膜電極接合体を構成する電解質膜のアノード側及びカソード側にそれぞれ位置する両面の周縁部に第一ガスケット層を積層する工程と、前記電解質膜の両面側において、前記第一ガスケット層の内側に露出する前記電解質膜に触媒層を積層する工程と、前記電解質膜の両面側において、前記第一ガスケット層に跨るガス拡散層を前記触媒層に積層する工程と、前記電解質膜の両面側において、前記ガス拡散層の周囲に露出する前記第一ガスケット層に第二ガスケット層を積層する工程と、を含むことを特徴とする膜電極接合体の製造方法。前記電解質膜に前記触媒層を積層する前記工程は、触媒インクをゴム転写基材に塗布した触媒層転写基材を用いて前記触媒層を前記電解質膜に転写する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の膜電極接合体の製造方法。前記電解質膜に前記触媒層を積層する前記工程は、フッ素コーディングした前記ゴム転写基材に前記触媒インクを塗布した前記触媒層付転写基材を用いて行うことを特徴とする請求項2に記載の膜電極接合体の製造方法。前記電解質膜に前記触媒層を積層する前記工程は、フッ素樹脂シートを設置した前記ゴム転写基材に前記触媒インクを塗布した前記触媒層付転写基材を用いて行うことを特徴とする請求項2に記載の膜電極接合体の製造方法。前記電解質膜に前記触媒層を積層する前記工程において、前記ゴム転写基材の前記電解質膜と反対の面側に多孔体によるシート基材を配置した状態で、該シート基材の上から熱ラミネート処理して、前記触媒層を前記電解質膜に転写する工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の膜電極接合体の製造方法。しかしながら、ガスケットを介して、触媒層を電解質膜へ転写させる場合、ガスケット層と電解質膜の高さのギャップのために、ガスケット近傍まで触媒層付転写シートが追従できず、触媒層を完全に転写させることが困難であった。そこで、本発明は、ガスケット近傍での触媒層の転写不良という問題を解決するためになされたものであり、触媒層とガスケット層の空隙が50μm以下に押さえられる膜電極接合体の製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る膜電極接合体の製造方法は、上記の目的を達成するために、次のように構成される。まず、請求項1の発明は、膜電極接合体を構成する電解質膜のアノード側及びカソード側にそれぞれ位置する両面の周縁部に第一ガスケット層を積層する工程と、前記電解質膜の両面側において、前記第一ガスケット層の内側に露出する前記電解質膜に触媒層を積層する工程と、前記電解質膜の両面側において、前記第一ガスケット層に跨るガス拡散層を前記触媒層に積層する工程と、前記電解質膜の両面側において、前記ガス拡散層の周囲に露出する前記第一ガスケット層に第二ガスケット層を積層する工程と、を含むことを特徴とする膜電極接合体の製造方法である。また、請求項2の発明は、前記電解質膜に前記触媒層を積層する前記工程において、触媒インクをゴム転写基材に塗布した触媒層付転写基材を用いて前記触媒層を前記電解質膜に転写する工程を含むことを特徴とする膜電極接合体の製造方法である。また、請求項3の発明は、前記電解質膜に前記触媒層を積層する前記工程において、フッ素コーディングした前記ゴム転写基材に前記触媒インクを塗布した前記触媒層付転写基材を用いて行うことを特徴とする膜電極接合体の製造方法である。また、請求項4の発明は、前記電解質膜に前記触媒層を積層する前記工程において、フッ素樹脂シートを設置した前記ゴム転写基材に前記触媒インクを塗布した前記触媒層付転写基材を用いて行うことを特徴とする膜電極接合体の製造方法である。また、請求項5の発明は、前記電解質膜に前記触媒層を積層する前記工程において、前記ゴム転写基材の前記電解質膜と反対の面側に多孔体によるシート基材を配置した状態で、該シート基材の上から熱ラミネート処理して、前記触媒層を前記電解質膜に転写する工程を含むことを特徴とする膜電極接合体の製造方法である。本発明によれば、触媒層の電解質膜への転写において、ゴム転写基材を使用することから、ガスケット付電解質膜のガスケット近傍まで触媒層を電解質膜へ転写させることができる。このため、触媒層とガスケット層の空隙を50μm以下に抑えることができ、電解質膜の劣化を抑制することができるので、膜電極接合体の発電性能の低下を防ぐことができる。さらには、熱ラミネートによる触媒層の電解質層への転写の際に、輸送シートと転写基材の間に、多孔体によるシート基材を挿入することで、輸送シートと転写基材の間の空気かみを抑制できる。このため、ガスケット付電解質膜への触媒層の転写性を増すことができる。以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。以下の説明において参照する各図では、他の図と同等の構成要素は同一符号によって示す。膜電極接合体の構造図1を参照して、本発明の実施形態に係る製造方法によって製造した膜電極接合体の構造を説明する。図1に示す膜電極接合体10は、電解質膜1と、電解質膜1のアノード側となる一方の面に積層された触媒層2a、第一ガスケット層3a、第二ガスケット層4a、ガス拡散層5aと、電解質膜1のカソード側となる他方の面に積層された触媒層2c、第一ガスケット層3c、第二ガスケット層4c、ガス拡散層5cを有して構成される。膜電極接合体10は、ガスケット層を第一ガスケット層3a、3cと第二ガスケット層4a、4cとに分けている。このことは、触媒層2a、2cの全体に燃料ガスまたは酸化ガスを拡散させることを目的に、ガス拡散層5a、5cの面積を触媒層2a、2cの面積より大きくしたことによって生じる、ガス拡散層5a、5cと触媒層2a、2cの空隙を埋めるためである。具体的には、ガスケット層を第一ガスケット層3a、3cと第二ガスケット層4a、4cとに分け、触媒層2a、2cの周囲を囲むように第一ガスケット層3a、3cを配置すると共に、ガス拡散層5a、5cとその周囲を囲む第二ガスケット層4a、4cとを、第一ガスケット層3a、3c上に積層する。これにより、触媒層2a、2cとガス拡散層5a、5cとの空隙を埋めて、燃料ガスおよび酸化ガスを均一に触媒層2a、2cに行き渡らせるとともに、発電によって生成した水の滞留を防止できることから、発電性能を向上させることができる。このように構成した本実施形態の膜電極接合体10は、後述する製造方法により製造することで、触媒層2a、2cと第一ガスケット層3a、3cの空隙が50μm以下となる。このことにより、燃料ガスと酸化ガスのクロスリークが軽減され、化学的な電解質膜の劣化を抑制するとともに、空隙に集中にしやすい、温度や湿度の変動で生じる電解質膜1の膨潤や収縮による応力起因の物理的な電解質膜1の劣化をも抑制することができる。電解質膜1は、固体高分子形燃料電池に一般的に用いられる電解質膜であればよい。電解質膜1は、例えば、フッ素系電解質膜や炭化水素膜が好適に使用でき、特にフッ素系電解質膜が望ましい。また、電解質膜1の面積は、アノード側およびカソード側の両触媒層2a、2cの面積より一回り大きい面積を持つことが望ましい。このことは、触媒層2a、2cと同等の面積を持つ電解質膜1を使用した場合、触媒層2a、2cの端部からのガスリークが懸念されるためである。触媒層2a、2cは、固体高分子形燃料電池に一般的に用いられる触媒層であればよい。例えば、白金または他の金属例えば、Ru、Rh、Mo、Cr、Co、Fe等と合金の微粒子平均粒径、10nm以下が望ましい。が、表面に担持されたカーボンブラック等の導電性炭素微粒子平均粒径:20乃至100nm程度と、パーフルオロスルホン酸樹脂溶液等の高分子とが適当な溶剤エタノール等中で均一に混合されたインクより作成されるものを使用できる。第一ガスケット層3a、3cは、図2に示すように、熱可塑性樹脂層31a、31cと接着層32a、32cよりなる。例えば、熱可塑性樹脂層31a、31cは、PETポリエチレンテレフタレートやPENポリエチレンナフタレート、SPSシンジオタクチックポリスチレン、PTFEポリテトラフルオロエチレン、Piポリイミド等を使用することができる。特に、弾性率の高い熱可塑性樹脂が望ましく、繊維強化されたものを用いてもよい。また、接着層32a、32cは、粘着剤や接着剤、ヒートシール剤よりなる。粘着剤または接着剤は、主骨格がポリシロキサン骨格やポリエーテル骨格、フルオロエーテル骨格、ポリオレフィン骨格等のものが使用できる。ヒートシール剤は、熱融着温度が120乃至150°C程度のものが使用できる。第一ガスケット層3a、3cの厚さは、300μm以下であることが望ましい。このことは、触媒層2a、2cの電解質膜1への転写において、本発明の膜電極接合体10の製造方法により、第一ガスケット層3a、3cの厚さが300μm以下であれば、ガスケット付電解質膜のガスケット近傍まで触媒層2a、2cを電解質膜1へ完全に転写させることができるためである。図面に詳細には示していないが、第二ガスケット層4a、4cは、第一ガスケット層3a、3cと同様に熱可塑性樹脂層と接着層よりなる。ガス拡散層5a、5cは、少なくともガス透過性通気性と導電性を有するものであればよい。例えば、炭素材料によって構成された織布、不織布炭素繊維を交絡させることによって得られるフェルト等、ペーパー類カーボンペーパー等が汎用される。ガス拡散層5a、5cは、触媒層2a、2cより大きい面積を持つ。結果、触媒層2a、2cの全体に燃料ガスまたは酸化ガスが供給されるようになるので、高価な白金触媒を端部まで利用することができる。膜電極接合体の製造方法次に、図2及び図3を参照して、本発明の実施形態に係る膜電極接合体の製造方法について説明する。図2に示すように、電解質膜1上に第一ガスケット層3c、3aを形成する。第一ガスケット層3a、3cを形成するにあたっては、熱可塑性樹脂層31c、31aの片面側に、接着層32c、32aとして、粘着剤または接着剤、ヒートシール剤をスクリーン印刷により塗布し、接着層付き熱可塑性樹脂層31a、31cを電解質膜1上に設置、固定化する。第一ガスケット層3a、3cの厚さは、隣接させる触媒層2a、2cと同等もしくは近いことが望ましい。第一ガスケット層3a、3cの厚さと触媒層2a、2cの厚さが異なると、第一ガスケット層3a、3c上にガス拡散層5a、5cを積層した際に両層間に空隙が生じることから、発電性能が低下してしまう。また、電解質膜1の厚さは、薄ければ薄いほどプロトン伝導に起因する抵抗が抑えられ、発電性能の向上が期待できるが、薄膜化に伴いハンドリング性が低下し、歩留まりの低下を招く。これに対し、第一ガスケット層3a、3cを電解質膜1に設置後、固定化することで、電解質膜1のハンドリングを第一ガスケット層3a、3cの部分にて行えるようになる。これにより、電解質膜1のハンドリング性が向上する。電解質膜1上に第一ガスケット層3a、3cを形成した後、ゴム系転写基材に塗布した触媒層2a、2cを電解質膜1の各面に転写する。ゴム系転写基材は、ショアA硬さが40より低いものは、熱ラミネートによる転写の際にせん断による歪みが大きく、転写不良が生じる。一方、ショアA硬さが80より高いものは、第一ガスケット層3a、3cと電解質膜1の高さのギャップへの追従性が低く、ガスケット近傍まで触媒層を電解質膜へ転写させることが難しいので、転写した触媒層2a、2cとガスケット層3a、3cとの間の空隙が大きくなってしまう。ゴム系転写基材として、シリコーンゴムおよびフッ素ゴム基材のうち、ショアA硬さが40~70のものが、第一ガスケット層3a、3cと電解質膜1の高さのギャップへの追従性が高く転写性も良好であることから、転写基材として望ましい。ゴム系転写基材の触媒インクに対する濡れ性が問題になる場合は、コロナ処理やプラズマ処理、フッ素コーティング等の公知の表面処理法を用いてもよい。さらに、ゴム転写基材の電解質膜1側にフッ素樹脂シートを設置して、フッ素樹脂シート上に触媒インクを塗布したものを触媒層付転写基材としてもよい。また、図3に示すように、熱ラミネートによる触媒層2a、2cの転写を行なう場合、ゴム転写基材6の前記第一ガスケット層付き電解質膜1と反対の面側に、多孔体によるシート基材7を配置する。その結果、前記ゴム転写基材6と熱ラミネートに使用する輸送シートSUS板9間の空気かみを避けることができ、転写不良を抑えることができる。また、第一ガスケット層3a、3cの電解質膜1側と反対の面にマスクシート8をあらかじめ積層させておいてもよい。結果、熱ラミネートによる触媒層2a、2cの転写後、第一ガスケット層3a、3c上に転写されてしまった触媒はマスクシート8を除去することで取り除くことができる。続いて、図1に示すように、第二ガスケット層4a、4cを第一ガスケット層3a、3c上に配置し、形成した第二ガスケット層4a、4cの開口部に露出する、触媒層2a、2cとその周囲の第一ガスケット層3a、3cに跨る部分上に、ガス拡散層5a、5cを積層する。ただし、第二ガスケット層4a、4cとガス拡散層5a、5cの積層する順番は、この限りではなく、先にガス拡散層5a、5cを積層してから、第二ガスケット層4a、4cを配置してもよい。最後に、熱ラミネートもしくは熱プレスを行うことで、膜電極接合体10を一体化させることができる。以下に、本発明の固体高分子形燃料電池における膜電極接合体およびその製造方法について、具体例を挙げて説明するが、本発明は実施例によって制限されるものではない。白金担持量が60である白金担持カーボン触媒と、20質量高分子形電解質溶液であるNafion登録商標、デュポン社製を水、エタノール=1:2の混合溶媒に加えた。続いて遊星ボールミルで分散処理を行い、触媒インクを調整した。プレート上に、転写基材として、シリコーンゴムフィルムを固定後、アプリケーターにより触媒インクを転写基材上に塗布した。触媒インクからなる塗膜が形成された転写シートをオーブン熱風循環恒温乾燥機41-S5H/佐竹化学機械工業社製に入れ、オーブンの温度を50°Cに設定し、5分間乾燥させることで転写基材上に触媒層を作成した。このとき、白金担持量はカソード触媒層が約0.5mg/cm2、アノード触媒層が約0.3mg/cm2となるように調整した。次に、第一ガスケット層として、枠状に切り取ったPENフィルム厚さ:25μm、内枠の面積25cm2に接着剤をスクリーン印刷によりパターン印刷し、電解質膜の両面に配置した。また、電解質膜として、Nafion211を用いた。続いて、120°C、120kgf/cm2で5分間熱プレスを行い、第一ガスケット層を硬化、接着させた。次に、第一ガスケット層付き電解質膜に、触媒層が形成された転写基材、その外側にポーラスフィルム厚さ:350μm、を配置した構成で、熱ラミネートを行い、触媒層を転写した。転写後、転写基材、マスクシートを除去した。続いて、第二ガスケット層を第一ガスケット層上に配置し、形成した第二ガスケット層の開口部にMPL処理カーボンペーパー東レ社製を貼合したガス拡散層を積層した。次に、120°C、120kgf/cm2で5分間熱プレスを行い、膜電極接合体の一体化を行なった。得られた膜電極接合体を刃型により打ち抜き、触媒層と第一ガスケット層のクリアランスを観察したところ、およそ30μmであった。