基板上のインプリント材に型を用いてパターンを転写するインプリント装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記型を保持して前記基板保持部と対向し、前記インプリント材に前記型を接触させるように第1方向に移動可能で且つ該第1方向に直交する面に対して傾動可能な型保持部と、前記型保持部の前記第1方向に直交する方向における位置を検出する位置検出部と、前記型保持部の前記傾動の角度を検出する傾動検出部と、前記型保持部の前記第1方向における位置を検出する高さ検出部と、前記位置検出部と前記傾動検出部と前記高さ検出部との検出結果に基づいて、前記基板保持部および前記型保持部の少なくとも一方の前記面内における位置を制御する制御部と、を有することを特徴とするインプリント装置。前記制御部は、前記基板と前記型との位置合わせがなされるように、前記基板保持部および前記型保持部の少なくとも一方の前記面内における位置を制御する、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記制御部は、前記型保持部の前記第1方向における位置に基づいて前記位置検出部のアッベ係数を求め、該アッベ係数と前記傾動の角度とに基づいて前記位置検出部のアッベ誤差を求め、該アッベ誤差で前記位置検出部の検出結果を補正する、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のインプリント装置。前記制御部は、前記型保持部の前記第1方向における位置から前記位置検出部のアッベ係数を求めるための情報を保持する、ことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記制御部は、前記型保持部の前記第1方向における位置および前記型の厚みから前記アッベ係数を求めるための情報を保持する、ことを特徴とする請求項4に記載のインプリント装置。基板保持部に対向し、前記基板保持部に保持された基板上のインプリント材に型を接触させるように第1方向に移動可能で且つ該第1方向に直交する面に対して傾動可能な型保持部に保持された型を用いて、前記基板上のインプリント材にパターンを転写するインプリント方法であって、前記型保持部の前記第1方向に直交する方向における位置を検出する第1の検出を行い、前記型保持部の前記傾動の角度を検出する第2の検出を行い、前記型保持部の前記第1方向における位置を検出する第3の検出を行い、前記第1乃至第3の検出の結果に基づいて、前記基板保持部および前記型保持部の少なくとも一方の前記面内における位置を制御する、ことを特徴とするインプリント方法。請求項1~5のいずれか一項に記載のインプリント装置を用いて基板上の樹脂にパターンを転写する工程と、前記工程で前記パターンを転写された基板を加工する工程と、を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。インプリントヘッドが傾いても、モールドの位置x、y座標を計測すれば、モールドの位置決めに支障はない。しかし、例えばモールドの厚さの制約等により、モールドの位置を直接計測するのが困難である場合がある。その場合、モールドを保持するインプリントヘッドの位置を計測すればよい。そのようにインプリントヘッドの位置を計測する場合、インプリントヘッドが傾斜すると、計測されたインプリントヘッドの位置とモールドの位置との間に誤差が生じる。このような誤差はアッベ誤差と呼ばれる。モールドの位置の計測誤差は、ウエハステージの位置決め誤差、さらにオーバーレイ誤差になる。よって、この誤差を低減する必要がある。そこで本発明は、基板および型の少なくとも一方の位置決めに有利な技術を提供することを目的とする。本発明は、基板上のインプリント材に型を用いてパターンを転写するインプリント装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記型を保持して前記基板保持部と対向し、前記インプリント材に前記型を接触させるように第1方向に移動可能で且つ該第1方向に直交する面に対して傾動可能な型保持部と、前記型保持部の前記第1方向に直交する方向における位置を検出する位置検出部と、前記型保持部の前記傾動の角度を検出する傾動検出部と、前記型保持部の前記第1方向における位置を検出する高さ検出部と、前記位置検出部と前記傾動検出部と前記高さ検出部との検出結果に基づいて、前記基板保持部および前記型保持部の少なくとも一方の前記面内における位置を制御する制御部と、を有することを特徴とするインプリント装置。本発明により、基板および型の少なくとも一方の位置決めに有利な技術を提供することができる。以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。[第1実施形態]図1を用いて第1実施形態のインプリント装置について説明する。図1はインプリント装置1の構成を示す概略図である。インプリント装置1は、被処理体である基板上に供給されたインプリント材に、原版としての型に形成された凹凸パターンを転写する装置である。インプリント装置1は照射系ユニット2と、インプリントヘッド4、ウエハステージ6基板ステージ、塗布機構7、支柱8、制御部9、TTMスコープ13、OAスコープ14を備える。図1を含む以下の図において、型とインプリント材とを接触させるためにインプリントヘッドが駆動する方向にZ軸を、Z軸に直交しかつ互いに直交する方向にそれぞれX軸とY軸とを図1のようにとる。照射系ユニット2は基板に供給されたインプリント材を硬化させるために、モールド3に対して光10を照射する照射手段である。この照射系ユニット2は、光源と、該光源から射出された光をインプリントに適切な光に調整するための光学素子とを備えている。インプリントヘッド4は、型としてのモールド3を保持するための型保持部である。モールド3は、基板としてのウエハ5に対する面に所定の凹凸状のパターン例えば、回路パターン等が形成されている。インプリントヘッド4には、モールド3に圧力を加えることにより、モールド3に形成されたパターンの形状を補正する補正機構11と、真空吸着力や静電力によりモールド3を引きつけて保持するモールドチャック12を備える。ウエハステージ6は、ウエハ5を保持するための基板保持部である。図1に示すようにウエハステージ6はモールドチャック12と対向している。ウエハステージ6には真空吸着力や静電力によりウエハ5を引きつけて保持する基板チャック不図示を備える。ウエハステージ6は、不図示の駆動機構により駆動されて、ウエハ5を保持した状態でXY平面内を移動する。塗布機構7は、ウエハ5にインプリント材としての樹脂18を供給する供給装置である。塗布機構7は、樹脂18を供給するためのノズルを備えている。樹脂18は、照射系ユニット2から照射された光10により硬化する光硬化樹脂である。塗布機構7は、インプリント装置1の内部に備えていなくてもよく、インプリント装置1の外部でもよい。ウエハ5に樹脂18を供給する方法としては、インプリント直前にショット毎に樹脂を塗布する方法と、あらかじめウエハ全体に樹脂を塗布しておく方法とがある。支柱8には、ウエハステージ6の位置を計測するセンサ15とインプリントヘッド4の位置を計測するセンサ16とが取り付けられている。制御部9は、インプリント装置1の動作を制御する制御機構であり、インプリント装置1の各ユニットと回線により接続されている。また、制御部9はインプリント装置に設けられた各種センサの計測値を取得することができる。制御部9は記憶手段を備えており後述の補正量を保存しておくことができ、また、不図示のコンピュータ、又はシーケンサなどを備えている。例えば、本実施形態の制御部9は、TTMスコープ13で計測されたウエハ5のショットとモールド3との間の位置ずれ量、又は、OAスコープ14を用いて計測されたウエハ5のショットの座標を基に、ショットとモールド3との間のアライメントを制御する。当該アライメントにあたっては、補正機構11及びウエハステージ6の動作を制御すればよい。制御部9は、インプリント装置1内に設けてもよいし、インプリント装置1とは別の場所に設置し遠隔で制御しても良い。TTMスコープ13は、ウエハ5に形成されたアライメントマークと、モールド3に形成されたアライメントマークとを検出する。TTMスコープ13は、アライメントマークを検出するための光学系と撮像系とを有するアライメントスコープである。TTMスコープ13は、ウエハ5上のショットとモールド3とのX方向及びY方向のずれ量を計測することができる。OAスコープ14は、モールド3から離れた位置でウエハ5に形成されたマークを検出することで、ショット座標X及びYを計測することができる。OAスコープ14は、TTMスコープ13と比べて配置スペースの制約が少ないことから、マークの検出に用いる光の波長等の検出条件を切り替える機能プロセス対応機能を多く備えうる。また、OAスコープ14を用いて、グローバルアライメント計測を行うことができる。ウエハ5上の複数のサンプルショットのマークの位置ずれを検出することでウエハのショット配列各ショットの位置を求めることができる。第1実施形態のインプリント装置で行われる光硬化法によるインプリントの方法について説明する。まず、基板上のパターン形成領域ショットに樹脂を供給する。樹脂はインプリント装置に備えられた塗布機構7ディスペンサによってショットに塗布される。次に、モールド3のパターン形状を補正する補正機構11によりモールド3の形状補正を行う。インプリントヘッド4は、インプリントヘッドを移動させるための不図示のインプリントヘッド駆動機構を備える。ウエハ5とモールド3との間隔を小さくすることで、インプリント材とモールドに形成されたパターンとを接触させる押印。ここでは、インプリントヘッドをZ軸方向に降下させることで、基板上のインプリント材とモールドのパターンとを接触させる。モールド3のパターンに樹脂18が充填した後、モールドと樹脂とを接触させた状態で、照射系ユニット2から光10紫外線を照射して樹脂を硬化させる。この後、インプリントヘッド4をZ軸方向へ駆動し、硬化したインプリント材からの離型を行う。これにより、基板上のインプリント材にモールドのパターンを形成転写することができる。この一連の動作を、ウエハ5上の全ショットに対して行う。ここで、モールドとウエハショットとの位置合わせは、インプリントヘッドの位置X、Y座標を計測して行う。位置合わせについての詳細な説明は後述する。なお、押印動作及び離型動作は、上記のようにインプリントヘッド4をZ軸方向に動かしてもよいが、ウエハステージ6をZ軸方向に動かしても良い。モールド3とウエハ5との位置合わせには、ダイバイダイアライメント方式を用いても、グローバルアライメント方式を用いても良い。ダイバイダイアライメント方式では、対象とするショットに関して形成されたマークまたはその光学像の特性によっては、正しく位置合わせできない場合がある。一方、グローバルアライメント方式では、サンプルショットを選択することにより、プロセス要因による異常なマークまたは光学像の影響を回避できるため、重ね合わせ精度が改善されうる。グローバルアライメントの場合、サンプルショットでのマーク検出を介してウエハ上の各ショットの位置が予め計測され、ダイバイダイ計測なしに、ウエハステージを移動してショットの位置決めがされる。このとき、OAスコープ14と、モールド3の位置との関係を保証する必要がある。そのために、ベースライン計測を行う。ベースラインは、ウエハに形成されたマークを、TTMスコープ13とOAスコープ14との両方で検出することで求めることができる。このベースライン計測を適時に行うことで、OAスコープ14を利用したグローバルアライメントの精度を保証することができる。図2は、インプリントヘッド4とウエハステージ6とに着目した概略図を示す。図2では、説明を簡易にするため図1で説明した補正機構11やモールドチャック12を省略してインプリントヘッド4として簡略化した図面である。ウエハステージ6は、高精度な位置制御を必要としている。そのため、ウエハステージ6はセンサ15ステージ位置検出部を用いた位置の計測が行われる。例えば、センサ15としてレーザ干渉計と、ウエハステージに備えられた平坦度の高いミラー23とを用いてウエハステージ6の位置を計測する。計測された位置の情報は、不図示の制御部に入力され、目標位置からのずれを求める。そして、不図示のリニアモータ等の駆動機構の駆動によって、ウエハステージ6は目標の位置に移動する。上述のグローバルアライメント方式により求めたショット位置の情報に基づいて、インプリントヘッドに保持されたモールド3の下にショット17が来るように、ウエハステージ6が移動する。グローバルアライメント方式では、ウエハ上のショットの配列を求めた後は、ウエハステージの位置決め精度でショットとモールドに形成されたパターンとの位置決めを行う。このとき、インプリントヘッド4が位置ずれを起こすと、モールド3の位置も変化してしまい、オーバーレイの精度が低下する原因となる。そこで、インプリント装置1はインプリントヘッド4の位置を計測するためのセンサ16ヘッド位置検出部を備えている。例えば、センサ16としてレーザ干渉計と、インプリントヘッド4に備えられた平坦度の高いミラー24とを用いてインプリントヘッド4の位置を計測する。ミラー24はインプリントヘッド4の側面に配置または形成されている。レーザ干渉計はミラー24で反射した光を用いてインプリントヘッド4の移動方向Z軸に直交する方向の位置を計測する。図2ではインプリントヘッド4のX軸方向の位置を計測している。この計測結果をもとに、ウエハステージの位置を微調整して、インプリントヘッドの位置ずれによる重ね合わせ精度の低下を防ぐ。ウエハ5の表面は、ある程度の凹凸がある。ショットの単位でウエハの表面を観察すると、モールドのパターンが形成されている面に対して傾いている場合がある。このため、インプリントヘッド4は、ウエハ5上の樹脂18とモールド3との接触を介して、ウエハ5の表面にモールド3の表面が倣う大局的に平行になるように傾動可能である傾動を許容する機構を含んでいる。あるいは、予めウエハの表面の傾斜が分かっている場合には、インプリントヘッドをウエハの傾斜に合わせて傾けて、ウエハとモールドとを接触させても良い。その場合、インプリント装置には、インプリントヘッド4を傾けるための駆動機構を持っている。また、インプリントヘッド4の傾き傾動の角度を検出するための傾斜センサ22ヘッド傾動検出部が設けられる。また、X軸及びY軸を回転軸としてインプリントヘッド4を回転させる駆動機構を含む。なお、Z軸を回転軸としてインプリントヘッド4を回転させる駆動機構を含んでいてもよい。図3を用いてインプリントヘッド4が傾くことで生じるアッベ誤差について説明する。インプリントヘッド4は矢印19の方向第1方向に移動可能で、かつ、第1方向に直交する面に対して傾動可能である。インプリントヘッド4が矢印19の方向第1方向に移動することで、モールド3と樹脂18とが接触する場合について説明する。モールド3が樹脂18に接触する際、ショット17の傾きにあわせてモールド3が傾く。そのためモールド3を保持するインプリントヘッド4が傾く。インプリントヘッド4が傾くことで、センサ16が検出するインプリントヘッド4の位置は、モールド3と樹脂18との接触前後でアッベ誤差21による違いが生じる。例えば図2に示すように、グローバルアライメント方式によって、モールド3に形成されたパターンとショット17との位置合わせがされている状態であったとする。この状態で、インプリントを行ったものが、図3である。ショット17の傾斜に合わせ、インプリントヘッド4が傾くことで、モールド3とウエハ5とは密着する。しかし、センサ16が計測した計測値には、インプリントヘッド4が傾くことで生じるアッベ誤差21の影響により計測誤差が含まれる。このように、センサ16を用いて計測した計測値にはアッベ誤差を含んでいる。そのため、ウエハステージ6はアッベ誤差を考慮して位置を制御しないと、パターンを転写したい位置からずれてしまう恐れがある。なぜならば、アッベ誤差を考慮しないとセンサ16が計測した計測値に含まれるアッベ誤差21の分だけ、ウエハステージ6は矢印20の方向に移動してしまう。図3のウエハステージ6は点線で示された位置からアッベ誤差21の大きさだけ矢印20の方向に移動した様子を示している。移動することによって、パターンを転写したい位置からずれた場所でショット17に供給された樹脂とモールドとが接触していることが分かる。そこで、インプリントヘッド4が傾くことにより生じるアッベ誤差を補正し、重ね合わせ誤差を低減するためのインプリント装置について図4を用いて説明する。まず、インプリント装置のアッベ係数を求める。アッベ係数を求めるタイミングは、装置の出荷時や装置調整時、メンテナンス時等としうる。アッベ係数は装置固有であるので装置毎に求める必要がある。ウエハステージ6は、TTMスコープ用のマークが形成されたウエハ5を保持している。インプリントヘッド4は、TTMスコープ用のマークの形成されたモールド3を保持している。この状態で、ウエハ5に形成されたマークと、モールド3に形成されたマークとを用いて位置合わせを行う。ここではウエハ5に形成されたマークを用いて説明するが、ウエハ5に形成されたマークの代わりに、ウエハステージ6に設けられた基準マークを用いてもよい。TTMスコープ13を用いてマークの計測を行えるようにするために、インプリントヘッド4のZ軸方向の位置を調節して、ウエハ5とモールド3の間隔を調整する。このとき、マークが形成されたモールド3の面と、ウエハ5の面とが平行であることが望ましい。このときのインプリントヘッドのZ軸方向の位置をZ0とする。インプリント装置には不図示のヘッド高さ検出部が備わっており、インプリントヘッド4の高さを測定することができる。この状態で、インプリントヘッド4を傾斜させる。傾斜させる方向は、X方向とY方向のチルトであり、それぞれの方向でアッベ係数を計測する必要がある。ここでは、インプリントヘッド4を図4のようにX方向に傾斜させる場合を説明する。X方向のチルトはY軸を回転軸としたインプリントヘッド4の回転移動を意味し、Y方向のチルトはX軸を回転軸としたインプリントヘッド4の回転移動を意味する。インプリントヘッド4を傾斜させる場合、その回転中心によっては、TTMスコープ13とインプリントヘッド4の位置を計測するセンサ16との両方の値が変動することになる。このとき、ウエハステージ6は、アッベ係数を計測するための基準となるため、動かないようにしておく。そのため、センサ15を用いてウエハステージ6の位置を制御しながらアッベ係数の計測を行う。インプリントヘッド4の回転中心が、モールド3のパターン面と一致していた場合は、インプリントヘッド4を傾斜させたとしてもTTMスコープ13を用いたマークの読み値計測された位置はほとんど変化しない。ウエハ5のマークとモールド3のマークとは位置合わせされた状態のままである。しかし、インプリントヘッド4が傾斜すると図4に示すように、インプリントヘッドの位置を計測するセンサ16の値がアッベ誤差の影響により変化する。インプリント装置には、インプリントヘッド4のXY平面の位置の変化を検出するセンサ16の他に、インプリントヘッド4の傾斜量を検出する傾斜センサ22を有している。傾斜センサ22はX方向及びY方向の傾き角度を検出することができる。これは、インプリントヘッドのZ方向の計測センサー不図示をX軸またはY軸に複数配置することで代用することができる。また、インプリントヘッドの位置計測センサ16をZ方向に複数配置することでも代用することができる。インプリントヘッドの傾斜量が検出できれば、そのセンサ構成については不問である。TTMスコープ13とセンサ16との両者の計測値が変化した場合は、TTMスコープ13での計測値の変化を、センサ16での計測値の変化に合算する。すなわち、両者の値の変化を加算、もしくは、減算する。加算か減算かは、それぞれのセンサの計測値の符号の取り方に依存する。インプリントヘッド4の傾斜量を変化させて、センサ16による計測を行うことで、図5に示すように、インプリントヘッド4の傾斜量Txと、センサ16が計測するインプリントヘッド4の位置の変化値ΔXとの関係を示すグラフが得られる。図5に示すグラフの傾きを、アッベ係数Cとして記憶しておく。ここでは、X方向にインプリントヘッド4を傾斜させた場合のインプリントヘッド4の位置を計測したため、X方向のアッベ係数を示している。グラフの横軸は、インプリントヘッド4の傾きとして、Y軸を回転軸とした回転角θY=Txを示している。また、縦軸は、インプリントヘッド4の変位量として、X軸方向の変位量ΔXを示している。また、アッベ係数を計測するときに、センサ16の出力値の変化を相殺するようにウエハステージ6を位置決めする方式をとってもよい。この場合、TTMスコープ13の出力値の変化をΔXとして、アッベ係数を算出することが可能となる。センサ16によって計測されるインプリントヘッド4の位置は、インプリントヘッド4の傾斜量が等しくても、インプリントヘッド4の高さ方向の位置により異なる。そのため、アッベ係数はインプリントヘッド4の高さによって異なる。そこで、インプリントヘッド4の高さが異なる複数の位置のそれぞれで、インプリントヘッド4を傾斜させてアッベ係数を求める。次に、上述した方法で求めたアッベ係数を用いて実際にインプリントを行う際に、アッベ誤差を補正する方法について説明する。具体的には、インプリントヘッド4が傾斜した場合にアッベ係数を用いてウエハステージ6の位置を補正する。本実施形態ではグローバルアライメント方式を用いて求めたショット位置にインプリントを行う場合について説明する。ウエハ表面の傾斜によって、インプリントヘッド4も傾斜させる必要がある。このとき、インプリントヘッド4の位置を検出する第1の検出センサ16の検出結果に、アッベ誤差が含まれる。そのため、ウエハステージ6が図3のように誤って追従補正してしまう。この計測誤差を補正するため、インプリント動作を行っている間に、傾斜センサ22を用いてインプリントヘッド4の傾斜量を検出する第2の検出。また、インプリントヘッド4のZ軸方向の高さも検出する第3の検出。検出された傾斜量Txと、Z軸方向の高さとによって変化するアッベ係数Cを用いて、センサ16の計測誤差ΔXを求める。求めた計測誤差の値を用いて、センサ16の計測値を補正する。グローバルアライメント方式は、通常OAスコープ14を用いる。OAスコープ14の代わりに、TTMスコープ13を用いても良い。しかし、TTMスコープ13を用いた計測は、モールドとウエハ上の樹脂とが接触していない状態でなされる。このとき、インプリントヘッドの回転中心は、モールドの下面パターン面にあることが望ましい。その場合、インプリントヘッド4のZ方向の位置によって、モールド下面の位置、すなわち、インプリントヘッド4の回転中心の位置は異なる。一方、ウエハステージ6の位置を検出するセンサ15とインプリントヘッド4の位置を検出するセンサ16は支柱8に固定して取り付けられている。このため、インプリントヘッド4の高さによって、傾斜量の変化に対するセンサ16の出力の変化は異なる。よって、アッベ係数も、インプリントヘッド4の高さによって変化する。したがって、センサ16のアッベ誤差は、Z軸方向におけるモールドとセンサとの位置関係によって決まる。センサの位置は、設計上の位置と、組立誤差とによって決まる。そこで、アッベ係数に基づいてセンサ16の計測誤差を補正する場合には、インプリントヘッド4のZ方向の位置を考慮する必要がある。図6はインプリントヘッド4のZ方向の位置を考慮したアッベ係数について概念的に示したものである。例えば、センサ16の出力に対する補正量ΔXは次の式のように求めることができる。ΔX={C0C1-Z-Z0}×Tx式1ここで、C0はセンサ16の設計上の高さZ方向の位置、C1はセンサ16の高さの設計値からのずれ量を示す。C0は、設計値のため固定値となる。また、ZはインプリントヘッドのZ方向の位置、Z0はアッベ係数計測時のインプリントヘッドのZ方向の位置、TxはインプリントヘッドのX方向の傾斜量Y軸まわりの回転量を示す。ここで、Z方向第1方向の基準位置原点は、樹脂を硬化させるときのインプリントヘッドの高さとしうるが、それには限定されない。図6におけるCoefは、式1における{}の中に示す値を示す。Coef=C0C1-Z-Z0式2インプリントヘッド4のZ方向の高さがZ0の時にアッベ誤差を計測するため、アッベ係数Cは、C0C1の値が計測されることになる。もちろん、C0は設計値で既知であるため、C1だけを計測するように、C0の補正をあらかじめ行った状態で、アッベ係数の計測を行ってもよい。このように、インプリントヘッド4のZ方向の高さによって、アッベ誤差を補正することができる。このとき、基準となるZ0は、アッベ係数Cの計測を行ったときのインプリントヘッド4のZ位置となることに注意が必要である。インプリントヘッド4のZ方向の高さZを考慮してアッベ係数を求めるCoefを得ることによって、アッベ誤差の適切な補正をすることができる。また、インプリント装置は、以上の関係式12の情報を前述の制御部に保存しておき、補正量ΔXを求めて、センサ16の検出結果を補正することで、モールドとウエハの位置合わせを行えばよい。さらに、モールドを交換した時、その厚みの差を考慮してもよい。モールドの厚みが異なれば、モールドの下面とインプリントヘッド4の回転中心とのZ方向の相対位置距離が異なる。よって、モールド厚みまで考慮した式は、以下の通りとなる。ΔX={C0C1-Z-Z0M-M0}×Tx式3ここで、Mは現在のモールドの厚み、M0はインプリントヘッドのZ方向の高さがZ0でアッベ係数を計測した際のモールドの厚みを示している。記号が式1と同じものについては説明を省略する。すなわち、アッベ係数の計測時のモールド厚みM0を記憶しておき、モールドを交換したときに、その厚みMとの差M-M0を、式1に反映すればよい。このように、モールドの厚みも考慮してアッベ係数を求めることができる。符号は、モールドが厚いときににするのか、薄いときににするのかによって異なるので注意が必要である。モールドの厚みは、あらかじめインプリント装置の外部の計測機で計測してもよいし、装置内にモールドの表面の高さを計測するセンサを構成して、インプリント装置の内部で計測してもよい。このようにインプリントヘッドの傾き角Tx、Tyと高さZとに依存する補正量にしたがって、アッベ誤差ΔX、ΔYを補正する。アッベ誤差を考慮してウエハステージの駆動を補正することで、ウエハステージ6が誤って追従する影響を減らすことができる。このため、グローバルアライメント方式で求めたショットの位置にモールドのパターンを位置合わせすることが可能となり、重ね合わせ誤差を低減することができる。第2実施形態第1実施形態では、グローバルアライメントを用いたインプリント方法について述べた。本実施形態では、ダイバイダイアライメントを用いたインプリント方法について説明する。図7は、第2実施形態のインプリント装置のインプリントヘッド4とウエハステージ6に着目した概略図を示した図である。図7のように、ダイバイダイアライメント方式の場合は、樹脂18とモールド3とを接触させる前に、TTMスコープ13を用いて、ショット17とモールド3との位置合わせを行う。TTMスコープ13を用いて、ウエハのマークとモールドのマークとを検出し、モールドのマークとウエハのマークとが一致するように位置合わせを行う。位置合わせを行った状態で、モールドと樹脂とを接触させれば、ショット17にモールドのパターンを重ね合わせることができる。この場合、インプリントヘッド4のメカ的な位置ずれは、TTMスコープ13によって計測可能であるため、第1実施形態のようなインプリントヘッドの位置を計測するセンサ16は必須ではない。ところが、図7のように、ウエハ5に傾斜を持っている場合を考える。前述のように、ウエハ全体の傾斜だけでなく、ショット内の局所的な傾斜でも同様に扱うことができる。ウエハに傾斜を持った状態でパターンの転写を行うと、ウエハの傾斜にそって、インプリントヘッド4も傾斜することになる。すると、インプリントヘッドの回転中心の場所によっては、下地のショットとモールドのパターンの位置がずれてしまうことになる。この場合も、位置合わせの誤差が生じる原因となる。インプリントヘッドの回転中心が、パターン面と大きくずれている場合や、TTMスコープの計測範囲が狭い場合、インプリントヘッドの傾斜駆動により、モールドのマークが、TTMスコープの計測可能な範囲視野を超えてしまう可能性がある。TTMスコープはインプリントヘッドが傾斜しても観察する位置は変化しない。そのため、インプリントヘッドの傾斜駆動により、モールドのマークがTTMスコープの視野から外れてしまう恐れがある。また、モールドのマークとウエハ上のマークとの相対位置が大きく変化してしまうため、TTMスコープの計測エラーとなり、位置合わせが続けられなくなり、インプリント処理を中断してしまう恐れがある。そこで、本実施形態のように、センサ16を備え、アッベ誤差に基づく補正を行うことで、相対位置が大きく変化することを低減し、生産性向上に寄与することができる。ダイバイダイアライメント方式では、TTMスコープ計測→ウエハステージ位置合わせ駆動→TTMスコープ計測というループを繰り返すことで位置合わせを行っている。このため、初期のTTMスコープ13の計測値が大きいモールドとショットの位置が大きくずれているほど、上述の計測と駆動とのループを繰り返す回数が増える傾向がある。ループを繰り返す回数が増えることでインプリント装置のスループットが低下してしまう。以降は、第1実施形態で説明したものについては、詳細な説明を省略する。本実施形態では、インプリントヘッド4が傾斜することによって生じる、モールド3とショット17との位置ずれを補正する。第2実施形態は、TTMスコープ計測を行う場合、ウエハの傾斜に合わせて、インプリントヘッドを傾斜駆動させる。このとき、インプリントヘッドの回転中心とモールド下面との位置関係により、モールドとウエハ上のショットとの間の相対位置がずれてしまうのは、先の説明の通りである。しかし、上述の第1実施形態で説明したアッベ誤差ΔXに基づいてインプリントヘッドの位置を補正する方法を用いることで、このずれ量を小さくすることが可能となる。この場合、インプリントヘッドをX-Y面内で位置決めする駆動機構を設ければよい。このように、ある程度、モールド3とショット17の位置が合っている状態から、TTMスコープ計測を始めることができる。すなわち、TTMスコープ計測と、ウエハステージ位置合わせ駆動とを繰り返すループ回数を低減することが可能となる。こうして、スループットを低下せることなく、必要に応じてアッベ誤差を考慮してウエハステージ6の位置を補正する。そのため、ダイバイダイアライメント方式において、インプリントヘッド4を傾斜させた際に、上述の計測と駆動とを繰り返す回数を低減することができる。このように、第2実施形態のインプリント方法はインプリント装置のスループットの点で有利である。本実施形態は、TTMスコープ13を用いて位置合わせのための計測を行った後に、インプリントヘッド4を傾けて、アッベ誤差の補正を行う場合について説明した。しかし、本実施形態では、ダイバイダイアライメント方式において、予めウエハ5とモールド3とを互いに平行にした状態で位置合わせのための計測を行っても良い。通常、TTMスコープ13を用いた計測においては、モールド3とウエハ5との距離をできるだけ近づけて計測する必要がある。そのため、ウエハ5の傾斜はあらかじめ計測しておき、TTMスコープ13を用いた計測を行う時は、モールド3をウエハ5の傾斜に合わせて、できるだけ平行にするのが望ましい。インプリントヘッド4の傾きはインプリント装置に設けられた傾斜センサ22を用いて検出される。ウエハ5の傾斜に合わせて、インプリントヘッド4を傾斜させた際に、モールド位置がウエハ上のショット位置に対してずれてしまうことになる。そこで、インプリントヘッド4を予め傾斜させた場合でも、モールド3とショット17との位置が大きくずれないように、アッベ誤差を考慮してウエハステージ6の位置を補正する。これにより、ある程度、モールド3とショット17との位置が合っている状態から、TTMスコープ計測を始めることができる。アッベ誤差の計測とステージの補正とについては、第1実施形態に記載した内容を用いることができる。インプリントヘッドの姿勢傾き角Tx、Tyとアッベ誤差ΔX、ΔYとの関係を計測する方法も第1実施形態と同様である。以上述べたように、ダイバイダイアライメント方式を用いた本実施形態のインプリント装置は、スループット向上や、生産性向上に寄与することができる。なお、図2、図3、図7では、ウエハ全体が一方向に傾斜している例を示している。ウエハステージ6に傾斜駆動可能な機構を備えていれば、ウエハ全体の傾斜は補正することができる。しかし、ウエハ全体の傾斜を補正しても、ウエハの凹凸によって生じるショットの傾斜は存在する。このショットの傾斜についても図2、図3、図7を用いて説明した方法を同様に適用することができる。そのため、ショット毎に傾斜が異なる場合でも、本発明を用いてアッベ誤差の影響を低減することができる。上記の何れの実施形態もインプリントヘッドの傾斜Tx、Tyについて述べてきた。また、インプリントヘッドがX軸及びY軸方向に移動する場合は、Z軸を回転軸としたときの回転θzによるアッベ誤差ΔX、ΔYも同様の方法で計測補正することが可能である。また、種々のキャリブレーションや検査で、ウエハ上のマークを、TTMスコープ13を用いて計測したい場合がある。このとき、ウエハ面とモールドのパターン面とを平行にして、ウエハのマークとモールドのマークとを検出したい。そのため、ウエハ面が前述のように傾いていると、インプリントヘッドをウエハ面にあわせて傾斜駆動させる必要がある。その時に、アッベ誤差が生じる恐れがある。そのため、インプリントヘッドが傾くときは本発明によりアッベ誤差に基づきモールドヘッドまたはステージの位置を制御すればよい。ウエハとモールドとの間の位置合わせの誤差を低減してアライメントマークを検出することができる。上記何れの実施形態も光硬化法を利用したインプリント装置及びインプリント方法について説明した。光10としては紫外線を用いるのが一般的だが、基板上に供給される樹脂インプリント材の種類に応じて光の波長は適宜決めることができる。また、基板としてウエハ5を用いて説明したが、ガラスプレート、フィルム状基板を用いることができる。さらに、本発明は熱を用いてパターンを樹脂に転写する熱サイクル法を用いたインプリント装置にも用いることができる。[デバイスの製造方法]デバイス半導体集積回路素子、液晶表示素子等の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板にパターンを転写形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア記録媒体や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを転写された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。