基板と、前記基板上に設けられた枠体と、前記基板上であって前記枠体で囲まれる領域に設けられた絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられた、パワー半導体素子が搭載される第1の実装部材と、前記絶縁基板上に前記第1の実装部材と間をあけて設けられた第2の実装部材と、前記枠体外から前記枠体を貫通して前記第1の実装部材上にまで設けられた、第1の屈曲部を有するとともに、前記第1の屈曲部を介して前記第1の実装部材と接続した第1のリード部材と、前記枠体外から前記枠体を貫通して前記第2の実装部材上にまで設けられた、第2の屈曲部を有するとともに、前記第2の屈曲部を介して前記第2の実装部材と接続した第2のリード部材と、を備えていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。請求項1に記載の半導体素子収納用パッケージであって、前記第1の実装部材および前記第2の実装部材は、矩形状の板体であり、前記第1のリード部材は、前記第1の実装部材の長手方向に沿って延在しているとともに、前記第2のリード部材は、前記第2の実装部材の長手方向に沿って延在していることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。請求項2に記載の半導体素子収納用パッケージであって、前記第1の実装部材の長手方向と前記第2の実装部材の長手方向とは一致しており、平面視して前記長手方向に直交する方向における前記第1の実装部材の幅が、平面視して前記長手方向に直交する方向における第2の実装部材の幅よりも大きいことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体素子収納用パッケージであって、前記第1の実装部材と前記第1のリード部材との接続部位は、前記第1の実装部材の上面から前記第1の実装部材の側面にかけての切欠き部であることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の半導体素子収納用パッケージであって、前記第2の実装部材と前記第2のリード部材の接続部位は、前記第2の実装部材の上面から前記第2の実装部材の側面にかけての切欠き部であることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の半導体素子収納用パッケージであって、前記第1の実装部材および前記第2の実装部材の表面は、導電性材料からなることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の半導体素子収納用パッケージであって、前記第1のリード部材の前記第1の屈曲部の曲率半径は、前記第2のリード部材の前記第2の屈曲部の曲率半径よりも大きいことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の半導体素子収納用パッケージと、前記第1の実装部材上に設けられた、前記第2の実装部材とワイヤを介して電気的に接続されたパワー半導体素子と、前記枠体上に前記パワー半導体素子を覆って設けられた蓋体と、を備えたことを特徴とする半導体装置。金属材料からなる基板と、前記基板上に設けられたセラミック枠体と、前記基板上であって前記セラミック枠体で囲まれる領域に設けられた、セラミック材料からなる絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられた、パワー半導体素子が搭載される第1の実装部材と、前記絶縁基板上に前記第1の実装部材と間をあけて設けられた第2の実装部材と、前記セラミック枠体外から前記セラミック枠体を貫通して前記第1の実装部材上にまで設けられた第1のリード部材と、前記セラミック枠体外から前記セラミック枠体を貫通して前記第2の実装部材上にまで設けられた第2のリード部材と、を備えていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。以下、本発明の一実施形態に係る半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置について、図面を参照しながら説明する。<実施形態><半導体素子収納用パッケージの構成、および半導体装置の構成>本発明の一実施形態に係る半導体収納用パッケージは、基板1と、基板1上に設けられた、パワー半導体素子9が搭載される搭載部4bを有する第1の実装部材4と、基板1上に第1の実装部材4と間をあけて設けられた第2の実装部材5と、を備えている。また、半導体素子収納用パッケージは、基板1に第1の実装部材4および第2の実装部材5を取り囲むように設けられた、第1の貫通部2aおよび第2の貫通部2bを有する枠体2と、を備えている。さらに、半導体素子収納用パッケージは、第1の貫通部2aを貫通して設けられた第1のリード部材6と、第2の貫通部2bを貫通して設けられた第2のリード部材7とを備えている。また、半導体装置は、半導体素子収納用パッケージと、第1の実装部材4の搭載部4bに搭載されて、第2の実装部材5に電気的に接続されたパワー半導体素子9と、枠体2の上面に設けられた蓋体10とを備えている。基板1は、平面視したとき、矩形状に形成された板状の部材であり、枠体2の外側に延出した延出部を有している。さらに、延出部には貫通孔から成るネジ取付け部が設けられている。ネジ取付け部は、半導体素子収納用パッケージと外部基板とをネジ等によってネジ止め固定するためのものである。外部基板は、例えば、ヒートシンク板またはプリント回路基板等である。また、ネジ取付け部は、延出部に1つ設けられているが、1つとは限らず、延出部に複数個設けてもよい。また、ネジ取付け部は、基板1を外部基板に取り付ける機能を有していればよく、ネジ取付け部の貫通孔の形状は、限定されない。また、基板1は、例えば、銅、鉄-ニッケル-コバルト合金または銅-タングステン合金等の金属材料から成る。基板1は、パワー半導体素子9から生じる熱をすみやかに放熱する材料からなる。また、基板1は、セラミック材料で構成してもよく、例えば、アルミナ質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックスまたはムライト質セラミックス等のセラミック材料から成る。また、基板1の熱伝導率は、例えば、10W/mK以上500W/mK以下に設定されている。また、基板1の熱膨張係数は、例えば、5ppm/°C以上20ppm/°C以下に設定されている。基板1が金属材料の場合は、例えば、インゴットを周知の圧延加工法、打ち抜き加工法またはエッチング加工法等の金属加工法を採用することによって、所定の形状となるように製作される。また、基板1がセラミック材料の場合は、例えば、金型を用いて平板形状のグリーンシートを打ち抜き、複数積層して焼成することによって製作される。また、基板1は、矩形状に形成されている。基板1は、例えば、一方の辺幅が、15mm以上25mm以下に、他方の辺幅が、25mm以上35mm以下に、厚みが、0.5mm以上2mm以下に設定されている。また、基板1は、外表面に耐蝕性に優れ、かつ接合材との濡れ性が良い金属が被着している。具体的には、基板1は、メッキ形成方法によって、ニッケルメッキ層および金メッキ層を順次被着させておくのがよい。なお、ニッケルメッキ層のメッキ厚みは、例えば、0.5μm以上9μm以下である。また、金メッキ層のメッキ厚みは、例えば、0.5μm以上5μm以下である。これらの金属メッキ層は、基板1が酸化腐蝕するのを有効に抑制することができる。また、基板1が金属材料で構成されている場合には、基板1の上側主面に絶縁基板3を介して、第1の実装部材4および第2の実装部材5が設けられる。また、第3のリード部材8も絶縁基板3を介して基板1の上側主面に設けられる。なお、絶縁基板3は、例えば、アルミナ質セラミックスまたは窒化アルミニウム質セラミックス等のセラミック材料から成る。枠体2は、基板1の上側主面に第1の実装部材4および第2の実装部材5を取り囲むように設けられている。さらに、枠体2は、枠体2の側壁を貫通して形成された第1の貫通部2aおよび第2の貫通部2bを有している。なお、第1の貫通部2aには、第1のリード部材6が設けられ、第2の貫通部2bには、第2のリード部材7が設けられている。なお、枠体2は、接合材を介して基板1上に設けられる。接合材は、例えば、銀-銅ロウ、銀ロウ等のロウ材である。枠体2は、例えば、アルミナ質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックスまたはムライト質セラミックス等のセラミック材料から成る。また、枠体2の熱伝導率は、例えば、10W/mK以上500W/mK以下に設定されている。また、枠体2の熱膨張係数は、例えば、5ppm/°C以上20ppm/°C以下に設定されている。また、枠体2は、凹部を有する容器形状とすることもできる。そして、この容器形状の枠体2を基板1の上側主面に接合することができる。このような構成にすることによって、凹部の底面に第1の実装部材4および第2の実装部材5を設けることができ、絶縁基板3を設けることなく、絶縁基板3が設けられた構成と同様な効果を得ることができる。第1の実装部材4は、基板1の上側主面に設けられており、パワー半導体素子9が搭載される搭載部4bを有している。第2の実装部材5は、基板1上に第1に実装部材4と間をあけて設けられている。そして、第2の実装部材5は、パワー半導体素子9にボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。第1の実装部材4および第2の実装部材5は、例えば、銅、鉄-ニッケル-コバルト合金または銅-タングステン合金等の金属材料から成る。また、第1の実装部材4および第2の実装部材5は、矩形状の板体であり、外表面に耐蝕性に優れ、かつ接合材との濡れ性が良い金属を被着している。第1の実装部材4および第2の実装部材5の表面は、導電性材料から成る。具体的には、第1の実装部材4および第2の実装部材5は、メッキ形成方法によって、ニッケルメッキ層および金メッキ層を順次被着させておくのがよい。なお、ニッケルメッキ層のメッキ厚みは、例えば、0.5μm以上9μm以下である。また、金メッキ層のメッキ厚みは、例えば、0.5μm以上5μm以下である。これらの金属メッキ層は、第1の実装部材4および第2の実装部材5が酸化腐蝕するのを有効に抑制することができる。また、第1の実装部材4および第2の実装部材5は、絶縁基板3と熱膨張係数の近い材料、例えば、銅-タングステンで構成されることが好ましい。これによって、第1の実装部材4および第2の実装部材5は、絶縁基板3上に接合された場合に、絶縁基板3に加わる熱応力を低減することができ、絶縁基板3にクラック、剥がれまたは破損等の発生を抑制することができる。第1のリード部材6は、長尺状であって、第1の貫通部2aを貫通して設けられている。第1のリード部材6は、一端が枠体2の内側で第1の実装部材4に接合材を介して電気的に接続されている。そして、第1のリード部材6は、他端が枠体2の外側に突出している。また、第2のリード部材7は、長尺状であって、第2の貫通部2bを貫通して設けられている。第2のリード部材7は、一端が枠体2の内側で第2の実装部材5に接合材を介して電気的に接続されている。そして、第2のリード部材7は、他端が枠体2の外側に突出している。第1のリード部材6は、第1の実装部材4の長手方向に沿って延在している。また、第2のリード部材7は、第2の実装部材5の長手方向に沿って延在している。第1のリード部材6および第2のリード部材7は、第1の実装部材4および第2の実装部材5の長手方向に沿って配置することで、熱を効率よく枠体2内から枠体2外に伝えることができ、半導体素子収納用パッケージの放熱性を向上させることができる。第1のリード部材6と第1の実装部材4とが電気的に接続され、第2のリード部材7と第2の実装部材5とが電気的に接続されている。なお、接合材は、導電性接合材であり、例えば、銀ロウまたは銀-銅ロウ等のロウ材、低融点半田または導電性エポキシ樹脂等からなる。また、第1のリード部材6および第2のリード部材7は、例えば、長さが、10mm以上25mm以下に、厚みが、0.5mm以上1mm以下に設定されている。また、第1の実装部材4の幅は、第1のリード部材6の幅よりも広く、第2の実装部材5の幅は、第2のリード部材7の幅よりも広く設定されている。このように、第1の実装部材4の幅を第1のリード部材6の幅よりも幅広く、第2の実装部材5の幅を第2のリード部材7の幅よりも幅広く設定することによって、第1の実装部材4と第1のリード部材6の間、あるいは第2の実装部材5と第2のリード部材7の間に大電流信号例えば、50アンペアが流れても、第1の実装部材4および第2の実装部材5に大電流信号をスムーズに流し、電気抵抗による発熱を抑制することができる。これによって、半導体素子収納用パッケージは熱膨張が抑制される。また、第1のリード部材6の幅が第1の実装部材4の幅よりも幅狭く、また、第2のリード部材7の幅が第2の実装部材5の幅よりも幅狭くなっている。そして、第1のリード部材6および第2のリード部材7は、枠体2に挿通接合される箇所を幅狭くすることができる。これによって、枠体2と第1のリード部材6の接合個所、および第2のリード部材7との接合箇所は、セラミック材料から成る枠体2と金属材料から成る第1のリード部材6および第2のリード部材7との接合面積を小さくすることができる。したがって、素子収納用パッケージは、第1のリード部材6および第2のリード部材7との熱膨張差による応力が枠体2に作用するのを抑制することができる。よって、枠体2はクラック等の発生が抑制されて、半導体素子収納用パッケージは、気密性が向上し内部を気密に保持することができる。さらに、第1の実装部材4からの熱が第1のリード部材6との接合部で第1のリード部材6に伝わりにくくなり、熱に起因する第1のリード部材6の熱膨張が抑制される。これによって、半導体素子収納用パッケージは、枠体2と第1リード部材との接合部においてクラックや剥がれ等の発生を抑制することができる。第1の実装部材4の長手方向と第2の実装部材5の長手方向は一致している。そして、平面視して第1の実装部材と第2の実装部材5の長手方向に直交する方向において、第1の実装部材4の幅が、第2の実装部材5の幅よりも大きく設定されている。第1の実装部材4の幅を第2の実装部材5の幅よりも大きくすることで、第1の実装部材4上に実装するパワー半導体素子9の発する熱を効率良く第1の実装部材4に伝えることができる。そして、第1の実装部材4を大きくしたことで、パワー半導体素子9の実装個所を熱変形しにくくすることができる。第1の実装部材4の幅Aは、例えば4mm以上7mm以下に、第2の実装部材5の幅Bは、例えば2mm以上4mm以下に、第1のリード部材6の幅Cは、例えば1mm以上3mm以下に、第2のリード部材7の幅Dは、例えば1mm以上3mm以下に設定されている。第3のリード部材8は、長尺状であって、第3の貫通部2cを貫通して設けられている。第3のリード部材8は、第3のリード部材8の一端が枠体2の内側で基板1の上側主面に設けられている絶縁基板3に接合材を介して接合されている。また、第3のリード部材8は、第3のリード部材8の他端が第3の貫通部2cから枠体2の外側に突出している。すなわち、第3のリード部材8は、第3のリード部材8の一端がパワー半導体素子9に電気的に接続される実装部材の機能を有しており、この一端がボンディングワイヤ等を介しパワー半導体素子9に電気的に接続される。基板1がセラミック材料からなる場合は、第3のリード部材8は、第3のリード部材8の一端が枠体2の内側で基板1の上側主面に接合材を介して接合されている。また、枠体2の側壁に設けられている第1の貫通部2a、第2の貫通部2bおよび第3の貫通部2cが枠体2の側壁の同一の高さに設けられている。そして、第3のリード部材8は、絶縁基板3または基板1に対して高さを調整するために、枠体2の内側に位置する部分に第3の屈曲部8aを有している。そして、第3の屈曲部8aは、熱応力を吸収するために折れ曲がっている。また、この第3のリード部材8に設けられた第3の屈曲部8aによって、第3のリード部材8の枠体2の側壁との接合部から絶縁基板3との接合部の間の部分が熱膨張により伸縮しても第3の屈曲部8aで第3のリード部材8が変形しやすくなり、第3のリード部材8に折れ曲がり変形等が生じることを抑制することができる。なお、第3の屈曲部8aの形状は、曲面形状に曲げられた形状、四角形状に曲げられた形状等、種々の形状とすることができる。また、第3のリード部材8の第3の屈曲部8aは、第3のリード部材8の製作時にプレス加工等をすることによって形成される。第3のリード部材8は、例えば、幅が、1mm以上3mm以下に、長さが、22mm以上37mm以下に、厚みが、0.5mm以上1mm以下に設定されている。なお、第3のリード部材8は、枠体2の内外側で同じ幅で設けられている。また、第1のリード部材6、第2のリード部材7および第3のリード部材8は、例えば、銅、鉄-ニッケル-コバルト合金または鉄-ニッケル合金等の金属材料からなる。これらの金属のインゴットを周知の圧延加工法、打ち抜き加工法またはエッチング加工法等の金属加工法を採用することによって、所定の形状となるように製作される。また、第1のリード部材6、第2のリード部材7および第3のリード部材8は、銅で構成されると、より低抵抗で大電流信号を伝送することができる。また、変形しやすく枠体2との接合部に応力が加わるのを低減することができ、クラック等の発生を抑制することができる。第1のリード部材6、第2のリード部材7および第3のリード部材8の熱伝導率は、例えば、10W/mK以上500W/mK以下に設定されている。また、第1のリード部材6、第2のリード部材7および第3のリード部材8の熱膨張係数は、例えば、5ppm/°C以上20ppm/°C以下に設定されている。パワー半導体素子9は、第1の実装部材4の搭載部4bに搭載される。パワー半導体素子9の下面に電極が設けられている場合には、パワー半導体素子9は、導電性の接合材を介して第1の実装部材4に電気的に接続される。これによって、第1のリード部材6とパワー半導体素子9とが電気的に接続される。接合材は、例えば、金-錫、金-ゲルマニウム等から成る。また、パワー半導体素子9の上面に電極が設けられている場合には、パワー半導体素子9は、ボンディングワイヤ等を介して第1の実装部材4に電気的に接続される。また、パワー半導体素子9は、ボンディングワイヤ等を介して第2の実装部材5および第3のリード部材8に電気的に接続される。パワー半導体素子9は、低抵抗、高温動作可能および高熱伝導率に特徴があり、電力損失を低減することで、発熱量を低減することができ、ひいては電力変換器の小型化を実現することができる。パワー半導体素子9は、例えば、電力損失を低減した送電システム、インバータ装置を小型化した車両、省エネルギーを実現した家電、ACアダプタを小型化したパソコン、高効率の電力変化可能なソーラーシステム等の用途に用いることができる。パワー半導体素子9は、シリコン等のSi系デバイス材料でなく、ガリウムナイトライド等のGaN系パワーデバイス材料、あるいはシリコンカーバイド等のSiC系パワーデバイス材料から成る。パワー半導体素子9は、パワーデバイス材料を用いて、例えば、昇華法、溶液法フラックス法または高温CVD法等を用いて作製することができる。蓋体10は、パワー半導体素子9を気密に封止するために、枠体2の上面に設けられている。また、蓋体10は、矩形状であって、鉄-ニッケル-コバルト合金または鉄-ニッケル合金等の金属材料から成る。また、蓋体10の熱膨張係数は、例えば、5ppm/°C以上15ppm/°C以下に設定されている。また、蓋体10は、例えば、一方の辺幅が、20mm以上25mm以下に、他方の辺幅が、20mm以上25mm以下に、厚みが、0.2mm以上1mm以下に設定されている。パワー半導体素子9は、第1の実装部材4の上側主面の搭載部4bに接着固定される。そして、パワー半導体素子9の上面に設けられている電極が、ボンディングワイヤ等を介して第2の実装部材5および第3のリード部材8に電気的に接続される。次に、枠体2の上面に蓋体7を接合し、基板1、枠体2および蓋体7の内部にパワー半導体素子9が気密に収納されて半導体装置となる。すなわち、パワー半導体素子9を搭載した後、蓋体7で密封することにより半導体装置となる。第1の実装部材4と第1のリード部材6がそれぞれ別体で設けられているため、パワー半導体素子9で生じる熱が第1の実装部材4と第1のリード部材6との接合部で第1のリード部材6に伝わりにくくなり、パワー半導体素子9から生じる熱に起因する第1のリード部材6の熱膨張が抑制される。これによって、半導体素子収納用パッケージは、枠体2と第1リード部材との接合部においてクラックや剥がれ等の発生を抑制することができる。半導体素子収納用パッケージは、図3および図4に示すように、第1の実装部材4は、第1のリード部材6との接続部位に、上面から側面にかけて切り欠いて成る第1の切欠き部4aを有し、第1のリード部材6は、枠体2の内側において切欠き部4aに向かって屈曲する第1の屈曲部6aを有している。なお、切欠き部4aは、第1の実装部材4の両側面を残すような形状で設けられている。すなわち、第1のリード部材6は、第1のリード部材6の一端が切欠き部4aに接合材を介して電気的に接続されている。なお、第1の屈曲部6aは、第1のリード部材6の屈曲している部位に凸部が形成されるように屈曲している。第1のリード部材6は、枠体2外から枠体2を貫通して第1の実装部材4上にまで設けられ、第1の屈曲部6aを介して第1のリード部材6と接続されている。また、第2のリード部材7は、枠体2外から枠体2を貫通して第2の実装部材5上にまで設けられ、第2の屈曲部7aを介して実装部材5と接続されている。また、第1の実装部材4は、切欠き部4aを有しているため、接合材が第1の実装部材4の上面で濡れ拡がることが抑制される。第1の実装部材4上で接合材が漏れ広がることで、第1の実装部材4上にて不要な個所に電流が漏れ広がるのを抑えることができ、電気特性に優れた半導体素子収納用パッケージを実現することができる。なお、接合材が漏れ広がると、パワー半導体素子9が第1の実装部材4に対して適切に配置できなかったり、ワイヤボンディングが正常に行えなかったり、パワー半導体素子9から第1の実装部材4に対して熱を効果的に伝えることができなかったりする虞が生じる。また、第1の実装部材4と第1のリード部材6とを接合材で接合する際に、両者の接続部位に熱が加わり熱膨張するが、接合後に第1のリード部材6が収縮したとしても、収縮による変形を第1の屈曲部6aで緩和させることができ、枠体2に収縮による応力が加わるのを抑制することができる。また、第1の実装部材4の切欠き部4aの深さEは、接合材の濡れ拡がりを抑制するために、例えば、0.05mm以上0.5mm以下に設定されている。また、切欠き部4aと第1のリード部材6との間隔Fは、接合材の濡れ拡がりを抑制するために、例えば、0.1mm以上1mm以下、間隔Gは0.2mm以上1mm以下に設定されている。また、第2の実装部材5は、第2のリード部材7との接続部位に、上面から側面にかけて切り欠いて成る第2の切欠き部5aを有している。第2のリード部材7は、第2のリード部材7の一端に切欠き部5aに向かって屈曲する第2の屈曲部7aを有している。すなわち、第2のリード部材7は、第2のリード部材7の一端が第2の実装部材5の切欠き部5aに接合材を介して電気的に接続されている。また、第2のリード部材7の他端が、第1の貫通部2bを貫通して枠体2の外側に突出している。そして、第2のリード部材7は、切欠き部5aの上方に位置する部分に切欠き部5aに向かって屈曲する第2の屈曲部7aを有している。なお、第2の屈曲部7aは、第2のリード部材7の屈曲している部位に凸部が形成されるように屈曲している。また、第2の実装部材5は、切欠き部5aを有しているため、接合材が第2の実装部材5の上面で濡れ拡がることが抑制される。第2の実装部材5上で接合材が漏れ広がることで、第2の実装部材5上にて不要な個所に電流が漏れ広がるのを抑えることができ、電気特性に優れた半導体素子収納用パッケージを実現することができる。また、第2の実装部材5と第2のリード部材7とを接合材で接合する際に、両者の接続部位に熱が加わり熱膨張するが、接合後に第2のリード部材7が収縮したとしても、収縮による変形を第2の屈曲部7aで緩和させることができ、枠体2に収縮による応力が加わるのを抑制することができる。また、第2の実装部材5の切欠き部5aの深さHは、接合材の濡れ拡がりを抑制するために、例えば、0.05mm以上0.5mm以下に設定されている。また、切欠き部4aと第1のリード部材6との間隔Iは、接合材の濡れ拡がりを抑制するために、例えば、0.1mm以上1mm以下、間隔Jは0.2mm以上1mm以下に設定されている。また、第1の屈曲部6aまたは第2の屈曲部7aは、図7に示すように、切欠き部4aまたは切欠き部5aに向かって四角形状で屈曲する形状であってもよい。また、第2の実装部材5の切欠き部5aは、図8に示すように、第1の実装部材4の切欠き部4aと同様な形状にしてもよい。第1のリード部材6の屈曲した部位に相当する第1の屈曲部6aの曲率半径は、例えば、0.5mm以上2mm以下に設定されている。また、第2のリード部材7の屈曲した部位に相当する第2の屈曲部7aの曲率半径は、例えば、0.3mm以上1.8mm以下に設定されている。そして、第1のリード部材6の屈曲した部位の曲率半径は、第2のリード部材7の屈曲した部位の曲率半径よりも大きくなるように設定されている。第1の実装部材4上にはパワー半導体素子9を搭載するため、第1のリード部材6は、熱応力が加わりやすく、第2のリード部材7よりも熱変形しやすい。そこで、第1の屈曲部6aの曲率半径を第2の屈曲部7aの曲率半径よりも大きくすることで、第1の実装部材4上に搭載したパワー半導体素子9の発する熱によって、第1のリード部材6が熱変形するのを緩和することができる。また、半導体素子収納用パッケージは、図9に示すように、第1の切欠き部4aおよび第2の切欠き部5aは、第1の実装部材4および第2の実装部材5の両側面を含んで切り欠かれた形状で設けられている。このような構成により、第1の実装部材4は切欠き部4aの部分を大きくすることで、切欠き部4aの厚みを薄くすることができる。また、第2の実装部材5は切欠き部5aの部分を大きくすることで、切欠き部5aの厚みを薄くすることができる。そして、両切欠き部の直下において、熱応力を緩和することができ、基板1または絶縁基板3にクラックや剥がれが発生しにくくなる。また、第1の切欠き部4aおよび第2の切欠き部5aを設けることで、第1の実装部材4および第2の実装部材5を小さくすることができ、パワー半導体素子9から発生する熱によって生じる、各部材の熱膨張係数の差に起因した熱応力が、各部材に大きく加わるのを低減することができ、第1の実装部材4から第1のリード部材6が剥離したり、第2の実装部材5から第2のリード部材7が剥離するのを抑制することができる。本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。<半導体素子収納用パッケージ、および半導体装置の製造方法>ここで、半導体素子収納用パッケージ、およびこれを備えた半導体装置の製造方法を説明する。基板1は、例えば、銅-タングステン合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状に製作される。枠体2は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤、溶剤、分散剤等を混合添加してペースト状として、ドクターブレード法やカレンダーロール法等によってグリーンシートが形成される。そして、平板形状のグリーンシートは、金型を用いた打ち抜きを施すことによって所定形状にされる。そして、枠体2は、それらを複数積層することによって枠体2の形状とされる。また、枠体2は、基板1との接合部、蓋体10との接合部、第1のリード部材6、第2のリード部材7および第3のリード部材8との接合部に該当する位置にメタライズ層が形成されている。そして、約1600°Cの温度で焼成することにより、枠体2が製作される。また、絶縁基板3は、枠体2と同様に、グリーンシートが形成される。そして、それらを焼成することによって所定形状の絶縁基板3が製作される。なお、絶縁基板3の上面の第1の実装部材4、第2の実装部材5および第3のリード部材8との接合部に該当する位置、また、下面の基板1との接合部に該当する位置にメタライズ層が形成されている。基板1の上側主面に枠体2が接合材を介して接合される。そして、絶縁基板3が、枠体2で取り囲まれて部分に接合材を介して接合される。第1の実装部材4および第2の実装部材5は、例えば、銅を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状に製作される。第1の実装部材4および第2の実装部材5が、絶縁基板3上に接合材を介して接合される。第1のリード部材6、第2のリード部材7および第3のリード部材8は、例えば、銅、鉄-ニッケル-コバルト合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工、打ち抜き加工、プレス加工等の金属加工法を用いて所定の形状に製作される。第1のリード部材6、第2のリード部材7および第3のリード部材8の一端は、それぞれ第1の実装部材4、第2の実装部材5、絶縁基板3に、銀ロウまたは銀-銅ロウ等のロウ材を介して接合される。ここで、半導体装置の製造方法について説明する。半導体装置は、半導体素子収納用パッケージに、パワー半導体素子9および蓋体10を備えている。蓋体10は、例えば、鉄-ニッケル-コバルト合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定の形状に製作される。パワー半導体素子9は、第1の実装部材4の搭載部4bに接着固定され、第1のリード部材6に電気的に接続される。この、パワー半導体素子9は、第2の実装部材5および第3のリード部材8にボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。そして、蓋体10は、枠体2の上面に設けられる。すなわち、半導体装置は、パワー半導体素子9が蓋体10によって気密に封止される。