高電圧直流DC電力源、放電ギャップ、高電圧導線highvoltageconductorおよび接地線groundingconductorを具備してなり、高電圧絶縁体highvoltageinsulationが前記高電圧導線と前記接地線との間に存在し;前記高電圧DC電力源は、前記高電圧導線および前記接地線の前記端endsの間に接続され、そして、前記高電圧DC電力源は、前記接地線に対して前記高電圧導線をある電圧avoltageに充電するために用いられ、および前記放電ギャップは、前記接地導体線および前記高電圧導線の前記端endsの間に接続され、そして、前記放電ギャップは、前記接地線に対しての前記高電圧導線の前記電圧がある一定acertainの振幅値に上がったら、ブレークダウンすることを特徴とする校正電圧発生デバイス。前記高電圧DC電力源および前記高電圧導線の前記端endsの間に接続された充電抵抗器をさらに具備してなることを特徴とする請求項1に記載の校正電圧発生デバイス。前記高電圧DC電力源および前記放電ギャップは、前記高電圧導線の同じ端endに接続されていることを特徴とする請求項1に記載の校正電圧発生デバイス。前記高電圧DC電力源および前記放電ギャップは、前記高電圧導線の異なる端endsに接続されていることを特徴とする請求項1に記載の校正電圧発生デバイス。前記高電圧導線は、ガス絶縁型開閉器GISの母線busbarの中央導線centralconductorであることを特徴とする請求項1に記載の校正電圧発生デバイス。前記接地線は、ガス絶縁型開閉器GISの母線の接地メタルエンクロージャであることを特徴とする請求項1に記載の校正電圧発生デバイス。請求項1に係る前記発生デバイスに適用する校正電圧発生方法であって、充電ステップ、ここにおいて、前記高電圧DC電力源は、前記接地線に対して前記高電圧導線をあるDC電圧に充電するために始動され;およびブレークダウンステップ、ここにおいて、前記高電圧導線の前記端endに接続されたconnectedwith前記放電ギャップは、前記接地線に対して前記高電圧導線の前記DC電圧がある一定の振幅値に上がると、ブレークダウンし、そして、前記放電ギャップがブレークダウンした後は、高速過渡高電圧veryfasttransienthighvoltagte、つまり、校正電圧は前記高電圧導線に発生するを具備してなることを特徴とする校正電圧発生方法。前記校正電圧を発生した後に測定システムを校正する方法は、前記高電圧導線の前記充電電圧を測定すること、ブレークダウンしたときに前記放電ギャップの前記ブレークダウン電圧を記録すること、前記高電圧導線上の測定ポイントを選択すること、それは前記放電ギャップと反対側の前記高電圧導線の前記端end上に選択される、ここにおいて、この位置での前記高速過渡高電圧の前記波形は論理的には方形波であり、この方形波の前記振幅値は前記放電ギャップの前記ブレークダウン電圧の2倍であるり、校正される前記測定システムによって前記測定ポイント上の前記電圧波形を測定すること、および前記第1の方形波の前記波面立ち上がり時間wavefrontrisingtimeおよび前記電圧振幅値を記録すること、および前記測定結果に従って前記測定システムを校正することを具備してなることを特徴とする請求項7に記載の校正電圧発生方法。前記測定結果に従って前記測定システムを校正することは、周波数応答特性について前記測定システムを校正すること、および、分圧比voltagedividingratioについて前記測定システムを校正することを具備してなり、ここにおいて、前記周波数応答特性について前記測定システムを校正することは、前記記録された前記第1の方形波の波面立ち上がり時間を、前記測定システムが少なくとも到達する方形波立ち上がり時間とすることであり、および前記分圧比について前記測定システムを校正することは、前記放電ギャップがブレークダウンしたときに記録された前記ブレークダウン電圧の2倍である、前記第1の方形波の前記記録された振幅値に対する前記校正方形波電圧の振幅値の比を、計測系システムの前記分圧比とすることであることを特徴とする請求項8に記載の校正電圧発生方法。以下、本発明の実施形態の図面に関連する本発明の実施形態の技術解決策が明確かつ徹底的に説明される。以下に説明される実施形態は本発明のいくつかの実施形態だけであり、全ての実施形態でないことは明確である。如何なる創造的な活動がなくても、本発明の実施形態に基づいて当業者によって取得される全ての他の実施形態は、本発明の保護範囲内に属する。測定システムを校正するための現行の方法は、高電圧急峻パルス発生器を用いる必要があり、そして、高電圧急峻パルス発生器の出力電圧波形を測定する。また、複雑な波動インピーダンス整合、複雑な構造および厄介な測定プロセスが必要とされる。上記の問題を解決するために、本発明は、高電圧DC電力源、放電ギャップ、高電圧導線highvoltageconductorおよび接地線groundingconductorを具備する校正電圧発生デバイスを提供する。本発明は、さらに、校正電圧発生方法を提供し、ここにおいて、校正デバイスの構造および校正方法の簡略化の目的を実現するために、論理的に取得される波形を有する高速過渡高電圧が発生され、つまり、高電圧導線と接地線との間にDC高電圧を印加することによって、測定システムを構成するための校正電圧は高電圧導線に発生され、高電圧導線の一端はオープンであること、そして、他端は、高速過渡高電圧を生成するために前記DC高電圧によって破壊される放電ギャップを介して、前記接地線に接続されていること。以下、当業者が本発明の技術解決策をより理解できるように、特定の実施形態に関連して本発明の詳細をさらに説明する。第1の実施形態図3に示されるように、本発明によって提供される校正電圧発生デバイスは、高電圧DC電力源31、充電抵抗器chargingresistor32、放電ギャップ33、中央導線centralconductor34および接地メタルエンクロージャgroundingmetalenclosure35を具備する。本実施形態において、中央導線34は高電圧導線であり、そして、接地メタルエンクロージャ35は接地線である。高電圧DC電力源31は、充電抵抗器32を介して、GISの母線の中央導線34の一端36に接続され、放電ギャップ33は、中央導線34の一端と接地メタルエンクロージャ35との間に接続され、および、校正される容量性分圧器測定システム38は、前記中央導線の他端上に設置され、そして、前記中央導線上の測定ポイント37で高速過渡高電圧を測定する。ここで、高電圧DC電力源31の出力電圧は0から100kVとすることができ、中央導線34の典型的な長さは1500mmであり、そして、放電ギャップ33は、高絶縁強度を有するSF6ガスで充填された放電ギャップである。上記の提供された校正電圧発生デバイスは、容量性分圧器測定システム38を校正するために使用され、そして、本発明によって提供される校正電圧発生方法および校正方法は以下の通りである。最初に、充電手順が行われる。高電圧DC電力源31は、放電用抵抗器32を介して中央導線34を充填するために始動される。その間に、校正される容量性分圧器測定システム38は、前記中央導線上の測定ポイント37での電圧を測定し、そして、測定された波形は測定システム38のオシロスコープ上に表示される。図4に示されるように、ポイントAの前の測定された波形の直線は、中央導線34上のDC充電電圧を表している。次に、ブレークダウンさせる。充電時間の増加に伴い、中央導線34上の充電電圧は増加する。何故なら、放電ギャップ34は、前記中央導線と接地メタルエンクロージャ35との間に接続され、充電電圧もまた放電ギャップ33にかけられ、そして、前記充填電圧がある振幅値にまで増加すると、そのブレークダウンを引き起こすからである。放電ギャップ33のブレークダウンの後、前記中央導線の前記端36は、放電ギャップ33によって、接地メタルエンクロージャ35へのショート回路になり、そして、前記中央導線の前記他端37はオープンとなる。その間に、電圧測定計器は、前記中央導線の前記端36の充電電圧を測定するために用いられる。前記ブレークダウンの直前の電圧値は、放電ギャップ33のブレークダウン電圧である。充電電圧が達する最大電圧は7kVと記録され、すなわち、放電ギャップ33のブレークダウン電圧は7kVである。放電ギャップ33がブレークダウンした後、校正された容量性分圧器測定システム38によって中央導線の測定ポイント37で測定された波形は、図4に示されるように、ポイントAの後の波形の部分である。この波形の部分の形成について以下に説明する。放電ギャップ33がブレークダウンすると、中央導線34の前記一端36は、放電ギャップ33を介して、接地メタルエンクロージャ35に接地される。接地の直前に、中央導線34は7kVの電圧を有する。何故なら、前記中央導線の前記一端36は接地されているので、電圧は急激に零にまで減少し、そして、中央導線34上に進行波が形成されるからである。進行波の負の全反射は、前記ショート回路に起因して、前記中央導線の前記一端36上に発生し、そして、進行波の正の全反射は、前記オープン回路に起因して、前記中央導線の前記他端37上に発生する。理想的なケースでは、前記中央導線の波動インピーダンスは一様であり、そして、放電ギャップのブレークダウンは理想的なスイッチ特性を有し、その上、前記中央導線の前記他端37上に発生する電圧は周期的な方形波である。実際には、理想的なケースは実現できず、前記中央導線上の進行波には損失が存在し、そして、方形波は減衰し;また、放電ギャップ33のブレークダウンには時間がかかるので、方形波の前面はある立ち上がり時間を有する。これにもかかわらず、中央導線34の波動インピーダンスが十分に一様でであり、かつ、放電ギャップ33の性能が十分に高いときには、放電ギャップ33のブレークダウンによって発生する電圧進行波の第1の方形波は、理想的な方形波に非常に近い。最後に、校正手順が行われる。容量性分圧器測定システム38の周波数応答特性の校正では、図4の波形ダイアグラムによる第1の方形波の立ち上がり時間、つまり、第1の方形波のポイントAに対応する水平軸座標と第1の方形波のポイントBに対応するそれとの差が記録される。前記ダイアグラムから算出された第1の方形波の立ち上がり時間は6ナノ秒である。よって、測定システムの矩形波応答の立ち上がり時間は、少なくとも6ナノ秒となるように校正される。容量性分圧器測定システム38の分圧比の校正では、前記進行波がこの中央導線上に正の全反射を発生し、そして、反射後の前記二つの進行の電圧振幅値がその中でオーバーラップし、前記中央導線のオープン端で発生する高速過渡高電圧は、前記放電ギャップの前記記録された7kVのブレークダウン電圧の倍、つまり、14kVである。図4の波形ダイアグラムによると、第1の方形波の電圧振幅値、つまり、第1の方形波のポイントBに対応する垂直軸座標と第1の方形波のポイントAに対応するそれとの差が、63mVとなるように記録される。前記分圧比は、前記波形ダイアグラム内に記録された電圧振幅値に対する、前記中央導線の右端上に発生する高速過渡高電圧の電圧振幅値の比であり、つまり、前記分圧比は14kV/63mV=14000V/0.063V=222222.22である。よって、測定システムの分圧比は222222.22として校正される。ここで、本発明の実施形態中に含まれる特定の数値は概要説明のためだけのものであり、本発明の技術解決策を規定するべきものではないことに留意されたい。第2の実施形態図5に示されるように、本発明によって提供される別の校正電圧発生デバイスは、高電圧DC電力源51、充電抵抗器52、放電ギャップ53、中央導線54および接地メタルエンクロージャ55を具備する。本実施形態では、中央導線54は高電圧導線であり、そして、接地メタルエンクロージャ55は接地線である。ここにおいて、高電圧DC電力源51は、充電抵抗器52を介して、GIS母線の中央導線54の一端56に接続され、放電ギャップ53は、中央導線54の他端と接地メタルエンクロージャ55との間に接続され、および、校正される容量性分圧器測定システム58は、前記中央導線の端56上に設置され、そして、前記中央導線の前記端上の測定ポイントで高速過渡高電圧を測定する。本実施形態の第1の実施形態からの相違は、本実施形態では放電ギャップおよび高電圧DC電力源が中央導線の異なる端に接続され、そして、第1の実施形態の中央導線の同じ端に放電ギャップおよび高電圧DC電力源が接続されていることである。本実施形態で提供されるデバイスの技術的動作は、第1の実施形態で提供されるそれと同じである。本実施形態によって提供される校正電圧発生デバイスは、容量性分圧器測定システム58を校正するために用いられる。本実施形態における校正電圧発生方法および校正方法は第1の実施形態におけるそれらと似ており、それで、詳細な説明はしない。それらの相違は、放電ギャップ53がブレークダウンした後に、放電ギャップ53に接続された中央導線の端57は、接地メタルエンクロージャ55へのショート回路となり;中央導線54の端56は充電抵抗器52を介して高電圧DC電力源51に接続され、そして、充電抵抗器52の抵抗値は中央導線54の波動インピーダンスよりも非常に大きいので、中央導線54の端56はオープン回路として扱うことができることである。上記実施形態における校正される測定システムによって選択された測定ポイントは、前記中央導線の前記端ends上に置かれ、そして、前記端は前記放電ギャップに接続されていない中央導線のそれらであることに留意されたい。測定ポイントは、前記中央導線の他の位置に選ぶことができ、そして、測定ポイント上の高速過渡高電圧の波形は論理的に取得することができる。さらに、上記実施形態における高電圧導線および接地線は、同軸構造を伴う二つの導線であり、そして、前記高電圧導線および前記接地線は、平行平板の二つの導線とすることができ、または、他の形状を伴う進行波線構造を有することに留意されたい。さらに、上記実施形態における測定システムは、容量性分圧器測定システムはであり、そして、前記測定システムは、高速過渡高電圧を測定するための他のシステムとすることができることに留意されたい。上記実施形態では、論理的に取得できる高速過渡高電圧、つまり、測定システムを校正するための校正電圧は、前記高電圧導線と前記接地導線の間に高電圧を印加することによって、高電圧導線上に発生され、前記高電圧導線の一端はオープン回路であること、そして、他端は放電ギャップを介して接地メタルエンクロージャへのショート回路であることなので、構造および校正方法を簡略化することの目的は実現される。上記実施形態では、実施形態の説明は異なる態様にフォーカスしており、そして、詳細には説明されていないある実施形態の一部は、他の実施形態の関連する部分に参酌されることができる。上記開示された上記実施形態の記述は当業者に本発明を可能または実施することをもたらす。これらの実施形態の多くの変更は当業者には明らかであり、そして、本明細書で規定される一般原理は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、他の実施形態で実現することができる。よって、本発明は、本明細書に示されたそれらの実施形態には限定されるのではなくて、本明細書に開示された原理および新規な特徴に一致する最も広い範囲に一致する。