"ベース樹脂となる重合体A、感放射線性酸発生剤B、フッ素原子を含む重合体C、及び比誘電率が30以上200以下で、1気圧における沸点が100°C以上の低分子化合物Dただしガンマ-ブチロラクトンを除くを含有し、前記低分子化合物Dの前記重合体A100質量部に対する含有量が、10質量部以上500質量部以下である感放射線性樹脂組成物。前記低分子化合物Dの前記重合体A100質量部に対する含有量が、30質量部以上300質量部以下である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。前記低分子化合物Dが環状カーボネート化合物またはニトリル化合物である請求項1または請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物。前記重合体Cの前記重合体A100質量部に対する含有量が、0.1質量部以上5質量部以下である請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。前記重合体Aが酸解離性基を有するアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂であって、酸解離性基が解離したときにアルカリ易溶性となる重合体A1である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。前記重合体Cが、下記一般式C1-1~C1-3で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含む請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。一般式C1-1~C1-3中、R28は、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。一般式C1-1中、Rf1は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~30の炭化水素基を示す。一般式C1-2中、R29は、g1価の連結基を示す。gは、1~3の整数を示す。一般式C1-3中、R30は、2価の連結基を示す。一般式C1-2及びC1-3中、R31は、相互に独立に水素原子又は1価の有機基を示す。Rf2は、相互に独立に、水素原子、フッ素原子、又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~30の炭化水素基を示す。但し、C1-2及びC1-3のそれぞれにおいて、全てのRf2が水素原子である場合はない。1請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、2前記フォトレジスト膜を液浸露光する工程と、3液浸露光されたフォトレジスト膜を現象し、レジストパターンを形成する工程とを有するレジストパターン形成方法。しかしながら、液浸露光の際に十分なレジスト膜表面の撥水性を発現するために高分子添加剤としてフッ素原子を含む重合体を多量に添加することは、レジスト性能、例えば現像後のレジストパターン断面形状の矩形性など、本来感放射性樹脂組成物が有するレジスト性能を損なうという課題がある。本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、得られるパターン形状が良好であり、且つ液浸露光の際に十分なレジスト膜表面の撥水性を発現する感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明者らは、前記のような従来技術の課題を解決するために鋭意検討した結果、比誘電率が30以上の低分子化合物を添加することにより、前記課題を解決することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は以下の通りである。[1]ベース樹脂となる重合体A、感放射線性酸発生剤B、フッ素原子を含む重合体C、及び比誘電率が30以上200以下で、1気圧における沸点が100°C以上の低分子化合物Dを含有し、前記低分子化合物Dの前記重合体A100質量部に対する含有量が、10質量部以上500質量部以下である感放射線性樹脂組成物。本発明の感放射線性樹脂組成物は、得られるパターン形状が良好であり、且つ液浸露光の際に十分なレジスト膜表面の撥水性を発現するため、化学増幅型レジストとして好適に利用することができる。そのため、本発明における感放射線性樹脂組成物は、リソグラフィー工程特に、液浸露光プロセスを備えるリソグラフィー工程、より好ましくはArFエキシマレーザーを光源とするリソグラフィー工程に好適に用いることができる。以下、本発明を実施するための形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。即ち、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に属することが理解されるべきである。また、本明細書におけるメタアクリルは、アクリル又はメタクリルを意味し、メタクリレートは、アクリレート又はメタクリレートを意味する。本明細書において置換基とは、特に限定されるものではないが、例えば-RS1、-RS2-O-RS1、-RS2-CO-RS1、-RS2-CO-ORS1、-RS2-O-CO-RS1、-RS2-OH、-RS2-CNRS1は炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基または炭素数6~30のアリール基を示し、これらの基の有する水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されていてもよい。RS2は炭素数1~10のアルカンジイル基、炭素数3~20のシクロアルカンジイル基、炭素数6~30のアリーレン基、またはこれらの基の有する水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基もしくは単結合を示す。、ハロゲン原子を挙げることができる。また、置換基を有するとは、上記置換基を1種単独で1つ以上有すること、または上記置換基のうち複数種を各1つ以上有することを示す。[1]感放射線性樹脂組成物本発明の感放射線性樹脂組成物は、ベース樹脂となる重合体Aと、感放射線性酸発生剤Bと、フッ素原子を含む重合体Cと、比誘電率が30以上200以下で、1気圧における沸点が100°C以上の低分子化合物D以下、化合物Dともいう。と、を含有するものである。尚、本発明の感放射線性樹脂組成物は、前記重合体A、前記感放射線性酸発生剤B、前記重合体C及び前記化合物D以外にも、酸拡散制御剤以下、酸拡散制御剤Eともいう、各種添加剤以下、添加剤Fともいう、溶剤以下、溶剤Gともいう等を更に含有するものであってもよい。以下、本発明の感放射線性樹脂組成物を構成する各成分について具体的に説明する。[1-1]重合体A重合体A以下、重合体Aともいうは、本発明の感放射線性樹脂組成物のベース樹脂となるものである。ベース樹脂により、フォトレジスト膜のうち、露光された部分と露光されていない部分との間に現像液に対する溶解性の差を生じる。このような重合体Aとしては、例えば、酸解離性基を有するアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂であって、酸解離性基が解離したときにアルカリ易溶性となる重合体以下、重合体A1ともいうや、アルカリ現像液と親和性を示す官能基、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基等の酸素含有官能基を1種以上有する、アルカリ現像液に可溶な重合体以下、重合体A2ともいうがある。重合体A1は、ポジ型感放射線性樹脂組成物のベース樹脂として好適に用いることができる。また、重合体A2は、ネガ型感放射線性樹脂組成物のベース樹脂として好適に用いることができる。フッ素原子の含有率本発明の感放射線性樹脂組成物において、上記重合体Aに含まれるフッ素原子の含有率は、後述する重合体Cに含まれるフッ素原子の含有率よりも小さいことが好ましい。これにより、重合体Cがフォトレジスト膜表層に偏在し易くなる。従って、形成するフォトレジスト膜の表層部分の撥水性を高めることができ、液浸露光時に液浸上層膜を別途形成しなくても良好な撥水性を有するフォトレジスト膜を形成することができる。なお、重合体Aにおけるフッ素原子の具体的含有率は、重合体A全体を100質量とした場合に、0質量以上20質量以下が好ましく、0質量以上5質量以下がさらに好ましい。[1-1-1]重合体A1前記重合体A1は酸解離性基を有しており、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂であり、酸解離性基が解離したときにアルカリ易溶性となる樹脂である。酸解離性基とは、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基等の酸性官能基中の水素原子を置換した基をいい、酸の存在下で解離する基をいう。このような酸解離性基の例としては、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換-n-プロピル基、1-分岐アルキル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等がある。また、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性とは、重合体A1を含有する感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたフォトレジスト膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該フォトレジスト膜の代わりに重合体A1のみを用いて形成した被膜を現像した場合に、被膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存する性質をいう。このような重合体A1としては酸解離性基を有する繰り返し単位を含むものを挙げることができる。酸解離性基を有する繰り返し単位酸解離性基を有する繰り返し単位以下、繰り返し単位Pともいう。としては、下記一般式P-1で表されるものを挙げることができる。一般式P-1中、Rは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。Rpは酸解離性基を示す。一般式P-1中のRpは、一般式P-2で表される基であることが好ましい。一般式P-2中、Rp1は、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基を示し、Rp2及びRp3は、相互に独立に、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の脂環式炭化水素基を示すか、或いは相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともに形成される炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を示す。一般式P-2中、Rp1~Rp3として表される基のうち、炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等がある。また、炭素数4~20の脂環式炭化水素基としては、例えば、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格等の有橋式骨格や、シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する基;これらの基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基等の炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種又は1個以上で置換した基等の脂環式骨格を有する基がある。これらの中でも、Rp1が炭素数1~4のアルキル基であり、Rp2及びRp3が相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともにアダマンタン骨格またはシクロアルカン骨格を有する2価の基を形成することが好ましい。繰り返し単位P-1の具体例としては、下記式P-i~P-ivで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式P-i~P-iv中、Rは、一般式P-1の説明と同義である。Rp1~Rp3は、一般式P-2の説明と同義であり、相互に独立である。Rp2及びRp3は相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともに炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成していてもよい。npは相互に独立に1~3の整数を示す。前記重合体A1は、繰り返し単位Pを1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。また、重合体Aは、ラクトン骨格を含有する繰り返し単位を更に含むことが好ましい。重合体Aがラクトン骨格を含有する繰り返し単位を含むことにより、当該感放射線性樹脂組成物の現像性を高めることができる。ラクトン構造を有する繰り返し単位ラクトン構造を有する繰り返し単位以下、繰り返し単位Lともいう。としては、下記式L-1で表される繰り返し単位を挙げることができる。上記一般式L-1において、Rは水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。RL1は単結合または2価の連結基を示す。RLcはラクトン構造を有する1価の有機基を示す。上記一般式L-1中、RL1で示される2価の連結基としては、例えば炭素数1~3のアルカンジイル基、エーテル結合、エステル結合、又はこれらを組み合わせた基等を挙げることができる。なお、これらを組み合わせた基である場合、他の基を介して同一の基を複数組み合わせたものであってもよい。上記RL1としては、より優れた現像性を発揮することができる点から、単結合であることが好ましい。上記一般式L-1中、RLcとしては下記一般式式Lc-1~Lc-6で表されるものを挙げることができる。一般式Lc-1~Lc-6において、RLc1はそれぞれ独立に酸素原子又はメチレン基を示す。RLc2は水素原子または炭素数1~4のアルキル基を示す。nLc1はそれぞれ独立に0または1である。nLc2は0~3の整数である。は一般式L-1中のRL1に結合する結合手を示す。また、一般式Lc-1~Lc-6で表される基は置換基を有していてもよい。なお、これらの基の中でも、一般式Lc-1で表される基が好ましい。繰り返し単位Lの具体例としては、特開2007-304537号公報[0054]~[0057]段落に記載のもの、下記式で表されるものを挙げることができる。上記各式において、Rは水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。なお、前記重合体A1は繰り返し単位Lを1種単独で又は2種以上を組み合わせて含んでいてもよい。上記繰り返し単位Lを与える好ましい単量体としては、国際公開2007/116664号パンフレット[0043]段落、に記載のものを挙げることができる。また、前記重合体Aは、前述の繰り返し単位以外に、下記一般式3で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位3ともいう。、及び下記一般式4で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位4ともいう。のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。重合体Aが繰り返し単位3又は繰り返し単位4を含むことにより、当該感放射線性樹脂組成物のレジスト性能をより高めることができる。一般式3において、R6は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示し、R7は炭素数7~20の1価の多環型脂環式炭化水素基を示す。一般式4において、R8は水素原子又はメチル基を示し、Y1は単結合又は炭素数1~3の2価の有機基を示し、Y2は互いに独立して、単結合又は炭素数1~3の2価の有機基を示し、R9は互いに独立して、水素原子、水酸基、シアノ基、又はCOOR10基を示す。但し、R10は水素原子、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数3~20の脂環式のアルキル基を示す。一般式3においてR7で示される炭素数7~20の1価の多環型脂環式炭化水素基としては、ノルボルナン骨格を有する基やアダマンタン骨格を有する基等を挙げることができる。これらの中でも、ノルボルナン骨格を有する基が好ましい。前記繰り返し単位3を与える好ましい単量体としては、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.1]ヘプチルエステル、メタアクリル酸-シクロヘキシルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[4.4.0]デカニルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.2]オクチルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニルエステル、メタアクリル酸-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカニルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカニルエステル等を挙げることができる。前記重合体Aは、さらに、環状カーボナート構造を有する繰り返し単位を含んでいてもよい。環状カーボナート構造を有する繰り返し単位環状カーボナート構造を有する繰り返し単位以下、繰り返し単位Ccともいう。としては、下記式C-1で表されるものを挙げることができる。上記一般式C-1において、Rは水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。RC1は単結合または2価の連結基を示す。RCcは環状カーボネート構造を有する1価の有機基を示す。上記一般式C-1中、RCcとしては下記一般式式Cc-1またはCc-2で表される基を挙げることができる。一般式Cc-1中、nC1は0~2の整数を示す。一般式Cc-2中、nC2~nC5は、それぞれ独立に、0~2の整数を示す。一般式Cc-1及び一般式Cc-2中、は、一般式C-1中のRC1に結合する結合手を示す。また、一般式Cc-1~Cc-2で表される基は置換基を有していてもよい。上記一般式Cc-1またはCc-2で表される基としては下記一般式Cc-11またはCc-21で表されるものを挙げることができる。一般式Cc-11及び一般式Cc-21中、は、一般式C-1中のRC1に結合する結合手を示す。繰り返し単位Ccのうち、上記式Cc-11またはCc-21で表される基を有するものの具体例としては、下記式で表されるものを挙げることができる。上記各式中、Rは水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。その他繰り返し単位Ccの具体例としては下記式で表されるものを挙げることができる。上記各式中、Rは水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。なお、繰り返し単位Ccを形成するための単量体は、従来公知の方法により合成することができ、具体的には、TetrahedronLetters,Vol.27,No.32p.37411986、OrganicLetters,Vol.4,No.15p.25612002等に記載された方法で合成することができる。なお、上記繰り返し単位Ccは1種単独で又は2種以上を組み合わせて含まれていてもよい。また、前記重合体Aは、前述の繰り返し単位以外の繰り返し単位以下、他の繰り返し単位ともいう。を更に含んでいてもよい。前記他の繰り返し単位としては、例えば、メタアクリル酸ジシクロペンテニル、メタアクリル酸アダマンチルメチル等の有橋式炭化水素骨格を有するメタアクリル酸エステル類;メタアクリル酸カルボキシノルボルニル、メタアクリル酸カルボキシトリシクロデカニル、メタアクリル酸カルボキシテトラシクロウンデカニル等の不飽和カルボン酸の有橋式炭化水素骨格を有するカルボキシル基含有エステル類;メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸n-プロピル、メタアクリル酸n-ブチル、メタアクリル酸2-メチルプロピル、メタアクリル酸1-メチルプロピル、メタアクリル酸t-ブチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸シクロプロピル、メタアクリル酸シクロペンチル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸4-メトキシシクロヘキシル、メタアクリル酸2-シクロペンチルオキシカルボニルエチル、メタアクリル酸2-シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、メタアクリル酸2-4-メトキシシクロヘキシルオキシカルボニルエチル等の有橋式炭化水素骨格をもたないメタアクリル酸エステル類;α-ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α-ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α-ヒドロキシメチルアクリル酸n-プロピル、α-ヒドロキシメチルアクリル酸n-ブチル等のα-ヒドロキシメチルアクリル酸エステル類;メタアクリロニトリル、α-クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合物;メタアクリルアミド、N,N-ジメチルメタアクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物;N-メタアクリロイルモルホリン、N-ビニル-ε-カプロラクタム、N-ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物;メタアクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水イタコン酸、シトラコン酸、無水シトラコン酸、メサコン酸等の不飽和カルボン酸無水物類;メタアクリル酸2-カルボキシエチル、メタアクリル酸2-カルボキシプロピル、メタアクリル酸3-カルボキシプロピル、メタアクリル酸4-カルボキシブチル、メタアクリル酸4-カルボキシシクロヘキシル等の不飽和カルボン酸の有橋式炭化水素骨格をもたないカルボキシル基含有エステル類;1,2-アダマンタンジオールジメタアクリレート、1,3-アダマンタンジオールジメタアクリレート、1,4-アダマンタンジオールジメタアクリレート、トリシクロデカニルジメチロールジメタアクリレート等の有橋式炭化水素骨格を有する多官能性単量体;メチレングリコールジメタアクリレート、エチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタアクリレート、2,5-ジメチル-2,5-ヘキサンジオールジメタアクリレート、1,8-オクタンジオールジメタアクリレート、1,9-ノナンジオールジメタアクリレート、1,4-ビス2-ヒドロキシプロピルベンゼンジメタアクリレート、1,3-ビス2-ヒドロキシプロピルベンゼンジメタアクリレート等の有橋式炭化水素骨格をもたない多官能性単量体等の多官能性単量体の重合性不飽和結合が開裂した単位を挙げることができる。前記重合体A1は、前記他の繰り返し単位を1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。また、前記重合体A1における前記繰り返し単位Pの含有割合は、重合体A1に含まれる全繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、10~90モルであることが好ましく、より好ましくは20~80モル、更に好ましくは30~70モルである。この繰り返し単位Pの含有割合が10~90モルである場合、レジストとしての現像性、欠陥性、LWR、PEB温度依存性等を向上させることができるため好ましい。前記繰り返し単位Lの含有割合は、重合体A1に含まれる全繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、10~70モルであることが好ましく、より好ましくは15~65モル、更に好ましくは20~60モルである。この繰り返し単位2の含有割合が10~70モルである場合、レジストとしての現像性を向上させることができるため好ましい。前記繰り返し単位3の含有割合は、重合体A1に含まれる全繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、30モル以下であることが好ましく、より好ましくは25モル以下である。前記繰り返し単位4の含有割合は、重合体A1に含まれる全繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、30モル以下であることが好ましく、より好ましくは25モル以下である。前記繰り返し単位Ccの含有割合は、重合体A1に含まれる全繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、10~70モルであることが好ましく、より好ましくは15~65モル、更に好ましくは20~60モルである。前記他の繰り返し単位の含有割合は、重合体A1に含まれる全繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、50モル以下であることが好ましく、より好ましくは40モル以下である。重合体Aの製造方法重合体Aの製造方法は特に限定されず、ラジカル重合等の常法に従って合成することができる。特に、1各単量体とラジカル開始剤を含有する反応溶液を、反応溶媒若しくは単量体を含有する反応溶液に滴下して重合反応させる方法、2各単量体を含有する反応溶液と、ラジカル開始剤を含有する反応溶液とを、各々別々に反応溶媒若しくは単量体を含有する反応溶液に滴下して重合反応させる方法、3各単量体について調製された反応溶液と、ラジカル開始剤を含有する反応溶液とを、各々別々に反応溶媒若しくは単量体を含有する反応溶液に滴下して重合反応させる方法等が好ましい。各反応における反応温度は、使用する開始剤の種類によって適宜設定できるが、例えば、30°C~180°Cが一般的である。尚、各反応における反応温度は、40°C~160°Cであることが好ましく、より好ましくは50°C~140°Cである。滴下に要する時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体によって適宜設定できるが、30分~8時間であることが好ましく、より好ましくは45分~6時間、更に好ましくは1時間~5時間である。また、滴下時間を含む全反応時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体によって適宜設定できるが、30分~8時間であることが好ましく、より好ましくは45分~7時間、更に好ましくは1時間~6時間である。単量体を含有する溶液に滴下する場合、滴下する溶液中のモノマーの含有割合は、重合に用いられる全単量体量に対して30モル以上が好ましく、より好ましくは50モル以上、更に好ましくは70モル以上である。前記重合体Aの重合に使用されるラジカル開始剤としては、例えば、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス2-メチルブチロニトリル、1,1’-アゾビスシクロヘキサン-1-カルボニトリル、2,2’-アゾビス2-メチル-N-フェニルプロピオンアミジンジヒドロクロリド、2,2’-アゾビス2-メチル-N-2-プロペニルプロピオンアミジンジヒドロクロリド、2,2’-アゾビス[2-5-メチル-2-イミダゾリン-2-イルプロパンジヒドロクロリド、2,2’-アゾビス{2-メチル-N-[1,1―ビスヒドロキシメチル2-ヒドロキシエチル]プロピオンアミド}、ジメチル-2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネ-ト、4,4’-アゾビス4-シアノバレリックアシッド、2,2’-アゾビス2-ヒドロキシメチルプロピオニトリル等を挙げることができる。これらは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、重合に使用する溶媒としては、使用する単量体を溶解し、重合を阻害するような溶媒でなければ使用可能である。尚、重合を阻害する溶媒としては、重合を禁止する溶媒、例えば、ニトロベンゼン類や、連鎖移動を起こさせる溶媒、例えば、メルカプト化合物を挙げることができる。前記重合に好適に使用することができる溶媒としては、例えば、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、エステル及びラクトン類、ニトリル類、並びにこれらの溶媒の混合液を挙げることができる。前記重合反応後、得られた樹脂は、再沈殿法により回収することが好ましい。即ち、重合終了後、反応液は再沈溶媒に投入され、目的の樹脂が粉体として回収される。この再沈溶媒としては、例えば、水、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、エステル及びラクトン類、ニトリル類、並びにこれらの溶媒の混合液を挙げることができる。また、重合体Aには、これまでに説明した単量体由来の低分子量成分が含まれるが、その含有割合は、重合体Aの総量100質量に対して、0.1質量以下であることが好ましく、より好ましくは0.07質量以下、更に好ましくは0.05質量以下である。この低分子量成分の含有割合が0.1質量以下である場合、重合体Aを使用してレジスト膜を作製し、液浸露光を行う際に、レジスト膜に接触した水への溶出物の量を少なくすることができる。更に、レジスト保管時にレジスト中に異物が発生することがなく、レジスト塗布時においても塗布ムラが発生することなく、レジストパターンを形成する際における欠陥の発生を十分に抑制することができる。尚、本発明において、前記単量体由来の低分子量成分は、モノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマーが挙げられ、ゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算分子量が500以下の成分のこととする。このポリスチレン換算分子量が500以下の成分は、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組合せ等により除去することができる。また、この低分子量成分は、重合体Aの高速液体クロマトグラフィーHPLCにより分析することができる。尚、重合体Aは、ハロゲン、金属等の不純物が少ないほど好ましく、それにより、レジストとしたときの感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等を更に改善することができる。また、重合体AのゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwは、特に限定されないが、1000~100000であることが好ましく、より好ましくは1000~30000、更に好ましくは1000~20000である。この重合体AのMwが1000未満の場合、レジストとした際の耐熱性が低下する傾向がある。一方、このMwが100000を超える場合、レジストとした際の現像性が低下する傾向がある。また、重合体AのMwとGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnとの比Mw/Mnは、1.0~5.0であることが好ましく、より好ましくは1.0~3.0、更に好ましくは1.0~2.0である。また、本発明における感放射線性樹脂組成物には、前記重合体Aが1種類のみ含有されていてもよいし、2種以上を含有されていてもよい。[1-2]感放射線性酸発生剤B前記感放射線性酸発生剤B以下、単に酸発生剤Bともいう。は、露光により酸を発生するものであり、光酸発生剤として機能する。この酸発生剤は、重合体A1と共に用いた場合には露光により発生した酸によって、感放射線性樹脂組成物に含有される重合体A1及び重合体C中に存在する酸解離性基を解離させて、樹脂をアルカリ可溶性とする。そして、その結果、レジスト被膜の露光部がアルカリ現像液に易溶性となり、これによりポジ型のレジストパターンが形成される。このような酸発生剤Bとしては、例えば、特開2009-134088号公報の段落[0080]~[0113]に記載されている化合物などを挙げることができる。酸発生剤Bとしては、具体的には、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、シクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2-オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、パーフルオロ-n-オクタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、N-ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンスルホネート、N-ヒドロキシスクシイミドノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、N-ヒドロキシスクシイミドパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1,8-ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネートが好ましい。なお、酸発生剤Bは、1種単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。酸発生剤Bの含有量は、重合体A100質量部に対して、0.1質量部以上30質量部以下であることが好ましく、2質量部以上27質量部以下であることが更に好ましく、5質量部以上25質量部以下であることが特に好ましい。上記含有量が過少であると、形成したフォトレジスト膜の感度及び解像度が低下するおそれがある。一方、過剰であると、感放射線性樹脂組成物の塗布性及が悪化したり現像後のパターン形状が悪化したりするおそれがある。[1-3]重合体Cこの重合体Cは、フッ素原子を含む重合体であり、本発明の感放射線性樹脂組成物に対して高分子添加剤として含有される成分である。重合体Cは、重合体Aよりもフッ素原子の含有率が高いものであることが好ましい。重合体Cと重合体Aとを含む感放射線性樹脂組成物を用いてフォトレジスト膜を形成した場合、フォトレジスト膜の表面において重合体Cの分布が高くなる傾向がある。即ち、重合体Cが、フォトレジスト膜の最表面に偏在する傾向がある。従って、フォトレジスト膜と液浸媒体とを遮断することを目的として、フォトレジスト膜に、上層膜を形成する必要がなく、そのまま、液浸露光法に好適に用いることができる。尚、本発明の効果を十分に発揮するためには、上記重合体Aにおけるフッ素原子の含有率と、上記重合体Cにおけるフッ素原子の含有率との差が1質量以上であることが好ましく、5質量以上であることがさらに好ましい。重合体Cにおけるフッ素原子の含有率は、重合体C全体を100質量とした場合に、好ましくは5質量以上、より好ましくは5~50質量、更に好ましくは5~40質量である。また、重合体Cにおけるフッ素原子の含有率は、3atom以上20atom以下が好ましく、5atom以上15atm以下がさらに好ましい。このようなフッ素含有率とすることで、重合体Cがフォトレジスト膜の最表面に偏在化しやすく、当該感放射線性樹脂組成物を液浸露光法により好適に用いることができる。なお、重合体Cにおけるフッ素原子含有率は、13C-NMRを用いて測定することができる。重合体Cは、重合体中にフッ素原子を有するものであれば特に限定されないが、フッ素原子を有する繰り返し単位以下、繰り返し単位C1ともいうを有する重合体であることが好ましい。このような繰り返し単位C1の具体例としては、下記一般式C1-1~C1-3で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位C1-1~C1-3ともいうを挙げることができる。重合体Cが、繰り返し単位C1-1~C1-3を有する場合、フォトレジスト膜中の酸発生剤や酸拡散制御剤等の液浸露光液に対する溶出を抑制することができる。また、フォトレジスト膜と液浸露光液との後退接触角の向上により、液浸露光液に由来する水滴がフォトレジスト膜上に残り難く、液浸露光液に起因する欠陥の発生を抑制することもできる。一般式C1-1~C1-3中、R28は、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。一般式C1-1中、Rf1は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~30の炭化水素基を示す。一般式C1-2中、R29は、g1価の連結基を示す。gは、1~3の整数を示す。一般式C1-3中、R30は、2価の連結基を示す。一般式C1-2及びC1-3中、R31は、水素原子又は1価の有機基を示す。Rf2は、相互に独立に、水素原子、電子吸引性基を示す。繰り返し単位C1-1一般式C1-1中のRf1の例としては、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~6の直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基や、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数4~20の脂環式炭化水素基又はそれから誘導される基がある。少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基の部分フッ素化或いはパーフルオロアルキル化した基等を挙げることができる。また、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数4~20の脂環式炭化水素基又はそれから誘導される基の例としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1-1-シクロヘキシルエチル基、1-2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1-1-シクロヘプチルエチル基、1-2-シクロヘプチルエチル基、2-ノルボルニル基等の脂環式炭化水素基の部分フッ素化或いはパーフルオロアルキル化した基等がある。Rf1としては、これらの中でも、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましく、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~3の直鎖状又は分岐状のアルキル基がさらに好ましい。Rf1として、これらの基を用いることで、重合体Cの表面への偏在化が高まることなどにより、各種レジスト性能を高めることができる。繰り返し単位C1-1を与える単量体の好適例としては、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロt-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリル酸エステル、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリル酸エステル等がある。繰り返し単位C1-2及びC1-3一般式C1-2及びC1-3中、R31は、水素原子又は1価の有機基を示す。1価の有機基としては炭素数1~30の1価の置換基を有していてもよい炭化水素基、酸解離性基やアルカリ解離性基を挙げることができる。炭素数1~30の1価の炭化水素基の例としては、炭素数1~10で直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基や炭素数3~30の脂環式炭化水素基があり、炭素数1~7の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基及び炭素数3~7の脂環式炭化水素基が好ましい。炭素数1~10で直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基等を挙げることができる。また、炭素数3~30の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘプチル基、2-ノルボルニル基等を挙げることができる。また、この炭化水素基は置換基を有していてもよい。一般式C1-2及びC1-3中、R31として表される基のうち、酸解離性基とは、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、酸の存在下で解離する基をいう。具体的には、t-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、チオテトラヒドロピラニルスルファニルメチル基、チオテトラヒドロフラニルスルファニルメチル基や、アルコキシ置換メチル基、アルキルスルファニル置換メチル基等を挙げることができる。なお、アルコキシ置換メチル基におけるアルコキシル基置換基、アルキルスルファニル置換メチル基におけるアルキル基置換基としては、例えば、炭素数1~4のアルコキシル基、炭素数1~4のアルキル基がある。また、酸解離性基の具体例としては、下記一般式12で表される基も挙げることができる。-CR321R322R32312一般式12中、R321~R323は、一般式P-2中のRp1~Rp3と同義である。これらの酸解離性基の中でも、一般式12で表される基、t-ブトキシカルボニル基、アルコキシ置換メチル基等が好ましい。繰り返し単位C1-2においては、t-ブトキシカルボニル基、アルコキシ置換メチル基が更に好ましい。繰り返し単位C1-3においては、アルコキシ置換メチル基、一般式12で表される基が更に好ましい。重合体Cが、酸解離性基を有する繰り返し単位C1-2又はC1-3を有する重合体である場合、フォトレジスト膜の露光部における重合体Cの溶解性を向上させることができるので好ましい。これは、後述するレジストパターン形成方法における露光工程において、フォトレジスト膜の露光部で発生した酸と反応して極性基を生じるためと考えられる。一般式C1-2及びC1-3中、R31として表される基のうち、アルカリ解離性基とは、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、アルカリの存在下で解離する基をいう。アルカリ解離性基としては前記の性質を示すものであれば特に限定されないが、一般式C1-2においては、下記一般式R4-1で表される基が好ましい。また、一般式C1-3においては、前記一般式R4-2~R4-4で表される基が好ましい。一般式R4-1中、R41は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~7の炭化水素基を示す。一般式R4-1中、R41の好適例としては、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子に置換された炭素数1~7の直鎖状又は分岐状のアルキル基や、水素原子の全部又は一部がフッ素原子に置換された炭素数3~7の脂環式炭化水素基がある。炭素数1~7の直鎖状又は分岐状のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基等を挙げることができる。また、炭素数3~7の脂環式炭化水素基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘプチル基、2-ノルボルニル基等を挙げることができる。R41として表される基は、炭素数1~7の直鎖状又は分岐状のアルキル基で、かつカルボニル基に連結する炭素原子に結合する水素原子の1つがフッ素原子で置換されるか又はカルボニル基に連結する炭素原子に結合する水素原子は置換されず、他の炭素原子に結合する全ての水素原子がフッ素原子で置換された基が更に好ましく、2,2,2-トリフルオロエチル基が特に好ましい。一般式R4-2中、R6は、ハロゲン原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシル基、炭素数2~10のアシル基、又は炭素数2~10のアシロキシ基を示す。但し、R6が複数存在する場合は相互に独立である。m1は、0~5の整数を示す。一般式R4-3中、R7は、ハロゲン原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシル基、炭素数2~10のアシル基、又は炭素数2~10のアシロキシ基を示す。但し、R7が複数存在する場合は相互に独立である。m2は、0~4の整数を示す。一般式R4-4中、R8及びR9は、相互に独立に、水素原子、炭素数1~10のアルキル基又は炭素数1~10のハロゲン化アルキル基を示す。但し、R8及びR9が互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに炭素数4~20の脂環式構造を形成してもよい。一般式R4-2中のR6及びR4-3中のR7として表される基のうち、ハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等がある。これらの中でも、フッ素原子が好ましい。また、炭素数1~10のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基等がある。更に、炭素数2~10のアルコキシル基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、n-ブトキシ基、t-ブトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基等がある。また、炭素数2~10のアシル基の例としては、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基等がある。更に、炭素数2~10のアシロキシ基の例としては、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、t-ブチリルオキシ基、t-アミリルオキシ基、n-ヘキサンカルボニロキシ基、n-オクタンカルボニロキシ基等がある。一般式R4-4中、R8及びR9として表される基のうち、炭素数1~10のアルキル基としては、R6及びR7で例示した炭素数1~10のアルキル基と同じものを例示することができる。また、R8及びR9が互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに形成される炭素数4~20の脂環式構造の例としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1-1-シクロヘキシルエチル基、1-2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1-1-シクロヘプチルエチル基、1-2-シクロヘプチルエチル基、2-ノルボルニル基等がある。一般式R4-4として表される基の具体例としては、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基等を挙げることができる。これらの中でも、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基が好ましい。重合体Cが、アルカリ解離性基を有する繰り返し単位C1-2又はC1-3を有する重合体である場合、重合体Cのアルカリ現像液に対する親和性を向上させることができるので好ましい。これは、後述するレジストパターン形成方法の現像工程において、重合体Cが現像液と反応し、極性基を生じるためであると考えられる。一般式C1-2及びC1-3中、R31として表される基が水素原子である場合、繰り返し単位C1-2及びC1-3は、極性基であるヒドロキシル基やカルボキシル基を有することになる。重合体Cが、このような繰り返し単位を有することにより、後述するレジストパターン形成方法の現像工程において、重合体Cのアルカリ現像液に対する親和性を向上させることができる。一般式C1-2中、R29は、g1価の連結基を示す。このような連結基の例としては、単結合又は炭素数1~30のn1価の炭化水素基がある。また、これらの炭化水素基と、酸素原子、硫黄原子、イミノ基、カルボニル基、-CO-O-基、又は-CO-NH-基との組み合わせがある。なお、gは、1~3の整数を示す。但し、gが2又は3の場合、一般式C1-2において下記一般式C1-2-aで表される構造は相互に独立である。一般式C1-2-a中、R31及びRf2は、一般式C1-2中のR31及びRf2と同じである。鎖状構造のR29の例としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、2-メチルプロパン、ペンタン、2-メチルブタン、2,2-ジメチルプロパン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン等の炭素数1~10の脂肪族炭化水素から水素原子をg1個取り除いた構造のg1価の脂肪族炭化水素基等がある。また、環状構造のR29の例としては、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン等の炭素数4~20の脂環式炭化水素から水素原子をg1個取り除いた構造のg1価の脂環式炭化水素基;ベンゼン、ナフタレン等の炭素数6~30の芳香族炭化水素から水素原子をg1個取り除いた構造のg1価の芳香族炭化水素基等がある。更に、R29のうち、酸素原子、硫黄原子、イミノ基、カルボニル基、-CO-O-基、又は-CO-NH-基を有する構造の例としては、下記一般式R29-1~R29-8で表される構造がある。一般式R29-1~R29-8中、R33は、相互に独立に、単結合、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、炭素数4~20の脂環式炭化水素基、又は炭素数6~30の芳香族炭化水素基を示す。一般式R29-1~R29-8中、R33として表される基のうち、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、炭素数4~20の脂環式炭化水素基、及び炭素数6~30の芳香族炭化水素基としては、一般式C1-2-a中のR29の説明をそのまま適用することができる。また、R29は置換基を有していてもよい。一般式C1-3中、R30として表される連結基としては、一般式C1-2-a中のR29の説明において、g=1とした場合の説明を適用することができる。一般式C1-2又は一般式C1-3において、Rf2として表される電子求引性基としては、フッ素原子、又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~30の炭化水素基、ニトロ基、シアノ基等を挙げることができる。少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~30の炭化水素基としては、一般式C1-1中のRf1と同様のことがいえる。C1-2及びC1-3のそれぞれにおいて、全てのRf2が水素原子でないことが好ましい。また、C1-2及びC1-3のそれぞれにおいて、全てのRf2が水素原子である場合、R31は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~30の炭化水素基であることが好ましい。一般式C1-2及びC1-3中、下記一般式C1-2-bで表される部分構造の例としては、下記式C1-2-b1~C1-2-b5で表される部分構造がある。これらの中でも、一般式C1-2においては、下記式C1-2-b5で表される部分構造が好ましく、一般式C1-3においては、下記式C1-2-b3で表される部分構造が好ましい。繰り返し単位C1-2の具体例としては、下記一般式C1-2-1及びC1-2-2で表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式C1-2-1及びC1-2-2中、R28、R29、R31、及びgは、一般式C1-2中のR28、R29、R31、及びgと同様のことがいえる。このような繰り返し単位を与える化合物の例としては、下記一般式C1-2-m1~C1-2-m5で表される化合物がある。一般式C1-2-m1~C1-2-m5中、R28及びR31は、一般式C2-1中のR28及びR31と同様のことがいえる。一般式C1-2に対応する一連の化合物に関して、R31として表される基が酸解離性基又はアルカリ解離性基である場合、例えば、R31が水素原子である化合物を原料として合成することができる。一例としてR31が一般式R4-1で表される基である化合物について示すと、R31が水素原子である化合物を従来公知の方法によりフルオロアシル化することで形成することができる。より具体的には、1酸の存在下、アルコールとフルオロカルボン酸を縮合させてエステル化する、2塩基の存在下、アルコールとフルオロカルボン酸ハロゲン化物を縮合させてエステル化する等の方法を挙げることができる。繰り返し単位C1-3の具体例としては、下記一般式C1-3-1で表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式C1-3-1中、R28、R30及びR31は、一般式C1-3中の、R28、R30及びR31と同様のことがいえる。このような繰り返し単位を与える化合物の例としては、下記一般式C1-3-m1~C1-3-m4で表される化合物がある。一般式C1-3-m1~C1-3-m4中、R28及びR31は、一般式C1-3中のR28及びR31説明と同様のことがいえる。一般式C1-3に対応する一連の化合物に関して、R31として表される基が酸解離性基又はアルカリ解離性基である場合、例えば、R31が水素原子である化合物やその誘導体を原料として合成することができる。一例としてR31が一般式R4-4で表される化合物について示すと、この化合物は、例えば、下記一般式m-1で表される化合物と、下記一般式m-2で表される化合物を反応させることによって合成することができる。一般式m-1中、R28、R30及びRf2は、一般式C1-3中のR28、R30及びRf2と同様のことがいえる。R34は、水酸基又はハロゲン原子を示す。一般式m-2中、R8及びR9は、一般式R4-4中のR8及びR9と同様のことがいえる。重合体Cは、繰り返し単位C1-1~C1-3を1種のみ有していてもよいし、2種以上有していてもよいが、繰り返し単位C1-1~C1-3の少なくとも2種を有することが好ましく、繰り返し単位C1-2と繰り返し単位C1-3を組み合わせて有することが特に好ましい。また、繰り返し単位C1-1~C1-3を1種のみ有する場合は、繰り返し単位C1-1を有することが好ましい。重合体Cは、繰り返し単位C1以外にも、繰り返し単位C1以外の酸解離性基を有する繰り返し単位以下、繰り返し単位C2ともいう、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位但し、繰り返し単位C1に該当するものを除く。以下、繰り返し単位C3ともいう、又はラクトン骨格を有する繰り返し単位以下、繰り返し単位C4ともいうを、更に有することが好ましい。重合体Cとして、繰り返し単位C2を有するものを用いた場合、フォトレジスト膜の前進接触角と後退接触角との差を小さくすることができ、露光時のスキャン速度向上に対応することができる。繰り返し単位C2の好適例としては、前記繰り返し単位Pがある。また、繰り返し単位C2としては、繰り返し単位Pの中でも、一般式C2-1で表される繰り返し単位が特に好ましい。一般式C2-1中、R15は、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。R35は、炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。kは、1~4の整数を示す。一般式C2-1中、R35として表される炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等がある。重合体Cは、繰り返し単位C2を1種単独で、又は2種以上を組み合わせて有していてもよい。また、C重合体として、繰り返し単位C3又は繰り返し単位C4を有する場合、アルカリ現像液に対する溶解性を向上させることができる。繰り返し単位C3におけるアルカリ可溶性基は、pKaが4~11の水素原子を有する官能基であることが好ましい。これは、アルカリ現像液に対する溶解性向上の観点からである。このような官能基の具体例としては、一般式C-3aや式C-3bで表される官能基等を挙げることができる。一般式C-3a中、R36は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10の炭化水素基を示す。一般式C-3a中、R36として表される少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10の炭化水素基としては、特に限定されるものではないが、トリフルオロメチル基等が好ましい。なお、繰り返し単位C3の主鎖骨格は、特に限定されるものではないが、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステル、又はα-トリフルオロアクリル酸エステル等の骨格であることが好ましい。繰り返し単位C3の例としては、一般式C3-a-1、C3-b-1で表される化合物に由来する繰り返し単位がある。一般式C3-a-1及びC3-b-1中、R38は、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。R39は、単結合又は炭素数1~20の2価の飽和若しくは不飽和の炭化水素基を示す。一般式C3-a-1中、R37は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10の炭化水素基を示す。nは、0又は1を示す。一般式C3-a-1及びC3-b-1中、R39として表される基に関しては、一般式C1-3におけるR30と同様のことがいえる。また、一般式C3-a-1中、R37として表される基は、一般式C3-a中のR36と同様のことがいえる。重合体Cは、繰り返し単位C3を1種単独で、又は2種以上を組み合わせて有してもよい。繰り返し単位C4の例としては、前記繰り返し単位Lがある。ここで、重合体C中の全繰り返し単位の合計を100molとした場合の、各繰り返し単位の好ましい含有割合を以下に示す。繰り返し単位C1の含有割合は、20~90molであることが好ましく、20~80molであることが特に好ましい。また、繰り返し単位C2の含有割合は、通常80mol以下であり、好ましくは20~80molであり、より好ましくは30~75molであり、更に好ましくは30~70molである。繰り返し単位C2の含有割合がこの範囲内である場合には、前進接触角と後退接触角との差を小さくするという観点から特に有効である。更に、繰り返し単位C3の含有割合は、通常50mol以下であり、好ましくは5~30molであり、更に好ましくは5~20molである。繰り返し単位C4の含有割合は、通常50mol以下であり、好ましくは5~30molであり、更に好ましくは5~20molである。前記重合体Cは、各繰り返し単位を与える単量体を用いて、前述の重合体Aの製造方法と同様の方法によって合成することができる。また、重合体CのゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwは、特に限定されないが、1000~100000であることが好ましく、より好ましくは1000~30000、更に好ましくは1000~20000である。この重合体CのMwが1000未満の場合、レジストとした際の耐熱性が低下する傾向がある。一方、このMwが100000を超える場合、レジストとした際の現像性が低下する傾向がある。また、Mwが上記範囲の重合体Cを用いることで、化合物Dによる偏在化促進能をより効果的に発揮させることができる。また、重合体CのMwとGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnとの比Mw/Mnは、1.0~5.0であることが好ましく、より好ましくは1.0~3.0、更に好ましくは1.0~2.0である。また、本発明における感放射線性樹脂組成物には、前記重合体Cが1種類のみ含有されていてもよいし、2種以上含有されていてもよい。本発明の感放射線性樹脂組成物において、重合体Cの含有量は、前記重合体Aを100質量部とした場合に、固形分換算で、0.1質量部以上5質量部以下であることが好ましく、より好ましくは0.5質量部以上3質量部以下である。この重合体Cの含有量が上記範囲内であると、液浸露光においてレジスト膜表面に撥水性を発現させる作用が得られる点で好ましい。[1-4]化合物D前記化合物Dは、液浸露光においてレジスト膜表面に撥水性を発現させる作用を示す重合体Cを、効率的にレジスト膜表面に偏析させる効果を有するものである。そのため、この化合物Dを含有させることで、重合体Cの添加量を従来よりも少なくすることができる。従って、パターン形状等のレジスト基本特性を損なうことなく、レジスト膜の撥水性を維持することができる。なお、低分子化合物とは非重合体であることを示し、好ましくは分子量が50以上500以下のものを示す。化合物Dは、30以上の比誘電率を有する。この比誘電率は、媒質の誘電率と真空の誘電率の比のことであるである。なお、化合物についての比誘電率は化学便覧基礎編改訂5版等に記載された値を参照することができる。また、上記化学便覧に記載のない化合物の比誘電率としては、JISC2138に記載の方法により、20°Cにおいて測定した値を用いることができる。本発明において、特定の比誘電率を有する化合物を添加することによりフォトレジスト膜の撥水性を向上させられる要因は定かではないが、特定の比誘電率を有する化合物を添加することにより膜全体の極性を高めることとなり、その結果フッ素原子を含む重合体Cのような表面エネルギーが小さいものをより膜の上層へと偏在させることができると考えられる。なお、上記偏在化機能をより効果的に奏するために、化合物Dの比誘電率は35以上が好ましく、40以上がさらに好ましく、45以上が特に好ましい。一方、化合物Dの比誘電率の上限は、200であるが、100がさらに好ましい。この比誘電率が上記上限を超える場合は、例えば塗布性が低下する場合などがある。化合物Dとして、成膜工程や露光後加熱工程などのレジストパターン形成過程における揮発を抑えるため、沸点が大気圧下にて100°C以上であることが必要であり、180°C以上であることが好ましい。一方、この沸点の上限は特に限定されないが、フォトレジスト膜の形成性等を考慮すると、350°Cが好ましく、300°Cがさらに好ましい。なお、化合物Dは上記の性質を満たす限り限定されないが、溶剤に溶解することが好ましい。また、添加することによる感度への影響が少ないことから、環状カーボネート化合物またはニトリル化合物であることが好ましい。環状カーボネート化合物としては、下記式で表されるものを挙げることができる。式中、RCは炭素数2~10の2価の炭化水素基を示し、不飽和結合を有していてもよい。これらの化合物の中でも、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネート、スクシノニトリルが特に好ましい。化合物Dの具体例としては、下記の表1に記載のものが挙げられる。本発明における感放射線性樹脂組成物には、前記化合物Dが1種類のみ含有されていてもよいし、2種以上含有されていてもよい。また、本発明の感放射線性樹脂組成物において、前記化合物Dの含有量は、レジスト膜表面に少ない添加量の重合体Cを偏析させる効果を得る観点から、前記重合体Aを100質量部とした場合に、10質量部以上500質量部以下であり、より好ましくは30質量部以上300質量部以下である。化合物Dの含有割合が10質量部未満である場合、少量の重合体C添加においてレジスト膜表面の撥水性を十分に得ることができない。一方、この含有量が500質量部を超える場合、現像後のレジストパターン形状の矩形性が著しく劣化するおそれがある。また、同様に、レジスト膜表面に少ない添加量の重合体Cを偏析させる効果を得る観点から、前記化合物Dの含有量は、重合体C1質量部に対して4質量部以上300質量部以下が好ましく、10質量部以上220質量部以下がさらに好ましい。[1-5]酸拡散制御剤E本発明の感放射線性樹脂組成物は、これまでに説明した重合体A、酸発生剤B、重合体C及び化合物Dに加えて、酸拡散制御剤Eを更に含有していてもよい。この酸拡散制御剤Eは、露光により酸発生剤から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制するものである。即ち、酸拡散制御剤として機能するものである。このような酸拡散制御剤Eを配合することにより、得られる感放射線性樹脂組成物は、貯蔵安定性が向上し、またレジストとしての像度が更に向上するとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間PEDの変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物となる。前記酸拡散制御剤Eとしては、例えば、下記一般式10で表される化合物酸拡散制御剤e1を好適に用いることができる。一般式10中においてR20及びR21は、相互に独立に水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状の置換されていてもよいアルキル基、アリール基又はアラルキル基、或いはR20同士或いはR21同士が相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子とともに形成される炭素数4~20の2価の飽和或いは不飽和炭化水素基若しくはその誘導体を示す。前記一般式10で表される酸拡散制御剤e1としては、例えば、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、S---1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルピペラジン;N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール等のN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物等を挙げることができる。また、前記酸拡散制御剤Eとしては、前述の酸拡散制御剤e1以外にも、例えば、3級アミン化合物、4級アンモニウムヒドロキシド化合物、その他含窒素複素環化合物等を挙げることができる。前記3級アミン化合物としては、例えば、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、2,6-ジメチルアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン等の芳香族アミン類;トリエタノールアミン、N,N-ジヒドロキシエチルアニリン等のアルカノールアミン類;N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、1,3-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼンテトラメチレンジアミン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル等を挙げることができる。前記4級アンモニウムヒドロキシド化合物としては、例えば、テトラ-n-プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキシド等を挙げることができる。前記含窒素複素環化合物としては、例えば、ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、4-ヒドロキシキノリン、8-オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類;ピペラジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、イミダゾール、4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール等を挙げることができる。また、前記酸拡散制御剤Eとしては、光崩壊性塩基を用いることができる。この光崩壊性塩基は、露光により分解して酸拡散制御性としての塩基性を失うオニウム塩化合物である。このようなオニウム塩化合物の具体例としては、下記一般式11で表されるスルホニウム塩化合物、及び下記一般式12で表されるヨードニウム塩化合物を挙げることができる。前記一般式11及び12におけるR22~R26は、相互に独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基、又はハロゲン原子を示す。また、Z-は、OH-、R-COO-、R-SO3-但し、Rはアルキル基、アリール基、又はアルカリール基を示す、又は下記式13で表されるアニオンを示す。前記スルホニウム塩化合物及びヨードニウム塩化合物の具体例としては、トリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムアセテート、トリフェニルスルホニウムサリチレート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムアセテート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムサリチレート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムアセテート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムサリチレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート等を挙げることができる。尚、これらの酸拡散制御剤Eは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、本発明の感放射線性樹脂組成物において、前記酸拡散制御剤Eの含有量は、レジストとしての高い感度を確保する観点から、前記重合体Aを100質量部とした場合に、10質量部未満であることが好ましく、より好ましくは5質量部未満である。この酸拡散制御剤Eの含有量が10質量部以上である場合、レジストとしての感度が著しく低下する傾向にある。尚、この含有量が0.001質量部未満では、プロセス条件によってはレジストとしてのパターン形状や寸法忠実度が低下するおそれがある。[1-6]添加剤F本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、脂環式骨格含有添加剤f1、界面活性剤f2、増感剤f3等の各種の添加剤Fを配合することができる。尚、各添加剤の含有割合は、その目的に応じて適宜決定することができる。前記脂環式骨格含有添加剤f1は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等を更に改善する作用を示す成分である。このような脂環式骨格含有添加剤f1としては、例えば、1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル、1-アダマンタンカルボン酸t-ブトキシカルボニルメチル、1-アダマンタンカルボン酸α-ブチロラクトンエステル、1,3-アダマンタンジカルボン酸ジ-t-ブチル、1-アダマンタン酢酸t-ブチル、1-アダマンタン酢酸t-ブトキシカルボニルメチル、1,3-アダマンタンジ酢酸ジ-t-ブチル、2,5-ジメチル-2,5-ジアダマンチルカルボニルオキシヘキサン等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル、デオキシコール酸2-シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸3-オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル、リトコール酸2-シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸3-オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステル等のリトコール酸エステル類;アジピン酸ジメチル、アジピン酸ジエチル、アジピン酸ジプロピル、アジピン酸ジn-ブチル、アジピン酸ジt-ブチル等のアルキルカルボン酸エステル類;3-2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等を挙げることができる。これらの脂環式骨格含有添加剤f1は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。前記界面活性剤f2は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す成分である。このような界面活性剤f2としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤のほか、以下商品名で、KP341信越化学工業社製、ポリフローNo.75、同No.95共栄社化学社製、エフトップEF301、同EF303、同EF352トーケムプロダクツ社製、メガファックスF171、同F173大日本インキ化学工業社製、フロラードFC430、同FC431住友スリーエム社製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106旭硝子社製等を挙げることができる。これらの界面活性剤f2は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。前記増感剤f3は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤Bに伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すものであり、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。このような増感剤f3としては、カルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等を挙げることができる。これらの増感剤f3は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、前記添加剤Fとしては、染料、顔料、及び接着助剤からなる群より選択される少なくとも1種を用いることができる。例えば、染料或いは顔料を添加剤Fとして用いることによって、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できる。また、接着助剤を添加剤Fとして用いることによって、基板との接着性を改善することができる。更には、前記添加剤Fとして、アルカリ可溶性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げることができる。尚、添加剤Fは、必要に応じてこれまでに説明したそれぞれの添加剤を単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。[1-7]溶剤G溶剤Gとしては、重合体A、感放射線性酸発生剤B、重合体C及び比誘電率が30以上200以下で、1気圧における沸点が100°C以上の低分子化合物Dが溶解する溶剤であれば、特に限定されるものではない。尚、感放射線性樹脂組成物が、酸拡散制御剤E及び添加剤Fを更に含有する場合には、これらの成分も溶解する溶剤であることが好ましい。なお、前記溶剤Gの比誘電率としては、30未満であることが好ましく、20以下であることがさらに好ましい。また、上記溶剤Gの比誘電率としては、化合物Dの比誘電率よりも15以上小さいことがさらに好ましい。このような比誘電率を有する溶剤Gを用いることで、化合物Dが重合体Cを表面に偏在させる機能をより高めることができる。また、上記溶剤Gの沸点としては、50°C以上200°C以下であることが好ましく、100°C以上180°C以下であることがより好ましく、1atmにおける沸点が化合物Dより15°C以上低いことが好ましく、30°C以上低いことがさらに好ましい。前記溶剤Gとしては、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;環状のケトン類;直鎖状若しくは分岐状のケトン類;2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類;3-アルコキシプロピオン酸アルキル類のほか、n-プロピルアルコール、i-プロピルアルコール、n-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、トルエン、キシレン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル;エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチル酪酸メチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオネート、3-メチル-3-メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸n-ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ベンジルエチルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、1-オクタノール、1-ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル等を挙げることができる。これらのなかでも、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、特に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有することが好ましい。更に、環状のケトン類、直鎖状若しくは分岐状のケトン類、2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類、3-アルコキシプロピオン酸アルキル類等が好ましい。尚、これらの溶剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。[2]フォトレジストパターンの形成方法本発明の感放射線性樹脂組成物は、液浸露光用の感放射線性樹脂組成物として有用であり、特に化学増幅型レジストとして有用である。化学増幅型レジストにおいては、露光により酸発生剤から発生した酸の作用によって、樹脂成分中の酸解離性基が解離して、カルボキシル基を生じ、その結果、レジストの露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が高くなり、この露光部がアルカリ現像液によって溶解、除去され、ポジ型のフォトレジストパターンが得られる。そして、本発明のフォトレジストパターンを形成する方法は、1前記感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程以下、工程1ともいう。と、2前記フォトレジスト膜を液浸露光する工程以下、工程2ともいう。と、3液浸露光されたフォトレジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する工程以下、工程3ともいう。と、を有する。前記工程1では、本発明の感放射線性樹脂組成物を溶剤に溶解させて得られた樹脂組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウェハ、二酸化シリコンで被覆されたウェハ等の基板上に塗布することにより、フォトレジスト膜が形成される。具体的には、得られるレジスト膜が所定の膜厚となるように感放射線性樹脂組成物溶液を塗布したのち、プレベークPBすることにより塗膜中の溶剤を揮発させ、レジスト膜が形成される。レジスト膜の厚みは特に限定されないが、10~5000nmであることが好ましく、10~2000nmであることが更に好ましい。また、プレベークの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、30~200°C程度であることが好ましく、50~150°Cであることが更に好ましい。尚、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いたフォトレジストパターン形成方法においては、必要に応じて液浸液とレジスト膜との直接の接触を保護するために、液浸液不溶性の液浸用保護膜を後述する工程2の前に、レジスト膜上に設けることができる。この際に用いられる液浸用保護膜は、特に限定されないが、後述する工程3の前に溶剤により剥離される溶剤剥離型液浸用保護膜例えば、特開2006-227632号公報等参照や、工程3の現像と同時に剥離される現像液剥離型液浸用保護膜例えば、WO2005-069076号公報、及びWO2006-035790号公報等参照等が挙げられる。特に、スループット等を考慮した場合には、一般的に後者の現像液剥離型液浸用保護膜を用いることが好ましい。また、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いたフォトレジストパターン形成方法においては、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば、特公平6-12452号公報特開昭59-93448号公報等に開示されているように、使用される基板上に有機系或いは無機系の反射防止膜を形成しておくこともできる。また、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば、特開平5-188598号公報等に開示されているように、フォトレジスト膜上に保護膜を設けることもできる。更に、前記した液浸用保護膜をフォトレジスト膜上に設けることもできる。尚、これらの技術は併用することができる。前記工程2では、工程1で形成されたフォトレジスト膜に、水等の液浸媒体液浸液を介して、放射線を照射し、フォトレジスト膜を液浸露光する。尚、この際には、所定のパターンを有するマスクを通して放射線を照射する。前記放射線としては、使用される酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を適宜選定して使用されるが、ArFエキシマレーザー波長193nm或いはKrFエキシマレーザー波長248nmで代表される遠紫外線が好ましく、特にArFエキシマレーザー波長193nmが好ましい。また、露光量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選定される。本発明の感放射線性樹脂組成物を用いたレジストパターン形成方法においては、露光後に加熱処理ポストエクスポージャーベーク:PEBを行うことが好ましい。PEBにより、樹脂成分中の酸解離性基の解離反応が円滑に進行する。このPEBの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、30~200°Cであることが好ましく、より好ましくは50~170°Cである。前記工程3では、露光されたフォトレジスト膜を現像することにより、所定のフォトレジストパターンを形成する。この現像に使用される現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶液が好ましい。前記アルカリ性水溶液の濃度は、10質量以下であることが好ましい。このアルカリ性水溶液の濃度が10質量を超えると、非露光部も現像液に溶解するおそれがある。また、前記アルカリ性水溶液を用いた現像液は、例えば、有機溶媒を添加したものであってもよい。この有機溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルi-ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロペンタノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類;メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、i-プロピルアルコール、n-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、1,4-ヘキサンジオール、1,4-ヘキサンジメチロール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-アミル等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。これらの有機溶媒は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。この有機溶媒の使用量は、アルカリ性水溶液100体積部に対して、100体積部以下とすることが好ましい。この場合、有機溶媒の割合が100体積部を超えると、現像性が低下して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液には、界面活性剤等を適量添加することもできる。尚、アルカリ性水溶液からなる現像液で現像したのちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、実施例、比較例中の部及びは、特に断らない限り質量基準である。[1]重合体A-1の合成以下、重合体Aの合成例について説明する。尚、下記の各合成例における各測定は、下記の要領で行った。1Mw、Mn、及びMw/Mn東ソー社製のGPCカラム商品名G2000HXL2本、商品名G3000HXL1本、商品名G4000HXL1本を使用し、流量:1.0ミリリットル/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、カラム温度:40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより測定した。また、分散度Mw/Mnは、Mw及びMnの測定結果より算出した。213C-NMR分析各樹脂の13C-NMR分析は、日本電子社製の商品名JNM-EX270を使用し、測定した。3低分子量成分の残存割合ジーエルサイエンス社製の商品名IntersilODS-25μmカラム4.6mmφ×250mmを使用し、流量:1.0ミリリットル/分、溶出溶媒:アクリロニトリル/0.1リン酸水溶液の分析条件で、高速液体クロマトグラフィーHPLCにより測定した。尚、本実施例においては、低分子量成分の残存割合として、ポリスチレン換算重量平均分子量が500以下の成分の割合を算出した。また、下記の各合成に用いた単量体[化合物M-1~M-4]の構造を以下に示す。合成例1単量体M-142.22g40モル、単量体M-230.29g35モル、単量体M-315.69g15モル、及び単量体M-411.79g10モルを2-ブタノン200gに溶解し、更にジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート6.23gを投入した単量体溶液を準備した。一方、温度計及び滴下漏斗を備えた500mlの三つ口フラスコに100gの2-ブタノンを投入し、30分窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら80°Cになるように加熱した。次いで、滴下漏斗を用い、予め準備しておいた単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液は水冷により30°C以下に冷却した。冷却後、2000gのメタノールに投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を、400gのメタノールにてスラリー状で2度洗浄した。その後、ろ別し、50°Cにて17時間乾燥し、白色粉末の共重合体を得た79g、収率79。得られた共重合体は、Mwが5900、Mw/Mnが1.69であり、13C-NMR分析の結果、単量体M-1、M-2、M-3、及びM-4に由来する各繰り返し単位の含有割合が40.6:35.1:13.9:10.4モルであり、酸解離性基を含む繰り返し単位の含有量は45.5モルであった。また、低分子量成分の残存割合は0.20であった。この共重合体を重合体A-1とする下式参照。[2]重合体C-1の合成合成例2下記式で表される単量体M-535.81g70モル、及び下記式で表される単量体M-514.17g30モルを、2-ブタノン70gに溶解し、更にジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート3.23gを投入した単量体溶液を準備した。一方、500mLの三口フラスコに30gの2-ブタノンを投入し、30分窒素パージした。窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱した。次いで、滴下漏斗を用い、予め準備しておいた単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液は水冷することにより30°C以下に冷却し、その重合溶液を2L分液漏斗に移液した。次いで、150gのn-ヘキサンでその重合溶液を希釈し、600gのメタノールを投入して混合した後、21gの蒸留水を投入して更に攪拌し、30分静置した。その後、下層を回収し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液とした。その樹脂溶液の固形分重合体の物性値は以下のとおりであり、収率は60であった。得られた共重合体は、Mwが7300、Mw/Mnが1.6であり、13C-NMR分析の結果、フッ素含量が9.60atom、単量体M-5及びM-6に由来する各繰り返し単位の含有割合が70.5:29.5モルであった。この共重合体を重合体C-1とする。[3]感放射線性樹脂組成物の調製表2に示す割合で、重合体A、酸発生剤B、重合体C、比誘電率が30以上200以下で、1気圧における沸点が100°C以上の低分子化合物D、酸拡散制御剤E及び溶剤Gを混合し、実施例1~8、参考例1及び比較例1~6の各感放射線性樹脂組成物を調製した。尚、表2に示す酸発生剤B、低分子化合物D、その他の化合物、酸拡散制御剤E及び溶剤Gの詳細は以下の通りである。また、表中、部は、質量基準である。<酸発生剤B>B-1:トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートB-2:1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート<低分子化合物D>D-1:ガンマ-ブチロラクトン比誘電率42、沸点204°CD-2:プロピレンカーボネートD-3:ジメチルスルホキシドD-4:スクシノニトリルD-5:エチレングリコールD-6:グリセリンD-7:N-メチルピロリドン<比誘電率が30以下、沸点100°C以上の低分子化合物>D-8:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート比誘電率8.3、沸点213°C<比誘電率が30以上、沸点100°C以下の低分子化合物>D-9:アセトニトリル比誘電率37、沸点82°C<酸拡散制御剤E>E-1:N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン<溶剤G>G-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート比誘電率8、沸点146°CG-2:シクロヘキサノン比誘電率16、沸点156°C[4]実施例の評価実施例1~9及び比較例1~6の各感放射線性樹脂組成物について、以下のように下記1~7の各種評価を行った。これらの評価結果を表4に示す。各評価方法は以下の通りである。1後退接触角8インチシリコンウエハ上に、各感放射線性樹脂組成物をスピンコートし、ホットプレート上で90°C、60秒PBを行い、膜厚120nmの塗膜フォトレジスト膜を形成した。その後、商品名DSA-10KRUS社製を使用して、速やかに、室温:23°C、湿度:45、常圧の環境下で、次の手順により後退接触角を測定した。商品名DSA-10KRUS社製のウェハステージ位置を調整し、この調整したステージ上に前記ウェハをセットする。次に、針に水を注入し、前記セットしたウェハ上に水滴を形成可能な初期位置に前記針の位置を微調整する。その後、この針から水を排出させて前記ウェハ上に25μLの水滴を形成し、一旦、この水滴から針を引き抜き、再び前記初期位置に針を引き下げて水滴内に配置する。続いて、10μL/minの速度で90秒間、針によって水滴を吸引すると同時に接触角を毎秒1回測定する合計90回。このうち、接触角の測定値が安定した時点から20秒間の接触角についての平均値を算出して後退接触角°とした。2感度コータ/デベロッパ商品名CLEANTRACKACT8、東京エレクトロン社製を用いて、8インチシリコンウエハの表面に、まず、膜厚300nmの有機下層膜を形成し、次いで、膜厚45nmの無機中間膜SOG:スピンオングラスを形成して基板とした。その後、各感放射線性樹脂組成物を前記基板上に、前記コータ/デベロッパにて、スピンコートし、表3に示す条件でベークPBを行うことにより、膜厚120nmのレジスト膜を形成した。次いで、ArFエキシマレーザー露光装置商品名NSRS306C、ニコン社製、照明条件;NA0.78、σ0/σ1=0.93/0.62、Dipoleを用い、マスクパターンを介してレジスト膜を露光した。その後、表3示す条件でベークPEBを行った後、2.38のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液によって、23°C、30秒間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。得られたレジスト膜において、線幅が75nmであるライン、ラインとラインとの距離が75nmラインアンドスペースが1対1であるレジストパターンを形成する際の露光量mJ/cm2を最適露光量とした。そして、この最適露光量を感度として評価した。線幅及びラインとラインとの距離の測定は、走査型電子顕微鏡商品名S-9380、日立ハイテクノロジーズ社製を用いた。なお、この数値が小さいほど高感度であることを示す。3パターン形状前記感度の評価で得たレジスト膜の75nmラインアンドスペースパターンの断面形状を、日立ハイテクノロジーズ社製の走査型電子顕微鏡商品名S-4800で観察し、レジストパターンの中間での線幅Lbと、膜の上部での線幅Laを測定した。測定した結果、La/Lbで算出される値が、0.9≦La/Lb≦1.1の範囲内である場合を良好とし、0.85≦La/Lb≦1.15の範囲内である場合をやや良好とし、範囲外である場合を不良とした。表4から明らかなように、所定量の比誘電率が30以上200以下で、1気圧における沸点が100°C以上の低分子化合物Dを特定量含有する感放射線性樹脂組成物は、高い後退接触角を有する塗膜が得られた。また、現像後のパターン形状も良好であった。これらのことから、本発明の感放射線性樹脂組成物は液浸露光の際に、十分なレジスト膜表面の撥水性を発現するだけでなく、得られるパターン形状が良好であることが分かった。各実施例比較例の組成物から得られた塗膜の後退接触角RCAの測定値と、それぞれの組成物に含まれる低分子化合物の比誘電率との関係を図1に示す。比誘電率と塗膜の後退接触角との間にある程度の相関があることがわかる。また、化合物D-9のように比誘電率が30以上でも沸点が100°C未満の化合物を添加した場合には後退接触角を上昇させる効果が見られなかった。これは、成膜時に揮発してしまうことが原因であると考えられる。"