"格子構造が周期的に配置され、放射線源から射出された放射線を通過させて第1の周期パターン像を形成する第1の格子と、格子構造が周期的に配置され、前記第1の周期パターン像が入射されて第2の周期パターン像を形成する第2の格子と、該第2の格子により形成された第2の周期パターン像を検出する画素が2次元状に配列されるとともに、前記画素行が該画素行に直交する画素列方向に対して順次走査されて前記画素行毎の前記第2の周期パターン像に応じた画像信号が順次読み出される放射線画像検出器とを備えた放射線画像撮影装置であって、前記第1の格子および前記第2の格子のいずれか一方の前記格子が、前記画素列方向に配列された画素に対応する単位で構成された単位格子を前記画素列方向に複数配列したものであるとともに、該複数の単位格子のそれぞれが、他方の前記格子の延伸方向に直交する方向について前記他方の格子に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、前記放射線画像検出器によって取得した画像信号に基づいて、互いに異なる前記画素行の群から読み出された画像信号を互いに異なる縞画像の画像信号として取得し、該取得した複数の縞画像の画像信号に基づいて放射線画像を生成する画像生成部を備えたことを特徴とする放射線画像撮影装置。前記単位格子が、矩形で形成されたものであることを特徴とする請求項1記載の放射線画像撮影装置。前記隣接する単位格子同志が該隣接部分において段差を形成していることを特徴とする請求項1または2記載の放射線画像撮影装置。前記第2の格子が、前記第1の格子からタルボ干渉距離の位置に配置され、前記第1の格子のタルボ干渉効果によって形成される前記第1の周期パターン像に強度変調を与えるものであることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記第1の格子が、前記放射線を投影像として通過させて前記第1の周期パターン像を形成する吸収型格子であり、前記第2の格子が、前記第1の格子を通過した前記投影像としての前記第1の周期パターン像に強度変調を与えるものであることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記第2の格子が、前記第1の格子から最小のタルボ干渉距離より短い距離に配置されていることを特徴とする請求項5記載の放射線画像撮影装置。前記複数の単位格子の像が、前記他方の格子に対してP/Mずつ平行にシフトして配列されたものであることを特徴とする請求項1から6いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。ただし、Pは前記他方の格子のピッチ、Mは前記縞画像の数格子構造が周期的に配置され、放射線源から射出された放射線を通過させて周期パターン像を形成する格子と、該格子によって形成された周期パターン像を透過する第1の電極層と、該第1の電極層を透過した前記周期パターン像の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、該光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、前記読取光によって走査されることによって前記各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される放射線画像検出器とを備え、前記電荷蓄積層が、前記線状電極の延伸方向に配列される画素に対応する単位で構成された単位格子パターンを前記延伸方向に複数配列したものであるとともに、該複数の単位格子パターンが、それぞれ前記格子の延伸方向に直交する方向について前記格子に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、前記各線状電極の配列方向を画素行方向、前記各線状電極の延伸方向を画素列方向として前記放射線画像検出器によって取得された画像信号に基づいて、互いに異なる前記画素行の群から読み出された画像信号を互いに異なる縞画像の画像信号として取得し、該取得した複数の縞画像の画像信号に基づいて放射線画像を生成する画像生成部を備えたことを特徴とする放射線画像撮影装置。前記単位格子パターンが、矩形で形成されたものであることを特徴とする請求項8記載の放射線画像撮影装置。前記隣接する単位格子パターン同志が該隣接部分において段差を形成していることを特徴とする請求項8または9記載の放射線画像撮影装置。前記複数の単位格子パターンが、前記格子の像に対してP/Mずつ平行にシフトして配列されたものであることを特徴とする請求項8から10いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。ただし、Pは前記格子の像のピッチ、Mは前記縞画像の数格子構造が周期的に配置され、放射線源から射出された放射線を通過させて周期パターン像を形成する格子と、該格子によって形成された周期パターン像を透過する第1の電極層と、該第1の電極層を透過した前記周期パターン像の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、該光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、前記読取光によって走査されることによって前記各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される放射線画像検出器とを備え、前記電荷蓄積層が、前記線状電極の配列ピッチよりも細かいピッチで格子状に形成されたものであり、前記格子が、前記線状電極の延伸方向に配列される画素に対応する単位で構成された単位格子を前記延伸方向に複数配列したものであるとともに、該複数の単位格子が、それぞれ前記電荷蓄積層の延伸方向に直交する方向について前記電荷蓄積層の格子パターンに対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、前記各線状電極の配列方向を画素行方向、前記各線状電極の延伸方向を画素列方向として前記放射線画像検出器によって取得された画像信号に基づいて、互いに異なる前記画素行の群から読み出された画像信号を互いに異なる縞画像の画像信号として取得し、該取得した複数の縞画像の画像信号に基づいて放射線画像を生成する画像生成部を備えたことを特徴とする放射線画像撮影装置。前記単位格子が、矩形で形成されたものであることを特徴とする請求項12記載の放射線画像撮影装置。前記隣接する単位格子同志が該隣接部分において段差を形成していることを特徴とする請求項12または13記載の放射線画像撮影装置。前記複数の単位格子の像が、前記電荷蓄積層の格子パターンに対してP/Mずつ平行にシフトして配列されたものであることを特徴とする請求項12から14いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。ただし、Pは前記電荷蓄積層の格子パターンのピッチ、Mは前記縞画像の数前記格子が、90°の位相変調を与える位相変調型格子または振幅変調型格子であり、前記放射線画像検出器の位置における前記周期パターン像のピッチP1’および前記電荷蓄積層の格子構造の配列ピッチP2が、下式を満たすように構成されたものであることを特徴とする請求項8から15いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。ただし、P1は前記格子の格子ピッチ、Z1は前記放射線源の焦点から前記格子までの距離、Z2は前記格子から前記放射線画像検出器の検出面までの距離前記格子が、180°の位相変調を与える位相変調型格子であり、前記放射線画像検出器の位置における前記周期パターン像のピッチP1’および前記電荷蓄積層の格子構造の配列ピッチP2が、下式を満たすように構成されたものであることを特徴とする請求項8から15いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。ただし、P1は前記格子の格子ピッチ、Z1は前記放射線源の焦点から前記格子までの距離、Z2は前記格子から前記放射線画像検出器の検出面までの距離前記放射線を遮蔽する放射線遮蔽部材が所定のピッチで複数延設されるとともに、前記放射線源と前記格子との間に配置され、前記放射線源から照射された放射線を領域選択的に遮蔽する吸収型格子からなるマルチスリットをさらに備え、前記マルチスリットの前記所定のピッチP3が、下式を満たす値となるように構成されたものであることを特徴とする請求項8から17いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。ただし、Z3は前記マルチスリットから前記格子までの距離、Z2は前記格子から前記放射線画像検出器の検出面までの距離、P2は前記電荷蓄積層の格子構造の配列ピッチ、P1’は前記放射線画像検出器の位置における前記周期パターン像のピッチ前記電荷蓄積層の前記積層方向の厚さが2μm以下であることを特徴とする請求項8から18いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記電荷蓄積層の誘電率が、前記光導電層の誘電率の2倍以内かつ1/2倍以上であることを特徴とする請求項8から19いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記放射線画像検出器が、前記格子からタルボ干渉距離の位置に配置され、前記格子のタルボ干渉効果によって形成される前記周期パターン像に強度変調を与えるものであることを特徴とする請求項8から20いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記格子が、前記放射線を投影像として通過させて前記周期パターン像を形成する吸収型格子であり、前記放射線画像検出器が、前記格子を通過した前記投影像としての前記周期パターン像に強度変調を与えるものであることを特徴とする請求項8から20いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記放射線画像検出器が、前記格子から最小のタルボ干渉距離より短い距離に配置されたものであることを特徴とする請求項22記載の放射線画像撮影装置。前記画素行の伸びる方向に延設された線状読取光源を備え、前記放射線画像検出器が、前記線状読取光源が前記画素列の伸びる方向に走査されることによって前記画像信号が読み出されるものであることを特徴とする請求項1から23いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記画像生成部が、互いに隣接する前記画素行から読み出された画像信号を互いに異なる縞画像の画像信号として取得するものであることを特徴とする請求項1から24いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記画像生成部が、少なくとも2つの前記画素の間隔で配列された画素行の群から読み出された画像信号を1つの縞画像の画像信号として取得するとともに、互いに異なる前記画素行の群から読み出された画像信号を互いに異なる縞画像の画像信号として取得するものであることを特徴とする請求項1から25いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記画像生成部が、前記複数の縞画像の画像信号に基づいて、位相コントラスト画像、小角散乱画像および吸収画像のうちの少なくとも1つを生成するものであることを特徴とする1から26いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。放射線を透過する第1の電極層と、該第1の電極層を透過した放射線の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、該光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、読取光によって走査されることによって前記各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される放射線画像検出器であって、前記電荷蓄積層が、前記線状電極の延伸方向に配列される画素に対応する単位で構成された単位格子パターンを前記延伸方向に複数配列したものであるとともに、該複数の単位格子パターンが、それぞれ前記線状電極の延伸方向に直交する方向について前記線状電極に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであることを特徴とする放射線画像検出器。しかしながら、特許文献1および特許文献2に記載の放射線位相画像撮影装置においては、上述したように第1または第2の格子を、その格子ピッチよりも細かいピッチで精度よく移動させる必要がある。格子ピッチは典型的には数μmであり、格子の送り精度はさらに高い精度が要求されるため、非常に高精度な移動機構が必要となる結果、機構の複雑化とコストの増大をもたらす。また、格子の移動毎に撮影を行う場合、位相コントラスト画像を取得するための一連の撮影間で、被検体の動きや装置振動などの要因で被検体と撮影系の位置関係がズレることにより、被検体との相互作用で発生したX線の位相変化を正しく導くことができず、結果として、良好な位相コントラスト画像を得ることができないといった問題がある。本発明は、上記の事情に鑑み、高精度な移動機構を必要とすることなく、1回の撮影によって良好な位相コントラスト画像を取得することができる放射線画像撮影装置およびその放射線画像撮影装置において用いられる放射線画像検出器を提供することを目的とする。本発明の放射線画像撮影装置は、格子構造が周期的に配置され、放射線源から射出された放射線を通過させて第1の周期パターン像を形成する第1の格子と、格子構造が周期的に配置され、第1の周期パターン像が入射されて第2の周期パターン像を形成する第2の格子と、第2の格子により形成された第2の周期パターン像を検出する画素が2次元状に配列されるとともに、上記画素行がその画素行に直交する画素列方向に対して順次走査されて画素行毎の第2の周期パターン像に応じた画像信号が順次読み出される放射線画像検出器とを備えた放射線画像撮影装置であって、第1の格子および第2の格子のいずれか一方の格子が、上記画素列方向に配列された画素に対応する単位で構成された単位格子を画素列方向に複数配列したものであるとともに、複数の単位格子のそれぞれが、他方の格子の延伸方向に直交する方向について他方の格子に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、放射線画像検出器によって取得した画像信号に基づいて、互いに異なる画素行の群から読み出された画像信号を互いに異なる縞画像の画像信号として取得し、その取得した複数の縞画像の画像信号に基づいて放射線画像を生成する画像生成部を備えたことを特徴とする。また、上記本発明の放射線画像撮影装置においては、単位格子を、矩形で形成することができる。また、隣接する単位格子同志をその隣接部分において段差を形成するものとできる。また、第2の格子を、第1の格子からタルボ干渉距離の位置に配置し、第1の格子のタルボ干渉効果によって形成される第1の周期パターン像に強度変調を与えるものとできる。また、第1の格子を、放射線を投影像として通過させて第1の周期パターン像を形成する吸収型格子とし、第2の格子を、第1の格子を通過した投影像としての第1の周期パターン像に強度変調を与えるものとできる。また、第2の格子を、第1の格子から最小のタルボ干渉距離より短い距離に配置することができる。また、複数の単位格子の像を、他方の格子に対してP/Mずつ平行にシフトして配列されたものとできる。ただし、Pは他方の格子のピッチ、Mは縞画像の数である。本発明の放射線画像撮影装置は、格子構造が周期的に配置され、放射線源から射出された放射線を通過させて周期パターン像を形成する格子と、格子によって形成された周期パターン像を透過する第1の電極層と、第1の電極層を透過した周期パターン像の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、読取光によって走査されることによって各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される放射線画像検出器とを備え、電荷蓄積層が、線状電極の延伸方向に配列される画素に対応する単位で構成された単位格子パターンを上記延伸方向に複数配列したものであるとともに、複数の単位格子パターンが、それぞれ格子の延伸方向に直交する方向について格子に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、各線状電極の配列方向を画素行方向、各線状電極の延伸方向を画素列方向として放射線画像検出器によって取得された画像信号に基づいて、互いに異なる画素行の群から読み出された画像信号を互いに異なる縞画像の画像信号として取得し、その取得した複数の縞画像の画像信号に基づいて放射線画像を生成する画像生成部を備えたことを特徴とする。また、上記本発明の放射線画像撮影装置においては、単位格子パターンを、矩形で形成することができる。また、隣接する単位格子パターン同志をその隣接部分において段差を形成するものとできる。また、複数の単位格子パターンを、格子の像に対してP/Mずつ平行にシフトして配列されたものとできる。ただし、Pは格子の像のピッチ、Mは縞画像の数本発明の放射線画像撮影装置は、格子構造が周期的に配置され、放射線源から射出された放射線を通過させて周期パターン像を形成する格子と、格子によって形成された周期パターン像を透過する第1の電極層と、第1の電極層を透過した周期パターン像の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、読取光によって走査されることによって各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される放射線画像検出器とを備え、電荷蓄積層が、線状電極の配列ピッチよりも細かいピッチで格子状に形成されたものであり、格子が、線状電極の延伸方向に配列される画素に対応する単位で構成された単位格子を上記延伸方向に複数配列したものであるとともに、複数の単位格子が、それぞれ電荷蓄積層の延伸方向に直交する方向について電荷蓄積層の格子パターンに対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、各線状電極の配列方向を画素行方向、各線状電極の延伸方向を画素列方向として放射線画像検出器によって取得された画像信号に基づいて、互いに異なる画素行の群から読み出された画像信号を互いに異なる縞画像の画像信号として取得し、その取得した複数の縞画像の画像信号に基づいて放射線画像を生成する画像生成部を備えたことを特徴とする。また、上記本発明の放射線画像撮影装置においては、単位格子を、矩形で形成することができる。また、隣接する単位格子同志をその隣接部分において段差を形成するものとできる。また、複数の単位格子を、電荷蓄積層の格子パターンに対してP/Mずつ平行にシフトして配列されたものとできる。ただし、Pは電荷蓄積層の格子パターンのピッチ、Mは縞画像の数である。また、格子を、90°の位相変調を与える位相変調型格子または振幅変調型格子とし、放射線画像検出器の位置における周期パターン像のピッチP1’および電荷蓄積層の格子構造の配列ピッチP2が、下式を満たすように構成することができる。ただし、P1は格子の格子ピッチ、Z1は放射線源の焦点から格子までの距離、Z2は格子から放射線画像検出器の検出面までの距離である。また、格子を、180°の位相変調を与える位相変調型格子とし、放射線画像検出器の位置における周期パターン像のピッチP1’および電荷蓄積層の格子構造の配列ピッチP2が、下式を満たすように構成することができる。ただし、P1は格子の格子ピッチ、Z1は放射線源の焦点から格子までの距離、Z2は格子から放射線画像検出器の検出面までの距離である。また、放射線を遮蔽する放射線遮蔽部材が所定のピッチで複数延設されるとともに、放射線源と格子との間に配置され、放射線源から照射された放射線を領域選択的に遮蔽する吸収型格子からなるマルチスリットをさらに設け、マルチスリットの所定のピッチP3が、下式を満たす値となるように構成することができる。ただし、Z3はマルチスリットから格子までの距離、Z2は格子から放射線画像検出器の検出面までの距離、P2は電荷蓄積層の格子構造の配列ピッチ、P1’は放射線画像検出器の位置における周期パターン像のピッチである。また、電荷蓄積層の積層方向の厚さを2μm以下とできる。また、電荷蓄積層の誘電率を、光導電層の誘電率の2倍以内かつ1/2倍以上とすることができる。また、放射線画像検出器を、格子からタルボ干渉距離の位置に配置し、格子のタルボ干渉効果によって形成される周期パターン像に強度変調を与えるものとできる。また、格子を、放射線を投影像として通過させて周期パターン像を形成する吸収型格子とし、放射線画像検出器を、格子を通過した投影像としての周期パターン像に強度変調を与えるものとできる。また、放射線画像検出器を、格子から最小のタルボ干渉距離より短い距離に配置することができる。また、画素行の伸びる方向に延設された線状読取光源を設け、放射線画像検出器を、線状読取光源が画素列の伸びる方向に走査されることによって画像信号が読み出されるものとできる。また、画像生成部を、互いに隣接する画素行から読み出された画像信号を互いに異なる縞画像の画像信号として取得するものとできる。また、画像生成部を、少なくとも2つの画素の間隔で配列された画素行の群から読み出された画像信号を1つの縞画像の画像信号として取得するとともに、互いに異なる画素行の群から読み出された画像信号を互いに異なる縞画像の画像信号として取得するものとできる。また、画像生成部を、複数の縞画像の画像信号に基づいて、位相コントラスト画像、小角散乱画像および吸収画像のうちの少なくとも1つを生成するものとできる。本発明の放射線画像検出器は、放射線を透過する第1の電極層と、第1の電極層を透過した放射線の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、読取光によって走査されることによって各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される放射線画像検出器であって、電荷蓄積層が、線状電極の延伸方向に配列される画素に対応する単位で構成された単位格子パターンを延伸方向に複数配列したものであるとともに、複数の単位格子パターンが、それぞれ線状電極の延伸方向に直交する方向について線状電極に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであることを特徴とする。本発明の放射線画像撮影装置によれば、第1の格子および第2の格子のいずれか一方を、単位格子を画素列方向に複数配列したものとするとともに、その複数の単位格子のそれぞれを、他方の格子の延伸方向に直交する方向について他方の格子から互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置し、第1および第2の格子を透過した放射線を放射線画像検出器によって検出した画像信号に基づいて、互いに異なる画素行の群から読み出された画像信号を互いに異なる縞画像の画像信号として取得し、その取得した複数の縞画像の画像信号に基づいて位相コントラスト画像を生成するようにしたので、従来のように第2の格子を移動させる高精度な移動機構を必要とすることなく、1回の撮影によって位相コントラスト画像を取得するための複数の縞画像を取得することができる。また、放射線画像検出器の電荷蓄積層を格子状に形成することによって放射線画像検出器に第2の格子の機能を持たせるようにしてもよく、そのようにした場合、高アスペクト比で形成する必要があり製造が困難な格子を設けなくてもよく、より製造し易いものとなる。さらに、放射線画像検出器の格子状に形成された電荷蓄積層を、上述した格子と同様に、単位格子パターンを線状電極の延伸方向に複数配列したものとするとともに、その複数の単位格子パターンを、それぞれ線状電極の延伸方向に直交する方向について線状電極に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置するようにしてもよく、このようにした場合には、上述した格子より単位格子パターンを容易に製造することができる。以下、図面を参照して本発明の放射線画像撮影装置の第1の実施形態を用いた放射線位相画像撮影装置について説明する。図1に第1の実施形態の放射線位相画像撮影装置の概略構成を示す。図2に図1に示す放射線位相画像撮影装置の上面図X-Z断面図を示す。図2の紙面厚さ方向が図1のY方向である。放射線位相画像撮影装置は、図1に示すように、放射線を被検体10に向かって照射する放射線源1と、放射線源1から射出された放射線を通過させて第1の周期パターン像以下、自己像G1というを形成する第1の格子2と、第1の格子2により形成された第1の周期パターン像を強度変調して第2の周期パターン像を形成する第2の格子3と、第2の格子3により形成された第2の周期パターン像を検出する放射線画像検出器4と、放射線画像検出器4により検出された第2の周期パターン像に基づいて縞画像を取得し、その取得した縞画像に基づいて位相コントラスト画像を生成する画像生成部5とを備えている。放射線源1は、被検体10に向けて放射線を射出するものであり、第1の格子2に放射線を照射したとき、タルボ干渉効果を発生させうるだけの空間的干渉性を有するものである。たとえば、放射線の発光点のサイズが小さいマイクロフォーカスX線管やプラズマX線源を利用することができる。第1の格子2は、図3に示すように、放射線を主として透過する基板21と、基板21上に設けられた複数の格子部材22とを備えている。そして、格子部材22は、それぞれ複数の矩形で形成された単位格子部材22aから構成され、この複数の単位格子部材22aは、Y方向に配列されるとともに、X方向について所定のピッチずつずらされて配列されている。すなわち、格子部材22は、その全体を見た場合、Y方向に対して所定の角度だけ傾いた状態で形成された格子パターンとなる。ただし、隣接する単位格子部材22a同志がその隣接部分において段差を形成するように構成されている。本実施形態においては、X方向は後述する放射線画像検出器4の画素行方向であり、Y方向は画素列方向である。なお、格子部材22の単位格子部材22aのX方向のずらし量については後で詳述する。図4は、図3に示す第1の格子2の4-4線断面図である。格子部材22を構成する単位格子部材22aは、いずれも放射線の光軸に直交する面内の一方向X方向およびZ方向に直交するY方向、図4の紙面厚さ方向に延伸した矩形の部材である。そして、複数の単位格子部材22aは、図4に示すように、X方向に一定の周期P1で、互いに所定の間隔d1を空けて配列されている。単位格子部材22aの素材としては、たとえば、金、白金などの金属を用いることができる。また、第1の格子2としては、照射される放射線に対して約90°または約180°の位相変調を与える、いわゆる位相変調型格子であることが望ましく、たとえば、単位格子部材22aを金とした場合、通常の医療診断用のX線エネルギー領域において必要な厚さh1は1μm~10μm程度になる。また、振幅変調型格子を用いることもできる。この場合、単位格子部材22aは放射線を十分に吸収する厚さが必要である。たとえば、単位格子部材22aを金とした場合、通常の医療診断用のX線エネルギー領域において必要な厚さh1は10μm~数100μm程度になる。第2の格子3は、図5に示すように、第1の格子2と同様に、放射線を主として透過する基板31と、基板31に設けられた複数の格子部材32とを備えている。複数の格子部材32は放射線を遮蔽するものであり、いずれも放射線の光軸に直交する面内の一方向X方向およびZ方向に直交するY方向に延伸した線状の部材である。図6は、図5に示す第2の格子3の6-6線断面図である。複数の格子部材32は、図6に示すように、X方向に一定の周期P2で、互いに所定の間隔d2を空けて配列されている。複数の格子部材32の素材としては、たとえば、金、白金などの金属を用いることができる。第2の格子3は、振幅変調型格子であることが望ましい。このとき、格子部材32は放射線を十分に吸収する厚さが必要である。たとえば、格子部材32を金とした場合、通常の医療診断用のX線エネルギー領域において必要な厚さh2は10μm~数100μm程度になる。ここで、放射線源1から照射される放射線が、平行ビームではなく、コーンビームである場合には、第1の格子2を通過して形成される第1の格子2の自己像G1は、放射線源1からの距離に比例して拡大される。そして、本実施形態においては、第2の格子3の格子ピッチP2は、そのスリット部が、第2の格子3の位置における第1の格子2の自己像G1の明部の周期パターンとほぼ一致するように決定される。すなわち、図2に示すように、放射線源1の焦点から第1の格子2までの距離をZ1、第1の格子2から第2の格子3までの距離をZ2とし、第1の格子2を90°の位相変調を与える位相変調型格子または振幅変調型格子とした場合、第2の格子ピッチP2は、次式1の関係を満たすように決定される。なお、P1’は、第2の格子3の位置における第1の格子2の自己像G1のピッチである。また、第1の格子2を180°の位相変調を与える位相変調型格子とした場合には、次式2の関係を満たすように決定される。なお、放射線源1から照射される放射線が平行ビームである場合には、第1の格子2を90°の位相変調を与える位相変調型格子または振幅変調型格子とした場合、P2=P1を満たすように決定され、第1の格子2を180°の位相変調を与える位相変調型格子とした場合には、P2=P1/2を満たすように決定される。放射線画像検出器4は、第1の格子2に入射した放射線が形成する第1の格子2の自己像G1が第2の格子3によって強度変調された像を画像信号として検出するものである。このような放射線画像検出器4として、本実施形態においては、直接変換型の放射線画像検出器であって、線状の読取光によって走査されることによって画像信号が読み出される、いわゆる光読取方式の放射線画像検出器を用いる。図7Aは、本実施形態の放射線画像検出器4の斜視図、図7Bは図7Aに示す放射線画像検出器のXZ面断面図、図7Cは図7Aに示す放射線画像検出器のYZ面断面図である。本実施形態の放射線画像検出器4は、図7A~Cに示すように、放射線を透過する第1の電極層41、第1の電極層41を透過した放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層42、記録用光導電層42において発生した電荷のうち一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用し、且つ他方の極性の電荷に対しては導電体として作用する電荷蓄積層43、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層44、および第2の電極層45をこの順に積層してなるものである。なお、上記各層は、ガラス基板46上に第2の電極層45から順に形成されている。第1の電極層41としては、放射線を透過するものであればよく、たとえば、ネサ皮膜SnO2、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、アモルファス状光透過性酸化膜であるIDIXOIdemitsuIndiumXmetalOxide;出光興産株などを50~200nm厚にして用いることができ、また、100nm厚のAlやAuなども用いることもできる。記録用光導電層42は、放射線の照射を受けることにより電荷を発生するものであればよく、放射線に対して比較的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点で優れているa-Seを主成分とするものを使用する。厚さは10μm以上1500μm以下が適切である。また、特にマンモグラフィ用途である場合には、150μm以上250μm以下であることが好ましく、一般撮影用途である場合には、500μm以上1200μm以下であることが好ましい。電荷蓄積層43は、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性の膜であれば良く、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、BCB、PVA、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーやAs2S3、Sb2S3、ZnS等の硫化物、その他に酸化物、フッ化物より構成される。更には、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性であり、それと逆の極性の電荷に対しては導電性を有する方がより好ましく、移動度×寿命の積が、電荷の極性により3桁以上差がある物質が好ましい。好ましい化合物としては、As2Se3、As2Se3にCl、Br、Iを500ppmから20000ppmまでドープしたもの、As2Se3のSeをTeで50程度まで置換したAs2SexTe1-x30.5<x<1、As2Se3のSeをSで50程度まで置換したもの、As2Se3からAs濃度を±15程度変化させたAsxSeyxy=100、34≦x≦46、アモルファスSe-Te系でTeを5-30wtのもの等が挙げられる。なお、電荷蓄積層43の材料としては、第1の電極層41と第2の電極層45との間に形成される電気力線が曲がらないようにするため、その誘電率が、記録用光導電層42と読取用光導電層44の誘電率の1/2倍以上2倍以下のものを用いることが望ましい。読取用光導電層44としては、読取光の照射を受けることにより導電性を呈するものであればよく、たとえば、a-Se、Se-Te、Se-As-Te、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、MgPcMagnesiumphtalocyanine,VoPcphaseIIofVanadylphthalocyanine、CuPcCopperphthalocyanineなどのうち少なくとも1つを主成分とする光導電性物質が好適である。厚さは5~20μm程度が適切である。第2の電極層45は、読取光を透過する複数の透明線状電極45aと読取光を遮光する複数の遮光線状電極45bとを有するものである。透明線状電極45aと遮光線状電極45bとは、放射線画像検出器4の画像形成領域の一方の端部から他方の端部まで連続して直線状に延びるものである。そして、透明線状電極45aと遮光線状電極45bとは、図7A,Bに示すように、所定の間隔を空けて交互に平行に配列されている。透明線状電極45aは読取光を透過するとともに、導電性を有する材料から形成されている。たとえば、第1の電極層41と同様に、ITO、IZOやIDIXOを用いることができる。そして、その厚さは100~200nm程度である。遮光線状電極45bは読取光を遮光するとともに、導電性を有する材料から形成されている。たとえば、上記の透明導電材料とカラーフィルターを組み合せて用いることができる。透明導電材料の厚さは100~200nm程度である。そして、本実施形態の放射線画像検出器4においては、後で詳述するが、隣接する透明線状電極45aと遮光線状電極45bとの1組を用いて画像信号が読み出される。すなわち、図7Bに示すように、1組の透明線状電極45aと遮光線状電極45bとによって1画素の画像信号が読み出されることになる。本実施形態においては、1画素が略50μmとなるように透明線状電極45aと遮光線状電極45bとが配置されている。そして、本実施形態の放射線位相画像撮影装置は、図7Aに示すように、透明線状電極45aと遮光線状電極45bの延伸方向に直交する方向X方向に延設された線状読取光源50を備えている。本実施形態の線状読取光源50は、LEDLightEmittingDiodeやLDLaserDiodeなどの光源と所定の光学系とから構成され、透明線状電極45aと遮光線状電極45bの延伸方向に平行な方向Y方向に、略10μmの幅の線状の読取光を放射線画像検出器4に照射するように構成されている。そして、この線状読取光源50は、所定の移動機構図示省略によってY方向について移動するものであり、この移動により線状読取光源50から発せられた線状の読取光によって放射線画像検出器4が走査されて画像信号が読み出される。画像信号の読取りの作用については後で詳述する。そして、上述した放射線源1、第1の格子2、第2の格子3および放射線画像検出器4によって位相コントラスト画像を取得可能な放射線位相画像撮影装置が構成されるが、本構成をタルボ干渉計として機能させるためには、さらにいくつかの条件をほぼ満たさねばならない。その条件について以下に説明する。まず、第1の格子2と第2の格子3とのグリッド面が、図1に示すX-Y平面に平行であることが必要である。そして、さらに、第1の格子2と第2の格子3との距離Z2は、第1の格子2が90°の位相変調を与える位相変調型格子である場合、次の条件をほぼ満たさなければならない。ただし、λは放射線の波長通常は実効波長、mは0か正の整数、P1は上述した第1の格子2の格子ピッチ、P2は上述した第2の格子3の格子ピッチである。また、第1の格子2が180°の位相変調を与える位相変調型格子である場合には、次の条件をほぼ満たさなければならない。ただし、λは放射線の波長通常は実効波長、mは0か正の整数、P1は上述した第1の格子2の格子ピッチ、P2は上述した第2の格子3の格子ピッチである。さらに、第1の格子2が振幅変調型格子である場合には、次の条件をほぼ満たさなければならない。ただし、λは放射線の波長通常は実効波長、m’は正の整数、P1は上述した第1の格子2の格子ピッチ、P2は上述した第2の格子3の格子ピッチである。なお、上式3,4,5は、放射線源1により照射される放射線がコーンビームである場合であり、放射線が平行ビームである場合には、上式3に代えて下式6、上式4に代えて下式7、上式5に代えて下式8となる。また、図4および図6に示すように、第1の格子2の格子部材22は厚みh1で形成され、第2の格子3の格子部材32は厚みh2で形成されるが、厚みh1と厚みh2とを厚くしすぎると、第1の格子2および第2の格子3に斜めに入射する放射線がスリット部を通過しにくくなり、いわゆるケラレが生じて格子部材22,32の延伸方向に直交する方向X方向の有効視野が狭くなるといった問題がある。このため、視野確保の観点から、厚みh1,h2の上限を規定することが好ましい。放射線画像検出器4の検出面におけるX方向の有効視野の長さVを確保するためには、厚みh1,h2は、次式9および次式10を満たすように設定することが好ましい。ここで、Lは、放射線源1の焦点から放射線画像検出器4の検出面までの距離である図2参照。そして、本実施形態の放射線位相画像撮影装置においては、上述したように、第1の格子2の格子部材22を構成する単位格子部材22aは、第2の格子の格子部材32に対してX方向について所定の距離だけずらして形成されるものであるが、この格子部材22の各単位格子部材22aのずらし量と放射線画像検出器4の画素との関係について、以下に詳細に説明する。図8は、放射線画像検出器4のX方向画素行方向についての画素サイズDx以下、主画素サイズというと、Y方向画素列方向についての画素サイズDy以下、副画素サイズというと、第1の格子2を透過した放射線により形成される第1の格子2の自己像G1と、第2の格子3の格子部材32との関係を示したものである。主画素サイズDxは、上述したように放射線画像検出器4の透明線状電極45aと遮光線状電極45bの配列ピッチによって決定されるものであって、本実施形態においては50μmに設定されている。また、副画素サイズDyは、線状読取光源50によって放射線画像検出器4に照射される線状の読取光の幅によって決定されるものであって、本実施形態においては10μmに設定されている。ここで、本実施形態においては、放射線画像検出器4によって検出された画像に基づいて互いに異なる複数の縞画像を取得し、その複数の縞画像に基づいて位相コントラスト画像を生成するが、その取得する縞画像の数をMとすると、図8に示すように、Y方向に配列されたM個の副画素によって互いに異なるM枚の縞画像を取得する。すなわち、M個の副画素サイズDyが位相コントラスト画像の副走査方向の画像解像度Dとなる。そして、上述したようにY方向に配列されたM個の副画素によって互いに異なるM枚の縞画像を取得するため、第1の格子2の格子部材22を構成する単位格子部22aのY方向のサイズを副画素サイズDyとし、さらに単位格子部材22aをX方向に所定のピッチずつずらしながらY方向に配列するようにしている。これにより図8に示すように単位格子部材22aの自己像G1が、第2の格子3の格子部材32に対してX方向に所定のピッチずつずらされながらY方向に配列されることになる。具体的には、図8に示すように、第2の格子3のピッチおよび第2の格子3の位置に形成される単位格子部材22aの自己像G1のX方向のピッチをP2、位相コントラスト画像の副走査方向の画像解像度をD=Dy×Mとすると、ピッチP2をM個に分割したP2/Mずつ単位格子部材22aをX方向にずらしながらY方向に配列するようにする。図8はM=5の場合を示している。このように単位格子部材22aを配置することにより、副走査方向の画像解像度Dの長さに対して、第1の格子2の自己像G1と第2の格子3の位相が1周期分ずれることになる。なお、図8においては、1周期分ずれようにしたが、これに限らず、nnは0以外の整数周期分ずれるようにしてもよい。ただし、nがMの倍数の場合は、1組のM個の副走査方向画素Dyの間で第1の格子2の自己像G1と第2の格子3の位相が等しくなり、異なるM個の縞画像とならないため除外するものとする。したがって、位相コントラスト画像の副走査方向の画像解像度DをM分割したDx×Dyの各画素によって、第1の格子2の自己像G1の1周期分の強度変調をM分割した画像信号が検出できることになる。そして、本実施形態においては、M=5としているので、Dx×Dyの各画素によって第1の格子2の自己像G1の1周期の強度変調を5分割した画像信号が検出できることになり、すなわち、Dx×Dyの各画素によって互いに異なる5つの縞画像の画像信号をそれぞれ検出することができることになる。なお、5つの縞画像の画像信号の取得方法については、後で詳述する。なお、本実施形態においては、上述したとおり、Dx=50μm、Dy=10μm、M=5としているので、位相コントラスト画像の主走査方向の画像解像度Dxと副走査方向の画像解像度D=Dy×Mが同じになるが、必ずしも主走査方向の画像解像度Dxと副走査方向の画像解像度Dとを合わせる必要はなく、任意の主副比としてもよい。さらに、本実施形態においては、M=5としているが、Mは3以上であればよく、5以外であってもよい。画像生成部5は、放射線画像検出器4により検出された画像に基づいて生成された互いに異なるM種類の縞画像の画像信号に基づいて放射線位相コントラスト画像を生成するものである。放射線位相コントラスト画像の生成方法については、後で詳述する。次に、本実施形態の放射線位相画像撮影装置の作用について説明する。まず、図1に示すように、放射線源1と第1の格子2との間に、被検体10が配置された後、放射線源1から放射線が射出される。そして、その放射線は被検体10を透過した後、第1の格子2に照射される。第1の格子2に照射された放射線は、第1の格子2で回折されることにより、第1の格子2から放射線の光軸方向において所定の距離において、タルボ干渉像を形成する。これをタルボ効果と呼び、光波が第1の格子2を通過したとき、第1の格子2から所定の距離において、第1の格子2の自己像G1を形成する。たとえば、第1の格子2が、90°の位相変調を与える位相変調型格子の場合、上式3または上式6180°の位相変調型格子の場合は上式4または上式7、強度変調型格子の場合は上式5または上式8で与えられる距離において第1の格子2の自己像G1を形成する一方、被検体10によって、第1の格子2に入射する放射線の波面は歪むため、第1の格子2の自己像G1はそれに従って変形している。続いて、放射線は、第2の格子3を通過する。その結果、上記の変形した第1の格子2の自己像G1は第2の格子3との重ね合わせにより、強度変調を受け、上記波面の歪みを反映した画像信号として放射線画像検出器4により検出される。ここで、放射線画像検出器4における画像検出と読出しの作用について説明する。まず、図9Aに示すように高圧電源100によって放射線画像検出器4の第1の電極層41に負の電圧を印加した状態において、第1の格子2の自己像G1と第2の格子3との重ね合わせによって強度変調された放射線が、放射線画像検出器4の第1の電極層41側から照射される。そして、放射線画像検出器4に照射された放射線は、第1の電極層41を透過し、記録用光導電層42に照射される。そして、その放射線の照射によって記録用光導電層42において電荷対が発生し、そのうち正の電荷は第1の電極層41に帯電した負の電荷と結合して消滅し、負の電荷は潜像電荷として電荷蓄積層43に蓄積される図9B参照。次に、図10に示すように、第1の電極層41が接地された状態において、線状読取光源50から発せられた線状の読取光L1が第2の電極層45側から照射される。読取光L1は透明線状電極45aを透過して読取用光導電層44に照射され、その読取光L1の照射により読取用光導電層44において発生した正の電荷が電荷蓄積層43に蓄積された潜像電荷と結合するとともに、負の電荷が、透明線状電極45aに接続されたチャージアンプ200を介して遮光線状電極45bに帯電した正の電荷と結合する。そして、読取用光導電層44において発生した負の電荷と遮光線状電極45bに帯電した正の電荷との結合によって、チャージアンプ200に電流が流れ、この電流が積分されて画像信号として検出される。そして、線状読取光源50が、副走査方向に移動することによって線状の読取光L1によって放射線画像検出器4が走査され、線状の読取光L1の照射された読取ライン毎に上述した作用によって画像信号が順次検出され、その検出された読取ライン毎の画像信号が画像生成部5に順次入力されて記憶される。そして、放射線画像検出器4の全面が読取光L1に走査されて1フレーム全体の画像信号が画像生成部5に記憶された後、画像生成部5は、その記憶された画像信号に基づいて、互いに異なる5つの縞画像の画像信号を取得する。具体的には、本実施形態においては、図8に示すように、位相コントラスト画像の副走査方向の画像解像度Dを5分割し、第1の格子2の自己像G1の1周期の強度変調を5分割した画像信号が検出できるように第1の格子2の単位格子部材22aを配置するようにしたので、図11に示すように、第1読取ラインから読み出された画像信号が第1の縞画像信号M1として取得され、第2読取ラインから読み出された画像信号が第2の縞画像信号M2として取得され、第3読取ラインから読み出された画像信号が第3の縞画像信号M3として取得され、第4読取ラインから読み出された画像信号が第4の縞画像信号M4として取得され、第5読取ラインから読み出された画像信号が第5の縞画像信号M5として取得される。なお、図11に示す第1~第5読取ラインは、図8に示す副画素サイズDyに相当する。また、図11においては、Dx×Dy×5の読取範囲しか示していないが、その他の読取範囲についても、上記と同様にして第1~第5の縞画像信号が取得される。すなわち、図12に示すように、副走査方向について4画素置きの画素行読取ラインからなる画素行群の画像信号が取得されて1フレームの1つの縞画像信号が取得される。より具体的には、第1読取ラインの画素行群の画像信号が取得されて1フレームの第1の縞画像信号が取得され、第2読取ラインの画素行群の画像信号が取得されて1フレームの第2の縞画像信号が取得され、第3読取ラインの画素行群の画像信号が取得されて1フレームの第3の縞画像信号が取得され、第4読取ラインの画素行群の画像信号が取得されて1フレームの第4の縞画像信号が取得され、第5読取ラインの画素行群の画像信号が取得されて1フレームの第5の縞画像信号が取得される。上記のようにして互いに異なる第1~第5の縞画像信号が取得され、この第1~第5の縞画像信号に基づいて、画像生成部5において位相コントラスト画像が生成される。次に、画像生成部5において位相コントラスト画像を生成する方法について説明するが、まず、本実施形態における位相コントラスト画像の生成方法の原理について説明する。図13は、被検体10のX方向に関する位相シフト分布Φxに応じて屈折される1つの放射線の経路を例示している。符号X1は、被検体10が存在しない場合に直進する放射線の経路を示しており、この経路X1を進む放射線は、第1および第2の格子2,3を通過して放射線画像検出器4に入射する。符号X2は、被検体10が存在する場合に、被検体10により屈折されて偏向した放射線の経路を示している。この経路X2を進む放射線は、第1の格子2を通過した後、第2の格子3により遮蔽される。被検体10の位相シフト分布Φxは、被検体10の屈折率分布をnx,z、放射線の進む方向をzとして、次式11で表される。ここで、説明の簡略化のため、y座標は省略している。第1の格子2から第3の格子3の位置に形成された自己像G1は、被検体10での放射線の屈折により、その屈折角ψに応じた量だけx方向に変位する。この変位量Δxは、放射線の屈折角ψが微小であることに基づいて、近似的に次式12で表される。ここで、屈折角ψは、放射線の波長λと被検体10の位相シフト分布Φxを用いて、次式13で表される。このように、被検体10での放射線の屈折による自己像G1の変位量Δxは、被検体10の位相シフト分布Φxに関連している。そして、この変位量Δxは、放射線画像検出器4で検出される各画素の強度変調信号の位相ズレ量Ψ被検体10がある場合とない場合とでの各画素の強度変調信号の位相ズレ量に、次式14のように関連している。したがって、各画素の強度変調信号の位相ズレ量Ψを求めることにより、上式14から屈折角ψが求まり、上式13を用いて位相シフト分布Φxの微分量が求まる。この微分量をxについて積分することにより、被検体10の位相シフト分布Φx、すなわち被検体10の位相コントラスト画像を生成することができる。本実施形態では、上記位相ズレ量Ψを、上述した第1~第5の縞画像信号に基づいて縞走査法を用いて算出する。本実施形態においては、位相コントラスト画像の副走査方向の画像解像度Dを5分割するようにしたので、位相コントラスト画像の各画素について、それぞれ5種類の第1~第5の縞画像信号が取得されている。以下に、この5種類の第1~第5の縞画像信号から位相コントラスト画像の各画素の強度変調信号の位相ズレ量Ψを算出する方法を説明する。なお、ここでは5種類の縞画像信号に限定せず、M種類の縞画像信号に基づいて位相ズレ量Ψを算出する方法を説明する。まず、図14に示すような第k読取ラインにおける放射線画像検出器4の主走査方向に並ぶ各画素の画素信号Ikxは、次式15で表される。ここで、xは、画素のx方向に関する座標であり、A0は入射放射線の強度であり、Anは強度変調信号のコントラストに対応する値であるここで、nは正の整数である。また、ψxは、上記屈折角ψを放射線画像検出器4の画素の座標xの関数として表したものである。次いで、次式16の関係式を用いると、上記屈折角ψxは、式17のように表される。ここで、argは、偏角の抽出を意味しており、位相コントラスト画像の各画素の位相ズレ量Ψに対応する。したがって、位相コントラスト画像の各画素について取得されたM個の縞画像信号の画素信号から、式17に基づいて位相コントラスト画像の各画素の強度変調信号の位相ズレ量Ψを算出することにより、屈折角ψxが求められる。具体的には、位相コントラスト画像の各画素を構成するM個の副画素Dyについてそれぞれ取得されたM個の画素信号は、図14に示すように、読取ラインの位置副画素Dyの位置に対して、M×副画素Dyの周期で周期的に変化する。したがって、この副画素DyのM個の画素信号列を、たとえば正弦波でフィッティングし、被検体があるときと被検体なしのときのフィッティングカーブの位相ズレ量Ψを取得し、上式13、14により位相シフト分布Φxの微分量を算出し、この微分量をxについて積分することにより被検体10の位相シフト分布Φx、すなわち被検体10の位相コントラスト画像を生成する。なお、フィッティングカーブについては、典型的には上述したように正弦波を用いることができるが、矩形波や三角波形状を用いるようにしてもよい。また、上記説明では、位相コントラスト画像の画素のy方向に関するy座標を考慮していないが、各y座標についても同様の演算を行うことにより、屈折角の2次元分布ψx,yが得られ、これをx軸に沿って積分することにより、2次元的な位相シフト分布Φx,yを得ることができる。また、屈折角の2次元分布ψx,yに代えて、位相ズレ量の2次元分布Ψx,yをx軸に沿って積分することにより位相コントラスト画像を生成するようにしてもよい。屈折角の2次元分布ψx,yや位相ズレ量Ψx,yは、位相シフト分布Φx,yの微分値に対応するものであるため位相微分像と呼ばれるが、この位相微分像を位相コントラスト画像として生成するようにしてもよい。上記実施形態の放射線位相画像撮影装置によれば、第1の格子2の単位格子部材22aをY方向に複数配列するとともに、その複数の単位格子のそれぞれを、X方向について第2の格子3に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置し、互いに異なる画素行の群から読み出された画像信号を互いに異なる縞画像の画像信号として取得し、その取得した複数の縞画像の画像信号に基づいて位相コントラスト画像を生成するようにしたので、従来のように第2の格子を移動させる高精度な移動機構を必要とすることなく、1回の撮影によって位相コントラスト画像を取得するための複数の縞画像を取得することができる。ここで、本実施形態においては、上述したように第1の格子2を構成する複数の単位格子部材22aをX方向について所定の距離ずつずらしながらY方向に配列することによって複数の縞画像を取得できるようにしたが、このような構成ではなく、たとえば、第1の格子2を構成する各格子部材22を単なる一本の線状形状からなるものとし、図15に示すように、第2の格子3の各格子部材32に対して第1の格子2の各格子部材22の自己像G1が所定の角度だけ傾くように構成しても、上記実施形態と同様にDx×Dyの画素毎に互いに異なる縞画像を検出することができるが、このように構成した場合、たとえば、図15に示す1番上の画素と一番下の画素においては、第1の格子2の自己像G1と第2の格子3の格子部材32とがぴったり重なり合うことが望ましいが、三角で示す範囲だけ第1の格子2の自己像G1がもれることになり、このもれにより縞画像のコントラストの低下を招くことになる。また、図15に示す上から3番目の画素においては、第1の格子2の自己像G1と第2の格子3の格子部材32とが完全に分離していることが望ましいが、すなわち格子部材32の間を自己像G1の全てが透過することが望ましいが、三角で示す範囲だけ第1の格子2の自己像G1が格子部材32によって遮蔽されることになり、この遮蔽によって縞画像のコントラストの低下を招くことになる。そして、このような縞画像のコントラストの低下は位相コントラスト画像を生成した際に演算誤差となって画質の低下を招くことになる。これに対し、本実施形態の構成によれば、第1の格子2を構成する複数の単位格子部材22aをX方向について所定の距離ずつずらしながらY方向に配列するようにしたので、上述したような第1の格子2の自己像G1のもれや遮蔽をなくすことができ、良好な画質の位相コントラスト画像を取得することができる。次に、本発明の放射線画像撮影装置の第2の実施形態を用いた放射線位相画像撮影装置について説明する。上記第1の実施形態の放射線位相画像撮影装置は、第1の格子2から第2の格子3までの距離Z2がタルボ干渉距離となるように、第1の格子2の種類や放射線源1から放射される放射線の拡がり角に応じて、上式3~上式8のいずれかを満たすようにしたが、第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置は、第1の格子2が入射放射線の大部分を回折させずに投影させる構成とすることで、第1の格子2を通過して射影される投影像が、第1の格子2の後方の位置で相似的に得られるため、第1の格子2から第2の格子3までの距離Z2を、タルボ干渉距離と無関係に設定することができる。具体的には、第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置においては、第1の格子2と第2の格子3とが、ともに吸収型振幅変調型格子として構成されるとともに、タルボ干渉効果の有無に関わらず、スリット部を通過した放射線を幾何学的に投影するように構成されている。より詳細には、第1の格子2の間隔d1と第2の格子3の間隔d2とを、放射線源1から照射される放射線の実効波長より十分大きな値とすることで、照射放射線の大部分はスリット部での回折を受けずに、第1の格子2の後方に第1の格子2の自己像G1を形成するように構成することができる。たとえば、放射線源のターゲットとしてタングステンを用い、管電圧を50kVとした場合には、放射線の実効波長は約0.4Åである。この場合には、第1の格子2の間隔d1と第2の格子3の間隔d2を、1μm~10μm程度とすればスリット部を通過した放射線が形成する放射線像は回折の効果を無視できる程度になり、第1の格子2の後方に、第1の格子2の自己像G1が幾何学的に投影される。なお、第1の格子2の格子ピッチP1と第2の格子3の格子ピッチP2との関係については、上記第1の実施形態における式1と同様である。また、第2の格子3に対する第1の格子2を構成する単位格子部材22aの配置についても、上記第1の実施形態と同様である。そして、第2の実施形態においては、第1の格子2と第2の格子3との距離Z2を、上式5においてm’=1とした場合の最小のタルボ干渉距離より短い値に設定することができる。すなわち、上記距離Z2が、次式18を満たす範囲の値に設定する。なお、第1の格子2の格子部材22と第2の格子3の格子部材32とは、コントラストの高い周期パターン像を生成するためには、放射線を完全に遮蔽吸収することが好ましいが、上述した放射線吸収に優れる材料金、白金等を用いたとしても、吸収されずに透過する放射線が少なからず存在する。このため、放射線の遮蔽性を高めるためには、格子部材22,32のそれぞれの厚みh1,h2を、可能な限り厚くすることが好ましい。格子部材22,32は、照射放射線の90以上を遮蔽できることが好ましく、部材22,32のそれぞれの材質と厚さh1,h2は、照射放射線のエネルギーによって設定される。たとえば、放射線源1のターゲットとしてタングステンを用い、管電圧を50kVとした場合には、厚みh1,h2は、金Au換算で100μm以上であることが好ましい。ただし、第2の実施形態においても、上記第1の実施形態と同様に、いわゆる放射線のケラレの問題があるため、第1の格子2の格子部材22と第2の格子3の格子部材32との厚さh1,h2を制限することが好ましい。そして、第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置においても、図1に示すように、放射線源1と第1の格子2との間に、被検体10が配置された後、放射線源1から放射線が射出される。そして、その放射線は被検体10を透過した後、第1の格子2に照射される。そして、第1の格子2を通過して射影された投影像が第2の格子3を通過し、その結果、上記投影像は、第2の格子3との重ね合わせにより強度変調を受け、画像信号として放射線画像検出器4により検出される。そして、放射線画像検出器4により検出された画像信号は、上記第1の実施形態と同様にして読み出され、1フレーム全体の画像信号が画像生成部5に記憶された後、画像生成部5は、その記憶された画像信号に基づいて、上記第1の実施形態と同様にして、互いに異なる5つの縞画像の画像信号を取得する。画像生成部5において位相コントラスト画像を生成する作用についても、上記第1の実施形態と同様である。第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置によれば、第1の格子2と第2の格子3との距離Z2をタルボ干渉距離よりも短くすることができるので、一定のタルボ干渉距離を確保しなければならない第1の実施形態の放射線位相画像撮影装置と比較すると、撮影装置をより薄型化することができる。また、上記第1の実施形態および第2の実施形態においては、放射線源1から放射線画像検出器4までの距離を、一般的な病院の撮影室で設定されるような距離1m~2mとした場合に、放射線源1の焦点サイズが、たとえば、一般的な0.1mm~1mm程度である場合には、第1の格子2のタルボ干渉や第1の格子2の投影による自己像G1にボケが生じ、位相コントラスト画像の画質の低下をもたらす恐れがある。そこで、放射線源1として上述したような焦点サイズのものを用いる場合には、放射線源1の焦点の直後にピンホールを設置して実効的に焦点サイズを小さくすることが考えられるが、実効的な焦点サイズを縮小するためにピンホールの開口面積を小さくすると放射線強度が低下してしまう。そこで、上述したようなピンホールを設けるのではなく、上記第1および第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置において、放射線源1の焦点の直後にマルチスリットを配置するようにしてもよい。ここで、マルチスリットは、第2の実施形態の第1および第2の格子2,3と同様な構成の吸収型格子であり、所定の方向に延伸した複数の放射線遮蔽部が、周期的に配置されているものである。マルチスリットに配置された放射線遮蔽部の配列方向は、第1の格子2の部材22あるいは第2の格子3の部材32の配列方向のいずれか一方と同一であることが好ましいが、位相コントラスト画像が得られるという観点では、必ずしも同一である必要はない。本実施形態では、このうちの最も好ましい形態の例として、マルチスリットに配置された放射線遮蔽部の配列方向は、第1の格子2の部材22の配列方向X方向と同一であるとして説明する。すなわち、この場合において、マルチスリットは、放射線源1の焦点から放射される放射線を部分的に遮蔽することにより、X方向に関する実効的な焦点サイズを縮小するものとすることができ、擬似的に、X方向に分割された多数の微小焦点光源を形成することができる。このマルチスリットの格子ピッチP3は、マルチスリットから第1の格子2までの距離をZ3として、次式19を満たすように設定する必要がある。なお、P1’は、第2の格子3の位置における第1の格子2の自己像G1の配列ピッチである。また、マルチスリットがある場合でも第1の格子2の自己像G1の拡大率は、放射線源1の焦点位置が基点となるため、第2の格子3の格子ピッチP2が満たすべき関係は、上述の第1および第2の実施形態と同様である。すなわち、第1の格子2が90°の位相変調を与える位相変調型格子または振幅変調型格子の場合は、次式20の関係を満たすように決定される。また、第1の格子2が180°の位相変調を与える位相変調型格子の場合には、次式21の関係を満たすように決定される。さらに、放射線画像検出器4の検出面におけるX方向の有効視野の長さVを確保するには、放射線源1の焦点からから放射線画像検出器4までの距離をLとすると、第1の格子2の格子部材22の厚みh1と第2の格子3の格子部材の厚みh2とは、次式22および次式23を満たすように決定されることが好ましい。なお、上式19は、マルチスリットにより疑似的に分散形成された各微小焦点光源から射出された放射線が第1の格子2のタルボ干渉あるいは投影によって形成された複数の自己像G1が、第2の格子3の位置で、ちょうど第1の格子2の自己像G1のピッチ一周期分ずつずれて重なり合うための幾何学的な条件である。このように、マルチスリットによって形成される複数の微小焦点光源が形成する、上記タルボ干渉または上記投影による、複数の第1の格子2の自己像G1が規則的に重ね合わせられることにより、放射線の強度を低下させずに、位相コントラスト画像の画質を向上させることができる。また、上記第1および第2の実施形態においては、放射線画像検出器4として、線状読取光源50から発せられた線状の読取光の走査によって画像信号が読み出される、いわゆる光読取方式の放射線画像検出器を用いるようにしたが、これに限らず、たとえば、特開2002-26300号公報に記載されているような、TFTスイッチが2次元状に多数配列され、そのTFTスイッチをオンオフすることによって画像信号が読み出されるTFTスイッチを用いた放射線画像検出器や、CMOSセンサを用いた放射線画像検出器などを用いるようにしてもよい。具体的には、TFTスイッチを用いた放射線画像検出器は、たとえば、図16に示すように、放射線の照射によって半導体膜において光電変換された電荷を収集する画素電極71と画素電極71によって収集された電荷を画像信号として読み出すためのTFTスイッチ72とを備えた画素回路70が2次元状に多数配列されたものである。そして、TFTスイッチを用いた放射線画像検出器は、画素回路行毎に設けられ、TFTスイッチ72をオンオフするためのゲート走査信号が出力される多数のゲート電極73と、画素回路列毎に設けられ、各画素回路70から読み出された電荷信号が出力される多数のデータ電極74とを備えている。なお、各画素回路70の詳細な層構成については、特開2002-26300号公報に記載されている層構成と同様である。そして、たとえば、第2の格子3と画素回路列データ電極とが平行になるように設置した場合、1つの画素回路列が、上記実施形態において説明した主画素サイズDxに相当し、1つの画素回路行が、上記実施形態において説明した副画素サイズDyに相当する。なお、主画素サイズDxおよび副画素サイズDyは、たとえば、50μmとすることができる。そして、上記実施形態と同様に、位相コントラスト画像を生成するためにM枚の縞画像を使用する場合、M行の画素回路行が、位相コントラスト画像の副走査方向の1つの画像解像度Dとなるように第1の格子2の単位格子部材22aの自己像G1が配置される。なお、図15においては、図8に示した単位格子部材22aの自己像G1を模式的に直線で表しているものとする。具体的には、上記実施形態と同様に、第2の格子3のピッチおよび第2の格子3の位置に形成される単位格子部材22aの自己像G1のX方向のピッチをP2、位相コントラスト画像の副走査方向の画像解像度をD=Dy×Mとすると、ピッチP2をM個に分割したP2/Mずつ単位格子部材22aをX方向にずらしながらY方向に配列するようにする。たとえば、M=5の場合、図16の1つの画素回路70によって第1の格子2の1つの単位格子部材22aに対応する画像信号を検出できることになり、すなわち、図16に示す5本のゲート電極73に接続される5行の画素回路行によって、互いに異なる5つの縞画像の画像信号をそれぞれ検出することができることになる。なお、図16においては、1つの画素回路列に対して1本の第2の格子3の格子部材32と自己像G1とが対応して示されているが、実際には、1つの画素回路列に対して多数の格子部材32および自己像G1が存在していてもよく、図16は図示省略しているものとする。したがって、第1読取ライン用ゲート電極G11に接続される画素回路行から読み出された画像信号が第1の縞画像信号M1として取得され、第2読取ライン用ゲート電極G12に接続される画素回路行から読み出された画像信号が第2の縞画像信号M2として取得され、第3読取ライン用ゲート電極G13に接続される画素回路行から読み出された画像信号が第3の縞画像信号M3として取得され、第4読取ライン用ゲート電極G14に接続される画素回路行から読み出された画像信号が第4の縞画像信号M4として取得され、第5読取ライン用ゲート電極G15に接続される画素回路行から読み出された画像信号が第5の縞画像信号M5として取得される。第1~第5の縞画像信号に基づいて位相コントラスト画像を生成する方法については、上記実施形態と同様である。なお、上述したように1つの画素回路70の主走査方向および副走査方向のサイズが50μmである場合には、位相コントラスト画像の主走査方向の画像解像度は50μmとなり、副走査方向の画像解像度は50μm×5=250μmとなる。また、放射線画像検出器のゲート電極およびデータ電極の延伸方向は図16に示す例に限らず、たとえば、ゲート電極が紙面縦方向とし、データ線が紙面横方向となるように放射線画像検出器を配置するようにしてもよい。また、図16に示すような放射線画像検出器の配置に対して、第1の格子2の自己像G1と第2の格子3とが90°回転させた構成としてもよい。この場合には、ゲート電極に平行な方向に配列された画素回路70から読み出された画像信号を取得することによって、上記実施形態と同様に互いに異なる縞画像を構成する画像信号を取得することができる。また、放射線画像検出器の各画素の形状は正方形に限らず、たとえば長方形や平行四辺形などでもよい。また、CMOSセンサを用いた放射線画像検出器としては、たとえば、放射線の照射を受けて可視光を発生し、その可視光を光電変換することによって電荷信号を検出する画素回路80が、図17に示すように2次元状に多数配列されたものを用いることができる。そして、このCMOSセンサを用いた放射線画像検出器は、画素回路行毎に設けられ、画素回路80に含まれる信号読み出し回路を駆動するための駆動信号が出力される多数のゲート電極82およびリセット電極84と、画素回路列毎に設けられ、各画素回路80の信号読み出し回路から読み出された電荷信号が出力される多数のデータ電極83とを備えている。なお、ゲート電極82およびリセット電極84には、信号読み出し回路に駆動信号を出力する行選択走査部85が接続され、データ電極83には、各画素回路から出力された電荷信号に所定の処理を施す信号処理部86が接続されている。各画素回路80は、図18に示すように、基板800の上方に絶縁膜803を介して形成された下部電極806と、下部電極806上に形成された光電変換膜807と、光電変換膜807上に形成された上部電極808と、上部電極808上に形成された保護膜809と、保護膜809上に形成された放射線変換膜810とを備えている。放射線変換膜810は、たとえば、放射線の照射を受けて550nmの波長の光を発するCsI:TIから形成される。その厚さは500μm程度とすることが望ましい。上部電極808は、光電変換膜807に550nmの波長の光を入射させる必要があるため、その入射光に対して透明な導電性材料で構成される。また、下部電極806は、画素回路80毎に分割された薄膜であり、透明または不透明の導電性材料で形成される。光電変換膜807は、たとえば、550nmの波長の光を吸収してこの光に応じた電荷を発生する光電変換材料から形成される。このような光電変換材料としては、たとえば、有機半導体、有機色素を含む有機材料、および直接遷移型のバンドギャップをもつ吸収係数の大きい無機半導体結晶等を単体または組み合わせた材料などがある。そして、上部電極808と下部電極806との間に所定のバイアス電圧を印加することで、光電変換膜807で発生した電荷のうち一方が上部電極808に移動し、他方が下部電極806に移動する。そして、下部電極806の下方の基板800内には、この下部電極806に対応させて、下部電極806に移動した電荷を蓄積するための電荷蓄積部802と、電荷蓄積部802に蓄積された電荷を電圧信号に変換して出力する信号読み出し回路801とが形成されている。電荷蓄積部802は、絶縁膜803を貫通して形成された導電性材料のプラグ804によって下部電極806に電気的に接続されている。信号読み出し回路801は、公知のCMOS回路によって構成されている。そして、上述したようなCMOSセンサを用いた放射線画像検出器を、図19に示すように、第2の格子3と画素回路列データ電極とが平行になるように設置した場合、1つの画素回路列が、上記実施形態において説明した主画素サイズDxに相当し、1つの画素回路行が、上記実施形態において説明した副画素サイズDyに相当する。なお、主画素サイズDxおよび副画素サイズDyは、CMOSセンサを用いた放射線画像検出器の場合には、たとえば、10μmとすることができる。そして、上記実施形態と同様に、位相コントラスト画像を生成するためにM枚の縞画像を使用する場合、M行の画素回路行が、位相コントラスト画像の副走査方向の1つの画像解像度Dとなるように第1の格子2の単位格子部材22aの自己像G1が配置される。なお、図19においては、図8に示した単位格子部材22aの自己像G1を模式的に直線で表しているものとする。具体的には、上記実施形態と同様に、第2の格子3のピッチおよび第2の格子3の位置に形成される単位格子部材22aの自己像G1のX方向のピッチをP2、位相コントラスト画像の副走査方向の画像解像度をD=Dy×Mとすると、ピッチP2をM個に分割したP2/Mずつ単位格子部材22aをX方向にずらしながらY方向に配列するようにする。たとえば、M=5の場合、図19の1つの画素回路80によって第1の格子2の1つの単位格子部材22aに対応する画像信号を検出できることになり、すなわち、図19に示す5本のゲート電極82に接続される5行の画素回路行によって、互いに異なる5つの縞画像の画像信号をそれぞれ検出することができることになる。なお、図19においては、1つの画素回路列に対して1本の第2の格子3の格子部材32と自己像G1とが対応して示されているが、実際には、1つの画素回路列に対して多数の格子部材32および自己像G1が存在していてもよく、図19は図示省略しているものとする。したがって、TFTスイッチを用いた放射線画像検出器の場合と同様に、第1読取ライン用ゲート電極G11に接続される画素回路行から読み出された画像信号が第1の縞画像信号M1として取得され、第2読取ライン用ゲート電極G12に接続される画素回路行から読み出された画像信号が第2の縞画像信号M2として取得され、第3読取ライン用ゲート電極G13に接続される画素回路行から読み出された画像信号が第3の縞画像信号M3として取得され、第4読取ライン用ゲート電極G14に接続される画素回路行から読み出された画像信号が第4の縞画像信号M4として取得され、第5読取ライン用ゲート電極G15に接続される画素回路行から読み出された画像信号が第5の縞画像信号M5として取得される。また、TFTスイッチを用いた放射線画像検出器の場合と同様に、放射線画像検出器のゲート電極およびデータ電極の延伸方向は図19に示す例に限らず、たとえば、ゲート電極が紙面縦方向とし、データ線が紙面横方向となるように放射線画像検出器を配置するようにしてもよい。また、図19に示すような放射線画像検出器の配置に対して、第1の格子2の自己像G1と第2の格子3とが90°回転させた構成としてもよい。この場合には、ゲート電極に平行な方向に配列された画素回路80から読み出された画像信号を取得することによって、上記実施形態と同様に互いに異なる縞画像を構成する画像信号を取得することができる。また、放射線画像検出器の各画素の形状は正方形に限らず、たとえば長方形や平行四辺形などでもよい。第1~第5の縞画像信号に基づいて位相コントラスト画像を生成する方法については、上記実施形態と同様である。なお、上述したように1つの画素回路80の主走査方向および副走査方向のサイズが10μmである場合には、位相コントラスト画像の主走査方向の画像解像度は10μmとなり、副走査方向の画像解像度は10μm×5=50μmとなる。なお、上述したようにTFTスイッチを用いた放射線画像検出器やCMOSセンサを用いた放射線画像検出器も用いることは可能であるが、これらの放射線画像検出器は、画素が正方形であるため、本発明を適用する場合には、副走査方向の解像度が主走査方向の解像度に対して悪くなる。これに対し、上記第1および第2の実施形態で説明した光読取方式の放射線画像検出器においては、主走査方向については線状電極の幅延伸方向と垂直な方向によって解像度Dxが制限されるが、副走査方向については、線状読取光源50の読取光の副走査方向の幅および1ラインあたりのチャージアンプ200の蓄積時間と線状読取光源50の移動速度の積で解像度Dyが決まることになる。主副解像度ともに典型的には数10μmであるが、主走査方向の解像度を維持したまま副走査方向の解像度を高くする設計が可能である。たとえば、線状読取光源50の幅を小さくしたり、移動速度を遅くすることにより実現可能であって、上記第1および第2の実施形態で説明した光読取方式の放射線画像検出器はより有利な構成である。また、1回の撮影で複数の縞画像信号を取得することができるので、上述したような即座に繰り返し使用可能な半導体の検出器に限らず、蓄積性蛍光体シートや銀塩フイルムなども利用することができる。なお、この場合、蓄積性蛍光体シートや現像された銀塩フイルムなどを読み取る際の読取画素が請求項における画素に相当するものとする。また、上記実施形態においては、第1の格子2の格子部材22を複数の矩形で形成された単位格子部材22aから構成し、この複数の単位格子部材22aを、X方向について所定のピッチずつずらしながらY方向に配列するようにしたが、このような構成を第2の格子3の方に採用し、第1の格子2については、図5に示す第2の格子3のように、直線状の格子部材22から形成するようにしてもよい。また、上記実施形態においては、第1の格子2を構成する単位格子部材22aの自己像G1が、図8に示すように、Y方向に沿って徐々に第2の格子2の格子部材32との距離が大きくなるように単位格子部材22aを配置するようにしたが、単位格子部材22aの配置の仕方についてはこれに限らず、要するに、第2の格子3の位置に形成される単位格子部材22aの自己像G1のX方向のピッチをP2、位相コントラスト画像の副走査方向の画像解像度をD=Dy×Mとした場合に、画像解像度Dにわたって、第2の格子3の格子部材32からP2/M×kk=0~M-1だけ離れた距離にそれぞれ単位格子部材22aの自己像G1が形成されるようにするのであれば、単位格子部材22aの配置は如何なる配置でもよい。具体的には、たとえば、M=5の場合には、図20に示すように自己像G1が形成されるように単位格子部材22aを配置してもよく、この場合にも上記実施形態と同様に第1読取ラインの画素行群~第5読取ラインの画素行群の画像信号をそれぞれ取得することによって5枚の縞画像の画像信号を取得することができる。また、上記実施形態においては、位相コントラスト画像を取得することによりこれまで描出が難しかった画像を得ることができるが、従来のX線画像診断学は吸収画像に基づいているため、位相コントラスト画像と対応して吸収画像が参照できると読影の助けになる。たとえば、吸収画像と位相コントラスト画像を重み付けや階調、周波数処理などの適当な処理によって重ね合わせることにより吸収画像が表現できなかった部分を位相コントラスト画像の情報で補うことは有効である。しかし、位相コントラスト画像とは別に吸収画像を撮影することは、位相コントラスト画像の撮影と吸収画像の撮影との間の撮影肢体のズレによって良好な重ね合わせを困難にするのに加え、撮影回数が増えることにより被検体の負担となる。また、近年、位相コントラスト画像や吸収画像の他に、小角散乱画像が注目されている。小角散乱画像は、被検体組織内部の微細構造に起因する組織性状を表現可能であり、たとえば、ガンや循環器疾患といった分野での新しい画像診断のための表現方法として期待されている。そこで、画像生成部5において、位相コントラスト画像を生成するために取得した複数枚の縞画像に基づいて吸収画像や小角散乱画像を生成するようにしてもよい。具体的には、画素毎に得られる画素信号Ikx,yを、図21に示すようにkについて平均化して平均値を算出して画像化することにより吸収画像を生成することができる。なお、平均値の算出は、画素信号Ikx,yをkについて単純に平均化することにより行ってもよいが、Mが小さい場合には誤差が大きくなるため、画素信号Ikx,yを正弦波でフィッティングした後、フィッティングした正弦波の平均値を求めるようにしてもよい。また、正弦波に限らず、矩形波や三角波形状を用いるようにしてもよい。また、吸収画像の生成には、平均値に限られず、平均値に対応する量であれば、画素信号Ikx,yをkについて加算した加算値等を用いることが可能である。また、画素毎に得られる画素信号Ikx,yの振幅値を算出して画像化することにより小角散乱画像を生成することができる。なお、振幅値の算出は、画素信号Ikx,yの最大値と最小値との差を求めることによって行ってもよいが、Mが小さい場合には誤差が大きくなるため、画素信号Ikx,yを正弦波でフィッティングした後、フィッティングした正弦波の振幅値を求めるようにしてもよい。また、小角散乱画像の生成には、振幅値に限られず、平均値を中心としたばらつきに対応する量として、分散値や標準偏差などを用いることができる。また、位相コントラスト画像は、第1および第2の格子2,3の格子部材22,32の周期配列方向X方向のX線の屈折成分に基づくものとなり、格子部材22,32の延伸方向Y方向の屈折成分は反映されない。すなわち、XY面である格子面を介して、X方向に交差する方向直交する場合はY方向に沿った部位輪郭がX方向の屈折成分に基づく位相コントラスト画像として描出されるのであり、X方向に交差せずにX方向に沿っている部位輪郭はX方向の位相コントラスト画像として描出されない。すなわち、被検体とする部位の形状と向きによっては描出できない部位が存在する。例えば、膝等の関節軟骨の荷重面の方向を格子の面内方向であるXY方向のうちY方向に合わせると、Y方向にほぼ沿った荷重面YZ面近傍の部位輪郭は十分に描出されるが、荷重面に交差しX方向にほぼ沿って延びる軟骨周辺組織腱や靭帯などについては描出が不十分になると考えられる。被検体を動かすことにより、描出が不十分な部位を再度撮影することは可能ではあるが、被検体及び術者の負担が増えることに加え、再度撮影した画像との位置再現性を担保することが難しいといった問題がある。そこで、他の例として、図22に示すように、第1および第2の格子2,3の格子面の中心に直交する仮想線X線の光軸Aを中心として、第1および第2の格子2,3を、図22aに示すような第1の向きから任意の角度で回転させて、図22bに示すような第2の向きとする回転機構180を設け、第1の向きと第2の向きとのそれぞれにおいて位相コントラスト画像を生成するように構成することも好適である。なお、図22a,bにおいては、図面を見やすくするために第1の格子2の格子部材22については直線状に表しているが、実際には、上記実施形態のように複数の単位格子部材22aがX方向にずらされて配置されているものとする。こうすることで、上述した位置再現性の問題をなくせる。なお、図22aには、第2の格子3の格子部材32の延伸方向がY方向に沿う方向となるような第1および第2の格子2,3の第1の向きを示し、図22bには、図22aの状態から90度回転させ、第2の格子3の格子部材32の延伸方向がX方向に沿う方向となるような第1および第2の格子2,3の第2の向きを示したが、第1の格子2と第2の格子3との間の傾き関係を維持した状態であれば、第1および第2の格子2,3の回転角度は任意である。また、第1の向きおよび第2の向きに加えて、第3の向き、第4の向きなど、2回以上の回転操作を行って、それぞれの向きでの位相コントラスト画像を生成するように構成してもよい。また、上述したように、1次元格子である第1および第2の格子2,3を回転させるのではなく、第1および第2の格子の2,3を、それぞれの格子部材22,32を2次元方向に延設した2次元格子の構成としてもよい。このように構成することにより、1次元格子を回転させる構成と比較すると、1度の撮影で第1の方向、第2の方向に対する位相コントラスト画像が得られるため、撮影間の被検体の体動や装置振動の影響がなく、第1および第2の方向の位相コントラスト画像間の位置再現性においてより良好である。また、回転機構を排除することで、装置の簡略化、コストダウンが可能である。また、上記実施形態の放射線位相画像撮影装置においては、第1の格子2と第2の格子3との2つの格子を用いるようにしたが、第2の格子3の機能を放射線画像検出器にもたせることによって第2の格子3を用いないようにすることができる。以下、第2の格子3の機能を有する放射線画像検出器の構成について説明する。第2の格子3の機能を有する放射線画像検出器は、放射線が第1の格子2を通過することによって第1の格子2によって形成された第1の格子2の自己像G1を検出するとともに、その自己像G1に応じた電荷信号を後述する格子状に分割された電荷蓄積層に蓄積することによって自己像G1に強度変調を施して縞画像を生成し、その生成した縞画像を画像信号として出力するものである。図23Aは、第2の格子3の機能を有する放射線画像検出器400の斜視図、図23Bは図23Aに示す放射線画像検出器のXZ面断面図、図23Cは図23Aに示す放射線画像検出器のYZ面断面図である。放射線画像検出器400は、図23A~Cに示すように、放射線を透過する第1の電極層410、第1の電極層410を透過した放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層420、記録用光導電層420において発生した電荷のうち一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用し、且つ他方の極性の電荷に対しては導電体として作用する電荷蓄積層430、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層440、および第2の電極層450をこの順に積層してなるものである。なお、上記各層は、ガラス基板460上に第2の電極層450から順に形成されている。そして、第2の格子3の機能を有する放射線画像検出器400は、第1の電極層410、記録用光導電層420、電荷蓄積層430、読取用光導電層440および第2の電極層450の材料については、上記実施形態における放射線画像検出器4の第1の電極層41、記録用光導電層42、電荷蓄積層43、読取用光導電層44および第2の電極層45と同様である。そして、第2の格子3の機能を有する放射線画像検出器400は、上記実施形態の放射線画像検出器4と電荷蓄積層430の形状が異なる。放射線画像検出器400の電荷蓄積層430は、図23A~Cに示すように、第2の電極層450の透明線状電極450aおよび遮光線状電極450bの延伸方向に平行となるように線状に分割されている。また、電荷蓄積層430は、透明線状電極450aもしくは遮光線状電極450bの配列ピッチよりも細かいピッチで分割されるが、その配列ピッチP2は、上記実施形態の第2の格子3の条件と同様であるが、ここでは上式1および上式2におけるP1’は、放射線画像検出器400の位置における第1の格子2の自己像G1のピッチをとなる。また、電荷蓄積層430は、積層方向Z方向について2μm以下の厚さで形成される。そして、電荷蓄積層430は、たとえば、上述したような材料と金属板に開口を整列して形成したメタルマスクやファイバーなどによって形成されたマスクとを用いて抵抗加熱蒸着によって形成することができる。また、フォトリソグラフィを用いて形成するようにしてもよい。なお、タルボ干渉計として機能させるための第1の格子2と放射線画像検出器400との距離の条件については、放射線画像検出器400が第2の格子3として機能するものであるので、第1の格子2と第2の格子3との距離の条件と同様である。また、上記第2の実施形態のように第1の格子2が入射放射線を回折せずに投影させる構成とし、第1の格子2から放射線画像検出器400までの距離Z2を、タルボ干渉距離を無関係に設定するようにしてもよく、上式18を満たすような距離としてもよい。次に、上記のように構成された放射線画像検出器400の作用について説明する。まず、図24Aに示すように高圧電源100によって放射線画像検出器400の第1の電極層410に負の電圧を印加した状態において、タルボ効果によって形成された第1の格子2の自己像G1を担持した放射線が、放射線画像検出器400の第1の電極層410側から照射される。そして、放射線画像検出器400に照射された放射線は、第1の電極層410を透過し、記録用光導電層420に照射される。そして、その放射線の照射によって記録用光導電層420において電子-正孔対が発生し、そのうち正の電荷は第1の電極層410に帯電した負の電荷と結合して消滅し、負の電荷は潜像電荷として電荷蓄積層430に蓄積される図24B参照。ここで、電荷蓄積層430は、上述したような配列ピッチで線状に分割されているので、記録用光導電層420において第1の格子2の自己像G1に応じて発生した電荷のうちその直下に電荷蓄積層430が存在する電荷のみが電荷蓄積層430によってトラップされて蓄積され、それ以外の電荷については線状の電荷蓄積層430の間を通過し、読取用光導電層440を通過した後、透明線状電極450aと遮光線状電極450bとに流れ出してしまう。このように記録用光導電層420において発生した電荷のうち、その直下に線状の電荷蓄積層430が存在する電荷のみを蓄積する。この作用によって、第1の格子2の自己像G1は電荷蓄積層430の線状のパターンとの重ね合わせにより強度変調を受け、被検体による自己像G1の波面の歪みを反映した縞画像の画像信号が電荷蓄積層430に蓄積されることになる。すなわち、電荷蓄積層430は、上記実施形態の第2の格子3と同等の機能を果たすことになる。そして、次に、図25に示すように、第1の電極層410が接地された状態において、線状読取光源50から発せられた線状の読取光L1が第2の電極層450側から照射される。読取光L1は透明線状電極450aを透過して読取用光導電層440に照射され、その読取光L1の照射により読取用光導電層440において発生した正の電荷が電荷蓄積層430における潜像電荷と結合するとともに、負の電荷が、透明線状電極450aに接続されたチャージアンプ200を介して遮光線状電極450bに帯電した正の電荷と結合する。そして、読取用光導電層440において発生した負の電荷と遮光線状電極450bに帯電した正の電荷との結合によって、チャージアンプ200に電流が流れ、この電流が積分されて画像信号として検出される。そして、線状読取光源50が、副走査方向Y方向に移動することによって線状の読取光L1によって放射線画像検出器400が走査され、線状の読取光L1の照射された読取ライン毎に上述した作用によって画像信号が順次検出され、その検出された読取ライン毎の画像信号が画像生成部5に順次入力されて記憶される。そして、放射線画像検出器400の全面が読取光L1に走査されて1フレーム全体の画像信号が画像生成部5に記憶され、画像生成部5は、その記憶された画像信号に基づいて、上記実施形態と同様にして互いに異なる5つの縞画像の画像信号を取得し、その5つの縞画像の画像信号に基づいて位相コントラスト画像などを生成する。また、上述した第2の格子3の機能を有する放射線画像検出器400おいては、電極間に、記録用光導電層420、電荷蓄積層430および読取用光導電層440の3層を設ける構成としたが、必ずしもこの層構成である必要はなく、たとえば、図26に示すように、読取用光導電層440を設けることなく、第2の電極層の透明線状電極450aおよび遮光線状電極450b上に直接接触するように線状の電荷蓄積層430を設け、その電荷蓄積層430の上に記録用光導電層420を設けるようにしてもよい。なお、この記録用光導電層420は、読取用光導電層としても機能するものである。この放射線画像検出器401の構造は、読取用光導電層440なしに第2の電極層450に直接電荷蓄積層430を設ける構造であり、線状の電荷蓄積層430は、蒸着で形成することができるため、線状の電荷蓄積層430の形成を容易にすることができる。蒸着工程においては、選択的に線状パターンを形成するためにメタルマスクなどを用いる。読取用光導電層440の上に線状の電荷蓄積層430を設ける構成では、読取用光導電層440の蒸着後に線状の電荷蓄積層430を蒸着で形成するためのメタルマスクをセットする工程が必要なため、読取用光導電層440の蒸着工程と記録用光導電層420の蒸着工程の間で大気中操作により、読取用光導電層440に劣化や、光導電層間に異物が混入して品質の劣化をもたらす虞がある。一方、上述した読取用光導電層440を設けない構造とすることで、光導電層の蒸着後の大気中操作を減らすことができるため、上述の品質劣化の懸念を低減することができる。記録用光導電層420および電荷蓄積層430の材料については、上述した放射線画像検出器400と同様である。また、電荷蓄積層430の線状構成についても、上述した放射線画像検出器と同様である。以下に、この放射線画像検出器401の放射線画像の記録と読み出しの作用について説明する。まず、図27Aに示すように高圧電源100によって放射線画像検出器401の第1の電極層410に負の電圧を印加した状態において、第1の格子2の自己像G1を担持した放射線が、放射線画像検出器401の第1の電極層410側から照射される。そして、放射線画像検出器401に照射された放射線は、第1の電極層410を透過し、記録用光導電層420に照射される。そして、その放射線の照射によって記録用光導電層420において電子-正孔対が発生し、そのうち正の電荷は第1の電極層410に帯電した負の電荷と結合して消滅し、負の電荷は潜像電荷として電荷蓄積層430に蓄積される図27B参照。なお、第2の電極層450に接した線状の電荷蓄積層430は絶縁性の膜であるから、この電荷蓄積層430に到達した電荷はそこに捕えられ、第2の電極層450へ行くことができず、蓄積されて留まる。ここでも、上述した放射線画像検出器400と同様に、記録用光導電層420において発生した電荷のうち、その直下に線状の電荷蓄積層430が存在する電荷のみを蓄積する。この作用によって、第1の格子2の自己像G1は電荷蓄積層430の線状のパターンとの重ね合わせにより強度変調を受け、被検体による自己像G1の波面の歪みを反映した縞画像の画像信号が電荷蓄積層430に蓄積されることになる。そして、図28に示すように、第1の電極層410が接地された状態において、線状読取光源50から発せられた線状の読取光L1が第2の電極層450側から照射される。読取光L1は、透明線状電極450aを透過して電荷蓄積層430近傍の記録用光導電層420に照射され、その読取光L1の照射により発生した正の電荷が線状の電荷蓄積層430へ引き寄せられて再結合する。そして、もう一方の負の電荷は、透明線状電極450aへ引き寄せられ、透明線状電極450aに帯電した正の電荷および透明線状電極450aに接続されたチャージアンプ200を介して遮光線状電極450bに帯電した正の電荷と結合する。これによりチャージアンプ200に電流が流れ、この電流が積分されて画像信号として検出される。また、上述した放射線画像検出器400,401においては、電荷蓄積層430を、完全に線状に分離して形成するようにしたが、これに限らず、たとえば、図29に示す放射線画像検出器402のように、平板形状の上に線状のパターンを形成することによって格子状の電荷蓄積層430を形成するようにしてもよい。また、上述した放射線画像検出器400~402においては、電荷蓄積層430を、上記実施形態における第2の格子3と同様に直線状の格子状に形成するようにしたが、これに限らず、上記実施形態における第1の格子2の構成を電荷蓄積層430に採用し、図28に示すように複数の単位格子形状の電荷蓄積層430を、X方向について所定のピッチずつずらしながらY方向に配列して形成するようにしてもよい。なお、図28においては、一部の電荷蓄積層430のパターンのみを示しているが、実際には、図28に示すパターンがX方向およびY方向に繰り返して配置されるものとする。また、上記第1の実施形態の第1の格子2の単位格子の配置方法として種々の配置方法を採用可能であるのと同様に、電荷蓄積層430のパターンとしても種々のパターンを採用可能である。なお、電荷蓄積層43をこのような構成とした場合には、第1の格子2については、図5に示す第2の格子3のように、直線状の格子部材22から形成することになる。また、上記実施形態の放射線画像撮影装置については、乳房画像を撮影する乳房画像撮影表示システムや、被検者を立位状態で撮影する放射線画像撮影システムや、被検者を臥位状態で撮影する放射線画像撮影システムや、被検者を立位状態および臥位状態で撮影可能な放射線画像撮影システムや、長尺撮影を行う放射線画像システムなどに適用可能である。さらに、上記実施形態の放射線画像撮影装置については、3次元画像を取得する放射線位相CT装置や、立体視が可能なステレオ画像を取得するステレオ撮影装置や、断層画像を取得するトモシンセシス撮影装置などにも適用することも可能である。"