"基材の少なくとも片面に、Aガスバリア層と、B酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層とが形成された酸化亜鉛系導電性積層体であって、前記ガスバリア層は、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を少なくとも含む材料から構成されてなり、該ガスバリア層の表面から深さ方向に向かって、層中における酸素原子の存在割合が漸次減少し且つ炭素原子の存在割合が漸次増加している領域を有することを特徴とする透明導電性フィルム。前記ガスバリア層の表層部における、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する各元素の存在割合は、酸素原子の存在割合が10~70、炭素原子の存在割合が10~70、ケイ素原子の存在割合が5~35であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電性フィルム。前記ガスバリア層が、該ガスバリア層の表層部におけるX線光電子分光XPS測定における、ケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置が102~104eVであることを特徴とする請求項1又は2に記載の透明導電性フィルム。前記ガスバリア層が、ポリオルガノシロキサン系化合物を含むことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の透明導電性フィルム。前記ポリオルガノシロキサン系化合物が、下記に示すaまたはbで表されるポリオルガノシロキサンであることを特徴とする請求項4に記載の透明導電性フィルム。式中、Rx、Ryはそれぞれ独立して、水素原子、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基等の非加水分解性基を表す。なお、式aの複数のRx、式bの複数のRyは、それぞれ同一でも相異なっていてもよい。ただし、前記式aのRxが2つとも水素原子であることはない。前記ガスバリア層が、厚みが30nmから10μmであり、該ガスバリア層の表層部の厚さが5nmから100nmであることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の透明導電性フィルム。前記ガスバリア層が、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンが注入されて得られる層であることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の透明導電性フィルム。前記イオンが注入された部分が、前記ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層の表層部であることを特徴とする請求項7に記載の透明導電性フィルム。前記イオンが、水素、窒素、酸素、希ガス及びフルオロカーボンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする請求項7又は8に記載の透明導電性フィルム。前記イオンの注入が、プラズマイオン注入によるものであることを特徴とする請求項7~9のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。前記透明導電層は、膜厚が20~500nmであり、前記透明導電性フィルムのシート抵抗値の値が1000Ω/□以下であることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。前記酸化亜鉛系導電材料は、ガリウム、インジウム、及びケイ素から選択される少なくとも1つの元素を0.01~10質量含むことを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。前記透明導電性フィルムは、その初期シート抵抗値をR0とし、60°C90RH環境下および60°C環境下で3日間投入後のシート抵抗値をR1、R2とした場合に、シート抵抗値の変化率T1=R1-R0/R0およびT2=R2-R0/R0の値が1.0以下であることを特徴とする請求項1~12のいずれかに記載の透明導電性フィルム。ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンを注入してガスバリア層を形成する工程と、該ガスバリア層上に酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層を形成する工程とを有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。前記イオンを注入する工程が、水素、窒素、酸素、希ガス及びフルオロカーボンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン化して注入する工程であることを特徴とする請求項14に記載の透明導電性フィルムの製造方法。前記イオンを注入する工程が、プラズマイオン注入する工程であることを特徴とする請求項15に記載の透明導電性フィルムの製造方法。前記イオンを注入する工程が、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を有する長尺のフィルムを一定方向に搬送しながら、前記ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンを注入する工程であることを特徴とする請求項15又は16に記載の透明導電性フィルムの製造方法。請求項1~13のいずれか1項に記載の透明導電性フィルムを使用したことを特徴とする電子デバイス。本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、優れたガスバリア性と透明導電性を有し、さらに湿熱環境後においてもシート抵抗値が低く、導電性に優れた透明導電性フィルムであり、その製造方法、この透明導電性フィルムを備える電子デバイスを提供することを課題とする。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、少なくとも、酸素原子、炭素原子、及びケイ素原子を含む材料からなり、表面から深さ方向に向かって、酸素原子の存在割合が漸次減少し、炭素原子の存在割合が漸次増加する領域を有する層ガスバリア層を有するフィルムは、優れた、ガスバリア性、透明性および耐屈曲性を有することを見出し、これに導電層として酸化亜鉛系導電材料を積層することで湿熱環境後においてもシート抵抗値が低く、導電性の優れた透明導電性フィルムが得られることを見出し、本発明を完成するに至った。さらに、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を表面部に有するフィルムの、前記ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンを注入することにより、前記ガスバリア層を簡便かつ効率よく製造することができることを見出した。かかる本発明の第1の態様は、基材の少なくとも片面に、Aガスバリア層と、B酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層とが形成された酸化亜鉛系導電性積層体であって、前記ガスバリア層は、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を少なくとも含む材料から構成されてなり、該ガスバリア層の表面から深さ方向に向かって、層中における酸素原子の存在割合が漸次減少し且つ炭素原子の存在割合が漸次増加している領域を有することを特徴とする透明導電性フィルムにある。本発明の第2の態様は、前記ガスバリア層の表層部における、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する各元素の存在割合は、酸素原子の存在割合が10~70、炭素原子の存在割合が10~70、ケイ素原子の存在割合が5~35であることを特徴とする第1の態様に記載の透明導電性フィルムにある。本発明の第3の態様は、前記ガスバリア層が、該ガスバリア層の表層部におけるX線光電子分光XPS測定における、ケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置が102~104eVであることを特徴とする第1又は2の態様に記載の透明導電性フィルムにある。本発明の第4の態様は、前記ガスバリア層が、ポリオルガノシロキサン系化合物を含むことを特徴とする第1~3のいずれかの態様に記載の透明導電性フィルムにある。本発明の第5の態様は、前記ポリオルガノシロキサン系化合物が、下記に示すaまたはbで表されるポリオルガノシロキサンであることを特徴とする第4の態様に記載の透明導電性フィルムにある。式中、Rx、Ryはそれぞれ独立して、水素原子、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基等の非加水分解性基を表す。なお、式aの複数のRx、式bの複数のRyは、それぞれ同一でも相異なっていてもよい。ただし、前記式aのRxが2つとも水素原子であることはない。本発明の第6の態様は、前記ガスバリア層が、厚みが30nmから10μmであり、該ガスバリア層の表層部の深さが5nmから100nmであることを特徴とする第1~5のいずれかの態様に記載の透明導電性フィルムにある。本発明の第7の態様は、前記ガスバリア層が、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンが注入されて得られる層であることを特徴とする第1~6のいずれかの態様に記載の透明導電性フィルムにある。本発明の第8の態様は、前記イオンが注入された部分が、前記ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層の表層部であることを特徴とする第7の態様に記載の透明導電性フィルムにある。本発明の第9の態様は、前記イオンが、水素、窒素、酸素、希ガス及びフルオロカーボンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする第7又は8の態様に記載の透明導電性フィルムにある。本発明の第10の態様は、前記イオンの注入が、プラズマイオン注入によるものであることを特徴とする第7~9のいずれか1の態様に記載の透明導電性フィルムにある。本発明の第11の態様は、前記透明導電層は、膜厚が20~500nmであり、前記透明導電性フィルムのシート抵抗値の値が1000Ω/□以下であることを特徴とする第1~10のいずれか1の態様に記載の透明導電性フィルムにある。本発明の第12の態様は、前記酸化亜鉛系導電材料は、ガリウム、インジウム、及びケイ素から選択される少なくとも1つの元素を0.01~10質量含むことを特徴とする第1~11のいずれか1の態様に記載の透明導電性フィルムにある。本発明の第13の態様は、前記透明導電性フィルムは、その初期シート抵抗値をR0とし、60°C90RH環境下および60°C環境下で3日間投入後のシート抵抗値をR1、R2とした場合に、シート抵抗値の変化率T1=R1-R0/R0およびT2=R2-R0/R0の値が1.0以下であることを特徴とする第1~12のいずれかに記載の透明導電性フィルムにある。本発明の第14の態様は、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンを注入してガスバリア層を形成する工程と、該ガスバリア層上に酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層を形成する工程とを有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法にある。本発明の第15の態様は、前記イオンを注入する工程が、水素、窒素、酸素、希ガス及びフルオロカーボンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン化して注入する工程であることを特徴とする第14の態様に記載の透明導電性フィルムの製造方法にある。本発明の第16の態様は、前記イオンを注入する工程が、プラズマイオン注入する工程であることを特徴とする第15の態様に記載の透明導電性フィルムの製造方法にある。本発明の第17の態様は、前記イオンを注入する工程が、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を有する長尺のフィルムを一定方向に搬送しながら、前記ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンを注入する工程であることを特徴とする第15又は16に記載の透明導電性フィルムの製造方法にある。本発明の第18の態様は、第1~14のいずれか1の態様に記載の透明導電性フィルムを使用したことを特徴とする電子デバイスにある。本発明によれば、優れたガスバリア性と導電性を示し、かつ湿熱環境後においてもシート抵抗値が低く、導電性の優れた透明導電性フィルムを提供することができる。また、本発明の製造方法によれば、優れたガスバリア性を有し、かつ導電性を持つ本発明の透明導電性フィルムを安全に簡便に製造することができる。さらに、このような本発明の透明導電性フィルムを用いると、湿熱環境後にもシート抵抗値が低く、導電性の優れた特性を有する電子デバイス部材が実現でき、この電子デバイス部材は、優れたガスバリア性と導電性を示すことからフレキシブル電子デバイスへの適応が可能となる。以下、本発明を、1透明導電性フィルム、2透明導電性フィルムの製造方法、並びに、3電子デバイスに項分けして詳細に説明する。1透明導電性フィルム1-1透明導電性フィルムのガスバリア層並びに基材本発明の透明導電性フィルムは、基材の少なくとも片面に、Aガスバリア層と、B酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層とが形成された酸化亜鉛系導電性積層体であって、前記ガスバリア層は、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を少なくとも含む材料から構成されてなり、該ガスバリア層の表面から深さ方向に向かって、層中における酸素原子の存在割合が漸次減少し且つ炭素原子の存在割合が漸次増加している領域を有することを特徴とする。前記ガスバリア層を構成する、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を少なくとも含む材料は、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を少なくとも含む高分子であれば、特に制約はないが、より優れたガスバリア性を発揮する観点から、前記ガスバリア層の表層部における酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量全体に対するすなわち、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量の合計を100とした場合の酸素原子の存在割合が10~70、炭素原子の存在割合が10~70、ケイ素原子の存在割合が5~35であるものが好ましく、酸素原子の存在割合が15~65、炭素原子の存在割合が15~65、ケイ素原子の存在割合が10~30であるものがより好ましい。酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合の測定は、実施例において説明する方法で行う。かかるガスバリア層の表層部の厚さは、通常、5~100nm、好ましくは10~50nm、さらに好ましくは30nmから50nmである。このようなガスバリア層としては、例えば、後述するように、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンが注入されて得られる層以下、注入層ということがある。や、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にプラズマ処理が施されて得られる層を挙げることができる。また、前記ガスバリア層は、ガスバリア層の表層部におけるX線光電子分光XPS測定において、ケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置が102~104eVであるものが好ましい。例えば、ポリジメチルシロキサンの層は、X線光電子分光XPS測定において、ケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置が約101.5eVであるのに対し、このポリジメチルシロキサンの層にアルゴンをイオン注入して得られたイオン注入層ガスバリア層は、表層部におけるX線光電子分光XPS測定において、ケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置が約103eVとなる。この値は、ガラスや二酸化ケイ素膜などのような、従来公知のガスバリア性を有するケイ素含有高分子に含まれるケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置とほぼ同程度であるX線光電子分光XPS測定におけるケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置は、ガラスの場合約102.5eVであり、二酸化ケイ素膜の場合約103eVである。。このことから、ガスバリア層の表層部におけるケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置が102~104eVである本発明のガスバリア層は、ガラスや二酸化ケイ素膜と同一又は類似の構造を有しているので、ガスバリア性に優れていると推測される。なお、ケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置の測定は、実施例において説明する方法で行う。本発明の透明導電性フィルムのガスバリア層は、少なくともポリオルガノシロキサン系化合物を含むことが好ましい。好適には、ガスバリア層は、通常、30nmから200μm、好ましくは30nmから100μm、好ましくは50nmから10μmである。また、本発明の透明導電性フィルムにおいては、前記ガスバリア層が、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層の表層部にイオンが注入されて得られる層を具備するものであることがより好ましい。本発明の透明導電性フィルムにおいて用いるポリオルガノシロキサン系化合物の主鎖構造に制限はなく、直鎖状、ラダー状、籠状のいずれであってもよい。例えば、前記直鎖状の主鎖構造としては下記式aで表される構造が、ラダー状の主鎖構造としては下記式bで表される構造がそれぞれ挙げられ、籠状の主鎖構造としては下記式cで表される構造が例示される。式中、Rx、Ry、Rzは、それぞれ独立して、水素原子、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基等の非加水分解性基を表す。なお、式aの複数のRx、式bの複数のRy、および式cの複数のRzは、それぞれ同一でも相異なっていてもよい。ただし、前記式aのRxが2つとも水素原子であることはない。無置換若しくは置換基を有するアルキル基のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n-へキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基等の炭素数1~10のアルキル基が挙げられる。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基等の炭素数2~10のアルケニル基が挙げられる。前記アルキル基およびアルケニル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;ヒドロキシル基;チオール基;エポキシ基;グリシドキシ基;メタアクリロイルオキシ基;フェニル基、4-メチルフェニル基、4-クロロフェニル基等の無置換若しくは置換基を有するアリール基;等が挙げられる。無置換または置換基を有するアリール基のアリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等の炭素数6~10のアリール基が挙げられる。前記アリール基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1~6のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1~6のアルコキシ基;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシル基;チオール基;エポキシ基;グリシドキシ基;メタアクリロイルオキシ基;フェニル基、4-メチルフェニル基、4-クロロフェニル基等の無置換若しくは置換基を有するアリール基;等が挙げられる。これらの中でも、Rx、Ry、Rzとしては、それぞれ独立して、無置換もしくは置換基を有する、炭素数1~6のアルキル基、またはフェニル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、3-グリシドキシプロピル基、またはフェニル基が特に好ましい。なお、式aの複数のRx、式bの複数のRy、および式cの複数のRzは、それぞれ同一でも相異なっていてもよい。本発明においては、ポリオルガノシロキサン系化合物としては、前記式aで表される直鎖状の化合物、または前記式bで表されるラダー状の化合物が好ましく、入手容易性、および優れたガスバリア性を有する注入層を形成できる観点から、前記式aにおいて2つのRxが、メチル基またはフェニル基である直鎖状の化合物、前記式bにおいて2つのRyが、メチル基、プロピル基、3-グリシドキシプロピル基またはフェニル基であるラダー状の化合物が特に好ましい。ポリオルガノシロキサン系化合物は、加水分解性官能基を有するシラン化合物を重縮合する、公知の製造方法により得ることができる。用いるシラン化合物は、目的とするポリオルガノシロキサン系化合物の構造に応じて適宜選択すればよい。好ましい具体例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン等の2官能シラン化合物;メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、n-ブチルトリエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルジエトキシメトキシシラン等の3官能シラン化合物;テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラn-プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラn-ブトキシシラン、テトラt-ブトキシシラン、テトラs-ブトキシシラン、メトキシトリエトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、トリメトキシエトキシシラン等の4官能シラン化合物等が挙げられる。また、ポリオルガノシロキサン系化合物は、剥離剤、接着剤、シーラント、塗料等として市販されている市販品をそのまま使用することもできる。ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層は、ポリオルガノシロキサン系化合物の他に、本発明の目的を阻害しない範囲で他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、硬化剤、他の高分子、老化防止剤、光安定剤、難燃剤等が挙げられる。なお、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層中の、ポリオルガノシロキサン系化合物の含有量は、優れたガスバリア性を有する注入層を形成できる観点から、50重量以上であるのが好ましく、70重量以上であるのがより好ましく、90重量以上であるのが特に好ましい。ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を形成する方法としては、特に制約はなく、例えば、ポリオルガノシロキサン系化合物の少なくとも一種、所望により他の成分、および溶剤等を含有する層形成用溶液を、後述する基材の上に塗布し、得られた塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等して形成する方法が挙げられる。形成されるポリオルガノシロキサン系化合物を含む層の厚みは、特に制限されないが、通常30nmから200μm、好ましくは50nmから100μmである。前記注入層は、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンが注入されてなるものである。イオンの注入量は、透明導電性フィルムの使用目的必要なガスバリア性、透明性等等に合わせて適宜決定すればよい。注入されるイオンとしては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンなどの希ガス;フルオロカーボン、水素、窒素、酸素、二酸化炭素、塩素、フッ素、硫黄等のイオン;金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム等の導電性の金属のイオン;等が挙げられる。なかでも、より簡便に注入することができ、特に優れたガスバリア性と透明性を有する注入層が得られることから、水素、酸素、窒素、希ガスおよびフルオロカーボンからなる群から選ばれる少なくとも一種のイオンが好ましく、窒素、酸素、アルゴンまたはヘリウムのイオンが特に好ましい。イオンを注入する方法は特に限定されず、例えば、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を形成した後、該ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンを注入する方法等が挙げられる。イオン注入法としては、電界により加速されたイオンイオンビームを照射する方法、プラズマ中のイオンを注入する方法等が挙げられる。なかでも、本発明においては、簡便にガスバリア層が得られることから、後者のプラズマイオン注入する方法が好ましい。プラズマイオン注入は、例えば、希ガス等のプラズマ生成ガスを含む雰囲気下でプラズマを発生させ、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層に負の高電圧パルスを印加することにより、該プラズマ中のイオン陽イオンをポリオルガノシロキサン系化合物を含む層の表面部に注入して行うことができる。イオンが注入されたことは、X線光電子分光XPS分析を用いて、ガスバリア層表層部の元素分析測定を行うことによって確認することができる。本発明において、基材は、透明導電性フィルムの目的に合致するものであれば特に制限されず、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニルスルフォン、変性ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、アクリル系樹脂、シクロオレフィン系ポリマー、芳香族系重合体、ポリウレタン系ポリマー、熱硬化型もしくは放射線硬化型樹脂を用いて熱や放射線で硬化したフィルム等が挙げられる。またこれらに酸化防止剤や難燃剤や高屈折材料や低屈折材料や滑剤等の各種添加剤をガスバリア性、透明性、導電性を損なわない範囲で含んでも良い。これらの中でも、熱寸法安定性や透明性に優れ、汎用性があることから、ポリエステル、ポリアミドまたはシクロオレフィン系ポリマーが好ましく、ポリエステルまたはシクロオレフィン系ポリマーがより好ましい。ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート等が挙げられる。ポリアミドとしては、全芳香族ポリアミド、ナイロン6、ナイロン66、ナイロン共重合体等が挙げられる。シクロオレフィン系ポリマーとしては、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、およびこれらの水素化物が挙げられる。その具体例としては、アペル三井化学社製のエチレン-シクロオレフィン共重合体、アートンJSR社製のノルボルネン系重合体、ゼオノア日本ゼオン社製のノルボルネン系重合体等が挙げられる。これらの基材の厚みは0.01~0.5mmが好ましく、更に好もしくは0.05~0.25mmの範囲が好ましい。これらの範囲であれば、透明性および耐屈曲の点で好ましく、取扱いが容易である。1-2透明導電性フィルムの酸化亜鉛系導電層本発明において、酸化亜鉛系導電層は、酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層であり、酸化亜鉛系導電材料は、酸化亜鉛を主体とするものであり、好適には、酸化亜鉛を90質量以上含有するのが好ましいが、その他の組成は特に限定されず、例えば、抵抗率を低下させるために、アルミニウム、インジウム、ホウ素、ガリウム、ケイ素、スズ、ゲルマニウム、アンチモン、イリジウム、レニウム、セリウム、ジルコニウム、スカンジウムおよびイットリウムなど各種添加元素、添加剤を添加されたものでもよい。これらの各種添加元素、添加剤は、少なくも1種以上含んでいてもよく、添加量は0.05~15質量含んでいることが好ましい。また、酸化亜鉛系透明導電材料の成膜方法としては、従来から公知の方法により成膜することができ、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、化学気相成長法などで成膜することができる。透明導電材料を成膜する前に、ガスバリア性を有するフィルムをあらかじめ、フィルムの融点を超えない温度領域で真空もしくは大気圧下で加熱処理を施したり、プラズマ処理や紫外線照射処理を行う工程を設けても良い。なお、酸化亜鉛系導電層の厚さは、用途によっても異なるが、例えば、10nm~5μm、好ましくは20nm~1000nm、更に好ましくは50~500nmの厚みであることが好ましい。1-3透明導電性フィルム本発明の透明導電性フィルムは、基材の少なくとも片面に、Aガスバリア層と、B酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層とが形成された酸化亜鉛系導電性積層体であるが、他の層を含んでいてもよい。他の層の配置位置は特に限定されず、基材の少なくとも片面にあってもよく、またはガスバリア層の少なくとも片面にあってもよく、酸化亜鉛系導電層の少なくとも片面にあってもよい。他の層としては、例えば、前記基材のオリゴマー成分や低分子成分を遮蔽する目的のために、ハードコート層などの層を設けることができる。ハードコート層としては、特に限定されず、エネルギー線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂からなる公知のものを用いることができる。またガスバリア層の上にガスバリア層の保護の目的としてハードコート層を設けても良い。ハードコート層の厚さは、0.1~20μmであることが好ましく、特に1~10μmであることが好ましい。本発明の透明導電性フィルムの厚みは、特に制限されないが、電子デバイス部材として用いる場合には、1~1000μm程度の厚みが好ましい。本発明の透明導電性フィルムが優れたガスバリア性を有していることは、本発明の透明導電性フィルムの水蒸気等のガスの透過率が小さいことから確認することができる。例えば、水蒸気透過率は、5g/m2/day以下が好ましく、3g/m2/day以下がより好ましい。なお、フィルムの水蒸気等の透過率は、公知のガス透過率測定装置を使用して測定することができる。また、本発明の透明導電性フィルムが優れた透明性を有していることは、本発明の透明導電性フィルムの可視光透過率が高いことから確認することができる。可視光透過率は、全光線透過率で70以上が好ましく、75以上がより好ましい。なお、透明導電性フィルムの可視光透過率は、公知の可視光透過率測定装置を使用して測定することができる。また、本発明の透明導電性フィルムのシート抵抗値は、1000Ω/□以下であることが好ましく、500Ω/□以下であることがより好ましく、100Ω/□以下であることがさらに好ましい。なお、透明導電性フィルムのシート抵抗値は、実施例に記載の方法により測定することができる。また、本発明の透明導電性フィルムは、その初期シート抵抗値をR0とし、60°C90RHRH:相対湿度環境下および60°C環境下で3日間投入後のシート抵抗値をそれぞれR1、R2とした、シート抵抗値の変化率T1、T2を下記式とした場合、T1は、1.0以下が好ましく、0.5以下がより好ましく、0.3以下がより好ましく、0.1以下であることがさらに好ましい。T2は1.0以下が好ましく、0.2以下がより好ましい。T1=R1-R0/R0T2=R2-R0/R0本発明の透明導電性フィルムは、優れたガスバリア性と透明導電性を有しているので、電子デバイスに用いた場合、水蒸気等のガスによる素子の劣化を防ぐことができる。また、光の透過性が高いので、タッチパネル、液晶ディスプレイ、ELディスプレイ等のディスプレイ部材;太陽電池等に用いる太陽電池用電極;有機トランジスタ用電極等として好適である。2透明導電性フィルムの製造方法本発明の透明導電性フィルムの製造方法は、前記ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンを注入してガスバリア層を形成する工程と、このガスバリア層上に酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層を形成する工程とを有することを特徴とする。本発明の透明導電性フィルムの製造方法においては、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を有するフィルムを一定方向に搬送しながら、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンを注入させて、ガスバリア性を有するフィルムを製造することが好ましい。ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を有するフィルムは、基材上に、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を形成したフィルムが挙げられる。この製造方法によれば、例えば、長尺のフィルムを巻き出しロールから巻き出し、それを一定方向に搬送しながらイオンを注入し、巻き取りロールで巻き取ることができるので、イオンが注入されて得られるフィルムを連続的に製造することができる。ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を有するフィルムは、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層のみでもよいし、他の層を含むものであってもよい。前述の他の層と同様のものを使用することができる。フィルムの厚さは、巻き出し、巻き取り及び搬送の操作性の観点から、1μm~500μmが好ましく、5μm~300μmがより好ましい。ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンを注入する方法としては、特に限定されない。なかでも、プラズマイオン注入法により前記層の表層部にイオン注入層を形成する方法が特に好ましい。プラズマイオン注入法は、プラズマ中に曝した、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層に、負の高電圧パルスを印加することにより、プラズマ中のイオンを前記層の表層部に注入してイオン注入層を形成する方法である。プラズマイオン注入法としては、A外部電界を用いて発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表層部に注入する方法、またはB外部電界を用いることなく、前記層に印加する負の高電圧パルスによる電界のみで発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表層部に注入する方法が好ましい。前記Aの方法においては、イオン注入する際の圧力プラズマイオン注入時の圧力を0.01~1Paとすることが好ましい。プラズマイオン注入時の圧力がこのような範囲にあるときに、簡便にかつ効率よく均一な注入層を形成することができ、透明性、ガスバリア性を兼ね備えた注入層を効率よく形成することができる。前記Bの方法は、減圧度を高くする必要がなく、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮することができる。また、前記層全体にわたって均一に処理することができ、負の高電圧パルス印加時にプラズマ中のイオンを高エネルギーで層の表面部に連続的に注入することができる。さらに、radiofrequency高周波、以下、RFと略す。や、マイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、層に負の高電圧パルスを印加するだけで、層の表層部に注入層を均一に形成することができる。前記AおよびBのいずれの方法においても、負の高電圧パルスを印加するとき、すなわちイオン注入するときのパルス幅は、1~15μsecであるのが好ましい。パルス幅がこのような範囲にあるときに、透明で均一な注入層をより簡便にかつ効率よく形成することができる。また、プラズマを発生させるときの印加電圧は、好ましくは-1kV~-50kV、より好ましくは-1kV~-30kV、特に好ましくは-5kV~-20kVである。印加電圧が-1kVより大きい値でイオン注入を行うと、イオン注入量ドーズ量が不十分となり、所望の性能が得られない。一方、-50kVより小さい値でイオン注入を行うと、イオン注入時にフィルムが帯電し、またフィルムへの着色等の不具合が生じ、好ましくない。イオン注入するイオン種としては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンなどの希ガス;フルオロカーボン、水素、窒素、酸素、二酸化炭素、塩素、フッ素、硫黄等のイオン;金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム等の導電性の金属のイオン;等が挙げられる。これらの中でも、より簡便にイオン注入することができ、透明で優れたガスバリア性を有するフィルムを効率良く製造することができることから、水素、酸素、窒素、希ガス、フルオロカーボンが好ましく、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウムがより好ましい。層の表層部にプラズマ中のイオンを注入する際には、プラズマイオン注入装置を用いる。プラズマイオン注入装置としては、具体的には、αポリオルガノシロキサン系化合物を含む層以下、イオン注入する層ということがある。に負の高電圧パルスを印加するフィードスルーに高周波電力を重畳してイオン注入する層の周囲を均等にプラズマで囲み、プラズマ中のイオンを誘引、注入、衝突、堆積させる装置特開2001-26887号公報、βチャンバー内にアンテナを設け、高周波電力を与えてプラズマを発生させてイオン注入する層周囲にプラズマが到達後、イオン注入する層に正と負のパルスを交互に印加することで、正のパルスでプラズマ中の電子を誘引衝突させてイオン注入する層を加熱し、パルス定数を制御して温度制御を行いつつ、負のパルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させる装置特開2001-156013号公報、γマイクロ波等の高周波電力源等の外部電界を用いてプラズマを発生させ、高電圧パルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させるプラズマイオン注入装置、δ外部電界を用いることなく高電圧パルスの印加により発生する電界のみで発生するプラズマ中のイオンを注入するプラズマイオン注入装置等が挙げられる。これらの中でも、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮でき、連続使用に適していることから、γまたはδのプラズマイオン注入装置を用いるのが好ましい。以下、前記γおよびδのプラズマイオン注入装置を用いる方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、前記γのプラズマイオン注入装置を備える連続的プラズマイオン注入装置の概要を示す図である。図1aにおいて、1aはポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を有する長尺のフィルム以下、フィルムという。、2aは高電圧印加回転キャン、3aはイオン注入される前のフィルム1aを送り出す巻き出しロール、4はプラズマ放電用電極外部電界、5aは、前記ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオンが注入された、ガスバリア性を有するフィルム1bをロール状に巻き取る巻取りロール、6aは送り出し用ロール、7aは高電圧パルス電源、10aはガス導入口、11aはチャンバー、20aは油拡散ポンプ、である。図1bは、前記高電圧印加回転キャン2aの斜視図であり、13は中心軸、15は高電圧導入端子フィードスルーである。本実施形態で用いるポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を有する長尺のフィルム1aは、基材上に、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を形成したフィルムである。図1に示す連続的プラズマイオン注入装置においては、フィルム1aは、チャンバー11a内において、巻き出しロール3aから図1中矢印X方向に搬送され、高電圧印加回転キャン2aを通過して、巻き取りロール5aに巻き取られる。フィルム1aの巻取りの方法や、フィルム1aを搬送する方法等は特に制約はないが、本実施形態においては、高電圧印加回転キャン2aを一定速度で回転させることにより、フィルム1aの搬送を行っている。また、高電圧印加回転キャン2aの回転は、高電圧導入端子15の中心軸13をモーターにより回転させることにより行われる。高電圧導入端子15、およびフィルム1aが接触する複数の送り出し用ロール6a等は絶縁体からなり、例えば、アルミナの表面をポリテトラフルオロエチレン等の樹脂で被覆して形成されている。また、高電圧印加回転キャン2aは導体からなり、例えば、ステンレス等で形成することができる。フィルム1aの搬送速度は適宜設定できる。フィルム1aが巻き出しロール3aから搬送され、巻き取りロール5aに巻き取られるまでの間にフィルム1aの表面部ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオン注入され、所望の注入層が形成されるだけの時間が確保される速度であれば、特に制約されない。フィルムの巻取り速度ライン速度は、印加電圧、装置規模等にもよるが、通常0.1~3m/min、好ましくは0.2~2.5m/minである。まず、チャンバー11a内をロータリーポンプに接続された油拡散ポンプ20aにより排気して減圧とする。減圧度は、通常1×10-2Pa以下、好ましくは1×10-3Pa以下である。次に、ガス導入口10aよりチャンバー11a内に、イオン注入用のガス以下、イオン注入用ガスということがある。を導入して、チャンバー11a内を減圧イオン注入用ガス雰囲気とする。次いで、プラズマ放電用電極4外部電界によりプラズマを発生させる。プラズマを発生させる方法としては、マイクロ波やRF等の高周波電力源等による公知の方法が挙げられる。一方、高電圧導入端子15を介して高電圧印加回転キャン2aに接続されている高電圧パルス電源7aにより、負の高電圧パルス9aが印加される。高電圧印加回転キャン2aに負の高電圧パルスが印加されると、プラズマ中のイオンが誘因され、高電圧印加回転キャン2aの周囲のフィルムの表面に注入され図1a中、矢印Y、ガスバリア層を有するフィルム1bが得られる。前述のように、イオン注入する際の圧力チャンバー11a内のプラズマガスの圧力は、0.01~1Paであるのが好ましく、イオン注入するときのパルス幅は、1~15μsecであるのが好ましく、高電圧印加回転キャン2aに負の高電圧を印加する際の印加電圧は、-1kV~-50kVであるのが好ましい。次に、図2に示す連続的プラズマイオン注入装置を使用して、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を表面部に有するフィルムの、前記ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層にイオン注入する方法を説明する。図2に示す装置は、前記δのプラズマイオン注入装置を備える。このプラズマイオン注入装置は、外部電界すなわち、図1におけるプラズマ放電用電極4を用いることなく印加する高電圧パルスによる電界のみでプラズマを発生させるものである。図2に示す連続的プラズマイオン注入装置においては、フィルムフィルム状の成形物1cは、前記図1の装置と同様に高電圧印加回転キャン2bを回転させることによって、巻き出しロール3bから図2中矢印X方向に搬送され、複数の送り出し用ロール6bを経て、巻き取りロール5bに巻き取られる。図2に示す連続的プラズマイオン注入装置では、前記フィルムのポリオルガノシロキサン系化合物を含む層の表面部へのイオン注入は次のように行われる。まず、図1に示すプラズマイオン注入装置と同様にしてチャンバー11b内にフィルム1cを設置し、チャンバー11b内をロータリーポンプに接続されている油拡散ポンプ20bにより排気して減圧とする。そこへ、ガス導入口10bよりチャンバー11b内に、イオン注入用ガスを導入して、チャンバー11b内を減圧イオン注入用ガス雰囲気とする。イオン注入する際の圧力チャンバー11b内のプラズマガスの圧力は、10Pa以下、好ましくは0.01~5Pa、より好ましくは0.01~1Paである。次に、フィルム1cを、図2中Xの方向に搬送させながら、高電圧印加回転キャン2bに接続されている高電圧パルス電源7bから高電圧パルス9bを印加する。高電圧印加回転キャン2bに負の高電圧が印加されると、高電圧印加回転キャン2bの周囲のフィルム1cに沿ってプラズマが発生し、そのプラズマ中のイオンが誘因され、高電圧印加回転キャン2bの周囲のフィルム1cの表面に注入される図2中、矢印Y。フィルム1cのポリオルガノシロキサン系化合物を含む層の表層部にイオンが注入されると、フィルム表層部に注入層が形成され、ガスバリア層を有するフィルム1dが得られる。高電圧印加回転キャン2bに負の高電圧を印加する際の印加電圧及びパルス幅は、図1に示す連続的プラズマイオン注入装置の場合と同様である。図2に示すプラズマイオン注入装置では、プラズマを発生させるプラズマ発生手段を高電圧パルス電源によって兼用しているため、RFやマイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、負の高電圧パルスを印加するだけで、プラズマを発生させ、フィルムのポリオルガノシロキサン系化合物を含む層の表層部にプラズマ中のイオンを注入し、注入層を連続的に形成し、フィルムの表層部に注入層が形成されたフィルムを量産することができる。本発明の透明導電性フィルムガスバリア層の他の製造方法として、ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層の表面にプラズマ処理を施す方法が挙げられる。プラズマ処理は、例えば、プラズマ生成ガスとして、水素、酸素、窒素、ヘリウム、アルゴン、ネオンなどの希ガス等を用いて、外部電界により発生させたプラズマにポリオルガノシロキサン系化合物を含む層を曝することにより行うことができる。プラズマ処理は、通常、プラズマ生成ガスの流量を1~100ml/分、処理圧力を0.1~50Pa、処理温度を20~50°C、処理時間を1分~20分として行う。図3には、本発明の透明導電性フィルムの代表的な構成の概略断面を示す。図3に示すように、透明導電性フィルム100は、フィルム状の基材110、ガスバリア層120、酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層130を具備する。ガスバリア層120は、ガスバリア層120の表層部121を有し、ガスバリア層120上に、酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層130を具備する。透明導電性フィルム100は、他の材質からなる層を含んでいてもよい。例えば、ガスバリア層120上に透明導電層130が直接形成されているが、間に他の材質からなる層が介在されていてもよく、フィルム状の基材110とガスバリア層120の間に他の材質からなる層が介在されていてもよく、またはいずれの間に介在されていてもよい。または、フィルム状の基材110のガスバリア層120が形成されている反対側に他の材質からなる層が形成されていてもよく、透明導電層130のガスバリア層120が形成されている反対側に他の材質からなる層が形成されていてもよい。3電子デバイス本発明の透明導電性フィルムは、優れたガスバリア性と透明導電性を有しているので、電子デバイスに用いると、水蒸気等のガスによる素子の劣化を防ぐことができる。また、光の透過性が高いので、タッチパネル、液晶ディスプレイ、ELディスプレイ等のディスプレイ部材;太陽電池等に用いる太陽電池用電極;有機トランジスタ用電極等として好適である。本発明の電子デバイスは、本発明の透明導電性フィルムを備える。具体例としては、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、無機ELディスプレイ、電子ペーパー、タッチパネル、太陽電池、有機トランジスタ等が挙げられる。本発明の電子デバイスは、本発明の透明導電性フィルムからなる電子デバイス部材を備えているので、優れたガスバリア性と透明導電性を有する。[実施例]以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施例になんら限定されるものではない。用いたプラズマイオン注入装置、X線光電子分光測定装置と測定条件、水蒸気透過率測定装置と測定条件、可視光透過率測定装置及びシート抵抗値測定方法は以下の通りである。なお、用いたプラズマイオン注入装置は外部電界を用いてイオン注入する装置である。プラズマイオン注入装置RF電源:型番号RF56000、日本電子社製高電圧パルス電源:PV-3-HSHV-0835、栗田製作所社製X線光電子分光測定装置測定装置:PHIQuanteraSXMアルバックファイ社製X線ビーム径:100μm電力値:25W電圧:15kV取り出し角度:45°この測定条件にて、下記測定を行った。酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合、並びにケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置の測定実施例1~10及び19、比較例1で得られたフィルムのプラズマイオン注入された面、実施例19で得られたフィルムのプラズマ処理面及び比較例1のフィルムのポリジメチルシロキサンを含む層の表面の、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合、並びにケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置を測定した。その後、それぞれのフィルムにつき、プラズマイオン注入された面実施例1~10、プラズマ処理されたポリジメチルシロキサンを含む層の面実施例19、ポリジメチルシロキサンを含む層の表面比較例1から深さ方向に向かって、アルゴンガスを用いてスパッタリングを行い、スパッタリングにより露出した表面における原子の存在割合を測定する操作を繰り返すことにより深さ方向の原子の存在割合及びケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置を測定した。上記測定において、アルゴンガスによるスパッタリングの印加電圧は-4kVとし、1回のスパッタリング時間は12秒とし、スパッタリングレートは、実施例1~6、実施例19及び比較例1については100nm/分、実施例7、8については70nm/分、実施例9、10においては30nm/分とした。なお、原子の存在割合は、測定により得られた酸素原子、炭素原子及びケイ素原子のピーク面積の合計値を100とし、各原子のピーク面積から算出した値である。水蒸気透過率測定装置透過率測定器:L80-5000、LYSSY社製測定条件:相対湿度90、40°C可視光透過率測定装置可視光透過率測定装置として、ヘイズメーターNDH2000、日本電色工業社製を使用し、全光線透過率を測定した。なお、サンプルへの光線入射面は、全て透明導電層である酸化亜鉛膜面からとした。シート抵抗値23°C50RH環境下で透明導電性フィルムのシート抵抗値を測定する装置として、LORESTA―GPMCP-T600三菱化学株式会社社製を使用した。またプローブはPROBETYPELSP三菱化学アナリック株式会社製を用いた。耐湿熱試験透明導電性フィルムを60°Cおよび60°C90RH環境下で3日間投入した。取り出し後、23°C50RH環境下で1日調温調湿を行い、シート抵抗値を測定した。投入前のシート抵抗値R0と、60°C3日間投入後のシート抵抗値R1、60°C90RH環境投入後のシート抵抗値R2の値から以下のような計算式で評価を行った。T1=R1-R0/R0T2=R2-R0/R0実施例1基材としてポリエチレンナフタレート帝人デュポン株式会社製、厚さ200μm、商品名Q65FA以下、PENフィルムという。の易接着面に、ポリオルガノシロキサン系化合物として、ポリジメチルシロキサンを主成分とするシリコーン樹脂Aシリコーン剥離剤KS835、信越化学工業社製を、マイヤーバーを用いて塗布し、120°Cで2分間加熱して、厚さ100nmのシリコーン剥離剤Aを含む層を形成してポリジメチルシロキサン層を得た。次に、図1に示すプラズマイオン注入装置を用いてポリジメチルシロキサン層の表面に、窒素をプラズマイオン注入してガスバリア層を作製した。得られたガスバリア層上に酸化ガリウムを5.7質量含む酸化亜鉛を厚み100nmとなるようにスパッタリング法により成膜を行い、目的とする実施例1に係る透明導電性フィルムを得た。プラズマイオン注入の条件を以下に示す。プラズマ生成ガス:N2Duty比:0.5繰り返し周波数:1000Hz印加電圧:-10kVRF電源:周波13.56MHz、印加電力1000Wチャンバー内圧:0.2Paパルス幅:5μsec処理時間イオン注入時間:5分間搬送速度:0.4m/minガリウム添加酸化亜鉛を用いた透明導電層の成膜は、DCマグネトロンスパッタ法にてGa2O3が57質量含有された酸化亜鉛ターゲット材住友金属鉱山製を用いて膜厚が100nmになるよう酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層を形成した。スパッタリング条件を以下に示す。基板温度:室温DC出力:500Wキャリアガス:アルゴンと酸素を100:1の流量比率になるように調整真空度:0.3~0.8Paの範囲実施例2プラズマ生成ガスとしてアルゴンArを用いた以外は、実施例1と同様にして実施例2の透明導電フィルムを作製した。実施例3プラズマ生成ガスとしてヘリウムHeを用いた以外は、実施例1と同様にして実施例3の透明導電フィルムを作製した。実施例4プラズマ生成ガスとして酸素O2を用いた以外は、実施例1と同様にして実施例4の透明導電フィルムを作製した。実施例5実施例1で用いた同じPENフィルムに、ポリジメチルシロキサンのメチル基の一部がフェニル基に置換された構造を有するポリオルガノシロキサン系化合物を主成分とするシリコーン樹脂Bをマイヤーバーを用いて塗布し、120°Cで2分間加熱して、厚さ100nmの、フェニル基を有するポリオルガノシロキサンを含む層を形成した。次にシリコーン樹脂Bを含む層の表面に、実施例1と同様にして、窒素をプラズマイオン注入し、ガスバリア層を得た。その後実施例1と同様に透明導電層を成膜して実施例5の透明導電性フィルムを得た。実施例6プラズマ生成ガスとしてアルゴンArを用いた以外は、実施例5と同様にして実施例6の透明導電フィルムを作製した。実施例7n-プロピルトリメトキシシラン東京化成工業社製3.29g20mmol、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン4.73g20mmol、トルエン20ml、蒸留水10mlおよびリン酸0.10g1mmolを混合し、室温で24時間反応させた。反応終了後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、これに酢酸エチル100mlを加えて分液し有機層を分取した。有機層を蒸留水にて2回洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、硫酸マグネシウムをろ別した。得られたろ液を多量のn-ヘキサン中に滴下して沈殿させた。n-ヘキサンをデカンテーションにより分離した後、沈殿物をTHFに溶解させて回収した。エバポレーターでテトラヒドロフランTHFを減圧留去し、真空乾燥することにより、ラダー状の構造を有するポリシルセスキオキサンポリオルガノシロキサン系化合物を得た。このものの重量平均分子量は2,000であった。次いで、得られたポリシルセスキオキサンをトルエンに溶解させた溶液固形分濃度2質量を、実施例1で用いたのと同じPENフィルムにマイヤーバーを用いて塗布し、125°Cで6時間加熱して硬化させて、厚さ100nmのポリシルセスキオキサンの層を得た。硬化後のポリシルセスキオキサンの層の表面に、プラズマイオン注入装置を用いて実施例1と同様にして、窒素をプラズマイオン注入し、ガスバリア層を得た。その後実施例1と同様に透明導電層を成膜して、実施例7の透明導電性フィルムを得た。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC法により測定したポリスチレン換算の値である。なお、プラズマイオン注入する前のガスバリア層の水蒸気透過率は、12.1g/m2/dayであった。実施例8プラズマ生成ガスとしてアルゴンArを用いた以外は、実施例7と同様にして実施例8の透明導電性フィルムを作製した。実施例9フェニルトリメトキシシラン東京化成工業社製7.94g40mmol、トルエン20ml、蒸留水10mlおよびリン酸関東化学社製0.10gを混合し、室温で24時間反応させた。反応終了後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、これに酢酸エチル100mlを加えて分液し有機層を分取した。有機層を蒸留水にて2回洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、硫酸マグネシウムをろ別した。得られたろ液を多量のn-ヘキサン中に滴下して沈殿させた。n-ヘキサンをデカンテーションにより分離した後、沈殿物をTHFに溶解させて回収した。エバポレーターでTHFを減圧留去し、真空乾燥することにより、ラダー状の構造を有するポリシルセスキオキサンポリオルガノシロキサン系化合物を得た。このものの重量平均分子量は、1,600であった。次いで、得られたポリシルセスキオキサンをトルエンに溶解させた溶液固形分濃度2質量を、実施例1で用いたのと同じPENフィルムにマイヤーバーを用いて塗布し、125°Cで6時間加熱して硬化させて、厚さ100nmのポリシルセスキオキサン層を作成した。硬化後のポリシルセスキオキサンの層の表面に、プラズマイオン注入装置を用いて実施例1と同様にして、窒素をプラズマイオン注入し、ガスバリア層を得た。得られたガスバリア層上に実施例1と同様に、透明導電層を成膜して実施例9の透明導電性フィルムを作製した。なお、プラズマイオン注入する前のガスバリア層の水蒸気透過率は、11.7g/m2/dayであった。実施例10プラズマ生成ガスとしてアルゴンArを用いた以外は、実施例9と同様にして実施例10の透明導電性フィルムを作製した。実施例11搬送速度を0.2m/minとして、処理時間イオン注入時間を10分間とした以外は、実施例1と同様にして実施例11の透明導電性フィルムを作製した。実施例12プラズマ生成ガスとしてアルゴンArを用いた以外は、実施例11と同様にして実施例12の透明導電性フィルムを作製した。実施例13印加電圧を-5kVとした以外は、実施例2と同様にして、実施例13の透明導電性フィルムを作製した。実施例14パルス幅を10μsecとした以外は、実施例2と同様にして、実施例14の透明導電性フィルムを作製した。実施例15イオン注入条件を以下に示すようにした以外は、実施例1と同様にして、実施例15の透明導電性フィルムを作製した。イオン注入条件プラズマ生成ガス:ArDuty比:1繰り返し周波数:1000Hz印加電圧:-15kVRF電源:周波13.56MHz、印加電力1000Wチャンバー内圧:0.2Paパルス幅:10μsec処理時間イオン注入時間:1分間搬送速度:2m/min実施例16プラズマ生成ガスとしてヘリウムを用いた以外は、実施例11と同様にして、実施例16の透明導電性フィルムを得た。実施例17ヘキセニル基を官能基とするポリジメチルシロキサンと架橋剤を主成分とする付加反応型シリコーン樹脂東レダウコーニング社製、商品名LTC-760A100重量部に、白金系触媒東レダウコーニンニグ社製、商品名SRX-212を2質量部加えた状態で、光増感剤としてアセトフェノンを付加型反応シリコーン樹脂に1質量部添加して、トルエンで希釈して固形濃度1質量の液を得た。この液を実施例1で用いたPENフィルムに100nmになるようマイヤーバーを用いて均一に塗布した。その後50°Cの熱風循環式乾燥機にて30秒処理して直ちにフュージョンHバルブ240W/cm1灯取付のコンベアー式紫外線照射機によりコンベアスピード40m/minの条件で紫外線を照射し、ポリジメチルシロキサンを有する層を得た。その後実施例2と同様にポリジメチルシロキサン層にイオン注入を行い、ガスバリア層を得た。更にイオン注入された層上に実施例1と同様に透明導電層を形成し、実施例17の透明導電性フィルムを得た。なお、プラズマイオン注入する前のガスバリア層の水蒸気透過率は、16g/m2/dayであった。実施例18フェニルトリメトキシシラン東京化成工業社製3.97g20mmol、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン東京化成工業社製4.73g20mmol、トルエン20ml、蒸留水10mlおよびリン酸関東化学社製0.10g1mmolを混合し、室温で24時間反応させた。反応終了後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、これに酢酸エチル100mlを加えて分液し有機層を分取した。有機層を蒸留水にて2回洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、硫酸マグネシウムをろ別した。得られたろ液を多量のn-ヘキサン中に滴下して沈殿させた。n-ヘキサンをデカンテーションにより分離した後、沈殿物をTHFに溶解させて回収した。エバポレーターでTHFを減圧留去し、真空乾燥することにより、ラダー状の構造を有するポリシルセスキオキサンをポリオルガノシロキサン系化合物を得た。このものの重量平均分子量は1,800であった。次いで、得られたポリシルセスキオキサンをトルエンに溶解させた溶液固形分濃度20質量を実施例1で用いたのと同じPENフィルムにマイヤーバーを用いて塗布し、125°Cで6時間加熱して硬化させて、厚さ10μmのポリシルセスキオキサンの層を得た。硬化後のポリシルセスキオキサンの層の表面に、プラズマイオン注入装置を用いて実施例12と同様にして、アルゴンをプラズマイオン注入し、ガスバリア層を得た。その後実施例1と同様に透明導電層を形成して、実施例18の透明導電性フィルムを得た。なお、プラズマイオン注入する前のガスバリア層の水蒸気透過率は、12g/m2/dayであった。実施例19実施例1の成形物のポリジメチルシロキサンを含む層の表面に、プラズマイオン注入を行う代わりに、以下に示す条件でプラズマ処理を施し、実施例19の透明導電性フィルムを得た。プラズマ処理装置:プラズマドライ洗浄機型式PDC-210、ヤマトマテリアル社製高周波電力:300W高周波発振周波数:13.56MHzプラズマ生成ガス:アルゴンガス流量:50ml/分処理圧力:30Pa処理温度:40°C処理時間:3分間比較例1イオン注入を行わない以外は、実施例1と同様にして、比較例1の透明導電性フィルムを作製した。すなわちPENフィルムにポリジメチルシロキサン層を作製して、イオン注入処理を行わずに透明導電層を成膜した。比較例2PENフィルムにシリコーン剥離剤Aを塗布しない以外は、実施例1と同様にしてフィルムを作製した。すなわち、PENフィルムの易接着面表面に窒素をプラズマイオン注入後、透明導電層を成膜し、比較例2の透明導電性フィルムとした。実施例1~10及び比較例1において、XPSによる元素分析測定により得られたガスバリア層ポリジメチルシロキサン層にイオン注入処理を行った面、あるいはイオン注入されていないポリジメチルシロキサン層の、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合の分析結果を図4~図14に示す。図4~図14において、縦軸は、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量の合計を100とした場合の原子の存在割合を表し、横軸はスパッタリングの積算時間SputterTime、分を表す。スパッタリングの速度は一定であるので、スパッタリングの積算時間SputterTimeは、深さに対応している。図4~図14において、aは炭素原子の存在割合、bは酸素原子の存在割合、cはケイ素原子の存在割合である。図4~図13に示すように、実施例1~10のイオン注入されたポリジメチルシロキサン層は、表面から深さ方向に向かって、酸素原子の存在割合が漸次的に減少し、炭素原子の存在割合が漸次的に増加する領域を有することが確認された。また、実施例11~18、並びにイオン注入処理ではなく、ポリジメチルシロキサン層にプラズマ処理を施した実施例19に記載したサンプルにおいても、表面から深さ方向に向かって、酸素原子の存在割合が漸次的に減少し、炭素原子の存在割合が漸次的に増加する領域を有することが確認された。一方、図14に示すように、比較例1のイオン注入を施していないポリジメチルシロキサン層のサンプルにおいては、上記のような領域は存在しなかった。実施例1~10、実施例19及び比較例1の透明導電性フィルムにおける、ガスバリア層の表層部における、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合、並びにケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置を測定した結果を表1に示す。なお、実施例1~10及び実施例19の透明導電性フィルムにおけるガスバリア層の表層部は、プラズマイオン注入された面あるいはプラズマ処理面が表面であり、プラズマイオン注入された面あるいはプラズマ処理面における前記方法での測定値が、ガスバリア層の表層部における酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合、並びに、ケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置である。表1から、実施例1~10及び19の透明導電性フィルムのケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置は、102.9eV~103.3eVであった。また、実施例2で作製した透明導電性フィルムにつき、XPS分析により、ケイ素原子の2p電子の結合エネルギーを測定した結果を図15に示す。図15において、縦軸はピーク強度を表す、横軸は結合エネルギーeVを表す。図15から、実施例2で作製した透明導電性フィルムのケイ素原子の2p電子の結合エネルギーBのピーク位置が103.3eVであった。この透明導電性フィルムのケイ素原子の2p電子の結合エネルギーのピーク位置は、イオン注入前A、比較例1に相当するには101.5evであったが、イオン注入後においては、103.3eVと高エネルギー側にシフトしていることが確認された。次に、実施例1~19及び比較例1~2で得られた透明導電性フィルムにつき、水蒸気透過率と全光線透過率を、水蒸気透過率測定装置および可視光透過率測定装置をそれぞれ使用して測定した。測定結果を下記表2に示す。表2から、実施例1~19の透明導電性フィルムは、比較例1、2の透明導電性フィルムに比して、水蒸気透過率が小さく、良好なガスバリア性を有していた。また、実施例1~19の透明導電性フィルムは、高い全光線透過率を有し、イオン注入前に比べて全光線透過率がほとんど低下していなかった。次に、各実施例および各比較例の透明導電性フィルムのシート抵抗値の測定および耐湿熱試験を行った結果を表3に示す。"