水晶発振器のドライバICのシリコン基板周辺部に連続した気密封じ用接続エリアを設け、ドライバIC自体に気密封じの構造体としての機能を持たせた事を特徴とする水晶発振器。水晶発振器のドライバICの気密封じ用接続エリア内に水晶振動子を搭載するパッドを設け、ドライバICと水晶振動子を一体化した事を特徴とする水晶発振器。本発明の目的は、実装面積を大きくする事なく、実装高さの低背化を実現する事が出来る構造の面実装水晶発振器を提供する事にある。本発明では、特許請求の範囲請求項1に示したように、ドライバICのシリコン基板周辺部に連続した気密封じ用接続エリアを設け、ドライバIC自体にセラミックパッケージの気密封じの構造体としての機能を持たせる構成とし、また、特許請求の範囲請求項2に示すように、ドライバICに設けた気密封じ用接続エリア内に水晶振動子を搭載するパッドを設け、ドライバICと水晶振動子を一体化する構成とする。このような構成であればドライバICとセラミックパッケージの接続と同時に気密封じが行えるため、従来構造で使用していた金属蓋部分が不要となり、また、ドライバICと水晶振動子を一体化する事によってセラミックパッケージの構造を簡略化または不要と出来るため、実装面積を大きくする事なく実装高さの低背化を実現する事が出来る。以下、実施例を図面を用いて説明する。なお、実施例の各図面の同一機能を示す部分には同番号を付与している。図1は、本発明による面実装水晶発振器の構造例を示す縦断面図であり、図2は本発明により水晶振動子と一体化されたドライバICの形状例を示す。本発明による低背化を実現するため、ドライバICと水晶振動子をセラミックパッケージに組み込む前に一体化する。図2に示すように、ドライバICのシリコン基板2には、ドライバ回路6の他に水晶振動子5を接続するための接続パッド12と、セラミックパッケージ等、外部との接続に用いられるBallGridArray端子3、および周辺部に連続した気密封じ用の接続エリア11が設けられている。水晶振動子5は導電性接着剤4によってシリコン基板2上の接続パッド12に電気的、機械的に接続し、発振回路、出力回路、電源回路等からなるドライバ回路6と水晶振動子5、BGA端子3はシリコン基板2上の回路配線14で接続して発振回路を形成する。水晶振動子5とドライバ回路6のシリコン基板2を一体化した後、出力周波数の調整を行う。一般的に出力周波数の調整は、外部端子3で出力周波数をモニタしながら、水晶振動子5の電極13の材料である銀または金の粒子を電極13にスパッタリングして電極の質量を増加させるか、またはミーリング法により電極13の表面を削り取り電極の質量を減少させる方法で所定の周波数に調整する。このように一体化された水晶振動子5とシリコン基板2を図1のようにセラミックパッケージ1に実装する。Si基板2とセラミックパッケージ1はBGA端子3で接続し、同時にSi基板2の周辺部に設けられた接続エリア11をセラミックパッケージ1に高気密性導電性樹脂または共晶合金等の気密封じ材で接着する。この際、実装作業をN2ガスやArガス等の不活性ガス雰囲気中または所定の真空度に保たれた真空中で熱処理し、接合作業を行う事により内部を気密封じ出来る。これにより使用中の水晶振動子電極13の空気中での酸化を防止し、出力周波数の経年変化を防ぐ事が出来る。セラミックパッケージ1にシリコン基板2を実装した後、保護用樹脂7をSi基板2上に充填し、シリコン基板2の表面を保護する。シリコン基板2のBGA端子3はセラミックパッケージ1の内層10を介して外部端子9に接続されている。セラミックパッケージ1には電源端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子等、複数個の外部端子9が設けられており、水晶発振器として機能する。外部端子9は、水晶発振器をマザーボード等の外部電気回路に搭載する際、半田付け等により外部電気回路の回路配線と接続される。このような構成であればドライバICとセラミックパッケージの接続と同時に気密封じが行えるため、従来構造で使用していた気密封じ用金属蓋部分が不要となり、実装面積を大きくする事なく実装高さの低背化を実現する事が出来る。図3は水晶発振器のセラミックパッケージ1の底面側に本発明による一体化されたドライバICと水晶振動子を実装した構造例を示す縦断面図である。本実施例では図3に示すように、部材の構成、ドライバICのSi基板2と水晶振動子5の接続方法、およびセラミックパッケージ1への実装方法は実施例1と全く同じであるが、ドライバICのSi基板2が、水晶発振器を実装する基板に接続する外部端子9側に設けられているため、完成した水晶発振器の上面が保護用樹脂7ではなくセラミックパッケージ1となり、部品上面部分の機械的強度が向上する。これにより、水晶発振器をプリント基板等のマザーボードに自動実装する際の吸着作業やプリント基板実装後の接触等の機械的ストレスに強く、取り扱い性が実施例1より向上する。図4はセラミックパッケージを使用せず、ウェハレベルパッケージとしてドライバICとほぼ同等の大きさで面実装水晶発振器を形成する場合の構造例を示す縦断面図であり、図5は本実施例の水晶振動子とドライバICの接続形態のBGA端子側を示す図、図6は本実施例の水晶振動子とドライバICの接続形態の水晶振動子側を示す図である。ウェハレベルパッケージで水晶発振器を形成する場合は、水晶振動子周辺を気密封じする必要があるため、外部との接続に使用するBGA端子は気密封じエリアの逆の面に設ける。図5に示すようにシリコン基板2の片面にドライバ回路6と外部接続用BGA端子3を形成する。シリコン基板2の反対面は、図6に示すように水晶振動子接続用パッド12と、周辺部に気密封じ用接続エリア11を設ける。水晶振動子5は導電性接着剤4によってSi基板2上の接続パッド12に電気的、機械的に接続しており、ドライバ回路6と水晶振動子5、外部接続用BGA端子3はシリコン基板2上の回路配線14、およびシリコン貫通スルーホール17で接続して発振回路を形成する。シリコン基板に貫通スルーホールを形成する方法の一例としてはドリルによる穴加工後、金属充填して貫通スルーホールとする方法や、イオンエッチングによる穴形成後にNi等の金属メッキを施して貫通スルーホールとする方法などが一般的に知られており、シリコン貫通スルーホール17内部はCu等の金属で充填されている。水晶振動子5とシリコン基板2を一体化した後、実施例1と同様に電極金属粒子のスパッタリング、またはミーリングにより出力周波数の調整を行い、図4に示すように、金属、セラミック、Si等の素材の気密封じ用キャップ15をシリコン基板2の気密封じ用接続エリア11に高気密性導電性樹脂または共晶合金等の気密封じ材で接着する。この際、実装作業をN2ガスやArガス等の不活性ガス雰囲気中または所定の真空度に保たれた真空中で行う事により、気密封じ用キャップ15の内部を気密封じ出来る。これにより、使用中の水晶振動子電極13の空気中での酸化を防止し、出力周波数の経年変化を防ぐ事が出来る。水晶振動子の気密封じ後に全体を機械的保護用樹脂16で覆い、取り扱い性を向上させる。このような構成であれば、従来の水晶発振器の構造で必要であった気密封じ用金属蓋が不要となるため、実装面積を大きくする事なく、実装高さの低背化を実現する事が出来る