"オーバーレイを評価する方法であって、被検物の第1の層の第1の区域を表す第1区域の情報を取得するか又は受け取る段階であって、該被検物が、該第1の層の下に埋め込まれて第2の区域を含む第2の層を更に含む段階と、前記第1の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導する段階と、前記第2の区域と相互作用するように前記1次電子ビームの電子を誘導する段階と、前記第1及び第2の区域のうちの少なくとも一方から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させる段階と、前記検出信号と前記第1区域の情報とに基づいて、該第1区域の少なくとも1つの特徴部と前記第2区域の少なくとも1つの特徴部の間の少なくとも1つの空間関係を判断する段階と、を含むことを特徴とする方法。前記第2の区域と実質的に相互作用することなく前記第1の区域と相互作用するように前記1次電子ビームの電子を誘導することにより、第1区域の情報を取得する段階と、該第1の区域から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させる段階とを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記被検物から散乱された後方散乱電子を無視しながら、前記第1の区域から散乱又は反射された2次電子に応答する検出信号を発生させる段階を含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。前記1次電子ビームを該1次電子ビームの電子が少なくとも2000電子ボルトの入射エネルギを有するように前記被検物の方向に誘導する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記1次電子ビームを該1次電子ビームの電子が少なくとも5000電子ボルトの入射エネルギを有するように前記被検物の方向に誘導する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記1次電子ビームを該1次電子ビームの電子が2000と5000電子ボルトの間の範囲の入射エネルギを有するように前記被検物の方向に誘導する段階を含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。オーバーレイを評価する方法であって、被検物の第1の層の第1の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導する段階であって、該被検物が、第1の層の下に埋め込まれて第2の区域を含む第2の層を更に含む段階と、前記第2の区域と相互作用するように前記1次電子ビームの高入射エネルギ電子を誘導する段階と、前記第1及び第2の区域のうちの少なくとも一方から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させる段階と、前記検出信号に基づいて前記第1区域の少なくとも1つの特徴部と前記第2区域の少なくとも1つの特徴部の間の少なくとも1つの空間関係を判断する段階であって、該第1の区域の特徴部と前記第2の層の最近接特徴部の間の予測距離が該第1の区域の隣接特徴部の間のピッチよりも小さい段階と、を含むことを特徴とする方法。前記第1の区域から散乱又は反射された2次電子に応答して第1区域の検出信号を発生させる段階と、前記第2の区域から散乱又は反射された後方散乱電子に応答して第2区域の検出信号を発生させる段階とを含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。散乱光光学系ベースのオーバーレイ測定値を受け取る段階と、前記検出信号と該散乱光ベースのオーバーレイ測定値とに基づいて前記オーバーレイを評価する段階とを含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。前記少なくとも1つの空間関係に関するオーバーラップ情報を散乱測定ベースのオーバーレイ装置に送る段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。前記少なくとも1つの空間関係に関するオーバーラップ情報を回折ベースのオーバーレイ装置に送る段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。前記1次電子ビームを該1次電子ビームの電子が少なくとも2000電子ボルトの入射エネルギを有するように前記被検物の方向に誘導する段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。前記1次電子ビームを該1次電子ビームの電子が少なくとも5000電子ボルトの入射エネルギを有するように前記被検物の方向に誘導する段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。前記1次電子ビームを該1次電子ビームの電子が2000と5000電子ボルトの間の範囲の入射エネルギを有するように前記被検物の方向に誘導する段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。被検物の第1の層の第1の区域を表す第1区域の情報を取得するか又は受け取るように配置されたプロセッサであって、該被検物が、該第1の層の下に埋め込まれて第2の区域を含む第2の層を更に含むプロセッサと、前記第1の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導し、かつ前記第2の区域と相互作用するように該1次電子ビームの電子を誘導するように配置された電子光学系と、前記第1及び第2の区域のうちの少なくとも一方から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させるように配置された少なくとも1つの検出器と、を含み、前記プロセッサは、前記検出信号と前記第1区域情報とに基づいて、前記第1区域の少なくとも1つの特徴部と前記第2区域の少なくとも1つの特徴部の間の少なくとも1つの空間関係を判断するように更に配置される、ことを特徴とするシステム。オーバーレイ測定を容易にする有効なシステム及び方法を提供する必要性が存在する。本発明の実施形態により、オーバーレイを評価する方法を提供することができる。本方法は、被検物の第1の層の第1の区域を表す第1区域の情報を取得するか又は受け取る段階であって、被検物が、第1の層の下に埋め込まれて第2の区域を含む第2の層を更に含む段階と、第1の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導する段階と、第2の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導する段階と、第1及び第2の区域のうちの少なくとも一方から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させる段階と、検出信号と第1区域の情報とに基づいて、第1区域の少なくとも1つの特徴部と第2区域の少なくとも1つの特徴部の間の少なくとも1つの空間関係を判断する段階とを含むことができる。本方法は、第2の区域と実質的に相互作用することなく第1の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導することにより、第1区域の情報を取得する段階と、第1の区域から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させる段階とを含むことができる。本方法は、被検物から散乱された後方散乱電子を無視しながら、第1の区域から散乱又は反射された2次電子に応答して検出信号を発生させる段階を含むことができる。本発明の実施形態により、オーバーレイを評価する方法を提供することができ、本方法は、被検物の第1の層の第1の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導する段階であって、被検物が、第1の層の下に埋め込まれて第2の区域を含むことができる第2の層を更に含むことができる段階と、第2の区域と相互作用するように1次電子ビームの高入射エネルギ電子を誘導する段階と、第1及び第2の区域のうちの少なくとも一方から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させる段階と、検出信号に基づいて、第1区域の少なくとも1つの特徴部と第2区域の少なくとも1つの特徴部の間の少なくとも1つの空間関係を判断する段階であって、第1の区域の特徴部と第2の層の最近接特徴部の間の予測距離が、第1の区域の隣接特徴部の間のピッチよりも小さい段階とを含むことができる。本方法は、第1の区域から散乱又は反射された2次電子に応答して第1の区域の検出信号を発生させる段階と、第2の区域から散乱又は反射された後方散乱電子に応答して第2の区域の検出信号を発生させる段階とを含むことができる。本方法は、散乱光光学系ベースのオーバーレイ測定値を受け取る段階と、検出信号と散乱光ベースのオーバーレイ測定値とに基づいてオーバーレイを評価する段階とを含むことができる。本方法は、少なくとも1つの空間関係に関するオーバーラップ情報を散乱測定ベースのオーバーレイ装置に送る段階を含むことができる。本方法は、少なくとも1つの空間関係に関するオーバーラップ情報を回折ベースのオーバーレイ装置に送る段階を含むことができる。本発明の実施形態により、システムを提供することができ、システムは、被検物の第1の層の第1の区域を表す第1区域の情報を取得するか又は受け取るように配置されたプロセッサであって、被検物が、第1の層の下に埋め込まれて第2の区域を含むことができる第2の層を更に含むことができるプロセッサと、第1の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導し、かつ第2の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導するように配置された電子光学系と、第1及び第2の区域のうちの少なくとも一方から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させるように配置された少なくとも1つの検出器とを含むことができ、プロセッサは、更に、検出信号と第1区域の情報に基づいて、第1区域の少なくとも1つの特徴部と第2区域の少なくとも1つの特徴部の間の少なくとも1つの空間関係を判断するように配置される。電子光学系は、第2の区域と実質的に相互作用することなく第1の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導するように配置することができ、少なくとも1つの検出器は、第1の区域から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させるように配置することができ、プロセッサは、検出信号を処理することによって第1区域の情報を取得するように配置することができる。少なくとも1つの検出器は、被検物から散乱された後方散乱電子を無視しながら、第1の区域から散乱又は反射された2次電子に応答して検出信号を発生させるように配置することができる。本発明の実施形態により、システムを提供し、それは、被検物の第1の層の第1の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導し、かつ第2の区域と相互作用するように1次電子ビームの高入射エネルギ電子を誘導するように配置された電子光学系であって、被検物が、第1の層の下に埋め込まれて第2の区域を含むことができる第2の層を更に含むことができる電子光学系と、第1及び第2の区域のうちの少なくとも一方から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させるように配置された少なくとも1つの検出器と、検出信号に基づいて、第1区域の少なくとも1つの特徴部と第2区域の少なくとも1つの特徴部の間の少なくとも1つの空間関係を判断するように配置することができるプロセッサであって、第1の区域の特徴部と第2の層の最近接特徴部の間の予測距離が、第1の区域の隣接特徴部の間のピッチよりも小さいプロセッサとを含むことができる。少なくとも1つの検出器は、2次電子検出器と後方散乱電子検出器を含むことができ、2次電子検出器は、第1の区域から散乱又は反射された2次電子に応答して第1の区域の検出信号を発生させるように配置することができ、後方散乱電子検出器は、第2の区域から散乱又は反射された後方散乱電子に応答して第2の区域の検出信号を発生させるように配置することができる。プロセッサは、散乱光光学系ベースのオーバーレイ測定値を受け取り、かつ検出信号と散乱光ベースのオーバーレイ測定値とに基づいてオーバーレイを評価するように配置することができる。プロセッサは、少なくとも1つの空間関係に関するオーバーラップ情報を散乱測定ベースのオーバーレイ装置に送るように配置することができる。プロセッサは、少なくとも1つの空間関係に関するオーバーラップ情報を回折ベースのオーバーレイ装置に送るように配置することができる。上述の方法又はシステムのいずれにおいても、1次電子ビームは、少なくとも2000電子ボルト、2000と5000ボルトの間、又は更には5000電子ボルトを超える入射エネルギを有することができる。本発明の実施形態により、コンピュータプログラム製品を提供し、コンピュータプログラム製品は、第1の層の下に埋め込まれて第2の区域を含む第2の層を更に含む被検物の第1の層の第1の区域を表す第1区域の情報を受け取り、第1の層の下に埋め込まれた第2の層の第1及び第2の区域から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を受け取り、かつ検出信号と第1区域の情報とに基づいて第1区域の少なくとも1つの特徴部と第2区域の少なくとも1つの特徴部の間の少なくとも1つの空間関係を判断するための命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体を含むことができる。非一時的コンピュータ可読媒体は、本明細書に説明するあらゆる方法を実行するための命令を記憶することができる。本発明を理解し、実際にそれを実施することができる方法を把握するために、ここで、単に非限定的な例として、添付図面を参照して好ましい実施形態を以下に説明する。例示の簡略化及び明瞭化のために、図に示す要素は、必ずしも正確な縮尺で示したものではないことを認めるであろう。例えば、明瞭化のために、要素のうちの一部の寸法を他の要素に対して誇張している場合がある。更に、適切と考えられる場合には、図の間で対応又は類似する要素を表すために参照番号を繰り返す場合がある。以下の詳細説明では、本発明の完全な理解をもたらすために数々の特定の詳細を示している。しかし、当業者は、これらの特定の詳細なしに本発明を実施することができることを理解するであろう。他の場合には、本発明を不明瞭にしないように、公知の方法、手順、構成要素を詳細には説明していない。全ての図において、同じ参照番号は同じ要素を表す。本発明の様々な実施形態により、オーバーレイ誤差を評価する方法及びシステムを提供し、これらは、1つ又はそれよりも多くの埋め込み層と相互作用するのに十分なエネルギを有する電子を有する1次電子ビームで被検物を照明する段階を含む。2次電子及び追加的又は代替的に後方散乱電子は、レンズ内検出器及び内部レンズ検出器によって検出され、検出信号が得られる。検出信号は処理されて、被検物の最上位層第1の層及び埋め込み層第2の層の特徴部の形状及び位置に関する指示を与える。第1及び第2という用語は、単に1つの要素を別のものと区別するために用いているに過ぎないことに注意されたい。超肉薄二重パターン形成製造物体を含むがこれに限定されない様々な被検物上に様々な方法を適用することができる。リソグラフィ用途では、一般的に最上位層はフォトレジストで作られ、一般的に埋め込み層は、エッチング材料、通常はBARC内に浸漬された硬質マスクに使用される窒化物で作られることに注意されたい。誘導自己アセンブリでは、最上位層及び埋め込み層は、自己アセンブリ工程中に互いの上に置かれる親水性及び疎水性のブロックコポリマーで作られる。本明細書に説明する方法及びシステムは、そのような層又は他の層に適用することができる。より深いより幅広の層又は透明性が低いの画像化は、より低い信号対ノイズ比SNRの画像をもたらす可能性がある。この場合、これらの低いSNR画像を復元するためには、更に別の処理を必要とする可能性がある。そのような画像に対しては、いずれか公知の画像清浄化、エッジ検出、又は他の低SNR画像処理法を適用することができる。図3は、別の複数検出器SEMの一部分10’の図である。そのようなシステムの例は、引用によって本明細書に組み込まれている米国特許第7,842,933号明細書に示されている。図3は、1次電子ビームの例示的経路、並びにウェーハ又はレチクル等であるがこれらに限定されない被検物から散乱又は反射された電子の経路も例示している。1次電子ビームは光軸に沿って伝播し、その後にi第1の方向に傾斜され、ii光軸と平行であるが光軸から離間された2次光軸に沿って伝播するように反対方向に傾斜され、iii光軸に向けて第2の方向に傾斜され、その後にiv光軸に沿って伝播するように第2の方向と反対の方向に傾斜される。上述の傾斜作動は、磁気偏向コイル32~36によって発生させることができる。二重傾斜のためのシステム及び方法は、2002年5月13日出願の米国特許出願出願番号第10/146,218号明細書に説明されており、引用によって本明細書に組み込まれている。電子ビームは、様々な形状及び配列の複数の電極によって導入することができる静電場に露出される。実施形態のうちの一部は、引用によって本明細書に組み込まれている荷電粒子カラムに使用するための対物レンズ配列objectivelensarrangementforuseinachargedparticlebeamcolumnという名称の米国特許出願出願番号第10/423,289号明細書に例示されている。1次電子ビームが2次軸に沿って伝播する間に被検物と相互作用するように、最初の2回の傾斜のみを実施するような他の傾斜方式を実施することができることに注意されたい。システム10’では、1次電子ビームは、レンズ内検出器14内の開口18を通して誘導され、対物レンズ12によって被検ウェーハ20上に集束される。レンズ内検出器14の開口を通じて伝播する2次電子は、最終的に内部レンズ検出器40に向かう第2の方向に傾斜される。レンズ内検出器は、1次電子ビームが光軸に沿って伝播する伝播経路の最終部に位置する。レンズ内検出器は、光軸を取り囲むように位置決めされた開口を有する。1次ビームと被検物の間の相互作用結果として電子が放出/散乱された状態で、これらの電子は、強い電磁場に起因してレンズ内検出器に向けて、その検出器の開口に引きつけられる。静電場の強度は、どの2次電子がレンズ内検出器に引きつけられ、どれがレンズ内検出器の開口に引きつけられるかを決める。レンズ内検出器14の開口を通じて伝播する2次電子は、最終的に内部レンズ検出器40に向かう第2の方向に傾斜される。比較的強い静電場を印加することにより、内部レンズ検出器は、以前は検出されなかったか開口を通じて通過した、又はレンズ内検出器によって検出されたかのいずれかであった電子を検出し、一方、レンズ内検出器は、以前は外部検出器によって検出された電子を検出する。図4は、本発明の実施形態による複数検出器SEMの一部分10の図である。図4は、1次電子ビームの例示的経路、並びにウェーハ又はレチクル等であるがこれらに限定されない被検物から散乱又は反射された電子の経路も例示している。1次電子ビームは光軸に沿って伝播し、その後にi第1の方向に傾斜され、ii光軸と平行であるが光軸から離間された2次光軸に沿って伝播するように反対方向に傾斜され、iii光軸に向けて第2の方向に傾斜され、その後にiv光軸に沿って伝播するように第2の方向と反対の方向に傾斜される。散乱電子は、レンズ内検出器14によって検出することができ、又はレンズ内検出器14の開口18を通過し、光軸に関連して配向することができる方向に内部レンズ検出器に向けて偏向される。付加的な偏向要素96が偏向器35の一部分の近くに位置決めされ、この要素は、システムが、開口18を通過した散乱電子の更に別の偏向を実施するのを阻止する。偏向要素96が不在であると、更に別の偏向が発生し、電子は、光軸と平行であるがそこから離間された経路で内部レンズ検出器40に向けて伝播する可能性がある図3に例示しているように。図4は、光軸に関連して配向された内部レンズ検出器40も示している。内部レンズ検出器40は、内部レンズ検出器40に向けて伝播する電子の軌道に対してほぼ垂直とすることができる。内部レンズ検出器40の前にはフィルタ94を置くことができ、このフィルタ94は、ある一定の電子の入射エネルギとフィルタ94に印加される電位とに基づいて、これらの電子が内部レンズ検出器40に到達するのを阻止することができる。異なる電位は、異なる入射エネルギを有する電子を消勢する。フィルタは、例えば、後方散乱電子を許容するが、2次電子を阻止するために使用することができる。内部レンズ検出器40及びレンズ内検出器40は、プロセッサ90に供給される検出信号を発生させる。これらの検出信号は、走査区域の単一の表現例えば、単一の画像を供給するか又は個別の表現を供給するように処理することができ、各検出器の検出信号は独立して処理される。コントローラ92は、検出器14及び40によって検出される電子を制御するように、格子94の電位及び追加的又は代替的に対物レンズの電位を制御することができる。被検物の第1の層のみを画像化する場合には、両方の検出器14及び40を同じタイプの電子を検出するように設定することができ、それに対して両方の層を画像化する際には、各検出器を異なるタイプの電子を検出するために使用することができることに注意されたい。図5は、二重パターン形成工程によって製造された被検物の一部分のオーバーレイ誤差69を示している。これらのオーバーレイ誤差69を望ましい特徴部からの実際の特徴部の偏差として例示している。図5の上側の部分は、i第1の層60の望ましい特徴部61の位置及び形状、及びii第1の層60の下に埋め込まれた第2の層62の望ましい特徴部63の位置及び形状を示している。図5の下側の部分は、i第1の層68の実際の特徴部65の位置及び形状、及びii第1の層60の下に埋め込まれた第2の層67の実際の特徴部66の位置及び形状を示している。オーバーレイ誤差69は、第2の層67の実際の特徴部66が、それらの望ましい位置に対して右にシフトしていることを示している。図5は、オーバーレイ誤差の一例を示しているに過ぎない。例えば、同じ層が有する異なる特徴部は、それらのオーバーレイ誤差によって互いから異なる可能性があり、追加的又は代替的に、オーバーレイ誤差は回転を含む可能性がある。図7は、本発明の実施形態による第1の層の第1の区域の画像110の例であり、図8は、本発明の実施形態による第2の層の第1の区域及び第2の区域の画像の例である。図7は、第1の区域の画像110を示しており、第1の層の特徴部の位置を表すエッジ111を含む。図8は、第1の区域及び第2の区域の画像であり、第1の区域の特徴部のエッジ111及び第2の区域の特徴部のエッジ121が示されている。これらの第1及び第2の区域の特徴部は摂動である可能性があり、これらの上側部分112第1の区域の摂動における及び122第2の区域の摂動におけるをこれらの周辺よりも明るく例示している。図8は、仮想Y軸に沿った検出信号の強度を示す強度信号124も例示している特徴部はX軸に対して実質的に平行である。この強度信号124は、第1及び第2の層が有する異なる特徴部の高さに関する指示を与える。図9は、本発明の実施形態による方法300を示している。方法300は、段階302及び304のうちのいずれか一方によって開始することができる。方法300は、両方の段階302及び304を含むか、又はこれらの段階の一方のみを含むことができることに注意されたい。段階302は、被検物の第1の層の第1の区域を表す第1区域の情報を取得する段階を含む。被検物は、第1の層の下に埋め込まれて第2の区域を含む第2の層を更に含む。段階302は、以下のうちの少なくとも一方を含むことができる。a.第2の区域と実質的に相互作用することなく第1の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導することによって第1区域の情報を取得する段階、及び第1の区域から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させる段階。b.被検物から散乱された後方散乱電子を無視しながら、第1の区域から散乱又は反射された2次電子に応答して検出信号を発生させる段階。段階304は、被検物の第1の層の第1の区域を表す第1区域の情報を受け取る段階を含む。段階302及び304には、第1の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導する段階306、及び第2の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導する段階308が続く。段階308は、1次電子ビームの電子が、少なくとも2000電子ボルト又は少なくとも5000電子ボルトの入射エネルギを有するように、1次電子ビームを被検物の方向に誘導する段階を含むことができる。段階306及び308には、第1及び第2の区域のうちの少なくとも一方から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させる段階310が続く。段階310には、検出信号と第1区域の情報とに基づいて、第1区域の少なくとも1つの特徴部と第2区域の少なくとも1つの特徴部の間の少なくとも1つの空間関係を判断する段階312が続く。段階312は、第1区域の少なくとも1つの特徴部のエッジ及び第2区域の少なくとも1つの特徴部のエッジのエッジ検出を含むことができる。追加的又は代替的に、段階312は、エッジ検出と第1区域の情報とに基づく空間関係の判断を含むことができる。例えば、1対の第1の区域の特徴部と第2の区域の特徴部は、部分的に重なるか、又は重なるエッジを有する可能性がある。両方の場合に、画像は実質的に同じものである場合がある。第1区域の情報は、これらの2つのシナリオの間で区別を行うのに役立てることができる。これを図6に例示しており、異なる物体又は異なる区域を画像化していながらも同じエッジ91~94を有する同じエッジ画像90を取得する可能性がある。図6の上側部分は、異なる層70及び72の重複特徴部71及び73を示しているのに対して、図6の中央部分は、重複しないより幅狭の特徴部81及び83を示している。第1及び/又は第2の層の特徴部の幅のような第1区域の情報は、これらのシナリオの間で区別を行うのに役立てることができる。図10は、本発明の実施形態による方法400を示している。方法400は、被検物の第1の層の第1の区域と相互作用するように1次電子ビームの電子を誘導する段階402で開始することができる。被検物は、第1の層の下に埋め込まれて第2の区域を含む第2の層を更に含む。段階402には、第2の区域と相互作用するように1次電子ビームの高入射エネルギ電子を誘導する段階404が続く。段階404には、第1及び第2の区域のうちの少なくとも一方から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させる段階406が続く。段階406には、少なくとも検出信号に基づいて、第1区域の少なくとも1つの特徴部と第2区域の少なくとも1つの特徴部の間の少なくとも1つの空間関係を判断する段階408が続き、第1の区域の特徴部と第2の層の最近接特徴部の間の予測距離は、第1の区域の隣接特徴部の間のピッチよりも小さい。この場合、第1及び第2の層は、二重パターン形成工程又はあらゆる他の多重パターン形成工程によって製造することができる。本発明の実施形態により、段階408には、少なくとも1つの空間関係に関するオーバーラップ情報を散乱測定ベースのオーバーレイ装置に送る段階409を続けることができる。この装置は、第1の層のトポグラフィを判断するのにこの情報を使用することができる。段階406は、第1の区域から散乱又は反射された2次電子に応答して第1の区域の検出信号を発生させる段階と、第2の区域から散乱又は反射された後方散乱電子に応答して第2の区域の検出信号を発生させる段階とを含むことができる。図11は、本発明の実施形態による方法410を示している。図11の方法410は、以下の点で図10の方法400とは異なる。a.散乱光光学系ベースのオーバーレイ測定値を受け取る段階412を含むこと。b.段階408の代わりに段階414を有すること。c.段階409を含まないこと。段階414には、段階406及び412が先行する。段階414は、検出信号と散乱光光学系ベースのオーバーレイ測定値とに基づいて、第1区域の少なくとも1つの特徴部と第2区域の少なくとも1つの特徴部の間の少なくとも1つの空間関係を判断する段階を含む。散乱光光学系ベースのオーバーレイ測定値を第1の層の情報と呼ぶことができる。散乱光光学系ベースのオーバーレイ測定値は、第1の層が製造される前に第1の層の上に得られた場合は、第2の区域を表すことができることに注意されたい。本発明の実施形態により、オーバーレイ誤差は、第1の特徴部と第2の特徴部との間で必要とされる空間関係からの偏差として測定される。上述の方法のうちのいずれのいずれの段階のいずれの組合せも提供することができる。いずれの方法も、上述のシステムのうちのいずれかによって実施することができる。第1及び第2の区域は、あらゆる望ましい形状、サイズ、又は位置を有することができる。これらのパラメータ形状、サイズ、位置は、ユーザが判断することができ、以前の検査又は測定の試行に応じて設定することができ、走査パターンを設定することによって定めることができ、更に類似の手法で判断することができる。本方法及びシステムは、機械的なかつ追加的又は代替的に電気的な走査及び偏向工程を使用することによって区域を順次走査することができる。上述の方法、又は上述の方法の少なくともコンピュータによって実施される段階は、非一時的コンピュータ可読媒体に記憶されたコードを実行するコンピュータによって実施することができる。例えば、非一時的コンピュータ可読媒体は、被検物の第1の層の第1の区域を表す第1区域の情報を受け取る段階であって、被検物が、第1の層の下に埋め込まれて第2の区域を含む第2の層を更に含む段階、第1の層の下に埋め込まれた第2の層の第1及び第2の区域から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を受け取る段階、及び検出信号と第1区域の情報とに基づいて、第1区域の少なくとも1つの特徴部と第2区域の少なくとも1つの特徴部の間の少なくとも1つの空間関係を判断する段階のための命令を記憶することができる。本発明は、従来のツール、方法、及び構成要素を使用することによって実施することができる。従って、本明細書には、そのようなツール、構成要素、及び方法の詳細を詳細に示していない。以上の説明では、本発明の完全な理解をもたらすために、典型的な線の断面の形状、偏向ユニットの数量などのような数々の具体的な詳細を示している。しかし、本発明は、具体的に示す詳細を拠り所とすることなく実施することができることを認識すべきである。本発明の開示では、本発明の単に例示的な実施形態、及びその多様性の僅かな例を示して説明した。本発明は、本明細書に指定する本発明の概念の範囲で様々な他の組合せ及び環境に対して使用することができ、変更又は修正を行うことができることは理解されるものとする。例えば、上述の記載内容は、オーバーレイ誤差の測定に言及したが、上述の方法及びシステムは、必要な変更を加えて、他の測定及び埋め込み欠陥の欠陥検出に適用することができる。本明細書では本発明のある一定の特徴を示して説明したが、この時点で、当業者には、多くの修正、代替、変形、及び均等物を起案されるであろう。従って、特許請求の範囲は、全てのそのような修正及び変形が本発明の真の精神に収まるように意図したものであることは理解されるものとする。"