"画素アレイ部が形成された素子基板を備えた裏面照射型固体撮像素子であって、前記素子基板の周辺部の厚さが、前記素子基板における前記周辺部により囲まれた部分の厚さよりも厚いことを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。前記周辺部により囲まれた前記部分に、前記画素アレイ部が配置されたことを特徴とする請求項1記載の裏面照射型固体撮像素子。前記素子基板は、前記素子基板の一方の主面側に形成された配線層を有し、前記周辺部の、前記一方の主面側の高さは、前記周辺部により囲まれた前記部分の、前記一方の主面側の高さと同一である、ことを特徴とする請求項1又は2記載の裏面照射型固体撮像素子。周辺の部分が前記素子基板の前記周辺部に接着されて、前記周辺部により囲まれた前記部分の、前記素子基板の他方の主面側を封止する透光性板を、備えたことを特徴とする請求項3記載の裏面照射型固体撮像素子。前記素子基板は、前記素子基板の一方の主面側に形成された配線層を有し、前記周辺部の、前記素子基板の他方の主面側の高さは、前記周辺部により囲まれた前記部分の、前記他方の主面側の高さと同一である、ことを特徴とする請求項1又は2記載の裏面照射型固体撮像素子。前記周辺部の前記一方の主面側に設けられたバンプを備えたことを特徴とする請求項1乃至5記載の裏面照射型固体撮像素子。請求項1乃至6のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子と、電気電子部品と、導体パターンが形成された基板であって、前記裏面照射型固体撮像素子及び前記電気電子部品が搭載されそれらの間を前記導体パターンを介して電気的に接続する基板と、を備えたことを特徴とする固体撮像装置。請求項1又は2記載の裏面照射型固体撮像素子を製造する裏面照射型固体撮像素子の製造方法であって、前記画素アレイ部が形成されるとともに一方の主面側に配線層が形成され前記素子基板となるべきウエハを用意する段階と、前記ウエハの厚さを全体的に薄くする段階と、前記全体的に薄くする段階の前又は後に、前記素子基板の前記周辺部に対応する部分を除いて前記ウエハの厚さを部分的に薄くする段階と、を備えたことを特徴とする裏面照射型固体撮像素子の製造方法。前記全体的に薄くする段階は、前記ウエハの他方の主面側を全体的に除去することによって、前記ウエハの厚さを全体的に薄くする段階であり、前記部分的に薄くする段階は、前記素子基板の前記周辺部に対応する部分を除いて前記ウエハの前記他方の主面側を部分的に除去することによって、前記ウエハの厚さを部分的に薄くする段階である、ことを特徴とする請求項8記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。前記全体的に薄くする段階は、前記ウエハの他方の主面側を全体的に除去することによって、前記ウエハの厚さを全体的に薄くする段階であり、前記部分的に薄くする段階は、前記素子基板の前記周辺部に対応する部分を除いて前記ウエハの前記一方の主面側を部分的に除去することによって、前記ウエハの厚さを部分的に薄くする段階である、ことを特徴とする請求項8記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。しかしながら、前記従来の裏面照射型固体撮像素子では、裏面研磨する前に支持基板となるウエハを、素子基板となるウエハに貼り合わせる必要がある。このため、それらのウエハの貼り合わせ精度を確保しつつ、それらのウエハを貼り合わせる工程が必須であるとともに、支持基板という余分な部材が必要となる。したがって、前記従来の裏面照射型固体撮像素子では、素子基板に貼り合わせる支持基板を要することに起因して、製造コストが増大していた。また、従来の裏面照射型固体撮像素子では、外部引き出し線へ接続するための電極を表面側に露出させる場合には、支持基板にTSVSi貫通ビアを形成しなければならない。一方、従来の裏面照射型固体撮像素子では、外部引き出し線へ接続するための電極を裏面側に露出させる場合には、裏面研磨後に、素子基板の表面側に形成された電極を裏面側に露出させるために、素子基板をエッチングしなければならない。したがって、従来の裏面照射型固体撮像素子では、素子基板に貼り合わせる支持基板を要することに起因して、電極形成の観点からも、製造コストが増大していた。本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、素子基板に対する支持基板の貼り合わせを要せずに、製造コストを低減することができる裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法、並びに、前記裏面照射型固体撮像素子を用いた固体撮像装置を提供することを目的とする。前記課題を解決するための手段として、以下の各態様を提示する。第1の態様による裏面照射型固体撮像素子は、画素アレイ部が形成された素子基板を備えた裏面照射型固体撮像素子であって、前記素子基板の周辺部の厚さが、前記素子基板における前記周辺部により囲まれた部分の厚さよりも厚いものである。第2の態様による裏面照射型固体撮像素子は、前記第1の態様において、前記周辺部により囲まれた前記部分に、前記画素アレイ部が配置されたものである。第3の態様による裏面照射型固体撮像素子は、前記第1又は第2の態様において、前記素子基板は、前記素子基板の一方の主面側に形成された配線層を有し、前記周辺部の、前記一方の主面側の高さは、前記周辺部により囲まれた前記部分の、前記一方の主面側の高さと同一であるものである。第4の態様による裏面照射型固体撮像素子は、前記第3の態様において、周辺の部分が前記素子基板の前記周辺部に接着されて、前記周辺部により囲まれた前記部分の、前記素子基板の他方の主面側を封止する透光性板を、備えたものである。第5の態様による裏面照射型固体撮像素子は、前記第1又は第2の態様において、前記素子基板は、前記素子基板の一方の主面側に形成された配線層を有し、前記周辺部の、前記素子基板の他方の主面側の高さは、前記周辺部により囲まれた前記部分の、前記他方の主面側の高さと同一であるものである。第6の態様による裏面照射型固体撮像素子は、前記第1乃至第5のいずれかの態様において、前記周辺部の前記一方の主面側に設けられたバンプを備えたものである。第7の態様による固体撮像装置は、前記第1乃至第6のいずれかの態様による裏面照射型固体撮像素子と、電気電子部品と、導体パターンが形成された基板であって、前記裏面照射型固体撮像素子及び前記電気電子部品が搭載されそれらの間を前記導体パターンを介して電気的に接続する基板と、を備えたものである。第8の態様による裏面照射型固体撮像素子の製造方法は、前記第1又は第2の態様による裏面照射型固体撮像素子を製造する裏面照射型固体撮像素子の製造方法であって、前記画素アレイ部が形成されるとともに一方の主面側に配線層が形成され前記素子基板となるべきウエハを用意する段階と、前記ウエハの厚さを全体的に薄くする段階と、前記全体的に薄くする段階の前又は後に、前記素子基板の前記周辺部に対応する部分を除いて前記ウエハの厚さを部分的に薄くする段階と、を備えたものである。第9の態様による裏面照射型固体撮像素子の製造方法は、前記第8の態様において、前記全体的に薄くする段階は、前記ウエハの他方の主面側を全体的に除去することによって、前記ウエハの厚さを全体的に薄くする段階であり、前記部分的に薄くする段階は、前記素子基板の前記周辺部に対応する部分を除いて前記ウエハの前記他方の主面側を部分的に除去することによって、前記ウエハの厚さを部分的に薄くする段階であるものである。第10の態様による裏面照射型固体撮像素子の製造方法は、前記第8の態様において、前記全体的に薄くする段階は、前記ウエハの他方の主面側を全体的に除去することによって、前記ウエハの厚さを全体的に薄くする段階であり、前記部分的に薄くする段階は、前記素子基板の前記周辺部に対応する部分を除いて前記ウエハの前記一方の主面側を部分的に除去することによって、前記ウエハの厚さを部分的に薄くする段階であるものである。本発明によれば、素子基板に対する支持基板の貼り合わせを要せずに、製造コストを低減することができる裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法、並びに、前記裏面照射型固体撮像素子を用いた固体撮像装置を提供することができる。以下、本発明による裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法、並びに固体撮像装置について、図面を参照して説明する。[第1の実施の形態]図1は、本発明の第1の実施の形態による固体撮像装置1を模式的に示す概略断面図である。図2は、図1中の一部を拡大した概略断面図である。本実施の形態による固体撮像装置1は、裏面照射型固体撮像素子11と、電気電子部品としてのICチップ12,13と、裏面照射型固体撮像素子11及びICチップ12,13が搭載された基板14とを備えている。図面には示していないが、基板14には導体パターンが形成されており、前記導体パターンによって裏面照射型固体撮像素子11及びICチップ12,13の間が電気的に接続されている。例えば、裏面照射型固体撮像素子11はCMOS型固体撮像素子として構成され、ICチップ12,13は、この裏面照射型固体撮像素子11を駆動制御する回路や、裏面照射型固体撮像素子11からの出力信号を処理する回路として構成される。本実施の形態では、基板14としてシリコンインターポーザーが用いられ、裏面照射型固体撮像素子11及びICチップ12,13は、バンプ15~17により基板14に接続されて、基板14にフリップチップボンディングされている。本実施の形態では、裏面照射型固体撮像素子11は、2次元に配置された複数の画素からなる画素アレイ部31が形成された素子基板21と、透光性板22とを備えている。図2では、画素アレイ部31において、1つの画素のフォトダイオード32、カラーフィルタ33及びマイクロレンズ34のみを簡略化して示している。本実施の形態では、素子基板21は、シリコン基板及びこれに形成された各種の層や所定導電型の半導体領域等により構成されているが、その詳細な図示は省略している。素子基板21の図1及び図2中の下面表面、一方の主面側には、複数層のアルミニウム層等の配線層35が形成されている。素子基板21の図1及び図2中の上面裏面、他方の主面側が光入射側となっており、上面側にマイクロレンズ34が配置されている。図1及び図2に示すように、素子基板21の周辺部21aの厚さd1は、素子基板21における周辺部21aにより囲まれた部分以下、被包囲部分と呼ぶ。の厚さd2よりも厚くされている。画素アレイ部31は、被包囲部分に配置されている。本実施の形態では、周辺部21aの全体全周が厚くされている。強度を高めるためには、周辺部21aの全体を厚くしておくことが好ましい。しかし、本発明では、これに限らず、周辺部21aの一部が被包囲部分と同じ厚さとなっていてもよい。被包囲部分の厚さd2は、入射光がフォトダイオード32に適切に到達するような厚さ、例えば、3μm~20μm程度の厚さに設定される。周辺部21aの厚さd1は、素子基板21をウエハから個片化した後の素子基板21のハンドリングに支障を来さない強度を確保し得るような厚さ、例えば、50μm以上に設定される。本実施の形態では、素子基板21の周辺部21aの下面側の高さは、素子基板21の被包囲部分の下面側の高さと同一になっており、周辺部21aは上側に突出している。周辺部21aには、必要に応じて、画素アレイ部31の駆動等のための回路トランジスタ等を含む。が形成される。図2では、そのようなトランジスタ等の図示は省略している。透光性板22の周辺の部分は、接着剤23により、素子基板21の周辺部21aに接着されている。これにより、透光性板22が、素子基板21の被包囲部分画素アレイ部31を含む。の、素子基板21の上面側を封止している。透光性板22としては、例えば、ガラス板を用いることができる。入射光は、図1及び図2中の上方から、透光性板22及びマイクロレンズ34を介してフォトダイオード32に入射する。前述したバンプ15は、図1に示すように、素子基板21の周辺部21aの下面側に設けられている。図面には示していないが、バンプ15は、配線層35と電気的に接続されている。次に、本実施の形態による固体撮像装置1の製造方法の一例について、図3を参照して説明する。図3は、この製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図であり、図1に対応している。図3において、図1及び図2中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付している。まず、複数の裏面照射型固体撮像素子11の素子基板21の分の画素アレイ部31ただし、カラーフィルタ33及びマイクロレンズ34を除くや配線層35等が形成され素子基板21となるべきウエハSOIウエハ又はバルクシリコンウエハ100を用意する図3a。図3aには示していないが、図3a中のウエハ100の下面側に、配線層35図2参照が形成されている。この点は、図3b以降の図についても同様である。次に、ウエハ100を裏面研磨してウエハ100を全体的に薄くする。すなわち、ウエハ100の上面側配線層35とは反対側を研磨して、ウエハ100の上面側を全体的に除去することによって、ウエハ100の厚さを全体的に薄くする図3b。このとき、ウエハ100には支持基板を貼り合わせることなく、ウエハ100を裏面研磨する。この裏面研磨は、ウエハ100の厚さが、先に説明した素子基板21の周辺部21aの厚さd1となるまで行う。この裏面研磨では、例えば、ホイール研磨材による研磨の後、仕上げ研磨としてCMP化学的機械的研磨又はドライポリッシュを行ってもよい。次いで、スクライブライン上及び素子基板21の周辺部21aに相当する部分を除いて、ウエハ100の上面側配線層35とは反対側をエッチングして、ウエハ100の上面側を部分的に除去することによって、ウエハ100の厚さを部分的に薄くする図3c。このエッチングは、スクライブライン上及び素子基板21の周辺部21aに相当する部分を除いた部分のウエハ100の厚さが、先に説明した素子基板21の被包囲部分の厚さd2となるまで行う。このエッチングにより、直前の工程で行った裏面研磨により研磨面に残存する微少な研磨きずが除去され、撮像画像の品質を落とす受光部の表面欠陥が除去される。前記エッチングは、ドライエッチングでもよいし、ウエットエッチングでもよい。引き続いて、受光面上に、カラーフィルタ33図2参照及びマイクロレンズ34を形成する図3d。その後、図3dに示す状態のウエハ100をダイシングして、個々の素子基板21に個片化する図3e。次に、個片化された素子基板21を、バンプ15を形成した基板14にフリップチップボンディングする図3f。このとき、バンプ15は、素子基板21の被包囲部分の下側ではなく、素子基板21の周辺部21aの下側に配置されている。フリップチップボンディングする際にバンプ15に圧力及び超音波をかけながらボンディングする必要があるが、バンプ15が素子基板21の周辺部21aの下側に配置されていれば、前記圧力及び超音波に耐え得る強度を持つため、安定したバンプ接続が可能である。次いで、透光性板22の周辺の部分を、接着剤23により、素子基板21の周辺部21aに接着する図3g。これにより、透光性板22によって、素子基板21の被包囲部分画素アレイ部31を含む。の、素子基板21の上面側受光面側が封止される。最後に、ICチップ12,13及びその他の必要なCR部品等の電気電子部品図示せずを、基板14にフリップチップボンディングする。これにより、図1及び図2に示す固体撮像装置1が完成する。なお、図3fの工程と図3gの工程とは逆の順序で行ってもよい。すなわち、ダイシング後直ぐに透光性板22による封止を行ってもよい。また、図3eの工程の前に図3gの工程を行い、カラーフィルタ33及びマイクロレンズ34の形成後、直ぐに透光性板22による封止を行ってもよい。以上のように透光性板22による封止を素子基板21形成後のより早い段階で行うことにより、実装工程内でのゴミの封入の確率が下がり、組立て歩留まりが向上する。また、通常は、カラーフィルタ33及びマイクロレンズ34の形成後にウエハ状態で素子基板21の検査がテスター等により行われるため、すなわち、図3dの工程の後でかつダイシング前に各素子基板21の良否判定が行われるため、前記検査で良品と判定された素子基板21についてのみ透光性板22で封止することで、透光性板22を効率良く使用することができる。本実施の形態による固体撮像装置1で用いられている裏面照射型固体撮像素子11では、前述したように、素子基板21の周辺部21aの厚さd1が被包囲部分の厚さd2よりも厚くされている。したがって、入射光をフォトダイオード32に適切に到達させることができる一方で、素子基板21に支持基板を貼り合わせることなく、素子基板21の強度を確保することができ、個片化された素子基板21単体でのハンドリング基板14へのフリップチップボンディングなどが可能となる。このため、本実施の形態によれば、素子基板に貼り合わせる支持基板を要していた従来の裏面照射型固体撮像素子に比べて、製造コストを低減することができる。なお、本実施の形態は、裏面照射型固体撮像素子11を基板14へフリップチップボンディングした固体撮像装置1の例であったが、前記裏面照射型固体撮像素子11は、このような固体撮像装置1に限らず、パッケージを用いる固体撮像装置にも使用することができる。すなわち、前記裏面照射型固体撮像素子11をパッケージへ収容して、前記裏面照射型固体撮像素子11をパッケージの電極にダイボンディングした固体撮像装置を構成することができる。この場合、素子基板21に支持基板を貼り合わせることなく、素子基板21の強度を確保することができるので、個片化された素子基板21単体でのハンドリングとして、素子基板21のパッケージへのダイボンディングが可能となる。[第2の実施の形態]図4は、本発明の第2の実施の形態による固体撮像装置51を模式的に示す概略断面図であり、図1に対応している。図5は、図4中の一部を拡大した概略断面図であり、図2に対応している。図4及び図5において、図1及び図2中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。本実施の形態による固体撮像装置51が前記第1の実施の形態による固体撮像装置1と異なる所は、裏面照射型固体撮像素子11に代えて、裏面照射型固体撮像素子61が用いられている点のみである。裏面照射型固体撮像素子61が裏面照射型固体撮像素子11と異なる所は、以下に説明する点である。裏面照射型固体撮像素子11では、前述したように、素子基板21の周辺部21aの下面側の高さは、素子基板21の被包囲部分の下面側の高さと同一になっており、周辺部21aは上側に突出している。これに対し、裏面照射型固体撮像素子61では、素子基板21の周辺部21aの上面側の高さは、素子基板21の被包囲部分の上面側の高さと同一になっており、周辺部21aは下側に突出している。裏面照射型固体撮像素子61では、これを実現するため、周辺部21aは、その最下面に、比較的厚い層40を有している。この層40の材料は特に限定されるものではないが、層40として、例えばシリコン酸化層を用いることができる。また、裏面照射型固体撮像素子61では、透光性板22の周辺の部分は、スペーサを兼ねる接着剤62により、素子基板21の周辺部21aに接着されている。次に、本実施の形態による固体撮像装置51の製造方法の一例について、図6を参照して説明する。図6は、この製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図であり、図4に対応している。図6において、図4及び図5中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付している。まず、複数の裏面照射型固体撮像素子61の素子基板21の分の画素アレイ部31ただし、カラーフィルタ33及びマイクロレンズ34を除くや配線層35等が形成され素子基板21となるべきウエハSOIウエハ又はバルクシリコンウエハ200を用意する図6a。図6aには示していないが、図6a中のウエハ100の下面側に、配線層35図2参照が形成されている。この点は、図6b以降の図についても同様である。また、図6aには示していないが、このウエハ200において、その下面の全体に渡って、層40を形成しておく。次に、スクライブライン上及び素子基板21の周辺部21aに相当する部分を除いて、ウエハ200の下面側配線層35の側をエッチングして、ウエハ200の下面側すなわち、層40を部分的に除去することによって、ウエハ200の厚さを部分的に薄くする図6b。次いで、ウエハ200を裏面研磨してウエハ200を全体的に薄くする。すなわち、ウエハ200の上面側配線層35とは反対側を研磨して、ウエハ200の上面側を全体的に除去することによって、ウエハ200の厚さを全体的に薄くする図6c。このとき、ウエハ200には支持基板を貼り合わせることなく、ウエハ200を裏面研磨する。裏面研磨により研磨面に残存する微少な研磨きずを除去するため、更にエッチングを行ってもよい。引き続いて、受光面上に、カラーフィルタ33図2参照及びマイクロレンズ34を形成する図6d。このとき、図3dの場合と異なり、カラーフィルタ33及びマイクロレンズ34を形成する面に凹形状が形成されていないため、カラーフィルタ33及びマイクロレンズ34を形成する際に、凹形状のダム部分に液溜まりが形成されず、塗布むらなどが発生するおそれがない。その後、図6dに示す状態のウエハ200をダイシングして、個々の素子基板21に個片化する図6e。次に、個片化された素子基板21を、バンプ15を形成した基板14にフリップチップボンディングする図6f。次いで、透光性板22の周辺の部分を、接着剤62により、素子基板21の周辺部21aに接着する図6g。これにより、透光性板22によって、素子基板21の被包囲部分画素アレイ部31を含む。の、素子基板21の上面側受光面側が封止される。最後に、ICチップ12,13及びその他の必要なCR部品等の電気電子部品図示せずを、基板14にフリップチップボンディングする。これにより、図4及び図5に示す固体撮像装置1が完成する。本実施の形態によっても、前記第1の実施の形態と同様の利点が得られる。以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。"