平均粒径が03~2μm及び最大粒径が5μm以下であり、比表面積から算出した平均粒径が、レーザー回折法により測定した体積積算平均粒径の56~133であり、粒径の幾何標準偏差が1.6以下で凝集が少なく分散性に優れ、且つ炭素含有量が0.2質量以下炭素含有量が0質量の場合を含む。であることを特徴とする真球状錫微粉末。本発明は、上記した従来の事情に鑑み、粒径が微小で且つ粗粒を含まず、多層配線基板の導電ペースト用や導電樹脂用の導電性粒子として好適な真球状の錫微粉末を提供することを目的とする。本発明者らは、導電ペースト用や導電樹脂用の錫微粉末を製造する方法について鋭意検討した結果、形状が真球状で且つ好適な粒径の金属微粒子の製造に適したプラズマ法に着目すると共に、生成装置内の温度を調整することによって、粒径が微小で且つ粗粒を含まず、分散性の良好な真球状錫微粉末が製造できることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。即ち、本発明が提供する真球状錫微粉末は、平均粒径が03~2μm及び最大粒径が5μm以下であり、比表面積から算出した平均粒径が、レーザー回折法により測定した体積積算平均粒径の56~133であり、粒径の幾何標準偏差が1.6以下で凝集が少なく分散性に優れ、且つ炭素含有量が0.2質量以下炭素含有量が0質量の場合を含む。であることを特徴とするものである。本発明によれば、粒径が均一で且つ粗粒を含まず、分散性に優れた真球状の錫微粉末を効率的に製造することができる。また、有機溶剤の付着を必要としないため、装置プロセスの簡略化とコストダウンを図ることができる。また、この錫微粉末は平均粒径が03~2μmと小さく且つ5μmを超える粗粒を含まないため、微細な配線ピッチが要求される導電ペースト及び導電樹脂の導電性粒子として、特にスルーホール用の導電ペーストの導電性粒子として好適に使用することができる。本発明の真球状錫微粉末は、プラズマ法により非酸化性雰囲気において製造される。プラズマ法による粉末の製造は、プラズマの高温場に曝すことによって被加熱原料を蒸発させた後、凝縮させることで微粒子を生成させるものである。本発明ではプラズマを利用し、錫あるいは錫化合物を原料としてプラズマ内に投入し、蒸発させた後、凝縮させて錫微粉末を製造する。本発明の錫微粉末は高純度で形状が真球状であり、微細な配線ピッチが要求される導電ペースト等に適した粒径の錫微粉末である。具体的には、平均粒径が03~2μmと小さく且つ最大粒径が5μm以下であり、粗粒を含まない。平均粒径が2μmを超えるか又は最大粒径が5μmを超えると、微細な配線ピッチ用の導電ペースト等への適用が難しくなり、また平均粒径が03μm未満では微粒子同士の凝集が起こりやすくなる。また、本発明の錫微粉末は、粒径の幾何標準偏差が1.6以下である。粒径の幾何標準偏差とは、平均粒径を積算篩した1587径で除したもの、あるいは、積算篩した8413径を平均粒径で除したものであり、粒径分布の均一度を示す指標として広く用いられている。本発明では幾何標準偏差の算出にレーザー回折法による体積積算の測定値を用いた。ここで、幾何標準偏差が1.6を越えると均一に塗布できないか焼結時にクラックが発生する可能性がある。塗布時の均一性並びに焼結時のクラック防止を考慮すると、粒径の幾何標準偏差は14以下であることがより好ましい。さらに本発明の錫微粉末は、炭素含有量が0.2質量以下であり焼成が容易に進む。特に、炭素含有量が0重量の場合には、焼結させたとき、粒界に炭素がないため、粒界拡散、表面拡散、体積拡散などがより低温で起こりやすく、焼結が進行するため、より好ましい。炭素含有量が0.2質量を超えると焼結温度を高くすることが必要となる場合があるので、好ましくない。本発明の錫微粉末では、比表面積から求めた平均粒径以下、比表面積径が、レーザー回折法による体積積算平均粒径D50の50~150の範囲となるような値になっている。比表面積径とレーザー回折法による平均粒径が近いほど分散性が良く、ペースト等として塗布する際に均一な膜形成が可能となり、焼成時にも収縮が均一でクラック等の発生を防止することができる。さらに、レーザー回折法、電子顕微鏡SEM観察、比表面積法により測定した粒径が、ほぼ同等になっていることから、分散性が一層優れていることがわかる。また、この真球状錫微粉末は、高温に晒されて高結晶性であるため耐酸化性にも優れている。一般に金属微粒子は表面活性が高いうえ、錫は低融点金属であるため、粒成長凝集などが起こりやすい。しかし、本発明においては、錫微粒子の生成時の温度ならびに生成から回収までの間の搬送ガス温度を適切に制御するので、有機溶媒被覆などによる凝集抑制を行なわずとも、粒成長及び凝集を抑制することができる。したがって、高純度で低温焼成に優れた錫微粉が得られる。すなわち、本発明の錫微粉末の製造方法においては、プラズマ法を用いて、原料をプラズマ内に投入して蒸発させた後、凝縮させて錫微粒子を生成させる。このとき、本発明の製造方法では、プラズマ出力、原料供給量および生成量を制御して錫の一次粒子生成部の温度を錫微粉末の所望の粒径の融合温度以下とするとともに回収室の雰囲気温度を前記融合温度以下に保持することによって分散性に優れた真球状錫微粉末を得ることを特徴とする。ここで、上記プラズマ法としては、高周波プラズマ、あるいはアークプラズマのような熱プラズマを用いることが好ましい。プラズマ法においては、原料はプラズマにより蒸発し、プラズマ外炎部で急速に凝縮する。凝縮直後においては、凝集粒子同士は容易に融合して微粒子を生成する。融合は融合温度に対応する粒子径まで続く。すなわち、一次粒子は、微粒子の融合温度によって決まる粒子径まで成長する。さらに、搬送時も雰囲気温度が一次粒子の融合温度よりも高い場合には、融合を起こしてより大きな粒子へと成長するか一次粒子が強固に凝集した粗大粒子二次粒子となる。本発明における最大粒子には、このような二次粒子を含むものである。従って、一次粒子生成部の温度を所望の粒径の融合温度よりも低い温度に制御することが重要であり、この温度制御により生成する錫微粒子の粒径を制御することが可能となる。また、生成した微粒子を搬送ガスで搬送する間の温度を所望の粒径の融合温度よりも低い温度に保持することにより、得られる錫微粉末の粒径及び分散性を所望の好ましい範囲に調整することが可能である。一般的に微粉末の融合温度は、式1で示される2粒子間の焼結モデル計算により容易に見積もることが可能である。錫の場合には、物性、集結メカニズムを考慮して式1から導かれた式2より計算される。例えば、凝縮から一次粒子生成までの時間を0.1秒とすると、粒径03μmの微粒子は100°C程度で融合し、また粒径が2μmの場合には190°C程度で融合して、大きな粒子に成長しやすいか凝集を起こしやすい。したがって、一次粒子生成部の温度を20~190°Cに制御することが好ましい。式1:τA×dpm×exp式2:τ122×107×dp×T×expτ;焼結特性時間と呼ばれる速度定数、A;焼結機構に依存する定数、dp;一次粒子径、E;固相拡散の活性化エネルギー、m;成長モデルパラメーター、Rg;ガス定数、T;温度ただし、平均粒径が1μmを超えると最大粒子径あるいは凝集粒子径が5μmを超える可能性が高くなる。したがって、一次粒子生成部の温度は平均粒径が1μm以下となる融合温度が好ましく、2粒子間の焼結モデルの計算から前記D50が05μmとした場合の融合温度である130°C以下とすることがより好ましく、120°C以下とすることが特に好ましい。さらに、前記平均粒径05μmの融合温度である130°Cを越えるような温度の場合には、融合により最大粒子径あるいは凝集粒子径が5μmを超える可能性が高くなるため、温度変動も少ないことが好ましく、たとえば30°C以下にすることがより好ましい。具体的には、プラズマ出力、雰囲気圧力、ガス流量、原料供給量などを制御することによって、一次粒子生成部の温度を所望の粒径の融合温度よりも低い温度に調整することで、得られる錫微粉末の粒径及び分散性を所望の好ましい範囲にすることが可能である。特にプラズマ出力、原料供給量もしくは生成速度を制御することにより所望の粒径及び分散性の錫微粉末が得られる。また、錫微粉末の粒径や分散性は、原料供給量や生成速度によっても変化する。原料供給量が多くなるか生成速度が大きいと、一次粒子が生成した直後の温度を制御しても、凝集粒子同士の衝突が多く一次粒子が大きく成長してしまう。したがって、原料供給量が少ないほど、また生成速度が低いほど、得られる微粉末の粒径が小さくなり且つ分散性が向上する。プラズマ出力を制御する範囲として、例えば、高周波プラズマ装置を用いる場合は、プラズマ出力を60~170kWとすることが好ましく、60~100kWとすることがより好ましい。原料供給量は1~70g/分とすることが好ましく、10~30g/分とすることがより好ましい。プラズマ出力が60kW未満であると未蒸発の原料が多くなり効率が悪く、170kWを超えると一次粒子生成部の温度が高くなり、粒径が大きくなり分散性も低下してしまう。原料供給量が、1g/分未満であると一次粒子生成部の温度が高くなり、粒径が大きくなってしまい、70g/分を超えると凝集粒子同士の衝突が多く、一次粒子が大きく成長してしまう。また、プラズマ出力と原料供給量は相互に影響を及ぼすため、プラズマ出力と原料供給量は同時に調整することが好ましい。すなわち、原料供給量が少なくなると一次粒子生成部の温度が不安定かつ高くなる傾向があるため、プラズマ出力を低くすることが必要であり、原料供給量が多くなると未蒸発の原料が増えるため、プラズマ出力を高くすることが必要である。すなわち、プラズマ出力Pと1分間当たりの原料供給量Mの比P/Mを0.85~13kW/gとすることが好ましく、8kW/g以下とすることがより好ましい。アークプラズマ装置の場合、好ましい出力範囲は電流150~250A、電圧15~40Vであり、電流150~200A、電圧20~30Vの範囲がより好ましい。原料はバルクで使用するため、生成量により制御することが好ましく、生成量を1~10g/分とすることが好ましく、1~6g/分とすることがより好ましい。アークプラズマ装置では、プラズマ出力を増加させると生成量が大きくなる傾向にあるが、好ましい粒径を得るためにはプラズマ出力と生成量の比を制御することが好ましく、プラズマ出力Pと1分間当たりの生成量Mの比P/Mは、高周波プラズマ装置と同等にすることが好ましい。プラズマ法における雰囲気は、非酸化性雰囲気とすることが好ましい。原料として錫を用いた場合には、蒸発時の錫の酸化反応を防止するために、一般的にはアルゴンなどの不活性ガスをプラズマガスとシースガスとからなる雰囲気ガスとして使用する。さらに、不活性ガスに水素を混合して使用すれば、錫の酸化防止と同時に錫の蒸発速度を向上させることができる。また、原料として錫化合物を用いた場合には、熱力学的に還元可能な水素量を混ぜた不活性ガス、例えば、アルゴンと水素の混合ガスを雰囲気ガスとして用いることで錫微粉末を製造することができる。水素は蒸発速度を向上させるため、雰囲気ガスへの混合量が多くなると生成した錫微粒子同士の衝突による凝集が起こりやすくなり、一次粒子生成部の温度による粒径制御が困難となる。したがって、水素の混合量は5~50容量とすることが好ましい。以上のように本発明の製造方法においては、有機溶剤等による被覆を行なわずとも粒径が均一で凝集が少なく分散性に優れた真球状錫微粉末が得られることから、本発明の真球状錫微粉末は高純度で低温焼成における焼結特性にも優れている。本発明による真球状錫微粉末およびその製造方法を実施例を用いて詳細に説明するが、本発明は実施例に何ら限定されるものではない。本発明の実施例1~5においては、図1に示す最高入力200kWの高周波プラズマ微粉製造装置高周波プラズマ発振機:日本電子社製TP-12020、水冷生成室:内径660mm、長さ約1000mmを用いて、錫微粉末を製造した。すなわち、プラズマガス供給口6からプラズマガス、シースガス供給口8からシースガスとして合わせてアルゴンガスを150~200リットル/分及び水素ガスを10~40リットル/分の流量で混合して供給した。シースガスとプラズマガスの比率は、一次粒子生成部での温度によりシースガス:プラズマ=6:4~8:2で調整した。プラズマトーチ1に約80kWの入力で高周波プラズマを点火して、安定したプラズマ炎9を得た。投入した原料粉末は、プラズマ炎中で瞬時に蒸発気化し、温度が低くなるプラズマ尾炎部10でほとんどが凝縮し微粉化して一次粒子となる。しかしながら、プラズマ尾炎部10から冷却配管入口3までに錫の融合温度以上の領域が存在すると、衝突確立にも影響を受けるが、粒子間で合体融合して粒子が粗大化するか二次粒子体が形成される。融合温度以下では軽いネッキングによる二次凝集体が形成される。したがって、微粉末を得て分散化させるためには、一次粒子生成部、すなわち生成室内の温度制御が重要であり、その温度制御を行なうとともに、冷却配管入口3に温度計を設置して温度を計測した。原料粉末供給口7から、錫粉末和光純薬工業株製、203-15305TinPowder、粒径-45μm、純度995を導入して、10g/分の原料供給量でアルゴンガス20リットル/分とともにプラズマ炎9の内部に供給した。プラズマガス供給口6とシースガス供給口8から合計でアルゴンガスを160リットル/分及び水素ガスを20リットル/分の流量で混合して供給した。雰囲気圧力は90kPaとした。プラズマトーチ1には77kWの入力で高周波プラズマを点火して、安定したプラズマ炎9を得た。このプラズマ炎9は10000°C以上であるため、原料粉末は瞬時に蒸発気化し、温度が低くなるプラズマ尾炎部10で凝縮し、微粉化した。生成した錫微粉末は、冷却チャンバー19から冷却配管入口3に移動し、冷却配管4を搬送されて、大気雰囲気に暴露することなく回収装置5に到達した。2粒子間の焼結モデルの計算からD50=05μmとした場合の融合温度は130°Cであるが、冷却配管入口3の温度計による計測では116~127°Cを示した。また、前記プラズマ出力と原料供給量の比P/Mは、7.7kW/gである。得られた錫微粉末は、回収装置5内にて、アルゴンに約5容量の酸素を混合した雰囲気中で1時間保持する徐酸化処理を行った後、装置から回収した。なお、以下の実施例においても回収は同様の方法で行った。得られた錫微粉末の走査型電子顕微鏡株日立ハイテクノロジーズ製、S-4700:以下SEMと記載写真を図2に示す。図2より、得られた錫微粉末は真球状であって凝集のない微粉末であることがわかる。この錫微粉末の粒度分布は、レーザー回折法日機装株製、MICROTRACHRAMODEL:9320-X100によれば、体積積算でD10=030μm、D50=046μm、D90=092μm、D100=231μmであり、粒径の幾何標準偏差は1.40であった。図2のSEM写真から求めた粒度分布は、D10=019μm、D50=043μm、D90=075μm、D100=236μmであり、レーザー回折法による粒度分布と同等であることから、分散性に優れた微粉末であることが確認できた。また、比表面積径が0.53μmに対してマイクロトラックからの平均粒径は0.46μmであり、115に入っていることからも分散性も良いものができていることがわかる。さらに、燃焼非分散赤外吸収法により炭素分析を行なったところ、炭素含有量は0.01質量であった。尚、JISZ2512に準拠してタップ密度測定を行ったところ、タップ密度は、2.1g/ccであった。以上より、得られた錫微粉末は、粗粒を含まず分散性に優れた真球状の錫微粉末が得られたことがわかる。錫粉末福田金属箔粉工業株製、Sn-At-200、粒径-75μm、純度99の変更以外は、実施例1と同様にして錫微粉末を作製した。冷却配管入口3の温度計による計測では実施例1と同様に116~127°Cを示した。この錫微粉末の粒度分布は、レーザー回折法によれば、体積積算でD10=032μm、D50=051μm、D90=1.06μm、D100=2.75μmであり、粒径の幾何標準偏差が1.45であった。また、比表面積径が0.63μmであり、レーザー回折法による平均粒径の124に入っていることより、分散性も良い錫微粉末ができていることがわかる。さらに、実施例1と同様に炭素分析を行なったところ、炭素含有量は0.01質量であった。原料粉末供給口7から、錫粉末福田金属箔粉工業株製、Sn-At-200、粒径-75μm、純度99を30g/分の原料供給量で供給した以外は、実施例1と同様にして錫微粉末を作製した。冷却配管入口3の温度計による計測では127~129°Cを示した。また、前記プラズマ出力と原料供給量の比P/Mは、2.6kW/gである。この錫微粉末の粒度分布は、レーザー回折法によれば、体積積算でD10=031μm、D50=054μm、D90=1.54μm、D100=3.89μmであり、粒径の幾何標準偏差は1.59であった。また、比表面積径が0.72μmであり、レーザー回折法による平均粒径の133に入っていることより、分散性も良い錫微粉末ができていることがわかる。さらに、実施例1と同様に炭素分析を行なったところ、炭素含有量は0.01質量であった。原料粉末供給口7から、酸化第一錫粉末添川理化学株製、酸化第一錫、一次粒径1μmの凝集粉、純度99.9を15g/分の原料供給量で供給した以外は、実施例1と同様にして錫微粉末を作製した。冷却配管入口3の温度計による計測では175~184°Cを示した。また、前記プラズマ出力と原料供給量の比P/Mは、5.1kW/gである。この錫微粉末の粒度分布は、レーザー回折法によれば、体積積算でD10=031μm、D50=047μm、D90=0.89μm、D100=1.94μmであり、粒径の幾何標準偏差は1.41であった。また、X線回折測定X線回折装置:株リガク製、RINT-1400を行なったところ、図3に示すようにX線回折パターン上には錫を示すピークのみが見られ、完全に還元されており、錫微粉末は化合物から還元反応によっても作製可能であることがわかる。さらに、比表面積径は0.39μmであり、レーザー回折法による平均粒径の83に入っていることより、分散性も良い錫微粉末ができていることがわかる。さらに、実施例1と同様に炭素分析を行なったところ、炭素含有量は0.01質量であった。実施例5においてはアークプラズマ法により錫微粉末を作製した。本実施例に用いたアークプラズマ微粉製造装置アーク電力:最大300A、200V、反応チャンバー:内径約250mm、長さ約750mmの模式図を図4に示す。本装置は、原料を蒸発させる蒸発部11、蒸発部11を囲う水冷された生成室12、生成室12と連なる配管13と分級装置14、分級装置14と連なる粉末回収装置15とからなる。温度計16を配管13部分に設置して温度の計測が可能である。アークプラズマではドロップレット状の粗大粒子などがよくできるが、本装置では円柱容器に邪魔板が一枚入っている構造の非常に簡易的な分級装置14により、それらを取り除いている。蒸発部11に直流アークの陰電極タングステン2トリウム17があり、陽極側に蒸発材料18である錫原料を取り付け、その両極間でアーク放電200A、25Vさせることによって錫微粒子を作製した。アークプラズマガスおよび微粉搬送用ガスにはアルゴンと水素の混合ガスアルゴン:水素=1:1をトータル流量として180リットル/分用いた。雰囲気圧力は100kPaとした。プラズマにより生成した錫微粒子は、大気に暴露されることなく、生成室12、配管13内を搬送され、分級装置14にて分級された後、粉末回収装置15に到達し、分散性がよい錫微粉末として回収された。配管13に設置された温度計熱電対16の計測によれば、この部分の雰囲気は30~40°Cであった。また、生成量は2g/分であり、前記プラズマ出力と生成量の比P/Mは、2.5kW/gであった。得られた錫微粉末の粒度分布は、レーザー回折法によれば、体積積算でD10=026μm、D50=036μm、D90=0.51μm、D100=0.97μmであり、粒径の幾何標準偏差は1.30であった。また、比表面積径は0.20μmであり、レーザー回折法による平均粒径の56に入っていることより、分散性も良い錫微粉末ができていることがわかる。さらに、実施例1と同様に炭素分析を行なったところ、炭素含有量は0.01質量であった。[比較例1]原料粉末供給口7から、錫粉末福田金属箔粉工業株製、Sn-At-200、平均粒径―75μm、純度99を100g/分の原料供給量で供給した以外は、実施例1と同様にして錫微粉末を作製した。冷却配管入口3に設置した温度計による計測では、2粒子間の焼結モデルの計算からD50=2μmとした場合の融合温度である190°Cを超える190~200°Cを示した。なお、前記プラズマ出力と原料供給量の比P/Mは、0.77kW/gである。この錫微粉末の粒度分布は、レーザー回折法によれば、体積積算でD10=1.15μm、D50=634μm、D90=19.0μm、D100=88.0μmであり、5μmより大きい凝集体が形成された。この比較例では原料供給量を多くしたことにより、蒸気密度が高くなり粒径が凝集しやすくなったためと考えられる。また、蒸気密度が高くなったことから、冷却対象が増え生成室内の温度も高くなり、より凝集したものと考えられる。[比較例2]プラズマトーチ1の入力を81kW、原料粉末供給口7から、錫粉末福田金属箔粉工業株製、Sn-At-200、粒径-75μm、純度99を6g/分の原料供給量で供給した以外は、実施例1と同様にして錫微粉末を作製した。前記プラズマ出力と原料供給量の比P/Mは、13.5kW/gであり、好ましい制御の範囲を超えたものである。また、冷却配管入口3に設置した温度計による計測では、2粒子間の焼結モデルの計算からD50=0.5μmとした場合の融合温度である130°Cを超える118~151°Cを示し、温度変動も大きい結果となった。この錫微粉末の粒度分布は、レーザー回折法によれば、D10=0.35μm、D50=104μm、D90=2.96μm、D100=7.78μmであり、5μmより大きい凝集体が形成された。プラズマ入力が実施例1とほぼ同等にもかかわらず凝集した理由は、プラズマ出力と原料供給量の比P/Mが13.5kW/gと大きく、原料の蒸発に消費されるエネルギーが小さくなり、生成室内の温度が不安定となったためと考えられる。[比較例3]活性アークプラズマ微粉製造装置ホソカワミクロン製、ARC-IEを備えた図5の製造装置を用い、その陽極側に蒸発材料18として金属錫地金約60gを取り付けた。アルゴンガス30リットル/分と水素3リットル/分を流しながら、蒸発材料18と陰極17タングステン2トリウムの間に直流を供給し、電流200A、電圧30Vでアーク放電させることによって、金属錫地金を溶融蒸発させ、錫微粒子を生成させた。生成室内の温度制御は行なわず、供給する搬送ガスの温度のみを80°Cに制御した。生成した錫微粒子をガスにより搬送し、被覆室20でテルピネオールのガスに接触させた後、粉末回収装置15に導入して錫微粉末を回収した。この錫微粉末の粒度分布は、レーザー回折法によれば、D10=013μm、D50=052μm、D90=113μm、D100=231μmであった。SEM写真の観察では、5μm以上の粗大粒子は存在しなかったが、比表面積径は0.20μmであり、レーザー回折法による平均粒径の260であり凝集が多いことがわかる。また、実施例1と同様に炭素分析を行なったところ、炭素含有量は0.23質量であった。尚、実施例1と同様にタップ密度測定を行ったところ、タップ密度は、1.5g/ccであった。生成室の温度が高い比較例1および原料供給量に対するプラズマ出力が大きく温度変動が大きい比較例2では、最大粒径が5μmを大きく上回る凝集体が形成された。また、生成室内の温度制御は行なわず有機溶剤被覆によって錫微粉末を得た比較例3では、焼結温度を高温化させる錫微粉末の炭素含有量が多く、凝集粉が多く低タップ密度で均一膜形成に不利なものになっていることがわかる。これに対して、実施例1~5では、平均粒径が03~2μmと小さく且つ最大粒径が5μm以下であり、粗粒を含まず凝集のない錫微粒子を作製することができている。さらに、焼結温度を高温化させる炭素含有量が少ない。このような錫微粉末は、微細な配線ピッチ用の導電ペースト等に好適なものである。