料、圧電材料、導電性材料、絶縁材料、誘電材料及びそれらの任意の組み合わせを含むリストから選択される。より好ましい実施形態では、材料は、金属材料、磁気材料又は半導体材料から選択される。この材料は、イオンクラスタ源と呼ばれる第1の室に配置される。好ましい実施形態では、イオンクラスタ技術は、第1の室の真空状態又は超高真空状態で、及び被覆されるべきAFM先端が配置されるイオンクラスタ源に接続された付属室で実行される。本発明の方法は、制御されたサイズのナノ粒子を蒸着することによってAFM先端のアスペクト比の改変を提案する。本方法は、アスペクト比の向上が獲得されると、先端の化学組成の改変が達成されるように、所望の特定の材料金属材料、磁気材料、圧電材料、導電性材料、絶縁材料...のナノ粒子を蒸着する手段を伴い、言い換えれば、より優れた解像度の獲得を可能にし、かつ機能化されるAFM先端が達成される。本発明の方法は、真空状態又は超高真空UHV状態のイオンクラスタ源による蒸着からなるイオンクラスタ源技術によって実施される。この装置の操作は、ガス制御される雰囲気内の所望の材料のイオンプラズマを発生することからなる。前記ガスは、ナノ粒子を発生するために材料のイオンのクラスタに有利であることを前提として、好ましくはアルゴン、ヘリウム、窒素、酸素又はそれらの任意の組み合わせ、より好ましくはアルゴン又はヘリウムから選択される。ナノ粒子被覆の精密なサイズ及び密度制御は、このようなICSによって達成される。ICSの使用により、真空又はUHVプロセスであるので、クラスタの化学的な純度が保証される。さらに、その使用により、任意の種類の表面任意の市販の先端又は任意の当業者に公知の先端における任意の種類の材料から制御されたサイズを有するクラスタの製造が可能である。他の製造方法と異なり、その使用は、蒸着プロセスの間のナノ粒子の適度な運動エネルギーの吸収、ソフトランディングの結果として元の先端を損傷する技術である。ナノ粒子製造プロセスの精密な制御は、この技術により、ナノ粒子サイズ分布及び被覆されるべき表面AFM先端の被覆密度の精密な制御と共に、制御を決定する異なる変数ガス流量、マグネトロンパワー、クラスタ距離、時間...を調整することによって達成される。この方法によって製造されたナノ粒子は、AFM先端の小さな表面に均質にかつランダムに分布される。操作条件は、一般に、被覆時間、クラスタ距離、マグネトロンパワー及びガス流量であり、これらのすべては、使用すべき材料の種類による相互依存のパラメータ及び変数である。第2の態様では、本発明は、本発明の方法によって得ることができる被覆されたAFM先端に関する。真空室におけるスパッタリングプロセスは当業界ですでに通常使用されているので、本発明のAFM先端を改変する方法が、産業規模で実施することが容易であることを指摘することが重要である。AFM先端の連続的な改変は、これらの既存の室にICSを結合することによって可能になるであろう。本発明の第3の態様は、表面の形態学的な特徴付け、対象物及びナノ粒子の蒸着の磁気特性又は圧電特性の決定のための上述のようなAFM先端の使用に関する。他方、制御された化学組成を有するナノ粒子を蒸着することによってAFM先端を機能化することにより、それらの物理化学的特性の視点からナノ対象物を特徴づけることが可能である。例えば、AFM先端を圧電材料又は磁気材料のナノ粒子で被覆して、ナノ対象物の圧電特性又は磁気特性を調査することができる。説明及び特許請求の範囲の全体にわたって、含むという用語及びその変形は、他の技術的な特徴、補助法、構成要素又はステップを排除することを意図しない。当業者のために、本発明の他の目的、利点及び特徴は、一部は説明から、また一部は本発明の実施から推定されるであろう。次の実施例及び図面は一例として提供され、本発明を限定することを意図しない。AFM先端の表面を被覆するか又は改変するための本発明の方法の特異性及び有効性を明瞭に示す本発明者によって実行された、いくつかの試験によって、本発明について以下に説明する。実行された試験は、得られたAFM画像と、未改変の商業用AFM先端と、イオンクラスタ源によって発生されたナノ粒子を蒸着することによって改変された商業用先端とを比較することに焦点を合わせた。蒸着は、OxfordAppliedResearchによって製造されたイオンクラスタ源及びCo95Au5合金ブランクを使用して超高真空状態で実行した。ナノ粒子製造プロセスは最適化されており、この結果、2~3nmの球形ナノ粒子をICSの補助により製造した。そのため、関連するパラメータは、マグネトロンに印加した電力:20ワット、クラスタ長さ:50mm、アルゴン流量:60sccm、ヘリウム流量:50sccm、イオンクラスタ源とAFM先端との間の距離:190mm、蒸着時間:2分であった。図3のa-bは、約2~3nmの直径のこれらのナノ粒子の蒸着の例を示しており、図3のa-bでは、ナノ粒子は平坦なシリコン基板に蒸着される。商業用AFM先端におけるこれらのナノ粒子の蒸着により、より優れたアスペクト比及び制御された化学組成を有する先端が得られる図3c。標準サンプルは、未改変の商業用AFM先端及び2~3nmの直径のナノ粒子の蒸着による改変された商業用AFM先端で測定された。図4は、標準サンプルの正確に同一の領域の両方の先端で行われた測定の比較を示している。画像は、450x450nm2の面積に対応する。商業用先端で記録された画像に現れなかった一連の構造は、改変されたAFM先端で記録された画像に明瞭に見ることができる。この理由は、より低い不確実度を有し、このことがより大きな解像度を有する解像構造を可能にするので、ナノ粒子で改変された先端が商業用先端よりも優れた解像度を有するからである。図4の底部に示されたプロフィルは、改変された先端の解像度の向上をより正確に示している。解像度の向上による測定構造ピーク幅のシステム上の低減をこれらのプロフィルに見ることができる。図4は、ナノ粒子を商業用先端に蒸着する形態上の効果を示している。この形態上の効果は、各々の場合に、例えば、MFM磁気力顕微鏡測定のためにこれらの先端の使用を可能にする磁気材料の蒸着のような化学的効果と組み合わされなければならない。