"感光体と、前記感光体を帯電する帯電手段と、前記帯電された感光体を露光するための光ビームを出射する複数の発光素子を備える光源と、バイアス電流を含む駆動電流を前記光源に供給する電流供給手段と、前記光ビームによって露光されることによって前記感光体上に形成される静電潜像の電位を検出する電位検出手段と、前記電位検出手段によって検出される前記静電潜像の電位に基づいて前記電流供給手段が前記光源に供給する前記バイアス電流の値を制御する制御手段とを備えることを特徴とする画像形成装置。複数の発光素子のうちいずれか一つの発光素子に前記駆動電流を供給することによって出射される光ビームを受光し、前記いずれか一つの発光素子からの光ビームを受光中に該いずれか一つの発光素子以外の発光素子に供給される前記バイアス電流によって出射される光ビームを受光する受光手段を備え、前記制御手段は、前記電位検出手段によって検出される前記静電潜像の電位と前記受光手段の受光光量とに基づいて前記いずれか一つの発光素子に供給する前記バイアス電流の値を制御することを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。前記電流供給手段は、第1の静電潜像を形成するための第1の駆動電流と、前記第1の駆動電流と異なる電流値で第2の静電潜像を形成するための第2の駆動電流をそれぞれ前記光源に供給し、前記制御手段は、前記第1の駆動電流の値と前記第1の静電潜像の電位との対応関係、前記第2の駆動電流の値と前記第2の静電潜像の電位との対応関係に基づいて、前記電流供給手段が前記複数の発光素子に供給する前記バイアス電流の値を制御することを特徴とする請求項1または2に記載の画像形成装置。前記バイアス電流は、前記感光体の電位を変化させない光量の光ビームを出射させる電流であって、前記制御手段は、前記感光体の電位を変化させる光量の光ビームを出射させる前記駆動電流の最小値に近づくように、前記電流供給手段が前記複数の発光素子に供給する前記バイアス電流の値を増加させることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項に記載の画像形成装置。前記制御手段は、前記受光手段の受光光量に基づいて基準電流値を求め、前記基準電流値を前記電位検出手段によって検出される前記静電潜像の電位に基づいて補正することによって前記バイアス電流の値を制御することを特徴とする請求項2に記載の画像形成装置。前記光ビームによる前記感光体上の露光位置を検出する位置検出手段と、前記露光位置に応じて前記光源から出射される光ビームの光量を変化させるための補正データを記憶する記憶手段と、を備え、前記制御手段は、画像データに基づいて、前記感光体上に静電潜像を形成しない位置に対して前記感光体の電位を変化させる光量の光ビームが出射されるように前記駆動電流を制御し、前記感光体上に静電潜像を形成する位置に対して前記感光体の電位を変化させないように前記駆動電流を制御し、前記電流供給手段は、前記補正データに基づく駆動電流を前記光源に供給することを特徴とする請求項1乃至5いずれか1項に記載の画像形成装置。感光体と、前記感光体を帯電する帯電手段と、前記帯電された感光体を露光するための光ビームを出射する複数の発光素子を備える光源と、バイアス電流を含む駆動電流を前記光源に供給する電流供給手段と、前記光ビームによって露光されることによって前記感光体上に形成される静電潜像をトナーによって現像する現像手段と、前記現像手段によって現像されるトナー像の濃度を検出する濃度検出手段と、前記濃度検出手段によって検出される前記トナー像の濃度に基づいて前記電流供給手段が前記光源に供給する前記バイアス電流の値を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。複数の発光素子のうちいずれか一つの発光素子に前記駆動電流を供給することによって出射される光ビームを受光し、前記いずれか一つの発光素子からの光ビームを受光中に該いずれか一つの発光素子以外の発光素子に供給される前記バイアス電流によって出射される光ビームを受光する受光手段を備え、前記制御手段は、前記濃度検出手段によって検出される前記静電潜像の電位と前記受光手段の受光光量とに基づいて前記いずれか一つの発光素子に供給する前記バイアス電流の値を制御することを特徴とする請求項7に記載の画像形成装置。前記電流供給手段は、第1のトナー像を形成するための第1の駆動電流と、前記第1の駆動電流と異なる電流値で第2のトナー像を形成するための第2の駆動電流をそれぞれ前記光源に供給し、前記制御手段は、前記第1の駆動電流の値と前記第1のトナー像の濃度との対応関係、前記第2の駆動電流の値と前記第2のトナー像の濃度との対応関係に基づいて、前記電流供給手段が前記複数の発光素子に供給する前記バイアス電流の値を制御することを特徴とする請求項7または8に記載の画像形成装置。前記バイアス電流は、前記感光体の電位を変化させない光量の光ビームを出射させる電流であり、前記制御手段は、前記感光体の電位を変化させる光量の光ビームを出射させる前記駆動電流の最小値に近づくように、前記電流供給手段が前記複数の発光素子に供給する前記バイアス電流の値を増加させることを特徴とする請求項7乃至9いずれか1項に記載の画像形成装置。前記制御手段は、前記受光手段の受光光量に基づいて基準電流値を求め、前記基準電流値を前記濃度検出手段によって検出される前記トナー像の濃度に基づいて補正することによって前記バイアス電流の値を制御することを特徴とする請求項8に記載の画像形成装置。前記光ビームによる前記感光体上の露光位置を検出する位置検出手段と、前記露光位置に応じて前記光源から出射される光ビームの光量を変化させるための補正データを記憶する記憶手段と、を有し、前記制御手段は、画像データに基づいて、前記感光体上に静電潜像を形成しない位置に対して前記感光体の電位を変化させる光量の光ビームが出射されるように前記駆動電流を制御し、前記感光体上に静電潜像を形成する位置に対して前記感光体の電位を変化させないように前記駆動電流を制御し、前記電流供給手段は、前記補正データに基づく駆動電流を前記光源に供給することを特徴とする請求項7乃至11いずれか1項に記載の画像形成装置。しかしながら、画像形成速度の高速化を図るために複数の発光素子から出射される複数のレーザーによって感光体を露光する装置において、複数の発光素子から出射されるレーザー光リア光を一つのPDで検出し、検出結果に基づいてAPCを行うと、バイアス電流Ibの値を高精度に設定できないという課題が生じる。APCを行う際には制御対象である発光素子には第1の光量P1及び第2の光量P2で発光させるための駆動電流が供給され、上述の従来の方法によって制御対象に対応するバイアス電流Ibを算出する。この制御は複数の発光素子それぞれに関して1走査中に順次実行される。このとき制御対象以外の発光素子には発光素子の発光応答性を確保するためにバイアス電流Ibが供給されている。このバイアス電流は、1走査前に設定されるバイアス電流である。複数の発光素子はPDの近傍に配置されているため、PDはバイアス電流Ibのみによって出射されるレーザー光を受光してしまう。そのため、PDの検出結果には制御対象以外の発光素子の光量も含まれることになる。このような装置において、従来の方法でバイアス電流Ibの値を算出する過程において、第1の光量P1及び第2の光量P2それぞれに対応する駆動電流はI1’、駆動電流はI2’として算出される図15b参照。この算出結果からしきい値電流Ithを算出すると、図15bに示すようにしきい値電流Ithが本来の電流値であるIthよりも低い値のIth’として算出され、結果としてバイアス電流Ibが本来設定される光量よりも低い値に設定されてしまう。このように、複数の発光素子によって静電潜像を形成する画像形成装置ではバイアス電流Ibの値がしきい値電流Ithの値から大きく離れた低い値に設定されてしまうため、スイッチング電流Iswを供給したときの半導体レーザーの応答性が低下する。この問題に対して、算出したバイアス電流値Ibに補正値を加算または1以上の係数を乗算することによって、バイアス電流値Ibをしきい値電流Ithの値に近づけるように補正する方法が考えられる。しかしながら、感光体周囲の温度や湿度の変動および感光体の感光層の経時変化に伴って感光体の感度表面電位の変化のし易さは変動するため、バイアス電流値Ibを固定的なパラメータ補正値または係数によって補正したのでは、補正されたバイアス電流値Ibが供給された発光素子から出射されるレーザー光によって感光体に潜像が形成されてしまう場合がある。本発明は上記課題を鑑みてなされたもので、本発明の画像形成装置は、感光体と、前記感光体を帯電する帯電手段と、前記帯電された感光体を露光するための光ビームを出射する複数の発光素子を備える光源と、バイアス電流を含む駆動電流を前記光源に供給する電流供給手段と、前記光ビームによって露光されることによって前記感光体上に形成される静電潜像の電位を検出する電位検出手段と、前記電位検出手段によって検出される前記静電潜像の電位に基づいて前記電流供給手段が前記光源に供給する前記バイアス電流の値を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。本発明によれば、バイアス電流の値を高精度に制御することができるため、各発光素子の発光応答性の低下を抑制することができる。実施例1[画像形成装置の全体構成]図1は本実施例に係る画像形成装置100の全体構成を示す断面図であり、電子写真方式のフルカラープリンタの概略構成を示している。図1に示す画像形成装置100において、各色に対応する感光体であるところの感光ドラム101a~101dは帯電装置102a~102dによって所定の電位帯電電位に帯電される。帯電された各感光ドラム上には発光素子を光源半導体レーザなどとする各々の光走査装置200a~200dから出射されるレーザー光光ビームにより静電潜像が形成される。この静電潜像は各々の現像器103a~103dによりトナーを用いて現像される。そして、この感光ドラム101a~101d上それぞれに現像された各色のトナー像は、転写ブレード104a~104dに印加される転写バイアスによって中間転写ベルト105に転写される。中間転写ベルト105上に転写されたトナー像は、二次転写ローラ106で記録紙Sに4色が一括転写される。その後、トナー像を担持した記録紙Sは定着装置107を通過して定着処理が施される。定着処理が施された後、排紙ローラ108等によって装置外に排出される。上記の記録紙Sは給紙カセット109もしくは手差しトレイ110などから給紙される。レジローラ111は、給紙された記録紙Sを二次転写ローラ106へ搬送するタイミングを調整するためのローラである。両面印刷時には、定着装置107を通った記録紙Sは両面反転パス112の方向に導かれて逆方向に反転搬送され、両面パス113へ搬送される。両面パス113を通った記録紙Sは再び縦パスローラ114を通り、1面目と同様に2面目の画像を作像、転写、定着されて排出される。[スキャナ光走査装置の構成]4つの光走査装置はそれぞれ同一のものであるので、光走査装置200aを例に説明する。図2aは、光走査装置200aと感光ドラム101aを模式的に示す概略図である。光走査装置200aは、光源であるところの半導体レーザー201LD:レーザーダイオード、コリメータレンズ202、開口絞り203、シリンドリカルレンズ204、ポリゴンミラー205、ポリゴンミラー駆動部206、トーリックレンズ207、回折光学素子208を備える。コリメータレンズ202は、半導体レーザー201から出射された光ビームを平行光束に変換している。開口絞り203は、通過する光ビームの光束を制限している。シリンドリカルレンズ204は、副走査方向にのみ所定の屈折力を有しており、開口絞り203を通過した光束をポリゴンミラー205の反射面に主走査方向に長い楕円像として結像させている。回転多面鏡であるところのポリゴンミラー205は、ポリゴンミラー駆動部206により図中矢印C方向に一定速度で回転しており、反射面上に結像したレーザー光を偏向反射する。トーリックレンズ207は、fθ特性を有する光学素子であり主走査方向と副走査方向とで互いに異なる屈折率を有する。トーリックレンズ207の主走査方向の表裏の両レンズ面は非球面形状より成っている。回折光学素子208は、fθ特性を有する光学素子であり主走査方向と副走査方向とで互いに異なる倍率を有する。レーザービーム検出手段であるところのBeamDetector209以下BD209とする。は、画像形成装置100が備える感光ドラム101aの画像形成領域外に相当する位置に設置され、反射ミラー210によって反射されたレーザー光を検出することで、走査タイミング信号BD信号を生成する。感光ドラム101aには、回転駆動されるポリゴンミラー205の反射面によって偏向されたレーザー光のスポットがドラム軸に平行に直線状に移動走査する。本実施例における光走査装置200aは、複数の発光素子を有する半導体レーザー201を備える。半導体レーザー201は複数ビームを発し、それによって1回の走査により複数本のライン状の静電潜像を形成することができる。感光ドラム101aは駆動部211によって回転駆動され、これによって主走査を折り返すことで、副走査方向感光ドラムの回転方向に画像書き込みが行われる。感光ドラム101aは帯電装置102aにより表面が帯電された後、レーザー光は帯電された感光ドラム101a表面を露光する。感光ドラム101a表面の電位は照射されたレーザー光の強度に応じて電位が変化する。本実施例の画像形成装置には、各感光ドラムに対して表面電位は測定するための電位検出手段であるところの電位センサ212が設けられている。電位センサ212は、感光ドラム101aの回転方向においてレーザー光が感光ドラム101aに照射される露光部よりも下流側で、且つ静電潜像がトナーによって現像される現像部よりも上流側に設けられる。図2aにおいて、感光ドラム101a上に示されるE1及びE2はそれぞれ第1の静電潜像以下、第1の静電潜像パターン及び第2の静電潜像以下、第2の静電潜像パターンである。これらの静電潜像パターンは、後述するバイアス電流Ibの値を補正するために形成されるパターンである。静電潜像パターンの電位は感光ドラム上において帯電電位とは異なる電位となっている。静電潜像パターンE1及びE2は、後述する補正値を算出する際に電位センサ212の検知面に対向するように副走査方向感光ドラムの回転方向に並べて形成される。図2bは、図2aにおける半導体レーザー201を詳しく説明するための概略図である。本実施例の半導体レーザー201は少なくとも2つの発光素子第1の発光素子及び第2の発光素子を備える。図2b中では発光素子213a~213dの4つの発光素子が示されている。図2b中の右方向に出射する光は感光ドラム101aまで導かれるレーザー光フロント光であり、そのフロント光に対して図2b中左方向にレーザー光リア光が出射される。複数の発光素子213a~213dから出射されるリア光が入射する位置に複数の発光素子に対して受光手段であるところの共通のフォトダイオード214以下、PD214とするが配置されている。PD214からの出力受光光量に基づいて後述する自動光量制御が行われる。次に、バイアス電流Ibについて図15aを用いて説明する。図15aに示すように、各発光素子に供給される電流の値がしきい値電流Ithよりも低い領域では電流の増加量に対する発光光量の増加が緩やかであるのに対して、しきい値電流Ithよりも高い領域では電流の増加量に対する発光光量の増加量が増大する。このような特性を活かし、電子写真方式の画像形成装置に備えられる半導体レーザーが備える発光素子には、静電潜像を形成する際に感光ドラムの帯電電位を変化させない場合であっても帯電電位を変化させない光量に対応するバイアス電流Ibが供給される。感光ドラムの帯電電位を変化させる場合には、バイアス電流Ibにスイッチング電流Iswを重畳した駆動電流を発光素子に供給する。バイアス電流Ibの値をしきい値電流Ithの値近傍に設定するために、従来の画像形成装置では図15aに示した方法でしきい値電流Ithの値を算出し、その値に対して所定の係数αを乗算してバイアス電流Ibの値を算出する。本実施例の説明では所定の係数をα=1とし、しきい値電流Ithの値がバイアス電流Ibの値として設定されるようにしている。以下の説明ではバイアス電流Ibの値を設定する制御をAPCとする。半導体レーザーはレーザー光を出射すると半導体レーザー自身が昇温し、それに伴い発光特性が変動する。即ち、図15aに示す発光特性の曲線部分の位置が上下、または左右にシフトしたり、発光特性の直線部分の傾きが変化したりする。発光応答性の低下を抑制するためには、頻繁にAPCを行い、半導体レーザーの状態に適したバイアス電流Ibを設定することが望ましい。そのため、電子写真方式の画像形成装置では、1走査毎にバイアス電流Ibの値の制御を行っている。図3はAPCを説明するためのタイミングチャートである。上記の通りAPCはレーザー光が1走査される毎に実行される。即ち、後述するBD信号の1周期内において各発光素子に関して実行される。図3に示すように、APCはポリゴンミラーが有する一つの反射面でレーザー光が走査される間1走査の間に含まれる、レーザー光が非画像領域を走査する期間に行われる。図3中の波形は、後述するLD駆動部が半導体レーザーに対して供給する電流を示している。ここで、画像領域とは、レーザー光が走査される領域のうち入力画像データに基づく画像、濃度調整用トナーパターン、および色ずれ補正用のレジストレーションパターンを形成するためにレーザー光が走査される走査領域を指す。非画像領域は、レーザー光が走査される領域のうち上記画像領域以外の領域を指す。図3において、画像データに基づく感光ドラムの露光が行われるビデオ領域が画像領域で、APCが行われるAPC領域が非画像領域である。APCはレーザー光が非画像領域を走査している期間に行われる。レーザー光が画像領域、非画像領域のいずれを走査しているかは、BDがBD信号を出力したことに応じてCPUがクロック信号をカウントするカウント値によって判定される。APCを行う際、各発光素子に対してLD駆動部から駆動電流が供給される。図3中では、一定の電流が供給されるような波形が示されているが、APC実行時には各発光素子から出射されるレーザー光の光量が光量P1及びP2になるように駆動電流値をサーチするため、実際には駆動電流の値は変動する。また、図3中ではビデオ領域において波形の立ち上がりがない状態が示されているが、この期間では画像データに応じて波形が立ち上がる。ここでは4つの発光素子213a~213dそれぞれに関してAPCを行うときのシーケンスを例に示している。まず、発光素子213aを第1の光量及び第2の光量で発光させるAPCを行い、その後同様にして発光素子213b、213c、213dに関してAPCを行う。APCを行う際のそれぞれの発光素子の発光タイミングは、BD検出タイミングに基づいて後述するCPUによって制御される。なお、図3に示すように、BD信号は発光素子213dのAPCを行う際に発光素子213dから出射したレーザー光を用いて生成される。即ち、発光素子213dのAPCを行う際に、発光素子213dには光量P1および光量P2のレーザー光が出射されるように駆動電流が供給される。BD信号は光量P2で発光素子213dから出射されたレーザー光がBDに入射することによって生成される。複数の発光素子を有する半導体レーザーを用いて画像を形成する装置において上記のような従来の方法によってバイアス電流Ibの値を設定する際には以下のような課題が生じる。APCを行う際に、APCの制御対象となる発光素子にはバイアス電流Ibにスイッチング電流Iswが重畳された駆動電流が供給され、それによって駆動電流に応じた光量のレーザー光が出射される。一方、制御対象以外の発光素子にはバイアス電流Ibのみが供給され、それに応じて微弱な強度のレーザー光が出射される。図2bに示すようにPD214は発光素子近傍に配置されているため、制御対象の発光素子からのレーザー光を受光中にPD214は制御対象の発光素子以外の発光素子からバイアス電流Ibのみによって出射されるレーザー光も受光し、受光結果に応じた信号を出力する。そのため、PD214の出力結果に基づいて算出されるしきい値電流Ithの値は、Ithよりも低いIth’の値になる図14b参照。このように、複数の発光素子を有する半導体レーザーを用いて画像を形成する装置において図2bの位置に配置されたPD214の出力に基づいてAPCを行うと、バイアス電流Ibの値が所望の値よりも低く設定される。これによって、画像データに対する発光素子の発光応答性が低下発光遅延量の増大する。そこで、本実施例の画像形成装置は、上記の課題を解決するために、PD214の検出結果に基づいて算出される基準電流Ib’補正前の仮のバイアス電流値の値を補正するための補正値Icorを求め、補正値Icorによって補正された値をバイアス電流Ibの値とするものである。[制御構成]以下、本実施例に係る画像形成装置の特徴について詳細に説明する。まず、従来の画像形成装置と同様の方法でPD214の検出結果に基づいてバイアス電流Ibを求めるための基準電流Ib’の値仮のバイアス電流値を算出する。そして、本実施例の画像形成装置は基準電流Ib’の値に以下に述べる補正値Icorを加算し、その値をバイアス電流Ibの値として設定する。上記の補正値Icorについて図4を用いて説明する。図4は駆動電流の値と感光ドラム上の電位との関係を示す図である。縦軸が感光ドラムの電位を示しており、横軸が駆動電流の値を示している。補正値Icorは感光ドラム上に形成される静電潜像の電位と駆動電流との関係から求められる。図4中のVdは、帯電装置102a~102dによって帯電されたときの各感光ドラム表面の帯電電位である。まず、第1の発光素子例えば、発光素子213aに第1の駆動電流I3及び第1の駆動電流I3よりも高い値の第2の駆動電流I4を供給し、感光ドラム上に静電潜像パターンE2を形成する。駆動電流I3及び駆動電流I4は、上記の基準電流Ib’にそれぞれ異なる値のスイッチング電流Iswを重畳した電流である。それぞれの駆動電流によって感光ドラム上に形成される静電潜像パターンE1及びE2の電位を電位センサ212によって検出する。図4は、駆動電流I3の値とそれによって形成される静電潜像パターンの電位との対応関係図4中のB点、及び駆動電流I4の値とそれによって形成される静電潜像パターンの電位との対応関係図4中のC点をグラフ上に示したものである。駆動電流I3によって出射されるレーザー光の強度よりも駆動電流I4によって出射されるレーザー光の強度の方が強いため、図4中では駆動電流I4によって形成される静電潜像の電位Vlの方が駆動電流I3によって形成される静電潜像の電位Vxよりも低くなる。帯電した感光ドラム表面にレーザー光を照射したときの電位はほぼレーザー光の強度光量の変化に比例して変化する。また、レーザー光の強度は発光素子の駆動電流の変化に比例して変化する。そのため、感光ドラムの電位は発光素子の駆動電流の変化に比例して変化する。後述するCPUは、B点とC点とを2点を結ぶ式を求める。CPUはB点及びC点の電位とそれらに対応する駆動電流の値とに基づいて下記の式を演算する。続いて、CPUは式1で定義される直線とY=Vdで定義される直線との交点の電流値であるX=Idの値A点を求める。上述したように図4中におけるVdは帯電電位である。理論的には感光ドラムが露光されなければ帯電電位は変化することはない。そのため、バイアス電流Ibとして図4中のA点に対応する値まで電流を供給しても感光ドラムに静電潜像が形成されないことになる。Idは、感光ドラムの帯電電位を変化させる静電潜像が形成することができる強度のレーザー光を出射するために必要な量の駆動電流の最小値に相当する。そこで、本実施例の画像形成装置は、上記の両プロット間を結ぶ直線とVdの値の交点に対応する電流値Idを算出し、電流値Idと基準電流Ib’との差分値に所定の係数β0<β≦1を乗算した値を補正値Icorとする下記の式3。その補正値Icorを基準電流Ib’の値に加算し下記の式4、その電流値をバイアス電流Ibの値として設定する。このようにバイアス電流Ibの値を補正することによって、バイアス電流Ibの値を感光ドラムの帯電電位を変化させることができる強度のレーザー光を出射するために必要な駆動電流の最小値以下で、且つ最小値に近づけることができる。感光ドラムの感度が上昇した場合、補正値Icorに補正係数を乗算せずにIb’に加算してバイアス電流Ibを設定すると、感光ドラムの感度が高い状態ではそのバイアス電流Ibによって発光素子から出射されるレーザー光によって静電潜像が形成されるおそれもある。そこで、本実施例の画像形成装置においては、Idと基準電流Ib’との差分値に所定の係数β0<β≦1を乗算する構成としている。なお、しきい値電流Ithの値はPDの検出結果に基づいて求められる。また、図15aに示されるように、半導体レーザーの発光特性はしきい値電流Ith以上の値の駆動電流値に対して線形に変化する。そのため、PDの検出結果から求められるしきい値電流Ithの値が上記の最小値よりも大きくなることはない。静電潜像パターンE1及びE2の形成は、1走査毎に行うことはできない。また、感光ドラムは経時や画像形成装置が置かれた環境温度、湿度の変動によって感度が変動する。そのため、電源がONされた場合、待機状態から復帰する場合、記録紙Sへの累積画像形成枚数が所定枚数に達した場合、連続して所定の枚数に画像形成された場合、電源がONされてから所定の枚数に画像形成された場合、など所定のタイミングで補正値の算出を行うことが望ましい。連続して所定の枚数に画像形成された場合、及び電源がONされてから所定の枚数に画像形成された場合は、記録紙間に相当する部分に静電潜像パターンE1及びE2を形成する。上記のようなタイミングで補正値を求めることで感光ドラムの感度に応じた補正値を算出することができる。ここで、補正値Icorを算出するための制御を実行する画像形成装置の制御ブロック図を図5に示す。印刷する画像の入力画像データは、例えばPC等の画像データ送信部501から画像データ生成部502に送られる。画像データ生成部502は、入力画像データに対して画像処理を施し、各発光素子からレーザー光を出射させるためのPWM信号PalsWidthModulation信号を生成する。PWM信号駆動電流は、バイアス電流Ibに変調電流であるところのスイッチング電流を重畳した電流である。光走査装置200にはBD209が備えられている。BD209によって同期信号が生成されてから所定のタイミングで電流供給手段であるところのLD駆動部503はPWM信号を半導体レーザー201の各発光素子に出力する。各発光素子はPWM信号に基づいて点灯または消灯する。LD駆動部503はPWM信号に基づいて各発光素子から出射されるレーザー光の光量強度が所定の光量となるように各発光素子に供給する電流値バイアス電流Ib、スイッチング電流Iswを制御する。ポリゴンミラー205はポリゴンミラー駆動部206によって回転駆動される。BD209からの同期信号はポリゴンミラー回転制御部504に入力され、BD信号の周期が所定の周期になるようにポリゴンミラー駆動部206に加速信号、または減速信号を出力する。感光ドラム近傍に設けられた電位センサ212は、上記の静電潜像パターンの電位を測定するために設けられている。帯電装置によって所定の電位に帯電された感光ドラムにレーザー光を照射することによって静電潜像が形成されると、感光ドラムの表面の帯電電位が変化する。図2及び図5に示される電位センサ212は感光ドラムの表面電位を測定し、測定データをCPU505に転送する。CPU505は、測定データに基づいて補正値Icorを算出し、その補正値Icorを記憶手段であるところのメモリ506に格納する。CPU505は、非画像領域において各発光素子に関してAPCを行う。そのときにPD214からの受光結果に基づいて算出される基準電流Ib’の値に補正値Icorを加算し、その値をバイアス電流Ibとして設定する。当該非画像領域直後の画像領域では、そこで設定されたバイアス電流Ibが各発光素子に供給される。続いて、図6を用いて補正Icorを算出する際にCPU505が実行する制御フローを説明する。本制御は、画像形成装置が待機状態にあるときに画像データが入力されたことに応じて開始される場合を例に説明する。CPU505は、まず各発光素子を駆動するための基準電流Ib’を設定する制御を実行する以下のステップS601~604。その制御において、CPU505は制御対象となる発光素子から出射されるレーザー光の光量が図14に示すP1になるように制御対象である発光素子に供給する駆動電流を制御し、駆動電流I1の値を測定するステップS601。なお、所定の駆動電流を供給したときに制御対象となる発光素子から出射されるレーザー光の光量Pを測定しても良い。続いて、CPU505は制御対象である発光素子から出射されるレーザー光の光量が図14に示すP2になるように制御対象である発光素子に供給する駆動電流を制御し、そのときの駆動電流I2の値を測定するステップS602。続いて、CPU505は、光量P1と駆動電流I1及び光量P2と駆動電流I2とに基づいて補正値Icorを算出するために制御対象である発光素子に供給する基準電流Ib’の値を設定するステップS603。算出方法は上述した従来技術と同様である。その後、すべての発光素子について補正値Icorを算出する際に用いる基準電流Ib’の値が設定されているか否かを判定しステップS604、すべての発光素子に関して基準電流Ib’の値が設定されている場合には、ステップS605に進む。一方、すべての発光素子について基準電流Ib’の値が設定されていない場合、CPU505はステップS601に戻り、基準電流Ib’の値が設定されていない発光素子について同様に基準電流Ib’を設定する制御を行う。次に、CPU505は各発光素子に対応する補正値Icorを算出する制御に移行するステップS605~609。その制御において、CPU505は、駆動電流I3が制御対象である発光素子第1の発光素子に供給されるようにLD駆動部503を制御する。ステップS605。このとき、各発光素子にはステップS603で設定された値の基準電流Ib’図5のグラフにおける原点の電流値にスイッチング電流が重畳された駆動電流I3が供給され、それに伴い制御対象である発光素子から出射されるレーザー光によって感光ドラム上には第1の静電潜像パターンが形成される。制御対象以外の発光素子第2の発光素子には、ステップS603でそれぞれの発光素子に対して設定される基準電流Ib’が供給されている。続いて、CPU505は、駆動電流I4が制御対象である発光素子に供給されるようにLD駆動部503を制御する。ステップS606。このとき、制御対象である発光素子にはステップS603で設定された値の基準電流Ib’にステップS605で重畳されたスイッチング電流よりも高い値のスイッチング電流が重畳された駆動電流I4が供給され、それに伴い発光素子から出射されるレーザー光によって感光ドラム上には第2の静電潜像パターンが形成される。そして、CPU505は電位センサ212にそれぞれの静電潜像の電位を測定させステップS607、測定結果と駆動電流I3及び駆動電流I4との対応関係に基づいてIdを算出し、IdとIb’との差分に所定の係数βを乗算した結果である補正値Icorを発光素子ごとにメモリ506に記憶するステップS608。ステップS608の後、CPU505はすべての発光素子について補正値Icorが算出されたか否かを判定するステップS609。すべての発光素子について補正値Icorが算出された場合、CPU505は画像形成シーケンスを実行する。一方、すべての発光素子について補正値Icorが算出されていない場合、CPU505はステップS605に戻り、補正値Icorが算出されていない発光素子についての補正値Icorを算出する。続いて、CPU505が実行する画像形成シーケンスについて説明する。画像形成シーケンスでは、図3で示すタイミングでAPCが行われ、それによって発光素子毎に基準電流Ib’の値が算出される。その基準電流Ib’の値にステップS608においてメモリ506に記憶した補正値Icorを加算した値をバイアス電流Ibの値とし、その値のバイアス電流Ibを後続するビデオ領域において各発光素子に供給する。以下において、図7を用いてCPU505が実行する制御フローを説明する。このフローは非画像領域においてCPU505が実行する制御フローである。画像形成中、CPU505は1走査毎に同じ制御を繰り返す。まず、CPU505は、BD信号が生成されてからの基準クロックのカウント値が所定のカウント値になったか否かを判定するステップS701。メモリ506には所定のカウント値として非画像領域に対応するカウント値が記憶されており、このカウント値になったことに応じて次のBD信号が生成されるまでの間レーザー光は非画像領域を走査することになる。カウント値が所定のカウント値になったと判定された場合、CPU505は制御対象である発光素子から出射されるレーザー光の光量が図15に示すP1になるように制御対象である発光素子に電流を供給し、駆動電流I1の値を測定するステップS702。続いて、CPU505は制御対象である発光素子から出射されるレーザー光の光量が図15に示すP2になるように制御対象である発光素子に電流を供給し、そのときの駆動電流I2の値を測定するステップS703。CPU505は、光量P1と駆動電流I1及び光量P2と駆動電流I2とに基づいて補正値Icorを算出するために制御対象である発光素子に供給する基準電流Ib’の値を設定するステップS704。続いて、CPU505は、その基準電流Ib’の値に対して図6中のステップS608おいて記憶した補正値Icorを加算し、その値をバイアス電流Ibとして設定するステップS705。その後、すべての発光素子についてAPCが終了しているか否かを判定しステップS706、すべての発光素子についてAPCが終了している場合には画像形成を実行する。即ち、CPU505は画像領域をレーザー光によって走査する制御に移行する。一方、すべての発光素子についてバイアス電流の値が設定されていない場合、CPUはステップS702に戻り、バイアス電流Ibの値が設定されていない発光素子についてAPCを実行する。以上のように、PD214の検出結果に基づいて算出される電流値に対して補正値Icorを加算することによってバイアス電流Ibを精度良く設定することができる。なお、図6に示す制御フローは図8に示すようにしても良い。図6に示す制御は各発光素子を個別に点灯させることによって静電潜像パターンE1及びE2を形成する制御である。つまり、各発光素子に対してそれぞれ少なくとも2つの静電潜像パターンを形成することになる。それに対して、図8に示す制御は少なくとも2つ以上の発光素子に所定の駆動電流I3を供給して静電潜像パターンE1を形成し、少なくとも2つ以上の発光素子に所定の駆動電流I4を供給して静電潜像パターンを形成する。以下では、すべての発光素子に駆動電流I3及びI4を供給する例について説明する。発光素子213a~213dから出射されるレーザー光は、1走査中において感光体上の異なる位置を走査する。そのため、図6に示すように静電潜像パターンを形成すると、1つの発光素子から出射されるレーザー光のみによって静電潜像パターンが形成されることになるため、電位センサによって検出できる程度に感光ドラムの電位が低下しない。そこで、図8の制御フローに示すように少なくとも複数の発光素子によって静電潜像パターンE1及びE2を形成し、点Aに対応する駆動電流Idの値を求める。ステップS801~804まではステップS601~604と同一であるので説明を省略する。CPU505は、駆動電流I3が制御対象である各発光素子に供給されるようにLD駆動部503を制御しステップS805、静電潜像パターンE1を形成する。次に、CPU505は、駆動電流I4が各発光素子に供給されるようにLD駆動部503を制御しステップS806、静電潜像パターンE2を形成する。そして、CPU505は電位センサ212にそれぞれの静電潜像の電位を測定させステップS807、測定結果と駆動電流I3及び駆動電流I4との対応関係に基づいてIdを算出し、IdとステップS801~803において各発光素子それぞれに関して設定したIb’との差分に所定の係数βを乗算した結果である補正値Icorをメモリ506に記憶させステップS808、画像形成シーケンスに移行する。つまり、図8の制御フローは、各発光素子それぞれに対する補正値Icorを算出する場合にA点に対応する駆動電流として共通の駆動電流を用いる点で図6の制御フローと異なる。上述したように、半導体レーザーの発光特性は、半導体レーザー自身の温度変化によって変動し、それに伴いしきい値電流Ithの値も変動する。例えば、1走査中に半導体レーザーからレーザー光を出射させると、その1走査前と後とでは発光特性が変動するため、それに伴いしきい値電流Ithの値も変動する。しきい値電流Ithの値が変動すると、その変動に追従して図4に示すA点も左右方向に追従する。即ち、しきい値電流Ithの値が変動すると、その変動に追従して感光ドラムの電位変動をさせる強度のレーザー光を出射させるために必要な駆動電流の最小値も変動する。そのため、本実施例では、1走査毎に基準電流Ib’を算出し、基準電流Ib’に固定パラメータである補正値Icorを加算する。駆動電流Idの値は、感光ドラムの電位を変動をさせる強度のレーザー光を出射させるために必要な駆動電流の最小値であるため、発光応答性の低下を抑制するためのバイアス電流Ibの値として駆動電流Idの値を採用することが望ましい。しかしながら、静電潜像パターンを形成し、その静電潜像パターンの電位を検出した結果に基づいてバイアス電流Ibの値をフィードバック制御するためには時間が必要である。しかしながら、画像形成中は、レーザー光の走査が光速で行われるため、このフィードバック制御を行うための時間を十分確保できない。そのため、本実施例の画像形成装置では、まず、非画像形成時に補正値Icorを算出する。そして、画像形成時に従来のバイアス電流算出方法で算出した基準電流Ib’仮のバイアス電流Ib’に補正値Icorを加算することによってバイアス電流Ibの値とし、バイアス電流Ibの値を感光ドラムの電位変動をさせる強度のレーザー光を出射させるために必要な駆動電流の最小値に近づけるようにしている。このように本実施例の画像形成装置は、静電潜像パターンの検出結果潜像pターンの電位に基づいてバイアス電流を制御するため、複数の発光素子を有する光源における各発光素子のバイアス電流Ibの値を高精度に制御することができる。それによって、各発光素子にスイッチング電流Iswを供給する際の発光応答性の低下を抑制することができる。また、本実施例のバイアス電流設定方法は、発光応答性の低下を抑制することができるとともに、レーザー光の光量のオーバーシュートの発生を抑制することができる。図9aはバイアス電流を供給せずスイッチング電流を供給したときの発光素子から出射される光量変化を示す図である。一方、図9bはバイアス電流を供給し、それに重畳させるようにスイッチング電流を供給したときの発光素子から出射される光量変化を示す図である。両図中において、実線が発光素子にスイッチング電流が供給されたタイミングを示しており、破線が発光光量を示している。発光素子にバイアス電流Ibが供給されない場合、図9aに示すようにスイッチング電流Iswの供給タイミングに対して発光タイミングの遅延発光遅延が生じる。遅延量は図9bに示すバイアス電流が供給された場合の遅延量よりも大きい。また、発光素子にバイアス電流Ibが供給されないと、図9aに示すように一時的に光量が所定の光量よりも増加する光量のオーバーシュートが生じる。オーバーシュート量は図9bに示すバイアス電流Ibが供給された場合のオーバーシュート量よりも大きい。オーバーシュートが生じると、帯電された感光ドラム上の電位が所定の電位変化よりも大きく変化してしまう。それによって、静電潜像を現像したときのトナーの載り量が多くなり、原稿画像の濃度と出力画像の濃度とが異なるという現象が生じる。発光遅延量及びオーバーシュート量はバイアス電流Ibをしきい値電流Ithに近い値にするほど抑制される。そのため、上記の方法でバイアス電流の値を設定することによって、発光遅延及び発光量のオーバーシュートによる画像濃度の変動を抑制することができる。実施例2実施例1は、感光ドラム上に形成される静電潜像パターンの検出結果に基づいて算出される補正値Icorを用いてバイアス電流を設定する方法を説明した。本実施例では、静電潜像パターンをトナーによって現像したトナー像の濃度に基づいて補正値Icorを算出する方法について説明する。なお、以下の説明において実施例1と同一機能のものに関しては同一符号にて説明をする。図10は、本実施例に係る画像形成装置の断面図である。図1と異なる点はトナー像の濃度を検出するための濃度センサ1001a~1001dまたは1002が設けられている点である。濃度センサ1001a~1001dは感光ドラム上に形成されるトナー像の濃度を検出する濃度センサである。濃度センサ1001a~1001dはそれぞれ感光ドラムの回転方向において現像装置の下流側でかつ1次転写部感光ドラム上のトナーが中間転写ベルトに転写される部分よりも上流側に設けられている。濃度センサ1002は中間転写体像担持体であるところの中間転写ベルト105に転写されるトナー像の濃度を検出する濃度検出手段であるところの濃度センサである。1次転写部よりも下流側で2次転写部中間転写ベルト上のトナーが感光ドラムに転写される部分よりも上流側の中間転写ベルト近傍に設けられている。濃度センサ1001a~1001dと濃度センサ1002は同一図面上に記載しているが、濃度センサ1001a~1001dが設けられている場合は濃度センサ1002を設けなくてもよく、濃度センサ1002が設けられている場合は濃度センサ1001a~1001dを設けなくてもよい。また、濃度センサを記録紙Sの搬送方向において定着装置107の下流側に設け、記録紙S上に定着されたトナー像の濃度を当該濃度センサで検出するようにしてもよい。図11は本実施例に係る画像形成装置の制御ブロック図を図5に示す。図5と同一機能のブロックに関しては説明を省略する。図11において、図5に示すブロック図と異なる転は電位センサ212が濃度センサ1001になっている点である。なお、本制御ブロック図では、濃度センサ1002の説明を省略する。図12は、駆動電流の値と現像されるトナー像の濃度との関係を示す図である。縦軸がトナー像の濃度を示しており、横軸が駆動電流の値を示している。図12中の点Dは、実施例1で説明した第1の静電潜像を現像した第1のトナー像の濃度と駆動電流I3の値とによって定義される点である。点Eは、実施例1で説明した第2の静電潜像を現像した第2のトナー像の濃度と駆動電流I4の値とによって定義される点である。CPU505は、図12に示すグラフ上においてD点とE点とを2点を結ぶ線分と濃度が零の線分との交点に対応する駆動電流値Idを求める。なお、CPU505は、Idと基準電流Ib’との差分値に所定の係数β0<β≦1乗算した値を補正値Icorとする。以下、図13を用いてCPU505が実行する制御フローについて説明する。ステップS1301~1306までは図6中のステップS601~606までと同一であるので説明を省略する。CPU505は濃度センサにそれぞれの静電潜像パターンを現像することによって形成されたトナー像の濃度を測定させステップS1307、測定結果と駆動電流I3及び駆動電流I4との対応関係に基づいてIdを算出し、IdとIb’との差分を補正値Icorとして発光素子ごとにメモリ506に記憶するステップS1308。ステップS1308の後、CPU505はすべての発光素子について補正値Icorが算出されたか否かを判定するステップS1309。すべての発光素子について補正値Icorが算出された場合、CPU505は画像形成シーケンス図7を実行する。画像シーケンスは図7に示したとおりである。一方、すべての発光素子について補正値Icorが算出されていない場合、CPU505はステップS1305に戻り、補正値Icorが算出されていない発光素子についての補正値Icorを算出する。以下では、図16を用いて図13に示す制御とは別の例の制御フローについて説明する。図16の制御フローでは少なくとも複数の発光素子によって静電潜像パターンE1及びE2を形成し、点Aに対応する駆動電流Idの値を求める。ステップS1301~1304まではステップS1301~1304と同一であるので説明を省略する。CPU505は、駆動電流I3が制御対象である各発光素子に供給されるようにLD駆動部503を制御しステップS1305、静電潜像パターンE1を形成する。次に、CPU505は、駆動電流I4が各発光素子に供給されるようにLD駆動部503を制御しステップS1306、静電潜像パターンE2を形成する。そして、CPU505は電位センサ212にそれぞれの静電潜像の電位を測定させステップS1607、測定結果と駆動電流I3及び駆動電流I4との対応関係に基づいてIdを算出し、IdとステップS1601~1603において各発光素子それぞれに関して設定したIb’との差分に所定の係数βを乗算した結果である補正値Icorをメモリ506に記憶させステップS1608、画像形成シーケンスに移行する。以上で説明したように、濃度センサによって検出されるトナー像の濃度に基づいてバイアス電流Ibの値を制御することによって、バイアス電流Ibの値を高精度に制御することができる。実施例3感光体上に静電潜像を形成する方式としてBAEBackgroundAreaExposuring方式を用いる画像形成装置が知られている。BAE方式を用いた画像形成装置は、感光ドラムをレーザー光によって露光されることによって帯電電位が変化した領域露光電位部にトナー像が形成されず、帯電電位が変化しなかった領域帯電電位部にトナー像が形成される。感光ドラムの表面の電位特性は領域ごとに異なるため、感光ドラム表面を同一の帯電バイアスによって帯電したときの帯電電位が均一にならない。そのため、トナー像の濃度が均一にならないという問題があった。そのような課題に対して、露光電位部を形成するためのレーザー光よりも弱い強度のレーザー光で帯電電位部を露光することによって帯電電位部の電位レベルを均一に補正する画像形成装置が知られている。この装置のメモリには感光ドラム表面の各領域に対応させた補正データが記憶されている。トナー像が形成される帯電電位部の電位レベルを補正するためにバイアス電流Ibに補正データに基づいて生成されるスイッチング電流Iswを重畳し、発光素子を駆動する。それによって、帯電電位の不均一性が抑制され、出力画像の濃度ムラを低減することができる。以下では、この補正をシェーディング補正とする。BAE方式の画像形成装置において、シェーディング補正を行うための補正データに基づいて生成されるスイッチング電流Iswの値は露光電位部を形成するためのスイッチング電流Iswの値に対して微小である。バイアス電流Ibの値が本来設定されるべき値よりも低い値に設定されると、その補正データに基づいて生成されるスイッチング電流Iswをバイアス電流Ibに重畳した駆動電流を発光素子に供給しても、発光素子からは感光ドラム上の電位の変化させる強度のレーザー光がされない。そのような場合、シェーディング補正が十分に行われないことになる。そこで本実施例では、実施例1及び実施例2をBAE方式、かつシェーディング補正機能を備える画像形成装置に適用した例について説明する。まず、以下においてシェーディング補正について説明する。図17は、本実施例における光走査装置及び感光ドラムを示す概略図である。図2aと同一符号のものは同一機能を示す。図2aと同一符号の要素については説明を省略する。図17に示すように、感光ドラム101aには回転基準位置を検出するための基準マーク1701が設けられており、その基準マーク1701を検出するための回転基準位置検出手段であるところのホームポジションセンサ1702が設けられている。ホームポジションセンサ1702は、感光ドラム101aが回転しているときに基準マークが検出ポイントを通過するごとに回転基準信号を生成する。ここで、図18を用いて本実施例に係る画像形成装置の露光方式であるBAEBackgroundAreaExposing方式について説明する。図18は感光ドラム上における電位をレベルを示す図である。図18中のLD/ONは、発光素子にバイアス電流Ibにスイッチング電流Iswが重畳された駆動電流が供給されて発光素子が点灯されている状態を示し、LD/OFFは発光素子がバイアス電流Ibのみが供給されることによる微弱発光状態あるいは消灯状態を示している。BAE方式では、帯電装置で感光ドラムを電位Vd=500Vに帯電させ、その後、Vdに帯電された感光ドラムを画像データに応じて半導体レーザーから出射されるレーザー光によって露光し、露光部の電位を帯電電位からVlに変化させることによって感光ドラム上に潜像を形成する。このとき、感光ドラムの表面には表面電位がVl80Vまで低下する部分第2の電位部と、電位レベルが帯電電位Vdに維持される部分が生じる第1の電位部。現像装置によってトナーにはVlよりもVback=120Vだけ高電位のバイアス電圧Vb=200Vを印加される。それによって、トナーはVbよりも高電位の部分、即ち帯電電位Vdが維持された領域に付着する一方で、露光部にはトナーが付着しない。トナーの付着量トナー像の濃度はVbとVdの差Vc=300Vによって定まる。以上のような電位関係にすることによって、トナー像を記録媒体に転写したときに、記録媒体上にトナー像が形成される領域第1の電位部とトナー像が形成されない領域第2の電位部を形成することができる。BAE方式の画像形成装置において、バイアス電流Ibの値が所望の値よりも低く設定されると次のような課題が生じる。図19はシェーディング補正を説明するための概念図である。感光ドラムは帯電装置によって帯電される。感光ドラムの感度は領域毎に異なるため、図19aに示すように感光ドラムの領域毎に帯電電位Vdに電位差が生じる。BAE方式の画像形成装置では、この電位差によって図18に示す帯電電位部におけるトナーの付着量に差が生じるため、画像に濃度ムラが生じる。帯電電位の電位差を補正するために、記録媒体上においてトナー像が形成される領域に対応する感光ドラム上の領域第1の電位部における帯電電位の電位レベルが均一になるように、感光ドラムを微弱な光量のレーザー光によって露光する補正制御シェーディング補正を行う図19b参照。シェーディング補正を行うために、図5に示すように、感光ドラム101a上は複数の領域に分割されており、後述するメモリには各領域に対応する補正データ制御データが記憶されている。CPU505は半導体レーザーから出射されたレーザー光が露光する位置を特定し、特定結果に基づいてメモリから補正データが読み出す。読み出された補正データに基づいてスイッチング電流Iswが生成され、そのスイッチング電流Iswがバイアス電流Ibに重畳されて半導体レーザーに供給される。このようにトナーを付着させる領域を微弱な光量のレーザー光によって露光し、その光量を変化させることによって帯電電位の電位差の発生を抑制する。つまり、図19bに示すように、Vdのように不均一であった帯電電位をVd’のように均一化することができる。なお、補正時のレーザー光の光量は、図18に示す帯電電位500Vを数Vから数十V変化させる程度の光量であるので、シェーディング補正をするために発光素子から出射されるレーザー光の光量は記録媒体上にトナー像が形成されないような電位第2の電位部を感光ドラム上に形成するためのレーザー光の光量と比較して微弱にする必要がある。そのため、補正時にバイアス電流Ibに重畳されるスイッチング電流Iswは、記録媒体上においてトナー像が形成されないような電位を感光ドラム上に形成するときにバイアス電流Ibに重畳されるスイッチング電流と比較して微弱である。露光位置の特定は次のように行われる。基準マーク1701がホームポジションセンサ1702の検知ポイントを通過することに応じて、ホームポジションセンサ1702は回転基準信号を生成する。感光ドラムに静電潜像を形成する際に感光ドラムの回転速度が安定した状態において、ホームポジションセンサ1702が回転基準信号を生成したことに応じて、CPU505は内蔵する水晶発振器から出力される基準クロックのカウントを開始する。そのカウント値によって副走査方向感光ドラムの回転方向の露光位置を特定する。また、BD信号が生成されたことに応じて基準クロックを開始する。そのカウント値によって主走査方向感光ドラムの回転軸方向の露光位置を特定する。本実例の画像形成装置に備えられるメモリ506には、感光ドラムの複数の領域それぞれに対応付けられた補正データが記憶されている点が実施例1及び2とは異なる。露光位置の特定結果に基づいて、図20に示すように感光ドラムの複数の領域それぞれに対応付けられた補正データがメモリ506から読み出され、補正データに基づいてシェーディング補正が行われる。しかしながら、上記のようにバイアス電流Ibが低い値に設定されると、シェーディング補正を行うためのスイッチング電流Iswをバイアス電流Ibに重畳しても、発光素子からは感光ドラムの電位を変動させる強度のレーザー光が出射されない。それによって、シェーディング補正が十分に行えず、出力画像に濃度ムラが生じることになる。そこで、本実施例の画像形成装置は、シェーディング補正が行えないような低い値にバイアス電流Ibの値が設定されないように、バイアス電流Ibの値を高精度に制御する。上記の課題を解決するために、PD214の検出結果に基づいて算出される基準電流値Ib’の値を補正するための補正値Icorを求め、補正値Icorによって補正された値をバイアス電流Ibの値とするものである。バイアス電流の設定方法については実施例1と同様であるので説明を省略する。続いて、図5におけるCPU505が実行する画像形成シーケンス1走査中に実行するシーケンスについて説明する。画像形成シーケンスでは、図3に示すタイミングでAPCが行われ、それによって発光素子毎に基準電流Ib’の値が算出される。その基準電流Ib’の値に図6におけるステップS608においてメモリ506に記憶した補正値Icorを加算した値をバイアス電流Ibの値とし、その値のバイアス電流Ibを後続するビデオ領域において各発光素子に供給する。以下において、図21を用いてCPU505が画像形成時に実行する制御フローを説明する。CPU505は、上記の方法で感光体上における非露光部の位置を特定し、非露光部に対応する補正データをメモリ506から読み出し、補正データをLD駆動部503に送信する。LD駆動部503は入力される補正データに基づいてスイッチング電流Iswを生成し、そのスイッチング電流Iswをバイアス電流Ibに重畳させて発光素子に出力する。なお、非露光部を特定せずに、補正データに基づいてバイアス電流Ibをすべての領域で補正しても良い。実際にはトナー像が形成される部分にシェーディング補正を施すため、記録媒体上においてトナー像が形成される位置であっても微弱な光量で露光されるため露光位置に相当する。しかしながら、以下では説明を簡単にするために記録媒体上においてトナー像が形成される部分に対応する感光ドラム上の電位部分を非露光部第1の電位部、記録媒体上においてトナー像が形成されない部分に対応する感光ドラム上の電位部分を露光部第2の電位部として説明する。まず、CPU505は、発光素子213dから出射されるレーザー光によってBD信号が生成されてからの基準クロックのカウント値が所定のカウント値第1のカウント値になったか否かを判定するステップS2101。メモリ506には所定のカウント値として非画像領域に対応するカウント値が記憶されており、このカウント値になったことに応じて次のBD信号が生成されるまでの間レーザー光は非画像領域を走査することになる。カウント値が所定のカウント値になったと判定された場合、CPU505は制御対象である発光素子から出射されるレーザー光の光量が図15aに示すP1になるように制御対象である発光素子に電流を供給し、駆動電流I1の値を測定するステップS2102。続いて、CPU505は制御対象である発光素子から出射されるレーザー光の光量が図15aに示すP2になるように制御対象である発光素子に電流を供給し、そのときの駆動電流I2の値を測定するステップS2103。CPU505は、光量P1と駆動電流I1及び光量P2と駆動電流I2とに基づいて補正値Icorを算出するために制御対象である発光素子に供給する基準電流Ib’の値を設定するステップS2104。続いて、CPU505は、その基準電流Ib’の値に対して図6中のステップS608おいて記憶した補正値Icorを加算し、その値をバイアス電流Ibとして設定するステップS2105。その後、すべての発光素子についてAPCが終了しているか否かを判定しステップS2105、すべての発光素子についてAPCが終了している場合には画像形成を実行する。一方、すべての発光素子についてバイアス電流の値が設定されていない場合、CPUはステップS2102に戻り、バイアス電流Ibの値が設定されていない発光素子についてAPCを実行する。発光素子213dのAPCを行う際にBD信号が生成される。CPU505は、BD信号が生成されてからの基準クロックのカウント値が第2のカウント値になったことに応じてLD駆動部503に発光素子からのレーザー光の出射を許可するイネーブル信号を出力するステップS2107。イネーブル信号が入力された以降が画像領域を走査する期間に相当する。画像領域において、CPU505はホームポジションセンサ1702からの出力およびBD信号の出力からそれぞれカウントされる複数のカウント値に応じて副走査方向,及び主走査方向におけるレーザー光の露光位置を特定するステップS2108。CPU505は、ステップS2108において特定される露光位置にトナー像を形成するか否かを判定しステップS2109、特定される露光位置にトナー像を形成しない場合には、発光素子から帯電電位VdがVlまで変化するような光量を出射されるようにLD駆動部503から発光素子に供給される駆動電流を制御するステップS2110。特定される露光位置にトナー像を形成する場合には、発光素子から帯電電位Vdの電位差を補正するための補正データに基づくスイッチング電流Iswが生成されるようにLD駆動部503を制御するステップS2111。LD駆動部503から発光素子には、LD駆動部503によって制御されたスイッチング電流Iswがバイアス電流Ibに重畳され、その電流が駆動電流として供給される。以上によって1走査が終了する。以上のように、バイアス電流Ibの値を感光ドラムに静電潜像が形成される駆動電流の最小値以下で、且つ最小値に近づくように制御することができる。そのため、帯電電位部の電位補正シェーディング補正を行うためのレーザー光が出射されないという現象の発生を抑制することができる。なお、本実施例では、電位センサを用いて212を用いることによって補正値Icorを算出する例を説明した。しかしながら、実施例2に示すように濃度センサ1001a~dを用いることによって補正値Icorを算出しても良い。"