基板と、前記基板の一方の主面の側に設けられた第1の電極と、前記第1の電極の上に設けられた第2の電極と、前記第2の電極の上に設けられた第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2の半導体層と、を備え、前記第2の電極は、前記第1の半導体層が設けられる側の面に複数の第1の凹部を有したことを特徴とする半導体発光素子。前記第1の凹部の深さ寸法は、50nm以上、1μm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。前記第1の電極は、Ag銀を用いて形成され、前記第2の電極は、ITOIndiumTinOxideを用いて形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。前記第2の半導体層は、前記発光層が設けられる側とは反対の側の面に複数の第2の凹部を有したことを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記第2の半導体層の上に設けられた第3の電極をさらに備え、前記第1の電極と、前記第3の電極と、は、対峙して設けられたことを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。本発明が解決しようとする課題は、発光特性のばらつきを抑制することができ、且つ、光の取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供することである。実施形態に係る半導体発光素子は、基板と、前記基板の一方の主面の側に設けられた第1の電極と、前記第1の電極の上に設けられた第2の電極と、前記第2の電極の上に設けられた第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2の半導体層と、を備えている。そして、前記第2の電極は、前記第1の半導体層が設けられる側の面に複数の第1の凹部を有している。以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。また、以下においては、一例として、上下通電を行う半導体発光素子ThinFilm型の半導体発光素子を例に挙げて説明する。図1は、本実施の形態に係る半導体発光素子を例示するための模式断面図である。なお、図1aは半導体発光素子の模式断面図、図1bは図1aにおけるA部の模式拡大図である。また、図中に示すX方向、Y方向、Z方向は互いに直交する方向を表している。X方向、Y方向は基板2の主面に対して平行な方向を表し、Z方向は基板2の主面に対して垂直な方向積層方向を表している。図1に示すように、半導体発光素子1には、基板2、接合層3、接合層4、電極5第1の電極の一例に相当する、電極6第2の電極の一例に相当する、半導体層7第1の半導体層の一例に相当する、発光層8、半導体層9第2の半導体層の一例に相当する、電極10第3の電極の一例に相当する、絶縁層11、基台12、封止部13が設けられている。基板2は、板状を呈し、例えば、p形またはn形の導電性シリコンを用いて形成されたものとすることができる。基板2の厚みは、例えば、100μm程度とすることができる。接合層3は、基板2の上に設けられている。接合層4は、接合層3の上に設けられている。接合層3、接合層4は、基板2と電極5とをオーミック接触させるために設けられている。接合層3、接合層4は、例えば、AuSn金錫合金/Siシリコンの二重層などにより形成されるものとすることができる。電極5は、接合層4の上に設けられている。この場合、接合層4に凹部を設け、接合層4に設けられた凹部の内部を埋め込むようにして電極5を設けるようにすることができる。また、接合層4の上面と電極5の上面とが同一平面内にあるようにすることができる。電極5は、Ag銀を用いて形成されている。この場合、電極5がNiAgを用いて形成されたものとすれば光の吸収が多くなる。そのため、電極5がAgを用いて形成されたものとしている。電極6は、電極5の上に設けられている。本実施の形態においては、電極5と電極6とがp側電極となる。ここで、本発明者らの得た知見によれば、電極5がAgを用いて形成されたものとすれば、光の取り出し効率を向上させることができるが、発光特性のばらつきが大きくなるという新たな問題が生じる。例えば、半導体発光素子1の輝度のばらつきが大きくなるという問題が生じる。そのため、本実施の形態においては、電極5の上に所定の材料を用いた電極6を設けることで、発光特性のばらつきを抑制するようにしている。この場合、電極6は、導電性を有し、且つ、光の吸収が少ない材料を用いて形成することが好ましい。またさらに、電極6は、電極5がAgを用いて形成された場合であっても発光特性のばらつきを抑制することができる材料を用いて形成することが好ましい。本発明者らの得た知見によれば、電極6をITOIndiumTinOxide;酸化インジウムスズを用いて形成するようにすれば、電極5がAgを用いて形成された場合であっても発光特性のばらつきを抑制することができる。この場合、ITOは、導電性を有し、且つ、光の吸収が少ない材料でもある。そして、半導体発光素子1においては、発光層8において発生した光を外部に効率よく取り出せるようにすることが好ましい。そのためには、電極5、電極6が、発光層8からの光をより反射させ易い構成を有したものとすることが好ましい。そこで、本実施の形態においては、電極5は光の吸収が比較的少ないAgを用いて形成されたものとしている。また、電極6は、半導体層7が設けられる側の面に複数の凹部6aを有したものとされている。なお、凹部6aに関する詳細は後述する。半導体層7は、電極6の上に設けられている。この場合、半導体層7は電極6と密着するように設けられ、凹部6a同士の間にも半導体層7が埋め込まれるようにして設けられている。半導体層7は、p形となるようにドープされた半導体p形半導体を用いて形成されたものとすることができる。この場合、半導体層7は、p形の窒化物半導体を用いて形成されたものとすることができる。窒化物半導体としては、例えば、GaN窒化ガリウム、AlN窒化アルミニウム、AlGaN窒化アルミニウムガリウム、InGaN窒化インジウムガリウムなどを例示することができる。発光層8は、半導体層7の上に設けられている。発光層8は、正孔および電子が再結合して光を発生する井戸層と、井戸層よりも大きなバンドギャップを有する障壁層クラッド層と、によって構成された量子井戸構造を有するものとすることができる。この場合、単一量子井戸SQW;SingleQuantumWell構造を有するものとしてもよいし、多重量子井戸MQW;MultipleQuantumWell構造を有するものとしてもよい。また、単一量子井戸構造のものを複数積層するようにしてもよい。例えば、単一量子井戸構造のものとしては、GaNからなる障壁層、InGaNからなる井戸層、GaNからなる障壁層がこの順で積層されたものを例示することができる。多重量子井戸構造のものとしては、GaNからなる障壁層、InGaNからなる井戸層、GaNからなる障壁層、InGaNからなる井戸層、GaNからなる障壁層がこの順で積層されたものを例示することができる。この場合、前述した半導体層7を障壁層とすることもできる。なお、発光層8は量子井戸構造を有するものに限定されるわけではなく、発光可能な構造を有したものとすることができる。半導体層9は、発光層8の上に設けられている。半導体層9は、n形となるようにドープされた半導体n形半導体を用いて形成されたものとすることができる。この場合、半導体層9は、n形の窒化物半導体を用いて形成されたものとすることができる。窒化物半導体としては、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaNなどを例示することができる。また、半導体層9は、発光層8が設けられる側とは反対の側の面に複数の凹部9aを有している。すなわち、半導体層9の光取り出し面には複数の凹部9aが設けられている。凹部9aは、発光層8からの光や電極5、電極6により反射された光の取り出し効率を向上させるために設けられている。半導体層9の光取り出し面に複数の凹部9を設けるようにすれば、光の散乱のような効果を生じさせることができるので、光の取り出し効率を向上させることができる。なお、凹部9aの形状、大きさ、配設ピッチ寸法などは、図1に例示をしたものに限定されるわけではなく、光の波長、半導体層9の屈折率などに応じて適宜変更することができる。この場合、光の波長、半導体層9の屈折率などに応じてシミュレーションを行い、最適な凹部9aの形状、大きさ、配設ピッチ寸法などを求めるようにすることができる。例えば、半導体層9がGaNを用いて形成される場合には、深さ寸法が100nm程度の凹部9aを等間隔に設けるようにすることができる。電極10は、半導体層9の上に設けられている。本実施の形態においては、電極10がn側電極となる。そして、電極5電極6と、電極10と、が対峙して設けられることで、ThinFilm型の半導体発光素子1が構成されている。電極10は、例えば、Niニッケル/Au金の二重層などの金属材料を用いて形成されたものとすることができる。絶縁層11は、接合層3、接合層4、電極6、半導体層7、発光層8、半導体層9の露出部分を覆うようにして形成されている。絶縁層10は、例えば、SiO2二酸化シリコンなどの絶縁性材料を用いて形成されたものとすることができる。基台12は、例えば、銀めっきされた基板や金属基板などとすることができる。基台12の一方の面上には、基板2が設けられている。封止部13は、基板2、接合層3、接合層4、電極5、電極6、半導体層7、発光層8、半導体層9、電極10、絶縁層11が積層された積層体を覆うようにして設けられている。封止部13は、積層体を保護するために設けられている。また、封止部13は、発光層8から出射した光を透過させる。そのため、封止部13は、透光性を有する樹脂材料を用いて形成されたものとすることができる。透光性を有する樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート、環状ポリオレフィン、脂環式アクリル、アリルジグリコールカーボネート、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂などを例示することができる。また、封止部13は、例えば、半球状を呈したものとすることができる。封止部13が半球状を呈したものとすれば、封止部13にレンズの機能を持たせることができる。次に、電極6についてさらに例示をする。前述したように、電極6は、半導体層7が設けられる側の面に複数の凹部6aを有している。凹部6aは、発光層8からの光を反射させることで光の取り出し効率を向上させるために設けられている。図2は、凹部6aの配設形態を例示するための模式平面図である。なお、図2は、図1におけるZ方向から凹部6aを見た場合である。図2aに示すように、平面視において格子状となるような凹部6a1を設けるようにすることができる。凹部6a1の内部には半導体層7の一部が埋め込まれている。図2bに示すように、平面視においてストライプ状となるような凹部6a2を設けるようにすることができる。凹部6a2の内部には半導体層7の一部が埋め込まれている。図2cに示すように、平面視において断面形状が矩形となるような凹部6a3を設けるようにすることができる。凹部6a3の内部には半導体層7の一部が埋め込まれている。図2dに示すように、平面視において断面形状が円形となるような凹部6a4を設けるようにすることができる。凹部6a4の内部には半導体層7の一部が埋め込まれている。図2eに示すように、平面視において断面形状が円形となり、且つ、大きさと配設ピッチ寸法の異なる凹部6a5を設けるようにすることができる。凹部6a5の内部には半導体層7の一部が埋め込まれている。なお、凹部6aの形状、大きさ、配設ピッチ寸法などは、図2に例示をしたものに限定されるわけではなく、光の波長、電極6の屈折率、半導体層7の屈折率などに応じて適宜変更することができる。この場合、光の波長、電極6の屈折率、半導体層7の屈折率などに応じてシミュレーションを行い、最適な凹部6aの形状、大きさ、配設ピッチ寸法などを求めるようにすることができる。例えば、電極6がITOを用いて形成され、半導体層7がGaNを用いて形成された場合には、凹部6aの深さは50nm以上、1μm以下とすることができる。この場合、例えば、凹部6aの形状を図2dに例示をしたものとすれば、凹部6aの配設ピッチ寸法凹部6aの中心間の寸法は、0.2μm程度とすることができる。図3は、電極6の半導体層7が設けられる側の面に凹部6aを設けた場合の効果を例示するための模式グラフ図である。図6中のNo.1は、電極6が設けられていない場合、すなわち、p側電極として電極5のみが設けられた場合である。No.2は、凹部6aを有さない電極6が設けられた場合、すなわち、平坦な膜状の電極6が設けられた場合である。No.3は、半導体層7が設けられる側の面に複数の凹部6aを有した電極6が設けられた場合である。図3に示すように、凹部6aを有さない電極6を設けるようにすれば、電極6が設けられていない場合と比べて光の取り出し効率を僅かに増加させることができる。これに対して、半導体層7が設けられる側の面に複数の凹部6aを有した電極6を設けるようにすれば、電極6が設けられていない場合と比べて光の取り出し効率を大幅に増加させることができる。例えば、半導体層7が設けられる側の面に複数の凹部6aを有した電極6を設けるようにすれば、電極6が設けられていない場合と比べて光の取り出し効率を25程度増加させることができる。ここで、電極5が設けられる側の面に複数の凹部6aを有した電極6とすることも考えられる。この場合、Agを用いて形成された電極5の屈折率は0.136程度、ITOを用いて形成された電極6の屈折率は1.967程度、GaNを用いて形成された半導体層7の屈折率は2.4程度となる。そのため、半導体層7の屈折率と電極6の屈折率との差よりも、電極6の屈折率と電極5の屈折率との差の方が大きくなる。その結果、半導体層7と電極6との界面における反射率よりも、電極6と電極5との界面における反射率の方が高くなる。本実施の形態においては、反射率が低くなる側の界面電極6の半導体層7が設けられる側の面に凹部6aを設けることで反射率が低くなる側の界面における反射率を増加させるようにしている。そのため、電極6の半導体層7が設けられる側の面に凹部6aを設けるようにすれば、電極6の電極5が設けられる側の面に凹部6aを設ける場合と比べて、反射率を高くすることが可能となる。以上に例示をした実施形態によれば、発光特性のばらつきを抑制することができ、且つ、光の取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を実現することができる。以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。