"基板102と、少なくとも1つのパワー半導体デバイス104と、少なくとも1つの第1のリードフレーム要素106とを有するパワー半導体モジュールであって、前記少なくとも1つの第1のリードフレーム要素106が、第1の面において前記パワー半導体デバイス104に接合されており、前記第1の面とは反対側の第2の面において前記基板102に接合されており、前記少なくとも1つの第1のリードフレーム要素と前記パワー半導体デバイスとの間の前記接合と、前記第1のリードフレーム要素と前記基板との間の前記接合が、焼結金属接合110を備えている、パワー半導体モジュール。前記焼結金属接合110が焼結銀接合を備えている、請求項1に記載のパワー半導体モジュール。前記基板102がセラミック基板を備えている、請求項1または2に記載のパワー半導体モジュール。前記基板102が薄膜基板または厚膜基板である、請求項1~3のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール。印刷された導体パターン108が、前記基板102の上に配置されている、請求項1~4のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール。少なくとも1つの第2のリードフレーム要素118であって、第1の面においてワイヤボンド接続116によって前記パワー半導体デバイス104に接続されており、前記第1の面とは反対側の第2の面において燒結金属接合によって前記基板102に接合されている、前記少なくとも1つの第2のリードフレーム要素118、をさらに備えている、請求項1~5のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール。前記第1のリードフレーム要素106とは反対側の、前記パワー半導体デバイス104の面、に配置されている少なくとも1つの第3のリードフレーム要素128、をさらに備えており、前記第3のリードフレーム要素128と前記パワー半導体デバイス104との間の電気的接続が、焼結金属接合を備えている、請求項1~6のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール。基板と、少なくとも1つのパワー半導体デバイスと、少なくとも1つの第1のリードフレーム要素とを有するパワー半導体モジュール、を製造する方法であって、前記第1のリードフレーム要素の第1の面の上に前記パワー半導体デバイスを位置合わせして固定するステップと、前記少なくとも1つの第1のリードフレーム要素が第1の面において前記パワー半導体デバイスに接合され、前記第1の面とは反対側の第2の面において前記基板に接合されるように、前記基板の上に前記第1のリードフレーム要素を位置合わせして固定するステップと、前記少なくとも1つの第1のリードフレーム要素と前記パワー半導体デバイスとの間の前記接合と、前記第1のリードフレーム要素と前記基板との間の前記接合が、同時に形成される焼結金属接合を備えているように、加圧焼結ステップを実行するステップと、を有する、方法。前記焼結ステップを実行する前に、焼結可能な金属ペーストを、前記基板、前記第1のリードフレーム要素の前記第1および前記第2の面、前記第1のリードフレーム要素に面している前記パワー半導体デバイスの前記面、のうちのいずれかまたは複数に塗布して構造化するステップ、を実行する、請求項8に記載の方法。さらなる少なくとも1つの第2のリードフレーム要素が、燒結金属接合によって前記基板に接合され、ワイヤボンド接続によって前記パワー半導体デバイスに接続される、請求項8または9に記載の方法。前記焼結ステップを実行する前に、さらなる少なくとも1つの第3のリードフレーム要素が、前記第1のリードフレーム要素とは反対側の、前記パワー半導体デバイスの面、の上に位置合わせされて固定され、前記第3のリードフレーム要素と前記パワー半導体デバイスとの間の電気的接続が、焼結金属接合を備えている、請求項8~10のいずれか1項に記載の方法。前記焼結金属接合が焼結銀接合を備えている、請求項8~11のいずれか1項に記載の方法。したがって、本発明の目的は、製造が単純化され、熱放散および電気絶縁が最適化され、それと同時に通電容量が増大するように、上述したタイプのパワー半導体モジュールを改良することである。この目的は、独立請求項の主題によって達成される。本発明のパワー半導体モジュールおよび本発明の製造方法の有利な実施形態は、従属請求項に定義されている。指定される動作温度が高い新しいチップを、それらの最大限の使用パラメータを用いて利用できるように、従来のチップはんだ付け法を金属焼結法、具体的には銀焼結法に置き換えることが知られている。図8および図9は、チップが銀焼結法によって回路のキャリアに接合されている、それ自体公知である配置構造を示している。この構造では、パワー半導体デバイス804,904とキャリア802,902とが、高温、高圧下で一体に押し固められている。チップ804,904とキャリア材料802,902との間に塗布されている銀ペースト810,910は、この条件下で両方の接合相手と永久的な分子結合を形成するようにされており、この場合、基板は、例えば両側に2層の銅層が塗布された酸化アルミニウム基板802,902である。さらなる銅板915はんだ層908によってキャリア902に結合されているによって、ヒートシンク916への熱伝達を改善することができる。熱伝導性の中間層サーマルグリース812,912は、対応する公差補償tolerancecompensationによって最適な熱伝達を確保する。これらの公知の解決策によると、パワー半導体モジュール800,900から外部への電気的接続は、この場合も、はんだ付けまたは圧入ピン806,906によって達成されている。銀焼結法では、たとえ厳しい動作温度条件下でも機械的に極めて堅牢な構造を得ることができる。したがって、本発明は、堅牢かつ費用効果の高いパワー半導体モジュールを製造するため、改良された工程管理に従って、金属焼結技術、具体的には銀焼結技術を利用するという発想に基づいている。本発明によると、少なくとも1つの第1のリードフレーム要素は、第1の面においてパワー半導体デバイスに接合されており、第1の面とは反対側の第2の面において基板に接合されている。本発明によると、少なくとも1つの第1のリードフレーム要素とパワー半導体デバイスとの間の接合と、第1のリードフレーム要素と基板との間の接合は、1回の製造ステップにおいて金属焼結法によって形成される。基板としては、例えばセラミック基板例:酸化アルミニウムAl2O3が適しており、良好な熱伝導特性を有する。当然ながら、別の適する材料を使用することもできる。本発明によると、金属焼結法を採用するならば、このようなパワー半導体モジュールのキャリア材料として、特に、極めて薄い基板、具体的には薄膜基板または厚膜基板を使用することもできる。キャリア材料に、印刷によって焼き付ける金属層printedandburntinmetallayer、好ましくは銀の被膜をあらかじめ設け、チップとリードフレームとの間と、リードフレームとキャリアとの間に、焼結可能な金属層を塗布する。この点において、焼結される金属層を2つの接合相手のうちどちらに塗布するかは重要ではない。次に、チップおよびリードフレームをキャリア材料の上に配置し、適切な温度の作用および機械的圧力の印加によって、互いに接合するチップとリードフレーム、およびリードフレームとキャリアに、永久的な機械的結合が形成される。このように、適用される方法は、チップのマウントと相互接続を1回の作業ステップで同時に行うワンステップ組立て方法であり、これは有利である。上述した公知の配置構造と比較すると、コストのかかる個別の工程ステップを排除することによって、コスト面の大きな利点がもたらされる。さらには、リードフレーム構造によって、配線レイアウトを有利な方法ですでに形成することができる。本発明によるシステムは、全体として、極めて信頼性が高く堅牢であり、対応する電力が上方にスケーラブルであり制限がない。したがって、本発明によるパワー半導体モジュールは、複数の適用分野、例えば、駆動制御、再生可能エネルギ、無停電電源、電気的駆動のみならず、溶接切断、電源ユニット、医療機器、鉄道工学において有利に使用することができる。さらに、本発明は、パワーモジュール全体のみならず、個々のパワー半導体デバイスすなわち個別半導体にも使用することができる。これらの適用分野では、本発明によるマウント相互接続技術は、コスト節減に関する利点と、極めて高い熱機械的安定性および信頼性を提供する。本発明の有利な実施形態によると、少なくとも1つの第2のリードフレーム要素が設けられており、このリードフレーム要素は、第1の面においてワイヤボンド接続によってパワー半導体デバイスに接続されており、第1の面とは反対側の第2の面において焼結金属接合によって基板に接合されている。この解決策では、外部への別の接続をさらに形成することができる。さらには、本発明による配置構造は、さらに広範な層状サンドイッチ構造に拡張することもできる。第1のリードフレーム要素とは反対側のパワー半導体デバイスの面に、少なくとも1つの第3のリードフレーム要素を配置することができ、したがって、半導体デバイスが2つのリードフレームの間に配置される。本発明によると、第3のリードフレーム要素とパワー半導体デバイスとの間の電気的接続も、1回の製造ステップで形成される焼結金属接合によって達成される。この配置構造では、個別部品の製造ステップがさらに単純化され、その利点として、信頼性が極めて高く、通電容量が大きい。本発明の原理は、焼結金属層の形で、焼結銀接合と組み合わせて利用することが有利である。しかしながら、当業者には理解されるように、焼結する金属粒子は、銀のみならず、金、銅、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウム、ケイ素、アルミニウム、その他、または少なくとも2種類の金属の合金を含んでいることができる。以下では、本発明を深く理解できるように、図面に示した例示的な実施形態を参照しながら本発明についてさらに詳しく説明する。図面において、類似する部分には類似する参照数字および類似する名称を使用してある。さらに、図示および説明した実施形態におけるいくつかの特徴および特徴の組み合わせは、本発明による独立した1つまたは複数の独創的な解決策となり得る。図1は、本発明によるパワー半導体モジュール100の第1の実施形態を概略図として示している。パワー半導体モジュール100以下ではパワーモジュールとも称するは、基板102好ましくはセラミックからなるを備えている。当然ながら、別の一般的な回路キャリア材料例えば、高温耐熱性のプラスチック材料またはフィルムも使用することができる。この基板102の上に、印刷によって焼き付けられた構造化された銀層108が設けられている。この銀層108は、本発明の焼結銀接合110と接触する役割を果たしている。本発明によると、パワー半導体デバイス以下ではチップとも称するは、第1の面112において焼結銀接合110によって第1のリードフレーム要素106に接合されている。基板102との電気的接触は、リードフレーム要素106の第1の面112とは反対側の第2の面において達成されている。本発明のこの解決策によると、リードフレーム要素106の2つの面112,114との接合は、1回の加圧焼結ステップにおいて形成することができる。本発明の方法によると、ペースト層は、従来技術による焼結接合から公知であるように接合相手の一方または両方の上に、好ましくはスクリーン印刷技術によって段差状に図示していない配置する。このようなペースト層の層厚さは、通常では10μm~20μmの範囲内である。ペースト層自体は、金属フレークの形での金属材料最大膨張はマイクロメートルのオーダーと溶剤との混合物からなる。金属フレークの材料としては、特に銀が適しているが、他の貴金属、または貴金属の含有量が90以上の混合物も適している。したがって、本発明は、焼結銀接合のみならず、他の加圧焼結接合にも使用できることが、当業者には理解されるであろう。金属層を形成するには、ペースト層に圧力を印加する。さらには、この圧力を印加する前にペースト層から溶剤の少なくとも95を追い出すことが有利である。この追い出しは、温度を上昇させる例えば350ケルビンことによって達成することが好ましい。この温度上昇は、次の圧力印加中に維持する、またはさらに高めることもできる。半導体デバイス104を保護する目的で、圧力印加時に、半導体デバイス104を例えばシートによって覆うようにすることができる。ペースト層と接触面との間に十分な付着力の接合を達成する目的で、このような圧力印加の最終的な最大圧力は、通常では約8MPaである。チップとリードフレームとの間、およびリードフレームと基板との間の、焼結接合によって得られる接合強度は、極めて高い。信頼性試験では、焼結層は大きな荷重負荷強度loadalternationstrengthを示した。したがって、はんだ付け接合と比較して、相当に大きな熱荷重負荷強度thermalloadalternationstrengthを得ることができる。図1に示した実施形態においては、チップ104は、ワイヤボンド接続116によって別のリードフレーム要素118に電気的に接続されており、これらのリードフレーム要素は、同様に焼結銀接合110によって基板102に接合されている。さらに、熱を放散させる目的で、接触面108とは反対側の基板102の面は、サーマルグリース120によってヒートシンク122に結合されている。しかしながら、この場合、基板102に存在する余分な熱を放散させるための任意の別の一般的な方策を使用することができる。サーマルグリース120は、パワーエレクトロニクスにおいて公知であるように、基板102からヒートシンク122への熱伝達を改善する。以下では、本発明による配置構造の別の有利な実施形態について、図2を参照しながら説明する。この配置構造においては、チップ104からのワイヤボンド接続は、別のリードフレーム構造118ではなく、印刷による構造化されたメタライゼーション108に接続されている。さらには、従来の電子部品124を、従来の接続技術例えば、ボンディングまたははんだ付け接続126によって、印刷されたメタライゼーション108に接続することができる。図1および図2の実施形態の利点として、システムのコストが最適化されており、レイアウトがリードフレーム構造に形成されている。これは、ワンステップのマウント相互接続技術であり、チップの取り付けおよびラインへの接続が単一の作業ステップで達成される。このように作製される部品は、極めて信頼性が高く、電力の面で制限されない。しかしながら、これらの図に示した実施形態の欠点として、追加のワイヤボンド工程が必要である。さらに、焼結工程それ自体が比較的複雑であるの潜在能力が完全には生かされていない。したがって、本発明の別の実施形態によると、図3に概略的に示した層状構造を提案する。この配置構造特に、個別部品のマウント相互接続技術に適しているにおいては、同様に、基板102に構造化メタライゼーション、好ましくは印刷によって焼き付ける銀層を設ける。次いで、焼結銀接合110のすべてを1回の加圧焼結ステップにおいて同時に形成することができるように、リードフレーム要素106と、パワー半導体デバイス104と、別のリードフレーム要素128とを、垂直方向に積層し、焼結銀前駆体sinteredsilverprecursorを間に挿入することにより、接合する。銀焼結ペーストは、リードフレーム要素128またはチップ104に塗布する、あるいは適切な場合、接合する両面に塗布する。このサンドイッチ構造は、薄膜基板102において特に有利に使用することができ、なぜなら、これによりチップの取り付けおよび電気的接続の両方を1回の作業ステップで達成できるためである。特に、個別半導体部品において、この配置構造は最適な構造であり、その利点として、コストが最小限に維持されると同時に、信頼性が最大限に高く、広範囲にわたり電力が制限されない。このことは、特に、風力エネルギおよび太陽エネルギのみならず、駆動技術において極めて重要である。"