"絶縁性の台座と、前記絶縁性の台座の上面に配置されたチップと、前記絶縁性の台座の上面に前記チップを囲むように配置された低電圧電極とを備え、前記チップは、第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層の上面の一部に形成された第2導電型半導体領域と、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体領域の上面を覆う表面保護膜と、前記第1導電型半導体層に接続された第1電極と、前記表面保護膜に設けられた開口を介して前記第2導電型半導体領域に接続され、前記第1電極よりも低い電圧が印加される第2電極と、を有し、前記低電圧電極は、前記第1電極よりも低い電圧が印加されることを特徴とする光半導体装置。前記低電圧電極は、前記第2電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。前記低電圧電極と前記第2電極との間に接続されたインピーダンスが20Ω以上の高インピーダンス部を更に備えることを特徴とする請求項2に記載の光半導体装置。第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層の上面の一部に形成された第2導電型半導体領域と、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体領域の上面を覆う表面保護膜と、前記第1導電型半導体層に接続された第1電極と、前記表面保護膜に設けられた開口を介して前記第2導電型半導体領域に接続され、前記第1電極よりも低い電圧が印加される第2電極と、前記表面保護膜上に前記第2電極を囲むように配置され、前記第1電極よりも低い電圧が印加される低電圧電極と、前記第2電極を囲むように前記低電圧電極と前記第2電極の間に配置され、前記第2電極や前記低電圧電極よりも高い電圧が印加される高電圧電極とを備えることを特徴とする光半導体装置。前記表面保護膜の端部を覆う金属膜を更に備えることを特徴とする請求項4に記載の光半導体装置。前記高電圧電極は、前記第1導電型半導体層と電気的に接続されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の光半導体装置。第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層の上面の一部に形成された第2導電型半導体領域と、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体領域の上面を覆う表面保護膜と、前記第1導電型半導体層に接続された第1電極と、前記表面保護膜に設けられた開口を介して前記第2導電型半導体領域に接続され、前記第1電極よりも低い電圧が印加される第2電極と、前記表面保護膜上に前記第2電極を囲むように配置され、前記第1電極よりも低い電圧が印加される低電圧電極とを備え、前記表面保護膜には、前記第2電極を囲むように前記低電圧電極と前記第2電極の間に開口が設けられ、前記開口から前記第1導電型半導体層が露出していることを特徴とする光半導体装置。第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層の上面の一部に形成された第2導電型半導体領域と、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体領域の上面を覆う表面保護膜と、前記第1導電型半導体層に接続された第1電極と、前記表面保護膜に設けられた開口を介して前記第2導電型半導体領域に接続され、前記第1電極よりも低い電圧が印加される第2電極と、前記表面保護膜上に前記第2電極を囲むように配置され、前記第1電極よりも低い電圧が印加される低電圧電極とを備え、前記第2電極を囲むように前記低電圧電極と前記第2電極の間において前記第1導電型半導体層の表面に溝が形成され、前記溝を覆うために前記表面保護膜上に形成された金属膜を更に備えることを特徴とする光半導体装置。絶縁性の台座と、前記絶縁性の台座の上面に配置されたチップと、前記絶縁性の台座の上面に前記チップを囲むように配置された高電圧電極とを備え、前記チップは、第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層の上面の一部に形成された第2導電型半導体領域と、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体領域の上面を覆う表面保護膜と、前記第1導電型半導体層に接続された第1電極と、前記第2導電型半導体領域に接続され、前記第1電極よりも高い電圧が印加される第2電極と、を有し、前記高電圧電極は、前記第1電極よりも高い電圧が印加されることを特徴とする光半導体装置。光半導体装置の周囲にはチップコンデンサ、金ワイヤ、プリアンプ、抵抗、キャリアなどの多くの部品が用いられ、光半導体装置を実装するためにステムなどのパッケージも用いられる。これらの部材には荷電イオンが少なからず付着している。この荷電イオンは電圧を印加しているところに引き寄せられる性質がある。従って、マイナスバイアスを印加しているアノード電極17の周囲にはプラスイオンが引き寄せられる。これによりチップ上面にリーク電流が流れはじめる。その結果、アノード電極17からn型InP層13へ電流が流れる。光半導体装置を湿度の高い雰囲気で使用すると、水分のある状態でチップ上面にリーク電流が流れて腐食が発生する。この腐食は表面保護膜15を侵食し、さらに電流が増加する。その結果、チップ表面に変色劣化部101が発生する。この変色は、表面保護膜15の端からアノード電極17に向かって発生する。また、アノード電極17を基点に周囲に沿って発生する場合もある。この変色が進むと最終的にはショートやオープンが発生するという問題があった。このため、従来の光半導体装置は湿度の高い雰囲気では使用することができなかった。また、光半導体装置をキャップなどでハーメチックシールする場合でも、キャップ内に水分が入らないように厳密に管理する必要があった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、耐湿性を向上させることができる光半導体装置を得るものである。本発明に係る光半導体装置は、絶縁性の台座と、前記絶縁性の台座の上面に配置されたチップと、前記絶縁性の台座の上面に前記チップを囲むように配置された低電圧電極とを備え、前記チップは、第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層の上面の一部に形成された第2導電型半導体領域と、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体領域の上面を覆う表面保護膜と、前記第1導電型半導体層に接続された第1電極と、前記表面保護膜に設けられた開口を介して前記第2導電型半導体領域に接続され、前記第1電極よりも低い電圧が印加される第2電極と、を有し、前記低電圧電極は、前記第1電極よりも低い電圧が印加されることを特徴とする。本発明により、耐湿性を向上させることができる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る光半導体装置を示す斜視図である。この光半導体装置は、光通信用アバランシェフォトダイオードである。n型InP基板11上に、n型InGaAs光吸収層12と、窓層及び倍増層であるn型InP層13第1導電型半導体層とが順番に積層されている。選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、n型InP層13の上面の一部にp型InP領域142導電型半導体領域が形成されている。n型InP層13及びp型InP領域14の上面は表面保護膜15により覆われている。n型InP基板11の下面にカソード電極16第1電極が接続されている。p型InP領域14の上面に、輪っか状のアノード電極17第2電極が接続されている。このアノード電極17で囲まれた領域が受光部18である。また、アノード電極17にはカソード電極16よりも低い電圧が印加される。そして、本実施の形態では、アノード電極17を囲むように低電圧電極19が配置されている。この低電圧電極19にはカソード電極16よりも低い電圧が印加される。これにより、光半導体装置の周囲に存在するプラスイオンは、低電圧電極19にトラップされるため、アノード電極17の周辺には集まってこない。従って、変色劣化が発生し難くなるため、耐湿性を向上させることができる。図2は、低電圧電極に印加する電圧を変えて変色劣化した素子の割合を測定した結果を示す図である。実験条件として、温度を85°C、湿度を85とし、アノード電極17とカソード電極16の間に降伏電圧の90の電圧を印加した。実験の結果、低電圧電極19に電圧を印加しない場合aとカソード電極16よりも高い電圧を印加した場合cは、100の素子が変色劣化した。一方、低電圧電極19にカソード電極16よりも低い電圧を印加した場合bは、変色劣化した素子は0であった。この実験結果より、本実施の形態によって変色劣化を防ぐことができることが確認された。なお、図1では光半導体装置のチップの全周を低電圧電極19で取り囲んでいるが、必ずしも全周を取り囲まなくとも同様の効果を得ることができる。また、チップ全体を取り囲まなくとも、アノード電極17の周囲を低電圧電極19で取り囲めば同様の効果を得ることができる。実施の形態2.図3は、本発明の実施の形態2に係る光半導体装置を示す斜視図である。実施の形態1と同様の光半導体装置のチップが、絶縁性の台座21上に実装されている。台座21の台座側電極22と光半導体装置のカソード電極16が接触している。そして、低電圧電極19は台座21上において台座側電極22を取り囲むように配置されている。アノード電極17,台座側電極22,低電圧電極19は、それぞれワイヤ23,24,25を介して外部回路不図示と電気的に接続されている。低電圧電極19には台座側電極22よりも低い電圧が印加される。これにより、台座21の上や台座21の周囲にあるプラスイオンは、低電圧電極19に引き寄せられるため、アノード電極17に引き寄せられるプラスイオンが減少する。従って、変色劣化が発生し難くなるため、耐湿性を向上させることができる。なお、図3では台座側電極22の全周を低電圧電極19で取り囲んでいるが、必ずしも全周を取り囲まなくとも同様の効果を得ることができる。実施の形態3.図4は、本発明の実施の形態3に係る光半導体装置を示す斜視図である。アノード電極17と低電圧電極19がワイヤ23により電気的に接続されている。その他の構成は実施の形態2と同様である。これにより、低電圧電極19をカソード電極16よりも低い電圧にするための電圧源が不要となる。実施の形態4.図5は、本発明の実施の形態4に係る光半導体装置を示す斜視図である。アノード電極17と低電圧電極19との間に高インピーダンス部26が接続されている。この高インピーダンス部26は、薄膜抵抗、チップ抵抗、インダクタ、チップインダクタなどで構成され、そのインピーダンスは20Ω以上である。ただし、高インピーダンス部26のインピーダンスが200~300Ω以上であることが望ましい。その他の構成は実施の形態3と同様である。このうように高インピーダンス部26を設けたことで、アノード電極17から出力される高周波信号が低電圧電極19に漏れるのを防ぐことができる。その結果、光半導体装置の高周波応答が向上する。実施の形態5.図6は、本発明の実施の形態5に係る光半導体装置を示す上面図である。低電圧電極19は、Ti,Cr,Auなどの金属薄膜として表面保護膜15上に形成されている。低電圧電極19にボンディングパッド31が接続され、ボンディングパッド31にはワイヤ32が接続されている。このボンディングパッド31及びワイヤ32を介して低電圧電極19にカソード電極16よりも低い電圧が印加される。その他の構成は実施の形態1と同様である。これにより、チップ上面のプラスイオンを低電圧電極19により吸引することができ、水分を含んだ雰囲気内でもより長い時間劣化を防止することができる。なお、低電圧電極19を表面保護膜15の下に形成してもよい。この場合、低電圧電極19が露出するように、低電圧電極19上の表面保護膜15の一部又は全部を除去してもよい。また、低電圧電極19を、金属材料ではなく、n型InP層13の表面にp型ドーパントを注入した拡散領域により形成してもよい。また、図6ではアノード電極17の全周を低電圧電極19で取り囲んでいるが、必ずしも全周を取り囲まなくとも同様の効果を得ることができる。実施の形態6.図7は、本発明の実施の形態6に係る光半導体装置を示す上面図である。アノード電極17を囲むように低電圧電極19とアノード電極17の間に高電圧電極33が配置されている。この高電圧電極33は、Ti,Cr,Auなどの金属薄膜として表面保護膜15上に形成されている。高電圧電極33にボンディングパッド34が接続され、ボンディングパッド34にはワイヤ35が接続されている。このボンディングパッド34及びワイヤ35を介して高電圧電極33にアノード電極17や低電圧電極19よりも高い電圧が印加される。その他の構成は実施の形態5と同様である。図8は、図7の断面図及び電位分布を示す図である。図示のように電位をM字型にすることにより、中心のアノード電極17の周囲に電位障壁が形成され、プラスイオンはアノード電極17に近づくことができない。これにより、水分を含んだ雰囲気内でもより長い時間劣化を防止することができる。なお、実施の形態5では高電圧電極33は無いが、n型InP層13に表面保護膜15が接しているので、高電圧電極33に相当する部分の電位が高くなり同様の効果がある。実施の形態7.図9は、本発明の実施の形態7に係る光半導体装置を示す上面図である。表面保護膜15の端部を金属膜36が覆っている。その他の構成は実施の形態6と同様である。表面保護膜15の端部とn型InP層13の境目を金属膜36で覆うことにより、水分や荷電イオンが表面保護膜15の下に侵入するのを防止することができる。従って、表面保護膜15の端部から進む変色劣化を防止することができる。実施の形態8.図10は、本発明の実施の形態8に係る光半導体装置を示す上面図である。表面保護膜15には、アノード電極17を囲むように低電圧電極19とアノード電極17の間に開口37が設けられている。この開口37から、低電圧電極19よりも電圧の高いn型InP層13が露出している。その他の構成は実施の形態5と同様である。開口37を設けたことにより、実施の形態6と同様にプラスイオンはアノード電極17に近づくことができない。なお、開口37を覆うように金属薄膜を形成すれば、水分や荷電イオンが表面保護膜15の下に侵入するのを防止することができる。実施の形態9.図11は、本発明の実施の形態9に係る光半導体装置を示す上面図である。n型InP層13の表面にp型拡散領域41が形成され、このp型拡散領域41はp型InP領域14と電気的に接続されている。部分的に表面保護膜15が除去されてコンタクト電極42,43が形成されている。低電圧電極19は、コンタクト電極42及びp型拡散領域41を介してp型InP領域と電気的に接続されている。高電圧電極33は、コンタクト電極43を介してn型InP層13と電気的に接続されている。この構成により、低電圧電極19や高電圧電極33に外部から給電する必要が無くなる。なお、p型拡散領域41を細くするか浅くして高抵抗にすれば、受光部18で発生した高周波信号が低電圧電極19に漏れるのを防ぐことができる。また、コンタクト電極42,43を用いずに、低電圧電極19,高電圧電極33の全体がそれぞれp型拡散領域41,n型InP層13と電気的に接続されるようにしてもよい。実施の形態10.図12は、本発明の実施の形態10に係る光半導体装置を示す上面図である。アノード電極17を囲むように低電圧電極19とアノード電極17の間においてn型InP層13の表面に溝44が形成されている。そして、この溝44を覆うための金属膜45が表面保護膜15上に形成されている。その他の構成は実施の形態5と同様である。溝44により、受光部18とチップ端の間のアイソレーションをとることができる。しかし、チップ表面に設けた溝44には応力がかかりやすく、この応力で表面保護膜15がダメージを受け、溝44から変色劣化が始まる。そこで、金属膜45で溝44を覆うことにより、水分や荷電イオンが表面保護膜15の下に侵入するのを防止することができる。実施の形態11.図13は、本発明の実施の形態11に係る光半導体装置を示す上面図である。部分的に表面保護膜15が除去されてコンタクト電極46,47が形成されている。低電圧電極19は、コンタクト電極46及び配線48を介して溝44の内側のp型拡散領域49と電気的に接続されている。金属膜45は、コンタクト電極47を介して溝44の外側のn型InP層13と電気的に接続されている。その他の構成は実施の形態10と同様である。これにより、低電圧電極19にはカソード電極16よりも低い電圧が印加される。また、金属膜45には、低電圧電極19よりも高い電圧が印加される。従って、低電圧電極19や金属膜45に外部から給電する必要が無くなる。なお、p型拡散領域49は無くてもよい。即ち、低電圧電極19がコンタクト電極46及び配線48を介して溝44の内側のn型InP層13と電気的に接続されていてもよい。溝44の内側のn型InP層13は、溝の外側のn型InP層13よりも電圧が低くなっているためである。ただし、p型拡散領域49がある方が、より低い電圧を得ることができる。また、p型拡散領域49は、受光部18のp型InP領域14と繋がっていてもよい。この場合、p型拡散領域49とp型InP領域14の接続部を細くするか浅くして高抵抗にすれば、受光部18で発生した高周波信号が低電圧電極19に漏れるのを防ぐことができる。実施の形態12.図14は、本発明の実施の形態12に係る光半導体装置を示す側面図である。ステム51上に、絶縁性の台座52を介して光半導体装置のチップ53が搭載されている。ステム51上には他のチップ部品54,55も搭載されている。これらはワイヤ56を介して電気的に接続されている。ステム51からはリード端子57が出ている。そして、ステム51は、光半導体装置のカソード電極よりも電圧が低くなるように給電されている。これにより、ステム51上にあるプラスイオンは、ステム51に引き寄せられるため、光半導体装置のアノード電極に引き寄せられるプラスイオンが減少する。従って、変色劣化が発生し難くなるため、耐湿性を向上させることができる。実施の形態13.図15は、本発明の実施の形態13に係る光半導体装置を示す側面図である。ステム51と台座52の間に、上面が電極金属で覆われた絶縁性の台座58が設けられている。そして、台座58の上面は、光半導体装置のカソード電極よりも電圧が低くなるように給電されている。その他の構成は実施の形態12と同様である。これにより、ステム51上にあるプラスイオンは、台座58に引き寄せられるため、光半導体装置のアノード電極に引き寄せられるプラスイオンが減少する。従って、変色劣化が発生し難くなるため、耐湿性を向上させることができる。実施の形態14.図16は、本発明の実施の形態14に係る光半導体装置を示す斜視図である。この光半導体装置は、端面発光型のレーザーダイオードである。n型InP層13第1導電型半導体層中に活性層61が形成されている。選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、n型InP層13の上面の一部にp型InP領域14第2導電型半導体領域が形成されている。n型InP層13及びp型InP領域14の上面は表面保護膜15により覆われている。n型InP層13の下面にカソード電極16第1電極が接続されている。p型InP領域14の上面にアノード電極17第2電極が接続されている。このアノード電極17にはカソード電極16よりも高い電圧が印加される。そして、本実施の形態では、アノード電極17を囲むように高電圧電極62が配置されている。この高電圧電極62にはカソード電極16よりも高い電圧が印加される。これにより、光半導体装置の周囲に存在するマイナスイオンは、高電圧電極62にトラップされるため、アノード電極17の周辺には集まってこない。従って、変色劣化が発生し難くなるため、耐湿性を向上させることができる。なお、上記構成に実施の形態2~13の構成を組み合わせることもできる。実施の形態15.図17は、本発明の実施の形態15に係る光半導体装置を示す斜視図である。この光半導体装置は、端面発光型のレーザーダイオードである。p型InP層63第1導電型半導体層中に活性層61が形成されている。選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、p型InP層63の上面の一部にn型InP領域64第2導電型半導体領域が形成されている。p型InP層63及びn型InP領域64の上面は表面保護膜15により覆われている。p型InP層63の下面にアノード電極65第1電極が接続されている。n型InP領域64の上面にカソード電極66第2電極が接続されている。このカソード電極66にはアノード電極65よりも低い電圧が印加される。そして、本実施の形態では、カソード電極66を囲むように低電圧電極19が配置されている。この低電圧電極19にはアノード電極65よりも低い電圧が印加される。これにより、光半導体装置の周囲に存在するプラスイオンは、低電圧電極19にトラップされるため、カソード電極66の周辺には集まってこない。従って、変色劣化が発生し難くなるため、耐湿性を向上させることができる。なお、上記構成に実施の形態2~13の構成を組み合わせることもできる。"