"支持基板11と、該支持基板11から高さ方向に浮いた浮遊部15と、該浮遊部15と前記支持基板11とを連結するアンカー30と、を有するMEMSデバイスであって、前記浮遊部15は、錘部17、及び、該錘部17と前記アンカー30とを連結する梁部20を有し、前記梁部20は、前記錘部17の端部と連結される第1部位21、前記アンカー30と連結される第2部位22、及び、前記第1部位21と前記第2部位22とを連結する2つの連結部23を有し、前記高さ方向に直交する平面の形状が環状を成しており、前記連結部23は、前記高さ方向に直交する平面の形状が弧状を成し、2つの端部の内の一方が、前記第1部位21の端部と連結され、残りもう一つの端部が、前記第2部位22の端部と連結されていることを特徴とするMEMSデバイス。前記連結部23と前記第1部位21との連結部位、及び、前記連結部23と前記第2部位22との連結部位それぞれは、連続的な形状であることを特徴とする請求項1に記載のMEMSデバイス。前記第1部位21及び前記第2部位22は、同一形状を成し、それぞれ、一方の前記連結部23から他方の前記連結部23に延びる形状を成しており、前記連結部23は、前記高さ方向に直交する平面の形状が、円弧状を成すことを特徴とする請求項2に記載のMEMSデバイス。前記連結部23の円弧の曲率を決定する中心点と両端部とを結ぶ2つの線分の間の角度が、180度であることを特徴とする請求項3に記載のMEMSデバイス。前記浮遊部15は、前記錘部17に形成された第1可動電極18と、2つの前記連結部23が並ぶ方向にて、前記第1可動電極18と対向する第1固定電極19と、を有することを特徴とする請求項1~4いずれか1項に記載のMEMSデバイス。前記第1可動電極18と前記第1固定電極19は、櫛歯電極であることを特徴とする請求項5に記載のMEMSデバイス。前記浮遊部15は、前記錘部17に形成された第2可動電極と、2つの前記連結部23が並ぶ方向と前記高さ方向とに直交する方向にて、前記第2可動電極と対向する第2固定電極と、を有し、前記第1可動電極18に、一定電圧が印加され、前記第1固定電極19に、周期的に極性が反転する電圧が印加されることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載のMEMSデバイス。前記第2可動電極と前記第2固定電極は、櫛歯電極であることを特徴とする請求項7に記載のMEMSデバイス。ところで、特許文献1に示される容量式力学量センサ装置では、梁部は、平行な2本の梁がその両端で連結された矩形枠状を成しており、1つの梁に、錘部及びアンカー部のいずれか一方が連結される構成となっている。この構成によれば、錘部の所定方向への変位時に、矩形の梁と、2本の梁を連結する矩形の連結部との連結部位に応力集中が生じるため、過度な加速度が印加されると梁部が損傷する虞がある。そこで、本発明は上記問題点に鑑み、梁部の損傷が抑制されたMEMSデバイスを提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、支持基板11と、該支持基板11から高さ方向に浮いた浮遊部15と、該浮遊部15と支持基板11とを連結するアンカー30と、を有するMEMSデバイスであって、浮遊部15は、錘部17、及び、該錘部17とアンカー30とを連結する梁部20を有し、梁部20は、錘部17の端部と連結される第1部位21、アンカー30と連結される第2部位22、及び、第1部位21と第2部位22とを連結する2つの連結部23を有し、高さ方向に直交する平面の形状が環状を成しており、連結部23は、高さ方向に直交する平面の形状が弧状を成し、2つの端部の内の一方が、第1部位21の端部と連結され、残りもう一つの端部が、第2部位22の端部と連結されていることを特徴とする。このように本発明によれば、連結部23が弧状を成している。したがって、連結部が矩形である構成と比べて、梁部20に応力集中が生じ難くなる。これにより、梁部20に損傷が生じることが抑制される。請求項2に記載のように、連結部23と第1部位21との連結部位、及び、連結部23と第2部位22との連結部位それぞれは、連続的な形状である構成が好適である。これによれば、連結部位が不連続な形状である構成と比べて、連結部位に応力集中が生じ難くなる。これにより、梁部20に損傷が生じることが抑制される。なお、請求項2に記載の連続的な形状とは、急激に形が変化する部位がない形状のことである。換言すれば、形状を関数で表した際に、その関数が全領域で微分可能なことである。なお、請求項2に記載の構成の具体例としては、請求項3に記載のように、第1部位21及び第2部位22は、同一形状を成し、それぞれ、一方の連結部23から他方の連結部23に延びる形状を成しており、連結部23は、高さ方向に直交する平面の形状が、円弧状を成す構成を採用することができる。更に具体的には、請求項4に記載のように、連結部23の円弧の曲率を決定する中心点と両端部とを結ぶ2つの線分の間の角度が、180度である構成を採用することができる。請求項5に記載のように、浮遊部15は、錘部17に形成された第1可動電極18と、2つの連結部23が並ぶ方向にて、第1可動電極18と対向する第1固定電極19と、を有する構成が良い。これによれば、2つの連結部23が並ぶ方向に加速度が印加され、それによって錘部17が変位した際に、第1可動電極18と第1固定電極19とによって構成される第1コンデンサの静電容量が変動する。これにより、変動した静電容量に基づいて、加速度を検出することができる。請求項6に記載のように、第1可動電極18と第1固定電極19は、櫛歯電極である構成が良い。これによれば、第1可動電極及び第1固定電極それぞれが平板電極である構成と比べて、MEMSデバイス100の体格の増大を抑制しつつ、第1コンデンサの静電容量を大きくすることができる。請求項7に記載のように、浮遊部15は、錘部17に形成された第2可動電極と、2つの連結部23が並ぶ方向と高さ方向とに直交する方向にて、第2可動電極と対向する第2固定電極と、を有し、第1可動電極18に、一定電圧が印加され、第1固定電極19に、周期的に極性が反転する電圧が印加される構成が良い。これによれば、錘部17は2つの連結部23の並ぶ方向に振動するので、高さ方向に角速度が印加されると、2つの連結部23が並ぶ方向と高さ方向とに直交する方向に沿うコリオリ力が錘部17に生じ、そのコリオリ力によって、第2可動電極と第2固定電極とによって構成される第2コンデンサの静電容量が変動する。これにより、変動した静電容量に基づいて、角速度を検出することができる。請求項8に記載のように、第2可動電極と第2固定電極は、櫛歯電極である構成が良い。これによれば、第2可動電極及び第2固定電極それぞれが平板電極である構成と比べて、MEMSデバイス100の体格の増大を抑制しつつ、第2コンデンサの静電容量を大きくすることができる。以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係るMEMSデバイスの概略構成を示す上面図である。図2は、図1のII-II線に沿う断面図である。図3は、図1のIII-III線に沿う断面図である。図4は、梁部を示す拡大上面図である。なお、各図面においては、MEMSデバイス100を構成する部材の境界が不明瞭である場合、必要に応じて、各部材を破線で囲んでいる。また、以下においては、互いに直交の関係にある2方向をx方向、y方向と示し、これら2つの方向に直交する方向をz方向と示す。z方向が、特許請求の範囲に記載の高さ方向に相当する。図1に示すように、MEMSデバイス100は、半導体基板10に微細構造が形成されたものである。図2及び図3に示すように、半導体基板10は、2つの半導体層11,12の間に絶縁層13が挟まれて成るSOI基板であり、この半導体基板10に、上記した微細構造に相当するセンサ素子14が形成されている。なお、第1半導体層11が、特許請求の範囲に記載の支持基板に相当する。センサ素子14は、周知の露光技術を用いて、第2半導体層12と絶縁層13とを所定形状にエッチングすることで形成される。センサ素子14は、絶縁層13を介さずに、第1半導体層11に対して第2半導体層12が浮いた浮遊部15と、絶縁層13を介して、第1半導体層11に対して第2半導体層12が固定された固定部16と、を有する。浮遊部15は、質量中心を成す錘部17、該錘部17に形成された可動電極18、該可動電極18とy方向にて対向する固定電極19、及び、y方向にバネ性を有する梁部20を有する。固定部16は、梁部20を支持する第1アンカー30、及び、固定電極19を支持する第2アンカー31を有する。図1及び図2に示すように、錘部17は、y方向に長手方向が沿う平面矩形状を成し、その両端それぞれに梁部20が1つ連結され、梁部20を介して第1アンカー30と連結されている。この構成により、錘部17可動電極18はy方向に変位可能となっている。図1及び図3に示すように、錘部17の側面からは、x方向に長手方向が沿う可動電極18が櫛歯状に形成され、第2アンカー31の側面からは、x方向に長手方向が沿う固定電極19が櫛歯状に形成されている。そして、y方向にて互いに対向するように、櫛歯状の電極18,19が互いに噛み合わさり、第1コンデンサが構成されている。第1コンデンサの静電容量は、錘部17可動電極18のy方向への変位によって変動される。図1に示すように、第1アンカー30には一定電圧を入力するための第1パッド32が形成され、第2アンカー31には、第1コンデンサの静電容量変化を外部素子図示略に出力するための第2パッド33が形成されている。図1に白抜き矢印で示すように、y方向に沿う加速度がMEMSデバイス100に印加されると、その印加された加速度の大きさに応じて錘部17が変位し、その変位量が、第1コンデンサの静電容量に変換される。この変換された静電容量が、加速度の検出信号として、第2パッド33を介して外部素子に出力される。次に、本実施形態に係るMEMSデバイス100の特徴点である梁部20を図4に基づいて説明する。上記したように、梁部20は、y方向にバネ性を有し、錘部17を第1アンカー30に連結する機能を果たす。梁部20は、錘部17の端部と連結される第1部位21、第1アンカー30と連結される第2部位22、及び、第1部位21と第2部位22とを連結する2つの連結部23を有している。そして、連結部23は、平面形状が弧状を成し、2つの端部の内の一方が、第1部位21の端部と連結され、残りもう一つの端部が、第2部位22の端部と連結されている。これにより、梁部20は、平面形状が環状を成している。本実施形態に係る部位21,22は、同一形状を成し、それぞれ、一方の連結部23から他方の連結部23に向かう方向x方向に延びる平面矩形状を成している。そして、第1部位21の中央に錘部17の端部が連結され、第2部位22の中央に第1アンカー30が連結されている。なお、本実施形態に係る連結部23は、平面形状が円弧状を成し、連結部23の円弧の曲率を決定する中心点と両端部とを結ぶ2つの線分の間の角度扇の成す中心角が、270度となっている。なお、図4では、梁部20の構成要素21~23を明りょうとするために、部位21,22にハッチングを施し、各部位の境界を破線で示している。次に、本実施形態に係るMEMSデバイス100の作用効果を説明する。上記したように、連結部23は弧状を成している。したがって、連結部が矩形である構成と比べて、梁部20に応力集中が生じ難くなる。これにより、梁部20に損傷が生じることが抑制される。電極18,19は、櫛歯電極である。これによれば、電極それぞれが平板電極である構成と比べて、MEMSデバイス100の体格の増大を抑制しつつ、第1コンデンサの静電容量を大きくすることができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。本実施形態では、連結部23の円弧の曲率を決定する中心点と両端部とを結ぶ2つの線分の間の角度以下、中心角と示すが、270度である例を示した。しかしながら、中心角としては上記例に限定されず、例えば図5に示すように、中心角として180度を採用することができる。図5に示す梁部20の変形例の場合、円弧を成す連結部23の端部の接線方向と、部位21,22の長手方向とが沿っている。そのため、連結部23と第1部位21との連結部位、及び、連結部23と第2部位22との連結部位それぞれは、連続的な形状となっている。この構成によれば、連結部位が不連続な形状である構成と比べて、連結部位に応力集中が生じ難くなる。これにより、梁部20に損傷が生じることが抑制される。なお、上記した連続的な形状とは、急激に形が変化する部位がない形状のことである。換言すれば、形状を関数で表した際に、その関数が全領域で微分可能なことである。図5は、梁部の変形例を示す上面図である。なお、図5では、図4と同様にして、梁部20の構成要素21~23を明りょうとするために、部位21,22にハッチングを施し、各部位の境界を破線で示している。本実施形態では、MEMSデバイス100が、加速度を検出する構成を有する例を示した。しかしながら、MEMSデバイス100が、角速度を検出する構成を有しても良い。この場合、浮遊部15は、錘部17に形成された第2可動電極と、x方向にて第2可動電極と対向する第2固定電極と、を有する。そして、可動電極18に、一定電圧が印加され、固定電極19に、周期的に極性が反転する電圧が印加される。これによれば、錘部17はy方向に振動するので、z方向に角速度が印加されると、x方向にコリオリ力が錘部17に生じ、そのコリオリ力によって、第2可動電極と第2固定電極とによって構成される第2コンデンサの静電容量が変動する。これにより、変動した静電容量に基づいて、角速度を検出することができる。なお、この変形例の場合、浮遊部15は、x方向にバネ性を有する新たな梁部図示略を有し、固定部16は、新たな梁部を支持する新たなアンカーを有する。錘部17は、新たな梁部を介して新たなアンカーに連結される。これにより、錘部17がx方向に変位可能となる。ちなみに、新たな梁部の平面形状としては、梁部20をz方向周りに90度回転した形状を採用することができる。なお、上記した第2可動電極と第2固定電極は、電極18,19と同様にして、櫛歯電極である構成が良い。これによれば、第2可動電極及び第2固定電極それぞれが平板電極である構成と比べて、MEMSデバイス100の体格の増大を抑制しつつ、第2コンデンサの静電容量を大きくすることができる。なお、第2部位22における、第1アンカー30との接続部位は、第1半導体基板11から浮いていなくともよく、絶縁層13を介して、第1半導体層11に第2半導体層12が固定されていても良い。すなわち、第2部位22における、第1アンカー30との接続部位は、固定部16の一部でも良い。この場合、浮遊部15は、梁部20の全てを有さず、固定部16が、梁部20の一部を有することとなり、梁部30の平面形状は、略環状となる。"