"第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層を含む発光構造物と、前記第1導電型半導体層上の第1電極と、前記第2導電型半導体層上の反射電極と、前記発光構造物の下部領域に形成され、前記反射電極を取り囲むチャネルレイヤchannellayerと、接合層を通じて前記チャネルレイヤと結合する支持基板と、を含む発光素子。前記チャネルレイヤは、金属からなる、請求項1に記載の発光素子。前記チャネルレイヤは、Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir及びWで構成される群から選択される物質からなる、請求項2に記載の発光素子。前記第2導電型半導体層上の一部の領域に形成されたCBLcurrentblockinglayerをさらに含む、請求項1に記載の発光素子。前記CBLと、前記第2導電型半導体層上に形成されたオーミック層をさらに含む、請求項4に記載の発光素子。前記オーミック層は、前記CBLを取り囲んで形成される、請求項5に記載の発光素子。前記反射電極は、前記オーミック層を取り囲んで形成される、請求項5に記載の発光素子。前記オーミック層は、ITO、AZO、IZO、Ni、Pt及びAgからなるグループから選択された物質からなる、請求項5に記載の発光素子。前記オーミック層は、少なくとも2つに分かれて具備され、前記反射電極は、前記それぞれのオーミック層上に具備された、請求項5乃至8のいずれかに記載の発光素子。前記支持基板は、Mo、Si、W、Cu及びAlからなるグループから選択された物質からなる、請求項1に記載の発光素子。前記第1電極は、Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir及びWからなるグループから選択された物質からなる、請求項1に記載の発光素子。前記接合層は、In、Sn、Ag、Nb、Ni、Au及びAlからなるグループから選択された物質を含む、請求項1に記載の発光素子。前記チャネルレイヤは、前記反射電極を取り囲む、請求項1に記載の発光素子。前記発光構造物の側面を取り囲むパッシベーション層をさらに含み、前記チャネルレイヤは、前記パッシベーション層と前記反射電極を分離するようにして配置される、請求項1に記載の発光素子。前記パッシベーション層は、前記発光構造物の周囲において前記チャネルレイヤと接触する、請求項14に記載の発光素子。前記チャネルレイヤは、前記発光構造物と少なくとも一部の領域において接触する、請求項1に記載の発光素子。キャビティが形成されたボディーと、前記ボディーに配置され、互いに電気的に分離された第1リードフレーム及び第2リードフレームと、前記キャビティ内に配置され、前記第1リードフレーム及び第2リードフレームに電気的に連結される請求項1乃至16のうちいずれか1項の発光素子と、を含む発光素子パッケージ。キャビティが形成されたボディーと、前記ボディーに配置され、互いに電気的に分離された第1リードフレーム及び第2リードフレームと、前記キャビティ内に配置され、前記第1リードフレーム及び第2リードフレームに電気的に連結される請求項1乃至16のうちいずれか1項の発光素子とを含む発光素子パッケージと、前記発光素子パッケージに電気的に連結された回路基板と、前記発光素子パッケージ及び回路基板を支持する基板と、前記発光素子パッケージから放出される光を伝達する光学部材と、を含む照明システム。実施例は、発光素子のチャネルレイヤを容易に形成し、発光素子の安全性を向上させることを目的とする。実施例は、第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層を含む発光構造物と、前記第1導電型半導体層上の第1電極と、前記第2導電型半導体層上の反射電極と、前記発光構造物の下部領域に形成されたチャネルレイヤchannellayerと、接合層を通じて前記チャネルレイヤと結合する支持基板と、を含む発光素子を提供する。チャネルレイヤは、金属からなり、Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir及びWで構成される群から選択される物質からなることができる。発光素子は、第2導電型半導体層上の一部の領域に形成されたCBLcurrentblockinglayerをさらに含むことができる。発光素子は、CBLと、前記第2導電型半導体層上に形成されたオーミック層をさらに含むことができる。オーミック層は、前記CBLを取り囲んで形成されることができる。反射電極は、前記オーミック層を取り囲んで形成されることができる。オーミック層は、ITO、AZO、IZO、Ni、Pt及びAgからなるグループから選択された物質からなることができる。オーミック層は、少なくとも2つに分かれて具備され、前記反射電極は、前記それぞれのオーミック層上に具備されることができる。支持基板は、Mo、Si、W、Cu及びAlからなるグループから選択された物質からなることができる。第1電極は、Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir及びWからなるグループから選択された物質からなることができる。前記接合層は、In、Sn、Ag、Nb、Ni、Au及びAlからなるグループから選択された物質を含むことができる。チャネルレイヤは、前記反射電極を取り囲むことができる。発光構造物の側面を取り囲むパッシベーション層passivationlayerをさらに含み、前記チャネルレイヤは、前記パッシベーション層と前記反射電極を分離するようにして配置されることができる。パッシベーション層は、前記発光構造物の周囲において前記チャネルレイヤと接触することができる。チャネルレイヤは、前記発光構造物と少なくとも一部の領域において接触することができる。他の実施例は、キャビティが形成されたボディーと、前記ボディーに配置され、互いに電気的に分離された第1リードフレーム及び第2リードフレームと、前記キャビティ内に配置され、前記第1リードフレーム及び第2リードフレームに電気的に連結される前記の発光素子と、を含む発光素子パッケージを提供する。また他の実施例は、キャビティが形成されたボディーと、前記ボディーに配置され、互いに電気的に分離された第1リードフレーム及び第2リードフレームと、前記キャビティ内に配置され、前記第1リードフレーム及び第2リードフレームに電気的に連結される前記の発光素子とを含む発光素子パッケージと、前記発光素子パッケージに電気的に連結された回路基板と、前記発光素子パッケージ及び回路基板を支持する基板と、前記発光素子パッケージから放出される光を伝達する光学部材と、を含む照明システムを提供する。上述した実施例による発光素子と、これを含む発光素子パッケージ及び照明システムは、チャネルレイヤが発光素子の全面積に形成されるので、別途のパターニングを必要とせず、電極と接合層との接合力が改善されることができる。以下、上記の目的を具体的に実現できる本発明の好ましい実施例を、添付の図面を参照して説明する。本発明による実施例の説明において、各構成要素の上または下onorunderに形成されると記載される場合において、上または下は、二つの構成要素が互いに直接directly接触したり、一つ以上の他の構成要素が前記二つの構成要素の間に配置されてindirectly形成されることを全て含む。また、上または下と表現される場合、一つの構成要素を基準にして上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたり、省略されたり、又は概略的に図示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全的に反映するものではない。図1乃至図8は、発光素子の一実施例の製造工程を示す図である。以下で、図1乃至図8を参照して発光素子の一実施例の製造方法を説明する。まず、図1に示すように、基板100上にバッファ層図示せず及び第1導電型半導体層122、活性層124及び第2導電型半導体層126を含む発光構造物120を成長させる。前記発光構造物120は、例えば、有機金属化学蒸着法MOCVD;MetalOrganicChemicalVaporDeposition、化学蒸着法CVD;ChemicalVaporDeposition、プラズマ化学蒸着法PECVD;Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition、分子線成長法MBE;MolecularBeamEpitaxy、水素化物気相成長法HVPE;HydrideVaporPhaseEpitaxyなどの方法を用いて形成されることができ、これに限定されるものではない。前記基板100は、伝導性基板または絶縁性基板を含み、例えば、サファイアAl2O3、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、そしてGa2O3のうち少なくとも一つを使用することができる。前記基板100上には凹凸構造が形成されることができるが、これに限定されない。前記基板100に対して湿式洗浄を行い、表面の不純物を除去することができる。前記発光構造物120と基板100との間には、バッファ層図示せずを成長させることができ、これは、材料の格子不整合及び熱膨張係数の差を減らすためである。前記バッファ層の材料は、3族5族化合物半導体、例えば、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInNのうち少なくとも一つで形成されることができる。前記バッファ層上には、非ドープundopedの半導体層が形成されることができるが、これに限定されない。前記第1導電型半導体層122は、第1導電型ドーパントがドーピングされた3族5族化合物半導体で具現されることができ、前記第1導電型半導体層122がN型半導体層である場合、前記第1導電型ドーパントはN型ドーパントであって、Si、Ge、Sn、Se、Teを含むことができるが、これに限定されない。前記第1導電型半導体層122は、AlxInyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体物質を含むことができる。前記第1導電型半導体層122は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、InPのうち、いずれか一つ以上で形成されることができる。前記活性層124は、第1導電型半導体層122を通じて注入される電子と、以後形成される第2導電型半導体層126を通じて注入される正孔とが、互いに結合し活性層発光層物質固有のエネルギーバンドによって決定されるエネルギーを有する光を放出する層である。前記活性層124は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWell、量子細線QuantumWire構造、または量子ドットQuantumDot構造のうち少なくとも一つで形成されることができる。例えば、前記活性層124は、トリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びトリメチルインジウムガスTMInが注入されて、多重量子井戸構造が形成されることができるが、これに限定されない。前記活性層124の井戸層/障壁層は、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs、GaPAlGaPのうち、いずれか一つ以上のペア構造で形成されることができるが、これに限定されない。前記井戸層は、前記障壁層のバンドギャップよりも低いバンドギャップを有する物質によって形成されることができる。前記活性層124の上または/及び下には、導電型クラッド層図示せずが形成されることができる。前記導電型クラッド層は、AlGaN系半導体で形成されることができ、前記活性層124のバンドギャップよりは高いバンドギャップを有することができる。前記第2導電型半導体層126は、第2導電型ドーパントがドーピングされた3族5族化合物半導体、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体物質を含むことができる。前記第2導電型半導体層124がP型半導体層である場合、前記第2導電型ドーパントはP型ドーパントであって、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどを含むことができる。そして、図2に示すように、発光構造物120上にオーミック層140と反射電極150を形成することができる。発光構造物120、特に前記第2導電型半導体層126は、不純物のドーピング濃度が低いので接触抵抗が高く、それによってメタルとのオーミック特性が良くないことがある。したがって、このようなオーミック特性を改善するために、オーミック層140をスパッタリング法や電子ビーム蒸着法によって形成することができる。オーミック層140は、発光構造物120と反射電極150との間に形成されるので、オーミック層140として透明電極などを形成することができる。前記オーミック層140は、約200Åの厚さであると良い。前記オーミック層140は、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IZONIZONitride、AGZOAlGaZnO、IGZOInGaZnO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち少なくとも一つを含んで形成されることができ、これらの材料に限定されない。反射電極150は、約2500Åの厚さで形成することができる。反射電極150は、アルミニウムAl、銀Ag、ニッケルNi、白金Pt、ロジウムRh、或いは、Al、Ag、PtまたはRhを含む合金を、含む金属層からなることができる。アルミニウムや銀などは、前記活性層124から発生された光を効果的に反射して、発光素子の光抽出効率を大きく改善することができる。そして、図3に示すように、反射電極150と、露出された発光構造物120の表面上に、チャネルレイヤ160を形成することができる。前記チャネルレイヤ160は、前記反射電極150を取り囲んで形成されることができる。前記チャネルレイヤ160は、金属からなることができ、具体的にTi、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir及びWで構成される群から選択される物質からなることができる。そして、合金としては、チタンとニッケルの合金、または、チタンと白金の合金を使用することができる。前記チャネルレイヤ160は、発光素子の全領域、すなわち、オーミック層140と反射電極150が形成された領域だけでなく、発光構造物120が露出されたチャネル領域も覆うようにして形成されることができる。前記チャネルレイヤ160は、上述の材料をスパッタリング法または電子ビーム蒸着法によって形成することができる。そして、図4に示すように、前記チャネルレイヤ160上に接合層170と導電性支持基板180を形成することができる。前記導電性支持基板180を形成させる方法は、電気化学的な金属蒸着方法や共晶Eutectic金属を用いたボンディング方法などを使用したり、別途の接合層170を形成することができる。導電性支持基板180は、第2の電極の役割を果たすことができるので、優れた電気伝導度を有する金属を使用することができ、発光素子の作動時に発生する熱を十分に発散させるために、熱伝導度の高い金属を使用することができる。前記導電性支持基板180は、モリブデンMo、シリコンSi、タングステンW、銅Cu及びアルミニウムAlで構成される群から選択される物質、又はこれらの合金からなることができ、また、金Au、銅合金CuAlloy、ニッケルNi、銅タングステンCuW、キャリアウエハ例:GaN、Si、Ge、GaAs、ZnO、SiGe、SiC、SiGe、Ga2O3等などを選択的に含むことができる。また、前記導電性支持基板180は、窒化物半導体を含む発光構造物に反りをもたらすことなく、スクライビングscribing工程及びブレイキングbreaking工程を通じて別個のチップによく分離できる程度の機械的強度を有することができる。接合層170は、前記チャネルレイヤ160と前記導電性支持基板180を結合することができる。前記接合層170は、金Au、錫Sn、インジウムIn、アルミニウムAl、シリコンSi、銀Ag、ニッケルNi及び銅Cuで構成される群から選択される物質、又はこれらの合金によって形成することができる。そして、図5に示すように、前記基板100を分離する。前記基板100の除去は、エキシマレーザーなどを用いたレーザーリフトオフLaserLiftOff:LLOの方法によって、または、乾式及び湿式エッチングの方法によって行うことができる。レーザーリフトオフ法を例に挙げると、前記基板100の方向に一定領域の波長を有するエキシマレーザー光をフォーカシングfocusingして照射すると、前記基板100と発光構造物120との境界面に熱エネルギーが集中して、境界面がガリウムと窒素分子に分離されながら、レーザー光が通過する部分において瞬間的に基板100の分離が発生する。そして、図6に示すように、発光構造物120をそれぞれの発光素子の単位にダイシングdicingする。このとき、それぞれの素子において発光構造物120の幅がチャネルレイヤ160などの幅よりも狭くなるように、発光構造物120の一部をエッチングして除去することができる。図6で、チャネルレイヤ160は、導電性支持基板180の全体と接合されており、発光構造物120は、チャネルレイヤ160の一部の上に配置されており、発光構造物120の幅は、オーミック層140及び反射電極150の幅よりも広い。そして、図7に示すように、発光構造物120の表面、すなわち、第1導電型半導体層122の露出された表面をエッチングする。このとき、発光構造物120の表面にマスク図示せずを覆って選択的にエッチングを進めることができ、乾式エッチング、またはエッチング液を用いて湿式エッチングを進めることもできる。エッチング工程が終了した発光構造物120の表面に、図示のように、選択的な凹凸形状が形成されている。選択的なエッチング工程が終了した後に、発光構造物120の表面の一部はフラットflatな状態であって良い。第1導電型半導体層122上には第1電極190が形成されることができる。前記第1電極190は、アルミニウムAl、チタンTi、クロムCr、ニッケルNi、銅Cu、金Auのうち少なくとも一つを含み、単層または多層構造で形成されることができる。そして、図8に示すように、前記発光構造物120の側面には、パッシベーション層195が形成されることができる。前記パッシベーション層195は絶縁物質からなることができ、前記絶縁物質は非伝導性である酸化物や窒化物からなることができる。一例として、前記パッシベーション層195は、シリコン酸化物SiO2層、酸化窒化物層、酸化アルミニウム層からなることができる。本実施例において、前記第1導電型半導体層122はP型半導体層として、前記第2導電型半導体層126はN型半導体層として具現することができる。また、前記第2導電型半導体層126上には、前記第2導電型と極性が異なる半導体、例えば、前記第2導電型半導体層がP型半導体層である場合、N型半導体層図示せずを形成することができる。これによって、発光構造物は、NP接合構造、PN接合構造、NPN接合構造、PNP接合構造のうちいずれか一つの構造として具現することができる。図9乃至図11は、発光素子の他の実施例を示す図である。図9に示した実施例は、発光構造物120と反射電極150との間に絶縁性物質でCBL130が形成されている。CBL130は、電流が発光構造物120の特定の領域、すなわち、中央領域に集中しないようにして、活性層124の全領域において均一に光が放出され得るようにすることができる。CBL130は、発光素子の中央領域に配置されることができ、第1電極190に対応して配置されることができる。そして、オーミック層140がCBL130を取り囲んで配置され、反射電極150はオーミック層140を取り囲んで配置されている。図10に示した実施例は、発光構造物120、特に第1導電型半導体層122上に凹凸形状の窒化物半導体層195が形成されている。前記凹凸形状の窒化物半導体層195は、MOCVD法などで成長させられることができ、3次元成長の促進条件を異にして凹凸形状で成長させられることができる。すなわち、第1導電型半導体層122の成長速度を部分的に増加/減少させたり、成長温度を部分的に増加/減少させたり、マグネシウム窒化物MgNxまたはシリコン窒化物SiNxを表面処理して、凹凸形状を作ることができる。また、第1導電型半導体層122をより厚く形成した後、湿式エッチング法などによってエッチングして、凹凸構造を形成することもできる。本実施例では、発光素子の表面にピラミッド形状の凹凸が形成されて、活性層124から発生した光が素子の表面に到達するとき、素子の内部へ全反射されて消耗される光を減少させて、発光素子の光抽出効率を向上させることができる。図11は、発光素子のまた他の実施例を示す図である。本実施例では、オーミック層140が2つに分離されて配置され、また前記反射電極150も、それぞれのオーミック層140上に形成されるので、互いに分離されて形成される。すなわち、一つの発光構造物120に対応して、オーミック層140が分離されて形成された構造である。前記チャネルレイヤ160は、電流阻止層currentblockinglayerとして働くことができる。この時、オーミック層140の形成は、ITO、AZO、IZO、Ni、Pt及びAgからなるグループから選択された物質を蒸着したあとにパターニングしたり、または、マスクを覆って選択的に蒸着することもできる。上述した実施例による発光素子は、チャネル領域だけでなく発光素子の全領域において、酸化物または金属OxideorMetalでチャネルレイヤを形成するので、別途にチャネルレイヤをパターニングしなくても良い。図12は、発光素子を含む発光素子パッケージの一実施例を示す図である。実施例による発光素子パッケージ200は、キャビティが形成されたボディー210と、前記ボディー210に設置された第1リードフレーム221LeadFrame及び第2リードフレーム222と、前記ボディー210に設置されて、前記第1リードフレーム221及び第2リードフレーム222と電気的に連結される上述した実施例による発光素子100と、前記キャビティが形成されたモールディング部240と、を含む。前記ボディー210は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができる。前記ボディー210が金属材質など導電性物質からなると、図示されていないが、前記ボディー210の表面に絶縁層がコーティングされて、前記第1、2リードフレーム221、222間の電気的短絡を防止することができる。前記第1リードフレーム221及び第2リードフレーム222は互いに電気的に分離され、前記発光素子100に電流を供給する。また、前記第1リードフレーム221及び第2リードフレーム222は、前記発光素子100から発生された光を反射させて、光効率を増加させることができ、前記発光素子100から発生された熱を外部に排出させることもできる。前記発光素子100は、前記ボディー210上に設置されたり、前記第1リードフレーム221または第2リードフレーム222上に設置されることができる。本実施例では、第1リードフレーム221と発光素子100が直接通電され、第2リードフレーム222と前記発光素子100は、ワイヤー230を通じて連結されている。発光素子100は、ワイヤーボンディング方式の他に、フリップチップ方式またはダイボンディング方式などによってリードフレーム221、222と連結されることができる。前記モールディング部240は前記発光素子100を包囲して保護することができる。また、前記モールディング部240上には蛍光体250が含まれて、前記発光素子100から放出される光の波長を変化させることができる。前記発光素子100から放出された第1波長領域の光が、前記蛍光体250によって励起されて第2波長領域の光に変換され、前記第2波長領域の光はレンズ図示せずを通過しながら光経路が変更されることができる。実施例による発光素子パッケージは、複数個が基板上にアレイされ、前記発光素子パッケージの光経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置されることができる。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、ライトユニットとして機能することができる。また他の実施例は、上述した各実施例に記載された半導体発光素子または発光素子パッケージを含む表示装置、指示装置、照明システムとして具現されることができ、例えば、照明システムはランプ及び街灯を含むことができる。以下では、上述した発光素子パッケージが配置された照明システムの一実施例として、照明装置とバックライトユニットを説明する。図13は、発光素子パッケージが配置された照明装置の一実施例を示す図である。実施例による照明装置は、光を投射する光源600と、前記光源600が内蔵されるハウジング400と、前記光源600の熱を放出する放熱部500と、前記光源600と放熱部500を前記ハウジング400に結合するホルダー700と、を含んでなる。前記ハウジング400は、電気ソケット図示せずに結合されるソケット結合部410と、前記ソケット結合部410と連結され、光源600が内蔵されるボディー部420とを含む。ボディー部420には一つの空気流動口430が貫通して形成されることができる。前記ハウジング400のボディー部420上に複数個の空気流動口430が具備されており、前記空気流動口430は、一つの空気流動口からなることもでき、複数個の流動口を、図示のような放射状の配置以外に多様に配置することもできる。前記光源600は、回路基板610上に複数個の上述した発光素子パッケージ650が具備される。ここで、前記回路基板610は、前記ハウジング400の開口部に挿入可能な形状であると良く、後述のように、放熱部500に熱を伝達するために熱伝導率の高い物質からなることができる。前記光源600の下部にはホルダー700が具備され、前記ホルダー700はフレームと、また他の空気流動口とを含むことができる。また、図示されていないが、前記光源600の下部には光学部材が具備されて、前記光源600の発光素子パッケージ650から投射される光を拡散、散乱または収斂させることができる。図14は、発光素子パッケージが配置された表示装置の一実施例を示す図である。図示のように、本実施例による表示装置800は、光源モジュール830,835と、ボトムカバー810上の反射板820と、前記反射板820の前方に配置され、前記光源モジュールから放出される光を表示装置の前方にガイドする導光板840と、前記導光板840の前方に配置される第1プリズムシート850及び第2プリズムシート860と、前記第2プリズムシート860の前方に配置されるパネル870と、前記パネル870の前方に配置されるカラーフィルタ880と、を含んでなる。光源モジュールは、回路基板830上の上述した発光素子パッケージ835を含んでなる。ここで、回路基板830はPCBなどが使用されることができ、発光素子パッケージ835は、図13で説明した通りである。前記ボトムカバー810は、表示装置800内の各構成要素を収納することができる。前記反射板820は、本図面のように、別途の構成要素として設けられることもでき、前記導光板840の後面や、前記ボトムカバー810の前面に反射率の高い物質でコーティングされる形態で設けられることもできる。ここで、反射板820は、反射率が高く、超薄型で使用可能な素材を使用することができ、ポリエチレンテレフタルレートPolyEthyleneTerephtalate;PETを使用することができる。導光板840は、発光素子パッケージモジュールから放出される光を散乱させて、その光が液晶表示装置の画面の全領域にわたって均一に分布されるようにする。したがって、導光板840は、屈折率と透過率の良い材料からなり、ポリメチルメタアクリレートPolyMethylMethAcrylate;PMMA、ポリカーボネートPolyCarbonate;PC、又はポリエチレンPolyEthylene;PEなどで形成されることができる。そして、導光板が省略されて、反射板820上の空間で光が伝達されるエアガイド方式も可能である。前記第1プリズムシート850は、支持フィルムの一面に、投光性で且つ弾性を有する重合体材料によって形成され、前記重合体は、複数個の立体構造が反復的に形成されたプリズム層を有することができる。ここで、前記複数個のパターンは、図示のように山と谷が反復的にストライプ状で具備されることができる。前記第2プリズムシート860において、支持フィルムの一面の山及び谷の方向は、前記第1プリズムシート850内の支持フィルムの一面の山及び谷の方向と垂直であると良い。これは、光源モジュールと反射板から伝達された光を、前記パネル870の全方向に均一に分散させるためである。本実施例で、前記第1プリズムシート850と第2プリズムシート860とが光学シートをなし、前記光学シートは、他の組合せ、例えば、マイクロレンズアレイからなったり、または、拡散シートとマイクロレンズアレイとの組合せ、または、一つのプリズムシートとマイクロレンズアレイとの組合せなど、からなることができる。前記パネル870は、液晶表示パネルLiquidcrystaldisplayが配置されることができ、液晶表示パネルの他に、光源を必要とする他の種類のディスプレイ装置が具備されることができる。前記パネル870は、ガラスボディーの間に液晶が位置し、光の偏光性を用いるために偏光板を両ガラスボディーに載せた状態となっている。ここで、液晶は、液体と固体の中間的な特性を持ち、液体のように流動性を有する有機分子である液晶が結晶のように規則的に配列された状態を有するものであって、前記分子配列が外部電界によって変化される性質を用いて画像を表示する。表示装置に使用される液晶表示パネルは、アクティブマトリックスActiveMatrix方式であって、各画素に供給される電圧を調節するスイッチとしてトランジスタを使用する。前記パネル870の前面にはカラーフィルタ880が具備されて、前記パネル870から投射された光を、各画素ごとに赤色、緑色及び青色の光のみを透過するので、画像を表現することができる。以上のように、実施例は、たとえ限定された実施例と図面によって説明したが、本発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、本発明が属する分野における通常の知識を有する者であれば、これらの記載から多様な修正および変形が可能である。したがって、本発明の範囲は、説明された実施例に限定されて決められてはならず、後述する特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等なものなどによって定められなければならない。"