ヒートシンク本体と、前記ヒートシンク本体の上に配置された熱伝導層と、を含むことを特徴とするヒートシンク。前記熱伝導層は、厚みが500ミクロン又はそれよりも薄く、熱伝導率が50W/mK又はそれよりも高いことを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記熱伝導層は、厚みが少なくとも100ミクロンであることを特徴とする請求項2に記載のヒートシンク。前記熱伝導層は、熱シート伝導率が少なくとも0.025W/Kであることを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記熱伝導層は、熱シート伝導率が少なくとも0.05W/Kであることを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記熱伝導層は、熱シート伝導率が少なくとも0.0025W/Kであることを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記ヒートシンク本体は、いずれの金属又は導電性の充填材料も含まないことを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記ヒートシンク本体は、表面積増強熱放射構造を有し、前記熱伝導層は、少なくとも該表面積増強熱放射構造の上に配置されることを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記表面積増強熱放射構造は、熱放射フィンを含むことを特徴とする請求項8に記載のヒートシンク。前記ヒートシンク本体は、粗面化された表面を有し、該粗面上に配置された前記熱伝導層は、該粗面に適合することを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記熱伝導層は、粗面化された外面を有し、該外面の粗面は、前記ヒートシンク本体の前記表面に適合しないことを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記ヒートシンク本体と前記熱伝導層の間に配置されたポリマー層を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。ポリマー層が、包含的に2ミクロンから10ミクロンの間の厚みを有することを特徴とする請求項12に記載のヒートシンク。前記熱伝導層は、前記ヒートシンク本体の近くに配置された銅層と、前記銅層上に配置された不動態化金属層と、を含む、ことを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記不動態化金属層は、ニッケル層、クロム層、及び白金層から構成された群から選択されることを特徴とする請求項14に記載のヒートシンク。前記銅層は、少なくとも150ミクロンの厚みを有し、前記不動態化金属層は、10ミクロンよりも大きくない厚みを有することを特徴とする請求項14に記載のヒートシンク。前記熱伝導層上に配置された粉末コーティング、塗料、ラッカー、及びポリマーのうちの少なくとも1つを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記熱伝導層は、銅を含むことを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記ヒートシンク本体は、熱的に絶縁性であることを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記ヒートシンク本体は、プラスチックヒートシンク本体であることを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記ヒートシンク本体は、該ヒートシンク本体の上に配置された前記熱伝導層によって被覆されて熱分岐経路を形成する通路を有することを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。発光ダイオードLEDベースのランプであって、ヒートシンク本体、及び該ヒートシンク本体の上に配置された熱伝導層、を有するヒートシンクと、1つ又はそれよりも多くのLEDデバイスを有し、前記ヒートシンクに固定されてそれと熱的に連通するLEDモジュールと、を含むことを特徴とするランプ。前記ヒートシンクの前記熱伝導層は、銅を含むことを特徴とする請求項22に記載のLEDベースのランプ。前記ヒートシンク本体は、プラスチックヒートシンク本体を含むことを特徴とする請求項22に記載のLEDベースのランプ。前記プラスチックヒートシンク本体は、ポリメタクリル酸メチル、ナイロン、ポリエチレン、エポキシ樹脂、ポリイソプレン、sbsゴム、ポリジシクロペンタジセン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリ酸化フェニレン、シリコーン、ポリケトン、及び熱可塑性材料から構成される群から選択されたポリマー材料を含むことを特徴とする請求項24に記載のLEDベースのランプ。A線球構成を有することを特徴とする請求項22に記載のLEDベースのランプ。MR又はPAR構成を有することを特徴とする請求項22に記載のLEDベースのランプ。前記ヒートシンク本体は、該ヒートシンク本体の上に配置された前記熱伝導層によって被覆されて前記LEDモジュールを前記ヒートシンクの熱放射面に熱的に結合する熱分岐経路を形成する通路を有することを特徴とする請求項22に記載のLEDベースのランプ。ヒートシンク本体を形成する段階と、前記ヒートシンク本体上に熱伝導層を配置する段階と、を含むことを特徴とする方法。前記形成する段階は、前記ヒートシンク本体を成形する段階を含むことを特徴とする請求項29に記載の方法。前記形成する段階は、前記ヒートシンク本体を成形プラスチックヒートシンク本体として成形する段階を含むことを特徴とする請求項29に記載の方法。前記ヒートシンク本体は、フィンを有し、前記配置する段階は、該フィンの上に前記熱伝導層を配置する段階を有することを特徴とする請求項29に記載の方法。前記配置する段階は、前記ヒートシンク本体上に熱伝導材料を無電解メッキする段階と、前記無電解メッキされた熱伝導層材料上に熱伝導材料を電気メッキする段階と、を含む、ことを特徴とする請求項29に記載の方法。前記無電解メッキする段階は、10ミクロンよりも大きくない厚みを有する銅の層を形成し、前記電気メッキする段階は、少なくとも140ミクロンの厚みを有する銅の層を形成することを特徴とする請求項33の方法。例示的な実施例として本明細書に示す一部の実施形態では、ヒートシンクは、ヒートシンク本体と、ヒートシンク本体の上に配置された熱伝導層とを含む。そのような一部の実施形態では、ヒートシンク本体は、プラスチックヒートシンク本体である。そのような一部の実施形態では、熱伝導層は銅層を含む。例示的な実施例としてここに開示した一部の実施形態では、発光ダイオードLEDベースのランプは、直近の段落に説明したヒートシンクと、1つ又はそれよりも多くのLEDデバイスを有するLEDモジュールとを含み、LEDモジュールはヒートシンク固定されると共に熱的に連通可能となっている。そのような一部の実施形態では、LEDベースのランプは、A線球構成を有する。そのような一部の実施形態では、LEDベースのランプは、MR又はPAR構成を有する。例示的な実施例としてここに開示した一部の実施形態では、方法は、ヒートシンク本体を形成する段階と、ヒートシンク本体上へ熱伝導性層を配置する段階とを含む。そのような一部の実施形態では、形成する段階は、ヒートシンク本体を成形する段階を含む。そのような一部の実施形態では、形成する段階は、成形されたプラスチックヒートシンク本体としてヒートシンク本体を成形する段階を含む。そのような一部の実施形態では、ヒートシンク本体はフィンを含み、配置する段階は、フィンの上に熱伝導層を配置する段階を含む。全てが光の熱放出体である白熱、ハロゲン、及びHID光源の場合には、ランプに近接する大気への熱伝達は、放射性及び対流性熱経路の設計により管理し、それによって光源の作動中の上昇した目標温度を達成する。対照的に、LED光源の場合、光子は熱的に励起されず、むしろ半導体のp-n接合における電子の正孔との再結合により発生される。光源の性能及び寿命の両方は、LEDのp-n接合における作動温度を上昇した目標温度で作動するよりも最小限にすることにより最適化される。フィン又は他の表面積増大構造を有するヒートシンクを提供することにより、放射性及び対流性熱伝達のための表面が増大する。図1において、フィンを有する金属ヒートシンクMBはブロックで概略的に示され、ヒートシンクのフィンMFは破線の長円で概念的に示されている。熱が通り対流及び/又は放射により周囲の大気へ伝達する表面は、ここでは放熱面例えば、フィンMFとして説明されており、LEDデバイスにその安定状態において十分な放熱作用を与えるために、広い面積であることが必要である。放熱面MFから大気への対流及び放射による放熱は、それぞれ熱抵抗Rconvection及び熱抵抗RIRにより、又は熱伝導率で同等にモデル化されている。抵抗Rconvectionは、ヒートシンクの外面から近い大気への自然な又は強制された空気流れによる対流をモデル化している。熱抵抗RIRは、ヒートシンクの外面から離れた大気への赤外線IR放射をモデル化している。また、熱伝導経路図1において、熱抵抗Rspreader及び熱抵抗Rconductorにより示されているは、LEDデバイスLDと放熱面MFとの間で直列となっており、これはLEDデバイスLDから放熱面MFへの熱伝導を表している。この直列熱伝導経路のために熱伝導率が高いので、LEDデバイスLDから近い空気への放熱面を通じた熱放出が、確実に直列熱伝導率によって制限されないようになる。これは、通常はヒートシンクMBをフィン付き又は他の増大された表面積MFを有して放熱面を形成する金属の比較的大きく重いブロックで構成することにより達成される。金属ヒートシンク本体は、LEDデバイスと放熱面の間の望ましい高い熱伝導率を提供する。この設計では、放熱面は本来的に連続的であり、高い熱伝導経路を提供する金属ヒートシンク本体と密接に熱接触している。従って、従来のLEDベースのランプのための放熱は、近い空間に露出した広い面積の放熱面MFを有する金属又は金属合金のブロックを含むヒートシンクMBを含む。金属ヒートシンク本体はLEDデバイスと放熱面の間の高い熱伝導経路Rconductorを提供する。図1の抵抗Rconductorは、ヒートシンク本体MBを通じた伝導をモデル化している。LEDデバイスは、熱スプレッダを有する金属コア回路基板又は他の支持体に取り付けられ、LEDデバイスからの熱は熱スプレッダを通ってヒートシンクに伝導する。これは抵抗Rspreaderとしてモデル化されている。放熱面を通じた大気への放熱抵抗Rconvection及びRIRに加えて、通常、エジソンベース又は他のランプコネクタ又はランプベースLB図1のモデルにおいて破線の円で概略的に示されているを通して、少しの熱放出すなわち、放熱もある。このランプベースLBを通した熱放出は、図1の概略モデルではRsinkで表されており、Rsinkは固体又は熱パイプを通って離れた大気又は建物の基礎施設への伝導を表している。しかし、ここで、エジソンタイプベースの一般的な場合には、ベースLBの熱伝導率及び温度制限は、べースを通した熱フラックスを約1ワットに制限するであろうことを理解すべきである。対照的に、部屋のような内部空間の照明又は戸外照明を意図するLEDベースのランプでは、吸熱すべき熱出力は、通常、約10ワット又はそれより高い。従って、ランプベースLBは主要な放熱経路を提供できないことを理解すべきである。むしろ、LEDデバイスLDからの熱放出は、金属ヒートシンク本体を通した外側の放熱面への伝導に支配され、熱は対流Rconvection及びより少ない程度の放射RIRにより周囲の外気に放熱される。放熱面はフィン付きとすることができ例えば、図1の概略図におけるフィンMF、又はフィンを付けない場合には、その表面積を増大させて放熱性が改善するように変更することができる。そのような放熱にはいくつかの不具合がある。例えば、ヒートシンクMBが作られた金属又は金属合金の体積が大きいので、ヒートシンクは重い。重い金属ヒートシンクでは機械的応力はベース及びソケットに発生して損傷につながり、いくつかの損傷例は電気的な危険をもたらす。そのようなヒートシンクにおける他の問題は製造コストである。バルク金属ヒートシンクの組立ては高価であり、選択する金属よっては材料コストも高くなる。更に、ヒートシンクは時々電子機器のためのハウジングとして、又はエジソンベースの取付けポイントとして、又はLEDデバイス回路基板の支持体としても使用される。これらの使用ではヒートシンクをある程度の精度で組み立てることが必要になり、これも製造コストを上昇させる。本発明者は、図1に示す簡素化した熱モデルを用いてこれらの問題を分析した。図1の熱モデルは、熱インピーダンスの直列-並列回路として代数的に表すことができる。安定状態では、ランプ自体の熱質量又は近い大気中のランプコネクタ、配線及び構造的マウントのような物体の熱質量、全ての過渡的なインピーダンスは、熱的なキャパシタンスとして扱うことができる。過渡的なインピーダンスすなわち、熱的キャパシタンスは、安定状態では、ちょうど直列電気回路では電気的キャパシタンスが無視することができるように無視することができ、必要なのは抵抗を考慮することのみである。LEDデバイスと外気の間の合計熱抵抗Rthermalは、以下の式で表される。ここで、Rsinkはエジソンコネクタ又は他のランプコネクタを通って大気電気配線に至る熱の熱抵抗であり、Rconvectionは放熱面から対流熱伝達により周囲の大気に至る熱の熱抵抗であり、RIRは放熱面から放射熱伝達により周囲の大気に至る熱の熱抵抗であり、はLEDデバイスから熱スプレッダRspreader及び金属ヒートシンク本体Rconductionを通じて放熱面に至る熱の直列熱抵抗である。ここで、の項に対して直列熱経路は放熱面ではなくランプコネクタにつながっているので、対応する直列熱抵抗は正確にはではないことに注意すべきである。しかし、通常のランプではベースコネクタを通る熱伝導率は小さいので、この誤差は無視可能である。実際、ベースを通った放熱を無視した簡素化モデルは、全体として以下のように表される。この簡素化された式は、ヒートシンク本体を通した直列熱抵抗Rconductionは熱モデルを制御するパラメータであることを明らかにしている。実際、それによってヒートシンク本体の直列熱抵抗Rconductionの値が非常に低いバルク金属ヒートシンクMBを採用している従来のヒートシンク設計が正当化される。上述のことを考慮して、直列熱抵抗Rconductionが低く、同時に従来のヒートシンクに比べて重量が低減したかつ望ましくはコストが低減したヒートシンクの実現が望ましいことが分る。これを達成する1つの方法は、ベースを通した放熱Rsinkを高めることであり、それによってこの経路は強化され、10ワット又はそれよりも高い放熱率が得られる。しかし、従来の白熱、ハロゲン、及びHIDランプをLEDランプで置換した換装光源の使用では、置換したLEDランプは、白熱、ハロゲン、及びHIDランプのように設計された従来のベース、ソケット、又は照明器具に取り付けられる。このような結合をすると、建物の基礎施設や離れた大気例えば、接地に対する熱抵抗Rsinkは、Rconvection又はRIRと比べて大きく、その結果対流及び放射による大気への熱経路が支配的になる。更に、LEDアセンブリの作動温度は比較的低い状態で安定しているので、放射経路は通常対流経路により支配される。従って、通常のLEDベースのランプを支配する熱経路はRconductionとRconvectionとの直列熱回路である。従って、ヒートシンクの重量加えて、望ましくはコストを低減しながら、直列熱抵抗を低くすることが望ましい。本発明者は、第1原則による観点から、LEDベースのランプにおける熱除去の問題を注意深く考察した。ここで、特に考察すべきパラメータヒートシンクの体積、伝導率に対するヒートシンクの質量、ヒートシンクの表面積、及びベースを通した伝導性の熱除去及び放熱のうち、設計のための2つの支配的な属性は、LEDとヒートシンクすなわち、Rconductionの間の経路の熱伝導率、及び大気への対流及び放射による熱伝達のためのヒートシンクの外側表面積Rconvection及びRIRに影響するである。消去プロセスにより分析を更に進めることができる。ヒートシンクの体積は、それがヒートシンクの質量及びヒートシンクの表面積に影響する限りにおいてのみ重要である。ヒートシンクの質量は、過渡的な状況で重要であるが、安定状態の熱除去機能には強く影響せず、これは連続的に作動するランプでは、金属ヒートシンク本体の直列抵抗Rconductionは低い限りを除き、重要なことである。PAR、MR、反射器又はA線ランプのような置換ランプのベースを通した放熱経路はピンタイプベースのような他のベースタイプは、対等な又はより少ない熱伝導率を有し易い、より低い電力ランプに対しては重要であるが、エジソンベースの熱伝導率は、大気への約1ワットの放熱を得る上で十分であるに過ぎず、従って、ベースを通した大気への伝導放熱は、市販されているLEDベースのランプに対して重要であるとは予想されておらず、市販のLEDベースのランプではそれは安定状態で数桁高い熱負荷を発生することが予想されている。上述のことに基づいて、図2に示す改良されたヒートシンクは、必ずしも熱伝導性でなくても良い軽量のヒートシンク本体LBと、ヒートシンク本体上に配置され放熱面を形成する熱伝導層CLとを含む。ヒートシンク本体は熱回路の一部ではないが又は任意的に、ヒートシンク本体が熱伝導性であれば副次的な構成要素とすることもできる、ヒートシンク本体LBは、放熱面を形成する伝熱性層CLの形状を形成する。例えば、ヒートシンク本体LBは伝熱性層CLにより被覆されたフィンLFを有してもよい。ヒートシンク本体LBは熱回路の一部ではないので図2に示すように、構造的頑丈性及び軽量性のような生産率及び特性を考慮した設計が可能である。一部の実施形態では、ヒートシンク本体LBは、熱絶縁性又は比較的低い熱伝導性のプラスチックを含む成形プラスチック構成要素である。軽量のヒートシンク本体LB上に配置された熱伝導層CLは放熱面としての機能を果たし、周囲の大気への放熱に関するその性能熱抵抗Rconvection及びRIRにより定量化されるは、図1においてモデル化された従来のヒートシンクのそれと実質的に同じである。しかし、熱伝導層CLは、LEDデバイスから放熱面への熱経路直列の熱抵抗Rconductionにより定量化されるを形成する。これも図2に概略的に示されている。Rconductionの値を十分低くするために、熱伝導層CLは十分に厚くRconductionは厚みの増加に連れて減少するので、かつ材料熱伝導性Rconductionは材料熱伝導性の増加時にも減少するのでは十分に低いことが必要である。熱伝導層CLの材料及び厚みを適切に選択することにより、軽量のかつ可能であれば熱絶縁性のヒートシンク本体LB及びヒートシンク本体上を覆うように配置され放熱面を形成する熱伝導層CLは、同等の寸法及び形状を有し、バルク金属ヒートシンクの放熱特性と同じか又はより優れ、同時に同等のバルク金属ヒートシンクよりも軽量かつ廉価に製造することができる。繰り返すと、単にヒートシンクの性能に依存する大気への放射性/対流性放熱に役立つ表面積のみではなく、放熱層により形成された外面を横切って外気と熱的に連通する熱の熱伝導率すなわち、直列抵抗Rconductionに相当するもヒートシンクの性能を決める。表面伝導率が高くなると、熱の放熱面にわたるより効率的な分配が促進され、従って、大気への放射性及び対流性放熱が促進される。上述のことを考慮して、本明細書に示すヒートシンクの実施形態は、ヒートシンク本体と、このヒートシンク本体上に少なくともその放熱面の上にかつ放熱面を形成するように配置された熱伝導層とを含む。ヒートシンクの材料は、熱伝導層の材料よりも熱伝導率が低い。実際、ヒートシンク本体は断熱性とすることができる。他方、熱伝導層は、i区域を有し、ii厚みを有し、更にiii十分な熱伝導性材料から作られ、大気への十分な放熱面を提供しなければならず、それによってLEDベースのランプのLEDデバイスのp-n半導体接合は、通常は200°Cより低く、時々100°Cよりも低い識別された最大温度か又はそれよりも十分低く維持される。熱伝導層の厚み及び材料熱伝導率は一緒に熱伝導層における熱シート伝導率を定義し、それは電気シート伝導率又は反対に電気シート抵抗に類似している。熱シート抵抗は、で定義され、ρは材料の熱抵抗率であり、σは材料の熱伝導率であり、は熱伝導層の厚みである。熱シート抵抗の適切な単位はK/Wであることが分る。逆にすると、適切なK/Wの単位を有する熱シート伝導率はで表される。すなわち、熱伝導層の厚みと材料熱伝導率σの間に二律背反が生じる。熱伝導率が高い材料の場合には、熱伝導層は薄くすることができ、それによって重量、体積、及びコストが低減される。本明細書に示す実施形態では、熱伝導層は銅、アルミニウム、これらの様々な合金又は他の金属製の層を含む。金属製層は、電気メッキ、真空蒸着、スパッタリング、物理蒸着PVD、プラズマ化学気相蒸着PECVD、又はヒートシンク本体の可塑的な又は他の材料と温度的に両立するように十分に低い温度で作動可能な他の適切な層形成技術により堆積される。いくつかの例示的な実施形態では、熱伝導層は無電解メッキと、これに続く電気メッキとを含むシーケンスによって形成された銅層である。ヒートシンク本体すなわち、熱伝導層を含まないヒートシンクは、熱拡散図2の熱モデルにおいて直列抵抗Rconductionにより定量化されるを行い、しかも放熱面図2の熱モデルにおいて抵抗Rconvection及びRIRにより定量化されるを形成する熱伝導層の形状を限定しない限り、熱除去に強く影響しない。ヒートシンク本体によって得られる表面積は、放射及び対流を通じて引き続き行われる熱除去に影響する。その結果、ヒートシンク本体は、軽量、低コスト、構造的な強度又は頑丈性、熱的頑丈性例えば、ヒートシンク本体は溶融したり過度に軟化することなく、作動温度に耐えなければならない、製造容易性、最大表面積これがひいては熱伝導層の表面積を制御する等の望ましい特性を達成するように選択される。ここに例示した一部の実施形態では、ヒートシンク本体は成形プラスチック要素であり、例えば、ポリメタクリル酸メチル、ナイロン、ポリエチレン、エポキシ樹脂、ポリイソプレン、sbsゴム、ポリジシクロペンタジセン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンサルファイド、酸化フェニレン、シリコーン、ポリケトン、熱可塑性物質等のポリマー材料から作られている。ヒートシンク本体は成形してフィン又は他の熱放射/対流の表面積増大構造を有することができる。コストを最小限にするために、ヒートシンク本体は、ワンショット成形工程で形成されることが望ましく、それによって材料堅さが一様であり、全体を通して一様であり例えば、異なる成形材料を使用する多重成形操作によりヒートシンクを形成し、ヒートシンク本体は材料堅さが一様でなく、全体を通して一様でないのとは反対に、かつ低コスト材料を備えることが望ましい。後者の目的に向けて、ヒートシンク本体の材料は、好ましくはいずれの金属充填材料も含まず、より好ましくはいずれの導電性の充填材料も含まず、より適切にはいずれの充填材料も含まない。しかし、金属充填材又は他の充填材を含むことも考慮され、分散した金属製粒子によりいくらかの熱的伝導性を与え、又は非金属製充填粒子により強化された機械的特性を与えることができる。以下に、いくつかの例示的な実施形態を説明する。図3及び図4において、ヒートシンク10は、MR又はPAR形式のLEDベースのランプに使用するのに適する構造を有する。ヒートシンク10は、上述のプラスチック又は適切な材料で作られたヒートシンク本体12と、ヒートシンク本体12に配置されカーボンナノチューブ層を含む熱伝導層14とを含む。熱伝導層14は、銅層、アルミニウム層、又はこれらの様々な合金のような金属製層とすることができる。一部の実施形態では、熱伝導層14は無電解メッキ及びその後の電気メッキによって形成された銅層を含む。図4で最も良く分るように、ヒートシンク10はフィンを有し、それによって放射及び対流による最高の熱除去を高めている。図示のフィン16の代わりに、多重セグメントフィン、ロッド、マクロ/ナノスケール表面、及び体積特徴部等の他の表面増大構造が採用可能である。例示したヒートシンク本体12は、内面20及び外面22を有する中空でほぼ円錐形状のヒートシンク10を形成する。図3の実施形態では、熱伝導層14は内面20及び外面22の両方の上に配置されている。代替的に、熱伝導層は、図7に示す代わりの実施形態のヒートシンク10’のように外面22の上だけに配置してもよい。図3及び4を引き続き参照し、更に図5及び図6を参照すると、例示した中空でほぼ円錐形状のヒートシンク10は中空の頂部26を含む。LEDモジュール30図6に示すは頂部26に適切に配置され図5に示すように、それによってMR又はPARベースのランプを形成している。LEDモジュール30は1つ又はそれよりも多く例示した実施形態では3つの発光ダイオードLEDデバイス32を含み、発光ダイオードデバイス32は金属コアプリント回路基板MCPCB34に取り付けられ、MCPCB34は、例えば、MCPCB34の金属層を含む熱スプレッダ36を含む。更に、例示したLEDモジュール30はネジ切りされたエジソンベース40を含むが、差込みピン形式のベース、又は豚の尾形状の電気コネクタのような他の形式のベースが、エジソンベース40の代わりに使用可能である。更に、例示したLEDモジュール30は電子機器42を含む。電子機器は図示のような包まれた電子機器ユニット42を含むことができ、又は分離したハウジングなしでヒートシンク10の中空頂部26に配置された電子機器とすることができる。電子機器42は、交流電力例えば、米国住居のための110ボルト、米国産業のための又は欧州のための220ボルト等を通常は低い適切な直流電圧に変換してLEDデバイス32を作動させる電源回路を適切に含む。電子機器42は、任意的に、静放電ESD保護回路、ヒューズ又は他の保護回路、調光回路のような他の構成要素を含むことができる。ここで使用されているように、用語LEDデバイスは、無機又は有機のLEDの裸の半導体チップ、無機又は有機のLEDの封入された半導体チップ、LEDチップパッケージであり、そこではLEDチップが1つ又はそれよりも多くのサブマウント、リードフレーム、表面取付け支持体のような中間要素に取り付けられるLEDチップパッケージ、封入材料例えば、黄色、白色、琥珀色、緑色、オレンジ色、赤色燐光体又は他の協働して白色光を生成する燐光体で被覆した紫外線、紫色又は青色のLEDチップと共に又は関係なく波長変換燐光体コーティングを含む無機又は有機のLEDの半導体チップ、多重チップを有する無機又は有機のLEDデバイス例えば、赤色、緑色及び青色、更に他の色の光をそれぞれ発光する3つのLEDチップを含み、それらを集めて白色を生成する白色のLEDデバイスなどを包含することを理解すべきである。1つ又はそれよりも多くのLEDデバイス32は、白色光ビーム、黄色がかった光ビーム、赤色光ビーム又は所定の点灯に重要な他の実質的にあらゆる色の光ビームを集めるように構成されている。1つ又はそれよりも多くのLEDデバイス32は異なる色の光を発光するLEDデバイスを含むように考慮され、電子機器42は、異なる色のLEDデバイスを独立して作動させるために適切な回路を含み、それによって調整可能な色を出力するように考慮されている。熱スプレッダ36は、LEDデバイス32と熱伝導層14とを熱的に連通する。熱スプレッダ36と熱伝導層14は、半田付け、熱伝導性接着剤、任意的にLEDモジュール30とヒートシンクの頂部26との間で高い熱伝導性パッドで補助された緊密な機械的な装着などの様々な方法で良好に熱的に結合される。図示していないが、熱伝導層14は頂部26の内径表面を覆うように配置され、それによって熱スプレッダ36と熱伝導層14の間に熱的結合を与える又は強化することも考えられる。図7を参照して、適切な製造方法について説明する。本方法では、成形のような適切な方法で初めに操作S1でヒートシンク本体12を形成し、それはプラスチック又は他のポリマー材料から構成される実施形態のヒートシンク本体12の形成に有利である。ヒートシンク本体12を形成する他の方法は、鋳造、押出し筒状のヒートシンクの場合などを含む。操作S2において、成形されたヒートシンク本体の表面は、ポリマー層通常は2から10ミクロン程度を加えることにより、表面を粗くすることにより、又は他の表面処理を使用することより処理される。任意的である表面処理操作S2により、次にメッキされる銅の接着の促進、応力の緩和、及び/又は外気への放熱のための表面積の増大のような様々な機能が果たされる。後者のポイントに対してプラスチックヒートシンク本体の粗面化や凹部の形成により、次に堆積される銅コーティング被膜が粗面又は凹部を辿り、それによって大きなヒートシンク表面が得られる。操作S3において、銅の初期の層が無電解メッキにより堆積される。無電解メッキは、電気的に分離性例えば、プラスチックのヒートシンク本体上に行うことが好ましい。しかし、無電解メッキは堆積速度が遅い。ここに示した設計に関する考慮、特に、十分に低い直列の熱抵抗Rconvectionの配置は、メッキされその厚みが数百ミクロンの銅層の採用動機付けになる。従って、無電解メッキは初期の銅層好ましくは厚みが10ミクロンよりも大きくなく、一部の実施形態では厚みが約2ミクロン又はこれより薄いを堆積させるために使用され、それによって初期の銅層を有するプラスチックヒートシンク本体が導電性になる。初期の無電解メッキ操作S3の次に電気メッキ操作S4を行い、これは銅層厚みの残り、例えば、通常は数百ミクロンを急速に堆積する。電気メッキS4は無電解メッキS3に比べて堆積速度が非常に早い。銅コーティングに関する1つの問題は、それは曇ることがあり、それによってヒートシンクの表面から外気への放熱伝達に反対の影響を与え、また美感的にも望ましくない。従って、任意的な操作S5では、適切な不動態化膜が、例えば、ニッケル、クロム又は白金のような不動態化金属を銅上に電気的にメッキすることにより、銅上に任意的に形成される。不動態化金属の厚みは、堆積した場合、通常10ミクロンより大きくなく、一部の実施形態では、約2ミクロン又はそれより薄い。任意的操作S6も実行することができ、それによって粗面化又は表面保護のような表面強化を与えることができ、又は塗料、ラッカー又はポリマーの薄いコーティング、又は金属酸化物の粉末酸化チタン粉末、酸化アルミニウムの粉末、又はこれらの混合物などのコーティングなどのような望ましい美的外観を与えることができる。これらの表面処理は、ヒートシンクの表面から外界への強化された対流及び/又は放射による熱伝達を強化することを意図している。図8に、様々な形式の銅の通常の材料熱伝導率である材料熱伝導率が200から500W/mKの範囲の熱伝導層の厚みを最適化するためのシュミレーションデータを示すここで使用されているように、銅という用語は、様々な銅合金又は銅の他の変形例を含む意図であることに注意されたい。このシミュレーションにおけるヒートシンク本体の熱伝導率は2W/mKであるが、この値への結果の依存性は弱いことが分っている。図8の値は、長さが0.05m、厚みが0.0015m、幅が0.01mであり、熱伝導層がスラブの両面を被覆している簡素化されたスラブヒートシンクに関する。これは、例えば、プラスチックヒートシンク本体より形成され、厚み200から500W/mKの銅によりメッキされた平坦なフィンのようなヒートシンク部分に対応する場合がある。図8によれば、200W/mKの材料に対して銅の厚みを約350ミクロンとすれば、同等のバルク熱伝導率100W/mKが得られることが分る。対照的に、より大きな熱伝導率500W/mKの材料では、厚みが150ミクロンより薄ければ、同等のバルク熱伝導率100W/mKが得られることが分る。従って、厚みが数百ミクロンのメッキされた銅層は、熱伝導及び引き続く放射及び対流による大気への熱除去に関し、熱伝導率100W/mKの材料で作られたバルク金属ヒートシンクの性能と比較して安定状態性能を得るのに十分である。一般的に、熱伝導層14のシート熱伝導率は十分高くし、それによってLEDデバイス32からの熱が確実に熱放射/対流表面区域を横切って一様に拡散されるようにすべきである。本発明者が行ったシミュレーション図8に示すようなによれば、熱伝導層14の厚み所定の材料の熱伝導率を増加して性能を改良すると、厚みがあるレベルを超えると一旦平坦になる又は、より正確には、性能対厚み曲線はほぼ指数関数的に低下することが分った。作動に関する特別の理論に制限されることなく、これは、より厚い厚みでは、大気への放熱が、熱伝導層を通じた熱伝導Rconductionよりも放射性/対流性熱抵抗Rconvection及びRIRによって制限されるようになるためであると考えられる。他の方法に示したように、直列熱抵抗Rconductionは、より厚い厚みではRconvection及びRIRと比べると無視可能である。図9及び図10は、バルク金属ヒートシンクの熱シミュレーションにおいて材料熱伝導率が上昇した場合の同様の性能の平坦化を示している。図9は、4つの異なる材料熱伝導率、すなわち、20W/mK、40W/mK、60W/mK、及び80W/mKを有するバルクヒートシンクのミュレートされた熱画像によって得られた結果を示している。各シミュレーションに関するLED基板温度Tboardは図9にプロットされている。Tboardの低下は80W/mKにおいて水平になり始めていることが分る。図10は、Tboard対材料熱伝導率をプロットしており、熱伝導率が600W/mKのバルクヒートシンク材料の100から200W/mKにおける実質的な性能の平坦化を示している。作動に関する特別の理論に制限されることなく、これは、より高いバルク材料伝導率では、大気への放熱が、熱伝導層を通じた熱抵抗Rconductionよりも放射性/対流性熱抵抗Rconvection及びRIRによって制限されるようになるためであると考えられる。他の方法に示したように、直列熱抵抗Rconductionは、より高いバルク材料伝導率ではRconvection及びRIRと比べると無視可能である。上述のことに基づいて、いくつかの熟慮した実施形態では、熱伝導層14は、厚みが500ミクロン又はそれより薄く、熱伝導率が50W/mK又はそれより高い。より高い熱伝導率の銅層については、実質的により薄い層が使用可能である。例えば、純粋なアルミニウムは約240W/mKの高い熱伝導率を有するが、一般的な製造工程によって形成された一般的に使用されているアルミニウム合金は、通常、約100W/mKのバルク熱伝導率を有する。図8から、厚みが約150ミクロン又はそれより薄い500W/mKの銅層では、通常のバルクアルミニウムの放熱性能を超える放熱性能が得られることが分る。厚みが約180ミクロン又はそれより薄い400W/mKの銅層では、通常のバルクアルミニウムの放熱性能を超える放熱性能が得られることが分る。厚みが約250ミクロン又はそれより薄い300W/mKの銅層では、通常のバルクアルミニウムの放熱性能を超える放熱性能が得られることが分る。厚みが約370ミクロン又はそれより薄い200W/mKの銅層では、通常のバルクアルミニウムの放熱性能を超える放熱性能が得られることが分る。一般的に、材料の熱伝導率及び層の厚みは、熱シート伝導率を基準にして決める。いくつの実施形態では、熱シート伝導率Ksは、少なくとも0.05W/Kである。発生する熱がより少ないより効率的なLEDライトエンジンとするためには、少なくともKsが0.0025W/Kのようなより低い熱伝導率も考慮すべきである。図11及び図12に、LEDベースのランプの様々な形式に導入可能なヒートシンクの態様を示している。図11は、白熱A線球に適するように改造されたA線球ランプの側面図である。ヒートシンク本体62は構造上の基礎を形成しており、成形プラスチック要素として適切に組み立てられる。プラスチック要素は、例えば、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリメタクリル酸メチル、ナイロン、ポリエチレン、エポキシ樹脂、ポリイソプレン、sbsゴム、ポリジシクロペンタジセン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンサルファイド、酸化フェニレン、シリコーン、ポリケトン、又は熱可塑性などから作られている。熱伝導層64は、例えば、図8の操作S2、S3、S4、S5及びS6と同様の方法で図3から図5及び図7の実施形態に示すMR/PARランプの熱伝導層14のように製造可能である。ランプベース区画66は、ヒートシンク本体62に固定されてランプ本体を形成している。ランプベース区画66は、図3から図5及び図7の実施形態に示すMR/PARランプのエジソンベース40と同様のネジ切りされたエジソンベース70を含む。一部の実施形態では、ヒートシンク本体62及び/又はランプベース区画66は、電子機器不図示を収容する中空区域71を形成しており、電子機器はエジソンベース70で受け取った電力をランプ光を出力するLEDデバイス72を駆動するのに適する作動電力に変換する。LEDデバイス72は、熱伝導層64を通じて熱的に連通している金属コアプリント回路基板MCPCB又は他の熱拡散支持体73上に取り付けられている。熱拡散支持体73とLEDデバイス72との熱的結合は、半田付け、熱伝導性接着剤等によって良好になるように任意的に改善される。広い立体角にわたって実質的に全方位の光出力少なくとも2πステラジアンを得るために、ディフューザ74がLEDデバイス72の上に配置されている。一部の実施形態では、ディフューザ74は例えば、コーティングによって形成された波長変換燐光体を含むことができる。実質的にランバート光出力を生成するLEDデバイス72のために、図示の配置では、ディフューザ74は実質的に球形状であり、ディフューザ74の外周に配置され、それによってLEDデバイス72は出力される照明の全方位性を強化している。図12に示すA線球ランプの変形例は、図11のエジソンベース70及びディフューザ74を含むベース区画66を含むと共に、LEDデバイス72図12の側面図では見えないを含む。図12のランプは図11のヒートシンク62、64に類似したヒートシンク80を含み、このヒートシンク80はヒートシンク本体図12の側面図では見えないを有し、このヒートシンク本体はその上に配置されたカーボンナノチューブ層を含む熱伝導層64図12の側面図ではクロスハッチで示されているで被覆されている。図12のランプは、図11のランプと比べて、ヒートシンク80のヒートシンク本体が、ディフューザ74にわたって延びるフィン82を形成するように成形されている点が異なる。図示のフィン82の代わりに、ヒートシンク本体は他の熱放射/対流/面積増大構造を有するように成形することができる。図12の実施形態では、ヒートシンク80のヒートシンク本体及びディフューザ74は、単一で一体構造のプラスチック要素を備えるように考慮されている。しかし、この場合、単一で一体構造の成形プラスチック要素はディフューザが光を伝達可能なように光学的に透明又は半透明な材料で作らなければならない。また、熱伝導層64がランプ光出力に対して光吸収性である場合例えば、銅の場合のように、図12に示すように、熱伝導層64はヒートシンク本体80のみを被覆し、ディフューザ74をコートすべきでない。これは、例えば、無電解メッキ操作S3の間、ディフューザの表面をマスキングすることによって達成することができる電気メッキ操作S4では、銅の伝導面のみをメッキし、従って、無電解メッキ操作S3の間マスキングすると、ディフューザ74上への電気メッキが十分避けられる。図13及び図14に、代替のヒートシンク80’、80’’を示し、それらは、フィンがディフューザ74を覆うように延びていない点を除いてヒートシンク80と実質的に同じである。これらの実施形態では、ヒートシンク80’、80’’のディフューザ74及びヒートシンク本体は、別々に成形された又は、そうでなければ別々に組み立てられた要素でも良く、それによってヒートシンク本体上に熱伝導層64を配置する工程が簡素化することができる。図15は、図示のようにプラスチックヒートシンク本体を銅メッキしたものを使用して組み立てられた例示的なPAR-38ヒートシンクの重量及び材料コストの計算を同じ寸法及び形状のバルクアルミニウムのヒートシンク本体と比較して示している。この実施例は、300ミクロンの銅でメッキされたポリプロピレン製のヒートシンク本体を仮定している。図15に示す材料コストは単なる見積もりである。重量及び材料コストは共に、同等のバルクアルミニウム製のヒートシンクと比較して約半分になる。製造処理コストの低減を通してコストの更なる低減を期待することができる。図16及び図17において、一部の実施形態では、ヒートシンクはヒートシンク本体の大部分を通過する熱分岐経路を有し、それによって熱伝導が更に強化されている。図16は、熱伝導層を被覆する前にプラスチックで作られたヒートシンク本体100を示し、図17は熱伝導層例えば、銅層104を含むヒートシンク102を示している。図17には示していないが、完成したヒートシンクは、熱伝導層の上に配置され、熱伝導、美感を強化し、又は付加的な/他の利益を与えるための粗面のような表面増大又は金属酸化物の粉末のような白色粉末コーティングなども含むように考えられている。ヒートシンク100は、成形されたプラスチックであること、例えば、ポリメタクリル酸メチル、ナイロン、ポリエチレン、エポキシ樹脂、ポリイソプレン、sbsゴム、ポリジシクロペンタジセン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンサルファイド、酸化フェニレン、シリコーン、ポリケトン、及び熱可塑性物質又はその他のようなポリマー材料から作られることが好ましい。成形されたヒートシンク本体100はフィン106を有し、図14に示すヒートシンク80に類似した形状を有する。しかし、ヒートシンク本体100は、ヒートシンク本体100を貫通する経路110も含む。図17に示すように、熱伝導層104は経路110を形成する表面を覆い、それによってヒートシンク本体100を貫通する熱分岐経路112を形成している。この端部に向けて熱伝導層104を付加するコーティング工程は全方位的でなければならず、また例えば真空蒸着の場合のように影が現れてはならない。図7の電気メッキ工程によれば、例えば、ヒートシンク本体100上への全方位的な好ましいコーティングが得られ、それによって熱分岐経路112が得られる。図17によれば、熱分岐経路112から以下の利益が得られることを理解することができる。円形状の回路基板不図示を含むLED光エンジンの縁部はヒートシンク102の環状の隆起114の上に載っている。熱はこの隆起114から下方及び上方に離れるように伝導する。隆起114から下方に離れるように伝導する熱の一部は、ヒートシンク102の内面に沿ってフィン106に、かつ一般的にはヒートシンク102の内側から離れるように移動する。熱は、ヒートシンク102の外面に向けて周囲に流れてフィン106に至り、又は熱抵抗が高いヒートシンク本体100を貫通して流れる。同様に、長い及び/又は熱的抵抗性の熱流経路には、ヒートシンク本体102の内側に配置されたいずれかの電子機器から流れる熱が流れる。熱分岐経路112は、ヒートシンク本体100の内面及び外面を熱的に結合する高く伝熱性の経路の形成により、長い及び/又は熱的抵抗性の熱流経路の迂回経路を形成している。熱分岐経路112の正確な寸法、形状、及び配置は、熱源例えば、LEDデバイス又は電子機器などの場所及び特徴に基づいて適切に選択される。例示したヒートシンク102では、熱分岐経路112の最上位の環状の列は環状の隆起114をほぼ取り囲み、それによってLEDエンジンで発生する熱のための熱分岐が得られる。熱分岐経路112の2つのより低い環状の列は、ヒートシンク102の内側に配置された電子機器をほぼ取り囲み、それによって電子機器で発生する熱のための熱分岐が得られる。更に、図示の熱分岐経路112は、全方位ランプ例えば、図14参照で適切に使用されるヒートシンク102のためのものとして示しているが、熱分岐経路は、中空で全体として円錐形状のヒートシンク10図3から図5参照のような他の軽量のヒートシンクに適切に含まれてもよい。図2の熱モデルでは、熱分岐経路は、LEDデバイスと放熱面の間の熱伝導経路の熱抵抗Rconductorを全体的に低減している。しかし、熱分岐経路によって表面積が上昇するので、大気への対流性/放射性の熱伝達も上昇する。熱分岐経路を設けると、既に軽量のヒートシンクの全体の重量が更に減少するという別の利益が得られる。しかし、この利点は、経路110を形成するために除去されているヒートシンク本体の材料の質量が、経路110の内側を被覆して熱分岐経路112を形成している付加的な熱伝導層の材料よりも大きいか否かに依存している。図16及び図17の実施形態では、経路110は、熱伝導層104が経路を完全に塞がない又は密封しないように十分大きくなっている。しかし、熱伝導層104を形成するために引き続いて行われる電気メッキ又は他の工程が経路を完全に閉塞又は密封するように経路を十分に小さくすることも考慮されている。熱分岐は、熱伝導率の上昇の停止を除いてこのような閉塞には影響されず、上昇の停止は、熱伝導層の厚みが閉塞に十分な厚みを超えて更に上昇する時に起こる。一方、経路110が、熱伝導層104が経路を完全に塞がない又は密封しないように十分大きい場合例えば、図17の場合のように、熱分岐経路112によって形成される流体伝導経路には、選択的に追加される利点がある。上述のように、1つの利点は、大気への熱対流/放射を改善することができる面積の増大である。別の考えられる利点は、熱分岐経路112の流れ経路が、積極的に駆動される振動部材、回転ファン、又は他のデバイス不図示と協働してオリフィスとして作用し、それによって合成された噴射作用及び/又は冷却空気流れのパターンを通じて積極的な冷却が得られることである。好ましい実施形態を図示して説明した。上記記載を読みかつ理解する時に他への修正及び変形が可能であることは自明である。本発明は、添付した特許請求の範囲又は均等物と調和する限り、それらの修正及び変形を含むと解釈されることを意図している。