結晶の金属組織の測定点aに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点aの周囲に200nm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4°未満である前記測定点aを中心とし、前記測定点aと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Aとし、前記面積Aの合計を面積ATとし、結晶の金属組織の測定点bに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点bの周囲に200nm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4°以上2.0°未満である前記測定点bを中心とし、前記測定点bと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Bとし、前記面積Bの合計を面積BTとしたときに、面積BT/面積AT×100<20を満たす圧延銅箔。-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1の繰り返し歪を50回与えたときに、前記面積BTの増加率が10以下となる請求項1に記載の圧延銅箔。-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1の繰り返し歪を300回与えたときに、前記面積BTの増加率が10以下となる請求項2に記載の圧延銅箔。-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1の繰り返し歪を1000回与えたときに、前記面積BTの増加率が10以下となる請求項3に記載の圧延銅箔。前記繰り返し歪の振幅が0.5である請求項2~4のいずれかに記載の圧延銅箔。前記繰り返し歪の振幅が1.0である請求項2~4のいずれかに記載の圧延銅箔。前記繰り返し歪の振幅が1.5である請求項2~4のいずれかに記載の圧延銅箔。前記繰り返し歪の振幅が2.0である請求項2~4のいずれかに記載の圧延銅箔。樹脂製のベースフィルム上に、100μmの配線幅で且つ前記ベースフィルムとの接触面の面積が前記ベースフィルムの表面積の50未満となるように形成して積層体としたとき、前記積層体に-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1の繰り返し歪を50回与えたときに、前記面積BTの増加率が10以下となる請求項1に記載の圧延銅箔。樹脂製のベースフィルム上に、100μmの配線幅で且つ前記ベースフィルムとの接触面の面積が、前記ベースフィルムの表面積の50未満となるように形成して積層体としたとき、前記積層体に-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1の繰り返し歪を300回与えたときに、前記面積BTの増加率が10以下となる請求項1に記載の圧延銅箔。樹脂製のベースフィルム上に、100μmの配線幅で且つ前記ベースフィルムとの接触面の面積が、前記ベースフィルムの表面積の50未満となるように形成して積層体としたとき、前記積層体に-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1の繰り返し歪を1000回与えたときに、前記面積BTの増加率が10以下となる請求項1に記載の圧延銅箔。前記積層体に与える前記繰り返し歪の振幅が0.5である請求項9~11のいずれかに記載の圧延銅箔。前記積層体に与える前記繰り返し歪の振幅が1.0である請求項9~11のいずれかに記載の圧延銅箔。前記積層体に与える前記繰り返し歪の振幅が1.5である請求項9~11のいずれかに記載の圧延銅箔。前記積層体に与える前記繰り返し歪の振幅が2.0である請求項9~11のいずれかに記載の圧延銅箔。線熱膨張係数が1.5倍以上差のある第1基板と第2基板とを電気的に接続するフレキシブルプリント配線板の配線として用いたときに、前記フレキシブルプリント配線板に-65°C~150°Cの温度変化を300回繰り返しても前記配線にクラックが発生しない請求項1~15のいずれかに記載の圧延銅箔。Ag、Sn、In、Zr及びZnからなる群から選択された1種又は2種以上を合計で20~500質量ppm含む請求項1~16のいずれかに記載の圧延銅箔。厚さが5~12μmである請求項1~17のいずれかに記載の圧延銅箔。請求項1~18のいずれかに記載の銅箔を備えた銅張積層板。請求項19に記載の銅張積層板を材料としたフレキシブルプリント配線板。請求項20に記載のフレキシブルプリント配線板と、前記フレキシブルプリント配線板で電気的に接続された第1の基板及び第2の基板とを備えた電子機器。フレキシブルプリント配線板は、電子機器において上述のように2つの基板間に設けられて両者を電気的に接続しているが、この2つの基板が同じ線熱膨張係数を有するものであれば問題とはならないが、線熱膨張係数に差がある基板であれば、電子機器の電源のオンとオフや、使用場所の気温変化等によってフレキシブルプリント配線板に応力集中が生じる。これに対し、フレキシブルプリント配線板は、MIT屈曲性に代表される良好な折り曲げ性、及び、IPC屈曲性に代表される高サイクル屈曲性については考慮されて設計されているが、通常、上述のような応力集中は予定されておらず、それに耐え得るように設計されていない。本発明者は、上述の応力集中に起因して銅箔にある問題が引き起こされることを見出した。すなわち、上述の応力集中を受けると、フレキシブルプリント配線板の銅箔は疲労により転位セルを形成する。転位セルは疲労の進行に伴い回転し、結晶粒内の結晶方位に微小な角度差を生じるようになり、やがて破壊に至る。通常焼鈍により再結晶した後の銅結晶粒内は、ほぼ均一であり、微小な角度差もほとんど無いが、その結晶粒径の数倍程度以下まで銅の厚さが薄くなると再結晶粒界内に微小な角度差が生じ、これらの割合が高いと疲労寿命を低下させる。このため、電子機器の長期の使用等によって、銅箔の結晶方位に角度差が生じ、フレキシブルプリント配線板の配線に上記応力集中によるクラック等が発生し、電子機器の故障の原因となっている。そこで、本発明は、プリント配線板の配線として用いられたときに、長期の使用によっても配線にクラックが発生しない圧延銅箔、及び、それを用いた銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器を提供することを課題とする。本発明者らは、鋭意検討の結果、プリント配線板の配線の銅箔として、結晶内における結晶方位の角度差が制御された圧延銅箔を用いることで、長期間使用してもプリント配線板の配線におけるクラックの発生を良好に抑制することができることを見出した。以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、結晶の金属組織の測定点aに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点aの周囲に200nm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4°未満である前記測定点aを中心とし、前記測定点aと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Aとし、前記面積Aの合計を面積ATとし、結晶の金属組織の測定点bに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点bの周囲に200nm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4°以上2.0°未満である前記測定点bを中心とし、前記測定点bと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Bとし、前記面積Bの合計を面積BTとしたときに、面積BT/面積AT×100<20を満たす圧延銅箔である。本発明に係る圧延銅箔の一実施形態においては、-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1の繰り返し歪を50回与えたときに、前記面積BTの増加率が10以下となる。本発明に係る圧延銅箔の別の実施形態においては、-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1の繰り返し歪を300回与えたときに、前記面積BTの増加率が10以下となる。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1の繰り返し歪を1000回与えたときに、前記面積BTの増加率が10以下となる。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、前記繰り返し歪の振幅が0.5である。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、前記繰り返し歪の振幅が1.0である。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、前記繰り返し歪の振幅が1.5である。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、前記繰り返し歪の振幅が2.0である。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、樹脂製のベースフィルム上に、100μmの配線幅で且つ前記ベースフィルムとの接触面の面積が、前記ベースフィルムの表面積の50未満となるように形成して積層体としたとき、前記積層体に-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1の繰り返し歪を50回与えたときに、前記面積BTの増加率が10以下となる。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、樹脂製のベースフィルム上に、100μmの配線幅で且つ前記ベースフィルムとの接触面の面積が、前記ベースフィルムの表面積の50未満となるように形成して積層体としたとき、前記積層体に-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1の繰り返し歪を300回与えたときに、前記面積BTの増加率が10以下となる。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、樹脂製のベースフィルム上に、100μmの配線幅で且つ前記ベースフィルムとの接触面の面積が、前記ベースフィルムの表面積の50未満となるように形成して積層体としたとき、前記積層体に-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1の繰り返し歪を1000回与えたときに、前記面積BTの増加率が10以下となる。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、前記積層体に与える前記繰り返し歪の振幅が0.5である。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、前記積層体に与える前記繰り返し歪の振幅が1.0である。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、前記積層体に与える前記繰り返し歪の振幅が1.5である。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、前記積層体に与える前記繰り返し歪の振幅が2.0である。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、線熱膨張係数が1.5倍以上差のある第1基板と第2基板とを電気的に接続するフレキシブルプリント配線板の配線として用いたときに、前記フレキシブルプリント配線板に-65°C~150°Cの温度変化を300回繰り返しても前記配線にクラックが発生しない。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、Ag、Sn、In、Zr及びZnからなる群から選択された1種又は2種以上を合計で20~500質量ppm含む。本発明に係る圧延銅箔の更に別の一実施形態においては、厚さが5~12μmである。本発明は別の一側面において、本発明に係る銅箔を備えた銅張積層板である。本発明は更に別の一側面において、本発明に係る銅張積層板を材料としたフレキシブルプリント配線板である。本発明は更に別の一側面において、本発明に係るフレキシブルプリント配線板と、前記フレキシブルプリント配線板で電気的に接続された第1の基板及び第2の基板とを備えた電子機器である。本発明によれば、プリント配線板の配線として用いられたときに、長期の使用によっても配線にクラックが発生しない圧延銅箔、及び、それを用いた銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器を提供することができる。圧延銅箔の構成フレキシブルプリント配線板用圧延銅箔の材料としては、タフピッチ銅JIS-H3100C1100や無酸素銅JIS-H3100C1020、JIS-H3510C1011が使用可能である。さらには、タフピッチ銅及び無酸素銅をベースした銅合金箔も使用可能である。タフピッチ銅及び無酸素銅をベースした銅合金箔は、具体的には、Ag、Sn、In、Zr及びZnからなる群から選択された1種又は2種以上を合計で20~500質量ppm含む。なお、本明細書において銅箔には銅合金箔も含まれ、タフピッチ銅及び無酸素銅で形成した銅箔には、タフピッチ銅及び無酸素銅をベースとした銅合金箔も含まれる。本発明に用いることのできる圧延銅箔の厚さとしては、5~40μmが好ましい。銅箔の厚さが5μm未満であると銅箔のハンドリングが悪くなり、40μm超であるとフレキシブル性が低下する。また、銅箔の厚さが薄くなると、初めから後述の面積BTの面積ATに対する割合が大きくなる傾向にあり、特に厚さが12μm以下でその傾向が顕著となる。このため、圧延銅箔の厚さは、5~12μmがより好ましい。本発明の圧延銅箔は、異なる測定点における結晶方位の方位角度差が制御されている。具体的には、まず、結晶の金属組織の測定点aを決定する。この測定点aは、電子線を照射して得られた結晶方位と、測定点aの周囲に200nm離間して位置する6点の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4°未満である。また、結晶の金属組織の測定点bを決定する。この測定点bは、電子線を照射して得られた結晶方位と、測定点bの周囲に200nm離間して位置する6点の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が0.4°以上2.0°未満である。なお、測定点と隣接測定点の結晶方位との方位角度差が2.0°以上である隣接測定点は結晶粒界であると判定し、上記方位角度差の平均値の算出においては考慮しなかった。そのため、例えば6点の隣接測定点の内、2点が結晶粒界であると判定された場合、測定点の電子線を照射して得られた結晶方位と結晶粒界以外の残りの4点の隣接測定点の結晶方位との方位角度差の平均値が、測定点の電子線を照射して得られた結晶方位と隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値となる。本発明の圧延銅箔は、測定点aを中心とし、測定点aと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Aとし、前記面積Aの合計を面積ATとし、測定点bを中心とし、測定点bと各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形の面積を面積Bとし、前記面積Bの合計を面積BTとしたときに、面積BT/面積AT×100<20を満たす。図1に、本発明の圧延銅箔の結晶方位の測定態様を表す模式図を示す。まず測定点を決定する。図1では、測定点a又はbを、No.1以下、測定点1というと記載している。また、測定点1を中心とし、測定点1と各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形を決定する。隣接測定点測定点2~7は、この測定点1を中心にして、周囲に200nm離間して位置する。そして、測定点1~7について電子線を照射して得られた結晶方位を測定し、測定点1と、測定点2~7の方位角度差をそれぞれ求める。このようにして求めた方位角度差の平均値が0.4°未満であるとき、その測定点1を測定点aとし、測定点aを中心とする正六角形の面積を面積Aとする。また、方位角度差の平均値が0.4°以上2.0°未満であるとき、その測定点1を測定点bとし、測定点bを中心とする正六角形の面積を面積Bとする。さらに、これらの隣接測定点測定点2~7について、測定点1と同様に、それぞれを中心として各辺との距離がそれぞれ100nmである正六角形を決定する。このように正六角形を順に決定していくと、図1に示すように互いに接し合う複数の正六角形で銅箔の金属組織が埋められていく。そして、各測定点についても上述と同様にして測定点aかbかを判定し、面積A又はBを求める。このようにして得られた各測定点における面積Aの合計を面積ATとし、各測定点における面積Bの合計を面積BTとしたとき、面積BT/面積AT×100<20を満たしている、すなわち、面積ATに対する面積BTが20未満となっている。疲労前の圧延銅箔において、結晶方位の方位角度差の平均値が0.4°以上2.0°未満である領域の面積が、0.4°未満である領域の面積よりも小さければ小さいほど、耐疲労特性が良好となることを発明者は見出している。この点、本発明の圧延銅箔はこのような構成により0.4°以上2.0°未満である領域の面積BTが0.4°未満である領域の面積ATに対して20未満と小さいため、良好な、耐疲労特性を有している。面積BTは、より好ましくは面積ATに対して15未満である。上述の結晶方位の測定は、EBSPElectronBackscatteringPatternのいわゆるKAMkernelaveragemisorientation値で200nmステップによるものが挙げられる。方位角度差が2°以上ある場所は結晶粒界としたため省いている。KAM値はEBSPを測定するステップ間隔により大きく変化するが、ステップ間隔を短くしていくと徐々に変化しなくなり、本発明の圧延銅箔では200nm以下であればほぼ一定の値となる。このため、200nmステップで測定したKAM値を用いることができる。本発明の圧延銅箔は、-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1、0.5、1.0、1.5、又は、2.0の繰り返し歪を50回、好ましくは300回、より好ましくは1000回与えたときに、面積BTの増加率が10以下となる。電子機器は冷寒地で使用する場合、及び、装置使用による温度上昇が生じた場合を考慮して、上記温度領域を-65°C~150°Cとした。一般的な銅箔の面積BTはこのような繰り返し歪の付与により増加するが、本発明の圧延銅箔は、このような繰り返し歪を与えても、面積BTの増加率が10以下であり、過酷な環境下においても良好な耐疲労特性を保持している。このときの面積BTの増加率は、より好ましくは8以下である。ここで、面積BTの増加率は、下記式で算出される。面積BTの増加率=試験後の面積BT-試験前の面積BT×100/試験前の面積BT本発明の圧延銅箔は、樹脂製のベースフィルム上に、100μmの配線幅で且つベースフィルムとの接触面の面積が、ベースフィルムの表面積の50未満となるように形成して積層体としたとき、積層体に-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1、0.5、1.0、1.5、又は、2.0の繰り返し歪を50回、好ましくは300回、より好ましくは1000回与えたときに、面積BTの増加率が10以下となる。圧延銅箔の配線パターンにはプリント配線板を固定して耐応力特性を向上させる働きがある。そのため、逆にプリント配線板における圧延銅箔の表面積が小さくなれば、それだけプリント配線板の耐応力特性が低下する。通常、圧延銅箔の表面積がプリント配線板の表面積の50未満であれば、温度変化によって両基板の膨張の差によって発生する応力集中に耐え切れず、プリント配線板の配線にクラックが生じる可能性が高い。また、配線幅が100μmという通常負荷に弱い微細な配線形状となっており、上記応力集中に対して脆弱である可能性が高い。これに対し、本発明においては、このような状態においても面積BTの増加率が10以下であり、耐疲労特性が良好に保持されるため、配線へのクラックの発生が良好に抑制される。フレキシブルプリント配線板の構成本発明に係るフレキシブルプリント配線板は、絶縁基板と、この絶縁基板の表面に形成された配線パターンとを備えている。絶縁基板は、フレキシブルプリント配線板に適用可能な良好な屈曲性及び折れ曲げ性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、ポリエチレンナフタレート等を使用することができる。絶縁基板の厚さは、12~50μmが好ましい。厚さが12μm未満であるとハンドリングが悪くなり、50μm超であるとフレキシブル性が低下する。配線パターンは、上述のフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔を用いて形成されている。配線パターンの形状は特に限定されず、どのようなものであってもよい。フレキシブルプリント配線板の特性本発明に係るフレキシブルプリント配線板は、上述のような圧延銅箔を用いて形成されているため、以下の特性を有する。すなわち、フレキシブルプリント配線板が電気的に接続する第1基板及び第2基板について、両基板が1.5倍以上の線熱膨張係数の差を有している場合、フレキシブルプリント配線板に対して-65°C~150°Cの温度変化を300回繰り返しても配線にクラックが発生しない。フレキシブルプリント配線板が電気的に接続している第1基板及び第2基板の線熱膨張係数の差が大きければ大きいほど、フレキシブルプリント配線板に加わる応力集中が大きくなる。通常、第1基板及び第2基板の線熱膨張係数の差が1.5倍以上であれば、温度変化によって両基板の膨張の差によって発生する応力集中に耐え切れず、フレキシブルプリント配線板の配線にクラックが生じる可能性が高い。これに対し、本発明においては、このような状態においても配線へのクラックの発生が良好に抑制される。ここで、図2に、一例として、第1基板FR4及び第2基板ガラス基板と、それらの間に形成されたフレキシブルプリント配線板との接続形態を示す。上記線熱膨張係数は、図2に示すように基板端部が延びる方向と平行な方向の膨張係数であり、室温での値を用いる。また、上記フレキシブルプリント配線板に対して-65°C~150°Cの温度変化を300回繰り返すとは、図3に示すように、フレキシブルプリント配線板に対して高温槽及び低温槽にてそれぞれ150°C及び-65°Cで30分間保持し、これを1サイクルとして300サイクル繰り返すことをいう。なお、高温槽と低温槽との間の移し変えは1分間以内で行う。その他の条件はJIS-C0025に従うことで行う。フレキシブルプリント配線板の製法フレキシブルプリント配線板は、上記圧延銅箔を用いて製造することができる。以下に、フレキシブルプリント配線板の製造例を示す。まず、圧延銅箔と、良好な屈曲性及び折れ曲げ性を有するポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム等の絶縁基板とを貼り合わせて銅張積層板を製造する。貼り合わせの方法は、ポリイミドフィルムの場合、熱硬化性ポリイミドフィルムに熱可塑性のポリイミド接着剤を塗工、乾燥した後、銅箔と積層させ、熱圧着させる。圧着方法としては真空熱プレスする方法や熱ロールによってラミネートする方法がある。またポリイミドフィルムの場合、銅箔にポリイミドの前駆体を塗工、乾燥、硬化させることで銅張積層板を作製する。銅張積層板からフレキシブルプリント配線板を作製する工程は当業者に周知の方法を用いればよい。例えば、エッチングレジストを銅張積層板の銅箔面に配線パターンとしての必要部分だけに塗工し、エッチング液を銅箔面に噴射することで不要銅箔を除去して回路パターンを形成する。次いでエッチングレジストを剥離除去して配線パターンを露出することで、フレキシブルプリント配線板を作製する。このフレキシブルプリント配線板を2つの電子基板間に設けて、それらを電気的に接続させることで、種々の電子機器を作製することができる。電子機器としては、特に限定されず、例えば、液晶ディスプレイ、カーナビゲーション、携帯電話、ゲーム機、CDプレイヤー、デジタルカメラ、テレビ、DVDプレイヤー、電子手帳、電子辞書、電卓、ビデオカメラ、プリンター等が挙げられる。以下、本発明の実施例を示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。例1:実施例1~32タフピッチ銅実施例1~4、9~16、30、31JIS-H3100C1100、無酸素銅実施例5~8、17~29、32JIS-H3100C1020に表1に記載の元素を添加して作製したインゴットを熱間圧延で厚さ7mmの板に加工し、表面研削で酸化物を取り除いた後、冷間圧延、焼鈍、酸洗を繰り返して、厚さを0.1mmにした。この後、表1に記載の厚さまでの冷間圧延を各パスの平均加工度が10以下となるように表1に記載の条件で冷間圧延を行って加工した。また、0.1mm以下の冷間圧延で1パスの加工度が10を超えた場合、そのパスの後に80~120°Cに焼鈍してから次のパスに移った。なお、各パスの平均加工度は、下記式のように各パスの加工度の合計をパス回数で除した値とした。各パスの平均加工度=1パス目加工度2パス目加工度...最終パス加工度/パス回数続いて、銅箔表面に表面処理をスパッタで施した。表面処理としては、フレキシブルプリント配線板のベースフィルムと接着させる表面に、Cr、Niをスパッタにより付着させた。また、上記表面と逆側の表面側に、Pd、Niをスパッタにより付着させた。続いて、実施例1、2、4、5、7、8、30はカプトンEN登録商標に熱可塑性PI接着剤を1μm塗工、乾燥して形成した38.5μm厚の樹脂層を銅箔に積層させて真空熱プレスによって銅張積層体を作製した。実施例3、6、9~29、31、32は銅箔にポリイミドワニス宇部興産株製UワニスSを塗工、乾燥、硬化させ37.5μmの樹脂層を形成させて銅張積層体を作製した。続いて、作製した積層体の銅箔に対して、LラインSスペース=100100μmで回路を形成し、これを供試材とした。当該供試材の配線の銅箔表面に対する面積率は、回路を形成していない部分も含まれるため30であった。例2:比較例1~6比較例1~3は、東レデュポン株式会社製カプトンEN登録商標を樹脂層として、密着性向上と後の工程でCuを電着させるための金属層Cr、Ni、Cuをスパッタした後に、電着によって銅層を形成し、銅張積層体を作製した。樹脂層の厚さは37.5μm厚とした。作製した積層体の銅箔に対してLS=300300μm比較例1、100100μm比較例2、2525μm比較例3の回路を形成し供試材とした。比較例4~6は、タフピッチ銅、又は、タフピッチ銅に表2に記載の元素を添加したインゴットを使用し、厚さ0.1mm以下の冷間圧延で平均加工度10以下にしない、または厚さ0.1mm以下の冷間圧延で1パスの加工度が10を超えてもその後に焼鈍しなかった。比較例4~6の厚さ0.1mm以下の冷間圧延の条件と、厚さ0.1mm以下の冷間圧延で1パスの加工度が10を超えた後の焼鈍の有無を表2に示す。また、厚さを0.1mmにするまでは、実施例1~32と同様の加工を施した。比較例4~6に係る銅張積層体は、実施例1、2、4、5、7、8、30と同様に作製した。このようにして作製した実施例1~32及び比較例1~6の供試材について、表1及び2に記載の温度にて振幅0.1、0.5、1.0、1.5、又は、2.0の繰り返し歪を50回、300回、及び、1000回与えた。また、この繰り返し歪を与える前と、50回、300回、及び、1000回の繰り返し歪を与えた後との銅箔に対して、電子顕微鏡JEOLFE-SEMを用い、TSL社製の解析ソフトを用いてEBSPをとってKAM値を算出した。これによって銅箔表面の500μm×500μmの範囲を測定し、当該測定面における上述の面積AT及び面積BTを求め、それらを用いて面積ATに対する面積BTの割合を算出した。さらに、繰り返し歪を与えた銅箔については、それぞれの面積BTの増加率を測定した。また、繰り返し歪を与えている際に配線にクラックが生じたか否かについても観察した。ここで、クラックの発生は以下のように判定した。すなわち、フレキシブルプリント配線板の配線に一定電流0.01~0.1mAを流し、当該電流を流すために必要な電圧値を測定し、測定した電圧値からフレキシブルプリント配線板の配線の抵抗値を算出した。算出した抵抗値が初期値上記繰り返し歪を与える前の抵抗値の500以上となったときに、クラックが生じたと判定した。例3:実施例17及び18、比較例1上記実施例17及び18、比較例1の供試材について、線熱膨張3ppmのガラス基板と13ppmのFR4基板とを図2のように接続し、-65°C~150°Cの温度変化を繰り返し行い、電子顕微鏡JEOLJXA-8500Fを用い、TSL社製OIMでEBSP解析を行い、例1及び2と同様にして各項目を測定した。測定結果を表1~3に示す。評価実施例1~32の供試材は、-65°C~150°Cのいずれかの温度で振幅0.1、0.5、1.0、1.5、又は、2.0の繰り返し歪を50回、300回、及び、1000回与えたときに、いずれも面積BTの増加率が10以下であり、クラックが発生しなかった。また、実施例17及び18の供試材は、線熱膨張係数が1.5倍以上差のある第1基板ガラス基板と第2基板FR4基板とを電気的に接続するフレキシブルプリント配線板の配線として用いたときに、フレキシブルプリント配線板に-65°C~150°Cの温度変化を300回繰り返しても配線にクラックが発生しなかった。比較例1~3の供試材は、圧延銅箔を用いておらず、繰り返し歪をそれぞれ20回、280回、54回与えたときにクラックが発生した。比較例4の供試材は、厚さ0.1mm以下の冷間圧延で1パスの加工度が10を超えてもその後に焼鈍しておらず、繰り返し歪を120回与えたときにクラックが発生した。比較例5の供試材は、厚さ0.1mm以下の冷間圧延で1パスの加工度が10を超えてもその後に焼鈍しておらず、さらに、厚さ0.1mm以下の冷間圧延で平均加工度10以下にしておらず、繰り返し歪を155回与えたときにクラックが発生した。比較例6の供試材は、厚さ0.1mm以下の冷間圧延で平均加工度10以下にしておらず、繰り返し歪を178回与えたときにクラックが発生した。また、比較例1の供試材は、線熱膨張係数が1.5倍以上差のある第1基板ガラス基板と第2基板FR4基板とを電気的に接続するフレキシブルプリント配線板の配線として用いたときに、フレキシブルプリント配線板に-65°C~150°Cの温度変化を45回繰り返すと配線にクラックが発生した。