導体の表面に電気絶縁材料層を塗布するための方法であって、前記導体の前記表面を準備するステップ;及び前記導体の前記表面上に雲母粒子をコールドスプレーするステップ;を含む方法。複数の雲母粒子をコールドスプレーするステップが、加圧ガスと前記複数の雲母粒子との混合物を混ぜ合わせるステップ;前記加圧ガスの温度を選択的に変更するステップ;前記導体の前記表面の方向に向けて前記雲母粒子を加速させるステップ;及び前記加速された雲母粒子により前記導体の前記表面に衝撃を与えるステップ;を含む、請求項1に記載の方法。前記コールドスプレーが、それぞれ、最大しきい値未満の、前記複数の雲母粒子の少なくとも1つのスプレーパラメータに基づいて行なわれ、前記導体表面に損傷を与えることなく前記導体表面に前記複数の雲母粒子を付着させる、請求項1に記載の方法。前記コールドスプレーが、最大速度しきい値未満である前記複数の雲母粒子のスプレー速度パラメータと、最高温度しきい値未満である前記複数の雲母粒子の温度パラメータとに、基づいて行なわれる、請求項3に記載の方法。前記温度を選択的に変更するステップが、前記加圧ガスを選択的に加熱するステップである、請求項2に記載の方法。前記最大速度しきい値及び前記最高温度しきい値が、前記雲母粒子のパラメータに基づいている、請求項4に記載の方法。前記雲母粒子の前記パラメータが、前記複数の雲母粒子の粒径及び前記複数の雲母粒子の粒子密度の少なくとも一方である、請求項6に記載の方法。導体の表面に電気絶縁材料層を塗布するための方法であって、ガラス繊維とエポキシ樹脂との混合物を前記導体の前記表面上にコールドスプレーするステップを含む方法。前記導体の前記表面上にスプレーされた混合物の温度を変更して、前記エポキシ樹脂を硬化させるステップを更に含む、請求項8に記載の方法。前記温度を変更するステップが、前記スプレーした混合物を加熱するステップである、請求項9に記載の方法。前記混合物の前記コールドスプレーが、前記導体の前記表面の方向に前記混合物をコールドスプレーすることを含む方法であって、前記混合物を加圧ガスと混ぜ合わせるステップ;前記加圧ガスの温度を選択的に変更するステップ;前記導体の前記表面の方向に前記混合物を加速させるステップ;及びガラス繊維とエポキシ樹脂との前記加速された混合物により前記導体の前記表面に衝撃を与えるステップ;を含む、請求項8に記載の方法。前記温度を選択的に変更するステップが、前記導体の前記表面上の前記電気絶縁材料層の所望のコーティング特性に基づき、前記加圧ガスを制御して加熱するステップを含む、請求項11に記載の方法。前記温度を選択的に変更するステップが、ヒータ及びガスジェットの一方に前記導体を通過させるステップを含む、請求項11に記載の方法。導体の表面に電気絶縁材料層を塗布するための方法であって、前記導体の前記表面を準備するステップ;及び前記導体の前記表面上に複数の窒化ホウ素BN粒子をコールドスプレーするステップ;を含む方法。前記複数の窒化ホウ素粒子の前記コールドスプレーが、加圧ガスと前記複数の窒化ホウ素粒子との混合物を混ぜ合わせるステップ;前記加圧ガスの温度を選択的に変更するステップ;前記導体の前記表面の方向に前記窒化ホウ素粒子を加速させるステップ;及び前記加速された窒化ホウ素粒子により前記導体の前記表面に衝撃を与えるステップ;を含む、請求項14に記載の方法。前記コールドスプレーが、それぞれ、最大しきい値未満の、前記複数の窒化ホウ素粒子の少なくとも1つのスプレーパラメータに基づいて行なわれ、前記導体表面に損傷を与えることなく前記導体表面に前記窒化ホウ素粒子を付着させる、請求項14に記載の方法。前記コールドスプレーが、最大速度しきい値未満の、前記複数の窒化ホウ素粒子のスプレー速度パラメータと、最高温度しきい値未満の、前記複数の窒化ホウ素粒子の温度パラメータとに、基づいて行なわれる、請求項16に記載の方法。導体表面に電気絶縁材料を塗布するための新しく有用なプロセスを開発することは有利となるはずである。導体の表面に電気絶縁材料層を塗布するための方法を提供する。この方法の一態様は、導体の表面を準備するステップ及び、その後に、導体の表面上に雲母粒子をコールドスプレーするステップを含む。この方法の別の態様は、導体の表面を準備するステップ及び、その後に、導体の表面上に窒化ホウ素BN粒子をコールドスプレーするステップを含む。ここで、本発明と合致する態様について詳細に言及するが、その例が添付図面に記載されている。可能な限り、全図面を通して使用する同じ参照番号は、同じ又は類似の部品を指す。本発明の諸態様では、コールドスプレーする又はコールドスプレーのプロセスについて検討する。このプロセスは、ターゲット表面の方向への、選択的速度及び/又は選択的温度における粒子の加速又は推進を含む。従来のシステムでは、コーティング材料の粒子が、例えば、比較的硬くて損傷を受けることなく高速及び高温の加速粒子に耐えることができるターゲット金属表面へ向けて、比較的高速で比較的高温で加速される。本発明の諸態様によれば、複数の非金属粒子を、金属基板又は速度しきい値及び温度しきい値を下回る選択的速度及び選択的温度において、比較的軟らかい、低温特性を有する非金属基板に向かって、加速させる。これらの基板は、室温において表面が比較的軟らかいことを特徴とし、例えば可鍛性なので、粒子衝突は一般的に非弾性で、従って、粒子が、表面で逸れずに、表面に付着することが可能となる。非金属粒子が、速度しきい値及び温度しきい値を超える速度でターゲット表面にコールドスプレーされた場合には、非金属粒子は、ターゲット基板表面に付着せず、ターゲット基板表面に損傷を与え又はターゲット基板表面を貫通することがある。例えば、図1に示す本発明の態様により、導体又は金属基板の表面に向けて非金属粒子を加速して導体の表面上に電気絶縁層を形成する際に使用するコールドスプレープロセスが、記述されている。別の例においては、図5に示す本発明の態様により、非金属基板の表面に向けて非金属粒子を加速して基板の性能特性を向上させる際に使用するコールドスプレープロセスが記述されている。上述のように、本発明の諸態様において使用する金属基板及び非金属基板は、比較的軟らかい低温特性即ち、粒子衝突が非弾性となるように、室温で比較的軟らかい表面を有する。例示的な一態様においては、以下に説明するように、温度しきい値及び速度しきい値を下回る温度及び速度において、基板に非金属粒子をスプレーすることによって、様々な種類の非金属粒子を使用することができ、非金属粒子は、非弾性衝突により、基板に付着する。しかしながら、本発明の諸態様において説明するコールドスプレープロセスは、温度しきい値及び速度しきい値のそれぞれを下回る温度及び速度パラメータに限定されない。図1は、金属基板又は導体16の表面14に電気絶縁材料層12を塗布するためのシステム10の例示的な一態様を示す。本発明の諸態様では、例えば、銅等の任意の金属基板又は導体を利用することができる。更に、本発明の諸態様では導体16の表面14に塗布される層12について説明するが、発電機における巻線のような、隣接する導体のそれぞれの表面に、複数の層を塗布して隣接する導体間に電気的絶縁性を提供することができる。例示的な一態様において、導体16は、図1に示すように、例えば、発電機回転子巻線において並列配置に積層される平行な矩形導体のような、矩形であってもよい。システム10は、高圧ガス供給部20を備え、この高圧ガス供給部20は、選択的圧力で、例えば、ヘリウム等の高圧ガスを貯蔵する。システム10は、更に、ガスヒータ22を備え、このガスヒータ22は、高圧ガス供給部20に接続されていて、高圧ガス供給部20からの高圧ガスを受け取り、その高圧ガスの温度を選択的に変化させる。例示的な一態様においては、ガスヒータ22は、ガスを加熱しないか又は比較的少ししかガスを加熱しない。更に、システム10は、高圧ガス供給部20に接続されている粉末供給部24を備え、この粉末供給部24は、選択的な粒子体積及び/又は粒子径を有する、雲母や窒化ホウ素BN粒子等の、非金属粒子28を収容する。これまでは、例えば、粒径が5~10ミクロンの範囲に及ぶ雲母及びBN粒子は、絶縁用途では適用されていなかった。本発明の諸態様によれば、今や、向上した絶縁特性が望まれる場合に、適切な堆積プロセス、例えば、コールドスプレープロセス、により、これらの材料を好都合に塗布して、金属表面又は絶縁表面上に層を形成することができる。コールドスプレープロセスにより、様々な形状例えば、円形及び矩形の配線を始めとする、不均一な表面及び幾多の幾何学的形状に沿って堆積させることができる。ガス供給部20、ガスヒータ22及び粉末供給部24は、共同して、選択的な体積及び粒径を有する非金属粒子28を、スプレーノズル30を有するガン26に送る。次に、スプレーノズル30は、選択的スプレー温度34図4において選択的スプレー速度32図4により、導体16の表面14の方向に向かって、非金属粒子28を推進する。雲母粒子等の非金属粒子28は、例えば、ガスヒータ22からガン26へと送られている圧縮ガス及び粉末供給部24からガン26へと送られている非金属粒子28に基づき、選択的スプレー速度32で選択的スプレー温度34において、ノズル30から押し出される。非金属粒子28は、導体16の表面14に向かって加速され、表面14と衝突すると、変形し、又は基板の中へと埋め込まれ繊維系材料の場合、コーティング12を形成する。本発明の諸態様においてコールドスプレープロセスを使用する1つの利点は、非金属粒子28が接着剤を必要とせずに表面14に付着することになるため、表面14を覆う接着剤が必要ないことである。しかしながら、本発明の例示的な一態様においては、例えば、接着剤を非金属粒子28と混合してもよく、また、この混合物を一段階で表面14に向けてコールドスプレーしてもよい。ガス供給部20、ガスヒータ22及び粉末供給部24には、コントローラ36が接続され、このコントローラ36は、導体16の表面14に向かって推進されている非金属粒子28のスプレー速度及びスプレー温度を決定するように、構成されている。本発明の例示的な態様においては、コントローラ36は、ガスの圧力や温度等の変数を制御することになる。しかしながら、混合中の非金属粒子28の粒径及び体積は、非金属粒子28が粉末供給部24に入る前に決定/選択される。非金属粒子28の粒径/体積は、必要とされる要件を満たすよう、特定のコーティングプロセスの認定段階中に、決定される。図4の例示的な態様に示すように、コントローラ36は、ガス圧力及び/又はスプレー温度34を監視し、一方、ガンは、導体16の表面14に非金属粒子28を推進し、スプレー速度32を所定の速度限界内に保持し及び/又は選択的スプレー温度34を所定の最高温度しきい値35未満に制限する。コントローラ36により、スプレー速度32及び/又はスプレー温度34がそれぞれの速度しきい値33及び/又は温度しきい値35未満に制限されるならば、導体16の表面14に向かって推進されている非金属粒子28及び/又は導体16自体に、様々な材料を利用することができる。更に、スプレー速度32及び/又はスプレー温度34をそれぞれの速度しきい値33及び/又は温度しきい値35未満に限定することによって、導体16の表面14から滑り落ちることなく及び/又は導体16の表面14に損傷を与えることなく、導体16の表面14に非金属粒子28を付着させることができる。コントローラ36は、ガスの圧力を変化させることにより、スプレー速度32を変化させる。例示的な態様においては、例えば、雲母粉末、窒化ホウ素、炭化タングステン、炭素粉末、有機高分子、粉末状エポキシ樹脂等のスプレー材料を使用することができるが、これらに限定されない。追加の例示的な態様においては、スプレー温度しきい値35は、例えば、有機高分子又はエポキシ樹脂をスプレーするためには-40°C~120°Cの範囲内でよい。この温度範囲を超える温度で有機高分子又はエポキシ樹脂をスプレーした場合には、導体16の表面14が損傷を受け及び/又は焼き付くことになるため、-40°C~120°Cの例示的な温度範囲を選択する。図1に示すシステム10の例示的な態様に基づき、導体16の表面14上に様々なコーティング12をコールドスプレーすることができる。図2は、コーティング12の例示的な態様を示す。例えば、接着性であり絶縁性である粒子例えば、雲母の混合物を、導体16の表面14上にコールドスプレーして、導体16の表面14に対する電気絶縁層12を形成することができる。非金属粒子28の混合物をコールドスプレーするスプレー速度及び/又はスプレー温度は、それぞれの最大速度しきい値33及び/又は最高温度しきい値35を超えることがないように、コントローラ36によって監視することができ、これにより、非金属粒子28が導体16の表面14に付着するようにし、非金属粒子28が導体16の表面14を貫通し及び/又は導体16の表面14に損傷を与えることを防止するようにする。コントローラ36は、非金属粒子28の所定の粒子体積及び/又は所定の粒径に基づき、ガス圧力を制御することにより速度しきい値33及び/又は温度しきい値35を制御する。コントローラ36は、導体16に対する最小厚さ等の、コーティング12の1つ又はそれ以上の所望のコーティング特性に基づき、速度しきい値33及び温度しきい値35を選択的に決定するように構成される。例示的な一態様においては、コーティング12の絶縁特性は、コーティング12の厚さ及びコーティング12の均一性に依存する。上記態様では雲母粒子について説明しているが、例えば窒化ホウ素BN粒子等の様々な粒子を、導体16の表面14上にコールドスプレーすることができる。図1の本発明の態様では、導体14の表面12即ち、一つの面にコールドスプレーするためのプロセスが示されているが、導体14の向きを単純に反転させることによって、導体14の、裏面40図1を含めた、複数の面上に絶縁材料をコールドスプレーするために、本発明を利用することができる。更に、高圧ガス供給部20、ガスヒータ22及び粉末24を、コントローラ36を用いて、選択的に調整して、導体14の前面に塗布されるコーティング12と比較して導体14の裏面40に塗布されるコーティングが異なる特性を有するようにすることができる。例えば、導体14の別個の面を、様々な電気的若しくは熱的条件に曝し及び/又は隣接する導体から様々な間隔を有するようにし、それにより、それぞれのコーティングを、その配置に適応するように、システム10を用いて、個々に仕上げることができる。図3は、図2の態様に示すコーティング12とは異なる、コーティング12’の例示的な一態様を示す。図3の例示的態様においては、ガラス繊維とエポキシ樹脂粒子との混合物42’が、図1のシステム10を用いて導体16’の表面14’上にコールドスプレーされる。ガラス繊維とエポキシ樹脂粒子との混合物は、協働して導体表面14’に粒子を付着させる。ガラス繊維とエポキシ樹脂粒子との混合物42’を導体16’の表面14’上にコールドスプレーした後、混合物42’を加熱して昇温して、コーティング12’内のエポキシ樹脂成分を硬化させる。例示的な一態様においては、そのような加熱は、例えば、誘導加熱、放射加熱、オーブン中の導体通過等の、多数の方法を用いて行なう。以下で説明する、図5~図8に示した本発明の態様は、非金属基板の様々な特性を向上させるために、導体の表面ではなく非金属基板を材料のコールドスプレーの対象としたことを除いて、上述した、図1~図4に示した本発明の態様と類似している。図5は、図1に示した上述のシステム10と類似のシステム110の例示的な一態様を示す。システム110を利用して、非金属基板116の表面に、例えば、非金属基板の絶縁特性を向上させるための絶縁材料等の、材料層112を塗布して、非金属基板116の性能特性を向上させる。システム110は、例えば、ヘリウム等の高圧ガスを選択的圧力で貯蔵する高圧ガス供給部120を備える。システム110は、更に、ガスヒータ122を備え、このガスヒータ122は、高圧ガス供給部120からの高圧ガスを受け取り、高圧ガスの温度を選択的に変化させるように、接続されている。更に、システム110は、高圧ガス供給部120に接続されている粉末供給部124を備え、この粉末供給部124は、選択的な粒子体積及び/又は粒径を有する、例えば、雲母、窒化バリウムBN及び/又はバインダ樹脂粒子等の、非金属粒子128を収容する。ガス供給部120、ガスヒータ122及び粉末供給部124は集合して、選択的な体積及び粒径を有する非金属粒子128を、スプレーノズル130を有するガン126に送る。スプレーノズル130は、次に、選択的スプレー温度134図8において、選択的圧力により選択的スプレー速度132図8で、非金属基板116の方向に向けて非金属粒子128を推進する。雲母粒子等の非金属粒子128は、例えば、ガスヒータ122からガン126へと送られている圧縮ガス及び粉末供給部124からガン126へと送られている非金属粒子128に基づき、選択的スプレー速度132で選択的スプレー温度134において、ノズル130から押し出される。非金属粒子128は、非金属基板116に向かって加速され、非金属基板116と衝突すると、変形し、結合し又は非金属基板116へと埋め込まれて、層112を形成する。システム110は、更に、ガスヒータ122、粉末供給部124、ガン126及び高圧ガス供給部120に接続されているコントローラ136を備える。コントローラ136は、非金属粒子128の所定の容積及び粉末供給部124内における非金属粒子128の所定の密度の1つ以上に基づき、スプレー速度132を監視するためにガス圧力を監視するように、そして、スプレー温度134を監視するように、構成されている。非金属粒子128の特定の粒径及び混合物が粉末供給部124へと充填される。例示的な一態様においては、コントローラ136により、ガス圧力を変化させることによって選択的スプレー速度132が、所定の最大速度しきい値133図8未満に制限され、また、選択的スプレー温度134が、所定の最高温度しきい値135図8未満に制限される。しかしながら、代替の一態様においては、コントローラは、単に、スプレー速度及びスプレー温度のいずれかを、その最大しきい値に制限することもできる。例示的な一態様において、スプレー温度しきい値135は、非金属基板上スプレーについては、100°C未満でよい。例えばガラス布等のガラス裏打ち材114が、通常、非金属基板116の表面を覆う。ガラス布は、織布でよく、コールドスプレー以外の手段によって、基板116に塗布される。図5の例示的な一態様に示すように、ガラス裏打ち材114は非金属基板116に塗布される。非金属基板116にガラス裏打ち材114を塗布する際に、非金属基板116の、例えば電気絶縁性等の、性能特性を向上させるために、システム110を作動させて、雲母粒子等の非金属粒子128が、ノズル130を通してガラス裏打ち材表面114上にコールドスプレーされるようにすることができる。非金属基板に材料が塗布される例示的な一態様においては、非金属基板の密度及び含浸により、向上させようとするコーティング112の特性が制御されることになる。上述の図1~図4における本発明の態様についてと同様に、雲母粒子等の非金属粒子128のコールドスプレープロセスは、加圧ガスと非金属粒子128との混合物を結合するステップ、高圧ガスの温度を選択的に変更するステップ及びガラス裏打ち材114の表面の方向に向けて混合物を加速させるステップを含む。図6に示すように、加速された、雲母粒子等の、非金属粒子128は、ガラス裏打ち材114の表面に衝突する。上述したように、コールドスプレープロセス中、雲母粒子等の非金属粒子128の速度及び/又は温度等のスプレーパラメータを、それぞれ、速度しきい値及び温度しきい値133、135未満となるように、コントローラ136によって調整することができる。ガラス裏打ち材114の表面上の又は基板116内に埋め込まれた加速非金属粒子128の種類に基づき、非金属基板116の、例えば、高圧絶縁性、熱伝導性及び/又は電気伝導性等の、様々な性能特性を向上させることができる。例示的な一態様においては、非金属基板上に窒化ホウ素粒子をスプレーして、基板に損傷を与えることなく、基板に貫通させ、均一に分布させることができる。例示的な一態様においては、非金属基板116のガラス裏打ち材114の表面に向けて非金属粒子128を加速させる上述のコールドスプレープロセスは、電気絶縁特性等の非金属基板116のパラメータを向上させるために、複数の製造ライン間でガラス裏打ち材114を輸送する必要がないように、単一の製造ライン上で実施されるコールドスプレープロセスの個々のステップを含む。図7に示す本発明の別の例示的な態様においては、導電材料と雲母粒子等の粒子との混合物142’を、上述のシステムを用いてガラス裏打ち材114’の表面上にコールドスプレーすることができる。そのような導電材料の例として、例えば、炭素及び炭化タングステンが挙げられる。例えば、ガラス裏打ち材114’の電気伝導度を向上させるためにコールドスプレーを行なうことができる。更に、ガラス裏打ち材114’の電気伝導度を向上させるために十分な混合物を得るために、ガラス裏打ち材114’の表面上にコールドスプレーするときに、半電導性材料を粒子と混合してもよい。例示的な一態様においては、導電性テープを形成することができる。その場合、上述のように混合物142’を一回のステップにおいてまとめてスプレーするのではなく、導電材料及び非金属粒子が、個々に、ガラス裏打ち材114’の表面上に、別々のスプレーステップにおいて、スプレーされる。更なる例示的な一態様においては、ガラス裏打ち材114’等の第1の絶縁材料層を形成し;上述の混合物142’等のような、絶縁材料と導電材料との混合物を含む、遷移層としての、第2の層を第1の層の上に形成し;そして、例えば炭素及び/又は炭化タングステン等の導電材料を含む第3の層を第2の層の上に形成して、第1の層と第2の層との間に強化された物理的結合を形成することによって、導電性テープを形成することができる。しかしながら、そのような導電性テープの第1の絶縁層は、ガラス裏打ち材114’に限定されない。第1の絶縁層は、任意の可撓性裏打ち材でよく、例えば、ロール状に保存するための又は表面に巻きつけるための弾性及び可塑性を有する、例えば、ガラスの織布層、繊維で形成される層、高分子裏打ち材などでよい。本発明の様々な態様を本明細書中で示して説明してきたが、そのような諸態様が単なる例示として提供されていることは明らかであろう。本発明から逸脱することなく数多くの変形、変更及び置換を行なうことができる。従って、本発明は、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲によってのみ、限定されるものである。