一面に第1導体層が形成され他面に第2導体層が形成された誘電体板と、該誘電体板を貫通して前記第1導体層と前記第2導体層とを導通させる導通部とで形成された導波路を含む導波路基板と、前記導波路に結合される導波管と、前記導波路の一端側から入力される差動信号の正相成分と前記導波路の他端側から入力される差動信号の逆相成分とを合成して前記導波管を伝搬する信号に変換する信号変換部とを備えたことを特徴とする信号変換器。前記信号変換部は、前記誘電体板のうち前記第1導体層が形成されていない領域である第1不形成領域と、前記第1導体層と離間した状態で前記第1不形成領域に設けられた導体パッチと、前記誘電体板を貫通して前記導体パッチおよび前記第1導体層と前記第2導体層とを導通させることにより、前記導波路の一端側と前記導波路の他端側とを遮断する第1遮断用導通部とを備えたことを特徴とする請求項1に記載の信号変換器。前記信号変換部は、前記導波路の一端側または前記導波路の他端側と前記第1遮断用導通部との間を前記差動信号が伝搬する方向と交差する方向にて前記導体パッチと前記第1導体層とを接続する接続部をさらに備えたことを特徴とする請求項2に記載の信号変換器。前記第1遮断用導通部と前記導体パッチの縁部とは、前記第1遮断用導通部と前記導体パッチの縁部との間を伝搬する前記差動信号が最大の振幅となる位置にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項2または3に記載の信号変換器。前記第1遮断用導通部と前記導体パッチの縁部とは、前記第1遮断用導通部と前記導体パッチの縁部との間を伝搬する前記差動信号の波長の1/4に相当する距離を置いて形成されていることを特徴とする請求項4に記載の信号変換器。前記信号変換部は、前記誘電体板を貫通して前記第1導体層と前記第2導体層とを導通させることにより、前記導波路の一端と前記導波路の他端とを遮断する第2遮断用導通部と、前記第2遮断用導通部を挟む位置に並列して設けられた、前記第1導体層が形成されていないスリット状の領域である一対の第2不形成領域とを備えたことを特徴とする請求項1に記載の信号変換器。前記第2遮断用導通部と各前記第2不形成領域とは、前記第2遮断用導通部と各前記第2不形成領域との間を伝搬する前記差動信号が最大の振幅となる位置にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項6に記載の信号変換器。前記第2遮断用導通部と各前記第2不形成領域とは、前記第2遮断用導通部と各前記第2不形成領域との間を伝搬する前記差動信号の波長の1/4に相当する距離を置いて形成されていることを特徴とする請求項7に記載の信号変換器。差動信号を入出力する半導体回路チップと、前記半導体回路チップに接続される信号変換器とを備え、前記信号変換器は、一面に第1導体層が形成され他面に第2導体層が形成された誘電体板と、該誘電体板を貫通して前記第1導体層と前記第2導体層とを導通させる導通部とで形成された導波路を含む導波路基板と、前記導波路に結合される導波管と、前記導波路の一端側から入力される前記差動信号の正相成分と前記導波路の他端側から入力される前記差動信号の逆相成分とを合成して前記導波管を伝搬する信号に変換する信号変換部とを備えたことを特徴とする回路モジュール。しかしながら、上記した従来の技術では、外部からの雑音の影響を受け易く信号変換の効率が低下するという問題がある。すなわち、上記した従来の技術では、差動信号をシングル信号に事前に変換し、変換後のシングル信号を空洞導波管へ出力するため、半導体回路チップと空洞導波管との間を伝搬するシングル信号に外部からの雑音が重畳する場合がある。一般に、シングル信号に重畳された雑音を除去することは困難である。結果として、信号変換の効率が低下する恐れがある。例えば、図7に示した例では、第1信号変換部11から出力されたシングル信号が、接続部12、伝送線路13および第2信号変換部14を介して空洞導波管15へ到達する間に、シングル信号に外部からの雑音が重畳することがある。その結果、信号変換の効率が低下する恐れがある。開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、外部からの雑音の影響を抑えた高効率な信号変換を行うことが可能となる信号変換器および回路モジュールを提供することを目的とする。本願の開示する信号変換器は、導波路基板と、導波管と、信号変換部とを備える。導波路基板は、一面に第1導体層が形成され他面に第2導体層が形成された誘電体板と、該誘電体板を貫通して前記第1導体層と前記第2導体層とを導通させる導通部とで形成された導波路を含む。導波管は、前記導波路に結合される。信号変換部は、前記導波路の一端側から入力される差動信号の正相成分と前記導波路の他端側から入力される差動信号の逆相成分とを合成して前記導波管を伝搬する信号に変換する。本願の開示する信号変換器の一つの態様によれば、外部からの雑音の影響を抑えた高効率な信号変換を行うことが可能となるという効果を奏する。以下に、本願の開示する信号変換器および回路モジュールの実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。図1は、実施例1に係る信号変換器102が組み込まれた回路モジュール100の構成を模式的に示した図である。同図に示すように、回路モジュール100は、半導体回路チップ101と、信号変換器102とを有する。半導体回路チップ101は、例えば、ミリ波帯ICintegratedcircuitやマイクロ波帯ICであり、互いに逆位相となる正相成分および逆相成分を含む差動信号を入出力する。信号変換器102は、半導体回路チップ101に接続部21、21を介して接続されており、導波路110a、110aと、導波管120と、信号変換部130とを有する。なお、図1に示した例では、上側の接続部21が、半導体回路チップ101における差動信号の正相成分用の端子に接続されており、下側の接続部21が、半導体回路チップ101における差動信号の逆相成分用の端子に接続されているものとする。導波路110aは、誘電体板の両面に形成された導体層と両面の導体層を導通させる導通スルーホールとで囲まれた伝送路である。図1に示した例では、上側の導波路110aは、上側の接続部21を介して、半導体回路チップ101における差動信号の正相成分用の端子に接続されている。そして、上側の導波路110aは、半導体回路チップ101から供給される差動信号の正相成分を信号変換部130まで伝送する。また、下側の導波路110aは、下側の接続部21を介して、半導体回路チップ101における差動信号の逆相成分用の端子に接続されている。そして、下側の導波路110aは、半導体回路チップ101から供給される差動信号の逆相成分を信号変換部130まで伝送する。導波管120は、例えば、空洞導波管であり、導波路110aに結合される。信号変換部130は、上側の導波路110aを伝搬する差動信号の正相成分と、下側の導波路110aを伝搬する差動信号の逆相成分とを合成して導波管120を伝搬する信号に変換する。導波管120を伝搬しアンテナ23に到達した信号は、アンテナ23を介して空間に放射される。このように、回路モジュール100は、半導体回路チップ101からの差動信号の正相成分と逆相成分とを導波路110aにて個別に伝搬させた後、差動信号の正相成分と逆相成分とを信号変換部130により合成して導波管120を伝搬する信号に変換する。ここで、導波路110aおよび導波管120は、電磁界的に閉じた空間である。このため、本実施例の回路モジュール100によれば、導波路110aおよび導波管120を伝搬する信号に外部からの雑音が重畳されることを回避することができる。次に、図1に示した回路モジュール100の構成を詳細に説明する。図2は、実施例1に係る回路モジュール100の構成例を示す図である。同図に示すように、回路モジュール100は、差動信号を入出力する半導体回路チップ101と、半導体回路チップ101に接続される信号変換器102とを有する。そして、半導体回路チップ101から出力される差動信号が信号変換器102の導波路110aを伝搬するようになっている。ここで、信号変換器102の構成を詳細に説明する。図3-1は、実施例1における信号変換器102の上面図である。図3-2は、図3-1に示した信号変換器102のV-V線断面図である。図3-1および図3-2に示すように、信号変換器102は、導波路基板110と、導波管120と、信号変換部130とを有する。導波路基板110は、導波路110aを含む基板である。導波路基板110は、誘電体板111と、導通スルーホール112とを有する。誘電体板111は、例えば樹脂やセラミック等の誘電体で形成された板状の部材である。誘電体板111の表面には、第1導体層111aが形成され、誘電体板111の裏面には、第2導体層111bが形成されている。導通スルーホール112は、誘電体板111を貫通して誘電体板111の両面の第1導体層111aと第2導体層111bとを導通させている。導通スルーホール112は、所定間隔を空けて2列で配列されている。導通スルーホール112は、導通部の一例である。したがって、導波路基板110には、誘電体板111と、第1導体層111aおよび第2導体層111bと、2列の導通スルーホール112とで包囲された筒状の誘電体部分が形成され、この筒状の誘電体部分が導波路110aを構成している。導波路110aは、誘電体板111を伝搬する信号を導波管モードで伝送させる伝送路である。導波路110aの一端は、半導体回路チップ101における差動信号の正相成分用の端子に接続され、導波路110aの他端は、半導体回路チップ101における逆相成分用の端子に接続されている。なお、導波路110aと半導体回路チップ101との接続構成については、後述で説明する。導波管120は、導体で形成された角筒状の本体部121と、本体部121の内部に形成された角筒状の空洞部122とを備えた空洞導波管である。導波管120の上面側および下面側にはそれぞれ開口面部122a、122bが形成されている。導波管120は、誘電体板111の第1導体層111a上に設置され、導波管120の開口面部122bが第1導体層111aに接することにより、導波管120と導波路基板110の導波路110aとが結合されている。信号変換部130は、導波路110aの一端側から入力される差動信号の正相成分と導波路110aの他端側から入力される差動信号の逆相成分とを合成して導波管120を伝搬する信号に変換する。なお、正相成分および逆相成分は、互いに逆位相となる一対の信号成分を表す。信号変換部130は、導波管120と導波路基板110の導波路110aとの結合部分であって、かつ、導波管120の開口面部122bの内部に配置されている。信号変換部130は、第1不形成領域131と、導体パッチ132と、第1遮断用導通スルーホール133とを有する。第1不形成領域131は、誘電体板111のうち第1導体層111aが形成されていない領域である。導体パッチ132は、例えば長方形状の導体パターンであり、第1導体層111aと離間した状態で第1不形成領域131に設けられる。言い換えると、導体パッチ132と第1導体層111aとは、第1不形成領域131により物理的に分断され、導体パッチ132と第1導体層111aとは、第1不形成領域131により電磁界的に結合される。第1遮断用導通スルーホール133は、誘電体板111を貫通して導体パッチ132および第1導体層111aと第2導体層111bとを導通させることにより、導波路110aの一端と導波路110aの他端とを遮断する。すなわち、第1遮断用導通スルーホール133は、導波路110aの一端側から入力される差動信号の正相成分に対するショート壁として機能するとともに、導波路110aの他端側から入力される差動信号の逆相成分に対するショート壁として機能する。第1遮断用導通スルーホール133は、第1遮断用導通部の一例である。第1遮断用導通スルーホール133と導体パッチ132の縁部132aとは、第1遮断用導通スルーホール133と導体パッチ132の縁部132aとの間を伝搬する差動信号が最大の振幅となる位置にそれぞれ形成されている。言い換えると、第1遮断用導通スルーホール133と導体パッチ132の縁部132aとは、第1遮断用導通スルーホール133と導体パッチ132の縁部132aとの間を伝搬する差動信号が強め合う位置にそれぞれ形成されている。具体的には、第1遮断用導通スルーホール133と導体パッチ132の縁部132aとの距離L1は、第1遮断用導通スルーホール133と導体パッチ132の縁部132aとの間を伝搬する差動信号の波長の1/4に相当する距離に設定されている。このように、本実施例における信号変換器102では、導波路基板110に導波路110aが形成され、導波路110aと導波管120との結合部分に信号変換部130が配置される。そして、信号変換部130では、導波路110aの一端側から入力される差動信号の正相成分は、ショート壁としての第1遮断用導通スルーホール133に反射して導体パッチ132の縁部132aに向けて伝搬する。これにより、第1遮断用導通スルーホール133を節とし導体パッチ132の縁部132aを腹とする定在波が発生する。一方、導波路110aの他端側から入力される差動信号の逆相成分は、ショート壁としての第1遮断用導通スルーホール133に反射して導体パッチ132の縁部132aに向けて伝搬する。これにより、第1遮断用導通スルーホール133を節とし導体パッチ132の縁部132aを腹とする定在波が発生する。結果として、導波路110aの一端側から入力される差動信号の正相成分と導波路110aの他端側から入力される差動信号の逆相成分とが合成され、導波管120を伝搬する信号に変換される。次いで、導波路110aと半導体回路チップ101との接続構成について説明する。図4は、図2に示した回路モジュール100のW-W線断面図である。図2および図4に示すように、半導体回路チップ101には、差動信号の正相成分を入出力するための端子であるメタルパッド151と、差動信号の逆相成分を入出力するための端子であるメタルパッド152とが設けられている。メタルパッド151は、図4に示すように、メタルバンプ153を通じて導波路110aの一端側の第1導体層111aに接続される。そして、半導体回路チップ101のメタルパッド151と導波路110aの第1導体層111aとのメタルバンプ153を通じた接続を安定化するためのアンダーフィル材154が充填される。これにより、導波路110aの一端と、半導体回路チップ101における差動信号の正相成分用のメタルパッド151とがフリップチップ接続されるようになっている。また、メタルパッド152は、メタルバンプ153を通じて導波路110aの他端側の第1導体層111aに接続される。そして、半導体回路チップ101のメタルパッド152と導波路110aの第1導体層111aとのメタルバンプ153を通じた接続を安定化するためのアンダーフィル材155が充填される。これにより、導波路110aの他端と、半導体回路チップ101における差動信号の逆相成分用のメタルパッド152とがフリップチップ接続されるようになっている。なお、メタルパッド151、152およびメタルバンプ153は、図1に示した接続部21の一例である。上述してきたように、本実施例に係る回路モジュール100は、半導体回路チップ101からの差動信号の正相成分をメタルパッド151およびメタルバンプ153を通じて、導波路110aの一端側の第1導体層111aへ入力させる。一方、回路モジュール100は、半導体回路チップ101からの差動信号の逆相成分をメタルパッド152およびメタルバンプ153を通じて、導波路110aの他端側の第1導体層111aへ入力させる。そして、回路モジュール100は、半導体回路チップ101からの差動信号の正相成分と逆相成分とを導波路110aにて個別に伝搬させた後、差動信号の正相成分と逆相成分とを信号変換部130により合成して導波管120を伝搬する信号に変換する。ここで、導波路110aおよび導波管120は、電磁界的に閉じた空間である。このため、本実施例によれば、導波路110aおよび導波管120を伝搬する信号に外部からの雑音が重畳されることを回避することができる。結果として、外部からの雑音の影響を抑えた高効率な信号変換を行うことが可能となる。なお、メタルパッド151、152およびメタルバンプ153は、導波路110aと異なり、電磁的に閉じた空間ではないため、これらメタルパッド151、152およびメタルバンプ153に外部からの雑音が侵入する場合がある。このような場合であっても、本実施例の回路モジュール100は、差動信号の正相成分と逆相成分とを信号変換部130により合成することにより、上記した外部からの雑音をいわゆるコモンモード雑音として相殺することができる。実施例2は、導体パッチ132と第1導体層111aとを接続部により接続した構成が実施例1と異なる。まず、実施例2に係る回路モジュールが有する信号変換器202の構成について説明する。図5は、実施例2における信号変換器202の上面図である。なお、図5において図3-1と同一の部分には同一の符号を付すこととして、その詳細な説明を省略する。また、実施例2に係る回路モジュールの構成は、図2に示した構成と同様であるため、ここでは、その説明を省略する。図5に示すように、信号変換器202は、導波路基板110と、導波管120と、信号変換部230とを有する。信号変換部230は、第1不形成領域131、導体パッチ132および第1遮断用導通スルーホール133に加えて、接続部234、235を新たに有する。接続部234、235は、導体パッチ132および第1導体層111aと同様に導体により形成され、導体パッチ132と第1導体層111aとを接続する。具体的には、接続部234、235は、導波路110aの一端側または導波路110aの他端側と第1遮断用導通スルーホール133との間を差動信号が伝搬する方向と交差する方向にて導体パッチ132と第1導体層111aとを接続する。言い換えると、接続部234、235は、導波路110aの一端側または導波路110aの他端側と第1遮断用導通スルーホール133との間を差動信号が伝搬する方向と交差する方向にて第1不形成領域131を分断する。本実施例の接続部234、235は、導体パッチ132の中心に交差する中心線のうち差動信号が伝搬する方向と交差する中心線上に形成されている。このように、本実施例における信号変換器202では、差動信号が伝搬する方向と交差する導体パッチ132の中心線上に接続部234、235を形成して導体パッチ132と第1導体層111aとを接続している。これにより、位置ずれが発生して第1遮断用導通スルーホール133に対する導体パッチ132の対称性が維持できない場合でも、中心線を挟んだ導体パッチ132の両端でのショート状態を保持することができる。上述してきたように、本実施例に係る信号変換器202では、導波路110aの一端側または導波路110aの他端側と第1遮断用導通スルーホール133との間を差動信号が伝搬する方向と交差する方向にて導体パッチ132と第1導体層111aとを接続する。このため、本実施例によれば、第1遮断用導通スルーホール133に対する導体パッチ132の対称性が維持できない場合でも、導体パッチ132の両端でのショート状態を保持することができ、信号変換の効率を向上することができる。実施例3は、信号変換部の構成が実施例1と異なる。まず、実施例3に係る回路モジュールが有する信号変換器302の構成について説明する。図6は、実施例3における信号変換器302の上面図である。なお、図6において図3-1と同一の部分には同一の符号を付すこととして、その詳細な説明を省略する。また、実施例3に係る回路モジュールの構成は、図2に示した構成と同様であるため、ここでは、その説明を省略する。図6に示すように、信号変換器302は、導波路基板110と、導波管120と、信号変換部330とを有する。信号変換部330は、導波路110aの一端側から入力される差動信号の正相成分と導波路110aの他端側から入力される差動信号の逆相成分とを合成して導波管120を伝搬する信号に変換する。信号変換部330は、導波管120と導波路基板110の導波路110aとの結合部分であって、かつ、導波管120の開口面部122bの内部に配置されている。信号変換部330は、第2遮断用導通スルーホール331と、一対のスリット332、332とを有する。第2遮断用導通スルーホール331は、誘電体板111を貫通して第1導体層111aと第2導体層111bとを導通させることにより、導波路110aの一端と導波路110aの他端とを遮断する。すなわち、第2遮断用導通スルーホール331は、導波路110aの一端側から入力される差動信号の正相成分に対するショート壁として機能するとともに、導波路110aの他端側から入力される差動信号の逆相成分に対するショート壁として機能する。第2遮断用導通スルーホール331は、第2遮断用導通部の一例である。スリット332、332は、誘電体板111のうち第1導体層111aが形成されていないスリット状の領域である。スリット332、332は、第2遮断用導通スルーホール331を挟む位置に並列して2つ設けられている。具体的には、一方のスリット332は、第2遮断用導通スルーホール331を挟んで導波路110aの一端側に配置されるとともに、他方のスリット332は、第2遮断用導通スルーホール331を挟んで導波路110aの他端側に配置される。スリット332、332は、第2不形成領域の一例である。第2遮断用導通スルーホール331と各スリット332とは、第2遮断用導通スルーホール331と各スリット332との間を伝搬する差動信号が最大の振幅となる位置にそれぞれ形成されている。言い換えると、第2遮断用導通スルーホール331と各スリット332とは、第2遮断用導通スルーホール331と各スリット332との間を伝搬する差動信号が強め合う位置にそれぞれ形成されている。具体的には、第2遮断用導通スルーホール331と各スリット332との距離L2は、第2遮断用導通スルーホール331と各スリット332との間を伝搬する差動信号の波長の1/4に相当する距離に設定されている。このように、本実施例における信号変換器302では、導波路基板110に導波路110aが形成され、導波路110aと導波管120との結合部分に信号変換部330が配置される。そして、信号変換部330では、導波路110aの一端側から入力される差動信号の正相成分は、ショート壁としての第2遮断用導通スルーホール331に反射して一方のスリット332に向けて伝搬する。これにより、第2遮断用導通スルーホール331を節とし一方のスリット332を腹とする定在波が発生する。一方、導波路110aの他端側から入力される差動信号の逆相成分は、ショート壁としての第2遮断用導通スルーホール331に反射して他方のスリット332に向けて伝搬する。これにより、第2遮断用導通スルーホール331を節とし他方のスリット332を腹とする定在波が発生する。結果として、導波路110aの一端側から入力される差動信号の正相成分と導波路110aの他端側から入力される差動信号の逆相成分とが合成され、導波管120を伝搬する信号に変換される。上述してきたように、本実施例に係る信号変換器302では、導波路基板110のうち第2遮断用導通スルーホール331を挟む位置に、第1導体層111aが形成されていないスリット状の領域である一対のスリット332、332が並列して設けられている。このため、本実施例によれば、第2遮断用導通スルーホール331を挟んで導波路110aの一端側に配置される一方のスリット332と導波路110aの他端側に配置される他方のスリット332とを空間的に分離することができる。したがって、導波路110aの一端側から入力される差動信号の正相成分が導波路110aの他端側に漏れ、導波路110aの他端側から入力される差動信号の逆相成分が導波路110aの一端側に漏れることを防止することができる。結果として信号変換の効率を向上することができる。