第1の発光素子と、前記第1の発光素子に電気的に接続されたリードの一部と、前記第1の発光素子が放射する光を検知する第1の受光素子と、前記第1の受光素子に電気的に接続されたリードの一部と、を、第1の樹脂で覆った第1の成型体と、第2の発光素子と、前記第2の発光素子に電気的に接続されたリードの一部と、前記第2の発光素子が放射する光を検知する第2の受光素子と、前記第2の受光素子に電気的に接続されたリードの一部と、を、前記第1の樹脂で覆った第2の成型体と、前記第1の成型体と前記第2の成型体とを、第2の樹脂で一体に成型した第3の成型体と、を備え、複数の前記リードのうちの前記第1の成型体と前記第2の成型体とに跨って配置されたリードのうちの、前記第1の成型体と前記第2の成型体との間に延在する部分の表面が、前記第1の樹脂からなる薄膜に覆われた半導体装置。第1のリードと、前記第1のリードに固着された第1の発光素子と、前記第1のリードから離間して配置され、第1のワイヤを介して前記第1の発光素子に電気的に接続された第2のリードと、前記第1のリードおよび前記第2のリードから離間して配置された第3のリードと、前記第3のリードに固着された第2の発光素子と、前記第1のリード、前記第2のリードおよび前記第3のリードから離間して配置され、第2のワイヤを介して前記第2の発光素子に電気的に接続された第4のリードと、前記第1のリード、前記第2のリード、前記第3のリードおよび前記第4のリードから離間して配置され、第1のマウント部と第2のマウント部とを有する第5のリードと、前記第1のマウント部に固着され、前記第1の発光素子が放射する光を検知する第1の受光素子と、前記第2のマウント部に固着され、前記第2の発光素子が放射する光を検知する第2の受光素子と、前記第1のリード、前記第2のリード、前記第3のリード、前記第4のリードおよび前記第5のリードから離間して配置され、第3のワイヤを介して前記第1の受光素子に電気的に接続された第6のリードと、前記第1のリード、前記第2のリード、前記第3のリード、前記第4のリード、前記第5のリードおよび前記第6のリードから離間して配置され、第4のワイヤを介して前記第2の受光素子に電気的に接続された第7のリードと、前記第1のリードの前記第1の発光素子が固着された部分と、前記第1のワイヤと、前記第2のリードの前記第1のワイヤがボンディングされた部分と、前記第1の受光素子が固着された前記第1のマウント部と、前記第3のワイヤと、前記第6のリードの前記第3のワイヤがボンディングされた部分と、を覆う第1の成型部と、前記第3のリードの前記第2の発光素子が固着された部分と、前記第2のワイヤと、前記第4のリードの前記第2のワイヤがボンディングされた部分と、前記第2の受光素子が固着された前記第2のマウント部と、前記第4のワイヤと、前記第7のリードの前記第4のワイヤがボンディングされた部分と、を覆う第2の成型部と、前記第1の成型部と、前記第2の成型部と、前記第1のマウント部と前記第2のマウント部との間の前記第5のリードの一部であって、前記第1の成型部と前記第2の成型部との間に延在する前記第5のリードの一部と、を一体に成型した第3の成型部と、を備え、前記第5のリードの一部は、前記第1の成型部および前記第2の成型部に含まれる第1の樹脂からなる薄膜に覆われ、前記第3の成型体に含まれる第2の樹脂が前記薄膜を覆った半導体装置。前記第1の発光素子の発光面と、前記第1の受光素子の受光面と、は、対向して配置され、前記第2の発光素子の発光面と、前記第2の受光素子の受光面と、は、対向して配置された請求項1または2に記載の半導体装置。前記第1の樹脂の主成分と、前記第2の樹脂の主成分と、は、同じである請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体装置。第1の発光素子が固着された前記第1のリードと、第1のワイヤを介して前記第1の発光素子に電気的に接続された第2のリードと、第2の発光素子が固着された第3のリードと、第2のワイヤを介して前記第2の発光素子に電気的に接続された第4のリードと、を有する第1のフレームと、第1のマウント部に第1の受光素子が固着され、第2のマウント部に第2の発光素子が固着された第5のリードと、第3のワイヤを介して前記第1の受光素子に電気的に接続された第6のリードと、第4のワイヤを介して前記第2の受光素子に電気的に接続された第7のリードと、を有する第2のフレームと、を準備する工程と、前記第1のフレームと、前記第2のフレームと、を組み合わせて金型にセットし成型する工程であって、前記第1の発光素子の発光面と、前記第1の受光素子の受光面と、を対向させた状態で、前記第1のリードの前記第1の発光素子が固着された部分と、前記第2のリードの前記第1のワイヤがボンディングされた部分と、前記第1の受光素子が固着された前記第1のマウント部と、前記第6のリードの前記第3のワイヤがボンディングされた部分と、を前記金型の第1のキャビティに収容し、前記第2の発光素子の発光面と、前記第2の受光素子の受光面と、を対向させた状態で、前記第3のリードの前記第2の発光素子が固着された部分と、前記第4のリードの前記第2のワイヤがボンディングされた部分と、前記第2の受光素子が固着された前記第2のマウント部と、前記第7のリードの前記第4のワイヤがボンディングされた部分と、を前記金型の第2のキャビティに収容し、前記第1のマウント部と前記第2のマウント部との間の前記第5のリードの一部を、前記第1のキャビティから前記第2のキャビティに連通するギャップに収容し、前記第1のキャビティと、前記第2のキャビティと、前記ギャップと、に第1の樹脂を充填する工程と、前記第1のキャビティにおいて成型された第1の成型部と、前記第2のキャビティにおいて成型された第2の成型部と、前記第1の樹脂からなる薄膜に覆われた前記第5のリードの一部と、を覆う第2の樹脂からなる第3の成型部を形成する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。実施形態は、チャネル間のクロストークを抑制し、絶縁耐圧を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。実施形態に係る半導体装置は、第1の発光素子と、前記第1の発光素子に電気的に接続されたリードの一部と、前記第1の発光素子が放射する光を検知する第1の受光素子と、前記第1の受光素子に電気的に接続されたリードの一部とを、第1の樹脂で覆った第1の成型体を備える。また、第2の発光素子と、前記第2の発光素子に電気的に接続されたリードの一部と、前記第2の発光素子が放射する光を検知する第2の受光素子と、前記第2の受光素子に電気的に接続されたリードの一部とを、前記第1の樹脂で覆った第2の成型体を備える。そして、前記第1の成型体と前記第2の成型体とを、第2の樹脂で一体に成型した第3の成型体をさらに備える。複数の前記リードのうちの前記第1の成型体と前記第2の成型体とに跨って配置されたリードのうちの、前記第1の成型体と前記第2の成型体との間に延在する部分の表面は、前記第1の樹脂からなる薄膜に覆われている。以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。図1は、一実施形態に係る半導体装置100を示す模式図である。図1aは、外観を示す斜視図であり、図1bは、図1aに示すIb-Ib線に沿った断面図である。半導体装置100は、例えば、フォトカップラであり、発光素子と受光素子とを内蔵する。図1aに示すように、半導体装置100は、樹脂パッケージ10と、樹脂パッケージ10から延出した複数の端子リードと、を有する。図1bに示すように、発光素子7および受光素子13は、それぞれ離間して配置されたリード5および15に固着され樹脂パッケージ10の内部に封じられる。リード5に固着された発光素子7、および、リード15に固着された受光素子13は、対向して配置される。すなわち、発光素子7の発光面と、受光素子13の受光面と、が向き合って配置され、発光素子7が放射する信号光を受光素子13が検知する。樹脂パッケージ10は、発光素子7と受光素子13とを封じる内部モールド9と、その外側を覆う外部モールド3と、を有する。内部モールド9は、例えば、透明樹脂からなり、発光素子7が放射する光を透過し、受光素子13の受光面に入射させる。一方、外部モールド3は、外部の光を遮光する樹脂からなり、受光素子13の暗電流抑制し、ノイズレベルを低減する。内部モールド9に用いられる透明樹脂は、発光素子7から放射される光を100透過することが望ましいが、一部を吸収しても良い。例えば、エポキシ樹脂を用いることができる。外部モールド3には、好ましくは、内部モールド9と同じ主成分を有する樹脂を用いる。これにより、内部モールド9と外部モールド3との間の密着性を向上させることができる。外部モールド3を形成する樹脂には、外部の光を吸収する部材を拡散させる。例えば、エポキシ樹脂にカーボンを拡散させた、所謂、黒樹脂を用いることができる。さらに、外部の光を反射する部材を拡散した、所謂、白樹脂を用いても良い。例えば、酸化チタンの微粉末を拡散したエポキシ樹脂を用いても良い。ここで、外部の光とは、発光素子7が放射する光を除いた背景光であり、例えば、受光素子13が感度を有する波長範囲の光をいう。図2aは、半導体装置100を上面から見た透視図である。また、図2bは、図2aにおけるIIb-IIb線に沿った断面図である。本実施形態に係る半導体装置100は、2組の発光素子7および受光素子13を備え、2チャンネルの信号を伝送する。図2aに示すように、受光素子13が固着されるリード15は、第1のマウント部15aと、第2のマウント部15bと、を有する以下、マウント部15aおよびマウント部15b。さらに、リード15は、マウント部15aにつながり樹脂パッケージ10の外に延出する部分を有する。また、受光素子13が検出した信号を出力する2つのリード17aおよび17bが設けられる。さらに、受光素子13に電力を供給するリード19が設けられる。一方、発光素子7は、マウント部15aおよびマウント部15bに対向して配置されたリード5aおよび5b図3a参照に固着される。また、発光素子7に金属ワイヤを介して電気的に接続されるリード6aおよび6bが設けられる。このように、半導体装置100では、1次側のリードとして発光素子7に駆動電流を供給するリード5a、5b、6aおよび6bが設けられる。一方、受光素子13から信号を出力する2次側には、リード15、17a、17bおよび19が設けられる。図2bに示すように、リード15のマウント部15aに、第1の受光素子である受光素子13aが固着され、マウント部15bに、第2の受光素子である受光素子13bが固着される。一方、リード5aには、第1の発光素子である発光素子7aが固着され、リード5bには、第2の発光素子である発光素子7bが固着される。そして、発光素子7aの発光面と、受光素子13aの受光面と、が対向して配置され、発光素子7bの発光面と、受光素子13bの受光面と、が対向して配置される。マウント部15aに固着された受光素子13aと、リード5aに固着された発光素子7aとは、第1の成型体である内部モールド9aに第1の樹脂を用いて封じられる。また、マウント部15bに固着された受光素子13bと、リード5bに固着された発光素子7bとが、第2の成型体である内部モールド9bに第1の樹脂を用いて封じられる。第1の樹脂は、前述した透明樹脂である。内部モールド9aおよび9bは、第3の成型体である外部モールド3に覆われる。外部モールド3は、遮光性を有する第2の樹脂により成型される。そして、内部モールド9aと内部モールド9bとの間に、遮蔽部3aが設けられる。遮蔽部3aは、受光素子13bの方向に伝播する発光素子7aの光を遮蔽し、受光素子13aの方向に伝播する発光素子7bの光を遮蔽する。これにより、チャネル間のクロストークを抑制する。リード15の一部であって、マウント部15bとマウント部15aとの間をつなぐ接続部15cは、内部モールド9aおよび9bと同じ第1の樹脂からなる薄膜9cに覆われる。本実施形態では、内部モールド9aおよび9bは、薄膜9cを介してつながった同一の樹脂からなり、その内部にリード15が封じられた状態となる。また、発光素子7aおよび7bが固着されたリード5aおよび5bも、同じ樹脂に封じられる。さらに、図2aに示すように、受光素子13aおよび13bに電力を供給するリード19も、内部モールド9aおよび9bに跨って設けられる。そして、内部モールド9aに封じられる部分と、内部モールド9bに封止られる部分と、それらの間をつなぐ接続部19aを有する。そして、接続部19aも薄膜9cに覆われる。すなわち、内部モールド9aおよび9bに跨って封じられるリードの接続部には、その表面を覆う薄膜9cが設けられる。これにより、1次側に設けられるリード5a、5b、6aおよび6bと、2次側に設けられるリード15、17a、17bおよび19と、の間の絶縁耐圧を向上させることができる。図3は、リード5aおよび6aと、リード15と、の間の電流リークの経路を例示する模式図である。例えば、内部モールド9a、9bおよび外部モールド3を構成する樹脂の絶縁耐圧が十分高いとすれば、内部モールド9aもしくは9bと、外部モールド3と、の間の界面に電流リークの経路が生じる。すなわち、内部モールド9aおよび9bと、外部モールド3と、の間の密着性が低下し、外部から侵入した水分が絶縁性を低下させることがある。図3aに示すように、例えば、リード6aとリード15との間のリーク経路として、内部モールド9aと外部モールド3との間の界面に沿った経路A1が考えられる。また、図3bに示すように、リード5aとリード15との間の経路A2が考えられる。これに対し、例えば、接続部15cを覆う薄膜9cが無い場合、接続部15cは、内部モールド9aから外部モールド3へ界面を横切って延出し、さらに、外部モールド3から内部モールド9bへ界面を横切って挿入された状態となる。このため、例えば、図3aに示すように、リード5aと、リード15の接続部15cと、の間にリーク経路Bが生じる。リーク経路Bにおけるリード5aと接続部15cとの間の距離、所謂、延面距離は、経路A1もしくはA2の延面距離よりも短い。したがって、経路Bの絶縁抵抗は、経路A1もしくはA2の絶縁抵抗よりも小さい。このため、リード15の接続部15cを覆う薄膜9cを設けない場合は、1次側のリード6aおよびリード5aと、2次側のリード15との間の絶縁耐圧が低下する。このように、内部モールド9aと、内部モールド9bと、の間に跨って設けられるリードの接続部15cおよび19aを薄膜9cで覆うことにより、延面距離の短い経路Bをなくし、リード間の延面距離を伸ばすことができる。そして、半導体装置100の絶縁耐圧を向上させることができる。次に、図4~図7を参照して、半導体装置100の製造過程について説明する。図4は、半導体装置100の製造に用いられるリードフレームを示す模式図である。また、図5~図7は、各工程におけるリードフレームの状態を示す模式図である。図4aは、第1のフレームであるリードフレーム20に発光素子7aおよび7bが固着された状態を示す。図4bは、第2のフレームであるリードフレーム30に受光素子13aおよび13bが固着された状態を示している。図4aに示すリードフレーム20には、共通フレーム31から延在する第1~第4のリードが設けられる。第1~第4のリードの先端は、それぞれ相互に離間して設けられる。第1のリードであるリード5aの先端には、マウント部5cが設けられ、発光素子7aが固着される。そして、第2のリードであるリード6aは、第1のワイヤ21aを介して発光素子7aに電気的に接続される。一方、第3のリードであるリード5bの先端には、マウント部5dが設けられ、発光素子7bが固着される。第4のリードであるリード6bは、第2のワイヤ21bを介して発光素子7bに電気的に接続される。発光素子7aおよび7bは、例えば、導電性の銀Agペーストを介して、それぞれマウント部5cおよび5dに固着される。ワイヤ21aおよび21bは、例えば、金Auワイヤであり、発光素子7aおよび7bのそれぞれの電極と、リード6aおよび6bのそれぞれの先端部と、の間にボンディングされる。図4bに示すリードフレーム30には、共通フレーム33から延在する4つのリードが設けられる。4つのリードは第5~第7のリードを含み、それぞれの先端は相互に離間して設けられる。第5のリードであるリード15の先端には、マウント部15aと15bとが設けられる。マウント部15aには、受光素子13aが固着され、マウント部15bには、受光素子13bが固着される。受光素子13aおよび13bは、例えば、接着樹脂もしくはAgペーストを介して固着することができる。また、受光素子13aおよび13bがシリコンデバイスである場合、リード15の表面と、受光素子13aおよび13bの裏面と、の間にシリサイド層を介して固着することもできる。受光素子13aおよび13bは、それぞれ受光面13cと、電源端子13eと、信号端子13fと、接地端子13gと、を有する。電源端子13eは、ワイヤ23aおよび23bを介してリード19に接続される。受光素子13aの信号端子13fは、第3のワイヤ22aを介して、第6のリードであるリード17aに接続される。受光素子13bの信号端子13fは、第4のワイヤ22bを介して、第7のリードであるリード17bに接続される。さらに、接地端子13gは、ワイヤ24aおよび24bを介して、リード15に接続される。ワイヤ22~24は、例えば、Auワイヤである。次に、図5に示す成型工程により、内部モールド9aおよび9bを形成する。図5aは、上金型41と、下金型42と、の間にリードフレーム20とリードフレーム30とを重ねてセットした状態を示す断面図である。図5bは、上金型41と、下金型42と、を型締めした状態を示す断面図である。図5aに示すように、リードフレーム20とリードフレーム30とを重ね、下金型42にセットする。この際、発光素子7aの発光面7cと、受光素子13aの受光面13cと、を対向させ、発光素子7bの発光面7cと、受光素子13bの受光面13cと、を対向させるように配置する。続いて、上金型41と下金型42とを型締めし、第1のキャビティ43および第2のキャビティ45を形成する。キャビティ43には、リード5aの発光素子7aが固着された部分と、リード6aのワイヤ21aがボンディングされた部分と、ワイヤ21aと、受光素子13aが固着されたマウント部15aと、リード17aのワイヤ22aがボンディングされた部分と、ワイヤ22aと、リード19のワイヤ23aがボンディングされた部分と、ワイヤ23aと、を収容する。キャビティ45には、リード5bの発光素子7bが固着された部分と、リード6bのワイヤ21bがボンディングされた部分と、ワイヤ21bと、受光素子13bが固着されたマウント部15bと、リード17bのワイヤ22bがボンディングされた部分と、ワイヤ22bと、リード19のワイヤ23bがボンディングされた部分と、ワイヤ23bと、を収容する。さらに、マウント部15aとマウント部15bとの間のリード15の一部である接続部15cを、キャビティ43からキャビティ45に連通するギャップ47に収容する。次に、キャビティ45に連通するランナー49aを介して、溶融された第1の樹脂をキャビティ45に注入する。さらに、本実施形態では、キャビティ45からキャビティ43に連通するスルーゲート49bが設けられる。これにより、キャビティ45に注入した第1の樹脂がキャビティ43に移動し、キャビティ43および45の両方の内部に充填される。そして、接続部15を収容したギャップ47の内部にも第1の樹脂が充填される。この際、ギャップ47を介してキャビティ45からキャビティ43へ溶融樹脂を移動させることも可能である。しかしながら、チャネル間のクロストークを抑制するために、ギャップ47の間隔を狭くし、接続部15cの周りに薄膜状の樹脂をモールドする場合、キャビティ45からキャビティ43へ樹脂がスムーズに移動しないことがある。そこで、キャビティ45からキャビティ43へ樹脂を注入するためのスルーゲート49bを別に設けることが好ましい。さらに、キャビティ45へ溶融樹脂を注入するランナー49aと、スルーゲート49bは、キャビティ43および45の底面からの高さが同じになるように設けると良い。また、溶融樹脂の注入方向において、ランナー49aとスルーゲート49bとが、一直線上に並ぶように設けることが好ましい。続いて、キャビティ43および45に充填された樹脂を硬化させ、内部モールド9aおよび9bを成型する。内部モールド9aは、キャビティ43の内部に成型され、内部モールド9bは、キャビティ45の内部に成型される。また、接続部15の表面に薄膜9cが形成される。上記の成型過程では、マウント部15aとマウント部15bとの間の接続部15cと、リード19の接続部19aとが、ギャップ47に収容されるため、上金型41と下金型42との間に挟まれ押圧されることがない。これにより、リード15の変形が抑制され、受光素子13aおよび13bを、内部モールド9aおよび9bにおけるそれぞれの所定位置に成型することができる。本実施形態では、スルーゲート49bを介してキャビティ43からキャビティ45に溶融樹脂が移動する、所謂スルーゲート型の金型を用いて内部モールド9aおよび9bを成型する例を示す。射出成型の方式は、これに限られる訳ではなく、例えば、リードフレームの形式に合わせてランナーおよびゲートの配置を変更することができる。図6は、成型された内部モールド9aおよび内部モールド9bを示す模式図である。図6aは平面図、図6bは正面図、図6cは、Vc-Vc線に沿った断面図である。図6a~図6cに示すように、内部モールド9aからリード5a、6a、15および17aが延出し、内部モールド9bからリード5b、6b、17bおよび19が延出する。そして、内部モールド9aと内部モールド9bとの間には、薄膜9cに覆われた接続部15cと接続部19aとが介在する。さらに、ランナー49a、スルーゲート49bの内部に充填されたランナー部樹脂49c、スルーゲート部樹脂49dが形成される。次に、内部モールド9aおよび9bの周り、および。それらの間に形成された第1の樹脂を取り除く。例えば、内部モールド9aおよび9bの外形に合わせたパンチング刃を用いた打ち抜き加工より、ランナー49aおよびスルーゲート49bの部分に形成されたランナー部樹脂49cおよびスルーゲート部樹脂49d、さらに、成型時に生じたバリ等を除去する。これにより、内部モールド9aと内部モールド9bとの間において、接続部15cおよび19a覆う薄膜9cを残して、余分な樹脂を除去することができる。次に、図7aおよびbに示す成型過程により、内部モールド9aと、内部モールド9bと、薄膜9cに覆われた接続部15cおよび19aと、を覆う外部モールド3を成型する。図7aに示すように、内部モールド9aおよび9bが形成されたリードフレーム20および30を下金型62にセットする。続いて、上金型61と下金型62とを型締めし、キャビティ63を形成する。次に、キャビティ63に連通するランナー65を介して、溶融した第2の樹脂を注入する。そして、キャビティ63の内部に充填された樹脂を硬化させ、内部モールド9aおよび9bと、薄膜9cと、を覆う外部モールド3を成型する。続いて、外部モールド3が成型されたリードフレーム20および30を金型から取り出し、共通フレーム31および33を切断して個別の半導体装置100に分離する。上記の製造過程において、第1の樹脂として、例えば、硬質のエポキシ樹脂を用いることにより、薄膜9cに覆われた接続部15cおよび19aの強度を向上させることができる。これにより、内部モールド9aおよび9bを成型したリードフレーム20および30の変形を抑制し、半導体装置100の品質および製造歩留りを向上させることができる。以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。