"処理チャンバ内部で乱流を誘発するための装置であって、円形リングと、前記円形リングの内側に位置決めされた中央ハブと、前記中央ハブと前記円形リングの間に延在する第1の組の乱流誘発構造とを備え、前記第1の組の乱流誘発構造のうちの1対または複数対の乱流誘発構造の間に開口が画定される装置。さらに、前記第1の組の乱流誘発構造と前記円形リングの間に延在する第2の組の乱流誘発構造を備える、請求項1に記載の装置。前記第1の組の乱流誘発構造と前記第2の組の乱流誘発構造が、前記円形リングおよび前記中央ハブと同じ平面内に位置される、請求項2に記載の装置。前記第1の組の乱流誘発構造および前記第2の組の乱流誘発構造の少なくとも1つの側壁が前記平面に垂直である、請求項3に記載の装置。さらに、前記中央ハブと前記円形リングの間に延在する第3の組の乱流誘発構造と、前記第3の組の乱流誘発構造から延出する複数の足部とを備え、前記足部が、丸みの付いた縁部を有し、前記平面に垂直な方向に延出する、請求項4に記載の装置。前記円形リング、前記中央ハブ、前記第1の組の乱流誘発構造、および前記第2の組の乱流誘発構造が水晶を含み、前記円形リングが、洗浄プロセス中にシャワーヘッド表面の近くで処理ガスを維持するように適合される、請求項2に記載の装置。処理チャンバ内部で乱流を誘発するための装置であって、透光性材料からなるプレート状本体と、前記プレート状本体の上面の周縁部に巡らせて配設された円形リングと、前記プレート状本体の前記上面に形成された複数の乱流誘発構造とを備える装置。前記透光性材料が、水晶またはサファイアを含み、前記乱流誘発構造が、前記プレート状本体の中心から放射状に延びる複数の稜部を備える、請求項7に記載の装置。前記乱流誘発構造が、前記プレート状本体の前記上面に形成された複数の隆起部を備える、請求項7に記載の装置。前記複数の乱流誘発構造が稜部および隆起部を含む、請求項7に記載の装置。シャワーヘッドを洗浄する方法であって、処理チャンバ内部に配設された基板支持体上に洗浄プレートを位置決めするステップであって、前記洗浄プレートが複数の乱流誘発構造を備えるステップと、前記処理チャンバ内に配設されたシャワーヘッドに隣接させて前記洗浄プレートを位置決めするステップと、前記シャワーヘッドの表面上に配置された材料堆積物を加熱するステップと、前記シャワーヘッドの前記表面と前記洗浄プレートの間の位置に洗浄ガスを導入するステップと、前記洗浄プレートを回転させるステップと、前記材料堆積物を蒸発させるステップと、前記蒸発された材料堆積物を前記処理チャンバから排出するステップとを含む方法。前記材料堆積物が、ガリウム含有材料を含み、前記材料堆積物を加熱するステップが、複数のランプに電力を供給し、前記材料堆積物を照明するステップを含む、請求項11に記載の方法。さらに、前記基板支持体上に前記洗浄プレートを位置決めする前に、前記処理チャンバからキャリアプレートを取り外すステップと、前記蒸発された材料堆積物を排出する前に、前記基板支持体、および前記基板支持体上に配設された洗浄プレートを下降させるステップとを含む、請求項11に記載の方法。前記洗浄プレートに複数の開口が形成され、前記洗浄プレートの回転が、前記洗浄プレートと前記シャワーヘッドの間で前記洗浄ガスの乱流を引き起こす、請求項11に記載の方法。前記洗浄プレートが、さらに、前記プレート状本体の周縁部に巡らせて配設された円形リングを備え、前記円形リングが、前記シャワーヘッドの表面の近くで前記洗浄ガスを含むように適合される、請求項14に記載の方法。理解しやすくするために、可能な場合には、複数の図面に共通の同一の要素を表すために同一の参照番号を使用している。一実施形態の要素および特徴を、さらに記述することなく他の実施形態に有益に組み込むことができると考えられる。本発明の実施形態は、一般に、洗浄プレートを使用してチャンバ構成要素を洗浄するための装置および方法に関する。洗浄プレートは、洗浄プロセス中に基板支持体上に位置決めされるように適合され、円形リングと、中央ハブと、円形リングと中央ハブの間に延在する複数の乱流誘発構造とを含む。洗浄プロセス中、乱流誘発構造が洗浄ガスの乱流を誘発し、洗浄プレートは回転される。洗浄プレートは、洗浄中に、シャワーヘッドの近くでの洗浄ガスの滞留時間を延ばす。さらに、洗浄プレートは、洗浄プレートとシャワーヘッドの間に存在する洗浄ガスの濃度勾配を減少させて、より効率的な洗浄を実現する。本発明による方法は、シャワーヘッドに隣接させて洗浄プレートを位置決めするステップを含む。洗浄プレートは、円形リングと、中央ハブと、中央ハブから延出して円形リングに接続された複数の乱流誘発構造とを含む。次いで、洗浄ガスが、シャワーヘッドと洗浄プレートの間の空間内に導入される。洗浄プレートが回転され、洗浄プレートの乱流誘発構造が洗浄ガスを撹拌する。次いで、シャワーヘッドの表面上に堆積された材料が加熱され、反応して揮発性化合物を生成し、この揮発性化合物は、その後、処理チャンバから排出される。本明細書における実施形態から利益を得ることができる例示的なMOCVDチャンバは、CVDAPPARATUSという名称の米国特許出願公開第2009-0194024号として公開された、2008年1月31日出願の米国特許出願第12/023,520号に記載されている。他のチャンバも、本明細書に記載されている実施形態から利益を得ることができると考えられる。図1は、処理システム100の一実施形態を例示する概略平面図であり、処理システム100は、複合窒化物半導体デバイスを製造するためのMOCVDチャンバ102を備える。処理チャンバ100は、大気から隔離され、移送チャンバ106と、移送チャンバ106に結合されたMOCVDチャンバ102と、移送チャンバ106に結合されたロードロックチャンバ108とを備える。基板を保管することができるバッチロードロックチャンバ109が移送チャンバ106に結合され、基板を装荷することができる装荷ステーション110がロードロックチャンバ108に結合される。移送チャンバ106は、基板を取り上げて、ロードロックチャンバ108、バッチロードロックチャンバ109、およびMOCVDチャンバ102の間で基板を移送するように動作可能なロボットアセンブリ図示せずを備える。単一のMOCVDチャンバ102が図示されているが、複数のMOCVDチャンバを移送チャンバ106に結合させることもできる。さらに、1つまたは複数の水素化物気相エピタキシャルHVPEチャンバも移送チャンバ106に結合させることができる。処理システム100において、ロボットアセンブリ図示せずは、基板を装荷されたキャリアプレート112を、堆積を行うためにMOCVDチャンバ102内に移送する。キャリアプレート112は、一般に、約200ミリメートル~約750ミリメートルの範囲内の直径を有し、処理中に約1個~約50個の基板を支持することができる。キャリアプレート112は、SiCから形成されるが、あるいはSiC被覆黒鉛から形成することもできる。MOCVDチャンバ102内で所望の堆積ステップが完了した後、キャリアプレート112は、移送ロボットによって、MOCVDチャンバ102から移送チャンバ106に戻される。次いで、キャリアプレート112を、ロードロックチャンバ108またはバッチロードロックチャンバ109に移送することができる。システム制御装置160が、処理システム100の活動および動作パラメータを制御する。システム制御装置160は、コンピュータ処理装置と、処理装置に結合されたコンピュータ可読メモリとを含む。処理装置は、メモリに記憶されたコンピュータプログラムなど、システム制御ソフトウェアを実行する。図2は、MOCVDチャンバの概略断面図である。MOCVDチャンバ102は、チャンバ本体201と、チャンバ本体201に結合されたシャワーヘッドアセンブリ204とを有する。前駆体ガス、キャリアガス、洗浄ガス、および/またはパージガスを処理領域218に送給するために、化学物質送給モジュール203がシャワーヘッドアセンブリ204に結合される。処理領域218からガスを除去するために、真空システム213が処理領域218に結合される。基板支持体214高い洗浄位置で示されるが、MOCVDチャンバ102の内部領域内で、シャワーヘッドアセンブリ204と向かい合わせに、処理領域218と下側体積210の間に配設される。基板支持体214は、回転可能な支持体シャフトに接続された支持体ポスト280に位置決めされる。基板支持体214は、開口285を設けられた環形状を有し、ランプ221A、221Bからの放射エネルギーが、基板支持体214に位置決めされたキャリアプレート112に接触できるようにする。キャリアプレート112は、内側ランプ221Aおよび外側ランプ221Bから放射エネルギーを吸収するために、炭化ケイ素または別の高放射率材料から形成される。洗浄プレート230は、シャワーヘッドアセンブリ204に隣接して、キャリアプレート112の上面に位置決めされる。アクチュエータアセンブリ286は、矢印215によって示されるように、シャワーヘッドアセンブリ204に向かうように、またはシャワーヘッドアセンブリ204から離れるように基板支持体214を垂直方向で移動させることができ、また、矢印216によって示されるように、基板支持体214を回転させることができる。下側体積210内で堆積が生じるのを防止する助けとなるように、また排出ガスをMOCVDチャンバ102から排出ポート205に向ける助けにもなるように、チャンバ本体201の内面に巡らせてリング220が配設される。下側ドーム219が、基板支持体214の下に配設される。下側ドーム219は、高純度水晶などの透明材料からなり、内側ランプ221Aおよび外側ランプ221Bからの光が、キャリアプレート112の放射加熱のために通過できるようにする。内側ランプ221Aおよび外側ランプ221Bによって提供される放射エネルギーへのMOCVDチャンバ102の露出を制御する助けとなるように反射器266が使用される。化学物質送給モジュール203は、化学物質をMOCVDチャンバ102に供給する。反応ガス、キャリアガス、パージガス、および洗浄ガスを、化学物質送給モジュール203から供給ラインを通してMOCVDチャンバ102に供給することができる。シャワーヘッドアセンブリ204は、第1の処理ガスチャネル204Aと、第2のプロセスガスチャネル204Bと、熱交換システム270に結合された温度制御チャネル204Cとを含む。水平壁276および277が、チャネル204A~204Cを隔てている。第1のプロセスガスチャネル204Aおよび第2のプロセスガスチャネル204Bは、プロセスガスを別々のチャネルを通して処理領域218に提供し、それにより、シャワーヘッドアセンブリ204内部で生じる望ましくない堆積の量を減少させる。熱交換システム270は、シャワーヘッドアセンブリ204の温度を調整するように適合される。適切な熱交換流体としては、限定はしないが、水、水ベースのエチレングリコール混合物、ペルフルオロポリエーテル例えばGALDEN登録商標流体、鉱物油など油ベースの伝熱流体、または同様の流体が挙げられる。熱交換システム270は、摂氏約50度~約200度の範囲内、例えば摂氏約115度~150度の範囲内でシャワーヘッドアセンブリ204の温度を調整するように適合される。図3は、洗浄プレート230とキャリアプレート112の概略上面斜視図を示す。洗浄プレート230は、処理中にシャワーヘッドアセンブリに面するキャリアプレート112の上面に位置決めされる。洗浄プレート230は、中央ハブ374を含み、中央ハブ374から乱流誘発構造375aおよび375bが延出している。乱流誘発構造375aおよび375bは、円形リング347の内縁部と同一平面内にあり、円形リング347に接続される。隣接する乱流誘発構造375aは、約90度で互いに位置決めされ、隣接する乱流誘発構造375bも、約90度離して位置決めされる。乱流誘発構造375bは、さらなる乱流誘発構造375cおよび375dを有し、乱流誘発構造375cおよび375dは、乱流誘発構造375bから延出して、円形リング347の内縁部に接続される。乱流誘発構造375cおよび375dは、約45度の角度で乱流誘発構造375bに接続される。洗浄プレート230は、各乱流誘発構造375a~375dの間に開口348を含み、これらの開口348は、キャリアプレート112の上面と乱流誘発構造375a~375dの側壁とによって画定されたポケットを形成する。処理中、各ポケットは、洗浄位置でシャワーヘッドアセンブリに隣接して位置決めされるときに、シャワーヘッドアセンブリ表面の近くで洗浄ガスを含むことができ、それにより、シャワーヘッドアセンブリの近くでの洗浄ガスの滞留時間を延ばす。洗浄プレート230は、洗浄プレート230の底部から延出して、キャリアプレート112の上面に形成された基板キャリアポケット390内に入る足部によって、キャリアプレート112上に維持される。洗浄プレート230は、約3~約10ミリメートルの範囲内、例えば約7ミリメートルの高さを有する。洗浄プレート230は、約300ミリメートル~約400ミリメートルの範囲内の直径を有する。しかし、洗浄プレートが使用される処理チャンバのサイズに応じて、洗浄プレートを大きくすることも小さくすることもできると考えられる。洗浄プレート230は、水晶から形成されるが、あるいは、処理チャンバに供給される洗浄ガスと実質的に非反応性の炭化ケイ素または別の材料から形成することもできる。一般に、キャリアプレート112は、洗浄プレート230と同じ直径を有し、それにより、キャリアプレート112を搬送するために使用される機器が洗浄プレート230も取り扱うことができる。さらに、キャリアプレート12と洗浄プレート230がそれぞれ十分な厚さを有するとき、洗浄プレート230をキャリアプレート112と同時に処理システムを通して移送することができ、それにより2つの別個の搬送ステップが必要なくなると考えられる。図4は、図3に示される断面線4-4に沿った、洗浄プレート230とキャリアプレート112の断面図である。乱流誘発構造375a~375dは、長方形の断面、および約4ミリメートル~約8ミリメートルの範囲内、例えば約6ミリメートルの幅W1を有する。さらに、リング347は、約8ミリメートル~約14ミリメートルの範囲内の幅W2を有する。乱流誘発構造375a~375dおよびリング347は、用途の要件に応じて、より大きい幅またはより小さい幅を有することもできると考えられる。図5は、洗浄プレート230の底面図である。洗浄プレート230は、洗浄プレート230の底面から延出する4つの足部573を含む。足部573は、丸みの付いた端部を有し、洗浄プロセス中に洗浄プレート230が位置決めされるキャリアプレートに形成された基板ポケット内に嵌まるようにサイズ設定される。足部573は、洗浄プレート230およびキャリアプレート112の回転中に、洗浄プレート230がキャリアプレート112の上面を横方向に摺動するのを防止するように適合される。足部573は、洗浄プレート230の下面から約0.25ミリメートル~約1ミリメートル延出する。例えば、足部573は、洗浄プレート230の下面から約0.33ミリメートル延出することがある。洗浄プレート230は4つの足部573を有するものとして図示されているが、十分な横方向支持が提供される限り、4つよりも多いまたは4つよりも少ない足部573が洗浄プレート230の下面から延出することもできると考えられる。さらに、足部573は、乱流誘発構造375a~375dまたは中央ハブ374の任意のものから延出していてもよく、また、足部573の配置は、一般に、基板キャリア内部の基板キャリアポケットの配置によって決まると考えられる。あるいは、洗浄プレート230が足部573を有さないこともあり、代わりに、洗浄プレート230の横方向移動を防止するために、洗浄プレート230をキャリアプレート112に接着、結合、または他の方法で固定することもできると考えられる。図6は、シャワーヘッドアセンブリ204と、キャリアプレート112上に位置決めされた洗浄プレート230との概略断面図である。キャリアプレート112は、基板支持体214上に位置決めされる。洗浄プレート230は、キャリアプレート112上に位置決めされ、洗浄プレート230の底面から延出する足部573で支持される。足部573は、キャリアプレート112に形成された基板キャリアポケットの内部に位置決めされる。足部573は、洗浄プレート230が、洗浄プロセス中にシャワーヘッドアセンブリ204に隣接するように移動される間にキャリアプレート112の上で横方向に移動するのを防止するようにサイズ設定される。足部573は、洗浄プレート230の望ましくない横方向移動を防止するのに十分なサイズを有するが、一般に、望まれるときに基板キャリアプレート112から洗浄プレート230を取り外すことができないほど大きくすべきではない。足部573のサイズは、足部573とキャリアプレート112の両方の熱膨張を考慮することができると考えられる。キャリアプレート12に形成される基板キャリアポケットは、MOCVDプロセスなど堆積プロセス中に基板を支持するために使用されるのと同じ基板キャリアポケットであることに留意すべきである。キャリアプレート112は、ポスト280上に位置決めされた基板支持体214の下側リップ671上に配設される。キャリアプレート112は、基板支持体214の上側リップ672によって、基板支持体214の回転中に横方向に摺動するのを防止される。上側リップ672は、下側リップ671に垂直であり、キャリアプレート112を受け入れるようにサイズ設定された内径を有する。上側リップ672は、キャリアプレート112の上面とほぼ面一の上面を有するものとして図示されているが、上側リップ672が、キャリアプレート112の上面を超えて垂直方向に突出し、洗浄プレート230にさらなる横方向支持を提供することもできると考えられる。そのような実施形態では、足部573は不要であることがある。図7は、図2に示されるシャワーヘッドアセンブリ204および洗浄プレート230の拡大概略図である。洗浄プレート230は、堆積した材料751を除去するために、高い洗浄位置に位置決めされる。堆積した材料751は、MOCVDプロセスなどの堆積プロセス中にシャワーヘッド表面上に蓄積した材料である。例えば、堆積した材料751は、窒化インジウムガリウム、pドープまたはnドープ窒化ガリウム、窒化アルミニウム、または窒化アルミニウムガリウムでよい。高い洗浄位置では、洗浄プレート230のリング347の上面と、シャワーヘッドアセンブリ204の下面との間に間隙737が形成される。間隙737は、洗浄プロセス中に最小量の洗浄ガスが通過するような距離で維持されるが、リング347とシャワーヘッド表面778Aが偶発的に接触するのを防止するのに十分な大きさである。好ましくは、リング347の内径は、シャワーヘッドアセンブリ204の堆積領域とほぼ同じ大きさか、わずかに大きい。本明細書で使用するとき、用語堆積領域は、堆積する材料751がシャワーヘッド表面778A上に堆積または蓄積することがある領域を表す。洗浄プレート230が高い洗浄位置決めで位置決めされると、電源721Cから内側ランプ221Aおよび外側ランプ221Bに電力が印加されて、放射エネルギーDによってキャリアプレート112が加熱され、それにより、堆積した材料751を放射および/または対流によって温度Tmまで加熱する。好ましくは、温度Tmは、堆積した材料751が洗浄ガスと接触された後に、堆積した材料751の昇華または蒸発を引き起こすのに十分な高さである。一例では、温度Tmは、摂氏約700度である。ランプ221A、221Bから送給される放射エネルギーDの波長は、洗浄プロセスを向上させるように選択することができる。光の波長は、紫外UV領域であるが、赤外IR領域の光を使用することもできると考えられる。電源721Cによって印加される電力の量、ならびにランプ221A、221Bによって発生される光の波長は、とりわけ、堆積した材料751の組成、チャンバの圧力、適用すべき洗浄ガス、チャンバ構成要素の温度などの因子に応じて決まる。堆積した材料751の加熱後または加熱中に、洗浄ガスは、洗浄ガス入口760を通して流路A1に沿って処理領域218に送給される。洗浄ガスは、内側ガス管路746を通して流路A2に沿って、または外側ガス管路745を通して流路A3に沿って処理領域218に導入することもできると考えられる。洗浄ガスが処理領域218内に存在する状態で、基板支持体214および洗浄プレート230が回転される。一般に、基板支持体214および洗浄プレート230は、約20rpm~約100rpm、例えば約35rpmまたは約60rpmの速度で回転される。乱流誘発構造375a~375d375aと375bのみが示されるの回転は、乱流線Bによって示されるように洗浄ガスの乱流を引き起こす。洗浄ガスは、上述したように処理領域218に入り、洗浄プレート230および/またはキャリアプレート112で反射され、乱流誘発構造375a~375dによって混合される。次いで、洗浄ガスは、乱流線Bによって示されるようにシャワーヘッド表面778Aに向けて戻される。ランプ221A、221Bによって加熱されているキャリアプレート112で洗浄ガスが反射されると、洗浄ガスの温度が上昇され、これは、材料堆積物751の加熱を支援し、材料堆積物751の蒸発を促進する。線Bに沿った乱流は、洗浄ガスと、シャワーヘッド表面778A上の堆積した材料751との接触量を増加させる。さらに、線Bに沿った乱流は、処理領域218内部での洗浄ガスの混合を誘発して、シャワーヘッドアセンブリ204と洗浄プレート230の間の洗浄ガスの濃度勾配を減少させる。濃度勾配は、洗浄ガスが反応して揮発性成分を生成するときに、材料堆積物751の近くでの洗浄ガスの反応したがって枯渇により生じる。新鮮な洗浄ガスがシャワーヘッド表面778Aに常に循環されることにより、洗浄ガスと堆積した材料との反応速度が高まるので、一般に濃度勾配を減少させること例えば、処理領域218内での洗浄ガスのより均一な濃度が望ましい。さらにまた、濃度勾配の減少は、未使用の洗浄ガスが材料堆積物751との反応前に排出ポート205を通して排出される可能性を減少させるので望ましい。洗浄ガスが洗浄プロセス中に流路Cに沿って処理領域218から継続的に除去されているので、未使用の洗浄ガスを無駄にしないように、排出前に、洗浄ガスを材料堆積物751と少なくとも一部は反応させることが望ましい。一例では、処理領域218に供給される洗浄ガスは、塩素ガスであり、堆積した材料は、窒化インジウムガリウムなどガリウム含有材料である。フッ素F2ガス、ホウ素Br2ガス、ヨウ素I2ガス、ヨウ化水素HI、塩化水素HCl、ホウ化水素HBr、フッ化水素HF、三フッ化窒素NF3、および/または他の同様のガスを含めた他の洗浄ガスを使用することもできると考えられる。また、窒化ガリウムや窒化アルミニウムガリウムを含めた他の材料を除去することもできると考えられる。洗浄ガスは、約5パーセント~約50パーセントの範囲内、例えば約30パーセントの濃度で処理領域218に導入することができる。チャンバに提供されるガスの残部は、アルゴンなど不活性ガスでよい。真空システム213を使用して、チャンバ内部の圧力を、約1×10-6Torr~約200Torrの範囲、例えば約5Torr~約200Torrの範囲に低下させることができる。好ましくは、圧力は約50Torrである。処理領域218内への塩素ガスの流量は、約2SLM~約10SLMの範囲内である。例えば、約4SLMの塩素ガスを洗浄プロセス中に処理領域218に提供することができる。処理領域218内での洗浄ガスの効果は複数の因子に依存し、そのような因子には、限定はしないが、洗浄ガスの温度および分圧、使用される洗浄ガスのタイプ、堆積した材料751の温度、処理領域218内の圧力、および存在する堆積した材料751の量が含まれる。好ましくは、堆積した材料751を洗浄ガスと反応させて、蒸発される揮発性成分を生成するように、洗浄ガスの温度、分圧、および組成などのプロセスパラメータが調節される。一般に、堆積した材料751の蒸発点は分かっており、したがって、プロセスパラメータは、堆積した材料751の蒸発を引き起こすように調節または選択することができる。堆積した材料751の蒸発および除去は、堆積した材料751を洗浄ガスと接触させ、堆積した材料751の温度をランプ221Aおよび221Bを用いて上昇させ、および/または処理領域218の圧力を真空システム213を用いて低下させることによって行うことができる。また、処理領域218内部の圧力、および洗浄ガスの密度が、堆積した材料751の除去速度に影響を及ぼすことにも留意すべきである。処理領域218内部の圧力が低下すると、堆積した材料751の蒸発温度が低下し、その一方で、洗浄ガスの分子流が生じて、単位体積当たりの反応数が減少する。処理領域218内部の圧力が増加すると、洗浄ガスの粘性流が生じ、それにより単位体積当たりの反応はより多くなるが、その一方で、堆積した材料751の蒸発温度が上昇する。しかし、洗浄プレート230が、処理領域218内部で洗浄ガスの乱流を生成し、この乱流が洗浄ガスの効率を高める例えば、洗浄ガス反応の増加。したがって、1×10-6Torrなど、洗浄ガスの分子流を引き起こすことがある低圧を使用するときでさえ、乱流誘発構造375a~375dによって、洗浄ガス原子を混合して、堆積した材料751に向け直すことができる。したがって、洗浄プレート230は、洗浄ガスを分子流の状態で利用できるようにし材料堆積物751の蒸発温度を低下させ、その一方で、洗浄ガスの乱流運動によって十分な洗浄ガス反応を引き起こす。したがって、洗浄プレート230は、低圧を使用するときに、より効果的な洗浄を促す。乱流誘発構造375a~375dによって提供される乱流による混合、および洗浄プレート230の回転が行われない場合には、堆積した材料751と洗浄ガスの反応は、より遅い速度で進み、したがって、チャンバ構成要素およびシャワーヘッド表面778Aを洗浄するのにかかる時間量を増加させる。洗浄プレート230は、洗浄ガスが堆積した材料751と接触する時間量を増加させるために、シャワーヘッドアセンブリ204の近くで洗浄ガスを含む。さらに、乱流誘発構造375a~375dによって提供される乱流は、洗浄ガスがシャワーヘッドアセンブリ204をより効率良く洗浄できるようにし、それにより、洗浄時間を短縮し、かつ洗浄が必要となる時間間隔を延ばす。一例では、洗浄プレート230の利用により、予防保全洗浄を行う平均時間間隔が約10回の堆積サイクルから約60回の堆積サイクルに延び、それによりチャンバダウンタイムが短縮される。図8A~図8Gは、本発明の他の実施形態による洗浄プレートの概略図である。上述した洗浄プレートは開口を設けられているが、本明細書で以下に述べる洗浄プレートは、一般に、穴を設けられていないプレート状本体を含む。したがって、以下に述べる洗浄プレートは、洗浄プロセス中にキャリアプレート上に位置決めする必要はない。図8Aは、洗浄プレート830Aを示す。洗浄プレート830Aは、基板支持体上に配設されるように適合された底面と、底面と反対側の上面836とを有するプレート状本体を含む。洗浄プレート830Aは、洗浄プレート830Aの上面836の周縁部に巡らせて位置されて、上面836から垂直に延出するリング847を有する。リング847は、洗浄プロセス中に洗浄ガスのためのガス保持リングとして作用するように適合される。ガスじょう乱部または乱流誘発構造875A、例えば稜部または隆起部が、洗浄プレート830Aの上面836に位置される。乱流誘発構造875Aは、洗浄プレート830Aの中心から外方向に放射状に延びる稜部として構成される。洗浄プレート830Aは、水晶やサファイアなど透光性材料から形成される。しかし、洗浄プレート830Aが放射エネルギーを直接吸収することができることが望まれるときには、洗浄プレート830Aを、代わりに炭化ケイ素または別の高放射率材料から形成することもできると考えられる。図8Bは、断面線8B-8Bに沿った洗浄プレート830Aの断面図である。洗浄プレート830Aは、貫通した穴を設けられていない上面836を有する中実のプレート状本体を含む。乱流誘発構造875Aは、リング847の高さよりも低く、これは、洗浄プレートの表面全体にわたる洗浄ガスの乱流混合を促進する。リング847の上面は、一般に、洗浄プロセス中にシャワーヘッドアセンブリの表面から約1ミリメートル~約4ミリメートルの位置に位置決めされる。リング847は、約5ミリメートル~約10ミリメートルの高さを有し、乱流誘発構造875Aは、約1ミリメートル~約4ミリメートルの高さを有する。しかし、リング847と乱流誘発構造875Aの高さおよび相対比率、ならびにシャワーヘッドアセンブリとの間隔は、所望の量の乱流ガス流を生じるように調節することができると考えられる。図8Cは、洗浄プレート表面836上に配設された乱流誘発構造875Cを有する洗浄プレート830Cを例示する。乱流誘発構造875Cは、湾曲した放射状プロファイルを有する。乱流誘発構造875Cは、洗浄プレート表面836の中心から外方向に、洗浄プレート830Cの周縁部に位置されたリング847に向けて蛇行する。図8Dは、洗浄プレート表面836上の細長い稜部として形成された乱流誘発構造875Dを有する洗浄プレート830Dを例示する。乱流誘発構造875Cは、洗浄プレート表面836上でパターンを成すことがあり、または、乱流誘発構造875Dが洗浄ガスの運動および再分散を誘発することができる限り、ランダムに分布されることもある。乱流誘発構造875Dは、リング847まで延在することも、リング847までは延在しないこともある。図8Eは、洗浄プレート表面836上に配設された乱流誘発構造875Eを有する洗浄プレート830Eを例示する。いくつかの乱流誘発構造875Eは、洗浄プレート表面836上で中心から放射状に延びる。さらなる乱流誘発構造875Eは、リング847に接触し、洗浄プレート830Eの中心に向かって延出する。図8Fは、洗浄プレート830Fを示し、洗浄プレート830Fは、点状突起または隆起部として形成されて洗浄プレート表面836上に配設された乱流誘発構造875Fを有する。点状突起または隆起部は、洗浄プレート表面836上にランダムに分布されることがあり、または同心円や螺旋など、ある形状またはパターンで形成されることもある。乱流誘発構造875Fの密度およびサイズは、望まれる乱流の量に応じて変えることができる。図8Gは、乱流誘発構造875Gとして使用される隆起部と稜部の両方を有する洗浄プレート830Gを例示する。同様に、他の特徴または構造の組合せを単一の洗浄プレート上で組み合わせることもできる。洗浄ガスに運動を与えることによって洗浄ガスの再分散を誘発するために、隆起部、点状突起、稜部、およびフィン状部など、乱流誘発構造またはガスじょう乱部の他の変形形態および組合せも企図される。本明細書ではMOCVDチャンバを参照して本発明の実施形態を一般に述べているが、他の処理チャンバも本発明の実施形態から利益を得ることができると考えられる。例えば、パワー電子回路を形成するためのチャンバ、プラズマ洗浄を利用するチャンバ、または内部に抵抗加熱器を有するチャンバが、本発明の実施形態から利益を得ることができると考えられる。要約すると、本発明の利益のいくつかには、ガス分散シャワーヘッドのより効率的な洗浄が含まれる。本明細書で述べる洗浄プレートおよび洗浄方法は、洗浄ガスと材料堆積物の接触を誘発することによって、シャワーヘッドの表面から汚染物質を除去するのにかかる洗浄時間を短縮する。また、洗浄プレートのリング、および基板支持体の高い洗浄位置が、処理領域を縮小し、それにより、シャワーヘッドを洗浄するのに必要な洗浄ガスが少なくなり、消耗材料の費用が節約される。さらに、洗浄プレートがキャリアプレートと同様のサイズにされるので、本明細書で述べる洗浄プレートを実装するのに追加の取扱い機器は必要ない。また、追加の取扱い機器が必要ないので、洗浄プレートを処理チャンバに迅速に送給して、処理チャンバまたはその内部に位置されたシャワーヘッドを洗浄するのに必要なダウンタイムを短縮することができる。前述のことは、本発明のいくつかの実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の実施形態およびさらなる実施形態を開発することができ、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって決定される。"