"シリコン単結晶基板表面にテクスチャ構造を有する太陽電池であって、該基板の表面近傍にシリコン単結晶基板作製時のスライス加工履歴に基づくダメージ層を有することを特徴とする太陽電池。前記ダメージ層の深さが0.2~5μmであることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。前記シリコン単結晶基板は、{100}面が主表面であることを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池。表面にシリコン単結晶基板作製時のスライス加工履歴に基づくダメージ層を有するシリコン単結晶基板に対し、化学的エッチングによりテクスチャを形成する工程と、p-n接合を形成する工程と、電極を形成する工程とを含み、テクスチャ形成を、前記シリコン単結晶基板作製時のスライス加工履歴に基づくダメージ層を残存させてテクスチャ形成後の基板表面近傍に該ダメージ層が存在するように行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。前記テクスチャ形成後のダメージ深さが0.2~5μmとなるようにテクスチャを形成することを特徴とする請求項4記載の太陽電池の製造方法。前記シリコン単結晶基板は主表面が{100}面であり、前記化学的エッチングをアルカリ性水溶液を用いて異方性エッチングを行うことにより、前記テクスチャ構造を4つの{111}面に囲まれた正四角錘状の突起の集合体として形成することを特徴とする請求項4又は5記載の太陽電池の製造方法。前記シリコン単結晶基板の表面を化学的エッチングするアルカリ性水溶液が、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウムのいずれかを含む水溶液であることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。そこで、本発明の課題は、工数を増やすことなく、極めて能率的に、優れたバルクライフタイムを有する高品質で変換効率をより向上できる太陽電池及びその製造方法を提供することにある。本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、シリコン単結晶インゴットのスライスにより得られるシリコン単結晶基板表面に形成されているスライス時のダメージ層を化学的に完全に除去せず、テクスチャ形成後も基板に好ましくは0.2~5μmの当該ダメージ層を含ませることが有効であることを見出した。即ち、従来、かかるシリコン単結晶基板作製時のスライス加工履歴に基づくダメージ層は、これを完全に除去しないと表面再結合速度が増大し、太陽電池特性が低下するという欠点を生じると考えられ、従って、テクスチャ形成はスライス時に生ずるダメージ層をアルカリ性水溶液で除去した後になされていた。この場合のスライス時に生じる加工ダメージ層は10μm以上と厚く、該ダメージ層がほぼ完全に除去されるまで深い化学的エッチングが施される。本発明者らの鋭意研究の結果によると、意外なことに、スライス加工履歴に基づくダメージ層を完全に除去しきらず、基板にあえて0.2~5μmのダメージ層を残すことでゲッタリング効果が増大し、バルクライフタイムが改善され、太陽電池のセル特性が向上することが判明した。なお、上記特許文献3にもテクスチャ形成前にダメージ層を形成することが開示されているが、これはスライスによるダメージとは別の機械的加工履歴に基づく新たなダメージを導入することにより、一次ダメージ層よりも薄い二次ダメージ層を形成し、該二次ダメージ層に異方性エッチングを施すことによりテクスチャ構造を形成し、該テクスチャ構造上に受光面側電極を形成するもので、スライス加工履歴に基づくダメージ層を完全にエッチング除去した後に新たに別のダメージ層を設けるものであるから、かなりの手間を要し、また二次ダメージ層の厚さ制御も注意を要するものである。これに対し、本発明のテクスチャ形成後に残るダメージ層はもともとのスライス加工時のものであるから、別途ダメージ層を形成する必要もなく、上述したように、従来、表面再結合速度を低下させるために除去すべきとされたスライス加工時のダメージ層をわずかに残すだけでバルクライフタイムの改善がなし得たものである。従って、本発明は下記の太陽電池及びその製造方法を提供する。請求項1:シリコン単結晶基板表面にテクスチャ構造を有する太陽電池であって、該基板の表面近傍にシリコン単結晶基板作製時のスライス加工履歴に基づくダメージ層を有することを特徴とする太陽電池。請求項2:前記ダメージ層の深さが0.2~5μmであることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。請求項3:前記シリコン単結晶基板は、{100}面が主表面であることを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池。請求項4:表面にシリコン単結晶基板作製時のスライス加工履歴に基づくダメージ層を有するシリコン単結晶基板に対し、化学的エッチングによりテクスチャを形成する工程と、p-n接合を形成する工程と、電極を形成する工程とを含み、テクスチャ形成を、前記シリコン単結晶基板作製時のスライス加工履歴に基づくダメージ層を残存させてテクスチャ形成後の基板表面近傍に該ダメージ層が存在するように行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項5:前記テクスチャ形成後のダメージ深さが0.2~5μmとなるようにテクスチャを形成することを特徴とする請求項4記載の太陽電池の製造方法。請求項6:前記シリコン単結晶基板は主表面が{100}面であり、前記化学的エッチングをアルカリ性水溶液を用いて異方性エッチングを行うことにより、前記テクスチャ構造を4つの{111}面に囲まれた正四角錘状の突起の集合体として形成することを特徴とする請求項4又は5記載の太陽電池の製造方法。請求項7:前記シリコン単結晶基板の表面を化学的エッチングするアルカリ性水溶液が、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウムのいずれかを含む水溶液であることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。本発明の太陽電池の製造方法によると、テクスチャ上に残されたダメージ層に導入されている結晶欠陥が不純物原子のゲッタリングサイトとして機能するので、少数キャリアライフタイムバルクライフタイムが長くなり、変換効率の向上に寄与する。なお、形成されるダメージ層の深さは0.2~5μmが望ましい。5μmを超えると、ダメージ層が表面再結合速度増大の原因となり太陽電池の特性低下につながる。また、ダメージ層の深さが0.2μm未満ではゲッタリング効果が不十分となる場合がある。シリコン単結晶基板は主表面が{100}面とすることができる。そして、異方性エッチングをアルカリ性水溶液を用いて行うことにより、テクスチャ構造を4つの{111}面に囲まれた正四角錘状の突起の集合体として高効率に形成することができ、また、反射防止効果も良好である。ダメージ層はスライス加工履歴に基づいたものを用いることができる。この場合、新たにダメージを付与する必要がないため工数は増加しない。なお、ダメージ層とは、シリコン結晶は理論的には正しいシリコン原子の配列であるが、スライス加工のワイヤーソー等によって生じる転位欠陥や割れ、カケを多く含んだ層である。本発明によれば、シリコン単結晶基板表面近傍に存する基板作製時のスライス加工履歴に由来するダメージ層は、ゲッタリングサイトとして機能し、基板の少数キャリアのライフタイム向上に寄与する。この効果により太陽電池特性は飛躍的に向上する。また、新たにダメージを付与するのではなく、スライスによるダメージを利用するため工数は増加しない。以下、本発明に係る太陽電池の構造について、図面を参照しながら説明する。但し、本発明は、この構造を持った太陽電池に限られるものではない。図1において、太陽電池100は、例えばホウ素をドーパントとしたp型シリコン単結晶基板以下、単に基板ともいう1の第一主表面側受光面側に、n型のエミッタ層42が形成され、基板面内方向にp-n接合部48が形成されている。p-n接合の形成には、p型シリコンに対してn型層を形成した構造、あるいは、逆にn型シリコン基板に対してp型層を形成する構造としてもよい。構造的には違いがないため、以下、p型基板について述べる。エミッタ層42の主表面には、受光面側電極5が形成されている。エミッタ層42は太陽電池の受光面を形成するので、p-n接合部48への光の入射効率を高めるために、受光面側電極5は、AlあるいはAg等により、内部抵抗低減のため適当な間隔で形成された太いバスバー電極と、そのバスバー電極から所定間隔で櫛型に分岐するフィンガー電極とを有するものとして構成できる。そして、エミッタ層42の受光面側電極5の非形成領域が、受光面側絶縁膜43にて覆われている。他方、基板1の第二主表面裏面は、裏面側絶縁膜46にて覆われてなり、当該裏面側絶縁膜46の全面がAl等からなる裏面電極4により覆われている。該裏面電極4は、該裏面側絶縁膜46を貫通する通電部コンタクトホール46hを介して基板1の裏面と導通してなる。なお、図中47は反射防止膜SiNx膜である。また、基板1の構成材料であるシリコン単結晶は、波長400~1,100nmの領域で、6.00~3.50の大きな屈折率を持つため、太陽光線が入射したときの反射損失が問題となる。そこで、基板1表面には、図2に示すように、外面が{111}面の多数の四角錘状の突起からなるテクスチャ構造が形成されている。以下、本発明の太陽電池の作製方法を図3を用いて説明する。但し、本発明は、この方法で作製された太陽電池に限られるものではない。ホウ素あるいはガリウム等のIII族元素をドープし、比抵抗0.1~5Ωcmとしたシリコン単結晶から、主表面{100}面のp型シリコン単結晶基板1を、外周刃ソー、内周刃ソー、バンドソー、マルチバンドソー、マルチワイヤーソー等のワイヤーソーによるスライスにより切り出す[図3A:工程1]。シリコン単結晶は、ホウ素あるいはガリウム等のIII族元素をドープしたp型シリコン単結晶でも、リンあるいは砒素等のV族元素をドープしたn型シリコン単結晶のどちらを用いても構わない。本明細書では、p型基板の場合について述べるが、n型基板の場合でもエミッタ層を形成する際にnとpを反転して考えればよく何ら問題ない。単結晶シリコン基板は、FZFloatingZoneMelting法及びCZCzochralski法のいずれを用いて作製してもよいが、機械的強度の面から、CZ法で作製されるのが望ましい。このスライスにより、基板1の両主表面には深さ10μmを超えるダメージ層2が形成される。引き続き工程2に進み、ダメージ層2の除去及びテクスチャ構造3の形成を行う[図3B]。ダメージ層2の除去及びテクスチャ構造3の形成は、加熱した水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ性水溶液濃度0.1~20質量、温度60~100°C中に基板1を10~30分程度浸漬して基板表面を異方性エッチングすることにより行われる。なお、上記溶液中に適量の2-プロパノールを溶解させると、エッチング反応を促進することができる。この際、ダメージ層はあえて完全に除去せず、基板に0.2~5μm程度のダメージ層を残存させる。残存するダメージ層の深さは、エッチング液への浸漬時間及びエッチング液の温度により制御することができる。ダメージ層深さは、基板表面を5°程度の傾斜をつけて研磨アングルポリッシュすることで顕微鏡又は走査型電子顕微鏡SEMで観察することができる。また、砥粒で表面研削したシリコン基板を段階的に化学エッチング除去し、X線トポグラフィで評価することにより、ダメージ層の密度及び深さを推定することができる。これらの方法により受光面に深さ0.2~5μmの微細なダメージ層2を含んだテクスチャ構造3が形成される。このダメージ層2がゲッタリングサイトとして機能し、該ゲッタリングにより不純物をダメージ層2に濃化させることにより、基板1の少数キャリアライフタイムバルクライフタイムを向上させることができ、太陽電池の変換効率の向上に寄与する。特に、太陽電池グレードのシリコン基板を用いた場合には、顕著にライフタイムが向上する。ダメージ深さは、浅すぎると、上記の効果が発現しない場合があり、また、深すぎると、ダメージ層が表面再結合速度増大の原因となる可能性があり、太陽電池特性の低下を招く場合がある。テクスチャ構造を形成後の基板1は、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸もしくはこれらの混合液からなる酸性水溶液中で洗浄される。経済的及び効率的見地から、塩酸中での洗浄が好ましい。洗浄度を向上させるため、塩酸溶液中に1質量以上5質量以下の過酸化水素水を混合し、60°C以上90°C以下に加熱して洗浄してもよい。この基板1の受光面上に、オキシ塩化リンを用いた気相拡散法によりエミッタ層42図1を形成する。第二主表面以下、裏面と称するへの拡散を防ぐため、裏面同士を重ね合わせ、2枚一組で拡散ボートに並べて気相拡散するのが好ましい。具体的には、オキシ塩化リン雰囲気中で、820~880°Cで数十分熱処理し、受光面にn型層を形成する。形成したエミッタ層深さは0.2μm以上0.5μm以下、シート抵抗は40Ω/□以上150Ω/□以下が好ましい。その後、拡散反応により基板1の第一主表面上に形成されたリンガラスを、2質量以上5質量以下のフッ酸中に数分浸漬して除去する。なお、n型基板を用いた際は、例えば900~1,000°Cで数十分間BBr3を気相拡散することによりp型エミッタ層を形成することができる。次に、工程3に示すように、基板1の第二主表面に窒化珪素をはじめ、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化セリウム、アルミナ、二酸化錫、二酸化チタン、フッ化マグネシウム、酸化タンタル等からなる裏面側絶縁膜46図1:図3では図示省略を形成する。例えば窒化珪素膜をプラズマCVD装置を用いて85~105nm程度製膜する。そして、コンタクトホール46h図1:図3では図示省略をフォトリソグラフィー、機械研削、あるいはレーザーアブレーション等の方法によって開口した後、更に裏面電極4を0.5μm以上5μm以下の厚さにて形成する[図3C]。電極材料には銀や銅等の金属が用いられるが、経済性、加工性、シリコンとの接触性の観点からアルミニウムが最も好ましい。金属の堆積は、スパッタリング法、真空蒸着法、スクリーン印刷法等のいずれの方法でも可能である。この後、工程4に示すように、基板1の第一主表面に受光面側絶縁膜43図1:図3では図示省略及び受光面側電極5の形成を行う[図3D]。受光面側絶縁膜43は反射防止膜の役割を兼ね、酸化シリコン、窒化シリコンをはじめ、酸化セリウム、アルミナ、二酸化錫、二酸化チタン、フッ化マグネシウム、酸化タンタル等で構成できる。また、これらを2種以上組み合わせた積層構造としてもよい。受光面側絶縁膜43は、PVDPhysicalVaporDeposition:スパッタリング等法あるいはCVDChemicalVaporDeposition法のいずれの方法でも形成可能であり、高変換効率の太陽電池を作製するためには、窒化珪素をリモートプラズマCVD法で形成したものが、小さな表面再結合速度が達成可能であり、好ましい。また、受光面側電極5は蒸着法、スパッタリング法、メッキ法、印刷法等で作製可能である。いずれの方法を用いても構わないが、低コストで高スループットのためには、印刷法が好ましい。銀粉末とガラスフリットを有機物バインダと混合した銀ペーストを、スクリーン印刷した後、熱処理により窒化シリコン膜に銀粉末を貫通させファイアースルー、受光面側電極5とエミッタ層42とを導通させる。なお、受光面及び裏面の処理の順序は逆であっても、何ら問題ない。以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。以下、本発明の効果を確認するために行った実験結果について説明する。まず、厚さ200μmのBドープのp型シリコン基板主表面{100}面、スライス上がりを用意し、82°Cに加熱した2.2質量の水酸化ナトリウム水溶液に基板を浸漬させ、異方性エッチングすることによりテクスチャ層の形成を行った。この際、基板を7μm程度エッチング13分間浸漬し、ダメージ層約1μmを残存させたもの10枚と、12μm程度エッチング30分間浸漬し、ダメージ層を完全に除去したもの10枚を作製した。次に、これらの基板に対し、オキシ塩化リン雰囲気下、850°Cで熱処理し、エミッタ層を形成した。これらの基板のバルクライフタイムを出発時、エミッタ層形成後に測定した結果を表1に示す。出発時、及び、熱拡散工程後ともにバルクライフタイムは、ダメージ層を残存させた7μm程度エッチングした基板の方が、ダメージ層を完全に除去した12μm程度エッチングした基板に比べ、高い値を示した。これは、残存しているダメージ層によるゲッタリングに由来する効果である。この後、プラズマCVD法を用いて窒化珪素膜を形成し、フィンガー電極及びバスバー電極からなる受光面側電極と裏面電極をスクリーン印刷法により形成することにより太陽電池を作製した。なお、受光面電極材料には銀粉末とガラスフリットを混合した銀ペーストを、裏面電極材料にはアルミニウムペーストを用いた。そして、ソーラーシュミレーターを用い、標準条件下照射強度:100mW/cm2、AM:1.5、温度25°Cでこれらの太陽電池の電流-電圧特性を測定し、変換効率を求めた。結果を表2に示す。ダメージ層を残存させた7μm程度エッチングした基板のものは、短絡電流、開放電圧ともに、ダメージ層を完全に除去した12μm程度エッチングした基板に比べ、高い値を示している。これは、ダメージ層によるゲッタリング効果に由来する効果である。本発明による方法により、高効率の太陽電池が作製できることがわかった。"