シリコン基板上に、前記シリコン基板側から順にシリコン酸化膜、自立薄膜が積層された構造であり、前記自立薄膜は前記シリコン酸化膜よりもヤング率が大きく、かつ引張応力を有することを特徴とする電子顕微鏡に用いる絞り装置。前記自立薄膜は、シリコン窒化膜を含み、厚みが0.1μm以上1.0μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子顕微鏡に用いる絞り装置。前記自立薄膜は、シリコン窒化膜を含み、前記シリコン窒化膜は、前記シリコン酸化膜の一部に支持され、前記シリコン窒化膜と前記シリコン酸化膜の一部の合計の厚みが0.25μm以上5.0μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子顕微鏡に用いる絞り装置。前記自立薄膜は、前記シリコン酸化膜の一部に支持され、前記シリコン酸化膜に支持されない領域において前記シリコン基板側に露出面を有し、前記露出面は円形の領域であることを特徴とする請求項2または3に記載の電子顕微鏡に用いる絞り装置。シリコン基板上に、前記シリコン基板側から順にシリコン酸化膜、シリコン膜が積層されたSOI基板からなり、前記シリコン基板及び前記シリコン酸化膜の一部は切欠かれており、前記シリコン膜は前記シリコン酸化膜に支持されていない領域において前記シリコン基板側に露出面を有し、前記シリコン基板及び前記シリコン酸化膜に支持されていない前記シリコン膜の厚さが0.2μm以上50μm以下であることを特徴とする電子顕微鏡に用いる絞り装置。シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、前記シリコン酸化膜上に、前記シリコン酸化膜よりもヤング率が大きく、かつ引張応力を有する薄膜を形成し、前記薄膜上に第1のマスクを形成し、前記第1のマスクをエッチングマスクとして、前記薄膜及び前記シリコン酸化膜に第1のエッチングを行い、前記第1のエッチングが行われた前記シリコン基板に第2のマスクを形成し、前記第2のマスクをエッチングマスクとして前記シリコン基板を厚さ方向にエッチングする第2のエッチングを行い、前記シリコン基板で支持されていない前記薄膜からなる自立薄膜を形成することを特徴とする電子顕微鏡に用いる絞り装置の製造方法。そこで、本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、絞り孔の形状が安定し、絞りの寸法精度が保たれた電子顕微鏡に用いる絞り装置を提供することにある。本発明は、絞り孔の形状が安定し、絞りの寸法精度が保たれた電子顕微鏡に用いる絞り装置を簡便に製造できる電子顕微鏡に用いる絞り装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置は、シリコン基板上に、前記シリコン基板側から順にシリコン酸化膜、自立薄膜が積層された構造であり、前記自立薄膜は前記シリコン酸化膜よりもヤング率が大きく、かつ引張応力を有することを特徴とする。これにより、シリコン酸化膜の圧縮応力に対応する引張応力を有する自立薄膜を成膜することで膜の歪みが抑えられ、絞り孔の形状が安定し、絞りの寸法精度が保つことができる。前記自立薄膜は、シリコン窒化膜を含み、厚みが0.1μm以上1.0μm以下であってもよい。シリコン窒化膜はシリコン酸化膜の圧縮応力に対応する引張応力を有するため、絞り孔の形状が安定し、絞りの寸法精度を保つことができる。前記自立薄膜は、シリコン窒化膜を含み、前記シリコン窒化膜は、前記シリコン酸化膜の一部に支持され、前記シリコン窒化膜と前記シリコン酸化膜の一部の合計の厚みが0.25μm以上5.0μm以下であってもよい。これにより、自立薄膜とシリコン酸化膜との相性よく構成される。前記自立薄膜は、前記シリコン酸化膜の一部に支持され、前記シリコン酸化膜に支持されない領域において前記シリコン基板側に露出面を有し、前記露出面は円形の領域であってもよい。また、本発明の他の実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置は、シリコン基板上に、前記シリコン基板側から順にシリコン酸化膜、シリコン膜が積層されたSOI基板からなり、前記シリコン基板及び前記シリコン酸化膜の一部は切欠かれており、前記シリコン膜は前記シリコン酸化膜に支持されていない領域において前記シリコン基板側に露出面を有し、前記シリコン基板及び前記シリコン酸化膜に支持されていない前記シリコン膜の厚さが0.2μm以上50μm以下であることを特徴とする。これにより、膜の歪みがなく、開口寸法が精度良くできるとともに、絞り装置の機械的強度を上げることができる。また、SOI基板を用いることで簡便な製造が可能である。また、本発明の他の実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の製造方法は、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、前記シリコン酸化膜上に、前記シリコン酸化膜よりもヤング率が大きく、かつ引張応力を有する薄膜を形成し、前記薄膜上に第1のマスクを形成し、前記第1のマスクをエッチングマスクとして、前記薄膜及び前記シリコン酸化膜に第1のエッチングを行い、前記第1のエッチングが行われた前記薄膜及び前記シリコン基板に第2のマスクを形成し、前記第2のマスクをエッチングマスクとして前記シリコン基板を厚さ方向にエッチングする第2のエッチングを行い、前記シリコン基板で支持されていない前記薄膜からなる自立薄膜を形成することを特徴とする。これにより、電子顕微鏡に用いる絞り装置を従来よりも少ないエッチング回数で形成できる。本発明により、絞り孔の形状が安定し、絞りの寸法精度が保たれた電子顕微鏡に用いる絞り装置が提供される。また、本発明により、形状が安定し、絞りの寸法精度が保たれた電子顕微鏡に用いる絞り装置を一括で大量に形成できる電子顕微鏡に用いる絞り装置の製造方法が提供される。以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながらいくつかの実施形態として説明する。なお、本発明は、これらの実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行なって実施することが可能である。また、図面においては、幅および高さなどは誇張している場合があり、実際の幅および高さなどの間の割合を正確に示していない場合がある。更に、同様の機能を有する部材には同じ符号を用い、説明を省略する場合がある。実施形態1図1は、本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の構成を示す概要図である。図1を参照すると、本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置100は、シリコン基板110、シリコン酸化膜120、シリコン窒化膜130を備える。シリコン酸化膜120及びシリコン窒化膜130は、シリコン基板110上にシリコン基板110側から順に積層されている。シリコン窒化膜130のシリコン基板110側の面、すなわちシリコン酸化膜120と接する面において、シリコン窒化膜130のシリコン酸化膜120が積層されていない露出面が平面視円形であり、円形領域140が形成されている。円形領域140の中心部には孔150が形成されている。孔150は少なくとも1つ存在すればよく、その数、大きさ、配置等は適宜設定することができる。円形領域140において、孔150が形成されたシリコン窒化膜130が単体として存在している。なお、シリコン窒化物130が単体として存在する領域の形状は、円形に限らず矩形状等であってもよいが、他の領域との境界に生じる応力の集中を緩和するためには円形とすることが好ましい。シリコン基板110はエッチングして開口され、孔150の方向へ向かって径が絞られている。シリコン基板110のエッチングされた面は、異方性エッチングにより形成された形状、又は等方性エッチングにより形成された形状であってもよい。好ましくは、等方性エッチングにより形成された円弧Rを描いた形状を有するものとする。この形状によりシリコン酸化膜120及びシリコン窒化膜130のたるみを吸収することができる。シリコン基板110の開口部の最も開いた箇所の径a-a’は、シリコン基板110の厚さの約2倍以上2.5倍以下でよく、厚さが約400μmの場合に約800μm以上1000μm以下である。孔150の大きさに特に制限はないが、例えば直径30μmで設けられてもよい。シリコン基板110を、例えば厚さ400μm、シリコン酸化膜120を100nm以上500nm以下の膜厚とした場合に、シリコン窒化膜130は薄すぎると強度が低くなり、厚すぎるとその引張応力で割れてしまうため、0.1μm以上1μm以下の膜厚としてもよい。シリコン窒化膜130は、自立薄膜として用いられる。自立薄膜であるシリコン窒化膜130は、シリコン酸化膜120の有する圧縮応力を相殺する引張応力を有し、シリコン酸化膜120の歪みの発生を抑える。シリコン窒化膜130の引張応力は、シリコン酸化膜120の圧縮応力の値に応じて適宜設定すればよい。シリコン酸化膜の圧縮応力が-100MPa以上-400MPa以下である場合には、100MPa以上2000MPa以下の範囲とするとよい。引張応力の値は、レーザー光線を用いて基板の反り曲率半径を測定し、その測定値と既知の定数を用いて算術変換した値を膜応力の値とすることにより測定する。自立薄膜として用いる材料は、シリコン酸化膜よりもヤング率が大きく、引張応力を有する材料であり、例えば、TiやCrであってもよい。ここで、シリコン酸化膜のヤング率は60GPa以上80GPa以下程度であることから、自立薄膜として用いる材料のヤング率は、好ましくは100Gpa以上350Gpa以下の範囲で設定するとよい。例えば、シリコン窒化膜であれば、220GPa以上320GPa以下の範囲で設定するとよい。なお、図1と異なり、自立薄膜として窒化シリコンではなく、他の材料を用いてもよい。TiやCrを用いる場合、その膜厚は0.06μm以上0.1μm以下でよい。Tiであれば100GPa以上110GPa以下、Crであれば220GPa以上260GPa以下とするとよい。なお、ヤング率の値は、エリオニクス社製の超微小押し込み硬さ試験機ENT1100aにより測定する。シリコン窒化膜130等である自立薄膜を、シリコン酸化膜120よりもヤング率が大きいものとすることにより、本発明の一実施形態に係る絞り装置は、その機械的強度を高めることができる。また、シリコン酸化膜120が圧縮応力を有しているところ、その圧縮応力を相殺する引張応力を有しているため、絞り装置の歪みを抑え、絞りの寸法精度を保つことができる。シリコン基板110の一部及びシリコン酸化膜120の一部は、エッチング等により除去され、シリコン窒化膜130のシリコン酸化膜と接する面の一部である円形領域140はシリコン基板110及びシリコン酸化膜120に支持されない状態である。円形領域140の中心部には、孔150が形成されているが、この孔150が、電子顕微鏡において、絞り孔として用いられる。孔150の形状は、前述のとおり、シリコン酸化膜120及びシリコン窒化膜130の形状が安定しているため、その寸法精度が保たれる。なお、絞り装置100は、ここでは図示していないが、実際の使用に際して、その表面全体をTiやAuにより被膜して導電性を付与する。被膜は、例えばスパッタリングにより形成され、その膜厚は、例えばTiの場合50nm以上100nm以下、Auの場合130nm程度の膜厚としてもよい。次に、本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の製造工程を、図2を参照して説明する。図2は、本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の製造工程を示す概要図である。図2を参照すると、まず、シリコン基板110が用意されるa。ここで、シリコン基板110の基板厚さは例えば400μmである。シリコン基板110上に、熱酸化処理を施してシリコン酸化膜120を形成するb。シリコン酸化膜120の膜厚は、例えば100nm以上400nm以下である。シリコン酸化膜120上に、CVDChemicalVaporDeposition法によりシリコン窒化膜130を成膜するc。シリコン窒化膜130の引張応力は、シリコン酸化膜120の圧縮応力の値に応じて適宜設定すればよいが、例えば100MPa以上2000MPa以下の範囲としてもよい。圧縮応力の値は、ガス流量、圧力、成膜温度等の成膜パラメーターを調整して、適宜上記数値範囲となるようにすればよい。シリコン窒化膜130の膜厚は、例えば500nm以上1000nm以下である。なお、ここで、シリコン窒化膜130は自立薄膜の一例であり、上述したとおり、シリコン酸化膜120よりヤング率が大きく引張応力を有する材料をスパッタ法や蒸着法等により成膜してもよい。シリコン窒化膜130上に、フォトレジストによりマスク10を形成しd、該マスクをエッチングマスクとして、シリコン酸化膜120、シリコン窒化膜130をシリコン基板110の厚さ方向へと第1のエッチングを行うe。シリコン基板110には図示省略しているが、個々の絞り装置を作製するためのマスクが多面付けで形成されている。第1のエッチングは、孔の加工精度を高めるために異方性エッチングを行うことが好ましい。そのようなエッチング方法として、例えばCF4をエッチングガスとして用いたリアクティブイオンエッチングRIEである。なお、エッチングガスはエッチングする対象により適宜選択すればよい。このエッチングにより、シリコン窒化膜130及びシリコン酸化膜120に孔150を形成する。このとき、個々の絞り装置に個片化するためのダイシングライン図示せずをあわせて形成してもよい。ここで、孔150の径は例えば30μmとする。また、この工程の前後のタイミングにおいて、アラインメントマーク図示せずをシリコン基板110に形成してもよい。シリコン基板110のシリコン酸化膜120、シリコン窒化膜130が形成されていない側にマスク20を形成しf、第2のエッチングを行う。このエッチングにより、シリコン基板110及びシリコン酸化膜120の一部が取り除かれ、円形領域140が形成されるg。第2のエッチングは、異方性エッチング又は等方性エッチングにより行ってもよいが、等方性エッチングにより行うことが円弧Rを形成することができるので好ましい。等方性エッチングでは、ドライエッチング又はウェットエッチングにより行ってもよい。好ましくはエッチングガスとして、SF6を用い、等方性のドライエッチングにより行う。SF6を用いた等方性エッチングを行うことにより、エッチングを短い時間で行うことができるとともに、シリコン基板のエッチング箇所Rを円弧状に丸く残すことができ、シリコン基板110が応力の変化を受けづらくなり、絞り装置100の形状を安定させることができる。第2のエッチングを行った後、TiまたはAuによりスパッタリングを行い、絞り装置100を導電材料で被膜するh。これにより、絞り装置100に導電性が付与される。例えば、Tiの場合には50nm以上100nm以下、Auの場合には130nm程度の厚さの被膜を行ってもよい。スパッタリングを行った後、絞り装置100のダイシングを行い、面付けごとに個片化して製造工程を終了する。以上より、複数の絞り装置100を一括して生産することができる。従来は、例えば図8に示すような絞り装置を製造する工程において、シリコン基板の上部及び下部に熱酸化処理を行い、シリコン酸化膜を形成する工程、シリコン基板上部のシリコン酸化膜をエッチングする第1エッチング工程、シリコン基板上部をさらに一部酸化させて保護層を設ける工程、シリコン基板下部のシリコン酸化膜をエッチングする第2エッチング工程、シリコン基板をエッチングする第3エッチング工程、シリコン基板に設けた保護層をエッチングする第4エッチング工程、シリコン基板をさらにエッチングする第5エッチング工程を経て絞り装置が形成されていた。一方、本発明の上述した製造工程においては、従来と比べエッチング回数が少なくかつ複雑な工程をふまないため、簡便かつ安価に絞りの寸法制度が保たれた絞り装置を作製することができる。絞り装置は、多面付けで配置された状態で作製され、その後個片化するので一括で大量に形成することができる。なお、図3に示すように、図2aから図2dと同様の工程図3a~図3dを行い、図2eの工程の際に、シリコン窒化膜130を貫通させつつ、シリコン酸化膜120を貫通させない程度のエッチングを行い、孔150を形成してもよいe’。この場合、エッチング後に、シリコン基板110のシリコン酸化膜120、シリコン窒化膜130が形成されていない側にマスク20を形成しf’、シリコン基板110に対して、第2のエッチングを行う。このエッチングにより、シリコン基板110の一部を取り除いてシリコン酸化膜120を露出させるg1。シリコン基板110の一部を取り除く際、等方性エッチングのみ、又は異方性エッチングと等方性エッチングの組合せにより行ってもよい。その後、異方性エッチングを行い、シリコン酸化膜120の一部を取り除き、円形領域140が形成され、孔150がシリコン基板110側に貫通するg2。このエッチングは、例えばCF4をエッチングガスとしたリアクティブイオンエッチングである。図2hと同様に、TiまたはAuによりスパッタリングを行い、絞り装置100を被膜するh。次に、本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の変形例を図4を参照しつつ説明する。図4は、本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の変形例の構成を示す概要図である。図4を参照して説明する本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の変形例においては、図1を参照して説明した本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置100とほぼ同様の構成を有する。違いとして、図1を参照して説明した本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡においては、シリコン酸化膜120が一部取り除かれて形成されていた円形領域140において、本変形例では、シリコン酸化膜120がハーフエッチングにより膜厚が薄くなった状態である。本明細書では、ハーフエッチングとはエッチングする対象物の一部を残すようにエッチングを行うことを意味する。円形領域140において、シリコン窒化膜130は、シリコン基板110に支持されず、他の部分よりも薄い状態のシリコン酸化膜120に支持されている。シリコン酸化膜120及びシリコン窒化膜130は、シリコン基板110上に順次積層されている。シリコン窒化膜130のシリコン基板110側の面、すなわちシリコン酸化膜と接する面で、シリコン窒化膜130のシリコン酸化膜120が積層されていない円形領域140が形成される。円形領域140の中心部には孔150が形成されている。自立薄膜にシリコン窒化膜130を用いる場合、シリコン窒化膜130が孔150から水平方向へ後退することによりメンブレン強度が下がる場合があるが、本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の変形例においては、かかる後退に対応することができる。シリコン窒化膜130の後退に対応し、かつ絞り装置の寸法精度を保つためには、円形領域140におけるシリコン酸化膜120とシリコン窒化膜130の合計厚さは、0.25μm以上5.0μm以下であることが好ましい。次に、本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の変形例の製造工程を図5を参照しつつ説明する。図5の工程は、ほぼ図3に示した製造工程と同様であり、図2及び図3を参照して説明した内容と同様の内容については、一部省略する。図5を参照すると、まず、シリコン基板110が用意されるa。ここで、シリコン基板110の基板厚さは例えば400μmである。シリコン基板110上に、シリコンに熱酸化処理を加えてシリコン酸化膜120を形成するb。シリコン酸化膜120の膜厚は、例えば100nm以上400nm以下である。シリコン酸化膜120上に、シリコン窒化膜130を成膜するc。シリコン窒化膜130の膜厚は、例えば500nm以上1000nm以下である。シリコン窒化膜130上に、マスク10を形成しd、該マスクをエッチングマスクとして、シリコン基板110、シリコン酸化膜120、シリコン窒化膜130をシリコン基板110の厚さ方向へと第1のエッチングを行う。シリコン窒化膜130を貫通させつつ、シリコン酸化膜120を貫通させない程度のエッチングを行い、孔150を形成するe’。エッチング後に、シリコン基板110のシリコン酸化膜120、シリコン窒化膜130が形成されていない側にマスク20を形成しf’、シリコン基板110に対して、第2のエッチングを行う。このエッチングにより、シリコン基板110の一部を取り除いてシリコン酸化膜120を露出させるg1。シリコン基板110の一部を取り除く際、等方性エッチングのみ、又は異方性エッチングと等方性エッチングの組合せにより行ってもよい。異方性エッチングを行い、シリコン酸化膜120の一部をハーフエッチングし、円形領域140が形成され、孔150が工程g1によりシリコン基板110が取り除かれた箇所へと貫通するg2。図3e’においてシリコン酸化膜120を貫通させない程度にエッチングを行っているため、シリコン基板110側からシリコン酸化膜120をエッチングし、孔150が形成された時点でエッチングを停止すれば、シリコン酸化膜120の一部がハーフエッチングされた状態となる。図3g2と異なり、シリコン酸化膜120がハーフエッチングして残される。その後、TiまたはAuによりスパッタリングを行い、絞り装置100を被膜するh。スパッタリングを行った後、絞り装置100のダイシングを行い、製造工程を終了する。この製造工程においては、上述した従来の絞り装置の製造工程と比べ、エッチング回数が少なくかつ複雑な工程をふまないため、形状が安定し、絞りの寸法精度が保たれた電子顕微鏡に用いる絞り装置を一括で大量に形成することができる。また、自立薄膜におけるシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の積層構造を特別なプロセスを入れることなく形成することができるため、簡便に後退が抑制された絞り装置を作成することができる。次に、本発明の他の実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の構成を図6を参照しつつ説明する。図6は、本発明の他の実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の構成示す概要図である。図6を参照すると、本発明の他の実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置200は、シリコン基板210、シリコン酸化膜220、シリコン膜230を備える。シリコン酸化膜220及びシリコン膜230は、シリコン基板210上に順次積層されている。例えば、貼り合せ法又はSIMOX法により製造されたSOI基板を用いることができる。シリコン基板210は支持性を有する厚さであればよい。シリコン酸化膜220は後述するエッチングにおけるエッチングストッパとして機能する厚さであればよい。シリコン膜230の厚さは、単体として自立薄膜の強度を維持できる厚さに設定されていれば制限はないが、例えば0.2μm以上50μm以下である。材料の入手しやすさから0.5μm以上20μm以下の範囲であることが好ましい。シリコン膜のヤング率は130GPa以上190GPa以下であり、シリコン酸化膜よりもヤング率が大きい。シリコン膜230のシリコン基板210側の面、すなわちシリコン酸化膜220と接する面で、シリコン膜230のシリコン酸化膜220が積層されていない円形領域240が形成される。円形領域240の中心部には孔250が形成されている。シリコン基板210はエッチングされ、孔250の方向へ向かって円弧Rを描いた形状を有する。シリコン膜230は必要に応じて不純物が注入されて、内部応力を圧縮応力としてもよい。シリコン膜230を圧縮応力とすることで、シリコン膜230において発生する応力とシリコン酸化膜220において発生する応力とで応力が調整され、絞り装置200に発生する歪みの発生を抑えることができ、孔250の寸法精度を高めることができる。また、シリコン酸化膜220と合わせてシリコン膜230を用いることにより、絞り装置200の機械的強度を高めることができる。また、SOI基板を用いることにより、基板自体の準備が容易であり、シリコン基板上への成膜工程を新たに行う必要がないため、製造が簡便になる。シリコン基板210の一部及びシリコン酸化膜220の一部は、エッチング等により切り欠かれ、シリコン膜230のシリコン酸化膜220と接する面の一部である円形領域240はシリコン基板210及びシリコン酸化膜220に支持されない状態である。円形領域240の中心部には、孔250が形成されているが、この孔250が、電子顕微鏡において、絞り孔として用いられる。孔250の形状は、前述のとおり、シリコン酸化膜220及びシリコン膜230の形状が安定しているため、その寸法精度が保たれる。孔250は、例えば直径約30μmで設けられてもよい。なお、絞り装置200は、ここでは図示していないが、実際の使用に際して、その表面全体をTiやAuにより被膜されて用いられる。被膜は、スパッタリングにより行われてもよく、例えばTiの場合50nm以上100nm以下、Auの場合130nm程度の膜厚としてもよい。次に、本発明の他の実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の製造工程を、図7を参照して説明する。図7は、本発明の他の実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の製造工程を示す概要図である。図7を参照すると、まず、SOI基板200が用意されるa。ここで、SOI基板200は、例えば、シリコン基板210の厚さ400μm、シリコン酸化膜220の厚さ1μm、シリコン膜230の厚さ5μmのSOI基板である。シリコン膜230上に、マスク30を形成しb、該マスクをエッチングマスクとして、SOI基板200をその厚さ方向へと第1のエッチングを行うc。シリコン膜230上には図示省略しているが、個々の絞り装置を作製するためのマスクが多面付けで形成されている。第1のエッチングは同一のエッチング装置で、エッチングガスを切替えて行えばよい。このエッチングにより、シリコン膜230及びシリコン酸化膜220に孔250を形成する。なお、上記実施形態と同様にシリコン酸化膜に貫通しない程度にエッチングしておき、後に開口させて孔250を形成してもよい。このとき、個々の絞り装置に個片化するためのダイシングライン図示せずをあわせて形成してもよい。ここで、孔150の径は例えば30μmとする。また、この工程の前後のタイミングにおいて、アラインメントマーク図示せずをSOI基板200に形成してもよい。エッチング後に、シリコン基板210のシリコン膜230が形成されていない側にマスク40を形成しd、第2のエッチングを行う。このエッチングにより、シリコン基板210の一部が取り除かれるe。第2のエッチングには、エッチングガスとして、SF6を用いたリアクティブイオンエッチングを行ってもよい。SF6を用いたリアクティブイオンエッチングを行うことにより、エッチングを短い時間で行うことができるとともに、シリコン基板210のエッチング箇所Rを円弧状に丸く残すことができ、シリコン基板210が応力の変化を受けづらい形状となり、絞り装置200の形状を安定させることができる。第2のエッチングを行った後、さらに異方性エッチングを行い、シリコン酸化膜220の一部を取り除き、円形領域240が形成され、孔250がシリコン基板210側に貫通するf。このエッチングは、例えばCF4をエッチングガスとしたリアクティブイオンエッチングである。TiまたはAuによりスパッタリングを行い、絞り装置100を被膜するg。これにより、絞り装置200の表面が保護される。例えば、Tiの場合には50nm以上100nm以下、Auの場合には130nm程度の厚さの被膜を行ってもよい。スパッタリングを行った後、ダイシングライン及びアラインメントマークにしたがって絞り装置200のダイシングを行い、面付けごとに個片化して製造工程を終了する。以上より、複数の絞り装置200を一括して生産することができる。この製造工程においては、市販のSOI基板を用いることにより、従来と比べ工程数が少なく、かつシリコン膜230をメンブレンとして用いるため機械的強度が高く、形状が安定し、絞りの寸法精度が保たれた電子顕微鏡に用いる絞り装置を一括で大量に形成することができる。また、全てのエッチングをRIEなどのドライエッチングとすることで、ウェットエッチングを用いる場合と比べ、より絞りの寸法精度を保つことができる。以上のように、本発明により、応力が調整されて絞り孔の形状が安定して絞りの寸法精度が保たれ、かつメンブレンの機械的強度も高い電子顕微鏡に用いる絞り装置及びかかる絞り装置を一括で大量に形成できる電子顕微鏡に用いる絞り装置の製造方法が提供される。