"放射ビームを調整するための照明システムと、放射ビームにその断面でパターンを与えるように構成されたパターン形成デバイスを支持するための支持構造と、基板を支持するための基板テーブルと、前記基板の標的部分に、前記パターン形成された放射ビームを投影するための投影システムと、リソグラフィ装置内の部品をその場でクリーニングするためのクリーニングシステムであって、クリーニングすべき部品上の所定の位置の隣接部にクリーニング環境を提供するように構成され、さらに、前記所定の位置に存在する、汚染物のタイプには実質的に無関係に、前記クリーニング環境を提供するように構成されるクリーニングシステムとを含むリソグラフィ装置。前記クリーニングシステムが、局所的にプラズマを提供するためのプラズマシステムを含む、請求項1に記載の装置。前記プラズマシステムが衝撃波を提供するように構成された、請求項2に記載の装置。前記プラズマシステムが、クリーニングすべき部品上の前記所定の位置の隣接部に、レーザビームを合焦するように構成された、請求項3に記載の装置。前記クリーニングシステムが、前記所定の位置の隣接部に、クリーニングすべき前記部品を加熱するための加熱システムを含む、請求項1に記載の装置。前記加熱システムが、クリーニングすべき前記部品により吸収されうる波長を有する、ビームを提供するように構成された、請求項5に記載の装置。前記レーザが、約0.1ミリ秒より長いパルスを有するビームを提供するように構成され、かつ約15ナノ秒より短いパルスを有するビームを提供するように構成された、請求項6に記載の装置。前記レーザが、赤外線波長を有するビームを提供するように構成された、請求項6に記載の装置。前記赤外線波長が1064nmである、請求項8に記載の装置。前記クリーニングシステムが、局所的に雪の粒子を提供するためのスノーシステムを含む、請求項1に記載の装置。前記クリーニングシステムが、前記雪の粒子の噴流を提供するように構成された、請求項10に記載の装置。前記雪の粒子が、炭酸ガス及び/又はアルゴンから形成された、請求項10に記載の装置。クリーニングすべき前記部品が、基板テーブルを含む、請求項1に記載の装置。前記装置は、前記基板テーブルの両面がクリーニングされるように構成された、請求項13に記載の装置。クリーニングすべき前記部品が、少なくとも1つの光学部品を含む、請求項1に記載の装置。前記光学部品がミラーを含む、請求項15に記載の装置。前記所定の位置の前記近接部が、アライメントマーカ及び/又はクリーニングすべき前記部品の、周囲の少なくとも一部を形成する場所を含む、請求項1に記載の装置。前記クリーニングシステムが、前記クリーニング環境を周期的に提供するように構成された、請求項17に記載の装置。リソグラフィ装置内の部品を、その場でクリーニングするためのクリーニングシステムであって、前記部品上の所定の位置の隣接部に、クリーニング環境を提供するように構成され、さらに、汚染物のタイプには実質的に無関係に、前記クリーニング環境を提供するように構成されたクリーニングシステム。前記所定の位置の前記近接部が、アライメントマーカの下及び/又は周囲の場所を含む、請求項19に記載のクリーニングシステム。前記クリーニングシステムが、前記クリーニング環境を周期的に提供するように構成された、請求項19に記載のクリーニングシステム。リソグラフィ装置内の部品から汚染物をその場で取り除くためのクリーニング方法であって、前記部品の所定の位置の隣接部に、取り除かれる汚染物のタイプに無関係なクリーニング環境を生成するステップと、前記部品からその場で前記汚染物を取り除くステップとを含むクリーニング方法。前記所定の位置の前記近接部に、局所的にプラズマを提供するステップを含む、請求項22に記載のクリーニング方法。プラズマの衝撃波を提供するステップを含む、請求項23に記載のクリーニング方法。前記所定の位置の隣接部にレーザビームを合焦するステップを含む、請求項24に記載のクリーニング方法。前記所定の位置の前記近接部内の前記部品を加熱するステップを含む、請求項22に記載のクリーニング方法。前記部品により吸収されうる波長を有するレーザビームを提供するステップを含む、請求項26に記載のクリーニング方法。前記レーザビームを0.1ミリ秒より長い間、パルスするステップを含む、請求項27に記載のクリーニング方法。前記レーザビームが赤外線波長を有する、請求項27に記載のクリーニング方法。前記赤外線波長が1064nmである、請求項29に記載のクリーニング方法。前記所定の位置の前記近接部に、局所的に雪の粒子を生成するステップを含む、請求項22に記載のクリーニング方法。前記雪の粒子の噴流を生成するステップを含む、請求項31に記載のクリーニング方法。前記雪の粒子が、炭酸ガス及び/又はアルゴンから形成された、請求項31に記載の装置。前記部品が、基板テーブルを含む、請求項22に記載のクリーニング方法。前記基板テーブルの両面をクリーニングするステップを含む、請求項34に記載のクリーニング方法。前記部品が、少なくとも1つの光学部品を含む、請求項22に記載のクリーニング方法。前記光学部品がミラーを含む、請求項36に記載のクリーニング方法。前記所定の位置の前記近接部が、アライメントマーカの下及び/又は周囲の場所を含む、請求項22に記載のクリーニング方法。前記クリーニング環境を周期的に生成するステップを含む、請求項22に記載のクリーニング方法。リソグラフィ装置内の部品から汚染物をその場で取り除くためのクリーニング方法であって、前記部品上の前記汚染物を検出するステップと、前記部品上の、クリーニングすべき所定の位置を識別するステップと、前記所定の位置の近接部内にあるクリーニング環境を提供するように構成されたクリーニングシステムで前記所定の位置をその場でクリーニングするステップであって、前記システムがさらに、汚染物のタイプには実質的に無関係に、前記クリーニング環境を提供するように構成されるステップとを含むクリーニング方法。より多用途のクリーニング設備を有する、リソグラフィ装置を提供することが、本発明の一態様である。リソグラフィ装置における部品のその場でのクリーニングのための、より多用途のクリーニングシステムを提供することが、本発明の一態様である。リソグラフィ装置における部品からその場で汚染物を取り除くための、多用途のクリーニング方法を提供することが、本発明の一態様である。本発明の一態様によれば、パターン形成デバイスから基板に、あるパターンを転写するように構成されたリソグラフィ装置が提供される。この装置は、リソグラフィ装置内の部品をその場でクリーニングするためのクリーニングシステムを含んでいる。クリーニングシステムは、クリーニングすべき部品上の所定の位置の隣接部に、クリーニング環境を提供するように構成されている。システムはさらに、所定の位置に存在する、汚染物のタイプには実質的に無関係に、このクリーニング環境を提供するように構成されている。本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。この装置は、放射ビームを調整するための照明システムと、パターン形成デバイスを支持するための支持構造とを含む。パターン形成デバイスは、放射ビームにその断面でパターンを与えるように構成されている。この装置はまた、基板を支持するための基板テーブルと、基板の標的部分に、パターン形成された放射ビームを投影するための投影システムと、リソグラフィ装置内の部品をその場でクリーニングするためのクリーニングシステムとを含む。このクリーニングシステムは、クリーニングすべき部品上の所定の位置の隣接部に、クリーニング環境を提供するように構成されている。このシステムはさらに、所定の位置に存在する、汚染物のタイプには実質的に無関係に、クリーニング環境を提供するように構成されている。本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置内の部品を、その場でクリーニングするためのクリーニングシステムが提供される。このクリーニングシステムは、クリーニングすべき部品上の所定の位置の隣接部に、クリーニング環境を提供するように構成されている。このシステムはさらに、汚染物のタイプには実質的に無関係に、このクリーニング環境を提供するように構成されている。本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置内の部品から汚染物をその場で取り除くための、クリーニング方法が提供される。この方法は、クリーニングすべき部品の所定の位置の少なくとも近接部に、取り除かれる汚染物のタイプに無関係な、クリーニング環境を提供することを含む。本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置内の部品から汚染物をその場で取り除くための、クリーニング方法が提供される。この方法は、部品上の汚染物を検出し、部品上のクリーニングすべき所定の位置を識別し、かつ所定の位置をその場であるクリーニングシステムでクリーニングすることを含む。このクリーニングシステムは、所定の位置の近接部内に、あるクリーニング環境を提供するように構成されている。このシステムはさらに、汚染物のタイプには実質的に無関係に、クリーニング環境を提供するように構成されている。本発明の実施例が、添付の概略図を参照して、以下に例としてのみ記述される。図において、対応する参照記号は、対応する部分を表わす。図1は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、示されているように、放射ビームB例えば紫外放射線を調整するように構成された照明システムイルミネータIL、パターン形成デバイス例えばマスクMAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターン形成デバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMT、基板例えばレジスト塗布ウェハWを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェハテーブルWT、及び基板Wの標的部分C例えば1つ又は複数のダイを含む上のパターン形成デバイスMAにより、放射ビームBに与えられたパターンを投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSを含んでいる。この装置は、その場でリソグラフィ装置内の部品をクリーニングし、それにより、装置を開いてクリーニングすべき部品を取りはずす必要を回避するためのクリーニングシステムCSを含む。クリーニングシステムCSは、クリーニングすべき部品上の所定の位置の少なくとも近接部でクリーニング環境を提供するように構成される。クリーニングシステムはまた、当該の所定の位置に存在する汚染物のタイプに実質的に依存せずにこのクリーニング環境を提供するように構成される。図1に示される破線の矢印は、考えられる所定の位置とその近傍を表わす。照明システムは、放射線を導き、かたちづくり、及び/又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型又は他のタイプの光学部品、又はこれらの任意の組合せのような、様々なタイプの光学部品を含む。支持構造MTは、パターン形成デバイスMAを支持する、即ちその重量を支承する。パターン形成デバイスMAの向き、リソグラフィ装置の設計、及びパターン形成デバイスMAが真空環境内で保持されるか否かのようなその他の条件に依存する方法で、支持構造MTはパターン形成デバイスMAを保持する。支持構造MTは、パターン形成デバイスMAを保持するために、機械的、真空、静電的又は他のクランプ技法を用いてよい。支持構造MTは、例えば必要に応じて固定された、又は移動可能な、フレーム又はテーブルであってよい。支持構造MTは、例えば投影システムPSに対して、所望の位置にパターン形成デバイスMAが配置されることを保証する。ここでの用語レクチル又はマスクの使用は、より一般的な用語パターン形成デバイスと同義であると見なすことができる。ここで使用されるように、用語パターン形成デバイスは、基板の標的部分にパターンを形成するように、放射ビームにその断面でパターンを与えるために用いることができる、任意のデバイスを呼称するものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えば当該のパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板の標的部分の所望のパターンとは正確には対応しない可能性があることに留意されたい。一般的に放射ビームに形成されるパターンは、集積回路のような、標的部分に生成されるデバイス内の、特定の機能層に対応する。パターン形成デバイスは、透過性又は反射性であってよい。パターン形成デバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルを含む。マスクはリソグラフィではよく知られており、バイナリ、レベンソン型位相シフト、ハーフトーン型位相シフトのようなマスクタイプ及び様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、入射する放射ビームを異なる方向に反射させるために各々を個々に傾けることができる、マトリックス配列の小さな鏡を用いている。傾けられる鏡は、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを与える。ここで使用されているように、用語投影システムは、使用される露光放射線に対して、或いは、浸漬流体の使用又は真空の使用など他の要因に対して適切なように、屈折、反射、カタディオプトリック、磁気、電磁、静電光学系を含めて、任意のタイプの投影システム又はその任意の組合せを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書における投影レンズという用語のどの使用も、より一般的な用語投影システムと同義であると見なすことができる。ここに示されているように、この装置は反射型例えば、反射マスクを用いているである。別法として、装置は透過型例えば、透過マスクを用いているであってもよい。リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル及び/又は2つ以上のマスクテーブルを有するタイプであってもよい。そのような多ステージ機では、追加のテーブルを並行に使用することができ、又は1つ又は複数の他のテーブルが露光に用いられている間に、準備のステップを1つ又は複数のテーブルで実行することができる。リソグラフィ装置は、投影システムと基板の間の空間を満たすように、相対的に高い屈折率を有する液体、例えば水で、基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってよい。また浸漬液は、例えばマスクと投影システムの間のような、リソグラフィ装置の他の空間に適用されてもよい。浸漬技法は、投影システムの開口数を増すために、当技術分野で良く知られている。ここで使用されるように用語浸漬は、基板のような構造を液体中に沈めなければならないことを意味するのではなく、むしろ露光中に投影システムと基板の間に液体が配置されることを、単に意味する。図1を参照すると、イルミネータILは照射源SOから放射ビームを受ける。その照射源とリソグラフィ装置は、例えば照射源がエキシマレーザである場合には、別体とすることができる。そのような場合、照射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、例えば適切な導光ミラー及び/又はビームエキスパンダBDを含む、ビーム送達システムBDの助けを借りて、放射ビームは照射源SOからイルミネータILに伝えられる。他の場合、例えば照射源が水銀ランプである場合には、照射源はリソグラフィ装置に一体化された一部とすることができる。ビーム送達システムBDと共に照射源SO及びイルミネータILは、必要な場合、放射システムとも呼称されことがある。イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するための、アジャスタADを含んでもよい。一般的にイルミネータの瞳平面内の強度分布の、少なくとも外部及び/又は内部径方向範囲一般的にσ-外部及びσ-内部と称されるが、調整可能である。さらにイルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOのような、様々な他の部品を含んでもよい。イルミネータは、放射ビームがその断面において所望の均一性と強度分布を有するように、調整するために用いられる。放射ビームBは、支持構造例えばマスクテーブルMT上に保持され、パターン形成デバイス例えばマスクMA上に入射し、パターン形成デバイスによりパターン形成される。マスクMAを横切り、放射ビームBは、投影システムPSを通過し、基板Wの標的部分上にビームで合焦する。第2のポジショナPW及び位置センサIF2例えば干渉デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサの助けを借りて、例えば、放射ビームBの光路内で異なる標的部分Cを位置決めするように、基板テーブルWTは正確に移動することができる。同様に、第1のポジショナPM及び他の位置センサIF1を使用し、例えばマスクライブラリから機械的に取り出された後、又はスキャンの最中に、放射ビームBの光路に対してマスクMAを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルMTの動作は、第1のポジショナPMの一部を形成する、長ストロークモジュール粗位置調整及び短ストロークモジュール精位置調整の助けを借りて、実現することができる。同様に、基板テーブルWTの動作は、第2のポジショナPWの一部を形成する、長ストロークモジュール及び短ストロークモジュールを用いて、実現することができる。スキャナではなくステッパの場合には、マスクテーブルMTはストロークの短いアクチュエータのみに接続されるか、又は固定されてもよい。マスクMAと基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を用いて位置合わせすることができる。基板アライメントマークは、図示されるように標的部分の専用の位置を占めるが、標的部分間の空間スクライブレーンアライメントマークとして知られるに配置されてもよい。同様に、複数のダイがマスクMA上に設けられる場合には、マスクアライメントマークはダイの間に配置されてもよい。図示された装置は、以下のモードの少なくとも1つで用いられることができる。1.ステップモードでは、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは基本的に静止を維持され、一方放射ビームに加えられた全パターンは標的部分Cに一度に投影される即ち単一静止露光。次に基板テーブルWTは、異なる標的部分Cが露光されることができるように、X及び/又はY方向にシフトされる。ステップモードでは、照射野の最大サイズが、単一静止照射において結像される標的部分Cのサイズを制限する。2.スキャンモードでは、放射ビームに加えられたパターンが標的部分Cに投影されている間に、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTが同期してスキャンされる即ち単一動的照射。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度と方向は、投影システムPSの倍率縮率と画像反転特性により決定される。スキャンモードでは、露光野の最大サイズは単一動的照射における標的部分のスキャンしない方向の幅を決定し、一方スキャン動作の長さは標的部分のスキャンする方向の高さを決定する。他のモードでは、マスクテーブルMTはプログラム可能なパターン形成デバイスを保持して基本的に静止されており、基板テーブルWTは、放射ビームに加えられたパターンが標的部分Cに投影されている間に、移動又はスキャンされる。このモードでは、一般的にパルス化された照射源が用いられ、プログラム可能なパターン形成デバイスは、基板テーブルWTの各動作後又はスキャンの間、連続的な照射パルスの間で必要に応じて更新される。この動作モードは、以上で言及されたようなタイプの、プログラム可能なミラーアレイのようなプログラム可能なパターン形成デバイスを用いる、マスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。以上に記述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードが、同様に用いられてもよい。図2-6は、各々が本発明のある実施例の一部を示す。図2-4は、リソグラフィ装置における部品をその場でクリーニングするための、クリーニングシステムを概略的に示す。例として、クリーニングされる部品は基板テーブルWTである。しかしながら、本発明は他の部品をクリーニングする目的のために適用されてもよいことが、明らかであるはずである。クリーニングシステムCSは、クリーニングされるべき部品上の所定の位置PPの少なくとも近接部でクリーニング環境を提供するように構成されている。クリーニング環境は、クリーニングされるべき部品から汚染物を取り除く際に効果的な環境である。このシステムはさらに、所定の位置上に存在する汚染物のタイプには実質的に無関係な、クリーニング環境を提供するように構成されている。これによる利点は、所定の位置に存在する汚染物のサイズ又は組成、即ち汚染物のタイプについて特別な知識が必要でないことである。汚染物の位置のみが、関係している。汚染物の存在を検出することができる装置、即ちクリーニングされるべき部品上の汚染された位置を決定することができる装置は、その全体を参照により本明細書に組み込む欧州特許第1093022A号に記載されている。図2は、クリーニングシステムCSをより詳細に示す。クリーニングシステムCSは、局所的にプラズマを提供するための、プラズマシステムを含んでいる。図示されるプラズマシステムは、衝撃波を提供するように構成される。使用においては、レジストに由来する汚染物は、プラズマによるエッチングで取り除かれる。金属又は酸化物粒子は、衝撃波により吹き飛ばされる。図においては、レジスト粒子の汚染物と金属又は酸化物粒子の間の差異は区別されていない。どちらのタイプも、即ち一般的な汚染物は、CPと呼ばれる。プラズマシステムはさらに、クリーニングされるべき部品上の所定の位置の近接部でレーザビームの焦点を合わせるように構成される。従って、効率を向上しかつクリーニング時間を削減して、選択的かつ非常に正確にクリーニングすることが可能である。より詳細にはプラズマシステムは、レーザビームLBを提供するためのレーザLを含んでもよい。例えばミラーMと合焦レンズFLのような光学部品の使用により、レーザビームはクリーニングされるべき部品上の所定の位置PPの近接部で焦点を合わせることができる。この所定の位置PPは、例えば使用の際にウェハを支持するための、ウェハテーブルWTの突起である、いわゆるバールの表面Sであってもよい。プラズマシステムは、それぞれ調波発生器にレーザビームを導き、例えばUVレーザビームUVLBを生成するための、ビームスプリッタBS及び調波発生器HGを含んでもよい。この追加のUVレーザビームがレーザが焦点を合わせているスポットFSに到来した状態で、所定の位置の近傍及び所定の位置PPそれ自体の効果的なクリーニングが効率的な方法で行われることが判明している。レーザは、汚染物粒子とクリーニングされるべき表面との間における急速な膨張差によるG力を含めて、クリーニングされるべき表面を加熱する。さらに効率を向上させるために、所定の位置PPとレーザビームLBが合焦されるスポットとの間の距離Dを最適化する必要がある。この最適化は、当業者による日常的な実験で行うことができる。距離Dは例えば、必要とされる精度、及び、生成される精度と距離Dとの所定の関係に基づいて、予め設定されてもよい。同様に、適切な距離Dを見いだすために、自動化された最適化手続を用いることができる。プラズマシステムは、合焦されたレーザビームが、所定の位置に基づいてウェハテーブルWTの表面を、選択的にスキャンすることができるように構成することができる。本発明による装置のクリーニングシステムの場合、少なくとも所定の位置の近接部で、従って所定の位置それ自体においてクリーニングが行われる。この目的のために、光学部品は回転可能及び/又は移動可能である。しかしながらまた、クリーニングシステム全体がその表面に沿って移動可能であることが可能である。図3は、本発明の実施例の一部として、クリーニングシステムの代替の実施例を示す。この場合、クリーニングシステムは、所定の位置の近接部で部品を加熱するための、加熱システムを含んでいる。特に加熱システムは、クリーニングされる部品により吸収可能である波長を有するビームを提供するように構成されるレーザを含んでもよい。そのレーザは、クリーニングされる部品の表面に垂直に導かれるビーム、又は示されるように、その表面にある角度でアプローチするビームを提供することができる。所定の位置に存在する汚染物のタイプについて、特別な知識は不必要である。さらにこのレーザは、0.1ミリ秒より長いパルス、又はより具体的には、0.5ミリ秒より長いパルスを有するビームを提供するように構成されてもよい。この実施例は、0.15ミリ秒より短いパルス、又はより具体的には、0.10ミリ秒より短いパルスを有するビームを提供するように構成されるレーザを含んでいる。これは、0.1ミリ秒より長い、又は0.5ミリ秒より長いパルスを提供するレーザと同じレーザであってもよい。2つのレーザは、これらの要件を満たすように用いることができる。使用に際してはクリーニングされる部品は、局所的に、即ち所定の位置の少なくとも近接部で加熱される。このタイプのレーザビームはクリーニングされる部品に単に吸収されるので、任意の波長が選択されてよい。汚染物がこのレーザ光を吸収するように、波長を微調整する必要はない。コストを低く抑えるために、赤外波長を有するビームを提供するように構成されたレーザが用いられてもよい。具体的には、波長約1064nmが用いられたとき、酸化物粒子とレジスト粒子の双方を含む汚染物が、このクリーニングシステムを用いて、クリーニングすべき部品から取り除かれる。どんな理論に縛られるものでもないが、レジストは伝導により加熱されクリーニングすべき部品から蒸発し、一方金属及び酸化物粒子は、ウェハテーブルWTとこれらの粒子との間の熱膨張差に起因する高いG力によりクリーニングされる部品から解放されると思われる。この実施例の他の利点は、このシステムに用いることができる低コストレーザだけでなく、ファイバによる搬送による、必要とされる位置へのレーザ光の好都合な送達に関連する。図4は、本発明の実施例の一部として、他のクリーニングシステムを示す。このクリーニングシステムは、局所的に雪の粒子JSを提供する、スノーシステムを含んでいる。具体的には、このクリーニングシステムは、雪の粒子の噴流を提供するように構成される。雪の粒子は、炭酸ガス及び/又はアルゴンで形成することができる。雪の粒子を提供する装置と方法は、例えば米国特許6099396号及び米国特許6066032号から周知であり、それらの双方が参照により本明細書に組み込まれる。例えば、圧力下でコンテナCOに貯蔵され、導管CDを通ってノズルNに導かれた後に膨張する液体の炭酸ガスは、冷却されて大部分がミクロンサイズの柔らかい雪の粒子を形成する。クリーニングすべき部品からの汚染物の除去は、有機汚染物レジストの場合には溶解で、また、金属及び/又は酸化物粒子のような粒子を除去するためには衝撃により、また、クリーニングすべき部品の急速な冷却、及び汚染物とクリーニングすべき部品との間の大きな熱的収縮の差異による、汚染物とクリーニングすべき部品との間の接着力の低下により行われる可能性がある。雪の粒子はまた、研磨作用の結果としてレジスト粒子を取り去ることができる。このクリーニングシステムは、クリーニング後の温度回復時間を削減するために、加熱デバイスと組合せたり、又はそれを含むことができる。この実施例は、使用において、非常に効率的なクリーニング装置であり、低コストであり、クリーニングすべき部品に損傷を与えないことを示している。このクリーニングシステムは、汚染物及びクリーニングすべき部品のタイプには、実質的に無関係に動作する。雪の粒子の噴流は、雪の粒子が所定の位置の少なくとも近接部に到着するように位置合わせされるべきであるが、精度は殆ど必要とされない。一般的に、クリーニングされるスポットが相対的に大きい場合には、位置合わせは相対的に不正確であってよい。また、比較的大きなスポットのクリーニングのために、他のノズルが用いられてもよい。ノズルは、クリーニング効率を向上するように設計することができる。例えば、Carbondioxidesnowcleaning-Thenextgenerationofcleaning、R.Sherman,PaulAdams、PrecisionCleaning‘95Proceedings、p.271-300に記載されているように、ベンチュリの使用が考えられる。同様に、ノズルの実際の出口の形状とサイズを最適化することができる。さらに、雪の粒子の生成のために、一度又は二度の膨張を適用することが可能である。参照により本明細書に組み込まれる米国特許第4806171号に記載されているような、クリーニング中に雪のサイズと速度を調整する周知の方法が、同様に用いられてもよい。ノズルの位置配向は、雪の粒子の浪費を最小限に抑えるように最適化することができる。当業者なら、日常の実験を用いて、クリーニングが効率的であるとき、クリーニングすべき部品の表面に対するノズルの最適な角度を見いだすことができる。クリーニングすべき表面が、例えば所定のスキャンのために移動する方向とは逆方向に雪の噴流を適用するように、スノーシステムを構成することが可能である。その場合雪の粒子の衝撃は、増大した相対速度によるものとなり、より強い衝撃力となり、クリーニング効率を高める。システムは、参照により本明細書に組み込まれる、米国特許第5725154号に記載されているように、雪片の噴流の方向及び/又は角度を自動的に調整するように構成されてもよい。スノーシステムを用いるクリーニングはさらに、ステッピングモード及びスキャンモードでも用いられてもよい。例えば、参照により本明細書に組み込まれる、米国特許第5725154号に記載されているように、このスノーシステムが、雪の粒子のパルス化された噴流を提供するように構成されることができる。これは、バルブを切り換えることにより、又は例えばノズルを振動させるように駆動することで、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第6530823号に記載されているように、ある種の雪かき機の効果に導くことにより、実行することができる。バルブは、起動時間及び停止時間を最少にするために、及び立ち上がりの良い応答を提供するために、ノズルの出口の近くに配置される。バルブは出口に組み込まれ、雪の粒子の流れを制御する。ノズルを出る雪の粒子を加速するために、高速のガスがノズルに注入されるように、スノーシステムが構成されてもよい。米国特許第5725154号に記載されているように、クリーニングすべき部品の冷却を低減するために、かつクリーニングすべき部品の静電気の帯電を低減するために、このガスはそれぞれ暖かいガス及び/又はイオン化されたガスであってもよい。また、断熱膨張中に生成される雪の粒子の上に、低温の窒素ガスを注入するように、スノーシステムが構成されることも可能である。雪の粒子の硬度が増大し、従ってクリーニングすべき部品の研磨によるクリーニングは、より充分になる。さらに、雪の粒子を提供するため用いられることができるガス、例えば炭酸ガスの圧力を測定及び/又は制御するための制御システムを含むように、スノーシステムが構成されることが可能である。この制御システムは、圧力ゲージ及び/又は、例えばガスが貯蔵されたコンテナの嵩を確立する機器を含んでもよい。ノズルを通過するガスの圧力は、増大させることができる。これは、圧縮装置又は、例えばガスが貯蔵されたコンテナを加熱するために構成された装置を用いて実行することができる。クリーニングシステムとしてスノーシステムを含むリソグラフィ装置は、クリーニングすべき部品のダウンタイムを低減するために復旧システムを含んでもよい。この復旧システムは、クリーニングされた又はクリーニングされている部品に熱を提供するように構成することができる。これは、加熱噴流、加熱光源、又はクリーニングすべき部品への加熱装置の内蔵により実施することができる。例えば加熱装置を、ウェハテーブルに組み込むことが考えられる。雪の粒子の噴流のスポット径を最小限に抑えることにより復旧時間を低減すること、及び/又は位置合わせを改善することも可能である。参照により本明細書に組み込まれる米国特許第5725154号に記載されているように、断続的に雪の粒子の噴流を提供するようにスノーシステムが構成されることも可能である。スノーシステムは、第1のクリーニングすべき位置から第2のクリーニングすべき位置に、ノズルの向きが変更される場合、雪の粒子がでないように構成することができる。ウェハテーブル全体が、クリーニングすべき所定の位置と見なされるとき、例えば参照により本明細書に組み込まれる米国特許第6099396号に記載されているように、専用のノズル、放射状のノズル又は平らな広いノズルを使用することができる。クリーニングシステムとしてスノーシステムを含むリソグラフィ装置は、クリーニングすべき部品の周囲を、相対的に低い湿度に保つように構成することができる。しかしながら、米国特許第5725154号に記載されているように、クリーニングすべき部品上の所定の位置に溶剤を添加することもまた、一般にクリーニング効率を高めるので可能である。クリーニングすべき部品の静電気の帯電をさらに防止するために、部品を接地する、又は例えばクリーニングすべき部品に届くイオン化気体で取り囲むことができる。参照により本明細書に組み込まれる米国特許第6530823号に記載されているように、スノーシステムの管及び/又はを接地することも可能である。クリーニングシステムとしてスノーシステムを含むリソグラフィ装置が、クリーニングされた部品から解放された汚染物粒子を取り除くことを目的とする、ガスフローを提供するためのガスフロー制御システムをさらに含んでもよい。雪の粒子が炭酸ガスを含んでいる場合、フィルタのような炭酸ガス浄化機をスノーシステムが含んでもよい。そのような浄化機は、炭酸ガスとは異なるガスで形成された、雪の粒子を提供するように構成されたスノーシステムでも、同様に用いられてもよい。図5は、リソグラフィ装置の部品からその場で汚染物を取り除くクリーニング方法を概略的に示す。第1ステップS1では、汚染物を直接又は間接に検出することができる。汚染物の直接検出は、専用の装置が汚染物を検出した可能性があるとき行うことができる。この場合、汚染物を即時に追跡し、それにより、クリーニングすべき部品上で所定の位置の数を識別することができる図5のステップS1,S2,S3。そのような専用の装置は、参照により本明細書に組み込まれる欧州特許第1093022号に記載されている。汚染物の間接検出は、リソグラフィ装置により生産されるデバイスに関して必要とされる仕様が満たされないとき、又は重畳不良重畳不良は、複数の基板上に同様のパターンが転写されるときの再現性不能を指すが見られるとき行うことができる。この場合、欧州特許第1093022A2号に記載されているような装置を使用し、汚染物を追跡しS2、クリーニングすべき必要がある所定の位置を識別することができるS3。ひとたび汚染物が存在する位置が識別される、即ち所定の位置が判ると、上述のクリーニングシステムを用いて、その所定の位置でクリーニングを行うことができるS4。所定の位置のクリーニング後に、リソグラフィ装置は通常の動作に戻ることができる。これは最終的に、検出されることになる汚染物に再び通じることになり、ステップS1は、以上に概説したようなクリーニング方法の開始を再度起動することができる。図6は、本発明の一実施例よるクリーニング方法を概略的に示す。この場合、所定の位置をクリーニングした後に、リソグラフィ装置の通常の動作が続き、再び所定の位置のクリーニングが続く。この実施例では、所定の位置は、各場所の汚染物の存在を検出することなく、予め決定されている。これは例えば、アライメントマーカ及び/又はアライメントマーカの下及び/又は周囲の位置が、所定の位置を、及びそれぞれ所定の位置の近接部を形成する場合である。高い精度要件を首尾一貫して満たすために、汚染物が検出されるのを最初に待つことなく、そのような位置を周期的にクリーニングすることが必要とされる可能性がある。これはアライメントマーカのみに適用されるのではなく、ミラー表面のような、位置を決定するために使用される表面にも適用される可能性がある。同様にレンズの能力の決定の際は、汚染されていない表面が必要である。これらの表面は、上述の方法とクリーニング装置によりクリーニングすることができる。一般にこの装置は、少なくとも1つの光学部品及び/又は位置に敏感な部品をクリーニングするように構成することができる。この装置はさらに、基板テーブルのような、位置に敏感な部品をクリーニングするとき、その部品の両面がクリーニングすることができるように構成することができる。クリーニングすべき部品は、干渉計のミラーブロックどちら側でも、光学センサ、及び反射素子を含むことができる。本文中では、ICの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあり得るが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学系、磁区メモリ用のガイド及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用分野があり得ることを理解されたい。当業者なら、そのような代替の応用分野の文脈において、本明細書における用語ウェハ又はダイのどのような使用も、それぞれより一般的な用語である基板又は標的部分と同義と見なすことができることを理解するであろう。本明細書で参照されている基板は、露光の前後に、例えば、トラック一般に、レジストの層を基板に付着し、露光されたレジストを現像するツール、測定、及び/又は検査ツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そのような、また他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを作成するために複数回処理することができ、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理済みの層をすでに含む基板を指すこともあり得る。上記では、本発明の諸実施例の使用を、光リソグラフィの文脈で具体的に参照することがあるが、本発明は、他の応用分野、例えばインプリントリソグラフィで使用することができ、状況において可能な場合、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターン形成デバイスの起伏形状により、基板上で作成されるパターンが画定される。パターン形成デバイスの起伏形状を、基板に供給されたレジストの層内に押し付けることができ、そのとき、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組合せを加えることによってレジストを硬化させる。パターン形成デバイスは、レジストから移動され、レジストが硬化した後でレジスト内にパターンを残す。本明細書で使用される用語放射線及びビームは、例えば、約365、248、193、157、又は126nmの波長を有する紫外線UV及び例えば、5~20nmの範囲内の波長を有する極紫外線EUV、並びに、イオンビーム又は電子ビームなど粒子ビームを含む、あらゆるタイプの電磁放射線を包含する。用語レンズは、状況において可能な場合、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電光学部品を含む、種々のタイプの光学部品の任意の1つ、又はその組合せを意味する。以上では、本発明の特別な実施例が記述されているが、本発明は記述された以外の方法で、実行されてもよいことを理解されたい。例えば本発明は、以上に開示されたような方法を記述する、機械可読命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はそのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気又は光学ディスクの形態をとってもよい。以上の記述は、例であって限定を意図していない。以上に記載された請求項の範囲から逸脱することなく、記述されたような本発明への変形がなされうることは、当業者には自明であろう。"