"第1表面と、前記第1表面の裏側に配置される第2表面とを有する絶縁基板と、互いに間隔を隔てて配置され、前記第1表面上に搭載される複数の半導体素子と、前記第2表面上に設けられる伝熱板と、前記伝熱板に対して前記絶縁基板の反対側に設けられ、前記伝熱板を介して伝えられた前記半導体素子の熱を放熱する放熱器とを備え、前記絶縁基板には、互いに隣り合って配置された前記半導体素子間で延びる溝が形成され、前記伝熱板は、前記第2表面と対向しながら複数の前記半導体素子間で連続するように設けられる、半導体素子の冷却構造。前記絶縁基板は、前記伝熱板よりも小さい線膨張率を有し、前記溝は、前記第1表面に形成される、請求項1に記載の半導体素子の冷却構造。前記伝熱板は、前記絶縁基板および前記放熱器に接触して設けられる、請求項1または2に記載の半導体素子の冷却構造。前記伝熱板は、アルミニウムにより形成され、前記絶縁基板は、窒化アルミニウムにより形成される、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体素子の冷却構造。インバータ回路などに使用される半導体素子の作動には、非常に大きい発熱を伴うため、各種の冷却構造が採用されている。たとえば、特許文献1に開示された半導体素子の冷却構造では、複数の半導体素子が、搭載構造を介してヒートシンク上に搭載されている。半導体素子で発生した熱は、搭載構造を通じてヒートシンクに伝わることによって放熱される。一方、このような半導体素子の冷却構造の製造に際しては、ロウ付けによる接合工程などを伴う。この接合工程時に冷却構造の構成部品が高温から低温に変化すると、部品間における線膨張率の差に起因して過大な内部応力が発生する。たとえば、特許文献1における搭載構造として、半導体素子を電気的に絶縁するための絶縁基板が設けられていると想定すると、内部応力の発生により絶縁基板に割れが生じ、半導体素子の電気的な絶縁が確保されないという懸念が生じる。この場合、半導体素子の作動の信頼性を十分に得ることができない。また、特許文献1に開示された半導体素子の冷却構造では、搭載構造が半導体素子ごとに設けられているため、互いに隣り合う搭載構造間に空間を設ける必要が生じる。これにより、各搭載構造とヒートシンクとの接触面積が減少し、半導体素子の冷却効率が低下するという懸念が生じる。この場合にも、半導体素子の作動の信頼性を十分に得ることができない。そこでこの発明の目的は、上記の課題を解決することであり、半導体素子の作動の信頼性を向上させる半導体素子の冷却構造を提供することである。この発明に従った半導体素子の冷却構造は、絶縁基板と、互いに間隔を隔てて配置される複数の半導体素子と、伝熱板と、放熱器とを備える。絶縁基板は、第1表面と、第1表面の裏側に配置される第2表面とを有する。複数の半導体素子は、第1表面上に搭載される。伝熱板は、第2表面上に設けられる。放熱器は、伝熱板に対して絶縁基板の反対側に設けられ、伝熱板を介して伝えられた半導体素子の熱を放熱する。絶縁基板には、互いに隣り合って配置された半導体素子間で延びる溝が形成される。伝熱板は、第2表面と対向しながら複数の半導体素子間で連続するように設けられる。このように構成された半導体素子の冷却構造によれば、絶縁基板には、互いに隣り合って配置された半導体素子間で延びる溝が形成されるため、絶縁基板に内部応力が発生した場合にその応力を溝に集中させる。これにより、各半導体素子の直下で絶縁基板が破損することを防止し、半導体素子の電気的な絶縁を確保することができる。また、伝熱板は、第2表面と対向しながら複数の半導体素子間で連続するように設けられるため、より大きい体積を有する伝熱板を、絶縁基板と放熱器との間に配置することができる。これにより、半導体素子から放熱器に向けて効率よく熱を伝え、半導体素子の冷却効率を向上させることができる。したがって、本発明によれば、半導体素子の作動の信頼性を向上させることができる。また好ましくは、絶縁基板は、伝熱板よりも小さい線膨張率を有する。溝は、第1表面に形成される。このように構成された半導体素子の冷却構造によれば、絶縁基板と伝熱板との線膨張率の差に起因して絶縁基板に内部応力が発生した場合に、絶縁基板は、第1表面側が凸となり、第2表面側が凹となるように変形する。この際、変形に伴って絶縁基板の第1表面側に生じる引っ張り応力を溝に集中させる。これにより、各半導体素子の直下で絶縁基板が破損することを防止し、半導体素子の電気的な絶縁を確保することができる。また好ましくは、伝熱板は、絶縁基板および放熱器に接触して設けられる。このように構成された半導体素子の冷却構造によれば、絶縁基板と放熱器との間には伝熱板のみが設けられる。これにより、冷却構造を簡易化するとともにに、半導体素子から放熱器に向けて効率よく熱を伝えることができる。また好ましくは、伝熱板は、アルミニウムにより形成される。絶縁基板は、窒化アルミニウムにより形成される。このように構成された半導体素子の冷却構造によれば、絶縁基板および伝熱板の材質の差に起因して絶縁基板に内部応力が発生した場合であっても、各半導体素子の直下で絶縁基板が破損することを防止できる。以上に説明したように、この発明に従えば、半導体素子の作動の信頼性を向上させる半導体素子の冷却構造を提供することができる。この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、以下で参照する図面では、同一またはそれに相当する部材には、同じ番号が付されている。実施の形態1図1は、ハイブリッド自動車のモータジェネレータ制御に関する構成を示す回路図である。本実施の形態では、本発明における半導体素子の冷却構造が、ハイブリッド自動車に搭載されるパワー制御ユニットPCU:PowerControlUnitに適用される。図1を参照して、まず、ハイブリッド自動車のモータジェネレータ制御に関して説明する。ハイブリッド自動車は、ガソリンエンジンやディーゼルエンジン等の内燃機関と、充放電可能な2次電池バッテリから電力供給されるモータとを動力源とする。ハイブリッド自動車は、バッテリユニット40と、車両用駆動装置20と、図示しないエンジンとを有する。車両用駆動装置20は、モータジェネレータMG1,MG2と、図示しないエンジンおよびモータジェネレータMG1,MG2の間で動力を分配する動力分割機構26と、モータジェネレータMG1,MG2の制御を行なうパワー制御ユニット21とを有する。モータジェネレータMG1は、主にジェネレータとして機能し、エンジンの出力により発電を行なう。また、モータジェネレータMG1は、エンジン始動時にはスタータとして作動する。モータジェネレータMG2は、主にモータとして機能し、エンジンの出力を補助し、駆動力を高める。また、モータジェネレータMG2は、回生制動時には発電を行ない、バッテリBを充電する。バッテリユニット40には端子41,42が設けられている。PCU21にはDC端子43,44が設けられている。端子41とDC端子43との間および端子42とDC端子44との間は、それぞれ、ケーブル6およびケーブル8によって電気的に接続されている。バッテリユニット40は、バッテリBと、バッテリBの正極と端子41との間に接続されるシステムメインリレーSMR2と、バッテリBの負極と端子42との間に接続されるシステムメインリレーSMR3と、バッテリBの正極と端子41との間に直列に接続される、システムメインリレーSMR1および制限抵抗Rとを有する。システムメインリレーSMR1~SMR3は、後述の制御装置30から与えられる制御信号SEに応じて導通/非導通状態が制御される。バッテリユニット40は、バッテリBの端子間の電圧VBを測定する電圧センサ10と、バッテリBに流れる電流IBを検知する電流センサ11とを有する。バッテリBとしては、ニッケル水素、リチウムイオン等の2次電池や、燃料電池などを用いることができる。バッテリBに代わる蓄電装置として、電気二重層コンデンサ等の大容量キャパシタを用いることもできる。パワー制御ユニット21は、モータジェネレータMG1,MG2にそれぞれ対応して設けられるインバータ22,14と、インバータ22,14に共通して設けられる昇圧コンバータ12と、制御装置30とを有する。昇圧コンバータ12は、DC端子43,44間の電圧を昇圧する。昇圧コンバータ12は、一方端が端子43に接続されるリアクトル32と、昇圧用IPMIntelligentPowerModule13と、平滑用コンデンサ33とを有する。昇圧用IPM13は、昇圧後の電圧VHを出力する昇圧コンバータ12の出力端子間に直列に接続されるIGBT素子Q1,Q2と、IGBT素子Q1,Q2にそれぞれ並列に接続されるダイオードD1,D2とを有する。平滑用コンデンサ33は、昇圧コンバータ12によって昇圧された電圧を平滑化する。リアクトル32の他方端は、IGBT素子Q1のエミッタおよびIGBT素子Q2のコレクタに接続されている。ダイオードD1のカソードは、IGBT素子Q1のコレクタと接続され、ダイオードD1のアノードは、IGBT素子Q1のエミッタと接続されている。ダイオードD2のカソードは、IGBT素子Q2のコレクタと接続され、ダイオードD2のアノードは、IGBT素子Q2のエミッタと接続されている。インバータ14は、車輪を駆動するモータジェネレータMG2に対して昇圧コンバータ12の出力する直流電圧を三相交流に変換して出力する。インバータ14は、回生制動に伴い、モータジェネレータMG2において発電された電力を昇圧コンバータ12に戻す。このとき、昇圧コンバータ12は、降圧回路として動作するように制御装置30によって制御される。インバータ14は、走行用IPM18を構成するU相アーム15、V相アーム16およびW相アーム17を有する。U相アーム15,V相アーム16およびW相アーム17は、昇圧コンバータ12の出力ライン間に並列に接続されている。U相アーム15は、直列接続されたIGBT素子Q3,Q4と、IGBT素子Q3,Q4とそれぞれ並列に接続されるダイオードD3,D4とを有する。ダイオードD3のカソードは、IGBT素子Q3のコレクタと接続され、ダイオードD3のアノードは、IGBT素子Q3のエミッタと接続されている。ダイオードD4のカソードは、IGBT素子Q4のコレクタと接続され、ダイオードD4のアノードは、IGBT素子Q4のエミッタと接続されている。V相アーム16は、直列接続されたIGBT素子Q5,Q6と、IGBT素子Q5,Q6とそれぞれ並列に接続されるダイオードD5,D6とを有する。ダイオードD5のカソードは、IGBT素子Q5のコレクタと接続され、ダイオードD5のアノードは、IGBT素子Q5のエミッタと接続されている。ダイオードD6のカソードは、IGBT素子Q6のコレクタと接続され、ダイオードD6のアノードは、IGBT素子Q6のエミッタと接続されている。W相アーム17は、直列接続されたIGBT素子Q7,Q8と、IGBT素子Q7,Q8とそれぞれ並列に接続されるダイオードD7,D8とを有する。ダイオードD7のカソードは、IGBT素子Q7のコレクタと接続され、ダイオードD7のアノードは、IGBT素子Q7のエミッタと接続されている。ダイオードD8のカソードは、IGBT素子Q8のコレクタと接続され、ダイオードD8のアノードは、IGBT素子Q8のエミッタと接続されている。各相アームの中間点は、モータジェネレータMG2の各相コイルの各相端に接続されている。すなわち、モータジェネレータMG2は、三相の永久磁石同期モータであり、U,V,W相の3つのコイルは各々一方端が中性点に共に接続されている。U相コイルの他方端は、IGBT素子Q3,Q4の接続ノードに接続されている。V相コイルの他方端は、IGBT素子Q5,Q6の接続ノードに接続されている。W相コイルの他方端は、IGBT素子Q7,Q8の接続ノードに接続されている。電流センサ25は、モータジェネレータMG1に流れる電流をモータ電流値MCRT1として検出し、モータ電流値MCRT1を制御装置30に出力する。電流センサ24は、モータジェネレータMG2に流れる電流をモータ電流値MCRT2として検出し、モータ電流値MCRT2を制御装置30に出力する。インバータ22は、昇圧コンバータ12に対してインバータ14と並列的に接続される。インバータ22は、モータジェネレータMG1に対して昇圧コンバータ12の出力する直流電圧を三相交流に変換して出力する。インバータ22は、昇圧コンバータ12から昇圧された電圧を受けてたとえばエンジンを始動させるためにモータジェネレータMG1を駆動する。また、インバータ22は、エンジンのクランクシャフトから伝達される回転トルクによってモータジェネレータMG1で発電された電力を昇圧コンバータ12に戻す。このとき、昇圧コンバータ12は降圧回路として動作するように制御装置30によって制御される。なお、インバータ22の内部の構成はインバータ14と同様であるため、詳細な説明は繰返さない。制御装置30は、トルク指令値TR1,TR2、モータ回転数MRN1,MRN2、電圧VB,VL,VH、電流IBの各値、モータ電流値MCRT1,MCRT2および起動信号IGONを受ける。ここで、トルク指令値TR1,モータ回転数MRN1およびモータ電流値MCRT1は、モータジェネレータMG1に関するものであり、トルク指令値TR2,モータ回転数MRN2およびモータ電流値MCRT2は、モータジェネレータMG2に関するものである。電圧VBは、バッテリBの電圧であり、電流IBは、バッテリBに流れる電流である。電圧VLは、昇圧コンバータ12の昇圧前電圧であり、電圧VHは、昇圧コンバータ12の昇圧後電圧である。制御装置30は、昇圧コンバータ12に対して昇圧指示を行なう制御信号PWU,降圧指示を行なう制御信号PWDおよび動作禁止を指示する信号CSDNを出力する。制御装置30は、インバータ14に対して昇圧コンバータ12の出力である直流電圧をモータジェネレータMG2を駆動するための交流電圧に変換する駆動指示PWMI2と、モータジェネレータMG2で発電された交流電圧を直流電圧に変換して昇圧コンバータ12側に戻す回生指示PWMC2とを出力する。制御装置30は、インバータ22に対して直流電圧をモータジェネレータMG1を駆動するための交流電圧に変換する駆動指示PWMI1と、モータジェネレータMG1で発電された交流電圧を直流電圧に変換して昇圧コンバータ12側に戻す回生指示PWMC1とを出力する。図2は、図1中のパワー制御ユニットに適用される半導体素子の冷却構造を示す平面図である。図3は、図2中のIII-III線上に沿った半導体素子の冷却構造を示す断面図である。続いて、図1中のパワー制御ユニットに適用される半導体素子の冷却構造について説明する。図2および図3を参照して、本実施の形態における半導体素子の冷却構造は、ヒートシンク80と、伝熱板70Aおよび伝熱板70B以下、特に区別しない場合は伝熱板70というと、絶縁基板60Aおよび絶縁基板60B以下、特に区別しない場合は絶縁基板60というと、複数の半導体素子56Aおよび複数の半導体素子56B以下、特に区別しない場合は、半導体素子56というとを有する。ヒートシンク80上の領域51に配置された複数の半導体素子56は、図1中に示すMG2用のインバータ14の走行用IPM18U相アーム15、V相アーム16およびW相アーム17を構成し、領域52に配置された複数の半導体素子56は、図1中のMG1用のインバータ22の走行用IPM18U相アーム15、V相アーム16およびW相アーム17を構成し、領域53に配置された複数の半導体素子56は、図1中の昇圧コンバータ12の昇圧用IPM13を構成する。複数の半導体素子56Aは、互いに間隔を隔てて、矢印200に示す一方向に並んで設けられている。複数の半導体素子56Bは、互いに間隔を隔てて、矢印200に示す一方向に並んで設けられている。各半導体素子56Aと各半導体素子56Bとは、矢印200に示す方向に直交する矢印210に示す方向に互いに離れて配置されている。複数の半導体素子56Aと複数の半導体素子56Bとは、互いに平行に並んで設けられている。絶縁基板60Aには、複数の半導体素子56Aが搭載され、絶縁基板60Bには、複数の半導体素子56Bが搭載されている。絶縁基板60Aと絶縁基板60Bとは、矢印210に示す方向に互いに離れて配置されている。絶縁基板60は、高い電気絶縁性を有する材料により形成されている。絶縁基板60は、高い熱伝導性を有する材料により形成されている。絶縁基板60は、セラミックスにより形成されている。本実施の形態では、絶縁基板60が、窒化アルミニウムAlNにより形成されている。絶縁基板60は、複数の半導体素子56を車両本体側から電気的に絶縁するために設けられている。より具体的には、パワー制御ユニット21には、高圧系の半導体素子56に加えて、オーディオ機器や照明機器、小型モータなどに供給する電力を制御するための低圧系の半導体素子が含まれる。絶縁基板60は、車両本体を通じて高圧系と低圧系とが導通することを防ぐために設けられている。伝熱板70Aは、絶縁基板60Aに対して複数の半導体素子56Aの反対側に設けられ、伝熱板70Bは、絶縁基板60Bに対して複数の半導体素子56Bの反対側に設けられている。伝熱板70Aと伝熱板70Bとは、矢印210に示す方向に互いに離れて配置されている。伝熱板70は、高い熱伝導性を有する材料により形成されている。伝熱板70は、絶縁基板60とは異なる材料により形成されている。伝熱板70は、絶縁基板60と線膨張率の異なる材料により形成されている。絶縁基板60の線膨張率は、伝熱板70の線膨張率よりも小さい。本実施の形態では、伝熱板70が、アルミニウムにより形成されている。伝熱板70は、半導体素子56で発生した熱をヒートシンク80に伝える伝熱機能と、線膨張率の差に起因して絶縁基板60とヒートシンク80との間で生じる応力を吸収する応力緩和機能とを有する。ヒートシンク80は、伝熱板70に対して絶縁基板60の反対側に設けられている。絶縁基板60とヒートシンク80との間に伝熱板70が配置され、絶縁基板60とヒートシンク80との間に伝熱板70が配置されている。ヒートシンク80は、半導体素子56で発生した熱を放熱する機能を有する。ヒートシンク80は、ケース体83、フィン82および蓋体81が組み合わさって構成されている。ケース体83は、一方向に開口する筐体形状を有する。蓋体81は、ケース体83の開口部を塞ぐように設けられている。ケース体83および蓋体81は、互いに一体となって冷媒が流通する内部空間を形成している。フィン82は、ケース体83および蓋体81によって形成された内部空間に収容されている。ヒートシンク80は、冷媒を供給するための冷媒供給口86と、冷媒を排出するための冷媒排出口87とを有する。ヒートシンク80は、高い熱伝導性を有する材料により形成されている。ヒートシンク80は、絶縁基板60とは異なる材料により形成されている。本実施の形態では、ヒートシンク80が、アルミニウムにより形成されている。ヒートシンク80は、伝熱板70と同じ材料により形成されている。本実施の形態における半導体素子の冷却構造において、伝熱板70、絶縁基板60および複数の半導体素子56が設けられる形態についてより詳細に説明すると、絶縁基板60は、表面60aと、表面60aの裏側に配置される裏面60bとを有する。複数の半導体素子56は、絶縁基板60の表面60a上に搭載されている。絶縁基板60Aは、複数の半導体素子56Aの並び方向に沿って板状に延在し、絶縁基板60Bは、複数の半導体素子56Bの並び方向に沿って板状に延在している。本実施の形態における半導体素子の冷却構造は、電極部58をさらに有する。電極部58は、導電性材料により形成されている。本実施の形態では、電極部58がアルミニウムにより形成されている。電極部58は、複数の半導体素子56の各々と絶縁基板60との間に介挿されている。電極部58は、絶縁基板60に対してロウ付けされている。半導体素子56は、電極部58に対して半田付けされている。絶縁基板60には、溝63が形成されている。溝63は、互いに隣り合う半導体素子56A間で延びるように絶縁基板60Aに形成されている。溝63は、互いに隣り合う半導体素子56B間で延びるように絶縁基板60Bに形成されている。たとえば、図2中のIII-III線上に沿った位置に注目して溝63が形成される形態について説明すると、絶縁基板60Aの表面60a上には、半導体素子56pおよび半導体素子56qが互いに隣り合って配置されている。半導体素子56pは、表面60a上の領域66に形成され、半導体素子56qは、表面60a上の領域68に形成され、溝63は、表面60a上の領域66と領域68との間の領域67に形成されている。溝63は、表面60aに形成されている。溝63は、表面60aから凹み、表面60aと裏面60bとの間に溝底を有する形態に形成されている。溝63は、その溝底が図3中において湾曲した断面を有するように形成されている。溝63は、直線状に延びている。溝63は、複数の半導体素子56Aの並び方向に直交する方向に延びている。溝63は、半導体素子56pを搭載する表面60aと、半導体素子56qを搭載する表面60aとを離間させるように形成されている。伝熱板70は、絶縁基板60の裏面60b上に設けられている。伝熱板70は、絶縁基板60に接触して設けられている。伝熱板70は、絶縁基板60に対してロウ付けされている。伝熱板70は、裏面60bと対向しながら、複数の半導体素子56間で連続するように設けられている。より具体的には、伝熱板70Aは、裏面60bと対向しながら、複数の半導体素子56Aの並び方向に沿って延在し、複数の半導体素子56A間で連続している。伝熱板70Bは、裏面60bと対向しながら、複数の半導体素子56Bの並び方向に沿って延在し、複数の半導体素子56B間で連続している。たとえば、図2中のIII-III線上に沿った位置に注目すれば、伝熱板70Aは、裏面60bと対向しながら、半導体素子56pと半導体素子56qとの間で連続するように設けられている。伝熱板70Aは、領域66、領域67および領域68の間で途切れることなく連続して設けられている。伝熱板70は、さらにヒートシンク80に接触して設けられている。すなわち、本実施の形態では、絶縁基板60とヒートシンク80との間に伝熱板70のみが設けられている。伝熱板70は、ヒートシンク80に対してロウ付けされている。パワー制御ユニット21の作動に伴って複数の半導体素子56が発熱する。複数の半導体素子56Aで発生した熱は、電極部58および絶縁基板60Aを伝わって伝熱板70Aに向かい、複数の半導体素子56Bで発生した熱は、電極部58および絶縁基板60Bを伝わって伝熱板70Bに向かう。熱は、伝熱板70Aおよび伝熱板70Bを伝わってヒートシンク80に達する。本実施の形態では、上記のとおり、絶縁基板60とヒートシンク80との間に伝熱板70のみが設けられるため、両者の間に多層構造を設ける場合と比較して、効率よく熱をヒートシンク80に伝えることができる。冷媒供給口86を通じて供給された冷却油などの冷媒がヒートシンク80内を流通する。この間、冷媒とフィン82との間で熱交換が行なわれることによって、半導体素子56で発生した熱が放熱される。受熱により温度上昇した冷媒は、冷媒排出口87を通じてヒートシンク80から排出される。続いて、本実施の形態における半導体素子の冷却構造の製造方法について説明する。図4は、図2および図3中の半導体素子の冷却構造の製造方法の流れを示すフローチャートである。図5および図6は、図2および図3中の半導体素子の冷却構造の製造方法の工程を示す断面図である。図4および図5を参照して、まず、絶縁基板ユニット90を組み立てるS101。具体的には、絶縁基板60の表面60aに、電極部58をロウ付けし、絶縁基板60の裏面60bに、伝熱板70をロウ付けすることにより、絶縁基板60、電極部58および伝熱板70からなる絶縁基板ユニット90を完成させる。図4および図6を参照して、次に、絶縁基板ユニット90とヒートシンク80とを接合するS102。具体的には、絶縁基板ユニット90の伝熱板70をヒートシンク80の蓋体81にロウ付けする。この際、絶縁基板ユニット90は、使用されるロウ材の融点よりも高い温度まで加熱され、その後、室温まで冷却される。加熱温度の一例を挙げれば、900°C以上である。図1および図4を参照して、次に、電極部58にめっき層を形成するS103。電極部58に半導体素子56を半田付けする場合、電極部58の表面の半田に対する濡れ性を高める必要がある。そこで、本工程では、半導体素子56が半田付けされる電極部58の表面にめっき層を形成する。めっき層としては、たとえば、ニッケルNiめっきが用いられる。次に、先の工程で形成されためっき層に含まれる不純物を除去するためのベーク工程を実施するS104。この際、絶縁基板ユニット90は、たとえば、300°C以上の温度に加熱される。最後に、電極部58に半導体素子56を半田付けするリフロー工程を実施するS105。以上の工程により、図2および図3中に示す半導体素子の冷却構造が完成する。続いて、本実施の形態における半導体素子の冷却構造によって奏される作用、効果について説明する。図7は、比較のための半導体素子の冷却構造を示す断面図である。図中には、図3に対応する断面が示されている。図7を参照して、本比較例では、半導体素子56pを搭載する絶縁基板60および伝熱板70と、半導体素子56qを搭載する絶縁基板60および伝熱板70とが、ヒートシンク80上に別々に設けられている。すなわち、半導体素子56ごとに絶縁基板60および伝熱板70が設けられている。このような構成においては、半導体素子の冷却構造の製造時、半導体素子56ごとに、絶縁基板60および伝熱板70の接合工程を実施する必要がある。これに対して、本実施の形態における半導体素子の冷却構造においては、複数の半導体素子56Aが一括して絶縁基板60Aおよび伝熱板70Aに設けられ、複数の半導体素子56Bが一括して絶縁基板60Bおよび伝熱板70Bに設けられるため、半導体素子の冷却構造の製造工程を簡易化することが可能となる。また、複数の半導体素子56を一括して絶縁基板60および伝熱板70に設けることにより、複数の半導体素子56間の位置精度も向上させることができる。これにより、複数の半導体素子56に対するワイヤボンディング工程などを、容易かつ精度よく実施することができる。また、図4中に示すS102の接合工程時、ロウ付けに伴って高温に加熱された絶縁基板60および伝熱板70が熱収縮する。この際、絶縁基板60と伝熱板70との間の線膨張率の差に起因して、絶縁基板60に内部応力残留応力が発生する。より具体的には、絶縁基板60は、線膨張率が大きく、より熱収縮しようとする伝熱板70に接合されているため、絶縁基板60の表面60a側に引っ張りの残留応力が発生する。このような絶縁基板60が、図4中に示すS104のベーク工程により加熱処理されると、絶縁基板60内の残留応力が開放される。これにより、絶縁基板60は、表面60a側が凸となり、裏面60b側が凹となるように変形しようとする。図7中に示す比較例では、このような変形によって絶縁基板60に割れが生じ、半導体素子56および伝熱板70間の絶縁が確保されないという懸念が生じる。これに対して、本実施の形態における半導体素子の冷却構造においては、絶縁基板60に、互いに隣り合う半導体素子56間で延びる溝63が形成されている。このような構成により、絶縁基板60の変形に伴う応力は溝63に集中するため、仮に絶縁基板60に割れが生じることがあっても、その割れは半導体素子56が配置されていない領域67に生じる。これにより、半導体素子56の直下で絶縁基板60が割れることを防ぎ、半導体素子56の電気的な絶縁を確保することができる。また、図7中に示す比較例では、半導体素子56ごとに絶縁基板60および伝熱板70を設けられており、さらに半導体素子56間の沿面距離を確保しようとすると、伝熱板70とヒートシンク80との接触面積が減少してしまう。この場合、ヒートシンク80への熱伝達の効率が低下するという懸念が生じる。これに対して、本実施の形態における半導体素子の冷却構造においては、伝熱板70が複数の半導体素子56間で連続するように設けられている。このような構成により、伝熱板70の体積を増大させることが可能となり、伝熱板70を通じたヒートシンク80への熱伝達の効率を向上させることができる。以上に説明した、この発明の実施の形態1における半導体素子の冷却構造についてまとめて説明すると、本実施の形態における半導体素子の冷却構造は、絶縁基板60と、互いに間隔を隔てて配置される複数の半導体素子56と、伝熱板70と、放熱器としてのヒートシンク80とを備える。絶縁基板60は、第1表面としての表面60aと、表面60aの裏側に配置される第2表面としての裏面60bとを有する。複数の半導体素子56は、表面60a上に搭載される。伝熱板70は、裏面60b上に設けられる。ヒートシンク80は、伝熱板70に対して絶縁基板60の反対側に設けられ、伝熱板70を介して伝えられた半導体素子56の熱を放熱する。絶縁基板60には、互いに隣り合って配置された半導体素子56間で延びる溝63が形成される。伝熱板70は、裏面60bと対向しながら複数の半導体素子56間で連続するように設けられる。このように構成された、この発明の実施の形態1における半導体素子の冷却構造によれば、絶縁基板60に、互いに隣り合う半導体素子56間で延びる溝63を形成することによって、半導体素子の冷却構造の製造時に発生する応力を溝63に集中させる。これにより、絶縁基板60が半導体素子56の直下で割れることを防止し、半導体素子56の電気的な絶縁を確保することができる。また、複数の半導体素子56を一括して絶縁基板60および伝熱板70に設けることにより、半導体素子の冷却構造の製造工程を簡易化するとともに、半導体素子56の冷却効率を向上させることができる。以上の理由により、半導体素子56を適切に作動させることが可能となり、信頼性の高いパワー制御ユニット21を実現することができる。なお、本発明を、燃料電池と2次電池とを動力源とする燃料電池ハイブリッド車FCHV:FuelCellHybridVehicleまたは電気自動車EV:ElectricVehicleに搭載されるパワー制御ユニットに適用することもできる。本実施の形態におけるハイブリッド自動車では、燃費最適動作点で内燃機関を駆動するのに対して、燃料電池ハイブリッド車では、発電効率最適動作点で燃料電池を駆動する。また、2次電池の使用に関しては、両方のハイブリッド自動車で基本的に変わらない。また、本発明は、パワー制御ユニットに限られず、半導体素子の冷却が必要となる各種装置に適用される。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1における半導体素子の冷却構造の各種変形例について説明する。図8は、図2および図3中の半導体素子の冷却構造の第1変形例を示す平面図である。図8は、実施の形態1における図2に対応する図である。図8を参照して、本変形例では、矢印200に示す方向に並べられた複数の半導体素子56Aと、矢印200に示す方向に並べられた複数の半導体素子56Bとが、一括して、1つの絶縁基板60および1つの伝熱板70に設けられている。絶縁基板60には、溝64および溝65が形成されている。溝64は、矢印200に示す方向に並ぶ半導体素子56A間および半導体素子56B間でそれぞれ延びている。溝65は、矢印210に示す方向に並ぶ半導体素子56Aと半導体素子56Bとの間で延びている。溝64および溝65は、直線状に延びている。溝64および溝65は、互いに交差している。溝64および溝65は、格子状に延びている。図9は、図2および図3中の半導体素子の冷却構造の第2変形例を示す断面図である。図9は、実施の形態1における図3に対応する図である。図9を参照して、本変形例では、溝63が裏面60bに形成されている。溝63は、裏面60bから凹み、裏面60bと表面60aとの間に溝底を有する形態に形成されている。なお、溝63は、表面60aおよび裏面60bの両方に形成されてもよい。このように構成された、この発明の実施の形態2における半導体素子の冷却構造によれば、実施の形態1に記載の効果を同様に得ることができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"