"溶融したシリコンを下方から上方に向けて一方向凝固させることにより多結晶シリコンインゴットを成長させる多結晶シリコンインゴット製造装置であって、坩堝と、前記坩堝の側方に位置するヒータと、前記坩堝の底面部と接触して位置する坩堝支持部材と、前記坩堝支持部材の側面と前記ヒータとの間に介在して熱を遮蔽する遮蔽体とを備える、多結晶シリコンインゴット製造装置。前記遮蔽体は、前記側面に対して相対的に移動可能とされ、前記坩堝内でシリコンを溶融させている状態における前記遮蔽体は、前記側面を前記ヒータから隠すように位置している、請求項1に記載の多結晶シリコンインゴット製造装置。前記坩堝内でシリコンを一方向凝固させている途中の状態における前記遮蔽体は、前記側面を開放するように位置している、請求項2に記載の多結晶シリコンインゴット製造装置。前記遮蔽体は、前記側面の50以上を覆うことができる、請求項1から3のいずれかに記載の多結晶シリコンインゴット製造装置。前記遮蔽体は断熱材からなる、請求項1から4のいずれかに記載の多結晶シリコンインゴット製造装置。前記断熱材が、炭素系フェルトまたは酸化物系フェルトである、請求項5に記載の多結晶シリコンインゴット製造装置。請求項1から6のいずれかに記載の多結晶シリコンインゴット製造装置により製造された、多結晶シリコンインゴット。請求項7に記載の多結晶シリコンインゴットを切断することにより形成された、多結晶シリコンブロック。請求項7に記載の多結晶シリコンインゴットを切断することにより形成された、多結晶シリコンウエハ。請求項9に記載の多結晶シリコンウエハから形成された、多結晶シリコン太陽電池。請求項10に記載の多結晶シリコン太陽電池を複数接続して構成された、多結晶太陽電池モジュール。特許文献1に記載されたシリコン鋳造装置は、鋳型加熱手段が鋳型の上部に設けられている場合にのみ適用可能であって、鋳型加熱手段が鋳型の側方に設けられている場合については考慮されていない。また、鋳型ホルダーの構造が複雑になるという問題を有している。特許文献2に記載されたシリコン鋳造装置においては、可動部材が多く装置構成が複雑である。このようなシリコン鋳造装置においては、装置内が高温に曝されることによる可動部材の故障が発生しやすくなって装置の安定性が低くなる。また、複雑な装置構成のために装置コストが高くなる。本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、坩堝側方にヒータを有する多結晶シリコンインゴット製造装置において、インゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制可能で、かつ、廉価で安定して製造可能な、多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコンブロック、多結晶シリコンウエハ、多結晶シリコン太陽電池、多結晶太陽電池モジュールを提供することを目的とする。本発明に基づく多結晶シリコンインゴット製造装置は、溶融したシリコンを下方から上方に向けて一方向凝固させることにより多結晶シリコンインゴットを成長させる多結晶シリコンインゴット製造装置である。多結晶シリコンインゴット製造装置は、坩堝と、坩堝の側方に位置するヒータと、坩堝の底面部と接触して位置する坩堝支持部材と、坩堝支持部材の側面とヒータとの間に介在して熱を遮蔽する遮蔽体とを備える。本発明の一形態においては、遮蔽体は、上記側面に対して相対的に移動可能とされている。坩堝内でシリコンを溶融させている状態における遮蔽体は、上記側面をヒータから隠すように位置している。本発明の一形態においては、坩堝内でシリコンを一方向凝固させている途中の状態における遮蔽体は、上記側面を開放するように位置している。本発明の一形態においては、遮蔽体は、上記側面の50以上を覆うことができる。本発明の一形態においては、遮蔽体は断熱材からなる。本発明の一形態においては、断熱材が炭素系フェルトまたは酸化物系フェルトである。本発明に基づく多結晶シリコンインゴットは、上記のいずれかに記載の多結晶シリコンインゴット製造装置により製造されている。本発明に基づく多結晶シリコンブロックは、上記に記載の多結晶シリコンインゴットを加工することにより得られる。本発明に基づく多結晶シリコンウエハは、上記に記載の多結晶シリコンインゴットを加工することにより得られる。本発明に基づく多結晶シリコン太陽電池は、上記に記載の多結晶シリコンウエハを用いて形成されている。本発明に基づく多結晶太陽電池モジュールは、上記に記載の多結晶シリコン太陽電池を複数接続して構成されている。本発明によれば、ヒータが側方に配置された多結晶シリコンインゴット製造装置においてインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制可能となり、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造できるだけでなく、そのインゴットから太陽電池を作製することで高出力の太陽電池を低価格で市場に供給することが可能となる。以下、本発明の実施形態1に係る多結晶シリコンインゴット製造装置について説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。また下記の実施形態1~4においては、坩堝20を載置台40上に直接載置している例を挙げるが、たとえば坩堝20を黒鉛などからなる図示しない外坩堝内に設置し、外坩堝を載置台40上に載置するようにしてもよい。また、坩堝20を下降させることによりシリコンを一方向凝固させる例を挙げるが、ヒータ30を上昇させる機構、または、ヒータ30の加熱強度を高さ方向において部分的に変更させる機構を有することにより、シリコンを一方向凝固させてもよい。図1は、本発明の実施形態1に係る多結晶シリコンインゴット製造装置においてシリコンを溶融させている状態を示す一部断面図である。図2は、本実施形態に係る多結晶シリコンインゴット製造装置においてシリコンを一方向凝固させている途中の状態を示す一部断面図である。図1,2に示すように、本発明の実施形態1に係る多結晶シリコンインゴット製造装置1は、ステンレスからなる略直方体状の筐体10を含む。筐体10の上部には、後述するガス供給管13の一端を筐体10の内部に導入するための開口11が設けられている。筐体10の下部に、筐体10内を排気するための排気口12が設けられている。筐体10の内部に、坩堝20が配置されている。坩堝20は、坩堝支持部材である載置台40上に載置されている。すなわち、載置台40は、坩堝20の底面部と接触して位置している。坩堝20は、シリカで構成されている。ただし、坩堝20の材質はシリカに限らず黒鉛などでもよい。坩堝20の内面には、溶融シリコンとの反応を防止するために、窒化珪素粉が塗布されている。窒化珪素粉は、乾燥された後、焼結されている。載置台40は、坩堝20より高い熱伝導性および耐熱性を有する材料で形成されている。載置台40は、たとえば、黒鉛で形成されている。載置台40は、下部で支持部71に接続されている。支持部71は、矢印72で示すように上下に移動可能となるように、筐体10の外に配置された駆動部70に接続されている。駆動部70は、モータを有している。駆動部70は、筐体10の外に配置された冷却部90と接続されている。冷却部90は、冷却媒体を駆動部70および支持部71の内部で循環させることにより、駆動部70および支持部71を冷却している。冷却部90は、ポンプおよび熱交換器を有している。冷却部90により支持部71を冷却することにより、載置台40を介して坩堝20の底部を冷却することができる。坩堝20の側方の周囲にヒータ30が配置されている。ヒータ30は、坩堝20と間隔を置いて坩堝20を取り囲むように配置されている。ヒータ30は、筐体10の外に配置された図示しない電源に接続されている。ヒータ30と載置台40の側面41との間に、後述するように熱を遮蔽する遮蔽体が配置されている。載置台40の上方に断熱材からなる中蓋60が配置されている。中蓋60は、載置台40に対向する天井部60aと、ヒータ30の周囲を囲む側壁部60bと、天井部60aと対向する底部60cとから構成されている。天井部60aには、ガス供給管13の一端を中蓋60の内側に導入するための孔が設けられている。天井部60aと側壁部60bと底部60cとに囲まれた中蓋60の内側が加熱領域61となる。加熱領域61には、図示しない熱電対が配置されている。熱電対は電源に接続されている。熱電対による測定温度が電源にフィードバックされることにより、ヒータ30への印加電圧が制御される。ガス供給管13の一端は加熱領域61内において坩堝20の上方に位置し、他端は筐体10の外に配置された図示しないガス供給部に接続されている。ガス供給部から送られるArなどの不活性ガスは、ガス供給管13の内部を通過して加熱領域61内に供給される。ガス供給部は、各種のガスを貯蔵した複数のガスボンベおよびマスフローコントローラを含む。排気口12は、筐体10の外に配置された図示しない排気部に接続されている。排気部は、各種の真空ポンプを含む。加熱領域61内に供給された不活性ガスは、排気口12を通過して筐体10の外部に排出される。以下、本実施形態に係る多結晶シリコンインゴット製造装置1による多結晶シリコンインゴットの製造方法について説明する。まず、約400kgの粒状または塊状のシリコンを坩堝20内に入れる。その後、坩堝20を図1に示す高さまで上昇させた状態で、排気部の真空ポンプを稼動させて筐体10内を減圧し、ヒータ30によりシリコン原料を約800°Cまで加熱する。その後、ガス供給管13から加熱領域61内にArガスを40リットル/分程度供給しつつ、1550°Cまで加熱してシリコン原料を全て融解させる。次に、シリコンの融点15°Cの温度で30分間保持し、所定の成長条件にしたがって温度制御を行ない、支持部71を徐々に降下させる。支持部71の降下によって、坩堝20の底部が加熱領域61の外側に位置するようになり、坩堝20の底部からの輻射が増える。そのため、坩堝20下部の温度が低下して坩堝20の底部からシリコンの凝固がはじまり、凝固シリコン81が現れる。さらに支持部71を降下させていくことで、全ての溶融シリコン80を底部から上部に向けて一方向凝固させる。シリコンが最上部まで完全に凝固したのを確認後、坩堝20を初期位置まで上昇させ、1200°Cの温度で約2時間保持してアニール処理する。その後、50°C/時間程度でヒータ30の設定温度を下げて、多結晶シリコンインゴットを冷却する。多結晶シリコンインゴットの温度が900°C付近まで下がると、ガス供給部から送られるガスをArからHeに変える。その後、多結晶シリコンインゴットを室温まで冷却する。多結晶シリコンインゴットから不純物および結晶欠陥を多く含む端部を除去し、所定の大きさに切断して多結晶シリコンブロックにする。さらに、多結晶シリコンブロックをワイヤーソーにより所定の厚さに切断することにより複数枚のウエハが得られる。本発明者らは鋭意研究の結果、坩堝20の側方にヒータ30を配置した従来の多結晶シリコン製造装置においては、溶融シリコン80を一方向凝固させる際の載置台40内の温度に、載置台40の周側部側が中央部側より高くなる傾向が現れることを確認した。この傾向は、載置台40の側面41からの入熱の影響によるものである。この入熱により、載置台40の温度は、周側部側が中央部側より高くなる。その結果、載置台40の周側部からの抜熱が抑制され、シリコンの固液界面が上に凸状となる。このような温度分布の下では、溶融シリコン80の凝固後、インゴット内に残留応力が生じる。その結果として、インゴット割れおよび結晶欠陥が発生しやすくなる。多結晶シリコンインゴットの割れ防止および結晶欠陥抑制のためには、固液界面形状を平坦にし、坩堝20内の上下方向の温度分布を線形にすることが好ましい。坩堝20内の上下方向の温度分布については、坩堝冷却時の坩堝20の下降速度およびヒータ30の温度設定などによって制御することができる。溶融シリコン80を一方向凝固させる際の固液界面形状を平坦にするためには、坩堝20内の水平面内における温度分布を均一化することが望まれる。そのために、載置台40の側面41における入熱および放熱を制御することが有効であることを本発明者らは発見した。図1,2に示すように、本実施形態においては、載置台40の側面41とヒータ30との間に、熱を遮蔽する遮蔽体が介在している。遮蔽体としては、断熱性および柔軟性を有する断熱材が好ましい。本実施形態においては、断熱材としてカーボンフェルト50を用いている。ただし、遮蔽体は、カーボンフェルトに限らず、シリカ、アルミナおよびジルコニアなどの酸化物系フェルトを用いることができる。他にも、遮蔽体として、断熱材からなる板、ブロックまたはシートなどを用いることができる。カーボンフェルト50の上端部は、載置台40の側面41の上端部に取り付けられている。カーボンフェルト50の下端部は、中蓋60の底部60c上に取り付けられている。そのため、坩堝20の上下移動に追随して、カーボンフェルト50が変形する。その結果、カーボンフェルト50は、載置台40の側面41に対して相対的に移動可能とされている。カーボンフェルト50の長さは、坩堝20が最も上方に位置する際の、載置台40の側面41の上端部と中蓋60の底部60c上との間の間隔より長く、かつ、坩堝20が最も下方に位置する際の、載置台40の側面41の上端部と中蓋60の底部60c上との間の間隔より長くなるように決定されている。図1に示すように、坩堝20内でシリコンを溶融させている状態におけるカーボンフェルト50は、載置台40の側面41をヒータ30から隠すように位置している。そのため、載置台40の側面41におけるヒータ30からの入熱が、カーボンフェルト50によって低減される。その結果、載置台40における温度分布の面内均一性を向上することができる。図2に示すように、坩堝20内でシリコンを一方向凝固させている途中の状態におけるカーボンフェルト50は、中蓋60の底部60c上で折り畳まれるように変形して、加熱領域61内に留まっている。すなわち、カーボンフェルト50は、載置台40の側面41とヒータ30との間に介在しつつ、載置台40の側面41を開放するように位置している。そのため、カーボンフェルト50によってヒータ30からの熱を遮蔽して、載置台40の側面41への入熱を抑制しつつ、載置台40の側面41から効率よく放熱させることができる。本実施形態に係るカーボンフェルト50を用いることにより、溶融シリコン80を凝固させる際、坩堝20内の水平面内における温度分布の均一化を図ることができる。またそれにより、溶融シリコン80を一方向凝固させる際の固液界面形状の平坦化を図ることができる。本実施形態に係るカーボンフェルト50を用いた多結晶シリコンインゴット製造装置1により、インゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造することが可能となる。以下、本発明の実施形態2に係る多結晶シリコンインゴット製造装置について説明する。なお、本実施形態に係る多結晶シリコンインゴット製造装置2は、遮蔽体の構成のみ実施形態1に係る多結晶シリコンインゴット製造装置1と異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。図3は、本発明の実施形態2に係る多結晶シリコンインゴット製造装置においてシリコンを溶融させている状態を示す一部断面図である。図4は、本実施形態に係る多結晶シリコンインゴット製造装置においてシリコンを一方向凝固させている途中の状態を示す一部断面図である。図3,4に示すように、本実施形態においては、載置台40の側面41とヒータ30との間に、遮蔽体として断熱板51が介在している。本実施形態においては、高珪酸ガラス繊維を板状にした断熱板51を用いている。ただし、断熱板51の材料は、高珪酸ガラス繊維に限らず、たとえば、セラミックファイバーを積層して板状にしたもの、または、黒鉛製成型断熱材などを用いてもよい。断熱板51は、載置台40の側面41の上端部に回動可能に取り付けられている。断熱板51の下端部は、中蓋60の底部60c上で移動可能に載置されている。そのため、坩堝20の上下移動に追随して、断熱板51が俯仰する。その結果、断熱板51は、載置台40の側面41に対して相対的に移動可能とされている。断熱板51の長さは、坩堝20が最も上方に位置する際の、載置台40の側面41の上端部と中蓋60の底部60c上との間の間隔より長く、かつ、坩堝20が最も下方に位置する際の、載置台40の側面41の上端部と中蓋60の底部60c上との間の間隔より長くなるように決定されている。図3に示すように、坩堝20内でシリコンを溶融させている状態における断熱板51は、載置台40の側面41をヒータ30から隠すように位置している。そのため、載置台40の側面41におけるヒータ30からの入熱が、断熱板51によって低減される。その結果、載置台40における温度分布の面内均一性を向上することができる。図4に示すように、坩堝20内でシリコンを一方向凝固させている途中の状態における断熱板51は、中蓋60の底部60cの角部と接触して持ち上げられるように、加熱領域61内に留まっている。なお、断熱板51は、坩堝20の側面部を覆わない程度に持ち上げられている。すなわち、断熱板51は、載置台40の側面41とヒータ30との間に介在しつつ、載置台40の側面41を開放するように位置している。そのため、断熱板51によってヒータ30からの熱を遮蔽して、載置台40の側面41への入熱を抑制しつつ、載置台40の側面41から効率よく放熱させることができる。本実施形態に係る断熱板51を用いることにより、溶融シリコン80を凝固させる際、坩堝20内の水平面内における温度分布の均一化を図ることができる。またそれにより、溶融シリコン80を一方向凝固させる際の固液界面形状の平坦化を図ることができる。本実施形態に係る断熱板51を用いた多結晶シリコンインゴット製造装置2により、インゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造することが可能となる。以下、本発明の実施形態3に係る多結晶シリコンインゴット製造装置について説明する。なお、本実施形態に係る多結晶シリコンインゴット製造装置3は、遮蔽体の構成のみ実施形態1に係る多結晶シリコンインゴット製造装置1と異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。図5は、本発明の実施形態3に係る多結晶シリコンインゴット製造装置においてシリコンを溶融させている状態を示す一部断面図である。図6は、本実施形態に係る多結晶シリコンインゴット製造装置においてシリコンを一方向凝固させている途中の状態を示す一部断面図である。図5,6に示すように、本実施形態においては、載置台40の側面41とヒータ30との間に、遮蔽体として断熱ブロック52が介在している。本実施形態においては、高珪酸ガラス繊維をブロック状にした断熱ブロック52を用いている。ただし、断熱ブロック52の材料は、高珪酸ガラス繊維に限らず、たとえば、セラミックファイバーを積層してブロック状にしたもの、または、炭素系成型断熱材などを用いてもよい。断熱ブロック52は、中蓋60の底部60c上に載置されている。そのため、坩堝20が上下移動することにより、断熱ブロック52と載置台40との相対的位置関係が変化する。すなわち、断熱ブロック52は、載置台40の側面41に対して相対的に移動可能とされている。断熱ブロック52の大きさは、坩堝20が最も上方に位置する際に、載置台40の側面41全体を覆えるように決定されている。ただし、断熱ブロック52の大きさは、載置台40の側面を50以上覆うことができればよい。図5に示すように、坩堝20内でシリコンを溶融させている状態における断熱ブロック52は、載置台40の側面41をヒータ30から隠すように位置している。そのため、載置台40の側面41におけるヒータ30からの入熱が、断熱ブロック52によって低減される。その結果、載置台40における温度分布の面内均一性を向上することができる。図6に示すように、坩堝20内でシリコンを一方向凝固させている状態における断熱ブロック52は、中蓋60の底部60c上に位置して加熱領域61内に留まっている。すなわち、断熱ブロック52は、載置台40の側面41とヒータ30との間に介在しつつ、載置台40の側面41を開放するように位置している。そのため、断熱ブロック52によってヒータ30からの熱を遮蔽して、載置台40の側面41への入熱を抑制しつつ、載置台40の側面41から効率よく放熱させることができる。その結果、載置台40を温度分布の面内均一性を向上した状態から冷却することができるため、坩堝20の底面部においても温度分布の面内均一性を向上した状態で冷却することができる。本実施形態に係る断熱ブロック52を用いることにより、溶融シリコン80を凝固させる際、坩堝20内の水平面内における温度分布の均一化を図ることができる。その結果、溶融シリコン80を一方向凝固させる際の固液界面形状の平坦化を図ることができる。本実施形態に係る断熱ブロック52を用いた多結晶シリコンインゴット製造装置3により、インゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造することが可能となる。以下、本発明の実施形態4に係る多結晶シリコンインゴット製造装置について説明する。なお、本実施形態に係る多結晶シリコンインゴット製造装置4は、遮蔽体の構成のみ実施形態1に係る多結晶シリコンインゴット製造装置1と異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。図7は、本発明の実施形態4に係る多結晶シリコンインゴット製造装置においてシリコンを溶融させている状態を示す一部断面図である。図8は、本実施形態に係る多結晶シリコンインゴット製造装置においてシリコンを一方向凝固させている途中の状態を示す一部断面図である。図7,8に示すように、本実施形態においては、載置台40の側面41とヒータ30との間に、遮蔽体として断熱板53が介在している。本実施形態においては、高珪酸ガラス繊維を板状にした断熱板53を用いている。ただし、断熱板53の材料は、高珪酸ガラス繊維に限らず、たとえば、セラミックファイバーを積層して板状にしたもの、または、炭素系成型断熱材などを用いてもよい。断熱板53は、載置台40の側面41に貼り付けられている。そのため、坩堝20が上下移動しても、断熱板53と載置台40との相対的位置関係は変化しない。すなわち、断熱板53は、載置台40の側面41に対して相対的に移動不能とされている。断熱板53の大きさは、載置台40の側面41全体を覆えるように決定されている。ただし、断熱板53の大きさは、載置台40の側面を50以上覆うことができればよい。図7に示すように、坩堝20内でシリコンを溶融させている状態における断熱板53は、載置台40の側面41を覆うように位置している。そのため、載置台40の側面41におけるヒータ30からの入熱が、断熱板53によって低減される。その結果、載置台40における温度分布の面内均一性を向上することができる。図8に示すように、坩堝20内でシリコンを一方向凝固させている状態における断熱板53は、中蓋60の底部60cより下方に位置して加熱領域61の外側に位置している。すなわち、断熱板53は、載置台40の側面41とヒータ30との間に介在しつつ、載置台40の側面41を覆うように位置している。そのため、断熱板53によってヒータ30からの熱を遮蔽して、載置台40の側面41への入熱を抑制するものの、載置台40の側面41からの放熱も抑制する。その結果、多結晶シリコンインゴット製造装置4は、実施形態1から3の多結晶シリコンインゴット製造装置1~3に比較して冷却効率は若干低下するが、載置台40を温度分布の面内均一性を向上した状態から冷却することができるため、坩堝20の底面部においても温度分布の面内均一性を向上した状態で冷却することができる。本実施形態に係る断熱板53を用いることにより、溶融シリコン80を凝固させる際、坩堝20内の水平面内における温度分布の均一化を図ることができる。その結果、溶融シリコン80を一方向凝固させる際の固液界面形状の平坦化を図ることができる。本実施形態に係る断熱板53を用いることにより、複雑な可動部材が不要となるため、廉価で安定して製造できる多結晶シリコンインゴット製造装置4を構成することができる。また、インゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造することが可能となる。以下、実施形態1に係る多結晶シリコンインゴット製造装置1により製造された多結晶シリコンインゴットを加工して得られたウエハから形成された多結晶シリコン太陽電池の出力と、比較例として遮蔽体が設けられていない多結晶シリコンインゴット製造装置により製造された多結晶シリコンインゴットを加工して得られたウエハから形成された多結晶シリコン太陽電池の出力とを比較した実験例について説明する。実施例および比較例の両方において、本実施形態に係る坩堝20として、内寸が830mm×830mm×420mm、底面部の厚さが20mm、および、側面部の厚さが15mmであるシリカ製の坩堝を使用した。載置台としては、黒鉛製の板を使用した。実施例においては、遮蔽体として、柔軟性を有する厚さが10mmのカーボンフェルト50を使用した。カーボンフェルト50の上端部は、載置台40の側面41の上端部に取り付け、下端部は、中蓋60の底部60c上に取り付けた。また、実施例および比較例の両方において、多結晶シリコンインゴットの製造方法は上記実施形態と同様にした。なお、多結晶シリコンインゴットの比抵抗が約1.5Ωcm以上2.0Ωcm以下になるように、シリコン原料にホウ素をドープした。実施例においては、成長させた多結晶シリコンインゴットの外観に異常は認められず、インゴット割れは発生していなかった。比較例においては、インゴットの最上部の角部の一部に、15mm×25mm×6mm程度の大きさの割れが確認された。次に、これらの多結晶シリコンインゴットをバンドソーにてブロック化後、ワイヤーソーにてスライス化して多結晶シリコンウエハを作製した。これらのウエハを通常の太陽電池セル製造プロセスに投入し、その出力特性を確認した。図9は、実施例および比較例の太陽電池の出力分布を示すヒストグラムである。図9においては、縦軸に割合、横軸に太陽電池の出力を示している。図9に示すように、実施例の多結晶シリコンウエハから形成された多結晶シリコン太陽電池セルは、比較例の多結晶シリコンウエハから形成された多結晶シリコン太陽電池セルに比較して、太陽電池の出力分布が高い方にシフトしている。出力の低い太陽電池は、インゴットの上部から取り出されたウエハから形成された太陽電池である。上述の通り、出力低下の原因は、インゴット内部の応力に起因する結晶欠陥である。したがって、本実験例から、本実施形態に係る遮蔽体を用いて多結晶シリコンインゴットを成長させることにより、インゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制することができることが確認された。また、実施例においては、比較例より多結晶シリコン太陽電池の出力を向上することができたため、その多結晶シリコン太陽電池を複数接続して構成された多結晶太陽電池モジュールの特性は、比較例の多結晶シリコン太陽電池を複数接続して構成された多結晶太陽電池モジュールより当然に向上している。本実験例においては、載置台40の側面41の全面を覆うことができる遮蔽体を設けたが、必ずしも全面を覆わなくてもよく、載置台40の側面41の50以上を覆うことができる遮蔽体を設けることにより高い効果を得ることができる。今回開示された実施形態および実験例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"