"無機絶縁基板からなる構造体に、その厚み方向に貫通した平均直径が10~1000nmの貫通孔Aを有する部分と、その厚み方向に貫通した平均直径が100nm~1mmの貫通孔Bを有する部分とを有し、かつ、前記貫通孔Aの平均直径と貫通孔Bの平均直径との比が5以上であり、前記貫通孔Aの密度は1×106~1×1010個/mm2であり、かつ、前記貫通孔Aの深さは、50~1000μmであって、貫通孔Aと貫通孔Bとのいずれか一方の一部または全部、あるいは貫通孔Aと貫通孔Bとの両方の一部または全部が、金属で充填されている金属充填構造体。前記貫通孔Aは金属で充填されている請求項1に記載の金属充填構造体。前記貫通孔Bの一部は金属で充填されている請求項2に記載の金属充填構造体。前記貫通孔Bの断面形状が円形、角形またはパターン状であり、その平均直径が、貫通孔Bの断面積を円の面積に換算した場合の直径である請求項1~3のいずれかに記載の構造体。前記金属で充填された貫通孔Bを有する部分が円形、角形、またはパターン状である請求項1~4のいずれかに記載の金属充填構造体。前記貫通孔Aの断面積の合計SAと前記貫通孔Bの断面積の合計SBの比率SA/SBが、5~1000である請求項1~5のいずれかに記載の金属充填構造体。前記貫通孔Bを有する部分の前記貫通孔Bが周期的に配列し、その周期が300nm~3mmである、請求項1~6のいずれかに記載の金属充填構造体。前記貫通孔Aを有する構造体がバルブ金属の陽極酸化により得られる、請求項1~7のいずれかに記載の金属充填構造体。前記貫通孔Aを有する構造体がアルミニウムの陽極酸化により得られる、請求項1~8のいずれかに記載の金属充填構造体。バルブ金属基板の表面の少なくとも一部に陽極酸化皮膜を形成して絶縁基板を得る第1陽極酸化処理工程と、バルブ金属基板を除去するバルブ金属基板除去工程と、陽極酸化皮膜のバリア層を除去して陽極酸化皮膜の孔を貫通して、前記貫通孔Aを形成する貫通工程と、前記絶縁基板に電解めっき処理を施し、前記貫通孔Aの内部に金属を充填する金属充填工程と、所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層の開口部の陽極酸化皮膜を除去して前記貫通孔Bを形成する貫通工程と、前記マスク層を除去する工程と、所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記絶縁基板に電解めっき処理を施し、前記貫通孔Bの一部の内部に金属を充填する金属充填工程と、を有する請求項1~9のいずれかに記載の金属充填構造体の製造方法。本発明は、光透過性に優れ、または伝熱性、放熱性に優れる異方導電性部材で、種々の用途に適用可能な金属充填構造体を提供することを目的とする。本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、従来の貫通孔Aに金属を充填した充填構造体に加え、貫通孔Aより大きな貫通孔Bを備えた充填構造体、さらに、貫通孔Bの一部に金属を充填した充填構造体を異方導電性部材として用いることにより、上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、以下を提供する。1無機絶縁基板からなる構造体に、その厚み方向に貫通した平均直径が10~1000nmの貫通孔Aを有する部分と、その厚み方向に貫通した平均直径が100nm~1mmの貫通孔Bを有する部分とを有し、かつ、前記貫通孔Aの平均直径と貫通孔Bの平均直径との比が5以上であり、前記貫通孔Aの密度は1×106~1×1010個/mm2であり、かつ、前記貫通孔Aの深さは、50~1000μmであって、貫通孔Aと貫通孔Bとのいずれか一方の一部または全部、あるいは貫通孔Aと貫通孔Bとの両方の一部または全部が、金属で充填されている金属充填構造体。2前記貫通孔Aは金属で充填されている1に記載の金属充填構造体。3前記貫通孔Bの一部は金属で充填されている2に記載の金属充填構造体。4前記貫通孔Bの断面形状が円形、角形またはパターン状であり、その平均直径が、貫通孔Bの断面積を円の面積に換算した場合の直径である1~3のいずれかに記載の構造体。5前記金属で充填された貫通孔Bを有する部分が円形、角形、またはパターン状である3に記載の金属充填構造体。6前記貫通孔Aの断面積の合計SAと前記貫通孔Bの断面積の合計SBの比率SA/SBが、5~1000である1~5のいずれかに記載の金属充填構造体。7前記貫通孔Bを有する部分の前記貫通孔Bが周期的に配列し、その周期が300nm~3mmである、1~6のいずれかに記載の金属充填構造体。8前記貫通孔Aを有する構造体がバルブ金属の陽極酸化により得られる、1~7のいずれかに記載の金属充填構造体。9前記貫通孔Aを有する構造体がアルミニウムの陽極酸化により得られる、1~8のいずれかに記載の金属充填構造体。本発明の金属充填構造体は、2種類の特定の貫通孔を有するので、種々の形態や、構造の電子部品を電気的に接続でき、しかも光デバイスの場合は、光の透過性を妨げない異方導電性部材であり、三次元実装パッケージに用いた場合には放熱性に優れる異方導電性部材として有用性が高い。また、2種類の貫通孔の配置を任意に設計できるので電子部品の大きさや種類に合わせて多様な用途に用いることのできる異方導電性部材として利用できる。以下に、本発明の金属充填構造体以下構造体ということがあるならびに使用態様を詳細に説明する。本発明の構造体は、無機絶縁基板に平均直径が異なる2種類の貫通孔貫通孔Aと貫通孔Bを持つ貫通構造体であって、その1種類以上の貫通孔に金属を充填した金属充填構造体である。貫通孔Aの平均直径RAは、10~1000nmであり、貫通孔Bの平均直径RBは、100nm~1mmである。また、前記貫通孔Aの平均直径と貫通孔Bの平均直径との比率RB/RAが5以上である。図1は、本発明の構造体の好適な実施態様の一例を示す概略図である。図1Aは、斜視図であり、図1Bは図1Aの切断面線I-Iからみた断面を説明する概略図であり、図1Cは図1Aの切断面線II-IIからみた断面を説明する概略図である。図1A、図1Bに示すように、本発明の構造体11は点線200で示す貫通孔Bを有する部分貫通部分Bと点線210で示す貫通孔Aを有する部分貫通部分Aとを有する。図2は、本発明の構造体の好適な実施態様の一例を示す平面図および断面図である。図2に示すように、本発明の構造体は、無機絶縁基板12に平均直径が異なる二種類の貫通孔貫通孔Aと貫通孔Bを持つ貫通構造体であって、その1種類または両方の貫通孔に金属14を充填した金属充填構造体である。また、図2Aは、貫通孔Aのみに金属14を充填した場合、図2Bは、貫通孔Bのみに金属14を充填した場合、図2Cは、貫通孔Aと貫通孔Bの両方に金属14を充填した場合を示す。<貫通孔A>貫通孔Aは、平均直径RA10~1000nmで、密度が1×106~1×1010個/mm2であり、深さは、50~1000μmである。貫通孔Aの形状は限定されないが、後に説明するようにバルブ金属を陽極酸化して製造される場合は、断面がほぼ円形で、深さ厚さ方向に直管状に形成されるのが好ましい。貫通孔Aの平均直径RA図1Cにおいては符号17で表される部分は、10~1000nmであり、15~800nmであるのが好ましく、20~500nmであるのが更に好ましい。貫通孔Aの平均直径が上記範囲であると、電気信号を流した際に十分な応答を得ることができるため、本発明の金属充填構造体を電子部品の検査用コネクタとして好適に用いることができる。また、上記貫通孔Aを下記で述べる陽極酸化処理で作製する場合、平均直径が1000nmより大きな貫通孔を作製することが困難である。また、貫通孔Aの間隔図1Cにおいては符号16で表される部分は、10nm以上であるのが好ましく、20~100nmであるのがより好ましく、20~50nmであるのが更に好ましい。貫通孔Aの間隔が上記範囲であると、無機絶縁基板12を構成する絶縁性基材が絶縁性の隔壁として十分に機能する。更に、上記貫通孔Aの平均深さ図1Cにおいては符号18で表される部分は、50~1000μmであり、50~700μmであるのが好ましく、50~200μmであるのがより好ましい。貫通孔Aの平均深さ、すなわち、無機絶縁基板12の厚さが上記範囲であると、機械的強度が向上して無機絶縁基板の取り扱い性が良好となる。本発明においては、貫通孔Aのアスペクト比平均深さ/平均直径は、100以上であるのが好ましく、100~100000であるのがより好ましく、200~10000であるのが更に好ましい。また、隣接する上記貫通孔Aの中心間距離図1Cにおいては符号19で表される部分。以下、周期ともいう。は、20~1000nmであるのが好ましく、30~500nmであるのがより好ましく、40~200nmであるのがさらに好ましく、50~150nmであるのが特に好ましい。周期が上記範囲であると、貫通孔Aの平均直径17と貫通孔Aの間隔16絶縁性の隔壁厚とのバランスがとりやすい。本発明においては、上記貫通孔Aの密度は、1×106~1×1010個/mm2であり、2×106~8×109個/mm2であるのが好ましく、5×106~5×109個/mm2であるのがより好ましい。貫通孔Aの密度が上記範囲にあることにより、本発明の構造体を高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品の検査用コネクタ等として使用することができる。<貫通孔B>また、貫通孔Bの平均直径RBは、100nm~1mmであり、150~800nmであるのが好ましく、200~500nmであるのが更に好ましい。貫通孔Bの平均直径が上記範囲であると、熱伝導性、放熱性または光透過性に優れ、本発明の金属充填構造体を電子部品の異方導電性部材として好適に用いることができる。ここで、貫通孔Bの形状は円形、角形またはパターン状であるため、平均直径は貫通孔Bの面積を円の面積に換算した場合の直径と定義する。また、隣接する上記貫通孔Bの中心間距離図1Bにおいては符号190で表される部分。以下、周期ともいう。は、300nm~3mmであるのが好ましく、500nm~1mmであるのがより好ましい。周期が上記範囲であると、貫通孔Bの平均直径170と貫通孔Bの間隔160絶縁性の隔壁厚とのバランスがとりやすい。また、貫通孔Bの間隔図1Cにおいては符号160で表される部分は、各種の光デバイスの要求によって異なり限定されない。10nm以上であるのが好ましく、20~100nmであるのがより好ましく、20~50nmであるのが更に好ましい。貫通孔Bの間隔が上記範囲であると、貫通孔Bに金属が充填された場合に無機絶縁基板12が絶縁性の隔壁として十分に機能する。貫通孔Aの平均直径と貫通孔Bの平均直径との比率RB/RAが、5以上であり、5~106であるのが好ましく、5~105であるのがより好ましく、5~1000であるのが特に好ましい。貫通孔Aの平均直径と貫通孔Bの平均直径との比率RB/RAが上記範囲であると、金属充填された貫通孔Aに対して貫通孔Bの断面積が25倍以上となるため、熱伝導性や放熱性に非常に有利となる。構造体11の表面における、貫通孔Aを有する部分貫通部分A210の面積SAと貫通孔Bを有する部分貫通部分B200の面積SBの比率SA/SBが5~1000であるのが好ましく、5~500であるのがより好ましく、10~200であるのが特に好ましい。貫通部分Bは、構造体11の表面において、貫通孔Bを2個以上有する部分であり、かつ、貫通部分Aとは区別できる部分である。貫通部分Bは、2個の貫通孔Bの間に貫通孔Aを有してもよいが、貫通部分Aは2個の貫通孔Aの間には貫通孔Bを有さないのが好ましい。貫通部分Bの面積は、一定の周期で配列する複数の貫通孔Bが形成するパターンに外接する直線で囲まれた内部の面積の合計であり、貫通部分Aの面積は、全体の面積から貫通部分Bの面積を引いた面積をいう。貫通部分Bが複数個ある場合はそれぞれの貫通部分Bの合計である。貫通部分Aの面積SAと貫通部分Bの面積SBの比率SA/SBが上記範囲であると、機械的強度が向上して絶縁性基材の取り扱い性が良好となる。比率が1で、貫通孔Aと貫通孔Bとの各総面積が同じぐらい表面に分布しているとレーザー加工率が高すぎる、または大きなマイクロポアを作成する陽極酸化率が高くなり、無機絶縁基板の機械的強度が弱くなる場合がある。比率が10000位であると貫通孔A、B共に金属を充填した場合でも構造体の熱伝導性が悪くなる場合がある。更に、上記貫通孔A、Bについて下記式iにより定義される規則化度は、上記貫通孔の密度を更に高めることができる理由から、50以上であることが好ましい。規則化度=b/a×100i上記式i中、aは、測定範囲における貫通孔の全数を表す。bは、一の貫通孔の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一の貫通孔以外の貫通孔の断面の重心を6個含むことになる上記一の貫通孔の測定範囲における数を表す。なお、貫通孔の規則化度を算出するより具体的な説明は、特開2009-132974号公報等に記載されている通りである。<絶縁性基材>本発明の金属充填構造体を構成する無機絶縁基板12を構成する絶縁性基材は、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材例えば、熱可塑性エラストマー等と同程度の電気抵抗率1014Ωcm程度を有する無機の絶縁性基材であれば特に限定されない。本発明に用いる無機絶縁基板は、従来公知の異方導電性フィルム等と比較して、耐熱性が高く、機械的強度も高い。本発明においては、上記絶縁性基材は、所望の平均直径を有するマイクロポアが貫通孔として形成され、かつ、高アスペクト比の貫通孔が形成される構造体が好ましい理由から、バルブ金属の陽極酸化皮膜であるのが好ましい。ここで、上記バルブ金属としては、具体的には、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。これらのうち、寸法安定性がよく、比較的安価であることからアルミニウムの陽極酸化皮膜基材であるのが好ましい。<金属>本発明の構造体は、無機絶縁基板に上記貫通孔Aと貫通孔Bを持つ貫通構造体であって、その1種類または両方の貫通孔に金属を充填した金属充填構造体である。本発明の金属充填構造体を構成する金属は、電気抵抗率が103Ωcm以下の金属であれば特に限定されず、その具体例としては、金Au、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAl、マグネシウムMg、ニッケルNi、モリブデンMo、鉄Fe、パラジウムPd、ベリリウムBe、レニウムRe、タングステンW等が好適に例示され、これらを1種単独の金属を充填してもよく、2種以上の合金を充填してもよい。これらのうち、電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケル、銀およびタングステンが好ましく、銅、金がより好ましい。<金属充填>ここで、充填率は、構造体の表面および裏面のそれぞれをFE-SEMで観察し、視野内における貫通孔の全数に対する、金属で充填されている貫通孔の数の比率金属充填貫通孔/全貫通孔から算出した平均値である。ここで、金属を充填させた後の充填率は、80以上であり、85以上であるのが好ましく、90以上であるのがより好ましい。金属による充填率が上記範囲であると、異方導電性部材が導通路として有効に機能する。<貫通孔A、Bとその金属充填の態様>本発明の金属充填構造体の金属充填の態様は、貫通孔Aと貫通孔Bとのいずれか一方の一部または全部、あるいは貫通孔Aと貫通孔Bとの両方の一部または全部が、金属で充填されている態様である。以下に記載の例は、例示であり本発明の金属充填構造体の態様はこれらの例に限定されない。本発明の金属充填構造体は、2種類の特定の貫通孔を有し、2種類の貫通孔の配置を任意に設計できるので電子部品の大きさや種類に合わせて多様な用途に用いることのできる異方導性電部材として使用できる。種々の形態や、構造の電子部品を電気的に接続でき、しかも光デバイスの場合は、光の透過性を妨げない異方導電性部材であり、三次元実装パッケージに用いた場合には放熱性に優れる異方導電性部材である。貫通部分Aと貫通部分Bとの形状は、図4、図5に例示する形状が挙げられる。特徴的には、全体が貫通孔Aを有し、かつ貫通部分Bが第1と第2の貫通部分Bを有し、第1と第2との区別は、金属充填のありなしでもよいし、異なる周期であってもよいし、異なる形状であってもよい。例えば実施例1~3、比較例1、2で用いた形状は、中央に第1の貫通部分Bがありさらにそこから離隔した位置に、帯状で矩形の第2の貫通部分Bを有する。実施例4で用いた形状は、中央に第1の貫通部分Bがあり、その周辺に第2の貫通部分Bがある。実施例6~7で用いた形状は貫通部分Bが線上、方形状の離隔した第1、第2、第3の貫通部分Bを有し、実施例5で用いた形状は、さらに第4の貫通部分Bを有する。これらは形状の例示であり、実施例、比較例に限定されない。1図2Aに示す、貫通孔Aが全部金属充填され、貫通孔Bが全部金属充填されていない態様図10は、光通信モジュール110を説明する模式図である。図10は、表面に電気配線41が形成された基板40と、基板40上に本発明の金属充填構造体11を介して実装された駆動回路20および発光素子30とを有する。基板40における駆動回路20および発光素子30が実装される側とは反対側の面には、発光素子30からの信号光νを伝達する導波路60が設けられている。また、基板40における発光素子30からの信号光νの出射経路に当たる部分には開口42が設けられ、集光レンズ50は開口42の内側に収容されている。金属充填構造体11は、貫通孔Aと貫通孔Bとを有する。貫通孔Aは金属充填され、半田ボール22を介して駆動回路20および発光素子30を電気配線41に電気的に接続する。一方貫通孔Bを有する貫通部分Bは、金属充填されず光透過性に優れた部分を形成し、この部分を介して発光素子30からの信号光νを集光レンズ50に伝達し、導波路60に送信することができる。2図2Bに示す、貫通孔Bが全部金属充填され、貫通孔Aが全部金属充填されていない態様金属充填がこの態様である場合は、貫通孔Bを貫通電極として用いる多層集積回路の異方導電性部材として本発明の金属充填構造体を用いることができる。貫通孔Bの平均直径が大きいので大電流が流せる。また、貫通孔Bの一部をダミー貫通電極とすれば大電流を流すための放熱性も確保できる。3図2Cに示す、貫通孔Aが全部金属充填され、貫通孔Bが全部金属充填されている態様図11は、三次元実装パッケージ120を説明する模式図である。プリント配線基板PWB34は、半田ボール22でインターポーザ32に接続され、絶縁層24を介して本発明の金属充填構造体11、集積回路28、本発明の金属充填構造体11、集積回路28をこの順序に積層する。絶縁層24にはそれぞれ電極26が形成されており、必要な電気的接続がされる。金属充填構造体11は異方導電性を有する金属充填された貫通孔Aとは別に、金属充填された平均直径の大きな貫通孔Bを有する。これらの貫通孔Bを絶縁層24に形成されたダミー電極27を介して集積回路28に形成されたダミー貫通電極36と接するように形成すれば、三次元実装パッケージ120に放熱性が必要な場合に、大きな放熱性を発揮するように設計することができる。4貫通孔Aが全部金属充填され、貫通孔Bが一部金属充填され一部金属充填されていない態様金属充填がこの態様である場合は、例えば光通信モジュールの異方導電性部材として本発明の金属充填構造体を用いる場合に、金属充填されていない貫通孔Bを有する貫通部分Bは、光透過性に優れた部分を形成することができ、一方金属充填された貫通孔Bを有する貫通部分Bは、大きな伝熱性および放熱性を発揮できる部分として利用できる。5本発明の貫通構造体に金属を充填していない貫通孔Aおよび貫通孔Bを有する無機絶縁基板は、2種類の平均孔径の貫通孔A、Bを持つフィルターとして用いることができる。貫通孔A、Bの配置や大きさは濾過対象物の特性に応じて設計できる。<製造方法>以下に、本発明の金属充填構造体の製造方法について詳細に説明する。製造方法1本発明の金属充填構造体を製造する金属充填構造体の製造方法以下、単に本発明の製造方法ともいう。は、上述した本発明の金属充填構造体を製造する方法であって、以下に図面に示す好適態様を用いて説明する。図12に示す製造方法1は、aバルブ金属基板81の表面の一部に陽極酸化皮膜82を形成して無機絶縁基板12を得る第1陽極酸化処理工程と、b陽極酸化皮膜のみを取り出すためのバルブ金属基板81除去工程と、陽極酸化皮膜のバリア層を除去して陽極酸化皮膜の孔を貫通して、貫通孔Aを形成する貫通工程と、c上記無機絶縁基板12に電解めっき処理を施し、上記貫通孔Aの内部に金属を充填して、金属充填貫通孔Aを有する無機絶縁基板83を得る金属充填工程と、d所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層84形成工程と、上記マスク層の開口部の陽極酸化皮膜を除去して貫通孔Bを形成する貫通工程と、e上記マスク層を除去する工程とを有する製造方法1である。製造方法2図12に示す製造方法2は、上記製造方法1の後に、f上記金属充填構造体に電解めっき処理を施し、上記貫通孔Bの一部に金属を充填する金属充填工程を有する製造方法2である。製造方法1、2はマスクを用いないので工程が簡易である。製造方法3図13に示す製造方法3は、製造方法1のa、b、c工程を行って、g得られた金属充填貫通孔Aを有する無機絶縁基板83に、更に貫通孔Bを形成する貫通工程とを有する製造方法3である。貫通孔Bの形成は限定されないが、レーザー加工が好ましく、貫通孔Bが形成された無機絶縁基板85が得られる。製造方法4図13に示す製造方法4は、上記製造方法3の後に、h貫通孔Bが形成された無機絶縁基板85に電解めっき処理を施し、上記貫通孔Bの一部に金属を充填する金属充填工程を有する製造方法4である。製造方法3、4はマスクを用いないので工程が簡易である。製造方法5図14に示す製造方法5は、iバルブ金属基板81の表面に所定の開口パターンを有するマスク層84を形成するマスク層形成工程と、jバルブ金属基板81の表面の一部に陽極酸化皮膜を形成して無機絶縁基板12を得る第1陽極酸化処理工程と、k上記マスク層84を除去する工程と、l所定の開口パターンを有するマスク層84を形成するマスク層形成工程と、m第1陽極酸化処理工程よりも大きな平均直径の孔を形成するための陽極酸化処理を施す、第2陽極酸化処理工程と、n上記マスク層を除去する工程と、o陽極酸化皮膜のみを取り出すためのバルブ金属基板除去工程と、p陽極酸化皮膜のバリア層を除去して陽極酸化皮膜の孔を貫通して、貫通孔を形成する貫通工程と、q工程pで得られた無機絶縁基板に電解めっき処理を施し貫通孔Aの内部に金属を充填する金属充填工程を有する製造方法5で、金属充填貫通孔Aと金属填されない貫通孔Bを有する本発明の構造体を得る。製造方法6図14に示す製造方法6は、製造方法5のi、j工程を行って、r得られた無機絶縁基板12に電解めっき処理を施し、上記貫通孔Aの内部に金属を充填する金属充填工程と、s上記マスク層を除去する工程と、t所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、u第1陽極酸化よりも大きな平均直径の孔を形成するための陽極酸化処理を施す、第2陽極酸化処理工程と、v上記マスク層を除去する工程と、w陽極酸化皮膜のみを取り出すためのバルブ金属基板除去工程と、x陽極酸化皮膜のバリア層を除去して陽極酸化皮膜の孔を貫通して、金属充填貫通孔Aと金属充填されない貫通孔Bを形成する貫通工程とを有する製造方法6である。製造方法7図14に示す製造方法7は、上記製造方法5または6の後に、y上記金属充填構造体に電解めっき処理を施し、上記貫通孔Bの一部に金属を充填する金属充填工程を有する製造方法7である。次に、本発明の製造方法における各工程等について説明する。無機絶縁基板の製造方法上記無機絶縁基板の作製方法は、上述したように、バルブ金属に対して陽極酸化処理を施す方法が好ましく、例えば、上記無機絶縁基板がアルミニウムの陽極酸化皮膜である場合は、アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理、および、上記陽極酸化処理の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して貫通孔Aを形成する貫通化処理をこの順に施すことにより作製することができる。本発明においては、上記無機絶縁基板の製造に用いられるアルミニウム基板ならびにアルミニウム基板に施す各処理工程については、特開2008-270158号公報の[0041]~[0121]段落に記載したものと同様に行うことができる。マスク層形成工程マスク層形成工程は、図14に示すように、アルミニウムおよびアルミニウム合金基板等のバルブ金属基板81の表面に、所定の開口パターン開口部を有するマスク層84を形成する工程である。本発明においては、上記マスク層84は、例えば、上記バルブ金属基板の表面に画像記録層を形成した後に、上記画像記録層に対して露光または加熱によりエネルギーを付与して所定の開口パターンに現像する方法等により形成することができる。ここで、上記画像記録層を形成する材料は特に限定されず、従来公知の感光層フォトレジスト層や感熱層を形成する材料を用いることができ、必要に応じて、赤外線吸収剤等の添加剤を含有していてもよい。金属充填工程金属充填工程は、上記無機絶縁基板に電解めっき処理を施し、封孔率が80以上となるように上記貫通孔の内部に金属を充填する工程である。電解めっき処理を施す前に無機絶縁基板の一方の表面に空隙のない電極膜を形成する処理電極膜形成処理を施すのが好ましく、電解めっき処理を施した後に表面平滑化処理を施すのが好ましい。上記電極膜形成処理、上記電解めっき処理および上記表面平滑化処理については、特開2009-283431号公報の[0069]~[0083]段落に記載したものと同様に行うことができる。本発明においては、電解めっき処理は、上記貫通孔に対して深さ方向に高い充填率で金属を充填させることができ、上記貫通孔の多くが異方導電性部材の導通路としても機能することができる理由から、以下に示す処理AおよびBをこの順で施す電解めっき処理であるのが好ましい。<電解めっき処理A>貫通孔の深さの0.01~1まで金属を充填する際に、各貫通孔において充填された金属の高さ以下、充填金属高さという。が、それらの平均値から30以内となるように施す電解めっき処理<電解めっき処理B>上記電解めっき処理Aよりも低い電流密度で施す電解めっき処理電解めっき処理Aの処理条件は、以下のようにして求めることができる。具体的には、まず、処理前の貫通孔の深さを測定し、その値と同様の貫通孔を有する無機絶縁基板に所定の条件で電解めっき処理を施し、めっき電圧、電流密度、めっき時間等を変化させてサンプリングする。次いで、処理後に得られた金属充填構造体を、貫通孔の深さ方向に対してFIBで切削加工し、その切削面をFE-SEMで観察する。そして、充填金属高さが貫通孔の深さの0.01~1までの範囲にあるサンプルを選択し、充填金属高さを所定数の個所で観察し、充填金属高さの平均値を算出する。その後、各貫通孔の充填金属高さについて、平均値からの誤差を計算し、充填金属の高さの平均値からの誤差が30以内であるめっき条件を算定する。一方、電解めっき処理Bは、電解めっき処理Aよりも低い電流密度で電解めっき処理を施すが、電解めっき処理Aで電流密度が変化した場合は、変化した電流密度の平均値よりさらに低い電流密度で電解めっき処理を施す。ここで、電流密度を低くする割合は限定されないが、3/4~1/40が好ましく、1/2~1/20がより好ましい。絶縁性物質充填工程さらに、上記の金属充填工程の後に、金属が充填された無機絶縁基板に封孔処理を施し、さらに絶縁性物質を充填する工程を行ってもよい。金属および絶縁性物質を所定の封孔率となるように充填させた金属充填構造体は、異方導電性部材として用いる際に配線不良を抑制することができる。絶縁性物質としては、水酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、金属アルコキシド、塩化リチウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ニオブおよび酸化ジルコニウムが例示される。これらのうち、絶縁性に優れる理由から、水酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、金属アルコキシドおよび塩化リチウムが好ましく、上記無機絶縁基板がアルミニウムの陽極酸化皮膜である場合には、酸化アルミニウムとの吸着性が優れる理由から、特に水酸化アルミニウムが好ましい。ここで、上記金属アルコキシドとしては、具体的には、例えば、後述する封孔処理ゾルゲル法において例示するものが挙げられる。絶縁性物質充填工程における封孔処理は、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。例えば、特公昭56-12518号公報、特開平4-4194号公報、特開平5-202496号公報、特開平5-179482号公報等に記載されている装置および方法で封孔処理を行ってもよい。本発明においては、沸騰水処理、熱水処理、ケイ酸ソーダ処理等の処理液を貫通孔の内部金属が充填されなかった部分をいう。以下、封孔処理において同様。まで浸透させ、貫通孔の内部の内壁を構成する物質例えば、酸化アルミニウム等を変質例えば、水酸化アルミニウム等に変質させることにより、貫通孔を封孔することができる。また、他の封孔処理としては、例えば、特開平6-35174号公報の段落[0016]~[0035]に記載されているようなゾルゲル法による封孔処理等も好適に挙げられる。ここで、ゾルゲル法とは、一般に金属アルコキシドからなるゾルを加水分解重縮合反応により流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物を形成する方法である。上記金属アルコキシドは、特に限定されないが、貫通孔の内部への封孔が容易である観点から、AlO-Rn、BaO-Rn、BO-Rn、BiO-Rn、CaO-Rn、FeO-Rn、GaO-Rn、GeO-Rn、HfO-Rn、InO-Rn、KO-Rn、LaO-Rn、LiO-Rn、MgO-Rn、MoO-Rn、NaO-Rn、NbO-Rn、PbO-Rn、PoO-Rn、PoO-Rn、PO-Rn、SbO-Rn、SiO-Rn、SnO-Rn、SrO-Rn、TaO-Rn、TiO-Rn、VO-Rn、WO-Rn、YO-Rn、ZnO-Rn、ZrO-Rn等が好適に例示される。なお、上記例示中、Rは、置換基を有してもよい、直鎖状、分枝状もしくは環状の炭化水素基または水素原子を表し、nは任意の自然数を示す。これらのうち、上記絶縁性基材がアルミニウムの陽極酸化皮膜である場合、酸化アルミニウムとの反応性に優れ、ゾルゲル形成性に優れた、酸化チタン、酸化珪素系の金属アルコキシドが好ましい。また、ゾルゲルを貫通孔の内部に形成する方法は特に限定されないが、貫通孔の内部への封孔が容易である観点から、ゾル液を塗布して加熱する方法が好ましい。また、ゾル液の濃度は、0.1~90質量が好ましく、1~80質量がより好ましく、5~70質量が特に好ましい。また、封孔率を向上させるために、繰り返し重ねて処理してもよい。更に、他の封孔処理としては、貫通孔に入る大きさの絶縁性粒子を貫通孔の内部に充填させてもよい。このような絶縁性粒子としては、分散性およびサイズの観点からコロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカは、ゾル-ゲル法で調製して使用することもでき、市販品を利用することもできる。ゾル-ゲル法で調製する場合には、WernerStoberetal;J.ColloidandInterfaceSci.,26,62-691968、RickeyD.Badleyetal;Langmuir6,792-8011990、色材協会誌,61[9]488-4931988などを参照できる。また、コロイダルシリカは、二酸化ケイ素を基本単位とするシリカの水または水溶性溶媒の分散体であり、その粒子径は1~400nmであることが好ましく、1~100nmであることがより好ましく、5~50nmであることが特に好ましい。粒子径が1nmより小さい場合は、塗液の貯蔵安定性が悪く、400nmより大きい場合は、貫通孔への充填性が悪くなる。上記範囲の粒子径のコロイダルシリカは、水性分散液の状態で、酸性、塩基性のいずれであっても用いることができ、混合する水性分散体の安定領域に応じて、適宜選択することができる。水を分散媒体とする酸性のコロイダルシリカとしては、例えば、日産化学工業社製のスノーテックス登録商標。以下同様。-O、スノーテックス-OL、旭電化工業社製のアデライト登録商標。以下同様。AT-20Q、クラリアントジャパン社製クレボゾール登録商標。以下同様。20H12、クレボゾール30CAL25等の市販品を使用することができる。塩基性のコロイダルシリカとしては、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、アミンの添加で安定化したシリカがあり、例えば、日産化学工業社製のスノーテックス-20、スノーテックス-30、スノーテックス-C、スノーテックス-C30、スノーテックス-CM40、スノーテックス-N、スノーテックス-N30、スノーテックス-K、スノーテックス-XL、スノーテックス-YL、スノーテックス-ZL、スノーテックスPS-M、スノーテックスPS-L;旭電化工業社製のアデライトAT-20、アデライトAT-30、アデライトAT-20N、アデライトAT-30N、アデライトAT-20A、アデライトAT-30A、アデライトAT-40、アデライトAT-50;クラリアントジャパン社製のクレボゾール30R9、クレボゾール30R50、クレボゾール50R50;デュポン社製のルドックス登録商標。以下同様。HS-40、ルドックスHS-30、ルドックスLS、ルドックスSM-30;等の市販品を使用することができる。また、水溶性溶剤を分散媒体とするコロイダルシリカとしては、例えば、日産化学工業社製のMA-ST-M粒子径:20~25nm、メタノール分散タイプ、IPA-ST粒子径:10~15nm、イソプロピルアルコール分散タイプ、EG-ST粒子径:10~15nm、エチレングリコール分散タイプ、EG-ST-ZL粒子径:70~100nm、エチレングリコール分散タイプ、NPC-ST粒子径:10~15nm、エチレングリコールモノプロピルエーテール分散タイプ等の市販品を使用することができる。また、これらコロイダルシリカは、一種または二種類以上組み合わせてもよく、少量成分として、アルミナ、アルミン酸ナトリウムなどを含んでいてもよい。また、コロイダルシリカは、安定剤として無機塩基水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニアなどや有機塩基テトラメチルアンモニウムなどを含んでいてもよい。本発明においては、上記絶縁性物質充填工程において上記貫通孔を封孔する際に上記無機絶縁基板の表面が上記絶縁性物質で覆われてしまう場合があるが、その場合、上記貫通孔の多くを異方導電性部材の導通路として機能させる場合は、上記無機絶縁基板の表面を覆う上記絶縁性物質を除去するのが好ましい。ここで、上記無機絶縁基板の表面を覆う上記絶縁性物質を除去する方法は特に限定されないが、例えば、後述する実施例に示す精密研磨処理機械研磨処理の他、化学機械研磨CMP:ChemicalMechanicalPolishing処理;酵素プラズマ処理;水酸化ナトリウム水溶液などのアルカリ性水溶液や硫酸などの酸性水溶液による浸漬処理;等により、上記絶縁性基材の表層部分のみを除去する方法が好適に挙げられる。貫通孔B形成工程上記貫通孔B形成工程は、貫通孔Aの平均直径の5倍以上の平均直径を有する貫通孔Bを形成する工程である。1第二陽極酸化工程:貫通孔A形成工程第一陽極酸化工程で形成した貫通孔Aの平均直径の5倍以上の平均直径を有する貫通孔Bを陽極酸化で形成する工程である。方法としては、300nm以上の周期を持つ孔を陽極酸化処理で作製し、孔径拡大処理ポアワイド処理を行う。孔径拡大処理は、陽極酸化処理後バルブ金属基板を酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸せきさせることにより、陽極酸化皮膜を溶解させ、マイクロポアの孔径を拡大する。硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液、または、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウム等の水溶液を用いることができる。2レーザー加工工程無機絶縁基板をレーザー加工して貫通孔Bを形成することができる。3機械加工ドリル加工工程無機絶縁基板を機械加工して貫通孔Bを形成することができる。4陽極酸化皮膜上に所定の開口パターンを有するマスク層を形成し、マスクの開口部の陽極酸化皮膜を溶解処理して、貫通孔Bを形成した後、マスク層を除去する工程を行ってもよい。陽極酸化皮膜の溶解は酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸せきさせる方法が例示できる。以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。実施例11鏡面仕上げ処理電解研磨処理高純度アルミニウム基板住友軽金属社製、純度99.99質量、厚さ0.4mmを10cm四方の面積で陽極酸化処理できるようカットし、以下組成の電解研磨液を用い、電圧25V、液温度65°C、液流速3.0m/minの条件で電解研磨処理を施した。陰極はカーボン電極とし、電源は、GP0110-30R高砂製作所社製を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターFLM22-10PCWASONE製を用いて計測した。電解研磨液組成85質量リン酸和光純薬社製試薬660mL純水160mL硫酸150mLエチレングリコール30mL2陽極酸化処理工程次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開2007-204802号公報に記載の手順にしたがって自己規則化法による陽極酸化処理を施した。自己規則化法により、陽極酸化皮膜を形成させた後、これを溶解させて除去し、再度、同一の条件で本陽極酸化処理を行うと、ほぼ真っ直ぐなマイクロポアが、膜面に対してほぼ垂直に形成される。電解研磨処理後のアルミニウム基板に、0.50mol/Lシュウ酸の電解液で、電圧40V、液温度15°C、液流速3.0m/minの条件で、5時間のプレ陽極酸化処理を施した。その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、0.2mol/L無水クロム酸、0.6mol/Lリン酸の混合水溶液液温:50°Cに12時間浸漬させる脱膜処理を施した。その後、0.50mol/Lシュウ酸の電解液で、電圧40V、液温度15°C、液流速3.0m/minの条件で、16時間の再陽極酸化処理を施し、膜厚130μmの酸化皮膜を得た。なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はGP0110-30R高砂製作所社製を用いた。また、冷却装置にはNeoCoolBD36ヤマト科学社製、かくはん加温装置にはペアスターラーPS-100EYELA社製を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターFLM22-10PCWASONE製を用いて計測した。3孔径拡大処理工程その後、0.50mol/Lリン酸の水溶液に、液温度36°Cの条件で、23分の浸漬し、孔径拡大処理を施し、孔径60nmの酸化皮膜を得た。4貫通化処理工程次いで、20質量塩化水銀水溶液に20°C、3時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解し、更に、5質量リン酸に30°C、30分間浸漬させることにより酸化皮膜の底部を除去し、貫通孔としてのマイクロポアを有する酸化皮膜を作製した。ここで、貫通孔Aとしてのマイクロポアの平均孔径は、60nmであった。平均孔径は、FE-SEMにより表面写真倍率50000倍を撮影し、50点測定した平均値として算出した。貫通孔Aの規則化度は、実施例、比較例で、70以上であった。同様に、貫通孔Aとしてのマイクロポアの平均深さは、130μmであった。ここで、平均深さは、上記で得られた金属充填構造体をマイクロポアの部分で厚さ方向に対してFIBで切削加工し、その断面をFE-SEMにより表面写真倍率50000倍を撮影し、10点測定した平均値として算出した。同様に、貫通孔としてのマイクロポアの密度は、約3億個/mm2であった。ここで、密度は、図3に示すように、先に説明した式iにより定義される規則化度が50以上となるように配列するマイクロポアの単位格子51中に1/2個のマイクロポア52があるとして、下記式により計算した。下記式中、Ppはマイクロポアの周期を表す。密度個μm2=12個/{Ppμm×Ppμm×√3×12}5加熱処理工程次いで、上記で得られた貫通構造体に、温度400°Cで1時間の加熱処理を施した。6電極膜形成処理工程次いで、上記加熱処理後の貫通構造体の一方の表面に電極膜を形成する処理を施した。すなわち、0.7g/L塩化金酸水溶液を、一方の表面に塗布し、140°C/1分で乾燥させ、更に500°C/1時間で焼成処理し、金のめっき核を作成した。その後、無電解めっき液としてプレシャスファブACG2000基本液/還元液日本エレクトロプレイティングエンジニヤース株製を用いて、50°C/1時間浸漬処理し、表面との空隙のない電極膜を形成した。7貫通孔Aへの金属充填処理工程電解めっき処理次いで、上記電極膜を形成した面に銅電極を密着させ、該銅電極を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。以下に示す組成の銅めっき液またはニッケルめっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、貫通孔Aとしてのマイクロポアに銅またはニッケルが充填された構造体を作製した。ここで、定電流電解は、山本鍍金社製のめっき装置を用い、北斗電工社製の電源HZ-3000を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。<銅めっき液組成>硫酸銅100g/L硫酸50g/L塩酸15g/L温度25°C電流密度10A/dm2<ニッケルめっき液組成>硫酸ニッケル300g/L塩化ニッケル60g/Lホウ酸40g/L温度50°C電流密度5A/dm28精密研磨処理工程次いで、作製した構造体の両面に対して、機械研磨処理を行い、厚さ110μmの構造体を得た。ここで、機械的研磨処理に用いる試料台としては、セラミック製冶具ケメットジャパン株式会社製を用い、試料台に貼り付ける材料としては、アルコワックス日化精工株式会社製を用いた。また、研磨剤としては、DP-懸濁液P-6μm3μm1μm1/4μmストルアス製を順に用いた。以上のようにして作製した金属が充填された構造体の貫通孔の充填率を測定した。具体的には、作製した金属充填構造体の両面をFE-SEMで観察し、1000個の貫通孔の封孔の有無を観察して充填率を算出し、両面の充填率から平均値を求めた。充填率は92であった。9貫通孔B形成工程以上のようにして作製した構造体に、貫通孔Bをレーザー加工によって形成した。貫通孔Bの平均直径は100μm、貫通孔Bの形状は円形、貫通孔Bの周期が1mm、SA/SBが100となるように、貫通孔Bを形成した。10マスク層の形成構造体に、フォトレジストFC-230G、東洋紡社製をコートし、開口パターンを付与するべくマスクを介してUV照射を施した。その後、非照射部をアルカリ現像液で現像することで完全に除去し、構造体の表面をパターン状に露出させた。11貫通孔Bへの金属充填工程構造体のマスクの開口部に、前記6電極膜形成処理工程と7貫通孔Aへの金属充填処理工程電解めっき処理に示した工程と同様の工程を行うことで貫通孔Bへの金属充填を行った。充填した金属は、貫通孔AとBとで同じ金属である。12マスク層の除去貫通孔Bへの金属充填を行った後、モノメタノールアミン溶剤を用いて残存するマスク層を全て除去し、金属充填構造体を作製した。実施例22陽極酸化処理を、硫酸水溶液中で陽極酸化を行い、3孔径拡大処理工程を行わないことで、貫通孔Aの平均直径を10nm、貫通孔Aの密度を約100億個/mm2に変えたこと以外は、実施例1と同様の方法で、金属充填構造体を作製した。このときの陽極酸化条件は、0.30mol/L硫酸の電解液で、電圧25V、液温度15°C、液流速3.0m/minの条件で、16時間の再陽極酸化処理を施す方法で行った。実施例39貫通孔B形成工程を、マロン酸水溶液中で陽極酸化することにより、貫通孔Bの平均直径を100nm、貫通孔Bの周期を300nmに変えたこと以外は、実施例2と同様の方法で、金属充填構造体を作製した。このときの陽極酸化条件は、0.50mol/L濃度のマロン酸の電解液で、電圧115V、液温度3°Cの条件で、18時間の陽極酸化処理を施した。陽極酸化工程で貫通孔Bを形成した場合の規則化度は実施例、比較例で、80以上であった。実施例49貫通孔B形成工程を、リン酸水溶液中で陽極酸化することにより、貫通孔Bの平均直径を300nm、貫通孔Bの周期を500nm、SA/SB=800となるように変えたこと以外は、実施例1と同様の方法で、金属充填構造体を作製した。このときの陽極酸化条件は、0.05mol/L濃度のリン酸の電解液で、電圧200V、液温度0°C、液流速5.0m/minの条件で、18時間の陽極酸化処理を施した。実施例58精密研磨処理工程において、作製した金属充填構造体の両面に対して、機械研磨処理を行い、厚さ50μmの金属充填構造体を作製し、9貫通孔B形成工程において、貫通孔Bの平均直径を1mm、貫通孔Bの周期を3mm、貫通孔Bの形状を四角形に変えたこと以外は、実施例1と同様の方法で、金属充填構造体を作製した。実施例62陽極酸化処理を、コハク酸水溶液中で陽極酸化することにより、貫通孔Aの平均直径を700nm、貫通孔Aの密度を約200万個/mm2に変え、8精密研磨処理工程において、作製した金属充填構造体の両面に対して、機械研磨処理を行い、厚さ50μmの金属充填構造体を作製し、9貫通孔B形成工程において、貫通孔Bの平均直径を1mm、貫通孔Bの周期を3mm、貫通孔Bの形状を四角形に変えたこと以外は、実施例1と同様の方法で、金属充填構造体を作製した。このときの陽極酸化条件は、0.3mol/L濃度のコハク酸の電解液で、電圧375V、液温度0°C、液流速5.0m/minの条件で、13時間の陽極酸化処理を施した。実施例72陽極酸化処理を、100時間の再陽極酸化処理を施し、貫通孔Aの深さを750μmの貫通構造体を作製し、9貫通孔B形成工程において、SA/SB=10となるように変えたこと以外は、実施例1と同様の方法で、金属充填構造体を作製した。比較例12陽極酸化処理を、硫酸水溶液中で陽極酸化することにより、貫通孔Aの平均直径を5nm、貫通孔Aの密度を約500億個/mm2に変えたこと以外は、実施例1と同様の方法で、金属充填構造体を作製した。このときの陽極酸化条件は、0.50mol/L硫酸の電解液で、電圧20V、液温度10°C、液流速3.0m/minの条件で、5時間のプレ陽極酸化処理を施し、その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、0.2mol/L無水クロム酸、0.6mol/Lリン酸の混合水溶液液温:50°Cに12時間浸漬させる脱膜処理を施し、その後、0.50mol/L硫酸の電解液で、電圧20V、液温度10°C、液流速3.0m/minの条件で、16時間の再陽極酸化処理を施す方法で行い、3孔径拡大処理工程を行わなかった。作製した金属充填構造体に、貫通孔Bをレーザー加工によって形成した。貫通孔Bの平均直径は1μm、貫通孔Bの形状は円形、貫通孔Bの周期が3μm、SA/SBが100となるように、貫通孔Bを形成した。比較例29陽極酸化条件を、0.30mol/L硫酸の電解液で、電圧25V、液温度15°C、液流速3.0m/minの条件で、16時間の再陽極酸化処理を施す方法で行ことにより、貫通孔Bの平均直径を10nm、貫通孔Bの周期を100nmに変えたこと以外は、実施例2と同様の方法で、金属充填構造体を作製した。比較例38精密研磨処理工程において、作製した金属充填構造体の両面に対して、機械研磨処理を行い、厚さ10μmの金属充填構造体を作製したこと以外は、実施例1と同様の方法で、金属充填構造体を作製した。実施例1~7、比較例1~3で作製した金属充填構造体の概略図を図4および図5に示す。図4、図5で貫通孔Bが黒丸である場合は金属で充填されている貫通孔であることを示し、白丸である場合は、金属が充填されていない貫通孔であることを示している。<実施例の測定方法と評価基準>上記の実施例、比較例について、以下の評価を行い、金属充填構造体の構成と共に、評価結果を表1に示す。1異方導電性<抵抗率測定>実施例および比較例で作製した金属充填構造体と予め用意したマスクとを使用して、これらを金の無電解めっき浴プレシャスハブACG2000、田中金属社製中に浸漬させることにより、図6AおよびBに示すように構造体11の裏表面に金電極部60厚み20μmを設けた。金接続部の大きさは、5μm×5μmであった。次に、構造体11の表裏面に設けられた金電極部6を介して、日置電機株式会社のRM3542を使用して、4端子法にて、構造体11の厚み方向の抵抗率を算出した。なお、実用上の観点からは、抵抗率が1×104Ωm以下であることが必要である。抵抗率が1×104Ωm超である場合を×と評価した。抵抗率が1×104Ωm以下1×105Ωm以上である場合を○と評価した。抵抗率が1×105Ωm未満である場合を◎と評価した。なお、実施例の金属充填構造体の厚さ方向に直角な方向の低効率は、いずれも1014Ωm以上であり、異方導電性を示した。2光透過性実施例および比較例で作製した金属充填構造体の金属を充填しない貫通部分Bに、図7に示すようにレンズ62を介して、波長400nm~900nmのレーザー光を構造体に照射し、透過する光を絞り64を介してフォトダイオード66で測定した。構造体11のない同様の測定系レファレンス、光透過性100とするを測定して、構造体のありなしによる光透過性の比を測定した。光透過率が50未満である場合を×と評価した。光透過率が50~70未満である場合を△と評価した。光透過率が70以上である場合を○と評価した。3熱伝導性実施例および比較例で作製した金属充填構造体の一方の表面に、図8で示す温度200度の50mm四方の熱源を設置し、金属充填構造体11の他方の表面の温度を温度センサ70で測定した。他方の表面温度が50度未満である場合を×と評価した。他方の表面温度が50度以上150度以下である場合を△と評価した。他方の表面温度が150度超である場合を○と評価した。4強度実施例および比較例で作製した金属充填構造体の貫通部分Aが、図9で示す2ケ所の支点間隔5mm、ステンレス製72上に位置するように、金属充填構造体11を置き、カッター74を、速度1mm/secで、金属充填構造体11に押しあて破断した時の三点曲げ試験による応力を測定し、以下の評価とした。結果を表1に示す。破断時の応力、1N/mm2未満を×と評価した。破断時の応力、1~4N/mm2未満を△と評価した。破断時の応力、4N/mm2以上を○と評価した。"