第1面とその裏側の第2面とを有するメイン基板と、前記メイン基板の第1面に固着された補強板と、熱膨張係数が前記補強板よりも小さい補強部材と、前記メイン基板の第2面側で前記補強部材を前記補強板に固定する固定手段とを備えているプローブカード。請求項1記載のプローブカードにおいて、前記補強部材に保持されるプローブユニットを更に備えているプローブカード。請求項1記載のプローブカードにおいて、前記補強部材のメイン基板非対向面に設けられたプローブを更に備えているプローブカード。80~150°Cの温度下の半導体デバイスの高温テスト又は-20~40°Cの温度下の半導体デバイスの低温テストで使用される請求項1乃至3の何れかに記載のプローブカードにおいて、前記補強部材の熱膨張係数が1~5ppm/°C、前記補強板の熱膨張係数が10~25ppm/°Cであるプローブカード。ところが、高温テスト又は低温テスト時には、プローブカードだけでなく、プローブカードを保持するプローバーのカード保持部が熱膨張又は熱収縮し、プローブカードの反りに影響を与えていた。また、前記高温テスト又は低温テストの熱源は半導体デバイスを保持するチャックにある。メイン補強板及びサブ補強板は、前記プローブカードにおいて前記熱源から最も遠くに位置していることから、熱源の熱がメイン補強板及びサブ補強板に伝わるのに時間がかかる。また、熱源とメイン補強板及びサブ補強板との間に位置するメイン基板が断熱材として機能することから、熱源の熱がメイン補強板及びサブ補強板に効率よく伝わり難い。このため、高温テスト又は低温テスト時に、早期にプローブカードのプローブの先端の高さ位置の変動を抑制することが困難であった。本発明は、上記事情に鑑みて創案されたものであって、その目的とするところは、高温テスト又は低温テスト時に、カード保持部の熱膨張又は熱収縮による影響を受けたとしても、早期にプローブの先端の高さ位置の変動を抑制することができるプローブカードを提供することにある。上記課題を解決するために、本発明のプローブカードは、第1面とその裏側の第2面とを有するメイン基板と、前記メイン基板の第1面に固着された補強板と、熱膨張係数が前記補強板よりも小さい補強部材と、前記メイン基板の第2面側で前記補強部材を前記補強板に固定する固定手段とを備えている。このようなプローブカードによる場合、高温テスト時の補強部材の熱膨張量は補強板の熱膨張量よりも小さくなるので、メイン基板の両側に固定手段で固定された補強部材及び補強板がバイメタル状に変形する。その結果、プローブカード全体が熱膨張量の大きい補強板側に反る。このプローブカードの反りとプローバーのカード保持部の熱膨張による変動とが相殺し合うので、プローブの先端の高さ位置の変動を抑制することができる。また、低温テスト時の補強部材の熱収縮量は補強板の熱収縮量よりも小さくなるので、メイン基板の両側に固定手段で固定された補強部材及び補強板がバイメタル状に変形する。その結果、プローブカード全体が熱収縮量の小さい補強部材側に反る。このプローブカードの反りがプローバーのカード保持部の熱収縮による変動を相殺することにより、該プローブカードのプローブの先端の高さ位置の変動を抑制することができる。補強部材は、メイン基板の第2面側に位置しているため、当該メイン基板よりも高温テスト又は低温テストの熱源チャックの近い。よって、高温テスト又は低温テスト時に、熱源の熱が補強部材に伝わり易く、補強部材を早期に熱膨張又は熱収縮させることができるので、プローブカードのプローブの先端の高さ位置の変動を早期に抑制することができる。前記補強部材は、プローブユニットを保持する構成とすることができる。或いは、前記補強部材のメイン基板非対向面にプローブを直接設けることも可能である。これらの場合、前記補強部材は、プローブユニット又はプローブを保持する部材であるため、更に高温テスト又は低温テストの熱源チャックの近くに位置する。よって、更に熱源の熱が補強部材に伝わり易く、プローブカードのプローブの先端の高さ位置の変動を更に早期に抑制することができる。前記プローブカードが80~150°Cの温度下の半導体デバイスの高温テスト又は-20~40°Cの温度下の半導体デバイスの低温テストで使用される場合、前記補強部材の熱膨張係数は1~5ppm/°C、前記補強板の熱膨張係数は10~25ppm/°Cであることが好ましい。更に、前記プローブカードが80~100°C又は-20~30°Cの環境温度下の半導体デバイスのテストで使用される場合、前記補強部材の熱膨張係数は3~5ppm/°C、前記補強板の熱膨張係数は10~12ppm/°Cであることが好ましい。以下、本発明の実施の形態に係るプローブカードについて図1乃至図4を参照しつつ説明する。図1に示すプローブカードは、メイン基板100と、補強板200と、補強部材300と、プローブユニット400と、複数の固定手段500とを備えている。以下、各部について詳しく説明する。補強板200は、図1及び図2aに示すように、メイン基板100の第1面にネジ等で固定されたステンレス綱製の板である。この補強板200はメイン基板100よりも硬く、該メイン基板100の機械的強度を補強している。補強板200は、円板状の本体部210と、4つの脚部220とを有している。脚部220は、本体部210の外周部に90°間隔で設けられている。脚部220にはネジ孔221が設けられている。メイン基板100は、図1及び図2に示すように、第1面とその裏側の第2面を有する円板状の回路基板である。メイン基板100の外周部には、図3及び図4に示すように、第1面から第2面にかけて貫通する4つの貫通孔110図示2つが90°間隔で設けられている。貫通孔110はネジ孔221に連通している。メイン基板100の第2面には、複数の接続用の電極120が設けられている。メイン基板100の第1面の外周部は、図2aに示すように、補強板200の脚部220の間から部分的に露出している。この露出部分上に図示しない複数の外部電極が設けられている。この外部電極は本プローブカードが取り付けられるテスト装置に接続される。電極120と外部電極とは、メイン基板100の第1、第2面及び/又は内部に設けられた図示しない導電ラインにより接続されている。補強部材300は、図2b乃至図4に示すように、リング状の部材である。この補強部材300は固定手段500によって補強板200に固定され、メイン基板100の第2面側に間隔をあけて平行に配置されている。この補強部材300の内周面には、内側に凸のリング状のフランジ310が設けられている。このフランジ310にプローブユニット400が保持されている。補強部材300には、4つのネジ孔320が90°間隔で設けられている。ネジ孔320の中心はネジ孔221の中心の鉛直線状に位置している。補強部材300は、熱膨張係数が補強板200よりも小さい素材で構成されている。本発明のプローブカードが80~150°Cの温度下の半導体デバイスの高温テスト又は-20~40°Cの温度下の半導体デバイスの低温テストで使用される場合、補強部材300の熱膨張係数は1~5ppm/°C、補強板200の熱膨張係数は10~25ppm/°Cであることが好ましく、前記プローブカードが80~100°Cの環境温度下の半導体デバイスの高温テスト又は-20~30°Cの環境温度下の半導体デバイスの低温テストで使用される場合、補強部材300の熱膨張係数は3~5ppm/°C、補強板200の熱膨張係数は10~12ppm/°Cであることが好ましい。固定手段500は、スペーサ510と、ネジ520とを有している。スペーサ510は、外径がメイン基板100の貫通孔110の内径よりも小さく、内径がネジ孔221及びネジ孔320の内径と略同じ円筒状の部材であって、高さ寸法がメイン基板100の厚み寸法よりも大きくなっている。このスペーサ510が貫通孔110に挿入され、補強板200と補強部材300との間に介在することにより、補強部材300とメイン基板100との間に前記間隔が形成されている。ネジ520は、補強部材300のネジ孔320及びスペーサ510に挿入され、補強板200の脚部220のネジ孔221に螺合している。プローブユニット400は、図2b乃至図4に示すように、プローブ基板410と、複数のプローブ420とを有している。プローブ基板410は、外径が補強部材300の内周面の径よりも若干小さくフランジ310の内径よりも大きい円板状の基板であって、外周部が補強部材300のフランジ310に保持されている。プローブ基板410の第1面はメイン基板100の第2面に面接触している。プローブ基板410の第1面には、複数の接続用の電極411が設けられている。この電極411はメイン基板100の電極120に接触するように配置されている。プローブ基板410の第1面の裏側の第2面にも、複数の電極412が設けられている。この電極412上には片持ち梁状のプローブ420が設けられている。電極411と電極412とはプローブ基板410の第1、第2面及び/又は内部に設けられた図示しない導電ラインにより接続されている。以下、上述した構成のプローブカードの組み立て手順について説明する。まず、外部電極及び電極120が形成されたメイン基板100を用意する。その後、メイン基板100の第1面に補強板200を固定させる。その後、メイン基板100及び補強板200を、補強板200を下にして作業台に載置する。その後、メイン基板100の貫通孔110に固定手段500のスペーサ510を各々挿入する。その後、プローブ基板410の電極412上にプローブ420が形成されたプローブユニット400を用意する。その後、プローブユニット400のプローブ基板410の第1面をメイン基板100の第2面に面接触させ、プローブ基板410の電極411をメイン基板100の電極120に接触させる。この状態で、補強部材300のフランジ310をプローブ基板410の第2面の外周部に当接させると共に、補強部材300をスペーサ510上に載置する。その後、ネジ520を補強部材300のネジ孔320及びスペーサ510に挿入し、補強板200の脚部220のネジ孔221に螺合させる。このようにして補強部材300が補強板200に固定され、メイン基板100の第2面側に間隔をあけて平行に配置される。上述したプローブカードは、図3及び図4に示すように、外周部がプローバーのカード保持部20に保持され、半導体デバイス10の電気的諸特性を測定する高温テスト又は低温テストに使用される。具体的には、上記テスト装置がオンにされると、チャック30に保持された半導体デバイス10が検査位置に順次搬送され、前記プローブカードに対向配置される。半導体デバイス10が検査位置に位置すると、チャック30により半導体デバイス10が加熱又は冷却される。加熱温度又は冷却温度が所定の温度に達すると、前記プローバーが動作し、前記プローブカードと半導体デバイス10とを相対的に接近させる。すると、前記プローブカードのプローブ420の先端が半導体デバイス10の電極11に各々接触する。この状態で、半導体デバイス10の電気的諸特性が前記テスト装置により各々測定される。以下、80°Cの環境温度下の上記高温テストにおいて、メイン基板100、補強板200及びプローブ基板410の素材として下記素材を用いる一方、補強部材300の素材として下記の二つの素材を用いた場合のプローブカードのプローブ420の先端位置のZ方向の変動量以下、Z変動量と称する。について説明する。なお、プローブ420の先端位置のZ変動量は、プローバーのカード保持部20のZ方向の変動量とプローブカードのZ方向の変動量とを合成した値となっている。メイン基板100:FR-4熱膨張係数14ppm/°C補強板200:SUS303プローブ基板:セラミック熱膨張係数6ppm/°C補強部材300:42合金熱膨張係数4.2ppm/°CA7075熱膨張係数23ppm/°C補強部材300の素材として42合金を用いた場合、補強部材300の熱膨張量が補強板200の熱膨張量よりも小さくなるため、メイン基板100の両側で固定手段500に固定された補強部材300と補強板200とが、熱膨張量の大きい補強板200側にバイメタル状に変形する。その結果、プローブカード全体が図3aのα線で示すように図示上方向に反る。このプローブカードの反りが、図3aの破線矢印で示すカード保持部20の熱膨張による変動を相殺するため、下記表1に示すようにプローブ420の先端位置のZ変動がテスト開始から5分頃で止まり、且つそのZ変動量が約-20μmと留まる。すなわち、高温テスト時に、プローブ420の先端位置のZ変動を早期に抑制Z補正することができる。補強部材300の素材としてA7075を用いた場合、補強部材300の熱膨張量が補強板200の熱膨張量よりも大きくなるため、メイン基板100の両側で固定手段500に固定された補強部材300と補強板200とが、熱膨張量の大きい補強部材300側にバイメタル状に変形する。その結果、プローブカード全体が図3bのα’線で示すように図示下方向に反る。当該反りはカード保持部20の前記変動と同方向であるため、前記変動を相殺することができないすなわち、Z補正できない。。よって、下記表1に示すようにカード保持部20及びプローブカードの各部材の熱膨張量が飽和状態となる6分頃までプローブ420の先端位置がZ方向に変動しつづけ、そのZ変動量は-40μmとなる。-20~30°Cの環境温度下の上記低温テストにおいて、補強部材300の素材として補強板200よりも熱膨張係数が小さい素材を用いた場合、補強部材300の熱収縮量が補強板200の熱収縮量よりも小さくなるため、メイン基板100の両側で固定手段500に固定された補強部材300と補強板200とが、熱収縮量の小さい補強部材300側にバイメタル状に変形する。その結果、プローブカード全体が図4aのβ線で示すように図示下方向に反る。このプローブカードの反りが、図4aの破線矢印で示すカード保持部20の熱収縮による変動を相殺する。このため、プローブ420の先端位置のZ変動がテストの初期段階で止まり、且つそのZ変動量も抑制Z補正することができる。補強部材300の素材として補強板200よりも熱膨張係数が大きい素材を用いた場合、補強部材300の熱収縮量が補強板200の熱収縮量よりも大きくなるため、メイン基板100の両側で固定手段500に固定された補強部材300と補強板200とが、熱収縮量の小さい補強板200側にバイメタル状に変形する。その結果、プローブカード全体が図4bのβ’線で示すように図示上方向に反る。当該反りはカード保持部20の前記変動と同方向であるため、前記変動を相殺することができないすなわち、Z補正できない。。よって、カード保持部20及びプローブカードの各部材の熱収縮量が飽和状態となるまでプローブ420の先端位置がZ方向に変動しつづけ、そのZ変動量も大きくなる。以上の通り、補強部材300が補強板200よりも熱膨張係数が小さい素材で構成されているので、固定手段500に固定された補強板200及び補強部材300の熱膨張又は熱収縮によるバイメタル状の変形とカード保持部20の熱膨張又は熱収縮による変動とが互いに相殺することができるようになっている。換言すると、補強板200及び補強部材300は、固定された補強板200及び補強部材300の熱膨張又は熱収縮による変形とカード保持部20の熱膨張又は熱収縮による変動とが互いに相殺可能な熱膨張係数を有する素材で構成されている。補強部材300は、メイン基板100よりも高温テスト又は低温テストの熱源であるチャック30側に位置しているため、補強部材300に熱源の熱が伝わりやすく、高温テスト又は低温テスト時に、補強部材300を早期に熱膨張又は熱収縮させることができる。よって、プローブ420の先端位置のZ変動を早期に抑制することができる。なお、上述したプローブカードは、上記実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載の範囲において任意に設計変更することが可能である。上記実施の形態では、補強部材300はリング状であるとしたが、これに限定されるものではない。例えば、補強部材をリング状以外の環状、板状又は格子状とすることも可能である。また、上記実施の形態では、フランジ310によりプローブユニット400が保持されているとしたが、これに限定されるものではない。例えば、補強部材の第2面にプローブユニット400のプローブ基板410を接着剤等で固着し、保持させるようにしても良い。また、補強部材にプローブユニットを保持させる代わりに、補強部材の面上にプローブを直接設けることも可能である。但し、補強部材はプローブユニットやプローブを保持する部材に限定されるものではなく、メイン基板よりも高温テスト又は低温テストの熱源に近い部材であれば、どのような部材を用いても構わない。上記実施の形態では、補強部材は、補強板よりも熱膨張係数が小さい素材で構成されているとしたが、これに限定されるものではない。補強板及び補強部材は、固定された補強板及び補強部材の熱膨張又は熱収縮による変形とカード保持部の熱膨張又は熱収縮による変動とが互いに相殺可能な熱膨張係数を有する素材で構成されている限り任意に設計変更することが可能である。よって、カード保持部の熱膨張又は熱収縮による変動によっては、補強部材を補強板よりも熱膨張係数が大きい素材で構成することも可能である。なお、メイン基板200及びプローブ基板410を構成する素材については任意に設計変更することが可能である。固定手段500は、スペーサ510及びネジ520を有しているとしたが、補強部材を補強板に固定し得る限り任意に設計変更することが可能である。例えば、ボルトとナットを用いて補強部材を補強板に固定しても良い。また、固定手段により、補強部材と補強板との固定状態を可変することにより、補強部材と補強板とのバイメタル状の変更を調節することができる。プローブユニット400は、プローブ基板410の第1面がメイン基板100の第2面に面接触しているとしたが、プローブ基板410の第1面とメイン基板100の第2面との間に間隔が開いていても良い。また、プローブ基板410を、メイン基板100を貫通するネジで補強板200に固定することも可能である。なお、上記実施の形態では、上記プローブカードの各部を構成する素材、形状、寸法及び配置等はその一例を説明したものであって、同様の機能を実現し得る限り任意に設計変更することが可能である。