"熱架橋性樹脂組成物からなる塗布型有機ゲート絶縁膜と、半導体層とを有する半導体素子であって、前記有機ゲート絶縁膜の硬化温度が130~150°Cであり、かつ、前記有機ゲート絶縁膜表面の接触角が70~80°であり、前記半導体層が、有機半導体または無機酸化物半導体で形成されていることを特徴とする半導体素子。前記有機ゲート絶縁膜の表面粗さが2nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。前記有機ゲート絶縁膜の誘電率が1.5~3.0であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子。本発明は、表面平坦性に優れ、誘電率が低く、優れた積層性を有するゲート絶縁膜を備え、移動度が高く、リーク電流の小さい半導体素子を提供することを目的とする。本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究した結果、ゲート絶縁層を、熱架橋性樹脂組成物からなり、硬化温度が130~150°Cである塗布型有機ゲート絶縁膜で構成し、かつ、該有機ゲート絶縁膜の表面の接触角を70~80°の範囲に制御することにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明によれば、熱架橋性樹脂組成物からなる塗布型有機ゲート絶縁膜と、半導体層とを有する半導体素子であって、前記有機ゲート絶縁膜の硬化温度が130~150°Cであり、かつ、前記有機ゲート絶縁膜表面の接触角が70~80°であり、前記半導体層が、有機半導体または無機酸化物半導体で形成されていることを特徴とする半導体素子が提供される。好ましくは、前記有機ゲート絶縁膜の表面粗さが2nm以下である。好ましくは、前記有機ゲート絶縁膜の誘電率が1.5~3.0である。本発明によれば、表面平坦性に優れ、誘電率が低く、優れた積層性を有するゲート絶縁膜を備え、移動度が高く、リーク電流の小さい半導体素子を提供することができる。本発明の半導体素子は、熱架橋性樹脂組成物からなる塗布型有機ゲート絶縁膜と、半導体層とを有し、前記有機ゲート絶縁膜の硬化温度が130~150°Cであり、かつ、前記有機ゲート絶縁膜表面の接触角が70~80°であり、前記半導体層が、有機半導体または無機酸化物半導体で形成されていることを特徴とする。以下においては、まず、本発明で用いる熱架橋性樹脂組成物について説明する。熱架橋性樹脂組成物本発明で用いる熱架橋性樹脂組成物としては、130~150°Cで架橋可能であり、かつ、塗布型有機ゲート絶縁膜とした場合における、その表面の接触角が70~80°の範囲となるような樹脂組成物であればよく特に限定されないが、たとえば、樹脂Aと、架橋剤Bとを含有する樹脂組成物を用いることができる。樹脂A樹脂Aとしては、特に限定されないが、環状オレフィン重合体A1、アクリル樹脂A2、カルド樹脂A3、ポリシロキサンA4またはポリイミドA5などが挙げられる。これらの樹脂Aは、それぞれ単独で用いてもよく、または2種以上を併用してもよい。なお、本発明で用いる環状オレフィン重合体A1は、単量体を開環重合させた開環重合体であってもよいし、あるいは、上述した単量体を付加重合させた付加重合体であってもよい。上記環状オレフィン重合体A1の合成方法は、単量体を用いて特開平11-52574号公報、特願2001-174872号公報、国際公開WO99/03903号公報、国際公開WO01/79325号公報などに記載された脂環式オレフィン樹脂の製造方法に準じて、開環重合して得られる重合体の主鎖の炭素-炭素二重結合を水素化し、更に必要に応じて加水分解やグラフト変性することにより得られる。また、本発明で使用するアクリル樹脂A2は、特に限定されないが、アクリル基を有するカルボン酸、アクリル基を有するカルボン酸無水物、またはエポキシ基含有アクリレート化合物から選ばれる少なくとも1つを必須成分とする単独重合体または共重合体が好ましい。上記アクリル樹脂A2を製造する際における単量体の重合方法は、常法に従えばよく、例えば、懸濁重合法,乳化重合法,溶液重合法等が採用される。本発明で用いるカルド樹脂A3は、カルド構造、すなわち、環状構造を構成している4級炭素原子に二つの環状構造が結合した骨格構造、を有する樹脂である。カルド構造の一般的なものはフルオレン環にベンゼン環が結合したものである。環状構造を構成している4級炭素原子に二つの環状構造が結合した骨格構造の具体例としては、フルオレン骨格、ビスフェノールフルオレン骨格、ビスアミノフェニルフルオレン骨格、エポキシ基を有するフルオレン骨格、アクリル基を有するフルオレン骨格等が挙げられる。本発明で用いるカルド樹脂A3は、このカルド構造を有する骨格がそれに結合している官能基間の反応等により重合して形成される。カルド樹脂A3は、主鎖と嵩高い側鎖が一つの元素で繋がれた構造カルド構造をもち、主鎖に対してほぼ垂直方向に環状構造を有している。上記カルド樹脂A3を製造する際における、単量体の重合方法は、常法に従えばよく、例えば、開環重合法や付加重合法等が採用される。本発明で用いるポリシロキサンA4としては、特に限定されないが、好ましくは下記式1で表されるオルガノシランの1種または2種以上を混合、反応させることによって得られる重合体が挙げられる。R1m-Si-OR24-m1本発明で用いるポリシロキサンA4は、オルガノシランを加水分解および部分縮合させることにより得られる。加水分解および部分縮合には一般的な方法を用いることができる。例えば、混合物に溶媒、水、必要に応じて触媒を添加し、加熱攪拌する。攪拌中、必要に応じて蒸留によって加水分解副生物メタノールなどのアルコールや縮合副生物水を留去してもよい。本発明で用いるポリイミドA5は、テトラカルボン酸無水物とジアミンを反応させて得たポリイミド前駆体を熱処理することで得ることができる。本発明で用いるポリイミドA5は公知の方法によって合成される。すなわち、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを選択的に組み合わせ、これらをN-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロトリアミド、γ-ブチロラクトン、シクロペンタノン等の極性溶媒中で反応させる等、公知の方法によって合成される。架橋剤B本発明で用いる架橋剤Bは、130~150°Cに加熱することにより、架橋剤分子間に架橋構造を形成するものや、樹脂Aと反応して樹脂分子間に架橋構造を形成するものであり、具体的には、2以上の反応性基を有する化合物が挙げられる。このような反応性基としては、例えば、アミノ基、カルボキシ基、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。界面調整剤Cまた、本発明で用いる樹脂組成物は、樹脂Aおよび架橋剤Bに加えて、界面調整剤Cを含有していてもよい。界面調整剤Cとしては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレート等のポリオキシエチレンジアルキルエステル類等のノニオン系界面活性剤;フッ素系界面活性剤;メタクリル酸共重合体系界面活性剤;アクリル酸共重合体系界面活性剤;ハロゲン変性シリコーンオイル、ポリエステル変性シリコーンオイル、ポリエーテル変性シリコーンオイル、アルキル変性シリコーンオイル、アラルキル変性シリコーンオイルおよび反応性基変性シリコーンオイルなどの変性シリコーンオイル;等が挙げられる。その他の配合剤さらに、本発明で用いる樹脂組成物には、上記各成分に加えて、溶剤が含有されていてもよい。溶剤としては、特に限定されず、樹脂組成物の溶剤として公知のものでよい。なお、樹脂組成物に溶剤を含有させる場合には、溶剤は、通常、樹脂膜形成後に除去されることとなる。本発明で用いる樹脂組成物の調製方法は、特に限定されず、樹脂組成物を構成する各成分を公知の方法により混合すればよい。混合の方法は特に限定されないが、樹脂組成物を構成する各成分を溶剤に溶解または分散して得られる溶液または分散液を混合するのが好ましい。これにより、樹脂組成物は、溶液または分散液の形態で得られる。半導体素子次いで、本発明の半導体素子について、説明する。本発明の半導体素子は、上述した熱架橋性樹脂組成物からなる塗布型有機ゲート絶縁膜と、半導体層とを有し、前記有機ゲート絶縁膜の硬化温度が130~150°Cであり、かつ、前記有機ゲート絶縁膜表面の接触角が70~80°であり、前記半導体層が、有機半導体または無機酸化物半導体で形成されてなるものである。図1に、本発明の半導体素子の一例としての薄膜トランジスタ1の断面図を示す。図1に示すように、本発明の半導体素子の一例としての薄膜トランジスタ1は、基板2上に、ゲート電極3、上述した熱架橋性樹脂組成物からなる塗布型有機ゲート絶縁膜4、半導体層5、ソース電極6およびドレイン電極7を有する、ボトムゲートトップコンタクト型の薄膜トランジスタである。なお、図1においては、単一の薄膜トランジスタ1を示したが、基板2上に複数の薄膜トランジスタ1が形成されているような構成たとえば、アクティブマトリックス基板などであってもよい。また、図1に示す薄膜トランジスタ1は、本発明の半導体素子の一例であり、以下においては、図1に示す薄膜トランジスタ1を例示して説明を行なうが、本発明の半導体素子は、図1に示す薄膜トランジスタ1に何ら限定されるものではない。基板2としては、特に限定されず、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、脂環式オレフィンポリマーなどの柔軟性のあるプラスチックからなるフレキシブル基板、石英、ソーダガラス、無機アルカリガラスなどのガラス基板、シリコンウェハなどのシリコン基板などを挙げることができる。ゲート電極3は、導電性材料で形成されている。導電性材料としては、例えば、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズアンチモン、酸化インジウムスズITO、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム混合物、リチウム/アルミニウム混合物等が挙げられる。またドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェンポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体などが挙げられる。これらのなかでも、クロムおよびモリブデンが好ましく、クロムがより好ましい。ゲート電極3は、たとえば、上述した導電性材料を、スパッタリング法などにより基板2上に形成し、次いで、エッチング処理を行なうことにより、基板2上に所定パターンで形成される。ゲート絶縁膜4は、上述した熱架橋性樹脂組成物から構成されるものであり、所定パターンでゲート電極3を形成した基板2上に、上述した熱架橋性樹脂組成物を塗布し、130~150°Cで硬化することにより形成される。熱架橋性樹脂組成物を塗布する方法としては、例えば、スプレー法、スピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、ドクターブレード法、回転塗布法、バー塗布法、スクリーン印刷法等の各種の方法を採用することができる。また、硬化時間は、通常、0.5~300分間、好ましくは1~150分間、より好ましくは1~60分間である。ゲート絶縁膜4の厚さは、特に限定されないが、好ましくは100~400nm、より好ましくは100~300nm、さらに好ましくは100~200nmである。また、本発明において、ゲート絶縁膜4の表面の接触角は70~80°の範囲である。接触角を上記の範囲に調整する方法としては、例えば、ゲート絶縁膜4を構成する、樹脂A、架橋剤B、界面調整剤C等の各成分の極性基の比率例えば、アルキル基、フェニル基等の疎水基の炭素原子の比率、ヒドロキシル基、カルボキシ基等の親水基の比率等を適宜調整してゲート絶縁膜4の極性を制御する方法;ゲート絶縁膜4を形成するための塗膜形成時の乾燥過程の温度、時間等を調整して、塗膜表面からの溶剤の蒸発を均一化することで、表面張力変化を小さくして、得られるゲート絶縁膜4の表面を平滑化する方法;等がある。これらの方法により、表面の接触角を所望の範囲に調整することができる。ゲート絶縁膜4を、上述した熱架橋性樹脂組成物を塗布して、130~150°Cで硬化することにより形成するとともに、その表面の接触角を70~80°の範囲とすることにより、ゲート絶縁膜4の積層性、具体的には、ゲート絶縁膜4の上に形成する半導体層5や、ソース電極6およびドレイン電極7との積層性を良好なものとすることができ、これにより、半導体素子の各種電気特性を良好なものとすることができる。また、本発明においては、ゲート絶縁膜4を、上述した熱架橋性樹脂組成物で構成するため、ゲート絶縁膜4を、ゲート絶縁膜4を表面平坦性に優れ、しかも、誘電率の低いものとすることができる。具体的には、ゲート絶縁膜4の表面粗さ算術平均粗さRaを、好ましくは2nm以下、より好ましくは1nm以下とすることができる。また、ゲート絶縁膜4の誘電率を、好ましくは1.5~3.0の範囲、より好ましくは2.0~2.5の範囲とすることができる。そして、これにより、得られる薄膜トランジスタ1半導体素子を移動度が高く、リーク電流の小さいものとすることができる。半導体層5は、有機半導体または無機酸化物半導体で形成されている。有機半導体としては、pチャネル型として、ペンタセン、ナフタセン、チフェンオリゴマー、ペリレン、α-セキシフェニル及びその誘導体、ナフタレン、アントラセン、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、金属含有/非含有フタロシアニン及びその誘導体などの低分子半導体、あるいはチオフェンやフルオレンをベースとしたポリアルキルチオフェン、ポリアルキルフルオレンやその誘導体などの高分子半導体などが挙げられる。無機酸化物半導体としては、酸化亜鉛ZnO、インジウムガリウム亜鉛酸化物IGZOなどが挙げられる。半導体層5は、上述した有機半導体または無機酸化物半導体を、塗布法やCVD法などにより、ゲート絶縁膜4上に形成し、次いで、所定のパターン形状となるようにパターンニングすることにより、形成される。ソース電極6およびドレイン電極7は、導電性材料で形成されている。導電性材料としては、上述のゲート電極3と同様のものを用いることができる。ソース電極6およびドレイン電極7は、たとえば、上述した導電性材料を、スパッタリング法などにより半導体層5上に形成し、次いで、エッチング処理を行なうことにより、半導体層5上に所定パターンで形成される。なお、上記においては、半導体素子の一例として、図1に示すようなボトムゲートトップコンタクト型の薄膜トランジスタ1を例示したが、図2に示すようなボトムゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタ1aや、図3に示すようなトップゲートトップコンタクト型の薄膜トランジスタ1bにおいても、上記と同様にして得ることができる。本発明の半導体素子は、ゲート絶縁膜として、上述した熱架橋性樹脂組成物を塗布し、130~150°Cで硬化することにより形成してなり、かつ、その表面の接触角が70~80°の範囲にあるものを備えるため、該ゲート絶縁膜を、表面平坦性に優れ、誘電率が低く、優れた積層性を有するものとすることができる。そして、本発明の半導体素子は、このようなゲート絶縁膜を備えるため、移動度が高く、リーク電流の小さいものであり、たとえば、薄膜トランジスタとして好適に用いることができる。以下に、実施例および比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明する。各例中の部およびは、特に断りのない限り、重量基準である。なお、各特性の定義および評価方法は、以下のとおりである。<接触角>熱架橋性樹脂組成物をシリコンウェハ上にスピンコートした後、ホットプレートを用いて90°Cで2分間プリベークして、300nm厚の樹脂膜を形成した。次いで、空気中において130°Cで1時間加熱することにより、樹脂膜が形成されシリコンウェハからなる試験用試料を得た。そして、得られた試験用試料を用いて、接触角の測定を行なった。具体的には、樹脂膜表面に超純水を滴下し、形成した液滴のなす角度を測定し、これを接触角θとした。測定は、23°C、湿度55の環境下で行い、水滴が接地してから300ミリ秒後の角度を接触角とした。<表面平坦性>上記接触角の評価と同様にして、試験用試料を得て、得られた試験用試料を用いて、試験用試料の表面をAFM原子間力顕微鏡を用いて観察することで、表面粗さ算術平均粗さRaの測定を行なった。<誘電率>上記接触角の評価と同様にして、試験用試料を得て、得られた試験用試料を用いて、JISC6481に準じて、10KHz室温で、樹脂膜の誘電率を測定した。誘電率は低いほど好ましい。<積層性>上記接触角の評価と同様にして、試験用試料を得て、得られた試験用試料を用いて、積層性の評価を行った。具体的には、樹脂膜上に、蒸着もしくは塗布の方法により半導体層を形成し、形成した半導体層を目視にて観察し、以下の基準にて積層性に評価を行った。○:半導体塗布後弾き無×:半導体塗布後弾き有<移動度>得られた薄膜トランジスタの電気特性を大気下暗室中にてAgilent社製半導体パラメーターアナライザーAgilent社製、4156Cを用いて評価した結果、p型のトランジスタ素子としての特性を示した。そして、ドレイン電圧Vd=-20Vを固定し、ゲート電圧Vgを10V~-20Vまで変化させることによって、伝達特性の評価を行った。ここで、図4に、有機薄膜トランジスタのドレイン電流―ゲート電圧Id-Vg特性を示す。図4に示すように、有機薄膜トランジスタは飽和領域を有し、本実施例では、この飽和領域から電界効果移動度を求めた。なお、実施例3においては、ドレイン電圧をVd=10Vに固定し、ゲート電圧を-20V~20Vまで変化させることによって、移動度の測定を行なった。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度の算出には、以下の式を用いた。Id=μCinWVg-Vth2/2Lただし、Cinはゲート絶縁膜の単位面積あたりの静電容量、Wはチャネル幅、Lはチャネル長、Vgはゲート電圧、Idはドレイン電流、μは移動度、Vthはチャネルが形成し始めるゲートの閾値電圧である。<リーク電流>薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極の間に20Vの電圧を印加し、ゲート電極に印加する電圧を10V~-20Vに変化させて、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流を、マニュアルプローバーおよび半導体パラメータアナライザーAgilent社製、4156Cを用いて測定することで、リーク電流の測定を行なった。なお、測定は、大気暗室中にて行なった。なお、実施例3においては、ソース電極とドレイン電極の間に20Vの電圧を印加し、ゲート電極に印加する電圧を-20V~20Vに変化させることによって、リーク電流の測定を行なった。《実施例1》<熱架橋性樹脂組成物の調製>樹脂Aとして、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体単位70モル、およびプロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体単位30モルを含有してなる環状オレフィン重合体Mw:6000100部、溶剤として、エチレングリコールジメチルエーテル690部、架橋剤Bとして、エポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス3-シクロヘキセニルメチル修飾ε-カプロラクトン40部、界面活性剤Cとして、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン43ポリオキシエチレンアルキルエーテル570.75部、酸化防止剤として、ペンタエリスリトールテトラキス[3-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート]1.5部を混合し、溶解させた後、孔径0.45μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過して熱架橋性樹脂組成物を調製した。<薄膜トランジスタの作製>1前処理ガラス基板を純水中で超音波洗浄し、エアーブロー乾燥後、100°Cで1時間ベーキングした。2ゲート電極の形成上記のように前処理したガラス基板基板2の上にゲート電極3を形成した図5A。具体的には、このゲート電極3は、ガラス基板上に真空蒸着法によりアルミニウム層を形成し、このアルミニウム層をパターニングすることにより形成した。3ゲート絶縁膜の形成次いで、ゲート電極3が形成されたガラス基板2をスピンコータに設置し、当該ガラス基板2上に上記で調製した熱架橋性樹脂組成物を所定量滴下し、このガラス基板2を約2000rpmの回転速度で約60秒間回転することにより、塗膜を形成した。その後、この膜が形成されたガラス基板2をホットプレートで150°Cの温度で約60分間ベーキングして、ゲート絶縁膜4を得た図5B。4半導体活性層の形成ゲート絶縁膜4の形成後、真空蒸着法により、ペンタセンからなる半導体活性層5を形成した。真空蒸着法において、ペンタセンの堆積速度を約0.03~0.04nm/秒とし、膜厚が約50nmとなるよう堆積時間を調整した。また、真空蒸着の際には、所定の形状の開口部を有するマスクを用いて、半導体活性層5を所定の形状に形成した図5C。5ソース電極およびドレイン電極の形成次いで、ゲート絶縁膜4とガラス基板2の上に真空蒸着法によって金を堆積し、この金層をパターニングすることにより、ソース電極6およびドレイン電極7を形成し、薄膜トランジスタを得た図5D。これらの電極6,7の厚さは、約50nmであった。なお、ソース電極6およびドレイン電極7は、ゲート絶縁膜4とガラス基板2の上に所定のパターンを有するフォトレジスト層を形成し、その上から真空蒸着法により金を堆積し、リフトオフ法によって形成しても良い。そして、上記にて得られた熱架橋性樹脂組成物を用いて、樹脂膜の接触角、表面平坦性、誘電率および積層性の各評価、並びに、薄膜トランジスタを用いて、移動度およびリーク電流の各評価を行った。結果を表1に示す。《実施例2》熱架橋性樹脂組成物を調製する際に、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン43ポリオキシエチレンアルキルエーテル57をアラキル変性ポリメチルアルキルシロキサンに変更した以外は、実施例1と同様にして、熱架橋性樹脂組成物および薄膜トランジスタを得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《実施例3》薄膜トランジスタを製造する際に、ペンタセンからなる半導体層の代わりに、インジウムガリウム亜鉛酸化物IGZOからなる半導体層を形成した以外は、実施例1と同様にして、熱架橋性樹脂組成物を得た。そして、得られた熱架橋性樹脂組成物を用いて、インジウムガリウム亜鉛酸化物IGZOからなる半導体層を有する無機酸化物半導体薄膜トランジスタは以下の手順で作製した。なお、図6に、本実施例で作製した無機酸化物半導体薄膜トランジスタを示す。<無機酸化物半導体薄膜トランジスタの作製>1半導体活性層の形成酸化物半導体ターゲットにInGaZnO4を用い、アルゴンガス下で、スパッタリング法により、基板2上に約30nmの膜厚のIGZOからなる半導体活性層5を形成した。なお、基板温度は室温とした。2ソース電極およびドレイン電極の形成次いで、半導体活性層5および基板2の上にスパッタリング法により、アルミニウムを積層し、このアルミニウム層をパターニングすることにより、ソース電極6およびドレイン電極7を形成した。これらの電極6,7の厚さは、約30nmであった。3ゲート絶縁膜の形成次いで、ソース電極6およびドレイン電極7が形成された基板2をスピンコータに設置し、当該基板2上に実施例1で調製した熱架橋性樹脂組成物を所定量滴下し、この基板2を約2000rpmの回転速度で約60秒間回転することにより、塗膜を形成した。その後、この膜が形成された基板2をホットプレートで130°Cの温度で約60分間ベーキングして、ゲート絶縁膜4を得た。4ゲート電極の形成次いで、ゲート絶縁膜4の上にスパッタリング法により、アルミニウムを積層し、このアルミニウム層をパターニングすることにより、ゲート電極3を形成した。ゲート電極3の厚さは、約30nmであった。これら~4の手順により、チャネル幅W=130μm、チャネル長L=80μmの図6に示すようなトップゲートトップコンタクト型の無機酸化物半導体薄膜トランジスタを得た。そして、得られた熱架橋性樹脂組成物および薄膜トランジスタを用いて、実施例1同様に評価を行った。結果を表1に示す。また、図7に、無機酸化物半導体薄膜トランジスタのドレイン電流―ゲート電圧Id-Vg特性を示す。なお、図7中、1.E-xは、1.0×10-xを意味する。《比較例1》熱架橋性樹脂組成物の代わりに、SiO2を用いてゲート絶縁膜を形成した以外は、実施例1と同様にして、薄膜トランジスタを得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。なお、SiO2からなるゲート絶縁膜は、ゲート電極の形成されたガラス基板上に、CVD法により形成した。また、比較例1においては、接触角、表面平坦性、誘電率および積層性の各評価は、CVD法により、SiO2膜が形成されシリコンウェハからなる試験用試料を得て、得られたSiO2膜試験用試料を用いて行なった。《比較例2》熱架橋性樹脂組成物を調製する際に、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体単位2モル、および極性基を持たない環状オレフィン単量体単位98モルを含有してなる環状オレフィン重合体Mw:6000を用いた以外は、実施例1と同様にして、熱架橋性樹脂組成物および薄膜トランジスタを得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。《比較例3》ゲート絶縁膜を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして、熱架橋性樹脂組成物および薄膜トランジスタを得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。表1に示すように、ゲート絶縁膜を、熱架橋性樹脂組成物を用いて形成し、硬化温度130~150°Cおよび表面接触角70~80°の範囲内とした実施例1~3においては、いずれも、得られるゲート絶縁膜の表面平坦性、誘電率および積層性に優れ、また、半導体素子とした場合における、移動度およびリーク電流に優れるものであった。一方、ゲート絶縁膜を、SiO2で形成した比較例1においては、表面接触角が49°と小さく、得られるゲート絶縁膜は、表面平坦性および誘電率に劣る結果となった。さらに、比較例1の半導体素子は、リーク電流が大きく、また、オン/オフ比が小さ過ぎて、移動度を測定することができなかった。また、ゲート絶縁膜を、熱架橋性樹脂組成物を用いて形成したものの、表面接触角本発明の範囲外である比較例2においては、得られるゲート絶縁膜は、積層性に劣り、そのため、半導体層を良好に積層することができず、移動度およびリーク電流の測定ができるような薄膜トランジスタを得ることができなかった。さらに、ゲート絶縁膜を形成しなかった比較例3においては、得られた半導体素子は、リーク電流が大きく、また、オン/オフ比が小さ過ぎて、移動度を測定することができなかった。"