"第1導電層と、該第1導電層の上に配されている光電変換層と、該光電変換層の上に配されている透明な第2導電層と、該第2導電層の上に配されている線状導電部とを備え、前記第2導電層のうちの前記光電変換層側の一主面とは反対の他主面に複数の凹部が配されているとともに、該複数の凹部の一部に前記線状導電部が重なって入り込んでおり、前記線状導電部は、導電性を有する多数の粒子を含んでおり、該粒子の平均粒径が、前記凹部の深さよりも大きい光電変換装置。前記線状導電部の少なくとも1つの端部が、前記凹部内に配されている請求項1に記載の光電変換装置。平面視したときに、前記第2導電層における前記複数の凹部の占有率は、前記線状導電部が配されている部位の方が、前記線状導電部が配されていない部位よりも大きい請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。前記複数の凹部のうちの前記線状導電部が重なっている凹部の深さが、前記複数の凹部のうちの前記線状導電部が重なっていない凹部の深さよりも大きい請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換装置。前記複数の凹部のうちの前記線状導電部が重なっていない凹部の深さが、前記複数の凹部のうちの前記線状導電部が重なっている凹部の深さよりも大きい請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換装置。ところで、上記光電変換装置に対しては、変換効率のさらなる向上が求められている。このため、透明電極層における光の透過率をさらに高めることで、半導体層を含む光電変換層に入射する光の量を増加させて、変換効率を向上させることが考えられる。しかしながら、透明電極層が薄くなり過ぎると、該透明電極層における電気抵抗の増大によって、光電変換装置における変換効率が低下し得る。このため、光電変換層に入射する光の量を増加させることは容易でなかった。そこで、光電変換層に入射する光の量の増加によって変換効率が上昇し得る光電変換装置が望まれている。上記課題を解決するために、一態様に係る光電変換装置は、第1導電層と、該第1導電層の上に配されている光電変換層と、該光電変換層の上に配されている透明な第2導電層と、該第2導電層の上に配されている線状導電部とを備えている。そして、該光電変換装置では、前記第2導電層のうちの前記光電変換層側の一主面とは反対の他主面に複数の凹部が配されているとともに、該複数の凹部の一部に前記線状導電部が重なって入り込んでおり、前記線状導電部は、導電性を有する多数の粒子を含んでおり、該粒子の平均粒径が、前記凹部の深さよりも大きい。上記一態様に係る光電変換装置によれば、光電変換層に入射する光の量の増加によって光電変換装置における変換効率が上昇し得る。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係などは正確に図示されたものではない。なお、図1から図7および図9から図17には、光電変換セル10の配列方向図1の図面視左右方向をX軸方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。<光電変換装置の構成><光電変換装置の概略構成>図1および図2で示されるように、光電変換装置100は、基板1と、該基板1の上に平面的に並べられた複数の光電変換セル10とを備えている。隣り合う光電変換セル10は溝部P3によって分離されている。図1および図2では、図示の都合上、2つの光電変換セル10の一部のみが示されている。光電変換装置100には、図面の左右方向に、所定数の光電変換セル10が平面的に配列され得る。ここで、所定数は、例えば8などであれば良い。そして、例えば、光電変換装置100のX軸方向の両端部に、発電による電圧および電流を得るための電極が配され得る。なお、光電変換装置100には、例えば、多数の光電変換セル10がマトリックス状に配置されていても良い。なお、光電変換装置100では、多数の光電変換セル10が高密度に平面的に配置されていれば、変換効率が向上する。変換効率は、光電変換装置100において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示す。例えば、変換効率は、光電変換装置100から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置100に入射される太陽光のエネルギーの値で除されて、100が乗じられることで導出され得る。ところで、光電変換装置100では、透明な上部電極層4の受光面側の主面に複数の凹部が配されており、該複数の凹部の一部に線状導電部5が重なって入り込んでいる。そして、該線状導電部5に含まれている導電性を有する多数の粒子の平均粒径が、複数の凹部4dの深さよりも大きい。このような構成により、複数の凹部4dが存在するにも拘わらず、線状導電部5の断線が発生し難い。これに加えて、光電変換装置100に照射される光が複数の凹部4dを介して光電変換層3まで入射し易くなる。その結果、光電変換層3に入射する光の量の増加によって光電変換装置100における変換効率が上昇し得る。<光電変換セルの基本的な構成>各光電変換セル10は、第1導電層としての下部電極層2、光電変換層3、第2導電層としての上部電極層4および線状導電部5を備えている。また、各光電変換セル10には、溝部P1と溝部P2とが配されている。そして、光電変換装置100では、上部電極層4が配されている側の主面が受光面となっている。基板1は、複数の光電変換セル10を支持するものである。基板1に含まれる主な材料には、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属などが採用され得る。なお、本実施形態では、基板1が青板ガラスソーダライムガラスである例が示されている。また、基板1の厚さは、1mm以上で且つ3mm以下程度であれば良い。さらに、例えば、基板1の形状は平板状であれば良く、基板1のZ側の主面上面とも言うは略平坦であれば良い。下部電極層2は、基板1の上面の上に配されている導電層である。下部電極層2に含まれる主な材料には、例えば、モリブデン、アルミニウム、チタン、タンタルおよび金などの導電性を有する各種金属などが採用され得る。また、下部電極層2の厚さは、例えば、0.2μm以上で且つ1μm以下程度であれば良い。下部電極層2は、例えば、スパッタリング法または蒸着法などによって形成され得る。光電変換層3は、下部電極層2の上に配されている。該光電変換層3は、光吸収層31とバッファ層32とを備えている。光吸収層31およびバッファ層32は、この順に下部電極層2の上に積層されている。光吸収層31は、下部電極層2のZ側の主面上面とも言うの上に配されている。該光吸収層31は、第1導電型を有する半導体を主に含んでおり、光を吸収して電荷を生じる。ここで、第1導電型を有する半導体としては、例えば、カルコパイライト系の化合物半導体であるI-III-VI族化合物半導体などが適用され得る。なお、第1導電型は、例えばp型の導電型であれば良い。I-III-VI族化合物半導体とは、I-III-VI族化合物を主に含む半導体である。なお、I-III-VI族化合物を主に含む半導体とは、半導体がI-III-VI族化合物を70mol以上含むことを言う。以下の記載においても、主に含むは70mol以上含むことを意味する。I-III-VI族化合物は、I-B族元素11族元素とも言うとIII-B族元素13族元素とも言うとVI-B族元素16族元素とも言うとを主に含む化合物である。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuIn,GaSe2CIGSとも言う、CuIn,GaSe,S2CIGSSとも言う、およびCuInSe2CISとも言うなどが採用され得る。なお、CuIn,GaSe2は、CuとInとGaとSeとを主に含む化合物である。また、CuIn,GaSe,S2は、CuとInとGaとSeとSとを主に含む化合物である。ここでは、光吸収層31が、CIGSを主に含むものとする。なお、光吸収層31がI-III-VI族化合物半導体を主に含んでいれば、光吸収層31の厚さが10μm以下であっても、光吸収層31による光電変換の効率が高めら得る。このため、光吸収層31の厚さは、例えば、1μm以上で且つ3μm以下程度であれば良い。光吸収層31は、スパッタリング法または蒸着法などといった真空プロセスによって形成され得る。また、光吸収層31は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成され得る。塗布法あるいは印刷法では、例えば、光吸収層31に主に含まれる金属元素を含む溶液が下部電極層2の上に塗布され、その後、乾燥および熱処理が行われる。該塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスが用いられることで、光電変換装置100の製造に要するコストが低減され得る。バッファ層32は、光吸収層31のZ側の主面上面とも言うの上に配されており、光吸収層31の第1導電型とは異なる第2導電型を有する半導体を主に含む。ここで、導電型が異なる半導体とは、伝導担体キャリアが異なる半導体である。そして、第2導電型は、例えばn型の導電型であれば良い。なお、光吸収層31の導電型がn型であり、バッファ層32の導電型がp型であっても良い。ここでは、光吸収層31とバッファ層32との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、光電変換セル10では、ヘテロ接合領域を形成する光吸収層31とバッファ層32とにおいて光電変換が生じ得る。バッファ層32は、化合物半導体を主に含む。バッファ層32に含まれる化合物半導体としては、例えば、CdS、In2S3、ZnS、ZnO、In2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OHおよびZn,MgOなどが採用され得る。そして、バッファ層32が1Ωcm以上の抵抗率を有していれば、リーク電流の発生が抑制され得る。なお、バッファ層32は、例えば、化学浴槽堆積CBD法などによって形成され得る。また、バッファ層32は、光吸収層31の上面の法線方向に厚さを有する。バッファ層32の厚さは、例えば、10nm以上で且つ200nm以下であれば良い。バッファ層32の厚さが100nm以上で且つ200nm以下であれば、バッファ層32の上に上部電極層4がスパッタリング法などで形成される際に、バッファ層32においてダメージが生じ難くなる。上部電極層4は、光電変換層3のZ側の主面上面とも言うの上に配されている。そして、該上部電極層4は、例えば、n型の導電型を有する透明の導電層透明導電層とも言うである。該上部電極層4は、光電変換層3において生じた電荷を取り出す電極となる。上部電極層4は、バッファ層32よりも低い抵抗率を有する材料を主に含んでいれば良い。上部電極層4には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれても良いし、窓層と透明導電層とが含まれても良い。上部電極層4は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、ZnO、ZnOの化合物、Snが含まれたITOおよびSnO2などの金属酸化物半導体などが採用され得る。ZnOの化合物は、Al、B、Ga、InおよびFのうちの何れか1つの元素などが含まれたものであれば良い。上部電極層4は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法などによって形成され得る。上部電極層4の厚さは、例えば、0.1μm以上で且つ2.0μm以下程度であれば良い。ここで、上部電極層4が、1Ωcm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有していれば、上部電極層4を介して光電変換層3から電荷が良好に取り出され得る。なお、上部電極層4は、例えば、溝部P2の内部に配されている垂下部4aを備え得る。ここで、バッファ層32および上部電極層4が、光吸収層31が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質光透過性とも言うを有していれば、光吸収層31における光の吸収効率の低下が抑制され得る。また、上部電極層4の厚さが0.05μm以上で且つ0.5μm以下であれば、上部電極層4における光透過性が高められ、光電変換によって生じた電流が上部電極層4によって良好に伝送され得る。さらに、上部電極層4の絶対屈折率とバッファ層32の絶対屈折率とが略同一であれば、上部電極層4とバッファ層32との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。また、図3および図4で示されるように、上部電極層4のZ側の主面上面とも言うに複数の凹部4dが配されている。各凹部4dは、該凹部4dの周囲の部分よりも相対的に凹んだ部分であり、内部空間4iを有している。各凹部4dのXY断面の形状は、例えば略円形であれば良い。そして、複数の凹部4dの存在によって、上部電極層4のうちの複数の凹部4dが配されている部分の方が複数の凹部4dの周囲に位置している部分よりも薄い。これにより、上部電極層4では、凹部4dが配されている部分では、凹部4dが配されていない部分よりも光の透過率が上昇する。その結果、光電変換層3に入射する光の量の増加によって光電変換装置100における変換効率が上昇し得る。別の観点から言えば、上部電極層4の上面のうちの所定形状の所定面積の領域において、凹部4dが配されていない部分非凹部とも言う4sにおけるZ側の面の高さの平均値よりも、凹部4dにおけるZ側の面の高さの平均値の方が小さい。ここで所定形状は、例えば、正方形であれば良い。また、所定面積は、例えば、1mm2であれば良い。高さの平均値は、例えば、基板1の上面を基準としたZ方向における高さの平均値であれば良い。線状導電部5は、上部電極層4の上面の上に配されている。該線状導電部5は、例えば、金属ペーストが上部電極層4の上面の上に塗布された後に乾燥されて該金属ペーストが固化されることで形成され得る。金属ペーストは、例えば、透光性を有する樹脂などのバインダーに光反射率が高く且つ導電性を有する粒子が添加されることで作製され得る。ここで、透光性を有する樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂などが採用され得る。また、金属ペーストに含まれる粒子としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケルならびに亜鉛と銀の合金などの金属粒子が採用され得る。この場合、線状導電部5には、導電性を有する多数の粒子が含まれており、該多数の粒子が相互に接触し合うことで、線状導電部5における良好な導電性が確保され得る。線状導電部5は、複数の集電部5aと連結部5bと垂下部5cとを備えている。複数の集電部5aは、Y軸方向に離間しており、各集電部5aがX軸方向に延在している。連結部5bは、Y軸方向に延在している。そして、該連結部5bには、各集電部5aが電気的に接続されている。垂下部5cは、連結部5bの下部に接続され、溝部P2を通って隣の光電変換セル10から延伸されている下部電極層2に垂下部4aを介して接続する。つまり、垂下部4a,5cを主に含む接続部45によって、連結部5bと隣の光電変換セル10から延伸されている下部電極層2とが接続され得る。なお、接続部45は、垂下部4aを含まず、垂下部5cを含むものとされても良い。集電部5aは、光電変換層3において発生して上部電極層4において取り出された電荷を集電する役割を担う。集電部5aが配されていることで、上部電極層4における導電性が補われるため、上部電極層4の薄層化が可能となる。その結果、電荷の取り出し効率の確保と、上部電極層4における光透過性の向上とが両立し得る。上部電極層4および複数の集電部5aによって集電された電荷は、接続部45を通じて、隣の光電変換セル10に伝達される。これにより、光電変換装置100においては、隣り合う光電変換セル10が電気的に直列に接続されている。また、集電部5aの幅が50μm以上で且つ400μm以下であれば、隣接する光電変換セル10の間における良好な導電が確保され、光吸収層31への光の入射量の低下が抑制され得る。1つの光電変換セル10に配されている複数の集電部5aのY方向における間隔は、例えば、2.5mm程度であれば良い。<溝部の配置とその役割>溝部P1は、Y軸方向に直線状に延在している。1以上の該溝部P1が配されていることで、複数の下部電極層2がX軸方向に分離されている。図2では、2つの下部電極層2が示されている。溝部P1には、直上に配された光吸収層31の延在部分が埋入している。これにより、隣り合う光電変換セル10において、一方の光電変換セル10の下部電極層2と、他方の光電変換セル10の下部電極層2とが電気的に分離されている。溝部P1の幅は、例えば、線状導電部5の幅と同程度の50μm以上で且つ400μm以下程度であれば良い。溝部P2は、Y軸方向に直線状に延在している。そして、該溝部P2は、上部電極層4の上面から下部電極層2の上面に至るまで配されている。このため、溝部P2は、1つの光電変換セル10内において、光電変換層3と上部電極層4とが積層された積層部をX軸方向に分離している。溝部P3は、隣り合う光電変換セル10の間においてY軸方向に延在している。そして、該溝部P3は、光電変換セル10のZ側の主面上面とも言うから下部電極層2の上面に至るまで配されている。つまり、溝部P3は、隣り合う光電変換セル10を分離する領域である。溝部P3の幅は、例えば、40μm以上で且つ1000μm以下程度であれば良い。なお、各溝部P3には、光電変換装置100がモジュール化される際に、例えば、樹脂などの絶縁材料が入り込む。また、受光面の上方ここではZ側から各光電変換セル10を平面透視した場合、各光電変換セル10には、X方向に溝部P1と溝部P2と溝部P3とがこの順に配されている。このため、各光電変換セル10においては、下部電極層2の上から溝部P1を越えて、隣の下部電極層2の上に至るまで光電変換層3が配されている。ここで、隣の下部電極層2は、隣の光電変換セル10から延伸している下部電極層2である。また、受光面の上方ここではZ側から各光電変換セル10を平面透視した場合、各光電変換セル10には、溝部P2を包含して溝部P1と溝部P3とに挟まれた領域と、溝部P1が配されている領域と、残余の領域とがある。そして、該残余の領域が、発電に寄与する領域となる。なお、本実施形態では、各光電変換セル10において、光電変換層3が、下部電極層2の上から隣の下部電極層2の上にかけて配されていたが、これに限られない。例えば、光電変換層3が、下部電極層2の上から溝部P1の内部に至るまで配されていれば良い。<凹部と線状導電部との関係>図5で示されるように、上部電極層4のうちの光電変換層3側ここでは-Z側の一主面とは反対側ここではZ側の他主面に複数の凹部4dが配されている。また、複数の凹部4dのうちの一部の凹部4dに線状導電部5が重なっている。そして、図6で示されるように、線状導電部5が該一部の凹部4dの内部空間4iに入り込んでいる。つまり、複数の凹部4dには、線状導電部5が重なって入り込んでいる凹部第1凹部とも言う4d1と、線状導電部5が重なって入り込んでいない凹部第2凹部とも言う4d2が含まれている。また、図6で示されるように、線状導電部5に含まれている導電性を有する多数の粒子5pの平均粒径H5pが、第1凹部4d1の深さD4dよりも大きい。なお、第1および第2凹部4d1,4d2のXY平面における開口幅は、例えば、多数の粒子5pの平均粒径H5pよりも大きく、数μm以上で且つ数百μm以下程度であれば良い。また、第1および第2凹部4d1,4d2の深さは、例えば、0.05μm以上で且つ1.5μm以下程度であれば良い。ここで、仮に、多数の粒子5pの平均粒径H5pが第1凹部4d1の深さよりも小さければ、多数の粒子5pのうちの一部の粒子5pが第1凹部4d1の奥深くに入り込み、第1凹部4d1の縁部近傍で、多数の粒子5p同士が接触し合う箇所が減少し得る。この場合、線状導電部5において電気抵抗が高まる箇所が生じ、通電による発熱によって熱断線が生じることも有り得る。また、線状導電部5に通電する前から線状導電部5に断線が生じることも有り得る。これに対して、本実施形態では、多数の粒子5pの平均粒径H5pが、第1凹部4d1の深さD4dよりも大きい。このような構成が採用されれば、多数の粒子5p同士の接触し合う箇所が減少し難くなる。このため、線状導電部5において断線が生じ難くなり、線状導電部5における導電性を確保し易くなる。一方、線状導電部5が重なって入り込んでいない第2凹部4d2では、該第2凹部4d2が形成されていない部位に比べて、光が透過しやすい。このため、第2凹部4d2を透過して光電変換層3に入射される光の量が増大し得る。なお、第2凹部4d2では、上部電極層4の厚みが小さくなるため、抵抗値が大きくなり得るが、第1凹部4d1に入り込んだ線状電極部5を設けることにより、上部電極層4の抵抗値の増大における影響を緩和することができる。すなわち、本実施形態では、導電性の確保と光電変換層3へ入射する光の量の増加とが両立し得る。その結果、光電変換装置100における変換効率が上昇し得る。なお、ここで、多数の粒子5pの平均粒径H5pは、例えば、ふるい機による粒子の選別によって調整され得る。また、凹部4dがフォトリソグラフィー技術を用いたウエットエッチングによって形成される場合、第1凹部4d1の深さD4dの調整は、例えば、エッチング用の溶液の濃度およびエッチングの時間のうちの少なくとも一方によって実現され得る。また、凹部4dがメタルマスクなどを用いたドライエッチングによって形成される場合、第1凹部4d1の深さD4dの調整は、例えば、エッチングの時間によって実現され得る。ドライエッチングとしては、例えば、反応性イオンエッチングが採用され得る。また、線状導電部5に含まれる多数の粒子5pの平均粒径H5pの測定は、例えば、線状導電部5の上面または断面を走査型顕微鏡SEMなどで撮影して得られる画像を用いて、各粒子5pの輪郭を抽出して平均粒径を算出する画像処理によって実現され得る。また、第1凹部4d1の深さD4dの測定は、例えば、第1凹部4d1を含む上部電極層4の断面をSEMなどで撮影して得られる画像を用いて実現されれば良い。ところで、図5で示されるように、線状導電部5の少なくとも1つの端部が、第1凹部4d1の内部空間4i内に配され得る。すなわち、線状導電部5は、XY平面で平面視して、線状導電部5の外周に沿った端部が第1凹部4d1の一部に入り込んでいる。よって、第1凹部4d1は、XY平面で平面視して、内部空間4iが外部に露出している部位を有している。これにより、図7で示されるように、第1凹部4d1内に配されている線状導電部5の端部近傍において、光Ly1が、粒子5pおよび第1凹部4d1の表面で反射されて、第1凹部4d1のうちの粒子5pの下方に位置する部分を介して光電変換層3に入射し得る。その結果、光電変換層3に入射される光の量がさらに増大し得る。ここで、受光面の上方ここではZ側から各光電変換セル10を平面視または平面透視した場合、上部電極層4における複数の凹部4dの占有率が、線状導電部5が配されていない部位よりも線状導電部5が配されている部位の方が大きい態様が考えられ得る。換言すれば、上部電極層4の上面において、線状導電部5が配されている領域における単位面積あたりの第1凹部4d1の占有率の方が、線状導電部5が配されていない領域における単位面積あたりの第2凹部4d2の占有率よりも大きい態様が考えられ得る。このような態様が採用されれば、上部電極層4のうちの複数の第1凹部4d1の占有率が高い領域において、上部電極層4の電気抵抗が増大するが、該電気抵抗の増大が、線状導電部5の導電性によって補完され得る。これにより、上部電極層4と線状導電部5とによる集電能力が確保され、複数の第1凹部4d1の占有率の増大によって複数の第1凹部4d1を透過して光電変換層3に入射される光の量が増大し得る。その結果、光電変換装置100における変換効率がさらに上昇し得る。また、複数の凹部4dのうちの線状導電部5が重なっている第1凹部4d1の深さが、複数の凹部4dのうちの線状導電部5が重なっていない第2凹部4d2の深さよりも大きい態様が考えられ得る。このような態様が採用されれば、上部電極層4のうちの複数の第1凹部4d1が配されている領域において、上部電極層4の電気抵抗が増大するが、該電気抵抗の増大が、線状導電部5の導電性によって補完され得る。これにより、上部電極層4と線状導電部5とによる集電能力が確保され、複数の第1凹部4d1の深さの増大によって複数の第1凹部4d1を透過して光電変換層3に入射される光の量が増大し得る。その結果、光電変換装置100における変換効率がさらに上昇し得る。また、複数の凹部4dのうちの線状導電部5が重なっていない第2凹部4d2の深さが、複数の凹部4dのうちの線状導電部5が重なっている第1凹部4d1の深さよりも大きい態様が考えられ得る。このような態様が採用されれば、上部電極層4のうちの線状導電部5によって光の入射が阻害され難い領域において第2凹部4d2の深さが増大することで、第2凹部4d2を透過して光電変換層3に入射される光の量が増大し得る。その結果、光電変換装置100における変換効率がさらに上昇し得る。<光電変換装置の製造プロセス>ここで、上記構成を有する光電変換装置100の製造プロセスの一例について説明する。図8は、光電変換装置100の製造フローを例示するフローチャートである。図9から図16は、光電変換装置100の製造途中の様子を模式的に示すXZ断面図である。まず、図8のステップSp1では、略矩形の盤面を有する平板状の基板1図9参照が準備される。ステップSp2では、洗浄された基板1の一主面の略全面に、スパッタリング法または蒸着法などが用いられて、下部電極層2図10参照が形成される。ステップSp3では、下部電極層2の上面のうちの所定の形成対象位置からその直下の基板1の上面にかけて、一方向ここではY軸方向に直線状に延在する溝部P1図11参照が形成される。溝部P1は、例えば、YAGレーザーまたはその他のレーザーの光が走査されつつ所定の形成対象位置に照射されることで形成され得る。ステップSp4では、下部電極層2の上に、光吸収層31に主に含まれる金属元素を含む皮膜310図12参照が形成される。皮膜310は、例えば、光吸収層31に主に含まれる金属元素を含む溶液が下部電極層2の上に塗布された後に乾燥される処理が行われることで形成され得る。ステップSp5では、皮膜310に対する加熱処理が行われることで、皮膜310における化合物半導体の結晶化が進み、光吸収層31図12参照が形成される。ステップSp6では、光吸収層31の上にバッファ層32図13参照が形成される。これにより、光吸収層31とバッファ層32とが積層されている光電変換層3が形成される。バッファ層32は、例えば、化学浴槽堆積CBD法によって形成され得る。具体的には、例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニアに溶解させられることで作製された溶液に光吸収層31が浸漬されることで、CdSを主に含むバッファ層32が形成され得る。ステップSp7では、バッファ層32の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層2の上面に至る領域に、一方向ここではY軸方向に直線状に延在する溝部P2図14参照が形成される。溝部P2は、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングなどによって形成され得る。ステップSp8では、光電変換層3の上面から溝部P2の内部にかけて上部電極層4図15参照が形成される。上部電極層4は、例えば、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法などで形成され得る。具体的には、例えば、バッファ層32の上に、Alが添加されたZnOを主に含む透明な上部電極層4が形成される。このとき、溝部P2内に、上部電極層4のうちの垂下部4aが形成される。また、このステップSp8では、上部電極層4の上面に複数の凹部4dが形成される。複数の凹部4dは、例えば、フォトリソグラフィー技術を用いてレジストをマスクとするウエットエッチングが施されることで形成され得る。また、複数の凹部4dは、金属製のマスクを用いたドライエッチングが施されることで形成されても良い。ステップSp9では、上部電極層4の上面のうちの所定の形成対象位置から溝部P2の内部にかけて線状導電部5図16参照が形成される。線状導電部5は、例えば、金属ペーストが所定のパターンを有するように印刷され、印刷後の金属ペーストが乾燥によって固化されることで形成され得る。ステップSp10では、上部電極層4の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層2の上面に至る領域に、一方向ここではY軸方向に直線状に延在する溝部P3図1および図2参照が形成される。これにより、基板1の上に複数の光電変換セル10が配されている光電変換装置100が得られる。溝部P3は、例えば、溝部P2と同様に、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングなどによって形成され得る。<一実施形態のまとめ>以上のように、本実施形態に係る光電変換装置100では、透明な上部電極層4の上面に複数の凹部4dが配されている。また、該複数の凹部4dの一部に線状導電部5が重なって入り込んでいる。そして、該線状導電部5に含まれている導電性を有する多数の粒子5pの平均粒径H5pが、複数の凹部の深さD4dよりも大きい。これにより、複数の凹部4dの縁部近傍において線状導電部5の断線が発生し難く、光電変換装置100に照射される光が複数の凹部4dを介して光電変換層3まで入射し易い。したがって、光電変換層3に入射する光の量の増加によって光電変換装置100における変換効率が上昇し得る。<変形例>なお、本発明は上記一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。例えば、上記一実施形態では、複数の凹部4dのうちの一部の凹部4dに線状導電部5が重なって入り込んでいたが、これに限られない。例えば、複数の凹部4dのうちの全ての凹部4dに線状導電部が重なって入り込んでいても良い。また、上記一実施形態では、直列に接続された複数の光電変換セル10が光電変換装置100に含まれていたが、これに限られない。例えば、光電変換装置100には、1以上の光電変換セル10が含まれていれば良い。また、上記一実施形態では、光吸収層31が、カルコパイライト系の化合物半導体であるI-III-VI族化合物半導体を主に含む例が挙げられたが、これに限られない。例えば、光吸収層31に主に含まれる半導体は、その他のカルコゲン元素を含む化合物半導体であっても良い。その他のカルコゲン元素を含む化合物半導体としては、例えば、Cu、Zn、Sn、Sの4元素を主に含むI-II-IV-VI族化合物半導体CZTSおよびCdとTeの2元素を主に含むII-VI族化合物半導体などが採用され得る。また、光吸収層31に主に含まれる半導体は、例えば、非晶質のシリコンであっても良い。また、光電変換層3の上面が、形成条件などによって、例えば、うねっている形状を有していても構わない。この場合、基板1の上面を基準として、光電変換層3のうち、うねりの山の最も高い場所の高さと、うねりの谷の最も低い場所の高さとの差分が、50nm程度であっても構わない。このような構成では、光電変換層3の上面のうねりに沿って上部電極層4が形成されるため、上部電極層4の上面もうねっている形状を有し得る。この場合、上部電極層4のうねっている上面に、さらに複数の凹部4dが形成されれば良い。なお、上記一実施形態および上記各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。<その他>上記一実施形態および上記各種変形例では、上部電極層4の上面に複数の凹部4dが配されることで、光電変換層3に入射する光の量が増加し、光電変換装置100における変換効率が上昇した。これに対して、上面が略平坦な基板1の代わりに、上面に凹凸を有する基板テクスチャー基板とも言うが採用され、テクスチャー基板の上面の凹凸に沿って、下部電極層2、光電変換層3および上部電極層4がこの順に配される構成が考えられる。仮に、該構成が採用されれば、上部電極層4の上下面、光吸収層31の上下面およびバッファ層32の上下面が、それぞれテクスチャー基板の上面の凹凸に対応する凹凸を有し得る。そして、該凹凸により、光の散乱などによって光電変換層3などにおいて光の閉じ込め効果が生じ得る。その結果、光電変換装置に照射される光のうち、光電変換層3に吸収される光の割合が高くなり得る。しかしながら、例えば、光吸収層31の凹凸を有する上面に、CBD法によってバッファ層32が形成される際には、光吸収層31とバッファ層32との界面に空隙および欠陥などが生じ易い。また、下部電極層2の上面が凹凸を有するため、溝部P2内の下部電極層2の上面に光吸収層31の一部が削られずに残り易い。その結果、接続部45と下部電極層2との電気的な接続において電気抵抗が増大し得る。したがって、光電変換装置における変換効率の低下を招き得る。さらに、上面に所望の凹凸を有するテクスチャー基板を準備する工程に煩雑な作業を要し、光電変換装置を形成するために要するコストの上昇も招き得る。そこで、図17で示されるように、基板1の略平坦な上面の上に下部電極層2が配され、該下部電極層2の略平坦な上面の上に上面がうねっている光吸収層31Aが形成される構成が考えられる。つまり、光吸収層31Aの-Z側の主面下面とも言うが略平坦であり、光吸収層31AのZ側の主面上面が若干凹凸を有する構成が考えられる。上記構成が採用されれば、光吸収層31Aの上面の面積が拡大するため、光吸収層31Aにおける光の吸収量が増大し得る。ここで、仮に、光吸収層の厚さが大き過ぎると光吸収層に割れ生じ易く、光吸収層が薄過ぎると特に長波長の光が光吸収層に吸収され難くなり得る。これに対して、光吸収層31Aには部分的に厚さが大きな部分と厚さが小さな部分とが混在している。このため、光吸収層31Aが、割れ難く、短波長の光Ly2だけでなく、長波長の光Ly3も吸収し易い。また、光吸収層31Aには部分的に厚さが小さな部分が存在するため、光吸収層31Aを形成に要する材料の低減が図られ得る。さらに、下部電極層2の上面が略平坦となり、下部電極層2の上面に光吸収層31Aの一部が削られずに残るような不具合も生じ難い。すなわち、上記構成が採用されれば、光吸収層31Aに吸収される光の量の増加によって光電変換装置における変換効率が上昇し得る。上記構成については、光吸収層31Aに主に含まれる金属元素を含む溶液が下部電極層2の略平坦な上面に塗布される際に、下部電極層2の上面で該溶液がはじかれる性質が利用されることで、上面がうねっている光吸収層31Aが形成され得る。なお、この構成では、光吸収層31Aのうち、基板1の上面を基準として、うねりの山の最も高い場所の高さと、うねりの谷の最も低い場所の高さとの差分H31pが、例えば、30nm以上で且つ200nm以下程度であれば良い。また、光吸収層31Aの上面におけるうねりの周期W31pは、例えば、2mm以上で且つ10mm以下であれば良い。また、受光面の上方から各光電変換セルを平面透視した場合、光吸収層31Aの上面は、一辺が300mm以上で且つ700mm以下であり、他の一辺が600mm以上で且つ1000mm以下である略長方形の形状を有していれば良い。"