"上側接触面22及び下側接触面24を有する少なくとも1つの電子素子パッケージ20を冷却するためのヒートシンク60,70であって、前記ヒートシンクは、少なくとも1種の熱伝導性材料から形成された下方蓋12と、少なくとも1種の熱伝導性材料から形成された上方蓋14と、少なくとも1種の熱伝導性材料から形成された本体16とを備えており、前記本体16は、前記下方及び上方蓋12,14の間に配設されて封着され、前記本体16は、冷却剤を導入するように構成されたテーパ入口分配チャンバ136と、前記冷却剤を前記テーパ入口分配チャンバ136から導入するように構成された複数のC形入口マニホルド130と、前記冷却剤を排出するように構成された複数の逆C形出口マニホルド132であって、前記C形入口及び逆C形出口マニホルド130,132は交互配置されると共に、円形配列で配設され、前記逆C形出口マニホルド132は前記本体16の一部分のみの周囲に延在し、前記テーパ入口チャンバ136の対向面135,137に隣接して終端する前記複数の逆C形出口マニホルド132と、前記冷却剤を前記逆C形出口マニホルド132から導入するように構成されたテーパ出口チャンバ138であって、前記C形入口マニホルド130は、前記本体16の一部分のみの周囲に延在し、前記テーパ出口チャンバ138の対向面131,133に隣接して終端する前記テーパ出口チャンバ138とを画成する前記ヒートシンクにおいて、複数のミリチャンネル34が前記本体16に形成されるか、又は前記下方及び上方蓋12,14の少なくとも一方に形成され、前記冷却剤を前記C形入口マニホルド130から導入すると共に、前記冷却剤を前記逆C形出口マニホルド132に送給するように構成され、前記ミリチャンネル34は半径方向配列で配設され、前記ミリチャンネル34と前記C形入口及び逆C形出口マニホルド132,134は、更に、前記電子素子パッケージ20の前記上側及び下側接触面22,24の一方を冷却するように構成される、ヒートシンク60,70。前記ミリチャンネル34は、前記本体16に形成され、前記ミリチャンネル34はまた、前記下方及び上方蓋12,14の少なくとも一方に形成される、請求項1に記載のヒートシンク60。前記ミリチャンネル34は、前記本体16に形成され、前記本体16は、第1の面2及び第2の面4を有し、前記C形入口マニホルド及び逆C形出口マニホルド130,132と前記ミリチャンネル34の第1の組は、前記本体16の前記第1の面2に形成され、前記C形入口マニホルド及び逆C形出口マニホルド130,132と前記ミリチャンネル34の第2の組は、前記本体の前記第2の面4に形成され、前記C形入口及び逆C形出口マニホルド130,132と前記ミリチャンネル34の前記第1の組は、前記冷却剤によって1つの前記電子素子パッケージ20の上側接触面22を冷却するように構成され、前記C形入口及び逆C形出口マニホルド130,132と前記ミリチャンネル34の前記第2の組は、前記冷却剤によって別の前記電子素子パッケージ20の下側接触面24を冷却するように構成される、複数の電子素子パッケージ20を冷却するための請求項1に記載のヒートシンク60。前記ミリチャンネル34は、前記下方及び上方蓋12,14の各々に形成され、前記本体16は、第1の面2及び第2の面4を有し、前記C形入口マニホルド及び逆C形出口マニホルド130,132の第1の組は、前記本体16の前記第1の面2に形成されて、前記ミリチャンネル34の第1の組は、前記下方蓋12に形成され、前記C形入口マニホルド及び逆C形出口マニホルド130,132の第2の組は、前記本体16の前記第2の面4に形成されて、前記ミリチャンネル34の第2の組は、前記上方蓋14に形成され、前記C形入口及び逆C形出口マニホルド130,132と前記ミリチャンネル34の前記第1の組は、前記冷却剤によって1つの前記電子素子パッケージ20の上側接触面22を冷却するように構成され、前記C形入口及び逆C形出口マニホルド130,132と前記ミリチャンネル34の前記第2の組は、前記冷却剤によって別の前記電子素子パッケージ20の下側接触面24を冷却するように構成される、複数の電子素子パッケージ20を冷却するための請求項1に記載のヒートシンク70。前記テーパ入口分配チャンバ136及び前記テーパ出口チャンバ138は楔形であり、前記ミリチャンネル34の断面と前記C形入口及び逆C形出口マニホルド130,132の断面は、丸形、円形、台形、三角形、及び長方形断面からなる群から選択される、請求項1に記載のヒートシンク60,70。前記本体16は、更に、前記冷却剤を前記テーパ入口分配チャンバ136に供給するように構成された入口プレナム40と、前記冷却剤を前記テーパ出口チャンバ138から導入するように構成された出口プレナム42とを画成し、a前記テーパ入口チャンバ136と前記入口プレナム40が直線状に配列され、前記テーパ出口チャンバ138と前記出口プレナム42が直線状に配列されるか、又はb前記テーパ入口チャンバ136と前記入口プレナム40が垂直に配列され、前記テーパ出口チャンバ138と前記出口プレナム42が垂直に配列される、請求項1に記載のヒートシンク60,70。前記C形入口及び逆C形出口マニホルド130,132の少なくとも一方は、可変深さを有する、請求項1に記載のヒートシンク60,70。上側接触面22及び下側接触面24を有する電子素子パッケージ20を冷却するためのヒートシンク60,70であって、前記ヒートシンクは、少なくとも1種の熱伝導性材料から形成された蓋12,14と、少なくとも1種の熱伝導性材料から形成された本体16とを備えており、前記本体16は前記蓋12,14に封着され、前記本体16は、冷却剤を導入するように構成されたテーパ入口分配チャンバ136と、前記冷却剤を前記テーパ入口分配チャンバ136から導入するように構成された複数のC形入口マニホルド130と、前記冷却剤を排出するように構成された複数の逆C形出口マニホルド132であって、前記C形入口及び逆C形出口マニホルド130,132は交互配置されると共に、円形配列で配設され、前記逆C形出口マニホルド132は前記本体16の一部分のみの周囲に延在し、前記テーパ入口チャンバ136の対向面135,137に隣接して終端する前記複数の逆C形出口マニホルド132と、前記冷却剤を前記逆C形出口マニホルド132から導入するように構成されたテーパ出口チャンバ138であって、前記C形入口マニホルド130は、前記本体16の一部分のみの周囲に延在し、前記テーパ出口チャンバ138の対向面131,133に隣接して終端する前記テーパ出口チャンバ138とを画成する前記ヒートシンクにおいて、複数のミリチャンネル34が前記本体16に形成されるか、又は前記蓋12,14に形成され、前記冷却剤を前記C形入口マニホルド130から導入すると共に、前記冷却剤を前記逆C形出口マニホルド132に送給するように構成され、前記ミリチャンネル34は半径方向配列で配設され、前記ミリチャンネル34と前記C形入口及び逆C形出口マニホルド132,134は、更に、前記電子素子パッケージ20の前記上側及び下側接触面22,24の一方を冷却するように構成される、ヒートシンク60,70。上側接触面22及び下側接触面24を有する少なくとも1つの電子素子パッケージ20を直接冷却するためのヒートシンク80であって、前記ヒートシンクは、少なくとも1種の熱伝導性材料から形成された本体16を備えており、前記本体16は、冷却剤を導入するように構成されたテーパ入口分配チャンバ136と、前記冷却剤を前記テーパ入口分配チャンバ136から導入するように構成された複数のC形入口マニホルド130と、前記冷却剤を排出するように構成された複数の逆C形出口マニホルド132であって、前記C形入口及び逆C形出口マニホルド130,132は交互配置されると共に、円形配列で配設され、前記逆C形出口マニホルド132は前記本体16の一部分のみの周囲に延在し、前記テーパ入口チャンバ136の対向面135,137に隣接して終端する前記複数の逆C形出口マニホルド132と、前記冷却剤を前記逆C形出口マニホルド132から導入するように構成されたテーパ出口チャンバ138であって、前記C形入口マニホルド130は、前記本体16の一部分のみの周囲に延在し、前記テーパ出口チャンバ138の対向面131,133に隣接して終端する前記テーパ出口チャンバ138と、前記冷却剤を前記C形入口マニホルド130から導入すると共に、前記冷却剤を前記逆C形出口マニホルド132に送給するように構成された複数のミリチャンネル34であって、前記ミリチャンネル34は半径方向配列で配設され、前記ミリチャンネル34と前記C形入口及び逆C形出口マニホルド132,134は、更に、前記電子素子パッケージ20の前記上側及び下側接触面22,24の一方を直接冷却するように構成される前記複数のミリチャンネル34とを画成する、ヒートシンク80。前記本体16は、更に、ガスケット304を受け入れる溝302を画成し、前記テーパ入口分配チャンバ136及び前記テーパ出口チャンバ138は楔形であり、前記ミリチャンネル34の断面と前記C形入口及び逆C形出口マニホルド130,132の断面は、丸形、円形、台形、三角形、及び長方形断面からなる群から選択される、請求項9に記載のヒートシンク80。そこで、組立、分解、又は整備時に冷却剤がエレクトロニクス上に漏れるのを防ぐ改良型ヒートシンク設計を提供することが望ましい。更に、パワーエレクトロニクスの冷却向上のため、熱拡散効果の利用を可能にする改良型ヒートシンク設計を提供することが望ましい。更に、製造費が安く熱伝達が向上した改良型ヒートシンク設計もまた望まれている。本発明の1つの態様は、少なくとも1つの電子素子パッケージを冷却するためのヒートシンクにある。電子素子パッケージは、上側接触面及び下側接触面を含む。ヒートシンクは、少なくとも1種の熱伝導性材料から形成された下方蓋、上方蓋、及び本体を含む。本体は、下方及び上方蓋の間に配設されて封着され、冷却剤を導入するように構成されたテーパ入口分配チャンバと、冷却剤をテーパ入口分配チャンバから導入するように構成された複数のC形入口マニホルドと、冷却剤を排出するように構成された複数の逆C形出口マニホルドとを画成する。C形入口及び逆C形出口マニホルドは交互配置されると共に、円形配列で配設され、逆C形出口マニホルドは本体の一部分のみの周囲に延在し、テーパ入口チャンバの対向面に隣接して終端する。本体は、更に、冷却剤を逆C形出口マニホルドから導入するように構成されたテーパ出口チャンバを画成する。C形入口マニホルドは、本体の一部分のみの周囲に延在し、テーパ出口チャンバの対向面に隣接して終端する。ミリチャンネルが本体に形成されるか、又は下方及び上方蓋の少なくとも一方に形成され、冷却剤をC形入口マニホルドから導入すると共に、冷却剤を逆C形出口マニホルドに送給するように構成される。ミリチャンネルは半径方向配列で配設され、ミリチャンネルとC形入口及び逆C形出口マニホルドは、更に、電子素子パッケージの上側及び下側接触面の一方を冷却するように構成される。本発明の別の態様は、電子素子パッケージを冷却するためのヒートシンクにある。ヒートシンクは、少なくとも1種の熱伝導性材料から形成された蓋及び本体を含む。本体は、蓋に封着され、冷却剤を導入するように構成されたテーパ入口分配チャンバと、冷却剤をテーパ入口分配チャンバから導入するように構成された複数のC形入口マニホルドと、冷却剤を排出するように構成された複数の逆C形出口マニホルドとを画成する。C形入口及び逆C形出口マニホルドは交互配置されると共に、円形配列で配設される。逆C形出口マニホルドは本体の一部分のみの周囲に延在し、テーパ入口チャンバの対向面に隣接して終端する。本体は、更に、冷却剤を逆C形出口マニホルドから導入するように構成されたテーパ出口チャンバを画成する。C形入口マニホルドは、本体の一部分のみの周囲に延在し、テーパ出口チャンバの対向面に隣接して終端する。ミリチャンネルが本体又は蓋に形成され、冷却剤をC形入口マニホルドから導入すると共に、冷却剤を逆C形出口マニホルドに送給するように構成される。ミリチャンネルは半径方向配列で配設され、ミリチャンネルとC形入口及び出口マニホルドは、更に、電子素子パッケージの上側又は下側接触面の一方を冷却するように構成される。本発明の更に別の態様は、少なくとも1つの電子素子パッケージを直接冷却するためのヒートシンクにある。ヒートシンクは、少なくとも1種の熱伝導性材料から形成された本体を含んでおり、本体は、冷却剤を導入するように構成されたテーパ入口分配チャンバと、冷却剤をテーパ入口分配チャンバから導入するように構成された複数のC形入口マニホルドと、冷却剤を排出するように構成された複数の逆C形出口マニホルドとを画成する。C形入口及び逆C形出口マニホルドは交互配置されると共に、円形配列で配設される。逆C形出口マニホルドは本体の一部分のみの周囲に延在し、テーパ入口チャンバの対向面に隣接して終端する。本体は、更に、冷却剤を逆C形出口マニホルドから導入するように構成されたテーパ出口チャンバを画成する。C形入口マニホルドは、本体の一部分のみの周囲に延在し、テーパ出口チャンバの対向面に隣接して終端する。本体は、更に、冷却剤をC形入口マニホルドから導入すると共に、冷却剤を逆C形出口マニホルドに送給するように構成された複数のミリチャンネルを画成する。ミリチャンネルは半径方向配列で配設され、ミリチャンネルとC形入口及び逆C形出口マニホルドは、更に、電子素子パッケージの上側及び下側接触面の一方を直接冷却するように構成される。本発明のこれら及びその他の特徴、態様、及び利点は、図面を通して同様の符号が同様の部品を表す添付図面を参照して以下の詳細な説明を読むことによってより良く理解することができるであろう。図1~9及び15を参照して、少なくとも1つの電子素子パッケージ20を冷却するためのヒートシンク60,70を説明する。例えば図1に示すように、例示的な電子素子パッケージ20は、上側接触面22及び下側接触面24を有する。図3及び6に示す例示的な構成では、ヒートシンク60,70は、少なくとも1種の熱伝導性材料から形成された下方蓋12、上方蓋14、及び本体16を備える。熱伝導性材料は、銅、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、チタン、銅合金、ニッケル合金、モリブデン合金、チタン合金、アルミニウム-炭化ケイ素AlSiC、アルミニウム-グラファイト、及び窒化ケイ素セラミックからなる群から選択される。特定の形態では、下方及び上方蓋12,14と本体16は、同じ熱伝導性材料から形成される。しかしながら、その他の構成では、異なる材料を使用してもよい。図3及び6に示す形態では、本体16が下方及び上方蓋12,14の間に配設されて封着される。蓋12,14は、本体16に溶接、ろう付け、又は拡散接合することができ、従来の溶接、ろう付け、又は拡散接合法を利用することができる。例えば図7に示すように、本体16は、冷却剤が導入されるように構成されたテーパ入口分配チャンバ136を画成する。冷却剤の非限定的な例としては、脱イオン水及びその他の非導電性の液体が挙げられる。更に、特定の実施形態では、冷却剤は導電性の液体であってもよい。例えば図7に示すように、本体16は、更に、冷却剤をテーパ入口分配チャンバ136から導入するように構成された複数のC形入口マニホルド130と、冷却剤を排出するように構成された複数の逆C形出口マニホルド132とを画成する。C形入口及び逆C形出口マニホルド130,132は交互配置交互嵌合されると共に、円形配列本明細書では軸方向とも呼ばれるで配設される。本明細書で用いられている円形配列及び軸方向配列という句は、半径方向通路を接続する曲線的及び直線的な円形通路を包含するように理解されたい。例えば図5に示すように、逆C形出口マニホルド132は、本体16の一部分のみの周囲に延在し、テーパ入口チャンバ136の対向面135,137に隣接して終端する。例えば図7に示すように、本体16は、更に、冷却剤を逆C形出口マニホルド132から導入するように構成されたテーパ出口チャンバ138を画成する。例えば図5に示すように、C形入口マニホルド130は、本体16の一部分のみの周囲に延在し、テーパ出口チャンバ138の対向面131,133に隣接して終端する。図6,7,及び9に示す例示的な構成では、テーパ入口チャンバ136及びテーパ出口チャンバ138は楔形である。しかしながら、テーパ入口及び出口チャンバ136,138もまたその他の形状を有してもよい。形態によって、複数のミリチャンネル34は、本体16に形成されるか、且つ/又は下方及び上方蓋12,14の少なくとも一方に形成され、冷却剤をC形入口マニホルド130から導入すると共に、冷却剤を逆C形出口マニホルド132に送給するように構成される。はっきりと示されていないが、ミリチャンネル34は、圧力降下の更なる低減につながる半径方向チャンネルの数を最大にするために、本体16及び蓋12,14の一方又は両方に形成してもよい。例えば図4,6,及び9に示すように、ミリチャンネル34は、半径方向配列で配設される。ミリチャンネル34とC形入口及び逆C形出口マニホルド132,134は、更に、図1に概略的に示すように、電子素子パッケージ20の上側及び下側接触表面22,24の一方を冷却するように構成される。これらの内部流れ構造は、冷却剤を入口チャンバ136から取り入れて、均一な温度性能のために冷却表面全体にわたってそれを分配する。冷却剤は、C形マニホルド130を通過した後、半径方向ミリチャンネル34を通って一組の逆C形マニホルド132まで、更に半径方向ミリチャンネル34を戻って出口チャンバ138まで移動する。マニホルド及びミリチャンネルは、機械加工されるか、又は基材に鋳造される。本体16及び蓋12,14は、鋳造及び/又は機械加工することができる。例えば、部品12,14,16を鋳造してから機械加工して、更に細かな特徴及び表面要件を規定することができる。この構成では、流路マニホルド及びミリチャンネルは、蓋12,14によって密封される。有利なことに、蓋を用いてヒートシンクを密封したことにより、冷却チャンネルが冷却されている素子の磁極面を超えて延在することができる。このことは、熱拡散効果の利用を可能にし、分解及び整備時の冷却剤の漏れの防止に役立つ。特定の実施形態では、C形マニホルド130,132は、ミリチャンネル34よりも比較的大きな断面積を有する。1つの非限定的な例において、ミリチャンネルの幅は約0.5mm~約2.0mmの範囲であり、ミリチャンネルの深さは、約0.5mm~約2mmの範囲であった。特に、チャンネルの断面積は、半導体上の圧力均一を確実にするように決定することができる。半導体上の圧力分布をより均一にすることによって、半導体の性能が損なわれなくなる。更に、ミリチャンネル34及びC形マニホルド130,132は、丸形、円形、台形、三角形、及び正方形/長方形断面を含むがこれに限定されるものではない様々な断面形状を有し得ることに留意されたい。通路形状は、適用及び製造上の制約に基づいて選択され、適用可能な製造法のみならず冷却剤流量に影響を及ぼす。有利なことに、ヒートシンク60,70にミリチャンネル34を組み込むことによって、半導体素子20から冷却剤への熱伝導表面積が大幅に増加する。更に、特定の実施形態では、C形入口及び逆C形出口マニホルド130,132の少なくとも一方は可変深さを有してもよい。例えば、C形入口マニホルド130の深さは、テーパ入口チャンバ136における最大値と、テーパ出口チャンバ138の対向面131,133における最小値を有してもよい。同様に、逆C形出口マニホルド132の深さは、テーパ入口チャンバ136の対向面135,137における最小値と、テーパ出口チャンバ138における最大値を有してもよい。有利なことに、このテーパ構成により、冷却回路全体にわたってより均一な流動分布が得られる。図4は、圧力降下の低減を促進し、それに対応して冷却効率を向上させるために半径方向チャンネルの数を増やした設計を示す。より詳細には、図6に示す例示的な構成では、半径方向ミリチャンネル34の数は、本体16の中心付近の半径方向ミリチャンネル34の数よりも本体16の外周付近で多くなる。この構成によって、一定の空間及び機械加工上の制約の下でも、追加の半径方向チャンネルを加えることができるようになる。特定の形態では、ヒートシンク60,70は、複数の電子素子パッケージ20を冷却するように構成される。図6は、ミリチャンネル34が蓋12,14に形成された例示的な両面ヒートシンク70の形態を示す。図15は、ミリチャンネル34が本体に形成された例示的な両面ヒートシンク60を示す。図8及び15に示す例示的な形態では、ミリチャンネル34は本体16に形成される。図15の構成では、図15に概略的に示すように、C形入口マニホルド及び逆C形出口マニホルド130,132とミリチャンネル34の第1の組が本体16の第1の面2に形成され、入口マニホルド及び出口マニホルド130,132とミリチャンネル34の第2の組が本体16の第2の面4に形成される。図1に概略的に示すように、入口及び出口マニホルド130,132とミリチャンネル34の第1の組は、冷却剤によって1つの電子素子パッケージ20の上側接触面22を冷却するように構成され、入口及び出口マニホルド130,132とミリチャンネル34の第2の組は、冷却剤によって別の電子素子パッケージ20の下側接触面24を冷却するように構成される。図1に示す具体的な構成は単なる例示であり、具体的な用途に応じて、任意の数の電子素子パッケージ20、及び電子素子パッケージを冷却するための対応するヒートシンク60,70を所定のスタックに組み込んでもよいことを理解されたい。本発明の多くの利点の1つは、所望の数の素子パッケージを冷却するための柔軟性及びモジュール性である。同様に、図3及び6に示す両面ヒートシンク70の形態では、ミリチャンネル34が下方及び上方蓋12,14の各々に形成される。例えば図6及び7に示すように、C形入口マニホルド及び逆C形出口マニホルド130,132の第2の組が本体16の第2の面4に形成され図7参照、ミリチャンネル34の第2の組が上方蓋14に形成される図6参照。図7に示す構成と同様に、入口及び出口マニホルド130,132の第1の組が本体16の第1の面2に形成され、図6に示すように、ミリチャンネル34の第1の組が下方蓋12に形成される。図1に概略的に示すように、入口及び出口マニホルド130,132とミリチャンネル34の第1の組は、冷却剤によって1つの電子素子パッケージ20の上側接触面22を冷却するように構成され、入口及び出口マニホルド130,132とミリチャンネル34の第2の組は、冷却剤によって別の電子素子パッケージ20の下側接触面24を冷却するように構成される。図12に示す構成では、本体16は、更に、冷却剤をテーパ入口分配チャンバ136に供給するように構成された入口プレナム40を画成し、テーパ入口チャンバ136と入口プレナム40は直線状に配列される。本体16は、更に、冷却剤をテーパ出口チャンバ138から導入するように構成された出口プレナム42を画成し、テーパ出口チャンバ138と出口プレナム42は直線状に配列される。本明細書で用いられている直線状という語は、互いにプラスマイナス10度±10°の範囲内である、各プレナム40,42に対するチャンバ136,138の配向を包含するように理解されたい。本発明は、入口及び出口チャンバ136,138と各入口及び出口プレナムの具体的な相対配向に限定されるものではない。例えば、図5及び6は、チャンバ及び各プレナムの垂直形態を示す。図5及び6に示す例示的な形態では、本体16は、更に、冷却剤をテーパ入口チャンバ136に供給するように構成された入口プレナム40を画成し、テーパ入口分配チャンバ136と入口プレナム40は垂直に配列される。本体16は、更に、冷却剤をテーパ出口チャンバ138から導入するように構成された出口プレナム42を画成し、テーパ出口チャンバ138と出口プレナム42は垂直に配列される。本明細書で用いられる垂直という語は、互いに90°±10°の範囲内である、各プレナム40,42に対するテーパチャンバ136,138の配向を包含するように理解されたい。有利なことに、冷却剤入口プレナム40及び出口プレナム42を同一面に配置することによって、流体接続が単純化される。例えば、この形態は、流体送給及び除去用に4つの孔を穿設する必要があり、そのうちの2つは後で接続される。ヒートシンク60,70は、片面又は両面にすることができる。図2及び8を参照して、電子素子パッケージ20を冷却するための片面ヒートシンク形態60,70を説明する。ヒートシンク60,70は、少なくとも1種の熱伝導性材料から形成された蓋12,14と、少なくとも1種の熱伝導性材料から形成された本体16とを備える。本体16は蓋12,14に封着されており、蓋及び本体の構造は上述の通りである。例えば図7に示すように、本体16は、冷却剤を導入するように構成されたテーパ入口分配チャンバ136と、冷却剤をテーパ入口分配チャンバ136から導入するように構成された複数のC形入口マニホルド130と、冷却剤を排出するように構成された複数の逆C形出口マニホルド132とを画成する。例えば図8に示すように、入口及び出口マニホルド130,132は交互配置交互嵌合されると共に、円形配列で配設される。図5に示すように、逆C形出口マニホルド132は、本体16の一部分のみの周囲に延在し、テーパ入口チャンバ136の対向面135,137に隣接して終端する。例えば図7に示すように、本体16は、更に、冷却剤を逆C形出口マニホルド132から導入するように構成されたテーパ出口チャンバ138を画成する。図5に示すように、C形入口マニホルド130は、本体16の一部分のみの周囲に延在し、テーパ出口チャンバ138の対向面131,133に隣接して終端する。図2及び8に示した片面構成では、ミリチャンネル34は、本体16図8又は蓋12,14図2に形成され、冷却剤をC形入口マニホルド130から導入すると共に、冷却剤を逆C形出口マニホルド132に送給するように構成される。更に、はっきりと示されていないが、ミリチャンネル34は、圧力降下の更なる低減につながる半径方向チャンネルの数を最大にするために、本体16及び蓋12,14の両方に形成してもよい。ミリチャンネル34は半径方向配列で配設され、ミリチャンネル34と入口及び出口マニホルド132,134は、更に、図1に概略的に示すように、電子素子パッケージ20の上側及び下側接触面22,24の一方を冷却するように構成される。図9に示す例示的な形態では、ミリチャンネル34が本体16に形成される。より詳細には、入口及び出口マニホルド130,132と半径方向ミリチャンネル34は、本体16の第1の面2又は第2の面4の一方のみ図8のケースでは第2の面4に形成されて、図8の例で示すように、ヒートシンク60が片面ヒートシンク60となる。図2に示す例示的な形態では、ミリチャンネル34が蓋14に形成される。有利なことに、蓋に半径方向チャンネルを配置することにより、電子素子パッケージ20の近くに冷却剤を配置することによって熱抵抗を低減する。より詳細には、入口マニホルド及び出口マニホルド130,132は、本体16の第1の面2又は第2の面4の一方のみ図2のケースでは第2の面4に形成されて、図2の例で示すように、ヒートシンク70が片面ヒートシンク70となる。有利なことに、これらの構成では、冷却用送給/除去システムは、機械加工が必要な面が少なくなるように配列される。孔は、1つの面から材料の中間点まで穿設される。そして、孔は、主表面から他の孔と合わさるように穿設される。フライス加工プロセスによって、楔形チャンバ長方形であってもよいが削成され、これは左向き又は右向きとして交互に並ぶC形及び逆C形マニホルドと交差して、1つおきに入口チャンバと接続し、残りが出口チャンバと接続する。そして、半径方向ミリチャンネルは、主本体又は蓋のどちらかに削成してもよく、全ての部品は、ろう付け、溶接、又は拡散接合等のその他の方法によって取り付けられる。従って、これらの実施態様は、電気的接続用の追加の表面を冷却するために3つの表面のみへの製造を必要とすることによって、製造費を削減する。図1~9及び15を参照して上述した例示的な実施形態では、上側接触面22及び下側接触面24は断面が円形であってもよく、本体16は円筒形即ち、ディスク又はホッケーパック構成であってもよい。しかしながら、限定されるものではないが、正方形及び長方形断面を含むその他の形状を利用してもよい。図1に示す例示的な構成では、電子素子パッケージ20はプレスパッケージ20である。本発明は特定の素子構造に限定されるものではないが、説明の便宜上、以下の例示的なプレスパッケージ形態を提示する。本例では、プレスパッケージ20は、ウェーハ23上に形成された少なくとも1つの半導体素子21と、熱膨張係数CTEがマッチした上側及び下側プレート25,27と、上側及び下側電極28,29とを備える。図1の例で示すように、ウェーハ23はCTEプレート25,27間に配設され、上側電極28は上側CTEプレート25上に配設され、下側CTEプレート27は下側電極29上に配設される。プレスパッケージの実施形態では、ウェーハ23、CTEプレート25,27、及び電極28,29の各々は円形断面を有してもよい。半導体素子の非限定的な例としては、IGCT、GTO、及びIGBTが挙げられる。本発明は、様々な半導体から製造される半導体素子に用途を見出しており、その非限定的な例としては、シリコンSi、炭化ケイ素SiC、窒化ガリウムGaN、及びガリウムヒ素GaAsが挙げられる。プレスパッケージは、一般的に、例えば図1に示すように、絶縁例えば、セラミックハウジング26を含む。図1は、ヒートシンク60,70をハウジング26の外側に延在するように示しているが、他の実施形態では、ヒートシンク60,70の本体16はハウジング26内に配設される。更に、電極28,29は、例えば電極28及び29の外周とハウジング26との間にコンプライアントシールを設けて、ハウジング26の境界を越えて垂直方向に延在してもよい。更に、電気的接続を可能にすると共に、冷却が必要とされる他の素子を配置するため、ヒートシンク60,70が図示のようにハウジングの外に延在してもよい。従って、本体16は、ハウジング26よりも大きな直径を有してもよい。有利なことに、気密シールを形成することによって、ヒートシンク60,70が、組立、分解、又は整備時に冷却剤がエレクトロニクス上に漏れるのを防ぐ。更に、ヒートシンク60,70により、電子素子パッケージ20の磁極面全体にわたって均一な方法での高性能な冷却が得られる。上述の形態に加えて、直接冷却用に蓋なし形態を利用することができる。従って、図5,7及び9~14を参照して、別のヒートシンク80形態を説明する。例えば図1に示すように、少なくとも1つの電子素子パッケージ20を冷却するためのヒートシンク80が提供される。図1に示すように、電子素子パッケージは、上側及び下側接触面22,24を有する。例えば図10に示すように、ヒートシンク80は、少なくとも1種の熱伝導性材料から形成された本体16を備える。図7に示すように、本体16は、冷却剤を導入するように構成されたテーパ入口分配チャンバ136と、冷却剤をテーパ入口分配チャンバ136から導入するように構成されたC形入口マニホルド130と、冷却剤を排出するように構成された逆C形出口マニホルド132とを画成する。例えば図5に示すように、入口及び出口マニホルド130,132は交互配置交互嵌合されると共に、円形軸方向配列で配設される。図6にもまた示すように、逆C形出口マニホルド132は、本体16の一部分のみの周囲に延在し、テーパ入口チャンバ136の対向面135,137に隣接して終端する。図7に示すように、本体16は、更に、冷却剤を出口マニホルド132から導入するように構成されたテーパ出口チャンバ138を画成する。例えば図5に示すように、C形入口マニホルド130は、本体16の一部分のみの周囲に延在し、テーパ出口チャンバ138の対向面131,133に隣接して終端する。図示の例では、テーパ入口及び出口チャンバ136,138は楔形である。しかしながら、テーパチャンバ136,138は、その他の形状を有してもよい。例えば図9及び11に示すように、本体16は、更に、冷却剤をC形入口マニホルド130から導入すると共に、冷却剤を出口マニホルド132に送給するように構成されたミリチャンネル34を画成する。ミリチャンネル34は半径方向配列で配設され、ミリチャンネル34と入口及び出口マニホルド132,134は、更に、図1に概略的に示すように、電子素子パッケージ20の上側及び下側接触面22,24の一方を直接冷却するように構成される。マニホルド130,132及びミリチャンネル34の例示的な寸法及び断面は上述の通りである。更に、上記のように、入口及び出口マニホルド130,132の少なくとも一方は可変深さを有してもよい。有利なことに、そのようなテーパ構成により、冷却回路全体にわたってより均一な流動分布が得られる。有利なことに、ミリチャンネル及び入口/出口マニホルドを本体16に組み込むことによって、組立工程が単純化される。特に、この一体成形形態によって、2つの構成部品を接合する必要がなくなる。図4に示す例示的な形態では、半径方向ミリチャンネル34の数は、本体16の中心付近の半径方向ミリチャンネル34の数よりも本体16の外周付近で多くなる。上記のように、図4に示す構成により、一定の空間及び機械加工上の制約の下でも、追加の半径方向チャンネルを加えることを可能にすることによって冷却の向上が得られる。この構成は、図10及び11の蓋なし形態でははっきりと示されていないが、図6のC形マニホルドのケースでは示されている。図10及び11に示す例示的な構成では、本体16は、更に、ガスケット304を受け入れる溝302を画成する。特定の構成では、ガスケット304はOリングである。有利なことに、この組立工程は比較的簡単で堅牢であり、わずかな製造ステップしか必要とせず、はんだ付け又はその他の金属接合技術等のより複雑な組立技術を不要にする。図12に示す例示的な構成では、本体16は、更に、冷却剤をテーパ入口分配チャンバ136に供給するように構成された入口プレナム40と、冷却剤をテーパ出口チャンバ138から導入するように構成された出口プレナム42とを画成する。例えば図12に示すように、テーパ入口チャンバ136と入口プレナム40は直線状に配列してもよく、テーパ出口チャンバ138と出口プレナム42は直線状に配列してもよい。その他の形態では、図9に示すように、テーパ入口チャンバ136と入口プレナム40は垂直に配列してもよく、テーパ出口チャンバ138と出口プレナム42は垂直に配列してもよい。特定の形態では、ヒートシンク80は、複数の電子素子パッケージ20を冷却するように構成される。図10及び13は、例示的な両面ヒートシンク80の形態を概略的に示す。この構成では、図13に示すように、入口及び出口マニホルド130,132とミリチャンネル34の第1の組は本体16の第1の面2に形成され、入口及び出口マニホルド130,132とミリチャンネル34の第2の組は本体16の第2の面4に形成される。図13に示すように、マニホルド130,132及びミリチャンネル34の第1の組は、冷却剤によって1つの電子素子パッケージ20の上側接触面22図1を直接冷却するように構成され、マニホルド130,132及びミリチャンネル34の第2の組は、冷却剤によって別の電子素子パッケージ20の下側接触面24図1を直接冷却するように構成される。その他の形態では、ヒートシンク80は片面ヒートシンクとして構成される。図14に示す例示的な構成では、入口及び出口マニホルド130,132が本体16の第1の面2又は第2の面4の一方のみ図14のケースでは第2の面4に形成されて、ヒートシンク80が片面ヒートシンク80となる。有利なことに、ヒートシンク80は、パワー素子の従来の冷却よりも向上した熱伝達をもたらし、堅牢で簡単なシール構成を有する。例えば、ヒートシンク80は、比較的簡単なOリングアセンブリを用いて隣接する素子パッケージ20に封着することができる。ヒートシンク80はプレスパッケージと一体的であり、冷却剤との直接接触によってパワー素子を直接冷却し、それによって熱伝達を向上させる。更に、ヒートシンク80は、冷却剤を収容するのに必要なろう付け又は機械的連結のその他の手段の数を減らすことによって、漏れ又は疲労破壊のリスクと費用を軽減する。更に、交互配置されたC形入口及び出口チャンネルは、冷却される素子の表面に冷却剤を均一に送給し、ミリチャンネルは、この一体型ヒートシンクでのパワー素子から冷却剤への熱伝達表面積を増大させる。更に、ミリチャンネル及び入口/出口マニホルドを本体16に組み込むことにより、組立工程が単純化する。熱性能の向上によって高い信頼性とより広い動作マージンを提供することによって、ヒートシンク60,70,80は、石油及びガス液化天然ガスLNG及びパイプライン駆動装置、石油及びガス海底輸送供給及び駆動装置のような非常に高い信頼性が要求される用途に特に好ましい。更に、ヒートシンク60,70,80は、非限定的な例として圧延工場、製紙工場、及び鉄道輸送などの高出力用途が挙げられる様々な用途に利用することができる。本明細書では本発明の特定の特徴のみを図示及び説明してきたが、当業者は多くの修正及び変更を想到するであろう。従って、添付の特許請求の範囲は、本発明の真の精神内にある全てのそのような修正及び変更を保護するように意図されていること理解されたい。"