7配位型の円偏光発光性希土類錯体であって、一般式1は3価の希土類イオンを表し、A1~A4は炭素数3~20の基を表し、R1~R2はN原子、O原子のいずれかを少なくとも1個含む5員環又は6員環の共役複素環を表す。で表され、R3は二座の不斉なアセチルアセトン配位子であって、一般式2は3価の希土類イオンを表し、A1~A4は炭素数3~20の基を表し、R1~R2はN原子、O原子のいずれかを少なくとも1個含む5員環又は6員環の共役複素環を表す。で表され、R3は二座の不斉なアセチルアセトン配位子であって、一般式2式中、L1~L3は同一又は異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~20の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを表す。さらに、L1とL2又はL1とL3は互いに結合して環構造を形成していてもよい。で表されることを特徴とする、円偏光発光性希土類錯体。一般式9式中、X1~X6は同一又は異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~20の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを表す。で表され、A1~A4は同一又は異なる炭素数3~20の炭素芳香族炭化水素基、複素芳香族化合物基または炭化水素基のいずれかで表されることを特徴とする、請求項5に記載の円偏光発光性希土類錯体。一般式10で表され、R3は一般式6式中、Z1はハロゲン原子、炭素数1~20の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを表し、Z2~Z3は同一又は異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~20の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを表す。のいずれかで表されることを特徴とする、請求項6に記載の円偏光発光性希土類錯体。一般式11で表されることを特徴とする、請求項7に記載の円偏光発光性希土類錯体。前記希土類イオンが、Nd、Sm、Eu、Tb、Ybのいずれかのイオンであることを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載の円偏光発光希土類錯体。請求項1~9のいずれかに記載の円偏光発光性希土類錯体を含むことを特徴とする光学機能材料。請求項1~9のいずれかに記載の円偏光発光性希土類錯体を含むことを特徴とする円偏光フィルタ。請求項1~9のいずれかに記載の円偏光発光性希土類錯体を含むことを特徴とするセキュリティインク。請求項1~4のいずれかに記載の7配位型の円偏光発光性希土類錯体及び請求項5~8のいずれかに記載の8配位型の円偏光発光性希土類錯体から選ばれる少なくとも一種の円偏光発光性希土類錯体を、ケトン系の第1溶媒及び非ケトン系の第2溶媒を0:10~10:0の割合で混合した析出溶媒に溶解し、前記析出溶媒を除去することによって、前記7配位型の円偏光発光性希土類錯体及び前記8配位型の円偏光発光性希土類錯体を所望の比率で含む円偏光発光性希土類錯体群を得る方法。前記第1溶媒は、一般式12式中、E1~E2は同一又は異なる炭素数1~5の基を表す。で表される鎖状又は環状のケトン系溶媒であることを特徴とする、請求項13に記載の円偏光発光性希土類錯体群を得る方法。前記第2溶媒はニトリル系溶媒又はハロゲン系溶媒であることを特徴とする、請求項13又は14のいずれかに記載の円偏光発光性希土類錯体群を得る方法。しかしながら、希土類錯体と偏光板等を組み合わせたセキュリティー技術に応用する上では、上記した程度のg値では未だ不十分であって、より高い円偏光発光性を有する新規希土類錯体の開発が望まれていた。本発明は上記課題を解決するために成されたものであり、本発明の目的は、より高い円偏光発光性を有する希土類錯体を提供することにある。また、本発明の目的は、セキュリティー技術分野について十分に応用可能な円偏光発光性を有する希土類錯体、並びにそれを利用した光学機能材料及びセキュリティー技術を提供することにある。本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、希土類錯体は配位数によって異なる円偏光発光性を示すことを見出し、8配位型の希土類錯体よりも高い円偏光発光性を示す7配位型の希土類錯体を得るに至った。本明細書では、円偏光発光性を有する希土類錯体を円偏光発光性希土類錯体と呼ぶ。本発明に係る円偏光発光性希土類錯体は、7配位型の円偏光発光性希土類錯体であって、一般式1は3価の希土類イオンを表し、A1~A4は炭素数3~20の基を表し、R1~R2はN原子、O原子のいずれかを少なくとも1個含む5員環又は6員環の共役複素環を表す。で表され、R3は二座の不斉なアセチルアセトン配位子であって、一般式2は3価の希土類イオンを表し、A1~A4は炭素数3~20の基を表し、R1~R2はN原子、O原子のいずれかを少なくとも1個含む5員環又は6員環の共役複素環を表す。で表され、R3は二座の不斉なアセチルアセトン配位子であって、一般式2式中、L1~L3は同一又は異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~20の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを表す。さらに、L1とL2又はL1とL3は互いに結合して環構造を形成していてもよい。で表されることを特徴とする、8配位型の円偏光発光性希土類錯体と互変異性の関係にある。本発明によれば、従来の希土類錯体が示すことのなかった、極めて高い円偏光発光性を有する円偏光発光性希土類錯体を提供することができる。まず、本発明に係る7配位型の円偏光発光性希土類錯体の構造的特徴について説明する。本発明に係る7配位型の円偏光発光性希土類錯体は、一般式1は3価の希土類イオンを表し、A1~A4は炭素数3~20の基を表し、R1~R2はN原子、O原子のいずれかを少なくとも1個含む5員環又は6員環の共役複素環を表す。で表され、R3は二座の不斉なアセチルアセトン配位子であって、一般式2は3価の希土類イオンを表し、A1~A4は炭素数3~20の基を表し、R1~R2はN原子、O原子のいずれかを少なくとも1個含む5員環又は6員環の共役複素環を表す。で表され、R3は二座の不斉なアセチルアセトン配位子であって、一般式2は3価の希土類イオンを表し、A1~A4は炭素数3~20の基を表し、R1~R2はN原子、O原子のいずれかを少なくとも1個含む5員環又は6員環の共役複素環を表す。で表されるように、結合が切断された側のP=O基のO原子が、結合が切断されない側のP原子と結合している共役複素環内のN原子又はO原子と結合し、4~6員環の環構造が形成される。このように、二座のジホスフィンオキシド配位子が二座から単座となることによって、7配位型の円偏光発光性希土類錯体が得られる。このメカニズムは以下のように推測される。一般的にケトン基のO原子は配位結合性を有し、その結合エネルギーはP=O基のO原子が有する配位結合性よりも大きいといわれている。8配位型の円偏光発光性希土類錯体をケトン系溶媒に溶解すると、溶媒分子中のケトン基のO原子が希土類イオンに作用することによって、P=O基のO原子の配位結合の一方が切断される。配位結合が切断された側のP=O基は、希土類イオンから遠ざかる。そして、このP=O基のO原子と、配位結合を維持する側のP原子と結合している共役複素環内のN原子又はO原子の間に相互作用が働き、両者は結合する。その結果、P原子、及び、共役複素環内のN原子又はO原子を含む環構造がジホスフィンオキシド配位子内に形成される。こうした環構造が形成されることにより、ジホスフィンオキシド配位子は単座の配位子となる。本発明に係る円偏光発光性希土類錯体では、複素環として、平面系の構造を有し、嵩高くなく、且つ自由回転の可能な共役複素環を導入することにより、このような環構造の形成が容易に生じるようにしている。また、以下のようなメカニズムも推測することができる。本発明の円偏光発光性希土類錯体は、非ケトン系溶媒中において、8配位型として安定的に存在する。この8配位型の円偏光発光性希土類錯体は、ケトン系溶液中においては、溶媒の触媒作用により錯体構造が7配位型の構造へと変化すると考えられる。ここでいう触媒作用とは、ケトン系溶液中が活性化状態において中心金属イオンに配位することで8配位型から7配位構造型への構造変化反応の活性化障壁を下げることを意味している。一方で、ケトン系溶媒以外の非配位性溶媒においてはこのような触媒作用が得られないため、円偏光発光性希土類錯体が8配位型として安定的に存在するものと考えられる。なお、上記ケトン系溶媒は、一般式12式中、E1~E2は同一又は異なる炭素数1~5の基を表す。で表される鎖状又は環状のケトン系溶媒であることが望ましい。逆に、7配位型の円偏光発光性希土類錯体を非ケトン系溶媒に溶解すると、8配位型の円偏光発光性希土類錯体へと変化する。このような非ケトン系溶媒として、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒、又は、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、トリクロロエチレン等のハロゲン系溶媒を使用することができる。また、ケトン系溶媒と非ケトン系溶媒を0:10~10:0の割合で混合した析出溶媒を調製し、本発明に係る7配位型の円偏光発光性希土類錯体又は8配位型の円偏光発光性希土類錯体又はこれらの混合物を溶解させ、前記析出溶媒を気化等によって除去することにより、7配位型の円偏光発光性希土類錯体及び8配位型の円偏光発光性希土類錯体を所望の比率で含む円偏光発光性希土類錯体群を得ることができる。このようにして得られた円偏光発光性希土類錯体群は、7配位型及び8配位型の円偏光発光性希土類錯体が単独で示す円偏光発光性、又はその存在比率に対応した円偏光発光性を示す。以下、本発明に係る円偏光発光性希土類錯体以下、Ln錯体というの具体的な実施例について述べる。1.Ln錯体の合成図11及び2に示す合成手順に従い、希土類イオンとしてEuイオンを有するLn錯体を合成した。図1及び以下の説明では、Meはメチル基、Phはフェニル基を示す。まず、酢酸ユウロピウムn水和物658mg、20mmolおよび蒸留水150mLを500mLナスフラスコに加え、酢酸ユウロピウムn水和物が溶解するまで超音波処理を施し、酢酸ユウロピウム水溶液を得た。Lfacam1120mg、45mmolをメタノール30mLに溶かし、前記酢酸ユウロピウム水溶液に撹拌しながら加え、室温で12時間撹拌した。生成した黄色の沈殿を吸引ろ過により回収した後、蒸留水で洗浄し、得られた黄色の粉末を減圧下で乾燥させた。これにより、Eu32を得た図11。Eu32の収量は1183gであり、収率は85であった。次に、得られたEu32930mg、10mmol、BIPYPO558mg、10mmol及びメタノール100mLを200mlナスフラスコに入れ、70°Cで15時間撹拌した。撹拌後、減圧下で溶媒を留去し、淡黄色の固体を得た。得られた淡黄色の固体をヘキサンに溶解させ、不溶物をろ過により取り除いた後、減圧下でろ液から溶媒を留去し、淡黄色の固体を得た。これにより、Eu3を得た図12。Eu3の収量は1325gであり、収率は91であった。さらに、得られたEu3約100mgを少量のアセトンに溶解し、その溶液が濁るまでヘキサンを加え、濁りが消えるまで加熱した後、室温で静置して結晶を析出させた。以下の説明では、この結晶を結晶Aと呼ぶ。また、得られたEu3約100mgをアセトニトリル約5mlに溶解し、その溶液が濁るまでヘキサンを加え、濁りが消えるまで加熱した後、室温で静置して結晶を析出させた。以下の説明では、この結晶を結晶Bと呼ぶ。2.Ln錯体の同定得られた結晶A及び結晶BをESIMassエレクトロスプレー質量分析及びX線結晶構造解析で同定した。ESIMASSは日本電子株式会社JEOL製のJMS700、MStationを用いた。また、X線結晶構造解析には株式会社リガク製の有機低分子X線構造解析装置Rapidを用いた。ESIMASSの結果を以下に示す。結晶AESIMASS:McalcdforC58H54Eu1F6N2O6P2120125597、found120125605結晶BESIMASS:M錯体であり、結晶Bは図3Bに示す8配位型のEu錯体であるといえる。この結果より、本実施例に係るEu錯体は、溶媒条件によって配位数が変化することが示された。図2Bの、右端の2本の短い構造体は、結晶中に存在する溶媒のアセトニトリルである。このような溶媒は、いわゆる結晶水のように、結晶の錯体間の隙間を埋めるように存在し、必ずしも錯体の構造にかかわらないものである。そこで、Eu3725mgを以下に示す溶媒5mLに溶解し、1mMのEu錯体溶液C~Hを作製して、各種試験に供した。Eu錯体溶液C:アセトン又は重アセトンd6Eu錯体溶液D:メチルエチルケトンEu錯体溶液E:ジエチルケトンEu錯体溶液F:シクロヘキサノンEu錯体溶液G:アセトニトリル又は重アセトニトリルd3Eu錯体溶液H:ジメチルスルホキシド又は重ジメチルスルホキシドd63.Eu錯体溶液の発光スペクトル各Eu錯体溶液C~Hの発光スペクトルを測定した。発光スペクトルの測定にはJASCOの分光蛍光光度計FP6500を用いた。発光スペクトルの測定は、各Eu錯体溶液C~Hについて、溶存酸素による消光を防ぐためにArバブリングを10分間行った後に行った。励起波長は365nmに設定した。Eu錯体溶液C~Hの発光スペクトルを図4に示す。図4に示すように、いずれのEu錯体溶液においても波長610~620nm付近において高い発光強度が観察された。また、特にEu錯体溶液Cにおいて最も高い発光強度が観察された。4.Eu錯体溶液の円偏光発光性Eu錯体溶液C~Hの円偏光発光性を求めるために、Eu錯体溶液C~HのCPLスペクトルを測定した。代表としてEu錯体溶液CのCPLスペクトルを図5に示す。得られたCPLスペクトルの結果を基に、以下の式を用いてg値gCDを計算した。CPLスペクトルからのg値=ΔI/I=2IL-IRILIR式中、ILは左回りの円偏光発光強度、IRは右回りの円偏光発光強度を表す。g値の計算結果を以下に示す。Eu錯体溶液C:181Eu錯体溶液D:182Eu錯体溶液E:041Eu錯体溶液F:245Eu錯体溶液G:066このように、溶媒としてアセトンを用いたEu錯体溶液C、D、Fでは、絶対値18を上回る極めて大きなg値が観察された。一方、アセトニトリルを用いたEu錯体溶液Gでは、ケトン系溶媒を用いた他のEu錯体溶液に比べて小さなg値が観察された。溶媒としてジメチルスルホキシドを用いたEu錯体溶液Hについては、測定中にサンプルの退色が観察されたため、g値を算出していない。なお、ジエチルケトンを用いたEu錯体溶液Eが、他のケトン系溶媒を用いた溶液に比べて低いg値を示しているが、これは、ジエチルケトンの立体障害が大きく、Euイオンに配位しにくいためと考えられる。また、Eu錯体溶液Fのg値が理論値である2を超えているが、これは、当該溶液では左右円偏光のうち左円偏光の強度が極めて低く、そのためベースラインのノイズが左円偏光の強度に含まれているためと考えられる。次に、本実施例に係るEu錯体が示すg値の溶媒依存性について、以下に検証した。5.Eu錯体溶液のg値の溶媒依存性Eu3の1mM重アセトン溶液及び1mM重アセトニトリルをそれぞれ調製し、両溶液を適宜混合して、重アセトン:重アセトニトリル=100:0、63:37、35:65、0:100の計4種類の溶液を用意した。それぞれの溶液についてCPLスペクトルを測定し、g値を得た。その結果を図6に示す。図6に示されるように、アセトン100において181という大きな絶対値のg値が示された。また、g値の絶対値は、アセトンの比率が下がるにつれて即ち、アセトニトリルの比率が上がるにつれて小さくなる傾向が認められ、アセトン0即ちアセトニトリル100では066であった。1.Eu3の合成上述した実施例1におけるEu3と同様の方法により、Eu3を合成した。Eu3及びEu3について、以下に述べる通り円偏光発光性を調べた。2.Eu3及びEu3の円偏光発光性Eu3及びEu3の円偏光発光性を求めるために、Eu3及びEu3のCDスペクトル及びCPLスペクトルを測定した。まず、Eu3及びEu3のアセトニトリル溶液10105Mを調製し、CDスペクトルを測定した。その結果を図7に示す。次に、Eu3のアセトン溶液、ジメチルスルホキシド溶液、アセトニトリル溶液及びメタノール溶液いずれも重水素溶媒、10Mを調製し、CPLスペクトルを測定した。その結果を図8に示す。1.Eu3の合成Eu321230mg、10mmol、BIPYPO558mgl、10mmol及びメタノール100mLを200mlナスフラスコに入れ、70°Cで15時間撹拌した。撹拌後、減圧下で溶媒を留去し、淡黄色の固体を得た。得られた淡黄色の固体をヘキサンに溶解させ、不溶物をろ過により取り除いた後、減圧下でろ液から溶媒を留去し、淡黄色の固体を得た。これにより、Eu3を得た図9。Eu3の収量は1500mgであり、収率は83であった。2.Eu3の発光スペクトルEu3の発光スペクトルを測定した。Eu3の1mM重アセトン溶液及び1mM重アセトニトリル溶液を調製し、それぞれの溶液を体積比1:0、3:1、1:1、1:3、0:1で混合した後、これらの混合溶液について発光スペクトルを測定した。この結果を図10に示す。Eu3溶液は、いずれの混合比率においても尖鋭な発光スペクトルを示したが、アセトニトリルの比率が高くなるほど高い発光強度を示した。3.Eu3の円偏光発光性Eu3の1mM重アセトン溶液及び1mM重アセトニトリル溶液を調製し、それぞれの溶液を体積比1:0、3:1、1:1、1:3、0:1で混合した後、これらの混合溶液についてCPLスペクトルを測定した。この結果を図11に示す。図11に示すように、Eu3溶液は、アセトンの混合比率が低いほど即ち、アセトニトリルの混合比率が高いほど、高い円偏光発光性を示した。また、上記混合溶液についてg値を求めた。アセトンの混合比率に対して相対発光強度及びg値をプロットしたグラフを図12に示す。図12に示すように、Eu3は、アセトンの混合比率が高くなるほど即ち、アセトニトリルの混合比率が低いほどg値が小さくなる傾向を示した。これは、アセトン存在下における錯体構造とアセトニトリル存在下における錯体構造が、それぞれ異なる符号のCPLを示すためと考えられる。これらの結果から明らかなように、上記各実施例に係るEu錯体は、高い円偏光発光性だけでなく、高い発光強度を示した。また、アセトン等のケトン系溶媒とアセトニトリルの混合溶媒に上記実施例に係るEu錯体を溶解して得たEu錯体溶液は、混合溶媒中の混合比率に依存して異なるg値を示した。なお、上述した各実施例では、LnイオンとしてEuを用いたが、その他、Nd、Sm、Tb、Ybを適用することも可能である。希土類イオンを適宜変更することによって、発光色が異なる円偏光発光性希土類錯体を得ることができる。また、上述した実施例では、まず8配位体の円偏光発光性希土類錯体を合成し、該錯体をケトン系溶媒に溶解することによって7配位型の円偏光発光性希土類錯体を得た。このように7配位型の円偏光発光性希土類錯体は8配位型の円偏光発光性希土類錯体を前駆体として作製することができる。また、上述した各円偏光発光性希土類錯体の合成例において、溶媒にケトン系溶媒を用いて合成を行えば8配位型を経ずに7配位型を作製することができる。7配位型の円偏光発光性希土類錯体はいずれの方法を用いても作製することが可能である。次に、本発明の円偏光発光性希土類錯体を利用した光学機能材料の実施例をいくつか述べる。本発明に係る円偏光発光性希土類錯体に一方の円偏光を吸収させれば、他方の円偏光を得ることができる。即ち、円偏光板などの円偏光フィルタと同じ役割を果たすことから、本発明に係る円偏光発光性希土類錯体を円偏光フィルタに適用することが可能である。この円偏光フィルタは光多重通信など、広範な用途への適用が可能である。また、本発明に係る円偏光発光性希土類錯体は、セキュリティインクに適用することも可能である。本発明の円偏光発光性希土類錯体は、上記のような光学機能材料について単独で用いることができるが、7配位型と8配位型を所望の比率で含む円偏光発光性希土類錯体群を用いても良い。このような円偏光発光性希土類錯体群を用いれば、所望の円偏光発光性を有する光学機能材料を提供することができる。本発明の円偏光発光性希土類錯体を上記のような光学機能材料として用いる際は、その結晶を直接用いてもよいし、透明ポリマーや透明ガラスなどの透明固体担体に含有させてもよい。また、その結晶を溶媒に溶解、分散などさせて塗料とすることもできる。本発明に係る円偏光発光性希土類錯体を含有させる透明ポリマーとしては、ポリメチルメタクリレート、含フッ素ポリメタクリレート、ポリアクリレート、含フッ素ポリアクリレート、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のポリオレフィン、含フッ素ポリオレフィン、ポリビニルエーテル、含フッ素ポリビニルエーテル、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、及びそれらの共重合体、セルロース、ポリアセタール、ポリエステル、ポリカーボネイト、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン、ナフィオン、石油樹脂、ロジン、ケイ素樹脂などが例示され、好ましくはポリメチルメタクリレート、含フッ素ポリメタクリレート、ポリアクリレート、含フッ素ポリアクリレート、ポリスチレン、ポリオレフィン、ポリビニルエーテル、及びそれらの共重合体、エポキシ樹脂等を使用することができる。もちろん、これらの2種以上を組み合わせたものであってもよい。なお、本発明に係る円偏光発光性希土類錯体を含む透明ポリマーは、公知の文献HasegawaetalChemLett199935に従い調製することができる。本発明の円偏光発光性希土類錯体は、その中心イオンとしての希土類イオンの種類や配位子の種類によって発光色が異なる。従って、本発明の円偏光発光性希土類錯体の希土類イオンの種類を適宜選択することにより、様々な色の発光を示す光学機能性材料を作製することができる。また、発光色を変化させるために有機色素を混合しても良い。本発明に係る円偏光発光性希土類錯体と共に溶解、分散させることのできる色素は、緑色系の色素としては、アルカリ土類シリコンオキシナイトライド系蛍光体、及びピリジン-フタルイミド縮合誘導体、ベンゾオキサジノン系、キナゾリノン系、クマリン系、キノフタロン系、ナルタル酸イミド系等の蛍光色素、テルビウム錯体等の有機蛍光体などが挙げられる。また、赤色系の色素としては、アルファサイアロン構造をもつ酸窒化物を含有する蛍光体、及びβ-ジケトネート、β-ジケトン、芳香族カルボン酸、又は、ブレンステッド酸等のアニオンを配位子とする希土類元素イオン錯体からなる赤色有機蛍光体などが挙げられる。さらに青色系の色素としては、アルカリ土類アルミネート系蛍光体、ナフタル酸イミド系、ベンゾオキサゾール系、スチリル系、クマリン系、ピラリゾン系、トリアゾール系化合物の蛍光色素、ツリウム錯体等の有機蛍光体などが挙げられる。円偏光発光性希土類錯体は一般にカチオン性であるので、本発明に係る円偏光発光性希土類錯体と共存させる色素としては、例えばアントラセン系色素のように炭素と水素だけで構成されている色素を用いることが好ましい。本発明に係る円偏光発光性希土類錯体を溶解、分散させることのできる溶剤は、上記したケトン系及び非ケトン系の溶剤の他、アルコール系溶剤、エステル系溶剤或いはこれらの混合物であることが好ましい。