"少なくとも、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、感光性プレポリマーと、感光性モノマーと、光重合開始剤と、白色顔料と、を含有し、前記エポキシ樹脂が、1エポキシ当量が200~2000の水素添加ビスフェノールA型~F型又はそれらの共重合体であるエポキシ樹脂、2エポキシ当量が200~10000のビスフェノールA型~F型又はそれらの共重合体であるエポキシ樹脂、3主鎖がシロキサン骨格及びビスフェノールA骨格を含み、主鎖中のシリコーンの割合が30~75質量であり、かつエポキシ基が末端に導入されたエポキシ樹脂、4主鎖がヘキサメチレングリコール骨格、グリセリン骨格及びビスェノールA骨格を含み、かつ末端にエポキシ基が導入されたエポキシ樹脂、及び、5ポリテトラメチレングリコール型エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも1種であり、前記エポキシ樹脂硬化剤が、分子中に1以上のアミノ基を有する硬化剤及び/又は分子中に1以上のカルボキシル基を有する硬化剤であるソルダーレジスト組成物。前記感光性プレポリマーが、分子中に不飽和2重結合、カルボキシル基及び水酸基を、それぞれ1以上含むことを特徴とする請求項1に記載のソルダーレジスト組成物。前記感光性モノマーが、分子中に不飽和2重結合を1個以上含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のソルダーレジスト組成物。前記白色顔料が、二酸化チタン、硫酸バリウム、二酸化珪素、酸化ジルコニア、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のソルダーレジスト組成物。金属箔と、該金属箔上に形成された絶縁層と、該絶縁層の表面に局所的に形成された導体回路と、絶縁層及び導体回路の表面に形成されたソルダーレジスト層と、を有し、前記ソルダーレジスト層が、請求項1~4のいずれか1項に記載のソルダーレジスト組成物により形成されている金属ベース回路基板。しかしながら、前述した従来の技術には、以下に示す問題点がある。即ち、前述した特許文献4に記載されているような薄型の金属ベース回路基板は、実装工程において反りや捻れが起こりやすいため、白色顔料が高充填されているソルダーレジスト組成物を使用すると、ソルダーレジスト層にクラックが発生しやすくなるという問題点がある。そこで、本発明は、白色顔料を高充填しても、ソルダーレジスト層に基板の反りや捻れによるクラックが発生しにくいソルダーレジスト組成物及び金属ベース回路基板を提供することを主目的とする。発明者は、前述した問題点を解決するため、鋭意実験検討を行った結果、ソルダーレジスト層の引張弾性率及び破壊伸びが、クラックの発生に影響することを見出した。そして、ソルダーレジスト層を構成する樹脂成分について、更に検討を行い、引張弾性率が低く、破壊伸びが高いソルダーレジスト層を実現することにより、クラックの発生を防止できることを見出した。即ち、本発明に係るソルダーレジスト組成物は、少なくとも、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、感光性プレポリマーと、感光性モノマーと、光重合開始剤と、白色顔料と、を含有し、前記エポキシ樹脂が、1エポキシ当量が200~2000の水素添加ビスフェノールA型~F型又はそれらの共重合体であるエポキシ樹脂、2エポキシ当量が200~10000のビスフェノールA型~F型又はそれらの共重合体であるエポキシ樹脂、3主鎖がシロキサン骨格及びビスフェノールA骨格を含み、主鎖中のシリコーンの割合が30~75質量であり、かつエポキシ基が末端に導入されたエポキシ樹脂、4主鎖がヘキサメチレングリコール骨格、グリセリン骨格及びビスェノールA骨格を含み、かつ末端にエポキシ基が導入されたエポキシ樹脂、及び、5ポリテトラメチレングリコール型エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも1種であり、前記エポキシ樹脂硬化剤が、分子中に1以上のアミノ基を有する硬化剤及び/又は分子中に1以上のカルボキシル基を有する硬化剤である。本発明においては、特定のエポキシ樹脂と、分子中に1以上のアミノ基を有する硬化剤及び/又は分子中に1以上のカルボキシル基を有する硬化剤とを使用しているため、高反射率化のために白色顔料を高充填しても、硬化物ソルダーレジスト層は、低い引っ張り弾性率及び高い破壊伸び、即ち、可とう性が維持される。このソルダーレジスト組成物では、感光性プレポリマーが、分子中に不飽和2重結合、カルボキシル基及び水酸基を、それぞれ1以上含んでいてもよい。また、感光性モノマーは、分子中に不飽和2重結合を1個以上含んでいてもよい。更に、白色顔料としては、例えば二酸化チタン、硫酸バリウム、二酸化珪素、酸化ジルコニア、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種を使用することができる。また、本発明に係る金属ベース回路基板は、金属箔と、該金属箔上に形成された絶縁層と、該絶縁層の表面に局所的に形成された導体回路と、絶縁層及び導体回路の表面に形成されたソルダーレジスト層と、を有し、前記ソルダーレジスト層が、前述したソルダーレジスト組成物により形成されている。本発明においては、ソルダーレジスト層を、前述したソルダーレジスト組成物で形成しているため、白色顔料を高充填した場合でも優れた可とう性を示し、LED等の光半導体素子の実装工程において、基板に反りや捻れが起こっても、クラックが発生しにくい。本発明によれば、特定のエポキシ樹脂と特定のエポキシ樹脂硬化剤とを使用しているため、白色顔料を高充填しても、基板の反りや捻れに起因するソルダーレジスト層のクラック発生を抑制することができる。以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。第1の実施形態先ず、本発明の第1の実施形態に係るソルダーレジスト組成物について説明する。本実施形態のソルダーレジスト組成物は、少なくとも、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、感光性プレポリマー、感光性モノマー、光重合開始剤及び白色顔料を含有する。[エポキシ樹脂]本実施形態のソルダーレジスト組成物の主成分であるエポキシ樹脂としては、以下に示す1~5のエポキシ樹脂から選択される1種又は2種以上のエポキシ樹脂を使用することができる。1エポキシ当量が200~2000の水素添加ビスフェノールA型若しくはF型又はそれらの共重合体であるエポキシ樹脂。2エポキシ当量が200~10000のビスフェノールA型若しくはF型又はそれらの共重合体であるエポキシ樹脂。3主鎖がシロキサン骨格及びビスフェノールA骨格を含み、主鎖中のシリコーンの割合が30~75質量であり、かつエポキシ基が末端に導入されたエポキシ樹脂。4主鎖がヘキサメチレングリコール骨格、グリセリン骨格及びビスフェノールA骨格を含み、かつ末端にエポキシ基が導入されたエポキシ樹脂。5ポリテトラメチレングリコール型エポキシ樹脂。これらのエポキシ樹脂は、分子鎖が長いか、又は、硬化物が柔軟であるため、形成されるソルダーレジスト層に可とう性を付与することができる。[エポキシ樹脂硬化剤]本実施形態のソルダーレジスト組成物に配合されるエポキシ樹脂硬化剤は、使用するエポキシ樹脂に応じて適宜選択することができるが、分子中に1以上のアミノ基を有する硬化剤、分子中に1以上のカルボキシル基を有する硬化剤、又はこれらを併用する。アミノ基やカルボキシル基を有する硬化剤は、エポキシ基と反応して、橋かけ構造を形成するため、優れた物性の硬化物が得られる。一方、分子中にアミノ基又はカルボキシル基を有しない硬化剤を使用すると、白色顔料を高充填した場合、形成されるソルダーレジスト層の引っ張り弾性率が高くなったり、破壊伸びが低くなったりする。そして、このようにソルダーレジスト層の可とう性が十分でないと、実装工程において、基板の反りや捻りによりクラックが発生しやすくなる。また、前述した2種の硬化剤を使用する場合は、形成されるソルダーレジスト層に可とう性を付与するため、主鎖に芳香族環等の剛直構造を持たない化合物を使用することが望ましい。具体的には、分子中に1以上のアミノ基を有する硬化剤としては、例えば、トリメチルヘキサメチレンジアミン、2-メチルペンタメチレンジアミン及びポリオキシプロピレンジアミン等が挙げられる。また、分子中に1以上のカルボキシル基を有する硬化剤としては、例えば、脂肪族ニ塩基酸ポリ無水物、脂肪族酸無水物とポリアルキレングリコールとのエステル等が挙げられる。なお、エポキシ樹脂硬化剤の添加量は、特に限定されるものではなく、エポキシ樹脂の種類等に応じて、適宜選択することができる。[感光性プレポリマー]感光性プレポリマーは、ソルダーレジスト組成物に光硬化性及び現像性を付与し、金属ベース回路基板上に、任意のパターン形状のソルダーレジスト層を形成可能にするために配合されている。その配合量は、特に限定されるものではないが、現像性及び光硬化性の観点から、ソルダーレジスト組成物全体の15~40質量であることが望ましい。この範囲にすることにより、現像性及び光硬化性共に優れたソルダーレジスト組成物が得られる。また、ソルダーレジスト組成物に配合される感光性プレポリマーは、分子中に不飽和2重結合、カルボキシル基及び水酸基を、それぞれ1以上含むことが好ましい。これにより、現像性と光硬化性を付与することができる。更に、感光性プレポリマーは、アルカリ水溶液に可溶であることがより好ましく、これにより、金属ベース回路基板上に、所定のパターン形状のソルダーレジスト層を形成する際の作業性が向上する。[感光性モノマー]感光性モノマーは、光硬化性を付与すると共に、粘度を調整する目的で、ソルダーレジスト組成物に配合されている。その配合量は、特に限定されるものではないが、現像性及び硬化後の物性の観点から、ソルダーレジスト組成物全体の1~5質量であることが望ましい。この範囲にすることにより、形成されるソルダーレジスト層の物性破壊伸び等を低下させることなく、光硬化性を向上させることができる。また、本実施形態のソルダーレジスト組成物に配合される感光性モノマーは、分子中に不飽和2重結合を1個以上含むことが好ましく、これにより、光硬化性を付与することができる。このような感光性モノマーとしては、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、フタル酸モノヒドロキシアクリレート、ビスフェノールFEO変性ジアクリレート、2,2-ビス4-メタクリロキシエトキシフェニルプロパン等が挙げられる。[光重合開始剤]光重合開始剤は、感光性紫外線などの特定波長の光を照射することにより、ソルダーレジスト組成物中の感光性プレポリマー及び感光性モノマーに、光硬化反応を開始させるために配合されている。その配合量は、特に限定されるものではないが、反応性及び保存安定性の観点から、ソルダーレジスト組成物全体の0.5~4質量であることが望ましい。この範囲にすることにより、光反応性に優れ、かつ保存安定性も良好なソルダーレジスト組成物が得られる。本実施形態のソルダーレジスト組成物に配合する光重合開始剤としては、例えば、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン、1-[4-2-ヒドロキシエトキシ-フェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン、2-ヒロドキシ-1-{4-[4-2-ヒドロキシ-2-メチル-プロピオニル-ベンジル]フェニル}-2-メチル-プロパン-1-オン、2-メチル-1-4-メチルチオフェニル-2-モルフォリノプロパン-1-オン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニル-ブタノン-1、及び2-ジメチルアミノ-2-[4-メチルフェニルメチル]-1-[4-4-モルホリニルフェニル]-1-ブタノン等のアルキルフェノン系光重合開始剤、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド及びビス2,4,6-トリメチルベンゾイル-フェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤、ビスη5-2,4-シクロペンタジエン-1-イル-ビス2,6-ジフルオロ-3-1H-ピロール-1-イル-フェニルチタニウム等のチタノセン系光重合開始剤等を使用できる。なお、本実施形態のソルダーレジスト組成物には、前述した光重合開始剤と共に、安息香酸エステル類等の光増感剤を添加してもよく、また、酸素による重合阻害を抑制する目的で、三級アミン化合物等を添加することもできる。[白色顔料]白色顔料は、形成されるソルダーレジスト層の反射率を向上させる目的で配合されている。その配合量は、特に限定されるものではないが、白色顔料を高充填し、高反射率のソルダーレジスト層を形成する場合は、ソルダーレジスト組成物における白色顔料含有量を20~80体積とすることが望ましい。これにより、形成されるソルダーレジスト層について、物性破壊伸び等を低下させることなく、反射率を高めることができる。本実施形態のソルダーレジスト組成物に配合する白色顔料としては、二酸化チタン、硫酸バリウム、二酸化珪素、酸化ジルコニア、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムのうち1種又は2種以上を使用することが好ましい。これにより、高反射率のソルダーレジスト層を形成することができる。白色顔料として、二酸化チタンを使用する場合は、光触媒作用による樹脂の劣化が少ないルチル型の構造をもつものを使用することが好ましく、更に、表面が水酸化アルミニウムや二酸化珪素で被覆されているものがより好ましい。また、増粘を避けるため、ソルダーレジスト組成物には、粒径が異なる2種以上の白色顔料を添加することが望ましい。更に、白色顔料は、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、感光性プレポリマー及び感光性モノマー等の樹脂成分との濡れ性及び接着性を向上させ、機械的特性を改良するために、シランカップリング処理が施されていることが望ましい。その処理方法は、特に限定されるものではなく、作業性、コスト及び機械的特性の改良効果等を勘案して、直接処理法又はインテグラルブレンド法のどちらかを選択すればよい。[希釈剤]本実施形態のソルダーレジスト組成物には、必要に応じて、適宜希釈剤を加えることができる。この希釈剤としては、例えば、光重合性モノマーや溶剤を使用することができる。光重合性モノマーとして代表的なものは、2-エチルヘキシルアクリレート、2-ヒドロキシブチルアクリレート、ベンジルアクリレート等のアクリレート類やこれらに対応するメタクリレート類がある。また、溶剤としては、例えば、エタノール及びイソプロパノール等のアルコール類、2-メトキシエタノール、1-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール、1-エトキシ-2-プロパノール、2-ブトキシエタノール、2-2-メトキシエトキシエタノール、2-2-エトキシエトキシエタノール及び2-2-ブトキシエトキシエタノール等のエーテルアルコール類、アセトン、メチルエーテルケトン、メチルイソブチルケトン及びジイソブチルケトンケトン等のケトン類、トルエン及びキシレン等の炭化水素類が挙げられる。なお、これらの希釈剤は、単独で使用しても、2種以上を混合して使用してもよい。一方、希釈剤の添加量は、ソルダーレジスト組成物全体の3~30質量とすることが望ましい。希釈剤の添加量が3質量未満では、その添加効果が十分に得られず、特に、高粘度のソルダーレジスト組成物の場合は、絶縁層や導体回路上に塗布する際に、未充填等の欠陥が発生することがある。一方、30質量を超える量の希釈剤を添加すると、光熱硬化後のソルダーレジスト層に溶剤が残留し、発泡等の原因となり、機械的特性に悪影響を及ぼす虞がある。以上詳述したように、本実施形態のソルダーレジスト組成物は、特定のエポキシ樹脂を主成分とし、かつ、分子中に1以上のアミノ基を有するエポキシ樹脂硬化剤及び/又は分子中に1以上のカルボキシル基を有するエポキシ樹脂硬化剤を使用しているため、白色顔料を高充填しても、可とう性に優れたソルダーレジスト層を形成することができる。これにより、高反射率で、かつ、実装工程における基板に反りや捻れに起因するクラックが発生しにくいソルダーレジスト層を形成することができる。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態に係る金属ベース回路基板について説明する。図1は本実施形態の金属ベース回路基板の構成を模式的に示す断面図である。図1に示すように、本実施形態の金属ベース回路基板10は、金属箔1の一方の面に絶縁層2が形成されており、この絶縁層2上に局所的に導体回路3が設けられている。また、絶縁層2及び導体回路3の表面には、前述した第1の実施形態の組成物によりソルダーレジスト層4が形成されている。そして、本実施形態の金属ベース回路基板10には、半田6等によって、LED等の光半導体素子パッケージ5が搭載される。[金属箔1]金属箔1は、例えば、アルミニウム、鉄、銅若しくはこれらの合金又はクラッド箔等を使用することができるが、放熱性を考慮すると、アルミニウム、銅若しくはこれらの合金又は合金及びクラッド箔を使用することが望ましい。また、金属箔1には、絶縁層2との密着性を改良するため、必要に応じて、絶縁層2との接着面側に、サンドブラスト、エッチング、各種メッキ処理、カップリング剤処理及び酸化処理等の表面処理を施すことができる。[絶縁層2]絶縁層2は、例えば、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び無機フィラー等を含有するエポキシ樹脂組成物により形成することができる。絶縁層2を形成するエポキシ樹脂組成物の主成分となるエポキシ樹脂は、特に限定されるものではなく、公知なものを採用することができる。具体的には、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、ビスフェノールSジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、ヘキサヒドロビスフェノールAジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネロペンチルグリコールジグリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸ジグリシジルエステル、トリグリシジルイソシアネレート、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、テトラグリシジルメタキシレンジアミン、フェノールノボラックポリグリシジルエーテル、テトラブロムビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールヘキサフロロアセトングリシジルエーテル等のエポキシ基を有する化合物を含む樹脂が挙げられる。また、エポキシ樹脂組成物中に含まれる塩素イオン及びナトリウムイオンの濃度は、合計で1000ppm以下であることが好ましく、500ppm以下であることがより好ましい。エポキシ樹脂組成物中の塩素イオン及びナトリウムイオン濃度が高くなると、高温下、高湿下、直流又は交流電圧下において、イオン性不純物の移動が起こり、電気絶縁性が低下する傾向があるためである。一方、絶縁層2を形成するエポキシ樹脂組成物に配合される硬化剤は、エポキシ基と反応する水酸基、アミノ基及び酸無水基のうち1種又は2種以上の官能基を有する化合物を含むものが好ましい。このような硬化剤としては、例えば、ポリアミン、ポリフェノール及び酸無水物等が挙げられる。絶縁層2を形成するエポキシ樹脂組成物には、これらのエポキシ樹脂硬化剤と併せて、硬化促進剤が配合されていてもよい。硬化促進剤としては、イミダゾール化合物、3級アミン化合物及びリン系化合物が好適である。イミダゾール化合物としては、2-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4―メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、2,3-ジヒドロ-1H-ピロロ1,2-aベンズイミダゾール、2-フェニル-4,5―ジヒドロキシメチルイミダゾール、2,4―ジアミノ-6-2’-メチルイミダゾリル-1’―エチル-s―トリアジン、2,4―ジアミノ-6-2’-ウンデシルイミダゾリル-1’-エチル-s-トリアジン、1-シアノエチル-2―メチルイミダゾール等が望ましい。3級アミン化合物としては、ベンジルジメチルアミン、2-ジメチルアミノメチルフェノール、2,4,6,-トリスジアミノメチルフェノール等が望ましい。リン系化合物としは、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド等が望ましい。絶縁層2を形成するエポキシ樹脂組成物への硬化促進剤の添加量は、エポキシ樹脂組成物全体の0.005~3質量であることが望ましい。硬化促進剤の添加量が3質量を超えると、増粘により作業性が低下する虞がある。また、添加量が0.005質量未満の場合、硬化時に長時間の高温加熱が必要となるため、コスト及び作業性の観点から望ましくない。また、絶縁層2を形成するエポキシ樹脂組成物に含有される無機フィラーとしては、電気絶縁性で熱伝導性の良好なものが好ましく、例えば、二酸化珪素、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素及び酸化マグネシウム等が挙げられる。その場合、無機フィラー中の塩素及びナトリウムイオン濃度は、500ppm以下であることが好ましく、100ppm以下であることがより好ましい。無機フィラー中の塩素及びナトリウムイオン濃度が500ppmを超えると、高温下、高湿下、直流又は交流電圧下において、イオン性不純物の移動が起こりやすくなり、電気絶縁性が低下する傾向を示す場合がある。また、絶縁層2における無機フィラーの含有率は、絶縁層2の総体積に対して無機フィラーが40~80体積であること望ましい。無機フィラーの含有率が40体積未満であると、必要な熱伝導率を得ることが困難になる。一方、無機フィラーの含有率が80体積を超えると、高粘度になり絶縁層形成時に欠陥が発生し易くなり、耐電圧、密着性に悪影響を及ぼす可能性がある。この無機フィラーによるエポキシ樹脂組成物の増粘を避けるためには、2種以上の粒径の異なる無機フィラーを混合することが望ましい。また、無機フィラーは、エポキシ樹脂及び硬化剤との濡れ性及び接着性を改良するため、シランカップリング剤で処理することが望ましい。更に、絶縁層2を形成するエポキシ樹脂組成物には、粘度調整のために、適宜溶剤を加えることもできる。この溶剤の種類は、絶縁中のエポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤が可溶なものであれば、特に制限はない。更にまた、絶縁層2を形成するエポキシ樹脂組成物には、レベリング性、消泡性、下地への濡れ性を改良するために、レベリング剤、消泡剤、湿潤分散剤等の添加剤を加えても良い。[導体回路3]導体回路3は、例えば、アルミニウム、鉄、銅、金、銀、ニッケル若しくはこれらの合金又はクラッド箔により形成することができるが、半田との濡れ性が良好であることから、特に半田との接合面側は銅により形成されていることが望ましい。また、導体回路3には、絶縁層2との密着性を改良するため、必要に応じて、絶縁層2との接着面側に、サンドブラスト、エッチング、各種メッキ処理、カップリング剤処理及び酸化処理等の表面処理を施すことができる。[ソルダーレジスト層4]ソルダーレジスト層4は、前述した第1の実施形態のソルダーレジスト組成物により形成されており、例えば、室温での引っ張り弾性率が0.1~8000MPa、破壊伸びが0.5~30である。このようなソルダーレジスト層4は、可とう性に優れ、実装工程において、基板に反りや捻りが生じても、クラックが発生し難い。[製造方法]前述した構成の金属ベース回路基板10は、例えば、以下に示す方法で製造することができる。先ず、金属箔1上に、絶縁層2を形成するエポキシ樹脂組成物を所定の厚さになるように塗布し、このエポキシ樹脂組成物からなる層の上に、導体回路を構成する導体層を積層し、金属ベース基板とする。そして、この金属ベース基板について、所定の位置をエッチングレジストでマスクして導体層をエッチングした後、エッチングレジストを除去することにより、導体回路3を形成する。その後、絶縁層2及び導体回路3上にソルダーレジスト組成物を塗布した後、熱及び紫外線で硬化させて、ソルダーレジスト層4を形成し、金属ベース回路基板とする。以上詳述したように、本実施形態の金属ベース回路基板10においては、ソルダーレジスト層4を、特定のエポキシ樹脂を主成分とし、特定のエポキシ樹脂硬化剤を使用したソルダーレジスト組成物で形成しているため、白色顔料を高充填しても、可とう性が維持される。これにより、ソルダーレジスト層の反射率を高めつつ、LED等の光半導体素子の実装工程において、基板に反りや捻れが起きても、ソルダーレジスト層にクラックが発生しにくい金属ベース回路基板を実現することができる。以下、本発明の実施例及び比較例を挙げて、本発明の効果について具体的に説明する。本実施例においては、配合を変えて実施例1~9及び比較例1,2のソルダーレジスト組成物を調製し、その特性を評価した。実施例及び比較例の各ソルダーレジスト組成物の組成を下記表1に示す。上記表1に示す各ソルダーレジスト組成物には、以下の材料を使用した。エポキシ樹脂A1:水素添加ビスフェノールA型エポキシ樹脂三菱化学社製YX8034、エポキシ当量=270g/eqA2:ビスフェノールF型エポキシ樹脂三菱化学社製JER4010P、エポキシ当量=4400g/eqA3:主鎖がシロキサン骨格とビスフェノールA骨格を含むエポキシ樹脂Nanoresins社製Albiflex348、エポキシ当量=1150g/eqA4:主鎖がヘキサメチレングリコール骨格とグリセリン骨格とビスフェノールA骨格を含みかつエポキシ基が末端に導入されたエポキシ樹脂DIC社製EXA4816、エポキシ当量=403g/eqA5:ポリテトラメチレングリコール型エポキシ樹脂阪本薬品工業社製SR-PTMG、エポキシ当量=413g/eqA6:ビスフェノールA型エポキシ樹脂三菱化学社製JER828、エポキシ当量=190g/eqエポキシ樹脂硬化剤B1:1分子中にアミノ基を2個有する硬化剤三井化学ファイン社製ジェファーミンD-400B2:1分子中にカルボキシル基を2個有する硬化剤新日本理化社製HF08B3:1分子中に水酸基を1個以上有する硬化剤明和化成社製フェノールノボラック樹脂HF-1M感光性プレポリマーC:1分子中に不飽和2重結合、カルボキシル基及び水酸基を1個ずつ含む感光性プレポリマーダイセルサイテック社製ACA200M感光性モノマーD:1分子中に不飽和2重結合を6個含む感光性モノマー共栄社化学社製ライトアクリレートDPE-6A白色顔料E1:二酸化チタン石原産業社製CR-90E2:硫酸バリウム堺化学工業社製B-30E3:二酸化珪素龍森社製A-1E4:酸化ジルコニア第一希元素化学工業社製EPE5:酸化マグネシウム堺化学工業社製SMOE6:酸化アルミニウムアドマテックス社製AO-802E7:窒化アルミニウムトクヤマ社製Hグレード光重合開始剤F:アシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤チバジャパン社製DAROCURETPO希釈剤G:1-メトキシ-2-プロパノールダイセル化学工業社製MMPG上記表1に示す実施例1~9及び比較例1,2のソルダーレジスト組成物の評価は、以下に示す方法で行った。<引張り弾性率及び破壊伸び>引張り弾性率及び破壊伸びの評価は、実施例及び比較例の各ソルダーレジスト組成物を、PETpolyethyleneterephthalateフィルム上に塗布し、これを熱及び紫外線により硬化させた後、PETフィルムを剥離して得た試料を用いて行った。その際、各試料の厚さは100μmとした。また、測定は、島津製作所製島津オートグラフAG-5kNXを使用して、JISK7161に規定される方法で行った。<クラック発生性>クラック発生性の評価では、実施例及び比較例の各ソルダーレジスト組成物を使用して、図1に示す金属ベース回路基板10を作製し、これを評価用試料とした。そして、各金属ベース回路基板について、折り曲げ試験を行い、クラック発生の有無を確認した。[金属ベース回路基板の作製方法]厚さ200μmのアルミニウム箔を金属箔1として使用し、その上に、絶縁層2を形成するエポキシ樹脂組成物を、硬化後の厚さが100μmになるように塗布した。その際、エポキシ樹脂組成物は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂DIC株式会社製EPICLON-840に、硬化剤としてアミン系硬化剤であるジアミノジフェニルメタン日本合成化工社製H84Bを加え、更に、平均粒子径が1.2μmの破砕状粗粒子の酸化珪素龍森社製A-1及び平均粒子径が10μmの破砕状粗粒子の酸化珪素林化成社製SQ-10を、絶縁層2中に合計で50体積含有されるように配合したものを使用した。なお、球状粗粒子と球状微粒子とは、質量比で、6:4となるようにした。次に、エポキシ樹脂組成物からなる層の上に、厚さ35μmの銅箔を積層した後、加熱して、エポキシ樹脂組成物を熱硬化させて絶縁層2を形成し、金属ベース基板を得た。その後、金属ベース基板の所定位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエッチングした後、エッチングレジストを除去して導体回路3を形成した。次に、上記表1に示す配合の液状のソルダーレジスト組成物を、絶縁層2及び導体回路3上に塗布した後、熱及び紫外線で硬化させて、ソルダーレジスト層4を形成し、実施例1~9及び比較例1,2の金属ベース回路基板を得た。[折り曲げ試験]折り曲げ試験は、BYK-Gardner製円筒型マンドレルを用いて、曲率半径を05~20mmとして行った。そして、この折り曲げ試験により、ソルダーレジスト層4にクラックが発生したものを×、クラックの発生がなかったものを○とした。以上の結果を、下記表2にまとめて示す。上記表2に示すように、エポキシ当量が200g/eq未満のビスフェノールA型エポキシ樹脂を主成分とする比較例1のソルダーレジスト組成物は、引っ張り弾性率が9500MPaと高く、破壊伸びが0.41と低く、曲げ試験でもクラックが発生した。また、分子中に1以上のアミノ基を有する硬化剤及び分子中に1以上のカルボキシル基を有する硬化剤以外の硬化剤を使用した比較例2のソルダーレジスト組成物は、引っ張り弾性率が8300MPaと高く、破壊伸びが0.45と低く、曲げ試験でクラックが発生してしまった。これに対して、実施例1~9のソルダーレジスト組成物は、引張り弾性率が22.1~31.1MPaと低く、かつ11.8~17.2と高かった。更に、折り曲げ試験でも、いずれもクラックが発生せず、良好な結果であった。以上の結果から、本発明によれば、白色顔料を高充填しても可とう性が維持され、曲率半径05~20mmでの折り曲げ試験を行っても、ソルダーレジスト層4にクラックが発生しない金属ベース回路基板が得られることが確認された。"