"ArFエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、前記遮光膜は、透光性基板側から下層と上層の少なくとも二層構造からなり、前記下層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、窒素含有量が21原子以上であり、かつ屈折率nが1.9以下である材料からなり、前記上層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、屈折率nが2.1以下である材料からなり、前記上層の表層は、酸素を含有しており、窒素含有量が14原子以上であることを特徴とするマスクブランク。前記下層は、酸素を実質的に含有していないことを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク。前記上層の材料の屈折率nは、前記下層の材料の屈折率nよりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランク。前記上層は、消衰係数kが1.6以下の材料からなり、前記下層は、消衰係数kが2.2以上の材料からなることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク。前記下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と、前記上層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率との差が4以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク。前記上層中の遷移金属の含有量が10原子以下であることを特徴とする請求項1から5のうちいずれかに記載のマスクブランク。前記遮光膜は、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けない状態におけるエッチングレートが0.3nm/sec以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のマスクブランク。前記下層の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と窒素含有量は、下記式1の条件を満たす範囲であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のマスクブランク。式1遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率をCMo、窒素含有量をCNとしたとき、CN≧-0.00526CMo2-0.640CMo26.624前記遮光膜は、膜厚が52nm以下であることを特徴とする請求項1から8のうちいずれかに記載のマスクブランク。前記遮光膜の上面には、エッチングマスク膜が設けられ、該エッチングマスク膜は、クロムに、窒素、酸素のうち少なくともいずれかの成分を含み、該エッチングマスク膜中のクロムの含有量が50原子以上であることを特徴とする請求項1から9のうちいずれかに記載のマスクブランク。請求項1から10のいずれかに記載のマスクブランクを用いて作製されることを特徴とする転写用マスク。ArFエキシマレーザー露光光が適用され、透光性基板上に、転写パターンが形成された遮光膜を有してなる転写用マスクであって、前記遮光膜は、透光性基板側から下層と上層の少なくとも二層構造からなり、前記下層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、かつ窒素含有量が21原子以上であり、かつ屈折率nが1.9以下である材料からなり、前記上層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、屈折率nが2.1以下である材料からなり、前記上層の表層は、酸素を含有しており、窒素含有量が14原子以上であることを特徴とする転写用マスク。前記下層は、酸素を実質的に含有していないことを特徴とする請求項12に記載の転写用マスク。前記上層の材料の屈折率nは、前記下層の材料の屈折率nよりも大きいことを特徴とする請求項12または13に記載の転写用マスク。前記上層は、消衰係数kが1.6以下の材料からなり、前記下層は、消衰係数kが2.2以上の材料からなることを特徴とする請求項12から14のいずれかに記載の転写用マスク。前記下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と、前記上層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率との差が4以下であることを特徴とする請求項12から15のいずれかに記載の転写用マスク。前記上層中の遷移金属の含有量が10原子以下であることを特徴とする請求項12から16のうちいずれかに記載の転写用マスク。前記遮光膜は、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けない状態におけるエッチングレートが0.3nm/sec以下であることを特徴とする請求項12から17のいずれかに記載の転写用マスク。前記下層の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と窒素含有量は、下記式1の条件を満たす範囲であることを特徴とする請求項12から18のいずれかに記載の転写用マスク。式1遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率をCMo、窒素含有量をCNとしたとき、CN≧-0.00526CMo2-0.640CMo26.624前記遮光膜に形成されている転写パターンには、ハーフピッチ40nm以下のラインアンドスペースパターンが含まれていることを特徴とする請求項12から19のいずれかに記載の転写用マスク。請求項1から10のいずれかに記載のマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法であって、前記マスクブランクの遮光膜に転写パターンを形成する工程と、設計上の転写パターンと前記遮光膜に形成された転写パターンとを比較し、遮光膜が残存している欠陥部分に対してフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射してエッチングを行う欠陥修正工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。請求項12から20のいずれかに記載の転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。請求項21に記載の転写用マスクの製造方法で製造された転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。半導体ウェハ上に形成される回路パターンには、ハーフピッチ40nm以下のラインアンドスペースパターンが含まれていることを特徴とする請求項22または23に記載の半導体デバイスの製造方法。本発明者らは、特許文献1で開示されているような遷移金属とケイ素を主な成分とし、さらに窒素を含有させた材料からなる積層構造の遮光膜が形成されたバイナリ型マスクブランクを用いて、遮光膜に転写パターンを形成した転写用マスクを作製し、作製した転写用マスクの欠陥検査を行い、黒欠陥部分について、特許文献3に開示されているようなEB欠陥修正、すなわち黒欠陥部分へのXeF2ガス供給と電子線等の荷電粒子照射によるエッチングを行ってみたところ、積層構造の上下各層における膜組成の関係によっては、以下のような問題が生じる場合があることが判明した。一般に遮光膜は、膜の表面反射を抑制するため、表面側の層上層の材料を基板側の層下層の材料よりも酸化や窒化の度合を高くすることで、遮光膜の表面反射率を低減させている。一方、バイナリ型マスクブランクでは、遮光膜に所定以上例えば光学濃度OD2.8以上の遮光性能が必要とされるが、材料中の酸化や窒化の度合を高くすると、遮光膜の遮光性能は低下する方向になる。他方、近年の転写パターンの微細化により、斜入射照明法や液浸露光技術を使用する必要が生じてきている。また、転写パターンの微細化に伴い、補助パターンの微細化複雑化が著しい。それらに対応するためには、遮光膜の薄膜化が必要となってきている。従って、基板側の層下層では、極力薄い膜厚で遮光性能を確保するため、酸化や窒化の度合を極力抑える必要がある。他方、遮光膜の基板側の表面の反射率裏面反射率も表面側の反射率表面反射率ほどではないが所定値以下には抑える必要があり、酸化や窒化をある程度行う必要がある。XeF2ガスはケイ素の等方性エッチングガスとして知られており、そのメカニズムは表面吸着、XeとFに分離、ケイ素の高次フッ化物の生成、揮発というプロセスでエッチングが進行する。しかし、ケイ素は、Si3N4、SiO2、SiON、SiCのような窒化、酸化、あるいは炭化したケイ素であると、揮発性の高い高次のフッ化物を形成しにくいため、XeF2ガス等のフッ素系ガスに対して高いエッチング耐性を有する傾向がある。EB欠陥修正では、電子線などの荷電粒子照射を行うことで、XeF2ガスのエッチングレートが飛躍的に向上し、黒欠陥部分の選択的な異方性エッチングが可能となる。しかし、この場合においても、遮光膜中の酸化、窒化、あるいは炭化したケイ素の比率が多くなるに従い、エッチングレートが低下する傾向がある。上記のとおり、上層は表面反射率を低減させるため酸化や窒化の度合が高い材料を用いるため、上下層のエッチングレート差が大きくなり、段差が発生してしまう。極端な場合、大きなアンダーカットが生じてしまう。さらに、上述したように、遮光膜の上層には酸化や窒化の度合が高い材料を用いているために、上層のエッチングレートは、下層のエッチングレートに比べて低くなっている。したがって、EB照射による黒欠陥部分の修正の際には、上層のエッチングに時間が大幅に掛かってしまい、この上層をエッチングしている間に、修正すべき黒欠陥部分に隣接するパターン部分の下層例えば、同じパターンの黒欠陥部分に隣接する部分の下層や、黒欠陥部分を有するパターンに隣接するパターンの下層がエッチングされてしまうEBが照射されている部分以外の部分であっても、ある程度、エッチングされやすい状況に置かれているためである。その結果、エッチングされた下層のパターン側壁が減退する一方、減退した部分の上層はEB欠陥修正のエッチングレートが大幅に遅いために、パターン側壁はパターニングしたときのままの状態となる。これにより、修正すべき黒欠陥部分以外の部分正常なパターン部分にも大きなアンダーカットが生じてしまう。なお、最近のEB欠陥修正技術では、水分を供給することによりエッチングレートを低下させるWaterPassivation等のPassivation技術水分のほか、酸化物系ガスの供給等を用いることで、遮光膜の上層と下層との間である程度のエッチングレート差があっても不具合を低減することは可能であるが、このようなエッチングレート制御が可能な限界がある。また、過度にエッチングレートが低下してしまうと、修正時間が長くなり、合成石英等からなる透光性基板との間でエッチング選択性が低下し、基板の表面が荒れることや、局所的にエッチングされた凹部が発生する等の問題が生じる。このため、下層のエッチングレートを極端に落とす必要のある遮光膜の積層構造は好ましくない。ところで、半導体デバイスの設計仕様でいうDRAMハーフピッチhp32nm以降の世代のバイナリマスクにおいては、ArF露光光の波長193nmよりも転写用マスク上の転写パターンの線幅の方が小さく、またこれに対応するための超解像技術を採用していったことにより、転写パターン領域メインパターン領域の遮光膜パターンの膜厚が厚いと、電磁界EMFElectroMagneticsField効果に起因するバイアスが大きくなるという問題が生じてきている。ここで、EMF効果に起因するバイアスとは、EMF効果に起因して発生する転写パターン形状のズレを補正するための補正量のことを意味する。すなわち、転写用マスクに形成された設計上の転写パターンと、その転写用マスクを用いてウェハ上のレジストへ転写された実際の転写パターンとのEMF効果に起因するズレを補正するための補正量のことを意味する。EMF効果に起因するバイアスは、ウェハ上のレジストへの転写パターン線幅のCD精度に大きな影響を与える。このため、EMF効果を考慮したシミュレーションを行い、EMF効果に起因するバイアスを予め計算しておいて、ウェハ上のレジストへ転写された実際の転写パターンが設計上の転写パターンと一致するように、転写用マスクの転写パターンの線幅を補正したり、転写パターンにOPC光近接効果補正やSRAFなどの補助パターンのさらなる追加を行う必要がある。この転写パターンの補正計算は、EMF効果に起因するバイアスが大きいほど複雑化する。また、補正後の転写パターンも、EMF効果に起因するバイアスが大きいほど複雑化していき、転写用マスクの作製に大きな負荷がかかる。EMF効果に起因するバイアスが大きくなることで、これらの新たな課題が発生していた。バイナリマスクのマスク設計における光学シミュレーションは、設計された転写パターンが被転写体ウェハ上のレジスト等に設計通りに露光転写されるために、追加配置すべきOPCやSRAF等の補正パターンの形状や、パターン線幅の補正量バイアス量等を算出することを大きな目的としている。このマスク設計の光学シミュレーションの1つに、TMAThinMaskAnalysisがある。TMAは、転写用マスクの遮光膜が、膜厚がゼロで所定の光学濃度を有しているという理想上の膜であると仮定して、補正パターンの形状やパターン線幅の補正量を計算するものである。理想上の膜で行う簡易的なシミュレーションであるため、シミュレーションの計算負荷が小さいという大きなメリットがある。しかし、EMF効果については考慮されていないシミュレーションであるため、EMF効果の影響が大きくなる近年の微細パターンでは、TMAのシミュレーション結果だけでは不十分であった。そこで本発明は、従来の課題を解決するべくなされたものであり、その目的とするところは、荷電粒子照射による欠陥修正技術を好適に適用できるとともに、電磁界EMFElectroMagneticsField効果に起因するバイアスを小さくすることのできるマスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供することである。本発明者らは、従来の遷移金属とケイ素を主な成分とし、さらに窒素を含有させた材料からなる積層構造の遮光膜が形成されたバイナリ型マスクブランクを用いて、遮光膜に転写パターンを形成した転写用マスクに対し、黒欠陥部分の修正にEB欠陥修正技術を適用した場合の課題に関し、鋭意検討を行った。また、本発明者らは、EMF効果に起因するバイアスに関して鋭意検討を行った。まず、EMF効果の影響が小さい遮光膜であれば、TMAのシミュレーションを利用しやすくなり、実際の転写パターンと設計上の転写パターンとを一致させるための補正計算の負荷を小さくすることができるということに着目した。さらに、EMF効果の影響の小さい遮光膜について研究した結果、バイナリマスクにおける遮光膜の材料中に含まれる窒素の含有量を所定範囲に調整することによって、EMF効果に起因するバイアスを小さくすることができるだけでなく、従来のEB欠陥修正技術を適用した場合のアンダーカットに係る問題を同時に解決できることを見出した。そして、本発明者らは、種々の材料について検討した結果、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とする下層と、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とする上層の少なくとも二層構造からなる遮光膜を備えるマスクブランクにおいて、前記下層の材料の窒素含有量を21原子以上であり、かつ下層の屈折率nを1.9以下になるように調整し、前記上層を屈折率が2.1以下になるように調整し、かつ酸素の含有が避け難い上層の表層の窒素含有量を14原子以上になるように調整することによって、従来の遮光膜にEB欠陥修正技術を適用した場合の課題を解決でき、なお且つEMF効果に起因するバイアスを小さくできることを発見し、本発明を完成するに至った。上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。構成1ArFエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、前記遮光膜は、透光性基板側から下層と上層の少なくとも二層構造からなり、前記下層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、かつ窒素含有量が21原子以上であり、かつ屈折率nが1.9以下である材料からなり、前記上層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、屈折率nが2.1以下である材料からなり、前記上層の表層は、酸素を含有しており、窒素含有量が14原子以上であることを特徴とするマスクブランク。構成2前記下層は、酸素を実質的に含有していないことを特徴とする構成1に記載のマスクブランク。構成3前記上層の材料の屈折率nは、前記下層の材料の屈折率nよりも大きいことを特徴とする構成1または2に記載のマスクブランク。構成4前記上層は、消衰係数kが1.6以下の材料からなり、前記下層は、消衰係数kが2.2以上の材料からなることを特徴とする構成1から3のいずれかに記載のマスクブランク。構成5前記下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と、前記上層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率との差が4以下であることを特徴とする構成1から4のいずれかに記載のマスクブランク。構成6前記上層中の遷移金属の含有量が10原子以下であることを特徴とする構成1から5のうちいずれかに記載のマスクブランク。構成7前記遮光膜は、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けない状態におけるエッチングレートが0.3nm/sec以下であることを特徴とする構成1から6のいずれかに記載のマスクブランク。構成8前記下層の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と窒素含有量は、下記式1の条件を満たす範囲であることを特徴とする構成1から7のいずれかに記載のマスクブランク。式1遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率をCMo、窒素含有量をCNとしたとき、CN≧-0.00526CMo2-0.640CMo26.624構成9前記遮光膜は、膜厚が52nm以下であることを特徴とする構成1から8のうちいずれかに記載のマスクブランク。構成10前記遮光膜の上面には、エッチングマスク膜が設けられ、該エッチングマスク膜は、クロムに、窒素、酸素のうち少なくともいずれかの成分を含み、該エッチングマスク膜中のクロムの含有量が50原子以上であることを特徴とする構成1から9のうちいずれかに記載のマスクブランク。構成11構成1から10のいずれかに記載のマスクブランクを用いて作製されることを特徴とする転写用マスク。構成12ArFエキシマレーザー露光光が適用され、透光性基板上に、転写パターンが形成された遮光膜を有してなる転写用マスクであって、前記遮光膜は、透光性基板側から下層と上層の少なくとも二層構造からなり、前記下層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、かつ窒素含有量が21原子以上であり、かつ屈折率nが1.9以下である材料からなり、前記上層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、屈折率nが2.1以下である材料からなり、前記上層の表層は、酸素を含有しており、窒素含有量が14原子以上であることを特徴とする転写用マスク。構成13前記下層は、酸素を実質的に含有していないことを特徴とする構成12に記載の転写用マスク。構成14前記上層の材料の屈折率nは、前記下層の材料の屈折率nよりも大きいことを特徴とする構成12または13に記載の転写用マスク。構成15前記上層は、消衰係数kが1.6以下の材料からなり、前記下層は、消衰係数kが2.2以上の材料からなることを特徴とする構成12から14のいずれかに記載の転写用マスク。構成16前記下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と、前記上層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率との差が4以下であることを特徴とする構成12から15のいずれかに記載の転写用マスク。構成17前記上層中の遷移金属の含有量が10原子以下であることを特徴とする構成12から16のうちいずれかに記載の転写用マスク。構成18前記遮光膜は、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けない状態におけるエッチングレートが0.3nm/sec以下であることを特徴とする構成12から17のいずれかに記載の転写用マスク。構成19前記下層の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と窒素含有量は、下記式1の条件を満たす範囲であることを特徴とする構成12から18のいずれかに記載の転写用マスク。式1遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率をCMo、窒素含有量をCNとしたとき、CN≧-0.00526CMo2-0.640CMo26.624構成20前記遮光膜に形成されている転写パターンには、ハーフピッチ40nm以下のラインアンドスペースパターンが含まれていることを特徴とする構成12から19のいずれかに記載の転写用マスク。構成21構成1から10のいずれかに記載のマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法であって、前記マスクブランクの遮光膜に転写パターンを形成する工程と、設計上の転写パターンと前記遮光膜に形成された転写パターンとを比較し、遮光膜が残存している欠陥部分に対してフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射してエッチングを行う欠陥修正工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。構成22構成12から20のいずれかに記載の転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。構成23構成21に記載の転写用マスクの製造方法で製造された転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。構成24半導体ウェハ上に形成される回路パターンには、ハーフピッチ40nm以下のラインアンドスペースパターンが含まれていることを特徴とする構成22または23に記載の半導体デバイスの製造方法。本発明によれば、荷電粒子照射による欠陥修正技術を好適に適用できるとともに、電磁界EMFElectroMagneticsField効果に起因するバイアスを小さくすることのできるマスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳述する。本発明は、ArFエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、前記遮光膜は、透光性基板側から下層と上層の少なくとも二層構造からなり、前記下層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、かつ窒素含有量が21原子以上であり、かつ屈折率nが1.9以下である材料からなり、前記上層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、屈折率nが2.1以下である材料からなり、前記上層の表層は、酸素を含有しており、窒素含有量が14原子以上であることを特徴とするマスクブランクである。図1は、本発明の実施形態に係るマスクブランクの断面図である。図1に示すように、本発明の一実施の形態に係るマスクブランク10は、透光性基板1の上に、遮光膜2を備えている。透光性基板1は、ArFエキシマレーザーに対して透過性を有するものであれば特に制限されない。本発明では、合成石英基板、CaF2、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、アルミノシリケートガラス、その他各種のガラス基板を用いることができるが、この中でも合成石英基板は、ArFエキシマレーザーに対する透過性が高いので、本発明には特に好適である。EB欠陥修正における上層及び下層のエッチングレートは、層中の酸素や窒素の含有量が多くなるに従い減少する傾向がある。つまり、EB欠陥修正における上層及び下層のエッチングレートは、層中の酸素及び窒素の含有量に大きく影響を受ける。特に、酸素を含有することによるEB欠陥修正におけるエッチングレートの低下は、窒素を含有する場合に比べて著しい。また、遮光膜の下層は、遮光膜全体で所定の遮光性能例えば光学濃度OD2.8以上を薄い全体膜厚で実現させるために、遮光性能の高い材料を選定する必要がある。このため、下層に、透過率を上げてしまう特性遮光性能を大きく下げてしまう特性を有する酸素を含有させることはできる限り避ける必要がある。そこで、本発明においては、上層および下層ともに、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分としている。すなわち、上層および下層ともに、少なくとも成膜する際には、酸素を極力含有させないようにしている。これにより、EB欠陥修正における上層及び下層のエッチングレート差を小さくしつつ、遮光膜の全体膜厚をより薄くする例えば、52nm以下ことを可能としている。前記下層の材料の窒素含有量が21原子よりも小さい場合、EB欠陥修正における上層のエッチングレートが、下層のエッチングレートに比べて大幅に遅くなる。EB照射による黒欠陥部分の修正の際、上層をエッチングするのに時間が掛かると、EB照射の影響を少なからず受けるその黒欠陥部分に隣接するパターン部分の下層同じパターンの黒欠陥部分に隣接する部分の下層や、黒欠陥部分を有するパターンに隣接するパターンの下層がエッチングされやすくなる。これによって、そのパターン部分の下層の側壁が予定していた位置よりも大きく減退してしまい、上層よりも下層が横方向に減退した状態アンダーカットが生じてしまう。EMF効果に起因するバイアスを小さくするためには、遮光膜2を透過した露光光と、その遮光膜2の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差をできるだけ小さくすることが好ましい。位相差をできるだけ小さくするためには、遮光膜2の上層及び下層の材料の屈折率nをできるだけ小さくすることが好ましい。このような観点で下層の材料の屈折率nについて検討すると、下層は、屈折率nが1.9以下の材料で形成する必要がある。下層の屈折率nを1.9以下とするためには、下層中の窒素含有量を例えば、28原子以下とすることが好ましい。ただし、下層の屈折率は、遷移金属の含有量が増えることでも上がる。このため、下層中の遷移金属の含有量によって、下層中の窒素含有量の上限を±2原子程度の範囲で変動させるとよい。一方、上層は、たとえ酸素を含有しない雰囲気下で成膜しても、少なくともその表層部分では酸素が含有されることを避けるのは困難である。通常、遮光膜2は成膜された後、遮光膜2表面の洗浄処理が行われる。このとき、遮光膜2の表層すなわち、上層の表層は酸化されることが避けられない。また、透光性基板1の上に遮光膜2を形成した後、その遮光膜2の膜応力を低減させるために、その遮光膜2を大気中で例えば450°Cの温度で加熱する処理アニール処理を行う場合がある。このアニール処理において、上層の表層部分が大気中の酸素と不可避的に結合する、すなわち酸化される。酸化される上層の膜厚は、厚くても3nmであり、好ましくは2nm以下である。上記程度の上層の表層酸化だけでは、遮光膜2の露光光ArFエキシマレーザーに対する表面反射率を所定値以下例えば、40以下に低減させることは困難である。しかし、上層に酸素を含有させ過ぎると、EB欠陥修正時における上層のエッチングレートが大幅に低下してしまうという問題がある。また、上層に酸素を含有させ過ぎると、上層の遮光性能消衰係数kも大きく低下し、遮光膜2の全体膜厚が厚くなってしまう。遮光膜2の全体膜厚が厚くなると、EMF効果に起因するバイアスが大きくなるという問題もある。これらのことを考慮すると、上層に窒素を含有させることで、表面反射防止機能を持たせることが好ましい。しかし、窒素は、材料中の含有量が増えるに従い、上層の屈折率nが上がっていくという特性がある。前記のとおり、EMF効果に起因するバイアスを低減するには、上層の屈折率nもできるだけ小さくすることが好ましいが、上層に反射防止機能を持たせるためには、上層の屈折率nは、下層の屈折率nよりも大きくする必要がある。これらのことを考慮すると、上層の屈折率nは、2.1以下である必要がある。上層の屈折率nを2.1以下とするためには、上層中の窒素含有量を例えば、30原子以下とすることが好ましい。ただし、上層の屈折率は、遷移金属および酸素の含有量によって変動する。このため、上層中の遷移金属および酸素の含有量によって、上層中の窒素含有量の上限を±2原子程度の範囲で変動させるとよい。また、上層中の窒素含有量は、21原子よりも大きいことが好ましい。一方、EB欠陥修正時において、上層の表面は、継続的に二フッ化キセノンガスのようなフッ素を含有する物質にさらされることになる。上層の表面が、前記のように洗浄処理やアニール処理等の各プロセス時に表面酸化された程度の酸素含有量であって、さらに少ない窒素の含有量である場合、二フッ化キセノンガスのようなフッ素を含有する物質によって上層の表面からエッチングが進行してしまい、上層が減膜する等によって、上層の表面にピンホール等の欠陥が発生するおそれがある。さらに、上層は、基本的に表面反射防止層として機能する膜であるため、表面反射率の面内均一性が低下する結果、完成した転写用マスクで半導体ウェハ上のレジスト膜等に露光転写する際に、悪影響が生じる恐れがある。これらのことを考慮すると、上層の表層は、酸素を含有しているだけでなく、窒素含有量を14原子以上とする必要がある。上層の表層における窒素含有量が14原子以上となるには、表層以外の部分では、少なくともそれ以上の窒素含有量とする必要がある。これにより、上層の材料中における窒素含有量が少なすぎるために、EB欠陥修正における上層のエッチングレートが速くなりすぎることを回避できる。さらに、下層のエッチング中に上層の転写パターンのエッジ部分をエッチングしてしまい、ラインエッジラフネスが悪化する恐れも回避できる。上述したように、遮光膜2を構成する上層及び下層のうち、下層は、酸素を実質的に含有していない。ここで、酸素を実質的に含有していないとは、酸素を積極的に含有させないことを意味しており、コンタミ等によって酸素が不可避的に含有される場合も含まれ、少なくとも酸素の含有量が5原子以下であることを意味している。また、上層の表層を除いた部分においても、酸素を実質的に含有させないことが望ましい。前記のとおり、遮光膜2は、上層の材料の屈折率nが2.1以下であり、下層の材料の屈折率nが1.9以下である。上層および下層の屈折率nがこの範囲であると、後で説明するシミュレーションの結果からわかるように、遮光膜2に形成されたハーフピッチ40nmのラインアンドスペースパターンに輪帯照明による露光光を照射したときのEMF効果に起因するバイアスを20nm以下とすることが可能になる。また、遮光膜2に形成されたハーフピッチ40nmのラインアンドスペースパターンに2極照明による露光光を照射したときのEMF効果に起因するバイアスを3.0nm以下とすることが可能になる。また、EMF効果に起因するバイアスを小さくするためには、上層は、消衰係数kが1.6以下の材料からなることが好ましく、下層は、消衰係数kが2.2以上の材料からなることが好ましい。消衰係数kがこの範囲であると、後で説明するシミュレーションの結果からわかるように、遮光膜2に形成されたハーフピッチ40nmのラインアンドスペースパターンに輪帯照明による露光光を照射したときのEMF効果に起因するバイアスを20nm以下とすることが可能になる。下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と、上層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率との差は、4以下であること好ましい。上層及び下層の材料の組成をこのようにできるだけ近づけることによって、EB欠陥修正における上層のエッチングレートに対する下層のエッチングレートの比をできるだけ1.0に近づけることが可能であり、上層のエッチング中に下層の側壁が予定していた位置よりも大きく減退することによって、上層よりも下層が横方向に大幅に減退した状態アンダーカットが生じてしまうことを防止することができる。また、下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と、上層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率との差は、3以下であるとより好ましく、2以下であるとさらに好ましい。下層中に含まれる窒素の含有量であるが、遮光性能のことだけを考慮するならば、窒素含有量が少ないことが望まれる。窒素含有量が大きくなると、酸素を含有させた場合ほどではないが、下層の遮光性能が低下するからである。しかし、EB欠陥修正のことを考慮した場合、下層中にも窒素は所定量以上含有させる必要がある。なぜなら、上層の材料中には窒素が含有されているため、下層の材料中にも窒素を含有させることによって、EB欠陥修正における上層のエッチングレートに対する下層のエッチングレートの比をできるだけ1.0に近づける必要があるためである。図3に、モリブデンとケイ素にさらに窒素を含有する材料からなる薄膜遮光膜の下層や上層において、フッ素を含有する物質に対する電子線等の荷電粒子の照射を受けていない状態におけるエッチングレートが0.3nm/sec以下となる範囲を示す。図3のグラフの横軸は、薄膜中のモリブデンの含有量[原子]をモリブデンとケイ素の合計含有量[原子]で除した比率すなわち、薄膜中のモリブデンとケイ素の合計含有量[原子]を100としたときのモリブデンの含有量[原子]の比率を百分率[]で表したもの。以下、Mo/MoSi比率という。である。図3のグラフにおいて、左側の縦軸は、薄膜中の窒素の含有量[原子]である。図3の■0.3nm/secのプロットの近似曲線から上のグラフ領域にあるMo/MoSi比率と窒素含有量の範囲を有する薄膜は、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けていない状態におけるエッチングレートが0.3nm/sec以下となる。EB欠陥修正を黒欠陥部分に対して行っている間、その黒欠陥部分にはフッ素を含有する物質が気体の状態で供給される。このため、黒欠陥部分を中心に、フッ素を含有する物質の気体が広がって、周囲の遮光膜のパターン側壁に接触することになる。荷電粒子の照射を受けていなくても、フッ素を含有する物質の気体によってエッチングはされる。このときの遮光膜のフッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けていない状態におけるエッチングレートが0.3nm/secよりも大きいと、黒欠陥部分のEB欠陥修正を行っている間に、パターン側壁がエッチングされてしまう恐れがある。上層は、表面反射率を低減させる役割を有するため窒素を多く含有させている。このため、上層は、基本的に、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けていない状態におけるエッチングレートが0.3nm/sec以下の範囲の窒素含有量となっている。しかし、下層は、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けていない状態におけるエッチングレートが0.3nm/sec以下の範囲の窒素含有量になるとは限らない。このため、下層は、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けていない状態におけるエッチングレートが0.3nm/sec以下の範囲の窒素含有量となるようにする必要がある。図3におけるフッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けていない状態におけるエッチングレートが0.3nm/sec以下の範囲の近似曲線式は、遮光膜中のMo/MoSi比率をCMo、窒素の含有量をCNとしたとき、たとえばCN=-0.00526CMo2-0.640CMo26.624である。なお、この近似曲線は、図中の5点のプロットを基にそれぞれ算出される近似曲線式であるため、算出方式によって多少変動するが、その近似曲線式の変動で生じる所定エッチングレートを満たす各組成比の境界線の移動がエッチングレートに与える影響は小さく、許容される範囲である。また、遮光膜2は、求められる遮光性能光学濃度を実質的に下層で確保することが必要である。下層で遮光膜2全体の光学濃度のほとんどを確保するには、下層に用いる材料の単位膜厚当たりの光学濃度ODが0.06nm-1波長:193nm以上であることが望ましく、0.065nm-1波長:193nm以上であることがより好ましい。図3には、単位膜厚当たりの光学濃度が所定値0.06nm-1,0.065nm-1である遮光膜下層のMo/MoSi比率および窒素の含有量をプロットし、近似曲線を引いたものが示されている。この図3では、たとえば、0.06nm-1の近似曲線●0.06OD/nmのプロットの近似曲線上を含む下側のエリアが0.06nm-1以上の光学濃度である遮光膜下層を形成可能な組成範囲であることを示している。この近似曲線式は、たとえば、CN=-3.63×10-7CMo57.60×10-5CMo4-4.67×10-3CMo35.06×10-2CMo22.082CMo1.075である。また、単位膜厚当たりの光学濃度が0.065nm-1以上の遮光膜下層を形成可能なMo/MoSi比率および窒素の含有量についても、図3に示されている0.065nm-1の近似曲線◆0.065OD/nmのプロットの近似曲線上を含む下側のエリアの組成範囲の条件を満たせばよい。この近似曲線式は、たとえば、CN=-3.0×10-7CMo57.0×10-5CMo4-5.0×10-3CMo38.2×10-2CMo21.722CMo-6.621である。なお、これらの近似曲線は、図中の5点のプロットを基にそれぞれ算出される近似式であるため、算出方式によって多少変動するが、その近似式の変動で生じる所定の光学濃度を満たす各組成比の境界線の移動が光学濃度に与える影響は小さく、許容される範囲である。図3の近似曲線から、単位膜厚当たりの光学濃度が0.060nm-1以上であり、かつフッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けていない状態における遮光膜下層のエッチングレートが0.3nm/sec以下になるという2つの条件を同時に満たすには、Mo/MoSi比率が9以上である必要がある。また、単位膜厚当たりの光学濃度が0.065nm-1以上であり、かつフッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けていない状態における遮光膜下層のエッチングレートが0.3nm/sec以下になるという2つの条件を同時に満たすには、Mo/MoSi比率が12以上である必要がある。上記下層の材料に含まれる遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、ニオブ、パラジウム等が適用可能である。下層中の遷移金属の含有量[原子]を遷移金属とケイ素の合計含有量[原子]で除した比率すなわち、遮光膜中の遷移金属とケイ素の合計含有量[原子]を100としたときの遷移金属の含有量[原子]の比率をで表したもの。以下、M/MSi比率という。ただし、M:遷移金属については、前記の例ではモリブデンについて述べたが他の列記した遷移金属についても概ね同様の傾向を示す。遮光膜2は、全体の膜厚を52nm以下に抑制することが望ましく、より望ましくは51nm以下である。このようにすることによって、EMF効果に起因するバイアスを抑制することができる。このEMF効果に起因するバイアスが大きいと、半導体ウェハ上のレジストへの転写パターン線幅のCD精度に大きな影響を与えてしまう。遮光膜2の全体膜厚を52nm未満にするには、下層の単位膜厚当たりの光学濃度を0.06nm-1以上とすると好ましく、0.065nm-1以上とするとより好ましい。また、前記のとおり、上層は、表面反射防止機能を持たせる必要があり、下層よりも屈折率nが高い材料を選定する必要がある。このため、上層の膜厚は5nm未満とすることが望まれる。さらに望ましくは4nm以下である。上層に、ArF露光光に対するある程度以上の表面反射防止機能を持たせるには、上層の膜厚は、少なくとも2nm以上である必要があり、好ましくは3nm以上である。遮光膜2の全体での膜厚を薄くしつつ、表面反射率を低減するには、光の干渉効果を利用する膜構造とすることが望ましい。光の干渉効果を利用するとは、上層と空気との界面で反射する露光光と、上層と空気との界面を通過し、上層と下層との界面で反射する露光光との間で干渉を生じさせて減衰させることにより、遮光膜2の表面からの露光光の反射を低減させることである。この干渉効果を生じさせるには、上層における下層側の界面近傍の組成と、下層における上層側の界面近傍の組成が異なることが求められる上層と下層との界面が有る程度明確であることが必要とされる。。また、この干渉効果を利用するには、上層の表層以外の部分が膜厚方向での組成傾斜が小さいことが好ましく、成膜プロセス要因やアニール処理等による表面酸化を除き、組成傾斜がないことがより望ましい。EB欠陥修正を行う際に対象部分黒欠陥部分に供給するフッ素を含有する物質としては、XeF2、XeF4、XeF6、XeOF2、XeOF4、XeO2F2、XeO3F2、XeO2F4、ClF3、ClF、BrF5、BrF、IF3、IF5、KrF、ArF等が適用可能であり、特に、XeF2が好適である。これらはガス状態で対象部分に供給されることが望ましい。なお、遷移金属とケイ素を含有する薄膜において、薄膜中の酸素含有量および窒素含有量に対するエッチングレートの変化の傾向は、EB欠陥修正のエッチングの場合と、プラズマ化したフッ素系ガスによるエッチング、すなわち通常のドライエッチングの場合とで異なる。EB欠陥修正の場合、薄膜中の酸素や窒素の含有量が増えていく、すなわちケイ素の酸化物や窒化物の含有量が増加していくと、エッチングレートが低下する傾向がある。これに対して、通常のフッ素系ガスプラズマによるドライエッチングの場合、薄膜中の酸素や窒素の含有量が増えていっても、エッチングレートはほぼ変わらないか、遷移金属の含有量によっては上昇する傾向がある。よって、遷移金属とケイ素を含有する薄膜に対する励起状態プラズマ状態のフッ素系ガスでのドライエッチングの場合におけるエッチングレートの傾向は、非励起状態のフッ素系ガスを供給しつつ荷電粒子を照射するEB欠陥修正におけるエッチングレートを調整するための参考にはなり難い。上層中の材料に含まれる遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム等が適用可能であるが、なかでも、モリブデンが好ましい。また、その上層中の遷移金属の含有量は、10原子以下であることが好ましい。上層の遷移金属の含有量が10原子よりも多いと、このマスクブランクから転写用マスクを作製したとき、マスク洗浄アンモニア過水等によるアルカリ洗浄や、温水洗浄に対する耐性が低く、上層の溶解による光学特性の変化表面反射率の上昇、転写パターンエッジ部分の形状変化によるラインエッジラフネスの低下やCD精度の悪化が生じるおそれがある。この傾向は、上層の遷移金属にモリブデンが用いられている場合に特に顕著である。特に、上層の遷移金属にモリブデンが用いられる場合、遮光膜の応力制御のために高温で加熱処理アニール処理すると、上層表面反射防止層の遷移金属の含有量が高いと、表面が白く曇る白濁する現象が発生する。これは、モリブデンの酸化物が表面に析出することが原因と考えられる。このような現象を抑制するためにも、上層の遷移金属の含有量が10原子以下であることが好ましい。図3に、モリブデンの含有量が10原子である遮光膜上層のMo/MoSi比率およびモリブデンとケイ素を除く元素の含有量をプロットし、曲線を引いたものが示されている。この曲線は、遮光膜中のモリブデンとケイ素を除く元素の含有量をCOthersとしたとき、COthers=100―1000/CMoである。この図3では、曲線▲Mo含有量10原子上を含む左側のエリアが、遮光膜上層中のモリブデンの含有量が10原子以下であることを示している。窒素や酸素を含有するケイ素は、電気伝導度が低いシート抵抗値が高い傾向にある。このため、遷移金属とケイ素にさらに窒素や酸素を含有する遮光膜では、電気伝導度を上げるには、膜中の遷移金属の含有量を増やす必要がある。マスクブランクから転写用マスクを作製する際において、図2に示すように遮光膜2上エッチングマスク膜3上にレジスト膜4を塗布し、レジスト膜4に設計パターンを露光転写し、レジスト膜4を現像洗浄を行って、レジストパターン4aを形成する。近年、このレジスト膜に電子線描画露光用のレジストを適用し、電子線を照射して描画する電子線露光描画ことで設計パターンを露光する方法が使用されてきている。この電子線描画露光では、描画位置精度やチャージアップの観点から、レジスト膜4の下の薄膜遮光膜2、エッチングマスク膜3を備える構成の場合には、遮光膜2かエッチングマスク膜3の少なくとも一方の膜には、導電性が必要とされている。すなわち、遮光膜2およびエッチングマスク膜3のうち少なくとも一方の膜には、シート抵抗値が3kΩ/□以下であることが望まれている。バイナリマスクブランクに用いる遮光膜の光学濃度としては、少なくとも2.3以上、好ましくは2.5以上が必要である。ただし、ダブル露光技術等で用いるバイナリ転写用マスクを作製するためのバイナリマスクブランクの場合には、光学濃度が2.3や2.5では、ウェハ上のレジストの重ね露光部分に漏れ光に起因する問題が生じる場合がある。その点を考慮すると、遮光膜の光学濃度は2.8以上が好ましく、より好ましくは3.0以上である。本発明の遮光膜は、上層と下層の少なくとも2層構造を有する必要があるが、3層以上の積層構造であってもよい。たとえば、最下層、中間層、最上層の3層積層構造の場合、最上層を本発明の上層に、中間層を本発明の下層にそれぞれ適用し、本発明の上層と下層の関係を最上層と中間層の関係に適用してもよい。また、中間層を本発明の上層に、最下層を本発明の下層にそれぞれ適用し、本発明の上層と下層の関係を中間層と最下層の関係に適用してもよい。本発明は、上述の本発明により得られるマスクブランクにおける前記遮光膜を、エッチングによりパターニングするエッチング工程と、黒欠陥部分をEB欠陥修正技術により修正を行う欠陥修正工程を有する転写用マスクの製造方法についても提供する。エッチング工程におけるエッチングは、微細パターンの形成に有効なドライエッチングが好適に用いられる。本発明にかかるマスクブランクは、図1に示すように、透光性基板1の上に遮光膜2を備え、さらに該遮光膜2の上に、エッチングマスク膜3を備えたマスクブランク10であってもよい。本発明においては、上記エッチングマスク膜3は、転写パターンを形成するためのパターニング時のドライエッチングに対して遮光膜2とのエッチング選択性を確保できるように、例えば、クロムに、窒素、酸素のうち少なくともいずれかの成分を含む材料を用いることが好ましい。このようなエッチングマスク膜3を遮光膜2の上に設けることにより、マスクブランク上に形成するレジスト膜の薄膜化を図ることができる。また、エッチングマスク膜中にさらに炭素等の成分を含んでもよい。具体的には、例えば、CrN、CrON、CrOC、CrOCN等の材料が挙げられる。近年、レジスト膜4に電子線描画露光用のレジストを適用し、電子線を照射して描画する電子線露光描画ことで設計パターンを露光する方法が使用されている。この電子線描画露光では、描画位置精度やチャージアップの観点から、遮光膜2かエッチングマスク膜3の少なくともいずれか一方には、ある程度以上の導電性が必要とされている。すなわち、遮光膜2およびエッチングマスク膜3のうち少なくとも一方の膜には、シート抵抗値が3kΩ/□以下であることが望まれている。図3に、シート抵抗値が3kΩ/□以下である遮光膜下層のMo/MoSi比率と窒素含有量をプロットし、近似直線×シート抵抗値3kΩ/□のプロットの近似曲線を引いたものが示されている。この近似直線式は、たとえば、CN=2.593CMo-24.074である。この図3では、この近似直線の右側のエリアが3kΩ/□以下のシート抵抗値である遮光膜下層が形成可能な組成範囲であることを示している。遮光膜2のシート抵抗値が、3kΩ/□以下である場合、エッチングマスク膜3はシート抵抗値が高くても、チャージアップを起こさずに電子線描画することができる。レジスト膜4の薄膜化には、エッチングマスク膜3の塩素と酸素の混合ガスに対するドライエッチングのエッチングレートを向上させることがより望ましい。そのためには、金属成分クロムの含有量を50原子未満、好ましくは45原子以下、さらには40原子以下とすることが好ましい。一方、遮光膜2のシート抵抗値が、3kΩ/□よりも大きい場合、エッチングマスク膜3のシート抵抗値を、3kΩ/□以下とする必要がある。この場合、エッチングマスク膜3が単層構造の場合には、エッチングマスク膜3中のクロム含有量は50原子以上であることが好ましく、60原子以上であることがより好ましい。また、エッチングマスク膜3が複数層の積層構造の場合には、少なくともレジスト膜4に接する側の層のクロム含有量は50原子以上好ましくは60原子以上とし、遮光膜2側の層のクロム含有量は50原子未満好ましくは45原子以下、さらには40原子以下とすることが好ましい。さらに、エッチングマスク膜3は、遮光膜2側からレジスト膜4に接する側ただし、表面酸化によるクロム含有量の低下が避けられないレジスト膜4に接する表層は除くに向かってクロム含有量が増加していく組成傾斜構造としてもよい。この場合、エッチングマスク膜3のクロム含有量が最も少ないところでは50原子未満好ましくは45原子以下、さらには40原子以下であり、クロム含有量が最も多いところでは50原子以上好ましくは60原子以上であることが好ましい。また、上記エッチングマスク膜3は、膜厚が5nm以上、20nm以下であることが好ましい。膜厚が5nm未満であると、エッチングマスク膜パターンをマスクとして遮光膜に対するドライエッチングが完了する前にエッチングマスク膜のパターンエッジ方向の減膜が進んでしまい、遮光膜に転写されたパターンの設計パターンに対するCD精度が大幅に低下してしまう恐れがある。一方、膜厚が20nmよりも厚いと、エッチングマスク膜に設計パターンを転写するときに必要なレジスト膜厚が厚くなってしまい、微細パターンをエッチングマスク膜に精度よく転写することが困難になる。以下、実施例により、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。併せて、実施例に対する比較例についても説明する。実施例1合成石英ガラスからなる透光性基板1上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッタターゲットにモリブデンMoとシリコンSiとの混合ターゲット原子比Mo:Si=13:87を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリングDCスパッタリングにより、MoSiN膜下層遮光層を膜厚47nmで成膜し、引き続いて、Mo/Siターゲット原子比Mo:Si=13:87を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、MoSiN膜上層表面反射防止層を膜厚4nmで成膜することにより、ArFエキシマレーザー波長193nm用遮光膜2総膜厚51nmを形成した。次に、遮光膜2を備えた基板1に対して、450°Cで30分間加熱処理アニール処理を行い、遮光膜2の膜応力を低減させる処理を行った。なお、同様の手順でアニール処理まで行った遮光膜2を備えた基板1を製造し、X線光電子分光分析ESCAで分析ただし、分析値にRBS補正を行っている。以下、他の分析でも同様。したところ、下層Mo:9.2原子,Si:68.3原子,N:22.5原子、下層側近傍の上層Mo:5.8原子,Si:64.4原子,N:27.7原子,O:2.1原子の膜組成であることが確認された。なお、上層の表層についてのX線光電子分光分析ESCAの結果は、窒素が14.4原子、酸素が38.3原子であった。また、この遮光膜2の下層の屈折率nは1.88であり、消衰係数kは2.20であった。上層の屈折率nは2.07であり、消衰係数kは1.14であった。実施例2合成石英ガラスからなる透光性基板1上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッタターゲットにモリブデンMoとシリコンSiとの混合ターゲット原子比Mo:Si=13:87を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリングDCスパッタリングにより、MoSiN膜下層遮光層を膜厚46nmで成膜し、引き続いて、Mo/Siターゲット原子比Mo:Si=13:87を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、MoSiN膜上層表面反射防止層を膜厚3nmで成膜することにより、ArFエキシマレーザー波長193nm用遮光膜2総膜厚49nmを形成した。次に、遮光膜2を備えた基板1に対して、450°Cで30分間加熱処理アニール処理を行い、遮光膜2の膜応力を低減させる処理を行った。なお、同様の手順でアニール処理まで行った遮光膜2を備えた基板1を製造し、X線光電子分光分析ESCAで分析したところ、下層Mo:9.5原子,Si:68.7原子,N:21.8原子、下層側近傍の上層Mo:6.1原子,Si:67.7原子,N:21.7原子,O:4.5原子の膜組成であることが確認された。なお、上層の表層についてのX線光電子分光分析ESCAの結果は、窒素が14.4原子、酸素が38.3原子であった。また、この遮光膜2の下層の屈折率nは1.81であり、消衰係数kは2.22であった。上層の屈折率nは1.97であり、消衰係数kは1.59であった。参考例1合成石英ガラスからなる透光性基板1上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッタターゲットにモリブデンMoとシリコンSiとの混合ターゲット原子比Mo:Si=13:87を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリングDCスパッタリングにより、MoSiN膜下層遮光層を膜厚47nmで成膜し、引き続いて、Mo/Siターゲット原子比Mo:Si=13:87を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、MoSiN膜上層表面反射防止層を膜厚13nmで成膜することにより、ArFエキシマレーザー波長193nm用遮光膜2総膜厚60nmを形成した。次に、遮光膜2を備えた基板1に対して、450°Cで30分間加熱処理アニール処理を行い、遮光膜2の膜応力を低減させる処理を行った。なお、同様の手順でアニール処理まで行った遮光膜2を備えた基板1を製造し、X線光電子分光分析ESCAで分析したところ、下層Mo:9.0原子,Si:63.6原子,N:27.4原子、下層側近傍の上層Mo:6.2原子,Si:54.0原子,N:39.8原子の膜組成であることが確認された。なお、上層の表層についてのX線光電子分光分析ESCAの結果は、窒素が21.2原子、酸素が22.3原子であった。また、この遮光膜2の下層の屈折率nは2.28であり、消衰係数kは2.00であった。上層の屈折率nは2.37であり、消衰係数kは0.98であった。比較例1合成石英ガラスからなる透光性基板1上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッタターゲットにモリブデンMoとシリコンSiとの混合ターゲット原子比Mo:Si=13:87を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリングDCスパッタリングにより、MoSiN膜下層遮光層を膜厚32nmで成膜し、引き続いて、Mo/Siターゲット原子比Mo:Si=13:87を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、MoSiN膜上層表面反射防止層を膜厚12nmで成膜することにより、ArFエキシマレーザー波長193nm用遮光膜2総膜厚44nmを形成した。次に、遮光膜2を備えた基板1に対して、300°Cで30分間加熱処理アニール処理を行い、遮光膜2の膜応力を低減させる処理を行った。なお、同様の手順でアニール処理まで行った遮光膜2を備えた基板1を製造し、X線光電子分光分析ESCAで分析したところ、下層Mo:10.8原子,Si:79.0原子,N:10.2原子、下層側近傍の上層Mo:6.6原子,Si:73.8原子,N:19.6原子の膜組成であることが確認された。なお、上層の表層についてのX線光電子分光分析ESCAの結果は、窒素が12.7原子、酸素が31.1原子であった。また、この遮光膜2の下層の屈折率nは1.64であり、消衰係数kは2.60であった。上層の屈折率nは2.26であり、消衰係数kは2.11であった。比較例2合成石英ガラスからなる透光性基板1上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッタターゲットにモリブデンMoとシリコンSiとの混合ターゲット原子比Mo:Si=13:87を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリングDCスパッタリングにより、MoSiN膜下層遮光層を膜厚44nmで成膜し、引き続いて、Mo/Siターゲット原子比Mo:Si=13:87を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、MoSiN膜上層表面反射防止層を膜厚4nmで成膜することにより、ArFエキシマレーザー波長193nm用遮光膜2総膜厚48nmを形成した。次に、遮光膜2を備えた基板1に対して、450°Cで30分間加熱処理アニール処理を行い、遮光膜2の膜応力を低減させる処理を行った。なお、同様の手順でアニール処理まで行った遮光膜2を備えた基板1を製造し、X線光電子分光分析ESCAで分析したところ、下層Mo:9.8原子,Si:70.4原子,N:19.8原子、下層側近傍の上層Mo:6.3原子,Si:69.4原子,N:20.9原子,O:3.4原子の膜組成であることが確認された。なお、上層の表層についてのX線光電子分光分析ESCAの結果は、窒素が14.2原子、酸素が37.9原子であった。また、この遮光膜2の下層の屈折率nは1.63であり、消衰係数kは2.37であった。上層の屈折率nは1.94であり、消衰係数kは1.23であった。次に、上記の実施例1,2、参考例1及び比較例1,2で得られた各遮光膜2の上面に、エッチングマスク膜3を形成した。具体的には、枚葉式スパッタ装置で、クロムCrターゲットを用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリングDCスパッタリングにより、CrN膜膜組成比Cr:75.3原子,N:24.7原子を膜厚5nmで成膜した。さらに、エッチングマスク膜3CrN膜を前記遮光膜2のアニール処理よりも低い温度でアニールすることにより、遮光膜2の膜応力に影響を与えずにエッチングマスク膜3の応力を極力低く好ましくは膜応力が実質ゼロになるように調整した。以上の手順により、実施例1,2、参考例1及び比較例1,2の各バイナリ型マスクブランク10を得た。次に、上記の実施例1,2、参考例1及び比較例1,2で得られた各マスクブランク10の遮光膜2について、EMFバイアスを算出する光学シミュレーションを行った。光学シミュレーションにおいては、上記の各実施例及び比較例で得られた屈折率n、消衰係数k、及び膜厚dを入力値として使用した。光学シミュレーションに適用する設計パターンとしては、DRAMハーフピッチhp40nmのラインアンドスペースパターンを適用した。光学シミュレーションに適用する露光光の照明条件としては、2極照明、及び、輪帯照明AnnularIlluminationの2つの条件を設定した。EMFバイアスは、TMAによる光学シミュレーションで算出されたバイアス補正量と、EMF効果を考慮したシミュレーションで算出されたバイアス補正量との差をとることによって算出した。以下の表1に、光学シミュレーションの結果を示す。表1に示す結果から分かる通り、実施例1、実施例2および比較例2で得られた遮光膜2については、2極照明におけるEMFバイアスが3.0[nm]以下であり、かつ、輪帯照明におけるEMFバイアスが20.0[nm]以下となっており、EMFバイアスが小さい結果となった。これに対して、参考例1、比較例1で得られた遮光膜2については、2極照明におけるEMFバイアスが3.0[nm]よりも大きく、かつ、輪帯照明におけるEMFバイアスが20.0[nm]よりも大きくなっており、EMFバイアスが大きい結果となった。すなわち、参考例1、比較例1の遮光膜2を有するマスクブランクを用いて、輪帯照明が適用される転写用マスクを作成する場合、DRAMハーフピッチhp40nmのラインアンドスペースLSを含むパターンを形成できないことがわかった。次に、上記のようにして作製した実施例1,2、参考例1及び比較例1,2の各マスクブランク10を用いてバイナリ型の転写用マスクを作製した。図2に製造工程を示す。なお、各転写用マスクの遮光膜2に形成される転写パターンは、DRAMhp40nmのLSパターンを含む回路パターンを適用した。ただし、EB欠陥修正の検証を行うことを考慮し、転写パターンには、プログラム欠陥部分黒欠陥となる部分も入れておいた。また、上記の光学シミュレーション結果を考慮し、実施例1、実施例2、比較例2のマスクブランク10からは、輪帯照明が適用される転写用マスクを作製することとし、参考例1、比較例1のマスクブランク10からは、2極照明が適用される転写用マスクを作製することとした。さらに上記の条件をもとに、それぞれの遮光膜2のEMFバイアスを考慮して転写パターンの補正を行い、電子線描画装置でレジスト膜に描画する描画データに変換しておいた。まず、上記マスクブランク10上に、電子線描画用化学増幅型ポジレジスト膜4富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製PRL009を形成した図2a参照。次に上記レジスト膜4に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画を行った後同図b参照、所定の現像液で現像してレジストパターン4aを形成した同図c参照。次に、上記レジストパターン4aをマスクとして、CrN膜からなるエッチングマスク膜3のドライエッチングを行ってエッチングマスク膜パターン3aを形成した同図d参照。ドライエッチングガスとして、酸素と塩素の混合ガスO2:Cl2=1:4を用いた。次に、残存している上記レジストパターン4aをアッシング処理等により除去した後、上記エッチングマスク膜パターン3aをマスクとして、遮光膜2のドライエッチングを行って遮光膜パターン2aを形成した同図e参照。ドライエッチングガスとして、SF6とHeの混合ガスを用いた。最後に、酸素と塩素の混合ガスO2:Cl2=1:4を用いてエッチングマスク膜パターン3aを除去した同図f参照。以上のようにしてバイナリ型の転写用マスク20を得た同図f参照。次に、このバイナリ型転写用マスク20のプログラム欠陥部分遮光膜が残存している黒欠陥部分に対して、フッ素を含有する物質であるXeF2ガスを供給し、さらにそこに電子線5.0keVを照射して、黒欠陥部分をエッチングして除去するEB欠陥修正を行った。このようなEB欠陥修正の結果、実施例1、2、および参考例1で得られた遮光膜2については、下層のアンダーカットなどの不具合が生じることなく、黒欠陥を良好に修正することができた。また、EB欠陥修正の際に、上層の表面にピンホールなどの欠陥が発生することもなかった。これに対して、比較例1及び比較例2で得られた遮光膜2を有する転写用マスク20については、そのパターン部分の下層の側壁が予定していた位置よりも大きく減退してしまい、上層よりも下層が横方向に減退した状態アンダーカットが生じていた。また、本来修正されるべきでない箇所までエッチングされてしまい、黒欠陥部分のみを良好に修正することができず、黒欠陥が形成されている部分以外のパターン部分の下層のアンダーカットなどの不具合が生じていた。また、比較例1で得られた遮光膜2を有する転写用マスク20については、EBを照射していない部分つまり黒欠陥部分以外の部分においても、周囲に存在するXeF2ガスによって上層の表面からエッチングが進行してしまい、上層が減膜することによって、上層の表面に複数個のピンホールが発生していた。次に、得られたバイナリ型転写用マスク20を用いて、転写対象物である半導体ウェハ上のレジスト膜に対して、転写パターンを露光転写する工程を行った。露光装置には、実施例1、実施例2、比較例2の転写用マスクに対しては、ArFエキシマレーザーを光源とする輪帯照明AnnularIlluminationが用いられた液浸方式のものが用いられた。また、参考例1、比較例1の転写用マスクに対しては、ArFエキシマレーザーを光源とする2極照明DipoleIlluminationが用いられた液浸方式の露光装置が用いられた。具体的には、露光装置のマスクステージに、各実施例、参考例、比較例のバイナリ型転写用マスク20をセットし、半導体ウェハ上のArF液浸露光用のレジスト膜に対して、露光転写を行った。露光後のレジスト膜に対して、所定の現像処理を行い、レジストパターンを形成した。さらに、レジストパターンを用いて、半導体ウェハ上にDRAMハーフピッチhp40nmのラインアンドスペースLSパターンを含む回路パターンを形成した。得られた半導体ウェハ上の回路パターンを電子顕微鏡TEMで確認したところ、上記の実施例1、2、参考例1で得られた遮光膜2を有する転写用マスク20を用いて形成された回路パターンについては、DRAMハーフピッチhp40nmのラインアンドスペースパターンの仕様を十分に満たしていた。これに対して、上記の比較例1、2で得られた遮光膜2を有する転写用マスク20を用いて形成された回路パターンについては、ラインアンドスペースパターン部分で短絡箇所や断線箇所が多く発生しており、DRAMハーフピッチhp40nmの仕様を満たせていなかった。以上より、遮光膜2の下層の材料の窒素含有量を21原子以上であり、かつ屈折率nが1.9以下となるように調整し、上層の材料を屈折率nが2.1以下となるように調整し、さらに、上層の表層が酸素を含有しており、かつ窒素含有量が14原子以上となるように調整することによって、遮光膜2の黒欠陥部分にEB欠陥修正技術を適用した場合のアンダーカット等の問題を解決できるのと同時に、EMF効果に起因するバイアスを小さくできることを実証することができた。"