原料ガスを10m/s以上の噴出速度で噴出する原料ガス噴出部と、テープ状基材を支持するとともに伝熱により加熱するサセプタと、前記サセプタを加熱するヒータと、前記ヒータが前記原料ガスと接触するのを防止するために不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、を有する反応室を備え、前記原料ガスを化学反応させることにより、前記テープ状基材の表面に超電導層を成膜するCVD装置であって、前記原料ガス噴出部から噴出された前記原料ガスを前記テープ状基材の表面に案内する原料ガス輸送路を、前記サセプタから所定間隔だけ離間して配設したことを特徴とするCVD装置。前記反応室の長手方向に沿って前記サセプタが配設され、このサセプタの直下にヒータが配設され、前記サセプタの幅方向両側縁部に沿って前記不活性ガス導入部の導入口が形成されており、前記原料ガス輸送路が、前記サセプタの幅よりも狭い開口端を有し、前記サセプタの幅方向中央に形成される前記テープ状基材の走行領域に沿って配設されていることを特徴とする請求項1に記載のCVD装置。前記原料ガス輸送路と前記サセプタとの離間距離が、前記原料ガス輸送路の開口端の幅より小さいことを特徴とする請求項2に記載のCVD装置。前記原料ガス輸送路の開口端に、前記サセプタ面と平行に幅方向外側に延び、先端が前記サセプタの側縁部より幅方向中央側に位置するフランジが形成されていることを特徴とする請求項2又は3に記載のCVD装置。前記反応室が、前記原料ガス輸送路を通過する原料ガスの温度を制御する温度制御部を有することを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載のCVD装置。ところで、図6、7に示す反応室10Cにおいては、反応室10C内が高温かつ低圧であるために、原料ガス噴出部11から噴出するガス速度は10m/s以上の高速となる。そのため、原料ガス噴出部11から噴出された原料ガスが、テープ状基材Tへ到達する前に間隙12aから導入される不活性ガスと接触することにより、不活性ガスの巻き込み現象が生じる。そして、不活性ガスが巻き込まれると、原料ガスが拡散されて濃度が低下し、テープ状基材Tへの成膜に寄与する原料ガスの量が低下するため、原料収率が低下してしまう。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、原料収率の向上を図ることができるCVD装置を提供することをと目的とする。請求項1に記載の発明は、原料ガスを10m/s以上の噴出速度で噴出する原料ガス噴出部と、テープ状基材を支持するとともに伝熱により加熱するサセプタと、前記サセプタを加熱するヒータと、前記ヒータが前記原料ガスと接触するのを防止するために不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、を有する反応室を備え、前記原料ガスを化学反応させることにより、前記テープ状基材の表面に超電導層を成膜するCVD装置であって、前記原料ガス噴出部から噴出された前記原料ガスを前記テープ状基材の表面に案内する原料ガス輸送路を、前記サセプタから所定間隔だけ離間して配設したことを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のCVD装置において、前記反応室の長手方向に沿って前記サセプタが配設され、このサセプタの直下にヒータが配設され、前記サセプタの幅方向両側縁部に沿って前記不活性ガス導入部の導入口が形成されており、前記原料ガス輸送路が、前記サセプタの幅よりも狭い開口端を有し、前記サセプタの幅方向中央に形成される前記テープ状基材の走行領域に沿って配設されていることを特徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のCVD装置において、前記原料ガス輸送路と前記サセプタとの離間距離が、前記原料ガス輸送路の開口端の幅より小さいことを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項2又は3に記載のCVD装置において、前記原料ガス輸送路の開口端に、前記サセプタ面と平行に幅方向外側に延び、先端が前記サセプタの側縁部より幅方向中央側に位置するフランジが形成されていることを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項1から4の何れか一項に記載のCVD装置において、前記反応室が、前記原料ガス輸送路を通過する原料ガスの温度を制御する温度制御部を有することを特徴とする。本発明によれば、ヒータの劣化を防止するために反応室内に導入される不活性ガスが原料ガスに巻き込まれるのを抑制できるので、テープ状基材に超電導体層を成膜する際の原料収率を格段に向上することができる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本実施形態のCVD装置の概略構成を示す図である。図1に示すように、CVD装置1は、テープ状基材Tを巻き取り走行させる基材搬送部40、超電導薄膜の原料を供給する原料溶液供給部30、原料溶液を気化させて反応室10へ供給する気化器20、テープ状基材Tの表面に薄膜を形成する反応室10等を備えて構成されている。原料溶液供給部30は、テープ状基材Tの表面に形成される薄膜の原料溶液例えば、YBCOの原料であるY、Ba、Cuのジケトンによるそれぞれの金属錯体を適宜な分量のテトラヒドロフランTHFに溶解させた溶液を各々所定の分量ずつ混合して気化器20へと供給する。気化器20は、原料溶液供給部30から供給された原料溶液をキャリアガス例えばArとともに噴霧して加熱することにより、気化させる。その後、気化した原料ガスをO2と混合して、反応室10へと供給する。基材搬送部40は、テープ状基材Tを往復搬送可能に構成されており、反応室10内においてテープ状基材Tを所定速度で搬送する。テープ状基材Tは、幅10mm程度のテープ形状を有し、例えば、金属基板上に超電導体の結晶粒を二軸配向して成膜させるための中間層を形成したものが用いられる。反応室10は、気化器20から供給された原料ガスを、内部を走行するテープ状基材Tに向けて噴出して化学反応させることにより、テープ状基材の表面に超電導体層を成膜する。また、反応室10は、テープ状基材Tを支持するとともに伝熱により加熱するサセプタ14と、サセプタ14を加熱するヒータ15を備えている。すなわち、CVD装置1は、コールドウォール型CVD装置である。図2は反応室10の内部構造を示す平面図、図3は図2のA-A断面の模式図である。なお、反応室10は横長の直方体形状を有しているものとし、反応室10の短手方向テープ状基材Tの走行方向に直交する方向を幅方向と呼ぶ。図2、3に示すように、反応室10の底壁には、テープ状基材Tの走行方向反応室10の長手方向に延びる開口部12が形成されており、この開口部12にサセプタ14が配設されている。サセプタ14は、走行するテープ状基材Tを支持するとともに、伝熱により加熱する熱伝導プレートである。サセプタ14の幅方向中央の領域が、テープ状基材Tの走行領域となる。サセプタ14は、周縁部が反応室10の底壁から所定の間隙12aをもって離間した状態で配設される。テープ状基材Tに超電導体層を成膜する際、サセプタ14を700~800°Cで保持する必要があるが、反応室10の底壁とサセプタ14が密接していると、伝熱によりサセプタ14の高温保持が困難となるためである。サセプタ14の直下には、サセプタ14より一回り小さいヒータ例えばSiC製のセラミックヒータ15が配設されている。このヒータ15でサセプタ14が所定の温度に加熱されることにより、テープ状基材Tの表面が適切な温度超電導体層の成膜温度に保持される。また、反応室10の底壁とサセプタ14の間隙12aからは不活性ガス例えばN2が導入される。この不活性ガスは、原料ガスが間隙12aからヒータ15の設置空間に流入することにより、ヒータ15が劣化するのを防止するために導入される。つまり、反応室10は、間隙12aを導入口とする不活性ガス導入部を有している。反応室10の上壁には、原料ガス噴出部11が配設されている。原料ガス噴出部11は、反応室10の上壁の幅方向中央に長手方向に沿って形成された矩形状の原料ガス噴出口11aを有している。この原料ガス噴出口11aには、多数の細孔例えばφ1.5mmが形成されたメッシュ板が配設され、このメッシュ板の細孔から原料ガス及びキャリアガスが所定の噴出速度で噴出される。テープ状基材Tに超電導体層を成膜する場合、原料ガスの噴出速度は10m/s以上に設定される。また、反応室10の上壁には、サセプタ14とほぼ同一幅で矩形状の第1遮蔽板16、16が、原料ガス噴出口11aの長手方向両端に垂設されている。この第1遮蔽板16は、超電導体層を成膜するための成膜温度に対して耐熱性を有するとともに、原料ガスと反応しない材料例えばSUSで構成される。また、第1遮蔽板16は、テープ状基材Tを走行可能とするため、サセプタ14の上面テープ状基材Tの走行面から所定間隔だけ離間して配設されている。2枚の第1遮蔽板16、16で挟まれた領域成膜領域において、テープ状基材Tに超電導体層が成膜される。つまり、第1遮蔽板16、16で原料ガスの長手方向の拡散を抑制することにより、成膜領域において良質な超電導体層が成膜されるようにしている。なお、第1遮蔽板16の下端部に、トンネル状に切欠部を形成して、この切欠部をテープ状基材Tが通過するようにしてもよい。また、第1遮蔽板16の下端面から、又は第1遮蔽板16に沿って下方に、遮蔽ガス例えばArを噴出して、成膜領域と非成膜領域予熱領域との境界にガスカーテンを形成するようにしてもよい。反応室10の底壁において、サセプタ14の幅方向両側には、成膜領域に対応する長さの排気口13aを有する排気部13が配設されている。排気部13は、排気ポンプ図示略を備え、未反応の原料ガスやキャリアガス等を反応室10の外部に排気する。さらに、本実施形態では、反応室10の上壁に、成膜領域の長さ第1遮蔽板16、16の配置間隔に相当とほぼ同一幅で矩形状の第2遮蔽板17、17が、原料ガス噴出口11aの幅方向両側に長手方向に沿って垂設されている。この第2遮蔽板17は、第1遮蔽板16と同様に、超電導体層を成膜するための成膜温度に対して耐熱性を有するとともに、原料ガスと反応しない材料例えばSUSで構成される。また、原料ガス等を排気部13に向けて排気するため、第2遮蔽板17はサセプタ14の上面から所定間隔だけ離間して配設されている。そして、第2遮蔽版17、17の両端が第1遮蔽板16、16に接合されることにより、原料ガス輸送路LGが形成されている。つまり、原料ガス噴出部11から噴出された原料ガスは、原料ガス輸送路LGによってテープ状基材Tの表面に案内される。このように、反応室10は、原料ガスを所定の噴出速度で噴出する原料ガス噴出部11、テープ状基材Tを支持するとともに伝熱により加熱するサセプタ14、サセプタ14を加熱するヒータ15を有し、更に、ヒータ15の設置空間に原料ガスが流入するのを防止するため、反応室10内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入部不活性ガス導入口12aを有している。そして、原料ガス噴出部11からテープ状基材Tの表面に原料ガスを案内する原料ガス輸送路LGが配設されている。具体的には、反応室の長手方向に沿ってサセプタ14が配設され、このサセプタ14の直下にヒータ15が配設され、サセプタ14の幅方向両側縁部に沿って不活性ガス導入部の導入口間隙12aが形成されている。そして、原料ガス輸送路LGが、サセプタ14の幅よりも狭い開口端を有し、サセプタ14の幅方向中央に形成されるテープ状基材Tの走行領域に沿って配設されている。原料ガスは、第1遮蔽板16及び第2遮蔽版17によって形成された原料ガス輸送路LGによってテープ状基材Tの近傍まで輸送されるので、テープ状基材Tに到達するまでに間隙12a不活性ガス導入部から導入された不活性ガスと接触しにくくなる。つまり、ヒータ15の劣化を防止するために反応室10内に導入される不活性ガスが、原料ガスに巻き込まれるのを抑制できるので、テープ状基材Tに超電導体層を成膜する際の原料収率を格段に向上することができる。ここで、原料ガス輸送路LGとサセプタ14との離間距離、特に、第2遮蔽版17とサセプタ14の離間距離は、原料ガス輸送路LGの開口端の幅第2遮蔽版17、17の配置間隔に相当より小さいことが望ましい。これにより、原料ガス輸送路LGからの原料ガスの排気速度が増大するので、不活性ガスが原料ガスに巻き込まれるのをさらに抑制でき、原料収率の向上を図ることができる。[実施例1]実施例1では、図3に示す成膜装置において、原料ガス噴出口11aからサセプタ14までの距離を60mm、第2遮蔽板17とサセプタ14との離間距離を30mm、原料ガス輸送路LGの開口端の幅を18mmとした。この成膜装置を用いて、中間層が形成された0.1mm厚の金属基板テープ上に、YBa2Cu3O7yからなる超電導層を1μm成膜した。このときの反応温度は770°C、反応圧力は10Torrとした。また、比較例1として、第2遮蔽板17のない成膜装置図7参照を用いて、実施例1と同様にYBCO層を成膜した。表1に示すように、実施例1では比較例1に比べて、超電導層1μm厚の製造速度すなわち原料収率に改善がみられた。なお、原料ガス輸送路LGとサセプタ14とが近すぎると、原料ガス輸送路LGがサセプタ14からの輻射熱により加熱されやすくなる。そうすると、原料ガス輸送路LGを通過する原料ガスがテープ状基材Tに到達する前に反応してしまう虞があり、原料収率が低下する要因となる。そこで、原料ガス輸送路LGとサセプタ14との離間距離は、4mm以上であることが望ましい。[変形例1]図4は、変形例1に係る反応室10Aの内部構造を示す平面図である。図4に示す反応室10Aの構成は、実施形態の反応室10とほぼ同様であるので、重複する部分についての説明は省略する。なお、反応室10Aにおいて、実施形態の反応室10と同一の構成要素には同一の符号を付している。図4に示すように、反応室10Aでは、原料ガス輸送路LGの開口端に、サセプタ14の上面と平行に幅方向外側に延びるフランジ17aが形成されている。また、フランジ17aの先端は、サセプタ14の側縁部不活性ガス導入口となる間隙12aの端部より幅方向中央側に位置している。フランジ17aの先端が間隙12aまで覆っていると、不活性ガスが原料ガス輸送路LG内に流入しやすくなるためである。このように、原料ガス輸送路LGの開口端にフランジ17aを形成することにより、不活性ガスが原料ガスに巻き込まれるのを効率よく抑制することができるので、さらに原料収率の向上を図ることができる。例えば、フランジ17aの長さを10mm以上、かつフランジ17aの先端を、サセプタ14の側縁部より10mm以上の範囲で幅方向中央側に位置させた場合に、原料収率の向上が顕著となる。[変形例2]図5は、変形例2に係る反応室10Bの内部構造を示す平面図である。図5に示す反応室10Bの構成は、実施形態の反応室10とほぼ同様であるので、重複する部分についての説明は省略する。なお、反応室10Bにおいて、実施形態の反応室10と同一の構成要素には同一の符号を付している。図5に示すように、反応室10Bでは、原料ガス噴出部11の近傍に、原料ガス輸送路LGを通過する原料ガスの温度を制御する温度制御部18が配設されている。原料ガス噴出部11の近傍とは、例えば反応室10Bの上壁における原料ガス噴出口11aの周縁領域である。また、温度制御部18としては、例えば冷却オイルまたは冷却水を反応室構造体内部または原料ガス噴出部11の近傍に設置した冷媒管に循環させる方法が好適である。また、第2遮蔽板17の内部または第2遮蔽板17に接触している冷媒管に冷却オイルを循環させる方法も有効である。[実施例2]実施例2では、図5に示す成膜装置において、温度制御部18となる冷却オイルを70°Cで導入して、実施例1と同様にYBCO層の成膜を行った。温度制御部18が設けられている以外は、実施例1で用いた成膜装置と寸法を含め同じである。また、第2遮蔽板17とサセプタ14との離間距離を8mmとし、離間距離の影響についても調べた。表2に示すように、実施例1と比較して実施例2-1では、わずかではあるが、1μm厚の製造速度すなわち原料収率に改善が見られた。また、実施例1では第2遮蔽板17の原料ガス輸送路LG側に原料付着が認められたが、実施例2-1では原料付着は確認されなかった。また、実施例2-2では、サセプタ14との離間距離を8mmとすることで、超電導層1μm厚の製造速度原料収率が格段に向上した。このように、温度制御部18を設けるとともに、サセプタ14との離間距離を近づけることで、よりいっそう原料収率が向上することを確認できた。なお、実施形態のように原料ガス輸送路LGを配設すると、原料ガス輸送路LG第1遮蔽板16、第2遮蔽版17がサセプタ14からの輻射熱により加熱される。そのため、原料ガス輸送路LGを通過する原料ガスがテープ状基材Tに到達する前に反応してしまい、特に高温となる原料ガス噴出口11aで目詰まり等の不具合が生じる虞がある。変形例2の反応室10Bでは、温度制御部18により原料ガスが適正な温度例えば300°Cに保持されるので、原料ガス輸送路LG内が高温となり原料ガスが反応してしまうのを効果的に抑制することができる。なお、変形例2の反応室10Bにおいて、変形例1のように原料ガス輸送路LGの開口端にフランジ17aを設けるようにしてもよい。以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。例えば、反応室10内におけるサセプタ14やヒータ15の配置態様は実施形態に示したものに制限されない。すなわち、原料ガスがヒータに接触するのを防止するために、反応室に不活性ガスを導入するようにした構造であれば、反応室内にサセプタ及びヒータが配設された構造のCVD装置にも本発明を適用できる。また、実施形態では、第1遮蔽板16と第2遮蔽板17により原料ガス輸送路LGを構成するようにしているが、断面矩形の一つの管状部材で原料ガス輸送路LGを構成するようにしてもよい。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。