"その表面に研磨パッドが装着された定盤と、前記研磨パッドに対向する側の面に吸着面を有し、真空吸着用の第1系統及び第2系統の各流路を備えるとともに、前記各流路からそれぞれ前記吸着面まで通じる複数の吸着孔を有したヘッドと、前記第1系統及び第2系統の各流路を選択的に切り替えて有効にする流路切替手段とを備えたことを特徴とする研磨装置。前記ヘッドにおいて前記第1系統及び第2系統の各流路にそれぞれ連通された複数の吸着孔は、前記吸着面の全体に亘って分布するよう配列されていることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。前記ヘッドにおいて前記第1系統及び第2系統の各流路にそれぞれ連通された複数の吸着孔は、同心円状に配列されていることを特徴とする請求項2に記載の研磨装置。前記流路切替手段は、前記第1系統及び第2系統の各流路にそれぞれ介在された流路開閉弁と、該流路開閉弁を介して各流路に結合された真空ポンプとを含むことを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。請求項1から4のいずれか一項に記載の研磨装置を用いて平板状の被加工物の表面を研磨する方法であって、前記第1系統の流路を有効にして、該第1系統の流路に連通された複数の吸着孔を介して前記ヘッドの吸着面に前記被加工物を吸着保持し、この状態で、回転駆動される前記定盤上の前記研磨パッドに対して前記被加工物の表面を押し当てて研磨を行う第1工程と、前記第2系統の流路を有効にして、該第2系統の流路に連通された複数の吸着孔を介して前記ヘッドの吸着面に前記被加工物を吸着保持し、この状態で、回転駆動される前記定盤上の前記研磨パッドに対して前記被加工物の表面を押し当てて研磨を行う第2工程と、を含むことを特徴とする研磨方法。前記第1工程と前記第2工程とを交互に複数回ずつ実施することを特徴とする請求項5に記載の研磨方法。上述したように現状のCMP装置を使用して比較的薄いウエハを研磨CMPするときは、ヘッドの吸着面複数の吸着孔が設けられているにウエハを吸着させて研磨を行う必要がある。吸着を維持しながら研磨を行うと、例えば図6bに示すように、吸着孔付近のウエハの部分が吸着力に起因して凹む。このため、その吸着した箇所に研磨パッドの面が十分に当たらず、その箇所だけ満足に研磨することができないため、当該箇所に研磨残り例えば、研磨の対象材料が銅配線であれば、銅の残渣が発生する。つまり、ウエハの表面全体に亘って平坦化された均一な研磨加工を施すことができない。以上に鑑み、シリコンウエハ等の被加工物に対して研磨残りが発生するのを防止することができる研磨装置及び研磨方法を提供することを目的とする。一観点によれば、その表面に研磨パッドが装着された定盤と、前記研磨パッドに対向する側の面に吸着面を有し、真空吸着用の第1系統及び第2系統の各流路を備えるとともに、前記各流路からそれぞれ前記吸着面まで通じる複数の吸着孔を有したヘッドと、前記第1系統及び第2系統の各流路を選択的に切り替えて有効にする流路切替手段とを備えたことを特徴とする研磨装置が提供される。他の観点によれば、上記の一観点に係る研磨装置を用いて平板状の被加工物の表面を研磨する方法であって、前記第1系統の流路を有効にして、該第1系統の流路に連通された複数の吸着孔を介して前記ヘッドの吸着面に前記被加工物を吸着保持し、この状態で、回転駆動される前記定盤上の前記研磨パッドに対して前記被加工物の表面を押し当てて研磨を行う第1工程と、前記第2系統の流路を有効にして、該第2系統の流路に連通された複数の吸着孔を介して前記ヘッドの吸着面に前記被加工物を吸着保持し、この状態で、回転駆動される前記定盤上の前記研磨パッドに対して前記被加工物の表面を押し当てて研磨を行う第2工程と、を含むことを特徴とする研磨方法が提供される。上記の一観点に係る研磨装置によれば、ヘッドの吸着面に設けられる複数の吸着孔を第1系統と第2系統の各流路に分けて配置し、各系統の流路を選択的に切り替えて有効にしている。これにより、第1系統で研磨を行ったときに当該吸着孔付近に研磨残りの部分が発生しても、次に第2系統で研磨を行ったときに、その研磨残りの部分を除去することができる。先ず、実施形態について説明する前に、その実施形態の理解を容易にするための予備的事項について、図6を参照しながら説明する。図6においてaは現状技術のCMP装置に使用されるヘッドの断面構造の一例を示したものであり、bはこのヘッドを使用して比較的薄いウエハを吸着及び研磨した状態を模式的に示している。図6aに示すようにヘッド60は、ヘッド本体61、ケーシング62、軸部63等を備えている。ヘッド本体61の内部には、真空吸着の際の減圧排気経路となるチャンバ71が設けられている。さらに、真空吸着用のチャンバ71からヘッド本体61の下面まで貫通するように複数の吸着孔72が形成されている。また、ヘッド本体61の下面にはバッキングパッド64が装着されており、このバッキングパッド64には、ヘッド本体61に設けた複数の吸着孔72にそれぞれ対応する位置に、複数の吸着孔73が形成されている。研磨対象物であるウエハ1a図6b参照は、バッキングパッド64に形成された吸着孔73を介してヘッド本体61の下面に吸着されて保持される。ケーシング62の底部は開口されており、この開口部にヘッド本体61が保持されている。ヘッド本体61は、この開口部を気密に閉塞する。このケーシング62の上部の中央部に、軸部63が固定されている。この軸部63の内部には、真空吸着用のチューブ65と、エア導入用のチューブ66が設けられている。真空吸着用のチューブ65の一端は、軸部63内を貫通しケーシング62内を通してヘッド本体61内のチャンバ71に結合されており、これと反対側の他端は、ヘッド外部の真空ポンプに結合されている。エア導入用のチューブ66の一端は、軸部63内を貫通してケーシング62の上部の内壁面に開放されており、これと反対側の他端は、ヘッド外部のコンプレッサ図示せずに結合されている。このコンプレッサからエア導入用のチューブ66を介してケーシング62内に空気エアを充填することで、この空気圧によりヘッド本体61に適当な荷重をかけることができる。この荷重により、ヘッド本体61バッキングパッド64の下面に吸着保持されるウエハ1a図6bは、回転駆動される定盤上に貼り付けられた研磨パッド図示せずに対して押し当てられ、その表面が研磨される。かかる構造を有したヘッド60を備えたCMP装置を用いて比較的薄いウエハの吸着を維持しながらCMPを行うと、吸着孔73付近のウエハ1aの部分図6bにおいて矢印Pで示す箇所が吸着力に起因して凹む。このため、その吸着した箇所に研磨パッドの面が十分に当たらず、その箇所だけ満足にCMPすることができない。その結果、図6bに示すように吸着孔73付近の箇所に研磨残りRSが発生する。つまり、ウエハの表面全体に亘って平坦化された均一な研磨加工を施すことができない。以下、本発明の好適な実施の形態について説明する。図1は一実施形態に係るCMP化学機械研磨装置の全体構成を概略的に示したものである。また、図2はこのCMP装置に使用されるヘッドの断面構造をこれに係合する構成部材と共に示したものであり、図3は図2においてヘッドをA-A線に沿って平面的に見たときの構成を模式的に示している。先ず図1を参照すると、本実施形態のCMP装置50において、不織布等からなる研磨パッド10は、定盤11の平坦な表面に装着され、この定盤11は駆動軸12の上端に固定されて回転駆動される。定盤11上の研磨パッド10の上方には、研磨の対象物である平板状の被加工物本実施形態では、比較的薄いウエハ1を吸着保持するためのヘッド20が配置されている。このヘッド20の詳細については、後で説明する。ウエハ1は、バッキングパッド24図2参照を介してヘッド20の下面に吸着されて保持される。さらに、定盤11の上方には、研磨パッド10上に研磨剤例えば、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム等を供給するための研磨剤供給ノズル45、研磨パッド10の目詰まりを取り除くために使用されるドレッサ46等が配置されている。ウエハ1の表面の研磨は、定盤11を回転させる必要に応じてヘッド20も回転させると共に、研磨剤供給ノズル45から研磨パッド10上に研磨剤を供給し、この状態で、ウエハ1の表面を研磨パッド10に対して押し当てることによって行われる。次に、ヘッド20の構成について説明する。図2に示すようにヘッド20は、ヘッド本体21、ケーシング22、軸部23等を備えている。ヘッド本体21は、2つの部材基部21aと蓋部21bが結合されてなり、その内部基部21aと蓋部21bの結合部分に、真空吸着の際の減圧排気経路となる2系統の流路31及び32が設けられている。便宜上、流路31の系統をA系統、流路32の系統をB系統と呼ぶことにする。ヘッド本体21を構成する基部21aの上面側には、図2、図3に示すように、2つの独立した溝が同心円状に形成されている。これらの溝によって、蓋部21bの下面との間に、A系統の流路31とB系統の流路32が同心円状に形成されている。基部21aに所要の2つの独立した溝を形成した後、この基部21aに蓋部21bを結合することによってヘッド本体21が構成される。さらに、真空吸着用の各流路31,32からヘッド本体21の下面吸着面21Sまで貫通するように、A系統の流路31、B系統の流路32にそれぞれ対応させて複数の吸着孔33,34が形成されている。各流路31,32にそれぞれの一端が連通された各吸着孔33,34の他端は、ヘッド本体21の下面吸着面21Sに開放されている。真空吸着用の各流路31,32は、図2に示すように同一平面上に形成されており、互いに独立して所要のパターン形状図3の例では同心円状に形成されている。各流路31,32は、各々のパターンがヘッド本体21の吸着面21Sの全体に亘って分布するように形成されている図3。好適には、各流路31,32にそれぞれ連通された複数の吸着孔33,34が当該流路上でほぼ等間隔に配置されるように、各々のパターンが形成されている。なお、図3に示す各流路31,32のパターン形状はあくまで一例であり、図示のパターン形状に限定されないことはもちろんである。また、各吸着孔33,34は、断面視したときに図2参照、各流路31,32に連通する側の直径と比べて吸着面21S側の直径の方が小さくなるように段差状に形成されている。各吸着孔33,34の各流路31,32に連通する側の部分大径部分33a,34aの直径を大きくしている理由は、その直径が小さいと目詰まりを起こして十分な減圧排気を行えない真空吸着に支障をきたす可能性があるからである。一方、各吸着孔33,34の吸着面21Sに通じる側の部分小径部分33b,34bの直径を小さくしている理由は、その直径が大きいと吸着力が強すぎてその部分でのウエハ研磨対象物の凹みが増大するからである。さらに、ヘッド本体21の下面にはバッキングパッド24が装着されており、このバッキングパッド24には、ヘッド本体21に設けられた複数の吸着孔33,34にそれぞれ対応する位置に、複数の吸着孔35,36が形成されている。研磨対象物であるウエハ1図2参照は、バッキングパッド24に形成された吸着孔35,36を介してヘッド本体21の下面吸着面21Sに吸着されて保持される。ヘッド20の一部を構成するケーシング22は、その底部が開口されており、この開口部にヘッド本体21が保持されている。ヘッド本体21は、この開口部を気密に閉塞する。このケーシング22の上部の中央部に、軸部23が固定されている。この軸部23の内部には、2系統A系統、B系統の真空吸着用のチューブ25及び26と、エア導入用のチューブ27が設けられている。真空吸着用の各チューブ25,26の一端は、軸部23内を貫通しケーシング22内を通してヘッド本体21内の対応する流路31,32に結合されており、これと反対側の他端は、それぞれ個別の流路開閉弁41,42を介して、真空ポンプ40に結合されている。なお、43はウエハ脱離用の弁であり、真空ポンプ40と流路開閉弁41,42との間に介在している。この弁43は、ウエハ1に対して所望の研磨を終了した後、ヘッド20による吸着保持を解除する際に使用される。エア導入用のチューブ27の一端は、軸部23内を貫通してケーシング22の上部の内壁面に開放されており、これと反対側の他端は、ヘッド外部のコンプレッサ図示せずに結合されている。このコンプレッサからエア導入用のチューブ27を介してケーシング22内に空気エアを充填することで、この空気圧によりヘッド本体21に適当な荷重をかけることができる。この荷重により、ヘッド本体21バッキングパッド24の下面に吸着保持されるウエハ1図1は、回転駆動される定盤11上に装着された研磨パッド10に対して押し当てられ、その表面が研磨される。なお、ヘッド本体21の材料としては、例えば、ステンレス鋼SUSが好適に用いられる。バッキングパッド24の材料としては、例えば、ポリウレタン弾性体であり、機械的特性、耐候性、特に耐摩耗性に優れているが好適に用いられる。また、ケーシング22及び軸部23の材料としては、プラスチック材が用いられる。また、図2には示していないが、ヘッド本体21の下面の周縁部に沿ってリテーナがリング状に装着されている。このリテーナは、前述したように比較的厚いウエハを研磨する際にウエハが飛び出すのを防止するのに使用される。本実施形態のように比較的薄いウエハ1を研磨する際には、このリテーナは、研磨パッド10が当たらない位置に適宜退避させている。次に、本実施形態のCMP装置50図1~図3を使用して比較的薄いウエハを研磨する場合の方法について、その一例を示す図4とともに、図5も併せて参照しながら説明する。先ず、研磨する対象物である比較的薄いウエハ1例えば、200μm以下を用意する。本実施形態では、その一例として図5a、bに例示するように、デュアルダマシン法によりシリコンウエハ上に銅Cu配線パターンを形成する場合を例にとって説明する。デュアルダマシン法によるCu配線形成では、シリコンウエハ上に所要の配線2を形成し、この配線2を覆って絶縁膜3を形成後、この絶縁膜3をエッチングして、下層の配線2と接続するためのコンタクトホール溝4及び配線溝5を形成する。次いで、全面にバリヤメタル層6例えば、TiNを形成後、CVD法、めっき法等により、溝4,5内に銅Cu7を埋め込む。その後、不要な部分のCu7及びバリヤメタル層6の部分をCMPにより除去しながら平坦化して配線7aを形成する。このCMPの方法について、図4を参照しながら説明する。先ず図4a参照、ウエハ脱離用の弁43図2と共に流路開閉弁42を閉じた状態で、流路開閉弁41を開き、真空ポンプ40を起動させる。これにより、A系統の吸着孔3335に連通する流路31からチューブ25を介して流路内の空気が減圧排気される。その結果、図4aに示すように、吸着孔35付近のウエハ1の部分がその吸着力に起因して凹む。この状態で図4b参照、回転駆動される定盤11図1上の研磨パッド10に押し当ててウエハ1の研磨CMPを行うと、その吸着した箇所矢印P1で示す箇所に研磨パッド10の面が十分に当たらないため、その箇所だけ満足に研磨することができない。その結果、図4bに示すように吸着孔35付近のウエハ1の箇所に研磨残りRSが発生する。図5cは、このときの研磨残りRSの状態をイメージ的に示したものである。次に図4c参照、真空ポンプ40は起動させた状態で、今度は流路開閉弁42の方を開き、流路開閉弁41を閉じる。これにより、B系統の吸着孔3436に連通する流路32からチューブ26を介して流路内の空気が減圧排気される。その結果、図4cに示すように、吸着孔36付近のウエハ1の部分図4bにおいて矢印P2で示す箇所がその吸着力に起因して凹み、それまで凹んでいた吸着孔35付近のウエハ1の部分が相対的に突出した状態となる。つまり、研磨残りRSが発生している部分が突出した状態となる。この状態で図4d参照、上記と同様に研磨パッド10に押し当ててウエハ1の研磨CMPを行うと、その突出している研磨残りRSの部分に研磨パッド10の面が確実に当たるため、その研磨残りRSの部分が研磨される。その結果、図4dに示すように吸着孔35付近のウエハ1の箇所に発生していた研磨残りRSの部分がきれいに除去される。このようにして研磨残りRSの部分が除去された後、真空吸着を停止させると、その表面全体に亘って研磨残りの無い、均一に平坦化されたウエハ1が得られる図4e参照。真空吸着の停止は、真空ポンプ40を停止させ、流路開閉弁41,42をともに開くことによって行われる。この状態で、さらにウエハ脱離用の弁43を開くと、ウエハ1はヘッド20による吸着保持から解放される。図4に示したCMPの方法では、説明の簡単化のため、A系統、B系統についてそれぞれ1回ずつ吸着及び研磨処理を行うようにしているが、実際の切替の態様では、A系統とB系統を交互に複数回ずつ切り替えてCMPを行うようにしている。例えば、銅Cuに対する研磨率を1μm/分とし、配線溝5図5参照上に銅Cu膜7を5μm程度形成した場合、A系統とB系統についてそれぞれ吸着及び研磨処理を交互に5回繰り返すことにより、研磨残りの無い均一な研磨加工を施すことができる。以上説明したように、本実施形態に係るCMP装置50及びこれを用いた研磨方法によれば、ヘッド20ヘッド本体21の吸着面21Sに設けられる複数の吸着孔3335、3436を2系統A系統とB系統の真空吸着用の流路3125、3226に分けて配列し図3、真空ポンプ40と流路開閉弁41,42により、A系統、B系統の各流路3125,3226を選択的に切り替えて有効にしている。これにより、図4に例示したようにA系統で研磨CMPを行ったときに吸着孔35付近のウエハ1の箇所に研磨残りRSの部分が発生しても、次にB系統で研磨CMPを行ったときに、その研磨残りRSの部分を除去することができる。好適には、A系統とB系統を交互に複数回ずつ切り替えてCMPを行うことで、ウエハ1の表面全体に亘って研磨残りの無い均一な研磨加工を施すことが可能となる。上述した実施形態では、研磨の対象物ウエハ1を吸着するための複数の吸着孔3335、3436を2系統に分けて配列し、各系統の流路31、32を切り替えながらCMPを行う場合を例にとって説明したが、必ずしも2系統である必要はない。必要に応じて3系統以上に分けてCMPを行うことも可能である。また、上述した実施形態では、2系統の流路31、32を切り替えながらCMPを行うに際し各流路31、32を完全に切り替えてウエハ1の吸着を行うようにしたが、必ずしもこの実施態様に限定されない。例えば、2系統の流路31、32に対しそれぞれの吸引の強弱を切り替えて吸着を行うようにしてもよい。また、上述した実施形態では、ダマシン法により形成した配線溝内の銅CuをCMPする場合図4、図5を例にとって説明したが、CMPの対象材料がメタルに限定されないことはもちろんである。上記のダマシン法と同様に、基材に溝等の開口部を形成し、この開口部に基材とは異なる材料を埋め込んだ構造を有した基板であれば、例えば、シリコン酸化膜、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜等の絶縁性材料に対しても同様にCMPを施して平坦化を図ることが可能である。また、上述した実施形態では、被加工物としてシリコンウエハ1シリコン板を研磨する場合を例にとって説明したが、これ以外にも、ガラス板、セラミック板、樹脂板など各種材質の板を研磨対象として適宜選択することが可能である。"