"下記式1式中、R1~R5は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基又はニトロ基を示す。R1~R5のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成していてもよい。R6は水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を示すで表される不飽和カルボン酸を、塩化チオニルにより塩素化して、下記式2式中、R1~R6は前記に同じで表される化合物を得る工程1、及び上記式2で表される化合物と下記式3式中、R7、R8は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又は複素環式基を示す。R7、R8は、ヘテロ原子を介して又は介することなく互いに結合して、式中に示される窒素原子と共に環を形成していてもよい。但し、R7、R8が共に水素原子である場合は除くで表されるアミンを反応させることにより、下記式4式中、R1~R8は前記に同じで表される不飽和カルボン酸アミドを主成分とする不飽和カルボン酸アミド組成物を得る工程2とを含む不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法において、塩化チオニルの使用量を上記式1で表される不飽和カルボン酸の0.5~3.0モル倍とする、及び/又は工程2終了後に吸着剤を用いて含塩素化合物を分離除去することを特徴とする不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法。不飽和カルボン酸アミド組成物中の塩素原子含有量が、上記式4で表される不飽和カルボン酸アミドに対して1000ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載の不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法。不飽和カルボン酸アミド組成物中の、下記式5式中、R1~R8は前記に同じで表される含塩素化合物の含有量が、上記式4で表される不飽和カルボン酸アミドに対して0.1重量以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法。請求項1~3の何れかの項に記載の不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法により得られる、下記式4式中、R1~R5は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基又はニトロ基を示す。R1~R5のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成していてもよい。R6は水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を示す。R7、R8は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又は複素環式基を示す。R7、R8は、ヘテロ原子を介して又は介することなく互いに結合して、式中に示される窒素原子と共に環を形成していてもよい。但し、R7、R8が共に水素原子である場合は除くで表される不飽和カルボン酸アミドを主成分とし、塩素原子含有量が、上記式4で表される不飽和カルボン酸アミドに対して1000ppm以下、及び/又は下記式5式中、R1~R8は前記に同じで表される含塩素化合物の含有量が、上記式4で表される不飽和カルボン酸アミドに対して0.1重量以下であることを特徴とする不飽和カルボン酸アミド組成物。上記式4及び式5におけるR1、R2、R4、R5が水素原子であり、R3がメトキシ基である請求項4に記載の不飽和カルボン酸アミド組成物。従って、本発明の目的は、工業的に有利な方法で、医薬、農薬、高分子材料、機能材料やその中間体等のファインケミカルとして利用可能な不飽和カルボン酸アミド組成物を得る不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、医薬、農薬、高分子材料、機能材料やその中間体等のファインケミカルとして利用可能な不飽和カルボン酸アミド組成物を提供することにある。本発明者等は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、不飽和カルボン酸を塩化チオニルで塩素化し、得られた不飽和カルボン酸クロリドとアミンとを反応させることにより得られる不飽和カルボン酸アミドには、副生物として特定の含塩素化合物を含有することが分かった。そして、不飽和カルボン酸と塩化チオニルの塩素化反応において塩化チオニルの使用量を特定の範囲に調整、若しくは反応後に吸着剤を用いて精製する工程を設けると、含塩素化合物含有量の極めて低い不飽和カルボン酸アミドを得ることができること、及び含塩素化合物含有量の極めて低い不飽和カルボン酸アミドは医薬、農薬、高分子材料やその中間体のみでなく、感光性高機能材料やその中間体として利用可能であることを見いだした。本発明はこれらの知見に基づいて完成させたものである。すなわち、本発明は、下記式1式中、R1~R5は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基又はニトロ基を示す。R1~R5のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成していてもよい。R6は水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を示すで表される不飽和カルボン酸を、塩化チオニルにより塩素化して、下記式2式中、R1~R6は前記に同じで表される化合物を得る工程1、及び上記式2で表される化合物と下記式3式中、R7、R8は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又は複素環式基を示す。R7、R8は、ヘテロ原子を介して又は介することなく互いに結合して、式中に示される窒素原子と共に環を形成していてもよい。但し、R7、R8が共に水素原子である場合は除くで表されるアミンを反応させることにより、下記式4式中、R1~R8は前記に同じで表される不飽和カルボン酸アミドを主成分とする不飽和カルボン酸アミド組成物を得る工程2とを含む不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法において、塩化チオニルの使用量を上記式1で表される不飽和カルボン酸の0.5~3.0モル倍とする、及び/又は工程2終了後に吸着剤を用いて含塩素化合物を分離除去することを特徴とする不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法を提供する。不飽和カルボン酸アミド組成物中の塩素原子含有量は、上記式4で表される不飽和カルボン酸アミドに対して1000ppm以下であることが好ましく、不飽和カルボン酸アミド組成物中の、下記式5式中、R1~R8は前記に同じで表される含塩素化合物の含有量は、上記式4で表される不飽和カルボン酸アミドに対して0.1重量以下であることが好ましい。本発明は、また、上記不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法により得られる、下記式4式中、R1~R5は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基又はニトロ基を示す。R1~R5のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成していてもよい。R6は水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を示す。R7、R8は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又は複素環式基を示す。R7、R8は、ヘテロ原子を介して又は介することなく互いに結合して、式中に示される窒素原子と共に環を形成していてもよい。但し、R7、R8が共に水素原子である場合は除くで表される不飽和カルボン酸アミドを主成分とし、塩素原子含有量が、上記式4で表される不飽和カルボン酸アミドに対して1000ppm以下、及び/又は下記式5式中、R1~R8は前記に同じで表される含塩素化合物の含有量が、上記式4で表される不飽和カルボン酸アミドに対して0.1重量以下であることを特徴とする不飽和カルボン酸アミド組成物を提供する。上記式4及び式5におけるR1、R2、R4、R5としては水素原子が好ましく、R3としてはメトキシ基が好ましい。本発明に係る不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法によれば、効率よく、且つ優れた収率で、純度が高く、且つ、含塩素化合物の含有量が極めて低い不飽和カルボン酸アミド組成物を得ることができる。そのため、本発明に係る不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法によって得られる不飽和カルボン酸アミド組成物は、医薬、農薬、高分子材料やその中間体としてはもちろん、高機能材料、例えば、電気電子部品の製造に利用される感光性高機能材料レジスト材料、とりわけ高信頼性が要求される半導体封止材料、半導体やMEMSMicroElectroMechanicalSystems等のパッケージ材料、及び半導体、液晶ディスプレイやMEMS用感光性材料等として好適に使用することができる。本発明の不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法は、上記式1で表される不飽和カルボン酸を、塩化チオニルにより塩素化して、上記式2で表される化合物を得る工程1、及び上記式2で表される化合物と上記式3で表されるアミンを反応させることにより、上記式4で表される不飽和カルボン酸アミドを主成分とする不飽和カルボン酸アミド組成物を得る工程2とを含む不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法において、塩化チオニルの使用量を上記式1で表される不飽和カルボン酸の0.5~3.0モル倍とする、及び/又は工程2終了後に吸着剤を用いて含塩素化合物を分離除去することを特徴とする。式1中、R1~R5は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基又はニトロ基を示す。R1~R5のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成していてもよい。R1~R5におけるアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル基等の炭素数1~4程度のアルキル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert-ブトキシ、ペントキシ基等の炭素数1~6程度のアルコキシ基等を挙げることができる。R1~R5のうち少なくとも2つが互いに結合して形成していてもよい環としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン環等の芳香環;シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、シクロオクタン、シクロドデカン、アダマンタン、ノルボルナン、ノルボルネン環等の3~20員好ましくは、3~15員、さらに好ましくは5~12員程度の炭化水素環シクロアルカン環、シクロアルケン環、又は橋かけ炭素環等を挙げることができる。本発明においては、なかでも、R1、R2、R4、R5が水素原子であり、R3がメトキシ基であることが、吸光感度に優れる化合物を得ることができる点、及び原料の入手が容易な点で好ましい。R6は水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を示す。R6におけるアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル基等の炭素数1~6程度のアルキル基等を挙げることができる。シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等の3~6員程度のシクロアルキル基を挙げることができる。本発明のR6としては、水素原子、又は炭素数1~3程度のアルキル基特に、メチル基が好ましい。式3中、R7、R8は同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又は複素環式基を示す。R7、R8におけるアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s-ブチル、t-ブチル、ペンチル、ヘキシル、デシル、ドデシル基等の炭素数1~20好ましくは1~10程度のアルキル基等を挙げることができる。アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、1-ブテニル基等の炭素数2~20好ましくは2~10程度のアルケニル基等を挙げることができる。アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロピニル基等の炭素数2~20好ましくは2~10程度のアルキニル基等を挙げることができる。アリール基としては、例えば、フェニル、ナフチル基等の炭素数6~20好ましくは6~14程度のアリール基等を挙げることができる。複素環式基を構成する複素環としては、例えば、ピロール環等の芳香族性複素環;ピペリジン、ピロリジン、モルホリン、ピペラジン、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、チアジン環等の3~20員好ましくは3~12員、さらに好ましくは3~8員程度の非芳香族性複素環やこれらの環が縮合した環、及びこれらの環と芳香環例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン環等が縮合して得られる環例えば、ベンゾイミダゾール、フェノチアジン環等等を挙げることができる。前記R7、R8は、ヘテロ原子を介して又は介することなく互いに結合して、式3中に示される窒素原子と共に環を形成していてもよい。前記ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子等を挙げることができる。前記R7、R8がヘテロ原子を介することなく互いに結合して、式3中に示される窒素原子と共に環としては、例えば、ピロール環等の芳香族性複素環;ピペリジン、ピロリジン環等の3~20員好ましくは3~12員、さらに好ましくは3~8員程度の非芳香族性複素環やこれらの環が縮合した環、及びこれらの環と芳香環例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン環等が縮合して得られる環等を挙げることができる。前記R7、R8がヘテロ原子を介して互いに結合して、式3中に示される窒素原子と共に環としては、例えば、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、チアジン、モルホリン、ピペラジン環等の3~20員好ましくは3~12員、さらに好ましくは3~8員程度の非芳香族性複素環やこれらの環が縮合した環、及びこれらの環と芳香環例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン環等が縮合して得られる環例えば、ベンゾイミダゾール、フェノチアジン環等等を挙げることができる。また、前記環は、置換基として、メチル、エチル、プロピル基等の炭素数1~3程度のアルキル基や、フェニル、ナフチル基等の炭素数6~20好ましくは6~14程度のアリール基等を有していてもよい。式3で表されるアミンの具体例としては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、アリルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、2-エチルヘキシルアミン、ベンジルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、アニリン、トルイジン、キシリジン、ナフチルアミン、2-アミノチアゾール等の第1級アミン;ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジアリルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジオクチルアミン、ジ2-エチルヘキシルアミン、エチレンイミン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、イミダゾール、2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、N-メチルアニリン、ジフェニルアミン、ベンゾイミダゾール、2-フェニルベンゾイミダゾール、フェノチアジン、ピラゾール等の第2級アミン等を挙げることができる。式4中、R1~R8は前記に同じ。式4で表される不飽和カルボン酸アミドの具体例としては、下記式4a~4hで表される化合物等を挙げることができる。式5中、R1~R8は前記に同じ。式5で表される含塩素化合物における塩素原子の結合する炭素原子としては、カルボニル基に隣接する二重結合を形成する2つの炭素原子の少なくとも1つ、及び/又は、R6がアルキル基又はシクロアルキル基である場合はR6を構成する炭素原子の少なくとも1つであり、主に、カルボニル基に隣接する二重結合を形成する2つの炭素原子の少なくとも1つである。[工程1]工程1は、上記式1で表される不飽和カルボン酸を、塩化チオニルにより塩素化して、上記式2で表される化合物を得る工程である。塩化チオニルの使用量としては、例えば、式1で表される不飽和カルボン酸の0.5~3.0モル倍好ましくは0.8~2.5モル倍、さらに好ましくは0.9~1.8モル倍、特に好ましくは1.0~1.5モル倍、最も好ましくは1.1~1.5モル倍程度である。塩化チオニルの使用量が上記範囲を上回ると、副生物である含塩素化合物の生成量が増加して、感光性高機能材料として使用することが困難となる場合がある。一方、塩化チオニルの使用量が上記範囲を下回ると、目的化合物の収率が低下する傾向がある。式1で表される不飽和カルボン酸の、塩化チオニルによる塩素化反応は、溶媒の存在下又は非存在下で行うことができる。前記溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、石油エーテル等の飽和または不飽和炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒;塩化メチレン、クロロホルム、1,2-ジクロロエタン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2-ジメトキシエタン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒;アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒;ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒;スルホラン等のスルホラン系溶媒;ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒;シリコーンオイル等の高沸点溶媒等を挙げることができる。これらの中で、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒や、塩化メチレン、クロロホルム、1,2-ジクロロエタン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒を特に好ましく使用できる。これらは単独でまたは2種以上混合して使用することができる。溶媒の使用量は、反応基質を溶解または分散することが可能であり、且つ、経済性等を損なわない範囲内であれば特に制限されることがなく、例えば、式1で表される不飽和カルボン酸1重量部に対して、1~100000重量部程度、好ましくは1~10000重量部程度の範囲から選択することができる。上記塩素化反応は、例えば、式1で表される不飽和カルボン酸を仕込んだ系内に、塩化チオニルを滴下することにより行うことができる。反応時間は、例えば、0.5~48時間程度、好ましくは1~36時間程度、特に好ましくは2~24時間程度である。塩化チオニルの滴下時温度としては、例えば、40°C以上、反応系内に存在する物質の沸点以下、好ましくは55~120°C、さらに好ましくは60~75°Cである。また、塩化チオニル滴下終了後の反応温度としては、例えば、55°C以上、反応系内に存在する物質の沸点以下、好ましくは55~120°C、さらに好ましくは60~75°Cである。滴下時温度と滴下終了後の反応温度は、同一であっても異なっていてもよい。塩化チオニルの滴下時温度、及び滴下終了後の反応温度が上記範囲を下回ると、式4で表される不飽和カルボン酸アミドの収率が低下する傾向がある。一方、塩化チオニルの滴下時温度、及び滴下終了後の反応温度が上記範囲を上回ると、副生物である含塩素化合物の生成量が増加して、感光性高機能材料として使用することが困難となる場合がある。上記塩素化反応は、加圧下、常圧下又は減圧下例えば0.0001~0.1MPa程度、好ましくは0.001~0.1MPa程度の何れであってもよいが、常圧下又は減圧下で行うことが多い。本発明においては、工程1中若しくは工程1終了後に、過剰の塩化チオニルの除去操作を行うことが、不飽和カルボン酸アミド組成物中の含塩素化合物含有量、及び/又は、塩素原子含有量を一層低減することができる点で好ましい。過剰の塩化チオニル除去手段としては、慣用の方法、例えば、脱気、抽出、蒸留、精留、分子蒸留、吸着を用いた分離等を用いることができる。これらは、連続的に行ってもよく、非連続的回分式に行ってもよい。また、操作時圧力は、減圧又は常圧の何れであってもよい。また、工程1では、更に、副生する酸性ガス例えば、塩化水素、二酸化硫黄等を、反応系から連続的に分離しつつ、反応を行うことが、不飽和カルボン酸アミド組成物中の含塩素化合物含有量、及び/又は、塩素原子含有量を一層低減することができる点で好ましい。副生する酸性ガスの分離手段としては、慣用の方法、例えば脱気、抽出、蒸留、精留、分子蒸留、吸着を用いた分離等を用いることができる。これらは、連続的に行ってもよく、非連続的回分式に行ってもよい。また、操作時圧力としては、減圧又は常圧の何れであってもよい。[工程2]工程2は、工程1で得られた式2で表される化合物と式3で表されるアミンと反応させて、式4で表される不飽和カルボン酸アミドを主成分とする不飽和カルボン酸アミド組成物を得る工程である。式3で表されるアミンとしては、上記式3で表されるアミンの具体例で挙げられる第1級アミン及び第2級アミンを単独で、又は2種以上を混合して使用することができる。式3で表されるアミンの使用量としては、例えば、式2で表される化合物の0.5~20.0モル倍程度、好ましくは0.8~8.0モル倍程度、さらに好ましくは1.0~3.0モル倍程度である。式3で表されるアミンの使用量が上記範囲を上回ると、反応の操作性及び経済性を損ねる傾向があり、一方、式3で表されるアミンの使用量が上記範囲を下回ると、式4で表される不飽和カルボン酸アミドの収率が低下する傾向がある。工程2の反応は、溶媒の存在下又は非存在下で行うことができる。前記溶媒としては、上記工程1で使用することができる溶媒の例と同様の例を挙げることができる。溶媒の使用量は、反応基質を溶解または分散することが可能であり、且つ、経済性等を損なわない範囲内であれば特に制限されることがなく、例えば、式2で表される化合物1重量部に対して、1~100000重量部程度、好ましくは1~10000重量部程度の範囲から選択することができる。工程2の溶媒は、工程1の溶媒を共通に使用することができ、工程1終了後、そのまま使用してもよく、工程1終了後、濃縮又は希釈することにより濃度を調整して使用してもよい。工程2の反応温度としては、例えば、-50~150°C、好ましくは-10~80°C、さらに好ましくは10~50°Cである。また、反応は、加圧下、常圧下又は減圧下例えば0.0001~0.1MPa程度、好ましくは0.001~0.1MPa程度の何れであってもよいが、常圧下又は減圧下で行うことが多い。更に、反応は、バッチ式、セミバッチ式、及び連続式のいずれの方法で行ってもよい。工程2では、反応の進行により酸性ガス塩化水素及び/又はアミン塩酸塩のガスが副生する。本発明においては、これらを除去することが、反応の進行を促進することができ、且つ、含塩素化合物等の副生物生成を抑制することができる点で好ましい。除去方法としては、例えば、反応に不活性又は目的物の取得に影響を与えない塩基を添加してこれらを捕捉する方法や、例えば、脱気、抽出、蒸留、精留、分子蒸留、又は吸着等の分離手段により、これらを反応系から連続的に分離しつつ反応を行う方法等を挙げることができる。前記反応に不活性又は目的物の取得に影響を与えない塩基としては、例えば、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機塩基、トリエチルアミン、トリブチルアミン等の第3級アミン、ピリジン等の芳香族アミン、及び上記式3で表させるアミンの具体例として挙げられる第1級アミン及び第2級アミン等を挙げることができる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。反応に不活性又は目的物の取得に影響を与えない塩基の使用量としては、例えば、式2で表される化合物の0.5~10.0モル倍程度、好ましくは0.8~3.0モル倍程度である。前記脱気、抽出、蒸留、精留、分子蒸留、又は吸着等による分離は、連続的に行ってもよく、非連続的回分式に行ってもよい。また、前記分離操作時の圧力としては、減圧又は常圧の何れであってもよい。工程2を経て得られた反応生成物は、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、吸着、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の分離手段や、これらを組み合わせた分離手段により分離精製できる。本発明においては、なかでも、吸着剤を用いて反応生成物中に含有する含塩素化合物を分離除去することが好ましい。吸着剤としては、例えば、シリカゲル、アルミナ、活性炭、マグネシア、ハイドロタルサイト等を挙げることができる。本発明においては、特に、分離及び/又は除去効率に優れる点で、シリカゲル特に、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを使用して含塩素化合物を分離除去することが好ましい。本発明における含塩素化合物としては、本発明の不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法により副生する全ての塩素原子含有化合物を挙げることができる。主な含塩素化合物としては、例えば、上記式5で表される化合物、3-クロロ-3-アリールアクリル酸アミド及びその類縁体、2-クロロ-3-アリールアクリル酸アミド及びその類縁体、3-クロロ-3-アリールプロピオン酸アミド及びその類縁体、2-クロロ-3-アリールプロピオン酸アミド及びその類縁体等を挙げることができる。本発明に係る不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法は反応の制御が容易であり、優れた収率例えば、90以上、好ましくは93以上、特に好ましくは95以上で、式4で表される不飽和カルボン酸アミドを主成分とし、塩素原子含有量及び/又は上記式5で表される含塩素化合物の含有量が極めて低い高純度の不飽和カルボン酸アミド組成物を得ることができる。不飽和カルボン酸アミド組成物中の、式4で表される不飽和カルボン酸アミドの含有量重量としては、例えば、95重量以上好ましくは98重量以上、特に好ましくは99重量以上、最も好ましくは99.5重量以上である。また、塩素原子含有量は、式4で表される不飽和カルボン酸アミドに対して、例えば1000ppm以下程度好ましくは、800ppm以下、特に好ましくは500ppm以下であることが好ましい。塩素原子含有量は、例えば、燃焼イオンクロマトグラフィー等により測定することができる。また、上記式5で表される含塩素化合物の含有量は、式4で表される不飽和カルボン酸アミドに対して、0.1重量以下好ましくは0.05重量以下、特に好ましくは0.01重量以下であることが好ましい。上記式5で表される含塩素化合物の含有量は、例えば、ガスクロマトグラフィー等により測定することができる。式4で表される不飽和カルボン酸アミドに対する塩素原子含有量及び/又は上記式5で表される含塩素化合物の含有量が上記範囲を上回ると、高機能材料として使用することが困難となる傾向がある。上記不飽和カルボン酸アミド組成物の製造方法により得られた不飽和カルボン酸アミド組成物は、塩素原子含有量及び/又は含塩素化合物含有量が極めて低く、高純度であるため、高機能材料、例えば、電気電子部品の製造に利用される感光性高機能材料レジスト材料、とりわけ高信頼性が要求される半導体封止材料、半導体やMEMSMicroElectroMechanicalSystems等のパッケージ材料、及び半導体、液晶ディスプレイやMEMS用感光性材料に好適に使用することができる。以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。尚、定量、分析は、ガスクロマトグラフィー、及び燃焼イオンクロマトグラフィーにより行った。また、化合物の構造は、1H-NMR及び/又はGC-MSにより同定した。実施例1N,N-ジエチル-3-4-メトキシフェニルアクリル酸アミドの合成:塩化チオニルを1.2モル倍使用容量5Lの4つ口フラスコに還流冷却管と滴下漏斗、温度計を装着した。ここへ4-メトキシ桂皮酸450g、トルエン2.3Lを加え、窒素雰囲気下、反応器内を撹拌して懸濁状態とした。ここへ、塩化チオニル360g4-メトキシ桂皮酸に対して1.2モル倍に相当を、反応器内温度を60°Cに保持しつつ、1.5時間かけて滴下した。滴下終了後、4時間反応器内温度を60°Cに保持して反応させ、その後、反応を終了した。反応終了後、反応器内を減圧にし、液温60°Cで、過剰の塩化チオニル及び約2割のトルエンを留去した。このようにして、4-メトキシ桂皮酸クロリドトルエン溶液を2012g得た。このようにして得られた4-メトキシ桂皮酸クロリドトルエン溶液に、トルエン975mLを追加し、ジエチルアミン462g4-メトキシ桂皮酸クロリドに対して2.5モル倍に相当を、反応器内温度を40°Cに保持しつつ滴下した。滴下終了後、反応器内を1時間撹拌し、10塩酸水2024gを加え、洗浄、分液して有機層を得た。この有機層を引き続き8炭酸水素ナトリウム水溶液2025g、水2025gで洗浄し、トルエンを留去して4-メトキシ桂皮酸-N,N-ジエチルアミド=N,N-ジエチル-3-4-メトキシフェニルアクリル酸アミドを主成分とする反応物1579g溶媒含有量:2重量を得た。実施例2N,N-ジエチル-3-4-メトキシフェニルアクリル酸アミドの合成:塩化チオニルを2.0モル倍使用4-メトキシ桂皮酸100g、塩化チオニル133g4-メトキシ桂皮酸に対して2.0モル倍に相当を用い、その他の原料を、実施例1における4-メトキシ桂皮酸に対する割合と同じ割合で使用したこと、塩化チオニルの滴下を反応器内温度を40°Cに保持して実施したこと、過剰の塩化チオニルの除去を、反応器内を常圧にして行ったこと、及びジエチルアミンの滴下を、反応器内を室温25°Cにして行ったこと以外は、実施例1と同様にして、4-メトキシ桂皮酸-N,N-ジエチルアミド=N,N-ジエチル-3-4-メトキシフェニルアクリル酸アミドを主成分とする反応物2125g溶媒含有量:1.4重量を得た。実施例3N,N-ジエチル-3-4-メトキシフェニルアクリル酸アミドの合成:塩化チオニルを1.2モル倍使用4-メトキシ桂皮酸1.5kg、塩化チオニル1.2kg4-メトキシ桂皮酸に対して1.2モル倍に相当を用いたこと、その他の原料を、実施例1における4-メトキシ桂皮酸に対する割合と同じ割合で使用したこと以外は、実施例1と同様にして、4-メトキシ桂皮酸-N,N-ジエチルアミド=N,N-ジエチル-3-4-メトキシフェニルアクリル酸アミドを主成分とする反応物32.0kg溶媒含有量:3.4重量を得た。実施例4N,N-ジエチル-3-4-メトキシフェニルアクリル酸アミドの合成:塩化チオニルを1.05モル倍使用4-メトキシ桂皮酸40g、塩化チオニル28g4-メトキシ桂皮酸に対して1.05モル倍に相当を用い、その他の原料を、実施例1における4-メトキシ桂皮酸に対する割合と同じ割合で使用したこと、塩化チオニルの滴下及び滴下後の反応を、反応器内温度を70°Cに保持して行ったこと、過剰の塩化チオニルの除去を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして、4-メトキシ桂皮酸-N,N-ジエチルアミド=N,N-ジエチル-3-4-メトキシフェニルアクリル酸アミドを主成分とする反応物450g溶媒含有量:0.97重量を得た。比較例1N,N-ジエチル-3-4-メトキシフェニルアクリル酸アミドの合成:塩化チオニルを8.6モル倍使用4-メトキシ桂皮酸30g、塩化チオニル172g4-メトキシ桂皮酸に対して8.6モル倍に相当を用い、その他の原料を、実施例1における4-メトキシ桂皮酸に対する割合と同じ割合で使用したこと、塩化チオニルの滴下を反応器内を室温25°Cにして行い、滴下後の反応を、反応器内温度を50°Cから還流温度に調整して行ったこと、過剰の塩化チオニルの除去を、反応器内を常圧にして行ったこと、及びジエチルアミンの滴下を、反応器内を室温25°Cにして行ったこと以外は、実施例1と同様にして、4-メトキシ桂皮酸-N,N-ジエチルアミド=N,N-ジエチル-3-4-メトキシフェニルアクリル酸アミドを主成分とする反応物540g溶媒含有量:5重量を得た。実施例5N,N-ジエチル-3-4-メトキシフェニルアクリル酸アミドの合成:シリカゲルで精製比較例1で得られた反応物56.5gをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、精製された反応物515.3gを得た回収率:83。比較例2N,N-ジエチル-3-4-メトキシフェニルアクリル酸アミド合成:蒸留精製比較例1で得られた反応物520gをクーゲルロールにより、減圧度1.5Torrで蒸留精製し、精製された反応物5218gを得た回収率:90。実施例64-メトキシ桂皮酸-N-フェニル-アミドの合成実施例1と同様の方法で、4-メトキシ桂皮酸11.5g、トルエン60.5g、塩化チオニル7.7g4-メトキシ桂皮酸に対して1.2モル倍に相当から4-メトキシ桂皮酸クロリドトルエン溶液を得た。ここへ、アニリン15g4-メトキシ桂皮酸クロリドに対して2.5モル倍に相当を、反応器内温度を40°Cに保持しつつ滴下した。滴下終了後、反応器内を1時間撹拌し、10塩酸水115g、酢酸エチル230gを加え、洗浄、分液して有機層を得た。この有機層を引き続き8炭酸水素ナトリウム水溶液115g、水115gで洗浄し、溶媒を留去して4-メトキシ桂皮酸-N-フェニル-アミドを主成分とする反応物615.7gを得た。実施例7N-3-4-メトキシフェニルアクリル酸モルホリドの合成アニリンに代えてモルホリンを用いた以外は、実施例6と同様に反応をおこなった。滴下終了後、反応器内を1時間撹拌し、10塩酸水58g、酢酸エチル58gを加え、洗浄、分液して有機層を得た。この有機層を引き続き8炭酸水素ナトリウム水溶液58g、水58gで洗浄し、溶媒を留去してN-3-4-メトキシフェニルアクリル酸モルホリドを主成分とする反応物714.5gを得た。実施例8N-3-4-メトキシフェニルアクリル酸-1H-イミダゾリドの合成実施例1と同様の方法で、4-メトキシ桂皮酸15g、トルエン83g、塩化チオニル11g4-メトキシ桂皮酸に対して1.2モル倍に相当から4-メトキシ桂皮酸クロリドトルエン溶液を得た。ここへ、イミダゾール14g4-メトキシ桂皮酸クロリドに対して2.5モル倍に相当をテトラヒドロフラン72gに溶解させた液を、反応器内温度を40°Cに保持しつつ滴下した。滴下終了後、反応器内を1時間撹拌し、水75g、0.5塩酸水75g、8炭酸水素ナトリウム水溶液58g、水58gの順で洗浄し、溶媒を留去してN-3-4-メトキシフェニルアクリル酸-1H-イミダゾリドを主成分とする反応物87.4gを得た。上記実施例及び比較例で得られた反応物中の溶媒以外の成分について、定量、分析結果を下記表にまとめて示す。尚、各成分の含有量について、ガスクロマトグラフィーの検出限界以下の場合は0.00と示す。また、塩素原子含有量は、下記条件で測定した。分析手段燃焼イオンクロマトグラフィー燃焼条件使用機器商品名AQF-100、ダイアインスツルメンツ製サンプル約20mg燃焼プログラムMCDEA吸収液H2O2:30ppm内標酒石酸:5ppm吸収液量5mL分析条件使用機器商品名DIONEXICS-2000低濃度分析モード本カラムAS-12プレカラムAG-12溶離液2.7mMK2CO30.3mM炭酸水素カリウムサプレッサーASRSリサイクルモード流速1.2mL/min検出器導電率検出器カラム温35°C注入量100μL"