"第1導電型半導体層、前記第1導電型半導体層の上に活性層、及び前記活性層の上に第2導電型半導体層を含む発光構造物と、前記第1導電型半導体層の上面に接触された接合層と、前記第1導電型半導体層及び前記接合層の上面に接触された第1電極と、前記第2導電型半導体層に接触する第2電極と、を含み、前記第1電極に接触された接合層は、前記第2電極と離隔されていることを特徴とする、発光素子。前記第1導電型半導体層の上面に接触される前記第1電極の下面は、前記第1電極の上面の10~95の領域を有することを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1電極と前記接合層とが垂直方向に重畳された領域は、前記第1電極の上面の5~90の幅を有することを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記接合層は、透光性の伝導物質及び透光性の絶縁物質のうち、少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記接合層は、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、またはRuOxのうち、少なくとも1つを含んで形成されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記接合層は、前記第1導電型半導体層の上面から前記発光構造物の側面に沿って前記第2導電型半導体層の上面の一部に延びて形成されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記接合層は、前記第1導電型半導体層の上面に透光性の絶縁物質を含む第1層と、前記第1層の上に透光性の伝導物質を含む第2層と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記接合層は、前記第1導電型半導体層の上面に高屈折率を有する第1層と、前記第1層の上に低屈折率を有する第2層と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記接合層の上面及び前記接合層の下面のうち、少なくとも1つの面の上に凹凸構造を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第2導電型半導体層の上面に透光性電極層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記接合層は、前記第1半導体層の上面及び側面と、前記活性層の側面と、前記第2半導体層の側面及び上面に配置されることを特徴とする、請求項10に記載の発光素子。前記透光性電極層は、前記第2半導体層の上面に配置された前記接合層の一端から離隔されることを特徴とする、請求項11に記載の発光素子。前記接合層は、前記第2導電型半導体層の上面まで延び、前記接合層は前記透光性電極層と前記第2導電型半導体層との間に配置されることを特徴とする、請求項10に記載の発光素子。前記接合層は、前記透光性電極層の上面まで延びることを特徴とする、請求項10に記載の発光素子。前記第1電極は、前記接合層を貫通して前記接合層と垂直方向に重畳されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。本発明の目的は、新たな構造を有する発光素子及び発光素子パッケージを提供することにある。本発明の他の目的は、信頼性が向上した発光素子及び発光素子パッケージを提供することにある。本発明に従う発光素子は、第1導電型半導体層、上記第1導電型半導体層の上に活性層、及び上記活性層の上に第2導電型半導体層を含む発光構造物と、上記第1導電型半導体層の上面に接触された接合層と、上記第1導電型半導体層及び上記接合層の上面に接触された第1電極と、上記第2導電型半導体層に電気的に連結された第2電極と、を含み、上記第1電極に接触された接合層は上記第2電極と離隔されている。本発明に従う発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上面に接触された接合層と、上記発光構造物及び上記接合層の上面に接触された電極と、を含む。本発明に従う発光素子パッケージは、胴体と、上記胴体の上に配置された発光素子と、上記発光素子を囲むように配置されたモールディング部材と、を含み、上記発光素子は、第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含む発光構造物と、上記第1導電型半導体層の上面に接触された接合層と、上記第1導電型半導体層及び上記接合層の上面に接触された第1電極と、上記第2導電型半導体層に電気的に連結された第2電極と、を含み、上記第1電極に接触された接合層は上記第2電極と離隔されている。本発明によれば、新たな構造を有し、信頼性が向上した発光素子及び発光素子パッケージを得ることができる。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。以下、添付の図面を参照しつつ実施形態を説明すれば、次の通りである。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。図1は本発明の第1実施形態に従う発光素子の断面図であり、図2は図1の発光素子の平面図であり、図3は図1の発光素子のA領域の拡大図である。図1乃至図3を参照すると、第1実施形態に従う発光素子100は、成長基板105と、上記成長基板105の上に第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116が順次に積層されて形成され、領域Sは上記第1導電型半導体層112の上面が露出される発光構造物110と、上記領域Sの上記第1導電型半導体層112の上面が少なくとも一部露出されるように形成された接合層130adhesivelayerと、上記領域Sの第1導電型半導体層112及び上記接合層130の上に形成された第1電極150と、上記第2導電型半導体層116の上に形成された透光性電極層120と、上記第2導電型半導体層116及び上記透光性電極層120の上に形成された第2電極140と、を含むことができる。上記成長基板105は、例えば、サファイアAl2O3単結晶、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Geのうち、少なくとも1つで形成されることができ、これに対して限定するのではない。上記成長基板105の上面には上記発光構造物110の成長を促進させ、発光素子の発光効率を向上させるために、所定のパターンが形成されるか、傾斜が形成されることができ、これに対して限定するのではない。上記成長基板105の上には上記発光構造物110が成長されて形成できる。上記発光構造物110は、例えば、上記第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116を含むことができる。但し、上記成長基板105と上記発光構造物110との間には2層の間の格子定数の差を緩和させ、上記発光構造物110の結晶性を向上させるためのバッファ層またはアンドープド半導体層が含まれることもできる。上記第1導電型半導体層112は、例えば、n型ドーパントを含むn型半導体層でありうる。上記n型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、InNなどから選択されることができ、Si、Ge、Snなどのn型ドーパントがドーピングできる。上記活性層114が量子井戸構造で形成された場合、例えばInxAlyGa1-yN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦xy≦1の組成式を有する井戸層とInaAlbGa1-a-bN0≦a≦1,0≦b≦1,0≦ab≦1の組成式を有する障壁層を有する単一または量子井戸構造を有することができる。上記井戸層は、上記障壁層のエネルギーバンドギャップより低いエネルギーバンドギャップを有する物質で形成できる。上記活性層114は、上記第1導電型半導体層112及び第2導電型半導体層116から提供される電子及び正孔の再結合recombination過程で発生するエネルギーにより光を生成することができる。上記第2導電型半導体層116は、例えば、p型ドーパントを含むp型半導体層でありうる。上記p型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、InNなどから選択されることができ、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパントがドーピングできる。上記バッファ層図示せず及び上記アンドープド半導体層図示せずは、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、InNなどから選択できる。上記バッファ層図示せず及び上記アンドープド半導体層図示せずは、導電性ドーパントがドーピングされないので、上記第1及び第2導電型半導体層112、116に比べて格段に低い電気伝導性を有することができる。上記発光構造物110の第2導電型半導体層116の上には上記透光性電極層120が形成できる。上記透光性電極層120は、電流をスプレディング拡散させることによって、電流が上記第2電極140の周辺に偏って流れることを防止することができる。上記透光性電極層120は、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、Ni、Ag、またはAuのうちの1つ以上を用いて、単層または多層で具現できる。図1に示すように、上記透光性電極層120は上記第2導電型半導体層116が少なくとも一部露出されるように形成されることができ、または上記透光性電極層120は上記第2導電型半導体層116の上面の実質的に全領域に形成されることもでき、これに対して限定するのではない。上記第2電極140は、上記透光性電極層120及び上記第2導電型半導体層116のうち、いずれか1つの上に形成されるか、上記透光性電極層120及び上記第2導電型半導体層116の上に形成できる。上記第2電極140は、上記第1電極150と一緒に上記発光構造物110に電源を提供することができる。上記第2電極140は、例えば、Au、Al、Ag、Ti、Cu、Ni、またはCrのうち、少なくとも1つを含む単層または多層構造で形成できるが、これに対して限定するのではない。上記発光構造物110の上記領域SはメサエッチングMesaEtchingにより上記第1導電型半導体層112の上面の一部が露出される領域である。上記領域Sは、上記発光構造物110の側面の一部領域に形成できる。上記領域Sの上記第1導電型半導体層112の上面には、上記第1導電型半導体層112の上面の少なくとも一部が露出されるように上記接合層130が形成できる。即ち、上記接合層130の少なくとも一部領域は上記第1電極150と垂直方向に重畳するように形成できる。上記接合層130は上記第1導電型半導体層112と上記第1電極150との間の接合力を向上させて、結果として上記発光素子100の信頼性を向上させる効果を有することができる。このような効果は、上記第1導電型半導体層112と上記第1電極150との間の接合力より、上記第1電極150と上記接合層130との間の接合力及び上記接合層130と上記第1導電型半導体層112との間の接合力がより大きいことにより表れることができる。このような効果を極大化するためには、上記第1電極150と上記接合層130の少なくとも一部分とが垂直方向に重畳されるように形成されることが好ましい。図3を参照すると、上記第1電極150の下面が上記接合層130が垂直方向に重畳される領域の幅2bは上記第1電極150の上面の全体幅aの5~90範囲で形成できる。上記第1電極150と上記第1導電型半導体層112とが重畳する面積は、上記第1電極150の上面の面積に比べて10~95範囲で形成できる。上記接合層130は上記第1電極150と上記第1導電型半導体層112との間にインベッディドはめ込まれた形態で配置され、このような領域は第1電極150の方向に進行する光の抽出効率を改善させることができる。上記接合層130が上記第1電極150と上記第1導電型半導体層112の各々に、一層硬く接合されるように上記接合層130の上面及び下面の各々に凹凸を形成して、上記接合層130の表面積を極大化することもできる。上記接合層130は光抽出効率改善のために上記発光構造物110より低い屈折率を有する材質で形成されることが好ましい。上記接合層130の透光性絶縁性材質は、例えば、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、及びAl2O3のうちの少なくとも1つで形成されることができ、互いに異なる物質で、多層で構成できる。上記接合層130が多層で形成される場合、高屈折率の物質例:Al2O3:1.7~1.8の屈折率からなる第1層と、上記第1層の上に低屈折率の物質SiO2:1.5~1.6の屈折率からなる第2層とが積層して反復形成できる。上記接合層130は、透光性伝導性材質を含むことができる。上記接合層130は、上記透光性絶縁性材質からなる第1層の上に透光性伝導性材質からなる第2層を積層させて多層構造で形成できる。上記接合層130は、上記発光構造物の電気的な動作に影響を及ぼさない厚さで形成できる。上記透光性伝導性材質は、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、またはRuOxのうちの少なくとも1つを含み、単層または多層構造を有するように形成できるが、これに対して限定するのではない。ここで、上記ITOの屈折率は2.0程度である。また、上記接合層130は透光性絶縁性材質、透光性伝導性材質を用いて高屈折率を有する第1層、及び低屈折率を有する第2層を積層させることができ、このような2層の屈折率の差がGaNとの屈折率の差より小さい場合、反対の積層構造、例えば、上記低屈折率の第2層と高屈折率の第1層の順に配置できる。一方、上記接合層130は多様な形態を有するように形成できる。図4乃至図6は、各々第2実施形態乃至第4実施形態に従う発光素子の断面図である。図1乃至図3を参照すると、第1実施形態に従う発光素子100は、上記接合層130が上記領域Sの第1導電型半導体層112の上面だけでなく、上記発光構造物110の側面、例えば上記活性層114の側面と上記第2導電型半導体層116の側面、そして上記透光性電極層120の上面の一部領域に重畳されるように形成できる。図4を参照すると、第2実施形態に従う発光素子100Aは、上記接合層130が上記領域Sの第1導電型半導体層112の上面だけでなく、上記発光構造物110の側面、例えば上記活性層114の側面と上記第2導電型半導体層116の側面、そして上記第2導電型半導体層116の上面の一部領域に重畳されるように形成できる。この際、上記透光性電極層120は、上記第2導電型半導体層116の上に形成された上記接合層130の一端から離隔するように上記第2導電型半導体層116の上に形成できる。図5を参照すると、第3実施形態に従う発光素子100Bは、上記接合層130が上記領域Sの第1導電型半導体層112の上面のみに形成できる。図6を参照すると、第4実施形態に従う発光素子100Cは、上記接合層130が上記領域Sの第1導電型半導体層112の上面だけでなく、上記発光構造物110の側面、例えば上記活性層114の側面と上記第2導電型半導体層116の側面、そして上記第2導電型半導体層116の上面の一部領域に重畳されるように形成できる。この際、上記透光性電極層120は、上記第2導電型半導体層116の上だけでなく、上記第2導電型半導体層116の上に形成された上記接合層130の一端領域の上に形成できる。即ち、上記透光性電極層120の一端領域は上記接合層130の一端領域と重畳されるように形成できる。第1、第2、及び第4実施形態に従う発光素子100、100A、100Cの場合、上記接合層130が上記第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116と同時に接触するので、上記これら層112、114、116の間の電気的ショートを防止するために、上記接合層130は上記透光性絶縁性材質で形成されなければならない。第3実施形態に従う発光素子100Bの場合、上記接合層130が上記第1導電型半導体層112の上部のみに形成されて電気的ショートが発生する虞がないので、上記接合層130は透光性伝導性材質または透光性絶縁性材質のうち、いずれかで形成されても構わない。上記接合層130は、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、またはRuOxのうちの少なくとも1つで単層または多層構造を有するように形成できる。上記第1電極150は、上記第1導電型半導体層112及び上記接合層130の上に形成できる。上記第1電極150の下面の一部領域は上記第1導電型半導体層112の上面と接触され、他の一部領域は上記接触層130の上面及び側面と接触されるように形成できる。上記第1電極150は、例えば、Au、Al、Ag、Ti、Cu、Ni、またはCrのうち、少なくとも1つを含む単層または多層構造で形成できるが、これに対して限定するのではない。上記第1電極150が多層構造からなる場合、上記第1電極150と上記第1導電型半導体層112または上記接合層130が接触する界面に隣接する上記第1電極150の最低層は接着力の高い材質であるTi、Ni、Crなどを含むことが好ましい。また、上記第1電極150の最上層はワイヤボンディングが容易となるように高い接着力を有するAu、Tiなどを含むことが好ましい。以下、第1実施形態に従う発光素子100の製造工程について詳細に説明する。図7乃至図11は、本発明の第1実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。図7を参照すると、上記成長基板105の上に上記第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116を順次に形成して上記発光構造物110を形成することができる。上記発光構造物110は、例えば、有機金属化学蒸着法MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDeposition、化学蒸着法CVD:ChemicalVaporDeposition、プラズマ化学蒸着法PECVD:PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition、分子線成長法MBE:MolecularBeamEpitaxy、水素化物気相成長法HVPE:HydrideVaporPhaseEpitaxyなどの方法を用いて形成されることができ、これに対して限定するのではない。図8を参照すると、上記第1導電型半導体層112の上面の少なくとも一部領域が露出されるように上記発光構造物110の一部隅領域、即ち領域Sにメサエッチングを遂行する。まず、フォトリソグラフィ工程を用いて上記発光構造物110の上にエッチングのためのパターンを形成した後、上記パターンをマスクにしてメサエッチングを遂行することができる。上記メサエッチングは、乾式エッチングまたは湿式エッチングにより遂行できる。図9を参照すると、上記第2導電型半導体層116の上に上記透光性電極層120を形成することができる。上記透光性電極層120は、上記第2導電型半導体層116の上面の全領域に形成されるか、一部領域に形成できる。上記透光性電極層120は、電子ビームEbeam蒸着、スパッタリングSputtering、PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDepositionのうち、いずれか1つの蒸着方法により形成できるが、これに対して限定するのではない。図10を参照すると、少なくとも上記領域Sの第1導電型半導体層112の上面に上記接合層130が形成できる。上記接合層130は、上記第1導電型半導体層112の上面及び側面と、上記活性層114の側面と、上記第2導電型半導体層116の側面及び上面に形成できる。この際、上記接合層130の一端は上記第2導電型半導体層116の上面の一部領域に形成できる。上記接合層130は、上記第1導電型半導体層112の上面の少なくとも一部領域が露出されるように形成できる。上記接合層130は、マスクを形成した後、電子ビームEbeam蒸着、スパッタリングSputtering、PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDepositionなどの蒸着工程を実施することによって形成できる。但し、これに対して限定するのではない。上記接合層130は第2電極140が上記第1導電型半導体層112に接触されるようにするために、エッチング工程によりパターニングできる。図11を参照すると、上記第1導電型半導体層112及び上記接合層130の上に上記第1電極150を形成し、上記第2導電型半導体層116及び上記透光性電極層120の上に上記第2電極140を形成することによって、第1実施形態に従う発光素子100を提供することができる。上記第1電極150の下面の一部領域は上記第1導電型半導体層112の上に形成され、他の領域は上記接合層130の上に形成できる。上記第2電極140の一部領域は上記第2導電型半導体層116の上に形成され、他の領域は上記透光性電極層120の上に形成できる。上記第1及び第2電極140、150は、例えば、蒸着方式またはメッキ方式により形成できるが、これに対して限定するのではない。以下、第5実施形態に従う発光素子について詳細に説明する。但し、前述したものと重複する説明は省略、または簡略に説明する。図12は、本発明の第5実施形態に従う発光素子の断面図である。図12を参照すると、第5実施形態に従う発光素子200は、伝導性支持部材240と、上記伝導性支持部材240の上に接合金属層245と、上記接合金属層245の上に反射層246と、上記反射層246の上にオーミック層248と、上記反射層246の上面の周り領域に保護層247と、上記オーミック層248及び上記保護層247の上に発光構造物210と、上記発光構造物210の側面にパッシベーション層235と、上記発光構造物210の上面に接合層230と、上記発光構造物210及び上記接合層230の上に電極250と、を含むことができる。上記伝導性支持部材240は上記発光構造物210を支持し、上記電極250と一緒に上記発光素子200に電源を提供するための電極として機能できる。上記伝導性支持部材240は、例えば、銅Cu、金Au、ニッケルNi、モリブデンMo、銅-タングステンCu-W、キャリヤウエハ例:Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiSe等のうち、少なくともいずれか1つで形成できる。上記伝導性支持部材240の上には上記接合金属層245が形成できる。上記接合金属層245は、上記伝導性支持部材240と上記反射層246との間の界面接合力を向上させるために接着力の良い金属材質で形成できる。例えば、上記接合金属層245は、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうちの少なくとも1つを含んで、単層または多層構造で形成できる。但し、上記伝導性支持部材240をボンディング方式でなく、メッキまたは蒸着方式により形成する場合、上記接合金属層245は形成されないこともある。上記接合金属層245の上には上記反射層246が形成できる。上記反射層246は、上記発光構造物210から入射される光を上に反射させることによって、上記発光素子200の発光効率を向上させることができる。上記反射層246は、例えば、銀Ag、アルミニウムAl、パラジウムPd、銅Cu、または白金Ptのうち、少なくとも1つを含む金属または合金で形成できる。上記反射層246の上にはオーミック層248が形成できる。上記オーミック層248は、上記反射層246と上記発光構造物210との間のオーミックコンタクトを形成するために形成できる。上記オーミック層248は透光性伝導層と金属を選択的に使用することができ、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、Ni、Ag、またはAuのうちの1つ以上を用いて、単層または多層で具現できる。上記反射層246の上面の周り領域には上記保護層247が形成できる。即ち、上記保護層247は、上記発光構造物210と上記伝導性支持部材240との間の周り領域に形成できる。上記保護層247は、上記伝導性支持部材240と上記発光構造物210とが互いに電気的にショートされることを防止し、製造工程の信頼性を向上させることができる。上記保護層247は、例えば、電気絶縁性材質、または上記発光構造物210に比べて低い電気伝導性材質で形成できる。例えば、上記保護層247は、SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、ITO、AZO、ZnOなどからなる群から少なくとも1つが選択されて形成できる。上記オーミック層248と上記発光構造物210との間には上記電極250と少なくとも一部が垂直方向に重畳されるように電流遮断層249が形成されることもできる。上記電流遮断層249は、上記電極250と上記伝導性支持部材240との間の最短距離に電流が偏重されることを防止することができる。上記電流遮断層249は電気絶縁性を有するか、上記第2導電型半導体層216とショットキーコンタクトを形成する物質を用いて形成されることができ、例えば、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al、Crのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記オーミック層248及び上記保護層247の上には上記発光構造物210が形成できる。上記発光構造物210は、第1導電型半導体層216、上記第1導電型半導体層216の上に活性層214、及び上記活性層214の上に第2導電型半導体層212を含むことができるが、これに対して限定するのではない。上記発光構造物210は、3族乃至5族化合物半導体で形成されることができ、電子及び正孔の再結合過程を経て光を生成することができる。これに対する詳細な内容は前述したので省略する。また、上記発光構造物210の上面、即ち上記第2導電型半導体層212の上面にはラフネス構造または凹凸構造が形成できる。上記ラフネス構造または凹凸構造は、湿式エッチングにより形成されたランダムなラフネスroughnessであるとか、パターニング工程を通じて形成された光結晶構造photoniccrystalのような周期的なパターンでありうる。上記ラフネス構造または凹凸構造は上記発光素子200の光抽出効率を向上させるだけでなく、上記発光構造物210と上記接合層230との間の界面の表面積を広げることによって両者間の接合力を向上させることができる。上記発光構造物210の側面には上記パッシベーション層235が形成できる。上記パッシベーション層235は、上記発光構造物210が外部電極などと電気的にショートされることを防止することができ、例えば、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3で形成できるが、これに対して限定するのではない。上記発光構造物210の上面の少なくとも一部領域には上記接合層230が形成できる。図12に示すように、上記接合層230は上記第2導電型半導体層212の上面の一部領域が露出されるように形成できる。上記接合層230は、上記パッシベーション層235と同一物質で、同一工程により、一体で、そして同時に形成できる。即ち、上記接合層230は、上記パッシベーション層235から延びて形成できる。または、上記接合層230は上記パッシベーション層235と相異する物質で、相異する工程により、また、互いに離隔するように形成できる。上記接合層230の上面の一部領域及び上記第2導電型半導体層212の上面の一部領域に上記電極250が形成できる。言い換えると、上記電極の下面の一部領域は上記第2導電型半導体層212の上に重畳されて形成され、他の領域は上記接合層230の上に重畳されて形成できる。上記接合層230は、上記第1導電型半導体層216と上記電極250との間の接合力を向上させて、結果として上記発光素子200の信頼性を向上させる効果を有することができる。このような効果は、上記第2導電型半導体層212と上記電極250との間の接合力より、上記電極250と上記接合層230との間の接合力及び上記接合層230と上記第2導電型半導体層212との間の接合力がより大きいことによって表れることができる。このような効果を極大化するためには、上記電極250と上記接合層230の少なくとも一部分が垂直方向に重畳されるように形成されることが好ましい。上記電極250の下面が上記接合層230と垂直方向に重畳される領域の幅は、上記電極250の上面の全体幅の5~90範囲で形成できる。上記電極250と上記第2導電型半導体層212とが重畳する面積は、上記電極250の上面面積に比べて10~95範囲で形成できる。上記接合層230が上記電極250と上記第2導電型半導体層212との間をより強固に接合できるように、上記接合層230の上面と下面の各々に凹凸構造またはラフネス構造を形成して上記接合層230の表面積を大きくすることもできる。上記接合層230の材質は、例えば、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、またはRuOxのうちの少なくとも1つで単層または多層構造を有するように形成できるが、これに対して限定するのではない。上記接合層230は、光抽出効率の改善のために上記発光構造物210より低い屈折率を有する材質で形成されることが好ましい。上記第2導電型半導体層212及び上記接合層230の上には上記電極250が形成できる。即ち、上記電極250の下面は上記接合層230の上面及び側面を囲みながら接触し、上記第2導電型半導体層212の上面とも接触できる。これによって、上記電極250は上記発光構造物210の上に強固に接合できるようになる。以下、第5実施形態に従う発光素子の製造工程について説明する。但し、前述した内容と重複する説明は省略または簡略に説明する。図13乃至図20は、本発明の第5実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。図13を参照すると、成長基板205の上に上記発光構造物210が形成できる。上記発光構造物210は、少なくとも第2導電型半導体層212、活性層214、及び第1導電型半導体層216を含むことができる。図14を参照すると、上記発光構造物210の第1導電型半導体層216の上に上記保護層247及び上記電流遮断層249が形成できる。上記保護層247は、マスクパターンを用いて個別チップ1chipの境界領域に形成されることができ、リング形状、ループ形状、フレーム形状などで形成できる。上記保護層247は、例えば、電子ビームEbeam蒸着、スパッタリングSputtering、PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDepositionのうち、いずれか1つの方法により形成できる。上記電流遮断層249は、後に形成される上記電極250と垂直方向に少なくとも一部が重畳されるように形成されることができ、蒸着またはメッキ方式により形成できる。図15を参照すると、上記第1導電型半導体層216及び上記電流遮断層249の上に上記オーミック層248を形成し、上記オーミック層248及び上記保護層247の上に上記反射層246を形成し、上記反射層246の上に上記接合金属層245を形成し、上記接合金属層245の上に上記伝導性支持部材240を形成することができる。上記オーミック層248及び反射層246は、蒸着またはメッキ方式により形成できる。上記伝導性支持部材240は、蒸着またはメッキ方式により形成されるか、別途のシートにて用意されて、ボンディング方式により形成できる。上記伝導性支持部材240が蒸着またはメッキ方式により形成される場合、上記接合金属層245は形成されないこともある。図16を参照すると、上記成長基板205が除去できる。上記成長基板205は、レーザリフトオフLaserLiftOffまたは化学的リフトオフChemicalLiftOffのうち、少なくとも1つの工程により除去できる。上記レーザリフトオフLLOは、上記成長基板205の背面にレーザを照射することによって、上記成長基板205と上記第2導電型半導体層212との間の界面を剥離させる工程である。上記成長基板205が除去されることに伴い、上記第2導電型半導体層212の下面が露出できる。上記第2導電型半導体層212には湿式エッチングを遂行して表面のドーパントを除去することができる。図17を参照すると、上記発光構造物210のチップ境界領域にアイソレーションエッチングを行って複数の発光素子を形成することができる。上記アイソレーションエッチングIsolationEtchingは、例えば、ICPInductivelyCoupledPlasmaのような乾式エッチング装備を用いて遂行できる。図18を参照すると、上記発光構造物210の少なくとも側面に上記パッシベーション層235が形成できる。具体的には、上記パッシベーション層235は一端が上記発光構造物210の上面、即ち上記第2導電型半導体層212の上面に配置され、他端が上記発光構造物210の側面を経由して上記保護層247の上に形成できるが、これに対して限定するのではない。上記パッシベーション層235は、電子ビーム蒸着、PECVD、またはスパッタリングのうち、少なくとも1つの蒸着方式により形成できる。図19を参照すると、上記発光構造物210の上面に上記接合層230が形成できる。上記接合層230は、電子ビーム蒸着、PECVD、またはスパッタリングのうちの少なくとも1つの蒸着方式により形成されることができ、上記パッシベーション層235と同一な材質で形成されるか、相異する材質で形成できる。上記接合層230を形成する前に、上記発光構造物210の上面、即ち上記第2導電型半導体層212の上面にラフネス構造または凹凸構造を形成することもできる。上記接合層230は、上記電極250が上記第2導電型半導体層212と接触するようにするために、一部領域が除去されて、上記第2導電型半導体層212の一部領域が露出できる。図20を参照すると、上記発光構造物210の第2導電型半導体層212の露出した領域及び上記接合層230の上に上記電極250を形成することによって、第5実施形態に従う発光素子200を提供することができる。上記電極250の下面の一部領域は上記第2導電型半導体層212の上面と接触され、他の一部領域は上記接合層230の上面及び側面と接触するように形成できる。上記電極250の下面は上記接合層230の上面及び側面に接触するので、より強固に上記発光構造物210の上に接合できる。図21は、本発明の実施形態に従う発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。図21を参照すると、実施形態に従う発光素子パッケージ10は、胴体20と、上記胴体20に設置された第1リード電極31及び第2リード電極32と、上記胴体20に設置されて上記第1リード電極31及び第2リード電極32と電気的に連結される実施形態に従う発光素子100と、上記発光素子100を囲むモールディング部材40と、を含む。上記胴体20は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができ、上記発光素子100の周囲に傾斜面が形成できる。上記第1リード電極31及び第2リード電極32は互いに電気的に分離され、上記発光素子100に電源を提供する。また、上記第1リード電極31及び第2リード電極32は、上記発光素子100で発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、上記発光素子100で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。上記発光素子100は、上記胴体20の上に設置されるか、上記第1リード電極31または第2リード電極32の上に設置できる。上記発光素子100は、上記第1リード電極31及び第2リード電極32と、ワイヤ方式、フリップチップ方式、またはダイボンディング方式のうち、いずれか1つにより電気的に連結されることもできる。上記モールディング部材40は、上記発光素子100を囲んで上記発光素子100を保護することができる。また、上記モールディング部材40には蛍光体が含まれて、上記発光素子100から放出された光の波長を変化させることができる。上記発光素子パッケージは、上記に開示された実施形態の発光素子のうちの少なくとも1つを、1つまたは複数個で搭載することができ、これに対して限定するのではない。実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージは、ライトユニットに適用できる。上記ライトユニットは、複数の発光素子または発光素子パッケージがアレイされた構造を含み、図22及び図23に図示された表示装置、及び図24に図示された照明装置を含み、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれることができる。図22は、本発明の実施形態に従う表示装置の分解斜視図である。図22を参照すると、表示装置1000は、導光板1041と、上記導光板1041に光を提供する発光モジュール1031と、上記導光板1041の下に反射部材1022と、上記導光板1041の上に光学シート1051と、上記光学シート1051の上に表示パネル1061と、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022を収納するボトムカバー1011と、を含むことができるが、これに限定されるのではない。上記ボトムカバー1011、反射部材1022、導光板1041、及び光学シート1051は、ライトユニット1050と定義できる。上記導光板1041は、上記発光モジュール1031から提供された光を拡散させて面光源化させる役割をする。上記導光板1041は透明な材質からなり、例えば、PMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COCcycloolefincopolymer、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つを含むことができる。上記発光モジュール1031は、上記導光板1041の少なくとも一側面に配置されて上記導光板1041の少なくとも一側面に光を提供し、結果として表示装置の光源として作用するようになる。上記発光モジュール1031は少なくとも1つを含み、上記導光板1041の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。上記発光モジュール1031は、基板1033と上記に開示された実施形態に従う発光素子パッケージ10を含み、上記発光素子パッケージ10は、上記基板1033の上に所定間隔でアレイできる。上記基板は、印刷回路基板printedcircuitboardであることがあるが、これに限定するのではない。また上記基板1033は、メタルコアPCBMCPCB:MetalCorePCB、軟性PCBFPCB:FlexiblePCBなどを含むこともでき、これに対して限定するのではない。上記発光素子パッケージ10は、上記ボトムカバー1011の側面または放熱プレートの上に搭載される場合、上記基板1033は除去できる。上記放熱プレートの一部は上記ボトムカバー1011の上面に接触できる。したがって、発光素子パッケージ10で発生した熱は放熱プレートを経由してボトムカバー1011に放出できる。上記複数の発光素子パッケージ10は、上記基板1033の上に光が放出される出射面が上記導光板1041と所定距離離隔するように搭載されることができ、これに対して限定するのではない。上記発光素子パッケージ10は、上記導光板1041の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができ、これに対して限定するのではない。上記導光板1041の下には上記反射部材1022が配置できる。上記反射部材1022は、上記導光板1041の下面に入射された光を反射させて上記表示パネル1061に供給することによって、上記表示パネル1061の輝度を向上させることができる。上記反射部材1022は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。上記反射部材1022は、上記ボトムカバー1011の上面であることがあり、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1011は、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022などを収納することができる。このために、上記ボトムカバー1011は、上面が開口されたボックスbox形状を有する収納部1012が備えられることができ、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1011は、トップカバー図示せずと結合されることができ、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1011は金属材質または樹脂材質で形成されることができ、プレス成形または押出成形などの工程を用いて製造できる。また、上記ボトムカバー1011は熱伝導性の良い金属または非金属材料を含むことができ、これに対して限定するのではない。上記表示パネル1061は、例えばLCDパネルであって、互いに対向する透明な材質の第1及び第2基板、そして第1及び第2基板の間に介された液晶層を含む。上記表示パネル1061の少なくとも一面には偏光板が付着されることができ、このような偏光板の付着構造に限定するのではない。上記表示パネル1061は、上記発光モジュール1031から提供された光を透過または遮断させて情報を表示するようになる。このような表示装置1000は、各種の携帯端末機、ノートブックコンピュータのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テレビなどに適用できる。上記光学シート1051は、上記表示パネル1061と上記導光板1041との間に配置され、少なくとも一枚以上の透光性シートを含む。上記光学シート1051は、例えば拡散シートdiffusionsheet、水平及び垂直プリズムシートhorizontalverticalprismsheet、及び輝度強化シートbrightnessenhancedsheetのようなシートのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平または/及び垂直プリズムシートは入射される光を上記表示パネル1061に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、上記表示パネル1061の上には保護シートが配置されることができ、これに対して限定するのではない。上記発光モジュール1031の光経路上には、光学部材として、上記導光板1041、及び光学シート1051を含むことができ、これに対して限定するのではない。図23は、本発明の実施形態に従う表示装置を示す図である。図23を参照すると、表示装置1100は、ボトムカバー1152、上記に開示された発光素子パッケージ10がアレイされた基板1120、光学部材1154、及び表示パネル1155を含む。上記基板1120及び上記発光素子パッケージ10は、発光モジュール1060と定義できる。上記ボトムカバー1152、少なくとも1つの発光モジュール1060、及び光学部材1154は、ライトユニット図示せずと定義できる。上記ボトムカバー1152には収納部1153を具備することができ、これに対して限定するのではない。上記光学部材1154は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記導光板はPC材質またはPMMAPolymethylmethacrylate材質からなることができ、このような導光板は除去できる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を上記表示パネル1155に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。上記光学部材1154は上記発光モジュール1060の上に配置され、上記発光モジュール1060から放出された光を面光源するか、拡散、集光などを遂行するようになる。図24は、本発明の実施形態に従う照明装置の斜視図である。図24を参照すると、照明装置1500は、ケース1510と、上記ケース1510に設置された発光モジュール1530と、上記ケース1510に設置され、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1520と、を含むことができる。上記ケース1510は放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成できる。上記発光モジュール1530は、基板1532と、上記基板1532に搭載される実施形態に従う発光素子パッケージ10と、を含むことができる。上記発光素子パッケージ10は、複数個がマトリックス形態または所定間隔で離隔してアレイできる。上記基板1532は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCB、FR-4基板などを含むことができる。また、上記基板1532は光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層となることができる。上記基板1532の上には少なくとも1つの発光素子パッケージ10が搭載できる。上記発光素子パッケージ10の各々は少なくとも1つのLEDLightEmittingDiodeチップを含むことができる。上記LEDチップは、赤色、緑色、青色、または白色のような可視光線帯域の発光ダイオード、または紫外線UV:UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール1530は、色感及び輝度を得るために、多様な発光素子パッケージ10の組合を有するように配置できる。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置できる。上記連結端子1520は、上記発光モジュール1530と電気的に連結されて電源を供給することができる。上記連結端子1520は、ソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子1520は、ピンpin形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。実施形態によれば、発光素子は半導体層の上に接合層が配置され、上記半導体層の上面と上記接合層の上面及び側面に電極が配置されるようにする。上記半導体層及び上記電極に、一層強い接合力を有する接合層を配置することによって、電極の脱着を防止して製品信頼性を向上させることができる。実施形態によれば、上記接合層の上面及び下面の各々に凹凸構造を有するようにすることによって、接合力がより強化されて製品信頼性を極大化することができる。実施形態によれば、上記電極が上記接合層と垂直方向に重畳されるようにすることによって、上記電極の接触面積を拡大して接合力をさらに向上させることができる。実施形態によれば、上記接合層が伝導性材質からなる場合、上記接合層を上記半導体層の上のみに配置して、発光構造物の各層の間のショートを防止することができる。実施形態によれば、上記接合層を上記第1半導体層の上面及び側面と、上記活性層の側面と、上記第2半導体層の側面及び上面に配置することによって、発光構造物の側面を保護することができる。実施形態によれば、垂直型発光素子構造において、発光構造物の側面にパッシベーション層を形成し、接合層がパッシベーション層から延びるように配置することによって、製造工程を簡単にすることができる。実施形態に従う発光素子製造方法は、基板の上に、第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む発光構造物を形成し、上記第1半導体層の一部領域が露出するようにエッチングを遂行し、少なくとも上記第1半導体層の上に接合層を形成し、上記第1半導体層が露出されるように上記接合層の一部領域を除去し、上記第1半導体層の上面と上記接合層の上面及び側面に電極を形成する。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"