第1基板と、前記第1基板に対向して配置された第2基板と、前記第1基板上に互いに間隔をおいて配列された複数の画素電極と、前記第1基板と前記第2基板との間に挟持され、垂直配向液晶を含んでなる液晶層と、を備え、前記間隔をs[um]とし、前記液晶層の厚さをd[um]とし、前記垂直配向液晶のプレチルト角をθ[°]とするとき、関係式-1.6×s/d4.4≦θ≦-2.6×s/d5.6を満たすことを特徴とする液晶装置。請求項1に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。この種の液晶装置では、隣り合う画素電極間の間隔を縮小して表示領域における画素電極が占める領域を拡大することにより、表示画像の明るさの向上が図られる。しかしながら、隣り合う画素電極間の間隔が小さいほど、隣り合う画素電極間に生じる横電界が大きくなり、画素電極の端部付近に位置する液晶の応答速度が低下してしまうおそれがある。このため、隣り合う画素電極間の間隔を単に縮小した場合には、表示画像の明るさを向上させることはできるものの、上述したような動画ぼやけが増大してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。また、上述した特許文献1から3に開示された技術は、垂直配向液晶層の厚さ即ち、セル厚が2um以下である場合に限定されるため、セル厚が2umよりも大きい場合に適用することが困難であるという技術的問題点がある。本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば、表示画像の明るさを向上させつつ、動画ぼやけを低減できる液晶装置、及びこのような液晶装置を備える電子機器を提供することを課題とする。本発明の液晶装置は上記課題を解決するために、第1基板と、前記第1基板に対向して配置された第2基板と、前記第1基板上に互いに間隔をおいて配列された複数の画素電極と、前記第1基板と前記第2基板との間に挟持され、垂直配向液晶を含んでなる液晶層と、を備え、前記所定間隔をs[um]とし、前記液晶層の厚さをd[um]とし、前記垂直配向液晶のプレチルト角をθ[°]とするとき、関係式-1.6×s/d4.4≦θ≦-2.6×s/d5.6を満たす。本発明の液晶装置は、互いに対向する第1基板と第2基板との間に液晶層が挟持されてなる。液晶層は、垂直配向VA液晶、即ち負の誘電率異方性を有する液晶を含んでなる。即ち、本発明の液晶装置は、VA方式の液晶装置である。第1基板上には、複数の画素電極が互いに間隔をおいて例えばマトリクス状に配列されている。第2基板上には、典型的には、複数の画素電極に対向するように共通電極が設けられている。本発明の液晶装置の動作時には、画素電極及び共通電極間に画像信号に応じた電圧が印加される。第1基板及び第2基板の各々には、例えば配向膜が設けられ、該配向膜によって、垂直配向液晶を構成する液晶分子に、一定の方向に、一定の角度だけ傾斜するプレチルトが与えられる。即ち、垂直配向液晶を構成する液晶分子は、第1基板或いは第2基板の基板面の法線に対して一定の方向にプレチルト角だけ傾いて配向する。この液晶分子は、電圧が印加されない場合、プレチルトを維持すると共に、電圧が印加される場合、第1基板或いは第2基板の基板面に近づくように傾斜する。これにより、ノーマリーブラック方式の表示を実現できる。尚、プレチルトを付与された液晶分子の長軸と第1基板或いは第2基板の一辺とは、典型的には、第1基板或いは第2基板の法線方向から見て、互いに45度の角度をなしてよい。第1基板及び第2基板は、一対の偏光板の間に挟み込まれるように配置される。本発明では特に、互いに隣り合う画素電極間の間隔をs[um]とし、液晶層の厚さ即ち、セル厚をd[um]とし、垂直配向液晶のプレチルト角をθ[°]とするとき、関係式-1.6×s/d4.4≦θ≦-2.6×s/d5.6を満たす。ここで、互いに隣り合う画素電極間の間隔sが小さいほど、表示画像の明るさを向上させることはできるものの、互いに隣り合う画素電極間に生じる横電界が大きくなり、画素電極の端部付近に位置する液晶の応答速度が、画素電極の中央付近に位置する液晶の応答速度に比べて低下してしまう。また、このような応答速度の低下は、間隔sに比べてセル厚dが大きいほど顕著になると考えられる。即ち、間隔sに比べてセル厚dが大きいほど、第1基板と第2基板との間具体的には、画素電極と共通電極との間に生じる電界に対する横電界の比率が大きくなるため、画素電極の端部付近に位置する液晶の応答速度が画素電極の中央付近に位置する液晶の応答速度に比べて低下しやすいと考えられる。一方、液晶の応答速度は、プレチルト角θが大きいほど大きくなり即ち、高速になり、プレチルト角θが小さいほど小さくなる即ち低速になる。言い換えれば、液晶の応答時間は、プレチルト角θが大きく設定されるほど短縮され、プレチルト角θが小さく設定されるほど長くなる。このように、画素電極の端部付近に位置する液晶の応答速度の低下は、間隔s、セル厚d及びプレチルト角θに依存している。そこで、本願発明者の研究によれば、セル厚dに対する間隔sの比s/dとプレチルト角θとの関係に着目し、上記関係式を満たすように、比s/dに応じてプレチルト角θを決定することで、表示画像の明るさを向上させつつ、動画ぼやけを低減できることが判明している。即ち、本発明によれば、間隔sを縮小することにより表示画像の明るさを向上させつつ、上記関係式を満たすように、比s/dに応じて、動画ぼやけが視認されない程度のプレチルト角θを決定することができる。よって、表示画像の明るさを向上させつつ、動画ぼやけを低減できる。以上説明したように、本発明の液晶装置によれば、表示画像の明るさを向上させつつ、動画ぼやけを低減できる。本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の液晶装置を備える。本発明の電子機器は、上述した本発明の液晶装置を備えるので、明るく且つ動画ぼやけが低減された高品位な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。<第1実施形態>第1実施形態に係る液晶装置について、図1から図5を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面図である。図1において、本実施形態に係る液晶装置1は、互いに対向するTFTアレイ基板10と対向基板20との間に、垂直配向液晶を含む液晶層50を挟持してなるVA方式の液晶装置である。尚、TFTアレイ基板10は本発明に係る第1基板の一例であり、対向基板20は本発明に係る第2基板の一例である。TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング用のTFTThinFilmTransistorや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。TFTアレイ基板10上の表示領域には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線の上層に複数の画素電極9が互いに間隔sをおいてマトリクス状に配列されている。画素電極9は、アルミニウムAl膜を含んでなり、対向基板20側から入射される光を反射する。画素電極9の上層側には酸化シリコンSiO2からなる誘電層15が設けられている。誘電層15上には配向膜16が設けられている。尚、本実施形態では、画素電極9の厚さは約150nmであり、誘電層25の厚さは約320nmであり、配向膜16の厚さは約75nmである。他方、対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上には、ITOIndiumTinOxide等の透明導電材料からなる共通電極21が複数の画素電極9と対向するように形成されている。共通電極21上には酸化シリコンからなる誘電体層25が設けられている。誘電体層25上には配向膜26が設けられている。尚、本実施形態では、共通電極21の厚さは約140nmであり、誘電層25の厚さは約100nmであり、配向膜26の厚さは約75nmである。液晶層50は、垂直配向液晶分子、即ち負の誘電率異方性を有する液晶分子51からなる。従って、液晶装置1は、垂直配向モードで液晶分子51の配向が制御されるVA方式の液晶装置である。液晶層50の厚さd以下、セル厚dと適宜称するは約1.8umである。液晶分子51には、配向膜16或いは配向膜26によってプレチルトが与えられている。即ち、液晶分子51は、TFTアレイ基板10或いは対向基板20の基板面の法線に対して一定の方向にプレチルト角θだけ傾いて配向する。液晶分子51は、画素電極9及び共通電極21間に電圧が印加されない場合、プレチルトを維持すると共に、画素電極9及び共通電極21間に電圧が印加される場合、TFTアレイ基板10或いは対向基板20の基板面に近づくように傾斜する。これにより、ノーマリーブラック方式の表示を実現できる。尚、プレチルトを付与された液晶分子51の長軸とTFTアレイ基板10或いは対向基板20の一辺とは、TFTアレイ基板10或いは対向基板20の法線方向から見て、互いに45度の角度をなしている。本実施形態では特に、互いに隣り合う画素電極9間の間隔s[um]と、セル厚d[um]と、液晶分子51のプレチルト角θ[°]とは、関係式-1.6×s/d4.4≦θ≦-2.6×s/d5.6を満たしている。本願発明者の研究によれば、液晶分子51のプレチルト角θを、上記関係式を満たすように、互いに隣り合う画素電極9間の間隔sとセル厚dとの比s/dに応じて決定することにより、表示画像の明るさを向上させつつ、動画ぼやけを低減できることが判明している。ここで、上記関係式の特性について詳細に説明する。図2は、シミュレーションの条件を説明するための模式図であり、図3は、互いに隣り合う画素電極9間の間隔sをパラメータとしてシミュレーションを行った際の、画素電極9の端部付近の所定位置Paにおける液晶層50の透過率の過渡変化を示すグラフである。尚、図2は、図1に対応して示してある。図2及び図3において、グラフE1~E5図3参照は、画素電極9aと共通電極21との間に印加される電圧を最大電圧Vmaxで一定とした状態で、画素電極9aに隣り合う画素電極9bと共通電極21との間に印加される電圧を0ゼロ、即ち、電圧が印加されない状態から最大電圧Vmaxに変化させた場合の、画素電極9aの端部付近の所定位置Paより具体的には、画素電極9aの画素電極9b側の端部から画素電極9aの中央Pcに向かって2.6umずれた位置における液晶層50の透過率の過渡変化を示している。グラフE1は、間隔sが2.0umである場合の透過率の過渡変化を示している。グラフE2は、間隔sが1.6umである場合の透過率の過渡変化を示している。グラフE3は、間隔sが1.2umである場合の透過率の過渡変化を示している。グラフE4は、間隔sが0.8umである場合の透過率の過渡変化を示している。グラフE5は、間隔sが0.4umである場合の透過率の過渡変化を示している。また、グラフE0は、画素電極9aの中央Pcにおける液晶層50の透過率の過渡変化を示している。尚、図2において、画素電極9の配列ピッチPは約8.4umで一定である。図3のグラフE1~E5に示されるように、互いに隣り合う画素電極9間の間隔sが小さいほど、画素電極9aの端部付近の所定位置Paにおける液晶の応答速度は低下する。即ち、互いに隣り合う画素電極9間の間隔sが小さいほど、表示画像の明るさを向上させることはできるものの、互いに隣り合う画素電極9間に生じる横電界が大きくなり、画素電極9の端部付近に位置する液晶分子51の応答速度が画素電極9の中央付近に位置する液晶分子51の応答速度に比べて低下してしまう。また、このような応答速度の低下は、間隔sに比べてセル厚dが大きいほど顕著になると考えられる。即ち、間隔sに比べてセル厚dが大きいほど、画素電極9と共通電極21との間に生じる電界に対する横電界の比率が大きくなるため、画素電極の端部付近に位置する液晶の応答速度が画素電極9の中央付近に位置する液晶の応答速度に比べて低下しやすいと考えられる。図4は、セル厚dに対する間隔sの比s/dと画素電極9の端部付近の所定位置Paにおける液晶層50の応答時間t[ミリ秒]との関係を示すグラフである。尚、応答時間tは、画素電極9と共通電極21との間に電圧Vmaxを印加してから、画素電極9の端部付近の所定位置Paにおける液晶層50の透過率が最大透過率Tmax図3参照の0.9倍になるまでの時間である。図4において、グラフF1は、プレチルト角θが3°である場合の、比s/dと応答時間tとの関係を示している。グラフF2は、プレチルト角θが4°である場合の、比s/dと応答時間tとの関係を示している。グラフF3は、プレチルト角θが5°である場合の、比s/dと応答時間tとの関係を示している。図4のグラフF1~F3に示されるように、画素電極9の端部付近の所定位置Paにおける液晶層50の応答時間tは、プレチルト角θが大きいほど短くなり、プレチルト角θが小さいほど長くなる。即ち、液晶層50を構成する液晶分子51の応答速度は、プレチルト角θが大きいほど大きくなり即ち、高速になり、プレチルト角θが小さいほど小さくなる即ち低速になる。ここで、図3のグラフE0に示されるように、画素電極9の中央Pcにおける液晶層50の透過率が最大透過率Tmaxになるまでの応答時間t1は20ミリ秒である。よって、画素電極9の端部付近の所定位置Paにおける液晶層50の応答時間tが、応答時間t1と同じ20ミリ秒以上であっても応答時間t1の1.5倍である30ミリ秒以下であれば、動画ぼやけは殆ど或いは全く視認されないと考えられる。図5は、応答時間tが一定となる、比s/dとプレチルト角θとの関係を示す図である。図5において、直線L1は、画素電極9の端部付近の所定位置Paにおける液晶層50の応答時間tが20ミリ秒となる、比s/dとプレチルト角θとの関係を示す直線である。直線L2は、画素電極9の端部付近の所定位置Paにおける液晶層50の応答時間tが30ミリ秒となる、比s/dとプレチルト角θとの関係を示す直線である。直線L1は、式θ=-2.6×s/d5.6で表される。直線L2は、式θ=-1.6×s/d4.4で表される。直線L1及び直線L2は、それぞれ、図4のグラフF1~F3から、応答時間tが20ミリ秒及び30ミリ秒となる比s/dをプレチルト角θ毎に求めることにより得ることができる。よって、図5において、直線L1と直線L2との間の領域R1内に、比s/dとプレチルト角θとが位置すれば、画素電極9の端部付近における液晶層50の応答時間tは20ミリ秒から30ミリ秒の間の値となり、動画ぼやけを低減できる。即ち、関係式-1.6×s/d4.4≦θ≦-2.6×s/d5.6を満たすことにより、動画ぼやけを低減できる。ここで、間隔sをより小さくすることで表示画像の明るさを向上させることができるので、上記関係式を満たすように、間隔sをより小さくしつつ、プレチルト角θを決定することにより、表示画像の明るさを向上させつつ、動画ぼやけを低減できる。図6は、図4と同趣旨のグラフであり、セル厚dに対する間隔sの比s/dと画素電極9の端部付近の所定位置Paにおける液晶層50の応答時間t[ミリ秒]との関係を詳細に示すグラフである。尚、応答時間tは、画素電極9と共通電極21との間に電圧Vmaxを印加してから、画素電極9の端部付近の所定位置Paにおける液晶層50の透過率が最大透過率Tmax図3参照の0.9倍になるまでの時間である。図6において、グラフF1は、図4と同様に、プレチルト角θが3°である場合の、比s/dと応答時間tとの関係を示している。グラフF2は、図4と同様に、プレチルト角θが4°である場合の、比s/dと応答時間tとの関係を示している。グラフF3は、図4と同様に、プレチルト角θが5°である場合の、比s/dと応答時間tとの関係を示している。グラフF4は、プレチルト角θが3.5°である場合の、比s/dと応答時間tとの関係を示している。グラフF5は、プレチルト角θが4.5°である場合の、比s/dと応答時間tとの関係を示している。グラフF1~F5は、横軸が比s/dであり縦軸が応答時間tである座標平面に、比s/dをパラメータとしてシミュレーションにより得られた応答時間tをプロットすることにより得られたものである。図6のグラフF1~F5に示されるように、画素電極9の端部付近の所定位置Paにおける液晶層50の応答時間tは、プレチルト角θが大きいほど短くなり、プレチルト角θが小さいほど長くなる。即ち、液晶層50を構成する液晶分子51の応答速度は、プレチルト角θが大きいほど大きくなり即ち、高速になり、プレチルト角θが小さいほど小さくなる即ち低速になる。図6において、点P1、P2及びP3は、応答時間tが30ミリ秒となる比s/dを示す点である。即ち、点P1は、グラフF2と、応答時間t=30[ミリ秒]を示す直線との交点であり、点P2は、グラフF4と、応答時間t=30[ミリ秒]を示す直線との交点であり、点P3は、グラフF1と、応答時間t=30[ミリ秒]を示す直線との交点である。点P4、P5、P6及びP7は、応答時間tが20ミリ秒となる比s/dを示す点である。即ち、点P4は、グラフF5と、応答時間t=20[ミリ秒]を示す直線との交点であり、点P5は、グラフF1と、応答時間t=20[ミリ秒]を示す直線との交点であり、点P6は、グラフF4と、応答時間t=20[ミリ秒]を示す直線との交点である。点P7は、グラフF1と、応答時間t=20[ミリ秒]を示す直線との交点である。図7は、図5と同趣旨の図であり、応答時間tが一定となる、比s/dとプレチルト角θとの関係を示す図である。図7において、直線L1は、図5と同様に、画素電極9の端部付近の所定位置Paにおける液晶層50の応答時間tが20ミリ秒となる、比s/dとプレチルト角θとの関係を示す直線である。直線L2は、図5と同様に、画素電極9の端部付近の所定位置Paにおける液晶層50の応答時間tが30ミリ秒となる、比s/dとプレチルト角θとの関係を示す直線である。直線L1は、式θ=-2.6×s/d5.6で表される。直線L2は、式θ=-1.6×s/d4.4で表される。直線L1及び直線L2は、それぞれ、図6のグラフF1~F5から、応答時間tが20ミリ秒及び30ミリ秒となる比s/dをプレチルト角θ毎に求めることにより得られたものである。具体的には、図7において、点Q1は、図6に示した点P1θ=4°、t=30ミリ秒に対応する点であり、点Q2は、図6に示した点P2θ=3.5°、t=30ミリ秒に対応する点であり、点Q3は、図6に示した点P3θ=3°、t=30ミリ秒に対応する点である。また、点Q4は、図6に示した点P4θ=4.5°、t=20ミリ秒に対応する点であり、点Q5は、図6に示した点P5θ=4°、t=20ミリ秒に対応する点であり、点Q6は、図6に示した点P6θ=3.5°、t=20ミリ秒に対応する点であり、点Q7は、図6に示した点P7θ=3°、t=20ミリ秒に対応する点である。直線L1は、応答時間tが20ミリ秒である点Q4、Q5、Q6及びQ7に基づいて得られた近似直線回帰直線であり、直線L2は、応答時間tが30ミリ秒である点Q1、Q2及びQ3に基づいて得られた近似直線である。なお、仮に、点Q4、Q5、Q6及びQ7に基づいて或いは、点Q1、Q2及びQ3に基づいて、比s/dとプレチルト角θとの関係を2次以上の多項式で近似する場合、例えば、セル厚dが一定であるとすると、間隔sが特定の値よりも小さい範囲において、間隔sが小さくなるほど、プレチルト角θは小さくなってしまう。これは、間隔sが小さいほどプレチルト角θは大きくなければならないということ即ち、間隔sが小さいほど、互いに隣り合う画素電極間に生じる横電界によって液晶の応答速度が低下するので、プレチルト角θを大きく設定することで液晶の応答速度を高めるべきであることと矛盾する。そこで、本願発明者らは、点Q4、Q5、Q6及びQ7或いは、点Q1、Q2及びQ3を線形近似することにより、比s/dとプレチルト角θとの関係を求めた。よって、直線L1と直線L2との間の領域内に、比s/dとプレチルト角θとが位置すれば、画素電極9の端部付近における液晶層50の応答時間tは20ミリ秒から30ミリ秒の間の値となり、動画ぼやけを低減できる。即ち、関係式-1.6×s/d4.4≦θ≦-2.6×s/d5.6を満たすことにより、動画ぼやけを低減できる。ここで、間隔sをより小さくすることで表示画像の明るさを向上させることができるので、上記関係式を満たすように、間隔sをより小さくしつつ、プレチルト角θを決定することにより、表示画像の明るさを向上させつつ、動画ぼやけを低減できる。なお、本実施形態では、画素電極9の厚さを約150nm、誘電層25の厚さを約320nm、配向膜16の厚さを約75nm、共通電極21の厚さを約140nm、誘電層25の厚さを約100nm、配向膜26の厚さを約75nmにそれぞれ設定してシミュレーションを行ったが、これら設定値を変更してシミュレーションを行っても、関係式-1.6×s/d4.4≦θ≦-2.6×s/d5.6を得ることができる。即ち、関係式-1.6×s/d4.4≦θ≦-2.6×s/d5.6を満たすことにより得られる本発明の効果は、本実施形態におけるシミュレーションの設定値に限定されるものではない。以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置1によれば、互いに隣り合う画素電極9間の間隔sと、セル厚dと、液晶分子51のプレチルト角θとは、関係式-1.6×s/d4.4≦θ≦-2.6×s/d5.6を満たしているので、表示画像の明るさを向上させつつ、動画ぼやけを低減できる。<電子機器>次に、上述した液晶装置を電子機器に適用する場合について説明する。ここでは、本発明に係る電子機器として、投射型液晶プロジェクタを例にとる。図8は、本実施形態に係る投射型液晶プロジェクタの図式的断面図である。図8において、液晶プロジェクタ1100は、夫々RGB用の液晶ライトバルブ100R、100G及び100Bの3枚を用いた複板式カラープロジェクタとして構築されている。液晶ライトバルブ100R、100G及び100Bの各々は、上述した液晶装置が使用されている。図8に示すように、液晶プロジェクタ1100では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット1102から投射光が発せられると、2枚のミラー1106、2枚のダイクロイックミラー1108及び3つの偏光ビームスプリッタPBS1113によって、RGBの3原色に対応する光成分R、G及びBに分けられ、各色に対応する液晶ライトバルブ100R、100G及び100Bに夫々導かれる。尚、この際、光路における光損失を防ぐために、光路の途中にレンズを適宜設けてもよい。そして、液晶ライトバルブ100R、100G及び100Bにより夫々変調された3原色に対応する光成分は、クロスプリズム1112により合成された後、投射レンズ1114を介してスクリーン1120にカラー映像として投射される。尚、液晶パネル1110R、1110B及び1110Gには、ダイクロイックミラー1108及び偏光ビームスプリッタ1113によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。尚、図8を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピューターや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置及び該液晶装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。