マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、前記評価点の光強度を求め、求められた前記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、前記補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正することをコンピュータが実行するマスクパターンの補正方法。対向するパターンの端縁間の距離が所定の距離よりも短い箇所に対して、前記評価点を配置する請求項1に記載のマスクパターンの補正方法。対向するパターンの端縁の中間の位置に、前記評価点を配置する請求項1又は2に記載のマスクパターンの補正方法。対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光強度を求め、求められた光強度を第2閾値と比較して、対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光近接効果に対する第2の補正量を決定し、前記第2の補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正し、求められた前記評価点の光強度を、前記第2閾値とは異なる値の第1閾値と比較して、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する前記補正量を決定する請求項1~3の何れか一項に記載のマスクパターンの補正方法。マスクパターンを記憶する記憶部と、前記記憶部が記憶するマスクパターンを読み出して、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、前記評価点の光強度を求め、求められた前記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、前記補正量に基づいて対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する演算部と、を備えるマスクパターンの補正装置。回路設計データを記憶する記憶部と、前記記憶部から読み出した回路設計データに基づいてマスクパターンを設計し、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、前記評価点の光強度を求め、求められた前記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、前記補正量に基づいて対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する演算部と、を備える回路設計装置。光近接効果は、回路マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間にも生じる。このような光近接効果の影響により、レジスト層の転写パターン同士が接触するか、又は転写パターン内に断線が生じる場合がある。パターンの接触又は断線が生じる箇所は、危険箇所ともいわれる。図1Aは、回路マスクパターンの危険箇所の例を示す図であり、図1Bは、危険箇所の光強度を示す図である。図1Aには、パターン121及びパターン122を有する回路マスクパターン120が示されている。対向するパターン121及びパターン122の端縁それぞれには、光強度を評価するための評価点Aが配置されている。回路マスクパターンがレジスト層に投影された場合の評価点Aに対応するレジスト層の位置の光強度が計算され、この光強度に基づいて、対向するパターン121及びパターン122の端縁には、光近接効果に対する補正が行われている。また、図1Aには、対向するパターン121及びパターン122の端縁上の2つの評価点Aの間の位置に、光強度を評価するための評価点Bを配置されている。評価点Bは、パターン121とパターン122との間に配置される。即ち、評価点Bは、対向するパターン121の端縁とパターン122の端縁との間に位置している。図1Bには、2つの評価点A及び評価点Bを結ぶ線に沿って、回路マスクパターンがレジスト層に投影された場合のレジスト層における光強度が示されている。ここで、閾値S101よりも大きい光強度の部分では、レジスト層が解像される。2つの評価点Aに対応するレジスト層の位置の光強度は、閾値S101よりも大きいので、レジスト層が解像される。また、図1Bに示す例では、評価点Bに対応するレジスト層の位置の光強度が閾値S101よりも大きいので、対向するパターン121及びパターン122は、2つの評価点A及び評価点Bを結ぶ線に沿って解像されて接触することになる。評価点Bのような箇所は、危険箇所ホットスポットと呼ばれる。図2Aは、回路マスクパターンの危険箇所の他の例を示す図であり、図2Bは、危険箇所の光強度を示す図である。図2Aでは、評価点Bは、対向するパターン121の2つの端縁の間に位置している。評価点Bは、即ち、パターン121内に配置される。図2Bには、2つの評価点A及び評価点Bを結ぶ線に沿って、回路マスクパターンがレジスト層に投影された場合のレジスト層における光強度が示されている。2つの評価点Aに対応するレジスト層の位置の光強度は、閾値S101よりも大きいので、レジスト層が解像される。また、図2Bに示す例では、評価点Bに対応するレジスト層の位置の光強度が閾値S101よりも小さいので、パターン121の中央部分は解像されないため、パターン121には断線部分が形成される。このように、光近接効果は、回路マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間にも生じるので、危険箇所が形成されることを防止するために、回路設計データに基づいた目的回路パターンを正確に転写する回路マスクパターンが望まれている。例えば、回路マスクパターンにおける対向するパターンの端縁上及びこの端縁近傍のパターン内及びパターン外の3つの評価点における光強度を求めて、回路マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間の位置に対する光近接効果を補正することが提案されている。この提案では、回路マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間の位置に対する光近接効果を補正するために、上記3つの評価点の光強度に基づいて対向するパターンの端縁の内、評価点を含む一方の端縁のみが補正の対象となっている。一方、他方の端縁は補正の対象とはなっていない。そのため、回路マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間の位置に対する光近接効果の影響を十分に補正するためには、対向する他方の端縁に対しても、同様に3つの評価点の光強度の計算を行う必要がある。本明細書では、上述した問題を解決するために、マスクパターンの補正方法を提供することを目的とする。また、本明細書では、上述した問題を解決するために、マスクパターンの補正装置を提供することを目的とする。また、本明細書では、上述した問題を解決するために、回路設計装置を提供することを目的とする。更に、本明細書では、上述した問題を解決するために、マスクパターンを補正するプログラムを提供することを目的とする。本明細書に開示するマスクパターンの補正方法の一形態によれば、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、上記評価点の光強度を求め、求められた上記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、上記補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正することをコンピュータが実行する。また、本明細書に開示するマスクパターンの補正装置の一形態によれば、マスクパターンを記憶する記憶部と、上記記憶部が記憶するマスクパターンを読み出して、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、上記評価点の光強度を求め、求められた上記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、上記補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する演算部と、を備える。また、本明細書に開示する回路設計装置の一形態によれば、回路設計データを記憶する記憶部と、上記記憶部から読み出した回路設計データに基づいてマスクパターンを設計し、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、上記評価点の光強度を求め、求められた上記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、上記補正量に基づいて対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する演算部と、を備える。更に、本明細書に開示するマスクパターンを補正するプログラムの一形態によれば、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、上記評価点の光強度を求め、求められた上記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、上記補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正することをコンピュータに実行させる。上述した本明細書に開示するマスクパターンの補正方法の一形態によれば、回路設計データに基づいた回路パターンを正確に転写するマスクパターンが得られる。また、上述した本明細書に開示するマスクパターンの補正装置の一形態によれば、回路設計データに基づいた回路パターンを正確に転写するマスクパターンが得られる。また、上述した本明細書に開示する回路設計装置の一形態によれば、回路設計データに基づいた回路パターンを正確に転写するマスクパターンが得られる。更に、上述した本明細書に開示するマスクパターンを補正するプログラムの一形態によれば、回路設計データに基づいた回路パターンを正確に転写するマスクパターンが得られる。本発明の目的及び効果は、特に請求項において指摘される構成要素及び組み合わせを用いることによって認識され且つ得られるだろう。前述の一般的な説明及び後述の詳細な説明の両方は、例示的及び説明的なものであり、特許請求の範囲に記載されている本発明を制限するものではない。以下、本明細書で開示する回路設計装置の好ましい実施形態を、図面を参照して説明する。但し、本発明の技術範囲はそれらの実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。図3は、本明細書に開示する回路設計装置の第1実施形態を示す図である。本実施形態の回路設計装置10は、回路設計データに基づいて、フォトマスクの回路マスクパターンを設計する。また、回路設計装置10は、設計された回路マスクパターンに対して、光近接効果を補正する。このように、回路設計装置10は、回路設計データに基づいた目的回路パターンが、光リソグラフィーにおいてウエハ上のレジスト層等に正確に転写されるように、回路マスクパターンを作成する。そして、回路設計装置10が作成した回路マスクパターンに基づいて、ネガ型又はポジ型のレジスト層の種類に応じたマスクパターンを有するフォトマスクが形成される。回路設計装置10は、図3に示すように、所定のプログラムを実行する演算部11と、所定のプログラム及び回路設計データ等を記憶する記憶部12と、を有する。また、回路設計装置10は、演算部11の演算結果等を表示する表示部13と、回路設計装置10への情報を入力する入力部14と、外部のネットワーク等との通信を行う通信部15とを有する。通信部15は、周辺機器を回路設計装置10に接続するためのインターフェース機能を有していても良い。記憶部12には、記憶媒体に記憶される所定のプログラムを記憶部12にインストールすることにより記憶しても良い。または、記憶部12には、所定のプログラムがネットワークを介してインストールされて記憶されても良い。回路設計装置10は、例えば、サーバ又はパーソナルコンピュータ等のコンピュータ、若しくはステートマシン等を用いて形成され得る。次に、上述した本実施形態の回路設計装置10の動作を、図面を参照して、以下に説明する。回路設計装置10の各動作は、演算部11が、記憶部12に記憶された所定のプログラムを実行することにより実行される。図4は、本明細書に開示する回路設計装置の動作を説明するフローチャートその1である。図5は、本明細書に開示する回路設計装置の動作を説明するフローチャートその2である。図6は、本明細書に開示する回路設計装置の動作を説明するフローチャートその3である。まず、ステップS10において、記憶部12から回路設計データが読み出され、回路マスクパターンが設計される。図7Aは、回路設計データに基づいて作成されるフォトマスクの回路マスクパターンを示す図である。図7Aに示す例では、パターン21及びパターン22を有する回路マスクパターン20が形成される。パターン21はコの字状の形状を有する。パターン22は、Iの字状の形状を有しており、パターン21の凹部内に延出するように配置される。パターン21及びパターン22それぞれは、複数の端縁に囲まれて形成される。次に、ステップS12において、回路マスクパターン20に対してプレバイアス補正が行われる。図7Bは、プレバイアス補正された回路マスクパターンを示す図である。ウエハ上のレジスト層の露光された転写パターンがエッチングされる際には、目的回路パターンに対して、寸法変動等のプロセスに起因するずれが生じる。そこで、回路マスクパターンに対して、プレバイアス補正を行うことにより、プロセスに起因するずれをあらかじめ補正する。回路マスクパターンに対するプレバイアス補正値は、例えば、パターンの幅ごとの補正値としてルールテーブルに記憶されており、このルールテーブルを参照して、回路マスクパターンに対してプレバイアス補正が行われる。次に、ステップS14において、回路マスクパターン20の各パターンに対して端縁分割が行われる。図8Aは、端縁分割された回路マスクパターンを示す図である。端縁分割は、光近接効果を補正する補正単位にパターンの端縁を分割するものである。端縁分割された一つの部分には、同じ補正値が適用される。図8Aに示すパターン21、22には、補正単位ごとに端縁と交差する短い線が記載されており、端縁分割された一つの端縁の部分が示されている。次に、ステップS16において、回路マスクパターン20の各パターンの端縁に光強度を求めるための第1評価点Aが配置される。図8Bは、第1評価点が配置された回路マスクパターンを示す図である。第1評価点Aは、回路マスクパターンがウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の光強度が計算される位置に対応する。1つ又は複数の第1評価点Aが、端縁分割された1つの補正単位に対して配置されても良い。次に、ステップS18とステップS24との間において、回路マスクパターン20の各対向するパターンの端縁に対して、対向するパターンの端縁間に光強度を求めるための第2評価点が配置される。まず、ステップS20において、対向するパターンの端縁間の距離が所定の距離よりも短いかどうかが判断される。所定の距離は、例えば、露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて、ウエハ上のレジスト層に転写された回路パターンにおいて接触又は断線が生じる可能性がある距離として決定され得る。対向するパターンの端縁間の距離が所定の距離よりも短い場合には、ステップS22に進む。そして、ステップS22において、対向するパターンの端縁の中間の位置に第2評価点が配置される。なお、第2評価点を配置する位置は、対向するパターンの端縁間であれば、対向するパターンの端縁の中間の位置でなくても良い。図9は、第2評価点が配置された回路マスクパターンを示す図である。図9では、対向するパターンの端縁間の距離L1が所定の距離よりも短いので、第2評価点B1が、対向する2つの第1評価点Aの中間の位置に配置される。また、対向するパターンの端縁間の距離L2が所定の距離よりも短いので、第2評価点B2が、第1評価点Aと対向する端縁との中間の位置に配置される。また、対向するパターンの端縁間の距離L3が所定の距離よりも短いので、第2評価点B3が、パターン21の角とパターン22の角との中間の位置に配置される。このように、パターンの端縁には、2つの端縁が接続して形成する角の部分も含まれる。第2評価点B1~B3は、パターン21とパターン22との間に第2評価点が配置される例である。また、図9では、対向するパターンの端縁間の距離L4が所定の距離よりも短いので、第2評価点B4が、対向する2つの第1評価点Aの中間の位置に配置される。第2評価点B4は、一つのパターン内に第2評価点が配置される例である。図9では、説明を分かり易くするために、一部の第2評価点のみが示されている。一方、ステップS20において、対向するパターンの端縁間の距離が所定の距離よりも短くない場合には、端縁間に第2評価点は配置されずにステップS24に進む。このように、本実施形態では、全ての対向するパターンの端縁間に第2評価点が無条件に配置されるものではない。従って、光強度を計算により求めるための第2評価点の数を抑制できるので、光近接効果を補正するために要する計算時間が低減される。次に、ステップS26とステップS34との間において、各第1評価点に対して光強度が求められた後、必要であればパターンの端縁の位置が補正される。まず、ステップS28において、回路マスクパターン20がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第1評価点に対応する位置の光強度が計算される。このようにして、対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光強度を求められる。光強度の計算方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、露光波長及び露光強度等の条件を定めたテーブルを用いて、光強度が求められ得る。以下、本明細書では、回路マスクパターン20がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第1評価点に対応する位置の光強度を、単に、第1評価点の光強度ともいう。次に、ステップS30において、求められた光強度を第1閾値と比較して、光近接効果に対する補正の有無が判断される。第1閾値は、上限値及び下限値を有する所定の範囲として定められても良い。光強度が、第1閾値に対して大きいか又は小さいと判断された場合には、光近接効果に対する補正が必要と判断されてステップS32へ進む。一方、ステップS30において、光近接効果に対する補正が必要ではないと判断された場合には、ステップS34へ進む。第1閾値は、例えば、パターン幅及び露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて決定され得る。次に、ステップS32において、対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光近接効果に対する第1補正量を決定し、この第1補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置が補正される。第1補正量は、ステップS28で求められた光強度と第1閾値との差の値と共に、露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて、適切な光強度が得られるように決定され得る。このように端縁の位置が補正されたパターンの端縁上に、第1評価点が新たに配置された後、再びステップS28に戻って、第1評価点に対応する光強度が求められる。そして、ステップS30において、光近接効果に対する補正が必要ではないと判断された場合には、ステップS34へ進む。一方、再度、光近接効果に対する補正が必要と判断された場合には、再びステップS32へ進み、ステップS32~ステップS30の処理が繰り返される。ステップS32~ステップS30の処理が繰り返されて処理が発散することを防止する観点から、ステップS32で決定される第1補正量には上限値を設けても良い。次に、ステップS36とステップS44との間において、各第2評価点に対して光強度が求められた後、必要であれば、対向するパターンの端縁それぞれの位置が補正される。まず、ステップS38において、回路マスクパターン20がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第2評価点に対応する位置の光強度が計算される。このようにして、レジスト層の第2評価点に対応する位置の光強度を求められる。光強度の計算方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、露光波長及び露光強度等の条件を定めたテーブルを用いて、光強度が求められ得る。以下、本明細書では、回路マスクパターン20がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第2評価点に対応する位置の光強度を、単に、第2評価点の光強度ともいう。次に、ステップS40において、求められた光強度を第2閾値と比較して、光近接効果に対する補正の有無が判断される。第2閾値は、上限値及び下限値を有する所定の範囲として定められても良い。光強度が、第2閾値に対して大きいか又は小さいと判断された場合には、光近接効果に対する補正が必要と判断されてステップS42へ進む。一方、ステップS40において、光近接効果に対する補正が必要ではないと判断された場合には、ステップS44へ進む。第2閾値は、例えば、パターン幅及び露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて決定され得る。次に、ステップS42において、対向するパターンの端縁ぞれぞれに対する光近接効果の第2補正量を決定し、この第2補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置が補正される。第2補正量は、ステップS38で求められた光強度と第2閾値との差の値と共に、露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて、適切な光強度が得られるように決定され得る。このように第2評価点を挟んで対向するパターンの端縁それぞれの位置が補正された後に、再びステップS38に戻って、第2評価点における光強度が求められる。ここで、第2評価点の位置は、目的回路パターンに対して決定されるものなので、対向するパターンの端縁それぞれの位置の補正の前後で同じである。そして、ステップS40において、光近接効果に対する補正が必要ではないと判断された場合には、ステップS44へ進む。一方、再度、光近接効果に対する補正が必要と判断された場合には、再びステップS42へ進み、ステップS42~ステップS40の処理が繰り返される。ステップS42~ステップS40の処理が繰り返されて処理が発散することを防止する観点から、ステップS42で決定される第2補正量には上限値を設けても良い。次に、第2評価点の光強度と第2閾値とを比較する例を、図面を参照して以下に説明する。図10Aは、第2評価点の光強度が第2閾値と比較される例1を説明する図であり、図10Bは、対向するパターンの端縁の位置を補正により移動する図である。図10Aには、図9の線Mに沿った位置に対するレジスト層上の光強度C1が示されている。第2評価点B1の光強度は、第1閾値S1とは異なる値の第2閾値S2と比較される。第2評価点B1が、パターンとパターンとの間に位置する場合には、第2閾値S2は、第1閾値S1よりも小さく設定されることが好ましい。図10Aに示す例では、第2評価点B1の光強度は、第2閾値S2よりも大きいので、回路マスクパターン20がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第2評価点B1に対応する位置は解像されると判断される。従って、第2評価点B1に対応する位置が解像されないように第2評価点B1の光強度を低減するべく、図10Bに示すように、第2評価点B1を挟んで対向するパターンの端縁それぞれの位置が補正されることになる。ここで、第2評価点B1の光強度が、第1閾値S1とは異なる値の第2閾値S2と比較される理由を以下に説明する。第2評価点B1の光強度が第1閾値S1と比較された場合には、第2評価点B1の光強度は、第1閾値S1よりも小さい。従って、回路マスクパターン20がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第2評価点B1に対応する位置は解像されないと判断される。しかし、第2評価点B1の光強度が第1閾値S1よりも小さくても、第2評価点B1に対応する位置が解像される場合のあることが経験上判明している。そこで、本実施形態では、第2評価点B1の光強度が、第1閾値S1とは異なる値の第2閾値S2と比較されることとした。第2閾値は、上述したように、パターン幅及び露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて決定され得るものであるが、例えば、第1閾値に対して5小さくすることができる。なお、図10Aでは、2つの第1評価点Aの光強度それぞれは、第1閾値S1よりも大きくなっており、回路マスクパターン20がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の2つの第1評価点Aに対応する位置は解像されると判断される。図11は、第2評価点の光強度が第2閾値と比較される例2を説明する図である。図11に示す例では、図10の光強度を求めるために使用した露光強度に対して露光強度の大きさを強めて、ステップS38における第2評価点の光強度が求められている。図11には、図9の線Mに沿った位置に対するレジスト層上の光強度C2が示されている。図11の光強度を求めるために使用した露光強度は、図10における第2閾値S2に対する第1閾値S1の割合に相当する大きさだけ強められている。図11では、第2評価点B1の光強度は、第2閾値としての第1閾値S1と比較される。即ち、図11に示す例では、第2閾値は、第1閾値と同じ値を有する。図11においても、第2評価点B1の光強度は、第1閾値S1よりも大きいので、回路マスクパターン20がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第2評価点B1に対応する位置は解像されると判断される。即ち、図11に示す例は、図10と同様の内容を有する。図11に示す例では、図10と同じように、第2評価点の光強度が閾値と判断されるが、第1閾値とは異なる値を有する第2閾値を用いる代わりに、光強度を求めるために使用する露光強度の値を変更している。図12Aは、第2評価点の光強度が第2閾値と比較される例3を説明する図であり、図12Bは、対向するパターンの端縁の位置を補正により移動する図である。図12Aには、図9の線Nに沿った位置に対するレジスト層上の光強度C3が示されている。第2評価点B4の光強度は、第1閾値S1とは異なる値の第2閾値S2と比較されるが、第2評価点B4が、一つのパターン内に位置する場合には、第2閾値S2は、第1閾値S1よりも大きい値に設定されることが好ましい。図12Aに示す例では、第2評価点B4の光強度は、第2閾値S2よりも小さいので、回路マスクパターン20がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第2評価点B4に対応する位置は解像されないと判断される。従って、第2評価点B4に対応する位置が解像されるように第2評価点B4に対応する光強度を増加するべく、図12Bに示すように、第2評価点B4を挟んで対向するパターンの端縁それぞれの位置が補正されることになる。ここで、第2評価点B1の光強度が、第1閾値S1とは異なる値の第2閾値S2と比較される理由を以下に説明する。第2評価点B4の光強度が第1閾値S1と比較された場合には、第2評価点B4に対応する光強度は、第1閾値S1よりも大きい。従って、回路マスクパターン20がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の第2評価点B4に対応する位置は解像されると判断される。しかし、第2評価点B4の光強度が第1閾値S1よりも大きくても、第2評価点B4に対応する位置が解像されない場合のあることが経験上判明している。そこで、本実施形態では、第2評価点B4の光強度が、第1閾値S1とは異なる値の第2閾値S2と比較されることとした。第2閾値は、上述したように、パターン幅及び露光波長等のプロセス条件及び工程能力等に基づいて決定され得るものであるが、例えば、第1閾値に対して5大きくすることができる。なお、図12Aでは、2つの第1評価点Aの光強度それぞれは、第1閾値S1よりも大きくなっており、回路マスクパターン20がウエハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の2つの第1評価点Aに対応する位置は解像されると判断される。また、図10Aに示す第1閾値と図12Aに示す第1閾値とは、同じ値であっても良いし、異なる値であっても良い。上述した本実施形態の回路設計装置によれば、回路設計データに基づいた目的回路パターンに対して、エッチング等のプロセス的要因及び光近接効果の光学的要因に起因する転写パターンからのずれを防止するための補正が回路マスクパターンに対して行われる。従って、このような回路マスクパターンを用いれば、回路設計データに基づいた目的回路パターンをウエハ上のレジスト層に正確に転写することができる。次に、上述した第1実施形態の回路設計装置の変形例を、図面を参照して以下に説明する。図13は、本明細書に開示する回路設計装置の変形例の動作を説明するフローチャートである。本変形例は、上述した図6における第2補正量の決定の仕方を具体的に説明している。そこで、図6に示すフローチャートに対する相違点を、図13を用いて以下に説明する。まず、ステップS40において、第2評価点の光強度が、第2閾値に対して大きいか又は小さいと判断された場合には、光近接効果に対する補正が必要と判断されてステップS46に進む。次に、ステップS46において、対向するパターンの端縁それぞれの位置を、一格子分の距離だけ移動する。図9に示すパターンの端縁の位置は離散的に配置されるものであり、一格子は、パターンの端縁の配置される位置を決める最小の単位である。このように第2評価点を挟んで対向するパターンの端縁それぞれの位置が移動された後に、対向するパターンの端縁の中間の位置に第2評価点が配置される。そして、再びステップS38に戻って、第2評価点の光強度が求められる。そして、ステップS40において、光近接効果に対する補正が必要ではないと判断された場合には、ステップS48へ進む。一方、再度、光近接効果に対する補正が必要と判断された場合には、再びステップS46へ進んで、ステップS46~ステップS40の処理が繰り返される。ステップS48へ進んだ場合には、対向するパターンの端縁それぞれの位置を移動した格子数に対応する距離を第2補正量とした後、ステップS44へ進む。本変形例のその他の処理は、上述した第1実施形態と同様である。次に、上述した回路設計装置の第2実施形態を、図14~図18を参照しながら以下に説明する。他の実施形態について特に説明しない点については、上述の第1実施形態に関して詳述した説明が適宜適用される。また、同一の構成要素には同一の符号を付してある。本実施形態の回路設計装置は、対向するパターンの端縁それぞれが補正優先順位を有しており、第2補正量を決定する際に、この補正優先順位が低い方のパターンの端縁の第2補正量をゼロとする。即ち、対向するパターンの端縁それぞれが補正の対象ではあるが、補正優先順位が低い方のパターンの端縁の第2補正量をゼロとし、補正優先順位が高い方のパターンの端縁の第2補正量が決定される。そして、決定された第2補正量に基づいて補正優先順位が高い方のパターンの端縁の位置を移動する。以下に、本実施形態の回路設計装置の動作を、図面を参照して説明する。図14は、本明細書に開示する回路設計装置の第2実施形態の動作を説明するフローチャートである。本実施形態の回路設計装置の動作は、図13に示すフローチャートにおいて、ステップS40における光近接効果に対する補正が必要と判断された場合の処理が、図13の処理とは異なっている。そこで、図13に示す処理との相違点を以下に説明する。まず、図13のステップS40において、光近接効果に対する補正が必要と判断された場合には、図14のステップS50へ進む。ステップS50において、補正優先順位が低い方のパターンの端縁の第2補正量がゼロに決定される。そして、以下の処理では、補正優先順位が高い方のパターンの端縁の第2補正量が決定される。次に、ステップS52において、補正優先順位が高い方のパターンの端縁の位置を一格子分の距離だけ移動する。そして、ステップS38に進んで、再び第2評価点における光強度が求められる。以下の処理は、図13に示す処理と同様である。次に、対向するパターンの端縁それぞれが補正優先順位を有する場合の補正例を、図面を参照して以下に説明する。図15は、対向するパターンの端縁が補正優先順位を有する場合の補正例1を示す図である。図15に示す例では、第1評価点A1を有するパターンの端縁が属するパターン21の線幅W1は、第1評価点A2を有するパターンの端縁が属するパターン22の線幅W2よりも狭い。本実施形態では、断線を防止する観点から、対向するパターンの端縁において、パターンの端縁が属するパターンの線幅の狭い方のパターンの端縁の補正優先順位が、他方のパターンの端縁の補正優先順位よりも低く設定される。即ち、第1評価点A1を有するパターン21の端縁の補正優先順位は、第1評価点A2を有するパターン22の端縁の補正優先順位よりも低く設定される。従って、第1評価点A1を有するパターン21の端縁の第2補正量はゼロに決定される。一方、第1評価点A2を有するパターン22の端縁には第2補正量が決定されて、第1評価点A2を有するパターン22の端縁の位置を矢印で示すように移動する。図16は、対向するパターンの端縁が補正優先順位を有する場合の補正例2を示す図である。図16に示す例では、パターン21とパターン22とは、Tの字状に配置されている。パターン22は、他の層と電気的に接続するコンタクト層24を有している。一方、パターン21は、そのようなコンタクト層を有していない。本実施形態では、対向するパターンの端縁において、一方のパターンの端縁が属するパターンがコンタクト層を有する場合には、一方のパターンの端縁の補正優先順位を、他方のパターンの端縁の補正優先順位よりも低く設定される。これは、コンタクト層の周囲の配線部分の面積を確保して、配線とコンタクト層との間の電気導電性を保証するためである。即ち、第1評価点A2を有するパターン22の端縁の補正優先順位は、第1評価点A1を有するパターン21の端縁の補正優先順位よりも低く設定される。従って、第1評価点A2を有するパターン22の端縁の第2補正量はゼロに決定される。一方、第1評価点A1を有するパターン21の端縁には第2補正量が決定されて、第1評価点A1を有するパターン21の端縁の位置を矢印で示すように移動する。図17は、対向するパターンの端縁が補正優先順位を有する場合の補正例3を示す図である。図17に示す例では、パターン21とパターン22とは、Iの字状に突き合わせて配置されている。パターン21は、他の層と電気的に接続するコンタクト層24を有している。一方、パターン22は、そのようなコンタクト層を有していない。図16に示す例と同様にして、第1評価点A1を有するパターン21の端縁の第2補正量はゼロに決定される。一方、第1評価点A2を有するパターン22の端縁には第2補正量が決定されて、第1評価点A2を有するパターン22の端縁の位置を矢印で示すように移動する。図18は、対向するパターンの端縁が補正優先順位を有する場合の補正例4を示す図である。図18に示す例では、パターン21とパターン22とは、Iの字状に突き合わせて配置されている。パターン21及びパターン22それぞれは、他の層と電気的に接続するコンタクト層24を有している。従って、第1評価点A1を有するパターン21の端縁の補正優先順位は、第1評価点A2を有するパターン22の端縁の補正優先順位と同じに設定される。対向するパターンの端縁それぞれが同じ補正優先順位を有している場合には、どちらのパターンの端縁にも第2補正量が決定されて、対向するパターンの端縁それぞれの位置が、矢印で示すように補正される。本発明では、上述した実施形態の回路マスクパターンの補正方法、回路マスクパターンの補正装置、回路設計装置及び回路マスクパターンを補正するプログラムは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。また、一の実施形態が有する構成要件は、他の実施形態にも適宜適用することができる。例えば、上述した各実施形態では、回路設計装置が、回路マスクパターンに対する光近接効果を補正する機能を有していた。しかし、回路設計装置とは別に存在する回路マスクパターンの補正装置が、回路設計装置が回路設計データに基づいて設計した回路マスクパターンに対して、光近接効果の影響を補正する補正するようにしても良い。ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、読者が、発明者によって寄与された発明及び概念を技術を深めて理解することを助けるための教育的な目的を意図する。ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、そのような具体的に述べられた例及び条件に限定されることなく解釈されるべきである。また、明細書のそのような例示の機構は、本発明の優越性及び劣等性を示すこととは関係しない。本発明の実施形態は詳細に説明されているが、その様々な変更、置き換え又は修正が本発明の精神及び範囲を逸脱しない限り行われ得ることが理解されるべきである。以上の上述した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、前記評価点の光強度を求め、求められた前記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、前記補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正することをコンピュータが実行するマスクパターンの補正方法。付記2対向するパターンの端縁間の距離が所定の距離よりも箇所に対して、前記評価点を配置する付記1に記載のマスクパターンの補正方法。付記3対向するパターンの端縁の中間の位置に、前記評価点を配置する付記1又は2に記載のマスクパターンの補正方法。付記4対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光強度を求め、求められた光強度を第2閾値と比較して、対向するパターンの端縁ぞれぞれの位置における光近接効果に対する第2の補正量を決定し、前記第2の補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正し、求められた前記評価点の光強度を、前記第2閾値とは異なる値の第1閾値と比較して、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する前記補正量を決定する付記1~3の何れか一項に記載のマスクパターンの補正方法。付記5前記評価点が、パターンとパターンとの間に位置する場合には、前記第1閾値は、前記第2閾値よりも小さい付記4に記載のマスクパターンの補正方法。付記6前記評価点が、パターン内に位置する場合には、前記第1閾値は、前記第2閾値よりも大きい付記4に記載のマスクパターンの補正方法。付記7対向するパターンの端縁それぞれは補正優先順位を有し、前記補正優先順位が低い方のパターンの端縁の前記補正量をゼロとする付記1~6の何れか一項に記載のマスクパターンの補正方法。付記8対向するパターンの端縁において、パターンの端縁が属するパターンの線幅の狭い方のパターンの端縁の前記補正優先順位を、他方のパターンの端縁の前記補正優先順位よりも低くする付記7に記載のマスクパターンの補正方法。付記9対向するパターンの端縁において、一方のパターンの端縁が属するパターンがコンタクト層を有する場合には、一方のパターンの端縁の前記補正優先順位を、他方のパターンの端縁の前記補正優先順位よりも低くする付記7に記載のマスクパターンの補正方法。付記10マスクパターンを記憶する記憶部と、前記記憶部が記憶するマスクパターンを読み出して、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、前記評価点の光強度を求め、求められた前記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、前記補正量に基づいて対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する演算部と、を備えるマスクパターンの補正装置。付記11回路設計データを記憶する記憶部と、前記記憶部から読み出した回路設計データに基づいてマスクパターンを設計し、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、前記評価点の光強度を求め、求められた前記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、前記補正量に基づいて対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正する演算部と、を備える回路設計装置。付記12マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、前記評価点の光強度を求め、求められた前記評価点の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、前記補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正することをコンピュータに実行させるマスクパターンを補正するプログラム。付記13レジスト上に回路パターンを転写するために回路設計データに基づいて作成されるマスクパターンの光近接効果に対する補正方法であって、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点を配置し、マスクパターンが投影されたレジスト上の前記評価点に対応する位置の光強度を求め、求められた前記評価点に対応する位置の光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、前記補正量に基づいて、マスクパターンにおける対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正することをコンピュータが実行するマスクパターンの補正方法。