1第1の最小分離幅を有する幅狭部と、前記第1の最小分離幅よりも広い第2の最小分離幅を有する幅広部とを含むトレンチが形成された半導体基板上に、シリコン酸化物ライナーを形成する工程と、2前記シリコン酸化物ライナー上に酸化障壁膜を形成する工程と、3前記酸化障壁膜上にシリコンライナーを形成する工程と、4前記トレンチの幅狭部を第1の埋め込み材によって埋め込む工程と、5前記トレンチの幅広部を第2の埋め込み材によって埋め込む工程と、6前記シリコンライナーを酸化する工程とを備えることを特徴とするトレンチの埋め込み方法。前記1の工程が、1A幅が狭い幅狭部と、幅が広い幅広部とを有するトレンチが形成された半導体基板にアミノシラン系ガスを供給し、前記半導体基板上に第1シード層を形成する工程と、1B前記第1シード層にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、前記第1シード層上にシリコン膜を形成する工程と、1C前記第1シード層及び前記シリコン膜を酸化し、シリコン酸化物ライナーを形成する工程とを含むことを特徴とする請求項1に記載のトレンチの埋め込み方法。前記3の工程が、3A前記酸化障壁膜にアミノシラン系ガスを供給し、前記酸化障壁膜上に第2シード層を形成する工程と、3B前記第2シード層にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、前記第2シード層上にシリコンライナーを形成する工程とを含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のトレンチの埋め込み方法。前記アミノシラン系ガスが、BASブチルアミノシランBTBASビスターシャリブチルアミノシランDMASジメチルアミノシランBDMASビスジメチルアミノシランTDMASトリジメチルアミノシランDEASジエチルアミノシランBDEASビスジエチルアミノシランDPASジプロピルアミノシラン、及びDIPASジイソプロピルアミノシランの少なくとも一つを含むガスから選ばれ、前記アミノ基を含まないシラン系ガスが、SiH4Si2H6SimH2m2ただし、mは3以上の自然数の式で表されるシリコンの水素化物、及びSinH2nただし、nは3以上の自然数の式で表されるシリコンの水素化物の少なくとも一つを含むガスから選ばれることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のトレンチの埋め込み方法。前記3Bの工程が、3B1前記第2シード層を形成した後、モノシランよりも高次のシラン系ガスを供給し、前記第2シード層上にシリコンライナーを形成する工程3B2前記第2シード層を形成した後、モノシランよりも高次のシラン系ガスを供給して第2シード層表面にシリコンを薄く吸着させ、前記高次のシラン系ガスよりも低次のシラン系ガスを供給し、前記表面に薄くシリコンが吸着された前記第2シード層上にシリコンライナーを形成する工程、及び3B3前記第2シード層を形成した後、モノシランを供給し、前記第2のシード層上にシリコンライナーを形成する工程のいずれか1つであることを特徴とする請求項3に記載のトレンチの埋め込み方法。前記シリコンライナーの膜厚を3nm未満に設定する場合、前記3B1の工程が選択され、前記シリコンライナーの膜厚を3nm以上5nm未満に設定する場合、前記3B2の工程が選択され、前記シリコンライナーの膜厚を5nm以上に設定する場合、前記3B3の工程が選択されることを特徴とする請求項5に記載のトレンチの埋め込み方法。前記2の工程に、ラジカル酸化を用いることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のトレンチの埋め込み方法。前記4の工程に、ALD法を用いることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のトレンチの埋め込み方法。前記5の工程に、SOG法、高密度プラズマCVD法、及び流動性CVD法のいずれか一つを用いることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のトレンチの埋め込み方法。前記6の工程において、前記トレンチの幅狭部に生じたシームをつぶすことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか一項に記載のトレンチの埋め込み方法。前記6の工程において、前記第2の埋め込み材を改質することを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか一項に記載のトレンチの埋め込み方法。前記6の工程に、ウェット酸化を用いることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか一項に記載のトレンチの埋め込み方法。1半導体基板に、メモリセル部において第1の最小分離幅を有する幅狭部と、周辺回路部において前記第1の最小分離幅よりも広い第2の最小分離幅を有する幅広部とを含むトレンチを形成する工程と、2前記トレンチが形成された半導体基板上に、シリコン酸化物ライナーを形成する工程と、3前記シリコン酸化物ライナー上に酸化障壁膜を形成する工程と、4前記酸化障壁膜上にシリコンライナーを形成する工程と、5前記メモリセル部の前記トレンチを第1の埋め込み材によって埋め込む工程と、6前記周辺回路部の前記トレンチを第2の埋め込み材によって埋め込む工程と、7前記シリコンライナーを酸化する工程とを備えることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。1第1の最小分離幅を有する幅狭部と、前記第1の最小分離幅よりも広い第2の最小分離幅を有する幅広部とを含むトレンチが形成された半導体基板上に、シリコン酸化物ライナーを形成する工程と、2前記シリコン酸化物ライナー上に酸化障壁膜を形成する工程と、3前記酸化障壁膜上に第1の埋め込み材を形成する工程と、4前記第1の埋め込み材上にシリコンライナーを形成する工程と、5前記トレンチの幅広部を第2の埋め込み材によって埋め込む工程と、6前記シリコンライナーを酸化し、前記トレンチの幅狭部を埋め込む工程とを備えることを特徴とするトレンチの埋め込み方法。1半導体基板に、メモリセル部において第1の最小分離幅を有する幅狭部と、周辺回路部において前記第1の最小分離幅よりも広い第2の最小分離幅を有する幅広部とを含むトレンチを形成する工程と、2前記トレンチが形成された半導体基板上に、シリコン酸化物ライナーを形成する工程と、3前記シリコン酸化物ライナー上に酸化障壁膜を形成する工程と、4前記酸化障壁膜上に第1の埋め込み材を形成する工程と、5前記第1の埋め込み材上にシリコンライナーを形成する工程と、6前記周辺回路部の前記トレンチを第2の埋め込み材によって埋め込む工程と、7前記シリコンライナーを酸化し、前記メモリセル部の前記トレンチを埋め込む工程とを備えることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。しかしながら、特許文献1では、結局のところ、トレンチの内部にSOD膜を形成する。このため、素子の高集積度化がさらに進展し、トレンチのアスペクト比がさらに大きくなってくると、SOD膜の改質不足、並びにSOD法によるトレンチ内部の埋め込みが困難になることが再発し、素子分離領域の絶縁性の低下が再び懸念されることが予想される。この発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、素子の高集積度化がさらに進展し、素子分離用のトレンチのアスペクト比が大きくなったとしても、素子分離領域の絶縁性の低下を抑制できるトレンチの埋め込み方法、及びそのトレンチの埋め込み方法を用いた半導体集積回路装置の製造方法を提供する。この発明の第1の態様に係るトレンチの埋め込み方法は、1第1の最小分離幅を有する幅狭部と、前記第1の最小分離幅よりも広い第2の最小分離幅を有する幅広部とを含むトレンチが形成された半導体基板上に、シリコン酸化物ライナーを形成する工程と、2前記シリコン酸化物ライナー上に酸化障壁膜を形成する工程と、3前記酸化障壁膜上にシリコンライナーを形成する工程と、4前記トレンチの幅狭部を第1の埋め込み材によって埋め込む工程と、5前記トレンチの幅広部を第2の埋め込み材によって埋め込む工程と、6前記シリコンライナーを酸化する工程とを備える。この発明の第2の態様に係る半導体集積回路装置の製造方法は、1半導体基板に、メモリセル部において第1の最小分離幅を有する幅狭部と、周辺回路部において前記第1の最小分離幅よりも広い第2の最小分離幅を有する幅広部とを含むトレンチを形成する工程と、2前記トレンチが形成された半導体基板上に、シリコン酸化物ライナーを形成する工程と、3前記シリコン酸化物ライナー上に酸化障壁膜を形成する工程と、4前記酸化障壁膜上にシリコンライナーを形成する工程と、5前記メモリセル部の前記トレンチを第1の埋め込み材によって埋め込む工程と、6前記周辺回路部の前記トレンチを第2の埋め込み材によって埋め込む工程と、7前記シリコンライナーを酸化する工程とを備える。この発明の第3の態様に係るトレンチの埋め込み方法は、1第1の最小分離幅を有する幅狭部と、前記第1の最小分離幅よりも広い第2の最小分離幅を有する幅広部とを含むトレンチが形成された半導体基板上に、シリコン酸化物ライナーを形成する工程と、2前記シリコン酸化物ライナー上に酸化障壁膜を形成する工程と、3前記酸化障壁膜上に第1の埋め込み材を形成する工程と、4前記第1の埋め込み材上にシリコンライナーを形成する工程と、5前記トレンチの幅広部を第2の埋め込み材によって埋め込む工程と、6前記シリコンライナーを酸化し、前記トレンチの幅狭部を埋め込む工程とを備える。この発明の第4の態様に係る半導体集積回路装置の製造方法は、1半導体基板に、メモリセル部において第1の最小分離幅を有する幅狭部と、周辺回路部において前記第1の最小分離幅よりも広い第2の最小分離幅を有する幅広部とを含むトレンチを形成する工程と、2前記トレンチが形成された半導体基板上に、シリコン酸化物ライナーを形成する工程と、3前記シリコン酸化物ライナー上に酸化障壁膜を形成する工程と、4前記酸化障壁膜上に第1の埋め込み材を形成する工程と、5前記第1の埋め込み材上にシリコンライナーを形成する工程と、6前記周辺回路部の前記トレンチを第2の埋め込み材によって埋め込む工程と、7前記シリコンライナーを酸化し、前記メモリセル部の前記トレンチを埋め込む工程とを備える。この発明によれば、素子の高集積度化がさらに進展し、素子分離用のトレンチのアスペクト比が大きくなったとしても素子分離領域の絶縁性の低下を抑制できるトレンチの埋め込み方法、及びそのトレンチの埋め込み方法を用いた半導体集積回路装置の製造方法を提供できる。以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。第1の実施形態図1はこの発明の第1の実施形態に係るトレンチの埋め込み方法のシーケンスの一例を示す流れ図である。図2A~図2Jは図1中のステップ1~7における基板の状態を概略的に示す断面図である。<ステップ1:トレンチの形成>本実施形態においては、シーケンスの一例を半導体集積回路装置の製造方法の一例に従って説明する。まず、図1中のステップ1に示すように、半導体基板の主表面にトレンチを形成する。本実施形態においては、図2Aに示すように、半導体基板、例えば、シリコン基板1の主表面に、幅が狭い幅狭部2Nと幅が広い幅広部2Wとを有する素子分離用のトレンチ2を形成する。幅狭部2Nにおける最小分離幅Dmin2Nは、幅広部2Wにおける最小分離幅Dmin2Wよりも狭い。このようなトレンチ2を備える半導体集積回路装置の例としては、内部にメモリセルを集積した半導体メモリ装置例えば、DRAMや一括消去型EEPROMなどや、メモリ混載型半導体集積回路装置例えば、メモリ混載システムLSIなどを挙げることができる。幅狭部2N及び幅広部2Wを有するトレンチ2が形成されたシリコン基板1の平面パターンの一例を図3に示す。図3に示すように、幅狭部2Nは、メモリセルが形成されるメモリセル部に見ることができる。また、幅広部2Wは、メモリセルにデータを読み書きする回路や、メモリセルへの書き込みデータ及びメモリセルからの読み出しデータの入出力を行うI/O回路などが形成される周辺回路部に見ることができる。素子分離用のトレンチ2によってシリコン基板1の主表面にメサ状に区画された領域は、将来、例えば、トランジスタのソース/ドレイン領域などが形成される素子活性領域3となる領域である。メモリセルは大きな記憶容量を確保するため、微細、かつ、数多く形成される。このため、メモリセル部における素子活性領域3は小さく形成され、この結果、トレンチ2の最小分離幅Dmin2Nも狭くされる。これに対して、周辺回路部のトランジスタは、その駆動能力等を勘案して設計されなければならない。このため、周辺回路部のトランジスタはメモリセルに比較して大きく形成される。このため、周辺回路部における素子活性領域3は、メモリセル部における素子活性領域3に比較して大きく形成され、この結果、トレンチ2の最小分離幅Dmin2Wも上記最小分離幅Dmin2Nに比較して広くされる。<ステップ2:シリコン酸化物ライナーの形成>次に、ステップ2に示すように、主表面にトレンチ2が形成されたシリコン基板1上に、シリコン酸化物ライナーを形成する。本実施形態においては、シリコン酸化物ライナーを形成するにあたり、素子活性領域3の減少を抑制する目的で、以下に説明する三つの手順によりシリコン酸化物ライナーを形成する。まず、図2Bに示すように、シリコン基板1の主表面上に、第1シード層4を形成する。具体的には、シリコン基板1を加熱し、加熱したシリコン基板1の表面にアミノシラン系ガスを流すことでシリコン基板1の主表面上に第1シード層4を形成する。アミノシラン系ガスの例としては、BASブチルアミノシランBTBASビスターシャリブチルアミノシランDMASジメチルアミノシランBDMASビスジメチルアミノシランTDMASトリジメチルアミノシラン、DEASジエチルアミノシラン、BDEASビスジエチルアミノシラン、DPASジプロピルアミノシラン、DIPASジイソプロピルアミノシラン等を挙げることができる。本例では、DIPASを用いた。第1シード層4を形成する際の処理条件の一例は、DIPAS流量:200sccm処理時間:1min処理温度:400°C処理圧力:133.3Pa1Torrである。第1シード層4を形成する工程は、シリコン原料をシリコン基板1の表面に吸着させやすくする工程である。本明細書では、第1シード層4を形成すると記載しているが、実際にはほとんど成膜されることはない。第1シード層4の厚さは、好ましくは単原子層レベルの厚さ程度であることが良い。具体的な第1シード層4の厚さを言及するならば、0.1nm以上0.3nm以下である。次に、図2Cに示すように、第1シード層4上にシリコン膜5を形成する。具体的には、第1シード層4が形成されたシリコン基板1を加熱し、加熱したシリコン基板1の表面にシリコン原料ガスを流すことで、第1シード層4上にシリコン膜5を形成する。シリコン原料ガスの例としては、アミノ基を含まないシラン系ガスを挙げることができる。アミノ基を含まないシラン系ガスの例としては、SiH4Si2H6SimH2m2ただし、mは3以上の自然数の式で表されるシリコンの水素化物、及びSinH2nただし、nは3以上の自然数の式で表されるシリコンの水素化物の少なくとも一つを含むガスを挙げることができる。本例では、Si2H6ジシランを用いた。SiH4モノシランよりも高次のシラン、例えば、Si2H6ジシランは、薄膜成膜に適しているためである。Si2H6ジシランを用いて、第1シード層4上にシリコン膜5を形成すると、例えば、3nm未満の薄いシリコン膜5を得ることができる。シリコン膜5を形成する際の処理条件の一例は、ジシラン流量:200sccm処理時間:12min処理温度:400°C処理圧力:133.3Pa1Torrである。上記ジシラン流量、処理温度、および処理圧力の条件では、2nm程度の薄いアモルファスのシリコン膜5が形成される。次に、図2Dに示すように、第1シード層4及びシリコン膜5を酸化し、シリコン酸化物ライナー6を形成する。第1シード層4及びシリコン膜5を酸化する酸化方法は、基本的には如何なる方法でも良いが、中でも好適な酸化方法としてラジカル酸化を挙げることができる。ラジカル酸化は酸化力が強い。このため、シリコン膜5を低温、例えば、500°C程度で酸化することができる。しかも、ラジカル酸化は、酸化の面方位依存性も少ない。このため、シリコン膜5、及びシリコン膜5下の第1シード層4のみを効率良く酸化することが可能である。例えば、シリコン膜5はアモルファスである。アモルファスのシリコン膜5を、熱酸化のような高温、例えば、700°C程度を伴う酸化方法を用いて酸化すると、シリコン膜5の結晶化が進み、多結晶化してしまうことも考えられる。多結晶化したシリコン膜5に熱酸化を進めてしまうと、熱酸化の面方位依存性によってシリコン酸化物ライナー6は膜厚及び膜質ともに不均一なものになる。このような観点から、シリコン膜5を酸化する酸化方法としては、低温酸化が可能、かつ、酸化の面方位依存性が少ないラジカル酸化が好適である。このように本実施形態では、第1シード層4の形成、シリコン膜5の形成、第1シード層4及びシリコン膜5の酸化の手順を踏むことにより、シリコン基板1を酸化せずに済む。この結果、シリコン基板1そのものから構成される素子活性領域3の減少を抑制することができる。<ステップ3:酸化障壁膜の形成>次に、ステップ3に示すように、酸化障壁膜を形成する。酸化障壁膜は、酸素を通し難い性質を持つ膜である。具体的な例は、シリコン窒化膜SiN、シリコン酸窒化膜SiON、及びシリコン炭窒化膜SiCNである。また、酸化障壁膜の形成方法としては、シリコン酸化物ライナーを窒化する方法と、シリコン酸化物ライナー上に酸化障壁膜を形成する方法との二種類を挙げることができる。本実施形態においては、前者のシリコン酸化物ライナーを窒化する方法を例示する。具体的には、図2Eに示すように、シリコン酸化物ライナー6を窒化し、シリコン酸化物ライナー6をシリコン酸窒化膜からなる酸化障壁膜7に変える。尚、本実施形態においては、シリコン酸化物ライナー6を全て窒化しているが、シリコン酸化物ライナー6を部分的に窒化するようにしても良い。この場合には、図4Aに示すように、シリコン酸化物ライナー6の表面部分に、シリコン酸窒化物を含む酸化障壁層7aが形成される。また、シリコン酸化物ライナー6上に酸化障壁膜となる物質を堆積した場合には、図4Bに示すように、シリコン酸化物ライナー6上に、酸化障壁膜7bが形成される。<ステップ4:シリコンライナーの形成>次に、ステップ4に示すように、酸化障壁膜7上にシリコンライナーを形成する。本実施形態においては、薄く、かつ、ステップカバレッジの良いシリコンライナーを形成する目的で、以下に説明する二つの手順によりシリコンライナーを形成する。まず、図2Fに示すように、酸化障壁膜7上に、第2シード層8を形成する。具体的には、シリコン基板1を加熱し、加熱したシリコン基板1の表面にアミノシラン系ガスを流すことで酸化障壁膜7上に第2シード層8を形成する。アミノシラン系ガスの例は、第1シード層4の形成に使ったものと同じである。第2シード層8は、シリコン原料ガスを酸化障壁膜7の表面に吸着させやすくするためのもので、その厚さも第1シード層4と同様にほとんどなく、単原子層レベルの厚さ程度である。具体的な厚さを言及するならば、0.1nm以上0.3nm以下である。第2シード層8を形成する際の処理条件の一例は、DIPAS流量:200sccm処理時間:1min処理温度:400°C処理圧力:133.3Pa1Torrである。次に、図2Gに示すように、第2シード層8上にシリコンライナー9を形成する。具体的には、第2シード層8が形成されたシリコン基板1を加熱し、加熱したシリコン基板1の表面にシリコン原料ガスを流すことで、第2シード層8上にシリコンライナー9を形成する。シリコン原料ガスの例としては、アミノ基を含まないシラン系ガスを挙げることができる。アミノ基を含まないシラン系ガスの例としては、シリコン膜5の形成に使ったものと同じである。ただし、第2シード層8上に形成されるシリコンライナー9の膜厚は、例えば、トレンチ2の幅、特に、幅狭部2Nの幅を考慮して設定される。このため、アミノ基を含まないシラン系ガスは、シリコンライナー9の膜厚によって適したものが選択される。例えば、シリコンライナー9の膜厚を3nm未満にしたい場合には、1第2シード層8を形成した後、モノシランよりも高次のシラン系ガス、例えば、ジシランを供給し、第2シード層8上にシリコンライナー9を形成する。また、シリコンライナー9の膜厚を3nm以上5nm未満にしたい場合には、2第2シード層8を形成した後、モノシランよりも高次のシラン系ガス、例えば、ジシランを供給し、第2シード層8表面にシリコンを薄く吸着させる。次いで、ジシランよりも低次のシラン系ガス、例えば、モノシランを供給し、表面に薄くシリコンが吸着された第2シード層8上にシリコンライナー9を形成する。また、シリコンライナー9の膜厚を5nm以上にしたい場合には、3第2シード層8を形成した後、モノシランを供給し、第2のシード層8上にシリコンライナー9を形成する。本例では、上記2の手順を採用した。この場合のシリコンライナー9を形成する際の処理条件の一例は、<ジシラン供給>ジシラン流量:200sccm処理時間:4.3min処理温度:400°C処理圧力:133.3Pa1Torr<モノシラン供給>モノシラン流量:200sccm処理時間:8min処理温度:490°C処理圧力:53.3Pa0.4Torrである。上記処理条件では、およそ3.5nm程度の薄いアモルファスのシリコンライナー9が形成される。また、シリコンライナー9の厚さは、後に形成される埋め込み材料の縮小分を相殺するために、重要な役割を果たす。もちろん、相殺量は第2シード層8の微小な厚さとシリコンライナー9の厚さとの合計値で決まるが、第2シード層8はシリコン原料ガス、例えば、モノシランやジシランの吸着を促進させるための層であり、上述した通り、ほとんど厚さがない。このため、相殺量のほとんどはシリコンライナー9の膨張後の厚さが占めることになる。即ち、相殺量は、シリコンライナー9の厚さでほぼ決まる。また、第2シード層8を形成しておくことによれば、薄く、かつ、ステップカバレッジの良いシリコンライナー9を形成することができる。薄く、かつ、ステップカバレッジの良いシリコンライナー9を形成できる理由の一つとして、第2シード層8を形成しておくことによって、インキュベーション時間が短くなることを挙げることができる。図5に、堆積時間処理時間とシリコン膜の膜厚との関係を示す。図5は、シリコン窒化膜SiN上に、シリコンSi膜を形成した場合の実測値を示している。シリコン膜の膜厚は、堆積時間処理時間を30minとしたとき、45minとしたとき、及び60minとしたときの3点で測定した。図5中の線Iはアミノシラン系ガスを用いたシード層形成有りプリフロー有りと記載されるの場合、線IIはシード層形成無しプリフロー無しと記載されるの場合を示している。線I、IIは、測定された3つの膜厚を最小二乗法で直線近似した直線であり、式は次の通りである。線I:y=18011x-27739...1線II:y=18091x-41277...2図5に示すように、プリフロー有りの場合、プリフロー無しに比較してシリコン膜の膜厚が増す傾向が明らかとなった。上記1、2式をy=0、即ちシリコン膜の膜厚を0としたとき、線I~IIと堆積時間との交点を求めたものを図6に示す。なお、図6は図5中の破線枠A内を拡大した拡大図に相当する。図6に示すように、プリフロー有りの場合、シリコン膜の堆積が処理開始から約1.5minx≒1.540から始まる。これに対して、プリフロー無しの場合、シリコン膜の堆積は処理開始から約2.3minx≒2.282から始まる。このように、シリコン窒化膜に対してアミノシラン系ガスをプリフローすることで、インキュベーション時間Tincを、約2.3minから約1.5minに短縮することができる。<ステップ5:トレンチの幅狭部の埋め込み>次に、ステップ5に示すように、シリコンライナー9上に第1の埋め込み材を形成し、トレンチ2の幅狭部2Nを埋め込む。本実施形態では、第1の埋め込み材として、ALD法を用いて形成されたALDシリコン酸化膜ALDSiO2を用いる。これにより、図2Hに示すように、幅狭部2NはALDシリコン酸化膜10によって埋め込まれ、幅広部2Wは、その幅広部2Wの凹凸形状に沿いつつ、ALDシリコン酸化膜10によって被覆される。なお、この工程の際、幅狭部2Nの内部には、ALDシリコン酸化膜10によって完全に埋め込まれずに微小なシーム11隙間状に開いているつなぎ目が入る。これは、ALDシリコン酸化膜10のステップカバレッジに起因する。<ステップ6:トレンチの幅広部の埋め込み>次に、ステップ6に示すように、ALDシリコン酸化膜10上に第2の埋め込み材を形成し、トレンチ2の幅広部2Wを埋め込む。本実施形態では、第2の埋め込み材として、焼成することで収縮する埋め込み材料を用いる。焼成することでシリコン酸化物に変化する材料の例としては、PHPSPerHydroPolySilazane:SiH2NHを主成分とする無機ポリマーを挙げることができる。PHPSは、焼成することでシリコン酸化物に改質される性質を持つ流動性の物質であり、SOD法を用いて形成される。これにより、図2Iに示すように、幅広部2Wは、PHPS膜12によって埋め込まれる。<ステップ7:シリコンライナーの酸化>次に、ステップ7に示すように、シリコンライナー9を酸化する。シリコンライナー9の酸化は、PHPS膜12及びALDシリコン酸化膜10を通して行われる。このため、シリコンライナー9を完全に酸化するには時間がかかるが、本実施形態では酸素を通し難い酸化障壁膜7がシリコンライナー9の下に形成されている。このため、シリコン基板1に酸化が進むことが抑制され、シリコンライナー9を充分に酸化することが可能となる。本実施形態では、シリコンライナー9を、水及び/又はヒドロキシ基を含む雰囲気中でウェット酸化する。ウェット酸化を選択した理由は、シリコンライナー9をALDシリコン酸化膜10を通して酸化しなければならないためである。つまり、ドライ酸化よりも酸化力が強いウェット酸化を選択した。このウェット酸化の際、図2Jに示すように、PHPS膜12は改質され、PHPS膜12はシリコン酸化物膜13に変わる。PHPS膜12は、シリコン酸化物膜13に変わるときに収縮する。この収縮量は、シリコンライナー9が酸化されシリコン酸化物膜14に変化するときの膨張量によって相殺される。このため、図2Jに示すように、トレンチの幅広部2Wの内部に、PHPS膜12の収縮に起因した隙間が生じることが抑制される。これとともに、トレンチ2の幅狭部2Nにおいては、その内部に生じていたシーム11が、膨張したシリコン酸化物膜14によって潰される。このため、トレンチ幅狭部2Nにおいても、その内部にシーム11に起因した隙間が生じることが抑制される。このようにして本実施形態によれば、トレンチ2の幅狭部2Nを酸化障壁膜7、第1の埋め込み材ALDシリコン酸化膜10、シリコン酸化物膜14によって隙間なく埋め込むことができ、また、トレンチ2の幅広部2Wを、上記幅狭部2Nを埋め込む絶縁物に加え、シリコン酸化物膜13によってさらに埋め込むことによって隙間なく埋め込むことができる。特に、トレンチ2の幅狭部2Nは、主としてALDシリコン酸化膜10によって埋め込まれるので、トレンチ2の幅狭部2Nの内部にPHPS膜12を形成せずに済む。このため、素子の高集積度化がさらに進展し、トレンチ2のアスペクト比がさらに大きくなってきたとしても、PHPS膜12の改質不足、並びにSOD法によるトレンチ2内部の埋め込みが困難になることは発生しない。しかも、幅狭部2NにALDシリコン酸化膜10のステップカバレッジに起因して隙間状のシーム11が発生したとしても、シリコンライナー9をシリコン酸化物膜14に変えて膨張させることで、発生したシーム11を潰すことができる。このため、ALDシリコン酸化膜10とシリコン酸化物膜14とで幅狭部2Nは隙間なく埋め込むことができ、幅狭部2Nにおける絶縁性低下の可能性も軽減することができる。よって、本実施形態によれば、素子の高集積度化がさらに進展し、素子分離用のトレンチのアスペクト比が大きくなったとしても、素子分離領域の絶縁性の低下を抑制できるトレンチ埋め込み方法、及びそのトレンチ埋め込み方法を用いた半導体集積回路装置の製造方法を得ることができる。第2の実施形態第1の実施形態においては、シリコンライナー9を形成ステップ4した後に、第1の埋め込み材を形成ステップ5した。これらステップ4及びステップ5は、その実施順序を入れ換えることもできる。第2の実施形態は、実施順序を入れ換えた場合の一例に関している。図7はこの発明の第2の実施形態に係るトレンチの埋め込み方法のシーケンスの一例を示す流れ図である。図8A~図8Dは図7中のステップ21~24における基板の状態を概略的に示す断面図である。<ステップ1~3:トレンチ、シリコン酸化物ライナー、酸化障壁膜の形成>図7中のステップ1~3は、第1の実施形態で説明したステップ1~3と同様である。このため、その説明は省略する。<ステップ21:第1の埋め込み材の形成>本実施形態においては、図7中のステップ21に示すように、酸化障壁膜7上に第1の埋め込み材を形成する。第1の埋め込み材は、第1の実施形態と同様に、ALDシリコン膜10である。本実施形態においては第1の実施形態とは異なり、図8Aに示すように、ALDシリコン酸化膜10は、幅狭部2N及び幅広部2Wの双方ともに、それらの凹凸形状に沿いつつ、幅狭部2N及び幅広部2Wを被覆するように薄く形成するにとどめる。これは、ALDシリコン酸化膜10が、図2H及び図2Iに示したようなシーム11を生じたまま、幅狭部2Nを塞がないようにするための工夫である。ただし、ALDシリコン酸化膜10の膜厚は薄ければ良い、というものではなく、後述する工程において、幅狭部2Nがシリコンライナーの膨張によって隙間なく塞ぐために必要な膜厚を持たせる。<ステップ22:シリコンライナーの形成>次に、ステップ22に示すように、ALDシリコン酸化膜10上にシリコンライナーを形成する。本実施形態においては、図8Bに示すように、シリコンライナー9の形成は第1の実施形態と同様であり、ALDシリコン酸化膜10上に第2のシード層8を形成してから、シリコンライナー9を形成する。シリコンライナー9を形成する前に、ALDシリコン酸化膜10上にアミノシラン系ガスを供給して第2のシード層8を形成しておくことにより、第1の実施形態と同様に、薄く、かつ、ステップカバレッジの良いシリコンライナー9を得ることができる。<ステップ23:トレンチの幅広部の埋め込み>次に、ステップ23に示すように、シリコンライナー9上に第2の埋め込み材を形成し、トレンチ2の幅広部2Wを埋め込む。本実施形態においても、第1の実施形態と同様に第2の埋め込み材として、焼成することで収縮する埋め込み材料、例えば、PHPSを主成分とする無機ポリマーを用いる。この無機ポリマーを、SOD法を用いてシリコンライナー9上に塗布し、PHPS膜12を形成する。これにより、幅広部2Wは、PHPS膜12によって埋め込まれる。ただし、幅狭部2Nにおいては、シリコンライナー9が形成されていることによって間口が狭く、無機ポリマーが幅狭部2Nに浸透し難い状態になっている。このため、図8Cに示すように、ボイド15を生じることがある。<ステップ24:シリコンライナーの酸化、及びトレンチの幅狭部の埋め込み>次に、ステップ24に示すように、シリコンライナー9を酸化する。本実施形態においては、シリコンライナー9を、PHPS膜12を通して第1の実施形態と同様にウェット酸化する。この酸化によって、図8Dに示すように、PHPS膜12は改質され、PHPS膜12はシリコン酸化物膜13に変わる。本実施形態においても、PHPS膜12の収縮量は、シリコンライナー9が酸化されシリコン酸化物膜14に変化するときの膨張量によって相殺される。このため、第1の実施形態と同様に、トレンチの幅広部2Wの内部にPHPS膜12の収縮に起因した隙間が生じることが抑制される。なお、シリコンライナー9は、例えば、O2雰囲気のみのドライ酸化を適用することも可能ではあるが、PHPS膜12の改質を同時に行うことを考えると、水及び/又はヒドロキシ基を含むウェット雰囲気で酸化する方が良い。このことは、第1の実施形態においても同様である。また、トレンチ2の幅狭部2Nにおいては、その内部にボイド15が生じていたとしても、生じていたボイド15は、膨張したシリコン酸化物膜14によって潰すことができる。このため、トレンチ幅狭部2Nにおいては、その内部にボイド15に起因した隙間が生じることを抑制しつつ、内部を埋め込むことができる。このように、本実施形態においても、第1の実施形態と同様にトレンチ2の幅狭部2Nは、酸化障壁膜7、第1の埋め込み材ALDシリコン酸化膜10、及びシリコン酸化物膜14によって隙間なく埋め込むことができ、トレンチ2の幅広部2Wは、上記幅狭部2Nを埋め込む絶縁物に加え、シリコン酸化物膜13によって隙間なく埋め込むことができる。よって、本実施形態においても、素子の高集積度化がさらに進展し、素子分離用のトレンチのアスペクト比が大きくなったとしても、素子分離領域の絶縁性の低下を抑制できるトレンチ埋め込み方法、及びそのトレンチ埋め込み方法を用いた半導体集積回路装置の製造方法が得られる、という利点を得ることができる。成膜装置次に、シリコン酸化物ライナー、酸化障壁膜、第1の埋め込み材、及びシリコンライナーを成膜することが可能な成膜装置の例を説明する。<シリコン酸化物ライナー用成膜装置>図9はシリコン酸化物ライナー用成膜装置の一例を示す縦断面図、図10は図9に示す成膜装置の横断面図である。なお、図10においては、加熱装置を省略している。図9に示すように、シリコン酸化物ライナー用成膜装置100は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理容器101を有している。処理容器101の全体は、例えば、石英により形成されている。処理容器101内の天井には、石英製の天井板102が設けられて封止されている。また、処理容器101の下端開口部には、例えば、ステンレススチールにより円筒体状に成形されたマニホールド103がOリング等のシール部材104を介して連結されている。マニホールド103は処理容器101の下端を支持している。マニホールド103の下方から、被処理体として多数枚、例えば、50~100枚の半導体ウエハシリコン基板Wを多段に載置可能な石英製のウエハボート105が処理容器101内に挿入可能となっている。ウエハボート105は3本の支柱106を有し図10参照、支柱106に形成された溝により多数枚のウエハWが支持されるようになっている。ウエハボート105は、石英製の保温筒107を介してテーブル108上に載置される。テーブル108は、マニホールド103の下端開口部を開閉する、例えば、ステンレススチール製の蓋部109を貫通する回転軸110上に支持される。そして、回転軸110の貫通部には、例えば、磁性流体シール111が設けられており、回転軸110を気密にシールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部109の周辺部とマニホールド103の下端部との間には、例えば、Oリングよりなるシール部材112が介設されており、これにより処理容器101内のシール性を保持している。回転軸110は、例えば、ボートエレベータ等の昇降機構図示せずに支持されたアーム113の先端に取り付けられており、ウエハボート105および蓋部109等を一体的に昇降して処理容器101内に対して挿脱されるようになっている。なお、テーブル108を蓋部109側へ固定して設け、ウエハボート105を回転させることなくウエハWの処理を行うようにしてもよい。成膜装置100は、酸化剤含有ガス供給機構114、アミノシラン系ガス供給機構115、アミノ基を含まないシラン系ガス供給機構116以下、アミノ基を含まないシラン系ガスをシラン系ガスと略す、及び不活性ガス供給機構117を備えている。酸化剤含有ガス供給機構114は、処理容器101内へ酸化剤含有ガスを供給する。アミノシラン系ガス供給機構115は、同じく処理容器101内へアミノシラン系ガスを供給する。シラン系ガス供給機構116も、同じく処理容器101内へシラン系ガスを供給する。不活性ガス供給機構117は、同じく処理容器101内へ不活性ガスを供給する。不活性ガスは、処理容器101内部のパージガスとして、及び希釈ガスとして使用される。酸化剤含有ガスの酸化剤の例としては、酸素ガスO2ガス、水蒸気H2Oベーパーなどを挙げることができる。また、アミノシラン系ガス、及びシラン系ガスの例は、第1の実施形態において例示した通りである。また、不活性ガスの例としては、窒素ガスN2ガス、アルゴンガスArガスを挙げることができる。酸化剤含有ガス供給機構114は、酸化剤含有ガス供給源118aと、酸化剤含有ガス供給源118aから酸化剤含有ガスを導く酸化剤含有ガス供給配管119aと、酸化剤含有ガス供給配管119aに接続され、マニホールド103の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる石英管よりなる酸化剤含有ガス分散ノズル120aとを有している。酸化剤含有ガス分散ノズル120aの垂直部分には、複数のガス吐出孔121aが所定の間隔を隔てて形成されており、各ガス吐出孔121aから水平方向に処理容器101に向けて略均一に酸化剤含有ガスを吐出することができるようになっている。アミノシラン系ガス供給機構115は、アミノシラン系ガス供給源118bと、アミノシラン系ガス供給源118bからアミノシラン系ガスを導くアミノシラン系ガス供給配管119bと、アミノシラン系ガス供給配管119bに接続された、アミノシラン系ガス分散ノズル120bとを有している。アミノシラン系ガス分散ノズル120bもまた、酸化剤含有ガス分散ノズル120aと同様に、マニホールド103の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる石英管よりなり、その垂直部分には、複数のガス吐出孔121bが所定の間隔を隔てて形成されている。シラン系ガス供給機構116は、シラン系ガス供給源118cと、シラン系ガス供給源118cからシラン系ガスを導くシラン系ガス供給配管119cと、シラン系ガス供給配管119cに接続された、シラン系ガス分散ノズル120cとを有している。シラン系ガス分散ノズル120cも、アミノシラン系ガス分散ノズル120bと同様に、マニホールド103の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる石英管よりなり、その垂直部分には、複数のガス吐出孔121c図10参照が所定の間隔を隔てて形成されている。不活性ガス供給機構117は、不活性ガス供給源118dと、不活性ガス供給源118dから不活性ガスを導く不活性ガス供給配管119dと、不活性ガス供給配管119dに接続され、マニホールド103の側壁を貫通して設けられたパージガスノズル121とを有している。酸化剤含有ガス供給配管119a、アミノシラン系ガス供給配管119b、シラン系ガス供給配管119c、及び不活性ガス供給配管119dには、それぞれ開閉弁122a~122dと、流量制御器123a~123dとが設けられている。これにより、酸化剤含有ガス、アミノシラン系ガス、シラン系ガス、及び不活性ガスは、それぞれ独立し、かつ、それぞれ流量を制御しつつ、処理容器101内に供給することが可能になっている。処理容器101の側壁の一部には、酸化剤含有ガスのプラズマを形成するプラズマ生成機構124が形成されている。プラズマ生成機構124は、プラズマ区画壁125を有する。プラズマ区画壁125は、処理容器101の側壁に形成された開口101aを覆うように、処理容器101の外壁に気密に溶接されている。開口101aは、処理容器101の側壁を上下方向に沿って所定の幅で削りとることによって上下に細長く形成されている。これは、ウエハボート105に多段に保持された全てのウエハWに対して、プラズマ、及びラジカルを、開口101aを介して均一に供給するためである。また、プラズマ区画壁125は断面コ字状をなし、開口101aの形状にあわせて上下に細長く形成され、例えば、石英で形成される。このようなプラズマ区画壁125を形成することにより、処理容器101の側壁の一部が凸状に外側へ突出した状態となり、プラズマ区画壁125の内部空間が処理容器101の内部空間に一体的に連通された状態となる。プラズマ生成機構124は、一対のプラズマ電極126と、高周波電源127と、高周波電源127から高周波電力を供給する給電ライン128とを備えている。一対のプラズマ電極126は、プラズマ区画壁125の形状にあわせて細長く形成され、プラズマ区画壁125の両側壁の外面に上下方向に沿って互いに対向するようにして配置されている。酸化剤含有ガス分散ノズル120aは、処理容器101内を上方向に延びていく途中で、処理容器101の外側に向けて屈曲され、プラズマ区画壁125内の最も奥の部分処理容器101の中心から最も離れた部分に沿って上方に向けて起立されている。このため、高周波電源127がオンされて一対のプラズマ電極126間に高周波電界が形成されると、酸化剤含有ガス分散ノズル120aのガス吐出孔121aから噴射された酸化剤含有ガスがプラズマ化されて処理容器101の中心に向けて拡散しながら流れる。例えば、高周波電源127から、13.56MHzの高周波電圧を一対のプラズマ電極126に印加すると、プラズマ区画壁125の内部空間に酸化剤含有ガスのプラズマが発生する。発生したプラズマ中には酸素ラジカルが含まれており、この酸素ラジカルを用いて、第1、第2の実施形態のステップ2、即ち、第1シード層4及びシリコン膜5のラジカル酸化を行うことができる。なお、高周波電圧の周波数は13.56MHzに限定されず、他の周波数、例えば400kHz等を用いてもよい。プラズマ区画壁125の外側には、プラズマ区画壁125を覆うように、例えば、石英よりなる絶縁保護カバー129が取り付けられている。処理容器101の開口101aの反対側の部分には、処理容器101内を真空排気するための排気口130が設けられている。排気口130は処理容器101の側壁を上下方向へ削りとることによって細長く形成されている。処理容器101の排気口130に対応する部分には、排気口130を覆うように断面コ字状に成形された排気口カバー部材131が溶接により取り付けられている。排気口カバー部材131は、処理容器101の側壁に沿って上方に延びており、処理容器101の上方にガス出口132を規定している。ガス出口132には、真空ポンプ等を含む排気機構133が接続される。排気機構133は、処理容器101内を排気することで処理に使用した処理ガスの排気、及び処理容器101内の圧力を処理に応じた処理圧力とする。処理容器101の外周には筒体状の加熱装置134が設けられている。加熱装置134は、処理容器101内に供給されたガスを活性化するとともに、処理容器101内に収容されたウエハWを加熱する。成膜装置100の各部の制御は、例えば、マイクロプロセッサコンピュータからなるコントローラ150により行われる。コントローラ150には、オペレータが成膜装置100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、成膜装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース151が接続されている。コントローラ150には記憶部152が接続されている。記憶部152は、成膜装置100で実行される各種処理をコントローラ150の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置100の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部152の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、CDROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース151からの指示等にて記憶部152から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ150が実行することで、成膜装置100は、コントローラ150の制御のもと、所望の処理が実施される。本例では、コントローラ150の制御のもと、第1、第2の実施形態におけるステップ2の処理を順次実施し、シリコン酸化物ライナー6を形成する。<窒化及びシリコンライナー用成膜装置>図11は窒化及びシリコンライナー用成膜装置の一例を示す縦断面図である。図11に示すように、窒化及びシリコンライナー成膜装置200が、シリコン酸化物ライナー成膜装置100と異なるところは、プラズマ生成機構124を持たないこと、酸化剤含有ガス供給機構114に代えて、窒化剤含有ガス供給機構135を持つことである。窒化剤含有ガス供給機構135は、処理容器101内へ窒化剤含有ガスを供給する。窒化剤含有ガスの例としては、アンモニアNH3含有ガス、窒素酸化物NO含有ガス、並びにアンモニア及び窒素酸化物含有ガスを挙げることができる。窒化剤含有ガス供給機構135は、窒化剤含有ガス供給源118eと、窒化剤含有ガス供給源118eから窒化剤含有ガスを導く窒化剤含有ガス供給配管119eと、窒化剤含有ガス供給配管119eに接続された、窒化剤含有ガス分散ノズル120dとを有している。窒化剤含有ガス分散ノズル120dも、アミノシラン系ガス分散ノズル120bなどと同様に、マニホールド103の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる石英管よりなり、その垂直部分には、複数のガス吐出孔121dが所定の間隔を隔てて形成されている。窒化剤含有ガス供給配管119eには、開閉弁122eと、流量制御器123eとが設けられている。これにより、窒化剤含有ガス、アミノシラン系ガス、シラン系ガス、及び不活性ガスは、それぞれ独立し、かつ、それぞれ流量を制御しつつ、処理容器101内に供給することが可能になっている。成膜装置200は、コントローラ150の制御のもと、第1の実施形態のステップ3酸化障壁膜の形成を実施する。これにより、シリコン酸化膜ライナー6に窒化剤含有ガスが供給され、シリコン酸化膜ライナー6が窒化され、シリコン酸窒化膜からなる酸化障壁膜7が形成される。引き続き、コントローラ150の制御のもと、第1の実施形態のステップ4シリコンライナーの形成を実施する。これにより、酸化障壁膜7上にシリコンライナー9が形成される。なお、第1の実施形態において説明した2の手順を実施する場合には、例えば、シラン系ガス供給機構116に、モノシランガス供給源と、モノシランよりも高次のシランガス、例えば、ジシランガス供給源とを持たせ、モノシランガスかジシランガスかを選択してシラン系ガス分散ノズル120cに供給できるように構成すれば良い。<第1の埋め込み材用成膜装置>図12は第1の埋め込み材用成膜装置の一例を示す縦断面図である。図12に示すように、第1の埋め込み材用成膜装置300が、窒化及びシリコンライナー成膜装置200と異なるところは、窒化剤含有ガス供給機構135、アミノシラン系ガス供給機構115、及びシラン系ガス供給機構116に代えて、酸素含有ガス供給機構136、及びシリコン原料ガス供給機構137を持つことである。酸素含有ガス供給機構136は、酸素含有ガス供給源118fと、酸素含有ガス供給源118fから酸素含有ガスを導く酸素含有ガス供給配管119fと、酸素含有ガス供給配管119fに接続された、酸素含有ガス分散ノズル120eとを有している。酸素含有ガス分散ノズル120eも、アミノシラン系ガス分散ノズル120bなどと同様に、マニホールド103の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる石英管よりなり、その垂直部分には、複数のガス吐出孔121eが所定の間隔を隔てて形成されている。酸素含有ガスの例としては、酸素ガスO2ガスを挙げることができる。シリコン原料ガス供給機構137も同様に、シリコン原料ガス供給源118gと、シリコン原料ガス供給源118gからシリコン原料ガスを導くシリコン原料ガス供給配管119gと、シリコン原料ガス供給配管119gに接続された、シリコン原料ガス分散ノズル120fとを有している。シリコン原料ガス分散ノズル120fも、アミノシラン系ガス分散ノズル120bなどと同様に、マニホールド103の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる石英管よりなり、その垂直部分には、図示せぬ複数のガス吐出孔が所定の間隔を隔てて形成されている。シリコン原料ガスの例としては、BTBASビスターシャリブチルアミノシラン、BDEASビスジエチルアミノシラン、BDMASビスジメチルアミノシランなどを挙げることができる。酸素含有ガス供給配管119f及びシリコン原料ガス供給配管119gには、それぞれ開閉弁122f及び122gと、流量制御器123f及び123gとが設けられている。これにより、酸素含有ガスとシリコン原料ガス、及び不活性ガスは、それぞれ独立し、かつ、それぞれ流量を制御しつつ、処理容器101内に供給することが可能になっている。成膜装置300は、コントローラ150の制御のもと、第1の実施形態のステップ5を、シリコン原料ガスと酸素含有ガスを交互に供給するALD法を用いて実施する。これにより、シリコンライナー9上に第1の埋め込み材、例えば、ALDシリコン酸化膜10が形成される。<ステップ2~ステップ5を実施する成膜システム>図13は、ステップ2~ステップ5を実施することが可能な成膜システムの一例を示すブロック図である。図13に示すように、成膜システム400は、図9~図12に示した成膜装置100、200、300を備えている。ステップ1、即ち、トレンチ2が形成されたウエハWは、ウエハボート105に保持された状態で成膜システム400の成膜装置100に搬入される。成膜装置100において、ウエハWにシリコン酸化膜ライナー6が形成されるとステップ2、ウエハWはウエハボート105に保持された状態で成膜装置200に搬入される。成膜装置200において、ウエハWにシリコンライナー9が形成されるとステップ3、4、ウエハWはウエハボート105に保持された状態で成膜装置300に搬入される。成膜装置300において、ウエハWに第1の埋め込み材、例えば、ALDシリコン酸化膜10が形成されるとステップ5、ウエハWはウエハボート105に保持された状態でステップ6、即ち、第2の埋め込み材の形成へと進められる。このように3つの成膜装置100、200、300を、成膜システム400の内部において直列に配置することで、ステップ2~ステップ5を、ウエハWに対して順次実施することができる。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態のステップ4とステップ5との順序を入れ換えている。この場合には、図14に示すように、成膜装置200のアミノシラン系ガス供給源118b及びシラン系ガス供給源118cを、成膜装置300に移す一方、成膜装置300の酸素含有ガス供給源118f及びシリコン原料ガス供給源118gを成膜装置200に移す。このように、ステップ4、5の入れ換えに応じてガス供給源を付け替えることで、第2の実施形態に従った処理が可能となる。例えば、図13中の括弧書きに示すように、成膜装置200において、第1の埋め込み材、例えば、ALDシリコン酸化膜10が形成されるとステップ21、ウエハWはウエハボート105に保持された状態で成膜装置300に搬入される。成膜装置300において、ウエハWにシリコンライナー9が形成されるとステップ22、ウエハWはウエハボート105に保持された状態でステップ23、即ち、第2の埋め込み材の形成へと進めることができる。以上、この発明を二つの実施形態に従って説明したが、この発明は、上記二つの実施形態に限定されることは無く、種々変形可能である。例えば、上記実施形態においては、処理条件を具体的に例示したが、処理条件は、上記具体的な例示に限られるものではない。また、第2の埋め込み材として、SOD法を用いたPHPS膜12を用いたが、SOD法を用いて形成されたPHPS膜12に限らず、第2の埋め込み材として、高密度プラズマCVD法を用いて形成されたシリコン酸化物膜や、流動性CVD法を用いて形成されたシリコン酸化物膜を用いることも可能である。これらのシリコン酸化物膜であっても、シリコン酸化物膜をキュアするための熱工程が必要である。この熱工程の際に、シリコンライナー9を酸化してシリコン酸化物膜14に変化させ膨張させることで、第1、第2の実施形態と同様に、高密度プラズマCVD法や流動性CVD法を用いて形成されたシリコン酸化物膜の収縮量を相殺できる、という利点を得ることができる。また、上記第1、第2の実施形態では、トレンチ2の幅狭部2Nと幅広部2Wとを埋め込む例を示したが、トレンチ2の幅狭部2Nを埋め込むのみの場合にも、この発明は適用できる。例えば、上記第1の実施形態によれば、図2Iから図2Jにかけて示したように、幅狭部2Nの内部に生じた隙間状のシーム11を、シリコンライナー9をシリコン酸化物膜14に変えて膨張させることで潰すことができる、という利点を得ることができるためである。同様に、上記第2の実施形態においても、図8Cから図8Dにかけて示したように、幅狭部2Nに生じたボイド15を、シリコンライナー9をシリコン酸化物膜14に変えて膨張させることで潰すことができる、という利点を得ることができる。その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。