基板上のゲート電極に電気的に連結された、フローティングゲートと、ドレイン端子接続と、ソース端子接続と、各ドープ領域が低濃度ドープ領域および高濃度ドープ領域を含む、該基板内の1対のドープ領域とを備え、該低濃度ドープ領域の各々が、該基板の該ゲート電極の下に延伸しており、かつ該高濃度ドープ領域の各々が、該ドレイン端子および該ソース端子にそれぞれ連結されるように延伸している、化学的感応性センサ。試料を受容するためのマイクロウェルをさらに備える、請求項1に記載の化学的感応性センサ。前記マイクロウェルが、前記フローティングゲートに隣接する該ウェルの底に酸化物層を有する、請求項1に記載の化学的感応性センサ。寄生容量が、前記ゲート電極と前記低濃度ドープ領域との間の下方に存在する、請求項1に記載の化学的感応性センサ。前記化学的感応性センサの利得が、前記低濃度ドープ領域において用いられるドーパントの量によって修正される、請求項1に記載の化学的感応性センサ。前記低濃度ドープ領域が、前記高濃度ドープ領域のドーパント濃度レベル未満であるドーパント濃度レベルでドープされる、請求項1に記載の化学的感応性センサ。基板上のゲート電極に電気的に連結された、フローティングゲートと、ドレイン端子接続と、ソース端子接続と、該基板上に形成され、1対の電極の一方が該ゲート電極のいずれかの側にある、該1対の電極と、1対のドープ領域の一方が低濃度ドープ領域および高濃度ドープ領域を含む、該基板内の該1対のドープ領域とを備え、該低濃度ドープ領域が、該電極のそれぞれ1つの下に延伸しており、かつ各対の該高濃度ドープ領域が、ドレイン端子およびソース端子にそれぞれ連結されるように延伸している、化学的感応性センサ。生体材料を受容するためのマイクロウェルをさらに備える、請求項7に記載の化学的感応性センサ。前記マイクロウェルが、前記フローティングゲートに隣接する該ウェルの底に酸化物層を有する、請求項7に記載の化学的感応性センサ。前記1対の電極の一方が、基準電極として、および電荷パケットのためのバリアまたはウェルとして機能する、請求項1に記載の化学的感応性センサ。前記1対の電極の一方が、拡散電極として機能し、かつ電荷パケットを促進する、請求項1に記載の化学的感応性センサ。ゲート電極に電気的に連結された、フローティングゲートと、低濃度ドープ領域および高濃度ドープ領域を伴って形成された、ソースと、低濃度ドープ領域および高濃度ドープ領域を伴って形成された、ドレインとを備え、該ソースの該低濃度ドープ領域および該ドレインの該低濃度ドープ領域が、チャネル領域内の該フローティングゲートに隣接して互いに向かって延伸している、化学的感応性センサ。前記ソースおよび前記ドレインの前記高濃度ドープ領域が、該ソースと該ドレインとの前記低濃度ドープ領域よりも大きなドーパント濃度を含む、請求項12に記載の化学的感応性センサ。前記ソースおよび前記ドレインの前記高濃度ドープ領域が、前記チャネル領域および前記ゲート領域から離れて延伸している、請求項12に記載の化学的感応性センサ。前記ソースの前記高濃度ドープ領域が、金属接点に連結される、請求項12に記載の化学的感応性センサ。前記ドレインの前記高濃度ドープ領域が、金属接点に連結される、請求項12に記載の化学的感応性センサ。前記ソースの前記低濃度ドープ領域の容量が、前記ドレインの前記低濃度ドープ領域よりも大きい、請求項12に記載の化学的感応性センサ。前記ソースと前記ドレインとの前記低濃度ドープ領域が、前記化学的感応性センサの利得を制限する静電容量の増大をもたらす、請求項12に記載の化学的感応性センサ。第1の導電型のドーパントで基板を形成するステップと、該基板を形成するために用いられたものと同じ導電型であるが該基板の該ドーパントよりも濃度を低くしたドーパントを用いて、エピタキシャル層を構築するステップと、形成された該エピタキシャル層上に、該基板を形成するために用いられた該第1の導電型のドーパントとは異なる第2の導電型のドーパントから電極層を形成するステップであって、該電極層および該基板の双方における該ドーパントの濃度がほぼ同じである、ステップと、ゲートおよび電極を製作するために該電極層をマスクしてエッチングするステップと、多方向注入技術multidirectionalimplanttechniqueを用いて、該電極のうちの1つに隣接した第1の低濃度ドープ領域を生成するステップであって、該第1の低濃度ドープ領域が、該エピタキシャル層のドーパントとは反対側の導電型のドーパントから形成される、ステップと、該ゲート、該電極および該低濃度ドープ領域と同様の導電型のドーパントから、該ゲートに隣接した該電極に自己整列した拡散ノードを生成するステップであって、該拡散ノードの1番目のものが該第1の低濃度ドープ領域に隣接する、ステップと、絶縁体、誘電体、導電層および金属層が交互に重なった層により、フローティングゲート電極、該拡散領域の上の電極、および電極のための接点を形成するステップとを含む、化学的感応性センサの作製方法。多方向注入技術を用いて、前記電極のうちの1つに隣接する第2の低濃度ドープ領域を生成するステップをさらに含み、該第2の低濃度ドープ領域が、前記エピタキシャル層のドーパントとは反対側の導電型のドーパントから形成される、請求項19に記載の方法。前記拡散ノードの2番目のものが、前記第2の低濃度ドープ領域に隣接する、請求項20に記載の方法。拡散領域の上に追加電極を形成するステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。前記フローティングゲートの上の試料を保持するためにマイクロウェルを形成するステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。イオン感応性金属酸化物電界効果トランジスタISFETは、知られている。これらの種類のトランジスタにより検知された化学反応は、振幅が非常に小さい電気的信号をもたらし、したがって、信号を効率的に処理できるように、信号利得を供給する付加的な回路による増幅が必要かもしれない。付加的な回路は、増幅回路の代わりに付加的なセンサ素子に用いることができる半導体基板の実装場所を占有する。化学的感応性センサが、付加的な利得回路の必要性を排除するために、修正された利得を有することができれば有用だろう。本発明者は、以下に記載される実施形態の有益性を認識した。詳細な説明実施形態は、修正された利得をもつ化学的感応性センサを提供する。化学的感応性センサは、基板内に、マイクロウェル、フローティングゲート端子、ドレイン端子、ソース端子および1対のドープ領域を含んでもよい。マイクロウェルは、化学反応において用いられる試料を受容してもよい。フローティングゲートは、基板上のゲート電極に電気的に連結されてもよい。ドレイン端子接続およびソース端子接続は、化学的感応性センサの電気端子であってもよい。基板内の対のドープ領域は、各々、低濃度ドープ領域および高濃度ドープ領域を含んでもよい。各々の低濃度ドープ領域は、基板上のゲート電極の下に延伸してもよく、かつ各々の高濃度ドープ領域は、ドレイン端子およびソース端子にそれぞれ連結されるように延伸してもよい。別の実施形態は、また、修正された利得をもつ化学的感応性センサを提供できる。化学的感応センサは、基板内に、マイクロウェル、フローティングゲート端子、ドレイン端子、ソース端子、1対の電極および1対のドープ領域を含んでもよい。マイクロウェルは、化学反応において用いられる試料を受容してもよい。フローティングゲートは、基板上のゲート電極に電気的に連結されてもよい。ドレイン端子接続およびソース端子接続は、化学的感応性センサの電気端子であってもよい。1対の電極は、基板上に形成されてもよく、1対の電極の一方は、ゲート電極のいずれかの側にある。1対のドープ領域の一方は、低濃度ドープ領域および高濃度ドープ領域を含んでもよい。その一方で、1対のドープ領域の他方は、高濃度ドープ領域のみを含む。低濃度ドープ領域は、電極のそれぞれ1つの下に延伸してもよく、かつ各対の高濃度ドープ領域は、ドレイン端子またはソース端子にそれぞれ連結されるように延伸している。1つの実施形態は、また、本発明の1つの実施形態による化学的感応性センサを構築するための方法を提供できる。本方法は、第1の導電型のドーパントで基板を形成してもよい。エピタキシャル層は、基板を形成するために用いられたものと同じ導電型であるが基板のドーパントよりも濃度を低くしたドーパントを用いて、構築されてもよい。電極層は、形成されたエピタキシャル層上に、基板を形成するために用いられた第1の導電型のドーパントとは異なる第2の導電型のドーパントから形成されてもよい。電極層および基板の双方におけるドーパントの濃度は、ほぼ同じであってもよい。電極層は、ゲートおよび電極を製作するためにマスクされエッチングされてもよい。第1の低濃度ドープ領域は、多方向注入技術multidirectionalimplanttechniqueを用いて、電極のうちの1つに隣接して作成されてもよい。第1の低濃度ドープ領域は、エピタキシャル層ドーパントとは反対側の導電型のドーパントから形成される。ゲート、電極および低濃度ドープ領域と同様の導電型のドーパントから、ゲートに隣接した電極に自己整列した拡散ノードを生成してもよく、拡散ノードの1番目のものは、第1の低濃度ドープ領域に隣接する。絶縁体、誘電体、導電層および金属層が交互に重なった層により、フローティングゲート電極と、拡散領域の上の電極と、電極のための接点とを形成してもよい。図1A~図1Dは、本発明の1つの実施形態による半導体基板の構築物を示す。この実施形態において、化学的感応性センサ100は、半導体ドーピングによりポリシリコン基板110上に組立ててもよく、半導体ドーピングは、この例においてPまたはP型ドーパントであり、図1Aに示されるように形成される。図1Bに示されるように、エピタキシャル層P-epi120を、P型基板110と同様の導電型、すなわちP型でのドーピングの結果、P型基板110上に、しかし低濃度で、形成してもよい。もちろん、N型ドープなどのような他のドープを用いてもよい。電荷結合センサセルが形成される予定の領域は、基板P110およびエピタキシャル層120の導電型とは反対側の導電型、すなわちNを有するドーパントによる濃厚なドーピングレベルで、あらかじめドープしてもよい。図1Cにおいて、Nドーピングレベル130を、P型エピタキシャル層120およびP型基板110上に構築してもよい。Nドーピングレベル130を、電荷結合化学センサ領域内で用いてもよい。マスクおよびエッチング作用を用いながら、化学的感応性センサ100のゲート133、および電極134、136を、図1Dに示されるように、Nドーピングレベル130のあらかじめドープされた領域内に形成してもよい。記載された実施形態において、ドーピングレベルを逆にすることもできることは、当業者によって理解されるだろう。上記で開示された実施形態は、ゲート電極133に適用された信号に基づいた電極134と136との間の任意の信号に第1の利得を与えることができるトランジスタの製作を記載する。化学的感応性センサ100の利得を、電極134、136またはゲート133に隣接する位置における基板110内の位置に、付加的なドーピング物質を挿入することにより修正してもよい。付加的なドーピング物質は、トランジスタ100の静電容量に作用することができ、結果的にトランジスタ100の利得を修正する。利得修正の詳細は、図3について、より詳細に説明されるだろう。図2Aは、本発明の1つの実施形態による、ゲート電極に隣接するエピタキシャル層における付加的なドーピングの近似位置を示す。図2Aのデバイスは、図1Cと同様の基板構造を有してもよい。化学的感応性センサ200は、第1の導電型のドーパントすなわち、P型のエピタキシャル層220と、第2の導電型のドーパントすなわちN型から形成されたゲート電極215と、低濃度ドープ領域223、225とを含んでもよい。低濃度ドープドレインLDDと呼ばれる低濃度ドープ領域223、225は、ゲート電極215と同一の導電型のドーパントすなわち、P型であってもよい。化学的感応性センサ200の利得を、ゲート電極215よりも低濃度ドープ領域223、225における低濃度のドーパントの注入により修正してもよい。低濃度ドープ領域223、225は、例えば、ゲート電極215の下の低濃度ドープ領域223、225に低濃度のドーパントを注入するために多方向注入技術を用いることにより形成してもよい。もちろん、他の技術を用いてもよい。トランジスタのソース端子およびドレイン端子のための高濃度ドープ領域を、低濃度ドープ領域の前または後に追加してもよい。図2Bは、ゲート電極215、低濃度ドープ領域223、225に関して、化学的感応性センサ220のソース端子およびドレイン端子に連結するための拡散ノード223、225それらは高濃度ドープ領域であってもよいの配置を示す。既知のドーピング技術を用いて、高濃度ドープ領域223、225を、ドーパントのゲート電極215と同じ導電型の高濃度ドーパントにより構築してもよい。図2Cおよび図2Dは、改良型ドーピングを有する化学的感応性センサのための他の実施形態を示す。図2Cは、ゲート210に加えて、電極214、216も有することができる化学的感応性センサ202を示す。図2Cにおいて、低濃度ドープ領域227、229または低濃度ドープドレインLDDを生成するために、それぞれの電極214、216に隣接して挿入される多方向ドーピング注入を可能にするために、化学的感応性センサ202のゲート210および電極214、216をマスクする。LDD227および229を、エピタキシャル層とは反対側の導電型、すなわちNから形成してもよい。図示する実施形態において、LDD227、229を、電極214、216下の化学的感応性センサ202内で形成してもよい。あるいは、LDD227、229を、当該技術分野において既知のような代替の注入方法を用いて注入してもよい。フォトレジスト膜は、所望の領域をマスクし、かつ、ゲート210に隣接する電極214、216に自己整列しかつLDD227、229に隣接してもよい拡散ノード235、237を形成するために用いることができる。拡散領域235および237は、ゲート210、電極214、216、およびLDD227、229と同様でありかつエピタキシャル層221の導電型とは反対側の導電型から、形成してもよい。図2Dにおいて、N拡散ノード237および239は、高濃度ドープ領域であってもよく、かつ半導体の技術分野で既知の任意の従来技術を用いて形成してもよい。さらに、他のノードを形成してもよい。低濃度ドープ領域227、229を、拡散ノード237および239のドーパント濃度レベル未満であるドーパント濃度レベルでドープしてもよい。図3は、本発明の1つの実施形態による化学的感応性センサのそれぞれのドーピング領域に関連する静電容量を示す図である。図示する化学的感応性センサ300は、エピタキシャル層397上に構築されるゲート電極384、ならびに拡散領域391および395を含んでもよい。エピタキシャル層397がP型として示されている一方で、ゲート電極384、および拡散領域391、395のドーピングは、N型ドーピングとして示される。もちろん、ドーピングを逆にしてもよい。拡散領域391および395は、高濃度でドープしてもよい。拡散領域391は、化学的感応性センサ300のソース端子と接してもよく、かつ拡散領域395は、化学的感応性センサ300のドレイン端子を接してもよい。もちろん、ソース端子およびドレイン端子は、入れ替わってもよい。ゲート電極384は、信号を供給するフローティングゲート図示せずに接続してもよい。フローティングゲートからの信号の振幅によって、チャネル396を、既知のトランジスタ原理に従って伝導するように誘発してもよい。ドレイン拡散領域395の信号は、ソース拡散領域391に向かってチャネル396を貫通してもよい。さらに、センサ300の製作により、ゲートドレイン間容量Cgdが、ゲート電極384とドレイン拡散領域395との間に存在するかもしれない。同様に、ゲートソース間容量cgが、ゲート電極384とソース拡散領域391との間に存在するかもしれない。これらの静電容量Cgdおよびcgの値は、センサ300の信号利得に影響を及ぼすかもしれない。静電容量Cgdおよびcgは、拡散領域391および395のドーピングとゲート電極384との間の接合領域の結果であるかもしれない。静電容量Cgdおよびcgの部分は、拡散領域とゲート電極384との交点における寄生容量に起因するかもしれない。寄生容量の量を、ドレイン拡散領域およびソース拡散領域395および391に低濃度ドープ領域394および392を追加することにより、それぞれ調整してもよい。低濃度ドープ領域394および392を、高濃度にドープした拡散領域391および395よりも低濃度でドープしたが、拡散領域395および391とゲート電極384との交点に追加領域を追加してもよい。追加領域により、付加的な寄生容量Cpara1および/またはCpara2が、接合領域に存在してもよい。低濃度ドープ領域内のドーピングの濃度は、Cpara1および/またはCpara2が生成した寄生容量の量に影響を与える。したがって、ゲート384/ドレイン拡散領域395における全静電容量は、CgdCpara1とほぼ等しいかもしれない。その一方で、ゲート384/ソース拡散領域391における全静電容量は、cgCpara2とほぼ等しいかもしれない。寄生容量値Cpara1および/またはCpara2の有無は、センサ300の利得を変化させるかもしれない。化学的感応性センサ例えばISFETおよび列選択トランジスタを有する画素において、画素を、ソースフォロアー構成または共通ソース構成において読み出す。寄生容量値は、どの構成が用いられるかによって異なる方法で画素の利得に影響を与えるかもしれない。ソースフォロアー構成において、単一1の利得は、最大利得である。寄生コンデンサは、利得を減ずるための役目をする。これは、流体の界面における信号が、化学的感応性センサのフローティングゲートに、容量的に連結されるからである。寄生コンデンサは、ゲートにおいて生じる電圧変換に対して電荷を低減する容量分圧器を生成する。したがって、ソースフォロアー構成において、LDD領域を除去し、寄生容量を最小限にすることは、最大の利得を供給する。共通ソース構成において、規則正しい利得値を確立するための負のフィードバックを生成するために、寄生容量を制御することが望ましい。寄生容量を伴わないと、画素は、処理パラメータにより十分に制御されない非常に多くの利得により、読み出しの間にオープンループを動作させるだろう。したがって、LDD領域を、デバイス間で十分に制御し、かつ連続して整合することができるので、利得は、これらの確立された容量値により制御することができる。共通ソース構成において、最も重要なオーバーラップキャパシタはCgdである。画素の利得は、Cgdにより分離された二重層容量とほぼ等しい。例として、二重層容量が3fFで、Cgdの値が0.3fFである場合、画素の利得は、約10である。LDDにより制御される場合、これは、十分に制御されたパラメータになる。利得を減少させるために、Cgdは、より大型のLDD拡張部分により増加される。利得を増加させるために、LDD拡張部分を低減してCgdを低下させる。非常に小さなCgdを有するので、十分に制御されないのは望ましくない。したがって、1から20の範囲の利得を得るようにLDD領域を制御することが望ましい。例えば、別の実施形態において、ドレイン拡散領域395に関連する低濃度ドープ領域394が省かれてもよく、低濃度ドープ領域392のみが、センサ300に存在してもよい。この場合、ソース端子391に起因する静電容量は、cgCpara2と等しいかもしれない。その一方で、ドレイン端子395に起因する静電容量は、せいぜいcdと等しいかもしれない。この実施形態におけるセンサ300の利得は、寄生容量Cpara1およびCpara2の両方が存在した上記の実施形態とは異なる。したがって、低濃度ドープ領域392および/または394の追加を、センサ300の利得を変化させ、かつ、それによってセンサ300の信号を増幅するために必要かもしれない付加的な回路を省くために用いてもよい。本発明の1つの実施形態による化学的感応性センサの構成の典型的な実例は、図4において理解できる。化学的感応性センサ400は、マイクロウェル部401、積層部403、および基板部405を含んでもよい。マイクロウェル部401は、マイクロウェル410の底部近くに、酸化物層415などのパッシベーション層を有することができるマイクロウェル410を含んでもよい。検出される化学反応が、マイクロウェル410において生じ、組立部403におけるフローティングゲート電極420により検出されてもよい。積層部403は、絶縁体および誘電体432、434、436、461、465、469が交互に重なった層の上に積層されたフローティングゲート電極420と、導電層および金属層430、452、454、456、471、475および479と、ゲート電極484とを含んでもよい。基板部405は、Pドーパントでドープされてもよい基板499と、P型ドーパントであってもよいエピタキシャル層497と、Nドープ領域491ソース、Nドープ領域493ドレインとを含んでもよい。Nドープ領域491ソースおよび493ドレインは、高濃度ドープ領域であってもよく、かつ491および493とラベル付けされた領域は、低濃度ドープ領域であってもよい。チャネル494は、フローティングゲート420からゲート484に適用された信号に基づいて導電性を帯びてもよい。もちろん、基板405におけるドーピング、領域491および493におけるドーピング、エピタキシャル層497におけるドーピング、およびゲート484におけるドーピングは、逆であってもよい。化学的感応性センサ400は、オペレーションモードによって、一部において、低濃度ドープ領域491および/または493もし存在すればにより供給される付加的な寄生容量に応じた信号利得を有していてもよい。化学的感応性センサ400の実施形態は、例えば、フローティングゲートの上のマイクロウェルにより標準NMOSまたはPMOSデバイスとして形成されたNMOSまたはPMOSデバイスであり得る。マイクロウェル構成410は、化学的感応性センサ400のフローティングゲート420に対する電荷を検知するために、化学的試料、例えば特定のイオンを移動させることができる酸化物または他の物質415を含有していてもよい。この電荷移動は、その後、化学的感応性センサ400に連結されたリード回路図示せずにより読み取ることができ、電荷移動の量は、マイクロウェル410における試料に含有されるイオンの量を表すことができる。マイクロウェル410における試料の局所変化、例えば、化学的感応性センサの400アレイ図示せずによって示される分析試料液のイオン濃度を検出するために、アレイ内の化学的感応性センサ400を用いることができるのは、この方法である。本発明の別の実施形態による化学的感応性センサの別の典型的な構成は、図5について記載されるだろう。化学的感応性センサ500は、マイクロウェル部501、積層部503、および基板部505を含んでもよい。マイクロウェル部分501は、マイクロウェル510の底部近くに、酸化物層515などのパッシベーション層を有することができるマイクロウェル510を含んでもよい。検出される化学反応が、マイクロウェル510において生じ、積層部503におけるフローティングゲート電極520により検出されてもよい。積層部503は、絶縁体および誘電体542、545、546、561、565、569と導電層および金属層552、555、556、571、574、575、577および579とが交互に重なった層の上に構築されたフローティングゲート電極520を含んでもよい。ゲート電極584、接点564、567は、電極581および585に対して形成することができる。基板部505は、Pドーパントによりドープされてもよい基板599と、P型ドーパントであってもよいエピタキシャル層597と、Nドープ領域591ソース、Nドープ領域595ドレインとを含んでもよい。もちろん、基板505のドーピングは、逆であってもよい。電極581および585は、閉じ込めおよび分離を促進するためにゲート電極584から電荷を蓄積してもよい。ゲート電極584による電極581および585の電荷結合は、アドレス指定可能な読み出しのためにアレイ内に配置されてもよい画素を形成してもよい。トランジスタ利得を、電荷移動によりゲート電極584から電極581および585に増加してもよい。さらに、電荷移動は、図3について上記で説明されたような寄生容量の操作により影響を与えられるかもしれず、それはトランジスタ利得にも影響を与える。寄生容量を、高濃度ドープ領域591および595よりも低い濃度でドープされてもよい低濃度ドープ領域591および/または595の追加により操作してもよい。その上、電荷移動も、電荷パケットのためのバリアまたはウェルとして機能できるVR端子563およびTx端子585により影響を与えられるかもしれない。より多くのまたはより少ない金属および絶縁被膜を用いる実施形態が予見されることは留意するべきであり、前述の実施形態は、単に典型的な例である。さらに、電極の数は、異なる実施形態により大幅に変更することができる。フローティングゲート電極、電極のための任意の追加電極および接点の形成に続いて、イオンを含む化学的感応性センサは、フローティングゲート電極の上のテトラエチルオルトシリケートTEOSまたは酸化物およびエッチングマイクロウェルの外に絶縁体層または誘電体層を生成することにより形成することができる。マイクロウェルは、その後、少なくともマイクロウェルの底部に配置されるパッシベーション層を有することができる。以下で記載された技術を用いると、化学物質およびイオンを、上記のものと同様のプロセスから作られた構成を用いて検知できる。前述の構成の実施形態の変更は可能である。例えば、ゲート電極を、単一層のポリシリコンを用いて形成してもよい。構造体を、NまたはP電極を用いて作ることができる。単極ポリシリコンギャップ間隔を用いる実施形態は、0.13umおよびそれ未満の十分に小さなプロセスノードにて電極を電荷結合することを可能にすることも、また予見される。電荷結合構造体は、現在のCMOSプロセスにおいて0.13umおよびそれ未満のプロセスノードにより作動できる。但し、プロセスノードがこれほど小さいということには限定されず、容易に大型になりうることは、留意するべきである。表面チャネル、埋込チャネル、および、チャネル停止使用を形成するためにイオン注入を用いることを利用する実施形態も予見される。さらに、界面準位を回避し、かつフリッカ雑音を回避するために、所望のポテンシャルプロファイルを生成する複数のN型注入により埋め込まれた電荷移動を用いる実施形態は、予見される。先の説明は、単に典型的な実施形態を提供しており、本明細書に開示された化学的感応性センサを製造する様々なプロセスが当業者にとって容易に明らかになることは、留意するべきである。例えば、ゲートおよび電極の前に、マスキング技術を用いて低濃度ドープドレインを形成することができるかもしれない。したがって、本明細書に説明されたステップを、いかなる特定の順序で実行する必要はなく、かつ当該技術分野で既知のいかなる半導体技術も用いて実行されてもよい。本発明のいくつかの実施形態を、本明細書に具体的に示し、記載した。但し、本発明の変更および変形物が、上記の教示により網羅されることは、十分に理解されるだろう。他の実例において、実施形態を不明瞭にしないように、周知のオペレーション、構成部品および回路を、詳細に記載していない。本明細書に開示された特定の構造的および機能的な詳細は、典型的なものであるかもしれず、必ずしも実施形態の範囲を限定しないことは、十分に理解され得る。当業者は、本発明が様々な形式により実現されてもよく、かつ様々な実施形態が単独でまたは組み合わせて実行されてもよいことを、前述の説明から十分に理解できる。したがって、本発明の実施形態は、その特定の例に関連して記載されているが、他の変更が図面、明細書および添付の特許請求の範囲に関する研究に熟練した従業者にとって明らかになるので、本発明の実施形態および/または方法の真の範囲を、そのように限定するべきでない。様々な実施形態を、ハードウェア要素、ソフトウェア要素、またはその両方の組み合わせを用いて実行してもよい。ハードウェア要素の例は、プロセッサ、マイクロプロセッサ、回路、回路素子例えば、トランジスタ、抵抗器、キャパシタ、誘導子など、集積回路、ASIC特定用途向け集積回路、プログラマブルロジックデバイスPLD、デジタル信号プロセッサDSP、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGA、論理ゲート、レジスタ、半導体デバイス、チップ、マイクロチップ、チップセットなどを含んでもよい。ソフトウェアの例は、ソフトウエアコンポーネント、プログラム、アプリケーション、コンピュータプログラム、アプリケーションプログラム、システムプログラム、機械語プログラム、オペレーティングシステムソフトウェア、ミドルウェア、ファームウェア、ソフトウェアモジュール、ルーチン、サブルーチン、関数、方法、プロシージャ、ソフトウェアインターフェース、アプリケーションプログラムインターフェースAPI、命令セット、コンピューティングコード、計算機コード、コードセグメント、計算機コードセグメント、ワード、値、シンボル、またはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。1つの実施形態がハードウェア要素および/またはソフトウェア要素を用いて実行されるかどうかの判定は、所望の電算機の速度、電力レベル、耐熱性、処理サイクル量、入力データ速度、出力データ速度、メモリリソース、データバス速度、および他の設計または性能の制約などのいくつかの要素によって変動してもよい。いくつかの実施形態は、例えば、実施形態による方法および/またはオペレーションをもしマシンにより実行されるのであればマシンに実行させることができる命令または命令セットを格納できるコンピュータ読み取り可能な媒体またはアーティクルを用いて実行されてもよい。このようなマシンは、例えば、任意の好適な処理プラットフォーム、コンピューティングプラットフォーム、コンピュータ装置、処理デバイス、コンピューティングシステム、処理システム、コンピュータ、プロセッサなども含み、ハードウェアおよび/またはソフトウェアの任意の適切な組み合わせを用いて実行されてもよい。コンピュータ読み取り可能な媒体またはアーティクルは、例えば、任意の好適な型のメモリユニット、メモリデバイス、メモリアーティクル、メモリ媒体、ストレージデバイス、ストレージアーティクル、記憶媒体および/またはストレージ装置、例えば、リムーバブルメディアまたは非リムーバブルメディア、消去可能メディアまたは非消去可能メディア、書き込み可能メディアまたは再書き込み可能メディア、デジタルメディアまたはアナログメディア、ハードディスク、フロッピーディスク、コンパクトディスクを使った読み出し専用メモリCD-ROM書き込み可能コンパクトディスクCD-R、再書き込み可能コンパクトディスクCD-RW、光ディスク、磁気媒体、光磁気媒体、リムーバブルメモリカードまたはディスク、各種ディジタルバーサタイルディスクDVD、テープ、カセットなどを含んでもよい。命令は、任意の好適なハイレベル、ローレベル、オブジェクト指向、ビジュアル、コンパイル済みおよび/または翻訳済みのプログラミング言語を用いて実行される、ソースコード、コード、翻訳済みコード、実行可能コード、静的コード、動的コード、暗号化コードなどの任意の好適な型のコードを含んでもよい。