第1電極層と半導体層と第2電極層とが積層されて構成されている太陽電池であって、前記第1電極層は、前記半導体層の光照射面側に配置されており、前記第1電極層及び前記半導体層は、ショットキー接合界面を介して接合するように構成されており、前記第2電極層は、前記半導体層の光照射面の反対側に配置されており、前記第2電極層及び前記半導体層は、オーミック接触を介して接合するように構成されており、前記第1電極層は、可視光吸収材料を含むことを特徴とする太陽電池。前記可視光吸収材料は、ケイ素微粒子であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記ケイ素微粒子に対して終端処理が施されていることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池。前記第1電極層は、導電性高分子によって構成されていることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。太陽電池の製造方法であって、半導体層の光照射面側に、可視光吸収材料を含む第1導電性高分子を塗布する工程と、前記第1導電性高分子の光照射面側に、第2導電性高分子を塗布する工程と、前記半導体層の光照射面の反対側に、電極層を形成する工程とを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。ここで、図3に示すショットキー型の太陽電子10の構成では、可視光の光エネルギーが、ZnO基板によって構成されている半導体層10Aにおける伝導帯と価電子帯との間のバンドギャップよりも小さいため、可視光が入射された場合には、上述の光起電力効果は生じない。したがって、図3に示すショットキー型の太陽電子10は、可視光を多く含む太陽光を対して発電効率が悪いという問題点があった。そこで、本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、可視光を多く含む太陽光を対して発電効率の良いショットキー型の太陽電池及び太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。本発明の第1の特徴は、第1電極層と半導体層と第2電極層とが積層されて構成されている太陽電池であって、前記第1電極層は、前記半導体層の光照射面側に配置されており、前記第1電極層及び前記半導体層は、ショットキー接合界面を介して接合するように構成されており、前記第2電極層は、前記半導体層の光照射面の反対側に配置されており、前記第2電極層及び前記半導体層は、オーミック接触を介して接合するように構成されており、前記第1電極層は、可視光吸収材料を含むことを要旨とする。本発明の第1の特徴において、前記可視光吸収材料は、ケイ素微粒子であってもよい。本発明の第1の特徴において、前記ケイ素微粒子に対して終端処理が施されていてもよい。本発明の第1の特徴において、前記第1電極層は、導電性高分子によって構成されていてもよい。本発明の第2の特徴は、太陽電池の製造方法であって、半導体層の光照射面側に、可視光吸収材料を含む第1導電性高分子を塗布する工程と、前記第1導電性高分子の光照射面側に、第2導電性高分子を塗布する工程と、前記半導体層の光照射面の反対側に、電極層を形成する工程とを有することを要旨とする。以上説明したように、本発明によれば、可視光を多く含む太陽光を対して発電効率の良いショットキー型の太陽電池及び太陽電池の製造方法を提供することができる。本発明の第1の実施形態図1を参照して、本発明の第1の実施形態に係る太陽電池1及び太陽電池1の製造方法について説明する。具体的には、図1に示すように、本実施形態に係る太陽電池10は、半導体層1Aと、表面電極層1Bと、第1電極層1C1Fと、第2電極層1Dと、裏面電極層1Eとが積層されて構成されている。半導体層1Aは、例えば、1mmtの厚さのZnO基板面方位0001によって構成されている。表面電極1Bは、例えば、100nmの厚さのAuによって構成されており、裏面電極層1Eは、例えば、100nmの厚さのAuによって構成されている。第2電極層1Dは、例えば、40nmの厚さのTiによって構成されておりオーミック接触用金属電極層である。すなわち、第2電極層1Dは、半導体層10Aの光照射面の反対側に配置されており、半導体層1Aとの間でオーミック接触を有するように構成されている。第1電極層1C1Fは、半導体層10Aの光照射面側に配置されており、半導体層10Aとの間でショットキー障壁を有するように構成されている。例えば、第1電極層1C1Fは、100nmの厚さのPEDOTPSSスタルク社製導電性高分子の層1Cと、40nmの厚さのPEDOTPSSスタルク社製導電性高分子の層1Fとを含む。ここで、層1Fは、可視光吸収材料を含むように構成されている。例えば、層1Fは、可視光吸収材料として、ケイ素微粒子ナノシリコンを含むように構成されている。なお、ケイ素微粒子は、伝導帯と価電子帯との間のバンドギャップが自身の粒径によって変化するという性質を有している。例えば、粒径が5nmである場合、バンドギャップは20eVとなり、粒径が3nmである場合、バンドギャップは25eVとなる。したがって、層1に対して可視光吸収材料として含めるケイ素微粒子の粒径を変えることによって、層1において吸収可能な入射光の波長光エネルギーの範囲を調整することができる。かかる太陽電池10によれば、入射光が、表面電極層10B及び第1電極層10Cを介して、半導体層10Aにあたると、半導体層10Aにおいて、価電子帯の電子が伝導帯に飛び移ることによって、光キャリア電子及びホールが生成され、ショットキー接合界面付近の半導体層10A側に存在する内蔵電位差拡散電位差によって光キャリアの分離が発生し、光起電力効果が生じるように構成されている。同様に、かかる入射光が、表面電極層10B及び第1電極層10Cを介して、層1C内のケイ素微粒子にあたると、ケイ素微粒子において、価電子帯の電子が伝導帯に飛び移ることによって、光キャリア電子及びホールが生成され、ショットキー接合界面付近の半導体層10A側に存在する内蔵電位差拡散電位差によって光キャリアの分離が発生し、光起電力効果が生じるように構成されている。ここで、かかるケイ素微粒子に対して終端処理が施されていることが好ましい。かかる構成によれば、かかる終端処理によって、かかるケイ素微粒子のPEDOTPSS溶液への溶解性が大幅に改善され、均一性の高いケイ素微粒子を含むPEDOTPSSの層1Fを形成することができる。また、かかる構成によれば、かかる終端処理によって、大気安定性が大幅に高まり、本実施形態に係る太陽電池1の寿命を延ばすことができる。以下、図2を参照して、かかる太陽電池1の製造方法の一例について説明する。図2に示すように、ステップS101において、上述の半導体層1Aを構成する半導体基板を洗浄する。例えば、面方位0001の東京電波社製のZnO基板酸化亜鉛単結晶基板を、10分間エタノールで超音波洗浄した後、10分間アセトンで超音波洗浄する。その後、10分間、かかるZnO基板に対するUVオゾンクリーナーを用いた洗浄処理を行う。ステップS102において、かかるZnO基板に対して、可視光吸収材料を含む第1導電性高分子を塗布する。例えば、スタルク社製の導電性高分子であるPEDOTPSS及びデセン終端ナノシリコンのトルエン溶液を、質量百分率30:70の比率で混合した溶液を調整し、スピンコート法によって、かかる溶液を、上述のZnO基板に塗布する。ステップS103において、ステップS102で塗布した第1導電性高分子の光照射面側に、第2導電性高分子を塗布する。例えば、ステップS102で塗布した溶液の光照射面側に、スピンコート法によって、スタルク社製の導電性高分子であるPEDOTPSSを塗布する。ここで、スピン条件は、5000rpm30秒とする。ステップS104において、ステップS103が終了後、直ちに、大気中で焼成処理を行う。ここで、温度プロファイルは、例えば、50°C10分間→80°C10分間→150°C10分間→190°C10分間とした後、常温となるまでゆっくり冷却するものとする。ステップ105において、半導体層ZnO基板の光照射面の反対側に、第2電極層1D及び裏面電極層1Eを形成する。例えば、スパッタ法によって、かかる第2電極層1D及び裏面電極層1Eを形成する。ステップS106において、ステップ103において塗布した第2導電性高分子の光照射面側に、表面電極層1Bを形成する。例えば、ステップS105の終了後に、ZnO基板を大気中に取り出した後、02mmφの円形パターンを抜いたメタルマスクを、ステップS103において塗布したPEDOTPSS上に貼り付け、かかるメタルマスクの上から、スパッタ法を用いて表面電極層1Bを形成する。その後、メタルマスクを取り外し、ピンセットで、表面電極層1Bの周辺の約03mm四方のPEDOTPSSを機械的に取り除く。本発明の第1の実施形態に係る太陽電池1によれば、可視光吸収材料を含む第1導電性高分子例えば、ナノシリコンを含むPEDOTPSSが、可視光に対して透明ではないため、可視光に対する起電力を得ることができ、可視光を多く含む太陽光に対する発電効果を向上させることができる。実験例次に、本発明の効果を更に明確にするために、比較例1に係る太陽電池10及び実施明1に係る太陽電池1を用いて、赤660nm、緑525nm、青470nm及び紫外線365nmの各波長のLED証明を照射した場合の起電力を測定した。なお、実施明1に係る太陽電池1は、図1に示す構成を有しており、図2に示す製造方法によって製造されたものを用いた。一方、従来例1に係る太陽電池10は、図3に示す構成を有しており、図2に示す製造方法のうち、ステップS102の処理を除く方法によって製造されたものを用いた。ここで、かかる実験によって得られた起電力について、表1に示す。表1に示すように、可視光吸収材料を含む導電性高分子を用いた実施例1に係る太陽電池1によれば、可視光における起電力を得ることができることが分かる。以上、上述の実施形態を用いて本発明について詳細に説明したが、当業者にとっては、本発明が本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではないということは明らかである。本発明は、特許請求の範囲の記載により定まる本発明の趣旨及び範囲を逸脱することなく修正及び変更態様として実施することができる。従って、本明細書の記載は、例示説明を目的とするものであり、本発明に対して何ら制限的な意味を有するものではない。