下記一般式で表され、式中のR1、R2及びR3が、R1=R2=R3=On1CH3、又はOq1p1CF3、R1=R3=On1CH3、又はOq1p1CF3、R2=H、R1=R2=On1CH3、又はOq1p1CF3、R3=Hのうちいずれかであり、Klm=1~18、n=6~18、q=1~5、p=6~18であり、Xは、BF4PF6CF3SO32NCH3SO3CH3COOCF3COOClO4BrIClFのうちいずれかであることを特徴とする液晶性化合物。温度を上げることによって液晶相が、イオン非伝導性のレクタンギュラーカラムナー相からイオン伝導性のヘキサゴナルカラムナー相に相転移することを特徴とする請求項1記載の液晶性化合物。温度を下げることによって液晶相が、イオン伝導性のヘキサゴナルカラムナー相からイオン非伝導性のレクタンギュラーカラムナー相に相転移することを特徴とする請求項1記載の液晶性化合物。前記ヘキサゴナルカラムナー相のときイオン伝導度が104Scm1以上に到達し、前記レクタンギュラーカラムナー相のときイオン伝導度が108Scm1以下に到達することを特徴とする請求項2又は3記載の液晶性化合物。請求項1~4のうちいずれか1項記載の液晶性化合物を含有しており、温度変化によって前記液晶性化合物の液晶相が相転移し、イオン伝導性からイオン非伝導性、又はイオン非伝導性からイオン伝導性へと物性が切り替わることを特徴とする電解質材料。このような電解質材料は、それ自体、イオン伝導性を有した構造から、イオン非伝導性を有した構造へと切り替わったり、或いはイオン非伝導性を有した構造から、イオン伝導性を有した構造へと切り替わったりすることはない。しかしながら、今後の次世代のエネルギーデバイス素子では、今までにない全く新しい発想のもと、例えば外部からの刺激により、電解質材料自体がイオン伝導性及びイオン非伝導性へのスイッチング機能を発現し得ることも求められている。そこで、本発明は以上の点を考慮してなされたもので、温度変化に応じてイオン伝導性とイオン非伝導性とに物性が切り替わり、スイッチング機能を発現し得る液晶性化合物及び電解質材料を提案することを目的とする。かかる課題を解決するため本発明の請求項1は、下記一般式、で表され、式中のR1、R2及びR3が、R1=R2=R3=On1CH3、又はOq1p1CF3、R1=R3=On1CH3、又はOq1p1CF3、R2=H、R1=R2=On1CH3、又はOq1p1CF3、R3=Hのうちいずれかであり、Klm=1~18、n=6~18、q=1~5、p=6~18であり、Xは、BF4PF6CF3SO32NCH3SO3CH3COOCF3COOClO4BrIClFのうちいずれかであることを特徴とする液晶性化合物である。また、請求項5は、請求項1~4のうちいずれか1項記載の液晶性化合物を含有しており、温度変化によって前記液晶性化合物が相転移し、イオン伝導性からイオン非伝導性、又はイオン非伝導性からイオン伝導性へと物性が切り替わることを特徴とする電解質材料である。本発明の請求項1及び5によれば、温度変化に応じてイオン伝導性とイオン非伝導性とに物性が切り替わり、スイッチング機能を発現し得る液晶性化合物及び電解質材料を提案できる。以下図面に基づいて本発明の実施の形態を詳述する。1本発明の液晶性化合物の構成本発明による液晶性化合物は、アンモニウム基とアルコキシフェニル基とを連結したカラムナー柱状:Col液晶相でなり、温度変化によってその構造が変化してイオン伝導特性が変化し得る。具体的に本発明の液晶性化合物は下記一般式で表される。ここで、上記化3の式中のR1、R2及びR3は、次の3つの形態のうちいずれかである。第1は、R1、R2及びR3が全て同じ基でなり、R1=R2=R3=On1CH3、又はOq1p1CF3である。第2は、R1とR3が同じ基でなり、R1=R3=On1CH3、又はOq1p1CF3、R2=Hである。第3は、R1とR2が同じ基でなり、R1=R2=On1CH3、又はOq1p1CF3、R3=Hである。また、これら3つの形態のいずれにおいても、Klm=1~18、n=6~18、q=1~5、p=6~18である。Xは、一価のアニオンを表し、BF4PF6CF3SO32NCH3SO3CH3COOCF3COOClO4BrIClFのうちいずれかである。このような一般式で表される液晶性化合物は、低温時に、イオン移動ができないイオン非伝導性の液晶相となり、高温時に、イオン移動可能なイオン伝導性の液晶相となり、温度変化に応じて液晶相が相転移し得る。また、本発明の液晶性化合物は、温度変化に応じて液晶相が、イオン伝導性からイオン非伝導性、或いはイオン非伝導性からイオン伝導性へと物性が繰り返し変化し、スイッチング機能を発現し得るようになされている。実際上、液晶性化合物は、低温時にレクタンギュラーカラムナー構造体を構築し、イオン非伝導性であるレクタンギュラーカラムナー相となり得る。一方、液晶性化合物は、この低温状態から加熱され高温状態になると、ヘキサゴナルカラムナー構造体へと変わり、イオン伝導性であるヘキサゴナルカラムナー相に相転移する。液晶性化合物は、ヘキサゴナルカラムナー構造体となることで、構造体内でのアニオンとカチオンとの配置関係が変わり、ヘキサゴナルカラムナー構造体内でアニオンが自由に移動可能な構成となり得る。なお、この液晶性化合物は、ヘキサゴナルカラムナー構造体となった状態でさらに高温に加熱されると、液晶状態から液体状態へと変わり得る。このような液晶性化合物は、上述した化3の一般式中、n、q及びpを小さくしてCH2CF2を減らし、R1、R2及びR3の長さを短くすることで、イオン伝導性及びイオン非伝導性の相転移温度が低くなり得る。従って、低い温度状態でイオン伝導性及びイオン非伝導性のスイッチング機能を必要とする各種スイッチング材料にこの液晶性化合物を利用する際には、液晶性化合物のR1、R2及びR3の長さを適宜短くすることで、これらスイッチング材料に適した液晶性化合物となり得る。さらに、R1、R2及びR3を、フッ素を含んだOq1p1CF3とした液晶性化合物では、R1、R2及びR3をOn1CH3とした液晶性化合物に比して、液晶構造の強度が向上し得る。ここで、Xとして、CF3SO3や、2Nを用いた場合には、アニオンが大きくなるが、この際でも、R1、R2及びR3をOq1p1CF3とした液晶性化合物とすることで、CF3SO3や、2Nのアニオンに影響を受けることなく構造体を安定化し得、高いイオン伝導性を実現できる。2具体的な本発明の液晶性化合物について2-1実施例1の液晶性化合物ここで、下記一般式により表される液晶性化合物は、上述した化3の一般式で表した液晶性化合物の一例を示している。この場合、上述した化4の一般式で表す実施例1の液晶性化合物では、化3の式中、n=12としてR1=R2=R3=O11CH3とし、Klm=1とし、XをBF4としている。この実施例1の液晶性化合物は、44°C以上122°C以下の低温状態のときイオン非伝導性のレクタンギュラーカラムナー構造体となり、それより高い141°C以上196°C未満の高温状態のときイオン伝導性のヘキサゴナルカラムナー構造体となり得る。なお、温度を196°C以上とした場合、液晶性化合物は液晶から液体へと変化する。また、実施例1の液晶性化合物は、高温から低温に温度が下がると、ヘキサゴナルカラムナー構造体からレクタンギュラーカラムナー構造体へ構造変化が生じ、その逆に、低温から高温へ温度が上がると、レクタンギュラーカラムナー構造体から再びヘキサゴナルカラムナー構造体へ構造変化が生じる。このように実施例1の液晶性化合物では、冷却及び加熱による温度変化に応じて、繰り返しその構造が変化し、イオン伝導性及びイオン非伝導性が適宜切り替わるスイッチング特性を有する。2-2実施例2の液晶性化合物また、下記一般式により表される液晶性化合物も、上述した化3の一般式で表した液晶性化合物の一例である。この場合、上述した化5の一般式で表す実施例2の液晶性化合物では、化3の式中、n=12としてR1=R2=R3=O11CH3とし、Klm=1とし、XをPF6としている。この実施例2の液晶性化合物は、54°C以上117°C以下の低温状態のときイオン非伝導性のレクタンギュラーカラムナー構造体となり、それより高い122°C以上168°C未満の高温状態のときイオン伝導性のヘキサゴナルカラムナー構造体となり得る。なお、温度を168°C以上とした場合、液晶性化合物は液晶から液体へと変化し得る。また、実施例2の液晶性化合物は、高温から低温に温度が下がると、ヘキサゴナルカラムナー構造体からレクタンギュラーカラムナー構造体へ構造変化が生じ、その逆に、低温から高温へ温度が上がると、レクタンギュラーカラムナー構造体から再びヘキサゴナルカラムナー構造体へ構造変化が生じ得る。このように実施例2の液晶性化合物でも、冷却及び加熱による温度変化に応じて、繰り返しその構造が変化し、イオン伝導性及びイオン非伝導性が適宜切り替わるスイッチング特性を有する。3実施例1及び実施例2の液晶性化合物の合成スキーム次に、上述した実施例1及び実施例2の各液晶性化合物の合成スキームについて説明する。これら実施例1及び実施例2の液晶性化合物は、図1に示す合成スキームにより合成することができる。なお、ここでは実施例1及び実施例2の液晶性化合物の概略的な合成スキームについて説明し、詳細な合成スキームについては、後の5液晶性化合物の合成にて後述する。この場合、図1中一般式3で表される化合物を出発原料とし、この化合物にアンモニウム基が導入され、一般式4で表される前駆体が合成される。なお、ここで、一般式3で表される化合物は、文献VPercecEAqadMPetercaJGRudickLLemonJCRondaBBDePAHeineyandEWMeijerStericCommunicationofChiralInformationObservedinDendronizedPolyacetylenesJournaloftheAmericanChemicalSociety20061281636516372に従って合成できる。因みに、ここでは、R1R2R3をO11CH3とした実施例1及び実施例2の液晶性化合物を合成する場合について述べるが、例えばR1R2R3をOq1p1CF3とした液晶性化合物を合成する場合には、一般式3の化合物のR1R2R3をO11CH3に替えて、Oq1p1CF3とした化合物を出発原料として用いる。このように、化3の一般式中のR1R2R3については、所望するR1R2R3を有した出発原料を用いることで、所望するR1R2R3を有した液晶性化合物を合成できる。そして、合成した一般式4で表される前駆体に、BF4PF6等の所望するアニオンを含んだ、AgBF4AgPF6等の銀化合物を導入し、前駆体中のアニオンを所望のアニオンに交換する等して、実施例1及び実施例2の各液晶性化合物や、上記の化3で表すその他の液晶性化合物を合成できる。4作用及び効果以上の構成によれば、この液晶性化合物では、上記の化3で表される一般式により形成されていることにより、温度変化に応じて構造変化が生じ、イオン伝導性とイオン非伝導性とに物性が切り替わるスイッチング機能を発現し得る。具体的に、この液晶性化合物では、液晶相が、低温時にレクタンギュラーカラムナー相となりアニオンが移動不可能なイオン非伝導性となり、一方、高温時にヘキサゴナルカラムナー相となりアニオンが移動可能なイオン伝導性となる。このようなイオン伝導特性が切り替わるスイッチング機能は、高温から低温、或いは低温から高温への各温度変化に応じて繰り返し発現することから、本発明の液晶性化合物をスイッチング材料として用いることができる。また、このような液晶性化合物は、リチウムイオン二次電池等の各種電池の電解質材料として利用することができる。この場合、電解質材料は、リチウム塩等のイオン導電媒体を混ぜた本発明の液晶性化合物を含有させた構成を有する。このような電解質材料では、液晶性化合物の構造内にリチウムイオンイオン導電媒体が含有されることにより、イオン伝導性を有したヘキサゴナルカラムナー相のとき、リチウムイオンが移動し、電解質として機能できる。この場合には、周囲の温度変化に応じて電解質材料にてイオン伝導性がオンオフするスイッチ機能を備えたリチウムイオン二次電池を形成し得る。なお、ここでは、液晶性化合物に混ぜるイオン導電媒体としてリチウムイオンを用い、リチウムイオン二次電池の電解質材料について述べたが、本発明はこれに限らず、その他種々のイオン導電媒体を液晶性化合物に混ぜることで、その他種々の電池の電解質材料として利用できる。さらに、この液晶性化合物は電気二重層キャパシタの電解質材料としても利用することができる。ここで、電気二重層キャパシタは、陽極と陰極とが所定距離を空け対向して配置された構成を有し、本発明の液晶性化合物を含有させた電解質材料に、これら陽極及び陰極を浸した構成を有する。このような電気二重層キャパシタでは、充電時に陽極及び陰極にそれぞれアニオン及びカチオンが引き寄せされて電気二重層を形成する。この充電状態の電気二重層キャパシタは、陽極及び陰極に負荷がつながれ、さらに電解質材料がイオン伝導性を有する温度状態となることで、放電させることができる。さらに、この液晶性化合物は温度センサのスイッチング材料としても利用することができる。この場合、温度センサは、所定の温度に到達することで、スイッチング材料中の液晶性化合物がイオン非伝導性からイオン伝導性へと切り替わり通電することで所定温度に到達したことを通知できる。このように本発明による液晶性化合物は、イオン伝導により駆動する各種デバイスに、電解質材料やスイッチング材料等として用いることにより、これら各種デバイスに対して、温度変化に応じてイオン伝導性とイオン非伝導性とに切り替わるスイッチング機能を付与することができる。5液晶性化合物の合成次に、図1に示した合成スキームに従って上述した実施例1及び実施例2の各液晶性化合物を合成し、これら実施例1及び実施例2の各液晶性化合物について各種検証を行った。ここでは、図1に示すように、一般式4で表した前駆体を合成した後、この前駆体を用いて実施例1及び実施例2の各液晶性化合物をそれぞれ合成した。5-1前駆体の合成先ず初めに、実施例1及び実施例2の各液晶性化合物の合成に用いる前駆体を、一般式3で表す化合物を用いて合成した。出発原料たる一般式3の化合物は、文献VPercecEAqadMPetercaJGRudickLLemonJCRondaBBDePAHeineyandEWMeijerStericCommunicationofChiralInformationObservedinDendronizedPolyacetylenesJournaloftheAmericanChemicalSociety20061281636516372に従って合成した。次に、一般式3の化合物061[g]094[mmol]のアセトン溶液30[mL]に、ヨードメタン227[g]169[mmol]と、炭酸カリウム0652[g]47[mmol]とを加えて、還流しながら12時間撹拌して反応溶液を生成した。次に、この反応溶液を、エバポレータで減圧濃縮し、残渣にクロロホルム20[mL]を加え、不溶性塩をろ過により除去した。次いで、ろ液を濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー展開液:クロロホルム/メタノール=95/5により精製し、一般式4の前駆体を得た。さらに、酢酸エチルとメタノールの混合溶媒から再結晶することにより、白色固体の前駆体を収率74[]057[g]07[mmol]で得た。一般式4の前駆体の同定は、1HNMR、13CNMR、MALDITOFMASSにより行った。1HNMR69741239939418217214912608913CNMR1539314252139499889736370875785319030242970296329532944293529272607260022671410MSMIcalcdForC45H86NO3688660found688296。5-2実施例1の液晶性化合物の合成次に、前駆体から上述した実施例1の液晶性化合物を合成する。この場合、前駆体047[g]058[mmol]のメタノール溶液30[mL]に、AgBF4034[g]176[mmol]のメタノール溶液10[mL]を滴下し、25[°C]で3時間撹拌して反応溶液を生成した。次いで、この反応溶液の沈殿物をろ過した後、溶媒留去により得た残渣をシリカゲルクロマトグラフィー展開液:クロロホルム/メタノール=95/5により精製し、酢酸エチルとメタノールの混合溶媒から2回再結晶することにより、白色固体として実施例1の液晶性化合物を収率77[]035[g]045[mmol]で得た。この実施例1の液晶性化合物の同定は、1HNMR、13CNMR、MALDITOFMASS、元素分析により行った。1HNMR68440539636618418014612608813CNMR1539314198139489832736470035731319130252974297229682966246429552942293729282605260222681410MSMBF4calcdforC45H86NO3688661found688165ElementalanalysiscalcdforC45H86BF4NO3C6965H1117N181foundC6949H1121N205。5-3実施例2の液晶性化合物の合成次に、前駆体から上述した実施例2の液晶性化合物を合成する。この場合、前駆体053[g]066[mmol]のメタノール溶液30[mL]に、AgPF6050[g]198[mmol]のメタノール溶液10[mL]を滴下し、25[°C]で3時間撹拌して反応溶液を生成した。次いで、この反応溶液の沈殿物をろ過した後、溶媒留去により得た残渣をシリカゲルクロマトグラフィー展開液:クロロホルム/メタノール=95/5により精製し、酢酸エチルとメタノールの混合溶媒から2回再結晶することにより、白色固体として実施例2の液晶性化合物を収率49[]027[g]032[mmol]で得た。この実施例2の液晶性化合物の同定は、1HNMR、13CNMR、MALDITOFMASS、元素分析により行った。1HNMR67940439736218217315412608813CNMR1540914172139789822736570055741318130162960295529522943292929252917258822561396MSMPF6calcdforC45H86NO3688661found688103ElementalanalysiscalcdforC45H86PF6NO3C6480H1039N168foundC6488H1049N1885-4検証結果次に、これら実施例1及び実施例2の各液晶性化合物について、熱相転移挙動を示差走査熱量測定偏光顕微鏡観察により調べた。その結果、実施例1の液晶性化合物は、結晶相が44[°C]でレクタンギュラーカラムナー相となり、141[°C]でヘキサゴナルカラムナー相となり、さらに196[°C]で液体相になった。また、実施例2の液晶性化合物は、結晶相が54[°C]でレクタンギュラーカラムナー相となり、122[°C]でヘキサゴナルカラムナー相となり、さらに168[°C]で液体相となった。なお、実施例1及び実施例2の液晶性化合物の液晶構造の同定は、広角X線回折測定により行なった。次に、実施例1及び実施例2の液晶性化合物の各イオン伝導度の温度依存性を、交流インピーダンス測定により評価した。その結果を図2に示す。図2では、実施例1の液晶性化合物を●で示し、実施例2の液晶性化合物を▲で示す。この結果から、実施例1及び実施例2の液晶性化合物は、100[°C]から150[°C]に加熱する過程で、いずれもイオン伝導度が108[Scm1]から104[Scm1]に急激に上昇したことが確認できた。このことから、実施例1及び実施例2の液晶性化合物は、加熱により150[°C]まで温度を上げると、イオン非伝導性からイオン伝導性を有した物性に変化することが確認できた。また、実施例1の液晶性化合物について、120~150[°C]まで昇温し、その後150~120[°C]まで冷却する温度サイクルで、昇温過程と冷却過程のイオン伝導特性を調べたところ、図3に示すような結果が得られた。図3の結果から4回の昇温-冷却サイクルでは、イオン伝導特性について再現のよいスイッチング変化を示しており、実施例1の液晶性化合物の劣化によるイオン伝導度の低下などは見られなかった。このように実施例1の液晶性化合物は、温度変化に応じて、イオン伝導性からイオン非伝導性、或いはイオン非伝導性からイオン伝導性へと物性が繰り返し同じように変化し、スイッチング機能を発現することが確認できたオフ状態108Scm1、オン状態104[Scm1]。なお、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であり、例えば実施例1及び実施例2の各液晶性化合物の合成スキームは図1に示す合成スキームに限らず、種々の合成スキームにて合成するようにしてもよい。