n型炭化ケイ素ドリフト層と、前記n型炭化ケイ素ドリフト層内にあり、n型炭化ケイ素領域を有する離間されたp型炭化ケイ素領域と、前記n型炭化ケイ素ドリフト層上の窒化酸化物層とを有する二重注入炭化ケイ素MOSFETと、前記n型炭化ケイ素領域のそれぞれから前記p型炭化ケイ素領域を通って前記n型炭化ケイ素ドリフト層まで延びるn型短絡チャネルとを備え、前記n型短絡チャネルは、前記n型炭化ケイ素ドリフト層まで延びている一方、当該n型炭化ケイ素ドリフト層の内部には延びておらず、前記n型短絡チャネルは、前記n型短絡チャネル間に配置された領域に存在するより高いn型不純物濃度を有し、前記炭化ケイ素は、4Hポリタイプ炭化ケイ素を含み、前記酸化物層と前記n型ドリフト層との間の界面は、界面準位密度が、4Hポリタイプ炭化ケイ素の伝導帯エネルギーから約0.3~約0.4eV以内のエネルギー準位に対して、1012eV-1cm-2未満であることを特徴とする炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ。前記p型炭化ケイ素領域は、アルミニウムが注入された、離間された炭化ケイ素領域を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ。前記酸化物層上のゲートコンタクトをさらに備え、当該ゲートコンタクトはp型ポリシリコンを含んでいることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ。前記n型短絡チャネルは、ゼロボルトゲートバイアスが印加されたときに前記n型チャネルが自己空乏するようにドープされていることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ。前記短絡チャネルは、約1013cm-2未満のシート電荷を有していることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素金属酸化物電界効果トランジスタ。前記短絡チャネルは、厚みが約3500Åでキャリア濃度が約2×1016cm-3の炭化ケイ素エピタキシャル層に対応するシート電荷を有していることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素金属酸化物電界効果トランジスタ。前記窒化酸化物は、酸化物-窒化物-酸化物構造および酸窒化物の少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素金属酸化物電界効果トランジスタ。n型炭化ケイ素ドリフト層と、前記n型炭化ケイ素ドリフト層内にあり、n型炭化ケイ素領域を有する離間されたp型炭化ケイ素領域と、前記n型炭化ケイ素ドリフト層上の窒化酸化物層とを有する二重注入炭化ケイ素MOSFETと、前記n型炭化ケイ素領域のそれぞれから前記p型炭化ケイ素領域を通って前記n型炭化ケイ素ドリフト層まで延びるn型短絡チャネルとを備え、前記n型短絡チャネルは、前記p型炭化ケイ素領域周辺まで延びている一方、当該p型炭化ケイ素領域周辺を越えて延びておらず、前記n型短絡チャネルは、前記n型短絡と、前記n型短絡チャネル間の前記n型炭化ケイ素ドリフト層上の炭化ケイ素エピタキシャル層との間に配置された領域に存在するより高いn型不純物濃度とを有し、前記酸化物層と、前記ドリフト層および第1のn型炭化ケイ素領域ならびに第2のn型炭化ケイ素領域との間の界面の界面準位密度は、4Hポリタイプ炭化ケイ素の伝導帯エネルギーから約0.3~約0.4eV以内に対して、約1012eV-1cm-2未満であることを特徴とする炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ。n型炭化ケイ素ドリフト層と、前記ドリフト層内の第1のp型炭化ケイ素領域であって、離間して設けられ相互間の前記ドリフト領域を画定する周縁を有する第1のp型炭化ケイ素領域と、前記第1のp型炭化ケイ素領域内の前記ドリフト層のキャリア濃度よりも大きいキャリア濃度を有し、前記第1のp型炭化ケイ素領域の前記周縁から離間された第1のn型炭化ケイ素領域と、前記第1のn型炭化ケイ素領域の前記キャリア濃度よりも小さいキャリア濃度を有し、前記第1のn型炭化ケイ素領域から前記第1のp型炭化ケイ素領域の前記周縁まで延びるが、実質上それを超えない第2のn型炭化ケイ素領域であって、第2のn型炭化ケイ素の領域間に配置された領域に存在するより高いn型不純物濃度とを有することを特徴とする第2のn型炭化ケイ素領域と、前記ドリフト層、前記第1のn型炭化ケイ素領域、および前記第2のn型炭化ケイ素領域上の窒化酸化物層とを備え、前記酸化物層と、前記ドリフト層および前記第1のn型炭化ケイ素領域ならびに前記第2のn型炭化ケイ素領域との間の界面の界面準位密度は、4Hポリタイプ炭化ケイ素の伝導帯エネルギーから約0.3~約0.4eV以内に対して、約1012eV-1cm-2未満であることを特徴とする炭化ケイ素デバイス。前記第2のn型炭化ケイ素領域は、シート電荷が約1013cm-2未満であることを特徴とする請求項9に記載の炭化ケイ素デバイス。前記第2のn型炭化ケイ素領域は、深さが約0.05μm~約1μmであることを特徴とする請求項9に記載の炭化ケイ素デバイス。前記第2のn型炭化ケイ素領域は、厚みが約3500Åでキャリア濃度が約2×1016cm-3の炭化ケイ素エピタキシャル層に対応するシート電荷を有していることを特徴とする請求項9に記載の炭化ケイ素デバイス。前記第1のp型炭化ケイ素のそれぞれに配置された第2のp型炭化ケイ素領域をさらに備え、前記第2のp型炭化ケイ素領域は、キャリア濃度が前記第1の炭化ケイ素領域の前記キャリア濃度よりも大きく、前記第2の炭化ケイ素領域は、前記第1のn型炭化ケイ素領域に隣接して前記第2のn型炭化ケイ素領域の反対側にあることを特徴とする請求項9に記載の炭化ケイ素デバイス。前記酸化物層上のゲートコンタクトをさらに備えていることを特徴とする請求項9に記載の炭化ケイ素デバイス。前記ゲートコンタクトはp型ポリシリコンであることを特徴とする請求項14に記載の炭化ケイ素デバイス。前記第1のp型炭化ケイ素および前記第1のn型炭化ケイ素領域の上にコンタクトをさらに備えていることを特徴とする請求項9に記載の炭化ケイ素デバイス。キャリア濃度が前記ドリフト層の前記キャリア濃度よりも高くかつ前記ドリフト層に隣接して前記酸化物層の反対側に配置されたn型炭化ケイ素層と、前記n型炭化ケイ素層上のドレインコンタクトとをさらに備えていることを特徴とする請求項9に記載の炭化ケイ素デバイス。前記窒化酸化物層は、酸化物-窒化物-酸化物構造および酸窒化物の少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項9に記載の炭化ケイ素デバイス。前記第1のp型領域および前記n型炭化ケイ素ドリフト層の上に炭化ケイ素エピタキシャル層をさらに備え、前記第2のn型炭化ケイ素領域は前記エピタキシャル層内に延び、前記第1のn型炭化ケイ素領域は前記エピタキシャル層を通って延び、前記酸化物層は前記エピタキシャル層、前記第1のn型炭化ケイ素領域および前記第2のn型炭化ケイ素領域の上にあることを特徴とする請求項9に記載の炭化ケイ素デバイス。前記炭化ケイ素エピタキシャル層は、厚みが約0.05μm~約1μmの炭化ケイ素エピタキシャル層を含んでいることを特徴とする請求項19に記載の炭化ケイ素デバイス。前記炭化ケイ素エピタキシャル層は、厚みが約1000~約5000Åの炭化ケイ素エピタキシャル層を含んでいることを特徴とする請求項20に記載の炭化ケイ素デバイス。前記エピタキシャル層は、シート電荷が約1013cm-2未満のn型炭化ケイ素を含んでいることを特徴とする請求項19に記載の炭化ケイ素デバイス。前記第2のn型炭化ケイ素領域は、シート電荷が約1013cm-2未満であることを特徴とする請求項19に記載の炭化ケイ素デバイス。前記第2のn型炭化ケイ素領域は、深さが約0.05μm~約1μmであることを特徴とする請求項23に記載の炭化ケイ素デバイス。前記第1のp型炭化ケイ素のそれぞれに配置された第2のp型炭化ケイ素領域をさらに備え、前記第2のp型炭化ケイ素領域は、キャリア濃度が前記第1の炭化ケイ素領域の前記キャリア濃度よりも大きく、前記第2の炭化ケイ素領域は、前記第1のn型炭化ケイ素領域に隣接して前記第2のn型炭化ケイ素領域の反対側にあることを特徴とする請求項19に記載の炭化ケイ素デバイス。第2のp型炭化ケイ素領域を露出させるように位置決めされた前記エピタキシャル層内の窓と、前記第2のp型炭化ケイ素領域上の前記窓内と、前記第1のn型炭化ケイ素領域上とにある第1のソースコンタクトとをさらに備えていることを特徴とする請求項25に記載の炭化ケイ素デバイス。前記酸化物層上のゲートコンタクトをさらに備えていることを特徴とする請求項21に記載の炭化ケイ素デバイス。前記ゲートコンタクトはp型ポリシリコンであることを特徴とする請求項27に記載の炭化ケイ素デバイス。キャリア濃度が前記ドリフト層の前記キャリア濃度よりも高くかつ前記ドリフト層に隣接して前記酸化物層の反対側に配置されたn型炭化ケイ素層と、前記n型炭化ケイ素層上のドレインコンタクトとをさらに備えていることを特徴とする請求項19に記載の炭化ケイ素デバイス。n型炭化ケイ素ドリフト層と、前記ドリフト層内の第1のp型炭化ケイ素領域であって、離間して設けられ相互間の前記ドリフト領域を画定する周縁を有する第1のp型炭化ケイ素領域と、前記第1のp型炭化ケイ素領域内の前記ドリフト層のキャリア濃度よりも大きいキャリア濃度を有し、前記第1のp型炭化ケイ素領域の前記周縁から離間された第1のn型炭化ケイ素領域と、前記第1のn型炭化ケイ素領域の前記キャリア濃度よりも小さいキャリア濃度を有し、前記第1のn型炭化ケイ素領域から前記第1のp型炭化ケイ素領域の前記周縁まで延びる第2のn型炭化ケイ素領域と、前記ドリフト層、前記第1のn型炭化ケイ素領域、および前記第2のn型炭化ケイ素領域上の窒化酸化物層とを備え、前記第2のn型炭化ケイ素領域は、約0.5μm~約5μmの距離だけ、前記第1のn型炭化ケイ素領域から前記第1のp型炭化ケイ素領域の前記周縁まで延び、前記炭化ケイ素は、4Hポリタイプ炭化ケイ素を含み、前記酸化物層と前記n型ドリフト層との間の界面は、界面準位密度が、4Hポリタイプ炭化ケイ素の伝導帯エネルギーから約0.3~約0.4eV以内のエネルギー準位に対して、1012eV-1cm-2未満であることを特徴とする炭化ケイ素デバイス。n型炭化ケイ素ドリフト層と、前記ドリフト層内の第1のp型炭化ケイ素領域であって、離間して設けられ相互間の前記ドリフト領域を画定する周縁を有する第1のp型炭化ケイ素領域と、前記第1のp型炭化ケイ素領域内の前記ドリフト層のキャリア濃度よりも大きいキャリア濃度を有し、前記第1のp型炭化ケイ素領域の前記周縁から離間された第1のn型炭化ケイ素領域と、前記第1のn型炭化ケイ素領域の前記キャリア濃度よりも小さいキャリア濃度を有し、前記第1のn型炭化ケイ素領域から前記第1のp型炭化ケイ素領域の前記周縁まで延びる第2のn型炭化ケイ素領域と、前記ドリフト層、前記第1のn型炭化ケイ素領域、および前記第2のn型炭化ケイ素領域上の窒化酸化物層とを備え、前記第1のp型炭化ケイ素領域は、約1μm~約10μmの距離だけ離間され、前記炭化ケイ素は4Hポリタイプ炭化ケイ素を含み、前記酸化物層と前記n型ドリフト層との間の界面は、界面準位密度が、4Hポリタイプ炭化ケイ素の伝導帯エネルギーから約0.3~約0.4eV以内のエネルギー準位に対して、1012eV-1cm-2未満であることを特徴とする炭化ケイ素デバイス。約1×1016~約2×1019cm-3のキャリア濃度を有する第1のp型炭化ケイ素領域を有することを特徴とする請求項31に記載の炭化ケイ素デバイス。n型炭化ケイ素ドリフト層と、前記ドリフト層内の第1のp型炭化ケイ素領域であって、離間して設けられ相互間の前記ドリフト領域を画定する周縁を有する第1のp型炭化ケイ素領域と、前記第1のp型炭化ケイ素領域内の前記ドリフト層のキャリア濃度よりも大きいキャリア濃度を有し、前記第1のp型炭化ケイ素領域の前記周縁から離間された第1のn型炭化ケイ素領域と、前記第1のn型炭化ケイ素領域の前記キャリア濃度よりも小さいキャリア濃度を有し、前記第1のn型炭化ケイ素領域から前記第1のp型炭化ケイ素領域の前記周縁まで延びる第2のn型炭化ケイ素領域と、前記ドリフト層、前記第1のn型炭化ケイ素領域、および前記第2のn型炭化ケイ素領域上の窒化酸化物層とを備え、前記第1のp型領域および前記n型炭化ケイ素ドリフト層の上に炭化ケイ素エピタキシャル層をさらに備え、前記第2のn型炭化ケイ素領域は前記エピタキシャル層内に延び、前記第1のn型炭化ケイ素領域は前記エピタキシャル層を通って延び、前記酸化物層は前記エピタキシャル層、前記第1のn型炭化ケイ素領域および前記第2のn型炭化ケイ素領域の上にあり、前記エピタキシャル層は、アンドープの炭化ケイ素を含み、前記炭化ケイ素は、4Hポリタイプ炭化ケイ素を含み、前記酸化物層と前記n型ドリフト層との間の界面は、界面準位密度が、4Hポリタイプ炭化ケイ素の伝導帯エネルギーから約0.3~約0.4eV以内のエネルギー準位に対して、1012eV-1cm-2未満であることを特徴とする炭化ケイ素デバイス。n型炭化ケイ素ドリフト層と、前記ドリフト層内の第1のp型炭化ケイ素領域であって、離間して設けられ相互間の前記ドリフト領域を画定する周縁を有する第1のp型炭化ケイ素領域と、前記第1のp型炭化ケイ素領域内の前記ドリフト層のキャリア濃度よりも大きいキャリア濃度を有し、前記第1のp型炭化ケイ素領域の前記周縁から離間された第1のn型炭化ケイ素領域と、前記第1のn型炭化ケイ素領域の前記キャリア濃度よりも小さいキャリア濃度を有し、前記第1のn型炭化ケイ素領域から前記第1のp型炭化ケイ素領域の前記周縁まで延びる第2のn型炭化ケイ素領域と、前記ドリフト層、前記第1のn型炭化ケイ素領域、および前記第2のn型炭化ケイ素領域上の窒化酸化物層とを備え、前記第1のp型領域および前記n型炭化ケイ素ドリフト層の上に炭化ケイ素エピタキシャル層をさらに備え、前記第2のn型炭化ケイ素領域は前記エピタキシャル層内に延び、前記第1のn型炭化ケイ素領域は前記エピタキシャル層を通って延び、前記酸化物層は前記エピタキシャル層、前記第1のn型炭化ケイ素領域および前記第2のn型炭化ケイ素領域の上にあり、第2のn型の炭化ケイ素領域は、約0.5μm~約5μmの距離だけ、前記第1のn型炭化ケイ素領域から前記第1のp型炭化ケイ素領域の周縁まで延び、前記炭化ケイ素は、4Hポリタイプ炭化ケイ素を含み、前記酸化物層と前記n型ドリフト層との間の界面は、界面準位密度が、4Hポリタイプ炭化ケイ素の伝導帯エネルギーから約0.3~約0.4eV以内のエネルギー準位に対して、1012eV-1cm-2未満であることを特徴とする炭化ケイ素デバイス。n型炭化ケイ素ドリフト層と、前記ドリフト層内の第1のp型炭化ケイ素領域であって、離間して設けられ相互間の前記ドリフト領域を画定する周縁を有する第1のp型炭化ケイ素領域と、前記第1のp型炭化ケイ素領域内の前記ドリフト層のキャリア濃度よりも大きいキャリア濃度を有し、前記第1のp型炭化ケイ素領域の前記周縁から離間された第1のn型炭化ケイ素領域と、前記第1のn型炭化ケイ素領域の前記キャリア濃度よりも小さいキャリア濃度を有し、前記第1のn型炭化ケイ素領域から前記第1のp型炭化ケイ素領域の前記周縁まで延びる第2のn型炭化ケイ素領域と、前記ドリフト層、前記第1のn型炭化ケイ素領域、および前記第2のn型炭化ケイ素領域上の窒化酸化物層とを備え、前記第1のp型領域および前記n型炭化ケイ素ドリフト層の上に炭化ケイ素エピタキシャル層をさらに備え、前記第2のn型炭化ケイ素領域は前記エピタキシャル層内に延び、前記第1のn型炭化ケイ素領域は前記エピタキシャル層を通って延び、前記酸化物層は前記エピタキシャル層、前記第1のn型炭化ケイ素領域および前記第2のn型炭化ケイ素領域の上にあり、第1のp型炭化ケイ素領域は約1μm~約10μmの距離まで離間され、前記炭化ケイ素は、4Hポリタイプ炭化ケイ素を含み、前記酸化物層と前記n型ドリフト層との間の界面は、界面準位密度が、4Hポリタイプ炭化ケイ素の伝導帯エネルギーから約0.3~約0.4eV以内のエネルギー準位に対して、1012eV-1cm-2未満であることを特徴とする炭化ケイ素デバイス。約1×1016~約2×1019cm-3のキャリア濃度を有する第1のp型炭化ケイ素領域を有することを特徴とする請求項31に記載の炭化ケイ素デバイス。p型不純物をn型炭化ケイ素層内に注入して、第1のp型炭化ケイ素領域を設けるステップであって、前記第1のp型炭化ケイ素領域は、離間され、かつその間のn型炭化ケイ素層の領域を画定する周縁を有するステップと、n型不純物を前記第1のp型炭化ケイ素領域内に注入して、炭化ケイ素層のキャリア濃度よりも大きいキャリア濃度を有する前記第1のn型炭化ケイ素領域を設けるステップであって、前記第1のn型炭化ケイ素領域は、前記第1のp型炭化ケイ素領域の周縁から間隔を置いて配置されるステップと、n型不純物を、前記第1のp型炭化ケイ素領域内に注入して、前記第1のn型炭化ケイ素領域のキャリア濃度よりも小さいキャリア濃度を有し、前記第1のn型炭化ケイ素領域から前記第1のp型炭化ケイ素領域の周縁まで延びる、第2のn型炭化ケイ素領域を設けるステップと、酸化物層を、ドリフト層、前記第1のn型炭化ケイ素領域、および前記第2のn型炭化ケイ素領域の上でパターニングしてゲート酸化物を形成するステップとを含む、炭化ケイ素デバイスの製造方法。p型不純物を注入するステップ、n型不純物を注入して第1のn型炭化ケイ素領域を設けるステップ、および、n型不純物を注入して第2のn型炭化ケイ素領域を設けるステップを含む請求項37に記載の方法は、前記n型炭化ケイ素層の一部を露出させるため、前記第1のp型炭化ケイ素領域に対応する開口部を有した第1のマスクを、前記n型炭化ケイ素層上にパターニングするステップと、次に前記第1のマスクを用いて前記n型炭化ケイ素内にp型不純物を注入するステップと、次に前記第1のマスクを用いて前記第1のp型炭化ケイ素領域内にn型不純物を注入するステップと、前記p型およびn型不純物が内部に注入された前記n型炭化ケイ素層の一部を露出させるため、前記第1のn型炭化ケイ素領域に対応する開口部を有した第2のマスクを、前記n型炭化ケイ素層上にパターニングするステップと、n型不純物を前記第2のマスクを用いて前記n型炭化ケイ素層内に注入するステップとを含むことを特徴とする請求項37に記載の方法。n型不純物を前記第1のマスクを用いて前記n型炭化ケイ素層内に注入するステップの後に、少なくとも約1500°Cの温度でアニールすることによって、注入された不純物を活性化するステップを行うことを特徴とする請求項38に記載の方法。前記p型不純物はアルミニウムを含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。前記第2のn型炭化ケイ素領域が、約0.5μmから約5μmの距離だけ、前記第1のn型炭化ケイ素領域から前記第1のp型炭化ケイ素領域の外縁まで延びるように、前記第2のマスクがパターニングされることを特徴とする請求項38に記載の方法。n型不純物を注入して第2のn型炭化ケイ素領域を設けるステップは、前記第2のn型炭化ケイ素領域が約1013cm-2未満のシート電荷を有するように不純物を注入するステップを含むことを特徴とする請求項37に記載の方法。n型不純物を注入して第2のn型炭化ケイ素領域を設けるステップは、第2のn型炭化ケイ素領域が約0.05μmから約1μmの深さを有するような注入エネルギーを用いてn型不純物を注入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項42に記載の方法。酸化物層をパターニングする前記ステップは、酸化物層を熱成長させるステップを含むことを特徴とする請求項37に記載の方法。酸化物層を熱成長させる前記ステップは、NO環境またはN2O環境中で熱成長させるステップを含むことを特徴とする請求項44に記載の方法。酸化物層を熱成長させる前記ステップは、酸窒化物層を熱成長させるステップを含むことを特徴とする請求項44に記載の方法。酸化物層をパターニングする前記ステップは、酸化物-窒化物-酸化物ONO層を形成することを特徴とする請求項37に記載の方法。酸化物層をNO環境またはN2O環境の少なくとも1つの中でアニールするステップをさらに含むことを特徴とする請求項37に記載の方法。アニーリングする前記ステップによって、前記酸化物層と、前記ドリフト層、前記第1のn型炭化ケイ素領域、および前記第2のn型炭化ケイ素領域との間の界面の界面準位密度を、4Hポリタイプ炭化ケイ素の伝導帯エネルギーから約0.4eV以内において約1012eV-1cm-2未満とすることを特徴とする請求項48に記載の方法。p型不純物を前記n型炭化ケイ素層内に注入して、前記第1のp型炭化ケイ素領域のそれぞれに配置された第2のp型炭化ケイ素領域を設けるステップをさらに含み、前記第2のp型炭化ケイ素領域のキャリア濃度が前記第1の炭化ケイ素領域のキャリア濃度よりも大きく、前記第2の炭化ケイ素領域は前記第1のn型炭化ケイ素領域に隣接しており、かつ前記第2のn型炭化ケイ素領域の反対側にあることを特徴とする請求項37に記載の方法。ゲートコンタクトを前記酸化物層上に設けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項37に記載の方法。ゲートコンタクトを設けるステップは、ゲートコンタクトを前記酸化物層上に設けるためにp型ポリシリコンをパターニングするステップを含むことを特徴とする請求項51に記載の方法。前記第1のマスクは、約1μmから約10μmの距離だけ離間された開口部を有することを特徴とする請求項38に記載の方法。n型不純物を、前記酸化物層と反対側の前記n型炭化ケイ素層の面に注入して、前記n型炭化ケイ素層のキャリア濃度よりも大きいキャリア濃度を有する第2のn型炭化ケイ素層を設けるステップと、ドレインコンタクトを前記第2のn型炭化ケイ素層上に形成するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項37に記載の方法。前記n型炭化ケイ素層は炭化ケイ素基板を含むことを特徴とする請求項37に記載の方法。p型不純物を注入するステップと、n型不純物を注入して第1のn型炭化ケイ素領域を設けるステップと、および、n型不純物を注入して第2のn型炭化ケイ素領域を設けるステップを含む請求項37に記載の方法は、前記n型炭化ケイ素層の一部を露出させるために、前記第1のp型炭化ケイ素領域に対応する開口部を有した第1のマスクを、前記n型炭化ケイ素層上にパターニングするステップと、次に第1のマスクを用いて前記n型炭化ケイ素層内にp型不純物を注入するステップと、次に前記n型炭化ケイ素層と前記第1のp型炭化ケイ素領域とを少なくとも約1500°Cの温度でアニールするステップと、次に前記n型炭化ケイ素層と前記第1のp型炭化ケイ素領域との上に、炭化ケイ素のエピタキシャル層を成長させるステップと、次に前記第1のp型炭化ケイ素領域の一部を露出させるために、前記第2のn型炭化ケイ素領域に対応する開口部を有した第2のマスクを、前記n型炭化ケイ素層上にパターニングするステップと、前記第2のマスクを用いて前記エピタキシャル層n型炭化ケイ素内にn型不純物を注入するステップと、次に前記第1のp型炭化ケイ素領域の一部を露出させるために、前記第1のn型炭化ケイ素領域に対応する開口部を有した第3のマスクを、前記n型炭化ケイ素層上にパターニングするステップと、前記第3のマスクを用いて前記第1のp型炭化ケイ素領域と前記炭化ケイ素のエピタキシャル層との内部にn型不純物を、注入するステップとを含み、酸化物層をパターニングする前記プロセスは、酸化物層を、前記エピタキシャル層、前記第1のn型炭化ケイ素領域、および前記第2のn型炭化ケイ素領域の上にパターニングしてゲート酸化物を形成するステップを含むことを特徴とする方法。炭化ケイ素のエピタキシャル層を成長させる前記ステップは、炭化ケイ素のアンドープのエピタキシャル層を成長させるステップを含むことを特徴とする請求項56に記載の方法。炭化ケイ素のエピタキシャル層を成長させる前記ステップは、約1013cm-2未満のシート電荷を有する炭化ケイ素のエピタキシャル層を成長させるステップを含むことを特徴とする請求項56に記載の方法。炭化ケイ素のエピタキシャル層を成長させる前記ステップは、炭化ケイ素のエピタキシャル層を約0.05μmから約1μmの厚みまで成長させるステップを含むことを特徴とする請求項56に記載の方法。炭化ケイ素のエピタキシャル層を成長させる前記ステップは、炭化ケイ素のエピタキシャル層を約1000から約5000Åの厚みまで成長させるステップを含むことを特徴とする請求項59に記載の方法。前記p型不純物はアルミニウムを含むことを特徴とする請求項56に記載の方法。前記第3のマスクは、前記第2のn型炭化ケイ素領域が、約0.5μmから約5μmの距離だけ、前記第1のn型炭化ケイ素領域から前記第1のp型炭化ケイ素領域の外縁まで延びるようにパターニングされることを特徴とする請求項56に記載の方法。n型不純物を注入して第2のn型炭化ケイ素領域を設ける前記ステップは、前記第2のn型炭化ケイ素領域が約1013cm-2未満のシート電荷を有するように不純物を注入するステップを含むことを特徴とする請求項56に記載の方法。n型不純物を注入して第2のn型炭化ケイ素領域を設けるステップは、第2のn型炭化ケイ素領域が約0.05μmから約1μmの深さを有するような注入エネルギーを用いてn型不純物を注入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項63に記載の方法。酸化物層をパターニングする前記ステップは、酸化物層を熱成長させるステップを含むことを特徴とする請求項56に記載の方法。酸化物層を熱成長させる前記ステップは、NO環境またはN2O環境中で熱成長させるステップを含むことを特徴とする請求項65に記載の方法。酸化物層を熱成長させる前記ステップは、酸窒化物層を熱成長させるステップを含むことを特徴とする請求項65に記載の方法。酸化物層をパターニングする前記ステップは、酸化物-窒化物-酸化物ONO層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項56に記載の方法。酸化物層をNO環境またはN2O環境の少なくとも1つの中でアニールするステップをさらに含むことを特徴とする請求項56に記載の方法。アニーリングする前記ステップによって、前記酸化物層と、前記ドリフト層、前記第1のn型炭化ケイ素領域、および前記第2のn型炭化ケイ素領域との間の界面の界面準位密度を、4Hポリタイプ炭化ケイ素の伝導帯エネルギーから約0.3~約0.4eV以内において約1012eV-1cm-2未満とすることを特徴とする請求項59に記載の方法。アニーリングの前記ステップの前に、第4のマスクをパターニングするステップであって、前記第4のマスクは前記n型炭化ケイ素層と前記第1のp型炭化ケイ素領域との上にあり、前記第1のp型炭化ケイ素領域のそれぞれに配置された第2のp型炭化ケイ素領域に対応する開口部を内部に有し、前記第2の炭化ケイ素領域は前記第1のn型炭化ケイ素領域に隣接し、かつ前記第2のn型炭化ケイ素領域の反対側にあるステップと、第4のマスクを用いて第2のp型炭化ケイ素領域が第1の炭化ケイ素領域のキャリア濃度よりも大きいキャリア濃度を有するようにp型不純物を注入するステップとを行うことを特徴とする請求項56に記載の方法。前記第2のp型炭化ケイ素領域を露出させるように位置決めされた窓をエピタキシャル層内に形成するステップと、前記第2のp型炭化ケイ素領域と前記第1のn型炭化ケイ素領域との上の窓内にコンタクトを形成するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項71に記載の方法。ゲートコンタクトを前記酸化物層上に設けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項56に記載の方法。ゲートコンタクトを設けるステップは、p型ポリシリコンをパターニングしてゲートコンタクトを前記酸化物層上に設けるステップを含むことを特徴とする請求項73に記載の方法。前記第1のマスクは、約1μmから約10μmの距離だけ離間された開口部を有することを特徴とする請求項56に記載の方法。n型不純物を前記酸化物層と反対側の前記n型炭化ケイ素層の面に注入して、前記n型炭化ケイ素層のキャリア濃度よりも大きいキャリア濃度を有する第2のn型炭化ケイ素層を設けるステップと、ドレインコンタクトを前記第2のn型炭化ケイ素層上に形成するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項56に記載の方法。前記n型炭化ケイ素層は炭化ケイ素基板を含むことを特徴とする請求項56に記載の方法。