"基材フィルムの少なくとも一方の面に酸窒化珪素膜を有するガスバリア性フィルムであって、基材フィルムの酸窒化珪素膜を有する側の表面粗さRMSが3~20nmであることを特徴とするガスバリア性フィルム。基材フィルムの酸窒化珪素膜を有する側の面が、原子状水素により表面処理されたものであることを特徴とする請求項1に記載のガスバリア性フィルム。原子状水素が、加熱触媒体を用いて水素分子を接触熱分解して得られた原子状水素であることを特徴とする請求項2に記載のガスバリア性フィルム。酸窒化珪素膜が触媒化学気相成長法により形成された酸窒化珪素膜であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のガスバリア性フィルム。酸窒化珪素膜が、少なくとも水素、アンモニア、酸素、及び珪素化合物を含むガスを用い触媒化学気相成長法により形成されることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のガスバリア性フィルム。基材フィルムの酸窒化珪素膜を有する側の表面粗さRMSが4~15nmであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のガスバリア性フィルム。珪素化合物が、ヘキサメチルジシラザンであることを特徴とする請求項5または6に記載のガスバリア性フィルム。酸窒化珪素膜の膜厚が、1~500nmであることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載のガスバリア性フィルム。40°C、90RH条件下での水蒸気透過度が03g/m2/day以下であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載のガスバリア性フィルム。基材フィルムがポリエステル、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエーテルサルホン、及び環状ポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも一種の樹脂からなり、その厚さが5~200μmであることを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載のガスバリア性フィルム。基材フィルムが、コロナ放電処理又はプラズマ処理されたものではないことを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載のガスバリア性フィルム。請求項1~11のいずれか1項に記載のガスバリア性フィルムの酸窒化珪素膜側に厚さ10~200μmの未延伸ポリプロピレンフィルムを積層してなる積層体。120°C、30分間の熱水処理を行った後の積層体の密着強度が500g/15mm以上であることを特徴とする請求項12に記載の積層体。1基材フィルムの少なくとも一方の面を、加熱触媒体を用いて水素分子を接触熱分解して得られた原子状水素で表面処理する工程、および2前記表面処理した基材フィルム面上に触媒化学気相成長法により酸窒化珪素膜を形成する工程、を有する請求項1~11のいずれか1項に記載のガスバリア性フィルムを製造するガスバリア性フィルム製造方法。しかしながら、基材フィルムを表面処理する方法として、コロナ放電処理やプラズマ処理を用いた場合は、基材フィルムへのダメージが問題になることがある。また非特許文献1におけるように、加熱触媒体を使用して原子状水素処理し、その後窒化珪素膜を成膜することで、良好な密着性を示すことが報告されているが、出願人等の検討によれば、基材フィルム表面を原子状水素処理し、その後窒化珪素膜を成膜すると、未処理品と比較して、ガスバリア性が大きく低下することが分かった。本発明は、このような状況下で、コロナ放電処理やプラズマ処理を行うことなく、また、アンカーコート層を用いなくても、基材フィルムと無機膜の密着性に優れ、かつガスバリア性に優れたガスバリア性フィルムを提供することを課題とする。本発明者らは、上記課題に鑑みて、特定の表面粗さを有する基材フィルムに無機膜として酸窒化珪素膜を形成することにより、基材フィルムと無機膜の密着性に優れ、かつガスバリア性にも優れるガスバリア性フィルムが得られることを見出し、本発明をなすに至った。また、基材フィルム表面を、加熱触媒体を使用して原子状水素処理することにより特定の表面粗さとし、その後、酸窒化珪素膜を成膜することで、基材フィルムと酸窒化珪素膜の密着性がより良好となり、かつ高いガスバリア性を維持するガスバリア性フィルムを提供することができることを見出し、本発明をなすに至った。すなわち、本発明は、1基材フィルムの少なくとも一方の面に酸窒化珪素膜を有するガスバリア性フィルムであって、基材フィルムの酸窒化珪素膜を有する側の表面粗さRMSが3~20nmであることを特徴とするガスバリア性フィルム、2基材フィルムの酸窒化珪素膜を有する側の面が、原子状水素により表面処理されたものであることを特徴とする上記1に記載のガスバリア性フィルム、3原子状水素が、加熱触媒体を用いて水素分子を接触熱分解して得られた原子状水素であることを特徴とする上記2に記載のガスバリア性フィルム、4酸窒化珪素膜が触媒化学気相成長法により形成された酸窒化珪素膜であることを特徴とする上記1~3のいずれかに記載のガスバリア性フィルム、5酸窒化珪素膜が、少なくとも水素、アンモニア、酸素、及び珪素化合物を含むガスを用い触媒化学気相成長法により形成されることを特徴とする上記1~4のいずれかに記載のガスバリア性フィルム、6基材フィルムの酸窒化珪素膜を有する側の表面粗さRMSが4~15nmであることを特徴とする上記1~5のいずれかに記載のガスバリア性フィルム、7珪素化合物が、ヘキサメチルジシラザンであることを特徴とする上記5または6に記載のガスバリア性フィルム、8酸窒化珪素膜の膜厚が、1~500nmであることを特徴とする上記1~7のいずれかに記載のガスバリア性フィルム、940°C、90RH条件下での水蒸気透過度が03g/m2/day以下であることを特徴とする上記1~8のいずれかに記載のガスバリア性フィルム、10基材フィルムがポリエステル、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエーテルサルホン、及び環状ポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも一種の樹脂からなり、その厚さが5~200μmであることを特徴とする上記1~9のいずれかに記載のガスバリア性フィルム、11基材フィルムが、コロナ放電処理又はプラズマ処理されたものではないことを特徴とする上記1~10のいずれかに記載のガスバリア性フィルム、12上記1~11のいずれかに記載のガスバリア性フィルムの酸窒化珪素膜側に厚さ10~200μmの未延伸ポリプロピレンフィルムを積層してなる積層体、13120°C、30分間の熱水処理を行った後の積層体の密着強度が500g/15mm以上であることを特徴とする上記12に記載の積層体、及び14a基材フィルムの少なくとも一方の面を、加熱触媒体を用いて水素分子を接触熱分解して得られた原子状水素で表面処理する工程、およびb前記表面処理した基材フィルム面上に触媒化学気相成長法により酸窒化珪素膜を形成する工程、を有する上記1~11のいずれかに記載のガスバリア性フィルムを製造するガスバリア性フィルム製造方法、を提供するものである。本発明によれば、コロナ放電処理やプラズマ処理を行わなくても、またアンカーコート層を用いなくても、基材フィルムへのダメージを与えることなく、基材フィルムと無機膜の密着性に優れ、かつガスバリア性に優れたガスバリア性フィルムを提供することができる。また、本発明は、同一チャンバー内で、基材フィルムの表面処理と無機膜の成膜を行うことができ、製造工程が簡略化された生産性のよいガスバリア性フィルムの製造方法を提供することができる。以下、本発明を詳細に説明する。<ガスバリア性フィルム>本発明のガスバリア性フィルムは、基材フィルムの少なくとも一方の面に酸窒化珪素膜を有するガスバリア性フィルムであって、基材フィルムの酸窒化珪素膜を有する側の表面粗さRMSが3~20nmであることを特徴とするものである。[基材フィルム]ガスバリア性フィルムの基材フィルムの材料としては、通常の包装材料等に使用しうる樹脂であれば特に制限なく用いることができる。具体的には、エチレン、プロピレン、ブテン等の単独重合体またはこれらの共重合体であるポリオレフィン、環状ポリオレフィン等の非晶質ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン-2,6-ナフタレート等のポリエステル、ナイロン6、ナイロン66、ナイロン12、共重合ナイロン等のポリアミド、エチレン-酢酸ビニル共重合体部分加水分解物EVOH、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリアリレート、フッ素樹脂、アクリル系樹脂、生分解性樹脂等が挙げられる。これらの中では、フィルム強度、コストなどの点から、ポリエステル、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエーテルサルホン、及び環状ポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも一種が好ましく、ポリエステルが更に好ましい。また、上記基材フィルムには、公知の添加剤、例えば、帯電防止剤、光線遮断剤、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤、フィラー、着色剤、安定剤、潤滑剤、架橋剤、ブロッキング防止剤、酸化防止剤等を含有することができる。基材フィルムの酸窒化珪素膜を有する側の表面粗さRMSは3~20nmである。酸窒化珪素膜を有する側の表面粗さRMSが上記範囲であると、酸窒化珪素膜と基材フィルムとの良好な密着性及び、優れたガスバリア性を維持することができる。基材フィルムの酸窒化珪素膜を有する側の表面粗さRMSは4~15nmであることが好ましく、5~13nmであることがより好ましい。基材フィルムの表面粗さは、通常市販されている原子間力顕微鏡以下AFMという。により測定したAFM凹凸像を粗さ解析により求めたRMS自乗平均平方根で表される。AFMとしては、例えばDigitalInstruments製、セイコー電子製、Topometrix製等のAFMが使用できる。DigitalInstruments製NanoScopeIIIaを使用した場合には、タッピングモードで、基材フィルムの5μm×5μmの面積を測定したAFM凹凸像について、フラット処理を行った後、粗さ解析を行って求めたRMSが粗さ値である。本発明においては、基材フィルムの少なくとも一方の面は、原子状水素により表面処理され、かつ表面処理された面上に酸窒化珪素膜を有するものであることが好ましい。このような原子状水素により表面処理することで、前記表面粗さRMSを達成することができ、また、本発明の効果、すなわち、良好な密着性を示し、かつ優れたガスバリア性を維持することができるという効果を奏することができる。前記表面処理により基材フィルムと酸窒化珪素膜の密着性が良好となる理由としては、基材フィルムの表面改質がなされ、また、基材フィルムの表面粗さを適当な粗さに調整することができ、更に、基材フィルムの表面皮膜が除去されることクリーニング効果等が考えられる。本発明において、原子状水素による処理における原子状水素とは、加熱触媒体等を用いて水素分子を接触熱分解して得られた水素ラジカル等をいい、原子状水素による処理とは、好ましくは、水素分子を、例えば500~2500°C、好ましくは1600~2000°Cに加熱した加熱触媒体に接触させ、水素ラジカルを生じさせ、該水素ラジカルを含むガスを基材フィルムに接触させて処理することをいう。このような加熱触媒体としては、例えば、後述のCat-CVD装置の加熱触媒体が好ましく使用できる。加熱触媒体を使用して基材フィルムの表面を原子状水素処理の表面処理を行うと、その後、加熱触媒体を使用した触媒化学気相成長法により、無機膜Cat-CVD膜を同一チャンバー内で成膜することが可能となり、生産性の点で有利である。上記原子状水素による処理は、好ましくは、後述のCat-CVD装置において、成膜室に水素ガスのみを導入し、加熱触媒体の温度を上記範囲内として0.1~30分間保持して行うことができる。処理時間が長くなるほど基材フィルムの表面粗さが大きくなるので、該処理時間は、表面粗さが前記範囲となるように適宜調整することが好ましい。処理時の成膜室内の圧力は、処理速度および加熱触媒体温度の点から、1~1000Paであることが望ましい。上記基材フィルムは、前記の材料を成形してなるものであるが、基材として用いる場合は、未延伸であってもよいし延伸したものであってもよい。また、他のプラスチック基材と積層されていてもよい。かかる基材フィルムは、従来公知の方法によっても製造することができ、例えば、材料を押出機により溶融し、環状ダイやTダイにより押出して、急冷することにより実質的に無定型で配向していない未延伸フィルムを製造することができる。この未延伸フィルムを一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸などの公知の延伸方法により、フィルムの流れ方向、又はフィルムの流れ方向とそれに直角な方向に延伸することにより、一軸方向又は二軸方向に延伸したフィルムを製造することができる。本発明においては、基材フィルムとしては機械強度の点から二軸延伸されたものが好ましい。延伸倍率としては、上記観点から、縦軸方向に好ましくは2~6倍、より好ましくは2~4倍、横軸方向に好ましくは2~5倍、より好ましくは2~4倍である。また、上記基材フィルムは、その120°Cでの熱水処理後の熱収縮率が、0.01~5であることが好ましい。基材フィルムの厚さは、ガスバリア性フィルムの基材としての機械強度、可撓性、透明性等の点から、その用途に応じ、好ましくは5~200μm、より好ましくは10~200μmの範囲で選択される。また、フィルムの幅や長さについては特に制限はなく、適宜用途に応じて選択することができる。[酸窒化珪素膜]本発明のガスバリア性フィルムは、ガスバリア性と基材フィルムとの密着性の点から、前記基材フィルムの少なくとも一方の面に、酸窒化珪素膜を有する。酸窒化珪素膜は、酸素及び窒素を含有する酸窒化珪素化合物SiOxNyからなり、ここで、xは好ましくは0.2~2.0であるが、より好ましくは0.5~1.5である。yは好ましくは0.05~1であるが、より好ましくは0.1~0.5である。本発明においては、酸窒化珪素化合物や酸窒化珪素膜は炭素等の微量成分を含んでいてもよい。酸窒化珪素膜の厚さは、通常0.1~500nmであるが、好ましくは1~300nm、より好ましくは5~200nmである。上記範囲内であれば、酸窒化珪素膜自体の内部応力による基材フィルムからの剥離もほとんどなく、更に他の層を積層した際の層間の密着性においても優れている。また、酸窒化珪素膜を均一な厚さに成膜することができる。本発明においては、酸窒化珪素膜は、基材フィルムとの良好な密着性及び優れたガスバリア性の観点から、少なくとも水素、アンモニア、酸素、及び珪素化合物を含む材料ガスを用い触媒化学気相成長法により形成することが好ましい。図1は、本発明のガスバリア性フィルムの製造方法に使用する装置の一例を示す模式断面図である。本発明のガスバリア性フィルムは、このような装置内で、基材フィルムの前記原子状水素処理と酸窒化珪素膜の形成を同一チャンバー内で行うことができる。具体的には、図1において、先ず、基材フィルム5表面の原子状水素処理として、加熱触媒体2の上方に設置されたガス導入口3から成膜室1内に水素ガスのみを供給した状態で、加熱触媒体2を1600~2000°Cに加熱し、所定時間保持する。次いで、水素、アンモニア、酸素、及び珪素化合物を含む材料ガスを、ガス導入口3から成膜室1内に供給する。加熱した加熱触媒体2に導入した材料ガスを接触熱分解させ、基板ホルダー4に設置された基材フィルム5上に酸窒化珪素膜を形成し、ガスバリア性フィルムを製造する。酸窒化珪素膜の形成に使用しうる材料ガスは、Cat-CVD法において酸窒化珪素膜の製造に使用される材料ガスがいずれも使用でき、上記したように少なくとも水素、アンモニア、酸素、及び珪素化合物を含む材料ガスが好ましく用いられる。具体的には、珪素を含む第一材料ガスに対してアンモニア、酸素、水素やアルゴンなどの希ガスを第二材料ガスとして使用することが好ましい。珪素化合物としては、モノシラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、モノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、塩化シラン、弗化シラン等のシラン化合物を単独、あるいは2種以上組み合わせて使用することができる。また、材料ガスは、室温での状態は気体状でも液体状でもよく、液体状の材料は材料気化機により気化して装置内へ供給することができる。上記第一材料ガスの中でも、危険性取り扱いやすさの点から、有機珪素化合物が好ましい。中でも特にヘキサメチルジシラザンが好ましい。材料ガス流量比は、例えば珪素化合物1に対して、容積比でアンモニアが好ましくは1~400、より好ましくは2~200、水素が好ましくは10~500、より好ましくは50~300、酸素が好ましくは0.1~4、より好ましくは0.5~2である。このようにすることで、水蒸気や酸素等の透過を阻止する能力の高い、透明で密着性の良好な窒素及び酸素を含有する珪素化合物膜を高い膜形成速度で成膜することができる。すなわち、珪素化合物に対するアンモニアの流量比が上記範囲内であれば、堆積膜中に充分に窒素原子が取り込まれ、得られる酸窒化珪素膜のガスバリア性が良好であり、膜形成速度も高い。また、珪素化合物に対する酸素の流量比が上記範囲内であれば、堆積膜中に酸素原子が取り込まれ、得られる酸窒化珪素膜のガスバリア性が良好であり、柔軟な膜が得られる。また、珪素化合物に対する、水素の流量比が上記範囲内であれば、ガスバリア性が良好である。また、真空成膜室内で堆積種の濃度の低下も見られず、堆積速度も良好である。加熱触媒体としては、カーボンやタングステン、白金、ニッケル等公知の金属触媒体等を加熱して使用できるが、材料ガスが接触分解される温度においてその金属触媒体自身が溶融又は揮発せず、さらにシリサイド化が抑制され、ハロゲンによる腐食が抑制される点から、タングステンが好ましい。金属触媒体の線の形状は、直線状であってもよく、または直円筒状のコイルであってもよく、そのほかの形状であってもよく、さらに線以外の構造であってもよい。また、加熱触媒体の総面積は、膜の形成速度、及び加熱触媒体からフィルム等の被堆積物への熱輻射量、加熱触媒体の供給電力などの点から、1000~5000mm2が好ましく、1500~3000mm2であることがより好ましい。加熱触媒体の温度は、材料ガスが接触分解される温度であって、さらに被堆積物に熱ダメージを与えない温度が好ましく、500~2500°Cが好ましく、1600~2000°Cであることがより好ましい。基材フィルム上の酸窒化珪素膜の形成は、上記したように好ましくは触媒化学気相成長法Cat-CVD法により行うが、この方法においては、例えば、真空下で加熱触媒体である前記金属触媒線を加熱し、前記2種以上の材料ガスをこの金属触媒線と接触させ前記反応により熱分解することにより基材フィルム上に主材料ガスを構成する元素を主要骨格物質とする無機及び/又は有機の薄膜を形成することができる。具体的には、触媒化学気相成長法においては、基材フィルム温度を好ましくは基材フィルムのガラス転移温度以下、より好ましくはTg-10°C以下とする。これにより、基材フィルムのガラス転移温度以下にて堆積物を堆積することができ、加熱触媒体からの輻射熱による基材フィルムのダメージを解消できる。また、反応圧力としては、空気中の不純物の膜への混入防止と成膜速度の点から、100Pa以下の減圧下で行うことが好ましい。触媒化学気相成長法による酸窒化珪素膜の成膜速度は、膜の緻密性や被堆積物への熱ダメージの点から1~300nm/minの範囲内であることが好ましく、より好ましくは2~200nm/minである。[その他の層等]本発明のガスバリア性フィルムは、前記基材フィルムの少なくとも一方の面に前記酸窒化珪素膜を有するものである。本発明は、基材フィルムに、コロナ放電処理、プラズマ処理等の表面処理やアンカーコート層を施さなくても、基材フィルムと酸窒化珪素膜の優れた密着性及びガスバリア性を付与することができることを特徴とするが、必要に応じ、本発明の目的を阻害しない範囲で、上記コロナ放電処理、プラズマ処理等の表面処理を施すことやアンカーコート剤を塗布してアンカーコート層を設けることは任意である。アンカーコート剤としては、溶剤性又は水性のポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ニトロセルロース系樹脂、シリコン系樹脂、ビニルアルコール樹脂等のアルコール性水酸基含有樹脂、変性ビニル樹脂、オキサゾリン基含有樹脂、カルボジイミド基含有樹脂、エポキシ基含有樹脂、イソシアネート基含有樹脂、アルコキシル基含有樹脂、変性スチレン樹脂及び変性シリコン樹脂等を単独、あるいは2種以上組み合わせて使用することができる。中でも、密着性、耐熱水性の点から、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、ニトロセルロース系樹脂、シリコン系樹脂、アルコール性水酸基含有樹脂、オキサゾリン基含有樹脂、カルボジイミド基含有樹脂、及びイソシアネート基含有樹脂及びこれらの共重合体から選ばれる少なくとも1種を用いることが好ましく、更には、ウレタン樹脂、アクリル樹脂の1種類以上と、オキサゾリン基含有樹脂、カルボジイミド基含有樹脂、エポキシ基含有樹脂、イソシアネート基含有樹脂の1種類以上を組み合わせたものが好ましい。アンカーコート層の厚さは0.005~5μm程度、更に0.01~1μmであることが好ましい。上記範囲内であれば、滑り性が良好であり、アンカーコート層自体の内部応力による基材フィルムからの剥離もほとんどなく、また、均一な厚さにアンカーコート層を形成することができ好ましい。また、本発明のガスバリア性フィルムは、40°C、90RH条件下での水蒸気透過度が、1g/m2/day以下であることが好ましく、0.8g/m2/day以下であることがより好ましく、更に好ましくは0.5g/m2/day以下、より更に好ましくは0.3g/m2/day以下である。水蒸気透過度の測定は、後述の方法で行うことができる。<積層体>本発明のガスバリア性フィルムは、その酸窒化珪素膜上に、更に各種プラスチックフィルム等を設けた積層体として各種用途に使用することができる。上記プラスチックフィルムの厚さは、積層体の基板としての機械強度、可撓性等の点から、通常5~500μm、好ましくは10~200μmの範囲で用途に応じて選択される。積層方法は接着剤を使用するドライラミネート法や接着性樹脂を使用する押出ラミネート法を使用することができる。また、フィルムの幅や長さは特に制限はなく、適宜用途に応じて選択することができる。また、酸窒化珪素膜及び/又は基材フィルム面にヒートシール可能な樹脂層を設けた積層体とすることにより、ヒートシールが可能となり、種々の容器の材料として使用できる。ヒートシール可能な樹脂層に用いられる樹脂としては、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、アクリル系樹脂、生分解性樹脂等の公知の樹脂が例示され、ヒートシール可能な樹脂層としては、例えば、厚さ10~200μm、好ましくは20~100μmの未延伸ポリプロピレンフィルムが好ましく用いられる。本発明においては、上記積層体は、120°C、30分間の熱水処理を行った後の密着強度が好ましくは500g/15mm以上、より好ましくは600g/15mm以上であることが、密着性向上の観点から好ましい。密着強度は、具体的には後述の方法により測定できる。<ガスバリア性フィルムの製造方法>本発明のガスバリア性フィルムの製造方法としては、1基材フィルムの少なくとも一方の面を、加熱触媒体を用いて水素分子を接触熱分解して得られた原子状水素で表面処理する工程、および2前記表面処理した基材フィルム面上に触媒化学気相成長法により酸窒化珪素膜を形成する工程、を有するものが例示できる。基材フィルム、加熱触媒体を用いて水素分子を接触熱分解して得られた原子状水素、該原子状水素による表面処理、触媒化学気相成長法による酸窒化珪素膜の形成については、その詳細は前述の通りである。次に、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。なお、各例で得られた無機膜およびガスバリア性フィルムの性能評価は、以下のように行った。<水蒸気透過度>水蒸気透過率測定装置を用いて、湿度90RH、温度40°Cで測定した。<密着強度>ガスバリア性フィルムの無機薄膜面に、ウレタン系接着剤東洋モートン社製AD900とCAT-RT85とを質量比10:1.5の割合で配合を塗布し、80°Cで1分乾燥し、厚さ約3μmの接着樹脂層を形成し、この接着樹脂層上に、厚さ60μmの未延伸ポリプロピレンフィルム東洋紡績株製パイレンフィルム-CTP1146をラミネート、40°C3日エージングし、ガスバリア性積層体を得た。上記積層体をオートクレーブにて、熱水120°C、30分間処理し、積層体の周りに付着した水を拭き取り風乾させた。上記レトルト処理を行った積層体およびレトルト未処理の積層体について密着強度測定を行った。具体的には、JISZ1707に準じ、ガスバリア性積層体を幅15mmの短冊状とし、その端部の一部を、ガスバリア性フィルムとシーラントフィルム下記実施例の場合、未延伸ポリプロピレンフィルムとに剥離し、剥離試験機により100mm/分の速度でT型剥離を行った。密着強度値を次に示す基準で判定した。なお、密着強度の値が大きいほど、基材フィルムと無機膜との密着性が良い。A:500g/15mm以上B:300g/15mm以上、500g/15mm未満C:300g/15mm未満<基材フィルム表面の粗さRMS原子間力顕微鏡AFMとして、DigitalInstruments製NanoScopeIIIaを使用し、タッピングモードで、実施例及び比較例で原子状水素処理した基材フィルムおよび、未処理の基材フィルムの表面粗さを5μm×5μmの面積を測定したAFM凹凸像について、フラット処理を行った後、粗さ解析を行って、RMS自乗平均平方根粗さを求めた。この際、測定に用いるカンチレバーは、ナノワールド製の磨耗や汚れのない状態のものを用いた。<無機膜の組成分析X線光電子分光装置を使用して、無機膜について、結合エネルギーを測定し、Si2p、C1s、O1s、N1sに対応するピークの面積から換算する事によって、元素組成を算出した。また。そのSi、O、Nの元素組成から元素比率x=O/Si、y=N/Siを算出した。<使用材料>基材フィルム:厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルムCat-CVD材料ガス:ヘキサメチルジシラザン、酸素、水素、アンモニア実施例1図1に示された触媒化学気相成長CatCVD装置において、厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルムと加熱触媒体の距離を50mm、無機膜形成前のPETフィルムの温度を60°C、加熱触媒体の材質をφ0.5×1250mmのタングステンとし、成膜室内に水素ガスのみを供給した状態で、加熱触媒体を1800°Cまで昇温し5分間保持し、PETフィルムの表面を原子状水素処理した。得られた該表面処理PETフィルムの表面粗さを測定した。結果を表1に示す。次に、材料ガスであるヘキサメチルジシラザン、ヘリウム希釈酸素、水素、アンモニア以下、NH3を加熱触媒体上部に設置されたガス導入口から成膜室内に供給し、上記の原子状水素により表面処理されたPETフィルムの片側表面に、約100nmの酸窒化珪素膜SiOxNy、x=1.2、y=0.2を形成し、得られたガスバリア性フィルムを試料とした。なお、材料ガスの混合比は容積比でHMDS:He希釈O2:H2:NH3=1:70:130:90であり、成膜ガス圧は100Paとした。該試料を用いて、密着強度及び水蒸気透過度測定を実施した。結果を表1に示す。実施例2実施例1にて、水素ガスのみを供給した状態で、加熱触媒体を1800°Cまで昇温し、10分間保持した以外は、同様の方法で原子状水素により表面処理されたPETフィルムを得た。得られた該表面処理PETフィルムの表面粗さを測定した。結果を表1に示す。次に、上記表面処理PETフィルムを用いて実施例1と同様にして、試料を得た。得られた試料を用いて密着強度及び水蒸気透過度測定を実施した。結果を表1に示す。比較例1PETフィルム表面の原子状水素処理を行わないこと以外は、実施例1と同様の方法で試料を得た。また実施例1と同様にPETフィルムの表面粗さ、試料の密着強度及び水蒸気透過度測定を実施した。結果を表1に示す。比較例2材料ガスの混合比をHMDS:He希釈O2:H2:NH3=1:0:130:90とした以外は、比較例1と同様の方法で試料を得た。また実施例1と同様にPETフィルムの表面粗さ、試料の密着強度及び水蒸気透過度測定を実施した。結果を表1に示す。比較例3実施例1にて、材料ガスの混合比をHMDS:He希釈O2:H2:NH3=1:0:130:90とした以外は、同様の方法で試料を得た。また実施例1と同様に表面処理PETフィルムの表面粗さ、試料の密着強度及び水蒸気透過度測定を実施した。結果を表1に示す。比較例4実施例2にて、材料ガスの混合比をHMDS:He希釈O2:H2:NH3=1:0:130:90とした以外は、同様の方法で試料を得た。また実施例1と同様に表面処理PETフィルムの表面粗さ、試料の密着強度及び水蒸気透過度測定を実施した。結果を表1に示す。上記表1より明らかなように、本発明のガスバリア性フィルムは、原子状水素処理を行わなかったフィルムと比較して密着強度がレトルト処理前も後も高く、無機膜と基材フィルムとの密着性が良好であった。また無機膜として酸窒化珪素膜が形成されているため、基材フィルムの表面粗さが大きくなっても低い水蒸気透過度を示し、無機膜と基材フィルムの密着性とガスバリア性の両立が可能であった。これに対し、酸素ガスを用いないで形成された窒化珪素膜を有するガスバリア性フィルムは基材フィルムの原子状水素処理時間の増加、すなわち基材フィルムの表面粗さRMSが大きくなるに従って、水蒸気透過度が大きくなっている。本発明のガスバリア性フィルムが、基材フィルムの表面粗さが大きくなっても低い水蒸気透過度を維持する一因としては、酸窒化珪素膜の場合は無機膜に酸素が存在するために、窒化珪素膜に比べて無機膜が柔軟性に富んでいることが考えられる。"