半導体素子を載せるダイパッドの裏面が露出するタイプの半導体装置に使用するリードフレームにおいて、前記ダイパッドの裏面の外周部に、パッケージ下面方向に突出する第1の金属バリが形成され、しかも、前記第1の金属バリの先端が平坦となっていることを特徴とするリードフレーム。請求項1記載のリードフレームにおいて、前記ダイパッドの周辺に前記ダイパッドの裏面と同一面を有する複数の外部端子が形成され、前記複数の外部端子の各端子外周部に、パッケージ下面方向に突出する第2の金属バリを形成し、前記第2の金属バリの先端が平坦となっていることを特徴とするリードフレーム。請求項2記載のリードフレームにおいて、前記第1、第2の金属バリの各針の間に隙間が形成されていることを特徴とするリードフレーム。請求項2又は3記載のリードフレームにおいて、前記第1、第2の金属バリの高さは0μmを超え10μm以下であることを特徴とするリードフレーム。半導体素子を載せるダイパッドの裏面が露出するタイプの半導体装置に使用するリードフレームの製造方法において、前記ダイパッドを打ち抜き形成した際に同時に形成された第1の金属バリをパンチで押圧することによって、前記ダイパッドの外周部に先端が平坦となった前記第1の金属バリを設けることを特徴とするリードフレームの製造方法。請求項5記載のリードフレームの製造方法において、前記ダイパッドの周辺に前記ダイパッドの裏面と同一面を有する複数の外部端子を打ち抜き形成した際に、同時に前記複数の外部端子の各端子外周部に形成された第2の金属バリをパンチで押圧することによって、前記各端子外周部に先端が平坦となった前記第2の金属バリを設けることを特徴とするリードフレームの製造方法。請求項6記載のリードフレームの製造方法において、前記第1、第2の金属バリの高さは0μmを超え10μm以下であることを特徴とするリードフレームの製造方法。半導体素子を載せるダイパッドの裏面が露出するタイプの半導体装置において、露出している前記ダイパッドの裏面の外周部に、パッケージ下面方向に突出する第1の金属バリを形成し、前記第1の金属バリの先端が平坦となっていることを特徴とする半導体装置。請求項8記載の半導体装置において、前記ダイパッドの周辺に前記ダイパッドの裏面と同一面を有する複数の外部端子が形成され、前記複数の外部端子の各端子外周部に、パッケージ下面方向に突出する第2の金属バリを形成し、前記第2の金属バリの先端が平坦となっていることを特徴とする半導体装置。しかしながら、特許文献1の場合は、溝によって樹脂バリの形成を抑制し、ダイパッドの裏面の露出する面積を確保できても、溝の内部には封止樹脂が入り込んでしまうため、溝に厚い樹脂バリが形成されるという問題があった。そして、特許文献2の場合は、ダイパッドの裏面の周囲に突出壁を形成して封止樹脂の侵入を防止しているが、通常ダイパッドの裏面が露出する半導体パッケージ構造の場合は、樹脂封止時にダイパッドを樹脂成型金型の上型で押さえることができないため、突出壁の高さに僅かなバラつきがあった場合は、突出壁の隙間から樹脂が入り込み、ダイパッドの裏面の突出壁内部に厚い樹脂バリを形成するという問題があった。また、特許文献1、2の何れの発明においても、図4A、Bに示すように、ダイパッド70の裏面の角71が尖っていない場合は、樹脂成型金型の下型72とダイパッド70の裏面の角から樹脂が入り込んでしまい、図5A、Bに示すように、ダイパッド70の一部が樹脂により押し上げられて、傾いた状態でダイパッド70の裏面の一部に厚い樹脂バリ73を形成していた。なお、図4、図5において、74は半導体素子を、75、76はリードを、77は封止樹脂を、78は上型を示す。即ち、特許文献1、2に記載された発明では、ダイパッド70の裏面への樹脂バリ73の形成を完全に防止することはできなかった。以上のように、従来の技術では樹脂バリ73は必ず発生してしまい、樹脂バリ73が発生した場合は、製品の放熱性を阻害してしまう恐れがあった。そのため、通常の樹脂バリを除去する工法としては、樹脂バリ73を剥離できる溶液中に半導体パッケージ80を所定時間浸した後に高水圧の水流にて樹脂バリ73を除去している。また、放熱性を確保するために、樹脂バリが大きく厚いものを除去する工法として、樹脂成型後に樹脂バリ73にレーザーを照射し、樹脂バリ73を炭化した後に、樹脂バリ73を剥離できる溶液中に、半導体パッケージ80を所定時間浸した後、更に、高水圧の水流にて樹脂バリ73を除去している。このような工程を、外装めっき工程の前処理として行っているのが一般的である。ところが、樹脂バリ73が厚く形成されている場合や、樹脂バリ73の面積が広い場合は、樹脂バリ73を除去するためにレーザーの照射や溶液への浸水等のエネルギーを多く必要とすることから、樹脂バリ73のみならず、半導体パッケージ80内の封止樹脂77とリードフレーム81をも剥離してしまい、半導体パッケージ80の製品としての機能を損なう虞があった。本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、ダイパッドが底面から露出した半導体装置において、ダイパッドへの樹脂バリの付着がなく、放熱性能のよいリードフレーム、リードフレームの製造方法、及びこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。前記目的に沿う第1の発明に係るリードフレームは、半導体素子を載せるダイパッドの裏面が露出するタイプの半導体装置に使用するリードフレームにおいて、前記ダイパッドの裏面の外周部に、パッケージ下面方向に突出する第1の金属バリが形成され、しかも、前記第1の金属バリの先端が平坦となっている。第1の発明に係るリードフレームにおいて、前記ダイパッドの周辺に前記ダイパッドの裏面と同一面を有する複数の外部端子が形成され、前記複数の外部端子の各端子外周部に、パッケージ下面方向に突出する第2の金属バリを形成し、前記第2の金属バリの先端が平坦となっているのが好ましい。ここで、前記第1、第2の金属バリの各針の間には隙間が形成されているのが好ましい。また、前記第1、第2の金属バリの高さは0μmを超え10μm以下とするのがよい。第2の発明に係るリードフレームの製造方法は、半導体素子を載せるダイパッドの裏面が露出するタイプの半導体装置に使用するリードフレームの製造方法において、前記ダイパッドを打ち抜き形成した際に同時に形成された第1の金属バリをパンチで押圧することによって、前記ダイパッドの外周部に先端が平坦となった前記第1の金属バリを設けている。第2の発明に係るリードフレームの製造方法において、前記ダイパッドの周辺に前記ダイパッドの裏面と同一面を有する複数の外部端子を打ち抜き形成した際に、同時に前記複数の外部端子の各端子外周部に形成された第2の金属バリをパンチで押圧することによって、前記各端子外周部に先端が平坦となった前記第2の金属バリを設けるのが好ましい。なお、前記第1、第2の金属バリの高さは0μmを超え10μm以下であるのが好ましい。第3の発明に係る半導体装置は、半導体素子を載せるダイパッドの裏面が露出するタイプの半導体装置において、露出している前記ダイパッドの裏面の外周部に、パッケージ下面方向に突出する第1の金属バリを形成し、前記第1の金属バリの先端が平坦となっている。第3の発明に係る半導体装置において、前記ダイパッドの周辺に前記ダイパッドの裏面と同一面を有する複数の外部端子が形成され、前記複数の外部端子の各端子外周部に、パッケージ下面方向に突出する第2の金属バリを形成し、前記第2の金属バリの先端が平坦となっているのが好ましい。本発明に係るリードフレーム、リードフレームの製造方法、及び半導体装置においては、以下の効果を有する。1金属バリ即ち、第1、第2の金属バリを叩き、先端を平坦に形成したので、樹脂成型金型の下型に対する面圧が増え、樹脂の注入圧に対して強固にできる。2ダイパッドの周縁領域に下地金属が不均一に露出するよう、面積の小さい不均一の除去しやすい樹脂バリを形成することで、後工程で容易に樹脂バリを除去できる。3従来技術のようにU溝、V溝を付けたり、ダイパッドを曲げ加工したりすると、搭載される半導体素子サイズが制約されるが、本件ではダイパッドに加工を施さないので、ダイパッドを最大限に活用でき、設計上の制約も無くすことができる。4リードフレーム製作時の追加の工数をかけることが無いのでコストパフォーマンスが高い。5そして、金属バリを叩き、先端を平坦に形成し、金属バリの高さを0μmを超え10μm以下にした場合は、隣り合う金属バリの間から封止樹脂を不均一に漏らすことができる。続いて、添付した図面を参照しながら、本発明を具体化した実施の形態について説明する。図1A~Cに示すように、本発明の第1の実施の形態に係るリードフレーム10は、使用にあっては底面が露出するダイパッド11を有している。このリードフレーム10はパンチとダイを用いるプレス加工によって製造され、ダイパッド11の他に、リード13、サポートリード14を有している。そして、このリードフレーム10は銅又は銅合金からなる薄板材をパンチ及びダイを用いて打ち抜き加工を行う。この場合、パンチとダイとの間に例えば、1~10μm程度のクリアランスを有し、薄板材を一部延性破壊するので、ダイパッド11、リード13、サポートリード14の裏面側端部即ち、外周部には、パンチの移動方向即ち、パッケージ下面方向、なおこの場合ダイは固定に金属バリ15が発生する。この金属バリ15は針状となってその高さは、パンチとダイのクリアランスによって変わるが、通常は25μm以下、5μm以上となっている。なお、金属バリ15以下に説明する金属バリ27も同じを形成する各針の間には隙間が形成されている。次に、この金属バリ15を平面パンチによって押し潰す。これによって、金属バリ15は先端部分が押し潰されて、先部が平面状となった金属バリ16即ち、第1の金属バリとなる。金属バリ16は高さhが揃っているが、元々針状となった部分を押し潰すので、各針17の間には隙間18を有している。この金属バリ16の高さh図2B参照は0μmを超え、10μm以下好ましくは3μm以下となっている。なお、各リード13及びサポートリード14は図示しないリード枠に固定されている。この後、リード13とダイパッド11とを切り離し、ダイパッド11の押し下げ加工を行って、完成したリードフレーム10とする。なお、このリードフレーム10は一枚の短冊又は平板に縦横に複数形成されている。このリードフレーム10を用いた、図2Aに示すような本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置20及びこれを製造する方法について説明する。まずは、リードフレーム10のダイパッド11上に半導体素子21を固定し、半導体素子21と各リード13とをボンディングワイヤ図示せずによって連結する。この後、この中間製品を下型と上型図示せずに入れて、樹脂封止を行う。なお、金型内に中間製品を入れて樹脂を注入することは周知であるので、詳しい説明は省略する。ダイパッド11の底面は下型に押し付けるようにして樹脂封止を行うが、樹脂の一部は金属バリ16の隙間18の部分から樹脂バリ23となって、ダイパッド11の底面に付着する。しかしながら、ダイパッド11の底面の周縁領域に付着した樹脂バリ23は、図2Bに示すように、金属バリ16の各針17の間の隙間18から線状に分割されて滲み出し、ダイパッド11の裏面には斑状に面積の小さい樹脂バリ23が不均一に形成され、樹脂バリ23の一部からダイパッド11の裏面の金属面が不均一に露出している。これにより、樹脂バリ23を除去する溶液が、金属面から樹脂バリ23と金属面との境界に侵入し、樹脂バリ23を浮かせるため、樹脂バリ23を容易にしかも確実に除去することができる。更に、樹脂バリ23は金属バリ16の高さhまでの薄バリであるため、周囲の封止樹脂24との結合力が小さく、従来より樹脂バリを溶かして除去できる溶液中に浸す時間を短くすることができるため、半導体パッケージ半導体装置20の製品としての機能を損なうことなく、水流ジェット、必要な場合はブラシを用いて簡単に除去でき、これによって、ダイパッド11の裏面に金属面を完全に露出できて、半導体素子21の効率的な放熱が可能となる。なお、ここで、半導体装置20の金属バリ16の高さが10μmを超えて形成されていたとしても、基板に実装する際に、ダイパッド11の裏面に厚さ5~18μmの外装めっきを施し、更に、ダイパッド11の裏面は高さ50~150μmの半田により実装されるため、金属バリ16の高さが10μmより高くなっても熱伝導性には影響を与えない。本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、例えば、前記実施の形態においては、各リードが半導体装置の横面から突出していたが、半導体装置の底面から端子外部接続端子が露出するタイプの半導体装置であっても適用される。即ち、図3の本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置25に示すように、ダイパッド11の周辺にダイパッド11の裏面と同一面即ち、同一面上にある、面一となっているを有する複数の外部端子26が形成され、複数の外部端子26の各端子外周部に、パッケージ下面方向に突出する金属バリを形成しパンチで押圧する。これによって、金属バリ27即ち、第2の金属バリの先端が平坦となり、樹脂封止時に、この端子の裏側面に回り込んだ樹脂の剥離が容易となる。