半導体素子と、前記半導体素子を封止する樹脂と、前記樹脂によって固定された放熱板と、を備え、前記放熱板が前記樹脂から突出する第1突出部を有することを特徴とする半導体装置。前記放熱板が、少なくとも1つの方向において前記樹脂よりも長い1枚の板状部材からなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記半導体素子が搭載されるリードフレームを備え、前記リードフレームの外部端子の一部が前記樹脂から突出しており、前記放熱板の第1突出部は、平面視したときに、前記樹脂から突出している前記外部端子の一部とは重ならない位置に配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記半導体素子が搭載されるリードフレームを備え、前記半導体素子が搭載される前記リードフレームのダイパッドと前記半導体素子を挟んで反対側に、前記放熱板が配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記放熱板が、金属材料、セラミック材料、または炭素材料からなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記放熱板の第1突出部に設けられた第2突出部をさらに備え、前記第2突出部は、前記半導体素子が配置された実装面と同一面に交差する方向に沿って、前記放熱板の第1突出部から突出していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記第2突出部が、前記半導体素子を封止する前記樹脂の厚みよりも長いことを特徴とする請求項6記載の半導体装置。前記第2突出部が、前記放熱板の第1突出部から垂直方向に突出していることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。半導体素子と、前記半導体素子を封止する樹脂と、をそれぞれ備えた複数個の半導体装置からなる半導体装置の複合体であって、前記各半導体装置の樹脂によって固定されて、前記各半導体装置に担持される放熱板を備え、前記複数個の半導体装置は、隣接する前記半導体装置の間に隙間が形成されるように配置されており、前記放熱板は、前記各半導体装置の樹脂のそれぞれの少なくとも一箇所から突出する第1突出部を有することを特徴とする半導体装置の複合体。前記放熱板が、前記複数個の半導体装置が配置されている方向に長い1枚の板状部材からなることを特徴とする請求項9記載の半導体装置の複合体。前記各半導体装置は、前記半導体素子が搭載されるリードフレームを備え、前記各リードフレームの外部端子の一部が前記各半導体装置の樹脂からそれぞれ突出しており、前記放熱板の第1突出部は、平面視したときに、前記各半導体装置の樹脂のそれぞれから突出している前記外部端子の一部とは重ならない位置に配置されていることを特徴とする請求項9記載の半導体装置の複合体。前記各半導体装置は、前記半導体素子が搭載されるリードフレームを備え、前記各半導体素子が搭載される前記各リードフレームのダイパッドと前記各半導体素子を挟んで反対側に、前記放熱板が配置されていることを特徴とする請求項9記載の半導体装置の複合体。前記放熱板が、金属材料、セラミック材料、または炭素材料からなることを特徴とする請求項9記載の半導体装置の複合体。前記各半導体装置の半導体素子が搭載される各実装面が同一面上に配置されていることを特徴とする請求項9記載の半導体装置の複合体。前記放熱板が湾曲していることを特徴とする請求項9記載の半導体装置の複合体。前記放熱板の少なくとも一つの第1突出部に設けられた第2突出部をさらに備え、その第2突出部は、その第2突出部が設けられた第1突出部に接続する前記半導体装置の半導体素子が配置された実装面と同一面に交差する方向に沿って、その第2突出部が設けられた第1突出部から突出していることを特徴とする請求項9記載の半導体装置の複合体。前記放熱板の第2突出部が、その第2突出部が設けられた第1突出部に接続する前記半導体装置の樹脂の厚みよりも長いことを特徴とする請求項16記載の半導体装置の複合体。前記放熱板の第2突出部が、その第2突出部が設けられた第1突出部から垂直方向に突出していることを特徴とする請求項16記載の半導体装置の複合体。請求項1ないし8のいずれかに記載の半導体装置を製造する方法であって、半導体素子を金型の内部空間に設置して、その設置された半導体素子を樹脂封止する工程を具備し、前記金型には、その内部空間の少なくとも一箇所から突出する放熱板を担持するための担持部が形成されており、前記半導体素子を樹脂封止する際に、前記半導体素子と前記放熱板が前記金型に設置された後、前記半導体素子が樹脂封止されると同時に、前記半導体素子を樹脂封止する樹脂によって前記放熱板が固定されることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記放熱板の前記樹脂から突出する部分に予め設けられた屈曲予定部を屈曲させる工程をさらに具備することを特徴とする請求項19記載の半導体装置の製造方法。請求項9ないし18のいずれかに記載の半導体装置の複合体を製造する方法であって、複数個の半導体素子を金型の複数の内部空間にそれぞれ設置して、その設置された複数個の半導体素子をそれぞれ樹脂封止する工程を具備し、前記金型には、その複数の内部空間のそれぞれの少なくとも一箇所から突出する放熱板を担持するための担持部が形成されており、前記複数個の半導体素子を樹脂封止する際に、前記複数個の半導体素子と前記放熱板が前記金型に設置された後、前記各半導体素子が樹脂封止されると同時に、前記各半導体素子を樹脂封止する各樹脂によって前記放熱板が固定されることを特徴とする半導体装置の複合体の製造方法。前記放熱板の前記各樹脂から突出する部分に予め設けられた屈曲予定部を屈曲させる工程をさらに具備することを特徴とする請求項21記載の半導体装置の複合体の製造方法。しかしながら、上記特許文献1に記載された半導体装置では、半導体素子から発せられた熱は、主として、ネジで固定された箇所から放熱されるので、より多くの熱が発生するような半導体素子のさらなる高スイッチング化に対応することができない。あるいは、対応するためには、放熱面積を大きくする必要があり、そうすると、半導体装置の外形寸法が大きくなって小型化が困難となる。本発明は、かかる点に鑑みて発明者らの鋭意努力の結果なされたものであり、その目的とするところは、半導体素子から発生する熱の放熱性に優れ、過昇温による故障を抑制することができる信頼性の高い樹脂封止型の半導体装置および、そのような半導体装置の複合体、並びに、それらの製造方法を提供することである。本発明に係る半導体装置の側面の一つは、半導体素子と、前記半導体素子を封止する樹脂と、前記樹脂によって固定された放熱板と、を備え、前記放熱板が前記樹脂から突出する第1突出部を有することである。本発明に係る半導体装置の他の側面の一つは、前記放熱板が、少なくとも1つの方向において前記樹脂よりも長い1枚の板状部材からなることである。本発明に係る半導体装置の他の側面の一つは、前記半導体素子が搭載されるリードフレームを備え、前記リードフレームの外部端子の一部が前記樹脂から突出しており、前記放熱板の第1突出部が、平面視したときに、前記樹脂から突出している前記外部端子の一部とは重ならない位置に配置されていることである。本発明に係る半導体装置の他の側面の一つは、前記半導体素子が搭載されるリードフレームを備え、前記半導体素子が搭載される前記リードフレームのダイパッドと前記半導体素子を挟んで反対側に、前記放熱板が配置されていることである。本発明に係る半導体装置の他の側面の一つは、前記放熱板が、金属材料、セラミック材料、または炭素材料からなることである。本発明に係る半導体装置の他の側面の一つは、前記放熱板の第1突出部に設けられた第2突出部をさらに備え、前記第2突出部が、前記半導体素子が配置された実装面と同一面に交差する方向に沿って、前記放熱板の第1突出部から突出していることである。本発明に係る半導体装置の他の側面の一つは、前記第2突出部が、前記半導体素子を封止する前記樹脂の厚みよりも長いことである。本発明に係る半導体装置の他の側面の一つは、前記第2突出部が、前記放熱板の第1突出部から垂直方向に突出していることである。本発明に係る半導体装置の複合体の側面の一つは、半導体素子と、前記半導体素子を封止する樹脂と、をそれぞれ備えた複数個の半導体装置からなる半導体装置の複合体であって、前記各半導体装置の樹脂によって固定されて、前記各半導体装置に担持される放熱板を備え、前記複数個の半導体装置が、隣接する前記半導体装置の間に隙間が形成されるように配置されており、前記放熱板が、前記各半導体装置の樹脂のそれぞれの少なくとも一箇所から突出する第1突出部を有することである。本発明に係る半導体装置の複合体の他の側面の一つは、前記放熱板が、前記複数個の半導体装置が配置されている方向に長い1枚の板状部材からなることである。本発明に係る半導体装置の複合体の他の側面の一つは、前記各半導体装置が、前記半導体素子が搭載されるリードフレームを備え、前記各リードフレームの外部端子の一部が前記各半導体装置の樹脂からそれぞれ突出しており、前記放熱板の第1突出部が、平面視したときに、前記各半導体装置の樹脂のそれぞれから突出している前記外部端子の一部とは重ならない位置に配置されていることである。本発明に係る半導体装置の複合体の他の側面の一つは、前記各半導体装置が、前記半導体素子が搭載されるリードフレームを備え、前記各半導体素子が搭載される前記各リードフレームのダイパッドと前記各半導体素子を挟んで反対側に、前記放熱板が配置されていることである。本発明に係る半導体装置の複合体の他の側面の一つは、前記放熱板が、金属材料、セラミック材料、または炭素材料からなることである。本発明に係る半導体装置の複合体の他の側面の一つは、前記各半導体装置の半導体素子が搭載される各実装面が同一面上に配置されていることである。本発明に係る半導体装置の複合体の他の側面の一つは、前記放熱板が湾曲していることである。本発明に係る半導体装置の複合体の他の側面の一つは、前記放熱板の少なくとも一つの第1突出部に設けられた第2突出部をさらに備え、その第2突出部が、その第2突出部が設けられた第1突出部に接続する前記半導体装置の半導体素子が配置された実装面と同一面に交差する方向に沿って、その第2突出部が設けられた第1突出部から突出していることである。本発明に係る半導体装置の複合体の他の側面の一つは、前記放熱板の第2突出部が、その第2突出部が設けられた第1突出部に接続する前記半導体装置の樹脂の厚みよりも長いことである。本発明に係る半導体装置の複合体の他の側面の一つは、前記放熱板の第2突出部が、その第2突出部が設けられた第1突出部から垂直方向に突出していることである。本発明に係る半導体装置の製造方法の側面の一つは、半導体素子を金型の内部空間に設置して、その設置された半導体素子を樹脂封止する工程を具備し、前記金型には、その内部空間の少なくとも一箇所から突出する放熱板を担持するための担持部が形成されており、前記半導体素子を樹脂封止する際に、前記半導体素子と前記放熱板が前記金型に設置された後、前記半導体素子が樹脂封止されると同時に、前記半導体素子を樹脂封止する樹脂によって前記放熱板が固定されることである。本発明に係る半導体装置の製造方法の他の側面の一つは、前記放熱板の前記樹脂から突出する部分に予め設けられた屈曲予定部を屈曲させる工程をさらに具備することである。本発明に係る半導体装置の複合体の製造方法における側面の一つは、複数個の半導体素子を金型の複数の内部空間にそれぞれ設置して、その設置された複数個の半導体素子をそれぞれ樹脂封止する工程を具備し、前記金型には、その複数の内部空間のそれぞれの少なくとも一箇所から突出する放熱板を担持するための担持部が形成されており、前記複数個の半導体素子を樹脂封止する際に、前記複数個の半導体素子と前記放熱板が前記金型に設置された後、前記各半導体素子が樹脂封止されると同時に、前記各半導体素子を樹脂封止する各樹脂によって前記放熱板が固定されることである。本発明に係る半導体装置の複合体の製造方法における他の側面の一つは、前記放熱板の前記各樹脂から突出する部分に予め設けられた屈曲予定部を屈曲させる工程をさらに具備することである。本発明によれば、放熱板の一部が、半導体素子を封止している樹脂からはみ出しているので、そのはみ出した部分である第1突出部を、ヒートシンクなどの基板に固定することにより、半導体素子から発生する熱を効率的に放熱させることができる。したがって、本発明によれば、半導体素子から発生する熱の放熱性に優れ、過昇温による故障を抑制することができる信頼性の高い樹脂封止型の半導体装置を得ることができる。以下、本発明の実施の形態1ないし4について、図面を参照しながら説明する。但し、同じ構成要素には同じ符号を付して、重複する説明を省略する場合もある。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的ないしは概念的に示されている。図示された各構成要素の厚み、長さ等は、図面作成の都合上から実際とは異なる。なお、以下の実施の形態1ないし4で示す各構成要素の数や材質、形状、寸法等は一例であって特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。また、以下で説明する実施の形態1ないし4は適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態1図1は本発明の実施の形態1における半導体装置の平面図、図2は図1に示す半導体装置を正面から見た断面図、図3は図1に示す半導体装置を側面から見た断面図である。詳しくは、図2は図1のA-A線に沿った断面図であり、図3は図1のB-B線に沿った断面図である。但し、図2および図3は、半導体装置の構成部品を保護するとともに半導体装置本体の外形を形成する封止樹脂部6を透かして示している。この実施の形態1における半導体装置は、図1ないし図3に示すように、半導体素子3と、半導体素子3を保護する封止樹脂部6と、封止樹脂部6によって固定された放熱板5と、を備えており、放熱板5が、封止樹脂部6の少なくとも1箇所から突出する突出部5aを有している。封止樹脂部6から突出している突出部5aは、放熱板5の一部であって、封止樹脂部6とは未接触の部分である。この半導体装置の構成によれば、図4に示すように、ヒートシンクなどの基板7に半導体装置を固定する際に、基板7に設けられた例えば所定の方向に張り出す上部を有するフック状の固定部7aに、例えばネジ止め、または半田付けなどの図示しない固定手段によって、封止樹脂部6からはみ出している放熱板5の突出部5aを固定することにより、半導体素子3から発生した熱を、放熱板5の突出部5aを有効な放熱経路として外部に放出することができる。そして、放熱板5の突出部5aを固定することにより、半導体装置の表面のうちの放熱板5とは反対側の面を基板7に少なくとも1箇所で接触、好適には密着させれば、その基板7に接触または密着している箇所を経由して、半導体素子3から発生した熱を外部に放出することができる。したがって、放熱経路を増やして、放熱効率を向上させることができる。よって、半導体素子3の周辺の過昇温を抑止して、熱による半導体素子3の周辺部材の破壊を未然に防ぐことができる信頼性の高い半導体装置を得ることができる。つまり、既知の技術では、半導体装置の一方の面の中心部のみを基板に固定していたため、その1か所の固定箇所のみが有効な放熱経路であったが、この実施の形態1によれば、基板7に接触、好適には密着する面に加えて、放熱板5も有効な放熱経路として作用するので、既知の技術よりも放熱経路を増やすことができる。したがって、この実施の形態1によれば、過昇温による故障の発生頻度が低く、既知の技術よりも信頼性の高い、長寿命な半導体装置を得ることができる。以下、具体的に、この実施の形態1における半導体装置を説明する。この実施の形態1における半導体装置は、図1ないし図3に示すように、リードフレーム1と、リードフレーム1上に実装された半導体素子3と、半導体素子3を樹脂封止する封止樹脂部6と、その表面が露出するように封止樹脂部6に埋設された放熱板5を備えており、放熱板5は、少なくとも1つの方向において封止樹脂部6よりも長い1枚の板状部材からなり、その一部が封止樹脂部6の少なくとも1箇所から突出して突出部5aとなる。リードフレーム1は外部端子1aとダイパッド1bを備える。このリードフレーム1は、銅などの熱伝導性および電気伝導性に優れた材料からなる。半導体素子3は、リードフレーム1のダイパッド1b上に搭載されている。例えば、半導体素子3は、ペースト剤2によってダイパッド1b上に固定してもよい。半導体素子3の図示しない電極端子は、金属ワイヤ4を介してリードフレーム1の外部端子1aに接続している。この金属ワイヤ4とリードフレーム1の外部端子1aにより、半導体装置の外部に設けられる電気回路に半導体素子3を接続する接続部分が構成されている。リードフレーム1の外部端子1aはその一部が封止樹脂部6から突出している。放熱板5は、ダイパッド1bとは反対側の上部に配置されている。つまり放熱板5はリードフレーム1と半導体素子3を挟んで対向している。放熱板5は、金属ワイヤ4に接触しないように半導体素子3から離して配置するのが好適である。半導体装置本体の外形は、概ね、封止樹脂部6により形成されている。封止樹脂部6は、半導体装置の構成部品であるリードフレーム1と、半導体素子3と、金属ワイヤ4を樹脂封止して保護している。具体的には、半導体素子3と金属ワイヤ4は封止樹脂部6に埋設されている。外部端子1aは、その一部が封止樹脂部6から突出する態様で封止樹脂部6に埋設されている。ダイパッド1bは、半導体素子3が搭載固定されている実装面とは反対側の面が封止樹脂部6から露出する態様で、封止樹脂部6に埋設されている。放熱板5は、半導体素子3に対向する面とは反対側の面が封止樹脂部6から露出し、かつ、その一部である突出部5aが封止樹脂部6から突出する態様で、封止樹脂部6に埋設されている。封止樹脂部6を構成する樹脂は特に限定されるものではなく、たとえば、主剤としてオルトクレゾールノボラック型のエポキシが、硬化剤として、主剤であるオルトクレゾールノボラック型のエポキシを硬化させることができるフェノール樹脂が配合され、かつ無機充填剤が70重量部から90重量部程度の比率で配合された公知の熱硬化性エポキシ樹脂を使用することができる。放熱板5の突出部5aは、半導体装置を平面視したときに、封止樹脂部6から外部端子1aが突出していないエリアに突出している。つまり、半導体装置を平面視したとき、放熱板5の突出部5aは、封止樹脂部6から突出している外部端子1aの一部と重ならない位置に配置される。この実施の形態1では、放熱板5は2つの突出部5aを有する。その放熱板5の2つの突出部5aは、平面視したときの形状が矩形状となる封止樹脂部6の外形の対向する2つの辺からそれぞれ突出している。なお、突出部5aは2つに限るものではなく、3つ以上でもよい。言い換えると、封止樹脂部6の少なくとも2箇所から放熱板5の突出部5aが突出していればよい。また、この実施の形態1では、放熱板5は一枚であり、その対向する両端部が突出部5aとなる。その突出部5aとなる両端部は、この実施の形態1では、放熱板5の長手方向に配置されているが、放熱板5において突出部5aとなる部分は、放熱板5の長手方向における両端部に限定されるものではない。また、この実施の形態1では、少なくとも一つの方向において放熱板5が封止樹脂部6よりも長い。したがって放熱板5は、平面視したときの形状が矩形状となる封止樹脂部6の外形の少なくとも一辺よりも長い。以上説明した構成の半導体装置をヒートシンクなどの基板に固定するときには、半導体装置の表面のうち、放熱板5とは反対側の面、つまりダイパッド1bが配置されている側の面を、図4に示すように、ヒートシンクなどの基板7に向ける。図4は、この実施の形態1における半導体装置をヒートシンクなどの基板7に固定した状態の一例を示す側面図である。図4に示すように、基板7に例えば2つのフック状の固定部7aを、封止樹脂部6からはみ出している放熱板5の2つの突出部5aに対応させて設けておいて、そのフック状の固定部7aに、例えばネジ止め、または半田付けなどの図示しない固定手段によって、放熱板5の突出部5aを固定することにより、半導体装置を基板7に固定する。この構成により、半導体素子3から発生した熱を、放熱板5の2つの突出部5aを有効な放熱経路として外部に放出することができる。つまり、放熱経路が2か所となる。したがって、放熱板5を複数個所で固定することによって、放熱経路を増やして、放熱効率を向上させることができる。よって、半導体素子3の周辺の過昇温を抑止して、熱による半導体素子3の周辺部材の破壊を未然に防ぐことができる信頼性の高い半導体装置を得ることができる。つまり、既知の技術では、半導体装置の一方の面の中心部のみを基板に固定していたため、その1か所の固定箇所のみが有効な放熱経路であったが、この実施の形態1によれば、放熱板5の両端部2つの突出部5aが有効な放熱経路として作用するので、既知の技術よりも放熱経路を増やすことができる。したがって、この実施の形態1によれば、過昇温による故障の発生頻度が低く、既知の技術よりも信頼性の高い、長寿命な半導体装置を得ることができる。なお、放熱板5の2つの突出部5aを基板7に固定する際に、半導体装置の表面のうちの放熱板5とは反対側の面を基板7に少なくとも1箇所で接触、好適には密着させると、その基板7に接触または密着している箇所も経由して、半導体素子3から発生した熱が放熱されることになり、さらに望ましい。以上説明したように、ヒートシンクなどの基板7に半導体装置を搭載する際にその基板7に対向する半導体装置の一方の面とは反対側に放熱板5を配置しておき、その放熱板5を少なくとも一か所で基板7に固定し、かつ半導体装置を基板7に接触、好ましくは密着させるか、あるいは、放熱板5を複数個所で基板7に固定することにより、放熱経路を増やして、放熱効率を向上させることができる。したがって、この実施の形態1における半導体装置によれば、樹脂封止型のパッケージを、半導体素子3から発生する熱の放熱性に優れたものとすることができる。よって、小型の半導体装置であっても、半導体素子3からの発熱に起因して起こる、過昇温による不良の発生を緩和することができ、半導体装置の信頼性を高いものとすることができる。以上のように、放熱板5および、その突出部5aは、本発明を構成する重要な部分であり、その詳細を以下に述べる。放熱板5を構成する材料は限定されるものではないが、熱伝導性に優れた材料が好ましい。例えば、金属、グラファイトやダイヤモンドなどの炭素材料、セラミックなどの熱伝導率が20W/mK以上2000W/mK以下の公知の材料を用いて放熱板5を作製することができる。放熱板5の厚みは、0.2mm以上3mm以下とするのが好ましい。0.2mmより薄いと、封止樹脂部6の成型時に、放熱板5が大きく変形して、封止樹脂部6に放熱板5を確実に固定することが難しくなるおそれがある。一方、3mmより厚いと、放熱板5と封止樹脂部6との接触面積が大きくなるため、封止樹脂部6の硬化収縮時に放熱板5と封止樹脂部6との界面に発生する応力が大きくなり、放熱板5の封止樹脂部6からの剥離、ならびに、その剥離による信頼性低下の原因となる。また、放熱板5の2つの突出部5aの、封止樹脂部6からはみ出している長さLa1、La2は、2mmよりも長いことが望ましい。長さLa1、La2が2mmよりも短いと、放熱板5の突出部5aの、ヒートシンクなどの基板7への固定が困難となるためである。一方、放熱板5の2つの突出部5aの長さLa1、La2が長すぎると、半導体装置の小型化が困難となり望ましくない。例えば、放熱板5が封止樹脂部6からはみ出す方向に沿った封止樹脂部6の外形寸法Lが20mmないし50mmの場合、長さLa1、La2は、その封止樹脂部6の外形寸法Lの2倍よりも短いことが望ましい。なお、放熱板5の2つの突出部5aの長さLa1、La2は、必ずしも同等の長さである必要はない。続いて、この実施の形態1における半導体装置をヒートシンクなどの基板7へ固定する方法の他例を説明する。図5は、この実施の形態1における半導体装置をヒートシンクなどの基板7に固定した状態の他の例を示す側面図である。図5に示すように、ヒートシンクなどの基板7に、上記したフック状の固定部7aに代えて突起部7bを、封止樹脂部6からはみ出している放熱板5の突出部5aに対応させて設けて、その突起部7bに、例えばネジ止め、または半田付けなどの図示しない固定手段によって放熱板5の突出部5aを固定してもよい。この構成によっても、放熱経路が2箇所となるので、放熱効率を向上させることができる。さらに、その放熱板5の突出部5aの固定により、半導体装置の表面のうちの放熱板5とは反対側の面が基板7に少なくとも1箇所で接触、好適には密着すると、その接触または密着した箇所もまた有効な放熱経路となり、半導体装置の信頼性が向上するので、さらに好ましい。続いて、この実施の形態1における半導体装置の製造方法の一例について説明する。この実施の形態1における半導体装置の製造プロセスは特に限定されるものではないが、例えば以下で説明するような工法が可能である。図6aないし図6hは、この実施の形態1における半導体装置の製造方法の一例の要部を工程別に示す図である。詳しくは、図6aないし図6gは放熱板5が突出する正面から見た工程別断面図、図6hは得られた半導体装置の正面図である。但し、図6gは、封止樹脂部6を透かして示している。図7aないし図7hは、図6aないし図6hの各工程に対応しており、図7aないし図7gはリードフレーム1の外部端子1aが突出する側面から見た工程別断面図、図7hは得られた半導体装置の側面図である。但し、図7gは、封止樹脂部6を透かして示している。この実施の形態1における半導体装置の製造方法は、半導体素子3を金型の内部空間キャビティ10に設置して、その設置された半導体素子3を樹脂封止する工程を有する。この工程で使用する金型には、そのキャビティ10の少なくとも1箇所から突出する放熱板5を、その突出する部分で担持するための担持部8bが形成されている。その担持部8bで担持されている部分が突出部5aとなる。この実施の形態1では、金型のキャビティ10よりも少なくとも1つの方向において長い放熱板5を、その長手方向の両端で担持するための凹部が、キャビティ10を形成する隔壁に担持部8bとして形成されている。したがって、担持部8bである凹部は、キャビティ10を形成する隔壁のうち、放熱板5の長手方向において対向する隔壁内面に形成されている。半導体素子3を樹脂封止する際には、半導体素子3と放熱板5が独立して金型に設置された後、その半導体素子3が樹脂封止されると同時に、その封止樹脂によって放熱板5が固定される。詳しくは、図6dに示すように、樹脂成型用の金型の下型8に、リードフレーム1の外部端子1aの一部を担持する担持部8aとは別に、放熱板5の担持部凹部8bが設けられている。リードフレーム1と放熱板5のそれぞれの担持部8a、8bは、半導体素子3が実装されたリードフレーム1と放熱板5をそれぞれ個別に下型8に配置した際に、放熱板5がリードフレーム1上の半導体素子3や、金属ワイヤ4、リードフレーム1の外部端子1aと接触しないように設けられている。このような樹脂成型用の金型の下型8に、半導体素子3が実装されたリードフレーム1と放熱板5をそれぞれ個別に配置した後、下型8と上型9を型締めすることにより、リードフレーム1及び放熱板5を樹脂成型用の金型に固定し、例えばエポキシ系熱硬化樹脂などを使用して、公知の方法で樹脂封止を実行することで、樹脂封止型のパッケージ半導体装置を得る。より詳しくは、まず、例えばダイボンド材料を使用するなど適当な手段で、リードフレーム1上に半導体素子3を搭載する。例えば、図6aおよび図7aに示すように、リードフレーム1のダイパッド1b上にペースト剤2を適当量塗布した後、図6bおよび図7bに示すように、ペースト剤2上に半導体素子3を搭載する。ペースト剤2の塗布には公知のディスペンサーを、半導体素子3の搭載には公知のダイボンダーを使用することが可能である。次に、図6cおよび図7cに示すように、半導体素子3とリードフレーム1の外部端子1aとを例えば金属ワイヤ4で電気的かつ機械的に接続する。金属ワイヤ4の接続には公知のワイヤボンダを使用することができる。また、金属ワイヤ4には、例えば、金ワイヤを使用することが可能である。その後、図6dおよび図7dに示すように、半導体素子3が実装されたリードフレーム1を、適当な温度に加熱した樹脂成形用の金型の下型8に設置する。次に、図6eおよび図7eに示すように、リードフレーム1上の半導体素子3や、金属ワイヤ4、リードフレーム1の外部端子1aと接触しないように、放熱板5を下型8に担持させる。この実施の形態1では、放熱板5は、リードフレーム1の上部に配置される。具体的には、図7dに示すように、下型8には、半導体素子3が実装されたリードフレーム1を、その外部端子1aの一部を除いて収納するための収納空間8cとは別に、放熱板5を収納するための収納空間8dが形成されており、下型8の隔壁に、その収納空間8dに放熱板5を担持するための担持部凹部8bが形成されている。この実施の形態1では、リードフレーム1の収納空間8cの上部に、放熱板5の収納空間8dが形成されており、担持部8bは、図7eに示すように、放熱板5の対向する2つの端部を担持する。このように下型8には、リードフレーム1の上部に放熱板5を配置するための収納空間8dが、半導体素子3を実装したリードフレーム1を配置するための収納空間8cとは別に設けられており、それらの収納空間8c、8dにリードフレーム1と放熱板5をそれぞれ配置した後、図6fおよび図7fに示すように、リードフレーム1の外部端子1aの一部と、放熱板5のうちの、リードフレーム1の収納空間8cの投影領域からはみ出す部分とを、上型9と下型8の間に挟むことによって、放熱板5とリードフレーム1の外部端子1aを同時に固定する。その後、図6fおよび図7fに示すように、上型9と下型8の間に放熱板5およびリードフレーム1の外部端子1aが固定された状態で、上型9と下型8を型締めすることにより形成されたキャビティ10に、図6gおよび図7gに示すように、例えばエポキシ系熱硬化樹脂を、公知のトランスファーモールド法により押圧充填させ、キャビティ10内の各構成要素に密着した状態で硬化させることにより、封止樹脂部6を形成する。なお、図示していないが、リードフレーム1には外部端子1a同士をつなぐダイバー部が形成されており、そのダイバー部によって樹脂成形時の樹脂漏れが防止される。また、そのダイバー部よりも外側の外部端子1aの一部分が、樹脂成形時に上型9と下型8との間に挟みこまれて固定される。以上の製造プロセスにより、図6hおよび図7hに示すように、所定の場所に固定配置された放熱板5を備える樹脂封止型のパッケージ半導体装置を得ることができる。その後、半導体装置内の所定の場所に固定配置された放熱板5のうち、封止樹脂部6からはみ出す突出部5aを、ヒートシンクなどの基板7の所定の部分に固定することにより、放熱板5の突出部5aを介した有効な放熱経路が確保された信頼性の高い半導体装置を得ることができる。なお、放熱板5の形状、封止樹脂部6からのはみ出し方向、封止樹脂部6からはみ出す突出部5aの数、ヒートシンクなどの基板7の表面と放熱板5の突出部5aとを繋ぐ部材の形状、数、位置などは一例であり、種々の変更が可能である。また、放熱板5は1枚に限るものではなく、複数枚の放熱板が半導体装置の封止樹脂部6によって固定されていてもよい。また、突出部5aは2つに限るものではなく、放熱板5は少なくとも1つの突出部5aを有していればよい。言い換えると、封止樹脂部6の少なくとも1箇所から放熱板5の突出部5aが突出していればよい。実施の形態2以下、本発明の実施の形態2における半導体装置の複合体について、前述した実施の形態1と異なる点を中心に説明し、前述した実施の形態1と重複する説明は適宜省略する。図8は本発明の実施の形態2における半導体装置の複合体の平面図、図9は図8に示す半導体装置の複合体を側面から見た断面図である。詳しくは、図9は図8のC-C線に沿った断面図である。但し、図9は、半導体装置の構成部品を保護するとともに半導体装置本体の外形を形成する封止樹脂部6を透かして示している。また、図10は、この実施の形態2における半導体装置の複合体をヒートシンクなどの基板7に固定した状態の一例を示す側面図である。なお、この実施の形態2では、3個の半導体装置からなる複合体を例に説明するが、半導体装置の数は2個以上であればよい。図8および図9に示すように、この実施の形態2における半導体装置の複合体は、半導体素子3と、半導体素子3を保護する封止樹脂部6と、をそれぞれ備えた複数個の半導体装置からなり、各半導体装置の封止樹脂部6によって固定されて、各半導体装置に担持され、かつ半導体装置同士を繋ぐ放熱板5を備えている。複数個の半導体装置は、隣接する半導体装置の間に隙間が形成されるように配置されており、放熱板5は、各半導体装置の封止樹脂部6のそれぞれの少なくとも1箇所から突出する突出部5aを有している。したがって放熱板5は、少なくとも隣接する半導体装置の間に突出部5aを有している。また、各半導体装置の封止樹脂部6からはみ出して、その封止樹脂部6に接触していない、放熱板5のそれぞれの部分が、それぞれ突出部5aとなる。したがって突出部5aは、放熱板5の一部であって、封止樹脂部6とは未接触の部分である。この半導体装置の複合体の構成によれば、図10に示すように、ヒートシンクなどの基板7に各半導体装置を固定する際に、基板7に設けられた例えば突起部7bに、例えばネジ止め、または半田付けなどの図示しない固定手段によって、封止樹脂部6からはみ出した放熱板5の突出部5aを固定することにより、各半導体素子3から発生した熱を、放熱板5の突出部5aを有効な放熱経路として外部に放出することができる。そして、放熱板5の突出部5aを固定することにより、各半導体装置の表面のうちの放熱板5に対向する各面を基板7に少なくとも1箇所で接触、好適には密着させれば、その基板7に接触または密着している箇所を経由して、各半導体素子3から発生した熱を外部に放出することができる。したがって、放熱経路を増やして、放熱効率を向上させることができる。よって、前述した実施の形態1と同様に、過昇温による故障の発生頻度が低く、既知の技術よりも信頼性の高い、長寿命な半導体装置を得ることができる。以下、具体的に、この実施の形態2における半導体装置の複合体を説明する。この実施の形態2では、図8および図9に示すように、複数個の半導体装置が、1枚の放熱板5の長手方向に沿って、互いに接触しないように間隔を空けて配置されて、1枚の放熱板5に固定されている。つまり、放熱板5は、複数個の半導体装置が配置されている方向に長い1枚の板状部材からなり、各半導体装置において半導体素子3を樹脂封止している封止樹脂部6のそれぞれの少なくとも2箇所から放熱板5の突出部5aが突出している。ただし、隣接する半導体装置の間に掛け渡された突出部5aは、その隣接する半導体装置によって共有されている。したがって、隣接する半導体装置の間の突出部5aは、その隣接する2つの半導体装置のそれぞれの放熱経路となる。また、この実施の形態2では、1方向に長い放熱板5に、複数個の半導体装置が固定されている。したがって、複数個の半導体装置は、1列に配置されている。ただし、放熱板5は、1方向に長い形状に限るものではなく、例えば蛇行していてもよい。また、この実施の形態2では、封止樹脂部6からそれぞれ突出する2つの突出部5aは、平面視したときの形状が矩形状となる封止樹脂部6の外形の対向する2つの辺からそれぞれ突出している。また、この実施の形態2では、放熱板5のうち、その長手方向の両端部も、突出部5aとなる。すなわち、放熱板5のうち、その長手方向の両端部は、放熱板5の両端に配置された半導体装置の封止樹脂部6から突出して、はみ出している。放熱板5を構成する材料は限定されるものではないが、実施の形態1で説明したように、金属材料、セラミック材料、または炭素材料などを用いることができる。この実施の形態2における半導体装置の複合体において、各半導体装置は、実施の形態1と同様に、半導体素子3が搭載されるリードフレーム1を備えており、各リードフレーム1の外部端子1aの一部が、各半導体装置の封止樹脂部6からそれぞれ突出している。つまり、各半導体装置は、外部端子1aとダイパッド1bからなるリードフレーム1と、ペースト剤2によってダイパッド1b上に固定された半導体素子3と、金属ワイヤ4と、封止樹脂部6とを備えて、前述した実施の形態1と同様に構成されている。また、実施の形態1と同様に、放熱板5は、各半導体装置の封止樹脂部6からその表面が露出するように封止樹脂部6に埋設されて固定されており、放熱板5の突出部5aは、各半導体装置を平面視したときに、各半導体装置の封止樹脂部6から外部端子1aが突出していないエリアに突出している。つまり、各半導体装置を平面視したとき、放熱板5は、各半導体装置の封止樹脂部6のそれぞれから突出している外部端子1aの一部とは重ならない位置に配置されている。また、放熱板5は、各半導体素子3を挟んで各リードフレーム1と対向している。放熱板5は、金属ワイヤ4に接触しないように半導体素子3から離して配置するのが好適である。また、放熱板5は、各半導体素子3が搭載固定されている各実装面が同一面上ないしは略同一面上に配置されるように、各半導体装置の封止樹脂部6を一体的に担持している。以上の構成によれば、少なくとも2個の封止樹脂部6によって担持された放熱板5のうちの、複数個の半導体装置それらの封止樹脂部6と接触していない箇所を、ヒートシンクなどの基板に固定することができる。すなわち、以上説明した構成の半導体装置の複合体をヒートシンクなどの基板に固定するときには、図10に示すように、各半導体装置の表面のうちの、放熱板5とは反対側の各面、つまりダイパッド1bが配置されている側の各面を、ヒートシンクなどの基板7に向け、各封止樹脂部6からはみ出している放熱板5の各突出部5aに対応させて基板7に予め設けられている例えば複数の突起部7bに、例えばネジ止め、または半田付けなどの図示しない固定手段によって、放熱板5の各突出部5aを固定することにより、各半導体装置を基板7に固定する。この構成により、各半導体素子3から発生した熱を、各半導体装置からはみ出している放熱板5の各突出部5aを有効な放熱経路として外部に放出することができる。つまり、各半導体装置において放熱経路が2か所となる。したがって、放熱板5を複数個所で固定することによって、放熱経路を増やして、放熱効率を向上させることができる。つまり、前述した実施の形態1と同様に、各半導体装置ごとに、放熱板5の2つの突出部5aが有効な放熱経路として作用するので、既知の技術よりも放熱経路を増やすことができ、過昇温による故障の発生頻度が低く、既知の技術よりも信頼性の高い、長寿命な半導体装置を得ることができる。なお、放熱板5の突出部5aを基板7に固定する際に、各半導体装置の表面のうちの放熱板5とは反対側の各面を基板7に少なくとも1箇所で接触、好適には密着させると、その基板7に接触または密着している各箇所も経由して、各半導体素子3から発生した熱が放熱されることになり、さらに望ましい。また、この実施の形態2では、基板7に突起部7bを設ける場合について説明したが、実施の形態1で説明した図4に示すように、所定の方向に張り出す上部を有するフック状の固定部7aを基板7に設けてもよい。以上説明したように、ヒートシンクなどの基板7に各半導体装置を搭載する際にその基板7に対向する各半導体装置の一方の面とは反対側に放熱板5を配置しておき、少なくとも、隣接する半導体装置の間に掛け渡された突出部5aを基板7に固定し、かつ各半導体装置を基板7に接触、好ましくは密着させるか、あるいは、隣接する半導体装置の間に掛け渡された突出部5aを基板7に固定することに加えて、放熱板5の両端も突出部5aとして基板7に固定することにより、放熱経路を増やして、放熱効率を向上させることができる。したがって、この実施の形態2によれば、樹脂封止型のパッケージを、半導体素子3から発生する熱の放熱性に優れたものとすることができる。よって、小型の半導体装置であっても、半導体素子3からの発熱に起因して起こる、過昇温による不良の発生を緩和することができ、半導体装置の信頼性を高いものとすることができる。なお、実施の形態1と同様に、放熱板5の突出部5aの長さは2mmよりも長いことが望ましい。突出部5aの長さが2mmよりも短いと、放熱板5の突出部5aのヒートシンクなどの基板7への固定が困難となるためである。一方、放熱板5の突出部5aが長すぎると、半導体装置の小型化が困難となり望ましくない。例えば、放熱板5が封止樹脂部6からはみ出す方向に沿った封止樹脂部6の外形寸法Lが20mmないし50mmの場合、放熱板5の突出部5aの長さは、その封止樹脂部6の外形寸法Lの2倍よりも短いことが望ましい。なお、放熱板5の各突出部5aの長さは必ずしも同等の長さである必要はない。以上のように、この実施の形態2によれば、半導体素子3から発生する熱の放熱経路が複数形成されるので、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。また、この実施の形態2によれば、放熱板5によって複数の半導体装置が一体的に担持されるので、ヒートシンクなどの基板7への各半導体装置の搭載が簡便であり、生産性を向上させることができる。つまり、複数個の半導体装置が一体的に担持されずに、それぞれが独立していると、ヒートシンクなどの基板への搭載時に各半導体装置を別個に固定して搭載していく必要があり、かつ、それぞれの半導体装置の位置を所定の位置に合わせながら固定する必要がある。これに対して、この実施の形態2によれば、各半導体装置が放熱板5により一体的に担持されているので、その放熱板5を所定の箇所で固定するのみで各半導体装置が所定の位置に固定されることになり、搭載が簡便となる。続いて、この実施の形態2における半導体装置の複合体の製造方法の一例について説明する。この実施の形態2における半導体装置の複合体の製造プロセスは特に限定されるものではないが、例えば以下で説明するような工法が可能である。図11aないし図11dは、この実施の形態2における半導体装置の複合体の製造方法の一例の要部を工程別に示す図である。詳しくは、図11aないし図11cは各リードフレーム1の外部端子1aが突出する側面から見た工程別断面図、図11dは得られた半導体装置の複合体の側面図である。但し、図11cは、封止樹脂部6を透かして示している。この実施の形態2における半導体装置の複合体の製造方法は、複数個の半導体素子3を金型に形成された複数の内部空間キャビティ10にそれぞれ設置して、その設置された複数個の半導体素子3をそれぞれ樹脂封止する工程を有する。この工程で使用する金型には、各キャビティ10の少なくとも1箇所から突出する放熱板5を、その突出する部分で担持するための担持部8bが形成されている。その担持部8bで担持されている部分が突出部5aとなる。この実施の形態2では、金型に形成されている複数のキャビティ10を貫く放熱板5を担持するために、放熱板5の担持部8bとして、隣接するキャビティ10を区切る隔壁に、その隔壁を貫通する貫通穴が形成されている。また、この実施の形態2では、両端のキャビティ10を形成する隔壁のうち、その両端のキャビティ10のそれぞれを隣のキャビティ10と区切る隔壁とは反対側の隔壁に、放熱板の担持部8bとして、放熱板5の両端を担持するための凹部が形成されている。このように放熱板の担持部8bとして、上記貫通穴および凹部を設けることにより、複数個の半導体素子3が配置される方向に長い1枚の放熱板5が金型に担持される。金型に配置された複数個の半導体素子3を樹脂封止する際には、各半導体素子3と放熱板5が独立して金型に設置された後、各半導体素子3が樹脂封止されると同時に、それらの封止樹脂によって放熱板5が固定される。詳しくは、樹脂成型用の金型の下型8に、各リードフレーム1の外部端子1aのそれぞれの一部を担持する担持部とは別に、放熱板5を担持する担持部凹部8bが設けられている。リードフレーム1と放熱板5のそれぞれの担持部は、半導体素子3が実装された各リードフレーム1と放熱板5をそれぞれ個別に下型8に配置した際に、各キャビティ10において、リードフレーム1上の半導体素子3や、金属ワイヤ4、リードフレーム1の外部端子1aと放熱板5が接触しないように設けられている。このような樹脂成型用の金型の下型8に、半導体素子3が実装された各リードフレーム1と放熱板5をそれぞれ個別に配置した後、下型8と上型9を型締めすることにより、各リードフレーム1及び放熱板5を樹脂成型用の金型に固定し、例えばエポキシ系熱硬化樹脂などを使用して、公知の方法で樹脂封止を実行することで、樹脂封止型のパッケージ半導体装置の複合体を得る。より詳しくは、まず、前述した実施の形態1と同様に、各リードフレーム1ごとに、ダイパッド1bへ半導体素子3を搭載し、半導体素子3と外部端子1aとを金属ワイヤ4を介して電気的かつ機械的に接続する。その後、図11aに示すように、半導体素子3が実装された各リードフレーム1を、適当な温度に加熱した樹脂成形用の金型の下型8に設置する。このとき、各リードフレーム1を、各半導体素子3の実装面が同一面上または略同一面上に配置されるように設置する。次に放熱板5を、半導体素子3や、金属ワイヤ4、外部端子1aと接触しないように下型8に担持させる。この実施の形態2では、放熱板5は、各リードフレーム1の上部に配置される。具体的には、図11aに示すように、下型8には、半導体素子3が実装された各リードフレーム1を、各リードフレーム1の外部端子1aの一部を除いてそれぞれ収納するための複数の収納空間8cとは別に、放熱板5を収納するための収納空間8dが形成されており、下型8の隔壁には、その収納空間8dに放熱板5を担持するための担持部凹部8bが形成されている。この実施の形態2では、各リードフレーム1の収納空間8cの上部に、放熱板5の収納空間8dが形成されており、担持部凹部8bは、放熱板5のうち、各リードフレーム1を収納する収納空間8cの投影領域からはみ出す部分を担持する。このように下型8には、複数のリードフレーム1の上部に1枚の放熱板5を配置するための収納空間8dが、半導体素子3を実装した各リードフレーム1をそれぞれ配置するための複数の収納空間8cとは別に設けられており、それらの収納空間8c、8dに各リードフレーム1と放熱板5をそれぞれ配置した後、図11bに示すように、各リードフレーム1の外部端子1aのそれぞれの一部と、放熱板5のうち、各リードフレーム1の収納空間8cのそれぞれの投影領域からはみ出す部分とを、上型9と下型8の間に挟むことによって、各リードフレーム1の外部端子1aと放熱板5を同時に固定する。その後、図11bに示すように、上型9と下型8の間に放熱板5および各リードフレーム1の外部端子1aが固定された状態で、上型9と下型8を型締めすることにより形成された複数のキャビティ10に、図11cに示すように、例えばエポキシ系熱硬化樹脂を、公知のトランスファーモールド法により押圧充填させ、各キャビティ10内の各構成要素に密着した状態で硬化させることにより、複数の封止樹脂部6を形成する。これにより、図11dに示すように、複数個の樹脂封止型のパッケージ半導体装置を得ることができる。また、放熱板5は、それらのパッケージの封止樹脂部6によって所定の場所に固定配置される。この実施の形態2では、複数個の樹脂封止型のパッケージが放熱板5によって一体的に担持される。なお、図示していないが、各リードフレーム1には、外部端子1a同士をつなぐダイバー部が形成されており、そのダイバー部によって樹脂成形時の樹脂漏れが防止される。また、そのダイバー部よりも外側の外部端子1aの一部分が、樹脂成形時に上型9と下型8との間に挟みこまれて固定される。以上のように、放熱板5は、各半導体装置の封止樹脂部6と接触していない部分突出部5aを複数有する。その突出部5aを、ヒートシンクなどの基板7の所定の部分に固定することにより、放熱板5を担持している各半導体装置を基板7に固定することができる。このようにすれば、各半導体装置内の半導体素子3から発生した熱を、放熱板5の突出部5aを有効な放熱経路として外部へ放出することができる。したがって、この実施の形態2によれば、放熱板5の突出部5aを介した有効な放熱経路が複数確保された信頼性の高い半導体装置を得ることができる。さらに、この実施の形態2では、ヒートシンクなどの基板7へ半導体装置を搭載する際に、放熱板5のうちの各半導体装置の封止樹脂部6からはみ出す部分を基板7に固定するのみで、複数個の半導体装置を基板7に搭載することが可能であり、基板7への搭載の作業性も優れた構造とすることができる。続いて、本発明の実施の形態2における半導体装置の複合体の他例について説明する。図12は本発明の実施の形態2における半導体装置の複合体の他例を示す鳥瞰図である。また、図13は本発明の実施の形態2における半導体装置の複合体の他例を示す側面図である。図12および図13に示すように、放熱板5は、半導体装置が担持された方向を凸として湾曲していてもよい。このようにすれば、放熱板5のうちの各封止樹脂部6と接触していない突出部5aを、ヒートシンクなどの基板7に設けられた、その基板7の表面からの高さが等しい所定の部分に固定したときに、放熱板5の弾性によって各半導体装置が基板7の表面に押し付けられるので、各半導体装置と基板7との密着性が増し、放熱性が向上する。なお、放熱板5の形状、封止樹脂部6からのはみ出し方向、封止樹脂部6からはみ出す放熱板5の突出部5aの数、ヒートシンクなどの基板7の表面と放熱板5の突出部5aとを繋ぐ部材の形状、数、位置などは一例であり、種々の変更が可能である。また、放熱板5は1枚に限定されるものではなく、複数個の半導体装置によって複数枚の放熱板が担持される構成としてもよい。例えば、複数枚の放熱板によって複数個の半導体装置が繋がる構成としてもよく、あるいは、複数枚の放熱板によって複数個の半導体装置が一体的に担持される構成としてもよい。また、両端の半導体装置においては、それぞれ、封止樹脂部6の少なくとも1箇所から放熱板5の突出部5aが突出していればよい。つまり、両端の半導体装置の間に配置されている、両端の半導体装置を除いた半導体装置においては、それぞれの封止樹脂部6の少なくとも2箇所から放熱板5の突出部5aが突出しており、両端の半導体装置においては、それぞれの封止樹脂部6の少なくとも1箇所から放熱板5の突出部5aが突出していればよい。また、この実施の形態2では、複数個の半導体装置が1列に配置された場合について説明したが、半導体装置の配置の態様は特に限定されるものではなく、例えば、多列に配置された複数個の半導体装置が放熱板によって繋がったり、あるいは、一体的に担持されたりする構成であってもよい。実施の形態3以下、本発明の実施の形態3における半導体装置について、前述した実施の形態1と異なる点を中心に説明し、前述した実施の形態1および2と重複する説明は適宜省略する。図14は本発明の実施の形態3における半導体装置の鳥瞰図、図15は図14に示す半導体装置の平面図、図16は図14に示す半導体装置を正面から見た断面図、図17は図14に示す半導体装置を側面から見た断面図である。詳しくは、図16は図15のA-A線に沿った断面図であり、図17は図15のB-B線に沿った断面図である。但し、図16および図17は、半導体装置の構成部品を保護するとともに半導体装置本体の外形を形成する封止樹脂部6を透かして示している。図14ないし図17に示すように、この実施の形態3における半導体装置は、半導体素子3が配置された実装面と同一面に交差する方向に沿って、放熱板5の少なくとも1つの突出部第1突出部5aから突出する少なくとも1つの屈曲部5bを、第2突出部の一例として備える点で、前述した実施の形態1と異なる。すなわち、実施の形態1では、放熱板5の突出部5aが封止樹脂部6から平行に張り出していただけであったが、この実施の形態3では、半導体素子3の実装面であるダイパッド1bと同一面に交差する方向へ沿って、放熱板5の突出部5aから曲がって突出する屈曲部5bが設けられている。この屈曲部5bは、ヒートシンクなどの基板に半導体装置を固定するのに使用される。つまり、前述した実施の形態1では、半導体装置をヒートシンクなどの基板7に固定するために、その基板7にフック状の固定部7aや突起部7bなどを設けたが、この実施の形態3では、フック状の固定部7aや突起部7bなどを設ける代わりに、放熱板5の突出部5aに、ヒートシンクなどの基板に固定される屈曲部5bを設けている。したがって、屈曲部5bは半導体装置が固定される基板に交差する方向に曲がって突出している。この半導体装置の構成によれば、図22に示すように、ヒートシンクなどの基板7に半導体装置を固定する際に、例えば基板7に設けられた固定用の穴7cなどの設置部分に放熱板5の少なくとも1つの屈曲部5bを固定することにより、半導体素子3から発生した熱を、放熱板5を有効な放熱経路として外部に放出することができる。そして、放熱板5の屈曲部5bを固定することにより、半導体装置の表面のうちの放熱板5に対向する面を基板7に少なくとも1箇所で接触、好適には密着させれば、その基板7に接触または密着している箇所を経由して、半導体素子3から発生した熱を外部に放出することができる。したがって、実施の形態1と同様に、放熱経路を増やして、放熱効率を向上させることができる。以下、具体的に、この実施の形態3における半導体装置を説明する。図14ないし図17に示すように、放熱板5は、実施の形態1と同様に、封止樹脂部6の外形の少なくとも一辺よりも長く、かつ、封止樹脂部6の外形の少なくとも2つの辺からはみ出している。そして、この実施の形態3では、その封止樹脂部6の外形からはみ出す放熱板5の突出部5aのそれぞれに、少なくとも1つの屈曲部5bが設けられている。なお、突出部5aは2つに限るものではなく、3つ以上でもよい。言い換えると、封止樹脂部6の少なくとも2箇所から放熱板5の突出部5aが突出していればよい。また、屈曲部5bは、放熱板5の突出部5aの外形を形成する辺のうち、その突出部5aが封止樹脂部6から突出する方向に直交する方向で対向している2つの辺にそれぞれ設けられている。但し、屈曲部5bを設ける位置や、屈曲部5bの枚数は特に限定されるものではなく、突出部5aの外形を形成する少なくとも1つの辺に、少なくとも1つの屈曲部5bを設ければよい。したがって、例えば、突出部5aの外形を形成する1つの辺に、2枚の屈曲部5bを設けることも可能である。また、屈曲部5bは、封止樹脂部6の厚み方向に曲がっている。すなわち、突出部5aと屈曲部5bとが形成する屈曲部5bの折り曲げ角度は90度であり、屈曲部5bは、放熱板5の突出部5aから垂直方向に曲がっている。但し、屈曲部5bの折り曲げ角度は90度に限定されるものではなく、屈曲部5bは、半導体素子3の実装面であるダイパッド1bと同一面に交差する方向に曲がっていればよい。また、この実施の形態3では、半導体装置をヒートシンクなどの基板7に固定するときには、図22に示すように、放熱板5の突出部5aに設けられた屈曲部5bの先端を、基板7に形成された固定用穴7cに挿入して固定する。したがって、屈曲部5bの長さは、封止樹脂部6の厚み方向において、封止樹脂部6からはみ出す長さに設定する。この実施の形態3では、放熱板5は、その表面が封止樹脂部6から露出しているので、屈曲部5bは、半導体素子3を封止する封止樹脂部6の厚みよりも長い。図22は、この実施の形態3における半導体装置をヒートシンクなどの基板7に固定した状態の一例を示す側面図である。図22に示すように、放熱板5の2つの突出部5aにそれぞれ設けられた屈曲部5bの先端を、基板7に形成された固定用穴7cに挿入して固定することにより、半導体装置を基板7に固定する。このように放熱板5の2つの突出部5aにそれぞれ設けられた屈曲部5bを固定することにより、半導体素子3から発生した熱を、放熱板5とそれに備わった複数の屈曲部5bを有効な放熱経路として外部に放出することができる。したがって、前述した実施の形態1と同様に、放熱板5を複数個所で固定することによって、放熱経路を増やして、放熱効率を向上させることができる。なお、放熱板5の屈曲部5bを基板7に固定する際に、半導体装置の表面のうちの放熱板5とは反対側の面を基板7に少なくとも1箇所で接触、好適には密着させると、その基板7に接触または密着している箇所も経由して、半導体素子3から発生した熱が放熱されることになり、さらに望ましい。以上説明したように、ヒートシンクなどの基板7に半導体装置を搭載する際にその基板7に対向する半導体装置の一方の面とは反対側に放熱板5を配置しておき、その放熱板5を少なくとも一か所で基板7に固定し、かつ半導体装置を基板7に接触、好ましくは密着させるか、または、放熱板5を複数個所で基板7に固定することにより、放熱経路を増やして、放熱効率を向上させることができる。したがって、この実施の形態3における半導体装置によれば、樹脂封止型のパッケージを、半導体素子3から発生する熱の放熱性に優れたものとすることができる。よって、小型の半導体装置であっても、半導体素子3からの発熱に起因して起こる、過昇温による不良の発生を緩和することができ、半導体装置の信頼性を高いものとすることができる。また、この実施の形態3によれば、半導体装置を基板7に固定する作業を簡便にすることができる。また、放熱板5の屈曲部5bの数に応じて有効な放熱経路数も増えるので、より生産性が高く、かつ信頼性の高い半導体装置を得ることができる。なお、作業性の向上および、半導体装置とヒートシンクなどの基板7との密着性の向上という観点から、放熱板5の屈曲部5bの先端は、固定のためのフック様形状を有していてもよい。屈曲部5bの長さは特に限定されるものではないが、放熱板5の突出部5aが突出する正面から半導体装置を見たとき、屈曲部5bが封止樹脂部6の厚みよりも長く、かつ、その封止樹脂6の厚みの5倍よりも短くなることが好ましい。屈曲部5bが封止樹脂部6の厚みよりも短いと、ヒートシンクなどの基板7に例えば突起部などを別途設ける必要があり、また、屈曲部5bが封止樹脂6の厚みの5倍よりも長いと、屈曲部5bの一部が基板7から突き出るため、その突き出た部分を小型化のために別途除去せねばならず、いずれの場合も生産性が低下するためである。また、屈曲部5bの折り曲げ角度は特に限定されるものではないが、ヒートシンクなどの基板7に形成された固定用穴7cへ屈曲部5bを挿入する作業の容易性を確保するためには、屈曲部5bの折り曲げ角度は70度以上110度以下が望ましい。続いて、この実施の形態3における半導体装置の製造方法の一例について説明する。この実施の形態3における半導体装置の製造プロセスは特に限定されるものではなく、例えば前述した実施の形態1と同様の工法が可能である。前述した実施の形態1と同様の工法を採用する場合には、樹脂成型用の金型の上型および下型の間に挟んで固定する放熱板5として、例えば図18に示すような形状のものを用意する。図18は本発明の実施の形態3における半導体装置に使用する放熱板の一例を示す平面図である。図18に示す放熱板5は平板状であり、その主面と同一面内の所定の位置に、後から折り曲げられて屈曲部5bとなる屈曲予定部5cが、放熱板5から所定の方向に突出するように形成されている。この実施の形態3では、対向する2つの辺に、それぞれ2つの屈曲予定部5cが形成されている。この図18に示すような放熱板5を使用する場合、樹脂成型用の金型は、放熱板5が封止樹脂部6によって固定され、かつ、その放熱板5の、後に封止樹脂部6から突出する突出部5aとなる部分とそこに設けられた屈曲予定部5cが、封止樹脂部6に接触しないように、下型と上型の間に放熱板5を挟んで固定する必要がある。例えば、実施の形態1と同様に、樹脂成型用の金型の下型に、半導体素子3が実装されたリードフレーム1をその外部端子1aの一部を除いて収納するための空間とは別に、その空間の上部に放熱板5を収納する空間を形成する。具体的には、下型の隔壁に凹部を形成して、その凹部によって、放熱板5の、リードフレーム1を収納する空間の投影領域からはみ出す部分を担持させる。このようにすれば、樹脂封止の際に、リードフレーム1の外部端子1aの一部と放熱板5の一部は、同時に上型と下型との間に挟まれて、樹脂封止用の樹脂には接触しない。樹脂封止によって放熱板5が所定の場所に固定された後は、図19および図20に示すように、封止樹脂部6によって固定された放熱板5のうち、封止樹脂部6から突出する突出部5aに追加されて設けられた屈曲予定部5cを、公知の金属板の折り曲げ方法によって、放熱板5が配置されている面と半導体素子3を挟んで対向する面へ向けて折り曲げて、放熱板5の屈曲部5bを形成する。つまり、ヒートシンクなどの基板7に半導体装置を搭載する方向に向けて屈曲予定部5cを折り曲げる。図19は屈曲予定部5cを折り曲げる様子を半導体装置の上面から見た図、図20は屈曲予定部5cを折り曲げる様子を半導体装置の正面から見た図である。さらに、その後、ヒートシンクなどの基板7に半導体装置を固定する際には、図21に示すように、放熱板5の屈曲部5bの先端が挿入されて固定される固定用の穴7cが予め形成された基板7を用意して、図22に示すように、その固定用の穴7cに放熱板5の屈曲部5bを挿入して固定することにより、放熱板5の屈曲部5bを介した有効な放熱経路が複数確保された半導体装置を得ることができる。具体的には、この実施の形態3では、半導体装置が固定されるヒートシンクなどの基板7に、固定用の穴7cが、半導体装置の封止樹脂部6からはみ出している放熱板5の2つの突出部5aにそれぞれ2つずつ設けられた合計4枚の屈曲部5bに対応させて形成されており、半導体装置を基板7に固定する際には、放熱板5の4つの屈曲部5bのそれぞれの先端を基板7の固定用穴7cにそれぞれ挿入して固定する。なお、この実施の形態3では、半導体装置から突出する2つの突出部5aにそれぞれ屈曲部5bを設けたが、一方の突出部5aにのみ屈曲部5bを設け、他方の突出部5aに対しては、前述した実施の形態1で説明したように、基板7にフック状の固定部7aや突起部7bなどを設けてもよい。また、この実施の形態3では、放熱板5の一部を曲げ加工して形成された屈曲部5bを例に説明したが、半導体素子3の実装面であるダイパッド1bと同一面に交差する方向へ沿って突出する第2突出部を、例えば溶接などの固定手段によって放熱板5に追加してもよい。また、この実施の形態3では、放熱板5の屈曲部5bのみをヒートシンクなどの基板7に固定したが、その一方で、その屈曲部5bが設けられた突出部5aが固定されるフック状の固定部7aや突起部7bなどを基板7にさらに設けてもよいし、屈曲部5bの長さを基板7に届かない長さにして、その長さの足りない屈曲部5bが固定されるフック状の固定部7aや突起部7bなどを基板7にさらに設けるなど様々な手段を適用可能である。基板7に予め形成した固定用穴7cに屈曲部5bを固定する場合について説明したが、固定用穴7cを基板7に形成することなく、たとえば、ネジ止めや半田付けなどで基板7の表面に屈曲部5bを固定してもよく、屈曲部5bを基板7に固定する手段は、種々の変更が可能である。また、放熱板5の形状、封止樹脂部6からのはみ出し方向、封止樹脂部6からはみ出す突出部5aの数、ヒートシンクなどの基板7の表面と放熱板5の突出部5aとを繋ぐ屈曲部5bの形状、数、位置などは一例であり、種々の変更が可能である。また、放熱板5は1枚に限るものではなく、複数枚の放熱板が半導体装置の封止樹脂部6によって固定されていてもよい。また、突出部5aは2つに限るものではなく、放熱板5は少なくとも1つの突出部5aを有すればよい。言い換えると、封止樹脂部6の少なくとも1箇所から放熱板5の突出部5aが突出していればよい。また、この実施の形態3では半導体装置が1個の場合について説明したが、前述した実施の形態2のような半導体装置の複合体であっても同様に実施することができる。半導体装置の複合体の場合、放熱板5の少なくとも一つの突出部5aに少なくとも一つの屈曲部5bを設けることができる。その屈曲部5bは、その屈曲部5bが設けられた突出部5aに接続する半導体装置の半導体素子3が配置された実装面と同一面に交差する方向に沿って、その屈曲部5bが設けられた突出部5aから突出している。このような半導体装置の複合体を構成した場合、この実施の形態3で説明したように、例えば、屈曲部5bは、その屈曲部5bが設けられた突出部5aに接続する半導体装置の封止樹脂部6の厚みよりも長くてもよいし、また、屈曲部5bは、その屈曲部5bが設けられた突出部5aから垂直方向に突出していてもよい。放熱板5の一部の突出部5aにのみ屈曲部5bを設ける場合には、他の突出部5aは、実施の形態2と同様に、ヒートシンクなどの基板7に予め設けた突起部7bなどに固定すればよい。実施の形態4以下、本発明の実施の形態4における半導体装置について、前述した実施の形態3と異なる点を中心に説明し、前述した実施の形態1ないし3と重複する説明は適宜省略する。図23は本発明の実施の形態4における半導体装置の鳥瞰図である。図23に示すように、この実施の形態4における半導体装置は、放熱板5の突出部第1突出部5aの外形を形成する辺のうち、その突出部5aが封止樹脂部6から突出する方向に配置されている辺に、第2突出部の一例として屈曲部5bが設けられている点で、前述した実施の形態3と異なる。つまり、放熱板5は、封止樹脂部6からはみ出した部分のうちの先端側が、そのはみ出した方向に垂直な方向に沿って折り曲げられて突出する構造となっている。この半導体装置の構成によれば、図26に示すように、ヒートシンクなどの基板7に半導体装置を固定する際に、例えば基板7に設けられた固定用の穴7cなどの設置部分に放熱板5の少なくとも1つの屈曲部5bを固定することにより、半導体素子3から発生した熱を、放熱板5を有効な放熱経路として外部に放出することができる。そして、放熱板5の屈曲部5bを固定することにより、半導体装置の表面のうちの放熱板5と対向する面を基板7に少なくとも1箇所で接触、好適には密着させれば、その基板7に接触または密着している箇所を経由して、半導体素子3から発生した熱を外部に放出することができる。したがって、実施の形態1と同様に、放熱経路を増やして、放熱効率を向上させることができる。以下、具体的に、この実施の形態3における半導体装置を説明する。図23に示すように、放熱板5は、実施の形態1と同様に、封止樹脂部6の外形の少なくとも一辺よりも長く、かつ、封止樹脂部6の外形の少なくとも2つの辺からはみ出している。なお、封止樹脂部6の外形からはみ出す放熱板5の突出部5aは2つに限るものではなく、3つ以上でもよい。言い換えると、封止樹脂部6の少なくとも2箇所から放熱板5の突出部5aが突出していればよい。屈曲部5bは、放熱板5の突出部5aの外形を形成する辺のうち、その突出部5aが封止樹脂部6から突出する方向に配置されている辺から、その突出部5aが突出している方向に垂直な方向に沿って折り曲げられている。したがって、実施の形態3と同様に、突出部5aと屈曲部5bとが形成する屈曲部5bの折り曲げ角度は90度である。但し、屈曲部5bの折り曲げ角度は90度に限定されるものではなく、屈曲部5bは、半導体素子3の実装面であるダイパッド1bと同一面に交差する方向に曲がっていればよい。また、この実施の形態4では、半導体装置をヒートシンクなどの基板7に固定するときには、図26に示すように、放熱板5の突出部5aに設けられた屈曲部5bの先端を、基板7に形成された固定用穴7cに挿入して固定する。したがって、屈曲部5bの長さは、封止樹脂部6の厚み方向において、封止樹脂部6からはみ出す長さに設定する。この実施の形態4では、放熱板5は、その表面が封止樹脂部6から露出しているので、屈曲部5bは、半導体素子3を封止する封止樹脂部6の厚みよりも長い。図26は、この実施の形態3における半導体装置をヒートシンクなどの基板7に固定した状態の一例を示す側面図である。図26に示すように、放熱板5の2つの突出部5aにそれぞれ設けられた屈曲部5bの先端を、基板7に形成された固定用穴7cに挿入して固定することにより、半導体装置を基板7に固定する。このように放熱板5の2つの突出部5aにそれぞれ設けられた屈曲部5bを固定することにより、半導体素子3から発生した熱を、放熱板5とそれに備わった複数の屈曲部5bを有効な放熱経路として外部に放出することができる。したがって、前述した実施の形態3と同様に、放熱板5を複数個所で固定することによって、放熱経路を増やして、放熱効率を向上させることができる。なお、放熱板5の屈曲部5bを基板7に固定する際に、半導体装置の表面のうちの放熱板5とは反対側の面を基板7に少なくとも1箇所で接触、好適には密着させると、その基板7に接触または密着している箇所も経由して、半導体素子3から発生した熱が放熱されることになり、さらに望ましい。以上説明したように、ヒートシンクなどの基板7に半導体装置を搭載する際にその基板7に対向する半導体装置の一方の面とは反対側に放熱板5を配置しておき、その放熱板5を少なくとも一か所で基板7に固定し、かつ半導体装置を基板7に接触、好ましくは密着させるか、または、放熱板5を複数個所で基板7に固定することにより、放熱経路を増やして、放熱効率を向上させることができる。したがって、この実施の形態4における半導体装置によれば、樹脂封止型のパッケージを、半導体素子3から発生する熱の放熱性に優れたものとすることができる。よって、小型の半導体装置であっても、半導体素子3からの発熱に起因して起こる、過昇温による不良の発生を緩和することができ、半導体装置の信頼性を高いものとすることができる。さらに、この実施の形態4によれば、半導体装置を基板7に固定する作業を簡便にすることができる。なお、作業性の向上および、半導体装置とヒートシンクなどの基板7との密着性の向上という観点から、放熱板5の屈曲部5bの先端は、固定のためのフック様形状を有していてもよい。屈曲部5bの長さは特に限定されるものではないが、放熱板5の突出部5aが突出する正面から半導体装置を見たとき、屈曲部5bが封止樹脂部6の厚みよりも長く、かつ、その封止樹脂6の厚みの5倍よりも短くなることが好ましい。屈曲部5bが封止樹脂部6の厚みよりも短いと、ヒートシンクなどの基板7に例えば突起部などを別途設ける必要があり、また、屈曲部5bが封止樹脂6の厚みの5倍よりも長いと、屈曲部5bの一部が基板7から突き出るため、その突き出た部分を小型化のために別途除去せねばならず、いずれの場合も生産性が低下するためである。また、屈曲部5bの折り曲げ角度は特に限定されるものではないが、ヒートシンクなどの基板7に形成された固定用穴7cへ屈曲部5bを挿入する作業の容易性を確保するためには、屈曲部5bの折り曲げ角度は70度以上110度以下が望ましい。続いて、この実施の形態4における半導体装置の製造方法の一例について説明する。この実施の形態3における半導体装置の製造プロセスは特に限定されるものではない。例えば前述した実施の形態1と同様の工法を採用する場合は、実施の形態1のものよりも長さの長い放熱板5を用意する。その実施の形態1よりも長くなった部分が、後に屈曲部5bとなる屈曲予定部5cである。したがって、使用する樹脂成型用の金型に予め形成しておく放熱板5の担持部も、その屈曲予定部5cの分だけ長さが長くなった放熱板5に合せる必要がある。このような放熱板5と金型を準備する以外については、実施の形態1と同様の製造プロセスとなる。樹脂封止後は、前述した実施の形態3と同様に、放熱板5の屈曲予定部5cを折り曲げればよい。実施の形態3とは、屈曲予定部5cが設けらた位置とそれを折り曲げる方向のみが異なる。具体的には、樹脂封止によって放熱板5が所定の場所に固定された後は、図24に示すように、封止樹脂部6によって固定された放熱板5のうち、封止樹脂部6から突出する部分の先端側に追加されて設けられた屈曲予定部5cを、公知の金属板の折り曲げ方法によって、放熱板5が配置されている面と半導体素子3を挟んで対向する面へ向けて折り曲げて、放熱板5の屈曲部5bを形成する。つまり、ヒートシンクなどの基板7に半導体装置を搭載する方向に向けて屈曲予定部5cを折り曲げる。図24は放熱板5を折り曲げる様子を示す鳥瞰図である。さらに、その後、ヒートシンクなどの基板7に半導体装置を固定する際には、図25に示すように、放熱板5の屈曲部5bの先端が挿入されて固定される固定用の穴7cが予め形成された基板7を用意して、図26に示すように、その固定用の穴7cに放熱板5の屈曲部5bを挿入して固定することにより、放熱板5の屈曲部5bを介した有効な放熱経路が複数確保された半導体装置を得ることができる。具体的には、この実施の形態4では、半導体装置が固定されるヒートシンクなどの基板7に、固定用の穴7cが、半導体装置の封止樹脂部6からはみ出している放熱板5の2つの突出部5aにそれぞれ設けられた合計2枚の屈曲部5bに対応させて形成されており、半導体装置を基板7に固定する際には、放熱板5の2つの屈曲部5bのそれぞれの先端を基板7の固定用穴7cにそれぞれ挿入して固定する。なお、この実施の形態4では、半導体装置から突出する2つの突出部5aにそれぞれ屈曲部5bを設けたが、一方の突出部5aにのみ屈曲部5bを設け、他方の突出部5aに対しては、前述した実施の形態1で説明したように、基板7にフック状の固定部7aや突起部7bなどを設けてもよい。また、この実施の形態4では、放熱板5の一部を曲げ加工して形成された屈曲部5bを例に説明したが、半導体素子3の実装面であるダイパッド1bと同一面に交差する方向へ沿って突出する第2突出部を、例えば溶接などの固定手段によって放熱板5に追加してもよい。また、この実施の形態4では、放熱板5の屈曲部5bのみをヒートシンクなどの基板7に固定したが、その一方で、その屈曲部5bが設けられた突出部5aが固定されるフック状の固定部7aや突起部7bなどを基板7にさらに設けてもよいし、屈曲部5bの長さを基板7に届かない長さにして、その長さの足りない屈曲部5bが固定されるフック状の固定部7aや突起部7bなどを基板7にさらに設けるなど様々な手段を適用可能である。また、基板7に予め形成した固定用穴7cに屈曲部5bを固定する場合について説明したが、固定用穴7cを基板7に形成することなく、たとえば、ネジ止めや半田付けなどで基板7の表面に屈曲部5bを固定してもよく、屈曲部5bを基板7に固定する手段は、種々の変更が可能である。また、放熱板5の形状、封止樹脂部6からのはみ出し方向、封止樹脂部6からはみ出す突出部5aの数、ヒートシンクなどの基板7の表面と放熱板5の突出部5aとを繋ぐ屈曲部5bの形状などは一例であり、種々の変更が可能である。また、放熱板5は1枚に限るものではなく、複数枚の放熱板が半導体装置の封止樹脂部6によって固定されていてもよい。また、突出部5aは2つに限るものではなく、放熱板5は少なくとも1つの突出部5aを有すればよい。言い換えると、封止樹脂部6の少なくとも1箇所から放熱板5の突出部5aが突出していればよい。また、この実施の形態4では半導体装置が1個の場合について説明したが、前述した実施の形態2のような半導体装置の複合体においても、両端の半導体装置から突出する突出部5aに、この実施の形態4で説明したように屈曲部5bを設けることができる。その屈曲部5bは、その屈曲部5bが設けられた突出部5aに接続する半導体装置の半導体素子3が配置された実装面と同一面に交差する方向に沿って、その屈曲部5bが設けられた突出部5aから突出している。このような半導体装置の複合体を構成した場合、この実施の形態4で説明したように、例えば、屈曲部5bは、その屈曲部5bが設けられた突出部5aに接続する半導体装置の封止樹脂部6の厚みよりも長くてもよいし、また、屈曲部5bは、その屈曲部5bが設けられた突出部5aから垂直方向に突出していてもよい。両端の半導体装置のうちの一方の半導体装置から突出する突出部5aにのみ屈曲部5bを設ける場合には、他方の半導体装置から突出する突出部5aは、実施の形態2と同様に、ヒートシンクなどの基板7に予め設けた突起部7bなどに固定すればよい。