ヤング率が300psiより低い接着材料を含む半導体チャンバコンポーネントを接合するのに適した接着材料。前記接着材料はシリコーン系化合物である請求項1記載の材料。前記接着材料はシート状である請求項1記載の材料。前記接着材料は熱応力が2MPa未満である請求項1記載の材料。前記接着材料は熱伝導率が約0.1W/mK~約5W/mKである請求項1記載の材料。前記接着材料は厚さが約100μm~約500μmである請求項1記載の材料。前記接着材料は予め形成されたリングである請求項1記載の材料。前記接着材料は伸びが150を超える請求項1記載の材料。第2の表面に隣接して配置された第1の表面と、前記第1の表面を前記第2の表面に接合する接着材料を含み、前記接着材料はヤング率が300psiよりも低い半導体チャンバコンポーネント。前記接着材料はシリコーン系化合物である請求項9記載のチャンバコンポーネント。前記第1の表面はセラミックスであり、前記第2の表面は金属である請求項9記載のチャンバコンポーネント。前記第1の表面はセラミックス製ガス分配板であり、前記第2の表面は金属製導電性ベースプレートであり、前記接着材料は前記第1の表面と前記第2の表面の間にガス通路を画定するように配置される請求項9記載のチャンバコンポーネント。前記接着材料は熱応力が2MPa未満である請求項9記載の材料。前記接着材料は熱伝導率が約0.1W/mK~約5W/mKであり、厚さが約100μm~約500μmである請求項9記載の材料。前記接着材料は伸びが150を超える請求項9記載の材料。