少なくとも一方主面が無機絶縁体からなる基体と、該基体の一方主面上に載置された電極とを含み、該電極の側面が前記基体を形成する無機絶縁体と同じ材料からなる接合材で前記基体と接合されたことを特徴とする基板。前記接合材が常温で接合されたことを特徴とする請求項1に記載の基板。前記電極の外周の側面と前記基体とが前記接合材で接合されたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板。前記電極の主面間を貫通する孔を有し、該孔の側面と前記基体とが前記接合材で接合されたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちいずれかに記載の基板。前記側面全域と前記基体とが前記接合材で接合されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のうちいずれかに記載の基板。ここで、湿度が高いあるいは熱や振動が加わるなど劣悪な環境下での使用にあっては、樹脂系接着剤からなる接合材が劣化し亀裂が入って電極が剥離するおそれがある。本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、接合材の劣化等が抑制され、電極の剥離が低減された基板を提供することを目的とする。本発明は、少なくとも一方主面が無機絶縁体からなる基体と、該基体の一方主面上に載置された電極とを含み、該電極の側面が前記基体を形成する無機絶縁体と同じ材料からなる接合材で前記基体と接合されたことを特徴とする基板である。また本発明は、上記の構成において、前記接合材が常温で接合されたことを特徴とする基板である。また本発明は、上記の構成において、前記電極の外周の側面と前記基体とが前記接合材で接合されたことを特徴とする基板である。また本発明は、上記の構成において、前記電極の主面間を貫通する孔を有し、該孔の側面と前記基体とが前記接合材で接合されたことを特徴とする基板である。また本発明は、上記の構成において、前記側面全域と前記基体とが前記接合材で接合されたことを特徴とする基板である。本発明の基板によれば、電極の側面が基体を形成する無機絶縁体と同じ材料からなる接合材で基体と接合されたことで、無機絶縁体が耐湿性、耐熱性および耐振動性に優れ劣化しにくいことから、劣悪な環境下での使用であっても、接合材に亀裂が入って電極が剥離するのを抑制することができる。本発明の基板の実施の形態の例について図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の基板の実施の形態の一例を示す斜視図であり、図2は本発明の基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図1および図2に示す基板は、少なくとも一方主面が無機絶縁体からなる基体1と、基体1の一方主面上に載置された電極2とを含み、電極2の側面が基体1を形成する無機絶縁体と同じ材料からなる接合材3で基体1と接合されたことを特徴とする基板である。基体1としては、例えばアルミナ質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックス、窒化珪素質セラミックスなどのセラミックスからなるもの、一方主面側にセラミックスからなる無機絶縁層が設けられ他方主面側に純銅系、銅合金系、ニッケルなどの導体からなる導体層が設けられたものが挙げられる。また、基体1が矩形状の場合の寸法としては、例えば縦20~100mm、横20~100mm、厚さ0.5~2mmのものが挙げられる。基体1の一方主面上に載置された電極2は、例えば銅、銅合金系、ニッケルなどの金属からなり、例えば0.01~0.2mmの厚みとされたものである。この電極2の上には、図1に示すように、例えば半導体チップ4が搭載される。そして、電極2の側面が基体1と接合材3で接合されている。接合材3としては、基体1を形成する無機絶縁体と同じ材料であり、例えばアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素などのセラミック粒子からなる膜から構成される。なお、電極2の側面が基体1と接合されているとは、電極2の基体1側の主面では接合されていない電極2と基体1との間に接合材3を積極的に介在させていないことを意味し、電極2の上面には電子部品を搭載する関係で基本的には接合材3はないが、電極2の上面の縁部に多少はかかっていてもよい。基体1と電極2を接合する際、いわゆるアルミナセメントのような絶縁体粒子同士を接着したような構成とすると、絶縁体粒子間に基体1の無機絶縁体と異なる材料を用いたことで、長期間の使用により無機絶縁体と異なる材料の箇所から接合材が劣化するおそれがある。特に、湿度が高いあるいは熱や振動が加わるなど劣悪な環境下においては、接合材に亀裂が入って電極が剥離するおそれがある。接合材3と基体1との間に全く異物が無い状態を形成することによってこのような問題が解消されることから、本発明においては、基体1の無機絶縁体と同じ材料で電極2の側面と基体1とを接合材3で接合したことを特徴としている。また、電極2の側面と基体1とが上記のような接合材3で接合されていることにより、接合材3と基体1との間に熱膨張係数差のほとんどない一体化した部材のように構成することができる。したがって、半田リフロー時の熱例えば240~280°Cおよび加熱から冷却への温度変化によって熱応力が加わったとしても、接合材3が電極2をかしめたような構成となって電極2の剥離を抑えるように作用させることができる。さらに、接合材3が電極2の側面にある構成によれば、基体1の一方主面と電極2の主面との間に接合材層が介在しておらず空気の層しかないので、接合材3によって接合されていない非接合部が自由に変形することで応力を緩和することができる。特に、異なる電位の電極が微小な間隔で配置された場合には、接合材3を緻密な薄膜とすることで湿度等の影響もほとんど受けない極めて絶縁性の高い接合材となる。接合材3の作製方法としては、スパッタ法等の方法で接合材3を形成する方法や、窒素やヘリウム等の高圧ガス5MPa程度を常温から600°Cの温度に加熱し、300~1200m/sの速度にてノズルから粉末を噴射して接合させる方法もあるが、精度良く基体1から電極2の側面にかけて接合材3を設けるには、特にエアロゾルデポジション法が好ましい。また、常温で接合材3を形成するのが、接合時の残留応力が少なく、リフローやある程度の熱サイクル等に対する耐久性を向上させる点で好ましい。接合材3を構成するセラミック粒子の平均粒径は例えば3μm以下であり、これらはレーザー回析散乱式粒度分布測定装置ベックマンコールター社製を用いて、レーザー光を当てたときに散乱される光の強度と散乱角度から求めることができる。また、接合材3の厚みは、例えば0.01~0.2mmとされている。この接合材3を用いて、電極2の側面と基体1とがエアロゾルデポジション法を用いて常温で接合されることにより、熱膨張係数の差による応力が発生しなくなる。また、樹脂成分を含まないため、劣化等を抑制することができる。ここで、電極2の側面と基体1とが接合材3で接合された例として、図1および図2に示すように、電極2の外周の側面と基体1とが接合材3で接合された構成が挙げられる。この構成によれば、応力が集中して剥離の起点となる外周部が接合されるため、電極2の剥離の発生を抑制することができる。このとき、電極の傾斜角度αは、15度から75度にすることで、かしめの効果が生じるので好ましい。また、電極2の側面とは電極2の外周の側面に加えて電極2が主面間を貫通する孔21を有する場合の孔21の側面内壁面も含むことを意味していて、電極2が主面間を貫通する孔21を有する場合においても、上述したように電極2の外周の側面と基体1とが接合材3で接合されているのがよい。さらに、図3に示すように、孔21の側面と基体1とが接合材3で接合された構成としてもよい。この構成によれば、孔21の側面に接合された接合材3を介して放熱されることによって熱の分散性が良くなり、熱応力による電極2の剥離の発生をより抑制することができる。特に、側面全域を覆うように接合材3を接合することで、基体1の一方主面と電極2の主面との間へのいかなるほこりやごみの侵入を防ぎ、また基体1の一方主面と電極2の主面との間に接合材3の破片が侵入することもないので、基板の動作不良を防止できる。次に、本実施の形態の基板の製造方法について説明する。ここでは、先に述べた方法のうち、基体と電極とをエアロゾルデポジション法を用いて接合する例について説明する。まず、アルミナ質セラミックスなどの絶縁基体あるいは一方主面に絶縁層を有する金属板からなる基体1を所望の形状に作製する。例えば、絶縁基体は、セラミック粉末に焼結助剤成分を含有させプレス成型にて成型体を作製し焼成して得られる。また、一方主面に絶縁層を有する金属板は、エアロゾルデポジション法を用いて金属板表面にセラミック粉末を噴射することで絶縁層を有する金属板を形成することができる。次に、所望の回路パターン状の電極2を作製する。電極2は、例えば打ち抜きによって所望の回路パターンに形成することもできるが、エッチングのほうが電極側面に傾斜を容易に形成できる点で好ましい。また、電極の側面を傾斜させるには、いわゆるサイドエッチング現象を利用して、電極の片面側からのみのエッチングを行うことによって傾斜を形成することができる。そして、基体1上に銅等の導体からなる電極2を載せ、動かない様に保持し、真空チャンバー中の所定の位置に固定する。次に、アルミナ粉末、金属粉末等をエアロゾル発生容器内に充填し、窒素ガスを流入させてエアロゾルを発生させる。次に、発生したエアロゾルを窒素ガスの流量5~10リットル/分にて真空チャンバー中に取り付けられたノズルに送り、ノズル先端から所定の位置に固定された基体1と電極2との接合部に流速約300m/秒で噴射して接合材3を形成する。通常エアロゾルデポジション法は平面上に薄膜を形成する工法であるが、電極2の側面から基体1の上面にかけて局部的に噴射させることによって接合材3を形成する。これらは常温にて行われるため、異なる熱膨張係数を有する基体1と電極2との接合であっても熱応力を発生させることなく、接合後の残留応力を抑制することができる。なお、エアロゾルデポジション法の他に、コールドスプレー法を用いることもできる。具体的には、窒素やヘリウム等の高圧ガス5MPa程度を常温から600°Cの温度に加熱し、300~1200m/sの速度にてノズルから粉末を噴射して接合させる方法であり、この方法によっても電極の剥離を抑制された基板が得られる。本発明の実施例の基板を以下のようにして作製した。まず、大きさ30mm×30mm×0.8mmのアルミナ含有率96、残部二酸化ケイ素、酸化マグネシウム等のセラミックスからなる基体を作成した。次に、厚み0.1mmで99.99の純度の銅板をエッチングによって回路パターン状に形成した電極を作成した。電極の傾斜角度αは65度で下面側が幅広の形状となった。次に、基体上に電極を所定の位置に載せ、真空チャンバー中の基体保持ステージに固定し、真空ポンプにて真空度200Paまで減圧した。このときに、基体と電極の位置が動かない様に固定した。次に、純度99.5、平均粒径2μm以下のアルミナ粉末をエアロゾル発生容器内に充填し、窒素ガスを流入させてエアロゾルを発生させ、窒素ガスの流量10リットル/分で真空チャンバー中の基体と電極側面との接合部にノズルを通してエアロゾル化したアルミナ粉末を噴射し、接合材を形成して、本発明実施例の基板を作成した。なお、接合材は電極の外周側面全域に50μmの厚さで形成した。この基板を、260°Cに設定した半田リフロー炉にいれた。その結果、接合材3が基体1から剥離せず、金属顕微鏡で観察した結果、その境目には亀裂が無いことも確認できた。