結晶配向セラミックスであって、平均の化学組成が互いに異なる複数の物質を接触させた接合界面の近傍に化合物が生成され、その化合物の結晶が元の接合界面に対して垂直配向していることを特徴とする結晶配向セラミックス。平均の化学組成が互いに異なる複数の物質を接触させて接合界面を有する構成とし、これを所定温度で加熱することによって、結晶配向セラミックスを製造する方法であって、前記所定温度が前記複数の物質の間で元素拡散が生じ、新たな化合物が生成する温度であり、前記生成された化合物の結晶が、元の接合界面に対して垂直配向していることを特徴とする結晶配向セラミックスの製造方法。La2SiO5を主成分とする第1の層とLa2Si2O7を主成分とする第2の層を接触させた接合界面の近傍にアパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成され、そのランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックス。La2SiO5を主成分とする第1の層とLa2Si2O7を主成分とする第2の層を接触させて接合界面を有する構成とし、これを所定温度で加熱することによって、結晶配向セラミックスを製造する方法であって、前記所定温度が前記第1の層と前記第2の層の間で元素拡散が生じ、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成する温度であり、前記生成されたランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックスの製造方法。La2SiO5を主成分とする第1の層とSiO2を主成分とする第2の層を接触させた接合界面の近傍にアパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成され、そのランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックス。La2SiO5を主成分とする第1の層とSiO2を主成分とする第2の層を接触させて接合界面を有する構成とし、これを所定温度で加熱することによって、結晶配向セラミックスを製造する方法であって、前記所定温度が前記第1の層と前記第2の層の間で元素拡散が生じ、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成する温度であり、前記生成されたランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックスの製造方法。La2O3を主成分とする第1の層とLa2Si2O7を主成分とする第2の層を接触させた接合界面の近傍にアパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成され、そのランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックス。La2O3を主成分とする第1の層とLa2Si2O7を主成分とする第2の層を接触させて接合界面を有する構成とし、これを所定温度で加熱することによって、結晶配向セラミックスを製造する方法であって、前記所定温度が前記第1の層と前記第2の層の間で元素拡散が生じ、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成する温度であり、前記生成されたランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックスの製造方法。SiO2を主成分とする第1の層とLa2SiO5を主成分とする第2の層を接触させた接合界面の近傍にアパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成され、そのランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックス。SiO2を主成分とする第1の層とLa2SiO5を主成分とする第2の層を接触させて接合界面を有する構成とし、これを所定温度で加熱することによって、結晶配向セラミックスを製造する方法であって、前記所定温度が前記第1の層と前記第2の層の間で元素拡散が生じ、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成する温度であり、前記生成されたランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックスの製造方法。平均の化学組成が互いに異なる複数の物質を接触させた接合界面の近傍に生成される化合物からなり、元の接合界面に対して垂直配向した結晶構造を有する、結晶配向セラミックス。前記化合物が、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩であって、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向した結晶構造を有する、請求項11に記載の結晶配向セラミックス。前記複数の物質が、La2SiO5を主成分とする第1の層と、La2Si2O7を主成分とする第2の層とを含む、請求項12に記載の結晶配向セラミックス。前記複数の物質が、La2SiO5を主成分とする第1の層と、SiO2を主成分とする第2の層とを含む、請求項12に記載の結晶配向セラミックス。前記複数の物質が、La2O3を主成分とする第1の層と、La2Si2O7を主成分とする第2の層とを含む、請求項12に記載の結晶配向セラミックス。平均の化学組成が互いに異なる複数の物質を接触させて接合界面を有する構成とする工程、及び前記構成とした複数の物質を、該複数の物質の間で元素拡散が生じる温度で加熱して、接合界面の近傍に結晶配向セラミックスを生成する工程、を含み、前記結晶配向セラミックスは元の接合界面に対して垂直配向した結晶構造を有する化合物からなる、結晶配向セラミックスの製造方法。前記化合物が、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩であって、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向した結晶構造を有する、請求項16に記載の結晶配向セラミックスの製造方法。前記複数の物質が、La2SiO5を主成分とする第1の層と、La2Si2O7を主成分とする第2の層とである、請求項17に記載の結晶配向セラミックスの製造方法。前記複数の物質が、La2SiO5を主成分とする第1の層と、SiO2を主成分とする第2の層とである、請求項17に記載の結晶配向セラミックスの製造方法。前記複数の物質が、La2O3を主成分とする第1の層と、La2Si2O7を主成分とする第2の層とである、請求項17に記載の結晶配向セラミックスの製造方法。さらに、生成した結晶配向セラミックス以外の物質を除去する工程を含む、請求項16に記載の結晶配向セラミックスの製造方法。さらに、生成したランタンケイ酸塩の結晶以外の物質を除去する工程を含む、請求項17~20のいずれか1項に記載の結晶配向セラミックスの製造方法。アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンからなる板状体であって、前記ケイ酸ランタンのc軸が板状体の主面に対して垂直方向に沿って配向した結晶構造を有して成る板状体。前記板状体の主面は平面もしくは曲面である請求項23に記載の板状体。化学式がLa2SiO5およびLa2O3から選ばれる少なくとも1種からなる物質と化学式がLa2Si2O7およびSiO2から選ばれる少なくとも1種からなる物質とを接触させて拡散対とし、この拡散対を加熱した後その表面を除去することで主面を形成した請求項23に記載のアパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンからなる板状体。前記アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンの配向度は49以上である請求項23に記載の板状体。本発明は、結晶軸が一方向に配向している結晶配向セラミックスを提供すること、およびそのような結晶配向セラミックスを、複雑なプロセスを経ることなく、製造することができる結晶配向セラミックスの製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明は以下の通りである。1結晶配向セラミックスであって、平均の化学組成が互いに異なる複数の物質を接触させた接合界面の近傍に化合物が生成され、その化合物の結晶が元の接合界面に対して垂直配向していることを特徴とする結晶配向セラミックス。2平均の化学組成が互いに異なる複数の物質を接触させて接合界面を有する構成とし、これを所定温度で加熱することによって、結晶配向セラミックスを製造する方法であって、前記所定温度が前記複数の物質の間で元素拡散が生じ、新たな化合物が生成する温度であり、前記生成された化合物の結晶が、元の接合界面に対して垂直配向していることを特徴とする結晶配向セラミックスの製造方法。3La2SiO5を主成分とする第1の層とLa2Si2O7を主成分とする第2の層を接触させた接合界面の近傍にアパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成され、そのランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックス。4La2SiO5を主成分とする第1の層とLa2Si2O7を主成分とする第2の層を接触させて接合界面を有する構成とし、これを所定温度で加熱することによって、結晶配向セラミックスを製造する方法であって、前記所定温度が前記第1の層と前記第2の層の間で元素拡散が生じ、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成する温度であり、前記生成されたランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックスの製造方法。5La2SiO5を主成分とする第1の層とSiO2を主成分とする第2の層を接触させた接合界面の近傍にアパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成され、そのランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックス。6La2SiO5を主成分とする第1の層とSiO2を主成分とする第2の層を接触させて接合界面を有する構成とし、これを所定温度で加熱することによって、結晶配向セラミックスを製造する方法であって、前記所定温度が前記第1の層と前記第2の層の間で元素拡散が生じ、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成する温度であり、前記生成されたランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックスの製造方法。7La2O3を主成分とする第1の層とLa2Si2O7を主成分とする第2の層を接触させた接合界面の近傍にアパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成され、そのランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックス。8La2O3を主成分とする第1の層とLa2Si2O7を主成分とする第2の層を接触させて接合界面を有する構成とし、これを所定温度で加熱することによって、結晶配向セラミックスを製造する方法であって、前記所定温度が前記第1の層と前記第2の層の間で元素拡散が生じ、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成する温度であり、前記生成されたランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックスの製造方法。9SiO2を主成分とする第1の層とLa2SiO5を主成分とする第2の層を接触させた接合界面の近傍にアパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成され、そのランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックス。10SiO2を主成分とする第1の層とLa2SiO5を主成分とする第2の層を接触させて接合界面を有する構成とし、これを所定温度で加熱することによって、結晶配向セラミックスを製造する方法であって、前記所定温度が前記第1の層と前記第2の層の間で元素拡散が生じ、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩が生成する温度であり、前記生成されたランタンケイ酸塩の結晶が、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向していることを特徴とする結晶配向セラミックスの製造方法。11平均の化学組成が互いに異なる複数の物質を接触させた接合界面の近傍に生成される化合物からなり、元の接合界面に対して垂直配向した結晶構造を有する、結晶配向セラミックス。12前記化合物が、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩であって、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向した結晶構造を有する、前記11に記載の結晶配向セラミックス。13前記複数の物質が、La2SiO5を主成分とする第1の層と、La2Si2O7を主成分とする第2の層とを含む、前記12に記載の結晶配向セラミックス。14前記複数の物質が、La2SiO5を主成分とする第1の層と、SiO2を主成分とする第2の層とを含む、前記12に記載の結晶配向セラミックス。15前記複数の物質が、La2O3を主成分とする第1の層と、La2Si2O7を主成分とする第2の層とを含む、前記12に記載の結晶配向セラミックス。16平均の化学組成が互いに異なる複数の物質を接触させて接合界面を有する構成とする工程、及び前記構成とした複数の物質を、該複数の物質の間で元素拡散が生じる温度で加熱して、接合界面の近傍に結晶配向セラミックスを生成する工程、を含み、前記結晶配向セラミックスは元の接合界面に対して垂直配向した結晶構造を有する化合物からなる、結晶配向セラミックスの製造方法。17前記化合物が、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩であって、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向した結晶構造を有する、前記16に記載の結晶配向セラミックスの製造方法。18前記複数の物質が、La2SiO5を主成分とする第1の層と、La2Si2O7を主成分とする第2の層とである、前記17に記載の結晶配向セラミックスの製造方法。19前記複数の物質が、La2SiO5を主成分とする第1の層と、SiO2を主成分とする第2の層とである、前記17に記載の結晶配向セラミックスの製造方法。20前記複数の物質が、La2O3を主成分とする第1の層と、La2Si2O7を主成分とする第2の層とである、前記17に記載の結晶配向セラミックスの製造方法。21さらに、生成した結晶配向セラミックス以外の物質を除去する工程を含む、前記16に記載の結晶配向セラミックスの製造方法。22さらに、生成したランタンケイ酸塩の結晶以外の物質を除去する工程を含む、前記17~20のいずれかに記載の結晶配向セラミックスの製造方法。23アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンからなる板状体であって、前記ケイ酸ランタンのc軸が板状体の主面に対して垂直方向に沿って配向した結晶構造を有して成る板状体。24前記板状体の主面は平面もしくは曲面である23に記載の板状体。25化学式がLa2SiO5およびLa2O3から選ばれる少なくとも1種からなる物質と化学式がLa2Si2O7およびSiO2から選ばれる少なくとも1種からなる物質とを接触させて拡散対とし、この拡散対を加熱した後その表面を除去することで主面を形成した23に記載のアパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンからなる板状体。26前記アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンの結晶配向度は49以上である23に記載の板状体。本発明によれば、結晶軸が一方向に配向している結晶配向セラミックスを提供すること、およびそのような結晶配向セラミックスを、複雑なプロセスを経ることなく、製造することができる結晶配向セラミックスの製造方法を提供することができる。本発明は、結晶配向セラミックスであって、平均の化学組成が互いに異なる複数の物質を接触させた接合界面の近傍に化合物が生成され、その化合物の結晶が元の接合界面に対して垂直配向していることを特徴とする。また、本発明は、平均の化学組成が互いに異なる複数の物質を接触させて接合界面を有する構成とし、これを所定温度で加熱することによって、結晶配向セラミックスを製造する方法であって、前記所定温度が前記複数の物質の間で元素拡散が生じ、新たな化合物が生成する温度であり、前記生成された化合物の結晶が、元の接合界面に対して垂直配向していることを特徴とする。ここで、本発明においてセラミックスとは、加熱により結晶構造となった物質をいう。具体的には、平均の化学組成が互いに異なる2つの物質但し、この物質の形状や状態は任意であり、圧粉体もしくは焼結体など、特に指定するものではない。を用いて拡散対を形成し、これらの拡散対を高温下で加熱することによって、それらの接合界面近傍に新たな化合物を生成させることで、この化合物の特定の結晶軸が元の接合界面に垂直な方向に沿って一方向に配向している、結晶配向セラミックスが提供される。本発明においては、上記拡散対を所定温度で加熱して、結晶配向セラミックスを生成するのであるが、当該所定温度は、1300°C以上が好ましく、1400°C以上がより好ましい。もっとも、加熱温度及び加熱時間と、生成される結晶配向セラミックスの層の厚みとの相関関係を考慮して、加熱温度等を適宜設定することが好ましい。具体的には、一定の厚みの結晶配向セラミックスを得るには、高温では加熱時間は短時間でよいのに対し、低温では加熱時間を長時間とする必要があるという関係にあるため、それらの関係を考慮して加熱温度等を設定することが好ましい。下記表1に、平均の化学組成が互いに異なる2つの物質としてLa2SiO5及びLa2Si2O7を用い、加熱温度と加熱時間とを変更して結晶配向セラミックスの層を生成した例を示す。表1に示すような、加熱温度及び加熱時間と、生成される結晶配向セラミックスの層の厚みとの相関関係に基づき、加熱温度及び加熱時間を適宜設定することにより所望の厚みの結晶配向セラミックスを生成することができる。なお、表1において、La2SiO5側及びLa2Si2O7側とは、それぞれ、生成した結晶配向セラミックスの層のLa2SiO5側の厚み及びLa2Si2O7側の厚みを示し、厚みとは、La2SiO5側及びLa2Si2O7側の和であって、アパタイト構造の一次元配向結晶層結晶配向セラミックスの層厚みを示す。また、表1においては、La2SiO5側の厚み及びLa2Si2O7側の厚みの和と、結晶配向セラミックスの層の厚みとは、小数点以下を四捨五入した関係で完全に一致してはいない。前記加熱温度は1400~1600°Cが望ましく、1500°C~1600°Cが好適であり、前記加熱時間は、5時間~100時間が望ましく、25時間~50時間が好適である。加熱雰囲気は大気中または、酸素雰囲気である。このような条件が望ましい理由は、求めるアパタイト構造層結晶配向セラミックスの層が形成し、且つ、結晶中酸素量が不足してイオン導電性が落ちないようにするためである。本発明において、接合界面近傍に生成された新たな化合物は、接合界面の両側に生成される場合のみならず、片側に生成される場合もある。さらに、本発明においては、ある化学組成の基板表面に、スプレーコーティングもしくはディップコーティングなどの方法で、基板の化学組成とは異なる化学組成の物質を薄膜状に分散して密着させ、高温下で加熱することによって、高配向セラミックスが基板表面に生成してもよい。この方法は、平均の化学組成が互いに異なる2つの物質の接合界面近傍に新たな化合物を生成させる点において、上記の拡散対法と同様な方法である。より具体的には、平均の化学組成がAで表される単一もしくは複数の相からなる物質と、平均の化学組成がBで表される単一もしくは複数の相からなる物質を用いて拡散対を形成し、高温下で加熱することによって接合界面近傍において元素拡散を生じさせて、一般式がAxB1-x但し、xは0<x<1の範囲の数である。で表される、新たな化合物を接合界面近傍に生成させることで、この化合物AxB1-xの特定の結晶軸が元の接合界面に垂直な方向に沿って一方向に配向している、結晶配向セラミックスを提供することである。非特許文献2および非特許文献3によれば、アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンの一般式はLa9332x6O23x但しxは-0.10≦x≦0.33の範囲の数である。で表される。そのため、アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンはLa2SiO5とLa2Si2O7とが高温で反応することによって、もしくはLa2SiO5とSiO2とが高温で反応することによって、もしくはLa2Si2O7とLa2O3とが高温で反応することによって生成することから、これら3種類の組み合わせを後述する実施例における拡散対の組み合わせとして選択した。なお、本発明においては、ランタン以外の他の希土類元素を含む化合物を用いることも可能である。本発明の結晶配向セラミックスは、別の表現によると、平均の化学組成が互いに異なる複数の物質を接触させた接合界面の近傍に生成される化合物からなり、元の接合界面に対して垂直配向した結晶構造を有することを特徴としている。すなわち、当該結晶配向セラミックスは、既述の通り、特定の結晶軸が元の接合界面に垂直な方向に沿って一方向に配向している結晶配向セラミックスである。しかも、本発明の結晶配向セラミックスは配向度が49以上であり、従来のものと比較して高い。配向度が49以上であることが望ましい理由は、酸素イオンの移動方向であるc軸への配向度が大きくなると構造体全体の酸素イオン伝導率が向上するためである。前記化合物としては、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩とすることができ、この場合、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向した結晶構造を有する。本発明の結晶配向セラミックスは、前記平均の化学組成が互いに異なる複数の物質として、1La2SiO5を主成分とする第1の層と、La2Si2O7を主成分とする第2の層とを含む態様、2La2SiO5を主成分とする第1の層と、SiO2を主成分とする第2の層とを含む態様、又は3La2O3を主成分とする第1の層と、La2Si2O7を主成分とする第2の層とを含む態様が好ましい。いずれの態様においても、第1の層と第2の層との接合界面に生成される化合物が、当該接合界面に対してc軸が垂直配向した結晶構造を有する化合物、すなわち本発明の結晶配向性セラミックスである。本発明の結晶配向セラミックスは、結晶軸が一方向に配向していることから、その方向に沿う方向のイオン伝導率が高く、イオン伝導体として有用である。具体例を示すと、本発明の結晶配向セラミックスたるアパタイト型の結晶構造を有するケイ酸ランタンLa9332x6O23xのイオン伝導率を測定したところ、400°Cで5.0×10-3S/cmであったのに対し、本発明の範囲外のLa9336O2のイオン伝導率は、文献値で300°Cでは約5.33×10-6S/cmであり、500°Cでは約2.31×10-4S/cmであるSTaoandJTSIrvineMaterialsResearchBulletin3612451258参照。すなわち、本発明の結晶配向セラミックスの400°Cにおけるイオン伝導率5.0×10-3S/cmは、文献値の500°Cにおけるイオン伝導率約2.31×10-4S/cmよりも一桁大きい値を示した。換言すると、本発明の結晶配向セラミックスは、文献値の500°Cよりも低温の400°Cでありながら、イオン伝導率は文献値よりも一桁大きな値を示した。ここで、本発明の結晶配向セラミックスのイオン伝導率は以下のようにして得た。まず、サンプルを3mm×3mmの試験片厚み0.4mmに成形した後、スパッタリングにより試験片の表裏面に白金薄膜厚み:0.4μmを形成した。次いで、形成した白金薄膜を電極として、交流インピーダンス法により電極間のバルク抵抗を測定し、そのバルク抵抗と試験片のサイズとからイオン伝導率を算出した。なお、上記白金薄膜は、白金ペーストを焼き付けることによっても形成することができる。また、未反応の層、すなわち結晶配向セラミックス以外の層を研削サンドペーパー200除去し、さらに、元の接合界面が除去できるまで研削サンドペーパー200、サンドペーパー1200を進めた。測定条件使用機材は以下の通りである。[測定条件使用機材]測定周波数:0.1~1MHz測定温度:室温~400°C炉内雰囲気:大気パソコンソフトウエア:東陽テクニカ株製、ZPlot周波数応答アナライザ:東陽テクニカ株製、1260型卓上型ランプ加熱炉:アルバック理工株製、MILA-3000一方、本発明の結晶配向セラミックスたるケイ酸ランタンのEPMA分析結果を示す。具体的には、平均の化学組成が互いに異なる複数の物質としてLa2SiO5を主成分とする第1の層と、La2Si2O7を主成分とする第2の層とからなる拡散対を形成し、この拡散対を高温下で加熱し、それらの接合界面近傍にケイ酸ランタンを生成させた後の積層体に対してEPMA分析をした結果を示す。図20はそのEPMA分析の結果を示すチャートである。図20において、横軸はLa2SiO5の端面からの距離μmを示し、縦軸はSiに対するLaの比の値La/Siを示す。すなわち、図20は、La2SiO5の端面からの所定距離におけるLa/Si比を示し、左側に分布する点がLa2SiO5の分析点であり、右側に分布する点がLa2Si2O7の分析点であり、それらの中間に分布する点が生成したケイ酸ランタンの分析点である。図20より、ケイ酸ランタンは、La/Si比の値がLa2SiO5側で高く、La2Si2O7側に向かって徐々に低下していることが分かる。図21に、図20において分布する点に対して回帰直線を加えて示す。図21に示すように、La2SiO5も、La2Si2O7も、その回帰直線は傾きが0の直線であったのに対し、ケイ酸ランタンの回帰直線は、y=-1.12×10-4x1.636で表される直線であった。また、アパタイト構造を有するケイ酸ランタンの組成式は、La9332x6O23xで表されるが、xの値が0よりも大きい方がイオン伝導率が高い。つまり、ケイ酸ランタンにおけるLa/Si比が1.555=9.33/6よりも大きい方がイオン伝導率が高い。本発明の結晶配向セラミックスたるケイ酸ランタンは、図20及び図21に示す通り、La/Si比は1.555よりも大きいため高いイオン伝導率を示すと推察されるが、上述の実測値からもイオン伝導率が高いのは明らかである。一方、本発明の結晶配向セラミックスの製造方法は、別の表現によると、平均の化学組成が互いに異なる複数の物質を接触させて接合界面を有する構成とする工程、及び前記構成とした複数の物質を、該複数の物質の間で元素拡散が生じる温度で加熱して、接合界面の近傍に結晶配向セラミックスを生成する工程、を含み、前記結晶配向セラミックスは元の接合界面に対して垂直配向した結晶構造を有する化合物からなることを特徴としている。本発明の製造方法によると、従来のように製造プロセスが複雑になることなく、しかも高い配向度を有する結晶配向セラミックスを得ることができる。前記化合物としては、アパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩とすることができ、この場合、元の接合界面に対してc軸が垂直方向に沿って配向した結晶構造を有する。前記平均の化学組成が互いに異なる複数の物質としては、既述の本発明の結晶配向セラミックスと同様であり、好ましい例も同様である。本発明の結晶配向セラミックスの製造方法において、上記複数の物質の接合界面の近傍に生成した結晶配向セラミックス以外の物質、又はアパタイト型の結晶構造を有するランタンケイ酸塩以外の物質は不要であるから、その物質を除去する工程を設けることが好ましい。除去する手段としては、特に制限はなく、例えば、研磨、研削などの機械的手段や、エッチングなどの化学的手段、熱膨張率差による剥離が挙げられる。本発明の結晶配向性セラミックは、La2SiO5等の反応原料物質を除去して、板状体とすることが望ましい。すなわち、アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンからなる板状体であって、前記ケイ酸ランタンのc軸が板状体の主面に対して概ね垂直方向に沿って配向した結晶構造を有して成る板状体である。結晶配向性セラミックを板状体とする理由は、酸素センサ等の固体電解質として用いる場合には好適な形状だからである。前記板状体の主面は平面もしくは曲面のいずれであってもよいが、主面の法線方向とc軸の配向方向とが一致していることが望ましい。前記板状体は、化学式がLa2SiO5およびLa2O3から選ばれる少なくとも1種からなる物質Aと化学式がLa2Si2O7およびSiO2から選ばれる少なくとも1種からなる物質Bとを接触させて拡散対とし、この拡散対を加熱することでアパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタン多結晶体を得、その後このケイ酸ランタン多結晶体の表面に残存している物質Aおよび/または物質Bを除去することで板状体の主面を形成することにより製造される。除去方法としては、先に説明した通り、特に制限はなく、例えば、研磨、研削などの機械的手段や、エッチングなどの化学的手段、熱膨張率差による剥離が挙げられる。前記アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンの結晶配向度は49以上であることが望ましい。この理由は、酸素イオンの移動方向であるc軸への配向度が大きくなると構造体全体の酸素イオン伝導率が向上するためである。以下に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明する。以下の実施例では、La2SiO5およびLa2Si2O7、SiO2、La2O3の原料粉末を用いて拡散対を作製し、これらを高温下で加熱することにより、c軸が一方向に配向しているアパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタン多結晶体の製造方法について説明するが、これらは例示であり、La2SiO5およびLa2Si2O7、SiO2、La2O3とは異なる化学組成の拡散対を用いて、ケイ酸ランタンとは異なる化学組成結晶構造の高配向セラミックスを製造する場合でも、本発明が成立することはいうまでもない。また、本発明の実施例1~5では、化学組成が互いに異なる2つの圧粉体を用いて拡散対を作製し、高温下で加熱することによって、接合界面付近に高配向セラミックスを生成させているが、実施例6で記述したように、ある化学組成の基板表面に、スプレーコーティングもしくはディップコーティングなどの方法で、基板の化学組成とは異なる化学組成の物質を、薄膜状に分散密着させ、高温下で加熱することによって、高配向セラミックスを基板表面に生成させても、本発明が成立することはいうまでもない。実施例1本実施例では、化学式がLa2SiO5で表される圧粉体と、化学式がLa2Si2O7で表される圧粉体を用いた拡散対によって得られる、アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンのc軸配向セラミックスの製造方法について説明する。出発原料として酸化ランタンLa2O3試薬と酸化ケイ素SiO2試薬を化学組成がLa2SiO5で表される組成物が生成する割合で秤量し、原料混合粉末を準備した。この原料混合粉末を直径約12mm×高さ約3mmのペレット状に一軸加圧成形し、電気炉中にて1200°Cで1時間加熱後、電気炉から取り出して冷却した。得られた試料を粉砕混合し、さらにこの粉末試料を直径約12mm×高さ約3mmのペレット状に一軸加圧成形し、電気炉中にて1600°Cで3時間加熱後、電気炉から取り出して冷却した。得られた試料を粉砕し、粉末状のLa2SiO5試料を得た。また、出発原料として酸化ランタンLa2O3と酸化ケイ素SiO2を化学組成がLa2Si2O7で表される組成物が生成する割合で秤量し、原料混合粉末を準備した。この原料混合粉末を直径約12mm×高さ約3mmのペレット状に一軸加圧成形し、電気炉中にて1200°Cで1時間加熱後、電気炉から取り出して冷却した。得られた試料を粉砕混合し、さらにこの粉末試料を直径約12mm×高さ約3mmのペレット状に一軸加圧成形し、電気炉中にて1600°Cで3時間加熱後、電気炉から取り出して冷却した。得られた試料を粉砕し、粉末状のLa2Si2O7試料を得た。粉末状のLa2SiO5試料約063gを一軸加圧成型して、直径約12mm×高さ約2mmのペレット状の圧粉体を作製した。さらに、粉末状のLa2Si2O7試料約054gを一軸加圧成型して、直径約12mm×高さ約2mmのペレット状の圧粉体を作製した。これら2つの圧粉体を重ね合わせた拡散対を複数個作製し、これらを電気炉中にて1600°Cで25時間加熱した後、炉の電源をオフにして室温まで約3時間かけて冷却した。上記の熱処理した拡散対試料の一つを、元の接合面に対して垂直方向にダイヤモンドカッターで切り出し、その断面をダイヤモンドペーストを用いて鏡面研磨して研磨片を作製した。研磨面を反射顕微鏡で観察したところ、元の接合界面の両側に、厚さ約380μmの幅で帯状の反応生成物が観察された図1。この反応生成物は、元の接合界面を挟んでその両側に生成しており、La2SiO5側の帯状生成物の厚さは約230μmあり、La2Si2O7側の帯状生成物の厚さは約150μmである。顕微ラマン分光法を用いてこの反応生成物を同定したところ図2、接合界面の両側ともアパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンであることから、La2SiO5La2Si2O7→3La9332x6O23x但し、xは010≦x≦033の範囲の数である。で表される反応が元の接合界面付近で起こり、La2SiO5とLa2Si2O7からアパタイト型ケイ酸ランタンが生成したと考えられる。上記研磨片の研磨面を、エポキシ樹脂を用いてスライドガラスに張り付け、さらに余分な部分をダイヤモンドカッターを用いて切り取った後、エメリーペーパーとダイヤモンドペーストで研磨して薄片を作製した。偏光顕微鏡を用いて直交ポーラーで微細組織を観察したところ図3、元の接合界面のLa2SiO5側には、高さ約230μm×幅約45μmの大きさの柱状結晶がその界面に垂直に結晶成長して集合している様子が観察され、また、元の接合界面のLa2Si2O7側には、高さ約150μm×幅約45μmの大きさの柱状結晶がその界面に垂直に結晶成長して集合している様子が観察された。直交ポーラーで消光の様子を観察したところ図4、アパタイト型ケイ酸ランタンの柱状結晶全体がほぼ同時に直消光することが確認できた。アパタイト型ケイ酸ランタンの結晶構造は六方晶系に属することから、光学的に一軸性であり、その光軸は結晶学的なc軸と一致する。したがって、拡散対の元の接合界面付近に生成したアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体は、個々の結晶粒子のc軸方向がほぼ一致していることが予想される。そこで、アパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体の結晶学的な方位を、X線回折法で調査した。熱処理した拡散対試料の一つを、元の接合界面に対して平行方向に、アパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体が露出するようにダイヤモンドカッターで切り出し、その断面をダイヤモンドペースを用いて鏡面研磨して研磨片を作製した。研磨面に露出したアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体の結晶学的な方位を調査する目的で、CuKα1線45kV×40mAを入射光とする高分解能X線粉末回折装置を用いて、100°から900°の2θ範囲における回折X線のプロフィル強度を測定した図5。X線粉末回折パターンには回折面指数が002および004、006の反射が顕著に観測されることから、アパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体は、元の接合界面に垂直な方向に沿ってc軸が配向していることが確かめられた。この多結晶体の配向度は、式に示すロットゲーリングの式から算出することができる。式において、ρ0は、配向していないアパタイト型ケイ酸ランタンにおいて、回折X線の2θ範囲が100°から900°の間に出現した全回折反射の強度の合計と、回折面指数が002および004、006の回折反射の強度の合計を用いて、式によって求められる。ただし、式のΣI0は2θ範囲が100°から900°の間に出現した全回折反射の強度の合計を表し、式のΣI0は回折面指数が002および004、006の回折反射の強度の合計を表す。一方、式中のρは、配向したアパタイト型ケイ酸ランタンにおいて、回折X線の2θ範囲が100°から900°の間に出現した全回折反射の強度の合計と、回折面指数が002および004、006の回折反射の強度の合計を用いて、式によって求められる。ただし、式のΣIは2θ範囲が100°から900°の間に出現した全回折反射の強度の合計を表し、式のΣは回折面指数が002および004、006の回折反射の強度の合計を表す。以上の式~式を用いて、この多結晶体の配向度を求めると79となり、極めて高い配向度である。元の接合界面に垂直な方向に沿って、アパタイト型ケイ酸ランタン結晶のc軸が配向する理由は、現時点で未解明であるが、c軸に垂直な結晶面の成長速度が、他の結晶面の成長速度に比較して速いために、c軸方向に伸長した柱状結晶が生成するものと考えられる。実施例2本実施例では、実施例1と同様に、化学式がLa2SiO5で表される圧粉体と、化学式がLa2Si2O7で表される圧粉体を用いた拡散対によって得られる、アパタイト型ケイ酸ランタンの高配向セラミックスの製造方法について説明する。本実施例では、拡散対を形成するLa2SiO5圧粉体の厚みが、実施例1で用いた場合に比較して薄く、拡散対を加熱処理した後では、La2SiO5層が完全に消滅し、アパタイト型ケイ酸ランタンが表面に露出している。粉末状のLa2SiO5試料と、粉末状のLa2Si2O7試料を、実施例1で記述した方法と同様な方法でそれぞれ合成した。粉末状のLa2Si2O7試料約054gを一軸加圧成型して、直径約12mm×高さ約2mmのペレット状の圧粉体を作製した。さらに、粉末状のLa2SiO5試料約016gを一軸加圧成型して、直径約12mm×高さ約05mmのペレット状の圧粉体を作製した。これら2つの圧粉体を重ね合わせた拡散対を複数個作製し、これらを電気炉中にて1600°Cで100時間加熱した後、炉の電源をオフにして室温まで約3時間かけて冷却した。上記の熱処理した拡散対試料の表面を顕微ラマン分光法で調査したところ、La2SiO5が完全に消滅しており、微細なアパタイト型ケイ酸ランタン結晶が表面に露出していることが確かめられた。拡散対の表面に露出して生成したアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体の結晶学的な方位を調査する目的で、実施例1で記述した方法と同様な方法で、この多結晶体の回折X線のプロフィル強度を測定した図6。X線粉末回折パターンには回折面指数が002および004、006の反射が顕著に観測されたことから、拡散対の表面に露出しているアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体は、表面に垂直な方向に沿ってc軸が配向していることが確かめられた。この多結晶体の配向度は、実施例1と同様にロットゲーリングの式から算出すると93となり、極めて高い配向度である。実施例3本実施例では、化学式がLa2SiO5で表される圧粉体と、化学式がSiO2で表される圧粉体を用いた拡散対によって得られる、アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンのc軸配向セラミックスの製造方法について説明する。粉末状のLa2SiO5試料は、実施例1で記述した方法と同様な方法で合成した。この粉末試料約063gを一軸加圧成型して、直径約12mm×高さ約2mmのペレット状の圧粉体を作製した。さらに、粉末状の酸化ケイ素SiO2試薬約027gを一軸加圧成型して、直径約12mm×高さ約2mmのペレット状の圧粉体を作製した。これら2つの圧粉体を重ね合わせた拡散対を複数個作製し、これらを電気炉中にて1600°Cで25時間加熱した後、炉の電源をオフにして室温まで約3時間かけて冷却した。実施例1で記述した拡散対と同様な試料が得られたが、室温に冷却される過程で、未反応のSiO2部分は剥がれて欠落した。未反応のSiO2部分が剥がれて露出した表面を、顕微ラマン分光法で調査したところ、微細なアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体が表面を覆っていることが確かめられた。上記のアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体の結晶学的な方位を調査する目的で、実施例1で記述した方法と同様な方法で、100°から900°の2θ範囲における回折X線のプロフィル強度を測定した図7。X線粉末回折パターンには回折面指数が002および004、006の反射が顕著に観測されることから、このアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体は、未反応のSiO2部分が剥がれて露出した表面に垂直な方向に沿って、c軸が配向していることが確かめられた。この多結晶体の配向度は、ロットゲーリングの式から算出すると53となり、極めて高い配向度である。上記の熱処理した拡散対試料の一つを、実施例1で記述した方法と同様な方法で、元の接合界面に対して垂直な研磨面をもつ研磨片に加工した。研磨面を反射顕微鏡で観察したところ、元の接合界面の両側に、厚さ約290μmの幅で帯状の反応生成物が観察された図8。この反応生成物は、元の接合界面を挟んでその両側に生成しており、La2SiO5側の帯状生成物の厚さは約240μmあり、SiO2が存在していた側の帯状生成物の厚さは約50μmである。顕微ラマン分光法を用いてこの反応生成物を同定したところ、接合界面の両側ともアパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンであることから、La2SiO5SiO2→3La9332x6O23x但し、xは010≦x≦033の範囲の数である。の反応が元の接合界面付近で起こり、La2SiO5とSiO2からアパタイト型ケイ酸ランタンが生成したと考えられる。上記研磨片を、実施例1で記述した方法と同様な方法で薄片に加工した。偏光顕微鏡を用いて直交ポーラーで微細組織を観察したところ図9、元の接合界面のLa2SiO5側には、高さ約240μm×幅約45μmの大きさの柱状結晶がその界面に垂直に結晶成長して集合している様子が観察され、また、元の接合界面のSiO2側には、高さ約50μm×幅約45μmの大きさの柱状結晶がその界面に垂直に結晶成長して集合している様子が観察された。直交ポーラーで消光の様子を観察したところ図10、アパタイト型ケイ酸ランタンの柱状結晶全体がほぼ同時に直消光することが確認できた。したがって、拡散対の元の接合界面付近に生成したアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体は、個々の結晶粒子のc軸方向がほぼ一致していることが確かめられた。実施例4本実施例では、化学式がLa2Si2O7で表される圧粉体と、化学式がLa2O3で表される圧粉体を用いた拡散対によって得られる、アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンのc軸配向セラミックスの製造方法について説明する。粉末状のLa2Si2O7試料は、実施例1で記述した方法と同様な方法で合成した。この粉末試料約054gを一軸加圧成型して、直径約12mm×高さ約2mmのペレット状の圧粉体を作製した。さらに、粉末状の酸化ランタンLa2O3試薬約075gを一軸加圧成型して、直径約12mm×高さ約2mmのペレット状の圧粉体を作製した。これら2つの圧粉体を重ね合わせた拡散対を複数個作製し、これらを電気炉中にて1600°Cで25時間加熱した後、炉の電源をオフにして室温まで約3時間かけて冷却した。実施例1で記述した拡散対と同様な試料が得られたが、未反応のLa2O3部分は空気中の水分と反応し剥がれて欠落した。未反応のLa2O3部分が剥がれて露出した表面を、顕微ラマン分光法で調査したところ、微細なアパタイト型ケイ酸ランタン結晶が表面を覆っていることが確かめられた。上記のアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体の結晶学的な方位を調査する目的で、実施例1で記述した方法と同様な方法で、100°から900°の2θ範囲における回折X線のプロフィル強度を測定した図11。X線粉末回折パターンには回折面指数が002および004、006の反射が顕著に観測されることから、このアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体は、未反応のLa2O3部分が剥がれて露出した表面に垂直な方向に沿って、c軸が配向していることが確かめられた。この多結晶体の配向度は、ロットゲーリングの式から算出すると49となり、極めて高い配向度である。上記の熱処理した拡散対試料の一つを、実施例1で記述した方法と同様な方法で、未反応のLa2O3部分が剥がれて露出した表面に対して垂直な研磨面をもつ研磨片に加工した。研磨面を反射顕微鏡で観察したところ、厚さ約230μmの幅で帯状の反応生成物が観察された図12。元の接合界面は確認できなかったことから、未反応のLa2O3部分が剥離する際に、元の接合界面を含む領域が剥離したものと思われる。顕微ラマン分光法を用いてこの反応生成物を同定したところ、アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンであることから、La2O39La2Si2O7→3La9332x6O23x但し、xは010≦x≦033の範囲の数である。の反応が元の接合界面付近で起こり、La2O3とLa2Si2O7からアパタイト型ケイ酸ランタンが生成したと考えられる。上記の研磨片を、実施例1で記述した方法と同様な方法で薄片に加工した。偏光顕微鏡を用いて直交ポーラーで微細組織を観察したところ図13、元の接合界面のLa2Si2O7側には、高さ約230μm×幅約45μmの大きさの柱状結晶がその界面に垂直に結晶成長して集合している様子が観察された。直交ポーラーで消光の様子を観察したところ図14、アパタイト型ケイ酸ランタンの柱状結晶全体がほぼ同時に直消光することが確認できた。したがって、拡散対の元の接合界面付近に生成したアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体は、個々の結晶粒子のc軸方向がほぼ一致していることが確かめられた。実施例5本実施例では、実施例1と同様に、化学式がLa2SiO5で表される圧粉体と、化学式がLa2Si2O7で表される圧粉体を用いた拡散対によって得られる、アパタイト型ケイ酸ランタンの高配向セラミックスの製造方法について説明する。本実施例では、1層のLa2SiO5圧粉体厚み080mmを2層のLa2Si2O7圧粉体で挟み込み、3層からなる拡散対を用いた。この拡散対を加熱処理した後では、中間のLa2SiO5層が完全に消滅し、La2Si2O7焼結体層の間にアパタイト型ケイ酸ランタンが生成している。粉末状のLa2SiO5試料と、粉末状のLa2Si2O7試料を、実施例1で記述した方法と同様な方法でそれぞれ合成した。粉末状のLa2Si2O7試料約090gを一軸加圧成型して、直径約20mm×高さ約1mmのペレット状の圧粉体を2個作製した。さらに、粉末状のLa2SiO5試料約130gを一軸加圧成型して、直径約20mm×高さ約080mmのペレット状の圧粉体を作製した。これら3つの圧粉体をLa2Si2O7/La2SiO5/La2Si2O7の順番に重ね合わせた拡散対を複数個作製し、これらを電気炉中にて1600°Cで200時間加熱した後、炉の電源をオフにして室温まで約3時間かけて冷却した。上記の熱処理した拡散対試料の一つを、元の接合面に対して垂直方向にダイヤモンドカッターで切り出し、その断面をダイヤモンドペーストを用いて鏡面研磨して研磨片を作製した。研磨面を反射顕微鏡で観察したところ、元のLa2SiO5層は完全に消滅し、2つのLa2Si2O7層の間に厚さ約1500μmの幅で帯状の反応生成物が観察された図15。顕微ラマン分光法を用いてこの反応生成物を同定したところ、アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンであることから、La2SiO5La2Si2O7→3La9332x6O23x但し、xは010≦x≦033の範囲の数である。で表される反応が元の接合界面付近で起こり、全てのLa2SiO5がLa2Si2O7と反応してアパタイト型ケイ酸ランタンが生成したと考えられる。上記研磨片の研磨面を、エポキシ樹脂を用いてスライドガラスに張り付け、さらに余分な部分をダイヤモンドカッターを用いて切り取った後、エメリーペーパーとダイヤモンドペーストで研磨して薄片を作製した。偏光顕微鏡を用いて直交ポーラーで微細組織を観察したところ図16、元の接合界面のLa2SiO5側には、高さ約400μm×幅約45μmの大きさのアパタイト型ケイ酸ランタンの柱状結晶がその界面に垂直に結晶成長して集合している様子が観察され、また、元の接合界面のLa2Si2O7側には、高さ約350μm×幅約45μmの大きさの柱状結晶がその界面に垂直に結晶成長して集合している様子が観察された。これらのアパタイト型ケイ酸ランタンの柱状結晶は、全体で厚さ約1500μmに達していた。アパタイト型ケイ酸ランタンの柱状結晶の集合体について、直交ポーラーで消光の様子を観察したところ図17、アパタイト型ケイ酸ランタンの柱状結晶全体がほぼ同時に直消光することが確認できた。アパタイト型ケイ酸ランタンの結晶構造は六方晶系に属することから、光学的に一軸性であり、その光軸は結晶学的なc軸と一致する。したがって、拡散対の元の接合界面付近に生成したアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体は、個々の結晶粒子のc軸方向がほぼ一致していることが予想される。そこで、アパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体の結晶学的な方位を、X線回折法で調査した。熱処理した拡散対試料の一つを、元の接合界面に対して平行方向に、アパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体が露出するようにダイヤモンドカッターで切り出し、その断面をダイヤモンドペーストを用いて鏡面研磨して研磨片を作製した。研磨面に露出したアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体の結晶学的な方位を調査する目的で、CuKα1線45kV×40mAを入射光とする高分解能X線粉末回折装置を用いて、100°から900°の2θ範囲における回折X線のプロフィル強度を測定した図18。X線粉末回折パターンには回折面指数が002および004、006の反射が顕著に観測されることから、アパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体は、元の接合界面に垂直な方向に沿ってc軸が配向していることが確かめられた。この多結晶体の配向度は、ロットゲーリングの式から算出すると91となり、極めて高い配向度である。実施例6本実施例では、化学式がLa2SiO5で表される焼結体と、化学式がSiO2で表される薄膜を用いた拡散対によって得られる、アパタイト型結晶構造を有するケイ酸ランタンのc軸配向セラミックスの製造方法について説明する。本実施例では粉末状のLa2SiO5試料は、実施例1で記述した方法と同様な方法で合成した。この粉末試料約250gを一軸加圧成型して、直径約20mm×高さ約2mmのペレット状の圧粉体を複数個作製し、これらを電気炉中にて1600°Cで2時間加熱後電気炉から取り出して冷却した。また出発原料をケイ酸エチル4、エタノール、水、塩酸を酸化ケイ素ゲルが生成する割合で秤量し、原料溶液を準備した。この原料溶液を約60°Cで温めながら2時間攪拌した。得られたゲルをディップコーティング法によりLa2SiO5焼結体に塗布した。これを電気炉中にて1時間に50°Cの昇温速度で500°Cまで温度を上げ、1時間保持、1時間に50°Cの降温速度で冷却してLa2SiO5焼結体に酸化ケイ素薄膜を生成させた。これらを電気炉中にて1600°Cで25時間加熱した後、炉の電源をオフにして室温まで約3時間かけて冷却した。上記の熱処理した拡散対試料の表面を顕微ラマン分光法で調査したところ、SiO2が完全に消滅しており、微細なアパタイト型ケイ酸ランタン結晶が表面に露出していることが確かめられた。拡散対の表面に露出して生成したアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体の結晶学的な方位を調査する目的で、実施例1で記述した方法と同様な方法で、この多結晶体の回折X線のプロフィル強度を測定した図19。X線粉末回折パターンには回折面指数が002および004、006の反射が顕著に観測されたことから、拡散対の表面に露出しているアパタイト型ケイ酸ランタン多結晶体は、表面に垂直な方向に沿ってc軸が配向していることが確かめられた。この多結晶体の配向度は、ロットゲーリングの式から算出すると28であり、高い配向度である。