"ガラス基板の内周端面及び/又は外周端面にチャンファ面が形成されたガラス基板の主面を、表面に研磨液供給用の凹溝が形成された研磨パッドを用いて研磨するポリッシング工程を含む磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、ガラス基板の厚み方向に平行な面に対してチャンファ面がガラス基板の内部側でなす角度をθd、研磨パッドの厚み方向に平行な面に対して凹溝の側面が研磨パッドの内部側でなす角度をθpとしたときに、10°≦θp<θd≦80°の条件で、ポリッシング工程を行うことを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。研磨パッドは、研磨層が発泡ポリウレタンからなるスウェードタイプの軟質研磨パッドであることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。ポリッシング工程では、シリカを砥粒として含む研磨液を用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。研磨パッドは、アスカーC硬度が60~85であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態を説明する。図1は、本実施形態に係る磁気記録媒体用ガラス基板の製造工程図、図2は、本実施形態に係る磁気記録媒体用ガラス基板の断面斜視図である。本実施形態では、磁気記録媒体用ガラス基板10は、ガラス溶融工程ステップS1、プレス成形工程ステップS2、コアリング工程ステップS3、第1ラッピング工程ステップS4、端面研削工程ステップS5、端面研磨工程ステップS6、第2ラッピング工程ステップS7、第1ポリッシング工程ステップS8、第2ポリッシング工程ステップS9、及び、洗浄工程ステップS10を経て製造される。ガラス溶融工程S1では、ガラス素材を溶融する。ガラス素材は、二酸化ケイ素SiO2を主成分とするガラス組成物で構成される。ガラス組成物は、マグネシウム、カルシウム及び/又はセリウムを含んでも含まなくてもよい。代表的なガラス組成物は、例えば、SiO2、Al2O3、B2O3、Li2O、Na2O、K2O、MgO、CaO、BaO、SrO、ZnO等を含む。プレス成形工程S2では、溶融したガラス素材を金型に流し込んでプレス成形することにより円盤状のガラス基板を作製する。このときのガラス基板の大きさとしては、例えば、外径が2.5インチ、1.8インチ、1.0インチ、0.8インチ等、厚みが、2mm、1mm、0.63mm等である。コアリング工程S3では、得られたガラス基板の中心に例えばダイヤモンドコアドリルを用いて円孔を形成する。第1ラッピング工程S4では、得られた環状のガラス基板10の主面記録面11,12を研削加工してガラス基板10の厚みや平行度及び平坦度等を予備調整する。第1ラッピング工程の研削加工には、例えばダイヤモンドペレットが貼り付けられた研削板を備える両面研削装置が用いられる。端面研削工程S5では、ガラス基板10の内周端面13及び外周端面14を研削加工してガラス基板10の外径寸法や真円度等を微調整する。端面研削工程では、また、ガラス基板10の内周端面13及び外周端面14を例えばダイヤモンド砥石を用いて面取り加工し、チャンファ面16を形成する。内周端面13及び外周端面14において、チャンファ面16,16に挟まれた部分を側壁面15と呼ぶ。端面研磨工程S6では、ガラス基板10の内周端面13及び外周端面14を研磨して平滑化する。第2ラッピング工程S7では、ガラス基板10の主面11,12を再び研削加工してガラス基板10の厚みや平行度及び平坦度等を微調整する。第2ラッピング工程の研削加工には、例えばダイヤモンドペレットが貼り付けられた研削板を備える両面研削装置が用いられる。第1ポリッシング工程粗研磨工程:S8では、ガラス基板10の主面11,12を粗研磨して平滑化する。第1ポリッシング工程の研磨には、例えば研磨パッドとして研磨層が独立気泡を有する発泡ポリウレタンからなる硬質研磨パッド気泡が閉じており、気泡がパッド面研磨パッドの表面に開いていないものが相対的に多い研磨パッドが貼り付けられた上下一対の定盤を備える両面研磨装置が用いられ、研磨液として酸化セリウムを砥粒として含む研磨液が用いられる。第2ポリッシング工程精密研磨工程:S9では、ガラス基板10の主面11,12を精密研磨してさらに平滑化する。第2ポリッシング工程の研磨には、例えば研磨パッドとして研磨層が発泡ポリウレタンからなるスウェードタイプの軟質研磨パッド気泡がパッド面に開いており、気泡を仕切る壁が軟らかいものが相対的に多い研磨パッドが貼り付けられた上下一対の定盤を備える両面研磨装置が用いられ、研磨液としてシリカコロイダルシリカを砥粒として含む研磨液が用いられる。洗浄工程S10では、ガラス基板10に付着している異物を、例えば、フィルタリングした純水、イオン交換水、超純水、酸性洗剤、中性洗剤、アルカリ性洗剤、有機溶剤、界面活性剤を含んだ各種洗浄剤等を用いて、洗浄し、除去する。この他に、ガラス基板10の表面を強化する化学強化工程や、ガラス基板10の厚みや平坦度等を検査する検査工程等を行ってもよい。そして、これらの工程を経て製造されたガラス基板10は、最終的に主面11,12に磁気層が形成されて、ハードディスクHD等の磁気記録媒体とされる。以下、本実施形態の特徴部分であるポリッシング工程を詳しく説明する。なお、第2ポリッシング工程S9を例にして説明するが、第1ポリッシング工程S8でも同様である。また、ガラス基板10の外周端面を例にして説明するが、内周端面でも同様である。図3は、本実施形態に係る第2ポリッシング工程で用いられ得る両面研磨装置の主要部の構成を示す部分側面図、図4は、図3のA-A線に沿う矢視図であって下定盤の平面図、図5は、図4からキャリアを取り外して研磨パッドを露出させた状態の下定盤の平面図である併せて円内に研磨液供給用凹溝の拡大縦断面図を示してある。図3に示すように、両面研磨装置20は、上下一対の上定盤21及び下定盤22を備えている。各定盤21,22は円柱状外径:約1000mmであり、次に説明するキャリア27の回転面に対して対向面が平行であり、かつ回転方向が相互に逆向きである。各定盤21,22の対向面にガラス基板10の主面11,12を研磨するための研磨パッド23,24が貼り付けられている。図4に示すように、下定盤22の研磨パッド24の上に、円盤状のキャリア27が複数図例では4つ設置されている。下定盤22の中央部にサンギヤ25が備えられ、下定盤22の周縁部にインターナルギヤ26が備えられている。キャリア27の周縁部にギヤ歯が形成されており、サンギヤ25及びインターナルギヤ26と噛み合っている。このような遊星歯車機構により、サンギヤ25が回転すると、キャリア27は自転しながらサンギヤ25の周囲を公転する。キャリア27には複数の円孔28...28が形成されており、各円孔28にガラス基板10が1つずつ遊嵌合される。上定盤21及び下定盤22が対接し合うことで、キャリア27...27及びガラス基板10...10が上下の研磨パッド23,24で挟み付けられ、この状態で各定盤21,22及び各キャリア27が回転する定盤21,22及びキャリア27...27がすべて相対移動する。このとき、研磨液が研磨パッド23,24とガラス基板10との間に供給され、ガラス基板10の研磨が実行される。なお、研磨液は、当初、図外の研磨液供給ノズルから、対接し合った上下定盤21,22の研磨パッド23,24間に向けて注がれる。本実施形態では、研磨パッド23,24は、第1ポリッシング工程S8では研磨層が独立気泡を有する発泡ポリウレタンからなる硬質研磨パッドが用いられ、第2ポリッシング工程S9では研磨層が発泡ポリウレタンからなるスウェードタイプの軟質研磨パッドが用いられる。ただし、これに限定されるものではない。例えば、ガラス基板10の端面形状の劣化を抑えることを目的に、第1ポリッシング工程で研磨層が発泡ポリウレタンからなるスウェードタイプの軟質研磨パッドを用いてもよい。また、これらの研磨パッドは、研磨層が発泡ポリウレタン以外の素材、例えばポリエステル等の他の樹脂の発泡体からなるものであってもよい。本実施形態では、前記軟質研磨パッドの硬度は、加工レート研磨レートとガラス基板10の表面品質主面11,12の品質との両立の観点から、アスカーC硬度で60~85に設定されている。本実施形態では、研磨液は、砥粒遊離砥粒を含むスラリーである。砥粒としては、特に限定されず、従来一般にガラス研磨の分野で採用されているものを用いることができる。例えば、酸化セリウム、炭化ケイ素、シリカコロイダルシリカ、ジルコニア、アルミナ等が好ましく用いられ得る。これらの中では、コストや得られる平滑度等の観点から、第1ポリッシング工程S8では酸化セリウムがより好ましく、第2ポリッシング工程S9ではシリカコロイダルシリカがより好ましい。後者の砥粒の粒径は、得られる平滑度等の観点から、平均粒子径が1~100nmのものが好ましく、1~80nmのものがより好ましく、1~50nmのものがさらに好ましく、1~20nmのものが特に好ましい。本実施形態では、研磨液は、第1ポリッシング工程S8では酸化セリウムを砥粒として含む研磨液が用いられ、第2ポリッシング工程S9ではシリカコロイダルシリカを砥粒として含む研磨液が用いられる。ただし、これに限定されるものではない。図5に示すように、研磨パッド24図例は下定盤22の研磨パッド24であるが上定盤21の研磨パッド23も同様であるには、研磨液を研磨パッド24とガラス基板10との間に供給するための凹溝31が形成されている。すなわち、研磨パッド24の表面パッド面24aに研磨液供給用凹溝31が一定ピッチで形成されている。なお、図例は、凹溝31が格子状のパターンに形成されているが、あくまでも例示であり、他のパターン例えば放射線状、渦巻状、これらの組み合わせ等に形成されていてもよい。本実施形態では、凹溝31のピッチは、例えば10~50mm程度、溝幅パッド面24aでの溝幅は、例えば1~5mm程度である。ただし、これらの仕様は、定盤21,22の大きさ本実施形態では外径が約1000mmや、ガラス基板10の大きさ本実施形態では外径が2.5インチ、1.8インチ、1.0インチ、0.8インチ等等に応じて種々変化してよいものである。凹溝31は、図5の円内に拡大して示すように、断面形状がV字状であり、側面31aが研磨パッド24の厚み方向に平行ではなく傾斜している。そして、本実施形態では、図6aに示すように、ガラス基板10の厚み方向に平行な面に対してチャンファ面16がガラス基板10の内部側でなす角度チャンファ面角度をθdとし、研磨パッド24の厚み方向に平行な面に対して凹溝31の側面31aが研磨パッド24の内部側でなす角度凹溝側面角度をθpとしたときに、θp<θdの条件、つまり、チャンファ面角度θdが凹溝側面角度θpよりも大きい条件で、第2ポリッシング工程が行われる。この条件により、図6aに示すように、第2ポリッシング工程において、ガラス基板10が研磨パッド24に沈み込んだ状態で凹溝31を横切るときは、側壁面15とチャンファ面16との間の角部側壁面角部Yが凹溝側面31aに最初に接触する。あるいは、ガラス基板10の沈み込み量が少ないときは、チャンファ面16が凹溝側面31aに最初に接触する。たとえガラス基板10が研磨パッド24に沈み込んだ状態で凹溝31を横切るときでも、主面12とチャンファ面16との間の角部主面角部Xが凹溝側面31aに最初に接触することが回避される。その結果、主面角部Xが磨耗してエッジが取れ、主面角部Xが丸みを帯びて、最終的に得られるガラス基板10の端面形状が不良となる問題が抑制される。そのため、記録容量の大きい磁気記録媒体を安定して得ることができる。加えて、本実施形態では、図6bに示すように、10°≦θpの条件、つまり凹溝側面角度θpが10°以上の条件で、第2ポリッシング工程が行われる。この条件により、凹溝31内の研磨液がパッド面研磨パッド24の表面24aに向けて良好に供給される。換言すれば、凹溝側面角度θpが10°未満であると、凹溝側面31aが立ち過ぎてパッド面24aを向かないため、凹溝31内でパッド面24aに向かう研磨液の量が相対的に少なくなり、そのため、研磨液が研磨パッド24とガラス基板10との間に良好に供給され難くなり、ガラス基板10の研磨が良好に行われ難くなる。これに対し、凹溝側面角度θpが10°以上である場合は、凹溝31内でパッド面24aに向かう研磨液の量が相対的に多くなり、そのため、研磨液が研磨パッド24とガラス基板10との間に良好に供給され、ガラス基板10の研磨が良好に行われる。また、θp<θdの条件と合わせると、チャンファ面角度θdが10°を超えるので、主面角部Xが鋭角になり過ぎて応力が集中し破損するというような不具合が抑制される。凹溝側面角度θpは、好ましくは15°以上、より好ましくは20°以上、さらに好ましくは25°以上である。さらに、加えて、本実施形態では、図6cに示すように、θd≦80°の条件、つまりチャンファ面角度θdが80°以下の条件で、第2ポリッシング工程が行われる。この条件により、側壁面角部Yが鋭角になり過ぎて応力が集中し破損するというような不具合、面取り加工による主面12の面積の減少量が増大するというような不具合が抑制される。また、θp<θdの条件と合わせると、凹溝側面角度θpが80°未満とされているので、凹溝31の深さが十分となり、凹溝31内に研磨液が十分量貯留されて、ガラス基板10の研磨が良好に行われる。チャンファ面角度θdは、好ましくは75°以下、より好ましくは70°以下、さらに好ましくは65°以下である。本実施形態では、研磨パッド23,24は、研磨層が発泡ポリウレタンからなるスウェードタイプの軟質研磨パッドである本実施形態では第2ポリッシング工程の場合であるがこれに限定されず例えば第1ポリッシング工程の場合でもよい。これにより、ガラス基板10の最終形状を決定するポリッシング工程S8,S9において、例えば研磨層が独立気泡を有する発泡ポリウレタンからなる硬質研磨パッド等に比べて、ガラス基板10の主面11,12をより緻密に精度よく研磨することができ、主面11,12の平滑度が向上して、ガラス基板10の生産性が向上する。また、主面11,12の形状精度が向上することで、主面11,12を端面13,14との境まで平坦とすることができ、主面11,12の面積を大きくすることができる。そのため、記録容量の大きい磁気記録媒体をより一層安定して得ることができる。本実施形態では、ポリッシング工程では、シリカコロイダルシリカを砥粒として含む研磨液を用いる本実施形態では第2ポリッシング工程の場合であるがこれに限定されず例えば第1ポリッシング工程の場合でもよい。これにより、ガラス基板10の最終形状を決定するポリッシング工程S8,S9において、例えば酸化セリウム等を砥粒として含む研磨液に比べて、ガラス基板10の主面11,12をより緻密に精度よく研磨することができ、主面11,12の平滑度が向上して、ガラス基板10の生産性が向上する。また、主面11,12の形状精度が向上することで、主面11,12を端面13,14との境まで平坦とすることができ、主面11,12の面積を大きくすることができる。そのため、記録容量の大きい磁気記録媒体をより一層安定して得ることができる。また、シリカは加工レート研磨レートも高いので、研磨が短時間で済むという利点もある。本実施形態では、研磨層が発泡ポリウレタンからなるスウェードタイプの軟質研磨パッドのアスカーC硬度を60~85としたから、加工レートとガラス基板10の表面品質主面11,12の品質との両立が図られる。例えば、アスカーC硬度が60未満であると、加工レートが低くなると共に、研磨パッドの変形が生じ、ガラス基板10の表面の平坦度が低下する。また、アスカーC硬度が85を超えて大きいと、ガラス基板10の表面にスクラッチ等が発生し、ガラス基板10の表面の品質が低下する。本実施形態では、凹溝31の断面形状をV字状としたが、これに限定されるものではない。例えば、前記条件θp<θd、10°≦θp、θd≦80°が成立する限り、側面31aが直線の傾斜面ではなく湾曲した傾斜面であってもよく、単一の傾斜面ではなく複数段階に曲折した傾斜面であってもよく、凹溝31の下部ガラス基板10が接触する可能性がほとんど無い部分が傾斜面でなくてもよい。本実施形態の技術的特徴をまとめると下記のようになる。本実施形態に係る磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板の内周端面及び/又は外周端面にチャンファ面が形成されたガラス基板の主面を、表面に研磨液供給用の凹溝が形成された研磨パッドを用いて研磨するポリッシング工程を含む磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、ガラス基板の厚み方向に平行な面に対してチャンファ面がガラス基板の内部側でなす角度便宜上チャンファ面角度ということがあるをθd、研磨パッドの厚み方向に平行な面に対して凹溝の側面が研磨パッドの内部側でなす角度便宜上凹溝側面角度ということがあるをθpとしたときに、10°≦θp<θd≦80°の条件で、ポリッシング工程を行うことを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法である。この構成によれば、凹溝側面角度θpよりもチャンファ面角度θdが大きいので、ポリッシング工程において、ガラス基板が研磨パッドに沈み込んだ状態で凹溝を横切るときは、チャンファ面図7の符号c又は側壁面角部図7の符号Yが凹溝の側面図7の符号hに最初に接触する。したがって、たとえガラス基板が研磨パッドに沈み込んだ状態で凹溝を横切るときでも、主面角部図7の符号Xが凹溝の側面に最初に接触することが回避される。その結果、主面角部が磨耗してエッジが取れ、主面角部が丸みを帯びて、最終的に得られるガラス基板の端面形状が不良となる問題が抑制される。そのため、記録容量の大きい磁気記録媒体を安定して得ることができる。加えて、凹溝側面角度θpが10°以上とされているので、凹溝内の研磨液がパッド面研磨パッドの表面に向けて良好に供給される。そのため、研磨液が研磨パッドとガラス基板との間に良好に供給され、ガラス基板の研磨が良好に行われる。また、θp<θdの条件と合わせると、チャンファ面角度θdが10°を超えるので、主面角部が鋭角になり過ぎて研磨の際に応力が集中し破損するというような不具合が抑制される。さらに、加えて、チャンファ面角度θdが80°以下とされているので、側壁面角部が鋭角になり過ぎて研磨の際に応力が集中し破損するというような不具合、面取り加工による主面の面積の減少量が増大するというような不具合が抑制される。また、θp<θdの条件と合わせると、凹溝側面角度θpが80°未満とされているので、凹溝の深さが十分となり、凹溝内に研磨液が十分量貯留されて、ガラス基板の研磨が良好に行われる。前記製造方法においては、研磨パッドは、研磨層が発泡ポリウレタンからなるスウェードタイプの軟質研磨パッドであることが好ましい。ガラス基板の最終形状を決定するポリッシング工程において、例えば研磨層が独立気泡を有する発泡ポリウレタンからなる硬質研磨パッド等に比べて、ガラス基板の主面をより緻密に精度よく研磨することができ、主面の平滑度が向上して、ガラス基板の生産性が向上するからである。また、主面の形状精度が向上することで、主面を端面との境まで平坦とすることができ、主面の面積を大きくすることができるからである。そのため、記録容量の大きい磁気記録媒体をより一層安定して得ることができる。前記製造方法においては、ポリッシング工程では、シリカを砥粒として含む研磨液を用いることが好ましい。ガラス基板の最終形状を決定するポリッシング工程において、例えば酸化セリウム等を砥粒として含む研磨液に比べて、ガラス基板の主面をより緻密に精度よく研磨することができ、主面の平滑度が向上して、ガラス基板の生産性が向上するからである。また、主面の形状精度が向上することで、主面を端面との境まで平坦とすることができ、主面の面積を大きくすることができるからである。そのため、記録容量の大きい磁気記録媒体をより一層安定して得ることができる。また、シリカは加工レート研磨レートも高いので、研磨が短時間で済むという利点もある。前記製造方法においては、研磨パッドは、アスカーC硬度が60~85であることが好ましい。加工レートとガラス基板の表面品質主面の品質との両立が図られるからである。本実施形態によれば、磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法において、内周端面及び/又は外周端面にチャンファ面が形成されたガラス基板の主面とチャンファ面との間の角部主面角部の磨耗が抑制されたガラス基板を製造することが可能となる。そのため、記録容量の大きい磁気記録媒体を安定して得ることができる。以下、実施例を通して、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例により限定されるものではない。ガラス基板の作製図1に示した製造工程に従い、下記の組成質量のガラス素材を用いて、ガラス溶融工程S1、プレス成形工程S2、コアリング工程S3、第1ラッピング工程S4、端面研削工程S5、端面研磨工程S6、第2ラッピング工程S7及び第1ポリッシング工程S8を行い、外径が約65mm2.5インチ、内径円孔の径が約20mmの環状のアルミノシリケート製ガラス基板を作製した。チャンファ面は、チャンファ面角度θdが45°、面取り長さが0.15mmとなるように形成した。ガラス素材の組成SiO2:50~70Al2O3:0~20B2O3:0~5ただし、SiO2Al2O3B2O3=50~85、また、Li2ONa2OK2O=0~20、また、MgOCaOBaOSrOZnO=0~20である。第2ポリッシング工程の実行図3~5に示したような両面研磨装置を用い、得られたガラス基板の精密研磨を行った。研磨パッドは、研磨層が発泡ポリウレタンからなるスウェードタイプの軟質研磨パッドアスカーC硬度:78を用いた。研磨液は、コロイダルシリカ平均粒子径:20nmを砥粒として含む研磨液を用いた。研磨液供給用凹溝は、格子状のパターンに形成されたものを用いた。溝ピッチは40mm、溝幅は3mmとした。1バッチ100枚のガラス基板をキャリアにセットし、研磨量0.5μm、研磨時間20分の条件で、主面の精密研磨を行った。実施例1実施例1は、研磨液供給用凹溝の凹溝側面角度θpを40°とした。つまり、10°≦θp<θd≦80°の条件を満足して、第2ポリッシング工程を行ったθdは45°。フィルタリングした純水を用いて洗浄工程を行った後、得られたガラス基板の主面とチャンファ面との間の角部主面角部の評価、及び、得られたガラス基板の平坦度の評価を行った。主面角部の評価は、株式会社ミツトヨ製のコントレーサCP-400輪郭形状測定機を用いて主面角部の曲率を求め、曲率が0.05mm以上のものを良品と判定し、良品率収率を求めた。ガラス基板の平坦度の評価は、PhaseShiftTechnology社製のOptiFlat光干渉式表面形状測定装置を用いてTIRを求め、TIRが2μm以上のものを良品と判定し、良品率収率を求めた。ここで、TIRとは、ガラス基板の平坦度を表す指標であり、評価面の最小二乗平面から最高点までの距離と、最小二乗平面から最低点までの距離との合計の値である。なお、最高点及び最低点は、評価面上の半径25mmの位置における周方向1周分の測定値から得る。その結果、主面角部の良品率は90、平坦度の良品率は89であった。このことから、実施例1は、主面角部の磨耗が十分に抑制され、ガラス基板の主面記録面の面積を十分に大きくとれることが分かった。実施例2実施例2は、研磨液供給用凹溝の凹溝側面角度θpを30°とした他は、実施例1と同様にして、第2ポリッシング工程及び洗浄工程を行い、主面角部の評価及び平坦度の評価を行った。その結果、主面角部の良品率は92、平坦度の良品率は87であった。このことから、実施例2もまた、主面角部の磨耗が十分に抑制され、ガラス基板の主面記録面の面積を十分に大きくとれることが分かった。比較例1比較例1は、研磨液供給用凹溝の凹溝側面角度θpを50°とした他は、つまり、10°≦θpの条件及びθd≦80°の条件は満足するが、θp<θdの条件は満足しなかった他は、実施例1と同様にして、第2ポリッシング工程及び洗浄工程を行い、主面角部の評価及び平坦度の評価を行った。その結果、主面角部の良品率は78、平坦度の良品率は88であった。このことから、比較例1は、主面角部の磨耗が十分には抑制されなかったことが分かった。これは、θp<θdの条件を満足しなかったため、第2ポリッシング工程で、主面角部が凹溝の側面に最初に接触したからと考察される。比較例2比較例2は、研磨液供給用凹溝の凹溝側面角度θpを8°とした他は、つまり、θp<θdの条件及びθd≦80°の条件は満足するが、10°≦θpの条件は満足しなかった他は、実施例1と同様にして、第2ポリッシング工程及び洗浄工程を行い、主面角部の評価及び平坦度の評価を行った。その結果、主面角部の良品率は87、平坦度の良品率は72であった。このことから、比較例2は、ガラス基板の平坦度が低下したことが分かった。これは、10°≦θpの条件を満足しなかったため、凹溝内の研磨液がパッド面に向けて良好に供給されなかったからと考察される。この出願は、2010年12月28日に出願された日本国特許出願特願2010-293773を基礎とするものであり、その内容は、本願に含まれるものである。本発明を表現するために、前述において図面を参照しながら実施形態を通して本発明を適切かつ十分に説明したが、当業者であれば前述の実施形態を変更及び/又は改良することは容易になし得ることであると認識すべきである。したがって、当業者が実施する変更形態又は改良形態が、請求の範囲に記載された請求項の権利範囲を離脱するレベルのものでない限り、当該変更形態又は当該改良形態は、当該請求項の権利範囲に包括されると解釈される。"