太陽電池用シリコンウェハー4の機械的テクスチャリングを行うための装置1であって、複数の炭化タングステン先端部3、30、31、並びに、炭化タングステン先端部がスライド可能なように炭化タングステン先端部をそれぞれが保持することができる複数の凹部20、及び、シリコンウェハーの厚さの変化によらず、前記シリコンウェハーに対して一定の圧力をかけ続けるための手段を含む支持体2を含む、太陽電池用シリコンウェハー4の機械的テクスチャリングを行うための装置1。前記支持体が、前記先端部が自由にスライド可能なように前記先端部を保持できる、請求項1に記載の装置。押圧力をかける前記手段が、前記先端部3、30、31のそれぞれの固有の重量から成る、請求項2に記載の装置。前記先端部が、直線状の三角柱形状をした下側部分31を有し、前記先端部を保持できるように、三角形の頂点の角度が前記凹部20の頂点200よりも小さい、請求項1から3の何れか一項に記載の装置。前記先端部31の三角形の頂点の角度が30-45°である、請求項4に記載の装置。エッチング間隔dが5-40μmである、請求項1~5の何れか一項に記載の装置。0.1-2Nの一定の押圧力が印加される方法に従って、請求項1から6の何れか一項に記載の装置1によって実施される、太陽電池用シリコンウェハー4を機械的テクスチャリングする方法。0.3-1Nの一定の押圧力が印加される、請求項7に記載の方法。前記押圧力の少なくとも一部が、前記先端部に加えられるガスの圧力によって生み出される、請求項7又は8に記載の方法。前記支持体が5-100mm/sの速度で移動する、請求項7から9項の何れか一項に記載の方法。表面に5-50μmの深さの均一なエッチングパターンを有する、請求項7から10の何れか一項に記載の方法によって得られる太陽電池用多結晶シリコンウェハー4。本発明の目的は、太陽電池会社の生産規定に準拠した速度で、5-50μmの欠陥を持つ領域上に、5-50μmの特徴寸法の均一なエッチングパターンを形成することで、シリコンウェハーのテクスチャリングを実現する手法を提案することである。より一般的な目的は、簡便及び効率的な実装手法を提案することである。これを達成するために、本発明の目的は、複数の炭化タングステン先端部、並びにスライド可能な炭化タングステン先端部を保持できる凹み部を複数備える支持体、を含む太陽電池用シリコンウェハーを機械的にテクスチャリングするための装置、及び、複数の先端部それぞれがシリコンウェハーの厚さに依らず一定の力でシリコンウェハー上に押し付けられる状態を維持する手法である。支持体は、自由にスライドできるように先端部を保持できることが好ましい。押し付けを維持する手法は、先端部のそれぞれの固有の重量によって構成されるとさらに有利である。言い換えると、本発明によれば、機械的なエッチングによるテクスチャリングは、数十マイクロメートルのスケールで平坦ではないシリコンウェハーをテクスチャリングするための、適切な押圧力の自己調整システムによって達成される。平坦度の欠陥に関連する困難を解決するため、本発明では、エッチングされる表面のレベルの変化に追従して、複数のエッチング先端部が自由にスライドするシステムを用いる。したがって、エッチングされる表面の幾何学的なレベルによらず、押圧力は、先端部の重量に等しいままである。先端部の垂直方向の変位は、支持体によって導かれる。加重質量を用いたエッチングの原理は既知のものであると考え得るが非特許文献4、この文献非特許文献4、米国4821250A、に記載されている手法は、1つの先端部で局所的に溝をエッチングするという場合に適用される。しかしながら、本発明の原点における問題の特徴は、テクスチャリング時間の仕様に準拠するために、全体的に、すなわちエッチングする全面を同時に、シリコンウェハーをテクスチャリングする必要性である。従って、本発明に従う装置は、先端部が挿入される凹部を有する構造部支持体を含む。これらの凹部は、エッチング間隔を定義する距離dにより、互いにオフセットされている。凹部はアセンブリの機械的結合を保証するため、互いに分離されている。凹部の下部は台形型をしており、その頂点の角度は、先端部が垂直にスライドできるように、先端部の角度よりも大きい。従来の太陽光発電用途に用いられる典型な深さである5-20μm程度のエッチングプロファイルを得るには、押圧力は0.1-2N、及び優先的には0.3-1Nが好ましい。そして、シリコンウェハーがストレスに耐えることができることはどのような方法であれ明確ではなかったが、実施されたテストでは、ウェハーが相当な初期の割れを持っていない限り、最大2Nの押圧力まで耐えることができた。他の一つの問題は、システムの幾何学的な制約に関するものである。実際、先端部の寸法底辺L×l、及び高さHの平行六面体に類似しているとエッチングゾーンA及びBの寸法は、以下の式で関連づけられる。k×Le1=A、及び、n×1e2=B装置は下記式に従うエッチング間隔dの制約によっても指定される。n×d=Le1寸法、及び整数を定義するために使用される文字の参照は図2及び図3に示される。長さAは、テクスチャするウェハーの寸法によって決定され、一般的にA=15cmとする。問題を明確にするために、凹部及び間隔の寸法については、妥当な値を採用し、L=4mm、l=2mm、e1=e2=1mm、及び20μmのエッチング間隔dとする。上記の関係が以下の値を与える:k=30、n=250、B=0.75m。もしかしたらこのようなBの値が高いと思われるかもしれないが、特にY方向に並んだいくつかのシリコンウェハーをテクスチャすることができるならば、工業的用途にはまったく問題ない。寸法Bを減少させるには2つの可能性が考えられる。エッチング方向Yと垂直なX方向の機具の相殺により、複数の段階でテクスチャリングすることである図2及び図3の方向に関して参照のこと。。これは、同等の上記条件の再定義を意味する:n×d=Le1を、n×d=Le1/jとし、ここでjは整数である。Lの値が与えられるため、因子jによりn、及びBを減少することができる。しかし、生産性の理由のため、この手法はjの値が3より大きい場合には現実的ではない。Bを減らすための別の選択肢は、lの寸法を減少することだが、容認できない高さHを必要とせずに妥当な質量を達成する、という問題が課せられる。実際に、3.2kg/m3程度の密度ρを有する炭化ケイ素のような材料は、底部4×2mm2の平行六面体で0.5Nの力に達するには、ほぼ2mの高さを必要とし、デバイスの体積、及び先端部の脆弱性という明確を引き起こす。これは根本的な問題であり、Bを最大値である0.75mに維持し、j=5段階でテクスチャリングしても、これらの問題が解決できない。実際に、値L=4mm、e1=1mmと20μmのエッチング間隔dで、k=30、n=50となる。B=0.75mとe2=1mmを維持することで、前の例では2mmであったlと比較して1.4cmを取ることが可能である。これらの工業的構成では現実的ではない極端な条件下でさえ、Hの値は28センチを超え、装置の制約と先端部の脆弱性の問題が再び出てくる。ダイヤモンドρ=3.5kg/m3の利用は、コストの面での問題を引き起こし、限られた改善しかない10のみのHの削減。シリコンと互換性があることで有名な硬い材料ダイヤモンドと炭化ケイ素は、したがって、本発明を実施するためには適していない。この困難に対応するため、本発明者らはエッチング材料として、密度が15kg/m3より大きく、ダイヤモンドや炭化ケイ素に比べて本物の技術的ブレークダウンの余地を残す炭化タングステンを試すことを決めた。そして、タングステンは少数キャリアの寿命にとって最も有害な金属のひとつであり、太陽電池効率を低下させるので、太陽電池用シリコンウェハーのエッチング用材料として、この材料を使用する明確なものはなかった非特許文献5。例として、10億分の1程度ppb、又は同等の意味で、5×1013at/cm3の含有量はp型シリコンで太陽電池の効率を40以上低下させるのに十分である。しかし、実施されたテストは、ウェハーの電子特性は影響を受けなかったことを示し、炭化タングステンを選択することの有効性を示すことができた。本発明の実施では、先端部の下側部分は直線状の三角柱形状をしており三角形頂点は20°-60°、優先的に30°-45°のような角度が選択される。先端部の上側部分は、優先的に平行六面体であるが、他の形状を想定することができる。平行六面体形状の場合、特徴寸法は以下のとおりである。2-15mmの長さL。1-5mmの幅l。1-25cmの高さH。隣接する2つの先端部を隔てる距離として定義されるエッチング間隔dは、好ましくは5-100μm、優先的には5-40μmの間に選択される。移動速度は5-100mm/s、及び優先的に10-30mm/sとなる。構造部分は好ましくは、鋼、又はニッケルを基にした超合金の材料から製造する。どのような選択の構成であっても、ウェハーあたりのエッチング先端部の数は非常に多く、典型的には常に数千個であることに留意すべきである。そのため、それぞれの凹部内の先端部の挿入を自動化することが有利にできる。本発明の別の形では、先端部の押圧力を増加するために気体の圧力が加えられる。例として、10mm2の面積上の1barの圧力は、1Nの力に相当する。この動作モードは、エッチングするウェハーの幾何学的なレベルに依存しない押圧力を保持する原理を可能にするが、十分な面積L×lの先端部を有する必要性が再び生じる。本発明のいくつかの利点は、次のとおりである。光閉じ込めの最適化を可能にするための、ピラミッド構造以外のテクスチャリングプロファイルを達成する可能性。異なる幾何学的形状の先端部を選択することによって、これらの多様なプロファイルが達成できる。先端部の幾何学的特徴の変化によって、押圧力を調整する可能性。摩耗部品である先端部が、粉末冶金型の低コスト技術を用いることで、製造できる。画像処理と組み合わせることでウェハーの表面から不良エッチングの同定を可能にし、摩耗した先端部のみを選択的に交換することができる。非常に短いテクスチャリング時間と、Y方向に互いに隣接するように配された複数のウェハーを同時にエッチングできる可能性。そのため本発明の目的は、太陽電池用の、特に多結晶シリコンウェハーに関するものであり、その表面は5-50μmの深さの均一なエッチングパターンを含む。他の利点及び特徴は、以上の図面を参照して、例示的な目的のために与えられた説明を読むことで、より明確にわかる。図1に示すように、本発明1に従う装置は、複数の独立した先端部3が自由にスライドできるように固定されている、支持体2を含む。凹部20の上側部分は平行六面体形状であり、その下側部分21には台形状の頂点200で角度を有する。先端部の上側部分30は平行六面体形状であり、下部31は直線状の三角柱形状である。エッチング位置では先端部3の三角形部分31は、ウェハー4の厚さの変化に関わらず、一定の力でシリコンウェハー4に圧力をかけている。先端部は、好ましくは、フリッティング技術を用いて、炭化タングステンで作製される。下側の三角形先端部分31の頂点の角度は、支持体2の下側部分21の角度200より小さい30°である。先端部3の上側の平行六面体部分30の寸法は、通常、次のとおりである。L=5mm、l=2mm、及びH=20cm。先端部用の凹部20は、e1=e2=1mmで隔てられている。炭化タングステンの典型的な密度15kg/m3では、先端部3当たり30gの質量であることがわかり、したがって各先端部は固有の重量によって0.3Nのオーダーの押圧力となる。間隔20μmのテクスチャリングは3段階で優位に達成される。図2に従う装置を用いることで1つの段階で、又は図3に従う装置を用いることで2つの段階で、達成することも可能である。3段階でのテクスチャリングの場合、構造部や支持部2は、ステンレス鋼から製造され、A=15cm、B=30cmの寸法である機能領域、すなわちエッチングされるべき領域に対応する領域、を備える。支持部2の外部寸法はA’=20cm、B’=35cm、及びC’=15cmである。Aと一方ではA’、Bと一方ではB’、の間の違いは、炭化タングステンのエッチング先端部3の凹部20を含む領域A×Bを囲む、支持体2の機械的補強と関係する。支持体2に保持される先端部3を持つ装置は、寸法が15×15cm2である2枚のシリコンウェハー上の端から端まで占める形で配置される。それから支持体2は、テクスチャリングを達成するため、ウェハー両端上を20mm/sの速度で移動する。エッチングの残渣は、圧縮空気で吹き付けることによって取り除かれる。酸性溶液中での軽いすすぎ洗いも用いることができる。