"入射光を光電変換して得られた電荷を蓄積して出力する複数の画素と、前記複数の画素から出力された信号を記憶する、前記複数の画素にそれぞれ対応する複数の記憶回路と、前記複数の記憶回路に記憶された信号を増幅して逐次的に出力する複数の増幅回路と、所定の電圧を供給する電圧生成回路と、前記電圧生成回路からの前記電圧を保持する容量を有する保持回路と、前記複数の画素で電荷を蓄積中、前記電圧生成回路から供給される前記電圧を前記複数の増幅回路に供給し、前記複数の増幅回路により前記複数の記憶回路に保持された信号を出力する間、前記電圧生成回路から供給される前記電圧を前記複数の増幅回路に供給せずに、前記保持回路の前記容量に保持された前記電圧を前記複数の増幅回路に供給するように制御する制御手段と、前記複数の増幅回路から出力された信号のうちの最も小さい信号を、前記複数の増幅回路から出力された信号から減じて出力する出力回路とを有することを特徴とする固体撮像装置。前記複数の画素の各々は、前記蓄積された電荷を増幅して前記記憶回路に出力する増幅回路を更に有し、該増幅回路は、前記電圧生成回路から前記所定の電圧を供給されることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記複数の画素から出力された複数の信号から、前記複数の画素における蓄積状態をモニタする信号モニタ回路を有し、前記信号モニタ回路が所定の蓄積状態であることを判定すると、前記複数の画素から出力された信号を前記複数の記憶回路に記憶することを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。前記信号モニタ回路は、前記複数の信号のうち、最も大きい信号と最も小さい信号との差分信号から蓄積状態をモニタすることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。前記複数の画素は遮光された画素を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記複数の画素が前記複数の記憶回路に信号を出力する際に、前記電圧生成回路から供給される前記電圧を前記複数の増幅回路に供給することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記保持回路は、前記容量と前記電圧生成回路との間に設けられたスイッチを有し、前記制御手段は、前記複数の画素で電荷を蓄積中、前記スイッチをオンし、前記複数の増幅回路により前記複数の記憶回路に保持された信号を出力する間、前記スイッチをオフすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。しかしながら、増幅回路のバイアス電圧には、通常、熱雑音ホワイトノイズが発生し、増幅回路の出力にはランダムなノイズが更に重畳している。上述した特許文献1では、出力回路を介して複数のメモリセル部からの信号を出力する際に、シフトレジスタからの信号制御により、一セル分ずつ逐次的に出力するため、出力回路からの信号には、メモリセル部毎にそれぞれランダムなノイズが重畳している。図8は従来技術の出力信号に重畳されるノイズの概念図である。このようにメモリセル部からの出力に重畳されたランダムなノイズを、特許文献1に開示された技術では、メモリセル部から増幅回路を介して読み出す際に除去することができず、精度の高い出力信号を得ることができなかった。本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、固体撮像装置において、記憶回路部から信号を出力する時に発生するノイズを除去し、SN比を向上させることを目的とする。上記問題を解決するために、本発明の固体撮像装置は、入射光を光電変換して得られた電荷を蓄積して出力する複数の画素と、前記複数の画素から出力された信号を記憶する、前記複数の画素にそれぞれ対応する複数の記憶回路と、前記複数の記憶回路に記憶された信号を増幅して逐次的に出力する複数の増幅回路と、前記所定の電圧を供給する電圧生成回路と、前記電圧生成回路からの前記電圧を保持する容量を有する保持回路と、前記複数の画素で電荷を蓄積中、前記電圧生成回路から供給される前記電圧を前記複数の増幅回路に供給し、前記複数の増幅回路により前記複数の記憶回路に保持された信号を出力する間、前記電圧生成回路から供給される前記電圧を前記複数の増幅回路に供給せずに、前記保持回路の前記容量に保持された前記電圧を前記複数の増幅回路に供給するように制御する制御手段と、前記複数の増幅回路から出力された信号のうちの最も小さい信号を、前記複数の増幅回路から出力された信号から減じて出力する出力回路とを有する。本発明によれば、固体撮像装置において、記憶回路部から信号を出力する時に発生するノイズを除去し、SN比を向上させることができる。以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態における固体撮像装置100の概略構成を示すブロック図である。図1に示す固体撮像装置100において、被写体像は、複数の画素で構成されるセンサ部101において、光電変換され、電荷として蓄積される。更に、蓄積された電荷は増幅回路を介して電圧として出力される。記憶回路部102は、センサ部101の画素に応じた複数の記憶回路によりセンサ部101の出力信号を保持し、保持した信号を増幅回路を介して電圧として出力する。記憶回路部102の出力は、シフトレジスタ105からの信号により選択され、出力回路106から出力される。電圧生成回路103は、センサ部101を構成する増幅回路及び記憶回路部102を構成する増幅回路にそれぞれ供給する所定の電圧VB1、VB2を生成する。電圧VB2は、保持回路104のスイッチSWVB2を介して記憶回路部102に供給され、スイッチSWVB2は信号φVB2によりオン/オフ制御される。また、スイッチSWVB2と記憶回路部102の間には、容量CVB2が接続されている。信号モニタ回路107は、センサ部101の出力信号のうち最も大きな信号と、最も小さな信号を検出し、これらの差分信号を蓄積停止判定回路108へ出力する。また、信号モニタ回路107は、記憶回路部102の出力信号のうち最も小さな信号を検出し、検出した信号を出力回路106へ出力する。蓄積停止判定回路108は、信号モニタ回路107の出力から蓄積停止判定をし、センサ部101の蓄積を停止するため、センサ部101へ蓄積停止信号を出力する。図2は、センサ部101を構成する各画素201の回路図と、記憶回路部102を構成する記憶回路202の回路図の一例を示す。画素201は入射光を光電変換するフォトダイオードPD、MOSトランジスタM11、M12、スイッチSWRES、SWFT11で構成されている。MOSトランジスタM11、M12は第1の増幅回路を構成しており、第1の増幅回路の出力はスイッチSWFT11を介して、対応する記憶回路202及び信号モニタ回路107へ出力される。MOSトランジスタM11のゲート電極には、第1の増幅回路を駆動するための所定の電圧VB1が電圧生成回路103から印加される。スイッチSWRES、SWFT11はそれぞれ信号φRES、φFT11によりオン/オフ制御される。記憶回路202は信号保持容量CS、MOSトランジスタM21、M22、スイッチSWFT21、SWFT22、SWPHnで構成され手いる。MOSトランジスタM21、M22は第2の増幅回路を構成しており、第2の増幅回路の出力はスイッチSWFT22を介して信号モニタ回路107へ出力されると共に、スイッチSWPHnを介して信号OUTnとして出力回路106へ出力される。MOSトランジスタM21のゲート電極には、第2の増幅回路を駆動するための所定の電圧VB2が電圧生成回路103から保持回路104を介して印加される。スイッチSWFT21、SWFT22はそれぞれ信号φFT21、φFT22によりオン/オフ制御される。信号φPHnはシフトレジスタ105の出力信号であり、スイッチSWPHnをオン/オフ制御する。遮光画素も画素201と同一の構成をしており、対応する記憶回路202を有し、各MOSトランジスタ及び各スイッチは、各信号に対して同様の動作をする。図3は、信号モニタ回路107の回路図の一例を示す。信号モニタ回路107は、最大値検出回路301、最小値検出回路302、増幅器A31、スイッチSWMAX、SWMIN、SWDK31、SWDK32、抵抗R31、R32、R33、R34で構成される。VREFは基準電圧である。スイッチSWMAX、SWMIN、SWDK31、SWDK32はそれぞれ信号φMAX、φMIN、φDK31、φDK32によりオン/オフ制御され、増幅器A31への入力を制御する。ここでは信号φMAX、φMINをオン、信号φDK31、φDK32をオフとして説明する。最大値検出回路301により入力信号のうち最も大きな信号VMAXを検出し、最小値検出回路302により入力信号のうち最も小さな信号VMINを検出する。説明を簡単にするため、ここでは抵抗R31、R32、R33、R34の抵抗値がすべて等しいとすると、差分信号VDIFは下記の式1で表わされる。VDIF=VREFVMAX-VMIN...1この差分信号VDIFを蓄積停止判定回路108へ出力する。このとき、抵抗R31、R32、R33、R34の値を変え、差分信号を増幅して出力してもよい。また、信号φMAX、φMIN、φDK31、φDK32を制御し、遮光画素の出力とVMAXおよびVMINとの差分を出力することもできる。図4は出力回路106の回路図の一例を示す。出力回路106は、増幅器A41、A42、A43、容量C41、C42、スイッチSW41、SW42、SW43、SW44、SW45、SW46、SW47、SW48、抵抗R41、R43、可変抵抗R42、R44で構成されている。スイッチSW41、SW42、SW43、SW44、SW45、SW46、SW47、SW48は、信号φ41、φ42,φ43、φ44,φ45、φ46,φ47、φ48にそれぞれオン/オフ制御される。また、可変抵抗R42、R44の抵抗値は、信号φR42、φR44にそれぞれ制御される。記憶回路部102の出力で、シフトレジスタ105で選択された出力がスイッチSW47を介して増幅器A41に接続され、信号モニタ回路107の出力がスイッチSW48を介して増幅器A41に接続されている。AREF1、AREF2はそれぞれ基準電位である。以下、上記構成を有する固体撮像装置100の動作について、図5を用いて説明する。なお、図5に示す各信号は、シフトレジスタ105及び公知のタイミング発生器不図示などの制御回路によりオン/オフのタイミングが制御される。ここでは、図3における信号φMAX、φMINをオン、信号φDK31、φDK32をオフとする。まず、図2に示す画素201のスイッチSWRES、SWFT11、記憶回路202のSWFT21をオンして、MOSトランジスタM12、M22のゲート電位をリセットする。その後、スイッチSWRES、SWFT21をオフとしてフォトダイオードPDから光電変換された電荷の蓄積を開始する。電荷蓄積中は、スイッチSWFT11をオンとして、センサ部101の第1の増幅回路から信号モニタ回路107へ信号を出力する。このとき、電圧VB1から発生するノイズは複数の画素の出力に対し一律に重畳している。このノイズをN1とすると、信号モニタ回路107の出力信号である差分信号VDIFは下記の式2で表わされる。VDIF=VREF{VMAXN1-VMINN1}=VREFVMAX-VMIN...2式2から分かるように、ノイズ成分N1が除去された差分信号が蓄積停止判定回路108へ出力されるため、電荷蓄積状態に応じた精度の高い蓄積停止判定を行うことができる。また、遮光画素の出力との差分信号を出力しても、同様にノイズ成分が除去される。図6は、信号モニタ回路107の出力信号である差分信号の信号量と蓄積時間の関係を示している。蓄積時間0が蓄積開始タイミングであり、時間が経過するほど差分信号は増加していく。蓄積停止判定回路108は、差分信号と蓄積停止レベルとを比較判定し、差分信号が蓄積停止レベルよりも大きくなった時点で、センサ部101の電荷蓄積を停止するためにセンサ部101へ蓄積停止信号を出力する。ここで電荷蓄積時に電圧VB1を保持回路104と同様の回路で保持をしたとすると、電荷蓄積時間が長い場合は、電圧VB1を保持した電荷がリークしてしまい、センサ部101の第1の増幅回路へ供給する電圧が変動してしまう。これにより、第1の増幅回路の出力も変動してしまい、精度の高い蓄積停止判定ができなくなってしまう。本実施の形態においては、ノイズ成分N1が除去された差分信号で蓄積停止判定をしているため、保持回路による回路規模の増大もなく、精度の高い蓄積停止判定をしている。センサ部101は蓄積停止信号によりスイッチSWFT21をオンし、蓄積した電荷に応じた電圧を第1の増幅回路より出力し、記憶回路部102の記憶回路202の容量CSを充電する信号書き込み。信号書き込みが終了すると、スイッチSWFT11、SWFT21をオフし、容量CSで信号を保持する。このスイッチのオフ動作は、全画素に対して同じタイミングであるため、電圧VB1から発生するノイズは全画素の出力に対し一律に重畳している。このノイズをN2とする。次にスイッチSWFT22をオン、スイッチSWVB2をオフとし、記憶回路部102から信号モニタ回路107へ信号を出力する。保持回路104の容量CVB2には、電圧VB2と、スイッチSWVB2をオフしたタイミングで電圧VB2に重畳したノイズN3が保持されている。従って、記憶回路202の第2の増幅回路からは、容量CSに保持された信号に対応する電圧に、ノイズN2、N3に対応する信号N4=N2N3が重畳し出力される。このとき、複数の記憶回路202の出力に対し、N4は一律に重畳している。信号モニタ回路107では、記憶回路部102の出力信号の最小値VMINN4を検出し、出力回路106へ出力する。このとき、図4の出力回路106においては、スイッチSW41、SW43、SW44、SW46、SW48がそれぞれオンであり、容量C41には、VMINN4-AREF1の電圧値に相当する電荷が充電される。また、容量C42には、AREF1-AREF2の電圧値に相当する電荷が充電される信号クランプ。次にスイッチSW41、SW43、SW44、SW46、SW48をオフとし、スイッチSW42、SW45、SW47をオンとする。また、増幅器A42、A43のゲインがそれぞれ所定の値になるようにφR42、φR44を設定し、可変抵抗の抵抗値を制御する。ここで、増幅器A42の出力ゲインはG1=1R42/R41であり、増幅器A43の出力ゲインはG2=1R44/R43である。シフトレジスタ105により記憶回路202のスイッチSWPH1-SWPHnが逐次的にオンとされ、記憶回路部102から信号OUT1-OUTnが逐次的に出力される信号読み出し。このとき記憶回路202の容量CSに保持された信号に対応する第2の増幅回路の出力電圧をVOUTnとすると、ノイズが重畳した記憶回路202の出力はVOUTnN4となるため、出力回路106からの出力は以下の式3で表わされる。出力=G1×G2×{VOUTnN4-VMINN4}AREF2=G1×G2×VOUTn-VMINAREF2...3図7は出力回路106の出力信号とノイズの関係を示す概念図である。図7a、bに示すように、出力回路106の出力信号からは、電圧VB2で発生したノイズ成分が除去されている。ここで最小値信号の代わりに、信号φMAX、φMIN、φDK31、φDK32を制御し、遮光画素の出力を減じて出力信号を生成しても同様の効果が得られる。以上のように、本実施形態では、記憶回路部102からの信号出力時に、第2の増幅回路を駆動するための電圧を容量で保持することにより、逐次信号出力時に発生するノイズを除去することができ、SN比の高い出力信号を得ることができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。"