支持用ウェーハと活性層用ウェーハを準備し、支持用ウェーハの厚さ仕分けを行う工程と、支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、接合体を形成する工程と、前記接合体の活性層用ウェーハ側を加工して、第1の厚さの活性層を形成する工程と、前記第1の厚さの活性層を形成した接合体に対して、接合体の厚さ仕分けを行う工程と、前記活性層を形成した接合体を前記支持用ウェーハの厚さ仕分け及び前記接合体の厚さ仕分けの結果に基づいて、前記支持用ウェーハの厚さバラツキ及び前記接合体の厚さバラツキがそれぞれ接合体ウェーハの活性層の厚さ規格の公差の1/2以内になるように選別された接合体同士を同一の研磨用プレートに複数枚貼り付け、前記活性層を第2の厚さまで研磨する工程と、前記研磨した接合体を前記研磨用プレートに貼り付けた状態で、前記第2の厚さを光学的に測定する工程と、前記測定した第2の厚さに基づいて、前記活性層を第3の厚さまで再研磨する工程と、を備えることを特徴とする接合ウェーハの製造方法。前記第2の厚さを光学的に測定する工程は、前記研磨した接合体を前記研磨用プレートに貼り付けた状態で、前記研磨用プレートをX-Yステージ上に水平に載置して測定系を制御することで行うことを特徴とする請求項1に記載の接合ウェーハの製造方法。前記測定する第2の厚さは、前記研磨用プレートに貼り付けた複数枚の接合体の各々の中心点の平均値であることを特徴とする請求項1又は2に記載の接合ウェーハの製造方法。前記測定する第2の厚さは、前記研磨用プレートに貼り付けた複数枚の接合体の各々の中心点及び外周点を含む面内多点の平均値であることを特徴とする請求項1又は2に記載の接合ウェーハの製造方法。しかしながら、特許文献1、2は、いずれも半導体ウェーハの枚葉研磨に関する技術であり、これによって所望の厚さの活性層を有する接合ウェーハを得ることができるが、枚葉研磨は、複数枚を同時に研磨するバッチ研磨の場合と比べて、生産性に劣り、製造コストが高くなるという問題がある。また、バッチ研磨は、研磨用プレートに研磨対象物であるウェーハを接着剤等を介して複数枚貼り付けた状態で、研磨布に押し付けて同時に研磨を行う技術であるが、研磨中にそれらの厚みを測定するのは困難である。そのため、バッチ研磨において活性層の厚さが所望の規格内にあるかどうかを確認するためには、一度、研磨用プレートからウェーハを剥離して、かつ、研磨剤等の除去を目的とした洗浄を行ってから測定する必要があり、また、測定した活性層の厚さを所望の規格内に追い込むための再研磨を行う場合には、再度、ウェーハを研磨用プレートに貼り付ける必要があり、研磨作業が煩雑化していた。なお、研磨中に一度も活性層の厚さを測定せずに一発で所望の規格内に活性層の厚さを制御する方法が最も効率的であるが、近年においては、活性層の厚さ規格における公差が±1.0μmレベルの品種も要求されてきており、これを一発で所望の規格内に制御するには、研磨装置において研磨レート等を精密に制御することができる制御系を新たに設ける必要があり、研磨装置が煩雑化し、コストが高くなるものであった。本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、研磨作業が煩雑化することがなく、低コストで生産性に優れ、活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる接合ウェーハの製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明にかかる接合ウェーハの製造方法は、支持用ウェーハと活性層用ウェーハを準備し、支持用ウェーハの厚さ仕分けを行う工程と、支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、接合体を形成する工程と、前記接合体の活性層用ウェーハ側を加工して、第1の厚さの活性層を形成する工程と、前記第1の厚さの活性層を形成した接合体に対して、接合体の厚さ仕分けを行う工程と、前記活性層を形成した接合体を前記支持用ウェーハの厚さ仕分け及び前記接合体の厚さ仕分けの結果に基づいて、前記支持用ウェーハの厚さバラツキ及び前記接合体の厚さバラツキがそれぞれ接合体ウェーハの活性層の厚さ規格の公差の1/2以内になるように選別された接合体同士を同一の研磨用プレートに複数枚貼り付け、前記活性層を第2の厚さまで研磨する工程と、前記研磨した接合体を前記研磨用プレートに貼り付けた状態で、前記第2の厚さを光学的に測定する工程と、前記測定した第2の厚さに基づいて、前記活性層を第3の厚さまで再研磨する工程と、を備えることを特徴とする。前記第2の厚さを光学的に測定する工程は、前記研磨した接合体を前記研磨用プレートに貼り付けた状態で、前記研磨用プレートをX-Yステージ上に水平に載置して測定系を制御することで行うことが好ましい。このような方法を用いることにより、研磨作業が煩雑化することがなく、低コストで生産性に優れ、活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる。前記測定する第2の厚さは、前記研磨用プレートに貼り付けた複数枚の接合体の各々の中心点の平均値であることが好ましい。このような方法を用いることにより、同一の研磨用プレートに貼り付けた接合体すべてにおいて、その中心値の活性層の厚さを所望の規格内に制御しやすくなるため好ましい。前記測定する第2の厚さは、前記研磨用プレートに貼り付けた複数枚の接合体の各々の中心点及び外周点を含む面内多点の平均値であることが好ましい。このような方法を用いることにより、同一の研磨用プレートに貼り付けた接合体すべてにおいて、面内全体の活性層の厚さを所望の規格内に制御しやすくなるため好ましい。本発明は、研磨作業が煩雑化することがなく、低コストで生産性に優れ、活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる接合ウェーハの製造方法が提供される。以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係わる接合ウェーハの製造方法を示す工程フロー図である。本実施形態に係わる接合ウェーハの製造方法は、図1に示すように、接合工程S1、加工工程S2、第1研磨工程S3、測定工程S4及び第2研磨工程S5を備える。接合工程S1では、例えば、直径が5インチ125mmで厚さが600μm~800μmのシリコン単結晶からなる支持用ウェーハと、酸素濃度や抵抗値等が制御された、例えば、直径が5インチ125mmで厚さ600μm~800μmのシリコン単結晶からなる活性層用ウェーハとを接合して一枚の接合体を形成する。支持用ウェーハと活性層用ウェーハとの接合は周知の方法により行う。例えば、支持用ウェーハと活性層用ウェーハの各々の鏡面研磨された面同士を重ね合わせて仮接合した後、高温処理例えば、1100°Cを施すことにより、前記仮接合した面を強固に接合することで行う。加工工程S2では、接合工程S1で得られた接合体に対して、最初に、外周部の未接着部を除去するための外周研削接合体の小径化、例えば5インチから4インチを行った後に、前記接合体の活性層用ウェーハ側を、例えば、片面研削加工を行うことで活性層用ウェーハを薄膜化して、第1の厚さの活性層を形成する。なお、ここでいう第1の厚さとは、活性層の厚さ規格の中心値例えば、活性層の規格が5.0μm~7.0μmである場合には、6.0μmに、後述する第1、2研磨工程S3、S5における研磨取代を加えた値であり、例えば、規格の中心値が6.0μmである場合には、20μm~25μm程度の厚さのことをいう。第1研磨工程S3では、加工工程S2で活性層を形成した接合体を、接着剤等を介して研磨用プレートに複数枚貼り付け、前記活性層を第2の厚さまで研磨する。なお、ここでいう第2の厚さとは、活性層の厚さの規格の中心値に、後述する第2研磨工程S5における研磨取代を加えた値であり、例えば、規格の中心値が6.0μmである場合には、10~12μm程度の厚さのことをいう。図2は、本実施形態に係わる第1、2研磨工程S3、S5に用いられる研磨装置の一例を示す概念図である。また、図3は、研磨用プレートに接合体が複数枚貼り付けられた状態の一例を示す上面図である。第1、2研磨工程S3、S5では、図2、3に示すように、接合体20の活性層20a側を研磨面、支持部20b側を接着面として、接着剤等を介して、例えば、アルミナプレートからなる研磨用プレート10の表面に複数枚の接合体20を貼り付けた後、研磨用プレート10を研磨ヘッド30に固定する。その後、定盤40に配設された研磨布50上にノズル60から研磨剤70を供給し、研磨ヘッド30を下降して接合体20の活性層20a側を研磨布50に押し付けながら研磨ヘッド30と定盤40を同方向又は逆方向に回転させて行う。この際、活性層20aにおける研磨レート研磨時間に対する研磨量の制御は、研磨ヘッド制御部80による研磨ヘッド30の回転数や研磨布50への荷重の制御、定盤制御部90による定盤40の回転数の制御、研磨剤70の流量や種類による制御等、周知の方法にて行う。測定工程S4では、第1研磨工程S3で研磨した接合体を、研磨用プレートから剥離することなく、研磨用プレートに貼り付けた状態で、前記活性層の第2の厚さを光学的に測定する。図4は、本実施形態に係わる測定工程S4で用いられる活性層の厚さを光学的に測定する測定装置の一例を示す概念図である。接合体20の活性層20aの測定は、図4に示すように、研磨された接合体20を研磨用プレート10に貼り付けた状態で、例えばステンレス製のX-Yステージ100上に略水平に載置して、測定系110を制御することで行う。測定系110は、例えば、光源112からハーフミラー114及び光ファイバ116を介して、赤外白色光の測定光を伝送させ、測定ヘッド118から接合体20に照射し、接合体20の表面及び活性層20aと支持部20bとの接合界面からの反射光をそれぞれ検出して、光ファイバ116及びハーフミラー114を介して分光器119によって解析され、活性層20aの厚さが演算される。上述した測定系110は、一般的に使用されている周知の測定系FT-IRを用いることができる。第2研磨工程S5では、測定工程S4で測定した第2の厚さに基づいて、前記活性層を第3の厚さまで再研磨する。この再研磨は前述したように、例えば、図2、3に示すような方法で行う。ここでいう第3の厚さとは、活性層の規格内の厚さ、好ましくは規格の中心値のこという。本実施形態に係わる接合ウェーハの製造方法は、上述したような構成を備えているため、バッチ研磨において活性層の厚さを測定する際、研磨用プレートから一旦ウェーハを剥離する必要が無くなるため、研磨作業が煩雑化することがない。また、研磨装置において研磨レート等を精密に制御することができる制御系を新たに設ける必要がなく、従前の研磨装置を用いることができるため低コストで行うことができる。さらに、バッチ研磨であるため生産性にも優れている。また、接合体の活性層を仮研磨した後、その活性層の厚さを測定し、その測定結果に基づいて追い込み研磨を行うため、活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる。前記測定する第2の厚さは、前記研磨用プレートに貼り付けた複数枚の接合体の各々の中心点の平均値であることが好ましい。すなわち、例えば、図5に示すように、研磨用プレート10に3枚の接合体201、202、203が貼り付けられている場合には、各々の中心点O1、O2、O3の活性層20aの厚さを測定し、測定した各々の厚さの平均値を算出して、これを第2の厚さとして定義する。このような方法を用いることにより、同一の研磨用プレートに貼り付けた接合体すべてにおいて、その中心値の活性層の厚さを所望の規格内に制御しやすくなるため好ましい。前記測定する第2の厚さは、前記研磨用プレートに貼り付けた複数枚の接合体の各々の中心点及び外周点を含む面内多点の平均値であることがより好ましい。すなわち、例えば、図6に示すように、研磨用プレート10に3枚の接合体201、202、203が貼り付けられている場合には、中心点O1、O2、O3及び外周点E1、E2、E3:例えば、接合体201、202、203の外周から3mmの位置を含む面内多点図6では、R/2:M1、M2、M3も含むの活性層20aの厚さを測定し、測定した面内多点の平均値を算出して、これを第2の厚さとして定義することが好ましい。このような方法を用いることにより、同一の研磨用プレートに貼り付けた接合体すべてにおいて、面内全体の活性層の厚さを所望の規格内に制御しやすくなるため好ましい。次に、前述した接合工程S1から第2研磨工程S5まで流れをより詳細に説明する。図7は、本実施形態に係わる接合ウェーハの製造方法の詳細な態様を示すフローチャート図である。最初に、例えば、直径が5インチ125mmで厚さが600μm~800μmの片面が研磨されたシリコン単結晶からなる支持用ウェーハと、酸素濃度や抵抗値等が制御された、例えば、直径が5インチ125mmで片面が研磨された厚さ600μm~800μmのシリコン単結晶からなる活性層用ウェーハを準備し、支持用ウェーハの厚さ仕分けを行うS10。この厚さ仕分けS10においては、後述する研磨工程S60、S80、S95で同一の研磨用プレート内に貼り付けられる各々の接合体間の支持用ウェーハにおける厚さバラツキが、接合体ウェーハの活性層の厚さ規格内の公差の1/2以内例えば、活性層の厚さ規格が5.0μm~7.0μm6.0±1.0μmである場合には、0.5μm以内となるように事前に厚さ仕分けを行うことが好ましい。このときの厚さ仕分けは支持用ウェーハの中心厚さで行うことが好ましい。次に、厚さ仕分けを行った支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合して、接合体を形成するS20。この工程は上述した接合工程S1と同一であるため説明を省略する。次に、接合した接合体の活性層用ウェーハ側を加工して、第1の厚さの活性層を形成するS30。この工程は上述した加工工程S2と同一であるため説明を省略する。次に、第1の厚さの活性層を形成した接合体に対して、接合体の厚さ仕分けを行うS40。この厚さ仕分けS40においては、後述する研磨工程S60、S80、S95で同一の研磨用プレート内に貼り付けられる複数枚の接合体の厚さバラツキが、接合体ウェーハの活性層の厚さ規格内の公差の1/2以内例えば、活性層の厚さ規格が5.0μm~7.0μm6.0±1.0μmである場合には、0.5μm以内になるように厚さ仕分けを行うことが好ましい。また、このときの厚さ仕分けは接合体の中心厚さで行うことが好ましい。次に、厚さ仕分けを行った接合体を、研磨用プレートに複数枚貼り付けるS50。この際、前述した支持用ウェーハの厚さ仕分けS10及び接合体の厚さ仕分けS40の結果に基づいて、支持用ウェーハの厚さバラツキ及び接合体の厚さバラツキがそれぞれ接合体ウェーハの活性層の厚さ規格の公差の1/2以内になるように選別された接合体同士を、同一の研磨用プレート内に貼り付けることが好ましい。この際、同一の研磨用プレート内に貼り付けることができない端数例えば、図3でいうと1~2枚が発生した場合には、当該端数の接合体との厚さの差が前記規格の公差の1/2以内になるように選別されたダミーウェーハを用いることで行う。このように、上述したような厚さ仕分けS10、S40を行って、更に、同一の研磨用プレート内に貼り付ける接合体の厚さ選別を行うことで後述する研磨工程S60、S80、S95で、同一の研磨用プレート内に貼り付けた接合体すべてにおいて、その活性層の厚さを所望の規格内に制御しやすくなると共に、研磨工程S60、S80、S95における研磨後の接合体の面内厚さバラツキ、更には、活性層の面内厚さバラツキの発生も抑制することができる。次に、研磨用プレートに貼り付けられた複数枚の接合体の活性層を第2の厚さまで研磨するS60。この工程は上述した第1研磨工程S3と同一であるため説明を省略する。次に、前記研磨した接合体を前記研磨用プレートに貼り付けた状態で、前記第2の厚さを光学的に測定するS70。この工程は上述した測定工程S4と同一であるため説明を省略する。次に、前記測定した第2の厚さに基づいて、前記活性層を第3の厚さまで再研磨するS80。この工程は上述した第2研磨工程S5と同一であるため説明を省略する。次に、前記研磨した接合体を前記研磨用プレートに貼り付けた状態で、前記第3の厚さを光学的に測定するS90。この工程は上述した測定工程S4と同一であるため説明を省略する。その後、前記測定した第3の厚さが活性層の厚さ規格内であるかどうかを確認するS100。この場合において、研磨布の目詰まり等により研磨レートが低下し、前記研磨した第3の厚さがまだ規格内より厚い場合第3の厚さが規格内でない場合:Noは、再度、活性層を再研磨S95する。この工程は上述した第2研磨工程S5と同一であるため説明を省略する。なお、前記第3の厚さS80又は前記再研磨した第3の厚さS95が活性層の厚さ規格内である場合図7中、Yesには、活性層の研磨を終了し、研磨用プレートから接合体を剥離S110して、洗浄等の次工程に送られる。以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により制限されるものではない。図7に示すフローによって接合ウェーハを作製した。この時の共通研磨条件は下記の通りである。支持用ウェーハ:直径5インチ125mm、厚さが625±25μmのシリコンウェーハ活性層用ウェーハ:直径5インチ125mm、厚さが625±25μmのシリコンウェーハ第1の厚さ:20μm~25μm第2の厚さ:10μm~12μm第3の厚さ接合ウェーハの活性層の厚さ規格:6.0μm±1.0μm実施例1研磨用プレートに接合体を複数枚貼り付ける際、支持用ウェーハの厚さバラツキ及び接合体の厚さバラツキがそれぞれ接合体ウェーハの活性層の厚さ規格の公差の1/2以内になるようにそれぞれの厚さバラツキが0.5μm以内になるように選別し、それぞれ選別した接合体を同一の研磨用プレートに貼り付けて第3の厚さまで研磨を行った。なお、実施例1においては、前記第2の厚さは、研磨用プレート内に貼り付けた複数枚の接合体のうち無作為に選択した1枚の接合体の中心点1点のみの値で行った。その結果、100枚の加工において活性層の厚さ規格における加工歩留は100であった。比較例1前記厚さバラツキが0.7μm以内になるように選別し、その他は実施例1と同様な方法で第3の厚さまで研磨を行った。その結果、100枚の加工において活性層の厚さ規格における加工歩留は80であった。比較例2前記厚さバラツキが1.0μm以内になるように選別し、その他は実施例1と同様な方法で第3の厚さまで研磨を行った。その結果、100枚の加工において活性層の厚さ規格における加工歩留は46であった。実施例2前記第2の厚さを、前記研磨用プレートに貼り付けた複数枚の接合体の各々の中心点の平均値としてその他は実施例1と同様な方法で第3の厚さまで研磨を行った。その結果、100枚の加工において活性層の厚さ規格における加工歩留は100であった。また、接合ウェーハの活性層の厚さ規格を6.0μm±0.75μmとして前記加工歩留を評価しても100であった。実施例3前記第2の厚さを、前記研磨用プレートに貼り付けた複数枚の接合体の各々の中心点及び外周点を含む面内多点図6に示すような面内9点の平均値として、その他は実施例1と同様な方法で第3の厚さまで研磨を行った。その結果、100枚の加工において面内9点を含めた活性層の厚さ規格における加工歩留は100であった。また、接合ウェーハの活性層の厚さ規格を6.0μm±0.75μmとして同様に加工歩留を評価しても100であった。