TNTFT型またはIPS型液晶表示素子用の光抜け変化防止表面処理スペーサであって、キシレンにて加温条件で抽出した場合の標準物質に対する抽出物の抽出量が400以下であることを特徴とする、液晶表示素子用スペーサ。一対の基板、これら基板の間に設けられている液晶、および前記基板の間隙を制御するための請求項1記載のスペーサを備えていることを特徴とする、TNTFT型またはIPS型液晶表示素子。しかしながら、この様な長鎖アルキル基等を導入したスペーサでは、光抜け性能に良好な性能は示すが、スペーサ間の直線状に異常な配向が繋がる糸状のドメインが発生することがあった。糸状のドメインはTNTFT型、およびIPS型液晶表示素子においては初期状態及び信頼性試験後に発生していた。このような現象は知られておらず、従ってその原因も指摘されていない。例えば前記した特許文献1~7においても、TN型TFT液晶表示装置における糸状ドメインという現象は記載されておらず、知られていない。本発明の課題は、TNTFT型またはIPS型液晶表示素子用の光抜け変化防止表面処理スペーサにおいて発生する糸状ドメインを抑制できるようなスペーサを提供することである。本発明は、TNTFT型またはIPS型液晶表示素子用の光抜け変化防止表面処理スペーサであって、キシレンにて加温条件で抽出した場合の標準物質に対する抽出物の抽出量が400以下であることを特徴とする、液晶表示素子用スペーサに係るものである。また、本発明は、一対の基板、これら基板の間に設けられている液晶、および基板の間隙を制御するための前記スペーサを備えていることを特徴とする、TNTFT型またはIPS型液晶表示素子に係るものである。本発明者は、TNTFT型またはIPS型液晶表示素子用の光抜け変化防止のための表面処理がなされたスペーサにおいて、糸状ドメインの抑制という課題解決のために鋭意検討をした結果、キシレンにて加温条件で抽出した場合に標準物質に対する抽出物の抽出量を400以下にすることによって、スペーサ間に糸状に繋がるドメインの発生を抑えることに成功した。実施例1ナトコスペーサーKXDA41010gにキシレン40gを一括しこみで130°C、窒素下で60分洗浄、ろ過を行い、これを合計4回繰り返すことによって粒子Aを得た。比較例1ナトコスペーサーKXDA41010gにキシレン40gを一括しこみで130°C、窒素下で60分洗浄、ろ過を行い、粒子Bを得た。比較例2積水化学株式会社製EX00425ACを比較例として使用した。ナトコスペーサーKXDA41010gにキシレン40gを一括しこみで130°C、窒素下で60分洗浄、ろ過を行い、これを合計2回繰り返すことによって粒子Dを得た。けん化度が88のポリビニルアルコール日本合成化学工業社製、GH20の3水溶液800重量部に、テトラメチロールメタンテトラメタクリレート60重量部、ジビニルベンゼン40重量部及び過酸化ベンゾイル2重量部の混合液を加えてホモジナイザーにて撹拌して粒度調整を行った。次いで、撹拌しながら窒素気流下にて80°Cまで昇温し、15時間反応を行った後、熱イオン交換水及びメタノールにて洗浄後分級操作を行い、平均粒径50μm、標準偏差29の重合体粒子を得た。この重合体粒子に、メタクリロイルイソシアナート30トルエン溶液3g、メチルエチルケトン20gを一括に仕込み、20~25°Cで30~60分反応させることによって表面に重合性ビニル基を有する重合体粒子Eが得られた。表面に重合成ビニル基を有する重合体粒子E1gに重合開始剤01g、メチルエチルケトン10g、長鎖アルキルを含む重合性ビニル単量体5gを一括に仕込み、窒素気流下80°Cで2~3時間反応させ、ろ過にて取り出し、洗浄せずに乾燥させることによって粒子Fを得た。粒子Fをアセトンにて超音波分散洗浄を15分行い、ろ過を行いこれを3回繰り返すことによって粒子Gを得た。実施例3粒子Fをメチルエチルケトンにて超音波分散洗浄を15分行い、ろ過を行いこれを3回繰り返すことによって粒子Hを得た。実施例4ナトコスペーサーKXDA41010gにキシレン40gを一括しこみで130°C、窒素下で60分洗浄、ろ過を行い、これを合計3回繰り返すことによって粒子Iを得た。比較例6ナトコスペーサーKXDA46010gにキシレン40gを一括しこみで130°C、窒素下で60分洗浄、ろ過を行い、これを合計2回繰り返すことによって粒子Jを得た。実施例5粒子J10gにキシレン40gを一括しこみで130°C、窒素下で30分洗浄、ろ過を行い、粒子Mを得た。実施例6ナトコスペーサーKXDA46010gにキシレン40gを一括しこみで130°C、窒素下で60分洗浄、ろ過を行い、これを合計3回繰り返すことによって粒子Nを得た。比較例7表面処理なし粒子としてナトコスペーサーKD410を粒子Oとした。耐衝撃光抜け防止機能評価日産化学製SE610を塗布し、ラビング強度620でラビングを行ったラビング基板に粒子をそれぞれ散布し、簡易セルを作成し、メルク製MLC6614を液晶として用い、液晶を注入した後、130°Cにて30分アニール処理を行った後、配向規制力の初期状態を評価した。その後、パネルに木槌で衝撃を100回与え、同様に配向規制力を評価し、光抜けの形状強さの変化の有無を確認した。光抜け変化の有無は以下のように判定し、○×で示した。○:変化がなかった:衝撃の前後で粒子の周りの光抜けの形状輝度に変化がない図1参照。×:変化があった:衝撃の前後で粒子の周りの光抜けの形状輝度に変化がある図2参照。この結果、粒子O表面処理なし粒子に関しては光抜け防止機能を有しておらず、今回の該当粒子から除外される。内部標準物質としてポリスチレン東ソー株製TSK標準ポリスチレンF2Mw=167×104002gをキシレンキシダ化学特級100gに溶解し、抽出液Cとした。粒子A2gと抽出液C5gをアンプルに入れ封入し、タッチミキサーにて1分間分散した後、130°Cにて16時間抽出を行った。得られた抽出液をPTFEメンブランフィルターにてろ過し、ろ過によって得られた液をPGCMSシステムにて測定し、各リテンションタイムのピークの由来物質をMSにて帰属し、各モノマーのピーク面積の総量を内部標準物質の面積に対する数値で除して抽出量とした。この時、内部標準物質の面積計算についてスチレン分解物のダイマーなどは計算に入れず、分解モノマーのみの面積を使用した。粒子Bについても同様に処理を行った。PGCMSシステムの仕様は以下のとおりである。熱分解炉:FRONTIERLABORATORIESLTDDoubleShotPyrolyzerPY2020DGCMS:Agilent6890AGCAgilent5973NMSDカラム:FRONTIERLABORATORIESLTDUltraALLOYCapillaryColumnUltraALLOY5Length:30mID:025mmFilm:025μmGC条件温度条件:70°C×5min→20°Cminで300°Cまで昇温し、保持ガス流量:1mlmin熱分解炉温度:550°C初期糸状ドメイン評価日産化学製SE7492を塗布し、ラビング強度222でラビングを行ったラビング基板に粒子をそれぞれ散布し、簡易セルを作成し、メルク製MLC13200100を液晶として用い、液晶を注入した後、120°Cにて1時間アニール処理を行った後、ドメインの発生状況を評価した。発生量に応じてドメインレベルを決定した。ドメインレベルは5>4>3>2>1>0の順に発生しやすい順になっており、ドメインレベル0で発生量は0となる。高温糸状ドメイン評価日産化学製SE7492を塗布し、ラビング強度222でラビングを行ったラビング基板に粒子をそれぞれ散布し、簡易セルを作成し、メルク製MLC13200100を液晶として用い、液晶を注入した後、120°Cにて1時間アニール処理を行った後、130°Cにて16時間加熱促進試験を行った後、ドメインの発生状況を評価した。発生量に応じてドメイン発生レベルを決定した。ドメイン発生レベルは5>4>3>2>1>0の順に発生しやすい順になっており、ドメイン発生レベル0で発生量は0となる。ここで、各ドメイン発生レベルの基準を示す。0ドメインの発生量が01パネル内にある粒子総数に対して、ドメインの数が1未満2パネル内にある粒子総数に対して、ドメインの数が1~53パネル内にある粒子総数に対して、ドメインの数が5~154パネル内にある粒子総数に対して、ドメインの数が15~255パネル内にある粒子総数に対して、ドメインの数が25以上また、図3~図8にドメイン発生レベル0~5に対応した各表示画面を示す。各図面において、上側はスペーサの配置位置を示す模式図であり、下側は各表示画像の写真である。図3、図4、図5、図6、図7、図8は、それぞれ、ドメイン発生レベル0、1、2、3、4、5に対応している。前述の各実施例、比較例のスペーサについて、前記の抽出量測定および初期および高温ドメインレベルの評価を行い、評価結果を表2に示した。この結果からわかるように、前記抽出量が400以下であると、初期ドメインレベル、高温ドメインレベルともにゼロになっており、極めて高品位な画面を提供できている。この観点からは、前記抽出量が393以下であることが更に好ましい。