ガリウム、アルミニウム、ホウ素およびインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リンおよび砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、前記第1の窒化物半導体層より格子定数が大きく、前記第1の窒化物半導体層から圧縮応力を受けている第2の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層にオーミック接触し、離間して配置された2つのオーミック電極と、前記オーミック電極間に配置され、前記第2の窒化物半導体層に接触する制御電極と、前記制御電極と前記オーミック電極との間に露出する前記第2の窒化物半導体層表面にプラズマ処理領域とを備え、前記制御電極に印加する電圧が0Vのとき、前記制御電極直下にキャリアが存在せず、前記プラズマ処理領域直下に前記プラズマ処理領域を形成することによって発生したキャリアが存在することを特徴とする窒化物半導体装置。ガリウム、アルミニウム、ホウ素およびインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リンおよび砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素で構成された前記III-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置の製造方法において、基板上に、前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、前記III-V族窒化物半導体層からなり、前記第1の窒化物半導体層より格子定数が大きく、前記第1の窒化物半導体層から圧縮応力を受ける第2の窒化物半導体層とを積層形成する工程と、前記第1の窒化物半導体層にオーミック接触し、離間して配置された2つのオーミック電極を形成する工程と、前記オーミック電極間に、前記第2の窒化物半導体層に接触し、印加する電圧が0Vのとき、その直下にキャリアが存在しない制御電極を形成する工程と、前記制御電極と前記オーミック電極との間に露出する前記第2の窒化物半導体層表面をプラズマ処理し、該プラズマ処理領域直下にプラズマ処理前に存在しなかったキャリアを発生させる工程と、を含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。図5に示す従来の窒化物半導体装置では、ゲート電極18形成領域以外のキャップ層15を、反応性エッチングガスを用いたドライエッチング法によりエッチング除去して凹部20を形成するため、露出するキャリア供給層14表面に、プラズマによる損傷や表面欠陥が発生してしまう。その結果、チャネル層13とキャリア供給層14の界面に形成される2次元電子ガス層16が減少してしまい、ソース-ゲート間あるいはゲート-ドレイン間のチャネル抵抗が増加し、オン抵抗が高くなるという問題があった。また図6に示す従来の別の窒化物半導体装置では、キャリア供給層14をインジウムを含む組成としてチャネル層13と格子整合させることでピエゾ分極を無くし、さらにアルミニウムの組成を0.1程度まで下げて2次元電子ガス層16のシートキャリア濃度を低減させるため、動作時のチャネル抵抗が高く、オン抵抗も高いという問題があった。本発明は、上記問題点を解消し、オン抵抗の増加を抑制でき、さらにオフ時のゲートリーク電流およびドレインリーク電流を低減できるノーマリオフ型の窒化物半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本願請求項1に係る発明は、ガリウム、アルミニウム、ホウ素およびインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リンおよび砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、前記第1の窒化物半導体層より格子定数が大きく、前記第1の窒化物半導体層から圧縮応力を受けている第2の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層にオーミック接触し、離間して配置された2つのオーミック電極と、前記オーミック電極間に配置され、前記第2の窒化物半導体層に接触する制御電極と、前記制御電極と前記オーミック電極との間に露出する前記第2の窒化物半導体層表面にプラズマ処理領域とを備え、前記制御電極に印加する電圧が0Vのとき、前記制御電極直下にキャリアが存在せず、前記プラズマ処理領域直下に前記プラズマ処理領域を形成することによって発生したキャリアが存在することを特徴とする。本願請求項2に係る発明は、ガリウム、アルミニウム、ホウ素およびインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リンおよび砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素で構成された前記III-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置の製造方法において、基板上に、前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、前記III-V族窒化物半導体層からなり、前記第1の窒化物半導体層より格子定数が大きく、前記第1の窒化物半導体層から圧縮応力を受ける第2の窒化物半導体層とを積層形成する工程と、前記第1の窒化物半導体層にオーミック接触し、離間して配置された2つのオーミック電極を形成する工程と、前記オーミック電極間に、前記第2の窒化物半導体層に接触し、印加する電圧が0Vのとき、その直下にキャリアが存在しない制御電極を形成する工程と、前記制御電極と前記オーミック電極との間に露出する前記第2の窒化物半導体層表面をプラズマ処理し、該プラズマ処理領域直下にプラズマ処理前に存在しなかったキャリアを発生させる工程と、を含むことを特徴とする。本発明の窒化物半導体装置は、制御電極形成領域の近傍の第2の窒化物半導体層表面に、不活性ガスのプラズマに晒されたプラズマ処理領域が形成されることで、制御電極形成領域の近傍にキャリアが生成する。そのため、従来の窒化物半導体装置と比べて、動作時のチャネル抵抗が低く、オン抵抗も低くなり、良好な特性の窒化物半導体装置を得ることができる。特に、制御電極形成領域以外の第2の窒化物半導体層を完全に除去して第1の窒化物半導体層を露出させた構造の従来の窒化物半導体装置と比べて、オン電流の増大とオフ電流の低減を確認することができた。また本発明の窒化物半導体装置の製造方法は、通常の半導体装置の製造工程で使用する不活性ガスのプラズマ処理を施すのみで良く、特別な製造装置を必要とせず、簡便な製造方法である。本発明は、下層の窒化物半導体層の格子定数が、上層の窒化物半導体層の格子定数より小さい材料からなるように選択された窒化物半導体層が積層形成されている窒化物半導体装置であって、上層の窒化物半導体層に制御電極ゲート電極が形成されている。さらに、上層の窒化物半導体層表面は、不活性ガスのプラズマに晒されたプラズマ処理領域となっている。以下、本発明の窒化物半導体装置について、III-V族窒化物半導体装置であるHEMTを例にとり、製造工程に従い、詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施例の窒化物半導体装置の断面図であり、図2はその製造方法の説明図である。従来例同様、サファイアからなる基板11上に、厚さ30nm程度の低温成長した窒化ガリウムからなるバッファ層12、通常の成膜温度で後述するキャリア供給層14のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、厚さ2μmのノンドープ窒化ガリウムからなるチャネル層13、チャネル層13との界面にキャリアとなる2次元電子ガス層を形成する厚さ10nmのノンドープ窒化アルミニウムガリウムからなるキャリア供給層14第1の窒化物半導体層に相当、厚さ10nmのノンドープ窒化インジウムガリウムからなるキャップ層15第2の窒化物半導体層に相当を順次積層した基板を用意する図2a。ここで、図2aに示すように、キャップ層15が積層されているため、チャネル層13とキャリア供給層14の界面には、2次元電子ガス層は形成されていない。次に、通常のフォトリソグラフ法により、ソース電極およびドレイン電極形成予定領域を開口するホトレジストをキャップ層15上にパターニングし、露出するキャップ層15表面を塩素系のドライエッチング法によりエッチング除去する。その後、通常のリフトオフ法により、チタンTi/アルミニウムAl/チタンTi/金Auからなる積層膜を形成し、850°C30秒のRTA処理で形成することで、キャリア供給層14にオーミック接触するソース電極17a、ドレイン電極17bを形成する図2b。ここで、キャップ層15が除去されることにより、ソース電極17a、ドレイン電極17bの直下のチャネル層13とキャリア供給層14の界面に、2次元電素ガス層16が形成される。次に、キャップ層15上にニッケルNi/金Auの積層膜等からなるゲート電極18を形成し、キャップ層15との間にショットキー接触を形成する図2c。その後、ゲート電極18、ソース電極17aおよびドレイン電極17bをマスクとして使用し、露出するキャップ層15表面を不活性ガスのプラズマに曝して窒化物半導体装置を完成する。ここで、不活性ガスとして窒素を用いた場合、キャップ層15表面を窒素プラズマ処理する。その結果、ゲート電極18形成領域以外のチャネル層13とキャリア供給層14の界面に2次元電子ガス層16が生成する図2d。ここで、キャップ層15表面のプラズマ処理は、例えば、ICP誘導結合プラズマ方式のドライエッチング装置を用い、RF電力30W、RFバイアス10W、圧力0.5Pa、窒素流量20sccm、処理時間5分間等の条件で行う。なお、不活性ガスは、窒素ガスの他、ヘリウム、アルゴン、キセノン等を使用することができる。このように形成した窒化物半導体装置の伝達特性ドレイン電圧Vd=5Vの場合における電流-電圧特性を図4に示す。このグラフにおいて横軸はゲート-ソース電極間電圧VgVを、縦軸はソースドレイン間の電流IdAを示している。なお、図4aを対数表示にしたものが図4bである。また比較のため、従来例で説明した図6に示す構造の窒化物半導体装置の伝達特性を実線で、図4において第1の実施例■で示す。本実施例の窒化物半導体装置は、ゲート電圧0V以上におけるオン電流が、従来例に比べて2倍程度高くなっていることがわかる。さらに、オフ電流は約1桁低減した。このように本実施例では、特性の優れた窒化物半導体装置を提供できることが確認できた。これは、キャップ層15を窒素プラズマ処理することで、圧縮応力がかかったキャップ層15にプラズマによる損傷や欠陥が発生し、圧縮応力が緩和し、あるいは表面準位が変化し、2次元電子ガス層16が生成したためと考えられる。一方、プラズマ処理の条件によっては、例えば、印加するパワーが大きい場合やプラズマ処理の時間が長いと、キャップ層15内やキャリア供給層14にも新たな欠陥が生じてしまい、2次元電子ガスの生成量が低減してしまう場合がある。したがって、印加パワーや処理時間等は、2次元電子ガスを生成し、キャリア供給層14に2次元電子ガスの生成量を低減させるほどの欠陥等を生じさせない程度に調整する必要がある。図3は本発明の第2の実施例の窒化物半導体装置の断面図である。本実施例では、実施例1で説明したゲート電極18を形成する工程図2cまでは同じとなる。その後、本実施例では、ゲート電極18、ソース電極17aおよびドレイン電極17bをマスクとして使用し、キャップ層15を四塩化硅素ガスで2nmプラズマエッチングする。その後、露出したキャップ層15表面を不活性ガスのプラズマ処理し、窒化物半導体装置を完成する図3。ここで、不活性ガスとして窒素を用いた場合、キャップ層15表面を窒素プラズマ処理する。その結果、ゲート電極18下部領域以外のチャネル層13とキャリア供給層14の界面に2次元電子ガス層16が生成される。ここで、キャップ層15表面のプラズマ処理は、例えば、ICP誘導結合プラズマ方式のドライエッチング装置を用い、RF電力30W、RFバイアス10W、圧力0.5Pa、窒素流量20sccm、処理時間5分間等の条件で行う。なお、不活性ガスは、窒素ガスの他、ヘリウム、アルゴン、キセノン等を使用することができる。このように形成した窒化物半導体装置の伝達特性ドレイン電圧Vd=5Vの場合における電流-電圧特性を図4に示す。図4において第2の実施例▲で示すように、本実施例に係る窒化物半導体装置は、ゲート電圧0V以上におけるオン電流が、比較例に比べて2倍程度高く、実施例1とほぼ同じ値になっていることがわかった。さらに、オフ電流は実施例1よりも低く、従来例よりも約3桁低減したことがわかる。このように本実施例でも、特性の優れた窒化物半導体装置を提供できることが確認できた。これは、キャップ層15表面をエッチングする工程を加えることによって、ゲートリーク電流の主要因であるエピ成長後の表面自然酸化膜やプロセス中の表面欠陥をエッチング除去できたためと考えられる。なお、本実施例で用いた四塩化硅素プラズマのエッチングレートは、1.4nm/minと極めて低くすることができるので、本実施例のように浅いエッチングにおいても容易に制御できる。また、エッチングした表面を原子間力顕微鏡AFMによって測定したところ、RMS値はエッチング後でも056nmであり、平坦性は非常に優れている。本実施例においても、プラズマエッチングや窒素プラズマ処理を行う際、その条件によっては、キャップ層15内やキャリア供給層14にも新たな欠陥が生じてしまい、2次元電子ガスの生成量が低減してしまう場合がある。したがって、印加パワーや処理時間等は、2次元電子ガスを生成し、キャリア供給層14に2次元電子ガス生成量を低減させる程の欠陥等の影響が生じない程度に調整する必要がある。なお、エッチング領域には、反応生成物が残るので、反応生成物を除去するために、電極表面を保護した上で、酸系、あるいはアルカリ系の処理液でエッチング領域を処理し、反応生成物を溶解除去するのが好ましい。この処理によって、反応生成物が除去され、エッチング領域表面を清浄化することができる。以上説明したとおり本発明によれば、チャネル抵抗が低く、ドレイン電流のON/OFF比が高いノーマリオフ型動作の窒化物半導体装置を提供できることが確認できた。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく種々変更可能である。例えば、制御電極の種類、キャップ層およびキャリア供給層の厚さやアルミニウムあるいはインジウムの組成比は、制御電極直下のチャネルにキャリアが存在せず、制御電極直下以外のチャネルにキャリアが存在するように適宜選択、設定することができる。また、窒化物半導体層は、GaN/AlGaN系に限定されるものでなく、第1の窒化物半導体層上記実施例ではキャリア供給層14に相当は、GaN、InN、AlNあるいはこれらの混晶化合物を含み、かつ少なくともアルミニウムを含む層で形成することができる。また、制御電極が形成される第2の窒化物半導体層上記実施例ではキャップ層15に相当は、GaN、InN、AlNあるいはこれらの混晶化合物を含み、第1の窒化物半導体層上に製膜されることで、圧縮応力を受ける層で形成することができる。また第2の窒化物半導体層はp型の導電性を有する膜で形成することもできる。実施例において使用したサファイア基板の代わりに炭化珪素SiC基板を用いてもかまわない。その場合は、バッファ層12として窒化アルミニウムAlNを用いる方が好ましい。またサファイア基板の代わりにシリコンSi基板を用いてもかまわない。また、第1の窒化物半導体層とオーミック接触する電極の組成は、使用する窒化物半導体層の種類等に応じて、適宜選択すればよい。