表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用膜であって、合金成分としてX群元素Xは、希土類元素、Ge、Si、Sn、Hf、Zr、Mg、Ca、Sr、Al、Zn、Mn、Co、Fe、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を3~50原子、および/または酸素を0.2~3.0質量含有し、残部Tiおよび不可避不純物からなるTi合金層第1層と、純AlまたはAl合金からなる第2層とを含む積層構造を有することを特徴とする配線用膜。前記第2層に、合金成分として前記X群元素を3~50原子、および/または酸素を0.2~3.0質量含有し、残部Tiおよび不可避不純物からなるTi合金層第3層が積層されたものである請求項1に記載の配線用膜。前記第1層および/または第3層の膜厚は、10~100nmである請求項1または2に記載の配線用膜。請求項1~3のいずれかに記載の配線用膜で形成された配線および/または電極を備えた表示装置。請求項1~3のいずれかに記載の配線用膜で形成された配線および/または電極を備えたタッチパネルセンサー。請求項1または2に記載の第1層の形成に用いるスパッタリングターゲットであって、前記X群元素を3~50原子、および/または酸素を0.2~3.0質量含み、残部Tiおよび不可避不純物であることを特徴とするTi合金スパッタリングターゲット。本発明は上記事情に着目してなされたものであって、その目的は、ウエットエッチングによるAl系膜とTi系合金膜の加工性を向上させることにある。具体的にはウエットエッチング後、Ti系合金膜のステップ、庇、残渣などがなく、更に良好なテーパ形状を形成できる良好な加工性を有する配線用膜を提供することである。特に従来の純Ti膜よりもエッチングレートが速いTi系合金膜と、Al系膜との積層構造で形成された配線用膜、及び該配線用膜で形成された配線および/または電極を備えた表示装置やタッチパネルセンサー、並びにTi系合金膜の成膜に好適なスパッタリングターゲットを提供することにある。上記課題を解決史得た本発明は、合金成分としてX群元素Xは、希土類元素、Ge、Si、Sn、Hf、Zr、Mg、Ca、Sr、Al、Zn、Mn、Co、Fe、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を3~50原子、および/または酸素を0.2~3.0質量含有し、残部Tiおよび不可避不純物からなるTi合金層第1層と、純AlまたはAl合金からなる第2層とを含む積層構造を有することに要旨を有する表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用膜である。また本発明では、前記第2層に、合金成分として前記X群元素を3~50原子、および/または酸素を0.2~3.0質量含有し、残部Tiおよび不可避不純物からなるTi合金層第3層が積層されたものであることも好ましい実施態様である。更に本発明では、前記第1層および/または第3層の膜厚は、10~100nmであることも好ましい実施態様である。本発明には、上記配線用膜で形成された配線および/または電極を備えた表示装置やタッチパネルセンサーが含まれる。更に本発明は、上記第1層の形成に用いるスパッタリングターゲットであって、前記X群元素を3~50原子、および/または酸素を0.2~3.0質量含み、残部Tiおよび不可避不純物であることに要旨を有するTi合金スパッタリングターゲットも含まれる。本発明によれば、従来の高融点金属からなるバリアメタル層の代わりにエッチングレートの速い所定元素Xを含むTi-X合金、或いは所定量の酸素を含むTi-X-O合金、またはTi-O合金以下、これらをまとめてTi系合金ということがある。をバリアメタル層として用いることにより、Al系膜純AlおよびAl合金を含む意味である。以下、同じとの積層構造において良好なエッチング性を有する配線用膜を提供できる。したがって本発明で規定する配線用膜を用いれば、一括ウエットエッチングプロセスで問題となっていたステップや庇の残留を抑制して良好な断面形状を形成することが可能となり、積層配線用膜に含まれるAl系膜とTi系合金膜の配線加工を容易にし、製造歩留まり向上に寄与することができる。また本発明によれば上記配線用膜を構成するTi系合金膜の成膜に好適なスパッタリングターゲットを提供することができる。本発明者らは、ウエットエッチングによる加工性に優れた特性を有する新規な配線用膜を提供するため、検討を重ねてきた。特に一括ウエットエッチングを行った時のウエットエッチング性に優れた配線用膜を提供するため、Al系膜の下地材料バリアメタルとして用いられるTi系材料に着目して検討を重ねて来た。その結果、純Ti膜ではなく、所定元素Xを含むTi-X合金、更に所定元素Xと所定量の酸素を含むTi-X-O合金、あるいは所定量の酸素を含むTi-O合金をバリアメタルとして用いれば、所期の目的が達成されることを見出し、本発明を完成した。このように本発明は表示装置やタッチパネルセンサー用の配線用材料として低抵抗のAl系膜純AlまたはAl合金からなる層と、Ti系合金膜Ti合金層のバリアメタルと、からなる積層構造の配線用膜を用いることによって、ウエットエッチングによる加工性を高めたところに特徴がある。特にウエットエッチング液としてフッ化物含有エッチング液を本発明のTi系合金膜とAl系膜とを含む積層構造の配線用膜のエッチングに用いると、一括パターニングが容易にでき、Ti系合金膜のステップや庇の発生を抑制でき、良好な配線形状を得ることができる。第1層まず、本発明のTi-X合金膜第1層について説明する。本発明に用いられるX群元素は、[希土類元素、Ge、Si、Sn、Hf、Zr、Mg、Ca、Sr、Al、Zn、Mn、Co、Fe、及びNi]である。これらの元素は、単独で添加しても良いし、2種以上を併用しても良い。希土類元素とは、ランタノイド元素周期表において、原子番号57のLaから原子番号71のLuまでの合計15元素に、ScスカンジウムとYイットリウムとを加えた元素群を意味する。希土類元素は1種または2種以上を用いることができる。好ましいX群元素は、Ge、Si、Sn、Hf、Zr、Mg、Ca、Sr、Al、Zn、Mn、Co、Fe、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種、より好ましくはSn、Hf、Zr、及びAlよりなる群から選択される少なくとも一種、更に好ましくはAlおよび/またはZrである。後記する実施例に示すように、これらの元素は、フッ化物含有エッチング液を用いたときのウエットエッチングレートを速める効果を有することが本発明者らの実験結果によって明らかになった。すなわち、所定量のX群元素を含むTi合金膜は、純Ti膜やX群元素以外の元素を含むTi合金膜に見られるような緻密なTi酸化膜不動態膜の形成を抑制することができる。しかもX群元素及びその酸化物は、フッ化物含有エッチング液中のフッ化物に起因して溶出しやすいため、Ti-X合金膜のエッチングレートが大幅に上昇する。したがって、純Ti膜を用いた場合に比べて、Al系膜とのエッチングレート差が減少するため、一括ウエットエッチングによる配線膜加工の際、半導体層や透明導電膜と接触する側に設置されたTi-X合金膜と、該Ti-X合金膜の他方の側に設置成膜されたAl系膜なお、ソースドレイン電極を構成する場合は、Al系膜がTi-X合金膜に挟持されるような3層構造とすることが望ましい。との界面の段差ステップや庇の発生を低減することができ、良好なエッチング形状が得られる。このように本発明のTi-X合金膜をバリアメタルとして用いれば、優れたウエットエッチング性を得ることができる。本発明では、上記X群元素の含有量単独で含むときは単独の量であり、二種以上を含むときは合計量であるを3原子以上50原子以下とする。X群元素の添加による良好なウエットエッチングによる配線加工性を有効に発揮させるためには、X群元素の含有量を3原子以上とする必要がある。一方、X群元素の含有量が多くなるにつれてエッチングレートは上昇するが、高価な希土類元素などの使用によるコスト上昇を招くため、X群元素の含有量の上限を50原子とする。X群元素の好ましい含有量は4原子以上40原子以下であり、より好ましくは5原子以上30原子以下である。本発明のTi-X合金膜は上記X群元素を含み、残部Ti及び不可避不純物である。不可避不純物としては、例えばFe、Si、N、C、Hなどが挙げられるが、これら不可避的に混入してくる微量成分まで規定するものではなく、本発明の特性が阻害されない限り、それら不可避不純物の微量混入は許容することができる。なお、本発明でX群元素として規定しているFeやSiなどが不可避不純物として混入することもあるが、その場合であっても単独でおおむね1.0質量以下の場合は、不可避不純物とみなす趣旨であって、上記X群元素として算入しない以下、同じ。または他の元素による優れた作用を有効に発揮させる目的で、後記する酸素固溶酸素を0.2~3.0質量含有させたTi-X-O合金膜としても良い。以上、本発明のTi-X合金膜について説明した。続いて本発明のTi-O合金膜について説明する。ウエットエッチングレートに優れる本発明の他の構成であるTi-O合金膜は、合金成分として酸素を0.2~3.0質量含有し、残部Ti及び不可避不純物である。Ti膜中に所定量の固溶酸素を存在させると、エッチングレートを向上させる効果がある。すなわち、所定量の固溶酸素をTi配線膜中に存在させたTi-O合金膜をフッ化物含有エッチング液でウエットエッチングすると、エッチング液浸漬後、Ti-O合金膜が溶解し始めてエッチングを開始するまでの時間が早くなるため、ウエットエッチングプロセス時にTi合金の溶出が進むため、Ti系合金膜のステップや庇などの発生を抑制することができる。このような効果を発揮するには、Ti-O合金膜における酸素含有量固溶量を0.2質量以上、好ましくは0.3質量以上、より好ましくは0.35質量以上とすることが望ましい。一方、酸素含有量が多くなりすぎると、急激にエッチングレートが低下して、エッチング時間短縮効果が得られなくなるため、酸素含有量は3.0質量以下、好ましくは1.5質量以下、より好ましくは1.2質量以下、更に好ましくは1.0質量以下である。本発明のTi系合金膜中の固溶酸素量はSIMS二次イオン質量分析法:SecondaryIonMassSpectrometryによって測定することができる。なお、本発明のTi系合金膜に酸素を含有させた場合、酸素は固溶状態で存在していることが必要である。酸素がチタン酸化物として存在していると、チタン酸化物は不動態であり、エッチングレートを低下する要因となるからである。なお、酸化チタンの有無は各種分析装置による他、膜該当部分の透明度などを目視で確認することもできる。なお、Ti系合金膜中に酸素を固溶状態で含有させる場合、上記したようにターゲットに予め所定量の酸素を含有させておく以外にも、後記するように成膜時の雰囲気中に酸素を導入することによっても達成できる。本発明に係るTi-O合金膜は、合金成分として酸素固溶状態を0.2~3.0質量含有し、残部Ti及び不可避不純物である。不可避不純物としては、例えばFe、Si、N、C、Hなどが挙げられるが、これら不可避的に混入してくる微量成分まで規定するものではなく、本発明の特性が阻害されない限り、それら不可避不純物の微量混入は許容することができる。例えばFeやSiが不可避的不純物として含まれる場合、これらの含有量は少ないほど望ましく、Fe、Siについてはそれぞれの濃度がおおむね1.0質量以下とするのがよい。本発明の第1層としてはTi-X合金膜、Ti-O合金膜のいずれも望ましい実施態様であるが、より一層効果を高めるために上記所定量の酸素固溶状態をTi-X合金膜に含有させて、Ti-X-O合金膜としてもよい。Ti-X-O合金膜は、上記Ti-X合金膜の効果と上記Ti-O合金膜の効果を発現できる。すなわち不動態形成抑制効果とTi合金溶出効果を発現するため、ウエットエッチングによる加工性が一層向上すると考えられる。第1層としてのTi系合金膜の膜厚の上限は配線膜自体の電気抵抗率を考慮して適宜決定すれば良いが、膜厚が厚くなると庇やステップが発生しやすくなるため、微細加工が難しくなる。更にエッチング時間が長くなり、Al系膜が過度にエッチングされてしまうことがあるため、100nm以下であることが好ましく、50nm以下であることがより好ましい。また第1層の膜厚の下限も特に限定されないが、膜厚が薄すぎると、面内の膜厚分布やプロセスなどの影響で基板面内でTi系合金膜が消失例えば他の層をエッチングする際にTiが削れて消失する部分が発生することが考えられるため、おおむね、10nm以上であることが好ましい。第2層次に、本発明の配線膜を構成する第2層について説明する。本発明の第2層は純Al残部不可避不純物、またはAl合金からなるAl系膜である。この第2層は、配線膜全体の電気抵抗率低減の目的で形成されたものであり、したがって、第1層よりも電気抵抗率を低くすることが望ましい。具体的な配線抵抗は特に限定されず、必要に応じて第2層の膜厚や組成を調整して適切に配線の抵抗値を制御すればよい。本発明の第2層に添加する合金元素は特に限定されず、合金元素の組成や含有量を適切に制御して用いることができる。このようなAl合金として、Al-2原子Nd、Al-2原子Ni-0.35原子La、Al-0.2原子Ni-0.5原子Ge-0.2Nd、Al-1原子Si、Al-0.5原子Cuなどを用いてもよい。本発明の第2層の好ましい膜厚は特に限定されず、配線用膜の適用部位や、用途などによっても相違するが、膜厚が薄すぎると、膜全体の電気抵抗率低減効果が十分に得られなくなるため、好ましくは100nm以上、より好ましくは150nm以上とすることが望ましい。一方、第2層を厚くし過ぎると、積層する膜例えば上層に形成する膜のカバレッジが悪くなったり、スパッタ時間が長くなるため工程が長時間化するなどの問題があるため、好ましくは1000nm以下、より好ましくは800nm以下、更に好ましくは600nm以下とすることが望ましい。上記配線用膜全体の膜厚は、各層の好ましい範囲内で要求される膜厚に応じて適宜調節すればよい。本発明の配線用膜は、第2層の上部およびまたは下部にTi系合金膜が形成されている形態が望ましく、また本発明の配線用膜第1層と第2層は、例えば基板側からみて、第1層の上に直接第2層が積層されていても良いし、その逆に第2層の上に直接第1層が積層されていても良い。あるいは、第2層の上および下に第1層を構成するTi系合金膜が積層された3層構造を有していても良い。例えば第2層Al系膜と半導体層との間に第1層Ti系合金膜を形成した積層構造第1層および第2層の配線用膜としてもよく、或いは半導体層と透明導電膜に挟まれているソースドレイン配線として第2層Al系膜を用いる場合には、第2層の上下に上記第1層Ti系合金膜と第3層第1層と同じまたは異なる組成のTi系合金膜を形成して積層構造第1層~第3層の配線用膜としてもよい。第3層次に、第3層について説明する。第3層は必要に応じて設けられる層である。本発明の第3層の組成は特に限定されず、例えば上記第1層と同一または類似X群元素の種類、添加量が異なるの組成のTi系合金であってもよいし、或いは第1層や第2層と全く異なる組成であってもよく、要求される膜特性に応じて適宜選択することができる。また第3層の膜厚は、配線用膜が適用される部位や、用途などに応じて適宜設定すればよい。例えばSi系半導体層と第2層Al系膜が接触した場合に問題となるSiが第2層に拡散するのを防止したり、透明導電膜や酸化物半導体などと第2層が接触した場合に問題となるAlの酸化を防止したり、或いは熱履歴によって第2層にヒロックが発生するのを防止するなどの目的で第3層を設けてもよく、これらに対して生産性の観点からは、前記第1層Ti系合金膜と同一組成のTi系合金膜を第3層として設けることが好ましいが、第1層と第3層で組成が異なってもよい。本明細書では第3層として第1層と同じTi系合金を用いる場合について説明する場合があるが、これに限定する趣旨ではない。以上、本発明の配線用膜について説明した。続いて本発明の配線用膜の形成方法について説明する。本発明の配線用膜を構成する第1層及び第2層は、蒸着法、スプレー法、ALD法などを用いて形成することもできるが、スパッタリング法によって形成することが好ましい。スパッタリング法を用いれば、スパッタリングターゲットとほぼ同じ組成の配線用膜を成膜することができ、しかも膜厚や成分の面内均一性に優れた薄膜を容易に形成できる。上記第1~3層はスパッタリング法によって形成することが好ましい。具体的には上記第1~3層を構成する材料スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により成膜すればよい。積層順序は等に限定されないが、例えば基板側から順に第1層の上に第2層を形成した積層構造とする場合は、上記第1層をスパッタリング法で形成した後、その上に、上記第2層を構成する組成のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により形成すればよい。また第3層を形成する場合も同様に、まず、第1層を形成した後、第2層、第3層を順次形成すればよい。このようにして積層構造からなる配線用膜を形成した後、所定のパターニングを行えばよい。またカバレッジの観点から断面形状を好ましくはテーパ角度45~60°程度のテーパ状に加工することが好ましい。本発明のTi-X合金膜第1層、第3層の形成に用いるスパッタリングターゲットとしては、X群元素Xは、希土類元素、Ge、Si、Sn、Hf、Zr、Mg、Ca、Sr、Al、Zn、Mn、Co、Fe、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を3~50原子含み、残部Ti及び不可避不純物からなるTi-X合金スパッタリングターゲットを用いればよい。また更に上記所定量0.2~3.0質量の酸素をターゲットに含有させたTi-X-O合金ターゲットを用いれば、上記Ti-X-O合金膜を成膜することができる。本発明のTi-O合金膜の形成に用いるスパッタリングターゲットとしては、上記所定量0.2~3.0質量の酸素を含み、残部Ti及び不可避不純物からなるTi-O合金スパッタリングターゲットを用いればよい。なお、Ti系合金配線膜中に酸素を固溶状態で含有させる場合、上記したようにターゲットに予め所定量の酸素を含有させておく以外にも、成膜時の雰囲気中に酸素を導入してもよい。例えば酸素O2ガスや酸素原子を含むO3などの酸化ガスを用いることができる。酸素の供給方法としては、スパッタリング法に通常用いられるプロセスガスたとえばArなどに酸素を添加した混合ガスを用いればよい。Ti系合金配線膜中の固溶酸素量は、プロセスガス中に占める酸素ガスの混合比率によって制御できるため、導入したい酸素量に応じて、上記の混合比率を適宜調整すればよい。Al系膜の形成に用いるスパッタリングターゲットとしては、所望の組成を含有し、残部Al及び不可避不純物からなるAl合金スパッタリングターゲットを用いればよい。複数の合金元素を用いる場合のスパッタリングターゲットの組成は、異なる組成のターゲットを用いて調整しても良いし、あるいは、純Ti純Alターゲットに合金元素の金属をチップオンすることによって調整しても良い。上記ターゲットの形状は、スパッタリング装置の形状や構造に応じて任意の形状角型プレート状、円形プレート状、ドーナツプレート状、円筒状などに加工したものが含まれる。上記本発明のTi系合金膜用のスパッタリングターゲットの製造方法としては、溶解鋳造法や粉末焼結法などで、所望の成分組成を有するTi合金からなるインゴットを製造して得る方法などが挙げられる。本発明の配線用膜で形成された配線および/または電極を備えた表示装置としては、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイなどの各種表示装置が例示される。また本発明の配線用膜で形成された配線および/または電極を備えたタッチパネルセンサーとしては、静電容量方式、電磁誘導方式、抵抗膜方式、光センサ式など各種方式のタッチパネルセンサーが例示される。本発明の配線用膜は、液晶ディスプレイ等の表示装置やタッチパネルセンサーに組み込まれているULSI、ASIC、ダイオード、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板などの配線構造の各種配線や電極に好適に用いられる。具体的には、走査線、ソース線、ドレイン線などの各種配線、ゲート電極、ソース-ドレイン電極などの各種電極の形成に用いることができる。上記配線構造を備えた表示装置やタッチパネルセンサーを製造するにあたっては、表示装置の一般的な工程を採用することができる。例えば表示装置の配線構造に本発明の配線用膜を適用する場合、次の様な構成とすることができる。基板の上に、絶縁膜と;薄膜トランジスタの半導体層と;配線電極と;透明導電膜と;基板、絶縁膜、薄膜トランジスタの半導体層、および透明導電膜よりなる群から選択される少なくとも一種と直接接続する配線膜とを有する配線構造が例示される。本発明の配線用膜は上記配線、電極に用いることができる。本発明の配線用膜は、表示装置の配線および/または電極の一部または全部に採用することもでき、複数の配線電極に適用する場合は、同一または異なる成分組成とすることができる。上記本発明の配線用膜から形成された配線および/または電極を有する配線構造を製造するにあたっては、表示装置の一般的な工程を採用することができる。また本発明の配線用膜以外の他の部分は特に限定されず、表示装置の分野で通常用いられるものを採用することができる。例えば表示装置やタッチパネルセンサーに用いられる基板として、通常用いられるものであれば特に限定されない。代表的には、ガラス基板などに代表される透明基板やPETフィルムや金属箔などのフレキシブル基板などが挙げられる。例えば、表示装置やタッチパネルセンサーに用いられる画素電極を構成する透明導電膜としては、アモルファスITOやITO、IZO、ZnOなどが例示される。また、表示装置やタッチパネルセンサーに用いられる薄膜トランジスタの半導体層も特に限定されず、水素化アモルファスシリコン、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、酸化物半導体などが挙げられる。また、ゲート絶縁膜などの絶縁膜や半導体の上に形成される保護膜は特に限定されず、通常用いられるもの、例えば、SiO2、SiON、SiNなどが挙げられる。本発明のTi系合金膜は、フッ化物含有ウエットエッチング液を用いてエッチングすることが望ましい。フッ化物含有ウエットエッチング液の種類についても特に限定されないが、本発明のTi系合金膜をエッチングするためのウエットエッチング液として、フッ酸HFやフッ化アンモニウムNH4Fなどを含むフッ化物含有エッチング液を用いた場合にエッチングレートの大幅な向上が認められるからである。具体的にはフッ化物と酸化剤あるいは更に酸を含むエッチング液例えば特開2008-53374号公報、特開2007-67367号公報、特開2010-199121号公報;フッ化物とヨウ素酸、硫酸を含むエッチング液例えば特開2000-133635号公報;ペルオキソニ硫酸、水素カリウム、フッ酸を含むエッチング液例えば特開2001-59191号公報;過酸化水素とフッ化物、硫酸または硝酸またはリン酸を含むエッチング液例えば特開2004-43850号公報;硝酸とフッ化水素酸、酢酸イオン供給源を含むエッチング液例えば特開2004-71920号公報;フッ素イオン供給源と過酸化水素、硫酸塩、リン酸塩、アゾール系化合物を含むエッチング液例えば特開2008-288575号公報;フッ素化合物と鉄イオン、更に硝酸または塩酸または過塩素酸またはメタンスルホン酸、及び亜リン酸またはリン酸を含むエッチング液例えば特開2010-199121号公報;フッ酸とフッ化アンモニウム、グリセリンを含むエッチング液例えば特開平11-87325号公報;フッ化水素アンモニウムと過酸化水素を含むエッチング液例えば特開2008-81832号公報;珪フッ化水素酸と水、珪フッ化水素酸塩を含むエッチング液例えば特開2009-182218号公報などが例示される。またエッチング液には、通常添加される補助酸化剤などの添加剤が含まれていてもよく、フッ素化合物含有エッチング液は市販品を用いることができる。以上、本発明のTi系合金膜第1層とAl系膜第2層を含む積層構造の配線用膜を用いれば、上記第1層のエッチングレートが速くなっているために第2層とのエッチングレート差が少なくなっている。したがって第1層と第2層を含む配線用膜をフッ化物含有エッチング液にて一括エッチング処理した場合に、ステップ状や庇の形状に残留することがなく、良好な配線形状が得られる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって制限されず、上記下記の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。本実施例では、以下の方法によって作製した試料を用い、配線用膜第1層/第2層/第3層の積層構造のエッチング後の庇を評価した。また第1層のみを形成した試料を作製してエッチングレートを測定した。実施例において表1に示す種々の合金組成のTi-X合金膜の形成には、溶解鋳造法で作製した種々の組成のTi-X合金スパッタリングターゲットとして用いた。なお、Ti-O合金膜を作製する場合は、酸素含有Ti合金ターゲットを用いた。実施例1エッチング後の庇評価試料の作製ガラス基板コーニング社製:EagleXG、厚さ=0.7mm、直径4インチ上に表1に示す成分組成の第1層Ti-X合金膜:膜厚50nm:、第2層純Al膜:膜厚300nm、第3層第1層と同じ組成のTi-X合金膜:膜厚50nmをスパッタリング法により順次形成して積層膜の試料を作製した。スパッタリングには島津製作所製のHSM-552を使用し、DCマグネトロンスパッタリング法[背圧:0.27×10-3Pa以下、雰囲気ガス:Ar、Arガス圧:2mTorr、Arガス流量:30sccm、スパッタパワー:DC260W、極間距離:50.4mm、基板温度:25°C室温]によって第1層~第3層を成膜して試料を作製した。上記各層の組成は、ICP発光分光分析装置島津製作所製のICP発光分光分析装置ICP-8000型を用い、定量分析して確認した。また膜厚は触針型段差計KLATENCOR社製αstepによって測定した。比較のため、純Ti膜を上記試料と同様にして成膜した試料No.1:純Ti膜/純Al膜/純Ti膜を作製した。次に、上記の各試料について、フォトレジストとしてTSMR8900東京応化社製を用いてラインアンドスペースパターン50μm間隔に加工した後、各試料を1cm×4cmのサイズに切り出して試験片を作製し、各試験片をエッチング液に浸漬してエッチング処理をした。エッチング処理条件は以下の通りである。エッチング液A関東化学株式会社製KSMF-240処理温度:40°C薬液量:100ml処理方法:静置浸漬処理時間:レジストによる配線膜のエッチング除去が確認できた時間を100としたとき、その150ジャストエッチングから50オーバーエッチングするまでに相当する時間までエッチングを行った。次いで、レジストを除去し、試験片端面の膜の断面をSEM電子顕微鏡にて倍率30000倍にて観察し、エッチング後の試験片のTi系合金膜の庇の長さを評価した。庇が小さいほど、良好なエッチング形状が得られることを示している。具体的には、Al膜端部よりもTi膜端部が長い場合を庇があると認定した図1参照。評価基準:庇長さが純Ti膜No.1の90以下のものを良好○と評価した。本実施例では庇長さが1.3μm以下を○と評価した。これらの結果を表1に示す。表1より、Ti合金膜中のX群元素添加量が増加するにつれ、エッチングによる庇が減少する傾向を示し、良好なエッチング形状が得られることが分った。これは、本発明のTi系合金膜と純Al膜とのエッチングレート差が小さくなっているためである。上記では、第2層に純Al膜を用いたが、Al合金膜を用いたときも同様の結果が得られると推察される。また、固溶酸素を含むTi合金膜Ti-O合金膜、Ti-X-O合金膜を用いたときも、上記と同様の実験結果が得られることを実験により確認している。実施例2エッチングレートの測定ガラス基板コーニング社製のEagleXG、φ4inch、厚さ=0.7mm上に、DCマグネトロンスパッタ法により、表1に示す各種合金元素のTi-X合金膜膜厚300nmを成膜して単層の試料を作製した。Ti-X合金膜のスパッタリングリング条件は、上記実施例1に記載のTi-X合金膜のときと同じである。比較のため、純Ti膜膜厚300nmの試料も、同様にして作製した。作製した各試料のエッチングレートを測定して評価した。具体的には、上記エッチング液A関東化学株式会社製KSMF-240:室温に、各試料を浸漬した後、触針型段差計KLATENCOR社製αstepによって試料の膜減少量を測定した。エッチングレート単位時間あたりのエッチング量は、膜減少量とエッチング時間の傾きから算出した。表1に結果を示す。なお、表1には、純Ti膜のエッチングレートに対する各試料の比率も併記した。この比率が大きいほど、Ti系合金膜/純Ti膜と、純Al膜との差が小さくなってウエットエッチング性に優れることを意味する。本発明では純Ti膜試料No.1に対し、1.10倍以上のエッチングレートが得られたものを○ウエットエッチング性に優れると判定し、1.10倍未満のものを×と評価した。表1より、本発明で規定するX群元素を所定量含む表1に記載のTi-X合金膜、及びTi-O合金膜を用いた例では、純Ti膜表No.1よりもエッチングレートに優れていた。よって、本発明のTi系合金膜を用いれば、フッ化物含有エッチング液を用いたときのウエットエッチングの加工性が向上することが分った。上記では、純Al膜を用いたときの結果を示しているが、純Al膜以外のAl合金膜を用いたときも同様の結果が得られることを実験により確認している。また、固溶酸素を含むTi合金膜Ti-O合金膜、Ti-X-O合金膜を用いたときも、上記と同様の実験結果が得られることを実験により確認している。