"第一のポリマーと第二のポリマーとの混合物、及び熱酸発生剤を含む反射防止コーティングであって、前記第一のポリマーが、少なくとも一つのフルオロアルコール部分、少なくとも一つの脂肪族ヒドロキシル部分、及びフルオロアルコール以外の、約8~約11の範囲のpKaを有する少なくとも一つの酸部分を含み、前記第二のポリマーが、アミノプラスト化合物と、少なくとも一つのヒドロキシル基及び/または少なくとも一つの酸基を含む化合物との反応生成物である、前記反射防止コーティング。前記第一のポリマーが更に芳香族基を含む、請求項1に記載の反射防止コーティング組成物。前記第一のポリマータイプが、次の構造Iを有する、請求項1または2に記載の反射防止コーティング組成物。式中、P1は、フルオロアルコール部分を含むモノマー性単位であり;P2は、脂肪族アルコール基を含むモノマー性単位であり;P3は、イミド部分を含むモノマー性単位であり;P4は、塩基イオン化可能アリールヒドロキシ部分を含むモノマー性単位であり;P5は、アリール発色団部分を含む任意選択のモノマー性繰り返し単位であり;u、v、w、x、yは、ポリマー鎖中の繰り返し単位のモル割合を示し、そしてu、vは0よりも大きく、w及びxのうちの少なくとも一つは0よりも大きく、yは0またはそれ以上である。フルオロアルコール基を含む前記第一のポリマーが、次の構造2の単位である、請求項1~3のいずれか一つに記載の反射防止コーティング組成物。式中、Xはエチレン性単位または置換されたエチレン性単位であり、Wは、アルキレン及びアリーレン基から選択され、そしてRf1及びRf2は、独立して、フルオロC1~C4アルキル基である。イミド部分を含む前記第一のポリマーが、次の構造8または9の単位である、請求項1~4のいずれか一つに記載の反射防止コーティング組成物。式中、R1、R2及びR3は、独立して、水素及びC1~C4アルキルから選択され、R4は、線状C1~C10アルキル基またはC6~C14アリール部分であり、そしてR8は、直接原子価結合であるかまたはC1~C10アルキレンスペーサー基である。脂肪族ヒドロキシル部分を含む前記第一のポリマーが、次の構造7の単位である、請求項1~5のいずれか一つに記載の反射防止コーティング組成物。式中、R1、R2及びR3は、独立して、水素及びC1~C4アルキルから選択され、独立して、水素及びC1~C4アルキルから選択され、R4は水素またはC1~C10アルキル基であり、そしてR9は、直接結合及びC1~C12アルキルスペーサー基から選択される。芳香族ヒドロキシル部分を含む前記第一のポリマーが、次の構造10aまたは10bの単位である、請求項1~6のいずれか一つに記載の反射防止コーティング組成物。式中、Arはアリール部分であり、ここでR1、R2及びR3は、独立して、水素及びC1~C4アルキルから選択され、R4は、C1~C10アルキル基またはC6~C14アリール部分であり、R5は直接原子価結合またはスペーサー基であり、R6及びR7は、独立して、水素、C1~C10アルキル基、アリール部分C6~C14、C2~C8カルボニルオキシアルキル、及びC2~C8カルボニルから選択され、そしてnは1~3である。芳香族基が次の構造の単位である、請求項1~7のいずれか一つに記載の反射防止コーティング組成物。式中、Arはアリール部分であり、ここでR1、R2及びR3は、独立して、水素及びC1~C4アルキルから選択され、R4は、C1~C10アルキル基またはC6~C14アリール部分であり、R5は、直接原子価結合またはスペーサー基であり、R6及びR7は、独立して、水素、C1~C10アルキル基、アリール部分C6~C14、C2~C8カルボニルオキシアルキル、及びC2~C8カルボニルから選択される。前記第二のポリマーが、アミノプラストとポリヒドロキシル化合物との反応生成物である、請求項1~8のいずれか一つに記載の反射防止コーティング組成物。前記アミノプラストが、以下の構造19から選択される、請求項1~9のいずれか一つに記載の反射防止コーティング組成物。式中、各R10は、独立して、CH2-O-CH2m-CH3であり、mは0~3であり、そしてR11及びR12は、独立して、水素またはC1~C10アルキルである。前記ヒドロキシル化合物が、次の構造27及び28から選択される、請求項1~10のいずれか一つに記載の反射防止コーティング組成物。式中、R13はスペーサー基であり、R14は、水素、C1~C10アルキル、アリールC6~C20、C6~C20アルキルアリールから選択され、R15、R16及びR17は、独立して、C2~C8アルキレンスペーサーである。微細電子デバイスの製造方法であって、a請求項1~11のいずれか一つからの反射防止コーティング組成物の第一の層を基材に供すること;b前記反射防止コーティング層の上にフォトレジスト層をコーティングすること;c前記フォトレジスト層を像様露光すること;d前記フォトレジスト層を水性アルカリ性現像液で現像すること、を含む、前記方法。前記第一の反射防止コーティング層が約0.05~約0.35の範囲のk値を有する、請求項12に記載の方法。前記フォトレジストが、約250nm~約12nmに感度を示すものである、請求項12または13に記載の方法。現像液が、水酸化物塩基を含む水溶液である、請求項12~14のいずれか一つに記載の方法。以下の例において反射防止コーティングの屈折率値n及び吸光値kは、J.A.WoollamVASE32エリプソメータで測定した。ポリマーの分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定した。静的接触角SCAデータは、EMScience社480DemocratRoad,Gibbstown,NJ08027のOmnisolv水またはAZ登録商標300MIF現像剤AZ登録商標ElectronicMaterialsUSACorp.,70,MeisterAve.,Somerville,NJ08876から入手できるを用いて、ASTProducts,Inc.社9LinnellCircle,Billerica,MA01821のVCA2500XEビデオ接触角システムで収集した。試験は、クラス1000Fab環境中で行った。静的接触角は、五回を超える測定からの平均値として報告した。合成例1:ポリヘキサフルオロイソプロパノールメタクリレート-co-マレイミド-co-ヒドロキシプロリルメタクリレートの合成15.0gのイソプロピルヘキサフルオロイソプロパノールメタクリレートMA-BTHB-OH、8.9gのマレイミド、8.7gのヒドロキシプロリルメタクリレートを、120gのテトラヒドロフランTHF溶剤中で混合した。重合反応を、0.7gのAIBNの存在下に75°Cで窒素雰囲気下に20時間行った。室温に冷却した後、反応混合物を脱イオンDI水中で析出させた。白色のポリマー固形物を洗浄しそして真空下に45°Cで乾燥すると、19,000の平均MWを有する29.5g90の収量を得た。合成例2:ポリヘキサフルオロイソプロパノールメタクリレート-co-マレイミド-co-ヒドロキシプロピルメタクリレート-co-スチレンの合成20.0gのイソプロピルヘキサフルオロイソプロパノールメタクリレートMA-BTHB-OH、4.1gのマレイミド、6.0gのヒドロキシプロピルメタクリレート及び1.8gのスチレンを、120gのTHF溶剤中で混合した。重合反応を、0.7gのAIBNの存在下に75°Cで窒素雰囲気下に20時間行った。室温に冷却した後、反応混合物をDI水中で析出させた。白色のポリマー固形物を洗浄しそして真空下に45°Cで乾燥すると、20000の平均MWの29.7g93の収量を得た。合成例3:ポリヘキサフルオロイソプロパノールメタクリレート-co-マレイミド-co-ヒドロキシプロピルメタクリレート-co-スチレンの合成20.0gのイソプロピルヘキサフルオロイソプロパノールメタクリレートMA-BTHB-OH、4.1gのマレイミド、6.0gのヒドロキシプロリルメタクリレート及び1.8gのスチレンを120gのPGME溶剤中で混合した。重合反応を、3.0gのAIBNの存在下に85°C、窒素雰囲気下に4時間行った。室温に冷却した後、反応混合物をDI水中で析出させた。固形物を集め、乾燥しそしてアセトン中に再溶解させた。この溶液をDI水中で析出させた。固形の生成物を洗浄しそして真空下に45°Cで乾燥すると、8000の平均MWを有するポリマーが得られた。合成例4:アミノプラストとポリオールとのコポリマーの合成600gのテトラメトキシメチルグリコールウリル、96gのスチレングリコール及び1200gのPGMEAを、温度計、機械的攪拌機及び冷水凝縮器を備えた2Lジャケット付きフラスコ中に仕込み、そして85°Cに加熱した。触媒量のpara-トルエンスルホン酸一水和物を加えた後、反応をこの温度で5時間維持した。次いで、この反応溶液を室温に冷却しそして濾過した。濾液を、攪拌しながらゆっくりと蒸留水中に注ぎ入れて、ポリマーを析出させた。このポリマーを濾過し、水で徹底的に洗浄し、そして減圧炉中で乾燥した250gが得られた。得られたポリマーは、約17,345g/molの重量平均分子量及び2.7の多分散性を有していた。調合例1合成例1からの1.0gのポリマーを、30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して、3.3重量の溶液を調製した。テトラメトキシメチルグリコールウリル0.1g及びPGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を、孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。この反射防止コーティングを分光エリプソメータで分析した。最適化された193nmでの屈折率nは1.60であり、そして吸光パラメータkは0.15であった。調合例2合成例2からの1.0gのポリマーを、30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して、3.3重量の溶液を調製した。テトラメトキシメチルグリコールウリル0.15g及びPGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。この反射防止コーティングを分光エリプソメータで分析した。最適化された193nmでの屈折率nは1.63であり、そして吸光パラメータkは0.17であった。調合例3合成例3からの1.0gのポリマーを、30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して、3.3重量の溶液を調製した。テトラメトキシメチルグリコールウリル0.15g及びPGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。この反射防止コーティングを分光エリプソメータで分析した。最適化された193nmでの屈折率nは1.63であり、そして吸光パラメータkは0.17であった。調合例4:合成例4からの1.0gのポリマーを30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。この反射防止コーティングを分光エリプソメータで分析した。最適化された193nmでの屈折率nは1.89であり、そして吸光パラメータkは0.34であった。調合例5:合成例1からの0.1gのポリマー及び合成例4からの0.9gのポリマーを30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。調合例6:合成例1からの0.2gのポリマー及び合成例4からの0.8gのポリマーを30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。調合例7:合成例1からの0.5gのポリマー及び合成例4からの0.5gのポリマーを30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。調合例8:合成例2からの0.1gのポリマー及び合成例4からの0.9gのポリマーを30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。調合例9:合成例2からの0.2gのポリマー及び合成例4からの0.8gのポリマーを30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。調合例10:合成例2からの0.5gのポリマー及び合成例4からの0.5gのポリマーを30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。調合例11:合成例3からの0.05gのポリマー及び合成例4からの0.95gのポリマーを30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。調合例12:合成例3からの0.1gのポリマー及び合成例4からの0.9gのポリマーを30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。調合例13:合成例3からの0.2gのポリマー及び合成例4からの0.8gのポリマーを30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。調合例14:合成例3からの0.5gのポリマー及び合成例4からの0.5gのポリマーを30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1gをポリマー溶液中に添加した。次いで、この混合物を孔サイズが0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を、次いで、40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、このコーティングされたウェハをホットプレートで200°Cで1分間、加熱した。BARCフィルムについての溶剤及び現像剤に対する耐性の評価PGMEA/PGME70:30溶剤を、調合例1~14からのBARC材料でコーティングしたケイ素ウェハ上に施した。60分後に窒素を吹き込んで溶剤を除去した。有意なフィルムの損失は観察されなかった。同様の実験を現像剤としてAZ登録商標300MIFDeveloperを用いて行った。調合例1合成例1からのポリマーからのコーティングは、そのイミド含有量の故に現像剤中に溶解した。他の調合例2~14からのBARCフィルムは、現像剤に対して良好な耐性を示した。BARCコーティングについての接触角測定調合例1~20から生じたBARCフィルムを接触角検査に付した。コーティングされたウェハそれぞれにつき、5滴の水を、ウェハのセンター領域、上側領域、下側領域、左側領域及び右側領域にたらした。ウェハの接触角をVCA2500XEシステムを用いて測定した。これらの五つの接触角データを平均して、BARCの水接触角を得た。水の代わりに現像剤AZ300MIFを用い及び上記と同じ手順に沿って、BARC上での現像剤接触角を測定した。結果を、それぞれ合成例1、2及び3からのトップポリマーを用いた調合物について表1、表2及び表3に示す。合成例1及び4からのポリマーでは表1、合成例1からの疎水性ポリマーを添加した時の接触角の増大は望むようには効果的ではない。これは、ポリマー中の低いフルオリネート含有量及びイミド含有量の性質の結果である。合成例2及び4からのポリマー表2または合成例3及び4からのポリマー表3では、合成例2または3からの疎水性ポリマーの添加によって接触角の有意な増加が観察され、これは、勾配型トップ層が形成されたことを示す。合成例2及び3からのポリマーは、かなりの量の疎水性単位を含む。この結果は、また、トップ層材料のMWが、勾配挙動に大きな影響を持たないことを表している。勾配型材料の光学的分析勾配型材料の光学的分析を角度可変分光エリプソメトリVASEを用いて行った。調合例2及び4からの均一なフィルムについて光学分散モデルWVASE登録商標genosc.mat,J.A.Woolamを、調合例8、9及び10であるこれらの二成分のブレンドから形成されたフィルムをモデル化するのに使用した。相分離したフィルムの実験データΔ、Ψを様々なレイヤードモデルにフィットさせた。これらの中には、二重層、中間に均一に混合された混合領域を有する二重層、中間に勾配領域を有する二重層、及び単一の勾配層が含まれる。均一に混合された混合領域を有する二重層が、調合物中の組成と及び接触角組成によって得られた結果とも合致する優れたフィットであることが確認された。比較リソグラフィ例1該反射防止コーティング調合物のリソグラフィ性能をAZ登録商標EXPAX2110Pフォトレジストを用いて評価した。調合例4の溶液をケイ素ウェハ上にコーティングし、そして200°Cで60秒間ベークした。AZ登録商標EXPAX1120Pフォトレジストを用いて、190nmフィルムをコーティングし、そして100°Cで60秒間ベークした。次いで、このウェハを、193nm露光ツールを用いて像様露光した。この露光されたウェハを110°Cで60秒間ベークし、そしてAZ登録商標300MIF現像剤を用いて30秒間現像した。走査電子顕微鏡で観察するとそのラインアンドスペースパターンは定在波を示さず、現像後に基材上に残った底面反射防止コーティングの有効性を示した。リソグラフィ例2該反射防止コーティング調合物のリソグラフィ性能を、AZ登録商標EXPAX2110Pフォトレジストを用いて評価した。調合例8の溶液をケイ素ウェハ上にコーティングし、そして200°Cで60秒間ベークした。AZ登録商標EXPAX1120Pフォトレジストを用いて、190nmフィルムをコーティングし、そして100°Cで60秒間ベークした。次いで、このウェハを193nm露光ツールを用いて像様露光した。この露光したウェハを110°Cで60秒間ベークし、そしてAZ登録商標300MIF現像剤を用いて30秒間現像した。走査電子顕微鏡で観察した時のラインアンドスペースパターンは定在波を示さず、それ故、該底面反射防止コーティングの有効性を示した。パターンプロフィルは、比較リソグラフィ例1からの結果と比較して、低減したフッティング/スカムを示した。"