金属性のカーボンナノチューブと半導体性のカーボンナノチューブとが混在する原料のカーボンナノチューブと下記式Iまたは式II式中、R1およびR2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。で表されるジスルフィドまたはスルフィドとを有機溶媒中に存在させることにより、式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドとカーボンナノチューブとを光反応させ、金属性のカーボンナノチューブを選択的に化学修飾することを特徴とする選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。置換基を有していてもよい炭化水素基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、飽和脂肪族炭化水素基、または脂環式炭化水素基であることを特徴とする請求項1に記載の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。置換基を有していてもよい炭化水素基は、置換基としてハロゲン原子、水酸基、C1C40アルコキシ基、C2C40アルコキシカルボニル基、C6C10アリールオキシ基、およびC2C40アシル基から選ばれる少なくとも1種を有していてもよいC6C20芳香族炭化水素基、または、置換基としてハロゲン原子、水酸基、C1C6アルコキシ基、C2C6アルコキシカルボニル基、C6C10アリールオキシ基、およびC2C8アシル基から選ばれる少なくとも1種を有していてもよいC1C40飽和脂肪族炭化水素基もしくはC3C40脂環式炭化水素基であることを特徴とする請求項2に記載の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。有機溶媒としてテトラヒドロフラン、14ジオキサン、ジエチルエーテル、ベンゼン、ヘキサン、またはシクロヘキサンを用いることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。金属性のカーボンナノチューブと半導体性のカーボンナノチューブとが混在する原料のカーボンナノチューブと下記式Iまたは式II式中、R1およびR2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。で表されるジスルフィドまたはスルフィドとを有機溶媒中に存在させることにより、式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドとカーボンナノチューブとを光反応させ、カーボンナノチューブを直径選択的に化学修飾することを特徴とする選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。置換基を有していてもよい炭化水素基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、飽和脂肪族炭化水素基、または脂環式炭化水素基であることを特徴とする請求項5に記載の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。置換基を有していてもよい炭化水素基は、置換基としてハロゲン原子、水酸基、C1C40アルコキシ基、C2C40アルコキシカルボニル基、C6C10アリールオキシ基、およびC2C40アシル基から選ばれる少なくとも1種を有していてもよいC6C20芳香族炭化水素基、または、置換基としてハロゲン原子、水酸基、C1C6アルコキシ基、C2C6アルコキシカルボニル基、C6C10アリールオキシ基、およびC2C8アシル基から選ばれる少なくとも1種を有していてもよいC1C40飽和脂肪族炭化水素基もしくはC3C40脂環式炭化水素基であることを特徴とする請求項6に記載の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。有機溶媒としてトルエンまたはキシレンを用いることを特徴とする請求項5から7のいずれかに記載の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法。本発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、金属性のカーボンナノチューブと半導体性のカーボンナノチューブとが混在する原料のカーボンナノチューブをその電気特性または直径に基づいて選択的に分子変換する新規な方法を提供することを課題としている。本発明者は、鋭意検討した結果、カーボンナノチューブと直鎖ジスルフィドまたは直鎖スルフィドとを有機溶媒中に存在させることにより、カーボンナノチューブと直鎖ジスルフィドまたは直鎖スルフィドとが光反応し生成した活性種が、電気特性または直径に基づく明瞭な化学反応性の違いにより金属性のカーボンナノチューブを選択的にまたはカーボンナノチューブを直径選択的に化学修飾することができることを見出し、本発明を完成するに至った。上記の課題を解決するために、本発明の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法は、金属性のカーボンナノチューブと半導体性のカーボンナノチューブとが混在する原料のカーボンナノチューブと下記式Iまたは式II式中、R1およびR2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。で表されるジスルフィドまたはスルフィドとを有機溶媒中に存在させることにより、式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドとカーボンナノチューブとを光反応させ、金属性のカーボンナノチューブを選択的に化学修飾することを特徴としている。また本発明の選択的に化学修飾されたカーボンナノチューブの製造方法は、金属性のカーボンナノチューブと半導体性のカーボンナノチューブとが混在する原料のカーボンナノチューブと下記式Iまたは式II式中、R1およびR2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。で表されるジスルフィドまたはスルフィドとを有機溶媒中に存在させることにより、式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドとカーボンナノチューブとを光反応させ、カーボンナノチューブを直径選択的に化学修飾することを特徴としている。本発明によれば、金属性のカーボンナノチューブと半導体性のカーボンナノチューブとが混在する原料のカーボンナノチューブから、金属性のカーボンナノチューブを選択的にまたはカーボンナノチューブを直径選択的に分子変換し物性を制御することができる。以下に、本発明を詳細に説明する。本発明の方法は、金属性のカーボンナノチューブと半導体性のカーボンナノチューブとが混在する原料のカーボンナノチューブと上記式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドとを有機溶媒中に存在させることにより、式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドとカーボンナノチューブとを光反応させ、金属性のカーボンナノチューブを選択的に化学修飾し、またはカーボンナノチューブを直径選択的に化学修飾することを特徴としている。実験的に得られている証拠に基づくと、光励起した半導体SWNTsとジスルフィドまたはスルフィドが電子移動反応しラジカルイオン種を発生させ、酸素とSWNTsアニオンラジカルとの反応により生成したスーパーオキシドアニオンラジカルとジスルフィドカチオンラジカルまたはスルフィドカチオンラジカルから、ペルスルホキシドが生成する。このペルスルホキシド中間体が金属性SWNTsや特定の直径のSWNTsと選択的に反応すると考えられる。本発明において原料として用いられるカーボンナノチューブとしては、特に限定されるものではなく、例えば、単層カーボンナノチューブ、あるいは二層カーボンナノチューブ等の多層カーボンナノチューブを用いることができる。カーボンナノチューブの製法も特に限定されるものではなく、例えば、HiPco法、アーク法、レーザーアブレーション法、CVD法等によるものを用いることができる。上記式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドにおいて、R1およびR2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭化水素基、例えば、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、飽和脂肪族炭化水素基、または脂環式炭化水素基を示す。例えば、C6C20、好ましくはC6C14の芳香族炭化水素基、C1C40、好ましくはC1C20の飽和脂肪族炭化水素基、もしくはC3C40、好ましくはC3C20の脂環式炭化水素基およびこれらに置換基を有するものを用いることができる。芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等のC6C20アリール基等が挙げられる。芳香族炭化水素基は、置換基としてハロゲン原子、水酸基、C1C40アルコキシ基、C2C40アルコキシカルボニル基、C6C10アリールオキシ基、およびC2C40アシル基から選ばれる少なくとも1種を有していてもよい。飽和脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、nプロピル基、isoプロピル基、nブチル基、isoブチル基、secブチル基、tertブチル基、nペンチル基、isoペンチル基、secペンチル基、neoペンチル基、tertペンチル基、nヘキシル基、nヘプチル基、nオクチル基、nノニル基、nデシル基等の直鎖または分岐のアルキル基等が挙げられる。飽和脂肪族炭化水素基は、置換基としてハロゲン原子、水酸基、C1C6アルコキシ基、C2C6アルコキシカルボニル基、C6C10アリールオキシ基、およびC2C8アシル基から選ばれる少なくとも1種を有していてもよい。脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基等のシクロアルキル基等が挙げられる。脂環式炭化水素基は、置換基としてハロゲン原子、水酸基、C1C6アルコキシ基、C2C6アルコキシカルボニル基、C6C10アリールオキシ基、およびC2C8アシル基から選ばれる少なくとも1種を有していてもよい。本発明において、式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドの使用量は、特に限定されるものではなく、カーボンナノチューブに対して過剰量であってもよいが、カーボンナノチューブの量に対して式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドの量を少なくすることで、化学修飾量を調整することができる。一例としては、式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドの使用量を005~1Mとすることができる。また、反応時間によっても化学修飾量を調整することができる。反応の有機溶媒としては、式Iで表されるジスルフィドが溶解するものが好ましい。このような有機溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、14ジオキサン、ジエチルエーテル等の好ましくは炭素数4~6のエーテル類、ベンゼン等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、シクロヘキサン等の好ましくは炭素数5~10の炭化水素類等を1種単独で、あるいは2種以上を混合して用いることができる。中でも、テトラヒドロフランが好ましい。有機溶媒としてテトラヒドロフラン、14ジオキサン、ジエチルエーテル、ベンゼン、ヘキサン、またはシクロヘキサンを用いると、金属性のカーボンナノチューブを選択的に分子変換することができる。有機溶媒としてトルエンやキシレンを用いると、カーボンナノチューブを直径選択的に分子変換することができる。原料のカーボンナノチューブと式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドとの光反応は、有機溶媒中に式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドを溶解するとともにカーボンナノチューブを分散させ、適宜に超音波を照射して行うことができる。あるいは、石英等の基盤上にカーボンナノチューブの薄膜を作製し、これを式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドを含む有機溶媒中に浸漬させて行うことができる。反応雰囲気は、大気中等の酸素雰囲気下であることが好ましい。反応は、室温下でも容易に進行させることができる。反応温度は、式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドの沸点以下であれば、特に限定されず、例えば、50~200°Cで行うことができる。反応時間も特に限定されないが、あまり反応時間が長くなると金属性のカーボンナノチューブに加えて半導体性のカーボンナノチューブの反応も進行する場合がある。光反応を進行させるために必要な光波長は、200~2000nm、好ましくは300~800nmである。原料のカーボンナノチューブに含まれる金属性のカーボンナノチューブと式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドとの光反応は、紫外光の照射を要せずとも、例えば可視光の400nm~800nmの範囲でも進行させることができる。光反応のための光源装置としては、例えば、ハロゲンランプ、水銀灯、蛍光灯等を用いることができる。光量は、スタンド式の蛍光灯や室内灯でも反応の進行には十分である。本発明によれば、上記のような条件にて原料のカーボンナノチューブと式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドとの光反応を進行させることにより、式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドと、原料のカーボンナノチューブに含まれる金属性のものと半導体性のものとのうち金属性のカーボンナノチューブを選択的に化学修飾することができる。あるいは、カーボンナノチューブを直径選択的に化学修飾することができる。ここで選択的に化学修飾することについては、例えば、後述の実施例にも示されるように、金属性のカーボンナノチューブに基づく特性吸収の消失、あるいは、金属性のカーボンナノチューブに帰属されるラマンスペクトルの減少とsp3結合由来とされるDバンドのピーク強度の増大等により、半導体性カーボンナノチューブのそれと対比したときに明確な相違として確認することができる。選択的に反応が進行した程度は、例えば次のような評価によっても明確に把握することができる。まず、Dバンドから全体の化学反応の進行具合の情報を相対的に得ることができる。そしてRBMの金属性SWNTsおよび半導体SWNTsのピーク強度変化、あるいは面積変化から、選択的な化学反応の情報を数値化することも可能である。また、スペクトル形状として、RBMのピーク強度の減少によっても選択的に反応が進行した程度を評価することができる。なお、直径選択的とは、直径の細いカーボンナノチューブが優先的に反応することを意味する。例えば、有機溶媒としてトルエンを用いてSWNTsを式Iで表されるジスルフィドまたは式IIで表されるスルフィドと反応させた場合には、直径の細い金属性SWNTs、直径の細い半導体SWNTs、直径の太い金属性SWNTs、直径の太い半導体SWNTsの順に反応が進行する。本発明の方法、金属性のカーボンナノチューブと半導体性のカーボンナノチューブとが混在する原料のカーボンナノチューブから、金属性のカーボンナノチューブを選択的にまたはカーボンナノチューブを直径選択的に分子変換し物性を制御することができることから、FET材料としての特性向上など、各種の分野での応用が期待できる。以下に、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。以下の実施例および比較例において、金属性SWNTsおよび半導体性SWNTsを含む混合物の電気特性または直径に基づく選択的な化学反応の進行は、吸収スペクトルの特性吸収、およびラマンスペクトルのRBMとDbandの増加の割合等から評価した。吸収スペクトル紫外可視近赤外吸収スペクトルは分光光度計UV3150、株島津製作所製を用いて測定した。ラマンスペクトルは、吸引濾過によりカーボンナノチューブを処理して作製したフィルムをラマン分光器LabRAMHR800、堀場製作所を用いてレーザ励起波長5145nmおよび6328nmで測定した。また、光反応のための光源には、主に白色蛍光ランプサンラインFL15SW6、日立ライティング株製を用いて、光源からの光波長300nm以上を照射した。<実施例1>パイレックス登録商標製の反応容器に01mgの単層カーボンナノチューブSWNTs、HiPco法を入れ、さらに005Mのジフェニルジスルフィドを含むテトラヒドロフランTHFを10ml加え、大気中にて超音波照射を2時間行った。また、光源の白色蛍光ランプからの光を照射した。24時間おきに2時間の超音波照射を行い、123日後に溶液の吸収スペクトルの測定を行ったところ、金属性SWNTsに基づく特性吸収の消失が確認された図1左。また、123日後の溶液をPTFE製メンブランフィルターにて濾過した後、ラマンスペクトル測定を行ったところ、金属性SWNTsに帰属されるラマンスペクトルの減少とsp3結合由来とされるDバンドのピーク強度の増大が確認され、金属性SWNTsへの選択的な化学反応が進行している知見が得られた図1右。<実施例2>パイレックス登録商標製の反応容器に01mgの単層カーボンナノチューブSWNTs、HiPco法を入れ、さらに005Mのジフェニルジスルフィドを含むテトラヒドロフランTHFを10ml加え、大気中にて超音波照射を9時間または12時間行った。また、光源の白色蛍光ランプからの光を照射した。溶液の吸収スペクトルの測定を行ったところ、金属性SWNTsに基づく特性吸収の消失が確認された図2左。また、溶液をPEFE製メンブランフィルターにて濾過した後、ラマンスペクトル測定を行ったところ、金属性SWNTsに帰属されるラマンスペクトルの減少とsp3結合由来とされるDバンドのピーク強度の増大が確認され、金属性SWNTsへの選択的な化学反応が進行している知見が得られた図2右。超音波照射時間が長くなると電気特性に基づく選択的相互作用が進行する。これは超音波照射により分散系に存在するSWNTsの弧立度が向上したことによると考えられる。<実施例3>スプレー法にて単層カーボンナノチューブSWNTs、HiPco法薄膜を石英基盤上に作製し、これをジフェニルジスルフィドを含むテトラヒドロフランTHF10mlに浸漬した。また、光源の白色蛍光ランプからの光を照射した。48時間後に基盤を取り出し、メタノールで洗浄した後に吸収スペクトルの測定を行ったところ、金属性SWNTsに基づく特性吸収の消失が確認された図3左。ラマンスペクトル測定を行ったところ、金属性SWNTsに帰属されるラマンスペクトルの減少とsp3結合由来とされるDバンドのピーク強度の増大が確認され、金属性SWNTsへの選択的な化学反応が進行している知見が得られた図3右。薄膜上に噴霧したSWNTsは孤立度が高い。上記のように実施例1の溶液中の反応と同様の反応時間で経時変化を追ったところ、溶液中よりも反応性が向上した。このように、SWNTsの孤立度が高いと反応性も向上する。<実施例4>実施例1において、有機溶媒を各種のものに変更し、それ以外は実施例1と同様の条件にて反応を行った。有機溶媒としては、THF、ヘキサン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ベンゼン等を用いた。3日後にラマンスペクトルの測定を行った結果を図4に示す。THFを用いた場合に特に反応が効率的に進行した。<比較例1>スプレー法にて単層カーボンナノチューブSWNTs、HiPco法薄膜を石英基盤上に作製し、これをジフェニルジスルフィドを含むテトラヒドロフランTHF10mlに浸漬し、暗所にて放置した。190時間後に基盤を取り出し、メタノールで洗浄した後に吸収スペクトルの測定とラマンスペクトルの測定を行ったところ、スペクトルの変化が認められず図5左、反応が抑制されたことが示された。図5右。<比較例2>パイレックス登録商標製の反応容器に01mgの単層カーボンナノチューブSWNTs、HiPco法を入れ、さらに005Mのジフェニルジスルフィドおよび安定化剤として知られている26ジtertブチル4メチルフェノールを含むテトラヒドロフランTHFを10ml加え、大気中にて超音波照射を2時間行った。また、光源の白色蛍光ランプからの光を照射した。24時間おきに2時間の超音波照射を行い、3日後に溶液の吸収スペクトルの測定を行ったところ、スペクトルの変化が認められず、反応が抑制されることが示された。また、3日後の溶液をPEFE製メンブランフィルターにて濾過した後、ラマンスペクトル測定を行ったところ、スペクトルの変化が認められず、反応が抑制されることが示された。図6。安定化剤として26ジtertブチル4メチルフェノールの代わりにプロピルアミンを用いた場合も同様に反応が抑制された。<実施例5>パイレックス登録商標製の反応容器に01mgの単層カーボンナノチューブSWNTs、HiPco法を入れ、さらに005Mのジフェニルジスルフィドを含むテトラヒドロフランTHFを10ml加え、大気中にて超音波照射を2時間行った。次に、光源としてハロゲンランプJCV100V500WA、ウシオライティング株製を用いて490nm以上の光を6時間照射した後、溶液の吸収スペクトルの測定を行ったところ、金属性SWNTsに基づく特性吸収の消失が確認された図7左。また、溶液をPEFE製メンブランフィルターにて濾過した後、ラマンスペクトル測定を行ったところ、金属性SWNTsに帰属されるラマンスペクトルの減少とsp3結合由来とされるDバンドのピーク強度の増大が確認され、金属性SWNTsへの選択的な化学反応が進行している知見が得られた図7右。<実施例6>パイレックス登録商標製の反応容器に01mgの単層カーボンナノチューブSWNTs、HiPco法を入れ、さらに005Mのジフェニルジスルフィドを含むテトラヒドロフランTHFを10ml加え、大気中にて超音波照射を2時間行った。また、光源の白色蛍光ランプからの光を照射した。24時間おきに2時間の超音波照射を行い、3日後に溶液の吸収スペクトルの測定を行ったところ、金属性SWNTsに基づく特性吸収の消失が確認された図8左。また、3日後の溶液をPEFE製メンブランフィルターにて濾過した後、ラマンスペクトル測定を行ったところ、金属性SWNTsに帰属されるラマンスペクトルの減少とsp3結合由来とされるDバンドのピーク強度の増大が確認され、金属性SWNTsへの選択的な化学反応が進行している知見が得られた図8右。一方、上記と同様に24時間おきに2時間の超音波照射を行い、10日後に溶液の吸収スペクトル測定を行ったところ、金属性SWNTsに加え、半導体SWNTsに基づく特性吸収の消失が確認された図8左。また、溶液をPEFE製メンブランフィルターにて濾過した後、ラマンスペクトル測定を行ったところ、金属性SWNTsに加え、半導体SWNTsに帰属されるラマンスペクトルの減少とsp3結合由来とされるDバンドのピーク強度の増大が確認され、金属性SWNTsに次いで半導体SWNTsも化学反応が進行することが示された図8右。このように、導電性が同程度のSWNTsの場合、直径選択的に反応が進行することが示された。<実施例7>実施例1において、ジスルフィドを各種のものに変更し、それ以外は実施例1と同様の条件にて反応を行った。ジスルフィドとしては、ジフェニルジスルフィドの他、そのフェニル基に図10左に示すように置換基Rとしてメチル基、メトキシ基、塩素原子、ドデシル基、アミノ基、またはニトロ基を導入したもの、およびジnブチルジスルフィド、ジtertブチルジスルフィド、ジシクロヘキシルジスルフィドを用いた。3日後に吸収ラマンスペクトルの測定を行った結果を図9に示す。このように、各種のジスルフィドにおいて金属性SWNTsに基づく特性吸収の消失が確認された。また、溶液をPEFE製メンブランフィルターにて濾過した後、ラマンスペクトル測定を行ったところ、各種のジスルフィドにおいて金属性SWNTsに帰属されるラマンスペクトルの減少とsp3結合由来とされるDバンドのピーク強度の増大が確認され、金属性SWNTsへの選択的な化学反応が進行している知見が得られた。置換基Rとしてアミノ基、またはニトロ基を導入したものでは反応性に低下がみられた。これはジスルフィドとの電子移動を抑制するためと考えられる。<実施例8、比較例3>式Iの直鎖ジスルフィドと、環状ジスルフィドの反応性について比較した。実施例8では実施例1と同様にパイレックス登録商標製の反応容器にSWNTsを入れ、さらにジフェニルジスルフィドを含む有機溶媒を加えて光反応を試みた。図10は酸素雰囲気下、有機溶媒THFでの紫外~可視領域の光照射光波長254nm<、図11は酸素雰囲気下、有機溶媒THFでの可視領域の光照射光波長500nm<、図12は酸素雰囲気下、有機溶媒アセトニトリルでの紫外~可視領域の光照射光波長254nm<の結果を示す。いずれも金属性SWNTsへの選択的な化学反応が進行し、アセトニトリルTHF酸素系に比べほとんど反応が進行しないでは直径選択的にも反応が進行した。比較例3では、環状ジスルフィドとしてジチアンを用いて、Ar雰囲気下、有機溶媒アセトニトリルでの紫外~可視領域の光照射光波長254nm<を行った図13。直鎖ジスルフィドのジフェニルジスルフィドの場合にはSWNTsのみが光吸収する条件でも反応が進行し図11、環状ジスルフィドのジチアンの場合には硫黄も光吸収する条件でのみ反応が進行する。また図示はしないがジフェニルジスルフィドの場合にはAr雰囲気では酸素雰囲気に比べると反応性が下がる。そしてジチアンの場合にはジフェニルジスルフィドと比べると同一条件では反応性が低く、反応の選択性も見られない。なお、ジチアンは光反応により生じたチイルラジカルがSWNTsに付加することで主に反応が進行すると考えられるが、ジフェニルジスルフィドの場合には、光励起した半導体SWNTsとジスルフィドが電子移動反応しラジカルイオン種を発生させ、酸素とSWNTsアニオンラジカルとの反応により生成したスーパーオキシドアニオンラジカルとジスルフィドカチオンラジカルからペルスルホキシドが生成し、このペルスルホキシド中間体が金属性SWNTsや特定の直径のSWNTsと選択的に反応すると考えられる。<実施例9>有機溶媒としてトルエンを用いて光反応を行った。SWNTs15mgに対し005Mのジフェニルジスルフィド/トルエン溶液50mlを加え、光源としてハロゲンランプ>300nmを用い、酸素雰囲気下で光照射し反応を行った。その結果を図14に示す。有機溶媒としてトルエンを用いた場合には、金属選択的ではなく直径選択的に反応が進行した。このように、有機溶媒の選択により金属選択的な反応から直径選択的な反応に化学反応性を切り換えることができる。なお、反応は直径の細い金属性SWNTs、直径の細い半導体SWNTs、直径の太い金属性SWNTs、直径の太い半導体SWNTsの順に進行し、RBMの変化量は表1、2のとおりであった。直径dは次式より見積もった。d=2235<実施例10>ジフェニルスルフィドを用いて、酸素雰囲気下、有機溶媒THFでの光照射光波長400nm<を行った。ラマンスペクトル測定を行ったところ、図15に示すように、金属性SWNTsに帰属されるラマンスペクトルの減少とsp3結合由来とされるDバンドのピーク強度の増大が確認され、金属性SWNTsへの選択的な化学反応が進行している知見が得られた。