"薄膜半導体層を含む光電変換セルを分離溝を介して複数並列に並置してなる光電変換ユニットと、前記光電変換ユニットの受光面とは反対の裏面側に配置され、前記光電変換ユニットから電極を引き出すための開口部を有するガラス板と、を備え、前記開口部は、前記分離溝にまたがって設けられていることを特徴とする光起電力装置。請求項1に記載の光起電力装置であって、前記開口部は、1つの前記分離溝のみにまたがって設けられていることを特徴とする光起電力装置。請求項1又は2に記載の光起電力装置であって、前記開口部の長軸方向と交差する方向から延設され、前記開口部を通して引き出された集電配線を備えることを特徴とする光起電力装置。請求項1~3のいずれか1項に記載の光起電力装置であって、前記開口部は、複数であり、互いに隣接する前記開口部の併設方向と交差する方向から延設され、前記開口部を通して引き出された集電配線を備えることを特徴とする光起電力装置。ところで、光電変換ユニット102では、開口部10aからの水分の浸入によって、開口部10a周辺の領域Yの特性が劣化し、領域Yでの電流量が低下するおそれがある。このような劣化が生ずると、領域Yでの電流値の低下がボトルネックとなって、開口部10aが配置された分離領域内における領域Yの両側の領域Zから領域Y及びその周辺領域を通って集電される電力も低下する。その結果、光起電力装置100全体の発電効率が低下する。本発明の1つの態様は、薄膜半導体層を含む光電変換セルを分離溝を介して複数並列に並置してなる光電変換ユニットと、光電変換ユニットの受光面とは反対の裏面側に配置され、光電変換ユニットから電極を引き出すための開口部を有するガラス板と、を備え、開口部は、分離溝にまたがって設けられている、光起電力装置である。本発明によれば、外部からの水分の浸入による光起電力装置の発電効率の低下を抑制することができる。図1~図4は、本発明の実施の形態における光起電力装置200の構成を示す図である。図1は、光起電力装置200を受光面とは反対側である裏面からみた平面図である。図2は、図1のラインA-Aに沿った断面図である。図3は、図1のラインB-Bに沿った断面図である。図4は、図1のラインC-Cに沿った断面図である。なお、図1では、光起電力装置200の構成を明確に示すために実際には重なり合って見えない構成部分についても実線で示している。また、図2では、断面より奥に見える構成は破線で示している。また、図1~図4では、構成を明確に示すために各部の寸法を実際のものとは変えて示している。光起電力装置200は、図1~図4に示すように、基板20、透明電極層22、光電変換層24、裏面電極26、第1集電配線28、第1絶縁被覆材30、第2集電配線32、第2絶縁被覆材34、ガラス板36、充填材38、端部封止樹脂40、端子ボックス42及び開口部封止材44を含んで構成される。なお、第1絶縁被覆材30及び第2絶縁被覆材34は、テープ状、シート状、フィルム状である。基板20は、光起電力装置200の光電変換パネルを機械的に支持する部材である。光起電力装置200では基板20側から光を入射させて発電を行う構成であるので、基板20は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等の少なくとも可視光波長領域において透過性を有する材料を適用する。基板20上には透明電極層22が形成される。透明電極層22は、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等に錫Sn、アンチモンSb、フッ素F、アルミニウムAl等をドープした透明導電性酸化物TCOのうち少なくとも一種類又は複数種を組み合わせて用いることが好適である。特に、酸化亜鉛ZnOは、透光性が高く、抵抗率が低く、耐プラズマ特性にも優れているので好適である。透明電極層22はスパッタリング法又はCVD法で形成することができる。また、透明電極層22を短冊状にパターニングして分割する。本実施の形態では、図1の上下方向に沿って透明電極層22に第1スリットS1を形成して分割する。また、上記直列接続を形成するための第1スリットS1に直交する方向に短冊状にパターンニングして透明電極層22を分割する。本実施の形態では、図1の左右方向に沿って透明電極層22に第2スリットS2を形成して分割する。スリットS2は、光電変換セル202を並列に分離する分離溝を構成する。例えば、波長1064nm、エネルギー密度13J/cm2、パルス周波数3kHzのYAGレーザを用いて透明電極層22をパターニングすることができる。透明電極層22上に、p型層、i型層、n型層のシリコン系薄膜を順に積層して光電変換層24を形成する。光電変換層24は、アモルファスシリコン薄膜光電変換層や微結晶シリコン薄膜光電変換層等の薄膜系光電変換層とすることができる。また、これらの光電変換層を積層したタンデム型やトリプル型の光電変換層としてもよい。アモルファスシリコン薄膜光電変換層や微結晶シリコン薄膜光電変換層は、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、メタンCH4等の炭素含有ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガス及び水素H2等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うプラズマ化学気相成長法CVD法により形成することができる。プラズマCVD法は、例えば、13.56MHzの平行平板型RFプラズマCVD法を適用することが好適である。また、光電変換層24を短冊状にパターニングして分割する。例えば、透明電極層22を分割する第1スリットS1から50μm横の位置にYAGレーザを照射して第3スリットS3を形成して光電変換層24を短冊状にパターニングする。YAGレーザは、例えば、エネルギー密度0.7J/cm2、パルス周波数3kHzのものを用いることが好適である。光電変換層24上に、裏面電極26を形成する。裏面電極26は、透明導電性酸化物TCOと反射性金属とをこの順に積層した構造とすることが好適である。透明導電性酸化物TCOとしては、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等の透明導電性酸化物TCO、又は、これらの透明導電性酸化物TCOに不純物をドープしたものが用いられる。例えば、酸化亜鉛ZnOにアルミニウムAlを不純物としてドープしたものでもよい。また、反射性金属としては、銀Ag、アルミニウムAl等の金属が用いられる。透明導電性酸化物TCO及び反射性金属は、例えば、スパッタリング法又はCVD法等により形成することができる。透明導電性酸化物TCOと反射性金属の少なくとも一方には、光閉じ込め効果を高めるための凹凸を設けることが好適である。また、裏面電極26を短冊状にパターニングして分割する。光電変換層24をパターンニングする第3スリットS3の位置から50μm横の位置にYAGレーザを照射して第4スリットS4を形成して裏面電極26を短冊状にパターニングする。さらに、透明電極層22を分割する第2スリットS2内に形成された光電変換層24及び裏面電極26を分割する第5スリットS5を形成して分割する。スリットS5は、スリットS2と共に光電変換セル202を並列に分離する分離溝を構成する。YAGレーザは、エネルギー密度0.7J/cm2、パルス周波数4kHzのものを用いることが好適である。このように基板20上に透明電極層22、光電変換層24及び裏面電極26を積層して光電変換セル202が形成される。続いて、光電変換セル202で発電された電力を取り出すために第1集電配線28及び第2集電配線32が形成される。第1集電配線28は、並列に分割された光電変換セル202から集電を行うための配線であり、第2集電配線32は、第1集電配線28から端子ボックス42までを接続する配線である。まず、光電変換セル202の裏面電極26上に第1集電配線28が延設される。第1集電配線28は、光起電力装置200の端辺付近において並列に分割された光電変換層24の正電極同士及び負電極同士を接続するために形成される。したがって、第1集電配線28は、光電変換層24の並列分割方向に直交する方向に沿って延設される。すなわち、図1及び図3に示すように、スリットS2及びS5によって並列に分割された光電変換セル202を並列に接続するように、スリットS2及びS5を跨いで裏面電極26上に延設される。ここでは、第1集電配線28は、図1における左右の端辺に上下方向に沿って延設される。ただし、図1に示される上下の端辺近傍において、光電変換機能を有さない光電変換層と、その端辺近傍のスリットS2及びS5とは跨がない。第1集電配線28は、超音波はんだ等によって裏面電極26に電気的に接続される。これによって、直列接続された光電変換セル202の正電極同士及び負電極同士が並列に接続される。次に、第2集電配線32と裏面電極26との間の電気的な絶縁を形成するために第1絶縁被覆材30を配設する。第1絶縁被覆材30は、図1,図2及び図4に示すように、光起電力装置200の左右の端辺に沿って設けられた第1集電配線28近傍から中央部の端子ボックス42の配置位置まで延設される。ここでは、図1に示すように、第1絶縁被覆材30は、左右の第1集電配線28の近傍から端子ボックス42に向けて左右方向に沿って延設される。第1絶縁被覆材30は、抵抗率が1016Ωcm以上の絶縁性の材料で構成することが好適である。例えば、ポリエステルPE、ポリエチレンテレフタラートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリイミド、ポリフッ化ビニル等とすることが好適である。また、第1絶縁被覆材30は、裏面にシール状に接着材が塗布されたものを用いることが好適である。これにより、第1絶縁被覆材30を配設する際の手間が軽減される。なお、複数の第2集電配線32に対して1つの第1絶縁被覆材30を共通に設けてもよい。例えば、図1において、第1絶縁被覆材30が左側の第1集電配線28の近傍から右側の第1集電配線28の近傍まで、端子ボックス42部分を含むように一体に形成されていてもよい。第2集電配線32は、図1,図2及び図4に示すように、左右の第1集電配線28上から第1絶縁被覆材30上に沿って光起電力装置200の中央部へ向けて延設される。例えば、第2集電配線32の幅は4mm及び厚さは110μmとされる。第2集電配線32と裏面電極26との間に第1絶縁被覆材30が挟み込まれ、第2集電配線32と裏面電極26との直接的な電気的な接触がないようにされる。一方、第2集電配線32の一端は第1集電配線28上まで延設され、第1集電配線28に電気的に接続される。例えば、第2集電配線32は超音波はんだ等によって第1集電配線28に電気的に接続することが好適である。第2集電配線32の他端は、図1及び図2に示すように、ガラス板36の開口部36aから引き出される。第2集電配線32の他端は、端子ボックス42内の電極端子図示しないに接続される。これにより、光電変換セル202で発電された電力が光起電力装置200の外部へ取り出される。次に、第2絶縁被覆材34が配設される。第2絶縁被覆材34は、少なくとも後述する端部封止樹脂40の近傍に位置する透明電極層22、光電変換層24、裏面電極26及び第1集電配線28の一部を覆うように設ける。特に、透明電極層22、光電変換層24、裏面電極26及び第1集電配線28の、端部封止樹脂40に対向する部分の少なくとも一部透明電極層22、光電変換層24、裏面電極26及び第1集電配線28の端面を覆うように設けることが好適である。本実施の形態では、第2絶縁被覆材34は、図1及び図3に示すように、透明電極層22、光電変換層24、裏面電極26及び第1集電配線28の端部を覆い、第1絶縁被覆材30の端部まで到達しないように光電変換層24の並列分割方向に直交する方向に沿って延設している。なお、第2絶縁被覆材34は、第1絶縁被覆材30の端部を被覆するように延設してもよい。第2絶縁被覆材34は、抵抗率が1016Ωcm以上の絶縁性の材料で構成することが好適である。例えば、ポリエステルPE、ポリエチレンテレフタラートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリイミド、ポリフッ化ビニル等とすることが好適である。また、第2絶縁被覆材34は、裏面にシール状に接着剤が塗布されたものを用いることが好適である。これにより、第2絶縁被覆材34を配設する際の手間が軽減される。続いて、端部封止樹脂40を配設する。端部封止樹脂40は、光起電力装置200の端部周辺の光電変換セル202を形成していない部分幅7mm~15mm程度に配設する。光起電力装置200の端部周辺において光電変換セル202を形成していない部分を設けるには、光電変換セル202を形成する際に透明電極層22、光電変換層24及び裏面電極26が形成されないよう枠部材を用いて基板20の周囲をマスクして成膜処理を行ってもよいし、光電変換セル202を形成後にレーザ、サンドブラスト又はエッチングによって光起電力装置200の端部周辺の光電変換セル202を除去してもよい。端部封止樹脂40は、このようにして形成された光起電力装置200の端部周辺の光電変換セル202を形成していない部分に塗布することによって設けられる。端部封止樹脂40は、抵抗率が1010Ωcm以上の絶縁材料とする。また、端部封止樹脂40は、光起電力装置200の端部からの水分の浸入を防ぐために水分の透過性の低い材料とすることが好適である。特に、端部封止樹脂40は、充填材38よりも水分の透過性の低い材料とすることが好適である。さらに、光起電力装置200の端部に機械的な力が加えられた場合に、光起電力装置200に発生する応力を緩和するための弾性を有することが好適である。例えば、端部封止樹脂40は、エポキシ系樹脂やブチル系樹脂とすることが好適であり、例えば、高温での塗布及び接着が容易なホットメルトブチルを適用することが好適である。なお、端部封止樹脂40は、その幅は6mm~10mm程度であり、厚さは充填材38の厚さよりも0.05mm~0.2mm程度厚くする。ラミネート処理を施した後には、端部封止樹脂40の厚さは充填材38とほぼ同等の厚さとなる。端部封止樹脂40を塗布した後、ガラス板36によって光起電力装置200の裏面を封止する。光電変換セル202、第1集電配線28及び第2集電配線32等の上に充填材38を塗布する。充填材38は、絶縁樹脂とする。例えば、充填材38は、抵抗率が1014Ωcm程度の絶縁材料とすることが好適であり、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂EVAやポリビニルブラチールPVBとすることが好適である。次に、ガラス板36で光起電力装置200の裏面が覆われる。このとき、ガラス板36に設けられた第2集電配線32を引き出すための開口部36aを通して第2集電配線32の端部を外部へ引き出した状態でガラス板36を配置する。このような状態において、ガラス板36を光電変換セル202側へ押圧しながら加熱して真空ラミネート処理を施す。加熱処理は、例えば、150°C程度で行う。これにより、ガラス板36によって光起電力装置200の裏面が封止される。また、図2に示すように、開口部36a及び端子ボックス42内は、開口部封止材44によって封止される。例えば、開口部36a及び端子ボックス42内に封止材料からなるチップを入れ、加熱によりチップを軟化させた後に冷却して硬化させる。開口部封止材44は、例えば、ホットメルトブチルを適用することが好適である。このように、ガラス板36によって光起電力装置200の裏面を封止することによって、裏面から光電変換層24への水分や腐食性物質が浸入することを抑制している。しかしながら、光起電力装置200を長期的に使用した場合、開口部36aからの水分の浸入によって図5に示す開口部36a周辺の領域Yにおける光電変換ユニット202の特性劣化が起こる可能性がある。そこで、本実施の形態では、図1~図4に示すように、ガラス板36に設けられた開口部36aは、光電変換セル202を並列に分割する分割溝であるスリットS2、S5に跨るように配置される。このように開口部36aを配置することによって、開口部36aからの水分の浸入によって開口部36a周辺の領域Yにおける光電変換ユニット202の特性が劣化したとしても、図5の矢印で示すように、開口部10aが配置されたスリットS2、S5の両側の分離領域内における領域Zからの電流は劣化した領域Yを迂回して集電可能となる。これにより、光起電力装置200全体の発電効率の低下を抑制することができる。また、ガラス板36の開口部36aは、隣り合う分割溝スリットS2、S5に対して対称に配置することが好適である。すなわち、図1及び図6の上下方向に隣り合う分割溝スリットS2、S5の間の中央付近に開口部36aを配置することが好ましい。これにより、劣化した領域Yの迂回領域が均等となり、発電効率の低下の偏りを抑制することができる。また、第1絶縁被覆材30及び第2集電配線32をスリットS2、S5に跨るように延設させたが、ガラス板36の開口部36aがスリットS2、S5を跨ぐ構造となっていれば、これに限定されるものではない。例えば、図6の拡大平面図に示すように、左右の第2集電配線32をそれぞれ第1集電配線28から互い違いに引き出す構造としてもよい。このように、複数の第2集電配線32を引き出す場合、同一直線上に載らない方向から引き出すことによって、ガラス板36の撓みが緩和され、直線に沿った応力の集中を防ぐことができる。その結果、第2集電配線32に沿った直線上からガラス板36の割れが発生することを抑制することかできる。なお、図6の構造は例示であり、開口部36aへの導入部分において複数の第2集電配線32が同一直線上に延設されていない構成であれば同様の効果が得られる。"