一画像中にその画像を構成する複数の画素によって囲まれた無表示領域をマトリクス状に配置させた状態で、前記画像を表示する画像表示素子と、前記画像表示素子から投射面までの光路の途中で、前記光路を、前記画像の更新に応じて、更新後の画像の画素が更新前の画像の無表示領域と重なるように平行移動させる光路シフト装置とを備えることを特徴とする投射型表示装置。前記画像表示素子は、液晶層と、前記液晶層の背面にマトリクス状に設けられ、前記液晶層を介した光源からの光を反射すると共に、前記画像に基づいて前記液晶層の偏光変調を誘起する複数の画素電極と、前記複数の画素電極のうち、互いに対角に位置する画素電極の間に設けられ、前記光源からの光の偏光変調を行わずに前記無表示領域を形成する表示無効電極とを有することを特徴とする請求項1に記載の投射型表示装置。互いに対角に位置する画素電極の各重心を結ぶ線分に沿った前記表示無効電極の幅は、水平及び垂直方向に隣接する一対の画素電極の間隙よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の投射型表示装置。前記画素電極の形状は、光の入射面から見て、前記線分に垂直な一辺を有する4回回転対称の八角形であることを特徴とする請求項3に記載の投射型表示装置。前記表示無効電極の形状は、光の入射面から見て、前記線分に垂直な一辺を有する正方形であることを特徴とする請求項4に記載の投射型表示装置。一画像中にその画像を構成する複数の画素によって囲まれた無表示領域をマトリクス状に配置させた状態で、前記画像を表示することを特徴とする画像表示素子。液晶層と、前記液晶層の背面にマトリクス状に設けられ、前記液晶層を介した光源からの光を反射すると共に、前記画像に基づいて前記液晶層における偏光変調を誘起する複数の画素電極と、前記複数の画素電極のうち、互いに対角に位置する画素電極の間に設けられ、前記光源からの光の偏光変調を行わずに前記無表示領域を形成する表示無効電極とを有することを特徴とする請求項6に記載の画像表示素子。互いに対角に位置する画素電極の各重心を結ぶ線分に沿った前記表示無効電極の幅は、水平及び垂直方向に隣接する一対の画素電極の間隙よりも大きいことを特徴とする請求項7に記載の画像表示素子。前記画素電極の形状は、光の入射面から見て、前記線分に垂直な一辺を有する4回回転対称の八角形であることを特徴とする請求項8に記載の画像表示素子。前記表示無効電極の形状は、光の入射面から見て、前記線分に垂直な一辺を有する正方形であることを特徴とする請求項9に記載の画像表示素子。良好な解像度を得るために、上記の各特許文献では、投射面での画像位置をシフトする前と後での各画像間の画素の重なりを抑制している。このため、特許文献1では、透過型の画像表示素子の各画素に対して、マイクロレンズによる透過光の縮小や金属層による遮光を行って、一投射画像における画素間の無表示領域黒表示領域を確保している。また、特許文献2でも、反射型の画像表示素子の各画素に対してマイクロレンズを設置することで、液晶パネル内の各画素からの反射光を当該画素の大きさよりも縮小させて、一投射画像における画素間の無表示領域を確保している。換言すれば、これらの技術では、各画像間の画素の重なりを抑制するために画像表示素子の開口率を意図的に下げ、一投射画像における無表示領域無効領域を広げている。しかしながら、一般的に透過型の画像表示素子の開口率は、その構造上、本質的に反射型の画像表示素子よりも低くなる傾向がある。従って、遮光によって無表示領域を拡大させた場合、解像度は向上するものの、逆に輝度が低下してしまう。また、マイクロレンズを用いた場合は、輝度の低下は抑制できるが、微小なピッチで配列した各画素に対してマイクロレンズを高精度で配置する必要があるため、製造コストが高くなってしまう。反射型表示素子の構造の例としてはLcosとよばれる構造があり、反射型構造により画素の高密化、微細化が容易であり、高精細画像に対応した表示素子として優れた特長を有する。しかしながら、前述のように、光学ウォブリング方式による投射型画像表示装置に反射型液晶表示素子を適用する場合、高開口率構造は画素シフト前後の画素の重なりを増大させる結果、十分な解像度向上効果が得られなくなることから、特許文献1に記載されているように、画素電極を敢えて小さくし、画素間の無効部分を大きくした低開口率構造とする必要が生じるため、本来の反射型構造のメリットが十分活かされない、という問題がある。このような課題を解決するため、本発明は、光学ウォブリング方式による画像投射において、光の利用効率を低下させずに解像度の向上が可能な投射型表示装置および画像表示素子の提供を目的とする。本発明の第1の態様は投射型表示装置であって、一画像中にその画像を構成する複数の画素20によって囲まれた無表示領域21をマトリクス状に配置させた状態で、前記画像を表示する画像表示素子40b、40g、40rと、前記画像表示素子40b、40g、40rから投射面48までの光路の途中で、前記光路を、前記画像の更新に応じて、更新後の画像の画素20が更新前の画像の無表示領域21と重なるように平行移動させる光路シフト装置50とを備えることを特徴とする。本発明の第2の態様は、一画像中にその画像を構成する複数の画素20によって囲まれた無表示領域21をマトリクス状に配置させた状態で、前記画像を表示する反射型画像表示素子である。前記反射型画像表示素子は、液晶層61と、前記液晶層61の背面にマトリクス状に設けられ、前記液晶層61を介した光源31からの光を反射すると共に、前記画像に基づいて前記液晶層61の偏光変調を誘起する複数の画素電極10と、前記複数の画素電極10のうち、互いに対角に位置する画素電極10の間に設けられ、前記光源31からの光の偏光変調を行わずに前記無表示領域21を形成する表示無効電極12とを有することが好ましい。互いに対角に位置する画素電極10の各重心を結ぶ線分に沿った前記表示無効電極12の幅Wは、水平及び垂直方向に隣接する一対の画素電極10、10の間隙Kよりも大きいことが好ましい。前記画素電極10の形状は、光の入射面から見て、前記線分に垂直な一辺を有する4回回転対称の八角形であることが好ましい。前記表示無効電極12の形状は、光の入射面から見て、前記線分に垂直な一辺を有する正方形であることが好ましい。本発明によれば、光学ウォブリング方式による画像投射において、更新後の画像における画素の重心が更新前の画像における無表示領域と重ねるため、更新前後の画像間の分離度が向上し、解像度の劣化を抑制することができる。以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態の画像表示素子を構成する画素電極10及び表示無効電極12を示す図である。図2は、本実施形態に係る投射型表示装置によって光学ウォブリングを行った場合の、更新前後の各画像の相対的な位置関係を示す図であり、図中の画素20及び無表示領域黒表示領域21は、図1の画素電極10及び表示無効電極12にそれぞれ対応している。説明の便宜上、図1及び図2の左右方向を水平方向H、上下方向を垂直方向V、水平及び垂直方向に対して斜め45°の方向を対角方向Dと称する。また、対角方向Dに沿って画素電極10の各重心10aを結ぶ線分を対角線DLと称する図2参照。図2に示すように、本実施形態ではフィールド毎に作成される各画像において、水平方向H及び垂直方向Vに沿ってマトリクス状に配列した無表示領域21が含まれている。この無表示領域21は、複数の画素20によって四方を囲まれている。本実施形態では、このような無表示領域21を含む画像を更新する際に、画像の投射位置を、更新前後の各画像の補間関係を満たすように、具体的には、更新後の画像の画素20の例えば重心が、更新前の画像の無表示領域21と重なるように平行移動させる。換言すると、水平方向H、垂直方向Vに沿った画素20のピッチをCとした場合、フィールドの更新毎に、画素の位置が対角方向Dに沿って、√2/2Cだけシフトした表示位置の切り替え操作が行われる。なお、シフトする方向は、水平方向Hに対して右上がり対角方向Dと右下がりの対角方向Dのうちの何れか一方である。上述の切り替え操作を行った場合、更新後の画素20の重心は、更新前の画素位置の無表示領域21と重なるため、光学ウォブリング方式での補間サンプリングの分離性が向上し、解像度の劣化を抑制することができる。上述の画像を表示する画像表示素子40b、40g、40rについては詳細を後述するが、無表示領域21に対応する表示無効電極12を、水平方向H及び垂直方向Vに沿った画素電極10間に設けるのではなく、対角方向Dに沿った画素電極間に設ける構成である。従って、水平方向H及び垂直方向Vに沿って配列する画素電極間に無表示領域を設ける構成よりも、開口率即ち、光の利用率の低下を抑制し易い。図3は、本実施形態に係る投射型表示装置30の構成図である。この図に示すように、投射型表示装置30は、光源31からの白色光を集光すると共にその偏光方向を規定し、クロス型ダイクロイックミラー37に向かって射出する照明光学系32を備える。照明光学系32は、例えば、光源31からクロス型ダイクロイックミラー37に向かって順に設置された、集光レンズ33、フライアイレンズ対34、偏光変換素子35、レンズ36によって構成される。本実施形態において、光源31からの白色光は偏光変換素子35によってP波に偏光される。照明光学系32から射出したP波の白色光は、上述のクロス型ダイクロイックミラー37に入射する。クロス型ダイクロイックミラー37は、照明光学系32からの白色光を、青色の成分を含む光Bと、黄色の成分を含む光Yに分離し、それぞれを別の光路に射出する。クロス型ダイクロイックミラー37を経た青色の光Bは、ダイクロイックミラー38による反射を経て、フィールドレンズ39bに入射する。フィールドレンズ39bにおいて、光Bは、青色用画像表示素子40bの表示エリアの大きさに合わせて屈折され、偏光ビームスプリッタPBSとしてのワイヤーグリッド41bに入射する。なお、ダイクロイックミラー38は、反射面をアルミ蒸着膜等で形成した周知のミラーでもよい。ワイヤーグリッド41bは後段の青色用画像表示素子40b及び色合成プリズム42に対して45°傾斜して設置され、P波を透過し、S波を反射する。クロス型ダイクロイックミラー37からの光BはP波なので、そのままワイヤーグリッド41bを透過し、青色用画像表示素子40bに入射する。本実施形態の青色用画像表示素子40bは反射型の画像表示素子であり、周知の画像表示素子と同様に、1つの画像を複数の画素20によって構成することで表示するものである。ただし、この画像表示素子40bは、画像中に複数の画素によって囲まれた無表示領域をマトリクス状に配置させた状態で画像表示を行う。これについては後述する。青色用画像表示素子40bは、入射した光Bの偏光成分即ちP波成分を投射画像の青色成分の強度に応じてS波に変調すると共に、この光をワイヤーグリッド41bに向けて反射する。青色用画像表示素子40bによって偏光変調された光Bは、再びワイヤーグリッド41bに向かって進み、このうちのS波の光のみが反射され、色合成プリズム42に入射する。一方、クロス型ダイクロイックミラー37を経た黄色の光Yは、ダイクロイックミラー43を経て、更にダイクロイックミラー44に入射する。なお、ダイクロイックミラー43は、ダイクロイックミラー38と同じく、アルミ蒸着膜等で形成された周知のミラーでもよい。ダイクロイックミラー44では黄色の光Yが緑色の光Gと赤色の光Rとに分離され、緑色の光Gは反射し、赤色の光Rは透過する。その後の光Gの光路上には、図3に示すように、フィールドレンズ39g、PBSとしてのワイヤーグリッド41g及び緑色用画像表示素子40gが設置されており、光Rの光路においても同様に、フィールドレンズ39r、PBSとしてのワイヤーグリッド41r及び赤色用画像表示素子40rが設置されている。これらの構成及び機能は、光Bに対して用いたフィールドレンズ39b、ワイヤーグリッド41b及び青色用画像表示素子40bと同様である。即ち、緑色の光Gは、緑色用画像表示素子40gの表示エリアの大きさに合わせて屈折された後、緑色用画像表示素子40gによる偏光変調によって得られたS波成分のみが色合成プリズム42に入射する。また、赤色の光Rは、赤色用画像表示素子40rの表示エリアの大きさに合わせて屈折された後、赤色用画像表示素子40rによる偏光変調によって得られたS波成分のみが色合成プリズム42に入射することになる。色合成プリズム42は、各側面及び背面から入射された光B、G、Rを合成し、その光を前面から射出する。色合成プリズム42から射出した光は光路シフト装置50に入射する。光路シフト装置50は、色合成プリズム42から射出した光が投射面に至るまでの光路の途中で、当該光路を画像の更新に応じてずらす所謂光学ウォブリングを行う。この光学ウォブリングによって、上記の光路は、更新後の画像の画素が更新前の画像の無表示領域と重なるように平行移動する。この光路シフト装置50の具体的な構成については後述する。光路シフト装置50を経た光は投影光学系としての投影レンズ45に入射する。投影レンズ45は、周知のレンズ等により攻勢され、光路シフト装置50からの光をスクリーン等の投射面48に向けて投射すると共に結像させて画像表示を行う。なお、本実施形態では、各フィールドレンズ39b、39g、39rと各ワイヤーグリッド41b、41g、41rとの間に直線偏光度を向上させる偏光板46b、46g、46rを設置してもよい。また、各ワイヤーグリッド41b、41g、41rと色合成プリズム42との間にも、偏光板46b、46g、46rと同様の目的で、偏光板47b、47g、47rを設置してもよい。上述の光路シフト装置50について詳述する。図4は、光路シフト装置50の構成及び動作を示す図である。本実施形態の光路シフト装置50は、色合成プリズム42から投影レンズ45に向かって順に配置された、1/2波長板51と、偏光スイッチ素子52と、複屈折素子53とを備える。各光学素子51、52、53は積層構造として構成してもよく、透明ガラス等により形成された部材によって支持された構成でもよい。1/2波長板51は、入射するS波の光の偏光方向を45°回転させる。本実施形態の場合、1/2波長板51は、その光軸進相軸または遅相軸Tを入射光S波の偏光方向に対して光の進行方向即ち光軸の周りで22.5°傾けて設置される。偏光スイッチ素子52は、複屈折特性及び誘電異方性を有するいわゆる偏光変換素子であり、所定の電圧の印加に応じて光の偏光方向を90°回転させる。偏光スイッチ素子52は、例えば、電圧の印加が無い場合に偏光方向を回転させず便宜上、オフ状態と称する、電圧が印加された場合に偏光方向を回転させる便宜上、オン状態と称する。偏光スイッチ素子52は、例えば、対向した透明電極基板に液晶材料を封入することで構成された液晶セルである。この場合、液晶層の厚さは、前述の複屈折によって生じた光路中の位相差が180°、換言すれば、入射光の波長の1/2となるように設定される。また、液晶材料には偏光方向の回転に関して高速なスイッチング特性が要求される。従って、このような液晶材料としては、強誘電性液晶が好適であり、更には、OCBモードでの動作が望ましい。複屈折素子53は、光学異方性を有する結晶材料例えば水晶で形成された光学素子であり、入射する光の偏光方向に応じて射出時の光路をシフトさせる。本実施形態の複屈折素子53は、各画像表示素子40b、40g、40rの画素ピッチをCとすると、投射面上で対角方向Dに沿って、S波とP波の各光路間のシフト量が√2/2Cとなるように形成されている。複屈折素子53に入射する光の偏光方向は、偏光スイッチ素子52によって制御されている。従って、偏光スイッチ素子52への電圧印加のオンオフを繰り返すことによって、複屈折素子53から射出する光の光路を交互にシフト即ちウォブリングさせることができる。投影レンズ45は複屈折素子53からの光を投射面48に向かって拡大投影する。投影レンズ45は既知のレンズを用いて構成されるため、詳細な説明は割愛する。本実施形態の画像表示素子40b、40g、40rについて図5を参照して詳細に説明する。なお、本実施形態の各画像表示素子40b、40g、40rは動作及び構造が同一であるため、青色用画像表示素子以下、単に画像表示素子と称する40bを例に挙げて説明し、重複する緑色用及び赤色用の画像表示素子40g、40rに関する説明は割愛する。上述したように画像表示素子40bは反射型の画像表示素子であり、図示しない回路からの画像信号に基づいて、偏光変調による画像表示を行う。図5の断面図に示すように、画像表示素子40bは、液晶層61と、液晶層61の背面にマトリクス状に設けられた複数の画素電極10とを備えており、これらは液晶層61の前面即ち、光入射面に位置する透明基板62と、画素電極10の基礎基板としてのシリコン基板63と共に積層構造を形成する。本実施形態において、透明基板62、液晶層61、シリコン基板63における画素電極10よりも下層の構成は周知のものが適用可能である。透明基板62は画像表示素子40bの最上層部材として設けられ、その下層に位置する液晶層61を密封保護すると共に、液晶層61内の液晶分子の配向状態を規定する対向電極63及び配向層の基礎基板として機能する。透明基板62の液晶層61に対向する面には、各画素電極10に共通の対向電極63が形成されており、これにより液晶層61内の電界が定まる。更に、この対向電極63の液晶層61に対向する面には、配向層64aが形成されている。配向層64aは、画素電極10側に形成される配向層64bと共に、液晶層61内の液晶分子の初期配向状態即ち、無電界時の配向状態を定める。なお、透明基板62、対向電極63、配向層64a、64bは、ワイヤーグリッド41bからの光を液晶層61に導く必要があるため、何れも光学的に透明な材料で形成されている。本実施形態の液晶層61は、負の誘電率異方性をもつ周知の液晶材料を用いて形成され、透明基板62側及び画素電極10側に形成された配向層64a、64bと、画素電極10及び対向電極63間に生じる電界によって誘起される複屈折現象とを利用して、画像表示素子40bから射出する光の偏光方向を制御する。初期状態において液晶分子は、画像表示素子40bの厚さ方向に略平行な方向に沿って配向している。つまり、無電界時は液晶層61による複屈折が起こらないので、画像表示素子40bからワイヤーグリッド41bに進行した光は、そのままワイヤーグリッド41bを透過する。従って、無電界時には色合成プリズム42に到達しないため、本実施形態の画像表示素子40bはノーマリーブラック型の画像表示素子として機能する。画素電極10は、液晶層61を介した光源からの光を反射すると共に、表示画像に関して図示しない回路から入力される画像信号に基づいて液晶層61の偏光変調を誘起する。各画素電極10はアルミ等の金属によって層状島状に形成され、投射画像の各画素に対応するようにシリコン基板63の絶縁層65上にマトリクス状に即ち、水平方向H及び垂直方向Vに沿って配列している。各画素電極10の液晶層61に対向する面は、反射面として鏡面となるように形成されている。また、各画素電極10には、それぞれに対して設けられたトランジスタから、投射画像に応じた電圧が印加され、透明基板62との間に電界に応じた偏光変調が行われる。従って、各画素電極10は、液晶層61を透過したワイヤーグリッド41bからの光を反射してワイヤーグリッド41bに戻すと共に、画像表示の際には、当該画像に応じてその偏光状態をP波からS波に向けて変調させる。その結果、S波の成分の光は、ワイヤーグリッド41bによって反射され、色合成プリズム42に入射させ、上述の光路シフト装置50を経て投射画像を形成することになる。本実施形態の画素電極10は、無表示領域21をマトリクス状に配置した画像を表示するために、従来の正方形の画素電極図1に点線で示すに対してその四隅を切り欠いた形状を有する。このような形状は例えば、光の入射面から見て、対角線DLに垂直な一辺を有する4回回転対称の八角形である。即ち、図1に示すように、この八角形は、水平方向Hに垂直な一対の辺縁部10b、10b、垂直方向Vに垂直な一対の辺縁部10c、10c、対角方向Dに垂直な二対の辺縁部10d、10dを有する。なお、各画素電極10の裏面等には、必要に応じて金属層での光の多重反射を抑えるための光吸収層を形成してもよい。上述の通り、八角形の各画素電極10がマトリクス状に設置されている。このような配置により、互いに対角に位置する、即ち、対角方向Dに隣接して位置する画素電極10、10の間には、光源31からの光の偏光変調を行わずに上述の無表示領域21を形成する表示無効電極12が形成される。この場合、表示無効電極12は画素電極10と同一平面上に形成されることがより好ましい。具体的には図1に示すように、表示無効電極12は、画素電極10を基準として対角方向Dの位置に形成される。従って、表示無効電極12は、その四方が4個の画素電極10によって囲まれるように形成されている。対角方向Dに沿った表示無効電極12の幅Wは、水平方向H及び垂直方向Vに沿って隣接する一対の画素電極10の間隙Kよりも大きい。つまり、本実施形態の各画素電極10は、水平方向Hおよび垂直方向Vに対して開口率が極力大きくなるように形成され、且つ、対角方向Dに対して開口率が減少するように形成される。表示無効電極12は液晶層61に入射した光の偏光方向を維持すると共に、この光を反射する。表示無効電極12の反射面は画素電極10の反射面と同一平面上に位置することがより好ましい。その場合には、表示無効電極12は、画素電極10と同じ導体層からエッチング等により形成されることが好ましい。このような表示無効電極12を設けることによって、少なくとも対角方向Dに対する広範囲な段差の発生の防止、及び、液晶層61内の配向乱れの低減が容易になり、高品位な表示特性を得ることができる。なお、表示無効電極12の裏面等には、必要に応じて金属層での光の多重反射を抑えるための光吸収層を形成してもよい。表示無効電極12には、それよりも下層の導体層を兼ねる遮光層後述79から、投射画像上で無表示領域黒表示領域となる電圧が定常的に印加される。例えば、本実施形態の画像表示素子がノーマリーブラック型の画像表示素子として構成される場合は、表示無効電極12に対して、画素電極10と同電位となるような電圧が印加され、射出後の光の偏光状態は、入射前の光の偏光状態から変化しない。射出した光は偏光変調されていないので、そのままワイヤーグリッド41bを透過する。従って、表示無効電極12から反射した光は、色合成プリズム42に到達せず、投射画像上には無表示領域21が形成される。このように、無表示領域となる電圧を定常的に印加するため、確実に黒表示ができると共に、定常的に投射画像上に無表示領域を形成できる。従って、投射画像上における無表示領域と各画素間のコントラストが低下しない良好な表示特性が得られる。表示無効電極12の形状は、無表示領域21の形状に略相似する。即ち、画素電極10が八角形である場合、無表示領域21の形状は、配列した各画素電極10の位置に応じて対角線DLに平行な辺縁部を有する略正方形となる。これに応じて、表示無効電極12も例えば、光の入射面から見て、対角線DLに垂直な一辺を有する正方形状に形成される。配列方向における各画素電極10間、及び、画素電極10と表示無効電極12の互いに対抗する縁部の間には平坦化層66が形成され、機械的な段差を埋めている。平坦化層66は、各電極間の段差による液晶配向の乱れや、光学的な散乱の発生を抑制し、表示コントラスト低下を防止する。平坦化層66は、例えば、画素電極10を形成した後、その表面にSiO2等の絶縁層を一様に堆積させ、これを反射電極表面が露出するまでエッチングするエッチバック法を用いて形成される。なお、表示無効電極12を設けずに、無表示領域21の全領域をこの平坦化層66で形成してもよい。表示無効電極12を設けた場合と比べて偏光状態の固定は出来なくなるので、コントラストが低下する可能性はあるものの無表示領域の形成は可能である。シリコン基板63における画素電極10よりも下層の構成は周知のものが適用可能である。例えば図5に示すように、シリコン基板63にはウェル67が形成され、さらにこのウェル67内にトランジスタ領域68および蓄積容量領域69が形成される。トランジスタ領域68及び蓄積容量領域69は画素電極10毎に形成され、フィールド酸化膜70によって相互に分離されている。トランジスタ領域68には、所謂MIS構造を有する電界効果トランジスタFETが形成される。ドレイン拡散領域71とソース拡散領域72の間に制御電極ゲート電極73が、ポリシリコン層として形成される。ドレイン拡散領域71の上には、金属層として形成された信号電極74が設けられている。信号電極74は、絶縁層65内に形成されたコンタクトホールを介して、ドレイン拡散領域71と電気的に接続している。また、ソース拡散領域72の上には、金属層として形成された配線電極ソース電極75が設けられている。配線電極75も、絶縁層65内に形成されたコンタクトホールを介して、ソース拡散領域72と電気的に接続している。蓄積容量領域69には、ポリシリコン層として蓄積容量電極76が形成されている。蓄積容量電極76は、ソース拡散領域72と電気的に接続する上述の配線電極75と電気的に接続されている。また、蓄積容量領域69のシリコン基板63側には高濃度拡散層77が形成されている。高濃度拡散層77の上には、蓄積容量電極76とは別に、金属層として形成された共通電極78が設けられている。共通電極78は、絶縁層65内に形成されたコンタクトホールを介して、高濃度拡散層77と電気的に接続している。共通電極78は、他の蓄積容量領域69の高濃度拡散層77とも電気的に接続しており、各蓄積容量領域69における容量部の基準電位を設定している。上述の配線電極75は、ソース拡散領域72への光の進入を遮断するため、ソース拡散領域72を完全に覆うように形成される。これにより、ソース‐ウェルで形成される半導体構造中での光キャリア発生を防止し、強い光照射下でも安定した信号保持特性および表示特性を得ることができる。さらに、極めて強い光照射に対しても十分な耐光性が確保できるように、信号電極74、配線電極75、共通電極78として形成される各金属層と、画素電極10や表示無効電極12として形成される金属層の間に、遮光層79が設けられる。この遮光層79も金属層であり、液晶層61から見て殆どの部分が上述の他の金属層と重なるように形成されている。また、遮光層79の一部には開口79aが形成されており、この開口に形成されたコンタクトホールを介して、画素電極10と配線電極75とが電気的に接続している。なお、遮光層79の表面及び裏面の少なくとも一面には、必要に応じて金属層での光の多重反射を抑えるための光吸収層を形成してもよい。各金属層と共に積層した絶縁層65のうち、画素電極10の直下に位置する絶縁層の上面は、画素電極10を歪みの無い平坦面として形成するために、光学レベルで平坦となるよう、化学機械研磨CMP法等を用いて研磨されている。本実施形態の投射型表示装置30を用いた画像の表示方法について図6を参照して説明する。以下の説明では、画像表示素子40bの最大の有効画素数が水平方向でm個、垂直方向でn個即ちm×n画素であるものとし、この画素数に対して、例えば図6に示すように、水平方向、垂直方向ともに2倍の画素数即ち2m×2n画素を有する元画像の画像信号を処理する場合を想定する。制御部49は、まず、元画像100に対してサンプリングを行い、水平方向H及び垂直方向Vの座標が共に奇数の画素101で構成される画像103と、水平方向H及び垂直方向Vの座標が共に偶数の画素102で構成される画像104とを生成する。これらの画像103、104を画像表示素子40bで表示させた場合、各画像103、104は互いに対角方向Dに√2/2Cだけずれた補間関係にある。従って、次の処理として制御部49は、この補間関係に基づいて、各画像103、104を画像表示素子40bで時分割して表示させると共に、偏光スイッチ素子52のオン/オフ状態を画像の更新の際に変更して、投射面48上での画像の投射位置を対角方向Dに√2/2Cに相当する量だけずらす。このような表示を一連の元画像に対して行うことによって、画像表示素子の画素数で得られる解像度を向上させることができる。また、本実施形態の画像表示方法では、無表示領域21が投射画像上で、水平方向H及び垂直方向VにピッチCに相当する間隔で配列するので、画素サイズ程度の黒表示を確実に行うことができる。例えば、図7に示すように、元画像100の各ラインが交互に白黒である場合、上述のサンプリングを行うと、白のみの画像Wと黒のみの画像Bに分かれる。これらの画像W、Bに対して、従来の反射型画像表示素子を用いて本実施形態の光学ウォブリングを行うと、全体的に灰色の画像が投射されてしまう。これは、従来の反射型画像表示素子が、高い開口率を得るために正方形の画素電極が極力隙間なく配列しているため、画像Bと画像Wにおける各画素の殆どの領域が重なり、各画像B、Wの色彩が平均化されるためである。一方、本実施形態の反射型画像表示素子によれば、一つの画像上で、無表示領域21が画素のピッチCに相当する間隔で配列している。従って、光学ウォブリングを行った場合には、各画像の無表示領域21が対角方向Dに沿って√2/2Cに相当する間隔だけ互いにずれて表示される。これは、図7の中央の図に示すように、水平方向H及び垂直方向Vに沿って0.5Cの間隔で無表示領域21が位置することを意味する。従って、画像Bの画素20bと、画像Wの無表示領域21wとを重ねることが出来るため、確実な黒表示が可能となる。また、無表示領域21の配列から、元画像100の黒白線の周期に対応した明暗の繰り返しパターンが垂直方向Vで得られる。このように本発明によれば、画像表示素子において、対角方向に沿った各画素電極の間隙のみに無表示領域21が設けられる。従って、水平方向及び垂直方向に沿って配列する画素電極間に無表示領域を設ける構成よりも、開口率即ち、光の利用率の低下を抑制し易い。また本発明では、光学ウォブリング方式による画像投射において、更新後の画像における画素の重心が更新前の画像における無表示領域と重ねるため、更新前後の画像間の分離度が向上し、解像度の劣化を抑制することができる。なお、本発明に係る画素電極及び表示無効電極の形状は、それぞれ、八角形及び正方形に限定されない。即ち、画素電極や表示無効電極の各縁部の少なくとも一部を湾曲させて、各縁部間が滑らかに繋がるように形成してもよい。