"露光により形成されたパターンを照明光で照明可能な照明部と、前記照明されたパターンからの反射光を検出する検出部と、複数の第1の露光条件で形成されたパターンの検出結果の前記第1の露光条件に対する変化具合である第1の変化具合と、前記第1の露光条件の範囲と少なくとも一部が重複する範囲で間隔が既知な複数の第2の露光条件で形成されたパターンを照明し、該パターンからの反射光の検出結果の前記第2の露光条件に対する変化具合である第2の変化具合とを比較し、前記第1の変化具合と前記第2の変化具合のずれを算出する演算部とを、備えて構成されることを特徴とする検査装置。前記露光条件はフォーカスおよび露光量の少なくとも一方であることを特徴とする請求項1に記載の検査装置。前記第1の変化具合を記憶する記憶部をさらに備え、前記記憶部に記憶された前記第1の変化具合に基づいて前記ずれの算出を行うことを特徴とする請求項1もしくは2に記載の検査装置。前記第1の変化具合と前記第2の変化具合とのパターンマッチングを利用して前記比較が行われることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の検査装置。前記第1の露光条件は、パターンの形状を測定可能な測定装置の測定結果に基づいて決められていることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の検査装置。前記算出されたずれに基づいて調整された露光装置により前記第1の露光条件で形成されたパターンを照明し、前記第1の変化具合を求めることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の検査装置。前記検出部は、1回の露光で形成されるパターン内の複数の部分の前記反射光を検出することを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の検査装置。前記照明部は、前記パターンが形成された前記基板の表面全体に略平行な光束である前記照明光を一括で照明し、前記検出部は、前記照明光が照射された前記基板の表面全体からの光を一括で検出することを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の検査装置。前記検出部は、前記照明光が照射されて前記基板の前記パターンで発生した回折光を検出することを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の検査装置。前記照明部は、前記照明光として略直線偏光を前記基板の表面に照射し、前記検出部は、前記基板で反射した略直線偏光の振動方向と略直交する振動方向の偏光成分を検出することを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載の検査装置。前記算出されたずれに基づく情報を露光装置に入力可能に出力することを特徴とする請求項1~10のいずれか一項に記載の検査装置。前記パターンを露光する前のレジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定部を備え、前記演算部は、前記膜厚測定部においてそれぞれ測定された前記膜厚に基づいて、前記比較の補正を行うことを特徴とする請求項1~11のいずれか一項に記載の検査装置。前記膜厚測定部は、前記照明部で照明された前記レジスト膜からの正反射光に基づいて膜厚を測定することを特徴とする請求項12に記載の検査装置。前記膜厚測定部は、複数の波長の光でそれぞれ照明された前記レジスト膜からの正反射光に基づいて膜厚を測定することを特徴とする請求項12もしくは13に記載の検査装置。複数の第1の露光条件で形成されたパターンから得られる反射光の前記第1の露光条件に対する変化具合である第1の変化具合を準備し、前記第1の露光条件の範囲と少なくとも一部が重複する範囲で間隔が既知な複数の第2の露光条件で形成されたパターンを照明し、前記照明されたパターンからの反射光を検出し、前記第2の露光条件に対する前記検出の結果の変化具合である第2の変化具合を求め、前記第1の変化具合と前記第2の変化具合のずれを求めることを特徴とする検査方法。前記露光条件はフォーカスおよび露光量の少なくとも一方であることを特徴とする請求項15に記載の検査方法。前記第1の変化具合と前記第2の変化具合とのパターンマッチングを利用して前記ずれを求めることを特徴とする請求項15もしくは16に記載の検査方法。1回の露光で形成されるパターン内の複数の部分で前記検出を行うことを特徴とする請求項15~17のいずれか一項に記載の検査方法。前記ずれに基づく情報を前記第2の露光条件でパターンを形成した露光装置に出力することを特徴とする請求項15~18のいずれか一項に記載の検査方法。前記パターンを露光する前のレジスト膜の膜厚で、求めたずれを補正することを特徴とする請求項15~19のいずれか一項に記載の検査方法。照明された前記レジスト膜からの正反射光に基づいて膜厚を求めることを特徴とする請求項20に記載の検査方法。前記レジスト膜を複数の波長の光でそれぞれ照明し、前記レジスト膜からの正反射光に基づいて前記膜厚を求めることを特徴とする請求項20もしくは21に記載の検査方法。しかしながら、露光装置の最適なフォーカス条件およびドーズ量露光量を求める作業は、異なる製品毎、異なる工程毎、および露光装置の台数毎に、それぞれ行う必要があり、従来の方法では、作業に多大な労力と時間を要するものであった。本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、フォーカス条件や露光量を短時間で精度よく設定可能な装置および方法を提供することを目的とする。このような目的達成のため、本発明に係る検査装置は、露光により形成されたパターンを照明光で照明可能な照明部と、前記照明されたパターンからの反射光を検出する検出部と、複数の第1の露光条件で形成されたパターンの検出結果の前記第1の露光条件に対する変化具合である第1の変化具合と、前記第1の露光条件の範囲と少なくとも一部が重複する範囲で間隔が既知な複数の第2の露光条件で形成されたパターンを照明し、該パターンからの反射光の検出結果の前記第2の露光条件に対する変化具合である第2の変化具合とを比較し、前記第1の変化具合と前記第2の変化具合のずれを算出する演算部とを、備えて構成される。上記検査装置において、好ましくは、前記露光条件はフォーカスおよび露光量の少なくとも一方である。上記検査装置において、好ましくは、前記第1の変化具合を記憶する記憶部をさらに備え、前記記憶部に記憶された前記第1の変化具合に基づいて前記ずれの算出を行う。上記検査装置において、好ましくは、前記第1の変化具合と前記第2の変化具合とのパターンマッチングを利用して前記比較が行われる。上記検査装置において、好ましくは、前記第1の露光条件は、パターンの形状を測定可能な測定装置の測定結果に基づいて決められている。上記検査装置において、好ましくは、前記算出されたずれに基づいて調整された露光装置により前記第1の露光条件で形成されたパターンを照明し、前記第1の変化具合を求める。上記検査装置において、好ましくは、前記検出部は、1回の露光で形成されるパターン内の複数の部分の前記反射光を検出する。上記検査装置において、好ましくは、前記照明部は、前記パターンが形成された前記基板の表面全体に略平行な光束である前記照明光を一括で照明し、前記検出部は、前記照明光が照射された前記基板の表面全体からの光を一括で検出する。上記検査装置において、好ましくは、前記検出部は、前記照明光が照射されて前記基板の前記パターンで発生した回折光を検出する。上記検査装置において、好ましくは、前記照明部は、前記照明光として略直線偏光を前記基板の表面に照射し、前記検出部は、前記基板で反射した略直線偏光の振動方向と略直交する振動方向の偏光成分を検出する。上記検査装置において、好ましくは、前記算出されたずれに基づく情報を露光装置に入力可能に出力する。上記検査装置において、好ましくは、前記パターンを露光する前のレジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定部を備え、前記演算部は、前記膜厚測定部においてそれぞれ測定された前記膜厚に基づいて、前記比較の補正を行う。上記検査装置において、好ましくは、前記膜厚測定部は、前記照明部で照明された前記レジスト膜からの正反射光に基づいて膜厚を測定する。上記検査装置において、好ましくは、前記膜厚測定部は、複数の波長の光でそれぞれ照明された前記レジスト膜からの正反射光に基づいて膜厚を測定する。一方、本発明に係る検査方法は、複数の第1の露光条件で形成されたパターンから得られる反射光の前記第1の露光条件に対する変化具合である第1の変化具合を準備し、前記第1の露光条件の範囲と少なくとも一部が重複する範囲で間隔が既知な複数の第2の露光条件で形成されたパターンを照明し、前記照明されたパターンからの反射光を検出し、前記第2の露光条件に対する前記検出の結果の変化具合である第2の変化具合を求め、前記第1の変化具合と前記第2の変化具合のずれを求めるように構成される。上記検査方法において、好ましくは、前記露光条件はフォーカスおよび露光量の少なくとも一方である。上記検査方法において、好ましくは、前記第1の変化具合と前記第2の変化具合とのパターンマッチングを利用して前記ずれを求める。上記検査方法において、好ましくは、1回の露光で形成されるパターン内の複数の部分で前記検出を行う。上記検査方法において、好ましくは、前記ずれに基づく情報を前記第2の露光条件でパターンを形成した露光装置に出力する。上記検査方法において、好ましくは、前記パターンを露光する前のレジスト膜の膜厚で、求めたずれを補正する。上記検査方法において、好ましくは、照明された前記レジスト膜からの正反射光に基づいて膜厚を求める。上記検査方法において、好ましくは、前記レジスト膜を複数の波長の光でそれぞれ照明し、前記レジスト膜からの正反射光に基づいて前記膜厚を求める。本発明によれば、フォーカス条件や露光量を短時間で精度よく設定することができる。以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。本実施形態の表面検査装置を図1に示しており、この装置により半導体基板である半導体ウェハ10以下、ウェハ10と称するの表面を検査する。本実施形態の表面検査装置1は、図1に示すように、略円盤形のウェハ10を支持するステージ5を備え、不図示の搬送装置によって搬送されてくるウェハ10は、ステージ5の上に載置されるとともに真空吸着によって固定保持される。ステージ5は、ウェハ10の回転対称軸ステージ5の中心軸を回転軸として、ウェハ10を回転ウェハ10の表面内での回転可能に支持する。また、ステージ5は、ウェハ10の表面に沿った軸入射光の光軸と反射光の光軸がなす平面に略垂直な軸を中心に、ウェハ10をチルト傾動させることが可能であり、照明光の入射角を調整できるようになっている。表面検査装置1はさらに、ステージ5に支持されたウェハ10の表面に照明光を平行光として照射する照明系20と、照明光の照射を受けたときのウェハ10からの反射光や回折光等を集光する受光系30と、受光系30により集光された光を受けてウェハ10の表面の像を検出する撮像装置35と、画像処理部40および記憶部41と、膜厚算出部50とを備えて構成される。照明系20は、照明光を射出する照明ユニット21と、照明ユニット21から射出された照明光をウェハ10の表面に向けて反射させる照明側凹面鏡25とを有して構成される。照明ユニット21は、メタルハライドランプや水銀ランプ等の光源部22と、光源部22からの光のうち所定の波長を有する光を抽出し強度を調節する調光部23と、調光部23からの光を照明光として照明側凹面鏡25へ導く導光ファイバ24とを有して構成される。そして、光源部22からの光は調光部23を通過し、所定の波長例えば、248nmの波長を有する照明光が導光ファイバ24から照明側凹面鏡25へ射出され、導光ファイバ24から照明側凹面鏡25へ射出された照明光は、導光ファイバ24の射出部が照明側凹面鏡25の焦点面に配置されているため、照明側凹面鏡25により平行光束となってステージ5に保持されたウェハ10の表面に照射される。なお、ウェハ10に対する照明光の入射角と出射角との関係は、ステージ5をチルト傾動させてウェハ10の載置角度を変化させることにより調整可能である。また、導光ファイバ24と照明側凹面鏡25との間には、照明側偏光フィルタ26が光路上へ挿抜可能に設けられており、図1に示すように、照明側偏光フィルタ26を光路上から抜去した状態で回折光を利用した検査以下、便宜的に回折検査と称するが行われ、図2に示すように、照明側偏光フィルタ26を光路上に挿入した状態で偏光構造性複屈折による偏光状態の変化を利用した検査以下、便宜的にPER検査と称するが行われるようになっている照明側偏光フィルタ26の詳細については後述する。ウェハ10の表面からの出射光回折光もしくは反射光は受光系30により集光される。受光系30は、ステージ5に対向して配設された受光側凹面鏡31を主体に構成され、受光側凹面鏡31により集光された出射光回折光もしくは反射光は、撮像装置35の撮像面上に達し、ウェハ10の像が結像される。また、受光側凹面鏡31と撮像装置35との間には、受光側偏光フィルタ32が光路上へ挿抜可能に設けられており、図1に示すように、受光側偏光フィルタ32を光路上から抜去した状態で回折検査が行われ、図2に示すように、受光側偏光フィルタ32を光路上に挿入した状態でPER検査が行われるようになっている受光側偏光フィルタ32の詳細については後述する。撮像装置35は、撮像面上に形成されたウェハ10の表面の像を光電変換して画像信号を生成し、画像信号を画像処理部40に出力する。画像処理部40は、撮像装置35から入力されたウェハ10の画像信号に基づいて、ウェハ10のデジタル画像を生成する。画像処理部40の内部メモリ図示せずには、良品ウェハの画像データが予め記憶されており、画像処理部40は、ウェハ10の画像デジタル画像を生成すると、ウェハ10の画像データと良品ウェハの画像データとを比較して、ウェハ10の表面における欠陥異常の有無を検査する。そして、画像処理部40による検査結果およびそのときのウェハ10の画像が図示しない画像表示装置で出力表示される。また、画像処理部40は、記憶部41に記憶された露光装置60に関するデータを利用して、露光装置60のフォーカス条件またはドーズ量露光量を設定できるようになっている詳細は後述する。ところで、ウェハ10は、露光装置60により最上層のレジスト膜に対して所定のマスクパターンが投影露光され、現像装置図示せずによる現像後、不図示の搬送装置により、不図示のウェハカセットまたは現像装置からステージ5上に搬送される。なおこのとき、ウェハ10は、ウェハ10のパターンもしくは外縁部ノッチやオリエンテーションフラット等を基準としてアライメントが行われた状態で、ステージ5上に搬送される。なお、ウェハ10の表面には、図3に示すように、複数のチップ領域11ショットが縦横に図3におけるXY方向に配列され、各チップ領域11の中には、半導体パターンとしてラインパターンまたはホールパターン等の繰り返しパターン12が形成されている。また、露光装置60は、詳細な図示を省略するが、ケーブル等を介して本実施形態の表面検査装置1と電気的に接続されている。膜厚算出部50は、また、画像処理部40により生成されたウェハ10の画像データから、レジスト膜やシリコン酸化膜等の薄膜の膜厚を求める詳細は後述する。膜厚算出部50には、図12に示すように、測定条件保持部48や反射率データ算出部49が電気的に接続される。測定条件保持部48には、ウェハ10への照明光の入射角や、照明ユニット21から射出される照明光の分光強度、および撮像装置35の分光感度を含む測定条件情報とともに、ウェハ10の基材および薄膜の各波長についての複素屈折率が格納されている。ウェハ10の基材の各波長についての複素屈折率および、このウェハ10の基材上に形成された単層の薄膜を構成する物質の各波長についての複素屈折率とは、例えば、エリプソメトリを利用した屈折率計測装置などによって、ウェハ10の少なくとも一つの基準点について測定を行うことで、予め特定しておくことができる。そして、このようにして特定された各波長についての複素屈折率と照明光のウェハ10への入射角とに基づいて、反射率データ算出部49により、図1に示した照明系20による照明で実現される角度条件において、ウェハ10の基材上に様々な膜厚の薄膜を形成した際に、薄膜表面および裏面からの反射光の干渉を含んだ反射率を算出しておくことができる。例えば、上述した角度条件に対応する薄膜干渉式に、ウェハ10の基材と単層膜の材質との複素屈折率を代入し、膜厚が1070nm~1370nmの範囲について、例えば、10nm刻みで膜厚を変化させ、照明光をh線、g線、およびe線等とした際の反射率を計算し、計算結果を膜厚算出部50の反射率テーブル51に保持することができる。例えば図13に、波長がそれぞれ405nm、436nm、および546nmの照明光について、横軸で示される膜厚の二酸化ケイ素薄膜からの反射率を計算して得られた反射率曲線を、それぞれ太い実線、太い破線、および細い一点鎖線で示す。更に、上述した少なくとも一つの基準点における薄膜の幾何膜厚を、例えば、別に用意された膜厚測定機などによって測定しておき、これらの測定結果を膜厚データ保持部56に保持して、反射率に基づく膜厚計測の補正に用いることもできる。以上のように構成される表面検査装置1を用いて、ウェハ10表面の回折検査を行うには、まず、図1に示すように照明側偏光フィルタ26および受光側偏光フィルタ32を光路上から抜去し、不図示の搬送装置により、ウェハ10をステージ5上に搬送する。なお、搬送の途中で不図示のアライメント機構によりウェハ10の表面に形成されているパターンの位置情報ノッチ、オリエンテーションフラットまたはアライメントマークを取得しており、ウェハ10をステージ5上の所定の位置に所定の方向で載置することができる。次に、ウェハ10の表面上における照明方向とパターンの繰り返し方向とが一致ラインパターンの場合、ラインに対して直交するようにステージ5を回転させるとともに、パターンのピッチをPとし、ウェハ10の表面に照射する照明光の波長をλとし、照明光の入射角をθ1とし、n次回折光の出射角をθ2としたとき、ホイヘンスの原理より、次の1式を満足するように設定を行うステージ5をチルトさせる。P=n×λ/{sinθ1-sinθ2}...1次に、照明系20により照明光をウェハ10の表面に照射する。このような条件で照明光をウェハ10の表面に照射する際、照明ユニット21における光源部22からの光は調光部23を通過し、所定の波長例えば、248nmの波長や水銀の輝線スペクトルを有する照明光が導光ファイバ24から照明側凹面鏡25へ射出され、照明側凹面鏡25で反射した照明光が平行光束となってウェハ10の表面に照射される。ウェハ10の表面で回折した回折光は、受光側凹面鏡31により集光されて撮像装置35の撮像面上に達し、ウェハ10の像回折像が結像される。そこで、撮像装置35は、撮像面上に形成されたウェハ10の表面の像を光電変換して画像信号を生成し、画像信号を画像処理部40に出力する。画像処理部40は、撮像装置35から入力されたウェハ10の画像信号に基づいて、ウェハ10のデジタル画像を生成する。また、画像処理部40は、ウェハ10の画像デジタル画像を生成すると、ウェハ10の画像データと良品ウェハの画像データとを比較して、ウェハ10の表面における欠陥異常の有無を検査する。そして、画像処理部40による検査結果およびそのときのウェハ10の画像が図示しない画像表示装置で出力表示される。また、同じパターンを複数の露光装置で露光作製する場合、それぞれの露光装置でドーズ量露光量やフォーカス条件が最適状態から変動したときに、各露光装置により露光作製されたパターンの形状変化の仕方も同じ傾向を有するため、画像処理部40は、複数の露光装置60について同一のパターンに対する設定を行う場合に、1台目の露光装置60において設定されたフォーカス条件およびドーズ量露光量のデータを利用して、2台目以降の露光装置60についてフォーカス条件およびドーズ量の設定を行うことができる。そこで、複数の露光装置60について同一工程に対する設定を行う方法について、図6に示すフローチャートを参照しながら説明する。まず、図8に示すように、露光装置60のフォーカスとドーズ量をそれぞれ予め設定した値で露光ショット毎に段階的に変化させて繰り返しパターン本実施形態においては、ラインパターンとするを形成したウェハ以下、FEMウェハ10aと称するを作成するステップS101。このとき、露光ショット毎にフォーカスとドーズ量をマトリックス状に変化させて露光し現像する。なお、図8における中央の太枠が基準ショット例えば、設計上最適なフォーカス条件およびドーズ量で露光されるショットであり、基準ショットに対する各ショットでのフォーカス条件およびドーズ量の変動をハッチングの濃淡で表わしている。FEMウェハ10aを作成すると、1台目の露光装置60について設定を行う場合ステップS102でYESの場合、電子顕微鏡CD-SEMを用いて、露光ショット毎に5箇所ずつ、全てのショットについて、1台目の露光装置60によりFEMウェハ10aの表面に形成されたラインパターンの線幅を測定するステップS103。なお、線幅の測定箇所は、フォーカスおよびドーズ量の変化に応じてパターンの形状線幅が変化する箇所を選ぶことが好ましい。また、必要に応じて、フォーカスの変化のみに反応してパターンの形状線幅が変化する箇所を選ぶようにしてもよく、ドーズ量の変化のみに反応してパターンの形状線幅が変化する箇所を選ぶようにしてもよい。電子顕微鏡CD-SEMを用いてラインパターンの線幅を測定すると、露光ショット内の5箇所の測定箇所について、フォーカスの変化横軸に対する線幅の変化縦軸を示したグラフ線幅基準フォーカスカーブを手作業で求めるステップS104。このとき、同一のドーズ量ベストドーズ量が望ましいにおいてそれぞれフォーカスの変化に応じた線幅またはラフネスを測定して線幅基準フォーカスカーブを求める。なお、フォーカスとドーズ量が同じショットを複数設けたウェハを用いる場合には、フォーカスとドーズ量が同じ複数のショットについて線幅またはラフネスを複数測定し、複数測定した線幅またはラフネスの平均値を用いて線幅基準フォーカスカーブを求める。そして、線幅基準フォーカスカーブを求めると、線幅が最大ラフネスの場合は最小となるフォーカス値をベストフォーカスと定義し、線幅基準フォーカスカーブにおいて線幅が最大となるフォーカス値を露光装置60の最適なフォーカス条件ベストフォーカスとして求める。これにより、1台目の露光装置60について、露光ショット内の5箇所における最適なフォーカス条件を設定することができる。なお、線幅基準フォーカスカーブは電子顕微鏡CD-SEMから不図示のコンピュータにデータを送り、最小二乗法等によりグラフ及び最適なフォーカス条件を求めることもできる。また、電子顕微鏡CD-SEMを用いてラインパターンの線幅を測定すると、露光ショット内の5箇所の測定箇所について、ドーズ量の変化横軸に対する線幅の変化縦軸を示したグラフ線幅基準ドーズカーブを手作業で求める。このとき、同一のフォーカスベストフォーカスが望ましいにおいてそれぞれドーズ量の変化に応じた線幅を測定して線幅基準ドーズカーブを求める。なお、フォーカスとドーズ量が同じショットを複数設けたウェハを用いる場合には、フォーカスとドーズ量が同じ複数のショットについて線幅を複数測定し、複数測定した線幅の平均値を用いて線幅基準ドーズカーブを求める。そして、線幅基準ドーズカーブを求めると、線幅基準ドーズカーブにおいて設計値の線幅が得られるドーズ量を露光装置60の最適なドーズ量ベストドーズ量として求める。これにより、1台目の露光装置60について、露光ショット内の5箇所における最適なドーズ量を設定することができる。このようにして求めたフォーカス条件およびドーズ量は、例えば、手作業で1台目の露光装置60に入力される。なお、線幅基準フォーカスカーブと同様に線幅基準ドーズカーブも、電子顕微鏡CD-SEMから不図示のコンピュータにデータを送り、最小二乗法等によりグラフ及び最適なドーズ量を求めることもできる。また、最適なフォーカス条件および最適なドーズ量を通信手段ケーブルや無線を使って露光装置60に入力することもできる。ところで、複数の露光装置60のうち2台目以降の露光装置60について設定を行う場合ステップS102でNOの場合、本実施形態の表面検査装置1を用いて、2台目以降の露光装置60によりラインパターンが形成されたFEMウェハ10aの表面全体を撮像するステップS105。このとき、回折検査の場合と同様に、FEMウェハ10aをステージ5上に搬送し、照明系20によりFEMウェハ10aの表面に照明光を照射し、撮像装置35がFEMウェハ10aの回折像を光電変換して画像信号を生成し画像信号を画像処理部40に出力する。またこのとき、FEMウェハ10aについて、露光したマスクパターンの情報または回折条件サーチ正反射条件以外の角度範囲でステージ5をチルトさせ、回折光の強度を測るを利用して回折条件を求め、回折光が得られるように回折検査の場合と同様の設定を行う。ここで、回折条件サーチとは、正反射以外の角度範囲でステージ5のチルト角度を段階的に変化させてそれぞれのチルト角度で画像を取得し、画像が明るくなる、すなわち回折光が得られるチルト角度を求める機能のことを指す。なお、FEMウェハ10aの方位角露光したパターンの照明光の照明方向に対する姿勢は、露光したパターンの繰り返し方向ラインパターンの場合ラインと直交する方向と照明方向が一致するように配置されている。なお、1台目の露光装置60についてフォーカス条件およびドーズ量を最適な状態に設定した後、予め、本実施形態の表面検査装置1を用いて、回折検査の場合と同様に、最適な状態に設定した1台目の露光装置60によりラインパターンが形成されたFEMウェハ10aの表面全体を撮像する。1台目の露光装置60によりラインパターンが形成されたFEMウェハ10aの表面全体を撮像すると、表面検査装置1の画像処理部40は、露光ショット内の5箇所の測定箇所のそれぞれについて、適正なドーズ量におけるフォーカスの変化横軸に対するラインパターンからの回折光の輝度信号強度の変化縦軸を示したグラフ以下、基準フォーカスカーブと称するを求め、記憶部41に記憶させておく。なおこのとき、適正なフォーカス条件で異なるドーズ量についてそれぞれフォーカスの変化に応じたラインパターンからの回折光の輝度信号強度を測定し、ドーズ量の変化と輝度変化の関係を求め、記憶部41に記憶させておく。2台目以降の露光装置60によりラインパターンが形成されたFEMウェハ10aの表面全体を撮像すると、画像処理部40は、露光ショット内の5箇所の測定箇所について、フォーカスの変化横軸に対するラインパターンからの回折光の輝度信号強度の変化縦軸を示したグラフ以下、サンプルフォーカスカーブと称するを求めるステップS106。なおこのとき、同一のドーズ量ベストドーズ量においてそれぞれフォーカスの変化に応じたラインパターンからの回折光の輝度信号強度を複数測定し、複数測定した輝度信号強度の平均値を用いてサンプルフォーカスカーブを求める。ところで、同種の異なる露光装置60により同じ設定でFEMウェハ10aをそれぞれ作成すると、図9aと図9bで比較して示すように、装置によってFEMウェハ10aの表面に形成されるラインパターンに形状の違いすなわち、ラインパターンからの回折光の輝度信号強度に違いが生じる。本実施形態の表面検査装置1でFEMウェハ10aの表面全体を撮像すると、同種の異なる装置によって生じるラインパターンの違いは、フォーカスおよびドーズ量の変化に応じたパターンの状態変化が縦横にオフセット図9bの場合、図9aに対して右方へオフセットした形で表れる。この違いは、1台目の露光装置60に対する2台目以降の露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量のズレであり、逆に、このズレを補正して設定を行うようにすれば、1台目の露光装置60において設定されたフォーカス条件およびドーズ量のデータを利用して、2台目以降の露光装置60について適切なフォーカス条件およびドーズ量を設定できることがわかる。そこで、表面検査装置1の画像処理部40は、記憶部41に記憶された基準フォーカスカーブとサンプルフォーカスカーブとを比較することにより、2台目以降の露光装置60について最適なフォーカス条件およびドーズ量を設定する。ここで、図10に基準フォーカスカーブCV1とサンプルフォーカスカーブCV2の一例を示す。なお、基準フォーカスカーブCV1およびサンプルフォーカスカーブCV2の近似曲線の式として、例えば4次式を用いることができる。同種の異なる装置によって生じる基準フォーカスカーブCV1とサンプルフォーカスカーブCV2の違いは、横軸方向がフォーカスのズレに起因したものであり、縦軸方向がドーズ量のズレに起因したものとなる。これは、ドーズ量が変化すると輝度信号強度が変わるもののフォーカスカーブが輝度方向に移動するだけでフォーカスと輝度変化の傾向は変わらないためである。このときまず、画像処理部40は、パターンマッチングによる画像処理を利用して、図11に示すように、基準フォーカスカーブCV1をサンプルフォーカスカーブCV2に対して最も相関が良くなるようにフィットさせる。パターンマッチングの具体的な一例としては、基準フォーカスカーブCV1およびサンプルフォーカスカーブCV2を所定の関数例えば、4次関数で近似し、基準フォーカスカーブCV1を近似した関数を固定した状態でサンプルフォーカスカーブCV2を近似した関数を横軸方向に移動させ、両関数の縦軸方向の差の二乗の総和が最も小さくなる位置を最も相関が良くなる位置として決める手法がある。なお、図11において、サンプルフォーカスカーブCV2の近似曲線の図示を省略している。次に、画像処理部40は、基準フォーカスカーブCV1をサンプルフォーカスカーブCV2に対してフィットさせたときの横軸方向および縦軸方向の移動量をそれぞれ求める。このときの横軸方向の移動量が1台目の露光装置60に対する2台目以降の対象となる露光装置60のフォーカスのズレであり、縦軸方向の移動量がドーズ量のズレに起因した輝度値となる。そこで、画像処理部40は、2台目以降の露光装置60において設定されたフォーカス条件に基準フォーカスカーブCV1の横軸方向の移動量フォーカスのズレを加味したフォーカス条件を、2台目以降の対象となる露光装置60の最適なフォーカス条件ベストフォーカスとして求める。つまり、1台目の露光装置で得られた基準フォーカスカーブCV1と略一致するようにサンプルフォーカスカーブCV2を移動させる時の横軸方向の移動量を2台目以降の露光装置のフォーカス条件の最適状態に対するズレとして求める。同様に、画像処理部40は、1台目の露光装置60において設定されたドーズ量に基準フォーカスカーブCV1の縦軸方向の移動量ドーズ量のズレを加味したドーズ量を、2台目以降の対象となる露光装置60の最適なドーズ量ベストドーズ量として求める。なお、ドーズ量の変化と輝度変化の相関を予め求めておくことが好ましい。このようにすれば、本実施形態の表面検査装置1を用いてFEMウェハ10aを撮像し、画像処理部40によって2台目以降の露光装置60の最適なフォーカス条件およびドーズ量を自動で求めるため、電子顕微鏡CD-SEMを用いてラインパターンの線幅を測定する必要がなく、2台目以降の露光装置60について、露光ショット内の5箇所における最適なフォーカス条件およびドーズ量を短時間で設定することができる。このようにして求めたフォーカス条件およびドーズ量は、例えば、画像処理部40から2台目以降の対象となる露光装置60に出力される。なお、FEMウェハを複数枚作り、各フォーカスカーブを求めるようにしてもよい。その場合、各FEMウェハのマトリックスは、フォーカス条件もしくはドーズ量以外の条件による影響を相殺するように設定することが好ましい。また、2台目以降の露光装置60について最適なフォーカス条件およびドーズ量を設定する際、FEMウェハ10aのレジスト膜の膜厚現像後のパターンの高さが変動すると、FEMウェハ10aの画像における輝度信号強度の相対関係は変わらないが、全体的に輝度信号強度が変化してしまう。すなわち、FEMウェハ10aのレジスト膜の膜厚が変動すると、基準フォーカスカーブCV1およびサンプルフォーカスカーブCV2が縦軸方向にすなわち、ドーズ量のズレに起因した輝度値が変動してしまう。そこで、ステップS101において、露光装置60による露光を行う前に、本実施形態の表面検査装置1を用いて、FEMウェハ10aとなる露光前のウェハのレジスト膜の膜厚をそれぞれ測定しておき詳細は後述する、ステップS106において、画像処理部40は、2台目以降の露光装置60について最適なフォーカス条件およびドーズ量を設定する際、膜厚算出部50から入力された対象となるウェハの膜厚データを用いて、フォーカス条件およびドーズ量の補正を行うことが好ましい。具体的には、1台目の露光装置60に露光されるウェハの膜厚に対する、2台目以降の露光装置60に露光されるウェハの膜厚の変動に応じて、サンプルフォーカスカーブCV2の輝度縦軸を補正する。これにより、膜厚の変動による輝度信号強度の変動が補正されるため、最適なフォーカス条件およびドーズ量を精度よく設定することができる。なお、膜厚の変動と輝度信号強度の変動との相関を予め調べておくことが好ましい。上述のようにして最適なフォーカス条件およびドーズ量を設定すると、最適なフォーカス条件およびドーズ量に設定した露光装置60によりラインパターン繰り返しパターンを形成した確認用ウェハ図示せずを作成するステップS107。このとき、全ての露光ショットについてベストフォーカスおよびベストドーズ量で露光し現像する。確認用ウェハ図示せずを作成すると、電子顕微鏡CD-SEMを用いて、確認用ウェハ図示せずの表面に形成されたラインパターンの線幅等を測定し、設定したフォーカス条件およびドーズ量が適切であるかを確認するステップS108。なお、線幅の測定箇所は、フォーカスおよびドーズ量の変化に応じてパターンの形状線幅が変化する箇所を選ぶことが好ましい。電子顕微鏡CD-SEMによる確認が終了すると、全ての露光装置60についてフォーカス条件およびドーズ量の設定が完了していない場合ステップS109でNOの場合、ステップS101へ戻り、全ての露光装置60について設定が完了するとステップS109でYESの場合、フォーカス条件およびドーズ量の設定を終了する。さらに、画像処理部40は、記憶部41に記憶された基準フォーカスカーブのデータを利用して、定期的に露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量の変動状態を求めることができる。そこで、定期的に複数の露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量の変動状態を測定する方法について、図7に示すフローチャートを参照しながら説明する。まず、上述のようにして設定を行った露光装置60によりFEMウェハ10aを作成し、本実施形態の表面検査装置1を用いて、回折検査の場合と同様にFEMウェハ10aの表面全体を撮像するステップS201。上述のようにして設定を行った露光装置60によりラインパターンが形成されたFEMウェハ10aの表面全体を撮像すると、画像処理部40は、露光ショット内の5箇所の測定箇所について、フォーカスの変化横軸に対するラインパターンからの回折光の輝度信号強度の変化縦軸を示したグラフ以下、コンディションフォーカスカーブと称するを求めるステップS202。なおこのとき、同一のドーズ量ベストドーズ量においてそれぞれフォーカスの変化に応じたラインパターンからの回折光の輝度信号強度を複数測定し、複数測定した輝度信号強度の平均値を用いてコンディションフォーカスカーブを求める。上述のようにしてフォーカス条件およびドーズ量の設定を行った後、各露光装置60によりFEMウェハ10aをそれぞれ作成すると、通常であれば、装置によってFEMウェハ10aの表面に形成されるラインパターンに違いが生じないはずである。ところが、露光装置60のコンディションが何らかの原因で変化した場合、当該露光装置60におけるフォーカス条件およびドーズ量が変動し、FEMウェハ10aの表面に形成されるラインパターンの状態が変化する。本実施形態の表面検査装置1でFEMウェハ10aの表面全体を撮像すると、露光装置60のコンディションが何らかの原因で変化した場合、フォーカスおよびドーズ量の変化に応じたパターンの状態変化が縦横にオフセットした形で表れる。そのため、先の設定で使用した基準フォーカスカーブを利用してフォーカスおよびドーズ量のズレを求めれば、露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量の変動状態を求めることができる。そこで、画像処理部40は、記憶部41に記憶された基準フォーカスカーブとコンディションフォーカスカーブとを比較することにより、露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量の変動状態を求める。なお、詳細な図示は省略するが、コンディションフォーカスカーブの近似曲線の式として、例えば4次式を用いることができる。基準フォーカスカーブとコンディションフォーカスカーブで違いが生じた場合、横軸方向がフォーカスのズレに起因したものであり、縦軸方向がドーズ量のズレに起因したものとなる。このときまず、画像処理部40は、パターンマッチングによる画像処理を利用して、基準フォーカスカーブをコンディションフォーカスカーブに対して最も相関が良くなるようにフィットさせる。次に、画像処理部40は、基準フォーカスカーブをコンディションフォーカスカーブに対してフィットさせたときの横軸方向および縦軸方向の移動量をそれぞれ求める。このときの横軸方向の移動量がコンディションの変化に応じた露光装置60のフォーカスのズレであり、縦軸方向の移動量がドーズ量のズレに起因した輝度値となる。そこで、画像処理部40は、基準フォーカスカーブの横軸方向の移動量からフォーカスの変動量を求め、基準フォーカスカーブの縦軸方向の移動量からドーズ量の変動量を求める。このようにすれば、本実施形態の表面検査装置1を用いてFEMウェハ10aを撮像し、画像処理部40によって露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量の変動状態を自動で求めるため、電子顕微鏡CD-SEMを用いてラインパターンの線幅等を測定する必要がなく、複数の露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量の変動状態を短時間で測定することができる。また、2回目以降は1回目で求めた基準フォーカスカーブCV1を用いることができるため、1台目の露光装置で露光されたパターンを、電子顕微鏡CD-SEMを用いて測定する必要が無い。フォーカスの変動量およびドーズ量の変動量を求めると、全ての露光装置60について測定が完了していない場合ステップS203でNOの場合、ステップS201へ戻り、全ての露光装置60について測定が完了するとステップS203でYESの場合、複数の露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量の変動状態の測定を終了する。なお、ステップS201において、露光装置60による露光を行う前に、本実施形態の表面検査装置1を用いて、FEMウェハ10aとなる露光前のウェハのレジスト膜の膜厚をそれぞれ測定しておき詳細は後述する、ステップS202において、複数の露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量の変動状態の測定する際、画像処理部40が、膜厚算出部50から入力された対象となるウェハの膜厚データを用いて、フォーカスおよびドーズ量の補正を行うようにしてもよい。具体的には、設定時のウェハの膜厚に対する、状態測定時のウェハの膜厚の変動に応じて、コンディションフォーカスカーブの輝度縦軸を補正する。これにより、膜厚の変動による輝度信号強度の変動が補正されるため、複数の露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量の変動状態を精度よく測定することができる。なおここで、本実施形態の表面検査装置1を用いて、露光前のウェハ図示せずの表面に形成された薄膜レジスト膜の膜厚を測定する場合について述べる。この場合まず、回折検査の場合と同様に、露光前のウェハをステージ5上に搬送する。次に、受光系30においてウェハ表面での照明光の正反射光を受光できるようにステージ5をチルトさせる。次に、5種類の照明波長例えば、546nm、436nm、405nm、313nm、および248nmについて、照明光をウェハの表面に照射する。このとき、5種類の波長のうちいずれかの波長を有する照明光が平行光束となってウェハの表面に照射される。ウェハ表面からの正反射光は、受光側凹面鏡31により集光されて撮像装置35の撮像面上に達し、露光前のウェハの像正反射像が結像される。そこで、撮像装置35は、5種類の照明波長についてそれぞれ、撮像面上に形成されたウェハの像を光電変換して画像信号を生成し、画像信号を画像処理部40に出力する。画像処理部40は、撮像装置35から入力された画像信号に基づいて、露光前のウェハのデジタル画像を生成し、膜厚算出部50に出力する。ここで、膜厚算出部50によって行われるフィッティング計算処理について説明する。本実施形態のように照明側と撮像側との双方がテレセントリックとなっている光学系では、撮影対象であるウェハの反射像の全領域について、上述した反射率曲線の算出に用いられた角度条件を適用した薄膜干渉式を適用することができる。したがって、以下に述べるようにして、膜厚算出部50に入力された各波長での反射像に含まれる各画素の階調値で示される反射率の組み合わせを与えるような膜厚を、反射率テーブル51に基づいて探索するフィッティング処理を行うことにより、反射像に捉えられたウェハ上の各位置についての膜厚を求めることができる。図14に、フィッティング計算処理を表すフローチャートを示す。まず、反射率算出部52により、画像処理部40で生成された反射像に含まれる基準位置の画素の階調値と、測定条件保持部48に記憶された照明光の分光強度および撮像装置35の分光感度とに基づいて、反射像の撮影の際に選択された照明光の波長についての基準位置での反射率、R、...が算出される。次に、補正値算出部54は、ステップS301で算出した反射率を与える推定膜厚を反射率テーブル51から探索し、得られた推定膜厚と膜厚データ保持部56に保持された実測膜厚とから、波長ごとに補正値を算出する。補正値算出部54は、例えば、波長λ1に対応する反射率曲線と基準点における波長λ1の実際の反射率を示す直線との交点に対応する膜厚候補を見つけ、これらの膜厚候補の中から最も幾何膜厚の実測値tに近いものとこの実測値tとの差を、その波長の反射率から膜厚を決定する場合の補正値δλ1とすることができる。照明波長を切り換えて、同様にして、補正値算出部54は、各波長に対応する補正値δを算出する。次に、反射率算出部52は、画像記憶部47に照明光の波長ごとに記憶された反射像に含まれる各画素の階調値に基づいて、上述したステップS301と同様にして、それぞれの波長の反射率を算出し、候補抽出部53の処理に供する。候補抽出部53では、上述したステップS302と同様に、各波長について算出された反射率と対応する波長について反射率テーブル51に保持された反射率データで示される反射率曲線との交点を求めることにより、波長ごとに少なくとも一つの膜厚候補を抽出する。このようにして抽出された膜厚候補は、補正処理部55により、上述した各波長対応の補正値を用いて補正された後に、誤差演算部57に渡される。誤差演算部57には、補正処理部55から、例えば、各波長に対応して、それぞれ要素数k1、k2、k3、...の膜厚候補の集合C1,...,Ck1、C1,...,Ck2、C1,...,Ck3、...が渡される。この場合に、誤差演算部57は、各集合から一つずつの要素をとる場合の考えられる全ての組み合わせについて、それぞれの組み合わせで各集合から選択された膜厚候補Cλ1、Cλ2、Cλ3、...を用いて次の2式で表される誤差Eを算出する。E=222...2例えば、5つの異なる波長例えば、546nm、436nm、405nm、313nm、および248nmの照明光によって撮影された反射像の注目画素に対応する反射率に基づいて、それぞれ4つの膜厚候補{Cλi1,Cλi2,Cλi3,Cλi4}が得られた場合に、誤差演算部57により、これらの組み合わせとして考えられる45通りの組み合わせについて、上述した式を用いて誤差が算出される。決定処理部58は、上述した誤差演算部57による演算結果を受け取り、最も誤差の値が小さい膜厚候補の組み合わせを検出し、例えば、この組み合わせに含まれる膜厚候補の平均値を反射率から求めた膜厚測定値として特定する。決定処理部58が特定した膜厚測定値は、反射像における画素位置に対応して膜厚データ保持部56に保持される。ここで、露光前のウェハの反射像に含まれるすべての画素について膜厚測定値が得られたか否かを判定する。判定がNOである場合、上述したステップS303からステップS307の処理を反射像に含まれる各画素について繰り返す。一方、判定がYESである場合、膜厚データ保持部56に保持された膜厚分布に基づいて、検証処理部59により、膜厚分布の連続性の検証処理が行われる。このときまず、検証処理部59は、例えば、露光前のウェハの反射像に含まれる座標で示される注目画素に対応して得られた膜厚測定値tと、周囲の画素に対応して得られた膜厚測定値との差をそれぞれ求める。次いで、周囲の膜厚測定値と注目画素に対応する膜厚測定値との差をそれぞれ所定の閾値と比較し、閾値以下である場合に、検証処理部59は、注目画素に対応する膜厚測定値は周囲の膜厚測定値との連続性を有していると判断し、検証処理を終了する。一方、検証処理部59は、例えば、注目画素の膜厚測定値とその周囲の少なくとも一つの画素に対応する膜厚測定値との差が上述した閾値を超えていた場合に、注目画素からかけ離れた異常値となっていると判断し、膜厚測定値の修正処理を行う。この場合に、検証処理部59は、例えば、上述したステップS307で検出された組み合わせの次に誤差演算部57で得られた誤差が小さい組み合わせを検出し、この組み合わせに含まれる膜厚候補の平均値を用いて膜厚測定値を修正し、再び、周囲の画素に対応する膜厚測定値との連続性を検証することができる。このようにして修正した膜厚測定値と、周囲の画素に対応する膜厚測定値との差が上述した閾値以下となった場合に、検証処理部59は、修正された膜厚測定値を膜厚データ保持部56に書き込んで検証処理を終了する。上述した手順を全ての画素について繰り返すことにより、画素ごとに個別にフィッティング処理を行って得られた膜厚データを近傍の画素に対応する結果に基づいて検証し、異常値を検出して補正することができる。このような検証処理が完了した後に、次のステップS310において、膜厚データ保持部56に保持された、異常値の補正が済んだ膜厚データを画像処理部40へ出力することにより、画像処理部40における各処理に利用される。このようにすれば、各照明波長について、露光前のウェハ全面に対応する正反射像を一括して取得しているので、膜厚の算出に必要な反射率データを短時間で取得することができる。したがって、非常に短い時間でウェハ全面の膜厚分布を測定することができる。このように、本実施形態によれば、画像処理部40が、1台目の露光装置60において設定されたフォーカス条件またはドーズ量のデータを利用して、2台目以降の露光装置60により露光されたFEMウェハ10aの表面からの光の情報から、2台目以降の露光装置60についてのフォーカス条件またはドーズ量の設定を行うため、複数の露光装置60についてフォーカス条件やドーズ量を短時間で精度よく設定することができる。具体的には、画像処理部40が、1台目の露光装置60におけるフォーカスの変動とパターンの変動との相関である基準フォーカスカーブと、2台目以降の露光装置60におけるフォーカスの変動とパターンの変動との相関であるサンプルフォーカスカーブとの差に基づいて、2台目以降の露光装置60についてのフォーカス条件またはドーズ量の設定を行うため、2台目以降の露光装置60についてフォーカス条件やドーズ量を短時間で容易に設定することができる。またこのとき、パターンマッチングによる画像処理を利用することで、2台目以降の露光装置60についてフォーカス条件やドーズ量を精度よく設定することができる。さらに、画像処理部40が、設定後の露光装置60におけるフォーカスの変動とパターンの変動との相関であるコンディションフォーカスカーブと、上述の設定に用いた基準フォーカスカーブとの差に基づいて、露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量の変動状態を求めるため、複数の露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量の変動状態複数の露光装置60のコンディションを短時間で測定することができる。またこのとき、パターンマッチングによる画像処理を利用することで、複数の露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量の変動状態を精度よく設定することができる。また、撮像装置35がウェハの表面全体を一括で撮像するため、フォーカス条件およびドーズ量の設定等をより短時間で行うことができる。また、ウェハの表面から生じた回折光による像を撮像するようにすれば、レジスト膜等の膜厚変動による影響を受けにくいため、フォーカス条件およびドーズ量の設定等を精度よく行うことが可能である。特に、照明光の波長は、248nmや313nmj線等の深紫外域の波長が望ましい。なお、上述の実施形態において、ドーズ量の変化に拘わらずフォーカスの変化に応じてパターンの形状線幅が高感度に変化する箇所を選んで、フォーカスカーブ等を求め、フォーカス条件の設定等をより精度よく行うようにしてもよい。また、フォーカスの変化に拘わらずドーズ量の変化に応じてパターンの形状線幅が高感度に変化する箇所を選んで、ドーズ量の変化横軸に対するラインパターンの輝度信号強度の変化縦軸を示したグラフドーズカーブ等を求め、ドーズ量の設定等をより精度よく行うようにしてもよい。また、上述の実施形態において、ウェハの表面で生じた回折光を利用してフォーカス条件やドーズ量の設定等を行っているが、これに限られるものではなく、ウェハの表面で生じた正反射光や偏光の状態変化等を利用するようにしてもよい。そこで、表面検査装置1によりウェハ10表面のPER検査を行う場合について説明する。なお、繰り返しパターン12は、図4に示すように、複数のライン部2Aがその短手方向X方向に沿って一定のピッチPで配列されたレジストパターンラインパターンであるものとする。また、隣り合うライン部2A同士の間は、スペース部2Bである。また、ライン部2Aの配列方向X方向を繰り返しパターン12の繰り返し方向と称することにする。ここで、繰り返しパターン12におけるライン部2Aの線幅DAの設計値をピッチPの1/2とする。設計値の通りに繰り返しパターン12が形成された場合、ライン部2Aの線幅DAとスペース部2Bの線幅DBは等しくなり、ライン部2Aとスペース部2Bとの体積比は略1:1になる。これに対して、繰り返しパターン12を形成する際の露光フォーカスまたはドーズ量が適正値から外れると、ピッチPは変わらないが、ライン部2Aの線幅DAが設計値と異なってしまうとともに、スペース部2Bの線幅DBとも異なってしまい、ライン部2Aとスペース部2Bとの体積比が略1:1から外れる。PER検査は、上記のような繰り返しパターン12におけるライン部2Aとスペース部2Bとの体積比の変化を利用して、繰り返しパターン12の異常検査を行うものである。なお、説明を簡単にするため、理想的な体積比設計値を1:1とする。体積比の変化は、露光フォーカスまたはドーズ量の適正値からの外れに起因し、ウェハ10のショット領域ごとに現れる。なお、体積比を断面形状の面積比と言い換えることもできる。PER検査では、図2に示すように、照明側偏光フィルタ26および受光側偏光フィルタ32が光路上に挿入される。また、PER検査を行うとき、ステージ5は、照明光が照射されたウェハ10からの正反射光を受光系30で受光できる傾斜角度にウェハ10をチルトさせるとともに、所定の回転位置で停止し、ウェハ10における繰り返しパターン12の繰り返し方向を、図5に示すように、ウェハ10の表面における照明光直線偏光Lの振動方向に対して、45度だけ斜めになるように保持する。繰り返しパターン12の検査の光量を最も高くするためである。また、22.5度や67.5度とすれば検査の感度が高くなる。なお、角度はこれらに限らず、任意角度方向に設定可能である。照明側偏光フィルタ26は、導光ファイバ24と照明側凹面鏡25との間に配設されるとともに、その透過軸が所定の方位に設定され、透過軸に応じて照明ユニット21からの光から直線偏光を抽出する。このとき、導光ファイバ24の射出部が照明側凹面鏡25の焦点位置に配置されているため、照明側凹面鏡25は、照明側偏光フィルタ26を透過した光を平行光束にして、半導体基板であるウェハ10を照明する。このように、導光ファイバ24から射出された光は、照明側偏光フィルタ26および照明側凹面鏡25を介しp偏光の直線偏光L図5を参照となり、照明光としてウェハ10の表面全体に照射される。このとき、直線偏光Lの進行方向ウェハ10表面上の任意の点に到達する直線偏光Lの主光線の方向は光軸に略平行であることから、ウェハ10の各点における直線偏光Lの入射角度は、平行光束のため互いに同じとなる。また、ウェハ10に入射する直線偏光Lがp偏光であるため、図5に示すように、繰り返しパターン12の繰り返し方向が直線偏光Lの入射面ウェハ10の表面における直線偏光Lの進行方向に対して45度の角度に設定された場合、ウェハ10の表面における直線偏光Lの振動方向と繰り返しパターン12の繰り返し方向とのなす角度も、45度に設定される。言い換えると、直線偏光Lは、ウェハ10の表面における直線偏光Lの振動方向が繰り返しパターン12の繰り返し方向に対して45度傾いた状態で、繰り返しパターン12を斜めに横切るようにして繰り返しパターン12に入射することになる。ウェハ10の表面で反射した正反射光は、受光系30の受光側凹面鏡31により集光されて撮像装置35の撮像面上に達するが、このとき、繰り返しパターン12での構造性複屈折により直線偏光Lの偏光状態が変化する。受光側偏光フィルタ32は、受光側凹面鏡31と撮像装置35との間に配設され、受光側偏光フィルタ32の透過軸の方位は、上述した照明側偏光フィルタ26の透過軸に対して直交するように設定されているクロスニコルの状態。したがって、受光側偏光フィルタ32により、ウェハ10繰り返しパターン12からの正反射光のうち直線偏光Lと振動方向が略直角な偏光成分例えば、s偏光の成分を抽出して、撮像装置35に導くことができる。その結果、撮像装置35の撮像面には、ウェハ10からの正反射光のうち直線偏光Lに対して振動方向が略直角な偏光成分によるウェハ10の反射像が形成される。表面検査装置1によりウェハ10表面のPER検査を行うには、まず、図2に示すように照明側偏光フィルタ26および受光側偏光フィルタ32を光路上に挿入し、不図示の搬送装置により、ウェハ10をステージ5上に搬送する。なお、搬送の途中で不図示のアライメント機構によりウェハ10の表面に形成されているパターンの位置情報を取得しており、ウェハ10をステージ5上の所定の位置に所定の方向で載置することができる。またこのとき、ステージ5は、照明光が照射されたウェハ10からの正反射光を受光系30で受光できる傾斜角度にウェハ10をチルトさせるとともに、所定の回転位置で停止し、ウェハ10における繰り返しパターン12の繰り返し方向を、ウェハ10の表面における照明光直線偏光Lの振動方向に対して、45度だけ斜めになるように保持する。次に、照明光をウェハ10の表面に照射する。このような条件で照明光をウェハ10の表面に照射する際、照明ユニット21の導光ファイバ24から射出された光は、照明側偏光フィルタ26および照明側凹面鏡25を介しp偏光の直線偏光Lとなり、照明光としてウェハ10の表面全体に照射される。ウェハ10の表面で反射した正反射光は、受光側凹面鏡31により集光されて撮像装置35の撮像面上に達し、ウェハ10の像反射像が結像される。このとき、繰り返しパターン12での構造性複屈折により直線偏光Lの偏光状態が変化し、受光側偏光フィルタ32は、ウェハ10繰り返しパターン12からの正反射光のうち直線偏光Lと振動方向が略直角な偏光成分すなわち、直線偏光Lの偏光状態の変化を抽出して、撮像装置35に導くことができる。その結果、撮像装置35の撮像面には、ウェハ10からの正反射光のうち直線偏光Lと振動方向が略直角な偏光成分によるウェハ10の反射像が形成される。そこで、撮像装置35は、撮像面上に形成されたウェハ10の表面の像反射像を光電変換して画像信号を生成し、画像信号を画像処理部40に出力する。画像処理部40は、撮像装置35から入力されたウェハ10の画像信号に基づいて、ウェハ10のデジタル画像を生成する。また、画像処理部40は、ウェハ10の画像デジタル画像を生成すると、ウェハ10の画像データと良品ウェハの画像データとを比較して、ウェハ10の表面における欠陥異常の有無を検査する。なお、良品ウェハの反射画像の輝度情報信号強度は、最も高い輝度値を示すものと考えられるため、例えば、良品ウェハと比較した輝度変化が予め定められた閾値許容値より大きければ異常と判定し、閾値より小さければ正常と判断する。そして、画像処理部40による検査結果およびそのときのウェハ10の画像が図示しない画像表示装置で出力表示される。ところで、画像処理部40は、露光装置60のフォーカスとドーズ量をショット毎に変化させた条件で露光して現像したウェハの画像を利用して、露光装置60の偏光による基準フォーカスカーブやサンプルフォーカスカーブを求めることができる。そして、基準フォーカスカーブをサンプルフォーカスカーブに対してフィットさせたときの横軸方向および縦軸方向の移動量をそれぞれ求めるようにすれば、回折光の場合と同様に、2台目以降の露光装置60の最適なフォーカス条件およびドーズ量を短時間で精度よく設定することができる。具体的には、図6に示すフローチャートのステップS105において、照明光として直線偏光LをFEMウェハ10aの表面に照射し、撮像装置35がFEMウェハ10aの反射像を光電変換して画像信号を生成し、画像信号を画像処理部40に出力すればよい。さらに、画像処理部40は、ウェハの照明および撮像等を、PER検査の場合と同様にして行えば、露光装置60の偏光によるコンディションフォーカスカーブを求めることができるため、設定後の複数の露光装置60におけるフォーカスおよびドーズ量の変動状態を短時間で精度よく測定することができる。具体的には、図7に示すフローチャートのステップS201において、照明光として直線偏光LをFEMウェハ10aの表面に照射し、撮像装置35がFEMウェハ10aの反射像を光電変換して画像信号を生成し、画像信号を画像処理部40に出力すればよい。また、上述の実施形態において、露光装置60のフォーカスとドーズ量をショット毎に変化させた条件で露光して現像したFEMウェハ10aを利用しているが、これに限られるものではなく、露光装置60のフォーカスとドーズ量をウェハ毎に変化させた条件で露光して現像した複数のウェハを用いるようにしてもよい。また、上述の実施形態において、複数の固体的に異なる露光装置60について同一工程に対する設定を行っているが、これに限られるものではなく、例えば、同じ露光装置60について、所定の工程に対する設定を行った後、これとは別の工程に対する設定を行い、この後前述と異なる時間に再び、所定の工程と同一の工程に対する設定を行う場合にも、本発明を適用可能である。また、上述の実施形態において、露光前のウェハの表面に形成された薄膜レジスト膜の膜厚を測定しているが、これに限られるものではなく、露光後のウェハ表面の薄膜の膜厚を測定してもよい。なお、検査装置構成として、以下の構成のものもある。例えば、露光装置により露光されて表面の膜に所定のパターンが形成された半導体基板を支持するステージと、前記ステージに支持された前記半導体基板の表面に照明光を照射する照射部と、前記照明光が照射された前記半導体基板の表面からの光を検出する検出部と、前記露光装置において設定された基準となるフォーカス条件または基準となる露光量を利用して、前記検出部に検出された、前記露光装置と時間的若しくは固体的に異なる露光装置により露光された前記半導体基板の表面からの光の情報から、前記時間的若しくは固体的に異なる露光装置についてのフォーカス条件または露光量の調整値の算出を行う設定演算部と、前記露光装置および前記時間的若しくは固体的に異なる露光装置により露光される前記半導体基板の表面における前記膜の膜厚をそれぞれ測定する膜厚測定部とを備え、前記設定演算部は、前記膜厚測定部にそれぞれ測定された前記膜厚に基づいて、前記調整値の補正を行うように構成することも可能である。なお、上述の検査装置において、前記露光装置におけるフォーカス条件または露光量の変動と、前記露光装置により露光されて形成された前記パターンの変動との相関である第1の相関を記憶する記憶部をさらに備え、前記設定演算部は、前記検出部に検出された、前記時間的若しくは固体的に異なる露光装置によりフォーカス条件または露光量をショット毎に変化させて露光された前記半導体基板の表面からの光の情報から、前記時間的若しくは固体的に異なる露光装置におけるフォーカス条件または露光量の変動と、前記時間的若しくは固体的に異なる露光装置により露光されて形成された前記パターンの変動との相関である第2の相関を求め、前記第2の相関と前記記憶部に記憶された前記第1の相関との差に基づいて前記調整値の算出を行うことが好ましい。また、上述の検査装置において、前記第2の相関と前記第1の相関との差がパターンマッチングによる画像処理を利用して求められることが好ましい。また、上述の検査装置において、前記設定演算部が前記調整値の算出を行うとき、前記照明部は、前記時間的若しくは固体的に異なる露光装置により露光された前記半導体基板の前記パターンで回折光が発生するように、前記時間的若しくは固体的に異なる露光装置により露光された前記半導体基板の表面に前記照明光を照射し、前記検出部は、前記照明光が照射されて前記半導体基板の前記パターンで発生した前記回折光を検出し、前記設定演算部は、前記検出部に検出された前記回折光の情報から前記調整値の算出を行い、前記膜厚測定部が前記膜厚を測定するとき、前記照明部は、前記露光装置および前記時間的若しくは固体的に異なる露光装置により露光される前記半導体基板の表面に前記照明光を照射し、前記検出部は、前記照明光が照射された前記半導体基板の表面からの正反射光を検出し、前記膜厚測定部は、前記検出部に検出された前記正反射光の情報から前記膜厚を測定することが好ましい。また、上述の検査装置において、前記設定演算部が前記調整値の算出を行うとき、前記照明部は、前記時間的若しくは固体的に異なる露光装置により露光された前記半導体基板の表面に前記照明光として略直線偏光を照射し、前記検出部は、前記偏光が照射された前記半導体基板の前記パターンにおける構造性複屈折による前記偏光の変化を検出し、前記設定演算部は、前記検出部に検出された前記偏光の変化から前記調整値の算出を行い、前記膜厚測定部が前記膜厚を測定するとき、前記照明部は、前記露光装置および前記時間的若しくは固体的に異なる露光装置により露光される前記半導体基板の表面に前記照明光を照射し、前記検出部は、前記照明光が照射された前記半導体基板の表面からの正反射光を検出し、前記膜厚測定部は、前記検出部に検出された前記正反射光の情報から前記膜厚を測定するようにしてもよい。"