"基板の厚み方向において2等分して得られる第1領域および第2領域からなる2つの領域のうち、上記どちらか一方の領域内に熱変性層が設けられ、かつ、上記熱変性層が設けられている領域の面側が凸を成すように反っていることを特徴とする単結晶基板。前記熱変性層が設けられている領域が、前記第1領域であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶基板。前記熱変性層が設けられている領域が、前記第2領域であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶基板。請求項1または2のいずれか1つに記載の単結晶基板において、前記基板の厚み方向の相対位置を、前記第1領域側の面を0と仮定し、前記第2領域側の面を100として仮定した際に、前記熱変性層が、基板の厚み方向の5以上50未満の範囲内に設けられていることを特徴とする単結晶基板。請求項1または3のいずれか1つに記載の単結晶基板において、前記基板の厚み方向の相対位置を、前記第1領域側の面を0と仮定し、前記第2領域側の面を100として仮定した際に、前記熱変性層が、基板の厚み方向の50を超え95以下の範囲内に設けられていることを特徴とする単結晶基板。請求項1~5のいずれかに記載の単結晶基板において、前記熱変性層が、レーザ照射により形成されたことを特徴とする単結晶基板。請求項1~6のいずれか1つに記載の単結晶基板において、前記熱変性層が、基板の両面と平行に設けられていることを特徴とする単結晶基板。請求項1~7のいずれか1つに記載の単結晶基板において、前記熱変性層が、基板の平面方向に対して、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状、ii複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状、iii同心円状、iv前記基板の中心点に対して略点対称に形成された形状、v前記基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状、viストライプ形状、ならびに、viiらせん形状から選択される少なくともいずれか1つのパターン形状で設けられていることを特徴とすることを特徴とする単結晶基板。請求項8に記載の単結晶基板において、前記複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状が、格子形状であることを特徴とする単結晶基板。請求項9に記載の単結晶基板において、前記格子形状を成すパターンを構成するラインのピッチが、50μm~2000μmの範囲内であることを特徴とする単結晶基板。請求項1~10のいずれか1つに記載の単結晶基板において、前記基板の曲率が200km-1以下の範囲内であることを特徴とする単結晶基板。請求項1~11のいずれか1つに記載の単結晶基板において、前記基板の材質がサファイアであることを特徴とする単結晶基板。請求項1~12のいずれか1つに記載の単結晶基板において、前記基板の直径が50mm以上300mm以下であることを特徴とする単結晶基板。請求項1~13のいずれか1つに記載の単結晶基板において、前記基板の厚みが0.05mm以上5.0mm以下であることを特徴とする単結晶基板。レーザ照射処理前の単結晶基板の一方の面側から、レーザを照射することにより、基板の厚み方向において2等分して得られる第1領域および第2領域からなる2つの領域のうち、上記どちらか一方の領域内に熱変性層を形成する熱変性層形成工程を少なくとも経て、上記熱変性層が設けられている領域の面側が凸を成すように反った単結晶基板を製造することを特徴とする単結晶基板の製造方法。前記熱変性層が設けられている領域が、前記第1領域であることを特徴とする請求項15に記載の単結晶基板の製造方法。前記単結晶基板への前記レーザの照射が、前記単結晶基板の前記第1領域側の面から行われることを特徴とする請求項16に記載の単結晶基板の製造方法。前記熱変性層が設けられている領域が、前記第2領域であることを特徴とする請求項15に記載の単結晶基板の製造方法。前記単結晶基板への前記レーザの照射が、前記単結晶基板の前記第2領域側の面から行われることを特徴とする請求項18に記載の単結晶基板の製造方法。請求項15~19のいずれか1つに記載の単結晶基板の製造方法において、前記レーザの照射が、下記A~Bに示す少なくともいずれか1つに記載の照射条件を満たすように実施されることを特徴とする単結晶基板の製造方法。<照射条件A>レーザ波長:200nm~350nmパルス幅:ナノ秒オーダー<照射条件B>レーザ波長:350nm~2000nmパルス幅:フェムト秒オーダー~ピコ秒オーダー基板の厚み方向において2等分して得られる第1領域および第2領域からなる2つの領域のうち、上記どちらか一方の領域内に熱変性層が設けられ、かつ、上記熱変性層が設けられている領域の面側が凸を成すように反っている単結晶基板の、上記第2領域側の面に、2つ以上の層を有する多層膜を形成する多層膜形成工程を、少なくとも経ることにより、多層膜付き単結晶基板を製造することを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。前記熱変性層が設けられている領域が、前記第1領域であることを特徴とする請求項21に記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法。請求項21または22のいずれか1つに記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記基板の厚み方向の相対位置を、前記第1領域側の面を0と仮定し、前記第2領域側の面を100とし仮定した際に、前記熱変性層が、前記基板の厚み方向の5以上50未満の範囲内に位置するように形成されることを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。前記熱変性層が設けられている領域が、前記第2領域であることを特徴とする請求項21に記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法。請求項21または24のいずれか1つに記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記基板の厚み方向の相対位置を、前記第1領域側の面を0と仮定し、前記第2領域側の面を100とし仮定した際に、前記熱変性層が、前記基板の厚み方向の50を超え95以下の範囲内に位置するように形成されることを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。請求項21~23のいずれか1つに記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記単結晶基板の一方の面側から、レーザを照射することにより、前記基板の厚み方向において2等分して得られる前記第1領域および前記第2領域からなる2つの領域のうち、前記第1領域内に前記熱変性層を形成する熱変性層形成工程を少なくとも経ることで、前記第1領域の面側が凸を成すように反った前記単結晶基板を作製し、その後に、当該単結晶基板に対して前記多層膜形成工程を実施することを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。前記単結晶基板への前記レーザの照射が、前記単結晶基板の前記第1領域側の面から行われることを特徴とする請求項26に記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法。請求項21、24、25のいずれか1つに記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記単結晶基板の一方の面側から、レーザを照射することにより、基板の厚み方向において2等分して得られる前記第1領域および前記第2領域からなる2つの領域のうち、前記第2領域内に熱変性層を形成する熱変性層形成工程を少なくとも経ることで、上記第2領域の面側が凸を成すように反った前記単結晶基板を作製し、その後に、当該単結晶基板に対して前記多層膜形成工程を実施することを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。前記単結晶基板への前記レーザの照射が、前記単結晶基板の前記第2領域側の面から行われることを特徴とする請求項28に記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法。請求項26~29のいずれか1つに記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記レーザの照射が、下記A~Bに示す少なくともいずれか1つに記載の照射条件を満たすように実施されることを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。<照射条件A>レーザ波長:200nm~350nmパルス幅:ナノ秒オーダー<照射条件B>レーザ波長:350nm~2000nmパルス幅:フェムト秒オーダー~ピコ秒オーダー請求項21~30のいずれか1つに記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記熱変性層が、前記多層膜と平行となるように形成されることを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。請求項21~31のいずれか1つに記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記熱変性層が、基板の平面方向に対して、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状、ii複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状、iii同心円状、iv前記基板の中心点に対して略点対称に形成された形状、v前記基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状、viストライプ形状、ならびに、viiらせん形状から選択される少なくともいずれか1つのパターン形状を描くように形成されることを特徴とすることを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。請求項32に記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状が、格子形状であることを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。請求項33に記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記格子形状を成すパターンを構成するラインのピッチが、50μm~2000μmの範囲内であることを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。請求項21~34のいずれか1つに記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記熱変性層が設けられ、前記多層膜が形成される前の前記単結晶基板の曲率が200km-1以下の範囲内であることを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。請求項21~35のいずれか1つに記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記基板の材質が、サファイアであることを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。請求項21~36のいずれか1つに記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記基板の直径が50mm以上300mm以下であることを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。請求項21~37のいずれか1つに記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記基板の厚みが0.05mm以上5.0mm以下であることを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。請求項21~38のいずれか1つに記載の多層膜付き単結晶基板の製造方法において、前記多層膜を構成する少なくともいずれか1層が、窒化物半導体結晶層であることを特徴とする多層膜付き単結晶基板の製造方法。単結晶基板の厚み方向において2等分して得られる第1領域および第2領域からなる2つの領域のうち、上記どちらか一方の領域内に熱変性層が設けられ、かつ、上記熱変性層が設けられている領域の面側が凸を成すように反っている単結晶基板の、上記第2領域側の面に、2つ以上の層を有する多層膜を形成する多層膜形成工程を、少なくとも経ることにより、多層膜付き単結晶基板を製造し、さらに、当該多層膜付き単結晶基板の上記多層膜に対して、少なくともパターニング処理を施すことにより、発光素子、光発電素子、半導体素子から選択されるいずれか1つの素子として機能する素子部分を作製する素子部分形成工程を少なくとも経て、上記素子部分と当該素子部分に略対応するサイズを有する単結晶基板とを含む素子を製造することを特徴とする素子製造方法。以上に説明したように、発光素子などの各種素子を作製するために、サファイア基板などの単結晶基板上に、素子の構成に応じた多層膜を成膜すると、成膜後の基板多層膜付き単結晶基板は、通常は反ってしまう。一方、素子を製造する上では、多層膜付き単結晶基板に対して、通常は、さらに種々の後工程が実施される。しかしながら、多層膜付き基板が反った状態で、後工程を実施する場合、素子の品質ばらつきや歩留まり低下などを招いていた。たとえば、後工程において多層膜をパターニング処理しようとした場合、以下に説明する問題が発生する。すなわち、多層膜をパターニング処理する場合、フォトマスクを用いて、多層膜上に形成されたレジストを露光することになる。この際、多層膜付き単結晶基板は反った状態である。それゆえ、単結晶基板の中央部に位置する多層膜の表面に対して露光のために照射される光の焦点を合わせると、単結晶基板の端部近傍に位置する多層膜の表面では、焦点がぼけることになる。この場合、多層膜の面内において露光ムラが生じるため、後工程を経て製造される素子の品質ばらつきや、歩留まりの低下を招くことになる。また、後工程において、多層膜付き単結晶基板の多層膜が形成された面と反対側の面を研磨バックラップ処理しようとした場合、多層膜付き単結晶基板の多層膜が形成された面を平坦な研磨盤に貼り付けて固定する必要がある。しかし、この場合、多層膜付き単結晶基板が反っていると、バックラップ処理する面を平坦にするために、貼り付け時に、多層膜付き単結晶基板に対して大きな圧力を加えて貼り付け処理を行う必要がある。しかしながら、反りが大きいほど、大きな圧力を加えなければならなくなるため、結果として、多層膜付き基板にクラックが生じ易くなり、歩留まりの低下を招くことになる。なお、このような問題の発生を回避するために、より厚みのある単結晶基板を用いることも考えられる。しかしながら、この方法では、バックラップ処理に必要な研磨量が増大し、研磨時間がより長時間となるため、生産性が低下し実用性に欠ける。一方、上述した多層膜付き単結晶基板を製造する場合、一般的には反りの殆ど無い略平坦な単結晶基板を用いて多層膜が成膜される。そして、多層膜が単結晶基板の片面に成膜されると、多層膜に起因する内部応力によって、単結晶基板をその厚み方向に対して2等分するラインで分割された両側の領域の応力バランスが崩れることになる。その結果、多層膜の成膜が完了すると単結晶基板が反ることになるといえる。上述した事情を考慮すれば、多層膜の成膜により生じる反りを、多層膜の成膜が終了した時点で矯正されるように、多層膜付き単結晶基板の製造に用いる単結晶基板として予め反った状態の基板を用いることが望ましいと考えられる。また、前記反りは単結晶基板上に多層膜を成膜する成膜工程段階から発生するが、成膜工程中の単結晶基板の反り挙動の変動が激しいと、多層膜を構成する各層において、膜厚ムラおよび/または膜質ムラが発生してしまう。この膜厚ムラおよび/または膜質ムラにより、前記各種素子の品質ばらつきや歩留まり低下などを招いていた。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、多層膜の成膜に起因して生じる反りを矯正できる単結晶基板、その製造方法、当該単結晶基板を用いた多層膜付き単結晶基板の製造方法、および、当該製造方法を利用した素子製造方法を提供することを課題とする。上記課題は以下の本発明により達成される。すなわち、本発明の単結晶基板は、基板の厚み方向において2等分して得られる第1領域および第2領域からなる2つの領域のうち、どちらか一方の領域内に熱変性層が設けられ、かつ、熱変性層が設けられている領域の面側が凸を成すように反っていることを特徴とする。さらに本発明の単結晶基板のー実施態様は、熱変性層が設けられている領域が、第1領域であることが好ましい。また本発明の単結晶基板の他の実施態様は、熱変性層が設けられている領域が、第2領域であることが好ましい。さらに本発明の単結晶基板の他の実施態様は、基板の厚み方向の相対位置を、第1領域側の面を0と仮定し、第2領域側の面を100として仮定した際に、熱変性層が、基板の厚み方向の5以上50未満の範囲内に設けられていることが好ましい。また本発明の単結晶基板の他の実施態様は、基板の厚み方向の相対位置を、第1領域側の面を0と仮定し、第2領域側の面を100として仮定した際に、熱変性層が、基板の厚み方向の50を超え95以下の範囲内に設けられていることが好ましい。さらに本発明の単結晶基板の他の実施態様は、熱変性層がレーザ照射により形成されたものであることが好ましい。さらに本発明の単結晶基板の他の実施態様は、熱変性層が基板の両面と平行に設けられていることが好ましい。さらに本発明の単結晶基板の他の実施態様は、熱変性層が基板の平面方向に対して、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状、ii複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状、iii同心円状、iv基板の中心点に対して略点対称に形成された形状、v基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状、viストライプ形状、ならびに、viiらせん形状から選択される少なくともいずれか1つのパターン形状で設けられていることが好ましい。さらに本発明の単結晶基板の他の実施態様は、複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状が、格子形状であることが好ましい。さらに本発明の単結晶基板の他の実施態様は、格子形状を成すパターンを構成するラインのピッチが、50μm~2000μmの範囲内であることが好ましい。さらに本発明の単結晶基板の他の実施態様は、基板の曲率が200km-1以下の範囲内であることが好ましい。さらに本発明の単結晶基板の他の実施態様は、基板の材質がサファイアであることが好ましい。さらに本発明の単結晶基板の他の実施態様は、基板の直径が50mm以上300mm以下であることが好ましい。さらに本発明の単結晶基板の他の実施態様は、基板の厚みが0.05mm以上5.0mm以下であることが好ましい。また本発明の単結晶基板の製造方法は、レーザ照射処理前の単結晶基板の一方の面側から、レーザを照射することにより、基板の厚み方向において2等分して得られる第1領域および第2領域からなる2つの領域のうち、上記どちらか一方の領域内に熱変性層を形成する熱変性層形成工程を少なくとも経て、上記熱変性層が設けられている領域の面側が凸を成すように反った単結晶基板を製造することを特徴とする。さらに本発明の単結晶基板の製造方法の一実施形態は、熱変性層を形成する領域が前記第1領域であることが好ましい。さらに本発明の単結晶基板の製造方法の一実施形態は、前記単結晶基板への前記レーザの照射を、前記単結晶基板の前記第1領域側の面から行うことが好ましい。また本発明の単結晶基板の製造方法の他の実施形態は、熱変性層を形成する領域が、前記第2領域であることが好ましい。さらに本発明の単結晶基板の製造方法の一実施形態は、前記単結晶基板への前記レーザの照射を、前記単結晶基板の前記第2領域側の面から行うことが好ましい。さらに本発明の単結晶基板の製造方法の一実施態様は、レーザの照射が、下記A~Bに示す少なくともいずれか1つに記載の照射条件を満たすように実施されることが好ましい。<照射条件A>レーザ波長:200nm~350nmパルス幅:ナノ秒オーダー<照射条件B>レーザ波長:350nm~2000nmパルス幅:フェムト秒オーダー~ピコ秒オーダーまた本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法は、基板の厚み方向において2等分して得られる第1領域および第2領域からなる2つの領域のうち、上記どちらか一方の領域内に熱変性層が設けられ、かつ、上記熱変性層が設けられている領域の面側が凸を成すように反っている単結晶基板の、上記第2領域側の面に、2つ以上の層を有する多層膜を形成する多層膜形成工程を、少なくとも経ることにより、多層膜付き単結晶基板を製造することを特徴とする。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の一実施形態は、熱変性層を形成する領域が、第1領域であることが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の他の実施態様は、基板の厚み方向の相対位置を、第1領域側の面を0と仮定し、第2領域側の面を100とし仮定した際に、熱変性層が、基板の厚み方向の5以上50未満の範囲内に位置するように形成されることが好ましい。また本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の他の実施形態は、熱変性層を形成する領域が、第2領域であることが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の他の実施態様は、基板の厚み方向の相対位置を、第1領域側の面を0と仮定し、第2領域側の面を100とし仮定した際に、熱変性層が、基板の厚み方向の50を超え95以下の範囲内に位置するように形成されることが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の一実施態様は、前記単結晶基板の一方の面側から、レーザを照射することにより、基板の厚み方向において2等分して得られる第1領域および第2領域からなる2つの領域のうち、第1領域内に熱変性層を形成する熱変性層形成工程を少なくとも経ることで、第1領域の面側が凸を成すように反った単結晶基板を作製し、その後に、当該単結晶基板に対して多層膜形成工程を実施することが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の一実施態様は、前記単結晶基板への前記レーザの照射を、前記単結晶基板の前記第1領域側の面から行うことが好ましい。また本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の一実施態様は、前記単結晶基板の一方の面側から、レーザを照射することにより、基板の厚み方向において2等分して得られる第1領域および第2領域からなる2つの領域のうち、第2領域内に熱変性層を形成する熱変性層形成工程を少なくとも経ることで、第2領域の面側が凸を成すように反った単結晶基板を作製し、その後に、当該単結晶基板に対して多層膜形成工程を実施することが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の一実施態様は、前記単結晶基板への前記レーザの照射を、前記単結晶基板の前記第2領域側の面から行うことが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の他の実施態様は、レーザの照射が、下記A~Bに示す少なくともいずれか1つに記載の照射条件を満たすように実施されることが好ましい。<照射条件A>レーザ波長:200nm~350nmパルス幅:ナノ秒オーダー<照射条件B>レーザ波長:350nm~2000nmパルス幅:フェムト秒オーダー~ピコ秒オーダーさらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の他の実施態様は、熱変性層が、多層膜と平行となるように形成されることが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の他の実施態様は、熱変性層が、基板の平面方向に対して、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状、ii複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状、iii同心円状、iv基板の中心点に対して略点対称に形成された形状、v基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状、viストライプ形状、ならびに、viiらせん形状から選択される少なくともいずれか1つのパターン形状を描くように形成されることを特徴とすることが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の他の実施態様は、複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状が、格子形状であることが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の他の実施態様は、格子形状を成すパターンを構成するラインのピッチが、50μm~2000μmの範囲内であることが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の他の実施態様は、前記熱変性層が設けられ、前記多層膜が形成される前の前記単結晶基板の曲率を、200km-1以下の範囲内とすることが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の他の実施態様は、基板の材質が、サファイアであることが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の他の実施態様は、基板の直径が50mm以上300mm以下であることが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の他の実施態様は、基板の厚みが0.05mm以上5.0mm以下であることが好ましい。さらに本発明の多層膜付き単結晶基板の製造方法の他の実施態様は、多層膜を構成する少なくともいずれか1層が、窒化物半導体結晶層であることが好ましい。また本発明の素子製造方法は、単結晶基板の厚み方向において2等分して得られる第1領域および第2領域からなる2つの領域のうち、上記どちらか一方の領域内に熱変性層が設けられ、かつ、上記熱変性層が設けられている領域の面側が凸を成すように反っている単結晶基板の、上記第2領域側の面に、2つ以上の層を有する多層膜を形成する多層膜形成工程を、少なくとも経ることにより、多層膜付き単結晶基板を製造し、さらに、当該多層膜付き単結晶基板の上記多層膜に対して、少なくともパターニング処理を施すことにより、発光素子、光発電素子、半導体素子から選択されるいずれか1つの素子として機能する素子部分を作製する素子部分形成工程を少なくとも経て、上記素子部分と当該素子部分に略対応するサイズを有する単結晶基板とを含む素子を製造することを特徴とする。以上に説明したように、本発明によれば、多層膜の成膜に起因して生じる反りを矯正できる単結晶基板、その製造方法、当該単結晶基板を用いた多層膜付き単結晶基板の製造方法、および、当該製造方法を利用した素子製造方法を提供することができる。単結晶基板、その製造方法および多層膜付き単結晶基板の製造方法本実施形態の単結晶基板以下、必要に応じて単に基板と云うは、基板の厚み方向において2等分して得られる第1領域および第2領域からなる2つの領域のうち、上記どちらか一方の領域内に熱変性層が設けられ、かつ、上記熱変性層が設けられる領域の面側が凸を成すように反っていることを特徴とする。また、本実施形態の単結晶基板を用いた本実施形態の多層膜付き単結晶基板の製造方法は、本実施形態の単結晶基板の第2領域側の面に、2つ以上の層を有する多層膜を形成する多層膜形成工程を、少なくとも経ることにより、多層膜付き単結晶基板を製造することを特徴とする。前記熱変性層を設ける領域は、前記第1領域または第2領域のどちらかとする。ここで、多層膜の成膜に起因して生じる反りは、本実施形態の単結晶基板を用いて多層膜を形成した場合には、矯正することができる。この場合、この反りが矯正されることで多層膜付き単結晶基板ができるだけ平坦な状態に近づくことが基本的に望ましいが、多層膜の成膜に起因して生じた反りの向きは同じままで、反りの程度が多少小さくなっているだけでもよく、あるいは、多層膜の成膜に起因して生じた反りの向きを反転させて逆向きに反らせるように、多層膜の成膜に起因して生じた反りを矯正してもよい。なお、多層膜の形成に起因する反りが矯正されることで多層膜付きの単結晶基板が略平坦な状態に近づいた場合、従来の単結晶基板に多層膜を成膜後に後工程を実施して素子を作製するときと比較して、本実施形態の単結晶基板に多層膜を成膜後に後工程を実施して素子を作製するときは、素子の品質ばらつきを抑制し、歩留まりを向上させることがより容易となる。本実施形態の単結晶基板を用いて多層膜を成膜した場合において、多層膜に起因する反りを矯正できる理由は、本実施形態の単結晶基板には第1領域内に熱変性層が設けられており、多層膜の成膜に際しては第2領域側の面に多層膜が形成されるためである。以上に説明したように、反りを有する本実施形態の単結晶基板に対して、この反りを打ち消すように多層膜を成膜することで、多層膜に起因して生じる多層膜付き単結晶基板の反りを矯正することができる。なお、このことからは、熱変性層を形成することで反らせた単結晶基板の代わりに、研磨処理によって反った場合と同様の湾曲形状を有する単結晶基板を用いても、上述と同様の効果が得られるとも予想される。しかしながら、通常の研磨は、平坦な基板に対してなされるものであるため、研磨処理によって反った場合と同様の湾曲形状の単結晶基板を作製するのは、非常に困難である。また、レンズ研磨を利用すれば、反った場合と同様の湾曲形状の単結晶基板を容易にえることができる。しかし、この場合は、研磨面に露出する結晶面が基板面内でばらつくことになる。一方、何がしかの素子の作製等を目的として単結晶基板に対して成膜する場合、一般的には、単結晶基板表面に露出した結晶面を利用して、結晶性の膜をエキタピシャル成長させることが多い。このような単結晶基板に対するニーズを考慮すれば、レンズ研磨処理によって湾曲させた単結晶基板を用いて多層膜を形成すること自体が殆ど想定され得ず、実用性や汎用性に欠ける。また、研磨処理以外にも、イオン注入によって単結晶基板の表面に組成変性層を形成することによって基板を反らせることで、上述と同様の効果が得られるとも予想される。しかしながら、イオン注入は基板表面近傍の領域に限られるため、第1領域内の任意の位置に熱変性層を設ける場合と比べると、単結晶基板の反りの制御範囲が非常に狭くなるものと思われる。これに加えて、イオン注入は減圧環境下で実施する必要があることから生産性が非常に低い。以上の点を考慮すると、イオン注入を利用した方法は、実用性には極めて欠けると考えられる。なお、本実施形態の単結晶基板内に形成される熱変性層は、単結晶基板の一部の領域を局所的に加熱することにより形成される層である。この熱変性層は、単結晶基板をその厚み方向において2等分するラインで分割される2つの領域のうちの一方の領域内に、この熱変性層を形成した場合に、当該一方の領域側に凸を成すように単結晶基板を反らす作用を有する。この熱変性層の形成方法としては特に限定されるものではないが、通常は、単結晶基板に対してレーザ照射する方法が用いられる。この場合、レーザ照射された領域に存在する原子の多光子吸収により、当該領域が局所的に加熱され、周囲の領域に対して結晶構造や結晶性の変化などの何がしかの変性が生じることで、熱変性層が形成される。即ち、レーザ照射処理前の単結晶基板の一方の面側から、レーザを照射することにより、基板の厚み方向において2等分して得られる第1領域および第2領域からなる2つの領域のうち、第1領域内に熱変性層を形成する熱変性層形成工程を少なくとも経て、第1領域の面側に凸を成すように反った本実施形態の単結晶基板を製造することができる。そして、この熱変性層形成工程を経た後に多層膜形成工程が実施される。なお、レーザ光の吸収損失を抑制するという観点から、第1領域内に熱変性層を形成する場合は、通常、レーザ照射は第1領域側の面から実施されることが好ましいが、必要に応じて第2領域側の面から実施してもよい。-レーザ照射条件-なお、レーザの照射は、熱変性層が形成できるのであれば、如何様な照射条件で実施してもよいが、一般には、短い時間幅の中にエネルギーを集中させることが出来るため、高いピーク出力が得ることができるという点で、断続的にレーザ光を出すパルスレーザを用いて、下記1および2に示す範囲内で実施することが好ましい。1レーザ波長:200nm~5000nm2パルス幅:フェムト秒オーダー~ナノ秒オーダー1fs~1000nsここで、レーザ波長やパルス幅は、レーザ照射の対象となる単結晶基板の材質に起因する光透過性/光吸収性や、単結晶基板内に形成される熱変性層のサイズパターン精度、実用上利用可能なレーザ装置などを考慮して適宜選択される。しかしながら、レーザ照射に際しては、特に下記Aに示す照射条件を選択することが好ましい。<照射条件A>レーザ波長:200nm~350nmパルス幅:ナノ秒オーダー1ns~1000ns。なお、より好ましくは、10ns~15ns。<照射条件B>レーザ波長:350nm~2000nmパルス幅:フェムト秒オーダー~ピコ秒オーダー1fs~1000ps。なお、より好ましくは、200fs~800fs。なお、照射条件Aは、照射条件Bよりも、レーザ波長がより短波長域のレーザを利用する。このため、レーザ波長およびパルス幅以外のその他の条件を同一として、レーザ照射を実施した場合、照射条件Bよりも、照射条件Aの方が、同程度の反り矯正効果を得るために必要なレーザ加工時間を短縮できる。また、使用するレーザの波長は、レーザ照射の対象となる単結晶基板の吸収端波長よりも長波長域の波長を選択することが好適である。ここで、単結晶基板がサファイア基板である場合は、上記照射条件A、Bを利用できる。この場合、レーザ波長およびパルス幅以外のその他の条件としては、たとえば、実用性や量産性等の観点から、以下に示す範囲内で選択することが好ましい。繰り返し周波数:50kHz~500kHzレーザパワー:0.05W~0.8Wレーザのスポットサイズ:0.5μm~4.0μmより好ましくは2μm前後試料ステージの走査速度:100mm/s~1000mm/sまた、単結晶基板が、Si基板の場合は、上記照射条件Bが利用できる。この場合、レーザ波長以外のその他の条件としては、たとえば、実用性や量産性等の観点から、以下に示す範囲内で選択することが好ましい。パルス幅:50ns~200ns繰り返し周波数:10kHz~500kHz照射エネルギー:3μJ~12μJレーザのスポットサイズ:0.5μm~4.0μm試料ステージの走査速度:50mm/s~1000mm/sより好ましくは100mm/s~1000mm/sまた、単結晶基板が、GaAs基板の場合は、上記照射条件Bが利用できる。この場合、レーザ波長以外のその他の条件としては、たとえば、実用性や量産性等の観点から、以下に示す範囲内で選択することが好ましい。パルス幅:30ns~80ns繰り返し周波数:10kHz~500kHz照射エネルギー:8μJ~20μJレーザのスポットサイズ:0.5μm~4.0μm試料ステージの走査速度:50mm/s~1000mm/sより好ましくは100mm/s~1000mm/sまた、単結晶基板が、水晶基板の場合は、上記照射条件Bが利用できる。この場合、レーザ波長以外のその他の条件としては、たとえば、実用性や量産性等の観点から、以下に示す範囲内で選択することが好ましい。パルス幅:200fs~800fs繰り返し周波数:10kHz~500kHz照射エネルギー:3μJ~6μJレーザのスポットサイズ:0.5μm~4.0μm試料ステージの走査速度:50mm/s~1000mm/sより好ましくは100mm/s~1000mm/sなお、表1に、Si基板、GaAs基板および水晶基板に対して熱変性層を形成する場合のレーザ照射条件の一例を示す。また、レーザ照射する場合、単結晶基板のレーザ照射される側の面は鏡面状態表面粗さRaで1nm以下程度であることが特に好ましい。レーザ照射される面を鏡面状態とするためには、たとえば、鏡面研磨を実施することができる。また、本実施形態の単結晶基板の第2領域内に熱変性層を設けることにより、単結晶基板上に多層膜を成膜する成膜工程中に発生する単結晶基板の反り挙動の変動を抑えられ、成膜工程中の任意の成膜段階での単結晶基板の反りを0にすることが可能となる。従って、多層膜を構成する各層において、膜厚ムラおよび/または膜質ムラの発生が防止される。膜厚ムラおよび/または膜質ムラが防止されることにより、各種素子の品質ばらつきや歩留まり低下などが防止される。第2領域内に設けられる熱変性層の形成方法も特に限定されないが、通常は、単結晶基板に対してレーザ照射する方法が用いられる。第2領域内に熱変性層を形成する熱変性層形成工程を少なくとも経ることにより、第2領域の面側に凸を成すように反った他の実施形態の単結晶基板を製造することができる。この熱変性層形成工程を経た後に多層膜形成工程が実施される。なお、レーザ光の吸収損失を抑制するという観点から、第2領域内に熱変性層を形成する場合は、通常、レーザ照射は第2領域側の面から実施されることが好ましいが、必要に応じて第1領域側の面から実施してもよい。-熱変性層形成工程の具体例-次に、熱変性層形成工程の具体例を図面を用いて説明する。図1および図2は本実施形態の単結晶基板の製造方法の一例を示す模式説明図であり、具体的には、熱変性層形成工程の一例を説明する模式説明図である。ここで、図1の上段は、熱変性層形成工程の実施前での単結晶基板を示す模式断面図であり、図1の下段は、熱変性層形成工程を実施した後の単結晶基板を示す模式断面図である。また、図2は熱変性層形成工程を実施している最中の状態、すなわち、単結晶基板の一方の面第1領域側の面からレーザを照射している状態を示す模式断面図である。図1の上段に示すように、熱変性層形成工程を実施する前の従来の単結晶基板レーザ処理前単結晶基板10Aは、反りが無く、略平坦状である。これに対して、図1の下段に示す熱変性層形成工程を実施した後の本実施形態の単結晶基板レーザ処理後単結晶基板10Bは、第1領域10Dの面側に凸を成すように反っている。また、図1下段に示すように、レーザ処理後単結晶基板10Bをその厚み方向において、一点鎖線Lにより2等分して得られる第1領域10Dおよび第2領域10Uのうち、第1領域10D内に、一定の厚みを有する複数の熱変性層2020A、20B、20C、20Dが、レーザ処理後単結晶基板10Bの平面方向に対して等間隔に形成されている。なお、以下の説明において、レーザ処理前単結晶基板10Aおよびレーザ処理後単結晶基板10Bの双方またはいずれかを意味してもよい場合は、単結晶基板10と称す場合がある。ここで、熱変性層形成工程は、図2に一例を示すように、レーザ処理前単結晶基板10Aを不図示の試料ステージに固定した状態で実施される。なお、固定は、たとえば、真空吸着などにより実施することが好ましい。そして、試料ステージに固定されたレーザ処理前単結晶基板10Aの試料ステージが配置された側と反対側の面から、レーザ照射装置30によりレーザを照射する。この際、レーザ処理前単結晶基板10Aをその厚み方向に2等分して得られる2つの領域のうちレーザ照射装置30が配置された側の領域10R、すなわち第1領域10Dとなりうる領域内にレーザを集光させると共に、レーザ照射装置30とレーザ処理前単結晶基板10Aとを水平方向に相対的に移動させることで、熱変性層20を形成する。ここで、レーザのスポットサイズ、レーザパワー、パルス幅などを適宜選択することで、レーザ処理後単結晶基板10Bの平面方向や厚み方向に対する熱変性層20のサイズや変性度合などを制御できる。また、レーザ処理前単結晶基板10Aに対するレーザ照射装置30の相対的な移動速度たとえば試料ステージが移動可能な場合は、試料ステージの走査速度、レーザの繰り返し周波数を適宜選択することにより、レーザ処理後単結晶基板10Bの平面方向に対する個々の熱変性層20A、20B、20C、20D間の間隔を制御することができる。また、図13の上段に示すように、第2領域10Uに熱変性層を形成する工程を実施する前の従来の単結晶基板レーザ処理前単結晶基板10Aも、反りが無く、略平坦状である。これに対して、図13の中段に示す第2領域10Uへの熱変性層形成工程を実施した後の他の実施形態の単結晶基板レーザ処理後単結晶基板10Bは、第2領域10Uの面側に凸を成すように反っている。レーザ処理後単結晶基板10Bをその厚み方向において、一点鎖線により2等分して得られる第1領域10Dおよび第2領域10Uのうち、第2領域10U内に、一定の厚みを有する複数の熱変性層2828A、28B、28C、28Dが、レーザ処理後単結晶基板10Bの平面方向に対して等間隔に形成されている。なお、前記と同様、以下の説明において、レーザ処理前単結晶基板10Aおよびレーザ処理後単結晶基板10Bの双方またはいずれかを意味してもよい場合は、単結晶基板10と称す場合がある。また、熱変性層20または28が形成された単結晶基板は、どちらもレーザ処理が施された後の単結晶基板であり、かつ熱変性層が設けられている領域の面側が凸を成すように反っているという点で共通なので、レーザ処理後単結晶基板10Bと表すことにする。ここで、第2領域10Uへの熱変性層形成工程も、レーザ処理前単結晶基板10Aを不図示の試料ステージに固定した状態で実施される。そして試料ステージに固定されたレーザ処理前単結晶基板10Aの試料ステージが配置された側と反対側の面から、レーザ照射装置30によりレーザを照射する。この際、第2領域10Uとなりうる領域内にレーザを集光させると共に、レーザ照射装置30とレーザ処理前単結晶基板10Aとを水平方向に相対的に移動させることで、熱変性層28を形成する。レーザ処理前単結晶基板10Aに対するレーザ照射装置30の相対的な移動速度たとえば試料ステージが移動可能な場合は、試料ステージの走査速度、レーザの繰り返し周波数を適宜選択することにより、レーザ処理後単結晶基板10Bの平面方向に対する個々の熱変性層28A、28B、28C、28D間の間隔を制御することができる。-多層膜形成工程実施後の多層膜付き単結晶基板の反り-次に、反りを有する本実施形態のレーザ処理後単結晶基板10Bに対して、多層膜を成膜した後に得られる多層膜付き単結晶基板の反りの状態の一例を、従来の反りの無い略平坦なレーザ処理前単結晶基板10Aに対して、多層膜を成膜した後に得られる多層膜付き単結晶基板の反りの状態と対比しながら説明する。図3は、従来の反りの無い略平坦な単結晶基板に対して多層膜を成膜した後に得られた多層膜付き単結晶基板の反りの状態の一例を示す模式断面図であり、図4は、本実施形態の単結晶基板に対して多層膜を成膜した後に得られた多層膜付き単結晶基板の反りの状態の一例を示す模式断面図である。なお、図3および図4中、図1、図2中に示すものと同様の機能構造を有するものについては、同一の符号を付してある。また、図3および図4中、多層膜を構成する各層については記載を省略してある。図3に示す多層膜付き単結晶基板30Aは、図1の上段に示すように成膜前の状態においては反りが無く略平坦なレーザ処理前単結晶基板10Aと、このレーザ処理前単結晶基板10Aの片面に設けられた多層膜40とから構成される。図3に示すように、多層膜付き単結晶基板30Aは、多層膜40が設けられた側の面に凸を成すように大きく反っている。これに対して、図4に示す多層膜付き単結晶基板30Bは、図1の下段に示すように成膜前の状態においては第1領域10Dの面側に凸を成すように大きく反っているレーザ処理後単結晶基板10Bと、このレーザ処理後単結晶基板10Bの第2領域10Uの面側に設けられた多層膜40とから構成される。熱変性層20が存在する多層膜付き単結晶基板30Bは、反りが無く略平坦な状態となっている。また図13下段に示す多層膜付き単結晶基板30Cは、図13の上段に示すように成膜前の状態においては反りが無く略平坦なレーザ処理前単結晶基板10Aと、このレーザ処理前単結晶基板10Aの片面に設けられた多層膜40とから構成される。図13下段に示すように、多層膜付き単結晶基板30Cは、多層膜40が設けられた側の面に凸を成すように大きく反っている。図13下段に示す多層膜付き単結晶基板30Cは、図13の中段に示すように成膜前の状態においては第2領域10Uの面側に凸を成すように大きく反っているレーザ処理後単結晶基板10Bと、このレーザ処理後単結晶基板10Bの第2領域10Uの面側に設けられた多層膜40とから構成される。熱変性層28が存在する多層膜付き単結晶基板30Aは、第2領域10Uの面側に凸状の反りを有している。-熱変性層の配置パターン-図3および図4に例示したように、第1領域10D内に熱変性層20を設けたレーザ処理後単結晶基板10Bを用いて多層膜40を成膜すれば、多層膜付き単結晶基板30Bの反りを矯正できる。しかしながら、熱変性層20が、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向や平面方向に対して、偏った位置に設けられたり、不規則に配置されたり、非対称的に配置されたりすると、多層膜40に起因して発生する反りを矯正することが困難となったり、あるいは、多層膜付き単結晶基板30Bの形状が歪んでしまう場合がある。上述した問題の発生を回避するためには、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向については、熱変性層20は、多層膜40と平行に設けられていることが好ましい。なお、この場合、図10に示されているように、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向の相対位置を、第1領域10D側の面を0と仮定し、第2領域10U側の面を100とし仮定した際に、熱変性層20が、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向の5以上50未満の範囲内に設けられていることが好ましく5以上30以下の範囲内に設けられていることがより好ましい。レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向に対して熱変性層20を上記数値範囲内に設けることにより、多層膜40に起因するレーザ処理後単結晶基板10Bの反りをより効果的に矯正して、多層膜付き単結晶基板30Bの変形も抑制できる。なお、図10のおける曲率変化量の符号は、図1下段に示すような第1領域側の面が凸を成す反りでの曲率変化量をプラス、第1領域側の面が凹を成す反りでの曲率変化量を-マイナスとしている。レーザ処理時における、レーザ処理前単結晶基板10Aへのレーザ照射は、図2に示すように第1領域10D側の面から実施することが好ましい。図10は第1領域10D側の面からレーザ照射を行ったレーザ処理後単結晶基板10Bにおける、熱変性層の深さと曲率変化量を示したグラフである。第1領域側の面からレーザ照射を行う利点としては、前記の通りレーザ光の吸収損失を抑制できる点に加え、次のような利点もある。図10に示すように、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向における5以上50未満の範囲内に熱変性層20を形成する場合は、第1領域側の面からレーザ照射を行うとレーザ処理後単結晶基板10Bの曲率変化量が大きくなることが判る。一方、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向における50超かつ95以下の範囲内に熱変性層を形成する際は、第1領域側の面からレーザ照射を行うと、曲率変化量は得られるものの、その絶対値としての大きさは極めて小さいことが判る。従って、熱変性層20の形成数を抑えつつ、多層膜成膜前のレーザ処理後単結晶基板10Bの反り量を大きく設けたい場合には、第1領域側の面からレーザ照射を行うことが好ましい。なお、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向に対する熱変性層20の存在位置は、個々の熱変性層20A、20B、20C、20Dが、全て同じ位置に存在することが好ましいが、異なる位置に存在していてもよい。この場合は、基板の平面方向に対する個々の熱変性層20A、20B、20C、20Dの配置位置も考慮の上、多層膜付き単結晶基板30Bの形状が歪んだり、熱変性層20を設けたことに起因する反りの矯正効果を著しく損失しないように、個々の熱変性層20A、20B、20C、20Dを、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向に対して異なる位置に配置してもよい。また、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向に対する熱変性層20の長さは、レーザのスポットサイズ、照射エネルギーレーザパワー/繰り返し周波数、パルス幅に依存して決定され、通常は、数μm~数十μmの範囲内である。また、上述した問題の発生を回避するためには、レーザ処理後単結晶基板10Bの平面方向については、熱変性層20は、以下に示されるパターン形状で設けられることが好ましい。すなわち、熱変性層20は、レーザ処理後単結晶基板10Bの平面方向に対して、下記i~viiから選択される少なくともいずれか1つのパターン形状で設けられていることが好ましい。この場合、多層膜40に起因する多層膜付き単結晶基板30Bの反りをより効果的に矯正して、その変形も抑制できる。i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状ii複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状iii同心円状iv基板の中心点に対して略点対称に形成された形状v基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状viストライプ形状viiらせん形状なお、上記i~viiに示されるパターン形状のうち、多層膜40に起因する多層膜付き単結晶基板30Bの反りをより均一に矯正でき、形状の歪みもより小さくできる観点からは、i~ivに示されるパターン形状がより好ましい。また、熱変性層20の形成に際して、レーザ走査、すなわち、レーザ処理前単結晶基板10Aに対するレーザ照射装置30の相対的な移動が、他のパターン形状と比べて比較的単純でレーザ加工が容易となる観点からは、パターン形状は、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状であることが好ましい。さらに、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状としては、複数個の同一形状および同一サイズの四角形を個々の四角形を構成する4辺が隣接する四角形のいずれか1辺と互いに重なり合うように規則的に配置した形状、すなわち、格子形状であることが特に好ましい。この場合、レーザ走査が縦方向および横方向の2方向のみでよく、レーザ加工がより容易となる上に、多層膜付き単結晶基板30Bの反り量制御や形状制御の設計もより容易となる。ここで、格子形状を成すパターンを構成するラインのピッチは、50μm~2000μmの範囲内であることが好ましく、100μm~1000μmの範囲内であることがより好ましい。ピッチを50μm以上とすることにより、レーザ加工に要する時間が必要以上に増大するのを抑制でき、また、ピッチを2000μm以下とすることにより、多層膜40に起因する多層膜付き単結晶基板30Bの反りをより確実に矯正できる。図5は、基板の平面方向に対する熱変性層の配置パターン形状の一例を示す平面図であり、具体的には、レーザ処理後単結晶基板10Bの平面形状がオリフラ面を有する円形状である場合における熱変性層20の配置パターン形状の一例を示したものである。熱変性層20の配置パターン形状は、図5に示すように、たとえば、複数本のラインを基板のオリフラ面に対して垂直又は平行に形成したストライプ形状図5a、図5b、それら両方を組み合わせた格子形状図5cなどが挙げられる。また、この他の配置パターン形状として、同一サイズの複数の正六角形を、正六角形の6つの頂点全てが当該正六角形に隣接する正六角形のいずれか一つの頂点と必ず重なり合うように規則的に配置した形状図5d、同心円状図5eなども挙げられる。なお、図5aに示す幅Wは、ライン間のピッチを意味する。なお、図4に示す例において、多層膜付き単結晶基板30Bのいずれか一方の面側に凸を成すように反りが生じる場合もありえる。しかしながら、いずれにせよ、図3に示すような反りは、反りの向きが同じかつ反り量が抑制された状態に矯正されるか、あるいは、反りの向きが逆側となるように矯正されることになる。すなわち、多層膜40に起因して発生する反りの程度は、多層膜40の層構成や膜厚、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚みや材質など、様々である。しかしながら、この反りの程度に応じて、以上に説明した、i熱変性層20のレーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向における長さ、iiレーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向における熱変性層20の配置位置、および、iiiレーザ処理後単結晶基板10Bの平面方向における熱変性層20の配置パターン形状を適宜選択して組み合わせることで、多層膜付き単結晶基板30Aに対して、多層膜付き単結晶基板30Bの多層膜40に起因する反りを矯正できるのみならず、多層膜付き単結晶基板30Bを略平坦状とすることもできる。なお、多層膜付き単結晶基板30Bの曲率としては、反りに起因する後工程での悪影響をより小さくできる観点から±30km-1の範囲内が好ましく、±20km-1の範囲内がより好ましい。また、第2領域10Uに熱変性層28を設ける場合も、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向において熱変性層28が多層膜40と平行に設けられていることが好ましい。なお、この場合、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向の相対位置を、第1領域10D側の面を0と仮定し、第2領域10U側の面を100とし仮定した際に、熱変性層28が、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向の50を超えて95以下の範囲内に設けられていることが好ましい。さらに、80以上95以下の範囲内に設けられていることがより好ましい。熱変性層28を上記数値範囲内に設けることにより、多層膜40成膜中の任意の成膜段階での単結晶基板10Bの反りを0にすることが可能となり、多層膜付き単結晶基板30Aの変形も抑制できる。なお、図14のおける曲率変化量の符号は、図13中段に示すような第2領域10U側の面が凸を成す反りでの曲率変化量をプラス、第2領域10U側の面が凹を成す反りでの曲率変化量を-マイナスとしている。レーザ処理時における、レーザ処理前単結晶基板10Aへのレーザ照射は、図13上段に示すように第2領域10U側の面から実施することが好ましい。図14は第2領域側の面からレーザ照射を行ったレーザ処理後単結晶基板10Bにおける、熱変性層の深さと曲率変化量を示したグラフである。第2領域側の面からレーザ照射を行う利点としては、前記の通りレーザ光の吸収損失を抑制できる点に加え、次のような利点もある。図14に示すように、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向における50超かつ95以下の範囲内に熱変性層28を形成する場合は、第2領域側の面からレーザ照射を行うとレーザ処理後単結晶基板10Bの曲率変化量が大きくなることが判る。一方、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向における0以下50未満の範囲内に熱変性層を形成する際は、第2領域側の面からレーザ照射を行うと、曲率変化量は得られるものの、その絶対値としての大きさは極めて小さいことが判る。従って、熱変性層28の形成数を抑えつつ、多層膜成膜前のレーザ処理後単結晶基板10Bの反り量を大きく設けたい場合には、第2領域側の面からレーザ照射を行うことが好ましい。なお、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向に対する熱変性層28の存在位置も、個々の熱変性層28A、28B、28C、28Dが、全て同じ位置に存在することが好ましいが、異なる位置に存在していてもよい。この場合は、個々の熱変性層28A、28B、28C、28Dの配置位置も考慮の上、多層膜付き単結晶基板30Cの形状が歪んだり、熱変性層28を設けたことによる効果を著しく損失しないように、前記熱変性層28A、28B、28C、28Dを、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向に対して異なる位置に配置してもよい。また、レーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向に対する熱変性層28の長さは、レーザのスポットサイズ、照射エネルギーレーザパワー/繰り返し周波数、パルス幅に依存して決定され、通常は、数μm~数十μmの範囲内である。またレーザ処理後単結晶基板10Bの平面方向については、熱変性層28は前記熱変性層20と同様、下記i~viiから選択される少なくともいずれか1つのパターン形状で設けられていることが好ましい。i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状ii複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状iii同心円状iv基板の中心点に対して略点対称に形成された形状v基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状viストライプ形状viiらせん形状なお、上記i~viiに示されるパターン形状のうち、多層膜40に起因する多層膜付き単結晶基板30Aの反りをより均一に矯正でき、形状の歪みもより小さくできる観点からは、i~ivに示されるパターン形状がより好ましい。また、熱変性層28の形成に際して、レーザ走査、すなわち、レーザ処理前単結晶基板10Aに対するレーザ照射装置40の相対的な移動が、他のパターン形状と比べて比較的単純でレーザ加工が容易となる観点から、パターン形状は、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状であることが好ましい。さらに、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状としては、複数個の同一形状および同一サイズの四角形を個々の四角形を構成する4辺が隣接する四角形のいずれか1辺と互いに重なり合うように規則的に配置した形状、すなわち、格子形状であることが特に好ましい。この場合、レーザ走査が縦方向および横方向の2方向のみでよく、レーザ加工がより容易となる上に、多層膜付き単結晶基板30Cの反り量制御や形状制御の設計もより容易となる。ここで、格子形状を成すパターンを構成するラインのピッチは、50μm~2000μmの範囲内であることが好ましく、100μm~1000μmの範囲内であることがより好ましい。ピッチを50μm以上とすることにより、レーザ加工に要する時間が必要以上に増大するのを抑制でき、また、ピッチを2000μm以下とすることにより、多層膜40成膜中の任意の成膜段階でのレーザ処理後単結晶基板10Bの反りを0に設定することをより効果的に実現することができる。熱変性層28の配置パターン形状は、図5に示す各種形状などが挙げられる。なお、図5aに示す幅Wは、ライン間のピッチを意味する。なお、多層膜40に起因して発生する反りの程度に応じて、i熱変性層28のレーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向における長さ、iiレーザ処理後単結晶基板10Bの厚み方向における熱変性層28の配置位置、および、iiiレーザ処理後単結晶基板10Bの平面方向における熱変性層28の配置パターン形状を適宜選択して組み合わせることで、多層膜付き単結晶基板30Cの多層膜40に起因する反りを矯正できるのみならず、多層膜成膜中の任意の成膜段階での単結晶基板10Bの反りも0にすることができる。-レーザ処理後単結晶基板の曲率-一方、図1の下段に示すようにレーザ処理後単結晶基板10Bは、第1領域10D側の面に凸を成すように反っているのであればその曲率は特に限定されるものではないが、曲率の上限値は200km-1以下であることが好ましく、150km-1以下であることがより好ましく、60km-1以下であることがさらに好ましい。この場合、多層膜40を成膜して得られる多層膜付き単結晶基板30Bの反りを抑制して、より平坦な状態とすることが容易となる。表2に、レーザ処理後単結晶基板の反りの曲率例と、前記反りの曲率が200km-1以下となる実施形態例を示す。表2より、レーザ処理前加工前単結晶基板の曲率は10又は11km-1で凹を成す形状であった。つまり、第1領域内に熱変性層が設けられ、第1領域の基板面側が凸、他方の領域の基板面側が凹を成している。このレーザ処理前加工前単結晶基板に、100μm以上の加工ピッチで熱変性層20を設けることにより、レーザ処理後加工後単結晶基板の曲率を200km-1以下に納めることが可能であると判明した。さらに、同じ加工ピッチでも、単結晶基板の厚み方向において第2領域側に対し第1領域側に近い位置に熱変性層を形成することにより、単結晶基板の曲率がより大きくなることが判った。さらに、単結晶基板の厚み方向において同じ位置に熱変性層を形成しても、加工ピッチが小さい方が単結晶基板の曲率がより大きくなることが判った。また、図13中段に示すように第2領域10Uに熱変性層28をレーザ処理で形成した後のレーザ処理後単結晶基板10Bは、第2領域10U側の面に凸を成すように反っているのであればその曲率は特に限定されるものではないが、曲率の上限値は200km-1以下であることが好ましく、150km-1以下であることがより好ましく、60km-1以下であることがさらに好ましい。この場合、多層膜40を成膜して得られる多層膜付き単結晶基板30Cの反りを抑制すると共に、多結晶膜40成膜中の任意の成膜段階でのレーザ処理後単結晶基板10Bの反りを0にすることがより容易となる。-単結晶基板-レーザ処理後単結晶基板10Bの作製に用いられるレーザ処理前単結晶基板10Aを構成する材質としては、レーザ照射により熱変性層20、28の形成が可能な公知の単結晶材料であればいずれも利用できるが、たとえば、サファイア、窒化物半導体、Si、GaAs、水晶、SiCなどが挙げられる。なお、本実施形態の多層膜付き単結晶基板は、単結晶材料からなる単結晶基板を利用するものである。しかしながら、このような基板の代わりに、多結晶材料からなる基板たとえば石英基板や、非晶質材料からなる基板たとえばガラス基板を用いても、多層膜に起因する反りの発生が矯正された平坦な多層膜付き基板を得ることもできる。また、レーザ処理前単結晶基板10Aは、通常、少なくとも片面が鏡面研磨されたものが用いられ、両面が鏡面研磨されたものを用いてもよい。片面のみが鏡面研磨されている場合は、通常は、この面側からレーザ照射を行いレーザ処理後単結晶基板10Bを作製し、次に、第2領域10U側の面を鏡面研磨した後に多層膜40を形成する。また、レーザ処理後単結晶基板10Bの作製に用いられるレーザ処理前単結晶基板10Aとしては、基板の製造および入手容易性の観点から、レーザ加工などによる何らの熱変性層やイオン打ち込みなどによる何らの組成変性層も形成されておらず、かつ、何らの膜も成膜されていない状態では、通常、その反り量はほぼゼロ、すなわち略平坦なものが用いられる。単結晶基板10の平面方向の形状は特に限定されるものではなく、たとえば、方形などでもよいが、公知の各種素子の製造ラインでの適用が容易であるという観点からは、円形状であることが好ましく、特にオリフラ面が設けられた円形状であることが好ましい。単結晶基板10の形状が円形状またはオリフラ面が設けられた円形状である場合、単結晶基板10の直径は50mm以上であることが好ましく、75mm以上であることがより好ましく、100mm以上であることが更に好ましい。直径を50mm以上とした場合、レーザ処理前単結晶基板10Aを用いて多層膜40を形成して多層膜付き単結晶基板30Aを作製した際に、直径の増大と共に多層膜付き単結晶基板30Aを平坦な面に静置したと仮定した際の鉛直方向に対する多層膜付き単結晶基板30Aの中央部付近と端部付近との高低差反り量が大きくなる。しかしながら、レーザ処理後単結晶基板10Bを用いて多層膜40を形成して多層膜付き単結晶基板30B、30Cを作製すれば、このような大きな反りを矯正して、反り量を容易に小さくすることができるので、後工程への悪影響を小さくすることができる。なお、直径の上限値は特に限定されるものではないが、実用上の観点からは300mm以下が好ましい。また、単結晶基板10の厚みは、5.0mm以下であることが好ましく、3.0mm以下であることが好ましく、2.0mm以下であることがより好ましい。厚みを5.0mm以下とした場合、厚みが薄いためレーザ処理後単結晶基板10Bの剛性が低下し、変形しやすくなる。この場合、レーザ処理前単結晶基板10Aを用いて多層膜40を形成して得られた多層膜付き単結晶基板30Aでは、反り量が増大しやすくなる。しかしながら、レーザ処理後単結晶基板10Bを用いて多層膜40を形成する場合、上記のレーザ処理前単結晶基板10Aを用いた場合の反りの増大を考慮して、レーザ処理後単結晶基板10Bの反り量を調整しておくことで、作製される多層膜付き単結晶基板30Bの反り量を容易に0近傍に制御できる。または、多層膜成膜中の任意の成膜段階での単結晶基板30Cの反りを0に設定することが可能となる。それゆえ、単結晶基板10の直径が増大しても後工程への悪影響を小さくすることができる。また、以上に説明した事情から、後工程において多層膜付き単結晶基板30B、30Cの第1領域10Dの面側の研磨により、レーザ処理後単結晶基板10Bを所定の厚みとなるまで研磨する必要がある場合には、後工程への悪影響が増大しない範囲で、研磨代がより小さくなるように厚みのより薄いレーザ処理後単結晶基板10Bを用いて多層膜40を形成することができる。この場合、後工程での研磨に要する時間を短縮でき、後工程における生産性を向上させることができる。厚みの下限値は特に限定されるものではないが、熱変性層20、または28を形成できる領域を確保する観点から0.05mm以上であることが好ましく、0.1mm以上であることが好ましい。なお、単結晶基板10の形状が、円形状またはオリフラ面が設けられた円形状である場合、直径が50mm以上100mm以下のときは、厚みは0.3mm以上であることが好ましく、直径が100mmを超えるときは、厚みは0.5mm以上が好ましい。-多層膜-本願明細書において多層膜とは、2つ以上の層を有するものである。これに加えて、この多層膜を構成する各層が基板の平面方向に対して同一の膜厚を有する連続した層から構成された最表層の膜を貫通する段差を持たない膜を意味する。多層膜40の層構成、ならびに、多層膜40を構成する各層の膜厚、材料および結晶性/非結晶性は、本実施形態の単結晶基板10Bを用いて作製された多層膜付き単結晶基板30B、30Cを更に後加工することにより作製される素子の種類や、素子を製造する際に適用する製造プロセスに応じて適宜選択される。しかしながら、多層膜40を構成する少なくともいずれか1層が、結晶性の層であることが好ましい。また、レーザ処理後単結晶基板10Bの成膜面に露出する結晶面を利用してエキタピシャル成長させることができるという観点からは、多層膜40を構成する各層のうち、少なくともレーザ処理後単結晶基板10Bの成膜面に直接接触する層が結晶性の層であることが好ましく、多層膜40を構成する全ての層が結晶性の層であってもよい。なお、エキタピシャル成長とは、同一組成または混晶を含むホモエキタピシャル成長、ヘテロエキタピシャル成長を含む。また、多層膜40を構成する各層の材料も、作製する素子に応じて適宜選択されるが、レーザ処理後単結晶基板10Bの作製に用いる基板がサファイア基板などの無機材料で構成されることを考慮すると、各層を構成する材料も、金属材料、金属酸化物材料、無機半導体材料などの無機材料とすることが好ましく、全ての層がこれらの無機材料から構成されることが望ましい。ただし、MOCVD法を成膜法として用いた場合、層の無機材料中に有機金属由来の有機物を含有することがある。多層膜40を構成する各層の具体例としては、たとえば、面発光レーザなどに用いる発光素子、光センサや太陽電池などに用いる受光素子、電子回路などに用いる半導体素子などの各種の窒化物半導体を利用した素子の製造に適したものとして、GaN系、AlGaN系、InGaN系などの窒化物半導体結晶層を挙げることができる。なお、この場合、レーザ処理後単結晶基板10Bの作製に用いる基板として、サファイア基板を用いることが好適である。また、多層膜40の層構成の具体例としては、たとえば、素子として窒化物半導体を利用した発光素子を作製するのであれば、レーザ処理後単結晶基板10Bとして熱変性層20、28が形成されたサファイア基板を用い、このサファイア基板側から、GaNより成るバッファ層、n型GaNより成るn型コンタクト層、n型AlGaNより成るn型クラッド層、n型InGaNより成る活性層、p型AlGaNよりなるp型クラッド層、p型GaNより成るp型コンタクト層をこの順に積層した層構成、を採用することができる。多層膜40の膜厚としては、作製する素子に応じて適宜選択され、一般的に、多層膜40の膜厚が大きくなるほど、レーザ処理前単結晶基板10Aに対して多層膜40を成膜した多層膜付き単結晶基板30Aの反り量も増大することになる。従来であれば、素子の品質ばらつきや歩留まりへの影響が顕著となってくる。また、この場合、多層膜40には、成膜後において反りに起因する脆性破壊によりクラックが発生しやすくなる。しかしながら、多層膜40を形成した後の多層膜付き単結晶基板30Bの反り量が0近傍に制御できるように、所定の反り量を有するようにレーザ照射して作製したレーザ処理後単結晶基板10Bを用いて多層膜40を成膜すれば、上述した問題の発生をより確実に抑制できる。なお、多層膜40の膜厚の上限は特に限定されるものではない。また、多層膜の層数は2層以上であればよく、作製する素子の種類に応じて層数が適宜選択できる。多層膜40の成膜方法としては特に限定されず、公知の成膜方法が利用でき、多層膜40を構成する各層毎に異なる成膜方法および/または成膜条件を採用して成膜することもできる。成膜法としてはメッキ法などの液相成膜法も挙げられるが、スパッタリング法やCVD法ChemicalVaporDepositionなどの気相成膜法を用いることが好ましい。なお、発光素子などの作製を目的として窒化物半導体結晶層などの半導体結晶層を成膜する場合、MOCVD法MetalOrganicChemicalVaporDeposition、HVPE法Hydridevaporphaseepitaxy、MBE法MolecularBeamEpitaxyなどの気相成膜法を利用することがより好ましい。なお、レーザ処理後単結晶基板10Bの多層膜40が成膜される側の面は、鏡面状態表面粗さRaで1nm以下程度であることが特に好ましい。多層膜40が形成される面を鏡面状態とするためには、たとえば、鏡面研磨を実施することができる。-多層膜形成工程の具体例-次に、多層膜40を成膜する場合の具体例として、レーザ処理後単結晶基板10Bとしてレーザ照射により熱変性層20、28を形成したサファイア基板レーザ処理後サファイア基板を用い、このレーザ処理後サファイア基板の片面に、エピタキシャル成長により窒化物半導体層を複数層積層して多層膜40を形成する場合を図面を用いて説明する。図6は、多層膜形成工程の一例を示す模式説明図であり、具体的には、サファイア基板上に窒化物半導体層等を積層することで多層膜を形成するプロセスを示した図である。ここで、図6aは成膜開始前の状態を示す図であり、図6bは低温バッファ層を形成した後の状態を示す図であり、図6cはn-GaN層を形成した後の状態を示す図であり、図6dは多重量子井戸構造を有するInGaN系活性層を形成した後の状態を示す図である。なお、図中、多層膜成膜中および多層膜成膜後のレーザ処理後サファイア基板の反りの有無や反りの程度、熱変性層20、第1領域10Dおよび第2領域10Uについては記載を省略してある。まず、レーザ処理後サファイア基板50レーザ処理後単結晶基板10Bの第2領域10U側の面以下、成膜面52と称すを成膜開始前にサーマルクリーニングする図6a。次に、成膜面52上に、低温バッファ層60図6b、n-GaN層62図6c、多重量子井戸構造を有するInGaN系活性層64AGaN系層64図6dをこの順に成長させる。これによりレーザ処理後サファイア基板50の片面に3層からなる多層膜70多層膜40が形成される。なお、この後、所定の後加工を行うことでLEDチップなどの発光素子を得ることができる。なお、多層膜70を構成する各層は、たとえばMOCVD法、HVPE法、MBE法等を利用して形成できる。次に、多層膜形成工程における単結晶基板10の反り挙動について説明する。図7は、多層膜形成工程における単結晶基板の反り挙動の一例を示すグラフであり、具体的には図6に示す多層膜70を成膜中のレーザ処理後サファイア基板50またはレーザ処理前サファイア基板の反り挙動を示したグラフである。なお、図7の説明において、レーザ処理後サファイア基板50およびレーザ処理前サファイア基板の双方を指し示す場合は、単にサファイア基板と称す。ここで、図7中、横軸は時間を表し、縦軸は成膜面におけるサファイア基板の曲率を表す。なお、縦軸の正の方向が成膜面側が凸を成すようにサファイア基板が反っている状態を意味し、縦軸の負の方向が成膜面側が凹を成すようにサファイア基板が反っている状態を意味する。また、図7に示すスペクトルA~Cの測定対象となったサファイア基板の仕様およびこのサファイア基板に対する成膜条件の詳細については、後述する実施例にて詳述する。なお、図7に例示したような多層膜形成工程の実施中におけるサファイア基板の反り挙動は、非特許文献2に開示されるIn-situ観察方法を利用することで把握することができる。また、図7の縦軸として例示する基板の曲率からは、基板の反り量を計算することができる。図8は円形状基板の曲率から基板の反り量を計算する方法を説明する模式説明図である。図8においては、基板の曲率半径をR、曲率1/Rを有する基板の反り量X、基板の直径を近似的にDとして示した。これらの値の関係性として、三平方の定理を用いることで1R2=1R-X2D22と示すことができる。この式から、基板の直径が50mmの場合は、0.322×曲率km-1、基板の直径が100mmの場合は、1.250×曲率km-1として反り量umを求めることができる。図7に示される反り挙動の変化を示す3つのスペクトルのうち、スペクトルAは、熱変性層20が形成されていないレーザ処理前の従来のサファイア基板を用いて多層膜70を形成した場合の反り挙動の変化を示したものある。また、スペクトルBおよびスペクトルCは、レーザ処理前の従来のサファイア基板の代わりにレーザ処理後サファイア基板50を用いたことを除いては、スペクトルAの測定と同じ条件で多層膜70を形成した場合の反り挙動の変化を示したものである。なお、スペクトルBおよびスペクトルCの違いは、レーザ処理後サファイア基板50の平面方向おいて格子状パターンで形成された熱変性層20のライン間のピッチのみが異なる点にある。ここで、スペクトルBの測定に用いたレーザ処理後サファイア基板50のライン間のピッチは250μmとし、スペクトルCの測定に用いたレーザ処理後サファイア基板50のライン間のピッチは100μmとした。すなわち、スペクトルCの測定に用いたレーザ処理後サファイア基板50の方が、スペクトルBの測定に用いたレーザ処理後サファイア基板50よりも、基板の平面方向に対してより密に格子状パターンの熱変性層20が形成されている。そして、その結果、図7にも示されるように成膜開始前の基板の曲率の絶対値もスペクトルCの測定に用いたレーザ処理後サファイア基板50の方が、スペクトルBの測定に用いたレーザ処理後サファイア基板50よりも大きくなっている。また、図7の横軸に沿ってa~eとして示される区間は、多層膜形成工程において順次実施される各プロセスに対応している。ここで、プロセスaは、サファイア基板の成膜面をサーマルクリーニングするプロセスに対応し、プロセスbは、低温バッファ層60を形成するプロセスに対応し、プロセスcは、n-GaN層62を形成するプロセスに対応し、プロセスdは、InGaN系活性層64A64を形成するプロセスに対応し、プロセスeはクールダウンするプロセスに対応している。次に、図7に示されるスペクトルAの反り挙動の変化を説明する。まず、a成膜面のサーマルクリーニングプロセスでは、レーザ処理前サファイア基板の成膜面と非成膜面との温度差により、成膜面が凹面を成そうとする方向図7中の縦軸におけるマイナス側に反り、曲率が大きく変化する。次に、b低温バッファ層60を形成するプロセスでは、レーザ処理前サファイア基板の温度が、a成膜面52のサーマルクリーニングプロセスを実施中の温度よりも降下し、通常は、500~600°C程度の温度に維持される。このため、成膜面が凸面を成そうとする方向図7中の縦軸におけるプラス側に反り、曲率の絶対値は小さくなる。次に、cn-GaN層62を形成するプロセスでは、レーザ処理前サファイア基板の温度を再び1000°C程度まで上昇させて、n-GaN層62を形成する。このプロセスでは、窒化ガリウムとサファイアの格子定数差に起因して、成膜面が凹面を成そうとする方向に反り、曲率の絶対値が若干増大する。次に、dInGaN系活性層64A64を形成するプロセスでは、レーザ処理前サファイア基板の温度を700~800°C程度に下降させて、InGaN系活性層64A64を形成する。そして最後に、多層膜70が形成されたレーザ処理前サファイア基板を、eクールダウンするプロセスでは、多層膜70とレーザ処理前サファイア基板との熱膨張係数差により、レーザ処理前サファイア基板が成膜面側に凸を成す方向に反り、曲率の絶対値も増大する。また、常温近傍に冷却されてクールダウン終了後もレーザ処理前サファイア基板が成膜面側に凸を成すように反った状態が維持される。しかしながら、このような反りは、多層膜70の成膜に際してレーザ処理後サファイア基板50を用いることで矯正することができ、さらに、熱変性層20の配置パターンを最適化することで、スペクトルCに示すように曲率を0近傍とすることもできる。この場合、LEDチップ等の発光素子を得るために、パターニング処理やバックラップ処理などの各種の後工程を実施しても、反りに起因する発光素子の品質ばらつきや歩留まり低下を確実に抑制することができる。ここで、図6dに示す多層膜70付きのレーザ処理後サファイア基板50を用いて、所定の後加工を行うことにより、LEDチップなどの発光素子を製造する場合、InGaN系活性層64A64の膜厚およびInGaN系活性層64A64中のIn組成の均一性が、発光波長の面内均一性に影響し、ひいては、発光素子の製造歩留まりにも影響する。InGaN系活性層64A64の膜厚およびInGaN系活性層64A64中のIn組成の均一性は成膜温度に影響を受ける。このため、図7のdInGaN系活性層64A64を形成するプロセスでは、基板面内の温度均一性を向上させるために、成膜中のサファイア基板の曲率はできるだけ0に近づけることが望ましいといえる。このような事情から、スペクトルAとして示されるように従来のレーザ処理がなされていないサファイア基板を用いて多層膜70を成膜する場合、プロセスdにおける曲率はほぼ0近傍に維持されることが多い。しかしながら、多層膜70の成膜に用いる基板を、従来のレーザ処理がなされていないサファイア基板から、レーザ処理後サファイア基板50に変更するとスペクトルB、Cに示されるように、プロセスdにおける曲率は0よりも小さくなる。それゆえ、レーザ処理後サファイア基板50を用いて多層膜70を成膜した場合、成膜後の多層膜70が設けられたレーザ処理後サファイア基板50の反りを抑制することで、1後工程への悪影響をより小さくできるというメリットを有する一方で、2プロセスdにおける曲率の絶対値の増大により、基板面内の温度均一性が低下し、結果的に発光素子の歩留まりを低下させるというデメリットも有することになる。しかしながら、このデメリットを解消する一つの方法として、プロセスdにおいて、レーザ処理後サファイア基板50の反りの向きや曲率に対応させた湾曲した形状のヒータを利用してレーザ処理後サファイア基板50を加熱することもできるたとえば、EArmouretalsemiconductorTODAYCompoundsAdvancedSiliconVol4Issue3AprilMay2009LEDgrowthcompatibilitybetween24and6sapphire参照。この場合、レーザ処理後サファイア基板50を用いて多層膜70の成膜を行っても、上記のデメリットを回避しつつ、上記のメリットのみを享受できる。また、プロセスcにおいては、スペクトルA~Cのいずれにおいても4000s以降において、時間の経過と共に曲率の絶対値が増大している。このような変化は、InGaN系活性層64A64の下地層であるn-GaN層62の膜厚方向における膜質や膜厚ばらつきなどを招くことになるため、望ましくない。この場合は、プロセスaを実施した後にプロセスbの代わりにAlN層を形成することが好ましい。これにより、プロセスcにおいて、時間の経過と共に曲率の絶対値が増大すると共に、曲率をほぼ一定に保つことができる。また、第2領域10Uに熱変性層28を形成して多層膜40を成膜する場合の具体例も、図6に示される通りである。この場合の、多層膜形成工程における単結晶基板10の反り挙動について説明する。図12は、第2領域に熱変性層28を形成した単結晶基板に多層膜を形成する工程における単結晶基板の反り挙動の一例を示すグラフである。なお、図12の説明において、レーザ処理後サファイア基板およびレーザ処理前サファイア基板の双方を指し示す場合は、単にサファイア基板と称す。ここで、図12中、横軸は時間を表し、縦軸は成膜面におけるサファイア基板の反り量を表す。なお、縦軸の正の方向が成膜面側が凸を成すようにサファイア基板が反っている状態を意味し、縦軸の負の方向が成膜面側が凹を成すようにサファイア基板が反っている状態を意味する。また、図12に示すスペクトルA~Cの測定対象となったサファイア基板の仕様およびこのサファイア基板に対する成膜条件の詳細については、後述する実施例にて詳述する。なお、図12に例示したような多層膜形成工程の実施中におけるサファイア基板の反り挙動は、非特許文献2に開示されるIn-situ観察方法を利用することで把握することができる。図12に示される反り挙動の変化を示す3つのスペクトルのうち、スペクトルAは、熱変性層28が形成されていないレーザ処理前の従来のサファイア基板を用いて多層膜70を形成した場合の反り挙動の変化を示したものある。また、スペクトルBおよびスペクトルCは、レーザ処理前の従来のサファイア基板の代わりにレーザ処理後サファイア基板50を用いたことを除いては、スペクトルAの測定と同じ条件で多層膜70を形成した場合の反り挙動の変化を示したものである。なお、スペクトルBおよびスペクトルCの違いは、レーザ処理後サファイア基板50の平面方向おいて格子状パターンで形成された熱変性層28のライン間のピッチのみが異なる点にある。ここで、スペクトルBの測定に用いたレーザ処理後サファイア基板50のライン間のピッチは500μmとし、スペクトルCの測定に用いたレーザ処理後サファイア基板50のライン間のピッチは300μmとした。すなわち、スペクトルCの測定に用いたレーザ処理後サファイア基板50の方が、スペクトルBの測定に用いたレーザ処理後サファイア基板50よりも、基板の平面方向に対してより密に格子状パターンの熱変性層28が形成されている。そして、その結果、図12にも示されるように成膜開始前の基板の反り量の絶対値もスペクトルCの測定に用いたレーザ処理後サファイア基板50の方が、スペクトルBの測定に用いたレーザ処理後サファイア基板50よりも大きくなっている。また、図12の横軸に沿ってa~eとして示される区間は、多層膜形成工程において順次実施される各プロセスに対応している。ここで、プロセスaは、サファイア基板の成膜面をサーマルクリーニングするプロセスに対応し、プロセスbは、低温バッファ層60を形成するプロセスに対応し、プロセスcは、n-GaN層62を形成するプロセスに対応し、プロセスdは、任意のGaN系障壁層64BGaN系層64を形成するプロセスに対応し、プロセスeはクールダウンするプロセスに対応している。次に、図12に示されるスペクトルAの反り挙動の変化を説明する。まず、a成膜面のサーマルクリーニングプロセスでは、レーザ処理前サファイア基板の成膜面と非成膜面との温度差により、成膜面が凹面を成そうとする方向図12中の縦軸におけるマイナス側に反り、反り量が大きく変化する。次に、b低温バッファ層60を形成するプロセスでは、レーザ処理前サファイア基板の温度が、a成膜面52のサーマルクリーニングプロセスを実施中の温度よりも降下し、通常は、500~600°C程度の温度に維持される。このため、成膜面が凸面を成そうとする方向図12中の縦軸におけるプラス側に反り、反り量の絶対値は小さくなる。次に、cn-GaN層62を形成するプロセスでは、レーザ処理前サファイア基板の温度を再び1000°C程度まで上昇させて、n-GaN層62を形成する。このプロセスでは、窒化ガリウムとサファイアの格子定数差に起因して、成膜面が凹面を成そうとする方向に反り、反り量の絶対値が若干増大する。次に、d任意のGaN系障壁層64B64を形成するプロセスでは、レーザ処理前サファイア基板の温度を1100~1200°C程度に上昇させて、GaN系障壁層64B64を形成する。そして最後に、多層膜70が形成されたレーザ処理前サファイア基板を、eクールダウンするプロセスでは、多層膜70とレーザ処理前サファイア基板との熱膨張係数差により、レーザ処理前サファイア基板が成膜面側に凸を成す方向に反り、曲率の絶対値も増大する。また、常温近傍に冷却されてクールダウン終了後もレーザ処理前サファイア基板が成膜面側に凸を成すように反った状態が維持される。ここで、多層膜70付きのレーザ処理後サファイア基板50を用いて、所定の後加工を行うことにより、HEMTHighElectronMobilityTransistor:高電子移動度トランジスタなどの半導体素子を製造する場合、GaN系障壁層64B64の膜厚およびGaN系障壁層64B64中の組成の均一性膜質が、デバイス性能に影響し、ひいては、半導体素子の製造歩留まりにも影響する。GaN系障壁層64B64の膜厚およびGaN系障壁層64B64中の組成の均一性は、成膜工程中の単結晶基板の反り挙動の変動に影響を受ける。このため、図12のdGaN系障壁層64B64を形成するプロセスでは、基板の反り挙動を抑えるために、成膜中のサファイア基板の曲率はできるだけ0に近づけることが望ましいといえる。多層膜70の成膜に用いる基板を、従来のレーザ処理がなされていないサファイア基板から、第2の領域にレーザ処理を施した後のサファイア基板50に変更するとスペクトルB、Cに示されるように、プロセスdにおける反り量は0または0に近づく。それゆえ、レーザ処理後サファイア基板50を用いて多層膜70を成膜した場合、多層膜70の膜厚ムラおよび/または膜質ムラを抑えることができるという効果を有するなお、プロセスaを実施した後にプロセスbの代わりにAlN層を形成しても良く、AlN層の形成により、プロセスcにおいて反り量をほぼ一定に保つことができる。素子製造方法図6dに一例を示したような多層膜付き単結晶基板30B、30Cに対しては、さらに各種の後工程を実施することにより素子を作製することができる。この場合、後工程において、多層膜40に対して、少なくともパターニング処理を施すことにより、発光素子、光発電素子、半導体素子から選択されるいずれか1つの素子として機能する素子部分を作製する素子部分形成工程を少なくとも経て、素子部分と当該素子部分に略対応するサイズを有する単結晶基板とを含む素子を製造することができる。ここで、多層膜40の層構成は、最終的に作製する素子の種類に応じて適宜選択される。また、素子の製造に際して、後工程として、素子部分形成工程以外に、研磨工程、分割予定ライン形成工程および分割工程をこの順に実施してもよい。この場合、本実施形態の多層膜付き単結晶基板製造方法により作製された多層膜付き単結晶基板30B、30Cを用いた素子製造方法は、具体的には以下の1~4に示す工程を少なくとも順次実施することで、素子部分と当該素子部分に略対応するサイズを有する単結晶基板とを含む素子を作製することができる。1多層膜付き単結晶基板の多層膜をパターニングして個々の素子部分を形成する素子部分形成工程2素子部分が片面に形成された素子部分付き単結晶基板の素子部分が形成されていない面を、少なくとも、多層膜成膜後熱変性層形成工程において形成された第1の熱変性層が除去されるまで研磨する研磨工程3研磨工程において研磨された面側から、個々の素子部分の境界ラインに沿って、レーザを照射することで分割予定ラインを形成する分割予定ライン形成工程4分割予定ライン形成工程において形成された分割予定ラインに沿って外力を加えることで、素子部分付きの単結晶基板を素子部分単位で分割する分割工程ここで、3分割予定ライン形成工程、および、4分割工程を実施する場合、特許文献3に記載の技術を利用することができる。なお、レーザ処理後単結晶基板10B内の熱変性層20、28が格子状パターンに形成されている場合、研磨工程において熱変性層20、28が完全に除去されない程度に研磨した上で、レーザ処理後単結晶基板10B内に残留している熱変性層20、28を分割予定ラインとして利用することで分割工程を実施することも原理的には可能である。しかしながら、多層膜40が個々の素子部分に個別化された後でないと、素子部分の存在位置を確認した上でレーザ照射のための位置合わせを行うことができない。このため、個々の素子部分を作製する前に、分割予定ラインの機能も兼ねる熱変性層20、28を形成する上記の方法では、個々の素子部分に対応させて正確に分割予定ラインを形成することが困難である。すなわち、上記の方法では、分割予定ラインは隣接する2つの素子部分間の境界線からずれてしまう可能性が大きくなるため、実用性に欠けやすい。このため、レーザ照射により形成された熱変性層を利用して分割工程を実施する場合、上記1~4に示す工程をこの順に実施することが特に好ましいといえる。また、分割予定ライン形成工程を実施する場合、レーザの照射条件としては、既述した照射条件Bを選択することが特に望ましい。レーザ波長が紫外域の照射条件Aでは、レーザ波長に起因するレーザのエネルギーが大きいために、形成される分割予定ラインの幅が太く、その太さもラインの長さ方向に対してばらつきやすくなる。このため、分割工程において、直線的かつ正確な分割が困難となる場合があるためである。図9は、本実施形態の素子製造方法の一例を示す模式説明図であり、具体的には図1の下段に示すレーザ処理後単結晶基板10Bを用いて、1素子部分形成工程図9a、2研磨工程図9b、3分割予定ライン形成工程図9c、および4分割工程図9dをこの順に実施した場合の一例を示したものである。なお、図中、図1または図13に示すものと同様の機能構成を有するものには同じ符号が付してあり、また、レーザ処理後単結晶基板10Bの反りの有無やその程度については記載を省略してある。まず、図1の下段または図13の中段に示すレーザ処理後単結晶基板10Bに形成される多層膜40に対してパターニング処理を行うことで、多層膜40を個別化して複数の素子部分42を形成する。ここで、パターニング処理は、たとえば以下のように実施できる。まず、多層膜40上にレジスト膜を形成後、フォトマスクを用いてこのレジスト膜を露光後に現像することでパターニングしてレジスト膜を部分的に除去する。その後、レジスト膜が除去された部分の多層膜40をエッチングにより除去することで素子部分42を形成する図9a。次に、素子部分42が形成された面と平坦な研磨盤80とを貼り合わせることで、研磨盤80上に素子部分42が形成されたレーザ処理後単結晶基板10Bを固定し、素子部分42が形成された面と反対側の面非成膜面12側を研磨する。この研磨は、熱変性層20を形成している場合は少なくとも熱変性層20が完全に除去されるまで実施する図9b。なお、第2領域に熱変性層28を形成する場合の研磨代は任意とする。その後、研磨後の非成膜面12A側からレーザ照射することにより、分割予定ライン90を形成する。この分割予定ライン90は、レーザ処理後単結晶基板10Bを研磨して得られた研磨後基板10Cの平面方向に対して、隣接する2つの素子部分42間に形成される図9c。最後に、この分割予定ライン90に沿って外力を加えることで、個々の素子部分42毎に研磨後基板10Cを分割し、複数の素子100を得る図9d。以下に、本発明を実施例を挙げて説明するが、本発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。<実施例1>評価用サンプルの作製何らの前処理もなされていない従来のサファイア基板レーザ処理前サファイア基板に対してレーザ照射処理することによりレーザ処理後サファイア基板50を作製した。次に、レーザ処理前サファイア基板およびレーザ処理後サファイア基板50に対して、図6に示すように多層膜70を成膜した。この際、多層膜成膜前におけるレーザ照射前後での反り量および成膜予定面側から見た反りの方向、および、多層膜成膜後における反り量および成膜面側から見た反りの方向を評価した。以下に、テスト条件および評価結果の詳細を説明する。-サファイア基板-レーザ処理前サファイア基板としては、オリフラ面付きの円形状のサファイア基板直径:4インチ100mm、厚み:650μmを用いた。なお、このサファイア基板は、両面が鏡面研磨されたものである。-熱変性層形成条件-まず、平坦な試料ステージ上に、真空吸着によりレーザ処理前サファイア基板を固定した。この状態で、レーザ処理前サファイア基板の試料ステージが配置された面側と反対の面非成膜面54側から、以下の照射条件にてレーザ照射を行うことで熱変性層20を形成し、レーザ処理後サファイア基板50を得た。なお、レーザ照射に際しては、試料ステージの縦方向の走査方向がレーザ処理前サファイア基板のオリフラと一致するように、試料ステージ上にレーザ処理前サファイア基板を固定した。そして、レーザ照射装置に対して、試料ステージを縦方向および横方向に走査し、レーザ処理前サファイア基板の平面方向に対して格子状パターンとなるように熱変性層20を形成した。ここで、試料ステージの走査速度を変えることにより格子状パターンのライン間ピッチを変化させたサンプルを作製した。レーザ波長:1045nmパルス幅:500×10-15sec繰り返し周波数:100kHzスポットサイズ:1.6~3.5μmレーザパワー:0.3W試料ステージ走査速度:400mm/sライン間のピッチに応じて左記範囲内で適宜選択-多層膜の層構成および成膜条件-レーザ処理前およびレーザ処理後の2種類のサファイア基板に、図6に示すように3層構成の多層膜70を形成した。なお、具体的な成膜条件は以下の通りであり、以下に示す1~5の順にプロセスを実施した。1サーマルクリーニングサファイア基板をMOCVD装置内に配置した後、成膜面のサーマルクリーニングを、基板温度1100°Cにて約120秒間実施した。2低温バッファ層60の形成成膜時の基板温度を530°Cとし、成膜レート0.16nm/sにて膜厚が30nmとなるまで低温バッファ層60Gaガリウム、N窒素を形成した。3n-GaN層62の形成成膜時の基板温度を1050°Cとし、成膜レート2000nm/sにて膜厚が3500nmとなるまでn-GaN層62を形成した。4InGaN系活性層64A64の形成成膜時の基板温度を750°Cとし、成膜レート10nm/sにて、膜厚が408nmとなるまでInGaN系活性層64A64を形成した。5クールダウン片面に低温バッファ層60、n-GaN層62およびInGaN系活性層64A64をこの順に形成したサファイア基板を常温近傍まで冷却した。評価結果-反り量および反りの方向の評価-表3に、多層膜成膜前におけるレーザ照射前後での反り量および成膜予定面側から見た反りの方向、および、多層膜成膜後における反り量および成膜面側から見た反りの方向について評価した結果を示す。なお、サンプル1、サンプル2および比較例は、各々、図7に示すスペクトルC、BおよびAに対応する。表3に示すように、レーザ処理前サファイア基板を用いて多層膜70を成膜した比較例では、成膜面側に凸を成すように反り、反り量は75μmであった。しかしながら、レーザ処理後サファイア基板を用いて多層膜70を成膜したサンプル2では、反り量は25μmまで減少した。さらに、サンプル2よりもライン間のピッチを狭くして熱変性層20を形成したサンプル1では反り量は0μmとなった。この結果から、レーザ処理後サファイア基板50を用いて多層膜70を成膜すれば、多層膜70に起因する反りを矯正して、反り量を小さくでき、さらには平坦な状態とすることも可能であることが判った。<実施例2>評価用サンプルの作製評価用サンプルとして図6dに示すものと同様のサファイア基板50の片面に3層構成の多層膜70が形成されたものを以下の手順で作製した。まず、サファイア基板50の成膜面52側からのレーザ照射により格子状パターンで熱変性層28を形成し、次に、成膜面52に多層膜70を形成した。その後、非成膜面54側からのレーザ照射により格子状パターンで熱変性層20を形成して得られた多層膜付きサファイア基板を作製した。この際、多層膜成膜前におけるレーザ照射前後での反り量および成膜面側から見た反りの方向と、多層膜成膜後におけるレーザ照射前後での反り量および成膜面側から見た反りの方向と、多層膜成膜後におけるレーザ照射時のライン間のピッチに対するレーザ照射前後での反り量変化の関係と、多層膜成膜中におけるサファイア基板の曲率の最大値と最小値との差とについて評価した。以下に、テスト条件および評価結果の詳細を説明する。-サファイア基板-サファイア基板50としては、オリフラ面付きの円形状のサファイア基板直径:2インチ50.8mm、厚み:430μmを用いた。なお、このサファイア基板50は、片面が鏡面研磨されたものであり、多層膜70はこの鏡面研磨された面を成膜面52として形成される。また、何らの成膜処理やレーザ照射処理を行わない状態でのこのサファイア基板50の反り量は、±10μmの範囲内である。-熱変性層形成条件-熱変性層28の形成は、平坦な試料ステージ上に、成膜面52が上面となるようにサファイア基板50を配置し、真空吸着によりサファイア基板50を固定した状態で、成膜面52側から、以下の照射条件にてレーザ照射を行うことで実施した。なお、レーザ照射に際しては、試料ステージの縦方向の走査方向がサファイア基板50のオリフラと一致するように、試料ステージ上にサファイア基板50を固定した。そして、レーザ照射装置に対して、試料ステージを縦方向および横方向に走査し、サファイア基板50の平面方向に対して格子状パターンとなるように第1の熱変性層28を形成した。ここで、ライン間ピッチは、試料ステージの走査速度を変えることで変化させた。レーザ波長:1045nmパルス幅:500fs繰り返し周波数:100kHzスポットサイズ:1.6~3.5μmレーザパワー:0.3W試料ステージ走査速度:400mm/sライン間のピッチに応じて左記範囲内で適宜選択-多層膜の層構成および成膜条件-熱変性層28が形成されたサファイア基板50の成膜面52には、3層構成の多層膜70を形成した。なお、具体的な成膜条件は以下の通りであり、以下に示す1~5の順にプロセスを実施した。1サーマルクリーニングサファイア基板50をMOCVD装置内に配置した後、成膜面52のサーマルクリーニングを、基板温度1100°Cにて約120秒間実施した。2低温バッファ層60の形成成膜時の基板温度を530°Cとし、成膜レート0.16nm/sにて膜厚が30nmとなるまで低温バッファ層60を形成した。3n-GaN層62の形成成膜時の基板温度を1050°Cとし、成膜レート2000nm/sにて膜厚が3500nmとなるまでn-GaN層62を形成した。4AlGaN系障壁層64CGaN系層64の形成成膜時の基板温度を1150°Cとし、成膜レート0.2nm/sにて、膜厚が30nmとなるまでAlGaN系障壁層64C64を形成した。5クールダウン片面に低温バッファ層60、n-GaN層62およびAlGaN系障壁層64C64をこの順に形成したサファイア基板50を常温近傍まで冷却した。評価結果-反り量および反りの方向の評価-表4に、多層膜成膜前におけるレーザ照射前後での反り量および成膜面52側から見た反りの方向と、多層膜成膜中における反り量及び成膜面側から見た反り方向、多層膜成膜後の反り量および成膜面側から見た反りの方向について評価した結果を示す。また、図12に、多層膜成膜中における単結晶基板の反り挙動の変化を示す。ここで、図12中、符号a~eで示される区間は、各々、上記1~5に示す多層膜の成膜プロセスに対応する。熱変性層28が形成された単結晶基板50の成膜面52側に、上記1~5に示すプロセスを順次実施した。この際、図12中、符号dで示されるAlGaN系障壁層64C64の成膜工程の実施中において、表4および図12に示すようにサンプル1の単結晶基板50の反りを0にできることが確認できた。なお、図12中のスペクトルAが比較例、スペクトルBがサンプル2、スペクトルCがサンプル1に相当する。また、図12中、符号cで示されるn-GaN層の成膜工程の実施中において、表4および図12に示すようにサンプル2の単結晶基板50の反りを、この成膜工程の全期間における平均値として0にできることが確認できた。<実施例3>表5に示されているように、何らの前処理もなされていない従来のサファイア基板レーザ処理前サファイア基板3つサンプル1~3に対し、1枚のサファイア基板のみに多層膜成膜前に第1領域内にレーザ照射処理を施して熱変性層20を設けることにより、サンプル3のレーザ処理後サファイア基板を作製した。次に、サンプル1または2のレーザ処理前サファイア基板およびサンプル3のレーザ処理後サファイア基板に対して、多層膜を成膜した。サンプル1,2のレーザ処理前サファイア基板には、それぞれLT-GaN膜またはAlN膜を成膜した。一方、サンプル3のレーザ処理後サファイア基板にはAlN膜を成膜した。LT-GaN膜およびAlN膜のそれぞれの成膜中のサファイア基板の反りの挙動を図11に示す。この際、AlN膜成膜前におけるレーザ照射前後でのサファイア基板の反り量および成膜予定面側から見た反りの方向、および、多層膜成膜後における反り量および成膜面側から見た反りの方向を評価した。以下に、テスト条件および評価結果の詳細を説明する。なお、使用するサファイア基板、熱変性層の形成条件に関しては、前記実施例1と同一とする。さらに、LT-GaN膜またはAlN膜の成膜条件は、実施例1と同様のサーマルクリーニング及び低温バッファ層を形成した後に、それぞれLT-GaN膜またはAlN膜を成膜した。評価結果-反り量および反りの方向の評価-表5に、AlN膜の成膜前におけるレーザ照射前後での反り量および成膜予定面側から見た反りの方向、および、AlN膜成膜後における反り量および成膜面側から見た反りの方向について評価した結果を、サンプル3エピ前加工基板AlNとして示す。さらに比較例として、従来のサファイア基板レーザ処理前サファイア基板にLT-GaN膜を形成したサンプル1STDLT-GaNと、AlN膜を形成したサンプル2STDAlNもそれぞれ示す。表5に示すように、成膜前のレーザ処理を行わなかったサンプル1STDLT-GaN、サンプル2STDAlNでは、成膜後は成膜面側に凸を成すように反り、反り量は60または80μmであった。しかしながら、レーザ処理後サファイア基板を用いてAlN膜を成膜したサンプル3エピ前加工基板AlNでは、反り量は10μmまで減少した。特に、同じAlN膜を成膜したにも関わらず、成膜後のサファイア基板の反り量を8分の1にまで減少可能であることが判明した。"