"基板に処理液を供給する基板処理機構部を有する基板処理装置であって、前記基板処理機構部に接続され、前記基板の処理に用いた前記処理液を回収する貯留槽と、前記貯留槽内に配置されて、前記基板の処理に用いた前記処理液から金属イオンを除去する処理液再生部と、前記処理液再生部により前記金属イオンを除去した前記処理液の濃度を補正する濃度補正貯留部と、前記濃度が補正された前記処理液を、前記濃度補正貯留部から前記基板処理機構部に送る送液部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。前記処理液再生部には、前記処理液を通すための複数の流路が積み重ねて形成されており、各前記流路には前記処理液から前記金属イオンを除去するための金属イオン除去部材が配置されていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。前記金属イオン除去部材は、イオン除去フィルタとキレート剤とイオン交換樹脂であることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。前記処理液再生部は、前記貯留槽内から取り外し可能に前記貯留槽内に配置されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。複数の前記貯留槽が前記基板処理機構部に接続され、前記処理液再生部が各前記貯留槽内に配置されている請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。複数の前記濃度補正貯留部が設けられている請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置。基板処理機構部に配置された基板に処理液を供給して、前記基板の処理に用いた処理液中から金属イオンを除去する基板処理方法であって、前記基板処理機構部に接続された貯留槽へ前記基板の処理に用いた前記処理液を回収し、前記貯留槽内に配置された処理液再生部が、前記基板の処理に用いた前記処理液から前記金属イオンを除去し、前記処理液再生部により前記金属イオンを除去した前記処理液の濃度を、濃度補正貯留部により補正して、前記濃度が補正された前記処理液を、送液部により前記濃度補正貯留部から前記基板処理機構部に送ることを特徴とする基板処理方法。しかし、前述のような基板処理装置では、貯留槽と第2処理液循環機構と2つの吸着塔は、別々のユニットであり、貯留槽と第2処理液循環機構と2つの吸着塔は、基板処理機構に対して、それぞれ別々に設置するための設置スペースが必要であり、基板処理装置全体の設置スペースの増大とコスト増大が避けられない。また、処理液により基板の処理を確実に行うために、処理液の濃度を調整して基板処理機構に対して送ることが望まれる。本発明が解決しようとする課題は、基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。本発明の一態様によれば、基板に処理液を供給する基板処理機構部を有する基板処理装置であって、前記基板処理機構部に接続され、前記基板の処理に用いた前記処理液を回収する貯留槽と、前記貯留槽内に配置されて、前記基板の処理に用いた前記処理液から金属イオンを除去する処理液再生部と、前記処理液再生部により前記金属イオンを除去した前記処理液の濃度を補正する濃度補正貯留部と、前記濃度が補正された前記処理液を、前記濃度補正貯留部から前記基板処理機構部に送る送液部と、を備えることを特徴とする。また、本発明の他の一態様によれば、基板処理機構部に配置された基板に処理液を供給して、前記基板の処理に用いた処理液中から金属イオンを除去する基板処理方法であって、前記基板処理機構部に接続された貯留槽へ前記基板の処理に用いた前記処理液を回収し、前記貯留槽内に配置された処理液再生部が、前記基板の処理に用いた前記処理液から前記金属イオンを除去し、前記処理液再生部により前記金属イオンを除去した前記処理液の濃度を、濃度補正貯留部により補正して、前記濃度が補正された前記処理液を、送液部により前記濃度補正貯留部から前記基板処理機構部に送ることを特徴とする。本発明によれば、基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することができる。本発明の実施の一形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る基板処理装置の全体構造を示す図である。図1に示すように、本実施形態に係る基板処理装置1は、例えば液晶ディスプレイに用いられる液晶ガラス基板のような基板Wの主面Sに形成された酸化膜や自然有機物を、処理液Lを用いて除去する装置である。この基板処理装置1は、基板Wの主面Sに形成された酸化膜や自然有機物を除去する。処理液としては、例えばHFフッ化水素を用いることができる。基板の製造工程では、金属イオンが基板に付着した場合には、製品性能が問題になるので、金属イオンに汚染させないようにするために、処理液から金属イオンを除去してから処理液を循環させるようになっている。図1では、基板処理装置1では、工場側の基板処理機構構成群200と、この基板処理機構構成群200の各基板処理機構部2に対する外付け構成部300が、区分け線PLにより区分けされている。基板処理機構構成群200は、工場内に配置されているが、外付け構成部300は、工場外に配置されている。基板処理機構構成群200は、例えば少なくとも2つ以上の基板処理機構部2により構成されている。各基板処理機構部2は、上述した基板Wの主面Sに対して処理液Lを供給して、基板Wの主面Sに形成された酸化膜や自然有機物のような除去対象物Dを除去する。各基板処理機構部2は、チャンバ2Aと、基板搬送部2Bと、処理液供給管2Cと、処理液回収受け部6を有している。チャンバ2Aの閉鎖空間内には、基板搬送部2Bと、処理液供給管2Cと、処理液回収受け部6の上部が配置されている。基板搬送部2Bは、複数の搬送用ローラ2Fと、この搬送用ローラ2Fを回転させるモータ2Gを有している。基板Wは、複数の搬送用ローラ2Fの上に置かれている。このため、このモータ2Gは、制御部100の指令により駆動されることで、搬送用ローラ2Fを回転させて、基板Wを矢印Y方向図1の紙面垂直方向に所定の速度で搬送することができる。処理液供給管2Cは、基板Wの上方に配置されている。処理液供給管2Cは、ポンプ73側に接続されている。処理液供給管2Cは、処理液供給管2Cは、複数の供給ノズル2Hを有している。貯留槽3内に収容されている処理液Lは、処理液供給管2Cの複数の供給ノズル2Hから、基板Wの主面Sに対して供給することができる。図1に示すように、処理液回収受け部6は、基板Wの下方に位置されている。この処理液回収受け部6は、基板Wの主面Sの処理に使用された処理液Lを全量回収する。処理液回収受け部6は、処理液Lを、接続配管部6Sを通じて外付け構成部300側の貯留槽3内の処理液再生部5側に案内する機能を有する。処理液回収受け部6は、Z1方向に向かって下がるように傾斜されている。次に、図1に示す外付け構成部300について説明する。外付け構成部300は、工場側の基板処理機構構成群200において基板Wを処理するのに使用された処理液Lから金属イオンを除去して、しかも金属イオンを除去後の処理液Lの濃度に補正を施すことができる。外付け構成部300は、処理液再生部5と、この処理液再生部5を予め収容している貯留槽3と、パーティカルフィルタ50と、第1濃度補正タンク51と第2濃度補正タンク52と、別のパーティカルフィルタ53と、第1送液部61と、そして第2送液部71を有している。本発明では、外付けとは、基板処理機構部が工場内に配置されている場合に、貯留槽と、処理液再生部と、濃度補正貯留部例えば第1濃度補正タンク51と第2濃度補正タンク52は工場外に配置されていることで、貯留槽と処理液再生部と濃度補正貯留部は、工場内の基板処理機構部に対して工場の外部から接続されていることをいう。まず、図1に示す処理液再生部5を予め内蔵している貯留槽3を説明する。案内配管部6Hは、蓋部材3Dの穴部3Gを通じて、貯留槽3内にZ1方向に沿って着脱可能に挿入されており、案内配管部6Hの開放端部6Cは、貯留槽3の底部3Bの内面3Cに対して間隔をおいて位置されている。この案内配管部6Hは、各処理液回収受け部6に対して接続配管部6Sを介して接続されている。処理液供給タンクとしての貯留槽3内の処理液再生部5には、処理液供給源222が接続されており、貯留槽3内には処理液供給源222から処理液が補充できる。貯留槽3は、例えば直方体形状の閉鎖された収容空間3Fを有するバッファタンクである。この貯留槽3は、例えば基板処理機構部2の下部あるいは側部に配置されており、貯留槽3は、側壁部3Aと、底部3Bと、蓋部材3Dを有している。蓋部材3Dは、側壁部3Aの上部分の開口部3Eを閉じるために着脱可能に置かれている。この蓋部材3Dを例えばZ2方向に取り外すことで、開口部3Eを通じて収容空間3Fを開放することができる。案内配管部6Hの開放端部6Cは、蓋部材3Dの中央の穴部3Gを通じて、収容空間3F内にZ1方向に挿入されている。この貯留槽3の収容空間3Fには、複数の処理液再生部5が予め着脱可能に配置されている。収容空間3F内の処理液再生部5と貯留槽3の側壁部3Aとの間には、処理液の溜め部7が形成されている。図1の例では、蓋部材3Dを取り外せば、各処理液再生部5は、貯留槽3の収容空間3F内から開口部3Eを通じて貯留槽3内から取り外すことができる。図2は、処理液再生部5の構造例を示す斜視図である。この処理液再生部5は、図1と図2に示す例に限らず任意の構造を採用できる。処理液再生部5は、作業者が図2に示す取っ手8を握って貯留槽3内からZ2方向に容易に持ち上げることができるようにユニット構造となっている。ここで、処理液再生部5の構造例を説明する。処理液再生部5は、例えば金属板で作られており、図1と図2に示す水平方向の複数の仕切り部材10,11,12,13,14,15と、図2に示す左右側部の仕切り部材16,17と、図1に示す処理液案内部材18,19,20P,21P,22P,23Pを有している。水平方向の複数の仕切り部材10,11,12,13,14,15と、左右側部の仕切り部材16,17と、処理液案内部材18,19,20P,21P,22P,23Pは、金属板により作られている。ただし、図面を見易くするために、図1では左右側部の仕切り部材16,17の図示を省略し、図2では処理液案内部材18,19,20P,21P,22Pの図示を省略している。図1に示すように、仕切り部材10,11,12,13,14,15は、図2に示す左右側部の仕切り部材16,17に対して例えば同じ間隔をおいて、X方向に沿って平行に固定されている。図1に示すように、各仕切り部材10,11,12,13,14,15は、X方向に沿って少しずつ位置をずらしてあることで、処理液Lの流路10R,11R,12R,13R,14Rを確保している。このように、処理液再生部5には、処理液Lを通すための複数の流路10R,11R,12R,13R,14Rが、Z2方向に沿って積み重ねるようにして形成されており、各流路10R,11R,12R,13R,14Rには処理液Lから金属イオンを除去するために、次に例示するような金属イオン除去部材が着脱可能に配置されている。図1に示すように、例えば仕切り部材10,11の流路10Rには、金属イオン除去部材としての陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜20が着脱可能に配置されている。仕切り部材11,12の流路11Rには、金属イオン除去部材としての陽イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜21が着脱可能に配置されている。仕切り部材12,13の流路12Rには、金属イオン除去部材としてのキレート剤22が着脱可能に配置されている。仕切り部材13,14の流路13Rには、金属イオン除去部材としてのイオン交換樹脂23が着脱可能に配置されている。陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜20は、処理液再生部5において処理液Lを流すための流路の最も上流側に位置され、処理液Lの流路の上流側から下流側に向かって、すなわち下側から上側にZ2方向に向かって、陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜20、陽イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜21、キレート剤22、イオン交換樹脂23の順番に配置されている。これにより、陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜20により先に処理液Lから陰イオンを除去した後に、陽イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜21により処理液Lから陽イオンを除去することにより、陽イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜21の次に陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜20を配置する場合に比べて、陽イオンを除去し易い。ただし、仕切り部材14,15の流路14Rには、何も配置されておらず、流路14Rは単なる処理液Lの案内路である。これらの陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜20、陽イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜21、キレート剤22、そしてイオン交換樹脂23は、金属イオン除去部材の例であり、好ましくはブロック状に作られている。これにより、作業者は、陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜20、陽イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜21、キレート剤22、そしてイオン交換樹脂23を、仕切り部材10,11,12,13,14の各流路10R,11R,12R,13Rから容易に取り出して交換することができる。ここで、キレート剤22は、一般的に、有機系のアミノカルボン酸塩を総称したものであり、処理液L内の金属イオンを吸着して、この吸着された金属は特定の溶液によって遊離するという性質を有する。キレート剤22としては、具体的には、EDTAエチレンジアミン四酢酸、NTA二トリロ三酢酸等であるが、これらに特に限定されるものではない。本発明の実施形態では、キレート剤20,21は、処理液L中から、ある特定の物質の除去、例えばボロンイオンの除去を行うことができる。また、イオン交換樹脂23は、例えば球状細粒の有機高分子重合体であり、処理液L内の金属イオンを吸着して、吸着された金属イオンの代わりにそれまでイオン交換樹脂中に存在した同符号のイオンを出す。イオン交換樹脂23は、処理液L中から金属イオンの除去、例えばFeイオン,Alイオン,Niイオン,Cuイオン,Crイオンを除去できる。なお、処理液再生部5では、仕切り部材10,11,12,13,14,15の枚数や、陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜、陽イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜、キレート剤、そしてイオン交換樹脂の配置数の変更や、これらの配置順序の変更は、任意に行うことができる。図1に示すように、貯留槽3内には、処理液再生部5の横側に処理液の溜め部7が設けられている。これにより、処理液再生部5で金属イオンが除去処理された処理液Lは、いったん処理液の溜め部7に溜まるようになっている。貯留槽3の処理液の溜め部7と第1のパーティカルフィルタ50は、第1送液部61を介して接続されている。第1送液部61は、配管62とポンプ63を有している。ポンプ63は、制御部100Aの指令により、処理液の溜め部7に溜まっている金属イオンを除去済みの処理液Lを、第1のパーティカルフィルタ50と配管64を通じて、第1濃度補正タンク51と第2濃度補正タンク52に圧送することができる。この第1のパーティカルフィルタ50は、金属イオンを除去済みの処理液Lから、さらに含まれている金属粉等の不純物を除去する。そして、貯留槽3には、金属イオンを除去済みの処理液Lをいったん処理液の溜め部7に溜めておくことで、ポンプ63は、第1濃度補正タンク51と第2濃度補正タンク52側にスムーズに圧送することができる。図1に示すように、第1濃度補正タンク51と第2濃度補正タンク52は、それぞれ金属イオンを除去済みの処理液Lの濃度を補正するために、一時的に処理液Lを貯留するタンクである。第1濃度補正タンク51は、原液タンク51Aと純水タンク51Bを備えており、原液タンク51Aには処理液Lが貯留され、純水タンク51Bには純水が貯留されている。これにより、第1濃度補正タンク51に対して原液タンク51Aから処理液Lを供給し、純水タンク51Bから純水を供給することで、金属イオンを除去済みの処理液Lの濃度を補正することができる。同様にして、第2濃度補正タンク52は、原液タンク52Aと純水タンク52Bを備えており、原液タンク52Aには処理液Lが貯留され、純水タンク52Bには純水が貯留されている。これにより、第2濃度補正タンク52に対して原液タンク52Aから処理液Lを供給し、純水タンク52Bから純水を供給することで、金属イオンを除去済みの処理液Lの濃度を補正することができる。図1に示す第1濃度補正タンク51と第2濃度補正タンク52は、第2送液部71を介して、基板処理機構構成群200の各処理液供給管2Cに接続されている。第2送液部71は、配管72とポンプ73を有している。このポンプ73は、制御部100Aの指令により、金属イオンを除去済みでしかも濃度補正済みの処理液Lを、第1濃度補正タンク51と第2濃度補正タンク52から第2のパーティカルフィルタ53に通して、各処理液供給管2Cに圧送することができる。この第2のパーティカルフィルタ53は、金属イオンを除去済みでしかも濃度補正済みの処理液Lに含まれている金属粉等の不純物を除去することができる。このように、貯留槽3と基板処理機構構成群200の各処理液供給管2Cの間には、2つの第1濃度補正タンク51と第2濃度補正タンク52が配置されていることにより、1つの濃度補正タンクを用いるのに比べて、いずれか片方の濃度補正タンクから金属イオンを除去済みの処理液Lを、常に処理液供給管2Cに戻すことができる。このため、処理液Lの循環回収システムを停止させないようにすることができる。次に、図1を参照して、上述した構成を有する基板処理装置1により基板Wを処理する場合の基板処理装置1の動作例を説明する。図1では、処理液Lの流れは、矢印M1~M7で示している。工場側の基板処理機構構成群200の各基板処理機構部2では、基板Wが搬送用ローラ2Fの上に置かれ、矢印Y方向図1の紙面垂直方向に所定の速度で搬送することができる。貯留槽3内に収容されている処理液Lは、処理液供給管2Cの複数の供給ノズル2Hから、基板Wの主面Sに対して供給することで、処理液Lにより基板Wの主面Sの除去対象物Dを除去する。基板Wの主面Sの除去対象物Dを除去すると、処理液Lには金属イオンが含まれている。この金属イオンを含む処理液Lの全量は、基板Wから処理液回収受け部6に落下する。落下した処理液Lは、処理液回収受け部6の接続配管6Sと案内配管部6Hを通じて矢印M1に沿って案内されて、矢印M2に示すように開放端部6Cから処理液案内部材18側に送られる。そして、処理液Lは、処理液案内部材18により案内されて流路10R内の陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜20を通る。陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜20を通った処理液Lは、処理液案内部材19と仕切り部材11の間を矢印M3に示すように上昇するように通過して、流路11R内の陽イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜21を通る。陽イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜21を通った処理液Lは、処理液案内部材20Pと仕切り部材12の間を矢印M4に示すように上昇するように通過して、流路12R内のキレート剤22を通る。そして、キレート剤22を通った処理液Lは、処理液案内部材21Pと仕切り部材13の間を矢印M5に示すように上昇するように通過して、流路13R内のイオン交換樹脂23を通る。そして、イオン交換樹脂23を通った処理液Lは、処理液案内部材22Pと仕切り部材14の間を矢印M6に示すように上昇するように通過して、流路14R内を通過する。処理液Lは、矢印M7に示すように、いったん処理液の溜め部7に溜まる。このようにして処理液L中の金属イオンは、貯留槽3内に配置された処理液再生部5内で除去することができる。なお、逆浸透膜は、水は通すが、金属イオンは通さない機能を有する。そして、ポンプ63は、制御部100Aの指令により、処理液の溜め部7に溜まっている金属イオンを除去済みの処理液Lを、第1のパーティカルフィルタ50と配管64を通じて、第1濃度補正タンク51と第2濃度補正タンク52に圧送する。第1のパーティカルフィルタ50は、金属イオンを除去済みの処理液Lに含まれている金属粉等の不純物を除去する。貯留槽3には、金属イオンを除去済みの処理液Lをいったん処理液の溜め部7に溜めておくことで、ポンプ63は、第1濃度補正タンク51と第2濃度補正タンク52側にスムーズに圧送することができる。図1に示すように、第1濃度補正タンク51と第2濃度補正タンク52は、それぞれ金属イオンを除去済みの処理液Lの濃度を補正するために一時的に処理液Lを貯留する。2つの濃度補正タンクを設けていることにより、濃度補正する度に処理液を循環させることを停止しなくて済む。しかも、1つの濃度補正が終了したタンクで、処理液を循環させて、もう1つでは、処理液の濃度補正の作業ができる。第2送液部71のポンプ73は、制御部100Aの指令により、第1濃度補正タンク51と第2濃度補正タンク52から金属イオンを除去済みでしかも濃度補正済みの処理液Lを、第2のパーティカルフィルタ53に通して、各処理液供給管2Cに圧送して戻して、再利用処理液Lを循環させながら再利用することができる。第2のパーティカルフィルタ53は、金属イオンを除去済みの処理液Lに含まれている金属粉等の不純物を除去する。図1に示す基板処理装置1では、処理液再生部5を内蔵した貯留槽3と、第1と第2濃度補正タンク51,52を、基板処理機構部2に対して外付け接続するだけで、処理液Lから金属イオンを除去でき、しかも金属イオンの除去後に処理液の濃度を補正した後に、基板処理機構部2に循環して送ることができる。これにより、貯留槽3の内部には、予め処理液再生部5が配置されているので、処理液再生部5を設置するためのスペースを別途用意する必要がないので、基板処理装置の小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能である。基板処理装置1を用いて例えば液晶基板や薄膜トランジスタTFTを製造する際に、基板処理機構部2に対して外付け構成部300を外付けして用いることで、処理液Lを使い捨てすることなく、処理液L中の金属イオン濃度と処理液濃度を管理しながら、処理液Lを循環して再利用することができる。処理液を使い捨てする場合に比べて、処理液の使用量を大幅に低減できる。処理液再生部5を内蔵した貯留槽では、金属イオンの除去を例えば陽イオン、陰イオンのように順次処理することで、金属イオン除去を効率良く行えるので、基板処理のランニングコストの低減ができる。処理液の溜め部7の溜まっている処理液Lからは金属イオンが除去されており、溜め部7内の処理液Lは、ポンプ63,73の作動により、処理液供給管2C内に圧送して戻して処理液Lの再利用ができる。ところで、図1に示す貯留槽3内に配置された処理液再生部5を、貯留槽3内から取り出す場合には、作業者は蓋部材3Dを貯留槽3からZ2方向に持ち上げて取り外して、処理液再生部5の取っ手8を掴んでZ2方向に持ち上げることにより、貯留槽3の開口部3Eから外に出すことができる。そして、作業者が使用済みの陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜20と陽イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜21、そしてキレート剤22とイオン交換樹脂23を、流路10R,11R,12R,13Rからそれぞれ取り外して、新しいものを流路10R,11R,12R,13R内にそれぞれ装着する。この際、陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜20と陽イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜21、そしてキレート剤22とイオン交換樹脂23は、好ましくはブロック状に作られているので、作業者は持ち易く、仕切り部材10,11,12,13,14により形成されている流路の空間から容易に取り出して交換することができる。その後、処理液再生部5は、再び貯留槽3の開口部3Eを通じて貯留槽3内に装着して、蓋部材3Dにより開口部3Eを閉じればよい。次に、図3を参照して、本発明の別の実施形態の基板処理装置を説明する。図3は、本発明の別の実施形態の基板処理装置の全体構成を示す図である。図3に示す基板処理装置1Aが、工場側の基板処理機構構成群200と、この基板処理機構部2に対する外付け構成部300Aを、区分け線PLにより区分けされているのは、図1に示す基板処理装置1の場合と同じである。図3に示す基板処理装置1Aの構成要素が、図1に示す基板処理装置1の対応する構成要素と、実質的に同じである場合には、同じ符号を記して、その説明を援用する。ただし、外付け構成部300Aは、2つの貯留槽3を有しており、2つの貯留槽3および貯留槽3内に配置されている処理液再生部5は、図面の見やすくするために図示を簡単化している。2つの貯留槽3および貯留槽3内に配置されている処理液再生部5の構造は、図1に示す貯留槽3および貯留槽3内に配置されている処理液再生部5の構造と同じである。各貯留槽3の処理液回収受け部6の案内配管部6Hの途中には、流路切替え部90が設けられている。制御部100Aの指令により流路切替え部90が作動することで、各貯留槽3の処理液回収受け部6からの処理液Lは、いずれかの貯留槽3を選択して送ることができる。このように、複数の貯留槽3を用意し、しかもこれらの貯留槽3内にそれぞれ処理液再生部5を配置することで、1つの貯留槽を用いるのに比べて、片方の貯留槽内の処理液再生部5により処理液Lの金属イオン除去を行って常に処理液供給管2Cに戻すことができる。これにより、処理液Lの循環回収システムを停止させないようにして、スムーズに基板処理を行うことができる。次に、図4を参照して、本発明のさらに別の実施形態の基板処理装置を説明する。図4は、本発明のさらに別の実施形態の基板処理装置の全体構成を示す図である。図4に示す基板処理装置1Bの部分が、図1に示す基板処理装置1の対応する部分と実質的に同じである場合には、同じ符号を記してその説明を援用する。図4に示す基板処理装置1Bでは、貯留槽3内に配置された処理液再生部55の構造が、図1に示す基板処理装置1の貯留槽3内に配置された処理液再生部5の構造と異なる。図4に示す処理液再生部55は、らせん形状の管部56を有しており、この管部56の内部空間は、処理液Lを通すための流路である。案内配管部6Bの開放端部6Nは、管部56の始端部56Aに対して着脱可能に接続されている。一方、管部56の終端部56Bは、処理液の溜め部7に対して開放端部となっている。この管部56の流路の途中には、例えば陰イオン除去フィルタ40、陽イオン除去フィルタ41、キレート剤42とイオン交換樹脂43が、始端部56Aから終端部56Bに向かって順番に、しかも間隔をおいて配置されている。図4に示す核基板処理機構部2では、処理液供給管2C内に収容されている処理液Lは、処理液供給管2Cの複数の供給ノズル2Hから、基板Wの主面Sに対して供給することで、処理液Lにより基板Wの主面Sの除去対象物Dを除去する。この処理液Lは、基板Wから処理液回収受け部6に落下する。落下した処理液Lは、接続配管6Sと案内配管部6B内を通じて矢印M1に沿って案内されて、矢印M12で示すように開放端部6Nと管部56の始端部56Aから入り、矢印M13とM14で示すように陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜40を通る。陰イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜40を通った処理液Lは、矢印M15とM16で示すように陽イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜41を通る。陽イオン除去フィルタあるいは逆浸透膜41を通った処理液Lは、矢印M17とM18で示すようにキレート剤42を通る。キレート剤42を通った処理液Lは、矢印M19とM20で示すようにイオン交換樹脂43を通る。イオン交換樹脂43を通った処理液Lは、管部56内を矢印M21に示すように通過して、処理液Lは、矢印M22に示すように、いったん処理液の溜め部7に溜まる。これにより、処理液L中の金属イオンは、貯留槽3内に配置された処理液再生部55により除去することができる。貯留槽3の収容空間3Fには、複数の処理液再生部5が配置されているので、基板処理機構部2と貯留槽3のユニットに対して、処理液Lから金属イオンを除去するための再生処理装置を外付けする必要がない。このため、基板処理装置1Bの構造が簡単化でき、基板処理装置の小型化とコスト低減が図れることになる。ところで、図4に示す貯留槽3内に配置された処理液再生部55を、貯留槽3内から取り出す場合には、作業者は蓋部材3Dを貯留槽3からZ2方向に持ち上げて取り外す。作業者は、案内配管部6Bの開放端部6Nと管部56の始端部56Aの連結を外して、案内配管部6Bを貯留槽3内から取り外すとともに、取っ手88を掴んで処理液再生部55を貯留槽3内から取り外す。そして、作業者が新しい処理液再生部55を再び貯留槽3の開口部3Eを通じて貯留槽3内に装着し、案内配管部6Bを貯留槽3内を入れて、案内配管部6Bの開放端部6Nと管部56の始端部56Aの連結を行い、蓋部材3Dにより開口部3Eを閉じればよい。本発明の実施形態の基板処理装置は、基板に処理液を供給する基板処理機構部を有する基板処理装置であって、基板処理機構部に接続され、基板の処理に用いた処理液を回収する貯留槽と、貯留槽内に配置されて、基板の処理に用いた処理液から金属イオンを除去する処理液再生部と、処理液再生部により金属イオンを除去した処理液の濃度を補正する濃度補正貯留部と、濃度が補正された処理液を、濃度補正貯留部から基板処理機構部に送る送液部と、を備える。これにより、処理液再生部は貯留槽内に配置されているので、設置スペースの減少が図れ、基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能である。処理液再生部には、処理液を通すための複数の流路が積み重ねて形成されており、各流路には処理液から金属イオンを除去するための金属イオン除去部材が配置されている。これにより、流路内の金属イオン除去部材を用いることにより、貯留槽内の処理液から金属イオンを除去できる。金属イオン除去部材は、イオン除去フィルタとキレート剤とイオン交換樹脂である。これにより、これにより、処理液から金属イオンをイオン除去フィルタとキレート剤とイオン交換樹脂により除去できる。処理液再生部は、貯留槽内から取り外し可能に貯留槽内に配置されている。これにより、処理液再生部は貯留槽内から取り外して簡単に交換できる。複数の貯留槽が基板処理機構部に接続され、処理液再生部が各貯留槽内に配置されている。これにより、基板処理に用いた処理液は、少なくとも1つの貯留槽において貯留しながら金属イオンを除去できるので、処理液の処理再生システムを含む基板処理装置の全体の動作が停止してしまうことを防ぐことができる。複数の濃度補正貯留部が処理液の処理再生システムに設けられている。これにより、金属イオンを除去した処理液は、少なくとも1つの濃度補正貯留部において貯留しながら濃度調整を行うことができるので、処理液の処理再生システムを含む基板処理装置の全体の動作が停止してしまうことを防ぐことができる。処理液は、基板の主面の酸化物あるいは自然有機物の除去を行うフッ化水素である。これにより、処理液であるフッ化水素は、基板の主面の処理を行うことができる。本発明の実施形態の基板処理方法は、基板処理機構部に配置された基板に処理液を供給して、基板の処理に用いた処理液中から金属イオンを除去する基板処理方法であって、基板処理機構部に接続された貯留槽へ基板の処理に用いた処理液を回収し、貯留槽内に配置された処理液再生部が、基板の処理に用いた処理液から金属イオンを除去し、処理液再生部により金属イオンを除去した処理液の濃度を、濃度補正貯留部により補正して、濃度が補正された処理液を、送液部により濃度補正貯留部から基板処理機構部に送る。これにより、処理液再生部は貯留槽内に配置されているので、設置スペースの減少が図れ、基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能である。本発明の実施形態の基板処理装置は、例えば基板としての液晶基板、半導体基板、フォトマスク等の製造の際に用いることができる。本発明の実施形態では、外付けとは、基板処理機構構成群200の基板処理機構部2が工場内に配置されている場合に、外付け構成部300の貯留槽3と、処理液再生部5と、濃度補正タンク51,52は工場外に配置されていることで、貯留槽3と処理液再生部5と濃度補正タンク51,52は、工場内の基板処理機構部2に対して工場の外部から接続されていることをいう。以上、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"