"ドープされたSi表面の製造方法であって:aSi表面をクリーニングして酸化物を除去すること;ならびにbクリーニングされたSi表面を、テトラエチレングリコールジメチルエーテルテトラグリムおよびSi表面をドープするのに有効なドーパント物質を含む希薄ドーパント溶液と接触させること;を含み、該接触が、該表面上にドーパント物質の層を形成するのに有効な時間および温度である、方法。ドープされた領域にキャッピング層を適用するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。処理されたSi基板をアニールすることによってドーパントをSi表面内に拡散させるステップを更に含む、請求項2に記載の方法。Si表面をドープする方法であって:aSi表面をクリーニングして酸化物を除去すること;bクリーニングされたSi表面を、テトラエチレングリコールジメチルエーテルテトラグリムおよびSi表面をドープするのに有効なドーパント物質を含む希薄ドーパント溶液と接触させ、該接触が、該表面上にドーパント物質の層を形成するのに有効な時間および温度であること;cドープされた領域にキャッピング層を適用すること;ならびにd処理されたSi基板をアニールすることによってドーパントをSi表面内に拡散させること;を含む、方法。該クリーニングのステップが、Si表面を希薄HFと接触させることを含む、請求項1に記載の方法。該クリーニングされたSi表面を、希薄ドーパント溶液と接触させる前に3-メチル-3-メトキシブタノールで処理するステップを追加で含む、請求項1に記載の方法。該ドーパント物質を、1~20の量で調製する、請求項1に記載の方法。該ドーパント物質を、4以下の量で調製する、請求項1に記載の方法。該ドーパント物質が、ジエチル1-プロピルホスホネートである、請求項1に記載の方法。該ドーパント物質がアリルボロン酸ピナコールエステルである、請求項1に記載の方法。該拡散させるステップが、急速熱アニールを用いることを含む、請求項3に記載の方法。該希薄ドーパント溶液が、テトラエチレングリコールジメチルエーテルに加え、追加の溶媒を含む、請求項1に記載の方法。ドープされたSi表面の製造方法であって:aSi表面をクリーニングして酸化物を除去すること;bクリーニングされたSi表面を:iテトラエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、N-メチルピロリドン、1-ホルミルピペリジン、IsoparM、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、リノール酸、オレイン酸、パルミトレイン酸、ベニバナ油、ブドウ種子油、ケシ油、ヒマワリ油、麻油、コーン油、小麦胚芽油、綿実油、大豆油、クルミ油、ゴマ油、米ぬか油、ピスタチオ油、ピーナッツ油、キャノーラ油、鶏脂肪、卵黄、亜麻仁油、ラード、オリーブ油、ヤシ油、カカオバター、マカダミアオイル、バター、およびココナッツオイルからなる群から選択される少なくとも1種の溶媒;ならびにiiSi表面をドープするのに有効なドーパント物質;を含む希薄ドーパント溶液と接触させ、該接触が、該表面上にドーパント物質の層を形成するのに有効な時間および温度であること;を含む、方法。該ドーパント物質が、5-5-ジメチル-1,3,2-ジオキサホスホリナン-2-オン、トリフェニルホスフェート、トリメチルホスファイト、ジエチルエチルホスホネート、ジメチルメチルホスホネート、ジエチル2-オキソブチルホスホネート、ジエチルヒドロキシメチルホスホネート、ジメチル3-フェノキシアセトニルホスホネート、ビス4-メトキシフェニルホスフィン、ビス3,5-ジメチルフェニルホスフィン、ジエチル2-オキソプロピルホスホネート、ジエチル1-フェニルエチルホスホネート、ジエチル2-フェニルエチルホスホネート、ジエチルシクロプロピルメチルホスホネート、ジメチル3-フェノキシアセトニルホスホネート、ジエチル2-メチルアリルホスホネート、およびジエチル-1-プロピルホスホネートからなる群から選択される、請求項13に記載の方法。ドープされた領域にキャッピング層を適用するステップを更に含む、請求項13に記載の方法。処理されたSi基板をアニールすることによってドーパントをSi表面内に拡散させるステップを更に含む、請求項15に記載の方法。該クリーニングのステップが、Si表面を希薄HFと接触させることを含む、請求項13に記載の方法。該クリーニングされたSi表面を、希薄ドーパント溶液と接触させる前に3-メチル-3-メトキシブタノールで処理するステップを追加で含む、請求項13に記載の方法。該溶媒が、テトラエチレングリコールジメチルエーテルである、請求項13に記載の方法。該溶媒が、テトラエチレングリコールジメチルエーテルと、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、N-メチルピロリドン、1-ホルミルピペリジン、IsoparM、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、リノール酸、オレイン酸、パルミトレイン酸、ベニバナ油、ブドウ種子油、ケシ油、ヒマワリ油、麻油、コーン油、小麦胚芽油、綿実油、大豆油、クルミ油、ゴマ油、米ぬか油、ピスタチオ油、ピーナッツ油、キャノーラ油、鶏脂肪、卵黄、亜麻仁油、ラード、オリーブ油、ヤシ油、カカオバター、マカダミアオイル、バター、およびココナッツオイルからなる群から選択される第2の溶媒とを含む、請求項13に記載の方法。該ドーパント物質を、1~20の量で調製する、請求項13に記載の方法。該ドーパント物質を、4以下の量で調製する、請求項13に記載の方法。該ドーパント物質が、ジエチル1-プロピルホスホネートである、請求項13に記載の方法。該ドーパント物質がアリルボロン酸ピナコールエステルである、請求項13に記載の方法。該拡散させるステップが、急速熱アニールを用いることを含む、請求項16に記載の方法。発明の要約本発明の1つの好ましい態様において、本発明は、基板を、テトラエチレングリコールジメチルエーテルテトラグリムおよびドーパント含有物質を含む希釈dilutedドーパント溶液で処理すること、続いて該ドーパントを表面内に拡散させることを含む、Si表面をドープする方法を提供する。ジエチル-1-プロピルホスホネートおよびアリルボロン酸ピナコールエステルが好ましいドーパント含有物質であり、好ましくは希釈ドーパント溶液中に約1~約20の量で含まれ、ドーパント量4以下がより好ましい。キャッピング層は、好ましくは、拡散前に、例えば酸化シリコンまたは窒化シリコンを堆積させることにより、適用する。拡散ステップは、好ましくは急速熱アニールによって実現させる。好ましい態様の説明本発明の原理の理解を促進する目的で、特定の態様をここで参照し、具体的な用語を用いてそれを説明する。しかし、それにより本発明の範囲の限定は意図されず、本発明が関する分野の当業者が通常行うような、例示される態様の変更および更なる改変が意図されることが理解されよう。本発明の一側面において、テトラエチレングリコールジメチルエーテルテトラグリムおよびドーパント含有物質を含む希釈ドーパント溶液で基板を処理すること、続いてドーパントを表面内に拡散させることによってSi表面をドープする方法を提供する。好ましい態様において、Si表面を、まずクリーニングして酸化物を除去し、H-末端シリコン表面を得る。初期クリーニングは、例えば希薄diluteHFを用いて実現できる。追加のステップを用いて、テトラグリム-ドーパント処理例えば表面を3-メチル-3-メトキシブタノールで処理することまで表面を保護することもできる。本発明の1つの好ましい側面において、テトラエチレングリコールジメチルエーテルテトラグリムを溶媒として用いてドーパント含有物質をクリーニングされたSi基板に与える。溶媒は、ドーパント分子と相互作用し、これらをシリコン表面に運び、これにより表面に適用されるドーパントの量の制御を可能にする。テトラグリムは、好ましくは、ドーパント物質を20未満および好ましくは4以下の量に希釈するのに適切な量で含まれる。追加の溶媒を用いない場合、テトラグリムの量は80以上、好ましくは96以上であることができる。追加の溶媒を用いる場合、テトラグリムの量は対応してより少ないことができる。別の態様において、溶媒系は、テトラグリムに代えてまたはこれに加えて溶媒を含む。好ましい追加または代替の溶媒は、個別の引火点120°C超を有し、または組合せの引火点120°C超を与える溶媒系を与える。好ましい追加のまたは代替の溶媒はまた、Si表面に適用する場合、接触角0°を有し、そして水と混和性である。他の態様において、追加または代替の溶媒はそれらの特性を有し、そして極性溶媒である。テトラグリムを置き換えまたはこれに加えることができる第2の溶媒としては、以下:ジメチルスルホキシドDMSO、ジメチルスルホン、N-メチルピロリドンNMP、1-ホルミルピペリジン、他のグリコールエーテル,例えばトリグリムまたはジグリム、アイソパー溶媒ブレンド物,例えばIsoparM、アルカノールアミン,例えばエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、脂肪酸,例えばリノール酸、オレイン酸、パルミトレイン酸、ならびに脂肪酸の混合物であってベニバナ油、ブドウ種子油、ケシ油、ヒマワリ油、麻油、コーン油、小麦胚芽油、綿実油、大豆油、クルミ油、ゴマ油、米ぬか油、ピスタチオ油、ピーナッツ油、キャノーラ油、鶏脂肪、卵黄、亜麻仁油、ラード、オリーブ油、ヤシ油、カカオバター、マカダミアオイル、バター、およびココナッツオイルのような溶媒におけるもの、の1種以上を挙げることができる。ドーパントに関し、ジエチル-1-プロピルホスホネートおよびアリルボロン酸ピナコールエステルは好ましいドーパント含有物質である。幾つかの態様において、n-ドープされたまたはp-ドープされた表面の製造に有効な他のドーパントを、ジエチル-1-プロピルホスホネートおよび/またはアリルボロン酸ピナコールエステルに加えてまたはこれに代えて使用できる。例えば、ヒ素または別のV族物質を、リンに加えてまたはこれに代えて使用でき、そしてガリウムまたは別のIII族物質を、ボロンに加えてまたはこれに代えて使用できる。他の態様において、ドーパントは、5-5ジメチル-1,3,2-ジオキサホスホリナン-2-オンを含む。別の態様において、ドーパントは、トリフェニルホスフェートを含む。別の態様において、ドーパントは、トリメチルホスファイトを含む。別の態様において、ドーパントは、ジエチルエチルホスホネートを含む。別の態様において、ドーパントは、ジメチルメチルホスホネートを含む。別の態様において、ドーパントは、ジエチル2-オキソブチルホスホネートを含む。別の態様において、ドーパントは、ジエチルヒドロキシメチルホスホネートを含む。別の態様において、ドーパントは、ジメチル3-フェノキシアセトニルホスホネートを含む。別の態様において、ドーパントは、ビス4-メトキシフェニルホスフィンを含む。別の態様において、ドーパントは、ビス3,5-ジメチルフェニルホスフィンを含む。別の態様において、ドーパントは、ジエチル2-オキソプロピルホスホネートを含む。別の態様において、ドーパントは、ジエチル1-フェニルエチルホスホネートを含む。別の態様において、ドーパントは、ジエチル2-フェニルエチルホスホネートを含む。別の態様において、ドーパントは、ジエチルシクロプロピルメチルホスホネートを含む。別の態様において、ドーパントは、ジメチル3-フェノキシアセトニルホスホネートを含む。別の態様において、ドーパントは、ジエチル2-メチルアリルホスホネートを含む。別の態様において、ドーパントは、5-5ジメチル-1,3,2-ジオキサホスホリナン-2-オン、トリフェニルホスフェート、トリメチルホスファイト、ジエチルエチルホスホネート、ジメチルメチルホスホネート、ジエチル2-オキソブチルホスホネート、ジエチルヒドロキシメチルホスホネート、ジメチル3-フェノキシアセトニルホスホネート、ビス4-メトキシフェニルホスフィン、ビス3,5-ジメチルフェニルホスフィン、ジエチル2-オキソプロピルホスホネート、ジエチル1-フェニルエチルホスホネート、ジエチル2-フェニルエチルホスホネート、ジエチルシクロプロピルメチルホスホネート、ジメチル3-フェノキシアセトニルホスホネート、ジエチル2-メチルアリルホスホネート、およびジエチル-1-プロピルホスホネートからなる群から選択される1種以上を含む。ドーパント物質は、これまでの試験で、好ましくは、希釈ドーパント溶液中に約1~約20の量で含まれ、ドーパント量1~10がより好ましく、そしてドーピング量4以下が最も好ましい。キャッピング層は、好ましくは、拡散の前に、例えば酸化シリコンまたは窒化シリコンを堆積させることにより、適用する。一態様において、50nm厚のキャッピング層をプラズマ増速化学蒸着PECVDで拡散前に適用する。ドーパント物質は、キャッピング層の堆積後、アニールによってSi表面内に拡散させる。好ましくは、急速熱アニールRTAを用いる。ここで上記のプロセスを用いる具体例を参照する。例は、好ましい態様をより完全に説明するように与えられること、およびそれにより本発明の範囲の限定を意図しないことを理解すべきである。例1-溶解性試験アリルボロン酸ピナコールエステル:メシチレンおよびジエチルプロピルホスホネート:メシチレン系におけるメシチレンに対する可能な代替として種々の溶媒を評価した。候補の溶媒は:1ジメチルスルホキシドDMSO;2N-メチルピロリドンNMP;31-ホルミルピペリジン1-FP;4テトラグリムTG;および5IsoparMIMを含んでいた。溶解性は、ジエチル1-プロピルホスホネート97n型ドーパントおよびアリルボロン酸ピナコールエステルp型ドーパントで試験した。溶媒対添加剤の比nまたはp型物質は、1:4である。溶解性の結果を以下に与える:全ての物質は可溶性であり、溶液を保っていた。これらを12時間後にチェックした室温に維持していたものである。例2-接触角試験接触角試験もまた行った。シリコン基板試験前にn-ドープまたはp-ドープされたものを0.5HFaq中に2分間室温23°Cで浸漬した後、接触角を試験した。DI水およびメシチレンを対照として用いた。Si100n型およびp型の上の観測される接触角を以下に報告する:接触角試験は、DMSO以外の全ての試験した溶媒が接触角を示さず、従って基板の表面を濡らすことを示した。DMSOについての接触角測定に鑑み、これを更なる試験から除外した。例3-リンドープ希釈ドーパント溶液を用いてSi基板をドープした。以下のガラス製品をドープ試験に用いた:三口丸底フラスコ500mL、2つの蒸留カラム、N2入口用のステンレススチール管、2つの温度計アダプター、Y蒸留アダプター、カラムおよびN2のための4本の管、循環浴、温度計、加熱マントル。組立の画像を以下に示す。以下の物質を用いた:N2超高純度、エチレングリコール/水混合物1:1、実験溶液用いた溶液は以下に列挙する、3-メチルオキシ-3-メチルブタノール、0.5HF溶液、IPA、n型Si基板、p型Si基板。試験手順は以下のとおりであった:1.ガラス製品を組立て、浴を還流させエチレングリコールおよびDI1:1、丸底フラスコを加熱マントル上に置き、Si基板を試験用に約11/2cm×11/2cmの小片に割った。n型およびp型の両者の基板を同時に加工した。2.溶液の調製:○HF0.5溶液○3-メトキシ-3-メチルブタノール○実験溶液:溶液♯1-TGおよびジエチル1-プロピルホネート4:1v/v-フラスコ中全20g溶液♯2-1-FPおよびジエチル1-プロピルホネート4:1v/v-フラスコ中全20g溶液♯3-TGおよびアリルボロン酸ピナコールエステル4:1v/v-フラスコ中全20g溶液♯4-1-FPおよびアリルボロン酸ピナコールエステル4:1v/v-フラスコ中全20g3.所望の溶液を収容する丸底フラスコをN2でパージし、1時間室温でN2を流体に通してバブリングする。4.加熱マントルを用いて溶液を120°Cまで加熱し、加熱しながら凝縮器で液体流の冷却を始め約10°C、その流れをドーププロセス全体を通じて継続する。5.溶液が120°Cになったら、基板を、これらを室温のHF溶液2分間、次いで3-メトキシ-3-メチルブタノール30秒間で処理することにより調製する。6.ステップ5の直後、加熱された希薄ドーピング溶液を収容する丸底フラスコ内に処理された基板を2.5時間120°Cで置き、N2バブリングを継続する。7.2.5時間後、ガラス製品装置および溶液を15~20分間冷却し、冷却水を凝縮器に通して更に流した後、小片を取り出す。8.溶液から取り出した後の小片をIPA中でリンスする。9.酸化シリコンもしくは窒化シリコンまたは他の適切なキャッピング物質の堆積,例えばプラズマ増速テトラエチルオルトシリケートPETEOS10.高温アニールプロセス1050°Cアニールを実施し、二次イオン質量分析法SIMSで特性化する。SIMSは、極めて低濃度のドーパントおよび不純物を検出する分析技術である。これは数オングストロームから数十ミクロンまでの深さ範囲に亘る元素深さプロファイルを与えることができる。SIMSは、サンプル表面を一次イオンのビームでスパッタリングすることにより行う。スパッタリング中に形成される二次イオンを抽出し、質量分析計を用いて分析する。これらの二次イオンはマトリクスレベルからサブppmparts-per-million微量レベルまでの範囲であることができる。この技術を用いて、キャッピングおよび高温アニールのプロセスの後のシリコン基板中にリン原子ジエチル1-プロピルホスホネート由来またはボロン原子アリルボロン酸ピナコールエステル由来が浸透しているかを評価した。結果を以下に示す。x軸は、監視そしてグラフの凡例で示したした各原子種の浸透の深さを示す。上記例において、1つのサンプルを、メシチレンを溶媒として用いて形成し、そして1つをテトラグリムTGを溶媒として用いて形成した。サンプルはSIMSを用いて比較し、比較についてのデータを得た。テトラグリムを溶媒として用いる系は、表面にリンを与え、そして、キャッピングおよびアニールの後、メシチレン溶媒系によってシリコン表面に与えられたリンよりも深くリンをSiに浸透させた。溶液中でのジエチル1-プロピルホスホネートの複数の使用後の追加のSIMSの結果を以下に与える。リンドープしたサンプルの結果は、ドーピングの濃度、時間および温度等の要素の1つまたは組合せでドーピング深さを制御出来ることを示す。例4-代表的な製造プロセス本発明のドープされた表面は以下のプロセスにより製造できる:1.パターン形成したSiウエハを、好ましくはDHF溶液を用いて、クリーニングおよび乾燥する;2.浸漬タンクをクリーニングする;3.クリーニングのために用いた溶液全てが流されるまで、クリーニングしたタンクをテトラグリムまたはドーピング溶液で複数回リンスする;4.ドープされるウエハを完全に覆うのに十分多いレベルまで、タンクをドーピング溶液で満たす;5.ドーピング溶液を、シリコン上にドーパントの層を形成するのに必要な温度まで加熱する;6.シリコン上にドーパントの層を形成するのに必要な時間、ウエハをドーピング溶液中に完全に浸漬する;7.ウエハを適切な溶媒でリンスする例えば、IPAまたはH2O;そして8.ウエハをN2で乾燥させる。上記に続き、ドープされた表面は以下のように処理できる:1.酸化物堆積;および2.ドーパント拡散を促進するためのアニール。ドープされた表面をキャッピングするための酸化物堆積、そしてアニールしてドーパントの拡散を促進するための適切なプロセスステップは、当業者に公知の方法を用いて実現できる。本発明の組成物および方法を、特定の好ましい態様を参照して説明してきたが、本発明の思想および精神から逸脱することなく、本開示で説明される組成物および方法に変更を適用できることが当業者に明らかであろう。当業者に明らかなすべてのそのような改変は、保護が所望され、そして本開示で開示および請求する発明の範囲内であると認められる。"