EUV放射源と、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、前記放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムとを備えるリソグラフィ装置であって、不所望の放射の透過を阻止または低減するように構成されたフィルタと、該フィルタの損傷を検出するように構成された装置とをさらに備え、前記フィルタ損傷検出装置は、電波を受信するように構成されたアンテナと、該受信された電波に基づいてフィルタ損傷の存在を判定するように構成された分析装置とを備える、リソグラフィ装置。前記損傷検出装置は、前記アンテナとは反対の前記フィルタの側に配置されたトランスミッタをさらに備え、該トランスミッタは、コントローラに接続され、且つ電波を送信するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記トランスミッタは、前記EUV放射源に最も近い前記フィルタの側に配置される、請求項2に記載のリソグラフィ装置。前記トランスミッタは、帯域30GHz~300GHz内にある周波数を有する電波を送信するのに適している長さを有するワイヤを備える、請求項2または請求項3に記載のリソグラフィ装置。前記コントローラは、送信のために信号を前記トランスミッタに送るように構成され、該信号は、帯域30GHz~300GHz内にある周波数を有する、請求項2から4のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記コントローラは、複数の周波数を含む信号を送信のために前記トランスミッタに送るように構成される、請求項2から5のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記コントローラは、変調を含む信号を送信のために前記トランスミッタに送るように構成される、請求項2から6のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記トランスミッタは、前記基板上に投影される前記放射ビームを形成する放射と交差しない、請求項2から7のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記トランスミッタは、複数のトランスミッタのうちの1つである、請求項2から8のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記アンテナは、前記基板上に投影される前記放射ビームを形成する放射と交差しない、請求項1から9のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記分析装置は、前記受信された電波を受信された背景電波と比較することによってフィルタ損傷の存在を判定するように構成される、請求項1から10のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記アンテナは、複数のアンテナのうちの1つである、請求項1から11のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記分析装置は、前記アンテナによって受信された電波の位相に基づいて、前記フィルタの損傷の位置を判定するように構成される、請求項12に記載のリソグラフィ装置。前記フィルタの周辺にブロック構造が設けられ、該ブロック構造は、さもなければ前記フィルタの側部周りを通過する電波を遮断するように構成される、請求項1から13のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記フィルタは、赤外線の透過を阻止するまたは低減するように構成されている、請求項1から14のいずれかに記載のリソグラフィ装置。電波を受信するように構成されたアンテナと、該受信された電波に基づいてフィルタ損傷の存在を判定するように構成された分析装置とを備える、フィルタ損傷検出装置。電波を送信するように構成されたトランスミッタをさらに備える、請求項16に記載のフィルタ損傷検出装置。リソグラフィ装置内のフィルタの損傷をモニタリングする方法であって、アンテナを用いて電波を受信することと、該受信された電波に基づいてフィルタ損傷の存在を判定することと、を含む、方法。前記アンテナとは反対の前記フィルタの側に電波を送信することをさらに含む、請求項18に記載の方法。前記フィルタ損傷の存在を判定することは、前記受信された電波を受信された背景電波と比較することによって行われる、請求項18または請求項19に記載の方法。0020本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ1つ以上の実施形態を開示する。開示される実施形態は本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は開示される実施形態に限定されない。0021説明される1つ以上の実施形態、および明細書中の一実施形態、ある実施形態、例示的な実施形態等への言及は、説明される実施形態が特定の特徴、構造、または特性を含み得ることを示すが、必ずしもすべての実施形態がその特定の特徴、構造、または特性を含んでいなくてもよい。また、かかる表現は、必ずしも同じ実施形態を指すものではない。また、特定の特徴、構造、または特性がある実施形態に関連して説明される場合、かかる特徴、構造、または特性を他の実施形態との関連においてもたらすことは、それが明示的に説明されているか否かにかかわらず、当業者の知識内のことであると理解される。0022本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらのあらゆる組合せにおいて実施され得る。本発明の実施形態はまた、機械可読媒体に記憶され、1つまたは複数のプロセッサにより読み出され実行され得る命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、機械例えばコンピュータデバイスによって読み取りが可能な形態で情報を記憶または送信するためのあらゆるメカニズムを含み得る。例えば、機械可読媒体は、読出し専用メモリROM、ランダムアクセスメモリRAM、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、または電気、光、音、もしくはその他の形態の伝搬信号例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等、などを含み得る。また、本明細書において、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令が何らかの動作を行うと説明されることがある。しかし、そのような説明は単に便宜上のものであり、かかる動作は実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスによるものであることが理解されるべきである。0023このような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実施され得る例示的な環境を提示することが有益である。0024図1は、本発明の一実施形態による、放射源コレクタモジュールSOを含むリソグラフィ装置100を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームB例えばEUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えばマスクまたはレチクルMAを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに接続されたサポート構造例えばマスクテーブルMTと、基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば反射投影システムPSとを含む。0025照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。0026サポート構造MTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。0027パターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。0028パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型alternating位相シフト、およびハーフトーン型attenuated位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射された放射ビームにパターンを付与する。0029投影システムは、照明システムと同様に、用いられる露光放射に、または真空の使用といった他の要素に適切な屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、または他の型の光コンポーネント、またはそれらのあらゆる組合せを含む様々なタイプの光コンポーネントを含みうる。ガスは放射を吸収しすぎることがあるので、EUV放射には真空を用いることが望ましい。したがって、真空環境を、真空壁および真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供しうる。0030本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は反射型装置であってよい例えば反射型マスクを採用する。0031リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有するタイプのものであってもよい。そのようなマルチステージ機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。0032図1を参照すると、イルミネータILは、放射源コレクタモジュールSOから極端紫外線EUVビームを受け取る。EUV光を生成する方法には、次に必ずしも限定されないが、物質を、EUV範囲内の1本以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、またはスズである少なくとも1つの元素を有するプラズマ状態に変換することが含まれる。多くの場合、レーザ生成プラズマLPPと呼ばれるこのような方法の1つでは、必要とされるプラズマは、燃料をレーザビームによって照射することによって生成することができる。燃料は、例えば必要な輝線を放出する元素を有する物質の小滴、ストリームまたはクラスタであってよい。放射源コレクタモジュールSOは、図1には図示しない燃料を励起させるレーザビームを供給するためのレーザを含むEUV放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばEUV放射である出力放射を放出し、この放射は、放射源コレクタモジュール内に配置される放射源コレクタを使って集められる。例えばCO2レーザを用いてレーザビームを提供する場合、レーザビームを生成するために用いられるレーザと放射源コレクタモジュールとは別個の構成要素であってよい。0033その場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームはレーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が放電生成プラズマEUVジェネレータしばしばDPP源と呼ばれるである場合、放射源は放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。0034イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、ファセットフィールドミラーデバイスおよびファセット瞳ミラーデバイスといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。0035放射ビームBは、サポート構造例えばマスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えばマスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス例えばマスクMAから反射された後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点を合わせる。この投影システムは、第2ポジショナPWおよび位置センサPS2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使い、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサPS1を使い、パターニングデバイス例えばマスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス例えばマスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2と、基板アライメントマークP1、P2を使って位置合わせされうる。0036例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。00371.ステップモードでは、サポート構造例えばマスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それにより別のターゲット部分Cを露光することができる。00382.スキャンモードでは、サポート構造例えばマスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造例えばマスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。00393.別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造例えばマスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0040上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0041図2は、放射源コレクタモジュールSO、照明システムIL、および投影システムPSを含むリソグラフィ装置100をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールSOは、真空環境が、放射源コレクタモジュールSO内の囲い構造220内に維持可能であるように構築かつ構成される。0042レーザ装置LAは、燃料供給源200から供給されるキセノンXe、スズSn、またはリチウムLiといった燃料に、レーザビーム205を介してレーザエネルギーを与えるように構成され、それにより、電子温度が数十eVとなる高度にイオン化されたプラズマ210が生成される。これらのイオンの脱励起および再結合時に発生するエネルギー放射は、プラズマから放射され、近法線入射コレクタ光学素子COによって集められかつ集束される。0043コレクタ光学素子COによって反射された放射は、仮想放射源点IFに集束される。仮想放射源点IFは、一般的に中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールSOは、中間焦点IFが囲い構造220内の開口221においてまたはその付近に位置するように構成される。仮想放射源点IFは、放射放出プラズマ210の像である。0044次に、放射は、照明システムILを横断する。照明システムILは、パターニングデバイスMAにおいて放射ビーム21の所望の角度分布と、パターニングデバイスMAにおいて放射強度の所望の均一性とを提供するように構成されたファセットフィールドミラーデバイス22とファセット瞳ミラーデバイス24とを含みうる。パターニングデバイスMAにおいて放射ビーム21が反射すると、パターン付きビーム26が形成され、パターン付きビーム26は、投影システムPSによって、反射要素28、30を介して、基板テーブルWTによって保持される基板W上に結像される。0045通常は、図示よりも多くの要素が照明システムILおよび投影システムPS内には存在する。さらに図示よりも多くのミラーが存在してよく、例えば図2に示すよりも投影システムPS内に1~6個の追加の反射要素が存在してもよい。0046リソグラフィ装置内に透過型光フィルタが存在してよく、この透過型光フィルタは、EUV放射を透過させるが、他の波長における放射はあまり透過させない例えば他の波長における放射を実質的に吸収または反射する。透過型光フィルタは、例えば、反射された赤外線IRは吸収または反射するように構成された、即ち、赤外線の透過を防止または低減するように構成されたフィルタであってよく、以下、IRフィルタと呼ぶ。0047図3は、IRフィルタ40がその内部に設けられたリソグラフィ装置の一部を概略的に示す。IRフィルタ40は、例えば、リソグラフィ装置の放射源コレクタモジュールCOまたは照明システムIL内例えば照明システムの第1のミラー22の前に配置されうる。IRフィルタ40は、例えばEUV放射は透過させるがIR放射は透過させないような寸法にされた孔を画成するグリッドを含みうる。あるいは、IRフィルタ40は、例えばIR放射を透過させないジルコニウム‐シリコンフォイルを含みうる。IRフィルタ40は、例えばプラズマ210図2参照によって生成されたIR放射を遮断し、さらにLPP放射システム内にプラズマを発生させるように使用されるレーザビームも遮断しうるこのレーザビームは、IRレーザビームでありうる。0048IRフィルタ40は損傷し易い。例えば孔がIRフィルタ40にできることがある。孔ができる場合、IR放射は、照明システムILのミラー22、24を損傷し、リソグラフィ装置の他の光コンポーネントも損傷しうる。この理由から、IRフィルタ40における孔の存在を検出可能であることが望ましい。0049図3は、フィルタの損傷を検出するように構成されたフィルタ損傷検出装置を概略的に示し、この装置は、電波を放出するように構成されたトランスミッタ41と、電波を受信するように構成されたアンテナ42とを備える。トランスミッタ41は、コントローラ43に接続される。コントローラ43は、トランスミッタによる送信のために信号をトランスミッタ41に送るように構成される。コントローラ43は、複数の周波数を含む信号を送信のためにトランスミッタ41に送るように構成されてもよい。アンテナ42は、アンテナによって受信された電波に基づき、IRフィルタ40への損傷の存在を判断するように構成された分析装置47に接続される。0050EUV放射は、図3では、IRフィルタを通り進行する矢印Eとして概略的に示される。IR放射は、図3では、IRフィルタによって遮断される矢印Iとして概略的に示される。0051サポート構造44がIRフィルタ40を保持する。サポート構造44およびIRフィルタ40は合わさることで電波の通過を実質的に阻止するか、電波を大幅に減衰させるバリアを形成する。サポート構造44およびIRフィルタ40は、トランスミッタ41によって放出された電波がアンテナ42に到達することを阻止するまたはアンテナに入射する電波のパワーを大幅に低減する。0052トランスミッタ41は、例えば1本のワイヤを含みうる。1本のワイヤは、例えばトランスミッタによって送信される電波の波長の4分の1に対応する長さまたは別の適切な長さを有しうる。トランスミッタ41の長さは、例えば1cmから1mの間の長さまたは別の長さであってよい。アンテナ42は、例えば1本のワイヤを含み、トランスミッタと同じ長さまたは似た長さまたは別の適切な長さを有しうる。トランスミッタ41およびアンテナ42は、EUV放射の伝播方向を横断するように示されるが、任意の他の適切な向きを有してもよい。トランスミッタ41および/またはアンテナ42は、1本のワイヤではなく、ある長さの金属を含んでもよい。0053トランスミッタによって送信された電波は、ビーム状で送信されるのではなく、全方向または実質的に全方向に送信される。このことは、トランスミッタから広がる楕円線によって概略的に示される。同様に、アンテナ42も全方向または実質的に全方向から電波を受信可能でありうる。0054図4は、図3と同じコンポーネントではあるが、IRフィルタ40に孔45がある状態を示す。孔45は、点線で矢印Iの延長によって示されるように、一部のIR放射を透過させてしまう。透過されたIR放射はリソグラフィ装置のミラーまたは他の光コンポーネントを損傷させてしまいうる。この理由から、孔45の存在を検出することが望ましい。図4に概略的に示されるように、トランスミッタ41によって放出された電波は、孔45を通過する。電波は、孔45から広がる湾曲線によって表される。この電波はアンテナ42によって受信される。0055アンテナ42における電波の検出は、IRフィルタ40に孔45があることを示す。分析装置47は、電波の存在を示す信号をアンテナ42から受信すると、分析装置47は、リソグラフィ装置のミラーまたは他の光コンポーネントへの損傷を阻止または制限することを目的とする手順が開始される。この手順には、例えば、レーザLA図2参照をオフに切り替えること、レーザビームを遮断すること、別の方法でEUVおよびIR放射の発生を阻止すること、EUVおよびIR放射を遮断すること、またはEUVおよびIR放射の方向を転換させることが含まれうる。この手順は、リソグラフィ装置のミラーまたは他の光コンポーネントの損傷が回避されるように十分に迅速に実行されうる。0056上記のとおり、IRフィルタ40には、EUV放射は透過させるがIR放射は透過させないような寸法にされた孔を画成するグリッドを含みうる。これらの孔は、例えば直径が5ミクロンでありうる。約1mmの直径を有する孔の存在を検出することが望ましい。これは、約1mmの直径を有する孔は、リソグラフィ装置のミラーまたは他の光コンポーネントを損傷しうるのに十分に高い強度を有するIRを透過させるからである。0057図5は、アンテナにおいて受信された電波のパワーが、電波の周波数に応じてどのように変動するのかを示すグラフである。図5に示されるデータは、シミュレーションを用いて取得され、直径5ミクロン~50mmの孔についてのシミュレーションの結果を含む。電波のあらゆる周波数について、一部の放射はアンテナにおいて受信されるが、放射のパワーは孔のサイズが大きくなるにつれて増加することが分かる。これにより、例えば直径50mmの孔を、直径5ミクロンの孔から区別できる。電波の周波数が増加すると、アンテナにおいて受信されるパワーの量が増加する。しかし、電波の周波数が約1000GHzに到達すると、アンテナにおいて受信されるパワーは、大きい孔サイズについての最大値正規化値1に到達する。その結果、50mmの孔と5mmの孔をもはや区別できなくなる。周波数がさらに増加すると、アンテナにおけるパワーは、漸進的に小さくなる孔についても最大値に到達するので、装置が異なる寸法を有する孔を区別する能力が下がる。0058トランスミッタ41によって送信される電波は、様々なサイズを有する孔が検出できるように選択される周波数を有しうる。この周波数は、検出を可能とするために十分に高いパワーの電波がアンテナにおいて受信されるのに十分に高いが、様々な孔の寸法が、検出されるべき様々な孔のサイズについてアンテナにおいて検出されるパワーが異なるように十分に低い。図5を参照すると、例えば、約100GHzの周波数を有する電波を使用することが望ましい。これは、アンテナにおいて比較的高いパワーを提供し、5ミクロンから50mmの範囲におけるサイズを有する孔が区別できるようになるからである。一実施形態では、電波は例えば30GHz乃至300GHz、より好適には80GHz乃至120GHzの範囲内の周波数を有する。このような周波数は、放射をグリッドにより良好に向けることができ、これによりグリッド以外の間隙からの漏れが少なくなるという利点がある。0059電波は、例えば1000GHz未満、より好適には300GHz未満、さらにより好適には150GHz、または10GHz未満の周波数を有してよい。電波は、100KHzより大きい、または1MHzより大きい、または10MHzより大きい、または100MHzより大きい周波数を有してもよい。上記の下限の周波数および上限の周波数のいずれの組み合わせも本明細書において包含されるものであり、最大範囲は、100KHz乃至1000GHzで形成される。0060電波は、例えばEHFExtremelyHighFrequency無線帯域30~300GHz、SHFSuperHighFrequency無線帯域3~30GHz、UHFUltraHighFrequency無線帯域300MHz~3GHz、VHFVeryHighFrequency無線帯域30~300MHz、HFHighFrequency無線帯域3~30MHz、MFMediumFrequency無線帯域300KHz~3MHz、またはLFLowFrequency無線帯域30~300KHzにあってよい。0061図5から分かるように、電波は、直径5ミクロンの孔によって部分的に透過される即ち、大幅に減衰されたパワーで送信される。IRフィルタ40が、直径5ミクロンの孔を画成するグリッドから形成される場合、IRフィルタ40が損傷されていない場合は、アンテナ42によって一部の電波が受信される。IRフィルタ40が損傷していない場合にアンテナ42によって受信される電波は、分析装置47によって背景レベルの電波として記録されうる。この背景レベルを上回る、受信電波のパワーの大幅な増加が、分析装置47によって、IRフィルタ40が損傷していることを示す即ち、直径5ミクロンよりもかなり大きい孔がIRフィルタにできたことを示すとして解釈されうる。0062一部の電波は、異なるサイズ即ち、直径5ミクロンより大きいまたは5ミクロン未満を有する孔を画成するグリッドを含むIRフィルタによって透過されうる。この場合、上記アプローチを依然として適用することができ、即ち、IRフィルタが損傷していない場合に検出される電波が背景レベルとして記録され、電波のパワーの大幅な増加が、IRフィルタの損傷を示すとして解釈される。0063上述のとおり、IRフィルタ40は、ジルコニウム‐シリコンフォイルを含みうる。この場合、IRフィルタは、サポート構造44と共にあらゆる電波を遮断しうる。この文脈では、背景電波レベルは非常に低いかまたはゼロでありうる。0064一実施形態では、トランスミッタ41は、単一の周波数を有する電波を送信しうる。あるいは、電波の周波数は変化してよく、例えば低周波数と高周波数の間または高周波数と低周波数の間を変化してよい。一実施形態では、トランスミッタ41によって送信される電波は変調されてもよい。送信された電波の周波数を変化させることによって、または、電波を変調することによって、トランスミッタ41によって送信された受信電波と、リソグラフィ装置の他のコンポーネントによって発生された電波との区別を向上させうる。0065図3および図4には、1つのアンテナ42しか示されていないが、2本以上のアンテナを設けてもよい例えば、2、3、4、またはそれ以上のアンテナ。この場合、アンテナによって検出される電波の位相が、分析装置47によって例えばクワドラチャ検波を用いてモニタリングされうる。位相情報が分析装置47によってモニタリングされる場合、その情報は、IRフィルタ40における孔45の位置を判定するために用いられうる。これは、孔から各アンテナへの経路長が、孔の位置に依存するからである。0066位相情報は、IRフィルタ40の孔45を通過した電波を、別の経路を介して進行した電波から区別するためにも用いられうる位相情報から導き出される経路長情報を用いて。0067トランスミッタ41およびアンテナ42は、基板上にパターンを投影するために用いられるEUV放射と交差しないように位置決めされる。こうすると、トランスミッタ41およびアンテナ42は、EUV放射の強度を減少せず、また、EUV放射内に陰影を導入させない。0068放射源コレクタモジュールSO図2参照は、EUV放射と付随のIR放射とをパルス状に発生しうる。制御エレクトロニクス43は、トランスミッタ41が、EUV放射が放射源コレクタモジュールSOから放出されていないときに、電波を送信するように構成されうる。これにより、IRフィルタ40の損傷の検出が行われている際のリソグラフィ装置内にある背景放射の量が少なくなる。0069図3および図4では、トランスミッタ41は、EUVプラズマ210と同じIRフィルタ40の側にあり、アンテナ42はIRフィルタの反対側にあるように示されている。一実施形態では、アンテナが、EUVプラズマと同じIRフィルタの側にあり、トランスミッタがIRフィルタの反対側にあってもよい。こうすると、アンテナは、より多量の例えばEUVプラズマによって発生された電波である背景電波を受信しうる。この理由から、IRフィルタの損傷の検出は、EUV放射が放射源コレクタモジュールSOによって放出されていないときにに行われうる。0070トランスミッタおよび/またはアンテナは、IRフィルタの孔45に対して直接の見通し線があるように位置決めされる必要は必ずしもなく、というのも、電波の伝播は、ビーム状ではなく多方向性であるからである。場合によっては、トランスミッタおよび/またはアンテナのなんらかの遮蔽screeningが生じうる例えば、アンテナがリソグラフィ装置のコンポーネントのすぐ後ろに配置される場合。遮蔽の影響を少なくするために、複数のトランスミッタおよび/またはアンテナが設けられてもよい。0071本発明の上記実施形態では、サポート構造44は、ブロック構造として機能するが、このブロック構造は、この構造がなければIRフィルタ40の縁周りを通過しうる電波を遮断する。サポート構造44は、例えばリソグラフィ装置の壁46から内側に延在する金属シートを含みうる。サポート構造44は、1つまたは複数のグリッドを含んでもよい。1つまたは複数のグリッドの孔は、例えばIRフィルタ40のグリッドによって画定される孔と同じサイズであってもそれよりも小さいサイズであってもよい。一実施形態では、サポート構造の一部を形成しないブロック構造が設けられてもよい。一実施形態では、サポート構造によって部分的に形成されて非サポート構造によって部分的に形成されるブロック構造が設けられてもよい。0072この文脈において、電波の遮断とは、電波が全く透過されないことを意味することを意図してはおらず、例えば少量の電波上述したようなIRフィルタの損傷の検出を阻止しない程度の少量の電波量は透過されることを意味しうる。一実施形態では、IRフィルタ40と、サポート構造44と、リソグラフィ装置の壁46との間に1つまたは複数の間隙があってもよい。分析装置47は、この1つまたは複数の間隙を通過した電波の存在を、これをIRフィルタの孔の存在を示すものではない背景電波として特定することによって、考慮する。0073分析装置47は、IRフィルタ40に孔がない場合に存在しうる電波の背景レベルを考慮しうる。0074リソグラフィ装置の壁46は、リソグラフィ装置の外側の電波が、リソグラフィ装置内で、アンテナ42の付近に侵入することを防ぐまたは実質的に防ぐファラデーFaradayケージとして機能しうる。0075上述したとおり、トランスミッタ41およびアンテナ42は、ワイヤから形成されうる。ワイヤは、ガス放出が低いことからリソグラフィ装置内に提供されている真空に著しく有害な影響を及ぼさない金属から作られうる。コントローラ43および分析装置47は、リソグラフィ装置の真空部分の外側に配置されてよく、したがって、リソグラフィ装置内の真空を汚染することなく相当量のガス放出を生じる材料から構成されてもよい。代替の配置では、コントローラ43および/または分析装置47は、リソグラフィ装置の真空部分内に配置されうるボックス内に密封されてよい。ボックスは、低ガス放出係数を有する材料から形成されうる。0076一実施形態では、トランスミッタ41が、装置から省略されてもよい。こうすると、EUV放出プラズマ210図2参照が、電波源として機能しうるプラズマは、非常に広範囲の周波数にわたって放射を放出する。アンテナ42および分析装置47は、上記と同様に動作しうる。すなわち、IRフィルタに孔45がある場合に、IRフィルタ40によって透過される電波をモニタリングする。0077なお、上記記載は、IRフィルタ40の損傷の検出に関するが、この損傷検出装置は、他のフィルタにおける損傷の検出に用いてもよい。0078本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0079レンズという用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0080EUV放射という用語は、5~20nmの範囲内、例えば13~14nmの範囲内、または6.7nmもしくは6.8nmといった例えば5~10nmの範囲内の波長を有する電磁放射を包含するとみなすことができる。0081本発明の実施形態は、EUV放射がLPP源によって発生されるEUVリソグラフィ装置に関して説明されているが、本発明は、EUV放射がDPP源によって発生されるEUVリソグラフィ装置においても用いてもよい。0082以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明の実施形態は、上に開示された方法を記述する1つまたは複数のシーケンスの機械可読命令を含むコンピュータプログラム、または、かかるコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気または光ディスクの形態を取りうる。さらに、機械可読命令は、2つ以上のコンピュータプログラムに具現化されうる。この2つ以上のコンピュータプログラムは、1つ以上の様々なメモリおよび/またはデータ記憶媒体に記憶されうる。上記説明は、限定ではなく例示的あることを意図している。したがって、当業者であれば、以下に記載される特許請求の範囲から逸脱することなく本発明に変更を行いうることは明らかであろう。0083発明の概要および要約の項目は、発明者が想定するような本発明の1つまたは複数の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明および添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。0084本発明の実施形態は、特定の機能の実施とそれらの関係を示す機能的構成要素を用いて上に説明された。これらの機能的構成要素の境界は、説明の便宜上任意に定義されている。特定の機能およびそれらの関係が適切に行われる限り別の境界が定義されてもよい。0085特定の実施形態の上記の説明は、本発明の一般的性質を十分に明らかにし、それにより、当業者の知識を適用することによって、他の人が、必要以上の実験を行うことなく、本発明の一般的な概念から逸脱することなく、特定の実施形態の様々な適用を容易に修正および/または適応することができるようにする。したがって、このような適応および修正は、本明細書に提示する教示および指導内容に基づいて、開示された実施形態の等価物の異議および範囲内であることを意図するものである。なお、本明細書における表現および用語は、説明のためであって限定を目的とせず、したがって、本明細書の用語および表現は教示および指導内容を鑑みて当業者によって解釈されるべきであることを理解すべきである。0086本発明の範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれにも限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲およびその等価物に応じてのみ定義されるべきである。