一主面に半導体層を備えるとともに、前記一主面に形成された第1の方向に延びる凹溝を有する半導体ウエハを前記第1の方向に分割することで半導体発光素子を製造する製造方法であって、前記半導体ウエハの前記一主面側に、前記凹溝と交差するとともに、当該凹溝よりも深い第1補助溝を分割予定位置上に形成する第1補助溝形成工程と、前記半導体ウエハの前記一主面側に、前記凹溝と交差するとともに、当該凹溝よりも浅い第2補助溝を前記分割予定位置上に形成する第2補助溝形成工程と、前記半導体ウエハを前記分割予定位置で劈開する分割工程とを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。前記第1補助溝形成工程の後、第2補助溝形成工程を行う請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。前記第1補助溝製造工程は、複数個の第1補助溝を前記第2方向に配列して形成し、少なくとも一つの前記第1補助溝が前記凹溝と交差するように前記第1補助溝を形成する請求項1又は請求項2に記載の半導体発光素子の製造方法。前記第1補助溝形成工程は、前記凹溝と交差する前記第1補助溝の前記第2方向の長さが、前記凹溝の前記第2方向の幅よりも長くなるように前記第1補助溝を形成する請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。前記第1補助溝形成工程は、前記第1補助溝の前記第2方向の両先端部を、平面視において、先鋭形状に形成する請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法前記第1補助溝は、平面視六角形状であり、前記六角形の対向する頂点が前記分割予定位置と重なっている請求項5に記載の半導体発光素子の製造方法。前記第1補助溝は、平面視台形状であり、前記台形の下底が前記分割予定位置と重なっている請求項5に記載の半導体発光素子の製造方法。前記第2補助溝形成工程において、前記第1補助溝の上に、該第1補助溝より長い第2補助溝を形成する請求項2から請求項7のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。前記第2補助溝形成工程の後に、前記半導体ウエハの一主面側に、端部が前記半導体ウエハの辺縁部に到達し、前記凹溝より浅い、第3補助溝を形成する第3補助溝形成工程を備える、請求項1から請求項8のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。前記分割工程において、前記第3補助溝から反対側の方向へ向かって、仰角に傾けられたブレーク刃を用いて、前記半導体ウエハの分割を行う請求項9に記載の半導体発光素子の製造方法。請求項1から請求項10のいずれかに記載の製造方法で製造されたことを特徴とする半導体発光素子。前記半導体発光素子が、前記半導体層内に前記第1の方向に延びる光導波路を備えた半導体レーザ素子である請求項11に記載の半導体発光素子。前記半導体発光素子が、窒化物半導体基板に窒化物半導体層を形成した窒化物半導体発光素子である請求項11または請求項12に記載の半導体発光素子。窒化物半導体発光素子では、窒化物半導体基板上に窒化物半導体層を成長させる際に、窒化物半導体基板と窒化物半導体層との間の格子定数差や熱膨張係数差などに起因して窒化物半導体層に歪みが生じ、この歪みによって、窒化物半導体層にクラックが発生する。この窒化物半導体発光素子を分割する際、分割面がこのクラックに牽引され、分割予定位置から外れてしまう問題がある。これは前記特許文献1のような二種の分割補助溝を用いた構成であっても、前記分割面が前記クラックに牽引されるので、前記分割面が分割予定位置から外れるのを回避するのは困難である。また、特許文献2では、上述のクラックを防止するために、窒化物半導体基板に掘り込み領域を形成し、掘り込み領域上の窒化物半導体層表面に窪みを形成している。しかしながら、クラック防止溝を形成した窒化物半導体基板と窒化物半導体層を、1種類の深さの補助溝のみによって分割予定位置で分割することは困難である。特許文献2においては、分割補助溝が基板にまで達する実施例と達しない実施例がある。しかしどちらも分割補助溝がクラック防止溝より深く形成されており、このように構成すると窒化物半導体素子の厚み方向において、様々な位置から亀裂が発生しやすくなり、分割位置を制御することが困難になる問題がある。また劈開端面が、どちらかに凹んだ形状になりやすく、良好な共振器ミラーを形成することが困難である。そこで本発明は、上記のような課題を解決するため、半導体素子の分割位置を高い精度で制御できる半導体発光素子の製造方法及び良好な共振器面が形成された半導体発光素子を提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明は、一主面に半導体層を備えるとともに、前記一主面に形成された第1の方向に延びる凹溝を有する半導体ウエハを前記第1の方向に分割することで半導体発光素子を製造する製造方法であって、前記半導体ウエハの前記一主面側に、前記凹溝と交差するとともに、当該凹溝よりも深い第1補助溝を分割予定位置上に形成する第1補助溝形成工程と、前記半導体ウエハの前記一主面側に、前記凹溝と交差するとともに、当該凹溝よりも浅い第2補助溝を前記分割予定位置上に形成する第2補助溝形成工程と、前記半導体ウエハを前記分割予定位置で劈開する分割工程とを有することを特徴とする。この構成によると、劈開時発生する亀裂が分割予定位置からずれるのを防ぐことができる。また、前記第1補助溝を前記凹溝よりも深く形成していることで、前記凹溝に形成されている半導体層の窪みにより応力がばらつき、亀裂がずれるのを抑制することができる。さらに、異なる深さの2種の補助溝を用いることで、補助溝の底面までを段階的に浅くすることができ、これにより亀裂の伝播を安定させることができる。以上のことより、一主面に半導体層が形成されているとともに、凹溝を備えた半導体ウエハの分割位置を高精度に制御することができる。これにより、分割により形成される半導体発光素子は良好な劈開面を得ることができる。上記構成において、前記第1補助溝形成工程の後、第2補助溝形成工程を行うようにすることができる。これにより、第1補助溝形成工程時に第2補助溝の第1補助溝との接触部が溶解されて、変形、消失することを抑制することができる。上記構成において、前記第1補助溝製造工程は、複数個の第1補助溝を前記第2方向に配列して形成し、少なくとも一つの前記第1補助溝が前記凹溝と交差するように前記第1補助溝を形成してもよい。上記構成において、前記第1補助溝形成工程は、前記凹溝と交差する前記第1補助溝の前記第2方向の長さが、前記凹溝の前記第2方向の幅よりも長くなるように前記第1補助溝を形成してもよい。上記構成において、前記第1補助溝形成工程は、前記第1補助溝の前記第2方向の両先端部を、平面視において、先鋭形状に形成してもよい。このとき、前記第1補助溝として、平面視六角形状であり、前記六角形の対向する頂点が前記分割予定位置と重なっているもの、或いは、平面視台形状であり、前記台形の下底が前記分割予定位置と重なっているものを挙げることができる。上記構成において、前記第2補助溝形成工程において、前記第1補助溝の上に、該第1補助溝より長い第2補助溝を形成してもよい。上記構成において、前記第2補助溝形成工程の後に、前記半導体ウエハの一主面側に、端部が前記半導体ウエハの辺縁部に到達し、前記凹溝より浅い、第3補助溝を形成する第3補助溝形成工程を備えていてもよい。上記構成において、前記分割工程は、前記第3補助溝から反対側の方向へ向かって、仰角に傾けられたブレーク刃を用いて、前記半導体ウエハの分割を行ってもよい。上記構成において、前記半導体発光素子として、前記半導体層内に前記第1の方向に延びる光導波路を備えた半導体レーザ素子を挙げることができる。さらに、前記半導体発光素子として、LED素子等も挙げることができる。本発明によると、半導体素子の分割位置を高い精度で制御できる半導体発光素子の製造方法を提供することができる。特に、{202-1}、{10-11}、{10-12}、{11-22}などの半極性面の窒化物半導体基板を用いた、窒化物半導体発光素子を高い精度で分割することができる半導体発光素子の製造方法を提供することができる。また、良好な共振器面を備えた半導体発光素子を提供することができる。以下に本発明の実施形態について図面を参照して説明する。まず、本発明にかかる半導体発光素子及びその製造方法について説明する。半導体発光素子の構成図1は本発明にかかる半導体発光素子の一例である半導体レーザ素子の概略斜視図である。なお、以下説明する図において、特段の記載のない場合、図1に示す半導体発光素子における、X方向図1では、左右方向、Y方向図1では、紙面厚み方向、Z方向図1では、上下方向を基準に説明する。なお、図1では、半導体レーザ素子AをX方向に分断したものを示している。図1に示す半導体発光素子は、Y方向の端面が共振器端面である半導体レーザ素子Aである。半導体レーザ素子Aは、窒化物半導体基板1と、窒化物半導体基板1の上面に形成されたn型窒化物半導体層2aと、n型窒化物半導体層2aの上面に形成された活性層23と、活性層23の上面に形成されたp型窒化物半導体層2bと、p型窒化物半導体層2bの上面に形成された絶縁層30とを備えている。なお、以下の説明において、n型窒化物半導体層2b、活性層23、p型窒化物半導体層2aをあわせて、窒化物半導体層2と称する場合がある。また、半導体レーザ素子Aは、p型窒化物半導体層2aの上面より突出し、Y方向に延びたリッジ部28を備えている。リッジ部28のX方向の側面は絶縁層30に覆われており、リッジ部28の上面はp型コンタクト層27が形成されている。さらに、リッジ部28を覆うようにp側電極31が形成されている。なお、p側電極31はリッジ部28のY方向長手方向の一部を覆うように形成されているが、全体を覆うように形成されていてもよい。また、半導体レーザ素子Aの下面側、すなわち、p側電極31と反対側の面には、n側電極32が形成されている。なお、半導体レーザ素子Aでは、リッジ部28の下部に光導波路が構成される。半導体レーザ素子Aは、平板状のウエハを劈開することで形成される。図1に示すように、半導体レーザ素子Aの上面には、リッジ部28と平行に形成されたストライプ状の凹溝40が形成されている。また、劈開の端面が共振器端面に形成されるものであり、劈開端面には、劈開を補助するための第1補助溝41及び第2補助溝42が形成されている。ストライプ状の凹溝40、第1補助溝41及び第2補助溝42の詳細については、後述する。次に、窒化物半導体ウエハの製造工程ついて、図面を参照して説明する。図13~図24はウエハを形成する手順を示す断面図である。まず、図13に示すように、n型窒化物半導体基板ここでは、n型GaN基板1の上面成長主面1a全面に、スパッタ法などを用いて、約1μmの厚みを有するSiO2層11を形成する。なお、本実施例においては、半導体層の成長基板として、n型GaN基板を用いているが、サファイアなどの絶縁性基板でも良いし、Si、ZnS、ZnO、GaAs及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物でも良い。次に、図14に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、SiO2層11上に、レジストパターンとしての開口部12aを有するレジスト層12を形成する。そして、図15に示すように、RIEReactiveIonEtchingなどのドライエッチング技術を用いて、レジスト層12をマスクとしてSiO2層11をエッチングすることにより、SiO2層11の所定領域開口部12aの下側の領域を選択的に除去する。その後、レジスト剥離液や有機溶剤例えば、アセトン、エタノールなどを用いてレジスト層12を除去する。なお、レジスト層12を除去せずに、そのまま、次の工程を行ってもよい。続いて、図16に示すように、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマ法、または、RIE法などを用いて、SiO2層11をマスクとして、n型窒化物半導体基板1をエッチングすることにより、n型窒化物半導体基板1の所定領域開口部12aの下側の領域が選択的に除去される。このとき、n型窒化物半導体基板1のエッチング深さが、約5μmとなるように、エッチング条件を調節する。これにより、n型窒化物半導体基板1に上記した凹部10が形成される。凹部10は、Y方向に延びる凹溝である。なお、エッチング条件等を調節することにより、凹部10の内壁面10bはその傾斜角γが90度より大きい角度予め決められた角度で形成される。その後、HFフッ化水素などのエッチャントを用いて、SiO2層11を除去する図17参照。また、以下の説明において、n型窒化物半導体基板1において凹部10が形成されている部分を掘り込み領域H1、凹部10が形成されている以外の部分を非掘り込み領域H2として説明する場合がある。次に、図18に示すように、上記のように加工されたn型窒化物半導体基板1加工基板の成長主面1a上に、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法などのエピタキシャル成長法を用いて、窒化物半導体各層21~27を成長させる。各層は具体的に次のとおりである。n型窒化物半導体基板1の成長主面1a上に、約2.2μmの厚みを有するn型Al0.06Ga0.94Nからなるn型クラッド層21、約0.1μmの厚みを有するn型GaNからなるn型ガイド層22、および活性層23を順次成長させる。なお、活性層23を成長させる際には、図19に示したように、Inx1Ga1-x1Nからなる2つの井戸層23aと、Inx2Ga1-x2Nからなる3つの障壁層23b但しx1>x2とを交互に成長させる。具体的には、n型ガイド層22上に、下層から上層に向かって、約30nmの厚みを有する第1障壁層231b、約3nm~約4nmの厚みを有する第1井戸層231a、約16nmの厚みを有する第2障壁層232b、約3nm~約4nmの厚みを有する第2井戸層232aおよび約60nmの厚みを有する第3障壁層233bを順次成長させる。これにより、n型ガイド層22上に、2つの井戸層23aと3つの障壁層23bとからなるDQWDoubleQuantumWell:二重量子井戸構造を有する活性層23が形成される。このとき、井戸層23aは、そのIn組成比x1が0.15以上0.45以下例えば、0.2~0.25となるように構成する。一方、障壁層23bは、そのIn組成比x2が、例えば、0.04~0.05となるように構成する。図18に戻りさらに他の層について説明する。活性層23の上に、p型AlyGa1-yNからなるキャリアブロック層24、約0.05μmの厚みを有するp型GaNからなるp型ガイド層25、約0.5μmの厚みを有するp型Al0.06Ga0.94Nからなるp型クラッド層26および約0.1μmの厚みを有するp型GaNからなるp型コンタクト層27を順次成長させる。このとき、キャリアブロック層24は、その厚みが40nm以下例えば、約12nmとなるように形成するのが好ましい。また、キャリアブロック層24は、そのAl組成比yが0.08以上0.35以下例えば、約0.15となるように構成する。なお、n型窒化物半導体層2an型クラッド層21およびn型ガイド層22には、n型不純物として、例えば、Siをドープし、p型窒化物半導体層2bキャリアブロック層24、p型ガイド層25、p型クラッド層26およびp型コンタクト層27には、p型不純物として、例えば、Mgをドープしている。また、n型窒化物半導体層2aは、900°C以上であって、1300°Cより低い成長温度例えば、1075°Cで形成する。また、活性層23の井戸層23aは、600°C以上770°C以下の成長温度例えば、700°Cで形成する。井戸層23aに接する障壁層23bは、井戸層23aと同じ成長温度例えば、700°Cで形成する。さらに、p型窒化物半導体層2bは、700°C以上であって、900°Cより低い成長温度例えば、880°Cで形成する。なお、n型窒化物半導体層2aの成長温度は、900°C以上1300未満が好ましく、1000°C以上1300未満であればより好ましい。また、活性層23の井戸層23aの成長温度は、600°C以上830°C以下が好ましく、井戸層23aのIn組成比x1が0.15以上の場合には、600°C以上770°C以下が好ましい。630°C以上740°C以下であればより好ましい。また、活性層23の障壁層23bの成長温度は、井戸層23aと同じ温度か、井戸層23aより高い温度が好ましい。さらに、p型窒化物半導体層2bの成長温度は、700°C以上900°C未満が好ましく、700°C以上880°C以下であればより好ましい。もちろん、900°C以上の温度でp型窒化物半導体層2bを形成してもp型伝導が得られるため、p型窒化物半導体層2bを900°C以上の温度で形成してもよい。なお、これらの窒化物半導体の成長原料としては、例えば、Gaの原料としてトリメチルガリウムCH33Ga:TMGaを、Alの原料としてトリメチルアルミニウムCH33Al:TMAlを、Inの原料としてトリメチルインジウムCH33In:TMInを、Nの原料としてNH3を用いることができる。また、キャリアガスとしては、例えば、H2を用いることができる。ドーパントについては、n型ドーパントn型不純物としては、例えば、モノシランSiH4を用いることができ、p型ドーパントp型不純物としては、例えば、シクロペンタジエニルマグネシウムCP2Mgを用いることができる。ここで図20に示したように、溝加工をしたn型窒化物半導体基板1の成長主面1aに窒化物半導体層を成長させると、凹部10の内壁面10bが窒化物半導体層2で埋め込まれにくくなっている。このため、n型窒化物半導体基板1上に窒化物半導体層2を形成した際に、凹部2掘り込み領域H1上の窒化物半導体層2の表面窒化物半導体層2を構成する各層の表面に窪み20が形成された状態となる。そして、この窪20みによって、n型窒化物半導体基板1との格子不整合などに起因して生じる窒化物半導体層2の歪みクラックが緩和される。また、n型窒化物半導体基板1の成長主面1a上に窒化物半導体層2が形成されることによって、非掘り込み領域H2上の窒化物半導体層2では、凹部10掘り込み領域H1に近づくにしたがって層厚が傾斜的に徐々に減少する層厚傾斜領域が形成される。この層厚傾斜領域によって、n型窒化物半導体基板1との格子不整合などに起因して生じる窒化物半導体層2の歪みが緩和される。このように、本発明にかかる半導体レーザ素子Aの製造方法では、窒化物半導体層2の表面に形成される窪み200と、非掘り込み領域H2上の窒化物半導体層2に形成される層厚傾斜領域5とによる二つの歪み緩和効果によって、非常に高いクラック抑制効果が得られる。したがって、n型窒化物半導体基板1との格子定数差などが大きくなる、Al組成の高いAlGaN層を成長主面1a上に形成した場合でも、クラックの発生が抑制される。このため、n型窒化物半導体基板1の成長主面1a上に、クラックの発生が抑制された窒化物半導体層2が形成される。続いて、図21に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、発光部を形成する直上の領域におけるp型コンタクト層27上に、約1μm~約10μm例えば約1.5μmの幅を有するとともに、ストライプ状細長状のレジスト14を形成する。そして、図22に示すように、SiCl4、Cl2などの塩素系ガスや、ArガスなどによるRIE法を用いて、レジスト14をマスクとしてp型ガイド層25の途中の深さまでエッチングを行う。これにより、p型ガイド層25の凸部とp型クラッド層26とp型コンタクト層27とによってリッジ部28が構成される。リッジ部28はY軸[0001]に平行に延びるストライプ状細長状に形成されている図22参照。次に、図23に示すように、リッジ部28上にレジスト14を残した状態で、スパッタ法などにより、約0.1μm~約0.3μm例えば約0.15μmの厚みを有するSiO2からなる絶縁層30を形成し、リッジ部28を埋め込む。そして、リフトオフによりレジスト14を除去することによって、リッジ部28の上部のp型コンタクト層27を露出させる。これにより、リッジ部28の両脇に、図23に示すような絶縁層30が形成される。次に、図24に示すように、真空蒸着法などを用いて、基板側絶縁層30側から、約15μmの厚みを有するPd層および約200nmの厚みを有するAu層を順次形成することにより、絶縁層30p型コンタクト層27上に、多層構造からなるp側電極31を形成する。次に、基板を分割し易くするために、n型窒化物半導体基板1の裏面を研削または研磨することにより、n型窒化物半導体基板1を100μm程度の厚みまで薄くする。その後、図20に示したように、n型窒化物半導体基板1の裏面上に、真空蒸着法などを用いて、n型窒化物半導体基板1の裏面側から約5nmの厚みを有するHf層、約150nmの厚みを有するAl層、約36nmの厚みを有するMo層、約18nmの厚みを有するPt層および約200nmの厚みを有するAu層を順次形成することにより、多層構造からなるn側電極32を形成する。なお、n側電極32の形成前に、電気特性の調整などの目的でドライエッチングやウェットエッチングを行ってもよい。このようにして窒化物半導体ウエハWh1が形成される。第1の実施形態本発明にかかる半導体発光素子の製造方法について説明する。本発明にかかる半導体発光素子の製造方法では、窒化物半導体ウエハを劈開し、バー状に分割した後、バー状の窒化物半導体素子を劈開することでチップ状の半導体発光素子である半導体レーザ素子を作製する。図2Aは本発明にかかる半導体発光素子の製造方法に用いる窒化物半導体ウエハの概略平面図であり、図2Bは図2Aに示す窒化物半導体ウエハをIIB-IIB線で分割したときの概略断面図であり、図3は劈開を行う直前の窒化物半導体ウエハの概略平面図である。なお、IIB-IIB線は、窒化物半導体ウエハWh1を劈開で分割する分割予定位置である分割線Xaの一つと重なっている。図2Aに示すように、窒化物半導体ウエハWh1は、分割線Xaで分割される。分割線Xaは、共振器方向に延びるリッジ部28と略垂直である。窒化物半導体ウエハWh1では、ストライプ状の凹溝40の間の領域に、リッジ28およびパッド電極31が2つ形成されているが、1つ又は3つ以上の複数のリッジ28及び又はパッド電極31が形成された構成であってもよい。また、窒化物案導体ウエハWh1上において、分割線Xaは2本設けているが、これに限定されるものではなく、所望の間隔、本数で設けることが可能である。窒化物半導体ウエハWh1には、窒化物半導体層2が形成されている側から、分割線Xa上に第1補助溝41及び第2補助溝42が形成されている。窒化物半導体ウエハWh1において、分割線XaはY方向に並んで複数個設定されており、分割線Xa毎に第1補助溝41及び第2補助溝42が形成されている。劈開は、結晶の特定方向への割れやすさを利用し、特定結晶面に亀裂を発生させ、その亀裂を進展させる分割方法である。半導体発光素子の製造工程において、表層から結晶特定面に亀裂を生じさせ、他方の面に向かって亀裂を進展させて、分断することが好ましい。そのため、本実施形態にかかる半導体発光素子の製造方法では、深さの異なる2種の溝第1補助溝41及び第2補助溝42を形成している。図2Aに示すように、第1の補助溝41は、分割線Xaのストライプ状の凹溝40と重なる部分に、ストライプ状の凹溝40がその中心を通るように配置されている。図2Bに示すように第1補助溝41の深さはストライプ状の凹溝40より深い。また、第1補助溝41の分割線Xaの延びる方向X方向の長さは、ストライプ状の凹溝40の幅X方向より長く構成されている。第1補助溝41が形成されることで、ストライプ状の凹溝40上に形成された窒化物半導体層が全て取り除かれ、分割線Xa上にある窒化物半導体層2の窪み20が除去される。また、第2補助溝42は、分割予定位置において第1補助溝41と重なる位置に形成されている。第2補助溝42の分割線Xaの延びる方向X方向長さは、第1補助溝41より長い。そして、第2補助溝42の先端部分からリッジ部28までの間隔は、予め決められた間隔以上例えば5μm以上離間して形成されている。第2補助溝42は、ストライプ状の凹溝40の深さより浅い。すなわち、窒化物半導体ウエハWh1は、分割線Xa上において、ストライプ状の凹溝40の底部より深い第1補助溝41と、ストライプ状の凹溝40の底部より浅い底部の第2補助溝42とを備えている。第1補助溝41の底部は、窒化物半導体層2の表面上面から深い位置に形成されている。よって分割予定位置において第1の補助溝を形成した領域と、それ以外の領域の最表面の高さに大きな段差が存在することになる。このため劈開時において、亀裂が伝播するときに、この大きな段差によって、亀裂が分割位置から外れ、分割予定位置からのずれや欠けを起こしやすい。本発明の窒化物半導体ウエハWh1のように、ストライプ状の凹溝40より浅い第2補助溝42を形成することで、深さ方向の最表面が、第1補助溝41と第2補助溝42と二段構造になるため、段差が軽減される。これによって、分割の際に生じる亀裂が精度良く分割位置上を伝播する。また前述のように基板の表面上に、上述のように第2補助溝42が形成されていることで、図2A、2Bに示されるように第2補助溝42とストライプ状の凹溝40とが縦横すなわちXY方向、深さ方向すなわち、Z方向ともに完全に離間される。このため、ストライプ状の凹溝40に形成される窒化物半導体層2の窪み20の影響を受けにくく、精度良く亀裂を発生させて劈開を誘引することができる。以上のことから、第1補助溝41及び第2補助溝42を形成することで、窒化物半導体ウエハWh1は表層から結晶特定面窒化物半導体層2側の面に亀裂を発生させ、反対側の面に亀裂を伝播させることができる。つまり、第2補助溝42をストライプ状の凹溝40の底部の深さより浅く形成していることで、補助溝の様々な深さの終端部分から亀裂が発生、進展するのを抑制でき、良好な劈開端面を得ることができる。また、窒化物半導体ウエハWh1は、窒化物半導体層2側の上面から、ストライプ状の凹溝40と交差する分割線Xa上の窒化物半導体ウエハWh1の片側の端部に連通する第3補助溝43が形成されている。図3に示すように、第3補助溝43は第2補助溝42と連続して形成されており、ストライプ状の凹溝40よりも浅く形成されている。窒化物半導体ウエハWh1の片側に連通する、第3補助溝43を形成することによって、窒化物半導体ウエハWh1の端部の表層から結晶特定面に亀裂が生じやすくなる。このため結晶の劈開性をより効果的に用い、高い精度で分割位置を制御でき、良好な劈開端面を得ることができる。さらに図3に示されるように、窒化物半導体ウエハWh1の劈開には、第3補助溝43から反対側の方向へ向かって、仰角に傾斜させたブレーク刃BLを備えたブレーク装置を用いる。このようなブレーク刃BLを用いて劈開、分割を行うことで、第3補助溝43に応力が掛かり、第3補助溝43に亀裂が発生しやすい。このため半導体層の表層から結晶特定面に亀裂を生じさせて分割することができる。よって高い精度で分割位置を制御でき、良好な劈開端面を得ることができる。次に、第1補助溝、第2補助溝及び第3補助溝を形成する工程について説明し、さらに、その後の工程、すなわち、劈開工程、後処理工程について詳しく説明する。第1補助溝の形成工程窒化物半導体ウエハWh1の窒化物半導体層2側の上面から、分割線Xa上のストライプ状の凹溝40と交差する部分に、ストライプ状の凹溝40が中心を通るようにレーザスクライブ装置で、レーザ照射を窒化物半導体ウエハWh1の分割線Xa上に破線状に走査して、第1補助溝41を形成する。なお、図2Aに示すように、ストライプ状の凹溝40はX方向に配列されており、1つのストライプ状の凹溝40に対応して、1つの第1補助溝41が形成されている。なお、レーザ光のエネルギーにより、溝内部の表面または溝周辺の露出表面に、窒化物半導体層を構成する金属元素の飛散物デブリが付着するのを防止するため、第1補助溝41形成前に、レジストや保護膜を形成することが好ましい。第1補助溝41は、レーザスクライブ装置で、レーザ照射によって形成される溝である。このため第1補助溝41の側壁は、溶解されて形成される。よって、図2A、図2Bに示すように、窒化物半導体ウエハWh1に第1補助溝41及び第2補助溝42を形成する場合、第1補助溝41を形成した後、第2補助溝42を形成する。これにより、第2補助溝42の第1補助溝41との接触部分が第1補助溝41の形成工程によって、溶解されて変形消失するのを抑制することができる。このことから、劈開分割時において、第1補助溝41と第2補助溝42がより効果的に機能する。第2補助溝の形成工程次いで、ダイヤモンドスクライブなどのスクライブによって、窒化物半導体ウエハWh1の窒化物半導体層2側の上面から破線状に、分割線Xa上のストライプ状の凹溝40と交差する部分に、ストライプ状の凹溝40が中心を通り、かつ第1補助溝41に重なるように、第2補助溝42を形成する。なお、上述したように、第2補助溝42は、第1補助溝41よりも浅く、分割線Xaに沿う方向の長さが長くなるように形成される。第3補助溝の形成工程図3に示すように、ダイヤモンドスクライブによって、窒化物半導体ウエハWh1の窒化物半導体層2側の上面から、分割線Xa上のストライプ状の凹溝40と交差する部分を、窒化物半導体ウエハWh1の片側の端部を連通するように、第3補助溝43を形成する。なお、ここでの例示する第1補助溝41、第2補助溝42及び第3補助溝43の形成は、ダイヤモンドスクライブによって行っているが、RIE反応性イオンエッチングなどのドライエッチングによって行っても良い。劈開工程第1補助溝41、第2補助溝42及び第3補助溝43が形成されている、窒化物半導体ウエハWh1を、図3に示すように、分割線Xaに、窒化物半導体ウエハWh1に構成された第3補助溝43から反対側の方向へ向かって、仰角θで傾けて形成されたブレーク刃BLを備えたブレーク装置を用いて、前記半導体発光素子の分割をおこなう。なお、ブレーク刃BLの傾き角θについては、0.05°以下であることが好ましい。ここでの分割は、ブレードブレイクを採用しているが、これ以外にも、従来よく知られている、ローラーブレイク又はプレスブレイク等の方法を利用しても行える。これによって、半導体レーザ素子をバー状に分割し、その端面を共振器面とするバー状の素子が得られる。後処理工程次に、蒸着法やスパッタ法などの手法を用いて、バー状の素子の端面共振器面にコーティングを施す。具体的には、光出射面となる片側の端面に、たとえば、アルミニウムの酸窒化物膜などからなる出射側コーティング膜図示せずを形成する。また、光反射面となるその反対側の端面に、たとえば、SiO2、TiO2などの多層膜からなる反射側コーティング膜図示せずを形成する。最後に、バー状の素子を分割することにより、個々の半導体レーザ素子に個片化する。このようにして、半導体レーザ素子Aが製造される。なお、上述の製造工程では、半導体発光素子として、半導体レーザ素子を製造しているが、それに限定されるものではなく、LED等の半導体発光素子の製造工程としても利用可能である。上述した本発明の半導体発光素子の製造方法を用いて、半導体発光素子の一例である、半導体レーザ素子Aを作製し、その劈開面について観察した。本発明にかかる半導体レーザ素子Aのストライプ状の凹溝40、第1補助溝41、第2補助溝42、第3補助溝の各寸法について、図面を参照して説明する。なお、実施例1における各寸法は、図1に例示するように、共振器の長さ共振器面と共振器面の間隔が約600μm、ストライプ状の凹溝40の幅Ws11が約5.0μm、深さD21が5μm、隣接するストライプ状の凹溝40同士の間隔が約400μmである。図2Bに示すように、第1補助溝41の底部の深さD11は、ストライプ状の凹溝40の底部の深さD21より深く形成されており、ここでは5μm<D11≦80μmとしている。第1補助溝41を深く形成しすぎると、その後のハンドリングが困難になるため、第1補助溝41を形成した後のn型窒化物半導体基板1の膜厚が30μm以上になるよう形成することが好ましい。また、第1補助溝41の分割線方向X方向の長さWs21は、ストライプ状の凹溝40の幅より長く形成されていることが好ましく、具体的には5μm<Ws21<250μmである。劈開は、結晶の特定方向への割れやすさを利用し、特定結晶面に亀裂を生じさせて分割する。そのため半導体発光素子の製造において、表層から結晶特定面に亀裂を生じさせて、亀裂を伝播させ、分断する。ストライプ状の凹溝40より深く形成した、第1補助溝41をリッジ部28の直近に配置すると、第1補助溝41の様々な深さの終端部分から亀裂が走り、良好な劈開面が得られない。このため、第1補助溝41からリッジ部28までの長さWs51は50μm以上離間しているWs51>50μmことが好ましい。以上のことより、実施例1における各寸法は、第1補助溝41の分割線方向X方向の長さWs21は40μm、深さD11は80μmである。第1補助溝41の製造工程において、分割線方向の長さWs21が約40μm、スクライブ深さD11が約80μmとなるように、レーザスクライブ装置の動作条件を制御している。図2Bに示すように本実施例における各寸法は、第2補助溝42の底部の深さD01は、ストライプ状の凹溝40の底部より浅く形成されていることが好ましく、具体的には0.1μm≦D01≦5μmである。第2補助溝42の分割線方向の長さWs31は、第1補助溝41の分割線方向の長さWs21より長い、すなわち、Ws21<Ws31となる。また、第2補助溝42の分割線方向の先端からリッジ部28先端までの長さWs41は5μm以上であることが好ましい、第2補助溝42の分割線方向の長さWs41は、Ws41≧5μmとなる。そして、第2補助溝42の長さWs31は、Ws21<Ws31<360μmである。実施例1では、第2補助溝42の分割線方向X方向の長さWs31は、約140μm、深さD01は約1μmである。第3補助溝43の底部の深さDp不図示は、ストライプ状の凹溝40の深さD21より浅く0.1μm≦Dp≦5μmで形成する。長さは100μm以上の長さで構成する。本実施形態における寸法では、第3補助溝43の分割線方向X方向の長さは、約1000μm、深さDpは約1μmである。従来のストライプ状の凹溝を形成した窒化物半導体基板ここでは{202-1}の半極性面基板に適用の上面に窒化物半導体層を形成した窒化物半導体ウエハを、ダイヤモンドスクライブによる1種類の分割補助溝を形成して劈開したとき、劈開面の分割線からのズレが40μm以下に収まる確率は約58であり、同じくズレが5μm以下の範囲に収まる確率は44であった。一方、実施例1の構成の窒化物半導体ウエハWh1を劈開するとき、劈開面のズレが分割線Xaから40μm以下に収まる確率は84、同じくズレが5μm以下の範囲に収まる確率は、79となった。以上のことより、実施例1のように、第1補助溝41及び第2補助溝42を形成した窒化物半導体ウエハWh1を劈開することで、劈開面を高い精度で制御でき、良好な劈開端面を得ることができることがわかる。このことから、本発明にかかる半導体発光素子の製造方法を利用することで1枚の半導体ウエハ窒化物半導体ウエハから得られる半導体発光素子の良品の数割合を増加させることができ、歩留まりを向上させることができる。なお、レーザの共振器長、窒化物半導体ウエハWh2の形状は、ここで例示した寸法に限定されず、各補助溝の寸法も適宜変更することができる。第1の実施形態の変形例図4は窒化物半導体ウエハの他の例の拡大平面図である。第1補助溝および第2補助溝は、図2Aに示すように、第1補助溝41と第2補助溝42の中心で、ストライプ状の凹溝40が直交する構成に限定されるものではない。図4に示すように第1補助溝41が、窒化物半導体ウエハWh1のY方向に伸びるストライプ状の凹溝40を、直交する位置において、その一部がストライプ状の凹溝40に掛かるように配置しても良い図4参照。なお分割におけるブレーク刃BLの傾きは、第1補助溝41の片寄った側に仰角で構成することが好ましい。なお各補助溝の長さ、幅、深さなどの寸法、製造方法、及び効果は、上記実施例と同様である。このような構成であっても、劈開面を高い精度で制御でき、良好な劈開端面を得ることができることがわかる。このことから、本発明にかかる半導体発光素子の製造方法を利用することで1枚の半導体ウエハ窒化物半導体ウエハから得られる半導体発光素子の良品の数割合を増加させることができ、歩留まりを向上させることができる。第2の実施形態本発明の半導体発光素子の製造方法の他の例にいて図面を参照して説明する。図5は窒化物半導体ウエハの他の例の概略平面図であり、図6は図5に示す窒化物半導体ウエハの断面図である。図5に示すように、窒化物半導体ウエハWh2の分割線Xaは、図2Aに示す窒化物半導体ウエハWh1と同じであり、詳細は省略する。また、窒化物半導体ウエハWh2では、第1補助溝51及び第2補助溝42が異なる以外は、窒化物半導体ウエハWh1と同じであり、実質上同じ部分の説明は省略する。図5、図6に示すように、窒化物半導体ウエハWh2には、分割線Xa上に3個の第1補助溝41a、41b、41cが形成されている。第1補助溝41aは、分割線Xaのストライプ状の凹溝40と重なる部分に、ストライプ状の凹溝40がその中心を通るように配置されている。さらに第1補助溝41aと所定の距離例えば、50μm離間して、ストライプ状の溝を中心として左右対称な位置に、第1補助溝41aと同じ、第1補助溝41b、41cが形成されている。すなわち、3個の第1補助溝41a、41b、41cは第1補助溝41aを中心として、分割線Xaの分割線方向X方向に直線状に配列されている。図5、図6に示すように、二つの離間したリッジ部28で挟まれた領域に、3個の第1補助溝41a、41b、41cを分割線Xa上に破線状断続的に配置されている。なお、本実施形態において、この破線状に形成された3個の第1補助溝41a、41b、41cを、まとめて第1補助溝41とする。次いで、窒化物半導体ウエハWh2の分割線Xaの分割線方向において、これら第1補助溝41と重なるように、ストライプ状の凹溝40より浅く、且つ、ストライプ状の凹溝40が中央を通るように第2補助溝が形成される。図5、図6に示す窒化物半導体ウエハWh2では、第1補助溝41の中央部の第1補助溝41aの分割線方向の長さは、ストライプ状の凹溝40の内壁面に形成された窒化物半導体層2をすべて取り除くことができるように、ストライプ状の凹溝40の分割線方向の幅より長く形成されている。また第2補助溝42の分割線方向の長さは、第1補助溝41の長さ3個の第1補助溝41a、41b、41cが一連の破線状に配置されている領域の長さより長く、両端部がリッジ部28より所定の間隔以上例えば、5μm以上離間した距離で形成されている。また、図5に示すように、窒化物半導体ウエハWh2の窒化物半導体層2側の上面から、ストライプ状の凹溝40と交差する分割線Xa上において、窒化物半導体ウエハWh2の片側の端部に連通するように、第3補助溝43が形成されている。第3補助溝43の深さは、ストライプ状の凹溝40の底部の深さより浅く形成する。第3補助溝43の長さは、100μm以上であることが好ましい。なお、第3補助溝43は、窒化物半導体ウエハWh1に形成されている第3補助溝43と同じものであるので詳細は省略する。図5、図6に示したように、窒化物半導体ウエハWh2の窒化物半導体層2側から、分割線Xaのストライプ状の凹溝40と交差する部分に、ストライプ状の凹溝40が中心を通るようにレーザスクライブ装置で、レーザ照射をウエハの分割Xa上に破線状に走査して、第1補助溝4141a、41b、41cを形成する。なお第1補助溝41aと第1補助溝41bとの間及び第1補助溝41aと第1補助溝41cとの間は、例えば50μm以上離間して形成されることが好ましい。なお、第1補助溝41a、41b、41cはレーザ光を照射するときに、断続的に照射することで、同時に成形してもよいし、それぞれ、別途成形してもよい。窒化物半導体ウエハWh2の各寸法は、図5、図6に例示するように共振器の長さが約600μm、ストライプ状の凹溝40の幅Ws02が約5μm、深さD22が約5μm、隣接するストライプ状の凹溝40同士の間隔が約400μmである。第1補助溝41a、41b、41cはともに等しい深さD12を有する構成となっている。第1補助溝41の深さD12は、ストライプ状の凹溝40の深さD225μmより深く、ここでは5μm<D12≦80μmで形成される。なお、第1補助溝41を深く形成しすぎると、その後のハンドリングが非常に困難になるため、第1の補助溝53を形成した後の膜厚が30μm以上になるよう形成することが好ましい。第1補助溝41aの分割線方向の長さWs22は、ストライプ状の凹溝40の分割線方向の幅より長く、5μm<Ws22<65μmである。ストライプ状の凹溝40より深く形成した、第1補助溝41をリッジ部28の直近に配置すると、第1補助溝41の様々な深さの終端部分から亀裂が発生し、良好な劈開面が得られない。このため、リッジ部28から50μm以上離間した長さで第1補助溝4141b又は41cを形成することが好ましい。本実施形態における寸法では、第1の補助溝41a、41b、41cの分割線方向の長さWs22は約60μm、深さD12は約80μmである。つまり、窒化物半導体ウエハWh2のスクライブ時において、深さD12が、約80μmとなるように、レーザスクライブ条件を調節する。なお、レーザ光のエネルギーにより、溝内部の表面または溝周辺の露出表面に、窒化物半導体層を構成する金属元素の飛散物デブリが付着するのを防止するため、第1補助溝41形成前に、レジストや保護膜を形成することが好ましい。図5、図6に示すように、ダイヤモンドスクライブなどのスクライブによって、窒化物半導体ウエハWh2の窒化物半導体層2側の上面から、ストライプ状の凹溝40と交差する分割線Xa上に、ストライプ状の凹溝40が中心を通り、かつ、第1補助溝41に重なるように、第2補助溝42を形成する。なお、本実施例における第2補助溝42の分割線方向の長さWs32は、第1補助溝41の分割線方向の長さより長い、すなわち、180μm<Ws32となる。また、第2補助溝42の分割線方向の先端からリッジ部28先端までの長さWs41は5μm以上であることが好ましい、第2補助溝42の分割線方向の長さWs41は、Ws41≧5μmとなる。そして、第2補助溝42の長さWs32は、180μm<Ws32<360μmである。実施例1では、第2補助溝42の分割線方向X方向の長さWs31は、約220μm、深さD01は約1μmである。第3補助溝43の深さは、ストライプ状の凹溝40の深さより浅く形成する。なお、第3補助溝43の長さは、100μm以上であることが好ましい。またレーザの共振器長、窒化物半導体ウエハWh2の形状は、ここで例示した寸法に限定されず、それに応じて各補助溝の寸法も適宜変更することができる。第1補助溝41を、図5、図6に示す、窒化物半導体ウエハWh2のように構成することで、第1の実施形態と同様の効果が得られる。これにより、高い精度で分割位置を制御でき、良好な劈開端面を得ることができ、歩留まりを上げることができる。第3の実施形態本発明の半導体発光素子の製造方法の他の例について、図面を参照して説明する。図7は窒化物半導体ウエハの他の例の概略平面図であり、図8は図7に示す窒化物半導体ウエハの第1補助溝の拡大平面図であり、図9は図7に示す窒化物半導体ウエハの概略断面図である。図7に示す窒化物半導体ウエハWh3は、第1補助溝51及び第2補助溝52が異なる以外は、第1の実施形態に示す窒化物半導体ウエハWh1と同じ構成を有しており、実質上同じ部分には、同じ符号を付すとともに、実質上同じ部分の説明は省略する。図7に示すように、窒化物半導体ウエハWh3は、分割線Xaのストライプ状の凹溝40と交差する部分に、分割線方向X方向の両先端が尖った六角形の第1補助溝51を備えている。なお、第1補助溝51は分割線Xa上に、六角形の先端部が重なるように形成されている。また、第2補助溝52は、分割線Xa上で第1補助溝51の中心と重なる位置に形成されている。第1補助溝51及び第2補助溝52は分割線Xa上に配列される。窒化物半導体ウエハWh3は、ストライプ状の凹溝40より深い第1補助溝51とストライプ状の凹溝40より浅い第2補助溝52の少なくとも二種類の補助溝を分割線Xaに沿って複数個配置して、それに沿って劈開される。また、第1補助溝51の分割線方向の長さは、第2補助溝52の分割線方向の長さよりも短い。また、第3補助溝43は上述の第1実施形態及び第2実施形態と同じ構成であるので、詳細は省略する。製造方法本発明の第3の実施形態で示す、窒化物半導体レーザ素子の製造方法について、図7~図10A、図10B、図16に基づいて説明する。なお、図10Aは、図16に示すエッチングを行うときのマスクパターンを示す図であり、図10Bは第1補助溝を形成する六角形以外の領域を残したマスクパターンを示す図である。図10Aに示すように、ストライプ状の凹溝40となる部分以外の領域にレジスト層12を形成し、RIE法等のドライエッチング法を用いて、図16に示すような、ストライプ状の凹溝40を形成するための凹部10を形成する。さらに、溝加工を凹部を形成したn型窒化物半導体基板1の成長主面1aに窒化物半導体層2を成長させる。これにより、ストライプ状の凹溝40が形成される。次いで窒化物半導体層2上に、SiO2膜などのレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて分割線Xa上に、図9に示すような六角形状の第1補助溝51がストライプ状の凹溝40中央部と直交するように、形成されるよう、図10Bの六角形511以外の領域をSiO2膜などによってマスクパターンを形成する。続いて、ICPまたはRIE等のドライエッチングを用いて、第1補助溝51を形成する。なおマスクパターンに用いる膜は、SiNなどの窒化膜でも良い。ここで例示する各寸法は、図9に例示するように、共振器の長さが約600μm、基板上のストライプ状の凹溝40の幅Ws13Ws03が2.5μmが約5μm、深さD03が5μm、隣接するストライプ状の凹溝40同士の間隔が約400μmである。図7、図8に例示する第1補助溝51の形状は、分割線方向に細長い六角形の形状であり、その各寸法は、第1補助溝51の深さD13は、ストライプ状の凹溝4の深さD03より深く、ここでは5μm<D13≦80μmで形成する。第1補助溝51を深く形成しすぎると、その後のハンドリングが非常に困難になるため、第1補助溝51を形成した後の膜厚が30μm以上になるよう形成することが好ましい。なお、ICPまたはRIE等のドライエッチングを用いて第1補助溝51を形成した場合、もともとの表面形状からエッチングされるため、図9に示されるように第1補助溝の深さD13は、ストライプ状の凹溝40と交わる部分で一段深く形成される。第1補助溝51の分割線方向の長さは、ストライプ状の凹溝40の幅Ws11より長く、5μm<Wr1<250μmで形成する。また、リッジ部28から50μm以上離間して形成されている。なお、第1補助溝51の分割線方向の先端の角度は、10°≦θb<90°で、第1補助溝の幅Wr2は、Wr2≦50であることが好ましい。本実施形態において第1補助溝51の各寸法は、第1補助溝51の長さ分割線方向の長さWr1は100μm、幅Wr2は10μm、深さD13は10μmである。このとき、窒化物半導体ウエハWh3のドライエッチングの深さD13が、約10μmとなるように、エッチング条件を調節している。その後HFフッ化水素などのエッチャントを用いて、SiO2層を除去する。続いて、フォトリソグラフィ技術を用いて、ストライプ状細長状のリッジ部28図21~23参照が形成される。以下、上述と同様の方法で、p側電極31を形成し、研削と研磨を行ってn型窒化物半導体基板1を100μm程度の厚みまで薄くする。次いでn側電極32を形成し、本実施形態による窒化物半導体ウエハWh3が形成される。次いで、ダイヤモンドスクライブなどのスクライブによって、窒化物半導体ウエハの窒化物半導体層側の上面から分割線Xa上で、ストライプ状の凹溝40と交差する位置に、ストライプ状の凹溝40が中心を通り、かつ第1補助溝51に重なるように、第2補助溝52を形成する。なお、本実施形態における第2補助溝52の各寸法は、前記第1の実施形態と同様であり、詳細は省略する。次いで、ダイヤモンドスクライブ法等によって、窒化物半導体ウエハWh3の窒化物半導体層2側から、分割線Xa上のストライプ状の凹溝40と交差する部分から窒化物半導体ウエハwh3の片側の端部に連通するよう、第3補助溝53を形成する。なお、第3補助溝53は上述した第1の実施形態の窒化物半導体ウエハWh1と同じ構成であり、詳細については省略する。また、劈開についても上述の第1の実施形態と同じであるので詳細を省略する。また、第3の実施形態にかかる半導体発光素子の製造方法では、劈開予定位置分割線上に前述のような二種の補助溝第1補助溝51、第2補助溝52を形成し、これを分割に用いる。これによって、第1の実施形態と同様の効果が得られるため、高い精度で分割位置を制御でき、良好な劈開端面を得ることができる。さらに、第1補助溝51をドライエッチングによって形成することによって、正確な形状の第1補助溝51を形成することができる。よって歩留まり良く、高い精度で分割位置を制御できる。また第1補助溝51の形状が図8のように先端が尖った形成することによって、高い確率で劈開の亀裂の発生位置を第1補助溝51の先端の尖った部分とすることができる。これによって高い精度で分割位置を制御でき、良好な劈開端面を得ることができ、歩留まりを向上させることができる。第4の実施形態本発明の半導体発光素子の製造方法の他の例について、図面を参照して説明する。図11は窒化物半導体ウエハの他の例の概略平面図であり、図12は図11に示す窒化物半導体ウエハの第1補助溝の拡大平面図である。図11に示す窒化物半導体ウエハWh4は、第1補助溝61及び第2補助溝62が異なる以外は、第1の実施形態に示す窒化物半導体ウエハWh1と同じ構成を有しており、実質上同じ部分には、同じ符号を付すとともに、実質上同じ部分の説明は省略する。図11に示すように、窒化物半導体ウエハWh4は、分割線Xa上のストライプ状の凹溝40と交差する部分に、台形状の第1補助溝61が形成されている。図11、図12に示すように、第1補助溝61の形状は、下底が分割線Xaと重なった台形形状である。その各寸法は、第1補助溝61の深さD14は、ストライプ状の凹溝40の深さより深く、ここでは5μm<D14≦70μmで形成される。第1補助溝61を深く形成しすぎると、その後のハンドリングが非常に困難になるため、第1補助溝61を形成した後の膜厚が30μm以上になるよう形成することが好ましい。なお、ICPまたはRIE等のドライエッチングを用いて第1補助溝61を形成した場合、もともとの表面形状からエッチングされるため、第1補助溝61の深さは、ストライプ状の凹溝40と交わる部分で一段深く形成される。第1補助溝61の分割線方向X方向長さWr3は、ストライプ状の凹溝40の幅Ws14より長く、5μm<Wr3<250μmで形成する。また、第1補助溝61は、リッジ部28から50um以上離間した長さで形成されていることが好ましい。なお第1補助溝61の分割線方向の先端の角度θcは、10°≦θc<60°で、第1補助溝61の分割方向Y方向の幅Wr4は、Wr4≦50であることが好ましい。なお、具体的には、窒化物半導体ウエハWh4において、第1補助溝61の分割線方向の長さWr3は100μm、幅Wr4は20μm、深さD14は10μmである。このとき、窒化物半導体ウエハwh4のドライエッチングh深さD14が、約10μmとなるように、エッチング条件を調節する。製造方法本実施例においては、第3実施形態と同じ製造方法によって、製造することができる。以上示した第4の実施形態の製造方法では、亀裂が第1補助溝61の先端部分より発生する。これによって、第3の実施形態と同様の効果をえることができる。すなわち、高い精度で劈開位置を制御でき、良好な劈開端面を得ることができる。よって、1枚のウエハから得られる良品の数を増加させることができ、歩留まりを向上させることができる。上述の各実施形態において、半導体発光素子として半導体レーザ素子を例に説明しているが、これに限定されるものではなく、例えば、LED素子等であっても、同じ製造方法で、歩留まり良く製造することができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこの内容に限定されるものではない。また本発明の実施形態は、発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の改変を加えることが可能である。