"基板Sと、チップCHと、前記基板Sと接続され、前記チップCHの上に戴置された金属フレームMFと、前記基板S、前記チップCH、および前記フレームMF、を包囲する空間が気密にシーリングされるように、前記フレームMF、前記基板S、および前記チップCHを覆う金属封止層MLと、を備えるデバイス。請求項1に記載のデバイスにおいて、前記金属封止層MLは、金属層または複数の金属層の層列を備えるデバイス。請求項1または2に記載のデバイスにおいて、前記金属封止層MLが、前記フレームMFおよび前記チップCHの上に全面に渡って配設されるデバイス。請求項1乃至3のいずれか1項に記載のデバイスにおいて、前記チップCHは、前記包囲する空間に向いた側に、電気的に導通する構造を備え、少なくとも1つのバンプコンタクトBを介して前記基板Sと接続されているデバイス。請求項1乃至4のいずれか1項に記載のデバイスにおいて、前記チップCHが均等に前記フレームMFの上に配設されるように、前記フレームMFは平坦な表面PSを有するデバイス。請求項1乃至5のいずれか1項に記載のデバイスにおいて、前記バンプコンタクトBは、前記フレームMFの熱膨張係数CTE_MFより大きい、熱膨張係数CTE_bumpを有するデバイス。請求項1乃至6のいずれか1項に記載のデバイスにおいて、前記チップCHは、微小電気機械システムMEMS、微小電気光学システムMEOPS、微小電気光学機械システムMEOMSであるデバイス。請求項1乃至7のいずれか1項に記載のデバイスにおいて、前記金属封止層MLは、以下の材料:-焼結された金属粒子、とりわけ焼結されたナノ粒子またはマイクロ粒子、-合金または、-多層金属フィルムMfol、を1つ以上含むデバイス。請求項1乃至8のいずれか1項に記載のデバイスにおいて、前記合金は、少なくとも2つの異なる金属を含み、それぞれの融点は、前記合金がアニーリングまたは融解によって気密に実装されるように選択されるデバイス。基板S、チップCH、およびフレームMFを有するデバイスの製造方法であって、前記基板Sに前記フレームMFを取り付ける工程と、前記フレームMFに前記チップCHが戴置されて、前記チップCHと前記フレームMFとが結合される工程と、前記基板S、前記チップCH、および前記フレームMFを包囲する空間を、金属封止層MLを用いて気密に封止する工程と、を含むデバイスの製造方法。請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法において、前記気密に封止する工程は、金属封止層MLを用いて行われ、前記金属封止層MLは前記フレームMFおよび前記チップCHの上に全く平坦に取り付けられる方法。請求項1乃至11のいずれか1項に記載の方法において、前記金属封止層MLは、1つの金属層または複数の金属層の層列からなる方法。請求項1乃至12のいずれか1項に記載の方法において、前記フレームMFおよび前記チップCHの上への前記封止層MLの取り付けは、以下の工程:-プラズマ照射を用いた工程、-溶剤に溶解された金属粒子のスプレー吹き付けを用いた工程、-1つあるいは複数の金属粒子を蒸着する工程、または-押圧下での多層金属フィルムの融解を用いる工程、の少なくとも1つを含む方法。請求項1乃至13のいずれか1項に記載の方法において、前記プラズマ照射には、金属粒子とりわけ金属のナノ粒子またはマイクロ粒子が混入されている方法。請求項1乃至14のいずれか1項に記載の方法において、前記金属封止層MLは、合金を用いて仕上げられる方法。請求項1乃至15のいずれか1項に記載の方法において、前記金属封止層MLは、押圧下での多層金属フィルムMfolの融解を用いて取り付けられる方法。請求項1乃至16のいずれか1項に記載の方法において、前記金属封止層MLを取り付けた後に、前記金属層MLが焼結される方法。請求項1乃至17のいずれか1項に記載の方法において、前記金属封止層MLは、電解めっきで補強される方法。本発明の課題は、少ないプロセス工程しか必要としない、特に個々のプロセス工程が複数の機能を実現できる、デバイスおよびデバイスの製造方法を提供することである。この課題は独立請求項によって解決される。変形例および実施形態は、それぞれ従属項に記載されている。1つの実施形態では、デバイスは基板と、基板に接続されたチップおよびフレームとを備える。好ましくは基板はガスを透過せず、高温-多層セラミックすなわちHTCCHighTemperatureCofiredCaramicまたは低温-焼き付け-セラミックすなわちLTCCLowTemperatureCofiredCeramicsを備える。さらに、チップは石英、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは類似の物質を含み、機能素子、たとえば音響表面波または体積波のための変換器を有することが望ましい。これに加え、チップは、例えば圧電物質、音響変換器および適切な導電路を備える。基板の上のフレームは、好ましくは銅、ニッケル、銀またはこれらの金属の組から作製され、ガスを透過しないように基板に接続されている。フレームの他の材料としては、セラミックのようなものもまた可能である。フレームは以下では金属フレームと称する。チップは金属フレームの上に戴置される。さらに、この金属フレームは、例えばダイアモンドフライス加工によって平坦な表面を有している。これにより、例えばフリップチップ実装すなわち上下逆さまに取り付けられる、バンプコンタクトを有するチップを、これに続くリフロープロセスでのバンプコンタクトのつぶしによって金属フレームの上に均等に戴置し、適切なフレーム高、バンプコンタクト高、およびつぶしKollapsingによって、チップと金属フレームの間の間隙をほとんどゼロにすることが可能となる。バンプコンタクトが溶融した際にチップを押圧し、押圧を維持しながらバンプの融点以下に冷却することにより、チップとフレームの間の間隙が最小となり、ダイアモンドフライス加工したフレームでは10nm以下となる。さらに金属封止層が設けられ、金属フレーム、基板およびチップを、基板、チップおよび金属フレームを包囲する空間が気密にシーリングされる。本発明の有利な点は、デバイスが、包囲された空間すなわち金属封止層を用いたキャビティの形態で、環境の影響に対して気密に封じ込められていることである。チップを金属フレームの上に戴置することによって、さらにキャビティの気密な封止が、少ないプロセス工程で達成される。このようにして、シールドやシーリング等の異なる機能を1つのプロセス工程で組み込むことができる。金属封止層を取り付けることに伴い、金属フレームとチップの間の間隙が封じ込められる。さらに、1つの実施形態における金属封止層は、続いて行われる電解めっきのための結晶核層すなわちシード層として機能する。電解めっきはさらなる気密な電磁シールドを実現する。さらに、PCBあるいはLTCCのような基板の上にデバイスを取り付けた後の、熱サイクルでのデバイスの動作が改善される。さらに、同等なフィルタ機能のチップでより小さな外形が実現される。必要なプロセス工程の数が少ないので、同じ機能のデバイスのパネル当たりの数を多くすることができる、あるいは同じパネルレイアウトでより大きなチップを実現できる。さらにもう1つの実施形態では、金属封止層は金属層または複数の金属層の層列を備える。ここで個々の金属層または金属層の層列が設けられているが、金属封止層は他の分野におけるデバイスの特別な利用に適している。個々の金属層の融点を適切に選択することによりたとえば、低融点および高融点の金属を組み合わせることにより、中間的温度から融解しない程度の高温まで、ガスを透過しない合金を生成することができる。層の厚さは広い範囲で選択可能であり、それぞれのアプリケーションに合わせることが可能である。さらにもう1つの実施形態によれば、金属封止層は、金属フレーム、基板およびチップの上に全面に渡って配設される。ここで、金属封止層は全く平坦に実装され、特に、上記の間隙を密封するのに必要とされる構造的対策が省略される。さらに、金属封止層の厚みは、広い範囲で、とりわけ10から40μmの間で選択され、これによってこの金属封止層には他の機能を持たせることができる。たとえば、無線通信での利用の際には、この金属封止層はシールド機能も担う。適合した層厚によって、高周波の電磁波放射もシールドすることができる。さらに、金属封止層は電気的特性を持ち、チップの上に生ずるような余分な電荷を放電することができる。さらに他のもう1つの実施形態では、チップは上記の包囲する空間に向いた側に、電気的に導通する構造を備え、バンプコンタクトを介して基板と電気的に接続されている。さらに他のもう1つの実施形態では、金属フレームは平坦な表面を有し、チップがこの金属フレームの上に均等に戴置される。この金属フレームは、例えばダイアモンドフライス加工または他の適合した前工程により平坦化され、チップがこの金属フレームの上に均等に戴置される。この際、金属フレームの表面は好ましくは、金属フレームとチップの間の間隙ができる限り少ないかまたは殆どゼロとなるように加工される。本発明の有利な点は、フレームとチップの間の間隔が殆どゼロであることである。これは、平坦化されたフレームでの、リフロー工程におけるバンプコンタクトの十分なつぶしKollapsing、すなわちバンプコンタクトが融解した状態でのチップの均等な押圧と押圧下での冷却によって達成される。これにより、チップとフレームの間の間隙が10nm以下となるようにすることができる。バンプコンタクトの材料の熱膨張係数がフレーム材料の熱膨張係数より大きい場合は、この間隙は冷却の後にも残る。次に、ナノ厚金属層が、スプレー法によって取り付けられ、アニーリングTempernによって均一な金属層が着膜する。さらに他のもう1つの実施形態では、バンプコンタクトは金属フレームの熱膨張係数より大きな熱膨張係数を有する。好ましくは、押圧によってチップは金属フレームに押圧される。高い融点でのバンプコンタクトのはんだ付けによって、チップに関係する材料すなわち金属フレームが膨張する。これらの材料がそれらの異なる膨張係数で収縮すると、チップは冷却の際に金属フレームに押し付けられる。さらに他のもう1つの実施形態では、チップは微小電気機械システム、微小電気光学システムまたは微小電気光学機械システムである。さらにもう1つの実施形態では、金属封止層は1つ以上の材料を含む。可能な原材料としては金属粒子、とりわけ金属ナノ粒子またはマイクロ粒子、金属箔または合金である。適合した金属には、銀、金、銅、そして錫があるが、選択はこれらに制限されるものではない。さらにもう1つの他の実施形態によれば、合金は少なくとも2つの異なる金属を含み、アニーリングまたは融解を用いて合金が気密に実装されるように、それぞれの融点が選択される。基板、チップ、および金属フレームを有するデバイスの製造方法の1つの実施形態においては、以下のような工程が設けられる。まず、金属フレームに結合される基板が取り付けられる。チップの金属フレームとの接続は、チップを金属フレームの上に戴置して行われる。最後に、基板、チップ、および金属フレームを包囲する空間が金属封止層を用いて気密にシーリングされる。この際、金属封止層はチップと金属フレームをカバーする。本発明の有利な点は、包囲された空間すなわち金属封止層を用いたデバイスのキャビティが環境の影響に対し気密に封止されていることである。チップを金属フレームの上に戴置することによって、さらにキャビティの気密な封止が、少ないプロセス工程で達成される。金属封止層は、少なくとも部分的に、基板、チップ、および金属フレームをカバーし、これによって異なる機能を1つにまとめている。金属封止層を取り付けることに伴い、金属フレームとチップの間に残った間隙が封じ込められる。さらに、金属封止層は結晶核層すなわちシード層となり、またさらに電磁シールドの効果を有する。金属封止層は、スプレー塗布されて焼結された、殆どは僅かな層厚のナノ厚金属層は、以降の工程のシード層となり、またこの金属封止層の強化に寄与する。さらに、本発明による方法によって、たとえばPCBあるいはLTCCのような基板のの上にデバイスを取り付けた後の熱サイクルでの動作の改善が実現される。さらに、フィルタ機能を維持したチップでより小さな外形が実現される。必要なプロセス工程の数が少ないので、したがって、同じ機能のデバイスのパネル当たりの数を多くすることができる、あるいは同じパネルレイアウトでより大きなチップを実現できる。もう1つの他の実施形態では、気密性のシーリングは金属封止層を用いて行われ、ここで金属封止層は金属フレームのおよびチップや基板の上に全く平坦に取り付けられる。本発明の有利な点は、全く平坦な金属封止層の取り付けを1つの工程で行うことで、デバイスのキャビティを気密に封止でき、また同時に金属フレームとチップとの間の間隙を封止することができることである。さらに、この全く平坦な金属封止層は結晶核層すなわちシード層となり、また電磁シールドとなる。もう1つの他の実施形態では、金属封止層は1つの金属層または複数の金属層の層列から構成される。層の積み上げによって、金属封止層の厚さと構成は変わり、それぞれの適用領域に適合される。なお、合計の厚さを40μm以上とすることも可能である。さらにもう1つの他の実施形態によれば、金属封止層には、代替あるいは組み合わせとして、プラズマ照射、溶剤に懸濁化された金属粒子のスプレー、1つあるいは複数の金属の蒸着、または押圧下での多層金属フィルムの融解が用いられる金属封止層の取り付けは、プラズマ照射を用いて行うことが好ましいが、これには金属粒子、とりわけ金属のナノ粒子またはマイクロ粒子がプラズマに、すなわちプロセスガスに混入される。金属封止層は、さらに合金を用いて仕上げられてよい。この金属封止層の取り付けは、押圧下の多層金属箔の融解を用いておこなわれることが好ましく、これには多層金属箔がデバイスの上で融解される。もう1つの他の実施形態では、金属封止層は電解めっきによって強化される。本発明は、複数の実施形態について図を参照して以下に説明される。部品またはデバイスが機能的に同様な場合は、それらの説明は以下の図ではの繰り返さない。図1は、本発明の概念によるデバイスの実施形態例を示す。複数の同様なデバイスと共に1つのパネルの上で一緒に製造され、組み上げられるデバイスを示している。裁断線SagespurSPが示されており、これに沿って共通の基板Sの上に組み上げられたデバイスが分離される。1つのデバイスには、周回する金属フレームMFが基板Sの上に配置されている。このフレームの上に、チップCHが戴置され、このチップはバンプコンタクトBを介して基板Sと電気的に接続されている。好ましくは、この金属フレームMFは銅または同様の金属を含み、第1の加工工程においてほぼ平坦にフライス加工される。これは例えばダイアモンドフライス加工によって行われる。フリップチップ技術およびこれに用いられるリフローによって、チップCHは金属フレームMFと結合される。チップCHと金属フレームMFの間隔が殆どゼロとなるように、金属フレームMFは表面が平坦に形成される。代替あるいは補完として、デバイスを押圧下で冷却してもよい。これにより、例えばバンプコンタクトBの熱膨張係数が金属フレームMFの熱膨張係数より大きい場合、チップCHはさらに金属フレームMFに押し付けられることができる。1つの独立した工程で、前もってチップには導電路が設けられ、このチップをMEMSまたは類似のシステムとして使用することを可能とする。チップの必要とする面積を低減するために、このチップは導電路の交差を含んでもよい。チップの必要とする面積はこの導電路の交差によって低減される。本発明による方法において必要なフレーム幅が最小に選択され得ること、すなわち、チップが完全にフレームの上に戴置され、このフレームが少なくともチップのエッジと共に終端部となるのに充分となるように選択され得ることによって、デバイスに必要な面積はさらに極小とされる。交差する導電路間の絶縁層として、ベンゾシクロブタンBCBまたは他の適合した合成物質が用いられる。金属フレームMFの上に戴置されたチップCHは、基板Sと共にキャビティすなわち包囲された空間を形成する。この包囲された空間は、例えば音響表面波または体積波を含むチップCHを使用する場合に必要となる。チップCHの長期間の正しい動作のために、この包囲されたキャビティが気密に封止される、すなわちガスが透過せず、環境の影響から保護されることが必要である。これに加え、金属フレームMFとチップCHの間の結合には、金属の締結層を敷設する。この金属締結層は、基板S、チップCH、および金属フレームMFを、好ましくは全く平坦に固定する。このように、本発明の有利な点は、キャビティ内に存在するチップ表面を汚染および腐食から保護できることである。金属封止層は好ましくは10から45μmの厚さを有し、金属フレームは70μmまでの高さを有してもよい。図1には、金属封止層がどのようにデバイスに取り付けられるかが矢印で示されている。原理的には種々のプロセスが可能である。好ましくは、プラズマ処理が用いられるプラズマを利用して、ナノ金属粒子やマイクロ金属粒子のようなものを所定の角度、好ましくは約45°で、デバイスに当てる。この際、チップCHの側面にも充分にコーティングが確実に行われる。これらの金属粒子は、プラズマジェットによってデバイスに到達する。プラズマジェットは、ジェットまたはビーム状のプラズマ流を意味する。このプラズマ流は1つの装置で生成され、これから引き出される。この際好ましくは、プラズマはデバイスの表面まで延在する。ジェット形状の実際のプラズマの生成は、原理的に様々な方法で行うことが可能である。誘電体で妨げられた放電またはアーク放電が可能である。生成されたプラズマ流は、周囲の空気を除くように、好ましくは分離された空間領域で、キャリアガスとしてイオン化したプロセスガスを用いて、プラズマジェットの形状となる。さらに、このプロセスガスは反応チャンバに導入され、このキャリアガスに金属粒子が混入される。このようにして活性化されたプロセスガスは、噴出ノズルを用いてデバイスの表面に当たり、このデバイスの表面を金属封止層とするように、混入された金属粒子を堆積する。本発明の有利な点は、このようにして溶剤の不要な、金属の直接成膜が可能なことである。金属封止層はこのようにして極めて均一に形成される。この技術の特筆すべき特性は低温であり、粒子速度が小さいことである。こうして、薄く、温度に敏感な基板の上に付着する層を生成することができる。金属粒子は、原子間および分子間の相互作用によって、デバイスの上に付着する。用いられる粉末としては、塊の無い、ミクロンおよびサブミクロン領域の、銅、アルミニウム、亜鉛、錫、ニッケル、銀および金の金属粉末が使用されてよい。キャリアガスとしては、空気、窒素、アルゴンおよび添加物として水素と酸素が可能である。プラズマは、インバータの原理により高効率のパルス状アーク放電を用いて発生されてよい。プラズマ処理を用いて、金属あるいは合金からなる層列が取り付けられてもよい。このようにして、おおむね260°Cより低い融点を有するものと、260°Cより大きい融点を有する他の金属を含む複数層が可能となる。デバイスは、さらに続いて、低温で融解する金属または同様に低温で融解する合金の融点以上に加熱され、適合した金属層の組み合わせにより、270°C以下のリフロー温度で融解せずガスを透過しない合金が形成される。以下に図2に関連して記載されているように、同様な層列は、金属のスプレー吹付を用いて取り付けられてもよい。図2は、図1で構造が記載されているような、本発明で提案する方法に基づいたデバイスを示す。さらに様々の、代替あるいは組み合わせ可能な処理工程が示されており、この処理工程は、金属粒子、とりわけナノ金属粒子およびマイクロ金属粒子のスプレー吹付に関連して用いられてよい。粒子としてはとりわけ、銀や銅のような高融点金属またはインジウムや錫のような低融点金属が可能である。これらの金属粒子は、原則としてアルコールのような揮発性の有機溶剤に溶解される。接着剤を用いるような、デバイスへの粒子のさらに良好な付着を可能とするため、チップと金属フレームの間の間隙に金属粒子、特にナノ粒子が侵入することを妨げるため、様々の表面官能基化が行われてよい。とりわけ、表面の官能基化にシラン化が用いられてよい。Aで示す処理工程では、噴出処理またはインクジェット処理を用いて金属フレームMFとチップCHの間の間隙にシラン化がもたらされる。とりわけこの噴出は、定められた領域に沿って行われ、これにより正に吹き付けられた金属粒子の侵入が妨げられる。これはとりわけチップCHと金属フレームMFの間の座面に沿って有利である。代替として、Bで示す、反応チャンバでのような気相の処理工程を用いて、これより表面官能基化が行われてよい。さらに続いて、領域毎に、プラズマまたはバックスパッタRucksputternによって、選択的にシランが除去される。Cで示す処理工程では、金属フレームMFまたはチップCHのような個々の部品が、取り付ける前に既に化学的に表面官能基化される。処理工程Dでは、金属粒子が直接スプレー吹付けされる。これは、表面官能基化を補助的に使用してもあるいはこれを用いなくとも行うことができる。ナノ粒子が吹き付けられ、金属封止層が形成された後で、デバイスをアニールすることが有効である。さらに、関係する金属材料の融解点より遥かに低い温度が、長時間適用される。これに続いて、このように形成した金属封止層がさらに電解めっきによって補強され、これにより層厚を増加することが推奨される。さらに、一種類でなく複数の異なるナノ粒子を用いることも可能である。噴射またはインクジェット技術の代替として、図示していないが、この金属封止層MLは、適合した反応室において蒸着によって形成されてよい。適合した金属は、チタン、銅、およびニッケルを含む。この選択はしかしながら限定されるものではない。図3は、多層金属フィルムMfolを用いた、本発明で提案する方法に基づいたデバイスのさらにもう1つの実施形態例を示す。図中に矢印で示すように、適切な圧力および温度p,Tで、1つの第1の処理工程Aにおいて、多層金属フィルムMfolがデバイスの上に敷設される。多層金属フィルムMfolの1つの低融点の金属部分Mの加熱によって、この材料は液体となり、チップCHの周囲に沈下し、この際チップCHは金属フレームMFとはんだ付けされ、デバイスを全く平坦に封止する。フィルムfolは、実質的にチップCHの上に戴置されたまま残る。この構造の冷却後、金属封止層はデバイスを気密に封止する。例えば適合する金属フィルムMfolは、300°C未満で融解する、Sn、AuSnのような金属層Mを備える。この際、液化した金属層Mは、基板に設けられた金属フレームMFとの合金化を、金属フレームMFの境界面で行うことができる。代替として、300°C未満で融解する金属層が押圧下で融解されてよい。この際、圧力pはダイスによって与えられ、このダイスは、液状の金属がダイスを濡らさないようにコーティングされている。代替として、液状の金属Mとダイスの間に、液状の金属で濡らされるポリマーフィルムを設けてよく、このフィルムは例えば刻印用のフィルムとして仕上げ工程の後もデバイスに残る。"