"四位相偏移変調方式によって変調された第1~第4の信号成分を含む光信号を入力する入力ポートと、前記入力ポートに光結合され、前記光信号を前記第1~第4の信号成分に分岐する光分岐部と、前記光分岐部から出力された前記第1~第4の信号成分の光強度に応じた電気信号をそれぞれ生成する第1~第4の受光素子部と、前記第1~第4の受光素子部それぞれにバイアス電圧を供給する第1~第4の配線と、前記バイアス電圧が供給される前記第1~第4の受光素子部の電極と基準電位線との間に電気的に接続された第1~第4のキャパシタと、前記第1~第4の受光素子部から出力された電気信号を増幅する信号増幅部とを備え、前記光分岐部、前記第1~第4の受光素子部、及び前記第1~第4のキャパシタが、共通の光導波路基板に形成されており、前記信号増幅部の第1~第4の信号入力用電極が、前記光導波路基板の第1の方向に延びる一端縁に沿ってこの順で配置されており、前記第1~第4の受光素子部が前記光導波路基板において前記一端縁に沿ってこの順で配置されており、前記第1~第4の受光素子部それぞれの信号出力用電極が、前記信号増幅部の前記第1~第4の信号入力用電極と第1~第4のボンディングワイヤそれぞれを介して電気的に接続されており、前記第1~第4のキャパシタそれぞれが、前記第1~第4の受光素子部それぞれに対し前記第1の方向に並んで配置されており、前記第1~第4のキャパシタの基準電位側電極にそれぞれの一端が接続された第5~第8のボンディングワイヤが前記第1~第4のボンディングワイヤに沿って設けられており、該第5~第8のボンディングワイヤの各他端が前記信号増幅部の第1~第4の基準電位用電極に接続されている、ことを特徴とする多チャネル光導波路型受光デバイス。前記第1及び第2の受光素子部が、前記第1の方向において前記第1のキャパシタと前記第2のキャパシタとの間に配置されており、前記第3及び第4の受光素子部が、前記第1の方向において前記第3のキャパシタと前記第4のキャパシタとの間に配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の多チャネル光導波路型受光デバイス。前記第1~第4の配線が、前記第1~第4のキャパシタのバイアス電圧側電極にそれぞれの一端が接続され、他端がバイアス電圧源に電気的に接続された第9~第12のボンディングワイヤを含んでおり、前記第1の方向と交差する第2の方向における前記第2及び第3のキャパシタの前記バイアス電圧側電極の先端と前記光導波路基板の前記一端縁との距離が、前記第1及び第4のキャパシタの前記バイアス電圧側電極の該第2の方向における先端と前記一端縁との距離よりも長いことを特徴とする、請求項1または2に記載の多チャネル光導波路型受光デバイス。前記第1~第4のキャパシタそれぞれが、2層の金属層と、該2層の金属層間に挟まれた絶縁層とを有することを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の多チャネル光導波路型受光デバイス。図6は、DP-QPSKに使用される受光デバイスの構成例を示す平面図である。図6を参照すると、この受光デバイス100は、光導波路基板110と、フォトダイオードアレイ120と、増幅器プリアンプ130A及び130Bとを備えている。光導波路基板110は、石英系平面光波回路PlanarLightwaveCuircut:PLCからなり、90°光ハイブリッドを構成する。具体的には、光導波路基板110は、DP-QPSKによって変調された2つの偏波状態の光信号のうち、一方の偏波状態の光信号L1を入力する入力ポート111aと、他方の偏波状態の光信号L2を入力する入力ポート111bとを有している。また、光導波路基板110は、局部発振光L3を入力する入力ポート111c,111dを更に有している。入力ポート111a及び111bからそれぞれ入力された光信号L1及びL2は、光導波路基板110が有する方向性結合器113a及び113bにおいて局部発振光L3とそれぞれ干渉することにより、コヒーレント検波が可能な4つの光信号L11~L14に分離される。これらの光信号L11~L14それぞれは、光導波路基板110の出力ポート112a~112dそれぞれから出射される。フォトダイオードアレイ120は、面入射型の4つのフォトダイオード121a~121dを有しており、PDキャリア122上に実装されている。フォトダイオード121a~121dそれぞれは、光導波路基板110の出力ポート112a~112dそれぞれに対向して配置されており、出力ポート112a~112dから出射される光信号L11~L14それぞれを受光する。PDキャリア122には、フォトダイオード121a~121dに直流バイアス電圧を供給するための電極パッド123a~123dと、フォトダイオード121a~121dによって生成された光電流を出力するための電極パッド124a~124dとが設けられている。増幅器130Aは、フォトダイオード121a及び121bから出力された光電流を増幅して電圧信号に変換差動コヒーレント検波するための差動増幅回路を有している。同様に、増幅器130Bは、フォトダイオード121c及び121dから出力された光電流を増幅して電圧信号に変換するための差動増幅回路を有している。増幅器130Aの表面には、差動増幅回路に光電流を入力するための電極パッド131a及び131bが設けられており、増幅器130Bの表面には、差動増幅回路に光電流を入力するための電極パッド131c及び131dが設けられている。これらの電極パッド131a~131dは、ボンディングワイヤ141a~141dを介してPDキャリア122の電極パッド124a~124dと電気的に接続されている。なお、電極パッド131a~131dの間には、基準電位GND電位用の電極パッド132a~132fが配置されている。図6を参照すると、受光デバイス100は、直流バイアス電圧に対してバイパスコンデンサとして作用するチップ状のキャパシタ151~154を更に備えている。キャパシタ151及び152は、光導波路基板110及びPDキャリア122の側面に沿って並んで配置されており、キャパシタ153及び154は、光導波路基板110及びPDキャリア122の反対側の側面に沿って並んで配置されている。キャパシタ151~154が有する一対の電極のうち一方の電極151a~154aは、キャパシタ151~154の上面に設けられている。これらの電極151a~154aは、ボンディングワイヤ142a~142dを介してPDキャリア122の電極パッド123a~123dと電気的に接続されており、また、ボンディングワイヤ143a~143dを介して直流電源不図示と電気的に接続されている。なお、キャパシタ151~154が有する一対の電極のうち他方の電極不図示は、基準電位GND電位に接続されている。以上の構成を備える受光デバイス100には、次に述べる課題がある。DP-QPSKに使用される受光デバイス100では、出力される電気信号が高周波であるため、フォトダイオード121a~121dからの光電流を増幅器130A、130Bに入力するための信号配線ボンディングワイヤ141a~141dの長さが、できるだけ短く且つ互いに等しいことが望ましい。このようにボンディングワイヤ141a~141dの長さを揃えることによって、大きなリードインダクタンス成分による周波数応答特性の劣化や、各信号間での周波数応答特性のばらつきを回避することができる。これと同様の理由から、キャパシタ151~154とフォトダイオード121a~121dとを接続するボンディングワイヤ142a~142dの長さもまた、できるだけ短く且つ互いに等しいことが望ましい。しかしながら、図6に示されたようにキャパシタ151~154を光導波路基板110及びPDキャリア122の両側面に沿って配置したのでは、内側の電極パッド123b及び123cとキャパシタ152及び153とを接続するボンディングワイヤ142b及び142cの長さが、外側の電極パッド123a及び123dとキャパシタ151及び154とを接続するボンディングワイヤ142a及び142dの長さよりも長くなってしまう。したがって、内側のフォトダイオード121b及び121cから出力される各信号に、大きなリードインダクタンス成分による周波数応答特性の劣化が生じるおそれがある。また、ボンディングワイヤ141a~141dの長さを短く揃えることが困難となるので、各フォトダイオード121a~121dから出力される各信号間での周波数応答特性のばらつきを抑えることが困難となる。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、バイパスコンデンサと受光素子との間の配線長を短く揃えることが可能な多チャネル光導波路型受光デバイスを提供することを目的とする。上述した課題を解決するために、本発明による多チャネル光導波路型受光デバイスは、四位相偏移変調方式によって変調された第1~第4の信号成分を含む光信号を入力する入力ポートと、入力ポートに光結合され、光信号を第1~第4の信号成分に分岐する光分岐部と、光分岐部から出力された第1~第4の信号成分の光強度に応じた電気信号をそれぞれ生成する第1~第4の受光素子部と、第1~第4の受光素子部それぞれにバイアス電圧を供給する第1~第4の配線と、バイアス電圧が供給される第1~第4の受光素子部の電極と基準電位線との間に電気的に接続された第1~第4のキャパシタと、第1~第4の受光素子部から出力された電気信号をそれぞれ増幅する信号増幅部とを備え、光分岐部、第1~第4の受光素子部、及び第1~第4のキャパシタが、共通の光導波路基板に形成されており、信号増幅部の第1~第4の信号入力用電極が、光導波路基板の第1の方向に延びる一端縁に沿ってこの順で配置されており、第1~第4の受光素子部が光導波路基板において一端縁に沿ってこの順で配置されており、第1~第4の受光素子部それぞれの信号出力用電極が、信号増幅部の第1~第4の信号入力用電極と第1~第4のボンディングワイヤそれぞれを介して電気的に接続されており、第1~第4のキャパシタそれぞれが、第1~第4の受光素子部それぞれに対し第1の方向に並んで配置されており、第1~第4のキャパシタの基準電位側電極にそれぞれの一端が接続された第5~第8のボンディングワイヤが第1~第4のボンディングワイヤに沿って設けられており、該第5~第8のボンディングワイヤの各他端が信号増幅部の第1~第4の基準電位用電極に接続されていることを特徴とする。この多チャネル光導波路型受光デバイスでは、第1~第4の受光素子部及び第1~第4のキャパシタが、共通の光導波路基板に形成されている。そして、第1~第4の受光素子部が、第1の方向に延びる一端縁に沿って配置されており、第1~第4のキャパシタそれぞれが、第1~第4の受光素子部それぞれに対し第1の方向に並んで配置されている。このように各受光素子部および各キャパシタが配置されることにより、図6のようにキャパシタ151~154が光導波路基板110の側面に沿って配置される場合と比較して、各キャパシタと受光素子部との間の配線長を短く揃えることが可能となる。したがって、この多チャネル光導波路型受光デバイスによれば、リードインダクタンス成分による周波数応答特性の劣化や、受光素子から出力される各信号間での周波数応答特性のばらつきを効果的に抑えることができる。なお、光導波路基板において、第1~第4のキャパシタは、例えば2層の金属層と、該2層の金属層間に挟まれた絶縁層とによって好適に構成されることができる。また、図6に示された構成では、光導波路基板110とフォトダイオードアレイ120とが別個に設けられているので、光導波路基板110の出力ポート112a~112dの光軸上にフォトダイオード121a~121dの位置を調整することが必要となり、製造時の工程数が増加してしまう。これに対し、上記した多チャネル光導波路型受光デバイスでは、四位相偏移変調方式によって変調された光信号を第1~第4の信号成分に分岐する光分岐部と、第1~第4の信号成分の光強度に応じた電気信号をそれぞれ生成する第1~第4の受光素子部とが、共通の光導波路基板に形成されている。これにより、第1~第4の受光素子部の光軸調整が不要となり、製造時の工程数を抑えることができる。また、多チャネル光導波路型受光デバイスを小型に構成することができる。また、上記した多チャネル光導波路型受光デバイスでは、信号増幅部の第1~第4の信号入力用電極が光導波路基板の一端縁に沿って配置されており、第1~第4の受光素子部の信号出力用電極が、信号増幅部の第1~第4の信号入力用電極に第1~第4のボンディングワイヤを介して接続されている。更に、第1~第4のキャパシタの基準電位側電極と信号増幅部の第1~第4の基準電位用電極とが、上記第1~第4のボンディングワイヤに沿って配置された第5~第8のボンディングワイヤによって接続されている。信号増幅部、受光素子部およびキャパシタの各電極をこのように配置し、これらをボンディングワイヤで接続することによって、高周波信号が通過する第1~第4のボンディングワイヤを、基準電位線としての第5~第8のボンディングワイヤによって挟むことができ、高周波信号へのノイズを低減することができる。特に、第1及び第2の受光素子部が、第1の方向において第1のキャパシタと第2のキャパシタとの間に配置されており、第3及び第4の受光素子部が、第1の方向において第3のキャパシタと第4のキャパシタとの間に配置されていることによって、このような効果が顕著となる。また、多チャネル光導波路型受光デバイスは、第1~第4の配線が、第1~第4のキャパシタのバイアス電圧側電極にそれぞれの一端が接続され、他端がバイアス電圧源に電気的に接続された第9~第12のボンディングワイヤを含んでおり、第1の方向と交差する第2の方向における第2及び第3のキャパシタのバイアス電圧側電極の先端と光導波路基板の一端縁との距離が、第1及び第4のキャパシタのバイアス電圧側電極の該第2の方向における先端と一端縁との距離よりも長いことを特徴としてもよい。このように、第1~第4のキャパシタのバイアス電圧側電極の先端の位置を設定することによって、第9~第12のボンディングワイヤが互いに交錯することを回避することができる。本発明による多チャネル光導波路型受光デバイスによれば、バイパスコンデンサキャパシタと受光素子との間の配線長を短く揃えることができる。以下、添付図面を参照しながら本発明による多チャネル光導波路型受光デバイスの実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、本発明の一実施形態に係る多チャネル光導波路型受光デバイス以下、単に受光デバイスというの構成を示す平面図である。また、図2は図1に示されたII-II線に沿った断面を示しており、図3は図1に示されたIII-III線に沿った断面を示しており、図4は図1に示されたIV-IV線に沿った断面を示しており、図5は図1に示されたV-V線に沿った断面を示している。図1に示されるように、本実施形態の受光デバイス1Aは、光導波路基板10と、信号増幅部50A,50Bとを備えている。光導波路基板10は、略矩形状といった平面形状を有しており、例えばInPといった化合物半導体から成る基板上に光導波路が形成されて成る。光導波路基板10は、2つの入力ポート11a,11bと、光分岐部光カプラ12とを有している。また、光導波路基板10は、基板上に形成された第1~第4の受光素子部13a~13dと、第1~第4のキャパシタ14a~14dとを更に有している。光導波路基板10は、所定の第1の方向Aに沿って延びる一対の端縁10a,10bを有している。2つの入力ポート11a,11bは、光導波路基板10の端縁10a,10bのうち、一方の端縁10aに設けられている。2つの入力ポート11a,11bのうち一方の入力ポート11aには、QPSK方式によって変調された4つの信号成分第1~第4の信号成分を含む光信号Laが受光デバイス1Aの外部より入力される。また、他方の入力ポート11bには、局部発振光Lbが入力される。入力ポート11a,11bそれぞれは、光導波路15a,15bそれぞれを介して光分岐部12と光学的に結合されている。なお、光導波路15a,15bは、屈折率が比較的大きい材料例えばInGaAsPから成るコアと、屈折率が該コアよりも小さい材料例えばInPから成り該コアを覆うクラッドとによって好適に構成される。光分岐部12は、90°光ハイブリッドを構成する。すなわち、光分岐部12は、MMIカプラによって構成されており、光信号Laと局部発振光Lbとを相互に干渉させることによって、光信号Laを、QPSK方式によって変調された4つの信号成分Lc1~Lc4それぞれに分岐する。なお、これら4つの信号成分Lc1~Lc4のうち、信号成分Lc1及びLc2は偏波状態が互いに等しく、同相Inphase関係を有する。また、信号成分Lc3及びLc4の偏波状態は、互いに等しく且つ信号成分Lc1及びLc2の偏波状態とは異なっている。信号成分Lc3及びLc4は、直角位相Quadrature関係を有する。受光素子部13a~13dは、PINフォトダイオードとしての構成を有しており、光導波路基板10の端縁10bに沿って、この順で並んで配置されている。受光素子部13a~13dそれぞれは、光導波路15c~15fそれぞれを介して光分岐部12の4つの出力端と光学的に結合されている。受光素子部13a~13dのカソードには、一定のバイアス電圧が供給される。受光素子部13a~13dそれぞれは、4つの信号成分Lc1~Lc4それぞれを光分岐部12から受け、これら信号成分Lc1~Lc4それぞれの光強度に応じた電気信号光電流を生成する。光導波路基板10上には、受光素子部13a~13dのアノードに電気的に接続された信号出力用電極パッド16a~16dが設けられている。信号出力用電極パッド16a~16dは、光導波路基板10の端縁10bに沿って、第1の方向Aに並んで設けられている。信号出力用電極パッド16a~16dそれぞれは、ボンディングワイヤ20a~20dそれぞれを介して、後述する信号増幅部50A,50Bの信号入力用電極パッド51a~51dそれぞれと電気的に接続されている。なお、ボンディングワイヤ20a~20dは、本実施形態における第1~第4のボンディングワイヤである。キャパシタ14a~14dは、例えば、光導波路基板10上に積層された2層の金属層と、該2層の金属層間に挟まれた絶縁層とによって好適に構成される。キャパシタ14a~14dそれぞれは、受光素子部13a~13dそれぞれに対し第1の方向Aに並んで隣り合って配置されており、バイアス電圧が供給される受光素子部13a~13dそれぞれのカソードと、基準電位線GND線との間に電気的に接続される。すなわち、2層の金属層のうち一方の金属層が受光素子部13a~13dのカソードに接続され、他方の金属層が基準電位線GND線に接続される。本実施形態では、受光素子部13a及び13bが、第1の方向Aにおいてキャパシタ14aとキャパシタ14bとの間に配置されており、受光素子部13c及び13dが、第1の方向Aにおいてキャパシタ14cとキャパシタ14dとの間に配置されている。キャパシタ14a~14dそれぞれは、上記一方の金属層に接続されたバイアス電圧側電極パッド17a~17dそれぞれと、上記他方の金属層に接続された基準電位側電極パッド18a~18dそれぞれとを有している。基準電位側電極パッド18a~18dは、第1の方向Aと交差する第2の方向Bにおいて、バイアス電圧側電極パッド17a~17dと光導波路基板10の端縁10bとの間に配置されている。そして、基準電位側電極パッド18a~18dは端縁10bに向けて延びており、バイアス電圧側電極パッド17a~17dは端縁10bから離れる向きに延びている。バイアス電圧側電極パッド17a~17dそれぞれには、ボンディングワイヤ20i~20mそれぞれの一端が接続されている。ボンディングワイヤ20i~20mそれぞれの他端は、図示しないバイアス電圧源と電気的に接続されている。バイアス電圧側電極パッド17b,17cの第2の方向Bの長さは、バイアス電圧側電極パッド17a,17dの第2の方向Bの長さよりも長く形成されている。換言すれば、第2の方向Bにおけるバイアス電圧側電極パッド17b,17cの先端と光導波路基板10の端縁10bとの距離は、第2の方向Bにおけるバイアス電圧側電極パッド17a,17dの先端と端縁10bとの距離よりも長い。基準電位側電極パッド18a~18dそれぞれには、ボンディングワイヤ20e~20hそれぞれの一端が接続されている。ボンディングワイヤ20e~20hは、ボンディングワイヤ20a~20dに沿って設けられており、ボンディングワイヤ20e~20hそれぞれの他端は、信号増幅部50A,50Bの基準電位用電極パッド52a、52c、52d及び52fそれぞれに接続されている。なお、ボンディングワイヤ20e~20hは、本実施形態における第4~第8のボンディングワイヤである。また、ボンディングワイヤ20i~20mは、本実施形態における第9~第12のボンディングワイヤであり、受光素子部13a~13dそれぞれにバイアス電圧を供給する第1~第4の配線の各一部を構成する。信号増幅部50A及び50Bは、受光素子部13a~13dから出力された電気信号光電流を増幅する増幅器プリアンプである。信号増幅部50Aは、2つの信号入力用電極パッド51a及び51bを有しており、信号入力用電極パッド51a及び51bに入力された電気信号の差動増幅を行って一つの電圧信号を生成する。また、信号増幅部50Bは、2つの信号入力用電極パッド51c及び51dを有しており、信号入力用電極パッド51c及び51dに入力された電気信号の差動増幅を行って一つの電圧信号を生成する。信号入力用電極パッド51a~51dは、光導波路基板10の端縁10bに沿って、第1の方向Aにこの順で並んで配置されている。前述したように、信号入力用電極パッド51a~51dそれぞれは、ボンディングワイヤ20a~20dそれぞれを介して信号出力用電極パッド16a~16dそれぞれと電気的に接続されている。なお、本実施形態において、信号入力用電極パッド51a及び51bは第1及び第2の信号入力用電極であり、信号入力用電極パッド51c及び51dは第3及び第4の信号入力用電極である。また、信号増幅部50Aは、3つの基準電位用電極パッド52a~52cを更に有している。基準電位用電極パッド52a~52cは、光導波路基板10の端縁10bに沿って、第1の方向Aにこの順で並んで配置されている。上述した信号入力用電極パッド51aは基準電位用電極パッド52a及び52bの間に配置されており、信号入力用電極パッド51bは基準電位用電極パッド52b及び52cの間に配置されている。同様に、信号増幅部50Bは、3つの基準電位用電極パッド52d~52fを更に有している。基準電位用電極パッド52d~52fは、光導波路基板10の端縁10bに沿って、第1の方向Aにこの順で並んで配置されている。上述した信号入力用電極パッド51cは基準電位用電極パッド52d及び52eの間に配置されており、信号入力用電極パッド51dは基準電位用電極パッド52e及び52fの間に配置されている。前述したように、信号増幅部50A,50Bの基準電位用電極パッド52a、52c、52d及び52fそれぞれは、ボンディングワイヤ20e~20hそれぞれを介して基準電位側電極パッド18a~18dそれぞれと電気的に接続されている。なお、本実施形態において、基準電位用電極パッド52aは第1の基準電位用電極であり、基準電位用電極パッド52cは第2の基準電位用電極であり、基準電位用電極パッド52dは第3の基準電位用電極であり、基準電位用電極パッド52fは第4の基準電位用電極である。ここで、図2~図5を参照して、受光素子部13a~13d、キャパシタ14a~14d、及び光導波路15a~15fの断面構造について詳細に説明する。まず、光導波路15a~15fの断面構造について説明する。図2は、光導波路15fの光導波方向に垂直な断面の構造を示す図である。また、図3には、光導波路15fの光導波方向に沿った断面構造が含まれている。なお、他の光導波路15a~15eは、光導波路15fと同様の断面構造を有している。図2及び図3を参照すると、光導波路15fは、基板21上に設けられたバッファ層22と、半絶縁性のバッファ層22上に設けられた光導波コア層23と、光導波コア層23上に設けられたクラッド層24とを含んで構成されている。基板21及びバッファ層22は、例えば半絶縁性のInPからなる。光導波コア層23は、屈折率がバッファ層22よりも大きく且つバッファ層22と格子整合できる材料例えばInGaAsPからなる。一例では、光導波コア層23のInGaAsPのバンドギャップ波長は1.05μmである。クラッド層24は、屈折率が光導波コア層23よりも小さく且つ光導波コア層23と格子整合できる材料例えばアンドープInPからなる。バッファ層22の一部、光導波コア層23、及びクラッド層24は、所定の光導波方向に延びるメサ構造を構成しており、このメサ構造は、一対の側面25a,25bを有している。このメサ構造により、光導波路15fにおいて光導波コア層23内を光信号が伝搬することができる。なお、このメサ構造の一対の側面25a,25b及び上面は、3層の絶縁膜26~28に覆われることによって保護されている。絶縁膜26~28は、例えば絶縁性シリコン化合物SiN、SiON、またはSiO2から成る。次に、受光素子部13a~13dの断面構造について説明する。図3には、受光素子部13dの光導波方向に沿った断面構造が含まれている。また、図4には、受光素子部13dの光導波方向に垂直な断面の構造が含まれている。なお、他の受光素子部13a~13cは受光素子部13dと同様の断面構造を有している。図3及び図4を参照すると、受光素子部13dは、基板21上に順に積層された、エッチングストップ層31、n型バッファ層32、n型ヘテロ障壁緩和層33、光吸収層34、i型またはp型のヘテロ障壁緩和層35、p型クラッド層36、p型ヘテロ障壁緩和層37、及びp型コンタクト層38を有している。エッチングストップ層31は、例えばアンドープInGaAsPからなり、そのバンドギャップ波長は例えば1.15μmである。n型バッファ層32は、例えばSiドープInPからなる。n型ヘテロ障壁緩和層33は、例えばSiドープInGaAsPからなり、そのバンドギャップ波長は例えば1.4μmである。光吸収層34は、例えばアンドープInGaAsからなる。i型またはp型ヘテロ障壁緩和層35は、例えば2層のアンドープまたはZnドープInGaAsPからなり、2層それぞれのバンドギャップ波長は例えば1.3μm及び1.1μmである。p型クラッド層36は、例えばZnドープInPからなる。p型ヘテロ障壁緩和層37は、例えば2層のZnドープInGaAsPからなり、2層それぞれのバンドギャップ波長は例えば1.1μm及び1.3μmである。p型コンタクト層38は、例えばZnドープInGaAsからなる。図4に示されるように、n型バッファ層32の一部、n型ヘテロ障壁緩和層33、光吸収層34、i型またはp型ヘテロ障壁緩和層35、p型クラッド層36、p型ヘテロ障壁緩和層37、及びp型コンタクト層38は、所定の光導波方向本実施形態では第2の方向Bに延びるメサ構造を構成しており、このメサ構造は、一対の側面40a,40bを有している。そして、光導波方向におけるn型ヘテロ障壁緩和層33、光吸収層34、及びi型またはp型ヘテロ障壁緩和層35の一端は、前述した光導波路15fの光導波コア層23と接することにより、光導波コア層23と光学的に結合されている。また、このメサ構造の一対の側面40a,40bは、例えばFeドープInPといった半絶縁性材料からなる埋込領域41a,41bによって埋め込まれている。受光素子部13dは、3層の絶縁膜26~28を更に有している。絶縁膜26~28は、前述した光導波路15a~15fと共通のものであり、メサ構造の上面から埋込領域41a,41b上にかけて設けられており、これらを覆って保護している。また、絶縁膜26~28は、メサ構造の上面に開口を有しており、該開口により絶縁膜26~28から露出したp型コンタクト層38の上には、p型オーミック電極39が設けられている。p型オーミック電極39は、例えばAuZn若しくはPtとコンタクト層38との合金からなる。そして、p型オーミック電極39上には、配線42が設けられている。図3に示されるように、配線42は、光導波方向第2の方向Bに延びており、p型オーミック電極39と信号出力用電極パッド16dとを電気的に接続する。配線42は例えばTiW/Au若しくはTi/Pt/Auといった積層構造を有しており、信号出力用電極パッド16dは例えばAuメッキによって形成される。また、図4に示されるように、絶縁膜26は、受光素子部13dのメサ構造から離れたn型バッファ層32の上にも、別の開口を有している。該開口により絶縁膜26から露出したn型バッファ層32の上には、n型オーミック電極43が設けられている。n型オーミック電極43は、例えばAuGe若しくはAuGeNiとn型バッファ層32との合金からなる。そして、n型オーミック電極43上には、後述するキャパシタ14dから下部金属層44が延びている。次に、キャパシタ14a~14dの断面構造について説明する。図4には、キャパシタ14dの光導波方向に垂直な断面の構造が含まれている。また、図5は、キャパシタ14dの光導波方向に沿った断面構造が含まれている。なお、他のキャパシタ14a~14cはキャパシタ14dと同様の断面構造を有している。図4及び図5を参照すると、キャパシタ14dは、基板21上に順に積層された、絶縁膜26、下部金属層44、絶縁膜27、上部金属層45、及び絶縁膜28を有している。下部金属層44及び上部金属層45は、例えばTiW/Au若しくはTi/Pt/Auといった金属積層構造を有している。絶縁膜26~28は、受光素子部13a~13d及び光導波路15a~15fと共通のものであり、例えば絶縁性シリコン化合物SiN、SiON、またはSiO2から成る。このように、キャパシタ14dは、絶縁膜27が下部金属層44及び上部金属層45に挟まれた構成を備えており、いわゆるMIMMetalinsulatormetal構造を有している。図5に示されるように、基板21の板面に沿った方向における上部金属層45の寸法は、同方向における下部金属層44の寸法より小さくなっている。そして、上部金属層45に覆われていない下部金属層44の部分上では、絶縁膜27,28に開口が形成されている。該開口から露出した下部金属層44上には、配線46が設けられている。配線46は、光導波方向第2の方向Bにおいて光導波路基板10の端縁10bから遠ざかる向きに延びており、下部金属層44とバイアス電圧側電極パッド17dとを電気的に接続する。また、上部金属層45を覆う絶縁膜28には別の開口が形成されており、該開口から露出した上部金属層45上には、配線47が設けられている。配線47は、光導波方向第2の方向Bにおいて光導波路基板10の端縁10bに近づく向きに延びており、上部金属層45と基準電位側電極パッド18dとを電気的に接続する。なお、配線46及び47は例えばTiW/Au若しくはTi/Pt/Auといった積層構造を有しており、バイアス電圧側電極パッド17d及び基準電位側電極パッド18dは例えばAuメッキによって形成される。以上の構成を備える本実施形態の受光デバイス1Aによって得られる効果について説明する。受光デバイス1Aでは、受光素子部13a~13d及びキャパシタ14a~14dが、共通の光導波路基板10に形成されている。そして、受光素子部13a~13dが、第1の方向Aに延びる端縁10bに沿って配置されており、キャパシタ14a~14dそれぞれが、受光素子部13a~13dそれぞれに対し第1の方向Aに並んで配置されている。このように受光素子部13a~13dおよびキャパシタ14a~14dが配置されることにより、図6のようにキャパシタ151~154が光導波路基板110の側面に沿って配置される場合と比較して、キャパシタと受光素子との間の配線長を短く揃えることが可能となる。したがって、本実施形態の受光デバイス1Aによれば、リードインダクタンス成分による周波数応答特性の劣化や、受光素子から出力される各信号間での周波数応答特性のばらつきを効果的に抑えることができる。また、図6に示された構成では、光導波路基板110とフォトダイオードアレイ120とが別個に設けられているので、光導波路基板110の出力ポート112a~112dの光軸上にフォトダイオード121a~121dの位置を調整することが必要となり、製造時の工程数が増加してしまう。これに対し、本実施形態の受光デバイス1Aでは、QPSK方式によって変調された光信号Laを信号成分Lc1~Lc4に分岐する光分岐部12と、信号成分Lc1~Lc4の光強度に応じた電気信号をそれぞれ生成する受光素子部13a~13dとが、共通の光導波路基板10に形成されている。これにより、受光素子の光軸調整が不要となり、製造時の工程数を抑えることができる。また、受光デバイス1Aを小型に構成することができる。また、上記した受光デバイス1Aでは、信号増幅部50A,50Bの信号入力用電極パッド51a~51dが光導波路基板10の端縁10bに沿って配置されており、受光素子部13a~13dの信号出力用電極パッド16a~16dが、信号増幅部50A,50Bの信号入力用電極パッド51a~51dにボンディングワイヤ20a~20dを介して接続されている。更に、キャパシタ14a~14dの基準電位側電極パッド18a~18dと信号増幅部50A,50Bの基準電位用電極パッド52a,52c,52d及び52fとが、ボンディングワイヤ20a~20dに沿って配置されたボンディングワイヤ20e~20hによって接続されている。信号増幅部50A,50B、受光素子部13a~13dおよびキャパシタ14a~14dの各電極パッドをこのように配置し、これらをボンディングワイヤ20a~20hで接続することによって、高周波信号が通過するボンディングワイヤ20a~20dを、基準電位線としてのボンディングワイヤ20e~20hによって挟むことができ、高周波信号へのノイズを低減することができる。特に、本実施形態のように、受光素子部13a及び13bが、第1の方向Aにおいてキャパシタ14aとキャパシタ14bとの間に配置されており、受光素子部13c及び13dが、第1の方向Aにおいてキャパシタ14cとキャパシタ14dとの間に配置されていることによって、このような効果が顕著となる。また、本実施形態のように、キャパシタ14b及び14cのバイアス電圧側電極パッド17b及び17cの先端と、光導波路基板10の端縁10bとの第2の方向Bにおける距離が、キャパシタ14a及び14dのバイアス電圧側電極パッド17a及び17dの先端と、端縁10bとの第2の方向Bにおける距離よりも長いことが好ましい。キャパシタ14a~14dのバイアス電圧側電極パッド17a~17dの先端の位置をこのように設定することによって、ボンディングワイヤ20i~20mが互いに交錯することを回避することができる。本発明による多チャネル光導波路型受光デバイスは、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上述した実施形態では基板21として半絶縁性基板が用いられているが、この半絶縁性基板に代えて絶縁性の基板が用いられてもよい。また、上述した実施形態では活性層より下層基板側の導電型がn型となっており、活性層より上層の導電型がp型となっているが、これらの導電型は逆であってもよい。すなわち、活性層より下層基板側の導電型がp型であり、活性層より上層の導電型がn型であっても、本発明の効果を好適に奏することができる。また、上述した実施形態では、光導波路や第1~第4の受光素子部として、GaAs系半導体により構成されたものを例示しているが、光導波路や第1~第4の受光素子部を構成する半導体はこれに限定されない。以上、本発明を実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明は、この実施例に限定されるものではなく、その要旨に逸脱しない範囲において変更可能である。"