半導体ウェハのベベル部の表面粗さRaが0.4nm以上1.4nm以下となるように、前記ベベル部を研磨する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記研磨する工程では、前記表面粗さを0.5nm以上1.0nm以下とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記表面粗さをモニターしながら、前記研磨する工程を行い、前記モニターされる前記表面粗さが所定の表面粗さとなると、前記研磨を終了することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記研磨する工程の後で、前記ベベル部を含む前記半導体ウェハの表面上に膜を成膜する工程を行うことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記膜は、TiN膜、Ta膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミ膜及びCu膜のうちの何れかの膜であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。半導体ウェハのベベル部の表面粗さRaが0.4nm以上1.4nm以下となるように、前記ベベル部を研磨するベベル研磨部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。前記表面粗さをモニターする粗さモニター計と、前記ベベル研磨部を制御する制御部と、を更に有し、前記制御部は、前記粗さモニター計によりモニターされる前記表面粗さが所定の表面粗さとなると、前記研磨を終了させることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造装置。本発明者の検討によれば、以下の知見が得られた。ベベル部の微細な凹凸上に成膜された膜は密着性が悪いため、膜剥がれを起こすことがある。膜剥がれが生じると、剥がれた膜がウェハに付着し、歩留まり低下を起こす要因となる。特許文献1には、ベベル部の表面粗さRaを20nm以下とすることが記載されているが、20nmの表面粗さRaは、現在では粗いレベルであり、そのレベルの表面粗さでは、成膜する膜種によっては膜剥がれが生じてしまう。また、上述のように、特許文献1には、表面粗さが小さいほど好ましい旨の記載がある。しかし、本発明者は、ベベル部の表面粗さが小さすぎると、その表面の凹凸が少なくなりすぎて、成膜された膜とウェハとの密着性がむしろ悪化することを見出した。このように、ウェハのベベル部に成膜された膜の密着性が良好となるように、ベベル部の表面粗さが適切に設定されたウェハを得ることは困難だった。本発明者が、ウェハのベベル部の表面粗さの適切な値について検討した結果、その表面粗さRaが0.4nm以上1.4nm以下である場合に、ウェハのベベル部に成膜された膜の密着性が良好となる、という知見が得られた図2参照。そこで、本発明は、半導体ウェハのベベル部の表面粗さRaが0.4nm以上1.4nm以下となるように、前記ベベル部を研磨する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。この製造方法によれば、ベベル部の表面の凹凸を適度に小さくすることができるので、この凹凸が大き過ぎることによってベベル部に成膜された膜が剥がれてしまうことを抑制できる。しかも、この凹凸が過度に小さくはならないようにできるため、ベベル部の表面と、ベベル部に成膜された膜との適度な密着性を確保することができ、このことによっても、ベベル部に成膜された膜が剥がれてしまうことを抑制できる。このように、ベベル部に成膜された膜の密着性を良好にし、その膜剥がれを抑制することができる。すなわち、ウェハのベベル部に成膜された膜の密着性が良好となるように、ベベル部の表面粗さが適切に設定されたウェハを得ることができる。また、本発明は、半導体ウェハのベベル部の表面粗さRaが0.4nm以上1.4nm以下となるように、前記ベベル部を研磨するベベル研磨部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置を提供する。本発明によれば、ウェハのベベル部に成膜された膜の密着性が良好となるように、ベベル部の表面粗さが適切に設定されたウェハを得ることができる。以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。第1の実施形態図1は第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であり、それぞれ、半導体ウェハ1以下、単にウェハ1の一部分の断面を示す。このうち、図1aはベベル部2の研磨前の状態を示し、図1bはベベル部2の研磨後の状態を示し、図1cはベベル部2の研磨後にウェハ1の表面上に膜4を成膜した状態を示す。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ウェハ1のベベル部2の表面粗さRaが0.4nm以上1.4nm以下となるように、ベベル部2を研磨する工程を有する。以下、詳細に説明する。先ず、単結晶引き上げ法によって、シリコン単結晶インゴット図示略を製造する。次に、このシリコン単結晶インゴットの外周研削を行う。次に、結晶方向の位置決めの為の加工として、例えば、ノッチ加工を単結晶インゴットに対して行う。次に、ワイヤソーによりシリコン単結晶インゴットをスライスし、スライスウェハを得る。次に、このスライスウェハに対し、研削砥石を用いたベベル部外周部:図1のベベル部2参照の面取りを行う。次に、両面ラッピング加工によりそのウェハを均一な厚みと平行度、平面度及びある程度の面粗さを持つまでに仕上げる。次に、そのウェハを、加工歪除去及び清浄化のために、酸またはアルカリにてエッチング加工することにより、加工ダメージ層を除去する。次に、そのウェハ1に対して、両面研磨により、鏡面仕上げを行う。この研磨では、例えば、先ず、ウェハ1の表裏の面1a、1b図1参照の研磨を行った後で、ベベル部2の研磨を行う。なお、図1aは、ウェハ1の表裏の面1a、1bの研磨を行った後、且つ、ベベル部2の研磨を行う前の状態を示す。この段階では、ベベル部2の表面粗さRaは、10nm以上である。なお、表面粗さの単位であるRaは、算術平均粗さである。ベベル部2の表面には、微小な凹凸3が存在する。ここで、本実施形態では、ウェハ1のベベル部2の表面粗さRaが0.4nm以上1.4nm以下となるように、ベベル部2を研磨する。より好ましくは、ベベル部2の表面粗さRaを0.5nm以上1.0nm以下とする図1b。ここで、ベベル部2の研磨は、以下に説明するような、半導体装置の製造装置を用いて行うことができる。図3は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置100図4が有するベベル研磨部110を示す図である。ベベル研磨部110は、ウェハ1のベベル部2の表面粗さRaが0.4nm以上1.4nm以下となるように、ベベル部2を研磨する。ベベル研磨部110は、ウェハ1を支持するステージ図示略と、ベベル部2を研磨する1つ又は複数例えば、図3に示すように4つの研磨ユニット111と、を有する。ステージは、例えば、該ステージの上面によってウェハ1を水平に支持し、且つ、該ステージの回転に伴わせてウェハ1を回転させる。その回転軸は、平面視におけるウェハ1の中心と一致する。ステージにおいてウェハ1を支持する部位の寸法平面寸法は、ウェハ1の平面寸法よりも小さく、ウェハ1は、ベベル部2がステージよりも外方に張り出すように、ステージ上に保持される。なお、ステージは、ウェハ1を吸着保持することが好ましい。各研磨ユニット111は、例えば、研磨テープ112と、一対の例えば上下一対のプーリ113と、を有する。一対のプーリ113間には、研磨テープ研磨クロス112が架け渡されている。各研磨ユニット111は、ステージ上に保持されたウェハ1の周囲に、例えば等間隔に配置されている。研磨ユニット111の一対のプーリ113のうち、上側のプーリ113は、ウェハ1よりも上に位置し、下側のプーリ113は、ウェハ1よりも下に位置している。研磨テープ112において、一対のプーリ113間の部位以下、研磨部位112aは、ウェハ1のベベル部2に対して所定の張力を以て接触している。このため、ステージを回転させることにより、研磨テープ112とベベル部2との間に摩擦が生じて、ベベル部2が研磨テープ112により研磨される。ここで、研磨を行う時間の長さ以下、研磨時間を適切に調節することにより、ベベル部2が所望の表面粗さとなるように、ベベル部2を研磨することができる。製造装置100は、例えば、株式会社荏原製作所製のEAC300シリーズであることが挙げられる。研磨テープ112は、例えば、suba400などの不織布であることが挙げられる。図4は、製造装置100のブロック図である。図4に示すように、ベベル研磨部110は、ステージを回転させるステージ回転モータ114を有している。製造装置100は、ステージ回転モータ114等の動作制御を行う制御部220を有している。例えば、ステージ回転モータ114によりステージを回転させる時間の長さを制御部220が適切に調節することにより、ベベル部2が所望の表面粗さとなるように、ベベル部2を研磨することができる。ステージを回転させる時間の長さは、例えば、予め実験により求められ、その時間が制御部220に記憶保持されている。このような製造装置100を用いてベベル部2を研磨することにより得られたウェハ1を使用して半導体装置を製造する。この製造工程において、異物がウェハ1に付着すると、歩留まり低下に繋がるため、ウェハ1への異物付着は極力避ける必要がある。この製造工程には、成膜工程が含まれ、この成膜工程にて、ベベル部2を含むウェハ1の表面例えば、表側の面1a上に各種の膜4を成膜する図1c。この膜4はウェハ1のベベル部2上にも成膜される。この膜4は、例えば、TiN膜、Ta膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミ膜及びCu膜のうちの何れかの膜とすることができる。ここで、図2はウェハ1のベベル部2の表面粗さRaを複数段階に変化させて、それぞれについて、膜剥がれの起こり易さ膜剥がれポテンシャルを評価した実験結果を示す図である。膜剥がれとは、ベベル部2から膜4が剥離することである。膜剥がれポテンシャルは、ウェハ1上の異物の個数にて表される。これは、特にベベル部2からの膜剥がれによりウェハ1の周縁部に発生した異物パーティクルの個数として表される。膜剥がれポテンシャルが小さいウェハ1上の異物個数が少ないほど、膜剥がれがし難い。この実験では、膜4として、TiN膜を用いた。図2に示される実験結果から、ベベル部2の表面粗さRaを0.4nm以上1.4nm以下とすることにより、膜剥がれポテンシャルを抑制できることが分かる。特に、ベベル部2の表面粗さRaを0.5nm以上1.0nm以下とすることにより、膜剥がれポテンシャルを顕著に抑制できることが分かる。これは、ベベル部2の表面の凹凸3の大きさが適度な大きさとなり、ベベル部2の表面と膜4との十分な密着性が得られるためである。つまり、ベベル部2の表面粗さRaが0.4nm未満の場合と比べて、ベベル部2と膜4との接触面積が増大することにより、それらの密着性が向上する結果として、膜剥がれが起き難くなる。また、ベベル部2の表面粗さRaが1.4nmを超える場合は、膜剥がれのポテンシャルは大きく違わないが、ベベル部2の表面が荒れているため、膜が針状に成膜されるので、その膜が容易に折れ、ウェハ1上に異物欠陥として付着するという問題が生じる。すなわち、膜剥がれが起き難く、且つ、成膜された膜が針状となって折れやすくなるポテンシャルが少ないようなベベル部2の表面粗さRaの範囲が、0.4nm以上1.4nm以下の範囲である。一方、ベベル部2の表面粗さRaが0.4nm未満の場合、又は、該表面粗さが1.4nmを超える場合は、膜剥がれポテンシャルが大きくなり、膜剥がれが起こりやすい。図6は比較例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であり、それぞれ、ウェハ1の一部分の断面を示す。比較例1に係る製造方法では、図6aに示すように、ベベル部2の表面粗さRaは1.4nmを超える例えば、10nm。一方、比較例2に係る製造方法では、図6bに示すように、該表面粗さは、0.4nm未満例えば、0.1nmである。図2に示される結果から分かるように、これらの場合には、膜剥がれが生じやすい。図6cはベベル部2の表面粗さRaが0.1nmのウェハ1上に膜4を成膜する工程を示し、図6dはこの工程の後で膜4がベベル部2から剥がれた様子膜剥がれ5が生じた様子を示す模式図である。以上のような第1の実施形態によれば、ベベル部2の表面粗さRaを0.4nm以上1.4nm以下とすることにより、ベベル部2の表面の凹凸3を適度に小さくすることができるので、この凹凸3が大き過ぎることによってベベル部2に成膜された膜4が剥がれてしまうことを抑制できる。しかも、この凹凸3が過度に小さくはならないようにできるので、ベベル部2の表面と、膜4との適度な密着性を確保することができ、このことによっても、膜4が剥がれてしまうことを抑制できる。このように、ベベル部2の表面粗さを一定範囲内に制御することによって、ベベル部2に成膜された膜4の密着性を良好にし、その膜剥がれを抑制することができる。すなわち、ウェハ1のベベル部2に成膜された膜4の密着性が良好となるように、ベベル部2の表面粗さRaが適切に設定されたウェハ1を得ることができる。よって、剥がれた膜4に起因する半導体装置の歩留まり低下を抑制することができる。第2の実施形態図5は第2の実施形態に係る半導体装置の製造装置100を示すブロック図である。本実施形態では、製造装置100は、ベベル部2の表面粗さRaをモニターする粗さモニター計210と、ベベル研磨部110を制御する制御部220と、を更に有し、制御部220は、粗さモニター計210によりモニターされる表面粗さが所定の表面粗さとなると、研磨を終了させる。粗さモニター計210としては、例えば、AFM原子間力顕微鏡法を利用した測定装置例えば、オリンパス株式会社製のNV2000等を用いることができる。この粗さモニター計210は、ベベル部2の表面粗さRaを随時に計測し、その計測結果を制御部220に出力する。制御部220は、粗さモニター計210から入力される計測結果を監視し、その値が所定の表面粗さ例えば、0.4nm以上1.4nm以下となると、ベベル研磨部110によるベベル部2の研磨動作を終了させる。すなわち、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、粗さモニター計210によりベベル部2の表面粗さRaをモニターしながら、ベベル研磨部110によってベベル部2を研磨する。そして、モニターされる表面粗さが所定の表面粗さとなると、ベベル部2の研磨を終了する。一般的には、研磨を行う際、研磨布の磨耗により研磨状態が変わるため、ベベル部2の表面粗さを正確に制御することは難しい。これに対し、本実施形態では、粗さモニター計210によりベベル部2の表面粗さを随時モニターしながらベベル部2を研磨し、モニターされる表面粗さが所定の表面粗さとなると研磨を終了するので、ベベル部2の表面粗さを正確に制御することができる。よって、より高精度にベベル部2の表面粗さを制御することもできる。