"測定対象物が形成された基板を撮像部で測定して前記基板の平面方程式を生成し、前記測定された基板に形成された測定対象物の領域を求め、前記測定対象物の領域を前記測定対象物の高さを考慮して前記平面方程式による基板面に変換し、前記平面方程式による基板面に変換された測定対象物の領域と基準データによる測定対象物の領域とに基づいて前記測定対象物を検査すること、を含む基板検査方法。前記平面方程式を生成することは、前記基板に形成された認識マークの間の距離を測定して前記平面方程式を生成することを含む請求項1に記載の基板検査方法。前記平面方程式を生成することは、レーザーを用いて前記基板を測定して前記平面方程式を生成することを含む請求項1に記載の基板検査方法。前記平面方程式を生成することは、モアレ測定方式で前記基板を測定して前記平面方程式を生成することを含む請求項1に記載の基板検査方法。前記測定対象物の領域を求めることは、前記測定対象物の4辺のうち互いに向き合う2辺が平行を保持するように前記測定対象物の4辺に対応する4個の直線を求めることを含む請求項1に記載の基板検査方法。前記測定対象物の領域を前記測定対象物の高さを考慮して前記平面方程式による基板面に変換することは、前記撮像部のイメージ平面と前記平面方程式による基板面とを繋ぐ直線上の一つの点から前記基板面上の一つの点との垂直距離が前記測定対象物の高さに対応する前記測定対象物の領域の少なくとも一つの地点に対する前記基板面上の一つの点を求めることにより、前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換することを特徴とする請求項1に記載の基板検査方法。前記基準データによる基板面の認識マークを連結する線の中心と前記平面方程式による基板面の認識マークを連結する線の中心とを一致させ、前記基準データによる基板面の認識マークを連結する線と前記平面方程式による基板面の認識マークを連結する線とを一致させること、をさらに含む請求項1に記載の基板検査方法。前記測定対象物の検査は、前記基準データによる測定対象物のセンターと前記平面方程式による測定対象物のセンターと間のX軸方向のオフセットに該当する第1オフセットと、前記基準データによる測定対象物のセンターと前記平面方程式による測定対象物のセンターと間のY軸方向のオフセットに該当する第2オフセットと、前記基準データによる測定対象物に対する前記平面方程式による測定対象物の傾斜角度に該当する第3オフセットと、前記基準データによる測定対象物の4つのコーナーと前記平面方程式による測定対象物の4つのコーナーと間の離隔距離に該当する第4オフセットと、のうち少なくとも一つを検査することを特徴とする請求項1に記載の基板検査方法。テレセントリックレンズを備えた撮像部を使用して前記基板を測定することを特徴とする請求項1に記載の基板検査方法。前記測定対象物が形成された基板を測定する前に高さ測定の基準となる基準面を補正することをさらに含む請求項1に記載の基板検査方法。測定対象物が形成された基板を測定して前記基板の平面方程式を生成し、前記基板に形成された測定対象物の領域を求め、前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換し、前記平面方程式による基板面と基準データによる基板面とをマッチングさせ、前記基準データによる測定対象物の領域と前記平面方程式による基板面に変換された測定対象物の領域とに基づいて前記測定対象物を検査すること、を含む基板検査方法。測定対象物が形成された基板全体を少なくとも2つの測定領域に区分して、撮像部でそれぞれの測定領域を測定することにより、各測定領域での前記基板の平面方程式を生成し、各測定領域において測定された測定対象物の領域を求め、各測定領域で求めた前記測定対象物の領域を各測定領域での前記平面方程式による基板面に変換し、複数の測定領域で求めた前記平面方程式による基板面を互いに同一の平面にマッチングさせ、前記同一平面にマッチングされた基板面による測定対象物の領域と基準データによる測定対象物の領域とに基づいて前記測定対象物を検査すること、を含む基板の基板検査方法。前記複数の測定領域で求めた前記平面方程式による複数の基板面を互いに同一の平面にマッチングさせることは、前記各測定領域の共通領域及び前記測定対象物の領域の少なくとも一つに基づいて前記基板面をマッチングさせることを含む請求項12に記載の基板検査方法。前記各測定領域で求めた前記測定対象物の領域を各測定領域での前記平面方程式による基準面に変換することは、前記測定対象物の高さを考慮して前記各測定領域で求めた前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換することを含む請求項12に記載の基板検査方法。従って、本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発明は、測定対象物が形成された基板の姿勢に準じて測定データの歪曲を補償して測定データの信頼性を向上させることのできる基板検査方法を提供する。本発明の一実施形態による基板検査方法は、測定対象物が形成された基板を撮像部で測定して前記基板の平面方程式planeequationを生成し、前記測定された基板に形成された測定対象物の領域を求め、前記測定対象物の領域を前記測定対象物の高さを考慮して前記平面方程式による基板面に変換し、前記平面方程式による基板面に変換された測定対象物の領域と基準データによる測定対象物の領域とに基づいて前記測定対象物を検査すること、を含む。一例として、前記平面方程式を生成することは、前記基板に形成された認識マーク間の距離を測定して前記平面方程式を生成してもよい。一例として、前記平面方程式を生成することは、レーザーを用いて前記基板を測定して前記平面方程式を生成してもよい。一例として、前記平面方程式を生成することは、モアレ測定方式を用いて前記基板を測定して前記平面方程式を生成してもよい。前記測定対象物の領域を求めることは、前記測定対象物の4辺のうち互いに向き合う2辺が平行を保持するように前記測定対象物の4辺に対応する4個の直線を求めることを含んでいてもよい。前記測定対象物の高さを考慮して前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換することは、前記撮像部のイメージ平面と前記平面方程式による基板面とを繋ぐ直線上の一つの点から前記基板面上の一つの点との垂直距離が前記測定対象物の高さに対応する前記測定対象物の領域の少なくとも一つの地点に対する前記基板面上の一つの点を求めることにより、前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換してもよい。前記基板検査方法は、前記基準データによる基板面の認識マークを連結する線の中心と前記平面方程式による基板面の認識マークを連結する線の中心とを一致させ、前記基準データによる基板面の認識マークを連結する線と前記平面方程式による基板面の認識マークを連結する線とを一致させること、をさらに含んでいてもよい。前記測定対象物の検査は、前記基準データによる測定対象物のセンターcenterと前記平面方程式による測定対象物のセンターと間のX軸方向のオフセットに該当する第1オフセットと、前記基準データによる測定対象物のセンターと前記平面方程式による測定対象物のセンターと間のY軸方向のオフセットに該当する第2オフセットと、前記基準データによる測定対象物に対する前記平面方程式による測定対象物の傾斜角度に該当する第3オフセット、及び前記基準データによる測定対象物の4つのコーナーcornerと前記平面方程式による測定対象物の4つのコーナーcornerと間の離隔距離に該当する第4オフセットのうち少なくとも一つを測定してもよい。前記基板を測定することにおいて、テレセントリックレンズを備えた撮像部を使用して前記基板を測定する。前記測定対象物が形成された基板を測定する前に、高さ測定の基準となる基準面を補正することをさらに含んでもよい。本発明の他の実施形態による基板検査方法は、測定対象物が形成された基板を測定して前記基板の平面方程式を生成し、前記基板に形成された測定対象物の領域を求め、前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換し、前記平面方程式による基板面と基準データによる基板面とをマッチングさせ、前記基準データによる測定対象物の領域と前記平面方程式による基板面に変換された測定対象物の領域とに基づいて前記測定対象物を検査すること、を含む。本発明のさらに他の実施形態による基板検査方法は、測定対象物が形成された基板全体を2つ以上の測定領域に区分して、撮像部でそれぞれの測定領域を測定することにより、各測定領域での前記基板の平面方程式を生成し、各測定領域において測定された測定対象物の領域を求め、各測定領域で求めた前記測定対象物の領域を各測定領域での前記平面方程式による基板面に変換し、複数の測定領域で求めた前記平面方程式による複数の基板面を互いに同一の平面にマッチングさせ、前記同一平面にマッチングされた基板面による測定対象物の領域と基準データによる測定対象物の領域とに基づいて前記測定対象物を検査すること、を含む。前記複数の測定領域で求めた前記平面方程式による複数の基板面を互いに同一の平面にマッチングさせることは、前記各測定領域の共通領域及び前記測定対象物の領域の少なくとも一つに基づいて前記基板面をマッチングさせることを含んでもよい。前記各測定領域で求めた前記測定対象物の領域を各測定領域での前記平面方程式による基準面に変換することは、前記測定対象物の高さを考慮して前記各測定領域で求めた前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換してもよい。このような基板検査方法によると、測定対象物が形成された基板の傾いた姿勢に準じて測定対象物のオフセット値を求め、オフセット値を用いて測定データの歪曲を補償することで、測定対象物の測定の信頼性を向上させることができる。また、測定対象物のコーナー及びセンターの座標を求めるとき、測定対象物の4辺に対応する4個の直線のうち互いに向き合う2個の直線が互いに平行になるように保持されることで、測定対象物のコーナー及びセンターの座標をより精密に求めることができる。また、測定対象物の高さを考慮して測定対象物の領域を測定データによる基板面に補正するとき、測定データによる基板面を基準データによる基板面とマッチングさせることで、より精密な測定対象物のオフセット値を求めることができる。また、テレセントリックレンズの使用によって基板の傾いた姿勢を推定することができない場合、基板の傾いた姿勢を測定し、傾いた姿勢に準じて測定データの歪曲を補償することで、測定データの信頼度を向上させることができる。また、撮像部の視野範囲FOV内に基板の全体領域が撮影されない大型基板の場合、大型基板を複数の測定領域に分割して、各測定領域を測定し、それぞれの測定領域で測定された基板面を測定対象物のコーナーを基準とした一つの基板面にマッチングさせることで、大型基板に準じて測定対象物のオフセット値を正確に求めることができる。本発明は多様な変更を加えることができ、多様な形態を有することできる。ここでは、特定の実施形態を図面に例示し本文に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むこととして理解されるべきである。第1、第2などの用語は多用な構成要素を説明するのに使用されることがあるが、前記構成要素は前記用語によって限定解釈されない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみとして使用される。例えば、本発明の権利範囲を外れることなく第1構成要素を第2構成要素ということができ、類似に第2構成要素も第1構成要素ということができる。本出願において使用した用語は単なる特定の実施形態を説明するために使用されたもので、本発明を限定しようとする意図はない。単数の表現は文脈上明白に示さない限り、複数の表現を含む。本出願において、含むまたは有するなどの用語は明細書に記載された特徴、数字、ステップ、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを意味し、一つ以上の他の特徴や数字、ステップ、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないこととして理解されるべきである。特別に定義しない限り、技術的、科学的用語を含んでここで使用される全ての用語は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味を有する。一般的に使用される辞書に定義されている用語と同じ用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味を有すると解釈されるべきであり、本出願で明白に定義しない限り、過度又は理想的な意味に解釈されない。以下、図面を参照して本発明の一実施形態をより詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態による基板検査装置を示す概略図である。図1を参照すると、本発明の一実施形態による基板検査装置100は、測定対象物112が形成された基板110を支持及び移送させるためのステージ160、基板110にパターン光を照射するための一つ以上の投影部120、基板110に光を照射するための照明部130、基板110の画像を撮影するための撮像部140及び撮像部140の下部に配置されて、入射される光の一部を反射して残りの一部を透過させるビームスプリッター150を含む。投影部120は、基板110に形成された測定対象物110の3次元形状を測定するためにパターン光を基板110に照射する。例えば、投影部120は、光を照射する光源122、光源122からの光をパターン光に変換する格子素子124を含む。また、投影部120は、格子素子124をピッチ移送pitchtransferさせ格子移送デバイス図示せず及び格子素子124によって変換されたパターン光を測定対象物112に投影する投影レンズ図示せずなどを含んでいてもよい。格子素子124は、パターン光の位相遷移のためにピエゾアクチュエーターpiezoactuator:PZTなどの格子移送デバイスによって2πNずつ移送されてもよく、ここで、Nは2以上の自然数である。このような構成を有する投影部120は、検査精密度を高めるために撮像部140を中心に円周方向に沿って一定の角度で離隔されるように複数個が設置されてもよい。例えば、4個の投影部120が撮像部140を中心に円周方向に沿って90°角度で離隔されて設置されてもよい。複数の投影部120は、基板110に対して一定の角度で傾いて設置され、複数の方向から基板110にパターン光を照射する。照明部130は、ビームスプリッター150に光を照射するように撮像部140と基板110との間に設置される。照明部130は、測定対象物112が形成された基板110の平面イメージを撮影するためにビームスプリッター150を通じて基板110に光を照射する。例えば、照明部130は、光を照射する少なくとも一つの光源132を含んでいてもよい。撮像部140は、投影部120によって提供されたパターン光を通じて基板110のパターン画像を撮影し、照明部130から提供された光を通じて基板150の平面画像を撮影する。例えば、撮像部140は、基板150から垂直した上部に設置される。撮像部140は、画像撮影のためのカメラ142及び撮像部140に入射される光をカメラ142に結像させるための結像レンズ144を含んでいてもよい。カメラ142は、CCDカメラまたはCMOSカメラを含んでもよい。結像レンズ144は、例えば、光軸と平行である光のみ通過させて、Z軸によるイメージ歪曲を最小化するためのテレセントリックレンズを含んでいてもよい。ビームスプリッター150は、撮像部140と基板110との間に設置される。ビームスプリッター150は、入射される光の一部を反射し、残りの一部を透過させる特性を有する。従って、照明部130から出射された光は、ビームスプリッター150によって一部は基板110に反射され残り一部は透過される。また、基板110から反射された光の一部はビームスプリッター150を透過して撮像部140に入射され、残りの一部はビームスプリッター150によって反射される。このように、ビームスプリッター150を用いて散乱された光を測定対象物112に照射し、測定対象物112から反射された光が再度ビームスプリッター150を通じて撮像部140に入射されるように同軸照明方式coaxiallightningsystemを用いることで、表面反射特性の高い測定対象物112や周辺によって測定対象物112に影が発生する場合において、測定信頼度を高めることができる。前記の構成を有する基板検査装置100を用いて基板110に形成された測定対象物112を測定することは、撮像部140に具備される結像レンズ144としてテレセントリックレンズを使用する場合、基板110の傾いた姿勢を推定することができないため、ステージ160にセッティングされた基板110の傾いた姿勢によって測定データに歪曲が発生することがある。従って、測定対象物112の正確な測定データを得るためには、基板110の傾いた姿勢による測定データの歪曲を補償する必要がある。以下、基板のセッティング姿勢の傾きに準じて測定対象物の歪曲を補償する方法について具体的に説明する。図2は本発明の一実施形態による測定対象物の歪曲を補償する方法を示すフローチャートであり、図3は測定対象物が形成された基板を示す平面図である。図2及び図3を参照すると、測定対象物112の傾いた姿勢に準じた歪曲を補償するために、まず、測定対象物112が形成された基板110を撮像部140を通じて測定して基板110の平面方程式を生成するS100。基板110の平面方程式は、基板110の任意の3点の位置を測定して求めることができる。例えば、基板110に形成された複数の認識マーク114の位置を測定して、基板110に対する平面方程式を生成することができる。即ち、基板110の4つのコーナー部分には認識マーク114が形成されており、4個の認識マーク114のうち、少なくとも3個の認識マーク114に対する測定データを用いて平面方程式を生成することができる。図4は平面方程式による基板面を示す図面である。図1及び図4を参照すると、少なくとも3個の認識マーク114を用いて平面方程式を生成するためには、認識マーク114のX、Y、Z座標が要求される。認識マーク114のX、Y座標は、照明部130からの光を通じて撮像部140で撮影された測定イメージを用いて容易に求めてもよい。一方、認識マーク114のZ座標は、X、Y座標の測定とは異なる方法で求めてもよい。一例として、認識マーク114のZ座標は、認識マーク114間の距離を測定して求めてもよい。即ち、測定された認識マーク114間の距離と基準データ例えば、キャドデータによって予め知っている認識マーク114間の距離とを比較して傾いた角度を算出することで、認識マーク114の高さZ1、Z2、Z3値を求めることができる。他の例として、認識マーク114のZ座標は、レーザー図示せずを用いて、求めてもよい。即ち、別途のレーザー源を通じてそれぞれの認識マーク114にレーザーを照射し、認識マーク114から反射されるレーザーを測定することで、各認識マーク114の高さZ1、Z2、Z3値を求めることができる。さらに他の例として、認識マーク114のZ座標は、複数の投影部130を用いたモアレ測定方式で求めてもよい。即ち、複数の投影部130を通じたパターン光を照射して撮像部140を通じて得た複数のパターンイメージを用いて各認識マーク114の高さZ1、Z2、Z3値を求めることができる。このように求めた少なくとも3個以上の認識マーク114または平面上の任意の点のX,Y、Z座標を用いて平面方程式を生成し、前記平面方程式を使用してステージ160にセッティングされた基板110に対応する基板面110aを求めることで、基板110の傾いた姿勢を特定することができる。図1及び図2を参照すると、基板110の平面方程式を求めるのと別途に、基板110に形成された測定対象物112の領域を求めるS110。例えば、照明部130の光の照射により撮像部140で撮影したイメージを用いて測定対象物112のコーナーとセンターとの座標を求めることができる。図5は測定対象物の領域を求める方法を示すフローチャートであり、図6は測定対象物の領域を求める方法を示す概念図である。図5及び図6を参照すると、測定対象物112の領域を求めるために、まず、測定対象物112の4辺のうち互いに向き合う2辺が平行を保持するように測定対象物112の4辺に対応する4個の直線L1、L2、L3、L4を求めるS112。例えば、撮像部140で撮影されたイメージの明度intensity情報から得られる測定対象物112の4辺に対応するピクセルの分布図に基づいて各辺に対応する直線L1、L2、L3、L4を求める。この際、4個の直線L1、L2、L3、L4のうち互いに向き合う直線例えば、L1とL3、L2とL4は互いに平行を保持する条件を満たすように形成される。次に、4個の直線L1、L2、L3、L4のうち2個の直線の交点から測定対象物112のコーナーC1、C2、C3、C4の座標を求めるS114。例えば、第1直線L1と第2直線L2との交点から第1コーナーC1の座標を求め、第2直線L2と第3直線L3との交点から第2コーナーC2の座標を求め、第3直線L3と第4直線L4との交点から第3コーナーC3の座標を求め、第4直線L4と第1直線L1との交点から第4コーナーC4の座標を求める。次に、測定対象物112の4個のコーナーC1、C2、C3、C4を対角線で繋ぐ2個の直線L5,L6の交点から測定対象物112のセンターAの座標を求めるS116。即ち、互いに対角線方向に位置した第1コーナーC1及び第3コーナーC3を連結する第5直線L5と第2コーナーC2及び第4コーナーC4を連結する第6直線L6との交点から測定対象物112のセンターAの座標を求める。このように、測定対象物112のコーナーC1、C2、C3、C4とセンターAの座標とを求めて、測定対象物112の領域を求めることができる。一方、測定対象物112のセンターAを求める方法を用いて基板110のセンターも求めることができる。図2及び図6を参照すると、測定対象物112の測定をより求れた測定対象物112の領域を測定対象物112の高さを考慮して平面方程式による基板面110aに変換するS120。図7は測定対象物の領域を平面方程式による基板面に変換する過程を説明するための概念図である。図7を参照すると、測定対象物112の領域、即ち、測定対象物112のコーナー及びセンターの座標を求めた後、これを平面方程式による基板面110aに変換する。この際、実質的に検査の基準となる測定対象物112の領域は、基板110と接する測定対象物112の下面となるべきであるが、実際には、測定された測定対象物112の領域は、撮像部140から見て測定対象物112の上面となる。したがって、一定の高さを有する測定対象物112が傾いた場合、測定対象物112の高さによって上面と下面とで領域位置の偏差が発生する虞があるので、測定対象物112の高さを考慮して基板面110aに投影された測定対象物112の領域を補正する必要がある。基板面110aに投影された測定対象物112の領域を補正するために、測定対象物112の領域のうち任意の一点例えば、センター地点に対して基板面上の一点A3を求める。ここで、撮像部140のイメージ平面140aと平面方程式による基板面110aとを繋ぐ直線l上の一つの点A2から基板面110a上の一点A3までの垂直距離は、測定対象物112の高さkに対応する。直線l上の一点A2は測定対象物112の上面の一点を示し、基板面110a上の一点A3は測定対象物112の下面の一点を示す。このような一連の過程を測定対象物112のセンター及びコーナーに適用することにより、測定対象物112の領域を平面方程式による基板面110aに変換することができる。図8は平面方程式による基板面と基準データによる基板面とをマッチングさせる過程を説明するための概念図である。図2及び図8を参照すると、測定対象物112の領域を平面方程式による基板面110aに変換した後、平面方程式による基板面110aと基準データによる基板面110bとをマッチングさせてもよい。前記基準データは、基板110の基本情報を持っているキャドCADデータであってもよい。他にも、前記基準データとしては、印刷回路基板PCBの製造のための設計データまたは製造データ、ガーバーデータ、PCBデザインファイル、PCBデザインファイルから抽出された標準及び非標準形式の各種データ例えば、ODBやキャドデザインツールからの抽出ファイルが使用され、また、ベアボードbareboard或いは実装ボードから画像カメラを通じて取得したイメージファイルから求めた情報などが使用されてもよい。前記基準データには、基板110に形成されている測定対象物112、認識マーク114などの位置情報が入っている。平面方程式による基板面110aと基準データによる基板面110bとをマッチングさせるために、例えば、平面方程式による基板面110aに対する第1認識マーク114aと第2認識マーク114bとを連結する線の第1中心点E1と、基準データによる基板面110bに対する第1認識マーク114aと第2認識マーク114bとを連結する線の第2中心点E2とをそれぞれ求めた後、第1中心E1と第2中心E2とを一致させる。その後、基準データによる基板面110bの第1認識マーク114a及び第2認識マーク114bを連結する線と平面方程式による基板面110aの第1認識マーク114a及び第2認識マーク114bを連結する線とを一致させる。即ち、それぞれの基板面110a、110bに対して認識マークの中心E1、E2から認識マークを連結する直線に対応するベクトルV1、V2を作り、2つのベクトルV1、V2の端点を一致させることで、平面方程式による基板面110aと基準データによる基板面110bとをマッチングさせることができる。図9は測定対象物を検査する過程を説明するための概念図であえる。図2及び図9を参照すると、平面方程式による基板面110aと基準データによる基板面110bとをマッチングさせた後、基準データによる測定対象物112aの領域と平面方程式による基板面110aに変換された測定対象物112bの領域とに基づいて測定対象物112を検査するS130。基準データ上の測定対象物112aの座標と平面方程式上の測定対象物112bの座標との間のトランスフォームを計算し、平面方程式上の測定対象物112b、即ち、測定データ上の測定対象物112bのオフセット値を算出する。測定対象物112bのオフセット値は、基準データ上の測定対象物112aに比べて測定されたデータ上の測定対象物112の姿勢がどれだけ傾いているかを示す値であり、X軸方向のオフセットに対応する第1オフセットdX,Y軸方向のオフセットに対応する第2オフセットdY、傾いた角度に対応する第3オフセットθ及びコーナーの離隔距離に対応する第4オフセットWCCのうち少なくとも一つを含んでいてもよい。第1オフセットdXは、基準データによる測定対象物112aのセンターA1と平面方程式による測定対象物112bのセンターA2と間のX軸方向の距離差を意味する。第2オフセットdYは、基準データによる測定対象物112aのセンターA1と平面方程式による測定対象物112bのセンターA2と間のY軸方向の距離差を意味する。第3オフセットθは、基準データによる測定対象物112aに対して平面方程式による測定対象物112bの捩れた角度を意味する。第4オフセットWCCは、基準データによる測定対象物112aの4個のコーナーと平面方程式による測定対象物112bの4個のコーナーと間の離隔距離を意味する。例えば、図9において、4コーナー間の離隔距離であるWCC1、WCC2、WCC3、WCC4のうち離隔距離が最も大きいWCCが第4オフセットWCCとして算出されてもよい。このように、測定データの撮像部のイメージ平面に対する測定基板面の傾斜角度及び測定対象物の高さによる領域誤差を補正して、補正された測定データに基づいて測定対象物を検査することにより、測定データの信頼性及び精密度を高めることができる。一方、モアレ測定方式を用いた基板検査装置においては、装置内に記録されている基準面に基づいて測定対象物112の高さが測定される。しかし、相対的な基準面が撮像部140のイメージ平面に対して実質的に傾いている場合、測定データの歪曲が発生する虞があるため、測定対象物の高さを測定する前に、装置の実際の基準面を新しく設定する必要がある。即ち、撮像部のイメージ平面に対して平行である理想的な基準平面と測定された基準平面との相対的な誤差を求め、前記求めた誤差値を補償データに設定することができる。図10は本発明の一実施形態による基準面補正方法を示すフローチャートであり、図11は図10による基準面補正方法を説明するための概念図であり、図12は図10に示された第2試片を示す斜視図である。図1、図10、図11及び図12を参照すると、基準面の補正のために、基準位相測定のための基板第1試片を撮像部140の測定領域にセッティングし、前記基準位相測定のための基板の基準位相を測定するS300。例えば、前記基準位相測定のための基板の位相は、投影部120を用いて位相測定形状測定法PhaseMeaasurementProfilometry:PMPを通じて測定することができる。この後、撮像部140のイメージ平面に対する前記測定された基準位相の基準面の傾いた姿勢を取得するS310。前記測定された基準位相の傾いた姿勢を取得するために、姿勢情報測定のための基板第2試片を撮像部140の測定領域にセッティングして、前記姿勢情報測定のための基板を撮像部140を通じて測定して前記姿勢情報測定のための基板の基板面を取得する。一例として、前記姿勢情報測定のための基板としては、図8に示されたように傾いた姿勢を特定するために複数の認識マーク410を有する基板400を用いてもよい。姿勢情報測定のための基板400の基板面は、姿勢情報測定のための基板400に形成された認識マーク410間の距離を測定し、これを用いることにより姿勢情報測定のための基板400の傾いた姿勢を計算して把握することができる。例えば、認識マーク410のX,Y座標は、照明部130からの光照射を通じて撮像部140によって撮影された測定イメージから求め、認識マーク410のZ座標は、認識マーク410間の距離を測定して求めることができる。即ち、測定された認識マーク410間の距離と基準データ例えば、キャドデータによって予め分かっている認識マーク410間の距離とを比較して傾いた角度を算出することで、認識マーク410の相対的な高さを取得することができる。一方、姿勢情報測定のための基板400は、傾いた角度が正であるか負であるかを判断するために、中央部から一定の高さで突出された突出部420を含んでいてもよい。姿勢情報測定のための基板400の傾きが正であるか負であるかによって撮像部140で撮影される突出部420の形態が異なるため、突出部420の測定画像を用いて姿勢情報測定のための基板400の傾いた角度が正であるか負であるかを判断することができる。このように取得した姿勢情報測定のための基板400の傾いた姿勢を用いて平面方程式を生成し、前記平面方程式を用いて姿勢情報測定のための基板400の基板面を求めることで、イメージ平面に対する姿勢情報測定のための基板400の傾いた姿勢と理想的な基準面からの高さZ4を求めることができる。一方、理想的な基準面は、前記イメージ平面と平行である既設定の平面であり、例えば、前記測定された認識マーク410のうち一つの高さ値を用いてもよい。これとは異なり、姿勢情報測定のための基板400の基板面は、姿勢情報測定のための基板400の傾いた姿勢を示す平面方程式を用いて把握されてもよく、例えば、前記平面方程式は姿勢情報測定のための基板400の任意の3点の位置を測定して求めることができ、一例として、少なくとも3個の認識マーク410のZ座標をレーザー図示せずによって求めてもよい。このように求めた少なくとも3個の認識マーク410のX,Y、Z座標を用いて平面方程式を生成し、前記平面方程式を用いて姿勢情報測定のための基板400の基板面を求めて、イメージ平面と平行である理想的な基準面に対する姿勢情報測定のための基板400の傾いた姿勢と理想的な基準面からの高さZ4を取得することができる。その後、姿勢情報測定のための基板400の位相を測定して、前記基準位相に基づいてZ1、Z2を求める。姿勢情報測定のための基板400の位相は、投影部120を用いて位相測定形状測定法PMPで測定されてもよい。その後、姿勢情報測定のための基板400の基板面と姿勢情報測定のための基板400の高さとを比較して前記測定された基準位相の基準面の傾いた姿勢を求める。例えば、姿勢情報測定のための基板400の基板面の高さZ4を撮像部140のイメージ平面と平行である既設定された理想的な基準面から算出し、前記基板面の高さZ4と姿勢情報測定のための基板400とに基づいて、前記基準位相の基準面の傾いた姿勢を求めることができる。その後、前記基準位相の基準面の傾いた姿勢に基づいて、撮像部140に対する基準面の補正が必要な高さZ3を算出するS320。例えば、理想的な基準面からの姿勢情報測定のための基板400の基板面の高さZ4からPMP測定を通じて求めた姿勢情報測定のための基板400の高さZ2を差し引くことで、基準面の補正に必要な高さZ3を求めることができ、これにより実際の基準面に適応する補正基準面の姿勢が把握されてもよい。一例として、前記基準面の補正に必要な高さZ3は、複数の投影部それぞれに対して把握されてもよい。一方、前記基準位相測定のための基板第1試片と前記姿勢情報測定のための基板第2試片とは物理的にそれぞれ独立された別途の基板として形成されてもよいが、これとは異なり、前記基準位相測定のための機能と前記姿勢情報測定のための機能とが含まれた一つの基板で形成されてもよい。このように、測定対象物112の高さ測定の前に、測定対象物112の高さ測定の基準となる基準面を補正することにより、測定対象物の測定信頼度をさらに向上させることができる。一方、測定対象物112が実装された基板110の検査において、基板検査装置100内に設置された光学系自体が有する歪曲によって測定データの歪曲が発生することがある。従って、測定対象物112の測定の前に、基板検査装置100が有するシステム的な歪曲を補正することで、測定データに対する信頼性をより高めることができる。図13は図1に示された撮像部のキャリブレーション方法を示すフローチャートであり、図14はキャリブレーション基板を示す斜視図である。図1、図13、図14を参照すると、撮像部140のキャリブレーション方法は、キャリブレーション基板200に形成された複数のパターン210間の距離を測定し、前記キャリブレーション基板200の基準データにおける複数のパターン210の距離情報と前記測定された複数のパターン210の距離と基づいて撮像部140をキャリブレーションする。この際、キャリブレーション基板200が撮像部140のイメージ平面と平行でなく、傾く場合がある。従って、前記イメージ平面とキャリブレーション基板200の傾いた姿勢に起因する前記複数のパターン210の距離情報の誤差を補正する必要がある。キャリブレーション基板200の傾きに起因する誤差補正のために、カメラ142及び撮像レンズ144を含む撮像部140で複数のパターン210が形成されたキャリブレーション基板200を撮影してイメージを取得するS400。この際、前記撮像レンズ144は球面レンズを含んでいてもよく、例えば、前記球面レンズは、光軸と平行である光のみ通過させてZ軸によるイメージ歪曲を最小化させるためにテレセントリックレンズを含んでいてもよい。その後、撮像部140を用いて取得されたイメージから複数のパターン210間の距離情報を求めるS410。例えば、複数のパターン210のうち一つのパターン210aを基準として他のパターンとのX軸方向への離隔距離またはY軸方向への離隔距離を計算してパターン210間の距離情報を求める。一方、基板検査装置100は、撮像部140を用いて取得したイメージから複数のパターン210間の距離情報を求めるのとは別途に、キャリブレーション基板200の基準データ例えば、キャドデータを読み込むS420。前記基準データには、パターン210間の距離情報が含まれている。その後、撮像部140を用いて取得された複数のパターン210間の距離情報と対応する前記基準データにおいての複数のパターン210間の距離情報とを用いてキャリブレーション基板200の傾いた姿勢を示す姿勢情報を求めるS430。ここで、キャリブレーション基板200の傾いた姿勢は、撮像部140のイメージ平面に対する相対的な姿勢を意味する。例えば、撮像部140を用いて測定されたパターン210間の距離情報とキャリブレーション基板200の基準データ例えば、キャドデータを通じて事前に分かっているパターン210間の距離情報を比較することにより、キャリブレーション基板200の傾いた角度を算出することができる。一方、キャリブレーション基板200を複数の他の姿勢に対して少なくとも2回測定した後、前記測定された距離の平均値を使用して撮像部140をキャリブレーションしてもよい。即ち、キャリブレーション基板200の姿勢と位置を多様に変化させながら複数のパターン210間の距離情報を取得し、前記複数のパターン210間の距離情報と対応するキャリブレーション基板200の基準データとをそれぞれ比較して、前記比較結果の誤差が最少となる姿勢情報または前記比較結果の平均姿勢情報のうち少なくとも一つに基づいて、キャリブレーション基板200の基板面と撮像部140のイメージ平面との相対的に傾いた角度を算出してもよい。一方、キャリブレーション基板200の姿勢情報を求めることにおいて、撮像部140を用いて測定されたパターン210のうち少なくとも2つのパターンの大きさを比較することで、キャリブレーション基板200の傾きが正である負であるかを判断することができる。この際、対角線方向に比較的に離れている2個のパターン210の大きさを比較することが望ましい。その後、キャリブレーション基板200の前記姿勢情報と事前に分かっているキャリブレーション基板200の基準データとを用いて撮像部140をキャリブレーションするS440。例えば、撮像部140の特性を数式的に定義した撮像部行列方程式に前記姿勢情報及び基準データを代入することで、未知数に該当する撮像部140の焦点距離情報及びまたは倍率情報などのキャリブレーションデータをキャリブレーションすることができる。この際、前記キャリブレーションデータの精密度を高めるために、キャリブレーション基板200の少なくとも2つの姿勢を測定して取得したキャリブレーションデータの平均値を用いて撮像部140のキャリブレーションを行ってもよい。このように、キャリブレーション基板200の姿勢情報を考慮して撮像部140のキャリブレーションを実行し、これを測定対象物の測定に用いることで、測定の正確性を向上させることができる。図15は基板検査装置に具備された非球面レンズの補正方法を示すフローチャートである。図1及び図15を参照すると、本発明の一実施形態による基板検査装置100は、撮像部140内に具備された撮像レンズ例えば、テレセントリックレンズ144と、撮像部140下部に設置されたビームスプリッター150ビームスプリッターは非球面レンズの一種を含む光学系を用いて測定対象物の3次元形状を測定する。この際、前記光学系自体が有する非均一性に起因して撮像画像に歪曲が発生する場合がある。従って、前記光学系による歪曲を補償する必要がある。一方、前記光学系は球面レンズと非球面レンズとを含み、球面レンズによる誤差は一般的に規則的な歪曲を有し、非球面レンズは不規則な歪曲を有する。従って、前記光学系の誤差を補償するとき、球面レンズ及び非球面レンズの全体的な歪曲を補償してもよく、または、球面レンズと非球面レンズとの歪曲をそれぞれ補償してもよい。一実施形態による基板検査装置100において、撮像レンズ144は球面レンズを含むが、球面レンズ自体が有する非均一性によって撮像画像の歪曲が発生することがある。従って、測定対象物112の測定の前に、基板検査装置100に具備された光学系を補正して、球面レンズを含む撮像レンズ144の非均一性による歪曲を補償してもよい。このような球面レンズの補償方法は一般的に知られた公知の技術に該当するので、これに対する詳細な説明は省略する。一方、基板検査装置100に具備された光学系で非球面レンズに起因する歪曲を補償する必要がある。一実施形態として、前記非球面レンズは、ビームスプリッター150であってよい。ビームスプリッター150は、一実施形態として、プレート形状に形成され、両面にコーティング層が形成された構造を有する。このようなビームスプリッター150は、領域によって屈折率が異なり、撮像画像の歪曲を引き起こす。図16は非球面レンズによる歪曲を補償する方法を説明するための概念図である。図1、図15及び図16を参照すると、非球面レンズの非均一性による歪曲を補償するために、複数のパターン310が形成された基板300を撮像部140で撮影して基板300のイメージを取得するS500。この後、撮像部140を用いて撮影された基板300のイメージを複数のサブ領域320に区分し、それぞれのサブ領域320にそれぞれ異なる補償条件を適用して歪曲を補償するS510。例えば、基板300のイメージは格子形状のサブ領域320に区分される。それぞれのサブ領域320に適用される補償条件は、サブ領域320に含まれた複数のパターン310にそれぞれ対応するパターン別補償値を用いてサブ領域320に特化される。例えば、基板300の基準データ例えば、キャドデータにおけるパターン310の位置と撮影イメージのパターン310の位置とを比較して、各パターン310間の誤差値即ち、補償の必要な補償値を計算した後、各サブ領域320に含まれたパターン310のパターン別補償値の誤差が最少となる値、またはパターン別補償値の平均値を計算することにより、これを該当サブ領域320の補償条件に設定できる。一方、サブ領域320の形状を異なるようにし、複数回に渡って歪曲補償を実行した後、求めた複数の補償データに基づいて最適化されたサブ領域320の形成を決定してもよい。例えば、格子形状のサブ領域320の大きさを大きくまたは小さく変更しながらそれぞれ異なる大きさのサブ領域320に対して特化された補償条件を適用して、その結果に基づいて歪曲量が最も少ないサブ領域320の形状を選択することで、サブ領域320を最適化させることができる。また、サブ領域320の歪曲を補償することにおいて、図13及び図14を参照して説明した撮像部140のキャリブレーション過程で取得姿勢情報を活用することで、非球面レンズの歪曲補償をより正確に実行してもよい。このように、基板検査装置100内に具備された撮像部140及びビームスプリッター150などの光学系の非均一性による歪曲を実際の測定前に補償することで、測定対象物の測定信頼度を向上させることができる。一方、撮像部140の視野範囲Fieldofview:FOV内に全体領域が入らない大型基板の場合、前記方法とは別途に追加工程が必要である。図17は本発明の他の実施形態による基板検査方法を示すフローチャートであり、図18は大型基板に対するオフセット値を測定する過程を示す概念図である。図1、図17及び図18を参照すると、撮像部140で測定対象物112が形成された基板全体を撮影することのできない大型基板110の場合、基板110を少なくとも2個の測定領域に区分して、それぞれの測定領域を測定して各測定領域における基板110の平面方程式を生成するS200。例えば、基板110を第1測定領域R1及び第2測定領域R2に区分して各測定領域を測定した後、各測定領域に対応する平面方程式を生成する。この際、第1測定領域R1及び第2測定領域R2内には測定対象物112の全体領域が含まれていることが望ましい。一方、各測定領域R1、R2の平面方程式を生成する方法は、前述した図4を参照して説明した方法と同一であるのでこれに対する説明は省略する。このように生成した2つの平面方程式を用いて各測定領域R1、R2においての基板110の基板面110a、110bを求めることができる。その後、各測定領域R1、R2で測定対象物112の領域を求めるS210。測定対象物112の領域、即ち、コーナー及びセンターの座標を求める方法は、図5及び図6を参照して説明した方法と同一であるので、これに対する説明は省略する。その後、各測定領域R1、R2で求めた測定対象物112の領域、即ち、コーナー及びセンターの座標を各測定領域R1、R2に対する平面方程式による基板面110a、110bに変換するS220。測定対象物112の領域を基板面110a、110bに変換する方法は、前述した図7を参照して説明した方法と同一であるので、これに対する説明は省略する。その後、複数の測定領域で取得された平面方程式による基板面110a、110bを同一の平面にマッチングさせるS230。基板面110a、110bをマッチングさせることにおいて、各測定領域R1、R2の共通領域及び測定対象物112の領域のうち少なくとも一つを基準としてマッチングさせてもよい。例えば、第1領域R1で取得された基板面110a上の測定対象物112の4個のコーナーC1、C2、C3、C4の座標と第2領域R2で取得された基板面110b上の測定対象物112の4個のコーナーC5、C6、C7、C8の座標をマッチングさせて、一つの基板面を生成する。その後、同一の平面にマッチングされた基板面と基準データによる基板面とをマッチングさせてもよい。同一平面にマッチングされた基板面と基準データによる基板面とをマッチングさせる方法は前記図8を参照して説明した方法と同一であるので、これに対する説明は省略する。その後、同一平面にマッチングされた基板面による測定対象物112の領域と基準データによる測定対象物112の領域とに基づいて測定対象物112を検査するS240。測定対象物112を検査する方法は図9を参照して説明した方法と同一であるので、これに対する説明は省略する。このように、撮像部140で測定対象物が形成された基板全体を撮影することのできない大型基板の場合、基板を2個の測定領域に区分して測定した後、それぞれの測定領域で測定された基板面を測定対象物の領域にマッチングさせて一つの基板面を生成することで、大型基板上の測定対象物の検査を正確に実行することができる。以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。"