1つのシード構造体が埋め込まれた細長構造体を含む有核ロッドSRナノ構造体であって、前記シード構造体がコア/シェル構造体又は単一材料ロッド要素であり、当該シードがロッド要素である場合、前記要素を埋め込んだ前記細長構造体の材料の一方の端部での前記ナノ構造体の1つの軸に沿った厚さは、同じ軸に沿った他方の端部と比較して大きい、又は1つの軸に沿った厚さが、別の軸と比較して大きく、当該シードはコア/シェル構造体である場合、当該コア及びシェルのうちの少なくとも一方の材料が半導体材料であるナノ構造体。前記細長構造体の材料及び前記シードの材料は半導体材料の中から独立して選択される請求項1に記載のナノ構造体。前記シード構造体がコア/シェル構造体である請求項1又は2に記載のナノ構造体。前記コア/シェル構造体は、形状が球状又は非球状であり、前記細長構造体の中に同軸性状又は非同軸性状に位置している請求項3に記載のナノ構造体。前記コア/シェル構造体は、形状が球状であり、1つ又は複数のシェルを有し、各シェルが約0.2nm~20nmの範囲の厚さを有する請求項4に記載のナノ構造体。前記コア/シェル構造体は形状が細長である請求項4に記載のナノ構造体。前記構造体の最も長い軸の長さは6~100nmである請求項6に記載のナノ構造体。前記構造体の直径は1.5~10nmである請求項6に記載のナノ構造体。前記細長形状のコア/シェル構造体はアスペクト比が1.8を超える請求項6に記載のナノ構造体。前記アスペクト比が2を超える請求項6に記載のナノ構造体。前記アスペクト比が3を超える請求項6に記載のナノ構造体。前記アスペクト比が10を超える請求項6に記載のナノ構造体。前記アスペクト比が1.8~50である請求項6に記載のナノ構造体。前記コア/シェル構造体がコア/多層シェル構造体である請求項1に記載のナノ構造体。前記コア/シェル構造体が、球状コア/球状シェル、球状コア/細長シェル、及び細長コア/細長シェルから選択される請求項1に記載のナノ構造体。前記コア/シェル構造体が、球状コア/球状シェル、球状コア/球状シェル1/球状シェル2、球状コア/細長シェル、球状コア/球状シェル1/細長シェル2、球状コア/細長シェル1/細長シェル2、細長コア/細長シェル、及び細長コア/細長シェル1/細長シェル2から選択される請求項15に記載のナノ構造体。前記コア/シェル構造体の前記コアは、形状が球状であり、約1~約20nmの範囲の直径を有する請求項1に記載のナノ構造体。前記コアは、形状がロッド様であり、前記ロッド様の最も長い軸の長さが約5nm~約500nmの範囲である請求項1に記載のナノ構造体。前記最も長い軸の長さが10~100nmである請求項18に記載のナノ構造体。前記ロッド様コアの厚さが約2~約20nmの範囲である請求項18に記載のナノ構造体。前記厚さが約2~約10nmである請求項20に記載のナノ構造体。前記ロッド様コアはアスペクト比が1.8~50である請求項18に記載のナノ構造体。第1の材料の細長構造体を含み、これは第2の材料のコアとさらなる材料の少なくとも1つのシェルとを含むコア/シェル構造体を埋め込んでおり、前記第1、第2、及びさらなる材料の各々が、隣接した材料が互いに異なるように選択される請求項1に記載のナノ構造体。前記シェル材料は、その上で異方性の成長を可能にする多形結晶形を有するように選択される請求項23に記載のナノ構造体。異方性の成長を可能にする前記材料は、立方晶亜鉛ブレンド及び非立方晶の結晶構造を有し、前記非立方構造は、六方晶ウルツ鉱、単斜晶、斜方晶、菱面体晶、及び正方晶の結晶構造から選択される請求項24に記載のナノ構造体。前記第1の材料、前記第2のコアの材料、及び単数または複数の前記さらなる材料の各々は、他のものとは独立に、金属、金属合金、金属酸化物、絶縁体、及び半導体材料の中から選択される請求項23に記載のナノ構造体。前記材料の各々は、元素周期表のdブロックのIIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB、IIB、IIIA、IVA、及びVA族の元素であるか又はそれを含む請求項26に記載のナノ構造体。前記材料の各々は、周期表のdブロックのIIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB、及びIIB族から選択される遷移金属であるか又はそれを含む請求項27に記載のナノ構造体。前記遷移金属は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Tc、Ru、Mo、Rh、W、Au、Pt、Pd、Ag、Mn、Co、Cd、Hf、Ta、Re、Os、Ir、及びHgから選択される金属である請求項29に記載のナノ構造体。前記材料の各々は、I-VII族、II-VI族、III-V族、IV-VI族、III-VI族、及びIV族半導体の元素並びにそれらの組み合わせから選択される半導体材料である請求項26に記載のナノ構造体。前記半導体材料は、CuCl、CuBr、CuI、AgCl、AgBr、AgI、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるI-VII族半導体である請求項30に記載のナノ構造体。前記半導体材料は、CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnSe、ZnO、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるII-VI族材料である請求項30に記載のナノ構造体。前記半導体材料は、InAs、InP、InN、GaN、InSb、InAsP、InGaAs、GaAs、GaP、GaSb、AlP、AlN、AlAs、AlSb、CdSeTe、ZnCdSe、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるIII-V族材料である請求項30に記載のナノ構造体。前記半導体材料は、PbSe、PbTe、PbS、PbSnTe、Tl2SnTe5、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるIV-VI族材料である請求項30に記載のナノ構造体。前記材料はIV族の元素であるか又はそれを含む請求項30に記載のナノ構造体。前記材料はC、Si、Ge、Sn、Pbから選択される請求項35に記載のナノ構造体。前記材料の各々は、金属、金属合金、及び金属酸化物から選択される請求項23に記載のナノ構造体。前記材料の各々は半導体材料であるか又はそれを含む請求項23に記載のナノ構造体。前記コア/シェルがInAs、InP、CdSe、ZnTe、ZnSe、及びZnSeTeから選択されるコアの材料を含む請求項1に記載のナノ構造体。前記コア/シェルにおいてシェル材料の各々はCdSe、CdS、CdSSe、CdZnSe、CdZnS、ZnS、ZnSe、及びZnTeから選択される請求項1に記載のナノ構造体。前記細長構造体の材料はCdS、CdZnS、ZnS、ZnTe、及びZnTe/ZnSから選択される、請求項1に記載のナノ構造体。InAs/CdSe/CdS、InP/ZnTe/ZnS、InP/ZnSe/ZnTe、InP/ZnSe/CdS、InP/ZnSe/ZnS、ZnTe/ZnSe/ZnS、ZnSe/ZnTe/ZnS、ZnSeTe/ZnTe/ZnS、CdSe/CdSSe/CdS、CdSe/CdS/CdZnS、CdSe/CdZnSe/CdZnS、及びCdSe/CdZnS/ZnSから選択される請求項1に記載のナノ構造体。InAs/CdSe/ZnSe/CdS及びInP/ZnSe/ZnTe/ZnSから選択される請求項1に記載のナノ構造体。前記細長構造体の材料はCdS、CdZnS、ZnS、ZnTe、及びZnTe/ZnSから選択される請求項40に記載のナノ構造体。前記シード構造体は単一材料のロッド要素である請求項1に記載のナノ構造体。前記細長構造体は、単一材料のロッド要素から成り、前記細長構造体の中に同軸性状又は非同軸性状に位置している請求項1に記載のナノ構造体。前記ロッド要素は前記細長構造体の中に非同軸性状に位置している請求項46に記載のナノ構造体。前記ロッド要素は前記細長構造体の中に同軸性状に位置しており、軸の1つに沿った前記細長構造体材料の厚さは、他の軸と比較して、実質的に異なっている請求項46に記載のナノ構造体。長軸に沿った前記細長構造体の材料の厚さは、短軸に沿った厚さの少なくとも2倍大きい請求項48に記載のナノ構造体。長軸に沿った前記細長構造体材料の厚さは、短軸の厚さの少なくとも3倍大きい請求項48に記載のナノ構造体。前記細長構造体材料及び前記ロッド要素材料の各々は、他のものとは独立に、金属酸化物、絶縁体、及び半導体材料の中から選択される請求項45に記載のナノ構造体。前記材料の各々は、I-VII族、II-VI族、III-V族、IV-VI族、III-VI族、及びIV族半導体の元素、並びにそれらの組み合わせから選択される半導体材料である、請求項51に記載のナノ構造体。前記半導体材料は、CuCl、CuBr、CuI、AgCl、AgBr、AgI、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるI-VII族半導体である請求項52に記載のナノ構造体。前記半導体材料がCdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnSe、ZnO、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるII-VI族材料である請求項52に記載のナノ構造体。前記半導体材料がInAs、InP、InN、GaN、InSb、InAsP、InGaAs、GaAs、GaP、GaSb、AlP、AlN、AlAs、AlSb、CdSeTe、ZnCdSe、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるIII-V族材料である、請求項52に記載のナノ構造体。前記半導体材料は、PbSe、PbTe、PbS、PbSnTe、Tl2SnTe5、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるIV-VI族材料である請求項52に記載のナノ構造体。前記材料はIV族の元素であるか又はそれを含む請求項52に記載のナノ構造体。前記材料はC、Si、Ge、Sn、Pbから選択される請求項57に記載のナノ構造体。前記材料の各々は半導体材料であるか又はそれを含む請求項51に記載のナノ構造体。前記コア/シェル構造体は形状が細長である請求項1に記載のナノ構造体。前記細長コア/シェル構造体は細長コアといくつかの細長シェルとを含む請求項62に記載のナノ構造体。シェルの数が1~30の範囲である請求項61に記載のナノ構造体。細長コア/細長シェル及び細長コア/細長シェル1/細長シェル2から選択される請求項60に記載のナノ構造体。請求項1に記載の有核ロッドナノ構造体を製造する方法であって、請求項1で定義されるシード構造体の表面上への前記細長構造体材料の細長の成長を可能にする条件下で、前記シード構造体を溶液中で前記細長構造体材料の少なくとも1つの前駆体と接触させ、それにより有核ロッドを得ることを含む方法。-予め作製したシード構造体の溶液を得ることと、前記シード構造体の各々はロッド要素シード、コア/シェルシード、及びコア/多層シェルシードから選択される、-前記シード構造体の表面上への前記材料の細長の成長を可能にする条件下で、前記シード構造体を溶液中で細長構造体材料の前駆体溶液と接触させることとを含み、それにより有核ロッドナノ構造体を得る請求項64に記載の方法。前記有核ロッドを単離することをさらに含む請求項65に記載の方法。前記シード構造体はコア/シェルnナノ構造体であり、-コア/シェルn構造体の溶液を提供することと、-シェルnの表面上への前記材料の細長の成長を可能にする条件下で、前記コア/シェルn構造体を前記細長構造体材料の前駆体溶液と接触させることとを含み、それによりコア/シェルn有核ロッドナノ構造体を得る請求項65に記載の方法。前記シード構造体はロッド要素であり、-ロッド要素の溶液を提供することと、-前記ロッド要素の表面上への前記材料の細長の成長を可能にする条件下で、前記ロッド要素を前記細長構造体材料の前駆体溶液と接触させることとを含み、それによりロッドインロッドナノ構造体を得る請求項67に記載の方法。前記シード構造体を前記細長構造体材料の前駆体と共に成長溶液中に添加することにより、前記接触を溶液中で行う請求項64から68のいずれか一項に記載の方法。前記添加が高温にある成長溶液中への注入によって行われる請求項69に記載の方法。外側ロッド半導体に対するコア半導体のレベルのバンド構造がタイプI又はタイプIIを示す請求項1から63のいずれか一項に記載のナノ構造体。請求項1から63のいずれか一項に記載のナノ構造体を含むデバイス。電子デバイス又は光学デバイスである請求項72に記載のデバイス。送信機、レーザー、Qスイッチ、スイッチ、光スイッチ、光ファイバー、増幅器、アンプ、ディスプレイ、検出器、通信システム、発光ダイオード、光変換層、太陽電池、及びセンサーから選択される請求項73に記載のデバイス。