"ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、露光を行った後、現像を行うリソグラフィーによるパターン形成方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式1で示されるビスフェノール化合物のノボラック樹脂をベース樹脂とすることを特徴とするレジスト保護膜材料。式中、Rαは同一又は異種の水素原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数2~10のアルケニル基、又は炭素数6~10のアリール基であり、Rβは単結合又は炭素数1~40の直鎖状、分岐状又は環状構造を有する2n価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基を有していてもよく、脂肪族不飽和結合を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよく、炭素数6~30の芳香族基を有していてもよい。nは1~4の整数を示す。Rγは単結合、又は直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、芳香族基を有していてもよい。p、qはそれぞれ1~3の整数を示す。前記保護膜材料が、アルカリ現像液に可溶であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト保護膜材料。更に、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノールから選ばれるアルコール系溶媒と、ジイソプロピルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、ジ-sec-ブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-tert-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテルから選ばれるエーテル系溶媒又はトルエン、キシレン、メジチレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、ブチルベンゼン、tert-ブチルベンゼン、アニソールから選ばれる芳香族系溶媒から選ばれる1種以上の溶媒とを混合した有機溶媒を含有する請求項1又は2に記載のレジスト保護膜材料。ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、露光を行った後、現像を行うリソグラフィーによるパターン形成方法において、上記レジスト保護膜材料として請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレジスト保護膜材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、真空中で露光を行うパターン形成方法において、上記レジスト保護膜材料として請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレジスト保護膜材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。露光における波長が3~15nmの範囲、又は露光に電子線を用いることを特徴とする請求項5に記載のパターン形成方法。露光後に行う現像工程において、アルカリ現像液によりフォトレジスト層の現像とレジスト保護膜材料の保護膜の剥離とを同時に行う請求項4乃至6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。下記一般式2で示されるカルボキシル基及び/又はフェノール基の水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位a1、a2から選ばれる1つ以上の繰り返し単位と、下記一般式3で示されるスルホニウム塩の繰り返し単位b1、b2から選ばれる1つ以上の繰り返し単位とを共重合した重量平均分子量が1,000~500,000の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしているフォトレジスト層上に該レジスト保護膜材料による保護膜を形成し、真空中で露光を行うパターン形成方法。一般式2中、R1、R3はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、R2、R4は酸不安定基を表す。X1は単結合、エステル基,ラクトン環,フェニレン基又はナフチレン基のいずれか1種又は2種以上を有する炭素数1~12の連結基、フェニレン基、又はナフチレン基である。X2は単結合、又はエステル基もしくはアミド基である。一般式3中、R5、R9は水素原子又はメチル基、R6、R7、R8、R10、R11、R12は同一又は異種の炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6~12のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。A1は単結合、-A0-C=O-O-又は-A0-O-C=O-であり、A0は炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基で、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよい。A2は水素原子又はCF3基である。Z1は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、-O-R13-、又は-C=O-Z2-R13-である。Z2は酸素原子又はNH、R13は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基、又はアルケニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。0≦a1≦0.9、0≦a2≦0.9、0<a1a2≦0.9、0≦b1≦0.3、0≦b2≦0.3、0<b1b2≦0.3の範囲である。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、レジスト膜の環境からの影響を低減させ、OOB光を効率よく遮断させるだけでなくレジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジスト膜を高感度化させる効果も併せ持つレジスト保護膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、レジスト膜の環境からの影響を低減させ、OOB光を吸収し、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させるために、後述する保護膜を形成することが有効であることを知見した。この保護膜は、アルカリ現像液に可溶とすることができ、レジスト膜の現像と同時に剥離が可能であり、溶媒剥離型の保護膜に比べてプロセスがシンプルであるためにプロセスコストの上昇を最小限に抑えることが可能である。なお、波長13.5nmにおいて、水素原子、炭素原子、珪素原子、硫黄原子の吸収が小さく、酸素原子、フッ素原子の吸収は大きいことが報告されている。前述の特許文献1に記載されているフッ素ポリマーは波長13.5nmに大きな吸収を持つ。レジスト保護膜に吸収があると、レジスト膜の感度が低感度化にシフトする。レーザーパワーが低いEUVリソグラフィーにおいてレジスト膜の低感度化は問題である。よって、レジスト保護膜としては高透明である必要がある。また、前述のフッ素ポリマーはアルカリ現像液に溶解しないために現像前に別途レジスト保護膜専用の剥離カップが必要となり、プロセスが煩雑化する。レジスト膜の現像と同時に剥離可能な保護膜が望ましく、保護膜材料の設計としてアルカリ溶解性基を有する材料が必要となるが、後述する保護膜は、かかる要求に応えられるものである。なお、アルカリ溶解性基としてはカルボキシル基、フェノール基、スルホ基、ヘキサフルオロアルコール基等が挙げられるが、透明性の観点ではヘキサフルオロアルコール基はフッ素原子が6個も存在しているための強い吸収があるため、これを保護膜のアルカリ溶解性基として用いることは好ましくない。ポリヒドロキシスチレンベースのレジスト材料は、EUV照射時の酸発生効率が高いことが報告されている。EUV照射によってフェノール基から酸発生剤へのエネルギー移動による増感効果によって感度が向上する。このため、レジスト膜の感度を上げるためにポリヒドロキシスチレンベースのレジスト材料が検討されている。ポリマー主鎖に酸発生剤PAGを結合したレジストが提案されている。特に主鎖にスルホン酸が結合したスルホニウム塩、ヨードニウム塩の酸発生剤を用いると酸の拡散距離を短くすることによって酸拡散による像のボケを少なくすることができ、微細パターン形成に有利である特許第4425776号公報。PAGがバウンドされたレジスト膜の欠点は感度が低いことである。このため、フェノール基を有するヒドロキシスチレン等を共重合することによって感度向上を図っている。しかしながら、アルカリ溶解速度が向上するフェノール基を有するモノマーの共重合は、レジストパターンの膜減りを生じさせ、好ましいことではない。高感度で、現像後のパターンの膜減りが少ないレジスト保護膜材料の開発が望まれている。従って、本発明は、下記のレジスト保護膜材料及びパターン形成方法を提供するものである。1ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、露光を行った後、現像を行うリソグラフィーによるパターン形成方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式1で示されるビスフェノール化合物のノボラック樹脂をベース樹脂とすることを特徴とするレジスト保護膜材料。式中、Rαは同一又は異種の水素原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数2~10のアルケニル基、又は炭素数6~10のアリール基であり、Rβは単結合又は炭素数1~40の直鎖状、分岐状又は環状構造を有する2n価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基を有していてもよく、脂肪族不飽和結合を有していてもよく、硫黄などのヘテロ原子を有していてもよく、炭素数6~30の芳香族基を有していてもよい。nは1~4の整数を示す。Rγは単結合、又は直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、芳香族基を有していてもよい。p、qはそれぞれ1~3の整数を示す。2前記保護膜材料が、アルカリ現像液に可溶であることを特徴とする1に記載のレジスト保護膜材料。3更に、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノールから選ばれるアルコール系溶媒と、ジイソプロピルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、ジ-sec-ブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-tert-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテルから選ばれるエーテル系溶媒又はトルエン、キシレン、メジチレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、ブチルベンゼン、tert-ブチルベンゼン、アニソールから選ばれる芳香族系溶媒から選ばれる1種以上の溶媒とを混合した有機溶媒を含有する1又は2に記載のレジスト保護膜材料。4ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、露光を行った後、現像を行うリソグラフィーによるパターン形成方法において、上記レジスト保護膜材料として1~3のいずれかに記載のレジスト保護膜材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。5ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、真空中で露光を行うパターン形成方法において、上記レジスト保護膜材料として1~3のいずれかに記載のレジスト保護膜材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。6露光における波長が3~15nmの範囲、又は露光に電子線を用いることを特徴とする5に記載のパターン形成方法。7露光後に行う現像工程において、アルカリ現像液によりフォトレジスト層の現像とレジスト保護膜材料の保護膜の剥離とを同時に行う4~6のいずれかに記載のパターン形成方法。8下記一般式2で示されるカルボキシル基及び/又はフェノール基の水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位a1、a2から選ばれる1つ以上の繰り返し単位と、下記一般式3で示されるスルホニウム塩の繰り返し単位b1、b2から選ばれる1つ以上の繰り返し単位とを共重合した重量平均分子量が1,000~500,000の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしているフォトレジスト層上に該レジスト保護膜材料による保護膜を形成し、真空中で露光を行うパターン形成方法。一般式2中、R1、R3はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、R2、R4は酸不安定基を表す。X1は単結合、エステル基,ラクトン環,フェニレン基又はナフチレン基のいずれか1種又は2種以上を有する炭素数1~12の連結基、フェニレン基、又はナフチレン基である。X2は単結合、又はエステル基もしくはアミド基である。一般式3中、R5、R9は水素原子又はメチル基、R6、R7、R8、R10、R11、R12は同一又は異種の炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6~12のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。A1は単結合、-A0-C=O-O-又は-A0-O-C=O-であり、A0は炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基で、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよい。A2は水素原子又はCF3基である。Z1は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、-O-R13-、又は-C=O-Z2-R13-である。Z2は酸素原子又はNH、R13は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基、又はアルケニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。0≦a1≦0.9、0≦a2≦0.9、0<a1a2≦0.9、0≦b1≦0.3、0≦b2≦0.3、0<b1b2≦0.3の範囲である。本発明のレジスト保護膜材料を適用することによって、大気中のアミンコンタミネーションによるレジストパターンの頭張りを防ぐことができ、レジスト膜への増感効果によってレジスト膜の感度を向上させることができる。保護膜材料に酸発生剤とアミンクエンチャーを添加することによって保護膜中の酸のコントラストを向上させ、レジストパターンのエッジラフネスを低減させ、レジストパターンの矩形性を向上させ、パターン間のブリッジを防ぐことができる。同時に真空中の露光におけるレジスト膜からのアウトガスの発生を抑えることもできる。本発明のレジスト保護膜材料は、アルカリ現像液に可溶とすることができるためにレジスト膜の現像と同時に剥離が可能である。更に、レジスト膜を溶解することが無く、ミキシング層を形成することも無いので、現像後のレジスト形状に変化を与えることがない。更には、EUVレーザーから発生する波長140~300nmのアウトオブバンドOOBの光を吸収し、これにレジスト膜が感光することを防ぐ効果も併せ持つ。本発明のレジスト保護膜材料は、保護膜用ベース樹脂として、炭化水素から形成され、アルカリ可溶性のためのビスフェノール化合物のノボラック樹脂を用いるもので、下記一般式1に示すものである。式中、Rαは同一又は異種の水素原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数2~10のアルケニル基、又は炭素数6~10のアリール基であり、Rβは単結合又は炭素数1~40の直鎖状、分岐状又は環状構造を有する2n価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基を有していてもよく、脂肪族不飽和結合を有していてもよく、硫黄などのヘテロ原子を有していてもよく、炭素数6~30の芳香族基を有していてもよい。nは1~4の整数を示す。Rγは単結合、又は直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、芳香族基を有していてもよい。p、qはそれぞれ1~3の整数を示す。ノボラック樹脂はヒドロキシ基によってアルカリ現像液への溶解速度が向上し、炭素数4以上のアルコール系溶媒への溶解性が向上する。炭素数4以上のアルコール系溶媒はレジスト膜を溶解させづらい特徴がある。保護膜の組成物として、レジスト膜を溶解させない溶媒を用いることによって、保護膜とレジスト膜とのインターミキシングを防止することができる。エーテル系溶媒や芳香族系溶媒はレジスト膜を殆ど溶解させないために、インターミキシング防止の観点では保護膜材料として最も好ましく用いることができる。しかしながら、ポリヒドロキシスチレンやノボラック樹脂、カリックスレゾルシンなどは、エーテル系溶媒や芳香族系溶媒に殆ど溶解しない。これらは炭素数4以上のアルコール系溶媒には溶解するが、炭素数4以上のアルコール系溶媒だけを用いた保護膜を形成すると、現像後のレジストパターンが膜減りを起こす。クレゾールノボラックと比較してビスフェノールノボラックはエーテル系溶媒や芳香族系溶媒への溶解性が高い。エーテル系溶媒や芳香族系溶媒を多く含有する溶媒にビスフェノールノボラック樹脂を溶解させた保護膜材料を用いることで、現像後のレジストパターンの膜減りを抑えることができる。ここで、一般式1で示されるビスフェノール型ノボラック樹脂を得るためのビスフェノール化合物は、特許第4716027号公報に記載されており、具体的には下記に例示することができる。ビスフェノール化合物をノボラック樹脂とする場合は、アルデヒド類の存在下縮合反応を行うのが一般的である。ここで用いられるアルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α-フェニルプロピルアルデヒド、β-フェニルプロピルアルデヒド、o-ヒドロキシベンズアルデヒド、m-ヒドロキシベンズアルデヒド、p-ヒドロキシベンズアルデヒド、o-クロロベンズアルデヒド、m-クロロベンズアルデヒド、p-クロロベンズアルデヒド、o-ニトロベンズアルデヒド、m-ニトロベンズアルデヒド、p-ニトロベンズアルデヒド、o-メチルベンズアルデヒド、m-メチルベンズアルデヒド、p-メチルベンズアルデヒド、p-エチルベンズアルデヒド、p-n-ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、ナフトールアルデヒド等を挙げることができる。これらのうち、特にホルムアルデヒドを好適に用いることができる。これらのアルデヒド類は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。上記アルデヒド類の使用量は、ビスフェノール類1モルに対して0.2~5モルが好ましく、より好ましくは0.5~2モルである。ビスフェノール類とアルデヒド類の縮合反応に触媒を用いることもできる。具体的には、塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸、メタンスルホン酸、カンファースルホン酸、トシル酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の酸性触媒を挙げることができる。これらの酸性触媒の使用量は、ビスフェノール類1モルに対して1×105~5×101モルである。なお、インデン、ヒドロキシインデン、ベンゾフラン、ヒドロキシアントラセン、アセナフチレン、ビフェニル、ビスフェノール、トリスフェノール、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、4-ビニルシクロヘキセン、ノルボルナジエン、5-ビニルノルボルナ-2-エン、α-ピネン、β-ピネン、リモネンなどの非共役2重結合を有する化合物との共重合反応の場合は、必ずしもアルデヒド類は必要ない。重縮合における反応溶媒として、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン又はこれらの混合溶媒を用いることができる。これらの溶媒は、反応原料100質量部に対して0~2,000質量部の範囲である。反応温度は、反応原料の反応性に応じて適宜選択することができるが、通常10~200°Cの範囲である。上記縮合反応方法としては、ビスフェノール類、アルデヒド類、触媒を一括で仕込む方法や、触媒存在下フェノール類、アルデヒド類を滴下していく方法がある。重縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料、触媒等を除去するために、反応釜の温度を130~230°Cにまで上昇させ、1~50mmHg程度で揮発分を除去することができる。上記一般式1で示されるビスフェノール基を有する化合物は単独で重合してもよいが、他のフェノール類を共重合してもよい。共重合可能なフェノール類は、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、2,3-ジメチルフェノール、2,5-ジメチルフェノール、3,4-ジメチルフェノール、3,5-ジメチルフェノール、2,4-ジメチルフェノール、2,6-ジメチルフェノール、2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール、2-t-ブチルフェノール、3-t-ブチルフェノール、4-t-ブチルフェノール、2-フェニルフェノール、3-フェニルフェノール、4-フェニルフェノール、3,5-ジフェニルフェノール、2-ナフチルフェノール、3-ナフチルフェノール、4-ナフチルフェノール、4-トリチルフェノール、レゾルシノール、2-メチルレゾルシノール、4-メチルレゾルシノール、5-メチルレゾルシノール、カテコール、4-t-ブチルカテコール、2-メトキシフェノール、3-メトキシフェノール、2-プロピルフェノール、3-プロピルフェノール、4-プロピルフェノール、2-イソプロピルフェノール、3-イソプロピルフェノール、4-イソプロピルフェノール、2-メトキシ-5-メチルフェノール、2-t-ブチル-5-メチルフェノール、ピロガロール、チモール、イソチモール等を挙げることができる。その他、共重合可能なモノマーを共重合させることができ、具体的には1-ナフトール、2-ナフトール、2-メチル-1-ナフトール、4-メトキシ-1-ナフトール、7-メトキシ-2-ナフトール及び1,5-ジヒドロキシナフタレン、1,7-ジヒドロキシナフタレン、2,6-ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン、3-ヒドロキシ-ナフタレン-2-カルボン酸メチル、インデン、ヒドロキシインデン、ベンゾフラン、ヒドロキシアントラセン、ヒドロキシピレン、アセナフチレン、ビフェニル、ビスフェノール、トリスフェノール、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、4-ビニルシクロヘキセン、ノルボルナジエン、5-ビニルノルボルナ-2-エン、α-ピネン、β-ピネン、リモネン、スルホベンゼン、スルホナフタレン、スルホアントラセン、スルホピレンなどが挙げられ、これらのものを加えた3元以上の共重合体であってもかまわない。これによって得られたノボラック樹脂は、上記式1の繰り返し単位を10~100モル、特に30~100モル含有することが好ましく、また、上記共重合可能なフェノール類に基づく繰り返し単位の含有量は0~90モル、特に0~80モル、上記共重合可能なモノマーに基づく繰り返し単位の含有量は0~90モル、特に0~80モルとすることが好ましい。ノボラック樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の分子量は、重量平均分子量Mwが1,000~30,000、特に2,000~20,000であることが好ましい。分子量分布は1.2~7の範囲内が好ましく用いられるが、モノマー成分、オリゴマー成分又は分子量Mw1,000以下の低分子量体をカットして分子量分布を狭くした方がレジスト膜とのミキシングを防止することができる。保護膜用材料として用いられる溶媒としては特に限定されないが、レジスト膜を溶解させない溶媒である必要がある。レジスト膜を溶解させる溶媒としては、例えば、レジスト溶媒として用いられるシクロヘキサノン、メチル-2-n-アミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノ-tert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類などが挙げられ、これらの溶媒を用いることはできない。フォトレジスト膜を溶解させず、本発明で好ましく用いられる溶媒としては、炭素数4以上の高級アルコール、具体的には1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノールを挙げることができる。炭素数4以上の高級アルコールに加えて、ジイソプロピルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、ジ-sec-ブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-tert-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、メジチレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、ブチルベンゼン、tert-ブチルベンゼン、アニソール等の芳香族系溶媒を混ぜることによってレジスト膜とのミキシングを防止することができる。エーテル系や芳香族系の溶媒の比率は、全溶媒中の50質量以上が好ましく、より好ましくは60質量以上である。なお、高級アルコールの量は5~50質量、特に10~40質量であることが好ましい。また、上記全溶媒の配合量は、上記ベース樹脂100質量部に対し、200~20,000質量部、特に500~10,000質量部が好ましい。本発明のパターン形成方法に用いられる保護膜材料には酸発生剤を含んでもよく、例えば、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物光酸発生剤を含有してもよい。光酸発生剤の成分としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでも構わない。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネート型酸発生剤等がある。これらは単独であるいは2種以上混合して用いることができる。その配合量は、ベース樹脂100質量部に対し、0.1~20質量部、特に0.5~10質量部であることが好ましい。酸発生剤の具体例としては、特開2008-111103号公報の段落[0122]~[0142]に記載されている。保護膜材料に酸発生剤を添加することによって現像後のレジストパターン間のブリッジ欠陥を低減させる効果がある。本発明のパターン形成方法に用いられる保護膜材料にはアミンクエンチャーを含んでもよく、具体的には特開2008-111103号公報の段落[0146]~[0164]に記載されている。アミンクエンチャーを添加することによって現像後のレジストパターンの矩形性を向上させることができる。酸発生剤とアミンクエンチャーを併用することによってレジストパターンのLWRを低減させることができる。その配合量は、ベース樹脂100質量部に対し、0.01~10質量部、特に0.05~5質量部であることが好ましい。本発明のレジスト保護膜材料には特開2008-111103号公報の段落[0165]~[0166]記載の界面活性剤を添加することができる。上記界面活性剤の配合量は、保護膜用ベース樹脂100質量部に対して0.0001~10質量部、特には0.001~5質量部が好適である。本発明のパターン形成方法に用いるフォトレジスト材料としては化学増幅ポジ型レジスト材料が用いられ、一般式2で示されるカルボキシル基及び/又はフェノール基の水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位a1、a2から選ばれる1つ以上の繰り返し単位と、一般式3で示されるスルホニウム塩の繰り返し単位b1、b2から選ばれる1つ以上の繰り返し単位とを共重合した重量平均分子量が1,000~500,000の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしていることが好ましい。このような酸発生剤をポリマー主鎖にバウンドしているポリマーをベースとしたレジスト材料は、現像後のパターンのエッジラフネスLWRが小さいメリットがある。一般式2中、R1、R3はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、R2、R4は酸不安定基を表す。X1は単結合、エステル基,ラクトン環,フェニレン基又はナフチレン基のいずれか1種又は2種以上を有する炭素数1~12の連結基、フェニレン基、又はナフチレン基である。X2は単結合、又はエステル基もしくはアミド基である。一般式3中、R5、R9は水素原子又はメチル基、R6、R7、R8、R10、R11、R12は同一又は異種の炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6~12のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。A1は単結合、-A0-C=O-O-又は-A0-O-C=O-であり、A0は炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基で、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよい。A2は水素原子又はCF3基である。Z1は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、-O-R13-、又は-C=O-Z2-R13-である。Z2は酸素原子又はNH、R13は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基、又はアルケニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。0≦a1≦0.9、0≦a2≦0.9、0<a1a2≦0.9、0≦b1≦0.3、0≦b2≦0.3、0<b1b2≦0.3の範囲である。本発明に係るレジスト材料のベース樹脂となる高分子化合物に含まれる繰り返し単位のうち、上記一般式2中の繰り返し単位a1で表される酸不安定基を有する繰り返し単位は、カルボキシル基、特にはメタアクリレートの水酸基の水素原子を置換したものであり、これを得るためのモノマーは、具体的には下記に例示することができる。式中、R1、R2は前述と同様である。上記一般式2中の繰り返し単位a2で表される酸不安定基を有する繰り返し単位は、フェノール性水酸基、好ましくはヒドロキシスチレン、ヒドロキシフェニルメタアクリレートの水酸基の水素原子を置換したものであり、これを得るためのモノマーは、具体的には下記に例示することができる。式中、R3、R4は前述と同様である。R2、R4で示される酸不安定基は種々選定されるが、同一でも異なっていてもよく、特に下記式A-1~A-3で置換された基で示されるものが挙げられる。式A-1において、R30は炭素数4~20、好ましくは4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基又は上記一般式A-3で示される基を示し、三級アルキル基として具体的には、tert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基等が挙げられ、トリアルキルシリル基として具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル-tert-ブチルシリル基等が挙げられ、オキソアルキル基として具体的には、3-オキソシクロヘキシル基、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル基、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル基等が挙げられる。a1は0~6の整数である。式A-2において、R31、R32は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基等を例示できる。R33は炭素数1~18、好ましくは1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキル基等が例示できる。R31とR32、R31とR33、R32とR33とは結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合には環の形成に関与するR31、R32、R33はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示し、好ましくは環の炭素数は3~10、特に4~10である。上記式A-1の酸不安定基としては、具体的にはtert-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、tert-アミロキシカルボニル基、tert-アミロキシカルボニルメチル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、1-エトキシエトキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。更に、下記式A-1-1~A-1-10で示される置換基を挙げることもできる。ここで、R37は互いに同一又は異種の炭素数1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数6~20のアリール基、R38は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。また、R39は互いに同一又は異種の炭素数2~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数6~20のアリール基である。a1は上記の通りである。上記式A-2で示される酸不安定基のうち、直鎖状又は分岐状のものとしては、下記式A-2-1~A-2-69のものを例示することができる。上記式A-2で示される酸不安定基のうち、環状のものとしては、テトラヒドロフラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロフラン-2-イル基、テトラヒドロピラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロピラン-2-イル基等が挙げられる。また、下記一般式A-2aあるいはA-2bで表される酸不安定基によってベース樹脂が分子間あるいは分子内架橋されていてもよい。式中、R40、R41は水素原子又は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R40とR41は結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはR40、R41は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R42は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、b1、d1は0又は1~10、好ましくは0又は1~5の整数、c1は1~7の整数である。Aは、c11価の炭素数1~50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又はその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。この場合、好ましくは、Aは2~4価の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテトライル基、炭素数6~30のアリーレン基であり、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、アシル基又はハロゲン原子によって置換されていてもよい。また、c1は好ましくは1~3の整数である。一般式A-2a、A-2bで示される架橋型アセタール基は、具体的には下記式A-2-70~A-2-77のものが挙げられる。次に、式A-3においてR34、R35、R36は、炭素数1~20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基等の1価炭化水素基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、R34とR35、R34とR36、R35とR36とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に、炭素数3~20の脂環を形成してもよい。式A-3に示される三級アルキル基としては、tert-ブチル基、トリエチルカルビル基、1-エチルノルボニル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロペンチル基、2-2-メチルアダマンチル基、2-2-エチルアダマンチル基、tert-アミル基等を挙げることができる。また、三級アルキル基としては、下記に示す式A-3-1~A-3-18を具体的に挙げることもできる。式A-3-1~A-3-18中、R43は同一又は異種の炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数6~20のフェニル基等のアリール基を示す。R44、R46は水素原子、又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R45は炭素数6~20のフェニル基等のアリール基を示す。更に、下記式A-3-19、A-3-20に示すように、2価以上のアルキレン基、アリーレン基であるR47を含んで、ポリマーの分子内あるいは分子間が架橋されていてもよい。式A-3-19、A-3-20中、R43は前述と同様、R47は炭素数1~20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、又はフェニレン基等のアリーレン基を示し、酸素原子や硫黄原子、窒素原子などのヘテロ原子を含んでいてもよい。e1は1~3の整数である。特に式A-3の酸不安定基としては、繰り返し単位a1として下記式A-3-21に示されるエキソ体構造を有するメタアクリル酸エステルの繰り返し単位が好ましく挙げられる。式中、R1、a1は前述の通り、Rc3は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示す。Rc4~Rc9及びRc12、Rc13はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示し、Rc10、Rc11は水素原子又は炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示す。Rc4とRc5、Rc6とRc8、Rc6とRc9、Rc7とRc9、Rc7とRc13、Rc8とRc12、Rc10とRc11又はRc11とRc12は互いに環を形成していてもよく、その場合には環の形成に関与する基は炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を示す。またRc4とRc13、Rc10とRc13又はRc6とRc8は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。また、本式により、鏡像体も表す。ここで、一般式A-3-21に示すエキソ構造を有する繰り返し単位を得るためのエステル体のモノマーとしては特開2000-327633号公報に示されている。具体的には下記に挙げることができるが、これらに限定されることはない。次に式A-3に示される酸不安定基としては、繰り返し単位a1として下記式A-3-22に示されるフランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基を有するメタアクリル酸エステルの酸不安定基を挙げることができる。式中、R1、a1は前述の通りである。Rc14、Rc15はそれぞれ独立に炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。又は、Rc14、Rc15は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Rc16はフランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基から選ばれる2価の基を示す。Rc17は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。フランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基を有する酸不安定基で置換された繰り返し単位を得るためのモノマーは下記に例示される。なお、Acはアセチル基、Meはメチル基を示す。繰り返し単位a1の酸不安定基R2としては、下記一般式A-3-23で示されるものであってもよい。式中、R231は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基又はアルコキシカルボニル基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。m23は1~4の整数である。式A-3-23で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位a1を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位a1の酸不安定基R2は、下記一般式A-3-24で示される酸不安定基であってもよい。式中、R241、R242は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは水素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を有していてもよい炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、又は炭素数6~10のアリール基である。R243、R244、R245、R246は水素原子、あるいはR243とR244、R244とR245、R245とR246が結合してベンゼン環を形成してもよい。m24、n24は1~4の整数である。式A-3-24で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位a1を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位a1の酸不安定基R2は、下記一般式A-3-25で示される酸不安定基であってもよい。式中、R251は同一又は異種で、水素原子、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、m25が2以上の場合、R251同士が結合して炭素数2~8の非芳香環を形成してもよく、円は炭素CAとCBとのエチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基から選ばれる結合を表し、R252は炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは式A-3-24のRと同様の意味を示す。円がエチレン基、プロピレン基のとき、R251が水素原子となることはない。m25、n25は1~4の整数である。式A-3-25で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位a1を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位a1の酸不安定基R2は、下記一般式A-3-26で示される酸不安定基であってもよい。式中、R261、R262は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは式A-3-24のRと同様の意味を示す。m26、n26は1~4の整数である。式A-3-26で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位a1を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位a1の酸不安定基R2は、下記一般式A-3-27で示される酸不安定基であってもよい。式中、R271、R272は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは式A-3-24のRと同様の意味を示す。m27、n27は1~4の整数である。Jはメチレン基、エチレン基、ビニレン基、又は-CH2-S-である。式A-3-27で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位a1を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位a1の酸不安定基R2は、下記一般式A-3-28で示される酸不安定基であってもよい。式中、R281、R282は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは式A-3-24のRと同様の意味を示す。m28、n28は1~4の整数である。Kはカルボニル基、エーテル基、スルフィド基、-S=O-、又は-S=O2-である。式A-3-28で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位a1を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。上記一般式3中のスルホニウム塩を有する繰り返し単位b1、b2を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示することができる。本発明のパターン形成方法に用いられるレジストのベース樹脂としては、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位a1、酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位a2、主鎖に結合したスルホン酸のスルホニウム塩の酸発生剤を有する繰り返し単位b1、b2とを共重合することを特徴とするが、更に、密着性基としてフェノール性水酸基を有する繰り返し単位cを共重合することができる。フェノール性水酸基を有する繰り返し単位cを得るためのモノマーは、具体的には下記に示すことができる。更には他の密着性基として、フェノール性水酸基以外のヒドロキシ基、カルボキシル基、ラクトン環、カーボネート基、チオカーボネート基、カルボニル基、環状アセタール基、エーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、シアノ基、アミド基、-O-C=O-G-Gは硫黄原子又はNHであるから選ばれる密着性基を有する繰り返し単位dを共重合することができる。繰り返し単位dを得るためのモノマーとしては、具体的には下記に例示することができる。ヒドロキシ基を有するモノマーの場合、重合時にヒドロキシ基をエトキシエトキシ基などの酸によって脱保護し易いアセタール基で置換しておいて重合後に弱酸と水によって脱保護を行ってもよいし、アセチル基、ホルミル基、ピバロイル基等で置換しておいて重合後にアルカリ加水分解を行ってもよい。更に、インデン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、アセナフチレン、クロモン、クマリン、ノルボルナジエン及びこれらの誘導体eを共重合することもでき、具体的には下記に例示することができる。上記繰り返し単位以外に共重合できる繰り返し単位fとしては、スチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルピレン、メチレンインダンなどが挙げられる。本発明の保護膜形成材料に組み合わせるレジストポリマーに用いられるa1、a2、b1、b2、c、d、e、fの共重合比率は、0≦a1≦0.9、0≦a2≦0.9、0<a1a2≦0.9、0≦b1≦0.3、0≦b2≦0.3、0<b1b2≦0.3、0≦c<1.0、0≦d<1.0、0≦e<1.0、0≦f<1.0、0.7≦a1a2b1b2cd≦1.0であり、好ましくは0≦a1≦0.8、0≦a2≦0.8、0.1≦a1a2≦0.8、0≦b1≦0.3、0≦b2≦0.3、0.02≦b1b2≦0.3、0≦c≦0.8、0≦d≦0.8、0≦e≦0.5、0≦f≦0.5、0.8≦a1a2b1b2cd≦1.0であり、更に好ましくは0≦a1≦0.7、0≦a2≦0.7、0.1≦a1a2≦0.7、0≦b1≦0.3、0≦b2≦0.3、0.02≦b1b2≦0.25、0≦c≦0.7、0≦d≦0.7、0≦e≦0.4、0≦f≦0.4であり、0.85≦a1a2b1b2cd≦1.0である。また、a1a2b1b2cdef=1である。これら高分子化合物を合成するには、1つの方法としては、例えば繰り返し単位a1、a2、b1、b2、及び必要に応じc、d、e、fで示されるモノマーを、有機溶媒中、ラジカル重合開始剤を加え加熱重合を行い、共重合体の高分子化合物を得ることができる。重合時に使用する有機溶媒としてはトルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等が例示できる。重合開始剤としては、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等が例示でき、好ましくは50~80°Cに加熱して重合できる。反応時間としては2~100時間、好ましくは5~20時間である。ヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレンを共重合する場合は、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレンの代わりにアセトキシスチレン、アセトキシビニルナフタレンを用い、重合後上記アルカリ加水分解によってアセトキシ基を脱保護してポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシポリビニルナフタレンにする方法もある。アルカリ加水分解時の塩基としては、アンモニア水、トリエチルアミン等が使用できる。また反応温度としては-20~100°C、好ましくは0~60°Cであり、反応時間としては0.2~100時間、好ましくは0.5~20時間である。レジスト材料に用いられる高分子化合物は、それぞれテトラヒドロフランTHF溶液によるゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量が1,000~500,000、好ましくは2,000~30,000であるのが望ましい。重量平均分子量が1,000以上であれば、レジスト材料が耐熱性に優れるものとなり、500,000以下であれば、アルカリ溶解性が低下することもなく、パターン形成後に裾引き現象が生じることもない。更に、レジスト材料に用いられる高分子化合物においては、多成分共重合体の分子量分布Mw/Mnが広い場合は低分子量や高分子量のポリマーが存在するために、露光後、パターン上に異物が見られたり、パターンの形状が悪化したりする。それ故、パターンルールが微細化するに従ってこのような分子量、分子量分布の影響が大きくなり易いことから、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト材料を得るには、使用する多成分共重合体の分子量分布は1.0~2.0、特に1.0~1.5と狭分散であることが好ましい。ここに示される高分子化合物は、特にポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適で、このような高分子化合物をベース樹脂とし、これに有機溶媒、酸発生剤、溶解阻止剤、塩基性化合物、界面活性剤等を目的に応じ適宜組み合わせて配合してポジ型レジスト材料を構成することによって、露光部では前記高分子化合物が触媒反応により現像液に対する溶解速度が加速されるので、極めて高感度のポジ型レジスト材料とすることができ、レジスト膜の溶解コントラスト及び解像性が高く、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好でありながら、より優れたエッチング耐性を示し、特に酸拡散を抑制できることから粗密寸法差が小さく、これらのことから実用性が高く、特に超LSI用レジスト材料として非常に有効なものとすることができる。特に、酸発生剤を含有させ、酸触媒反応を利用した化学増幅ポジ型レジスト材料とすると、より高感度のものとすることができると共に、諸特性が一層優れたものとなり極めて有用なものとなる。次に、本発明のレジスト保護膜材料を用いたパターン形成方法について説明する。本発明のパターン形成方法は、少なくとも、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、該フォトレジスト膜の上に、前記本発明のレジスト保護膜材料を用いてレジスト保護膜を形成する工程と、露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含む。まず、基板上にフォトレジスト膜を形成する。成膜方法としては、例えば、スピンコート法などが挙げられる。この時、フォトレジスト膜材料のスピンコーティングにおけるディスペンス量を削減するために、フォトレジスト溶媒あるいはフォトレジスト溶媒と混用する溶液で基板を塗らした状態でフォトレジスト膜材料をディスペンスしスピンコートするのが好ましい例えば、特開平9-246173号公報参照。これにより、フォトレジスト膜材料の溶液の基板への広がりが改善され、フォトレジスト膜材料のディスペンス量を削減できる。レジスト膜の膜厚は10~500nm、特に20~300nmとすることが好ましい。次に、フォトレジスト膜の上に、本発明のレジスト保護膜材料を用いてレジスト保護膜を形成する。成膜方法としては、例えば、スピンコート法などが挙げられる。レジスト保護膜材料のスピンコートにおいても、前述のフォトレジスト膜と同様のプロセスが考えられ、レジスト保護膜材料の塗布前にフォトレジスト膜の表面を溶媒で塗らしてからレジスト保護膜材料を塗布してもよい。形成するレジスト保護膜の膜厚は2~200nm、特には5~50nmとすることが好ましい。フォトレジスト膜の表面を溶媒で塗らすには回転塗布法、ベーパープライム法が挙げられるが、回転塗布法がより好ましく用いられる。この時用いる溶媒としては、前述のフォトレジスト膜を溶解させない高級アルコール、エーテル系、フッ素系溶媒の中から選択されるのがより好ましい。本発明のレジスト保護膜のアルカリ溶解速度は、3nm/s以上の溶解速度であることが好ましく、より好ましくは5nm/s以上の溶解速度である。レジスト膜上に保護膜を形成した後に露光を行う。露光における波長は3~15nmの範囲、又は露光に電子線を用いることができる。露光時の環境としては、EUV、EB共に真空中である。露光後、必要に応じてベークポストエクスポージャベーク;PEBを行い、現像を行う。現像工程では、例えば、アルカリ現像液で3~300秒間現像を行う。アルカリ現像液としては2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液が一般的に広く用いられている。テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の代わりにテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いることもできる。この場合、現像工程において、アルカリ現像液を用いて現像し、前記フォトレジスト膜にレジストパターンを形成すると同時に、フォトレジスト膜上のレジスト保護膜の剥離を行うのが好ましい。このようにすれば、従来装置に剥離装置を増設することなく、より簡便にレジスト保護膜の剥離を行うことができる。なお、上記工程に加え、エッチング工程、レジスト除去工程、洗浄工程等のその他の各種工程が行われてもよい。以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例等に制限されるものではない。また、下記例で、Mw、Mnはそれぞれ溶媒としてテトラヒドロフランを用いたGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量及び数平均分子量である。[実施例、比較例]保護膜用のビスフェノールノボラック樹脂としては、以下に示す材料を用いた。下記に示す添加化合物及び溶媒を混合し、下記表1に示す組成のレジスト保護膜溶液TC-1~15、比較TC-1~5を作製した。比較TC-5では、比較保護膜用ポリマー1が4-メチル-2-ペンタノールとジイソペンチルエーテルとの混用溶媒に溶解しなかった。シリコン基板上にレジスト保護膜溶液TC-1~15、比較TC-1~4をスピンコートし、100°Cで60秒間ベークして、20nm膜厚のレジスト保護膜TC-1~15、比較TC-1~4を形成した。次に、上記方法でレジスト保護膜を形成したシリコン基板を用いて、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液で30秒間現像し、現像後のレジスト保護膜の膜厚を測定した。その結果を表2に示す。現像後、レジスト保護膜は全て溶解していることが確認された。シリコン基板上にレジスト保護膜溶液TC-1、比較TC-2をスピンコートし、100°Cで60秒間ベークして、20nm膜厚のレジスト保護膜TC-1、比較TC-2を形成し、J.A.Woollam社製分光エリプソメトリで膜のn、k値を測定し、得られたk値から膜厚20nmにおける透過率を求めた。結果を図1実施例1、図2比較例2に示す。EUV評価通常のラジカル重合で得られた下記高分子化合物を用いて、下記表3に示される組成で溶解させた溶液を、0.2μmサイズのフィルターで濾過してポジ型レジスト材料1,2を調製した。得られたポジ型レジスト材料を直径8インチφのSi基板上に、膜厚35nmで積層された信越化学工業株製の珪素含有SOG膜SHB-A940上に塗布し、ホットプレート上で、105°Cで60秒間プリベークして50nmのレジスト膜を作製した。その上に保護膜溶液をスピンコートし、ホットプレート上で、100°Cで60秒間プリベークして20nm膜厚のレジスト保護膜を作製した。EUVマイクロステッパーNA0.3、クアドルポール照明で露光した。その後OOB光の照射を仮定して、ArFエキシマレーザースキャナーで、ウエハー全面1mJ/cm2で露光し、次いでKrFエキシマレーザースキャナーでウエハー全面1mJ/cm2で露光し、ホットプレート上で、95°Cで60秒間ポストエクスポージャベークPEBを行い、2.38質量のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行い、ポジ型のパターンを得た。比較例10では、レジストの上に保護膜の作製を行わなかった。比較例11では、レジストの上に保護膜の作製を行わず、更にはOOBを仮定したArFとKrFの露光も行わなかった。その結果を表4に示す。本発明の保護膜は、溶媒としてレジスト膜とのミキシングを防止できるエーテル系あるいは芳香族系の溶媒を多く含有しているためにレジスト膜へのダメージが少なく、レジスト膜と保護膜とのミキシングが少なく、従って現像後のレジストパターンが矩形である。EUV光透明性が高く、レジストに対して増感作用のあるフェノール基を多く含有しているためにレジスト膜の感度を向上させる。更には、本発明の保護膜に用いられているヒドロキシスチレンとアセナフチレン共重合ポリマーは、波長180~250nmの幅広い吸収を持っているので、OOBの遮蔽効果が高い。比較例2,7に係るレジスト保護膜材料のポリマーは、アミルエーテルへの溶解性が高いものの、OOBの吸収が少ないためにArFとKrFの露光によって感光が進行し、テーパー形状になってしまっただけでなく、EUV光に吸収を有するフッ素原子を含有しているためにレジスト膜の感度が低下してしまった。保護膜を形成せずにArFとKrFの露光を行った場合比較例10はテーパー形状になってしまった。保護膜を形成せずにArFとKrFの露光を行わない場合比較例11はパターンは矩形であるが、実際のEUVスキャナーでは、レーザーパワー不足によりOOBをカットするフィルターが装着されない可能性が高く、ArFやKrFによる疑似OOB照射の実験は、EUVスキャナー露光を模擬したものである。"