高周波スイッチングトランジスタと制御回路とを備える高周波スイッチング回路であって、上記高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介して、高周波信号経路がのびており、上記制御回路は、上記制御回路が受信した制御信号に応じて、少なくとも2つの異なるバイアス電位を、上記高周波スイッチングトランジスタの基板に印加するように構成されている、高周波スイッチング回路。上記制御回路は、切換可能な電圧源を備え、上記切換可能な電圧源は、上記少なくとも2つの異なるバイアス電位を供給するように構成されている、請求項1に記載の高周波スイッチング回路。上記切換可能な電圧源は、第1の出力部および第2の出力部を有する電荷ポンプを備えており、上記電荷ポンプの第1の出力部は、上記少なくとも2つの異なるバイアス電位のうちの第1のバイアス電位を供給するように構成されており、上記電荷ポンプの第2の出力部は、少なくとも2つの異なるバイアス電位のうちの第2のバイアス電位を供給するように構成されており、上記制御回路は、上記高周波スイッチングトランジスタの基板を、上記制御信号に応じて、選択的に、上記第1の出力部または上記第2の出力部に接続するように構成されている、請求項2に記載の高周波スイッチング回路。上記電荷ポンプは、上記少なくとも2つの異なるバイアス電位を同時に供給するように構成されており、上記電荷ポンプの第1の出力部は、スイッチ状態信号に応じて、選択的に、上記高周波スイッチングトランジスタのゲートにゲート電位を供給するように構成されている、請求項3に記載の高周波スイッチング回路。上記第2のバイアス電位と、上記高周波スイッチング回路のグランド端子に印加されたグランド電位との間の電位差は、上記第1のバイアス電位と上記グランド電位との間の電位差よりも大きい、請求項4に記載の高周波スイッチング回路。上記制御回路は、第1の制御回路スイッチングトランジスタと、第2の制御回路スイッチングトランジスタと、インバータとをさらに備え、上記インバータは、上記インバータの入力部において、上記制御信号を受信し、上記インバータの出力部において、上記制御信号の逆の形を供給するように構成されており、上記第1の制御回路スイッチングトランジスタのゲートは、上記インバータの入力部に結合されており、上記第1の制御回路スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記電荷ポンプの第2の出力部に結合されており、上記第1の制御回路スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、上記高周波スイッチングトランジスタの基板に結合されており、上記第2の制御回路スイッチングトランジスタのゲートは、上記インバータの出力部に結合されており、上記第2の制御回路スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記電荷ポンプの第1の出力部に結合されており、上記第2の制御回路スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、上記高周波スイッチングトランジスタの基板に結合されている、請求項4に記載の高周波スイッチング回路。上記少なくとも2つのバイアス電位は、上記第1のバイアス電位が上記高周波スイッチングトランジスタの基板に印加されるときよりも、上記第2のバイアス電位が上記高周波スイッチングトランジスタの基板に印加されるときに、上記高周波スイッチング回路の相互変調歪みが少なくなり、上記第2のバイアス電位が上記高周波スイッチングトランジスタの基板に印加される時よりも、上記第1のバイアス電位が上記高周波スイッチングトランジスタの基板に印加されるときに、上記高周波スイッチング回路の電力消費が低くなるように選択される、請求項5に記載の高周波スイッチング回路。第1の高周波スイッチングトランジスタと第2の高周波スイッチングトランジスタとを備える高周波スイッチング回路であって、上記第1の高周波スイッチングトランジスタは、第1のチャネル端子および第2のチャネル端子を備え、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介して、高周波信号経路がのびており、上記高周波信号経路は、上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介してのびており、上記第1の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、第1のチャネル抵抗を介して、電位ノードに結合されており、上記第2の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記第1の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子に結合されており、上記第2の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、上記電位ノードに結合されており、上記高周波スイッチング回路は、選択的に、上記電位ノードを所定の電位まで引き寄せるか、または、上記電位ノードをフローティングした状態に維持するように構成されている、高周波スイッチング回路。制御回路をさらに備え、上記制御回路は、上記制御回路が受信した制御信号に応じて、選択的に、少なくとも異なる2つの電位を、上記第1の高周波スイッチングトランジスタの基板、および、上記第2の高周波スイッチングトランジスタの基板に印加するように構成されている、請求項8に記載の高周波スイッチング回路。上記高周波スイッチング回路は、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が、高インピーダンス状態にあるときに、上記電位ノードを上記所定の電位まで引き寄せて、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル領域および第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル領域を空乏化すると共に、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が、低インピーダンス状態にあるときに、上記電位ノードをフローティングした状態に維持して、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル領域および第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル領域を空乏化しないように構成されている、請求項8に記載の高周波スイッチング回路。上記第1の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、上記高周波スイッチング回路の第1のスイッチ状態信号線に、第1のゲート抵抗を介して結合されており、上記第2の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、上記高周波スイッチング回路の第1のスイッチ状態信号線に、第2のゲート抵抗を介して結合されており、上記第1のスイッチ状態信号線は、スイッチ状態信号を受信して、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を、選択的に、低インピーダンス状態または高インピーダンス状態にするように構成されている、請求項8に記載の高周波スイッチング回路。第3の高周波スイッチングトランジスタと、第4の高周波スイッチングトランジスタと、スイッチ状態制御回路とをさらに備え、上記第3の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記電位ノードに結合されており、上記第3の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、第2のチャネル抵抗を介して、上記電位ノードに結合されており、上記第3の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、第3のゲート抵抗を介して、第2のスイッチ状態信号線に結合されており、上記第4の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記第3の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子に結合されており、上記第4の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、基準電位ノードに結合されており、上記第4の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、第4のゲート抵抗を介して、上記第2のスイッチ状態信号線に結合されており、上記スイッチ状態制御回路は、少なくとも異なる2つの電位を、選択的に、上記第1のスイッチ状態信号線および上記第2のスイッチ状態信号線に印加して、選択的に、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が低インピーダンス状態にあるときに、上記第3の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を、高インピーダンス状態にするか、または、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が高インピーダンス状態にあるときに、上記第3の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を、低インピーダンス状態にするように構成されている、請求項11に記載の高周波スイッチング回路。上記第1の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記高周波スイッチング回路の第1の高周波信号コネクタに結合されており、上記第2の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、上記高周波スイッチング回路の第2の高周波信号コネクタに結合されている、請求項8に記載の高周波スイッチング回路。上記高周波スイッチング回路は、第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が高インピーダンス状態にあるときに、少なくとも上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を低インピーダンス状態にすることによって、上記電位ノードと上記基準電位ノードとの間にDC経路を形成するように構成されている、請求項12に記載の高周波スイッチング回路。上記基準電位ノードの電位は、上記電位ノードと上記基準電位ノードとの間に上記DC経路が形成される時に、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル領域および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル領域が空乏化されるように、選択される、請求項14に記載の高周波スイッチング回路。高周波スイッチングトランジスタと制御回路とを備える高周波スイッチング回路であって、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介して、高周波信号経路がのびており、上記制御回路は、上記制御回路が受信した制御信号に応じて、上記高周波スイッチングトランジスタの基板に、少なくとも2つの異なるバイアス電位を印加するように構成されており、上記制御回路は、第1の制御回路スイッチングトランジスタと、第2の制御回路スイッチングトランジスタと、インバータと、電荷ポンプとを備え、上記電荷ポンプは、第1の出力部および第2の出力部を有し、上記第1の出力部は、上記少なくとも2つの異なるバイアス電位のうちの第1のバイアス電位を供給するように構成されており、上記第2の出力部は、上記少なくとも2つの異なるバイアス電位のうちの第2のバイアス電位を供給するように構成されており、上記第2のバイアス電位と、上記高周波スイッチング回路のグランド端子に印加されたグランド電位との間の電位差は、上記第1のバイアス電位と上記グランド電位との間の電位差よりも大きく、上記インバータは、上記インバータの入力部において、上記制御信号を受信し、上記インバータの出力部において、上記制御信号を逆転した信号バージョンを供給するように構成されており、上記第1の制御回路スイッチングトランジスタのゲートは、上記インバータの入力部に結合されており、上記第1の制御回路スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記電荷ポンプの第2の出力部に結合されており、上記第1の制御回路スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、上記高周波スイッチングトランジスタの基板に結合されており、上記第2の制御回路スイッチングトランジスタのゲートは、上記インバータの出力部に結合されており、上記第2の制御回路スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記電荷ポンプの第1の出力部に結合されており、上記第2の制御回路スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、上記高周波スイッチングトランジスタの基板に結合されており、上記電荷ポンプの第1の出力部は、スイッチ状態信号に応じて、選択的に、上記高周波スイッチングトランジスタのゲートに、ゲート電位を供給するように構成されており、上記第1のバイアス電位および上記第2のバイアス電位は、上記第1のバイアス電位が上記高周波スイッチングトランジスタの基板に印加されるときよりも、上記第2のバイアス電位が上記高周波スイッチングトランジスタの基板に印加されるときに、上記高周波スイッチング回路の相互変調歪みが少なくなり、上記第2のバイアス電位が上記高周波スイッチングトランジスタの基板に印加されるときよりも、上記第1のバイアス電位が上記高周波スイッチングトランジスタの基板に印加されるときに、上記高周波スイッチング回路の電流消費が低くなるように選択される、高周波スイッチング回路。第1の高周波スイッチングトランジスタと、第2の高周波スイッチングトランジスタと、第3の高周波スイッチングトランジスタと、第4の高周波スイッチングトランジスタと、スイッチ状態制御回路とを備える、高周波スイッチング回路であって、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介して、高周波直列信号経路がのびており、上記第3の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介して、高周波分流信号経路がのびており、上記第1の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記高周波スイッチング回路の第1の高周波信号コネクタに結合されており、上記第1の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、第1のチャネル抵抗を介して、電位ノードに結合されており、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、第1のゲート抵抗を介して、上記高周波スイッチング回路の第1のスイッチ状態信号線に結合されており、上記第2の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記第1の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子に結合されており、上記第2の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、上記電位ノードに結合されており、上記第2の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、第2のゲート抵抗を介して、上記第1のスイッチ状態信号線に結合されており、上記第3の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記電位ノードに結合されており、上記第3の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、第2のチャネル抵抗を介して、上記電位ノードに結合されており、上記第3の高周波スイッチングトランジスタのゲートは、第3のゲート抵抗を介して、第2のスイッチ状態信号線に結合されており、上記第4の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、上記第3の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子に結合されており、上記第4の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、基準電位ノードに結合されており、上記第4の高周波スイッチング端子のゲートは、第4のゲート抵抗を介して、上記第2のスイッチ状態信号線に結合されており、上記スイッチ状態制御回路は、少なくとも異なる2つの電位を、選択的に、上記第1のスイッチ状態信号線および上記第2のスイッチ状態信号線に印加して、選択的に、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が低インピーダンス状態にあるときに、上記第3の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を、高インピーダンス状態にするか、または、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が高インピーダンス状態にあるときに、上記第3の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を、低インピーダンス状態にするように構成されており、上記高周波スイッチング回路は、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が高インピーダンス状態にあるときに、少なくとも上記第4の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を低インピーダンス状態にすることによって、上記電位ノードと上記基準電位ノードとの間にDC経路を形成するように構成されており、上記基準電位ノードの電位は、上記電位ノードと上記基準電位ノードとの間に上記DC経路が形成されるときに、上記第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路および上記第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路が空乏化されるように、選択される、高周波スイッチング回路。請求項1に記載の高周波スイッチング回路とプロセッサとを備える携帯電話であって、上記プロセッサは、上記携帯電話の状態に応じて、上記高周波スイッチング回路に上記制御信号を供給するように構成されており、上記携帯電話が第2の状態にあるときよりも、第1の状態にあるときに、上記携帯電話の相互変調歪みが少なく、上記携帯電話が第1の状態にあるときよりも、第2の状態にあるときに、上記携帯電話の電流消費が低い、携帯電話。高周波スイッチは、一般に、携帯電話において用いられる。携帯電話では、相互変調特性と、電流消費との間のバランスが良好な高周波スイッチを有することが望まれている。相互変調特性は、UMTSUniversalMobileTelecommunicationSystemのような高データレートシステムにとって重要であり、携帯電話の待機時間を長くするためには、低電流消費が重要である。第1の態様によれば、本発明の実施形態は、高周波スイッチング回路を提供する。上記高周波スイッチング回路は、第1の高周波スイッチングトランジスタと制御回路とを備えている。第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介して、高周波信号経路がのびており、制御回路は、制御回路が受信した制御信号に応じて、少なくとも2つの異なるバイアス電位を、高周波スイッチングトランジスタの基板に印加するように構成されている。第2の態様によれば、本発明の実施形態は、高周波スイッチング回路を提供する。上記高周波スイッチング回路は、第1および第2のチャネル端子を含む第1の高周波スイッチングトランジスタを含む。上記高周波スイッチング回路では、第1の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介して、高周波信号経路がのびており、第1の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、第1のチャネル抵抗を介して、電位ノードに結合されている。上記高周波スイッチング回路は、さらに、第1および第2のチャネル端子を含む第2の高周波スイッチングトランジスタを含む。上記高周波スイッチング回路では、高周波信号経路は、第2の高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介してのびている。第2の高周波スイッチングトランジスタの第1のチャネル端子は、第1の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子に結合されている。第2の高周波スイッチングトランジスタの第2のチャネル端子は、電位ノードに結合されている。上記高周波スイッチング回路は、選択的に択一的に、電位ノードを所定の電位に引き寄せるか、または、電位ノードをフローティングした状態に維持するように、構成されている。以下に、本発明に係る実施形態を、添付の図面を参照しながら、より詳細に説明する。以下に、本発明の実施形態を、図面を参照しながらより詳細に説明する前に、次のことに言及する。すなわち、図面では、同一または機能的に同等の部材は、同一の参照番号で示されており、これらの部材を繰り返し説明することは省かれているという点である。従って、同一の参照番号が付された部材の説明は、相互に交換可能であり、および/または、様々な実施形態において適用可能である。図1は、本発明の一実施形態に係る高周波スイッチング回路100を示す概略的な回路図である。高周波スイッチング回路100は、高周波スイッチングトランジスタ110および制御回路120を含む。高周波スイッチングトランジスタ110のチャネル経路を介して、高周波信号経路がのびている。高周波信号経路は、例えば、携帯電話における、高周波信号のレシーバ受信器またはトランスミッタ発信器と、高周波アンテナとの間の電気経路であってよい。制御回路120は、制御回路120が受信した制御信号140に応じて、少なくとも2つの異なるバイアス電位を、高周波スイッチングトランジスタ110の基板130に印加するように構成されている。高周波スイッチングトランジスタ110は、MOSトランジスタであってよく、例えば、低濃度にn型ドープされた基板130を備えるn型チャネルMOSトランジスタであってよい。幾つかの実施形態では、トランジスタ110は、他の半導体技術、例えばGaAs技術によって具現化されていてよい。高周波スイッチングトランジスタ110の基板130は、SOISOI=silicononinsulatorプロセス、またはトリプルウェルプロセスから公知のn型ウェルであってよい。特に、高周波スイッチングトランジスタ110の基板130は、例えば高周波スイッチング回路100と同じダイ上にある、他の半導体素子の基板には、電気的に結合されていなくてよい。幾つかの実施形態では、高周波スイッチング回路100は、2つまたはそれ以上の高周波スイッチングトランジスタ110を含んでいてよく、これらの高周波スイッチングトランジスタ110の基板130は、互いに結合されていてよく、高周波信号経路は、高周波スイッチングトランジスタ110の複数のチャネル経路を介してのびていてよい。これらの高周波スイッチングトランジスタ110は、例えば、より高いドレイン電圧/ソース電圧またはより高い電圧を切替えることが可能なように、直列に積層されていてよい。高周波スイッチング回路では、良好な相互変調特性、すなわち、相互変調歪みが少ないことが望ましい。良好な相互変調特性は、高周波スイッチング回路の非線形性を低減すること、例えば、高周波スイッチングトランジスタのドレイン領域/ソース領域と基板との間の寄生容量を低減することによって、実現可能である。高周波スイッチング回路100は、高周波スイッチングトランジスタ110の基板130にバイアス電位を印加することによって、これらの静電容量を低減する。基板130にバイアス電位を印加することによって、第1のチャネル端子例えばソースと基板130との間の寄生容量、および、第2のチャネル端子例えばドレインと基板130との間の寄生容量が、低減される。これによって、高周波スイッチングトランジスタ110の非線形性はより小さくなり、高周波スイッチングトランジスタ110および高周波スイッチング回路100の相互変調特性はより良好になる。基板130のバイアス電位と、基準電位、例えば、高周波スイッチング回路100のグランド端子に印加されたグランド電位との間の電位差が高ければ高いほど、これらの寄生容量はより低くなり、高周波スイッチングトランジスタ110の相互変調特性はより良好になるすなわち、相互変調歪みがより少なくなる。基板130のバイアス電位を上昇させることの1つの欠点は、例えば、制御回路120および高周波スイッチング回路100全体の電流消費が高くなる点である。他の欠点は、基板バイアス電位を上昇させることが、例えば、高周波スイッチングトランジスタ110の基板領域例えばn型ウェルとチャネル端子例えば、p型ドープされたソースまたはドレイン領域との間のnp型ダイオードの機能停止を導き、場合によっては、寿命の低減を導き得るという点である。換言すると、基板130のバイアス電位を上昇させることは、高周波スイッチングトランジスタ110の信頼性の欠如を導き得る。図1に示される高周波スイッチング回路100は、この問題を、高周波スイッチングトランジスタ110の基板130に、選択的に、異なる2つのバイアス電圧を印加することによって、回避するものである。換言すると、高周波スイッチング回路100は、制御信号140に応じて、良好な相互変調特性と、低電流消費および高信頼性とを結び付けて、相互変調特性と電流消費との間のバランスをより良好にすることを実現するものである。携帯電話において実施される場合、高周波スイッチング回路100は、高周波スイッチング回路100の相互変調歪みが少ない、例えばUMTSのような高データレート用途に適した第1のモードと、高周波スイッチング回路100が、低い電流消費を有すると同時に、相互変調歪みが十分に少ない第2のモードとを提供することが可能である。第2のモードは、例えば、GSMGlobalSystemforMobileCommunicationsのようなより低いデータレート用途、または、携帯電話の受信モード例えば、携帯電話が待機モードにある場合のような低電力用途に適している。携帯電話のプロセッサは、必要な時だけ、例えばUMTS伝送の時だけ、より高い基板バイアス電位第1のモードに切替えることが可能である。従って、高周波スイッチング回路100は、ほとんど常に低電流消費モード第2のモードであり、このため、携帯電話の待機時間はより長くなると同時に、必要な場合には、依然として少ない相互変調歪みを提供する。幾つかの実施形態によれば、携帯電話のロジックテーブルを用いて、高い線形性、従って高い基板バイアス電位が必要とされる特定のHF経路を規定してもよい。図2は、高周波スイッチングトランジスタ、例えば、図1に係る高周波スイッチングトランジスタ110の基板電位に応じた、ソース/ドレイン容量を示す図400である。横座標上には、様々な基板バイアス電位を認識可能である。縦座標上には、結果として生じる、高周波スイッチングトランジスタのチャネル端子と基板との間の寄生容量を認識可能である。これら様々な線は、様々なドーピング濃度を有する様々な形の高周波スイッチングトランジスタを示している。図2の図には、基板バイアス電位が高くなるにつれて、寄生容量が低くなることが明示されている。従って、非線形性は低減され、高周波スイッチングトランジスタの相互変調歪みを減少させる相互変調特性は、基板バイアス電位が高くなるにつれて、向上する。図3は、高周波スイッチングトランジスタ、例えば、図1に係る高周波スイッチングトランジスタ110の基板電位に関する、2次相互変調歪み積を示す図300である。図300の横座標は、様々な基板バイアス電位を示しており、図300の縦座標は、相互変調歪みの2次の値を示している。これら様々な線は、様々なドーピング濃度を有する様々な形の高周波スイッチングトランジスタを示している。図300は、既述のように、基板バイアス電位が高くなるにつれて、相互変調歪みが少なくなることを明示している。図400および図300は共に、高周波スイッチングトランジスタの伝達容量ソース/ドレイン容量の低減によって、非線形性が最少化され得ることを示している。図4は、本発明の一実施形態に係る高周波スイッチング回路200を示す概略的な回路図である。高周波スイッチング回路200は、制御回路120および高周波スイッチングトランジスタ110を含む。制御回路120は、異なる2つのバイアス電位を供給するように構成された電圧源を含む。電圧源は、電荷ポンプチャージポンプ210を含んでいてよく、電荷ポンプ210は、異なる2つのバイアス電位を同時に供給するように構成されていてよい。電荷ポンプ210が、例えば、制御信号140に応じて、異なる2つのバイアス電位を、選択的に供給することも可能である。高周波スイッチング回路200内の電荷ポンプ210は、第1の出力部220を備えていてよく、ここで、第1の出力部220は、2つのバイアス電位のうちの第1のバイアス電位を供給するように構成されている。電荷ポンプ210はさらに、第2の出力部230を含む。ここで、第2の出力部230は、2つのバイアス電位のうちの第2のバイアス電位を供給するように構成されている。以下では、バイアス電位は、バイアス電圧と呼んでもよい。この電圧は、高周波スイッチング回路の供給電位、例えば、高周波スイッチング回路のグランド端子に印加されたグランド電位に関連して、規定され得る。高周波スイッチング回路200の制御回路120は、制御信号140に応じて、高周波スイッチングトランジスタ110の基板130を、選択的に、電荷ポンプ210の第1の出力部220または第2の出力部230に接続するように構成されていてよい。高周波スイッチング回路200では、制御回路120のこの機能は、第1の制御回路スイッチングトランジスタ250、第2の制御回路スイッチングトランジスタ260、および、インバータ240を用いることによって、実装される。上述のように、制御回路120のスイッチング機能は、第1の制御回路スイッチングトランジスタ250、第2の制御回路スイッチングトランジスタ260、およびインバータ240によって実装される。第1の制御回路スイッチングトランジスタ250のゲート252は、インバータ240の入力部242に結合されている。第1の制御回路スイッチングトランジスタ250の第1のチャネル端子254例えばソースは、電荷ポンプ210の第2の出力部230に結合されている。第1の制御回路スイッチングトランジスタ250の第2のチャネル端子256例えばドレインは、高周波スイッチングトランジスタ110の基板130に結合されている。第2の制御回路スイッチングトランジスタ260のゲート262は、インバータ240の出力部244に結合されている。第2の制御回路スイッチングトランジスタ260の第1のチャネル端子264例えばソースは、電荷ポンプ210の第1の出力部220に結合されている。第2の制御回路スイッチングトランジスタ260の第2のチャネル端子266例えばドレインは、高周波スイッチングトランジスタ110の基板130に結合されている。インバータ240は、その入力部242において制御信号140を受信すると共に、その出力部244において制御信号140を逆転した信号バージョンを供給するように構成されている。制御信号140は、例えば、モード選択信号例えば、携帯電話におけるUMTSモードをアクティブにするための信号であってよい。幾つかの実施形態によれば、制御回路120は、任意により、スイッチ状態信号に応じて、高周波スイッチングトランジスタ110のゲート270を、選択的に、例えば、負のゲート電圧を供給する電荷ポンプ210の第1の出力部220に接続して、高周波スイッチングトランジスタ110のチャネル経路を高インピーダンス状態にするか、または、例えば、正のゲート電圧を供給する第2の電圧源の出力部に接続して、高周波スイッチングトランジスタ110のチャネル経路を低インピーダンス状態にするように構成されていてよい。ゲート270を電荷ポンプ210の第1の出力部220に接続すること、換言すると、高周波スイッチングトランジスタ110のゲート270に負のゲート電圧例えば、-3Vを印加することは、高周波スイッチングトランジスタ110のチャネル経路を閉鎖すること高周波スイッチングトランジスタ110のチャネル経路を高インピーダンス状態にすることを導き得る。幾つかの実施形態では、用いられるトランジスタの種類によっては、高周波スイッチングトランジスタ110に負のゲート電圧を印加することにより、高周波スイッチングトランジスタ110のチャネル経路を開放することチャネル経路を低インピーダンス状態にすることを導くことも可能である。負のゲート電圧の値は、第1のバイアス電位第1のバイアス電圧の値と同一であってよい。換言すると、電荷ポンプ210の第1の出力部220は、選択的に、高周波スイッチングトランジスタ110の基板130に第1のバイアス電位を供給すると共に、高周波スイッチングトランジスタ110のゲート270にゲート電位を供給するために、高周波スイッチングトランジスタ110に結合されていることが可能である。図4に示される制御回路120では、負のゲート電圧を供給するため例えば、高周波スイッチングトランジスタ110のチャネル経路を開放または閉鎖するために、さらなる電荷ポンプは必要ない。なぜなら、第1のバイアス電位およびゲート電位例えば、負のゲート電位の両方を供給するために、電荷ポンプ210を用いることが可能だからである。電荷ポンプ210の第1の出力部220において供給された第1のバイアス電位と、基準電位、例えば、高周波スイッチング回路110のグランド端子に印加されたグランド電位との間の電位差は、電荷ポンプ210の第2の出力部230において供給された第2のバイアス電位と、基準電位との間の電位差よりも低くてよい。換言すると、第1の基板バイアス電圧の絶対値は、第2のバイアス電圧の絶対値よりも低くてよい。例えば、第1のバイアス電圧は、-3ボルトであってよく、これは、例えば、高周波スイッチングトランジスタ110を開放または閉鎖するために用いられる負のゲート電圧と同じであり得る。第2のバイアス電圧は、例えば、-5ボルトであってよい。以下に、制御回路120の機能について説明する。制御回路トランジスタ250、260のゲートに論理的に高い信号が印加されると、制御回路トランジスタ250、260のチャネル経路は低インピーダンス状態になり、制御回路トランジスタ250、260のゲートに論理的に低い信号が印加されると、制御回路トランジスタ250、260のチャネル経路は高インピーダンス状態になると想定される。制御信号140は、例えば論理信号であってよく、例えば、高信号状態では3Vの電圧であり、低信号状態では-3Vの電圧である。制御信号140が高い状態にあるならば、第1の制御回路スイッチングトランジスタ250のゲート252およびインバータ240の入力部242には、高電圧例えば、3ボルトが印加され、制御回路スイッチングトランジスタ250のチャネル経路は、低インピーダンス状態になる。インバータ240は、その出力部244において、制御信号140を逆転した信号バージョンを供給し、このため、第2の制御回路スイッチングトランジスタ260のゲート262には、低信号例えば、0Vまたは-3ボルトが印加され、第2の制御回路スイッチングトランジスタ260のチャネル経路を、高インピーダンス状態にする。第1の制御回路スイッチングトランジスタ250のチャネル経路を低インピーダンス状態にすると共に、第2の制御回路スイッチングトランジスタ260のチャネル経路を高インピーダンス状態にすることによって、高周波スイッチングトランジスタ110の基板130を、電荷ポンプ210の第2の出力部230に接続することが行われる。これは、高周波スイッチングトランジスタ110の基板130に、第2のバイアス電位例えば、-5Vの第2のバイアス電圧が印加され、高周波スイッチングトランジスタ110の相互変調歪みが少なくなることが実現されることを意味している。制御信号140が低状態、例えば、制御回路トランジスタ250、260のVthに応じて0Vまたは-3Vの電圧が印加されると、第1の制御回路スイッチングトランジスタ250のチャネル経路は、高インピーダンス状態になり、第2の制御回路スイッチングトランジスタ260のチャネル経路は、低インピーダンス状態になる。これにより、高周波スイッチングトランジスタ110の基板130と、電荷ポンプ210の第1の出力部220との間が接続される。換言すると、高周波スイッチングトランジスタ110の基板130に、第1のバイアス電位例えば、-3Vの第1のバイアス電圧が印加され、高周波スイッチング回路200の低電流消費が実現される。第1のバイアス電圧の絶対値は、例えば、高周波スイッチングトランジスタ110の負のゲート電圧の絶対値と同一であってよい。既述のように、基板バイアス電圧が絶対値において高いと、相互変調特性は良好になるが、電流消費がより高くなり得る。例えば、制御信号140を高い状態に設定し、基板130と電荷ポンプ210の第2の出力部230との間に低オーム接続を形成して、これによって、高い基板バイアス電圧を供給することは、制御信号140を低電圧に設定し、基板130と電荷ポンプ210の第1の出力部220との間に低オーム接続を形成して、これによって、低い基板バイアス電圧を供給することよりも、良好な相互変調特性をもたらす。高周波スイッチング回路200の電流消費量は、例えば、制御信号140が高状態にある時よりも、制御信号140が低状態にあるときに、より低くなり得る。携帯電話において実装される場合、携帯電話プロセッサは、例えば、相互変調特性に関する要件が高度である場合、例えば、UMTSモードの場合に、制御信号140を高状態に設定し、かつ、良好な相互変調特性は重要ではないが、低電流消費が望ましい場合、例えば、GSMモードまたは受信モードの場合に、制御信号140を、低状態に設定することが可能であり得る。全ての場合において、IMDIMD=相互変調歪みおよび歪みが少ないことが、指定され、および必要とされることはないので、移動無線システムでは、例えば、UMTSモードにおいてのみ、どれくらい長く、部品携帯電話を対応するモード例えば、UMTSモードにするかを決定するユーザシナリオが適用可能である。さらに、バイアス電圧は、好ましくは、例えば電荷ポンプを用いて生成されるが、より高いバイアス電圧は、電流消費がより高くなることも意味している。従って、線形性の要件が低度である場合には、バイアス電圧を低減することが望ましい。さらに、バイアス電圧は、高周波スイッチングトランジスタの信頼性に、特に例えばn型ウェル基板内のウェルの破壊電圧に関して、影響を与える。本発明に係る実施形態は、異なるモード例えば、UMTSオンモードおよびUMTSオフモードが可能であり、基板バイアス電圧を切替可能にすることができるということを利用するものである。どのモードが現在使用されているかという情報は、既に利用可能な論理信号から、極めて容易に得ることが可能であり、例えば、高周波スイッチング回路100の制御信号140として、用いることが可能である。例えば、複数の実施形態では、基板バイアス電圧は、必要とされる場合にのみ、例えばUMTSモードにおいてのみ、上昇される。これは、例えば、UMTS経路モードに切替える間に、基板バイアス電圧も同時に上昇することを意味している。別の場合には、基板バイアス電圧は低減される例えば、GSMの場合。例えば、一般に、送信する時よりも電力が著しく低い受信モードでは、バイアス基板電位は、さらに低減され得る例えば、GSMの場合よりもさらに低減される。例えば、携帯電話の電流消費が比較的小さい受信モードの場合に、高周波スイッチング回路100の電流消費が低減されることは、携帯電話の待機時間が改善されることを意味している。全ての時間を合計すると、より高いバイアス電圧がアクティブである時間は、低バイアス電圧と比べて、わずかである。このため、携帯電話の信頼性または寿命および待機時間の改善がもたらされる。換言すると、図4の高周波スイッチング回路200は、2つの電圧が切替えられるが、1つの高電圧だけを切替えるだけで十分な、実装可能な形態を示している。幾つかの実施形態によれば、代替的に、電荷ポンプの制御回路を操作してもよい。これは、電荷ポンプが、1つの出力部だけを有していてよいことを意味している。この出力部は、選択的に、低バイアス電圧例えば、-3Vおよび高バイアス電圧例えば、-5Vを供給するように構成されていてよい。この解決方法の欠点は、1つの電圧から別の電圧に切替えることに、一定の安定化時間がかかるという点である。幾つかの実施形態によれば、電荷ポンプは、任意により、2つ以上の出力部を含んでいてよい。これは、複数のバイアス電圧、例えば、UMTS-送信、UMTS-受信、GSM-送信、およびGSM-受信の場合に、異なるバイアス電圧を供給するためのものである。図5は、高周波スイッチ500の簡略化された概略的な回路図を示す図である。ここでは、本発明の一実施形態に係る高周波スイッチング回路、例えば、図1に係る高周波スイッチング回路100が実装または使用されていてよい。高周波スイッチ500は、いわゆる共通のゲート構成にて具現化されており、このスイッチの基本回路が、図5に示されている。高周波スイッチ500は、第1の経路510例えば受信経路、および第2の経路520例えば送信経路を含む。第1の経路510は、いわゆる直列トランジスタである第1のトランジスタ530aと、いわゆる分流トランジスタである第2のトランジスタ540aを含む。第1の経路510と同様に、第2の経路520は、いわゆる直列トランジスタである第1のトランジスタ530b、および、いわゆる分流トランジスタである第2のトランジスタ540bを含む。第1の経路510の直列トランジスタ530aのゲートは、第2の経路520の分流トランジスタ540bのゲートに結合されていると共に、インバータ550の第1の出力部552に結合されている。第2の経路520の直列トランジスタ530bのゲートは、第1の経路510の分流トランジスタ540aのゲートに結合されていると共に、インバータ550の第2の出力部554に結合されている。インバータ550は、入力部556において受信されたスイッチ状態信号図5のCTRLを、第1の出力部552に供給し、該スイッチ状態信号を逆転した信号バージョンを、第2の出力部554に供給するように構成されている。従って、第1の経路510の直列トランジスタ530aのゲート電圧は、第2の経路520の分流トランジスタ540bのゲート電圧と同一でありまたはわずかに異なり、第2の経路520の直列トランジスタ530bのゲート電圧、および、第1の経路510の分流トランジスタ540aのゲート電圧の逆転したものである共通のゲート構成。トランジスタ530a、530b、540a、540bは、例えば、図1および図4に係る高周波スイッチングトランジスタ110のような高周波スイッチングトランジスタであってよい。高周波スイッチングトランジスタ530a、530b、540a、540bの基板は、制御回路120に結合されていてよい。制御回路120は、高周波スイッチングトランジスタの基板を、2つまたは3以上の、異なるバイアス電圧に選択的に接続するように構成されている。直列トランジスタ530a、530bは、TX例えば送信ポートとアンテナポートとの間、または、RX例えば受信ポートとアンテナポートとの間の接続に用いられる。分流トランジスタ540a、540bは、絶縁を改善するために用いられる。これは、トランジスタの基板、または、ゲート/ドレイン抵抗、ゲート/ソース抵抗を介したクロストークが遮断されることを意味している。スイッチ状態信号図5のCTRLは、第1の経路510または第2の経路520をアクティブにするために用いられる。第1の経路510は、例えば、第1の経路510の第1のトランジスタ530aに高い信号を印加することによってアクティブにされ得る。このため、第1のトランジスタ530aのチャネル経路が低インピーダンス状態になることによって、アンテナポートとRXとの間のオーム抵抗は低くなる。第1の経路510の第1のトランジスタ530aのチャネル経路が低インピーダンス状態になると、第2の経路520の第1のトランジスタ530bのチャネル経路は、高インピーダンス状態になる。これは、第2の経路520が遮断されることを意味している。さらに、第1の経路510の第1のトランジスタ530aのチャネル経路が低インピーダンス状態になることは、上述の共通のゲート構成のため、第2の経路520の第2のトランジスタ540bのチャネル経路が低インピーダンス状態になり、第1の経路510の第2のトランジスタ540aのチャネル経路が高インピーダンス状態になることを導き、絶縁がより良好になる。第2の経路520をアクティブにする場合には、この原理は、逆に機能する。比較的小さな破壊電圧を有する新規の技術において、より高い、電圧レベルおよび電力の切替えを可能にするために、トランジスタは積層されている。これは、トランジスタが直列に結合されていることを意味している。これについては、図6に示されるとおりである。図6は、高周波スイッチング回路600を示す概略的な回路図である。高周波スイッチング回路600は、例えば、高周波スイッチ500の第1の経路例えばRX経路510の代わりをすることが可能である。高周波スイッチング回路600は、積層された4つの直列抵抗630a、630b、630c、630dを含む。これは、これらの抵抗が直列に結合されていることを意味している。これら4つの直列トランジスタ630a、630b、630c、630dは、高周波スイッチ500の直列トランジスタ530aまたは直列トランジスタ530bと同様の機能を有している。これは、これら4つの直列トランジスタ630a~630dを低インピーダンス状態にすることによって、高周波スイッチング回路600の第2の高周波コネクタ650に結合されたアンテナまたアンテナネットワークと、高周波スイッチング回路600の第1の高周波コネクタ660に結合された対応するポート例えば、受信器の受信ポートとの間に、低い抵抗経路が形成されることを意味している。回路600はさらに、4つの分流トランジスタ640a、640b、640c、640dを含む。これら4つの分流トランジスタ640a、640b、640c、640dは、高周波スイッチ500の分流トランジスタ540a、540bと同様の機能を有している。これは、4つの分流トランジスタ640a~640dのチャネル経路を低インピーダンス状態にすることによって、ポートをアンテナから絶縁することを意味している。上述のように、高周波スイッチング回路600では、各経路直列経路および分流経路において、通常トランジスタごとに許容されるドレイン/ソース電圧の4倍のドレイン/ソース電圧にて切替えるために、4つのトランジスタが積層されている。ゲート/ソース電圧すなわち、破壊電圧を超えないの過大負荷を回避するために、トランジスタのゲートと、スイッチ電圧端子との間には、高オーム抵抗が望ましい回路600では、抵抗はR_GATEと示されている。この抵抗ゲート抵抗R_GATEに少なくともトランジスタの閾値電圧Vthよりも大きい正電圧を印加することによって、対応するトランジスタ直列トランジスタまたは分流トランジスタは開放導通される。これは、トランジスタのチャネル経路が、低インピーダンス状態になることを意味している。逆の電圧を印加する場合、負電圧または一般に、閾値電圧Vthよりも小さい、または著しく小さい電圧が、チャネル経路の遮断を導く。高周波スイッチング回路600は、典型的には、直列経路が開放されているならば、分流経路が閉鎖されるようにおよび、逆の場合もあてはまる構成されている。換言すると、直列トランジスタ630a~630dのチャネル経路が低インピーダンス状態にあるならば、分流トランジスタ640a~640dのチャネル経路は、高インピーダンス状態にある逆の場合も当てはまる。0.35マイクロメーターのCMOS技術の場合の典型的なゲート電圧は、オンチャネル経路を低インピーダンス状態にすることの場合の3Vから、オフチャネル経路を高インピーダンス状態にすることの場合の-3Vまでの範囲内にある。より高い電圧は、トランジスタの劣化を導き得るが、典型的には、オンの場合のトランジスタのドレインソース抵抗の低減を最小化する。図1に係る高周波スイッチング回路100を用いて印加され得るような基板バイアス電圧は、トランジスタの積層を可能にし、トランジスタのドレインバルク/ダイオードを非アクティブにする。上述のように、トランジスタの基板のバイアス電圧は、ゲート電圧と同じである必要はない。これは、トランジスタのオフ電圧が-3ボルトであり、基板バイアス電圧は、桁の面で大幅に高く、例えば-5ボルトであってよいことを意味している。図2および図3に係る図に示したように、基板バイアス電圧は、CV曲線の影響を有している。これは、電圧がより高いと例えば、ソース/ドレイン容量の逆電圧の桁がより高いと、トランジスタのバルク基板がより良好に空クリアされることになる空乏化されることを意味している。これによって、相互変調歪みがさらに改善され得るという利点を導くが、基板バイアス電圧が、ウェルの破壊電圧により接近し、信頼性の問題を生じさせ得るという欠点も導かれる。本発明の複数の実施形態は、この問題を、相互変調歪みに関する要件に応じて基板バイアス電圧を選択的に切替えることによって、解決するものである。例えば、高周波スイッチング回路が携帯電話において実施される場合、高周波スイッチング回路の高周波トランジスタの基板バイアス電圧は、ほとんど常に、例えば受信の場合に、低レベルにあり、所定のモードにおいてのみ、例えばUMTSの場合においてのみ、高レベルであり得る。図7は、本発明の一実施形態に係る高周波スイッチング回路700を示す概略的な回路図である。高周波スイッチング回路700は、第1の高周波スイッチングトランジスタ710aを含む。第1の高周波スイッチングトランジスタ710aは、ゲート712a、第1のチャネル端子714a例えばソース、および第2のチャネル端子716a例えばドレインを備えている。高周波スイッチング回路700はさらに、第2の高周波スイッチングトランジスタ710bを含む。第2の高周波スイッチングトランジスタ710bは、ゲート712b、第1のチャネル端子714b例えばソース、および第2のチャネル端子716b例えばドレインを備えている。第1の高周波スイッチングトランジスタ710aのチャネル経路および第2の高周波スイッチングトランジスタ710bのチャネル経路を介して、高周波信号経路がのびている。高周波信号経路は、例えば、高周波スイッチング回路700のアンテナポートと高周波信号端子との間に、低オーム接続を形成することが可能である。高周波信号端子は、例えば、トランシーバまたは電力増幅器、または、低雑音増幅器に結合されていてよい。第1の高周波スイッチングトランジスタ710aの第2のチャネル端子716aは、チャネル抵抗720ドレインソース抵抗を介して、電位ノード730に結合されている。第2の高周波スイッチングトランジスタ710bの第1のチャネル端子714bは、第1の高周波スイッチングトランジスタ710aの第2のチャネル端子716aに結合されている。第2の高周波スイッチングトランジスタ710bの第2のチャネル端子716bは、電位ノード730に結合されている。高周波スイッチング回路700は、選択的に、電位ノード730を所定の電位まで引き寄せるか、または、電位ノード730をフローティングした状態に維持するように構成されている。所定の電位とは、例えば、高周波スイッチング回路700のグランド端子に印加されたまたは存在するグランド電位であってよい。高周波スイッチングトランジスタ710a、710bのチャネル経路が高インピーダンス状態にあるならば、DC経路に、所定の電位、例えばグランド電位を供給するために、チャネル抵抗720が用いられる。この場合、高周波スイッチングトランジスタ710a、710bのチャネル経路を介した高周波信号経路は、遮断される。しかし、高周波スイッチング回路700の線形性を改善するためには、第1の高周波スイッチングトランジスタ710aの第2のチャネル端子716aおよび第2の高周波スイッチングトランジスタ710bの第1のチャネル端子714bの電位と、所定の電位例えばグランド電位との間の電位差が、可能な限り低くなくてはならないことが見出される。従って、チャネル抵抗720を用いて、第1の高周波スイッチングトランジスタ710aの第2のチャネル端子716aおよび第2の高周波スイッチングトランジスタ710bの第1のチャネル端子714bを、所定の電位例えばグランド電位まで引き寄せ、これによって、高周波スイッチング回路700の線形性は、改善される。換言すると、チャネル抵抗720は、高周波スイッチングトランジスタ710aおよび高周波スイッチングトランジスタ710bの各チャネル領域を空乏化するように構成されている。各高周波スイッチングトランジスタ710a、710bの各チャネル経路が低インピーダンス状態にあることを意味するオンの場合、チャネル抵抗720は、挿入損を導く。これは、所定の電位、例えばグランド電位までのオーム経路によるものである。高周波スイッチング回路700は、この問題を、電位ノード730を選択的に所定の電位またはフローティング状態に切替えることによって、解決するものである。ここでは、フローティングの場合、チャネル抵抗720を介した挿入損または少なくとも重大な挿入損は生じない。換言すると、高周波スイッチング回路700は、高周波スイッチングトランジスタ710a、710bのスイッチ状態に応じて、選択的に、電位ノード730を所定の電位まで引き寄せるか、または、電位ノード730をフローティングした状態に維持するように構成されていてよい。例えば、第1の高周波スイッチングトランジスタ710aのチャネル経路および第2の高周波スイッチングトランジスタ710bのチャネル経路が、低インピーダンス状態にあるならば、電位ノード730と所定の電位との間の接続は、中断される。第1の高周波スイッチングトランジスタ710aのチャネル経路および第2の高周波スイッチングトランジスタ710bのチャネル経路、高インピーダンス状態にあるならば、電位ノード730は、例えば、低抵抗経路を介して、所定の電位、例えばグランド電位まで引き寄せられる。このことは、第1の高周波スイッチングトランジスタ710aの第2のチャネル端子716aおよび第2の高周波スイッチングトランジスタ710bの第1のチャネル端子714bからチャネル抵抗720を介した所定の電位までのDC経路によって、オンの場合チャネル経路が低インピーダンス状態にある場合には、低いかまたは極わずかな挿入損を導き、オフの場合チャネル経路が高インピーダンス状態にある場合には、高い線形性を導く。換言すると、高周波スイッチング回路の線形性および電流消費は、クリア用の抵抗図7のチャネル抵抗720が選択的に非アクティブにされる例えば、クリア用の抵抗が所定の電位から分離されている点においてか、クリア用の抵抗が必要ないか、または、例えば受信の場合に、小さな電力信号だけが切替えられる必要があるならば、改善され得る。幾つかの実施形態によれば、所定の電位は、また、負の電位例えば、高周波回路700のグランド電位に関して、例えば-1Vであってよい。負の電位は、グランド電位と比べて、オフの場合に、高周波スイッチング回路700の線形性のさらなる改善を導く。図8は、本発明の一実施形態に係る高周波スイッチング回路800を示す概略的な回路図である。高周波スイッチング回路800は、第1の高周波スイッチングトランジスタ710a、第2の高周波スイッチングトランジスタ710b、第3の高周波スイッチングトランジスタ710c、および、第4の高周波スイッチングトランジスタ710dを含む。これら4つの高周波スイッチングトランジスタ710a~710dは、積層されておりこれは、これらが直列に回路形成されていることを意味している、上述のように、許容されるドレイン/ソース電圧の4倍の電圧を切替える許容されるドレイン/ソース電圧の4倍である全電圧降下を許容する。第1の高周波スイッチングトランジスタ710aの第1のチャネル端子は、高周波スイッチング回路800の第1の高周波信号端子またはコネクタ650に結合されている。第1の高周波信号端子またはコネクタ650は、例えば、アンテナネットワークまたはアンテナに結合されていてよい。第1の高周波スイッチングトランジスタ710aの第2のチャネル端子は、第1のチャネル抵抗720aを介して、電位ノード730に結合されている。第1の高周波スイッチングトランジスタ710aのゲートは、第1のゲート抵抗810aを介して、第1のスイッチ状態信号線830aに結合されている。第2の高周波スイッチングトランジスタ710bの第1のチャネル端子は、第1の高周波スイッチングトランジスタ710aの第2のチャネル端子に結合されている。第2の高周波スイッチングトランジスタ710bの第2のチャネル端子は、第2のチャネル抵抗720bを介して電位ノード730に結合されている。第2の高周波スイッチングトランジスタ710bのゲートは、第2のゲート抵抗810bを介して、第1のスイッチ状態信号線830aに結合されている。第3の高周波スイッチングトランジスタ710cの第1のチャネル端子は、第2の高周波スイッチングトランジスタ710bの第2のチャネル端子に結合されている。第3の高周波スイッチングトランジスタ710cの第2のチャネル端子は、第3のチャネル抵抗720cを介して、電位ノード730に結合されている。第3の高周波スイッチングトランジスタ710cのゲートは、第3のゲート抵抗810cを介して、第1のスイッチ状態信号線830aに結合されている。第4の高周波スイッチングトランジスタ710dの第1のチャネル端子は、第3の高周波スイッチングトランジスタ710cの第2のチャネル端子に結合されている。第4の高周波スイッチングトランジスタ710dの第2のチャネル端子は、直接または第4のチャネル抵抗720dを介して、電位ノード730に結合されていてよい。第4の高周波スイッチングトランジスタ710dのゲートは、第4のゲート抵抗810dを介して、第1のスイッチ状態信号線830aに結合されている。第4の高周波スイッチングトランジスタ710dの第2のチャネル端子は、さらに、高周波スイッチング回路800の第2の高周波信号端子またはコネクタ660に結合されていてよい。高周波スイッチング回路800は、さらに、第5の高周波スイッチングトランジスタ710e、第6の高周波スイッチングトランジスタ710f、第7の高周波スイッチングトランジスタ710g、および第8の高周波スイッチングトランジスタ710hを含む。これらの高周波スイッチングトランジスタ710e~710hは、図5および図6に示されるように、分流トランジスタとして積層されている。これは、4つの高周波スイッチングトランジスタ710a~710dのチャネル経路が、高インピーダンス状態にある場合に、良好な絶縁能力および電力処理能力を提供するためのものである。第5の高周波スイッチングトランジスタ710eの第1のチャネル端子は、第4の高周波スイッチングトランジスタ710dの第2のチャネル端子に結合されている。第5の高周波スイッチングトランジスタ710eの第1のチャネル端子は、さらに、直接または第5のチャネル抵抗720eを介して、電位ノード730に結合されていてよい。第5の高周波スイッチングトランジスタ710eの第2のチャネル端子は、第6のチャネル抵抗720fを介して、電位ノード730に結合されている。第5の高周波スイッチングトランジスタ710eのゲートは、第5のゲート抵抗810eを介して、第2のスイッチ状態信号線830bに結合されている。第6の高周波スイッチングトランジスタ710fの第1のチャネル端子は、第5の高周波スイッチングトランジスタ710eの第2のチャネル端子に結合されている。第6の高周波スイッチングトランジスタ710fの第2のチャネル端子は、第7のチャネル抵抗720gを介して、電位ノード730に結合されている。第6の高周波スイッチングトランジスタ710fのゲートは、第6のゲート抵抗810fを介して、第2のスイッチ状態信号線830bに結合されている。第7の高周波スイッチングトランジスタ710gの第1のチャネル端子は、第6の高周波スイッチングトランジスタ710fの第2のチャネル端子に結合されている。第7の高周波スイッチングトランジスタ710gの第2のチャネル端子は、第8のチャネル抵抗720hを介して、電位ノード730に結合されている。第7の高周波スイッチングトランジスタ710gのゲートは、第7のゲート抵抗810gを介して、第2のスイッチ状態信号線830bに結合されている。第8の高周波スイッチングトランジスタ710hの第1のチャネル端子は、第7の高周波スイッチングトランジスタ710gの第2のチャネル端子に結合されている。第8の高周波スイッチングトランジスタ710hのゲートは、第8のゲート抵抗810hを介して、第2のスイッチ状態信号線830bに結合されている。第8の高周波スイッチングトランジスタ710hの第2のチャネル端子は、基準電位ノード840に結合されている。基準電位ノード840は、例えば、高周波スイッチング回路800のグランドノードまたはグランド端子であってよい。換言すると、基準電位ノード840は、例えば、グランド電位を有していることが可能である。以下に、図8に示される高周波スイッチング回路800の機能について、詳細に説明する。高周波スイッチングトランジスタ710a~710hのゲートに、高電圧、例えば3Vを印加することは、高周波スイッチングトランジスタ710a~710hのチャネル経路を、低インピーダンス状態に導くと想定される。さらに、高周波スイッチングトランジスタ710a~710hのゲートに、低電圧、例えば-3Vを印加することは、高周波スイッチングトランジスタ710a~710hのチャネル経路を、高インピーダンス状態に導くと想定される。高周波スイッチングトランジスタ710a~710hは、例えば、NMOSトランジスタであり得る。高周波スイッチング回路800は、スイッチ状態制御回路をさらに含んでいてよい。スイッチ状態制御回路は、第1のスイッチ信号線830aおよび第2のスイッチ状態信号線830bに電位を印加するように構成されている。ここで、第1のスイッチ状態信号線830aの電位は、第2のスイッチ状態信号線830bの電位に対して逆の電位である。第1のスイッチ状態信号線830aに高信号例えば3Vを印加すると共に、第2のスイッチ状態信号線830bに低信号例えば-3Vを印加することによって、高周波スイッチングトランジスタ710a~710dのチャネル経路は、低インピーダンス状態になり、高周波スイッチングトランジスタ710e~710hのチャネル経路は、高インピーダンス状態になる。この場合、電位ノード730は、フローティングしており、このため、電位ノード730と基準電位ノード840例えばグランドノードとの間の低抵抗接続は中断される。高周波信号、例えば、送信されてくる高周波信号は、高周波スイッチングトランジスタ710a~710dのチャネル経路を介して、例えば、第1の高周波信号端子またはコネクタ650から、第2の高周波信号端子またはコネクタ660に経路付けられることが可能である。この際に、チャネル抵抗720a~720dでは、フローティング電位のノード730のために、挿入損は生じないまたは著しい挿入損は生じない。換言すると、チャネル抵抗720a~720dは、高周波スイッチングトランジスタ710a~710dのチャネル経路を介してのびる高周波信号経路には何の影響も与えないまたは、著しい影響を与えない。このため、送信の場合には、高周波スイッチング回路800の電流消費は、より低くなり、受信の場合には、高周波スイッチング回路800の感度はより高くなる。第1のスイッチ状態信号線830aに低電圧信号-3Vが印加され、第2のスイッチ状態信号線830bに高電圧信号3Vが印加されるならば、高周波スイッチングトランジスタ710a~710dのチャネル経路は、高インピーダンス状態になり、高周波スイッチングトランジスタ710e~710hのチャネル経路は、低インピーダンス状態になり、電位ノード730は、所定の電位まで引き寄せられる。換言すると、電位ノード730と基準電位ノード840との間に、低抵抗DC経路が形成される。ここで、基準電位ノード840の電位は、例えば、グランド電位であってよい。この場合、高周波スイッチングトランジスタ710a~710dの結合されたチャネル端子間には、例えば基板の寄生効果のために、電位電位差は形成されない。このため、高周波スイッチング回路800の線形性は、向上する。換言すると、クリア用の抵抗R_DSCチャネル抵抗720a~720hが、高周波スイッチング回路800の状態に応じて切替えられるならば、高周波スイッチング回路の線形性および電流消費は、さらに改善される。これらのクリア用の抵抗は、トランジスタの下に生成され得る電荷キャリアを空乏化するために、積層されたトランジスタのソース端子とドレイン端子との間、換言すると、積層されたトランジスタのチャネル端子の間に設置されている。これらのクリア用の抵抗が高周波信号経路内に位置しているため、これらの抵抗は、HF電力の損失を生じさせる。高周波スイッチング回路800は、この問題を、例えば、小さいHF電力だけが切替えられる必要がある場合に、例えば受信の場合に、クリア用の抵抗を選択的に非アクティブにする電位ノード730をフローティングした状態に維持することによって、解決するものである。換言すると、HF信号経路が切替えられるならば、対応するクリア用の抵抗が、HF信号経路と一緒に切替えられる。HF信号経路がオフの場合、クリア用の抵抗は、所定の電位例えばグランド電位まで引き寄せられ、これによって、線形性が改善され、HF信号経路がオンの場合、クリア用の抵抗は、フローティング状態を維持し、これによって、高周波スイッチング回路の電流消費を低減する。さらに、クリア用の抵抗をフローティング状態で維持することは、挿入損を低減すると共に、リーク電流を低減する。これは、通常、負の電荷ポンプの電流消費を上昇させることになる。幾つかの実施形態によれば、高周波スイッチング回路は、切替えられる必要があるドレイン電圧/ソース電圧または全信号電圧、または、高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介して切替えられる高周波信号の電力に応じて、複数の高周波スイッチングトランジスタを含んでいてよい。幾つかの実施形態によれば、高周波信号は、例えば、携帯電話から送信された、または、携帯電話によって受信されたGSM信号またはUMTS信号であってよい。幾つかの実施形態によれば、チャネル抵抗720a~720hR_DSCの抵抗値は、10kΩよりも大きいか、または、100kΩよりも大きくてよく、幾つかの場合では、チャネル抵抗720a~720hの抵抗値は、ゲート抵抗810a~810hR_GATEの抵抗値よりも大きくてよい。図9は、本発明の一実施形態に係る高周波スイッチング回路900を示す概略的な回路図である。高周波スイッチング回路900は、本発明の上述の2つの態様を組み合わせたものである。高周波スイッチング回路900では、高周波スイッチング回路900の電力消費を低減し、高周波スイッチング回路900の線形性を改善するために、高周波スイッチングトランジスタの基板バイアス電圧が、制御信号に応じて切替えられ得る。さらに、クリア用の抵抗R_DSCチャネル抵抗は、選択的に、所定の電位例えばグランドに切替えられるか、または、フローティングした状態に維持され、線形性および電流消費をさらに向上させる。換言すると、高周波スイッチング回路900は、高周波スイッチングトランジスタの基板バイアス電圧の切替と、高周波スイッチングトランジスタのチャネル端子間のクリア用の抵抗を選択的に、アクティブまたは非アクティブにする機能とを組み合わせたものである。高周波スイッチング回路900は、例えば、高周波CMOS-スイッチまたは高周波CMOS-増幅器の一部であってよく、例えば、CMOS-スイッチまたはCMOS-増幅器の受信経路の一部、または送信経路の一部であってよい。高周波スイッチは、2つの高周波スイッチング回路900を実装することが可能である。例えば、図5に示されるように、一方の高周波スイッチング回路900は、受信経路のためのものであり、他方の高周波スイッチング回路900は、送信経路のためのものである。高周波スイッチング回路900の高周波スイッチングトランジスタ用の負のゲート電圧が、高周波スイッチング回路900の電荷ポンプから提供され得る。この電荷ポンプは、2つのバイアス基板電位を供給することが可能である。高ゲート電位は、例えば、高周波スイッチの電源電圧端子から導かれた電源電位であり得る。UMTSの送信の場合、電荷ポンプから高周波スイッチングトランジスタの基板に供給された第2のバイアス電位例えば、-5Vを印加することによって、高周波スイッチングトランジスタの基板には、高バイアス電位が印加され得る。直列高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路は、低インピーダンス状態になり、分流高周波トランジスタのチャネル経路は、高インピーダンス状態になる。ここで、電位ノードは、フローティングした状態に維持される。これは、クリア用の抵抗が、直列高周波スイッチングトランジスタのチャネル経路を介してのびる高周波信号経路に何の影響も与えないまたは、少なくとも著しい影響を与えないことを意味している。GSMの送信の場合、高周波スイッチングトランジスタの基板に第1のバイアス電位例えば、-3Vを印加することによって、高周波スイッチングトランジスタの基板には、低い基板バイアス電圧が供給され得るが、クリア用の抵抗は、UMTSの場合と同様に、フローティングした状態に維持される。換言すると、高周波スイッチングトランジスタの基板バイアス電位は、高周波スイッチングトランジスタのスイッチ状態には無関係であり得る。図10は、本発明の一実施形態に係る携帯電話1000を示すブロック図である。携帯電話1000は、プロセッサ1100例えばCPUおよび高周波スイッチング回路1200を含む。高周波スイッチング回路1200は、例えば、図1に係る高周波スイッチング回路100と同一であってよい。プロセッサ1100は、制御信号例えば、図1に係る制御信号140を、携帯電話1000の状態例えば、UMTSのオンまたはオフに応じて供給するように構成されている。携帯電話1000の相互変調歪みは、第2の状態例えばUMTSモードがオフされた状態よりも、第1の状態例えばUMTSモードがオンされた状態においてより少なく、すなわち、携帯電話1000の相互変調特性はより良好であり、携帯電話1000の電流消費は、携帯電話1000が第1の状態にあるときよりも、携帯電話1000が第2の状態にあるときに、より低い。換言すると、プロセッサ1100は、UMTSモードだけをアクティブにするように構成されている。これは、高周波スイッチング回路1200が、必要な場合に、高周波スイッチング回路1200の高周波スイッチングトランジスタの基板に高バイアス電位例えば、-5Vを印加して、良好な相互変調特性を得ると共に、他の全ての場合には、低電流消費を有することを意味している。これによって、携帯電話において、良好な相互変調特性と電力消費との間のバランスが最適化される。本発明の実施形態は、より良好な相互変調特性と、電流節減機能とを有するHF-スイッチの設計を可能にする。換言すると、本発明に係る実施形態は、公知のスイッチング回路、例えば公知のHF-スイッチよりも、相互変調特性と電流消費との間のバランスをより良好にすることを提供する。本発明の実施形態は、例えば、HF-CMOSスイッチまたはHF-CMOS増幅器において、適用可能である。