"基板に複数のホールパターンを形成するパターン形成方法であって、前記パターン形成方法が、下記工程1~6をこの番号順に有するパターン形成工程を複数回含み、1前記基板上に、A酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂及びB活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物によって、レジスト膜を形成する工程2前記レジスト膜を露光して、第1のライン群と第1のスペース群とが交互に配列された第1のラインアンドスペースの潜像を形成する工程3前記第1のラインアンドスペースの潜像が形成されたレジスト膜を露光して、第2のライン群と第2のスペース群とが交互に配列された第2のラインアンドスペースの潜像を、前記第2のラインアンドスペースのライン方向が前記第1のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向と交差するように形成する工程4前記第1及び第2のラインアンドスペースの潜像が形成されたレジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像を行い、ホールパターン群を形成する工程5前記ホールパターン群が形成されたレジスト膜を有する前記基板に、エッチング処理を行い、前記基板の、前記レジスト膜における前記ホールパターン群に対応する位置に、ホールパターン群を形成する工程6前記ホールパターン群が形成されたレジスト膜を除去する工程前記複数回のパターン形成工程の各々は、上記基板に形成されるホールパターン群を構成するホールパターンの全てを、他のパターン形成工程において形成されるホールパターン群を構成するホールパターンの全ての位置とは異なる位置に形成するものである、パターン形成方法。前記第1のラインアンドスペースの潜像を形成する工程及び前記第2のラインアンドスペースの潜像を形成する工程の各々は、ArFエキシマレーザーを用い、かつ、液浸液を介してレジスト膜に露光するものである、請求項1に記載のパターン形成方法。前記複数回のパターン形成工程を経て前記基板に形成される複数のホールパターンの中心間隔が、いずれも80nm以下である、請求項1又は2に記載のパターン形成方法。前記複数回のパターン形成工程を経て前記基板に形成される複数のホールパターンの中心間隔が、いずれも70nm以下である、請求項3に記載のパターン形成方法。前記第1のスペース群を構成する複数のスペースの幅が互いに同一であり、前記第2のスペース群を構成する複数のスペースの幅が互いに同一である、請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記第2のラインアンドスペースの潜像を形成する工程は、前記第2のラインアンドスペースの潜像を、前記第2のラインアンドスペースのライン方向が前記第1のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向と直交するように形成するものである、請求項5に記載のパターン形成方法。前記第1のスペース群におけるスペースの幅が、前記第2のスペース群におけるスペースの幅と同一である、請求項5又は6に記載のパターン形成方法。前記複数回のパターン形成工程を経て前記基板に形成される複数のホールパターンの各々における、前記基板の面方向の円断面の直径が、28nm以下である、請求項7に記載のパターン形成方法。前記複数回のパターン形成工程を経て前記基板に形成される複数のホールパターンの各々における、前記基板の面方向の円断面の直径が、25nm以下である、請求項8に記載のパターン形成方法。前記第2のラインアンドスペースの潜像を形成する工程は、前記第2のラインアンドスペースの潜像を、前記第2のラインアンドスペースのライン方向が前記第1のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向に対して斜めに交差するように形成するものである、請求項5に記載のパターン形成方法。前記パターン形成工程を、3回以上含む、請求項1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記第1のラインアンドスペースの潜像を形成する工程及び前記第2のラインアンドスペースの潜像を形成する工程における露光が、それぞれ、2重極照明を使用する露光である、請求項1~11のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記第1のラインアンドスペースの潜像を形成する工程及び前記第2のラインアンドスペースの潜像を形成する工程の各々において、露光が、バイナリマスク及び位相シフトマスクから選択されるフォトマスクを使用する露光である、請求項1~12のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項1~13のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。請求項14に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。しかしながら、パターン寸法の更なる微細化が要求されており、これに伴って、より短い中心間隔ピッチ具体的には80nm以下でホールパターンを形成可能なリソグラフィー技術が求められている。リソグラフィー技術の微細化は、g線波長436nm、i線波長365nm、KrFエキシマーレーザー波長248nm、ArFエキシマーレーザー波長193nmのように、現在に近づくにつれて、より短波長化された光源が使用されるとともに、露光機における投影レンズの開口数NAの上昇されることによって進んでいる。そして、上記したように、ArFエキシマーレーザーの導入以降は、ArFエキシマレーザーを光源とする液浸法ArF液浸露光が発展しており、ArF液浸露光においてNAが1.35の露光機が開発されている。ここで、解像限界は、一般に良く知られている、下記のレイリー式で表すことができる。解像限界=k1λ/NA上式において、λは空気中での露光光源の波長、NAは投影レンズの開口数、k1はプロセスに関係する係数である。ラインとスペースとが交互に配列されたラインアンドスペースパターンを、ラインアンドスペースが設けられたマスクを介して、ArF液浸露光を実施する場合、k1は0.27程度とされるため、解像限界は、約39nmとなる。よって、例えば特許文献1、非特許文献1及び非特許文献2が開示する技術は、上記したように、2重露光具体的には、ラインアンドスペースのマスクを用いた2回露光を実施している。しかしながら、上記ArF液浸露光における解像限界約39nmを鑑みれば、これらの従来技術では仮に特許文献1においてはArF露光をArF液浸露光に置き換えたとしても、40nm以下のハーフピッチ換言すれば、80nm以下のピッチでホールパターンを形成することは現実的に困難であるとともに、約39nm未満のハーフピッチでホールパターンを形成しようとする場合には、もはや、理論的にも不可能なものとなる。また、特許文献1におけるネガ型化学増幅レジスト組成物には、架橋剤が含有されており、このようなレジスト組成物から形成されるレジスト膜を露光することにより、露光部が架橋体となってアルカリ現像液に不溶化し、ネガ型パターンが形成される。しかしながら、架橋体からなる露光部は、アルカリ現像液によって膨潤しやすく、特に、ホールパターンのハーフピッチが上記解像限界付近の場合は、露光部のアルカリ現像液による膨潤の影響を顕著に受け、所望のホールが全く形成されないなどの不具合が生じる。また、非特許文献1が開示する反転膜を用いた技術や、シュリンク材を用いてホールパターンを細径化する技術は、工程が煩雑であるとともに、ホールパターンの加工精度が安定しないという不具合が生じやすい。本発明は、上記問題を鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に、複数のホールパターンを、極微細例えば80nm以下のピッチで、良好かつ容易に形成できるパターン形成方法、並びに、これを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供することにある。本発明は、下記の構成であり、これにより本発明の上記課題が解決される。1基板に複数のホールパターンを形成するパターン形成方法であって、前記パターン形成方法が、下記工程1~6をこの番号順に有するパターン形成工程を複数回含み、1前記基板上に、A酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂及びB活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物によって、レジスト膜を形成する工程2前記レジスト膜を露光して、第1のライン群と第1のスペース群とが交互に配列された第1のラインアンドスペースの潜像を形成する工程3前記第1のラインアンドスペースの潜像が形成されたレジスト膜を露光して、第2のライン群と第2のスペース群とが交互に配列された第2のラインアンドスペースの潜像を、前記第2のラインアンドスペースのライン方向が前記第1のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向と交差するように形成する工程4前記第1及び第2のラインアンドスペースの潜像が形成されたレジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像を行い、ホールパターン群を形成する工程5前記ホールパターン群が形成されたレジスト膜を有する前記基板に、エッチング処理を行い、前記基板の、前記レジスト膜における前記ホールパターン群に対応する位置に、ホールパターン群を形成する工程6前記ホールパターン群が形成されたレジスト膜を除去する工程前記複数回のパターン形成工程の各々は、上記基板に形成されるホールパターン群を構成するホールパターンの全てを、他のパターン形成工程において形成されるホールパターン群を構成するホールパターンの全ての位置とは異なる位置に形成するものである、パターン形成方法。2前記第1のラインアンドスペースの潜像を形成する工程及び前記第2のラインアンドスペースの潜像を形成する工程の各々は、ArFエキシマレーザーを用い、かつ、液浸液を介してレジスト膜に露光するものである、上記1に記載のパターン形成方法。3前記複数回のパターン形成工程を経て前記基板に形成される複数のホールパターンの中心間隔が、いずれも80nm以下である、上記1又は2に記載のパターン形成方法。4前記複数回のパターン形成工程を経て前記基板に形成される複数のホールパターンの中心間隔が、いずれも70nm以下である、上記3に記載のパターン形成方法。5前記第1のスペース群を構成する複数のスペースの幅が互いに同一であり、前記第2のスペース群を構成する複数のスペースの幅が互いに同一である、上記1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。6前記第2のラインアンドスペースの潜像を形成する工程は、前記第2のラインアンドスペースの潜像を、前記第2のラインアンドスペースのライン方向が前記第1のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向と直交するように形成するものである、上記5に記載のパターン形成方法。7前記第1のスペース群におけるスペースの幅が、前記第2のスペース群におけるスペースの幅と同一である、上記5又は6に記載のパターン形成方法。8前記複数回のパターン形成工程を経て前記基板に形成される複数のホールパターンの各々における、前記基板の面方向の円断面の直径が、28nm以下である、上記7に記載のパターン形成方法。9前記複数回のパターン形成工程を経て前記基板に形成される複数のホールパターンの各々における、前記基板の面方向の円断面の直径が、25nm以下である、上記8に記載のパターン形成方法。10前記第2のラインアンドスペースの潜像を形成する工程は、前記第2のラインアンドスペースの潜像を、前記第2のラインアンドスペースのライン方向が前記第1のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向に対して斜めに交差するように形成するものである、上記5に記載のパターン形成方法。11前記パターン形成工程を、3回以上含む、上記1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。12前記第1のラインアンドスペースの潜像を形成する工程及び前記第2のラインアンドスペースの潜像を形成する工程における露光が、それぞれ、2重極照明を使用する露光である、上記1~11のいずれか1項に記載のパターン形成方法。13前記第1のラインアンドスペースの潜像を形成する工程及び前記第2のラインアンドスペースの潜像を形成する工程の各々において、露光が、バイナリマスク及び位相シフトマスクから選択されるフォトマスクを使用する露光である、上記1~12のいずれか1項に記載のパターン形成方法。14上記1~13のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。15上記14に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明は、更に、下記の構成であることが好ましい。16前記パターン形成工程が、前記第1のラインアンドスペースの潜像を形成した後、かつ、前記第2のラインアンドスペースの潜像を形成する前に、前記第1のラインアンドスペースの潜像が形成されたレジスト膜を加熱する工程を含む、上記1~13のいずれか1項に記載のパターン形成方法。17前記樹脂Aが下記一般式AIで表される繰り返し単位を含有する、上記1~13、16のいずれか1項に記載のパターン形成方法。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表わされる基を表す。R9は、水酸基又は1価の有機基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基を形成してもよい。18上記一般式AIにおいて、Tが単結合であり、Rx1~Rx3が、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表すただし、Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基を形成することはない、上記17に記載のパターン形成方法。19前記樹脂Aが、下記一般式Iで表される、酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位を含有する、上記1~13、16、17のいずれか1項に記載のパターン形成方法。式中、Xaは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。Ry1~Ry3は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ry1~Ry3の内の2つが連結して環を形成していてもよい。Zは、n1価の、環員としてヘテロ原子を有していてもよい多環式炭化水素構造を有する連結基を表す。L1及びL2は、各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。nは1~3の整数を表す。nが2又は3のとき、複数のL2、複数のRy1、複数のRy2、及び、複数のRy3は、各々、同一であっても異なっていてもよい。本発明によれば、基板に、複数のホールパターンを、極微細例えば80nm以下のピッチで、良好かつ容易に形成できるパターン形成方法、並びに、これを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供できる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。本明細書中における活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線、電子線EB等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。また、本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。更に、本明細書中における直交とは、厳密な直角に交差することのみならず、実用上機器の精度上、直角と見なせる程度に交差することをも含む。図1は、本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法を説明するためのフローチャートである。本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法においては、図1に示すように、先ず、第1のパターン形成ステップS1~S7を実施する。第1のパターン形成において、先ず、レジスト膜を形成するステップS1、図1のレジスト膜の形成。図2a,bは、それぞれ、図1のステップS1実施後の状態を部分的に示す概略斜視図、及び、概略上面図である。より具体的には、図2a,bに示すように、ステップS1では、基板10上に、化学増幅型レジスト組成物より具体的には、ネガ型レジスト組成物によって、レジスト膜20を形成する。基板10は、用途によって選択されるものであり、特に限定されないが、シリコン、SiN、SiO2やSiN等の無機基板、SOG等の塗布系無機基板等、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造工程、さらにはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。予め反射防止膜を塗設した基板を用いても良い。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV-40シリーズ、シプレー社製のAR-2、AR-3、AR-5、日産化学社製のARC29AなどのARCシリーズ等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。レジスト組成物によるレジスト膜20の形成は、レジスト組成物を基板10上に塗布することができればいずれの方法を用いても良く、従来公知のスピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、フローコート法、ドクターコート法、浸漬法などを用いることができ、好ましくはスピンコート法によりレジスト組成物を塗布して、塗布膜を形成することが好ましい。この塗布膜の膜厚は、10~200nmであることが好ましく、20~150nmであることがより好ましい。レジスト組成物を塗布後、必要に応じて基板を加熱前加熱;PBPrebakeしてもよい。これにより、不溶な残留溶剤の除去された膜を均一に形成することができる。プリベークの温度は特に限定されないが、50°C~160°Cが好ましく、より好ましくは、60°C~140°Cである。加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。前加熱は通常の露光機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。レジスト組成物としては、A酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂及びB活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物を使用する。この化学増幅型レジスト組成物については、後に詳述する。次に、第1の露光を実施するステップS2、図1の第1の露光。図3aは、図1のステップS2において使用するマスクの一部を示す概略上面図である。図3aに示すように、マスク50は、複数の遮光性マスクラインからなるマスクライン群50Aと、複数の透光性スペースからなるマスクスペース群50Bとを、マスクラインとスペースとが交互に配列するように有している。マスクライン群50Aを構成する複数の遮光性マスクラインは、各々、kA/4√2で表される幅を有している。また、隣接する遮光性マスクラインの距離遮光性マスクラインのピッチも、各々同一であり、kA√2で表される。すなわち、マスク50において、遮光性マスクラインの幅と透光性スペースの幅との比は、1:3となっている。kは縮小露光に係る係数を表し、Aは、基板10に第1のパターン形成及び第2のパターン形成を経た後に形成されるホールパターンの中心間隔ピッチを表す。kは、適宜、設定可能であり、等倍露光の場合は1となるが、通常、縮小露光が好ましく、この場合、kは1より大きい値になる。図3b,cは、それぞれ、図1のステップS2実施後の状態を部分的に示す概略斜視図、及び、概略上面図である。第1の露光は、より具体的には、レジスト膜20の表面に対して、図3aに示すマスク50を介することにより実施する。図3b,cに示すように、第1の露光によって、図2に示すレジスト膜20は、第1のラインアンドスペースの潜像21Lが形成されたレジスト膜21に改質される。ここで、第1のラインアンドスペースの潜像21Lは、光がマスクライン群50Aによって遮断されたことによって形成された第1のスペース群21Aと、光がマスクスペース群50Bを透過したことによって形成された第1のライン群21Bとが交互に配列されてなる。第1のスペース群21Aを構成する複数の第1のスペースの各幅、及び、隣接する第1のスペースの距離スペースのピッチは、それぞれ、上記した、マスクライン群50Aを構成する複数の遮光性マスクラインの各幅、及び、隣接する遮光性マスクラインの距離に対応している。すなわち、第1のスペースの幅はA/4√2で表され、隣接する第1のスペースの距離は、A√2で表される。次に、第2の露光を実施するステップS3、図1の第2の露光。図4aは、図1のステップS3において使用するマスクの一部を示す概略上面図であり、図4b、cは、それぞれ、図1のステップS3実施後の状態を部分的に示す概略斜視図、及び、概略上面図である。第2の露光は、より具体的には、図4aに示すマスク50を介することにより実施する。ここで、マスク50は、図3aに示すマスク50が90°回転した状態ステップS3における図4aに示すマスク50の遮光性マスクラインが、ステップS2における図3aに示すマスク50の遮光性マスクラインに対して直交する状態で用いられる。図4b、cに示すように、第2の露光によって、図3b、cに示すレジスト膜21は、前記の第1のラインアンドスペースの潜像21Lに加えて、第2のラインアンドスペースの潜像22Lが形成されたレジスト膜22に改質される。ここで、第2のラインアンドスペースの潜像22Lは、光がマスクライン群50Aによって遮断されたことによって形成された第2のスペース群22Aと、光がマスクスペース群50Bを透過したことによって形成された第2のライン群22Bとが交互に配列されてなる。そして、第2のラインアンドスペースの潜像22Lは、そのライン方向スペースの長手方向でもあるが、第1のラインアンドスペースの潜像21Lにおけるライン方向スペースの長手方向でもあると直交するように設けられる。第2のスペース群22Aを構成する複数の第2のスペースの各幅、及び、隣接する第2のスペースの距離スペースのピッチは、それぞれ、上記した、マスクライン群50Aを構成する複数の遮光性マスクラインの各幅、及び、隣接する遮光性マスクラインの距離に対応している。すなわち、第2のスペースの幅はA/4√2で表され、隣接する第2のスペースの距離は、A√2で表される。すなわち、以上に説明した第1の露光と第2の露光とによって、レジスト膜22には、第1の露光及び第2の露光のいずれにおいても露光されない未露光部22Cが、A√2の間隔で、正方格子状に、複数個、形成されることになる。ここで、未露光部22Cのレジスト膜22の面方向における断面は、一辺A/4√2の正方形状となっている。第1の露光及び第2の露光において、露光装置に用いられる光源に制限は無いが、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、X線、電子線等を挙げることができ、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下、特に好ましくは1~200nmの波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー248nm、ArFエキシマレーザー193nm、F2エキシマレーザー157nm、X線、EUV13nm、電子線等であり、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV又は電子線が好ましい。パターンの極微細化を図るために、露光源として、EUV光や電子線を用いることは有望ではあるが、EUVリソグラフィーには、EUV光を高出力で安定的に供給しにくい点、及び、要求性能を満たすEUV露光用のレジスト組成物の開発が途上である点などの課題が存在しているとともに、電子線リソグラフィーには、生産性に課題が存在している。よって、光源としては、ArFエキシマレーザーを使用することがより好ましい。更に、特に40nm以下のハーフピッチすなわち、80nm以下のピッチでホールパターンを形成しようとする場合には、液浸露光方法を使用することが好ましい。液浸露光方法とは、解像力を高める技術として、投影レンズと試料の間に高屈折率の液体以下、液浸液ともいうで満たし露光する技術である。前述したように、解像限界は、式k1λ/NAで表されるがλは空気中での露光光源の波長、NAは投影レンズの開口数、k1はプロセスに関係する係数である、nを空気に対する液浸液の屈折率、θを光線の収束半角としNA0=sinθとすると、解像限界は、下式で表すことができる。解像限界=k1[λ/nNA0]=k1λ/n/NA0すなわち、液浸の効果は、投影レンズの開口数をn倍にできることと等価である換言すれば、同じNAの投影光学系の場合、液浸により、波長が1/nの露光波長を使用するのと等価である。液浸露光を行う場合には、1基板上に膜を形成した後、第1の露光を実施する前に、及び/又は2第2の露光の実施後、膜を加熱露光後加熱する前に、膜の表面を水系の薬液で洗浄する工程を実施してもよい。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー波長;193nmである場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させる添加剤液体を僅かな割合で添加しても良い。この添加剤はウエハー上のレジスト層を溶解させず、かつレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できるものが好ましい。このような添加剤としては、例えば、水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。液浸液として用いる水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水D2Oを用いてもよい。本発明の組成物を用いて形成した膜を、液浸媒体を介して露光する場合には、必要に応じて更に後述の疎水性樹脂Eを添加することができる。疎水性樹脂Eが添加されることにより、表面の後退接触角が向上する。膜の後退接触角は60°~90°が好ましく、更に好ましくは70°以上である。液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウェハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウェハ上を動く必要があるので、動的な状態に於けるレジスト膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能がレジストには求められる。本発明の組成物を用いて形成した膜と液浸液との間には、膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、レジスト上層部への塗布適性、放射線、特に193nmの波長を有した放射線に対する透明性、及び液浸液難溶性が挙げられる。トップコートは、レジストと混合せず、更にレジスト上層に均一に塗布できることが好ましい。トップコートは、193nmにおける透明性という観点からは、芳香族基を含有しないポリマーが好ましい。具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、及びフッ素含有ポリマーなどが挙げられる。後述の疎水性樹脂Eはトップコートとしても好適なものである。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズが汚染されるため、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、アルカリ現像液により剥離できることが好ましい。アルカリ現像液で剥離するという観点からは、トップコートは酸性であることが好ましいが、膜との非インターミクス性の観点から、中性であってもアルカリ性であってもよい。トップコートと液浸液との間には屈折率の差がないか又は小さいことが好ましい。この場合、解像力を向上させることが可能となる。露光光源がArFエキシマレーザー波長:193nmの場合には、液浸液として水を用いることが好ましいため、ArF液浸露光用トップコートは、水の屈折率1.44に近いことが好ましい。また、透明性及び屈折率の観点から、トップコートは薄膜であることが好ましい。トップコートは、膜と混合せず、更に液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。更に、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。次に、露光後加熱PEB;PostExposureBakeを実施するステップS4、図1の露光後加熱。露光後加熱における加熱温度は、70~130°Cで行うことが好ましく、80~120°Cで行うことがより好ましい。加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。加熱は、通常の露光機又は現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。この加熱により露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。なお、このような加熱は、第1のラインアンドスペースの潜像21Lを形成した後、かつ、第2のラインアンドスペースの潜像22Lを形成する前にすなわち、上記第1の露光後、かつ、上記第2の露光前に、実施してもよい。次に、現像を実施するステップS5、図1の現像。現像は、有機溶剤を含む現像液以下、有機系現像液とも言うを用いて行う。レジスト膜は、上記したように、A酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂及びB活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物によって形成されている。よって、レジスト膜の露光部においては、化合物Bから発生した酸が、樹脂Aと反応して、樹脂Aの極性が増大することにより、有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する。これにより、レジスト膜の露光部を、有機溶剤を含む現像液に対して、不溶又は難溶とすることができる。一方、レジスト膜の未露光部においては、露光部に見られるような樹脂Aの極性増大は起こらないため、有機溶剤を含む現像液に対する溶解性は変化しない。これにより、レジスト膜の未露光部を、有機溶剤を含む現像液に対して、可溶とすることができる。以上のように、現像により、ネガ型パターンが形成される。図5a,bは、それぞれ、図1のステップS5実施後の状態を部分的に示す概略斜視図、及び、概略上面図である。より具体的には、図5a,bに示すように、現像によって、図4b,cに示すレジスト膜22は、複数の第1のレジストホールパターン23Aからなる第1のレジストホールパターン群23Hが形成されたレジスト膜23に改質される。ここで、複数の第1のレジストホールパターン23Aは、それぞれ、図4cに示す未露光部22Cが現像液に溶解し、除去されることによって形成された、貫通孔である。また、第1のレジストホールパターン23Aの寸法は、図4cに示す未露光部22Cの寸法に対応しており、第1のレジストホールパターン23Aは、レジスト膜23の面方向における円断面の直径がA/4√2とされた円柱形状となっている。有機系現像液としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を好適に挙げることができる。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、2-ヘプタノンメチルアミルケトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルー3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等を挙げることができる。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等が使用できる。炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が10質量未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。すなわち、有機系現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることが好ましい。特に、有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。有機系現像液の蒸気圧は、20°Cに於いて、5kPa以下が好ましく、3kPa以下が更に好ましく、2kPa以下が特に好ましい。有機系現像液の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。5kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、2-ヘプタノンメチルアミルケトン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。特に好ましい範囲である2kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。有機系現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては特に限定されないが、例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、好ましくは、非イオン性の界面活性剤である。非イオン性の界面活性剤としては特に限定されないが、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることが更に好ましい。界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧吐出される現像液の単位面積あたりの流速は好ましくは2mL/sec/mm2以下、より好ましくは1.5mL/sec/mm2以下、更に好ましくは1mL/sec/mm2以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると0.2mL/sec/mm2以上が好ましい。吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜レジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。なお、現像液の吐出圧mL/sec/mm2は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法や、加圧タンクからの供給で圧力を調整することで変える方法などを挙げることができる。また、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。有機系現像液を用いた現像の後には、リンス液を用いて洗浄する工程リンス工程を実施することが好ましい。リンス工程に用いるリンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。前記リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものを挙げることができる。有機系現像液を用いた現像の後に、より好ましくは、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、更に好ましくは、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、特に好ましくは、1価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、最も好ましくは、炭素数5以上の1価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。ここで、リンス工程で用いられる1価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の1価アルコールが挙げられ、具体的には、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert―ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、シクロペンタノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノールなどを用いることができ、特に好ましい炭素数5以上の1価アルコールとしては、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ペンタノール、3-メチル-1-ブタノールなどを用いることができる。前記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。リンス液中の含水率は、10質量以下が好ましく、より好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下である。含水率を10質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に用いるリンス液の蒸気圧は、20°Cに於いて0.05kPa以上、5kPa以下が好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下が更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下が最も好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。リンス液には、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。リンス工程においては、有機溶剤を含む現像液を用いる現像を行ったウェハを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程PostBakeを含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常40~160°C、好ましくは70~95°Cで、通常10秒~3分、好ましくは30秒から90秒間行う。次に、エッチングを実施するステップS6、図1のエッチング。図6a,bは、それぞれ、図1のステップS6,S7実施後の状態を部分的に示す概略斜視図、及び、概略上面図である。エッチングを実施することにより、図6a,bに示すように、図5aに示される基板10は、レジスト膜23の第1のレジストホールパターン群23Hに対応する位置が穿孔され、複数の第1のホールパターン14Aからなる第1のホールパターン群14Hが形成された基板11が形成される。第1のホールパターン14Aは、用途に応じて、貫通孔であっても、非貫通孔であってもよいが、本実施形態においては貫通孔となっている。エッチングの方法は、特に限定されず、公知の方法をいずれも用いることができ、各種条件等は、基板の種類や用途等に応じて、適宜、決定される。例えば、国際光工学会紀要Proc.ofSPIEVol.6924,6924202008、特開2009-267112号公報等に準じて、エッチングを実施することができる。次に、レジスト膜を除去するステップS7、図1のレジスト膜の除去。レジスト膜の除去方法は、特に限定されず、公知の方法をいずれも用いることができるが、例えば、特開2002-158200号公報、特開2003-249477号公報、服部毅:第6章枚葉洗浄技術、エレクトロニクス洗浄技術、技術情報協会、pp.157-1932007等に記載のウェット処理により、実施できる。以上に説明した、図1に記載の第1のパターン形成ステップS1~S7を実施することにより、複数の第1のホールパターン14Aが正方格子状に配列されてなる第1のホールパターン群14Hが形成された基板11が製造される。第1のホールパターン14Aの基板11の面方向における円断面の直径、及び、第1のホールパターン14Aの中心間隔ピッチは、それぞれ、図5a、bに示す第1のレジストホールパターン23Aのレジスト膜23の面方向における円断面の直径、及び、第1のレジストホールパターン23Aの中心間隔ピッチに対応しており、具体的には、それぞれ、A/4√2及びA√2で表される。次いで、図1に示すように、第1のパターン形成後、第2のパターン形成ステップS8~S14を実施する。第2のパターン形成においては、上記ステップS1と同様の方法で、先ず、レジスト膜を形成するステップS8、図1のレジスト膜の形成。図7a,bは、それぞれ、図1のステップS8実施後の状態を部分的に示す概略斜視図、及び、概略上面図である。より具体的には、図7a,bに示すように、ステップS8では、基板11上に、化学増幅型レジスト組成物によって、レジスト膜20を形成する。ステップS8における化学増幅型レジスト組成物は、A酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂及びB活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有していれば、ステップS1で使用したものと同じ組成物であっても、異なる組成物であってもよいが、ステップS1で使用したものと同じ組成物であることが好ましい。レジスト組成物によるレジスト膜20の形成方法、及び、レジスト膜20の膜厚の好ましい範囲は、ステップS1において説明した内容と同様である。また、ステップS1における説明と同様に、レジスト組成物を塗布後、必要に応じて基板を加熱前加熱;PBPrebakeしてもよい。次に、第1の露光を実施するステップS9、図1の第1の露光。図8aは、図1のステップS9において使用するマスクの一部を示す概略上面図であり、図8b,cは、それぞれ、図1のステップS9実施後の状態を部分的に示す概略斜視図、及び、概略上面図である。図8aに示すように、マスク50は、図3aに示すマスク50と同じものであるが、ステップS9においては、ステップS2における図3aに示すマスク50を、遮光性マスクラインの長手方向に対して垂直な方向に、遮光性マスクラインのピッチの1/2の距離分ハーフピッチ分、すなわち、1/2kA√2で表される距離分、ずらした状態で使用する。第1の露光は、より具体的には、レジスト膜20の表面に対して、図8aに示すマスク50を介することにより実施する。図8b、cに示すように、第1の露光によって、図8に示すレジスト膜20は、第1のラインアンドスペースの潜像31Lが形成されたレジスト膜31に改質される。ここで、第1のラインアンドスペースの潜像31Lは、光がマスクライン群50Aによって遮断されたことによって形成された第1のスペース群31Aと、光がマスクスペース群50Bを透過したことによって形成された第1のライン群31Bとが交互に配列されてなる。第1のスペース群31Aを構成する複数の第1のスペースの各幅、及び、隣接する第1のスペースの距離ピッチは、それぞれ、上記した、マスクライン群50Aを構成する複数の遮光性マスクラインの各幅、及び、隣接する遮光性マスクラインの距離に対応している。すなわち、第1のスペースの幅はA/4√2で表され、隣接する第1のスペースの距離は、A√2で表される。次に、第2の露光を実施するステップS10、図1の第2の露光。図9aは、図1のステップS10において使用するマスクの一部を示す概略上面図であり、図9b,cは、それぞれ、図1のステップS10実施後の状態を部分的に示す概略斜視図、及び、概略上面図である。第2の露光は、より具体的には、図9aに示すマスク50を介することにより実施する。ここで、マスク50は、図8aに示すマスク50が90°回転した状態ステップS10における図9aに示すマスク50の遮光性マスクラインが、ステップS9における図8aに示すマスク50の遮光性マスクラインに対して直交する状態で用いられる。換言すれば、ステップS10においては、ステップS3における図4aに示すマスク50が、遮光性マスクラインの長手方向に対して垂直な方向に、遮光性マスクラインのピッチの1/2の距離分ハーフピッチ分、すなわち、1/2kA√2で表される距離分、ずらした状態で使用される。図9b、cに示すように、第2の露光によって、図8b、cに示すレジスト膜31は、前記の第1のラインアンドスペースの潜像31Lに加えて、第2のラインアンドスペースの潜像32Lが形成されたレジスト膜32に改質される。ここで、第2のラインアンドスペースの潜像32Lは、光がマスクライン群50Aによって遮断されたことによって形成された第2のスペース群32Aと、光がマスクスペース群50Bを透過したことによって形成された第2のライン群32Bとが交互に配列されてなる。そして、第2のラインアンドスペースの潜像32Lは、そのライン方向スペースの長手方向でもあるが、第1のラインアンドスペースの潜像31Lにおけるライン方向スペースの長手方向でもあると直交するように設けられる。第2のスペース群32Aを構成する複数の第2のスペースの各幅、及び、隣接する第2のスペースの距離ピッチは、それぞれ、上記した、マスクライン群50Aを構成する複数の遮光性マスクラインの各幅、及び、隣接する遮光性マスクラインの距離に対応している。すなわち、第2のスペースの幅はA/4√2で表され、隣接する第2のスペースの距離は、A√2で表される。すなわち、以上に説明した第1の露光と第2の露光とによって、レジスト膜32には、第1の露光及び第2の露光のいずれにおいても露光されない未露光部32Cが、A√2の間隔で、正方格子状に、複数個、形成されることになる。ここで、未露光部32Cのレジスト膜32の面方向における断面は、一辺A/4√2の正方形状となっている。第2のパターン形成における第1の露光及び第2の露光図1のステップS9及びS10の方法は、第1のパターン形成における第1の露光及び第2の露光図1のステップS2及びS3において説明した内容と同様である。次に、露光後加熱PEB;PostExposureBakeを実施するステップS11、図1の露光後加熱。露光後加熱の条件等は、第1のパターン形成における露光後加熱図1のステップS4において説明した内容と同様である。なお、第1のパターン形成における場合と同様に、このような加熱を、第1のラインアンドスペースの潜像31Lを形成した後、かつ、第2のラインアンドスペースの潜像32Lを形成する前にすなわち、上記第1の露光後、かつ、上記第2の露光前に、実施してもよい。次に、現像を実施するステップS12、図1の現像。現像により、ネガ型パターンが形成される。図10a,bは、それぞれ、図1のステップS12実施後の状態を部分的に示す概略斜視図、及び、概略上面図である。より具体的には、図10a,bに示すように、現像によって、図9b、cに示すレジスト膜32は、複数の第2のレジストホールパターン33Aからなる第2のレジストホールパターン群33Hが形成されたレジスト膜33に改質される。ここで、複数の第2のレジストホールパターン33Aは、それぞれ、図9cに示す未露光部32Cが現像液に溶解し、除去されることによって形成された、貫通孔である。また、第2のレジストホールパターン33Aの寸法は、図9cに示す未露光部22Cの寸法に対応しており、第2のレジストホールパターン33Aは、レジスト膜33の面方向における円断面の直径がA/4√2とされた円柱形状となっている。現像における現像液、現像方法等は、第1のパターン形成における現像図1のステップS5において説明した内容と同様である。また、ステップS5と同様、ステップS12においても、現像の後に、リンス工程を実施することが好ましく、リンス工程におけるリンス液、リンス方法等は、第1のパターン形成における現像において説明した内容と同様である。次に、エッチングを実施するステップS13、図1のエッチング。図11a,bは、それぞれ、図1のステップS13,S14実施後の状態を部分的に示す概略斜視図、及び、概略上面図である。エッチングを実施することにより、図11a,bに示すように、図10aに示される基板11は、レジスト膜33の第2のレジストホールパターン群33Hに対応する位置が穿孔され、複数の第2のホールパターン24Aからなる第2のホールパターン群24Hが形成された基板12が形成される。第2のホールパターン24Aは、用途に応じて、貫通孔であっても、非貫通孔であってもよいが、本実施形態においては貫通孔となっている。第1のパターン形成において説明したように、エッチングの方法は、特に限定されず、公知の方法をいずれも用いることができ、各種条件等は、基板の種類や用途等に応じて、適宜、決定される。次に、レジスト膜を除去するステップS14、図1のレジスト膜の除去。第1のパターン形成において説明したように、レジスト膜の除去方法は、特に限定されず、公知の方法をいずれも用いることができる。以上に説明した、図1に記載の第2のパターン形成ステップS8~S14を実施することにより、前記第1のホールパターン群14Hに加えて、複数の第2のホールパターン24Aが正方格子状に配列されてなる第2のホールパターン群24Hが形成された基板12が製造される。第2のホールパターン24Aの基板11の面方向における円断面の直径、及び、第2のホールパターン24Aの中心間隔ピッチは、それぞれ、図10a、bに示す第2のレジストホールパターン33Aのレジスト膜33の面方向における円断面の直径、及び、第2のレジストホールパターン33Aの中心間隔ピッチに対応しており、具体的には、それぞれ、A/4√2及びA√2で表される。上記したように、第2のパターン形成の第1の露光及び第2の露光においては、それぞれ、第1のパターン形成の第1の露光及び第2の露光における状態に対して、マスク50が、遮光性マスクラインの長手方向に対して垂直な方向に、遮光性マスクラインのピッチの1/2の距離分ハーフピッチ分、すなわち、1/2kA√2で表される距離分、ずらした状態で使用される。よって、第2のパターン形成における現像を経て形成される第2のレジストホールパターン群33Hは、これを構成する複数の第2のレジストホールパターン33Aが、基板11における複数の第1のホールパターン14Aに対応しないように換言すれば、上面視において、複数の第2のレジストホールパターン33Aの全てが第1のホールパターン14Aのいずれにも重ならないように、形成される。これにより、第2のパターン形成におけるエッチング工程によって基板12に形成された複数の第2のホールパターン24Aの全ては、第1のパターン形成工程において形成された複数の第1のホールパターン14Aの全ての位置とは異なる位置に形成される。その結果、複数のホールパターン14A,24Aの中心間隔ピッチが、第1のホールパターン14Aと第2のホールパターン24Aとの距離Aとされた基板12が製造される。距離Aは、特に限定されないが、微細化の更なる進行を鑑みると、80nm以下であることが好ましく、70nm以下であることがより好ましく、56~70nmであることが更に好ましい。すなわち、ホールパターンのハーフピッチは、40nm以下であることが好ましく、35nm以下であることがより好ましく、28~35nmであることが更に好ましい。よって、複数のホールパターン14A,24Aの各々において、基板11の面方向における円断面の直径は、28nm以下であることが好ましく、25nm以下であることがより好ましく、20~25nmであることが更に好ましい。仮に、ホールパターンのピッチが、上記好ましい範囲における下限値である56nmであったとしても、上記した第1及び第2のパターン形成のそれぞれの第1の露光において、第1のスペースの距離ピッチは、56×√2=約79nmである。また同様に、第1及び第2のパターン形成のそれぞれの第2の露光において、第2のスペースの距離ピッチは約79nmである。よって、第1の露光及び第2の露光の各々において、上記スペースのハーフピッチは、約40nmとなることから、上記のように解像限界が約39nmのArF液浸露光技術を採用すれば、距離A及びホールパターンの直径を上記好ましい範囲内の値にすることができる。以上のように、本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法によれば、基板に、複数のホールパターンを、極微細例えば80nm以下のピッチで形成することができる。なお、第1パターン形成及び第2のパターン形成のそれぞれにおいて、第1の露光及び第2の露光は、オーバレイ制御の下、実行されることが好ましい。オーバレイ制御の方法としては、公知の方法例えば、J.Micro/Nanolith.MEMSMOEMS8,0110032009を制限なく採用することができる。オーバレイ精度3σが、3nm未満となるように、オーバレイ制御を実施することが好ましい。また、本発明の第1の実施形態及び後述する第2~第5の実施形態に係るパターン形成方法によれば、レジスト膜20は、A酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂及びB活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物により形成される。よって、上記したように、レジスト膜の露光部においては、化合物Bから発生した酸が、樹脂Aと反応して、樹脂Aの極性が増大することにより、有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少し、その結果、露光部は、有機溶剤を含む現像液に対して、不溶又は難溶となる。すなわち、本発明の第1の実施形態及び後述する第2~第5の実施形態に係るパターン形成方法における露光部には、特許文献1とは異なり、架橋体が積極的に形成されることがないため、現像液によって膨潤する虞れは低く、所望形状のレジストホールパターンをレジスト膜に、ひいては、所望形状のホールパターンを基板に形成することができる。また、ポジ型画像形成方法によって、レジスト膜にホールパターンを形成しようとする場合、1本発明のように2重露光技術を採用し難く、また、2ホールパターンが形成されたマスクを使用する場合においては、ホールパターンの形成領域のみが露光部となるため、特に、基板に、極微細例えば80nm以下のピッチで、ホールパターンを形成すべく、本発明のようにパターン形成を複数回行う場合においては、1回のパターン形成における露光部の領域面積は更に抑制される。よって、ポジ型画像形成方法によるホールパターンの形成においては、マスクの光透過率は低いものにならざるを得ない。一方、本発明の第1の実施形態及び後述する第2~第5の実施形態に係るパターン形成方法は、ネガ型画像形成方法であるため、12重露光技術を採用でき、また、2パターン形成を複数回行うことにより、1回のパターン形成における露光部の領域面積は、大きいものとなる。よって、マスクの光透過率を高くでき、光学特性上、有利になるため、より確実に、所望形状のレジストホールパターンをレジスト膜に、ひいては、所望形状のホールパターンを基板に形成することができる。更に、本発明の第1の実施形態及び後述する第2~第5の実施形態に係るパターン形成方法によれば、非特許文献1に見られるような反転膜や、シュリンク材などの別部材を用いる必要がないので、容易に、ホールパターンを基板に形成することができる。上記のように、本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法は、パターン形成工程を2回行うものであるが、本発明に係るパターン形成方法は、パターン形成工程を3回以上含んでもよく、この場合、2n-1回のパターン形成工程を含むことが好ましいnは3以上の整数を表し、3又は4であることが好ましい。図12aは、比較例に係るパターン形成方法を説明する図であり、図12bは、本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法を説明する図であり、図12cは、本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法を説明する図であり、図12dは、本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法を説明する図である。図12a~dは、いずれも、複数のホールパターンが、距離Aのピッチで、正方格子状に形成された基板の上面図を表している。しかしながら、比較例に係るパターン形成方法は、図12aに示すように、複数のホールパターンを1回のパターン形成工程で形成するものである。本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法は、上述したように、また、図12bに示すように、複数のホールパターンを2回のパターン形成工程で形成するものである。本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法は、図12cに示すように、複数のホールパターンを4回のパターン形成工程で形成するものである上記nが3の場合。本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法は、図12dに示すように、複数のホールパターンを8回のパターン形成工程で形成するものである上記nが4の場合。比較例、及び、本発明の第2,第3の実施形態に係るパターン形成方法における各パターン形成工程は、本発明の第1の実施形態で説明した第1のパターン形成及び第2のパターン形成の手法に準じて実施される。比較例、及び、本発明の第1~第3の実施形態に係るパターン形成方法に関し、パターン形成工程及び露光の回数、1回のパターン形成工程におけるホールパターンの配列方向及びピッチ、最終的に得られるホールパターンの配列方向及びピッチについて纏めたものを下記表1に示す。表1から、基板に最終的に形成しようとするホールパターンのピッチが同じであっても、パターン形成工程の回数を増やすにつれて、1回のパターン形成工程で基板に形成されるホールパターンのピッチは拡大していき、レジストホールパターンを解像において、光学的な余裕度が上昇する。例えば、微細化の更なる進行を鑑みて、ピッチAが70nmとなるように複数のホールパターンを基板に形成しようとする場合、比較例、及び、本発明の第1~第3の実施形態の関係は、下表2のようになる。ここで、比較例の実施形態に係るパターン形成方法においては、1回のパターン形成工程で基板に形成されるホールパターンのピッチB=ピッチAが70nm、すなわち、ハーフピッチが35nmとなり、このハーフピッチが上記ArF液浸露光NA=1.35における解像限界約36~39nmを下回ることから、ArF液浸露光を用いても、パターン形成工程において、ピッチBのレジストホールパターンを解像できない。よって、この場合、比較例の実施形態に係るパターン形成方法の実施は不可能となる。一方、2回のパターン形成工程を実施する本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法においては、ピッチBが99nm、すなわち、ハーフピッチが約49.5nmとなり、このハーフピッチがArF液浸露光NA=1.35における上記解像限界を上回ることから、各回のパターン形成工程において、ピッチBのレジストホールパターンを解像することができる。これにより、最終的に、ピッチAが70nmとなるように複数のホールパターンを基板に形成することができる。更に、4回及び8回のパターン形成工程をそれぞれ実施する本発明の第2,3の実施形態においては、ピッチBが、それぞれ、140nm及び198nmになることから、レジストホールパターンを解像において、光学的な余裕度が更に高まる。次に、1回のパターン形成工程において、ホールパターンをArF液浸露光NA=1.35における解像限界約36~39nmで形成する場合、より具体的には、ピッチBを76nmとした場合ハーフピッチは38nm、比較例、及び、本発明の第1~第3の実施形態の関係は、下表3のようになる。このように、本発明の第1~第3の実施形態に係るパターン形成方法によれば、基板に形成される複数のホールパターンを70nm以下の中心間隔ピッチAで形成できる。以上に説明した本発明の第1~第3の実施形態に係るパターン形成方法を鑑み、本発明のパターン形成方法においては、基板に形成される複数のホールパターンの中心間隔が、いずれも、70nm以下であることが好ましく、60nm以下であることがより好ましく、25~60nmであることが更に好ましい。すなわち、複数のホールパターンのハーフピッチは、いずれも、35nm以下であることが好ましく、30nm以下であることがより好ましく、12.5~30nmであることが更に好ましい。ここで、基板に形成される複数のホールパターンの中心間隔が、いずれも、70nm以下であるとは、複数のホールパターンの内のどの1個のホールパターンに着目しても、着目したホールパターンの中心と、当該着目したホールパターンの中心からの距離が最も近い位置に中心を有する別のホールパターンにおける当該中心との距離が、70nm以下であることを意味する。複数のホールパターンの各々において、基板の面方向における断面が円断面である場合、ホールパターンの当該円断面の直径は、25nm以下であることが好ましく、21nm以下であることがより好ましく、9~21nmであることが更に好ましい。本発明の第1~第3の実施形態に係るパターン形成方法の各パターン形成工程において、第1のラインアンドスペースの潜像の第1のスペース群を構成する複数のスペースの幅が互いに同一であり、第2のラインアンドスペースの潜像の第2のスペース群を構成する複数のスペースの幅が互いに同一である。また、本発明の第1~第3の実施形態に係るパターン形成方法は、各パターン形成工程において、第2のラインアンドスペースの潜像を、第2のラインアンドスペースのライン方向が第1のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向と直交するように形成するものである。更に、本発明の第1~第3の実施形態に係るパターン形成方法は、各パターン形成工程において、第1のスペース群におけるスペースの幅が、第2のスペース群におけるスペースの幅と同一である。以上により、基板に形成される複数のホールパターンは、互いにその大きさが同じであるとともに、ホールパターンの、基板の面方向の断面形状は、円形状となる。しかしながら、本発明は、上記形態に限られるものではなく、例えば、第1のラインアンドスペースの潜像を構成する第1のスペース群におけるスペースの幅と、第2のラインアンドスペースの潜像を構成する第2のスペース群におけるスペースの幅とが異なっている形態や、第2のラインアンドスペースの潜像を、第2のラインアンドスペースのライン方向が第1のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向と斜めに交差するように形成する形態であってもよい。これらの形態においては、基板に形成されるホールパターンにおける、前記基板の面方向の断面形状が、楕円形状となる。また、第1のラインアンドスペースの潜像を構成する第1のスペース群、及び、第2のラインアンドスペースの潜像を構成する第2のスペース群の少なくともいずれか一方のスペース群が、スペースの幅が異なる複数種のスペースを含有する形態であってもよい。図13a~gは、本発明の第4の実施形態に係るパターン形成方法を説明する図である。より具体的には、図13a,bは、それぞれ、第1のパターン形成の第1の露光及び第2露光において使用するマスクの一部を示す概略上面図であり、図13cは、第1のパターン形成実施後の状態を部分的に示す概略上面図である。図13d,eは、それぞれ、第2のパターン形成の第1の露光及び第2露光において使用するマスクの一部を示す概略上面図であり、図13eは、第2のパターン形成実施後の状態を部分的に示す概略上面図であり、図13fは、第2のパターン形成実施後の状態を部分的に示す概略上面図である。図13bは、第1及び第2のパターン形成実施後の状態を部分的に示す概略上面図である。本発明の第4の実施形態に係るパターン形成方法においては、露光におけるマスクの条件を変更した以外は、上記第1の実施形態に係るパターン形成方法と同様に、第1のパターン形成と、第2のパターン形成とを実施する。第1のパターン形成における第1露光では、図13aに示すマスク50を使用する。ここで、マスク50は、上記第1の実施形態で使用した図3aに示すマスク50と同様のものである。すなわち、マスク50は、遮光性マスクラインの幅と透光性スペースの幅との比が1:3となっているが、最終的に得られるホールパターンのピッチをA1として説明する都合上、図13aにおいては、遮光性マスクラインの幅、及び、隣接する遮光性マスクラインの距離遮光性マスクラインのピッチを、それぞれ、k2A11/4、及び、k2A1として記載した。kは、上記第1の実施形態で説明したkと同義である。第1露光によって形成される第1のラインアンドスペースの潜像図示せずは、第1のライン群図示せずと第1のスペース群図示せずとが交互に配列されてなり、第1のスペース群を構成する複数の第1のスペースの各幅、及び、隣接する第1のスペースの距離ピッチは、それぞれ、上記した、マスクライン群50Aを構成する複数の遮光性マスクラインの各幅、及び、隣接する遮光性マスクラインの距離に対応している。すなわち、第1のスペースの幅は2A11/4で表され、隣接する第1のスペースの距離は、2A1で表される。第1のパターン形成における第2露光では、図13bに示すマスク60を使用する。図13bに示すように、マスク60は、複数の遮光性マスクラインからなるマスクライン群60Aと、複数の透光性スペースからなるマスクスペース群60Bとを、マスクラインとスペースとが交互に配列するように有している。マスクライン群60Aを構成する複数の遮光性マスクラインは、各々、k2A13/4で表される幅を有している。また、隣接する遮光性マスクラインの距離遮光性マスクラインのピッチも、各々同一であり、k2A1で表される。すなわち、マスク60において、遮光性マスクラインの幅と透光性スペースの幅との比は、3:1となっている。第2の露光は、図13bに示すマスク60が、その遮光性マスクラインが、図13aに示すマスク50の遮光性マスクラインに対して直交する状態で用いられる。第2露光によって形成される第2のラインアンドスペースの潜像図示せずは、第2のライン群図示せずと第2のスペース群図示せずとが交互に配列されてなり、第2のスペース群を構成する複数の第2のスペースの各幅、及び、隣接する第2のスペースの距離ピッチは、それぞれ、上記した、マスクライン群60Aを構成する複数の遮光性マスクラインの各幅、及び、隣接する遮光性マスクラインの距離に対応している。すなわち、第2のスペースの幅は2A13/4で表され、隣接する第2のスペースの距離は、2A1で表される。また、第1実施形態における場合と同様、第4実施形態に係るパターン形成方法の第1のパターン形成においても、第1の露光によってレジスト膜に形成される第1のラインアンドスペースの潜像図示せずにおけるライン方向スペースの長手方向でもあるは、第2の露光によって、当該レジスト膜に形成される第2のラインアンドスペースの潜像図示せずにおけるライン方向スペースの長手方向でもあると直交の関係となる。上記の第1及び第2の露光、並びに、第1実施形態と同様の露光後加熱、現像、エッチング及びレジスト膜の除去により、第1のパターン形成においては、図13cに示すように、複数の第1のホールパターン15Aが行方向及び列方向に配列されてなる第1のホールパターン群15Hが基板図示せずに形成される。第2のパターン形成における第1露光は、図13dに示すマスク50を介することにより実施する。図13dに示すように、マスク50は、図13aに示すマスク50と同じものであるが、第2のパターン形成の第1露光においては、第1のパターン形成の第1露光における図13aに示すマスク50を、遮光性マスクラインの長手方向に対して垂直な方向に、遮光性マスクラインのピッチの1/2の距離分ハーフピッチ分、すなわち、1/2k2A1で表される距離分、ずらした状態で使用する。第2のパターン形成における第2露光は、図13eに示すマスク60を介することにより実施する。図13eに示すように、マスク60は、図13bに示すマスク60と同じものであり、また、マスク60の配置状態も、第1のパターン形成の第2露光における状態図13b参照と同様である。よって、第1実施形態における場合と同様、第4実施形態に係るパターン形成方法の第2のパターン形成において、第1の露光によってレジスト膜に形成される第1のラインアンドスペースの潜像図示せずにおけるライン方向スペースの長手方向でもあるは、第2の露光によって、当該レジスト膜に形成される第2のラインアンドスペースの潜像図示せずにおけるライン方向スペースの長手方向でもあると直交の関係となる。上記の第1及び第2の露光、並びに、第1実施形態と同様の露光後加熱、現像、エッチング及びレジスト膜の除去により、第2のパターン形成においては、図13fに示すように、複数の第2のホールパターン25Aが行方向及び列方向に配列されてなる第2のホールパターン群25Hが基板に形成される。以上に説明した、第1,第2のパターン形成を実施することにより、図13gに示すように、第1のホールパターン群15Hと第2のホールパターン群25Hとが基板に形成される。ここで、第1のホールパターン群15Hを構成する複数の第1のホールパターン15A、及び、第2のホールパターン群25Hを構成する複数の第2のホールパターン25Aは、いずれも、基板の面方向における断面の形状は、楕円形状となっている。上記したように、第2のパターン形成の第1の露光においては、第1のパターン形成の第1の露光における状態に対して、マスク50が、遮光性マスクラインの長手方向に対して垂直な方向に、遮光性マスクラインのピッチの1/2の距離分ハーフピッチ分、すなわち、1/2k2A1で表される距離分、ずらした状態で使用する。よって、第2のパターン形成における現像を経て形成される第2のレジストホールパターン群図示せずは、これを構成する複数の第2のレジストホールパターン図示せずが、基板における複数の第1のホールパターン15Aに対応しないように換言すれば、上面視において、複数の第2のレジストホールパターンの全てが第1のホールパターン15Aのいずれにも重ならないように、形成される。これにより、第2のパターン形成におけるエッチング工程によって基板に形成された複数の第2のホールパターン25Aの全ては、第1のパターン形成工程において形成された複数の第1のホールパターン15Aの全ての位置とは異なる位置に形成される。その結果、複数のホールパターン15A,25Aの上記定義による中心間隔ピッチは、列方向に隣接する第1のホールパターン15Aと第2のホールパターン14Aとの距離A1となる。図14a~jは、本発明の第5の実施形態に係るパターン形成方法を説明する図である。より具体的には、図14a,bは、それぞれ、第1のパターン形成の第1の露光及び第2露光において使用するマスクの一部を示す概略上面図であり、図14cは、第1のパターン形成実施後の状態を部分的に示す概略上面図である。図14d,eは、それぞれ、第2のパターン形成の第1の露光及び第2露光において使用するマスクの一部を示す概略上面図であり、図14fは、第2のパターン形成実施後の状態を部分的に示す概略上面図である。図14g,hは、それぞれ、第3のパターン形成の第1の露光及び第2露光において使用するマスクの一部を示す概略上面図であり、図14iは、第2のパターン形成実施後の状態を部分的に示す概略上面図である。図14jは、第1~第3のパターン形成実施後の状態を部分的に示す概略上面図である。本発明の第5の実施形態に係るパターン形成方法においては、露光におけるマスクの条件を変更するとともに、パターン形成の回数を3回とする以外は、上記第1の実施形態に係るパターン形成方法に準じて、第1のパターン形成、第2のパターン形成、及び、第3のパターン形成を実施する。第1のパターン形成における第1露光では、図14aに示すマスク70を使用する。図14aに示すように、マスク70は、複数の遮光性マスクラインからなるマスクライン群70Aと、複数の透光性スペースからなるマスクスペース群70Bとを、マスクラインとスペースとが交互に配列するように有している。マスクライン群70Aを構成する複数の遮光性マスクラインは、各々、例えば、kA21/2で表される幅を有している。また、隣接する遮光性マスクラインの距離遮光性マスクラインのピッチも、各々同一であり、kA23/2で表される。ここで、A2は、最終的に得られるホールパターンのピッチを表す。kは、上記第1の実施形態で説明したkと同義である。すなわち、マスク70において、遮光性マスクラインの幅と透光性スペースの幅との比は、例えば、1:2となっている。第1露光によって形成される第1のラインアンドスペースの潜像図示せずは、第1のライン群図示せずと第1のスペース群図示せずとが交互に配列されてなり、第1のスペース群を構成する複数の第1のスペースの各幅、及び、隣接する第1のスペースの距離ピッチは、それぞれ、上記した、マスクライン群70Aを構成する複数の遮光性マスクラインの各幅、及び、隣接する遮光性マスクラインの距離に対応している。すなわち、第1のスペースの幅は、例えば、kA21/2で表され、隣接する第1のスペースの距離は、A23/2で表される。第1のパターン形成における第2露光では、図14bに示すマスク70を使用する。ここで、マスク70は、図14aに示すマスク70が60°右回転した状態図14bに示すマスク70の遮光性マスクラインが、図14aに示すマスク70の遮光性マスクラインに対して、交差角60°で交差する状態で用いられる。よって、第5実施形態に係るパターン形成方法の第1のパターン形成においては、第1の露光によってレジスト膜に形成される第1のラインアンドスペースの潜像図示せずにおけるライン方向スペースの長手方向でもあるは、第2の露光によって、当該レジスト膜に形成される第2のラインアンドスペースの潜像図示せずにおけるライン方向スペースの長手方向でもあるに対して交差角60°で交差する。第2露光によって形成される第2のラインアンドスペースの潜像図示せずは、第2のライン群図示せずと第2のスペース群図示せずとが交互に配列されてなり、第2のスペース群を構成する複数の第2のスペースの各幅、及び、隣接する第2のスペースの距離ピッチは、それぞれ、上記した、マスクライン群70Aを構成する複数の遮光性マスクラインの各幅、及び、隣接する遮光性マスクラインの距離に対応している。すなわち、第2のスペースの幅は、例えば、kA21/2で表され、隣接する第2のスペースの距離は、A23/2で表される。上記の第1及び第2の露光、並びに、第1実施形態と同様の露光後加熱、現像、エッチング及びレジスト膜の除去により、第1のパターン形成においては、図14cに示すように、複数の第1のホールパターン16Aが等間隔で配列されてなる第1のホールパターン群16Hが基板図示せずに形成される。第2のパターン形成における第1露光は、図14dに示すマスク70を介することにより実施する。図14dに示すように、マスク70は、図14aに示すマスク70と同じものであるが、第2のパターン形成の第1露光においては、第1のパターン形成の第1露光における図14aに示すマスク70を、遮光性マスクラインの長手方向に対して垂直な方向の内の一方の方向以下、第1方向というに、遮光性マスクラインのピッチの1/3の距離分、すなわち、kA21/2で表される距離分、ずらした状態で使用する。第2のパターン形成における第2露光は、図14eに示すマスク70を介することにより実施する。図14eに示すように、マスク70は、図14bに示すマスク70と同じものであるが、第2のパターン形成の第2露光においては、第1のパターン形成の第2露光における図14bに示すマスク70を、遮光性マスクラインの長手方向に対して垂直な方向の内の一方の方向以下、第2方向というに、遮光性マスクラインのピッチの1/3の距離分、すなわち、kA21/2で表される距離分、ずらした状態で使用する。よって、上記第1のパターン形成と同様、第2のパターン形成においても、第1の露光によってレジスト膜に形成される第1のラインアンドスペースの潜像図示せずにおけるライン方向スペースの長手方向でもあるは、第2の露光によって、当該レジスト膜に形成される第2のラインアンドスペースの潜像図示せずにおけるライン方向スペースの長手方向でもあるに対して交差角60°で交差する。上記の第1及び第2の露光、並びに、第1実施形態と同様の露光後加熱、現像、エッチング及びレジスト膜の除去により、第2のパターン形成においては、図14fに示すように、複数の第2のホールパターン26Aが等間隔で配列されてなる第2のホールパターン群26Hが基板に形成される。第3のパターン形成における第1露光は、図14gに示すマスク70を介することにより実施する。図14gに示すように、マスク70は、図14dに示すマスク70と同じものであるが、第3のパターン形成の第1露光においては、第2のパターン形成の第1露光における図14dに示すマスク70を、前記第1方向に、遮光性マスクラインのピッチの1/3の距離分、すなわち、kA21/2で表される距離分、ずらした状態で使用する。第3のパターン形成における第2露光は、図14hに示すマスク70を介することにより実施する。図14hに示すように、マスク70は、図14eに示すマスク70と同じものであるが、第3のパターン形成の第2露光においては、第2のパターン形成の第2露光における図14eに示すマスク70を、前記第2方向に、遮光性マスクラインのピッチの1/3の距離分、すなわち、kA21/2で表される距離分、ずらした状態で使用する。よって、上記第1及び第2のパターン形成と同様、第3のパターン形成においても、第1の露光によってレジスト膜に形成される第1のラインアンドスペースの潜像図示せずにおけるライン方向スペースの長手方向でもあるは、第2の露光によって、当該レジスト膜に形成される第2のラインアンドスペースの潜像図示せずにおけるライン方向スペースの長手方向でもあるに対して交差角60°で交差する。上記の第1及び第2の露光、並びに、第1実施形態と同様の露光後加熱、現像、エッチング及びレジスト膜の除去により、第3のパターン形成においては、図14iに示すように、複数の第3のホールパターン36Aが行方向及び列方向に配列されてなる第3のホールパターン群36Hが基板に形成される。以上に説明した、第1~第3のパターン形成を実施することにより、図14jに示すように、第1のホールパターン群16Hと第2のホールパターン群26Hと第3のホールパターン群36Hとが基板に形成される。上記したように、第2のパターン形成の第1の露光及び第2の露光においては、それぞれ、第1のパターン形成の第1の露光及び第2の露光における状態に対して、マスク70が、遮光性マスクラインの長手方向に対して垂直な方向に、遮光性マスクラインのピッチの1/3の距離分、すなわち、kA21/2で表される距離分、ずらした状態で使用する。また、第3のパターン形成の第1の露光及び第2の露光においては、それぞれ、第1のパターン形成の第1の露光及び第2の露光における状態に対して、マスク70が、遮光性マスクラインの長手方向に対して垂直な方向に、遮光性マスクラインのピッチの1/3の距離分、すなわち、1/2k2A1で表される距離分、更にずらした状態で使用する。よって、第2のパターン形成における現像を経て形成される第2のレジストホールパターン群図示せずは、これを構成する複数の第2のレジストホールパターン図示せずが、基板における複数の第1のホールパターン16Aに対応しないように換言すれば、上面視において、複数の第2のレジストホールパターンの全てが第1のホールパターン16Aのいずれにも重ならないように、形成される。同様に、第3のパターン形成における現像を経て形成される第3のレジストホールパターン群図示せずは、これを構成する複数の第3のレジストホールパターン図示せずが、基板における複数の第2のホールパターン26Aに対応しないように換言すれば、上面視において、複数の第3のレジストホールパターンの全てが第2のホールパターン26Aのいずれにも重ならないように、形成される。以上により、第2のパターン形成におけるエッチング工程によって基板に形成された複数の第2のホールパターン26Aの全ては、第1のパターン形成工程において形成された複数の第1のホールパターン16Aの全ての位置とは異なる位置に形成される。また、第3のパターン形成におけるエッチング工程によって基板に形成された複数の第3のホールパターン36Aの全ては、第2のパターン形成工程において形成された複数の第2のホールパターン26Aの全ての位置とは異なる位置に形成される。その結果、複数のホールパターン16A,26A,36Aの上記定義による中心間隔ピッチは、隣接する第1のホールパターン16Aと第2のホールパターン26Aとの距離A2となる。なお、本発明の第5の実施形態に係るパターン形成方法においては、基板に形成された複数のホールパターンの任意の1個のホールパターンに着目した場合、着目したホールパターンの中心と、当該着目したホールパターンに隣接する6個の別のホールパターンにおける中心との距離は、いずれも同じである。よって、複数のホールパターン16A,26A,36Aの上記定義による中心間隔ピッチは、図14jに示すように、隣接する第1のホールパターン16Aと第3のホールパターン36Aとの距離A2でもあり、隣接する第2のホールパターン26Aと第3のホールパターン36Aとの距離A2でもある。なお、本発明の第5の実施形態に係るパターン形成方法の各パターン形成において、第1のラインアンドスペースの潜像の第1のスペース群を構成する複数のスペースの幅が互いに同一であり、第2のラインアンドスペースの潜像の第2のスペース群を構成する複数のスペースの幅が互いに同一である。本発明の第1~第5の実施形態に係るパターン形成方法において、マスクの種類は、特に限定されないが、バイナリマスク透光部の透過率が0のマスク及び位相シフトマスクから選択されるフォトマスクであることが好ましく、バイナリマスクであることがより好ましい。また、第1のラインアンドスペースの潜像を形成する工程及び前記第2のラインアンドスペースの潜像を形成する工程における露光としては、それぞれ、2重極照明を使用する露光を採用してもよい。2重極照明による露光は、通常、第1のライン群のライン方向及び第2のライン群のライン方向に光学像が最適化された露光である。各パターン形成工程の第1露光及び第2露光で使用するフォトマスクにおける、遮光性マスクラインの幅と透光性スペースの幅との比は、形成しようとするホールパターンの形状及びサイズ、並びに、ホールパターンのピッチ等によって、適宜、変更されるものであるが、1:10~10:1であることが好ましく、1:5~5:1であることが好ましく、1:5~1:1が更に好ましい。また、パターン形成方法における各パターン形成工程において、第1露光に使用するマスク、及び、第2露光に使用するマスクは、一方を回転させることにより他方とマスク形状が一致しない場合のみならず、一致する場合においても、別のマスクとして使用してもよい。また、第1露光に使用するマスクの領域と、第2露光に使用するマスクの領域とが、別領域に配置された単一のマスクを使用してもよい。また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。本発明の電子デバイスは、電気電子機器家電、OAメディア関連機器、光学用機器及び通信機器等に、好適に、搭載されるものである。次に、本発明のパターン形成方法において使用される、A酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂、及び、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物より具体的には、ネガ型レジスト組成物の詳細について説明する。なお、架橋体からなる露光部は、現像液が有機系現像液であったとしても、膨潤によって、所望のホールが形成されにくい傾向となる。よって、本発明における化学増幅型レジスト組成物は、酸の作用によって樹脂Aを架橋して架橋体を形成する架橋剤及び酸の作用によって他の架橋剤と架橋して架橋体を形成する架橋剤などから選択される架橋剤を実質的に含有しない具体的には、化学増幅型レジスト組成物の全固形分を基準とした架橋剤の含有量が、好ましくは1モル以下、より好ましくは0.5モル以下、理想的には0モル、すなわち、架橋剤を含有しないことが好ましい。[1]A酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂本発明のレジスト組成物に用いられる、酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂としては、例えば、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、極性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを有する樹脂以下、酸分解性樹脂又は樹脂Aともいうを挙げることができる。酸分解性基は、極性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。極性基としては、有機溶剤を含む現像液中で難溶化又は不溶化する基であれば特に限定されないが、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等の酸性基従来レジストの現像液として用いられている、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基、又はアルコール性水酸基等が挙げられる。なお、アルコール性水酸基とは、炭化水素基に結合した水酸基であって、芳香環上に直接結合した水酸基フェノール性水酸基以外の水酸基をいい、水酸基としてα位がフッ素原子などの電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えば、フッ素化アルコール基ヘキサフルオロイソプロパノール基などは除くものとする。アルコール性水酸基としては、pKaが12以上且つ20以下の水酸基であることが好ましい。好ましい極性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基、スルホン酸基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらの基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36~R39、R01及びR02のアルキル基は、炭素数1~8のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、へキシル基、オクチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも1つの炭素原子が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。R36~R39、R01及びR02のアリール基は、炭素数6~10のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアラルキル基は、炭素数7~12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアルケニル基は、炭素数2~8のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロへキセニル基等を挙げることができる。R36とR37とが結合して形成される環としては、シクロアルキル基単環若しくは多環であることが好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基がより好ましく、炭素数5の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。樹脂Aは、酸分解性基を有する繰り返し単位を含有することが好ましく、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIで表される繰り返し単位が好ましい。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表わされる基を表す。R9は、水酸基又は1価の有機基を表し、1価の有機基としては、例えば、炭素数5以下のアルキル基、炭素数5以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基直鎖状若しくは分岐状又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成してもよい。Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましく、単結合であることがより好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH22-基、-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様も好ましい。中でも、Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましく、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基が挙げられる。Rx1~Rx3が、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基である場合、Rx1としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Rx2としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Rx3としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基がより好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基が特に好ましい。Tが単結合であるとともに、Rx1~Rx3が、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基である場合この場合、Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基を形成することはない、ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードにより優れ、かつ露光により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりをより抑制できるパターン形成方法とすることができる。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。なかでも、酸分解前後での有機溶剤を含有する現像液に対する溶解コントラストをより向上させる観点から、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を有さない置換基であることがより好ましく例えば、水酸基で置換されたアルキル基などではないことがより好ましく、水素原子及び炭素原子のみからなる基であることが更に好ましく、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基であることが特に好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、置換基を表し、複数存在する場合、複数のZは互いに同じであっても異なっていてもよい。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、Rx1~Rx3などの各基が有し得る置換基の具体例及び好ましい例と同様である。また、酸分解性基を有する繰り返し単位が、下記一般式Iで表される、酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位であることも好ましく、これにより、ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードにより優れ、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりをより抑制できるパターン形成方法とすることができる。式中、Xaは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。Ry1~Ry3は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ry1~Ry3の内の2つが連結して環を形成していてもよい。Zは、n1価の、環員としてヘテロ原子を有していてもよい多環式炭化水素構造を有する連結基を表す。L1及びL2は、各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。nは1~3の整数を表す。nが2又は3のとき、複数のL2、複数のRy1、複数のRy2、及び、複数のRy3は、各々、同一であっても異なっていてもよい。Xaのアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子好ましくは、フッ素原子が挙げられる。Xaのアルキル基は、炭素数1~4のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基又はトリフルオロメチル基等が挙げられるが、メチル基であることが好ましい。Xaは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Ry1~Ry3のアルキル基は、鎖状であっても、分岐状であってもよく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Ry1~Ry3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Ry1~Ry3の内の2つが結合して形成される環としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環などの単環の炭化水素環、ノルボルナン環、テトラシクロデカン環、テトラシクロドデカン環、アダマンタン環などの多環の炭化水素環が好ましい。炭素数5~6の単環の炭化水素環が特に好ましい。Ry1~Ry3は、各々独立に、アルキル基であることが好ましく、炭素数1~4の鎖状又は分岐状のアルキル基であることがより好ましい。また、Ry1~Ry3としての鎖状又は分岐状のアルキル基の炭素数の合計は、5以下であることが好ましい。Ry1~Ry3は、更に、置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、シクロアルキル基炭素数3~8、ハロゲン原子、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。なかでも、酸分解前後での有機溶剤を含有する現像液に対する溶解コントラストをより向上させる観点から、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を有さない置換基であることがより好ましく例えば、水酸基で置換されたアルキル基などではないことがより好ましく、水素原子及び炭素原子のみからなる基であることが更に好ましく、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基であることが特に好ましい。Zの多環式炭化水素構造を有する連結基としては環集合炭化水素環基、架橋環式炭化水素環基が含まれ、それぞれ、環集合炭化水素環からn1個の任意の水素原子を除してなる基、及び、架橋環式炭化水素環からn1個の任意の水素原子を除してなる基を挙げることができる。環集合炭化水素環基の例としては、ビシクロヘキサン環基、パーヒドロナフタレン環基などが含まれる。架橋環式炭化水素環基として、例えば、ピナン環基、ボルナン環基、ノルピナン環基、ノルボルナン環基、ビシクロオクタン環基ビシクロ[2.2.2]オクタン環基、ビシクロ[3.2.1]オクタン環基等などの2環式炭化水素環基及び、ホモブレダン環基、アダマンタン環基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン環基、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環基などの3環式炭化水素環基、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン環基、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環基などの4環式炭化水素環基などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環基には、縮合環式炭化水素環基、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン環基、パーヒドロアントラセン環基、パーヒドロフェナントレン環基、パーヒドロアセナフテン環基、パーヒドロフルオレン環基、パーヒドロインデン環基、パーヒドロフェナレン環基などの5~8員シクロアルカン環基が複数個縮合した縮合環基も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環基として、ノルボルナン環基、アダマンタン環基、ビシクロオクタン環基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカン環基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環基としてノルボナン環基、アダマンタン環基が挙げられる。Zで表される多環式炭化水素構造を有する連結基は置換基を有していてもよい。Zが有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、ヒドロキシル基、シアノ基、ケト基=O、アシルオキシ基、―COR、―COOR、―CONR2、―SO2R、-SO3R、―SO2NR2等の置換基が挙げられる。ここでRは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Zが有していてもよい置換基としてのアルキル基、アルキルカルボニル基、アシルオキシ基、―COR、―COOR、―CONR2、―SO2R、-SO3R、―SO2NR2は、更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子好ましくは、フッ素原子が挙げられる。Zで表される多環式炭化水素構造を有する連結基において、多環を構成する炭素環形成に寄与する炭素は、カルボニル炭素であっても良い。また、該多環は、上記したように、環員として、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有していてもよい。L1及びL2で表される連結基としては、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、アルキレン基好ましくは炭素数1~6、シクロアルキレン基好ましくは炭素数3~10、アルケニレン基好ましくは炭素数2~6又はこれらの複数が組合された連結基などが挙げられ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。L1は、単結合、アルキレン基、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-アルキレン基-COO-、-アルキレン基-OCO-、-アルキレン基-CONH-、-アルキレン基-NHCO-、-CO-、-O-、-SO2-、-アルキレン基-O-が好ましく、単結合、アルキレン基、-アルキレン基-COO-、又は、-アルキレン基-O-がより好ましい。L2は、単結合、アルキレン基、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-COO-アルキレン基-、-OCO-アルキレン基-、-CONH-アルキレン基-、-NHCO-アルキレン基-、-CO-、-O-、-SO2-、-O-アルキレン基-、-O-シクロアルキレン基-が好ましく、単結合、アルキレン基、-COO-アルキレン基-、-O-アルキレン基-、又は、-O-シクロアルキレン基-がより好ましい。上記の記載方法において、左端の結合手-は、L1においては主鎖側のエステル結合に、L2においてはZに接続することを意味し、右端の結合手-は、L1においてはZに、L2においてはRy1Ry2Ry3C-で表される基に接続するエステル結合に結合することを意味する。なお、L1及びL2は、Zにおける多環を構成する同一の原子に結合してもよい。nは1又は2であることが好ましく、1であることがより好ましい。以下に一般式Iで表される繰り返し単位の具体例を挙げるが本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例において、Xaは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。樹脂Aの酸分解性基を有する繰り返し単位は、1種類であってもよいし、2種以上を併用してもよい。本発明において、樹脂Aが、酸の作用により分解し、極性基を生じる基酸分解性基が分解することにより生じる脱離物の分子量複数種類の脱離物が生じる場合は、モル分率による分子量の加重平均値以下、モル平均値ともいうが140以下である前記酸分解性基を有する繰り返し単位複数種類含有する場合はその合計を、前記樹脂中の全繰り返し単位に対して50モル以上有することが好ましい。これにより、ネガ型の画像を形成する場合に、露光部がパターンとして残るために、脱離物の分子量を小さくすることによりパターン部の膜厚低下を防止することができる。本発明において、酸分解性基が分解することにより生じる脱離物とは、酸の作用により分解し脱離する基に対応する、酸の作用により分解して脱離した物をいう。例えば、後掲の繰り返し単位α後掲の例示における一番左上の繰り返し単位の場合、t-ブチル部位が分解して生成するアルケンH2C=CCH32のことをいう。本発明において、酸分解性基が分解することにより生じる脱離物の分子量複数種類の脱離物が生じる場合はモル平均値は、パターン部の膜厚低下を防止する観点から、100以下であることがより好ましい。また、酸分解性基が分解することにより生じる脱離物の分子量複数種類の脱離物が生じる場合はその平均値についての下限としては特に制限はないが、酸分解性基がその機能を発揮する観点から、45以上であることが好ましく、55以上であることがより好ましい。本発明において、露光部であるパターン部の膜厚をより確実に維持する観点から、酸分解性基が分解することにより生じる脱離物の分子量が140以下である前記酸分解性基を有する繰り返し単位複数種類含有する場合はその合計を、前記樹脂中の全繰り返し単位に対して60モル以上有することがより好ましく、65モル以上有することがより好ましく、70モル以上有することが更に好ましい。また、上限としては、特に制限はないが、90モル以下であることが好ましく、85モル以下であることがより好ましい。以下、酸分解性基が分解することにより生じる脱離物の分子量が140以下である酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、20モル以上が好ましく、30モル以上がより好ましく、45モル以上が更に好ましく、50モル以上が特に好ましい。また、酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、90モル以下であることが好ましく、85モル以下であることがより好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位が、上記一般式AIで表される繰り返し単位であるとともに、特に、Rx1~Rx3が、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基である場合、一般式AIで表される繰り返し単位の含有量は、樹脂Aの全繰り返し単位に対して、45モル以上であることが好ましく、50モル以上であることがより好ましく、55モル以上であることが特に好ましい。また、上限としては、良好なパターンを形成する観点から、90モル以下であることが好ましく、85モル以下であることがより好ましい。これにより、ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードより優れ、露光により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりをより抑制できるパターン形成方法とすることができる。樹脂Aは、更に、ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有していてもよい。ラクトン構造としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14、LC1-17であり、特に好ましいラクトン構造はLC1-4である。このような特定のラクトン構造を用いることでLWR、現像欠陥が良好になる。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよい。また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常、光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIで表される繰り返し単位が好ましい。一般式AII中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよいアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0は、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Abは、単結合、アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキル構造を有する2価の連結基、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基を表す。Abは、好ましくは、単結合、-Ab1-CO2-で表される2価の連結基である。Ab1は、直鎖又は分岐アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。Vは、ラクトン構造を有する基を表す。具体的には、例えば上記一般式LC1-1~LC1-17の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。樹脂Aがラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する場合、ラクトン構造を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂Aの全繰り返し単位に対して、0.5~80モルの範囲が好ましく、より好ましくは1~65モルの範囲であり、更に好ましくは5~60モルの範囲であり、特に好ましくは3~50モルの範囲であり、最も好ましくは10~50モルの範囲である。ラクトン構造を有する繰り返し単位は1種類であってもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。以下に、ラクトン構造を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、Rxは、H,CH3,CH2OH,又はCF3を表す。樹脂Aは、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。また、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位は、上記一般式AIIで表される繰り返し単位とは異なることが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。樹脂Aは、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を含有していても、含有していなくてもよいが、樹脂Aが水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を含有する場合、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~50モルが好ましく、より好ましくは1~45モル、更に好ましくは3~45モルである。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。樹脂Aは、酸基を有する繰り返し単位を有してもよい。酸基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えばヘキサフロロイソプロパノール基が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。酸基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。酸基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接酸基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖に酸基が結合している繰り返し単位、更には酸基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。樹脂Aは、酸基を有する繰り返し単位を含有してもしなくても良いが、含有する場合、酸基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、10モル以下であることが好ましく、5モル以下であることがより好ましい。樹脂Aが酸基を有する繰り返し単位を含有する場合、樹脂Aにおける酸基を有する繰り返し単位の含有量は、通常、1モル以上である。酸基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH,CH3,CH2OH,又はCF3を表す。本発明の樹脂Aは、更に極性基例えば、前記酸基、水酸基、シアノ基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。これにより、液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できるとともに、有機溶剤を含む現像液を用いた現像の際に樹脂の溶解性を適切に調整することができる。このような繰り返し単位としては、一般式IVで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式IV中、R5は少なくとも一つの環状構造を有し、極性基を有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。上記水素原子の置換基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。樹脂Aは、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、この繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~40モルが好ましく、より好ましくは1~20モルである。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。本発明の組成物に用いられる樹脂Aは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。本発明の組成物に用いられる樹脂Aにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明における樹脂Aの形態としては、ランダム型、ブロック型、クシ型、スター型のいずれの形態でもよい。樹脂Aは、例えば、各構造に対応する不飽和モノマーのラジカル、カチオン、又はアニオン重合により合成することができる。また各構造の前駆体に相当する不飽和モノマーを用いて重合した後に、高分子反応を行うことにより目的とする樹脂を得ることも可能である。本発明の組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の組成物に用いられる樹脂Aは実質的には芳香環を有さない具体的には、樹脂中、芳香族基を有する繰り返し単位の比率が好ましくは5モル以下、より好ましくは3モル以下、理想的には0モル、すなわち、芳香族基を有さないことが好ましく、樹脂Aは単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。また、本発明の組成物が、後述する樹脂Eを含んでいる場合、樹脂Aは、樹脂Eとの相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。本発明の組成物に用いられる樹脂Aとして好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50モル以下であることが好ましい。また、酸分解性基を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、ラクトン基を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有するメタアクリレート系繰り返し単位5~30モル、更にその他のメタアクリレート系繰り返し単位を0~20モル含む共重合ポリマーも好ましい。本発明の組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線EUVなどを照射する場合には、樹脂Aは、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、メタアクリル酸3級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有するが好ましい。ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t-ブトキシカルボニルオキシスチレン、1-アルコキシエトキシスチレン、メタアクリル酸3級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、2-アルキル-2-アダマンチルメタアクリレート及びジアルキル1-アダマンチルメチルメタアクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。本発明の樹脂Aは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感光性組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは60~100°Cである。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶或いは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール特に、メタノールなど又は水を含む溶媒が好ましい。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、更に好ましくは300~1000質量部である。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶或いは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。本発明の樹脂Aの重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~15,000、特に好ましくは3,000~10,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1.0~3.0であり、好ましくは1.0~2.6、更に好ましくは1.0~2.0、特に好ましくは1.4~2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、かつ、レジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明のレジスト組成物において、樹脂Aの組成物全体中の配合率は、全固形分中30~99質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。また、本発明の樹脂Aは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。[2]活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物B本発明における組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物B以下、酸発生剤ともいうを含有する。活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物Bとしては、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物であることが好ましい。酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表す。Z-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオン等を挙げることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジスト組成物の経時安定性が向上する。スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけるものと同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、フッ素化燐例えば、PF6-、フッ素化硼素例えば、BF4-、フッ素化アンチモン等例えば、SbF6-を挙げることができる。Z-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4~8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により下記一般式III又はIVで表される酸を発生する化合物であることが好ましい。下記一般式III又はIVで表される酸を発生する化合物であることにより環状の有機基を有するので、解像性、及び、ラフネス性能をより優れたものにできる。前記非求核性アニオンとしては、下記一般式III又はIVで表される有機酸を生じるアニオンとすることができる。上記一般式中、Xfは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R1及びR2は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表す。Lは、各々独立に、2価の連結基を表す。Cyは、環状の有機基を表す。Rfは、フッ素原子を含んだ基である。xは、1~20の整数を表す。yは、0~10の整数を表す。zは、0~10の整数を表す。Xfは、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。このアルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましく、1~4であることがより好ましい。また、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。より具体的には、Xfは、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、又はCH2CH2C4F9であることが好ましく、フッ素原子又はCF3であることがより好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。R1及びR2は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基である。このアルキル基は、置換基好ましくはフッ素原子を有していてもよく、炭素数1~4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。R1及びR2の置換基を有するアルキル基の具体例としては、例えば、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、及びCH2CH2C4F9が挙げられ、中でもCF3が好ましい。Lは、2価の連結基を表す。この2価の連結基としては、例えば、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、アルキレン基好ましくは炭素数1~6、シクロアルキレン基好ましくは炭素数3~10、アルケニレン基好ましくは炭素数2~6又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基などが挙げられる。これらの中でも、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CO-、-O-、-SO2-、-COO-アルキレン基-、-OCO-アルキレン基-、-CONH-アルキレン基-又は-NHCO-アルキレン基-が好ましく、-COO-、-OCO-、-CONH-、-SO2-、-COO-アルキレン基-又は-OCO-アルキレン基-がより好ましい。Cyは、環状の有機基を表す。環状の有機基としては、例えば、脂環基、アリール基、及び複素環基が挙げられる。脂環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。単環式の脂環基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環基としては、例えば、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が挙げられる。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性の抑制及びMEEFMaskErrorEnhancementFactorの向上の観点から好ましい。アリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基及びアントリル基が挙げられる。中でも、193nmにおける光吸光度が比較的低いナフチル基が好ましい。複素環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよいが、多環式の方がより酸の拡散を抑制可能である。また、複素環基は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。芳香族性を有している複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及びピリジン環が挙げられる。芳香族性を有していない複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、及びデカヒドロイソキノリン環が挙げられる。複素環基における複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、又はデカヒドロイソキノリン環が特に好ましい。また、ラクトン環の例としては、前述の樹脂Aにおいて例示したラクトン構造が挙げられる。上記環状の有機基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基直鎖、分岐のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、シクロアルキル基単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3~20が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、及びスルホン酸エステル基が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素環形成に寄与する炭素はカルボニル炭素であっても良い。xは1~8が好ましく、中でも1~4が好ましく、1が特に好ましい。yは0~4が好ましく、0がより好ましい。zは0~8が好ましく、中でも0~4が好ましい。Rfで表されるフッ素原子を含んだ基としては、例えば、少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基、少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基、及び少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基が挙げられる。これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、フッ素原子により置換されていてもよく、フッ素原子を含んだ他の置換基により置換されていてもよい。Rfが少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基又は少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基である場合、フッ素原子を含んだ他の置換基としては、例えば、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基が挙げられる。また、これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、フッ素原子を含んでいない置換基によって更に置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、先にCyについて説明したもののうち、フッ素原子を含んでいないものを挙げることができる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基としては、例えば、Xfにより表される少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基として先に説明したのと同様のものが挙げられる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基としては、例えば、パーフルオロシクロペンチル基、及びパーフルオロシクロヘキシル基が挙げられる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基としては、例えば、パーフルオロフェニル基が挙げられる。R201、R202及びR203により表される有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3及びZI-4における対応する基を挙げることができる。なお、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物ZI-1、ZI-2、及びZI-3及びZI-4を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、ベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2-オキソシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。2-オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。次に、化合物ZI-3について説明する。化合物ZI-3とは、以下の一般式ZI-3で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式ZI-3に於いて、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとRx、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又は、これらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、3~10員環を挙げることができ、4~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。R5cとR6c、及び、R5cとRxが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基であることが好ましく、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基等を挙げることができる。Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。R1c~R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3~10個のシクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアリール基は、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基、炭素数3~10の環状アルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルコキシ基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアルキルカルボニルオキシ基及びアルキルチオ基におけるアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのシクロアルキルカルボニルオキシ基におけるシクロアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのシクロアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアリールオキシ基及びアリールチオ基におけるアリール基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアリール基の具体例と同様である。好ましくは、R1c~R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c~R5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。R1c~R5cのいずれか2つ以上が互いに結合して形成してもよい環構造としては、好ましくは5員又は6員の環、特に好ましくは6員の環例えばフェニル環が挙げられる。R5c及びR6cが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びR6cが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式I中のカルボニル炭素原子及び炭素原子と共に形成する4員以上の環特に好ましくは5~6員の環が挙げられる。R6c及びR7cとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R6c及びR7cの態様としては、その両方がアルキル基である場合が好ましい。特に、R6c及びR7cが各々炭素数1~4の直鎖又は分岐状アルキル基である場合が好ましく、とりわけ、両方がメチル基である場合が好ましい。また、R6cとR7cとが結合して環を形成する場合に、R6cとR7cとが結合して形成する基としては、炭素数2~10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。Rx及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c~R7cにおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。Rx及びRyとしての2-オキソアルキル基及び2-オキソシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1~12のアルキル基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖のアルキル基例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアリル基としては、特に制限は無いが、無置換のアリル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。Rx及びRyとしてのビニル基としては特に制限は無いが、無置換のビニル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。R5c及びRxが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びRxが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式I中の硫黄原子とカルボニル炭素原子と共に形成する5員以上の環特に好ましくは5員の環が挙げられる。Rx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が一般式ZI-3中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。Rx及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。R1c~R7c、Rx及びRyは、更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アリールカルボニル基、アルコキシアルキル基、アリールオシキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。上記一般式ZI-3中、R1c、R2c、R4c及びR5cが、各々独立に、水素原子を表し、R3cが水素原子以外の基、すなわち、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表すことがより好ましい。本発明における化合物ZI-2又はZI-3におけるカチオンとしては、特開2010-256842号公報の段落[0130]~[0134]、及び、特開2011-76056号公報の段落[0136]~[0140]等に記載のカチオンを挙げることができる。次に、化合物ZI-4について説明する。化合物ZI-4は、下記一般式ZI-4で表される。一般式ZI-4中、R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~8の整数を表す。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。一般式ZI-4において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。R13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルが好ましい。R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。R13及びR14のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等が好ましい。R13及びR14のシクロアルキル基を有する基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、例えば、単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等が挙げられる。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、sec-ブトキシ、t-ブトキシ、iso-アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンチルメトキシ基、アダマンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。R14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13~R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。R14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。上記各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個のR15が一般式ZI-4中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられ、アリール基又はシクロアルキル基と縮環していてもよい。この2価のR15は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記環構造に対する置換基は、複数個存在しても良く、また、それらが互いに結合して環芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又はこれらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環などを形成しても良い。一般式ZI-4におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。R13及びR14が有し得る置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子特に、フッ素原子が好ましい。lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0~2が好ましい。本発明における一般式ZI-4で表される化合物のカチオンとしては、特開2010-256842号公報の段落[0121]、[0123]、[0124]、及び、特開2011-76056号公報の段落[0127]、[0129]、[0130]等に記載のカチオンを挙げることができる。次に、一般式ZII、ZIIIについて説明する。一般式ZII、ZIII中、R204~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204~R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204~R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。R204~R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~15、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。酸発生剤として、更に、下記一般式ZIV、ZV、ZVIで表される化合物も挙げられる。一般式ZIV~ZVI中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。Ar3、Ar4、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式ZI-1におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式ZI-2におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。Aのアルキレン基としては、炭素数1~12のアルキレン例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基などを、Aのアルケニレン基としては、炭素数2~12のアルケニレン基例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基などを、Aのアリーレン基としては、炭素数6~10のアリーレン基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などを、それぞれ挙げることができる。酸発生剤の内でより好ましくは、一般式ZI~ZIIIで表される化合物である。また、酸発生剤として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、更に好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子若しくはフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子若しくはフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸、フッ素置換イミド酸又はフッ素置換メチド酸のスルホニウム塩である。使用可能な酸発生剤は、発生した酸のpKaが-1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。酸発生剤は、公知の方法で合成することができ、例えば、特開2007-161707号公報に記載の方法に準じて合成することができる。酸発生剤は、1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の組成物中の含有量は、化学増幅型レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~30質量が好ましく、より好ましくは0.5~25質量、更に好ましくは3~20質量、特に好ましくは3~15質量である。また、酸発生剤が上記一般式ZI-3又はZI-4により表される場合には、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、5~35質量が好ましく、8~30質量がより好ましく、9~30質量が更に好ましく、9~25質量が特に好ましい。[3-1]活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物C本発明における化学増幅型レジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物以下、化合物Cともいうを含有することが好ましい。化合物Cは、塩基性官能基又はアンモニウム基と、活性光線又は放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有する化合物C-1であることが好ましい。すなわち、化合物Cは、塩基性官能基と活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有する塩基性化合物、又は、アンモニウム基と活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有するアンモニウム塩化合物であることが好ましい。化合物C又はC-1が、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する、塩基性が低下した化合物として、下記一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物を挙げることができ、LWR、局所的なパターン寸法の均一性及びDOFに関して優れた効果を高次元で両立できるという観点から、特に、一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物が好ましい。まず、一般式PA-Iで表される化合物について説明する。Q-A1-Xn-B-RPA-I一般式PA-I中、A1は、単結合又は2価の連結基を表す。Qは、-SO3H、又は-CO2Hを表す。Qは、活性光線又は放射線の照射により発生される酸性官能基に相当する。Xは、-SO2-又は-CO-を表す。nは、0又は1を表す。Bは、単結合、酸素原子又は-NRx-を表す。Rxは、水素原子又は1価の有機基を表す。Rは、塩基性官能基を有する1価の有機基又はアンモニウム基を有する1価の有機基を表す。A1における2価の連結基としては、好ましくは炭素数2~12の2価の連結基であり、例えば、アルキレン基、フェニレン基等が挙げられる。より好ましくは少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2~6、より好ましくは炭素数2~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、特に水素原子の数の30~100がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、Q部位と結合した炭素原子がフッ素原子を有することがより好ましい。更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、パーフロロエチレン基、パーフロロプロピレン基、パーフロロブチレン基がより好ましい。Rxにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数4~30であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。Rxにおけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~20の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基にシクロアルキル基が置換した基例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基などを挙げることができる。Rxにおけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。Rxにおけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基である。Rxにおけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7~20のアラルキル基が挙げられる。Rxにおけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、例えば、Rxとして挙げたアルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。塩基性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル、一~三級アミン、含窒素複素環ピリジン、イミダゾール、ピラジンなどの構造が挙げられる。アンモニウム基の好ましい部分構造として、例えば、一~三級アンモニウム、ピリジニウム、イミダゾリニウム、ピラジニウム構造などを挙げることが出来る。なお、塩基性官能基としては、窒素原子を有する官能基が好ましく、1~3級アミノ基を有する構造、又は含窒素複素環構造がより好ましい。これら構造においては、構造中に含まれる窒素原子に隣接する原子の全てが、炭素原子又は水素原子であることが、塩基性向上の観点から好ましい。また、塩基性向上の観点では、窒素原子に対して、電子求引性の官能基カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、ハロゲン原子などが直結していないことが好ましい。このような構造を含む一価の有機基基Rにおける一価の有機基としては、好ましい炭素数は4~30であり、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができ、各基は置換基を有していても良い。Rにおける塩基性官能基又はアンモニウム基を含むアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基に於けるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は、それぞれ、Rxとして挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基と同様のものである。上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~10、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~20、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~20を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として更に1又は2のアルキル基好ましくは炭素数1~20を挙げることができる。Bが-NRx-の時、RとRxが結合して環を形成していることが好ましい。環構造を形成することによって、安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。環を形成する炭素数は4~20が好ましく、単環式でも多環式でもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでいてもよい。単環式構造としては、窒素原子を含む4~8員環等を挙げることができる。多環式構造としては、2又は3以上の単環式構造の組み合わせから成る構造を挙げることができる。単環式構造、多環式構造は、置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~15、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~15、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~15、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20などが好ましい。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として1又は2のアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。一般式PA-Iで表される化合物の内、Q部位がスルホン酸である化合物は、一般的なスルホンアミド化反応を用いることで合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的にアミン化合物と反応させて、スルホンアミド結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物をアミン化合物と反応させ開環させる方法により得ることができる。次に、一般式PA-IIで表される化合物について説明する。Q1-X1-NH-X2-Q2PA-II一般式PA-II中、Q1及びQ2は、各々独立に、1価の有機基を表す。但し、Q1及びQ2のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Q1とQ2は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有してもよい。X1及びX2は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。なお、-NH-は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。一般式PA-IIに於ける、Q1、Q2としての1価の有機基は、好ましくは炭素数1~40であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。Q1、Q2におけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~30の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。Q1、Q2におけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子、窒素原子を有していてもよい。Q1、Q2におけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基である。Q1、Q2におけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7~20のアラルキル基が挙げられる。Q1、Q2におけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、上記アルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~10、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~20、アミノアシル基好ましくは炭素数2~10などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~10を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~10を挙げることができる。置換基を有するアルキル基として、例えば、パーフロロメチル基、パーフロロエチル基、パーフロロプロピル基、パーフロロブチル基などのパーフルオロアルキル基を挙げることができる。Q1、Q2の少なくともいずれかが有する塩基性官能基の好ましい部分構造としては、一般式PA-IのRが有する塩基性官能基として説明したものと同様のものが挙げられる。Q1とQ2とが、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有する構造としては、例えば、Q1とQ2の有機基が更にアルキレン基、オキシ基、イミノ基等で結合された構造を挙げることができる。一般式PA-IIに於いて、X1及びX2の少なくとも片方が、-SO2-であることが好ましい。次に、一般式PA-IIIで表される化合物を説明する。Q1-X1-NH-X2-A2-X3m-B-Q3PA-III一般式PA-III中、Q1及びQ3は、各々独立に、1価の有機基を表す。但し、Q1及びQ3のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Q1とQ3は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有していてもよい。X1、X2及びX3は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。A2は、2価の連結基を表す。Bは、単結合、酸素原子又は-NQx-を表す。Qxは、水素原子又は1価の有機基を表す。Bが、-NQx-の時、Q3とQxが結合して環を形成してもよい。mは、0又は1を表す。なお、-NH-は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。Q1は、一般式PA-IIに於けるQ1と同義である。Q3の有機基としては、一般式PA-IIに於けるQ1、Q2の有機基と同様のものを挙げることができる。また、Q1とQ3とが、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有する構造としては、例えば、Q1とQ3の有機基が更にアルキレン基、オキシ基、イミノ基等で結合された構造を挙げることができる。A2における2価の連結基としては、好ましくは炭素数1~8のフッ素原子を有する2価の連結基であり、例えば炭素数1~8のフッ素原子を有するアルキレン基、フッ素原子を有するフェニレン基等が挙げられる。より好ましくはフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2~6、より好ましくは炭素数2~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、水素原子の数の30~100がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、炭素数2~4のパーフルオロアルキレン基が特に好ましい。Qxにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数4~30の有機基であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は上記式PA-IにおけるRxと同様のものを挙げることができる。一般式PA-IIIに於いて、X1、X2、X3は、-SO2-であることが好ましい。化合物Cとしては、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物のスルホニウム塩化合物、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物のヨードニウム塩化合物が好ましく、更に好ましくは下記一般式PA1又はPA2で表される化合物である。一般式PA1において、R’201、R’202及びR’203は、各々独立に、有機基を表し、具体的には、前記B成分における式ZIのR201、R202及びR203と同様である。X-は、一般式PA-Iで示される化合物の-SO3H部位若しくは-COOH部位の水素原子が脱離したスルホン酸アニオン若しくはカルボン酸アニオン、又は一般式PA-II若しくはPA-IIIで表される化合物の-NH-部位から水素原子が脱離したアニオンを表す。前記一般式PA2中、R’204及びR’205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、具体的には、前記B成分における式ZIIのR204及びR205と同様である。X-は、一般式PA-Iで示される化合物の-SO3H部位若しくは-COOH部位の水素原子が脱離したスルホン酸アニオン若しくはカルボン酸アニオン、又は一般式PA-II若しくはPA-IIIで表される化合物の-NH-部位から水素原子が脱離したアニオンを表す。化合物Cは、活性光線又は放射線の照射により分解し、例えば、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物を発生する。一般式PA-Iで表される化合物は、塩基性官能基又はアンモニウム基とともにスルホン酸基又はカルボン酸基を有することにより、化合物Cに比べて塩基性が低下、消失、又は塩基性から酸性に変化した化合物である。一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物は、塩基性官能基とともに有機スルホニルイミノ基若しくは有機カルボニルイミノ基を有することにより、化合物Cに比べて塩基性が低下、消失、又は塩基性から酸性に変化した化合物である。本発明に於いて、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下することは、活性光線又は放射線の照射により化合物Cのプロトン活性光線又は放射線の照射により発生された酸に対するアクセプター性が低下することを意味する。アクセプター性が低下するとは、塩基性官能基を有する化合物とプロトンとからプロトン付加体である非共有結合錯体が生成する平衡反応が起こる時、あるいは、アンモニウム基を有する化合物の対カチオンがプロトンに交換される平衡反応が起こる時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。このように、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する化合物Cがレジスト膜に含有されていることにより、未露光部においては、化合物Cのアクセプター性が十分に発現されて、露光部等から拡散した酸と樹脂Aとの意図しない反応を抑制することができるとともに、露光部においては、化合物Cのアクセプター性が低下するので、酸と樹脂Pとの意図する反応がより確実に起こり、このような作用機構の寄与もあって、線幅バラツキLWR、局所的なパターン寸法の均一性、フォーカス余裕度DOF及びパターン形状に優れるパターンが得られるものと推測される。なお、塩基性は、pH測定を行うことによって確認することができるし、市販のソフトウェアによって計算値を算出することも可能である。以下、活性光線又は放射線の照射により一般式PA-Iで表される化合物を発生する化合物Cの具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物の合成は、一般式PA-Iで表される化合物又はそのリチウム、ナトリウム、カリウム塩と、ヨードニウム又はスルホニウムの水酸化物、臭化物、塩化物等から、特表平11-501909号公報又は特開2003-246786号公報に記載されている塩交換法を用いて容易に合成できる。また、特開平7-333851号公報に記載の合成方法に準ずることもできる。以下、活性光線又は放射線の照射により一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物を発生する化合物Cの具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物は、一般的なスルホン酸エステル化反応あるいはスルホンアミド化反応を用いることで容易に合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的に一般式PA-II又はPA-IIIで表される部分構造を含むアミン、アルコールなどと反応させて、スルホンアミド結合、スルホン酸エステル結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物を一般式PA-IIで表される部分構造を含むアミン、アルコールにより開環させる方法により得ることができる。一般式PA-II又はPA-IIIで表される部分構造を含むアミン、アルコールは、アミン、アルコールを塩基性下にてR’O2C2OやR’SO22O等の無水物、R’O2CClやR’SO2Cl等の酸クロリド化合物と反応させることにより合成できるR’は、メチル基、n-オクチル基、トリフルオロメチル基等。化合物Cの合成は、特に、特開2006-330098号公報及び特開2011-100105号公報の合成例などに準ずることができる。化合物Cの分子量は、500~1000であることが好ましい。本発明における化学増幅型レジスト組成物は化合物Cを含有してもしていなくてもよいが、含有する場合、化合物Cの含有量は、化学増幅型レジスト組成物の固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは0.1~10質量である。[3-2]塩基性化合物C’本発明における化学増幅型レジスト組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物C’を含有していてもよい。塩基性化合物としては、好ましくは、下記式A~Eで示される構造を有する化合物を挙げることができる。一般式AとEにおいて、R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20又はアリール基炭素数6~20を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1~20個のアルキル基を表す。上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基又は炭素数1~20のシアノアルキル基が好ましい。これら一般式AとE中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン等を挙げることができ、更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。イミダゾール構造を有する化合物としては、イミダゾール、2、4、5-トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては、1、4-ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5-ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ-5-エン、1、8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカー7-エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としては、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2-オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリスt-ブチルフェニルスルホニウムヒドロキシド、ビスt-ブチルフェニルヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2-オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としては、オニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタンー1-カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリn-ブチルアミン、トリn-オクチルアミン等を挙げることができる。アニリン構造を有する化合物としては、2,6-ジイソプロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリスメトキシエトキシエチルアミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N-ビスヒドロキシエチルアニリン等を挙げることができる。好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合していることが好ましい。また、前記アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3~9個、更に好ましくは4~6個である。オキシアルキレン基の中でも-CH2CH2O-、-CHCH3CH2O-若しくは-CH2CH2CH2O-の構造が好ましい。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物の具体例としては、米国特許出願公開2007/0224539号明細書の[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、塩基性化合物の1種として、酸の作用により脱離する基を有する含窒素有機化合物を用いることもできる。この化合物の例として、例えば、下記一般式Fで表される化合物を挙げることができる。なお、下記一般式Fで表される化合物は、酸の作用により脱離する基が脱離することによって、系中での実効的な塩基性を発現する。一般式Fにおいて、Raは、独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数20以下若しくはその誘導体を形成していてもよい。Rbは、独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。但し、-CRbRbRbにおいて、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基又は1-アルコキシアルキル基である。少なくとも2つのRbは結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。nは0~2の整数を表し、mは1~3の整数をそれぞれ表し、nm=3である。一般式Fにおいて、Ra及びRbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。一般式Fで表される化合物を具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式Fで表される化合物は、特開2009-199021号公報などに基づき合成することができる。塩基性化合物C’の分子量は、250~2000であることが好ましく、更に好ましくは400~1000である。LWRのさらなる低減及び局所的なパターン寸法の均一性の観点からは、塩基性化合物の分子量は、400以上であることが好ましく、500以上であることがより好ましく、600以上であることが更に好ましい。これらの塩基性化合物C’は、前記化合物Cと併用していてもよいし、単独であるいは2種以上一緒に用いられる。本発明における化学増幅型レジスト組成物は塩基性化合物C’を含有してもしていなくてもよいが、含有する場合、塩基性化合物の使用量は、化学増幅型レジスト組成物の固形分を基準として、通常、0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤と塩基性化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤/塩基性化合物モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/塩基性化合物モル比は、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。[4]溶剤D本発明における化学増幅型レジスト組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン好ましくは炭素数4~10、環を有しても良いモノケトン化合物好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。これらの溶剤の具体例は、米国特許出願公開2008/0187860号明細書[0441]~[0455]に記載のものを挙げることができる。本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤としては前述の例示化合物が適宜選択可能であるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、別名1-メトキシ-2-プロパノール、乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有しても良いモノケトン化合物、環状ラクトン、酢酸アルキルなどが好ましく、これらの内でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノンが最も好ましい。水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比質量は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含むことが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶媒、又は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。[5]疎水性樹脂E本発明の化学増幅型レジスト組成物は、特に液浸露光に適用する際、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂以下、疎水性樹脂E又は単に樹脂Eともいうを含有してもよい。これにより、膜表層に疎水性樹脂Eが偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。疎水性樹脂Eは前述のように界面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。疎水性樹脂Eは、典型的には、フッ素原子及び/又は珪素原子を含んでいる。疎水性樹脂Eに於けるフッ素原子及び/又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。疎水性樹脂Eがフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。フッ素原子を有するアルキル基好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、及びフッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式F2~F4で表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式F2~F4中、R57~R68は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基直鎖若しくは分岐を表す。但し、R57~R61少なくとも1つ、R62~R64の少なくとも1つ、及びR65~R68の少なくとも1つは、それぞれ独立に、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4が好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。一般式F2で表される基の具体例としては、例えば、p-フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。一般式F3で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。一般式F4で表される基の具体例としては、例えば、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、-CHCF3OH等が挙げられ、-CCF32OHが好ましい。フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合しても良く、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、或いはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合しても良い。フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。式中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。W3~W6は、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。また、疎水性樹脂Eは、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。式中、R4~R7は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。ただし、R4~R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5若しくはR6とR7は環を形成していてもよい。W2は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。L2は、単結合、或いは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR-式中、Rは水素原子又はアルキルを表す、-NHSO2-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Qとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。以下、フッ素原子を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。X2は、-F又は-CF3を表す。疎水性樹脂Eは、珪素原子を含有してもよい。珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造好ましくはトリアルキルシリル基、又は環状シロキサン構造を有する樹脂であることが好ましい。アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式CS-1~CS-3で表される基などが挙げられる。一般式CS-1~CS-3に於いて、R12~R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基好ましくは炭素数1~20又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~20を表す。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びウレア結合よりなる群から選択される単独或いは2つ以上の組み合わせ好ましくは総炭素数12以下が挙げられる。nは、1~5の整数を表す。nは、好ましくは、2~4の整数である。以下、一般式CS-1~CS-3で表される基を有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。更に、疎水性樹脂Eは、下記x~zの群から選ばれる基を少なくとも1つを有していてもよい。x酸基、yラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基、z酸の作用により分解する基酸基xとしては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましい酸基としては、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホンイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基が挙げられる。酸基xを有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に、直接、酸基が結合している繰り返し単位、或いは、連結基を介して樹脂の主鎖に酸基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更には酸基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。酸基xを有する繰り返し単位が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有していても良い。酸基xを有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂E中の全繰り返し単位に対し、1~50モルが好ましく、より好ましくは3~35モル、更に好ましくは5~20モルである。酸基xを有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。式中、Rxは水素原子、CH3、CF3、又は、CH2OHを表す。ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基yとしては、ラクトン構造を有する基が特に好ましい。これらの基を含んだ繰り返し単位は、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接この基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、この基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、この基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば、先に酸分解性樹脂Aの項で説明したラクトン構造を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、3~98モルであることがより好ましく、5~95モルであることが更に好ましい。疎水性樹脂Eに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位は、樹脂Aで挙げた酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有していても良い。疎水性樹脂Eに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位の含有量は、樹脂E中の全繰り返し単位に対し、1~80モルが好ましく、より好ましくは10~80モル、更に好ましくは20~60モルである。疎水性樹脂Eは、更に、下記一般式IIIで表される繰り返し単位を有していてもよい。一般式IIIに於いて、Rc31は、水素原子、アルキル基フッ素原子等で置換されていても良い、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基で置換されていても良い。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。一般式IIIに於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。アリール基は、炭素数6~20のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましく、これらは置換基を有していてもよい。Rc32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。Lc3の2価の連結基は、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、エーテル結合、フェニレン基、エステル結合-COO-で表される基が好ましい。一般式IIIにより表される繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、10~90モルであることがより好ましく、30~70モルであることが更に好ましい。疎水性樹脂Eは、更に、下記一般式CII-ABで表される繰り返し単位を有することも好ましい。式CII-AB中、Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、結合した2つの炭素原子C-Cを含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。一般式CII-ABにより表される繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、10~90モルであることがより好ましく、30~70モルであることが更に好ましい。以下に一般式III、CII-ABで表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、CF3又はCNを表す。疎水性樹脂Eがフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂Eの重量平均分子量に対し、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂Eに含まれる全繰り返し単位中10~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。疎水性樹脂Eが珪素原子を有する場合、珪素原子の含有量は、疎水性樹脂Eの重量平均分子量に対し、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂Eに含まれる全繰り返し単位中、10~100モルであることが好ましく、20~100モルであることがより好ましい。疎水性樹脂Eの標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000で、より好ましくは1,000~50,000、更により好ましくは2,000~15,000である。また、疎水性樹脂Eは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。疎水性樹脂Eの組成物中の含有量は、本発明の組成物中の全固形分に対し、0.01~10質量が好ましく、0.05~8質量がより好ましく、0.1~5質量が更に好ましい。疎水性樹脂Eは、樹脂A同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0.01~5質量であることが好ましく、より好ましくは0.01~3質量、0.05~1質量が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のない化学増幅型レジスト組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは、1~5の範囲が好ましく、より好ましくは1~3、更に好ましくは1~2の範囲である。疎水性樹脂Eは、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒、重合開始剤、反応条件温度、濃度等、及び、反応後の精製方法は、樹脂Aで説明した内容と同様であるが、疎水性樹脂Eの合成においては、反応の濃度が30~50質量であることが好ましい。以下に疎水性樹脂Eの具体例を示す。また、下記表4及び表5に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、分散度を示す。[6]界面活性剤F本発明における化学増幅型レジスト組成物は、更に界面活性剤を含有してもしなくても良く、含有する場合、フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することがより好ましい。本発明における化学増幅型レジスト組成物が界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられ、例えばエフトップEF301、EF303、新秋田化成株製、フロラードFC430、431、4430住友スリーエム株製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08DIC株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106、KH-20旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、222D株ネオス製等である。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる若しくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。上記に該当する界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472DIC株製、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体等を挙げることができる。また、本発明では、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載の、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。化学増幅型レジスト組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の使用量は、化学増幅型レジスト組成物全量溶剤を除くに対して、好ましくは0.0001~2質量、より好ましくは0.0005~1質量である。一方、界面活性剤の添加量を、化学増幅型レジスト組成物全量溶剤を除くに対して、10ppm以下とすることで、疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。[7]その他添加剤G本発明における化学増幅型レジスト組成物は、上述した成分の他に、性能調整の目的で、カルボン酸オニウム塩、低分子の溶解阻止剤などを含有してもよい。本発明における化学増幅型レジスト組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30~250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30~200nmで使用されることが好ましい。組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。本発明における化学増幅型レジスト組成物の固形分濃度は、通常1.0~10質量であり、好ましくは、2.0~5.7質量、更に好ましくは2.0~5.3質量である。固形分濃度を前記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更にはラインウィズスラフネスに優れたレジストパターンを形成することが可能になる。その理由は明らかではないが、恐らく、固形分濃度を10質量以下、好ましくは5.7質量以下とすることで、レジスト溶液中での素材、特には光酸発生剤の凝集が抑制され、その結果として、均一なレジスト膜が形成できたものと考えられる。固形分濃度とは、化学増幅型レジスト組成物の総重量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の重量の重量百分率である。本発明における化学増幅型レジスト組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、所定の支持体基板上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。フィルター濾過においては、例えば特開2002-62667号公報のように、循環的な濾過を行ったり、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して濾過を行ったりしてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。更に、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。以下、本発明における化学増幅型レジスト組成物の好適な具体例として、レジスト組成物R1~R12を挙げるが、化学増幅型レジスト組成物が、A酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂、及び、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する限り、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。より具体的には、レジスト組成物R1~R12は、下記表6に示す成分を同表に示す溶剤に全固形分で3.8質量溶解させ、それぞれを0.1μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して調製することにより得られるものである。<樹脂A>下記表7における樹脂P-1~P-11について、樹脂を構成する繰り返し単位、繰り返し単位のモル比、重量平均分子量、分散度を示す。繰り返し単位のモル比は、各モノマーの左から順に対応する。上記表7における繰り返し単位は、以下の通りである。<酸発生剤B>酸発生剤は、以下の通りである。<活性光線又は放射線の照射により、塩基性が低下する塩基性化合物C、及び塩基性化合物C’>活性光線又は放射線の照射により、塩基性が低下する塩基性化合物、及び、塩基性化合物は、以下の通りである。N-1:2-フェニルベンゾイミダゾール<疎水性樹脂E>疎水性樹脂は、以下の通りである。<界面活性剤>界面活性剤は、以下の通りである。W-1:メガファックF176DIC株製;フッ素系<溶剤>溶剤は、以下の通りである。SL-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEASL-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMESL-3:シクロヘキサノンSL-4:γ-ブチロラクトン以上に説明したレジスト組成物R1~R12の各々を用いて、本発明のパターン形成方法例えば、ArF液浸露光を用いる、上述した本発明の第1~第5の実施形態に係るパターン形成方法を実施することにより、基板に、複数のホールパターンを、極微細例えば80nm以下のピッチで、良好かつ容易に形成できる。"