"一般式1式中、Mはジルコニウム、ハフニウム又はチタニウムを示し、4つのRは、同一でも異なっていてもよく、それぞれ互いに独立に、炭素原子数2~6の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。で示される金属アルコキシド化合物。請求項1に記載の金属アルコキシド化合物又は請求項1に記載の金属アルコキシド化合物の溶液を金属供給源として用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。請求項1に記載の金属アルコキシド化合物又は請求項1に記載の金属アルコキシド化合物の溶液と、酸素源とを用いた請求項2記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。請求項1に記載の金属アルコキシド化合物又は請求項1に記載の金属アルコキシド化合物の溶液と、窒素源とを用いた請求項2記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。請求項1に記載の金属アルコキシド化合物又は請求項1に記載の金属アルコキシド化合物の溶液と、不活性ガスとを用いた請求項2記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。前記金属アルコキシド化合物の溶液の溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項2乃至5記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。一般的にCVD法やALD法に使用される金属化合物は、高い蒸気圧を有し、低融点であること室温で液状又はガス状であることがより望ましいが、その物性として要求されている。仮に、低蒸気圧の金属化合物を使用した場合には、化合物を充填する容器、搬送する配管等を高温に保温することが必要となり、高エネルギーを費やすと共に、装置全体が高温仕様となることから高額化してしまうという問題が生じる。一方、高融点の金属化合物を使用した場合には、通常、金属化合物の供給が不安定となり、目的とする金属含有膜の安定製造は困難となる。又、配管等の保温が不完全となると配管内閉塞をもたらし、メンテナンスに膨大な時間を費やすという問題が生じる。以上の観点から、現在までに報告されている金属化合物について考えてみると、無機金属化合物やβ-ジケトナト金属化合物は、いずれも低蒸気圧であるとともに高融点であるため、上記問題点を解決するに至っていなかった。これに対して、金属アルコキシド化合物や金属アミド化合物では、高い蒸気圧を有する金属化合物もいくつか開示されているが、4配位を超える多座配位化や多量化することによって、高沸点化や高融点化するものもある。これらの金属化合物の中でも単量化を達成している化合物、即ち、高い蒸気圧および低融点を有する金属化合物が見出されている。しかしながら、これらの金属化合物は、熱安定性がいずれも低く、その合成時や金属薄膜の製造時に分解してしまうという問題、更には分解することで炭素が不純物として混入してしまう等の問題が生じていた。即ち、本発明の課題は、上記問題点を解決し、低融点、高蒸気圧を有し、熱に対しての安定性に優れるとともに、CVD法及びALD法による金属含有薄膜の製造に適した金属アルコキシド化合物を提供することにある。本発明の課題は、又、当該金属アルコキシド化合物を用いた金属含有薄膜の製造法を提供するものでもある。本発明は以下の事項に関する。1.一般式1式中、Mはジルコニウム、ハフニウム又はチタニウムを示し、4つのRは、同一でも異なっていてもよく、それぞれ互いに独立に、炭素原子数2~6の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。、で示される金属アルコキシド化合物。2.上記1記載の金属アルコキシド化合物を用いた金属含有薄膜の製造法。3.上記1記載の金属アルコキシド化合物又は上記1記載の金属アルコキシド化合物の溶液を金属供給源として用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。4.上記1記載の金属アルコキシド化合物又は上記1記載の金属アルコキシド化合物の溶液と、酸素源とを用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。5.上記1記載の金属アルコキシド化合物又は上記1記載の金属アルコキシド化合物の溶液と、窒素源とを用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。6.上記1記載の金属アルコキシド化合物又は上記1記載の金属アルコキシド化合物の溶液と、不活性ガスとを用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。7.前記金属アルコキシド化合物の溶液の溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも1種である上記3乃至6記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。本発明により、金属含有薄膜を形成させる際に有用な金属アルコキシド化合物を提供することが出来る。本発明の金属アルコキシド化合物は、低融点および高蒸気圧を有し、熱に対しての安定性にも優れており、特にCVD法またはALD法による金属含有薄膜の製造に適している。又、当該金属アルコキシド化合物を用いて、CVD法またはALD法により、良好な成膜特性で、金属含有薄膜を製造することが出来る。本発明の金属アルコキシド化合物は、前記の一般式1で示される。その一般式1において、Mはジルコニウム、ハフニウム又はチタニウムを示す。4つのRは、同一でも異なっていてもよく、それぞれ互いに独立に、炭素原子数2~6、好ましくは2~4、特に好ましくは2~3の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。Rは、例えば、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基であり、好ましくはエチル基、n-プロピル基、イソプロピル基である。4つのRが同一である化合物は比較的容易に合成でき、その点では好ましい。本発明の金属アルコキシド化合物の具体例としては、例えば、式2から式10で示される化合物が挙げられる。なお、式2~式10中、Mはジルコニウム、ハフニウム又はチタニウムを示す。本発明の金属アルコキシド化合物は、公知の方法を参考にして、アルコキシ交換反応により製造することができる。CVD法及びALD法においては、金属含有薄膜形成のために金属アルコキシド化合物を気化させる必要があるが、本発明の金属アルコキシド化合物を気化させる方法としては、例えば、金属アルコキシド化合物自体を気化室に充填又は搬送して気化させる方法だけでなく、金属アルコキシド化合物を適当な溶媒例えば、ヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素類;トルエン等の芳香族炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル類等が挙げられる。に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化室に導入して気化させる方法溶液法も使用出来る。成膜対象物上への金属含有膜の蒸着方法としては、公知のCVD法及びALD法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、金属アルコキシド化合物を酸素源例えば、酸素ガス、オゾンガス等、あるいは、窒素源例えば、アンモニアガス、窒素ガス等と同時、もしくは交互に加熱した基板上に送り込んで金属含有膜を蒸着させる方法が使用出来る。又、不活性なガス例えば、アルゴンガス、ヘリウムガスとともに加熱した基板上に送り込んで金属含有薄膜を蒸着させる方法も使用できる。又、プラズマCVD法で金属含有膜を蒸着させる方法も使用出来る。酸素ガスを用いて金属含有薄膜を蒸着させる場合の全ガス量に対する酸素ガスの含有割合は、好ましくは0.1~99容量、更に好ましくは0.5~95容量である。本発明の金属アルコキシド化合物を用いて金属含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは1Pa~200kPa、更に好ましくは10Pa~110kPa、成膜対象物温度は、好ましくは150~700°C、更に好ましくは200~600°C、金属アルコキシド化合物を気化させる温度は、好ましくは20~250°C、更に好ましくは40~200°Cである。なお、本願発明の金属含有薄膜の製造法の好ましい態様としては以下の通りである。1本願発明の金属アルコキシド化合物又は金属アルコキシド化合物の溶媒溶液と酸素源特に、酸素ガス、オゾンガスが好ましいとを用いてCVD法及びALD法により金属含有薄膜を製造する。2本願発明の金属アルコキシド化合物又は金属アルコキシド化合物の溶媒溶液と窒素源特に、アンモニアガス、窒素ガスが好ましいとを用いてCVD法及びALD法により金属含有薄膜を製造する。3本願発明の金属アルコキシド化合物又は金属アルコキシド化合物の溶媒溶液と不活性ガス特に、アルゴンガス、ヘリウムガスが好ましいとを用いてCVD法により金属含有薄膜を製造する。次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。実施例1M=Zr,R=イソプロピル基;テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウムの合成式4のジルコニウム化合物の合成攪拌装置及び温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、テトラキスイソプロポキシジルコニウムイソプロパノール付加体5.11g13.17mmol及び2,4-ジメチル-3-ペンタノール10.12g88.61mmolを加え、液温を170°Cまで昇温し、生成したイソプロパノールを留去しながら、同温度で30分間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留150°C、12Paし、低粘性の透明液体として、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウム5.73gを得た単離収率;79。なお、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウムは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;0.9048H,d、1.708H,m、3.304H,d元素分析:C28H60O4Zr測定値C:60.5、H:11.1、Zr:16.5理論値C:60.9、H:11.0、Zr:16.5実施例2M=Zr,R=エチル基;テトラキス2-メチル-3-ペントキシジルコニウムの合成式2のジルコニウム化合物の合成攪拌装置及び温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、テトラキスイソプロポキシジルコニウムイソプロパノール付加体4.42g11.41mmol及び2-メチル-3-ペンタノール7.29g71.36mmolを加え、液温を170°Cまで昇温し、生成したイソプロパノールを留去しながら、同温度で30分間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留140°C、17Paし、白色固体として、テトラキス2-メチル-3-ペントキシジルコニウム4.18gを得た単離収率;74。なお、テトラキス2-メチル-3-ペントキシジルコニウムは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;0.9236H,m、1.508H,m、1.664H,m、3.294H,q元素分析:C24H52O4Zr測定値C:58.3、H:10.4、Zr:18.4理論値C:58.1、H:10.6、Zr:18.4実施例3M=Zr,R=n-プロピル基;テトラキス2-メチル-3-ヘキソキシジルコニウムの合成式3のジルコニウム化合物の合成攪拌装置及び温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、テトラキスイソプロポキシジルコニウムイソプロパノール付加体4.32g11.15mmol及び2-メチル-3-ヘキサノール9.17g78.91mmolを加え、液温を200°Cまで昇温し、生成したイソプロパノールを留去しながら、同温度で30分間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留150°C、12Paし、低粘性の透明液体として、テトラキス2-メチル-3-ヘキソキシジルコニウム4.20gを得た単離収率;68。なお、テトラキス2-メチル-3-ヘキソキシジルコニウムは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;0.6836H,m、1.3512H,m、1.578H,m3.604H,q元素分析:C28H60O4Zr測定値C:60.7、H:11.3、Zr:16.5理論値C:60.9、H:11.0、Zr:16.5実施例4~6及び比較例1~5熱安定性の比較1実施例1~3で得られた式2~4の本発明のジルコニウム化合物と、比較として合成した式11~15のジルコニウム化合物について、それぞれの熱安定性を確認するため、一度蒸留を行った各化合物について再度蒸留を行い、その回収率を確認した。その結果を表1に示す。なお、化合物の構造を下記式に示す。但し、式中、MはジルコニウムZrを示す。式11~15のジルコニウム化合物比較例1~5は再蒸留では熱分解して回収できなかったのに対して、本発明のジルコニウムアルコキシド化合物式2~4のジルコニウム化合物は再蒸留回収率が97~99であり、熱安定性に優れていることが分かる。更に、本発明のジルコニウムアルコキシド化合物は、分子量に関わらず、いずれも低い温度且つ低い減圧度で蒸留でき、このことから、ジルコニウム含有薄膜の製造に適していることが分かる。実施例7及び比較例6熱安定性の比較2;加熱処理試験実施例1で得られた式4のジルコニウム化合物と、テトラキスt-ブトキシドジルコニウム非特許文献3のジルコニウムアルコキシド化合物について、熱安定性の比較試験を行った。それぞれの化合物を、アルゴン雰囲気で250°Cにて10時間加熱した後、熱処理後のジルコニウムアルコキシド化合物について、1H-NMRにより分解具合を観察し、また、再蒸留を行い、その回収率を確認し、それぞれの結果を比較した。その結果を表2に示した。本発明のジルコニウムアルコキシド化合物式4のジルコニウム化合物は、熱処理後においても色の変化がなく、1H-NMRのスペクトルパターンでも変化は観られなかった。又、再蒸留での回収率も98であった。一方、テトラキスt-ブトキシドジルコニウムは、熱処理後すぐに褐色に変色し、再蒸留での回収率も低く、又、蒸留残渣として釜の中に褐色固体分解物が残っていた。以上のことから、本発明のジルコニウムアルコキシド化合物が熱に対して高い安定性を有していることが分かった。通常、ALD法では、基板への化合物吸着、反応ガス例えば、酸素ガス、オゾンガスとの反応を繰り返して成膜が行われる。この基板への化合物の吸着の際、基板温度で化合物が熱分解しないことが求められる。本発明のジルコニウムアルコキシド化合物式4のジルコニウム化合物は、加熱処理試験の結果より、アルゴンガス雰囲気不活性ガス雰囲気での熱安定性が高いことから、基板上で熱分解しないことが示唆されており、ALD法でより好適に使用できることがわかる。一方、テトラキスt-ブトキシドジルコニウム非特許文献3のジルコニウムアルコキシド化合物は加熱処理試験において変質、分解物が見られることから、基板上で容易に熱分解することが示唆され、ALD法には不向きであることがわかる。実施例8~9蒸着実験;ジルコニウム含有薄膜の製造実施例1及び3で得られた式4及び3のジルコニウムアルコキシド化合物を用いて、CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。評価試験には、図1に示す装置を使用した。気化器3ガラス製アンプルにあるジルコニウムアルコキシド化合物20は、ヒーター10Bで加熱されて気化し、マスフローコントローラー1Aを経て予熱器10Aで予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器3を出る。気化器3を出たガスは、マスフローコントローラー1B、ストップバルブ2を経て導入された酸素ガスとともに反応器4に導入される。反応系内圧力は、真空ポンプ手前のバルブ6の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計5によってモニターされる。反応器の中央部はヒーター10Cで加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたジルコニウムアルコキシド化合物は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター10Cで所定の温度に加熱された被蒸着基板21の表面上で酸化熱分解し、基板21上にジルコニウム含有薄膜が析出する。反応器4を出たガスは、トラップ7、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。蒸着条件及び蒸着結果膜特性を表3に示す。なお、被蒸着基板としては、6mm×20mmサイズの矩形のものを使用した。その結果、本発明のジルコニウムアルコキシド化合物式3及び4の化合物は、酸素雰囲気にて、優れた成膜特性を示すことが分かった。実施例10M=Hf,R=イソプロピル基;テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシハフニウムの合成式4のハフニウム化合物の合成攪拌装置及び温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、テトラキスイソプロポキシハフニウムイソプロパノール付加体5.15g10.84mmol及び2,4-ジメチル-3-ペンタノール10.00g86.06mmolを加え、液温を170°Cまで昇温し、生成したイソプロパノールを留去しながら、同温度で30分間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留150°C、17Paし、低粘性の透明液体として、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシハフニウム4.94gを得た単離収率;71.3。なお、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシハフニウムは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRCDCl3,δppm;0.9048H,d、1.708H,m、3.394H,d元素分析:C28H60O4Hf測定値C:53.0、H:9.7、Hf:27.7理論値C:52.6、H:9.5、Hf:27.9実施例11熱安定性;加熱処理試験実施例10で得られた式4のハフニウム化合物本発明の熱安定性を確認するために再度蒸留を行い、その回収率を確認した。また、アルゴン雰囲気で250°Cにて10時間加熱した後、熱処理後のハフニウム化合物について、1H-NMRにより分解具合を観察し、また、再蒸留を行い、その回収率を確認した。その結果は以下の通りであった。初回蒸留;150°C17Pa再蒸留回収率;99熱処理前;無色透明液体熱処理後;無色透明液体熱処理後の再蒸留回収率;97熱処理後の1H-NMRCDCl3,δppm;変化なし以上の結果より、本発明の金属アルコキシド化合物が、優れた熱安定性を有するとともに、特にCVD法またはALD法により金属含有膜を製造する際に有用な化合物であることが分かる。実施例12M=Ti,R=イソプロピル基;テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシチタニウムの合成式4のチタニウム化合物の合成攪拌装置及び温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、テトラキスイソプロポキシチタニウム5.00g17.59mmol及び2,4-ジメチル-3-ペンタノール10.00g86.06mmolを加え、液温を170°Cまで昇温し、生成したイソプロパノールを留去しながら、同温度で30分間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留160°C、21Paし、無色透明固体として、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシチタニウム6.50gを得た単離収率;72.6。なお、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシチタニウムは、以下の物性値で示される新規な化合物である。融点:65~75°C1H-NMRCDCl3,δppm;0.9348H,m、1.718H,m、3.704H,m元素分析:C28H60O4Ti測定値C:66.3、H:12.2、Ti:9.3理論値C:66.1、H:11.9、Ti:9.4実施例13M=Zr,R=イソプロピル基;テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウムの合成式4のジルコニウム化合物の合成攪拌装置及び温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、四塩化ジルコニウム4.02g17.25mmol及びメチルシクロヘキサン50mlを秤量し、水冷下でイソプロピルアミン12ml140.08mmolを滴下した。次に2,4-ジメチル-3-ペンタノール12ml85.61mmolを滴下して1時間反応させた後、反応液をろ過し、ろ液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留160°C、13Paし、低粘性の透明液体として、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウム7.71gを得た単離収率;81.0。実施例14M=Zr,R=イソプロピル基;テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウムの合成式4のジルコニウム化合物の合成攪拌装置及び温度計を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、四塩化ジルコニウム4.12g17.68mmol及びメチルシクロヘキサン25mlを秤量し、水冷下でsec-ブチルアミン13ml128.51mmolを滴下した。この溶液を2,4-ジメチル-3-ペンタノール9.88g85.03mmol及びメチルシクロヘキサン25mlを仕込んだ攪拌装置及び温度計を備えた内容積100mlのフラスコに滴下して1時間反応させた。反応液をろ過し、ろ液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留160°C、15Paし、低粘性の透明液体として、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウム8.05gを得た単離収率;82.5。実施例15M=Zr,R=イソプロピル基;テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウムの合成式4のジルコニウム化合物の合成攪拌装置及び温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、四塩化ジルコニウム4.20g18.02mmol及びトルエン50mlを秤量し、水冷下でtert-ブチルアミン23.5ml224.91mmolを滴下した。次に2,4-ジメチル-3-ペンタノール12ml85.61mmolを滴下して1時間反応させた後、反応液をろ過し、ろ液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留160°C、10Paし、低粘性の透明液体として、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウム7.69gを得た単離収率;77.3。実施例16M=Zr,R=イソプロピル基;テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウムの合成式4のジルコニウム化合物の合成攪拌装置及び温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、四塩化ジルコニウム4.20g18.02mmol及びトルエン50mlを秤量し、水冷下でジエチルアミン16.5ml157.92mmolを滴下した。次に2,4-ジメチル-3-ペンタノール12ml85.61mmolを滴下して1時間反応させた後、反応液をろ過し、ろ液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留160°C、11Paし、低粘性の淡黄色透明液体として、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウム7.76gを得た単離収率;76.7。実施例17M=Zr,R=イソプロピル基;テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウムの合成式4のジルコニウム化合物の合成攪拌装置及び温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、四塩化ジルコニウム4.20g18.02mmol及びトルエン50mlを秤量し、系内を-10°C以下となるようにジエチルアミン16.0ml153.13mmolを滴下した。次に2,4-ジメチル-3-ペンタノール12ml85.61mmolを滴下して1時間反応させた後、反応液をろ過し、ろ液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留160°C、11Paし、低粘性の透明液体として、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウム7.92gを得た単離収率;79.6。実施例18M=Zr,R=イソプロピル基;テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウムの合成式4のジルコニウム化合物の合成攪拌装置及び温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、四塩化ジルコニウム4.20g18.02mmol及びトルエン50mlを秤量し、系内を-10°C以下となるようにジメチルアミン11.61g257.54mmolを滴下した。次に2,4-ジメチル-3-ペンタノール12ml85.61mmolを滴下して1時間反応させた後、反応液をろ過し、ろ液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留160°C、11Paし、低粘性の透明液体として、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシジルコニウム7.81gを得た単離収率;76.3。実施例19M=Hf,R=イソプロピル基;テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシハフニウムの合成式4のハフニウム化合物の合成攪拌装置及び温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、四塩化ハフニウム5.03g15.71mmol及びトルエン50mlを秤量し、水冷下でtert-ブチルアミン10ml95.71mmolを滴下した。次に2,4-ジメチル-3-ペンタノール10ml71.34mmolを滴下して1時間反応させた後、反応液をろ過し、ろ液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留170°C、19Paし、低粘性の透明液体として、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシハフニウム3.50gを得た単離収率;34.9。実施例20M=Ti,R=イソプロピル基;テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシチタニウムの合成式4の化合物の合成攪拌装置及び温度計を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、四塩化チタン5.85g30.84mmol及びトルエン50mlを秤量し、水冷下でtert-ブチルアミン16ml153.13mmolを滴下した。次に2,4-ジメチル-3-ペンタノール17.5ml124.85mmolを滴下して1時間反応させた後、反応液をろ過し、ろ液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留160°C、17Paし、透明固体として、テトラキス2,4-ジメチル-3-ペントキシチタニウム8.81gを得た単離収率;56.2。"