第1のサブセルと、前記第1のサブセル上に設けられた第2のサブセルと、前記第2のサブセル上に設けられた第3のサブセルと、前記第1のサブセルと前記第2のサブセルとの間に設けられた中間層と、を備え、前記第1のサブセルは、第1のバンドギャップを有する第1の化合物半導体を含み、前記第2のサブセルは、第2のバンドギャップを有する第2の化合物半導体を含み、前記第3のサブセルは、第3のバンドギャップを有する第3の化合物半導体を含み、前記中間層は、第4のバンドギャップを有する第4の化合物半導体を含む複数層を有し、前記複数層を構成するそれぞれの層は、前記第2のサブセル側から前記第1のサブセル側にかけて、格子定数が増加するように配置されており、前記複数層は、前記第2のサブセルに最も近い位置に配置されている中間第一層と、前記中間第一層に隣接する中間第二層と、前記中間第二層に隣接する中間第三層とを有しており、前記中間第二層と前記中間第一層との間の格子定数差の比である第1格子定数差比が、前記中間第三層と前記中間第二層との間の格子定数差の比である第2格子定数差比よりも大きく、前記第1格子定数差比が0.78以下であって、前記複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比が、前記第1のサブセルに近づくにつれて小さくなる、化合物半導体太陽電池セル。前記第4の化合物半導体は、AlaGabIncP0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、abc≠0の式で表わされる化合物半導体を含む、請求項1に記載の化合物半導体太陽電池セル。前記第1の化合物半導体は、0.8eV以上1.2eV以下の範囲のバンドギャップを有するGadIneAs0≦d≦1、0<e≦1、de≠0の式で表わされる化合物半導体を含む、請求項1または2に記載の化合物半導体太陽電池セル。前記第2の化合物半導体は、1.3eV以上1.5eV以下の範囲のバンドギャップを有するGafIngAs0≦f≦1、0≦g≦1、fg≠0の式で表わされる化合物半導体を含む、請求項1から3のいずれかに記載の化合物半導体太陽電池セル。上記の特許文献1に記載の化合物半導体太陽電池セルを小面積で作製した場合には、優れた光電変換特性を示す化合物半導体太陽電池セルが得られる。しかしながら、上記の特許文献1に記載の化合物半導体太陽電池セルを大面積で作製した場合には、化合物半導体太陽電池セルの作製途中で割れが発生し、優れた光電変換特性を示さなくなり、歩留まりが低下することが多かった。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、大面積で作製した場合でも、優れた光電変換特性を有するセルを歩留まり良く製造することができる化合物半導体太陽電池セルを提供することにある。本発明は、第1のサブセルと、第1のサブセル上に設けられた第2のサブセルと、第2のサブセル上に設けられた第3のサブセルと、第1のサブセルと第2のサブセルとの間に設けられた中間層とを備え、第1のサブセルは、第1のバンドギャップを有する第1の化合物半導体を含み、第2のサブセルは、第2のバンドギャップを有する第2の化合物半導体を含み、第3のサブセルは、第3のバンドギャップを有する第3の化合物半導体を含み、中間層は、第4のバンドギャップを有する第4の化合物半導体を含む複数層を有し、複数層を構成するそれぞれの層は、第2のサブセル側から第1のサブセル側にかけて、格子定数が増加するように配置されており、複数層は、第2のサブセルに最も近い位置に配置されている中間第一層と、中間第一層に隣接する中間第二層と、中間第二層に隣接する中間第三層とを有しており、中間第二層と中間第一層との間の格子定数差の比である第1格子定数差比が、中間第三層と中間第二層との間の格子定数差の比である第2格子定数差比よりも大きく、第1格子定数差比が0.78以下であって、複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比が第1のサブセルに近づくにつれて小さくなる化合物半導体太陽電池セルである。また、本発明の化合物半導体太陽電池セルにおいて、第4の化合物半導体は、AlaGabIncP0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、abc≠0の式で表わされる化合物半導体を含むことが好ましい。また、本発明の化合物半導体太陽電池セルにおいて、第1の化合物半導体は、0.8eV以上1.2eV以下の範囲のバンドギャップを有するGadIneAs0≦d≦1、0<e≦1、de≠0の式で表わされる化合物半導体を含むことが好ましい。また、本発明の化合物半導体太陽電池セルにおいて、第2の化合物半導体は、1.3eV以上1.5eV以下の範囲のバンドギャップを有するGafIngAs0≦f≦1、0≦g≦1、fg≠0の式で表わされる化合物半導体を含むことが好ましい。本発明によれば、大面積で作製した場合でも、優れた光電変換特性を有するセルを歩留まり良く製造することができる化合物半導体太陽電池セルを提供することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。図1aに、本発明の化合物半導体太陽電池セルの一例である本実施の形態の化合物半導体太陽電池セルの模式的な断面構成図を示し、図1bに、図1aに示す本実施の形態の化合物半導体太陽電池セルの中間層を構成する各化合物半導体層の格子定数の変化を示す。なお、図1bにおいては、中間層以外の層の格子定数の変化についてはその記載を省略している。また、図1bの横軸の右側に進むにつれて格子定数が大きくなることを示している。図1aに示すように、本実施の形態の化合物半導体太陽電池セルにおいては、Si支持基板33例えば厚さ300μm上に、支持基板33側からAu層例えば厚さ3μmとAg層例えば厚さ0.1μmとがこの順序で積層された金属層1と、p型GaInAsからなるコンタクト層2例えば厚さ0.5μmとがこの順序で積層されている。コンタクト層2上には、p型GaInPからなるBSF層3例えば厚さ0.1μm、p型GaInAsからなるベース層4例えば厚さ3.0μm、n型GaInAsからなるエミッタ層5例えば厚さ0.1μmおよびn型GaInPからなる窓層6例えば厚さ0.1μmがこの順序で積層されている。なお、ベース層4とエミッタ層5との接合体から第1のサブセル34が構成されている。窓層6上には、n型Ga022In078Pからなる中間第七層77例えば厚さ1μm、n型Ga023In077Pからなる中間第六層78例えば厚さ0.25μm、n型Ga026In074Pからなる中間第五層79例えば厚さ0.25μm、n型Ga030In070Pからなる中間第四層80例えば厚さ0.25μm、n型Ga035In065Pからなる中間第三層81例えば厚さ0.25μm、n型Ga042In058Pからなる中間第二層82例えば厚さ0.25μmおよびn型Ga052In048Pからなる中間第一層83例えば厚さ0.25μmがこの順序で積層されている。なお、中間第七層77、中間第六層78、中間第五層79、中間第四層80、中間第三層81、中間第二層82および中間第一層83の積層体から中間層35が構成されている。中間第一層83上には、n型GaAsからなる中間バッファ層16例えば厚さ0.1μm、n型AlGaAsからなるトンネル層17、およびp型AlGaAsからなるトンネル層18がこの順に積層されている。なお、中間バッファ層16は積層しなくてもよい。トンネル層18上には、p型AlInPからなるBSF層19例えば厚さ0.1μm、p型GaAsからなるベース層20例えば厚さ3.0μm、n型GaAsからなるエミッタ層21例えば厚さ0.1μm、およびn型AlInPからなる窓層22例えば厚さ0.1μmがこの順に積層されている。ベース層20とエミッタ層21との接合体から第2のサブセル36が構成されている。窓層22上には、n型AlGaAsからなるトンネル層23およびp型AlGaAsからなるトンネル層24がこの順序で積層されている。トンネル層24上には、p型AlInPからなるBSF層25例えば厚さ0.1μm、p型GaInPからなるベース層26例えば厚さ1.0μm、n型GaInPからなるエミッタ層27例えば厚さ0.1μm、およびn型AlInPからなる窓層28例えば厚さ0.1μmがこの順序で積層されている。ベース層26とエミッタ27層との接合体から第3のサブセル37が構成されている。窓層28上には、n型GaAs層29例えば厚さ0.5μmおよび金属層30例えば厚さ5.0μmが形成されている。なお、本実施の形態の化合物半導体太陽電池セルにおいて、下部の第1のサブセル34を構成する第1の化合物半導体GaInAsの第1のバンドギャップ、中間の第2のサブセル36を構成する第2の化合物半導体GaAsの第2のバンドギャップ、および上部の第3のサブセル37を構成する第3の化合物半導体GaInPの第3のバンドギャップの順にバンドギャップが大きくなっている。ここで、本実施の形態の化合物半導体太陽電池セルにおいて、i下部の第1のサブセル34を構成する第1の化合物半導体GaInAsは、0.8eV以上1.2eV以下の範囲のバンドギャップを有するGadIneAs0≦d≦1、0<e≦1、de≠0の式で表わされる化合物半導体であることが好ましい。なお、上記の式中のdはGaの組成比を示し、eはInの組成比を示す。また、ii中間の第2のサブセル36を構成する第2の化合物半導体GaAsは、1.3eV以上1.5eV以下の範囲のバンドギャップを有するGafIngAs0≦f≦1、0≦g≦1、fg≠0の式で表わされる化合物半導体であることが好ましい。なお、上記の式中のfはGaの組成比を示し、gはInの組成比を示す。さらに、iii上部の第3のサブセル37を構成する第3の化合物半導体GaInPは、1.8eV以上2eV以下の範囲のバンドギャップを有するGahIniP0≦h≦1、0≦i≦1、hi≠0の式で表わされる化合物半導体であることが好ましい。なお、上記の式中のhはGaの組成比を示し、iはInの組成比を示す。少なくとも上記のiの条件を満たしていることによって、太陽光をより有効に光電変換できるため、本実施の形態の化合物半導体太陽電池セルの理論光電変換効率を45以上とすることができる。また、上記のiの条件に加えて、上記のiiおよびiiiの少なくとも1つ、好ましくは上記のiiおよびiiiのすべての条件を満たしていることによって、太陽光をさらに有効に光電変換できるため、本実施の形態の化合物半導体太陽電池セルの理論光電変換効率をさらに高くすることができる傾向が大きくなる。以下、図2~図4の断面構成図を参照して、図1に示す本実施の形態の化合物半導体太陽電池セルの製造方法の一例について説明する。まず、図2に示すように、n型GaAsからなる大面積の表面を有する成長基板32をMOVPEMetalOrganicVaporPhaseEpitaxy装置内に設置し、MOVPE法により、成長基板32の表面上に、n型GaAs層41、n型GaInP層42およびn型GaAs層29をこの順序でエピタキシャル成長させる。次に、n型GaAs層29上に、窓層28、エミッタ層27、ベース層26およびBSF層25をこの順序でMOVPE法によりエピタキシャル成長させる。次に、BSF層25上に、トンネル層24、トンネル層23、窓層22、エミッタ層21、ベース層20およびBSF層19をこの順序でMOVPE法によりエピタキシャル成長させる。次に、BSF層19上に、トンネル層18、トンネル層17、および中間バッファ層16をこの順序でMOVPE法によりエピタキシャル成長させる。次に、中間バッファ層16上に、中間第一層83、中間第二層82、中間第三層81、中間第四層80、中間第五層79、中間第六層78および中間第七層77をこの順序でMOVPE法によりエピタキシャル成長させる。次に、中間第七層77上に、窓層6、エミッタ層5、ベース層4、BSF層3およびコンタクト層2をこの順序でMOVPE法によりエピタキシャル成長させる。次に、図3に示すように、コンタクト層2の表面上にコンタクト層2側からAg層例えば厚さ0.1μmとAu例えば厚さ3μmとをこの順序で積層することによって金属層1を形成し、その後、金属層1にSi支持基板33を貼り付ける。次に、図4に示すように、n型GaAs基板32とn型GaAs層41とをアルカリ水溶液でエッチングして除去した後に、n型GaInP層42を酸水溶液でエッチングして除去する。次に、n型GaAs層29上にフォトリソグラフィ技術によりレジストパターンを形成した後、n型GaAs層29の一部をアルカリ水溶液を用いたエッチングにより除去する。その後、残されたn型GaAs層29上に、再度フォトリソグラフィ技術によりレジストパターンを形成し、真空蒸着法により、例えばAg層、Ni層およびAuGe層がこの順序で積層された積層体からなる金属層30を形成する。その後、メサエッチングパターンを形成した後、アルカリ水溶液および酸水溶液を用いて、メサエッチングを行なう。これにより、図1aに示す構成の本実施の形態の化合物半導体太陽電池セルを製造することができる。図1bに示すように、本実施の形態の化合物半導体太陽電池セルの中間層35を構成するそれぞれの層は、第2のサブセル36側から第1のサブセル34側にかけて、格子定数が増加するように配置されている。また、中間第二層82と中間第一層83との間の格子定数差の比である第1格子定数差比が0.78以下であって、中間第三層81と中間第二層82との間の格子定数差の比である第2格子定数差比よりも大きくなっている。さらに、中間層35を構成する複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比が、第1のサブセル34に近づくにつれて小さくなっている。本発明者は、中間層35のエピタキシャル成長初期に形成される層については、隣接する層間の格子定数差比をより大きな値とし、エピタキシャル成長の進行につれて格子定数差比を小さくしていくことによって、格子定数差に起因して生じる応力を十分に緩和することができ、結晶内に蓄積される残留応力が少ない結晶成長が可能となることを見い出した。そして、本発明者は、上記のように中間層35を形成することによって、化合物半導体太陽電池セルをたとえば4cm2以上といった大面積の表面を有するように作製した場合でも、成長基板32を除去したときの化合物半導体太陽電池セルの割れの発生を大幅に抑制することができることを見い出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本実施の形態によれば、化合物半導体太陽電池セルを大面積で作製した場合でも、成長基板を除去したときの化合物半導体太陽電池セルの割れの発生を抑制することができることから、優れた光電変換特性を示す化合物半導体太陽電池セルを歩留まり良く製造することができる。なお、格子定数差比は、中間層35を構成する複数層のうち、隣接する中間第x層の格子定数をaxとし、中間第x1層の格子定数をax1としたとき、中間第x1層と中間第x層との格子定数差比△xは、下記の式1により算出することができる。格子定数差比△x=100×ax1-ax/ax...1図1bに示すように、本実施の形態の化合物半導体太陽電池セルにおいては、成長基板の格子定数に対する、中間層35を構成する複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比は、以下のようになっている。中間第二層と中間第一層との格子定数差比△1=0.78中間第三層と中間第二層との格子定数差比△2=0.52中間第四層と中間第三層との格子定数差比△3=0.42中間第五層と中間第四層との格子定数差比△4=0.31中間第六層と中間第五層との格子定数差比△5=0.21中間第七層と中間第六層との格子定数差比△6=0.10すなわち、本実施の形態の化合物半導体太陽電池セルにおいては、第1格子定数差比と第2格子定数差比との関係は、△1>△2であると言い換えることができる。また、中間層35を構成する複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比は、第1のサブセル34に近づくにつれて小さくなっている。すなわち、本実施の形態においては、△1>△2>△3>△4>△5>△6の関係を満たしている。この場合には、結晶内に蓄積される残留応力による歪みエネルギをさらに小さくすることができ、良好な結晶性の第1のサブセル34を形成することができるため、優れた光電変換特性を有する化合物半導体太陽電池セルを歩留まり良く製造することができる。また、中間層35を構成する第4の化合物半導体は、AlaGabIncP0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、abc≠0の式で表わされる化合物半導体であることが好ましい。通常のエピタキシャル成長装置には、Al、Ga、InおよびPなどの材料が具備されていることから、材料を追加する必要がなく、製造コストを低減することができる傾向にある。また、他の化合物半導体と比較すると、AlaGabIncP0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、abc≠0の式で表わされる化合物半導体は高温成長が可能であり、結晶性が高く、より高品質の良好な結晶を形成することができる傾向にある。また、高温成長が可能であるため、サブセルの成長温度に近い温度で成長することができることから、サブセルの成長時の成長温度を下げるのに必要な無駄な成長時間を短くすることができ、化合物半導体太陽電池セルの製造コストを低減することができる傾向にある。なお、上記の式において、aはAlの組成比を示し、bはGaの組成比を示し、cはInの組成比を示す。第1格子定数差比△1は、0.26以上であることが好ましく、0.52以上であることがより好ましい。この場合には、格子定数差の緩和に必要な中間第二層82を厚く形成する必要がないため、中間第二層82のエピタキシャル成長時間を短くすることができる。そのため、この場合には、化合物半導体太陽電池セルの量産性を向上することができる。中間第二層82の厚さt2は、t2=1nm/△1以上であることが好ましい。中間第二層82の厚さt2が1nm/△1以上である場合には、中間第二層82と中間第一層83との格子定数差に起因して発生する歪を十分に緩和することができる傾向にある。なお、上記の中間第二層82の厚さt2の算出において、△1としては、の単位の数値を用いるのではなく、のない単位の数値を用いることとするたとえば△1=0.26の場合には、t2=1nm/0.0026となる。。中間層35の全体の厚さは、3μm以下であることが好ましい。中間層35の全体の厚さが3μm以下である場合には、エピタキシャル成長による中間層35の形成時間を短くして成長装置のスループットを向上することができるとともに、使用材料を低減することによる製造コストの低下によって、発電量/価格の値を従来の化合物半導体太陽電池セルよりも低減することができる傾向にある。第1格子定数差比△1と、中間第二層82の厚さt2との最も良好な組み合わせは、△1が0.52以上0.78以下であり、かつt2が200nm以上450nm以下である。この場合には、特に優れた光電変換特性を有する大面積の化合物半導体太陽電池セルを特に歩留まり良く製造することができる傾向にある。第2格子定数差比△2は、△1の1/3倍以上2/3倍以下であることが好ましい。この場合には、中間第二層82の結晶のx軸、y軸およびz軸のそれぞれの格子定数がほぼ等しくなり、格子不整合が緩和されて、格子定数差に起因する歪エネルギの蓄積が少ない良好な結晶性の中間層35が得られ、ひいては中間層35上に形成される第1のサブセル34の結晶性が向上し、化合物半導体太陽電池セルの特性および歩留まりが向上する傾向にある。第2格子定数差比△2は、0.26以上0.52以下であることが好ましい。第2格子定数差比△2が0.26以上である場合には、格子不整合を緩和するために中間第三層81を厚く形成する必要がないため、中間第三層81のエピタキシャル成長時間を短くすることができる。そのため、この場合には、化合物半導体太陽電池セルの量産性を向上することができる。また、第2格子定数差比△2が0.52以下である場合には、中間第三層81における転位の発生を抑えて、中間層35の結晶性が向上し、ひいては中間層35上に形成される第1のサブセル34の結晶性が向上し、化合物半導体太陽電池セルの特性および歩留まりが向上する傾向にある。中間第三層81の厚さt3は、t3=1nm/△1以上であることが好ましい。中間第三層81の厚さt3が1nm/△1以上である場合には、中間第三層81と中間第二層82との格子定数差に起因して発生する歪を十分に緩和することができる傾向にある。なお、上記の中間第三層81の厚さt3の算出においても、△1としては、の単位の数値を用いるのではなく、のない単位の数値を用いることとするたとえば△1=0.26の場合には、t3=1nm/0.0026となる。。第2格子定数差比△2と、中間第三層81の厚さt3との最も良好な組み合わせは、△2が0.26以上0.52以下であり、かつt3が100nm以上450nm以下である。この場合には、特に優れた光電変換特性を有する大面積の化合物半導体太陽電池セルを特に歩留まり良く製造することができる傾向にある。一般に、禁制帯幅が異なる複数の半導体材料から成るpn接合を、同一基板上に禁制帯幅が大きいものから順に光が入射する方向に縦積みした構造を有し、両端にだけ出力端子を設けることで、光電変換可能な波長範囲の拡大と高電圧化を図った太陽電池セルをモノリシック2端子多接合型太陽電池セルと呼び、その代表的なものが、本件のGaInP/GaAs/Ge三接合型太陽電池セルである。サブセルとは上記多接合型太陽電池セルを構成する禁制帯幅が異なる個々の太陽電池セルpn接合を一つ有すを指し、本件ではGaInPセル、GaAsセル、Geセルに対応する。<実施例>実施例においては、図1aに示す断面構成および図1bに示すように格子定数を階段状に増加させた中間層を有する化合物半導体太陽電池セルを作製した。まず、図2に示すように、直径4インチの円形状の大面積の表面を有するn型GaAsからなる成長基板32をMOVPE装置内に設置し、成長基板32上に、n型GaAsからなるバッファ層41、n型Ga052In048Pからなるエッチングストップ層42およびn型GaAsからなるコンタクト層29をこの順序でMOVPE法によりエピタキシャル成長させた。次に、コンタクト層29上に、n型Al051In049Pからなる窓層28厚さ0.1μm、n型Ga052In048Pからなるエミッタ層27厚さ0.1μm、p型Ga052In048Pからなるベース層26厚さ1.0μm、p型Al051In049PからなるBSF層25厚さ0.1μmをこの順序でMOVPE法によりエピタキシャル成長させた。これにより、ベース層26とエミッタ27層との接合体からなる第3のサブセル37が形成された。次に、BSF層25上に、p型Al035Ga065Asからなるトンネル層24厚さ0.02μmおよびn型Al035Ga065Asからなるトンネル層23厚さ0.02μmをこの順序でMOVPE法によりエピタキシャル成長させた。次に、トンネル層23上に、n型Al051In049Pからなる窓層22厚さ0.1μm、n型GaAsからなるエミッタ層21厚さ0.1μm、p型GaAsからなるベース層20厚さ3.0μm、p型Al051In049PからなるBSF層19厚さ0.1μmをこの順序でMOVPE法によりエピタキシャル成長させた。これにより、ベース層20とエミッタ層21との接合体からなる第2のサブセル36が形成された。次に、BSF層19上に、p型Al035Ga065Asからなるトンネル層18厚さ0.02μmおよびn型Al035Ga065Asからなるトンネル層17厚さ0.02μmをこの順序でMOVPE法によりエピタキシャル成長させた。次に、トンネル層17上にn型GaAsからなる中間バッファ層16をMOVPE法によりエピタキシャル成長させた。次に、中間バッファ層16上に、n型Ga052In048Pからなる中間第一層83厚さ0.25μm、n型Ga042In058Pからなる中間第二層82厚さ0.25μm、n型Ga035In065Pからなる中間第三層81厚さ0.25μm、n型Ga030In070Pからなる中間第四層80厚さ0.25μm、n型Ga026In074Pからなる中間第五層79厚さ0.25μm、n型Ga023In077Pからなる中間第六層78厚さ0.25μmおよびn型Ga022In078Pからなる中間第七層77厚さ1μmをこの順序でMOVPE法によりエピタキシャル成長させた。次に、中間第七層77上に、n型GaInPからなる窓層6厚さ0.1μm、n型GaInAsからなるエミッタ層5厚さ0.1μm、p型GaInAsからなるベース層4厚さ3.0μm、p型GaInPからなるBSF層3厚さ1μmおよびp型GaInAsからなるコンタクト層2厚さ0.5μmをこの順序でMOVPE法によりエピタキシャル成長させた。なお、上記において、Ga材料としてはTMGトリメチルガリウムを用い、Al材料としてはTMAトリメチルアルミニウムを用い、In材料としてはTMIトリメチルインジウムを用いた。また、As材料としてはAsH3アルシンを用い、P材料としてはPH3ホスフィンを用いた。その後、図3に示すように、コンタクト層2の表面にAg層厚さ3μmとAu層厚さ0.1μmとの積層体からなる金属層1を形成した後に、金属層1にSi支持基板厚さ300μm33を貼り付けた。次に、図4に示すように、成長基板32とバッファ層41とをアルカリ水溶液でエッチングして除去した後に、n型Ga052In048Pからなるエッチングストップ層42を酸水溶液でエッチングして除去して、コンタクト層29の表面を露出させた。次に、コンタクト層29上にフォトリソグラフィ技術によりレジストパターンを形成した後、コンタクト層29の一部をアルカリ水溶液を用いたエッチングにより除去した。そして残されたコンタクト層29上に再度フォトリソグラフィ技術によりレジストパターンを形成し、真空蒸着法により、Ag層厚さ5μm、Ni層厚さ0.1μmおよびAuGe層厚さ0.1μmをこの順序で積層して金属層30を形成した。次に、メサエッチングパターンを形成した後、アルカリ水溶液および酸水溶液を用いてメサエッチングを行なった。上記のようにして、図1aに示す断面構成を有するとともに、金属層1乃至窓層28がそれぞれ幅2cm×長さ2cmの正方形状の大面積の表面を有する実施例の化合物半導体太陽電池セルをウエハから切り出して作製した。図1bに示すように、実施例の化合物半導体太陽電池セルにおいては、中間層35を構成する複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比は、以下のようになっている。中間第二層と中間第一層との格子定数差比△1=0.78中間第三層と中間第二層との格子定数差比△2=0.52中間第四層と中間第三層との格子定数差比△3=0.42中間第五層と中間第四層との格子定数差比△4=0.31中間第六層と中間第五層との格子定数差比△5=0.21中間第七層と中間第六層との格子定数差比△6=0.10また、実施例の化合物半導体太陽電池セルを合計120個作製したときの歩留まりを求めた。その結果、実施例の化合物半導体太陽電池セルの歩留まりは93112個/120個であった。なお、歩留まりの算出においては、短絡電流密度Jsc>9.5mA/cm2、開放電圧Voc>2.9V、かつフィルファクタF.F.>0.8のすべての特性を示す化合物半導体太陽電池セルを良品として判断し、それ以外を不良品として判断した。すなわち、実施例においては、120個の化合物半導体太陽電池セルのうち、良品は112個であった。<比較例1>比較例1においては、図5aに示す断面構成および図5bに示すように格子定数を階段状に増加させた中間層35を有するとともに、金属層1乃至窓層28がそれぞれ幅2cm×長さ2cmの正方形状の大面積の表面を有する化合物半導体太陽電池セルを作製した。なお、図5bにおいては、中間層以外の層の格子定数の変化についてはその記載を省略している。また、図5bの横軸の右側に進むにつれて格子定数が大きくなることを示している。比較例1の化合物半導体太陽電池セルは、第2のサブセル36から第1のサブセル34にかけて以下の層を配置することによって中間層35を形成したこと以外は実施例と同様にして作製した。n型Ga052In048Pからなる中間第一層15厚さ0.25μmn型Ga042In058Pからなる中間第二層14厚さ0.25μmn型Ga039In061Pからなる中間第三層13厚さ0.25μmn型Ga035In065Pからなる中間第四層12厚さ0.25μmn型Ga032In068Pからなる中間第五層11厚さ0.25μmn型Ga029In071Pからなる中間第六層10厚さ0.25μmn型Ga025In075Pからなる中間第七層9厚さ0.25μmn型Ga022In078Pからなる中間第八層8厚さ0.25μmn型Ga019In081Pからなる中間第九層7厚さ0.25μm図5bに示すように、比較例1の化合物半導体太陽電池セルにおいては、中間層35を構成する複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比は、以下のようになっている。中間第二層と中間第一層との格子定数差比△1=0.78中間第三層と中間第二層との格子定数差比△2=0.26中間第四層と中間第三層との格子定数差比△3=0.26中間第五層と中間第四層との格子定数差比△4=0.26中間第六層と中間第五層との格子定数差比△5=0.26中間第七層と中間第六層との格子定数差比△6=0.26中間第八層と中間第七層との格子定数差比△7=0.26中間第九層と中間第八層との格子定数差比△8=0.26中間第九層と中間第八層との格子定数差比△8=0.26また、実施例と同一の基準で、比較例1の化合物半導体太陽電池セルを合計120個作製したときの歩留まりを求めた。その結果、比較例1の化合物半導体太陽電池セルの歩留まりは90108個/120個であった。<比較例2>比較例2においては、図6aに示す断面構成および図6bに示すように格子定数を階段状に増加させた中間層35を有するとともに、金属層1乃至窓層28がそれぞれ幅2cm×長さ2cmの正方形状の大面積の表面を有する化合物半導体太陽電池セルを作製した。なお、図6bにおいては、中間層以外の層の格子定数の変化についてはその記載を省略している。また、図6bの横軸の右側に進むにつれて格子定数が大きくなることを示している。比較例2の化合物半導体太陽電池セルは、第2のサブセル36から第1のサブセル34にかけて以下の層を配置することによって中間層35を形成したこと以外は比較例2と同様にして作製した。n型Ga052In048Pからなる中間第一層60厚さ0.25μmn型Ga049In051Pからなる中間第二層59厚さ0.25μmn型Ga045In055Pからなる中間第三層58厚さ0.25μmn型Ga042In058Pからなる中間第四層57厚さ0.25μmn型Ga039In061Pからなる中間第五層56厚さ0.25μmn型Ga035In065Pからなる中間第六層55厚さ0.25μmn型Ga032In068Pからなる中間第七層54厚さ0.25μmn型Ga029In071Pからなる中間第八層53厚さ0.25μmn型Ga025In075Pからなる中間第九層52厚さ0.25μmn型Ga022In078Pからなる中間第十層51厚さ0.25μm図5bに示すように、比較例2の化合物半導体太陽電池セルにおいては、中間層35を構成する複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比は、以下のようになっている。中間第二層と中間第一層との格子定数差比△1=0.26中間第三層と中間第二層との格子定数差比△2=0.26中間第四層と中間第三層との格子定数差比△3=0.26中間第五層と中間第四層との格子定数差比△4=0.26中間第六層と中間第五層との格子定数差比△5=0.26中間第七層と中間第六層との格子定数差比△6=0.26中間第八層と中間第七層との格子定数差比△7=0.26中間第九層と中間第八層との格子定数差比△8=0.26中間第十層と中間第九層との格子定数差比△9=0.26また、実施例と同一の基準で、比較例2の化合物半導体太陽電池セルを合計120個作製したときの歩留まりを求めた。その結果、比較例2の化合物半導体太陽電池セルの歩留まりは3339個/120個であった。<比較例3>比較例3においては、図7aに示す断面構成および図7bに示すように格子定数を階段状に増加させた中間層を有するとともに、金属層1乃至窓層28がそれぞれ幅2cm×長さ2cmの正方形状の大面積の表面を有する化合物半導体太陽電池セルを作製した。なお、図7bにおいては、中間層以外の層の格子定数の変化についてはその記載を省略している。また、図7bの横軸の右側に進むにつれて格子定数が大きくなることを示している。比較例3の化合物半導体太陽電池セルは、中間層35を構成する中間第一層から中間第十層の厚さをそれぞれ1μmとしたこと以外は比較例2と同様にして作製した。図7bに示すように、比較例3の化合物半導体太陽電池セルにおいては、中間層35を構成する複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比は、以下のようになっている。中間第二層と中間第一層との格子定数差比△1=0.26中間第三層と中間第二層との格子定数差比△2=0.26中間第四層と中間第三層との格子定数差比△3=0.26中間第五層と中間第四層との格子定数差比△4=0.26中間第六層と中間第五層との格子定数差比△5=0.26中間第七層と中間第六層との格子定数差比△6=0.26中間第八層と中間第七層との格子定数差比△7=0.26中間第九層と中間第八層との格子定数差比△8=0.26中間第十層と中間第九層との格子定数差比△9=0.26また、実施例と同一の基準で、比較例3の化合物半導体太陽電池セルを合計120個作製したときの歩留まりを求めた。その結果、比較例3の化合物半導体太陽電池セルの歩留まりは8096個/120個であった。<比較例4>比較例4においては、図8aに示す断面構成および図8bに示すように格子定数を階段状に増加させた中間層35を有するとともに、金属層1乃至窓層28がそれぞれ幅2cm×長さ2cmの正方形状の大面積の表面を有する化合物半導体太陽電池セルを作製した。なお、図8bにおいては、中間層以外の層の格子定数の変化についてはその記載を省略している。また、図8bの横軸の右側に進むにつれて格子定数が大きくなることを示している。比較例4の化合物半導体太陽電池セルは、第2のサブセル36から第1のサブセル34にかけて以下の層を配置することによって中間層35を形成したこと以外は実施例と同様にして作製した。n型Ga052In048Pからなる中間第一層69厚さ1μmn型Ga045In055Pからなる中間第二層68厚さ0.25μmn型Ga042In058Pからなる中間第三層67厚さ0.25μmn型Ga039In061Pからなる中間第四層66厚さ0.25μmn型Ga035In065Pからなる中間第五層65厚さ0.25μmn型Ga032In068Pからなる中間第六層64厚さ0.25μmn型Ga029In071Pからなる中間第七層63厚さ0.25μmn型Ga025In075Pからなる中間第八層62厚さ0.25μmn型Ga022In078Pからなる中間第九層61厚さ0.25μm図8bに示すように、比較例4の化合物半導体太陽電池セルにおいては、中間層35を構成する複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比は、以下のようになっている。中間第二層と中間第一層との格子定数差比△1=0.52中間第三層と中間第二層との格子定数差比△2=0.26中間第四層と中間第三層との格子定数差比△3=0.26中間第五層と中間第四層との格子定数差比△4=0.26中間第六層と中間第五層との格子定数差比△5=0.26中間第七層と中間第六層との格子定数差比△6=0.26中間第八層と中間第七層との格子定数差比△7=0.26中間第九層と中間第八層との格子定数差比△8=0.26また、実施例と同一の基準で、比較例4の化合物半導体太陽電池セルを合計120個作製したときの歩留まりを求めた。その結果、比較例4の化合物半導体太陽電池セルの歩留まりは86103個/120個であった。<比較例5>比較例5においては、図9aに示す断面構成および図9bに示すように格子定数を階段状に増加させた中間層35を有するとともに、金属層1乃至窓層28がそれぞれ幅2cm×長さ2cmの正方形状の大面積の表面を有する化合物半導体太陽電池セルを作製した。なお、図9bにおいては、中間層以外の層の格子定数の変化についてはその記載を省略している。また、図9bの横軸の右側に進むにつれて格子定数が大きくなることを示している。比較例5の化合物半導体太陽電池セルは、図5に示すn型Ga019In081Pからなる中間第九層7を積層しなかったこと以外は比較例1と同様にして作製した。図9bに示すように、比較例5の化合物半導体太陽電池セルにおいては、中間層35を構成する複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比は、以下のようになっている。中間第二層と中間第一層との格子定数差比△1=0.78中間第三層と中間第二層との格子定数差比△2=0.26中間第四層と中間第三層との格子定数差比△3=0.26中間第五層と中間第四層との格子定数差比△4=0.26中間第六層と中間第五層との格子定数差比△5=0.26中間第七層と中間第六層との格子定数差比△6=0.26中間第八層と中間第七層との格子定数差比△7=0.26また、実施例と同一の基準で、比較例5の化合物半導体太陽電池セルを合計120個作製したときの歩留まりを求めた。その結果、比較例5の化合物半導体太陽電池セルの歩留まりは8197個/120個であった。<比較例6>比較例6においては、図10aに示す断面構成および図10bに示すように格子定数を階段状に増加させた中間層35を有するとともに、金属層1乃至窓層28がそれぞれ幅2cm×長さ2cmの正方形状の大面積の表面を有する化合物半導体太陽電池セルを作製した。なお、図10bにおいては、中間層以外の層の格子定数の変化についてはその記載を省略している。また、図10bの横軸の右側に進むにつれて格子定数が大きくなることを示している。比較例6の化合物半導体太陽電池セルは、第2のサブセル36から第1のサブセル34にかけて以下の層を配置することによって中間層35を形成したこと以外は実施例と同様にして作製した。n型Ga052In048Pからなる中間第一層76厚さ1μmn型Ga039In061Pからなる中間第二層75厚さ0.25μmn型Ga035In065Pからなる中間第三層74厚さ0.25μmn型Ga032In068Pからなる中間第四層73厚さ0.25μmn型Ga029In071Pからなる中間第五層72厚さ0.25μmn型Ga025In075Pからなる中間第六層71厚さ0.25μmn型Ga022In078Pからなる中間第七層70厚さ0.25μm図10bに示すように、比較例6の化合物半導体太陽電池セルにおいては、中間層35を構成する複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比は、以下のようになっている。中間第二層と中間第一層との格子定数差比△1=1.04中間第三層と中間第二層との格子定数差比△2=0.26中間第四層と中間第三層との格子定数差比△3=0.26中間第五層と中間第四層との格子定数差比△4=0.26中間第六層と中間第五層との格子定数差比△5=0.26中間第七層と中間第六層との格子定数差比△6=0.26また、実施例と同一の基準で、比較例6の化合物半導体太陽電池セルを合計120個作製したときの歩留まりを求めた。その結果、比較例6の化合物半導体太陽電池セルの歩留まりは1822個/120個であった。以下の表1に、実施例および比較例1~比較例6の実験結果をまとめる。表1に示すように、第1格子定数差比△1が0.78以下であって、第2格子定数差比△2よりも大きく、中間層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比が第2のサブセルから第1のサブセルに近づくにつれて小さくなっている実施例の化合物半導体太陽電池セルは、中間層がそのように形成されていない比較例1~比較例6の化合物半導体太陽電池セルよりも歩留まりが良好であることが確認された。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。