回路基板の第一の面に複数の電子部品及び樹脂層が配置されたモジュール部品集合体の加工工程と、前記モジュール部品集合体を加熱する加熱工程と、前記加熱された前記モジュール部品集合体をダイシングするダイシング工程とを備えることを特徴とするモジュール部品の製造方法。請求項1に記載のモジュール部品の製造方法において、前記加熱工程は、前記樹脂層を構成する樹脂のガラス転移点以上に、前記樹脂層を加熱することを特徴とするモジュール部品の製造方法。請求項1又は請求項2に記載のモジュール部品の製造方法において、前記樹脂層は、複数の樹脂から構成されることを特徴とするモジュール部品の製造方法。請求項3に記載のモジュール部品の製造方法において、前記加熱工程は、前記複数の樹脂のうち少なくとも一の樹脂のガラス転移点以上に、前記樹脂層を加熱することを特徴とするモジュール部品の製造方法。請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のモジュール部品の製造方法に用いるモジュール部品の製造装置であって、前記ダイシングする前記モジュール部品集合体を載置するダイシングステージを備え、前記ダイシングステージは、前記モジュール部品集合体を加熱する第一の加熱機構と、前記モジュール部品集合体を該ダイシングステージに固定する第一の固定機構とを有することを特徴とするモジュール部品の製造装置。請求項5に記載のモジュール部品の製造装置であって、前記ダイシングステージに載置する前段階の前記モジュール部品集合体を予め加熱する予備加熱ステージと、前記ダイシングステージ及び前記予備加熱ステージへ前記モジュール部品集合体を搬送する搬送ユニットとを備え、前記予備加熱ステージは、前記モジュール部品集合体を加熱する第二の加熱機構と、前記モジュール部品集合体を該予備加熱ステージに固定する第二の固定機構とを有し、前記搬送ユニットは、前記モジュール部品集合体を該搬送ユニットに固定する第三の固定機構を有することを特徴とするモジュール部品の製造装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のモジュール部品の製造方法に用いるモジュール部品集合体であって、前記樹脂の前記ガラス転移点が60度以下であることを特徴とするモジュール部品集合体。請求項4に記載のモジュール部品の製造方法に用いるモジュール部品集合体であって、前記少なくとも一の樹脂の前記ガラス転移点が60度以下であることを特徴とするモジュール部品集合体。請求項4に記載のモジュール部品の製造方法に用いるモジュール部品であって、前記樹脂層は絶縁性樹脂と導電性樹脂とを備えることを特徴とするモジュール部品集合体。しかしながら、上述のモジュール部品の製造方法では、基板と絶縁性樹脂との熱膨張率等の違いにより、基板と封止樹脂層とが一体となった段階で反りが生じることが多かった。よって、反りの生じた部材をダイシングステージに載置してハーフカットする場合には、該部材をダイシングステージ上に確実に固定することが困難であり、その結果寸法精度良くダイシングすることが困難であるという問題点があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、寸法精度良くダイシングすることができるモジュール部品の製造方法、モジュール部品の製造装置及びモジュール部品集合体を提供する。上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用している。すなわち、本発明に係るモジュール部品の製造方法は、回路基板の第一の面に複数の電子部品及び樹脂層が配置されたモジュール部品集合体の加工工程と、前記モジュール部品集合体を加熱する加熱工程と、前記加熱された前記モジュール部品集合体をダイシングするダイシング工程とを備えることを特徴とする。このようなモジュール部品の製造方法では、モジュール部品集合体を加熱することで軟らかくすることができる。よって、この状態のモジュール部品集合体をダイシングステージに則った形状としてダイシングステージに確実に固定することができるため、寸法精度良くダイシングすることができる。また、本発明に係るモジュール部品の製造方法は、前記加熱工程は、前記樹脂層を構成する樹脂のガラス転移点以上に、前記樹脂層を加熱することを特徴とする。このようなモジュール部品の製造方法では、モジュール部品集合体を構成する樹脂をガラス転移点以上に加熱することで確実に軟らかくすることができる。よって、この状態のモジュール部品集合体をダイシングステージに則った形状としてより確実にダイシングステージに固定することができるため、より寸法精度良くダイシングすることができる。また、本発明に係るモジュール部品の製造方法は、前記樹脂層は、複数の樹脂から構成されていてもよい。このようなモジュール部品の製造方法では、モジュール部品集合体が複数の樹脂から構成されていても、モジュール部品集合体を加熱することで確実に軟らかくすることができるため、確実に寸法精度良くダイシングすることができる。また、本発明に係るモジュール部品の製造方法は、前記加熱工程は、前記複数の樹脂のうち少なくとも一の樹脂のガラス転移点以上に、前記樹脂層を加熱することを特徴とする。このようなモジュール部品の製造方法では、複数の樹脂から構成されるモジュール部品集合体の少なくとも一の樹脂をガラス転移点以上に加熱することで軟らかくすることができるため、確実に寸法精度良くダイシングすることができる。また、本発明に係るモジュール部品の製造装置は、前記ダイシングする前記モジュール部品集合体を載置するダイシングステージを備え、前記ダイシングステージは、前記モジュール部品集合体を加熱する第一の加熱機構と、前記モジュール部品集合体を該ダイシングステージに固定する第一の固定機構とを有することを特徴とする。このようなモジュール部品の製造装置では、ダイシングステージの第一の加熱機構によりモジュール部品集合体を加熱して軟らかくし、第一の固定機構により該モジュール部品集合体をダイシングステージに固定することができる。よって、モジュール部品集合体は、軟らかくなりダイシングステージに則った状態で固定されるため、寸法精度良くダイシングすることができる。また、本発明に係るモジュール部品の製造装置は、前記ダイシングステージに載置する前段階の前記モジュール部品集合体を予め加熱する予備加熱ステージと、前記ダイシングステージ及び前記予備加熱ステージへ前記モジュール部品集合体を搬送する搬送ユニットとを備え、前記予備加熱ステージは、前記モジュール部品集合体を加熱する第二の加熱機構と、前記モジュール部品集合体を該予備加熱ステージに固定する第二の固定機構とを有し、前記搬送ユニットは、前記モジュール部品集合体を該搬送ユニットに固定する第三の固定機構を有することを特徴とする。このようなモジュール部品の製造装置では、予備加熱ステージの第二の加熱機構によりモジュール部品集合体を予め加熱して軟らかくし、第二の固定機構により該モジュール部品集合体を予備加熱ステージに固定することができる。そして、搬送ユニットでは、第三の固定機構により該モジュール部品集合体を搬送ユニットに固定することができる。一方、ダイシングステージでは、先に予備加熱ステージから搬送ユニットで搬送されたモジュール部品集合体をダイシングすることができる。よって、順次モジュール部品集合体を製造することができるため、効率的な製造が可能となる。また、本発明に係るモジュール部品集合体は、前記樹脂の前記ガラス転移点が60度以下であることを特徴とする。このようなモジュール部品集合体では、モジュール部品集合体を構成する樹脂を60度以下に加熱すれば軟らかくなり、ダイシングすることができる。よって、加熱によるダイシングステージ等の装置への影響をおさえることができる。また、本発明に係るモジュール部品集合体は、前記少なくとも一の樹脂の前記ガラス転移点が60度以下であることを特徴とする。このようなモジュール部品集合体では、モジュール部品集合体を構成する複数の樹脂のうち少なくとも一の樹脂を60度以下に加熱すれば軟らかくなり、ダイシングすることができる。よって、加熱によるダイシングステージ等の装置への影響をおさえることができる。また、本発明に係るモジュール部品集合体は、前記樹脂層は絶縁性樹脂と導電性樹脂とを備えることを特徴とする。このようなモジュール部品集合体では、絶縁性樹脂と導電性樹脂を加熱し軟らかくなった状態でダイシングすることができるため、確実に寸法精度良くダイシングされる。本発明に係るモジュール部品の製造方法、モジュール部品の製造装置及びモジュール部品集合体によれば、寸法精度良くダイシングすることができる。第一実施形態以下、本発明の第一実施形態に係るモジュール部品1の製造方法及びモジュール部品集合体2について、図面を参照して説明する。図1に示すように、本実施形態に係るモジュール部品1の製造方法は、加工工程S01と、加熱工程S02と、ハーフダイシング工程S03と、冷却工程S04と、導電性樹脂層形成工程S05と、ダイシング工程S06とを備える。まず、図2aに示すように、加工工程S01においては、回路基板11の第一の面111に電子部品21を実装し、該第一の面111及び電子部品21を覆うように樹脂層31を配置するモジュール部品集合体2を加工する。回路基板11は、例えば図示しない複数の10mm四方の回路基板部材が8×7のマトリクス状に配置された集合基板である。電子部品21は、例えばCSPや1005部品等の部品である。樹脂層31は、本実施形態では絶縁性樹脂であり、ガラス転移点が60度以下の絶縁性樹脂が適用される。ここで、モジュール部品集合体2は、回路基板11と樹脂層31を構成する絶縁性樹脂との熱膨張係数の差異により、樹脂層31側に反りが生じた状態となっている。図2bに示すように、加熱工程S02においては、モジュール部品集合体2を、樹脂層31を構成する絶縁性樹脂のガラス転移点である60度以上に加熱し、ダイシングステージ61に固定する。ダイシングステージ61は、例えば該表面に図示しない吸引孔が設けられ負圧吸引することにより、モジュール部品集合体2をダイシングステージ61に吸着固定する。ここで、モジュール部品集合体2は、60度以上に加熱されることにより、弾性率が低下し、軟らかい状態になる。よって、ダイシングステージ61の表面に則った形状、即ち回路基板11側及び樹脂層31側ともに平滑な面となって、ダイシングステージ61に固定された状態が維持される。図2cに示すように、ハーフダイシング工程S03においては、モジュール部品集合体2をモジュール部品1単位になるように、樹脂層31及び回路基板11にハーフダイシング溝部41を加工する。また、ハーフダイシング工程S03においても、加熱工程S02の加熱状態が維持されている。ここで、ハーフダイシング溝部41は、樹脂層31の表面側から回路基板11の裏面方向に向かって形成された溝である。また、回路基板11をハーフダイシングすることで、回路基板11の各内層に配置されたグランドパターン不図示の断面がハーフダイシング溝部41に露出した状態となる。なお、ハーフダイシング溝部41を加工する方法としては、乾式や湿式のダイシング方法を適用することができる。湿式を適用する場合には、加熱温度の低下を防止するために温水を用いてもよい。図2dに示すように、冷却工程S04においては、モジュール部品集合体2をダイシングステージ61から取り外し、常温で自然冷却させる。ここで、樹脂層31は、ハーフダイシング工程S03でモジュール単位に区切られた状態であるため、加工工程S01で生じた反りは低減している。図2eに示すように、導電性樹脂層形成工程S05においては、導電性樹脂をハーフダイシング溝41に充填するとともに、樹脂層31の表面に積層して導電性樹脂層46を形成する。導電性樹脂層46の形成方法としては、ペースト状の導電性樹脂を真空印刷法やディスペンス法にて供給し、加熱炉等で熱硬化する方法を適用することができる。また、フィルム状に成形された半硬化状の導電性樹脂を真空ラミネート法等により供給し、熱硬化する方法も適用することができる。図2fに示すように、ダイシング工程S06においては、回路基板11の第二の面112にはんだバンプ51を形成し、モジュール部品集合体2の端部に導電性樹脂層46が露出するようにハーフダイシング溝41Yをダイシングしてモジュール部品1を製造する。はんだバンプ51は、メインボード不図示へ接続用であり、錫を主成分とするSn3.5Ag0.5Cuである。はんだバンプ51の形成方法としては、図示しないがペースト状のはんだ材を印刷法にて任意の位置に供給し、リフロー加熱することで形成することができる。その他に、回路基板11の任意の位置にフラックスを印刷法又は転写法にて供給し、はんだボールを搭載し、リフロー加熱する方法を採ることもできる。また、必要に応じて、はんだバンプ51の形成時に付着したフラックスの洗浄を実施してもよい。このように構成されたモジュール部品1の製造方法では、ガラス転移点以上に加熱されたモジュール部品集合体2は軟らかくなるため、ダイシングステージ61に固定すると、ダイシングステージ61の表面に則った平滑な形状になり反りが確実に低減する。よって、この状態で冷却固化したモジュール部品集合体2は、寸法精度良くダイシングすることができる。また、モジュール部品集合体2を軟らかくするために加熱する温度は60度以上でよいため、ダイシングステージ61やダイシングブレード等の装置への加熱による負荷や影響をおさえることができる。なお、本実施形態では、加熱工程S02にて、ガラス転移点以上に加熱しているが、温度のばらつきを考慮して、ガラス転移点よりも確実に高い温度まで加熱してもよい。あるいは、樹脂層31の反りを低減できる温度まで加熱することとしてもよい。また、本実施形態では、ダイシング工程S06にて、回路基板11にはんだバンプ51を形成した後に、ハーフダイシング溝部41をダイシングしているが、順番を逆にして、ハーフダイシング溝部41をダイシングした後に、回路基板11にはんだバンプ51を形成するとしてもよい。さらに、はんだバンプ51を形成せずに、平面電極パッドを格子状に配列させたLGAのモジュール部品形態としてもよい。第一実施形態の変形例第一実施形態の変形例として、樹脂層31が複数の種類の樹脂から構成されるものとしてもよい不図示。例えば、樹脂層31は、回路基板11の第一の面111に積層された第一樹脂層不図示と、該第一樹脂層に積層された第二樹脂層不図示とを備え、第一樹脂層及び第二樹脂層が電子部品を覆う構成とする。このように構成されたモジュール部品集合体2では、該モジュール部品集合体2の反りに起因している方の樹脂層をガラス転移点以上に加熱することにより、モジュール部品集合体2を確実に軟らかくすることができ、反りを修正することができる。よって、寸法精度良くダイシングすることができる。また、第一樹脂層又は第二樹脂層の一方を絶縁性樹脂とし、他方を導電性趣旨層としてもよい。この場合は、導電性樹脂層形成工程S05を省略することができるため、工数が削減され、手間が少なくなる。また、第一樹脂層として回路基板11に対する密着性の高い樹脂を選択すれば、第一樹脂層は回路基板11に確実に接着し、モジュール部品集合体2は安定性を得ることができる。また、第二樹脂層として外部からの押圧力に抗する力が強い樹脂を選択すれば、モジュール部品集合体2は外力に対して確実に抗する。なお、上記では樹脂層31として、二種類の樹脂から構成される例を挙げたが、二種類に限られず三種類以上であってもよい。この場合は、三種類以上の樹脂のうち、モジュール部品集合体2Xの反りに一番大きく起因している樹脂のガラス転移点以上に加熱することが、反りを低減させるとともに寸法精度良くダイシングする上では効果的である。また、樹脂層31を構成するそれぞれの樹脂層の特性を効果的に発揮することができる。第二実施形態以下、本発明の第二実施形態に係るモジュール部品1Yの製造方法及びモジュール部品集合体2Yについて説明する。この実施形態において、前述した実施形態で用いた部材と共通の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。第一実施形態においては、加熱工程S02は加工工程S01の後に設けられているのに対し、本実施形態では、図3に示すように、加熱工程S14は導電性樹脂形成工程S13の後に設けられている。本実施形態では、まず、加工工程S11の後に実施したハーフダイシング工程S12において、モジュール部品集合体2Yにハーフダイシング溝41Yを加工する。そして、図4aに示すように、導電性樹脂形成工程S13において、導電性樹脂をハーフダイシング溝41Yに充填するとともに、樹脂層31Yの表面に積層して導電性樹脂層46Yを形成する。図4bに示すように、加熱工程S14においては、モジュール部品集合体2Yを導電性樹脂層46Yを構成する導電性樹脂のガラス転移点以上に加熱する。ここで、導電性樹脂は、ガラス転移点以上に加熱されることにより、弾性率が低下し、軟らかい状態になる。よって、ダイシングステージ61不図示の表面に則った形状、即ち回路基板11側及び導電性樹脂層46Y側ともに平滑な面となって、ダイシングステージ61に固定された状態が維持される。図4cに示すように、ダイシング工程S15においては、端部に導電性樹脂層46Yが露出するようにハーフダイシング溝41Yをダイシングしてモジュール部品1Yを製造する。このように構成されたモジュール部品1Yの製造方法では、加熱されたモジュール部品集合体2Yは、樹脂層31Y及び導電性樹脂層46Yともに軟らかくなるため、反りが確実に低減する。よって、この状態で、モジュール部品集合体2Yを寸法精度良くダイシングすることができる。また、導電性樹脂として、絶縁性樹脂と同様にガラス転移点が比較的低い60度の樹脂を使用することで、加熱工程S14における加熱温度を低くすることができる。これにより、ダイシングステージ61やダイシングプレート等を含むダイシング装置への加熱による負荷や影響をおさえることができる。第三実施形態以下、本発明の第三実施形態に係るモジュール部品の製造装置3について説明する。この実施形態において、前述した実施形態で用いた部材と共通の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。図5a乃至cに示すように、本実施形態に係るモジュール部品の製造装置3は、モジュール部品集合体2A、2Bを載置するダイシングステージ61と、モジュール部品集合体2A、2Bを予め加熱する予備加熱ステージ71と、ダイシングステージ61へモジュール部品集合体2A、2Bを搬送する搬送ユニット81とを備える。ダイシングステージ61は、モジュール部品集合体2A、2Bを加熱する第一の加熱機構161と、モジュール部品集合体2A、2Bをダイシングステージ61に固定する第一の固定機構162とを備える。第一の加熱機構161は、モジュール部品集合体2A、2Bを絶縁性樹脂のガラス転移点以上に加熱する。第一の固定機構162は、モジュール部品集合体2A、2Bをダイシングステージ61に吸着固定する。予備加熱ステージ71は、ダイシングステージ61に載置する前段階のモジュール部品集合体2A、2Bを加熱する第二の加熱機構171と、モジュール部品集合体2A、2Bを予備加熱ステージ71に固定する第二の固定機構172とを備える。第二の加熱機構171は、モジュール部品集合体2A、2Bを予め絶縁性樹脂のガラス転移点以上に加熱する。第二の固定機構172は、モジュール部品集合体2A、2Bを予備加熱ステージ71に吸着固定する。搬送ユニット81は、予備加熱ステージ71から搬送されたモジュール部品集合体2A、2Bを加熱する第三の加熱機構181と、モジュール部品集合体2A、2Bを搬送ユニット81に固定する第三の固定機構182とを備える。第三の加熱機構181は、予備加熱ステージ71で加熱されたモジュール部品集合体2A、2Bを温度低下させることなく搬送できるように加熱する。第三の固定機構182は、モジュール部品集合体2A、2Bを搬送ユニット81に吸着固定するとともに、樹脂層31A、31Bの上部から押さえ込み、反りを低減させる。なお、搬送時間が短い場合は、温度低下が少ないため搬送ユニット81の第三の加熱機構181を省略してもよい。次に、モジュール部品の製造装置3を用いた製造方法について説明する。図5aに示すように、ダイシングステージ61の第一の加熱機構161はモジュール部品集合体2Aを絶縁性樹脂のガラス転移点以上に加熱し、例えばダイシングブレード62等でハーフダイシングする。このとき、次のモジュール部品集合体2Bは、第二の加熱機構171によって絶縁性樹脂のガラス転移点以上に加熱された予備加熱ステージ71上に、図示しないに搬入ユニットによって任意の位置に搬入される。そして、第三の加熱機構181によってガラス転移点以上に加熱された搬送ユニット81がモジュール部品集合体2Bを上部より押さえ込み、この状態で第二の固定機構182によってモジュール部品集合体2Bは予備加熱ステージ71上に固定される。その後、搬送ユニット81は一次退避する。次に、図5bに示すように、ダイシングステージ61では、ハーフダイシングされたモジュール部品集合体2Aが搬出される。そして、搬送ユニット81は、モジュール部品集合体2Bを予備加熱ステージ71からダイシングステージ61に搬送する。ここで、ダイシングステージ61の第一の加熱機構161はモジュール部品集合体2Bを加熱し、第一の固定機構162はモジュール部品集合体2Bをダイシングステージ61に吸着固定する。そして、図5cに示すように、モジュール部品集合体2Bを例えばダイシングブレード62等でハーフダイシングする。このようにして、ダイシングステージ61が先のモジュール部品集合体2Aを加熱、固定又はハーフダイシングする間に、予備加熱ステージ71が次のモジュール部品集合体2Bを加熱若しくは固定し、又は搬送ユニット81が次のモジュール部品集合体2Bを加熱若しくは固定する。このように構成されたモジュール部品の製造装置3では、ダイシングステージ61に搬送された段階で、モジュール部品集合体2A、2Bは既に樹脂層31A、31Bのガラス転移点以上に加熱されている。よって、搬送後に速やかにハーフダイシングすることができるため、加熱時間を短縮できることから生産性を向上させることができるとともに、工期を短縮することができる。また、ダイシングステージ61、予備加熱ステージ71及び搬送ユニット81に加熱機構161、171、181及び固定機構162、172、182が搭載されているため、確実にガラス転移点以上に加熱した状態を維持することができるととともに、吸着固定することで確実に反りを低減することができる。よって、寸法精度良くハーフダイシングすることができる。なお、上述した実施の形態において示した組立手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。