"チタン酸バリウムからなる主成分を含有し、前記チタン酸バリウム100モルに対して、各酸化物換算で、Mgの酸化物を1.00~2.50モルと、Mnおよび/またはCrの酸化物を0.01~0.20モルと、V、MoおよびWからなる群から選ばれる少なくとも1つの酸化物を0.03~0.15モルと、R1の酸化物R1は、Y、およびHoからなる群から選ばれる少なくとも1つであるを0.20~1.50モルと、R2の酸化物R2は、Eu、GdおよびTbからなる群から選ばれる少なくとも1つであるを0.20~1.50モルと、Siおよび/またはBの酸化物を0.30~1.50モルと、を副成分として含有する誘電体磁器組成物であって、前記R1の酸化物のR12O3換算での含有量をαモル、前記R2の酸化物のR22O3換算での含有量をβモルとすると、0.25≦β/αβ≦0.85である関係を満足し、前記誘電体磁器組成物において、AAは、BaおよびCaから選ばれる少なくとも1つであるの含有量と、BBは、TiおよびZrから選ばれる少なくとも1つであるの含有量とが、1.000≦A/B≦1.006である関係を満足することを特徴とする誘電体磁器組成物。前記R2がGdまたはTbである請求項1に記載の誘電体磁器組成物。前記R2がTbである請求項2に記載の誘電体磁器組成物。請求項1~3のいずれかに記載の誘電体磁器組成物から構成される誘電体層と、電極とを有するセラミック電子部品。前記誘電体層の厚みが1.0μm以下となることを特徴とする請求項4に記載のセラミック電子部品。前記誘電体層の誘電体粒子の平均粒子径が0.1~0.3μmであることを特徴とする請求項4または5に記載のセラミック電子部品。本発明は、このような実状に鑑みてなされ、誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物、およびセラミック電子部品を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明に係る誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウムからなる主成分を含有し、前記チタン酸バリウム100モルに対して、各酸化物換算で、Mgの酸化物を1.00~2.50モルと、Mnおよび/またはCrの酸化物を0.01~0.20モルと、V、MoおよびWからなる群から選ばれる少なくとも1つの酸化物を0.03~0.15モルと、R1の酸化物R1は、Y、およびHoからなる群から選ばれる少なくとも1つであるを0.20~1.50モルと、R2の酸化物R2は、Eu、GdおよびTbからなる群から選ばれる少なくとも1つであるを0.20~1.50モルと、Siおよび/またはBの酸化物を0.30~1.50モルと、を副成分として含有する誘電体磁器組成物であって、前記R1の酸化物のR12O3換算での含有量をαモル、前記R2の酸化物のR22O3換算での含有量をβモルとすると、0.25≦β/αβ≦0.85である関係を満足し、前記誘電体磁器組成物において、AAは、BaおよびCaから選ばれる少なくとも1つであるの含有量と、BBは、TiおよびZrから選ばれる少なくとも1つであるの含有量とが、1.000≦A/B≦1.006である関係を満足する。本発明では、主成分および副成分の含有量を上記の範囲内とすることで、主成分であるチタン酸バリウムへの各副成分の金属元素特にR1およびR2の固溶状態を制御することができる。その結果、誘電体層を薄層化した場合であっても、種々の特性たとえば比誘電率、誘電損失、CR積、静電容量の温度特性および高温負荷寿命が良好な誘電体磁器組成物を得ることができる。好ましくは、R2がGdまたはTbであり、更に好ましくは、Tbである。R2として、上記の元素を用いることで上述した効果をさらに高めることができる。また、本発明に係るセラミック電子部品は、上記のいずれかに記載の誘電体磁器組成物から構成される誘電体層と、電極とを有する。好ましくは、前記誘電体層の厚みが1.0μm以下である。好ましくは、前記誘電体層の誘電体粒子の平均粒子径が0.1~0.3μmである。セラミック電子部品としては、特に限定されないが、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、その他の表面実装SMDチップ型電子部品が例示される。以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。積層セラミックコンデンサ1図1に示すように、積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ1は、誘電体層2と、内部電極層3と、が交互に積層された構成のコンデンサ素子本体10を有する。内部電極層3は、各端面がコンデンサ素子本体10の対向する2端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極4は、コンデンサ素子本体10の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層3の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。コンデンサ素子本体10の形状に特に制限はないが、図1に示すように、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。誘電体層2誘電体層2は、本実施形態に係る誘電体磁器組成物から構成されている。本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、主成分として、チタン酸バリウムを有し、後述する副成分を含む。本実施形態では、チタン酸バリウムとしては、たとえば組成式BauTivO3で表される化合物が例示される。また、本発明において、チタン酸バリウムは、Baの一部をCaに置き換え、Tiの一部をZrに置き換えた、{Ba1-xCaxO}uTi1-yZryvO2で表される化合物であってもよい。なお、x、y、u、vは、いずれも任意の範囲であるが、以下の範囲であることが好ましい。上記式中、uとvとの関係は、好ましくは0.994≦u/v≦1.006である。また、上記式中xはCa原子数を表し、xは、好ましくは0≦x≦0.01、より好ましくは0≦x≦0.005である。本発明においては、必ずしもCaを含まなくてもよい。また、上記式中yはZr原子数を表し、yは、好ましくは0≦y≦0.01、より好ましくは0≦y≦0.002である。本発明においては、必ずしもZrを含まなくてもよい。また、ペロブスカイト型結晶構造において、c軸の格子定数とa軸の格子定数との比を示すc/aが、好ましくは1.007以上である。これにより、誘電体粒子の結晶粒子径を小さくした場合であっても、比誘電率の低下が少ない。なお、全ての誘電体粒子のc/aが、上記の範囲を満足している必要はない。すなわち、たとえばチタン酸バリウムの原料粉末中に、c/aが低い粒子立方晶系とc/aが高い粒子正方晶系とが共存していてもよく、原料粉末全体として、正方晶性が高く、c/aが上記の範囲にあればよい。本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、上記の主成分に加え、副成分として、R1の酸化物R1は、Y、およびHoから選ばれる少なくとも1つであると、R2の酸化物R2は、Eu、GdおよびTbから選ばれる少なくとも1つであると、Mgの酸化物と、Vの酸化物と、Siおよび/またはBの酸化物とからなる成分と、を含有する。R1の酸化物の含有量をαとすると、αは、チタン酸バリウム100モルに対して、R12O3換算で、好ましくは0.2~1.5モル、より好ましくは0.2~1.0モルである。αが多すぎると、比誘電率が低下する傾向にある。逆に、少なすぎると、温度特性及び焼成安定性が悪化する傾向にある。R1は、Y、およびHoから選ばれる少なくとも1つであり、特に、YはHoに比べ、コストおよび寿命の観点において好ましい。R2の酸化物の含有量をβとすると、βは、チタン酸バリウム100モルに対して、R22O3換算Tbなどに関しては、Tb2O3.5で、好ましくは0.2~1.5モル、より好ましくは0.5~1.2モルである。βが多すぎると、温度に対する容量変化率が大きくなる傾向にある。逆に、少なすぎると、信頼性を確保することが困難となる傾向にある。R2は、Eu、GdおよびTbから選ばれる少なくとも1つである。中でも、GdおよびTbは、Euに比べて信頼性が有利である点で好ましく、特に、Tbは、EuおよびTbに比べ、温度に対する容量変化率の観点で好ましい。また、αおよびβは、0.25≦β/αβ≦0.85である関係を満足することが好ましい。より好ましくは、0.5≦β/αβ≦0.85である。β/αβが大きすぎると、温度に対する容量変化率が大きくなる傾向にあり、小さすぎると、寿命が劣る傾向にある。本実施形態では、誘電体層を構成する誘電体磁器組成物は、誘電体粒子と粒界とを有し、チタン酸バリウムが主成分である誘電体粒子には、副成分の金属元素、たとえばR1およびR2が固溶している。誘電体粒子にR2が含有されている場合、比誘電率を良好に保ちつつ、信頼性を向上させることができるが、容量温度特性は悪化する傾向にある。また、R2単独で用いる場合には容量温度特性だけでなく焼結密度と粒径制御が難しくなる。そこで、誘電体粒子にR1を含有させ、適正な粒径に保つことで信頼性を維持しつつ、容量温度特性を改善することができる。このような効果は、特にαおよびβが上記の関係を満足する場合に顕著になる。また、R1およびR2の固溶状態を制御することで、誘電体粒子の結晶粒子径を小さくしても、比誘電率の低下を抑制することができる。Mgの酸化物の含有量は、チタン酸バリウム100モルに対して、MgO換算で、好ましくは1.0~2.5モル、より好ましくは1.75~2.5モルである。上記の酸化物の含有量が多すぎると、信頼性が悪化する傾向にある。逆に、少なすぎると、粒径制御が困難になる傾向にある。Mnおよび/またはCrの酸化物の含有量は、チタン酸バリウム100モルに対して、酸化物MnOまたはCr2O3換算で、好ましくは0.01~0.2モル、より好ましくは0.03~0.1モルである。上記の酸化物の含有量が多すぎると、静電容量が低下する傾向にある。逆に、少なすぎると、耐還元性が十分に得られなくなり信頼性が悪化する傾向にある。本実施形態では、Mnの酸化物が好ましい。V、MoおよびWからなる群から選ばれる少なくとも1つの酸化物の含有量は、チタン酸バリウム100モルに対して、V2O5、MoO3およびWO3換算で、好ましくは0.03~0.15モル、より好ましくは0.05~0.12モルである。上記の酸化物の含有量が多すぎると、絶縁抵抗が劣化する傾向にある。逆に、少なすぎると、信頼性が悪化する傾向にある。Siおよび/またはBの酸化物は、主に焼結助剤としての役割を有し、酸化物換算SiO2、B2O3で、好ましくは、0.3~1.5モル、より好ましくは0.5~1.0モルである。上記の酸化物の含有量が多すぎると、静電容量が低下する傾向にある。逆に、少なすぎると、信頼性が悪化する傾向にある。本実施形態では、Siの酸化物が好ましい。また、本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、さらに、所望の特性に応じて、その他の成分を含有してもよい。また、本実施形態に係る誘電体磁器組成物誘電体層2においては、AAは、BaおよびCaから選ばれる少なくとも1つであるの含有量と、BBは、TiおよびZrから選ばれる少なくとも1つであるの含有量とが1.000≦A/B≦1.006である関係を満足する。上記A/Bの比率が大きすぎると、静電容量が低下する傾向にある。逆に、小さすぎると、異常粒成長が発生するため焼成が困難となり、誘電損失や温度に対する容量変化率が大きくなる傾向信頼性が悪化する傾向にある。本実施形態において、A/Bの比率は、主成分であるチタン酸バリウムのu/vの比率、あるいは副成分としてAAは、BaおよびCaから選ばれる少なくとも1つであるあるいはBBは、TiおよびZrから選ばれる少なくとも1つであるを添加することによって、最終的に得られる誘電体磁器組成物誘電体層2のA/Bの比率が所定の範囲内となるように調整する。なお、製造工程において不純物として、AAは、BaおよびCaから選ばれる少なくとも1つであるあるいはBBは、TiおよびZrから選ばれる少なくとも1つであるが混入することがある。本発明では、A成分および/またはB成分が製造工程において不純物として混入した場合であっても、最終的に得られる誘電体磁器組成物誘電体層2において、A/Bの比率が上記の範囲内になることが必要である。最終的に得られる誘電体磁器組成物誘電体層2のA/Bの比率が所定の範囲内にあるか否かについては、例えば、ガラスビード法を用いて蛍光X線装置により誘電体磁器組成物のサンプルを測定し、A/Bの比率を算出することにより確認することができる。本実施形態に係る誘電体磁器組成物に含まれる誘電体粒子の結晶粒子径は特に制限されないが、誘電体層の薄層化の要求に応えるため、好ましくはBET比表面積が、3.3~10m2/gSEM観察による粒子径が、好ましくは0.1~0.3μmである。誘電体層2の厚みは、特に限定されないが、一層あたり1.0μm以下である場合に、本発明が有効に機能する。従来では、1.0μm以下と誘電体層2が薄くなると、信頼性が極端に低下するが、本発明の誘電体磁器組成物によれば、優れた信頼性を確保することができる。また、誘電体層2の厚みが1.0μm以下の場合に、誘電体層間が平均粒径の3.5倍より小さくなると、耐圧不良が顕著に発生する。そのため、粒子径を0.3μmよりも小さくする必要がある。しかしながら、粒子径が0.1μmよりも小さくなると、誘電率が極端に低下するため好ましくない。そのため、誘電体粒子の粒径は、0.1~0.3μmが好ましい。なお、誘電体層2の厚さの下限は、特に限定されないが、たとえば0.4μm程度である。誘電体層2の積層数は、特に限定されないが、20以上であることが好ましく、より好ましくは50以上、特に好ましくは、100以上である。積層数の上限は、特に限定されないが、たとえば2000程度である。内部電極層3内部電極層3に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層2を構成する材料が耐還元性を有するため、比較的安価な卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、NiまたはNi合金が好ましい。Ni合金としては、Mn,Cr,CoおよびAlから選択される1種以上の元素とNiとの合金が好ましく、合金中のNi含有量は95重量以上であることが好ましい。なお、NiまたはNi合金中には、P等の各種微量成分が0.1重量程度以下含まれていてもよい。内部電極層3の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、0.4~1.5μm、特に0.5~1.0μm程度であることが好ましい。外部電極4外部電極4に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なNi,Cuや、これらの合金を用いることができる。外部電極4の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、5~50μm程度であることが好ましい。積層セラミックコンデンサ1の製造方法本実施形態の積層セラミックコンデンサ1は、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。チタン酸バリウムの原料は、いわゆる固相法の他、各種液相法たとえば、シュウ酸塩法、水熱合成法、アルコキシド法、ゾルゲル法などにより製造されたものなど、種々の方法で製造されたものを用いることができる。各酸化物を所定量秤量したものを直接、または仮反応させてチタン酸バリウム原料に添加するか、あるいはチタン酸バリウム粉末に添加物を直接コーティングして誘電体原料を準備する。次に、誘電体原料を塗料化して誘電体層用ペーストを調製する。誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよい。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、たとえば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。内部電極層用ペーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。また、内部電極層用ペーストには、共材が含まれていてもよい。共材としては特に制限されないが、主成分と同様の組成を有していることが好ましい。外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、たとえば、バインダは1~5重量程度、溶剤は10~50重量程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、10重量以下とすることが好ましい。印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、PET等の基板上に印刷、積層し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷し内部電極パターンを形成した後、これらを積層してグリーンチップとする。焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処理を施す。脱バインダ条件としては、昇温速度を好ましくは5~500°C/時間、保持温度を好ましくは180~900°C、温度保持時間を好ましくは0.5~50時間とする。また、脱バインダ雰囲気は、空気もしくは還元性雰囲気とする。脱バインダ後、グリーンチップの焼成を行う。焼成では、昇温速度を好ましくは200~2000°C/時間とする。焼成時の保持温度は、好ましくは1300°C以下、より好ましくは1100~1250°Cであり、その保持時間は、好ましくは0.2~4時間である。保持温度をこのような範囲とすることで、電極の途切れ防止や、容量温度特性の悪化防止、誘電体磁器組成物の還元防止を図ることができる。焼成雰囲気は、還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえば、N2とH2との混合ガスを加湿して用いることができる。また、焼成時の酸素分圧は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてNiやNi合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、10-14~10-10MPaとすることが好ましい。酸素分圧を上記範囲とすることで、内部電極層における導電材の異常焼結を防止し、内部電極層の酸化防止を図る。降温速度は、好ましくは50~2000°C/時間である。還元性雰囲気中で焼成した後、コンデンサ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これによりIR寿命絶縁抵抗の寿命を著しく長くすることができるので、信頼性が向上する。アニール雰囲気中の酸素分圧は、10-9~10-5MPaとすることが好ましい。酸素分圧をこのような範囲とすることで、誘電体層の再酸化が容易になり、内部電極層の酸化を防止することができる。アニールの際の保持温度は、1100°C以下、特に700~1100°Cとすることが好ましい。保持温度をこのような範囲とすることで、誘電体層の酸化が十分となり、IRおよびIR寿命の向上を図ることができると共に、容量温度特性の向上を図ることができる。なお、アニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよい。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場合、保持温度は最高温度と同義である。これ以外のアニール条件としては、温度保持時間を好ましくは0~20時間、より好ましくは1~4時間、降温速度を好ましくは50~500°C/時間、より好ましくは100~300°C/時間とする。また、アニールの雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿したN2ガス等を用いることが好ましい。上記した脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、N2ガスや混合ガス等を加湿するには、たとえばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は5~75°C程度が好ましい。脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。上記のようにして得られたコンデンサ素子本体に、たとえばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを塗布して焼成し、外部電極4を形成する。そして、必要に応じ、外部電極4表面に、めっき等により被覆層を形成する。このようにして製造された本実施形態の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。たとえば、上述した実施形態では、本発明に係るセラミック電子部品として、積層セラミックコンデンサを例示したが、このようなセラミック電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、上記構成を有する電子部品であれば何でも良い。以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。試料1まず、主成分の原料粉体としてチタン酸バリウム粉末BauTivO3、u/v=0.998を準備した。また、副成分の原料として、Y、Tb、Mg、Mn、V、Si、Ba、Caをそれぞれ酸化物で用意し、主成分および副成分の添加量は表1に示す値となるように秤量した。次いで、所定の量で秤量したチタン酸バリウムと副成分原料の混合物:100重量部と、ポリビニルブチラール樹脂:10重量部と、可塑剤としてのジオクチルフタレートDOP:5重量部と、溶媒としてのアルコール:100重量部とをボールミルで混合してペースト化し、誘電体層用ペーストを得た。また、上記とは別に、Ni粒子:44.6重量部と、テルピネオール:52重量部と、エチルセルロース:3重量部と、ベンゾトリアゾール:0.4重量部とを、3本ロールにより混練し、ペースト化して内部電極層用ペーストを作製した。そして、上記にて作製した誘電体層用ペーストを用いて、PETフィルム上に、乾燥後の厚みが1.2~1.3μmとなるようにグリーンシートを形成した。次いで、この上に内部電極層用ペーストを用いて、電極層を所定パターンで印刷した後、PETフィルムからシートを剥離し、電極層を有するグリーンシートを作製した。次いで、電極層を有するグリーンシートを複数枚積層し、加圧接着することによりグリーン積層体とし、このグリーン積層体を所定サイズに切断することにより、グリーンチップを得た。次いで、得られたグリーンチップについて、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記条件にて行って、積層セラミック焼成体を得た。脱バインダ処理条件は、昇温速度:25°C/時間、保持温度:260°C、温度保持時間:8時間、雰囲気:空気中とした。焼成条件は、昇温速度:500°C/時間、保持時間を2時間とした。降温速度は500°C/時間とした。なお、雰囲気ガスは、加湿したN2H2混合ガスとし、酸素分圧が10-12MPaとなるようにした。アニール条件は、昇温速度:400°C/時間、保持温度:1000°C、温度保持時間:2時間、降温速度:400°C/時間、雰囲気ガス:加湿したN2ガス酸素分圧:10-7MPaとした。なお、焼成およびアニールの際の雰囲気ガスの加湿には、ウェッターを用いた。次いで、得られた積層セラミック焼成体の端面をサンドブラストにて研磨した後、外部電極としてInGaを塗布し、積層セラミックコンデンサの試料を得た。得られたコンデンサ試料のサイズは、2.0mm×1.2mm×0.6mmであり、誘電体層の厚み0.95μm、内部電極層の厚み1.0μm、内部電極層に挟まれた誘電体層の数は4とした。試料2~8主成分原料であるチタン酸バリウムのu/vを、0.998~1.007の範囲で変化させ、表1のように誘電体磁器組成物におけるA/Bの比率を変えた以外は、試料1と同様の条件で、試料2~8の積層セラミックコンデンサを作製した。評価誘電体磁器組成物のA/Bの評価得られた誘電体層用ペーストの一部をサンプリングし、500°C、大気中において、脱バイ処理を行い、評価用誘電体粉末サンプルを得た。得られた誘電体粉末サンプルを、蛍光X線分析装置リガク株製、サイマルティック3530を用いガラスビード法によって測定し、誘電体磁器組成物のA/Bの比率を算出した単位なし。誘電体層用ペーストにおけるA/Bの比率は、誘電体磁器組成物誘電体層2におけるA/Bの比率と実質的に同じである。結果を表1に示す。誘電損失tanδ誘電損失tanδは、コンデンサ試料に対し、基準温度25°Cにおいて、デジタルLCRメータアジレントテクノロジー社製E4980Aにて、周波数1kHz,入力信号レベル測定電圧0.5Vrmsの条件下で測定した。誘電損失は低いほうが好ましく、本実施例では6.0以下を良好とした。結果を表1に示す。比誘電率ε比誘電率εは、コンデンサ試料に対し、基準温度25°Cにおいて、デジタルLCRメータアジレントテクノロジー社製E4980Aにて、周波数1kHz,入力信号レベル測定電圧0.5Vrmsの条件下で測定された静電容量から算出した単位なし。比誘電率は高いほうが好ましく、本実施例では、1500以上を良好とした。結果を表1に示す。CR積コンデンサ試料に対し、絶縁抵抗計アドバンテスト社製R8340Aを用いて、25°Cにおいて6V/μmの直流電圧を、コンデンサ試料に30秒間印加した後の絶縁抵抗IRを測定した。CR積は、上記にて測定した静電容量C単位はμFと、絶縁抵抗IR単位はMΩとの積を求めることにより測定した。本実施例では、300以上を良好とした。結果を表1に示す。表では、CRPとして表記する。静電容量の温度特性TCコンデンサ試料に対し、85°Cにおける静電容量を測定し、室温25°Cにおける静電容量の変化率ΔCを算出した。85°Cにおける変化率ΔCが、±15以内であるか否かを評価した。結果を表1に示す。表では、TC85として表記する。高温負荷寿命HALTコンデンサ試料に対し、200°Cにて、15V/μmの電界下で直流電圧の印加状態に保持し、寿命時間を測定することにより、高温負荷寿命を評価した。本実施例においては、印加開始から絶縁抵抗が一桁落ちるまでの時間を破壊時間し、これをワイブル解析することにより算出した平均故障時間MTTFを寿命と定義した。また、本実施例では、上記の評価を20個のコンデンサ試料について行い、その平均値を高温負荷寿命とした。評価基準は1.0時間以上を良好とした。結果を表1に示す。表1に示すように、最終的に得られた誘電体磁器組成物において、A/Bの比率、各副成分とその含有量、およびβ/αβの比率が、本発明の範囲内である場合には、誘電損失tanδ、比誘電率ε、CR積、静電容量の温度特性TC、および高温負荷寿命HALTの何れの特性も、良好な特性が得られることが確認できた試料2~7。一方、誘電体磁器組成物において、A/Bの比率が、所定の範囲内より小さい場合には、誘電損失tanδ、静電容量の温度特性TC、および高温負荷寿命HALTが悪化する傾向にあることが確認できた試料1。また、誘電体磁器組成物において、A/Bの比率が、所定の範囲内より大きい場合には、比誘電率εが悪化する傾向にあることが確認できた試料8。試料20~97誘電体原料において、各副成分とその含有量を表2~9のように変化させ、試料1と同様の条件で、試料20~97の積層セラミックコンデンサを作製し、同様な評価を行った。結果を表2~9に示す。表2~9に示すように、最終的に得られた誘電体磁器組成物において、A/Bの比率、副成分とその含有量、およびβ/αβの比率が、本発明の範囲内である場合には試料22~25、32~36、40~43、52~55、61~63、65、71~74、76、81~85、87、88、91~95および97、誘電損失tanδ、比誘電率ε、CR積、静電容量の温度特性TC、および高温負荷寿命HALTの何れも良好な特性が得られることが確認できた。一方、表2に示すように、誘電体磁器組成物において、R1の酸化物の含有量が、所定の範囲内より小さい場合には試料20および21、誘電損失tanδ、静電容量の温度特性TCが悪化する傾向にあり、特にR1の酸化物が含まれない場合には試料20、さらに誘電損失tanδも悪化することが確認できた。また、誘電体磁器組成物において、R1の酸化物の含有量が、所定の範囲内より大きい場合には、比誘電率εが悪化する傾向にあることが確認できた試料26。また、表3に示すように、誘電体磁器組成物において、R2の酸化物の含有量が、所定の範囲内より小さい場合には、高温負荷寿命HALTが悪化する傾向にあることが確認できた試料30および31。また、誘電体磁器組成物において、R2の酸化物の含有量が、所定の範囲内より大きい場合には、比誘電率ε、静電容量の温度特性TCが悪化する傾向にあることが確認できた試料37。また、表4に示すように、R2として、本発明の範囲内にないDyを用いた場合には試料44、十分な高温負荷寿命HALTが得られないことが確認された。また、R2がTbおよびGdである場合には試料40および42、Euである場合試料43に比べて、CR積および高温負荷寿命HALTの特性に優れ、特に、R2がTbである場合には、GdおよびEuである場合に比べて、比誘電率εおよび静電容量の温度特性TCの特性をより向上できることが確認された。なお、表4におけるR1およびR2REの数値は、RE2O3換算Tbなどに関しては、Tb2O3.5での数値である。また、表5に示すように、誘電体磁器組成物において、β/αβの比率が、所定の範囲内より小さい場合には、高温負荷寿命HALTが悪化する傾向にあることが確認できた試料50および51。また、誘電体磁器組成物において、β/αβの比率が、所定の範囲内より大きい場合には、静電容量の温度特性TCが悪化する傾向にあることが確認できた試料56および57。また、表6に示すように、誘電体磁器組成物において、Mgの酸化物の含有量が、所定の範囲内より小さい場合には、誘電損失tanδが悪化する傾向にあることが確認できた試料60。また、誘電体磁器組成物において、Mgの酸化物の含有量が、所定の範囲内より大きい場合には、高温負荷寿命HALTが悪化する傾向にあることが確認できた試料64。また、表7に示すように、誘電体磁器組成物において、Mnの酸化物の含有量が、所定の範囲内より小さい場合には、高温負荷寿命HALTが悪化する傾向にあることが確認できた試料75。また、誘電体磁器組成物において、Mnの酸化物の含有量が、所定の範囲内より大きい場合には、比誘電率εが悪化する傾向にあることが確認できた試料70。さらに、Mnの酸化物を用いる場合には、Crの酸化物を用いる場合に比べて、CR積および高温負荷寿命HALTの特性をより向上できることが確認された。なお、表7において、Crの数値は、Cr2O3換算での数値である。また、表8に示すように、誘電体磁器組成物において、Vの酸化物の含有量が、所定の範囲内より小さい場合には、高温負荷寿命HALTが悪化する傾向にあることが確認できた試料80。また、誘電体磁器組成物において、Mnの酸化物の含有量が、所定の範囲内より大きい場合には、CR積が悪化する傾向にあることが確認できた試料86。さらに、Vの酸化物を用いる場合には、MoおよびWの酸化物を用いる場合に比べて、高温負荷寿命HALTの特性をより向上できることが確認された。なお、MoおよびWの数値は、それぞれMoO3、WO3換算での数値である。また、表9に示すように、誘電体磁器組成物において、Siの酸化物の含有量が、所定の範囲内より小さい場合には、高温負荷寿命HALTが悪化する傾向にあることが確認できた試料96。また、誘電体磁器組成物において、Siの酸化物の含有量が、所定の範囲内より大きい場合には、比誘電率εが悪化する傾向にあることが確認できた試料90。試料100~107試料101では、前述した試料72に基づき、各副成分とその含有量を表10のように変化させ、しかも、BaOとCaOを、主成分とは別に添加することで、完成A/Bが試料72と同様に、1.004となるようにした以外は、試料72と同様にして積層セラミックコンデンサを作製し、信頼性の評価を行った。さらに、試料100、102、103では、層間厚みを、表10示すように変化させた以外は、試料101と同様にして、積層セラミックコンデンサを作製し、信頼性の評価を行った。結果を表10に示す。また、試料104~107では、各副成分とその含有量を表10のように変化させ、SiO2の含有量が2.5モルと多く完成A/Bが1.019と大きく比較例なるようにした以外は、試料100~103と同様にして、層間厚みが異なる積層セラミックコンデンサを作製し、信頼性の評価を行った。結果を表10に示す。表10に示すように、比較例である試料104~107では、層間厚みが1.0μm以下と薄くなると、信頼性が極端に低下するが、実施例である試料100~103では、層間厚みが1.0μm以下と薄くなっても、優れた信頼性を確保することができることが確認された。"