被加工基板を支持基板上に接着剤を介して貼着する工程と、前記被加工基板の周縁部をその周縁部に付着する前記接着剤とともに除去する工程と、前記周縁部を除去した被加工基板の前記支持基板と反対側の面を研削する工程とを具備したことを特徴とする基板加工方法。支持基板上に接着剤を介して貼着した被加工基板の周縁部を、その周縁部に付着する接着剤とともに一括して除去する除去手段と、前記周縁部を除去した被加工基板の前記支持基板と反対側の面を研削する研削手段とを具備することを特徴とする基板加工装置。被加工基板を支持基板上に接着剤を介して貼着するにあたり、前記被加工基板の接着面全面に接着剤を塗布し、この接着剤の外周部を除去した後、前記被加工基板を前記支持基板上へ貼着する工程と、前記支持基板上に貼着された被加工基板の前記支持基板と反対側の面を研削する工程とを具備することを特徴とする基板加工方法。被加工基板の一方の主面に接着剤を塗布する手段と、前記被加工基板の周縁部上の接着剤を選択的に除去する手段と前記被加工基板の接着剤塗布側の面に支持基板を貼着する手段と、と、前記被加工基板の前記支持基板と反対側の面を研削する研削手段とを具備することを特徴とする基板加工装置。本発明の目的は、半導体ウエハ等の被加工基板を支持基板に貼り付けるための接着剤による被加工基板表面の汚染や研削装置のダメージ等の問題の発生を防止することができ、ひいては加工基板を用いた製品デバイスの品質及び歩留まりの向上を図ることができる基板加工方法、及び基板加工装置を提供することにある。実施形態の基板加工方法は、被加工基板を支持基板上に接着剤を介して貼着する工程と、前記被加工基板の周縁部をその周縁部に付着する前記接着剤とともに除去する工程と、前記周縁部を除去した被加工基板の支持基板と反対側の面を研削する工程とを具備する。実施形態の基板加工装置は、支持基板上に接着剤を介して貼着した被加工基板の周縁部を、その周縁部に付着する接着剤とともに一括して除去する除去手段と、前記周縁部を除去した被加工基板の前記支持基板と反対側の面を研削する研削手段とを具備する。以下、図面を参照して、実施形態を説明する。なお、以下の図面の記載において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を付しており、重複する説明を省略する。また、以下に説明する実施形態では、いずれも被加工基板が半導体ウエハである場合を例に説明しているが、接着剤で支持基板に貼着して研削加工を行うものであれば、半導体ウエハに限らず種々の基板に広く適用できることはいうまでもない。第1の実施形態図1は、第1の実施形態の基板加工方法の工程を順に示す概略断面図である。本実施形態においては、まず、シリコン等からなる半導体ウエハ10を用意し、その一方の主面表面全面に接着剤を塗布して接着剤層12を形成した後、ガラス、シリコン等からなる支持基板14に貼り付け、貼り合わせ基板16とする図1a。半導体ウエハ10は、特に限定されるものではなく、オリエンテーションフラットを有するものであってもノッチを有するものであってもよい。また、周縁部の形状も特に限定されるものではなく、平面、曲面、またはこれらの組み合わせのいずれで形成されていてもよい図1は、周縁部が曲面で形成されている例を示している。接着剤の塗布は、例えば、半導体ウエハ10を回転させながら接着剤を塗布するスピンコータ等の塗布装置を用いて行うことができる。これにより、例えば、20~50μm程度の厚さの均一な接着剤層12を半導体ウエハ10の一方の主面全面に形成される。このように接着剤層12が形成された半導体ウエハ10をその接着剤層12側を支持基板14に向けて重ね合わせる。これにより、半導体ウエハ10の周縁部に接着剤のフィレット12aが形成された状態で、半導体ウエハ10は支持基板14上に一体に貼り付けられる。次に、上記貼り合わせ基板16を回転させながら、研削ブレード20を用いて、半導体ウエハ10の周縁部とこの周縁部に付着している接着剤とを研削除去する図1b。除去幅は、半導体ウエハ10の形状やその直径、半導体ウエハ10の周縁部に形成されている接着剤フィレット12aの大きさ接着剤の半導体ウエハ10からはみ出している部分の幅等にもよるが、通常、50~1000μm程度、好ましくは、200~600μm程度である。具体的には、例えば、300mm径の半導体ウエハ10に対し、接着剤フィレット12a端から約600μmの幅で研削除去する。このような幅で半導体ウエハ10の周縁部とこの周縁部に付着している接着剤とを研削除去することにより、接着剤に起因する種々の問題、例えば、微小パーティクルや揮発成分による半導体ウエハ表面の汚染、薄化に用いる研削ホイール等の研削装置のダメージ、研削後のダイシングテープとの密着等の問題を解消することができるとともに、半導体ウエハ周縁部のナイフエッジの発生にともなうウエハ割れの問題も解消することができる。この後、周縁部を研削除去した半導体ウエハ10の支持基板14と反対側の主面裏面を研削ホイール等の研削装置を用いて研削し、さらに、必要に応じて、CMP等の研磨処理を行い、目的とする厚さまで薄化する図1c。上記工程で半導体ウエハ10の周縁部に付着している接着剤が完全に除去されず、その一部が残っている場合には、CMPの過程で除去される。なお、半導体ウエハ10の周縁部に接着剤12が一部残っている場合、半導体ウエハ10の裏面の研削に先立って、有機溶剤による除去処理を行うようにしてもよい。この除去処理は、研削中または研削後に行うことも可能である。有機溶剤としては、例えば、NMPN-メチル-2-ピロリドン、メチシレン等を使用することができる。以上説明したように、本実施形態では、半導体ウエハを支持基板に貼り付けた後、半導体ウエハの周縁部とこの周縁部に付着している接着剤とを研削除去するので、従来のように半導体ウエハの周囲にはみ出した接着剤による、半導体ウエハ10表面の汚染や研削に用いる研削ホイール等のダメージ、研削後のダイシングテープとの密着等の問題を解消することができる。また、半導体ウエハの周縁部の研削除去は、従来の半導体ウエハに対するエッジトリミングと同様の効果を有するため、半導体ウエハの厚みを薄くする場合であっても、半導体ウエハに予めエッジトリミングを施さなくとも、ウエハ割れの発生を防止することができ、研削加工における歩留まりを向上させることができる。第2の実施形態図2は、第2の実施形態の基板加工方法の工程を順に示す概略断面図である。本実施形態においては、まず、シリコン等からなる半導体ウエハ10を用意し、その一方の主面表面全面に接着剤を塗布し接着剤層12を形成する図2a。用いる半導体ウエハ10や接着剤の塗布方法については、第1の実施形態と同様である。次に、接着剤層12を形成した半導体ウエハ10を回転させながら、接着剤層12の外周部に研削ブレード20を押し当て、接着剤層12を研削除去する図2b。接着剤層12外周部の除去幅は、半導体ウエハ10の大きさ等にもよるが、通常、50~1000μm程度、好ましくは、200~600μm程度であり、具体的には、例えば、300mm径の半導体ウエハ10に対し、端部から約600μmの幅で除去する。図3は、接着剤層12外周部を除去した後の半導体ウエハ10を接着剤層12側から視た上面図である。図3において、18は、半導体ウエハ10に設けられたノッチを示している。なお、本実施形態では、接着剤層12外周部の除去を研削ブレード20により行っているが、有機溶剤を滴下または塗布し、この滴下または塗布した有機溶剤に接着剤層を溶解させて化学的に除去するようにしてもよい。また、このような化学的方法と研削ブレードによる物理的方法を組み合わせて行うようにしてもよい。有機溶剤としては、例えば、NMP、メチシレン等を使用することができる。また、本実施形態では、接着剤層12のみを研削除去しているが、図4に示すように、半導体ウエハ10部分まで研削するようにしてもよい。このように半導体ウエハ10部分まで研削することにより、後述する支持基板14を物理的に破壊することなくウエハエッジにはみ出した接着剤を除去することができる。これは、特に、ガラス等の洗浄により繰り返し使用する基板材料の場合に有効である。次に、上記半導体ウエハ10をその接着剤層12側を支持基板14に向けて重ね合わせ、ガラス、シリコン等からなる支持基板14に貼り付け、貼り合わせ基板16とする図2c。この後、半導体ウエハ10の支持基板14と反対側の主面裏面を研削ホイール等の研削装置を用いて研削し、さらに、必要に応じて、CMP等の研磨処理を行い、目的とする厚さまで薄化する図2d。本実施形態では、半導体ウエハ10を支持基板14に貼り付ける前に、半導体ウエハ10の表面全面に形成した接着剤層12の外周部を研削除去するので、従来のような半導体ウエハ10の周囲にはみ出した接着剤による、半導体ウエハ10表面の汚染や研削に用いる研削ホイール等のダメージ、研削後のダイシングテープとの密着等の問題を解消することができる。なお、この実施形態では、半導体ウエハ10の厚みを薄く、例えば100μm以下にする場合、半導体ウエハ10の端部にナイフエッジが形成され、ウエハ割れを生じるおそれがある。したがって、このような場合には、半導体ウエハ10として、予めエッジトリミングした半導体ウエハを用いることが好ましい。以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、接着剤で支持基板に貼り付けた半導体ウエハを研削する際、接着剤が半導体ウエハの周囲にはみ出していないため、研削ホイール等の研削装置が接着剤を研削することはなく、研削装置の接着剤によるダメージ、それに伴う寿命特性の低下を防止することができる。また、研削後の半導体ウエハの周囲に接着剤が残存しないため、微小パーティクルや揮発成分によるウエハ表面の汚染の問題が生ずることもない。さらに、研削後、半導体ウエハにダイシングテープを貼り付けて支持基板から剥離する際も、半導体ウエハの周囲に接着剤が存在しないため、ダイシングテープが接着剤に接着して支持基板が剥離しにくくなることもない。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。