バックチャンバを有する半導体基板と、前記半導体基板の上方に配設された導電性のダイアフラムと、間隙を隔てて前記ダイアフラムを覆うようにして前記半導体基板の上面に固定された絶縁性の固定膜と、前記ダイアフラムと対向する位置において前記固定膜に設けた導電性の固定電極膜と、前記固定電極膜から引き出された引出し配線と、前記引出し配線を接続された電極パッドとを備え、音響振動を前記ダイアフラムと前記固定電極膜との間の静電容量の変化に変換する音響センサであって、前記固定膜と前記固定電極膜からなるバックプレートには複数の音響孔が開口し、前記引出し配線及びその近傍領域は、それぞれその他の領域よりも音響孔の開口率が小さいことを特徴とする音響センサ。前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域は、それぞれその他の領域よりも音響孔1個あたりの開口面積が小さいことを特徴とする、請求項1に記載の音響センサ。前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域は、それぞれその他の領域よりも隣り合う音響孔どうしの中心間距離が長いことを特徴とする、請求項1に記載の音響センサ。前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域に設けられた前記音響孔と、前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域を除くその他の領域にある前記音響孔とが、同じ規則に従って配列されていることを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。前記引出し配線又は前記引出し配線の近傍領域に設けられた比較的開口面積の小さな前記音響孔の直径が、当該音響孔どうしの離間距離の2倍よりも小さいことを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域を除くその他の領域に設けられた比較的開口面積の大きな前記音響孔の直径が、当該音響孔どうしの離間距離よりも大きいことを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域を除くその他の領域にある比較的開口面積の大きな前記音響孔の直径が、当該音響孔どうしの離間距離の4倍よりも小さいことを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域において配列している比較的開口面積の小さな前記音響孔は、隣り合う当該音響孔どうしの中心間距離が、前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域を除くその他の領域にある比較的開口面積の大きな音響孔の、隣り合う当該音響孔どうしの中心間距離と等しいことを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。前記引出し配線に設けた音響孔から数えたとき当該引出し配線の音響孔を含めて5区画以下のエリアに含まれる音響孔を、比較的開口面積の小さな前記音響孔としたことを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。バックチャンバを有する半導体基板と、前記半導体基板の上方に配設された導電性のダイアフラムと、間隙を隔てて前記ダイアフラムを覆うようにして前記半導体基板の上面に固定された絶縁性の固定膜と、前記ダイアフラムと対向する位置において前記固定膜に設けた導電性の固定電極膜と、前記固定電極膜から引き出された引出し配線と、前記引出し配線を接続された電極パッドとを備え、音響振動を前記ダイアフラムと前記固定電極膜との間の静電容量の変化に変換する音響センサであって、前記固定膜と前記固定電極膜からなるバックプレートには複数の音響孔が開口し、前記引出し配線及びその近傍領域のうち少なくとも前記引出し配線は、前記音響孔を有しないか、あるいはその他の領域にある音響孔よりも開口率の小さな音響孔を有しているただし、前記引出し配線に音響孔が無く、かつ、前記引出し配線の近傍領域に設けられた音響孔の開口率と前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域を除くその他の領域にある音響孔の開口率とが等しい場合を除く。ことを特徴とする音響センサ。請求項1に記載した音響センサと、前記音響センサから出力された電気信号を処理する信号処理回路とを、ハウジング内に納めたマイクロフォン。請求項10に記載した音響センサと、前記音響センサから出力された電気信号を処理する信号処理回路とを、ハウジング内に納めたマイクロフォン。本発明は、上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、バックプレートにあけるアコースティックホール音響孔の開口径を大きくしても固定電極膜に破損が起きにくく、寄生抵抗が増大しにくい音響センサを提供することにある。本発明に係る第1の音響センサは、バックチャンバを有する半導体基板と、前記半導体基板の上方に配設された導電性のダイアフラムと、間隙を隔てて前記ダイアフラムを覆うようにして前記半導体基板の上面に固定された絶縁性の固定膜と、前記ダイアフラムと対向する位置において前記固定膜に設けた導電性の固定電極膜と、前記固定電極膜から引き出された引出し配線と、前記引出し配線を接続された電極パッドとを備え、音響振動を前記ダイアフラムと前記固定電極膜との間の静電容量の変化に変換する音響センサであって、前記固定膜と前記固定電極膜からなるバックプレートには複数の音響孔が開口し、前記引出し配線及びその近傍領域は、それぞれその他の領域よりも音響孔の開口率が小さいことを特徴としている。ここで開口率とは、複数個の音響孔を含む広さの領域における、当該領域の面積に対する音響孔の開口面積の合計の比率をいう。前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域に設けられた音響孔の開口率を小さくするためには、前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域で、それぞれその他の領域よりも音響孔1個あたりの開口面積を小さくすればよい。あるいは、前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域で、それぞれその他の領域よりも隣り合う音響孔どうしの中心間距離が長くなるようにすればよい。また、前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域が、それぞれその他の領域にある音響孔よりも開口率の小さな音響孔を有しているとは、前記引出し配線又は前記引出し配線の近傍領域が音響孔を有していないすなわち、開口率がゼロの場合を含む。また、前記引出し配線の近傍領域とは、バックプレートの音響孔形成領域のうち引出し配線の通る領域を除く、引出し配線の基端から測って、音響孔の平均的な中心間距離の6倍以内の領域、好ましくはほぼ3倍以内の領域をいう。本発明の第1の音響センサにあっては、引出し配線及びその近傍領域にある音響孔が比較的小さな開口率となっているので、引出し配線及びその近傍領域において音響孔間の電極膜の幅が狭くなりにくく、引出し配線及びその近傍領域における寄生抵抗を小さくすることができる。よって、引出し配線及びその近傍領域におけるノイズの発生を低減でき、音響センサのS/N比を向上させることができる。さらに、引出し配線及びその近傍領域において音響孔間の電極膜の幅を広げることができるので、引出し配線及びその近傍領域における音響孔による固定電極膜の強度低下を小さくできる。よって、引出し配線や固定電極膜の機械的強度が高くなって断線や破損が生じにくくなる。また、本発明の第1の音響センサにあっては、引出し配線及びその近傍を除くその他の領域においては、音響孔の開口率が比較的大きくなっているので、音響振動が音響孔を通過しやすくなり、音響センサのS/N比を大きくして感度を向上させることができる。本発明に係る第1の音響センサのある実施態様は、前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域に設けられた前記音響孔と、前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域を除くその他の領域にある前記音響孔とが、同じ規則に従って配列されていることを特徴としている。ここで言う同じ規則に従って配列されているとは、配列の形態たとえば、矩形配置や同心円状配置、ハニカム状配置、千鳥状配置などと配列ピッチ音響孔どうしの中心間距離とが同じであることをいう。かかる実施態様によれば、製造工程においてエアギャップの犠牲層エッチングを均一に行うことができる。本発明に係る第1の音響センサの別な実施態様は、前記引出し配線又は前記引出し配線の近傍領域に設けられた比較的開口面積の小さな前記音響孔の直径が、当該音響孔どうしの離間距離の2倍よりも小さいことを特徴としている。かかる実施態様によれば、固定電極膜の強度を確保し、寄生抵抗を軽減することができる。本発明に係る第1の音響センサのさらに別な実施態様は、前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域を除くその他の領域に設けられた比較的開口面積の大きな前記音響孔の直径が、当該音響孔どうしの離間距離よりも大きいことを特徴としている。かかる実施態様によれば、引出し配線及び引出し配線の近傍領域を除くその他の領域で音響孔の開口率が大きくなるので、音響センサのS/N比を向上させることができる。本発明に係る第1の音響センサのさらに別な実施態様は、前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域を除くその他の領域にある比較的開口面積の大きな前記音響孔の直径が、当該音響孔どうしの離間距離の4倍よりも小さいことを特徴としている。かかる実施態様によれば、音響孔の開口面積を大きくしすぎてバックプレートの強度が不足したり、固定電極膜の電極面積が小さくなりすぎるのを防ぐことができる。本発明に係る第1の音響センサのさらに別な実施態様は、前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域において配列している比較的開口面積の小さな前記音響孔は、隣り合う当該音響孔どうしの中心間距離が、前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域を除くその他の領域にある比較的開口面積の大きな音響孔の、隣り合う当該音響孔どうしの中心間距離と等しいことを特徴としている。かかる実施態様によれば、製造工程においてエアギャップの犠牲層エッチングを均一に行うことができる。本発明に係る第1の音響センサのさらに別な実施態様は、前記引出し配線に設けた音響孔から数えたとき当該引出し配線の音響孔を含めて5区画以下のエリアに含まれる音響孔を、比較的開口面積の小さな前記音響孔としたことを特徴としている。ここで言う区画とは、引出し配線からほぼ等しい距離にある複数個の音響孔の中心を通過する仮想線を指す。かかる実施態様によれば、バックプレートの強度を確保し、寄生抵抗を軽減することができる。本発明に係る第2の音響センサは、バックチャンバを有する半導体基板と、前記半導体基板の上方に配設された導電性のダイアフラムと、間隙を隔てて前記ダイアフラムを覆うようにして前記半導体基板の上面に固定された絶縁性の固定膜と、前記ダイアフラムと対向する位置において前記固定膜に設けた導電性の固定電極膜と、前記固定電極膜から引き出された引出し配線と、前記引出し配線を接続された電極パッドとを備え、音響振動を前記ダイアフラムと前記固定電極膜との間の静電容量の変化に変換する音響センサであって、前記固定膜と前記固定電極膜からなるバックプレートには複数の音響孔が開口し、前記引出し配線及びその近傍領域のうち少なくとも前記引出し配線は、前記音響孔を有しないか、あるいはその他の領域にある音響孔よりも開口率の小さな音響孔を有しているただし、前記引出し配線に音響孔が無く、かつ、前記引出し配線の近傍領域に設けられた音響孔の開口率と前記引出し配線及び前記引出し配線の近傍領域を除くその他の領域にある音響孔の開口率とが等しい場合を除く。ことを特徴としている。ここでも開口率とは、複数個の音響孔を含む広さの領域における、当該領域の面積に対する音響孔の開口面積の合計の比率をいう。前記引出し配線及びその近傍領域のうち少なくとも前記引出し配線に設けられた音響孔の開口率を小さくするためには、前記引出し配線及びその近傍領域を除くその他の領域にある音響孔よりも1個あたりの開口面積を小さくすればよい。あるいは、前記引出し配線及びその近傍領域を除くその他の領域にある音響孔よりも隣り合う音響孔どうしの中心間距離が長くなるようにすればよい。また、引出し配線の近傍領域とは、バックプレートの音響孔形成領域のうち引出し配線の通る領域を除く、引出し配線の基端から測って、音響孔の平均的な中心間距離の6倍以内の領域、好ましくはほぼ3倍以内の領域をいう。本発明の第2の音響センサにあっては、引出し配線及びその近傍領域にある音響孔が比較的小さな開口率となっているか、あるいは音響孔がないので、引出し配線及びその近傍領域において音響孔間の電極膜の幅が狭くなりにくく、引出し配線及びその近傍領域における寄生抵抗を小さくすることができる。よって、引出し配線及びその近傍領域におけるノイズの発生を低減でき、音響センサのS/N比を向上させることができる。さらに、引出し配線及びその近傍領域において音響孔間の電極膜の幅を広げることができるので、引出し配線及びその近傍領域における音響孔による固定電極膜の強度低下を小さくできる。よって、引出し配線や固定電極膜の機械的強度が高くなって断線や破損が生じにくくなる。また、本発明の第2の音響センサにあっては、引出し配線及びその近傍を除くその他の領域においては、音響孔の開口率が比較的大きくなっているので、音響振動が音響孔を通過しやすくなり、音響センサのS/N比を大きくして感度を向上させることができる。本発明に係る第1のマイクロフォンは、本発明に係る第1の音響センサと前記音響センサから出力された電気信号を処理する信号処理回路とをハウジング内に納めたものである。本発明のマイクロフォンによれば、本発明の音響センサを用いているので、ノイズの発生を低減でき、マイクロフォンのS/N比を向上させることができる。さらに、音響センサにおける引出し配線や固定電極膜の断線や破損が生じにくくなり、マイクロフォンの故障が起こりにくくなる。本発明に係る第2のマイクロフォンは、本発明に係る第2の音響センサと前記音響センサから出力された電気信号を処理する信号処理回路とをハウジング内に納めたものである。本発明のマイクロフォンによれば、本発明の音響センサを用いているので、ノイズの発生を低減でき、マイクロフォンのS/N比を向上させることができる。さらに、音響センサにおける引出し配線や固定電極膜の断線や破損が生じにくくなり、マイクロフォンの故障が起こりにくくなる。なお、本発明における前記課題を解決するための手段は、以上説明した構成要素を適宜組み合せた特徴を有するものであり、本発明はかかる構成要素の組合せによる多くのバリエーションを可能とするものである。以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々設計変更することができる。第1の実施形態まず、図1及び図2を参照して本発明の実施形態1による音響センサ31の構造を説明する。図1は音響センサ31の平面図である。図2は、音響センサ31の対角方向における断面図図1のX-X線断面である。この音響センサ31はMEMS技術を利用して作製された静電容量型素子であり、図2に示すように、シリコン基板32半導体基板の上面にアンカー37を介してダイアフラム33を設け、その上に微小なエアギャップを介してバックプレート34を固定したものである。単結晶シリコンからなるシリコン基板32には、表面から裏面に貫通したバックチャンバ35が形成されている。バックチャンバ35は内周面が垂直面となっていてもよく、テーパー状に傾斜していてもよい。シリコン基板32の上面には、ダイアフラム33の外周部下面を支持するための複数個のアンカー37が設けられており、さらにシリコン基板32の上面には、ダイアフラム33を囲むようにして膜厚の土台部41が形成されている。さらに、シリコン基板32の上面の、土台部41よりも外側の領域は土台部41よりも薄い密着層47によって覆われている。アンカー37及び土台部41は、SiO2によって形成されている。密着層47は、SiO2又はポリシリコンによって形成されている。図1に示すように、ダイアフラム33は、略円板状のポリシリコン薄膜によって形成されており、導電性を有している。ダイアフラム33からは外側に向けて帯板状の引出し配線43が延びている。ダイアフラム33は、バックチャンバ35の上面開口を覆うようにしてシリコン基板32の上に配置されている。ダイアフラム33の外周部下面は、その全周をアンカー37によってシリコン基板32の上面に固定されている。従って、ダイアフラム33は、バックチャンバ35の上方で宙空に浮いており、音響振動空気振動に感応して膜振動可能になっている。バックプレート34は、窒化膜SiNからなるプレート部39固定膜の下面にポリシリコンからなる固定電極膜40を設けたものである。バックプレート34は、天蓋状をしていて、その下の空洞部分でダイアフラム33を覆っている。バックプレート34の下の空洞部分の高さシリコン基板32の上面から固定電極膜40の下面までの高さは、製造上の理由から、シリコン基板32の上面に形成された土台部41の厚みと等しくなっている。バックプレート34の下面すなわち、固定電極膜40の下面とダイアフラム33の上面との間には微小なエアギャップが形成されている。固定電極膜40は、可動電極膜であるダイアフラム33と対向してキャパシタを構成している。バックプレート34には、上面から下面に貫通するようにして、音響振動を通過させるためのアコースティックホール38a、38b音響孔が多数穿孔されている。バックプレート34のうち、固定電極膜40の引出し配線44及びその近傍の領域に設けられているアコースティックホール38bは、それ以外の領域つまり、バックプレート34のアコースティック形成領域のうち引出し配線44から離れた大部分の領域に設けられているアコースティックホール38aよりも開口面積が小さくなっている。なお、アコースティックホール38a、38bはプレート部39から固定電極膜40に貫通しているが、プレート部39のアコースティックホールと固定電極膜40のアコースティックホールとは、同じ符号で示す。また、ダイアフラム33の外周部下面とシリコン基板32の上面との間にも、小さな隙間音響振動の通路があいている。従って、アコースティックホール38a、38bを通ってバックプレート34内に入った音響振動は、ダイアフラム33を振動させるとともに、ダイアフラム33の外周部とシリコン基板32の間の隙間を通ってバックチャンバ35へ抜けてゆく。また、バックプレート34の内面には微小なストッパ42が多数突出しており、ダイアフラム33と固定電極膜40の間に過電圧が印加されたときの静電引力によってダイアフラム33がバックプレート34の下面に吸着されて戻らなくなるのを防止している。また、ダイアフラム33とバックプレート34の間に浸入した水分によりダイアフラム33がバックプレート34に固着スティックして戻らなくなる現象もストッパ42により防止される。天蓋状をしたプレート部39の外周縁からは、全周にわたって保護膜53が連続的に延出している。したがって、保護膜53はプレート部39と同じく窒化膜SiNによって形成されており、プレート部39とほぼ同じ膜厚を有している。保護膜53の内周部は断面逆溝状をした土台被覆部51となっており、保護膜53の外周部は平坦部52となっている。バックプレート34はシリコン基板32の上面に固定されており、保護膜53は土台部41及び密着層47を介在させてシリコン基板32の上面外周部を覆っている。保護膜53の土台被覆部51は土台部41を覆っており、平坦部52は密着層47の上面を覆っている。ダイアフラム33の引出し配線43は土台部41に固定されており、固定電極膜40から延出された引出し配線44も土台部41の上面に固定されている。一方、土台被覆部51には開口があけられており、当該開口を通して引出し配線43の上面に可動側電極パッド46電極端子が形成され、可動側電極パッド46は引出し配線43にしたがって、ダイアフラム33に導通している。また、プレート部39の上面に設けられた固定側電極パッド45電極端子は、スルーホールなどを介して引出し配線44にしたがって、固定電極膜40に導通している。引出し配線44及びその近傍領域に設けられているアコースティックホール38bは比較的開口面積が小さく、それ以外の領域に設けられているアコースティックホール38aは比較的大きな開口面積を有している。これらのアコースティックホール38a、38bは、全体として図1に示すように三角形状あるいは、ハニカム状に配列されていてもよく、四角形状や円環状に配列されていてもよく、ランダムに配列されていてもよい。したがって、開口面積の大きなアコースティックホール38aが形成されている領域においては、アコースティックホール38a間の離間距離つまり、隣接するアコースティックホールの外周間の最短距離が比較的小さくなっており、開口面積の小さなアコースティックホール38bが形成されている領域においては、アコースティックホール38b間の離間距離は比較的大きくなっている。しかして、この音響センサ31にあっては、音響振動がアコースティックホール38a、38bを通過してバックプレート34とダイアフラム33との間の空間に入ると、薄膜であるダイアフラム33が音響振動に共振して膜振動する。ダイアフラム33が振動してダイアフラム33と固定電極膜40との間のギャップ距離が変化すると、ダイアフラム33と固定電極膜40との間の静電容量が変化する。この結果、この音響センサ31においては、ダイアフラム33が感知している音響振動音圧の変化がダイアフラム33と固定電極膜40の間の静電容量の変化となり、電極パッド45、46から電気的な信号として出力される。また、この音響センサ31にあっては、引出し配線44及び引出し配線44の近傍領域を除く領域、すなわちバックプレート34の大部分においては、開口面積の比較的大きなアコースティックホール38aを設けているので、音響振動がアコースティックホール38a、38bを通過しやすく、音響センサ31のS/N比を大きくして感度を向上させることができる。しかし、ダイアフラム33と固定電極膜40との静電容量の変化に伴って固定側電極パッド45と固定電極膜40の間には図3に矢印で示すように引出し配線44を通って電流が流れる。そのため、引出し配線44やその近傍領域にあるアコースティックホール38bの開口面積が大きいと、電流通路の断面積が狭くなって電流通路の寄生抵抗が高くなる。そして、寄生抵抗が高くなると、抵抗体から発生する電気ノイズが増大して音響センサの特性を悪化させるおそれがある。これに対し、上記音響センサ31では、引出し配線44及びその近傍領域に設けたアコースティックホール38bの開口面積が比較的小さくなっているので、引出し配線44及び固定電極膜40における電流通路の断面積がアコースティックホール38bによって狭くなりにくく、図3に矢印で示すように流れる電流の寄生抵抗が小さくなる。よって、引出し配線44及びその近傍領域においても寄生抵抗を小さくしてノイズを低減でき、センサのS/N比を向上させることができる。この結果、開口面積の比較的大きなアコースティックホール38aと開口面積の比較的小さなアコースティックホール38bの組合せにより、音響センサ31のS/N比を効率よく向上させることができる。また、引出し配線44の部分は幅が狭いため強度が低いところへもって、アコースティックホール38bが開口しているためさらに強度が低下しやすい。また、引出し配線44の先は土台部41に固定されているので、固定電極膜40のうち引出し配線44とつながっている箇所に応力が集中しやすく、さらにアコースティックホール38bによっても強度が低下している。そのため、開口面積の大きなアコースティックホールを設けると、引出し配線44やその近傍領域で引出し配線44や固定電極膜40が破損したり断線したりして音響センサ31が機能停止するおそれがある。これに対し、上記音響センサ31では、引出し配線44及びその近傍領域においては、アコースティックホール38bの開口面積を小さくしているので、引出し配線44やその近傍領域におけるアコースティックホール38bに起因する強度低下を小さくすることができる。よって、音響センサ31では、引出し配線44や固定電極膜40に断線や破損が生じにくくなり、音響センサ31の機械的強度が向上する。つぎに、音響センサ31の特性を良好にするためのアコースティックホール38a、38bの大きさとピッチとの関係について述べる。ただし、アコースティックホール38a、38bはほぼ円形の開口であって、規則的に配列しているものとする。引出し配線44から離れた領域の比較的開口面積の大きなアコースティックホール38aについて説明する。図4に示すように、開口面積の大きなアコースティックホール38aの直径をWaとし、アコースティックホール38aどうしの離間距離をDaとすれば、アコースティックホール38aの配列ピッチ中心間距離はWaDaとなる。また、離間距離Da×固定電極膜40の厚みが、アコースティックホール38a間を流れる電流に対する電流通路の断面積を表す。まず第1に、音響センサ31のS/N比を向上させるためには、引出し配線44から離れた領域ではアコースティックホール38aの開口率を大きくしておくことが好ましいので、直径Wa>離間距離Daとすることが望ましい。また、ダイアフラム33と固定電極膜40との間のエアギャップで発生する熱雑音を効率的に逃がすためには、アコースティックホール38aどうしの離間距離Daはできるだけ狭いことが望ましい。しかし、アコースティックホール38aどうしの離間距離を過度に狭くすると、バックプレート34の強度が不足したり、固定電極膜40の電極面積が小さくなってしまう。よって、Da>025×Waであることが好ましい。したがって、アコースティックホール38aどうしの離間距離Daはできるだけ狭いことが好ましいが、025Waを下限値とする。これらをまとめて表すと、025×Wa<Da<Waという条件が得られる。一方、アコースティックホール38aの直径Waが過度に小さいと、製造工程においてバックプレート34内に存在していた犠牲層のエッチングを行えなかったり、アコースティックホール38aの内部で熱雑音が発生したりする恐れがあるため、アコースティックホール38aの直径Waは3μm以上であることが望ましい。たとえば、Wa=16μm、Da=8μmとすれば、エアギャップにおける熱雑音を小さくでき、また高いS/N比を得ることができる。つぎに、引出し配線44及びその近傍領域における比較的開口面積の小さなアコースティックホール38bについて説明する。図4に示すように、開口面積の小さなアコースティックホール38bの直径をWbとし、アコースティックホール38bどうしの離間距離をDbとすれば、アコースティックホール38bの配列ピッチはWbDbとなる。また、離間距離Db×固定電極膜40の厚みが、アコースティックホール38b間を流れる電流に対する電流通路の断面積を表す。引出し配線44の近傍では、固定電極膜40の強度確保や寄生抵抗軽減を優先しなければならないので、アコースティックホール38bどうしの離間距離Dbは広いことが望ましい。特に、固定電極膜40に十分な強度を持たせるためには、離間距離Dbはアコースティックホール38bの半径よりも大きくすればよいたとえば、Db>05×Wbとすればよい。また、エアギャップの犠牲層エッチングを均一に行うためには、引出し配線44及びその近傍領域におけるアコースティックホール38bの配列ピッチWbDbを、引出し配線44から離れた領域におけるアコースティックホール38aの配列ピッチWaDaと等しくしておくことが好ましい。つまり、WbDb=WaDaで、Wa>Wbであるから、Da<Dbとなる。従って、アコースティックホール38aの配置を前記のようにWa=16μm、Da=8μmとする場合であれば、アコースティックホール38bの配置をWb=10μm、Db=14μmとすれば、固定電極膜40に十分な強度を持たせることができ、しかも、犠牲層エッチングも均一に行うことができる。また、バックプレート34の強度を確保し、寄生抵抗を軽減する観点からすると、開口面積の小さなアコースティックホール38bを形成するエリアは、1区画以上5区画以下が望ましい。6区画以上となるとエアギャップの熱雑音を小さくすることができず、音響センサ31のS/N比を悪化させてしまう可能性があるためである。ここで、アコースティックホール38bの区画とは、連続的に配置された特に、短い間隔で並んでいて連続的とみなされた一組のアコースティックホール38bを1区画としたものである。たとえば、図4の例では、3区画からなり、1番目の区画Iは引出し配線44に設けた1つのアコースティックホール38bからなり、2番目の区画IIは3つのアコースティックホール38bたとえば、1番目の区画Iのアコースティックホール38bから角までの距離がWbDbである六角形上に位置するアコースティックホール38bからなり、3番目の区画IIIは5つのアコースティックホール38bたとえば、1番目の区画Iのアコースティックホール38bから角までの距離が2Wb2Dbである六角形上に位置するアコースティックホール38bからなる。図4の例では、いずれの方向でもアコースティックホール38bの間隔が等しいので、できるだけ多くのアコースティックホール38bが並ぶ方向で1区画を定めている。第2の実施形態本発明の実施形態2による音響センサを説明する。図5は本発明の実施形態2による音響センサ61の平面図である。図6は、音響センサ61の、プレート部39を省略して示す平面図であって、併せてその一部を拡大して示す。実施形態2の音響センサ61も、ダイアフラム33及びバックプレート34がほぼ矩形状に形成されている点を除けば実施形態1の音響センサ31とほぼ同様な構造を有しているので、実施形態1と同じ構造の部分については図面に同じ符号を付すことによって説明を省略する。音響センサ61では、図6に示すように、ダイアフラム33がほぼ矩形状に形成されており、その4隅からは梁部62が対角方向へ延出している。ダイアフラム33は、SiO2によってシリコン基板32の上面に設けられたアンカー37によって各梁部62の下面を支持されている。また、音響センサ61でも、固定電極膜40から延出した引出し配線44の近傍領域では、開口面積の小さなアコースティックホール38bが設けられており、引出し配線44から離れた領域では、開口面積の大きなアコースティックホール38aが設けられている。アコースティックホール38bは、アコースティックホール38aと同じ配列ピッチで、3区画となるように設けている。第3の実施形態本発明の実施形態3による音響センサを説明する。図7は本発明の実施形態3による音響センサ71の平面図である。実施形態3の音響センサ71では、引出し配線44に開口面積の小さなアコースティックホール38bを1個又は複数個設けてあり、引出し配線44にあるアコースティックホール38bだけを開口面積の小さなアコースティックホールとしている。引出し配線44の通っている領域以外の領域には、開口面積の大きなアコースティックホール38aを規則的に配列している。ただし、引出し配線44の近傍領域では、規則的に配列されたアコースティックホール38aのうちからいくつかのアコースティックホール38aを省くことにより、アコースティックホール38aの数密度を引出し配線44から離れた領域よりも小さくし、アコースティックホール38aの配列ピッチを小さくしている。この実施形態では、引出し配線44においては、アコースティックホール38bの開口面積を小さくすることによってアコースティックホールの開口率を小さくしている。また、引出し配線44の近傍領域においては、アコースティックホール38aの数密度を小さくすることによってアコースティックホールの開口率を小さくしている。なお、図7の実施形態は、引出し配線44に開口面積の小さなアコースティックホール38bを設け、引出し配線44の近傍領域にはアコースティックホールを設けていないつまり、開口率がゼロと考えることもできる。また、つぎのように、引出し配線44の通っている領域でのみ開口率が小さくなるようにしてもよい。すなわち、引出し配線44には開口面積の小さなアコースティックホール38bを設けて開口率を小さくする。一方、引出し配線44の通っている領域以外の領域には開口面積の大きなアコースティックホール38aを規則的に配列し、引出し配線44の近傍領域も引出し配線44から離れた領域と同じ開口率となるようにする。第4の実施形態本発明の実施形態4による音響センサを説明する。図8は本発明の実施形態4による音響センサ81の平面図である。実施形態4の音響センサ81では、引出し配線44の通っている領域以外の領域にアコースティックホール38aを設けている。アコースティックホール38aは、すべて等しい大きさの開口面積あるいは、開口径を有している。そして、引出し配線44から離れた領域にあるアコースティックホール38aでは、隣接するアコースティックホール38aどうしの離間距離が比較的小さくなるようにアコースティックホール38aを規則的に配列している。引出し配線44の近傍領域では、アコースティックホール38aどうしの離間距離が引出し配線44からは案れた領域よりも大きくなるように、アコースティックホール38aを不規則に、あるいはランダムに配置している。この実施形態では、引出し配線44にアコースティックホールが設けられていないので、その開口率はゼロであり、引出し配線44の近傍領域では、アコースティックホール38aの数密度が小さくて、その開口率が引出し配線44から離れた領域よりも小さくなっている。なお、図8の実施形態において、引出し配線44に小さなアコースティックホール38bを設けてもよい。第5の実施形態図9は、本発明の実施形態5によるマイクロフォン91を示す概略断面図である。音響センサ92は、図9に示すように、IC回路93信号処理回路とともにパッケージ94内に実装され、音響センサ92の電極パッド95とIC回路93とをボンディングワイヤ96で結線し、またIC回路93をボンディングワイヤ97でパッケージ94の電極部98に結線している。また、パッケージ94の上面には、音響振動をパッケージ94内に入れるための音響振動導入孔99が開口されている。しかして、音響振動導入孔99からパッケージ94内へ音響振動が入ってくると、その音響振動が音響センサ92で検知される。音響振動によってダイアフラム33と固定電極膜40間の静電容量が変化し、この静電容量変化が電気信号としてIC回路93へ出力される。IC回路93は、音響センサ92から出力された電気信号に所定の信号処理を施して電極部98から外部へ出力可能にする。