印加された電圧に応じて光を偏光する電気光学素子と、前記電気光学素子に電圧を印加するとともに電圧を制御する電圧制御装置とを備えたパルスレーザ発振器であって、前記電圧制御装置によって前記電気光学素子に印加する電圧を経時的に変化させ、レーザ光のパルス幅を制御することを特徴とするパルスレーザ発振器。前記電圧制御装置は、前記電気光学素子に印加する電圧の変化率を段階的に変化させることを特徴とする請求項1に記載のパルスレーザ発振器。前記電気光学素子はポッケルスセルであり、さらにλ/4波長板を備えたことを特徴とする請求項1又は2に記載のパルスレーザ発振器。印加された電圧に応じて光を偏光する電気光学素子に印加する電圧を変化させることにより、レーザ光の発振を制御するレーザ発振制御方法において、前記電気光学素子に印加する電圧を経時的に変化させ、レーザ光のパルス幅を制御することを特徴とするパルスレーザ発振制御方法。前記電気光学素子に印加する電圧の変化率を段階的に変化させることを特徴とする請求項4に記載のパルスレーザ発振制御方法。しかし、前記従来のパルスレーザ発振器においては、共振器内部に蓄積されたエネルギーが瞬間的に外部に取り出されるため、出力されるパルスレーザのピークエネルギーが大きくなりすぎ、レーザが照射される対象物を損傷するおそれがあった。そこで、このような問題点に対処し、本発明が解決しようとする課題は、パルス幅を伸長することにより、出力されるパルスレーザのピークエネルギーを低下させることができるパルスレーザ発振器及びパルスレーザ発振制御方法を提供することにある。前記課題を解決するために、本発明によるパルスレーザ発振器は、印加された電圧に応じて光を偏光する電気光学素子と、前記電気光学素子に電圧を印加するとともに電圧を制御する電圧制御装置とを備えたパルスレーザ発振器であって、前記電圧制御装置によって前記電気光学素子に印加する電圧を経時的に変化させ、レーザ光のパルス幅を制御するものである。また、前記電圧制御装置は、前記電気光学素子に印加する電圧の変化率を段階的に変化させるものである。さらに、前記電気光学素子はポッケルスセルであり、さらにλ/4波長板を備えたものである。そして、本発明によるパルスレーザ発振制御方法は、印加された電圧に応じて光を偏光する電気光学素子に印加する電圧を変化させることにより、レーザ光の発振を制御するレーザ発振制御方法において、前記電気光学素子に印加する電圧を経時的に変化させ、レーザ光のパルス幅を制御するものである。また、前記電気光学素子に印加する電圧の変化率を段階的に変化させるものである。請求項1に係るパルスレーザ発振器によれば、前記電圧印加回路が前記電気光学素子に印加する電圧を経時的に前記制御回路によって変化させ、レーザ光のパルス幅を制御することができる。したがって、前記制御回路によって電気光学素子に印加する電圧を変化させることにより、出力されるパルスレーザのパルス幅を伸長させ、パルスレーザのピークエネルギーを低下させることができる。また、レーザ光を分光するビームスプリッタや、遅延光学系のためのミラーを使用せずにパルス幅を伸長させることができるため、パルスレーザ発振器をコンパクトに形成することができる。さらに、パルスレーザ発振器を使用する際に、上記ビームスプリッタや、遅延光学系のためのミラーを調整する必要がないため、パルスレーザ発振器を使用するための作業が容易になる。また、請求項2に係るパルスレーザ発振器によれば、前記制御回路によって前記電圧印加回路が前記電気光学素子に印加する電圧の変化率を段階的に変化させることにより、出力されるパルスレーザのパルス幅を伸長させ、パルスレーザのピークエネルギーを低下させることができる。さらに、請求項3に係るパルスレーザ発振器によれば、λ/4波長板とポッケルスセルによって光を偏光させることができる。したがって、電圧の印加によりλ/4波長板として作用するポッケルスセルを使用することができる。そして、請求項4に係るパルスレーザ発振制御方法によれば、前記電気光学素子に印加する電圧を経時的に変化させ、レーザ光のパルス幅を制御することができる。したがって、電気光学素子に印加する電圧を変化させることにより、出力されるパルスレーザのパルス幅を伸長させ、パルスレーザのピークエネルギーを制御することができる。また、このパルスレーザ発振制御方法を使用したパルスレーザ発振器は、レーザ光を分光するビームスプリッタや、遅延光学系のためのミラーを使用せずにパルス幅を伸長させることができるため、コンパクトに形成することができる。さらに、上記パルスレーザ発振器は、上記ビームスプリッタや、遅延光学系のためのミラーを調整する必要がないため、使用の際の作業が容易になる。また、請求項5に係るパルスレーザ発振制御方法によれば、前記電気光学素子に印加する電圧の変化率を段階的に変化させることにより、出力されるパルスレーザのパルス幅を伸長させ、パルスレーザのピークエネルギーを制御することができる。以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明によるパルスレーザ発振器の実施形態を示す図である。このパルスレーザ発振器は、Q値後述する光共振器3内に蓄えられたエネルギー/光共振器3の外部に失われるエネルギーを切り替えることによりジャイアントパルスを発生させるQスイッチ法によりジャイアントパルスを発生させるYAGレーザであって、YAGロッド1と、フラッシュランプ2と、光共振器3と、ポラライザー4と、λ/4波長板5と、ポッケルスセル6と、電圧制御装置7と、を備える。前記YAGロッド1は、後述するフラッシュランプ2から光を照射されることにより光を放出し、放出した光を誘導放出により増幅させるものであって、図1に示すように、光軸Lに沿って光を放出する固体のレーザ媒質である。このYAGロッド1のかわりに、Nd:YAGロッドやEr:YAGロッドなどの他のレーザ媒質を使用してもよい。YAGロッド1の側面図1におけるYAGロッド1の上側にはフラッシュランプ2が設けられている。このフラッシュランプ2は、前記YAGロッド1に光を照射して、YAGロッド1からの光の放出を開始させるものであり、例えばキセノンフラッシュランプやレーザダイオードが使用される。図1における前記YAGロッド1の左右の両側方には、フロントミラー3a及びリアミラー3bが設けられている。このフロントミラー3a及びリアミラー3bは、YAGロッド1から放出された光を2枚のミラー間で往復させるものであり、フロントミラー3aとリアミラー3bとによって、YAGロッド1内で誘導放出を生じさせてコヒーレントな光を増幅させる光共振器3を構成している。前記フロントミラー3aは、入射光の一部を透過させる部分透過ミラーであって、YAGロッド1から放出される光の光軸L上のレーザ光が放出される側に設置される。Qスイッチ法により瞬間的に増幅されたレーザ光の一部が、このフロントミラー3aを通じて光共振器3内から取り出される。また、前記リアミラー3bは、YAGロッド1を挟んで前記フロントミラー3aと反対側の光軸L上に設けられた全反射ミラーであり、フロントミラー3aとの間で光軸L上の光を往復させる。前記リアミラー3bと前記YAGロッド1との間の光軸L上には、ポラライザー4が設けられている。このポラライザー4は、入射光のうち、入射面に対して垂直な偏光成分であるs偏光を反射することにより、入射面に対して平行な偏光成分であるp偏光だけを透過させるものであって、前記Qスイッチ法におけるシャッターの役割を果たす偏光子である。ポラライザー4の材質は、ガラスやプラスチックであり、入射光の入射角θが、p偏光の反射率が0になるブリュースター角となるように光軸Lに対して傾いて設置されている。このポラライザー4は、複数設けられてもよい。また、ポラライザー4は、s偏光又はp偏光のいずれか一方のみを透過させるものであればよく、上記のものの他にも、例えば偏光プリズムや偏光フィルタ等の偏光子を使用してもよい。なお、以下の説明で使用するs偏光及びp偏光という語は、このポラライザー4に対するs偏光及びp偏光を指すものとする。前記ポラライザー4と前記リアミラー3bとの間には、λ/4波長板5が設けられている。このλ/4波長板5は、入射光の偏光成分に90°π/2の位相差を生じさせることにより、直線偏光上記s偏光又はp偏光を円偏光に、円偏光を直線偏光に変換するものであって、図1に示すように、ポラライザー4の左側の光軸L上に設けられている。YAGロッド1から放出され、ポラライザー4を透過したp偏光は、このλ/4波長板5により円偏光に変換される。前記λ/4波長板5と前記リアミラー3bとの間には、ポッケルスセル6が設けられている。このポッケルスセル6は、印加された電圧に応じて光を偏光する電気光学素子であって、図1に示すように、λ/4波長板5の左側の光軸L上に設けられている。ポッケルスセル6は、電圧を印加されていない状態では光を偏光しないが、電圧を印加されると光を偏光し、その偏光の度合いは印加電圧に依存する。前記ポッケルスセル6には、電圧制御装置7が電気的に接続されている。電圧制御装置7は、ポッケルスセル6に電圧を印加するとともに印加する電圧を制御するものであって、電圧印加回路7aと、制御回路7bとからなる。電圧印加回路7aは、ポッケルスセル6に電圧を印加するものであって、ポッケルスセル6に電気的に接続されている。この電圧印加回路7aには、電圧印加回路7aによるポッケルスセル6への電圧の印加を制御することで、ポッケルスセル6に入射した光の偏光の度合いを変化させ、レーザ光の発振を制御する制御回路7bが接続されている。次に、このように構成されたパルスレーザ発振器の動作及びパルスレーザ発振制御方法について、図1~図5を参照して説明する。このパルスレーザ発振器によりパルスレーザを発振する際、まず、前記制御回路7bは、電圧印加回路7aに信号を送り、ポッケルスセル6への印加電圧が0Vとなるように制御する。この状態で、前記フラッシュランプ2が発光し、YAGロッド1に光を照射すると、YAGロッド1内の一部の原子が励起状態となり、YAGロッド1から光軸Lに沿って光が放出される。YAGロッド1からポラライザー4の方向矢印Aの方向に放出された光は、図1に示すように、ブリュースター角となる入射角θで前記ポラライザー4に入射する。入射した光のうち、p偏光はポラライザー4を透過し、s偏光及び円又は楕円偏光はポラライザー4により反射されて光軸Lの外方へ進む。ポラライザー4を透過した前記p偏光は、前記λ/4波長板5に入射して90°π/2の位相差を生じ、円偏光に変換され、ポッケルスセル6に入射する。ここで、ポッケルスセル6には電圧が印加されていないため、入射光を偏光せずに透過させる。したがって、ポッケルスセル6に入射した上記円偏光は、図1に示すように、円偏光のままポッケルスセル6を透過し、リアミラー3bに反射され、再度ポッケルスセル6を透過し、λ/4波長板5に入射する。円偏光がλ/4波長板5に入射すると、さらに90°π/2の位相差を生じ、s偏光すなわち、YAGロッド1から放出され、ポラライザー4を透過したp偏光とは、位相が180°πずれた状態に変換され、ポラライザー4にブリュースター角となる入射角θで入射する。ポラライザー4は上述の通り、s偏光を反射する機能を備えるため、入射した前記s偏光はポラライザー4に反射されて光軸Lの外方へ進む。このように、ポッケルスセル6に電圧を印加しない状態においては、YAGロッド1から放出された光はポラライザー4により反射されてしまい、再びYAGロッド1に入射しないため、光共振器3内での共振が発生せず、パルスレーザの発振が抑制される。次に、前記YAGロッド1内の励起された原子の数が、パルスレーザとして出力したいエネルギーに必要な量となる反転分布が十分大きくなるまで上記の電圧非印加状態を維持した後、前記制御回路7bによって電圧印加回路7aがポッケルスセル6に印加する電圧を変化させる。電圧印加回路7aによってポッケルスセル6に所定の電圧が印加されると、ポッケルスセル6はλ/4波長板5として機能する。ポッケルスセル6に電圧が印加された状態において、YAGロッド1から矢印Aの方向に放出された光は、図2に示すように、上記電圧非印加状態と同様、ポラライザー4によりp偏光に変換され、λ/4波長板5により円偏光に変換され、ポッケルスセル6に入射する。ポッケルスセル6に入射した光は、上記の通りポッケルスセル6がλ/4波長板5として機能しているため、90°π/2の位相差を生じ、s偏光すなわち、YAGロッド1から放出され、ポラライザー4を透過したp偏光とは、位相が180°πずれた状態に変換される。このs偏光はリアミラー3bにより反射され、再度ポッケルスセル6に入射し、さらに90°の位相差を生じ、円偏光すなわち、YAGロッド1から放出され、ポラライザー4を透過したp偏光とは、位相が270°3π/2ずれた状態に変換される。この円偏光は、λ/4波長板5に入射し、さらに90°の位相差を生じ、p偏光すなわち、YAGロッド1から放出され、ポラライザー4を透過したp偏光とは、位相が360°2πずれた状態に変換される。このp偏光は、ポラライザー4にブリュースター角となる入射角θで入射し、ポラライザー4を透過する。ポラライザー4を透過した光は、図2におけるYAGロッド1の左側から入射し、YAGロッド1内で誘導放出を生じさせ、図2におけるYAGロッド1の右側から放出され、フロントミラー3aに反射され、YAGロッド1を図2における右側から左側に通過する。以下、同様の手順で光共振器3内を光が往復し、誘導放出により増幅されたコヒーレントな光の一部がフロントミラー3aから矢印Bの方向にレーザとして出力される。図3は、前記ポッケルスセル6に印加する電圧の変化と、出力されるパルスレーザの出力エネルギーの関係の一例を示すグラフである。本発明によるパルスレーザ発振器の実施形態において、前記制御回路7bによって、前記電圧印加回路7aがポッケルスセル6に印加する電圧を、約0Vから約-4000Vまで約100nsで変化させると、パルスレーザのピークエネルギーが約13.0mJ、パルス幅が約10nsとなっている。また、図4は、前記ポッケルスセル6に印加する電圧の変化と、出力されるパルスレーザの出力エネルギーの関係の他の例を示すグラフである。本実施例においては、前記制御回路7bによって、前記電圧印加回路7aがポッケルスセル6に印加する電圧を、約0Vから約-3000Vまで約800nsで上記図3に示す実施例より緩やかに変化させており、パルスレーザのピークエネルギーが約0.6mJ、パルス幅が約70nsとなっている。このように、電圧印加回路7aにより印加する電圧の変化率を、制御回路7bによって小さくすることにより、パルスレーザのパルス幅を伸長させ、ピークエネルギーを低下させることができる。さらに、図5は、前記ポッケルスセル6に印加する電圧の変化と、出力されるパルスレーザの出力エネルギーの関係のさらに他の例を示すグラフである。本実施例においては、前記制御回路7bによって、前記電圧印加回路7aがポッケルスセル6に印加する電圧を、約0Vから約-1500Vまで約300nsで変化させた後、約-1500Vから約-4500Vまでさらに600nsで変化させている。図5に示すように、約0Vから約-1500Vまでの電圧の変化と、約-1500Vから約-4500Vまでの電圧の変化との間では、電圧の変化率が1回変化している。すなわち、図5における約-1500V前後での電圧のグラフの勾配が変化している。このように、電圧の変化率を段階的に変化させると、制御回路7bによって電圧の変化率を変化させる点以下制御点という。Cの後にもピークを生じさせることができる。本実施例においては、パルスレーザの第1のピークエネルギーが約0.5~0.6mJ、第2のピークエネルギーも同様に約0.5~0.6mJ、パルス幅が約150nsとなっている。このように、制御回路7bによって電圧印加回路7aがポッケルスセル6に印加する電圧の変化率を段階的に変化させることにより、出力されるパルスレーザのパルス幅を伸長させ、パルスレーザのピークエネルギーを低下させることができる。なお、電圧印加回路7aにより印加する電圧の変化率及び制御点Cの数は、必要なパルス幅及び出力エネルギーに応じて定めればよい。また、λ/4波長板5を使用せず、ポッケルスセル6にかえて、電圧の印加に応じてλ/2波長板として機能する電気光学素子を使用することとしてもよい。