"透明基材と、該透明基材上に設けられた薄膜トランジスタ素子部及び透明な生体関連物質感応部とを有し、前記薄膜トランジスタ素子部及び前記生体関連物質感応部の一方又は両方が有する酸化物半導体膜に対する紫外線カット手段が、前記薄膜トランジスタ素子部上及び前記生体関連物質感応部上の一方又は両方、又は、前記透明基材、に付与されていることを特徴とする透明バイオセンサ。前記薄膜トランジスタ素子部上に付与された紫外線カット手段が、前記薄膜トランジスタ素子部上に設けられた紫外線カット層、又は、紫外線カット剤を含む保護膜である、請求項1に記載の透明バイオセンサ。前記生体関連物質感応部上に付与された紫外線カット手段が、前記生体関連物質感応部上に設けられた隔壁形状の紫外線カット層である、請求項1に記載の透明バイオセンサ。前記透明基材に付与された紫外線カット手段が、前記透明基材の少なくとも一方の面に設けられた紫外線カット層、又は、前記透明基材に含まれる紫外線カット剤である、請求項1に記載の透明バイオセンサ。透明基材と、該透明基材上に設けられた酸化物半導体膜と、該酸化物半導体膜の両側に設けられたソース電極及びドレイン電極と、前記酸化物半導体膜上に絶縁膜を介して設けられた生体関連物質感応部とを有し、前記酸化物半導体膜に対する紫外線カット手段が、前記透明基材のいずれか一方の面に設けられた層、又は、前記透明基材に含まれる紫外線カット剤であることを特徴とする透明バイオセンサ。前記紫外線カット手段が、紫外線カット能を有するポリイミド層、又は、紫外線カット能を有するポリイミド材料である、請求項1~5のいずれか1項に記載の透明バイオセンサ。前記酸化物半導体膜が、IGZO系の酸化物半導体膜である、請求項1~6のいずれか1項に記載の透明バイオセンサ。FETを用いたバイオセンサによって細胞又はDNA等の生体関連物質の状態を電気的な信号情報として検出する場合、得られた情報データは重要な評価要素となるが、その検出時の細胞又はDNAの状態を顕微鏡観察することも重要な評価手段である。細胞等の顕微鏡観察は、透過光により高倍率で直接観察することが望ましい。感応膜上の生体関連物質から電気的な信号情報を取得するのと同時にその状態を顕微鏡観察するためには、生体関連物質をバイオセンサの下側から観察する倒立型顕微鏡が好ましく用いられる。そのため、上記した透明なTFTでバイオセンサを構成することが好ましい。酸化物半導体であるIGZO系の酸化物半導体の使用は、TFTを有するバイオセンサ全体の透明化も実現可能であるが、その酸化物半導体自体が紫外線、特に波長が200nm~280nmのUV-Cに対して感応することが知られている特許文献5。しかしながら、そうした薄膜トランジスタを、電気的な信号情報を取得すると共に顕微鏡観察できる透明なバイオセンサに適用した場合、その透明バイオセンサに対し、顕微鏡観察時の照射光が上方から又は下方から照射される。そのため、その照射光に含まれる紫外線によって、酸化物半導体膜からの出力信号が変動又は低下するおそれがある。その結果、顕微鏡観察と同時に取得する生体関連物質の信号情報と、顕微鏡観察と同時に取得しない生体関連物質の信号情報とが異なるおそれがある。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、顕微鏡観察と同時に生体関連物質の信号情報を取得する場合に、その信号情報を正確に取得することができる透明バイオセンサを提供することにある。1本発明に係る透明バイオセンサは、透明基材と、該透明基材上に設けられた薄膜トランジスタ素子部及び透明な生体関連物質感応部とを有し、前記薄膜トランジスタ素子部及び前記生体関連物質感応部の一方又は両方が有する酸化物半導体膜に対する紫外線カット手段が、前記薄膜トランジスタ素子部上及び前記生体関連物質感応部上の一方又は両方、又は、前記透明基材、に付与されていることを特徴とする。この発明によれば、薄膜トランジスタ素子部及び透明な生体関連物質感応部の一方又は両方が有する酸化物半導体膜に対する紫外線カット手段が、A薄膜トランジスタ素子部上及び生体関連物質感応部上の一方又は両方、又は、B透明基材、に付与されているので、透明バイオセンサの下方又は上方から照射される光に含まれる紫外線を、その紫外線カット手段によってカットすることができる。その結果、酸化物半導体膜が紫外線に感応するのを防いで、その酸化物半導体膜による出力信号が変動又は低下するのを防ぐことができ、顕微鏡観察と同時に取得する生体関連物質の信号情報を正確に取得することができる。2本発明に係る透明バイオセンサにおいて、前記薄膜トランジスタ素子部上に付与された紫外線カット手段が、前記薄膜トランジスタ素子部上に設けられた紫外線カット層、又は、紫外線カット剤を含む保護膜であるように構成する。この発明によれば、透明バイオセンサの上方から照射される光に含まれる紫外線を、薄膜トランジスタ素子部上に設けられた紫外線カット層、又は、紫外線カット剤を含む保護膜によってカットすることができる。その結果、酸化物半導体膜が紫外線に感応するのを防いで、その酸化物半導体膜による出力信号が変動又は低下するのを防ぐことができ、顕微鏡観察と同時に取得する生体関連物質の信号情報を正確に取得することができる。3本発明に係る透明バイオセンサにおいて、前記生体関連物質感応部上に付与された紫外線カット手段が、前記生体関連物質感応部に設けられた隔壁形状の紫外線カット層であるように構成する。この発明によれば、透明バイオセンサの上方から照射される光に含まれる紫外線を、生体関連物質感応部に設けられた隔壁形状の紫外線カット層によってカットすることができる。その結果、酸化物半導体膜が紫外線に感応するのを防いで、その酸化物半導体膜による出力信号が変動又は低下するのを防ぐことができ、顕微鏡観察と同時に取得する生体関連物質の信号情報を正確に取得することができる。4本発明に係る透明バイオセンサにおいて、前記透明基材に付与された紫外線カット手段が、前記透明基材の少なくとも一方の面に設けられた紫外線カット層、又は、前記透明基材に含まれる紫外線カット剤であるように構成する。この発明によれば、透明バイオセンサの下方から照射される光に含まれる紫外線を、透明基材の少なくとも一方の面に設けられた紫外線カット層、又は、透明基材に含まれる紫外線カット剤によってカットすることができる。その結果、酸化物半導体膜が紫外線に感応するのを防いで、その酸化物半導体膜による出力信号が変動又は低下するのを防ぐことができ、顕微鏡観察と同時に取得する生体関連物質の信号情報を正確に取得することができる。特に、透明基材に紫外線カット剤を含有させた場合は、軽量且つフレキシブル性を持たせることができるので好ましい。5本発明に係る透明バイオセンサは、透明基材と、該透明基材上に設けられた酸化物半導体膜と、該酸化物半導体膜の両側に設けられたソース電極及びドレイン電極と、前記酸化物半導体膜上に絶縁膜を介して設けられた生体関連物質感応部とを有し、前記酸化物半導体膜に対する紫外線カット手段が、前記透明基材のいずれか一方の面に設けられた層、又は、前記透明基材に含まれる紫外線カット剤であるように構成する。この発明によれば、ISFET型の透明バイオセンサの下方から照射される光に含まれる紫外線を、透明基材の少なくとも一方の面に設けられた紫外線カット層、又は、透明基材に含まれる紫外線カット剤によってカットすることができる。その結果、酸化物半導体膜が紫外線に感応するのを防いで、その酸化物半導体膜による出力信号が変動又は低下するのを防ぐことができ、顕微鏡観察と同時に取得する生体関連物質の信号情報を正確に取得することができる。6本発明に係る透明バイオセンサにおいて、前記紫外線カット手段が、紫外線カット能を有するポリイミド層、又は、紫外線カット能を有するポリイミド材料であることが好ましい。7本発明に係る透明バイオセンサにおいて、前記酸化物半導体膜が、IGZO系の酸化物半導体膜であることが好ましい。IGZO系酸化物半導体材料からなる酸化物半導体膜は、生体関連物質を顕微鏡観察する際に照射される光に含まれる紫外線に感応し易い。この発明によれば、その酸化物半導体膜からの出力信号が変動又は低下するのを防ぐことができるので、顕微鏡観察と同時に取得する生体関連物質の信号情報を正確に取得することができる。本発明に係る透明バイオセンサによれば、透明バイオセンサの下方又は上方から照射される光に含まれる紫外線を、その紫外線カット手段によってカットすることができる。その結果、酸化物半導体膜が紫外線に感応するのを防いで、その酸化物半導体膜による出力信号が変動又は低下するのを防ぐことができ、顕微鏡観察と同時に取得する生体関連物質の信号情報を正確に取得することができる。本発明に係る透明バイオセンサの各実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明は、その技術的思想を含む範囲内で以下の形態に限定されない。本発明に係る透明バイオセンサ10,20,30は、図1~図6に示すように、透明基材1と、透明基材1上に設けられた薄膜トランジスタ素子部A以下TFT素子部Aともいう。及び透明な生体関連物質感応部Bとを有する。そして、TFT素子部A及び生体関連物質感応部Bの一方又は両方が有する酸化物半導体膜4が紫外線によって特性が変化又は低下しないように、紫外線に対する紫外線カット手段を、ATFT素子部A上及び生体関連物質感応部B上の一方又は両方、又は、B透明基材1、に付与することに構成上の特徴がある。この透明バイオセンサ10,20,30では、透明バイオセンサの下方又は上方から照射される光に含まれる紫外線を、その紫外線カット手段によってカットすることができるので、酸化物半導体膜4が紫外線に感応するのを防いで、その酸化物半導体膜4による出力信号が変動又は低下するのを防ぐことができる。その結果、顕微鏡観察と同時に取得する生体関連物質の信号情報を正確に取得することができる。なお、本発明において、上にとは、そのものの上に直に設けられていることを意味し、直に設けられていない場合は上方にと言い分ける。また、覆うとは、そのものの上に直接設けられるとともに、そのものの周りにも設けられていることを意味する。また、紫外線をカットするとは、紫外線を吸収又は反射することをいう。以下、透明バイオセンサの構成を詳しく説明する。[第1実施形態の透明バイオセンサ]図1及び図2に示す透明バイオセンサ10は、TFT素子部A上に付与された紫外線カット手段が、TFT素子部A上に設けられた紫外線カット層9、又は紫外線カット剤を含む保護膜7であるように構成したものである。この第1実施形態の透明バイオセンサ10は、透明バイオセンサ10の上方から照射される光に含まれる紫外線の影響を極力排除したものであって、図1に示すボトムゲートTFT型の透明バイオセンサ10A,10B,10Cと、図2に示すISFET型の透明バイオセンサ10D,10Eとを含む。図1に示すTFT型透明バイオセンサ10A,10B,10Cは、透明基材1と、透明基材1上に設けられたゲート電極2と、ゲート電極2上に隣接して設けられたTFT素子部A及び透明な生体関連物質感応部Bとを有している。TFT素子部Aは、図1に示すように、ゲート電極2と、ゲート電極2上に設けられたゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3上に設けられた酸化物半導体膜4と、酸化物半導体膜4の両側にトップコンタクト状に設けられたソース電極5及びドレイン電極6と、酸化物半導体膜4、ソース電極5及びドレイン電極6を覆う保護膜7とを有している。一方、生体関連物質感応部Bは、図1に示すように、TFT素子部Aのゲート電極2と共に形成された電極2’以下、ゲート電極2と同じ。と、その電極2’上に設けられた絶縁膜3’以下、ゲート絶縁膜3と同じ。と、その絶縁膜3’上に設けられた感応膜8とを有している。図2に示すISFET型透明バイオセンサ10D,10Eは、MOSFET構造からゲート電極を除き、絶縁膜3’上に感応膜8を設けたISFETIonSensitiveFET構造である。そして、生体関連物質感応部Bの感応膜8上に、被検査流体に含まれる生体関連物質、例えば細胞、DNA、糖鎖、タンパク質、酸化還元酵素、抗原又は抗体等を載置して、その生体関連物質からの信号情報を検出するバイオセンサである。この透明バイオセンサ10D,10Eを構成する生体関連物質感応部Bは、図2に示すように、透明基材1と、透明基材1上に設けられた酸化物半導体膜4と、酸化物半導体膜4の両側にボトムコンタクトするように設けられたソース電極5及びドレイン電極6と、酸化物半導体膜4上に絶縁膜7を介して設けられた感応膜8とを有している。感応膜8が設けられた生体関連物質感応部Bには、隔壁31が設けられており、その隔壁31で囲まれた領域に、被検査流体に含まれる生体関連物質が投入され、透明バイオセンサによる電気的な信号情報と、倒立型顕微鏡による顕微鏡観察とが同時に行われる。なお、透明バイオセンサ10D,10Eを構成するTFT素子部Aは、図2に示すように、トップゲート型のTFT素子部Aを構成している。透明基材透明基材1は、透明であればその種類や構造は特に限定されるものではなく、用途に応じてフレキシブルな材料や硬質な材料等が選択される。具体的には、例えば、ガラス、石英、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネート等を挙げることができる。通常は、ITO付きガラス基板やITO付きプラスチック基板等が好ましく用いられる。なお、金属膜や透明導電膜がゲート電極として形成されたガラス基板やプラスチック基板等を用いてもよい。透明の定義は、透明基材1の下方から生体関連物質感応部Bに載置された生体関連物質を観察することができる程度に透明であればよい。例えば、反射率で判断する場合には、波長350nm~650nmの可視光域において、各膜の屈折率が約2以下で屈折率差が約0.5以下であることが好ましく、透過率で判断する場合には、波長350nm~650nmの可視光域において、各膜の消光係数kが約0.1以下と低いことが好ましい。また、透明基材1の厚さは特に制限されないが、通常、1μm~1mm程度である。透明基材1の形状は特に限定されないが、顕微鏡観察に利用できる形状であることが好ましく、例えばチップ状、カード状、ディスク状等を挙げることができる。ゲート電極ゲート電極2は、図1A~Cに示すボトムゲートTFT型透明バイオセンサのTFT素子部A及び生体関連物質感応部Bでは、透明基材1上にパターン形成されている。一方、図2ABに示すISFET型透明バイオセンサのTFT素子部A及び生体関連物質感応部Bでは、ゲート絶縁膜3生体関連物質感応部Bの絶縁膜3’も含む。上にパターン形成されている。ゲート電極2の形成材料は、例えば、金、銀、銅、チタン、クロム、コバルト、ニッケル、アルミニウム、ニオブ、タンタル、モリブデン等の金属膜;ITOインジウム錫オキサイド、酸化インジウム、IZOインジウム亜鉛オキサイド、SnO2、ZnO等の透明導電膜;を好ましく挙げることができる。なお、所望の導電性を有するものであれば、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体のような導電性高分子等であってもよい。TFT素子部Aに透明性が要求される場合には、透明電極であることが好ましく、例えばITOインジウム錫オキサイド、酸化インジウム、IZOインジウム亜鉛オキサイド、SnO2、ZnO等の透明導電膜や、透明な導電性高分子を好ましく挙げることができる。ゲート電極2の形成は、ゲート電極材料の種類や透明基材1の耐熱性に応じた成膜手段とパターニング手段が適用される。例えば、金属膜又は透明導電膜でゲート電極2を形成する場合には、成膜手段として真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、各種CVD法等を適用でき、パターニング手段としてフォトリソグラフィを適用できる。ゲート電極2の形成に低温成膜が要求される場合には、成膜手段として低温成膜可能なスパッタリング法やプラズマCVD法を好ましく適用できる。また、導電性高分子でゲート電極2を形成する場合には、成膜手段として真空蒸着法やパターン印刷法等を適用でき、パターニング手段としてフォトリソグラフィを適用できる。ゲート電極2の形成工程時には、同時に、ゲート電極用配線、グラウンド配線及び電源配線等の回路配線群を、ゲート電極2と同一材料で形成してもよい。ゲート電極2の厚さ、及び、ゲート電極2の形成時に同時に形成する回路配線群電極や配線の厚さは、通常、0.05μm~0.2μm程度である。ゲート絶縁膜ゲート絶縁膜3は、図1A~Cに示すボトムゲートTFT型透明バイオセンサのTFT素子部A及び生体関連物質感応部Bでは、ゲート電極2を覆うように設けられている。一方、図2ABに示すISFET型透明バイオセンサのTFT素子部A及び生体関連物質感応部Bでは、酸化物半導体膜4、ソース電極5及びドレイン電極6を覆うように設けられている。ゲート絶縁膜3は、絶縁性が高く、誘電率が比較的高く、ゲート絶縁膜として適しているものであれば各種の材料を用いることができる。例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素等のケイ素の酸化物、窒化物又は酸窒化物等を好ましく挙げることができる。また、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化スカンジウム及びチタン酸バリウムストロンチウムのうち少なくとも1種又は2種以上を挙げることができる。TFT素子部Aに透明性が要求される場合には、酸化ケイ素、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素等のケイ素の酸化物、窒化物又は酸窒化物等が好ましい。ゲート絶縁膜3の形成は、ゲート絶縁膜材料の種類や透明基材1の耐熱性に応じた成膜手段とパターニング手段が適用される。例えば、ケイ素の酸化物、窒化物又は酸窒化物等でゲート絶縁膜3を形成する場合には、成膜手段としてスパッタリング法や各種CVD法等を適用でき、パターニング手段としてフォトリソグラフィを適用できる。ゲート絶縁膜3の成膜に低温成膜が要求される場合には、成膜手段として低温成膜可能なスパッタリング法やプラズマCVD法を好ましく適用できる。なお、ゲート絶縁膜3の厚さは、通常、0.1μm~0.3μm程度である。酸化物半導体膜酸化物半導体膜4は、図1A~Cに示すボトムゲートTFT型透明バイオセンサのTFT素子部Aでは、ゲート電極2の上方に、ゲート絶縁膜3を間に介してそのゲート絶縁膜3上にパターン形成されている。一方、図2ABに示すISFET型透明バイオセンサのTFT素子部A及び生体関連物質感応部Bでは、透明基材1上に、ソース電極5及びドレイン電極6をパターン形成し、その後に、ソース電極5及びドレイン電極6の間を跨ぐようにパターン形成されている。酸化物半導体膜4は、薄膜トランジスタを構成するチャネル領域として使用できる程度の移動度を有するものであれば、その種類は特に限定されず、現在知られている酸化物半導体膜であっても、今後発見される酸化物半導体膜であってもよい。酸化物半導体膜4を構成する酸化物としては、例えば、InMZnOMはGa,Sn,Al及びFeのうち少なくとも1種を主たる構成元素とするアモルファス酸化物を挙げることができる。特に、MがGaであるInGaZnO系のアモルファス酸化物が好ましく、この場合、In:Ga:Znの比が1:1:mm<6であることが好ましい。また、Mgをさらに含む場合には、In:Ga:Zn1xMgxの比が1:1:mm<6で0<x≦1であることが好ましい。なお、組成割合は、蛍光X線XRF装置で測定したものである。InMZnOを含むアモルファス酸化物である酸化物半導体材料で酸化物半導体膜4を形成した場合、その酸化物半導体膜4は、特に可視光域で良好な光透過性を示すので好ましく適用できる。こうした酸化物半導体膜4は、TFT素子部Aに透明性が要求される場合に好ましく、特にMがGaであるInGaZnO系のアモルファス酸化物が好ましい。InGaZnO系のアモルファス酸化物については、InとGaとZnの広い組成範囲でアモルファス相を示す。この三元系でアモルファス相を安定して示す組成範囲としては、InxGayZnzO3x/23y/2zで比率x/yが0.4~1.4の範囲であり、比率z/yが0.2~12の範囲にあるように表すことができる。なお、ZnOに近い組成とIn2O3に近い組成で結晶質を示す。また、アモルファス酸化物が、InxGa1x酸化物0≦x≦1、InxZn1x酸化物0.2≦x≦1、InxSn1x酸化物0.8≦x≦1、及びInxZn,Sn1x酸化物0.15≦x≦1から選ばれるいずれかのアモルファス酸化物であってもよい。InGaZnO系以下IGZO系と略す。酸化物半導体膜は、可視光を透過して透明膜となるのでTFT素子部Aに透明性が要求される場合に好ましく用いられる。また、このIGZO系酸化物半導体膜には、必要に応じて、Al、Fe又はSn等を構成元素として加えたものであってもよい。このIGZO系酸化物半導体膜は、透明性を要求されるTFT素子部Aに好ましく用いられる。また、このIGZO系酸化物半導体膜は、スパッタリング法特にRFスパッタリング法により、室温から150°C程度の低温での成膜が可能であることから、ガラス転移温度が200°C未満の耐熱性に乏しいプラスチック基板に対して好ましく適用できる。酸化物半導体膜4の形成は、酸化物半導体材料の種類や透明基材1の耐熱性に応じた成膜手段とパターニング手段が適用される。例えば、成膜手段としてスパッタリング法やCVD法等を適用でき、パターニング手段としてフォトリソグラフィを適用できるが、低温成膜が要求される場合には、成膜手段としてスパッタリング法、特にRFスパッタリング法やプラズマCVD法を好ましく適用できる。酸化物半導体膜4の厚さは、成膜条件によって任意に設計されるために一概には言えないが、通常10nm~150nmの範囲内であることが好ましく、30nm~100nmの範囲内であることがより好ましい。ソース電極、ドレイン電極ソース電極5及びドレイン電極6は、図1A~Cに示すボトムゲートTFT型透明バイオセンサのTFT素子部Aでは、酸化物半導体膜4の両側にトップコンタクトするようにパターン形成されている。一方、図2ABに示すISFET型透明バイオセンサのTFT素子部A及び生体関連物質感応部Bでは、上記した酸化物半導体膜4を成膜する前に、透明基材1上にパターン形成されている。ソース電極材料及びドレイン電極材料は、酸化物半導体膜4のソース電極接続部図示しない及びドレイン電極接続部図示しないとのオーミック接触が考慮されて選択される。ソース電極材料及びドレイン電極材料としては、通常、導電性の良い金属膜又は導電性酸化物膜等が用いられる。金属膜としては、チタン膜、アルミニウム膜、アルミニウム膜上にチタン膜を設けた積層膜等を挙げることができ、導電性酸化物膜としては、ITOインジウム錫オキサイド、酸化インジウム、IZOインジウム亜鉛オキサイド、SnO2、ZnO等の透明導電膜を挙げることができる。また、所望の導電性を有するものであれば、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体のような導電性高分子等であってもよい。TFT素子部Aに透明性が要求される場合には、透明電極であることが好ましく、例えばITOインジウム錫オキサイド、酸化インジウム、IZOインジウム亜鉛オキサイド、SnO2、ZnO等の透明導電膜や、透明な導電性高分子を好ましく挙げることができる。ソース電極5及びドレイン電極6の形成は、電極材料の種類や透明基材1の耐熱性に応じた成膜手段とパターニング手段が適用される。例えば、金属膜又は導電性酸化物でソース電極5及びドレイン電極6を形成する場合には、成膜手段として真空蒸着法、スパッタリング法又は各種のCVD法等を適用でき、パターニング手段としてフォトリソグラフィを適用できるが、低温成膜が要求される場合には、成膜手段として低温成膜可能なスパッタリング法やプラズマCVD法を好ましく適用できる。また、導電性高分子でソース電極5及びドレイン電極6を形成する場合には、成膜手段として真空蒸着法やパターン印刷法等を適用でき、パターニング手段としてフォトリソグラフィを適用できる。ソース電極5及びドレイン電極6の形成工程時には、同じ電極材料で、同時に、既に形成されている回路配線群への接続や新しい回路配線群の形成を行うことが好ましい。ソース電極5及びドレイン電極6の厚さは、通常、0.1μm~0.3μm程度である。保護膜保護膜7は、図1A~Cに示すボトムゲートTFT型透明バイオセンサのTFT素子部Aでは、酸化物半導体膜4、ソース電極5及びドレイン電極6を覆うように形成されている。一方、図2ABに示すISFET型透明バイオセンサのTFT素子部A及び生体関連物質感応部Bには設けられていない。保護膜7は、TFT用の保護膜として用いられているものであれば特に限定されないが、TFT素子部Aに透明性が要求される場合には、透明な保護膜であることが好ましく、例えば、厚さ500nm~1000nm程度のPVPポリビニルピロリドン膜等の有機保護膜、又は厚さ100nm~500nm程度の酸化ケイ素や酸窒化ケイ素等からなるガスバリア性の無機保護膜等を好ましく挙げることができる。また、上記した酸化物半導体膜4の構成材料と同じ酸化物半導体材料で形成してもよい。保護膜7の形成は、保護膜材料の種類や透明基材1の耐熱性に応じた成膜手段とパターニング手段が適用される。例えば、有機保護膜を形成する場合には、塗布法や蒸着法等を適用でき、無機保護膜を形成する場合には、スパッタリング法や各種のCVD法等を適用できる。また、パターニングする場合は、フォトリソグラフィを適用できる。感応膜感応膜8は、図1A~Cに示すボトムゲートTFT型透明バイオセンサの生体関連物質感応部Bでは、絶縁膜3’上にパターン形成されている。一方、図2ABに示すISFET型透明バイオセンサのTFT素子部A及び生体関連物質感応部Bでは、ゲート電極2を設けた後のTFT素子部Aを覆うように、及び、生体関連物質感応部Bの絶縁膜3’上に形成されている。感応膜8は、被検査流体に含まれる生体関連物質、例えば細胞、DNA、糖鎖、タンパク質、酸化還元酵素、抗原又は抗体等を載置可能な材料で形成される。感応膜8の形成材料としては、酸化ケイ素SiO2、窒化ケイ素Si3N4、酸化タンタルTa2O5又は酸化アルミニウムAl2O3等を挙げることができる。これらの材料で形成した感応膜8は、イオン感応性膜であり、測定したいイオン種に応じて適宜選定される。感応膜8は、単層であっても積層であってもよく、積層の場合は、例えば酸化ケイ素膜上に窒化ケイ素膜を設けてもよいし、さらにその上に酸化タンタル膜を設けてもよい。また、必要に応じて、DNA、タンパク質又は糖鎖等を固定化するための表面修飾を行うこともできる。感応膜8の周囲には、後述する隔壁31が設けられ、酸化物半導体膜4のチャネル領域図示しない上に、被検査流体に含まれる生体関連物質を載置する載置領域が設けられている。なお、感応膜8は絶縁性を有するので、図2AのTFT素子部Aのゲート電極2を覆う保護膜として利用してもよい。感応膜8の形成は、感応膜材料の種類や透明基材1の耐熱性に応じた成膜手段とパターニング手段が適用される。例えば、スパッタリング法や各種のCVD法等を適用でき、パターニング手段としてはフォトリソグラフィを適用できる。感応膜8の厚さは、通常、50nm~500nm程度である。例えば厚さ100nmの酸化ケイ素膜を単層で形成したり、例えば厚さ100nmの酸化ケイ素膜上に厚さ100nmの窒化ケイ素膜を形成したりしてもよいし、さらにその上に厚さ100nmの酸化タンタル膜を形成したりしてもよい。隔壁隔壁31は、図2ABに示すISFET型透明バイオセンサの生体関連物質感応部Bの周縁の感応膜8上に設けられている。一方、図1A~Cに示すボトムゲートTFT型透明バイオセンサの生体関連物質感応部Bには設けられていないが、図2と同様、生体関連物質感応部Bの周縁の感応膜8上に設けてもよい。周縁とは、生体関連物質感応部Bに設けられた酸化物半導体膜4を平面視した場合に、その酸化物半導体膜4に重ならない外側位置のことを意味する。隔壁31は、水溶液又は培養液等の被検査流体を感応膜8上に滞留させるためのものであり、所定の高さで設けられる。障壁31の形成材料は、被検査流体を漏出させない材料であればよく、特に限定されるものではない。具体的には被検査流体の種類に応じて、各種の樹脂材料や金属材料から選択して適用できる。紫外線カット手段紫外線カット手段は、酸化物半導体膜4に対する紫外線カット手段であり、図1A~Cに示すボトムゲートTFT型透明バイオセンサでは、TFT素子部A上に付与されている。具体的には、酸化物半導体膜4を有したTFT素子部Aを覆う紫外線カット層9として設けている。一方、図2ABに示すISFET型透明バイオセンサは、酸化物半導体膜4を有したTFT素子部Aでは、そのTFT素子部Aを覆うように設けられているが、酸化物半導体膜4を有した生体関連物質感応部Bでは、隔壁31を紫外線カット層9として設けている。紫外線カット層9は、透明バイオセンサの生体関連物質感応部Bに載置した生体関連物質を顕微鏡観察する際、照射光に含まれる紫外線をカットするための層である。そうした機能を有する紫外線カット層9であれば、各種の材料を用いることができ、他の層とは異なり、透明である必要はない。紫外線カット層9の形成材料としては、例えば、紫外線を吸収又は反射でき、パターン成膜可能な材料が好ましく用いることができる。具体的には、下記表1に示す紫外線カット能を有するポリイミドや、同様の機能を有するアクリル系樹脂等を挙げることができる。表1に示すポリイミドは、特に可視光域で良好な光透過性を示し、紫外光域で良好な遮光性を示すので、紫外線カット層として機能でき、薄膜トランジスタ特性、すなわち半導体特性の劣化をより効果的に防ぐことができる。なお、表1は、光透過率及び反射率スペクトル測定装置FilmTek3000、SCI社製によって測定した結果であり、その透過率は、390nm以下の紫外光の透過率は10以下であるのに対し、425nm以上の可視光の透過率は約80以上である。なお、紫外線カット能を有する材料を、保護膜7に含有させてもよい。この場合は、保護膜7が紫外線カット層9の機能を併せ持つ。また、紫外線カット能を有する材料を、隔壁31に含有させてもよい。この場合は、隔壁31が紫外線カット層9の機能を併せ持つ。そうした隔壁31は、生体関連物質感応部Bに設けられた酸化物半導体膜4を覆ってはいないが、紫外線が酸化物半導体膜4に及ぶのを低減できる。また、紫外線カット材料として、IGZO酸化物半導体を用いてもよい。このIGZO酸化物半導体は、図1及び図2に示すような紫外線カット層9として設けてもよいし、図1及び図3に示すような保護膜7として設けてもよい。また、IGZO酸化物半導体の透過率の波長依存性も上記した表1に併せて示す。IGZO酸化物半導体は、特に可視光域で良好な光透過性を示し、紫外光域で良好な遮光性を示すので、紫外線カット層として機能でき、薄膜トランジスタ特性、すなわち半導体特性の劣化をより効果的に防ぐことができる。その透過率は、380nmまでの紫外光の透過率は80未満であるのに対し、それを超える可視光の透過率は80以上である。紫外線カット層9の形成は、その形成材料の種類等に応じた成膜手段とパターニング手段が適用される。例えば、ポリイミド、アクリル系樹脂又はIGZO酸化物半導体等で紫外線カット層9を形成する場合には、スパッタリング法、各種CVD法又は塗布等で成膜した後にフォトリソグラフィ等でパターニンすればよい。なお、紫外線カット層9の厚さは、通常、1μm~10μm程度である。なお、表1に示す紫外線カット能を有するポリイミド厚さ約20μmでTFT素子部を遮光した場合と遮光しない場合の半導体特性を測定し、その結果を表2に示した。具体的には、ソース電極とドレイン電極との間のチャネル長さを10μmとし、チャネル幅を100μmとしたIGZO酸化物半導体膜を用いた。UVライトとしては、SPECTROLINELONGGIFETMFILTERHIGHESTULTRAVILETINTENSITYGUARANTEEDを用い、半導体膜とUVライトとの距離を13cmとして365nmの紫外光を照射した。このとき、ドレイン電圧を1V固定とし、ゲート電圧を15V~-15Vの間で変化させたときの半導体特性VG-ID特性を測定した。表1に示す紫外線カット能を有するポリイミドでTFT素子部を遮光した場合と遮光しない場合の半導体特性の結果は、移動度で最大103cm/Vsの差が確認できた。ポリイミドで遮光しない場合は、ポリイミドで遮光した場合と比較して、紫外線照射によりキャリアが増加してリーク電流が増加し、OFFレベルが上がって、ON/OFF比が悪化した。そして、キャリアが多くなったため、トランジスタがONし易くなり、閾値Vthがマイナスにシフトした。さらに、閾値Vthがマイナスにシフトした。以上説明したように、第1実施形態の透明バイオセンサでは、透明バイオセンサの上方から照射される光に含まれる紫外線を、その紫外線カット手段によってカットすることができる。その結果、酸化物半導体膜4が紫外線に感応するのを防いで、その酸化物半導体膜4による出力信号が変動又は低下するのを防ぐことができ、顕微鏡観察と同時に取得する生体関連物質の信号情報を正確に取得することができる。[第2実施形態の透明バイオセンサ]図3及び図4に示す透明バイオセンサ20は、TFT素子部A及び生体関連物質感応部Bの透明基材1に付与された紫外線カット手段が、透明基材1の少なくとも一方の面に設けられた紫外線カット層9、又は、透明基材1に含まれる紫外線カット剤を含む透明基材1であるように構成したものである。この第2実施形態の透明バイオセンサ20は、透明バイオセンサ20の下方から照射される光に含まれる紫外線の影響を極力排除したものであって、図3及び図4に示すボトムゲートTFT型の透明バイオセンサ20A,20B,20C,20D,20E,20Fを含む。図3に示すTFT型透明バイオセンサ20A,20B,20Cは、透明基材1の少なくとも一方の面に紫外線カット層9が設けられ、又は、透明基材1自体が紫外線カット能を有する。それ以外は、上記第1実施形態の透明バイオセンサ10と略同じ構造であるので、同一符号を用いた共通する構成の説明は省略する。図4に示すTFT型透明バイオセンサ20D,20E,20Fは、TFT素子部Aの構成は図3に示すTFT型透明バイオセンサと同じである。しかし、図4に示す透明バイオセンサは、ゲート絶縁膜3上に、酸化物半導体膜4、ソース電極5及びドレイン電極6を形成した後、全体を覆う保護膜7を設けている点で図3の形態とは異なる。ゲート電極2は、ゲート絶縁膜3と保護膜7とを貫通し、保護層7上の生体関連物質感応部Bに検出電極2’として配線されている。この検出電極2’及び保護膜7を覆うように感応膜8が設けられている。検出電極2’が設けられた部分は、生体関連物質感応部Bとなり、その検出電極2’は、感応膜8上に載置した生体関連物質の電気的な信号情報を得るために作用する。ゲート電極2をゲート絶縁膜3と保護膜7とに貫通させるには、ゲート絶縁膜3のパターニング時と保護膜7のパターニング時にレジスト層を設けておき、その後レジスト層を除去してコンタクトホールを形成し、その後に電極材料をパターン形成することによって、ゲート電極2に接続する検出電極2’を連結配線2を経由して配線できる。こうした透明バイオセンサ20は、透明バイオセンサの下方から照射される光に含まれる紫外線を、透明基材1の少なくとも一方の面に設けられた紫外線カット層9、又は、透明基材1に含まれる紫外線カット剤によってカットすることができる。その結果、酸化物半導体膜4が紫外線に感応するのを防いで、その酸化物半導体膜4による出力信号が変動又は低下するのを防ぐことができ、顕微鏡観察と同時に取得する生体関連物質の信号情報を正確に取得することができる。[第3実施形態の透明バイオセンサ]図5及び図6に示す透明バイオセンサ30は、生体関連物質感応部Bの透明基材1に付与された紫外線カット手段が、透明基材1の少なくとも一方の面に設けられた紫外線カット層9、又は、透明基材1に含まれる紫外線カット剤を含む透明基材1であるように構成したものである。この第3実施形態の透明バイオセンサ30は、透明バイオセンサ30の下方から照射される光に含まれる紫外線の影響を極力排除したものであって、図5及び図6に示すISFET型の透明バイオセンサ30A,30B,30C,30Dを含む。図5及び図6に示すISFET型透明バイオセンサ30は、MOSFET構造からゲート電極を除き、絶縁膜3’上に感応膜8を設けたISFET構造である。そして、生体関連物質感応部Bの感応膜8上に、被検査流体に含まれる生体関連物質、例えば細胞、DNA、糖鎖、タンパク質、酸化還元酵素、抗原又は抗体等を載置して、その生体関連物質からの信号を検出するバイオセンサである。この透明バイオセンサ30を構成する生体関連物質感応部Bは、図5及び図6に示すように、透明基材1と、透明基材1上に設けられた酸化物半導体膜4と、酸化物半導体膜4の両側にボトムコンタクトするように設けられたソース電極5及びドレイン電極6と、酸化物半導体膜4上に絶縁膜3’を介して設けられた感応膜8とを有している。感応膜8が設けられた生体関連物質感応部Bの周縁には、隔壁31が設けられており、その隔壁31で囲まれた領域に、被検査流体に含まれる生体関連物質が投入され、透明バイオセンサによる電気的な信号情報と、倒立型顕微鏡による顕微鏡観察とが同時に行われる。なお、図6に示す透明バイオセンサ30Dを構成するTFT素子部Aは、トップゲート型のTFT素子部Aを構成している。周縁とは、生体関連物質感応部Bに設けられた酸化物半導体膜4を平面視した場合に、その酸化物半導体膜4に重ならない外側位置のことを意味する。図5に示すISFET型透明バイオセンサ30A,30B,30Cは、透明基材1の少なくとも一方の面に紫外線カット層9が設けられ、又は、透明基材1自体が紫外線カット能を有する。それ以外は、上記第1実施形態の図2Bに示す透明バイオセンサ10Eと略同じ構造であるので、同一符号を用いた共通する構成の説明は省略する。図6に示すISFET型透明バイオセンサ30Dも、透明基材1の少なくとも一方の面に紫外線カット層9が設けられ、又は、透明基材1自体が紫外線カット能を有する。それ以外は、上記第1実施形態の図2Aに示す透明バイオセンサ10Dと略同じ構造であるので、同一符号を用いた共通する構成の説明は省略する。この透明バイオセンサ30は、トップゲート型の透明バイオセンサの下方から照射される光に含まれる紫外線を、透明基材の少なくとも一方の面に設けられた紫外線カット層、又は、透明基材に含まれる紫外線カット剤によってカットすることができる。その結果、酸化物半導体膜が紫外線に感応するのを防いで、その酸化物半導体膜による出力信号が変動又は低下するのを防ぐことができ、顕微鏡観察と同時に取得する生体関連物質の信号情報を正確に取得することができる。"