基板を載置するための載置台を備える処理容器と、前記処理容器内に第1のガスを供給するように構成された第1のガス供給ユニットと、前記第1のガスの少なくとも一部を第1のプラズマへと転化させるように構成された第1のプラズマ発生ユニットと、前記処理容器内に第2のガスを供給するように構成された第2のガス供給ユニットと、前記第2のガスの少なくとも一部を第2のプラズマへと転化させるように構成された第2のプラズマ発生ユニットと、を具備し、前記載置台からの前記第2のガスの導入口の高さが、前記載置台からの前記第1のガスの導入口の高さよりも低い、プラズマ処理装置。前記第2のプラズマ発生ユニットは、前記第2のガスが前記処理容器内に進入した直後に、前記第2のガスの少なくとも一部を前記第2のプラズマへと転化させる、請求項1に記載の装置。前記第2のガスの前記導入口が、前記処理容器の側壁部に位置する、請求項1に記載の装置。前記第1のプラズマ発生ユニット及び前記第2のプラズマ発生ユニットが、互いに分離している、請求項1に記載の装置。前記第1のプラズマ発生ユニットが、第1のマイクロ波を発生するように構成された第1の機構を備え、前記第2のプラズマ発生ユニットが、第2のマイクロ波を発生するように構成された第2の機構を備え、前記第1のマイクロ波及び前記第2のマイクロ波の周波数が、互いに異なる、請求項1に記載の装置。前記第1のガス及び前記第2のガスの量比を調節するための制御装置を更に備える、請求項1に記載の装置。前記第1のガスが、臭化水素を含有する、請求項1に記載の装置。前記第2のプラズマ発生ユニットが、マイクロ波を発生するように構成された機構と、前記マイクロ波の偏波特性を変更するように構成された部材と、を備える、請求項1に記載の装置。前記部材が、第1の誘電体窓及び第2の誘電体窓と、複数のスロットを備え、前記第1の誘電体窓と前記第2の誘電体窓との間に位置する導体と、を具備する、請求項8に記載の装置。前記第2のプラズマ発生ユニットが、誘導結合プラズマを発生するように構成されたコイルを備える、請求項1に記載の装置。前記第2のガスが、異なる解離定数を有する少なくとも2つのガスを含有する、請求項1に記載の装置。基板を載置するための載置台を備える処理容器と、前記処理容器内に第1のガスを供給するように構成され、前記第1のガスの導入口が、前記処理容器の上側部分に位置する、第1のガス供給ユニットと、前記第1のガスの少なくとも一部を第1のプラズマへと転化させるように構成された第1のプラズマ発生ユニットと、前記処理容器内に第2のガスを供給するように構成され、前記第2のガスの導入口が、前記処理容器の側壁部に位置する、第2のガス供給ユニットと、前記第2のガスの少なくとも一部を第2のプラズマへと転化させるように構成された第2のプラズマ発生ユニットと、を具備する、プラズマ処理装置。基板を載置するための載置台を備える処理容器内において実施されるプラズマ処理方法であって、第1の導入口から前記処理容器内に第1のガスを供給する工程と、前記第1のガスの少なくとも一部を第1のプラズマへと転化させる工程と、第2の導入口から前記処理容器内に第2のガスを供給する工程と、前記第2のガスの少なくとも一部を第2のプラズマへと転化させる工程と、を含み、前記載置台からの前記第2の導入口の高さが、前記載置台からの前記第1の導入口の高さよりも低い、方法。前記第2のガスの少なくとも一部は、前記第2のガスが前記処理容器内に進入した直後に、前記第2のプラズマへと転化される、請求項13に記載の方法。前記第2の導入口が、前記処理容器の側壁部に位置する、請求項13に記載の方法。前記第1のガスが、臭化水素を含有する、請求項13に記載の方法。前記第2のガスが、プラズマ発生ユニットにより転化され、前記ユニットが、マイクロ波を発生するように構成された機構と、前記マイクロ波の偏波特性を変更するように構成された部材と、を備える、請求項13に記載の方法。前記第2のガスが、プラズマ発生ユニットにより転化され、前記ユニットが、誘導結合プラズマを発生するように構成されたコイルを備える、請求項13に記載の方法。前記第2のガスが、異なる解離定数を有する少なくとも2つのガスを含有する、請求項13に記載の方法。