"アルミニウム基板を0.1mol/L-1.0mol/Lのカルボン酸溶液に0.5分間~10分間接触させる工程と、処理後の前記アルミニウム基板表面に絶縁樹脂層を形成し、次いで該絶縁樹脂層上に金属層を形成する工程とを有することを特徴とする金属ベース回路基板の製造方法。前記カルボン酸が脂肪族ジカルボン酸であることを特徴とする請求項1記載の金属ベース回路基板の製造方法。アルミニウム基板と絶縁樹脂層と金属層とが順に積層されてなる金属ベース回路基板に用いられるアルミニウム基板の処理方法であって、アルミニウム基板を0.1mol/L-1.0mol/Lのカルボン酸溶液に0.5分間~10分間接触させることを特徴とする金属ベース回路基板用アルミニウム基板の処理方法。前記カルボン酸が脂肪族ジカルボン酸であることを特徴とする請求項3記載の金属ベース回路基板用アルミニウム基板の処理方法。しかしながら、液晶表示装置等の電子機器に対する薄型化や小型化への要求に伴い、搭載位置の面積等に制限を受け、少スペースに実装する必要性が生じてきている。そのような少スペースに実装する場合、金属ベース回路基板が折り曲げられ、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との間で剥離するという問題が生じることがあった。特許文献に記載の機械研磨によれば、アルミニウム基板表面に凹凸が形成され、アンカー効果により樹脂層との密着性が向上する。しかしながら、機械研磨は大量の研磨カスが生じ、さらにこれらを精度よく除去するための装置や工程が別途必要であった。このように、機械研磨は、安全性や製造コスト、さらに工程の煩雑さに改善すべき点があった。また、機械研磨は、アルミニウム基板表面に凹凸を形成するため、該表面に形成される樹脂層が平坦とならず、ひいては樹脂層上に形成される回路が平坦ではなくなることがあった。そのため、回路に搭載される素子との接続が不十分となり、金属ベース回路基板を用いた各種装置の歩留まりが低下することがあった。一方、これらの処理を行わなければ、アルミニウム基板表面と樹脂層との密着性が低く、金属ベース回路基板を用いた各種装置の歩留まりが大きく低下するため、機械研磨は必須の工程となっていった。本発明者らは上記の課題に鑑み鋭意研究したところ、アルミニウム基板表面を安全性に優れ、かつ簡便な方法により処理することにより、樹脂層との密着性の向上と、金属ベース回路基板を用いた各種装置の歩留まり向上の何れをも満たすことができることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、以下に示すことができる。1アルミニウム基板を0.1mol/L-1.0mol/Lのカルボン酸溶液に0.5分間~10分間接触させる工程と、処理後の前記アルミニウム基板表面に絶縁樹脂層を形成し、次いで該絶縁樹脂層上に金属層を形成する工程とを有することを特徴とする金属ベース回路基板の製造方法。2前記カルボン酸が脂肪族ジカルボン酸であることを特徴とする1記載の金属ベース回路基板の製造方法。3アルミニウム基板と絶縁樹脂層と金属層とが順に積層されてなる金属ベース回路基板に用いられるアルミニウム基板の処理方法であって、アルミニウム基板を0.1mol/L-1.0mol/Lのカルボン酸溶液に0.5分間~10分間接触させることを特徴とする金属ベース回路基板用アルミニウム基板の処理方法。4前記カルボン酸が脂肪族ジカルボン酸であることを特徴とする3記載の金属ベース回路基板用アルミニウム基板の処理方法。本発明の金属ベース回路基板の製造方法は、アルミニウム基板表面を所定の濃度のカルボン酸溶液と接触させる工程を備えており、安全性に優れるとともに簡便な方法で、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との密着性、半田耐熱性、耐屈曲性に優れるとともに、これを用いた各種装置の歩留まりを向上させることが可能な金属ベース回路基板を得ることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宣説明を省略する。<金属ベース回路基板の製造方法>本実施形態の金属ベース回路基板の製造方法は、以下の工程a~bを有する。aアルミニウム基板を、0.1mol/L-1.0mol/Lのカルボン酸溶液に0.5分間~10分間接触させる工程b処理後のアルミニウム基板表面に絶縁樹脂層を形成し、次いで絶縁樹脂層上に金属層を形成する工程工程aアルミニウム基板を、0.1mol/L-1.0mol/Lのカルボン酸溶液に0.5分間~10分間、好ましくは0.5~3分間接触させる。当該処理に用いられるカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、クロトン酸などの脂肪族モノカルボン酸、安息香酸、ナフトエ酸などの芳香族モノカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸、セバシン酸などの脂肪族ジカルボン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、1,4-ナフタレンジカルボン酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸などの芳香族ジカルボン酸等があげられる。この中でも、脂肪族ジカルボン酸が、pKaが比較的低く、アルミ箔地表面のアルミおよびマグネシウム酸化物や圧延油の炭化物の除去に充分な酸性度をもち、かつ、侵蝕性が強烈でなくアルミニウムの溶解性が低いため好ましい。カルボン酸溶液の濃度は0.1N-1.0Nが好ましい。0.1N未満であると、密着力を上昇させる効果が十分でなく、1.0Nを超えると、水素等のガスが発生するおそれがあり、好ましくない。当該処理方法としては、アルミニウム基板表面に上記条件でカルボン酸溶液を接触させることができればよく、浸漬処理、流水処理、噴霧処理等を挙げることができる。接触処理後、所定の方法により無機酸を除去する。アルミニウム基板の表面粗度Rzは、処理前後でほとんど変化せず、3~9μmであり、平滑である。表面粗度は、JISB0601に準拠して行い、十点平均粗さRzとして算出することができる。このような処理を施すことにより、アルミニウム基板表面が平滑な場合であっても、絶縁樹脂層を形成する樹脂組成物との濡れ性が向上し、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との密着性が向上する。工程aの処理後、アルミニウム基板表面の水との接触角は50°~95°、好ましくは55~90°とすることができる。水との接触角は、JISR3257に準拠して行い、5点以上の平均を接触角として算出することができる。本実施形態において、アルミニウム基板の表面は、機械研磨が行われていないため、自然酸化による酸化層を有する。アルミニウム基板の厚さは100μm~5000μmである。厚さが100μm未満であると、ヒートスプレッダーとしての放熱性が低下し、一方、厚さが5000μmを超えると折り曲げ等の加工性が低下する。工程b工程aの後、金属箔表面に絶縁樹脂層を形成し、処理後のアルミニウム基板と貼り合わせる。具体的には、硬化後の厚みを考慮して、樹脂組成物を金属箔表面に塗布し、予備硬化させてBステージ化状態とする。そしてアルミニウム基板と貼り合わせ、後硬化を行いアルミニウム基板表面に、絶縁樹脂層と金属層が積層された金属ベース回路基板を製造する。あるいは、樹脂組成物をアルミニウム基板表面に塗布し、硬化させて絶縁樹脂層を形成した後、この絶縁樹脂層上に金属蒸着等により金属層を形成することもできる。絶縁樹脂層を調製するための樹脂組成物は、熱硬化性樹脂、無機フィラー、硬化剤、硬化促進剤、カップリング剤、酸化防止剤、レベリング剤等を含むことができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などを挙げることができ、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。エポキシ樹脂の中でも、ビスフェノールF型またはA型のエポキシ樹脂、さらにこれらの樹脂が水素添加されたものを用いることが好ましい。これらの樹脂を用いることにより、絶縁樹脂層は可とう性に優れ、金属ベース回路基板10が曲げられて使用される場合においても、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との剥離が抑制される。熱硬化性樹脂は、絶縁樹脂層中に10~90質量の量で含むことができる。なお、熱硬化性樹脂以外の樹脂を配合することもできる。これにより、アルミニウム基板との密着性をより改善することができる。無機フィラーとしては、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム等を用いることができる。これらの無機フィラーは、電気絶縁性に優れるとともに熱伝導性にも優れる。無機フィラーは、絶縁樹脂層中に10~90質量の量で含むことができる。硬化剤としては、ジエチレントリアミンDETA、トリエチレンテトラミンTETA、メタキシリレンジアミンMXDA、イソホロンジアミンIPD、1,3-ビスアミノメチルシクロヘキサン1,3BAC、ジアミノジフェニルメタンDDM、mフェニレンジアミンMPDA、ジアミノジフェニルスルホンDDS、ジシアンジアミドDICY、有機酸ヒドラジド、ドデセニル無水コハク酸DDSA、ポリアゼライン酸無水物PAPA、ヘキサヒドロ無水フタル酸HHPA、メチルテトラヒドロ無水フタル酸MTHPA、無水メチルナジック酸MNA、無水トリメリット酸TMA、無水ピロメリット酸PMDA、ベンゾフェノンテトラカルボン酸BTDA、テトラブロモ無水フタル酸TBPA、無水ヘット酸HET等を挙げることができる。硬化促進剤としては、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールなどの各種イミダゾール類、トリフェニルホスフィン、トリフェニルホスファイトなどの各種リン化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ピリジン、DBUジアザビシクロウンデセンなどの各種三級アミン等を挙げることができる。カップリング剤としては、2-3,4-エポキシシクロヘキシル、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどの各種シランカップリング剤を挙げることができる。本実施形態における絶縁樹脂層の曲げ弾性率は、5~20GPaである。これにより、金属ベース回路基板に応力が加わった場合においても、絶縁樹脂層は可とう性に優れるため、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との密着性がより向上する。曲げ弾性率は、以下のように測定することができる。2枚の樹脂付き銅箔を樹脂層同士を向かい合うように重ね、220°Cで180分間プレスを行い、両面銅箔付き樹脂板を得る。この両面銅箔付き樹脂板を全面エッチングし、6mm×25mm×0.2mm厚の試験片を作製し、DMA装置TAインスツルメント社製動的粘弾性測定装置DMA983を用いて5°C/分で昇温し、25°Cでの曲げ弾性率を測定する。絶縁樹脂層は単層であってもよく、多層で構成されていてもよい。絶縁樹脂層の膜厚は20μm~200μmである。膜厚が20μm未満であると絶縁性が低下し、一方、膜厚が200μmを超えると折り曲げ等の加工性が低下する。またヒートスプレッダーとしての放熱性が低下する。絶縁樹脂層の膜厚が上記範囲内にあれば、これらの特性のバランスに優れる。金属層は、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、錫等から構成され、2種以上含んでいてもよい。金属層の層厚は、1500μm程度である。なお、絶縁樹脂層と金属層との間には、接着層等の他の層が介在していてもよい。本実施形態の金属ベース回路基板の製造方法によれば、図1に記載のように、アルミニウム基板12と、絶縁樹脂層14と、金属層16とが順に積層されてなる金属ベース回路基板10を得ることができる。金属ベース回路基板10はヒートスプレッダーとして用いることができる。このような構成を有する金属ベース回路基板10は、アルミニウム基板12表面が上記のような処理を施されているので、アルミニウム基板12と絶縁樹脂層14との密着性が向上する。さらに、半田耐熱性、耐屈曲性にも優れ、これを用いた各種装置の歩留まりが向上する。アルミニウム基板12表面は、水との接触角が50°~95°の範囲にある。アルミニウム基板12表面の水との接触角が小さいほど、水との濡れ性は向上するものの、水との接触角が50°未満ではアルミニウム基板12と絶縁樹脂層14との密着性は低下する。この原因は明らかではないものの、アルミニウム基板12表面の水との接触角が所定の範囲であることで、絶縁樹脂層14を形成する樹脂組成物との濡れ性が好適な範囲となり、アルミニウム基板12表面が平滑であっても絶縁樹脂層14との密着性が向上すると考えられる。本実施形態における金属ベース回路基板10においては、アルミニウム基板12と前記絶縁樹脂層14との密着強度を2.0~5.0MPa、好ましくは3.0~4.5MPaとすることができる。密着強度は、以下の条件で測定することができる。試験装置:NXT-250P富山産業株式会社製アルミ試験チップ円盤状、接着面2.0cmφに、前記絶縁樹脂層を得るための樹脂ワニスを塗布し、塗布面を固定されたアルミ試験板に接着する。180°C60分間の条件で前記樹脂ワニスを硬化させ、前記アルミ試験チップと前記アルミ試験板とを樹脂層を介して接着させる。アルミニウム試験チップ1.5mm/分速度で垂直方向に引き上げ、前記アルミニウム試験チップまたは前記アルミニウム試験板と前記樹脂層とが剥がれた時点を密着強度として測定する。金属ベース回路基板10は、金属層16を所定のパターンにエッチング等することにより回路を形成することができる。そして、この回路上にLED、半導体素子またはレーザ素子等の各種発熱素子を搭載することにより、金属ベース回路基板10はヒートスプレッダーとして機能する。以下、実施例において、本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。[実施例1]なお、以下の実施例1において樹脂ワニスaを用いた場合を実施例1a、樹脂ワニスbを用いた場合を実施例1bとして表記する。その他の実施例、比較例についても同様である。樹脂ワニスaの調製ビスフェノールF骨格とビスフェノールA骨格を有するフェノキシ樹脂三菱化学社製、4275、重量平均分子量6.0×104、ビスフェノールF骨格とビスフェノールA骨格の比率=75:2522.0質量部、ビスフェノールFエポキシ樹脂DIC社製、830S、エポキシ当量17010.0質量部、ビスフェノールAエポキシ樹脂三菱化学社製、1001、エポキシ当量47515.0質量部、2-フェニルイミダゾール四国化成社製2PZ1.0質量部、シランカップリング剤としてγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン信越シリコーン社製KBM-4032.0質量部、水酸化アルミニウム昭和電工社製、HP-360、粒径3.0μm50.0質量部をシクロヘキサノンに溶解混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、樹脂組成物が固形分基準で70質量のワニスを得た。樹脂ワニスbの調製ビスフェノールF骨格とビスフェノールA骨格を有するフェノキシ樹脂三菱化学社製、4275、重量平均分子量6.0×104、ビスフェノールF骨格とビスフェノールA骨格の比率=75:2522.0質量部、ビフェニル骨格エポキシ樹脂三菱化学社製、YX4000、エポキシ当量18510.0質量部、ビスフェノールAエポキシ樹脂三菱化学社製、1001、エポキシ当量47515.0質量部、2-フェニルイミダゾール四国化成社製2PZ1.0質量部、シランカップリング剤としてγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン信越シリコーン社製KBM-4032.0質量部、水酸化アルミニウム昭和電工社製、HP-360、粒径3.0μm50.0質量部をシクロヘキサノンに溶解混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、樹脂組成物が固形分基準で70質量のワニスを得た。アルミニウム基板のカルボン酸処理厚さ1mm、縦横それぞれ10cmのアルミニウム板を基板とした。表1の処理条件に従ってこの基板を所定の濃度のカルボン酸に所定の時間浸漬した後、アセトンで洗浄乾燥し、アルミニウム試験板を得た。実施例1~11、および比較例1~7表1~4の処理条件に従ってアルミニウム板を処理し、アセトンで洗浄乾燥し、アルミニウム試験板を得た。参考例厚さ1mm、縦横それぞれ10cmのアルミニウム板を基板とした。この基板の表面をサンドペーパー1500で研磨した後、アセトンで洗浄し乾燥させアルミニウム試験板を得た。各実施例、比較例および参考例により得られたアルミニウム試験板について、以下の測定法により次の各評価を行った。評価結果を表1~表3に示す。処理条件と密着強度の関係を図3に示す。a.水との接触角JISR3257に準拠して行い、5点以上の平均を接触角として算出した。b.表面粗度RzJISB0601に準拠して行い、十点平均粗さRzとして算出した。c.密着強度密着性試験装置形式:NXT-250P、富山産業株式会社製を用い、図2のように、密着性試験装置のアルミニウム試験チップ接着面2.0cmφに樹脂ワニスaまたはbを塗布し、塗布面をアルミニウム試験板に接着し、180°C60分間の硬化条件で硬化させ、樹脂層を形成した。そして、図2のように、アルミニウム試験チップ1.5mm/分速度で垂直方向に引き上げ、前記アルミニウム試験チップまたは前記アルミニウム試験板と前記樹脂層とが剥がれた時点を密着強度として測定した。なお、表3の比較例6a,6b、7a,7bにおいては、別途行った曲げ試験の結果から、密着強度が明らかに低いことが推測されたため、密着強度の測定を行っていない。以上のように、0.1mol/L-1.0mol/Lのカルボン酸に0.5分間~10分間接触させることにより、アルミニウム基板の表面が平滑であってもアルミニウム基板と絶縁樹脂層との密着強度に優れ、さらに半田耐熱性、耐屈曲性にも優れることが推測された。したがって、これを用いた各種装置の歩留まりを向上させることが明らかとなった。"