表面の法線方向から見たときの2次元的な大きさが10nm以上500nm未満の複数の凹部を有する、反転されたモスアイ構造を表面に有する型の製造方法であって、a基材と、前記基材の上に形成された無機下地層と、前記無機下地層の上に形成された緩衝層と、前記緩衝層の上に形成されたアルミニウム層とを有する型基材を用意する工程と、b前記アルミニウム層を部分的に陽極酸化することによって、複数の微細な凹部を規定するポーラス層、および、前記複数の微細な凹部のそれぞれの底部に設けられたバリア層を有するポーラスアルミナ層を形成する工程と、c前記工程bの後に、前記ポーラスアルミナ層をエッチング液に接触させることによってエッチングを行い、前記ポーラスアルミナ層の前記複数の微細な凹部を拡大させる工程とを包含し、前記工程cにおいて、前記エッチングは、前記複数の微細な凹部の平均深さが前記エッチングを行う前の前記バリア層の平均厚さの1/7を超えて増加しないように行われる、型の製造方法。前記工程cにおいて前記エッチングを行う前の前記バリア層の平均厚さは5nm以上250nm以下である、請求項1に記載の型の製造方法。前記工程cにおいて前記エッチングを行う前の前記バリア層の平均厚さは5nm以上180nm以下である、請求項2に記載の型の製造方法。前記工程cにおいて前記エッチングを行う前の前記バリア層の平均厚さは85nm以上95nm以下である、請求項3に記載の型の製造方法。前記工程cにおける前記平均深さの増加量は5nm以上12nm以下である、請求項4に記載の型の製造方法。d前記工程cの後に、さらに陽極酸化することによって、前記複数の微細な凹部を成長させる工程をさらに包含する、請求項1から5のいずれかに記載の型の製造方法。前記工程cにおいて前記エッチング液として燐酸水溶液を用いる、請求項1から6のいずれかに記載の型の製造方法。前記工程aにおいて前記緩衝層は酸化アルミニウム層を含む、請求項1から7のいずれかに記載の型の製造方法。前記酸化アルミニウム層は、酸素雰囲気下でアルミニウムをスパッタリングすることによって形成される、請求項8に記載の型の製造方法。請求項1から9のいずれかに記載の製造方法により製造された型であって、前記ポーラスアルミナ層が前記反転されたモスアイ構造を表面に有する、型。請求項10に記載の型を用いて作製された反射防止膜であって、モスアイ構造の設けられた表面を有する、反射防止膜。アルミニウムのバルク材を用いてモスアイ用型を作製する場合、十分な剛性を有するバルク材には不純物が添加されているため、このようなバルク材に陽極酸化およびエッチングを行うと、バルク材の表面に形成されるポーラスアルミナ層内に、細孔直径数百nm程度だけでなく細孔と比べて大きなピット例えば直径1μm程度が形成されることがある。また、基材上にアルミニウム層を直接形成してモスアイ用型を作製する場合、アルミニウム層は基材から容易に剥がれてしまうことがある。基材とアルミニウム層との間に無機下地層および緩衝層を設けることにより、基材とアルミニウム層との接着性を向上させることができるが、本願発明者は、このような無機下地層および緩衝層を設けることにより、形成されるポーラスアルミナ層に欠陥を生じ、また、その欠陥によってアルミニウム層の接着性が低下することがあることを見出した。本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その主な目的は、接着性の低下を抑制した型の製造方法を提供することにある。本発明による型の製造方法は、表面の法線方向から見たときの2次元的な大きさが10nm以上500nm未満の複数の凹部を有する、反転されたモスアイ構造を表面に有する型の製造方法であって、a基材と、前記基材の上に形成された無機下地層と、前記無機下地層の上に形成された緩衝層と、前記緩衝層の上に形成されたアルミニウム層とを有する型基材を用意する工程と、b前記アルミニウム層を部分的に陽極酸化することによって、複数の微細な凹部を規定するポーラス層、および、前記複数の微細な凹部のそれぞれの底部に設けられたバリア層を有するポーラスアルミナ層を形成する工程と、c前記工程bの後に、前記ポーラスアルミナ層をエッチング液に接触させることによってエッチングを行い、前記ポーラスアルミナ層の前記複数の微細な凹部を拡大させる工程とを包含し、前記工程cにおいて、前記エッチングは、前記複数の微細な凹部の平均深さが前記エッチングを行う前の前記バリア層の平均厚さの1/7を超えて増加しないように行われる。ある実施形態では、前記工程cにおいて前記エッチングを行う前の前記バリア層の平均厚さは5nm以上250nm以下である。ある実施形態では、前記工程cにおいて前記エッチングを行う前の前記バリア層の平均厚さは5nm以上180nm以下である。ある実施形態では、前記工程cにおいて前記エッチングを行う前の前記バリア層の平均厚さは85nm以上95nm以下である。ある実施形態では、前記工程cにおける前記平均深さの増加量は5nm以上12nm以下である。ある実施形態において、前記製造方法は、d前記工程cの後に、さらに陽極酸化することによって、前記複数の微細な凹部を成長させる工程をさらに包含する。ある実施形態では、前記工程cにおいて前記エッチング液として燐酸水溶液を用いる。ある実施形態では、前記工程aにおいて前記緩衝層は酸化アルミニウム層を含む。ある実施形態において、前記酸化アルミニウム層は、酸素雰囲気下でアルミニウムをスパッタリングすることによって形成される。本発明による型は、上記のいずれかに記載の製造方法により製造された型であって、前記ポーラスアルミナ層が前記反転されたモスアイ構造を表面に有する。本発明による反射防止膜は、上記に記載の型を用いて作製された反射防止膜であって、モスアイ構造の設けられた表面を有する。本発明によれば、アルミニウム層の接着性の低下を抑制することができる。以下、図面を参照して、本発明によるモスアイ用型およびその製造方法の実施形態を説明する。以下、図1を参照して、本実施形態のモスアイ用型の製造方法を説明する。まず、図1aに示すように、型基材10を用意する。型基材10は、基材12と、基材12の上に形成された無機下地層14と、無機下地層14の上に形成された緩衝層16と、緩衝層16の上に形成されたアルミニウム層18とを有する。例えば、基材12は有機絶縁材料から形成されていてもよい。あるいは、基材12は、金属等から形成された支持体表面に、有機絶縁材料から形成された有機絶縁層を有してもよい。支持体は、薄板状であってもよく、また、円筒状であってもよい。有機絶縁材料としては、例えば、樹脂を用いることができる。このように、基材12の表面が有機絶縁材料から形成されている場合には、その表面にプラズマアッシングを行うことが好ましい。プラズマアッシングを行うことにより、アルミニウム層18の密着性を向上させることができる。あるいは、基材12はガラス基材であってもよい。例えば、基材12は、ポリエチレンテレフタレートPolyethyleneTerephathalate:PET、または、トリアセチルセルロースTriacetylCellulose:TACから形成されてもよい。あるいは、例えば、支持体の外周面上に、硬化性樹脂を付与することによって硬化性樹脂層を形成し、その後、硬化性樹脂を硬化させることによって、支持体の外周面上に有機絶縁層を形成し、これにより、基材12を形成してもよい。この場合、有機絶縁層の厚さを7μm以上とすることにより、絶縁性を確保することができる。硬化性樹脂層は電着材料または吹き付け塗装材料から形成されてもよい。硬化性樹脂層は、例えば、電着法で形成することができる。電着法としては、例えば、公知の電着塗装方法が用いられる。例えば、まず、支持体例えば、ステンレス鋼を洗浄し、次に、支持体を、電着樹脂を含む電着液が貯留された電着槽に浸漬する。電着槽には、電極が設置されている。例えば、カチオン電着によって硬化性樹脂層を形成する場合、支持体を陰極とし、電着槽内に設置された電極を陽極として、支持体と陽極との間に電流を流し、支持体の外周面上に電着樹脂を析出させることによって、硬化性樹脂層を形成する。また、アニオン電着によって硬化性樹脂層を形成する場合、支持体を陽極とし、電着槽内に設置された電極を陰極として電流を流すことにより硬化性樹脂層を形成する。その後、洗浄工程、焼付工程等を行うことにより、有機絶縁層が形成される。電着樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、またはこれらの混合物を用いることができる。硬化性樹脂層を形成する方法としては、電着法以外に、例えば、吹き付け塗装を用いることができる。例えば、ウレタン系の樹脂やポリアミック酸を用いて、スプレーコート法や静電塗装法により、支持体例えば、ステンレス鋼の外周面上に硬化性樹脂層を形成することができる。ウレタン系の樹脂としては、例えば、日本ペイント株式会社製のウレトップを用いることができる。無機下地層14は、基材12の上に直接形成される。ガラス基材との接着性の観点から、無機下地層14は、無機酸化物または無機窒化物から形成されることが好ましい。無機酸化物を用いる場合、例えば酸化シリコン層または酸化チタン層が好ましく、無機窒化物を用いる場合、例えば窒化シリコン層が好ましい。また、無機酸化物層または無機窒化物層に不純物を添加することによって、熱膨張係数を整合させることが好ましい。例えば、酸化シリコン層を用いる場合には、ゲルマニウムGe、リンPまたはボロンBを添加することによって、熱膨張係数を増大させることができる。酸化シリコンに、例えば5質量のGeを添加すると、熱膨張係数は約2.8×106/°Cとなり、Geを添加しない場合の約3倍に増大する。無機下地層14の厚さは、40nm以上であることが好ましく、100nm以上であることがさらに好ましい。また、無機下地層14の厚さは、500nm以下であることが好ましく、200nm以下であることがさらに好ましい。無機下地層14の厚さが500nm超であると、無機下地層14の形成時間が不必要に長くなる。また、基材112が可撓性を有する場合には、無機下地層14の厚さが500nmを越えると、基材112を屈曲させたときに無機下地層14に割れが発生することがある。例えば、無機下地層14として厚さ50nm以上200nm以下の酸化シリコン層SiO2を用いることが好ましい。緩衝層16は、無機下地層14とアルミニウム層18との間に設けられており、無機下地層14とアルミニウム層18との間の接着性を向上させるように作用する。緩衝層16は、アルミニウムと、酸素または窒素とを含むことが好ましい。緩衝層16の厚さは、10nm以上であることが好ましく、20nm以上であることがさらに好ましく、また、緩衝層16の厚さは1000nm以下であることが好ましい。緩衝層16の厚さが10nm未満であると、無機下地層14とアルミニウム層18との間に十分な密着性が得られないことがある。また、緩衝層16の厚さが1000nm超であると、緩衝層16の形成時間が不必要に長くなるので好ましくない。例えば、緩衝層16として、厚さ10nm以上1000nm以下の酸化アルミニウム層を用いることが好ましい。例えば、酸化アルミニウム層は酸素雰囲気下でのスパッタリングによって形成される。このとき、スパッタリングのパワーが高いほど、密着性が向上する。なお、密着性の違いは、緩衝層のスパッタリングのパワーの違いによる緩衝層の膜質の違いに起因すると考えられる。なお、緩衝層16は、チタンと、酸素または窒素とを含んでもよい。緩衝層16内のアルミニウムの含有率の厚さ方向におけるプロファイルは、一定であってもよいが、段階的に変化してもよいし、連続的に変化しても良い。例えば、緩衝層16をアルミニウムと酸素とで形成する場合、酸素含有率が漸次低下する複数の酸化アルミニウム層を形成し、最上層の上にアルミニウム層18を形成する。アルミニウムと窒素とを含む緩衝層16を形成する場合も同様である。このようにプロファイルを変化させることにより、熱膨張係数などの物性値を整合させることができる。アルミニウム層18は、公知の方法例えば電子線蒸着法またはスパッタ法で形成される。例えば、アルミニウム層18は、例えば99.99質量以上の純度のアルミニウムターゲットをスパッタリングすることによって形成される。アルミニウム層18の厚さは、モスアイ用型となる表面構造を有する陽極酸化アルミニウム層を得るために500nm以上であることが好ましく、生産性の観点から3000nm以下であることが好ましい。例えば、アルミニウム層18の厚さは1000nm1μmである。アルミニウム層18は、一度に堆積するよりも複数回に分けて堆積する方が好ましい。すなわち、所望の厚さ例えば1μmまで連続して堆積するよりも、ある厚さまで堆積した段階で中断し、所定の時間が経過した後例えば、5分経過後に、堆積を再開するという工程を繰り返し、所望の厚さのアルミニウム層18を得ることが好ましい。例えば、厚さが50nmのアルミニウム層を堆積するたびに中断し、それぞれの厚さが50nmの20層のアルミニウム層で、厚さが約1μmのアルミニウム層18を得ることが好ましい。このように、アルミニウムの堆積を複数回に分けることによって、最終的に得られるアルミニウム層18の品質例えば、耐薬品性や接着性を向上させることができる。アルミニウムを連続的に堆積すると、基材アルミニウム層が堆積される表面を有するものを指すの温度が上昇し、その結果、アルミニウム層18内に熱応力の分布が生じ、膜の品質を低下させるためと考えられる。なお、アルミニウム層18を均一に陽極酸化するために下地に導電層好ましくはバルブ金属層を設けてもよい。このような導電層は、無機下地層14と緩衝層16との間、または、緩衝層16とアルミニウム層18との間に設けることが好ましい。導電層の材料は、電蝕が生じないように、チタンやマグネシウムなどのアルミニウムとの標準電極電位の差が小さいものが好ましい。また、チタンは密着性を向上させる効果があることも知られている。次に、図1bに示すように、アルミニウム層18を部分的に表面部分を所定の条件で陽極酸化することによって、細孔微細な凹部19pを規定するポーラス層19aと、細孔19pの底部に設けられたバリア層19bとを有するポーラスアルミナ層19を形成する。なお、細孔の平均隣接間距離Dintは、細孔壁の平均厚さ2Lと細孔の平均孔径Dpとの和で表される。なお、細孔壁の厚さはバリア層の厚さLと等しいので、2つの細孔を隔てる細孔壁全体の平均厚さを2Lで表している。陽極酸化の条件例えば化成電圧、電解液の種類、濃度、さらには陽極酸化時間などによって、細孔19pの生成密度、孔径および深さなどを制御することが出来る。また化成電圧の大きさを制御することによって、細孔19pの配列の規則性を制御することができる。電解液として、例えば、蓚酸、酒石酸、燐酸、クロム酸、クエン酸、リンゴ酸からなる群から選択される酸を含む酸性水溶液が用いられる。なお、電解液として蓚酸水溶液が好適に用いられる。蓚酸水溶液を用いることにより、硬質なポーラスアルミナ層を好適に形成することでき、このようなポーラスアルミナ層を備えるモスアイ用型は、スタンパとして用いても高い耐久性を示す。例えば、蓚酸水溶液の温度は5°C以上30°C以下であり、蓚酸水溶液の濃度は0.1質量以上2質量以下である。蓚酸水溶液の濃度が0.1質量よりも低いと、基板表面に対して細孔の伸びる方向が垂直にならない。また、蓚酸水溶液の濃度が2質量よりも大きいと、化成電圧が所定の値に達する前に陽極酸化が開始してしまい、所望の形状の細孔を形成できないことがある。陽極酸化後のバリア層19bの平均厚さは、例えば、5nm以上250nm以下である。バリア層19bの平均厚さを250nm以下とすることにより、細孔19pの平均隣接間距離Dintを500nm以下にすることができ、結果として、型基材10から作製されたモスアイ用型100図1e参照を用いて形成されたモスアイ構造の反射率を低減させることができる。また、平均厚さ5nm未満のバリア層を均一に形成することは困難であるため、バリア層19bの平均厚さは5nm以上であることが好ましい。なお、必要に応じて、最初に形成されたポーラスアルミナ層19を除去してもよい。最初に生成するポーラスアルミナ層19は、不純物等の影響で、欠陥を多く含むことがある。最初に形成し、除去するポーラスアルミナ層19の厚さは、再現性の観点から200nm以上であることが好ましく、生産性の観点から2000nm以下であることが好ましい。もちろん必要に応じて、最初に形成したポーラスアルミナ層19を部分的に例えば表面からある深さまで除去しても良い。ポーラスアルミナ層19の除去は、例えば、燐酸水溶液やクロム燐酸混合液に所定時間浸漬させて除去するなど公知の方法で行うことができる。次に、図1cに示すように、細孔19pを有するポーラスアルミナ層19をアルミナのエッチング液に接触させることによって所定の量だけエッチングすることにより細孔19pの孔径を拡大する。ここでウェットエッチングを行うことによって細孔をほぼ等方的に拡大することができる。エッチング液の種類濃度、およびエッチング時間を調整することによって、エッチング量すなわち、細孔19pの大きさおよび深さを制御することが出来る。エッチング液としては、例えば10質量の燐酸や、蟻酸、酢酸、クエン酸などの有機酸の水溶液やクロム燐酸混合水溶液を用いることができる。または、エッチング液として、例えば、硫酸、塩酸、蓚酸などの酸性水溶液または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液等を用いてもよい。例えば、エッチング液として燐酸水溶液が好適に用いられる。燐酸水溶液は、安価で危険性が低いだけでなく、エッチングレートを比較的容易に制御できる。例えば、燐酸水溶液の温度は10°C以上50°C以下であり、燐酸水溶液の濃度は0.1M以上10M以下である。エッチングを行うことによってバリア層19bの厚さは減少する。なお、詳細は後述するが、本実施形態において、エッチングは、複数の細孔微細な凹部19の平均深さがエッチング前のバリア層19bの平均厚さの1/7を超えて増加しないように行われる。例えば、エッチング前のバリア層19bの平均厚さが約90nmである場合、エッチングは、細孔19pの平均深さが12nmを超えて増加しないように行われる。なお、陽極酸化およびエッチングを繰り返し行ってもよい。例えば、図1dに示すように、再び、アルミニウム層18を部分的に陽極酸化することにより、ポーラスアルミナ層19の厚さを拡大することができる。このとき、細孔19pの深さが増加するとともにバリア層19bが厚くなる。例えば、この陽極酸化を所定の期間行うと、バリア層19bは1回目の陽極酸化後と同様の厚さまで厚くなる。なお、細孔19pの成長は、既に形成されている細孔19pの底部から始まるので、細孔19pの側面は階段状になる。さらにこの後、必要に応じて、図1eに示すように、ポーラスアルミナ層19をアルミナのエッチング液に接触させてさらにエッチングすることにより細孔19pをさらに拡大する。エッチング液としては、ここでも上述したエッチング液を用いることが好ましく、現実的には、同じエッチング浴を用いればよい。なお、ここでも、エッチングは、細孔19pの平均深さがエッチング前のバリア層19bの平均厚さの1/7を超えて増加しないように行われる。このように、上述した陽極酸化工程図1bおよびエッチング工程図1cを交互に繰り返すことによって、所望の凹凸形状を有する細孔微細な凹部19pを有するポーラスアルミナ層19が得られる。陽極酸化工程およびエッチング工程のそれぞれの工程の条件を適宜設定することによって、細孔19pの生成密度、孔径および深さと共に、細孔19pの側面の階段形状を制御することが出来る。また、隣接する細孔19pが連続するまで細孔19pの孔径は拡大されてもよい。この場合、細孔19pの平均孔径Dpは細孔19pの平均隣接間距離Dintとほぼ等しくなる。なお、細孔19pの底部を小さくするためには、陽極酸化工程で終えるその後のエッチング工程を行わないことが好ましい。得られたモスアイ用型100を用いて形成されるモスアイ構造の凸部の先端を小さくすることができるので、反射防止効果を高めることができる。モスアイ用型100を表面の法線方向から見たときに、複数の微細な凹部細孔19pの2次元的な大きさは10nm以上500nm未満であり、また、互いに隣接する細孔19pの底点間の距離は30nm以上600nm未満であることが好ましい。また、ここでは、陽極酸化工程とエッチング工程とを交互に行う例を説明したが、陽極酸化工程とエッチング工程との間、あるいはエッチング工程と陽極酸化工程との間に、洗浄工程やその後に乾燥工程を行っても良い。また、各陽極酸化工程の間に、化成電圧などの条件を変更しても良い。なお、上述したような緩衝層および無機下地層は、例えば、国際公開第2010/116728号に記載されている。本明細書において、国際公開第2010/116728号の記載を参考のために援用する。次に、図2を参照して、モスアイ用型100を用いた反射防止膜の製造方法を説明する。まず、モスアイ用型100を用意する。モスアイ用型100は、図1を参照して上述したように作製される。次に、被加工物42の表面と型100との間に、紫外線硬化樹脂32を付与した状態で、型100を介して紫外線硬化樹脂32に紫外線UVを照射することによって紫外線硬化樹脂32を硬化する。紫外線硬化樹脂32は、被加工物42の表面に付与しておいても良いし、型100の型面モスアイ構造を有する面に付与しておいてもよい。紫外線硬化樹脂としては、例えばアクリル系樹脂を用いることができる。その後、被加工物42からモスアイ用型100を分離することによって、モスアイ用型100の凹凸構造が転写された紫外線硬化性樹脂32の硬化物層が被加工物の表面に形成される。なお、モスアイ構造を構成する凸部としては、直径が10nm以上500nm以下である底面を有することが好ましい。また、凸部が円錐状であると、反射防止作用を向上させることができる。また、不要な回折光の発生を防止するために、凸部は周期性を有しないように配置されていることが好ましい。ここで、周期性を有しないとは、例えば、複数の凸部のうちのある凸部の頂点とある凸部の頂点に最も近い凸部の頂点との距離が、複数の凸部のうちの別の凸部の頂点と別の凸部の頂点に最も近い凸部の頂点との距離と異なることである。また、周期性を有しないとは、例えば、ある細孔の重心からその細孔に隣接する全ての細孔のそれぞれの重心に向けたベクトルの総和がベクトルの全長の5以上であれば、実質的に周期性を有しないと言える。なお、反射防止材の凸部を所定のサイズに形成するためには、この凸部のサイズと対応するように、モスアイ用型100の細孔微細な凹部の深さおよび孔径を形成することが好ましい。具体的には、反射防止材において比較的高い凸部を形成するためには、モスアイ用型100において深い細孔を形成すればよい。なお、この場合、1回のエッチング工程による細孔の深さの増加量をできるだけ大きくすることにより、陽極酸化およびエッチングの回数を低減させることができる。なお、本実施形態のモスアイ用型100では、基材12とアルミニウム層18との間に無機下地層14および緩衝層16を設けることにより、基材12とアルミニウム層18との接着性が改善される。しかしながら、本願発明者は、鋭意研究の結果、無機下地層および緩衝層を設けた後にアルミニウム層の陽極酸化およびエッチングを行う場合、欠陥によって接着性が低下することがあることを見出した。以下、比較例のモスアイ用型800と比較して本実施形態のモスアイ用型100の利点を説明する。まず、図3を参照してモスアイ用型800を説明する。なお、比較例のモスアイ用型800は、上述した型基材10と同様の構成を有する型基材80を用いて製造される。ここでは、型基材80のサイズは1m×1.6mである。具体的には、型基材80では、基材82はPETから形成されており、無機下地層84として厚さ70nmの酸化シリコン層SiO2を用いており、緩衝層86として厚さ150nmの酸化アルミニウム層を用いている。なお、緩衝層86は酸素雰囲気中でアルミニウムをスパッタリングすることによって形成される。また、この型基材80では、アルミニウム層88の厚さは1000nmである。次に、型基材80の陽極酸化を行う。この陽極酸化は、上述した型基材10に対して行う陽極酸化と同様であり、例えば、陽極酸化は、電解液として液温5°Cの0.3質量の蓚酸水溶液を用いて化成電圧80Vで行う。この場合、バリア層80bの厚さは約90nmである。その後、型基材80のエッチングを行う。ここでは、エッチングは、エッチング液として液温30°Cの10質量1.0Mの燐酸水溶液を用いて25分間行われる。所定のサイズの細孔を形成するために、陽極酸化およびエッチングを複数回繰り返す。具体的には、陽極酸化を5回行い、エッチングを4回行う。これにより、最終的に形成される細孔の平均隣接間距離、平均深さ、平均孔径は、それぞれ、180nm、400nm、180nmとなる。このようにして、モスアイ用型800が作製される。しかしながら、このようなモスアイ用型800では、その作製中、または、モスアイ用型800を用いて反射防止材を作製する際に、アルミニウム層88が基材82から剥がれてしまうことがある。図4に、比較例のモスアイ用型800の断面SEM像の図を示す。図4aはモスアイ用型800の断面SEM像を示す図である。図4aには、無機下地層84および緩衝層86を示している。図4aから理解されるように、緩衝層86において空隙が横方向に広がっている。この空隙により、基材82とアルミニウム層88との接着性が低下したと考えられる。また、図4bに示すように、このSEM像のアルミニウム層88に着目すると、アルミニウム層88にも空隙が形成されており、この空隙は緩衝層86の空隙と連続している。このことから、アルミニウム層88の空隙を介して緩衝層86に処理液が侵入し、これによって、緩衝層86が溶解されたと考えられる。また、このように、アルミニウム層88および緩衝層86に連続する空隙が存在することから、モスアイ用型800を用いると所定のモスアイ構造を形成できないと考えられる。一般には、陽極酸化によってアルミニウム層の表面には、細孔の設けられたポーラスアルミナ層が形成され、この細孔の底部にはバリア層が形成される。バリア層の物理的および化学的耐性は比較的強いため、陽極酸化工程およびエッチング工程において電解液およびエッチング液を用いてもアルミニウム層の下に設けられた緩衝層が溶解するとは考えにくいが、図4aおよび図4bに示すように、モスアイ用型800では、緩衝層86が溶解している。なお、アルミニウム層88の形成前の緩衝層86を走査型電子顕微鏡ScanningElectronMicroscope:SEMで測定したところ、緩衝層86は、酸素雰囲気下のスパッタリングで形成されるため、結晶粒の間には比較的大きな空隙が形成されているが、図4aおよび図4bに示すほどの大きな空隙は形成されていなかった。そこで、型基材80の表面すなわち、アルミニウム層88をSEMで測定した結果を説明する。図5aに、型基材80の表面のSEM像を示す。図5bは、図5aに示されたSEM像における空隙に印を付している。なお、図5aおよび図5bは、陽極酸化前の型基材80の表面のSEM像である。図5aおよび図5bに示されているように、型基材80において緩衝層86の上に設けられたアルミニウム層88にはアルミニウムの微細な結晶粒が形成されている。一般に、アルミニウムは、純度が高いほど、結晶粒のサイズが小さくなる傾向を有している。また、比較的厚いここでは、厚さ1μmアルミニウム層88をスパッタリングで形成すると、アルミニウムの結晶粒の間に比較的大きな空隙が形成される。なお、この空隙の径は一般に60nm以下である。なお、厳密には、アルミニウム層88の形成を比較的に長い時間にわたって行うことによってこの空隙を減少させることができるが、この場合、コストが増大してしまうことになる。このように、純度の高いアルミニウム層88を形成すると、アルミニウムの結晶粒の間に空隙が形成される。この空隙の数および大きさは、基材の有機絶縁材料から形成された表面の上にアルミニウム層88を形成する場合に特に増大する。この原因は明らかではないが、アルミニウム層88の形成時に発生する熱に起因してアルミニウムの結晶粒がグレイン成長しやすいこと、および、有機絶縁材料から発生するガスに起因して空隙が増大することなどが考えられる。図5cはアルミニウム層88内のアルミニウム結晶および空隙を示す模式的な断面図である。なお、図5cでも、アルミニウム層88内の空隙に印を付している。なお、図5a~図5cは、比較例のモスアイ用型800の製造に用いられる型基材80におけるアルミニウム層88の表面を示すものとして説明したが、本実施形態のモスアイ用型100の製造に用いられる型基材10は型基材80と同様に形成されており、型基材10においてもアルミニウム層18の表面には同様に空隙が形成されていることに留意されたい。本願発明者は、以上のように、アルミニウム層88に空隙が形成されているため、エッチング時に、アルミニウム層の空隙から浸入したエッチング液が緩衝層を溶解させたと考え、このメカニズムを確認するために、陽極酸化を行うことなく、型基材80をエッチング液に浸漬させた。以下に、その結果を説明する。図6a、図6b、図7a、図7bに、陽極酸化を行うことなく燐酸水溶液に浸漬させた型基材80のSEM像を示す。図6aは、燐酸水溶液に50分間浸漬させた型基材80の表面のSEM像を示しており、図6bは図6aの拡大図である。また、図7aは、燐酸水溶液に100分浸漬させた型基材80の表面のSEM像を示しており、図7bは図7aの拡大図である。なお、型基材80は、50分間および100分間連続して燐酸水溶液に浸漬している。型基材80のサイズは1m×1.6mである。上述したように、型基材80は、型基材10と同様の材料から形成されている。具体的には、この型基材80では、基材82はPETから形成されており、無機下地層84として厚さ70nmの酸化シリコン層SiO2を用いており、緩衝層86として厚さ150nmの酸化アルミニウム層を用いている。なお、酸化アルミニウム層は酸素雰囲気中でアルミニウムをスパッタリングすることによって形成される。また、この型基材80では、アルミニウム層88の厚さは1000nmである。ここでは、エッチング液として燐酸水溶液を用いている。図6および図7から理解されるように、表面から数百nm程度内側の部分すなわち、緩衝層にわたるまで空隙が連続している。これは、アルミニウム層の空隙から浸入した燐酸水溶液によって緩衝層ここでは、酸化アルミニウム層の一部が溶解するとともに、緩衝層内に存在する空隙に浸入した燐酸水溶液によって緩衝層の一部が溶解したためと考えられる。なお、ここでは、型基材80に陽極酸化を行っていないため、アルミニウム層の表面にはバリア層が形成されておらず、燐酸水溶液への浸漬により、アルミニウム層に複数の欠落部分が形成される。また、図6および図7から理解されるように、表面に、直径数百nm程度のアルミニウム層の欠落箇所が複数存在する。欠落箇所は、アルミニウム層の溶解によるもの以外に、その下方の酸化アルミニウム層の溶解に起因して酸化アルミニウム層上に形成されたアルミニウム層が剥離したものと考えられる。以上のように、緩衝層がエッチング液に溶解することで、アルミニウム層の密着性に影響していると考えられる。なお、上述した説明では、緩衝層として酸化アルミニウム層を用い、エッチング液として燐酸水溶液を用いた例を説明したが、エッチング液による緩衝層の溶解は他の組み合わせでも生じる。例えば、緩衝層として窒化アルミニウム層、酸化チタン層または窒化チタン層を用いた場合でも同様の溶解が起きる。また、エッチング液として、硫酸、塩酸、蓚酸などの酸性水溶液または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液等を用いた場合も同様の溶解が起きる。なお、上述したように、無機下地層として酸化シリコン層SiO2を用いる場合、無機下地層とアルミニウム層との間に設けられる緩衝層は、無機下地層およびアルミニウム層のそれぞれと構造の近いものが好ましく、緩衝層として酸化アルミニウム層を用いることが好ましい。ただし、酸化アルミニウム層は燐酸水溶液に対して非常に溶解しやすい。ここで、図8を参照して型基材80における緩衝層86の溶解を説明する。図8に、型基材80の模式図を示す。アルミニウム層88内の空隙から浸入したエッチング液が緩衝層86を溶解させ、これにより、アルミニウム層88の空隙に対応して緩衝層86に空隙が形成される。なお、緩衝層86をスパッタリングで形成した場合、緩衝層86には比較的多くの空隙が形成されるため、エッチング工程を行う前でも、アルミニウム層88の空隙は緩衝層86の空隙の一部と連続しているが、この場合も、緩衝層86内に浸入したエッチング液が緩衝層86を溶解させると考えられる。このような緩衝層86の溶解が欠陥となり、接着性が低下することになる。なお、図8に示したように異なる層にわたって連続して形成された空隙はピンホールとも呼ばれる。以上のように、アルミニウムの結晶粒間の空隙にエッチング液が浸入することによって緩衝層の溶解が起こると考えられる。なお、ここでは、確認のために、陽極酸化を行うことなく型基材80をエッチング液に浸漬させたが、型基材80は、本来的には、陽極酸化を行った後にエッチングを行う。以下、図9を参照して、比較例のモスアイ用型800の作製において緩衝層が溶解されるメカニズムを説明する。図9aに、陽極酸化前の型基材80を示す。アルミニウム層88内のアルミニウムの結晶粒の間には空隙が形成されている。なお、実際には、空隙は、隣接する結晶粒間の隙間であり、その形状は複雑であるが、ここでは、簡略化して空隙を線状に示している。次に、陽極酸化を行う。陽極酸化は、型基材80を電解液に浸漬することによって行われる。図9bに示すように、陽極酸化により、微細な凹部細孔89pとともに細孔89pの底部にバリア層89bが形成される。なお、上述したように、アルミニウム層88には空隙が形成されており、陽極酸化時には、電解液がアルミニウム層88の空隙にも浸入する。このため、空隙の底部においても酸化が進行し、空隙の底部も被覆されると考えられる。また、ここでは、図示していないが、緩衝層86の空隙がアルミニウム層88の空隙と連続している場合、電解液が緩衝層86の空隙にも浸入する。この場合、緩衝層の空隙の周囲においても酸化が進行し、この空隙の周囲も被覆されると考えられる。特に、緩衝層86がアルミニウム成分を含む場合、例えば、緩衝層86として酸素雰囲気下でアルミニウムターゲットをスパッタリングして酸化アルミニウム層が形成される場合、陽極酸化時に、アルミニウム層88の空隙から酸化アルミニウム層に浸入した電解液によって酸化アルミニウム層または酸化アルミニウム結晶の表面においても陽極酸化と同様の反応が進行すると考えられる。本明細書において、このようにアルミニウム層内の空隙の底部または緩衝層86内の空隙周囲において形成される層を被覆部とも呼ぶ。なお、この被覆部99bは、通常の細孔微細な凹部89pの底部に形成されるバリア層89bと同様に物理的および化学的に比較的高い耐性を有しているが、被覆部99bはバリア層89bよりも薄いと考えられる。これは、バリア層89bがアルミニウム層88の表面に比較的近い箇所で形成されるため、電解液が十分にリフレッシュされるのに対して、被覆部99bはポーラスアルミナ層89の表面から遠く、アルミニウムや酸化アルミニウムの結晶粒に囲まれた箇所で形成され、電解液はリフレッシュされにくいからである。また、被覆部99bの形成される場所が基材82の近いほど被覆部99bは薄いと考えられる。その後、エッチング液を用いてエッチングを行う。この場合、図9cに示すように、ポーラスアルミナ層89において通常の細孔微細な凹部89pの孔径が拡大する。なお、エッチング液はアルミニウム層88の空隙にも侵入する。上述したように、緩衝層86付近または緩衝層86内に形成された被覆部99bは特に薄いため、バリア層89bが溶解しない程度のエッチングであっても被覆部99bは溶解し、その結果、エッチング液が緩衝層86内に浸入し、緩衝層86が溶解してしまう。なお、緩衝層86のエッチングレートはポーラスアルミナ層89よりも極めて高い。また、ポーラスアルミナ層89のエッチングレートはアルミニウム層88の空隙の側面部分のエッチングレートよりも高い。これは、陽極酸化時に用いられる電解液と同様にエッチング液がリフレッシュされにくいためである。この関係は、以下のように表される。緩衝層>>ポーラスアルミナ層の表面>アルミニウム層の空隙の側面以上の知見に基づけば、アルミニウム層内の空隙の数を低減させることができれば、緩衝層の溶解を抑制でき、結果として、接着性の低下を抑制できると考えられる。例えば、所定の厚さのアルミニウム層を複数回に分けてスパッタリングを行ってアルミニウム層を形成すれば、アルミニウム層内の空隙の数を低減させることができるため、エッチング液の浸入を抑制し、結果として、接着性の低下を抑制できる。しかしながら、このように、複数回のスパッタリングを行う場合、アルミニウム層の形成に長時間を要することになり、コストが増加することになる。このため、本願発明者は、エッチングによる細孔微細な凹部の平均深さの増加量がエッチング前のバリア層の平均厚さと比べて比較的大きくならないようにエッチングを行うことにより、緩衝層の溶解を抑制できることを見出した。1回のエッチング工程で細孔微細な凹部の平均深さの増加量をエッチング前のバリア層の平均厚さに対して所定の割合よりも小さくすることにより、被覆部の溶解が抑制されるため、結果として、接着性の低下を抑制できる。ただし、上述したように、1回のエッチング工程による細孔の深さの増加量が小さすぎると、所定の深さおよび孔径の細孔を形成するのに必要となる陽極酸化工程およびエッチング工程の回数が増加するため、コストの観点から、1回のエッチング工程による細孔の平均深さの増加量は所定の範囲でなるべく大きいことが好ましい。なお、エッチングによって細孔は等方的に拡大するため、細孔の孔径の増加量は細孔の深さの増加量のほぼ2倍となる。したがって、1回のエッチング工程による細孔の深さは細孔の平均孔径の増加量から求めることができる。例えば、エッチングによる微細な凹部細孔の平均深さの増加量は以下のように求められる。図10に、エッチング時間に対する細孔の孔径を表したグラフを示す。ここでは、液温5°Cで0.3質量の蓚酸水溶液で化成電圧80Vの陽極酸化を行った後に行うエッチング処理時間を変化させた場合の細孔の孔径の変化を示している。なお、ここでは、陽極酸化後のバリア層の平均厚さは90±5nmである。エッチング時間が増加するほど細孔の孔径も増加する。細孔の孔径yはエッチング時間tに対して、y=1.25t35.6の関係を有しており、細孔の孔径の増加レートは1.25となる。なお、切片35.6は、エッチングを開始する前に陽極酸化によって形成された細孔の孔径を意味している。陽極酸化によって形成された細孔はエッチングによって等方的に拡大するため、細孔の深さの増加量すなわち、バリア層の減少量は、細孔の孔径の増加量の半分となる。このため、ここでは、バリア層のエッチングレートは0.628である。具体的には、バリア層のエッチングレート:0.628±0.1nm/minと表される。このため、例えば、エッチングを25分間行う場合、細孔の深さの増加量は15.7±2.5nmであり、エッチングを16分40秒間行う場合、細孔の深さの増加量は10.5±1.5nmであり、エッチングを10分間行う場合、細孔の深さの増加量は6.3±1.0nmである。このように孔径のエッチングレートおよびエッチング時間から、エッチングによる細孔の深さの増加量を求めることができる。以下に、上述したように細孔の平均深さの増加量を異ならせたモスアイ用型100a、100b、800aの密着性を説明する。まず、型基材10a、10b、80aを用意する。型基材10a、10b、80aのそれぞれのサイズは1m×1.6mであり、型基材10a、10b、80aはそれぞれ互いに等しい材料から形成されている。具体的には、型基材10a、10b、80aでは、基材はPETから形成されている。また、無機下地層として厚さ70nmの酸化シリコン層SiO2を用いており、緩衝層として厚さ150nmの酸化アルミニウム層を用いている。なお、酸化アルミニウム層は酸素雰囲気中でアルミニウムをスパッタリングすることによって形成されている。アルミニウム層の厚さは1000nmである。型基材10a、10b、80aに陽極酸化を行う。陽極酸化により、型基材10a、10b、80aのそれぞれのアルミニウム層の表面にポーラスアルミナ層が形成される。具体的には、陽極酸化は、蓚酸水溶液濃度0.3質量、液温18°Cを用いて80Vを印加して行われる。この場合、バリア層の平均厚さは約90nmとなる。なお、平均厚さが90nmとなるように陽極酸化を行っても、厳密にはバリア層の平均厚さは5nm程度ばらつく。このため、バリア層の平均厚さは85nm以上95nm以下である。次に、エッチングを行う。エッチングは燐酸水溶液濃度1M、液温30°Cを用いて行われる。ただし、ここでは、型基材80a、10a、10bのそれぞれについて、細孔の平均深さの増加量を15.7±2.5nm、10.5±1.5nm、6.3±1.0nmとしている。すなわち、型基材80aでは、細孔の平均深さがエッチング前のバリア層の平均厚さの1/7を超えて増加するようにエッチングが行われ、型基材10a、10bでは、細孔の平均深さがエッチング前のバリア層の平均厚さの1/7を超えて増加しないようにエッチングが行われる。その後、陽極酸化およびエッチングを繰り返す。陽極酸化およびエッチングは、いずれも上述した条件で行われる。なお、型基材10a、10b、80aのいずれについても最後のエッチング工程を行った後に、陽極酸化を行って終了する。なお、型基材10a、10b、80aでは、それぞれ、最終的な細孔微細な凹部のサイズを等しくするために、複数回行う陽極酸化時間およびエッチング回数の合計を等しくしている。陽極酸化時間の合計は約275秒であり、エッチング時間の合計は約100分である。具体的には、型基材80aについて陽極酸化を5回、エッチングを4回行い、1回の陽極酸化工程の時間は55秒であり、1回のエッチング工程の時間は25分である。また、型基材10aについて陽極酸化を7回、エッチングを6回行い、1回の陽極酸化工程の時間は39秒であり、1回のエッチング工程の時間は16分40秒である。また、型基材10bについて陽極酸化を11回、エッチングを10回行い、1回の陽極酸化工程の時間は25秒であり、1回のエッチング工程の時間は10分である。このように、型基材10a、10b、80aのそれぞれについて、複数回行う陽極酸化時間およびエッチング回数の合計を等しくしているため、得られたモスアイ用型100a、100b、800aの最終的な細孔微細な凹部の形状はほぼ等しい。具体的には、細孔の平均隣接間距離、平均深さ、平均孔径はそれぞれ180nm、400nm、180nmである。得られたモスアイ用型100a、100b、800aの剥離試験の結果を表1に示す。第1剥離試験では、型800a、100a、100bに、アルミニウム層に粘着テープパーマセル株式会社製のカプトンテープを密着させた後に粘着テープを剥がし、粘着テープとともに剥がれたアルミニウム層を目視にて確認する。表1では、×は粘着テープを密着させた領域全体のアルミニウム層が剥離されたことを示しており、△は粘着テープを密着させた領域の一部のアルミニウム層が剥離されたことを示している。モスアイ用型800aではアルミニウム層88がすべて剥離されるのに対して、モスアイ用型100a、100bではアルミニウム層18の一部のみが剥離される。第2剥離試験では、型800a、100a、100bのアルミニウム層に対して、1升が1cm×1cmの正方形の格子を5×5個形成するようにカッタ-ナイフを用いて基材の表面に到達する切れ目を入れ、切れ目を入れた領域のアルミニウム層に粘着テープパーマセル株式会社製のカプトンテープを密着させた後で粘着テープを剥がし、粘着テープとともに剥がれた升目の数を数える。モスアイ用型800aでは25個すべての格子が剥離されるのに対して、モスアイ用型100a、100bでは一部の格子は剥離されない。なお、上述したように、型100a、100bの無機下地層14として厚さ70nmの酸化シリコン層SiO2を用いており、緩衝層16として厚さ150nmの酸化アルミニウム層を用いたが、例えば、同様の材料を用いても、無機下地層14および緩衝層16を厚くすることにより、第1剥離試験および第2剥離試験のいずれの結果もさらに改善可能と考えられる。ここで、図11を参照して、モスアイ用型100a、100b、800aを説明する。図11a、図11b、図11cに、それぞれ、モスアイ用型800a、100a、100bの断面の鳥瞰SEM像を示す。なお、上述したように、陽極酸化後においてモスアイ用型100a、100b、800aのそれぞれに形成されるバリア層19b、89bの平均厚さはそれぞれ約90nmであるが、モスアイ用型800a、100a、100bを作製するエッチング工程において、エッチング時間はそれぞれ25分、16分40秒および10分であり、細孔の平均深さの増加量はそれぞれ15.7±2.5nm、10.5±1.5nm、6.3±1.0nmである。モスアイ用型800aでは、エッチングによる細孔89pの深さの増加量が15.7±2.5nmであり、ポーラスアルミナ層89において細孔89pの底部に形成されるバリア層89bは溶解しない。しかしながら、モスアイ用型800aでは、緩衝層86が溶解する。これは、細孔89pの深さの増加量が大きいエッチングが行われるため、陽極酸化時にアルミニウム層の空隙の底部に形成された被覆部99b図9参照がエッチング液によって溶解し、エッチング液が緩衝層86内に浸入したためと考えられる。図11aに、モスアイ用型800aのSEM像を示す。これに対して、モスアイ用型100aでは、エッチングによる細孔19pの平均深さの増加量が10.5±1.5nmであるため、ポーラスアルミナ層19において細孔19pの底部に形成されるバリア層19bは溶解せず、また、緩衝層16の溶解が抑制される。これは、エッチングによる細孔19pの深さの増加量が小さいため、陽極酸化時にアルミニウム層の空隙の底部に形成された被覆部はエッチング液によっても溶解しなかったためと考えられる。図11bに、モスアイ用型100aのSEM像を示す。同様に、モスアイ用型100bでは、エッチングによる細孔19pの平均深さの増加量が6.3±1.0nmであるため、ポーラスアルミナ層19において細孔19pの底部に形成されるバリア層19bは溶解せず、また、緩衝層16の溶解が抑制される。図11cに、モスアイ用型100bのSEM像を示す。このように、陽極酸化によって形成されるバリア層の平均厚さが約90nmの場合、エッチングによる細孔の深さの平均増加量が12nmを超えると、緩衝層が溶解してしまい、結果として、接着性が低下してしまう。これに対して、エッチングによる細孔の深さの平均増加量を12nm以下とすることにより、接着性の低下を抑制することができる。なお、1回のエッチング工程による細孔の深さの増加量が5nmよりも小さくなると、バリア層の誤差厚さのばらつきに含まれてしまい、好ましくない。細孔の深さの増加量がバリア層の誤差よりも小さいと、次の陽極酸化で形成されるバリア層の誤差により、エッチング工程を行っても細孔が実質的に拡大しないことになり、その結果、陽極酸化工程およびエッチング工程を繰り返したとしても所定の形状の細孔を形成できない。このため、細孔の深さの平均増加量は5nm以上12nm以下であることが好ましい。なお、例えば、液温30°C、1M燐酸溶液中で7分~9分エッチングを行うことにより、細孔の深さの平均増加量を5nmとすることができる。以上の結果から、エッチングによる細孔の深さの増加量はエッチング前のバリア層の厚さの1/7を超えないようにエッチングを行えば、緩衝層の溶解は起こらない。また、例えば、バリア層の平均厚さが85nm以上95nm以下の場合、エッチングによる細孔の深さの平均増加量は5nm以上12nm以下とすることが好ましい。なお、緩衝層86の溶解が特に問題となるのは、バリア層89bの厚さが180nm以下のときである。以下にその理由を説明する。図12aに、陽極酸化前のアルミニウム層88を示す。ここでは、図9aと同様に、アルミニウム層88に設けられた空隙を線状に示している。なお、図5aおよび図5bを参照して上述したように、空隙の径は60nm以下であるが、ここでは、空隙の径を60nmとしている。図12bに、陽極酸化過程のアルミニウム層88およびポーラスアルミナ層89を示す。陽極酸化により、アルミニウム層88の表面部分は、ポーラスアルミナ層89に変化する。このとき、ポーラスアルミナ層89の体積が膨張することになる。なお、陽極酸化工程では、先にバリア層89bが形成された後に、バリア層89bの表面にポーラス層89a図3が形成されるが、ここでは、バリア層89bのみを示している。図12aと図12bとの比較から理解されるように、バリア層89bは、もともとアルミニウム層88であった部分に相当する第1層89b1と、体積膨張によって増加した部分に相当する第2層89b2とを有している。陽極酸化前のアルミニウム層88の空隙の径が60nmの場合、空隙の側面から中心に向かって30nmほど増加すると、すなわち、第2層89b2の厚さが30nmとなると、アルミニウム層88の60nmの空隙が埋められることになる。ポーラスアルミナ層89の体積膨張率は約1.2倍であるため、バリア層89bの厚さが180nmを超えるように陽極酸化が行われた場合、アルミニウム層88の空隙が実質的に埋められることになる。このことから、バリア層89bの厚さが180nmを超える場合、緩衝層86の溶解は比較的起こりにくい。一方で、バリア層89bの厚さが180nm以下の場合、ポーラスアルミナ層89にも空隙が残るため、緩衝層86は溶解しやすいと考えられる。また、上述したように蓚酸水溶液を用いる場合は特に、平均厚さ5nm未満のバリア層を均一に形成することは困難である。このため、本実施形態において、バリア層の平均厚さが5nm以上180nm以下の場合、上述したように、エッチングによる細孔の深さの増加量はエッチング前のバリア層の厚さの1/7を超えないようにエッチングを行うことが好ましい。また、ここでは、化成電圧は80Vであり、バリア層の平均厚さは90nmであり、上述した測定結果から、被覆部の厚さは12nm程度であると考えられるが、仮に、化成電圧が倍になると、バリア層の厚さだけでなく被覆部の厚さも倍になると考えられる。このように、被覆部の厚さはバリア層の厚さすなわち、化成電圧とほぼ比例して変化する。このため、バリア層の平均厚さが5nm以上250nm以下の場合、同様に、エッチングによる細孔の深さの増加量はエッチング前のバリア層の厚さの1/7を超えないようにエッチングを行うことにより、上述したのと同様に、緩衝層の溶解を抑制できると考えられる。なお、上述した説明では、エッチング時間と孔径との関係から、エッチングによる細孔の平均深さの増加量を求めたが、本発明はこれに限定されない。細孔微細な凹部の平均深さの増加量は断面SEM像から測定してもよい。なお、一般に、基材の表面に存在する有機絶縁材料がPETであるときのアルミニウム層の密着性は、他の有機絶縁材料である場合と比較すると、それほど高くはないが、無機下地層14および緩衝層16を設けるだけでなく、エッチングによる細孔の深さの増加量がエッチング前のバリア層の平均厚さに対して1/7を超えないようにすることにより、接着性の低下をさらに抑制することができる。また、所定の形状の細孔を形成するために、合計のエッチング時間があらかじめ決まっている場合、エッチングの回数それにともなう陽極酸化の回数を増加させればよいため、簡便にコストの増加を抑制することができる。なお、上述した説明では、基材はPETから形成されていたが、本発明はこれに限定されない。基材はTACから形成されてもよい。あるいは、基材は、支持体の上に電着材料または吹き付け塗装材料から形成された有機絶縁層を有してもよい。ただし、基材の表面を形成する有機絶縁材料に応じてアルミニウム層内の結晶状態は異なる。以下に、支持体の上に有機絶縁層が設けられた基材を有するモスアイ用型100c、100d、800bの密着性を説明する。なお、ここでは、有機絶縁層は電着法でアクリルメラミンから形成される。また、モスアイ用型100c、100d、800bではエッチングによる細孔の平均深さの増加量を異ならせている。まず、型基材10c、10d、80bを用意する。型基材10c、10d、80bのそれぞれのサイズは5cm×7cmであり、型基材10c、10d、80bはそれぞれ互いに等しい材料から形成されている。具体的には、型基材10c、10d、80bは、アクリルメラミンから形成された有機絶縁層を有しており、この有機絶縁層にはプラズマアッシング処理が行われる。また、無機下地層として厚さ100nmの酸化シリコン層SiO2を用いており、緩衝層として2層の厚さ200nmの酸化アルミニウム層を用いている。いずれの酸化アルミニウム層も酸素雰囲気中でアルミニウムをスパッタリングすることによって形成される。下方の酸化アルミニウム層を形成する際のスパッタリングのパワーは上方の酸化アルミニウム層を形成する際のスパッタリングのパワーよりも低くしている。また、型基材10c、10d、80bでは、アルミニウム層の厚さは1000nmである。型基材10c、10d、80bに陽極酸化を行う。陽極酸化により、型基材10c、10d、80bのそれぞれのアルミニウム層の表面にポーラスアルミナ層が形成される。具体的には、陽極酸化は、蓚酸水溶液濃度0.3質量、液温18°Cを用いて80Vを印加して行われる。この場合、バリア層の厚さは約90nmとなる。次に、エッチングを行う。エッチングは燐酸水溶液濃度1M、液温30°Cを用いて行われる。ただし、ここでは、型基材10c、10d、80bのそれぞれについて、細孔の平均深さの増加量は15.7±2.5nm、10.5±1.5nm、6.3±1.0nmである。すなわち、型基材80bでは、細孔の平均深さがバリア層の平均厚さの1/7を超えて増加するようにエッチングが行われ、型基材10c、10dでは、細孔の平均深さがバリア層の平均厚さの1/7を超えて増加しないようにエッチングが行われる。その後、陽極酸化およびエッチングを繰り返す。陽極酸化およびエッチングは、いずれも上述した条件で行われる。なお、型基材10c、10d、80bのいずれについても最後のエッチング工程を行った後に、陽極酸化を行って終了する。なお、型基材10c、10d、80bでは、それぞれ、最終的な細孔微細な凹部のサイズを等しくするために、複数回行う陽極酸化時間およびエッチング回数の合計を等しくしている。陽極酸化時間の合計は約275秒であり、エッチング時間の合計は約100分である。このように、型基材10c、10d、80bのそれぞれについて、複数回行う陽極酸化時間およびエッチング回数の合計を等しくしているため、得られたモスアイ用型100c、100d、800bの最終的な細孔微細な凹部の形状深さ、孔径はほぼ等しい。得られたモスアイ用型100c、100d、800bの2つの剥離試験の結果を表2に示す。第1剥離試験では、型800b、100c、100dに、アルミニウム層に粘着テープパーマセル株式会社製のカプトンテープを密着させた後、粘着テープを剥がし、粘着テープとともに剥がれたアルミニウム層を目視にて確認する。表2では、○は粘着テープを密着させた領域全体のアルミニウム層が剥離されなかったことを示している。モスアイ用型100c、100d、800bのいずれでも剥離は起こらない。ここでは、剥離の比較的生じやすいPETに代えて、基材の表面にアクリルメラミンから形成された有機絶縁層が設けられていること、および、アクリルメラミンにはプラズマアッシング処理を行っていることから、モスアイ用型100c、100d、800bのいずれでも剥離が起きないと考えられる。第2剥離試験では、型800b、100c、100dのアルミニウム層に対して、1升が1cm×1cmの正方形の格子を5×5個形成するようにカッタ-ナイフを用いて有機絶縁層の表面に到達する切れ目を入れ、切れ目を入れた領域のアルミニウム層に粘着テープパーマセル株式会社製のカプトンテープを密着させた後で粘着テープを剥がし、粘着テープとともに剥がれた升目の数を数える。モスアイ用型800bでは5個の格子が剥離されるのに対して、モスアイ用型100c、100dではいずれの格子も剥離されない。以上のように、細孔の平均深さがバリア層の平均厚さの1/7を超えて増加しないようにエッチングが行われたモスアイ用型100c、100dでは、接着性の低下が抑制される。なお、表1および表2の結果から、基材の表面の有機絶縁材料に応じて、その上に形成されるアルミニウム層の結晶状態が異なることが理解される。具体的には、基材の表面の有機絶縁材料がアクリルメラミンから形成されている場合、アルミニウム層の空隙の発生を抑制することができ、結果として、接着性の低下が抑制される。以下、図13a~図13dに、表面の有機絶縁材料の異なる基材上に設けられたアルミニウム層の表面のSEM像を示す。SEMの倍率は約50000倍である。図13a~図13dにおいて、基材の表面の有機絶縁材料は、それぞれ、TAC、PET、アクリルメラミン、および、アクリルウレタンである。なお、ここでは、アクリルメラミンは吹き付け塗装で形成され、アクリルウレタンは電着塗装で形成される。また、図14に、アクリルウレタン系の電着材料から形成された有機絶縁層の上に形成されたアルミニウム層の表面のSEM像の図を示す。図13および図14から理解されるように、基材の表面の有機絶縁材料に応じてアルミニウム層に形成される空隙の割合、大きさおよび形状は変化する。このように、基材の表面の有機絶縁材料が異なることにより、その上に形成されるアルミニウム層の状態が異なることになる。なお、一般に、有機絶縁材料から形成された表面を有する基材の上に形成されたアルミニウム層の空隙はガラス基材の上に形成されたアルミニウム層の空隙よりも大きい。なお、上述した説明では、基材12の表面は有機絶縁材料から形成されていたが、本発明はこれに限定されない。基材12としてガラス基材を用いてもよい。例えば、ガラス基材として、アルカリ金属を含むガラスソーダライムガラスが用いられる。図15aに、基材12としてガラス基材を用いた型基材10におけるアルミニウム層18のSEM像を示す。図15aでは、厚さ1000nmのアルミニウム層18を連続的に形成している。図13および図14と図15aの比較から理解されるように、ガラス基材12を用いた型基材10では、少なくとも表面が有機絶縁材料から形成された基材よりも、アルミニウム層18の空隙の数を低減させることができ、アルミニウム層18の接着性をさらに改善することができる。なお、ここでは、アルミニウム層18は連続してスパッタリングを行うことによって形成されたが、アルミニウム層18は複数回にわけて形成してもよい。図15bに、基材12としてガラス基材を用いた型基材10におけるアルミニウム層18のSEM像を示す。ここでは、厚さ1000nmのアルミニウム層18を200nmずつ5回に分けて形成している。具体的には、200nmごとに5分間中断する。その際、作動ガスの供給だけでなくプラズマの発生を中断することが好ましい。これにより、基板温度の上昇を抑制できる。図15aと図15bの比較から理解されるように、アルミニウム層18を複数回にわけて形成することにより、アルミニウム層18の空隙の数をさらに低減させることができ、その結果、アルミニウム層18の接着性をさらに改善することができる。