"複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面を外周部が環状フレームに貼着されたダイシングテープに貼着し、ウエーハをダイシングテープを介して環状フレームで支持する支持工程と、環状フレームに支持されたウエーハをダイシングテープを介してレーザ加工装置のチャックテーブルで吸引保持する保持工程と、第1の強度のレーザビームを分割予定ラインに対応する領域に照射してウエーハの表面に分割溝を形成する分割溝形成工程と、分割予定ラインの延長線上の外周余剰領域に該第1の強度より低く該ダイシングテープを溶融しない第2の強度のレーザビームを照射して、分割を誘導する誘導溝を形成する誘導溝形成工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。上述したように、ウエーハの分割が円滑に行われるようにレーザビームが分割予定ラインの延長線上にある外周余剰領域にも照射され、更にチャックテーブルの加工送りを急に停止できないため、ウエーハをオーバーランしたレーザビームがダイシングテープにも照射されることになる。このようにウエーハをオーバーランしたレーザビームがダイシングテープに照射されると、ダイシングテープが溶融及び酸化してチャックテーブルの吸着面にダメージを与えるという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハのレーザ加工時にレーザビームがウエーハをオーバーランしてもダイシングテープが溶融及び酸化することのないウエーハの加工方法を提供することである。本発明によると、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面を外周部が環状フレームに貼着されたダイシングテープに貼着し、ウエーハをダイシングテープを介して環状フレームで支持する支持工程と、環状フレームに支持されたウエーハをダイシングテープを介してレーザ加工装置のチャックテーブルで吸引保持する保持工程と、第1の強度のレーザビームを分割予定ラインに対応する領域に照射してウエーハの表面に分割溝を形成する分割溝形成工程と、分割予定ラインの延長線上の外周余剰領域に該第1の強度より低く該ダイシングテープを溶融しない第2の強度のレーザビームを照射して、分割を誘導する誘導溝を形成する誘導溝形成工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。本発明のウエーハの加工方法によると、分割予定ラインの延長線上にある外周余剰領域にはダイシングテープを溶融しない比較的低い強度のレーザビームを照射して分割を誘導する誘導溝を形成するので、ウエーハの分割が円滑に行われるとともにレーザビームがウエーハをオーバーランしてもダイシングテープが溶融及び酸化しないので、チャックテーブルの吸着面にダメージを与えるという問題を解消できる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明のウエーハの加工方法を実施するのに適したレーザ加工装置2の概略構成図を示している。レーザ加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、すなわちX軸方向に移動される。第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により一対のガイドレール24に沿って割り出し方向、すなわちY軸方向に移動される。第2スライドブロック16上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持されたウエーハをクランプするクランプ30が設けられている。静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にはレーザビーム照射ユニット34を収容するケーシング35が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット34は、図3に示すように、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器62と、繰り返し周波数設定手段64と、パルス幅調整手段66と、パワー調整手段68とを含んでいる。レーザビーム照射ユニット34のパワー調整手段68により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング35の先端に取り付けられた集光器36のミラー70で反射され、更に集光用対物レンズ72によって集光されてチャックテーブル28に保持されているウエーハ11に照射される。ケーシング35の先端部には、集光器36とX軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像手段38が配設されている。撮像手段38は、可視光によって半導体ウエーハの加工領域を撮像する通常のCCD等の撮像素子を含んでいる。撮像手段38は更に、半導体ウエーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ制御手段40に送信される。コントローラ40はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置CPU42と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリROM44と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリRAM46と、カウンタ48と、入力インターフェイス50と、出力インターフェイス52とを備えている。56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段56の検出信号はコントローラ40の入力エンターフェイス50に入力される。60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段60の検出信号はコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。撮像手段38で撮像した画像信号もコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。一方、コントローラ40の出力インターフェイス52からはパルスモータ10、パルスモータ20、レーザビーム照射ユニット34等に制御信号が出力される。図2に示すように、レーザ加工装置2の加工対象であるウエーハ11の表面11aにおいては、複数のストリート分割予定ライン13が直交して形成されており、直交するストリート13によって区画された各領域にデバイス15が形成されている。ウエーハ11は、多数のデバイス15が形成されたデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面11aに備えている。ウエーハ11の裏面11bは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウエーハ11はダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、レーザ加工時には、ウエーハ11がダイシングテープTを介してチャックテーブル28に吸引保持され、クランプ30により環状フレームFがクランプされて固定される。次に、図4乃至図6を参照して、本発明実施形態のウエーハの加工方法について詳細に説明する。まず、撮像手段38でウエーハ11の加工領域を撮像して、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット34の集光器36と第1の方向に伸長するストリート13との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザビーム照射位置のアライメントを実施する。次いで、チャックテーブル28を90度回転して、第2の方向に伸長するストリート13と集光器28とのアライメントを実施する。また、撮像手段38でウエーハ11の全体を撮像して、第1の方向に伸長する全てのストリート13とウエーハ11の外周との交点の座標X,Y座標を検出し、この座標をコントローラ40のRAM46に格納する。次いで、第2の方向に伸長する全てのストリート13とウエーハ11の外周との交点の座標を検出し、この座標をコントローラ40のRAM46に格納する。更に、ウエーハ11のデバイス領域17と外周余剰領域19との境界線の座標位置も各ストリート13毎に検出し、これらの座標位置をコントローラ40のRAM46に格納する。上述したアライメント及び各座標位置の検出が終了したならば、図4に示すように、第1の出力でウエーハ11に対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを集光器36を介してウエーハ11の加工すべきストリート13の一端から照射を開始し、チャックテーブル28を矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動させ、ストリート13に沿って分割溝74を形成する。レーザビームの照射位置がデバイス領域17と外周余剰領域19との境界の座標位置に達したならば、レーザビームの出力を第1の出力より低い第2の出力に低下させて上述した所定の加工送り速度でチャックテーブル28をX1方向に移動させて外周余剰領域19に分割を誘導する誘導溝76を形成し、レーザビームの照射位置がストリート13の延長線上のウエーハ他端に達したならば、パルスレーザビームの照射を停止すると共にチャックテーブル28の移動を停止する。即ち、図5の一部断面側面図に示すように、矢印Aで示す分割溝形成工程では、デバイス領域17のストリート13に沿って第1の出力のレーザビームを照射して分割溝74を形成し、矢印Bで示す誘導溝形成工程では、第1の出力より低い第2の出力のレーザビームをストリート13の延長線上の外周余剰領域19に照射して分割を誘導する誘導溝76を形成する。チャックテーブル28の移動はウエーハ11の端部図5で右端部で停止するように制御するが、チャックテーブル28はその慣性により急に停止できないため、集光器36から照射されたレーザビームはウエーハ11を多少オーバーランしてダイシングテープTに照射される。本実施形態では、矢印Bで示される誘導溝形成工程で照射されるレーザビームの出力がダイシングテープTを溶融しない比較的低い第2の出力に調整されているため、ウエーハ11をオーバーランしたレーザビームがダイシングテープTに照射されても、ダイシングテープTを溶融及び酸化させることはない。第1の方向に伸長する全てのストリート13に沿って上述した分割溝形成工程及び誘導溝形成工程を実施したならば、チャックテーブル28を90度回転してから、第2の方向に伸長する全てのストリート13に沿って分割溝形成工程及び誘導溝形成工程を実施する。このように全てのストリート13に沿って分割溝形成工程及び誘導溝形成工程を実施した状態のウエーハ11の斜視図が図6に示されている。第1のレーザ加工条件例は以下の通りである。a分割溝形成工程:光源:YAGレーザ波長:355nmYAGレーザの第3高調波平均出力:1.5W加工深さ:25μm繰り返し周波数:100kHzスポット径:5μm送り速度:150mm/sb誘導溝形成工程:光源:YAGレーザ波長:355nmYAGレーザの第3高調波平均出力:0.5W加工深さ:10μm繰り返し周波数:100kHzスポット径:5μm送り速度:150mm/s上述した第1の加工条件例では、誘導溝形成工程でのレーザビームの平均出力を分割溝形成工程のレーザビームの平均出力の1/3に低下させているが、他の条件は両工程で全て同一である。第2のレーザ加工条件例は以下の通りである。a分割溝形成工程:光源:YAGレーザ波長:355nmYAGレーザの第3高調波平均出力:1.5W加工深さ:25μm繰り返し周波数:100kHzスポット径:5μm送り速度:150mm/sb誘導溝形成工程:光源:YAGレーザ波長:355nmYAGレーザの第3高調波平均出力:1.5W加工深さ:10μm繰り返し周波数:100kHzスポット径:5μm送り速度:300mm/s上述した第2の加工条件例では、誘導溝形成工程の平均出力と分割溝形成工程の平均出力を同一出力に維持し、誘導溝形成工程の送り速度を分割溝形成工程の送り速度の2倍に増速している。このように平均出力を変えずに、誘導溝形成工程での送り速度を分割溝形成工程の送り速度から増速することによっても、レーザビームの強度を低下させることができ、レーザビームがウエーハ11をオーバーランしてダイシングテープTに照射されても、ダイシングテープTを溶融及び酸化させることがない。その結果、チャックテーブル28の吸着面にダメージを与えるという問題を解消することができる。要するに本発明のウエーハの加工方法では、誘導溝形成工程でのレーザビームの強度を分割溝形成工程でのレーザビームの強度よりも低く制御をすることが重要である。レーザビームの強度を低く制御するには、誘導溝形成工程でのレーザビームの出力を分割溝形成工程でのレーザビームの出力より低くするか、或いは両工程で同一の出力のレーザビームを照射し、誘導溝形成工程での送り速度を分割溝形成工での送り速度よりも速くするように制御すればよい。"