"組成式Ba3XCo2YFe24O41δ0<X≦0.8,-0.3≦Y≦0.3,δは酸素欠陥を表すで表される主成分100重量部と、BiをBi2O3に換算して0.1~1.0重量部と、SiをSiO2に換算して0.1~2.0重量部とを含有することを特徴とする磁性体材料。Coを1mol以下の範囲で、Cu,Znの少なくとも一種の元素で置換したことを特徴とする請求項1の磁性体材料。主成分100重量部に対し、ZrをZrO2に換算して、0.5重量部以下の割合で含有することを特徴とする請求項1または2記載の磁性体材料。平均結晶粒径が0.05~3.0μmであることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の磁性体材料。組成式Ba3XCo2YFe24O41δδは酸素欠陥を表すで表される主成分と、前記主成分100重量部に対し、BiをBi2O3で換算して0.1~1.0重量部の割合で配合して第1配合物を得る第1配合物調製工程と、前記第1配合物を仮焼して仮焼物を得る仮焼工程と、前記仮焼物に対し、前記仮焼物中の前記主成分100重量部に対し、SiをSiO2に換算して0.1~2重量部の割合で配合して第2配合物を得る第2配合物調製工程と、前記第2配合物を焼成する焼成工程とを備えることを特徴とする磁性体材料の製造方法。組成式Ba3XCo2YFe24O41δδは酸素欠陥を表すで表される主成分と、前記主成分100重量部に対し、BiをBi2O3で換算して0.1~1.0重量部の割合で配合して第1配合物を得る第1配合物調製工程と、前記第1配合物を仮焼して仮焼物を得る仮焼工程と、前記仮焼物に対し、前記仮焼物中の前記主成分100重量部に対し、SiをSiO2に換算して0.1~2重量部の割合で配合して第2配合物を得る第2配合物調製工程と、前記第2配合物を成型して成型体を得る成型工程と、前記成型体を焼成する焼成工程とを備えることを特徴とする磁性体材料の製造方法。前記仮焼工程における仮焼温度を1000~1200°Cとすることを特徴とする請求項5または6記載の磁性体材料の製造方法。前記焼成工程における焼成温度を1050~1200°Cとすることを特徴とする請求項5~7のいずれかに記載の磁性体材料の製造方法。本発明は、上記課題を解決するものであり、低温で合成することが可能なZ型フェライト系の磁性体材料、該磁性体材料を効率よく製造することが可能な磁性体材料の製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の磁性体材料は、組成式Ba3XCo2YFe24O41δ0<X≦0.8,-0.3≦Y≦0.3,δは酸素欠陥を表すで表される主成分100重量部と、BiをBi2O3に換算して0.1~1.0重量部と、SiをSiO2に換算して0.1~2.0重量部とを含有することを特徴としている。本発明の磁性体材料においては、Coを1mol以下の範囲で、Cu,Znの少なくとも一種の元素で置換することが好ましい。なお、上記のCoを1mol以下の範囲でとは、上記の組成式Ba3XCo2YFe24O41δにおける、Coの原子数2YがCu,Znの少なくとも一種の元素で置換されて、2Y-1になるまでの範囲でという意味である。また、主成分100重量部に対し、ZrをZrO2に換算して、0.5重量部以下の割合で含有することが好ましい。本発明の磁性体材料は、平均結晶粒径が0.05~3.0μmであることが好ましい。また、本発明の磁性体材料の製造方法は、組成式Ba3XCo2YFe24O41δδは酸素欠陥を表すで表される主成分と、前記主成分100重量部に対し、BiをBi2O3で換算して0.1~1.0重量部の割合で配合して第1配合物を得る第1配合物調製工程と、前記第1配合物を仮焼して仮焼物を得る仮焼工程と、前記仮焼物に対し、前記仮焼物中の前記主成分100重量部に対し、SiをSiO2に換算して0.1~2重量部の割合で配合して第2配合物を得る第2配合物調製工程と、前記第2配合物を焼成する焼成工程とを備えることを特徴としている。また、本発明の磁性体材料の製造方法は、組成式Ba3XCo2YFe24O41δδは酸素欠陥を表すで表される主成分と、前記主成分100重量部に対し、BiをBi2O3で換算して0.1~1.0重量部の割合で配合して第1配合物を得る第1配合物調製工程と、前記第1配合物を仮焼して仮焼物を得る仮焼工程と、前記仮焼物に対し、前記仮焼物中の前記主成分100重量部に対し、SiをSiO2に換算して0.1~2重量部の割合で配合して第2配合物を得る第2配合物調製工程と、前記第2配合物を成型して成型体を得る成型工程と、前記成型体を焼成する焼成工程とを備えることを特徴としている。前記仮焼工程における仮焼温度は1000~1200°Cとすることが好ましい。また、前記焼成工程における焼成温度は1050~1200°Cとすることが好ましい。本発明の磁性体材料は、組成式Ba3XCo2YFe24O41δで表される主成分100重量部に対し、Biを上記所定の割合で配合した第1配合物を仮焼するようにしているので、例えば、1150~1200°Cというような比較的低い温度で仮焼することにより、Z型フェライト結晶相を効率よく生成させることができる。また、低い温度で仮焼することにより、粒成長を抑制することができる。さらに、低い温度で仮焼するようにしているので、粉砕が容易な仮焼物仮焼粉を得ることが可能になり、仮焼物を十分に粉砕した状態で、Siを上記所定の割合で添加して、その後の焼成工程を実施することができるため、焼成工程での粒成長を抑制することが可能になり、結果的に高いQを得ることができる。また、上述のように、仮焼工程におけるZ型フェライト結晶相の生成比率が高く、さらに、Siを上記所定の割合で添加した後の焼成工程においてもZ型フェライト結晶相が生成するので、焼成工程の実施後にはZ型フェライト結晶相の生成割合がほぼ100となり、大きい透磁率を得ることが可能になる。したがって、本発明によれば、例えば、透磁率が5以上、Qが30以上、さらに好ましくは、温度特性が-1000~1000ppm/°Cというような、特性に優れたZ型六方晶フェライト系の磁性体材料を得ることが可能になる。本発明請求項1の磁性体材料は、上述のようにして得られるものであり、低温で合成することが可能で、透磁率が大きく、高いQを有する磁性体材料を実現することができる。また、本発明の磁性体材料においては、Coを1mol以下の範囲で、Cu,Znの少なくとも一種の元素で置換することにより、透磁率の温度変化率を低くする、すなわち、温度特性を向上させることが可能になる。なお、CoをCu,Znで置換する量が1molを超えると、透磁率やQなどの他の特性に影響を与える場合があるため、Coを置換する量は1mol以下にすることが望ましい。また、主成分100重量部に対し、ZrをZrO2に換算して、0.5重量部以下の割合で含有させることにより、透磁率の温度変化率をさらに低くすることが可能になる。ZrO2に換算したZrの割合が0.5重量部を超えた場合にも、透磁率やQなどの他の特性に影響を与える場合がある。したがって、ZrをZrO2に換算して、0.5重量部以下の割合で含有させることが望ましい。本発明の磁性体材料のように、平均結晶粒径を0.05~3.0μmとすることにより、Qを高めることが可能になり有意義である。なお、平均結晶粒径を0.05~3.0μmとすることが望ましいのは、平均結晶粒径を0.05μm以下にすることは製造上容易ではなく、また、さらなる特性向上の効果も期待しにくいこと、平均結晶粒径が3.0μmを超えるとQの低下が顕著になることなどの理由による。また、本発明の磁性体材料の製造方法は、組成式Ba3XCo2YFe24O41δδは酸素欠陥を表すで表される主成分と、主成分100重量部に対しBiをBi2O3で換算して0.1~1.0重量部の割合で配合した第1配合物を仮焼するとともに、仮焼することにより得られる仮焼物に対し、仮焼物中の上記主成分100重量部に対しSiをSiO2換算で0.1~2重量部の割合で配合した第2配合物を焼成するようにしているので、上述の通り、仮焼工程を低い温度で実施して、粒成長を抑制しつつZ型フェライト結晶相を効率よく生成させることが可能になるとともに、その後の焼成工程でも、粒成長を抑制しつつ、さらにZ型フェライト結晶相を生成させることが可能になるため、透磁率が大きく、Qの高い、高特性のZ型フェライト系の磁性体材料を効率よく製造することができる。また、本発明の磁性体材料の製造方法は、第2配合物を成型してなる成型体を焼成するようにしているので、低い焼成温度で焼成して、例えばインダクタのコア部材などの所定の形状を有し、特性に優れたZ型フェライト系の磁性体材料磁性体焼結体を効率よく製造することができる。本発明においては、1000~1200°Cの比較的低い温度で仮焼することが可能で、これにより、粒成長を抑制しつつ、Z型フェライト結晶相の生成率が高く、粉砕が容易な仮焼物を確実に得ることが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。また、本発明においては、1050~1200°Cの比較的低い温度で焼成することにより、粒成長を抑制しつつ、さらにZ型フェライト結晶相を生成させることが可能になり、本発明をさらに実効あらしめることができる。以下に本発明の実施の形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。[試料の作製]比表面積が2~20m2/gであるBaCO3,Co3O4,Fe2O3,Bi2O3,SiO2の原料粉末を準備し、主成分がBa31Co20Fe24O41δδは酸素欠陥を表すとなるように秤量して主成分原料粉末とした。それから、上記主成分原料粉末中の主成分Ba31Co20Fe24O41δで表される物質100重量部に対して、表1に示すような割合でBi2O3を添加することにより第1配合物を得た。それから、この第1配合物を純水およびPSZ部分安定化ジルコニアボールと共にボールミルに入れ、湿式で8時間混合粉砕した。そして、これを蒸発乾燥させた後、表1に示す温度で1~10時間仮焼することにより、仮焼物仮焼粉を得た。次に、得られた仮焼物仮焼粉に、その主成分Ba31Co20Fe24O41δで表される物質100重量部に対して、表1に示すような割合でSiO2を配合し、得られた第2配合物を、純水およびPSZボールと共にボールミルに入れ、湿式で30~100時間混合粉砕した。それから、混合粉砕された第2配合物に、さらにバインダーとしてPVAポリビニルアルコールを所定量添加して、さらに混合粉砕した後、スプレー乾燥し、造粒体を得た。次に、得られた造粒体をプレス成型して、表1に示すような温度で1~10時間焼成することにより、焼結体を得た。得られた焼結体をJIS規格C-2560-2の附属書に示されているように、外径が10mm、内径が6mm、厚みが2mmのリング形状に加工した。そして、得られたリング形状の加工物を特性評価用の試料とした。[特性の評価]上記の工程で得た仮焼粉末を少量分取し、乳鉢で粉砕して、X線回折を行った。そして、測定データをリートベルト解析することにより、仮焼粉末の結晶構造の成分比を算出し、Z型フェライト結晶相の生成比率Z型生成比率を求めた。その結果を表1に併せて示す。また、上記の工程で得た焼結体についても、X線回折を行った。そして、測定データをリートベルト解析することにより、焼結体の結晶構造の成分比を算出し、Z型フェライト結晶相の生成比率Z型生成比率を求めた。その結果を表1に併せて示す。また、上記の工程で得た焼結体を研磨し、1000°Cで熱エッチングした後、表面をSEM観察した。そして、JIS規格R1670の長径を結晶粒径として求めた。その結果を表1に併せて示す。さらに、上記の工程で得たリング状の試料について、アジレントテクノロジー社製のインピーダンスアナライザ型番HP4291Aを用いて透磁率μ’実部、μ虚部の測定を行った。また、各試料の透磁率μ’実部、μ虚部の値からQ値=μ’/μを求めた。周波数250MHzのときの透磁率μ’と、Q=μ’/μを表1に併せて示す。また、本発明の要件を満たす試料番号6の試料のX線回折結果を図1に示すとともに、本発明の要件を満たさない比較用の試料である試料番号2の試料のX線回折結果を図2に示す。表1の試料番号1の試料は、調合時にBi2O3を添加していないことから、高温で仮焼することが必要で、1300°Cの高温で仮焼したにもかかわらず、仮焼粉末のZ型結晶相の生成比率Z型生成比率は50と低く、また、仮焼段階で粒成長してしまうためQが低いことが確認された。また、調合時にBi2O3を含まない試料番号2の試料、および、Bi2O3の添加量が少ない試料番号3の試料の場合、1150°Cと低い温度で実施された仮焼工程では、Z型フェライト結晶相の生成比率が十分ではないばかりでなく、その後の焼成工程においてもZ型フェライト結晶相は生成せず試料番号2、または生成比率が低く試料番号3、Y,M型フェライト結晶相が主体となることから、透磁率μ’が小さく、好ましくないことが確認された。なお、試料番号2の試料の場合、図2に示すように、X線回折の結果からも、Y,M型結晶相が主体となっていることがわかる。また、Bi2O3の添加量が1.5重量部と本発明の範囲を超える試料である試料番号9の試料の場合、Bi2O3自体が異相となり、粒成長してしまうため、Qが低下することが確認された。但し、Bi2O3はガラス相のため、X線回折では検出はできない。また、仮焼後にSiO2を添加していない試料番号10の試料、および、SiO2の添加量が少ない試料番号11の試料の場合、粒成長を抑制する効果が不十分になり、焼成工程で粒成長してしまうため、Qが低下することが確認された。また、SiO2の添加量が本発明の範囲を超える試料番号17の試料の場合、SiO2自体が異相となり、透磁率μ’が小さくなるとともに、Qが低くなることが確認された。これに対し、本発明の要件を満たす試料番号4~8,12~16の試料では、仮焼工程でのZ型フェライト結晶相の生成比率が50以上であり、焼成工程では、仮焼工程で生成したZ型フェライト結晶相を核にして、さらにZ型フェライト結晶相が生成するため、焼成後のZ型フェライト結晶相の生成比率は90以上となることが確認された。なお、本発明の要件を満たす試料番号6の試料についてのX線回折の結果を示す図1からも、焼成工程を実施した後のZ型フェライト結晶相の生成比率が高いことがわかる。また、表1に示すように、本発明の要件を満たす試料番号4~8,12~16の試料では、仮焼後にSiO2を所定量添加しているので、焼成段階での粒成長が、結晶粒径3μm以下に抑制される。その結果、透磁率μ’が大きく≧5、Qの高い≧30、高特性の磁性体材料フェライト磁器が得られることが確認された。なお、試料番号6の試料のSEM像を示す図3からも、本発明の要件を満たすことにより、粒成長が抑制されることがわかる。実施例1と同じように、比表面積が2~20m2/gであるBaCO3,Co3O4,Fe2O3,Bi2O3,SiO2の原料粉末を準備し、組成式Ba3XCo2YFe24O41δδは酸素欠陥を表すで表される主成分における3Xおよび2Yの値が表2に示すような値となるように各原料粉末を秤量した。さらに、組成式Ba3XCo2YFe24O41δで表される主成分100重量部に対して、Bi2O3を0.5重量部の割合で添加することにより第1配合物を得た。それから、この第1配合物を純水およびPSZボールと共にボールミルに入れ、湿式で8時間混合粉砕し、蒸発乾燥させた後、乾燥粉末を1150°Cの温度で1~10時間仮焼することにより、仮焼物仮焼粉を得た。次に、得られた仮焼物仮焼粉に、その主成分Ba31Co20Fe24O41δで表される物質100重量部に対して、SiO2を0.5重量部の割合で配合し、得られた第2配合物を、純水およびPSZボールと共にボールミルに入れ、湿式で30~100時間混合粉砕した。それから、さらにバインダーとしてPVAポリビニルアルコールを所定量添加して、さらに混合粉砕した後、スプレー乾燥し、造粒体を得た。次に、得られた造粒体をプレス成型して、1000~1200°Cで1~10時間焼成することにより、焼結体を得た。得られた焼結体をJIS規格C-2560-2の附属書に示されているように、外径が10mm、内径が6mm、厚みが2mmのリング形状に加工して、特性評価用の試料とした。なお、表2の試料番号23の試料は、表1の試料番号6の試料と同じものである。[特性の評価]上述のようにして作製したリング状の試料について、上記実施例1の場合と同じ方法で、透磁率μ’実部、μ虚部の測定を行った。また、各試料の透磁率μ’実部、μ虚部の値からQ値=μ’/μを求めた。周波数250MHzのときの透磁率μ’と、Q=μ’/μを表2に併せて示す。表2の試料番号21の試料のように、3Xが本発明の範囲を下回る試料の場合、透磁率μ’が小さく、Qも低いことが確認された。また、表2の試料番号26の試料のように、3Xが本発明の範囲を超える試料の場合、透磁率μ’は少し小さい程度であるが、Qが12と低いことが確認された。また、表2の試料番号27の試料のように、2Yが本発明の範囲を下回る試料の場合、透磁率μ’は大きいが、Qが15と低いことが確認された。また、表2の試料番号30の試料のように、2Yが本発明の範囲を超える試料の場合、透磁率μ’が小さく、Qもやや低いことが確認された。これに対し、3Xおよび2Yが本発明の範囲にあり、本発明の要件を満たす試料表2の試料番号22~25,28,29の場合、透磁率μ’が大きく、かつ、Qも高いことが確認された。比表面積が2~20m2/gであるBaCO3,Co3O4,CuO,ZnO,Fe2O3,Bi2O3,SiO2の原料粉末を準備し、組成式Ba3XCo2ZYMeZFe24O41δMeはCu、Znのうち少なくとも一種、δは酸素欠陥を表すで表される主成分において、3X,2Y,MeおよびZを表3の値となるように秤量した以外は、実施例2と同じようにして特性評価用の試料を作製した。なお、表3の試料番号50の試料は、主成分がBa31Co16Cu02Zn02Fe24O41δで表されるものであり、試料番号51の試料は、主成分がBa31Co10Cu05Zn05Fe24O41δで表されるものであることを意味する。なお、表3の試料番号41の試料は、表1の試料番号6、表2の試料番号23の試料と同じものである。[特性の評価]上述のようにして作製した試料について、上記実施例1の場合と同じ方法で、透磁率μ’実部、μ虚部の測定を行った。また、各試料の透磁率μ’実部、μ虚部の値からQ値=μ’/μを求めた。周波数250MHzのときの透磁率μ’と、Q=μ’/μを表3に併せて示す。また、温度槽とインピーダンスアナライザを用いて、25~85°Cの温度範囲におけるμを測定し、μ’の変化率25°C基準を以下の式より求めた。Δμμ={μ’-μ’}μ×106上述のようにして求めたμ’の変化率Δμ/μの値を表3に併せて示す。表3に示すように、CoをZ=0.2~1.0の範囲で、CuまたはZnの少なくとも一方で置換することにより、温度特性μ’の変化率が1000ppm/°C以下となることが確認された。なお、CoをCuまたはZnで置換していない試料番号41の試料は、実用可能な範囲ではあるが、CoをCuまたはZnの少なくとも一方で置換した試料番号42~51の試料に比べて、温度特性が1500ppm/°Cと少し大きいことが確認された。比表面積が2~20m2/gであるBaCO3,Co3O4,CuO,ZnO,Fe2O3,Bi2O3,SiO2,ZrO2の原料粉末を準備し、主成分である、組成式Ba31Co20Fe24O41δ、およびBa31Co15Cu05Fe24O41δδは酸素欠陥を表すで表される物質が得られるように秤量した。そして、上記主成分100重量部に対して、Bi2O3を0.5重量部の割合で配合し、さらに、ZrO2を表4の比率になるように添加して第1配合物を調製した。そして、それ以外の点においては、実施例2の場合と同じ方法で、特性評価用の試料を作製した。なお、表4の試料番号61の試料は、表1の試料番号6、表2の試料番号23、表3の試料番号41の試料と同じものである。また、表4の試料番号65の試料は、表3の試料番号47の試料と同じものであり、試料番号67の試料は、表3の試料番号43の試料と同じものである。[特性の評価]上述のようにして作製した試料について、上記実施例1の場合と同じ方法で求めた周波数250MHzのときの透磁率μ’と、Q=μ’/μを表4に併せて示す。また、上記実施例3の場合と同じ方法で調べた、μ’の変化率Δμ/μの値を表4に併せて示す。表4より、ZrO2を0.5重量部以下の範囲で含有させることにより、さらに温度特性を向上させるすなわち、透磁率μ’の変化率Δμ/μを小さくできることが確認された。なお、本発明の磁性体材料は、透磁率が大きく、高いQを有し、かつ透磁率の変化率が小さいことから、例えば、インダクタのコア部材として用いることにより、特性の良好なインダクタを得ることが可能になり、特に有意義である。また、上記の各実施例では、SiO2を配合した後の第2配合物を成型して、焼成工程に供するようにしているが、場合によっては、第2配合物を成型せずに焼成して、粉末状の磁性体材料を得るように構成することも可能である。本発明は、さらにその他の点においても、上記実施例に限定されるものではなく、磁性体材料の製造に用いられる原料粉末の種類、製造工程における仮焼工程やその後の焼成工程における具体的な条件、本発明の磁性体材料を例えばコイル部品のコア部材として用いる場合におけるコイル部品の具体的な構造などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。"