ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、前記ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層を介して前記ボンド基板と前記ベース基板を貼り合わせ、熱処理により、前記脆化領域において前記ボンド基板を分離して、前記ベース基板上に半導体層を形成し、前記ベース基板上の前記半導体層の表面と、該半導体層と同じ半導体材料でなる半導体ターゲットとが対向するように配置し、前記半導体層の表面と前記半導体ターゲットとに、交互に希ガスイオンを照射することで、前記半導体層の表面の平坦化を図るSOI基板の作製方法。前記半導体ターゲットは、分離後のボンド基板を用いる、請求項1に記載のSOI基板の作製方法。ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、前記ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層を介して前記ボンド基板と前記ベース基板を貼り合わせ、熱処理により、前記脆化領域において前記ボンド基板を分離して、前記ベース基板上に半導体層を形成し、前記ベース基板上の前記半導体層の表面と、同じ構造を有する他のベース基板の半導体層の表面とが対向するように配置し、前記半導体層の表面と前記他のベース基板の半導体層の表面とに、交互に希ガスイオンを照射することで、前記半導体層の表面の平坦化を図るSOI基板の作製方法。ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、前記ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層を介して前記ボンド基板と前記ベース基板を貼り合わせ、熱処理により、前記脆化領域において前記ボンド基板を分離して、前記ベース基板上に半導体層を形成し、前記分離後のボンド基板の表面と、該ボンド基板と同じ半導体材料でなる半導体ターゲットとが対向するように配置し、前記ボンド基板の表面と前記半導体ターゲットとに、交互に希ガスイオンを照射することで、前記ボンド基板の表面の平坦化を図るボンド基板の再生方法。水素イオン注入剥離法を利用する場合、熱処理を行うことによりシリコンウエハに形成された微小気泡層を体積変化させ、該微小気泡層において分離することでSOI基板が得られる。しかしながら、分離後のSOI基板の半導体層の表面は、微小気泡層に起因する凹凸が存在するため平坦化する処理が必要となる。半導体層または分離後のシリコンウエハの表面を平坦化するためにCMPChemicalMechanicalPolishing処理が用いられている。しかし、CMP処理では半導体層またはシリコンウエハの研磨量が大きくなる傾向があるため、生産性と製造コストの低下を阻害する要因が内在していた。本発明の一態様は、上述した問題を鑑み、半導体層が効率よく平坦化されたSOI基板を製造することを課題の一とする。また、当該SOI基板を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、効率よくボンド基板を再生することを課題の一とする。本発明の一態様は、ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせ、熱処理により、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成し、ベース基板上の半導体層の表面と、該半導体層と同じ半導体材料でなる半導体ターゲットとが対向するように配置し、半導体層の表面と半導体ターゲットとに、交互に希ガスイオンを照射することで、半導体層の表面の平坦化を図るSOI基板の作製方法である。上記において、半導体ターゲットは、分離後のボンド基板を用いてもよい。また、本発明の一態様は、ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせ、熱処理により、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成し、ベース基板上の半導体層の表面と、同じ構造を有する他のベース基板の半導体層の表面とが対向するように配置し、半導体層の表面と他のベース基板の半導体層の表面とに、交互に希ガスイオンを照射することで、半導体層の表面の平坦化を図るSOI基板の作製方法である。また、ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせ、熱処理により、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成し、分離後のボンド基板の表面と、該ボンド基板と同じ半導体材料でなる半導体ターゲットとが対向するように配置し、ボンド基板の表面と半導体ターゲットとに、交互に希ガスイオンを照射することで、ボンド基板の表面の平坦化を図るボンド基板の再生方法である。なお、本明細書等において、SOI基板の語は、絶縁層を介してシリコン以外の半導体層が設けられた基板をも含む概念として用いる。つまり、本明細書等において、SOI基板の作製に用いられるボンド基板にはシリコン材料からなる基板以外の基板が含まれる。本発明の一態様によって、半導体層の表面が効率よく平坦化されたSOI基板を提供することができる。また、当該SOI基板を用いた半導体装置を提供することができる。また、ボンド基板の再生を効率よく行うことができる。以下、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱することなく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異なる実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を用い、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。実施の形態1本実施の形態では、SOI基板の作製方法の一例について、図1及び図2を参照して説明する。まず、ベース基板100を用意する図1A参照。ベース基板100としては、液晶表示装置などに使用されている透光性を有するガラス基板を用いることができる。ガラス基板としては、歪み点が580°C以上好ましくは、600°C以上であるものを用いると良い。また、ガラス基板は無アルカリガラス基板であることが好ましい。無アルカリガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている。なお、ベース基板100として、ガラス基板の他、セラミック基板、石英基板やサファイア基板などの絶縁体でなる基板、シリコンなどの半導体でなる基板、金属やステンレスなどの導電体でなる基板などを用いることもできる。次に、ボンド基板110を用意する図1B-1参照。ボンド基板110としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコンなどの第14族元素でなる単結晶半導体基板を用いることができる。ボンド基板110のサイズに制限は無いが、例えば、直径が8インチ200mm、12インチ300mm、18インチ450mmといったサイズの半導体基板を用いることができる。また、円形の半導体基板を、矩形に加工して用いても良い。次に、ボンド基板110に絶縁層114を形成する図1B-2参照。絶縁層114は、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等を用いることができる。これらの膜は、熱酸化法、CVD法又はスパッタリング法等を用いて形成することができる。また、CVD法を用いて絶縁層114を形成する場合には、テトラエトキシシラン略称;TEOS:化学式SiOC2H54等の有機シランを用いて作製される酸化シリコン膜を絶縁層114に用いることが生産性の点から好ましい。本実施の形態では、ボンド基板110に熱酸化処理を行うことにより絶縁層114ここでは、酸化シリコン膜を形成する。熱酸化処理は、酸化性雰囲気中にハロゲンを添加して行うことが好ましい。例えば、塩素Clが添加された酸化性雰囲気中でボンド基板110に熱酸化処理を行うことによりHCl酸化された絶縁層114を形成する。従って、絶縁層114は、塩素原子を含有した膜となる。なお、本実施の形態においては絶縁層114を単層構造としているが、積層構造としても良い。また、貼り合わせに際して特に問題がない場合など、絶縁層114を設ける必要がない場合には、絶縁層114を設けない構成としても良い。次に、ボンド基板110にイオンを照射することにより、脆化領域112を形成する図1B-3参照。より具体的には、例えば、電界で加速されたイオンでなるイオンビームを照射して、ボンド基板110の表面から所定の深さの領域に脆化領域112を形成する。脆化領域112が形成される深さは、イオンビームの加速エネルギーやイオンビームの入射角によって制御される。つまり、脆化領域112は、イオンの平均侵入深さと同程度の深さの領域に形成されることになる。ここで、脆化領域112が形成される深さは、ボンド基板110の全面において均一であることが望ましい。また、上述の脆化領域112が形成される深さにより、ボンド基板110から分離される半導体層の厚さが決定される。脆化領域112が形成される深さは、ボンド基板110の表面から50nm以上1μm以下であり、好ましくは50nm以上300nm以下である。イオンをボンド基板110に添加する際には、イオン注入装置またはイオンドーピング装置を用いることができる。イオン注入装置は、ソースガスを励起してイオン種を生成し、生成されたイオン種を質量分離して、所定の質量を有するイオン種を被処理物に照射する。イオンドーピング装置は、プロセスガスを励起してイオン種を生成し、生成されたイオン種を質量分離せずに被処理物に照射する。なお、質量分離装置を備えているイオンドーピング装置では、イオン注入装置と同様に、質量分離を伴うイオンの照射を行うこともできる。イオンドーピング装置を用いる場合の脆化領域112の形成工程は、例えば、以下の条件で行うことができる。加速電圧10kV以上100kV以下好ましくは30kV以上80kV以下ドーズ量1×1016/cm2以上4×1016/cm2以下ビーム電流密度2μA/cm2以上好ましくは5μA/cm2以上、より好ましくは10μA/cm2以上イオンドーピング装置を用いる場合、ソースガスとして水素を含むガスを用いることができる。該ガスを用いることによりイオン種としてH、H2、H3を生成することができる。水素ガスをソースガスとして用いる場合には、H3を多く照射することが好ましい。具体的には、イオンビームに、H、H2、H3の総量に対してH3イオンが70以上含まれるようにすることが好ましい。また、H3イオンの割合を80以上とすることがより好ましい。このようにH3の割合を高めておくことで、脆化領域112に1×1020atoms/cm3以上の濃度で水素を含ませることが可能である。これにより、脆化領域112における分離が容易になる。また、H3イオンを多く照射することで、H、H2を照射する場合より短時間で脆化領域112を形成することができる。また、H3を用いることで、イオンの平均侵入深さを浅くすることができるため、脆化領域112を浅い領域に形成することが可能になる。イオン注入装置を用いる場合には、質量分離により、H3イオンが照射されるようにすることが好ましい。もちろん、HやH2を照射してもよい。ただし、イオン注入装置を用いる場合には、イオン種を選択して照射するため、イオンドーピング装置を用いる場合と比較して、イオン照射の効率が低下する場合がある。イオン照射工程のソースガスには水素を含むガスの他に、ヘリウムやアルゴンなどの希ガス、フッ素ガスや塩素ガスに代表されるハロゲンガス、フッ素化合物ガス例えば、BF3などのハロゲン化合物ガスから選ばれた一種または複数種類のガスを用いることができる。ソースガスにヘリウムを用いる場合は、質量分離を行わないことで、Heイオンの割合が高いイオンビームを作り出すことができる。このようなイオンビームを用いることで、脆化領域112を効率よく形成することができる。また、イオンの照射を複数回に分けて行うことで、脆化領域112を形成することもできる。この場合、ソースガスを異ならせてイオン照射を行っても良いし、同じソースガスを用いてもよい。例えば、ソースガスとして希ガスを用いてイオン照射を行った後、水素を含むガスをソースガスとして用いてイオン照射を行うことができる。また、はじめにハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスを用いてイオン照射を行い、次に、水素を含むガスを用いてイオン照射を行うこともできる。次に、ベース基板100とボンド基板110を貼り合わせる図1C参照。具体的には、絶縁層114を介してベース基板100とボンド基板110を貼り合わせる。ベース基板100の表面と絶縁層114の表面とを接触させた後、加圧処理を施すことで、ベース基板100とボンド基板110の貼り合わせが実現される。なお、貼り合わせのメカニズムとしては、ファンデルワールス力が関与するメカニズムや、水素結合が関与するメカニズムなどが考えられている。なお、ボンド基板110とベース基板100とを貼り合わせる前に、単結晶半導体基板上に形成された絶縁層114及びベース基板100上の少なくとも一方にプラズマ処理を行うことが好ましい。絶縁層114及びベース基板100の少なくとも一方にプラズマ処理を行うことにより、親水基の増加、平坦性の向上などが実現される。その結果、ボンド基板110とベース基板100との接合強度を高めることができる。ここで、プラズマ処理は、容量結合プラズマを用いる場合、真空状態のチャンバーに不活性ガス例えば、Arガスを導入し、被処理基板例えば、ベース基板100またはボンド基板110が設けられた電極と、それに対向する電極間に高周波電圧を印加して生成したプラズマを用いて行う。プラズマ中には電子とArの陽イオンが存在し、被処理基板の表面には自己バイアスが発生しているため、被処理基板側にArの陽イオンが加速される。加速されたArの陽イオンがベース基板100表面に衝突することによって、ベース基板100表面がスパッタエッチングされる。このとき、ベース基板100表面の凸部から優先的にスパッタエッチングされ、当該ベース基板100表面の平坦性を向上することができる。また、加速されたArの陽イオンによって、ベース基板100の有機物等の不純物を除去し、ベース基板100を活性化することができる。例として不活性ガスにArガスを用いたが、Heガス、Neガス、Xeガスなどの希ガスを用いることもできる。本実施の形態では、Arガスを用いて、誘導結合プラズマICP:InductivelyCoupledPlasma方式のプラズマ処理で行う。Arプラズマの具体的な条件としては、ICP電力100W以上3000W以下、圧力0.1Pa以上5.0Pa以下、ガス流量5sccm以上2000sccm以下、RFバイアス電圧75W以上300W以下で行えばよい。より具体的には、ICP電力500W0.11W/cm2、圧力1.35Pa、ガス流量100sccm、RFバイアス電圧100W0.61W/cm2で行えばよい。ボンド基板110とベース基板100とを貼り合わせた後に、貼り合わせられたベース基板100およびボンド基板110に対して熱処理を施して、貼り合わせを強固なものとすると良い。この際の加熱温度は、脆化領域112における分離が進行しない温度とする必要がある。例えば、400°C未満、好ましくは300°C以下とする。熱処理時間については特に限定されず、処理時間と貼り合わせ強度との関係から適切な条件を設定すればよい。例えば、200°C、2時間の熱処理を施すことができる。なお、貼り合わせに係る領域にマイクロ波などを照射して、該領域のみを局所的に加熱することも可能である。貼り合わせ強度に問題がない場合には、上記熱処理は省略すれば良い。次に、ボンド基板110を、脆化領域112において、半導体層116とボンド基板200とに分離する図1D参照。ボンド基板110の分離は、熱処理により行うと良い。該熱処理の温度は、ベース基板100の耐熱温度を目安にすることができる。例えば、ベース基板100としてガラス基板を用いる場合には、熱処理の温度は400°C以上750°C以下とすることが好ましい。ただし、ガラス基板の耐熱性が許すのであればこの限りではない。なお、本実施の形態においては、600°C、2時間の熱処理を施すこととする。上述のような熱処理を行うことにより、脆化領域112に形成された微小な空孔の体積変化が生じ、脆化領域112に亀裂が生ずる。その結果、脆化領域112に沿ってボンド基板110が分離する。これにより、ベース基板100上にはボンド基板110から分離された半導体層116が残存することになる。また、この熱処理で、貼り合わせに係る界面が加熱されるため、当該界面に共有結合が形成され、貼り合わせを一層強固なものとすることができる。上述のようにして形成された半導体層116は、分離工程を経ることにより平坦性が低下している。そのため、半導体層116の表面の平坦性を向上させる処理を行う。また、分離後のボンド基板200は、再生工程によって再生ボンド基板となり、再度用いることができる。分離後のボンド基板200の表面には、脆化領域112などに起因する欠陥が存在しているため、平坦性を向上させる処理を行うことが望ましい。本実施の形態において、半導体層116の平坦性の向上は、半導体層116にプラズマ処理を行うことによって実現される。半導体層116にプラズマ処理を行うことにより、半導体層116の表面にイオンやプラズマが衝突し、その表面を改質することができるのである。具体的には、半導体層116表面の凸部が優先的に除去されて、平坦性が向上することになる。ここで、上記のプラズマ処理は、半導体層116の表面と、該半導体層116と同じ半導体材料でなる半導体ターゲットとを対向させて行う。プラズマ処理は、例えば、同様の工程で作製された少なくとも2以上のベース基板100上に設けられた半導体層116を対向させて行うことができる。図2には、二つの半導体層半導体層204aと半導体層204bを対向させて表面処理を行う場合の様子を示す。このような構成を採用することで、一度に複数の半導体層の表面処理を行うことができることになるため、処理効率が高まる。なお、半導体ターゲットとして、分離後のボンド基板200を用いることもできる。上述のプラズマ処理は、例えば、スパッタリング装置を用いて行うことができる。図2に、スパッタリング装置を示す。図2に示すスパッタリング装置には、真空容器202内に、半導体層204a及び半導体層204bを有している。半導体層204aおよび半導体層204bはそれぞれ、ボンド基板110から分離され、ベース基板100上に設けられた半導体層116である。図2において、半導体層204aおよび半導体層204bは、電源210と接続された電極図示せずにそれぞれ固定されている。まず、排気管212と連結された排気手段図示せずを用いて真空容器202内を減圧または真空状態とし、ガス供給手段図示せずと連結された供給管214よりスパッタリングガスとしてArガスを導入する。その後、半導体層204a及び半導体層204bに電圧を印加することによりスパッタリングガスを励起し、励起されたイオンやプラズマにより半導体層204a及び半導体層204bにプラズマ処理スパッタリング処理とも記すを行う。プラズマ処理に用いる電源は、DC直流電源またはRF交流電源のいずれを用いることもできる。例えば、ベース基板100としてガラス基板を用いる場合は、RF電源を用いることが好ましい。また、ベース基板100として導電性を有する基板を用いる場合は、DC電源を用いることが好ましい。また、半導体層204a、半導体層204bを加熱しながらプラズマ処理を行ってもよい。減圧状態に保持された真空容器202内に半導体層204a、204bを保持し、半導体層204a、204bの温度が100°C以上900°C未満、好ましくは200°C以上400°C以下となるように熱することもできる。そして、真空容器202内の水分を除去しつつ、スパッタリングガスArを導入し、上記半導体層204a、204bを用いてプラズマ処理を行う。ヒータを用いて、半導体層204a、204bを熱しながら半導体材料を堆積することにより、プラズマ処理による損傷をより軽減することもできる。なお、ベース基板としてガラス基板を用いる場合には、ガラスの歪み点未満の温度とすることが好ましい。このような構成を採用することで、一方の半導体層にプラズマ処理を行い、他方の半導体層の表面に半導体材料を堆積させることができる。一方の半導体層にプラズマ処理を行うと、一方の半導体層の表面はスパッタリングされるため、その表面は平坦化する。また、一方の半導体層がスパッタリングされることによって、対向して設けられた他方の半導体層に半導体材料が堆積する。このように、半導体材料を堆積させることによって、他方の半導体層の表面凹凸は緩和されるため、他方の半導体層の表面の平坦性も向上することになる。上述のように、一方の半導体層にプラズマ処理を行うと、他方の半導体層の膜厚は増大し、一方の半導体層の膜厚が減少することになる。このため、一方の半導体層にプラズマ処理を適用した後には、他方の半導体層にプラズマ処理を適用するのが望ましい。そして、このような処理を繰り返すことで、双方の半導体層の表面の平坦性を十分に高めることができる。なお、一方の半導体層に着目すれば、上述の処理は、プラズマ処理と半導体材料の堆積処理とを交互に繰り返す処理に相当する。もちろん、半導体層表面の平坦性を向上しつつ、膜減りを抑制することができるのであれば、プラズマ処理と半導体材料の堆積処理とを交互に繰り返す処理に限る必要はない。一方の半導体層にプラズマ処理を行うことにより半導体層表面を平坦化させ、かつ、他方の半導体層表面に半導体材料を堆積させることと、他方の半導体層にプラズマ処理を行うことにより他方の半導体層表面を平坦化させ、かつ、一方の半導体層表面に半導体材料を堆積させることとを同時に行うことも可能である。図2では、ベース基板上に設けられた半導体層204aと、ベース基板上に設けられた半導体層204bとを対向させてプラズマ処理を行う場合について示しているが、本発明の一態様はこれに限定されない。一方を、ベース基板上に設けられた半導体層とし、他方を、半導体層が分離されたボンド基板としてプラズマ処理を行うこともできる。この場合には、半導体層の平坦性向上の処理と、分離後のボンド基板の再生処理が同時に行われることになる。また、当該思想を応用して、2以上のボンド基板200を対向させて上述の処理を行ってもよい。この場合には、分離後のボンド基板200の再生処理を効率よく行うことが可能である。再生処理として、上述のプラズマ処理に加えて、熱処理またはエッチング処理、または双方を組み合わせて行うこともできる。このような再生処理を行ったボンド基板200は、ボンド基板110として再度利用することができる。このような構成を採用することで、一度に複数の半導体層、およびボンド基板の表面処理を行うことができることになるため、処理効率が高まる。なお、上述の処理の後には、半導体層116等に対して、レーザー光を照射しても良い。レーザー光を半導体層116に照射することで、半導体層116が溶融し、その後の冷却、固化によって、欠陥が低減され、表面の平坦性がさらに向上した半導体層が得られるのである。また、上記処理の後に、半導体層の膜厚を小さくする薄膜化工程を行っても良い。半導体層の薄膜化には、ドライエッチング処理またはウェットエッチング処理の一方、または双方を組み合わせたエッチング処理を適用することができる。例えば、半導体層がシリコンからなる場合、SF6とO2をプロセスガスに用いたドライエッチング処理で、半導体層を薄くすることができる。また、薄膜化工程において、エッチング処理に代えてCMP等の研磨処理を行ってもよく、またはエッチング処理とCMP処理を組み合わせて行ってもよい。以上により、ベース基板100上に、半導体層118を形成することができる図1E参照。半導体層118の膜厚は、例えば10nm以上200nm以下とすることができる。以上に示すように、開示する発明の一態様によって、半導体層の表面を効率よく平坦化することが可能である。このため、作製されるSOI基板の製造コストを抑制することが可能である。また、開示する発明の一態様によって、ボンド基板の再生を効率よく行うことができるため、これを用いて作製されるSOI基板の製造コストを抑制することが可能である。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、SOI基板の作製方法の他の一例について、図3を参照して説明する。実施の形態1と本実施の形態の相違は、ベース基板に絶縁層101を形成する点にある。よって、以下ではこの点について主に説明する。まず、ベース基板100を用意図3A-1参照し、該ベース基板上に絶縁層101を形成する図3A-2参照。ベース基板100については、図1Aを参酌すればよい。絶縁層101の形成方法は特に限定されないが、例えば、スパッタリング法、プラズマCVD法などを用いることができる。絶縁層101は、貼り合わせに係る表面を有する層であるから、その表面が、高い平坦性を有するように形成されることが好ましい。絶縁層101は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどから選ばれた一または複数の材料を用いて形成することができる。例えば、酸化シリコンを用いて絶縁層101を形成する場合には、有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成することで極めて平坦性に優れた絶縁層101を得ることができる。なお、本実施の形態においては絶縁層101を単層構造としているが、積層構造としても良い。次に、ボンド基板110を用意し、ボンド基板110の表面に絶縁層114を形成し、ボンド基板110に対してイオンを照射することにより脆化領域112を形成する図3B-1乃至図3B-3参照。図3B-1乃至図3B-3は、図1B-1乃至図1B-3と同様に行うことができるため、詳細な説明は省略する。次に、ベース基板100とボンド基板110を貼り合わせる図3C参照。具体的には、絶縁層101及び絶縁層114を介してベース基板100とボンド基板110を貼り合わせる。絶縁層101の表面と絶縁層114の表面とを接触させた後、加圧処理を施すことで、ベース基板100とボンド基板110の貼り合わせが実現される。なお、ボンド基板110とベース基板100を貼り合わせる前に、単結晶半導体基板若しくはボンド基板110上に形成された絶縁層114、又はベース基板100若しくはベース基板100上に形成された絶縁層101の表面処理を行うことが好ましい。表面処理を行うことで、ボンド基板110とベース基板100の接合界面での接合強度を向上させることができる。表面処理としては、ウェットエッチング処理、ドライエッチング処理、またはウェットエッチング処理及びドライエッチング処理の組み合わせが挙げられる。また、異なるウェットエッチング処理を組み合わせる、または異なるドライエッチング処理を組み合わせて行うことができる。ウェットエッチング処理としては、オゾン水を用いたオゾン処理オゾン水洗浄、メガソニック洗浄、または2流体洗浄純水や水素添加水等の機能水を窒素等のキャリアガスとともに吹き付ける方法などが挙げられる。ドライエッチング処理としては、紫外線処理、オゾン処理、プラズマ処理、バイアス印加プラズマ処理、またはラジカル処理などが挙げられる。被処理体単結晶半導体基板、単結晶半導体基板上に形成された絶縁層、ベース基板またはベース基板上に形成された絶縁層に対し、上記のような表面処理を行うことで、被処理体表面の親水性および清浄性を高める効果を奏する。その結果、基板同士の接合強度を向上させることができる。ウェットエッチング処理は、被処理体表面に付着するマクロなゴミなどの除去に効果的である。ドライエッチング処理は、被処理体表面に付着する有機物などミクロなゴミの除去または分解に効果的である。ここで、被処理体に対し、紫外線処理などのドライエッチング処理を行った後、洗浄などのウェットエッチング処理を行うことで、被処理体表面を清浄化および親水化し、さらに被処理体表面のウォーターマークの発生を抑制できるため好ましい。また、ドライエッチング処理として、オゾンまたは一重項酸素などの活性状態にある酸素を用いた表面処理を行うことが好ましい。オゾンまたは一重項酸素などの活性状態にある酸素により、被処理体表面に付着する有機物を効果的に除去または分解することができる。また、オゾンまたは一重項酸素などの活性状態にある酸素に、紫外線のうち200nm未満の波長を含む光による処理を組み合わせることで、被処理体表面に付着する有機物をさらに効果的に除去することができる。以下、具体的に説明する。例えば、酸素を含む雰囲気下で紫外線を照射することにより、被処理体の表面処理を行う。酸素を含む雰囲気下において、紫外線のうち200nm未満の波長を含む光と200nm以上の波長を含む光を照射することにより、オゾンを生成させるとともに一重項酸素を生成させることができる。また、紫外線のうち180nm未満の波長を含む光を照射することにより、オゾンを生成させるとともに一重項酸素を生成させることもできる。酸素を含む雰囲気下で、200nm未満の波長を含む紫外光および200nm以上の波長を含む紫外光を照射することにより起きる反応例を示す。O2hνλ1nm→O3PO3P1O3PO2→O32O3hνλ2nm→O1DO23上記反応式1において、酸素O2を含む雰囲気下で200nm未満の波長λ1nmを含む紫外光hνを照射することにより基底状態の酸素原子O3Pが生成する。次に、反応式2において、基底状態の酸素原子O3Pと酸素O2とが反応してオゾンO3が生成する。そして、反応式3において、生成されたオゾンO3を含む雰囲気下で200nm以上の波長λ2nmを含む紫外光が照射されることにより、励起状態の一重項酸素O1Dが生成される。酸素を含む雰囲気下において、紫外線のうち200nm未満の波長を含む光を照射することによりオゾンを生成させるとともに、200nm以上の波長を含む光を照射することによりオゾンを分解して一重項酸素を生成する。上記のような表面処理は、例えば、酸素を含む雰囲気下での低圧水銀ランプの照射λ1=185nm、λ2=254nmにより行うことができる。また、酸素を含む雰囲気下で、180nm未満の波長を含む紫外光を照射して起きる反応例を示す。O2hνλ3nm→O1DO3P4O3PO2→O35O3hνλ3nm→O1DO26上記反応式4において、酸素O2を含む雰囲気下で180nm未満の波長λ3nmを含む紫外光を照射することにより、励起状態の一重項酸素O1Dと基底状態の酸素原子O3Pが生成する。次に、反応式5において、基底状態の酸素原子O3Pと酸素O2とが反応してオゾンO3が生成する。反応式6において、生成されたオゾンO3を含む雰囲気下で180nm未満の波長λ3nmを含む紫外光が照射されることにより、励起状態の一重項酸素と酸素が生成される。酸素を含む雰囲気下において、紫外線のうち180nm未満の波長を含む光を照射することによりオゾンを生成させるとともにオゾンまたは酸素を分解して一重項酸素を生成する。上記のような表面処理は、例えば、酸素を含む雰囲気下でのXeエキシマUVランプの照射により行うことができる。200nm未満の波長を含む紫外光により被処理体表面に付着する有機物などの化学結合を切断し、オゾンまたは一重項酸素により被処理体表面に付着する有機物や化学結合を切断した有機物などを酸化分解して除去することができる。上記のような表面処理を行うことで、被処理体表面の親水性および清浄性をより高めることができ、接合を良好に行うことができる。本実施の形態においては、ベース基板100とボンド基板110とを貼り合わせる前に、表面処理を行う場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されず、表面処理の代わりに実施の形態1で説明したプラズマ処理を行ってもよいし、表面処理とプラズマ処理とを組み合わせて行ってもよい。なお、実施の形態1において、プラズマ処理の代わりに実施の形態2で説明した表面処理を行ってもよいし、表面処理とプラズマ処理とを組み合わせて行ってもよい。次に、ボンド基板110を、脆化領域112において、半導体層116とボンド基板200とに分離する図3D参照。これにより、ベース基板100上には半導体層116が残存することになる。次に、ボンド基板110から分離された半導体層116の表面、及び分離後のボンド基板200に対して、スパッタリング処理を行うことにより、それぞれの平坦性を向上させる。スパッタリング処理は、実施の形態1図2と同様に行うことができるため、詳細な説明は省略する。その後、半導体層116に欠陥低減処理や、表面の平坦性向上処理等を施すことにより、ベース基板100上に半導体層118を形成することができる図3E参照。なお、図3D及び図3Eは、上記図1D及び図1Eと同様に行うことができるため、詳細な説明は省略する。なお、再生処理として、実施の形態1図2で説明したスパッタリング処理に加えて、熱処理やエッチング処理を行うことにより、ボンド基板200を、ボンド基板110として再度利用することができる。以上に示すように、開示する発明の一態様によって、半導体層の表面を効率よく平坦化することが可能である。このため、作製されるSOI基板の製造コストを抑制することが可能である。また、開示する発明の一態様によって、ボンド基板の再生を効率よく行うことができるため、これを用いて作製されるSOI基板の製造コストを抑制することが可能である。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、図4及び図5を用いて、上記実施の形態に係るSOI基板を用いた半導体装置の作製方法について説明する。本実施の形態では、半導体装置の一例として複数のトランジスタからなる半導体装置の作製方法について説明する。以下において示すトランジスタを組み合わせて用いることで、様々な半導体装置を形成することができる。図4Aは、先の実施の形態に示す方法で作製したSOI基板の一部を示す断面図である。半導体層118は図3Eにおける半導体層118に対応しており、平坦性が向上した表面を有している。半導体層118には、トランジスタのしきい値電圧を制御するために、硼素、アルミニウム、ガリウムなどのp型不純物や、リン、砒素などのn型不純物を添加しても良い。不純物を添加する領域、および添加する不純物の種類は、適宜変更することができる。例えば、nチャネル型トランジスタの形成領域にp型不純物を添加し、pチャネル型トランジスタの形成領域にn型不純物を添加する。その後、半導体層118を島状に分離して、半導体層145および半導体層146を形成する図4B参照。表面荒れが抑制された半導体層145及び半導体層146を活性層とすることで、半導体装置の信頼性を向上させることができる。次に、半導体層145と半導体層146を覆うように、ゲート絶縁膜147を形成する図4C参照。ここでは、プラズマCVD法を用いて、酸化シリコン膜を単層で形成することとする。酸化シリコン以外にも、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル等を含む膜を、単層構造または積層構造で形成することによりゲート絶縁膜147としても良い。プラズマCVD法以外の作製方法としては、スパッタリング法や、高密度プラズマ処理による酸化または窒化による方法が挙げられる。高密度プラズマ処理は、例えば、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンなどの希ガスと、酸素、酸化窒素、アンモニア、窒素、水素などのガスとの混合ガスを用いて行う。この場合、プラズマの励起をマイクロ波の導入により行うことで、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。このような高密度のプラズマで生成された酸素ラジカルOHラジカルを含む場合もあるや窒素ラジカルNHラジカルを含む場合もあるによって、半導体層の表面を酸化または窒化することにより、1nm以上20nm以下、望ましくは2nm以上10nm以下の絶縁膜を半導体層に接するように形成する。上述した高密度プラズマ処理による半導体層の酸化または窒化は固相反応であるため、ゲート絶縁膜147と半導体層145との界面準位密度、並びに、ゲート絶縁膜147と半導体層146との界面準位密度をきわめて低くすることができる。また、高密度プラズマ処理により半導体層を直接酸化または窒化することで、形成される絶縁膜の厚さのばらつきを抑えることが出来る。また、半導体層が単結晶であるため、高密度プラズマ処理を用いて半導体層の表面を固相反応で酸化させる場合であっても、均一性が良く、界面準位密度の低いゲート絶縁膜を形成することができる。このように、高密度プラズマ処理により形成された絶縁膜をトランジスタのゲート絶縁膜の一部または全部に用いることで、特性のばらつきを抑制することができる。または、半導体層145と半導体層146を熱酸化させることで、ゲート絶縁膜147を形成するようにしてもよい。この場合には、半導体層145及び半導体層146それぞれの表面にゲート絶縁膜が形成される。このように、熱酸化を用いる場合には、ある程度の耐熱性を有するガラス基板を用いることが必要である。なお、水素を含むゲート絶縁膜147を形成し、その後、350°C以上450°C以下の温度による加熱処理を行うことで、ゲート絶縁膜147中に含まれる水素を半導体層145および半導体層146中に拡散させるようにしてもよい。この場合、ゲート絶縁膜147として、プラズマCVD法を用いた窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを用いることができる。なお、プロセス温度は350°C以下とすると良い。このように、半導体層145および半導体層146に水素を供給することで、半導体層145中、半導体層146中、ゲート絶縁膜147と半導体層145の界面、およびゲート絶縁膜147と半導体層146の界面における欠陥を効果的に低減することができる。次に、ゲート絶縁膜147上に導電膜を形成した後、該導電膜を所定の形状に加工パターニングすることで、半導体層145の上方に電極148を、半導体層146の上方に電極149を形成する図4D参照。導電膜の形成にはCVD法、スパッタリング法等を用いることができる。導電膜は、タンタルTa、タングステンW、チタンTi、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCr、ニオブNb等の材料を用いて形成することができる。また、上記金属を主成分とする合金材料を用いても良いし、上記金属を含む化合物を用いても良い。または、半導体に導電性を付与する不純物元素をドーピングした多結晶シリコンなど、半導体材料を用いて形成しても良い。本実施の形態では電極148および電極149を単層の導電膜で形成しているが、開示する発明の一態様に係る半導体装置は該構成に限定されない。電極148および電極149は積層された複数の導電膜で形成されていても良い。2層構造とする場合には、例えば、モリブデン膜、チタン膜、窒化チタン膜等を下層に用い、上層にはアルミニウム膜などを用いればよい。3層構造の場合には、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブデン膜の積層構造や、チタン膜とアルミニウム膜とチタン膜の積層構造などを採用するとよい。なお、電極148および電極149を形成する際に用いるマスクは、酸化シリコンや窒化酸化シリコン等の材料を用いて形成してもよい。この場合、酸化シリコン膜や窒化酸化シリコン膜等をパターニングしてマスクを形成する工程が加わるが、これらの材料を用いたマスクでは、レジスト材料を用いたマスクと比較してエッチング時における膜減りが少ないため、より正確な形状の電極148および電極149を形成することができる。また、マスクを用いずに、液滴吐出法を用いて選択的に電極148および電極149を形成しても良い。ここで、液滴吐出法とは、所定の組成物を含む液滴を吐出または噴出することで所定のパターンを形成する方法を意味し、インクジェット法などがその範疇に含まれる。また、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマエッチング法を用い、エッチング条件コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等を適宜調節し、所望のテーパー形状を有するように電極148および電極149を形成することもできる。また、テーパー形状は、マスクの形状によって制御することもできる。なお、エッチング用ガスとしては、塩素、塩化硼素、塩化珪素、四塩化炭素などの塩素系ガス、四弗化炭素、弗化硫黄、弗化窒素などのフッ素系ガス、または酸素などを適宜用いることができる。次に、電極148および電極149をマスクとして、一導電型を付与する不純物元素を半導体層145及び半導体層146のそれぞれに添加する図4E参照。本実施の形態では、半導体層145にn型を付与する不純物元素例えばリンまたはヒ素を、半導体層146にp型を付与する不純物元素例えばホウ素を添加する。なお、n型を付与する不純物元素を半導体層145に添加する際には、p型の不純物が添加される半導体層146はマスク等で覆い、n型を付与する不純物元素の添加が選択的に行われるようにする。また、p型を付与する不純物元素を半導体層146に添加する際には、n型の不純物が添加される半導体層145はマスク等で覆い、p型を付与する不純物元素の添加が選択的に行われるようにする。または、半導体層145および半導体層146のそれぞれに、p型を付与する不純物元素またはn型を付与する不純物元素の一方を添加した後、一方の半導体層のみに、n型を付与する不純物元素またはp型を付与する不純物元素の他方をより高い濃度で添加するようにしても良い。上記不純物の添加により、半導体層145に不純物領域151、半導体層146に不純物領域152が形成される。次に、電極148の側面にサイドウォール153を、電極149の側面にサイドウォール154を形成する図5A参照。サイドウォール153およびサイドウォール154は、例えば、ゲート絶縁膜147、電極148および電極149を覆うように新たに絶縁膜を形成し、異方性エッチングにより該絶縁膜を部分的にエッチングすることで形成することができる。なお、上記の異方性エッチングにより、ゲート絶縁膜147を部分的にエッチングしても良い。サイドウォール153およびサイドウォール154を形成するための絶縁膜としては、プラズマCVD法やスパッタリング法等を用いて、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、有機材料などを含む膜を、単層構造または積層構造で形成すれば良い。本実施の形態では、膜厚100nmの酸化シリコン膜をプラズマCVD法によって形成する。また、エッチングガスとしては、CHF3とヘリウムの混合ガスを用いることができる。なお、サイドウォール153およびサイドウォール154を形成する工程は、これらに限定されるものではない。次に、ゲート絶縁膜147、電極148、電極149、サイドウォール153およびサイドウォール154をマスクとして、半導体層145及び半導体層146それぞれに一導電型を付与する不純物元素を添加する図5B参照。なお、半導体層145と半導体層146には、それぞれ先の工程で添加した不純物元素と同じ導電型の不純物元素をより高い濃度で添加する。ここで、n型を付与する不純物元素を半導体層145に添加する際には、p型の不純物が添加される半導体層146はマスク等で覆い、n型を付与する不純物元素の添加が選択的に行われるようにする。また、p型を付与する不純物元素を半導体層146に添加する際には、n型の不純物が添加される半導体層145はマスク等で覆い、p型を付与する不純物元素の添加が選択的に行われるようにする。上記不純物元素の添加により、半導体層145に、一対の高濃度不純物領域162と、一対の低濃度不純物領域163と、チャネル形成領域161とが形成される。また、上記不純物元素の添加により、半導体層146に、一対の高濃度不純物領域172と、一対の低濃度不純物領域173と、チャネル形成領域171とが形成される。高濃度不純物領域162及び高濃度不純物領域172はそれぞれソースまたはドレインとして機能し、低濃度不純物領域163及び低濃度不純物領域173はそれぞれLDDLightlyDopedDrain領域として機能する。なお、半導体層145上に形成されたサイドウォール153と、半導体層146上に形成されたサイドウォール154は、キャリアが移動する方向いわゆるチャネル長に平行な方向の長さが同じになるように形成しても良いが、異なるように形成しても良い。例えば、pチャネル型トランジスタとなる半導体層146上のサイドウォール154は、nチャネル型トランジスタとなる半導体層145上のサイドウォール153よりも、キャリアが移動する方向の長さが長くなるように形成すると良い。pチャネル型トランジスタにおいて、サイドウォール154の長さをより長くすることで、ホウ素の拡散による短チャネル効果を抑制することができるため、ソースおよびドレインに高濃度のホウ素を添加することが可能となる。これにより、ソースおよびドレインを十分に低抵抗化することができる。ソースおよびドレインをさらに低抵抗化するために、半導体層145および半導体層146の一部をシリサイド化したシリサイド領域を形成しても良い。シリサイド化は、半導体層に金属を接触させ、加熱処理例えば、GRTA法、LRTA法等により、半導体層中の珪素と金属とを反応させて行う。シリサイド領域としては、コバルトシリサイドまたはニッケルシリサイドを形成すれば良い。半導体層145や半導体層146が薄い場合には、半導体層145や半導体層146の底部までシリサイド反応を進めても良い。シリサイド化に用いることができる金属材料としては、チタンTi、ニッケルNi、タングステンW、モリブデンMo、コバルトCo、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、タンタルTa、バナジウムV、ネオジムNd、クロムCr、白金Pt、パラジウムPd等が挙げられる。また、レーザー光の照射などによってもシリサイド領域を形成することができる。上述の工程により、nチャネル型トランジスタ165およびpチャネル型トランジスタ175が形成される。なお、図5Bに示す段階では、ソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜は形成されていないが、これらのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を含めてトランジスタと呼ぶこともある。次に、nチャネル型トランジスタ165及びpチャネル型トランジスタ175を覆うように絶縁膜181を形成する図5C参照。絶縁膜181は必ずしも設ける必要はないが、絶縁膜181を形成することで、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物がnチャネル型トランジスタ165、pチャネル型トランジスタ175に侵入することを防止できる。具体的には、絶縁膜181を、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムなどの材料を用いて形成するのが望ましい。本実施の形態では、膜厚600nm程度の窒化酸化シリコン膜を、絶縁膜181として用いる。この場合、上述の水素化の工程は、該窒化酸化シリコン膜形成後に行っても良い。なお、本実施の形態においては、絶縁膜181を単層構造としているが、積層構造としても良いことはいうまでもない。例えば、2層構造とする場合には、酸化窒化シリコン膜と窒化酸化シリコン膜との積層構造とすることができる。次に、nチャネル型トランジスタ165及びpチャネル型トランジスタ175を覆うように、絶縁膜181上に絶縁膜182を形成する図5C参照。絶縁膜182は、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いて形成するとよい。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料low-k材料、シロキサン系樹脂、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、PSGリンガラス、BPSGリンボロンガラス、アルミナ等を用いることもできる。ここで、シロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたSi-O-Si結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アルキル基、芳香族炭化水素から選ばれる一を有していても良い。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁膜182を形成しても良い。絶縁膜182の形成には、その材料に応じて、CVD法、スパッタリング法、SOG法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を用いることができる。次に、半導体層145と半導体層146の一部が露出するように絶縁膜181および絶縁膜182にコンタクトホールを形成する。そして、該コンタクトホールを介して半導体層145に接する導電膜183および導電膜184と、半導体層146に接する導電膜185および導電膜186を形成する図5D参照。導電膜183、導電膜184、導電膜185、及び導電膜186は、トランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する。なお、本実施の形態においては、コンタクトホール開口時のエッチングに用いるガスとしてCHF3とHeの混合ガスを用いたが、これに限定されるものではない。導電膜183、導電膜184、導電膜185、及び導電膜186は、CVD法やスパッタリング法等により形成することができる。材料としては、アルミニウムAl、タングステンW、チタンTi、タンタルTa、モリブデンMo、ニッケルNi、白金Pt、銅Cu、金Au、銀Ag、マンガンMn、ネオジムNd、炭素C、珪素Si等を用いることができる。また、上記材料を主成分とする合金を用いても良いし、上記材料を含む化合物を用いても良い。また、導電膜183、導電膜184、導電膜185、及び導電膜186は、単層構造としても良いし、積層構造としても良い。アルミニウムを主成分とする合金の例としては、アルミニウムを主成分として、ニッケルを含むものを挙げることができる。また、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素または珪素の一方または両方を含むものを挙げることができる。アルミニウムやアルミニウムシリコンAl-Siは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜183、導電膜184、導電膜185、及び導電膜186を形成する材料として適している。特に、アルミニウムシリコンは、パターニングの際のレジストベークによるヒロックの発生を抑制することができるため好ましい。また、珪素の代わりに、アルミニウムに0.5程度のCuを混入させた材料を用いても良い。導電膜183、導電膜184、導電膜185、及び導電膜186を積層構造とする場合には、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン膜と窒化チタン膜とバリア膜の積層構造などを採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデンまたはモリブデンの窒化物などを用いて形成された膜である。バリア膜の間にアルミニウムシリコン膜を挟むように導電膜を形成すると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生をより一層防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンを用いてバリア膜を形成すると、半導体層145と半導体層146上に薄い酸化膜が形成されていたとしても、バリア膜に含まれるチタンが該酸化膜を還元し、導電膜183および導電膜184と半導体層145とのコンタクト、導電膜185および導電膜186と半導体層146とのコンタクトを良好なものとすることができる。また、バリア膜を複数積層するようにして用いても良い。その場合、例えば、導電膜183、導電膜184、導電膜185、及び導電膜186を、下層からチタン、窒化チタン、アルミニウムシリコン、チタン、窒化チタンのように、5層構造またはそれ以上の積層構造とすることもできる。また、導電膜183、導電膜184、導電膜185、及び導電膜186として、WF6ガスとSiH4ガスから化学気相成長法で形成したタングステンシリサイドを用いても良い。また、WF6を水素還元して形成したタングステンを、導電膜183、導電膜184、導電膜185、及び導電膜186として用いても良い。なお、導電膜183および導電膜184はnチャネル型トランジスタ165の高濃度不純物領域162に接続されている。導電膜185および導電膜186はpチャネル型トランジスタ175の高濃度不純物領域172に接続されている。なお、本実施の形態においては、nチャネル型トランジスタ165とpチャネル型トランジスタ175が、それぞれゲート電極として機能する電極を1つずつ有する場合電極148と電極149をそれぞれ有する場合を例示しているが、開示する発明の一態様は該構成に限定されない。トランジスタは、ゲート電極として機能する電極を複数有し、なおかつ該複数の電極が電気的に接続されているマルチゲート構造を有していても良い。本実施の形態で示したように、半導体層の表面荒れが抑制されたSOI基板を用いるため、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態4次に、図6および図7を用いて、本発明の一態様に係るSOI基板を利用した表示装置について説明する。図6は、液晶表示装置の構成例を示す図面である。図6Aは液晶表示装置の画素の平面図であり、図6BはJ-K切断線による図6Aの断面図である。図6Aにおいて、半導体層511は、画素のトランジスタ525を構成する。画素は、半導体層511、半導体層511と交差している走査線522、走査線522と交差している信号線523、画素電極524、画素電極524と半導体層511を電気的に接続する電極528を有する。半導体層511は、本発明の一態様に係るSOI基板を有する半導体層から形成された層である。ベース基板100としては、ガラス基板を用いることが好ましい。図6Bに示すように、ベース基板100上に、絶縁層114、半導体層511が積層されている。半導体層511は、図1Eなどに示す半導体層118をエッチングによる素子分離により形成した層である。半導体層511には、チャネル形成領域512、n型の不純物領域514が形成されている。トランジスタ525のゲート電極は走査線522に含まれ、ソース電極またはドレイン電極の一方は信号線523に含まれている。層間絶縁層527上には、信号線523、画素電極524および電極528が設けられている。また、層間絶縁層527上には、柱状スペーサ529が形成され、信号線523、画素電極524、電極528および柱状スペーサ529を覆って配向膜530が形成されている。対向基板532には、対向電極533、対向電極533を覆う配向膜534が形成されている。柱状スペーサ529は、ベース基板100と対向基板532の隙間を維持するために形成される。柱状スペーサ529によって維持される対向基板532側の配向膜534とベース基板100側の配向膜530との隙間に液晶層535が形成されている。信号線523と不純物領域514、および電極528と不純物領域514の接続部は、層間絶縁層527や信号線523、電極528により段差が生じるので、接続部で液晶層535の液晶の配向が乱れやすい。そのため、段差部に柱状スペーサ529を形成して、液晶の配向の乱れを防ぐ。なお、ベース基板100としてはガラス基板を用いることができる。そのため、本発明の一態様であるSOI基板を適用して作製する液晶表示装置は、反射型液晶表示装置に限定されず、透過型液晶表示装置または半透過型液晶表示装置とすることができる。次に、EL表示装置について、説明する。図7AはEL表示装置の画素の平面図であり、図7BはJ-K切断線による図7Aの断面図である。図7Aに示すように、画素は、選択用トランジスタ401、表示制御用トランジスタ402、走査線405、信号線406、および電流供給線407、画素電極408を有する。エレクトロルミネセンス材料を含んで形成される層少なくとも発光層を含む有機化合物層が一対の電極間に挟まれた構造の発光素子が各画素に設けられている。発光素子の一方の電極が画素電極408である。選択用トランジスタ401が有する半導体層403、表示制御用トランジスタ402が有する半導体層404は、図1Eなどに示す半導体層118をエッチングによる素子分離により形成した層である。選択用トランジスタ401において、ゲート電極は走査線405に含まれ、ソース電極またはドレイン電極の一方は信号線406に含まれ、他方は電極411として形成されている。表示制御用トランジスタ402は、ゲート電極412が電極411と電気的に接続され、ソース電極またはドレイン電極の一方は、画素電極408に電気的に接続される電極413として形成され、他方は、電流供給線407に含まれている。表示制御用トランジスタ402はpチャネル型電界効果トランジスタである。図7Bに示すように、半導体層404には、チャネル形成領域451、p型の不純物領域452が形成されている。表示制御用トランジスタ402のゲート電極412を覆って、層間絶縁層427が形成されている。層間絶縁層427上に、信号線406、電流供給線407、電極413などが形成されている。また、層間絶縁層427上には、電極413に電気的に接続されている画素電極408が形成されている。画素電極408は周辺部が絶縁性の隔壁層428で囲まれている。画素電極408上には有機化合物層429が形成され、有機化合物層429上には対向電極430が形成されている。補強板として対向基板431が設けられており、対向基板431は樹脂層432によりベース基板100に固定されている。ベース基板100としてはガラス基板を用いることができる。そのため、本発明の一態様であるSOI基板を適用して作製するEL表示装置は、対向基板側から光を取り出すトップエミッション構造に限定されず、ベース基板側から光を取り出すボトムエミッション構造とすることができる。図6に示す液晶表示装置や図7に示すEL表示装置に、本発明の一態様に係るSOI基板の半導体層を用いたトランジスタを適用することができる。本発明の一態様に係る半導体層は、単結晶半導体を用いているため、従来の非晶質半導体層をレーザー結晶化させた多結晶半導体層よりも結晶性が優れている。結晶性の優れた半導体層でトランジスタのチャネル形成領域を形成することで、画素を駆動するなど表示装置を構成するトランジスタを高性能化することができ、さらに高画質な表示装置を提供することができる。また、上述のように、ベース基板としてはガラス基板を用いることができ、ベース基板として半導体基板を適用する場合と異なり、光を透過することが可能となる。したがって、ベース基板側から光を取り出す構成ベース基板側に光を透過させる構成、対向基板側から光を取り出す構成対向基板側に光を透過させる構成、両方の基板から光を取り出す構成両方の基板側から光を透過させる構成など、適宜実施者が選択することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態5本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置を表示部に備えた電子機器について説明する。本実施の形態の電子機器の構成の一例について図8乃至図10を用いて説明する。図8乃至図10は、本実施の形態の電子機器の構成の一例を示す図である。本発明の一態様である表示装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。図8Aは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置9600は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持した構成を示している。テレビジョン装置9600の操作は、筐体9601が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置9600は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図8Bは、デジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、デジタルフォトフレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。なお、デジタルフォトフレーム9700は、操作部、外部接続用端子USB端子、USBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。また、デジタルフォトフレーム9700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。図9Aは携帯型遊技機であり、筐体9881と筐体9891の2つの筐体で構成されており、連結部9893により、開閉可能に連結されている。筐体9881には表示部9882が組み込まれ、筐体9891には表示部9883が組み込まれている。また、図9Aに示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部9884、記録媒体挿入部9886、LEDランプ9890、入力手段操作キー9885、接続端子9887、センサ9888力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、または赤外線を測定する機能を含むもの、マイクロフォン9889などを備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本発明に係る表示装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図9Aに示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図9Aに示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。図9Bは大型遊技機であるスロットマシンの一例を示している。スロットマシン9900は、筐体9901に表示部9903が組み込まれている。また、スロットマシン9900は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイン投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン9900の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本発明に係る表示装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図10Aは、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機9000は、筐体9001に組み込まれた表示部9002の他、操作ボタン9003、外部接続ポート9004、スピーカ9005、マイク9006などを備えている。図10Aに示す携帯電話機9000は、表示部9002を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部9002を指などで触れることにより行うことができる。表示部9002の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表示モードであり、第2は、文字などの情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示入力モードである。例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部9002を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部9002の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。また、携帯電話機9000内部に、ジャイロ、加速度センサなどの傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機9000の向き縦か横かを判断して、表示部9002の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面モードの切り替えは、表示部9002を触れること、または筐体9001の操作ボタン9003の操作により行われる。また、表示部9002に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。また、入力モードにおいて、表示部9002の光センサで検出される信号を検知し、表示部9002のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。表示部9002は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部9002に掌や指を触れることで、掌紋、指紋などを撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。図10Bも携帯電話機の一例である。図10Bの携帯電話機は、筐体9411に、表示部9412、及び操作ボタン9413を含む表示装置9410と、筐体9401に操作ボタン9402、外部入力端子9403、マイク9404、スピーカ9405、及び着信時に発光する発光部9406を含む通信装置9400とを有しており、表示機能を有する表示装置9410は電話機能を有する通信装置9400と矢印の2方向に脱着可能である。よって、表示装置9410と通信装置9400の短軸同士を取り付けることも、表示装置9410と通信装置9400の長軸同士を取り付けることもできる。また、表示機能のみを必要とする場合、通信装置9400より表示装置9410を取り外し、表示装置9410を単独で用いることもできる。通信装置9400と表示装置9410とは無線通信または有線通信により画像または入力情報を授受することができ、通信装置9400と表示装置9410とは、それぞれ充電可能なバッテリーを有する。上記に一例として挙げたように、本発明の一態様である表示装置は、様々な電子機器に適用することができる。また、本発明の一態様である表示装置を搭載することにより電子機器の信頼性を向上させることができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。