ドナー含有β-Ga2O3系単結晶からなる第1の層と、ドナー含有β-Ga2O3系単結晶からなり、厚さが1μm以下であり、前記第1の層よりも薄く、前記第1の層よりもドナー濃度が高い、前記第1の層上に積層された、電極を接続するための第2の層と、を含むβ-Ga2O3系基板。前記第1の層のドナー濃度は5×1018/cm3未満であり、前記第2の層のドナー濃度は5×1018/cm3以上1×1020/cm3以下である、請求項1に記載のβ-Ga2O3系基板。前記第2の層の少なくとも一部の側面が前記第1の層に接する、請求項1又は2に記載のβ-Ga2O3系基板。前記電極は透明電極又は金属電極である、請求項1~3のいずれか1項に記載のβ-Ga2O3系基板。ドナー含有β-Ga2O3系単結晶からなる第1の層と、ドナー含有β-Ga2O3系単結晶からなり、厚さが1μm以下であり、前記第1の層よりも薄く、前記第1の層よりもドナー濃度が高い、前記第1の層の第1の面上に積層された第2の層と、前記第1の層の前記第1の面の反対側の第2の面上に積層されたLED層と、前記第2の層に接続された電極と、を含むLED素子。前記第1の層のドナー濃度は5×1018/cm3未満であり、前記第2の層のドナー濃度は5×1018/cm3以上1×1020/cm3以下である、請求項5に記載のLED素子。前記第2の層の少なくとも一部の側面が前記第1の層に接する、請求項5又は6に記載のLED素子。前記電極は透明電極又は金属電極である、請求項5~7のいずれか1項に記載のLED素子。イオン注入法により、ドナー含有β-Ga2O3系単結晶からなる基板の第1の面側に、1μm以下の深さまでドナー不純物を注入する工程と、前記ドナー不純物の注入の前又は後に、前記基板の前記第1の面の反対側の第2の面上にLED層を形成する工程と、前記基板中の前記ドナー不純物が注入された領域に電極を接続する工程と、を含むLED素子の製造方法。前記基板の前記ドナー不純物が注入されていない領域のドナー濃度は5×1018/cm3未満であり、前記基板の前記ドナー不純物が注入された領域のドナー濃度は5×1018/cm3以上1×1020/cm3以下である、請求項9に記載のLED素子の製造方法。前記ドナー不純物は、前記基板の前記第1の面側の一部に注入される、請求項9又は10に記載のLED素子の製造方法。前記電極は透明電極である、請求項9~11のいずれか1項に記載のLED素子の製造方法。LEDLightEmittingDiode素子等の通電方向が縦方向である縦型の発光素子のための透明基板として、ドナー不純物の添加により導電性を付与されたGa2O3系基板を用いる場合、基板の光透過率が高いこと、及び基板と電極との接触抵抗が低いことが素子の発光効率のために重要になる。しかし、基板と電極との接触抵抗を低減するために基板のドナー濃度を増加させると、ドナー濃度の増加に伴い光透過率が低下する。そのため、従来、光透過率が高く、かつ電極との接触抵抗が低い透明基板を形成することは困難であった。したがって、本発明の目的は、光透過率が高く、かつ電極との接触抵抗が低いβ-Ga2O3系基板、そのβ-Ga2O3系基板を含むLED素子、及びLED素子の製造方法を提供することにある。本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記の[1]~[4]のβ-Ga2O3系基板、[5]~[8]のLED素子、及び[9]~[12]のLED素子の製造方法を提供する。[1]ドナー含有β-Ga2O3系単結晶からなる第1の層と、ドナー含有β-Ga2O3系単結晶からなり、厚さが1μm以下であり、前記第1の層よりも薄く、前記第1の層よりもドナー濃度が高い、前記第1の層上に積層された、電極を接続するための第2の層と、を含むβ-Ga2O3系基板[2]前記第1層のドナー濃度は5×1018/cm3未満であり、前記第2の層のドナー濃度は5×1018/cm3以上1×1020/cm3以下である、前記[1]に記載のβ-Ga2O3系基板。[3]前記第2の層の少なくとも一部の側面が前記第1の層に接する、前記[1]又は[2]に記載のβ-Ga2O3系基板。[4]前記電極は透明電極又は金属電極である、前記[1]~[3]のいずれか1つに記載のβ-Ga2O3系基板。[5]ドナー含有β-Ga2O3系単結晶からなる第1の層と、ドナー含有β-Ga2O3系単結晶からなり、厚さが1μm以下であり、前記第1の層よりも薄く、前記第1の層よりもドナー濃度が高い、前記第1の層の第1の面上に積層された第2の層と、前記第1の層の前記第1の面の反対側の第2の面上に積層されたLED層と、前記第2の層に接続された電極と、を含むLED素子。[6]前記第1の層のドナー濃度は5×1018/cm3未満であり、前記第2の層のドナー濃度は5×1018/cm3以上1×1020/cm3以下である、前記[5]に記載のLED素子。[7]前記第2の層の少なくとも一部の側面が前記第1の層に接する、前記[5]又は[6]に記載のLED素子。[8]前記電極は透明電極又は金属電極である、前記[5]~[7]のいずれか1つに記載のLED素子。[9]イオン注入法により、ドナー含有β-Ga2O3系単結晶からなる基板の第1の面側に、1μm以下の深さまでドナー不純物を注入する工程と、前記ドナー不純物の注入の前又は後に、前記基板の前記第1の面の反対側の第2の面上にLED層を形成する工程と、前記基板中の前記ドナー不純物が注入された領域に電極を接続する工程と、を含むLED素子の製造方法。[10]前記基板の前記ドナー不純物が注入されていない領域のドナー濃度は5×1018/cm3未満であり、前記基板の前記ドナー不純物が注入された領域のドナー濃度は5×1018/cm3以上1×1020/cm3以下である、前記[9]に記載のLED素子の製造方法。[11]前記ドナー不純物は、前記基板の前記第1の面側の一部に注入される、前記[9]又は[10]に記載のLED素子の製造方法。[12]前記電極は透明電極である、前記[9]~[11]のいずれか1つに記載のLED素子の製造方法。本発明によれば、光透過率が高く、かつ電極との接触抵抗が低いβ-Ga2O3系基板、そのβ-Ga2O3系基板を含むLED素子、及びLED素子の製造方法を提供することができる。図1は、β-Ga2O3基板を透過する光の波長と透過率との関係を表すグラフである。上側は、ドナー濃度が5×1017/cm3のβ-Ga2O3基板の測定値、下側は、ドナー濃度が2×1018/cm3のβ-Ga2O3基板の測定値である。これらの基板の厚さは600μmである。図1に示されるように、ドナー濃度が高い基板の方が光透過率が低い。これは、β-Ga2O3基板の厚さ方向に通電するLED素子等において、ドナー濃度が高いほど光透過率が低いことを裏付けている。そこで、本発明の実施の形態では、β-Ga2O3系基板の電極が接続される一部の領域のドナー濃度を高くし、その他の領域のドナー濃度を比較的低くすることにより、光透過率が高く、かつ電極との接触抵抗が低いβ-Ga2O3系基板を提供する。また、そのβ-Ga2O3系基板を含むLED素子、及びLED素子の製造方法を提供する。以下、その実施の形態の一例について詳細に説明する。LED素子の構造図2は、実施の形態に係るLED素子の垂直断面図である。LED素子1は、β-Ga2O3系基板2、β-Ga2O3系基板2の下面図1の下側の面上の第1電極3、β-Ga2O3系基板2の上面図1の上側の面上のLED層10、及びLED層10上の第2電極4を含む。β-Ga2O3系基板2は、β-Ga2O3系単結晶からなり、LED層10側の低ドナー濃度層2a、及び第1電極3側の高ドナー濃度層2bを有する。β-Ga2O3系単結晶は、β-Ga2O3単結晶、又は、Al、In等の元素が添加されたβ-Ga2O3単結晶、例えば、GaxAlyIn1-x-y2O30<x≦1、0≦y≦1、0<xy≦1結晶である。低ドナー濃度層2aの厚さは、例えば、100~300μmである。低ドナー濃度層2aは、SiやSn等のIV族元素をドナー不純物として含む。低ドナー濃度層2aのドナー濃度は、5×1018/cm3未満である。高ドナー濃度層2bの厚さは、1μm以下であり、例えば、30nmである。高ドナー濃度層2bは、低ドナー濃度層2aよりも薄い。高ドナー濃度層2bは、SiやSn等のIV族元素をドナー不純物として含む。高ドナー濃度層2bのドナー不純物は、低ドナー濃度層2aのドナー不純物と同じ元素であってもよいし、異なる元素であってもよい。高ドナー濃度層2bのドナー濃度は、5×1018/cm3以上1×1020/cm3以下であり、低ドナー濃度層2aのドナー濃度よりも高い。高ドナー濃度層2bは、例えば、イオン注入、又はエピタキシャル結晶成長により形成される。図3aは、高ドナー濃度層を形成しない場合の、β-Ga2O3系基板の印加電圧と電流の関係を表すグラフである。図3bは、イオン注入後に800°Cのアニール処理を施して高ドナー濃度層を形成したβ-Ga2O3系基板の印加電圧と電流の関係を表すグラフである。図4aは、イオン注入後に900°Cのアニール処理を施して高ドナー濃度層を形成したβ-Ga2O3系基板の印加電圧と電流の関係を表すグラフである。また、図4bは、イオン注入後に1000°Cのアニール処理を施して高ドナー濃度層を形成したβ-Ga2O3系基板の印加電圧と電流の関係を表すグラフである。図3b、図4a、及び図4bの例では、ドナー不純物としてのSnをイオン注入し、アニール処理を施すことにより高ドナー濃度層2bを形成している。低ドナー濃度層2a及び高ドナー濃度層2bのドナー濃度は、それぞれ5×1017/cm3及び5×1018/cm3である。高ドナー濃度層2bの厚さは、200nmである。イオン注入後のアニール処理は、1L/分の流量で窒素ガスを流しながら30分間行われた。また、β-Ga2O3系基板2の表面に、厚さ20nmのTi膜と厚さ230mのAu膜が積層された金属電極を2つ接続し、電圧を印加した。それぞれ3回ずつ印加電圧と電流の関係を測定した。低ドナー濃度層2aのドナー濃度は低いため、高ドナー濃度層2bを形成せずに2つの電極を低ドナー濃度層2aに直接接続した場合は、電極の接触抵抗が大きく、図3aに示されるようにほとんど電流が流れない。一方、高ドナー濃度層2bを形成し、高ドナー濃度層2bに一方の電極を接続した場合は、図3b、図4a、及び図4bに示されるように十分な大きさの電流が流れる。図3bの例では、やや不良なオーミックコンタクトが形成されているが、実用上はあまり問題はない。また、図3b、図4a、及び図4bは、アニール処理の温度が高いほど、良好なオーミックコンタクトが得られることを示している。LED層10は、β-Ga2O3系基板2上に積層されたAlxGa1-xNバッファ層0≦x≦111、n-GaN層12、p-GaN層13から構成される。なお、LED層10の構造はこのような構造に限定されず、例えば、ダブルヘテロ構造であってもよい。第1電極3及び第2電極4は、LED素子1の光取り出し方向により、一方がITOIndiumtinoxide等の透明電極材料からなる。例えば、LED素子1の光取り出し面が第1電極3側である場合は、第1電極3は透明電極であり、第2電極4はTi等からなる不透明電極である。また、LED素子1の光取り出し面が第2電極4側である場合は、第2電極4は透明電極であり、第1電極3はTi等からなる不透明電極である。光取り出し面でない側の電極は、光を反射する材料からなるか、又は直下に光反射層を有する。また、例えば、第1電極3がn電極、第2電極4がp電極であるが、逆であってもよい。第1電極3は、β-Ga2O3系基板2の下面の全領域上に形成される必要はないが、少なくとも一部が高ドナー濃度層2bに接するように形成される。これは、後述するように高ドナー濃度層2bがβ-Ga2O3系基板2の一部の表面に形成される場合でも同様である。LED素子の製造まず、EFGEdgedefinedfilmfedgrowth法やFZFloatingZone法等の結晶成長法により、ドナー濃度が5×1018/cm3未満であるβ-Ga2O3系単結晶を形成する。次に、β-Ga2O3系単結晶を所望の厚さにスライスした後、研削研磨処理及び物理的化学研磨を施してβ-Ga2O3系基板2を得る。次に、イオン注入法によりβ-Ga2O3系基板2に5×1018/cm3以上1×1020/cm3以下の濃度で1μm以下の深さまでドナー不純物を注入する。この場合、β-Ga2O3系基板2のドナー不純物がイオン注入された領域がアニール処理後に高ドナー濃度層2bとなり、イオン注入されていない領域が低ドナー濃度層2aとなる。なお、β-Ga2O3系基板2に含まれるドナー不純物と異なるドナー不純物を注入してもよい。イオン注入後、HF等の酸を用いて、高ドナー濃度層2bの表面を10nm程度ウェットエッチングする。その後、注入されたドナー不純物を活性化させるために、800°C以上のアニール処理を施し、高ドナー濃度層2bを形成する。例えば、アニール処理は、窒素雰囲気下では800°C以上、酸素雰囲気下では800~950°Cで実施される。アニール処理時間は、例えば、30分である。図5は、イオン注入後の窒素雰囲気下でのアニール処理の温度とβ-Ga2O3単結晶体の導電性との関係を表すグラフである。図5の縦軸は、β-Ga2O3単結晶体の単位立方センチ当たりのドナー密度とアクセプタ密度の差Nd-Na、すなわちn型半導体であるβ-Ga2O3単結晶体の導電性の高さを表す。図5の横軸は、窒素雰囲気下でのアニール処理の温度を表す。アニール処理は、各々30分間実施される。図5中の■及び▲は、それぞれドナー不純物としてSi及びSnを注入する場合のNd-Naの値を示す。また、○は、ドナー不純物を注入しない場合のNd-Naの値を示す。図5に示されるように、Siを注入する場合、Snを注入する場合ともに、800°C以上のアニール処理によりNd-Naの値が高くなる。すなわち、イオン注入後に窒素雰囲気下で800°C以上のアニール処理を実施することにより、β-Ga2O3単結晶体に高い導電性を付与することができる。なお、ドナー不純物を注入しない場合は、アニール処理の温度を上げてもNd-Naの値が大きく増加することはない。図6は、イオン注入後の酸素雰囲気下でのアニール処理の温度とβ-Ga2O3単結晶体の導電性との関係を表すグラフである。図6の縦軸は、β-Ga2O3単結晶体の単位立方センチ当たりのドナー密度とアクセプタ密度の差Nd-Na、すなわちn型半導体であるβ-Ga2O3単結晶体の導電性の高さを表す。図6の横軸は、酸素雰囲気下でのアニール処理の温度を表す。アニール処理は、各々30分間実施される。図6中の■及び▲は、それぞれドナー不純物としてSi及びSnを注入する場合のNd-Naの値を示す。図6に示されるように、Siを注入する場合、800°C以上950°C以下のアニール処理によりNd-Naの値が高くなる。また、Snを注入する場合、800°C以上1100°C以下のアニール処理によりNd-Naの値が高くなる。すなわち、イオン注入後に酸素雰囲気下で800°C以上950°C以下のアニール処理を実施することにより、β-Ga2O3単結晶体に高い導電性を付与することができる。図5及び6に示される結果は、イオン注入後、800°C以上のアニール処理を施すことにより、高い導電性を有するβ-Ga2O3系単結晶からなる高ドナー濃度層2bが得られることを示している。具体的には、窒素雰囲気下で800°C以上のアニール処理、及び酸素雰囲気下で800~950°Cのアニール処理を実施した場合、高い導電性を有する高ドナー濃度層2bが得られることを示している。イオン注入とアニール処理により高ドナー濃度層2bを形成した場合、ある深さで急峻にドナー濃度が変化するわけではなく、濃度分布はガウス分布に従う傾斜を有する。そのため、β-Ga2O3系基板2の深さ方向にドナー濃度が一定の領域が続いた後、ドナー濃度が徐々に減少する領域が続く。本実施の形態においては、ドナー濃度が一定の領域を高ドナー濃度層2bとする。図7は、イオン注入とアニール処理により高ドナー濃度層を形成した場合の、β-Ga2O3系基板の表面からの深さとドナー濃度との関係の一例を表すグラフである。図7の例では、ドナー不純物としてSnを約6×1018cm/cm3の濃度で注入している。β-Ga2O3系基板2の表面から約0.23μmの深さまでドナー濃度が約6×1018cm/cm3である領域が続いた後、ドナー濃度が徐々に減少する領域が続く。この場合、ドナー濃度が約6×1018cm/cm3である領域が高ドナー濃度層2bであり、高ドナー濃度層2bの厚さは約0.23μmである。また、フォトリソグラフィ法等により形成されるマスクを用いてイオン注入を行うことにより、図8に示すようにβ-Ga2O3系基板2の一部の表面に高ドナー濃度層2bを形成してもよい。この場合、高ドナー濃度層2bの少なくとも一部の側面が低ドナー濃度層2aに接する。また、高ドナー濃度層2bは、エピタキシャル結晶成長により形成されてもよい。この場合、β-Ga2O3系単結晶から切り出したβ-Ga2O3系基板2の表面上に、ドナー濃度が5×1018/cm3以上1×1020/cm3以下であり、厚さが1μm以下であるβ-Ga2O3系結晶膜をホモエピタキシャル成長させ、β-Ga2O3系基板2の厚さを増す。エピタキシャル成長したβ-Ga2O3系結晶膜が高ドナー濃度層2bとなり、エピタキシャル結晶成長の下地となったβ-Ga2O3系基板2が低ドナー濃度層2aとなる。なお、β-Ga2O3系基板2に含まれるドナー不純物と異なるドナー不純物を含むβ-Ga2O3系結晶膜をエピタキシャル成長させてもよい。また、高ドナー濃度層2bは、熱拡散により形成されてもよい。その場合は、例えば、SiやSnなどの金属をβ-Ga2O3系基板に接触させた状態で加熱処理を行い、IV族元素をβ-Ga2O3系基板中に拡散させる。次に、β-Ga2O3系基板2の低ドナー濃度層2a側の表面上にAlxGa1-xNバッファ層0≦x≦111、n-GaN層12、p-GaN層13から構成されるLED層10をエピタキシャル結晶成長により形成する。なお、LED層10を形成した後にβ-Ga2O3系基板2の高ドナー濃度層2bを形成してもよい。その後、β-Ga2O3系基板2の高ドナー濃度層2b側の表面上及びp型コンタクト層15上に、それぞれ第1電極3及び第2電極4を形成する。なお、第1電極3と第2電極4は、どちらを先に形成してもよい。また、高ドナー濃度層2bをイオン注入とアニール処理により形成する場合のアニール処理は、第1電極3及び第2電極4を形成した後に実施してもよい。実施の形態の効果第1の実施の形態によれば、β-Ga2O3系基板2において、ドナー濃度の高い高ドナー濃度層2bが第1電極3と接続されるため、β-Ga2O3系基板2と第1電極3との接触抵抗が低い。また、ドナー濃度の高い高ドナー濃度層2bは薄く、厚い低ドナー濃度層2aのドナー濃度は低いため、β-Ga2O3系基板2の光透過率が高い。そのため、発光効率が高いLED素子1を得ることができる。以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。