"基板の一面上に、カーボンナノチューブ膜を形成する際に触媒として作用する金属触媒粒子を付着させる付着工程を含むカーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法において、前記付着工程は、前記金属触媒粒子およびセラミック粒子を分散させた溶媒中に前記基板を浸漬させて、前記溶媒に超音波振動を印加することを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法。前記セラミック粒子の平均粒径が、前記金属触媒粒子の平均粒径よりも大きい、請求項1に記載のカーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法。前記基板が金属基板である、請求項1又は2に記載のカーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法。請求項1~3のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法により得られるカーボンナノチューブ電極用構造体の前記金属触媒粒子の上にカーボンナノチューブを成長させて、前記基板上にカーボンナノチューブ膜を形成する成膜工程を含む、カーボンナノチューブ電極の製造方法。作用極と、対極と、前記作用極および前記対極を連結する封止部と、前記作用極、前記対極及び前記封止部によって包囲される電解質とを備える色素増感太陽電池の製造方法において、前記対極を製造する対極製造工程を含み、前記対極製造工程が、請求項4に記載のカーボンナノチューブ電極の製造方法により行われることを特徴とする色素増感太陽電池の製造方法。基板と、前記基板上に設けられる金属触媒粒子と、前記基板上に設けられるセラミック粒子と、を備えるカーボンナノチューブ電極用構造体。しかしながら、上述した非特許文献1,2に記載の方法では、基板の一面上にバイメタルであるナノメタル粒子を再現性よく生成させることが困難であった。即ち、上述した非特許文献1,2に記載の方法では、基板の一面上にMo/Coの酸化物からなる膜を生成した後、この膜を還元雰囲気下で加熱還元することにより、基板の一面上にナノメタル粒子を生成させるため、得られるナノメタル粒子の粒径について再現性が得られなかった。このため、そのナノメタル粒子を核としてカーボンナノチューブ膜を形成した場合、得られるカーボンナノチューブ電極の品質にバラツキが生じていた。また、上述した非特許文献1,2に記載の方法は、Mo/Coの酸化物からなる膜を生成した後、この膜を加熱還元することによりナノメタル粒子を生成させるものであるため、ナノメタル粒子を基板の一面に付着させるのにかなりの長時間が必要となり、効率が低いという問題があった。従って、得られるカーボンナノチューブ電極の品質のバラツキを十分に抑制でき、カーボンナノチューブ電極を短時間で効率よく製造できるカーボンナノチューブ電極用構造体の製法が望まれていた。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、得られるカーボンナノチューブ電極の品質のバラツキを十分に抑制でき、カーボンナノチューブ電極を短時間で効率よく製造できるカーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法、カーボンナノチューブ電極の製造方法、色素増感太陽電池の製造方法およびカーボンナノチューブ電極用構造体を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた結果、カーボンナノチューブ膜を形成する際に触媒として作用する金属触媒粒子を分散させた溶媒中に金属触媒粒子とは異種のセラミック粒子を分散させ、この溶媒中に基板を浸漬した後、この溶媒に超音波振動を印加することにより上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、基板の一面上に、カーボンナノチューブ膜を形成する際に触媒として作用する金属触媒粒子を付着させる付着工程を含むカーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法において、前記付着工程は、前記金属触媒粒子およびセラミック粒子を分散させた溶媒中に前記基板を浸漬させて、前記溶媒に超音波振動を印加することを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法である。この製造方法によれば、基板を、金属触媒粒子およびセラミック粒子を分散させた溶媒中に浸漬してこの溶媒に超音波振動を印加すると、超音波振動によって金属触媒粒子及びセラミック粒子の振動が活性化され、それによって生じる基板の一面近傍での金属触媒粒子及びセラミック粒子間の衝突、即ち異種粒子間の衝突や、金属触媒粒子に対するセラミック粒子による閉じ込め作用により金属触媒粒子が基板に付着する確率が高められる。その結果、金属触媒粒子を基板の一面に効果的に付着させることができる。このように、本発明の製造方法では、金属触媒粒子を粒子の状態で基板の一面に効果的に付着させることができる。このため、金属触媒粒子を基板の一面に短時間で効率よく付着させることができるとともに、カーボンナノチューブ電極用構造体を複数個製造しても、金属触媒粒子の粒径について十分な再現性を得ることができる。従って、このカーボンナノチューブ電極用構造体は、カーボンナノチューブ電極の品質のバラツキを抑制し、カーボンナノチューブ電極を短時間で効率よく製造するのに有用である。上記カーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法において、前記セラミック粒子の平均粒径が、前記金属触媒粒子の平均粒径よりも大きいことが好ましい。この場合、溶媒に超音波振動を加える際、金属触媒粒子に対するセラミック粒子による閉じ込め作用がより強められ、基板の一面近傍で、金属触媒粒子が基板に付着する確率がさらに高められる。その結果、金属触媒粒子を基板の一面により効果的に付着させることができる。上記カーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法は、前記基板が金属基板である場合に有用である。即ち、従来は、基板が金属基板であると、基板の一面上に金属触媒粒子を付着させることが困難であったところ、本発明によれば、基板が金属基板であっても基板の一面上に金属触媒粒子を短時間で容易に付着させることができる。また本発明は、上述したカーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法により得られるカーボンナノチューブ電極用構造体の前記金属触媒粒子の上に、カーボンナノチューブを成長させて、前記基板上にカーボンナノチューブ膜を形成する工程を含む、カーボンナノチューブ電極の製造方法である。この製造方法によれば、カーボンナノチューブ電極用構造体として、上述したカーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法により得られるものが使用されるため、カーボンナノチューブ電極用構造体において金属触媒粒子の粒径について十分な再現性が得られる。従って、カーボンナノチューブ電極用構造体の金属触媒粒子の上に、カーボンナノチューブを成長させて、基板上にカーボンナノチューブ膜を形成すると、得られるカーボンナノチューブ電極の品質のバラツキを十分に抑制することができる。また本発明は、作用極と、対極と、前記作用極および前記対極を連結する封止部と、前記作用極、前記対極及び前記封止部によって包囲される電解質とを備える色素増感太陽電池の製造方法において、前記対極を製造する対極製造工程を含み、前記対極製造工程が、上述したカーボンナノチューブ電極の製造方法により行われることを特徴とする色素増感太陽電池の製造方法である。この色素増感太陽電池の製造方法によれば、上記対極製造工程が、上述したカーボンナノチューブ電極の製造方法により行われるため、得られる色素増感太陽電池の品質のバラツキを十分に抑制することができる。さらに本発明は、基板と、前記基板上に設けられる金属触媒粒子と、前記基板上に設けられるセラミック粒子とを備えるカーボンナノチューブ電極用構造体である。このカーボンナノチューブ電極用構造体は、特に色素増感太陽電池の対極として有用なカーボンナノチューブ電極を形成するのに有用である。本発明によれば、得られるカーボンナノチューブ電極の品質のバラツキを十分に抑制でき、カーボンナノチューブ電極を短時間で効率よく製造できるカーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法、カーボンナノチューブ電極の製造方法、色素増感太陽電池の製造方法およびカーボンナノチューブ電極用構造体が提供される。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明に係る色素増感太陽電池の製造方法により得られる色素増感太陽電池を概略的に示す断面図、図2は、図1の対極を概略的に示す断面図である。図1に示すように、色素増感太陽電池100は、作用極10と、作用極10に対向配置される対極20とを備えている。作用極10と対極20とは封止部40によって連結されている。そして、作用極10と対極20と封止部40とによって包囲されるセル空間内には電解質30が充填されている。作用極10は、透明基板60と、透明基板60の対極20側に設けられる透明導電膜70と、透明導電膜70の上に設けられる多孔質酸化物半導体層80とを備えている。多孔質酸化物半導体層80には光増感色素が担持されている。対極20はカーボンナノチューブ電極からなり、図2に示すように、カーボンナノチューブ電極用構造体9と、その上に形成されるカーボンナノチューブ膜5とを備えている。カーボンナノチューブ電極用構造体9は、基板2と、基板2の一面2a上に付着している金属触媒粒子3と、基板2の一面2a上に付着しているセラミック粒子4とを備えており、カーボンナノチューブ膜5は、金属触媒粒子3から基板2と反対方向に向かって延びる柱状体から構成されている。次に、上述した色素増感太陽電池100の製造方法について図3~図5を参照して説明する。<対極の製造工程>まず対極20の製造方法について説明する。基板準備工程はじめに図3に示すように基板2を準備する。付着工程一方、図4に示すように、容器7を準備する。そして、容器7に溶媒6を注入し、続いて、溶媒6中に金属触媒粒子3及びセラミック粒子4を投入して分散させる。次に、基板2を溶媒6中に浸漬した後、超音波発生装置8により溶媒6に超音波振動を印加する。すると、超音波振動によって金属触媒粒子3及びセラミック粒子4の振動が活性化され、それによって生じる基板2の一面2aの近傍での金属触媒粒子3及びセラミック粒子4間の衝突、即ち異種粒子間の衝突や、金属触媒粒子3に対するセラミック粒子4による閉じ込め作用により金属触媒粒子3が基板2に付着する確率が高められる。このとき、金属触媒粒子3を基板2の一面2aに効果的に付着させることができる。このように、本発明の製造方法では、金属触媒粒子3を粒子の状態で基板2の一面2aに効果的に付着させることができる。このため、金属触媒粒子3を基板2の一面2aに短時間で効率よく付着させることができるとともに、カーボンナノチューブ電極用構造体9を複数個製造しても、金属触媒粒子3の粒径について十分な再現性を得ることができる。また本発明の製造方法は、溶媒6に超音波振動を印加することにより基板2の一面2aに金属触媒粒子3を付着させるものであり、容器7の容積を増加させることは容易である。このため、基板2を容易に大面積化することが可能となる。従って、対極20の大面積化も容易に行うことができる。基板2は、電解質30との反応性が低い基板であればよく、このような基板2としては、例えばガラス基板、Si基板のほか、チタン基板、アルミニウム基板、白金基板、ステンレス鋼基板などの金属基板や、ガラス基板上にITO膜を形成してなる基板などの複合基板が挙げられる。中でも、本発明のカーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法は、基板2が金属基板である場合に有用である。なぜなら、従来は、基板2が金属基板であると、基板2の一面2a上に金属触媒粒子を付着させることが困難であったところ、本発明によれば、基板2が金属基板であっても基板2の一面2a上に金属触媒粒子3を短時間で容易に付着させることができるためである。基板2の寸法は、特に制限されるものではないが、例えば一辺の長さが例えば5mm~500mmとなるようにすればよい。基板2の厚さも特に制限されるものではないが、例えば20μm~200μmとすればよい。基板2に対しては、溶媒6への浸漬前に洗浄処理が施されることが好ましい。この場合、洗浄処理により基板2の一面2aに付着した異物等が除去され、基板2の一面2aにおいて万遍無く金属触媒粒子3を付着させることができる。このため、異物が存在することによりその上にカーボンナノチューブが成長できず、カーボンナノチューブ膜5に大きな空隙が形成されることを十分に防止することができる。洗浄は、例えばメタノールと純水が入った容器内に5分間基板2を入れて行うことができる。なお、溶媒6に超音波振動を印加する際、基板2は、容器7内で、その一面2aが重力方向と平行となるように配置してもよいし、その一面2aが重力方向と直交するように配置されてもよい。金属触媒粒子3としては、ニッケル、コバルト、モリブデン、チタン、鉄、パラジウム、タングステン、金、アルミニウム等の金属粒子が挙げられる。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用することが可能である。金属触媒粒子3の平均粒径は通常、1nm~100nmであり、好ましくは5nm~20nmである。セラミック粒子4は、化学的に不活性な材料で構成されるものであれば特に制限なく使用可能である。即ち、セラミック粒子4を構成する材料としては、カーボンナノチューブ膜の成膜時にその成長を阻害しないセラミック材料を利用できる。このようなセラミック粒子4としては、例えばアルミナ、ジルコニア、シリカ及び酸化チタンなどが挙げられる。セラミック粒子4の平均粒径は通常、20nm~30μmであり、好ましくは50nm~30μmであり、より好ましくは300nm~1μmである。セラミック粒子4の平均粒径は、金属触媒粒子3の平均粒径よりも大きいことが好ましい。この場合、溶媒6に超音波振動を加える際、金属触媒粒子3に対するセラミック粒子3による閉じ込め作用がより強められ、基板2の一面2aの近傍で、金属触媒粒子3が基板2に付着する確率がさらに高められる。ここで、閉じ込め作用とは、金属触媒粒子3がセラミック粒子4と基板2の一面2aとの間に閉じ込められる作用のことを意味する。その結果、基板2に金属触媒粒子3をより効果的に付着させることができ、短時間で効率よく基板2に金属触媒粒子3を付着させることができる。ここで、金属触媒粒子3の平均粒径に対するセラミック粒子4の平均粒径の比は、1.5~50であることが好ましく、10~15であることがより好ましい。金属触媒粒子3の平均粒径に対するセラミック粒子4の平均粒径の比が上記範囲内にあると、上記範囲を外れた場合に比べて、金属触媒粒子3を基板2の一面2aにより効果的に付着させることができる。但し、セラミック粒子4の平均粒径は、金属触媒粒子3の平均粒径と同一であってもよく、金属触媒粒子3の平均粒径より小さくてもよい。この場合、基板2の一面2aにおいて金属触媒粒子3同士間の間隔を狭めることが可能となり、カーボンナノチューブ膜5を緻密にすることができる。なお、超音波振動の作用により、セラミック粒子4も基板2の一面2aに付着することになるが、セラミック粒子4は化学的に不活性であるので、カーボンナノチューブ膜5の生成反応に直接影響しない。即ち、カーボンナノチューブ膜5は、セラミック粒子4の上には成長しない。溶媒6は、金属触媒粒子3及びセラミック粒子4を分散させることが可能で且つ分散された粒子の物理的挙動を妨害しないものであれば特に制限なく使用可能であり、このような溶媒6としては、例えばエタノール、メタノール、アセトン、水などを用いることができる。溶媒6の密度は、好ましくは2×10-3kg/m3以下であり、より好ましくは1×10-3~1.5×10-3kg/m3である。また、溶媒6の25°Cにおける粘度は、好ましくは1×10-2Pas以下であり、より好ましくは1×10-4~2×10-3Pasである。溶媒6に分散される金属触媒粒子3の濃度は、好ましくは1×1020個/l以下であり、より好ましくは1×103~1×1020個/lである。金属触媒粒子3の濃度が1×1020個/l以下であると、上記範囲を外れる場合に比べて、より効果的に金属触媒粒子3を基板2の一面2aに付着させることができる。溶媒6に分散されるセラミック粒子4の濃度は、好ましくは1×1015個/l以下であり、より好ましくは1×1010~1×1015個/lである。容器7は、基板2を収容し得る空間を有するものであれば特に制限されない。容器7としては通常、基板2の一面2aの面積に対して1.1~2.0倍程度の広さの開口面積を有するものが使用される。容器7としては、種々のものが使用可能であり、例えばビーカーなどを用いることができる。超音波発生装置8は、図4に示すように、容器7を収容する超音波発生槽11の底面に配置して容器7の底面のほぼ全体が均一に振動するようにしてもよいし、超音波発生槽11を用いずに容器7の外側の底面に直接接するように配置してもよいし、容器7の内側で溶媒6に接するように配置してもよい。超音波発生装置8は、1個又は複数個の超音波振動子8aで構成される。超音波発生装置8が複数個の超音波振動子8aで構成される場合、例えば容器7の底面に沿って配置される。この場合、超音波振動子8aは、容器7内に置かれる少なくとも一つの基板2に対して対称性を有する位置に置かれることが好ましい。なお、超音波発生槽11の底面に超音波発生装置8を配置する場合、基板2は、容器7の底部に沈め、その一面2aが底面に平行になるように浸漬することが好ましい。この場合、金属触媒粒子3及びセラミック粒子4が重力により基板2の一面2a近傍に集まり易くなり、また、金属触媒粒子3には、基板2の一面2aに垂直な方向に超音波が加えられることになり、金属触媒粒子3を基板2の一面2aに衝突させやすくなるためである。超音波振動子8aの周波数は通常、20kHz~300kHzであり、好ましくは30kHz~80kHzである。また超音波の出力は、例えば50W~500W程度でよい。超音波振動を加える時間は、例えば3分~180分であるが、作業時間を短くする観点からは60分以下であることが好ましい。超音波振動子8aとしては、市販の超音波振動子を使用することができる。なお、超音波発生装置8の数、配置、周波数、出力等の条件は、使用する金属触媒粒子3およびセラミック粒子4の溶媒6中における濃度、基板2の大きさや配置状態等によって選択することができる。例えば、基板2の寸法が大きくなった場合には、超音波発生装置8の数は増やされる。また、作業時間の短縮が要求される場合には、超音波発生装置8の出力を大きくすることの他、発生する周波数を高くして金属触媒粒子3の付着確率を高めることもできる。上記のようにして溶媒6に超音波振動を印加した後は、基板2を溶媒6から取り出す。この後、基板2から、付着した溶媒6を除去することが好ましい。この場合、基板2に付着した溶媒6が除去されることで、カーボンナノチューブ膜5の成長が溶媒6によって阻害されることが十分に防止される。溶媒6の除去は、例えば水中に浸漬して、超音波振動を10分間以下加えた後、水中から取り出し、空気で乾燥させることによって行うことができる。こうして、基板2の一面2aに金属触媒粒子3が付着したカーボンナノチューブ電極用構造体9が得られる図5参照。成膜工程こうしてカーボンナノチューブ電極用構造体9を得た後は、カーボンナノチューブ電極用構造体9の金属触媒粒子3の上にカーボンナノチューブ膜5を形成する図2参照。カーボンナノチューブ膜5は、メタン、アセチレン、アルコール等の炭素含有ガスを原料とし、熱又はプラズマ等をエネルギー源としたCVD法により形成することができる。このとき、カーボンナノチューブ膜5を成長させる際の圧力は通常、1~50Torrであり、好ましくは10~20Torrである。またカーボンナノチューブ膜5を成長させる際の温度は通常、450~800°Cであり、好ましくは500~600°Cである。こうして金属触媒粒子3の上に、カーボンナノチューブが成長して柱状体が形成され、これらの柱状体によりカーボンナノチューブ膜5が形成される。こうして対極20が得られる。以上のようにして対極20を製造すると、カーボンナノチューブ電極用構造体9において金属触媒粒子3の粒径について十分な再現性が得られる。従って、カーボンナノチューブ電極用構造体9の金属触媒粒子3の上に、カーボンナノチューブを成長させて、基板2上にカーボンナノチューブ膜5を形成すると、得られる対極20の品質のバラツキを十分に抑制することができる。<作用極の製造工程>作用極10は、透明基板60の上に透明導電膜70を形成して積層体を形成した後、積層体の透明導電膜70上に、多孔質酸化物半導体層80を形成することにより得ることができる。多孔質酸化物半導体層80には光増感色素を担持させる。<封止工程>次に、作用極10に封止部40を形成する。そして、封止部40の内側に電解質30を印刷又は注入する。そして、対極20を作用極10に重ね合せ、封止部40を例えば加熱溶融することにより作用極10と対極20とを連結させて、電解質50を封止する。こうして色素増感太陽電池100が得られる。このようにして色素増感太陽電池100を製造した場合、対極20が、上記のようにして形成されることで、得られる対極20の品質のバラツキを十分に抑制することができる。このため、色素増感太陽電池100の品質のバラツキも十分に抑制することができる。本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、本発明のカーボン電極用構造体の製造方法が、色素増感太陽電池を構成する対極の製造方法に適用されているが、本発明のカーボン電極用構造体の製造方法は、電気二重層キャパシタ、リチウムイオン電池、燃料電池等を構成する電極の製造に適用することも可能である。以下、本発明の内容を、実施例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。実施例1まず平均粒径20nmのニッケルからなる金属触媒粒子と、平均粒径50nmのアルミナからなるセラミック粒子を用意した。他方、6cm深さ×直径2.5cmの寸法を有するガラス製の容器を用意し、この容器内に、エタノールからなる溶媒を注入した。続いて、上記金属触媒粒子と、上記セラミック粒子を溶媒中に投入して撹拌し、分散させた。このとき、溶媒中の金属触媒粒子の濃度は1×105個/lとし、セラミック粒子の濃度は、1×1012個/lとなるようにした。そして、上記の容器を、水が貯留されている超音波発生槽内に収容した。超音波発生槽としては、2個の超音波振動子周波数38kHzが底面に埋め込まれているものを使用した。一方、チタンからなる基板を準備した。基板の寸法は0.04mm厚さ×2.0cm×2.5cmとした。そして、上記溶媒中に、上記基板を、容器の底面に垂直となる姿勢を保ちながら浸漬させた。この状態で、超音波振動子を作動させ、溶媒に超音波振動を加えた。このとき、超音波振動子の出力は100Wとした。こうして、溶媒に超音波振動を60分間加えてから、超音波振動子を停止させ、基板を溶媒から引き上げ、基板を、超音波発生槽内の水中に浸漬させ、5分間超音波振動を印加した。そして、基板を超音波発生槽から取り出し、空気で乾燥させた。こうしてカーボンナノチューブ電極用構造体を得た。このカーボンナノチューブ電極用構造体の表面をSEMScanningElectronMicroscopeにより確認したところ、基板の表面に、金属触媒粒子が多数付着していることが確認できた。次に、このカーボンナノチューブ電極用構造体を、MPCVDMicrowavePlasmaChemicalVaporDepositionプロセス装置のチャンバ内に設置し、マイクロ波出力を200Wとし、水素とメタンの混合ガスを導入して、20Torrの圧力下、570°Cの温度で、カーボンナノチューブ電極用構造体の金属触媒粒子上にカーボンナノチューブ膜を成長させた。そして、カーボンナノチューブ膜をチャンバ内で室温まで冷却させた後、取り出した。こうしてカーボンナノチューブ電極からなる対極を得た。次に、酸化物半導体膜を有する作用極を用意した。作用極には、2-2-7テトラブチルアンモニウム-トリチオシアナト4,4’,4-トリカルボニル-2,2’,2-ターピリジンルテニウムIIブラックダイを担持させた。そして、バイネル商品名、デュポン社製からなる四角環状の樹脂シートを、作用極の上に配置した後、樹脂シートを加熱溶融させて作用極に接着させた。こうして作用極に封止部を設けた。次いで、封止部を設けた作用極を、FTO基板の多孔質酸化物半導体層側の表面が水平になるように配置し、封止部の内側に、アセトニトリルからなる揮発性溶媒を主溶媒とし、ヨウ素を0.05M、ヨウ化リチウムを0.1M、1,2-ジメチルー3-プロピルイミダゾリウムアイオダイドDMPIIを0.6M、4-tert-ブチルピリジンを0.5M含む電解質を注入した。そして、上記のようにして得た対極を作用極に重ね合せ、対極、封止部及び作用極を熱圧着させることにより作用極と対極とを連結させて電解質を封止した。こうして色素増感太陽電池を得た。実施例2超音波振動の印加時間を15分とし、超音波振動子の周波数を140kHzとしたこと以外は実施例1と同様にして4個の色素増感太陽電池を作製した。実施例3セラミック粒子の平均粒径を金属触媒粒子の平均粒径と同一にしたこと以外は実施例1と同様にして4個の色素増感太陽電池を作製した。実施例4セラミック粒子の平均粒径を500nm、金属触媒粒子の平均粒径を50nmとしたこと以外は実施例1と同様にして4個の色素増感太陽電池を作製した。実施例5溶媒中のセラミック粒子の濃度を2×1011個/lとし、溶媒中の金属触媒粒子の濃度を1×1014個/lとしたこと以外は実施例1と同様にして4個の色素増感太陽電池を作製した。実施例6超音波振動子の出力を65Wとしたこと以外は実施例1と同様にして4個の色素増感太陽電池を作製した。実施例7基板をチタンからアルミニウムに変更したこと以外は実施例1と同様にして4個の色素増感太陽電池を作製した。実施例8基板をチタンから、ガラス基板及びFTOの積層体に変更したこと以外は実施例1と同様にして4個の色素増感太陽電池を作製した。比較例1まずMoおよびCoの酢酸塩を溶解したエタノール溶液を準備した。一方、石英からなる基板を準備した。そして、この基板をエタノール溶液中に浸漬した後、引き上げた。次に、引き上げた基板を25°Cで120分乾燥させた後、400°Cで10分間加熱して基板の一面上にMo/Coの酸化物からなる膜を形成させた。次に、この膜を水素ガスの還元雰囲気下、570°Cで10分間加熱還元することにより、基板の一面上にバイメタルであるナノメタル粒子を生成させた。こうしてカーボンナノチューブ電極用構造体を得た。このカーボンナノチューブ電極用構造体の表面を実施例1と同様にして確認したところ、基板の表面に、ナノメタル粒子が多数付着していることが確認できた。次に、実施例1と同様にしてカーボンナノチューブ電極用構造体の金属触媒粒子上にカーボンナノチューブ膜を成長させた。こうしてカーボンナノチューブ電極からなる対極を得た。[評価]光電変換効率のバラツキ上記のようにして得られた実施例1~8及び比較例1の色素増感太陽電池をそれぞれ4個作製し、これらの色素増感太陽電池について、ソーラーシミュレータによって1.5AM、100mW/cm2の放射輝度の条件下で光電変換効率を測定し、光電変換効率のバラツキを下記式:光電変換効率のバラツキ[]=最大の光電変換効率-最小の光電変換効率に基づいて算出した。結果を表1に示す。製造時間上記のようにして得られた実施例1~8及び比較例1において、基板の一面に金属触媒粒子を付着させるのに要した時間を計測した。結果を表1に示す。表1に示す結果より、実施例1~8では、光電変換効率のバラツキは極めて小さく、十分な再現性が得られることが分かった。これに対し、比較例1では、光電変換効率のバラツキはかなり大きくなっており、十分な再現性が得られないことが分かった。また実施例1~8では、基板の一面に金属触媒粒子を付着させるのに要した時間が60分以下と短いにもかかわらず、高い光電変換効率を有するカーボンナノチューブ電極が得られることが分かった。これに対し、比較例1では、高い光電変換効率を有するカーボンナノチューブ電極が得られたものの、基板の一面に金属触媒粒子を付着させるのに要した時間が140分と極めて長かった。以上より、本発明のカーボンナノチューブ電極用構造体の製造方法によれば、得られるカーボンナノチューブ電極の品質のバラツキを十分に抑制でき、カーボンナノチューブ電極を短時間で効率よく製造できることが確認された。"