上面にボンディングパッドを備え、前記ボンディングパッドを露出させる絶縁層が形成されたウェーハチップと、前記ボンディングパッドに連結された状態で前記絶縁層の一側に延長される再配線層と、前記再配線層に連結され、内部に中空部を有する円筒状の外部電極と、前記中空部内に前記外部電極と分離されるように形成された円筒状の内部電極と、前記外部電極と前記内部電極との間に形成される誘電体層と、前記再配線層、前記内部電極、前記外部電極及び前記誘電体層をカバーするように前記絶縁層に形成される樹脂封止部とを含み、前記内部電極の下面が、前記外部電極の外部から前記外部電極の中空部内へ前記外部電極と連結されていない状態で延長されるように前記絶縁層に形成される外周配線層に連結されたことを特徴とする円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ。前記再配線層が、前記外部電極の下面に形成され、中空部を有する円形の外部電極部と、前記内部電極の下面に前記外部電極部と分離されるように形成された円形の内部電極部とを含むことを特徴とする請求項1に記載の円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ。前記外周配線層が、前記外部電極部の一側をカバーするように形成された第1カバー絶縁層の上部、及び前記外部電極の一側をカバーするように形成された第2カバー絶縁層の下部を通過するように形成されることにより、前記外部電極部及び前記外部電極に連結されていない状態で前記外部電極部の外部から前記内部電極部に連結されることを特徴とする請求項2に記載の円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ。前記再配線層が、前記絶縁層の他側に延長されてその上部にメタルポストを備え、前記樹脂封止部が、前記メタルポストをカバーするように形成されるが、前記メタルポストの上面を露出させるオープン部を備えることを特徴とする請求項1に記載の円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ。前記再配線層が、前記外部電極の下面に形成され、中空部を有し、一側に開放部を備える円形の外部電極部と、前記内部電極の下面に形成され、前記外部電極部とは分離される円形の内部電極部とを含むことを特徴とする請求項1に記載の円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ。前記外周配線層が、前記外部電極部の前記開放部及び前記外部電極の一側をカバーするように形成されたカバー絶縁層の下部を通過するように形成されることにより、前記外部電極部及び前記外部電極に連結されていない状態で前記外部電極部の外部から前記内部電極部に連結されることを特徴とする請求項5に記載の円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ。A上面にボンディングパッドを備え、前記ボンディングパッドを露出させる絶縁層が形成されたウェーハチップを準備する段階と、B前記ボンディングパッドに連結された状態で前記絶縁層の一側に延長され且つ内部に中空部を有する円形の外部電極部を備える再配線層を形成する段階と、C前記外部電極部の一側をカバーするように第1カバー絶縁層を積層し、前記外部電極部の外部から前記第1カバー絶縁層の上部を通って前記外部電極部内へ延長されるように形成され、前記中空部に円形の内部電極部を有する外周配線層を形成し、前記外周配線層の一側をカバーするように第2カバー絶縁層を積層する段階と、D前記内部電極部及び前記外部電極部の上部に内部電極及び外部電極を形成し、前記内部電極と前記外部電極との間に誘電体層を形成する段階と、E前記再配線層、前記内部電極、前記外部電極及び前記誘電体層をカバーするように前記絶縁層に樹脂封止部を形成する段階とを含んでなることを特徴とする円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの製造方法。前記D段階が、D1前記絶縁層の上部に感光性レジストを塗布する段階と、D2前記感光性レジストに、前記内部電極部及び前記外部電極部を露出させる第1開口部及び第2開口部を形成する段階と、D3前記第1開口部及び前記第2開口部にメッキ工程を施して内部電極及び外部電極を形成する段階と、D4前記感光性レジストを除去する段階と、D5前記内部電極と前記外部電極との間に誘電材料を充填し、前記誘電材料をアニーリングして誘電体層を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項7に記載の円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの製造方法。前記D5段階において、前記誘電材料が、スクリーンプリント工程によって充填されることを特徴とする請求項8に記載の円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの製造方法。前記B段階において、前記再配線層が、前記ボンディングパッドに連結された状態で前記絶縁層の一側及び他側に延長されるように形成され、前記D段階において、前記絶縁層の他側に延長された前記再配線層の上部にメタルポストが形成され、前記E段階において、前記樹脂封止部が、前記メタルポストをカバーするように形成され、前記樹脂封止部には前記メタルポストの上面を露出させるオープン部が加工されることを特徴とする請求項7に記載の円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの製造方法。A上面にボンディングパッドを備え、前記ボンディングパッドを露出させる絶縁層が形成されたウェーハチップを準備する段階と、B前記ボンディングパッドに連結された状態で前記絶縁層の一側に延長され、内部に中空部を有し且つ一側に開放部が形成された円形の外部電極部を有する再配線層を形成する段階と、C前記外部電極部の外部から前記外部電極部の前記開放部を介して前記外部電極部内へ延長されるように形成され且つ前記中空部に円形の内部電極部を有する外周配線層を形成し、前記外周配線層の一側をカバーするようにカバー絶縁層を積層する段階と、D前記内部電極部及び前記外部電極部の上部に内部電極及び外部電極を形成し、前記内部電極と前記外部電極との間に誘電体層を形成する段階と、E前記再配線層、前記内部電極、前記外部電極、及び前記誘電体層をカバーするように前記絶縁層に樹脂封止部を形成する段階とを含んでなることを特徴とする円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの製造方法。前記D段階が、D1前記絶縁層の上部に感光性レジストを塗布する段階と、D2前記感光性レジストに、前記内部電極部及び前記外部電極部をそれぞれ露出させる第1開口部及び第2開口部を形成する段階と、D3前記第1開口部及び前記第2開口部にメッキ工程を施して内部電極及び外部電極を形成する段階と、D4前記感光性レジストを除去する段階と、D5前記内部電極と前記外部電極との間に誘電材料を充填し、前記誘電材料をアニーリングして誘電体層を形成する段階とを含んでなることを特徴とする請求項11に記載の円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの製造方法。前記B段階において、前記再配線層が、前記ボンディングパッドに連結された状態で前記絶縁層の一側及び他側に延長されるように形成され、前記D段階において、前記絶縁層の他側に延長された前記再配線層の上部にメタルポストが形成され、前記E段階において、前記樹脂封止部が、前記メタルポストをカバーするように形成され、前記樹脂封止部には前記メタルポストの上面を露出させるオープン部が加工されることを特徴とする請求項11に記載の円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの製造方法。そこで、本発明は、上述した問題点を解決するために案出されたもので、その目的とするところは、静電容量を増大させることが可能な構造の円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ及びその製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、パッケージの厚さが増加せず、キャパシタ製作のための電極形成を別途に行わなくてもよい、円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ及びその製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の好適な第1実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージは、上面にボンディングパッドを備え、前記ボンディングパッドを露出させる絶縁層が形成されたウェーハチップと、前記ボンディングパッドに連結された状態で前記絶縁層の一側に延長される再配線層と、前記再配線層に連結され、内部に中空部を有する円筒状の外部電極と、前記中空部内に前記外部電極と分離されるように形成された円筒状の内部電極と、前記外部電極と前記内部電極との間に形成される誘電体層と、前記再配線層、前記内部電極、前記外部電極及び前記誘電体層をカバーするように前記絶縁層に形成される樹脂封止部とを含み、前記内部電極の下面は、前記外部電極の外部から前記外部電極の中空部内へ前記外部電極と連結されていない状態で延長されるように前記絶縁層に形成される外周配線層に連結されたことを特徴とする。ここで、前記再配線層は、前記外部電極の下面に形成され、中空部を有する円形の外部電極部と、前記内部電極の下面に前記外部電極部と分離されるように形成された円形の内部電極部とを含むことが好ましい。また、前記外周配線層は、前記外部電極部の一側をカバーするように形成された第1カバー絶縁層の上部、及び前記外部電極の一側をカバーするように形成された第2カバー絶縁層の下部を通過するように形成されることにより、前記外部電極部及び前記外部電極に連結されていない状態で前記外部電極部の外部から前記内部電極部に連結されることが好ましい。更に、前記再配線層は、前記絶縁層の他側に延長されてその上部にメタルポストを備え、前記樹脂封止部は、前記メタルポストをカバーするように形成されるが、前記メタルポストの上面を露出させる第2オープン部を有することが好ましい。本発明の好適な第2実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージは、本発明の好適な第1実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージにおいて、前記再配線層は、前記外部電極の下面に形成され、中空部を有し、一側に開放部を備える円形の外部電極部、及び前記内部電極の下面に形成され、前記外部電極部とは分離される円形の内部電極部を含むことを特徴とする。ここで、前記外周配線層は、前記外部電極部の前記開放部及び前記外部電極の一側をカバーするように形成されたカバー絶縁層の下部を通過するように形成されることにより、前記外部電極部及び前記外部電極に連結されていない状態で前記外部電極部の外部から前記内部電極部に連結されることが好ましい。本発明の好適な第1実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの製造方法は、A上面にボンディングパッドを備え、前記ボンディングパッドを露出させる絶縁層が形成されたウェーハチップを準備する段階と、B前記ボンディングパッドに連結された状態で前記絶縁層の一側に延長され、内部に中空部を有する円形の外部電極部を備える再配線層を形成する段階と、C前記外部電極部の一側をカバーするように第1カバー絶縁層を積層し、前記外部電極部の外部から前記第1カバー絶縁層の上部を通って前記外部電極部内へ延長されるように形成され、前記中空部に円形の内部電極部を有する外周配線層を形成し、前記外周配線層の一側をカバーするように第2カバー絶縁層を積層する段階と、D前記内部電極部及び前記外部電極部の上部に内部電極及び外部電極を形成し、前記内部電極と前記外部電極との間に誘電体層を形成する段階と、E前記再配線層、前記内部電極、前記外部電極及び前記誘電体層をカバーするように前記絶縁層に樹脂封止部を形成する段階とを含んでなることを特徴とする。この際、前記D段階は、D1前記絶縁層の上部に感光性レジストを塗布する段階と、D2前記感光性レジストに、前記内部電極部及び前記外部電極部を露出させる第1開口部及び第2開口部を形成する段階と、D3前記第1開口部及び前記第2開口部にメッキ工程を施して内部電極及び外部電極を形成する段階と、D4前記感光性レジストを除去する段階と、D5前記内部電極と前記外部電極との間に誘電材料を充填し、前記誘電材料をアニーリングして誘電体層を形成する段階とを含むことが好ましい。また、前記D5段階において、前記誘電材料は、スクリーンプリント工程によって充填されることが好ましい。更に、前記B段階において、前記再配線層は、前記ボンディングパッドに連結された状態で前記絶縁層の一側及び他側に延長されるように形成され、前記D段階において、前記絶縁層の他側に延長された前記再配線層の上部にメタルポストが形成され、前記E段階において、前記樹脂封止部は、前記メタルポストをカバーするように形成され、前記樹脂封止部には、前記メタルポストの上面を露出させる第2開口部が加工されることが好ましい。本発明の好適な第2実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの製造方法は、A上面にボンディングパッドを備え、前記ボンディングパッドを露出させる絶縁層が形成されたウェーハチップを準備する段階と、B前記ボンディングパッドに連結された状態で前記絶縁層の一側に延長され、内部に中空部を有し且つ一側に開放部が形成された円形の外部電極部を有する再配線層を形成する段階と、C前記外部電極部の外部から前記外部電極部の前記開放部を介して前記外部電極部内へ延長されるように形成され且つ前記中空部に円形の内部電極部を有する外周配線層を形成し、前記外周配線層の一側をカバーするようにカバー絶縁層を積層する段階と、D前記内部電極部及び前記外部電極部の上部に内部電極及び外部電極を形成し、前記内部電極と前記外部電極との間に誘電体層を形成する段階と、E前記再配線層、前記内部電極、前記外部電極、及び前記誘電体層をカバーするように前記絶縁層に樹脂封止部を形成する段階とを含んでなることを特徴とする。この際、前記D段階は、D1前記絶縁層の上部に感光性レジストを塗布する段階と、D2前記感光性レジストに、前記内部電極部及び前記外部電極部をそれぞれ露出させる第1開口部及び第2開口部を形成する段階と、D3前記第1開口部及び前記第2開口部にメッキ工程を施して内部電極及び外部電極を形成する段階と、D4前記感光性レジストを除去する段階と、D5前記内部電極と前記外部電極との間に誘電材料を充填し、前記誘電材料をアニーリングして誘電体層を形成する段階とを含んでなることが好ましい。また、前記B段階において、前記再配線層は前記ボンディングパッドに連結された状態で前記絶縁層の一側及び他側に延長されるように形成され、前記D段階において、前記絶縁層の他側に延長された前記再配線層の上部にメタルポストが形成され、前記E段階において、前記樹脂封止部は前記メタルポストをカバーするように形成され、前記樹脂封止部には前記メタルポストの上面を露出させるオープン部が加工されることが好ましい。本発明の特徴及び利点らは、添付図面に基づいた次の詳細な説明からさらに明白になるであろう。これに先立ち、本明細書及び請求の範囲に使用された用語または単語は、通常的且つ辞典的な意味で解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されるべきである。本発明によれば、キャパシタ部が円筒状に形成されるから、2次元平板構造に比べて電極面積が増加して静電容量を大きくすることができ、これによりキャパシタ部のノイズ低減効果が増大する。そして、本発明によれば、メタルポストに相当する高さでキャパシタ部を形成することにより、キャパシタ部によりパッケージの厚さが増加しなくなる。また、本発明によれば、従来のメタルポスト形成工程を用いて円筒型キャパシタ部を形成する方法を提供することにより、工程時間及び工程費用を節減することができる。更に、本発明によれば、円筒型キャパシタ部の大きさ及び外部電極と内部電極間の隙間をフォトリソグラフィーのパターニング技法によって簡単に調整することにより、キャパシタ部の静電容量を容易に調節することができる。本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は添付図面に連関する以下の詳細な説明と好適な実施例からさらに明白になるであろう。本発明において、各図面の構成要素に参照番号を付するにおいて、同一の構成要素については、他の図面上に表示されても、出来る限り同一の番号を付することに留意すべきであろう。なお、本発明を説明するにおいて、関連した公知の技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を無駄に乱すおそれがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。<円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの構造>図2は、円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの断面図である。以下、図2を参照して、円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100aについて説明する。図2に示すように、円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100aは、ウェーハチップ102、再配線層108108a、108b、108c、キャパシタ部、及び樹脂封止部118を含んでなる。ウェーハチップ102は、集積回路図示せずが内在しているシリコン素材のチップ本体の上面に、集積回路と電気的に連結されるボンディングパッド104が形成され、ボンディングパッド104が露出されるようにチップ本体の上面に絶縁層106が形成された構造を有する。再配線層108は、ウェーハチップ102に形成されたボンディングパッド104から他の位置のより大きい配線を誘導するためのもので、ボンディングパッド104から絶縁層106上の一側に延長されるように形成される。ここで、再配線層108の延長された部分は、キャパシタ部の電極が連結される箇所であって、内部に中空部を有する円形の外部電極部108b、及び前記中空部の内部に前記外部電極部108bと分離されるように形成された円形の内部電極部108aを含んでなる。この際、再配線層108は、アルミニウムAl、銅Cu、ニッケルNi、金Auなどの導電性金属からなる。キャパシタ部は、円筒状をし、再配線層108に連結される。キャパシタ部は、内部に中空部を有する円筒状の外部電極114b、前記中空部内に外部電極114bと分離されるように形成された円筒状の内部電極部114a、及び外部電極部114bと内部電極114aとの間に形成される誘電体層116とを含んでなる。樹脂封止部118は、再配線層108及びキャパシタ部を外部環境から保護するためのもので、再配線層108を含んで内部電極114a、外部電極114b、及び誘電体層116をカバーするように絶縁層106の上部に形成される。このような樹脂封止部118は、フォトレジストphoto-resist、ポリイミド、エポキシ、及びエポキシモールディングコンパウンドEpoxyMoldingCompound:EMCからなってもよい。この際、樹脂封止部118には、内部電極114aが外部の電極部図示せずと連結できるように内部電極114aの上面を露出させる第1オープン部120aを備えることが好ましい。すなわち、外部電極114bがウェーハチップ102から電圧を印加され、内部電極114aが内部電極114aの上面に連結される外部の電極部から電圧を印加される。一方、再配線層108がボンディングパッド104を基準として絶縁層106上の他側に延長されるように形成されるが、前記再配線層108の他端部、すなわちポスト部108c上には、応力分散のための円筒状のメタルポスト114cが備えられることが好ましい。この際、メタルポスト114cも樹脂封止部118によってカバーされ、樹脂封止部118には、メタルポスト114cが外部システム連結用の外部接続端子に連結できるように、メタルポスト114cの上面を露出させる第2オープン部120bを備えられることが好ましい。一方、メタルポスト114cの上部には、腐食防止及び酸化防止のために表面処理層図示せずまたはUBMUnderBallMetalが形成されることが好ましい。ここで、表面処理層は、例えばニッケルNiメッキ層またはニッケル合金メッキ層で形成され、あるいは前記ニッケルメッキ層または前記ニッケル合金メッキ層の上部にパラジウムPdメッキ層、金Auメッキ層、または順次前記パラジウムメッキ層及び前記金メッキ層が形成されてなる構造であって、薄い厚さを有する。<円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの構造:第1実施例>図3は、本発明の好適な第1実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの断面図である。以下、図3を参照して、本実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100bについて説明する。図3に示すように、本実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100bは、前記円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100aと基本的に同様の構造を有するが、内部電極114aが、外周電源図示せずに連結された外周配線層111と連結される構造を有することを特徴とする。すなわち、内部電極114aの下面が絶縁層106に形成されるが、前記外部電極部108bの外部から前記外部電極部108bの中空部内へ外部電極部108b及び外部電極114bと連結されていない状態で延長される外周配線層111に連結される。ここで、外周配線層111は、外部電極部108bの一側をカバーするように形成された第1カバー絶縁層109aの上部を通過するように形成されることにより、外部電極部108bと連結されていない状態で外部電極部108bの外部から内部電極部111aに連結される。また、外周配線層111と外部電極114bとが連結されないように、外周配線層111と外部電極114bとの間に第2カバー絶縁層109bが形成されることが好ましい。<円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの構造:第2実施例>図4は、本発明の好適な第2実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの断面図である。以下、図4を参照して、本実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100cについて説明する。図4に示すように、本実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100cは、第1実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100bと基本的に同様の構造を有するが、外部電極部108bの一側に開放部113図24A及び図24B参照が形成され、外周配線層111が開放部113を通過して形成されたことを特徴とする。ここで、外周配線層111は、下面に絶縁層106が位置し、外部電極114bの一側をカバーするように形成されたカバー絶縁層109cの下部を通過するように形成されることにより、外部電極114bまたは外部電極部108bと連結されていない状態で外部電極部108bの外部から内部電極部111aに連結される。<円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100aの製造方法>図5A及び図5B~図12A及び図12Bは、図2に示した円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100aの製造方法を工程順に示す断面図及び平面図である。以下、これらの図を参照して円筒型キャパシタの製造方法について説明する。まず、図5A及び図5Bに示すように、集積回路図示せずが内在しているシリコン素材のチップ本体の上面に、集積回路と電気的に連結されるボンディングパッド104が形成され、ボンディングパッド104が露出されるようにチップ本体の上面に絶縁層106が形成された構造のウェーハチップ102を準備する。次に、図6A及び図6Bに示すように、ボンディングパッド104に連結されて絶縁層106上に延長される再配線層108を形成する。この際、再配線層108は、ボンディングパッド104を基準として両側に延長されるように形成される。ここで、ボンディングパッド104の一側に延長される部分は、キャパシタ部の電極と連結される箇所であって、内部に中空部を有する円形の外部電極部108bと、前記中空部の内部に前記外部電極部108bと分離されるように形成された内部電極部108aとを含んでなる。また、他側に延長される部分は、ポストに連結されるポスト部108cを構成する。次いで、図7A及び図7Bに示すように、ウェーハチップ102の上部にドライフィルムDFなどの感光性レジスト110を塗布し、内部電極部108aを露出させる第1開口部112a、外部電極部108bを露出させる第2開口部112b、及びポスト部108cを露出させる第3開口部112cを形成する。この際、第1~第3開口部112a、112b、112cは、所定のマスクパターン図示せずを用い、再配線層108の内部電極部108a、外部電極部108b及びポスト部108cを除いて紫外線に晒して露光し、炭酸ナトリウムNa2CO3または炭酸カリウムK2O3などの現像液を用いて未露光の感光性レジスト110を除去することにより形成される。その後、図8A及び図8Bに示すように、第1~第3開口部112a、112b、112cの内部にメッキ工程を施す。これにより、第1開口部112aには、内部電極114aが形成され、第2開口部112bには、外部電極114bが形成され、第3開口部112cには、メタルポスト114cが形成される。この際、内部電極114a、外部電極114b及びメタルポスト114cは、例えば金、銀、銅、錫よりなる群から選択された1種、または2種以上からなる合金で形成される。次いで、図9A及び図9Bに示すように、感光性レジスト110を除去する。この際、感光性レジスト110は、例えばNaOHまたはKOHなどの剥離液を用いて剥離される。剥離液のOH-とドライフィルムレジストのカルボキシル基COOHとの結合過程において、露光された感光性レジスト110が捲れることにより、剥離が生ずる。次いで、図10A及び図10Bに示すように、内部電極114aと外部電極114bとの間に誘電材料を充填し、アニーリング工程を行って誘電体層116を形成する。この際、誘電材料は、スクリーンプリント工程によって充填できる。その後、図11A及び図11Bに示すように、内部電極114a、外部電極114b及びメタルポスト114cをカバーするように、樹脂封止部118をウェーハチップ102の上部に形成する。この際、樹脂封止部118は、プリント方法、成形molding方法及びスピンコートspincoating法の中から選ばれたいずれかの方法によって形成でき、例えばエポキシモールディングコンパウンドからなってもよい。最後に、図12A及び図12Bに示すように、内部電極114aの上面を露出させる第1オープン部120a、及びメタルポスト114cの上面を露出させる第2オープン部120bを樹脂封止部118に加工する。この際、第1オープン部120aと第2オープン部120bは、例えばレーザーダイレクトアブレーションLaserDirectAblation:LDA工程によって形成できる。このような製造工程によって、図2に示した円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100aが製造される。<円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの製造方法:第1実施例>図13A及び図13B~図21A及び図21Bは、図3に示した円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの製造方法を工程順に示す断面図及び平面図である。以下、これらの図を参照して、本実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100bについて説明する。まず、図13A及び図13Bに示すように、集積回路図示せずが内在しているシリコン素材のウェーハチップ本体の上面に、集積回路と電気的に連結されるボンディングパッド104が形成され、ボンディングパッド104が露出されるようにウェーハチップ本体の上面に絶縁層106が形成された構造のウェーハチップ102を準備する。次いで、図14A及び図14Bに示すように、ボンディングパッド104と連結されて絶縁層106上に延長される再配線層108b、108cを形成する。この際、再配線層108b、108cは、ボンディングパッド104を基準として両側に延長されるように形成される。ここで、ボンディングパッド104の一側に延長される部分は、キャパシタ部の電極と連結される箇所であって、内部に中空部を有する円形の外部電極部108bを構成する。また、他側に延長される部分は、ポストに連結されるポスト部108cを構成する。次いで、図15A及び図15Bに示すように、外部電極部108bの一側をカバーする第1カバー絶縁層109aを絶縁層106に形成する。この際、第1カバー絶縁層109aは、後述する外周配線層111が外部電極部108bの中空部内へ延長されるように形成されるとき、外周配線層111と外部電極部108bとが互いに連結されないようにするためのもので、中空円形の外部電極部108bの一部のみをカバーするように形成される。その次、図16A及び図16Bに示すように、絶縁層106の一側から外部電極部108bの中空部内へ延長される外周配線層111を形成する。この際、外周配線層111は、外部電極部108bの外部から第1カバー絶縁層109aの上部を通って外部電極部108bの中空部内へ延長されるように形成される。ここで、中空部内に形成される外周配線層111は、外部電極部108bと分離される円形の内部電極部111aを形成する。次に、図17A及び図17Bに示すように、外周配線層111の一側をカバーする第2カバー絶縁層109bを、外周配線層111の形成された第1カバー絶縁層109aに形成する。この際、第2カバー絶縁層109bは、外周配線層111が後述の外部電極114bと連結されないようにするためのもので、第1カバー絶縁層109aと同一の位置に形成することができる。次いで、図18A及び図18Bに示すように、ウェーハチップ102の上部にドライフィルムDFなどの感光性レジスト110を塗布し、内部電極部111aを露出させる第1開口部112a、外部電極部108bを露出させる第2開口部112b、及びポスト部108cを露出させる第3開口部112cを形成する。その後、図19A及び図19Bに示すように、第1~第3開口部112a、112b、112cの内部にメッキ工程を施す。これにより、第1開口部112aには、内部電極114aが形成され、第2開口部112bには、外部電極114bが形成され、第3開口部112cには、メタルポスト114cが形成される。この際、外部電極114bの下部一側には、第2カバー絶縁層109bが形成されるため、外部電極114bと外周配線層111は互いに電気的に絶縁できる。次いで、図20A及び図20Bに示すように、感光性レジスト110を除去し、内部電極114aと外部電極114bとの間に誘電材料を充填し、アニーリング工程を行って誘電体層116を形成する。最後に、図21A及び図21Bに示すように、内部電極114a、外部電極114b及びメタルポスト114cをカバーするように樹脂封止部118をウェーハチップ102の上部に形成し、樹脂封止部118には、メタルポスト114cの上面を露出させるオープン部120bを加工する。このような製造工程によって、図3に示した円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100bが製造される。<円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの製造方法:第2実施例>図22A及び図22B~図29A及び図29Bは、図4に示した円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージの製造方法を工程順に示す断面図及び平面図である。以下、これらの図を参照して、本実施例に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100cについて説明する。まず、図22A及び図22Bに示すように、ボンディングパッド104が形成され、ボンディングパッド104が露出されるようにウェーハチップ本体の上面に絶縁層106が形成されたウェーハチップ102を準備する。次いで、図23A及び図23Bに示すように、ボンディングパッド104に連結されて絶縁層106上に延長される再配線層108b、108cを形成する。この際、ボンディングパッド104の一側に延長される部分は、キャパシタの電極部に連結される箇所であって、内部に中空部を有し、且つ一側に開放部113が形成された円形の外部電極部108bが形成される。また、他側に延長される部分は、ポスト部108cを構成する。その後、図24A及び図24Bに示すように、絶縁層106の一側から外部電極部108bの中空部内へ延長される外周配線層111を形成する。この際、外周配線層111は、外部電極部108bの外部から外部電極部108bの開放部113を介して外部電極部108bの中空部内へ延長されるように形成される。よって、外周配線層111と外部電極部108bは、お互い電気的に絶縁できる。次いで、図25A及び図25Bに示すように、外周配線層111の一側をカバーするカバー絶縁層109cを絶縁層106に形成する。この際、カバー絶縁層109cは、外周配線層111が後述の外部電極114bと連結されないようにするためのものである。その次、図26A及び図26B~図29A及び図29Bに示すように、ウェーハチップ102の上部に感光性レジスト110を塗布し、内部電極部111aを露出させる第1開口部112a、外部電極部108bを露出させる第2開口部112b、およびポスト部108cを露出させる第3開口部112cを形成し、第1~第3開口部112a、112b、112cの内部にメッキ工程を施す。メッキ工程の後、感光性レジスト110を除去し、内部電極114aと外部電極114bとの間の空間に誘電材料を充填し、アニーリング工程を行って誘電体層116を形成し、樹脂封止部118をウェーハチップ102の上部に形成し、樹脂封止部118にはメタルポスト114cの上面を露出させるオープン部120bを加工する。このような製造工程によって、図4に示した円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ100cが製造される。以上、本発明を具体的な実施例によって詳細に説明したが、これらの実施例は本発明を具体的に説明するためのものに過ぎない。本発明に係る円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ及びその製造方法は、これに限定されないことは言うまでもない。当該分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想から逸脱することなく、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであろう。本発明の単純な変形または変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は特許請求の範囲によって明確になるであろう。