第1のIII族窒化物層と、該第1のIII族窒化物層とヘテロ接合を形成する第2のIII族窒化物層と、該第2のIII族窒化物層上のフィールド窒化物層およびゲート窒化物と、該ゲート窒化物上のゲート金属と、該第2のIII族窒化物層上の上部金属層および下部金属層を含む複数の相互接続金属層であって、該下部金属層は前記ゲート金属上のソースコンタクト、ドレインコンタクトおよびゲートコンタクトを含む、相互接続金属層と、該ソースコンタクト、該ドレインコンタクトおよび該ゲートコンタクトと前記上部金属層とを接続するため、前記複数の相互接続金属層を複数の誘電体層を通して相互接続する複数のビアと、前記上部金属層上のはんだ濡れ性の前面金属部であって、棒はんだを介した外部回路接続のために設けられた間隔のあいた細長のデジットを有するはんだ濡れ性の前面金属部と、を備える、第1の高電子移動度トランジスタHEMTを含むIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記間隔のあいた細長のデジットが、交互に前記ソースコンタクトおよび前記ドレインコンタクトを露出する、請求項1に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。第2のHEMTをさらに含み、前記第1のHEMTの前記はんだ濡れ性の前面金属部および該第2のHEMTのはんだ濡れ性の前面金属部は、交互の相互嵌合したソースおよびドレインコンタクトを露出する、請求項1に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記上部金属層上に前記はんだ濡れ性の前面金属部を囲む保護膜をさらに備える、請求項1に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記上部金属層上にエポキシ、ポリアミドおよび酸化ケイ素からなる群から選択される保護膜をさらに備える、請求項1に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記第1のIII族窒化物層がGaNからなり、前記第2のIII族窒化物層がAlGaNからなる、請求項1に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記はんだ濡れ性の前面金属部がチタン-ニッケル-銀TiNiAgのトリメタルからなる、請求項1に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記第1のIII族窒化物層がシリコン基板上にある、請求項1に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記はんだ濡れ性の前面金属部を、前記棒はんだを用いて、前記外部回路接続のための回路基板の導電トレースにはんだ付けする、請求項1に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記はんだ濡れ性の前面金属部を、前記棒はんだを用いて、DC‐DC変換回路を実装するための回路基板の導電トレースにはんだ付けする、請求項1に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。複数の相互接続金属層を有する第1の高電子移動度トランジスタHEMTを含み、該第1のHEMTは上部金属層上にはんだ濡れ性の前面金属部を備え、該はんだ濡れ性の前面金属部は該第1のHEMTのゲートコンタクト、ソースコンタクトおよびドレインコンタクトを露出する間隔のあいた細長のデジットを含み、該はんだ濡れ性の前面金属部は棒はんだを介した外部回路接続のために設けられる、III族窒化物パワー半導体デバイス。前記間隔のあいた細長のデジットが前記ソースコンタクトおよび前記ドレインコンタクトを交互に露出する、請求項11に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。第2のHEMTをさらに含み、前記第1のHEMTの前記はんだ濡れ性の前面金属部および該第2のHEMTのはんだ濡れ性の前面金属部が交互の相互嵌合したソースおよびドレインコンタクトを露出する、請求項11に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記上部金属層上に前記はんだ濡れ性の前面金属部を囲む保護膜をさらに備える、請求項11に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記上部金属層上にエポキシ、ポリアミド、および酸化ケイ素からなる群から選択される保護膜をさらに備える、請求項11に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記第1のHEMTがAlGaN/GaNHEMTである、請求項11に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記はんだ濡れ性の前面金属部がチタン-ニッケル-銀TiNiAgのトリメタルからなる、請求項11に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記第1のHEMTをシリコン基板上に配置する、請求項11に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記はんだ濡れ性の前面金属部を、棒はんだを用いて、前記外部回路接続のための回路基板の導電トレースにはんだ付けする、請求項11に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。前記はんだ濡れ性の前面金属部を、棒はんだを用いて、DC‐DC変換回路を実装するための回路基板の導電トレースにはんだ付けする、請求項11に記載のIII族窒化物パワー半導体デバイス。本発明は、はんだ濡れ性の前面金属部を備えるIII族窒化物パワーデバイスを対象とする。以下の説明は、本発明の実施に関連する具体的な情報を含む。当業者であれば、本発明を本出願で具体的に議論するものとは異なる方法で実施することができることを認識できる。また、本発明の具体的な詳細のいくつかについては、本発明を不明りょうにしないよう議論をしていない。本願に記載されていない詳細な説明も、当業者の知識の範囲内である。本出願の図面およびそれらに付随する詳細な説明は、本発明の単なる典型的な実施形態を対象とする。さらに、より明瞭にかつ読みやすくするため、図面は縮尺どおり正確に表示しないこともある。簡潔さを保つため、本発明の他の実施形態については、本出願に具体的に記載せず、本図面にも具体的に示さない。図1を参照すると、本発明の1つの実施形態による典型的な多層III族窒化物パワーデバイスの断面図を示す。図1では、パワーデバイス100は、多層AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタHEMTまたはヘテロ接合電界効果トランジスタHFETからなることができる。図1に示すように、パワーデバイス100は、保護膜110、はんだ濡れ性の前面金属部SFM140aおよび140b、金属層130a、130b、130c、130dおよび130e、金属間誘電体IMD層112a、112bおよび112c、テトラエトキシシランTEOS層114aおよび114b、ビア132a、132b、132cおよび132d、窒化アルミニウムガリウムAlGaN層124、窒化ガリウムGaN層122、シリコン基板120、窒化フィールド126、窒化ゲート128、ならびに図示しない他の要素を含む。図1では、金属層130aは、例えば、窒化チタニウム、または別の適切なゲート金属からなることができる。金属層130eは、例えば、アルミニウム、またはその他の適切な金属からなることができる。IMD層112a~112cは、例えば、TEOSからなることができる。保護膜110は、例えば、エポキシ、ポリイミド、酸化ケイ素、または他の適切な物質からなることができる。エポキシは、ダイをはんだ付けするときに構造的完全性を維持するため、20~25ミクロンのような十分な厚さを提供するのに好適であり得る。図1に示すように、保護膜110はSFM140aおよび140bの周りを囲み、そこから例えば約5ミクロンほど延在する。1つの実施形態では、保護膜110は、SFM140aおよび140bの幅に対応するため、約200ミクロン幅のはんだ付け面を残すように構成することができる。SFM140aおよび140bは、その呼称が示すように、上面または前面の露出した金属がはんだ濡れ性を有するように構成される。例えば、SFM140aおよび140bはそれぞれ、金属層130eとともに積層構成でトリメタルを形成することができ、92.5鉛はんだのような高鉛はんだとの使用に適している。1つのこうしたトリメタルは、金属層130eがアルミニウムからなり、SFM140aおよび140bがそれぞれ下層としてのチタニウム、中層としてのニッケル、および上層としての銀からなる、TiNiAgからなることができる。トリメタルSFMのチタンはアルミニウム金属層130eと接するバリア層として有効であり、銀は溶けてイオンになりはんだ付け時の導電性を高め、ニッケルは接触層として残る。図1に示すように、AlGaN層124およびGaN層122をシリコン基板120の上に配置し、高移動度の二次元電子ガス2DEGを形成する。GaN系III族窒化物パワーデバイスは、例えば、とくにDC-DCコンバータのようなパワーマネジメントアプリケーションに適した、固有の高い降伏特性により有利である。図1は4つの相互接続金属層パワーデバイスとして構成されたパワーデバイス100を示すが、代替実施形態は異なる数の相互接続金属層を備えるパワーデバイスからなることができる。図1に示す特定の断面では、ビア132aおよび132bは金属層130bを金属層130cに接続しているように見られ、ビア132cは金属層130cを金属層130dに接続しているように見られ、ビア132dは金属層130dを金属層130eに接続しているように見られる。適切な接続性のためには備えるビアが不十分に見えるかもしれないが、図1の断面を異なる深さで取れば、III族窒化物デバイスのゲート、ソース、およびドレイン接続を外部でまたは外部に完全に接続するのに必要な接続を提供する追加のビアが図示される。図1に示すIII族窒化物パワーデバイス100の多重相互接続金属層構造ならびにSFM140aおよび140bを用いることにより、電流のソースからドレインまでの効率的な移動が可能となり、これによりオン抵抗Rdsonを有利に最小化するが、これはIII族窒化物パワーデバイス100のソースおよびドレインには大電流が通過するため重要となり得る。図2を参照すると、本発明の1つの実施形態による典型的な多層III族窒化物パワーデバイスの上面図を示す。多くのパワーアプリケーションでは、いくつかのHFETまたはHEMTを単一のダイ上に集積することが望ましくあり得る。よって、図2に示すように、パワーデバイス200は2つのHFET、制御FET230および同期FET240を集積する。この例では、制御FET230は、ゲートデジット236、ソースデジット232a、232b、232cおよび232d、ならびにドレインデジット234a、234bおよび234cを含む。同期FET240は、ゲートデジット246、ソースデジット222、242a、242bおよび242c、ならびにドレインデジット244a、244b、244cおよび244dを含む。図2に示すように、パワーデバイス200は、ダイの上のSFMから間隔のあいた交互の相互嵌合したソースおよびドレインデジットを露出する。次にこれらの細長いデジットを、長い棒はんだを用い、支持基板上の銅トレースにはんだ付けすることができる。この方法では、はんだブリッジを最小化しながら、はんだ付け面の表面積が従来のはんだボールまたは従来のはんだバンプを用いることに対して最適化される。図2には8列のデジットを示すが、代替実施形態は、アプリケーション要件に従ってより多いまたは少ないデジットを用いることができる。図3を参照すると、本発明の1つの実施形態による典型的なIII族窒化物パワーデバイスを収容する典型的な基板の上面図を示す。図3に示すように、基板300は、以下で議論する図4に示す断面に対応する断面A-Aを含む。基板300は、図2のパワーデバイス200に対応するIII族窒化物ダイ310、ゲートドライバ集積回路IC312、ならびにコンデンサ314a、314b、314cおよび314dを含んでいる、いくつかの部品を収容することができる。はんだパッド301はゲートドライバIC312のピン1接続を示し、時計回りの方向にピン数が増えていく。ゲートドライバIC312としては、例えば、インターナショナルレクティフィアーから市販されているIRD2010ドライバICを備えることができる。基板300は、該基板300上にひっくり返すと、パワーデバイス200に対応するIII族窒化物ダイ310によって、露出したSFMをそれぞれ受ける、棒はんだ354a、354b、356a、356b、358a、358b、360a、360b、344、362、346、364、348、366、322a、322b、および350をさらに含む。基板は、例えば、はんだフィルのすべての側面上に25ミクロンの空パッドを備える対応する開口を備えることにより、SFMの位置付けを助けることができる。棒はんだ下の基板300の灰色部分は銅トレースであり、これは導電性を向上させ、抵抗を低減するため、好適には1平方インチ当たり1~2oz以上の厚さとすることができる。ビア352のようないくつかのビアも基板300全体に示すが、導電性を向上させ、抵抗を低減するため、好適には少なくとも40ミクロンの壁を備えることができる。ビアは、プリント回路基板へのような外部回路接続へのルートを提供することができる。図3ではビアを同じ大きさとして示すが、実際には異なる大きさとすることができる。棒はんだ362、364、および366は、ゲートドライバIC312から入力電圧Vinを受ける、制御FET230のドレインに接続しているSFMと接触する。棒はんだ344、346、348、および350は、同期FET240のソースまたはパワーグランドPグランドに接続し、アナログまたはシグナルグランドと区別されたSFMと接触する。棒はんだ344、346、348、および350は、孤立しているように見えるかもしれないが、実際には、ビアによって図示しない接地層にともに接地されている。棒はんだ354a、354b、356a、356b、358a、358b、360aおよび360bは、制御FET230のソースを同期FET240のドレインに接続するスイッチノード336に接続している。スイッチノード336は、制御FET230のゲートリターンとしても機能する。ノード344は制御FET230のゲートに接続し、ノード338はPグランドに接続し、同期FET240のゲートリターンとしても機能し、ノード340は同期FET240のゲートに接続している。ノード332は、ゲートドライバIC312を、ブートストラップまたはブーストBSTコンデンサからなるであろうコンデンサ314cに接続する。ノード342は、ゲートドライバIC312を、リップルノイズをフィルタするバイパスコンデンサからなるであろうコンデンサ314dに接続する。図3にはコンデンサ314aおよび314bも示すが、並列接続され、ゲートドライバIC312からVinを受ける。図3に示すように、はんだパッド370a~370dおよび372a~372dは、基板300上に適切に位置付けられ、コンデンサ314a~314dを受ける。ここで図4を参照すると、本発明の1つの実施形態による基板上に取り付けられた典型的な多層III族窒化物パワーデバイスの断面図を示す。以上で議論したように、図4の断面は図3の断面A‐Aから取っている。III族窒化物ダイ410をひっくり返すと、露出したSFMは棒はんだ404および406の真上にくる。図3のスイッチノード336を、はんだ棒404の上にある同期FET240のドレインおよびはんだ棒406の上にある制御FET230のソースを接続する銅トレース482によって短絡させる。図4に示すように、従来のはんだボールまたはバンプを用いるのではなくIII族窒化物ダイ410のSFMと平行する棒はんだ404および406を用いることは、導電および放熱のためのより大きな表面積をもたらし、Rdsonを有利に低減する。さらに、棒はんだ404および406は横方向に連続しているので、電流を棒はんだ404および406を通して横方向に送ることができ、さらに導電性を向上させる。対照的に、従来のはんだボールまたはバンプを用いた場合、ボールが非導電性ギャップを導入するため、電流を銅トレース482またはIII族窒化物ダイ410を通る別のルートを提供する必要があり、電流は横方向に進むことができない。ここで図5を参照すると、本発明の1つの実施形態による典型的な多層III族窒化物パワーデバイスを集積する回路図を示す。Q1と表示される制御FET510aは、図2の制御FET230に対応することができる。Q2と表示される同期FET510bは、図2の同期FET240に対応することができる。C1と表示されるコンデンサ512aは、図3の並列接続コンデンサ314aおよび314bに対応することができる。C2と表示されるコンデンサ512cは、図3のコンデンサ314cに対応することができる。C3と表示されるコンデンサ512dは、図3のコンデンサ314dに対応することができる。インターナショナルレクティフィアーによるIRD2010ドライバICとして図示するゲートドライバIC514は、図3に示すゲートドライバIC312に対応することができる。以上で議論したように、III族窒化物パワーデバイスのダイ上で加工および集積され、パッケージ基板上で棒はんだに接続されたSFMは、ともにRdsonを最小化し、従ってFET510aQ1とFET510bQ2との間のスイッチノードSWにおける導電性を向上させ、図5に示すパワー回路500、例えばDC-DCバックコンバータ本出願では一般にDC-DC変換回路とも称するを、より効率良く稼働させることができる。こうして、以上で議論したように、図1~5の実施形態では、本発明は、とりわけ、その中で用いられるパワートランジスタの実効Rdsonの低減を含む伝熱および導電性能の向上をもたらす、III族窒化物パワーデバイスおよびそのパッケージを実現する。上述の本発明の詳細な説明から、本発明の概念を、その範囲から逸脱することなく、様々な技術を用いて実施することができることは明らかである。また、本発明を特定の実施形態を具体的に参照して説明したが、当業者であれば、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、外形および細部を変更することができることを理解するだろう。例えば、導電および非導電セルは、本発明の精神をなお具現化しながらも、異なる要素および構成を有することができる。このように、記載した実施形態はあらゆる点で例示的であって限定的ではないと見なされたい。本発明は、本明細書に記載した特定の実施形態に限定されず、多くの再構成、修正、代用が可能であることも理解されたい。