"交流電圧を生成するための少なくとも1つの給電装置14を備えたマグネトロン装置であって、少なくとも2つの相互に絶縁されたターゲット12;13が交互にカソードおよびアノードとなるように切り替えられて該ターゲット12;13間にマグネトロン放電が発生するように、前記給電装置14によって生成される交流電圧が前記ターゲット12;13間で切り替え可能であり、前記マグネトロン装置は、少なくとも1つの付加的な電極15が一時的にアノードになるように該付加的な電極15を繰り返し切り替えるためのスイッチ16を有し、該付加的な電極15が前記スイッチ16によってアノードに切り替えられたとき、前記ターゲット12;13のうちカソードとして機能するように切り替えられたターゲット13と該付加的な電極15との間にマグネトロン放電が発生するように構成されていることを特徴とする、マグネトロン装置。前記付加的な電極15は、前記ターゲット13のうちカソードとして機能する1つのターゲット13に対してのみ設けられている、請求項1記載のマグネトロン装置。前記付加的な電極は、カソードとして機能する各ターゲットごとに別個に設けられている、請求項2記載のマグネトロン装置。1つの前記付加的な電極33が複数の前記ターゲットに対して設けられており、前記付加的な電極33は交互に順次、カソードとして機能する前記ターゲット13に対応する、請求項1記載のマグネトロン装置。前記両ターゲット間にマグネトロン放電を発生させるために、両ターゲットは周期的に第1の周波数で交互にカソードおよびアノードとなるように切り替え可能である、請求項1から4までのいずれか1項記載のマグネトロン装置。前記付加的な電極と、前記ターゲットのうちカソードとして機能するターゲットとの間にマグネトロン放電を発生させるために、該付加的な電極は周期的に第2の周波数でアノードとなるように切り替え可能である、請求項1から5までのいずれか1項記載のマグネトロン装置。前記第1の周波数は前記第2の周波数より高い、請求項6記載のマグネトロン装置。前記付加的な電極がアノードに切り替えられる時間の割合は、0を上回り100未満である領域内で設定可能であり、前記マグネトロン装置の動作中に該領域内で変更可能である、請求項1から7までのいずれか1項記載のマグネトロン装置。真空チャンバ11内のマグネトロンをパルス動作させるためのマグネトロンパルス動作方法であって、少なくとも2つの相互に電気的に絶縁されたターゲット12;13が交互にカソードおよびアノードとして機能し、該ターゲット12;13間にマグネトロン放電が発生するように、少なくとも1つの給電装置14を用いて該ターゲット12;13間で交流電圧を切り替え、少なくとも1つの付加的な電極15と、前記ターゲットのうちカソードとして機能するように切り替えられたターゲット13との間にマグネトロン放電が発生するように、スイッチ16によって該付加的な電極15が一時的にアノードになるように繰り返し切り替えることを特徴とする、マグネトロンパルス動作方法。前記ターゲットを周期的に第1の周波数で、交互にカソードおよびアノードになるように切り替え、前記付加的な電極を周期的に第2の周波数で、アノードになるように繰り返し切り替える、請求項9記載のマグネトロンパルス動作方法。前記第2の周波数を前記第1の周波数より低く設定する、請求項10記載のマグネトロンパルス動作方法。前記スイッチを、前記ターゲットにおいてカソードおよびアノードの切替が行われる時点で操作する、請求項11記載のマグネトロンパルス動作方法。前記マグネトロンの動作中に、前記付加的な電極がアノードに切り替えられる期間および/または前記第2の周波数を変化させることにより、前記真空チャンバ11内のプラズマ密度を変化させる、請求項10から12までのいずれか1項記載のマグネトロンパルス動作方法。前記真空チャンバ内でPVD法またはプラズマアシストCVD法を使用して少なくとも1つの基板に被膜するために、前記マグネトロンパルス動作方法を使用する、請求項9から13までのいずれか1項記載のマグネトロンパルス動作方法。それゆえ、本発明の基礎となる技術的課題は、従来技術の欠点を克服することができるマグネトロン装置と、マグネトロン装置のパルス動作方法とを実現することである。とりわけ、パルスエネルギーを受け取るダブルマグネトロン装置を用いる基板被膜において、成長層に高エネルギー粒子が衝突する際の衝撃の強さを調整できる手段を実現しなければならず、本発明の装置および方法によって、基板の種類に依らずに、基板に衝突する粒子の粒子流密度を変化できるようにしなければならない。さらに、技術的に小さいコストで、装置および方法を実現できるようにしなければならない。前記課題は、マグネトロン装置が、少なくとも1つの付加的な電極が一時的にアノードになるように該付加的な電極を繰り返し切り替えるためのスイッチを有し、該付加的な電極が前記スイッチによってアノードに切り替えられたとき、前記ターゲットのうちカソードとして機能するように切り替えられたターゲットと該付加的な電極との間にマグネトロン放電が発生するように構成されているマグネトロン装置によって解決される。従属請求項に本発明の別の有利な実施形態が記載されている。本発明の構成の前提となる装置は、双極パルスエネルギー供給方式のマグネトロン装置である。このマグネトロン装置は、少なくとも2つの相互に電気的に絶縁されたターゲットを有し、該ターゲット間に、少なくとも1つの給電装置によって交流電圧が印加されることにより、両ターゲットは交番的に、両ターゲット間に発生する気体放電のカソードおよびアノードとして機能する。両ターゲットにおける位相切替は、通常は第1の周波数で周期的に行われる。また択一的に、位相切替を非周期的に行うこともできる。本発明ではこの構成に、さらに少なくとも1つの電極を補足する。この少なくとも1つの別の電極はスイッチによってアノードとして一時的に機能するように繰り返し切り換えられることにより、該少なくとも1つの別の電極と、カソードとして機能するターゲットとの間に気体放電が発生する。このことにより、マグネトロンの単極パルス動作と双極パルス動作との新たな混合形態が実現される。この別の付加的な電極がスイッチオンされると、両ターゲットのうち1つのターゲットがカソードになるように切り換えられ、該付加的な電極と、該カソードとして機能するターゲットとの間にマグネトロン放電が形成される。前記付加的な電極はマグネトロンターゲットと同様に、マグネトロン磁界からあまり遮蔽されないことから、該付加的な電極がアノードになるように切り換えられる期間中、自由移動電子は有利には該付加的な電極へ移動することにより、この期間中には、主に該付加的な電極とカソードターゲットとの間にマグネトロン放電が形成される。前記付加的な電極を投入するためのスイッチは、たとえば半導体スイッチとすることができる。本発明の装置の前記付加的な電極は通常、プラズマ内に配置される電気的に絶縁された別個の電極である。特に有利なのは、前記付加的な電極が反応生成物によって直接被覆されずに持続的に導電性のままになるように、該付加的な電極を隠すかないしは遮蔽して設けることである。最も簡単な実施例では、受容体も付加的な電極になるように切り換えられる。また択一的に、さらに別の複数の電極が付加的なアノードになるように切り換えることもできる。真空チャンバ内に付加的なアノードを適切に配置することにより、該真空チャンバ内に形成されるプラズマ雲の形状を所定のように調整することができる。本発明の装置は、1つのマグネトロンターゲットに対してのみ設けられた付加的な電極を有する構成も可能である。すなわち、前記付加的な電極に対応するマグネトロンターゲットがアノードに切り換えられている期間の間だけ該付加的な電極はスイッチオンされてアノードとして機能する。別の実施形態では、各マグネトロンターゲットごとに別個の付加的な電極を設けることができる。また択一的に、両マグネトロンターゲットないしはより多くのマグネトロンターゲットに対して1つの付加的な電極を設けることも可能である。この構成の利点は、位相切替が複数回行われる期間中、この1つの付加的な電極をスイッチオンしたままで、マグネトロン放電を発生させるためのアノードとして機能させ続けることが可能であることだ。この期間中、付加的な電極はアノードに切り換えられたままにされるのに対し、気体放電のカソード側は複数のターゲット間で交互に切り替えられる。付加的な電極をアノードとして一時的にオン状態に切り換えることは、第2の周波数で周期的に行うか、または択一的に非周期的に行うことができる。1つの実施形態では、前記付加的な電極は、マグネトロン放電の付加的なアノードになるように切り換えられる。上記ですでに説明したように、前記付加的な電極をアノードに切り換えると自動的に、該付加的な電極と、カソードとなったターゲットとの間にマグネトロン放電が形成される。択一的に、前記付加的な電極がアノードに切り換えられる期間中、アノードとして機能するターゲットを給電部から分離し、この期間中には該付加的な電極のみがマグネトロン放電のアノードとして機能するようにすることもできる。前記付加的な電極がアノードに切り換えられる時間の割合は、0~100の間とすることができる。このアノードに切り換えられる時間の割合を、以下ではデューティ比と称する。前記付加的な電極が全くオン状態に切り換えられずアノードとして機能しない場合に相当する0のデューティ比は、たとえばマグネトロンによって膜が形成される基板前のプラズマ密度が非常に高い従来の双極動作に相当する。前記付加的な電極が常にオン状態にされアノードとして機能する100のデューティ比は、基板前のプラズマ密度が低い従来の単極動作に非常に近い。というのも、マグネトロン磁界によって遮蔽されない付加的な電極がオン状態になってアノードして機能する場合、放電電流はほぼすべて、該付加的なアノードを介して流れるからである。したがってこの場合には、両ターゲット間の放電は無視できる程度になる。したがって、デューティ比を0~100の間に適切に設定することにより、プラズマ密度の値および高エネルギーの基板衝突の強さの値を、単極パルス動作と双極パルス動作との間の任意の値に調整し、動作中に変化させることもできる。原則的には、付加的な電極がオン状態に切り換えられてアノードとして機能する期間を、双極パルスエネルギー供給の典型的には2μs~100μsであるパルスオン時間より短く設定することが考えられるが、その際には、プラズマ電子が高速の電極切替についていけなくなり、放電が消失したり点弧条件が悪くなる危険性が生じる。それゆえ有利には、付加的な電極をオン状態に切り換えてアノードとして動作させるスイッチオン期間を、パルスエネルギー供給の周期時間より長くする。それゆえこの実施形態では、前記第2の周波数は前記第1の周波数より低く設定される。このことにより、前記付加的な電極がアノードに切り換えられる期間中は気体放電が形成され、この気体放電では該付加的な電極がアノードとして機能し、カソードを成すターゲットが、両ターゲット間で交互に入れ替わる。すなわち、該付加的な電極がオフ状態に切り換えられるまで、気体放電のカソード側が両ターゲット間で交互に行ったり来たりする。付加的な電極がオフ状態に切り換えられると、該付加的な電極が次の時間間隔でスイッチオンされるまで、マグネトロン放電は双極マグネトロン動作と同様に両ターゲット間で行われる。また、前記付加的な電極をアノードに切り換えるスイッチオン時間を、最大数秒までの領域内で設定することも可能である。このことにより、成膜される層の特性が成長方向に均質にならないようにすることもできる。このことを利用して、多層成膜を所期のように行ったり、複数のグラジエント層を交互に成膜することができる。それに対して、成長方向に均質な層を成膜するのに有利なのは、前記付加的な電極をアノードに切り換えるスイッチオン時間を、層の単層を成膜する時間より短くすることである。この単層を成膜する時間は、パルススパッタリングの場合には10ms~500msに設定されるのが典型的である。上記考察から、付加的な電極をアノードに切り換えたりスイッチオフしたりするのに有利な周期時間は、2μs~500msの領域内となる。この周期時間は、500kHz~2Hzの領域内の付加的な電極のスイッチオン周波数に相当する。電流が流れているときにスイッチをスイッチングすること、すなわち負荷が存在するときにスイッチをスイッチングすることは、スイッチの耐電圧性にかかる要求を無負荷状態のスイッチングより格段に厳しくすることになる。したがって有利には、パルス給電部の出力電圧が0Vであるかまたは少なくとも約0Vであるときに前記付加的な電極のスイッチングが行われるように、該付加的な電極をアノードに切り換えるスイッチングと該パルス給電部の極性交代とを同期する。約0Vという用語は、電圧が50V未満であることを意味する。このような低い電圧はたとえば、給電装置において極性が交代する際に得られる。それゆえ1つの実施形態では、前記付加的な電極のスイッチオンおよび/またはスイッチオフは、ターゲットにおいて極性交代が行われる時点で行われる。択一的に、点弧条件を最適にするために、前記付加的な電極のスイッチオンおよび/またはスイッチオフを、前記ターゲットの極性交代に対して時間的に遅延して行うこともできる。場合によっては、成長層に高エネルギーの粒子が衝突する際の衝撃を層成長中に変化させるのが望ましい場合があり、たとえば、高エネルギーの基板衝突の強さを上昇させて、層成長の開始時に、結晶相の形成を開始させるのに利用することができる。層成長の次の段階では、基板衝撃度を低くして、熱による基板の損傷を阻止することができる。その逆に、層成長の開始時に基板衝撃度を可能な限り低下させ、その下にある影響を受けやすい層が損傷されないようにし、その後に、十分な密度の層領域が生成されるように基板衝突の強さを上昇させることが必要な場合もある。層成長時の高エネルギー基板衝突の衝撃をこのように変化させることは、本発明の装置では、被膜中にアノードスイッチオン期間のデューティ比を変化させることによって実現することができる。以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。図1に、本発明の装置10を概略的に示す。この装置は、本発明の方法を実施するために使用することもできる。装置10は真空チャンバ11を有し、該真空チャンバ11内に、2つの相互に電気的に絶縁されたターゲット12および13を有するダブルマグネトロン装置が設けられている。このダブルマグネトロン装置はたとえば、真空チャンバ11内でPVD法またはPECVD法によって基板上に層を成膜するのに使用することができる。両ターゲット12,13はそれぞれ、給電装置14の一方の電極に電気的に接続されており、該給電装置14は両ターゲット12,13間に交流電圧を生成する。したがって、マグネトロン装置は双極動作を行う。すなわち、両ターゲット12,13は周期的に、カソードとアノードとに交互に繰り返し切り換えられ、両ターゲット12,13間にマグネトロン放電が点弧する。本発明ではさらに、真空チャンバ11内に付加的な電極15も設けられる。この付加的な電極15はスイッチ16を介して、スイッチ17を介してターゲット12に電気的に接続された、給電装置14の電極に電気的に接続されている。両スイッチ16および17は相互に別個に、制御装置18によって開閉することができる。装置10を純粋に双極動作させるためには、スイッチ17を常に閉成状態にし、スイッチ16を常に開放状態にする。本発明では制御装置18によって、ターゲット12がアノードとして機能するように切り換えられる期間中に、スイッチ16を1回または複数回開閉することができる。このことによって前記付加的な電極15は、スイッチ16が閉成されている期間中に付加的なアノードとして機能し、カソードとなったターゲット13と該付加的な電極15との間にマグネトロン放電が発生する。上記ですでに述べたように、アノードが磁気的に遮蔽されずにマグネトロン放電を形成した場合、形成されるプラズマの状態は、アノードに切り換えられたターゲットがマグネトロン磁界から遮蔽されている場合と異なる。したがって、ターゲット12がアノードとして機能する期間中にスイッチ16が閉成される回数、および/または、ターゲット12がアノードとして機能する期間中にスイッチ16が閉成状態にある全時間に依存して、真空チャンバ11内のプラズマパラメータを変化させることができる。また、ターゲット13がカソードとして機能する期間中、スイッチ17を1回または複数回開放することもできる。スイッチ17が開放される時間中は、前記付加的な電極15は、マグネトロン放電の唯一のアノードとして機能する。しかし、ターゲット13がカソードとして機能する期間中は、カソードであるターゲット13との間にマグネトロン放電を発生させるために少なくとも1つのアノードがどの時点でも存在するように、スイッチ16,17のうち少なくとも1つは常に閉成状態にあるように留意しなければならない。念のために、ターゲット13がアノードとして機能する期間中は、スイッチ17は一貫して閉成状態に維持され、スイッチ16は一貫して開放状態に維持されることにより、ターゲット12のみがカソードとして機能することを述べておく。一般的には本発明の装置の付加的な電極、詳細には図1の電極は、決してカソード動作を行うことはない。図2に、本発明の装置10の択一的な実施形態を概略的に示す。この装置も、本発明の方法を実施するために使用することができる。装置20は真空チャンバ21を有し、該真空チャンバ21内に、2つの相互に電気的に絶縁されたターゲット22および23を有するダブルマグネトロン装置が設けられている。このダブルマグネトロン装置も、図1の装置10と同様に、真空チャンバ21内でPVD法またはPECVD法によって基板上に層を成膜するのに使用することができる。両ターゲット22,23はそれぞれ、給電装置の一方の電極に電気的に接続されており、この給電装置は端子24,25において、両ターゲット22,23間にパルス交流電圧を生成する。図2の給電装置は、DC電流発生器26,27とパルスジェネレータ28とを含む。両DC電流発生器26,27の正極は相互に接続されており、時間的に一定の電力を出力する。両DC電流発生器の出力電力は、相互に別個に調整することができる。パルスジェネレータは2つのインダクタンス29,30と、スイッチ31および32とを含む。これらのスイッチ31,32は交互に開閉される。スイッチング時には、現在開放されているスイッチが最初に閉成され、その後に、閉成されていたスイッチが開放される。このことによって、スイッチング時には必ず、両スイッチが閉成されている期間が短時間存在する。この期間については後で詳細に説明する。スイッチ31が開放されておりスイッチ32が閉成されている場合、ターゲット22はインダクタンス29を介して電流発生器26の負極に接続され、ターゲット23は該電流発生器26の正極に接続される。このような構成の電流発生器26の場合には、このようにして両ターゲット22,23間にマグネトロン放電を発生させるためのエネルギーが供給されるのに対し、この期間中に、電流発生器27のエネルギーがコイル30に蓄積される。したがって、ターゲット22はこの期間中はマグネトロン放電のカソードとして機能し、ターゲット23はアノードとして機能する。極性交代時には、まずスイッチ31が閉成され、次にスイッチ32が開放される。このことにより、コイル30に蓄積されたエネルギーと、電流発生器27から出力されたエネルギーとがマグネトロンプラズマに供給される。この構成では、インダクタンスは電流発生器27の負極に接続され、ターゲット22は該電流発生器27の正極に接続されるため、ターゲット23はカソードとして機能し、ターゲット22はアノードとして機能する。この期間中、電流発生器26のエネルギーはコイル29に蓄積される。スイッチ31および32をこのように交互に開閉することにより、端子24および25に、双極パルスマグネトロンスパッタリングに必要なパルス交流電圧が出力される。このスイッチングの周波数は、この実施例では50kHzであるが、双極パルスマグネトロンスパッタリングで慣用される任意の周波数に設定することもできる。本発明では、真空チャンバ21内に付加的な電極33が設けられる。この付加的な電極33はスイッチ34を介して、両電流発生器26,27の正極に接続することができる。スイッチ34が閉成されている場合、両ターゲット22,23のうちどちらがカソードとして機能しているかに関係なく、前記付加的な電極33はマグネトロン放電の付加的なアノードとして機能する。ターゲット22がカソードとして機能しているときにスイッチ34が閉成されると、両ターゲット間においてマグネトロン放電が形成されると同時に、ターゲット22と付加的な電極33との間にもマグネトロン放電が形成される。スイッチ34が閉成されている期間中にターゲットの極性が交代すると、ターゲット23がカソードとなり、両ターゲット間にマグネトロン放電が形成されると同時に、ターゲット23と付加的な電極33との間にもマグネトロン放電が形成される。その際には、エネルギーの大部分が常に、付加的な電極33がアノードとして機能することにより発生したマグネトロン放電に流れることを述べておく。本発明の装置では、放電電流のうち前記付加的な電極に流れる電流は、電極の構成に応じて最大95になる。スイッチ34の駆動制御は制御装置によって行われ、この実施例では、スイッチ34は制御装置によって、2kHzの周波数で周期的に操作される。その際には、デューティ比すなわち、スイッチ34が閉成されている期間の割合を0~100の間に設定することができる。有利には、両スイッチ31,32が極性交代で同時に閉成されているときにスイッチ34がちょうど操作されるように、このスイッチの操作と、端子24,25における極性交代とを同期させる。このとき、端子24,25間の電圧は約0Vまで低下するので、電気的負荷が存在する状態でスイッチ34のスイッチングを行う必要がなくなり、スイッチ34の耐電圧性にかかる要件は緩和される。試験用の構成で行った測定により、付加的な電極33がアノードに切り換えられる際には、利用可能な電子が存在する確率が向上することにより、放電電流のうち該付加的な電極33に流れる電流は約90になることが判明した。スイッチ34が開放されると、アノード電流はすべて強制的に、アノードに切り換えられているターゲットに流れる。したがって、前記付加的な電極をアノードに切り換えるデューティ比を調整することにより、放電電流のうち該付加的な電極に流れる電流の割合の時間平均を広い範囲で調整することができる。したがって、プラズマパラメータと、とりわけ、被膜される基板の表面に当たる粒子の粒子流密度とを、単極動作の粒子流密度と双極動作の粒子流密度との間で広い範囲にわたって調整することができる。この実施例では、窒化アルミニウム層の成膜法に装置20を使用した。この窒化アルミニウム層の成膜では、ダブルリングマグネトロンの両ターゲット22,23において、アルミニウムをターゲット材料として使用した。ダブルリングマグネトロンとは、2つの電気的に相互に絶縁された環状のターゲットを使用するマグネトロンであり、このマグネトロンでは、より小さい環状ターゲットが、より大きい環状ターゲットの環状開口内に配置される。処理ガスとしては、アルゴンを40sccmの流量で真空チャンバ21内に流入させ、窒素を20sccmの流量で真空チャンバ21内に流入させた。電流発生器26では2kWの電力を供給し、電流発生器27では0.5kWの電力を供給した。付加的な電極33がアノードとして機能するようにスイッチオンする本発明が、高エネルギー粒子が成長層に衝突したときの衝撃に与える影響を証明するため、真空チャンバ21内で被膜される基板の表面前におけるプラズマ密度、イオン流および電子温度の測定を行った。図3に、プラズマ密度とデューティ比との依存関係をグラフで示す。デューティ比0は、基板前のプラズマ密度が非常に高い、従来の双極動作に相当する。デューティ比100は従来の単極動作に非常に近く、プラズマ密度は格段に低くなる。図3から分かるように、本発明の装置および方法ではデューティ比を変化させることにより、プラズマ密度を両極値間で無段階に調整することができる。成膜された窒化アルミニウム層の特性に及ぼされる影響を証明するため、基板上に窒化アルミニウム層が成膜された場合の機械的ストレスを測定した。図4に、この測定結果をグラフで示す。このグラフから、デューティ比が0に設定され高エネルギー基板衝突の衝撃が強くなった場合、成膜された層における圧縮ストレスは高くなることが分かる。この圧縮ストレスは、デューティ比を大きくすることによって低減することができる。"