被測定ガス中の微粒子量を検出するための微粒子センサであって、絶縁体と、前記絶縁体の主面上に、互いに間隔を空けて配置された一対の電極と、を備え、前記絶縁体は、前記一対の電極が形成されていない部分に、前記主面に対し垂直な方向の高さが、前記一対の電極の高さ以上である絶縁部を有することを特徴とする微粒子センサ。請求項1に記載の微粒子センサの製造方法であって、前記絶縁体を構成する基板上に、前記一対の電極を構成する材料からなる電極パターンを形成する工程と、前記電極パターンの形成の後、前記電極パターン上に、前記電極パターンが焼結する温度以下の温度で揮発する材料からなる、前記電極パターンと同一パターンのマスクを形成する工程と、前記マスク及び前記基板上に、前記絶縁部を構成する材料からなる薄膜を形成する工程と、前記電極パターンと前記薄膜とを焼結させて、前記電極と前記絶縁部とを形成する工程と、を備えることを特徴とする微粒子センサの製造方法。請求項1に記載の微粒子センサの製造方法であって、前記絶縁体を構成する基板に、前記一対の電極のパターンと同一形状の溝を形成する工程と、前記溝の底部に、前記一対の電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする微粒子センサの製造方法。ところで、排気ガス中のPMには、少量ではあるが不定期に、大粒径のPMが含まれる。大粒径のPMがPMセンサの電極間に堆積すると電極間の導電性が急変する。このため、実際のPM量とセンサ出力とに相関がなくなる場合がある。つまり、大粒径のPMの付着により、PMセンサは実際のPM量とは異なる出力を発し、センサ出力のばらつきが大きくなる場合がある。本発明は、上記課題を解決することを目的とし、大粒径のPMの電極間への付着を抑制することにより、出力ばらつき抑制したPMセンサ及び、その製造方法を提供するものである。上記目的を達成するため、第1の発明は、被測定ガス中の微粒子量を検出するための微粒子センサであって、絶縁体と、前記絶縁体の主面上に、互いに間隔を空けて配置された一対の電極と、を備え、前記絶縁体は、前記一対の電極が形成されていない部分に、前記主面に対し垂直な方向の高さが、前記一対の電極の高さ以上である絶縁部を有する。第2の発明は、第1の発明の微粒子センサの製造方法であって、前記絶縁体を構成する基板上に、前記一対の電極を構成する材料からなる電極パターンを形成する工程と、前記電極パターンの形成の後、前記電極パターン上に、前記電極パターンが焼結する温度以下の温度で揮発する材料からなる、前記電極パターンと同一パターンのマスクを形成する工程と、前記マスク及び前記基板上に、前記絶縁部を構成する材料からなる薄膜を形成する工程と、前記電極パターンと前記薄膜とを焼結させて、前記電極と前記絶縁部とを形成する工程と、を備える。第3の発明は、第1の発明の微粒子センサの製造方法であって、前記絶縁体を構成する材料からなる基板に、前記一対の電極のパターンと同一形状の溝を形成する工程と、前記溝の底部に、前記一対の電極を形成する工程と、を備える。この発明によれば、微粒子センサの電極間には、電極以上の高さを有する絶縁部が形成される。これにより、大粒径の微粒子PMが排気ガス中に含まれる場合でも、PMは電極間の絶縁部に阻まれるため、電極上に堆積しやすく、電極間に堆積しにくい構成となっている。従って、大粒径のPMの付着により電極間の導電性が急変するのを抑えることができ、センサ出力のばらつきを抑制することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、同一または相当する部分には同一符号を付してその説明を簡略化ないし省略する。実施の形態.本実施の形態のPMセンサの構成について図1及び図2はこの発明の実施の形態におけるPMセンサについて説明するための模式図であり、図1はPMセンサの全体図、図2はセンサ素子部の一部を拡大した図である。図1に示されるPMセンサ2は、例えば車両に搭載された内燃機関の排気経路の微粒子捕集用フィルタDPF下流に設置され、排気ガス中のPM量の検出に用いられる。図1に示されるように、PMセンサ2は、カバー4とカバー4内の空間に設置された素子部6とを備えている。カバー4は気体を通過させる複数の孔を有している。PMセンサ2使用時は、カバー4の複数の孔からカバー4内部に排気ガスが流入し、素子部6が排気ガスに接した状態となる。図2に示されるように、PMセンサ2の素子部6は絶縁基材8絶縁体を備えている。絶縁基材8はアルミナにより構成されている。絶縁基材8の主面8aには、一対の電極10、12が形成されている。電極10、12は互いに接触しない状態で、一定の間隔を開けて配置されている。電極10、12それぞれは櫛歯形状に形成された部分を有し、この部分において互いに噛み合うように形成されている。絶縁基材8内部の電極10、12の下層には、図示しないヒータが埋め込まれている。[本実施の形態のPMセンサの特徴的な構成について]図3は、本実施の形態のPMセンサ2の、図2における、素子部6の破線a部のA-B断面を説明するための模式図である。また図4は、従来のPMセンサの図3に相当する部分を説明するための模式図である。図3に示されるように、本実施の形態のPMセンサ2において、絶縁基材8の主面8a上の電極10、12が形成されていない部分には絶縁部8bが形成されている。絶縁部8bは、絶縁基材8と同様の材料であるアルミナの焼結体により構成されている。つまり、主面8a上の電極10、12に挟まれた部分には、絶縁部8bが形成されている。PMセンサ2の素子部6の主面8aに垂直な方向において即ち、図3の紙面を上下方向において、電極10、12表面の高さが、絶縁部8b表面の高さよりも低くなっている。一方、図4の従来のPMセンサにおいて、絶縁基材108の主面上には、櫛歯形状の部分を有する一対の電極110、112が形成されている。しかし、絶縁基材108上の電極110、112が形成されていない部分に絶縁部は形成されていない。即ち、図4に示されるように、素子部の主面108aに垂直な方向において、一対の電極110、112の間は、窪んだ状態となっており、絶縁基材108の主面108aが露出している。[本実施の形態のPMセンサの製造方法]本実施の形態のPMセンサ2は以下の製造方法により製造される。まず、絶縁基材8となるアルミナ基板を準備し、このアルミナ基板上に電極10、12形成用の電極パターンを印刷する。その後、電極パターン上に電極10、12と同一形状のマスク剤を印刷し、電極パターンをマスクする。ここでマスク剤として、電極焼結温度以下の温度で揮発する材料を用いる。マスク形成後、全体にアルミナ薄膜を形成する。アルミナ薄膜形成後、アルミナ薄膜と電極パターンとを高温で焼結し、絶縁部8b、電極10、12を形成する。焼結時にマスクは揮発するため、マスク上部に形成されたアルミナ薄膜も同時に剥離される。その結果、アルミナ焼結体である絶縁部8bが、電極10、12が形成されていない部分にのみ残ることとなる。[本実施の形態のPMセンサ2の特性]ところで、排気ガス中のPMの粒子分布は概ね100nm以下に粒径のピークを持つ。しかし、少量ではあるが不定期に、数μm以上の大粒径のPMが発生する。従来のPMセンサの場合、特に大粒径のPMは、絶縁基材108の主面108aに対して凸状に形成された電極110、112に遮られるため、電極110、112間の凹部である主面108a上に堆積しやすい図4参照。また、大粒径のPMは、電極110、112間の導電性を急変させやすい。従って、従来のPMセンサの場合、大粒径のPMが発生した場合に、その影響を受けて電極110、112間の抵抗が急変しやすく、PMセンサの出力は、実際のPM量からずれて、ばらつきが生じやすい。これに対して本実施の形態のPMセンサ2の場合、電極10、12間に空間はなく、電極10、12よりも凸状の絶縁部8bが形成されている。従って、大粒径のPMが発生した場合にも、PMは凸状の絶縁部8bに遮られ、電極10、12上部に堆積しやすい図3参照。PMは電極10、12上部に堆積しても、電極10、12間の導通状態に大きな影響を及ぼすものではない。即ち、本実施の形態のPMセンサ2の場合、電極10、12の間に大粒径のPMが堆積しにくいため、大粒径のPMが発生しても、それによる出力ばらつきが生じにくく、安定的にセンサ出力を発することができる。図5は、本実施の形態のPMセンサ2と従来のPMセンサの、PM量に対するセンサ出力変化を比較説明するための図である。図5において、横軸はPM量、縦軸はセンサ出力を表している。また、図5において、曲線aは本実施の形態のPMセンサ2の出力、曲線bは従来のPMセンサの出力を表している。また、図5のcは、本実施の形態2のPMセンサの検出下限量を表し、dは、従来のPMセンサの検出下限量を表している。図5に示されるように、従来のPMセンサは、その検出下限量が小さくd参照、少ないPM量に対しても高い感度で検出するが、PM量が少ない状態においては、出力がばらつきやすいb参照。一方、本実施の形態のPMセンサ2は、その検出限界量は従来に比べて大きくなるがc参照、その出力はばらつきにくく、安定的にPM量に応じた出力を発することができるa参照。図6は、本実施の形態のPMセンサ2と従来のPMセンサの、被測定ガスとしてPM量20mgの排気ガスを測定した場合の、センサ出力のばらつきを表す図である。図6において紙面左側に従来のPMセンサの出力に基づく検出値、右側に本実施の形態のPMセンサ2の出力に基づく検出値が表されている。図6から、従来のPMセンサの場合、同じPM量20mgに対して、センサ出力に基づく検出値が大きな範囲でばらつくのに対し、本実施の形態のPMセンサ2の場合、センサ出力のばらつきが低減されていることがわかる。このように、本実施の形態のPMセンサ2では、電極10、12間に絶縁部8bを形成することにより、出力ばらつきが低減され、安定したセンサ出力を得ることができる。しかし、一方で、絶縁部8bが障壁となるため、電極10、12間のPMによる導電パスが作られ難い。このため、特に素子部6へのPM堆積量が少ないうちはセンサ出力が出にくくなる傾向にある。即ち、凸状の絶縁部8b形成による出力ばらつきの低減と、センサ感度の向上とは背反の関係にある。図7は、絶縁部8bと電極10、12との表面図3において上側の面の高低差に対する、センサ出力のばらつきとPM検出下限量との関係を説明する図である。図7において、横軸は、電極10、12の間絶縁部8bと電極10、12との高低差絶縁部面-電極面を表し、値が小さいほど電極10、12の高さが高く、値が大きいほど絶縁部8bの高さが高いことを意味する。また、図7の左側縦軸はPM検出の下限量、右側縦軸は検出ばらつきを表し、曲線aはPM検出の下限量、曲線bは検出ばらつきを表している。図7aに示されるように、電極10、12面の高さが絶縁部8bより高い範囲つまり横軸高低差が0より小さい領域では、PM検出下限量が小さい。つまり、少ないPM量でも検出することが可能であり、高いセンサ感度が確保されている。しかし、電極10、12の高さが絶縁部8bより低い領域高低差が0より大きい領域では、その高低差が大きくなるにつれて、次第にPM検出下限量が大きくなる。つまり、より多くのPMが堆積した状態でなければセンサ出力を得ることができず、PMセンサの感度は低いものとなっている。一方、図7の曲線bに示されるように、検出ばらつきは、電極10、12の高さが絶縁部8bより高い範囲つまり高低差が0より小さい領域では大きく、絶縁部8bの高さが電極10、12より高い範囲では小さい。また、図7の曲線bから、この検出ばらつきは、電極10、12表面と絶縁部8bとの高さが同一である高低差0付近で大きく急変していることがわかる。従って、電極10、12表面を絶縁部8bより僅かに低くすることでも、出力ばらつきは大幅に改善されると考えられる。上記の傾向から、許容される検出ばらつきと所望のセンサ感度とを考慮して、絶縁部8bの高さと電極10、12との高さとが適宜決定される。ただし、上記のようにPM検出下限量は、高低差が0より大きい領域で、高低差が大きくなるにつれて次第に大きくなるのに対し、検出ばらつきは高低差が0の付近で急変し、絶縁部が大きい領域高低差がマイナスの領域で検出ばらつきは大きくなる。従って、高低差はプラス側絶縁部8bが高いのごく小さな値に設定することが望まれる。なお、この発明においては、絶縁部8bと電極10、12との表面の高さが同一高低差0であってもよい。また、本実施の形態において、PMセンサ2の製造方法について説明したが、この発明においてPMセンサの製造方法はこれに限られるものではなく、他の方法であってもよい。具体的に、例えば、電極パターンやマスク、アルミナ薄膜は、印刷法により形成されるものではなく、蒸着法、スパッタ法、CVD法など他の方法など、それぞれ用いる材料に最適な方法で形成されるものであればよい。また、上記の製造方法に限らず、絶縁基材としてのアルミナ基板に、電極パターンと同様の溝を形成し、この溝の底部に、電極を印刷又は他の方法により埋め込むものであってもよい。この場合にも、形成する溝の深さ、電極の厚さを調整することで、絶縁部8bとなる部分アルミナ基板の溝が形成されていない部分の表面と電極10、12の表面との高低差を所望の値に調整することができる。また、本実施の形態では、主面8a上の電極10、12が形成されていない部分全体に、電極10、12よりも突出した絶縁部8bが形成される場合について説明した。しかし、この発明はこれに限るものではなく、電極10、12の櫛歯形状の部分においてのみ、電極10、12以上の高さの絶縁部が形成された構成としてもよい。PMセンサ2は、特に櫛歯形状部の電極10、12間に堆積したPM量に応じた出力を発する。従って、電極10、12の櫛歯形状部にのみ、電極10、12より突出する絶縁部8bを形成したものであっても、大粒径のPM堆積による出力ばらつきを抑制することができる。また、本実施の形態では、絶縁基材8及び絶縁部8bの構成材料としてアルミナを用いる場合について説明した。しかし、この発明において絶縁体の構成材料は、アルミナに限定されるものではない。絶縁体の材料としては、絶縁性を有し、耐熱性に優れたものが好ましい。具体的には、例えば、炭化珪素、コージェライト、アルミナタイタネイト、サイアロン、ムライト、窒化珪素、リン酸ジルコニウム、ジルコニア、チタニア、アルミナもしくはシリカまたはこれらの組み合わせからなるセラミックス、または焼結金属を主成分とする材料から構成されているものが好適である。また、本発明において電極10、12の材料は特に限定されるものではないが、例えば電極を構成する材料としては、Pt、Rh、Pd、Ag、Au、及びIr等の遷移元素、及び、これらの遷移元素のいずれかを含む合金材料、又は、これらの遷移元素のいずれかを含むセンサセラミック材料との複合材料等が好適である。以上の実施の形態において各要素の個数、数量、量、範囲等の数に言及した場合、特に明示した場合や原理的に明らかにその数に特定される場合を除いて、その言及した数に、この発明が限定されるものではない。また、この実施の形態において説明する構造や製造工程等は、特に明示した場合や明らかに原理的にそれに特定される場合を除いて、この発明に必ずしも必須のものではない。