第1の基板と、前記第1の基板と対向する第2の基板と、ガラスを含む封止材と、を有し、前記第1の基板は、発光デバイスと、前記発光デバイスと電気的に接続された配線と、を備え、前記発光デバイスは、前記第1の基板、前記第2の基板、及び前記封止材で囲まれた封止領域内に設けられ、前記配線は、前記封止領域外に延在し、且つ一部が前記封止材と重畳し、前記配線を構成する導電性材料は、当該導電性材料の線熱膨張係数と前記第1の基板の材料の線熱膨張係数との差が、0°Cから500°Cの温度範囲において5ppm/K以下である、発光装置。第1の基板と、前記第1の基板と対向する第2の基板と、ガラスを含む封止材と、を有し、前記第1の基板は、発光デバイスと、前記発光デバイスと電気的に接続された配線と、を備え、前記発光デバイスは、前記第1の基板、前記第2の基板、及び前記封止材で囲まれた封止領域内に設けられ、前記配線は、前記封止領域外に延在し、且つ一部が前記封止材と重畳し、前記配線を構成する導電性材料は、当該導電性材料の線熱膨張係数と前記第1の基板の材料の線熱膨張係数との差が、0°Cから500°Cの温度範囲において2ppm/K以下である、発光装置。前記導電性材料はタングステンである、請求項1または請求項2に記載の発光装置。前記配線と、前記封止材の間に、前記封止材と接する酸化物層を有する、請求項1又は請求項3のいずれか一に記載の発光装置。前記封止材と重畳し、且つ前記導電性材料で構成される緩衝層を有する、請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の発光装置。前記発光デバイスは、一対の電極間に設けられた発光性の有機化合物を含む層を有する、請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の発光装置。前記発光デバイスは、一対の電極間に設けられた発光性の有機化合物を含む層と、トランジスタを有する、請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の発光装置。レーザ光の照射により仮焼成後のガラスフリットを加熱する際、ガラスフリットは急加熱、急冷却され、その際にガラスフリットが溶融、固化して形成された封止材の内部に応力が発生する。また、当該封止材には基板などの被接着体によっても外部から応力がかかる。このような封止材にかかる応力に起因して、封止材自体、または基板などの被接着体にクラックが生じ、気密性が破れられてしまう問題があった。このような応力に起因するクラックの発生は、基板の材料に合わせてフリット材に用いる材料を最適化することにより低減することができる。しかしながら、封止材と重なる領域の一部に積層物が設けられている場合、その領域では封止材には異なる大きさの応力がかかる場合がある。例えば、封止材によって封止される領域以降、封止領域とも呼ぶ内から外側に引き出される配線などが設けられている場合、配線と重なる領域では封止材にかかる応力の大きさが他の領域とは異なるために、封止材や封止材と重なる層、又は基板などにクラックが生じてしまう。このような場合では、フリット材に用いる材料の最適化が難しく、クラックの発生を抑制することが困難であった。本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって本発明は、クラックの発生が抑制され、信頼性の高い発光装置を提供することを課題の一とする。上記課題を解決するために、本発明は応力の発生起因の一つである、異なる材料間における線熱膨張係数の違いに着眼した。封止材と重なる領域に用いる配線材料には、発光装置に用いる基板の材料と線熱膨張係数の近い導電性材料を用いればよい。より具体的には、配線材料に用いる導電性材料として、当該導電性材料の線熱膨張係数と、基板材料の線熱膨張係数との差が、0°Cから500°Cの範囲において5ppm/K以下、好ましくは2ppm/K以下である導電性材料を用いる。すなわち、本発明の一態様の発光装置は、第1の基板と、第1の基板と対向する第2の基板と、ガラスを含む封止材とを有する。第1の基板は、発光デバイスと、発光デバイスと電気的に接続された配線とを備える。また発光デバイスは、第1の基板、第2の基板、及び封止材で囲まれた封止領域内に設けられている。また配線は、封止領域外に延在し、且つ一部が封止材と重畳し、配線を構成する導電性材料は、当該導電性材料の線熱膨張係数と第1の基板の材料の線熱膨張係数との差が、0°Cから500°Cの温度範囲において5ppm/K以下であることを特徴とする。ガラスフリットを溶融、固化して形成された封止材と重なる領域に用いる配線材料として、このような線熱膨張係数を有する導電性材料を適用することにより、当該配線と重なる領域における封止材にかかる応力の大きさを低減し、クラックの発生を抑制することができる。また、本発明の他の一態様の発光装置は、第1の基板と、第1の基板と対向する第2の基板と、ガラスを含む封止材とを有する。第1の基板は、発光デバイスと、発光デバイスと電気的に接続された配線とを備える。また発光デバイスは、第1の基板、第2の基板、及び封止材で囲まれた封止領域内に設けられている。また配線は、封止領域外に延在し、且つ一部が封止材と重畳し、配線を構成する導電性材料は、当該導電性材料の線熱膨張係数と第1の基板の材料の線熱膨張係数との差が、0°Cから500°Cの温度範囲において2ppm/K以下であることを特徴とする。さらに、このように基板材料と線熱膨張係数の極めて近い導電性材料を適用することにより、当該配線と重なる領域における封止材にかかる応力の大きさを、配線と重ならない領域とほぼ同等の大きさにまで緩和することができ、クラックの発生をより効果的に抑制することができる。また、本発明の他の一態様の発光装置は、上記導電性材料はタングステンであることを特徴とする。特に、上記配線材料に用いる導電性材料としては、タングステンWを用いることが好ましい。タングステンはガラスフリットを用いた封止方法と親和性の高いガラス基板に適したガラス材料、特に無アルカリガラスと線熱膨張係数が近いため、効果的にクラックの発生を抑制することができる。またタングステンは比較的抵抗率が低いため、配線抵抗を低減できるため好ましい。さらにタングステンは高融点材料であり、レーザ光の照射工程で発生する熱に対して極めて高い耐熱性を有する。またタングステンは半導体技術と親和性が高く、薄膜トランジスタを構成する導電性材料としても用いることができる。したがって薄膜トランジスタを有する表示装置においては、薄膜トランジスタの作製工程で同時に配線を形成することができる。また、本発明の他の一態様の発光装置は、上記配線と封止材の間に、封止材と接する酸化物層を有することを特徴とする。また、封止材と上記配線との間に、封止材と接する酸化物層を設けると、密着性が向上するため好ましい。また、本発明の他の一態様の発光装置は、封止材と重畳し、且つ上記導電性材料で構成される緩衝層を有することを特徴とする。また、上記配線が設けられていない封止材と重なる領域に、上記配線と同一の導電性材料で形成された緩衝層を設けることにより、レーザ光の照射条件を共通化することができるため、工程を簡略化できる。また、本発明の他の一態様の発光装置は、上記発光デバイスは、一対の電極間に設けられた発光性の有機化合物を含む層を有することを特徴とする。また、本発明の他の一態様の発光装置は、上記発光デバイスは、一対の電極間に設けられた発光性の有機化合物を含む層と、薄膜トランジスタを有することを特徴とする。上述のように、本発明の一態様の発光装置はクラックの発生が抑制され、極めて気密性の高い封止を実現することが可能である。したがって当該発光装置に有機EL素子が適用された発光デバイスを適用することが好適である。当該発光デバイスが適用された発光装置としては、有機EL素子を光源として用いた照明装置や、有機EL素子と薄膜トランジスタを組み合わせた表示装置などが挙げられる。特に、有機EL素子と薄膜トランジスタを組み合わせた表示装置では、極めて気密性の高い封止領域内に当該薄膜トランジスタを設けることができ、薄膜トランジスタの信頼性をも向上させることができる。そのため、極めて信頼性の高い表示装置とすることができる。なお、本明細書等において、EL層とは発光素子の一対の電極間に設けられ、少なくとも発光性の有機化合物を含む層発光層とも呼ぶ、または発光層を含む積層体を示すものとする。なお、本明細書中において、発光装置とは基板上に形成された画像表示デバイス、または光源などの発光デバイスを具備するものである。したがって、画像表示デバイスが適用された表示装置や、光源が適用された照明装置などは、発光装置の一態様である。また、発光装置にコネクター、例えばFPCFlexibleprintedcircuitもしくはTABTapeAutomatedBondingテープもしくはTCPTapeCarrierPackageが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。本発明によれば、クラックの発生が抑制され、信頼性の高い発光装置を提供できる。実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の構成例について、図1乃至図3を用いて説明する。<構成例>図1Aは、本実施の形態で例示する発光装置100の上面概略図である。また、図1Bは、図1Aに示す切断線A-A’における断面概略図である。発光装置100は、第1の基板101と第2の基板111とが第2の基板111の外周部で封止材107によって封止されている。したがって、発光装置100は第1の基板101、第2の基板111及び封止材107によって囲まれた、極めて気密性の高い封止領域113を備える。また発光装置100は、封止領域113内に発光デバイス103を備える。発光デバイス103としては、有機EL素子が適用された画像表示デバイス、又は光源などを適用できる。発光デバイス103の構成例については、以降の実施の形態で説明する。また、第1の基板101上に、発光デバイス103と電気的に接続され、且つ封止領域内から封止領域外に延在する配線105を備える。配線105は、発光デバイス103を駆動するための電源電位や共通電位、及び駆動信号などの電気信号を外部から入力するための配線である。ここで配線105の一部は、封止材107と重なる領域を有する。第1の基板101及び第2の基板111としては、封止材107の形成時にかかる温度に対して耐熱性を有する材料を用いる。また、発光デバイス103からの発光が取り出される側に設けられる基板には、透光性を有する材料を用いる。第1の基板101、もしくは第2の基板111、またはその両方にガラス基板を用いることが好ましい。特に、発光デバイス103が薄膜トランジスタなどの半導体素子を有する場合には、当該半導体素子の特性を劣化させる不純物の拡散が抑制できる無アルカリガラスを用いることが好ましい。封止材107はガラス材料を含み、ガラスフリットを溶融、固化して形成される。このようにして形成された封止材107は極めてガスバリア性が高く、気密性の高い封止領域113を形成することができる。封止材107に用いるガラス材料には、第1の基板101及び第2の基板111の封止材107の形成時にかかる温度範囲における線熱膨張係数や、基板の耐熱温度などを考慮して、最適な材料を選択することができる。封止材107に用いるガラス材料として、例えば酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス及びホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された一以上の化合物を含むことが好ましい。封止材107の形成方法としては、上述の材料で構成された粉末ガラスからなるフリット材に、例えば有機溶媒で希釈した樹脂からなるバインダを混合したフリットペーストを、第1の基板101又は第2の基板111上にスクリーン印刷法やディスペンス法などを用いて塗布する。続いて仮焼成を行い、フリットペースト内の有機溶媒及びバインダを除去する。続いて有機溶剤及びバインダが除去されたフリットペーストと、対向する基板が接するように2つの基板を貼り合わせ、レーザ光を照射して溶着を行うことにより、封止材107を形成することができる。なお、封止材107内には、上記有機溶媒やバインダなどに含まれる成分、またはこれらが熱で変質した成分などが残存している場合がある。ここでレーザ光の照射時に、封止領域113の内部が不活性ガス雰囲気、又は減圧雰囲気になるように処理を行うことが好ましい。例えばレーザ光を照射する前に、あらかじめフリットペーストが塗布される領域よりも外側または内側の領域に紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂などのシール材を形成し、不活性ガス雰囲気下、又は減圧雰囲気下で2つの基板を仮接着した後、大気雰囲気下、または不活性ガス雰囲気下でレーザ光を照射して封止材107を形成する。また、当該シール材を閉曲線を成すように設けることにより、封止領域113内部が不活性雰囲気下または減圧雰囲気に保たれ、大気雰囲気下でレーザ光の照射を行うことができるため、装置構成を簡略化できる。また、あらかじめ封止領域113内部を減圧雰囲気とすることで、レーザ光の照射時に2枚の基板を押し付けるためのクランプなどの機構を用いずとも、フリットペーストと対向する基板が確実に接した状態で処理できるため好ましい。ここで、レーザ光の照射によって封止材107を形成する際、封止材107は被接着面と溶着する程度の極めて高温にまで瞬間的に加熱される。このとき、封止材107の近傍の第1の基板101、第2の基板111、及び配線105なども高温に加熱される。封止材107と重なる領域における配線105の到達温度は、封止材107の材料や、レーザ光の照射条件、レーザ光の照射領域近傍における熱伝導性及び熱容量の大きさなどによって異なるが、例えば200°C以上500°C以下にまで到達し、場合によっては200°C以上800°C以下にまで到達することもある。配線105に用いる導電性材料としては、配線105が設けられる第1の基板101に用いる基板材料に対して、線熱膨張係数の近い材料を用いる。より具体的には、導電性材料の線熱膨張係数と、基板材料の線熱膨張係数との差が、少なくとも0°Cから500°Cの範囲において5ppm/K以下、好ましくは2ppm/K以下である導電性材料を用いる。配線105に用いる導電性材料は、比較的低抵抗な材料を、使用する基板材料の有する線熱膨張係数に応じて選択して用いればよい。例えば基板材料としてガラスを用いる場合には、モリブデン、チタン、イリジウム、クロム、タンタル、白金、バナジウム、ロジウムなどの導電性材料を用いることができる。また、配線105は上述した導電性材料からなる導電膜を単層でもしくは積層して用いてもよいし、上述の導電性材料を主成分例えば含有率が50以上とした合金材料からなる膜を用いて形成しても良い。配線105に用いる導電性材料として基板材料と当該導電性材料の線熱膨張係数の差が5ppm/K以下である材料を適用することにより、配線105と重なる領域の封止材107にかかる応力の大きさを低減できる。さらに基板材料と導電性材料の線熱膨張係数の差が2ppm/K以下と極めて近い場合、配線105と重ならない領域とほぼ同等の大きさにまで緩和することができる。したがって、基板材料に合わせて最適に選択されたフリット材からなる封止材107を用いた場合でも、配線105と重なる領域における応力起因のクラックの発生を効果的に抑制することができる。さらに、配線105に用いる導電性材料の線熱膨張係数と、第1の基板101の線熱膨張係数が近い値であるため、レーザ光の照射工程でこれらが加熱された場合でも、配線105と第1の基板101との間での熱膨張の大きさの違いに伴うクラックの発生や界面の剥がれなどの不具合も効果的に抑制することができる。また、配線105に用いる導電性材料として、タングステンWを用いることが好ましい。タングステンはガラスフリットを用いた封止方法と親和性の高いガラス基板に適したガラス材料、特に上述した無アルカリガラスと線熱膨張係数が近く、且つ比較的抵抗率が低いため、クラックの発生を抑制しつつ配線抵抗を低減できるため好ましい。またタングステンは高融点材料であり、レーザ光の照射工程で発生する熱に対して極めて高い耐熱性を有するため、レーザ光の照射条件や封止材107に用いる材料の選択の自由度が高まる。さらに、タングステンは半導体技術と親和性が高く、薄膜トランジスタを構成する導電性材料としても用いることができるため、薄膜トランジスタを有する表示装置においては、薄膜トランジスタの作製工程で同時に配線105を形成することができる。<封止材と接する酸化物層を適用する構成例>ここで、配線105と封止材107の間には、封止材107と接する酸化物層を設けることにより、これらの密着性を向上させることができる。図1Cには配線105と封止材107の間に、酸化物層109を設ける例を示す。酸化物層109は配線105を覆って形成され、さらに封止材107が酸化物層109に接して設けられることにより、封止領域113が形成されている。また、封止領域113よりも外側の一部の領域において、配線105の上面の一部を露出するように酸化物層109に開口部が設けられている。当該開口部から発光デバイス103を駆動するための信号等を入力することができる。酸化物層109に用いる材料としては、金属酸化物または半導体酸化物などの比較的耐熱性の高い無機酸化物材料を用いることが好ましい。例えば、シリコン、アルミニウム、タンタル、タングステン、イットリウム、ハフニウム、ガリウムなどの酸化物を用いることができる。また酸化物層109として、配線105に用いる導電性材料の酸化物を用いることもできる。例えば配線105の表面を、酸化性を有する気体を含む雰囲気下で加熱処理又はプラズマ処理などにより酸化して得られる酸化膜を、酸化物層109として用いてもよい。または、配線105の表面に形成される自然酸化膜を酸化物層109として用いても良い。また、酸化物層109は、複数の酸化膜からなる膜を積層して用いても良い。例えば、配線105の表面を酸化して得られた酸化膜と、別途形成した酸化膜を積層したものを酸化物層109として用いても良い。なお、図1Cでは、配線105を覆うように酸化物層109を設ける構成を示しているが、酸化物層109は少なくとも封止材107と重なる領域に設ければよい。<低抵抗配線を適用する構成例>ところで、封止材107にかかる応力に起因するクラックの発生を抑制するためには、少なくとも封止材107と重なる領域の配線105に、上述の導電性材料を用いればよく、その他の領域にはより低抵抗な配線を設けても良い。以下では、配線105と、配線105よりも低抵抗な低抵抗配線115を適用する場合の構成例について、図2を用いて説明する。図2Aは、配線105と封止材107とが重なる領域付近における上面概略図である。また、図2Bは、図2A中の切断線B-B’における断面概略図である。封止材107と重なる領域には、配線105が酸化物層109を介して設けられている。また、配線105の両端部において、接続部117で低抵抗配線115と電気的に接続されている。低抵抗配線115は、封止領域113内において、一方が配線105と接続部117で電気的に接続され、他方が発光デバイス103に電気的に接続される。また封止領域113外においては、配線105と電気的に接続され、外部からの信号を伝送する配線として機能する。また図2Bに示すように配線105上には絶縁層119を設けても良い。このように、封止材107と重なる領域には第1の基板101と線熱膨張係数の近い導電性材料からなる配線105を設け、クラックの発生を抑制すると共に、その他の領域においては低抵抗配線115を用いることにより、配線抵抗の増加を抑制することができる。また、図2Cに示すように、配線105の配線幅を低抵抗配線115の配線幅以下にすると、低抵抗配線115の配線間距離を小さくすることができる。例えば発光デバイス103として極めて高精細な画像表示装置を適用する場合や、入力する信号の種類が多い場合においては、このような構成とすることにより、低抵抗な導電性材料を用いて配線幅や配線間距離をできるだけ小さくし、配線の密度を高めることができる。また、図2Dに示すように、配線105の配線幅を低抵抗配線115よりも大きくすることにより、配線105における配線抵抗の増加を抑制することができる。また、配線105の配線幅を配線間距離よりもできるだけ大きくすることにより、複数の配線105と封止材107との交差部において、レーザ光の照射条件を統一することができる。<緩衝層を適用する場合の構成例>ここで、配線105とは別に、封止材107が形成される領域に、上述の配線105に用いる材料からなる緩衝層を設けることにより、クラックの発生を抑制すると共にレーザ光の照射を単一の条件で行うことが可能となる。以下では、このような緩衝層を設ける場合について、図3を用いて例示する。図3A、B及びCは、緩衝層121が適用された発光装置100の上面概略図である。なお、図3において、明瞭化のため基板101、配線105及び緩衝層121のみを明示し、封止材107、及び発光デバイス103が形成される領域を破線で示している。図3Aでは、封止材107と重なるように、緩衝層121が封止領域113を囲うようにして設けられている。このように、封止材107と重なるようにして緩衝層121を配置することにより、クラックの発生を抑制しつつ、レーザ光の照射条件として複数の配線105が設けられている領域と同じ条件で処理を行うことができるため、作製工程を簡略化できる。なお、緩衝層121は、配線105と同一の層から形成してもよいし、緩衝層121と配線105を別々に形成してもよい。また、緩衝層121を配線105と異なる層から形成する場合には、絶縁層を介して緩衝層121と配線105とを重ねて形成し、緩衝層121を閉曲線を成すようにして配置することもできる。このように配置することにより、封止材107の下には緩衝層121が存在するため、単一のレーザ光の照射条件を用いても均一に加熱することができるため好ましい。また緩衝層121上に、配線105と同様に封止材107と接する酸化物層109を形成すると、これらの密着性が向上するため好ましい。ここで、図3Bに示すように緩衝層121に複数の開口部を設ける構成としても良い。また、図3Cに示すように複数の緩衝層121を、間隔をあけて配置する構成としてもよい。このように、封止材107と重なる領域に緩衝層121が存在しない領域を設けることにより、封止材107と導電層が重なる面積の割合を、複数の配線105が設けられている領域と同等にすることができるため、レーザ光を照射する際、レーザ光の導電層からの表面反射の影響や、レーザ光の照射領域近傍の熱特性などを揃えることができる。その結果、形成される封止材107の形状や密着性のばらつきを低減することができるため好ましい。なお、図3Cにおいて、複数の緩衝層121のそれぞれに開口部を設ける構成としても良い。本実施の形態で例示した発光装置は、ガラスフリットを溶融、固化して形成された封止材と重なる領域に設けられる配線に、基板材料に対して線熱膨張係数の近い材料を用いることにより、封止材にかかる応力の大きさを、配線と重ならない領域と同等の大きさに緩和することができ、当該応力に起因するクラックの発生を抑制できる。このような発光装置には、有機EL素子が適用された発光デバイスを用いることができる。したがってこのような発光装置とすることにより、クラックによって気密性が破られてしまうことが抑制され、極めて信頼性の高い発光装置とすることができる。本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態2本実施の形態では、発光装置に適用する発光デバイスとして薄膜トランジスタと有機EL素子とを組み合わせた画像表示デバイスを用いた表示装置の構成例について、図4及び図5を用いて説明する。図4Aは、本実施の形態で例示する表示装置200の上面概略図である。表示装置200は、第1の基板101と第2の基板111とが封止材107によって封止され、極めて気密性の高い封止領域113を有する。また封止領域113内には第1の基板101上に形成された複数の画素を有する画素部201と、画素部201を駆動する駆動回路部203を有する。また表示装置200は駆動回路部203と電気的に接続され、且つ封止領域113内から封止領域113外に延在する複数の配線105を備える。また封止領域113外において、複数の配線105と電気的に接続されるFPC205が設けられ、FPC205及び複数の配線105を介して駆動回路部203に電源電位や共通電位、及び駆動信号などの電気信号を外部から入力することができる。ここで、封止領域113内の画素部201及び駆動回路部203を含む構成が、発光デバイスに相当する。図4Bは、図4A中のFPC205、配線105、駆動回路部203、及び画素部201を含む領域を切断する切断線C-C’における断面概略図である。図4Bには、駆動回路部203としてnチャネル型のトランジスタ213とpチャネル型のトランジスタ214とを組み合わせたCMOS回路を有する例を示している。なお、駆動回路部203を構成する回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路、又はNMOS回路で構成することができる。また、本実施の形態では、画素部が形成される基板上に駆動回路部が形成されたドライバ一体型の構成を示すが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、画素部が形成された基板上とは別に駆動回路部を設けても良い。図4Bには画素部201として、一画素分の断面構造を示している。画素部201は、スイッチング用のトランジスタ215と、電流制御用のトランジスタ216と、トランジスタ216の電極ソース電極又はドレイン電極に電気的に接続された画素電極223を含む複数の画素により構成されている。また、画素電極223の端部を覆って絶縁層219が形成されている。なお、駆動回路部203や画素部201を構成するトランジスタの構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタでも良いし、逆スタガ型のトランジスタでもよい。また、トップゲート型、又はボトムゲート型のどちらのトランジスタ構造を用いても良い。また、トランジスタに用いる半導体の材料についても特に限定されず、シリコンを用いても良いし、インジウム、ガリウム、及び亜鉛の少なくともひとつを含む酸化物半導体を用いても良い。またトランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性半導体のどちらも用いることができる。発光素子221は、画素電極223、EL層225、及び共通電極227によって構成されている。発光素子の構造、材料等については後の実施の形態で詳細に説明する。画素電極223及び共通電極227に用いる導電性材料として、光射出側に設ける電極にはEL層225からの発光に対して透光性を有する材料を用い、光射出側とは反対側に設ける電極には当該発光に対して反射性を有する材料を用いる。光射出側の電極に用いることのできる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金ITO、酸化インジウム酸化亜鉛合金IZO、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。また、上記導電層として、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料や、これらの合金を用いることができる。又は、それら金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等を用いてもよい。なお、金属材料又はその窒化物を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とITOとの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。光射出側とは反対側の電極に用いることのできる反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる。またこれらの金属材料を含む金属、または合金にランタンやネオジム、ゲルマニウムなどを添加してもよい。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金アルミニウム合金や銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記透光性を有する材料からなる膜と金属材料からなる膜との積層としてもよい。例えば、銀とITOの積層、銀とマグネシウムの合金とITOの積層などを用いることができる。絶縁層219は、画素電極223の端部を覆って設けられる。絶縁層219の上層に形成される共通電極227の被覆性を良好なものとするため、絶縁層219の上端部又は下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁層219の上端部又は下端部に曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせるのが好ましい。また、絶縁層219の材料としては、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性樹脂、あるいは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や、酸化シリコン、酸窒化シリコンなどの無機化合物を用いることができる。ここで、第1の基板101の表面には、絶縁層229が形成されている。絶縁層229は、第1の基板101に含まれる不純物が拡散することを抑制する効果を奏する。また、各トランジスタのソース電極又はドレイン電極を構成する第2の導電層上に接して絶縁層231が形成されている。絶縁層231は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。絶縁層229及び絶縁層231には、不純物の拡散を抑制する無機絶縁膜を用いればよく、たとえば酸化シリコンや酸化アルミニウムなどの半導体酸化物または金属酸化物を用いることができる。なお、絶縁層229及び絶縁層231は、不要であれば設けなくても良い。また、各トランジスタを覆う絶縁層241としては、例えば酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁物を用いることができる。また、アクリル、ポリイミド、シロキサンなどの有機絶縁物を用いても良い。第2の基板111には、発光素子221と重なる位置にカラーフィルタ233が設けられている。カラーフィルタ233は発光素子221からの発光色を調色する目的で設けられる。例えば、白色発光の発光素子を用いてフルカラーの表示装置とする場合には、異なる色のカラーフィルタを設けた複数の画素を用いる。その場合、赤色R、緑色G、青色Bの3色を用いても良いし、これに黄色Yを加えた4色とすることもできる。また、隣接するカラーフィルタ233の間には、ブラックマトリクス235が設けられている。ブラックマトリクス235は隣接する画素の発光素子221からの光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、カラーフィルタ233の端部を、ブラックマトリクス235と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。ブラックマトリクス235は、発光素子221からの発光を遮光する材料を用いることができ、金属や、有機樹脂などの材料を用いて形成することができる。なお、ブラックマトリクス235は、駆動回路部203などの画素部201以外の領域と重なる位置に設けても良い。また、カラーフィルタ233及びブラックマトリクス235を覆うオーバーコート237を設けても良い。オーバーコート237は、発光素子221からの発光を透過する材料から構成され、例えば無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。なお、オーバーコート237は不要であれば設けなくても良い。また、図4Bに示す断面概略図では、発光素子221を1つのみ図示しているが、画素部201においては、複数の発光素子がマトリクス状に配置されている。例えば、画素部201に3種類R、G、Bの発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示が可能な表示装置を構成することができる。また後の実施の形態で例示する白色発光のEL層を有する発光素子とカラーフィルタを組み合わせることによりフルカラー表示が可能な表示装置とすることができる。また、当該発光素子は、上面射出方式トップエミッション方式ともいう。、下面射出方式ボトムエミッション方式ともいう。、または両面射出方式のいずれも採ることができる。下面射出方式でカラーフィルタを用いる場合には、光射出側にカラーフィルタを設ければよい。第1の基板101と第2の基板111とは第2の基板111の外周部において封止材107によって接着され、封止領域113が形成されている。したがって、発光素子221は封止領域113内に設けられている。封止領域113は、希ガス又は窒素ガスなどの不活性ガス、または有機樹脂やゲルなどで充填されていてもよく、減圧雰囲気となっていても良い。封止領域113内をガスや固体、ゲルなどで充填する場合や、減圧雰囲気とする場合、封止領域113内を水や酸素などの不純物が低減されている状態とすると発光素子221の信頼性が向上するため好ましい。また、駆動回路部203に電気的に接続する配線105が、封止領域113外にまで引き出され、封止領域113外の一部で接続体239を介してFPC205と電気的に接続されている。ここでは、各トランジスタのゲート電極を構成する第1の導電層と同一の層で配線105が構成されている。配線105は、各トランジスタを覆う絶縁層241に設けられた開口部において駆動回路部203と電気的に接続されている。本構成では、配線105を各トランジスタのゲート電極を構成する第1の導電層と同一の層で構成するため、トランジスタを形成する工程で配線105を同時に形成することができ、工程を簡略化できる。また、配線105の封止材107と重なる領域では、配線105上に封止材107と接する酸化物層として絶縁層231が設けられている。この場合、絶縁層231は、実施の形態1で例示した酸化物層109と同様の構成を用いることができる。本構成では、各トランジスタのソース電極及びドレイン電極を覆う絶縁層231と同一の層で構成したが、異なる材料を用いて別途形成してもよい。当該酸化物層を封止材107と接して設けることにより、封止材107との密着性を向上させることができる。また、各トランジスタを覆う絶縁層241を半導体酸化物又は金属酸化物で形成する場合には、当該絶縁層241を封止材107と接する酸化物層として用いても良い。このように、封止材107と接する酸化物層には、トランジスタや発光素子を構成し、且つ配線105に用いる導電層よりも上層に設けられる酸化物からなる絶縁層を適用することができる。酸化物層を当該絶縁層と同時に形成することにより作製工程を簡略化することができる。配線105とFPC205とは、接続体239を介して電気的に接続される。接続体239としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状またはシート状の材料を用い、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状となった粒子を用いることが好ましい。また、封止材107と重なる他の領域には、緩衝層121が設けられている。緩衝層121は、配線105と同一の層で形成することができる。また、緩衝層121上には、配線105と同様に封止材107と接する酸化物膜として絶縁層231が設けられている。このように封止材107と重なる領域に緩衝層121を設けることにより、封止材107を形成する際、単一のレーザ照射条件を用いて形成することができるため、工程が簡略化できる。ここで、配線105は、少なくとも封止材107と重なる領域に設ければよく、それ以外の領域に低抵抗配線を用いることにより、配線抵抗を低減できる。以下では、低抵抗配線を適用する場合の例について図5を用いて説明する。図5Aに示す構成では、接続体239を介してFPC205と電気的に接続する低抵抗配線115が設けられている。低抵抗配線115は、封止領域113外において、絶縁層241に設けられた開口部を介して配線105と低抵抗配線115が電気的に接続されている。したがって、封止材107と重なる領域以外の領域では低抵抗配線115が適用されているため、配線抵抗を低減することができる。低抵抗配線115は、例えば各トランジスタのソース電極又はドレイン電極と同一の層、又は画素電極223と同一の層、またはこれらの積層から構成することができる。このようにトランジスタや発光素子に用いる導電層で低抵抗配線115を構成することにより、これらの作製工程で同時に低抵抗配線115を形成することができ、工程が簡略化できる。また、図5Aに示すように、接続体239と重なる領域には低抵抗配線115と配線105と同一の導電層を積層させて設けることにより、FPC205との接続部の配線強度を高めることができるため好ましい。図5Bに示す構成では、封止領域113外において、配線105と低抵抗配線115を積層して引き出し配線として用いている。このように、2以上の配線を積層して用いることにより、配線抵抗をさらに低減できるため好ましい。本実施の形態で例示した表示装置は、ガラスフリットを溶融、固化して形成された封止材と重なる領域に設けられる配線に、基板材料に対して線熱膨張係数の近い材料を用いることにより、封止材にかかる応力の大きさを、配線と重ならない領域と同等の大きさに緩和することができ、当該応力に起因するクラックの発生を抑制できる。したがってこのような有機EL素子が適用された表示装置とすることにより、クラックによって気密性が破られてしまうことが抑制され、極めて信頼性の高い表示装置とすることができる。本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態3本実施の形態では、発光装置に適用する発光デバイスとして、有機EL素子を有する光源を用いた照明装置の一例について、図6を用いて説明する。図6Aは、本実施の形態で例示する照明装置300の上面概略図である。ここで、図6Aには明瞭化のため、上部電極307及びEL層305は明示せず、また第2の基板111は破線で示している。照明装置300は、第1の基板101、第2の基板111、封止材107に囲まれた封止領域113内に、有機EL素子が適用された発光素子311を有する。また、有機EL素子を構成する下部電極303に電気的に接続される配線105bと、上部電極307に電気的に接続される低抵抗配線115に電気的に接続される配線105aが、封止領域113内から外側に延在して設けられている。また封止領域113外には当該配線105a及び配線105bにそれぞれ電気的に接続される接続電極309a及び309bが設けられている。したがって、照明装置300は、接続電極309aと接続電極309bの間に電圧を印加することにより、発光素子311を発光させることができる。ここで、封止領域113内に設けられた下部電極303及び上部電極307を含む発光素子311、並びに低抵抗配線115を含む構成が発光デバイスに相当する。図6Bは、図6A中の接続電極309a、配線105a、低抵抗配線115、及び下部電極303を含む領域を切断する切断線D-D’における断面概略図である。発光素子311は絶縁層313上に形成され、下部電極303、EL層305、及び上部電極307から構成される。発光素子の構造、材料等については後の実施の形態で詳細に説明する。また、絶縁層313上には低抵抗配線115が発光素子311を囲うように設けられている。低抵抗配線115と、下部電極303の端部は、絶縁層315によって覆われている。絶縁層315としては、実施の形態2で例示した絶縁層219と同様の構成を用いることができる。上部電極307は、絶縁層315に形成された開口部を介して低抵抗配線115に電気的に接続されている。このように、複数の発光素子311を設け、発光素子間に上部電極307と電気的に接続する低抵抗配線115を設けることにより、上部電極307の抵抗に起因する電位降下が抑制され、発光輝度ムラを改善することができるため好ましい。ここで、図6Bでは、明瞭化のため下部電極303と低抵抗配線115を異なるハッチングパターンを用いて明示しているが、下部電極303が十分に低抵抗な場合には、これらを同じ膜を用いて同時に形成してもよい。また、本実施の形態では低抵抗配線115と下部電極303とが重ならないように並列して設ける構成としたが、これらが絶縁されていれば良い。たとえば、低抵抗配線115を下部電極303上に絶縁層を介して設けてもよい。低抵抗配線115の一部は、絶縁層313に形成された開口部を介して配線105aに電気的に接続される。配線105aは封止領域113外に延在し、接続電極309aと電気的に接続される。ここで、配線105a及び配線105bは、少なくとも封止材107と重なる領域に設ければよい。本実施の形態では、封止領域113外では配線105a及び配線105bを引き回す構成としたが、上記実施の形態で例示したように低抵抗配線115を用いて引き回しても良い。また、配線105a及び配線105b上に、封止材107と接する酸化物層を設けることにより、封止材107との密着性を向上させることができる。また、上記実施の形態で例示した緩衝層121を、封止材107と重なる領域に設けてもよい。本実施の形態で例示した照明装置は、ガラスフリットを溶融、固化して形成された封止材と重なる領域に設けられる配線に、基板材料に対して線熱膨張係数の近い材料を用いる。したがって封止材にかかる応力の大きさを、配線と重ならない領域と同等の大きさに緩和することができ、当該応力に起因するクラックの発生を抑制できる。したがってこのような有機EL素子が適用された照明装置とすることにより、クラックによって気密性が破られてしまうことが抑制され、極めて信頼性の高い照明装置とすることができる。本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態4本実施の形態では、本発明の一態様に適用できるEL層の一例について、図7を用いて説明する。図7Aに示すEL層405は、第1の電極403と第2の電極407の間に設けられている。第1の電極403及び第2の電極407は、実施の形態2で例示した画素電極または共通電極、または実施の形態3で例示した下部電極または上部電極と同様の構成を適用することができる。本実施の形態で例示するEL層405を有する発光素子は、上記実施の形態で例示した発光装置に適用可能である。EL層405は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていればよい。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。本実施の形態において、EL層405は、第1の電極403側から、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電子輸送層704、及び電子注入層705の順で積層されている。なお、これらを反転させた積層構造としてもよい。図7Aに示す発光素子の作製方法について説明する。正孔注入層701は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン略称:H2Pc、銅IIフタロシアニン略称:CuPc等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。また、低分子の有機化合物である芳香族アミン化合物等を用いることができる。さらに、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等を用いることもできる。また、酸を添加した高分子化合物を用いることができる。特に、正孔注入層701として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、第1の電極403からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層701を形成することにより、第1の電極403からEL層405への正孔注入が容易となる。複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。複合材料に用いることのできる有機化合物としては、芳香族アミン化合物や、カルバゾール誘導体、そのほか正孔移動度の高い芳香族炭化水素化合物を用いることができる。また、電子受容体としては、有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。なお、高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層701に用いてもよい。正孔輸送層702は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、芳香族アミン化合物を用いることができる。これらは主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、正孔輸送層702には、カルバゾール誘導体や、アントラセン誘導体や、そのほか正孔輸送性の高い高分子化合物を用いてもよい。発光性の有機化合物を含む層703は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。なお、発光性の有機化合物を含む層703としては、発光性の有機化合物ゲスト材料を他の物質ホスト材料に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位LUMO準位が高く、最高被占有軌道準位HOMO準位が低い物質を用いることが好ましい。また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するために結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うために、さらに異なる物質を添加してもよい。ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光性の有機化合物を含む層703の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。また、発光性の有機化合物を含む層703として高分子化合物を用いることができる。また、発光性の有機化合物を含む層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性の有機化合物を含む層を2つ有する発光素子において、第1の発光性の有機化合物を含む層の発光色と第2の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有機化合物を含む層を3つ以上有する発光素子の場合でも同様である。電子輸送層704は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。電子注入層705は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層705には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層704を構成する物質を用いることもできる。なお、上述した正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電子輸送層704、電子注入層705は、それぞれ、蒸着法真空蒸着法を含む、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。EL層は、図7Bに示すように、第1の電極403と第2の電極407との間に複数積層されていてもよい。この場合、積層された第1のEL層800と第2のEL層801との間には、電荷発生層803を設けることが好ましい。電荷発生層803は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層803は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のEL層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のEL層の構造と組み合わせて用いることができる。また、それぞれのEL層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第1のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つ以上のEL層を有する発光素子の場合でも同様である。また、演色性の良い白色発光を得る場合、発光スペクトルが可視光全域に広がるものとする必要があり、3つ以上のEL層が積層された発光素子とすることが好ましい。例えばそれぞれ赤色、青色、緑色の発光色のEL層を積層して発光素子を形成することができる。このように異なる3色以上のEL層が積層された発光素子とすることにより演色性を高めることができる。第1の電極403と第2の電極407との間に光学調整層を形成してもよい。光学調整層は、反射性を有する電極と透過性を有する電極との間の光学距離を調整する層である。光学調整層を設けることにより、特定の範囲の波長の光を強調することができるため、色調を調整することができる。EL層405は、図7Cに示すように、第1の電極403と第2の電極407との間に、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電子輸送層704、電子注入バッファー層706、電子リレー層707、及び第2の電極407と接する複合材料層708を有していてもよい。第2の電極407と接する複合材料層708を設けることで、特にスパッタリング法を用いて第2の電極407を形成する際に、EL層405が受けるダメージを低減することができるため、好ましい。複合材料層708は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。さらに、電子注入バッファー層706を設けることで、複合材料層708と電子輸送層704との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層708で生じた電子を電子輸送層704に容易に注入することができる。電子注入バッファー層706には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物アルカリ金属化合物酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む、アルカリ土類金属化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む、または希土類金属の化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。また、電子注入バッファー層706が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物アルカリ金属化合物酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む、アルカリ土類金属化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む、または希土類金属の化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含むの他、テトラチアナフタセン略称:TTN、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層704の材料と同様の材料を用いて形成することができる。さらに、電子注入バッファー層706と複合材料層708との間に、電子リレー層707を形成することが好ましい。電子リレー層707は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の高い電子リレー層707を設けることで、電子注入バッファー層706へ電子を速やかに送ることが可能となる。複合材料層708と電子注入バッファー層706との間に電子リレー層707が挟まれた構造は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層706に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造である。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。電子リレー層707は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のLUMO準位は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるように形成する。また、電子リレー層707がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準位も複合材料層708におけるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるようにする。具体的なエネルギー準位の数値としては、電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位は-5.0eV以上、好ましくは-5.0eV以上-3.0eV以下とするとよい。電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属-酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。電子リレー層707に含まれる金属-酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては、金属-酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属-酸素の二重結合はアクセプター性電子を受容しやすい性質を有するため、電子の移動授受がより容易になる。また、金属-酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる。したがって、金属-酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低電圧でより安定に駆動することが可能になる。金属-酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ましい。特に、分子構造的に金属-酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高い材料を用いることが好ましい。なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。具体的にはPhO-VOPcのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。電子リレー層707はさらにドナー性物質を含んでいてもよい。ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物アルカリ金属化合物酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩を含む、アルカリ土類金属化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む、又は希土類金属の化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含むの他、テトラチアナフタセン略称:TTN、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子リレー層707にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記した材料の他、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より高いLUMO準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては、-5.0eV以上、好ましくは-5.0eV以上-3.0eV以下の範囲にLUMO準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層707を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。なお、電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層707を形成すればよい。正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、及び電子輸送層704は前述の材料を用いてそれぞれ形成すればよい。以上により、本実施の形態のEL層405を作製することができる。本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態5本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置が適用された電子機器や照明装置の例について、図8を用いて説明する。発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図8に示す。図8Aは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置7100は、筐体7101に表示部7103が組み込まれている。表示部7103により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部7103に用いることができる。また、ここでは、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示している。テレビジョン装置7100の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置7100は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者又は双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図8Bはコンピュータであり、本体7201、筐体7202、表示部7203、キーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部7203に用いることにより作製される。図8Cは携帯型遊技機であり、筐体7301と筐体7302の2つの筐体で構成されており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には表示部7304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、図8Cに示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部7307、LEDランプ7308、入力手段操作キー7309、接続端子7310、センサ7311力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの、マイクロフォン7312等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部7304および表示部7305の両方、又は一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図8Cに示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図8Cに示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。図8Dは、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機7400は、筐体7401に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、発光装置を表示部7402に用いることにより作製される。図8Dに示す携帯電話機7400は、表示部7402を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示入力モードである。例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部7402の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。また、携帯電話機7400内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機7400の向き縦か横かを判断して、表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、又は筐体7401の操作ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表示部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部7402に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。図8Eは、照明装置の一例を示している。照明装置7500は、筐体7501に光源として本発明の一態様の発光装置7503a~7503dが組み込まれている。照明装置7500は、天井や壁等に取り付けることが可能である。また、長時間使用しても目が疲労し難い明度が高く淡い色を呈する光と、鮮やかな赤色と、異なる鮮やかな色を呈する光を発する発光パネルを備える。発光素子を駆動する条件を発光色ごとに調整することで、使用者が色相を調節できる照明装置を実現できる。図9A及び図9Bは2つ折り可能なタブレット型端末である。図9Aは、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体9630、表示部9631a、表示部9631b、表示モード切り替えスイッチ9034、電源スイッチ9035、省電力モード切り替えスイッチ9036、留め具9033、操作スイッチ9038、を有する。なお、当該タブレット端末は、発光装置を表示部9631a、表示部9631bの一方又は両方に用いることにより作製される。表示部9631aは、一部をタッチパネルの領域9632aとすることができ、表示された操作キー9637にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部9631aにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部9631aの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部9631aの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部9631bを表示画面として用いることができる。また、表示部9631bにおいても表示部9631aと同様に、表示部9631bの一部をタッチパネルの領域9632bとすることができる。また、タッチパネルのキーボード表示切り替えボタン9639が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで表示部9631bにキーボードボタン表示することができる。また、タッチパネルの領域9632aとタッチパネルの領域9632bに対して同時にタッチ入力することもできる。また、表示モード切り替えスイッチ9034は、縦表示または横表示などの表示の向きを切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えスイッチ9036は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光センサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を内蔵させてもよい。また、図9Aでは表示部9631bと表示部9631aの表示面積が同じ例を示しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネルとしてもよい。図9Bは、閉じた状態であり、タブレット型端末は、筐体9630、太陽電池9633、充放電制御回路9634、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636を有する。なお、図9Bでは充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ9636を有する構成について示している。なお、タブレット型端末は2つ折り可能なため、未使用時に筐体9630を閉じた状態にすることができる。従って、表示部9631a、表示部9631bを保護できるため、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。また、この他にも図9A及び図9Bに示したタブレット型端末は、様々な情報静止画、動画、テキスト画像などを表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェアプログラムによって処理を制御する機能、等を有することができる。タブレット型端末の表面に装着された太陽電池9633によって、電力をタッチパネル、表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池9633は、筐体9630の一面または二面に効率的なバッテリー9635の充電を行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。また、図9Bに示す充放電制御回路9634の構成、及び動作について図9Cにブロック図を示し説明する。図9Cには、太陽電池9633、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9638、スイッチSW1乃至SW3、表示部9631について示しており、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9638、スイッチSW1乃至SW3が、図9Bに示す充放電制御回路9634に対応する箇所となる。まず外光により太陽電池9633により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようDCDCコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に太陽電池9633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9638で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。なお太陽電池9633については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧電素子ピエゾ素子や熱電変換素子ペルティエ素子などの他の発電手段によるバッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線非接触で電力を送受信して充電する無接点電力電送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。また、上記実施の形態で説明した表示部を具備していれば、図9に示した電子機器に特に限定されないことは言うまでもない。上述した電子機器や照明装置などの発光装置は、ガラスフリットを溶融、固化して形成された封止材と重なる領域に設けられる配線に、基板材料に対して線熱膨張係数の近い材料を用いることにより、封止材にかかる応力の大きさを、配線と重ならない領域と同等の大きさに緩和することができ、当該応力に起因するクラックの発生を抑制できる。したがってこのような有機EL素子が適用された発光装置は、クラックによって気密性が破られてしまうことが抑制され、極めて信頼性の高い電子機器や照明装置などの発光装置とすることができる。本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。