"一般式V式中、R1は負の電荷、水素、又は直鎖状又は分枝鎖状の脂肪族基、アリール基、アラルキル基及びアルキル-アリール基から選択される基を表すによる、2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-カルボン酸、又はその誘導体。R1がC1~12-アルキル基を表すことを特徴とする、請求項1に記載の2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-カルボン酸エステル。R1がメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、n-ペンチル、ネオペンチル、n-ヘキシル、2-エチル-n-ヘキシル、n-ラウリル、シクロヘキシル、フェニル及びベンジルから選択されることを特徴とする、請求項1に記載の2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-カルボン酸エステル。4-メトキシカルボニル-2-オキソ-1,3-ジオキソラン及び4-エトキシカルボニル-2-オキソ-1,3-ジオキソランから選択される、請求項1に記載の2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-カルボン酸エステル。R1がn価ポリオールのOH基の引き抜きによって誘導されるn価の遊離基であり、該基が一般式VIのn-1個以下の更なる2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-カルボキシレート基によって置換されてよいことを特徴とする、請求項1に記載の2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-カルボン酸エステル。n価ポリオールがC2~4-ポリオキシアルキレン基を含むことを特徴とする、請求項5に記載の2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-カルボン酸エステル。n=2~5であることを特徴とする、請求項5又は6に記載の2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-カルボン酸エステル。式VII式中、R1は前記の意味を有するのエポキシドがCO2と反応することを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載の2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-カルボン酸エステルの製造方法。反応が15°C~150°C、好ましくは30°C~100°C、特に60°C~80°Cの温度で、且つ1バール~100バール、好ましくは20バール~100バール、特に約80バールの圧力で実施されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。反応が溶媒なしで又は極性の非プロトン溶媒中で実施されることを特徴とする、請求項8又は9に記載の方法。反応が、金属ハロゲン化物及び有機窒素化合物のハロゲン塩及びその混合物から選択される触媒の存在下で実施されることを特徴とする、請求項8から10までのいずれか1項に記載の方法。請求項2から4までのいずれか1項に記載の2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-カルボン酸エステルが請求項5から7までのいずれか1項に規定されるn価ポリオールとエステル交換されることを特徴とする、請求項5から7までのいずれか1項に記載の2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-カルボン酸エステルの製造方法。エステル交換反応が酵素触媒又は酸性カチオン交換体の存在下で実施されることを特徴とする、請求項12に記載の方法。請求項1から7までのいずれか1項に記載の2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-カルボン酸エステルの、ヒドロキシウレタンの製造のための使用。請求項1から4までのいずれか1項に記載の2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-カルボン酸エステルの、アミンをブロックするための末端基としての使用。"