基板と、前記基板上の素子形成領域に形成された複数の柱状構造と、前記複数の柱状構造に隣接して形成された少なくとも1つの金属配線とを含み、各柱状構造は、第1導電型の下部半導体反射鏡、第2導電型の上部半導体反射鏡、下部半導体反射鏡と上部半導体反射鏡の間に形成された活性領域を含み、各柱状構造は、前記基板と垂直方向に光を出射し、前記少なくとも1つの金属配線は、前記複数の柱状構造の各々に対して同一の方向に延在する歪み付加部を有する、面発光型半導体レーザアレイ。前記複数の柱状構造が線形に配列されているとき、前記歪み付加部は、前記複数の柱状構造が配列される方向と平行に延在される、請求項1に記載の面発光型半導体レーザアレイ。前記少なくとも1つの金属配線は、各々の柱状構造の上部半導体反射鏡と電気的に接続される電極配線と同一の材料から構成され、かつ前記電極配線と同一の工程で形成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザアレイ。前記少なくとも1つの金属配線は、前記複数の柱状構造の各々の電極配線を兼ねる、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。面発光型半導体レーザアレイはさらに、前記複数の柱状構造に対応する複数の電極パッドを含み、前記複数の柱状構造と前記複数の電極パッド間は複数の金属配線によって接続され、前記複数の金属配線は、前記歪み付加部を有する、請求項3に記載の面発光型半導体レーザアレイ。前記複数の電極パッドが第1の端部と当該第1の端部に対向する第2の端部とに配置されるとき、前記複数の柱状構造の中央に位置する前記第1の端部に近い第1の柱状構造に接続された第1の金属配線は、前記第2の端部に向けて延在され、前記第2の端部に近い第2の柱状構造の第2の金属配線は、前記第1の端部に向けて延在され、第1および第2の金属配線は、それぞれ歪み付加部を含む、請求項4または5に記載の面発光型半導体レーザアレイ。前記複数の電極パッドが第1の端部と当該第1の端部に対向する第2の端部とに配置されるとき、前記複数の柱状構造の中央に位置する前記第1の端部に近い第1の柱状構造に接続された第1の金属配線は、前記第1の端部に向けて延在され、前記第2の端部に近い第2の柱状構造の第2の金属配線は、前記第2の端部に向けて延在され、第1の金属配線は、少なくとも第1の柱状構造と当該第1の柱状構造に隣接する柱状構造のそれぞれに平行に延在する複数の歪み付加部を有し、第2の金属配線は、少なくとも第2の柱状構造と当該第2の柱状構造に隣接する柱状構造のそれぞれに平行に延在する複数の歪み付加部を有する、請求項4または5に記載の面発光型半導体レーザアレイ。前記歪み付加部は、前記基板の面方位110または1-10の方向に延在する、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。前記少なくとも1つの金属配線は、前記基板の面方位110または1-10の方向に延在する歪み付加部と、前記柱状構造の電極から前記基板の面方位に対して45度の角度で引き出される引き出し部とを含む、請求項8に記載の面発光型半導体レーザアレイ。各々の柱状構造は、底部、側部および頂部を含み、前記底部、前記側部および前記頂部の周縁部は絶縁膜によって覆われ、前記歪み付加部は、前記絶縁膜を介して前記柱状構造の底部に形成される、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。各々の柱状構造は、当該柱状構造の側面から選択的に酸化された酸化領域と当該酸化領域によって囲まれた導電領域とを含む電流狭窄層を有する、請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。前記少なくとも1つの金属配線は、金または金を含む材料から構成され、前記複数の柱状構造の活性領域に対し引張応力を付加する、請求項1ないし11いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。請求項1ないし12いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、前記面発光型半導体レーザアレイからの光を入射する光学部材と、を実装した面発光型半導体レーザ装置。請求項13に記載された面発光型半導体レーザ装置と、前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段と、を備えた光伝送装置。請求項1ないし12いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、前記面発光型半導体レーザアレイから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、を有する情報処理装置。本発明は、各素子が偏光制御された面発光型半導体レーザアレイを提供することを目的とする。請求項1は、基板と、前記基板上の素子形成領域に形成された複数の柱状構造と、前記複数の柱状構造に隣接して形成された少なくとも1つの金属配線とを含み、各柱状構造は、第1導電型の下部半導体反射鏡、第2導電型の上部半導体反射鏡、下部半導体反射鏡と上部半導体反射鏡の間に形成された活性領域を含み、各柱状構造は、前記基板と垂直方向に光を出射し、前記少なくとも1つの金属配線は、前記複数の柱状構造の各々に対して同一の方向に延在する歪み付加部を有する、面発光型半導体レーザアレイ。請求項2は、前記複数の柱状構造が線形に配列されているとき、前記歪み付加部は、前記複数の柱状構造が配列される方向と平行に延在される、請求項1に記載の面発光型半導体レーザアレイ。請求項3は、前記少なくとも1つの金属配線は、各々の柱状構造の上部半導体反射鏡と電気的に接続される電極配線と同一の材料から構成され、かつ前記電極配線と同一の工程で形成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザアレイ。請求項4は、前記少なくとも1つの金属配線は、前記複数の柱状構造の各々の電極配線を兼ねる、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。請求項5は、面発光型半導体レーザアレイはさらに、前記複数の柱状構造に対応する複数の電極パッドを含み、前記複数の柱状構造と前記複数の電極パッド間は複数の金属配線によって接続され、前記複数の金属配線は、前記歪み付加部を有する、請求項3に記載の面発光型半導体レーザアレイ。請求項6は、前記複数の電極パッドが第1の端部と当該第1の端部に対向する第2の端部とに配置されるとき、前記複数の柱状構造の中央に位置する前記第1の端部に近い第1の柱状構造に接続された第1の金属配線は、前記第2の端部に向けて延在され、前記第2の端部に近い第2の柱状構造の第2の金属配線は、前記第1の端部に向けて延在され、第1および第2の金属配線は、それぞれ歪み付加部を含む、請求項4または5に記載の面発光型半導体レーザアレイ。請求項7は、前記複数の電極パッドが第1の端部と当該第1の端部に対向する第2の端部とに配置されるとき、前記複数の柱状構造の中央に位置する前記第1の端部に近い第1の柱状構造に接続された第1の金属配線は、前記第1の端部に向けて延在され、前記第2の端部に近い第2の柱状構造の第2の金属配線は、前記第2の端部に向けて延在され、第1の金属配線は、少なくとも第1の柱状構造と当該第1の柱状構造に隣接する柱状構造のそれぞれに平行に延在する複数の歪み付加部を有し、第2の金属配線は、少なくとも第2の柱状構造と当該第2の柱状構造に隣接する柱状構造のそれぞれに平行に延在する複数の歪み付加部を有する、請求項4または5に記載の面発光型半導体レーザアレイ。請求項8は、前記歪み付加部は、前記基板の面方位110または1-10の方向に延在する、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。請求項9は、前記少なくとも1つの金属配線は、前記基板の面方位110または1-10の方向に延在する歪み付加部と、前記柱状構造の電極から前記基板の面方位に対して45度の角度で引き出される引き出し部とを含む、請求項8に記載の面発光型半導体レーザアレイ。請求項10は、各々の柱状構造は、底部、側部および頂部を含み、前記底部、前記側部および前記頂部の周縁部は絶縁膜によって覆われ、前記歪み付加部は、前記絶縁膜を介して前記柱状構造の底部に形成される、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。請求項11は、各々の柱状構造は、当該柱状構造の側面から選択的に酸化された酸化領域と当該酸化領域によって囲まれた導電領域とを含む電流狭窄層を有する、請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。請求項12は、前記少なくとも1つの金属配線は、金または金を含む材料から構成され、前記複数の柱状構造の活性領域に対し引張応力を付加する、請求項1ないし11いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。請求項13は、請求項1ないし12いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、前記面発光型半導体レーザアレイからの光を入射する光学部材とを実装した面発光型半導体レーザ装置。請求項14は、請求項13に記載された面発光型半導体レーザ装置と、前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段とを備えた光伝送装置。請求項15は、請求項1ないし12いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、前記面発光型半導体レーザアレイから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構とを有する情報処理装置。請求項1、2によれば、複数の柱状構造から出射される各々のレーザ光を一定方向に偏光制御することができる。請求項3によれば、少なくとも1つの金属配線が電極配線の材料と異なる場合または工程が異なる場合と比較して、少なくとも1つの金属配線の形成を容易に行うことができる。請求項4によれば、アレイの省スペース化を図ることができる。請求項5によれば、複数の柱状構造をそれぞれ個別に駆動することができる。請求項6、7によれば、アレイの省スペース化を図ることができる。請求項8によれば、歪み付加部を基板の面方位110または1-10の方向に延在させない場合と比較して、偏光制御をより効果的に行うことができる。請求項9によれば、引き出し部による歪みの影響を抑制し、偏光制御の効果が抑制されることが防止される。請求項10、12によれば、活性領域に歪みを効果的に付加することができる。請求項11によれば、基本横モード光を得ることができる。次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。以下の説明では、選択酸化型の面発光型半導体レーザVCSEL:VerticalCavitySurfaceEmittingLaserを例示し、面発光型半導体レーザをVCSELと称する。また、単一の基板上に複数の発光素子がアレイ化されたものをVCSELアレイと称する。なお、図面のスケールは、発明の特徴を分かり易くするために強調しており、必ずしも実際のデバイスのスケールと同一ではないことに留意すべきである。図1は、本発明の第1の実施例に係るVCSELアレイの概略平面図である。本実施例のVCSELアレイ10は、単一のGaAs基板上に複数の発光素子をアレイ化して構成され、最終的に、基板は矩形状のチップに切断される。好ましくは、VCSELアレイ10は、複数の発光素子を形成するための素子形成領域20と、複数の発光素子にそれぞれ接続された電極配線50および電極パッド60を形成するための配線形成領域30とを有する。図示する例では、素子形成領域20は、基板上に積層された半導体層を一定の深さにエッチングすることにより形成され、その輪郭は矩形状を有している。これにより、素子形成領域20の周囲には、一定の段差を介して配線形成領域30が形成される。素子形成領域20には、発光素子である3つのメサM1、M2、M3総称してメサMというが形成され、各メサM1、M2、M3は、素子形成領域20の底面から円筒状に突出した柱状構造を有し、これらは線形に配列されている。メサMは、円筒状であるが、これ以外にも楕円形状、円錐状または矩形状であってもよい。1つのメサは、1つの発光素子であって、基板上に垂直共振器を含み、メサMの頂部から基板と垂直方向にレーザ光を出射する。好ましくは、基本横モードのレーザ光を出射する。メサM1、M2、M3の頂部には、環状電極40-1、40-2、40-3総称して環状電極40というが形成され、環状電極40は、メサMのp側の半導体層と電気的に接続される。各環状電極40-1、40-2、40-3には、電極配線50-1、50-2、50-3電極配線50というが接続され、電極配線50は、素子形成領域20の底面および側面を介して配線形成領域30に延在され、そこで電極パッドまたは端子60-1、60-2、60-3に接続される。各メサM1、M2、M3は、選択された電極パッド60-1、60-2、60-3に駆動電力を印加することによって個別に駆動される。素子形成領域20の底面には、メサMと隣接するように金属配線70が形成され、金属配線70は、各メサM1、M2、M3の全てに対して同一方向に延在する関係、すなわち歪みを付加する関係を有する。従って、メサM1に対し金属配線70が延在する方向は、メサM2に対し金属配線70が延在する方向と同じであり、さらにメサM3に対し金属配線70が延在する方向とも同じである。メサMが線形に配列されている場合には、金属配線70は、その線形の配列方向と平行に延在される。金属配線70は、後述するように、各メサM1、M2、M3の活性層に対し歪みを付加し、メサM1、M2、M3は、この歪みを受けて同一方向に偏光制御されたレーザ光を出射することができる。次に、VCSELの典型的な構成を図2に示す。同図は、図1のメサM1のA-A線断面図である。同図に示すように、メサM1のVCSEL素子は、n型のGaAs基板100上に、Al組成の異なるAlGaAs層を交互に重ねたn型の下部分布ブラック型反射鏡DistributedBraggReflector:以下、DBRという102、下部DBR102上に形成された上部および下部スペーサ層に挟まれた量子井戸層を含む活性領域104、活性領域104上に形成されたAl組成の異なるAlGaAs層を交互に重ねたp型の上部DBR106を積層している。n型の下部DBR102は、例えば、Al09Ga01As層とAl03Ga07As層との対の複数層積層体で、各層の厚さはλ/4nr但し、λは発振波長、nrは媒質の屈折率であり、これらを交互に40周期で積層してある。n型不純物であるシリコンをドーピングした後のキャリア濃度は、例えば、3×1018cm3である。活性領域104の下部スペーサ層は、例えば、アンドープのAl06Ga04As層であり、量子井戸活性層は、アンドープAl011Ga089As量子井戸層およびアンドープのAl03Ga07As障壁層であり、上部スペーサ層は、アンドープのAl06Ga04As層である。p型の上部DBR106は、例えば、Al09Ga01As層とAl03Ga07As層との対の複数層積層体で、各層の厚さはλ/4nrであり、これらを交互に24周期積層してある。p型不純物であるカーボンをドーピングした後のキャリア濃度は、例えば、3×1018cm3である。また、上部DBR106の最上層には、p型GaAsからなるコンタクト層が形成され、上部DBR106の最下層もしくはその内部には、p型のAlAsからなる電流狭窄層108が形成される。上部DBR106から下部DBR102に至るまで半導体層をエッチングすることにより、基板100上に円筒状のメサMが形成される。メサMのエッチングは、少なくとも電流狭窄層108を側面に露出させる深さであればよい。電流狭窄層108は、メサMの側面で露出され、当該側面から選択的に酸化された酸化領域108Aと酸化領域108Aによって囲まれた導電領域酸化アパーチャ108Bとを有する。電流狭窄層108の酸化工程において、AlAs層の酸化速度は、AlGaAs層よりも速く、メサMの側面から内部に向けてほぼ一定の速度で酸化が進行する。このため、導電領域108Bの基板100の主面と平行な面内の平面形状は、メサMの外形を反映した円形状となり、その中心は、メサMの軸方向の中心、すなわち光軸と一致する。導電領域108Bの径は、基本横モードを得る場合には、例えば、780nmの波長帯で、5ミクロンまたはそれ以下にされる。メサMの最上層または頂部には、金属製の環状のp側電極110が形成される。p側電極110は、例えば、AuまたはTi/Auなどを積層した金属から構成され、上部DBR106のコンタクト層にオーミック接続される。p側電極110の中央には、円形状の開口部が形成され、当該開口部は、光を出射する光出射口110Aを規定する。好ましくは、光出射口110Aの中心は、メサMの光軸に一致し、光出射口110Aの直径は、導電領域108Bの直径よりも大きい。この光出射口110Aは、発振波長に対して透明である円形の出射保護膜112によって覆われるようにしてもよい。また、基板裏面には、各メサM1、M2、M3に対して共通となるn側電極120が形成される。メサMの底部、側部および頂部の周縁を覆うように層間絶縁膜114が形成される。メサMの頂部において、層間絶縁膜114には円形状のコンタクトホールが形成され、環状電極40は、コンタクトホールを介してp側電極110に接続される。環状電極40には電極配線50が接続され、電極配線50は、層間絶縁膜114を介して、メサMの側部、底部を通り、配線形成領域30上にまで延在される。さらに、メサMの底部には、層間絶縁膜114を介して金属配線70が形成される。金属配線70は、メサM1からメサM3まで延在する矩形状のパターンに加工される。図3は、金属配線70の詳細を説明する図である。金属配線70は、上記したように、すべてのメサMに対し同一の方向に延在し、すべてのメサMの活性領域に対し同一方向の歪みを付加する。すなわち、層間絶縁膜114上に形成された金属配線70は、内部応力を有し、この内部応力により、すべてのメサM内の活性領域104に対し一定の方向の異方性の歪みまたは応力を与える。本例の金属配線70は、一定の幅W、一定の厚さT、一定の長さL図1を参照にパターンニングされ、金属配線70は、活性領域104から一定の距離Dに形成される必要がある。図3に示す距離Dは、メサMの光軸から金属配線70の端部までの大きさを表している。W、T、L、Dの値は、金属配線70が活性領域104に対し一定の応力または歪みを及ぼすことができるように適宜選択される。例えば、距離Dは、数ミクロンである。好ましい例では、金属配線70は、電極配線50と同一の材料を用いて構成され、金属配線70と電極配線50は、同一の工程によって同時に形成することができる。電極配線50が環状電極40と同一の材料を用いて構成される場合には、金属配線70、電極配線50および環状電極40は、同一の工程によって同時に形成することができる。好ましい例では、金属配線70および電極配線50は、金Auにより構成され、金をパターニングした後、370°Cでアニールすると、金属配線70は、約200MPの引張応力を有する。金属配線70および電極配線50は、金と他の金属を積層したものであってもよく、例えば、Au/Tiの2層金属から構成されるもよい。上記の金属材料は一例であって、要は、電気的導電性を有し、かつ一定の内部応力を有することができる金属材料を用いて金属配線70および電極配線50を形成することができる。また、図2に示すメサでは、環状電極40がp側電極110に接続される例を示したが、p側電極を介在させずに、環状電極40が直接に上部DBR106のコンタクト層にオーミック接続されるようにしてもよい。このように、金属配線70は、すべてのメサMに対し異方性の歪みを付加する配線として働き、すべてのメサMの活性領域には異方的な歪みが生じ、すべてのメサMの偏光を一定方向に安定化することができる。なお、上記の例では、基板上に素子形成領域20と配線形成領域30とを区別して示したが、配線形成領域30は必須ではなく、電極配線50および電極パッド60は、金属配線70が形成される素子形成領域20の底面に形成されるようにしてもよい。図4は、第1の実施例の変形例のVCSELアレイ10Aの概略平面図である。上記実施例では、メサM1、M2、M3に対し1つの連続する金属配線70を形成したが、ここでは、メサM1、M2、M3に対し金属配線70A、70B、70Cが不連続に形成されている。金属配線70A、70B、70Cは、各メサM1、M2、M3に対し同一の方向に延在し、各メサの活性領域に異方性の歪みを与えることができるのに十分な距離Dおよび長さLを持って形成される。次に、本発明の第2の実施例について説明する。第1の実施例では、歪みを付加する金属配線は、メサMの環状電極40と別個に設けられたが、第2の実施例では、歪みを付加する金属配線は、メサMの環状電極40を兼ねている。金属配線が環状電極を兼ねることで、その分の省スペース化を図ることができ、VCSELアレイの高密度化が可能になる。図5は、第2の実施例に係るVCSELアレイ10Bの平面図である。素子形成領域内には、2行×4列の8つのメサM1~M8が形成される。メサM1~M4およびメサM5~M8は、基板の主面と平行な面内において、X方向に線形に配列されるものとする。各メサM1~M8を駆動するための電極パッド60-1、60-3、60-5、60-7は、アレイもしくはチップの一方の端部に配置され、電極パッド60-2、60-4、60-6、60-8は、一方の端部と対向する他方の端部に配置される。なお、電極パッド60-1~60-8は、第1の実施例のときと同様に配線形成領域上に形成されてもよいし、素子形成領域20の底面に形成されるものであってもよい。メサM1は、金属配線70-1によって電極パッド60-1に接続され、メサM2は、金属配線70-2によって電極パッド60-2に接続され、同様に、メサM3~M8は、金属配線70-3~70-8によって電極パッド60-3~60-8にそれぞれ接続される。本実施例では、金属配線70-1~70-8は、メサM1~M8の環状電極を兼ね、従って、金属配線70-1~70-8は、メサM1~M8の上部DBR106のコンタクト層に電気的に接続される。ここで、メサM1に着目すると、金属配線70-3は、メサM1に対し一定の方向に延在する関係を有する歪み付加部80Aを含んでいる。すなわち、メサM1の光軸から見たとき、歪み付加部80Aは、X方向に延在し、メサM1の光軸から一定の距離Dにあり、メサM1の活性領域にX方向の異方性の歪みを与える。メサM2に着目すると、金属配線70-3は、メサM2の光軸からみてX方向に延在しかつそこから一定の距離Dにある歪み付加部80Bを含み、歪み付加部80Bは、メサM2の活性領域にX方向の異方性の歪みを与える。メサM3に着目すると、金属配線70-2は、メサM3に対しX方向に延在し、かつそこから一定の距離Dにある歪み付加部82Aを含み、歪み付加部82Aは、メサM3の活性領域にX方向の異方性の歪みを与える。メサM4に着目すると、金属配線70-2は、メサM4に対しX方向に延在しかつ一定の距離Dにある歪み付加部82Bを含み、歪み付加部82Bは、メサM4の活性領域にX方向の異方性の歪みを与える。メサM5~M8についても同様に、金属配線70-7は、メサM5、M6に対しX方向の異方性の歪みを付加する歪み付加部84A、84Bを含み、金属配線70-6は、メサM7、M8に対しX方向の異方性の歪み付加する歪み付加部86A、86Bを含んでいる。このように、金属配線70-1~70-8は、メサM1~M8の環状電極を兼ね、かつその中の選択された金属配線70-2、70-3、70-6、70-7は、各メサM1~M8に対しX方向の異方性の歪みを付加する歪み付加部80A、80B、82A、82B、84A、84B、86A、86Bを有することで、配線が効率化され、アレイの省スペース化を図ることができる。そして、メサM1~M8から出力される基本横モード光の偏波を一定方向に安定化させることができる。図5bは、メサM1~M4とM5~M8とがX方向から一定の角度で傾斜された方向に線形に配列されたVCSELアレイ10Cを示している。図5aのときと同様に、金属配線70-1~70-8のうち、選択された金属配線70-2、70-3、70-6、70-7は、メサM1~M8に対しX方向に異方性の歪みを付加する歪み付加部90A、90B、92A、92B、94A、94B、96A、96Bを有する。これにより、アレイの省スペース化を図り、かつメサM1~M8から出力される基本横モード光の偏波を一定方向に安定化させることができる。なお、上記の例では、2行×4列のVCSELアレイを示したが、1行を構成するメサM1~M4の金属配線70-1~70-4の配置を基本パターンとし、この基本パターンを複数行において繰り返せば、n行×4列のVCSELアレイを得ることができる。メサM1~M4の基本パターンは、中央の2つのメサM2、M3のうち、アレイの左側端部に近いメサM2の金属配線70-2がアレイの右側端部に向けて延在し、アレイの右側端部に近いメサM3の金属配線70-3がアレイの左側端部に向けて延在し、金属配線70-2がアレイの右側に存在するメサへの歪み付加部を有し、金属配線70-3がアレイの左側に存在するメサへの歪み付加部を有する。次に、本発明の第3の実施例について説明する。第3の実施例は、1行にM個のメサMは5以上を有するときのVCSELアレイの金属配線のパターンに関する。図6は、少なくとも14のメサM1~M14を有するVCSELアレイ10Dの概略平面図である。VCSELアレイ10Dは、少なくとも14のメサM1~M14と、電極パッド60-1~60-14と、金属配線70-1~70-14とを有する。金属配線70-1~70-14は、第2の実施例のときと同様に各メサへの環状電極を兼ね、選択された金属配線は、メサM1~M14に対し異方性の歪みを付加する歪み付加部K1~K14図中、黒で塗りつぶした領域を有する。メサM1~M6の電極パッド60-1~60-6は、アレイの左側の端部に配置され、メサM9~M14の電極パッド60-9~60-14は、アレイの右側の端部に配置され、中央の2つのメサM7、M8の電極パッド60-7、60-8は、それぞれ反対側の端部に配置される。図の例では、メサM1は、金属配線70-2と金属配線70-3の2つの金属配線の歪み付加部K1、K2によって歪みを受けるが、2つの歪み付加部K1、K2は、メサM1を挟んで平行に延在し、すなわちメサM1に関し対称の位置にあるから、メサM1には、X方向の歪みが付加される。メサM1の金属配線70-1を基準にして、奇数番号のメサM3、M5の金属配線70-3、70-5が上方に配置され、偶数番号のメサM2、M4、M6の金属配線70-2、70-4、70-6が下方に配置される。そして、メサM2は、隣接するメサM3の金属配線70-3の歪み付加部K3によりX方向の歪みを付加され、メサM3は、隣接するメサM4の金属配線70-4の歪み付加部K4によりX方向の歪みを付加され、メサM5には、図示されない隣接する偶数番号のメサの金属配線の歪み付加部によってX方向の歪みを付加される。中央に配置された2つのメサM7、M8に関し、メサM7の金属配線70-7は、電極パッド60-7に接続され、メサM8の金属配線70-8は、電極パッド60-8に接続され、金属配線70-7と70-8は、反対方向の電極パッドに向けて延在する。メサM7は、金属配線70-8の歪み付加部K7により歪みを付加され、メサM8は、金属配線70-7の歪み付加部K8により歪みを付加される。また、メサM9~M14については、メサM1~M6のときと同様に隣接するメサの金属配線の歪み付加部K9~K14によって歪みを付加される。このように、隣接するメサの電極配線によって交互に歪み付加部を設けることで、金属配線はほぼ対称となり、配線の効率化およびアレイの省スペース化を図ることができる。次に、本発明の第4の実施例を図7に示す。第4の実施例に係るVCSELアレイ10Eは、金属配線が自身のメサに歪みを付加するものである。VCSELアレイ10Eは、2行×4列のメサM1~M8を有し、各メサM1~M8には、金属配線70-1~70-8を介して電極パッド60-1~60-8が接続されている。ここで、メサM1は、隣接するメサM2の金属配線70-2に含まれる歪み付加部K1によってX方向の歪みを付加される。メサM2は、自身の金属配線70-2に含まれる歪み付加部K2によってX方向の歪みを付加される。この関係は、他のメサM3~M8についても同様である。本実施例によれば、金属配線が自身のメサに対して歪み付加部を有することで、配線スペースの効率化を図ることができる。次に、本発明の第5の実施例を図8に示す。第5の実施例は、電極パッド電源供給部がアレイの片側にのみ配置されるときのVCSELアレイ10Fに関する。図8aに示すVCSELアレイ10Fは、線形に配列されたメサM1~M6を含み、アレイの片側に電極パッド60-60-6を有する。メサM1~M4は、第3の実施例図6のときと同様に、隣接するメサの金属配線に含まれる歪み付加部K1~K3によって歪みを付加される。メサM5、M6については、メサM1~M4と反対側のメサが存在しないため、メサM5の金属配線70-5にX方向に延在するダミー部72が設けられ、ダミー部72は、メサM5、M6の活性領域にX方向の異方性の歪みを付加する歪み付加部K5、K6を含む。図8bに示すVCSELアレイ10Gは、金属配線の他の配線例を示している。ここでは、金属配線70-6は、メサM1~M5に対してX方向の歪みを付加する歪み付加部K1~K5を備えている。また、メサM5の金属配線70-5には、メサM6に近接してX方向に延在するダミー部72が設けられ、ダミー部72には、メサM6の活性領域にX方向の異方性歪みを付加する歪み付加部K6が設けられる。本実施例では、歪み付加部を設ける金属配線の数が制限されるため、アレイのY方向のサイズを小さくすることが可能である。次に、本発明の第6の実施例について説明する。III-V族半導体のVCSELでは、面方位110もしくは1-10の方向に偏波しやすい。このため、メサ近傍の金属配線が延在する方向を、上記の面方位110もしくは1-10の方向に一致させることで、より効果的な偏光制御を行うことができる。図9は、第6の実施例に係るVCSELアレイ10Hの概略平面図である。メサM1~M4は、面方位1-10の方向に配列され、金属配線70もまた面方位1-10の方向に延在される。図9に示す例では、メサM1~M4の環状電極40-1~40-4は、電極配線50-1~50-4を介して電極パッド60-1~60-4に接続される。この場合、電極配線50-1~50-4は、環状電極40-1~40-4から斜め方向に引き出される引き出し部74-1~74-4を有することが望ましい。引き出し部74-1~74-4の方向は、面方位110もしくは1-10の方向に対して45°傾いた方向である。メサから引き出される引き出し部74-1~74-4の配線もまた活性領域に応力を与えることになるので、引き出し部74-1~74-4を110または1-10方向から45°傾斜させることで、少なくとも110または1-10の一方だけの偏波を強めたり、弱めたりすることはない。このため、メサ近傍を走る金属配線70の歪み付加部による応力の効果のみが純粋に偏光に影響を与えることとなる。なお、図9では、金属配線70と電極配線50とを別個に形成する例を示しているが、第2ないし第4の実施例のように、金属配線が電極配線を兼ねる場合には、金属配線に引き出し部を形成することができる。上記実施例では、電流狭窄層108は、AlAsから構成される例を示したが、電流狭窄層108は、Al組成を他のDBRのAl組成よりも高くしたAlGaAsから構成されるものであってもよい。さらにVCSELは、GaAs系のみならず、他のIII-V族の化合物半導体を用いたものであってもよい。次に、本実施例のVCSELアレイを利用した面発光型半導体レーザ装置、光情報処理装置および光伝送装置について図面を参照して説明する。図10は、VCSELアレイと光学部材を実装パッケージした面発光型半導体レーザ装置の構成を示す断面図である。面発光型半導体レーザ装置300は、VCSELアレイが形成されたチップ310を、導電性接着剤320を介して円盤状の金属ステム330上に固定する。複数の導電性のリード340は、ステム330に形成された貫通孔図示省略内に挿入され、リード340は、対応する電極パッド60、およびVCSELアレイのn側電極120に電気的に接続される。チップ310を含むステム330上に矩形状の中空のキャップ350が固定され、キャップ350の中央の開口352内に平板ガラス362が固定される。選択されたリード340間に順方向の駆動電流が印加されると、チップ310から垂直方向にレーザ光が出射される。チップ310と平板ガラス362との距離は、チップ310からのレーザ光の広がり角θ内に平板ガラス362が含まれるように調整される。また、キャップ内に、VCSELアレイの発光状態をモニターするための受光素子や温度センサを含ませるようにしてもよい。図11は、VCSELを光情報処理装置の光源に適用した例を示す図である。光情報処理装置370は、図10のようにVCSELアレイを実装した面発光型半導体レーザ装置300からのレーザ光を入射するコリメータレンズ372、一定の速度で回転し、コリメータレンズ372からの光線束を一定の広がり角で反射するポリゴンミラー374、ポリゴンミラー374からのレーザ光を入射し反射ミラー378を照射するfθレンズ376、ライン状の反射ミラー378、反射ミラー378からの反射光に基づき潜像を形成する感光体ドラム380を備えている。このように、VCSELからのレーザ光を感光体ドラム上に集光する光学系と、集光されたレーザ光を光体ドラム上で走査する機構とを備えた複写機やプリンタなど、光情報処理装置の光源として利用することができる。図12は、図10に示す面発光型半導体レーザ装置を光伝送装置に適用したときの構成を示す断面図である。光伝送装置400は、ステム330に固定された円筒状の筐体410、筐体410の端面に一体に形成されたスリーブ420、スリーブ420の開口422内に保持されるフェルール430、およびフェルール430によって保持される光ファイバ440を含んで構成される。ステム330の円周方向に形成されたフランジ332には、筐体410の端部が固定される。フェルール430は、スリーブ420の開口422に正確に位置決めされ、光ファイバ440の光軸が平板ガラス362のほぼ中央に整合される。フェルール430の貫通孔432内に光ファイバ440の芯線が保持されている。チップ310の表面から出射されたレーザ光は、平板ガラス362を介して光ファイバ440の芯線に入射され、送信される。さらに、光伝送装置400は、リード340に電気信号を印加するための駆動回路を含むものであってもよい。さらに、光伝送装置400は、光ファイバ440を介して光信号を受信するための受信機能を含むものであってもよい。以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。