互いに対向する第1及び第2基板と、前記第1基板上に設けられた複数の画素電極と、前記複数の画素電極が設けられた画素領域を囲むように設けられ、前記第1及び第2基板を貼り合わせるシール材と、前記第1基板上に、前記画素電極に容量絶縁膜を介して対向するように設けられた容量電極と、前記画素電極及び前記容量電極間に吸湿性の絶縁材料から形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜と同層に前記第1絶縁膜と同一の吸湿性の絶縁材料から形成されるとともに、前記画素領域と前記シール材との間に前記画素領域を囲むように、且つ、前記第1絶縁膜とは離間して設けられた第2絶縁膜とを備えることを特徴とする電気光学装置。前記画素電極は、透明導電材料から形成され、前記画素電極と同層に形成され前記画素電極と同一の透明導電材料からなる導電膜が前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜との間の溝内に設けられることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記容量電極は、透明導電材料から形成され、前記容量電極と同層に形成され前記容量電極と同一の透明導電材料からなる導電膜が前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜との間の溝部に設けられることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。前記絶縁材料は、BSGBoronSilicateGlass、PSGPhosphorusSilicateGlass又はBPSGBoronPhosphorusSilicateGlassであることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置。請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。前述したような電気光学装置では、外部の大気中に含まれる水分がシール材と基板との間やシール材を介して表示領域に浸入し、表示領域に設けられた画素電極等の金属部材のイオン化が発生してしまうおそれがある。このような金属部材のイオン化が発生すると、表示領域でリーク電流が発生してしまい、電気光学装置の表示性能が低下してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。このような問題点を解決するために、例えば、一方の基板上の表示領域の周辺に、高い吸湿性を有する吸湿部材を設けることが考えられるが、単に吸湿部材を設ける場合、吸湿部材を設ける工程の分だけ、電気光学装置の製造プロセスにおける工程数が増加してしまうおそれがある。本発明は、例えば前述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば、製造工程数の増加を招くことなく、画素領域への水分の浸入を防止でき、高品位な表示を行うことが可能な電気光学装置、及びこのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、互いに対向する第1及び第2基板と、前記第1基板上に設けられた複数の画素電極と、前記複数の画素電極が設けられた画素領域を囲むように設けられ、前記第1及び第2基板を貼り合わせるシール材と、前記第1基板上に、前記画素電極に容量絶縁膜を介して対向するように設けられた容量電極と、前記画素電極及び前記容量電極間に吸湿性の絶縁材料から形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜と同層に前記第1絶縁膜と同一の吸湿性の絶縁材料から形成されるとともに、前記画素領域と前記シール材との間に前記画素領域を囲むように、且つ、前記第1絶縁膜とは離間して設けられた第2絶縁膜とを備える。本発明の電気光学装置によれば、例えばTFTアレイ基板等である第1基板と例えば対向基板等である第2基板とは、互いに対向するように配置され、画素領域を囲むように設けられたシール材によって貼り合わされている。第1及び第2基板間には、例えば液晶等の電気光学物質が挟持されている。電気光学装置の駆動時には、画素領域に画素毎に設けられた複数の画素電極に画像信号が供給され、電気光学物質に画素毎に画像信号に応じた電圧が印加されることにより、画素領域における表示が行われる。画素電極は、例えばITO等の透明導電材料から形成され、第1基板上の積層構造における最上層側に配置されている。なお、本発明に係る画素電極は、画素毎に設けられた、表示に寄与する電極を意味し、所謂ダミー画素電極等の表示に寄与しない画素電極を含まない趣旨である。よって、複数の画素電極が設けられた画素領域は、当該電気光学装置が表示を行う表示領域と言い換えることもできる。容量電極は、第1基板上における画素電極の下層側に、例えば窒化シリコン等の透明な誘電性材料からなる容量絶縁膜を介して画素電極に対向するように設けられている。容量電極は、例えばITO等の透明導電材料から形成され、画素電極及び容量絶縁膜とともに、画素信号を保持するための蓄積容量を構成する。第1絶縁膜は、蓄積容量の容量値を調整するための絶縁膜であり、画素電極及び容量電極間即ち、第1基板上の積層構造における画素電極よりも下層側であって容量電極よりも上層側に、例えば容量絶縁膜を介して画素電極と容量電極とが対向する領域を規定するように設けられている。例えば、第1絶縁膜は、容量電極を露出させる開口部を有しており、容量絶縁膜及び画素電極が開口部を覆うように設けられる。この場合、第1基板上における開口部の面積を変更することにより、蓄積容量の容量値を調整することが可能になる。本発明では特に、第1絶縁膜は、例えばBSGBoronSilicateGlass、PSGPhosphorusSilicateGlass、BPSGBoronPhosphorusSilicateGlass等の吸湿性の絶縁材料から形成されている。更に、第1絶縁膜と同層に第1絶縁膜と同一の吸湿性の絶縁材料から形成されるとともに、画素領域とシール材との間に画素領域を囲むように、且つ、第1絶縁膜とは離間して設けられた第2絶縁膜を備えている。よって、外部の大気中に含まれる水分がシール材と基板との間やシール材を介して画素領域側に浸入したとしても、水分を第2絶縁膜により吸収することができ、水分が画素領域に浸入することを抑制或いは防止できる。なお、本発明に係る吸湿性の絶縁材料としては、容量絶縁膜を構成する絶縁材料、及び容量電極の下地となる絶縁膜を構成する絶縁材料よりも高い吸湿性を有する即ち、水分を吸収する能力が高い絶縁材料が望ましい。ここで本発明では特に、第2絶縁膜は、画素領域に設けられた第1絶縁膜とは離間して設けられているので、第2絶縁膜により吸収された水分が第1絶縁膜に浸入することは殆ど或いは全くない。即ち、本発明によれば、例えば仮に第2絶縁膜と第1絶縁膜とが一枚の膜として連続的に形成される場合と比較して、第2絶縁膜により吸収された水分が画素領域に浸入することを確実に抑制或いは防止できる。更に本発明では特に、第2絶縁膜は、第1絶縁膜と同層に第1絶縁膜と同一の吸湿性の絶縁材料から形成されている。よって、第2絶縁膜及び第1絶縁膜を互いに同一の製造工程によって形成することができる。即ち、当該電気光学装置の製造プロセスにおいて、第1基板上における所定の層に例えばBSG、PSG、BPSG等の吸湿性の絶縁材料からなる吸湿性絶縁膜を成膜した後、該吸湿性絶縁膜をパターニングすることにより、第2絶縁膜及び第1絶縁膜を形成することができる。したがって、例えば仮に第2絶縁膜及び第1絶縁膜のうち第1絶縁膜のみを第1基板上に形成する場合と同じ製造工程数で、第2絶縁膜及び第1絶縁膜の両方を形成することができる。よって、本発明によれば、製造コストの増大や歩留まりの低下を招かない。このように、本発明によれば、製造工程数の増加を招くことなく、画素領域への水分の浸入を第2絶縁膜により抑制或いは防止できる。この結果、高品位な表示を行うことが可能となる。加えて本発明では特に、第1絶縁膜は、例えばBSG、PSG、BPSG等の吸湿性の絶縁材料から形成され、平坦性に優れているので、第1基板上における積層構造の最上層側の表面の平坦性を高めることができる。よって、例えば、第1基板上における積層構造の最上層側の表面上に設けられる配向膜の配向制御性を向上させることができる。したがって、表示品位を向上させることが可能となる。以上説明したように、本発明によれば、製造工程数の増加を伴うことなく、画素領域への水分の浸入を抑制或いは防止できる。更に、第1基板上における積層構造の最上層側の表面の平坦性を高めることができる。これらの結果、高品位な表示を行うことが可能となる。本発明の電気光学装置の一態様では、前記画素電極は、透明導電材料から形成され、前記画素電極と同層に形成され前記画素電極と同一の透明導電材料からなる導電膜が前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜との間の溝内に設けられる。この態様によれば、第2絶縁膜により吸収された水分が第1絶縁膜に浸入することを導電膜によって防止できる。よって、画素領域への水分の浸入をより確実に抑制或いは防止できる。更に、導電膜が画素電極と同層に画素電極と同一の透明導電材料から形成されているので、導電膜及び画素電極を互いに同一の製造工程によって形成することができる。したがって、この態様によれば、製造工程数の増加を招くことなく、画素領域への水分の浸入をより確実に抑制或いは防止できる。本発明の電気光学装置の他の態様では、前記容量電極は、透明導電材料から形成され、前記容量電極と同層に形成され前記容量電極と同一の透明導電材料からなる導電膜が前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜との間の溝部に設けられる。この態様によれば、溝部に設けられた導電膜は、例えば、溝をエッチングにより形成する製造工程において、エッチングが、容量電極の下層側に配置された層間絶縁膜に施されてしまうのを防ぐストッパー膜として機能することができる。本発明の電気光学装置の他の態様では、前記絶縁材料は、BSGBoronSilicateGlass、PSGPhosphorusSilicateGlass又はBPSGBoronPhosphorusSilicateGlassである。この態様によれば、第2絶縁膜及び第1絶縁膜は、BSG、PSG又はBPSGから形成されるので、第2絶縁膜によって画素領域への水分の浸入を確実に抑制或いは防止できるとともに、第1絶縁膜によって第1基板上における積層構造の最上層側の表面の平坦性を高めることができる。本発明の電子機器は上記課題を解決するために、前述した本発明の電気光学装置但し、その各種態様も含むを備える。本発明の電子機器によれば、前述した本発明の電気光学装置を備えるので、高品位な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置、電子放出装置FieldEmissionDisplay及びConductionElectronEmitterDisplay、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例であるTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。<第1実施形態>第1実施形態に係る液晶装置について、図1から図8を参照して説明する。先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図2は、図1のII-II’線断面図である。図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置100では、本発明に係る第1基板の一例としてのTFTアレイ基板10と本発明に係る第2基板の一例としての対向基板20とが互いに対向するように配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、本発明に係る画素領域の一例としての画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域52aに設けられたシール材52により相互に接着されている。図1において、シール材52が配置されたシール領域52aの内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域52aの外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域52aよりも内側に、サンプリング回路7が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、TFTアレイ基板10上には、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材107で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。TFTアレイ基板10上には、外部回路接続端子102と、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、上下導通端子106等とを電気的に接続するための引回配線90が形成されている。図2において、TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域10aには、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線の上層に、ITO等の透明導電材料からなる画素電極9がマトリクス状に設けられている。画素電極9上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板20上の画像表示領域10a内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜23上に、ITO等の透明導電材料からなる対向電極21が複数の画素電極9と対向してベタ状に形成されている。対向電極21上には配向膜が形成されている。また、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。なお、ここでは図示しないが、TFTアレイ基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。次に、液晶装置100の画像表示領域10aにおける電気的な構成について、図3を参照して説明する。図3は、本実施形態に係る液晶装置100の電気的な構成を示す回路図である。図3において、本実施形態に係る液晶装置100の画像表示領域10aを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極9と、画素電極9をスイッチング制御するためのTFT30とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線6がTFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6に書き込む画像信号VS1、VS2、...、VSnは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、TFT30のゲートには走査線11が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線11にパルス的に走査信号G1、G2、...、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6から供給される画像信号VS1、VS2、...、VSnを所定のタイミングで書き込む。画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号VS1、VS2、...、VSnは、対向基板に形成された対向電極21図2参照との間で一定期間保持される。液晶層50図2参照を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極9と対向電極21との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70が付加されている。後に図4から図6を参照して説明するように、蓄積容量70は、画素電極9と、本発明に係る容量絶縁膜の一例としての誘電体膜72と、容量電極71とにより構成されている。蓄積容量70の容量電極71は、例えば共通電位等の所定電位を供給する容量配線300に電気的に接続されている。次に、液晶装置100の画素の具体的な構成について、図4から図6を参照して説明する。図4は、液晶装置100の画素の構成を示す平面図である。図5は、図4のVI-VI’線断面図である。なお、図4及び図5では、各層各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図4において、TFTアレイ基板10上には、走査線11及びデータ線6が、互いに交差するように設けられている。具体的には、走査線11はX方向に沿って延びるように形成され、データ線6はX方向に交差するY方向に沿って延びるように形成されている。各画素はデータ線6及び走査線11によってマトリクス状に区分けされている。画素電極9は、画素毎に島状に形成されている。なお、図4において、画素電極9の輪郭は、破線9aで示されている。図4及び図5において、データ線6及び走査線11の交差に対応して、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、走査線11に重なるようにTFT30即ち、半導体層30a及びゲート電極30bが形成されている。TFT30は、下地絶縁膜12図5参照を介して走査線11よりも上層側に配置されている。走査線11は、遮光性の導電材料、例えば、Wタングステン、Tiチタン、TiN窒化チタン等から形成されており、TFT30の半導体層30aを含むように半導体層30aよりも幅広に形成されている。走査線11は、半導体層30aよりも下層側に配置されているので、走査線11をTFT30の半導体層30aよりも幅広に形成することによって、TFTアレイ基板10における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してTFT30のチャネル領域30a2を殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置100の動作時に、TFT30における光リーク電流が低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。走査線11は、遮光性を有しているため、データ線6とともに、画像表示領域10aにおける非開口領域を規定している。なお、走査線11及びデータ線6の各々は、走査線11及びデータ線6の各々の縁が非開口領域を規定していない場合でもよい。言い換えれば、走査線11及びデータ線6の各々は、TFTアレイ基板10上に形成された他の遮光性の膜によって規定された非開口領域に形成されていればよい。TFT30は、半導体層30a及びゲート電極30bを備えている。半導体層30aは、ソース領域30a1、チャネル領域30a2及びドレイン領域30a3を有している。なお、チャネル領域30a2とソース領域30a1との界面、又は、チャネル領域30a2とドレイン領域30a3との界面にはLDDLightlyDopedDrain領域が形成されていてもよい。ゲート電極30bは、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、半導体層30aのチャネル領域30a2と重なる領域に、ゲート絶縁膜13を介して形成されている。ゲート電極30bは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、下層側に配置された走査線11にコンタクトホール図示省略を介して電気的に接続されている。TFT30のソース領域30a1は、コンタクトホール31を介して第1層間絶縁膜14上に設けられた中継層81図5参照と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域30a3は、コンタクトホール32を介して中継層81と同層に形成された14上に設けられた中継層82図5参照と電気的に接続されている。中継層81は、コンタクトホール34を介して、第2層間絶縁膜15上に形成されたデータ線6と電気的に接続されている。一方、中継層82は、コンタクトホール35を介して、データ線6と同層に形成された中継層83と電気的に接続されている。中継層83は、コンタクトホール35を介して、後述する容量電極71と同層に形成された中継層84と電気的に接続されている。中継層84は、コンタクトホール36を介して、画素電極9と電気的に接続されている。即ち、TFT30のドレイン領域30a3と画素電極9とは、中継層82、83及び84を順に介して、電気的に中継接続されている。なお、図4では、説明の便宜上、コンタクトホール33、34及び35を1つのコンタクトホールとして図示している。データ線6及び中継層83の上層側には、第3層間絶縁膜16を介して蓄積容量70が形成されている。図6は、蓄積容量70の容量電極71の構成を示す平面図である。図5及び図6において、蓄積容量70は、容量電極71、誘電体膜72及び画素電極9から構成されている。容量電極71は、透明導電材料であるITOから形成され、誘電体膜72を介して画素電極9に対向するように設けられている。容量電極71は、画素電極9とともに、蓄積容量70における一対の容量電極を構成している。容量電極71は、図3を参照して前述した容量配線300と電気的に接続されることによって、所定電位に保持される。容量電極71は、画像表示領域10aの略全体に重なるように形成されている図6参照。容量電極71は、画素電極9よりも下層側に形成されており、画素毎に開口部5aを有している。開口部5aの内側には、画素電極9及びドレイン領域30a3間を電気的に接続するためのコンタクトホール33、35及び36が形成されている。誘電体膜72は、例えば窒化シリコン等の透明な誘電性材料からなる透明な誘電体膜である。誘電体膜72は、画像表示領域10aの略全体に重なるように形成され、開口領域において、容量電極71及び画素電極9とともに蓄積容量70を構成している。なお、誘電体膜72は例えば窒化シリコン等の透明な誘電性材料で構成されるため、誘電体膜72を、開口領域を含む画像表示領域10aに広く形成しても、開口領域における光透過率を殆ど或いは実践上全く低下させることはない。蓄積容量70は、各々が透明な容量電極71、誘電体膜72及び画素電極9によって構成されているため、開口領域を狭めることもなく、画素のうち開口領域が占める割合である開口率を低下させることもない。画素電極9は、誘電体膜72上に形成されている。なお、ここでの図示は省略しているが、画素電極9上には、液晶層50図2参照に含まれる液晶分子の配向状態を規制するための配向膜が形成されている。本実施形態では、本発明に係る第1絶縁膜の一例としての調整絶縁膜17が、画素電極9と容量電極71との間即ち、画素電極9よりも下層側であって容量電極71よりも上層側に設けられている。調整絶縁膜17は、画像表示領域10aの略全体に重なるように形成され、容量電極71を露出させる開口部700を画素毎に有している。この開口部700内において、容量電極71と画素電極9とが誘電体膜72を介して対向することにより蓄積容量70が構成されている。よって、調整絶縁膜17の開口部700の面積即ち、開口部700がTFTアレイ基板10上において占める面積を変更することにより、蓄積容量70の容量値を調整することができる。調整絶縁膜17は、高吸湿性の絶縁ガラス材料であるBSGから形成されている。よって、調整絶縁膜17は、平坦性に優れているので、TFTアレイ基板10上における積層構造の最上層側の表面の平坦性を高めることができる。したがって、TFTアレイ基板10上における積層構造の最上層側の表面上に設けられる配向膜の配向制御性を向上させることができる。なお、調整絶縁膜17は、例えばPSG、BPSG等の他の高吸湿性の絶縁ガラス材料から形成されてもよい。次に、液晶装置100に特徴的な構成である防湿膜610について、図7及び図8を参照して説明する。図7は、液晶装置100の防湿膜610及び調整絶縁膜17の構成を示す断面図である。なお、図7では、図5に示した第3層間絶縁膜16よりも下層側の構成要素の図示を省略している。図7において、本実施形態では特に、前述した調整絶縁膜17と同層に防湿膜610が設けられている。防湿膜610は、調整絶縁膜17と同一の製造工程によって形成された膜であり、調整絶縁膜17と同一の高吸湿性の絶縁ガラス材料即ち、本実施形態では、BSGから形成されている。防湿膜610は、本発明に係る第2絶縁膜の一例であり、画像表示領域10aとシール領域52aとの間に位置する間隙領域800aに、画像表示領域10aを囲むように、且つ、調整絶縁膜17とは離間して即ち、分離して設けられている。防湿膜610と調整絶縁膜17とは、溝状の間隙部910によって隔てられている。即ち、防湿膜610及び調整絶縁膜17は、製造プロセスにおいて、一枚のBSG膜が例えばエッチング等でパターニングされることにより形成され、このパターニングの際に間隙部910が形成される。なお、このパターニングにより、間隙部910に加えて、コンタクトホール36及び開口部700も形成される。なお、間隙部910は、本発明に係る溝の一例である。図8は、画像表示領域10a、シール領域52a及び間隙領域800a並びに間隙部910の位置関係を模式的に示す平面図である。図8に示すように、間隙部910は、画像表示領域10aとシール領域52aとの間に位置する間隙領域800aにおいて画像表示領域10aを囲むように形成されている。調整絶縁膜17図7参照は、間隙部910の画像表示領域10a側に位置し、防湿膜610は、間隙部910のシール領域52a側に位置する。本実施形態によれば、外部の大気中に含まれる水分が、シール領域52aを介して即ち、シール材52とTFTアレイ基板10との間やシール材52を介して間隙領域800aに浸入したとしても、高吸湿性の絶縁ガラス材料であるBSGから形成された防湿膜610により水分を吸収することができる。よって、外部の大気中に含まれる水分が画像表示領域10aに浸入することを防止できる。ここで本実施形態では特に、防湿膜610は、画像表示領域10aに設けられた調整絶縁膜17とは分離して設けられているので、防湿膜610により吸収された水分が調整絶縁膜17に浸入することは殆ど或いは全くない。即ち、本実施形態によれば、例えば仮に防湿膜610と調整絶縁膜17とが一枚の膜として連続的に形成される場合と比較して、防湿膜610により吸収された水分が画像表示領域10aに浸入することをより確実に防止できる。更に本実施形態では特に、防湿膜610は、調整絶縁膜17と同層に調整絶縁膜17と同一の材料即ち、BSGから形成されている。よって、防湿膜610及び調整絶縁膜17を互いに同一の製造工程によって形成することができる。したがって、例えば仮に防湿膜610及び調整絶縁膜17のうち調整絶縁膜17のみをTFTアレイ基板10上に形成する場合と同じ製造工程数で、防湿膜610及び調整絶縁膜17の両方を形成することができる。よって、本実施形態によれば、製造コストの増大や歩留まりの低下を招かない。更に加えて、本実施形態では、容量電極71は、画像表示領域10aに加えて間隙領域800aにも設けられているので、容量電極71のうち間隙部910に重なる部分は、例えば、間隙部910をエッチングにより形成する製造工程において、エッチングが第3層間絶縁膜16に施されてしまうのを防ぐストッパー膜として機能することができる。なお、容量電極71のうち間隙部910に重なる部分は、本発明に係る容量電極と同一の透明絶縁材料からなる導電膜の一例である。以上説明したように、本実施形態によれば、製造工程数の増加を伴うことなく、画像表示領域10aへの水分の浸入を防湿膜610により防止できる。更に、TFTアレイ基板10上における積層構造の最上層側の表面の平坦性を高めることができる。これらの結果、高品位な表示を行うことが可能となる。<変形例>本実施形態の変形例について、図9を参照して説明する。図9は、変形例に係る液晶装置の防湿膜610及び調整絶縁膜17の構成を示す断面図である。図9に示すように、防湿膜610は、間隙領域800aに加えてシール領域52aにも設けられていてもよい。この場合にも、外部の大気中に含まれる水分が画像表示領域10aに侵入することを防湿膜610によって防止できる。更に、容量電極71は、画像表示領域10aに加えて、間隙領域800aのうち間隙部910に重なる部分を含む一部にのみ設けられてもよい。この場合にも、容量電極71のうち間隙部910に重なる部分をストッパー膜として機能させることができる。<第2実施形態>第2実施形態に係る液晶装置について、図10を参照して説明する。図10は、第2実施形態に係る液晶装置の防湿膜610及び調整絶縁膜17の構成を示す断面図である。図10において、第2実施形態に係る液晶装置は、本発明に係る導電膜の一例としての充填膜950を更に備える点で、図9を参照して前述した変形例に係る液晶装置と異なり、その他の点については、前述した変形例に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。図10において、本実施形態では特に、充填膜950が、間隙部910を埋めるように設けられている。充填部950は、画素電極9と同一の製造工程によって形成された膜であり、画素電極9と同一の透明導電材料即ち、本実施形態では、ITOから形成されている。よって、防湿膜610により吸収された水分が調整絶縁膜17に浸入することを充填膜950によってより確実に防止できる。したがって、画像表示領域10aへの水分の浸入をより確実に防止できる。更に、充填膜950は、画素電極9と同層に画素電極9と同一の材料即ち、ITOから形成されている。よって、充填膜950及び画素電極9を互いに同一の製造工程において形成することができる。したがって、本実施形態によれば、製造コストの増大や歩留まりの低下を招かない。<電子機器>次に、前述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。図11は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。図11に示されるように、プロジェクター1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル1110R、1110B及び1110Gに入射される。液晶パネル1110R、1110B及び1110Gの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。このダイクロイックプリズム1112においては、R及びBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。ここで、各液晶パネル1110R、1110B及び1110Gによる表示像について着目すると、液晶パネル1110Gによる表示像は、液晶パネル1110R、1110Bによる表示像に対して左右反転することが必要となる。なお、液晶パネル1110R、1110B及び1110Gには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。なお、図11を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピューターや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置LCOS、プラズマディスプレイPDP、電界放出型ディスプレイFED、SED、有機ELディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイスDMD、電気泳動装置等にも適用可能である。本発明は、前述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。