半導体基板に形成され、画素を備える受光素子であって、前記半導体基板の上に位置して、受光するための受光層と、前記受光層の上に位置するコンタクト層と、前記コンタクト層にオーミック接触する画素電極とを備え、前記半導体基板の裏面が光入射面であり、前記コンタクト層と前記画素電極との化学反応を防止するための反応防止膜が、該コンタクト層と該画素電極との間の限定領域に介在していることを特徴とする、受光素子。前記画素電極の領域が、前記反応防止膜と接触している当該画素電極の領域を取り囲む周囲の全周、または当該周囲の部分、に位置することを特徴とする、請求項1に記載の受光素子。前記画素電極のまわりにおいて少なくとも前記コンタクト層を被覆している保護膜を有し、前記反応防止膜は、その厚みが、前記保護膜、の厚みよりも薄いことを特徴とする、請求項1または2に記載の受光素子。前記反応防止膜が、窒化珪素SiN膜、酸窒化珪素SiON膜、および酸化珪素SiO2膜、のうちの少なくとも一つであることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の受光素子。前記受光層内にpn接合を有するか、または、前記受光層内に当該受光層の導電帯の底より高い導電帯の底をもつ挿入層を有する、ことを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の受光素子。前記受光層が、タイプ2の多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWellを有することを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の受光素子。請求項1~6のいずれか1項に記載の受光素子を備えることを特徴とする光学装置。半導体基板に形成され、画素を備える受光素子を製造する方法であって、前記半導体基板の上に、受光層を形成する工程と、前記受光層の上にコンタクト層を形成する工程と、前記画素の表面となり、画素電極が設けられる領域の前記コンタクト層に接して、反応防止膜を限定的に設ける工程と、前記反応防止膜を含みながら該反応防止膜の領域を超えて前記コンタクト層を被覆する画素電極層を堆積する工程と、前記電極層と前記コンタクト層とが接する領域において化学反応してオーミック接触するように、熱処理する工程とを備えることを特徴とする、受光素子の製造方法。前記反応防止膜を設ける前に、少なくとも前記画素電極が設けられる領域以外の領域の前記コンタクト層、を被覆する保護膜を形成し、次いで、前記反射防止膜の層で全表面を被覆し、そのあとレジストパターンをマスクにしてエッチングによって前記反応防止膜を限定的に形成し、その後、前記反応防止膜および前記コンタクト層を被覆する電極層を堆積することを特徴とする、請求項8に記載の受光素子の製造方法。プレーナ型の受光素子を製造する場合において、前記コンタクト層を形成したあと、前記反応防止膜を形成する前に、選択拡散マスクパターンを形成し、次いで、加熱をしながら不純物を該選択拡散マスクパターンの開口部から選択拡散し、その後で、前記反応防止膜を限定的に設けるとき、まず反応防止膜の層で全体を被覆したのち、レジストパターンを前記反応防止膜が形成される領域を該レジストパターンの被覆部が被覆するように形成して、次いでエッチングによって前記レジストパターンの被覆部以外の部分を除去することで、該反応防止膜を限定的に形成することを特徴とする、請求項8または9に記載の受光素子の製造方法。メサ構造を有する受光素子を製造する場合において、前記コンタクト層を形成したあと、前記反応防止膜を形成する前に、エッチングによって前記画素電極が形成される領域を取り囲むように溝を設けてメサ構造を形成し、前記画素電極が設けられる領域以外の領域の前記コンタクト層、および前記メサ構造の溝の壁を被覆する保護膜を形成して、その後で、前記反応防止膜を限定的に設けるとき、まず反応防止膜の層で全体を被覆したのち、レジストパターンを前記反応防止膜が形成される領域を該レジストパターンの被覆部が被覆するように形成して、次いでエッチングによって前記レジストパターンの被覆部以外の部分を除去することで、該反応防止膜を限定的に形成することを特徴とする、請求項8または9に記載の受光素子の製造方法。しかしながら、樹脂層を下地としたマイクロレンズアレイでは、樹脂による光吸収が生じて所定域の受光感度を劣化させる問題がある。また、マイクロレンズの形成自体、型を要し、製造コスト増大をもたらす。本発明は、感度上昇のためのコスト増大がほとんどない、高い感度を有する、受光素子、その製造方法および光学装置を提供することを目的とする。本発明の受光素子は、半導体基板に形成され、画素を備える受光素子である。この受光素子は、半導体基板の上に位置して、受光するための受光層と、受光層の上に位置するコンタクト層と、コンタクト層にオーミック接触する画素電極とを備え、半導体基板の裏面が光入射面であり、コンタクト層と画素電極との化学反応を防止するための反応防止膜が、該コンタクト層と該画素電極との間の限定領域に介在していることを特徴とする。上記の反応防止膜は、この受光素子が受光対象とする波長域の光に対して透明なものとするのが前提である。一般に、画素電極を、コンタクト層とオーミック接触させるとき、両者を接触した状態で熱処理すると、画素電極はコンタクト層と化学反応して凹凸形状を呈する。電極は、金属に特有の平滑な金属面とはかけ離れた凹凸形状を呈することで、オーミック接触を実現することができる。この結果、半導体基板裏面から入射された光は、このオーミック接触している面に到達しても乱反射などして反射光を受光に利用することはできない。これに対して、本発明において反応防止膜が介在する電極の領域では、コンタクト層との化学反応が防止されるので、平滑な、または平滑に近い金属面が保たれる。このため、反応防止膜を経て電極の裏面に到達した光は、この電極裏面を反射面として反射して、受光層へと戻される。この結果、反射後の復路において、光は受光層によって再び受光機会を与えられることになり、受光感度を向上することができる。ここで、限定領域は、オーミック接触する領域を確保したあとの残りの領域、すなわち画素電極がコンタクト層と重なる全領域ではない、ことを意味する。なお、反応防止膜は、画素電極とコンタクト層との化学反応を完全に防止する必要はなく、化学反応を抑制する程度のものであってもよい。要は、光を、何割かでも反射して受光層に戻すことができればよい。また、画素電極は、エピタキシャル層の上面半導体基板から見てエピタキシャル層より遠くの面に位置し、半導体基板を下部側とみて上部電極と言ってもよい。また、上記の受光素子は、画素が一つの受光素子でもよいし、複数の画素が、一次元または二次元に配列された受光素子アレイであってもよい。本発明の受光素子は、画素電極の領域が、反応防止膜と接触している当該画素電極の領域を取り囲む周囲の全周、または当該周囲の部分、に位置するのがよい。これによって、画素電極の中央付近を反射面として用いながら、オーミック接触する領域をその周囲として、領域の面積を大きくしやすいため電気抵抗を下げることができる。また画素電極の中央付近を反射面とすることで、反射光は無駄になる割合を減らしながら受光層へと戻される。本発明の受光素子は、前記画素電極のまわりにおいて少なくとも前記コンタクト層を被覆している保護膜を有し、反応防止膜は、その厚みが、画素電極のまわりにおいて少なくともコンタクト層を被覆している保護膜、の厚みよりも薄いものとできる。反応防止膜は、保護膜パッシベーション膜と同じか同類の材料で形成される場合が多い。保護膜は湿気などを遮断するため所定以上の厚みが必要であるのに対して、反応防止膜は化学反応を熱処理の時間のみ防止できればよいので、薄くするのがよい。反応防止層を薄くすることで、画素電極がコンタクト層に接触するために広げる部分の長さを狭くできるので、コンタクト層との最低限の接触を確保しやすくなる。本発明の受光素子は、反応防止膜を、窒化珪素SiN膜、酸窒化珪素SiON膜、および酸化珪素SiO2膜、のうちの少なくとも一つとするのがよい。上記の材料は、保護膜パッシベーション膜にも使用されるが、画素電極とコンタクト層との間に介在することで、両者の化学反応を防止または抑制することができる。画素電極は、オーミック接触実現のための熱処理のとき、コンタクト層とは接触せず、反応防止膜に接触しているので、平滑または平滑に近い金属面を保つことができる。上記反応防止膜の材料は、近赤外~遠赤外域の光に対して透明である。光入射面である半導体基板の裏面から入射した光は、受光層を通る際に受光されるものは受光され、受光されなかった光はコンタクト層から反応防止膜を透過して画素電極に到達する。上述のように、画素電極裏面は平滑な金属面を保っているので、反射面として機能して、上記の到達した光を反射して、受光層へと戻して、受光機会を高めることができる。反応防止膜の材料は、この分野で日常的に使用されているため、容易に形成することができる。本発明の受光素子は、受光層内にpn接合を有するか、または、受光層内に当該受光層の導電帯の底より高い導電帯の底をもつ挿入層を有する、ことができる。これによって、pinフォトダイオードについても、またnBn構造の受光層をもつ素子についても、反応防止膜を配置することで受光感度を向上させることができる。本発明の受光素子は、受光層が、タイプ2の多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWellを有することができる。タイプ2MQWでは、受光のとき、ペアを組む、高いバンドを有する層の価電子帯から低いバンドのほうの伝導帯へとフェルミレベルを超えて電子が遷移する。このとき電子正孔対を生成する。遷移の際のエネルギ差は、その層内での価電子帯から伝導帯への遷移よりも小さくなり、長波長側、すなわち近赤外~遠赤外域での受光が可能になる。タイプ2MQWは、このように長波長側に感度を拡大することができるが、隣の層への遷移なので、元来、感度は低く、短所となっている。上述の反応防止層を配置することで、往きの光だけでなく反射したあとのかえり復の光も受光機会を与えられることになり、感度が低いことが泣き所のタイプ2MQWに対して大きな貢献をすることができる。本発明の光学装置は、上記のいずれかの受光素子を備えることを特徴とする。これによって、高い受光感度、とくに近赤外~遠赤外域において高い感度をもつ光学装置を提供することができる。本発明の受光素子の製造方法は、半導体基板に形成され、画素を備える受光素子を製造する。この製造方法は、半導体基板の上に、受光層を形成する工程と、受光層の上にコンタクト層を形成する工程と、画素の表面となり、画素電極が設けられる領域のコンタクト層に接して、反応防止膜を限定的に設ける工程と、反応防止膜を含みながら該反応防止膜の領域を超えてコンタクト層を被覆する画素電極層を堆積する工程と、電極層とコンタクト層とが接する領域において化学反応してオーミック接触するように、熱処理する工程とを備えることを特徴とする。上記の方法によって、特別大きな工程を付加することなく、また使用する材料も通常のものを用いて、コンタクト層と画素電極との間の制限領域に反応防止膜を介在させることができる。ここで、反応防止膜を限定的に設けるとは、既に説明した限定領域と同じ趣旨であり、オーミック接触する領域を確保したあとの残りの領域、すなわち画素電極がコンタクト層と重なる全領域ではない領域、に設けることを意味する。反応防止膜を設ける前に画素電極が設けられる領域以外の領域のコンタクト層を被覆する保護膜を形成し、次いで、反射防止膜の層で全表面を被覆し、そのあとレジストパターンをマスクにしてエッチングによって反応防止膜を限定的に形成し、その後、反応防止膜およびコンタクト層を被覆する電極層を堆積することができる。上記の方法によって、画素電極のオーミック接触の確保、および画素電極の裏面の平滑な金属面の保持、の両方を、大きな工程付加を行うことなく、また通常の材料を用いて簡単に実現することができる。プレーナ型の受光素子を製造する場合において、コンタクト層を形成したあと、反応防止膜を形成する前に、選択拡散マスクパターンを形成し、次いで、加熱をしながら不純物を該選択拡散マスクパターンの開口部から選択拡散し、その後で、反応防止膜を限定的に設けるとき、まず反応防止膜の層で全体を被覆したのち、レジストパターンを反応防止膜が形成される領域を該レジストパターンの被覆部が被覆するように形成して、次いでエッチングによってレジストパターンの被覆部以外の部分を除去することで、該反応防止膜を限定的に形成することができる。上記の選択拡散マスクパターンを形成する材料は、通常の場合、選択拡散の際の加熱によってエッチングされにくい材質に変質する。すなわち選択拡散を加熱しながら行うことで、その選択拡散マスクパターンはエッチングされにくくなっている。このため、反応防止層に対するエッチングにより不要部を除去するとき、選択拡散マスクパターンを被覆している反応防止層のみを容易に除去することができる。この結果、比較的簡単に反応防止層を限定的に形成することができる。なお、上記の選択拡散マスクパターンは、そのまま残されて保護膜パッシベーション膜として用いられる。メサ構造を有する受光素子を製造する場合において、コンタクト層を形成したあと、反応防止膜を形成する前に、エッチングによって画素電極が形成される領域を取り囲むように溝を設けてメサ構造を形成し、画素電極が設けられる領域以外の領域のコンタクト層、およびメサ構造の溝の壁を被覆する保護膜を形成して、その後で、反応防止膜を限定的に設けるとき、まず反応防止膜の層で全体を被覆したのち、レジストパターンを反応防止膜が形成される領域を該レジストパターンの被覆部が被覆するように形成して、次いでエッチングによってレジストパターンの被覆部以外の部分を除去することで、該反応防止膜を限定的に形成することができる。本発明によれば、感度上昇のためのコスト増大がほとんどない、高い感度を有する受光素子、その製造方法および光学装置を得ることができる。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態における受光素子10を示し、aは受光素子10の断面図、bはコンタクト層5/反応防止膜8/画素電極11/選択拡散マスクパターン36、が交差する部分の拡大図である。InPの基板1には、バッファ層2/タイプ2GaAsSb/InGaAsMQWの受光層3/拡散濃度分布調整層4/InPコンタクト層5、からなるエピタキシャル積層体が形成されている。本実施の形態における受光素子10は、プレーナ型pinフォトダイオードであり、選択拡散マスクパターン36の開口部から選択拡散されたp型不純物であるZnによって、p型領域6が形成され、そのフロントにpn接合15が形成されている。選択拡散に用いられたマスクパターン36は、そのまま残されて保護膜36となっている。画素電極11はコンタクト層5のp型領域にオーミック接触している。また、対をなすグランド電極12はn型InPの基板1の裏面にオーミック接触している。光入射面はInPの基板1の裏面であり、その裏面に反射防止ARAntiReflection膜35が配置されている。<本発明のポイント>本発明の特徴は、画素電極11をコンタクト層5のp型領域6にオーミック接触させながら、コンタクト層5と画素電極11との間の限定領域に、反応防止膜8を配置した点にある。図1bに示すように、画素電極11とコンタクト層5のp型領域6とのオーミック接触は、両者の界面Jによって実現される。この界面Jは、画素電極11をAuZnまたはTiPtなどで形成したあと、オーミック接触を実現するための熱処理たとえば窒素雰囲気中で340°C×1分間によって形成される。界面Jでは、熱処理によって、化学反応が進行し、p型領域6内にアンカー状もしくは樹枝状に突起が出て、いちじるしい凹凸面を呈する。逆にこのような凹凸面ができることで、はじめてオーミック接触が実現する。このようなアンカー状突起または樹枝状突起などが形成された激しい凹凸面Jは、粗面となり、光を反射する反射面として機能することはない。図1bには、画素電極11の裏面Kもあわせて示されている。裏面Kは、反応防止膜8が配置されることで、画素電極11が、コンタクト層5のp型領域6ではなく反応防止膜8に接触する。反応防止膜8は、窒化珪素SiN膜、酸窒化珪素SiON膜、および酸化珪素SiO2膜、のうちの少なくとも一つで形成されていて、画素電極11を構成するAuZnやPtTiなどとはほとんど化学反応しない。または化学反応を抑えて、凹凸を抑制する。このため、画素電極11の裏面Kは、平滑な、または平滑に近い金属面を保持することができる。この平滑な金属面Kは、光に対して反射面として働く。また、上記のSiN膜、SiON膜もしくはSiO2膜は、近赤外~遠赤外域の光に対して透明である。光入射面であるInP基板の裏面に入射された光は、受光層3中で、まず受光される。受光層3で受光された分、光の強度は低下するが、比較的大きな割合で受光されない光が残り、そのまま受光層3から拡散濃度分布調整層4を通り抜けてコンタクト層5から、上記した透明な反応防止膜8を透過して金属面Kに到達する。金属面Kは反射面として機能するので、到達した光は金属面Kで反射して、受光層3へと戻される。このため往路だけでなく、反射後の復路において受光層3を通る。この復路においても受光される機会は往路と同じ割合である。したがって、本発明では、画素電極11の領域の一定割合限定領域を平滑な金属面Kとすることで、この金属面Kを反射面として利用して、往路だけの一方通行で通り過ぎてしまうのではなく、反射後の復路においても受光層3で受光機会を得ることができる。この結果、受光感度を向上させることができる。上記の画素電極11の裏面における反射面または金属面Kは、画素電極11の中央を含む領域に設けて、オーミック接触を確保する凹凸の領域Jは、画素電極11の周縁部に設けるのがよい。画素電極11は、平面的に見て画素領域の中心に配置されるので、金属面Kがその中央に位置することで、反射された光が無駄になる割合を低くして受光層3を通ることができる。その上で、画素電極11の周縁部は長さがあり面積を取りやすいので電気抵抗を下げることが容易となる。上記の反応防止膜8の材料である、SiN膜などは日常的に使用される安価な材料であり、かつ反応防止膜8の形成もしくは金属面Kの形成には、このあと製造方法において説明するように、大きな工程変更または追加は必要ない。このため、良好な経済性の下、簡単に感度を向上させることができる。つぎに、本実施の形態での受光素子10の受光層3が、タイプ2GaAsSb/InGaAsMQWで構成される場合、上記の金属面Kからなる反射面がどれほど重要か、その位置付けについて説明する。受光素子10に入射した光は、受光層3で吸収されて電子正孔対を生成して電流として出力される。感度を上げるには、吸収の機会を増やすために受光層3の厚みを厚くする必要がある。とくに受光層3がタイプ2MQW、たとえば上記のGaAsSb/InGaAsMQWで構成されている場合、タイプ2の遷移に基づく光吸収確率は、上記のように低いため、高感度を得るためには、MQWのペア数を200ペア以上にする必要がある。しかし、受光層3を厚く、またはMQWのペア数を多くすると結晶品質が低下しやすくなり、高品質のエピタキシャル成長が難しくなる。また、図2に示すように、受光層3がMQWで構成される場合、光吸収によって生成した電子および正孔がそれぞれの電極に到達するまでにMQWのエネルギの凹凸を乗り越えなければならない。MQWのペア数が増えると乗り越えなければならないエネルギの凹凸が増え、途中で消滅して感度に寄与しなくなる。この点を、図2により詳しく説明する。InPの基板1の裏面から入射した光は、受光層3で吸収されて、電子図2でマイナス符合と正孔図2でプラス符合とを生成する。InPの基板1に近い部分で生成した正孔は画素電極p側電極11に到達するまでにMQWのバンドエネルギの凹凸を乗り越えなければならず、途中で消滅するものが多くある。特に正孔は電子に比べて有効質量が大きいのでMQWを抜け出せない割合が大きい。途中での消滅を防ぐにはMQWのペア数は少ないほど有利であるが、ペア数が少ないと受光層3での受光そのものが減るので感度が低下する。そこで、本実施の形態では、受光層3の厚みがある程度薄くても、吸収されずに通過した光を、光入射面と対向するように位置する画素電極11の裏面に形成した平滑な金属面Kで反射させて受光層3に戻すようにする。これによって、反射した光は、受光層3へと戻され、再び受光機会を得ることができる。すなわち往路の一方通行だけでなく、さらに復路において受光機会を得ることで感度を高めることができる。つぎに図3a~eにより製造方法について説明する。図3aは、図1aに示すプレーナ型pinフォトダイオードの製造において、pn接合などを形成するために、選択拡散マスクパターン36の開口部からp型不純物であるZnを選択拡散してp型領域6を形成した段階を示す図である。選択拡散マスクパターン36は、SiNなどにより厚み100nm程度に、プラズマCVD法などで形成される。なお、上記のpn接合は、次のように、広く解釈されるべきである。受光層3内において、不純物元素が選択拡散で導入される側と反対の面側の領域の不純物濃度が、真性半導体とみなせるほど低い不純物領域i領域と呼ばれるであり、上記拡散導入された不純物領域と当該i領域との間に形成される接合をも含むものである。すなわち上記のpn接合は、pi接合またはni接合などであってもよく、さらに、これらpi接合またはni接合におけるp濃度またはn濃度が非常に低い場合も含むものである。受光層3は、タイプ2GaAsSb/InGaAsMQWであり、厚みは、GaAsSb5nm、InGaAs5nmである。ペアの総数は145ペアであり、上述のように従来のペア数200ペア以上よりもペア数を少なくすることができる。この結果、結晶品質を良好にでき、さらに消滅する正孔の割合を小さくすることができる。この結果、厚みの最適化条件を薄いほうにしながら、全体として感度を高めることができる。また、製造時に、工数を減らすなどのメリットを得ることができる。次に、図3bに示すように、プラズマCVD法などで厚み20nm程度のSiN層の反応防止膜の層8aを堆積する。選択拡散マスクパターン36と同じ材料であるが、厚みはその1/5程度と薄い。反応防止膜を形成するために、図示しないレジストパターン被覆部を反応防止膜の領域に重なるように配置して、図3cに示すように選択エッチングにより、反応防止膜8となる部分を残すように、残余を除去する。Znの選択拡散には480°Cから520°Cで30分から40分間の加熱が必須である。この選択拡散における程度の加熱を経たSiN選択拡散マスクパターン36はエッチングされにくくなる。このため、バッファードフッ酸によりエッチングすることで、選択拡散マスクパターン36はエッチングされず、選択拡散の熱処理のあとに堆積したSiN層の反応防止膜の層8aのみがエッチングされる。この段階で、コンタクト層5のp型領域6の表面に反応防止膜8が形成される。次いで、画素電極11を形成するために、図3dに示すように、AuZnを電子ビーム蒸着によって蒸着し、そのあと、オーミック接触を実現するために窒素雰囲気中で390°C×1分間の熱処理を施す。この熱処理によって、画素電極11は、反応防止膜8と接する裏面では金属面Kが形成されて反射面となる。また、画素電極11がコンタクト層5のp型領域6と接する領域では、化学反応が進行して凹凸面の領域Jが形成されて、オーミック接触を実現する。このあと、図3eに示すように、光入射面となるInPの基板1の裏面に、SiONなどからなるAR膜35をプラズマCVD法により配置する。さらに、p側電極である画素電極11と対をなすn側電極であるグランド電極12を、InPの基板1裏面の周縁部にAuGeNiを蒸着することで形成する。このあと、グランド電極12のオーミック接触を実現ずるために、340°C×1分間の熱処理を施す。選択拡散マスクパターン36は、このままの状態で残して、保護膜またはパッシベーション膜として利用する。なお、画素電極11の裏面における凹凸領域Jは、厳密には、グランド電極12のオーミック接触実現のために行う熱処理の熱履歴も影響する。しかし、画素電極11では、390°Cの熱処理であり、グランド電極12に対する熱処理よりも約50°C高いので、凹凸領域Jはほとんど画素電極11に対する熱処理によって形成される。上記の製造により、図4に示すように、画素電極11の裏面には、周縁部はオーミック接触を実現する凹凸領域J、それに囲まれる中央部は平滑または平滑に近い金属面K、が形成される。実施の形態2図5aおよびbは、本発明の実施の形態2における受光素子10を示す図である。画素電極11の下部に反応防止膜8を有している。凹凸領域Jでオーミック接触を実現しながら、平滑または平滑に近い金属面Kを反射面として感度を向上させる点で、実施の形態1と共通する。この結果、比較的、タイプ2GaAsSb/InGaAsMQWの受光層3のペア数を比較的少なくしながら、感度向上の最適化のペア数を選ぶことができる。本実施の形態では、受光素子10はプレーナ型ではなく、メサ構造を有し、さらに受光層の構成が異なっている。メサ構造では、メサ壁面にpn接合が露出するとリーク電流の原因となるので、パッシベーション膜37で壁面および画素電極11の周りのコンタクト層5を被覆することが重要である。本実施の形態における受光層の構造はつぎのとおりである。<半導体基板1>:Feドープ半絶縁性InP基板<バッファ層2>n型:バッファ層2は、受光層の下層3cがある場合は、あってもよいし、又は、なくてもよい。バッファ層2を設ける場合は、InGaAsまたはInP、いずれも厚みは0.5μmからなるバッファ層2とする。<受光層3>:受光層の下層3cn型:GaAsSb5nm/InGaAs5nmMQW、30ペア図5aは、受光層の下層3cおよびバッファ層2がともにある場合を示し、また図5bは受光層の下層3cのみがあり、バッファ層2がない場合を示す。図5aにおいて、受光層の下層3cがなくて、受光層3は中層3bと上層3aだけで構成される場合もある。受光層の中層3bi型:GaAsSb5nm/InGaAs5nmMQW、90ペア受光層の上層3ap型:GaAsSb5nm/InGaAs5nmMQW、25ペア<コンタクト層5>:p型:InGaAsまたはInP、いずれも厚み0.6μm<グランド電極12>:半導体基板1をFeドープ半絶縁性InP基板としたので、n側電極であるグランド電極12は、n型バッファ層2または受光層の下層3cに設けられ、オーミック接触を実現している。<パッシベーション膜37>:SiO2で厚みは0.3μm。プラズマCVD法により形成する。AR膜35はSiONで形成されている。画素電極11およびグランド電極12の材料は、実施の形態1と同じである。画素電極11と受光層3との距離は短いほど、画素電極11で反射した光が無駄を少なくして受光層3へと戻されやすい。メサ構造のほうが、選択拡散で画素間を分離するプレーナ型よりも、画素電極11と受光層3との距離を短くできる。このため、反射した光を、無駄を少なく使用できるという点でメサ構造のほうが好ましい。実施の形態3図6aおよびbは、本発明の実施の形態3における受光素子10を示す図である。画素電極11の下部に反応防止膜8を有し、凹凸領域Jでオーミック接触を実現しながら、平滑または平滑に近い金属面Kを反射面として感度を向上させる点で、実施の形態1および2と共通する。また、本実施の形態では、受光素子10はプレーナ型ではなく、メサ構造を有する点で実施の形態2と共通する。本実施の形態では受光層3を構成するMQWの材料が異なっている。本実施の形態における受光層の構造はつぎのとおりである。<半導体基板1>:ノンドープGaSb基板p型とくに不純物をドープしないがp型となる。<バッファ層2>p型:バッファ層2は、受光層の下層3cがある場合は、あってもよいし、又は、なくてもよい。バッファ層2を設ける場合は、GaSb層、いずれも厚み0.5μmからなるバッファ層2とする。<受光層3>:受光層の下層3cp型:InAs3.6nm/GaSb2.1nmMQW、30ペア図6aは、受光層の下層3cおよびバッファ層がともにある場合を示し、また図6bは受光層の下層3cのみがあり、バッファ層2がない場合を示す。図6aにおいて、受光層の下層3cがなくて、受光層3は受光層の中層3bと受光層の上層3aだけで構成される場合もある。受光層の中層3bi型:InAs3.6nm/GaSb2.1nmMQW、190ペア受光層の上層3an型:InAs3.6nm/GaSb2.1nmMQW、30ペア<コンタクト層5>:n型:InAs層、厚み0.02μm<画素電極11>:Ti/Ptを蒸着したあと、200°C×1分間の熱処理を施して、周縁部Jにおいてオーミック接触を実現する。画素電極はn側電極である。<グランド電極12>:p側電極であるグランド電極12は、p型バッファ層2または受光層の下層3cに設けられ、オーミック接触を実現している。Ti/Ptを蒸着したあと、200°C×1分間の熱処理を施して、オーミック接触を実現する。基板1の裏面に設けられたAR膜はDLCDiamondLikeCarbonで形成されている。本実施の形態では、GaSbの基板1を用い、タイプ2GaSb/InAsMQWを受光層3とする。タイプ2GaSb/InAsMQWは、実施の形態1および2のタイプ2GaAsSb/InGaAsよりも長波長側に感度をもち、中赤外域の光を受光することができる。この場合、実施の形態1において詳細に説明した画素電極11の下に設けた反応防止膜8に起因する金属面Kにより、中赤外域の光に対して高い感度を確保することができる。実施の形態4図7は、本発明の実施の形態4における光学装置50を示し、aは断面図、bは部分拡大図、cは受光素子10における画素電極11の裏面の平面図、である。本実施の形態の受光素子10では、画素Pが複数、アレイ状に配置されている。このように複数の画素が配列一次元または二次元されている場合でも、上記の金属面Kによる反射の作用は、受光素子10において確実に発揮される。実施の形態1~3は、画素が一つの例の場合を図示したが、上記実施の形態1~3において画素が、図7aに示すように、複数、配列されていると解釈してもよい。光学装置50は、受光素子10と読み出し回路ROIC:ReadOutIC70とから構成される。画素Pごとに画素電極11は、バンプ19/バンプ79、を介在させて、読み出し回路70の読み出し電極71に接続されている。受光素子10におけるエピタキシャル層構造は、図1に示す実施の形態1の受光素子10と同じであり、また、InPの基板1の裏面を光入射面としている。図7bに示すように、画素電極11とコンタクト層5のp型領域6との間の限定領域に反応防止膜8が配置され、平滑な、または平滑に近い金属面Kが形成されている。この金属面Kを取り囲むように円周状に凹凸領域Jが位置している。凹凸領域Jによって画素電極11のコンタクト層5へのオーミック接触を実現しながら、金属面Kにより、受光層3を一度通ってきた光を反射して受光層3へと戻すことで受光機会を与えて感度を高めることができる。図7cは、画素Pが二次元配列した場合の画素電極11の裏面を示す平面図である。簡単な製造工程の変更によって、画素Pごとに感度を向上させる金属面K、および画素Pごとにオーミック接触を実現する凹凸領域Jを形成することができる。オーミック接触を実現する凹凸領域Jを確実に確保することがポイントになるが、画素Pピッチ30μm程度であれば現状の寸法精度上、確実に所定の面積の凹凸領域Jを形成することができる。その他の実施の形態受光素子は、pinフォトダイオードのみを示したが、受光層内に当該受光層の導電帯の底より高い導電帯の底をもつ挿入層を有する、いわゆるnBn構造の受光層であってもよい。すなわちnBn構造の受光層を有していても、本発明における金属面Kおよび凹凸領域Jの効果は問題なく発揮することができる。したがってnBn構造の受光層を備える受光素子を含む。また、受光層はタイプ2MQWのみを例示したが、MQWに限定されず、単一層の受光層に対しても有効である。上記において、本発明の実施の形態および実施例について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態および実施例は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。