Aフェノール樹脂と、Bエポキシ樹脂と、C無機充填材とを含有する電子回路基板材料用樹脂組成物であって、前記A成分が、分子内に2つ以上の水酸基を有し、かつ前記水酸基のうち少なくとも1つ以上の水酸基を有するナフタレン骨格を持つノボラックフェノール樹脂を含有し、前記B成分が、分子内に2つ以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂を含有し、前記A及びB成分100質量部に対する前記C成分の含有量が130~250質量部であり、硬化後のガラス転移温度Tgが220°C以上であることを特徴とする電子回路基板材料用樹脂組成物。前記A成分の全量に対する前記ノボラックフェノール樹脂の含有量が50質量以上であることを特徴とする請求項1に記載の電子回路基板材料用樹脂組成物。前記ノボラックフェノール樹脂が下記の式1で示されるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子回路基板材料用樹脂組成物。前記C成分の70質量以上が溶融シリカであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子回路基板材料用樹脂組成物。前記C成分の表面がカップリング剤で処理されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電子回路基板材料用樹脂組成物。請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電子回路基板材料用樹脂組成物が強化繊維の基材に含浸され、加熱乾燥されて半硬化していることを特徴とするプリプレグ。前記強化繊維がガラス繊維であることを特徴とする請求項6に記載のプリプレグ。前記強化繊維の表面がカップリング剤で処理されていることを特徴とする請求項6又は7に記載のプリプレグ。請求項6乃至8のいずれか一項に記載のプリプレグが1枚又は複数枚重ねられて加熱加圧成形されていることを特徴とする積層板。しかし、従来の樹脂組成物については成形性に問題があり、またこのような樹脂組成物を用いて形成された半導体パッケージについてはガラス転移温度Tg及び反りについてなお改良の余地がある。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、成形性に優れ、硬化物のガラス転移温度Tgが高く、半導体パッケージを製造した場合にその反りを低減することができる電子回路基板材料用樹脂組成物、プリプレグ及び積層板を提供することを目的とするものである。本発明に係る電子回路基板材料用樹脂組成物は、Aフェノール樹脂と、Bエポキシ樹脂と、C無機充填材とを含有する電子回路基板材料用樹脂組成物であって、前記A成分が、分子内に2つ以上の水酸基を有し、かつ前記水酸基のうち少なくとも1つ以上の水酸基を有するナフタレン骨格を持つノボラックフェノール樹脂を含有し、前記B成分が、分子内に2つ以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂を含有し、前記A及びB成分100質量部に対する前記C成分の含有量が130~250質量部であり、硬化後のガラス転移温度Tgが220°C以上であることを特徴とするものである。前記電子回路基板材料用樹脂組成物において、前記A成分の全量に対する前記ノボラックフェノール樹脂の含有量が50質量以上であることが好ましい。前記電子回路基板材料用樹脂組成物において、前記ノボラックフェノール樹脂が下記の式1で示されるものであることが好ましい。前記電子回路基板材料用樹脂組成物において、前記C成分の70質量以上が溶融シリカであることが好ましい。前記電子回路基板材料用樹脂組成物において、前記C成分の表面がカップリング剤で処理されていることが好ましい。本発明に係るプリプレグは、前記電子回路基板材料用樹脂組成物が強化繊維の基材に含浸され、加熱乾燥されて半硬化していることを特徴とするものである。前記プリプレグにおいて、前記強化繊維がガラス繊維であることが好ましい。前記プリプレグにおいて、前記強化繊維の表面がカップリング剤で処理されていることが好ましい。本発明に係る積層板は、前記プリプレグが1枚又は複数枚重ねられて加熱加圧成形されていることを特徴とするものである。本発明によれば、成形性に優れ、硬化物のガラス転移温度Tgが高く、半導体パッケージを製造した場合にその反りを低減することができるものである。以下、本発明の実施の形態を説明する。本発明に係る電子回路基板材料用樹脂組成物以下、単に樹脂組成物ともいう。は、Aフェノール樹脂と、Bエポキシ樹脂と、C無機充填材とを含有するものである。この樹脂組成物は、プリプレグや積層板等の電子回路基板材料を製造する際に用いられる。A成分は、分子内に2つ以上の水酸基を有し、かつ、これらの水酸基のうち少なくとも1つ以上の水酸基を有するナフタレン骨格を持つノボラックフェノール樹脂以下、このノボラックフェノール樹脂をa1ノボラックフェノール樹脂という。を含有する。A成分にはa1ノボラックフェノール樹脂以外のフェノール樹脂が含有されていてもよい。A成分の水酸基はB成分のエポキシ基と結合して架橋する。A成分の全量に対するa1ノボラックフェノール樹脂の含有量は50質量以上上限は100質量であることが好ましい。これにより、a1ノボラックフェノール樹脂の含有量が50質量未満である場合に比べて、樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度Tgを高い状態に維持したまま、熱膨張率を効果的に低減することができるものである。a1ノボラックフェノール樹脂は上記の式1で示されるものであることが好ましい。これにより、他のノボラックフェノール樹脂を用いる場合に比べて、樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度Tgを高めることができると共に、熱膨張率を低減することができるものである。B成分は、分子内に2つ以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂以下、この多官能エポキシ樹脂をb1多官能エポキシ樹脂という。を含有する。B成分にはb1多官能エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂が含有されていてもよい。樹脂組成物にはA及びB成分以外の樹脂成分が含有されていてもよい。このような樹脂成分としては、例えば、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、フッ素樹脂、これらの変性物、これらが臭素化された難燃性樹脂等から選ばれるものを用いることができる。C成分としては、例えば、溶融シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、Eガラス粉末、アルミナ、酸化マグネシウム、二酸化チタン、チタン酸カリウム、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、クレイ、タルク等から選ばれるものを用いることができる。特にC成分の70質量以上上限は100は溶融シリカであることが好ましい。溶融シリカは球状であることが好ましい。溶融シリカは他の無機充填材に比べて線膨張率が低い。例えば、結晶シリカの線膨張率は7.0ppm/°C、水酸化アルミニウムの線膨張率は10~15ppm/°Cであるのに対して、溶融シリカの線膨張率は0.5ppm/°Cである。そのためC成分の70質量以上が溶融シリカであると、樹脂組成物の流動性つまり成形性が高まり、回路埋め込み性が向上し、硬化物にボイドが発生することを抑制することができる。しかもC成分の70質量以上が溶融シリカであると、樹脂組成物の硬化物の高弾性率化及び低熱膨張率化を効果的に達成することができ、半導体パッケージの反りを低減することもできる。A成分とB成分の質量比は30:70~60:40であることが好ましい。A及びB成分100質量部に対するC成分の含有量は130~250質量部である。これにより、樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度Tg及び弾性率をいずれも高い状態に維持したまま、熱膨張率を大幅に低減することができ、半導体パッケージの反りも大幅に低減することができるものである。しかし、C成分の含有量が130質量部未満であると、高弾性率化及び低熱膨張率化を図ることができず、半導体パッケージの反りを低減することができない。逆にC成分の含有量が250質量部を超えると、樹脂組成物の流動性つまり成形性が低下し、回路埋め込み性が悪化して硬化物にボイドが発生する。C成分の表面はカップリング剤で処理されていることが好ましい。カップリング剤としては、例えば、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン等から選ばれるものを用いることができる。このようなカップリング剤でC成分の表面を処理すると、カップリング剤によって、有機成分であるA及びB成分と、無機成分であるC成分とが接着されて馴染みが良くなる。そうすると、C成分の熱膨張率の低さをA及びB成分の熱膨張率にも効果的に反映させることができ、樹脂組成物の硬化物の熱膨張率をさらに低下させることができるものである。樹脂組成物には必要に応じて硬化触媒硬化促進剤を含有することができる。硬化触媒としては、例えば、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール等のイミダゾール類、ジメチルベンジルアミン、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン等のアミン類、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウムエチルトリフェニルボレート等のテトラ置換ホスホニウムテトラ置換ボレート、2-エチル-4-メチルイミダゾールテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等から選ばれるものを用いることができる。硬化触媒を用いる場合にはその含有量は、A及びB成分100質量部に対して、0.01~0.1質量部であることが好ましい。A成分は硬化剤であるが、樹脂組成物には必要に応じてその他の硬化剤を含有することができる。その他の硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド、酸無水物、脂肪族アミン等から選ばれるものを用いることができる。樹脂組成物には必要に応じて難燃剤を含有することができる。難燃剤としては、特に限定されるものではないが、下記の式2、式3、式4、式5及び式6で示されるリン酸エステル系化合物及びその誘導体等のリン系難燃剤から選ばれるものを用いることが好ましい。このようなリン系難燃剤は、ハロゲンフリーであるため、人体へのハロゲンによる悪影響を抑えることができ、良好な難燃性や耐熱性を長期にわたって確保することができる。そして、樹脂組成物は、Aフェノール樹脂、Bエポキシ樹脂及びC無機充填材を配合し、必要に応じて硬化触媒等のその他の成分も配合し、この配合物をミキサーやブレンダー等で均一に混合することによってワニスとして調製することができる。樹脂組成物を調製する際には、溶媒として、メチルエチルケトンMEK、メトキシプロパノールMP、ジメチルホルムアミドDMF、アセトン等から選ばれるものを必要に応じて配合することによって樹脂組成物を希釈してもよい。上記のようにして得られた樹脂組成物の硬化後のガラス転移温度Tgは220°C以上上限は300°Cとなる。このように、a1ノボラックフェノール樹脂を含有するA成分と、b1多官能エポキシ樹脂を含有するB成分と、所定量のC成分とを用いて調製された樹脂組成物にあっては、その硬化物のガラス転移温度Tgを220°C以上に高めることができるものである。しかも特にa1ノボラックフェノール樹脂は低応力かつ剛直な骨格を持っているので、有機成分であるA及びB成分と無機成分であるC成分との間の熱膨張率の差△CTEから生じる応力が緩和され、高いガラス転移温度Tgを維持したまま、樹脂組成物の硬化物の熱膨張率を大幅に低減することができるものである。なお、ガラス転移温度TgはDMA法動的粘弾性分析により測定することができる。電子回路基板材料は、上記の樹脂組成物を用いて製造することができる。電子回路基板材料としては、例えば、プリプレグや積層板等を例示することができる。積層板にはCCL等の金属張積層板が含まれる。プリプレグは、樹脂組成物を強化繊維の基材に含浸し、これを加熱乾燥して半硬化させることによって製造することができる。強化繊維としては、例えば、ガラス繊維、芳香族ポリアミド、液晶ポリエステル、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾールPBO、ポリフェニレンサルファイド樹脂PPS等から選ばれるものを用いることができる。特に強化繊維がガラス繊維であることが好ましい。すなわち、強化繊維の基材がガラス繊維の基材例えばガラスクロスであることが好ましい。これにより、ドリル加工性及び吸湿特性に優れたプリプレグを得ることができる。また、強化繊維の表面はカップリング剤で処理されていることが好ましい。カップリング剤としては、上述のC成分の表面処理に用いられるものと同様のものを用いることができる。このようなカップリング剤で強化繊維の表面を処理すると、カップリング剤によって、樹脂組成物と強化繊維の基材とが接着されて馴染みが良くなる。そうすると、強化繊維の基材の熱膨張率の低さを樹脂組成物の熱膨張率にも効果的に反映させることができ、半導体パッケージの熱膨張率をさらに低下させることができるものである。積層板は、上記のようにして得られたプリプレグを1枚又は複数枚重ねて加熱加圧成形することによって製造することができる。1枚のプリプレグ又は複数枚のプリプレグを重ねた積層物の片面又は両面に銅箔等の金属箔を重ねて加熱加圧成形すると、CCL等の金属張積層板を製造することができる。プリプレグの樹脂組成物は再溶融しても流動性つまり成形性に優れているので、硬化物である積層板にボイドが発生することを抑制することができるものである。さらに積層板は樹脂組成物と強化繊維の基材とを組み合わせて形成されているので、ガラス転移温度Tgを高い状態に維持したまま、熱膨張率、特にXY方向面方向の熱膨張率を大幅に低減することができるものである。この効果は積層板をプリント配線板に加工しても維持される。上記のようにして得られた金属張積層板に回路パターンを形成するとプリント配線板多層プリント配線板も含むを製造することができる。そして、図1に示すようにこのプリント配線板1にダイアタッチフィルム2によって半導体チップ3ICチップ等を接着固定し、この半導体チップ3にダイアタッチフィルム4によって半導体チップ5を接着固定した後、半導体チップ3、5を樹脂材料6によって封止することによって、半導体パッケージ7PKGを製造することができる。上記のようにして得られた半導体パッケージ7にあっては、半導体チップ3とプリント配線板1との間の熱膨張率の差△CTEが小さくなるので、反りを低減することができるものである。以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。[A]使用材料樹脂組成物を調製する際に使用した材料を以下に示す。1Aフェノール樹脂フェノール樹脂1:式1で示されるノボラックフェノール樹脂平均水酸基当量155フェノール樹脂2:DIC株式会社製TD-2090平均水酸基当量105フェノール樹脂3:明和化成株式会社製MEH-7600平均水酸基当量100フェノール樹脂4:明和化成株式会社製MEH-7500平均水酸基当量110フェノール樹脂5:日本化薬株式会社製GPH-103平均水酸基当量230なお、フェノール樹脂1のみがa1ノボラックフェノール樹脂である。2Bエポキシ樹脂エポキシ樹脂1:日本化薬株式会社製EPPN-502H平均エポキシ当量170エポキシ樹脂2:日本化薬株式会社製NC-3000平均エポキシ当量275エポキシ樹脂3:日本化薬株式会社製NC-7000L平均エポキシ当量230エポキシ樹脂4:DIC株式会社製N-690平均エポキシ当量215なお、エポキシ樹脂1~4は全てb1多官能エポキシ樹脂である。3C無機充填材無機充填材1:株式会社アドマテックス製溶融シリカSC-2500SEJ無機充填材2:住友化学株式会社製水酸化アルミニウムCL-303無機充填材3:富士タルク工業株式会社製焼成タルクST100なお、無機充填材1のみがカップリング剤で処理されている。4硬化触媒2-エチル-4-メチルイミダゾール5溶媒メチルエチルケトンMEK[B]樹脂組成物の調製実施例1~7及び比較例1~3の樹脂組成物を以下のようにして調製した表1参照。実施例1フェノール樹脂125質量部、フェノール樹脂315質量部、エポキシ樹脂140質量部及びエポキシ樹脂320質量部の混合物を溶媒中で攪拌した後、硬化触媒0.05質量部を添加し、さらに攪拌することによって均一な樹脂溶液を得た。その後、この樹脂溶液にカップリング剤で表面処理した無機充填材1110質量部、無機充填材225質量部及び無機充填材35質量部を添加し、再び攪拌することによって樹脂組成物を得た。実施例2フェノール樹脂125質量部、フェノール樹脂415質量部、エポキシ樹脂140質量部及びエポキシ樹脂320質量部の混合物を溶媒中で攪拌した後、硬化触媒0.05質量部を添加し、さらに攪拌することによって均一な樹脂溶液を得た。その後、この樹脂溶液にカップリング剤で表面処理した無機充填材1140質量部、無機充填材230質量部及び無機充填材310質量部を添加し、再び攪拌することによって樹脂組成物を得た。実施例3フェノール樹脂125質量部、フェノール樹脂315質量部、エポキシ樹脂145質量部及びエポキシ樹脂215質量部の混合物を溶媒中で攪拌した後、硬化触媒0.05質量部を添加し、さらに攪拌することによって均一な樹脂溶液を得た。その後、この樹脂溶液にカップリング剤によって表面処理した無機充填材1180質量部、無機充填材240質量部及び無機充填材310質量部を添加し、再び攪拌することによって樹脂組成物を得た。実施例4フェノール樹脂135質量部、フェノール樹脂515質量部、エポキシ樹脂140質量部及びエポキシ樹脂410質量部の混合物を溶媒中で攪拌したの後、硬化触媒0.05質量部を添加し、さらに攪拌することによって均一な樹脂溶液を得た。その後、この樹脂溶液にカップリング剤によって表面処理した無機充填材1200質量部、無機充填材235質量部及び無機充填材35質量部を添加し、再び攪拌することによって樹脂組成物を得た。実施例5フェノール樹脂135質量部、フェノール樹脂210質量部、エポキシ樹脂155質量部の混合物を溶媒中で攪拌した後、硬化触媒0.05質量部を添加し、さらに攪拌することによって均一な樹脂溶液を得た。その後、この樹脂溶液にカップリング剤によって表面処理した無機充填材1150質量部、無機充填材240質量部及び無機充填材310質量部を添加し、再び攪拌することによって樹脂組成物を得た。実施例6フェノール樹脂130質量部、フェノール樹脂315質量部、エポキシ樹脂155質量部の混合物を溶媒中で攪拌した後、硬化触媒0.05質量部を添加し、さらに攪拌することによって均一な樹脂溶液を得た。その後、この樹脂溶液にカップリング剤によって表面処理した無機充填材1150質量部、無機充填材240質量部及び無機充填材310質量部を添加し、再び攪拌することによって樹脂組成物を得た。実施例7フェノール樹脂115質量部、フェノール樹脂225質量部、エポキシ樹脂130質量部及びエポキシ樹脂230質量部の混合物を溶媒中で攪拌した後、硬化触媒0.05質量部を添加し、さらに攪拌することによって均一な樹脂溶液を得た。その後、この樹脂溶液にカップリング剤によって表面処理した無機充填材1150質量部、無機充填材240質量部及び無機充填材310質量部を添加し、再び攪拌することによって樹脂組成物を得た。比較例1フェノール樹脂130質量部、フェノール樹脂210質量部、エポキシ樹脂130質量部及びエポキシ樹脂230質量部の混合物を溶媒中で攪拌した後、硬化触媒0.05質量部を添加し、さらに攪拌することによって均一な樹脂溶液を得た。その後、この樹脂溶液にカップリング剤によって表面処理した無機充填材185質量部、無機充填材230質量部及び無機充填材35質量部を添加し、再び攪拌することによって樹脂組成物を得た。比較例2フェノール樹脂130質量部、フェノール樹脂210質量部、エポキシ樹脂130質量部及びエポキシ樹脂230質量部の混合物を溶媒中で攪拌した後、硬化触媒0.05質量部を添加し、さらに攪拌することによって均一な樹脂溶液を得た。その後、この樹脂溶液にカップリング剤によって表面処理した無機充填材1240質量部、無機充填材240質量部及び無機充填材35質量部を添加し、再び攪拌することによって樹脂組成物を得た。比較例3フェノール樹脂130質量部、フェノール樹脂210質量部、エポキシ樹脂120質量部及びエポキシ樹脂240質量部の混合物を溶媒中で攪拌した後、硬化触媒0.05質量部を添加し、さらに攪拌することによって均一な樹脂溶液を得た。その後、この樹脂溶液にカップリング剤によって表面処理した無機充填材1150質量部、無機充填材240質量部及び無機充填材310質量部を添加し、再び攪拌することによって樹脂組成物を得た。[C]プリプレグの製造実施例1~7強化繊維の基材として、カップリング剤で処理されたガラス繊維の基材であるガラスクロス日東紡績株式会社製1280S199、厚さ60μmを用いた。この基材100質量部に樹脂組成物110質量部を含浸し、150°Cで加熱乾燥して半硬化させることによってプリプレグを製造した。比較例1カップリング剤で処理されていない強化繊維の基材日東紡績株式会社製1280を用いるようにした以外は、実施例1~7と同様にしてプリプレグを製造した。比較例2、3実施例1~7と同様にしてプリプレグを製造した。[D]積層板の製造実施例1~7及び比較例1~3プリプレグの両面に厚さ12μmの銅箔を重ね、これを200°C、4.0MPa、90分間の条件で加熱加圧成形することによって、厚さ0.06mmの積層板銅張積層板を製造した。[E]測定各積層板について以下のような測定を行った。1ガラス転移温度Tgガラス転移温度Tgは、プリプレグを加熱加圧成形して硬化させたものをサンプルとして用いてDMA法により測定した。損失弾性率/貯蔵弾性率の最大値をガラス転移温度Tgとした。2成形性積層板の両面の銅箔をエッチングにより除去した後、目視により表面を観察すると共にSEMにより断面を観察した。そして、ボイドの有無により成形性の良否を判断した。すなわち、ボイドのないものを○、ボイドのあるものを×と判定した。3半導体パッケージPKGの反り積層板に回路パターンを形成することによってプリント配線板1を製造し、このプリント配線板1にダイアタッチフィルム2日立化成工業株式会社製FH900、厚さ0.03mmによって半導体チップ310mm×10mm×厚さ0.15mmを接着固定し、この半導体チップ3を樹脂材料6パナソニック電工株式会社製CV8710MLEによって封止することによって、図1に示すようなFBGAタイプの半導体パッケージ714mm×14mm×厚さ430μmを製造した。なお、比較例2については、樹脂組成物の成形性が悪かったため、半導体パッケージを製造しなかった。そして、シャドウモアレを用いた3次元形状測定による30~260°Cでの半導体パッケージの反り変位量を測定した。30~260°Cでの反り変位量が±150μmである半導体パッケージは一般的な実装工程で使用可能といえる。1~3の結果を表1に示す。実施例1~7の半導体パッケージの30~260°Cでの反り変位量は150μm以下特に実施例1~6は100μm以下であり良好な値を示している。比較例1、3の半導体パッケージの30~260°Cでの反り変位量は150~200μmと大きな値を示している。