"セラミック焼結体からなり、発光素子が搭載される搭載部を有する発光素子搭載用セラミック焼結体であって、前記搭載部側の表層部における結晶粒径が円相当径で0.2μm以上1.0μm以下の結晶の割合が45以上80以下であり、円相当径で2.0μm以上6.0μm以下の結晶の割合が5以上15以下であるとともに、円相当径で6.0μmを超える結晶の割合が2.7以下であることを特徴とする発光素子搭載用セラミックス基体。前記セラミック焼結体が、酸化アルミニウムを94質量以上含有してなることを特徴とする請求項1に記載の発光素子搭載用セラミックス基体。前記結晶粒径の最大粒径が6.0μm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光素子搭載用セラミックス基体。平均結晶粒径が円相当径で、0.7μm以上1.3μm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の発光素子搭載用セラミックス基体。前記セラミック焼結体が、前記結晶の結晶粒子間に形成される粒界相を有しており、前記粒界相の平均幅が2nm以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の発光素子搭載用セラミックス基体。請求項1~5のいずれかに記載の発光素子搭載用セラミックス基体上に発光素子を搭載したことを特徴とする発光装置。しかしながら、特許文献1に開示された半導体発光素子用の高反射白色セラミックスは、実施例によると、アルミナが75~85重量に、ガラス質成分としてシリカと、バリウム,カルシウムおよびマグネシウムの酸化物を約25~15重量含有した焼結体であって、波長が400~740nmの反射率が90以上のものが得られるものの、アルミナの結晶粒径が05μm以下であることから、熱伝導率が低くなり、発光素子を冷却する作用が低下することで、発光素子の寿命が短くなるという問題があった。本発明は、上記課題を解決するために案出されたものであり、高反射率が得られるとともに、放熱性を良くし発光素子の寿命を延ばすことができる熱伝導率の高い発光素子搭載用セラミックス基体を提供することを目的とするものである。本発明の発光素子搭載用セラミックス基体は、セラミック焼結体からなり、発光素子が搭載される搭載部を有する発光素子搭載用セラミック焼結体であって、前記搭載部側の表層部における結晶粒径が円相当径で02μm以上10μm以下の結晶の割合が45以上80以下であり、円相当径で20μm以上60μm以下の結晶の割合が5以上15以下であるとともに、円相当径で60μmを超える結晶の割合が27以下であることを特徴とするものである。また、本発明の発光装置は、上記構成の発光素子搭載用セラミックス基体を搭載したことを特徴とする。本発明の発光素子搭載用セラミックス基体は、セラミック焼結体からなり発光素子が搭載される搭載部を有する発光素子搭載用セラミック焼結体であって、前記搭載部側の表層部における結晶粒径が円相当径で02μm以上10μm以下の結晶の割合が45以上80以下であり、円相当径で20μm以上60μm以下の結晶の割合が5以上15以下であるとともに、円相当径で60μmを超える結晶の割合が27以下であることから、高反射率を有し、熱伝導率を高い状態に維持しやすくなる。また、上記構成の発光素子搭載用セラミックス基体上に発光素子を搭載した発光装置とすることにより、高反射率を有するとともに、発光素子の放熱性を高めることができることから、寿命を長くすることができる。以下、本発明の発光素子搭載用セラミックス基体の実施の形態の例を説明する。図1は本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体に発光素子を搭載した発光装置の構成の一例を示す断面図である。本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1以下、基体1ともいう。を用いた発光装置21は、発光素子2が搭載される基体1の一方の表面1aに厚膜印刷法等を用いて、電極表電極3c,3dを被着させ、電極3c,3dが形成された一部に、電極パッド3a,3bをメッキ等により形成し、この電極パッド3aの上に半導体からなる発光素子2を搭載している。そして、発光素子2と電極パッド3bとをボンディングワイヤ32により電気的に接合している。なお、ここでは、電極パッド3aと発光素子2との接合については、電気的に接合できるものであれば、導電性接着剤を用いた接合,ボンディングワイヤ32による接合または半田バンプによる接合であっても何ら構わない。そして、発光素子2および電極パッド3a,3bを含む電極3c,3dを樹脂等からなる封止部材31で被覆し、この封止部材31が発光素子2の保護とレンズ31aの機能を併せ持っている。なお、電極3c,3dおよびパッド電極3a,3bの露出部分には通常、透明のオーバーコートガラスを保護層として被着するが、ここでは説明を省略する。また、電極表電極3c、3dは、基体1を貫通した電極貫通導電層3e,3fを経由して、他方の表面1bに形成された電極裏電極3g,3hと電気的に接合されている。そして、この電極裏電極3g,3hに外部の直流電源不図示またはAC-DCスイッチング電源不図示を接続して電圧を印加することにより発光素子2が発光する。このとき、封止部材31は、発光素子2の保護のみならず光の波長を選択的に変換する機能を持たせたものも多く、さらに封止部材31の外殻であるレンズ31aにより光を拡散および放射する構造である。また、図2は本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体の表面への入射光が散乱する状態を示す概念図である。図2に示すように、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は断面を結晶のサイズのレベルで見たとき、結晶粒子4と,酸化珪素等からなるガラス相粒界相5と,気孔6とを有している。なお、これらの結晶粒子4とガラス相5との間を界面7とし、気孔6とガラス相5との間を界面8としてある。本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1の表面1aに照射された入射光11は、基体1の表面1aによって反射する反射光13と、基体1の内部を透過して、入射光11が照射された一方の表面1aとは反対側から出てくる透過光12となる。また、入射光11は、その一部が表面1aで入射角度に対し同じ角度で逆方向に反射される正反射光13aと、表面1aで不特定な方向へ反射される拡散反射光13bとなるが、残りは基体1の内部を進行する。そして、この基体1の内部を進行する光は、基体1内で結晶粒子4とガラス相5との間の界面7で一部は正反射光13cと拡散反射光13dとなり、また、気孔6とガラス相5との界面8で正反射光13eと拡散反射光13fとなり、残りの光は、さらに基体1の内部を進行していき、結晶粒子4とガラス相5との間の界面7と、気孔6とガラス相5との界面8とで正反射光13eと拡散反射光13fを生み出し表面1aからの反射光となる。そして、基体1の内部を進行した光は、反対側から透過光12として出てくる。この基体1の光の反射率を大きくするには、内部の正反射光13c,13eおよび拡散反射光13d,13fを増やして一方の表面1a側に反射するようにするか、他方の表面1bから透過して出てくる透過光12を少なくすることが必要である。なお、表面1a,1bには、開気孔6aも存在しているが、表面積における開気孔6aの面積の占める割合は僅かであるため反射光13への影響の説明は割愛する。また、図3は本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体の結晶粒子を示す電子顕微鏡写真である。この結晶粒子を示す電子顕微鏡写真は、基体1の表面を鏡面加工し、ファイヤーエッチングを行なった後に走査型電子顕微鏡で撮影したものである。図3に示すように、本実施形態の基体1の表面には、結晶粒子4,ガラス相粒界相5、および、セラミックスが焼結する過程において形成された気孔6が加工により表面に現れたり、加工時に結晶粒が脱粒したりして形成された開気孔6aが存在する。そして、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は、セラミック焼結体からなり、発光素子が搭載される搭載部を有する発光素子搭載用セラミック焼結体であって、この搭載部側の表層部における結晶粒径が円相当径で02μm以上10μm以下の結晶の数の割合が45以上80以下であり、円相当径で20μm以上60μm以下の結晶の数の割合が5以上15以下であるとともに、円相当径で60μmを超える結晶の数の割合が27以下であることが重要である。ここで、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1の発光素子が搭載される搭載部とは、発光素子を搭載するための電極3c,3dが形成される面である基体1の一方の表面1aを言い、表層部とは、基体1の一方の表面1aから厚み方向に50μm程度までの表層の部分のことを言う。本実施形態の基体1は、基体1の発光素子が搭載される搭載部を有する発光素子搭載用セラミック焼結体であって、この搭載部側の表層部における結晶粒径が円相当径で02μm以上10μm以下の結晶の数の割合が45以上80以下であることから、図2で示すように、入射光11を反射する結晶粒子4とガラス相5との間の界面7が増えて正反射光13cと拡散反射光13dとが増加し、高反射率を有することが容易となる。また、熱を伝導する結晶格子の振動であるフォノンが界面7で散乱するのを低減し熱伝導率を高い状態で維持できる。また、本実施形態の基体1は、結晶粒径が円相当径で20μm以上60μm以下の結晶の数の割合が5以上15以下であることから、高反射率を有するとともに、基体1の熱伝導率を高く維持することが容易となる。また、結晶粒径が大きくなると短い波長を吸収もしくは減衰し易くなることから、この結晶粒径が円相当径で20μm以上60μm以下の結晶の数の割合が5以上15以下である基体1は、可視光における短い波長の成分が結晶粒子に吸収もしくは減衰されることを抑えることができる。それゆえ、可視光の全波長に対し、高反射率を有する状態にできる。さらに、結晶粒径が10μm以下の結晶からなる発光素子搭載用セラミックス基体と比較して結晶粒子4とガラス相5との間の界面7が少なくなるため熱を伝導する結晶粒子の振動であるフォノンの散乱が低減し、熱伝導率を高く維持することが容易となり、さらに、結晶粒子4とガラス相5との間の界面7の減少により可視光の反射率が低下するという問題を抑制しやすくなる。さらに、結晶粒径が円相当径で20μm以上60μm以下の結晶の数の割合が5以上15以下であると、基体1の表面に板状体を個片に分割する分割溝が形成された板状体としたとき、分割溝に沿って板状体を分割した分割面にバリが発生しにくくなる。これは、基体1が、結晶粒径が円相当径で20μm以上60μm以下の結晶を5以上15以下含むことにより、気孔などの破壊源が基体1に適度に分散し、分割溝から発生する亀裂が直線的に進展するためと考えられる。特に基体1の3点曲げ強度が280~400MPaの範囲であれば、バリが残りにくく、さらに、製造工程の途中で基体1の端部に欠けも発生しにくい。さらにまた、短い波長を吸収もしくは減衰しやすい大きい結晶粒子である結晶粒径が円相当径で60μmを超える結晶の数の割合が、27以下と少なく抑えていることから、可視光における短い波長の成分が結晶粒子に吸収および減衰されることをさらに抑えることができるので、高反射率を有する状態にできる。この様な結晶粒径の測定は、基体1の表面を鏡面加工し、焼成温度から50~100°C低い温度の範囲でファイヤーエッチングをし、走査型電子顕微鏡例えば日本電子製のJSM7001Fで1000~3000倍の倍率で撮影して画像のデータを作成し、画像解析装置例えば三谷商事製のWinROOFを用いて各結晶粒の面積を求め、その面積から各結晶の円相当径を算出して結晶粒径の分布を求めればよい。但し、本実施形態においては、基体1に結晶粒径が02μm未満の結晶が含まれている場合もあるが、本実施形態に用いた結晶粒径の測定方法では結晶粒径が02μm未満の結晶を検知できないため割愛している。また、本実施形態の基体1の光の反射率の測定は、積分球ユニットを使用した分光光度計例えば株島津製作所製の分光光度計型名UV-315と積分球ユニット型名ISR-3100とを用い、光源に50Wハロゲンランプと重水素ランプとを使用し、波長範囲を200~1000nmとし、測定範囲は拡散反射率スリット20nm時7×9mmとして、マスクの使用はなしで、基準に硫酸バリウム粉体を用いて測定すればよい。さらに、熱伝導率の測定は、基体1を2mmの厚みに加工し、レーザフラッシュ法例えば真空理工製のTC7000で測定すればよい。さらにまた、3点曲げ強度の測定は、JISR1601に準拠して測定すればよいが、基体1が板状体の場合は、例えば、試料形状を長さが約40mm、幅が25mm、厚みが05~08mmの焼結体を用い、焼結体の表面は焼き肌面とし、支点のスパンは30mmとし、スパンの中央部に05mm/分の速度で荷重を印加し、3点曲げ強度の計算式により強度計算を行なえばよい。また、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体のセラミック焼結体としては、酸化アルミニウムAl2O3,酸化ジルコニウムZrO2または酸化チタンTiO2を主成分とする白色のセラミックスであることが好ましい。これらの白色のセラミックスを用いることで、高反射率を得ることができる。中でも、酸化アルミニウムを用いれば高い熱伝導率を得ることができる。ここで、主成分とは、酸化アルミニウム,酸化ジルコニウムまたは酸化チタンが、セラミック焼結体の全体の質量の割合において、合計量が94質量以上のことである。そして、本実施形体の基体1が酸化アルミニウムを94質量以上含有していることが好ましい。本実施形態の基体1が酸化アルミニウムを94質量以上含有するのは、高反射率を保ち、熱伝導率を低下させないためである。酸化アルミニウムが94質量未満になると、焼結助剤であるガラス相を形成する成分が増加する。それゆえ、入射光が基体1の裏面に透過しやすくなって反射率が低下しやすくなる。さらに、ガラス相は熱伝導率が低いため、ガラス相が増加すると基体の熱伝導率が低下しやすくなる。また、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は、酸化アルミニウムの含有量が94質量以上を含有することから、焼結助剤として添加する不可避不純物を除く酸化珪素と、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムの少なくとも1種との合計の含有量が残部の6質量以下0を含まずとなり、通常の焼成温度よりも低温で焼成することができ、製造コストを抑えることができるが、その他の化合物を含んでも良い。例えば、バリウム化合物を加えると、このバリウム化合物が粒界相5に存在し、反射率をより向上することが可能である。また、結晶粒子4同士の間には酸化珪素等からなるガラス相5が形成されているために、基体1の発光素子2を搭載する一方の表面1aに、電極3c,3dを形成するための厚膜ペーストを塗布して厚膜焼成するとペーストに含まれる金属成分が表面1aからガラス相5を伝わって内部に拡散するために、電極3c,3dと基体1の密着強度を高くしやすくなる。また、入射光11を効率よく反射するために結晶粒子4とガラス相5との間の界面7とで正反射光13cと拡散反射光13dとが増加し、反射率を高くしやすくなるが、気孔6とガラス相5との間の界面8でも同じように正反射光13cと拡散反射光13dとが増加し、反射率を高くしやすくできる。そして、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は、結晶粒径の最大粒径が60μm以下であることが好ましい。結晶粒径の最大粒径が60μm以下であると、基体1を形成したとき、基体1の内部を進行する光が結晶粒子4とガラス相5との界面7で反射した正反射光13cおよび拡散反射光13dが反射する機会が多くなることから、ガラス相5を通り、基体1の表面1aから反射光とし出ていきやすくなるために反射率は低下しにくくなる。そして、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は、平均結晶粒径が円相当径で、07μm以上13μm以下であることが好ましい。本実施形態の、基体1が、上記説明したように結晶粒径が02μm以上10μm以下の結晶の数の割合が45以上80以下、20μm以上60μm以下の結晶の数の割合が5以上15以下、60μmを超える結晶の数の割合が27以下を満たし、平均結晶粒径が07μm以上13μm以下の範囲にあると、さらに可視光の反射率と熱伝導率との双方の特性を高める作用を高く維持することが容易となる。図4は、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1において、粒界相間で拡散反射光の一部が散乱する状態を示す概念図である。図4に示すように、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は断面を結晶サイズレベルで見たとき、結晶粒子4と酸化珪素等からなる粒界相5と、気孔不図示とを有している。図2で入射光11が散乱する状態を説明したため以下では、結晶粒子間の粒界相における拡散反射光について説明する。本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1の表面に照射された入射光11は、基板1の内部を進行する光となり、基体1内部で結晶粒子4aと粒界相5との間の界面7aの内部をさらに進行していき隣接する結晶粒子4bと粒界相5との間の界面7bに進行していくが、この光の進行の過程で、一部の光が入射角度に対して同じ角度で逆方向に反射される正反射光13cと拡散反射光13dとが生じる。この拡散反射光13dは、界面7aと界面7bとの間の粒界相5で反射を繰り返し基板1の一方の表面不図示から拡散反射光13eが出るようになっている。そして、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は、結晶粒子間に形成される粒界相の平均幅が2nm以下であることが好ましい。本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1において、基体1が、粒界相5の平均幅が2nm以下であるならば、例えば図4の場合では、隣り合う結晶粒子4a,4bの界面7aと界面7bとの間に粒界相5が存在することによって、その粒界相5に光が入った場合、界面7aと界面7bとの間で光の反射を繰り返し拡散反射光13dが増加し、反射率が高くなりやくなる。粒界相5の平均幅が2nmを超えるならば、粒界相5の幅が広くなることから、界面7aと界面7bとの間で光の反射が繰り返す回数が減少して拡散反射光13dが少なく反射率の増加が少なくなり易い。ここで、結晶粒子間に形成される粒界相7の平均幅を求める手法は下記の通りである。図5は本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1の結晶粒子4a,4bおよび結晶粒子4a,4b間に形成される粒界相5を示す概念図である。先ず、基体1の断面をTEM観察により、40000倍から60000倍まで拡大し結晶粒子4a,4b間に形成される粒界相5の範囲9内において、粒界相の幅を測定する。そして、同様の測定を10ヶ所実施してその平均を粒界相の平均幅とすればよい。そして、本実施形態の発光装置は、発光素子搭載用セラミックス基体上に発光素子を搭載した構成とされる。本実施形態の、基体1上に発光素子を搭載すると、発光素子が発光したとき、光が基体1の表面で効率よく反射するため低電力で明るい発光装置とすることができる。また、熱伝導率が高いため放熱性がよく発光素子や反射材や発光素子を覆う樹脂などの劣化を抑制することが容易となり寿命を長くすることができる。次に、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体の製造方法の一例を説明する。例えば、セラミック焼結体が、酸化アルミニウムを主成分とする場合には、原料として、酸化アルミニウムAl2O3の平均粒径が18μmの粉末を94質量以上と、焼結助剤として酸化珪素SiO2と、酸化カルシウムCaOおよび酸化マグネシウムMgOの少なくとも1種の粉末とを合計6質量以下の範囲で準備する。そして、酸化アルミニウムと焼結助剤の合計が100質量となるように秤量する。ここで、焼結助剤の秤量を調整することによって、結晶粒子間に形成される粒界相5の平均幅を調整することができる。ここで、セラミック焼結体が、酸化ジルコニウムを主成分とするならば、焼結助剤として酸化アルミニウムを、また、酸化チタンを主成分とするならば、焼結助剤として酸化珪素および酸化アルミニウムのうち少なくとも1種を選択し、主成分を94質量以上、残部が焼結助剤となるように秤量すれば良い。次に、例えば、酸化アルミニウムを94質量、焼結助剤を6質量とした場合、酸化アルミニウムを60質量と34質量に分け、水等の溶媒とともに回転ミルやビーズミル等を用いてそれぞれ別に高純度のアルミナボールを用いて粉砕しスラリーにする。そして、酸化アルミニウムを55質量投入した回転ミルではレーザ回折散乱法例えば、日機装株製Microtrac9320X100で測定した粒度がD50=12程度となるようにし、酸化アルミニウムを41質量投入した回転ミルでは上記と同様のレーザ回折散乱法で測定した粒度がD50=16程度となるようにする。次に、これらのスラリーを別途粉砕した焼結助剤と共に回転ミル等に投入し、数時間をかけてさらに混合する。この様に酸化アルミニウムを2種類以上に分けて粉砕し、異なる粒度のスラリーを作製し混合することで、基体1の結晶粒径を調整することができる。次に、このスラリーを用いて、ドクターブレード法でシートを成形するか、このスラリーをスプレードライヤを用いて作製した造粒体を使用して公知の粉末プレス成形法、またはロールコンパクション法によってセラミックスのシートを成形し、製品形状とするための金型による加工もしくはレーザ加工によって未焼成の成形体を作製する。このとき成形体は、量産性を考慮すれば多数個取りの成形体とするのがより好ましい。そして、得られた成形体を、大気酸化雰囲気の焼成炉例えば、ローラー式トンネル炉,バッチ式雰囲気炉およびプッシャー式トンネル炉を用いて、最高温度は主成分が酸化アルミニウムの場合は1420~1650°C、酸化ジルコニウムの場合は1350~1550°C、酸化チタンの場合は1200~1400°Cの範囲で調整して焼成することによって、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1を作製することができる。また、焼成の最高温度は主成分の質量によって適宜調整すればよい。さらに、焼成時間を調整することによっても結晶粒径および粒界相5の平均幅を調整することもできる。以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明では以下の実施例に限定されるものではない。まず、酸化アルミニウムAl2O3の平均粒径が18μmの粉末を94質量と、焼結助剤として酸化珪素SiO2を35質量と、酸化カルシウムCaOを15質量および酸化マグネシウムMgOを10質量の粉末とを準備した。そして、酸化アルミニウムと焼結助剤の合計が100質量となるように秤量した。次に、酸化アルミニウムを94質量、焼結助剤を6質量となる様に、酸化アルミニウムを60質量と34質量とに分け、それぞれ別々に溶媒の水とともに回転ミルを用いて高純度のアルミナボールを用いて粉砕しスラリーにした。そして、酸化アルミニウムを60質量投入した回転ミルではレーザ回折散乱法日機装株製Microtrac9320X100で測定した粒度がD50=10~13程度となるようにし、酸化アルミニウムを34質量投入した回転ミルでは上記と同様のレーザ回折散乱法で測定した粒度がD50=14~18程度となるようにした。次に、これらのスラリーを別途粉砕した焼結助剤と共に回転ミルに投入し混合してからさらに、これにアクリル樹脂等の成形用バインダーを添加し、混合してスラリーを得た。ここで、成形用バインダーの添加量は混合粉末100質量に対して4~8質量程度とした。次に、この混合粉末と成形用バインダーとを混合したスラリーをスプレードライで粉末の顆粒とし、公知の粉末プレス成形法で成形体を作製した。次に、この成形体を焼結させるために、電気炉を用いて1420~1650°Cの範囲で焼成を行ない、厚みが063±005mmである表1に示す様な結晶粒径の分布と平均結晶粒径である試料No.1~13の発光素子搭載用セラミックス基体の試料を得た。この得られた発光素子搭載用セラミックス基体の試料について、結晶粒径の分布,反射率および熱伝導率の測定を以下の方法で行ない、02以上1μm以下,2μm以上6μm以下の結晶粒径の分布と反射率、熱伝導率の関係を評価した。結晶粒径の分布の測定は、各試料の表面を表面から30μmの深さまで鏡面加工し、加工した面を各試料の焼成温度から80°C低い温度でファイヤーエッチングを行ない、走査型電子顕微鏡で3000倍の倍率で撮影して画像データを作成し、その画像データから画像解析装置を用いて数値化した。具体的には、走査型電子顕微鏡には日本電子製の型名JSM7001Fを使用し、画像解析装置には三谷商事製の型名WinROOFを使用し、835μm2の範囲に対して解析を行なった。ここで、円相当径02μm以下の結晶粒径のものはノイズと区別がつかないため画像データから自動削除した。次に、反射率は株島津製作所製の分光光度計型名:UV-315と積分球ユニット型名ISR-3100とを用い、光源に50Wハロゲンランプと重水素ランプとを使用し、波長範囲を200~1000nmとし、測定範囲は拡散反射率スリット20nm時7×9mmとして、マスクの使用はなしで、基準に硫酸バリウム粉体を用いて測定した。次に、熱伝導率の測定は、各試料Noと同一の材料を用いて発光素子搭載用セラミックス基体を直径が10mmで厚みが2mmの試料に加工し、レーザフラッシュ法で測定した。具体的には、測定装置は真空理工製の型名TC7000を使用し、JISR16111997に準拠した。また、各試料の総合評価は、波長400nmおよび波長600nmでの反射率が、各々86以上または90以上であって、かつ、熱伝導率が17W/mK以上であるものを優としAとして表示し、いずれか2つの項目を満足するものを良としBとして表示し、いずれか1つの項目を満足するものを可としCとして表示した。得られた結果を表1に示す。表1に示す結果から分かるように、まず反射率について、試料No.3~6,9~12は、結晶粒径が円相当径で02μm以上1μm以下の結晶の数の割合が45以上80未満および結晶粒径が円相当径で20μm以上60μm以下の結晶の数の割合が5以上15以下であることから評価はAであり、試料No.1,2および13に比べ基体1内に入射光12が反射する結晶粒子4とガラス相との界面7が増えるとともに、可視光における短い波長の成分が結晶粒子に吸収もしくは減衰されることを抑えることができるので、反射率が400nmで86以上、600nmで90以上と反射率が高くなる傾向にあることが分かる。次に、熱伝導率について、試料No.3~6,9~12は、結晶粒径が円相当径で02μm以上1μm以下の結晶の数の割合が45以上80未満および結晶粒径が円相当径で20μm以上60μm以下の結晶の数の割合が5以上15以下であることから評価はAであり、試料No.7および8に比べ、フォノンを散乱するガラス相5との間の界面7が減少し、熱伝導率が17W/mK以上と高くなる傾向にあることが分かる。次に、6μm以上の結晶粒径の分布が、反射率に及ぼす影響について評価した。実施例1と同様にして発光素子搭載用セラミックス基体1を作製した。このときスラリーの粒度と焼成温度とを結晶粒径が円相当径で6μm以上の結晶が含まれるよう調整して作製し、試料No.14~20の発光素子搭載用セラミックス基体の試料を得た。また、反射率の測定方法は、実施例1と同様とし、波長400nmおよび波長600nmでの反射率が各々86以上または90以上で得られたものを優としてA、いずれか1つの項目を満足するものを良としB、両方を満足していないものを可としてCとして結果を表2に示す。表2に示す結果から分かるように、試料No.14は、結晶粒径が円相当径で6μmを越える結晶の数の割合が27を超えていることから、発光素子搭載用セラミックス基体内に入射した光が結晶の中を透過して裏面に抜けやすくなり、波長600nmでの反射率が90を僅かに割り込んだ数値となり、波長400nmでの反射率は86未満であった。試料No.15~18は、結晶粒径が円相当径で6μmを越える結晶の数の割合が1以上27以下で含まれることから、発光素子搭載用セラミックス基体内に入射した光が結晶の中を透過して僅かに裏面に抜けやすくなり、波長600nmでの反射率が90を僅かに越えた数値となったのに対して、波長400nmでの反射率は86未満であった。これに対して、試料No.19~20は、結晶粒径が円相当径で6μmを越える結晶の数の割合が0であることから、発光素子搭載用セラミックス基体内に入射した光が反射する界面7が十分に存在し、反射光を高められ波長600nmでの反射率が91以上と高い状態であるうえに、短い波長を吸収もしくは減衰する大きな結晶粒子が少ないので、波長400nmでの反射率が881以上と高い状態で維持しやすくなったことが分かる。次に、平均結晶粒径が反射率と熱伝導率に及ぼす影響について評価した。実施例1と同様にして発光素子搭載用セラミックス基体を作製した。このときスラリーの粒度と焼成温度とを結晶粒径が円相当径で表3に示す値となるように調整し基体1を作製し、試料No.21~27の発光素子搭載用セラミックス基体の試料を得た。また、測定方法と、各試料の総合評価は実施例1と同様にした。得られた結果を表3に示す。表3に示す結果から分かるように、試料No.22~27は、平均結晶粒径が13μm以下であることから発光素子搭載用セラミックス基体内に入射した光が反射する粒界7が十分に存在し、さらに、フォノンを散乱するガラス相5との間の界面7が減少し、波長600nmでの反射率が91以上であるとともに熱伝導率が17W/mK以上と高く、双方の特性を満足することができていることが分かる。次に、結晶粒子間に形成される粒界相5が反射率に及ぼす影響について評価した。実施例1と同様にして発光素子搭載用セラミックス基体1を作製した。このとき焼結助剤の量と焼成温度とを粒界相5が表4に示す値となるように調整し基体1を作製し、試料No.28~31の発光素子搭載用セラミックス基体1の試料を得た。また、反射率の測定方法は実施例1と同様にし、粒界相の平均幅の測定方法は、基板1の任意の断面をTEM観察により、任意の点において50000倍まで拡大し測定し、粒界相の幅を測定する。そしてこの作業を計10点の視野において、粒界相の幅を測定し、平均することで求めた。そして各試料の総合評価は実施例2と同様にした。得られた結果を表4に示す。表4に示す結果から分かるように、試料No.29~31は、粒界相5が2nm以下であることから、熱伝導率の低い粒界相が薄いので、光の反射を繰り返し拡散反射光13dが増加し、反射率が増加しやすくなるので、波長400nmおよび波長600nmでの反射率がそれぞれ各々86以上および90以上を維持した状態を満足することができていることが分かる。以上のように、実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は、反射率が高く、熱伝導率も高い状態に維持することができる発光素子搭載用に好適なセラミックス基体1であることが分かる。そして、発光素子搭載用セラミックス基体1上に発光素子2を搭載した発光装置21は、発光素子2が発光する光を効率的に反射することができるとともに、熱伝導率が高いため放熱性に優れ熱による発光素子の劣化も低減しやすくなる。"