金属イオン源を含むイオン源電極と、対向電極と、前記イオン源電極と前記対向電極との間に設けられたアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜と前記イオン源電極との間に設けられたポリシリコン膜と、を有するメモリセルを備えていることを特徴とする抵抗変化メモリ。前記アモルファスシリコン膜は、第1アモルファスシリコン層と、前記第1アモルファスシリコン層と前記ポリシリコン膜との間に設けられ前記第1アモルファスシリコン層よりもグレインサイズが小さい第2アモルファスシリコン層と、を備えていることを特徴とする請求項1記載の抵抗変化メモリ。前記第1アモルファスシリコン層と前記第2アモルファスシリコン層との間に設けられた第1シリコン微結晶層と、前記第2アモルファスシリコン層と前記ポリシリコン膜との間に設けられた第2シリコン微結晶層と、を更に備えていることを特徴とする請求項2記載の抵抗変化メモリ。前記ポリシリコン膜中の金属イオン濃度は前記アモルファスシリコン膜中の濃度よりも高いことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の抵抗変化メモリ。前記アモルファスシリコン膜の膜厚は前記ポリシリコン膜の膜厚より薄いことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の抵抗変化メモリ。本発明が解決しようとする課題は、低電流動作が可能で、一方向整流性および良好なデータ保持特性を有する抵抗変化メモリを提供することである。本実施形態の抵抗変化メモリは、金属イオン源を含むイオン源電極と、対向電極と、前記イオン源電極と前記対向電極との間に設けられたアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜と前記イオン源電極との間に設けられたポリシリコン膜と、を有するメモリセルを備えていることを特徴とする。まず、本実施形態を説明する前に本実施形態に至った経緯を説明する。イオン伝導型抵抗変化素子を記憶素子として有するクロスポイント型抵抗変化メモリ以下、イオンメモリともいうは、次世代ファイルメモリ向けに検討されている。しかし、このイオンメモリは、次の3つの要件1低電流動作2バイアス印加時には電流が流れ逆バイアス印加時に電流が流れないこと一方向整流性3良好なデータ保持特性を同時に満たすことが難しい。1の要件を実現するためには、抵抗変化層を挟んだ2つの電極間に形成された伝導パスフィラメントの抵抗率の制御が重要である。このフィラメントは可動イオンにより形成されるが、低電流駆動のために高抵抗状態を維持するには、フィラメント太さを細くすることが必要である。しかし、細いフィラメントでは、フィラメントを構成しているイオンが熱擾乱によってフィラメントから脱離し、その結果伝導パスが不連続になってしまう可能性が高い。これは、メモリセルに電圧が印加されていないときに、オン状態低抵抗状態からオフ状態高抵抗状態への遷移が容易に起こってしまうことを意味する。言い換えると、細いフィラメントはデータ保持特性が悪いことを意味する。データ保持特性の改善を図るために伝導パスを太く形成すると、例えば抵抗変化素子に書き込みを行うための電流がμAからmAのオーダーに増大してしまい、動作電圧が増大する。このため、消費電力が増大する。さらに、この太いフィラメントは逆方向バイアスを印加しても容易に分解されない。このため、一方向整流性のない記憶素子となってしまう。以下に実施形態について図面を参照して説明する。第1実施形態第1実施形態による抵抗変化メモリを図1乃至図2を参照して説明する。図1は、第1実施形態の抵抗変化メモリの断面図を示し、図2は図1に示す切断面A-Aで切断した場合の断面図を示す。この第1実施形態の抵抗変化メモリは、クロスポイント型抵抗変化メモリであって、第1配線100と、この第1配線100と交差する第2配線200との間にメモリセル抵抗変化素子10が設けられている。第1配線100は、絶縁膜2に、上面が露出するように設けられている。メモリセル10は第1配線100と第2配線200との交差領域に設けられており、第1配線100上に設けられた抵抗変化膜12と、抵抗変化膜12上に設けられ例えばAgからなるイオン源電極18と、を備えている。この場合、第1配線100が対向電極となる。なお、第1配線100と抵抗変化膜12との間に対向電極を設けてもよい。また、第1配線100対向電極と、抵抗変化膜12との間にはバリアメタル図示せずを設けてもよい。抵抗変化膜12は、例えばN型の不純物がドープされたアモルファスシリコン膜14と、アモルファスシリコン膜14上に設けられたポリシリコン膜16と、を有している。アモルファスシリコン膜14にドープされる不純物として、例えば窒素等が挙げられる。この窒素は例えばN2Oガスによって導入される。また、アモルファスシリコン膜14の膜厚はポリシリコン膜16の膜厚よりも薄くなるように構成されている。なお、アモルファスシリコン膜14はシリコンの微結晶を含んでいてもよい。そして、メモリセル10の側部には例えばSiO2からなる層間絶縁膜3019が設けられている。また、第2配線200を覆うように層間絶縁膜40が設けられている。なお、第2配線200は、図示しない層間絶縁膜内に埋め込むように形成し、その後、第2配線を覆うように層間絶縁膜40を形成してもよい。次に、第1実施形態の抵抗変化メモリの動作について図3乃至図4cを参照して説明する。まず、上述のように構成された抵抗変化メモリにおいて、第1配線100と第2配線200との間に電圧を印加し、フォーミングを行う。このフォーミングは、第1配線100に対して第2配線200に高い電位フォーミング電圧を印加することにより行う。このフォーミングを行うことによって、イオン源電極18から金属イオン例えばAgイオン18aがポリシリコン膜16に放出され、図3に示すように、ポリシリコン膜16の粒界に沿ってAgイオン18aが移動し、Agイオン18aからなるフィラメントの本体部17aが形成される図4a。また、Agイオン18aはアモルファスシリコン膜14内にも拡散しアモルファスシリコン膜14の結晶欠陥にトラップされる。このフォーミングによってフィラメントの本体部17aが形成された後は、第1配線100と第2配線200との間に印加する電圧によって、抵抗変化膜12が高抵抗状態と低抵抗状態をスイッチングするようになる。ここでの抵抗変化膜12の高抵抗状態はフィラメントの本体部17aの形成前の電気抵抗率よりも抵抗率が低い。例えば、フォーミング後に、フォーミング電圧より低いが第1配線100に対して第2配線200に高い電位を印加すると、図4aに示すように、アモルファスシリコン膜14内に拡散し、結晶欠陥にトラップされていたAgイオン18aがフィラメントの先端部17bを形成する。すなわち、本体部17aと先端部17bとからフィラメント17が構成される。フィラメントの先端部17bは逆ピラミッド形状となっている。すなわち、フィラメントの本体部17aから第1配線100に近づくにつれて、Agイオン18aの個数が少なくなるように分布する。この分布は、少なくとも1個のAgイオンを備えていている分布であってもよい。そして、第1配線100からの電子が、フィラメントの先端部17bを構成するAgイオン18aを介してホッピング伝導し、フィラメントの本体部17aに到達する。フィラメント17の本体部17aに到達した電子は本体部17a介してイオン源電極18および第2配線200に流れる。これにより、抵抗変化層12は低抵抗状態セット状態となる。このように、アモルファスシリコン膜14にはAgイオン18aからなるホッピング伝導部17bが形成され、ポリシリコン膜16にはAgイオン18aかなるメタリック伝導部17aが形成される。図4aに示す状態において、第2配線200に印加する電位を下げて第1配線100に対して正電位となるようにすると、逆ピラミッド状の先端部17bを構成していたAgイオン18aは、アモルファスシリコン膜14中に拡散する。しかし、図4bに示すように、拡散したAgイオン18aの多くは本体部17aの近くに存在する。このため、第1配線100からの電子はアモルファスシリコン膜14をトンネルし、本体部17aに到達する。そして、フィラメント17の本体部17aに到達した電子は本体部17a介してイオン源電極18および第2配線200に流れる。すなわち、図4bに示す状態では、トンネル電流が流れる。このとき、抵抗変化層12は低抵抗状態より高く、後述する高抵抗状態と同じかより低い抵抗を有する。図4bに示すようにトンネル電流が流れる状態は弱リセット状態とも呼ばれる。図4bに示す状態において、第2配線200の電位を第1配線100の電位と同じかまたは低くすると、フィラメント17の本体部17aの近くに存在していた多くのAgイオン18aは、本体部17aのそばを離れ、アモルファスシリコン膜14中を広く分布する、すなわち分散するようになり、抵抗変化膜12は高抵抗状態リセット状態となる。なお、図4a乃至図4cに示すいずれの状態においても、抵抗変化膜12中のAg原子Agイオンの濃度は、イオン源電極18に近い領域では高く、第1配線100に近い領域では低く、その間の領域ではそれらの中間の値となる分布を有している。すなわち、イオン源電極18から第1配線100に向かうにつれてAg原子の濃度は減少する分布を有する。このように構成された第1実施形態の抵抗変化メモリにおいては、抵抗変化膜12を流れる電流は、フィラメント17の最も細い領域によって制限され、これにより低電流駆動が可能となる。また、第1実施形態においては、フィラメント17の先端部17bにある金属イオン原子は、印加された逆バイアスによってフィラメント17の本体部17aから脱離し、フィラメント17の先端部17bが形成しない図4c。つまり、第1配線100に対して第2配線に印加する電位を正にすると、先端部17bがアモルファスシリコン膜14内に形成されて、電流が流れる。これに対して、第1配線100に対して第2配線に印加する電位を同じかまたは負にすると、先端部17bが形成されず、一方向整流性の実現が容易である。ここで、比較的容易ということは、フィラメントの本体部17a中の金属イオン原子を印加電圧によって可動させ、そのフィラメントを不連続とせしめることに比べて容易であることを意味する。また、第1実施形態においては、フィラメント17の先端部17bを対向電極100の付近に配置しかつアモルファスシリコン膜14の層厚をポリシリコン膜16の膜厚よりも薄くしているので、先端部17bの長さを本体部17aの長さに比べて短くすることができる。これにより、抵抗変化膜12が一層のときのように抵抗変化膜全体に細いフィラメントができてしまう場合に比べて、大幅なデータ保持特性の改善が可能である。また、第1実施形態においては、先端部17bの長さが本体部17aの長さに比べて短いので、待機Stand-by状態のときに、フィラメント17の先端部17bが形成されなくなったとしても、読み出し時にアモルファスシリコン膜14に印加される電界によって、金属イオン原子が本体部17aに比較的高速に再付着し、先端部17bが再び形成され、伝導パスが連続となる。したがって、抵抗変化膜が一層である場合に比べて、フィラメント17の再生にかかる時間を確実に短くすることができる。更に、セット電圧高抵抗状態から低抵抗状態にする電圧はアモルファスシリコン膜14の膜厚に依存するので、アモルファスシリコン膜14の膜厚がポリシリコン膜16よりも薄い本実施形態においては、アモルファスシリコン膜14の膜厚のばらつきも小さくなる。このため、セット電圧のばらつきが減少する。なお、本実施形態において、メモリセル10の構成する膜の積層順序を逆にしてもよい。すなわち、第1配線100上にイオン源電極18を形成し、イオン源電極18上にポリシリコン膜16を形成し、ポリシリコン膜16上にアモルファスシリコン膜14を設け、アモルファスシリコン膜14上に第2配線200を形成してもよい。この場合、第2配線200が対向電極となる。なお、第2配線200と、アモルファスシリコン層14との間に対向電極を設けてもよい。また、第2配線200の上方に、第2配線200と交差する第3配線を設け、第2配線200と第3配線との交差領域に、本実施形態に係るメモリセル10と逆の順序で積層されたメモリセルを設けてもよい。以上説明したように、第1実施形態によれば、低電流動作が可能で、一方向整流性および良好なデータ保持特性を有する抵抗変化メモリを提供することができる。第2実施形態第2実施形態による抵抗変化メモリの断面図を図5に示す。この第2実施形態の抵抗変化メモリは、図1に示す第1実施形態において、アモルファスシリコン膜14として、例えばN型の不純物がドープされたアモルファスシリコン層14a、14bの2層構造を有する構成としたものである。なお、アモルファスシリコン層14a、14bは微結晶シリコンを含んでいてもよい。アモルファスシリコン層14aが第1配線100上に形成され、アモルファスシリコン層14bはアモルファスシリコン層14a上に形成される。そして、アモルファスシリコン層14aのグレインサイズはアモルファスシリコン層14bのグレインサイズよりも大きい。このように構成された第2実施形態の抵抗変化メモリにおいては、より小さいグレインサイズを持つアモルファスシリコン層14bによって、ポリシリコン膜16中に存在している金属イオンがアモルファスシリコン層14a中へ拡散することを抑制できる。つまり小さいグレインサイズを持つアモルファスシリコン層14aがフィルターのような役割を果たして、ポリシリコン膜16から小さいグレインサイズを持つアモルファスシリコン層14aへ容易に金属イオンが拡散できないようにしている。そのことで、小さいグレインサイズを持つアモルファスシリコン層14a中に太いフィラメントが形成されにくくなる。なお、第2実施形態においても、抵抗変化層12中のAg原子Agイオンの濃度は、イオン源電極18に近い領域では高く、第1配線100に近い領域では低く、その間の領域ではそれらの中間の値となる分布を有している。すなわち、イオン源電極18から第1配線100に向かうにつれてAg原子の濃度は減少する分布を有する。この第2実施形態も第1実施形態と同様に、低電流動作が可能で、一方向整流性および良好なデータ保持特性を有する抵抗変化メモリを提供することができる。第3実施形態第3実施形態による抵抗変化メモリの断面図を図6に示す。この第3実施形態の抵抗変化メモリは、図1に示す第1実施形態において、アモルファスシリコン膜14として、アモルファスシリコン層とシリコン微結晶層との積層構造を有する積層膜15に置き換えた構成としたものである。積層膜15は、例えばN型の不純物がドープされたアモルファスシリコン層15a、シリコン微結晶層15b、例えばN型の不純物がドープされたアモルファスシリコン層15c、およびシリコン微結晶層15dがこの順序で積層された構成を有している。シリコン微結晶層はシリコン微結晶を有し、シリコン微結晶は、例えばグレインサイズが1nm~2.5nmのグレインを有するシリコンを意味する。アモルファスシリコン層15a、15cはシリコン微結晶を含んでいてもよい。シリコン微結晶層15b、15dによってAgの拡散を抑制する。アモルファスシリコン層15aのグレインサイズはポリシリコン膜16のグレインサイズよりも小さく、アモルファスシリコン層15cのグレインサイズよりも大きい。アモルファスシリコン層15cのグレインサイズはシリコン微結晶層15b、15dのグレインサイズよりも大きい。また、アモルファスシリコン層15aの結晶欠陥密度は、アモルファスシリコン層15cの結晶欠陥密度よりも大きいため、伝導パスを形成するAgイオンが容易に脱離し抜け、ホッピング障壁が小さい。このため、シリコン層15a中に形成されたフィラメントは不連続になりやすいが、アモルファスシリコン層15aに膜厚は十分に薄いので、トンネル現象によって電流は流れる。セット電圧により、Agイオンがアモルファスシリコン層15cの結晶欠陥にトラップされ、飛び石状の伝導パスが形成されるので、アモルファスシリコン層15cにはホッピング伝導部が形成される。なお、積層膜15は、アモルファスシリコン層15a、15cにドープされる不純物、例えば、N2Oの量を調整することにより形成することができる。例えば、積層膜15は、N2Oの流量を、アモルファスシリコン層を形成するときに少なくし、シリコン微結晶層を形成するときに大きくするように形成すればよい。また、第3実施形態においても、抵抗変化層12中のAg原子Agイオンの濃度は、イオン源電極18に近い領域では高く、第1配線100に近い領域では低く、その間の領域ではそれらの中間の値となる分布を有している。すなわち、イオン源電極18から第1配線100に向かうにつれてAg原子の濃度は減少する分布を有する。この第3実施形態も第1実施形態と同様に、低電流動作が可能で、一方向整流性および良好なデータ保持特性を有する抵抗変化メモリを提供することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。