基板上に、該基板の反り量を制御しつつ結晶成長させる結晶成長装置であって、前記基板上で第一層の結晶成長が行われているときの前記基板の反り量を測定する測定部と、予め設定された第一層の反り量を設定反り量としてその入力を受け付ける入力部と、前記測定部で測定された前記基板の反り量と、前記入力部から入力された前記設定反り量とを比較し、前者が後者に達したときに、第一層の結晶成長工程の残り時間をスキップさせる制御部と、を備えたことを特徴とする結晶成長装置。請求項1に記載の結晶成長装置において、前記設定反り量は、第一層の結晶成長終了時の反り量と、第二層の結晶成長に適した前記基板の反り量との差であることを特徴とする結晶成長装置。基板上に、該基板の反り量を制御しつつ結晶成長させる結晶成長装置であって、前記基板上で第一層の結晶成長が行われているときの前記基板の反り量を測定する測定部と、予めテスト基板に第一層を結晶成長した後の前記テスト基板の反り量を第一反り量、雰囲気温度を第二層の結晶成長に最適な温度に遷移させた後の前記テスト基板の反り量を第二反り量として、それら各反り量のデータを格納するデータ格納部と、製品基板において第二層の結晶成長に適した前記製品基板の反り量を第二設定反り量として、その入力を受け付ける入力部と、前記データ格納部に格納された前記第一反り量と、前記データ格納部に格納された前記第二反り量との差及び前記入力部から入力された第二設定反り量から第一設定反り量を算出し、第一層の結晶成長に伴う製品基板の反り量と、前記第一設定反り量とを比較し、前者が後者に達したときに、第一層の結晶成長工程の残り時間をスキップさせる制御部と、を備えたことを特徴とする結晶成長装置。基板上に、該基板の反り量を制御しつつ結晶成長させる結晶成長方法であって、予めテスト基板に第一層を結晶成長した後の前記テスト基板の反り量を第一反り量、雰囲気温度を第二層の結晶成長に最適な温度に遷移させた後の前記テスト基板の反り量を第二反り量として、それら各反り量を測定しておいてから、前記第一反り量と前記第二反り量との差と、第二層の結晶成長に最適な前記基板の反り量とに基づいて、実際に製造する製品基板において第一層の結晶成長を停止させる時の設定反り量を算出し、第一層の結晶成長に伴い前記製品基板の反り量が前記設定反り量に達したときに、前記第一層の結晶成長工程の残り時間をスキップさせ、雰囲気温度を第二層の結晶成長温度に遷移させて第二層の結晶成長を開始させることを特徴とする結晶成長方法。しかしながら、特許文献2に開示された成膜装置では、結晶成長中に基板の反り量を一定にするために基板の上側と下側との両方にヒータを設けているため、この上側と下側のヒータの温度をそれぞれに制御することが必要である。この2つのヒータを各々制御することは、非常に複雑な制御方法が必要となるといった問題があった。また、実際には、上側及び下側、もしくはどちらか一方のヒータの設定温度を、各層の結晶成長に最適な結晶成長温度毎に変化させると、両ヒータに挟まれた空間の温度分布が変動してしまうため、活性層のばらつき、すなわちデバイス特性のばらつきが大きくなってしまうといった問題があった。このような問題に鑑みて、本発明の目的は、半導体基板の結晶成長において活性層成長時の基板の反り量を制御することにより、活性層の反り量のばらつきに起因する発光素子の特性のばらつきを生じさせることのない結晶成長装置及び結晶成長方法を提供することである。上記目的を達するために、本発明は次のとおりの構成としている。本発明に係る結晶成長装置は、基板上に、該基板の反り量を制御しつつ結晶成長させる結晶成長装置であって、前記基板上で第一層の結晶成長が行われているときの前記基板の反り量を測定する測定部と、予め設定された第一層の反り量を設定反り量としてその入力を受け付ける入力部と、前記測定部で測定された前記基板の反り量と、前記入力部から入力された前記設定反り量とを比較し、前者が後者に達したときに、第一層の結晶成長工程の残り時間をスキップさせる制御部と、を備えたことを特徴とする。このような特定事項によれば、第一層の結晶成長終了時の基板の反り量を、入力部に入力された設定反り量とすることができる。上記の結晶成長装置において、前記設定反り量は、第一層の結晶成長終了時の反り量と、第二層の結晶成長に適した前記基板の反り量との差であることとする。このような特定事項によれば、第一層の結晶成長終了時の反り量と、第二層の結晶成長に適した基板の反り量との差及び第一層を終了させる設定反り量が算出でき、第二層の結晶成長開始時の反り量が一義的に決まるため、第二層の結晶成長開始時の反り量が一定となる。これにより、第二層が均一な膜となり半導体発光素子の特性ばらつきを防ぐことができる。上記の結晶成長装置であって、前記基板上で第一層の結晶成長が行われているときの前記基板の反り量を測定する測定部と、予めテスト基板に第一層を結晶成長した後の前記テスト基板の反り量を第一反り量、雰囲気温度を第二層の結晶成長に最適な温度に遷移させた後の前記テスト基板の反り量を第二反り量として、それら各反り量のデータを格納するデータ格納部と、製品基板において第二層の結晶成長に適した前記製品基板の反り量を第二設定反り量として、その入力を受け付ける入力部と、前記データ格納部に格納された前記第一反り量と、前記データ格納部に格納された前記第二反り量との差及び前記入力部から入力された第二設定反り量から第一設定反り量を算出し、第一層の結晶成長に伴う製品基板の反り量と、前記第一設定反り量とを比較し、前者が後者に達したときに、第一層の結晶成長工程の残り時間をスキップさせる制御部と、を備えたものとする。このような特定事項によれば、データ格納部に格納された第一反り量と、データ格納部に格納された第二反り量との差及び第二設定反り量から第一設定反り量を算出でき、第一層の結晶成長に伴う製品基板の反り量と、前記第一設定反り量とを比較でき、前者が後者に達したときに、第一層の結晶成長工程の残り時間をスキップさせる制御を行うことができるため、第一層の結晶成長が終了する反り量は一定となり、雰囲気温度を第二層の結晶成長に最適な温度に遷移後の第二層の結晶成長開始時の反り量が一定となる。これにより、第二層が均一な膜となり半導体発光素子の特性ばらつきを防ぐことができる。本発明の結晶成長方法は、基板上に、該基板の反り量を制御しつつ結晶成長させる結晶成長方法であって、予めテスト基板に第一層を結晶成長した後の前記テスト基板の反り量を第一反り量、雰囲気温度を第二層の結晶成長に最適な温度に遷移させた後の前記テスト基板の反り量を第二反り量として、それら各反り量を測定しておいてから、前記第一反り量と前記第二反り量との差と、第二層の結晶成長に最適な前記基板の反り量とに基づいて、実際に製造する製品基板において第一層の結晶成長を停止させる時の設定反り量を算出し、第一層の結晶成長に伴い前記製品基板の反り量が前記設定反り量に達したときに、前記第一層の結晶成長工程の残り時間をスキップさせ、雰囲気温度を第二層の結晶成長温度に遷移させて第二層の結晶成長を開始させることを特徴とする。このような特定事項によれば、予めテスト基板を用いて測定した第一反り量及び第二反り量から、その変化量を計算でき、その変化量と第二層の結晶成長に最適な製品基板の反り量とに基づいて、実際に製造する製品基板において第一層の結晶成長を停止させる時の設定反り量を算出でき、第一層の結晶成長に伴い製品基板の反り量が前記設定反り量に達したときに、第一層の結晶成長工程の残り時間をスキップさせ、雰囲気温度を第二層の結晶成長温度に遷移させて第二層の結晶成長を開始できるため、第一層の結晶成長が終了する反り量は一定となる。これにより、第二層の結晶成長開始時の反り量が一定となるため、第二層が均一な膜となり半導体発光素子の特性ばらつきを防ぐことができる。本発明によれば、半導体基板の結晶成長において活性層成長時の基板の反り量を制御することにより、活性層の反り量のばらつきに起因する発光素子の特性のばらつきを生じさせることのない結晶成長装置及び結晶成長方法を提供することができる。以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に示す実施の形態はいずれも本発明を具体化した例であって、本発明の技術的範囲を限定する性格のものではない。[結晶成長装置の構成]図1を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。図1Aは、本発明に係る結晶成長装置の断面図、図1Bは、本発明に係る結晶成長装置で用いられる回転台の平面図である。この実施の形態による結晶成長装置1は、円筒形の反応室2を有し、反応室2の内部には円形の回転台4を備える。回転台4の上側には、図1Bに示すように、複数図示例では6つの載置プレート5が同一円周上に相互に一定の間隔を隔てて配置されている。載置プレート5の上面には、被処理基板としての基板3が設置される。なお、載置プレート5の上面に基板3を直接置かずに、石英や窒化ホウ素製等の基板ホルダを介して基板3を載置プレート5の上面に置いてもよい。基板3としては、たとえばGaAsやInP、GaN、サファイアからなる基板が挙げられる。回転台4の下方には、基板3を加熱するためのヒータ8が配置されている。このヒータ8に電力を供給するためのヒータ電源51が反応室2の外部に設けられている。ヒータ8の温度制御は、後述の制御部93と、温度センサTSとにより行われる。温度センサTSは、例えば熱電対が用いられ、ヒータ8の温度を測定する。回転台4は、回転台4の下面の中央部に接続された回転軸6によって支持されている。回転軸6の下端にはモータ7の駆動軸不図示が接続されている。モータ7の上方には、回転角度計測器が組み込まれた被測定物検出手段25が備えられている。回転軸6がモータ7によって回転されることによって、回転台4も回転軸6の軸芯周りに回転し、このとき、被測定物検出手段25によって、回転台4とともに回転している基板3の回転台4上における位置情報が検出され、後述する測定部21の演算部不図示に出力される。この基板3の位置情報は、基板3の反り量を測定するために使われる。さらに、各載置プレート5は、回転台4上でそれぞれの中心周りに回転するように構成されている。結晶成長中は、回転台4の回転および載置プレート5の回転によって、基板3が載置プレート5の中心周りに自転しつつ回転軸6の軸芯周りに公転する。これにより、成長する膜結晶成長膜の均一性を高めることができる。回転台4の上方には、ガス透過性が低い、反応室2内部の空間を隔てる隔壁10が設けられている。反応室2の上部には、配管9が接続されている。この配管9の基端部にはガス供給器13が接続される一方、配管9の先端部は、回転軸6と同軸上に且つ回転台4と隔壁10の間に配置され、ガス吹き出し口11とされている。これにより、ガス供給器13から反応室2に供給された原料ガス12が、回転台4の中心上方から回転台4表面に沿って放射状に結晶膜の原料として供給される。原料ガス12の供給は後述する制御部93によって制御される。その結果、基板3上近傍で基板3と原料ガス12の化学反応が行われることによって基板3上に結晶成長が行われる。原料ガス12は、載置プレート5上に載せられ、且つヒータ8によって加熱された基板3上を通過後、回転台4の外周に設けられた排気経路14より反応室2の外部に排気される。ここで、InGaNを結晶成長させる場合には、III族元素Inインジウムの原料ガス12としてTMInTri-Methyl-Indiumなどが用いられ、III族元素Gaガリウムの原料ガスとしてTMGTri-Methyl-Galliumなどが用いられ、V族元素N窒素の原料ガスとしてアンモニアNH3などが用いられる。InGaP、InGaAsを結晶成長させる場合には、V族元素Pリン、As砒素の原料ガスとしてホスフィンPH3、アルシンAsH3がそれぞれ用いられる。また、反応室2の外部には、測定部21と、入力部94と、データ格納部24と、制御部93と、を備えている。測定部21では、結晶成長中の基板3の反り量を測定する。測定部21には、計測用レーザ光線17を投光する投光部不図示と、その戻り光22を受光する受光部不図示と、計測レーザ17光線によって計測された反り量を計算する演算部不図示と、が備えられている。測定部21は、計測用レーザ光線17が反応室2内部の基板3に到達し、かつ戻り光22が測定部21に戻りうるように配置される。そのため、反応室2には、計測用レーザ光線17及びその戻り光22が通過可能な窓18が設けられている。また、隔壁10には同様に計測用レーザ光線17及びその戻り光22が通過可能な穴19が設けられている。これより、結晶成長装置1で結晶成長を行いながら、基板3に対して計測用レーザ光線17を投光し、その反射光を受光部で受光することにより受光量分布を得て、この受光量分布から基板3の表面形状が計測される。ここで、基板3は、回転台4上に等間隔Spで同一円周上に並べられることから、この複数の基板3が載置された回転台4を回転させると、これら各基板3の中心23はいずれも所定の軌道Lp上を移動することとなる図1B参照。測定部21は、その計測用レーザ光線17が上記した軌道Lp上の一点を照射するように配置されている。その結果、回転台4を回転させると各基板3には順番に計測用レーザ光線17が照射され、測定部21によって基板3の表面形状が計測される。そして、測定部21で測定された基板3の表面形状のデータと、被測定物検出手段25による基板3の位置情報と、が演算部に出力され、結晶成長中の基板3の反り量がリアルタイムで演算される。演算された基板3の反り量はデータ格納部24に一時的に保存されることとなる。データ格納部24には、後述するテスト基板に、第一層、第二層を含む一連の結晶成長を行った際において、テスト基板に第一層を結晶成長させた後のテスト基板の反り量を第一反り量、反応室2内の雰囲気温度を第二層の結晶成長に最適な温度に遷移させた後のテスト基板の反り量を第二反り量として、これら各反り量のデータが格納される。入力部94は、プログラムシート100及び反り量入力シート200の入力を受け付ける。制御部93は、上記したモータ7、ガス供給部13、測定部21、データ格納部24、及びヒータ電源51の各動作を制御するものである。また、その内部には、算出部、比較部、及び指令部いずれも不図示を備えている。算出部では、データ格納部24に格納された第一反り量と、データ格納部24に格納された第二反り量との差及び入力部94から入力された第二設定反り量から第一設定反り量を算出する。比較部では、算出部によって算出された第一設定反り量と、第一層の結晶成長に伴う製品基板の反り量との比較を行う。指令部では、比較部によって、第一層を結晶成長中の製品基板の反り量が、第一設定反り量に達したときに、第一層の結晶成長工程の残り時間をスキップさせる指令を出す。次に、結晶成長装置とともに用いられるプログラムシート100について、図3を参照しながら説明する。図3は、プログラムシートの一例を示す図である。このプログラムシート100には、左から順に、ステップ欄101、ジャンプ欄102、ループ欄103、Action欄104、第1コメント欄105、第2コメント欄106、開始時間欄107aと終了時間欄107bとが併記された時間欄107、設定温度欄108、III族水素欄109a、TMG欄109b、SiH4欄110、V族水素欄111、NH3欄112、TMA欄113、TMI欄114、CP2Mg欄115、が設けられている。ステップ欄101には、結晶成長工程の工程番号が入力され、この工程番号に入力された順番で結晶成長工程が進んでいく。ジャンプ欄102には、工程をジャンプさせたいステップ欄101の工程番号が入力される。このジャンプ欄102に工程番号を入力することで、当該結晶成長工程が終了後、その工程番号に工程をジャンプさせることができる。ループ欄103には、繰り返し行いたいステップ欄101の工程番号が入力される。このループ欄103に繰り返し行いたい工程番号を入力することで、所望の工程を繰り返し行うことができる。Action欄104には、例えばcompare_curveといったキーワードが入力される。このAction欄104にキーワードが設定されていると、そのキーワードに沿った処理が制御部93で行われる。第1コメント欄105及び第2コメント欄106には、例えば工程の概要等、結晶成長工程に対するコメントや備考が入力される。これらコメント欄105、106の内容から、結晶成長工程の内容を知ることができる。時間欄107a及び時間欄107bには、各工程の開始時間と終了時間が入力される。設定温度欄108には、結晶成長工程を行う際のヒータ8の設定温度が入力される。III族水素欄109a、TMG欄109b、SiH4欄110、V族水素欄111、NH3欄112、TMA欄113、TMI欄114、CP2Mg欄115には、それぞれ、TMGトリメチルガリウム、TMGに添加するH2、SiH4シラン、NH3に添加するH2、NH3アンモニア、TMAトリメチルアンモニウム、TMInトリメチルインジウム、Cp2Mgビスシクロペンタジエチルマグネシウムといったガスの設定流量値が入力される。なお、slmstandardlitermin、sccmstandardccminは、1atm、0度における1分間あたりの流量を示した単位である。次に、結晶成長装置とともに用いられる反り量入力シートについて、図2を参照しながら説明する。図2aに示す反り量入力シート200は、結晶成長装置に対して二つの反り量を設定する場合に使用されるものであり、図2bに示す反り量入力シート200は、結晶成長装置に対して一つの反り量を設定する場合に使用されるものである。これら反り量入力シート200には、左から順に、名前欄201、Value欄202、Unit欄203、コメント欄204が設けられている。名前欄201には、Value欄202に入力される反り量の標題が入力される。Value欄202には、後述するテスト基板による第一反り量と第二反り量の差、及び、後述する製品基板の第二設定反り量が入力図2a、或いは、第1設定反り量が入力図2bされる。Unit欄203には、反り量の単位が入力される。図示例では、μmが入力されている。コメント欄204には、Value欄202に入力された反り量に対するコメントが入力される。[結晶成長装置の動作]次に、結晶成長装置の動作について説明する。尚、この動作説明を以って、本発明に係る結晶成長方法の説明に代える。まず最初に、テスト基板の反り量の測定を行うため、プログラムシート100の入力を行う。この入力は、入力部94により行われる。テスト基板の結晶成長工程では、基板3のサーマルクリーニング工程、バッファ層とするGaNバッファ層結晶成長工程、n型コンタクト層とするn-GaN層結晶成長工程、活性層とするInGaN層結晶成長工程、p型クラッド層とするp-AlGaN層結晶成長工程、p型コンタクト層とするp-GaN層結晶成長工程が連続的に行われる。したがって、プログラムシート100には、それら各工程に必要とされる値やコメントが入力される。なお、図3のプログラムシート100は、値やコメント等の入力例を部分的に示しているものに過ぎず、上記したすべての工程に対応した値やコメント等を示すものではない。例えば、サーマルクリーン工程については、第1コメント欄105に昇温と入力し、それと同一行における設定温度欄108に、当該工程における反応室2の設定温度である1240°Cと入力する。また、GaNバッファ層結晶成長工程に先立って行われる降温工程については、第1コメント欄105に降温と入力するとともに、それと同一行における設定温度欄108に、当該工程における反応室2の設定温度である715と入力する。GaNバッファ層結晶成長工程については、図3には詳細は例示されていないが、各欄にそれぞれGaNバッファ層の結晶成長に最適な数値を入力する第一層であるn-GaN層の結晶成長工程については、第1コメント欄105にn-GaN層と入力し、その入力行において、設定温度欄108には、n-GaN層の結晶成長に最適な温度である1315と入力する。また、ガス流量を入力する欄III属水素欄109aからCp2Mg欄115までには、n-GaN層の結晶成長に最適なガス流量を入力し、時間欄107には、n-GaN層の結晶成長に最適な時間を入力する。次に、n-GaN層の結晶成長を終了し、第二層であるInGaN層の結晶成長をさせるためには、まず、第二層の結晶成長に最適な温度に遷移させる工程が必要である。そこで、この工程について、第1コメント欄105にn-GaN層停止と入力するとともに、その入力行の設定温度欄108にInGaN層の結晶成長に最適な温度である935と入力する。第二層のInGaN層の結晶成長工程については、コメント欄105にMQWGaNと入力するとともに、その入力行の設定温度欄108に935と入力し、ガス流量を入力する欄III属水素欄109aからCp2Mg欄115までに、InGaN層の結晶成長に最適なガス流量を入力する。なお、MQWGaNとは、多重量子井戸構造でありGaN層とInGaN層の積層構造を指す。InGaN層のみを結晶成長させる単一量子井戸構造SQWInGaNとしても構わない。以下、p-AlGaN層の結晶成長工程及びp-GaN層の結晶成長工程についても、それぞれ上記と同様にして、各欄に所定のコメントや数値を入力する。これで、テスト基板の反り量の測定を行うためのプログラムシート100の入力を終える。なお、図3には、Action欄101にcompare_curveとのキーワードが入力された例が示されているが、これは後述する製品基板における結晶成長工程に対応するものであって、上記したテスト基板の反り量の測定を行う場合では、当該キーワードは入力されない。以上、テスト基板の結晶成長を行うためのプログラムシート100の入力が完了したならば、プログラムシート100のデータを制御部93に転送するとともに、テスト基板を反応室2内の載置プレート5に載置し、結晶成長工程を開始する。結晶成長は上述したプログラムシート100に入力された内容に沿って行われる。テスト基板において、バッファ層の結晶成長が終了したのち、n-GaN層、すなわち本願発明でいう第一層の結晶成長を行わせる。第一層の結晶成長が終了した後のテスト基板の反り量を第一反り量として測定部21により測定する。その後、反応室2内の雰囲気温度を第二層の結晶成長に最適な温度に遷移させた後、すなわち、InGaN層の結晶成長に最適な温度である935°Cに遷移させたときのテスト基板の反り量を第二反り量として測定部21により測定する。測定部21により測定された第一反り量と第二反り量とはデータ格納部24に格納されたのち、制御部93に送られる。制御部93では、測定部21で測定されたテスト基板の第一反り量と第二反り量との差第二反り量-第一反り量が算出される。ここで、この両者の反り量の差は、再現性のある値となるため、後述する製品基板の第一反り量の値から第二反り量の値を予測することができる。図4aは、上述したテスト基板の反り量のグラフである。テスト基板では、第一層の結晶成長の終了時の反り量第一反り量は、-240μmであったA時間。その後、第二層の結晶成長に最適な温度となったときのテスト基板の反り量第二反り量は0μmであったC時間。これら第一反り量の値-240μmと、第二反り量の値0μmとがデータ格納部24に格納されることとなる。その後、プログラムシート100に入力されたその余の工程が行われ、すべての結晶成長工程が終了する。そして、テスト基板が反応室2から外部に取り出される。次に製品基板について、結晶成長装置1を用いて結晶成長を行う。上記テスト基板で説明したのと同様にプログラムシート100に結晶成長工程毎の結晶成長条件を入力する。このとき、Action欄101にはキーワード図3において示すcompare_curveを入力することにより、第一設定反り量となったときに第一層の結晶成長工程の残り時間をスキップさせることができる。次に、図2bに示すように、反り量入力シート200に、テスト基板で得られた第一反り量と第二反り量との差、及び、後述する第二層の設定反り量の両方を、2行にわたって入力する。例えば、図示例では、名前欄201には、上から順に第1の層と第2の層の反り量の差及び第2の層の設定の反り量と入力し、Value欄202には、上から順に240、10と入力するとともに、Unit欄203にはそれぞれμmと入力している。また、コメント欄204には、上から順に工程をスキップするための計測値、第2の層での基板の設定反り量。凹が負、凸が正と入力している。上記の入力例において、第1の層と第2の層の反り量の差を240μmとしているが、これはテスト基板によって得られた第一反り量と第二反り量との差である。また、第2の層の設定の反り量を10μmとしているが、これは製品基板の第二層の結晶成長開始時の反り量である。ここで、第2の層の設定の反り量の値を上記のように10μmとし、0μm基板の反りが無い状態と設定しない理由は、仮に基板の面内温度分布が均一であったとしても、結晶成長装置1の構造に起因して、基板3に面内分布が生じる虞があるため、そのような面内分布を相殺するためである。したがって、テスト基板を用いた一連の結晶成長工程を行う前に、基板の面内分布を相殺する最適な基板3の反り量を事前に求めておく必要がある。以上、製品基板の結晶成長を行うためのプログラムシート100の入力、及び、反り量入力シート200の入力が完了したならば、プログラムシート100のデータ及び反り量入力シート200のデータを制御部93に転送する。これを受けて、制御部93では、テスト基板で得られた第一反り量と第二反り量との差240μmと、第二層の結晶成長に最適な製品基板の反り量10μmとから、製品基板において第一層n-GaN層の結晶成長を停止させる時の設定反り量を算出する。本実施の形態の場合、製品基板の第一層の結晶成長を停止させる反り量は、10μm-240μm=-230μmと算出される。その一方で製品基板を反応室2内の載置プレート5に載置し、準備が整ったら結晶成長工程を開始する。結晶成長は上述したプログラムシート100に入力された内容に沿って行われる。テスト基板のときと同様にサーマルクリーニング工程から順次工程が進められる。やがて、第一層n-GaN層の結晶成長工程に入り、結晶成長が進行して、プログラムシート100のAcion欄104に入力されたcompare_curveの段階に達すると、第一層の結晶成長工程の残り時間をスキップさせ、雰囲気温度を第二層の結晶成長温度に遷移させて製品基板の第二層の結晶成長を開始する。すなわち、本実施の形態の場合、製品基板において第一層の結晶成長を行っていき、第一層の結晶成長終了時の反り量が、上記で算出された-230μmとなったときに、第一層の残りの結晶成長工程はスキップされる。そして、雰囲気温度が第二層の結晶成長温度に遷移され、当該温度で製品基板の反り量が10μmとなり、第二層の結晶成長が開始される。図4aは、上記の製品基板の反り量の変化を示すグラフである。製品基板では、第一層の結晶成長工程の終了時の反り量は、-230μmであったB時間。その後、第二層の結晶成長に最適な温度となったときの製品基板の反り量は10μmであったC時間。このように、予めテスト基板を用いて測定した第一反り量及び第二反り量から、その変化量を計算し、その変化量と第二層の結晶成長に最適な製品基板の反り量とに基づいて、実際に製造する製品基板において第一層の結晶成長を停止させる時の設定反り量を算出し、第一層の結晶成長に伴い前記製品基板の反り量が設定反り量に達したときに、第一層の結晶成長工程の残り時間をスキップさせ、雰囲気温度を第二層の結晶成長温度に遷移させて第二層の結晶成長を開始させるため、第一層の結晶成長が終了する反り量は一定となる。その結果、第二層の結晶成長開始時の反り量が一定となるため、第二層が均一となり半導体発光素子の特性ばらつきを防ぐことができる。なお、上記した実施形態では、テスト基板を用いて予め第一反り量及び第二反り量を測定しておくとともに、第一反り量と第二反り量との差を算出しておき、これらの値に基づいて第一層の結晶成長工程を制御しているが、例えば、図2bに示すように、第一層の結晶成長を停止させる時の設定反り量図示例では、図2aで示した値と同じ-230μmを事前に反り量入力シート200に入力しておき、この反り量入力シート200を用いてもよい。