開口を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上及び前記開口内に導体膜を形成する工程と、前記導体膜上に第1感光性有機膜を塗布形成する工程と、前記第1感光性有機膜において前記開口外の部位を露光する工程と、前記第1感光性有機膜において前記開口外の部位を現像により除去する工程と、前記第1感光性有機膜において前記開口内の部位を紫外線により硬化させることによって第1有機膜を形成する工程と、前記第1有機膜を覆うように前記導体膜上に第2感光性有機膜を塗布形成する工程と、前記第2感光性有機膜を紫外線により硬化させて第2有機膜を少なくとも前記第1有機膜上に形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第2感光性有機膜を塗布形成する前記工程の後で、前記第2感光性有機膜を露光及び現像することによってパターニングする工程を行い、その後、前記第2有機膜を形成する前記工程と、前記第2有機膜をマスクとして前記導体膜をエッチング加工する工程と、を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。本願発明者は、以下のことを認識した。UVキュアのために感光性有機膜に紫外線光を照射すると、感光性有機膜中の感光剤と紫外線とが反応することによって窒素ガスが発生するが、感光性有機膜の膜厚が厚い場合、窒素ガスが感光性有機膜の上端に到達し空気中に抜け切るよりも前に、紫外線により感光性有機膜の上部が硬化してしまう結果、その窒素ガスが感光性有機膜から抜け切ることができず、感光性有機膜中に気泡が発生する。気泡の場所及び大きさは制御できるものではないため、その後のエッチングの際に異常が発生する場合がある。本発明は、開口を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上及び前記開口内に導体膜を形成する工程と、前記導体膜上に第1感光性有機膜を塗布形成する工程と、前記第1感光性有機膜において前記開口外の部位を露光する工程と、前記第1感光性有機膜において前記開口外の部位を現像により除去する工程と、前記第1感光性有機膜において前記開口内の部位を紫外線により硬化させることによって第1有機膜を形成する工程と、前記第1有機膜を覆うように前記導体膜上に第2感光性有機膜を塗布形成する工程と、前記第2感光性有機膜を紫外線により硬化させて第2有機膜を少なくとも前記第1有機膜上に形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。この製造方法によれば、有機膜第1有機膜、第2有機膜を厚み方向に複数に分割して形成するので、感光性有機膜を紫外線照射により硬化させることによって発生する窒素ガスが感光性有機膜から抜けるようにできる。よって、有機膜中に気泡が残存することによる不具合の発生を抑制することができる。本発明によれば、有機膜中における気泡の残存を抑制することができる。以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。図1乃至図8は実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、開口コンタクトホール36を有する層間絶縁膜37を形成する工程と、層間絶縁膜37上及び開口内に導体膜39を形成する工程と、導体膜39上に第1感光性有機膜1を塗布形成する工程と、第1感光性有機膜1において開口外の部位を露光する工程と、第1感光性有機膜1において開口外の部位を現像により除去する工程と、第1感光性有機膜1において開口内の部位を紫外線により硬化させることによって第1有機膜11を形成する工程と、第1有機膜11を覆うように導体膜39上に第2感光性有機膜2を塗布形成する工程と、第2感光性有機膜2を紫外線により硬化させて第2有機膜12を少なくとも第1有機膜11上に形成する工程と、を有する。以下、詳細に説明する。図1に示すように、半導体基板基板20上にLOCOS酸化膜等の素子分離膜21を形成し、トランジスタ22を形成する。更に、トランジスタ22を埋め込むようにコンタクト層間絶縁膜23を半導体基板20上に形成し、このコンタクト層間絶縁膜23にタングステンからなるコンタクト24を埋め込み形成する。次に、コンタクト層間絶縁膜23上及びコンタクト24上に、配線層32を形成する。配線層32は、導体膜33と、配線層間絶縁膜図示略と、を含む。導体膜33は、例えば、バリアメタルとしてのTiN膜34と、このTiN膜34上に形成されたAl膜35と、を含む。次に、配線層32上に、コンタクトホール開口36を有する層間絶縁膜37を形成する。なお、層間絶縁膜37の膜厚は、一例として、4μm程度とすることができる。次に、層間絶縁膜37上に、導体膜39を形成する。導体膜39は、例えば、バリアメタルとしてのTiN膜40と、このTiN膜40上に形成されたAl膜41と、を含む。なお、Al膜41の膜厚は、一例として、3μm程度とすることができる。TiN膜40及びAl膜41は、例えば、それぞれスパッタにより全面に成膜する。導体膜39TiN膜40及びAl膜41は、層間絶縁膜37上、及び、コンタクトホール36内に形成されている。次に、図2に示すように、導体膜39上に、ポジ型の第1感光性有機膜1を全面に塗布形成する。第1感光性有機膜1は、コンタクトホール36内を埋め込むように形成される。第1感光性有機膜1の膜厚は、一例として、5.2μm程度とすることができる。次に、図3に示すように、全面露光を行う。ここで、コンタクトホール36内の第1感光性有機膜1までしっかり露光するのではなく、コンタクトホール36内の第1感光性有機膜1は露光が行われずに未感光有機膜1aとなり、コンタクトホール36外の第1感光性有機膜1、すなわち第1感光性有機膜1の上層部は露光が行われることにより感光済み有機膜1bとなるように、露光量を調節する図4。その後、現像を行うことにより、感光済み有機膜1bを除去し、未感光有機膜1aはコンタクトホール36内に残留させる図5。次に、未感光有機膜1aに対して紫外線光を照射するUVキュアを行うことにより、該未感光有機膜1aを硬化させることによって、第1有機膜11を形成する図6。このとき、未感光有機膜1aには局所的に厚い箇所が無いため、未感光有機膜1a内の感光剤が紫外線光と反応して窒素が発生しても、この窒素が容易に未感光有機膜1aから抜けるため、第1有機膜11内へ窒素の気泡の残留が抑制される。次に、図7に示すように、第1有機膜11上及び導体膜39上に第2感光性有機膜2を塗布形成する。次に、第2感光性有機膜2を露光及び現像する。この際の露光では、図示しない露光マスクにより第2感光性有機膜2のパターニングを行う。このパターン形状は、導体膜39の所望のパターン形状と対応する形状である。ここで、第2感光性有機膜2は、ポジ型でもネガ型でも良い。第2感光性有機膜2がポジ型の場合、導体膜39を残留させる領域に対する露光光を遮蔽し、導体膜39を除去する領域に露光光が照射されるような形状の露光マスクを用いて露光を行う。一方、第2感光性有機膜2がネガ型の場合、導体膜39を残留させる領域に対して露光光を照射し、導体膜39を除去する領域に対する露光光が遮蔽されるような形状の露光マスクを用いて露光を行う。何れの場合にも、その後の現像により、導体膜39の所望のパターン形状と対応する形状に、第2感光性有機膜2がパターニングされる。次に、第2感光性有機膜2に対して紫外線光を照射するUVキュアを行うことにより、該第2感光性有機膜2を硬化させることによって、第2有機膜12を形成する図8。ここで、第2感光性有機膜2には局所的に厚い箇所が無いため、UVキュアの際に紫外線光と感光剤とが反応することによって発生する窒素が第2感光性有機膜2から容易に抜けきることができるので、第2有機膜12中における窒素の気泡の残留が抑制される。こうして、第1有機膜11と第2有機膜12とからなる有機マスク13が形成される。その後、有機マスク13をマスクとして導体膜39をエッチング加工することにより、導体膜39を所望のパターン形状に加工し、ビア42及び配線43を形成する図8。このとき、有機マスク13中における気泡の発生が抑制されていることから、ビア42及び配線43を精度良く所望の形状に加工することができる。その後、有機マスク13を除去する。以上のような実施形態によれば、有機膜第1有機膜11、第2有機膜11を厚み方向に複数に分割して形成するので、感光性有機膜第1感光性有機膜1、第2感光性有機膜2を紫外線照射により硬化させることによって発生する窒素ガスが感光性有機膜から容易に抜けるようにできる。よって、有機膜中に気泡が残存することによる不具合後述の発生を抑制することができる。<比較例>ここで、比較例に係る半導体装置の製造方法を説明する。図9a及びbは比較例に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。この製造方法は、以下に説明する点でのみ、上記の実施形態に係る半導体装置の製造方法と相違し、その他の点では、上記の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。先ず、厚い例えば、膜厚4μmの層間絶縁膜37にコンタクトホール36を形成し、TiN膜34と3μmの膜厚のAl膜35とをスパッタにより形成する図1。次に、TiN膜34及びAl膜35のパターニングを行うために、5.2μmの膜厚の感光性有機膜101を全面に塗布形成する図9a。ここまでは、上記の実施形態における図2までの工程と同様である。ここで、上述のように層間絶縁膜37の膜厚を4μm程度とした場合、Al膜35においてコンタクトホール36の底部に位置する部位の上の感光性有機膜101の膜厚は、9.2μm程度となる。次に、感光性有機膜101を露光及び現像した後で、エッチング耐性を向上させるためにUVキュアを施して、有機マスク102を形成する。この際、感光性有機膜101中の感光剤から窒素が発生する。感光性有機膜101の膜厚が厚く、感光性有機膜101から窒素が抜けきるよりも前に紫外線により感光性有機膜101の上部が硬化すると、図9bに示されるように有機マスク102中に気泡103が残存する。気泡103の場所、大きさは制御できるものではないため、その後のエッチングの際に異常が生じ、TiN膜34及びAl膜35のパターン形状にも異常が生じる可能性がある。