第1の方向に延在し、第2の方向に配列した走査線と、第2の方向に延在し、第1の方向に配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素電極が形成されたTFT基板と、前記画素に対応したカラーフィルタを有する対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルの背面にバックライトが配置された液晶表示装置であって、前記走査線、前記映像信号線、前記画素電極を覆って配向膜が形成され、前記配向膜は光配向処理を受けており、前記配向膜は光導電特性を有しており、前記走査線を覆う前記配向膜の下にはフォトレジストが配置されていることを特長とする液晶表示装置。前記フォトレジストの厚さは前記配向膜の厚さの10倍以上であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記フォトレジストの厚さは前記配向膜の厚さの20倍以上であることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。第1の方向に延在し、第2の方向に配列した走査線と、第2の方向に延在し、第1の方向に配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素電極が形成されたTFT基板と、前記画素に対応したカラーフィルタを有する対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルの背面にバックライトが配置された液晶表示装置であって、前記走査線、前記映像信号線、前記画素電極を覆って配向膜が形成され、前記配向膜は光配向処理を受けており、前記配向膜は光導電特性を有しており、前記バックライトを消灯した状態における前記走査線を覆う前記配向膜の比抵抗は、前記画素電極を覆う前記配向膜の比抵抗よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。前記走査線を覆う前記配向膜におけるイミド環の密度は、前記画素電極を覆う前記配向膜におけるイミド環の密度よりも小さいことを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。第1の方向に延在し、第2の方向に配列した走査線と、第2の方向に延在し、第1の方向に配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素電極が形成されたTFT基板と、前記画素に対応したカラーフィルタを有する対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルの背面にバックライトが配置された液晶表示装置の製造方法であって、前記走査線、前記映像信号線、前記画素電極を覆って配向膜を塗布する工程と、前記配向膜を乾燥する工程と、前記配向膜を焼成してイミド化する工程と、前記配向膜に対して偏光紫外線を照射して光配向を行う工程と、前記偏光紫外線を照射後、加熱する工程と、前記配向膜を加熱しながら、前記走査線を覆う前記配向膜にのみ紫外線を照射する工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。前記配向膜を加熱しながら、前記走査線を覆う前記配向膜にのみ紫外線を照射する工程における紫外線は、偏光紫外線であることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置の製造方法。前記配向膜を加熱しながら、前記走査線を覆う前記配向膜にのみ紫外線を照射する工程における加熱温度は200°C~210°Cであることを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法。しかしながら配向膜への配向制御能の付与という点において、光配向処理はラビング処理と比較すると、一般的には配向安定性が低いということが知られている。配向安定性が低いと、初期配向方向が変動し、表示不良の原因となる。特に、高い配向安定性が要求される横電界方式の液晶表示パネルを用いた液晶表示装置では配向安定性が低いことで残像に象徴される表示不良が発生し易い。光配向処理ではラビング処理のような高分子の主鎖を延伸し、直線状にする工程がLCDプロセス中に存在しない。そのため、光配向処理においては偏光が照射されたポリイミドに代表される合成高分子の配向膜が、当該偏光方向と直交する方向で主鎖が切断されることで一軸性が付与される。液晶分子は切断されずに直線上に伸びて残った長い主鎖方向に沿って配向するが、この主鎖の長さが短くなると、一軸性が低下し、液晶との相互作用が弱くなって配向性が低下するために、前記した残像が発生し易くなる。従って、配向膜の一軸性を向上させ、配向安定性を向上させるためには、配向膜の分子量を大きくすることが必要であるが、これを解決する手法として、ポリアミド酸アルキルエステルをイミド化した光配向膜材料を使用することが出来る。これによると、ポリアミド酸アルキルエステル材料では、従来のポリアミド酸材料で起こっていたようなイミド化反応時のジアミンと酸無水物への分解反応を伴わず、イミド化後も分子量を大きく保つことができ、ラビング処理並みの配向安定性を得ることができる。また、ポリアミド酸アルキルエステル材料においては、その化学構造中にカルボン酸を含有しないため、ポリアミド酸材料と比較してLCDの電圧保持率が上がり、長期信頼性の向上も確保することができる。光配向膜の配向安定性、長期信頼性を得るためにはポリアミド酸アルキルエステル材料の適用が有効であるが、この材料は一般的に、ポリアミド酸材料と比較して配向膜比抵抗が高い。そのため、液晶分子を駆動する信号波形に直流電圧が重畳して残留DCとなった場合に、残留DCが緩和するまでの時定数が大きく、焼きつきDC残像の原因となり易い。特許文献2では、これを解決するために、下層にポリアミド酸を前駆体とし、光導電性を有するポリイミドを形成し、上層に上記のように、光配向特性に優れたポリアミド酸エステルを前駆体とするポリイミドを形成する構成を開示している。下層の光導電性を有するポリイミドは、バックライトからの光によって光導電性を得るものである。しかし、液晶表示パネルには、配線等が存在し、バックライトが照射されない領域が存在し、この領域は抵抗値が高いままである。したがって、光導電性を得ることが出来ない領域の存在によって、残像特性が全体的に低下するという問題が生じていた。本発明の目的は、バックライトの光が照射されない領域においても、蓄積電荷が移動しやすくすること、あるいは、配向膜の抵抗を小さくすることによって、液晶表示パネル全体として残像特性が改善される構成を実現することである。本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段の主なものは次のとおりである。1第1の方向に延在し、第2の方向に配列した走査線と、第2の方向に延在し、第1の方向に配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素電極が形成されたTFT基板と、前記画素に対応したカラーフィルタを有する対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルの背面にバックライトが配置された液晶表示装置であって、前記走査線、前記映像信号線、前記画素電極を覆って配向膜が形成され、前記配向膜は光配向処理を受けており、前記配向膜は光導電特性を有しており、前記走査線を覆う前記配向膜の下にはフォトレジストが配置されていることを特長とする液晶表示装置。2第1の方向に延在し、第2の方向に配列した走査線と、第2の方向に延在し、第1の方向に配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素電極が形成されたTFT基板と、前記画素に対応したカラーフィルタを有する対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルの背面にバックライトが配置された液晶表示装置であって、前記走査線、前記映像信号線、前記画素電極を覆って配向膜が形成され、前記配向膜は光配向処理を受けており、前記配向膜は光導電特性を有しており、前記バックライトを消灯した状態における前記走査線を覆う前記配向膜の比抵抗は、前記画素電極を覆う前記配向膜の比抵抗よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。3第1の方向に延在し、第2の方向に配列した走査線と、第2の方向に延在し、第1の方向に配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素電極が形成されたTFT基板と、前記画素に対応したカラーフィルタを有する対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルの背面にバックライトが配置された液晶表示装置の製造方法であって、前記走査線、前記映像信号線、前記画素電極を覆って配向膜を塗布する工程と、前記配向膜を乾燥する工程と、前記配向膜を焼成してイミド化する工程と、前記配向膜に対して偏光紫外線を照射して光配向を行う工程と、前記偏光紫外線を照射後、加熱する工程と、前記配向膜を加熱しながら、前記走査線を覆う前記配向膜にのみ紫外線を照射する工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。本発明によれば、バックライトが照射されない領域において、電荷を移動しやすくする、あるいは、配向膜の抵抗を小さくするので、表示領域全体として残像特性を改善することが出来る。したがって、画質の優れた液晶表示装置を実現することが出来る。本発明の具体的な実施例を説明する前に、本発明が適用されるIPS方式の液晶表示装置の構成について説明する。図17はIPS方式の液晶表示装置の表示領域における構造を示す断面図である。IPS方式の液晶表示装置の電極構造は種々のものが提案され、実用化されている。図17の構造は、現在広く使用されている構造であって、簡単に言えば、平面ベタで形成された対向電極108の上に絶縁膜を挟んで櫛歯状の画素電極110が形成されている。そして、画素電極110と対向電極108の間の電圧によって液晶分子301を回転させることによって画素毎に液晶層300の光の透過率を制御することにより画像を形成するものである。以下に図17の構造を詳しく説明する。なお、本発明は、図17の構成を例にとって説明するが、図17以外のIPSタイプの液晶表示装置にも適用することが出来る。図17において、ガラスで形成されるTFT基板100の上に、ゲート電極101が形成されている。ゲート電極101は走査線と同層で形成されている。ゲート電極101はAlNd合金の上にMoCr合金が積層されている。ゲート電極101を覆ってゲート絶縁膜102がSiNによって形成されている。ゲート絶縁膜102の上に、ゲート電極101と対向する位置に半導体層103がa-Si膜によって形成されている。a-Si膜はプラズマCVDによって形成される。a-Si膜はTFTのチャネル部を形成するが、チャネル部を挟んでa-Si膜上にソース電極104とドレイン電極105が形成される。なお、a-Si膜とソース電極104あるいはドレイン電極105との間には図示しないnSi層が形成される。半導体層とソース電極104あるいはドレイン電極105とのオーミックコンタクトを取るためである。ソース電極104は映像信号線が兼用し、ドレイン電極105は画素電極110と接続される。ソース電極104もドレイン電極105も同層で同時に形成される。本実施例では、ソース電極104あるいはドレイン電極105はMoCr合金で形成される。ソース電極104あるいはドレイン電極105の電気抵抗を下げたい場合は、例えば、AlNd合金をMoCr合金でサンドイッチした電極構造が用いられる。TFTを覆って無機パッシベーション膜106がSiNによって形成される。無機パッシベーション膜106はTFTの、特にチャネル部を不純物401から保護する。無機パッシベーション膜106の上には有機パッシベーション膜107が形成される。有機パッシベーション膜107はTFTの保護と同時に表面を平坦化する役割も有するので、厚く形成される。厚さは1μmから4μmである。有機パッシベーション膜107には感光性のアクリル樹脂、シリコン樹脂、あるいはポリイミド樹脂等が使用される。有機パッシベーション膜107には、画素電極110とドレイン電極105が接続する部分にスルーホール111を形成する必要があるが、有機パッシベーション膜107は感光性なので、フォトレジストを用いずに、有機パッシベーション膜107自体を露光、現像して、スルーホール111を形成することが出来る。有機パッシベーション膜107の上には対向電極108が形成される。対向電極108は透明導電膜であるITOIndiumTinOxideを表示領域全体にスパッタリングすることによって形成される。すなわち、対向電極108は面状に形成される。対向電極108を全面にスパッタリングによって形成した後、画素電極110とドレイン電極105を導通するためのスルーホール111部だけは対向電極108をエッチングによって除去する。対向電極108を覆って上部絶縁膜109がSiNによって形成される。上部電極が形成された後、エッチングによってスルーホール111を形成する。この上部絶縁膜109をレジストにして無機パッシベーション膜106をエッチングしてスルーホール111を形成する。その後、上部絶縁膜109およびスルーホール111を覆って画素電極110となるITOをスパッタリングによって形成する。スパッタリングしたITOをパターニングして画素電極110を形成する。画素電極110となるITOはスルーホール111にも被着される。スルーホール111において、TFTから延在してきたドレイン電極105と画素電極110が導通し、映像信号が画素電極110に供給されることになる。図18に画素電極110の1例を示す。画素電極110は、櫛歯状の電極である。櫛歯と櫛歯の間にスリット112が形成されている。画素電極110の下方には、平面状の対向電極108が形成されている。画素電極110に映像信号が印加されると、スリット112を通して対向電極108との間に生ずる電気力線によって液晶分子301が回転する。これによって液晶層300を通過する光を制御して画像を形成する。図17はこの様子を断面図として説明したものである。櫛歯状の電極と櫛歯状の電極の間は図17に示すスリット112となっている。対向電極108には一定電圧が印加され、画素電極110には映像信号による電圧が印加される。画素電極110に電圧が印加されると図17に示すように、電気力線が発生して液晶分子301を電気力線の方向に回転させてバックライトからの光の透過を制御する。画素毎にバックライトからの透過が制御されるので、画像が形成されることになる。図17の例では、有機パッシベーション膜107の上に、面状に形成された対向電極108が配置され、上部絶縁膜109の上に櫛歯電極110が配置されている。しかしこれとは逆に、有機パッシベーション膜107の上に面状に形成された画素電極110を配置し、上部絶縁膜109の上に櫛歯状の対向電極108が配置される場合もある。画素電極110の上には液晶分子301を配向させるための配向膜113が形成されている。本発明においては、後で説明するように、走査線等の金属配線の上に形成され、バックライトが照射されない領域の配向膜と、開口部のように、バックライトが照射される領域の配向膜とでは、構成を変えているが、図17では、同じように記載している。図17において、液晶層300を挟んで対向基板200が設置されている。対向基板200の内側には、カラーフィルタ201が形成されている。カラーフィルタ201は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタ201が形成されており、カラー画像が形成される。カラーフィルタ201とカラーフィルタ201の間にはブラックマトリクス202が形成され、画像のコントラストを向上させている。なお、ブラックマトリクス202はTFTの遮光膜としての役割も有し、TFTに光電流が流れることを防止している。カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202を覆ってオーバーコート膜203が形成されている。カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜203によって表面を平らにしている。オーバーコート膜203の上には、液晶の初期配向を決めるための配向膜113が形成されている。対向基板側の配向膜113は残像特性には大きな影響を与えないので、TFT基板100側の配向膜のように、領域によって配向膜の構成を変えることはしていない。なお、本発明においても、図19に示すように、配向膜113を光配向特性に優れた上層配向膜113Uと光導電性を有する下層配向膜113Lによって構成することも出来る。しかし、本明細書では、下層と上層とを特に区別せず、配向膜全体として光導電性を有するものとして説明する。下層が光導電性を有すれば配向膜全体として光導電性を有すると考えられるからである。以下の実施例により本発明の内容を詳細に説明する。図1は本発明の実施例1の構成を示す断面図であり、図2は実施例1の平面図である。図1および図2を説明する前に、残像が長期に存在するメカニズムについて図3~図6を用いて説明する。残像には、同じ絵を出しているとそのパターンが焼き付き、徐々にパターンが消えるいわゆるDC残像と、配向膜の配向性能が低下することによって生ずる残像、いわゆるAC残像とがある。本発明は、いわゆるDC残像を対策するものである。図3は、所定のパターンを表示した直後に、配向膜130表面に電荷が蓄積した状態を示している。図3において、TFT基板100の上に走査線10が形成され、走査線10の上に、図17で説明したゲート絶縁膜、無機パッシベーション膜等、種々の絶縁層を含む中間層150が形成され、中間層150の上に配向膜113が形成されている。TFT基板100の背面からバックライトを照射すると、走査線10で遮光されない、開口部55における配向膜113の抵抗は、光導電特性のために低下する。一方、走査線10によって遮光された部分の配向膜113は、バックライトが照射されないために、抵抗は低下しない。図4は、所定のパターンを表示した後、ある時間t1が経過した場合の配向膜130上の蓄積電荷の状態を示す図である。走査線10によって遮光されていない開口部55は光導電効果によって配向膜113の抵抗が小さくなっているので、電荷が速やかに消失するが、走査線10で遮光された部分に蓄積された電荷が開口部55に移動してくるために、開口部55に蓄積電荷が存在していることになる。図5は、所定のパターンを表示した後、より長い時間t2が経過した場合の配向膜113上の蓄積電荷の状態を示す図である。開口部55の配向膜113の抵抗は光導電効果によって抵抗が小さくなって、電荷が早期に消失するにもかかわらず、遮光部分から電荷が供給されるために、開口部55の配向膜113に依然電荷が存在することになり、残像現象が現れている。遮光部分は画像形成には影響せず、開口部55のみが画像形成に関係する。つまり、開口部55に遮光部分の電荷が時間をかけて移動することが残像が長く続く原因となっている。図6は、この現象を模式的に示したものである。図6は液晶表示パネルの断面図であるが、構造は図3で説明したのと同様である。図6において、遮光部の配向膜113と開口部55の配向膜113との間に抵抗R1が形成されているが、この抵抗は、大部分は、遮光部分の配向膜113抵抗である。遮光部分では、光導電効果がないので抵抗が大きいためである。つまり、抵抗R1が大きいと電荷の移動が緩慢になり、長時間かけて遮光部の配向膜113から開口部55の配向膜113に向かって電荷が移動する。したがって、残像が長時間にわたって続くことになる。これを防止するには、遮光部の配向膜113から開口部55の配向膜113に向かう抵抗を小さくすればよい。図1に示す本発明の実施例1は、遮光部において、中間層150と配向膜113との間にフォトレジスト30を配置することによって遮光部の配向膜113から開口部55の配向膜113への電荷の流れを早くした構成である。図1において、遮光部の配向膜113と開口部55の配向膜113間の抵抗R1と並列にフォトレジスト30と開口部55の配向膜113間の抵抗R2が配置されている。フォトレジスト30は例えば、1.5μm程度と厚いので、抵抗R2はR1に比べて小さい。ちなみに、配向膜113の厚さは70nm程度である。光導電効果が無い場合の配向膜113の比抵抗は1015Ωcmであり、フォトレジスト30の比抵抗も同様である。しかし、フォトレジスト30の厚さは配向膜113の20倍以上なので、抵抗R2は抵抗R1の120以下となる。したがって、遮光部に蓄積された電荷が開口部55に移動する時間も早くなる。フォトレジスト30の厚さが配向膜113の厚さの10倍以上であっても、つまり、抵抗R2が抵抗R1の110以下程度であっても本発明の効果を発揮することが出来る。なお、光導電効果が生じた配向膜113の比抵抗は1013Ωcm程度である。図2は、表示領域における画素構成を示す平面図である。図2において、走査線10が横方向に延在し、縦方向に配列している。また、映像信号線20が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線10と映像信号線20で囲まれた領域が開口部55すなわち、画素電極を有する画素部となっている。図2において、TFTは省略されている。図2において、走査線10の上には、フォトレジスト30が形成されている。配向膜113は、開口部55、映像信号線20、および、走査線10の上に形成されたレジスト30の上に形成されている。走査線10によって遮光された部分の配向膜113からの電荷はレジスト30の影響によって速やかに開口部55に移動し、残像の時間を短くすることが出来る。図2において、映像信号線20も遮光部となるので、映像信号線20の上にもフォトレジスト30を形成することによって映像信号線20上の電荷を速やかに画素部に移動させる効果を得ることが出来る。しかし、映像信号線20に印加される映像信号は、交流駆動のために、ライン毎、あるいは、フレーム毎に極性が変化する。したがって、映像信号線20上には電荷が蓄積しにくい。一方、走査線10に印加される走査信号は常に同じ極性なので、電荷が蓄積されやすい。したがって、フォトレジスト30を形成する領域は、走査線10上が最も効果がある。図7および図8は、図6に示す従来構造と、図1に示す本発明の構造とで、残像をシミュレーションして比較した結果を示すグラフである。図7は、図6の従来例に対応し、図8は、図1の本発明に対応する。図7および図8の横軸は時間であり、縦軸は残像の強度である。残像の強度は、開口部における残留電荷の量と同義である。シミュレーションにおける単位は任意である。シミュレーションは、遮光部と開口部の面積が同じであるとして行っている。図7および図8において、一点鎖線は、開口部のみに蓄積された電荷による残像への影響を示したものである。開口部は、図6も図1も同じ構成なので、開口部のみに蓄積した電荷による残像時間は同じである。図7および図8において、点線は遮光部のみに蓄積した電荷の影響による残像への効果を示すものである。図7に示す従来例では、遮光部のみに蓄積した電荷は長時間かけて表示領域に移動するので、残像は長く生じている。一方、図8に示す本発明では、遮光部におけるフォトレジストの影響によって遮光部のみに蓄積した電荷は速やかに開口部に移動するので、残像は早く消失する。図7および図8において、実際の残像は、開口部のみに蓄積した電荷と遮光部のみに蓄積した電荷の影響の合成である。図7および図8の実線が実際の残像を示す曲線である。図8に示す本発明における実際の残像は、図7に示す従来例の残像に比較して、速やかに消失する。つまり、図8における本発明の効果においては、遮光部に形成されたフォトレジストの影響によって、実際の残像を早期に消失させることが出来る。図9は実施例1における液晶表示パネルの表示領域の周辺部を示す断面図である。図9において、TFT基板100の上に中間層150が形成され、その上に配向膜113が形成されている。TFT基板100は対向基板200とシール材60によって接着しており、TFT基板100と対向基板200との間に液晶層300が挟持されている。表示領域50の外側には、走査線10および映像信号線20の引出し線等が形成されており、バックライトからの光に対して遮光領域となっている。したがって、この部分の配向膜113は光導電効果を得られないので、抵抗が大きい。そうすると、表示領域50の外側に形成された配向膜113上に蓄積した電荷は、表示領域50に長時間かけて移動することになり、残像を引き起こす。図9では、表示領域50の外側において、中間層150の上にフォトレジスト30を配置し、その上に配向膜113を形成している。フォトレジスト30は1.5μm程度と厚く形成されるので、表示領域50内の配向膜113とフォトレジスト30間の抵抗R2は小さくすることが出来、その結果、表示領域50の外側に蓄積した電荷が表示領域50に速やかに移動することが出来るので、残像の時間を短くすることが出来る。したがって、図9の構成によれば、表示領域周辺部における残像現象を緩和することが出来る。図10は実施例1の構成を実現するためのプロセスを示す図である。図10において、TFT基板に画素電極を形成するまでは、従来と同じである。画素電極を形成後、レジストを塗布し、パターニングを行う。レジストは遮光部のみに残すので、透明度等の影響は問題とならない。したがって、レジスト材料はフェノールノボラック系等の比較的安価なレジストを使用することが出来る。レジストをパターニングして、遮光部のみにレジストを残したあと、140°Cから150°Cで焼成を行う。その後、配向膜を塗布する。その後の工程は従来と同様である。残像への影響は、TFT基板側の配向膜の状態が支配的なので、対向基板には、配向膜の比抵抗を低下させるために遮光部にフォトレジストを形成することはかならずしも必要ではない。図11は表示領域における本発明の実施例2の構成を示す断面図であり、図12は、その平面図である。図6に示す従来例においては、遮光部における配向膜113が光導電効果を得られないので、抵抗が大きく、遮光部に蓄積した電荷が速やかに開口部に移動することが出来ないことが問題である。本実施例は、遮光部における配向膜113の抵抗を、光導電効果を得られなくとも、もともと小さくしておくことに特徴がある。図11に示す実施例2の構成は、配向膜113を形成後、フォトマスク80を用いて開口部55を遮蔽し、遮光部のみに紫外線を照射する。配向膜113が形成されたTFT基板100をホットプレート70上に配置し、紫外線の照射と同時に基板を200°C~210°Cで加熱する。このように、遮光部の配向膜113に対し、加熱しながら紫外線を照射することによって遮光部の配向膜113の構造が変化し、配向膜の比抵抗を小さくすることが出来る。一方、開口部55の配向膜113には紫外線は照射されないので、配向膜113の特性は変化せず、配向能力も変化しない。遮光部は、画像を表示する部分では無いので、配向膜113が変質し、配向能力が低下しても画像特性には影響を与えない。使用する紫外線は、配向膜113を変質させることが目的であるから、deep-UV波長が300nm以下で、偏光をしていない紫外線を用いることが最も効果を上げられる。しかし、製造装置の単純化のために、光配向に使用した偏光紫外線を用いることが出来る。つまり、波長が240nm~400nmの直線偏光された紫外線を用いることも出来る。しかし、光配向と同時に行うことは難しい。本実施例における紫外線の照射は基板の加熱とともに行うことが必須だからである。例えば、波長が250nmの偏光紫外線を用いた場合、基板を200°Cに加熱した場合は、配向膜の比抵抗が23に減少し、230°Cで加熱した場合は、配向膜の比抵抗が12になった。紫外線の照射を2回行ったか否かは、配向膜に赤外線を照射して、その吸収スペクトルを評価することによって判別することが出来る。すなわち、紫外線を2回照射された遮光部における配向膜は、ポリイミド環の数が減少している。その結果、赤外線の吸収スペクトルが異なることになる。図12は、本実施例の平面図である。図12は配向膜113が形成されたTFT基板100の上にフォトマスク80が配置されている状態の平面図である。図12において、フォトマスク80には、TFT基板100の走査線10に対応した部分にフォトマスク孔85が形成されている。すなわち、紫外線は、走査線10の上に配向膜113にのみ照射される構成となっている。したがって、走査線10上の配向膜113のみが変質し、比抵抗が低下する。図12では、走査線10の上のみにフォトマスク孔85を形成したが、映像信号線20の上にもフォトマスク孔85を形成し、映像信号線20上の配向膜113を変質させてもよい。しかし、配向膜113を低抵抗化する効果は、実施例1において述べたように、走査線10上の配向膜113を低抵抗化するほうが大きい。図13は、実施例2における液晶表示パネルの断面図である。図13において、TFT基板100の上の中間層150の上に配向膜113が形成されている。シール材60によって対向基板200がTFT基板100と接着している。TFT基板100と対向基板200の間に液晶300が挟持されている。表示領域50においては、配向膜113はバックライトからの光を受けて低抵抗化しているが、表示領域50の外側では、走査線10あるいは映像信号線20等の引出し線の影響で遮光領域となっており、この部分の配向膜113には、光導電効果は生じないので抵抗が高い。本実施例では、表示領域50の外側の配向膜113に基板を加熱しながら紫外線を照射することによって、比抵抗を低下させ、電荷が遮光領域から表示領域50に速やかに移動できるようにしている。これによって、表示領域50周辺における残像を早期に消失させることが出来る。図14は、本実施例の構成を実現するためのプロセスを示す図である。図14において、画素電極まで形成されたTFT基板に配向膜を塗布する。その後、配向膜を乾燥し、レベリングして、均一な膜とする。その後、230°Cで焼成して、イミド化を行う。その後、波長が230nm~400nmの直線偏光した紫外線を照射して光配向を行う。その後、230°C~240°Cで加熱して、フェニレンビスマレイミドの単量体等を揮発させ、配向特性を改善する。その後、フォトマスクを用いてTFT基板における遮光部のみに紫外線を照射し、この部分の配向膜の比抵抗を低下させる。紫外線の照射と同時に、200°C~230°Cで基板を加熱する。その後、対向基板と組み合わせて液晶表示パネルを形成する。残像への影響は、TFT基板側の配向膜の状態が支配的なので、対向基板には、配向膜の比抵抗を低下させるために紫外線の照射のプロセスは必ずしも必要ではない。本発明のDC残像に対する効果は、図15に示すような白黒による8×8のチェッカーフラグパターンを用いて行うことが出来る。すなわち、図15に示すような白黒による8×8のチェッカーフラグパターンを12時間表示し、その後、灰色ベタの中間調に戻す。中間調の階調は、64/256である。図16はDC残像の評価結果である。図16において、横軸は、灰色ベタの中間調に戻したあとの時間である。縦軸は、残像のレベルである。縦軸において、RRは中間調に戻したときに、チェッカーフラグパターンが良く見える状態であり、NGである。Rは中間調に戻した時にチェッカーフラグパターンが薄いけれども見える状態である。図16において、曲線Aが本発明による配向膜を使用した場合のDC残像特性である。曲線Bは、光導電効果を持たない配向膜を使用した場合の残像特性である。中間調に戻したときに、残像のレベルがRであっても、これが短時間に消失すれば、実用上は問題ないといえる。配向膜に光導電効果が無い配向膜を用いた場合である曲線Bの場合は、中間調に戻したときのレベルRが長時間続くので、実用上問題が残る。一方、本発明による配向膜の構成によれば、DC残像が急激に減少し、中間調に戻したあと、13分程度で、DC残像は完全に消滅する。図16において、DC残像の目安となる、中間調に戻してから10分後のDC残像のレベルを比較すると、配向膜が光配向膜1層のみの場合は、DC残像が90であるのに対し、本発明におけるDC残像は10以下となり、本発明の効果は非常に大きいことがわかる。