半導体チップと、前記半導体チップが載置されるヒートスプレッダと、前記ヒートスプレッダの前記半導体チップが載置される載置面とは反対側の面側に配設され、前記半導体チップにおいて発生した熱を外部へ放出する放熱体と、前記ヒートスプレッダと前記放熱体との間に介在し、該ヒートスプレッダと該放熱体とを接着結合する樹脂シートと、を備え、前記放熱体は、前記樹脂シートを介して前記ヒートスプレッダと接着結合される接着面とは反対側の非接着面に設けられたフィンを有し、前記半導体チップは、前記ヒートスプレッダ上において、該ヒートスプレッダ、前記樹脂シート、及び前記放熱体を隔てて、前記非接着面に対して、前記フィンが占めるフィン領域に重なるように位置し、かつ、前記ヒートスプレッダは、前記樹脂シート上において、該樹脂シート及び前記放熱体を隔てて、前記非接着面に対して前記フィン領域の外側に位置するフィン領域外端部を有することを特徴とする半導体モジュール。前記ヒートスプレッダは、前記樹脂シート上において複数設けられ、前記非接着面において前記フィン領域の外側にある非フィン領域の少なくとも一部は、互いに隣接する前記ヒートスプレッダの間の領域及び該ヒートスプレッダの前記フィン領域外端部が対向するように設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体モジュール。前記非フィン領域の前記一部は、互いに隣接する前記ヒートスプレッダの間の領域に対して該2つのヒートスプレッダが隣接する隣接方向に直交する方向において外側から内側にかけて前記隣接方向の幅が狭くなるように形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体モジュール。前記非接着面において前記フィン領域の外側にある非フィン領域の少なくとも一部は、前記ヒートスプレッダの前記フィン領域外端部が対向し、かつ、前記樹脂シートが前記ヒートスプレッダと前記放熱体とを接着結合させるべく加圧される時に支持部材が接触する支持領域であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項記載の半導体モジュール。前記フィン領域は、前記フィンとして規則的に並べられた複数の突起したピンのうち、最外郭の前記ピンを結んで得られる略矩形状の領域であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項記載の半導体モジュール。前記フィン領域は、矩形に対して切り欠きが設けられた切欠部を有し、前記非フィン領域の前記一部は、前記切欠部に対応する領域であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載の半導体モジュール。前記非フィン領域の前記一部への冷却流体の流れを阻止する流体阻止手段を備えることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項記載の半導体モジュール。ところで、上記の如く、ヒートスプレッダと放熱体とを接着結合させるためには、ヒートスプレッダと放熱体との間に介在する樹脂シートに圧力を加えることが必要である。この樹脂シートへの圧力印加は、ヒートスプレッダ上に載置された半導体チップを傷つけることのないようにそのヒートスプレッダの半導体チップが載置されていない周辺箇所を放熱体側へ向けて加圧することにより実現される。一方、上記した特許文献1記載の半導体モジュールの構造では、放熱体の非接着面においてフィンの占める領域が、ヒートスプレッダの外縁の外側にまで及んでいるため特に図1参照、樹脂シートへの圧力印加が行われる際、ヒートスプレッダの加圧が放熱部のフィンが設けられた箇所を支持中心にして行われることとなる。しかし、放熱部のフィンは、ヒートスプレッダの加圧時における支持部材として十分な耐圧性を有しないため、上記した半導体モジュールの構造では、放熱体に設けられたフィンの機能を確保することはできる一方で、ヒートスプレッダの加圧により放熱体の本体に反りが発生し、樹脂シートへの圧力印加が十分に行われず、その結果として、ヒートスプレッダと放熱体とを樹脂シートを介して接着結合させるのに十分な接着力が得られない可能性がある。本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、放熱体に設けられたフィンの機能を損なうことなく、ヒートスプレッダとフィンが設けられた放熱体との間に介在する樹脂シートへの圧力印加を十分に行うことが可能な半導体モジュールを提供することを目的とする。上記の目的は、半導体チップと、前記半導体チップが載置されるヒートスプレッダと、前記ヒートスプレッダの前記半導体チップが載置される載置面とは反対側の面側に配設され、前記半導体チップにおいて発生した熱を外部へ放出する放熱体と、前記ヒートスプレッダと前記放熱体との間に介在し、該ヒートスプレッダと該放熱体とを接着結合する樹脂シートと、を備え、前記放熱体は、前記樹脂シートを介して前記ヒートスプレッダと接着結合される接着面とは反対側の非接着面に設けられたフィンを有し、前記半導体チップは、前記ヒートスプレッダ上において、該ヒートスプレッダ、前記樹脂シート、及び前記放熱体を隔てて、前記非接着面に対して、前記フィンが占めるフィン領域に重なるように位置し、かつ、前記ヒートスプレッダは、前記樹脂シート上において、該樹脂シート及び前記放熱体を隔てて、前記非接着面に対して前記フィン領域の外側に位置するフィン領域外端部を有する半導体モジュールにより達成される。本発明によれば、放熱体に設けられたフィンの機能を損なうことなく、ヒートスプレッダとフィンが設けられた放熱体との間に介在する樹脂シートへの圧力印加を十分に行うことができる。以下、図面を用いて、本発明に係る半導体モジュールの具体的な実施の形態について説明する。図1は、本発明の一実施例である半導体モジュール20の構成図を示す。図2は、図1に示す半導体モジュール20の各部における断面図を示す。尚、図2AにはA-A断面を、図2BにはB-B断面を、図2CにはC-C断面を、図2DにはD-D断面を、また、図2EにはE-E断面を、それぞれ示す。図3は、本実施例の半導体モジュール20を上部と下部とで分解した構成を斜め上方から見た際の斜視図を示す。また、図4は、本実施例の半導体モジュール20を上部と下部とで分解した構成を斜め下方から見た際の斜視図を示す。本実施例の半導体モジュール20は、例えばハイブリッド自動車や電気自動車等に搭載されており、電力変換を行うインバータなどのモータ制御装置に用いられるパワーモジュールである。半導体モジュール20は、半導体からなる半導体チップ22を備えている。半導体チップ22は、例えば三相モータの各相に対応して複数設けられている。半導体モジュール20は、複数の半導体チップ22を一つのパッケージに纏めたものである。半導体チップ22は、スイッチング素子であるIGBTやパワーMOS-FET、或いは、そのスイッチング素子に並列接続されるダイオードなどである。尚、本実施例においては、半導体モジュール20が12個の半導体チップ22を備えているものとする。半導体モジュール20は、また、半導体チップ22が載置されるヒートスプレッダ24を備えている。ヒートスプレッダ24は、例えば銅やアルミニウム或いはそれらの金属を主成分とする合金などからなる矩形状の部材である。ヒートスプレッダ24は、複数設けられている。各ヒートスプレッダ24にはそれぞれ、一個以上の半導体チップ22が載置される。ヒートスプレッダ24上における半導体チップ22の載置位置は、そのヒートスプレッダ24の表面上の中央付近である。尚、本実施例においては、半導体モジュール20が6個のヒートスプレッダ24を備えているものとし、一個のヒートスプレッダ24に2個の半導体チップ22具体的には、一個のスイッチング素子からなる半導体チップ22と一個のダイオードからなる半導体チップ22との組み合わせが載置されるものとする。半導体モジュール20は、また、半導体チップ22において発生した熱を外部へ放出する放熱体ヒートシンク26を備えている。放熱体26は、ヒートスプレッダ24の、半導体チップ22が載置される載置面とは反対側の面側に配設されている。6個のヒートスプレッダ24は、放熱体26の載置面上において、直列に並んで配置されている。放熱体26は、例えば銅やアルミニウム或いはそれらの金属を主成分とする合金などからなる部材である。放熱体26は、平板状に形成された平板部26aと、剣山状に形成されたフィン26bと、を有している。平板部26aは、6個のヒートスプレッダ24を水平に並べるのに必要十分な大きさ面積を有している。6個のヒートスプレッダ24は、平板部26a上において所定方向に互いに隣接して配置されている。互いに隣接する2つのヒートスプレッダ24の間には、隙間28が形成されている。半導体モジュール20は、また、ヒートスプレッダ24と放熱体26との間に介在する樹脂シート30を備えている。樹脂シート30は、柔軟性及び絶縁性を有するエポキシ樹脂などからなる部材であって、ヒートスプレッダ24と放熱体26とを接着結合させる機能を有している。樹脂シート30は、所定温度の熱と所定の圧力例えば3MPaとが加わることによりヒートスプレッダ24と放熱体26とを接着結合させる。尚、樹脂シート30の表面には、ヒートスプレッダ24から放熱体26への放熱性を高めるため、シリコングリスなどが塗布されていてもよい。樹脂シート30は、6個のヒートスプレッダ24を水平に並べるのに必要十分な大きさ面積を有している。この樹脂シート30の大きさは、放熱体26の平板部26aの大きさよりも小さくなるように設定されている。また、放熱体のフィン26bは、平板部26aの、ヒートスプレッダ24が配設される面とは反対側の面、すなわち、樹脂シート30を介してヒートスプレッダ24と接着結合される接着面32とは反対側の非接着面34に設けられている。この非接着面34は、略平面状に形成されている。フィン26bは、放熱体26の表面積を増加させることで、半導体チップ22から伝達された熱を外部へ放出する放熱体26としての放熱性能を高める機能を有している。フィン26bは、平板部26aの非接着面34からそれぞれ円柱状に突起した複数のピン36からなる。ピン36は、平板部26aの非接着面34において規則的に並ぶように設けられており、各ピン36はそれぞれ、隣接するピン36と所定距離離れて配置されている。平板部26aの非接着面34には、フィン26bが占める領域以下、フィン領域と称す40が形成されている。このフィン領域40は、平板部26aの非接着面34全体の大きさよりも小さい大きさ面積を有している。尚、フィン領域40は、半導体チップ22において発生した熱の外部への放出をフィン26bを用いて効果的に行うべく、平板部26aの非接着面34において、少なくともヒートスプレッダ24の半導体チップ22が載置される部位の直下にある領域を含み、その非接着面34でフィン26bにより放熱性能を高める必要のある領域のことであって、例えばすべてのピン36のうち最も外側最外郭のピン36を結んで得られる略矩形状の領域のことである。放熱体26の平板部26aの非接着面34は、上記したフィン領域40と、そのフィン領域40外の非フィン領域42と、を有している。フィン領域40は、平板部26aの非接着面34の略中央部を占めている。また、非フィン領域42は、フィン領域40の外周側においてそのフィン領域40を囲むように平板部26aの非接着面34の周縁部を占めている。非フィン領域42は、放熱体26の非接着面34のうちフィン領域40を除いた領域である。放熱体26の平板部26aの非接着面34には、流路ケース44が接着固定されている。流路ケース44は、略断面コの字状に形成されている。流路ケース44は、その平板部26aの非接着面34との間で、冷却流体水や空気などを導く冷却流路46を形成する。冷却流路46内には、フィン26bが露出される。冷却流路46には、上記したフィン領域40において略均一に具体的には平行に並んだ6個のヒートスプレッダ24に対して略均一に冷却流体が流れる。冷却流体は、冷却流路46の入口に流入した後、放熱体26主にフィン26bとの間で熱交換を行い、その後、冷却流路46の出口から排出される。上記した半導体モジュール20において、半導体チップ22としてのスイッチング素子のオン/オフが繰り返されると、そのスイッチング素子やダイオードからなる半導体チップ22が発熱する。半導体チップ22において発生した熱は、ヒートスプレッダ24及び樹脂シート30を介して放熱体26に伝達された後、その放熱体26から外部へ放出される。特に、冷却流路46内に導かれた冷却流体が放熱体26のフィン26bのピン36間を流通してその放熱体26との間で熱交換を行うことにより、半導体チップ22において発生した熱が冷却流路46から外部へ放熱される。従って、本実施例の半導体モジュール20によれば、放熱体26の下方に形成された冷却流路46内に冷却流体を導くことにより、放熱体26の放熱性能を高めることが可能である。また、上記した半導体モジュール20において、ヒートスプレッダ24と放熱体26とは、樹脂シート30を介して接着結合される。半導体モジュール20の製造時、樹脂シート30がヒートスプレッダ24と放熱体26との間に介在された後、その樹脂シート30に所定温度の熱と所定の圧力例えば3MPaとが加えられる。ヒートスプレッダ24と放熱体26との間に介在する樹脂シート30に所定温度の熱と所定の圧力とが加えられると、その樹脂シート30にヒートスプレッダ24と放熱体26とを接着結合する接着力が発生する。従って、本実施例によれば、ヒートスプレッダ24と放熱体26との間に介在する樹脂シート30に所定温度の熱と所定の圧力とを加えることにより、ヒートスプレッダ24と放熱体26とを樹脂シート30を介して接着結合させることが可能である。ところで、上記したヒートスプレッダ24と放熱体26との間に介在する樹脂シート30への圧力印加は、ヒートスプレッダ24を放熱体26側へ向けて加圧することにより実現されるのが一般的である。しかし、ヒートスプレッダ24上には半導体チップ22が載置されるので、ヒートスプレッダ24の放熱体26側への加圧をヒートスプレッダ24の載置面全体に対して行うことは、そのヒートスプレッダ24上の半導体チップ22を損傷させ得る点で適切でない。従って、ヒートスプレッダ24の放熱体26側への加圧については、ヒートスプレッダ24上の半導体チップ22を傷つけることのないようにそのヒートスプレッダ24の半導体チップ22が載置されていない周辺箇所を加圧するのが適切である。図5は、本実施例の半導体モジュール20の上部、及び、ヒートスプレッダ24と放熱体26とを樹脂シート30を介して接着結合するうえで必要な支持部材である冶具50を斜め上方から見た際の斜視図を示す。図6は、本実施例の半導体モジュール20の上部、及び、ヒートスプレッダ24と放熱体26とを樹脂シート30を介して接着結合するうえで必要な冶具50を斜め下方から見た際の斜視図を示す。図7は、本実施例の半導体モジュール20の上部を冶具50に設置した際の構成図を示す。また、図8は、図7に示す構成の各部における断面図を示す。尚、図8AにはF-F断面を、図8BにはG-G断面を、また、図8CにはH-H断面を、それぞれ示す。本実施例において、半導体モジュール20は、放熱体26の平板部26aの非接着面34に流路ケース44が接着固定される前において、ヒートスプレッダ24と放熱体26とが樹脂シート30を介して接着結合される工程で冶具50により支持される。冶具50は、ヒートスプレッダ24が放熱体26側へ向けて加圧される際すなわち樹脂シート30がヒートスプレッダ24と放熱体26とを接着結合させるべく加圧される際に半導体モジュール20特に放熱体26を支持する支持部材である。冶具50は、半導体モジュール20において放熱体26の平板部26aの非接着面34に流路ケース44が接着固定される前、その半導体モジュール20の非接着面34の下方に設置される。そして、冶具50は、ヒートスプレッダ24が放熱体26側へ向けて加圧される際すなわち樹脂シート30がヒートスプレッダ24と放熱体26とを接着結合させるべく加圧される際にその平板部26aの非接着面34に接触される。冶具50は、略平板状に形成されており、放熱体26の平板部26aの大きさと略同一の大きさ面積を有しかつ所定厚を有している。冶具50は、平板部26aの非接着面34に接触する接触部52と、中心に開いた穴54と、を有している。穴54は、放熱体26の非接着面34においてフィン26bが占めるフィン領域40に対応した形状を有している。また、接触部52は、フィン領域40の外側にある非フィン領域42に対応した形状を有している。半導体モジュール20は、放熱体26の平板部26aの非接着面34に冶具50の接触部52が接触するように冶具50に設置される。この場合には、冶具50の穴54内に放熱体26のフィン26bが進入した状態で半導体モジュール20が冶具50の接触部52に支持されることとなる。放熱体26の平板部26aの非接着面34において冶具50の接触部52が接触する領域は、その冶具50により半導体モジュール20を支持する支持領域であって、上記した非フィン領域42と略一致する。図9は、半導体モジュール20において樹脂シート30を介して放熱体26と接着結合されるヒートスプレッダ24の加圧箇所を表した平面図を示す。図10は、本実施例の半導体モジュール20の要部構造を表した断面図を示す。図11は、本実施例の半導体モジュール20と対比される対比構造100を表した断面図を示す。また、図12は、本実施例の半導体モジュール20と冶具50との相対位置関係を表した平面図を示す。本実施例において、半導体モジュール20の製造工程におけるヒートスプレッダ24の放熱体26側への加圧は、ヒートスプレッダ24上の半導体チップ22を傷つけることのないようにそのヒートスプレッダ24の半導体チップ22が載置されていない周辺箇所図9において網掛けで示された領域を放熱体26側へ向けて加圧することにより実現される。本実施例の半導体モジュール20において、半導体チップ22は、ヒートスプレッダ24上において、そのヒートスプレッダ24、樹脂シート30、及び放熱体26を隔てて、その放熱体26の平板部26aの非接着面34に対して、フィン26bが占めるフィン領域40に重なるように位置している。すなわち、放熱体26におけるフィン領域40は、平板部26aの非接着面34において、少なくともヒートスプレッダ24の半導体チップ22が載置される部位の直下にある領域を含んでいる。半導体チップ22と放熱体26のフィン領域40とを面に垂直な方向から見たときの両者の平面的な相対関係は、半導体チップ22の全体がフィン領域40内に位置するように規定されている。このようなヒートスプレッダ24の半導体チップ22が載置される部位の直下にある非接着面34の領域が、フィン26bが占められたフィン領域40である構造においては、その非接着面34の領域がフィン26bが設けられていない非フィン領域42である構造に比べて、半導体チップ22において発生した熱がヒートスプレッダ24及び樹脂シート30を介して放熱体26のフィン26bに伝達され易くなる。このため、本実施例の半導体モジュール20によれば、半導体チップ22がヒートスプレッダ24上において放熱体26の平板部26aの非接着面34に対してフィン領域40に重なるように位置することで、半導体チップ22において発生した熱を放熱体26のフィン26bを通じて効果的に外部へ排出するうえで放熱性能が低下するのを回避することが可能である。また、本実施例の半導体モジュール20において、ヒートスプレッダ24は、樹脂シート30上において、その樹脂シート30及び放熱体26を隔てて、その放熱体26の平板部26aの非接着面34に対してフィン領域40の外側すなわち、非フィン領域42に位置する端部以下、フィン領域外端部と称す24aを有している。すなわち、ヒートスプレッダ24の一部である周縁には、樹脂シート30及び放熱体26の平板部26aを隔てて放熱体26の非接着面34の非フィン領域42に対向するフィン領域外端部24aが形成されている。尚、上記したフィン領域外端部24aは、ヒートスプレッダ24の周縁全周に亘って形成されていることが望ましいが、その周縁全周の一部のみ形成されていることとしてもよい。例えば、そのフィン領域外端部24aは、図12に示す如く、ヒートスプレッダ24の四隅にのみ形成されることとしてもよいし、或いは、ヒートスプレッダ24の、隣接して配置されたヒートスプレッダ24と対向する辺部分を除く周縁部分にのみ形成されることとしてもよい。ヒートスプレッダ24は、矩形状の部材である。一方、放熱体26の平板部26aの非接着面34において、フィン26bが占めるフィン領域40は、略矩形状に形成されているが、更に詳細には、矩形に対してフィン26bが設けられていない切り欠きが設けられた切欠部40aを有している。フィン領域40の切欠部40aは、ヒートスプレッダ24のフィン領域外端部24aを含む四隅それぞれに対向する位置に設けられており、例えばテーパ状又は三角形状に形成されている。このフィン領域40の切欠部40aは、樹脂シート30上において互いに隣接するヒートスプレッダ24の間の領域隙間28に対してそれら2つのヒートスプレッダ24が隣接する隣接方向に直交する方向において外側から内側にかけてその隣接方向における幅が徐々に狭くなるように、又は、樹脂シート30上において両端のヒートスプレッダ24の外側の領域に対して2つのヒートスプレッダ24が隣接する隣接方向に直交する方向において外側から内側にかけてその隣接方向における幅が徐々に狭くなるように形成されている。また、放熱体26の平板部26aの非接着面34において、フィン26bが設けられていない非フィン領域42は、上記した切欠部40aに対応する領域を含む。更に、放熱体26の平板部26aの非接着面34において、冶具50により半導体モジュール20が支持される支持領域は、上記した非フィン領域42と略一致し、上記した切欠部40aに対応する領域を含む。上記した非接着面34において、冶具50により半導体モジュール20が支持される支持領域の一部は、フィン領域40の外側である非フィン領域42において、互いに隣接するヒートスプレッダ24の間の領域隙間28に対してそれら2つのヒートスプレッダ24が隣接する隣接方向に直交する方向において外側から内側にかけてその隣接方向における幅が徐々に狭くなるように、又は、樹脂シート30上における両端のヒートスプレッダ24の外側の領域に対して2つのヒートスプレッダ24が隣接する隣接方向に直交する方向において外側から内側にかけてその隣接方向における幅が徐々に狭くなるように形成されている。冶具50の接触部52は、フィン領域40の外側にある非フィン領域42に対応した形状を有している。接触部52は、上記した切欠部40aに対応して穴54の中央寄りに向けて突出する突起56を有している。突起56は、ヒートスプレッダ24の四隅それぞれに対向する位置に設けられており、例えばテーパ状や三角形状に形成されている。この接触部52の突起56は、根元側から先端側にかけてその幅が徐々に狭くなるように形成されている。ここで、仮に、図11に示す如く、放熱体26の非接着面34におけるフィン領域40がヒートスプレッダ24の外縁の外側にまで及び、かつ、その状況がヒートスプレッダ24の周縁全周に亘っている対比構造では、ヒートスプレッダ24が放熱体26側へ向けて加圧されると、その加圧が、支持部材として十分でないフィン26bが設けられたフィン領域40を支持中心にして行われるため、その加圧により放熱体26の平板部26aに反りが発生し、冶具50による半導体モジュール20の支持が不安定となる。これに対して、上記した本実施例の構造においては、半導体モジュール20の製造時におけるヒートスプレッダ24と放熱体26とが樹脂シート30を介して接着結合される工程において半導体モジュール20が冶具50により支持される際、冶具50の接触部52の突起56が、放熱体26の非接着面34の非フィン領域42のうち切欠部40aに対応する領域に接触する。この切欠部40aは、上記の如く、ヒートスプレッダ24のフィン領域外端部24aを含む四隅それぞれに対向する位置に設けられている。このため、本実施例の半導体モジュール20の構造によれば、半導体モジュール20の製造時において、ヒートスプレッダ24と放熱体26との間に介在する樹脂シート30への圧力印加のためにヒートスプレッダ24が放熱体26側へ向けて加圧される際、ヒートスプレッダ24のフィン領域外端部24aと冶具50の接触部52の突起56とが放熱体26の平板部26aの非接着面34に垂直な方向において互いに対向して重なり合うので、その半導体モジュール20特に放熱体26が冶具50の接触部52により確実に支持され、放熱体26の平板部26aにヒートスプレッダ24への加圧による反りが発生することが回避される。従って、本実施例の半導体モジュール20によれば、放熱体26に設けられたフィン26bの機能具体的には、半導体チップ22において発生した熱の外部への効果的な排出機能を損なうことなく、ヒートスプレッダ24とフィン26bが設けられた放熱体26との間に介在する樹脂シート30への圧力印加を十分に行うことができ、樹脂シート30を用いてヒートスプレッダ24と放熱体26とを接着結合させるのに十分な接着力を得ることができる。尚、本実施例において、放熱体26の非接着面34においてフィン26bが設けられていない切欠部40aは、ヒートスプレッダ24の周縁近傍に対応する領域においてフィン領域40の周縁側から中央側にかけて幅が徐々に狭くなるように先細り形状を有している。また、冶具50の接触部52の突起56は、その切欠部40aの形状に合わせて、根元側から先端側にかけてその幅が徐々に狭くなるように形成されている。このため、本実施例においては、放熱体26の非接着面34について、半導体チップ22の載置付近の領域にできるだけフィン26bフィン領域40を残しつつ、非フィン領域42をできるだけフィン領域40の中央側付近にまで拡大することができるので、フィン26bによる放熱性能を維持しつつ、ヒートスプレッダ24への加圧ひいては樹脂シート30への圧力印加をフィン領域40の中央寄りにまで行うことができる。従って、本実施例の半導体モジュール20によれば、ヒートスプレッダ24が複数並べられるときにも、互いに隣接するヒートスプレッダ24が対向する辺側すなわち樹脂シート30の中央寄りでも十分な圧力印加を行うことができ、ヒートスプレッダ24への加圧をその略全周に亘って十分に行うことができ、ヒートスプレッダ24と放熱体26とを接着結合させる接着力を上げることが可能である。図13は、本実施例の半導体モジュール20における冷却流体の流れを表した図を示す。また、図14は、本実施例の半導体モジュール20と対比される対比構造における冷却流体の流れを表した図を示す。尚、図13及び図14にはそれぞれ、半導体モジュール20と流路ケース44との相対位置関係を表した平面図を示している。本実施例において、放熱体26の非接着面34においてフィン26bが占められたフィン領域40は、上記の如く、フィン26bが設けられていない切欠部40aを有している。この切欠部40aは、樹脂シート30上において互いに隣接するヒートスプレッダ24の間の領域隙間28に対向する位置に設けられている。また、製造完成後の半導体モジュール20においては、冷却流体を導く冷却流路46が形成されるように、放熱体26の非接着面34に流路ケース44が接着固定されている。ここで、仮に、図14に示す如く、冷却流路46の入口や出口に何ら冷却流体の流れを遮るものが無い構造では、上記した切欠部40aに対応する箇所に冷却流体が集中し易くなるので、半導体チップ22の直下にある箇所での冷却流体の流速が下がり、放熱性能が低下する可能性がある。これに対して、本実施例の半導体モジュール20においては、流路ケース44に、冷却流路46の入口又は出口での冷却流体の流れを遮るブロック部材60が設けられている。ブロック部材60は、放熱体26の非接着面34の非フィン領域42における上記の切欠部40aに対応する平面形状テーパ状又は三角形状を有し、かつ、非接着面34と流路ケース44とで形成される冷却流路46の高さと略一致する高さを有している。尚、ブロック部材60は、上記の切欠部40aの占める領域が閉じられるように壁が立設されるものであってもよい。ブロック部材60は、流路ケース44において、切欠部40aごとに、対応する切欠部40aに対応する領域に対向する位置に設けられている。各ブロック部材60はそれぞれ、放熱体26と流路ケース44との接着固定後、上記の切欠部40aに対応する領域に対向する。かかる構造においては、流路ケース44が放熱体26の非接着面34に接着固定された後、冷却流路46の入口及び出口の切欠部40aに対応する箇所にブロック部材60が配置されるので、図13に示す如く、冷却流路46の入口に流入した冷却流体はブロック部材60に遮られ、冷却流路46の切欠部40aに対応する箇所への冷却流体の流れは阻止される。このため、冷却流路46の入口に流入した冷却流体は、ブロック部材60の両側に分かれ、互いに隣接する2つのブロック部材60の間に集中し易くなる。ブロック部材60は上記の切欠部40aに対応する領域に対向し、切欠部40aはヒートスプレッダ24の四隅それぞれに対向し、かつ、半導体チップ22はヒートスプレッダ24の表面上の中央付近に載置される。この点、冷却流路46の入口で互いに隣接する2つのブロック部材60の間に流入した冷却流体は、半導体チップ22の直下を出口へ向けて流通する。そして、冷却流路46の出口まで流通した冷却流体は、ブロック部材60に遮られることで、その出口全体に亘って広がることなくブロック部材60の両側に分かれて外部へ排出される。このため、本実施例の半導体モジュール20の構造によれば、冷却流体が半導体チップ22の直下を流通し易くなり、その流速を高めることができるので、半導体チップ22の温度低下を促進することができ、放熱体26から冷却流体を経由した外部への放熱性能を高めることが可能である。尚、上記の実施例においては、ブロック部材60が特許請求の範囲に記載した流通阻止手段に相当している。ところで、上記の実施例においては、一つの放熱体26に対して複数のヒートスプレッダ24を配置することとしたが、一つの放熱体26に対して一つずつヒートスプレッダ24を配置することとしてもよい。また、上記の実施例においては、複数6個のヒートスプレッダ24を、放熱体26の載置面上において直列に並んで配置することとしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、2行2列以上のマトリクス状に配置することとしてもよい。この場合、複数のヒートスプレッダ24の配置位置に合わせて、放熱体26の非接着面34におけるフィン領域40と非フィン領域42とを設定し、かつ、冶具50やブロック部材60の形状や配置位置を設定することとすればよい。また、上記の実施例においては、非フィン領域42並びに冶具50により半導体モジュール20を支持する支持領域は、放熱体26に平板状に形成された平板部26aの非接着面34上の領域であるので平面であるが、冶具50を支持できる形状であれば、例えば、曲面であることとしてもよいし、また、フィン26bの互いに隣接するピン36間の離間距離よりも短い距離離れた複数のピンからなる面であることとしてもよい。また、上記の実施例においては、放熱体26であるフィン26bを、平板部26aの非接着面34からそれぞれ円柱状に突起した複数のピン36からなるものとしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、複数の平板がそれぞれ立設したストレート形状としてもよいし、また、複数の蛇行した板がそれぞれ立設したジグザグ形状としてもよい。かかる変形例においては、フィン領域40は、フィン26bが占める領域であればよく、フィン26bを構成するすべての板のうち最も外側最外郭の板を囲むような略矩形状の領域であってもよい。また、上記の実施例においては、冷却流路46の入口又は出口での冷却流体の流れを遮るブロック部材60を流路ケース44に設けることとしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、放熱体26の平板部26aの非接着面34に設けることとしてもよい。また、上記の実施例においては、放熱体26の平板部26aの非接着面34におけるフィン領域40外の非フィン領域42と、冶具50により半導体モジュール20を支持する支持領域と、が略一致するものとしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、その支持領域は非フィン領域42内に含まれるものとすればよく、非フィン領域42は冶具50が接触しない領域を含んでいてもよい。更に、上記の実施例においては、冷却流路46を流通する冷却流体を図13に示す如く複数のヒートスプレッダ24が隣接する隣接方向に直交する方向に流れるものとしているが、その隣接方向に流れるものとしてもよい。