基板上の流体を検出するためのシステムであって、センサボードと、前記センサボード上に取り付けられた第1の容量センサであり、信号を送信するための送信センサパッドと、前記信号を受信するための受信センサパッドと、前記受信された信号を解析するために前記受信センサパッドに接続されたアナログデジタル変換器とを有する第1の容量センサと、前記基板が載置されるプラットフォームであって、前記送信センサパッドおよび受信センサパッドから第1の距離にあるプラットフォームとを備えるシステム。請求項1に記載のシステムであって、前記プラットフォームは、地面と略水平である載置面を備えるシステム。請求項1に記載のシステムであって、前記プラットフォームは、前記基板が載置される載置面を備え、前記載置面に垂直な中心軸を中心に前記プラットフォームを回転させるための回転装置に接続されるシステム。請求項1に記載のシステムであって、前記第1の距離は10mm未満であるシステム。請求項1に記載のシステムであって、さらに、容量センサのアレイを形成するために、前記第1の容量センサに隣接して前記センサボード上に取り付けられた第2の容量センサを備えるシステム。請求項1に記載のシステムであって、前記プラットフォームは、前記センサボードに対して第1の方向へ移動し、パッドギャップが、第2の方向に沿って前記送信パッドおよび前記受信パッドの間に形成され、前記パッドギャップの前記第2の方向は前記第1の方向と平行ではない、システム。請求項1に記載のシステムであって、前記プラットフォームはコンベヤシステムであるシステム。基板上の流体を検出するための方法であって、センサボードと前記センサボード上に取り付けられた第1の容量センサとを備える流体検出器の下のプラットフォーム上に基板を載置する工程と、前記容量センサの静電容量を測定する工程と、前記容量センサの前記測定された静電容量に基づいて、前記基板上に流体があるか否かを判定する工程とを備える方法。請求項8に記載の方法であって、さらに、前記流体検出器の下で前記基板を移動させる工程と、前記基板が移動されている間に前記第1の容量センサの静電容量の任意の変化を測定する工程とを備える方法。請求項8に記載の方法であって、さらに、前記基板上に流体があると判定された場合に、警報を発する工程を備える方法。請求項8に記載の方法であって、前記第1の容量センサは、信号を送信するための送信センサパッドと、前記信号を受信するための受信センサパッドと、前記受信された信号を解析するために前記受信センサパッドに接続されたアナログデジタル変換器とを有する方法。請求項8に記載の方法であって、さらに、前記流体検出器の下で回転方向に前記基板を移動させる工程を備える方法。基板上の流体を検出するための装置であって、前記基板が載置されるプラットフォームから離れて配置された第1の容量センサであって、静電容量信号を送信するための送信センサパッドと、前記静電容量信号を受信するための受信センサパッドと、前記受信された静電容量信号を解析して前記第1の容量センサの静電容量の任意の変化を決定するために前記受信センサパッドに接続されたアナログデジタル変換器とを有し、前記静電容量信号を送信する時に前記送信センサパッドおよび前記受信センサパッドの間に電界を形成することができ、前記電界は、前記プラットフォーム上の基板の表面に到達しうる第1の容量センサと、前記アナログデジタル変換器に接続された検出回路であって、パターン認識および意思決定アルゴリズムを実行するマイクロプロセッサを備え、前記電界の任意の変化を決定することによって前記第1の容量センサの静電容量の任意の変化を解析し、次いで、任意の流体が前記プラットフォーム上の基板の表面に存在するか否かを判定する検出回路とを備える装置。請求項13に記載の装置であって、前記送信センサパッドおよび前記受信センサパッドは両方とも、前記プラットフォームの上方に取り付けられる装置。請求項13に記載の装置であって、前記第1の容量センサは、5fF以下の分解能で、100pF以下の静電容量の変化を測定できる装置。請求項13に記載の装置であって、前記第1の容量センサは、少なくとも5Hzのサンプルレートを有する装置。請求項13に記載の装置であって、前記第1の容量センサは、前記静電容量信号を送信する時に、前記送信センサパッドおよび前記受信センサパッドの間にフリンジ電界を生成し、前記フリンジ電界は、前記送信センサパッドまたは前記受信センサパッドのいずれかから少なくとも2ミリメートル外に広がる装置。請求項13に記載の装置であって、パッドギャップが前記送信パッドおよび前記受信パッドの間に形成され、前記パッドギャップは1ミリメートル未満である装置。請求項18の装置であって、前記パッドギャップは、互いにかみ合ったフィンガパターンを形成する装置。請求項13に記載の装置であって、容量センサのアレイが前記センサボード上に取り付けられ、前記アレイの長さは100mm以上である装置。本発明は、基板付近に非接触容量センサを配置して、次いで、容量センサを横断して基板を移動させることによって、基板上の流体滴を確実かつコスト効率よく検出できるという発見を利用している。図1および図2によると、基板106上の流体110を検出するためのシステム100が図示されている。流体110は、水、脱イオン水、イソプロピルアルコール、任意の洗浄流体、または、任意の研磨流体など、基板の表面上に形成または堆積されうる任意の流体を含む。流体は、ウエハのかなりの部分を覆いうるウエハに満ちあふれる、または、小滴を形成しうる。記載されている検出方法は、満ちあふれる状況または小滴の状況のいずれかに対応する。流体110は、好ましくは少なくとも0.1ミリメートル、より好ましくは少なくとも1.0ミリメートル、最も好ましくは0.1ミリメートルから5.0ミリメートルの直径を有する小滴を形成する。流体110の小滴は、好ましくは少なくとも1マイクロリットル、より好ましくは少なくとも10マイクロリットル、最も好ましくは1マイクロリットルから1000マイクロリットルの体積を有する。基板106は、以下のような様々な円盤形状または非円盤形状の基板の内の任意の1つを含む:ガラス、乾燥ガラス、半導体ウエハ、フラットパネルディスプレイのガラスパネル、ガラス製品パネル、および、プリント回路基板など、シリコン系の基板;ポリマ系の基板;シリコン系半導体基板、単一元素半導体基板、シリコンオンインシュレータSOI基板、III-V半導体基板、II-VI半導体基板、その他の二元半導体基板、三元半導体基板、四元半導体基板など、様々なタイプの半導体基板;光ファイバ基板;超伝導体基板;ガラス基板;透明石英ガラス基板;不透明石英ガラス基板;エピタキシャルシリコン基板;ならびに、有機半導体基板。図2、図3、および、図4によると、システム100は、基板106が配置されるプラットフォーム104から距離d1だけ離れて配置された容量センサ116と、容量センサ116に接続された検出回路150とを有する流体検出器102を備える。距離d1は、基板106に触れることなく、表面105に可能な限り近いことが好ましい。距離d1は、10mm以下であることが好ましく、0.1mmから5mmであることがより好ましく、1mmから4mmであることが最も好ましい。図11および図12に示すように、距離d1が、2mmから3mmへ、次いで、3mmから4mmへ変化すると、容量センサ116を用いた流体110の小滴の検出は、スパイク180で表されるように、スパイク180が小さくなることから、より困難になる。プラットフォーム104は、基板106が配置される載置面105を提供する。載置面105は、地面と略水平であり、基板106が載置されるための略水平な表面を提供することが好ましい。プラットフォーム104は、流体検出器102の下面128、より具体的には容量センサ116よりも距離d1だけ下に配置される。プラットフォーム104は、流体検出器102の下で直線移動または回転移動のいずれかで基板106を動かすことができるコンベヤシステムであることが好ましい。図1および図2は、流体検出器102の下方で直線移動方向dtに基板106を移動させることができるコンベヤシステムであるプラットフォーム104を示す。プラットフォーム104は、基板106に化学剤を供給する化学剤ヘッド132の下方に位置し、供給された化学剤をリンスして除去するためのリンスヘッド134の下方に位置し、真空吸引によってウエハを乾燥するために用いられる出口ヘッドの下方に位置することが好ましい。図7によると、円形の載置面205を有するプラットフォーム204が提供されている。プラットフォーム204は、一般に円形であり、載置面205に垂直な中心軸210の周りでdrの方向に回転する。プラットフォーム204は、中心軸210を中心にプラットフォーム204を回転させるための回転装置220と結合されている。容量センサ116は、静電容量の変化を測定する任意のタイプのセンサを含む。容量センサ116は、静電容量の変化を測定することによって機能する非接触容量センサであることが好ましい。容量センサ116は、センサ116上の電荷の位置を連続的に逆転させる交流電圧を用いることが好ましい。電荷の移動は、容量センサ116によって検出される交流電流を生み出す。電流量は静電容量によって決定され、静電容量は、付近の物体流体110などの面積、近接度、および、相対誘電率によって決定される。大きくて近い物体は、小さくて遠い物体よりも大きい電流を引き起こす。容量センサ116の静電容量は、容量センサ116と流体110などの物体との間のエアギャップ111にある非導電材料の種類によっても影響を受ける。容量センサ116は、基板106の表面108上の流体110の小滴脱イオン水の小滴などの存在から起きる静電容量の変化を検出するのに十分な感度を有することが好ましい。小滴は、少なくとも1マイクロリットルの体積を有することが好ましく、少なくとも10マイクロリットルの体積を有することがさらに好ましく、1マイクロリットルから1000マイクロリットルの体積を有することが最も好ましい。容量センサ116は、好ましくは100ピコファラッドpF以下の静電容量の変化、より好ましくは100フェムトファラッドfF以下の静電容量の変化、最も好ましくは5fF以下の静電容量の変化を検出および測定することが可能であり、いずれの場合でも、10fF以下の分解能を有することが好ましく、5fF以下の分解能を有することがより好ましい。一実施形態において、容量センサ116は、マサチューセッツ州ノーウッドにあるAnalogDevices社製のモデルAD7147Captouch容量デジタル変換器容量センサである。一実施形態において、容量センサ116は、マサチューセッツ州ノーウッドにあるAnalogDevices社製のモデルAD7150超低出力2チャンネル近接検知用静電容量変換器である。各容量センサ116は、静電容量信号121を送信するための送信センサパッド122と、静電容量信号121を受信するための受信センサパッド124と、受信した静電容量信号121を解析して容量センサ116の静電容量の任意の変化を決定するために受信センサパッド124に接続されたアナログデジタル変換器126とを備える。センサパッド122および124は、プラットフォーム104の上方、より具体的にはプラットフォーム104の表面105の上方の距離d1に取り付けられており、図2に示すように、センサパッド122および124は、プラットフォーム104と対向している。センサパッド122および124は、金属などの導電材料を含むことが好ましい。送信センサパッド122から受信センサパッド124に静電容量信号121を送信することにより、電界120が生成される。電界120が特定のサイズの物体流体110の小滴などによって遮断されると、受信される静電容量信号121の値が変化し、容量センサ116の全静電容量が、測定可能なほど変化する。受信センサパッド124が静電容量信号121を受信すると、静電容量信号121は、アナログデジタル変換器126によってアナログ形式からデジタル形式に変換され、解析のために検出回路150に送信される。一実施形態において、流体検出器102は、基板存在検出器160および基板移動速度検出器164を備える。基板存在検出器160は、基板106の存在を検出できる任意のタイプの装置または装置の組み合わせであり、レーザビームまたは光学スキャナなどの装置を含みうる。基板106を検出すると、基板存在検出器160は、後に検出回路150によって受信および解析される基板存在信号を生成する。基板移動速度検出器164は、プラットフォーム104上を移動する基板106の速度を決定できる任意のタイプの装置または装置の組み合わせであり、レーザビーム、光学スキャナ、または、高周波を含みうる。基板106の速度を決定すると、基板移動速度検出器164は、後に検出回路150によって受信および解析される基板移動速度信号を生成する。検出回路150は、アナログデジタル変換器126と接続されており、パターン認識および意思決定アルゴリズムを実行するマイクロプロセッサ152を備える。検出回路150は、電界120の任意の変化を決定することによって第1の容量センサ116の静電容量の任意の変化を解析し、次いで、任意の流体110がプラットフォーム104上の基板106の表面108に存在するか否かを判定する。検出回路150は、流体110がプラットフォーム104上の基板106の表面108に存在するか否かを判定するために、静電容量の任意の変化、具体的には、静電容量信号121の任意の変化を解析する。一実施形態において、検出回路150は、アナログデジタル変換器126からの静電容量信号121、基板存在検出器160からの基板存在信号、および、基板移動速度検出器164からの基板移動速度信号を受信する。次いで、パターン認識および意思決定アルゴリズムを用いて、検出回路150は、静電容量信号121の値、基板存在信号、および、基板移動速度信号に基づき、流体110が基板106上に存在するか否かを判定する。検出回路150は、以下のようにこの判定を行う。最初に、検出回路150は、図13および図14Aに示すように、基板存在信号の値を解析することによって、または、静電容量信号121の値の実質的な変化を解析することによって、基板106が容量センサ116のセンサパッド118から距離d1以内に存在するか否かを判定する。基板106が存在すると検出回路150が判定した場合、図13および図14Aに示すように、検出回路150は、次に、基板移動速度信号の値を分析することによって、または、基板106のエッジを示す実質的な変化について静電容量信号121の値を解析することによって、基板106の速度を決定する。次いで、静電容量信号121の値と共に、基板106の決定された速度を用いて、検出回路150は、基板106の表面108上に流体110があることを示す静電容量信号121の急激な変化すなわちスパイク180が存在するか否かを判定する。図9~図12を参照すると、スパイク180は、静電容量信号121の通常の変化を超える静電容量信号121の急激な変化を意味する。例えば、図8は、揺動しつつ回転する基板106の通常の静電容量信号121を示しており、図9および図10は、スパイク180によって表される流体110の小滴を伴う同じ揺動する基板106を示している。スパイク180は、流体110の小滴が基板106の表面108上に存在することを示す。流体110の小滴が基板106の表面108上に存在すると検出回路150が判定した場合、流体110の小滴の存在を示す信号が、インジケータ140に送信され、インジケータ140は、警報を発することによってこの情報をエンドユーザに知らせる。インジケータ140は、流体検出器102の一部であることが好ましく、検出回路150と接続される。インジケータ140は、照明装置、スピーカ、ディスプレイ、および、振動または移動する装置など、ユーザに信号を伝えることができる任意の装置を含む。検出回路150は、図14Bに示すように、流体110の存在がより容易に検出されるように、静電容量信号121のピークおよびバレーを低減することができるノイズ低減アルゴリズムを備える。一実施形態において、基板存在信号は、パターン認識アルゴリズムを用いて静電容量信号121から検出回路150によって導出される。この実施形態において、基板存在信号は、図13および図14Aに示すように、静電容量信号121の変化を解析することによって導出される。静電容量信号121の変化が十分に大きい場合、基板106は、センサパッド118の近くに配置されているか、または、センサパッド118から除去されている。静電容量信号121の変化が大きいことは、基板106の存在または不在を示しうる。例えば、図13において、静電容量が約1525のレベルから約1360のレベルへと変化した時、静電容量のこの大きい変化は、基板106のエッジに達したことを示している。基板106のエッジでは、このように静電容量の大きい変化が生じるため、基板106のエッジで流体110の小滴を検出できるように、基板106のエッジにおける静電容量値のパターンが、メモリに格納されることが好ましい。さらに、図14Aを参照すると、プラットフォーム104から基板106を除去すると、静電容量は、約33605のレベルから約33630のレベルに変化する。一実施形態において、基板移動速度信号は、パターン認識アルゴリズムを用いて静電容量信号121から検出回路150によって導出される。この実施形態において、基板移動速度信号は、基板106の速度を決定するために、基板存在検出器160による基板106の前縁部の検出と基板106の後縁部の検出との間の時間を解析することによって生成される。静電容量信号121の変化が大きいことは、基板106の前縁部または後縁部を示しうる。一実施形態において、流体検出器102は、容量センサ116、検出回路150、インジケータ140、マルチプレクサ142、検出回路150、基板存在検出器160、および、基板移動速度検出器166などの構成要素を取り付けるためのセンサボード112を備える。センサボード112は、容量センサ116などの構成要素が取り付けられる剛性のプラットフォームである。センサボード112は、容量センサ116の幅W2よりも大きい幅W1と、基板106の幅の半分または直径D1の半分よりも大きい長さL1とを有することが好ましい。一実施形態において、センサボード112は、基板106の幅または直径D1より大きい長さL1を有する。このように、センサボード112は、基板106の幅の少なくとも半分または直径D1の少なくとも半分よりも大きい長さL2を有する容量センサ116のアレイ114を取り付けることができる。長さL2は、基板106の幅または直径D1よりも大きいことが好ましい。長さL2を有する容量センサ116のアレイ114を有することによって、流体検出器102は、流体110について基板106全体を速やかに走査することができる。センサボード112は、インジケータ140、マルチプレクサ142、検出回路150、基板存在検出器160、基板移動速度検出器166、および、容量センサ116などの構成要素を、センサボード112上に直接取り付けることを可能にするように、プリント回路基板から形成されることが好ましい。図7によると、一実施形態において、さらに剛性の高いセンサボード112を提供するために、剛性の裏打ち115が、センサボード112に結合されている。剛性の裏打ち115は、金属、繊維複合構造、または、硬質プラスチックなどの剛体材料を含むことが好ましい。図2を参照すると、一実施形態において、送信センサパッド122および受信センサパッド124は両方とも、プラットフォーム104の片側に取り付けられ、ともにプラットフォーム104の上方の距離d1以下にあることが好ましい。各容量センサ116の送信および受信センサパッド122および124は、プラットフォーム104と対向するセンサボード112の下面128上に取り付けられることが好ましい。この実施形態において、センサパッド122および124は、フリンジ電界120を形成し、電界120は、図4に示すように、送信センサパッド122から出て受信センサパッド124に入るように屈曲する。フリンジ電界120を形成することには、パッド122および124の両方をプラットフォーム104の同じ側に保持して、流体検出器120の形状を簡素化するという利点がある。さらに、図15に示すように、略直線状の電界120ではなく、フリンジ電界120を形成することにより、電界120は基板106およびプラットフォーム104の両方を通る必要がなくなるため、容量センサ116の感度が高くなる。フリンジ電界120は、送信および受信センサパッド122および124から距離d2まで広がっており、距離d2は、距離d1以上である。距離d2は、少なくとも2mmであることが好ましく、少なくとも4mmであることがより好ましく、少なくとも5mmであることが最も好ましい。送信および受信センサパッド122および124は、異なる平面上に互いに離間されて取り付けられてもよいが、送信および受信センサパッド122および124を同一平面上に互いに並べて取り付ければ、送信および受信センサパッド122および124を同じセンサボード112上に取り付けることが可能になる。送信センサパッド122および受信センサパッドおよび124をプラットフォーム104の片側に取り付ける場合、パッド122および124は、図2に示すように、単一のセンサボード112上に取り付けられることが好ましい。図3および図4によると、一実施形態において、送信センサパッド122および受信センサパッド124の両方がプラットフォーム104の片側に取り付けられる場合、パッドギャップ130が、送信センサパッド122および受信センサパッド124の間に形成される。図4を参照すると、パッドギャップ130は、好ましくは2mm未満、より好ましくは1mm未満、最も好ましくは0.5mm未満の幅W3を有する。図3によると、一実施形態において、送信センサパッド122および受信センサパッド124の両方をプラットフォーム104の片側に取り付ける場合、パッドギャップ130は、移動方向dtと平行ではない方向dPに沿って形成される。このように、移動方向dtと平行ではない方向dPに沿ってパッドギャップ130を形成することで、流体110の小滴がパッドギャップ130と平行に移動するのではなくパッドギャップ130を横断する可能性を高めることにより、容量センサ116の感度を向上させることができる。送信および受信センサパッド122および124は、パッドギャップ130が移動方向dtと平行ではない方向dPに沿って形成されるように、図3に示すように、直角ではない対角を有する平行四辺形を形成することが好ましい。図16Aおよび図16Bによると、一実施形態において、パッドギャップ130は、容量センサ116の感度を高めるために、互いにかみ合うフィンガパターンを形成する。送信および受信センサパッド122および124は両方とも、容量センサ116の感度を高めるのに役立つように、図16Aおよび図16Bに示すように互いにかみ合う向かい合ったフィンガ170を形成する。図15によると、一実施形態において、送信センサパッド122は、プラットフォーム104の第1の側に取り付けられ、受信センサパッド124は、プラットフォーム104の第1の側の反対側の第2の側に取り付けられる。この実施形態において、センサパッド122および124は両方とも、プラットフォーム104の上方または下方の距離d1以内の位置に取り付けられることが好ましい。センサパッド122および124をプラットフォーム104の上方および下方に取り付けることにより、センサパッド122および124は、プラットフォーム104および基板106の両方を通る略直線的な電界120を形成する。プラットフォーム104の両側に送信センサパッド122および受信センサパッド124を取り付ける場合、パッド122および124は、図15に示すように、2つのセンサボード112、212上に取り付けられることが好ましい。図2、図3、および、図4によると、少なくとも1つ好ましくは複数の容量センサ116、より具体的には、複数の送信および受信センサパッド122および124が、センサボード112上に取り付けられる。送信および受信センサパッド122および124で形成される容量センサ116のアレイ114は、長さL2を有するよう形成されることが好ましい。長さL2は、基板106の直径D1の少なくとも半分よりも大きいことが好ましく、基板106の直径D1全体以上であることがより好ましい。一実施形態において、アレイ114は、5から50の容量センサ116を有しており、5から20の容量センサ116を有することがより好ましい。一実施形態において、アレイ114は、10から100の送信および受信センサパッド122および124を有しており、10から40の送信および受信センサパッド122および124を有することがより好ましい。一実施形態では、アレイ114は、送信センサパッド122または受信センサパッド124のいずれかを含む。動作中、流体検出システム100は、以下のように、基板106の表面108上の流体110を検出する。最初に、基板106が、プラットフォーム104の表面105上に配置される。次いで、プラットフォーム104は、回転装置220によって回転されるか、あるいは、コンベヤシステムで直線的に移動される。こうして、プラットフォーム104は、容量センサ116の下で基板106を移動させる。容量センサ116の静電容量が測定され、次いで、静電容量信号121が検出回路150に送信される。一実施形態において、基板存在信号および基板移動速度信号が、それぞれ、基板存在検出器160および基板移動速度検出器164から検出回路150に別個に送信される。一実施形態では、その代わりに、基板存在信号および基板移動速度信号内の情報は、静電容量信号121のみから抽出される。静電容量信号121を受信すると、検出回路150は、静電容量信号121のみから、あるいは、別個の基板存在信号から、基板106が存在するか否かを判定する。基板106が存在すると検出回路150が判定した場合、検出回路150は、静電容量信号121のみから、あるいは、別個の基板移動速度信号から、基板106の速度を決定する。次いで、基板106の速度を用いて、検出回路150は、図9~図12に示すように、静電容量信号121の実質的な変化すなわちスパイク180を監視する。スパイク180は、静電容量信号121の実質的な変化を意味するものであり、流体110の小滴が基板106の表面108上に存在することを示す。流体110の小滴が基板106の表面108上に存在すると検出回路150が判定した場合、流体110の小滴の存在を示す信号が、インジケータ140に送信され、インジケータ140は、警報を発することによってこの情報をエンドユーザに知らせる。本開示の要約は、読者が技術的開示の本質を速やかに確認できるように提供されたものである。それは、請求項の範囲または意味を解釈または限定するために利用されないという了解の下で提出されている。さらに、以上の詳細な説明において、本開示を簡素化するために、様々な特徴を様々な実施形態にまとめて記載していることがわかる。この開示方法は、請求される実施形態が、各請求項に明示的に記載されたよりも多くの特徴を必要とする意図を反映するものと解釈されるべきではない。むしろ、以下の請求項が反映するように、発明の主題は、単一の開示された実施形態の全特徴未満にある。したがって、以下の請求項は、詳細な説明に組み込まれ、各請求項は、別個に請求された主題として独立している。本発明の様々な実施形態を記載したが、その他の実施形態および実装例が本発明の範囲内で可能であることは当業者にとって明らかである。したがって、本発明は、添付の請求項およびそれらの等価物以外のもので限定されるべきではない。