"ICチップを接合したIC実装基板または水晶接続基板と、気密封止された水晶片と水晶パッケージとからなる水晶振動子と、を積層接合して構成した表面実装用水晶振動子において、該IC実装基板または該水晶接続基板の水晶振動子接続端子と該水晶振動子の端子を導電体により接続したことを特徴とする表面実装用水晶発振器。前記導電体が、コアなし半田ボールからなることを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。前記コアなし半田ボールの直径が、50μmから300μmであることを特徴とする請求項2に記載の表面実装用水晶発振器。前記導電体が、異方性導電シートからなることを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。前記異方性導電シートが、平面視で環状に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の表面実装用水晶発振器。前記異方性導電シートが、平面視でテープ状に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の表面実装用水晶発振器。前記異方性導電シートが、接着性を有することを特徴とする請求項4に記載の表面実装用水晶発振器。前記異方性導電シートが、接着性を有しないことを特徴とする請求項4に記載の表面実装用水晶発振器。前記ICチップが、金バンプにより前記IC実装基板または前記水晶接続基板に接合されていることを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。前記ICチップが、半田バンプにより前記IC実装基板または前記水晶接続基板に接合されていることを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。前記ICチップと前記IC実装基板または前記水晶接続基板との接合部を絶縁性のエポキシ系接着剤で保護したことを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。前記IC実装基板または前記水晶接続基板と前記ICチップの間に絶縁性のエポキシ系接着剤を充填したことを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。前記IC実装基板の内部にGND層を埋設して形成したことを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。前記IC実装基板の内部に前記IC実装基板に形成した配線の下に対応するようにGND層を埋設して形成したことを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。前記IC実装基板の内部にGND層を埋設して形成し、該GND層の最大外形寸法が水晶接続用端子及び水晶接続用端子とICチップの配線パターンの外枠寸法よりも大になるように形成したことを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。前記表面実装用水晶発振器が、温度補償型水晶発振器であることを特徴とする請求項1から15に記載の表面実装用水晶発振器。前記ICチップが、温度補償電圧を発生させる温度センサ回路と、該温度センサ回路の出力を用いて温度補償電圧を発生させる温度補償回路と、温度補償量を決定するための不揮発性メモリと、水晶発振回路と、該水晶発振回路が出力するアナログ信号を出力するためのバッファ回路と、を格納していることを特徴とする請求項16に記載の温度補償型水晶発振器。しかしながら、この種の従来の表面実装用水晶発振器では、セラミック板を複数枚例えば3枚焼成積層してH型断面のパッケージを形成し、それぞれの凹部に水晶片とICチップを樹脂で覆ってから格納してから密閉封入していたが、セラミックパッケージが極めて高価であるため水晶発振器がコスト高になるとともに、ICチップを樹脂で覆う際に、樹脂がパッケージの凹部からはみ出さないように注入することが非常に難しいため、その生産性が極めて低い等の問題点があった。また、圧電発振器において、外部端子と接続端子を電気的に接続するための導電体として半田ボールを用い、発振回路基板に位置規制手段を設け、半田ボールと接続端子と外部端子に対して水平方向に正確に配置するものがあるが、ICチップの高さを位置決めの基準として利用するものではなかった特許文献2。上記した課題を解決するため、本発明の表面実装用水晶発振器は、ICチップを接合したIC実装基板または水晶接続基板と、気密封止された水晶片と水晶パッケージとからなる水晶振動子と、を積層して接合し、該IC実装基板または、水晶接続基板の水晶振動子接続端子と該水晶振動子の端子を導電体により接続したことを特徴とする。また、本発明の表面実装用水晶発振器は、前記導電体が、コアなし半田ボールからなることを特徴とする。ここで、前記コアなし半田ボールの直径が、50μmから300μmであることを特徴とする。さらに、前記導電体が、異方性導電シートからなることを特徴とする。また、前記異方性導電シートが、平面視で環状に形成され、または、前記異方性導電シートが、平面視でテープ状に形成されていることを特徴とする。またさらに、前記異方性導電シートが、接着性を有し、または、前記異方性導電シートが、接着性を有しないことを特徴とする。本発明では、前記ICチップが、金バンプにより前記IC実装基板または前記水晶振動子接続基板に接合され、または、半田バンプにより前記IC実装基板に接合されていることを特徴とする。さらに、前記ICチップと前記IC実装基板または前記水晶振動子接続基板との接合部を絶縁性のエポキシ系接着剤で保護し、また、前記IC実装基板または前記水晶振動子接続基板と前記ICチップの間に絶縁性のエポキシ系接着剤を充填したことを特徴とする。また、本発明では、前記IC実装基板の内部内層にGND層を埋設して形成したことを特徴とする。さらに、前記IC実装基板の内部に前記IC実装基板に形成した配線の下に対応するようGND層を埋設して形成したことを特徴とする。またさらに、前記IC実装基板の内部にGND層を埋設して形成し、該GND層の最大外形寸法が水晶接続用端子及び水晶接続用端子とICチップの配線パターンの外枠寸法よりも大に形成したことを特徴とする。また、前記表面実装用水晶発振器が、温度補償型水晶発振器であることを特徴とする。本発明では、前記ICチップが、温度補償電圧を発生させる温度センサ回路と、該温度センサ回路の出力を用いて温度補償電圧を発生させる温度補償回路と、温度補償量を決定するための不揮発性メモリと、水晶発振回路と、該水晶発振回路が出力するアナログ信号を出力するためのバッファ回路と、を格納していることを特徴とする。IC実装基板または水晶振動子接続基板の水晶振動子接続端子と水晶振動子の端子とを導電体、例えば、コアなし半田ボールまたは異方性導電シート、で接続したので、IC実装基板または水晶振動子接続基板と水晶振動子の接続後の間隔を一定にすることができるとともに、正確、廉価かつ高生産性で表面実装用水晶振動子を製造できるようになる。以下、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例を添付した図面に基づいて説明する。実施例1実施例1は、IC実装基板と水晶振動子を接続する導電体に、コアなし半田ボールを用いたものである。図1a,b及び図4に示すように、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例1の温度補償型水晶発振器は、セラミックまたは水晶板あるいはガラス板からなるIC実装基板7の上面主面上にIC実装用バンプ半田または金バンプ5、あるいはフリップチップボンディングにより実装されたICチップ4と、このICチップ4の上面主面上に、セラミックまたは水晶板あるいはガラス板2a,2bからなり、かつ、その内部に水晶片3を水晶保持端子3bに導電性接着剤3aにより接合保持して構成した水晶パッケージ2水晶振動子というを接着し、水晶パッケージ2の上部開口をコバールまたは水晶板からなるリッド8をシーム溶接等により、密封封入して、構成されている。IC実装基板7の上面主面にIC実装バンプ5またはフリップチップボンディングにより実装されたICチップ4の下面主面と該上面主面との間には、熱応力による端子のクラック防止のため絶縁性のエポキシ樹脂11が充填され、また、ICチップ4の接合部4aは絶縁性のエポキシ樹脂で水晶パッケージ2と接合してもよい。そして、半田ボール6aがコアなしのため上から加熱押圧すると変形してしまうので、IC実装基板7にIC実装バンプ5を介して接合したICチップ4の垂直方向の高さhを位置決めの基準位置として用い、IC実装基板7の水晶振動子接続端子9aと水晶振動子2の底面に設けた水晶振動子2の端子9bとをコアなし内部にコア部分がない中実のの半田ボール6a導電体を介在させ、半田ボール6aを加熱溶融させて機械的電気的に水晶振動子2とIC実装基板の7とに接続する。ここで、接続後、塵埃の侵入を防止するため、コアなし半田ボール6aの周囲を樹脂封止してもよい。ここで、コアなし半田ボール6aを直接IC実装基板7の上面に設けた水晶振動子接続端子9a上に載置してもよいが、予めIC実装基板7上に半田を印刷した後、溶融してコアなし半田ボール6aを個片またはウエハレベルで形成してもよい。あるいは、予め水晶振動子2の端子9b上に半田を印刷した後、溶融してコアなし半田ボール6aを個片またはウエハレベルで形成してもよい。とくに、本実施例1で、コアなし半田ボール例えば、鉛フリー半田ボールを水晶振動子とIC実装基板の接続に用いることにより、例えば、銅コアボールにSnAgメッキしたコアありボールに比べて廉価な導電体としての半田ボールが得られるようになる。ここで、できるだけ、水晶発振器の低背化をはかるため、接続に用いる半田ボール6aの直径は50μm~300μmの範囲内とする。さらに、IC実装基板7の下面底面主面には、図2に示すように、顧客の実装基板図示せずに発振器を実装するための発振器実装端子30外部端子VDD:電源端子、GND:接地端子、OUT:発振出力端子、AFC:自動周波数制御端子が設けられている。これらの発振器実装端子30は、とくに、図4に詳細に示すように、IC実装基板7を貫通するビアホールに形成した貫通電極30aによりIC実装バンプ5の電極パッド5aに接続されている。また、IC実装基板7の上面主面には、前述したように、半田ボール6aを用いて水晶振動子2とIC実装基板7とを接続するために、水晶接続用端子GND,X1,X2端子9aが設けられ、これらの水晶接続用端子9aはICチップ4をIC実装基板7に実装するための電極パッド5aに接続されている。また、図3に示すように、ICチップ4をIC実装基板7に実装した状態では、水晶接続用端子9aGNDはIC端子50GNDに、X1端子9aX1は端子X1に、また、X2端子9aX2はX2端子にそれぞれ接続されている。ここで、図3の右下の水晶接続用端子はダミーまたはGND端子であって、オープンまたはGND端子に接続され、水晶振動子2を均等に保持するためにコアなし半田ボール6aを用いて、水晶振動子2と接続してもよい。また、図5に示すように、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例である温度補償型水晶発振器の温度補償回路は、温度補償電圧を発生させる温度センサ回路20と、温度センサ回路20の出力を用いて温度補償電圧を発生させる温度補償回路21と、温度補償量を決定するための不揮発性メモリ25と、水晶発振回路23と、水晶発振回路23に接続された自動周波数制御入力調整回路26と、定電圧回路27と、水晶発振回路23が出力するアナログ信号を出力するための出力バッファ回路24と、から構成されている。ここで、詳述すると、温度センサ回路20は、温度変化に対し出力が1次関数的に変化する電圧を発生し、温度補償回路21は、温度センサ回路20の出力電圧から水晶振動子2の周波数温度変化分を補償するための電圧を発生する。不揮発性メモリ25は、温度補償に用いるデータを格納し、自動周波数制御入力調整回路26は、AFC入力電圧に対する電圧利得を調整し、AFC入力電圧による周波数可変幅を調整する。また、水晶発振回路23は、ICチップ4の外部に接続された水晶振動子2と内蔵した増幅器、可変容量素子により電圧制御水晶発振器を構成している。さらに、定電圧回路27は、DC電源電圧から温度や電源電圧に依存しないICチップ内部で使用する電圧を発生し、出力バッファ回路24は、水晶発振回路の出力をバッファし、発振出力として出力する。また、図1cに示すように、IC実装基板7の内部にGND層7bを、あるいはIC実装基板7の配線の下にGND層7bを、GND層7bの最大外形寸法が水晶接続用端子9a及びICチップ4の配線パターンの外枠寸法よりも大きくなるように埋設して形成して、顧客の実装基板に本発明の表面実装用水晶発振器を実装した時に、水晶発振器の発振周波数が変動しないようにする。このようにして、IC実装基板7の配線パターン、IC実装電極の下にGND層を形成したので、携帯電話などの実装基板に本発明の表面実装用水晶発振器を実装した場合、水晶接続用端子9a及び水晶接続用端子9aとICチップ4の配線パターンと実装基板間の容量が変化して発振周波数が変化することが回避される。このように、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例1である温度補償型水晶発振器では、コアあり半田ボールと比較して廉価なコアなし半田ボールにより、IC実装基板に実装したICチップの高さを位置決めの基準として用いて、IC実装基板の水晶振動子接続端子と水晶振動子の端子を接続したので、正確、廉価かつ高生産性で水晶発振器を、個片またはウエハレベルで、製造することができるようになる。実施例2実施例2は、IC実装基板と水晶振動子を接続する導電体に異方性導電シートを用いたものである。すなわち、図6に示すように、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例2の温度補償型水晶発振器は、セラミックまたは水晶板あるいはガラス板からなるIC実装基板7の上面主面上にIC実装用バンプ半田または金バンプ5、あるいはフリップチップボンディングにより実装されたICチップ4と、このICチップ4の上面主面上に、セラミックまたは水晶板2a,2bからなり、かつ、その内部に水晶片3を水晶保持端子3bに導電性接着剤3aにより接合保持して構成した水晶パッケージ2水晶振動子というを接着し、水晶パッケージ2の上部開口をコバールまたは水晶板からなるリッド8を溶接などにより、密封封入して、構成されている。IC実装基板7の上面主面にIC実装バンプ5またはフリップチップボンディングにより実装されたICチップ4の下面主面と該上面主面との間に、絶縁性のエポキシ樹脂11を充填してもよい。そして、IC実装基板7にIC実装バンプ5を介して接合されたICチップ4の垂直方向の高さhを位置決めの基準として用い、IC実装基板7の水晶振動子接続端子9aと水晶振動子2の底面に設けた水晶振動子の端子9bに導電体である環状枠型の異方性導電シート6b図8参照を介在させて接続し、ICチップ4と水晶振動子2を接着剤4aで固定する。この異方性導電シート6bは、シートの面方向に絶縁性を保持し、その厚み方向に導通性をもち、厚み方向に挟んで加圧することにより、電気的に水晶振動子接続端子9aと水晶振動子の端子9bとが接続される。しかし、加圧により異方性導電シート6bが厚み方向に変形するので、実施例1と同様にICチップ4の垂直方向の高さhを位置決めの基準位置として用いる。ここで、異方性導電シート6aとしては、例えば、厚みが、30μm、導電粒子として粒子径が2μmのニッケル粒子をバインダー中に含有させたもの接着力がある、または、カーボン系導電繊維を絶縁性シリコーンの厚さ方向に高密度に配向した異方性導電シート接着力なしであって、シートの厚さが、例えば、200μm、導通繊維径が30μmのもの例えば、信越ポリマー社MAFタイプが用いられる。この異方性導電シート6bは、個片の水晶発振器のIC実装基板7の上面に環状に打ち抜いたものを個々に貼りつけてもよいし、あるいはウエハレベルで水晶発振器を製造する際、無駄を省くため、ウエハ上にテープ状の異方性導電シートを十文字に貼りつけた後、個片に分割してもよい。また、IC実装基板7の下面裏面主面には、図7に示し、かつ実施例1で詳述したように、顧客の実装基板図示せずに本発明の表面実装用水晶発振器を実装するための発振器実装端子外部端子30が設けられている。さらに、IC実装基板7の上面主面には、図9に示し、かつ、実施例1で詳述したように、異方性導電シート6bを用いて水晶振動子2を接続するために、水晶接続用端子9aが設けられている。そして、接着力がある異方性導電シート6aを用いる場合は、隙間を狭くするために、あらかじめ水晶接続用端子9aまたは、水晶振動子の端子9bに接続用半田バンプ28を形成しておく。本実施例2の温度補償型水晶振動子においても、図5に示し、かつ、実施例1で詳述したような、温度補償回路が設けられている。また、実施例1と同様に、IC実装基板7の内部にGND層を埋設して形成してもよい。実施例3実施例3は、水晶振動子接続基板29と水晶振動子2とを市販の接着力のある、または接着力のない導電体としての異方性導電シートで接続した温度補償型水晶発振器の実施例に関する。この実施例3の接着力のある異方性導電シート6cを用いた水晶発振器では、図10に示すように、セラミックまたは水晶板あるいはガラス板からなる水晶振動子接続基板29の水晶接続用端子9aに接続用半田バンプ28を形成する。ICチップ4の上面主面上にIC実装用バンプ半田または金5を載置し、セラミックまたは水晶板あるいはガラス板からなり、内部に水晶片3を載置した水晶パッケージ2a,2bからなる水晶振動子2の底面に電極パッド5aを介して接続する。次に、水晶振動子接続端子9bと環状枠型異方性導電シート6cを載置後図12参照に水晶振動子接続端子9aを対向させて重ね、加圧加熱して接続する。この時、補強のためICチップ4を接着剤4aで固定してもよい。また、図11に示すように、水晶振動子接続基板29の下面裏面には、顧客の実装基板に本発明の表面実装用水晶発振器を実装するための発振器実装端子外部端子30が設けられている。ICチップ4を水晶振動子2に接続したことにより、携帯電話などの実装基板に本発明の表面実装用水晶発振器を実装した場合、水晶振動子接続端子10及びIC端子50X1、IC端子50X2と、実装基板間の容量が変らないため、発振周波数の変化が回避される。また、実施例1と同様に水晶振動子接続基板29の内部にGND層を埋設して形成してもよい。さらに、図13aは、水晶振動子2をIC端子50側から見た平面図である。ここでは、水晶片3とビアホールで接続された水晶振動子接続端子10が設けられており、水晶振動子2の特性を測定することができる。セラミック板2bの両端部には水晶振動子接続基板29と接続するための水晶接続端子9bが設けられており、IC端子50の両端と接続されている。また、セラミック板2bの中央部のIC端子50X1とIC端子50X2は、それぞれ水晶振動子接続端子10X1と水晶振動子接続端子10X2に接続されている。ここで、図13bは、ICチップ4をIC端子50に搭載後の平面図である。実施例4実施例3の接着力のある異方性導電シートでは、異方性導電シート6cを加圧して、バインダー中の導電粒子同士を接触させて接続用半田バンプ28と水晶接続端子9bを導通させる。そのとき、バインダーを加熱することにより水晶振動子2と水晶振動子接続基板29を接着できる。これに対して、実施例4の接着力がない異方性導電シートを用いた水晶発振器では、図14に示すように、接続用半田バンプ28を形成することなく、異方性導電シートを加圧することで水晶接続端子9bと導通できる。そのとき、位置決めと機械的な強度を保つため、ICチップ4と水晶振動子接続基板29間に接着剤4aを塗布、加熱することで両方を固定する。ここで、上記した接着剤4aとしては、温度を付加して接着する絶縁性のあるエポキシ系接着剤が好適である。また、図15に示すように、水晶振動子接続基板29の下面底面には、発振器実装端子外部端子30が設けられている。また、ICチップ4を水晶振動子2に接続したことにより携帯電話などの実装基板に本発明の表面実装用水晶発振器を実装した場合、水晶振動子接続端子10及びIC端子50X1、IC端子50X2と実装基板間の容量が変らないため、発振周波数の変化が回避される。また、実施例1と同様に水晶振動子接続基板29の内部にGND層を埋設して形成してもよい。その他の実施例実施例1及び2では、ICチップ4をIC実装基板に接続したが、実施例3及び4と同様に、水晶振動子側に接続した構成でもよい。また、実施例3及び4ではICチップ4を水晶振動子側に接続したが、実施例1及び2と同様に、IC実装基板に接続した構成でもよい。"