"透明な導電性材料で形成される第1電極と、前記第1電極と向かい合い導電性材料で形成される第2電極と、前記第1電極と前記第2電極の間に位置する複数の光電変換層からなる光電変換部とを備えている太陽電池において、前記第1電極と前記光電変換部との間に透明な導電性の微粒子で構成される第1集電層を設けることを特徴とする太陽電池。前記第2電極と前記光電変換部との間に略球形の微粒子で構成される第2集電層を設けることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。少なくとも一つの前記光電変換層が微粒子で構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の太陽電池。前記光電変換層を構成する微粒子が粒状シリコン半導体又は色素増感された粒状酸化物半導体である事を特徴とする請求項3に記載の太陽電池。前記光電変換部が複数積層されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載の太陽電池。従来の太陽光発電装置は、太陽電池を平面状に並べて使用する。従来の光電変換部分は薄膜で形成されているので、太陽光を有効利用して発電容量を増大するために電極部分において光閉じ込め構造が試みられているが、透明電極に凹凸を設ける光閉じ込め方法では透明電極の特性が劣化するという問題が発生している。そこで、本発明は、光閉じ込めに関する問題を解決して、小型で、かつ、高効率で大きな電気エネルギーを得ることができる太陽電池を提供することを課題とする。上記課題を解決するためになされた請求項1に記載の発明は、透明な導電性材料で形成される第1電極と、前記第1電極と向かい合い導電性材料で形成される第2電極と、前記第1電極と前記第2電極の間に位置する複数の光電変換層からなる光電変換部とを備えている太陽電池において、前記第1電極と前記光電変換部との間に透明な導電性の微粒子で構成される第1集電層を設けることを特徴としている。透明な第1電極と光電変換層との間に透明な導電性の微粒子で構成される第1集電層を設けることにより、透明電極から入射した光は透明な導電性の微粒子により様々な方向に屈折される。そうすると、透明電極から入射した光は第2電極に到達するまでに、垂直に進む場合に比べて長い光路を通ることになる。一般に光の反射率は入射角が大きい方が高いので、第2電極に斜め入射で到達した光は垂直入射に比べて高効率で反射されて再び光電変換部へ入射する。このようにして、第1電極と第2電極の間での光の通る光路が長くなることで光閉じ込めが起こり太陽電池の高効率化が図れる。略球形の透明な導電性の微粒子の形成は後述するように条件を整えたスパッタ、化学的手法で行う。本発明のように、光電変換部のすぐ近くで透明な微粒子により光閉じ込めをすることで、従来の透明電極の外側で光閉じ込めをしたり、透明電極に凹凸を付けることに比べ効率の高い光閉じ込めを実現することができる。また、透明電極自体は光の透過率と導電性の優れた平坦性の高い条件で形成することができるので、太陽電池としての特性も向上する。上記課題を解決するためになされた請求項2に記載の発明は、前記第2電極と前記光電変換部との間に略球形の微粒子で構成される第2集電層を設けることを特徴としている。透明電極から入射して光電変換部を通過した光は、微粒子で構成される第2集電層に到達して微粒子により様々な方向へ反射されて、再度光電変換部へ入射する。そして光電変換部を通過した光は透明な微粒子で構成される第1集電層および第1電極へ到達して、再び様々な方向へ反射されて光電変換部を通過する。このようにして、第1電極と第2電極の間を光が様々な方向へ行き来して光閉じ込めがより一層有効に行われる。第2集電層は略球形の微粒子で構成されているので、従来行われていたスパッタによる金属膜加工のように光を吸収する複合テクスチャー構造になり難く、高い反射率を実現することができる。このようにして光閉じ込めが効率的に行われることになり太陽電池の高効率化が図れる。上記課題を解決するためになされた請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載された太陽電池において、少なくとも一つの前記光電変換層が微粒子で構成されていることを特徴としている。微粒子で構成されている光電変換層を有する光電変換部においても光の向きが様々な方向に変えられて、第1集電層と第2集電層による光閉じ込めの効果と相まって有効な光閉じ込めがより有効に行われ、従来よりも高い光から電気への変換効率を実現することができる。上記課題を解決するためになされた請求項4に記載の発明は、前記光電変換層を構成する微粒子が粒状シリコン半導体又は色素増感された粒状酸化物半導体であることを特徴としている。粒状シリコン半導体又は色素増感された酸化物半導体から構成される光電変換層を有する太陽電池は、当該粒子によりさらに有効な光閉じ込め構造を有することで従来よりも高い光から電気への変換効率を実現することができる。上記課題を解決するためになされた請求項5に記載の発明は、前記光電変換部が複数積層されていることを特徴としている。複数の光電変換部が積層されているので、透明電極から入射した光の一部が最初の光電変換部で光電変換され、残りの光は次の光電変換部で光電変換されるので光の利用効率が高まる。また、微粒子で構成される集電層から様々な方向へ屈折、反射した光が光電変換部へ入射してさらに光電変換されるので、太陽電池の高効率化が図れる。請求項1の発明によれば、透明電極を通過後に光が様々な方向へ屈折されて有効に光閉じ込めが起こるので、この太陽電池を用いた太陽光発電装置の小型化を図ることができる。請求項2に記載の発明によれば、略球形の微粒子で構成される第2集電層から様々な方向へ反射した光を利用することで太陽電池の高効率化が図れることから、この太陽電池を用いた太陽光発電装置の小型化を図ることができる。請求項3および請求項4に記載の発明によれば、光電変換層が微粒子で構成されていることで光が様々な方向へ透過、反射され2集電層による様々な方向への反射の効果と相まって光閉じ込めが有効に行われ、太陽電池の高効率化が図れることから、この太陽電池を用いた太陽光発電装置の小型化を図ることができる。請求項5に記載の発明によれば、複数の光電変換部が積層されているので、透明電極から入射した光の一部が最初の光電変換部で光電変換され、残りの光は次の光電変換部で光電変換されることから光の利用効率が高まる。また、光の径路に有る粒子による光閉じ込めにより一層の太陽電池の高効率化が図れることからこの太陽電池を用いた太陽光発電装置の小型化を図ることができる。第1実施形態本発明の第1の実施形態を図1を参照して説明する。図1に示す太陽電池100は透明な保護基材101、透明な第1電極102、透明な微粒子からなる第1集電層103、2つの光電変換層104A,104Bからなる光電変換部104、導電性の略球形の微粒子からなる第2集電層105、第2電極106、バッファ層107、支持基材108、シーリング材110、端子111、112を備えている。保護基材101は透明なプラスチック、ガラスなどを用いる。プラスチックを使う場合は、これ以降の成膜条件での温度上昇に耐えられるものを選ぶ。透明電極は、酸化亜鉛系、酸化錫系、酸化インジウム系等の良く知られた透明導電材料から形成される透明導電層である。この透明導電層の形成方法としては、特に制限されるものでないが、製造コストの低減化および高材料利用率を図ることを考慮して、無電解めっき法を用いても良い。無電解めっき法の具体的条件としては、従来行われている公知の方法を採用すればよく、使用する導電材料等に応じて適宜選択することができる。一例を挙げると、酸化亜鉛からなる透明導電層を形成するには、硝酸亜鉛水和物等の水溶性亜鉛塩とDMABジメチルアミンボラン等の還元剤を含有する溶液を用いた無電解めっき法を用いればよい。より具体的には、水溶性亜鉛塩0.1~150g/L、特に0.3~100g/L、DMAB等の還元剤0.01~10g/L、特に0.1~5g/Lを含有し、pH4~9、特に5~7の無電解酸化亜鉛めっき液を用いることが好ましい。また、めっき条件は、10~90°C、特に30~85°Cにおいて、5分~4時間、特に10分~2時間めっきする事が好ましい。第1集電層103は、透明電極102の上に形成されている。具体的にはITOなどの透明材料をターゲットにしてマグネトロンスパッタ法により透明粒子を形成する。この際、空中に浮遊する粒子が付着するようにターゲットととの距離を遠くする。均一な膜にならないように成膜条件を制御することで粒子状のITOが透明電極102上に付着する。また、透明粒子の形成法として透明粒子を含んだペーストを透明電極に塗布して焼成しても良い。この場合も均一な膜にならず、粒子が残るように成膜条件を制御する。光電変換部104104A,104Bは、第1電極102に積層した第1集電層103に接して形成される。光電変換部104の材料としては多結晶シリコン、アモルファスシリコン及びテルル化カドミウムやセレン化インジウム銅等の無機系あるいはなどの有機系いずれでも良い。第1集電層はその表面積が大きいので光電変換層と第1電極の間の電気抵抗の低減が期待できる。塗布法により光電変換部を形成する方法を説明する。アモルファスシリコンを用いる場合、第1集電層103上に塗布によりp型アモルファスシリコン膜104Aを形成する。本実施形態では、このp型アモルファスシリコン膜は、水素化ポリシランとボロン化合物を含む液体を第1集電層103上に塗布し、これを300°C~350°C程度の温度、10分間~30分間程度の時間で焼成することによって形成した。p型アモルファスシリコン膜の膜厚は5nm~20nm程度である。ここでポリシランとは、一般式SinH2n2n<2で表される化合物をいう。具体例としては、シクロペンタシランSi5H10など、1個以上の環状構造を持ったものに、紫外線を照射することによって光重合させて高次シランとしたものが挙げられる。以下においても同様である。次に、p型アモルファスシリコン膜104A上にn型アモルファスシリコン膜104Bを形成した。本実施形態では、このn型アモルファスシリコン膜104Bは、水素化ポリシランとリン化合物を含む液体をアモルファスシリコン膜104A上に塗布し、これを300°C~350°C程度の温度、10分間~30分間程度の時間で焼成することによって形成される。n型アモルファスシリコン膜104Bの膜厚は5nm~20nm程度である。また、光電変換層の形成にCVDを使うこともできる。CVDにおけるシリコン酸化物系微粒子集合体の堆積条件としては、基材温度が200°C、ガス圧が50Torr、高周波電力密度が0.1W/cm2、基材電極間距離が8mm、そしてガス流量比がSiH4/CO2/PH3/H2=1/13.2/0.06/1012を用いた。CVDにおける堆積物は、SEMによる形態観察の結果から、微粒子の集合体になっていることが確認された。堆積物は非晶質シリコと結晶質シリコンの混合物である。上記は一例であって、光電変換部104は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法PLD、有機金属分解法metal-organicdecomposition:MODやゾルゲル法などの液相法CSD法などの各種薄膜形成法を用いて形成することができる。特に低温で、光電変換部104を形成する必要がある場合には、プラズマPVD、光PVD、レーザーPVD、光PSD、レーザーCSD法を用いることが好ましい。光電変換部104の上に蒸着などで金属薄膜を形成し支持基材108上の第2電極106と密着させ、周辺をシール材で覆うことで太陽電池ができる。本実施形態によれば、太陽電池が第2電極106と第1電極102との間に生成された第1集電層103、光電変換部104を構成する光電変換層104A,104Bにより構成される。透明電極を通して入射した光は第1集電層102で様々な方向へ屈折されることで、反射光の光路が長くなり光閉じ込めが有効に起こり、そのために発電できる電気エネルギーを増大させることができる。この実施形態は請求項1に記載された発明に対応する。次に、第2電極106と光電変換部104との間に第2集電層を形成する場合について説明する。第2集電層105を形成する金属微粒子層は、スパッタリング法、コロイド法、エアーブラスト法などにより、光電変換部104に粒子径を制御しながら成形する。粒子径は200~2000nm程度で設定され、積層数は5層以上で数十層で成形され合わせて1μm程度の厚みに複合積層される。微粒子の材料は、第2電極106と同一の材料ではない導電性の材料を用いてもよい。また超伝導材料を用いた場合はさらに効率を向上させることができる。金属微粒子として銅を用いたスパッタリング法による生成方法では、銅のターゲットをスパッタ装置好ましくはマグネトロンスパッタ装置のチャンバー内に設置し、光電変換部104を載せた保護基材101も併せて設置する。そして、チャンバー内の圧力を25Pa程度にした状態でプラズマを生成し、気相中に均一に分布した金属微粒子を発生させることで、金属微粒子を生成する。この際、チャンバー内に放電用ガス例えばArガス等の希ガスを導入する。ターゲット電極からチャンバーの内壁面までの距離を100mm以上にすることでにより、チャンバー内で銅ターゲットからたたき出された銅原子がガスと衝突してエネルギーを消失する空間を十分に確保することができる。さらに、銅微粒子が気相中で成長するためには、銅微粒子の漂う環境をつくることが重要である。そのために、チャンバー内の圧力制御をガス拡散を主体として行うことが好ましく、高めの圧力で平均自由工程を短くすることで気相中のスパッタ粒子同士の衝突を増加させ、気相中で微粒子を形成する。その際、微粒子の置かれた環境の対称性が高い状態を作ることで、粒子形状が球状になることが期待できる。スパッタ粒子は互いの衝突により基板到達時の運動エネルギが減少するので、光電変換部104上での成長速度が遅くなり微粒子の島状や薄膜への成長を抑制することができる。浮遊している銅微粒子は保護基材上の光電変換部104に付着して第2集電層105を形成する。銅以外の金属でも同様にして、第2集電層105を形成することができる。スパッタによる粒子生成はスパッタ条件によっては、微細構造の中にさらに微細な構造を有する複雑な構造を持ついわゆる複合テクスチャー構造になり却って反射率が下がる事が有る。また、粒子を生じてもバックグランドに複合テクスチャー構造が残ることがあり必ずしも反射率が上がらないので、明確に略球形の粒子の生成条件を狙う方が反射特性の良いものが得られる。次に、第2集電層の形成には、スパッタ以外に化学的な方法も用いることができる。以下にコロイド水溶液を用いた金属微粒子の生成について説明する。ゼラチンに水を加え、加熱して溶解させた液に、塩化銅CuCl22H2O65gを400mlの水に予め溶解させた液を加え、全量を1000mlとし、よく攪拌混合し、銅の濃度0.38mol/Lの水溶液を得る。この水溶液を80°Cまで加熱し、ヒドラジン38g銅/ヒドラジン=1/2モル比をすばやく添加しさらに触媒として硝酸パラジウム50g/LasPd水溶液を数滴加え、反応を開始させ、80°Cで2時間攪拌して、銅のコロイド水溶液を得る。このようにして得られた銅コロイド水溶液に非イオン系活面活性剤を入れて撹拌し、できた銅コロイド水溶液と非水媒体とを混合してさらに攪拌し、W/O型のエマルジョンを調製する。温度50°Cにおいて、このエマルジョンを20~30mmHgの減圧下に吸引して、水を蒸発させ、さらに、吸引を続けて、銅の油中分離液を得た。この液を濾過し、ヘキサン、メタノール及び水の順序にて十分洗浄した後、温度100°Cで2時間乾燥させて、粒径0.1~3.0μm、平均粒径0.96μmの球状の金属銅粉末10gを得た。このようにして得られた粒子は、X線回折の結果、金属銅であることが確認された。このときの銅の結晶子の大きさは243Åオングストロームであった。この金属銅粉末を5L/minの窒素中で、20°C/時で昇温し、700°Cで3時間熱処理を行ない、粒径0.1~2.0μm、平均粒径0.53μmの球状の金属銅粉末を得た。このときの銅の結晶子の大きさは、790Åオングストロームであった。また、別の金属粒子の生成法として、機械的粉砕による金属粉末を高速気流中に入れ、非球形の金属粒子同士を高速で衝突させることで金属粒子を球形化しても良い。このようにして得た、銅微粒子を第2電極106上に載せて支持基材と堆積された銅微粒子の間に機械的な圧力を加えてネッキング処理を行う。ネッキング処理により微粒子間の粒界接触が強められ、粒界抵抗が低減する。また、電極との密着性が向上する。なお機械的な圧力を加えてのネッキング処理法としてはロールプレス法が適宜である。第2集電層と光電変換部104とを接合するには、光電変換層104Bを形成する原材料を第2集電層と光電変換層104Bに塗布して、互いの塗布面を合わせてから昇温して焼成するようにする。支持基材108は、特に限定しないが、例えば、シリコン単結晶、SiGe単結晶、GaAs単結晶、InP単結晶、SrTiO3単結晶、MgO単結晶、LaAlO3単結晶、ZrO2単結晶、MgAl2O4単結晶、NdGaO3単結晶、NdAlO3単結晶、LaGaO3単結晶などによって、形成することができる。これらの中では、低コストのため、シリコン単結晶が最も好ましい。また、支持基材108の厚さは、太陽電池100全体の機械的強度を確保することができれば、とくに限定されるものではなく、例えば、100μmないし1000μm程度に設定すればよい。バッファ層107は、支持基材108の上層に形成され、支持基材108と第2電極106を構成する電極薄膜との反応を防ぐバリア層としての役割を果たす。バッファ層107を形成するための材料は、例えば、ZrO2、ReO2、ReO2-ZrO2ReはイットリウムYまたは希土類元素、MgAlO4、γ-Al2O3、SrTiO3、LaAlO3などによって、形成することができる。具体的には、これらの中から、支持基材108との密着性に優れ、熱膨張係数が、支持基材108と第2電極106を構成する薄膜材料の間にある材料を選択して、バッファ層107を形成することが好ましい。なお、バッファ層107は設けなくてもよい。バッファ層107を設けない場合は、支持基材108の表面に直接第2電極106を形成する。第2電極106は、支持基材108又はバッファ層107の上層に薄膜に形成され、例えば、白金Pt、ルテニウムRu、ロジウムRh、パラジウムPd、イリジウムIr、金Au、銀Ag、銅Cu、ニッケルNiなどの導電性の金属によって、形成することができる。具体的には、これらの材料の中から、支持基材108及びバッファ層107との密着性に優れた材料を選択して形成することが好ましい。また、第2電極106の電極薄膜の厚さは、一方の電極として機能することができれば、特に限定されるものではなく、例えば、500~1000nm程度に設定すればよい。電極の製膜方法としては、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、スクリーン印刷法などの公知の技術を使用できる。端子112を引き出すために第2電極106は表出してマスキングで部分露出が行われている。端子112を端部に有する取り出し電極を作成する電極パターンについては、マスキング法、リフトオフ法などを用いて所望のパターンに形成することができる。端子112は、第2電極106からの引き出し線の端部に設けられ、図示しない入出力回路等と接続するための一方の端子であり、端子111は、第1電極102からの引き出し線の端部に設けられ、図示しない出力回路等と接続するための他方の端子である。上記の、保護基材101上の透明電極102に付着する第1集電層103を載せた構造と支持基材108上に第2電極106と第2集電層105を載せた構造は、これからの全ての実施例において共通する。本実施形態によれば、太陽電池が第2電極106と第1電極102との間に生成された第1集電層102、光電変換部104を構成する光電変換層104A,104B、第2集電層105により構成されることで、透明電極を通して入射した光は第1集電層102で様々な方向へ屈折し、さらに、第2集電層105により様々な方向へ反射されることで、反射光の光路が長くなり光閉じ込めが有効に起こり、そのために発電できる電気エネルギーを増大させることができる。第2実施例図2に、光電変換層に微粒子を用いた太陽電池200を示す。透明電極202に付着した第1集電層203、支持基材208の上にバッファ層207、第2電極206、第2集電層205を設けるまでは、第1実施例と共通する。光電変換部を形成する金属酸化物半導体層を塗布とプラズマ処理で形成する方法を説明する。透明な保護基材201に付着した透明電極202の上の第1集電層203上に、金属酸化物微粒子、例えば酸化チタンがバインダに分散されてなる塗布液を塗布し、乾燥して金属酸化物微粒子とバインダから主として構成される塗布膜を形成する。次いでこの塗布膜をプラズマ処理してバインダを除去することにより表面積の大きな金属酸化物半導体膜204Aを形成する。プラズマは、プラズマ発生装置中に導入した反応ガスに電場をかけ、ガス分子を高速電子と衝突させて電離させることにより発生する。一般に酸素、フッ素及び塩素等の反応ガスの存在下に行われ、これらのイオン、ラジカルがバインダ等と反応し、バインダ等が分解する。塗布膜のバインダポリマー、界面活性剤等の有機物は、プラズマ中の陽イオン、陰イオン、ラジカルと反応し、分解され除去される。このような反応は、比較的低温で行われるので、透明電極、基材等として、その材料が耐熱性に優れていないものでも用いることができる例えば、基材としてプラスチック基材、電極としてITO等。また光のエネルギー変換効率の観点から上記金属酸化物として酸化チタン、特にアナタース型酸化チタンを使用することが好ましい。上記プラズマ処理は、高周波プラズマ、マイクロ波プラズマ又はこれらのハイブリッド型を用いて行うことが好ましい。また減圧下でプラズマを行う方がイオン化率が上昇し、イオンの方向性が異方性となり均一なバインダ等の除去が可能となる。しかしながら、高周波放電13.56MHz、2.45GHzで、圧力が低下すると電子とガス分子との衝突回数が低下するので、プラズマ密度を向上させるために静電的或いは誘導的な磁場を印加する方法が採られている例えば、マグネトロン放電、ECR放電、ヘリコン波放電、誘導結合放電等。本発明でもこのような磁場を印加した高周波プラズマ、マイクロ波プラズマが好ましい。例えば、ECRプラズマ発生装置を用いて、基材上の塗布層のバインダ等の除去が行われる。エッチングチャンバの下部へ透明電極202上の第1集電層203に付着した酸化チタンの塗布膜を有する保護基材201が載置され、その下から排気されている。上部から反応ガスが導入され上部中央からマイクロ波が導入される。プラズマチャンバで、電磁コイルによる磁界の中で反応ガスにマイクロ波が導入されプラズマが発生し、そのプラズマ流が塗布膜に衝突する。これにより塗布膜中のバインダ等が分解除去されて金属酸化物の微粒子が残る。上記プラズマ処理では、圧力を10-3Torr以下、特に10-3Torr~10-4Torrとすることが好ましい。金属酸化物金属酸化物半導体としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸化インジウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、硫化カドミウムなどの公知の半導体の一種または二種以上を用いることができる。特に、安定性、安全性の点から酸化チタンが好ましい。酸化チタンとしてはアナタース型酸化チタン、ルチル型酸化チタン、無定形酸化チタン、メタチタン酸、オルソチタン酸などの各種の酸化チタンあるいは水酸化チタン、含水酸化チタンが含まれる。本発明ではアナタース型酸化チタンが好ましい。金属酸化物は微粒子状であり、その一次粒子径は0.001~5μm、さらに0.001~0.5μm、特に0.001~0.05μmの範囲が好ましい。上記バインダとしては、微粒子を分散させるのに使用することができるものであれば良く、一般にポリマーが使用される。ポリマーの例としては、ポリアルキレングリコール例、ポリエチレングリコール、アクリル樹脂、ポリエステル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリアセタール、ポリブチラール、石油樹脂、ポリスチレン、繊維素系樹脂等を挙げることができる。次に、前記のようにして得られた基板上の酸化物半導体膜表面に、可視光領域、赤外光領域で吸収を持つ有機色素分光増感色素を吸着させる。本発明では、種々の金属錯体や有機色素の一種または二種以上を用いることができる。半導体への吸着が早い点では、分光増感色素の分子中にカルボキシル基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシル基、スルホン基、カルボキシアルキル基の官能基を有するものが好ましい。有機色素としては、メタルフリーフタロシアニン、シアニン系色素、メロシアニン系色素、キサンテン系色素、トリフェニルメタン色素を用いることができる。キサンテン系色素としては、具体的には、ウラニン、エオシン、ローズベンガル、ローダミンB、ジブロムフルオレセインが挙げられる。トリフェニルメタン色素としては、具体的には、マラカイトグリーン、クリスタルバイオレットが挙げられる。有機色素分光増感色素を導電体膜に吸着させるこのためには、有機色素を有機溶媒に溶解させて形成した有機色素溶液中に、常温又は加熱下に酸化物半導体膜を基板ととも浸漬する。前記の溶液の溶媒としては、使用する分光増感色素を溶解するものであればよく、具体的には、水、アルコール、トルエン、ジメチルホルムアミドを用いることができる。このようにして、有機色素増感型の微粒子金属酸化物半導体からなる光電変換層204Aを得る。第2集電層205と、上記光電変換微粒子層204Aの間に入れる電解質レドックス電解質204Bとしては、I-/I3-系や、Br-/Br3-系、キノン/ハイドロキノン系等が挙げられる。このようなレドックス電解質は、従来公知の方法によって得ることができ、例えば、I-/I3-系の電解質は、ヨウ素のアンモニウム塩とヨウ素を混合することによって得ることができる。電解質は、液体電解質又はこれを高分子物質中に含有させた固体高分子電解質であることができる。液体電解質において、その溶媒としては、電気化学的に不活性なものが用いられ、例えば、アセトニトリル、炭酸プロピレン、エチレンカーボネート等が用いられる。電解質はシール材210により封止する。対極としては、導電性を有するものであればよく、任意の導電性材料が用いられるが、I3-イオン等の酸化型のレドックスイオンの還元反応を充分な速さで行わせる触媒能を持ったものの使用が好ましい。このようなものとしては白金電極、導電材料表面に白金めっきや白金蒸着を施したもの、ロジウム金属、ルテニウム金属、酸化ルテニウム、カーボン等が挙げられる。第1実施例で述べた、銅粒子に白金のメッキや白金蒸着をしてもよい。第2実施例の場合は、第1集電層203、第2集電層205による光閉じ込めに加えて、光電変換微粒子層204Aによる光閉じ込め作用があるので、一層光閉じ込めの効果が向上する。光電変換層を微粒子で構成するには、上記の色素増感型での酸化チタンの粒子性を利用する以外にも、シリコン型での粒子性の高いアモルファスシリコンでもよい。第3実施例光電変換層を多層化した構成を図3に示す。保護基材301上の透明第1電極302と第1集電層303および支持基材308の上のバッファ層307、第2電極306、第2集電層305を設けることは、第1実施例と共通する。ここでは、バンド幅の異なる材料を使い光電変換部を複数積層する多層構造の光電変換部として、第1光電変換部3041をアモルファスシリコン、第2光電変換部3042に微結晶シリコンを用いることで、それぞれのバンドギャップが異なることから幅広い波長について光電変換をすることができる。アモルファスシリコン系太陽電池には、種々の材質の基材材料を選択することができて大面積化が容易であることなどの特徴がある。また、結晶化が不要であるため、結晶シリコン系太陽電池に比べると、生産性よく低コストで製造できる。しかし、光電変換効率は結晶シリコン系太陽電池よりも低い。アモルファスシリコンは結晶シリコンに比べてエネルギーギャップが大きいため、高温時も出力が落ちにくい特性を持つ。太陽電池にそのまま用いた場合は主に700nm以下の短波長の光が利用され、見た目には赤っぽく見える。結晶構造の乱れにより、光学遷移にフォノンの介在を必要とせず、光吸収係数が高い。この実施例の場合も、透明電極から入射して第1集電層で様々な方向へ向けられ、複数の光電変換部3041,3042を通過して第2集電層305へ到達した光は略球形の微粒子によって様々な方向へ反射されることで光閉じ込め効果を得ることができ、光電変換部の多層化に伴う効果と相まって高効率化が図れる。なお、上述した実施形態では、各層は矩形平型の形状で積層していくが、マスキングの方式、薄膜成形方式により自由な形状を選択することが出来る。電極の取り出し、シールなどは、第1、第2実施例と共通する。また、上述した実施形態は本発明の代表的な形態を示したに過ぎず、本発明は、実施の形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。"