電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は、終端抵抗とコンデンサとを含んでおり、前記終端抵抗の所定の位置にして当該所定の位置で前記終端抵抗が実質的に分割された状態でバイアス電圧が印加されることを特徴とする光変調器モジュール。前記終端抵抗がシート抵抗で構成され、前記バイアス電圧が、前記シート抵抗の表面に設けられた電気的接続点から印加されることを特徴とする請求項1に記載の光変調器モジュール。前記終端抵抗がシート抵抗で構成され、前記バイアス電圧が、前記シート抵抗の表面に沿う方向に一部延出して設けられた電極パッドを電気的接続点として印加されることを特徴とする請求項1に記載の光変調器モジュール。前記バイアス電圧は、バイアス抵抗を介して印加されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。前記コンデンサは、高周波用コンデンサおよび低周波用コンデンサであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。前記基板が半導体基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。以上のように、従来技術ではバイアス電源に電気的に接続されているバイアス抵抗の値が小さかったため、低周波用コンデンサが壊れた際の保護や、実用上極めて重要な問題であるバイアス電源に使用されているオペアンプの発振抑圧について充分な効果を発揮できないという問題があった。これらの問題のどちらか一つでも発生すると、LN光変調器にバイアス電圧を印加できなくなり、変調器としての機能を発揮することが不可能となる。そのため、これらの問題を解決したバイアス電源についての保護とその発振の抑圧が可能な優れた技術の実現が望まれていた。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、バイアス電源について、その保護と発振の抑圧が可能な光変調器モジュールを提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の請求項1の光変調器モジュールは、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は、終端抵抗とコンデンサとを含んでおり、前記終端抵抗の所定の位置にして当該所定の位置で前記終端抵抗が実質的に分割された状態でバイアス電圧が印加されることを特徴としている。また、本発明の請求項2の光変調器モジュールは、請求項1に記載の光変調器モジュールにおいて、前記終端抵抗がシート抵抗で構成され、前記バイアス電圧が、前記シート抵抗の表面に設けられた電気的接続点から印加されることを特徴としている。また、本発明の請求項3の光変調器モジュールは、請求項1に記載の光変調器モジュールにおいて、前記終端抵抗がシート抵抗で構成され、前記バイアス電圧が、前記シート抵抗の表面に沿う方向に一部延出して設けられた電極パッドを電気的接続点として印加されることを特徴としている。また、本発明の請求項4の光変調器モジュールは、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の光変調器モジュールにおいて、前記バイアス電圧は、バイアス抵抗を介して印加されることを特徴としている。また、本発明の請求項5の光変調器モジュールは、請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の光変調器モジュールにおいて、前記コンデンサは、高周波用コンデンサおよび低周波用コンデンサであることを特徴としている。また、本発明の請求項6の光変調器モジュールは、請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光変調器モジュールにおいて、前記基板が半導体基板であることを特徴としている。本発明によれば、バイアス電源から見た等価的なバイアス抵抗を大きくすることができるので、コンデンサが壊れた際にバイアス電源を保護する効果とバイアス電源の中に使用されているオペアンプの発振を抑圧する効果を発揮できる。以下、本発明の実施形態について説明するが、図8および図9に示した従来の実施形態と同一番号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一番号を持つ機能部の説明を省略する。[第1の実施形態]図1に本発明における第1の実施形態のLN光変調器モジュールについてその模式的な上面図を示す。ここで、21が本発明において重要な役割をする電気的終端である。図1のLN光変調器モジュールについてその詳しい等価回路を図2に示す。図9に示した抵抗値RLの終端抵抗13は本実施形態では各々抵抗値がRL1とRL2の終端抵抗22と23に分割される。さらに、バイアス電源15からのバイアス抵抗10を終端抵抗22と23の間の電気的接続点Bに電気的に接続する。本実施形態ではz-カットLN光変調器モジュールに印加されるバイアス電圧は電気的接続点Bの電圧で決定される。図2からわかるように、低周波用コンデンサ14にとっての抵抗は図9に示した従来技術における抵抗値RBのバイアス抵抗10の他に分割された抵抗値RL2の終端抵抗23が加算されることになる。そのため、低周波用コンデンサ14が壊れてショート状態になった場合におけるバイアス電源15の保護抵抗としては、バイアス抵抗10の5~7Ωと小さな抵抗値RBの他に終端抵抗23の抵抗値RL2が加算され、RBRL2となる。一般に、中心導体3a、接地導体3b、3cからなるCPW進行波電極の終端抵抗は50Ω程度であるので、終端抵抗23の抵抗値RL2としては50Ω以下の数十Ωを選択することが可能となる。その結果、バイアス電源15の保護抵抗RBRL2は10~60Ω程度を選択することができる。これらの値はバイアス電源15の保護抵抗として充分な値となる。一方、バイアス電源15を構成する部品の一つであるオペアンプは低周波用コンデンサ14のような大きなキャパシタンスがあると、これが容量性負荷として見えるために発振し易いことを述べた。この問題についても、終端抵抗23が加算されることによりダンピング抵抗がRBRL2として大きくなるので発振を効果的に抑圧することが可能となる。なお、実数の値RL2を有する終端抵抗23が加算されることにより、オペアンプへの位相回りの影響を改善することができるとも解釈することができる。なお、RL2が充分大きな値となる場合にはバイアス抵抗RBを省略することが可能となる。また、ここでは終端抵抗22と23の2つに分割する複数にするとしたが、3つ以上に分割しても良いことは言うまでもない。ここで、終端抵抗23の抵抗値RL2とバイアス抵抗10の抵抗値RBの大小関係について述べておく。本発明のポイントはバイアス電源15から低周波用コンデンサ14を見た際の合成抵抗の値を大きくすることである。つまり、終端抵抗23の抵抗値RL2とバイアス抵抗10の抵抗値RBとのRL2RBの和が重要となる。従って、終端抵抗23の抵抗値RL2はバイアス抵抗10の抵抗値RBよりも大きくても小さくてもよいし、等しくても良い。そして以上のことは本発明の全ての実施形態について当てはまる。図5に本実施形態における終端抵抗の具体的な一例を示す。この終端抵抗はシート抵抗で構成されている。中央部を横断して電極パッド29が形成されており、終端抵抗を22と23に実質的に分割する役割も有している。30は電気的接続点Bからバイアス電圧を供給するためのワイヤである。[第2の実施形態]本発明における第2の実施形態のLN光変調器モジュールについて、その模式的な上面図を図3に示し、等価回路図を図4に示す。ここで、24が第2の実施形態の電気的終端である。なお、本発明の第1の実施形態では終端抵抗を各々抵抗値がRL1とRL2の2つの終端抵抗22と23に分けると述べた。終端抵抗を第1の実施形態のように完全に分けても良いが、実際には分けない構成としても良い。つまり、これらは図8や図9に示した終端抵抗13と同様に一体であっても良い。この第2の実施形態においては、図3や図4のようにバイアス電源15からの電気的接続点Bを実際には一体で構成される終端抵抗25の所定の位置に、直接もしくは抵抗を介して電気的に接続する。このように構成することで、実質的に第1の実施形態と同様の作用効果を有する。図6に本実施形態における終端抵抗の具体的な一例を示す。この終端抵抗はシート抵抗で構成されている。31は電極パッドであり、30は電気的接続点Bからバイアス電圧を供給するためのワイヤである。終端抵抗25に流れている電流は、終端抵抗25に流れる電流に垂直な方向の淵で高くなるので、電流が少ない領域に電極パッド31を設けている。図7に本実施形態における終端抵抗の他の例を示す。この終端抵抗も図6と同様、シート抵抗で構成されている。32は電極パッドであり、30は電気的接続点Bからバイアス電圧を供給するためのワイヤである。この例では、終端抵抗25に流れている電流に与える擾乱が小さくなるように電極パッド32を設けている。[各種実施形態]以上においては、進行波電極としてはCPW電極を例にとり説明したが、非対称コプレーナストリップACPSや対称コプレーナストリップCPSなどの各種進行波電極、あるいは集中定数型の電極でも良いことは言うまでもない。そしてDQPSK型の光変調器などマッハツェンダ型光導波路をネスト状に組み合わせた構造や、シングル電極、あるいはDual電極などについても本発明は勿論有効である。また、光導波路としてはマッハツェンダ型光導波路の他に、方向性結合器や直線など、その他の光導波路でも良いことは言うまでもない。さらに、以上の実施形態はx-カット、y-カットもしくはz-カットの面方位、即ち、基板表面カット面に対して垂直な方向に結晶のx軸、y軸もしくはz軸を持つ基板にも適用可能であるし、以上に述べた各実施形態での面方位を主たる面方位とし、これらに他の面方位が副たる面方位として混在しても良い。また、基板が半導体の場合についても本発明を適用できる。