透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上に形成され、互いに並行した複数の第1のスクライブ溝によって分断された透明電極層と、前記第1のスクライブ溝を埋め込みつつ前記透明電極層上に形成され、複数の前記第1のスクライブ溝にそれぞれ並行した複数の第2および第3のスクライブ溝によって分断された光電変換ユニット層と、前記第2のスクライブ溝を埋め込みつつ前記光電変換ユニット層上に形成され、複数の前記第3のスクライブ溝によって分断された裏面電極層と、前記透明絶縁基板上に前記第1乃至第3のスクライブ溝を含まずに前記透明電極層と前記光電変換ユニット層と前記裏面電極層とが順次積層された、複数の発電領域と、を備え、前記第2のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち幅の広い方のテーパと前記第3のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち幅の広い方のテーパとが前記発電領域を侵食しないように隣接していることを特徴とする集積型薄膜太陽電池。透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上に形成され、互いに並行した複数の第1のスクライブ溝によって分断された透明電極層と、前記第1のスクライブ溝を埋め込みつつ前記透明電極層上に形成され、複数の前記第1のスクライブ溝にそれぞれ並行した複数の第2および第3のスクライブ溝によって分断された光電変換ユニット層と、前記第2のスクライブ溝を埋め込みつつ前記光電変換ユニット層上に形成され、複数の前記第3のスクライブ溝によって分断された裏面電極層と、前記透明絶縁基板上に前記第1乃至第3のスクライブ溝を含まずに前記透明電極層と前記光電変換ユニット層と前記裏面電極層とが順次積層された、複数の発電領域と、を備え、前記第3のスクライブ溝は前記発電領域の側壁を形成しており、前記第3のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち当該側壁側のテーパが他方のテーパより狭いことを特徴とする集積型薄膜太陽電池。透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上に形成され、互いに並行した複数の第1のスクライブ溝によって分断された透明電極層と、前記第1のスクライブ溝を埋め込みつつ前記透明電極層上に形成され、複数の前記第1のスクライブ溝にそれぞれ並行した複数の第2および第3のスクライブ溝によって分断された光電変換ユニット層と、前記第2のスクライブ溝を埋め込みつつ前記光電変換ユニット層上に形成され、複数の前記第3のスクライブ溝によって分断された裏面電極層と、前記透明絶縁基板上に前記第1乃至第3のスクライブ溝を含まずに前記透明電極層と前記光電変換ユニット層と前記裏面電極層とが順次積層された、複数の発電領域と、を備え、前記第2のスクライブ溝を埋め込んだ前記裏面電極が前記発電領域に接続されており、前記第2のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち当該発電領域側のテーパが他方のテーパより狭いことを特徴とする集積型薄膜太陽電池。透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上に形成され、互いに並行した複数の第1のスクライブ溝によって分断された透明電極層と、前記第1のスクライブ溝を埋め込みつつ前記透明電極層上に形成され、複数の前記第1のスクライブ溝にそれぞれ並行した複数の第2および第3のスクライブ溝によって分断された光電変換ユニット層と、前記第2のスクライブ溝を埋め込みつつ前記光電変換ユニット層上に形成され、複数の前記第3のスクライブ溝によって分断された裏面電極層と、前記透明絶縁基板上に前記第1乃至第3のスクライブ溝を含まずに前記透明電極層と前記光電変換ユニット層と前記裏面電極層とが順次積層された、複数の発電領域と、を備え、前記第2のスクライブ溝を埋め込んだ前記裏面電極が第1の前記発電領域に接続されており、前記第2のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち第1の前記発電領域側のテーパが他方のテーパより狭く、前記第3のスクライブ溝は第2の前記発電領域の側壁を形成しており、前記第3のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち当該側壁側のテーパが他方のテーパより狭く、前記第2のスクライブ溝の他方のテーパと前記第3のスクライブ溝の他方のテーパとが隣接していることを特徴とする集積型薄膜太陽電池。前記光電変換ユニット層は、前記透明電極層上に形成された非晶質系光電変換ユニット層と、前記非晶質系光電変換ユニット層上に形成された結晶質系光電変換ユニット層と、を備えることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の集積型薄膜太陽電池。透明絶縁基板の主表面上に第1方向に向けて透明電極層を形成する工程と、前記透明電極層に第1レーザを照射して、前記第1方向と垂直な第2方向に向かって互いに並行な複数の第1のスクライブ溝を形成する工程と、前記透明電極層の上に、前記第1のスクライブ溝を閉塞しつつ光電変換ユニット層を形成する工程と、前記光電変換ユニット層に前記透明絶縁基板の主表面の反対側から、ビーム強度分布のピークが前記第1および第2方向に垂直な第3方向に沿って偏った第2レーザを照射して前記第1のスクライブ溝に並行な複数の第2のスクライブ溝を形成する工程と、前記光電変換ユニット層の上に、前記第2のスクライブ溝を閉塞しつつ、裏面電極層を形成する工程と、前記第1および第2のスクライブ溝の上を除いた領域上の前記光電変換ユニット層および前記裏面電極層に、前記透明絶縁基板の主表面の反対側から、ビーム強度分布のピークが前記第3方向に沿って前記第2レーザとは反対側に偏った第3レーザを照射して前記第1および第2のスクライブ溝に並行な複数の第3のスクライブ溝を形成する工程と、を備えることを特徴とする集積型薄膜太陽電池の製造方法。前記第3のスクライブ溝を形成する工程の後に前記透明絶縁基板上に前記第1乃至第3のスクライブ溝を含まずに前記透明電極層と前記光電変換ユニット層と前記裏面電極層が順次積層されて形成される発電領域の、前記第3方向に沿った幅を減少させない方向に前記第3レーザのビーム強度分布のピークが偏っていることを特徴とする請求項6に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。前記第2および第3レーザは、前記第2方向に沿ってビーム強度分布が上下対象であることを特徴とする請求項6または7に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。前記第2および第3レーザは、前記第2方向に沿ってビーム強度分布が顕著なピークを有さないことを特徴とする請求項6または7に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。前記光電変換ユニット層を形成する工程は、前記第1のスクライブ溝を閉塞しつつ非晶質光電変換ユニット層を形成する工程と、前記前記非晶質光電変換ユニット層の上に結晶質系光電変換ユニット層を形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項6~9のいずれか1項に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。透明基板の裏面側から当該透明基板の主表面上に第1方向に積層された光電変換ユニット層を備えた薄膜へレーザビームを透過照射し、照射位置を前記第1方向とは垂直な第2方向に走査することにより当該薄膜を分断するレーザ加工方法であって、前記第1および第2方向に垂直な第3方向に沿って、ビーム強度分布のピークが前記光電変換ユニット層を侵食しない側に偏らせるように前記レーザビームを整形するビーム整形工程と、前記ビーム整形工程において整形された前記レーザビームを、前記薄膜に透過照射しながら走査して、前記薄膜を分断加工する工程と、を備えることを特徴とする集積型薄膜太陽電池のレーザ加工方法。ところで、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池の製造においては、光電変換ユニット層において厚さ300nm程度の非晶質系光電変換ユニット層の上部に厚さ3μm程度の結晶質系光電変換ユニット層が積層されている。このため、従来の技術によれば、上記した第2のスクライブ溝および第3のスクライブ溝を形成する際、透明絶縁基板側から照射されたレーザは非晶質系光電変換ユニットで約95程度吸収されることとなり、結晶質系光電変換ユニットへは入射エネルギーの約5程度しか到達しないこととなる。そのため、結晶質系光電変換ユニット層を吹き飛ばすほど結晶質系光電変換ユニット層に含まれる水素原子を加熱することができず、結晶質系光電変換ユニット層のスクライブは、下部層の非晶質系光電変換ユニット層の爆発によりなされることとなる。しかしこのとき、ビーム径30~60μm程度のビームを用いてレーザスクライブを行うと、結晶質系光電変換ユニット層は非晶質系光電変換ユニット層の10倍程度の厚みを持っているため、非晶質系光電変換ユニット層に含まれる水素原子の爆発では結晶質系光電変換ユニット層を吹き飛ばすのに十分な力を加えることができない。従って、結晶質系光電変換ユニット層で膜はがれが発生する。その結果、第2のスクライブ溝および第3のスクライブ溝の側面には横方向の長さが10~20μm程度のテーパが発生し、非晶質系光電変換ユニット層のみで構成された薄膜シリコン太陽電池以降、非晶質系薄膜シリコン太陽電池と記すのスクライブ溝幅と比較してスクライブ溝幅が拡がることとなる。以上のことから、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池のテーパ部を含めたスクライブ溝の幅は非晶質系薄膜シリコン太陽電池のスクライブ溝の幅と比較して約20~40μm程度拡がることとなり、接続領域を縮小することが困難となり、タンデム型薄膜シリコン太陽電池は集積化に起因して受光面積あたりのエネルギー変換効率が低下してしまうという問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池における接続領域の拡大という問題を解決するものであり、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の集積化にともなう受光面積あたりのエネルギー変換効率の向上を目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上に形成され、互いに並行した複数の第1のスクライブ溝によって分断された透明電極層と、前記第1のスクライブ溝を埋め込みつつ前記透明電極層上に形成され、複数の前記第1のスクライブ溝にそれぞれ並行した複数の第2および第3のスクライブ溝によって分断された光電変換ユニット層と、前記第2のスクライブ溝を埋め込みつつ前記光電変換ユニット層上に形成され、複数の前記第3のスクライブ溝によって分断された裏面電極層と、前記透明絶縁基板上に前記第1乃至第3のスクライブ溝を含まずに前記透明電極層と前記光電変換ユニット層と前記裏面電極層とが順次積層された、複数の発電領域と、を備え、前記第2のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち幅の広い方のテーパと前記第3のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち幅の広い方のテーパとが前記発電領域を侵食しないように隣接していることを特徴とする。本発明によれば、スクライブ溝の両側面に発生するテーパのうち片面では幅の広いテーパを形成し、もう一方の面においては幅の狭いテーパを形成し、その際、光電変換ユニット層スクライブでは透明電極層スクライブ溝側の面、裏面電極層スクライブでは発電領域側の面において幅の狭いテーパが形成されるよう制御することにより、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の構成に起因するスクライブ溝におけるテーパの発生による非発電領域の拡大を防ぎ、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の集積化にともなう受光面積あたりのエネルギー変換効率を向上させることが可能になるという効果を奏する。以下に、本発明にかかる集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池とその製造方法及びそのレーザ加工方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.本発明の実施の形態1にかかる集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池とその製造方法及びそのレーザ加工方法について図面を参照して説明する。図1-1および図1-2は、実施の形態1のレーザスクライブ法による集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池1の加工痕形状図図1-1およびその断面図図1-2である。図1-2は、図1-1のA-A’に沿った断面図である。図2は、実施の形態1のレーザスクライブ法により加工された集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池1の構造を示す断面図である。図3-1は、実施の形態1のレーザスクライブ法に用いたレーザビームのビーム形状の一例を示す図である。図3-2は、図3-1に示したビーム形状の一断面のレーザビームの強度分布を、横軸を位置、縦軸を強度として示した図である。図4-1~図4-5は、スクライブ溝の片側においてテーパ量が抑制されるメカニズムの各過程を説明する図である。図5は、実施の形態1のレーザスクライブ法を用いた加工装置800の一例を示す図である。図1-1および図1-2は、本実施の形態におけるレーザスクライブ法を裏面電極層14のスクライブ以降P3スクライブと称すにおいて実施した場合の集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池1の加工痕形状図図1-1およびその断面図図1-2である。図1-2に示すように、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池1は、下から順に、透明絶縁基板11、透明電極層12、非晶質系光電変換ユニット層21および結晶質系光電変換ユニット層22を含む光電変換ユニット層13、さらに裏面電極層14の各層を備えている。さらに、裏面電極層1414a、14b、14cにはスクライブ溝203203a、203bが形成されている。スクライブ溝203203a、203b、は紙面に直交する方向に直線状に延びている。図1-1に示すように、スクライブの進行方向は矢印500の方向であり、裏面電極層14のスクライブ溝203の一側面では幅10~20μm程度の幅の広いテーパ302が形成され、もう一方の面では幅5μm程度の幅の狭いテーパ301が形成されている。スクライブ溝203、幅の広いテーパ302、および幅の狭いテーパ301を図1-1のA-A’に沿った断面図でみると図1-2のようになる。この幅の狭いテーパ301が発電領域側に形成されるよう制御することにより、裏面電極層14の1本のスクライブ溝203につき幅5~15μm程度の接続領域の低減が可能となる。また、このときスクライブ溝底面401の形状はビーム形状とほぼ同じ形状および大きさとなる。同様のことは、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池1の光電変換ユニット層13のスクライブ以降P2スクライブと称すにて形成したスクライブ溝202についても言える。ただし、スクライブ溝202の幅の狭いテーパ301を形成する面は裏面電極層14のスクライブ溝203とは反対側の側面になるよう制御する。即ち、以下に述べるようにP2スクライブの後にP3スクライブを実行するが、P2スクライブにて形成したスクライブ溝202の開口部両縁のテーパのうち幅の広い方のテーパとP3スクライブにて形成したスクライブ溝203の開口部両縁のテーパのうち幅の広い方のテーパとが隣接するようにする。図2は、本実施の形態にかかるレーザスクライブ法を、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池1のP2スクライブおよびP3スクライブにて実施した場合の集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池1の断面図である。透明電極層12の第1のスクライブ溝201201a、201b、光電変換ユニット層13の第2のスクライブ溝202202a、202b、裏面電極層14の第3のスクライブ溝203203a、203bが形成されていることにより発電領域101101a、101b、101cが直列接続されている。図2に示したように集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池1を1枚の基板内で直列接続するためには以下の工程を経る。まず、透明絶縁基板11の主表面上に成膜された透明電極層12a、12b、12c以下まとめて、透明電極層12とも記すを絶縁分離するスクライブ溝201a、201b以下まとめて、スクライブ溝201とも記すを形成する。スクライブ溝201201a、201bは紙面に垂直な方向に互いに並行に直線状に延びている。次に、図2に示すように透明電極層12上にスクライブ溝201を埋め尽くして非晶質系光電変換ユニット層2121a、21b、21cを成膜し、さらにその上に結晶質系光電変換ユニット層2222a、22b、22cを成膜する。成膜された非晶質系光電変換ユニット層21および結晶質系光電変換ユニット層22からなる光電変換ユニット層13a、13b、13c以下まとめて、光電変換ユニット層13と記すをスクライブP2スクライブし、裏面電極層14と透明電極層12をコンタクトさせるためのスクライブ溝202a、202b、202c以下まとめて、スクライブ溝202と記すを形成する。スクライブ溝202202a、202b、202cも紙面に垂直な方向に互いに並行に直線状に延びており、スクライブ溝201201a、201b、201cと交差させないように形成する。スクライブ溝202202a、202b、202cのそれぞれが直接接続する発電領域101101a、101b、101cに近い方のテーパは狭く、隣接する発電領域101b、101c、101dに近い方のテーパは広い。さらに、光電変換ユニット層13上に成膜された裏面電極層14をスクライブP3スクライブし、各セルを絶縁分離するためのスクライブ溝203a、203b、203c以下まとめて、スクライブ溝203と記すを形成する。スクライブ溝203203a、203b、203cは裏面電極層14のみならず光電変換ユニット層13も同時に除去している。スクライブ溝203203a、203b、203cそれぞれに隣接する発電領域101b、101c、101dに近い方のテーパは狭く、それぞれが隣接するスクライブ溝202202a、202b、202cに近い方のテーパは広い。即ち、P2スクライブにて形成したスクライブ溝202の開口部両縁のテーパのうち幅の広い方のテーパとP3スクライブにて形成したスクライブ溝203の開口部両縁のテーパのうち幅の広い方のテーパとが隣接することにより、それぞれの発電領域101a、101b、101c、および101dを侵食しないようにする。スクライブ溝203203a、203b、203cは、スクライブ溝201201a、201b、201cに対してスクライブ溝202202a、202b、202cをずらした方向と同じ方向にスクライブ溝202に対してずらして形成する。スクライブ溝203203a、203b、203cも紙面に垂直な方向に互いに並行に直線状に延びており、スクライブ溝202202a、202b、202cと交差させないように形成する。以上により薄膜シリコン太陽電池の1枚の基板内の直列接続は形成される。上記した工程において、太陽電池として機能させるためには、スクライブ溝201201a、201b、201cとスクライブ溝203203a、203b、203cに短絡を発生させないようにしなければならない。上述の工程においては、スクライブ溝202の形成後にスクライブ溝203を形成する。このとき、光電変換ユニット層13のスクライブ溝202における幅の広いテーパ図1-2の幅の広いテーパ302に相当するテーパと裏面電極層14のスクライブ溝203における幅の広いテーパ302とが互いにオーバーラップするようにそれぞれ形成する。即ち、図2の構成においては、スクライブ溝202aとスクライブ溝203aの幅の広いテーパ同士が、スクライブ溝202bとスクライブ溝203bの幅の広いテーパ同士が、スクライブ溝202cとスクライブ溝203cの幅の広いテーパ同士が、それぞれオーバーラップするように形成する。このような構成とすることにより、光電変換ユニット層13のスクライブ溝202および裏面電極層14のスクライブ溝203においてそれぞれ1本あたり5~15μm程度のスクライブ幅を低減することができる。即ち、発電領域101101a、101b、101cの割合を広くとることが可能となる。これにより、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池1全体では約1000~3000mm2の発電無効領域の低減となり、約0.01~0.05の変換効率の向上が見込まれる。このとき、P2スクライブおよびP3スクライブを行う際は、ビームエネルギを吸収させ加熱することにより光電変換ユニット層13内に含まれる水素原子の気化による爆発を利用して光電変換ユニット層13を吹き飛ばすことによりスクライブ溝202、203を形成するため、レーザは透明電極基板11側から照射される。レーザは、スクライブの対象物の光吸収特性により選択される。一般的に、透明電極層12のスクライブでは、YAG等の固体レーザ、ファイバーレーザの基本波波長1μm程度が用いられ、光電変換ユニット層13および裏面電極層14のスクライブでは、YAG等の固体レーザ、ファイバーレーザの第二高調波波長0.5μm程度、第三高調波波長0.3~0.4μm程度が使用される。図3-1および図3-2は、実施の形態1におけるレーザスクライブ法において使用したレーザビーム600のビーム形状図3-1および強度分布図3-2の1例を示す図である。図3-2は、図3-1に示したビーム形状のB-B’に沿った面におけるレーザビーム600の強度分布602を、横軸を位置、縦軸を強度として示した図である。図3-2におけるビーム強度分布602のピーク601図3-1、図3-2はスクライブ溝の中心軸501に対して左右どちらかの側に偏らせている。このときビーム強度分布602のピーク601は、幅の狭いテーパ301図1-1、図1-2の形成を所望する側とは逆方向、即ち、幅の広いテーパ302が形成される方向に偏らせる必要がある。ビーム形状は円形である必要は無く、楕円形や矩形など任意の形状を選択することができる。このとき繰り返し周波数を上げるか、スキャン速度を遅らせるなどしてスクライブにおけるビームのオーバーラップ率を上げると、片側の面におけるテーパ発生抑制効果が顕著に得られる。同様の効果はスクライブ溝に対して横長のビーム形状を用いても得られる。図3-1および図3-2において所望のレーザビーム600は、マスク転写、HOEなどを使用することによるビームホモジナイズなどによって得られる。図4-1~図4-5は、レーザによる裏面電極層14のスクライブにおいてスクライブ溝の片側においてテーパ量が抑制されるメカニズムを説明するための各過程を示す図である。まず、図4-1に示すように、スクライブ溝の中心軸501に対してビーム強度分布602に示すようにピーク601を左右方向どちらかに偏らせたレーザビーム600を透明絶縁基板11側から照射すると、照射されたレーザビーム600は非晶質系光電変換ユニット層21においてほぼ全て吸収される。次に、図4-2に示すように、吸収されたレーザビーム600は熱となり非晶質ユニット層21に含まれる水素原子の爆発701を引き起こし、非晶質系光電変換ユニット層21の上部層である結晶質系光電変換ユニット層22および裏面電極層14以降上部層と称すへ圧力が加えられる。さらに、図4-3において、水素爆発701により上部層へ加えられた圧力は、亀裂A702をビーム強度分布602のピーク601の存在する側に発生させ、また亀裂B703、亀裂C704を発生させる。このとき、亀裂A702から亀裂B703までの距離よりも、亀裂A702から亀裂C704までの距離のほうが長くなるため、水素爆発701の圧力により亀裂B703に加わるせん断応力は、亀裂C704に加わるせん断応力よりも大きなものとなる。ここで、亀裂B703に加わるせん断応力が上部層のせん断抵抗値よりも小さい場合には、図4-4に示すように上部層の膜はがれ705が発生する。このときさらに、亀裂C704に加わるせん断応力が上部層のせん断抵抗値よりも大きい場合には、図4-5に示すように亀裂B703からは幅の広いテーパ302が形成され、亀裂C704からは幅の狭いテーパ301が形成されることになる。即ち、片側のテーパの発生を抑制できる。同様のことはP2スクライブにおいても言える。図5に示すレーザ加工装置800は、本実施の形態におけるレーザスクライブ法を用いたレーザ加工装置800の1例であり、レーザ源および制御系801から出射されたレーザビーム802をビーム整形光学系803によりビーム整形し、加工点804において図3-1および図3-2に示したようなレーザビーム600となるように調整する。スクライブの実施時には、Xステージ805およびYステージ806をXステージ移動方向807およびYステージ移動方向808へと移動させることにより、基板809の全面にわたってスクライブ溝810が形成されることとなる。以上説明したように、本実施の形態においては、スクライブ溝の両側面に発生するテーパのうち片面では幅の広いテーパ302を形成し、もう一方の面においては幅の狭いテーパ301を形成する。その際、P2スクライブでは透明電極層12のスクライブ溝201側の面において幅の狭いテーパが形成され、裏面電極層14のP3スクライブでは発電領域101の側の面において幅の狭いテーパ301が形成されるよう制御する。即ち、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池1の製造において、接続領域において隣接して平行に形成されたそれぞれのスクライブ溝に形成される幅の広いテーパが発電領域101を侵食しないように互いにオーバーラップするようにスクライブする。ここで、従来の技術による集積型薄膜シリコン太陽電池の製造方法について説明する。図7は、集積型薄膜シリコン太陽電池の模式的な断面図であり、透明絶縁基板11側を下側、裏面電極層1414a、14b、14c側を上側とする。また、この例においては、太陽光は透明絶縁基板11側から照射される。薄膜シリコン太陽電池を1枚の基板内で直列接続するためには、まず透明絶縁基板11上に成膜された透明電極層1212a、12b、12cを絶縁分離する溝201201a、201b、を形成する。スクライブ溝201201a、201b、は紙面に直交する方向に直線状に延びている。次に、透明電極層1212a、12b、12c上に成膜された光電変換ユニット層13をスクライブし、裏面電極層14と透明電極層1212a、12b、12cをコンタクトさせるためのスクライブ溝202202a、202b、を形成する。スクライブ溝202202a、202b、も紙面に直交する方向に直線状に延びており、スクライブ溝201201a、201b、と交差させないように形成する。さらに、光電変換ユニット層1313a、13b、13c上に成膜された裏面電極層14をスクライブし、各セルを絶縁分離するためのスクライブ溝203203a、203b、を形成する。スクライブ溝203203a、203b、は裏面電極層14のみならず光電変換ユニット層13も同時に除去している。スクライブ溝203203a、203b、は、スクライブ溝201201a、201b、に対してスクライブ溝202202a、202b、をずらした方向と同じ方向にずらして形成する。スクライブ溝203203a、203b、も紙面に直交する方向に直線状に延びており、スクライブ溝202202a、202b、と交差させないように形成する。以上により薄膜シリコン太陽電池の1枚の基板内の直列接続は形成される。このとき、スクライブ溝201201a、201b、、203203a、203b、に短絡が発生すると太陽電池として機能しなくなるため、薄膜太陽電池の直列接続形成において、基板に形成された透明電極層12、光電変換ユニット層13、裏面電極層14などの薄膜をスクライブする技術は極めて重要である。一般的に図7に示すような集積型薄膜シリコン太陽電池を製造するためのスクライブにおいては、フォトエッチングと比較して工程数を減らすことができるなどの理由から、レーザ加工が用いられている。レーザを用いた薄膜シリコン太陽電池のスクライブでは、薄膜の光吸収波長に合わせたレーザを用いて、薄膜を加熱、あるいは、薄膜に含まれる一部の成分の気化を利用して、レーザ照射部の薄膜を取り除いている例えば、特許文献1参照。。このとき、スクライブ溝202202a、202bの形成の際は、光電変換ユニット層13側からのレーザの照射では清浄なスクライブ溝202202a、202bを形成することが困難なので、透明絶縁基板11側から透明絶縁基板11の主表面の反対側からレーザを照射し、光電変換ユニット層13にビームエネルギを吸収させ加熱することにより光電変換ユニット層13内に含まれる水素原子の気化による爆発を利用して光電変換ユニット層13を吹き飛ばすことによりスクライブ溝202202a、202bを形成する。また、スクライブ溝203203a、203bの形成の際も、裏面電極層14側からのレーザの照射では清浄なスクライブ溝203203a、203bを形成することが困難であり、また裏面電極層14が光反射性を有していることから高い照射エネルギー密度が必要となるため、透明絶縁基板11側からレーザを照射し、光電変換ユニット層13にビームエネルギを吸収させ光電変換ユニット層13に含まれる水素原子の気化による爆発を利用して、光電変換ユニット層13および光電変換ユニット層13上に成膜された裏面電極層14を同時に吹き飛ばすことによりスクライブ溝203203a、203bを形成する。このようにして作製された集積型薄膜太陽電池において、発電に寄与するのは図7に示す発電領域Aであり、接続領域Bは発電には寄与しない。よって、接続領域Bが拡大すると受光面積あたりの発電効率が低下するため、接続領域Bはできる限り小さくすることが望まれていた。また、図8に従来の技術による集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池の断面図を示す。タンデム型薄膜シリコン太陽電池に関しても、上述の薄膜シリコン太陽電池の集積化と同じ手順により集積化がなされる技術が開示されている例えば、特許文献2参照。。しかしながら従来の技術によれば、図8のタンデム型薄膜シリコン太陽電池の製造においては、光電変換ユニット層13において厚さ300nm程度の非晶質系光電変換ユニット層21の上部に厚さ3μm程度の結晶質系光電変換ユニット層22が積層されているため、スクライブ溝202202a、202bおよびスクライブ溝203203a、203bを形成する際、透明絶縁基板11側から照射されたレーザは非晶質系光電変換ユニットで約95程度吸収されることとなり、結晶質系光電変換ユニットへは入射エネルギーの約5程度しか到達しないこととなる。そのため、結晶質系光電変換ユニット層22を吹き飛ばすほど結晶質系光電変換ユニット層22に含まれる水素原子を加熱することができず、結晶質系光電変換ユニット層22のスクライブは、下部層の非晶質系光電変換ユニット層21の爆発によりなされることとなる。しかしこのとき、ビーム径30~60μm程度のビームを用いてレーザスクライブを行うと、結晶質系光電変換ユニット層22は非晶質系光電変換ユニット層21の10倍程度の厚みを持っているため、非晶質系光電変換ユニット層21に含まれる水素原子の爆発では結晶質系光電変換ユニット層22を吹き飛ばすのに十分な力を加えることができず、結晶質系光電変換ユニット層22で膜はがれが発生する。その結果、スクライブ溝202202a、202bおよびスクライブ溝203203a、203bの側面には、図8の幅Dで示すように横方向の長さが10~20μm程度のテーパが発生し、非晶質系光電変換ユニット層21のみで構成された薄膜シリコン太陽電池のスクライブ溝幅L図8と比較してスクライブ溝幅が拡がることとなる。しかしながら、本実施の形態においては上述したように、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池1の製造において、ビーム強度分布602のピーク601が偏ったレーザビーム600を用いてスクライブすることにより、接続領域において隣接して平行に形成されたそれぞれのスクライブ溝に形成される幅の広いテーパが発電領域101を侵食しないように互いにオーバーラップするようにスクライブする。これにより、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の構造に起因するスクライブ溝のテーパの発生による非発電領域の拡大を防ぎ、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の集積化にともなう受光面積あたりのエネルギー変換効率の向上を可能にする。実施の形態2.図6-1は、実施の形態2におけるレーザスクライブ法において使用したレーザビームのビーム形状の一例を示す図である。図6-2および図6-3は、図6-1に示したビーム形状の一断面のレーザビームの強度分布を、横軸を位置、縦軸を強度として示した図である。図6-2は、図6-1に示したビーム形状のC-C’に沿った面におけるレーザビーム600の強度分布603を示した図であり、図6-3は、図6-1に示したビーム形状のD-D’に沿った面におけるレーザビーム600の強度分布604を示した図である。図6-1に示すようにビーム形状は矩形であり上下対称な形状になっている。また、図6-2に示すように、スクライブの進行方向500に対して垂直方向断面のビーム強度分布603のピーク601はスクライブ溝の中心軸501に対して左右どちらかの側に偏っているが、図6-3に示すように、スクライブの進行方向500に対して水平方向断面のビーム強度分布604には顕著なピークが存在せず均一となっている。本実施の形態におけるその他の構成および動作に関しては、実施の形態1と同様であり、説明を省略する。実施の形態2においては、スクライブの進行方向500に対して水平方向のビーム強度分布604において顕著なピークが存在しないよう構成することにより、スクライブの進行方向500が逆転したとしても、ビームのオーバーラップ率などを調整せずに、逆転する前と同様のスクライブ溝片側におけるテーパ発生抑制効果を得ることができる。従って、繰り返し周波数を変化させても片側のテーパ発生抑制効果を得ることができる。ビーム形状は上下対称の形状であれば矩形でなくてもよく、任意の形状を選択することができる。上記各実施の形態においては、薄膜シリコン太陽電池のレーザスクライブを例として説明したが、これに限定されることはなく、透明基板上に積層された薄膜に透明基板を透過してレーザビームを照射して行う薄膜の分断加工全般に適用することが可能である。例えば、液晶パネルや有機ELパネル、プラズマディスプレイパネル等における基板上の薄膜分断加工にも適用することが可能である。更に、本願発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、上記実施の形態1または2それぞれに示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。更に、上記実施の形態1または2における構成要件を適宜組み合わせてもよい。