窒化物半導体基板の一主表面上に電解液を接触させる工程と、前記窒化物半導体基板の窒化物半導体層に対して厚み方向に前記電解液を通じて電界をかける工程と、前記電界をかけた状態で前記窒化物半導体基板の一主表面の上方から光学的手法によって前記窒化物半導体基板の一主表面上に存在するキラー欠陥を観察する工程とからなることを特徴とする窒化物半導体基板の評価方法。前記電界は、前記窒化物半導体基板の耐圧上限値の70以上95以下の値であることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体基板の評価方法。前記電解液は、エッチング性を有することを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の窒化物半導体基板の評価方法。請求項1から請求項3のいずれかに記載の評価方法によって、基板一主表面上におけるキラー欠陥の平面座標位置が特定されていることを特徴とする窒化物半導体基板。ところで、発明者らは、特にGaNに代表される窒化物半導体基板において、電気的に脆弱でデバイス設計時の素子位置と重なるとデバイス不良の原因となる、特有の欠陥以後、本発明ではキラー欠陥と称するが存在することを明らかにした。このキラー欠陥は、そのままでは、光学顕微鏡やSEM等で視覚的には観察できない。また、従来のエッチングによる欠陥の顕在化では、その他の欠陥との区別が付かないので、キラー欠陥のみを正確に検出することが困難であることも分ってきた。非特許文献1に開示されている技術では、このキラー欠陥のみを顕在化させることが困難であった。また、この技術では溶融KOHを用いるので、加熱処理に手間がかかり、評価後の基板を再利用できなくなる点で、簡易かつ汎用性のある評価法としては、必ずしも適切とはいえない。特許文献1に開示されている技術は、エッチングによってGaN結晶に存在する欠陥を顕在化させ、光学的に観察できるようにしたものである。しかし、この技術によっても、このキラー欠陥のみを顕在化させることが困難であった。本発明は、これらの課題を鑑みてなされたもので、GaN等に代表される窒化物半導体基板におけるキラー欠陥を、簡易かつ正確に評価することのできる評価方法、およびこの評価方法を用いた窒化物半導体基板を提供するものである。本発明に係る窒化物半導体基板の評価方法は、窒化物半導体基板の一主表面上に電解液を接触させる工程と、前記窒化物半導体基板の窒化物半導体層に対して厚み方向に前記電解液を通じて電界をかける工程と、前記電界をかけた状態で前記窒化物半導体基板の一主表面の上方から光学的手法によって前記窒化物半導体基板の一主表面上に存在するキラー欠陥を観察する工程とからなることを特徴とする。このような構成をとることで、簡易かつ確実に窒化物半導体基板の一主表面上に存在する欠陥を検出することが可能となる。また、本発明に係る窒化物半導体基板の評価方法においては、前記電界は、前記窒化物半導体基板の耐圧上限値の70以上95以下の値であることが好ましい。このような構成をとることで、窒化物半導体基板の一主表面上に存在するキラー欠陥を、より精度を向上させて検出することが可能である。あるいは、本発明に係る窒化物半導体基板の評価方法において、前記電解液は、エッチング性を有することが好ましい。このような構成をとることで、窒化物半導体基板の一主表面上に存在する欠陥を、簡易に検出することが可能である。本発明に係る窒化物半導体基板は、請求項1から請求項3のいずれかに記載の評価方法によって、基板一主表面上におけるキラー欠陥の平面座標位置が特定されていることを特徴とする。このような構成をとることで、欠陥存在位置を回避してデバイス設計が可能となり、より効率的に窒化物半導体基板を利用することが可能となる。本発明に係る窒化物半導体基板の評価方法、および窒化物半導体基板では、GaNに代表される窒化物半導体基板におけるキラー欠陥を、簡易かつ正確に評価することができる。さらに、キラー欠陥の位置が特定された窒化物半導体基板を提供することも可能となる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。図1は、本発明の一態様に係る窒化物半導体基板の評価方法を示す模式図である。以下、本発明の好ましい実施形態を実施例に基づき説明するが、本発明はこの実施例により限定されるものではない。実験1チョクラルスキーCZ法で製造された、面方位111、直径4インチ、厚さ625μm、アンチモンSbがドープされた抵抗率20mΩcmのSi単結晶基板を準備し、この基板に対して、窒化物半導体からなる中間層とデバイス活性層を、気相成長法により堆積することで、評価用窒化物半導体基板を作製した。Si単結晶基板を、有機金属化学気相成長MOCVD装置にセットし、原料としてトリメチルアルミニウムTMA、およびアンモニアNH3を用い、1100°Cでの気相成長により、厚さ100nmのAlN単結晶層を形成した。さらにその上に、原料としてトリメチルガリウムTMG、TMAおよびNH3を用い、1000°Cでの気相成長により、厚さ200nmのAl0.1Ga0.9N単結晶層を積層させた。この、AlN単結晶層とAl0.1Ga0.9N単結晶層の2層を、初期バッファ領域とした。次に、原料としてTMAおよびNH3を用い、1000°Cでの気相成長により、前記初期バッファ領域上に、厚さ5nmのAlN単結晶層を積層させ、続けて厚さ20nmのGaN単結晶層を積層させた。前記AlN単結晶層およびGaN単結晶層を同様の工程にて交互に繰り返し、積層数を50として、第1の多層バッファ領域を形成した。さらに、前記第1の多層バッファ領域上に、厚さ5nmのAlN単結晶層および厚さを250nmのGaN単結晶層を交互に繰り返し積層させ、積層数を24として、それ以外は、前記第1の多層バッファ領域の形成と同様の工程にて、第2の多層バッファ領域を形成した。以上のようにして、初期バッファ領域と第1の多層バッファ領域と第2の多層バッファ領域を合わせた領域を中間層とした。前記第2の多層バッファ領域上に、原料としてTMGおよびNH3を用い、1000°Cでの気相成長により、厚さ2000nmのGaN単結晶層と、これに続けて、原料としてTMG、TMA、およびNH3を用い、1000°Cでの気相成長により、厚さ20nmのAl0.25Ga0.75N単結晶層を積層させて、電子供給層を形成した。このようにして、評価用窒化物半導体基板を作製した。なお、気相成長により形成した各層の厚さは、ガス流量および供給時間の調整により行った。作製した評価用窒化物半導体基板について、図1に示す構造の評価装置を用いて評価した。電解液は、KOH飽和水溶液を使用し、スポイトにて、評価用窒化物半導体基板の中心部に、基板半径の半分程度の円形状になるように、液滴を形成した。そして、タングステン製のプローブの先端を、この液滴の表面に接触させた状態で保持した。この状態で電界を印加し、光学顕微鏡およびCCDカメラにて、キラー欠陥からのEL発光を観察した。なお、電界条件は、1000Vを10秒間印加、室温25°Cの室内にて実施した。なお、基板外周にはGaN単結晶層と電子供給層の界面に発生する2次元電子ガスをSi単結晶基板と電気的絶縁を確保するためアイソレーション処理を施した。これを実施例1とした。この結果、評価用窒化物半導体基板の数箇所から、EL発光および気泡の発生を確認した。図4に、この電界を印加した後の評価用窒化物半導体基板を洗浄後、レーザー散乱トモグラフィ装置名Surfscan4500で検出したキラー欠陥のエッチピット形状の電子顕微鏡像を示す。次に、実施例1の評価用窒化物半導体基板を用いて、FieldEffectTransistorFET素子を100個作製した。そして、実験1で得られたキラー欠陥の位置情報によるキラー欠陥が存在するとした部位から得た素子3個と、存在しないとした部位から得た素子97個について、それぞれ基板厚み方向の耐圧縦耐圧をしきい値電圧±1000Vで評価したところ、キラー欠陥が存在するという位置情報をもつ素子は、全て特性NGとなり、キラー欠陥が存在しないという位置情報をもつ素子は、全て特性OKとなった。実験2さらに、実施例1で用いたものと同じ窒化物半導体基板を用いて、表1に示す内容で評価条件を変更して評価を行った。表1の結果より、本発明のより好ましい実施範囲においては、さらに適切なキラー欠陥の評価が出来る点で、優れているといえる。