"対向する主面にそれぞれ第1及び第2の電極を含む半導体チップと、前記半導体チップの前記第1の電極に接合されたダイパッドと、外部電極部とを含む金属導体とを有し、前記半導体チップの前記第2の電極と前記金属導体の前記外部電極部を用いて外部実装を行うことを特徴とする半導体パッケージ。前記金属導体に凹部が設けられ、前記凹部の底面に前記ダイパッドが配置され、前記半導体チップは前記凹部内に収容され、前記半導体チップの前記第2の電極の上面と前記金属導体の前記外部電極部の上面がほぼ同じ平面上に並ぶことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。前記金属導体が設けられた絶縁部材を更に有し、前記絶縁部材に凹部が設けられ、前記凹部の底面に前記ダイパッドが配置され、前記半導体チップは前記凹部内に収容され、前記半導体チップの前記第2の電極の上面と前記金属導体の前記外部電極部の上面がほぼ同じ平面上に並ぶことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。前記半導体チップの前記第2の電極の上面と前記金属導体の前記外部電極部の上面にそれぞれ貼り付けられた導電性接着シートを更に有することを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の半導体パッケージ。前記半導体チップは、レーザチップであることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の半導体パッケージ。主面に第1及び第2の配線が設けられた配線基板と、前記配線基板上に実装された請求項1~5の何れか1項に記載の半導体パッケージとを備え、前記半導体パッケージの前記第2の電極と前記外部電極部は、前記配線基板の主面に対向した状態で、それぞれ前記第1及び第2の配線に接合されていることを特徴とする半導体装置。金属導体を分割するには高精度な金型が必要で、インサートモールドにも高額な金型が必要となる。さらに、モールド樹脂の耐熱性が低いために、それ以下の温度で組み立て可能な接合方法に限定される。また、半導体チップと金属導体はワイヤにより接続される。このため、ワイヤボンドが行われる半導体チップや金属導体の表面メタライズは、素材AuやPdなどが非常に高価で、製膜に必要なプロセスめっきや蒸着も高額な装置や厳密な廃液管理が必要である。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は製造コストを低減することができる半導体パッケージ及び半導体装置を得るものである。本発明に係る半導体パッケージは、対向する主面にそれぞれ第1及び第2の電極を含む半導体チップと、前記半導体チップの前記第1の電極に接合されたダイパッドと、外部電極部とを含む金属導体とを有し、前記半導体チップの前記第2の電極と前記金属導体の前記外部電極部を用いて外部実装を行うことを特徴とする。本発明により、製造コストを低減することができる。本発明の実施の形態に係るレーザパッケージ及びレーザ装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。実施の形態1.図1は本発明の実施の形態1に係るレーザパッケージ1を示す斜視図であり、図2は断面図である。レーザチップ2はGaAs製であり、幅が0.3mm、長さが1.5mm、厚さが0.2mmである。レーザチップ2の対向する主面に、それぞれ電極3,4が電極メタライズAuめっきにより設けられている。金属導体5はCu板であり、大きさが3mm×3mm、厚さが0.3mmである。曲げ加工により金属導体5に凹部6が設けられている。凹部6の幅は1mm、深さは0.2mmである。金属導体5はダイパッド5aと外部電極部5bを含み、凹部6の底面にダイパッド5aが配置されている。レーザチップ2は凹部6内に収容され、レーザチップ2の電極3にダイパッド5aがAuSnはんだ7により接合されている。AuSnはんだ7は、融点が280°Cであり、はんだ接合時に320°Cまで加熱される。AuSnはんだ7の大きさは0.2mm×1.0mm、厚さは50μmである。レーザチップ2の電極4の上面と金属導体5の外部電極部5bの上面がほぼ同じ平面上に並んでいる。レーザチップ2の電極4の上面と金属導体5の外部電極部5bの上面にそれぞれ導電性接着シート8が貼り付けられている。この電極4と外部電極部5bを用いて外部実装を行う。図3は、本発明の実施の形態1に係るレーザ装置を示す断面図である。配線基板9の主面に配線10,11が設けられている。この配線基板9上にレーザパッケージ1が実装されている。レーザパッケージ1の電極4と外部電極部5bは、配線基板9の主面に対向した状態で、それぞれ配線10,11に接合されている。以上説明したように、本実施の形態では、レーザチップ2の電極4と金属導体5の外部電極部5bを用いて外部実装を行う。従って、金属導体5の分割やモールドのための金型が不要となる。また、耐熱性の低いモールド樹脂を使わないことで、組み立てや実装時のプロセスの自由度が増す。さらに、ワイヤボンドを行わないため、高価なメタライズが不要となる。よって、本実施の形態により、製造コストを低減することができる。また、レーザチップ2は金属導体5の凹部6内に収容され、レーザチップ2の電極4の上面と金属導体5の外部電極部5bの上面がほぼ同じ平面上に並んでいる。これにより、平坦な配線基板9上にレーザパッケージ1を簡単に実装することができる。なお、金属導体5はCuに限らず42アロイやNiなどでもよい。金属導体5の表面メタライズがNi/Auなどであれば、はんだ付け性が向上する。また、AuSnはんだ7の代わりに、導電性接着剤、SnAgCuはんだ融点219°C、SnBiはんだ融点140°Cなどを用いてもよい。導電性接着剤を用いることで、金属導体5としてAlや鉄鋼材料などのはんだ付け困難な材料を用いることができ、レーザチップ2の電極3,4としてAlやTiなどのはんだ付け困難な材料を用いることができる。また、金属導体5や配線10,11がはんだ付け可能な素材であれば、導電性接着シート8の代わりにはんだシートを用いてもよい。また、配線基板9側に接合材料を設ければ、レーザパッケージ1に導電性接着シート8などを設ける必要はない。また、導電性接着シート8の代わりに異方性導電シートACFを用いることで、隣接する電極間の短絡を防止することができる。さらに、レーザチップ2の代わりに、フォトダイオードチップのように受光部を備えたチップを用いることができる。この場合は、受光部が露出するように金属導体5に開口部を設ける必要がある。実施の形態2.図4は本発明の実施の形態2に係るレーザパッケージを示す斜視図であり、図5は断面図である。図6は、本発明の実施の形態2に係るレーザ装置を示す断面図である。本実施の形態では、絶縁部材12上に金属導体5が設けられている。絶縁部材12はAlN製のセラミック基板であり、大きさが3mm×3mm、厚さが0.4mmである。絶縁部材12には焼成時に凹部13が設けられている。凹部13の幅は1mm、深さは0.2mmである。金属導体5は、タングステン上にNi、Auがメタライズされたものである。絶縁部材12の凹部13の底面に金属導体5のダイパッド5aが配置されている。金属導体5はダイパッド5aから外部電極部5bまで電気的に接続されている。レーザチップ2は二波長タイプであり、電極3が2つに分割されている。2つに分割された電極3に、2つに分割された金属導体5のダイパッド5aがAuSnはんだ7により接合されている。レーザチップ2は凹部13内に収容され、レーザチップ2の電極4の上面と金属導体5の外部電極部5bの上面がほぼ同じ平面上に並んでいる。その他の構成は実施の形態1と同様である。この構成により実施の形態1と同様の効果を得ることができる。なお、絶縁部材12はAlN製セラミック基板に限らず、アルミナなど他のセラミックや、トランスファモールド樹脂、ガラスエポキシ基板などでもよい。また、金属導体5はタングステンに限らず、Cu、Ni、又はAgペースト焼成導体でもよい。また、実施の形態1,2では、レーザチップを実装したレーザパッケージ及びレーザ装置を例として挙げたが、これに限らずフォトダイオードや高周波デバイスなどの半導体チップを実装した半導体パッケージ及び半導体装置にも本発明を適用することができる。"