本体;前記本体の内部に装着され、上下方向に駆動されるシリンダー;前記本体上に装着される真空チャンバー;前記真空チャンバー内で前記シリンダー上に結合された真空チャック;前記本体上に設置された支持部上に装着され、薄型基板が結合されるポーラスチャック;及び前記真空チャックの内部に装着された加熱器;を含むことを特徴とする、薄型基板用支持体着脱装置。前記真空チャックは再生テープが付着された支持体が装着されたことを特徴とする、請求項1に記載の薄型基板用支持体着脱装置。前記ポーラスチャックは多孔性材でなることを特徴とする、請求項1に記載の薄型基板用支持体着脱装置。前記真空チャックはその上面に真空領域が備えられたことを特徴とする、請求項1に記載の薄型基板用支持体着脱装置。前記真空チャックはその上面の一側に空気噴射口が備えられたことを特徴とする、請求項1に記載の薄型基板用支持体着脱装置。前記再生テープはシリコン素材でなることを特徴とする、請求項2に記載の薄型基板用支持体着脱装置。本体;前記本体の内部に装着されて上下方向に駆動されるシリンダー;前記本体上に装着される真空チャンバー;前記真空チャンバー内で前記シリンダー上に結合され、再生テープが付着された支持体が装着された真空チャック;前記本体上に設置された支持部上に装着され、薄型基板が結合されるポーラスチャック;及び前記真空チャックの内部に装着されて前記支持体を加熱する加熱器;を含む薄型基板用支持体着脱装置を提供する段階;前記支持体に結合されている薄型基板を前記ポーラスチャックに実装して吸気する段階;前記支持体を加熱して前記支持体に付着された再生テープの温度を上昇させる段階;及び前記基板と前記支持体の間に空気を噴射して前記基板と前記支持体を分離する段階;を含むことを特徴とする、薄型基板用支持体脱着方法。前記ポーラスチャックは多孔性材でなることを特徴とする、請求項7に記載の薄型基板用支持体脱着方法。前記再生テープはシリコン素材でなることを特徴とする、請求項7に記載の薄型基板用支持体脱着方法。前記再生テープは25~300°Cに加熱されることを特徴とする、請求項7に記載の薄型基板用支持体脱着方法。前記基板と前記支持体を分離する段階で、前記空気は真空チャックの上面一側に備えられた空気噴射口を通じて供給されることを特徴とする、請求項7に記載の薄型基板用支持体脱着方法。前記基板と前記支持体を分離する段階は、前記真空チャックを傾けて前記基板を滑らせて分離する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項7に記載の薄型基板用支持体脱着方法。それで、本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、本発明は前述した要求条件を満足させる、薄型基板用支持体着脱設備及びそれによる脱着方法であって、本体、前記本体の内部に装着されて上下方向に駆動されるシリンダー、前記本体上に装着される真空チャンバー、前記真空チャンバー内で前記シリンダー上に結合され、再生テープが付着された支持体が装着された真空チャック、前記本体上に設置された支持部上に装着され、薄型基板が結合されるポーラスチャック、及び前記真空チャックの内部に装着され、前記支持体を加熱する加熱器でなる装置を用いることで、薄型基板と支持体を着脱する過程での薄型基板の損傷を最小化した装置及びその方法を提供することにその課題がある。前記課題を達成するために、本発明の薄型基板用支持体着脱設備は、本体;前記本体の内部に装着されて上下方向に駆動されるシリンダー;前記本体上に装着される真空チャンバー;前記真空チャンバー内で前記シリンダー上に結合された真空チャック;前記本体上に設置された支持部上に装着され、薄型基板が結合されるポーラスチャック;及び前記真空チャックの内部に装着された加熱器;を含んでなる。本発明において、前記真空チャックは再生テープが付着された支持体が装着されることができる。本発明において、前記ポーラスチャックは多孔性材でなることができる。本発明において、前記真空チャックはその上面に真空領域を備えることができる。本発明において、前記真空チャックはその上面一側に空気噴射口を備えることができる。本発明において、前記前記再生テープはシリコン素材でなることができる。一方、本発明の薄型基板用支持体脱着方法は、本体;前記本体の内部に装着されて上下方向に駆動されるシリンダー;前記本体上に装着される真空チャンバー;前記真空チャンバー内で前記シリンダー上に結合され、再生テープが付着された支持体が装着された真空チャック;前記本体上に設置された支持部上に装着され、薄型基板が結合されるポーラスチャック;及び前記真空チャックの内部に装着されて前記支持体を加熱する加熱器を含む薄型基板用支持体着脱装置を提供する段階;前記支持体に結合されている薄型基板を前記ポーラスチャックに実装して吸気する段階;前記支持体を加熱して前記支持体に付着された再生テープの温度を上昇させる段階;及び前記基板と前記支持体の間に空気を噴射して前記基板と前記支持体を分離する段階;を含んでなる。本発明において、前記ポーラスチャックは多孔性材でなることができる。本発明において、前記再生テープはシリコン素材でなることができる。本発明において、前記再生テープは25~300°Cに加熱されることができる。本発明において、前記基板と前記支持体を分離する段階で、前記空気は真空チャックの上面一側に備えられた空気噴射口を通じて供給されることができる。本発明において、前記基板と前記支持体を分離する段階は前記真空チャックを傾けて前記基板を滑らせて分離する段階をさらに含むことができる。本発明の薄型基板用支持体着脱設備及びそれによる脱着方法によれば、WLP工程薄型基板の撓み、損傷現象を最小化することができ、薄型基板の着脱が容易になる効果がある。以下、本発明が属する技術分野で通常の知識を持った者が本発明を容易に実施することができるように、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に使用された用語や単語は通常的で辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者がその自分の発明を最良の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想に合う意味と概念に解釈されなければならない。よって、本明細書に記載された実施例の構成は本発明の好適な一例に過ぎないもので、本発明の技術的思想を全て表すものではないので、本出願の時点でこれらを取り替えることができる多様な均等物と変形例があり得ることを理解しなければならない。以下、添付図面に基づいて本発明を詳細に説明する。薄型基板用支持体着脱設備図1は本発明の薄型基板用支持体着脱設備の正面図である。図1に示すように、本発明の設備は、本体、100、シリンダー110、真空チャンバー120、真空チャック130、ポーラスチャック140、及び加熱器150でなる。より詳細に、本発明の薄型基板用支持体着脱設備は、本体100、前記本体100の内部に装着されて上下方向に駆動されるシリンダー110、前記本体100上に装着される真空チャンバー120、前記真空チャンバー120内で前記シリンダー110上に結合された真空チャック130、前記本体100上に設置された支持部上に装着され、薄型基板が結合されるポーラスチャック140、及び前記真空チャックの内部に装着された加熱器150を含んでなる。前記本体100は本発明の薄型基板用支持体着脱設備を支持する役目をする。前記シリンダー110は前記本体100の内部に装着されて上下方向に駆動されることにより、前記シリンダー110上に結合されている真空チャック130が上下方向に駆動され、それにより支持された支持体10が薄型基板30図1には図示せずに対して円滑に着脱されるようにする。ここで、前記支持体10は本発明の装置内で薄型基板の撓み現象を改善して工程駆動を容易にするもので、金属、セラミックス、ガラス状高分子など、工程駆動性を確保することができる物質であればいずれでも使用可能である。前記支持体10には再生テープ20図1には図示せずが付着されている。前記再生テープ20は前記支持体10と薄型基板30のマスク層を互いに連結する役目をし、何回の着脱でも可能な再生素材、例えばシリコン素材が使われる。前記シリコン素材の再生テープは優れた離型性を有し、分離の際に粘着剤の残渣がない素材が好ましく、例えば商業的に販売されるTaconic社のTacsilTMBP、TacsilTMHBP、TacsilTMH2BPなどがある。前記真空チャンバー120は前記本体100に装着され、薄型基板30と支持体10の着脱工程が真空状態でなされるように空間を形成する役目をし、特に前記薄型基板30と支持体10の付着工程の際、界面の気泡を最小化する役目をする。前記真空チャック130は前記真空チャンバー120内で前記シリンダー110上に結合され、その上に支持体10が装着されるもので、薄型基板と支持体10が付着される工程で真空ラミネーティングを遂行するように真空環境を作る。ここで、前記真空チャック130は前記シリンダー110に連結された下部固定体131によって支持される。前記下部固定体131には貫通部が形成され、前記貫通部を通して貫通ピン132が貫通することにより前記真空チャック130が固定される。前記貫通部の一側には前記貫通ピン132が動ける一定の空間部133が設けられることで、前記真空チャック130が傾動するができることになる。前記ポーラスチャック140は前記本体100上に設置された支持部上に装着され、その上に薄型基板30が結合される部分で、前記支持体10と薄型基板30が付着される場合、前記ポーラスチャック140は前記薄型基板30から分離され、前記支持体10と薄型基板30が脱着される場合、前記ポーラスチャック140に前記薄型基板30が付着される。ここで、前記ポーラスチャック140は前記薄型基板30の損傷を最小化するために多孔性材でなることが好ましい。前記加熱装置150は前記真空チャック130上に装着されて前記支持体を加熱する役目をし、前記支持体が加熱されれば、支持体に付着されたシリコン素材の再生テープ20の温度が上昇することになる。図2はシリコン素材の再生テープの温度別粘着特性を示すグラフである。図2に示すように、シリコン素材は常温以上に温度が上昇すれば、その粘着力が低下する特性があり、特に80~100°Cでその粘着力が常温粘着力と比較して約10水準まで減少するので、薄型基板30の脱着の際に基板の損傷なしにより容易な薄型基板30の分離が可能になる。一方、図3図3a~図3bは真空チャック130の平面図で、図3aは真空領域、図3bは空気噴射領域を示すものである。まず、図3aに示すように、真空チャック130の上面には真空領域134が形成されている。前述したように、支持体10と薄型基板30の付着工程で前記真空領域134で真空ラミネーティングがなされることになる。ここで、前記真空領域134は図3aに示す形態に限定されなくて自由に変形可能であり、真空方式は当業者に自明な事項であるので、その詳細な説明は別に述べない。次に、図3bに示すように、真空チャック130の上面には空気噴射口135が形成されている。前記空気噴射口135は支持体10と薄型基板30の脱着工程で真空チャック130から支持体10を介して薄型基板30の方向に空気を噴射することで、薄型基板30の損傷を最小化しながら容易に脱着されるようにする。この際、支持体10には、前記空気噴射口135を通じて排出される空気が通過するように、図4で示すように、気孔11が形成される。特に、ここで、前記空気噴射口135は真空チャック130の一側にだけ備えられることができる。この場合、一側でばかり空気噴射がなされて前記薄型基板30と前記支持体10が分離され、真空チャック130が傾くにつれて前記薄型基板30が前記支持体10上で滑って脱着されるので、前記薄型基板30の損傷を最小化しながらも容易に脱着することができる。一方、前述したように、前記支持体10の上部には再生テープ20が付着されているが、図4で示すように、支持体10に備えられた気孔11が露出されるように、再生テープ20には一定の開放領域21が形成される。薄型基板用支持体脱着方法図5a~図5fは本発明の薄型基板用支持体着脱設備を用いた脱着方法を順に示す図である。脱着工程に先立ち、その前提となる付着工程について説明すれば、まず再生テープ20が付着された支持体10と薄型基板30をそれぞれ真空チャック130とポーラスチャック140に実装する図5a。ついで、前記真空チャック130に圧力を加えることで、前記再生テープ20が付着された支持体10と薄型基板30を真空ラミネーティングする。この際、真空チャック130の上面に形成された真空領域134で真空ラミネーティングが実行される図5b。次に、前記ポーラスチャック140から薄型基板30を分離して、前記再生テープ20の付着された支持体10上に薄型基板30を付着する図5c。この際、前記薄型基板30は前記ポーラスチャック140から分離され、前記薄型基板30は前記支持体10に付着された再生テープ20によって支持体10に付着することで付着工程が完了する。本発明の脱着工程について説明すれば、まず前記薄型基板30を前記ポーラスチャック140に実装して吸気する図5d。前述したように、ポーラスチャック140は多孔性材でなっているので吸気可能であり、このような吸気過程によって前記ポーラスチャック140に前記薄型基板30がよく付着されるので、支持体10から薄型基板30の離脱が容易になる。ついで、前記真空チャック130に装着された加熱装置150によって前記支持体10が加熱され、前記支持体10に付着された前記再生テープ20の温度が上昇することになる。この際、再生テープ20はシリコン素材を使うが、シリコンは温度の上昇によって粘着力が減少することになり、特に80~100°Cでの粘着力が常温での粘着力に比べて約10の水準まで減少するので、薄型基板30の脱着の際に薄型基板の損傷なしにより容易に薄型基板30の分離が可能になる。よって、支持体を加熱することによりシリコン素材の再生テープ20の温度が上昇すれば、薄型基板30の脱着がより容易になる。本発明において、シリコン素材の再生テープの温度範囲は25°C以上であることができ、前記シリコン素材再生テープの温度範囲はこれに限定されなく、再生テープの種類及び/または特性によって変化可能である。図2のシリコン粘着テープの温度別粘着特性を調べると、シリコン素材の粘着テープを常温以上に加熱したとき、その粘着力が温度の上昇に反比例して減少することになり、約80°Cを基点としてより緩い曲線を示しながら減少し、300°C以上では大きな変化を示さないので、脱着工程の効率性を考慮して、本発明においてシリコン素材粘着テープの温度範囲は25~300°Cまたは80~100°Cであることができる。最後に、真空チャック130の上面の一側に備えられた空気噴射口135を通じて空気を噴射して、前記薄型基板30と前記再生テープ20が付着された支持体10を分離することで脱着工程が完了する図5e、図5f。この際、図5fに示すように、前記真空チャック130が傾動して前記薄型基板30が滑るようにして分離するので、薄型基板30の損傷なしに脱着が容易になされる。以上、本発明について説明したが、これは本発明の一実施例に過ぎないもので、本発明の技術的思想を逸脱しない範疇内で多様な変形及び修正が可能であるのは当該技術分野で通常に熟練した当業者に明らかである。