平面形状が実質的にまっすぐなアンテナに高周波電流を流すことによって真空容器内に誘導電界を発生させてプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置であって、前記アンテナを、前記基板の表面に立てた垂線を伸縮させる方向に互いに接近して配置されていて前記高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、かつ前記往復導体間の前記垂線を伸縮させる方向の間隔を、前記アンテナの長手方向において変化させており、前記往復導体は、前記プラズマ側の下側導体および前記プラズマとは反対側の上側導体を有していて、両導体の同じ側の一方端部が互いに電気的に接続されており、前記上側導体の他方端部に整合回路を介して高周波電源を接続し、かつ前記下側導体の他方端部を直接またはコンデンサを介して接地している、ことを特徴とするプラズマ処理装置。平面形状が実質的にまっすぐなアンテナに高周波電流を流すことによって真空容器内に誘導電界を発生させてプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置であって、前記アンテナを、前記基板の表面に立てた垂線を伸縮させる方向に互いに接近して配置されていて前記高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、かつ前記往復導体間の前記垂線を伸縮させる方向の間隔を、前記アンテナの長手方向において変化させており、前記往復導体は、前記プラズマ側の下側導体および前記プラズマとは反対側の上側導体を有していて、両導体の同じ側の一方端部が互いに電気的に接続されており、かつ前記往復導体間の前記間隔を、前記アンテナの長手方向における中央部に対して左右非対称にしている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。平面形状が実質的にまっすぐなアンテナに高周波電流を流すことによって真空容器内に誘導電界を発生させてプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置であって、前記アンテナを、前記基板の表面に立てた垂線を伸縮させる方向に互いに接近して配置されていて前記高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、かつ前記往復導体間の前記垂線を伸縮させる方向の間隔を、前記アンテナの長手方向において変化させており、前記往復導体は、前記プラズマ側の下側導体および前記プラズマとは反対側にあって当該下側導体とは別の構造体の上側導体を有していて、両導体の同じ側の一方端部が互いに電気的に接続されており、かつ前記上側導体は、前記垂線を伸縮させる方向に位置変更可能である、ことを特徴とするプラズマ処理装置。前記上側導体は前記アンテナの長手方向において複数の導体に分割されており、かつ当該各導体は前記垂線を伸縮させる方向にそれぞれ位置変更可能である請求項1記載のプラズマ処理装置。平面形状が実質的にまっすぐなアンテナに高周波電流を流すことによって真空容器内に誘導電界を発生させてプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置であって、前記アンテナを、前記基板の表面に立てた垂線を伸縮させる方向に互いに接近して配置されていて前記高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、かつ前記往復導体間の前記垂線を伸縮させる方向の間隔を、前記アンテナの長手方向において変化させており、前記往復導体は、前記プラズマ側の下側導体および前記プラズマとは反対側にあって当該下側導体とは別の構造体の上側導体を有していて、両導体の同じ側の一方端部が互いに電気的に接続されており、かつ前記上側導体の全部または一部を可撓性導体で構成している、ことを特徴とするプラズマ処理装置。前記可撓性導体を前記下側導体に向けて押さえる1以上の押さえ部材を更に備えている請求項5記載のプラズマ処理装置。前記往復導体間の前記垂線を伸縮させる方向の間隔を、前記アンテナの長手方向における中央部の間隔よりも両端部の間隔を大きくしている請求項1から6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。前記アンテナを複数備えていてこれらは互いに並列に配置されており、当該複数のアンテナに、共通の高周波電源から高周波電力を並列に供給するように構成している請求項1から7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。誘導結合型のプラズマ処理装置においても、大型の基板に対応する等のためにアンテナを長くすると、当該アンテナのインピーダンス特にインダクタンスが大きくなり、それによってアンテナの両端間に大きな電位差が発生する。このアンテナの電位は、プラズマとの間の静電容量を介してプラズマ電位に反映されるので、アンテナの電位が高いとプラズマ電位も高くなる。その結果、プラズマ中の荷電粒子例えばイオンが高いエネルギーで基板に入射衝突するので、基板上に形成する膜に与えるダメージが大きくなり、膜質が低下する等の課題が生じる。そこでこの発明は、誘導結合型の装置であって、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてプラズマ電位を低く抑えることができ、しかも当該アンテナによってその長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができるプラズマ処理装置を提供することを主たる目的としている。更に、プラズマ電位をより低く抑えることができるようにすること等を他の目的としている。この発明に係るプラズマ処理装置の一つは、平面形状が実質的にまっすぐなアンテナに高周波電流を流すことによって真空容器内に誘導電界を発生させてプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置であって、前記アンテナを、前記基板の表面に立てた垂線を伸縮させる方向に互いに接近して配置されていて前記高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、かつ前記往復導体間の前記垂線を伸縮させる方向の間隔を、前記アンテナの長手方向において変化させており、前記往復導体は、前記プラズマ側の下側導体および前記プラズマとは反対側の上側導体を有していて、両導体の同じ側の一方端部が互いに電気的に接続されており、前記上側導体の他方端部に整合回路を介して高周波電源を接続し、かつ前記下側導体の他方端部を直接またはコンデンサを介して接地している、ことを特徴としている。以下においては、表現を簡略化するために、基板の表面に立てた垂線を伸縮させる方向を上下方向と呼び、当該垂線に交差する方向を左右方向と呼ぶ。従って、上下方向は必ずしも垂直方向とは限らない。このプラズマ処理装置においては、アンテナを、上下方向に互いに接近して配置されていて高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成しているので、往復導体間の相互インダクタンスのぶん、アンテナの実効インダクタンスが小さくなる。従って、アンテナの電位を低く抑えて、プラズマ電位を低く抑えることができる。しかも、往復導体間の上下方向の間隔をアンテナの長手方向において変化させることによって、往復導体間の相互インダクタンスをアンテナの長手方向において変化させることができるので、アンテナからプラズマに供給する電磁エネルギーを、アンテナの長手方向において変化させることができる。従って、このアンテナによって、その長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができる。また、アンテナを構成する往復導体は、プラズマ側の下側導体およびプラズマとは反対側の上側導体を有していて、両導体の同じ側の一方端部が互いに電気的に接続されており、かつ上側導体の他方端部に整合回路を介して高周波電源を接続し、下側導体の他方端部を直接またはコンデンサを介して接地しているので、下側導体の電位の方が上側導体の電位よりも低くなる。この下側導体はプラズマ側に位置していて、当該下側導体の電位の方が上側導体の電位よりもプラズマ電位に強く反映されるので、当該下側導体の電位が上記のように低くなることによって、プラズマ電位をより低く抑えることができる。アンテナを構成する往復導体間の前記間隔を、アンテナの長手方向における中央部に対して左右非対称にしていても良い。前記上側導体と下側導体とを互いに別の構造体とし、かつ上側導体を上下方向に位置変更可能なものとしても良い。前記上側導体と下側導体とを別の構造体とし、かつ上側導体の全部または一部を可撓性導体で構成しても良い。往復導体間の上下方向の間隔を、アンテナの長手方向における中央部の間隔よりも両端部の間隔を大きくしておいても良い。請求項1に記載の発明によれば次の効果を奏する。aアンテナを、上下方向に互いに接近して配置されていて高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成しているので、往復導体間の相互インダクタンスのぶん、アンテナの実効インダクタンスが小さくなる。従って、アンテナの電位を低く抑えて、プラズマ電位を低く抑えることができる。その結果、プラズマから基板に入射する荷電粒子のエネルギーを小さく抑えることができる。それによって例えば、基板上に形成する膜に与えるダメージを小さく抑えて、膜質向上を図ることができる。また、アンテナを長くする場合でも、上記理由によって、アンテナの電位を低く抑えてプラズマ電位を低く抑えることができるので、アンテナを長くして基板の大型化に対応することが容易になる。b往復導体間の上下方向の間隔をアンテナの長手方向において変化させることによって、往復導体間の相互インダクタンスをアンテナの長手方向において変化させることができるので、アンテナからプラズマに供給する電磁エネルギーを、アンテナの長手方向において変化させることができる。従って、このアンテナによって、その長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができる。その結果、アンテナの長手方向における基板の処理状態を制御することができる。例えば、アンテナの長手方向における膜厚分布を制御することができる。cアンテナを、上下方向に互いに接近して配置されていて高周波電流が互いに逆向きに流される往復導体によって構成し、かつ当該往復導体間の上下方向の間隔をアンテナの長手方向において変化させているので、左右方向に互いに接近して配置された往復導体間の左右方向の間隔を変化させる場合に比べて、往復導体間の間隔変化によるアンテナ下方近傍の磁束密度の制御性が良い。従って、往復導体間の間隔を変化させることによる、アンテナからプラズマに供給する電磁エネルギーの制御性、ひいてはプラズマ密度分布の制御性が良い。d上側導体の他方端部に整合回路を介して高周波電源を接続し、下側導体の他方端部を直接またはコンデンサを介して接地しているので、下側導体の電位の方が上側導体の電位よりも低くなる。この下側導体はプラズマ側に位置していて、当該下側導体の電位の方が上側導体の電位よりもプラズマ電位に強く反映されるので、当該下側導体の電位が上記のように低くなることによって、プラズマ電位をより低く抑えることができる。その結果、プラズマ電位を低く抑えることによる上記aの効果即ち、プラズマから基板に入射する荷電粒子のエネルギーを低く抑えることができる、アンテナを長くする場合でもプラズマ電位を低く抑えることができる、等の効果をより高めることができる。請求項2に記載の発明によれば、請求項1記載の発明の上記a~cの効果と同様の効果に加えて次の効果を奏する。eアンテナの下側導体に着目すると、当該下側導体はインピーダンスを有しているために、その長手方向において傾斜した電位分布を有する。従って厳密に見れば、アンテナを構成する往復導体間の間隔がアンテナの長手方向における中央部に対して左右対称の場合は、当該電位分布に対応してプラズマ密度分布もアンテナの長手方向において不均一な分布になる。その結果、例えば基板上に膜を形成する場合、当該プラズマ密度分布に対応して基板上の膜厚分布もアンテナの長手方向において不均一な分布になる。これに対して、アンテナを構成する往復導体間の前記間隔を、アンテナの長手方向における中央部に対して左右非対称にすることによって、導体間隔の大きい領域ではプラズマ密度を相対的に大きくし、導体間隔の小さい領域ではプラズマ密度を相対的に小さくすることができるので、上記下側導体の電位分布に起因するプラズマ密度分布の不均一性を補正して、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。その結果、アンテナの長手方向における基板処理の均一性を高めることができる。例えば基板上に膜を形成する場合、アンテナの長手方向における膜厚分布の均一性を高めることができる。請求項3に記載の発明によれば、請求項1記載の発明の上記a~cの効果と同様の効果に加えて次の効果を奏する。fアンテナを構成する上側導体と下側導体とは互いに別の構造体であり、かつ上側導体は上下方向に位置変更可能であるので、往復導体間の上下方向の間隔の調整が容易になる。例えば、装置の組立後に当該間隔を調整することもできる。その結果、アンテナの磁界分布を調整することが可能になり、ひいてはプラズマ密度分布を調整することが可能になるので、プラズマ密度分布の均一化により対応しやすくなる。請求項4に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、アンテナを構成する上側導体はアンテナの長手方向において複数の導体に分割されており、かつ当該各導体は上下方向にそれぞれ位置変更可能であるので、往復導体間の間隔を、分割された各部分の導体においてそれぞれ調整することができる。その結果、アンテナの磁界分布ひいてはプラズマ密度分布をより詳細に調整することが可能になるので、プラズマ密度分布の均一化により一層対応しやすくなる。請求項5に記載の発明によれば、請求項1記載の発明の上記a~cの効果と同様の効果に加えて次の効果を奏する。gアンテナを構成する上側導体と下側導体とは互いに別の構造体であり、かつ上側導体の全部または一部を可撓性導体で構成していて当該可撓性導体を撓ませることができるので、上側導体の形状変更の自由度が大きい。従って、往復導体間の間隔調整が容易かつ当該調整の自由度が大きいので、アンテナの磁界分布を調整することが容易になり、ひいてはプラズマ密度分布を調整することが容易になる。その結果、プラズマ密度分布の均一化により対応しやすくなる。請求項6に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、アンテナの上側導体を構成する可撓性導体を下側導体に向けて押さえる1以上の押さえ部材を更に備えているので、可撓性導体を撓ませてその形状を変更することが容易になり、形状変更の自由度も大きくなり、かつ可撓性導体の形状の安定性も高くなる。請求項7に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布は、通常は、中央部よりも両端部のプラズマ密度が小さい山型の分布になる。これに対して、この発明のように、往復導体間の上下方向の間隔を、アンテナの長手方向における中央部の間隔よりも両端部の間隔を大きくすることによって、アンテナの長手方向において、中央部よりも両端部の相互インダクタンスを小さくすることができるので、アンテナの中央部よりも両端部の実効インダクタンスが相対的に大きくなる。その結果、アンテナからプラズマに供給する電磁エネルギーを、山型とは反対に、アンテナの長手方向における中央部付近よりも両端部付近において相対的に大きくすることができるので、上記山型のプラズマ密度分布を補正して、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。その結果、アンテナの長手方向における基板処理の均一性を高めることができる。例えば、アンテナの長手方向における膜厚分布の均一性を高めることができる。請求項8に記載の発明によれば次の更なる効果を奏する。即ち、互いに並列に配置され、かつ並列に高周波電力が供給される複数の前記アンテナを備えているので、より大面積のプラズマを生成することができる。しかも、前記作用によって、各アンテナの電位を低く抑えることができると共に、各アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができる。この発明に係るプラズマ処理装置の一実施形態を図1に示し、そのアンテナ30を抜き出して図2に示す。アンテナ30等の向きを表すために、一点で互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を図中に記載している。Z方向は基板2の表面に立てた垂線3を伸縮させる方向であり、Y方向は当該垂線3に交差する例えば直交する方向であり、これらは、前述したように表現を簡略化するために、それぞれ、上下方向Z、左右方向Yと呼ぶことにする。X方向は、垂線3に交差する例えば直交する方向であり、かつアンテナ30の長手方向である。例えば、X方向およびY方向は水平方向であるが、これに限られるものではない。以上のことは、他の図においても同様である。この装置は、平面形状が実質的にまっすぐなアンテナ30に高周波電源42から高周波電流IRを流すことによって真空容器4内に誘導電界を発生させて当該誘導電界によってプラズマ50を生成し、このプラズマ50を用いて基板2に処理を施す誘導結合型のプラズマ処理装置である。実質的にまっすぐというのは、文字どおりまっすぐな状態だけでなく、まっすぐに近い状態ほぼまっすぐな状態をも含む意味である。基板2は、例えば、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイFPD用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板、太陽電池等の半導体デバイス用の基板等であるが、これに限られるものではない。基板2の平面形状は、例えば円形、四角形等であり、特定の形状に限定されない。基板2に施す処理は、例えば、プラズマCVD法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等である。このプラズマ処理装置は、プラズマCVD法によって膜形成を行う場合はプラズマCVD装置、エッチングを行う場合はプラズマエッチング装置、アッシングを行う場合はプラズマアッシング装置、スパッタリングを行う場合はプラズマスパッタリング装置とも呼ばれる。このプラズマ処理装置は、例えば金属製の真空容器4を備えており、その内部は真空排気装置8によって真空排気される。真空容器4内には、ガス導入管22を通してガス24が導入される。ガス24は、基板2に施す処理内容に応じたものにすれば良い。例えば、プラズマCVD法によって基板2に膜形成を行う場合は、ガス24は、原料ガスまたはそれを希釈ガス例えばH2で希釈したガスである。より具体例を挙げると、原料ガスがSiH4の場合はSi膜を、SiH4NH3の場合はSiN膜を、SiH4O2の場合はSiO2膜を、それぞれ基板2の表面に形成することができる。真空容器4内には、基板2を保持するホルダ10が設けられている。この例では、ホルダ10は軸16に支持されている。軸16が真空容器4を貫通する部分には、電気絶縁機能および真空シール機能を有する軸受部18が設けられている。この例のように、ホルダ10にバイアス電源20から軸16を経由して負のバイアス電圧を印加するようにしても良い。バイアス電圧は負のパルス状電圧でも良い。このようなバイアス電圧によって、例えば、プラズマ50中の正イオンが基板2に入射するときのエネルギーを制御して、基板2の表面に形成される膜の結晶化度を制御することができる。真空容器4の天井面6の開口部7に、絶縁枠38を介在させて、アンテナ30が設けられている。これらの要素の間には、真空シール用のパッキン40がそれぞれ設けられている。このアンテナ30は、上下方向Zに互いに接近して配置されている往復導体31、32によって構成されている。アンテナ30より具体的にはそれを構成している往復導体31、32は、この例では、その平面形状が面状をしている。より具体的には、当該平面形状はこの実施形態では長方形であるが、これに限られるものではない。このアンテナ30については、後で詳述する。アンテナ30の材質は、例えば、銅より具体的には無酸素銅、アルミニウム等であるが、これに限られるものではない。アンテナ30には、より具体的にはその往復導体31、32には、高周波電源42から整合回路44を経由して、高周波電力が供給され、それによってアンテナ30に高周波電流IRが流される。即ち、アンテナ30を構成する往復導体31、32には、互いに逆向きの高周波電流往復電流IRが流される高周波だから、この高周波電流IRの向きは時間によって反転する。以下同様。この高周波電流IRによって、アンテナ30の周囲に高周波磁界が発生し、それによって高周波電流IRと逆方向に誘導電界が発生する。この誘導電界によって、真空容器4内において、電子が加速されてアンテナ30の近傍のガス24を電離させてアンテナ30の近傍にプラズマ50が発生する。このプラズマ50は基板2の近傍まで拡散し、このプラズマ50によって基板2に前述した処理を施すことができる。高周波電源42は出力端42aおよび接地端42bを有しており、出力端42aは整合回路44を介して導体31の一端部に接続されている。接地端42bは接地されている。導体32の一端部も接地されている。高周波電源42から出力する高周波電力の周波数は、例えば、一般的な13.56MHzであるが、これに限られるものではない。整合回路44は、ラインに直列のコンデンサ64および並列のコンデンサ65を有している。両コンデンサ64、65はこの例では容量可変である。上記アンテナ30について詳述する。図5に示すような、互いに接近している平行な往復導体61、62の総合インピーダンスZTは、差動接続として電気理論の書籍等にも記載されているように、次式で表される。ここで、R1、L1は、それぞれ、一方の導体61の抵抗、自己インダクタンス、R2、L2は、それぞれ、他方の導体62の抵抗、自己インダクタンス、Mは両導体61、62間の相互インダクタンスである。[数1]ZT=R1R2jL1L2-2Mここで、説明を簡略化するために、R1=R2=R、L1=L2=Lとすると、総合インピーダンスZTは数2で表され、その内のインダクタンスLTは数3で表される。このインダクタンスLTのように、自己インダクタンスと相互インダクタンスとを合成したものを、この明細書では実効インダクタンスと呼ぶことにする。[数2]ZT=2Rj2L-M[数3]LT=2L-M上記式からも分るように、往復導体61、62間の相互インダクタンスMが大きくなると、総合インピーダンスZTおよび実効インダクタンスLTは小さくなる。この往復導体61、62に高周波電源42から高周波電流IRを流すことによって発生する電磁エネルギーGは次式で表されるので、相互インダクタンスMが大きくなると、この電磁エネルギーGは小さくなり、外部に作用する磁気的な効果が減少する。プラズマ生成の場合は、プラズマへ供給できる電磁エネルギーが減少し、プラズマ密度が下がる。逆の場合は逆になる。[数4]G=1/2LTIR2=L-MIR2往復導体61、62の長手方向において相互インダクタンスMが一様でない場合、即ち相互インダクタンスMを変化させている換言すれば、変化を付けている場合は、各領域について見れば、当該領域の相互インダクタンスMに応じて、上記実効インダクタンスおよび電磁エネルギーが決まる。この発明を構成しているアンテナ30は、上記原理を応用したものである。例えば、図6に示す例のように、アンテナ30を、上下方向Zに互いに接近して配置されている往復導体31、32によって構成し、かつ往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dを、アンテナ30の長手方向Xにおいて2段階に変化させている場合、小さい間隔D2の領域A2の相互インダクタンスM2よりも、大きい間隔D1の領域A1の相互インダクタンスM1の方が小さくなる即ちM1<M2。従って、上記数3を参照すれば分るように、領域A2よりも領域A1の実効インダクタンスが大きくなり、上記数4を参照した説明からも分るように、アンテナ30より具体的にはその導体31から距離H1だけ離れた空間の磁束密度は、領域A2における磁束密度B2よりも、領域A1における磁束密度B1の方が大きくなる即ちB1>B2。従って、領域A2のプラズマ密度よりも、領域A1のプラズマ密度を大きくすることができる。なお、この図6や後述する他の例では、説明を簡略化するために整合回路44を省略しているが、通常は、図1に示す例と同様に、高周波電源42とアンテナ30との間には整合回路44が設けられる。上下方向Zに配置された板状の往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dを変化させて、アンテナ30の中央下方近傍での磁束密度の変化をシミュレーションした結果を説明する。このシミュレーションに用いたモデルを図7に示す。両導体31、32の厚さTを3mm、左右方向Yの幅Wを70mmとし、X方向の長さを十分に長いものとして、一定のピーク値が100Aの高周波電流IRを流したときの、導体31の左右方向Yにおける中央下方に距離H15mmで固定離れた点Pにおける磁束密度Bを、間隔Dを変化させて測定した。その結果を表1に示す。表1中の磁束密度B0は、導体32がなくて導体31だけの公知の平面アンテナの場合の点Pにおける磁束密度である。その場合の磁束密度B0と、往復導体31、32の場合の磁束密度との比B/B0およびその2乗比B/B02を表1中に示す。2乗比B/B02に着目しているのは、プラズマに対する電磁エネルギー供給は、渦電流損のように、近似的には磁束密度Bの2乗に比例するからである。この表から分るように、間隔Dを変化させることによって、磁束密度Bおよび2乗比B/B02を大きく変化させることができる。例えば、間隔Dが1mmのときと50mmのときとでは、2乗比B/B02に約60倍の差を付けることができる。図8は、上下方向Zに互いに接近して配置されている往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dを、アンテナ30の長手方向Xにおける中央部の領域A2の間隔D2よりも両端部の領域A1、A3の間隔D1、D3この例ではD1=D3を段階的階段状に大きくした例である。この場合は、各領域A1~A3の相互インダクタンスM1~M3はM1=M3<M2となり、領域A2よりも領域A1、A3の実効インダクタンスが大きくなる。磁束密度B1~B3はB1=B3>B2となる。その結果、アンテナ30からプラズマに供給する電磁エネルギーを、中央部の領域A2よりも両端部の領域A1、A3において相対的に大きくすることができる。図1、図2に示すアンテナ30は、図8に示すアンテナ30に相当し、それをより具体化した例である。この図1、図2に示すアンテナ30について詳述すると、アンテナ30は、上下方向Zに間隔Dをあけて互いに接近して配置されている往復導体31、32を有している。両導体31、32は板状であり、その平面形状は前述したように長方形である。下側プラズマ50側の導体31の下面は真空容器4内の真空雰囲気中に位置しており、上側の導体32は大気中に位置している。両導体31、32の一端部は電気的に開いていて、そこにこの例では絶縁物36が設けられている。他端部は接続部33で互いに電気的に接続されている。両導体31、32の一端部間に、高周波電源42から整合回路44を経由して高周波電力が供給される。両導体31、32は、この例では板状具体的には、導体31は平板状、導体32は折り曲げられた板状である。この場合、例えば、図1、図2Cに示す例のように下側の導体31の厚さを大きくしても良いし、図3に示す例のように両導体31、32の厚さを互いに同程度にしても良い。上側の導体32は、階段状に折り曲げられており、これによって、アンテナ30の長手方向Xにおける中央部の領域の間隔D2よりも両端部の領域の間隔D1、D3この例ではD1=D3を段階的に大きくしている。このようにして、上述した説明からも分るように、アンテナ30の長手方向Xにおいて、中央部よりも両端部の相互インダクタンスMを段階的に小さくしている。即ち、この例ではM1=M3<M2にしている。これによって、図8の場合と同様に、アンテナ30からプラズマ50に供給する電磁エネルギーを、アンテナ30の長手方向Xにおける中央部よりも両端部において相対的に大きくすることができる。アンテナ30の上記間隔Dおよび相互インダクタンスMは、アンテナ30の長手方向Xにおいて、図1、図8等に示す例のように段階的に変化させても良いし、連続的に変化させても良い。後述する他の例においても同様である。上記間隔D等を段階的に変化させても、プラズマには拡散作用があるので、プラズマ密度を滑らかに変化させることができる。例えば、図1、図2に示す上側の導体32を、中央部が窪んだなだらかな谷状にして、アンテナ30の上記間隔Dおよび相互インダクタンスMを、アンテナ30の長手方向Xにおいて連続的に変化させても良い。図1、図2、図8に示すアンテナ30の代わりに、図6に示した構造のアンテナ30を設けても良い。更には、図9等に示す他の構造のアンテナ30を設けても良い。図9に示す例は、図1、図8に示す例を変形したものである。即ち、図1、図8に示す例のようにアンテナ30の端部から高周波電力を供給端部給電する代わりに、図9に示す例のようにアンテナ30の中央部から高周波電力を供給中央給電するようにしても良い。これと同様に、他の例のアンテナ30においても、中央給電にしても良い。アンテナ30を構成する往復導体31、32は、例えば、前述した例のように板状でも良いし、図10に示す例のように棒状でも良いし、板状と棒状とを組み合わせたもの等でも良い。例えば、図11に示す例のように、下側の導体31が板状、上側の導体32が棒状でも良い。その場合、図12に示す例のように、上側の棒状の導体32を、互いに電気的に並列な複数本図12では2本にしても良い。これらの場合も、往復導体31、32は、長手方向Xの端部において接続部図1中の接続部33参照で互いに電気的に接続されている。各導体31、32の断面形状は、図示例のものに限られるものではなく、円形、楕円形、四角形等が採り得る。また、各導体31、32を中空にして、そこに冷却水等の冷媒を流して、各導体31、32を強制的に冷却する構造を採用しても良い。この発明に係るプラズマ処理装置においては、アンテナ30を、上下方向Zに互いに接近して配置されていて高周波電流IRが互いに逆向きに流される往復導体31、32によって構成しているので、上記数3を参照すれば分るように、往復導体31、32間の相互インダクタンスのぶん、アンテナ30の実効インダクタンスが小さくなる。高周波領域においては、アンテナ30のインピーダンスは殆どがインダクタンスであるので、実効インダクタンスが小さくなることによって、アンテナ30に発生する電位差を小さく抑えて、アンテナ30の電位を低く抑え、プラズマ50の電位を低く抑えることができる。その結果、プラズマ50から基板2に入射する荷電粒子例えばイオンのエネルギーを小さく抑えることができる。それによって例えば、プラズマ50によって基板2上に膜を形成する場合、当該膜に与えるダメージを小さく抑えて、膜質向上を図ることができる。また、アンテナ30を長くする場合でも、上記理由によって、アンテナ30の電位を低く抑えてプラズマ電位を低く抑えることができるので、アンテナ30を長くして基板2の大型化に対応することが容易になる。しかも、往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dをアンテナの長手方向Xにおいて変化させることによって、往復導体31、32間の相互インダクタンスMを、アンテナ30の長手方向Xにおいて変化させることができるので、アンテナ30からプラズマ50に供給する電磁エネルギーを、アンテナ30の長手方向Xにおいて変化させることができる。従って、このアンテナ30によって、その長手方向Xにおけるプラズマ密度分布を制御することができる。その結果、アンテナ30の長手方向Xにおける基板の処理状態を制御することができる。例えば、プラズマ50によって基板2上に膜を形成する場合、アンテナ30の長手方向Xにおける膜厚分布を制御することができる。更に、アンテナ30を、上下方向Zに互いに接近して配置されていて高周波電流IRが互いに逆向きに流される往復導体31、32によって構成し、かつ当該往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dをアンテナ30の長手方向Xにおいて変化させているので、左右方向に互いに接近して配置された往復導体間の左右方向Yの間隔を変化させる場合に比べて、往復導体31、32間の間隔Dの変化によるアンテナ30の下方近傍の磁束密度の制御性が良い。従って、往復導体31、32間の間隔Dを変化させることによる、アンテナ30からプラズマ50に供給する電磁エネルギーの制御性、ひいてはプラズマ密度分布の制御性が良い。これを、シミュレーション結果に基づいて以下に説明する。シミュレーションでは、アンテナ30を構成する往復導体31、32の間隔Dを変化させたときの、アンテナ30の左右方向Yにおける中央下方の点P図7、図13~図15参照での磁束密度Bの変化を計算した。まず、この発明の一実施形態を成すものとして、先に図7に示したように、アンテナ30を構成する板状の往復導体31、32が上下方向Zに互いに接近して配置されている場合で、その往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dを変化させたときの上記点Pにおける磁束密度Bの変化を図16中に実施例として示す。このときの計算条件は、先に図7の説明箇所で説明したものと同じであり、この実施例は表1中の磁束密度Bと同じである。また、上記に対する比較例として、図13に示すように、アンテナ30を構成する板状の往復導体31、32が左右方向Yに互いに接近して配置されている場合で、その往復導体31、32間の左右方向Yの間隔Dを変化させたときの上記点Pにおける磁束密度Bの変化を図16中に比較例として示す。このときの計算条件は、両導体31、32の厚さTを70mm、左右方向Yの幅Wを3mmとし、その他の距離H1、高周波電流IRの大きさ等は図7の場合と同じにした。図16から分るように、間隔Dを変化させたとき、比較例の場合は、磁束密度Bの変化がすぐに飽和してしまうのに対して、実施例の場合は、磁束密度Bがなだらかに比例に近い状態で変化しており、その変化幅も大きい。従って、比較例に比べて、実施例の方が磁束密度Bの制御性が良い。即ち、間隔Dを変化させることによって、磁束密度Bを制御し、それによってアンテナ30からプラズマに供給する電磁エネルギーを制御し、ひいてはプラズマ密度分布を制御する、という制御を行いやすい。次に、この発明の一実施形態を成すものとして、図14に示すように、アンテナ30を構成する棒状の往復導体31、32が上下方向Zに互いに接近して配置されている場合で、その往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dを変化させたときの上記点Pにおける磁束密度Bの変化を図17中に実施例として示す。このときの計算条件は、両導体31、32の直径dを6mmとし、その他の距離H1、高周波電流IRの大きさ等は図7の場合と同じにした。また、上記に対する比較例として、図15に示すように、アンテナ30を構成する棒状の往復導体31、32が左右方向Yに互いに接近して配置されている場合で、その往復導体31、32間の左右方向Yの間隔Dを変化させたときの上記点Pにおける磁束密度Bの変化を図17中に比較例として示す。このときの計算条件は、両導体31、32の配置を上記のように変更した以外は、図14の場合と同じにした。図17から分るように、間隔Dを変化させたとき、比較例の場合は、磁束密度Bが一旦上がった後に下がるという複雑な変化をしているのに対して、実施例の場合は、磁束密度Bがなだらかに比例に近い状態で変化している。従って、この場合も、比較例に比べて、実施例の方が磁束密度Bの制御性が良い。即ち、間隔Dを変化させることによって、磁束密度Bを制御し、それによってアンテナ30からプラズマに供給する電磁エネルギーを制御し、ひいてはプラズマ密度分布を制御する、という制御を行いやすい。ところで、通常は、即ち公知の単純な平面アンテナを用いた場合は、その長手方向Xにおけるプラズマ密度分布は、例えば図4に示すように、中央部のプラズマ密度よりも両端部のプラズマ密度が小さい山型の分布になる。その理由を簡単に説明すると、中央部には左右両側からプラズマが拡散して来るのに対して、両端部は片側からしかプラズマが拡散して来ないからである。これに対して、図1、図2、図8等に示した例のように、往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dを、アンテナ30の長手方向Xにおける中央部の間隔よりも両端部の間隔を大きくすることによって、アンテナ30の長手方向Xにおいて、中央部よりも両端部の相互インダクタンスを小さくすることができるので、前述したように、アンテナ30の中央部よりも両端部の実効インダクタンスが相対的に大きくなる。その結果、アンテナ30からプラズマ50に供給する電磁エネルギーを、山型とは反対に、アンテナ30の長手方向Xにおける中央部付近よりも両端部付近において相対的に大きくして、中央部付近よりも両端部付近においてより強力にプラズマ50を生成することができるので、上記山型のプラズマ密度分布を補正して、アンテナ30の長手方向Xにおけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。その結果、アンテナ30の長手方向における基板処理の均一性を高めることができる。例えば、プラズマ50によって基板2上に膜を形成する場合、アンテナ30の長手方向Xにおける膜厚分布の均一性を高めることができる。なお、図1に示す実施形態のように、アンテナ30の真空容器4内側の面をプラズマ50から遮蔽する遮蔽板46を備えていても良い。遮蔽板46は絶縁物から成る。遮蔽板46は、真空容器4の天井面6の開口部7の入口部付近に直接取り付けても良いし、この実施形態のように枠状の支持板48を用いて取り付けても良い。図1に示す例以外のアンテナ30を用いる場合も、このような遮蔽板46を備えていても良い。遮蔽板46の材質は、例えば、石英、アルミナ、炭化ケイ素、シリコン等である。水素系プラズマで還元されて遮蔽板46から酸素が放出されると困る場合は、シリコン、炭化ケイ素等の非酸化物系の材質を用いれば良い。例えばシリコン板を用いるのが簡単で良い。遮蔽板46を設けておくと、アンテナ30等の表面がプラズマ50中の荷電粒子主としてイオンによってスパッタされてプラズマ50および基板2に対して金属汚染メタルコンタミネーションが生じること等の不都合発生を防止することができる。遮蔽板46を設けていても、遮蔽板は絶縁物から成りアンテナ30の電位がプラズマ50に及ぶことを防止することはできないので、前述したようにアンテナ30の実効インダクタンスを小さくして、アンテナ30の電位を低く抑えることは有効である。図18に示す例のように、前記構成のアンテナ30を、複数、互いにY方向に並列に配置し、各アンテナ30に、共通の高周波電源42から高周波電力を並列に供給するようにしても良い。更に図示例のように、各アンテナ30にそれぞれ直列に接続された可変インピーダンス52を介して、当該複数のアンテナ30に、共通の高周波電源42から高周波電力を並列に供給するようにしても良い。各アンテナ30は、図1、図2、図6、図8、図9等を参照して上述したいずれの構成でも良い。後述する各例のアンテナ30でも良い。可変インピーダンス52は、図18に示すような可変インダクタンスでも良いし、可変コンデンサ可変キャパシタンスでも良いし、両者を混在させても良い。可変インダクタンスを挿入することによって、給電回路のインピーダンスを増大させることができるので、高周波電流が流れ過ぎるアンテナ30の電流を抑えることができる。可変コンデンサを挿入することによって、誘導性リアクタンスが大きい場合に容量性リアクタンスを増大させて、給電回路のインピーダンスを低下させることができるので、高周波電流が流れにくいアンテナ30の電流を増加させることができる。図18に示す例の場合は、互いに並列に配置され、かつ並列に高周波電力が供給される複数のアンテナ30を備えているので、より大面積のプラズマを生成することができる。しかも、前記作用によって、各アンテナ30の電位を低く抑えることができると共に、各アンテナ30の長手方向Xにおけるプラズマ密度分布を制御することができる。更に、各アンテナ30に可変インピーダンス52を介在させていて、当該可変インピーダンス52によって複数のアンテナ30に流れる高周波電流のバランスを調整することができるので、複数のアンテナ30の並列方向Yにおけるプラズマ密度分布をも制御することができる。その結果、プラズマの電位を低く抑えることができ、しかもより大面積でかつプラズマ密度分布の均一性の良いプラズマを生成することが可能になる。上記例は、いずれも、真空容器4内において基板2を移動させずに固定しておいて処理を施す場合の例であるが、図19に示す例のように、真空容器図示省略内において基板2を、基板搬送装置54によって、矢印Fまたはその逆方向に示すように、アンテナ30の長手方向Xと交差例えば直交する方向に、即ちY方向に沿う方向に搬送しながら、基板2に処理を施すようにしても良い。そのようにすると、プラズマ50のX方向における均一性はアンテナ30の上記構成によって高めることができ、かつ基板搬送によってプラズマ50のY方向における均一性はあまり問題にならなくなるので、大面積の基板2に均一性良く処理を施すことが可能になる。また、複数枚の基板2を連続的に処理することも可能になる。この場合のアンテナ30は、図1、図2、図6、図8、図9等を参照して上述したいずれの構成でも良い。後述する各例のアンテナ30でも良い。また、この基板2を搬送する思想と、図18に示した複数のアンテナ30を並列配置する思想とを併用しても良い。次に、この発明の更に他の実施例を説明する。上述した例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下においては上述した例との相違点を主体に説明する。以下においては、アンテナ30の往復導体31、32を構成する二つの導体31、32を互いに区別しやすくするために、プラズマ50図1参照。以下同様側簡単に言えば下側の導体31を下側導体31と呼び、プラズマ50とは反対側簡単に言えば上側の導体32を上側導体32と呼ぶ場合がある。図20に示す例は、図1、図2に示したアンテナ30、高周波電源42および整合回路44を簡略化したものに相当する。但し、下側導体31は、この例では平板状の導体であり、図3に示す導体31に相当する。後述する他の例においても同様である。この例では、下側導体31の接続部33とは反対側の端部31aに整合回路44を介して高周波電源42を接続し、上側導体32の接続部33とは反対側の端部32aを接地この例では直接接地している。即ち、下側導体31の端部31aを高周波電力の供給端とし、上側導体32の端部32aを終端点としている。アンテナ30より具体的にはそれを構成する導体31、32および接続部33。以下同様はインピーダンスを有しているので、それに高周波電流IRを流すと電位差が発生する。その場合、整合回路44は通常は図1に示した例のように直列コンデンサ64を有している等の理由によって、整合回路44側即ち高周波電源42側の端部図20の例では端部31aの電位が一番高くなる。この場合のアンテナ30の電位分布の概略例を図20Bに示す。上記理由によって、下側導体31の電位の方が上側導体32の電位よりも高くなる。下側導体31はプラズマ50側に位置していて、当該下側導体31の電位の方が上側導体32の電位よりもプラズマ電位に強く反映されるので、下側導体31の電位が上記のように高くなると、プラズマ電位も高くなる。プラズマ電位が高くなると、前述したように、プラズマ50から基板2に入射する荷電粒子のエネルギーも高くなり、基板2上に形成する膜に与えるダメージも大きくなる。図20に示す例は、このような点になお改善の余地がある。上記を改善したのが図21に示す例である。この例では、上側導体32の端部32aに整合回路44を介して高周波電源42を接続し、下側導体31の端部31aを接地この例では直接接地している。即ち、上側導体32の端部32aを高周波電力の供給端とし、下側導体31の端部31aを終端点としている。この場合のアンテナ30の電位分布の概略例を図21Bに示す。上記理由によって、下側導体31の電位の方が上側導体32の電位よりも低くなる。下側導体31はプラズマ50側に位置していて、当該下側導体31の電位の方が上側導体32の電位よりもプラズマ電位に強く反映されるので、下側導体31の電位が上記のように低くなると、プラズマ電位も低くなる。即ち、図21の例の方が、図20の例に比べて、プラズマ電位をより低く抑えることができる。その結果、プラズマ電位を低く抑えることによる前述した効果、即ちプラズマ50から基板2に入射する荷電粒子のエネルギーを低く抑えることができる、アンテナ30を長くする場合でもプラズマ電位を低く抑えることができる、等の効果をより高めることができる。なお、上側導体32の端部32aや下側導体31の端部31aを接地するのに当たっては、上記例のように直接接地する代りに、コンデンサ直列コンデンサを介して接地しても良い。他の例においても同様である。コンデンサを介して接地する場合は、簡単に言えば、当該コンデンサの両端の電位差分だけアンテナ30の電位が上がるけれども、その場合でも、図21に示す例の方が図20に示す例に比べてプラズマ電位を低く抑えることができるので、上述した効果を奏することができる。図20、図21のいずれの例においても、アンテナ30の下側導体31に着目すると、当該下側導体31はインピーダンスを有しているために、その長手方向Xにおいて傾斜した電位分布を有する。従って厳密に見れば、アンテナ30を構成する往復導体31、32間の間隔Dが図20、図21に示す例のようにアンテナ30の長手方向Xにおける中央部に対して左右対称の場合は、当該電位分布に対応してプラズマ密度分布もアンテナ30の長手方向Xにおいて不均一な分布になる。これは、プラズマ50側の下側導体31は、上側導体32に比べてプラズマ50との間の静電的な結合が遥かに大きいので、下側導体31の電位が高くなると、容量結合型によるプラズマ生成作用が本来の誘導結合型によるプラズマ生成作用に重畳されるようになり、電位の高い方の端部付近のプラズマ密度が他端部付近のプラズマ密度よりも高くなるからである。例えば、図21に示す例の場合は、同図Bに示すように、下側導体31は、端部31aから接続部33に向かって上がるように簡単に言えば右上がりに。以下同様傾斜した電位分布を有するので、プラズマ密度分布も右上がりに傾斜した分布になる。その結果、例えば基板2上に膜を形成する場合、当該プラズマ密度分布に対応して基板2上の膜厚分布もアンテナ30の長手方向Xにおいて不均一な分布になる。より具体的には、図22Cに示す例のように、基板2上の膜厚分布はアンテナ30の長手方向Xにおいて右上がりに傾斜した分布になる。なお、図22A、Bは、図21A、Bと同じ図である。このような課題は次の手段によって解決することができる。即ち、アンテナ30を構成する往復導体31、32間の間隔Dを、アンテナ30の長手方向Xにおける中央部に対して左右非対称にすることによって、先に数3、数4等を用いて説明した理由によって、導体間隔Dの大きい領域ではプラズマ密度を相対的に大きくし、導体間隔Dの小さい領域ではプラズマ密度を相対的に小さくすることができるので、上記下側導体31の電位分布に起因するプラズマ密度分布の不均一性を補正して、アンテナ30の長手方向Xにおけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。例えば、図21、図22に示した給電方法を採用している場合は、図23に示す例のように、上側導体32を、下側導体31に対して、接続部33から端部32aに向かって上がるように簡単に言えば左上がりに。以下同様傾けて配置しておけば良い。このとき、アンテナ30の往復導体31、32間の間隔Dは、端部32a側の間隔D1の方が接続部32側の間隔D3よりも大きくなる即ちD1>D3。従って、この間隔Dの差によるプラズマ密度分布は左上がりの分布になり、基板2上の膜厚分布も例えば図23Bに示すように左上がりの分布になる。このようなプラズマ密度分布または膜厚分布と、図22を参照して説明した右上がりのプラズマ密度分布または膜厚分布とが互いに重畳合成されるので、上述したように、下側導体31の電位分布に起因するプラズマ密度分布の不均一性を補正して、アンテナ30の長手方向Xにおけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。その結果、アンテナ30の長手方向Xにおける基板処理の均一性を高めることができる。例えば基板2上に膜を形成する場合、図23Cに示す例のように、アンテナ30の長手方向Xにおける膜厚分布の均一性を高めることができる。図24は、図20に示した給電方法を採用している場合の基板2上の膜厚分布の概略例Cを追加した図であり、この場合は上記理由によって図22の場合とは逆に傾斜した分布、即ちアンテナ30の長手方向Xにおいて左上がりに傾斜した膜厚分布になる。従って、図20、図24に示した給電方法を採用している場合は、図25に示す例のように、上側導体32を、下側導体31に対して、端部32aから接続部33に向かって上がるように即ち右上がりに傾けて配置しておけば良い。このとき、アンテナ30の往復導体31、32間の間隔Dは、接続部33側の間隔D3の方が端部32a側の間隔D1よりも大きくなる即ちD3>D1。従って、この間隔Dの差によるプラズマ密度分布は右上がりの分布になり、基板2上の膜厚分布も例えば図25Bに示すように右上がりの分布になる。このようなプラズマ密度分布または膜厚分布と、図24を参照して説明した左上がりのプラズマ密度分布または膜厚分布とが互いに重畳合成されるので、上述したように、下側導体31の電位分布に起因するプラズマ密度分布の不均一性を補正して、アンテナ30の長手方向Xにおけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる。その結果、アンテナ30の長手方向Xにおける基板処理の均一性を高めることができる。例えば基板2上に膜を形成する場合、図25Cに示す例のように、アンテナ30の長手方向Xにおける膜厚分布の均一性を高めることができる。アンテナ30を構成する上側導体32と下側導体31とを互いに別の構造体とし、かつ上側導体32を上下方向Zに位置変更可能なものにしても良い。この場合も勿論、両導体31、32の同じ側の一方端部は互いに電気的に接続されているものとする。この場合の例を以下に幾つか説明する。図26に示す例は、アンテナ30を構成する上側導体32と下側導体31とを互いに別の構造体とし、かつ上側導体32を矢印Jで示すように上下方向Zに位置変更位置調整可能なものにしている。両導体31、32は、上記構成以外は、図21等に示した例とほぼ同様の構造をしている。アンテナ30への給電方法は、この例では図21に示した例と同様である。両導体31、32の同じ側の端部31b、32bは、接続部33によって、更にこの例では位置調整部70を介して、互いに電気的に接続されている。位置調整部70は、上側導体32の上下方向Zの位置調整を可能にすると共に、上側導体32の端部32bと接続部33とを互いに電気的に接続するものである。上側導体32の位置固定は固定部材72によって行われる。位置調整部70周りのより具体的な構造の一例を図29に示す。固定部材72は、この例ではボルト73およびナット74で構成されている。両者は、図示例では2個ずつであるが、これに限られるものではない。下側導体31の端部31bを延長した延長部31cを設けて、それを上向きに折り曲げて、上記接続部33を形成している。この接続部33換言すれば延長部31c。以下同様は、上記ボルト73を通す穴76を有している。上側導体32の端部32bを延長した延長部32cを設けて、それを上向きに折り曲げて、接続部33に対してほぼ平行に近接させている。この延長部32cは、接続部33に近接した状態で上下方向Zに移動スライド可能である。延長部32cは、上記各ボルト73を通す長穴上下方向Zに長い穴78を有している。長穴78であれば、上側導体32の上下方向Zの位置を連続的に無段階に調整することができるのでより好ましいけれども、長穴78の代りに複数の穴を上下方向Zに設けても良い。固定部材72を緩めておいて、上側導体32を上下方向Zに移動させることによって、上側導体32の上下方向Zの位置を変更調整することができる。上側導体32を所望の位置にしておいて固定部材72を締めることによって、上側導体32の位置を固定することができる。かつ上側導体32の端部32bと接続部33とを電気的に接続することができる。また、上記構造によって上側導体32は着脱可能であるので、即ち固定部材72を取り外すことによって上側導体32を着脱することができるので、上側導体32を交換することもできる。なお、上記のような位置調整部70を設ける代りに、接続部33を、上側導体32の上下方向Zの移動を許容する可撓性の導体にしても良く、そのようにしても上側導体32の上下方向Zの位置調整は可能である。但し位置調整部70を設ける方が、上側導体32の位置調整は容易になる。図26に示す例では、上記のように、アンテナ30を構成する上側導体32と下側導体31とは互いに別の構造体であり、かつ上側導体32は上下方向Zに位置変更可能であるので、往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dの調整が容易になる。例えば、装置の組立後に当該間隔Dを調整することもできる。その結果、アンテナ30の磁界分布を調整することが可能になり、ひいてはプラズマ密度分布を調整することが可能になるので、プラズマ密度分布の均一化により対応しやすくなる。また、上述したように上側導体32は着脱可能であるので、上側導体32を、同一の構造のもの、または別の構造のものと交換することもできる。図26に示す上側導体32の代りに、下側導体31とは別の構造体であり、かつ上下方向Zに位置変更可能な他の構造の上側導体32を設けても良い。例えば図27、図28に示す例の上側導体32を設けても良い。位置調整部70および固定部材72は上述したとおりである。図27に示す例の上側導体32は、中央部が窪んだなだらかな谷状の形状をしている。この場合は、図1、図8の説明の所で説明したように、アンテナ30の上記間隔Dおよび相互インダクタンスMを、アンテナ30の長手方向Xにおいて連続的に変化させることができる。図28に示す例の上側導体32は、図23に示す例の上側導体32と同様に左上がりに傾斜しているものである。これの代りに、図25に示す例の上側導体32と同様に右上がりに傾斜しているものとしても良い。上側導体32を、例えば図26に示した上側導体32を、図30に示す例のように、アンテナ30の長手方向Xにおいて複数の図示例では三つの導体321~323に分割し、かつ各導体321~323を、矢印J1~J3で示すように、上下方向Zにそれぞれ位置変更可能にしても良い。右端側の、即ち接続部33側の位置調整部70および固定部材72は、図29を参照して説明したものと同じである。中間の位置調整部70a、70bおよび固定部材72a、72bも、上記位置調整部70および固定部材72とそれぞれほぼ同様の構造をしており、それらとほぼ同様の機能を有している。即ち、位置調整部70a、70bは、各導体3321~323の上下方向Zの位置調整をそれぞれ可能にすると共に、隣接する各導体321~323を互いに電気的に接続するものである。各導体321~323の位置固定は固定部材72a、72b、72によって行われる。この図30に示す例では、上記のように、上側導体31をアンテナ30の長手方向Xにおいて複数の導体321~323に分割しており、かつ当該各導体321~323は上下方向Zにそれぞれ位置変更可能であるので、往復導体31、32間の間隔Dを、分割された各部分の導体321~323においてそれぞれ調整することができる。その結果、図26等に示した例の場合よりもアンテナの磁界分布ひいてはプラズマ密度分布をより詳細に調整することが可能になるので、プラズマ密度分布の均一化により一層対応しやすくなる。図31は、図30の例において往復導体31、32間の間隔Dを、分割された各部分の導体321~323においてそれぞれ調整した結果の一例を示す。この例のように、往復導体31、32間の間隔Dをアンテナ30の長手方向Xにおける中央部に対して左右非対称にすることもできる。より具体的にはこの例では、図23に示した例と同様の給電方法を採用しているので、図23に示した例と同様に、左側即ち端部32a側の導体321の間隔D1を右側即ち接続部33側の導体323の間隔D3よりも大きくしている即ちD1>D3。中央部の導体322の間隔D2との関係を加えると、この例ではD1>D3>D2にしている。上記のようにすることによる効果は、図23の説明の所で説明した効果と同様である。図25に示した例と同様の給電方法を採用している場合は、当該例の場合と同様の理由から、D3>D1にすれば良い。これに間隔D2との関係を加えると、例えばD3>D1>D2にすれば良い。上側導体32を複数に分割して各導体を上下方向Zに位置変更可能にする場合、上側導体32の形状は、図31、32に示した例以外のものでも良い。例えば、図27、図28またはこれとは逆の右上がりに傾斜に示した例のようなものでも良い。図32に示す例のように、アンテナ30を構成する上側導体32と下側導体31とを互いに別の構造体とし、かつ上側導体32の全部または一部を可撓性導体で構成しても良い。この図32の例では上側導体32の全部を可撓性導体で構成している。可撓性導体は、例えば、薄い金属板や、可撓性絶縁基板上に導体膜または導体箔を形成したもの等である。図26等に示した例の場合と同様に、上側導体32の一方端部32bは接続部33によって、更にこの例では位置調整部70cを介して、下側導体31の一方端部31bに電気的に接続されている。上側導体32の他方端部32aの位置は固定されており、整合回路44を介して高周波電源42に接続されている。位置調整部70cは、上側導体32の右端側の上下方向Zの位置調整を可能にすると共に、上側導体32の端部32bと接続部33とを互いに電気的に接続するものである。上側導体32の右端側の上下位置を変える調整することによって上側導体32の撓み具合を調整することができる。上側導体32の位置固定は固定部材72cによって行われる。この位置調整部70cおよび固定部材72cは、例えば、図29に示した位置調整部70および固定部材72とそれぞれほぼ同様の構造をしている。この図32に示す例では、上記のように、アンテナ30を構成する上側導体32と下側導体31とを互いに別の構造体とし、かつ上側導体32を可撓性導体で構成していて当該可撓性導体を撓ませることができるので、上側導体32の形状変更の自由度が大きい。従って、往復導体31、32間の間隔Dの調整が容易かつ当該調整の自由度が大きいので、アンテナ30の磁界分布を調整することが容易になり、ひいてはプラズマ密度分布を調整することが容易になる。その結果、プラズマ密度分布の均一化により対応しやすくなる。上側導体32の一部を可撓性導体で構成しても良い。例えば、撓ませる必要のある部分例えば上側導体32の両端部付近を可撓性導体で構成し、撓ませる必要のない部分例えば上側導体32の中央部付近を剛性の導体で構成しても良い。このようにしても、上側導体32の全体を剛性の導体で構成している場合に比べれば、上側導体32の形状変更の自由度は大きいので、往復導体31、32間の間隔Dの調整が容易でありかつ当該調整の自由度も大きい。上側導体32を構成する可撓性導体がある程度の剛性を有していれば、それ自体で形状維持は可能であるけれども、図32に示す例のように、上側導体32を構成する可撓性導体を下側導体31に向けて押さえる1以上の押さえ部材80を備えていても良い。押さえ部材80の数や位置は、可撓性導体を撓ませる形状や位置等に応じて決めれば良い。押さえ部材80は、上側導体32に近接して配置されるので、電気絶縁性の材料から成るものが好ましい。上記のような押さえ部材80を備えていると、上側導体32を構成する可撓性導体を撓ませてその形状を変更することが容易になり、形状変更の自由度も大きくなり、かつ可撓性導体の形状の安定性も高くなる。例えば、図33に示す例のように、可撓性導体を有する上側導体32をアンテナ30の長手方向Xにおける中央部に対して左右非対称に撓ませて、往復導体31、32間の間隔Dをアンテナ30の長手方向Xにおける中央部に対して左右非対称にすることもできる。より具体的にはこの例では、図23に示した例と同様の給電方法を採用しているので、上側導体32を左上がりに傾けて、左側即ち端部32a側の間隔D1を右側即ち接続部33側の間隔D3よりも大きくしている即ちD1>D3。図33中の破線は、傾ける前の即ち図32と同様の上側導体32を示す。上記のように左右非対称にすることによる効果は、図23の説明の所で説明した効果と同様である。これに間隔D2との関係を加えると、この例ではD1>D3>D2にしている。図25に示した例と同様の給電方法を採用している場合は、当該例の場合と同様の理由から、D3>D1にすれば良い。これに間隔D2との関係を加えると、例えばD3>D1>D2にすれば良い。なお、上記いずれの例のアンテナ30の場合も、上側導体32は大気中に位置させておくのが好ましい。図1に示した例も、前述したように、上側導体32は大気中に位置させている。上側導体32を大気中に位置させておくと、真空容器4内が真空状態であっても真空容器4内を大気圧状態に戻すことなく、上側導体32の位置調整や、上側導体32を別形状のものに変更すること等が可能になるので、前述したプラズマ密度分布の調整が容易になる。調整に要する時間も短縮することができる。また、大気中は減圧雰囲気中に比べて空間の熱伝導が大きいので、上側導体32を大気中に位置させておくと、上側導体32の冷却効果を良くすることができる。また、ファンからの送風によって上側導体32を強制冷却することも可能である。従って、上側導体32の冷却効率を高めることができる。