"圧電振動片の励振電極を気密封止する圧電振動デバイスにおいて、前記圧電振動片の励振電極を気密封止する複数の封止部材が設けられ、前記複数の封止部材に、それぞれ接合層が形成され、前記複数の封止部材の少なくとも1つに堤部が設けられ、前記堤部の天面に前記接合層が形成され、前記複数の封止部材がそれぞれの前記接合層を介して接合されて、金属間化合物を含む接合材が形成された圧電振動デバイス。圧電振動片の励振電極を気密封止する圧電振動デバイスにおいて、前記圧電振動片の励振電極を気密封止する複数の封止部材が設けられ、前記圧電振動片と前記複数の封止部材とに、それぞれ接合層が形成され、前記圧電振動片と前記封止部材との少なくとも1つに堤部が設けられ、前記堤部の天面に前記接合層が形成され、前記圧電振動片と前記複数の封止部材とが、それぞれの前記接合層を介して接合されて、金属間化合物を含む接合材が形成された圧電振動デバイス。請求項1または2に記載の圧電振動デバイスにおいて、前記接合層、前記接合層が形成された前記封止部材の接合部位、または前記接合層が形成された前記圧電振動片の接合部位が凸状に形成された圧電振動デバイス。請求項1または2に記載の圧電振動デバイスにおいて、前記接合層が形成された前記封止部材の接合部位、または前記接合層が形成された前記圧電振動片の接合部位が凸状に形成され、前記凸状に形成された前記封止部材の接合部位または前記圧電振動片の接合部位は、当該封止部材または当該圧電振動片と同じ材料からなる圧電振動デバイス。請求項1乃至4のうちいずれか1つに記載の圧電振動デバイスにおいて、前記圧電振動片と前記封止部材との少なくとも1つの、前記接合層が形成された接合面は、平坦面とされ、前記接合面が平坦面とされた前記接合層は、前記接合面の外周に沿って形成され、前記堤部の天面と前記接合面の外周とにおいてそれぞれの前記接合層が接合された圧電振動デバイス。請求項1乃至5のうちいずれか1つに記載の圧電振動デバイスにおいて、前記金属間化合物は、前記接合材内に偏在して形成された圧電振動デバイス。請求項6に記載の圧電振動デバイスにおいて、前記金属間化合物は、前記封止部材同士、または前記封止部材と前記圧電振動片とを接合する前記接合材の両端に亘って形成された圧電振動デバイス。請求項1乃至7のうちいずれか1つに記載の圧電振動デバイスにおいて、前記接合材の両端間の最も狭いギャップに、前記金属間化合物が偏在して形成された圧電振動デバイス。請求項8に記載の圧電振動デバイスにおいて、前記最も狭いギャップは、3~20μmである圧電振動デバイス。請求項1乃至9のうちいずれか1つに記載の圧電振動デバイスにおいて、前記接合層は、CuとSnとを含む圧電振動デバイス。圧電振動片の励振電極を気密封止する圧電振動デバイスにおいて、前記圧電振動片の励振電極を気密封止する複数の封止部材が設けられ、前記複数の封止部材が、金属間化合物を含む接合材により接合された圧電振動デバイス。圧電振動片の励振電極を気密封止する圧電振動デバイスにおいて、前記圧電振動片の励振電極を気密封止する複数の封止部材が設けられ、前記圧電振動片と前記複数の封止部材とが、金属間化合物を含む接合材により接合された圧電振動デバイス。請求項1に記載の圧電振動デバイスの製造方法において、前記複数の封止部材のうち一封止部材に、前記Sn-Cu層を最上層とする前記接合層を形成し、前記一封止部材と接合する他の前記封止部材に、前記Sn-Cu層よりも面積が小さい前記Cu層を最上層とする前記接合層を形成し、前記Sn-Cu層と前記Cu層とを加熱接合する圧電振動デバイスの製造方法。特許文献1に示すような圧電振動デバイスでは、上記のようにベースと蓋とが半田を用いて接合されている。そのため、圧電振動デバイスをプリント基板などの上に載せる際のリフローソルダリング時に、半田が溶融し、半田がパッケージの内部空間やパッケージ外に流れ出すことがあり、この場合、パッケージの内部空間の圧電振動片を気密封止することができない。そこで、上記課題を解決するために、本発明は、リフローソルダリング時の溶融温度に耐えることができる接合材を用いた圧電振動デバイス、およびその製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動デバイスは、圧電振動片の励振電極を気密封止する圧電振動デバイスにおいて、前記圧電振動片の励振電極を気密封止する複数の封止部材が設けられ、前記複数の封止部材に、それぞれ接合層が形成され、前記複数の封止部材の少なくとも1つに堤部が設けられ、前記堤部の天面に前記接合層が形成され、前記複数の封止部材がそれぞれの前記接合層を介して接合されて、金属間化合物を含む接合材が形成されたことを特徴とする。本発明によれば、前記圧電振動片の励振電極を気密封止する前記複数の封止部材が設けられ、前記複数の封止部材に、それぞれ前記接合層が形成され、前記複数の封止部材の少なくとも1つに前記堤部が設けられ、前記堤部の天面に前記接合層が形成され、前記複数の封止部材がそれぞれの前記接合層を介して接合されて、前記金属間化合物を含む接合材が形成されるので、半田と比べて溶融温度が高い前記金属間化合物を含む前記接合材によって、前記複数の封止部材の接合を行うことになる。その結果、リフローソルダリング時であっても前記金属間化合物が溶融することなく、リフローソルダリング時の溶融温度に耐えて、前記金属間化合物によって前記複数の封止部材による前記圧電振動片の励振電極の気密封止を保つことが可能となる。または、上記の目的を達成するため、本発明にかかる他の圧電振動デバイスは、圧電振動片の励振電極を気密封止する圧電振動デバイスにおいて、前記圧電振動片の励振電極を気密封止する複数の封止部材が設けられ、前記圧電振動片と前記複数の封止部材とに、それぞれ接合層が形成され、前記圧電振動片と前記封止部材との少なくとも1つに堤部が設けられ、前記堤部の天面に前記接合層が形成され、前記圧電振動片と前記複数の封止部材とが、それぞれの前記接合層を介して接合されて、金属間化合物を含む接合材が形成されたことを特徴とする。本発明によれば、前記圧電振動片の励振電極を気密封止する前記複数の封止部材が設けられ、前記圧電振動片と前記複数の封止部材とに、それぞれ前記接合層が形成され、前記圧電振動片と前記封止部材との少なくとも1つに前記堤部が設けられ、前記堤部の天面に前記接合層が形成され、前記圧電振動片と前記複数の封止部材とが、それぞれの前記接合層を介して接合されて、前記金属間化合物を含む前記接合材が形成されるので、半田と比べて溶融温度が高い前記金属間化合物を含む前記接合材によって、前記圧電振動片と前記複数の封止部材との接合を行うことになる。その結果、リフローソルダリング時であっても前記金属間化合物が溶融することなく、リフローソルダリング時の溶融温度に耐えて、前記金属間化合物によって前記複数の封止部材による前記圧電振動片の励振電極の気密封止を保つことが可能となる。前記構成において、前記接合層、前記接合層が形成された前記封止部材の接合部位、または前記接合層が形成された前記圧電振動片の接合部位が凸状に形成されてもよい。この場合、前記接合層、前記封止部材の接合部位、または前記圧電振動片の接合部位が凸状に形成されるので、凸状の頂点と、前記凸状の頂点と対面する接合相手側の前記封止部材または前記圧電振動片との距離が最も短くなる。その結果、接合時、前記金属間化合物を前記凸状の頂点およびその付近に偏在させることが可能となる。前記構成において、前記接合層が形成された前記封止部材の接合部位、または前記接合層が形成された前記圧電振動片の接合部位が凸状に形成され、前記凸状に形成された前記封止部材の接合部位または前記圧電振動片の接合部位は、当該封止部材または当該圧電振動片と同じ材料からなってもよい。この場合、前記凸状に形成された前記封止部材の接合部位または前記圧電振動片の接合部位は、当該封止部材または当該圧電振動片と同じ材料からなるので、熱膨張係数に差異がなく、加熱接合時に接合部分に無用な応力が生じ難い。その結果、気密封止の信頼性を向上させることが可能となる。前記構成において、前記圧電振動片と前記封止部材との少なくとも1つの、前記接合層が形成された接合面は、平坦面とされ、前記接合面が平坦面とされた前記接合層は、前記接合面の外周に沿って形成され、前記堤部の天面と前記接合面の外周とにおいてそれぞれの前記接合層が接合されてもよい。この場合、前記圧電振動片と前記封止部材との少なくとも1つの、前記接合層が形成された接合面は、平坦面とされ、前記接合面が平坦面とされた前記接合層は、前記接合面の外周に沿って形成され、前記堤部の天面と前記接合面の外周とにおいてそれぞれの前記接合層が接合されるので、前記複数の封止部材の接合の際に、前記接合層が、気密封止している圧電振動片の励振電極に飛散するのを抑えることが可能となる。前記構成において、前記金属間化合物は、前記接合材内に偏在して形成されてもよい。この場合、前記金属間化合物は、前記接合材内に偏在して形成されるので、前記接合材は、当該圧電振動デバイスをリフローソルダリング等の技術を用いて実装基板へ接合する際の加熱温度に対する耐熱性を有する。その結果、前記複数の封止部材を安定して接合することが可能となる。前記構成において、前記金属間化合物は、複数の前記封止部材それぞれと接合する前記接合材の両端に亘って形成されてもよい。この場合、前記金属間化合物は、複数の前記封止部材それぞれと接合する前記接合材の両端に亘って形成されるので、リフローソルダリング時、前記金属間化合物により前記接合材がリフローソルダリング時の溶融に耐えて、前記複数の封止部材を接合することが可能となる。前記構成において、前記接合材の両端間の最も狭いギャップに、前記金属間化合物が偏在して形成されてもよい。この場合、前記接合材の両端間の最も狭いギャップに前記金属間化合物が偏在して形成されるので、偏在する前記金属間化合物によりリフローソルダリング時の環境温度に耐え、前記接合材による各部材の接合に好適である。前記構成において、前記最も狭いギャップは、3~20μmであってもよい。この場合、前記最も狭いギャップが3~20μmであるので、前記金属間化合物が、前記最も狭いギャップの部分に良好な状態で偏在し、さらに前記接合材の形状は接合に良好なフィレットを維持することが可能となる。よって、本構成によれば、各部材を前記金属間化合物を含む接合材を介して強く接合させることが可能となり、当該圧電振動デバイスの小型化に好適である。これに対して、前記最も狭いギャップが3μm未満の場合、このギャップの部分が脆くなり、前記接合材の強度が低下する。また、前記最も狭いギャップが20μmを越える場合、前記接合材のフィレットが小さくなり、各部材の接合強度が低下する。また、前記接合材における前記金属間化合物の生成量が相対的に少なくなることがあり、耐熱性が低下する。前記構成において、前記接合層はCuとSnとを含んでもよい。この場合、前記接合層はCuとSnとを含んでいるので、各部材の接合の際に、前記接合層中に分散しているCuとSnとが結合し例えばCu6Sn5やCu3Sn、かつ、CuとSnとからなる前記金属間化合物が偏在する。また、前記接合層のCuとSnとが既に結合している場合前記金属化合物が既に存在している場合、このCuとSnとからなる前記金属間化合物が偏在する。上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動デバイスの製造方法は、上記の本発明にかかる圧電振動デバイスの製造方法であり、前記複数の封止部材のうち一封止部材に、前記Sn-Cu層を最上層とする前記接合層を形成し、前記一封止部材と接合する他の前記封止部材に、前記Sn-Cu層よりも面積が小さい前記Cu層を最上層とする前記接合層を形成し、前記Sn-Cu層と前記Cu層とを加熱接合することを特徴する。本発明によれば、上記した本発明にかかる圧電振動デバイスによる作用効果を有し、さらに、前記一封止部材に、前記Sn-Cu層を最上層とする前記接合層を形成し、前記一封止部材と接合する他の前記封止部材に、前記Sn-Cu層よりも面積が小さい前記Cu層を最上層とする前記接合層を形成し、前記Sn-Cu層と前記Cu層とを加熱接合するので、前記接合材における前記金属間化合物の中央部分への偏在を促進させることが可能となる。本発明にかかる圧電振動デバイス、およびその製造方法によれば、リフローソルダリング時の溶融温度に耐えることが可能となる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態では、圧電振動デバイスとして水晶振動子に本発明を適用した場合を示す。本実施の形態にかかる水晶振動子1には、図1に示すように、ATカット水晶からなる水晶振動片2本発明でいう圧電振動片と、この水晶振動片2を保持し、水晶振動片2を気密封止するベース4本発明でいう封止部材と、ベース4に保持した水晶振動片2を気密封止する蓋6本発明でいう封止部材とが設けられている。水晶振動子1では、ベース4と蓋6とからパッケージが構成され、ベース4と蓋6とが、ベース接合層46と蓋接合層62とにより接合されて、この接合により気密封止された内部空間11が形成される。この内部空間11では、水晶振動片2が、ベース4に導電性バンプ7を用いてFCB法FlipChipBondingにより電気機械的に超音波接合されている。次に、この水晶振動子1の各構成について図1~4を用いて説明する。-ベース4-ベース4は、セラミックからなり、図2に示すように、底部41と、ベース4の一主面42の主面外周に沿って底部41から上方に延出した堤部44と、から構成された箱状体に成形されている。このベース4は、セラミックの一枚板上にセラミックの輪状体を積層して凹状に一体焼成されている。ベース4の平面視の寸法は、3.2mm×2.5mm以下に設定される。なお、本実施の形態では、平面視の寸法が2.5mm×2.0mmに設定されたベース4を用いる。ベース4の堤部44の天面45は、蓋6との接合面であり、この天面45に蓋6と接合する鉛フリーのベース接合層46本発明でいう接合層が形成されている。本実施の形態では、ベース4の堤部44の天面45が、ベース接合層46が形成されたベース4の接合部位とされる。ベース接合層46は、凸状に成形され、堤部44の天面45上にWからなるW層が堤部44の天面45に一体焼成され、W層上にNiからなるNi層が形成され、Ni層上にAuからなるAu層が形成された薄膜で構成される。W層は、ベース4の堤部44の天面45に一体焼成する際に軟化して、W層の外方表面が湾曲する。その結果、W層は、全体として凸状に形成される。このように、ベース4の堤部44の天面45に、W層の外方が湾曲して形成されるため、ベース接合層46は、ベース4の堤部44の天面45に凸状に成形される。なお、本実施の形態では、ベース接合層46の最下層にW層を用いているが、これに限定されるものではなく、MoからなるMo層であってもよい。また、ベース4には、底部41と堤部44とによって囲まれたキャビティ47が形成され、このキャビティ47は、図2に示すように、平面視矩形状に形成されている。本実施の形態では、キャビティ47は、平面視長方形に形成されている。また、ベース4の筐体裏面他主面43の四隅にキャスタレーション48が形成されている。これらキャスタレーション48は、筐体側面に形成され、ベース4の他主面43の四隅に沿って形成されている。また、ベース4には、図2に示すように、水晶振動片2の励振電極31,32それぞれと電気機械的に接合する一対の電極パッド51,52と、外部部品や外部機器と電気的に接続する外部端子電極53,54と、電極パッド51と外部端子電極53、および電極パッド52と外部端子電極54を電気的に接続させる配線パターン55とが、形成されている。これら電極パッド51,52と外部端子電極53,54と配線パターン55とによりベース4の電極が構成される。電極パッド51,52は、ベース4のキャビティ47の長手方向に沿って短辺方向に並んで形成され、外部端子電極53,54は、キャスタレーション48に形成されている。これら電極パッド51,52と外部端子電極53,54と配線パターン55とは、ベース接合層46と同一材料による構成からなり、ベース接合層46と同時に形成される。また、ベース4には、図2に示すように、水晶振動片2の励振電極31,32をキャビティ47内からキャビティ47外へ導通させるためのビア49が形成されている。このビア49を介して、配線パターン55が、ベース4の一主面42の電極パッド51,52から他主面43の外部端子電極53,54にかけてパターン形成されている。ビア49の内側面は、ベース4の一主面42および他主面43に対して傾斜を有しテーパー状に形成されている。ビア49は、ベース4の他主面43にあたるビア49の他端の径が最大となり、ベース4の一主面42にあたるビア49の一端の径が最小となる。また、ビア49の内部には、Wから構成される導通部材56がベース4と一体焼成されている。-蓋6-蓋6は、セラミックからなり、平面視矩形状の直方体の一枚板に成形されている。この蓋6の下面61は、ベース4と接合するための接合面であり、図3に示すように、平坦面に成形されている。蓋6の平面視の寸法は、3.2mm×2.5mm以下に設定される。なお、本実施の形態では、平面視の寸法が2.5mm×2.0mmに設定された基板を用いる。蓋6の下面61は、ベース4との接合面であり、この下面61にベース4と接合する蓋接合層62本発明でいう接合層が形成されている。本実施の形態では、蓋6の下面61具体的には下面61の外周に沿った部位が、蓋接合層62が形成された蓋6の接合部位とされる。蓋接合層62は、蓋6の下面61の外周に沿って凸状に成形され、ベース4の堤部44の天面45に対応している。蓋接合層62は、蓋6の下面61上にWからなるW層が蓋6の下面61に一体焼成され、W層上にNiからなるNi層が形成され、Ni層上にCuからなるCu層が形成され、Cu層上にSn-Cuろう材が形成された多層構成となる。W層は、蓋6の下面61上に一体焼成する際に軟化して、W層の外方表面が湾曲する。その結果、W層は、全体として凸状に形成される。このように、蓋6の下面61に、W層の外方が湾曲して形成されるため、蓋6の下面61の外周に沿って蓋接合層62が凸状に成形される。なお、本実施の形態では、蓋接合層62の最下層にW層を用いているが、これに限定されるものではなく、MoからなるMo層であってもよい。水晶振動子1では、蓋6をベース4にFCB法により仮接合して、その後雰囲気加熱によりSn-Cuろう材を溶融させて本接合し、蓋6とベース4とによる水晶振動子1のパッケージを構成する。-水晶振動片2-水晶振動片2は、ATカット水晶片の基板21からなり、その外形は、図4に示すように、平面視略矩形状の両主面22,23が略矩形状に形成された一枚板の直方体となっている。なお、本実施の形態では、水晶振動片2の対向する平面視長辺のことを、一側辺と他側辺という。この水晶振動片2には、振動領域を構成する振動部24と、外部電極であるベース4の電極パッド51,52と接合する接合部25とが設けられ、振動部24と接合部25とが一体成形されて基板21が構成される。また、接合部25では、基板21の平面視短辺の中央部分の位置を切り欠いている。この水晶振動片2には、励振を行う一対の励振電極31,32と、ベース4の電極パッド51,52と電気機械的に接合する一対の端子電極33,34と、一対の励振電極31,32を一対の端子電極33,34に引き出す引出電極35,36とが形成されている。一対の励振電極31,32は、引出電極35,36により引回されて一対の端子電極33,34にそれぞれ電気的に接続されている。一対の励振電極31,32は、基板21の両主面22,23であって振動部24の平面視中央に対向して形成されている。これら一対の励振電極31,32は、例えば、基板21側からCr、Auの順に積層して形成されたCr-Au膜により構成される。一対の端子電極33,34は、接合部25の他主面23に形成されている。一対の端子電極33,34のうち端子電極33は、基板21の一側辺を含むその近傍に形成され、他の端子電極34は、他側辺を含むその近傍に形成されている。これら一対の端子電極33,34は、例えば、励振電極31,32と同様に、基板21側からCr、Auの順に積層して形成されたCr-Au膜により構成される。また、一対の端子電極33,34は、図1,4に示すように、上層と下層からなる二層構造となっており、上層はAuから構成され、下層はCrから構成されている。下層の主面平面視の面の面積は、上層の主面平面視の面の面積に対して大きい。引出電極35,36は、振動部24および接合部25に形成され、振動部24から接合部25に亘り、対向せずに基板21の両主面22,23に形成されている。これら引出電極35,36は、例えば、励振電極31,32と同様に、基板21側からCr、Auの順に積層して形成されたCr-Au膜により構成される。-水晶振動子1-上記した構成からなる水晶振動子1では、図1に示すように、ベース4と水晶振動片2とは、導電性バンプ7を介してFCB法により電気機械的に超音波接合される。この接合により、水晶振動片2の励振電極31,32が、引出電極35,36、端子電極33,34、導電性バンプ7を介してベース4の電極パッド51,52に電気機械的に接合され、ベース4に水晶振動片2が搭載される。なお、導電性バンプ7には、非流動性部材のメッキバンプが用いられている。ここでいうメッキバンプはメッキにより形成された金属膜であり、下地金属層シード層上に電解メッキ等により金属膜を生成した構成である。メッキ条件により、その膜厚を調整することができ、厚膜に形成することができる。また下地金属層の形状により金属膜の上面の形状を決定することができ、金属膜上面の形状を平坦にしたり、凸形状にしたりすることができる。そして、ベース4のベース接合層46と蓋6の蓋接合層62とを介して、水晶振動片2が搭載されたベース4に蓋6が加熱溶融具体的にはFCB法により接合具体的には超音波接合され、水晶振動片2を気密封止した水晶振動子1が製造される。なお、ベース接合層46と蓋接合層62との接合によって、図5に示すように、ベース接合層46と蓋接合層62とから金属間化合物であるSn-Cu合金81を含む接合材8が形成される。なお、接合材8では、Wの金属拡散が行われず、W層は残存している。この接合材8を介したベース4と蓋6との間の最も狭いギャップは、3~20μmに設定される。本実施の形態では、このギャップは5μmとする。接合材8は、リフローソルダリング時の溶融温度例えば、260°C以上よりも高い融点を有する。この接合材8には、図5に示すように、ベース4と蓋6とを接合する接合材8の両端具体的にはベース4のW層と蓋6のW層との間に亘ってSn-Cu合金81が形成されている。このSn-Cu合金81は、ベース4の堤部44の天面45具体的には天面45上に一体焼成されたW層と、蓋6の下面61具体的には下面61上に一体焼成されたW層との間が最も狭いギャップおよびその付近に偏在している。接合材8のそれ以外Sn-Cu合金81が生成された部位以外の部位に、Cuと金属間化合物化しなかったSn82が偏在する。本実施の形態では、ベース4の堤部44の天面45具体的には天面45上に一体焼成されたW層の凸状頂点付近と、この凸状頂点付近と対面する蓋6の下面61具体的には下面61上に一体焼成されたW層の凸状頂点付近の間のギャップおよびその付近にSn-Cu合金81が偏在している。本実施の形態にかかる水晶振動子1によれば、水晶振動片2を気密封止するベース4と蓋6とが設けられ、ベース4に堤部44が設けられ、堤部44の天面45にベース接合層46が形成され、蓋6に蓋接合層62が形成され、ベース4と蓋6とがそれぞれのベース接合層46と蓋接合層62とを介して接合されて、金属間化合物Sn-Cu合金81を含む接合材8が形成されるので、半田と比べて溶融温度が高いSn-Cu合金81を含む接合材8によって、ベース4と蓋6との接合を行うことになる。その結果、接合材8の耐熱性が向上し、リフローソルダリング時であってもSn-Cu合金81が溶融することなく、リフローソルダリング時の溶融温度に耐え、Sn-Cu合金81によってベース4と蓋6とによる水晶振動片2の気密封止を保つことができる。また、ベース4の天面45が凸状に湾曲されるので、天面45の凸状頂点とこの凸状頂点と対面する蓋6の下面61との距離が最も短くなる。その結果、ベース4と蓋6との接合時、金属間化合物Sn-Cu合金81を天面45の凸状頂点およびその付近に偏在させることができる。また、ベース接合層46に対応させて、蓋6の平坦面とされた下面61の外周に沿って蓋接合層62が形成され、ベース4の堤部44の天面45と蓋6の下面61の外周とにおいてベース接合層46と蓋接合層62とが接合されるので、ベース4と蓋6との接合の際にベース接合層46と蓋接合層62とが、内部空間11に気密封止している水晶振動片2に飛散するのを抑えることができる。また、金属間化合物Sn-Cu合金81は、ベース4と蓋6との間に亘って形成され、かつ、接合材8内において偏在するので、リフローソルダリング時、接合材8はSn-Cu合金81によりリフローソルダリング時の溶融に耐え、ベース4と蓋6とを接合することができる。また、ベース接合層46と蓋接合層62とが凸状に形成されるので、凸状の頂点と、凸状の頂点と対面する接合相手側のベース4蓋6との距離が最も短くなる。その結果、接合時、金属間化合物Sn-Cu合金81を凸状の頂点およびその付近に偏在させることができる。また、接合材8の両端間の最も狭いギャップに金属間化合物Sn-Cu合金81が偏在して形成されるので、偏在するSn-Cu合金81によりリフローソルダリング時の環境温度に耐え、接合材8による各部材本実施の形態ではベース4と蓋6の接合に好適である。また、最も狭いギャップが3~20μmであるので、金属間化合物Sn-Cu合金81が、最も狭いギャップの部分に良好な状態で偏在し、さらに接合材8の形状は接合に良好なフィレットを維持することができる。よって、本構成によれば、各部材本実施の形態ではベース4と蓋6をSn-Cu合金81を含む接合材8を介して強く接合させることができ、当該水晶振動子1の小型化に好適である。これに対して、最も狭いギャップが3μm未満の場合、このギャップの部分が脆くなり、接合材の強度が低下する。また、最も狭いギャップが20μmを越える場合、接合材のフィレットが小さくなり、各部材の接合強度が低下する。また、接合材における金属間化合物の生成量が相対的に少なくなることがあり、耐熱性が低下する。また、接合層8はCuとSnとを含んでいるので、各部材本実施の形態ではベース4と蓋6の接合の際に、接合層ベース接合層46と蓋接合層62中に分散しているCuとSnとが結合し例えばCu6Sn5やCu3Sn、かつ、CuとSnとからなる金属間化合物Sn-Cu合金81が偏在する。また、ベース接合層46と蓋接合層62とのCuとSnとが既に結合している場合Sn-Cu合金81が既に存在している場合、このCuとSnとからなるSn-Cu合金81が偏在する。なお、本実施の形態では、圧電振動デバイスとして水晶振動子を適用しているが、これに限定されるものではなく、圧電振動を行う圧電振動片の励振電極を気密封止する圧電振動デバイスであれば、他のデバイスであってもよく、例えば水晶発振器であってもよい。また、本実施の形態では、接合材8は、図5に示す接合状態となっているが、これに限定されるものではなく、図6,7に示す接合状態であってもよい。図6,7に示す接合状態と、図5に示す接合状態とを比較すると、図6,7に示す接合状態の接合材8の方が、ベース4と蓋6との間が最も狭いギャップおよびその付近に、Sn-Cu合金81が偏在することが分かる。そのため、図6,7に示す接合状態の接合材8の方が、図5に示す接合状態の接合材に比べて耐熱性に勝り、より好ましい。また、本実施の形態では、平坦な基板21に形成された一対の端子電極33,34が二層構造となっているが、これに限定されるものではなく、一対の端子電極33,34を形成する基板部分の水晶が凸状に成形され、この凸状に形成された基板部分に、CrとAuとを用いた一層構造もしくは複数層構造の一対の端子電極が形成されてもよい。また、本実施の形態では、一対の端子電極33,34が二層構造となっているが、これに限定されるものではなく、一層構造であっても、三層構造以上の複数層構造であってもよい。また、本実施の形態では、導通部材56はCuから構成されているが、これに限定されるものではなく、AuとSnとの溶融拡散によりAuとSnとが均一に混在したAu-Sn合金から構成されてもよい。この場合、ビア49内では、ベース4の両主面42,43における導通部材56の端面が、AuとSnが溶融拡散によりそれぞれ主面42,43の面方向に引っ張られてベース4の両主面42,43に対して凹形状となる。このAuとSnの溶融拡散によりベース4と導通部材56との接合を良好にし、ベース4と導通部材56との間に隙間が生じるのを抑制して、ベース4に対する導通部材56の充填不良を抑えることができる。また、本実施の形態では、振動部24と接合部25の厚みを同じ厚みとしているが、これに限定されるものではなく、振動部24の厚みを薄くし、高周波化に対応させてもよい。また、本実施の形態では、ベース4にセラミックが用いられているが、これに限定されるものではなく、ベース4に水晶振動片2と同じ水晶や、ホウケイ酸ガラス等のガラス材、あるいはシリコンやサファイアを用いてもよい。この場合、フォトリソグラフィ技術を用いた微細な加工ができ、超小型の圧電振動デバイスに好適であり、また材料コストを抑えることができる。例えば、ベース4にガラスや水晶などを用いた場合、ベース4の堤部44の天面45に形成されたベース接合層46は、ベース4の天面45上に、CrからなるCr層、MoからなるMo層、もしくはNiからなるNi層のいずれかの層が形成され、その上に、AuからなるAu層が形成され、Au層上にSn-Cuろう材が形成された多層構成となってもよい。また、ベース4の基材としてセラミック等の絶縁板を用い、ベース4は、絶縁板の上面外周縁部にコバール等の金属枠体を積層した積層構造からなってもよい。この場合、電気配線パターンにおける端子間の絶縁をとることができる。なお、上記各構成において、ベース4の天面45に形成されたベース接合層46は、ベース4の天面45上にCuから構成されるCuストライクメッキが形成され、そのストライクメッキおよび天面45上に、CuからなるCu層が形成され、Cu層上にSn-Cuろう材が形成された多層構成となってもよい。もしくは、ベース接合層46は、ベース4の天面45上にSnからなるSn層とCuからなるCu層とが交互に積層され、Cu層上にSn-Cuろう材が形成された多層構成となってもよい。また、本実施の形態では、蓋6にセラミックが用いられているが、これに限定されるものではなく、蓋6に水晶振動片2と同じ水晶や、ホウケイ酸ガラス等のガラス材、あるいはシリコンやサファイアを用いてもよい。また、コバールなどの金属材料を用いてもよい。例えば、蓋6にコバールを用いた場合、蓋6の下面61に形成された蓋接合層62は、蓋6の下面61上にCuから構成されるCuストライクメッキが形成され、そのストライクメッキおよび下面61上に、CuからなるCu層が形成され、Cu層上にSn-Cuろう材が形成された多層構成となってもよい。もしくは、蓋6にコバールを用いた場合、蓋接合層62は、蓋6の下面61上にSnからなるSn層とCuからなるCu層とが交互に積層され、Cu層上にSn-Cuろう材が形成された多層構成となってもよい。また、蓋6にガラスや水晶などを用いた場合、蓋6の下面61に形成された蓋接合層62は、蓋6の下面61上にCrからなるCr層、MoからなるMo層もしくはNiからなるNi層が形成され、その上に、AuからなるAu層が形成され、Au層上にSn-Cuろう材が形成された多層構成となってもよい。なお、本実施の形態では、Au層が形成されているが、これに限定されるものではなく、Au層が形成されなくてもよい。また、本実施の形態では、ベース接合層46や蓋接合層62にCuを用いているが、これに限定されるものではなく、Cuに代えてAuを用いてAuSnからなるAuSn構成としてもよい。また、本実施の形態にかかる接合材8に、さらにNiやCoが含有されることが望ましい。この場合、接合材8を生成後に熱履歴がかかってもリフロー試験や、経年熱履歴等、NiやCoの存在により、接合材8のSnがベース接合層46AuやNiなどや蓋接合層62AuやNiなどと反応してこれらベース接合層46や蓋接合層62を浸食するのを防ぐことができ、その結果、接合材8がベース4や蓋6から剥がれるのを抑制することができる。具体的な形態として、例えば、接合材8を生成する前のベース接合層46や蓋接合層62の最上層にNiやCoの金属層を形成することが挙げられる。また、ベース4にガラスや水晶を用いた場合、ベース接合層46の最下層にCrやMo、Niなどを用いた場合であっても、NiやCoの存在により、接合材8のSnがベース接合層46AuやNiなどや蓋接合層62AuやNiなどと反応してこれらベース接合層46や蓋接合層62を浸食するのを防ぐことができる。なお、このNiやCoは最上層でなくてもベース接合層46や蓋接合層62に内在する構成例えば、ベース接合層46や蓋接合層62の中間層として構成であってもよい。また、本実施の形態にかかる接合材8に、さらにAuやAgが含有されることが望ましい。この場合、接合材8を生成後に熱履歴がかかってもリフロー試験や、経年熱履歴等、AuやAgと、接合材8のSnとが先に反応し、Snがベース接合層46や蓋接合層62を構成する金属材料と反応するのを抑制することができ、その結果、接合材8がベース4や蓋6から剥がれるのを抑制することができ、ベース4と蓋6との安定した接合を維持することができ、気密性を確保することができる。具体的な形態として、例えば、接合材8を生成する前のベース接合層46や蓋接合層62の最上層にAuやAgを形成することが挙げられる。なお、当該AuやAgは、メッキ、真空蒸着により形成したり、AuペーストやAgペーストを塗布することにより形成することができる。また、本実施の形態にかかる接合材8の表面に、AuやAgやCuの金属層を形成することが望ましい。この場合、接合材8を生成後に熱履歴がかかってもリフロー試験や、経年熱履歴等、AuやAgやCuと、接合材8のSnとが先に反応し、Snがベース接合層46や蓋接合層62と反応するのを抑制することができる。その結果、接合材8がベース4や蓋6から剥がれるのを抑制することができ、ベース4と蓋6との安定した接合を維持することができ、気密性を確保することができる。具体的な形態として、例えば、接合材8を生成後に、接合材8上にAuやAgやCuの金属層を形成することが挙げられる。当該AuやAgやCuは、メッキ、真空蒸着により形成したり、これら金属を含有するペーストを塗布することにより形成することができる。また、本実施の形態では、ベース4の堤部44のベース接合層46は凸状に湾曲して成形され、蓋6の下面61の蓋接合層62は凸状に湾曲して成形されているが、これに限定されるものではなく、図8~13に示すような他の実施の形態であってもよい。なお、これら図8~13に示す他の実施の形態では、ベース4と蓋6とを接合する前のベース4単体と蓋6単体とを示す概略構成図である。図8に示す他の実施の形態では、ベース4にガラスを用い、蓋6にガラスを用いている。ベース4の堤部44の天面45が平坦面に成形され、蓋6のベース4と接合するための下面61が凸状に成形されている。この蓋6の下面61は、下面61から直交する方向に突出して成形され、その突出端面は平坦面となっている。また、蓋6では、蓋接合層62が、蓋6の下面61にCr層,Ni層またはMo層などの最下層が形成され、この最下層上にCu層が積層され、Cu層上にSn-Cu層が積層されて形成される。また、ベース4では、ベース接合層46が、ベース4の天面45にCr層,Ni層またはMo層などの最下層が形成され、この最下層上にAu層が積層されて形成される。この図8に示す他の実施の形態では、蓋6に形成された蓋接合層62のうち、凸状の突出端面の位置に形成された蓋接合層62と、ベース4に形成されたベース接合層46との間が、接合材8の両端間の最も狭いギャップとなり、このギャップに金属間化合物Sn-Cu合金81が偏在して形成される。また、図9に示す他の実施の形態では、ベース4にガラスを用い、蓋6にガラスを用いている。ベース4の堤部44の天面45が平坦面に成形され、蓋6のベース4と接合するための下面61が凸状に形成されている。この蓋6の下面61は、下面61から直交する方向に2箇所突出して成形され、これら2箇所の突出端面はそれぞれ平坦面となっている。また、蓋6では、蓋接合層62が、蓋6の下面61にCr層,Ni層またはMo層などの最下層が形成され、この最下層上にCu層が積層され、Cu層上にSn-Cu層が積層されて形成される。また、ベース4では、ベース接合層46が、ベース4の天面45にCr層,Ni層またはMo層などの最下層が形成され、この最下層上にAu層が積層されて形成される。この図9に示す他の実施の形態では、蓋6に形成された蓋接合層62のうち、2箇所の凸状の突出端面の位置に形成された蓋接合層62と、ベース4に形成されたベース接合層46との間が、接合材8の両端間の最も狭いギャップとなり、このギャップに金属間化合物Sn-Cu合金81が偏在して形成される。この場合、図8に示す1箇所にSn-Cu合金81が偏在する構成に対して、さらに2箇所に最も近いギャップを有するので、耐熱性が向上する。また、図10に示す他の実施の形態では、ベース4にセラミックを用い、蓋6にセラミックを用いている。ベース4の堤部44の天面45が平坦面に成形され、蓋6のベース4と接合するための下面61が平坦面に成形されている。蓋6では、蓋接合層62が、その下面61にMo層の最下層が形成され、この最下層上にCu層が積層され、Cu層上にSn-Cu層が積層されて形成される。また、ベース4では、その天面45にW層の最下層が形成され、この最下層のW層上の一部にさらにW層が形成され、2段のW層が形成される。そして、この2段に形成されたW層上に、Ni層が積層され、Ni層上にAu層が積層され、これらの金属の積層によりベース接合層46が形成される。このように、図10に示す他の実施の形態では、ベース4のベース接合層46が凸状に成形される。そのため、例えば図8に示す他の実施の形態と異なり、ベース4の堤部44の天面45と、蓋6の下面61とが平坦面に成形された構成であっても、接合層ここではベース接合層46の形状を凸状に成形することにより、図8に示す他の実施の形態と同様の効果を有することができる。また、図10に示す他の実施の形態では、ベース接合層46の形状を凸状に成形するので、図8に示す他の実施の形態に対して、金属間化合物Sn-Cu合金81の生成を促進させることができる。また、図11に示す他の実施の形態では、ベース4にガラスを用い、蓋6にガラスを用いている。ベース4の堤部44の天面45が平坦面に成形され、蓋6のベース4と接合するための下面61が平坦面に成形されている。蓋6では、蓋接合層62が、その下面61にCr層,Ni層またはMo層などの最下層が形成され、この最下層上にCu層が積層され、Cu層上にSn-Cu層が積層されて形成される。また、ベース4では、ベース接合層46が、ベース4の天面45にCr層の最下層が形成され、この最下層上にAu層が形成され、Au層上の一部中央部にCu層が積層されて形成される。なお、蓋6の蓋接合層62のSn-Cu層より、ベース4のベース接合層46のCu層の面積が小さい。このように、図11に示す他の実施の形態では、ベース4のベース接合層46が凸状に成形される。そのため、例えば図8に示す他の実施の形態と異なり、ベース4の堤部44の天面45と、蓋6の下面61とが平坦面に成形された構成であっても、接合層ここではベース接合層46の形状を凸状に成形することにより、図8に示す他の実施の形態と同様の効果を有することができる。また、図11に示す他の実施の形態では、ベース接合層46の形状を凸状に成形し、凸状の部分がCu層からなるので、接合材8における金属間化合物Sn-Cu合金81の中央部分への偏在を促進させることができる。また、図12に示す他の実施の形態では、ベース4にガラスを用い、蓋6にガラスを用いている。ベース4の堤部44の天面45が凸状に形成され、蓋6のベース4と接合するための下面61が凸状に形成されている。これらベース4の天面45や蓋6の下面61は、それぞれ天面45や下面61に対して直交する方向に突出して成形され、その突出端面は平坦面となっている。また、蓋6では、蓋接合層62が、蓋6の下面61にCr層,W層またはMo層などの最下層が形成され、この最下層上にCu層が積層され、Cu層上にSn-Cu層が積層されて形成される。また、ベース4では、ベース接合層46が、ベース4の天面45にCr層,W層またはMo層などの最下層が形成され、この最下層上にAu層が積層され、Au層上の一部中央部にCu層が積層されて形成される。なお、蓋6の蓋接合層62のSn-Cu層より、ベース4のベース接合層46のCu層の面積が小さい。また、ベース4のベース接合層46のCu層は、ベース4のベース接合層46の他の層Au層などに比べて2倍以上の厚みを有する。このように、図12に示す他の実施の形態では、ベース接合層46の最上層のCu層がAu層上の一部に積層されているので、ベース4の天面45の中央部が他の部分より突設され、ベース接合層46の上部とベース4の天面45とが凸状に成形されることによって、ベース4と堤部44の天面45との境界面さらに、ベース4の天面45の中央部において金属間化合物Sn-Cu合金81が偏在して形成されることになる。図13に示す他の実施の形態では、ベース4にガラスを用い、蓋6にガラスを用いている。ベース4の堤部44の天面45が凸状に形成され、蓋6のベース4と接合するための下面61が凸状に形成されている。これらベース4の天面45や蓋6の下面61は、それぞれ天面45や下面61に対して直交する方向に突出して成形され、その突出端面は平坦面となっている。また、蓋6では、蓋接合層62が、蓋6の下面61にCr層,W層またはMo層などの最下層が形成され、この最下層上にCu層が積層され、Cu層上にSn-Cu層が積層されて形成される。この蓋接合層62は、ベース4の天面45に対応した領域だけでなく、蓋6の下面61の内方にまで領域が拡がるように成形されている。また、ベース4では、ベース接合層46が、ベース4の天面45にCr層,W層またはMo層などの最下層が形成され、この最下層上にAu層が積層され、Au層上の一部中央部にCu層が積層されて形成される。なお、蓋6の蓋接合層62のSn-Cu層より、ベース4のベース接合層46のCu層の面積が小さい。また、ベース4のベース接合層46のCu層は、ベース4のベース接合層46の他の層Au層などと同等の厚みを有する。このように、図13に示す他の実施の形態では、ベース接合層46の最上層のCu層がAu層上の一部に積層されているので、ベース4の天面45の中央部が他の部分より突設され、ベース接合層46の上部とベース4の天面45とが凸状に成形されることによって、ベース4の天面45の中央部において金属間化合物Sn-Cu合金81が偏在して形成されることになる。また、蓋接合層62は、ベース4の天面45に対応した領域だけでなく、蓋6の下面61の内方にまで領域が拡がるように形成されているので、蓋接合層62の面積を面方向特に、内方に拡大させることができ、その結果、ベース4と蓋6との接合の際に、接合材8のうちSnのフィレットが蓋6の面方向の内方に拡がり、ベース4と蓋6との接合強度を向上させることができる。また、本実施の形態では、ベース4と蓋6とから水晶振動子1のパッケージを構成しているが、これに限定されるものではなく、図14に示すように、複数の封止部材上記のベース4に対応する一封止部材94と、上記の蓋6に対応する他封止部材96と水晶振動片92とを積層し、サンドイッチ構造とした水晶振動子91のパッケージであってもよい。図14に示すサンドイッチ構造の水晶振動子91では、水晶振動片92の両主面922,923に形成された励振電極図14では省略を気密封止する一封止部材94と他封止部材96とが設けられ、水晶振動片92と一封止部材94と他封止部材96とに、それぞれ接合層上記のベース接合層46に対応する第1接合層946と、上記の蓋接合層62に対応する第2接合層962が形成されている。また、水晶振動片92に堤部926が設けられ、堤部926の天面927に第3接合層928が形成され、水晶振動片92と一封止部材94と他封止部材96とが、それぞれの接合層第1接合層946,第2接合層962,第3接合層928を介して接合されて、金属間化合物例えば図1に示すSn-Cu合金81などを含む接合材例えば図1に示す接合材8などが形成される。なお、この図14に示す他の実施の形態では、水晶振動片92の両主面922,923に堤部926が設けられているが、これに限定されるものではなく、水晶振動片92と一封止部材94と他封止部材96との少なくとも1つに堤部が設けられていることが好ましい。このようなサンドイッチ構造の水晶振動子91では、水晶振動片92の一主面922に形成された励振電極が一封止部材94と水晶振動片92とによって気密封止され、水晶振動片92の他主面923に形成された励振電極が他封止部材96と水晶振動片92とによって気密封止される。図14に示すサンドイッチ構造の水晶振動子91のような圧電振動デバイスによれば、半田と比べて溶融温度が高い金属間化合物を含む接合材によって、圧電振動片と複数の封止部材との接合を行うことになる。その結果、リフローソルダリング時であっても金属間化合物が溶融することなく、リフローソルダリング時の溶融温度に耐え、金属間化合物によって複数の封止部材による圧電振動片の励振電極の気密封止を保つことができる。上記の図8,9,12,13,14に示す実施の形態のように、凸状に形成されたベース4の接合部位や、蓋6の接合部位、水晶振動片2の接合部位は、ベース4や蓋6、水晶振動片2と同じ材料からなるので、熱膨張係数に差異がなく、加熱接合時に接合部分に無用な応力が生じ難い。その結果、気密封止の信頼性を向上させることができる。なお、凸状の接合部位は、ベース4と蓋6とのいずれか一方に形成されてもよい。また、本実施の形態にかかるベース4および蓋6は、平面寸法主面寸法が略同じものを用いているが、これに限定されるものではなく、ベース4に比べて平面寸法が小さい蓋6を用いてもよい。この形態によれば、ベース4の天面45に形成されたベース接合層46と、蓋6の下面に形成された蓋接合層62とを介して、水晶振動片2が搭載されたベース4に蓋6が加熱溶融により接合され、水晶振動片2を気密封止した水晶振動子1が製造される。この形態では、ベース4に比べて蓋6の平面寸法が小さいので、ベース接合層46と蓋接合層62とが相互に結合するように引っ張られる。そのため、図15に示すように、接合材8の両側面はフィレットが形成される。なお、接合材8におけるSn82の分量や、ベース接合層46および蓋接合層62におけるSnの配置により、キャビティ47に配された接合材8のSn82を無くすことが可能となる。なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。また、この出願は、2010年1月29日に日本で出願された特願2010-018751号に基づく優先権を請求する。これに言及することにより、その全ての内容は本出願に組み込まれるものである。"