一方面に接地導体が形成され、他方面にストリップ導体線路と、当該ストリップ導体線路の端部に接続された導体ランドと、当該導体ランドの周囲を囲む接地パターンが形成されるとともに、上記接地パターンと接地導体に接続され、上記導体ランドの周囲を囲む複数のグランド導体柱とを有した第1の誘電体基板と、一方面が上記第1の誘電体基板の他方面に積層され、他方面に導体ランド、及び当該導体ランドの周囲を囲む接地導体が形成されるとともに、当該導体ランドに接続されかつ一端が上記第1の誘電体基板の導体ランドに接続される導体柱と、当該接地導体と上記第1の誘電体基板の接地パターンに接続され、当該導体柱の周囲を囲む複数のグランド導体柱とを有した第2の誘電体基板と、一方面が上記第2の誘電体基板の他方面に積層され、他方面に導体ランド、及び当該導体ランドの周囲を囲む接地パターンが形成されるとともに、当該導体ランドに接続されかつ一端が上記第2の誘電体基板の導体柱の他端に接続される導体柱と、当該接地パターンと上記第2の誘電体基板の接地導体に接続され、当該導体柱の周囲を囲む複数のグランド導体柱とを有した第3の誘電体基板と、を備え、上記第2、第3の誘電体基板の導体ランドは、上記第1の誘電体基板の導体ランドとはランド径が異なることを特徴とした垂直給電回路。一方面が上記第3の誘電体基板の他方面に積層され、他方面に導体ランド、及び当該導体ランドの周囲を囲む接地導体が形成されるとともに、当該導体ランドに接続されかつ上記第3の誘電体基板の導体柱の他端に接続される導体柱と、当該接地導体と上記第3の誘電体基板の接地パターンに接続され、上記導体柱の周囲を囲む複数のグランド導体柱とを有し、当該導体ランドの他端に接続される同軸線路が取り付けられた第4の誘電体基板を更に備え、上記第2、第3の誘電体基板の導体ランドは、上記第1、第4の誘電体基板の導体ランドよりもランド径が大きいことを特徴とした請求項1記載の垂直給電回路。しかしながら、トリプレート線路の形成されたトリプレート線路層と同軸線路の間に、更に別の誘電体層が積層されて多層化された場合、同軸線路とトリプレート線路のストリップ導体との間隔が広くなる。この場合、両者を接続する擬似同軸線の線路長が長くなり、反射特性が劣化するという問題があった。この発明は、係る課題を解決するためになされたものであり、同軸線路とトリプレート線路を接続する基板を多層化する際、垂直給電回路における反射特性の劣化を抑えることを目的とする。この発明による垂直給電回路は、一方面に接地導体が形成され、他方面にストリップ導体線路と、当該ストリップ導体線路の端部に接続された導体ランドと、当該導体ランドの周囲を囲む接地パターンが形成されるとともに、上記接地パターンと接地導体に接続され、上記導体ランドの周囲を囲む複数のグランド導体柱とを有した第1の誘電体基板と、一方面が上記第1の誘電体基板の他方面に積層され、他方面に導体ランド、及び当該導体ランドの周囲を囲む接地導体が形成されるとともに、当該導体ランドに接続されかつ一端が上記第1の誘電体基板の導体ランドに接続される導体柱と、当該接地導体と上記第1の誘電体基板の接地パターンに接続され、当該導体柱の周囲を囲む複数のグランド導体柱とを有した第2の誘電体基板と、一方面が上記第2の誘電体基板の他方面に積層され、他方面に導体ランド、及び当該導体ランドの周囲を囲む接地パターンが形成されるとともに、当該導体ランドに接続されかつ一端が上記第2の誘電体基板の導体柱の他端に接続される導体柱と、当該接地パターンと上記第2の誘電体基板の接地導体に接続され、当該導体柱の周囲を囲む複数のグランド導体柱とを有した第3の誘電体基板と、を備え、上記第2、第3の誘電体基板の導体ランドは、上記第1の誘電体基板の導体ランドとはランド径が異なるようにしたものである。この発明によれば、同軸線路とトリプレート線路を接続する多層誘電体基板において、垂直給電回路における反射特性の劣化を抑えることができる。図1は、実施の形態1による垂直給電回路の構成を示している。また、図2は、実施の形態1による垂直給電回路のAA断面を示す図である。図3は、実施の形態1による垂直給電回路のBB断面を示す図である。図4は、実施の形態1による垂直給電回路のCC断面を示す図である。図5は、実施の形態1による垂直給電回路のDD断面を示す図である。以下、図を用いて実施の形態1による垂直給電回路の構成について説明する。なお、図中、積層によって貼り合せられる2つの誘電体基板において、互いに接触する導体には、図示を単純化するために同じ符号を付与している。実施の形態1の垂直給電回路は、第1の誘電体基板12、第2の誘電体基板13、第3の誘電体基板14、及び第4の誘電体基板15の積層によって構成されている。第4の誘電体基板15は同軸線路16が接続されている。第1の誘電体基板12はトリプレート線路が形成されており、後述の垂直給電部を介して同軸線路16に接続される。同軸線路16は、同軸コネクタを形成する。第1の誘電体基板12は、上面に第1の接地導体2が形成され、下面に導体膜からなる第1のグランドパターン4及び第1のストリップ導体1及び第1のスルーホールランド6が形成されている。また、第1の誘電体基板12は、上下両面を貫通する第1のスルーホール10が開けられ、これには導体メッキが施されて、第1の接地導体2と第1のグランドパターン4を接続している。第1のストリップ導体1の端部は第1のスルーホールランド6及び第1のスルーホール11に接続されている。第2の誘電体基板13は、上面に導体膜からなる第2のグランドパターン4、及び第2のスルーホールランド6が形成され、下面に第1の中間接地導体3及び第3のスルーホールランド7が形成されている。第2の誘電体基板13は、上下両面を貫通する第2のスルーホール10が開けられ、これには導体メッキが施されて、第2のグランドパターン4と第1の中間接地導体3を接続している。第2の誘電体基板13は、上下両面を貫通する第3のスルーホール11が開けられ、これには導体メッキが施されて、第2のスルーホールランド6と第3のスルーホールランド7を接続している。第1の誘電体基板12の第1のグランドパターン4と第2の誘電体基板13の第2のグランドパターン4は、第1の誘電体基板12と第2の誘電体基板13の貼り合せによる接触によって接続されている。第1の誘電体基板12の第1のスルーホールランド6と第2の誘電体基板13の第2のスルーホールランド6は、第1の誘電体基板12と第2の誘電体基板13の貼り合せによる接触によって接続されている。第1のスルーホールランド6と第2のスルーホールランド6は同一形状で同一ランド径の部分円形状となっている。第1のグランドパターン4と第2のグランドパターン4は同一形状で同一サイズの馬蹄形状となっている。第3の誘電体基板14は、上面に第2の中間接地導体3及び導体膜からなる第4のスルーホールランド7が形成され、下面に導体膜からなる第3のグランドパターン5及び第5のスルーホールランド8が形成されている。第3の誘電体基板14は、上下両面を貫通する第4のスルーホール10が開けられこれには導体メッキが施されて、第2の中間接地導体3と第3のグランドパターン5を接続している。第3の誘電体基板14は、上下両面を貫通する第5のスルーホール11が開けられこれには導体メッキが施されて、第4のスルーホールランド7と第5のスルーホールランド8を接続している。第2の誘電体基板13の第1の中間接地導体3と第3の誘電体基板14の第2の中間接地導体3は、第2の誘電体基板13と第3の誘電体基板14の貼り合せによる接触によって接続されている。第2の誘電体基板13の第3のスルーホールランド7と第3の誘電体基板14の第4のスルーホールランド7は、第2の誘電体基板13と第3の誘電体基板14の貼り合せによる接触によって接続されている。第3のスルーホールランド7と第4のスルーホールランド7は同一形状で同一ランド径の円形状となっている。第4の誘電体基板15は、上面に導体膜からなる第4のグランドパターン5及び第6のスルーホールランド8が形成され、下面に第2の接地導体2及び導体膜からなる第7のスルーホールランド9が形成されている。第4の誘電体基板15は、上下両面を貫通する第6のスルーホール10が開けられこれには導体メッキが施されて、第4のグランドパターン5と第2の接地導体2を接続している。第4の誘電体基板15は、上下両面を貫通する第7のスルーホール11が開けられこれには導体メッキが施されて、第6のスルーホールランド8と第7のスルーホールランド9を接続している。第3の誘電体基板14の第3のグランドパターン5と第4の誘電体基板15の第4のグランドパターン5は、第3の誘電体基板14と第4の誘電体基板15の貼り合せによる接触によって接続されている。第3の誘電体基板14の第5のスルーホールランド8と第4の誘電体基板15の第6のスルーホールランド8は、第3の誘電体基板14と第4の誘電体基板15の貼り合せによる接触によって接続されている。第5のスルーホールランド8と第6のスルーホールランド8は同一形状で同一ランド径の円形状となっている。第3のグランドパターン5と第4のグランドパターン5は同一形状で同一サイズの円環形状となっている。第4の誘電体基板15の下面には同軸線路16が取り付けられる。同軸線路16は、中心導体17と、中心導体17を内包する円筒状の誘電体21と、誘電体21を内包する円筒状の外導体20から構成される。第4の誘電体基板15の第7のスルーホールランド9は、同軸線路16の中心導体17の端部に接続される。また、外導体20は第4の誘電体基板15の第2の接地導体2に電気的に接続される。第1の誘電体基板12及び第2の誘電体基板13はトリプレート線路を構成する。第1のストリップ導体1は、このトリプレート線路における伝送線路となっている。また、第1のストリップ導体1は、第1の誘電体基板12の第1の接地導体2と第2の誘電体基板13の第1の中間接地導体3の間に挟まれることで、トリプレート線路が形成される。第1、第2、第4、第6のスルーホール10以下、単にスルーホール11と記述するは、第1の誘電体基板12、第2の誘電体基板13、第3の誘電体基板14、及び第4の誘電体基板15の積層によって、上下一直線に接続された接地導体柱をなす。また、第3、第5、第7のスルーホール11以下、単にスルーホール11と記述するは、第1の誘電体基板12、第2の誘電体基板13、第3の誘電体基板14、及び第4の誘電体基板15の積層によって、上下一直線に接続された導体柱をなす。スルーホール11は、同一円上に所定の間隔で配置された、複数のスルーホール1010a、10b、10c、10d、10e、10f、10gの列によって取り囲まれている。これによって、スルーホール10は同軸線路における外導体として機能し、スルーホール11は同軸線路における中心導体として機能する。これらのスルーホールを合せた垂直給電構造は、擬似的な同軸線路として作用し、実施の形態1による垂直給電部を構成する。なお、スルーホール10の配列間隔は、例えば誘電体基板内で、第1のストリップ導体1を伝送する信号の伝搬波長λの4分の1の長さよりも短い間隔とするのが良く、間隔が短いほど波長λの信号の高調波の漏れを抑制することができる。スルーホール11は、第1の誘電体基板12、第2の誘電体基板13、第3の誘電体基板14、及び第4の誘電体基板15のそれぞれの貼り合せ面と第4の誘電体基板15の下面において、第1、第2のスルーホールランド導体ランド6、第3、第4のスルーホールランド導体ランド7、及び第5、第6のスルーホールランド導体ランド8、及び第7のスルーホールランド導体ランド9以下、それぞれスルーホールランド6、スルーホールランド7、スルーホールランド8、スルーホールランド9と記述するにそれぞれ接続されている。このスルーホールランド6、7、8、9は、グランドパターン接地パターン4、中間接地導体3、グランドパターン接地パターン5、接地導体2によってそれぞれ周囲を取り囲まれている。これによって、第1の誘電体基板12、第2の誘電体基板13、第3の誘電体基板14、及び第4の誘電体基板15内部への電磁波の漏れを抑制する。スルーホールランド6、7、8、9は、ランド径が異なるサイズとなっている。スルーホールランド7は、スルーホールランド6、9よりもランド径が大きく、スルーホールランド8は、スルーホールランド7よりもランド径が大きい。また、スルーホールランド6はスルーホールランド9よりもランド径が若干小さい。次に、実施の形態1の垂直給電回路の動作について説明する。同軸線路16から入力された電磁波は、スルーホール10及びスルーホール11により構成される擬似的な同軸線路垂直給電部を通過して、ストリップ導体1に伝達される。ここで、スルーホールランド6、7、8、9のランド径を、適切な大きさに変化させることにより、電磁気的なインピーダンスの整合を取ることができる。これによって、反射特性の劣化を防ぐことができる。なお、スルーホール10及びスルーホール11と、スルーホールランド6、7、8、9と、グランドパターン4、5、及び中間接地導体3、接地導体2は、垂直給電部を構成する。図6は、例えば特許文献1のような従来技術によって垂直給電回路を構成した場合の反射の周波数特性を示す図である。図7は、実施の形態1による垂直給電回路を構成した場合の反射の周波数特性を示す図である。図6、7において、横軸は規格化周波数、縦軸は反射特性dBを示す。図6、7の比較から、実施の形態1の垂直給電回路を用いることによって反射特性が改善し、反射がより抑制されていることがわかる。以上の説明では、基板4枚を積層して構成される垂直給電回路について説明をしているが、基板の積層枚数が3枚でも、また5枚以上となっても、それぞれの基板にスルーホールランドを設け、同様の方法でランド径を変化させることによって、反射特性の劣化を防ぐことができる。この場合、異なる積層間でいくつかのランド径が同じ大きさになっても良い。例えば、スルーホールランド6とスルーホールランド9が同じ径になっても良い。また、基板の厚さが不均一な場合でも、同様の方法で反射特性の劣化を防ぐことができることは言うまでもない。このように実施の形態1による垂直給電回路は、一方面に接地導体2が形成され、他方面にストリップ導体線路1と、当該ストリップ導体線路1の端部に接続された導体ランドスルーホールランド6と、当該導体ランドスルーホールランド6の周囲を囲む接地パターングランドパターン4が形成されるとともに、上記接地パターングランドパターン4と接地導体2に接続され、上記導体ランドスルーホールランド6の周囲を囲む複数のグランド導体柱スルーホール10とを有した第1の誘電体基板12と、一方面が上記第1の誘電体基板12の他方面に積層され、他方面に導体ランドスルーホールランド7、及び当該導体ランドスルーホールランド7の周囲を囲む接地導体中間接地導体3が形成されるとともに、当該導体ランドスルーホールランド7に接続されかつ一端が上記第1の誘電体基板12の導体ランドスルーホールランド6に接続される導体柱スルーホール11と、当該接地導体中間接地導体3と上記第1の誘電体基板12の接地パターングランドパターン4に接続され、当該導体柱スルーホール11の周囲を囲む複数のグランド導体柱スルーホール10とを有した第2の誘電体基板13と、一方面が上記第2の誘電体基板13の他方面に積層され、他方面に導体ランドスルーホールランド8、及び当該導体ランドスルーホールランド8の周囲を囲む接地パターングランドパターン5が形成されるとともに、当該導体ランドスルーホールランド8に接続されかつ一端が上記第2の誘電体基板13の導体柱スルーホール11の他端に接続される導体柱スルーホール11と、当該接地パターングランドパターン5と上記第2の誘電体基板13の接地導体中間接地導体3に接続され、当該導体柱スルーホール11の周囲を囲む複数のグランド導体柱スルーホール10とを有した第3の誘電体基板14と、を備え、上記第1、第2、第3の誘電体基板の導体ランドスルーホールランド6、7、8は、互いにランド径が異なることを特徴とする。また、一方面が上記第3の誘電体基板14の他方面に積層され、他方面に導体ランドスルーホールランド9、及び当該導体ランドスルーホールランド9の周囲を囲む接地導体2が形成されるとともに、当該導体ランドスルーホールランド9に接続されかつ上記第3の誘電体基板14の導体柱スルーホール11の他端に接続される導体柱スルーホール11と、当該接地導体2と上記第3の誘電体基板14の接地パターングランドパターン5に接続され、上記導体柱スルーホール11の周囲を囲む複数のグランド導体柱スルーホール10とを有し、当該導体ランドスルーホールランド9の他端に接続される同軸線路16が取り付けられた第4の誘電体基板15を更に備え、上記第2、第3の誘電体基板13、14の導体ランドスルーホールランド7、8は、上記第1、第4の誘電体基板の導体ランドスルーホールランド6、9よりもランド径が大きいしても良い。これによって、同軸線路とトリプレート線路を接続する多層誘電体基板において、垂直給電回路における反射特性の劣化を抑えることができる。なお、誘電体基板の枚数が増えた場合に増加に応じて、接地パターン、導体柱、導体ランドを増加させて、導体ランドのそれぞれの径を変化させ電磁気的な整合を取っても良い。