可動構造体と固定電極を有するMEMSスイッチにおいて、指定された第一の交流電圧と指定された第一の直流電圧とを重畳させた信号を供給し、前記可動構造体を機械的に振動させることにより、メイク動作を誘起し、前記第一の交流電圧を指定された第二の交流電圧に変化させ、かつ、前記第一の直流電圧を指定された第二の直流電圧に変化させた信号により、前記メイク動作を維持し、前記第二の交流電圧を指定された第三の交流電圧に変化させ、かつ、前記第二の直流電圧を指定された第三の直流電圧に変化させた信号により、ブレーク動作を誘起することを特徴とするMEMSスイッチ。前記可動構造体を振動させる前記第一の交流電圧は、前記可動構造体の共振周波数を中心としてプラス20パーセント、および、マイナス20パーセントを超えない周波数範囲内の周波数を有することを特徴とする請求項1に記載のMEMSスイッチ。指定された第一の時刻に前記第一の交流電圧を供給し、指定された第二の時刻に前記第一の直流電圧を前記第一の交流電圧に重畳させることによりメイク動作を誘起し、指定された第三の時刻に前記第一の交流電圧を前記第三の交流電圧に変化させ、かつ、前記第一の直流電圧を前記第三の直流電圧に変化させることによりブレーク動作を誘起することを特徴とする請求項1または2に記載のMEMSスイッチ。指定された第一の時刻に前記第一の直流電圧を供給し、指定された第二の時刻に前記第一の交流電圧を前記第一の直流電圧に重畳させることによりメイク動作を誘起し、指定された第三の時刻に前記第一の交流電圧を前記第三の交流電圧に変化させ、かつ、前記第一の直流電圧を前記第三の直流電圧に変化させることによりブレーク動作を誘起することを特徴とする請求項1または2に記載のMEMSスイッチ。指定された第一の交流電圧と指定された第一の直流電圧とを重畳させた信号を供給し、前記可動構造体を機械的に振動させることにより、メイク動作を誘起し、前記第一の交流電圧の周波数を増加、あるいは、低減させることにより、ブレーク動作を誘起することを特徴とする請求項1または2に記載のMEMSスイッチ。指定された第一の交流電圧と指定された第一の直流電圧とを重畳させた信号を供給し、前記第一の交流電圧の周波数を、前記可動構造体の共同周波数を超えるまで増加させてから前記第一の交流電圧の周波数を低減させることにより、メイク動作を誘起することを特徴とする請求項1または2に記載のMEMSスイッチ。前記第一の交流電圧は、前記共振周波数を含む周波数範囲にある複数の周波数成分を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のMEMSスイッチ。MEMSスイッチにおいてすぐれたスイッチ特性を実現するためには、ばね定数を大きくして、高速化、大電力化、長期信頼性の要求を満足させることが必須である。しかし、一般的には駆動電圧が著しく増大するという欠点があった。このため、大きなばね定数をもつスイッチの駆動電圧をいかに低減させるかが、重要な解決すべき課題となっている。また、帯電現象による耐久性と信頼性の低下はスイッチとしての特性を劣化させているので、この現象を回避することも解決すべき課題となっている。さらに、スイッチの用途を狭く限定しないため、広い周波数帯域の高周波信号を対象とするMEMSスイッチの実現が課題であった。可動構造体と固定電極を有するMEMSスイッチにおいて、1指定された第一の交流電圧と指定された第一の直流電圧とを重畳させた信号を供給し、2前記可動構造体を機械的に振動させることによりメイク動作を誘起し、3前記第一の交流電圧を指定された第二の交流電圧に変化させ、かつ、前記第一の直流電圧を指定された第二の直流電圧に変化させた信号により前記メイク動作を維持し、4前記第二の交流電圧を指定された第三の交流電圧に変化させ、かつ、前記第二の直流電圧を指定された第三の直流電圧に変化させた信号によりブレーク動作を誘起させる。なお、本発明で使用する用語について記述する。前段落まででは、スイッチのオン、オフという用語を使用してきたが、用語の解釈の混乱を回避するため、以後は下記の定義に従って記述する。メイクおよびブレーク:一般にリレーでは、内蔵する接点が閉じた接触した状態をメイク、内蔵する接点が開いた接触せず状態をブレークと呼んでおり、これらを踏襲する。メイク動作とは、リレーの接点が閉じる動作であり、ブレーク動作はリレーの接点が接触しなくなる動作である。また、メイク状態とはメイク動作の後、節点が閉じたことが維持されている状態である。ブレーク状態とは、ブレーク動作の後、節点が開いたことが維持されている状態である。すなわち、メイクとブレークはスイッチの接点の物理的な動作形態を表現している。オンおよびオフ:前記スイッチが搭載されている回路の機能を表現する。この回路が導通している状態をオン、非導通の状態をオフとする。以下に詳述するように、高周波の分布定数回路例えば、コプレーナ導波路に並列的に配置されたスイッチでは、この導波路を高周波信号が伝播し続けるために、スイッチの接点がブレーク状態である時には、スイッチがオンとなっている。逆に、高周波信号が伝播しなくなるためには、スイッチの接点がメイク状態である時に、スイッチがオフとなっている。プルイン:本発明の対象であるMEMSスイッチの構成要素である可動構造体が固定電極に近づき、特定の距離以下になった時、物理的に固定電極側へ引込まれることである。この時、前記MEMSスイッチはメイク動作を行いメイク状態へ移行する。ホールド:前記プルイン状態が継続していることである。この時、リレーはメイク状態となっている。リリース:前記プルイン状態から、前記可動構造体と前記固定電極との距離が大きく離れた状態へ移行することである。この時、前記MEMSスイッチはブレーク動作を行いブレーク状態へ移行する。また、MEMSスイッチは、広く用いられているリレーと同義語と見做すことができる。リレーには多くの種類があるが、電磁型リレーが多用されている。このリレーでは、電磁石が発生した電磁力磁界で鉄片アマーチャと呼ばれているを吸引し、鉄片の一端に設けられた接点が、固定されている他の接点と機械的に接触し、これら2つの接点が電気的に導通するという動作原理である。一方、MEMSスイッチでは、前記可動構造体と前記固定電極間に外部から電圧を印加し、発生した静電気力電磁力に対応が、可動構造体アマーチャに対応を引き付ける。可動構造体には接点が配置されており、固定されている他の接点と機械的に接触し、これら2つの接点が電気的に導通メイクであるする。本発明は、前記可動構造体を変位させ前記固定電極との距離を短くする手法、および、前記変位をもとの状態に復帰させる手法に特徴がある。なお、前々段落に記載した前記可動構造体を機械的に振動させることによりメイク動作を誘起しとは、前記交流電圧の周波数で前記可動構造体が機械的に振動し、前記MEMSスイッチがメイク状態に達することを表している。ここでの機械的な振動には、共振時の大振幅の振動も含まれている。同様に、ブレーク動作を誘起しとは、前記MEMSスイッチがメイク状態からブレーク状態に移行することを表している。また、前記第一の交流電圧を指定された第二の交流電圧に変化させなどの表現において変化とは次のような場合も含んでいる。すなわち、前記第一の交流電圧と前記指定された第二の交流電圧の電圧値が等しく、実際は変化していない場合である。かかる場合でも、前記第一の交流電圧例えば1ボルトから前記指定された第二の交流電圧1ボルトへ形式的に変化すると表現している。さらに、重畳とは、交流電圧に直流電圧を加える直流バイアスを与えることと同等こと、あるいは、直流電圧に交流電圧を加えることを表している。なお、前記したMEMSスイッチの駆動について、一例を下記に示す。第一の交流電圧=0.6ボルトppPeak-to-Peak第一の直流電圧=5.5ボルト第二の交流電圧=0ボルトppPeak-to-Peak第二の直流電圧=5.5ボルト第三の交流電圧=0ボルトppPeak-to-Peak第三の直流電圧=4.0ボルトこの条件では、第一の交流電圧と第一の直流電圧でプルインが発生し、同時にメイク動作起きる。第二の交流電圧と第二の直流電圧でホールド状態に移行し、メイク状態が継続している。第三の交流電圧と第三の直流電圧でリリースが発生し、同時にブレーク動作起きる。なお、前記可動構造体と前記固定電極は同一製造プロセスで形成されるが、これに限らない。また、前記可動構造体と前記固定電極は同一材料で構成されるが、これに限らない。前記可動構造体と前記固定電極が同一材料でない場合には、異なる製造プロセスで作製されることになる。なお、前記可動構造体と前記固定電極の構成材料は金属とは限らない。例えば、シリコンなどの半導体、シリコンを成分として含む半導体、樹脂、樹脂などの絶縁体の表面に導電性を付与した材料、各種材料を組合せたハイブリッド材料などであっても良い。また、前記可動構造体を機械的に振動させる原動力としては静電気力に限らず、電磁力、圧電歪、熱歪などであっても構わない。例えば、前記可動構造体、あるいは、その一部例えば、可動構造体の表面に圧電材料を採用し、外部から供給された直流電圧および交流電圧で、機械的な歪を発生させ、前記可動構造体を振動させることである。さらに、静電力による前記可動構造体の変位の軌跡は、ほぼ直線厳密に表現するならば、可動構造体の一端が固定されている場合には、円弧となるとは限らない。例えば、直線、ジグザグなどであっても構わない。なお、メイク状態とは、前記した2つの接点が電気的に導通状態にあることであるから、前記可動構造体と前記固定電極間の距離とは無関係である。もちろん、メイク状態では、ブレーク状態と比較して、この距離は小さくなるが、この距離がゼロになることはない。ここで、ゼロとは、前記可動構造体と前記固定電極とが直接に接触している電気的な短絡であることである。もしゼロであるとすると、両者は電気的に短絡するので、前記交流電圧および前記直流電圧を供給する電源系に格段の配慮をする必要があり、好ましくないからである。本発明ではメイク状態においても、前記可動電極と前記固定電極とが電気的に絶縁された状態である。すなわち、前記固定電極の表面、あるいは、前記可動構造体の表面固定電極と対向する面に絶縁膜が被覆されているような構成例においては、前記可動構造体が固定電極の表面と機械的に接触機械的な距離はゼロであるをしていても、電気的にはゼロではなく、両者は電気的に絶縁されていることになる。かかる構成例は、前記したような電源系への格段の配慮が不要になるのでより好ましいと言える。しかしながら、前記可動構造体や前記固定電極の表面を絶縁膜で被覆する場合には、MEMSスイッチのメイク動作およびブレーク動作を多数回繰返すうちに、この絶縁膜が帯電し、MEMSスイッチの特性劣化例えば、動作寿命が短くなるを誘起することを考慮しなければならない。なお、前段落に例示した絶縁膜による被覆を排除することは可能である。具体的には、前記MEMSスイッチにストッパを組み込んで、前記可動構造体の変位量を制限することである。例えば、前記固定電極の近傍に、より背が高いストッパを配置して、前記可動構造体をこの位置で停止させる構成がある。前記ストッパが配置される位置は、1前記可動構造体の下側表面前記固定電極に対向する面であって、前記固定電極が配置されている領域に対向した領域、2前記可動構造体の下側表面前記固定電極に対向する面であって、前記固定電極が配置されていない領域に対向した領域、3前記固定電極の表面、4前記固定電極が配置されている表面であって、前記固定電極が配置されていない領域などである。1と3の構成では、メイク状態で、前記ストッパと前記固定電極とが機械的に接触する。このため、前記ストッパあるいは前記固定電極、あるいは、前記ストッパおよび前記固定電極の少なくとも表面を電気的に絶縁性にすることが必須となる。しかしながら、絶縁膜による被覆の排除が目的であることを考慮すると、2あるいは4が好ましい構成例となる。2あるいは4の構成例において、前記ストッパが導電材料であっても、当該ストッパとMEMSスイッチの可動構造体および固定電極とを回路的に切り離す両者が機械的に接触しても電気的には導通しないような構成、例えば、当該ストッパをフローティング状態とする構成を採用すれば良い。なお、ストッパの表面は平坦であるとは限らない。例えば、この表面に窪みを設け、前記窪みの周辺領域がストッパ機能を有するような構成であっても構わない。また、当該ストッパの表面の中央領域に凸部バンプ形状を設け、当該凸部がストッパ機能を有するような構成であっても構わない。なお、前々段落に記載したストッパ組込の代替として、可動構造体の位置検出機構を前記MEMSスイッチに組込み、電気的あるいは機械的なフィードバック制御で、前記可動構造体の変位量の最大値を規制することも可能である。絶縁膜による被覆を排除した上記の構成例では、この絶縁膜の帯電によるMEMSスイッチの特性劣化例えば、動作寿命が短くなるを防止できる利点がある。なお、前記した固定電極の数は1個とは限らない。2つ以上の固定電極を配置しても構わない。なお、前記可動構造体を変位させる静電気力については、対向して配置された前記可動構造体と前記固定電極との間で発生する静電気力だけとは限らず、周知の静電気力の利用形態を採用することができる。例えば、1組の櫛型電極群を組合せた静電アクチュエータの機構を利用することも可能である。前記可動構造体を振動させる前記第一の交流電圧を、前記可動構造体の共振周波数を中心としてプラス20パーセント、および、マイナス20パーセントを超えない周波数範囲内の周波数に設定する。なお、前記可動構造体を共振周波数で振動させると、前記可動構造体の変位を大きくすることができる。しかしながら、共振している振動体の制御は困難であるため、共振周波数近傍の周波数で駆動することにより、前記可動構造体の変位量が小さくなる欠点があるものの、制御の容易性を確保できる利点がある。また、前記可動構造体の振動特性Q値を抑えるQ値を小さくするようにすれば、共振周波数から離れた周波数で前記可動構造体を振動させても、その変位量の低下を抑制することができる。かかるQ値の抑制は、MEMSスイッチを弱い真空度例えば、0.1気圧の雰囲気で動作させたり、前記可動構造体を制振材料で構成することなどにより実現できる。さらに、MEMSスイッチの製造過程で発生する寸法誤差は避けることができず、このため、共振周波数は個々のMEMSスイッチでばらつくことになる。この影響を抑制するため、一定の範囲例えば、プラスマイナス20パーセント内にある周波数を用いれば、MEMSスイッチの前記電源系の設計が容易になる利点もある。なお、メイク状態では、前記交流電圧の周波数を共振周波数と異なる周波数に設定しても良い。例えば、メイク動作には共振周波数近傍の周波数を用い、メイク状態ホールド状態でもあるにはこの周波数と異なる周波数を用いることである。1指定された第一の時刻に前記第一の交流電圧を供給し、2指定された第二の時刻に前記第一の直流電圧を前記第一の交流電圧に重畳させることによりメイク動作を誘起し、3指定された第三の時刻に前記第一の交流電圧を前記第三の交流電圧に変化させ、かつ、前記第一の直流電圧を前記第三の直流電圧に変化させることによりブレーク動作を誘起する。なお、前段落に記載したMEMSスイッチの駆動について、一例を下記に示す。第一の時刻:交流電圧=0.6ボルトppPeak-to-Peak第二の時刻:交流電圧=0.6ボルトpp、直流電圧=5.5ボルト第三の時刻:交流電圧=0.6ボルトpp、直流電圧=4.0ボルトこの例では、交流電圧は常に供給し続け、直流電圧値の制御のみでMEMSスイッチを制御している。上記例では、第二の時刻にプルインが発生し、同時にメイク動作が起きる。第三の時刻にリリースが発生し、同時にブレーク動作が起きる。また、第一の時刻から第二の時刻の間はスタンバイ状態リリース状態であると共にブレーク状態でもあるである。第二の時刻から第三の時刻の間はホールド状態である。上記した例では、前記第一の交流電圧ないし前記第二の交流電圧は全て0.6ボルトppである。また、前記MEMSスイッチが搭載されたシステムの制御系から見ると、前記第二の時刻はオン信号の発生時刻であり、前記第三の時刻はオフ信号の発生時刻となる。1指定された第一の時刻に前記第一の直流電圧を供給し、2指定された第二の時刻に前記第一の交流電圧を前記第一の直流電圧に重畳させることによりメイク動作を誘起し、3指定された第三の時刻に前記第一の交流電圧を前記第三の交流電圧に変化させ、かつ、前記第一の直流電圧を前記第三の直流電圧に変化させることによりブレーク動作を誘起する。なお、前段落に記載したMEMSスイッチの駆動について、一例を下記に示す。第一の時刻:直流電圧=5.5ボルト第二の時刻:直流電圧=5.5ボルト、交流電圧=0.6ボルトpp第三の時刻:直流電圧=4.0ボルト、交流電圧=0ボルトppこの例では、交流電圧と直流電圧の両方を制御している。上記例では、第二の時刻にプルインが発生し、同時にメイク動作が起きる。第三の時刻にリリースが発生し、同時にブレーク動作が起きる。また、第一の時刻から第二の時刻の間はスタンバイ状態リリース状態であると共にブレーク状態でもあるである。第二の時刻から第三の時刻の間はホールド状態である。また、前記MEMSスイッチが搭載されたシステムの制御系から見ると、前記第二の時刻はオン信号の発生時刻であり、前記第三の時刻はオフ信号の発生時刻となる。前段落で例示した電圧値の組には多くの変形がある。例えば、第二の時刻でプルインが発生した直後に、前記第一の交流電圧0.6ボルトppであるを低下0ボルトでも構わないさせ、ホールド状態にしても良い。また、第三の時刻でリリースが発生した直後に、前記第三の直流電圧4.0ボルトであるを前記第一の直流電圧5.5ボルトであるへ増大させ前記第一の時刻と同じ条件、システム制御系からの次のオン信号を待つようにしても良い。1指定された第一の交流電圧と指定された第一の直流電圧とを重畳させた信号を供給し、2前記可動構造体を機械的に振動させることにより、メイク動作を誘起し、3前記第一の交流電圧の周波数を増加、あるいは、低減させることにより、ブレーク動作を誘起する。指定された第一の交流電圧と指定された第一の直流電圧とを重畳させた信号を供給し、前記第一の交流電圧の周波数を、前記可動構造体の共振周波数を超えるまで増加させてから前記第一の交流電圧の周波数を低減させることにより、メイク動作を誘起する。なお、前段落に記載したメイク動作の誘起法は、MEMSデバイス固有の非直線性な特性を利用している。前記第一の交流電圧に、前記共振周波数を含む周波数範囲にある複数の周波数成分を含ませる。なお、前段落での記載においては、前記複数の周波数成分を同時刻で含んでいても良い。すなわち、特定の時刻で前記交流電圧を観察すると複数の周波数成分を含んでいる場合である。また、前記複数の周波数成分が時系列で現れても良い。すなわち、特定の時間幅で前記交流電圧を観察すると、複数の周波数成分が次々と現れる時間軸で周波数が変化する場合である。この場合の周波数変化は、順次増加しても良く、順次減少しても良く、さらには、ランダムであっても良い。本発明により、可動構造体の振動を利用することが特徴であるMEMSスイッチが実現できた。本発明によれば、MEMSスイッチの特性劣化をもたらす構造変更をすることなく、駆動電圧を大幅に減少させることが可能であり、MEMSスイッチの高度化への貢献は多大である。本発明により、MEMSスイッチを低い駆動電圧で動作させることが可能なうえ、従来のMEMSスイッチと比較して、大きなばね定数を有するサスペンションで支持された可動構造体を利用することが可能となった。このため、接点の付着効果に起因するスイッチの焼き付きを防止でき、長寿命化スイッチの繰返し回数の限界が伸びたが実現でき、長期信頼性に優れたMEMSスイッチを提供できるようになった。大きなばね定数をもつサスペンションで支持された可動構造体は、信号線に大電力の信号が伝送されても、これをスイッチオンおよびオフすることができる。このため、大電力用途向けのシステムに本発明のMEMSスイッチを使用することが可能になった。大きなばね定数をもつサスペンションで支持された可動構造体は、高速に動作するために、スイッチング時間の短縮が可能となり、スイッチの高速化を実現することができた。駆動電圧の低電圧化により、MEMSスイッチの制御回路系、および、MEMSスイッチが搭載されたシステムの回路系を同一半導体基板上に集積化することが可能となった。本発明によるMEMSスイッチでは、機械振動を利用することにより、駆動電圧の低減化や電気特性、機械特性の向上などが実現できる。このため、本発明は、MEMSスイッチへの適用以外にも、駆動電圧の低減化要求が大きいアクチュエータ分野へも広く適用できる。例えば、静電容量型のMEMSセンサ加速度センサやジャイロセンサなどに適用すれば、狭いギャップを実現することができるため、大きな静電容量変化値が出力され、センサの高感度化も実現できる。以下、図面を用いて、MEMSスイッチを詳細に説明する。<共振を利用したMEMSスイッチの基本構成>図1は、本発明の実施例1である、MEMSスイッチの基本構成と駆動法を説明する図である。MEMSスイッチ13は、高周波信号を入力する端子11と当該高周波信号を出力する端子12の間に並列に配置され、当該MEMSスイッチが高周波伝送線路17aおよび17bの間を短絡したり、開放したりする。当該例では、スイッチ13の駆動源として、交流電圧源14および直流電圧源15が直列に接続された電気回路を使用し、駆動スイッチ16によってスイッチ13のメイクブレーク動作を制御している。なお、当該例では、スイッチを高周波伝送線路に並列に設けたが、この構成に限らず他の構成、例えば、MEMSスイッチを当該伝送線路に直列に配列すなわち、17aあるいは17bの途中に当該スイッチを挿入することも可能である。図2aはMEMSスイッチの原理的な構成を説明する図である。同図aにおいて、可動構造体21は支持体22で一端が固定され、ガラス基板20の表面に接合されている。当該ガラス基板20の上面には固定電極23が配置されている。また、可動構造体21の下面には接点24が設けられており、一方、ガラス基板20の表面で接点24に対向する位置には信号線25接点のように描かれているが設けられている。かかる構成において、可動構造体21と固定電極23との間には、スイッチの駆動源としての交流電圧源や直流電圧源が接続されている。当該駆動源からの交流電圧と直流電圧からなる電気信号は可動構造体21を固定電極23に近接させるような静電気力を発生させる。当該静電気力が十分に大きいとするならば、可動構造体21は大きく変位し、固定電極23と極度に近接、あるいは、接触することになる。その状態においては、接点24が信号線25と機械的、電気的に接触してスイッチがメイク動作を行うことになる。当該状態は、図14の従来例に記載したスイッチオフ信号遮断の状態に対応している。図2bは、本発明のMEMSスイッチの駆動法を従来の駆動法と比較して示したものである。同図は横軸に印加電圧を、縦軸にスイッチの可動構造体と固定電極との間の距離ギャップ長を示している。初めに、従来のMEMSスイッチの駆動法直流電圧のみを印加を説明する。同図bにおいて、曲線27に示すように、当該MEMSスイッチへの印加電圧を増加させると静電引力により可動構造体が固定電極側に引き寄せられて、両者の間の距離ギャップ長が減少する。当該距離が、ギャップ長の初期値当該直流電圧が0ボルトの時の値であるの約2/3程度になると、突然、可動電極は固定電極にきわめて近い距離まで近づくプルインである。この時の印加電圧をプルイン電圧と呼ぶ。その後、印加電圧を増加させても当該両者間の距離の変化はきわめて小さい。同図bの曲線28は、プルイン状態で、印加電圧を減少させたときの当該両者間の距離の変化を示している。印加電圧を減少させるとプルイン電圧を超えてしばらくの間、両者の距離の変化は小さい。しかし、印加電圧が特定の電圧よりも小さくなると、突然に可動構造体は固定電極から大きく離れるリリースである。この時の印加電圧をリリース電圧と呼ぶ。プルイン電圧とリリース電圧の差は通常15ボルトを超える大きな値である。このため、一般的には、プルイン電圧には30ボルトを超える大きな電圧が要求される。次に、図2bを用いて、本発明によるMEMSスイッチの駆動法を説明する。本発明では、MEMSスイッチをプルインさせるため、当該可動構造体の振動現象を利用している。このため、図1に示した駆動源を使用する。すなわち、MEMSスイッチには直流電圧に交流電圧が重畳された電気信号を印加している。この交流電圧の周波数を、当該可動構造体の機械共振周波数の近傍に設定すると、可動構造体は大きな振幅で振動する。同図bの曲線29に示すように、前記したギャップの初期値の約1/2程度まで振動する状態になると、印加している電気信号の成分である直流電圧の静電気力に引き込まれてプルインが発生する。この駆動法におけるプルイン電圧の値は、従来の駆動法によるプルイン電圧曲線27参照と比べて低くなることが重要である。また、プルイン状態では、当該交流電圧をゼロにして、直流電圧の印加のみでもプルイン状態が維持される。かかる交流電圧の印加を停止することは、当該MEMSスイッチの駆動系での消費電力を抑えることができ、さらには、当該MEMSスイッチの周辺に配置されている回路系への交流電圧の不要な輻射が抑制できるという利点もある。なお、本段落では交流電圧の周波数を、当該可動構造体の機械共振周波数の近傍に設定すると記載したが、これは、交流電圧の周波数を厳密に共振周波数と一致させるとは限らないからである。例えば、共振周波数の前後20の範囲の周波数を交流電圧としても構わない。当該範囲は、前記可動構造体の振動の減衰係数などにも依存している。要は、印加した交流電圧成分に対して、当該可動構造体の振動振幅が大きくなり、プルイン電圧の低減に寄与できることである。前段落に記載した駆動法でも、プルイン状態で、印加した直流電圧を減少させ、特定の電圧よりも小さくなると、リリースが発生する。この時のリリース電圧は、従来の駆動法におけるリリース電圧と同一である。前段落までの記載で明らかなように、プルイン状態を維持し続ける可動構造体を固定電極の近くに維持し続ける、あるいは、メイク状態を維持するためには、リリース電圧よりも大きい直流電圧を印加し続けることが必要である。このプルイン状態を維持する電圧をホールド電圧と呼ぶ。ホールド電圧は、リリース電圧よりも大きく、好ましくはプルイン電圧よりも小さく設定する。<共振を利用したMEMSスイッチの動作>前段落までの記載で、本発明によるMEMSスイッチの駆動形態が明らかにされた。当該スイッチに要求される動作シークエンスを実現するためには、多種の駆動手順がある。なお、動作シークエンスとは、スイッチのメイクとブレーク状態の順序である。ここで、メイク状態はプルイン状態に、ブレーク状態はリリース状態に、それぞれ対応している。本段落では、実施例2として、図3を用いて、当該シークエンスの例を記載する。図3aはスイッチのメイク状態とブレーク状態に対応したMEMSスイッチのプルイン、ホールド、リリースの各状態と、それぞれの状態で印加する直流電圧および交流電圧の値を一覧表で例示したものである。なお、ここでは、前記可動構造体の振動を利用した駆動法での、プルイン電圧は5.5ボルト、リリース電圧は4.0ボルト、また、従来の駆動法におけるプルイン電圧は30ボルトであると仮定している。図3aの動作点欄に記載した、AからEまでの記号は、図3bの図面内にも動作点として表示されている。第一の時刻初期状態:第一の時刻は、MEMSスイッチが搭載されている回路系に電源が投入された時刻である。この時の動作点はAであり、駆動のための電気信号は全く印加されておらず、MEMSスイッチはリリース状態である。第二の時刻メイク動作:リードリレーでの接点が繋がった状態に相当している。交流電圧AC電圧と表記、電圧値としては例えば0.6ボルトppであるが重畳された6.0ボルトの直流電圧DC電圧と表記が印加されると直ちにプルインが誘起される。動作点はBである。また、この場合では、第一の交流電圧は0.6ボルトpp、第一の直流電圧は6.0ボルトである。メイク状態:プルイン状態に到達後、交流電圧の印加はなくなり、6.0ボルトの直流電圧だけが印加されている。上記各電圧値の例から明らかなように、MEMSスイッチはホールド状態に移行するがメイク状態は維持されている。動作点はCである。この場合では、第二の交流電圧は0ボルトpp、第二の直流電圧は6.0ボルトである。なお、当該直流電圧は6.0ボルトではなく、リリース電圧より大きい電圧例えば、4.5ボルトであっても、ホールド状態は維持される。この時には、前記第二の直流電圧は4.5ボルトになる。第三の時刻ブレーク動作:リードリレーでの接点が離れた状態に相当している。直流電圧を3.0ボルト前記リリース電圧以下であるまで低下させると、MEMSスイッチは直ちにリリースが誘起される。動作点はDである。この場合において、第三の交流電圧は0ボルト、第三の直流電圧は3.0ボルトである。ブレーク状態:リリース状態に到達すると、次のメイク動作のために、6.0ボルトの直流電圧が印加される。ただし、交流電圧は印加されておらず、さらに、従来の駆動法におけるプルイン電圧30ボルト以下なので、リリース状態は継続する。動作点はEである。2回目の第二の時刻メイク動作:前の状態で、交流電圧が新たに印加されるので、前記可動構造体は振動を開始し、プルイン条件を満足しているので、ただちにプルインが誘起され、メイク状態に入る。この時の動作点はBである。以上の動作により、MEMSスイッチは所定の動作を繰り返すことができる。なお、本段落で例示したシークエンスと直流電圧、交流電圧の値はあくまでも動作を説明するための一例に過ぎず、これらに限られることはない。本段落では、前記の交流電圧について記述する。本発明では前記可動構造体を当該交流電圧で機械的に振動させることに特徴がある。かかる機械的振動を効率良く発生させるためには、当該可動構造体が持つ共振周波数1次の共振周波数が好ましいが、この限りではないを供給することが好ましい。しかし、MEMSスイッチの製造過程では加工誤差が避けられないので、当該可動構造体のサイズ例えば、その長さや幅は個々のMEMSスイッチで異なることになる。この結果、当該可動構造体の共振周波数は個々のMEMSスイッチで異なってしまう。このため、共振周波数を中心とする特定の幅例えば、プラス20パーセント、マイナス20パーセントの中にある周波数を用いることにより、当該MEMSスイッチの駆動系が簡略化される。一例を挙げるならば、当該可動構造体の共振周波数が13キロヘルツkHzの場合は、10.4キロヘルツから15.6キロヘルツの間の周波数を前記交流電圧の周波数とする。本段落では前段落までに記載した当該MEMSスイッチの他の動作例を説明する。以下では、図3aに例示したシークエンスに従った各時刻における各電圧値を例示する。第一の時刻初期状態:第一の時刻は、MEMSスイッチが搭載されている回路系に電源が投入された時刻である。電源投入後、直ちに第一の交流電圧0.5ボルトppを供給する。ただし、重畳する直流電圧はないのでメイク動作は誘起されない。すなわち、MEMSスイッチはリリース状態である。第二の時刻メイク動作:すでに供給されている第一の交流電圧に、第一の直流電圧6.0ボルトを重畳させる。この結果、直ちにプルインが誘起される。メイク状態:プルイン状態に到達後、第一の交流電圧と第一の直流電圧は継続して供給されるので、MEMSスイッチはホールド状態に移行し、メイク状態は維持されている。なお、この状態で、交流電圧を0ボルトppにしても、直流電圧6.0ボルトが当該ホールド状態を維持できる。第三の時刻ブレーク動作:当該第一の交流電圧0.5ボルトppを維持したまま、第一の直流電圧を第三の直流電圧3.0ボルトまで低下させると、MEMSスイッチは直ちにリリースが誘起される。この場合では、第三の交流電圧は当該第一の交流電圧と同じ値である。ブレーク状態:リリース状態に到達すると、次のメイク動作のために、6.0ボルトの直流電圧が印加される。交流電圧は前記第三の交流電圧のままであるが、直流電圧がプルイン電圧30ボルト以下なので、リリース状態は継続する。この状態は、続いて発生する2回目の第二の時刻メイク動作に備えてスタンバイしている状態である。以上のシークエンスでは、供給する交流電圧は一定であり、直流電圧の値を制御することにより、MEMSスイッチを動作させている。本段落では当該MEMSスイッチの他の動作例を説明する。以下では、図3aに例示したシークエンスに従った各時刻における各電圧値を例示する。第一の時刻初期状態:第一の時刻は、MEMSスイッチが搭載されている回路系に電源が投入された時刻である。電源投入後、直ちに第一の直流電圧6.0ボルトを供給する。ただし、重畳する交流電圧はないのでメイク動作は誘起されない。すなわち、MEMSスイッチはリリース状態である。第二の時刻メイク動作:すでに供給されている第一の直流電圧に、第一の交流電圧0.5ボルトppを重畳させる。この結果、直ちにプルインが誘起される。メイク状態:プルイン状態に到達後、第一の交流電圧を第二の交流電圧0ボルトppに変化させ、第一の直流電圧は継続して供給する第二の直流電圧でもある。MEMSスイッチはホールド状態に移行し、メイク状態は維持されている。なお、この状態では、交流電圧を0.5ボルトppのままにしても構わない。第三の時刻ブレーク動作:交流電圧を0ボルトppのまますなわち、第三の交流電圧は前記第二の交流電圧と同じである、当該第一の直流電圧あるいは第二の直流電圧を第三の直流電圧3.0ボルトまで低下させると、MEMSスイッチは直ちにリリースが誘起される。この場合では、第三の交流電圧は0.5ボルトppであっても構わない。ブレーク状態:リリース状態に到達すると、次のメイク動作のために、6.0ボルトの直流電圧が印加される。交流電圧は前記第三の交流電圧のままである。当該直流電圧は従来の駆動法でのプルイン電圧30ボルト以下なので、リリース状態は継続する。この状態は、続いて発生する2回目の第二の時刻メイク動作に備えてスタンバイしている状態である。以上のシークエンスでは、メイク動作を誘起する短い時間だけ0.5ボルトppの交流電圧を供給することにより、当該MEMSスイッチは所望の動作を行うことができる。この結果、MEMSスイッチの駆動系での消費電力を抑えることが可能となる。さらに、メイク動作の瞬間だけ交流信号が印加されるので、当該MEMSスイッチが配置されている周囲の領域への電界の不要輻射が抑えられる利点もある。<MEMSスイッチの構成例>図4は、本発明の実施例3であるMEMSスイッチの構成例を説明する図である。本実施例3では、金属などの導電性材料で構成された可動構造体を用いたMEMSスイッチが例示されている。同図aは当該MEMSスイッチの上面から見た平面図であり、A-A’に沿った断面図が同図bである。また、図4aの右側には、当該平面図の中央部のみを拡大した平面図が拡大表示されている。図において、45は可動構造体、46は支持体、48はガラス基板である。当該ガラス基板48の上側表面には、高周波信号が伝播する信号線40と、その両側に配置されたグランド41から構成されたコプレーナ導波路が配置されている。さらに、当該ガラス基板の上側表面には、駆動のための固定電極42が配置され、当該固定電極42の表面には電気的な短絡を防止するための絶縁膜43が設けられている。可動構造体45は、サスペンション34を介して支持体46に結合され、当該支持体46は前記ガラス基板48に接合されている。すなわち、当該可動構造体45は当該ガラス基板48の上方に浮き上がって配置され、さらに、ガラス基板48の表面に設けられた前記コプレーナ導波路を覆うように作製されている。前記支持体46は前記ガラス基板48の上側表面に配置されたグランド41に接合されている。当該可動構造体45が導電性材料で構成されているので、当該可動構造体45は常にグランド電位一般的には0ボルトである。前記固定電極42は導電性のパターン47に接続されている。また、当該可動構造体45は、同図bでの上下方向に変位するので、当該可動構造体45の周囲に存在する空気層のダンピングを抑制するため、多数の小さな貫通孔付番せずが設けられている。さらに、当該可動構造体45の下側表面には接点44が設けられている。当該接点44は、信号線40の上方に位置するよう設計されており、当該可動構造体45がガラス基板48側に変位してプルイン状態になった時に、信号線40と電気的に接触するようになっている。本段落では図4の実施例3の動作を説明する。前記したように、当該可動構造体45の電位はグランド電位である。導電性のパターン47は、交流電圧源と直流電圧源とからなる駆動源図示せずに接続されている。このため、当該可動構造体45と当該固定電極42間には互いに引き合う静電気力が発生し、当該可動構造体45と当該固定電極42との間の距離ギャップ長が減少する。前記駆動源からの電気信号交流電圧および直流電圧の大きさがプルインを誘起する条件を満足するならば、当該可動構造体45は当該固定電極42と接触あるいは極度に近接し、プルインが発生し、MEMSスイッチのメイク動作が誘起される。かかる状態で、機械的、電気的な接触が発生すると、当該可動構造体45と当該42固定電極間に過大な短絡電流が流れることになるので、これを防止するために、当該固定電極42の表面には絶縁膜43が配置されている。プルイン状態になると、当該接点44は、前記した信号線40に接触あるいは極度に接近する。この結果、信号線40はグランド電位に固定される。すなわち、当該信号線40に流れ込んでいる高周波信号は当該接点44を介してグランド側へ伝播し、前記したコプレーナ導波路を伝播できなくなる。かかる動作により、スイッチのオフ高周波信号が遮断されるの機能が達成される。一方、前記駆動源からの電気信号の大きさがリリース状態を誘起する条件になると、当該接点44と当該信号線40との接触は解除され、ブレーク動作が誘起される。この結果、当該信号線40も流れ込んでいる高周波信号は、当該コプレーナ導波路を伝播し続けることになる。かかる動作により、スイッチのオン高周波信号が繋がるの機能が達成される。前記ガラス基板48の素材はガラスに限ることなく、高抵抗シリコン、ガリウムヒ素GaAsなどの半導体材料や、セラミック、樹脂など、比抵抗が大きな材料であればよい。さらに、正接損失tanδの小さな材料であれば、高周波信号の減衰が抑えられるため、より好ましい。前記した可動構造体45、サスペンション34、および、支持台は、種々の金属や半導体、導電性プラスチック等の材料を利用することができる。金属材料の中では、ヤング率が大きく、密度が小さいニッケルNiが特に好ましい。ニッケルはめっきによって作製することができるために、当該MEMSスイッチを半導体集積回路と同一半導体基板上に集積化する構成に適している。接点の材料も種々の金属例えば、金、プラチナや半導体、導電性プラスチックなどを利用することができる。接触抵抗を小さくできることから、金および金合金が特に好ましいが、この限りではない。実施例3では、印加した電気信号で発生する静電力を利用して当該可動構造体45を共振させているが、他の物理現象を利用して当該共振を起こさせても構わない。例えば、当該可動構造体45の上側表面に圧電薄膜を堆積し、当該薄膜に電気信号を印加することにより発生する機械的な変形歪で当該共振を励起することも可能である。かかる構成の一変形例として、当該可動構造体45そのものを圧電材料で構成し、その表面に導電性を付与することが挙げられる。また、磁界の中に配置された導電路には機械的な力ロレンツ力が誘起されることを利用して、当該共振を誘起しても構わない。以上のように、本発明では、共振を起こさせる原動力については特定の方法に限ることはない。図4に示した構造のMEMSスイッチの設計例を以下に示す。伝送線路信号線40とグランド41、および、固定電極42:1ミクロン厚の金絶縁膜43:0.1ミクロン厚のシリコン窒化膜可動構造体45、サスペンション34、および、支持台46:12ミクロン厚のニッケル接点44:0.15ミクロン厚の金可動構造体と固定電極との間の距離の初期値:1ミクロン前段落に例示した設計値で設計したMEMSスイッチは、1ボルトの直流電圧に1ボルトPeaktoPeakの交流電圧を重畳させることによりプルインが生じ、当該スイッチのオン、オフの繰り返し動作を行うことが明らかとなった。また、当該可動構造体の共振周波数基本波は21.4kHzであったので、スイッチング時間は約50μ秒相当である。<MEMSスイッチの作製方法>MEMSスイッチの作製方法の一例を図5~を用いて詳述する。なお、これらの図において、同一番号は同一構成要素を示している。1厚さ500ミクロンのガラス基板50の上にクロム薄膜厚さ0.02ミクロン51と第一の金薄膜厚さ1ミクロン52を蒸着によって作製する。この後、第二のクロム薄膜厚さ0.02ミクロン53とCVD装置を利用してシリコン窒化膜厚さ0.2ミクロン54を堆積し、当該シリコン窒化膜54と当該第二のクロム薄膜53を周知の技術を用いてパターニングする図5a。2当該金薄膜52およびクロム薄膜51を周知の技術フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ技術であるを用いてパターニングを行う。続いて、この上にアルミニウム薄膜厚さ0.02ミクロン55を蒸着した後、前記フォトレジストを剥離するいわゆるリフトオフである。この結果、当該ガラス基板50が露出していた領域にのみ前記アルミニウム薄膜55が積層されることになる図5b。3図5bに示した構造の上側表面全面に第一の銅薄膜を蒸着した後、研磨装置を用いて、当該銅薄膜の表面を研磨し、当該シリコン窒化膜54の上面と同じ高さになるすなわち、当該シリコン窒化膜54の表面が露出するまで研磨する。56はこの研磨工程が完了した時点での第一の銅薄膜である図5c。4当該銅薄膜56に表面に厚さ0.05ミクロンの銅を蒸着して第二の銅薄膜57を積層する。続いて、当該銅薄膜57の領域に直径20ミクロンの開口58を作製する図5d。5当該第二の銅薄膜57の表面に厚さ1ミクロンの銅を蒸着して第三の銅薄膜59を作製する。続いて、第二の金薄膜を積層してから、周知の技術により、当該開口58の領域に金接点60を作製する図5e。6当該銅薄膜59実際は、当該第一から当該第三の銅薄膜で構成されているの領域の一部をエッチングして支持台開口61を作製する図5f。7図5fに示した構造の上側表面全面に厚さ20ミクロンのレジストを積層してからパターンニングする図示せず。当該レジストパターンの開口部に厚さ12ミクロンのニッケルめっきを行い、ニッケル薄膜62を作製する。続いて、当該レジストを除去する図5g。8最後に、当該銅薄膜59実際は、当該第一から当該第三の銅薄膜で構成されているを硝酸によって除去犠牲層エッチであるする図5h。以上のプロセスにより、MEMSスイッチは作製される。<MEMSスイッチの駆動動作範囲>図6は、図4に例示した構成のMEMSスイッチを、図2を用いて記載した本発明による駆動法で駆動した時の実測結果であり、作製したMEMSスイッチの動作範囲を示している。同図のグラフの横軸は印加した直流電圧の値、縦軸は印加した交流電圧の値Peak-to-Peakを示す。同図の◆印は、MEMSスイッチがプルインを起こして当該可動構造体が当該固定電極に接触極度な近接も含むし、かつ、その接触が維持されたことを示している。すなわち、メイク状態が行われる条件を示している。なお、ここでの接触は、図4bに示した接点44と、信号線40との間の電気抵抗を測定することにより、当該接触の発生を確認している。図6のグラフより、◆印は3つの直線65、66、および、67で囲まれた領域に存在している。当該直線65は、印加直流電圧がMEMSスイッチのホールド電圧と等しい場合を示している。もし、動作条件当該直流電圧値と当該交流電圧値の組合せとなるが、この直線より左側にある場合には当該MEMSスイッチのホールドは生じない当然のことながらプルインも発生しない。また、直線66は、直流電圧に重畳された交流電圧波形のプラス側のピーク値波形の山に対応がスイッチのプルイン電圧を等しい場合を示している。すなわち、当該MEMSスイッチがプルインするためには、この直線の上側に動作条件を設定する必要がある。さらに、直線67は、直流電圧に重畳された交流電圧波形のマイナス側のピーク値波形の谷に対応がリリース電圧以下となる条件を示している。このため、この直線よりも上側に動作条件が設定された場合には、当該MEMSスイッチはプルイン瞬間的ではあるがするが、安定したホールドが起こらず、スイッチとして正常な機能が達成されないことになる。本段落では、図6の結果より得られる当該MEMSスイッチの駆動法について例示する。1直流電圧を一定にし、交流電圧を印加することにより、スイッチをプルインさせる。スイッチをホールドするには、このままでも良いし、あるいは、交流電圧の振幅を減少させても良い。これは、交流電圧値、直流電圧値、および、ホールド電圧の相互の関係に従って決定される。一方、ホールド状態のスイッチは、この直流電圧を減少させることによりリリースさせることができる。2交流電圧を一定にし、直流電圧を印加することにより、スイッチをプルインさせる。スイッチをホールドするには、このままでも良いし、あるいは、直流電圧を減少させても良い。これは、交流電圧値、直流電圧値、および、ホールド電圧との関係に従って決定される。一方、ホールド状態のスイッチは、この直流電圧の値を減少させることによってリリースさせることができる。3直流電圧を一定にし、当該可動構造体の共振周波数付近厳密に記載するならば、共振周波数の前後20の範囲の周波数であるの交流電圧を重畳することにより、スイッチをプルインさせる。スイッチをホールドするには、このままでも良いし、あるいは、交流電圧の振幅を減少させても良い。これは、交流電圧値、直流電圧値、および、ホールド電圧との関係に従って決定される。一方、ホールド状態のスイッチは、この交流電圧の周波数を共振周波数から離す厳密に記載するならば、共振周波数の前後20の範囲の外に設定することであることによってリリースさせることができる。当該MEMSスイッチの駆動には、上記した代表的な3例以外にも、直流電圧値、交流電圧値、周波数、および、それぞれの印加タイミングなどの組合せには多く変形があるが、これらは本発明に含まれるものである。なお、印加する交流電圧の周波数については、単一の周波数ではなく、当該可動構造体の共振周波数付近の複数の周波数を同時に含む信号であっても構わない。かかる手法を用いれば、交流電源の設計が簡略化されるという利点がある。さらに、印加する交流電圧の周波数については、当該可動構造体の共振周波数付近の複数の周波数を時間的に順次含む信号すなわち、時間軸で周波数が変化する信号であるを利用することも可能である。ここでは、周波数を順次に増加させても、あるいは、減少させても構わない。<MEMSスイッチの他の駆動法>当該可動構造体が当該固定電極の近くにあり、未だプルインしていない状態では興味深い現象が起こることが知られている。これは、非線形共振現象と呼ばれるものである。図7は、当該非線形共振現象を利用したスイッチの駆動法の原理を示す図である。同図は、試作したMEMSスイッチを実際に測定した結果を示したものであり、横軸は交流電圧の周波数、縦軸は当該可動構造体の機械的な振動の振幅レーザドップラ装置で計測である。同図に示すように、1交流電圧の周波数を上昇させ、当該可動構造体の共振周波数に近づけていくと、振幅が増大する曲線81。2当該周波数が共振周波数を超えて高くなると、振幅の減少が起こる曲線82。かかる条件下においては、MEMSスイッチのプルインは生じていない。3当該周波数が共振周波数を超えた状態で、当該周波数を減少させると、非線形現象のため振幅が増大する曲線83。4さらに当該周波数を低下させていくと、プルインが発生する曲線84。かかる非線形現象を利用した駆動法では、当該非線形現象を利用しない駆動法におけるプルインが生じない駆動条件においても、当該MEMSスイッチのプルインを起こさせることが可能であることを示しており、駆動電圧のさらなる低減に役立つものである。なお、試作したMEMSスイッチでは、交流電圧の周波数を増大させた後に減少させるという駆動法でプルインを起こすことが確認されている。また、これとは逆に交流信号の周波数を減少させ、共振周波数より小さくなった段階で周波数を増大させる操作法によりプルインが発生することも確認された。かかる非線形現象を利用した駆動法も本発明に含まれる。<MEMSスイッチの他の構成>図8は、先に記載した実施例3と異なる構成を有するMEMSスイッチである。本実施例における当該MEMSスイッチの平面図は図4と同じであるが、A-A’に沿った断面図は異なっている。図8には当該断面図が示されている。図8において、図4と同一番号は同一構成要素を示している。本実施例では、固定電極72の厚さが図4に示した実施例固定電極42と比べて厚くなっているのが特徴である。かかる構成により、当該可動構造体45と当該固定電極72との間の間隔ギャップ長を小さく設定することが可能となる。この結果、駆動のための電気信号前記した直流電圧や交流電圧であるの大きさを低減でき、駆動電圧の低減という課題の解決に有効である。さらに、当該可動構造体45に配置された接点74の高さを可動電極と固定電極のギャップに一意的に制限されることなく設計するため、設計の自由度が増すという利点もある。図8に示す構成でMEMSスイッチを設計した例を以下に示す。伝送線路信号線40とグランド41:1ミクロン厚の金固定電極72:1.44ミクロン厚の金絶縁膜43:0.05ミクロン厚のシリコン窒化膜可動構造体45、サスペンション34、および、支持台46:4ミクロン厚のニッケル接点74:厚さ0.5ミクロン厚の金可動構造体45と固定電極72との間の距離の初期値:0.21ミクロン前段落に例示した設計値で設計したMEMSスイッチは、0.96ボルトの直流電圧に30ミリボルト実効値、rmsの交流電圧を重畳させることによりプルインが生じ、当該スイッチのオン、オフの繰り返し動作を行うことが明らかになった。また、当該可動構造体の共振周波数基本波は168kHzであったので、スイッチング時間は約10μ秒相当である。さらに、当該信号線を伝播する高周波信号が2Wもの大電力であっても、当該高周波信号の制御が可能であった。<MEMSスイッチの他の構成>図9は、先に記載した実施例3と異なる構成を有するMEMSスイッチである。本実施例における当該MEMSスイッチの平面図は図4と同じであるが、A-A’に沿った断面図は異なっている。図9には当該断面図が示されている。図9において、図4と同一番号は同一構成要素を示している。本実施例では、前記した実施例3例えば図4と下記の諸点が異なっている。1図4の絶縁膜43に代えて、金属バンプ80aおよび80bが設けられている。2図4の固定電極42は、固定電極81aと82a、および、固定電極81bと82bとして設けられている。当該固定電極81aと当該固定電極82aは電気的に接続されており図示せず、当該固定電極81bと当該固定電極82bも同様に接続されている。当該金属バンプ80a、および、金属バンプ80bの高さは、当該固定電極81a、81b、82a、82bの高さよりも大きく設定されている。3当該可動構造体45の中央領域には接点44が設けられており、当該可動構造体45がプルインした状態では、当該接点44が伝送線路40と接触するようになっている。4当該金属バンプ80a、および、80bは、電気的にフローティングの状態、あるいは、当該可動構造体45と同じ電位に設定されている。かかる構成においては、当該可動構造体45がプルインすると、当該可動構造体45の変位あるいは移動は当該金属バンプ80aと80bとで制限される。前記したように、当該金属バンプ80a、80bと当該固定電極81a、81b、82a、82bとの高さの差により、プルイン状態で、当該可動構造体45が当該固定電極81a、81b、82a、82bと接触することは避けられる。このため、図4では、短絡防止のために設けられていた絶縁膜43が不要となる利点がある。本実施例では、絶縁膜を用いることなく、可動構造体と固定電極の短絡を金属バンプで防止したことに特徴がある。このため、絶縁膜の帯電チャージアップ現象により、固定電極に可動構造体が付着することが無くなり、MEMSスイッチの長期信頼性を増大できるという利点がある。<MEMSスイッチの他の構成>図10は、先に記載した実施例3と異なる構成を有するMEMSスイッチである。本実施例における当該MEMSスイッチの平面図は図4と同じであるが、A-A’に沿った断面図は異なっている。図10には当該断面図が示されている。図10において、図4と同一番号は同一構成要素を示している。本実施例では、前記した実施例3例えば図4と下記の諸点が異なっている。1可動構造体45に配置された接点が3個ある。それぞれは95、96a、96bである図10参照。当該3個の接点は、同一の可動構造体45導電体であると一体化されているので、同一電位である。2コプレーナ導波路は、信号線90信号線40と対応と、その両側に配置されたグランド91グランド41と対応で構成されている。3当該可動構造体45がプルインした状態では、当該接点95は信号線90と接触する。また、当該接点96aと96bは当該グランド91と接触する。この結果、コプレーナ導波路を構成する当該信号線90は当該グランド91と短絡されることになる。4当該可動構造体45が3点でコプレーナ導波路に接触するため、当該可動構造体45が当該固定電極72と接触することはない。参考までに記すと、接点が1個である構成図4の実施例3であるでは、当該可動構造体45はシーソーのように一方に傾き、どちらかの固定電極72と接触する危険がある。図10に示した構成により以下の利点が発生する。1本実施例では当該固定電極72との接触の可能性はないので、図4の絶縁膜43が不要になる。この結果、絶縁膜のチャージアップ現象により、固定電極72に可動構造体45が付着することが無くなり、MEMSスイッチの長期信頼性を増大できるという利点もある。2プルイン状態でコプレーナ導波路は短絡されるが、当該信号線90と当該グランド91間に流れる短絡電流は、当該接点95から当該接点96a、あるいは、当該接点96bへの電流路を通過する。このため、従来例での短絡電流路のパス電流路の長さが短くなり、高周波特性が大きく改善できるという利点がある。<MEMSスイッチの他の構成>図11は、先に記載した実施例3と異なる構成を有するMEMSスイッチである。本実施例における当該MEMSスイッチの平面図は図4と同じであるが、AA’に沿った断面図は異なっている。図11には当該断面図が示されている。図11において、図4と同一番号は同一構成要素を示している。本実施例では、前記した実施例3例えば図4と下記の諸点が異なっている。1信号線100信号線40と対応の上側表面には絶縁膜101が配置されている。当該絶縁膜101の素材は窒化膜、酸化膜、セラミクス、樹脂材料など周知の材料である。2固定電極42の上側表面に絶縁膜が存在しない。かかる構成では、プルイン状態で、当該可動構造体45に設けられた接点44は当該絶縁膜101を介して当該信号線100と機械的に接触することになる。かかる接触では、電気的な接触は発生しない。しかし、当該絶縁膜の厚さが1μm以下である場合には、当該接点44と信号線100との間に形成される静電容量値は大きくなるので、高周波信号に対しては、電気的な接触いわゆる静電結合であるが達成されることになる。本実施例の構成では、電気的な接触が間接的であり、実施例3のような金属接点44の金と金属信号線40の金の接触ではない。このため、金属金属の接触抵抗の変動がなく、高周波特性の劣化を抑制することが可能となる。すなわち、MEMSスイッチ特性の向上が可能である。<MEMSスイッチの他の構成>図12は、複数の接点を可動構造体に配置し、信号線と複数個所で接触が起こることを特徴とするMEMSスイッチを示している。実施例9ではコプレーナ導波路に跨って接点を3個配置する構成が示されており、その平面図は図4、断面図は図10に記載されている。本実施例は、実施例9をさらに発展させた構成を有している。本実施例の構成で、接点が配置された領域を斜め上から俯瞰した図が図12である。同図は、図4aの右側に図示した拡大図を俯瞰したものに相当している。同図において、110は信号線であり、4本に分岐された構成が例示されている。111は可動構造体である。112の領域の下側には接点が配置されている。113の領域の下側には固定電極が配置されている。図12の領域112には、4×4個の当該接点が二次元配列されている。当該接点の数は4×4個に限定されず、また、その配列が一次元であっても構わない。特に当該配列が一次元であり、さらに、その配列方向が当該信号線の方向と一致している場合には、図12の110で示したような信号線の分岐を行う必要はない。本実施例では、複数個の当該接点を同時に当該信号線に接触させることに特徴がある。このため、当該接点が占有する領域の面積が小さく、個々の場所での許容電流が小さくなっても、全体として許容電流値を大きくすることが可能である。また、個々の接点の接触は並列的に行われるので、接触の信頼性を高めることも可能数個の接点が接触不良を起こしても全体への影響は少ないである。さらに、この実施例では個々のスイッチ寸法を小さくすることができるため、各々の接点を接触させるためのバネ定数を大きく設定できる利点もある。なお、本明細書では、両端固定ビーム型のMEMSスイッチを例として挙げているが、当該MEMSスイッチにはこれら以外にも多くの形態がある。例えば、ディスク型円板形状等、リング型、魚の骨型、および、隣接して配置された複数のMEMSスイッチの可動構造体領域を機械的に結合させた連結型スイッチなどがある。これらの多くの形態に対しても、本発明を実施することが可能である。また、本明細書では、接点をもつ抵抗型のMEMSスイッチを例として挙げたが、接触部にキャパシタンスを設けた静電容量型のMEMSスイッチにも容易に適用することが可能である。