"n形半導体層と、前記n形半導体層の一部に対向するp形半導体層と、前記n形半導体層の前記一部と前記p形半導体層との間に設けられた発光部と、を含む積層構造体と、前記積層構造体の前記p形半導体層の側の第1主面において前記p形半導体層に電気的に接続された透明電極と、前記透明電極と電気的に接続されたp側電極であって、前記p側電極と前記p形半導体層との間に前記透明電極が配置されるp側電極と、前記第1主面において前記n形半導体層の前記一部に電気的に接続されたn側電極と、を備え、前記透明電極は、前記p形半導体層から前記n形半導体層に向かう第1軸に沿う平面視において前記n側電極と前記p側電極との間に設けられた孔を有し、前記孔は、前記透明電極を前記第1軸に沿って貫通し、前記p側電極から前記n側電極に向かう第2軸に対して垂直で前記第1軸に対して垂直な第3軸に沿った前記孔の幅は、前記n側電極の前記第3軸に沿った幅及び前記p側電極の前記第3軸に沿った幅よりも大きく、前記孔の前記n側電極の側の端と、前記n側電極と、の間の前記第2軸に沿った距離は、前記孔の前記p側電極の側の端と、前記p側電極と、の間の前記第2軸に沿った距離以下であることを特徴とする半導体発光素子。n形半導体層と、前記n形半導体層の一部に対向するp形半導体層と、前記n形半導体層の前記一部と前記p形半導体層との間に設けられた発光部と、を含む積層構造体と、前記積層構造体の前記p形半導体層の側の第1主面において前記p形半導体層に電気的に接続された透明電極と、前記透明電極と電気的に接続されたp側電極であって、前記p側電極と前記p形半導体層との間に前記透明電極が配置されるp側電極と、前記第1主面において前記n形半導体層の前記一部に電気的に接続されたn側電極と、を備え、前記透明電極は、前記p形半導体層から前記n形半導体層に向かう第1軸に沿う平面視において前記n側電極と前記p側電極との間に設けられた孔を有し、前記孔は、前記透明電極を前記第1軸に沿って貫通し、前記p側電極から前記n側電極に向かう第2軸に対して垂直で前記第1軸に対して垂直な第3軸に沿った前記孔の幅は、前記n側電極の前記第3軸に沿った幅及び前記p側電極の前記第3軸に沿った幅よりも大きく、前記孔の前記n側電極の側の部分の前記第3軸に沿った幅は、前記孔の前記p側電極の側の部分の前記第3軸に沿った幅よりも大きいことを特徴とする半導体発光素子。前記孔の前記n側電極の側の端と、前記n側電極と、の間の前記第2軸に沿った距離は、前記孔の前記p側電極の側の端と、前記p側電極と、の間の前記第2軸に沿った距離以下であることを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。前記積層構造体は、前記孔に繋がる凹部を有していることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記凹部は、前記p形半導体層を前記第1軸に沿って貫通しており、前記発光部に到達していることを特徴とする請求項4記載の半導体発光素子。前記凹部は、前記p形半導体層及び前記発光部を前記第1軸に沿って貫通しており、前記n形半導体層に到達していることを特徴とする請求項4記載の半導体発光素子。本発明の実施形態は、高効率の半導体発光素子を提供する。本発明の実施形態によれば、積層構造体と、透明電極と、p側電極と、n側電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記積層構造体は、n形半導体層と、前記n形半導体層の一部に対向するp形半導体層と、前記n形半導体層の前記一部と前記p形半導体層との間に設けられた発光部と、を含む。前記透明電極は、前記積層構造体の前記p形半導体層の側の第1主面において前記p形半導体層に電気的に接続される。前記p側電極は、前記透明電極と電気的に接続される。前記p側電極と前記p形半導体層との間に前記透明電極が配置される。前記n側電極は、前記第1主面において前記n形半導体層の前記一部に電気的に接続される。前記透明電極は、前記p形半導体層から前記n形半導体層に向かう第1軸に沿う平面視において前記n側電極と前記p側電極との間に設けられた孔を有する。前記孔は、前記透明電極を前記第1軸に沿って貫通する。前記p側電極から前記n側電極に向かう第2軸に対して垂直で前記第1軸に対して垂直な第3軸に沿った前記孔の幅は、前記n側電極の前記第3軸に沿った幅及び前記p側電極の前記第3軸に沿った幅よりも大きい。前記孔の前記n側電極の側の端と、前記n側電極と、の間の前記第2軸に沿った距離は、前記孔の前記p側電極の側の端と、前記p側電極と、の間の前記第2軸に沿った距離以下である。以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。図1a及び図1bは、実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式図である。図1aは模式的平面図である。図1bは、図1aのA1-A2線断面図である。図1a及び図1bに表したように、本実施形態に係る半導体発光素子110は、積層構造体10sと、透明電極50と、p側電極80と、n側電極70と、を含む。積層構造体10sは、n形半導体層10と、p形半導体層20と、発光部30と、を含む。p形半導体層20は、n形半導体層10の一部に対向する。発光部30は、n形半導体層10のその一部と、p形半導体層20と、の間に設けられる。積層構造体10sは、第1主面10aと第2主面10bとを有する。第1主面10aは、積層構造体10sのp形半導体層20の側の主面である。第2主面10bは、積層構造体10sのn形半導体層10の側の主面である。第2主面10bは、第1主面10aと反対側の主面である。透明電極50は、積層構造体10sの第1主面10aにおいて、p形半導体層20に電気的に接続されている。具体的には、透明電極50は、p形半導体層20に接している。p側電極80は、透明電極50のp形半導体層20とは反対側に設けられる。p側電極80は、透明電極50と電気的に接続される。すなわち、p側電極80とp形半導体層20との間に透明電極50が配置される。p側電極80は、例えば、p側パッド電極である。n側電極70は、第1主面10aにおいてn形半導体層10の上記の一部に電気的に接続される。n側電極70は、例えば、n側パッド電極である。すなわち、積層構造体10sにおいて、第1主面10aにおいて、n形半導体層10の一部が露出している。この露出した部分にn側電極70が設けられる。p側電極80とn側電極70との間に電圧を印加することで、透明電極50、p形半導体層20及びn形半導体層10を介して、発光部30に電流が供給され、発光部30から光発光光が放出される。透明電極50は、発光光に対して透過性を有する。透明電極50は、例えば、In、Sn、Zn及びTiよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物を含む。具体的には、透明電極50には、例えば、例えば酸化インジウムITO膜が用いられる。透明電極50の厚さは、例えば0.1マイクロメートルμm以上0.5μm以下である。透明電極50の厚さは、例えば約0.4μmである。p側電極80及びn側電極70には、例えば、Ti膜/Pt膜/Au膜の積層膜が用いられる。実施形態はこれに限らず、p側電極80及びn側電極70に用いられる材料は任意である。n形半導体層10及びp形半導体層20は、例えば、窒化物半導体を含む。n形半導体層10には、例えば、n形GaN層が用いられ、p形半導体層20には、例えばp形GaN層が用いられる。ただし、実施形態において、n形半導体層10及びp形半導体層20に用いられる材料は任意である。ここで、p形半導体層20からn形半導体層10に向かう方向をZ軸方向第1方向とする。Z軸第1軸に対して垂直な1つの軸をX軸第2軸とする。Z軸とX軸とに対して垂直な軸をY軸第3軸とする。以下では、p側電極80からn側電極70に向かう方向をX軸方向に設定する。Z軸は、積層構造体10sにおける、n形半導体層10、発光部30及びp形半導体層20の積層軸に対して平行である。本願明細書において、積層とは、互いに接して重ねられる場合の他に、間に他の層が挿入されて重ねられる場合も含む。また、上に設けられるとは、直接接して設けられる場合の他に、間に他の層が挿入されて設けられる場合も含む。なお、半導体発光素子110は、n形半導体層10と発光部30との間に設けられた多層構造体図示しないをさらに含んでも良い。多層構造体は、Z軸に沿って交互に設けられた複数の第1層図示しないと複数の第2層図示しないとを含む。第1層には、例えば、厚さが3nmのGaN層が用いられる。第2層には、例えば厚さが1nmのInGaN層が用いられる。第1層と第2層との積層数は、例えば30ペアである。多層構造体は、例えば超格子層である。図2は、実施形態に係る窒化物半導体素子の一部の構成を例示する模式的断面図である。図2に表したように、発光部30は、複数の障壁層31と、複数の障壁層31どうしの間に設けられた井戸層32と、を含む。例えば、複数の障壁層31と、複数の井戸層32と、がZ軸に沿って交互に積層される。井戸層32は、例えば、Inx1Ga1-x1N0<x1<1を含む。障壁層31は、例えば、GaNを含む。例えば、井戸層32はInを含み、障壁層31はInを実質的に含まない。または、障壁層31がInを含む場合は、障壁層31におけるIn組成比は、井戸層32におけるIn組成比よりも低い。障壁層31のバンドギャップエネルギーは、井戸層32のバンドギャップエネルギーよりも大きい。発光部30は、単一量子井戸SQW:SingleQuantumWell構造を有することができる。このとき、発光部30は、2つの障壁層31と、その障壁層31の間に設けられた井戸層32と、を含む。または、発光部30は、多重量子井戸MQWMultiQuantumWell構造を有することができる。このとき、発光部30は、3つ以上の障壁層31と、障壁層31どうしのそれぞれの間に設けられた井戸層32と、を含む。すなわち、発光部30は、例えば、n1個の障壁層31と、n個の井戸層32と、を含むnは、2以上の整数。第i1障壁層BLi1は、第i障壁層BLiとp形半導体層20との間に配置されるiは、1以上n-1以下の整数。第i1井戸層WLi1は、第i井戸層WLiとp形半導体層20との間に配置される。第1障壁層BL1は、n形半導体層10と第1井戸層WL1との間に設けられる。第n井戸層WLnは、第n障壁層BLnと第n1障壁層BLn1との間に設けられる。第n1障壁層BLn1は、第n井戸層WLnとp形半導体層20との間に設けられる。発光部30から放出される光のピーク波長は、例えば400ナノメートルnm以上650nm以下である。ただし、実施形態において、ピーク波長は任意である。図1a及び図1bに表したように透明電極50は、孔55を有する。孔55は、Z軸p形半導体層20からn形半導体層10に向かう第1軸に沿う平面視においてn側電極70とp側電極80との間に設けられる。すなわち、透明電極50は、中間部分MPを有する。中間部分MPは、Z軸に沿う平面視において、n側電極70とp側電極80との間の部分である。孔55は、この中間部分MPに設けられる。孔55は、Z軸に沿って透明電極50を貫通する。Y軸p側電極80からn側電極70に向かう第2軸に対して垂直で第1軸に対して垂直な第3軸に沿った孔55の幅Whは、n側電極70のY軸に沿った幅Wn及びp側電極80のY軸に沿った幅Wpよりも大きい。ここで、この例では、孔55の平面形状は台形である。孔55のうちのp側電極80の側の部分における孔55の幅Whpは、台形の上辺短い辺に対応する。孔55のうちのn側電極70の側の部分における孔55の幅Whnは、台形の下辺短い辺に対応する。すなわち、孔55のp側電極80の側の部分の幅Whpは、孔55のn側電極70の側の部分の幅Whnよりも小さい。このように、孔55のY軸に沿う長さがX軸に沿って変化している場合は、孔55のY軸に沿った幅Whは、孔55のY軸に沿う長さの最大値とする。すなわち、この例では、孔55のY軸に沿った幅Whは、n側電極70の側における孔55の幅WhnY軸に沿う幅である。そして、この例では、孔55のn側電極70の側の端55enと、n側電極70と、の間のX軸第2軸に沿った距離Lnは、孔55のp側電極80の側の端55epと、p側電極80と、の間のX軸に沿った距離Lp以下である。これにより、光取り出し効率が向上できる。これにより、高効率の半導体発光素子が得られる。以下、本実施形態に係る半導体発光素子110の特性を、参考例と共に説明する。第1参考例の半導体発光素子191図示しないにおいては、透明電極50の中間部分MPに孔55が設けられていない。これ以外は、半導体発光素子110と同様である。このような半導体発光素子110及び191について、半導体発光素子を流れる電流密度JzA/cm2と、発光強度ILW/cm2と、をシミュレーションにより求めた。このシミュレーションにおける半導体発光素子のモデルについて、図1a及び図1bを参照しつつ説明する。半導体発光素子の、X軸に沿う長さLdxは600μmで、Y軸に沿う長さLdyは600μmとした。透明電極50の、X軸に沿う長さLexは550μmで、Y軸に沿う長さLeyは550μmとした。Z軸に沿ってみたときに、半導体発光素子の中心の位置は、透明電極50の中心の位置と一致する。p側電極80及びn側電極70の平面形状は円形とし、その直径を80μmとした。すなわち、n側電極70のY軸に沿った幅Wn及びp側電極80のY軸に沿った幅Wpは、80μmである。p側電極80の中心と、n側電極70の中心と、の間の距離Lpnは、250μmとした。図1bに表したように、積層構造体10sの一部に、n形半導体層10に繋がる穴10hが設けられており、その穴10hの中において、n側電極70がn形半導体層10の上に設けられている。穴10hの直径は、90μmとした。すなわち、穴10hの内部において、積層構造体10sの側壁と、n側電極70の側壁と、の間の間隔Spnは、5μmである。穴10hの周縁に沿って、透明電極50に開口部57が設けられている。開口部57の直径幅Weoは、100μmとした。透明電極50においてn側電極70とp側電極80との間に孔55が設けられている。孔55のうちのp側電極80の側の部分における孔55の幅Whpは、40μmとした。孔55のうちのn側電極70の側の部分における孔55の幅Whnは、240μmとした。すなわち、孔55のY軸に沿った幅Whは、240μmである。なお、図1aにおいては、孔55の幅Whpが、p側電極80の幅Wpよりも長く描かれている。このように、孔55の幅Whpは、p側電極80の幅Wpよりも長くても良く、短くても良い。孔55のX軸沿った長さLhは、80μmとした。孔55のX軸に沿った中心の位置は、n側電極70の中心と、p側電極80の中心と、の中点に設定した。すなわち、孔55のn側電極70の側の端55enと、n側電極70と、の間のX軸に沿った距離Lnは、45μmとした。そして、孔55のp側電極80の側の端55epと、p側電極80と、の間のX軸に沿った距離Lpは、45μmとした。n形半導体層10の厚さは、4μmとし、発光部30の厚さは、0.1μmとし、p形半導体層20の厚さは、0.1μmとした。透明電極50の厚さは、0.4μmとした。n側電極70の厚さは、0.3μmとし、p側電極80の厚さは、0.1μmとした。第1参考例の半導体発光素子191の構成は、孔55が設けられていないことを除いて、半導体発光素子110の構成と同じである。図3a~図3dは、半導体発光素子の特性を例示する模式図である。図3a及び図3bは、本実施形態に係る半導体発光素子110に対応する。図3c及び図3dは、第1参考例の半導体発光素子191に対応する。図3a及び図3cは、電流分布電流密度JzのX-Y平面の面内分布を示している。図3b及び図3dは、発光分布発光強度ILのX-Y平面の面内分布を示している。図3a及び図3cにおいて、図中の暗い部分は電流密度Jzが低い部分であり、明るい部分は電流密度Jzが高い部分である。図3b及び図3dにおいて、図中の暗い部分は発光強度ILが低い部分であり、明るい部分は発光強度ILが高い部分である。図3cに表したように、孔55を設けない第1参考例の半導体発光素子191においては、p側電極80とn側電極70とを結ぶ線上の中間部分MPにおいて、電流密度Jzが高い。そして、半導体発光素子191の周縁に近い周辺部分PPにおいては、電流密度Jzが著しく低い。このため、図3dに表したように、半導体発光素子191においては、中間部分MPにおける発光強度ILは高いが、周辺部分PPにおける発光強度ILは低い。一方、図3aに表したように、本実施形態に係る半導体発光素子110においては、中間部分MPに孔55を設けており、中間部分MPの電流密度Jzは低い。孔55により中間部分MPに流れる電流が抑制されている。そして、周辺部分PPにおいて電流密度Jzが上昇している。これは、中間部分MPに供給される電流が周辺部分PPに流れるためである。このため、図3bに表したように、半導体発光素子110においては、半導体発光素子191に比べて、中間部分MPにおける発光強度ILは低くなり、周辺部分PPにおける発光強度ILが上昇している。すなわち、第1参考例の半導体発光素子191に比べて、実施形態に係る半導体発光素子110においては、周辺部分PPにおける電流が増え、周辺部分PPにおける発光強度ILが上昇している。これにより、光取り出し効率が向上できる。図4a~図4cは、半導体発光素子の特性を例示する模式図である。図4aは、模式的平面図であり、図4bは、模式的断面図である。図4cは、半導体発光素子中における位置と、光取り出し効率と、の関係を模式的に例示するグラフ図である。横軸は、X軸に沿った位置を示し、Y軸は、光取り出し効率Effを示す。図4aに表したように、Z軸に沿ってみたときの、半導体発光素子の周縁から遠い部分を内側部分IPとする。そして、半導体発光素子の周縁に近い部分を周辺部分PPとする。図4bに表したように、半導体発光素子において、発光部30から放出された光の一部は、積層構造体10sの内部を伝搬し、積層構造体10sの側面から出射する。このとき、周辺部分PPで発光した光Lppが側面から出射するまでに伝搬する距離は短く、また、反射する回数は少ない。これに対し、内側部分IPで発光した光Lipが側面から出射するまでに伝搬する距離は長く、また、反射する回数は多い。このため、内側部分IPで発光した光Lipの、側面から出射するまでの減衰は大きい。このため、図4cに表したように、周辺部分PPにおける光取り出し効率Effは、内側部分IPにおける光取り出し効率よりも高い。内側部分IPで発光する光を抑制し、周辺部分PPで発光する光を増やすことができれば、例えば、半導体発光素子の側面から出射する光の光取り出し効率を高め、全体の光取り出し効率が向上できる。内側部分IPで発光する光を抑制し、周辺部分PPで発光する光を増やすために、本実施形態においては、p側電極80とn側電極70との間の中間部分MPすなわち内側部分IPにおいて、透明電極50に孔55を設ける。図5a及び図5bは、半導体発光素子の特性を例示する模式図である。図5aは、本実施形態に係る半導体発光素子110の特性を例示している。図5bは、第1参考例の半導体発光素子191の特性を例示している。これらの図は、半導体発光素子における電流密度Jzの分布を模式的に示している。図中のハッチング領域Jzhは、電流密度Jzが高い領域に相当する。図5bに表したように、透明電極50に孔55が設けられない第1参考例の半導体発光素子191においては、p側電極80とn側電極70との間の中間部分MPすなわち内側部分IPにおいて、電流密度Jzが高い。しかしながら、周辺部分PPにおいては、電流密度Jzは低い。図5aに表したように、実施形態に係る半導体発光素子110においては、p側電極80とn側電極70との間の中間部分MPにおいて、透明電極50に孔55が設けられるため、中間部分MPには電流が流れにくく、中間部分MPの電流密度Jzは抑制される。そして、中間部分MPに流れない電流は、周辺部分PPを迂回する。このため、周辺部分PPにおいて電流密度Jzが高くできる。このように、実施形態においては、p側電極80とn側電極70との間の中間部分MPにおいて、透明電極50に孔55を設けることで、中間部分MPに流れる電流を抑制し、電流を周辺部分PPに迂回させる。これにより、中間部分MP内側部分IPで発光する光を抑制し、周辺部分PPで発光する光を増やす。これにより、高い光取り出し効率が得られる。図6は、第2参考例の半導体発光素子の構成を示す模式的模式図である。図6に表したように、第2参考例の半導体発光素子192においては、p側電極80とn側電極70との間の中間部分MPにおいて、透明電極50に凹部56が設けられる。凹部56は、透明電極50をZ軸方向に沿って貫通しない。凹部56の平面形状Z軸に沿ってみたときの形状は、例えば、半導体発光素子110における孔55の平面形状と同じである。すなわち、半導体発光素子192においては、透明電極50に、厚い部分と、薄い部分凹部56と、が設けられる。凹部56薄い部分における電気抵抗は、その他の部分厚い部分における電気抵抗よりも高い。凹部56の構成によっては、半導体発光素子192においても、中間部分MPに流れる電流を抑制することができ、これにより、周辺部分PPで発光する光の量を増やすことができる可能性がある。しかしながら、透明電極50にこのような厚い部分と薄い部分凹部56とを形成するためには、例えば2段階の加工が必要となり、生産性が低い。また、凹部56の厚さを高精度に制御するためには、高度なプロセス制御が必要となる。これに対し、本実施形態においては、透明電極50に設けられる孔55は、透明電極50を厚さ方向に沿って貫通するように形成される。このため、複雑な加工が必要なく、生産性が高い。孔55は、高度なプロセス制御を用いることなく形成することができる。なお、本実施形態においては、透明電極50に設けられる孔55は、p側電極80とn側電極70と結ぶ直線X軸に沿う直線に沿って、p側電極80とn側電極70との間を流れる電流を抑制する。このため、孔55の幅Y軸に沿った孔55の幅Whは、n側電極70のY軸に沿った幅Wn及びp側電極80のY軸に沿った幅Wpよりも大きく設定される。孔55の幅Whが、幅Wn及び幅Wp以下のときは、p側電極80とn側電極70と結ぶ直線に沿ってp側電極80とn側電極70との間を流れる電流を十分に抑制することができない。孔55の幅Whを、幅Wn及び幅Wpよりも大きくすることで、p側電極80とn側電極70と結ぶ直線に沿ってp側電極80とn側電極70との間を流れる電流を効果的に阻止し、その電流を周辺部分PPに効果的に迂回させることができる。第1参考例の半導体発光素子191においては、p側電極80とn側電極70とを結ぶ直線上の内側部分IPで集中的に光が放出されるのに対して、半導体発光素子110においては、光取り出し効率が高い周辺部分PPにおける光の放出が促進される。なお、p側電極80とn側電極70との間の中間部分MPの特定の領域において、透明電極50を貫通する、小さい径の複数の孔を設ける構成第3参考例も考えられる。この構成において、複数の孔の配置によっては、p側電極80とn側電極70と結ぶ直線に沿ってp側電極80とn側電極70との間を流れる電流を少なくできる可能性がある。そして、複数の孔の配置を適切に設計することで、電流を周辺部分PPに効果的に迂回させることができる可能性であると考えられる。しかしながら、小さい径の複数の孔を再現性良く均一に作製することは、製造工程の負担が大きい。小さい径の複数の孔を用いる構成においては、均一な特性を再現性良く得ることは困難である。例えば、第3参考例における製造歩留まりは低い。これに対し、本実施形態に係る半導体発光素子110においては、透明電極50に設けられる孔55の幅Whは、n側電極70幅Wn及びp側電極80の幅Wpよりも大きい。すなわち、透明電極50に、簡単に形成可能な十分に大きい孔55が形成される。このため、半導体発光素子110においては、均一な特性が再現性良く得られる。すなわち、高い製造歩留まりが得られる。図7は、実施形態に係る別の半導体発光素子の構成を例示する模式的平面図である。図7に表したように、実施形態に係る別の半導体発光素子110aにおいては、透明電極50に設けられる孔55の平面形状Z軸に沿ってみたときの形状が、半導体発光素子110とは異なる。この他の構成は、半導体発光素子110と同様である。図7に表したように、半導体発光素子110aにおいては、孔55の平面形状は、丸いコーナー部を有する台形である。孔55の平面形状が丸いコーナー部を有する多角形である場合、孔55のn側電極70の側の端55enにおける幅端55enのY軸に沿った長さは、孔55のY軸に沿った幅Wh孔55のY軸に沿う長さの最大値よりも短くなる。また。孔55のp側電極80の側の端55epにおける幅端55epのY軸に沿った長さは、孔55のY軸に沿った幅Whよりも短くなる。このように、孔55の平面形状が丸いコーナー部を有する多角形である場合、孔55のうちのn側電極70の側の部分における孔55の幅Whnは、端55enからの距離が孔55のX軸沿った長さLhの10の位置と、端55enと、の間の範囲における孔55のY軸に沿った長さの最大値と、便宜的に定めることができる。また、孔55の平面形状が丸いコーナー部を有する多角形である場合、孔55のうちのp側電極80の側の部分における孔55の幅Whpは、端55epからの距離が長さLhの10の位置と、端55epと、の間の範囲における孔55のY軸に沿った長さの最大値と、便宜的に定めることができる。半導体発光素子110aにおいても、Y孔55の幅Whは、n側電極70の幅Wn及びp側電極80の幅Wpよりも大きい。また、孔55の平面形状が、丸いコーナー部を有する台形であり、孔55のp側電極80の側の部分の幅Whpは、孔55のn側電極70の側の部分の幅Whnよりも小さい。そして、距離Lnは、距離Lp以下である。この構成により、高効率の半導体発光素子が提供できる。このように、孔55の平面形状の多角形において、丸いコーナー部が設けられる場合にも、上記の、中間部分MPに流れる電流を構成する効果が得られる。このため、丸いコーナー部が設けられる多角形も、多角形に含める。以下、本実施形態に係る半導体発光素子の特性について検討した結果を説明する。以下では、孔55の寸法について検討した結果について説明する。図8a~図8cは、半導体発光素子の構成を示す模式的平面図である。図8a~図8cに表したように、半導体発光素子151~153においても透明電極50に、透明電極50をZ軸方向に沿って貫通する孔55が設けられている。これら例では、孔55の形状は長方形である。孔55以外の構成は、図1a及び図1bに関して説明した半導体発光素子110の構成と同じである。図8aに表したように、半導体発光素子151においては、孔55のY軸に沿う幅Whは、150μmとし、孔55のX軸に沿う長さLhは、100μmとした。孔55のX軸に沿った中心の位置は、n側電極70の中心と、p側電極80の中心と、の中点に設定した。すなわち、孔55のn側電極70の側の端55enと、n側電極70と、の間のX軸に沿った距離Lnは、35μmとした。そして、孔55のp側電極80の側の端55epと、p側電極80と、の間のX軸に沿った距離Lpは、35μmとした。図8bに表したように、半導体発光素子152においては、孔55のY軸に沿う幅Whは、100μmとし、孔55のX軸に沿う長さLhは、150μmとした。孔55のX軸に沿った中心の位置は、n側電極70の中心と、p側電極80の中心と、の中点に設定した。すなわち、距離Lnは10μmであり、距離Lpは10μmである。図8cに表したように、半導体発光素子153においては、孔55のY軸に沿う幅Whは、50μmとし、孔55のX軸に沿う長さLhは、100μmとした。孔55のX軸に沿った中心の位置は、n側電極70の中心と、p側電極80の中心と、の中点に設定した。すなわち、距離Lnは35μmであり、距離Lpは35μmである。半導体発光素子151及び152においては、孔55のY軸に沿った幅Whは、n側電極70のY軸に沿った幅Wn80μm及びp側電極80のY軸に沿った幅Wp80μmよりも大きい。半導体発光素子151及び152は、実施形態に含まれる。半導体発光素子153においては、孔55のY軸に沿った幅Whは、n側電極70のY軸に沿った幅Wn及びp側電極80のY軸に沿った幅Wpよりも小さい。半導体発光素子153は、参考例に相当する。このような半導体発光素子の発光強度ILの面内分布をシミュレーションにより求めた。そして、以下に説明する面内位置の発光強度ILの値から、発光強度ILの平均値と、発光強度ILの面内における標準偏差を求めた。図9は、半導体発光素子の特性の評価位置を示す模式的平面図である。図9に表したように、半導体発光素子の発光面内において、4つの評価位置P1~P4を設定した。評価位置P1とP2との間に孔55が配置される。評価位置P3とP4との間に、n側電極70、孔55及びp側電極80が配置される。評価位置P1及びP2のX軸に沿う位置は、n側電極70の中心とp側電極80の中心との中点のX軸に沿う位置に相当する。n側電極70の中心とp側電極80の中心とを通る線と、評価位置P1と、の間の距離は、距離Lqである。n側電極70の中心とp側電極80の中心とを通る線と、評価位置P2と、の間の距離も、距離Lqである。評価位置P3及びP4のY軸に沿う位置は、n側電極70の中心とp側電極80の中心とを通る線上にある。n側電極70の中心とp側電極80の中心との中点と、評価位置P3と、の間の距離は、距離Lqである。n側電極70の中心とp側電極80の中心との中点と、評価位置P4と、の間の距離も、距離Lqである。この評価では、距離Lqは、200μmとした。そして、求めた発光強度ILの面内分布の結果から、4つの評価位置P1~P4に関して、発光強度ILの、平均値と標準偏差とを求めた。図10は、半導体発光素子の特性を例示するグラフ図である。この図には、半導体発光素子151~153に加え、既に説明した半導体発光素子110及び191の特性が示されている。同図の横軸は、発光強度ILの平均値平均発光強度ILavであり、縦軸は、発光強度ILの標準偏差ILsである。同図において、平均発光強度ILavは高いことが望ましく、標準偏差ILsは小さいことが望ましい。図10に表したように、第1参考例の半導体発光素子191においては、平均発光強度ILavは低く、標準偏差ILsは大きい。これに対して、半導体発光素子110においては、平均発光強度ILavは高く、標準偏差ILsは非常に小さい。これは、図3a~図3d、図4a~図4c、及び、図5a及び図5bに関して説明した効果による。半導体発光素子153においては、半導体発光素子191に比べて改善しているものの、やはり、平均発光強度ILavは小さく、標準偏差ILsは大きい。これに対して、半導体発光素子151及び152においては、平均発光強度ILavは高く、標準偏差ILsは低減されている。このように、孔55のY軸に沿った幅Whを、n側電極70のY軸に沿った幅Wn及びp側電極80のY軸に沿った幅Wpよりも大きくすることで、平均発光強度ILavを高め、標準偏差ILsを低減できる。本実施形態においては、孔55の幅Whを、n側電極70の幅Wn及びp側電極80の幅Wpよりも大きくすることで、効率を向上できる。次に、透明電極50に設けられる孔55のX軸に沿った位置について検討した結果について説明する。図11a~図11cは、半導体発光素子の構成を示す模式的平面図である。図11a~図11cに表したように、半導体発光素子161~163においても透明電極50に、透明電極50をZ軸方向に沿って貫通する孔55が設けられている。この例では、孔55の形状は正方形である。孔55のY軸に沿う幅Whは、100μmとし、孔55のX軸に沿う長さLhは、100μmとした。そして、孔55の位置をX軸に沿って変化させた。半導体発光素子161においては、孔55はp側電極80に近く、半導体発光素子162においては、孔55はn側電極70に近く、半導体発光素子163においては、孔55は、中央に設けられている。すなわち、半導体発光素子161においては、孔55のn側電極70の側の端55enと、n側電極70と、の間のX軸に沿った距離Lnは、55μmとした。そして、孔55のp側電極80の側の端55epと、p側電極80と、の間のX軸に沿った距離Lpは、15μmとした。半導体発光素子162においては、距離Lnは15μmとし、距離Lpは55μmとした。半導体発光素子163においては、孔55のX軸に沿った中心の位置は、n側電極70の中心と、p側電極80の中心と、の中点に設定した。すなわち、距離Lnは35μmとし、距離Lpは35μmとした。図12は、半導体発光素子の特性を例示するグラフ図である。この図には、半導体発光素子161~163に加え、半導体発光素子191の特性も示されている。図12に表したように、半導体発光素子161~163のいずれにおいても、半導体発光素子191に比べて、高い平均発光強度ILavが得られる。孔55がp側電極80に近い半導体発光素子161においては、平均発光強度ILavが非常に高いものの、標準偏差ILsは、半導体発光素子191と殆ど同じである。孔55の中心が、n側電極70とp側電極80との中点に設定されている半導体発光素子163においては、標準偏差ILsが非常に小さい。一方、孔55がn側電極70に近い半導体発光素子162においては、高い平均発光強度ILavと、小さい標準偏差ILsと、が得られる。高い平均発光強度ILavと、小さい標準偏差ILsと、を同時に得るためには、孔55をp側電極80よりもn側電極70に近づけることが有効であると考えられる。図13a~図13dは、半導体発光素子の構成を示す模式的平面図である。図13a~図13dに表したように、半導体発光素子171~174においても透明電極50に、透明電極50をZ軸方向に沿って貫通する孔55が設けられている。この例では、孔55の形状は台形である。半導体発光素子171~173においては、孔55のうちのn側電極70の側の部分における孔55の幅Whnは、240μmである。孔55のp側電極80の側の部分の幅Whpは、40μmである。孔55のX軸に沿う長さLhは、80μmである。そして、半導体発光素子171~173においては、孔55の位置をX軸に沿って変化させた。半導体発光素子171においては、孔55はp側電極80に近く、半導体発光素子172においては、孔55はn側電極70に近く、半導体発光素子173においては、孔55は、中央に設けられている。すなわち、半導体発光素子171においては、距離Lnは65μmとし、距離Lpは25μmとした。半導体発光素子172においては、距離Lnは25μmとし、距離Lpは65μmとした。半導体発光素子173においては、距離Lnは45μmとし、距離Lpは45μmとした。半導体発光素子173は、半導体発光素子110と同じである。半導体発光素子174においては、半導体発光素子172における孔55がY軸に関して反転されている。すなわち、半導体発光素子174においては、孔55のうちのn側電極70の側の部分における孔55の幅Whnは、40μmである。孔55のp側電極80の側の部分の幅Whpは、240μmである。孔55のX軸に沿う長さLhは、80μmである。そして、距離Lnは25μmであり、距離Lpは65μmである。図14は、半導体発光素子の特性を例示するグラフ図である。図14に表したように、半導体発光素子171~174のいずれにおいても、半導体発光素子191に比べて、高い平均発光強度ILavが得られる。孔55がp側電極80に近い半導体発光素子171においては、平均発光強度ILavが非常に高い。半導体発光素子171を、図12に例示した半導体発光素子161と比べると、標準偏差ILsが改善されている。このように、孔55の形状は、長方形よりも、n側電極70の側の端55enがp側電極80の側の端55epよりも長い台形であることが好ましい。孔55の中心が、n側電極70とp側電極80との中点に設定されている半導体発光素子173半導体発光素子110においては、標準偏差ILsが非常に小さい。一方、孔55がn側電極70に近い半導体発光素子173においては、高い平均発光強度ILavと、小さい標準偏差ILsと、が得られる。このように、孔55をp側電極80よりもn側電極70に近づけることで、高い平均発光強度ILavと、小さい標準偏差ILsと、を同時に得ることができる。孔55のn側電極70の側の端55enと、n側電極70と、の間のX軸に沿った距離Lnが、孔55のp側電極80の側の端55epと、p側電極80と、の間のX軸に沿った距離Lp以下であることが望ましい。これにより、p側電極80とn側電極70との間の中間部分MPに流れる電流を効果的に抑制し、周辺部分PPの電流密度Jzを効果的に高めることができる。また、半導体発光素子174においても、第1参考例の半導体発光素子191に比べると、平均発光強度ILavは高く、標準偏差ILsは小さい。このように、孔55をn側電極70に近づけると、特性が改善する。ただし、半導体発光素子174と半導体発光素子172とを比較すると、半導体発光素子174の方が、平均発光強度ILav及び標準偏差ILsの両方がより良い。このように、孔55の形状は、n側電極70の側の端55enがp側電極80の側の端55epよりも短い台形よりも、n側電極70の側の端55enがp側電極80の側の端55epよりも長い台形であることがより好ましい。このように、孔55の配置を非対称にするn側電極70に近づける、及び、孔55の形状を非対称にするn側電極70の側の幅が広いの少なくともいずれかにより、より高い特性が得られる。このことは、例えば、発光部30における、電子の注入特性とホールの注入特性と、の差異が関係していると考えられる。幅Whnを幅Whpよりも大きく設定しつつ、距離Lnを距離Lpよりも短く設定することで、周辺部分PPの電流密度Jzをより効果的に高めることができる。図15a~図15cは、実施形態に係る別の半導体発光素子の構成を例示する模式的平面図である。図15aに表したように、実施形態に係る半導体発光素子181においては、孔55のX軸に沿った幅が、Y軸における中央部分で小さい。この例において、孔55の平面形状のコーナー部は丸いが、コーナー部は丸く無くても良い。図15bに表したように、実施形態に係る半導体発光素子182においては、孔55の平面形状は、丸いコーナー部を有する長方形である。本具体例において、孔55の平面形状は、コーナー部が丸くない長方形でも良い。図15cに表したように、実施形態に係る半導体発光素子183においては、孔55の平面形状は、扁平円楕円を含む。本具体例において、孔55の平面形状は、円形でも良い。半導体発光素子181~183においても、幅Whは、幅Wn及び幅Wpよりも大きい。そして、距離Lnは、距離Lp以下である。これにより、光取り出し効率が向上でき、高効率の半導体発光素子が得られる。図16a~図16cは、実施形態に係る別の半導体発光素子の構成を例示する模式的平面図である。図16aに表したように、実施形態に係る半導体発光素子184においては、半導体発光素子184をZ軸に沿ってみたときの平面形状の対角の2つのコーナー部の一方の近傍にp側電極80が配置され、他方の近傍にn側電極70が配置されている。すなわち、p側電極80とn側電極70とを結ぶX軸第2軸が、半導体発光素子184の周縁の辺に対して傾斜している。半導体発光素子184においても、幅Whは、幅Wn及び幅Wpよりも大きい。そして、距離Lnは、距離Lp以下である。このように、p側電極80及びn側電極70のX-Y平面内における配置は任意である。なお、この例のように、距離Lnを距離Lpよりも短く設定しても良い。図16bに表したように、実施形態に係る半導体発光素子185においては、複数のp側電極80第1p側電極80a及び第2p側電極80bが設けられている。このとき、第1p側電極80a及びn側電極70に着目したときに、これらの電極を結ぶ軸ax1が第1軸となる。そして、軸ax1に対して垂直でZ軸に対して垂直な軸が第2軸となる。第1p側電極80aとn側電極70との間に第1孔55aが設けられている。第1p側電極80a、n側電極70及び第1孔55aに着目したときに、幅Whは、幅Wn及び幅Wpよりも大きい。そして、距離Lnは、距離Lp以下である。距離Lnを距離Lpよりも短く設定しても良い。これにより、第1p側電極80aとn側電極70の間の中間部分MPに流れる電流を効果的に抑制し、周辺部分PPの電流密度Jzを効果的に高めることができる。同様に、第2p側電極80b及びn側電極70に着目したときに、これらの電極を結ぶ軸ax2が第1軸となる。そして、軸ax2に対して垂直でZ軸に対して垂直な軸が第2軸となる。第2p側電極80aとn側電極70との間に第2孔55bが設けられている。第2p側電極80a、n側電極70及び第2孔55bに着目したときに、幅Whは、幅Wn及び幅Wpよりも大きい。そして、距離Lnは、距離Lp以下である。距離Lnを距離Lpよりも短く設定しても良い。これにより、第2p側電極80bとn側電極70の間の中間部分MPに流れる電流を効果的に抑制し、周辺部分PPの電流密度Jzを効果的に高めることができる。図16cに表したように、実施形態に係る半導体発光素子186においては、複数のp側電極80第1p側電極80a及び第2p側電極80bが設けられている。そして、第1p側電極80aとn側電極70との間に1つの孔55が設けられている。この場合は、第1p側電極80a及びn側電極70を結ぶ軸ax1が第1軸となり、軸ax1に対して垂直でZ軸に対して垂直な軸が第2軸となる。第1p側電極80a、n側電極70及び孔55に着目したときに、幅Whは、幅Wn及び幅Wpよりも大きい。そして、距離Lnは、距離Lp以下である。距離Lnを距離Lpよりも短く設定しても良い。同様に、第2p側電極80b及びn側電極70を結ぶ軸ax2が第1軸となり、軸ax2に対して垂直でZ軸に対して垂直な軸が第2軸となる。第2p側電極80a、n側電極70及び孔55に着目したときに、幅Whは、幅Wn及び幅Wpよりも大きい。そして、距離Lnは、距離Lp以下である。距離Lnを距離Lpよりも短く設定しても良い。半導体発光素子186においても、第1p側電極80aとn側電極70の間の中間部分MP及び第2p側電極80bとn側電極70の間の中間部分MPに流れる電流を効果的に抑制し、周辺部分PPの電流密度Jzを効果的に高めることができる。半導体発光素子185及び186においては、2つのp側電極80が設けられているが、実施形態はこれに限らない。p側電極80の数は、任意である。さらに、複数のn側電極70が設けられても良い。この場合も、例えば複数のp側電極80のうちの1つと、複数のn側電極70のうちの1つと、に着目したときに、それらを結ぶ軸を第2軸とし、第1軸Z軸及び第2軸に対して垂直な軸を第3軸に設定できる。このとき、着目した、p側電極80とn側電極70との間に孔55が設けられ、幅Whが、幅Wn及び幅Wpよりも大きく設定され、距離Lnが、距離Lpよりも短く設定される。距離Lnを距離Lpよりも短く設定しても良い。これにより、着目したp側電極80とn側電極70との間の中間部分MPに流れる電流を効果的に抑制し、周辺部分PPの電流密度Jzを効果的に高めることができる。これにより、光取り出し効率が向上でき、高効率の半導体発光素子が得られる。図17a~図17dは、実施形態に係る別の半導体発光素子の構成を例示する模式図である。図17aは、実施形態に係る半導体発光素子131~133の模式的断面図である。図17b~図17dは、半導体発光素子131~133の模式的平面図である。図17aに表したように、本実施形態に係る別の半導体発光素子131~133においては、積層構造体10sは、凹部15を有している。凹部15は、透明電極50に設けられる孔55に繋がる。凹部15は、p形半導体層20及び発光部30をZ軸に沿って貫通し、n形半導体層10に到達する。これ以外は、半導体発光素子110と同様なので説明を省略する。この例では、凹部15の平面形状Z軸に沿ってみたときの形状は、孔55の平面形状Z軸に沿ってみたときの形状と実質的に同じである。そして、図17b~図17dに表したように、半導体発光素子131~133においては、孔55の平面形状は台形である。この例では、p側電極80の側の孔55の幅Whpは、40μmである。n側電極70の側の孔55の幅Whnは、240μmである。孔55のX軸沿った長さLhは、80μmである。半導体発光素子131~133においては、孔55のX軸に沿う位置が変化している。半導体発光素子131においては、距離Lnは65μmであり、距離Lpは25μmである。半導体発光素子132においては、距離Lnは25μmであり、距離Lpは65μmである。半導体発光素子173においては、距離Lnは45μmであり、距離Lpは45μmである。すなわち、半導体発光素子131~133は、図13に例示した半導体発光素子171~173において、凹部15を設けた素子に相当する。図18は、半導体発光素子の特性を例示するグラフ図である。図18に表したように、半導体発光素子131~133のいずれにおいても、半導体発光素子191に比べて、高い平均発光強度ILavが得られる。また、凹部15が設けられない半導体発光素子171~173と比較すると、半導体発光素子131~133においては、高い平均発光強度ILavが得られる。特に半導体発光素子172においては、半導体発光素子132に比べて、標準偏差ILsが改善しつつ、平均発光強度ILavが大きく向上している。このように、積層構造体10sにおいて、凹部15を設けることがより好ましい。特に、半導体発光素子132のように、凹部15を設けつつ、距離Lnを距離Lp以下に設定することで、標準偏差ILsと平均発光強度ILavとを大きく向上することができる。図19a~図19cは、実施形態に係る別の半導体発光素子の構成を例示する模式的断面である。図19aに表したように、実施形態に係る半導体発光素子134においては、積層構造体10sに設けられる凹部15は、p形半導体層20に設けられており、発光部30には到達していない。この場合も、孔55が設けられる中間部分MPの中間部分MPにおいて、電流経路が狭められる。図19bに表したように、実施形態に係る半導体発光素子135においては、積層構造体10sに設けられる凹部15は、p形半導体層20をZ軸に沿って貫通しており、発光部30に到達している。孔55が設けられる中間部分MPの中間部分MPにおいて、電流経路がより効果的に狭められる。図19cに表したように、実施形態に係る半導体発光素子136においては、積層構造体10sに設けられる凹部15は、p形半導体層20及び発光部30をZ軸に沿って貫通しており、n形半導体層10に到達している。そして、凹部15は、n形半導体層10の一部にも設けられている。孔55が設けられる中間部分MPの中間部分MPにおいて、電流経路がさらに効果的に狭められる。上記の半導体発光素子131~136においては、孔55の平面形状は台形であるが、積層構造体10sに凹部15が設けられる場合も、透明電極50の平面形状は任意である。実施形態によれば、高効率の半導体発光素子が提供できる。なお、本明細書において窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,xyz≦1なる化学式において組成比x、y及びzをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N窒素以外のV族元素もさらに含むもの、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。なお、本願明細書において、垂直及び平行は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光素子に含まれるn形半導体層、発光部、p形半導体層、積層構造体、p側電極、n側電極、孔及び凹部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光素子を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体発光素子も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"