"ノズル開口に連通する圧力発生室と、第1電極、前記第1電極上に設けられた圧電体層及び前記圧電体層上に設けられた第2電極を備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、ビスマス、ランタン、鉄及びマンガンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第1圧電体層と、前記第1圧電体層上に設けられ、ビスマス、鉄、マンガン、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第2圧電体層と、を有することを特徴とする液体噴射ヘッド。請求項1に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。第1電極、前記第1電極上に設けられた圧電体層及び前記圧電体層上に設けられた第2電極を備えた圧電素子であって、前記圧電体層は、ビスマス、ランタン、鉄及びマンガンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第1圧電体層と、前記第1圧電体層上に設けられ、ビスマス、鉄、マンガン、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第2圧電体層と、を有することを特徴とする圧電素子。しかしながら、このような圧電材料を圧電体層とすると、クラック成膜割れが発生し易いという問題がある。また、印加した時に圧電素子が絶縁破壊する電圧破壊電圧等の電気特性が湿度に依存してしまうという問題もある。なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドだけではなく、勿論、インク以外の液滴を吐出する他の液体噴射ヘッドにおいても同様に存在し、また、液体噴射ヘッド以外に用いられる圧電素子においても同様に存在する。本発明はこのような事情に鑑み、環境負荷が小さく、且つ、クラックが抑制され、湿度依存性が小さい圧電体層を有する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の態様は、ノズル開口に連通する圧力発生室と、第1電極、前記第1電極上に設けられた圧電体層及び前記圧電体層上に設けられた第2電極を備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、ビスマス、ランタン、鉄及びマンガンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第1圧電体層と、第1圧電体層上に設けられ、ビスマス、鉄、マンガン、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第2圧電体層とを有することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。なお、本明細書における100面の定義は、ペロブスカイト構造を擬立方晶とみなしたときの面方位のことであり、実際の対称性例えば菱面対称における面方位とは必ずしも一致しない。加えて、後述する110面、111面、100配向、110配向も同様である。かかる態様では、圧電体層を、ビスマス、ランタン、鉄及びマンガンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第1圧電体層上に、ビスマス、鉄、マンガン、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第2圧電体層を設けた構成としているため、圧電体層のクラックの発生を抑制でき、また、湿度依存性を小さくすることができる。また、非鉛又は鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。本発明の他の態様は、上記液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、クラックの発生が抑制され、また、湿度依存性が小さい圧電体層を有するため、信頼性に優れた液体噴射装置となる。また、本発明の他の態様は、第1電極、前記第1電極上に設けられた圧電体層及び前記圧電体層上に設けられた第2電極を備えた圧電素子であって、前記圧電体層は、ビスマス、ランタン、鉄及びマンガンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第1圧電体層と、前記第1圧電体層上に設けられ、ビスマス、鉄、マンガン、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第2圧電体層と、を有することを特徴とする圧電素子にある。これによれば、圧電体層を、ビスマス、ランタン、鉄及びマンガンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第1圧電体層上に、ビスマス、鉄、マンガン、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第2圧電体層を設けた構成としているため、圧電体層のクラックの発生を抑制でき、また、湿度依存性を小さくすることができる。また、非鉛又は鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。実施形態1図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図であり、図3aは図2のA-A′線断面図、図3bは図3aの要部拡大断面図である。図1~図3に示すように、本実施形態の流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のマニホールド部31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設けられていることになる。また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、酸化チタンを含む酸化チタン層56が設けられている。なお、弾性膜50上に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が設けられていてもよい。さらに、この酸化チタン層56上には、第1電極60と、厚さが3μm以下、好ましくは0.3~1.5μmの薄膜である圧電体層70と、第2電極80とが、積層形成されて、圧力発生室12に圧力変化を生じさせる圧力発生手段としての圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、酸化チタン層56、第1電極60及び必要に応じて設ける絶縁体膜が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50や酸化チタン層56が設けられていなくてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。本実施形態においては、第1電極60は白金Ptを含むものである。なお、圧電体層70の配向に支障が無ければ、白金以外の金属伝導を示す材料、例えば、イリジウム、酸化イリジウム、ニッケル酸ランタン等や、白金、イリジウム、酸化イリジウムや、ニッケル酸ランタン等の積層構造からなる第1電極60としてもよい。なお、ニッケル酸ランタンとしては、例えば、LaNiO3、La3Ni2O6、LaNiO2、La2NiO4、La3Ni2O7、La4Ni3O10等が挙げられる。また、圧電体層70は、本実施形態においては、第1電極60上に設けられた第1圧電体層71と、第1圧電体層71上に設けられた第2圧電体層72とで構成されている。第1圧電体層71は、ビスマスBi、ランタンLa、鉄Fe及びマンガンMnを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなるものである。なお、ペロブスカイト構造、すなわち、ABO3型構造のAサイトは酸素が12配位しており、また、Bサイトは酸素が6配位して8面体オクタヘドロンをつくっており、このAサイトにBi及びLaが、BサイトにFe及びMnが位置している。また、Bi、La、Fe及びMnを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる第1圧電体層71は、下記式1で表される組成比であることが好ましい。下記式1で表される組成比とすることで、第1圧電体層71を強誘電体とすることができる。このように、強誘電体であるものを第1圧電体層71とすると、歪み量の制御が容易になるため、例えば圧電素子を液体噴射ヘッド等に用いた場合、吐出するインク滴サイズ等を容易に制御できる。なお、Bi、La、Fe及びMnを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物は、特開2011-142143号公報に示すように、その組成比によって、強誘電体、反強誘電体、常誘電体という異なる特性を示す。下記式1において、0.10≦x≦0.20,0.01≦y≦0.09の範囲では、強誘電体に特徴的なヒステリシスループ形状が観測され、歪み量が印加電圧に対して直線的に変化するため、歪み量の制御が容易である。一方、下記式1において0.10≦x≦0.20,0.01≦y≦0.09の範囲外とすると、反強誘電体に特徴的な正の電界方向と負の電界方向で2つのヒステリシスループ形状を持つダブルヒステリシスが観測される反強誘電体、または、常誘電体となる。Bi1-x,LaxFe1-y,MnyO310.10≦x≦0.20,0.01≦y≦0.09ここで、自発分極が互い違いに並んでいる物質である反強誘電体、すなわち、電界誘起相転移を示すものを圧電体層とした場合、一定印加電圧以上で電界誘起相転移を示し、大きな歪みを発現するため、強誘電体を超える大きな歪みを得ることが可能であるが、一定電圧以下では駆動せず、歪み量も電圧に対して直線的に変化しない。なお、電界誘起相転移とは、電場によって起こる相転移であり、反強誘電相から強誘電相への相転移や、強誘電相から反強誘電相への相転移を意味する。そして、強誘電相とは、分極軸が同一方向に並んでいる状態であり、反強誘電相とは分極軸が互い違いに並んでいる状態である。例えば、反強誘電相から強誘電相への相転移は、反強誘電相の互い違いに並んでいる分極軸が180度回転することにより分極軸が同一方向になって強誘電相になることであり、このような電界誘起相転移によって格子が膨張又は伸縮して生じる歪みが、電界誘起相転移により生じる相転移歪みである。このような電界誘起相転移を示すものが反強誘電体であり、換言すると、電場のない状態では分極軸が互い違いに並んでおり、電場により分極軸が回転して同一方向に並ぶものが反強誘電体である。このような反強誘電体は、反強誘電体の分極量Pと電圧Vの関係を示すP-V曲線において、正の電界方向と負の電界方向で2つのヒステリシスループ形状を持つダブルヒステリシスとなる。そして、分極量が急激に変化している領域が、強誘電相から反強誘電相への相転移や、反強誘電相から強誘電相への相転移している箇所である。一方、強誘電体は、反強誘電体のようにP-V曲線がダブルヒステリシスとはならず、分極方向を一方向に揃えることで歪み量が印加電圧に対して直線的に変化する。したがって、歪み量の制御が容易なので吐出させる液滴サイズ等の制御も容易であり、微振動を発生させる小振幅振動及び大きな排除体積を発生させる大振幅振動の両者を一つの圧電素子により発生させることができる。なお、第1圧電体層71は、特性を向上させるために公知のその他の添加物を含んでもよい。また、第2圧電体層72、第1電極60や酸化チタン層56の原料の一部が、製造時等に拡散することにより、第1圧電体層71に含まれていてもよい。そして、第1圧電体層71は、100面に優先配向しているものである。ここで、本明細書において、100面に優先配向しているとは、全ての結晶が100面に配向している場合と、ほとんどの結晶例えば90以上が100面に配向している場合とを含むものである。具体的には、本実施形態の第1圧電体層71は、100面の配向度が0.90以上、好ましくは0.99以上である。なお、第1圧電体層71100面の配向度は下記式で求められる。第1圧電体層71の100面の配向度=[第1圧電体層71の100面に由来する回折ピークの面積]/[第1圧電体層71の100面、110面及び111面に由来する回折ピークの面積の総和]ただし、第1圧電体層71の111面の回折ピークは、第1電極60の種類によっては、第1電極60の111面の回折ピークとの分離が難しい場合がある。このため、第1圧電体層71の111面の回折ピークが弱い場合、具体的には100面もしくは110面に配向している場合、第1圧電体層71の100面の配向度は下記式で代用することができる。第1圧電体層71の100面の配向度=[第1圧電体層71の100面に由来する回折ピークの面積]/[第1圧電体層71の100面及び110面に由来する回折ピークの面積の総和]また、第2圧電体層72は、ビスマスBi、鉄Fe、マンガンMn、バリウムBa及びチタンTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなるものである。そしてペロブスカイト構造、すなわち、ABO3型構造のAサイトにBi及びBaが、BサイトにFe、Mn及びTiが位置している。このようなBi、Fe、Mn、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物は、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体のFeの一部がMnで置換された構造、又は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物として表される。なお、X線回折パターンにおいて、鉄酸ビスマス、鉄酸マンガン酸ビスマスや、チタン酸バリウムは、単独では検出されないものである。ここで、鉄酸ビスマス、鉄酸マンガン酸ビスマスや、チタン酸バリウムは、それぞれペロブスカイト構造を有する公知の圧電材料であり、それぞれ種々の組成のものが知られている。例えば、鉄酸ビスマスやチタン酸バリウムとして、BiFeO3、BiFe,MnO3、BaTiO3以外に、元素が一部欠損する又は過剰であったり、元素の一部が他の元素に置換されたものも知られているが、本発明で鉄酸ビスマス、鉄酸マンガン酸ビスマス、チタン酸バリウムと表記した場合、基本的な特性が変わらない限り、欠損過剰により化学量論の組成からずれたものや元素の一部が他の元素に置換されたものも、鉄酸ビスマス、鉄酸マンガン酸ビスマス、チタン酸バリウムの範囲に含まれるものとする。このようなBi、Fe、Mn、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる第2圧電体層72の組成は、例えば、下記式2で表される混晶である。また、この式2は、下記式2’で表すこともできる。ここで、式2及び式2’の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成ずれは許容される。例えば、化学量論が1であれば、0.85~1.20の範囲内のものは許容される。1-x[BiFe1-yMnyO3]-x[BaTiO3]20<x<0.40、0.01<y<0.09Bi1-xBaxFe1-yMny1-xTixO32’0<x<0.40、0.01<y<0.09なお、第2圧電体層72は、特性を向上させるため公知のその他の添加物を含んでもよい。また、第1圧電体層71、第1電極60や酸化チタン層56の原料の一部が、製造時等に拡散することにより、第2圧電体層72に含まれていてもよい。また、第2圧電体層72も100面に優先配向している。そして、第2圧電体層72の100面の配向度も、0.90以上、好ましくは0.99以上である。なお、第2圧電体層72の100面の配向度は下記式で求められる。第2圧電体層72の100面の配向度=[第2圧電体層72の100面に由来する回折ピークの面積]/[第2圧電体層72の100面、110面及び111面に由来する回折ピークの面積の総和]ただし、第1圧電体層71の場合と同様、第2圧電体層72の111面の回折ピークは、第1電極の種類によっては、第1電極の111面の回折ピークとの分離が難しい場合がある。このため、第2圧電体層72の111面の回折ピークが弱い場合、具体的には100面もしくは110面に配向している場合、第2圧電体層72の100面の配向度は下記式で代用することができる。第2圧電体層72の100面の配向度=[第2圧電体層72の100面に由来する回折ピークの面積]/[第2圧電体層72の100面及び110面に由来する回折ピークの面積の総和]このような第1圧電体層71及び第2圧電体層72を有する圧電体層70とすることにより、後述する実施例に示すように、圧電体層70のクラックの発生を抑制できる。また、圧電体層70の湿度依存性、すなわち、雰囲気依存性が小さくなり、例えば、印加した時に圧電素子が絶縁破壊する電圧である破壊電圧の湿度による変化が小さくなる。そして、圧電体層70のクラックの発生が抑制され、湿度依存性が小さいため、信頼性に優れた液体噴射ヘッドとなる。第1圧電体層71や、第2圧電体層72の厚さは限定されないが、例えば、第1圧電体層71の厚さは20nm~500nmである。また、第2圧電体層72の厚さは300nm~3000nmである。ただし、圧電体層70の厚さに対する第2圧電体層72の厚さの比により、圧電体層70の比誘電率や圧電定数が変わるため、所望の比誘電率や圧電定数に合わせて、圧電体層70の厚さに対する第2圧電体層72の厚さの比を調整すればよい。なお、第1圧電体層71はBi、La、Fe及びMnを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向しており、また、第2圧電体層72はBi、Fe、Mn、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向しているため、第1圧電体層の比誘電率は第2圧電体層の比誘電率よりも小さい。したがって、圧電体層70の比誘電率は、圧電体層70の厚さに対する第2圧電体層72の厚さの比を調整することにより、第1圧電体層71の比誘電率<圧電体層70の比誘電率<第2圧電体層72の比誘電率となる範囲内で、圧電体層70の比誘電率を調製することができる。また、第1圧電体層71はBi、La、Fe及びMnを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向しており、また、第2圧電体層72はBi、Fe、Mn、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向しているため、第1圧電体層71の圧電定数は第2圧電体層72の圧電定数以下である。したがって、圧電体層70の圧電定数は、圧電体層70の厚さに対する第2圧電体層72の厚さの比を調整することにより、第1圧電体層71の圧電定数≦圧電体層70の圧電定数≦第2圧電体層72の圧電定数となる範囲内で、圧電体層70の圧電定数を調製することができる。このような圧電素子300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、弾性膜50上や必要に応じて設ける絶縁体膜上にまで延設される、例えば、金Au等からなるリード電極90が接続されている。このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、弾性膜50や必要に応じて設ける絶縁体膜及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、マニホールド部31のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材例えば、弾性膜50、必要に応じて設ける絶縁体膜等にマニホールド100と各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、酸化チタン層56、第1電極60、圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法の一例について、図4~図8を参照して説明する。なお、図4~図8は、圧力発生室の長手方向の断面図である。まず、図4aに示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。なお、弾性膜50上に、酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜図示なしを設ける場合は、例えば、反応性スパッター法や熱酸化等で形成することができる。次いで、図4bに示すように、弾性膜50二酸化シリコン膜上、また絶縁体膜を設けた場合は絶縁体膜上に、DCスパッター法やイオンスパッター法等でチタンからなるチタン膜55を設ける。次いで、図5aに示すように、チタン膜55上に、スパッターリング法や蒸着法等で、白金からなり後に第1電極60となる白金膜59を全面に形成する。なお、このチタン膜55や白金膜59の厚さや加熱条件等を適宜調整することにより、後述する第1圧電体層前駆体膜71aの結晶化の際に拡散するチタンの量を調整することができる。次に、図5bに示すように、白金膜59上に所定形状のレジスト図示無しをマスクとして、チタン膜55及び白金膜59の側面が傾斜するように同時にパターニングする。次いで、レジストを剥離した後、この白金膜59上に、圧電体層70を積層する。具体的には、まず、白金膜59上に、第1圧電体層71を形成する。第1圧電体層71の製造方法は特に限定されないが、例えば、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる第1圧電体層71を得る化学溶液法CSD法;ChemicalSolutionDeposition法を用いて製造できる。その他、レーザーアブレーション法、スパッターリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法、化学蒸着法CVD法、エアロゾルデポジション法など、液相法でも固相法でも、第1圧電体層71を製造できる。第1圧電体層71の具体的な形成手順例としては、まず、図5cに示すように、白金膜59上に、金属錯体、具体的には、Bi、La、Fe、Mnを含有する金属錯体を含む第1圧電体層の前駆体溶液をスピンコート法などを用いて塗布して、第1圧電体層前駆体膜71aを形成する第1圧電体層塗布工程。塗布する第1圧電体層の前駆体溶液は、焼成によりBi、La、Fe及びMn等を含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物を形成しうる金属錯体を、各金属が所望のモル比となるように混合し、該混合物を有機溶媒に溶解または分散させたものである。Bi、La、Fe、Mnをそれぞれ含む金属錯体としては、例えば、アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Biを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Laを含む金属錯体としては、2-エチルヘキサン酸ランタン、酢酸ランタンなどが挙げられる。Feを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄、トリスアセチルアセトナート鉄などが挙げられる。Mnを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸マンガン、酢酸マンガンなどが挙げられる。勿論、Bi、La、Fe、Mn等を二種以上含む金属錯体を用いてもよい。また、第1圧電体層の前駆体溶液の溶媒としては、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、オクタン、デカン、シクロヘキサン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン、酢酸、2-エチルヘキサン酸などが挙げられる。次いで、この第1圧電体層前駆体膜71aを所定温度に加熱して一定時間乾燥させる第1圧電体層乾燥工程。次に、乾燥した第1圧電体層前駆体膜71aを所定温度に加熱して一定時間保持することによって脱脂する第1圧電体層脱脂工程。なお、ここで言う脱脂とは、第1圧電体層前駆体膜71aに含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。第1圧電体層乾燥工程や第1圧電体層脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中でも不活性ガス中でもよい。次に、図5dに示すように、不活性ガス雰囲気中で、第1圧電体層前駆体膜71aを所定温度、例えば600~700°C程度に加熱して一定時間保持することによって結晶化させ、第1圧電体膜71bを形成する第1圧電体層焼成工程。図においては、1層の第1圧電体膜71bからなる第1圧電体層71を例示したが、上述した第1圧電体層塗布工程、第1圧電体層乾燥工程及び第1圧電体層脱脂工程や、第1圧電体層塗布工程、第1圧電体層乾燥工程、第1圧電体層脱脂工程及び第1圧電体層焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して、複数の第1圧電体膜71bからなる第1圧電体層71を形成してもよい。なお、第1圧電体層乾燥工程、第1圧電体層脱脂工程及び第1圧電体層焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。この第1圧電体層71を形成する際に、上述したように、不活性ガス雰囲気中で第1圧電体層前駆体膜71aを加熱して結晶化させると、白金膜59の流路形成基板10側に形成されたチタン膜55を構成するチタンが拡散する。例えば、第1圧電体層71となる第1圧電体膜71bまでチタンが拡散し、第1圧電体層71がチタンを含むものとなる。なお、チタン膜55のチタンは、チタン膜55と第1圧電体層71との間の白金膜59の粒界を通って第1圧電体層71内に拡散するものと推測される。このように、白金膜59の下地をチタン膜55とし、白金膜59上に形成した第1圧電体層前駆体膜71aを不活性ガス雰囲気中で加熱して結晶化させることにより、チタン膜55のチタンが拡散する。そして、形成される第1圧電体層71を、配向度0.90以上、さらには0.99以上と100面に高配向した配向膜とすることができる。なお、第1圧電体層前駆体膜71aを結晶化する工程焼成工程を経る際に、Ptからなる白金膜59は、Ptを含み、チタンの拡散の程度によってはチタンや酸化チタンも含む第1電極60となる。そして、本実施形態においては、拡散したチタンにより、第1電極60と第1圧電体層71との間に、酸化チタンを含む第2酸化チタン層図示無しが形成される。また、白金膜59の流路形成基板10側に設けたチタン膜55のうち拡散しなかったチタンが、酸化チタンを含む第1酸化チタン層酸化チタン層56となる。すなわち、第1電極60の流路形成基板10側に第1酸化チタン層酸化チタン層56が形成される。ただし、チタンの拡散の程度によっては、第1酸化チタン層や第2酸化チタン層はほとんど存在しない、または、存在しない場合があり、また、完全な層状ではなく、アイランド状の場合もある。また、本実施形態では、チタンが第1圧電体層71内まで拡散したものを示したが、例えば、チタンは第1圧電体層71と第1電極60の界面まで拡散し第1圧電体層71自体はチタンを含有しなくてもよい。なお、第1圧電体層焼成工程における温度や時間によっても、第1圧電体層前駆体膜71aの結晶化の際に拡散するチタンの量を調整することができる。ここで、不活性ガス雰囲気とは、ヘリウム、アルゴン等の希ガス、窒素ガス等の不活性ガスや、これらの混合ガス雰囲気である。加熱装置内を不活性ガスで置換した状態でも、加熱装置内に不活性ガスをフローさせた状態でもよい。また、不活性ガス濃度は100でなくてもよく、第1電極60となる白金膜59の流路形成基板10側に形成されたチタン膜55を構成するチタンが、拡散する雰囲気であればよく、例えば、酸素濃度が20未満である。次に、図6aに示すように、第1圧電体層71上にBi、Fe、Mn、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる第2圧電体層72を形成する。第2圧電体層72の製造方法は特に限定されないが、第1圧電体層71と同様に、例えば、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる第2圧電体層72を得るCSD法を用いて製造できる。その他、レーザーアブレーション法、スパッターリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法、化学蒸着法CVD法、エアロゾルデポジション法など、液相法でも固相法でも、第2圧電体層72を製造できる。第2圧電体層72を化学溶液法で形成する場合の具体的な形成手順例としては、まず、図6aに示すように、第1圧電体層71上に、金属錯体、具体的には、Bi、Fe、Mn、Ba、Tiを含有する金属錯体を、目的とする組成比になる割合で含む第2圧電体層の前駆体溶液をスピンコート法などを用いて塗布して、第2圧電体層前駆体膜72aを形成する第2圧電体層塗布工程。塗布する第2圧電体層の前駆体溶液は、焼成によりBi、Fe、Mn、Ba及びTiを含む複合酸化物を形成しうる金属錯体を混合し、該混合物を有機溶媒に溶解または分散させたものである。Bi、Fe、Mn、Ba、Tiをそれぞれ含む金属錯体を有する金属錯体の混合割合は、各金属が所望のモル比となるように混合すればよい。Bi、Fe、Mn、Ba、Tiをそれぞれ含む金属錯体としては、例えば、アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Biを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Feを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄、トリスアセチルアセトナート鉄などが挙げられる。Mnを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸マンガン、酢酸マンガンなどが挙げられる。Baを含む金属錯体としては、例えばバリウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸バリウム、酢酸バリウム、バリウムアセチルアセトナートなどが挙げられる。Tiを含有する金属錯体としては、例えばチタニウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸チタン、チタンジ-i-プロポキシドビスアセチルアセトナートなどが挙げられる。勿論、Bi、Fe、Mn、Ba、Tiを二種以上含む金属錯体を用いてもよい。また、第2圧電体層の前駆体溶液の溶媒としては、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、オクタン、デカン、シクロヘキサン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン、酢酸、2-エチルヘキサン酸などが挙げられる。次いで、この第2圧電体層前駆体膜72aを所定温度例えば、150~200°Cに加熱して一定時間乾燥させる第2圧電体層乾燥工程。次に、乾燥した第2圧電体層前駆体膜72aを所定温度例えば、350~450°Cに加熱して一定時間保持することによって脱脂する第2圧電体層脱脂工程。ここで言う脱脂とは、第2圧電体層前駆体膜72aに含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。第2圧電体層乾燥工程や第2圧電体層脱脂工程の雰囲気も限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。次に、図6bに示すように、第2圧電体層前駆体膜72aを所定温度、例えば600~850°C程度に加熱して、一定時間、例えば、1~10分間保持することによって結晶化させ、Bi、Fe、Mn、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる第2圧電体膜72bを形成する焼成工程。この第2圧電体層焼成工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。第2圧電体層乾燥工程、第2圧電体層脱脂工程及び第2圧電体層焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTA装置やホットプレート等が挙げられる。なお、この第2圧電体層焼成工程において、第1圧電体層71、第1電極60、酸化チタン層56や、第2圧電体層72の構成元素が相互に拡散していてもよい。次いで、上述した第2圧電体層塗布工程、第2圧電体層乾燥工程及び第2圧電体層脱脂工程や、第2圧電体層塗布工程、第2圧電体層乾燥工程、第2圧電体層脱脂工程及び第2圧電体層焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の第2圧電体膜72bからなる第2圧電体層72を形成することで、図6cに示すように複数層の第2圧電体膜72bからなる所定厚さの第2圧電体層72を形成する。例えば、塗布溶液の1回あたりの膜厚が0.1μm程度の場合には、例えば、10層の第2圧電体膜72bからなる第2圧電体層72全体の膜厚は約1.1μm程度となる。なお、図6においては第2圧電体膜72bを積層して設けたが、1層のみでもよい。また、第2圧電体層72は100面に優先配向した第1圧電体層71上に設けられ、第2圧電体層72は第1圧電体層71に連続して結晶を成長させることができるため、第2圧電体層72も、配向度0.90以上、さらには0.99以上と100面に高配向した配向膜とすることができる。このような第1圧電体層71及び第2圧電体層72からなる圧電体層70は、後述する実施例に示すように、クラックの発生が抑制され、湿度依存性が小さいものとすることができる。また、上記では、チタン膜55上に設けられた白金膜59上に第1圧電体層前駆体膜71aを設け不活性ガス雰囲気中で加熱して結晶化させることにより、第1圧電体層71を形成したが、Bi、La、Fe及びMnを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向した第1圧電体層71を形成することができれば、他の製造方法でもよい。たとえば、第1圧電体層71の下地として第1圧電体層71を100面に優先配向させることができる配向制御層、例えば、ニッケル酸ランタン層LNO層を、CSD法、スパッターリング法、レーザーアブレーション法やMOCVD法等により設け、この上に、化学溶液法等の上記と同様の方法で第1圧電体層71を形成するようにしてもよい。配向制御層を構成するニッケル酸ランタンとしては、例えば、LaNiO3、La3Ni2O6、LaNiO2、La2NiO4、La3Ni2O7、La4Ni3O10等が挙げられる。なお、LNO層等の配向制御層を設けた場合は、その上に設ける第1圧電体層71の焼成工程の環境は、不活性ガス雰囲気中に限定されず、大気中でもよい。また、チタン膜55を設けなくてもよい。そして、このLNO層を第1電極60としてもよい。このように圧電体層70を形成した後は、図7aに示すように、圧電体層70上に白金等からなる第2電極80をスパッターリング法等で形成し、各圧力発生室12に対向する領域に圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして、第1電極60と圧電体層70と第2電極80を有する圧電素子300を形成する。なお、圧電体層70と第2電極80とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト図示なしを介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、例えば、600~850°Cの温度域でアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層70の結晶性を高くすることができる。次に、図7bに示すように、流路形成基板用ウェハー110の全面に亘って、例えば、金Au等からなるリード電極90を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン図示なしを介して各圧電素子300毎にパターニングする。次に、図7cに示すように、流路形成基板用ウェハー110の圧電素子300側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハー130を接着剤35を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚さに薄くする。次に、図8aに示すように、流路形成基板用ウェハー110上に、マスク膜52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図8bに示すように、流路形成基板用ウェハー110をマスク膜52を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングウェットエッチングすることにより、圧電素子300に対応する圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15等を形成する。その後は、流路形成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハー130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー110の保護基板用ウェハー130とは反対側の面のマスク膜52を除去した後にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハー130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハー110等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIとする。以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1まず、100単結晶シリコンSi基板の表面に熱酸化により膜厚1030nmの酸化シリコンSiO2膜を形成した。次に、SiO2膜上にDCスパッター法により、順に、厚さ400nmの酸化ジルコニウムからなる酸化ジルコニウム膜、酸化ジルコニウム膜上に厚さ20nmのチタンからなるチタン膜55、チタン膜55上に厚さ130nmの白金からなり後に第1電極60となる白金膜59を積層した。次いで、白金膜59上に、Bi、La、Fe及びMnを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第1圧電体層71を形成した。その手法は以下のとおりである。まず、2-エチルヘキサン酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸ランタン、2-エチルヘキサン酸鉄及び2-エチルヘキサン酸マンガンのn-オクタン及びキシレン溶液を、モル濃度比がBi:La:Fe:Mn=85:15:97:3となるように混合して、第1圧電体層の前駆体溶液を調製した。次いで第1圧電体層の前駆体溶液を、白金膜59上に滴下し、1500rpmで基板を回転させてスピンコート法により第1圧電体層前駆体膜71aを形成した第1圧電体層塗布工程。次に、ホットプレート上で、350°Cで3分間加熱することで、乾燥及び脱脂を行なった第1圧電体層乾燥工程及び第1圧電体層脱脂工程。この第1圧電体層塗布工程、第1圧電体層乾燥工程及び第1圧電体層脱脂工程を2回繰り返した。その後に、加熱装置内を100cc/分の流量の窒素でフローしたRTARapidThermalAnnealing装置で650°C、3分間焼成を行うことにより、第1圧電体層71を形成した第1圧電体層焼成工程。次いで、この第1圧電体層71上に、Bi、Fe、Mn、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第2圧電体層72を形成した。その手法は以下のとおりである。まず、2-エチルヘキサン酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸鉄、2-エチルヘキサン酸マンガン、2-エチルヘキサン酸バリウム及び2-エチルヘキサン酸チタンの各n-オクタン溶液を、各元素がモル比でBi:Ba:Mn:Fe:Ti=60:20:3:57:20となるように混合して、第2圧電体層の前駆体溶液を調製した。そしてこの第2圧電体層の前駆体溶液を、第1圧電体層71上に滴下し、3000rpmで基板を回転させてスピンコート法により第2圧電体層前駆体膜72aを形成した第2圧電体層塗布工程。次に、ホットプレート上で、180°Cで2分間乾燥した第2圧電体層乾燥工程。次いで、350°Cで3分間脱脂を行なった第2圧電体層脱脂工程。この第2圧電体層塗布工程、第2圧電体層乾燥工程及び第2圧電体層脱脂工程を2回繰り返した。その後に、酸素雰囲気中で、RTA装置で650°C3分間の焼成を行った。そして、この第2圧電体層塗布工程、第2圧電体層乾燥工程及び第2圧電体層脱脂工程を2回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程を5回繰り返すことで、第2圧電体層72を形成した。以上の工程により、2回の前駆体溶液の塗布による第1圧電体層71と、10回の前駆体溶液の塗布による第2圧電体層72とからなる圧電体層70を形成した。その後、第2圧電体層72上に、第2電極としてDCスパッター法により膜厚100nmの白金膜を形成した後、酸素雰囲気中で、RTA装置で650°C、3分間焼成を行うことで、圧電素子を形成した。比較例1第1圧電体層71を形成する時に、第1圧電体層塗布工程、第1圧電体層乾燥工程及び第1圧電体層脱脂工程の繰り返し回数を2回から8回に変更し、また、第2圧電体層72を形成しない以外は、実施例1と同様の操作を行った。比較例2第1圧電体層71を形成せず、また、第2圧電体層72を形成する時に、第2圧電体層塗布工程、第2圧電体層乾燥工程及び第2圧電体層脱脂工程を2回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程の繰り返し回数を、5回から6回に変更した以外は、実施例1と同様の操作を行った。試験例1SEM観察実施例1及び比較例1~2の圧電体層70の断面を走査電子顕微鏡SEMにより観察し、膜厚を求めた。この結果、実施例1では、第1圧電体層71が151nm、第2圧電体層72が670nmであった。それに加え、第1圧電体層71と第2圧電体層72の間で、連続的に結晶成長が起こっていることが明らかとなった。また、比較例1の第1圧電体層71の膜厚は650nmであり、比較例2の第2圧電体層72の膜厚は781nmであった。試験例2金属顕微鏡観察実施例1及び比較例1~2において、第2電極80を形成していない状態の圧電体層70について、形成してから3日後の表面を、200倍の金属顕微鏡により観察した。実施例1の結果を図9aに、比較例1の結果を図9bに、比較例2の結果を図9cに示す。この結果、図9に示すように、実施例1及び比較例1は平坦でクラック成膜割れの無い薄膜であったが、比較例2では成膜割れが観測された。試験例3X線回折広角法実施例1の第1圧電体層71を形成した段階及び第2圧電体層72を形成した段階、また、比較例2の第2圧電体層72を形成した段階において、ブルッカ社製のX線回折装置D8Discoverを用い、X線源にCuKα線を使用したX線回折広角法XRDにより、室温25°Cで、第1圧電体層71や第2圧電体層72のX線回折パターンを求めた。得られた結果を、実施例1の第1圧電体層71のX線回折パターン及び比較例2の第2圧電体層72のX線回折パターンを図10に、実施例1の第1圧電体層71及び第2圧電体層72からなる圧電体層70のX線回折パターンを図11に示す。図10に示すように、実施例1の第1圧電体層71は100面に配向していた。配向度については、100面に由来する回折ピークの面積強度をA100、110面に由来する回折ピークの面積強度をA110とし、下記式で計算した。これは、第1圧電体層71が100面に配向しているため111面に由来するピークが非常に小さく、且つ第1電極の111面に由来する強いピークに近接しているため、第1圧電体層の111面に由来する回折ピークの面積強度A111を算出することができないためである。下記記式で計算した結果、100面の配向度は0.99より大きかった。すなわち、ほぼ全ての成分が100面に配向していることを示している。第1圧電体層71の100面の配向度=[A100/A100A110]一方、比較例2の第2圧電体層72は、110面に配向していた。配向度については、第2圧電体層72が110面に配向しているため111面に由来するピークが非常に小さく、且つ第1電極60の111面に由来する強いピークに近接しているため、下記の計算式で算出した。下記式で計算した結果、110面の配向度は0.95であった。バルク、すなわち、膜厚が厚く例えば10~1000μm金属酸化物や金属炭酸塩の粉末を物理的に混合粉砕成形を行った後に焼成する等の固相法等で作製し、比較例2と同一組成の圧電体層における110面の配向度は0.76であるため、かなり強い110配向であることが明らかとなった。第2圧電体層72の110面の配向度=[A110/A100A110]また、図11に示すように、実施例1の第1圧電体層71及び第2圧電体層72からなる圧電体層70は、第1圧電体層71と同様に100面に配向していた。前記と同様の方法で面積強度により求めた実施例1の圧電体層70の100面の配向度A100/A100A110は0.99であった。これらの結果から、Bi、La、Fe及びMnを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり100面に優先配向している第1圧電体層71上に作製したBi、Fe、Mn、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる第2圧電体層72は、第1圧電体層71から連続して結晶成長が起こることで100面に優先配向し、その結果、100に優先配向した第1圧電体層71及び第2圧電体層72からなる圧電体層70が形成できたことが明らかとなった。試験例4J-ECurve測定実施例1及び比較例2の各圧電素子について、J-ECurveを、ヒューレットパッカード社製4140Bを用い、大気下湿度40~50と乾燥空気フロー下湿度:検出限界以下で測定した。図12に比較例2のJ-ECurve測定結果を、図13に実施例1のJ-ECurve測定結果を示す。図12に示すように、比較例2では、大気下では200kVcm-1以下で破壊が起こるのに対し、乾燥空気下では600kVcm-1以上の耐圧を示すことが明らかとなった。一方、図13に示すように、実施例1では、大気下及び乾燥空気下のいずれにおいても750kVcm-1以上の耐圧を示し、電流密度も同等であった。これらの結果から、Bi、La、Fe及びMnを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる第1圧電体層71と、Bi、Fe、Mn、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる第2圧電体層72を有する圧電体層70では、Bi、Fe、Mn、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる第2圧電体層72のみの場合に問題となる破壊電圧の湿度依存性を示さないことが明らかとなった。試験例5インピーダンス測定実施例1及び比較例1~2の各圧電素子について、ヒューレットパッカード社製4294Aを用い、静電容量を測定した。電極パターンはφ=500μmを使用し、室温25°C、周波数1kHzにて測定した。得られた静電容量から計算した比誘電率は、実施例1は385、比較例1は163、比較例2は559であった。ここで、静電容量C1を持つコンデンサー1と、静電容量C2を持つコンデンサーを直列接続したときの、全体の静電容量CAllは下記式3で表される。そして、実施例1について、第1圧電体層71と第2圧電体層72の直列キャパシタであるとみなし、第1圧電体層71を比較例1の比誘電率、第2圧電体層72を比較例2の比誘電率であると仮定して、上記式3を用いて計算した結果、比誘電率が386となり、実測値である385と一致した。このことから、実施例1は、比較例1と同等の比誘電率を持つ第1圧電体層71と、比較例2と同等の比誘電率を持つ第2圧電体層72からなる圧電体層を有する圧電素子であることが明らかとなった。同様に、圧電体層70全体に対する第2圧電体層72の膜厚比第2圧電体層72の膜厚/第1圧電体層71の膜厚第2圧電体層72の膜厚に対する圧電体層70全体の比誘電率を計算した結果を図14に示す。膜厚比図14において第2圧電体層の膜厚比と記載すると圧電体層70全体の比誘電率との関係を示す図である図14に示すように、圧電体層70全体の誘電率は、圧電体層70全体に対する第2圧電体層72の膜厚比と相関があるため、圧電体層70全体に対する第2圧電体層72の膜厚比を調整することで、第1圧電体層71及び第2圧電体層72からなる圧電体層70の比誘電率は、第1圧電体層71の比誘電率である160以上、第2圧電体層72の比誘電率である560以下の範囲内で制御可能であることが明らかとなった。試験例6P-V曲線実施例1及び比較例1~2の各圧電素子について、東陽テクニカ社製FCE-1Aで、φ=500μmの電極パターンを使用し、室温25°Cで周波数1kHzの三角波を印加して、分極量と電圧の関係P-V曲線を求めた。実施例1の結果を図15aに、比較例1の結果を図15bに、比較例2の結果を図15cに示す。図15に示すように、いずれも良好な分極ヒステリシスを示した。このことから、実施例1及び比較例1~2のいずれも強誘電体が形成されていることが明らかとなった。試験例7変位量測定実施例1及び比較例1~2の圧電素子について、アグザクト社製の変位測定装置DBLIを用い室温25°Cで、φ=500μmの電極パターンを使用し、周波数1kHzの電圧を印加して、ユニポーラモードで変位量-電圧の関係を求めた。変位量を電圧に対しプロットし、実施例1の結果を図16aに、比較例1の結果を図16bに、比較例2の結果を図16cに示す。図16に示すように、実施例1及び比較例1~2のいずれにおいても、強誘電体に特徴的な電圧に対して線形に応答する変位が観測された。このことから、実施例1及び比較例1~2は、良好な電気-圧力変換機能を有することが明らかとなった。ここで、圧電性の指標である圧電定数d33は、比誘電率ε33Tに対し下記式4の関係を持つ。なお、k33は電気機械結合係数、Eはヤング率である。また、下付きの数字は方位を表し、前記33であれば、圧力と電圧方位が同一方向であることを示す。このことから、圧電定数を比誘電率の平方根に対しプロットした結果を、図17に示す。なお、分極状態で駆動させたとき、すなわちユニポーラ駆動における最大歪率Smaxを、最大電界Emaxで除した値Smax/Emaxを、圧電定数動的圧電定数:d33と定義した。図17に示すように、実施例1及び比較例1~2は、比誘電率の平方根に対し比例関係にあることが明らかとなった。すなわち、上記式4においてk33及びEは一定であるとみなすことが出来る。そして、圧電体層70全体に対する第2圧電体層72の膜厚比に対する比誘電率の関係は、前述した図14の通りである。図14の比誘電率の膜厚比依存性、及び、図17から求めた線形の近似曲線から、圧電定数d33を圧電体層70全体に対する第2圧電体層72の膜厚比図18において第2圧電体層の膜厚比と記載するに対してプロットした結果を図18に示す。図18から、圧電定数d33は膜厚比に依存していることが明らかとなった。すなわち、圧電体層70全体に対する第2圧電体層72の膜厚比、例えば第1圧電体層71と第2圧電体層72の膜厚比を調整することで、第1圧電体層71及び第2圧電体層72からなる圧電体層70の圧電定数を、第1圧電体層71の圧電定数である39[pmV-1]と第2圧電体層72の圧電定数である70[pmV-1]の間で自由に調整できることが明らかとなった。他の実施形態以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。さらに、上述した実施形態では、基板流路形成基板10上に第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を順次積層した圧電素子300を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子にも本発明を適用することができる。また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図19は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図19に示すインクジェット式記録装置IIにおいて、インクジェット式記録ヘッドIを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動可能に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。なお、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED電界放出ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。また、本発明にかかる圧電素子は、液体噴射ヘッドに用いられる圧電素子に限定されず、その他のデバイスにも用いることができる。その他のデバイスとしては、例えば、超音波発信器等の超音波デバイス、超音波モーター、温度-電気変換器、圧力-電気変換器、強誘電体トランジスター、圧電トランス、赤外線等の有害光線の遮断フィルター、量子ドット形成によるフォトニック結晶効果を使用した光学フィルター、薄膜の光干渉を利用した光学フィルター等のフィルターなどが挙げられる。また、センサーとして用いられる圧電素子、強誘電体メモリーとして用いられる圧電素子にも本発明は適用可能である。圧電素子が用いられるセンサーとしては、例えば、赤外線センサー、超音波センサー、感熱センサー、圧力センサー、焦電センサー、温度センサー及びジャイロセンサー角速度センサー等が挙げられる。"