"光電変換ユニットと、前記光電変換ユニットの光入射側と反対側の面上に形成された第1透明電極層と、前記第1透明電極層上に形成され、前記第1透明電極層より透湿性が低い第2透明電極層と、前記第2透明電極層上に接して形成された光散乱粒子を含む充填層と、を備えることを特徴とする光起電力装置。請求項1に記載の光起電力装置であって、前記第2透明電極層の膜厚は、前記第1透明電極層の膜厚より薄いことを特徴とする光起電力装置。請求項1又は2に記載の光起電力装置であって、前記第2透明電極層の屈折率は、前記第1透明電極層の屈折率より小さいことを特徴とする光起電力装置。請求項1~3に記載の光起電力装置であって、前記第2透明電極層の受光面側は、前記充填層の受光面側の表面の、前記充填層に含まれる前記光散乱粒子による凹凸形状に沿った凹凸形状を有することを特徴とする光起電力装置。ところで、光起電力装置を製造する際に、透明導電層の形成後、充填層の形成前に透明導電層が大気に長時間曝されると、透明導電層の吸湿によりその抵抗値が増加してしまう問題がある。吸湿を避けるためには、透明導電層と充填層との形成プロセスを連続的に行うことが好ましいが、透明導電層はスパッタリング法等により形成されるのに対して、充填層は塗布法等により形成されるので、これらのプロセスを連続的に行うことが困難である。また、光起電力装置をモジュール化した後も充填層を介して透明導電層に水分が浸入し、透明導電層の吸湿によりその抵抗値が増加してしまう問題もある。本発明は、光電変換ユニットと、光電変換ユニットの光入射側と反対側の面上に形成された第1透明電極層と、第1透明電極層上に形成され、第1透明電極層より透湿性が低い第2透明電極層と、第2透明電極層上に接して形成された光散乱粒子を含む充填層と、を備える、光起電力装置である。本発明は、光散乱粒子を含む充填層を備えた光起電力装置において、充填層に接して形成された透明層の吸湿による特性の劣化を防ぐことができる。本発明の実施の形態における光起電力装置100は、図1の断面図に示すように、基板10、透明電極層12、第1光電変換ユニット14、中間層16、第2光電変換ユニット18、裏面透明電極層20、充填層22及び封止材24を含んで構成される。基板10上に透明電極層12を形成する。基板10は、透光性を有する材料とする。基板10は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等とすることができる。透明電極層12は、透光性を有する透明導電膜とする。透明電極層12は、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等に錫Sn、アンチモンSb、フッ素F、アルミニウムAl等をドープした透明導電性酸化物TCOのうち少なくとも一種類又は複数種を組み合わせた膜を用いることができる。透明電極層12は、例えば、スパッタリング法、MOCVD法熱CVDにより形成する。基板10と透明電極層12の一方又は両方の表面に凹凸テクスチャ構造を設けることも好適である。複数の光電変換セルを直列に接続する構造とする場合、透明電極層12に第1のスリットを形成して短冊状にパターニングしてもよい。第1のスリットは、レーザ加工により形成することができる。例えば、波長1064nm、エネルギー密度13J/cm2、パルス周波数3kHzのYAGレーザを用いて透明電極層12を短冊状にパターニングすることができる。第1のスリットの線幅は10μm以上200μm以下とすることが好適である。透明電極層12上に第1光電変換ユニット14を形成する。本実施の形態では、第1光電変換ユニット14は非晶質アモルファスシリコン光起電力装置a-Siユニットとする。ただし、第1光電変換ユニット14は、非晶質アモルファスシリコン光起電力装置に限定されるものではなく、後述する第2光電変換ユニット18よりも短波長側に光電変換効率のピークを有する発電層を含むものであればよい。第1光電変換ユニット14は、基板10側からp型、i型、n型の順にアモルファスシリコン膜を積層して形成する。第1光電変換ユニット14は、例えば、プラズマ化学気相成長法CVDにより形成することができる。プラズマCVD法は、例えば、13.56MHzのRFプラズマCVD法を適用することが好適である。このとき、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、メタンCH4等の炭素含有ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガス及び水素H2等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うことによって、p型、i型、n型のアモルファスシリコン膜を積層することができる。第1光電変換ユニット14のi層の膜厚は100nm以上500nm以下とすることが好適である。本実施の形態において、i型とは真性の半導体層であり、n型及びp型のドーパント濃度を含んでいたとしても、n型及びp型のドーパント濃度が5×1019/cm3以下の半導体層を意味する。また、p型の半導体層は、ボロンB等のp型のドーパントがドープされ、p型のドーパント濃度が5×1020/cm3以上1×1022/cm3以下であることを意味する。n型の半導体層は、燐P等のn型のドーパントがドープされ、n型のドーパント濃度が5×1020/cm3以上1×1022/cm3以下であることを意味する。第1光電変換ユニット14上に中間層16を形成する。本実施の形態では、中間層16は、酸化シリコンSiOx等の透明導電性酸化物TCOとすることが好適である。特に、マグネシウムMgやリンPがドープされた酸化シリコンSiOxを用いることが好適である。透明導電性酸化物TCOは、プラズマCVD法又はDCスパッタリング法により形成することができる。中間層16の膜厚は、50nm以上200nm以下とすることが好適である。なお、中間層16を設けない構成としてもよい。中間層16上に第2光電変換ユニット18を形成する。本実施の形態では、第2光電変換ユニット18は微結晶シリコン光起電力装置μc-Siユニットとする。ただし、第2光電変換ユニット18は、微結晶シリコン光起電力装置に限定されるものではなく、第1光電変換ユニット14よりも長波長側に光電変換効率のピークを有する発電層を含むものであればよい。例えば、約700nm以上の波長領域の光に対して発電感度を有するものであることが好適である。第2光電変換ユニット18は、基板10側からp型、i型、n型の順に微結晶シリコン膜を積層して形成する。第2光電変換ユニット18は、プラズマCVD法により形成することができる。プラズマCVD法は、例えば、13.56MHzのRFプラズマCVD法を適用することが好適である。第2光電変換ユニット18は、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、メタンCH4等の炭素含有ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガス及び水素H2等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うことによって形成することができる。第2光電変換ユニット18のi層の膜厚は1000nm以上5000nm以下とすることが好適である。複数の光電変換セルを直列に接続する構造とする場合、第2のスリットを形成して短冊状にパターニングする。第2のスリットは、第2光電変換ユニット18,中間層16,第1光電変換ユニット14を貫いて透明電極層12に到達するように形成する。第2のスリットは、例えば、レーザ加工により形成することができる。レーザ加工は、これに限定されるものではないが、波長約532nmYAGレーザの第2高調波を用いて行うことが好適である。レーザ加工のエネルギー密度は例えば1×105W/cm2とすればよい。透明電極層12に形成した第1のスリットの位置から50μm横の位置にYAGレーザを照射して第2のスリットを形成する。第2のスリットの線幅は、10μm以上200μm以下とすることが好適である。第2光電変換ユニット18上に裏面透明電極層20を形成する。裏面透明電極層20は、透明導電性酸化物TCOとすることが好適である。本実施の形態では、裏面透明電極層20は、第1透明電極層20aと第2透明電極層20bの積層構造とする。第1透明電極層20a及び第2透明電極層20bは、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等、又は、これらに不純物をドープしたものを適用することができる。ただし、第2透明電極層20bは、第1透明電極層20aより透湿性が低い層とする。例えば、第1透明電極層20aを化学気相成長法CVDによって形成し、第2透明電極層20bをスパッタリング法によって形成することによって、第2透明電極層20bを第1透明電極層20aより透湿性が低い層とすることができる。このように、第2透明電極層20bを第1透明電極層20aより透湿性の低い層とすることによって、後述する充填層22が形成される前後を問わず、第1透明電極層20aの吸湿による特性の劣化を抑制することができる。また、第1透明電極層20aと第2透明電極層20bとは連続的に形成することが好適である。また、第2透明電極層20bの膜厚は、第1透明電極層20aの膜厚より薄くすることが好ましい。これにより、第2透明電極層20bのテクスチャ形状は、第1透明電極層20aのテクスチャ形状を反映したものとなり、第1透明電極層20aと第2透明電極層20bとの界面や第2透明電極層20bと充填層22との界面において光を効果的に散乱させ、光閉じ込め効果を高めることができる。また、第1透明電極層20aの導電率は、第2透明電極層20bの導電率より高くすることが好適である。これにより、第2透明電極層20bの膜厚を第1透明電極層20aの膜厚より薄くした場合でも、裏面透明電極層20として必要な導電性を確保することができる。また、第2透明電極層20bの屈折率は、第1透明電極層20aの屈折率より小さくすることが好適である。特に、第2光電変換ユニット18を透過してくる光の波長は主に700nm以上1200nm以下であるので、この波長範囲において第2透明電極層20bの屈折率が第1透明電極層20aの屈折率より小さくなるようにすることが好適である。例えば、第2透明電極層20bに第1透明電極層20aより多くのマグネシウムMgを添加することによって、第2透明電極層20bの屈折率を第1透明電極層20aの屈折率より小さくすることができる。これにより、第2光電変換ユニット18側から透過してくる光を第1透明電極層20aと第2透明電極層20bとの界面において効果的に反射させることができ、光閉じ込め効果を高めることができる。複数の光電変換セルを直列に接続する構造とする場合、裏面透明電極層20は、第2のスリットに埋め込まれ、第2のスリット内で裏面透明電極層20と透明電極層12とが電気的に接続される。さらに、裏面透明電極層20に第3のスリットを形成して短冊状にパターニングする。第3のスリットは、裏面透明電極層20,第2光電変換ユニット18,中間層16,第1光電変換ユニット14を貫いて透明電極層12に到達するように形成する。第3のスリットは、第1のスリットとの間に第2のスリットを挟む位置に形成する。第3のスリットは、レーザ加工により形成することができる。例えば、第2のスリットの位置から50μm横の位置にYAGレーザを照射して第3のスリットを形成する。YAGレーザは、エネルギー密度0.7J/cm2、パルス周波数4kHzのものを用いることが好適である。第3のスリットの線幅は、10μm以上200μm以下とすることが好適である。さらに、レーザ加工により光起電力装置100の周辺に周辺領域と発電領域とを分離する溝を形成する。充填層22は、光起電力装置100の裏面側を封止材24により封止するために使用される。充填層22は、エチレンビニルアセテートEVAやポリビニルブチラートPVB等の樹脂を主成分とし、それに反射性の粒子を含有させたものとする。封止材24は、ガラス基板やプラスチックシート等の機械的及び化学的に安定な材料とすることが好ましい。充填層22を塗布した裏面透明電極層20上を封止材24で覆い、150°C程度の温度に加熱しつつ裏面透明電極層20へ向かって封止材24に約100kPaの圧力を加えることによって封止を行うことができる。これによって、光起電力装置100の発電層への水分等の浸入を抑制することができる。充填層22は、太陽電池100の裏面側を封止材24により封止するために使用される。充填層22は、図2の模式図に示すように、エチレンビニルアセテートEVAやポリビニルブチラートPVB等の樹脂22aを主成分とし、それに反射性の粒子22bを含有させたものとする。封止材24は、ガラス基板やプラスチックシート等の機械的及び化学的に安定な材料とすることが好ましい。充填層22を塗布した第2透明電極層20b上を封止材24で覆い、150°C程度の温度に加熱しつつ第2透明電極層20bへ向かって封止材24に約100kPaの圧力を加えることによって封止を行うことができる。これによって、太陽電池100の発電層への水分等の浸入を抑制することができる。粒子22bは、光を反射する材料を含んで構成され、特に第1光電変換ユニット14及び第2光電変換ユニット18を透過し得る波長の光を反射する材料を含んで構成されることが好適である。例えば、粒子22bは、酸化チタン、酸化ケイ素等の反射性の材料から構成することが好適である。本実施の形態では、図2の拡大断面図に示すように、充填層22に含まれる粒子22bの形状が第2透明電極層20bの受光面側に反映される。すなわち、封止材24により太陽電池100の裏面を封止する際に、充填層22に含まれる粒子22bによって第2透明電極層20bが型押しされ、充填層22の表面の粒子22bの凹凸形状が第2透明電極層20bの受光面側に反映される。粒子22bの径は、第2透明電極層20bの受光面側の凹凸が反射させたい光の波長と同程度の大きさになるように設定することが好ましい。シリコンを光電変換領域に利用した太陽電池100では、粒子22bの径は200nm以上1500nm以下であることが好適である。特に、a-Siユニットである第1光電変換ユニット14とμc-Siユニットである第2光電変換ユニット18とのタンデム型の太陽電池100やμc-Siユニットのみのシングル型の太陽電池では、第2光電変換ユニット26を透過してくる光の波長は主に700nm以上1200nm以下であるので、粒子22bの径は700nm以上1200nm以下とすることが好適である。また、a-Siユニットのみのシングル型の太陽電池の場合、粒子22bの径は500nm以上1000nm以下とすることが好適である。ここで、粒子22bの径とは、粒子22bの粒径の平均値であり、例えば、断面電子顕微鏡観察SEM、断面透過電子顕微鏡観察TEMにおいて観察される粒子22bの粒径の平均値を平均粒径として求めることができる。すなわち、粒子22bの平均粒径は、200nm以上1500nm以下であることが好適であり、μc-Siユニットを含む場合には700nm以上1200nm以下が特に好適であり、a-Siユニットのみのシングル型の太陽電池の場合には500nm以上1000nmが特に好適である。第2透明電極層20bの膜厚は、粒子22bによる凹凸が受光面側に反映される程度に薄くする。例えば、第2透明電極層20bの膜厚は、50nm以上100nm以下とすることが好適である。第2透明電極層20bの膜厚が100nmよりも厚い場合には、充填層22に含まれる粒子22bによって第2透明電極層20bが型押しされても、充填層22の表面の粒子22bの凹凸形状が第2透明電極層20bの受光面側に反映されなくなる。また、第2透明電極層20bの膜厚が50nmよりも薄い場合には、充填層22に含まれる粒子22bによって第2透明電極層20bが型押しされると、第2透明電極層20bが破断される部分が生じ易くなり、第2透明電極層20bの受光面側の形状を充填層22の表面の粒子22bの凹凸形状に沿ったものに形成できなくなる。このような構成とすることで、第2透明電極層20bへ到達した光は、第2透明電極層20bの表面の凹凸によって散乱反射されて再び第2光電変換ユニット18及び第1光電変換ユニット14へ入射する。すなわち、第2透明電極層20bの表面の凹凸形状によって、反射される光の量とその光路長を高めることができ、太陽電池100の短絡電流密度Iscを向上させることができる。例えば、短絡電流Iscは、粒子22bを含まない構成に比べて1.03倍程度になり、3程度増加させることができることを確認した。また発電効率ηは、粒子22bを含まない構成に比べて1.05倍程度になり、5程度増加させることができることを確認した。第1透明電極層20aと充填層22との間に、第1透明電極層20aより吸湿性の低い層である第2透明電極層20bを設けたことで、充填層22を浸潤してくる水分が第1透明電極層20aに到達し難くなり、第1透明電極層20aの吸湿による特性の劣化を抑制することができる。なお、本発明の適用範囲はこれらの光起電力装置に限定されるものではなく、シリコン以外の半導体を用いた光起電力装置、単結晶型光起電力装置、色素増感光起電力装置等にも同様に適用することができる。"