"希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下であることを特徴とする高純度エルビウム。希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下であることを特徴とする高純度エルビウムスパッタリングターゲット。希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下であることを特徴とする高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜。粗エルビウムを溶融塩電解し、得られた電析物を蒸留することにより、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下である高純度エルビウムを得ることを特徴とする高純度エルビウムの製造方法。塩化カリウムKCl、塩化リチウムLiCl、塩化エルビウムErCl3及びエルビウムEr原料を用いて溶融塩を作製し、浴温度を700°C以上900°C以下として溶融塩電解することを特徴とする請求項4記載の高純度エルビウムの製造方法。溶融塩電解のアノードにタンタルTaを、カソードにタンタルTa又はチタンTiを用いて電解することを特徴とする請求項4又は5記載の高純度エルビウムの製造方法。溶融塩電解において、Al、Fe、Cu、Ta、Wを除去し含有量の低減化を図ることを特徴とする請求項4~6のいずれか一項に記載の高純度エルビウムの製造方法。電析物の蒸留に際し、第1回目の蒸留において蒸留温度を700°C以上1200°C以下に保持して、エルビウムよりも蒸気圧の高い不純物を除去した後、第2回目の蒸留において1550°C以上2750°C以下の温度に保持し、エルビウム自体を蒸留することを特徴とする請求項4~7のいずれか一項に記載の高純度エルビウムの製造方法。前記第1回目の蒸留において、Li、Na、K、Ca、Mgを含む蒸気圧の高い不純物を除去し、不純物含有量の低減化を図ることを特徴とする請求項8記載の高純度エルビウムの製造方法。前記第2回目の蒸留において、エルビウムを蒸留し、Ta、Tiを含む蒸気圧の低い不純物を分離することを特徴とする請求項8記載の高純度エルビウムの製造方法。本発明は、融点が高く金属溶融状態での精製が難しいエルビウムを高純度化する方法及びそれによって得られた高純度エルビウム並びに高純度材料エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度材料エルビウムを主成分とするメタルゲート用薄膜を効率的かつ安定して提供できる技術を提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、粗原料を溶融塩電解し、これによって得られた電析物を蒸留精製することにより、さらに向上した純度を持つ高純度のエルビウムを安定的に製造できる高純度エルビウムの製造方法を提供するものであり、これによって、高純度エルビウム、高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット、高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜を得ることができるという知見が得られた。本発明は、この知見に基づいて、以下の発明を提供するものである。1希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下であることを特徴とする高純度エルビウム。2希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下であることを特徴とする高純度エルビウムスパッタリングターゲット。3希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下であることを特徴とする高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜。また、本発明は、4粗エルビウムを溶融塩電解し、得られた電析物を蒸留することにより、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属が、それぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下である高純度エルビウムを得ることを特徴とする高純度エルビウムの製造方法。5塩化カリウムKCl、塩化リチウムLiCl、塩化エルビウムErCl及びエルビウムEr原料を用いて溶融塩を作製し、浴温度を700°C以上900°C以下として溶融塩電解することを特徴とする4記載の高純度エルビウムの製造方法。6溶融塩電解のアノードにタンタルTaを、カソードにタンタルTa又はチタンTiを用いて電解することを特徴とする上記4又は5記載の高純度エルビウムの製造方法。7溶融塩電解において、Al、Fe、Cu、Ta、Wを除去し含有量の低減化を図ることを特徴とする上記4~6のいずれか一項に記載の高純度エルビウムの製造方法。8電析物の蒸留に際し、第1回目の蒸留において蒸留温度を700°C以上1200°C以下に保持して、エルビウムよりも蒸気圧の高い不純物を除去した後、第2回目の蒸留において1550°C以上2750°C以下の温度に保持し、エルビウム自体を蒸留することを特徴とする上記4~7のいずれか一項に記載の高純度エルビウムの製造方法。上記のように、第1回目の蒸留に際しては、加熱炉を使用し、真空加熱し、蒸気圧差によりメタルと塩とを分離するが、通常の場合、その温度は700°C以上1200°C以下とする。保持時間は10~20hとするが、原料の量により、適宜調節することができる。また、第2回目の蒸留に際しては、同様の加熱炉を使用して真空加熱し、エルビウムを蒸発させて精製する。通常の場合、その温度は1550°C以上2750°C以下とする。保持時間は10~20hとするが、原料の量により、適宜調節することができる。9前記第1回目の蒸留において、Li、Na、K、Ca、Mgを含む蒸気圧の高い不純物を除去し、不純物含有量の低減化を図ることを特徴とする上記8記載の高純度エルビウムの製造方法。10前記第2回目の蒸留において、エルビウムを蒸留し、Ta、Tiを含む蒸気圧の低い不純物を分離することを特徴とする上記8記載の高純度エルビウムの製造方法。本発明は、蒸気圧が高く金属溶融状態での精製が難しいエルビウムを高純度化することが容易であり、その方法を提供するともに、それによって得られた高純度エルビウム並びに高純度材料エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度材料エルビウムを主成分とするメタルゲート用薄膜を、効率的かつ安定して提供できるという優れた効果を有する。本発明の高純度エルビウムは、上記の通り希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下であるが、このようにして得た高純度エルビウムは新規な物質であり、本願発明はこれを包含するものである。希土類元素及びガス成分を除いた不純物の量が10wtppmを超える場合には、低減化が容易である不純物について優先的に低減化を図り、全体として純度5Nを維持することが望ましい。上記の蒸留により得たエルビウムは、真空中で溶解し、これを凝固させてインゴットとする。このインゴットは、さらに所定サイズに裁断し、研磨工程を経てスパッタリングターゲットにすることができる。したがって、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下である高純度エルビウムスパッタリングターゲットを得ることができる。さらに、上記のターゲットを使用してスパッタリングすることにより、基板上に、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下であることを特徴とする高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜を得ることができる。また、上記高純度エルビウムを用いて他の金属との合金若しくは化合物又は他のセラミックスとの混合物又はこれらの焼結体スパッタリングターゲットを作製し、このターゲットを用いて高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜を作製できる。これらの場合、前記高純度エルビウムの組成が反映されることは理解されるべきものである。これらのスパッタリングターゲット及びメタルゲート膜は、いずれも新規な物質であり、本願発明はこれを包含するものである。本願発明は、エルビウム原料として、純度3N以下の粗エルビウム原料を使用することができる。通常、これらの原料には、希土類元素を除き、主な不純物として、Na、K、Ca、Mg、Fe、Cr、Ni、O、C、N等が含有されている。また、溶解するるつぼ材から、Ta、Wの不純物が混入する。本発明の高純度エルビウムの製造に際しては、粗エルビウムを溶融塩電解し、得られた電析物を蒸留することにより、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属が、それぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下である高純度エルビウムを得ることができる。この溶融塩電解に際しては、塩化カリウムKCl、塩化リチウムLiCl、塩化エルビウムErCl3及びエルビウムEr原料を用いて溶融塩を作製し、浴温度を700°C以上900°C以下として溶融塩電解することが有効である。上記に限定される必要はないが、好ましい方法と言える。浴温度を700°C以上900°C以下とするのは、効率的な溶融塩電解を行うための温度でもある。前記溶融塩電解のアノードに、タンタルTaを、カソードにタンタルTa又はチタンTiを用いて電解することができる。この場合の材料の選択は、製造コストと汚染物質との関係を考慮し、任意に選択することができる。上記溶融塩電解においては、Al、Fe、Cu、Ta、Wを除去し、含有量の低減化を図ることができ、これらの不純物の除去に溶融電解が極めて有効である。Al、Fe、Cu、Ta、Wの元素の低減化は、エルビウムターゲットから薄膜を製作した際のリーク電流の低下、耐圧の上昇に効果的である。また、電析物の蒸留に際しては、第1回目の蒸留において蒸留温度を700°C以上1200°C以下に保持して、エルビウムよりも蒸気圧の高い不純物を除去する。700°C以上とするのは、不純物の除去を効果的に行うための温度であり、1200°C以下に保持するのは、エルビウムの蒸発によるロスを減少させるためである。この第1回目の蒸留において、Li、Na、K、Ca、Mgを含む蒸気圧の高い不純物を効果的に除去することができる。この後、必要に応じて第2回目の蒸留を1550°C以上2750°C以下の温度に保持して、エルビウム自体を蒸留し、さらに高純度のエルビウムを得ることができる。この第2回目の蒸留は、さらにエルビウムの高純度化が必要である場合に行う。この第2回目の蒸留では、エルビウムが蒸留され純度が向上したエルビウムがコンデンサ部に貯留する。この蒸留物を坩堝で溶解し、凝固させてインゴットとする。この溶解及び凝固の操作は、不活性雰囲気中で行うのが良い。これによって、酸素含有率の上昇を抑制することができる。真空中で溶解凝固の操作を行うこともできるが、歩留まりが悪くなる傾向があるので、上記の通り不活性雰囲気で行うのが望ましいと言える。しかし、真空中での操作を否定するものではない。1550°C以上とするのは、エルビウムの蒸留を効果的にするためであり、これによりTa、Tiを含む蒸気圧の低い不純物を分離することができる。2750°C以下の温度とするのは、熱のロスを避けるためであり、また蒸気圧の低い物質との分離を効果的にするためである。エルビウムに含まれる不純物元素の代表例となる元素の温度と蒸気圧の関係を図1に示す。この図により、エルビウムに近いCuは、蒸留では除去が難しいと言える。したがって、Cuは蒸留を行う以前に除去することが必要である。以上により、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下とすることができる。前記アルカリ金属元素は、リチウムLi、ナトリウムNa、カリウムK、ルビジウムRb、セシウムCs、フランシウムFrであり、アルカリ土類金属元素は、カルシウムCa、バリウムBa、ベリリウムBe、マグネシウムMgである。これらは電気的に陽性であり、例えばエルビウムを電子部品に使用した場合には、原子半径が小さいものは素子中を容易に移動し、素子の特性を不安定にする問題がある。それぞれの金属元素の総量としては、10wtppmまでの混入は許容できるが、できるだけ少ない方が良く、さらに、それぞれ1wtppm以下とすることがより好ましい。前記遷移金属元素は、周期表3族~11族にある金属であるが、代表的なものとして、チタンTi、バナジウムV、クロムCr、マンガンMn、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi、銅Cu、亜鉛Znなどがある。これらは、リーク電流の増加を引き起こし、耐圧低下の原因となる。Fe、Cuがそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、までは許容できるが、できるだけ少ない方が良い。本発明では、放射性元素は特に規定していないが、同様に低減化可能である。放射性元素の代表的なものとしては、ウランU、アクチニウムAc、トリウムTh、鉛Pb、ビスマスBiが代表的なものであるが、メモリーセルの蓄積電荷が反転するというソフトエラーが発生する。したがって、これらの量を少なくすると共に、これらの元素から発生するα線量を制限する必要がある。総量としては、20wtppbまでの混入までは許容できるが、できるだけ少ない方が良い。上記の通り、それぞれの元素は個々に分析及び管理することができ、これらの元素については、それぞれ10wtppb以下、さらにはそれぞれ1wtppb以下とすることが望ましい。特に、影響の大きいU、Thを低減する必要がある。本願発明のターゲットのα線量をガスフォロー比例計数管方式の測定装置を用いて測定した結果、α線量は0.01cph/cm2未満であった。上記において、高純度エルビウムから希土類元素を除外するのは、高純度エルビウムの製造の際に、他の希土類自体がエルビウムと化学的特性が似ているために、除去することが技術的に非常に難しいということ、さらにこの特性の近似性からして、不純物として混入していても、大きな特性の異変にはならないということからである。このような事情から、ある程度、他の希土類の混入は黙認されるが、エルビウム自体の特性を向上させようとする場合は、少ないことが望ましいことは、言うまでもない。また、ガス成分を除いた純度が5N以上とするのは、ガス成分は除去が難しく、これをカウントすると純度の向上の目安とならないからである。また、一般に他の不純物元素に比べ多少の存在は無害である場合が多いからである。ゲート絶縁膜又はメタルゲート用薄膜等の電子材料の薄膜を形成する場合には、その多くはスパッタリングによって行われ、薄膜の形成手段として優れた方法である。したがって、上記のエルビウムインゴットを用いて、高純度エルビウムスパッタリングターゲットを製造することは有効である。ターゲットの製造は、鍛造圧延切削仕上げ加工研磨等の、通常の加工により製造することができる。特に、その製造工程に制限はなく、任意に選択することができる。メタルゲート膜としての使用は、上記高純度エルビウムの組成そのものとして使用することができるが、他のゲート材と混合又は合金若しくは化合物としても形成可能である。この場合は、他のゲート材のターゲットとの同時スパッタ又はモザイクターゲットを使用してスパッタすることにより達成できる。本願発明はこれらを包含するものである。不純物の含有量は、原材料に含まれる不純物量によって変動するが、上記の方法を採用することにより、それぞれの不純物を上記数値の範囲に調節が可能である。本願発明は、上記のエルビウムを高純度化する方法及びそれによって得られた高純度エルビウム並びに高純度材料エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度材料エルビウムを主成分とするメタルゲート用薄膜を効率的かつ安定して提供できる技術を提供するものである。次に、実施例について説明する。なお、この実施例は理解を容易にするためのものであり、本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内における、他の実施例及び変形は、本発明に含まれるものである。実施例1原料として希土類除きで純度2N5~3NのエルビウムErを用い、以下の条件で溶融塩電解を行った。1浴組成:KCl8kgLiCl6kgErCl34kgEr原料5kg2浴温度:800°C3アノード:Ta棒4カソード:電着部はTa又はTi棒を使用した。Taカソードを使用した溶融塩電解では、Al,Fe,Cu,Ta,Wなどの除去効果が高いことが分かった。また、Tiカソードを使用した場合も、同様の結果が得られるが、数回使用した後にTiカソードの腐食が進み汚染の原因になるので、Tiは繰り返し使用に適してないが、交換頻度を高める1~数回の使用後に交換することにより、カソードとして使用することができる。5電流密度:0.50A/cm2この電流密度は、適宜選択できるが、これ以上では純度が劣化するので、この条件以下で行うのが望ましいと言える。6電解時間:6時間で電析重量は100g程度を得ることができる。電流効率70程度である。7電圧:1.0V程度としたが、特に制限はない。8蒸留1第1回目の蒸留蒸留温度1000°C以下で実施。Li,Na,K塩起因、Ca,Mg原料、るつぼなどの部材からの汚染を除去することができた。2第2回目の蒸留蒸留温度1500°CでErを蒸留これによって、Ta等の炉材からの汚染を除去することができた。蒸留によって、Fe、U、Th、Na、K、Ca、Mg及びガス成分炭素を効果的に除去することができる。9溶解上記蒸留工程におけるコンデンサに貯留したエルビウム蒸留物を取り出し、水冷Cu坩堝を使用し、Ar雰囲気中で誘導溶解し、凝固させてインゴットとした。以上に基づいて、本実施例では、溶融塩電解と2回の蒸留上記第1回目の蒸留と第2回目の蒸留を実施した。この結果、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下である高純度エルビウムを製造することができた。この結果を、表1に示す。この表1から明らかなように、Fe:0.08~0.24wtppm、U:<1wtppb、Th:<1wtppb、Na<0.01wtppm、K:<0.1wtppm、Ca:<0.1wtppm、Mg:<0.05wtppm、Cu:0.07~0.16wtppm、Al:<0.05wtppm、C:60~150wtppmとなり、これらの不純物を大きく低減できることが分かる。このインゴットから得たスパッタリングターゲットは、同様に高純度を維持することができ、これをスパッタすることにより均一な特性の高純度エルビウムの薄膜を基板上に形成することができた。実施例2原料として希土類除きで純度2N5~3NのエルビウムErを用い、以下の条件で溶融塩電解を行った。1浴組成:KCl10kgLiCl8kgErCl36kgEr原料7kg2浴温度:800°C3アノード:Ta棒4カソード:電着部はTa又はTi棒を使用した。Taカソードを使用した溶融塩電解では、Al,Fe,Cu,Ta,Wなどの除去効果が高いことが分かった。また、Tiカソードを使用した場合も、同様の結果が得られるが、数回使用した後にTiカソードの腐食が進み汚染の原因になるので、Tiは繰り返し使用に適してないが、交換頻度を高める1~数回の使用後に交換することにより、カソードとして使用することができる。5電流密度:0.50A/cm2この電流密度は、適宜選択できるが、これ以上では純度が劣化するので、この条件以下で行うのが望ましいと言える。6電解時間:6時間で電析重量は100g程度を得ることができる。電流効率70程度である。7電圧:1.0V程度としたが、特に制限はない。8蒸留1第1回目の蒸留蒸留温度1000°C以下で実施。Li,Na,K塩起因、Ca,Mg原料、るつぼなどの部材からの汚染を除去することができた。2第2回目の蒸留蒸留温度1500°CでErを蒸留これによって、Ta等の炉材からの汚染を除去することができた。蒸留によって、Fe、U、Th、Na、K、Ca、Mg及びガス成分炭素を効果的に除去することができる。9溶解上記蒸留工程におけるコンデンサに貯留したエルビウム蒸留物を取り出し、水冷Cu坩堝を使用し、Ar雰囲気中でプラズマアーク溶解し、凝固させてインゴットとした。以上に基づいて、本実施例2では、溶融塩電解と2回の蒸留上記第1回目の蒸留と第2回目の蒸留を実施した。この結果、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下である高純度エルビウムを製造することができた。この結果を、表1に示す。この表1から明らかなように、Fe:0.29~0.48wtppm、U:<1wtppb、Th:<1wtppb、Na<0.01wtppm、K:<0.1wtppm、Ca:<0.1~0.39wtppm、Mg:<0.05~0.08wtppm、Cu:0.31~0.65wtppm、Al:<0.16~0.22wtppm、C:16~120wtppmとなり、これらの不純物を大きく低減できることが分かる。このインゴットから得たスパッタリングターゲットは、同様に高純度を維持することができ、これをスパッタすることにより均一な特性の高純度エルビウムの薄膜を基板上に形成することができた。比較例1本比較例1では、後述するように、蒸留を1回のみを行って精製した例である。まず、原料として希土類除きで純度2N5~3NのエルビウムErを用い、蒸留温度1500°CでErを蒸留した。この結果を、表1に示す。この表1から明らかなように、Fe:32~600wtppm、U:<1wtppb、Th:<1wtppb、Na0.05~0.2wtppm、K:<0.1~0.4wtppm、Ca:<1~340wtppm、Mg:<0.5~0.16wtppm、Cu:100~500wtppm、Al:37~2000wtppm、C:250~300wtppmとなった。このように、蒸留を1回のみを行った場合には、Al、Ti、Fe、Cuについては、効果的に除去することは難しいことが分かる。この他、Ca、Mg、Cも除去効果が低い結果となった。比較例2本比較例2は、後述するように、電解、蒸留を行わず、プラズマアーク溶解のみを行って、精製した例である。まず、原料として希土類除きで純度2N5~3NのエルビウムErを用い、水冷Cu坩堝を使用し、Ar雰囲気中でプラズマアーク溶解し、凝固させてインゴットとした。この結果を、表1に示す。この表1から明らかなように、Fe:300wtppm、U:<1wtppb、Th:20wtppb、Na:<0.05wtppm、K:<0.1wtppm、Ca:2.7wtppm、Mg:<0.05wtppm、Cu:110wtppm、Al:66wtppm、C:410wtppmとなった。このように、蒸留を行わず、プラズマアーク溶解のみを行った場合には、Li、Na、Mg、K、Caは精製されるが、他の不純物が十分に除去し切れなかった。この場合には、原料の純度の影響を強く受けるので、純度のばらつきが大きくなるという問題を有する結果となった。比較例3本比較例3は、後述するように、電解、蒸留がなく、誘導溶解又はプラズマアーク溶解もなく、EB溶解のみで精製した例である。まず、原料として希土類除きで純度2N5~3NのエルビウムErを用い、水冷Cu坩堝を使用し、真空中でEB溶解し、凝固させてインゴットとした。この結果を、表1に示す。この表1から明らかなように、Fe:380wtppm、U:<1wtppb、Th:20wtppb、Na:<0.09wtppm、K:<0.45wtppm、Ca:2.3wtppm、Mg:0.13wtppm、Cu:47wtppm、Al:130wtppm、C:340wtppmとなった。このように、電解、蒸留、誘導溶解又はプラズマアーク溶解をせずに、EB溶解のみで精製した場合には、Li、Na、Mg、K、Caは精製されるが、表1に記載する他の不純物元素は電子ビーム溶解では揮発せず飛んでいかない、むしろ濃縮されるので、原料より不純物は濃縮され、悪くなる結果となった。また、Er自体の蒸気圧が高いので、揮発し、歩留まりが悪くなる50程度になるので、この点も、悪い結果となった。実施例の結果の総合評価以上の実施例においては特に示していないが、エルビウムの蒸留を行う際の温度1550~2750°Cの温度の範囲で、同等の結果が得られたことを確認した。また、実施例においては特に示していないが、純度3N以下の原料を用いた場合には、いずれも本願発明の精製条件で純度5Nの高純度エルビウムを得ることを確認した。さらに、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下である高純度エルビウムとすることが可能であることを確認した。これらの高純度エルビウムは、ターゲットに加工した場合でも、その純度は維持可能であり、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下である高純度エルビウムスパッタリングターゲットが得られた。さらに、これを基板上にスパッタ成膜した場合も、そのターゲットの純度は反映され、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、Al、Fe、Cu、Taがそれぞれ1wtppm以下、Wが10wtppm以下、炭素が150wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ1wtppm以下、前記以外の遷移金属元素が合計で10wtppm以下、放射性元素であるU、Thがそれぞれ10wtppb以下である高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜が得られることを確認した。以上については、重複する煩雑さを避けるために、実施例として掲載していないが、具体的な条件として確認されたものである。"