"インバータブリッジを構成する複数のスイッチ手段と、前記複数のスイッチ手段をスイッチングさせる制御手段とを備えたインバータ装置であって、前記複数のスイッチ手段の各々は、互いに並列に接続された複数のスイッチング素子を含んでおり、前記制御手段は、前記複数のスイッチ手段の各々のスイッチングを、前記複数のスイッチング素子を順次繰り返しオンオフさせることにより行うインバータ装置。前記複数のスイッチ手段は、第1、第2、第3および第4のスイッチ手段により構成されており、前記制御手段は、前記第1および第2のスイッチ手段がオンしており、前記第3および第4のスイッチ手段がオフしている期間と、前記第1および第2のスイッチ手段がオフしており、前記第3および第4のスイッチ手段がオンしている期間とを交互に作り出すよう、前記第1から第4のスイッチ手段を制御する請求項1に記載のインバータ装置。前記インバータブリッジに接続されるトランスをさらに備えた請求項1または請求項2に記載のインバータ装置。前記複数のスイッチング素子は、それぞれ、IGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはGTOゲートターンオフサイリスタである請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のインバータ装置。前記インバータブリッジの実質的なスイッチング周波数は、50kHz以上、100kHz以下である請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のインバータ装置。前記インバータブリッジに流れる電流は、30A以上、300A以下である請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のインバータ装置。請求項1から請求項6に記載のインバータ装置を備えた画像診断装置。ところで、FETなどのスイッチング素子は、スイッチング特性がよいため、高速なスイッチング動作が可能であり、例えば数百kHz程度で動作させることができるが、流せる電流量が少ない。一方、IGBTやGTOなどのスイッチング素子は、流せる電流量は大きいが、スイッチング特性があまりよくないため、高速なスイッチング動作が困難であり、例えば20kHz程度で動作させることが多い。そのため、特に大電力を供給するインバータ装置では、インバータブリッジを構成するスイッチング素子として、IGBTのような大電流を流せる素子を使う必要がある。しかしながら、この場合には、スイッチング素子のスイッチング特性がよくないため、スイッチング周波数を高めることができず、上記のような利点を得ること、すなわち、高周波トランスやフィルタ回路の小型化などを実現させることが難しい。このような事情により、スイッチング特性がよくないスイッチング素子を用いてもインバータブリッジのスイッチング周波数を高くすることができる技術が望まれている。第1の観点の発明は、インバータブリッジを構成する複数のスイッチ手段と、前記複数のスイッチ手段をスイッチングさせる制御手段とを備えたインバータ装置であって、前記複数のスイッチ手段の各々は、互いに並列に接続された複数のスイッチング素子を含んでおり、前記制御手段が、前記複数のスイッチ手段の各々のスイッチングを、前記複数のスイッチング素子を順次繰り返しオンオフonoffさせることにより行うインバータ装置を提供する。第2の観点の発明は、前記複数のスイッチ手段が、第1、第2、第3および第4のスイッチ手段により構成されており、前記制御手段が、前記第1および第2のスイッチ手段がオンしており、前記第3および第4のスイッチ手段がオフしている期間と、前記第1および第2のスイッチ手段がオフしており、前記第3および第4のスイッチ手段がオンしている期間とを交互に作り出すよう、前記第1から第4のスイッチ手段を制御する上記第1の観点のインバータ装置を提供する。第3の観点の発明は、前記インバータブリッジに接続されるトランスをさらに備えた上記第1の観点または第2の観点のインバータ装置を提供する。第4の観点の発明は、前記複数のスイッチング素子が、それぞれ、IGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはGTOゲートターンオフサイリスタである上記第1の観点から第3の観点のいずれか一つの観点のインバータ装置を提供する。第5の観点の発明は、前記インバータブリッジの実質的なスイッチング周波数が、50kHz以上、100kHz以下である上記第1の観点から第4の観点のいずれか一つの観点のインバータ装置を提供する。第6の観点の発明は、前記インバータブリッジに流れる電流が、30A以上、300A以下である上記第1の観点から第5の観点のいずれか一つの観点のインバータ装置を提供する。第7の観点の発明は、上記第1の観点から第6の観点のインバータ装置を備えた画像診断装置を提供する。上記観点の発明によれば、インバータブリッジを構成する各スイッチ手段を、複数のスイッチング素子の並列接続とし、各スイッチング素子を順次切り替えてオンオフさせるので、それぞれのスイッチング素子のスイッチング周波数より高い周波数でインバータブリッジをスイッチングさせることができ、スイッチング特性がよくないスイッチング素子を用いてもインバータブリッジのスイッチング周波数を高くすることができる。以下、発明の実施形態について説明する。なお、これにより発明が限定されるものではない。図1は、本実施形態に係るインバータ装置の構成を概略的に示す図である。インバータ装置100は、整流回路1と、インバータブリッジ2と、高周波トランス3と、AC/DC変換回路4と、平滑コンデンサ5と、制御回路6とを備えている。なお、インバータブリッジ2に、直流電圧が直接入力される場合には、整流回路1は不要である。また、高周波トランス3、AC/DC変換回路4、および平滑コンデンサ5は、インバータブリッジ2の後段に接続する回路の一例であり、これに限定されない。整流回路1は、交流電源10の交流電圧を整流して直流電圧に変換する。整流回路1は、例えば、ダイオードブリッジdiodebridgeなどにより構成されている。なお、交流電源10は、例えば、単相100Vや三相200Vなどを想定できる。インバータブリッジ2は、整流回路1と接続されており、直流電圧の供給を受ける。インバータブリッジ2は、第1のスイッチ回路S1、第2のスイッチ回路S2、第3のスイッチ回路S3、および第4のスイッチ回路S4により構成されている。第1のスイッチ回路S1は、互いに並列に接続された3つのスイッチング素子Q11,Q12,Q13により構成されている。同様に、第2のスイッチ回路S2は、スイッチング素子Q21,Q22,Q23により構成されており、第3のスイッチ回路S3は、スイッチング素子Q31,Q32,Q33により構成されており、第4のスイッチ回路S4は、スイッチング素子Q41,Q42,Q43により構成されている。各スイッチング素子は、本例では、大電力タイプのIGBTであるが、大電力タイプのGTOであってもよい。なお、インバータブリッジ2に流れる電流は、例えば、30A~300A程度を想定できる。高周波トランス3は、その一次側において、インバータブリッジ2と接続されており、その二次側において、AC/DC変換回路4と接続されている。AC/DC変換回路4は、高周波トランス3の二次側に発生する交流電圧交流電流を直流に変換する。AC/DC変換回路4は、例えば、ダイオードブリッジや、コッククロフトcockcroft回路などにより構成されている。平滑化コンデンサ5は、AC/DC変換回路4の出力段と接続されており、AC/DC変換回路4からのリップルrippleの乗った直流電圧を平滑化する。制御回路6は、第1のスイッチ回路S1および第2のスイッチ回路S2がオンしており、第3のスイッチ回路S3および第4のスイッチ回路S4がオフしている期間と、第1のスイッチ回路S1および第2のスイッチ回路S2がオフしており、第3のスイッチ回路S3および第4のスイッチ回路S4がオンしている期間とが交互に作り出されるように、これらスイッチ回路のオンオフを制御する。また、制御回路6は、これらの期間の時間幅を調整するPWMPulseWaveModulation制御を行うことにより、インバータ装置100の出力電圧を制御する。図2に、制御回路6による各スイッチング素子のオンオフ制御のタイムチャートを示す。制御回路6は、図2に示すように、各スイッチ回路S1~S4のオンオフの繰り返し制御を、そのスイッチ回路に含まれる複数のスイッチング素子の各々を順次繰り返しオンオフさせることにより行う。本例の場合、スイッチング素子Q11,Q21をオンオフした後、スイッチング素子Q31,Q41をオンオフする。次いで、スイッチング素子Q12,Q22をオンオフした後、スイッチング素子Q32,Q42をオンオフする。次いで、スイッチング素子Q13,Q23をオンオフした後、スイッチング素子Q33,Q43をオンオフする。そして、元に戻り、スイッチング素子Q11,Q21をオンオフし、スイッチング素子Q31,Q41をオンオフする。このようなオンオフ制御を繰り返すことにより、各スイッチング素子を周波数fでスイッチングした場合、インバータブリッジ2のスイッチ回路S1~S4によるスイッチング周波数を、その3倍の3fとすることができる。つまり、単純計算では、1つのスイッチ回路に含まれる、並列接続したスイッチング素子の個数をN個とし、スイッチング素子のスイッチング周波数をfとしたとき、インバータブリッジの実質的なスイッチング周波数は、Nf倍にすることができる。なお、インバータブリッジ2の実質的なスイッチング周波数、すなわちPWMの変調周波数は、例えば、50kHz~100kHz程度を想定できる。このように、本実施形態によれば、インバータブリッジを構成する各スイッチ手段を、複数のスイッチング素子の並列接続とし、各スイッチング素子を順次切り替えてオンオフさせるので、それぞれのスイッチング素子のスイッチング周波数より高い周波数でインバータブリッジをスイッチングさせることができ、スイッチング特性がよくないスイッチング素子を用いてもインバータブリッジのスイッチング周波数を高くすることができる。その結果、高周波トランス、平滑コンデンサなどのフィルタの小型化が可能になり、コスト削減、省スペース化を実現できる。また、スイッチング周波数を人間の可聴周波数より高くすることで、騒音を小さくすることもできる。さらに、本実施形態によれば、スイッチング素子のスイッチング周波数を、インバータブリッジのスイッチング周波数より低くできるので、スイッチング素子の発熱による劣化を抑え、寿命を長くすることができる。なお、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されず、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。例えば、スイッチング素子は、IGBTやGTOの他、FET、バイポーラトランジスタbipolartransistor等であってもよい。また例えば、各スイッチ回路が備えるスイッチング素子の数は、必ずしも統一されている必要はない。また例えば、発明のインバータ装置は、大電力タイプのスイッチング素子を用いる場合に効果が高いので、大電力を必要とする装置、例えば、電磁石を備えたMRMagneticResonance装置や、X線管を備えたX線CTComputedTomography装置などの画像診断装置に適用することも考えられる。"