第一および第二のフリップチップ実装端子を有する半導体素子と、前記半導体素子を実装する金属基板であって、前記金属基板の表面に形成され、その表面と前記金属基板の表面とが同一高さである絶縁層と、前記第一のフリップチップ実装端子と前記第一の配線とを電気的に接続し、前記第二のフリップチップ実装端子と前記第二の配線とを電気的に接続している半導体デバイスにおいて、前記絶縁層の表面に前記金属基板と電気的に接続しない第一の配線と前記金属基板の表面に形成した第二の配線を有し、前記第一の配線の高さと前記第二の配線の高さが一致していることを特徴とする半導体デバイス。前記半導体素子は、半導体発光素子であることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。前記第二の端子と接続する前記第二のフリップチップ実装端子は、熱伝導量の多い方の端子であることを特徴とする請求項1もしくは請求項2に記載の半導体デバイス。金属基板に溝を形成する工程と、前記溝に絶縁層を充填する工程と、前記金属基板の表面と前記絶縁層の表面の高さを一致させる工程と、前記絶縁層の上に前記金属基板と電気的に接続しない第一の配線および前記金属基板の上に第二の配線を同じ高さに形成する工程と、半導体素子を前記第一の配線および前記第二の配線上にフリップチップ実装する工程と、を有する半導体デバイスの製造方法。金属基板表面の一部を酸化させて絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に前記金属基板と電気的に接続しない第一の配線および前記金属基板の上に第二の配線を同じ高さに形成する工程と、半導体素子を前記第一の配線および前記第二の配線上にフリップチップ実装する工程と、を有する半導体デバイスの製造方法。図9記載の構造の問題点は、前記絶縁層213の厚さが前記端子214と端子215の段差の大きさに比べて非常に厚いため、前記バンプ221と前記バンプ222の大きさを変えなくては発光ダイオードチップ200の実装をすることが難しく、また、バンプの大きさを変えることでフリップチップした際にバンプの潰れる高さに幅ができるため、発光ダイオードチップ200を常に同じ高さ、同じ傾き、同じ接続強度や接続面積で実装することが困難となる。これにより製品ごとに光の向きや信頼性、放熱性と放熱性に起因する輝度にばらつきが発生し、歩留まりが低下するという問題があった。また、図10記載の構造の問題点は、埋設導体302を絶縁層301上に設置する際に、埋設導体302が自重で傾く、もしくは沈み過ぎるということがあるため、埋設導体302の高さを導体板300と同じ高さにすることが容易ではない。結果的に発光ダイオードチップ305を常に同じ高さ、同じ傾き、同じ接続強度や接続面積で実装することが出来ない。これにより、図9と同様に製品ごとに光の向きや信頼性、放熱性と放熱性に起因する輝度にばらつきが発生し、歩留まりが低下するという問題があった。そこで本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、高い放熱性と、高い素子の実装精度を両立するデバイスを提供することを目的とする。本発明の半導体デバイスは、第一および第二のフリップチップ実装端子を有する半導体素子と、半導体素子を実装する金属基板であって、金属基板の表面に形成され、その表面と金属基板の表面とが同一高さである絶縁層と、第一のフリップチップ実装端子と前記第一の配線とを電気的に接続し、第二のフリップチップ実装端子と第二の配線とを電気的に接続している半導体デバイスにおいて、絶縁層の表面に金属基板と電気的に接続しない第一の配線と金属基板の表面に形成した第二の配線を有し、第一の配線の高さと前記第二の配線の高さが一致していることを特徴とするものである。また、半導体素子は、半導体発光素子であることが好ましい。また、前記第二の端子と接続する第二のフリップチップ実装端子は、発熱量の多い方の端子であることが好ましい。本発明の半導体デバイスの第一の製造方法は、金属基板に溝を形成する工程と、溝に絶縁層を充填する工程と、金属基板の表面と絶縁層の表面の高さを一致させる工程と、絶縁層の上に金属基板と電気的に接続しない第一の配線および金属基板の上に第二の配線を同じ高さに形成する工程と、半導体素子を第一の配線および第二の配線上にフリップチップ実装する工程と、を有することを特徴とする。本発明の半導体デバイスの第二の製造方法は、金属基板表面の一部を酸化させて絶縁層を形成する工程と、絶縁層の上に金属基板と電気的に接続しない第一の配線および金属基板の上に第二の配線を同じ高さに形成する工程と、半導体素子を第一の配線および第二の配線上にフリップチップ実装する工程と、を有することを特徴とする。本発明の半導体デバイスは、半導体素子から金属基板への熱経路に高い熱抵抗を有する部材が挟まれないため、高い放熱性を維持することが出来ると共に、半導体デバイスと金属基板を繋ぐ接続端子の高さを精度良く制御できるので、実装した際の製品ばらつきを減少させることが出来る。以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。以下、本発明の実施形態を図1から図3を用いて説明する。図1は本発明に係る半導体デバイスの基板を示す概略図であり、aは平面図でbはA-A切断部端面図である。基板1は、金属基板2と、金属基板の一部に形成された凹部に充填された絶縁層3と、金属基板2上および絶縁層3上にそれぞれ形成された導電パターン4、5からなる。絶縁層3の露出面と金属基板2の上面は同一の面上にあり、導電パターン4と導電パターン5も同じ高さである。また、導電パターン4および金属基板2と前記導電パターン5は絶縁されており電気的な接合は無い。本実施例では金属基板2としてアルミ基板が好適だが、その他の金属基板、たとえば銅基板などの導電性金属基板を用いても良い。また、導電パターン4、5は銀ペースト上に金メッキを形成したものが好適だが、銀ペーストのみでも良く、また、その他の配線形成、例えばニッケルめっきを形成し、その上に金メッキを形成してもよい。また、図2にて後述する半導体素子が半導体発光素子である場合、絶縁層を形成する絶縁部材として、反射率の良い白色レジスト太陽インキ製造株式会社製PSR-4000LEW1が望ましいが、半導体素子が発光しない半導体の場合では、エポキシ樹脂等反射率によらない絶縁性樹脂を用いても良く、絶縁層として、金属基板の一部を酸化させても良い。図2は図1の基板に半導体素子を実装した半導体デバイスの概略図であり、aは平面図でbはB-B切断部端面図である。半導体素子の一方の端子8と他方の端子9は、導電パターン4、5とそれぞれバンプ10、11を挟んでフリップチップにて接続されている。バンプは金が好適だが、他に、銅、はんだなど一般的なものであれば実装可能である。また、本実施形態では半導体素子としてLEDが好適だが、他の半導体、例えばレーザーダイオードやダイオード、トランジスタなどの一般的な半導体素子でも適応可能である。3端子以上の半導体素子に対応する基板に関しては図6にて後述する。上記構成とすることの熱的利点を、図3を用いて説明する。熱伝導をあらわす矢印Lは絶縁層3を通過する熱伝導経路であるのに対し、熱伝導をあらわす矢印Hは半導体素子7からバンプ10、導電パターン4を経由して直接金属基板2に熱を伝導する熱伝導路である。矢印Lの熱伝導路は絶縁層3の大きな熱抵抗を有するのに対し、矢印Hの熱伝導路は、熱抵抗が大きな部材が含まれていないため効率的に放熱を行うことができる。なお、バンプ10、11のうち、より熱伝導量の多い端子を有するほうを矢印Hの熱伝導路に接続した方がより効率的に放熱することが出来るが、比較的熱伝導量の少ない端子を接続したとしても一定の効果を有する。半導体素子7としてLEDを実装する場合、N層の端子に比べて面積が大きく熱伝導量が多いP層の端子に矢印Hのような熱伝導路を形成することでより効果的に放熱することができる。金属基板2と絶縁層3の露出面の高さは高精度で同一とすることが可能で、これにより、金属基板2上と絶縁層3上の導電パターンの厚さも高精度で同一とすることが出来るので、導電パターン上に半導体発光素子を実装する際にもバンプ厚さを実装可能な範囲内で最小にすることができ、結果として導電パターンおよびバンプ厚さに由来する実装のばらつきを最小に抑えることが可能となり、高い放熱性を有しながら、バンプに由来する信頼性のばらつき、さらに半導体素子がLEDを含む半導体発光素子の場合には光の向きや輝度のばらつきも改善することが出来る。図4、図5は本実施形態の変形であり、図4にて複数の半導体発光素子を実装する際の基板を、図5にて図4の基板に半導体素子を実装した半導体デバイスを説明する。金属基板2の表面に複数の凸部を描くように凹部が形成され、凹部に図1と同様に絶縁層3が形成される。絶縁層3と金属基板2の表面上に、それぞれの淵の内側をトレースするように導電パターン5形成される図4。絶縁層が凸形状になっているところのそれぞれにおいて、図2と同様に半導体素子7を実装することが出来る図5。これにより、図1から図3にて説明した効果に加え、1枚の基板上において複数の半導体素子を実装することが可能である。また、本実施形態の別の変形であり、3つの端子に対応した基板について図6を用いて説明する。金属基板2の上端から下端までを繋ぐように凹部を形成し、その上に図1のように絶縁層3を形成する。金属基板に導電パターン4を、絶縁層3上に導電パターン5、15を形成するが、2つの導電パターン5、導電パターン15、および金属基板2はそれぞれ電気的に独立している。この上に半導体端子を接続する場合、導電パターン4、5、15はそれぞれ別々の端子が接続されることとなる。これにより、3端子の半導体素子を実装することが可能となり、この技術を応用することによってさらに多くの端子を実装することが可能である。また、高い放熱性を有しながら、バンプに由来する信頼性のばらつきを改善することが出来る。なお、図4~図6の説明は、金属基板2に絶縁層3はいかなる形状にも配置可能であり、また、絶縁層3上および金属基板2上における導電パターン4、5もいかなる形状にも配置可能であることを示すものである。次に、本発明の製造方法について説明する。製造工程は大きく分けると以下の4工程に分類分けされる。A金属基板を用意する。B金属基板の金属基板表面と同一の高さから内部にかけて絶縁層を形成する。C金属基板上および絶縁基板上に均一な高さの導電パターンを形成する。D半導体素子をフリップチップにて実装する。図7Aのaからeおよび図7Bのfからhにより実施例1の半導体デバイスを上記A~Dに沿って製造する工程を説明する。図7Aaにて金属基板2を用意する。金属基板として、アルミ基板、銅基板など、熱伝導性の良い一般的に用いられる金属基板であればどのような基板を用いても良い。ただし、半導体素子が半導体発光素子である場合、アルミ基板や銀にてコーティングされた金属基板であることが望ましい。基板で効率良く光を反射し、光の利用効率が向上するからである。金属基板への凹形成について図7Ab、図7Acを用いて説明する。図7Abのように金属基板2の上面の全面にフォトレジスト12を塗布し、マスクを重ねて感光させることで図7Aのように金属基板の2の一部に凹部13を形成する。凹部を形成する別の方法として、ダイサーを用いてハーフダイシングを行っても良い。金属基板凹部への絶縁層充填について図7Ad、図7Aeを用いて説明する。凹部13に絶縁層3を形成する部材を充填するのだが、その際に、図7Adのように金属基板2の高さを超えて充填し、フォトレジスト12と一緒に研磨してフォトレジストを排除すると共に金属基板と絶縁層を図7Aeのように同一高さに調整する。また、こうすることで金属基板表面の不純物を排除することが出来るため、配線形成の密着性が向上する。半導体発光素子を実装する場合、絶縁層を形成する絶縁部材として、反射率の良い白色レジスト太陽インキ製造株式会社製PSR-4000LEW1が望ましいが、半導体素子が発光しない半導体の場合では、エポキシ樹脂等反射率によらない絶縁性樹脂を用いても良い。導電パターンの形成について、図7Bf、図7Bgを用いて説明する。絶縁層3上と金属基板2上のそれぞれに導電パターンが形成されるようにスクリーン印刷用のマスクをかぶせ、スクリーン印刷を行うことでペースト状の導電部材を所定の位置に乗せ、アニールすることで導電パターン下層4a、5aを図7Bfのように形成する。こうすることで、微細な範囲への配線形成がより容易となる。ペースト状の導電部材としては銀ペースト、もしくは銅ペーストを用いるが、半導体発光素子を用いるならば反射率の高い銀ペーストが好ましい。必要に応じて、銀ペーストにて形成された導電パターン下層4a、5aに、酸素イオンを用いてアッシングを行い銀の粒子を露出させ、導電パターン下層4a、5aの上に図7Bgのように金メッキを施して導電パターン上層4b、5bを形成する。アッシングは銀ペースト表面に残るエポキシ樹脂を排除する為に行う。金メッキの形成は、スパッタリングや真空蒸着による薄膜形成や無電解メッキ法をもちいて形成することが出来る。なお、本製造方法では導電パターン下層をペースト状の導電部材を用いて形成したが、基板1の表面全面に金属層を形成し、エッヂングによって配線形成を行うなど、その他一般的な配線形成を行うことも当然可能である。半導体素子の実装について、図7Bhを用いて説明する。導電パターン上層4b、5b上にさらに金でできたバンプ10、11を形成し、バンプ10、11と半導体素子7の端子8、9の位置を合わせて超音波圧着にて接合した。バンプ10、11は半導体素子7の端子側に形成して接合しても良い。また、バンプ10、11は金に限らず、銅、半田でもよく、バンプの形成方法はスタッドバンプ形成法やメッキバンプ形成法など、一般的なバンプ形成法を用いることが可能である。上記製造方法の変形法として、Bの工程の別法を説明する。図8i、jは図7Abから図7Aeの工程に相当する。絶縁層を形成する箇所を除いてマスキング14を施し、マスキングされていない開口部16を酸化することによって絶縁層3を形成する。特に金属基板としてアルミニウム基板を用いる場合、陽極酸化にて行うことが可能である。このようにして絶縁層を形成することで、厚さの管理がより容易になると共に工程を減らし、より容易に製造することが可能となる。以上、説明した本発明の実施形態に示した具体的な構成は例示として示したものであり、本明細書にて開示される発明をこれら具体例の構成そのものに限定するものではない。これら開示された実施形態に種々の変形、例えば、各部材あるいはその部材の形状や数、配置等を適宜変更してもよく、変明細書にて開示される発明の技術的範囲は、そのようになされた変形も含むものと理解すべきである。