上部に置かれる基板を固定するために静電力を発生する静電電極が配置されながら第1熱伝達係数を有する静電層と、前記静電層の下部に配置され、前記基板を加熱するための発熱電極が配置されながら前記第1熱伝達係数より高い第2熱伝達係数を有する発熱層と、を含む静電チャック。前記発熱層は、窒化アルミニウムAlNに酸化マグネシウムMgO、酸化イットリウムY2O3、または、これらの混合物が含まれたセラミック物質からなることを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。前記第2熱伝達係数は、150~250W/mKであることを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。前記発熱層は、前記発熱電極と同じ厚さを有しながら、前記発熱電極の側面を取り囲んだ構造を有することを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。前記静電層は、1~5mmの厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。前記発熱層の上部表面は、前記静電層の下部表面と接触する構造を有するように配置することを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。前記発熱層の下部に配置され、前記第1熱伝達係数より低い第3熱伝達係数を有する断熱層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。前記断熱層は、0.05~0.5mmの厚さを有することを特徴とする請求項7に記載の静電チャック。前記断熱層は、その上部表面が前記発熱層の下部表面と接触する構造を有するように配置することを特徴とする請求項7に記載の静電チャック。基板を処理するための空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバと連結され、前記基板を処理するための工程ガスを前記工程チャンバの内部に提供するガス提供部と、前記工程チャンバの内部に配置され、前記工程ガスを介して処理される基板を支持しながら固定する静電チャックと、を含み、前記静電チャックは、上部に前記基板が置かれ、前記基板を固定するための静電力を発生する静電電極が配置されながら第1熱伝達係数を有する静電層と、前記静電層の下部に配置され、前記基板を加熱するための発熱電極が配置されながら前記第1熱伝達係数より高い第2熱伝達係数を有する発熱層と、を含むことを特徴とする基板処理装置。前記発熱層は前記発熱電極と同じ厚さを有しながら前記発熱電極の側面を取り囲んだ構造を有することを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。前記発熱層の上部表面は、前記静電層の下部表面と接触するように配置し、前記発熱層の下部表面は前記断熱層の上部表面と接触するように配置することを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。本発明の目的は、静電力を利用して基板を支持固定しながら前記基板を均一に加熱することのできる静電チャックを提供することにある。また、本発明の他の目的は、前記の静電チャックを含む基板処理装置を提供することにある。上述した本発明の目的を達成するために、一特徴による静電チャックは静電層及び発熱層を含む。前記静電層は、上部に置かれる基板を固定するために静電力を発生する静電電極が配置されながら第1熱伝達係数を有する。前記発熱層は、前記静電層の下部に配置され、前記基板を加熱するための発熱電極が配置されながら前記第1熱伝達係数より高い第2熱伝達係数を有する。ここで、前記発熱層は、窒化アルミニウムAlNに酸化マグネシウムMgO、酸化イットリウムY2O3が単独またはこれらの混合物から構成されるセラミック物質からなることができる。また、前記第2熱伝達係数は、150~250W/mKであることができる。また、前記発熱層は、前記発熱電極と同じ厚さを有しながら前記発熱電極の側面を取り囲んだ構造を有することができる。また、前記静電層は、1~5mmの厚さを有することができる。一方、前記静電チャックは、前記発熱層の下部に配置されて前記第1熱伝達係数より低い第3熱伝達係数を有する断熱層をさらに含むことができる。これに、前記断熱層は0.05~0.5mmの厚さを有することができる。また、前記発熱層の上部表面は、前記静電層の下部表面と接触するように配置することができ、前記発熱層の下部表面は前記断熱層の上部表面と接触するように配置することができる。上述した本発明の他の目的を達成するために、一特徴による基板処理装置は、工程チャンバ、ガス提供部、及び静電チャックを含む。前記工程チャンバは、基板を処理するための空間を提供する。前記ガス提供部は前記工程チャンバと連結されて、前記基板を処理するための工程ガスを前記工程チャンバの内部に提供する。前記静電チャックは、前記工程チャンバの内部に配置されて、前記工程ガスを介して処理される基板を支持して固定する。これに、前記静電チャックは、上部に前記基板が置かれられ、前記基板を固定するための静電力を発生する静電電極が配置されながら第1熱伝達係数を有する静電層、及び、前記静電層の下部に配置されて前記基板を加熱するための発熱電極が配置されながら前記第1熱伝達係数より高い第2熱伝達係数を有する発熱層を含むことができる。これに、前記発熱層は、前記発熱電極と同じ厚さを有しながら前記発熱電極の側面を取り囲んだ構造を有することができる。そして、前記発熱層の上部表面は、前記静電層の下部表面と接触するように配置でき、前記発熱層の下部表面は、前記断熱層の上部表面と接触するように配置することができる。このような静電チャック及びそれを含む基板処理装置によれば、上部に置かれる基板を固定するために静電力を発生する静電電極が配置されながら第1熱伝達係数を有する静電層の下部に、前記基板を加熱するための発熱電極が配置された発熱層を前記第1熱伝達係数より高い第2熱伝達係数を有するように構成することによって、前記発熱電極から発生した熱が前記発熱層から優先的かつ均一に広がるようにした後、相対的に低い第1熱伝達係数を有する前記静電層を介して前記基板に提供されるようにすることによって、前記基板を均一に加熱することができる。従って、前記基板を工程ガスを介して処理し製造される半導体素子またはディスプレイ素子のような集積回路素子の品質を向上させることができる。以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態に係る静電チャック及びそれを含む基板処理装置について詳細に説明する。本発明は多様な変更を加えることができ、種々の形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示して本明細書に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物ないし代替物を含むと理解するべきである。各図面を説明しながら類似の参照符号を類似の構成要素に対して使った。添付した図面において、構造物のサイズは本発明の明確性を期するために実際より拡大して示した。第1、第2等の用語は多様な構成要素を説明するのに使用しているが、これらの構成要素がこのような用語によって限定されるものではない。これらの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的としてのみ使う。例えば、本発明の権利範囲から逸脱しなければ、第1構成要素は第2構成要素と命名することができ、同様に第2構成要素も第1構成要素と命名することができる。本明細書で使用する用語は単に特定の実施形態を説明するために使用するもので、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。本明細書で、含むまたは有する等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品または、これを組み合わせたのが存在するということを指定しようとするものであって、一つまたは、それ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品または、これを組み合わせたものの存在または、付加の可能性を、予め排除しないことと理解するべきである。一方、別に定義しない限り、技術的或いは科学的用語を含み、本明細書中において使用される全ての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、一般的に理解するのと同一の意味を有する。一般的に使用される辞書において定義する用語と同じ用語は関連技術の文脈上に有する意味と一致する意味を有するものと理解するべきで、本明細書において明白に定義しない限り、理想的或いは過度に形式的な意味として解釈してはならない。図1は本発明の一実施例による静電チャックを概略的に示した構成図であり、図2は図1の静電チャックで静電層、発熱層、及び断熱層を具体的に示した図面である。図1及び図2を参照すれば、本発明の一実施例による静電チャック100は静電層200、発熱層300、断熱層400、及び支持本体500を含む。静電層200は上部に置かれる基板10を支持する。ここで、基板10は集積回路素子の半導体素子またはディスプレイ素子を製造するためのウェハwaferまたはガラス板でありうる。静電層200には基板10を固定するために静電力を発生する静電電極210が配置される。ここで、静電電極210は、静電層200の内部に広いプレート形態で埋設されることができる。静電電極210は、熱膨張率が低いタングステンWまたはモリブデンMoからなることができる。静電層200は絶縁性のセラミック物質からなる。具体的に、静電層200は酸化アルミニウムAl2O3、または、酸化イットリウムY2O3が基本物質でなることができる。例えば、静電層200は、約90~96の含有量の酸化アルミニウムAl2O3に酸化マグネシウムMgO、または、酸化ケイ素SiO2が添加された形態を有するか、または、約90以上の含有量の酸化イットリウムY2O3に酸化アルミニウムAl2O3が添加された形態を有することができる。このような場合、静電層200は、体積抵抗が約1014~1016Ωcmを有することになって高絶縁性を表し、約10~30W/mKの第1熱伝達係数を有することができる。発熱層300は静電層200の下部に配置される。発熱層300には基板10を加熱するために熱を発生する発熱電極310が配置される。発熱電極310は基板10を約0~100°Cに加熱するための約1~100Ωの抵抗を有するように、厚さは約0.005~0.3mm、幅は約0.5~10mm、長さは約3~30mで構成することができる。これに、発熱電極310は平面的に見た時、螺旋形状または凹凸形状にして均一に配置されることができる。また、発熱電極310は、銀Ag、金Au、ニッケルNi、タングステンW、モリブデンMo、またはチタンTiなどの金属ペーストを介して製造し、基板10を加熱するための温度を実現することができる。これとは違って、発熱電極310は、タングステンW、モリブデンMo、またはチタンTiなどの粉末素材を介して製造されることもでき、金Au、ニッケルNi、チタンTi、または窒化チタンTiNなどの薄膜素材を介して製造されることもできる。発熱層300は発熱電極310の側面を取り囲んだ構造を有する。この時、発熱層300は、発熱電極310の全側面を全部取り囲むことができるように発熱電極310と同じ厚さt1を有することが望ましい。これに、発熱層300は、上段面と下段面が上部及び下部に露出して、上段面は静電層200に接触し、下段面は断熱層400に接触する。即ち、発熱層300の上部表面は静電層200の下部表面と接触し、発熱層300の下部表面は断熱層400の上部表面と接触する。言及したように、発熱層300が発熱電極310の側面を取り囲むと、発熱層300の熱伝導率が高くなり、その結果、発熱層300自体も発熱電極の役割をするという利点がある。即ち、発熱層300が発熱電極310の側面を取り囲む構造を有することによって発熱電極310の役割をする部分が拡大される。また、発熱層300の厚さt1は、発熱電極310より厚く構成されることができる。この時、発熱層300の厚さt1が発熱電極310より約15倍超過する場合には、基板10を約0~100°Cに加熱させるために発熱電極310から熱を過多に発生させるだけでなく、その厚さt1が過度に厚くなって静電層200と基板10に効率的に熱を伝達されることができず、また、過剰な熱応力による疲労によって発熱電極310が破損されるおそれもある。従って、発熱層300の厚さt1は、発熱電極310より約15倍内で厚く構成することが望ましい。発熱層300は、螺旋形状または凹凸形状を有する発熱電極310の互いに対向する部分で互いに絶縁されるように絶縁性セラミック物質からなる。また、発熱層300は、発熱電極310から発生した熱が側面方向に最大限均一に広がるようにするために静電層200の約10~30W/mKの第1熱伝達係数より高い第2熱伝達係数を有する。これに、第2熱伝達係数が約150W/mK未満の場合には、発熱電極310から発生した熱が発熱層300と静電層200を経て基板10から伝達される速度が遅くて工程時間が長くなるから望ましくなく、約250W/mKを超過する場合には発熱電極310から発生した熱が発熱層300と静電層200を経て基板10に伝達される速度は非常に速くなるが、発熱層300と静電層200の各々の第1及び第2熱伝達係数の差が非常に大きくて発熱層300と静電層200の温度偏差が非常に速く広がることになるので、これによる熱応力または熱ショックによって静電層200が疲労が累積し破損されるおそれがあるから望ましくない。従って、第2熱伝達係数は発熱層300から、発熱電極310よりの熱が基板10に均一に広がるようにするために、約150~250W/mKを有することが望ましい。このために、発熱層300は他のセラミック物質に比べて熱伝導性が優秀な窒化アルミニウムAlNを約90の含有量で用意して、これに酸化マグネシウムMgOまたは酸化イットリウムY2O3などを添加して製造することができる。具体的に、発熱層300は、前記の物質をセラミックバルク、セラミックペースト、またはセラミック薄膜などの形態で構成して製造することができ、その方法としては、接着方式、ペーストプリンティング方式、または蒸着方式を利用することができる。このように製造された発熱層300は、静電層200と類似の約108~1016Ωcmの体積抵抗を有することになって高絶縁性を表すことができる。このように、静電電極210が配置されながら第1熱伝達係数を有する静電層200の下部に発熱電極310が配置された発熱層300を第1熱伝達係数より高い第2熱伝達係数を有するように構成することによって、発熱電極310から発生した熱が発熱層300から優先的に均一に広がるようにした後、相対的に低い第1熱伝達係数を有する静電層200を介して基板10に提供することによって、基板10が均一に加熱されるようにすることができる。この時、静電層200の厚さt2が、約1mm未満の場合には、発熱層300から広がった熱を均一に拡散させることが容易ではないので望ましくなく、約5mmを超過する場合には熱が基板10に伝達される効率が減少して基板10を望む温度に加熱することが容易ではないので望ましくない。従って、静電層200は、約1~5mmの厚さt2を有することが望ましい。断熱層400は発熱層300の下部に配置される。断熱層400は発熱電極310から下部に発生した熱を遮断して上部に誘導する。このために、断熱層400は発熱層300の第2熱伝達係数のみならず、静電層200の第1熱伝達係数よりもさらに低い第3熱伝達係数を有する。これに、断熱層400は、酸化ケイ素SiO2、酸化マグネシウムMgO、酸化亜鉛ZnOなどのように高温焼成タイプのガラス系セラミック物質からなることができる。これとは違って、断熱層400は、シリコン、アクリル、エポキシなどのポリマ物質が単独からなることができるし、または、2つ以上を混合した物質からなることもできる。これに、断熱層400の第3熱伝達係数は、約0.5~5W/mKで示すことができ、また、静電層200及び発熱層300と類似の約108~1016Ωcmの体積抵抗を有することができる。一方、断熱層400の厚さt3が、約0.05mm未満の場合には、下部に配置される支持本体500の流路510に流れる冷却流体の影響で基板10の温度が均一にならないだけでなく、基板10に伝達される熱の効率が落ちることになって、発熱電極310から不必要に多量の熱を発生させなければならなくなるから望ましくない。また、前記のような場合には断熱層400の下部に配置された支持本体500に比較的多量の熱が伝達されることによって、それを冷却させるために流路510に多量の冷却流体を流したり、または、冷却に長い時間を必要とするので望ましくない。反面、断熱層400の厚さt3が、約0.5mmを超過する場合には、発熱電極310から熱を遮断する効果に変化がないので構造上において望ましくない。従って、断熱層400は厚くなくて、発熱電極310から支持本体500に伝達される熱を効果的に遮断できる約0.05~0.5mmの厚さt3を有することが望ましい。支持本体500は断熱層400の下部に配置される。支持本体500は、断熱層400との間に配置された接着層600を介して断熱層400を支持して、全体的に受け台役割を遂行する。支持本体500は内部に均一に分布した流路510を有する。これに、支持本体500は、流路510に冷却流体を流すことによって、断熱層400から一部伝達された熱を冷却させることができる。図3は本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に示した構成図である。本実施例において、静電チャックは図1及び図2に図示した構成と同じ構成を有するので、同じ参照番号を使ってその重複される詳細な説明は省略する。図3を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理装置1000は、工程チャンバ700、ガス提供部800、及び静電チャック100を含む。工程チャンバ700は、半導体素子またはディスプレイ素子のような集積回路素子を製造するために基板10を処理する空間を提供する。例えば、工程チャンバ700では基板10を対象にしてエッチング工程が遂行されることができる。この時、工程チャンバ700の内部はエッチング工程がより円滑に行われるように高真空状態が維持されることができる。ガス提供部800は工程チャンバ700と連結される。ガス提供部800は基板10を処理するための工程ガス20を外部から工程チャンバ700の内部に提供する。この時、ガス提供部800は、円滑な提供のために工程チャンバ700の上部に連結されることができる。ここで、工程ガス20は、エッチング工程の時に必要なプラズマの生成のための不活性ガス、または、実質的なエッチングのためのソースガスでありうる。一方、ガス提供部800には工程チャンバ700の内部でプラズマが生成されるように外部から高周波電圧が印加されることができる。静電チャック100は工程チャンバ700の内部に配置される。具体的に、静電チャック100は工程チャンバ700の下部に配置されて基板10を支持しながら固定する。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について詳細に説明したが、本発明の実施例はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものとされる。