非反応性のろう付けにより炭化ケイ素系材料製の少なくとも2つの部品を接合し組み付けるための方法であって、部品は、非反応性ろう付け組成物に接触させられ、部品およびろう付け組成物により形成された組付体は、ろう付け組成物を完全または少なくとも部分的に溶融するのに十分なろう付け温度に加熱され、部品およびろう付け組成物は、ろう付け組成物の固化後にある程度耐火性の接合部が形成されるように冷却され、非反応性ろう付け組成物は、原子百分率で60から66のケイ素および34から40のニッケルからなる二元合金である、方法。ろう付け温度が、1150°C以下であり、好ましくは、ろう付け温度が、1020°Cから1150°C、より好ましくは1080°Cから1100°Cである、請求項1に記載の方法。前記ろう付け組成物が、原子百分率で63から65のケイ素および35から37のニッケルからなる二元合金である、請求項1または2に記載の方法。前記ろう付け組成物が、原子百分率で64のケイ素および36のニッケルからなる二元合金である、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。ろう付け組成物の粉末が形成され、前記粉末は、ろう付け組成物の懸濁液またはペーストを得るために有機結合剤中に懸濁され、得られたろう付け組成物の懸濁液またはペーストは、接合され組み付けられる部品の少なくとも1つの、少なくとも1つの表面上に堆積される、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。組み付けられ接合される部品の少なくとも1つの、接合され組み付けられる少なくとも1つの表面が、ろう付け組成物の懸濁液またはペーストでコーティングされ、部品の、接合され組み付けられる表面は、ろう付け組成物の懸濁液またはペーストがその間に挿入されるように接触させられる、請求項5に記載の方法。組み付けられ接合される部品の接合され組み付けられる表面が、組み付けられ接合される部品の、接合され組み付けられる表面により形成される接合部の近辺に、ろう付け組成物の懸濁液またはペーストを受容することができる自由表面を形成するように接触させられてその間にオフセットを残し、次いで、ろう付け組成物の懸濁液またはペーストが、前記自由表面上に堆積される、請求項5に記載の方法。ろう付けが、ろう付け組成物の融点より少なくとも15°C、好ましくは少なくとも30°C高いろう付け温度で行われる、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。1分から150分、好ましくは30分から150分、より好ましくは60分から120分、さらに好ましくは90分から120分の時間保持される、1020°Cから1150°C、好ましくは1080°Cから1100°Cのろう付け温度でのろう付けプラトーを観察してろう付けが行われる、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。組み付けられる部品の、接合される少なくとも1つの表面が、多孔質であり、ろう付けプラトーが、1分から30分の時間の1020°Cから1080°Cの温度で観察される、請求項9に記載の方法。ろう付けプラトーの前に、第1のプラトーが、30分から180分、好ましくは60分から180分、より好ましくは90分から180分、例えば120分の時間保持される、850°Cから910°C、例えば900°Cの温度で観察される、請求項9または10に記載の方法。炭化ケイ素系材料が、純α炭化ケイ素α-SiCまたは純β炭化ケイ素β-SiC等の純炭化ケイ素、ならびに炭化ケイ素繊維および/またはマトリックスを用いた複合材等の複合SiC系材料の中から選択される、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。炭化ケイ素系材料が、常圧焼結炭化ケイ素PLS-SiC;Si浸透炭化ケイ素SiSiCまたはRBSC;多孔質再結晶炭化ケイ素RSiC;SiC層でコーティングされた黒鉛で構成される黒鉛ケイ素C-SiC;例えば繊維またはウィスカーを用いたSiC/SiC複合材;自己回復性マトリックスを用いたSiC/SiC複合材;例えば炭素繊維またはウィスカーおよびSiCマトリックスを用いたC/SiC複合材;SiC単結晶;別のセラミックを用いたSiC複合材、例えばSiC/Si3N4およびSiC/TiN複合材の中から選択される、請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。前記炭化ケイ素系材料が、少なくとも50質量、好ましくは少なくとも80質量、より好ましくは100質量の炭化ケイ素含量を有する、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。請求項1、3および4のいずれか一項に記載のもの等のろう付け組成物。炭化ケイ素系材料製の部品の非反応性のある程度耐火性のろう付けのための、ろう付けペースト、懸濁液であって、請求項15に記載の非反応性ろう付け組成物の粉末と、有機液体セメント、結合剤または有機粘稠性ゲルとを含む、ろう付けペースト、懸濁液。請求項1から14のいずれか一項に記載の方法により得ることが可能な、ある程度耐火性の接合部。請求項1から14のいずれか一項に記載の方法により得ることが可能な、SiC系材料製の少なくとも2つの部品を備える組付体。したがって、本発明の目的は、とりわけ上記の必要性を満たし、とりわけ上に記載された要件および基準の全てを満たし、先行技術の方法において見られる欠点、欠陥、制限を排除し、先行技術の方法の問題を解決する、炭化ケイ素系材料製の部品または構成要素のろう付けによる接合のための方法を提供することである。特に、本発明の目的は、500°Cを超え850°Cまで、さらには880°Cまでの温度で、組付体の十分な機械的強度を得ることができ、1150°C以下、好ましくは1020°Cから1150°Cの範囲内、より好ましくは1100°C以下、例えば1080°Cから1100°Cのろう付け温度を使用し、任意選択で、封止性に優れた接合部を得ることができる、炭化ケイ素系材料製の部品または構成要素のろう付けによる接合のための方法を提供することである。この目的および他の目的は、本発明に従い、非反応性のろう付けにより炭化ケイ素系材料製の少なくとも2つの部品を接合し組み付けるための方法であって、部品は、非反応性ろう付け組成物に接触させられ、部品およびろう付け組成物により形成された組付体は、ろう付け組成物を完全または少なくとも部分的に溶融するのに十分なろう付け温度に加熱され、部品およびろう付け組成物は、ろう付け組成物の固化後にある程度耐火性の接合部が形成されるように冷却され、非反応性ろう付け組成物は、原子百分率で60から66のケイ素および34から40のニッケルからなるで構成される二元合金である方法により達成される。ろう付け組成物の溶融は、概して、液相線以上の温度において液体状態である場合、完全で全体的であるとみなされる。ろう付け組成物の溶融は、概して、固相線と液相線との間にある温度で半固体、粘稠性、軟化状態であると判定され得る状態である場合、部分的であるとみなされる。概して、ろう付けは、1150°C以下のろう付け温度で行われ、好ましくは、ろう付け温度は、1020°Cから1150°C、より好ましくは1080°Cから1100°Cである。ある程度耐火性の接合部とは、この接合部が、概して、850°Cまで、さらには880°Cまでの動作、使用温度に耐えることができることを意味する。1150°C以下、好ましくは1020°Cから1150°C、より好ましくは1080°Cから1100°Cの温度での、特定のろう付け組成物を使用したろう付け方法である本発明の方法は、先行技術において説明されていなかった。特に、驚くべきことに、1150°C以下、好ましくは1020°Cから1150°C、より好ましくは1080°Cから1100°Cの温度で、炭化ケイ素系材料製の部品のろう付けを可能とする、本発明に従い使用される特定のろう付け組成物は、上に挙げた先行技術の文献においては全く言及されていない。例えば、文献[7]は、そのうち少なくとも2種がケイ素とのろう付け組成物を形成するケイ素は常に50重量未満の割合まで存在するために選択されなければならない27元素のリスト中で、ニッケルに言及していない。このリスト中、Fe、Cr、Co、V、Zn、TiおよびYが好ましく、そのためにますますニッケルは好ましい元素の中に挙げられていない。ケイ素、クロムおよびコバルトの合金、ケイ素、クロムおよび鉄の合金、ケイ素、鉄およびコバルトの合金である、この文献中の特に好ましいろう付け合金のいずれも、またこの文献中に例示されているろう付け組成物のいずれも、ニッケルを含有しない。さらに、この文献に記載される合金は、本発明において使用される二元Si-Ni合金よりもはるかに複雑である。この文献におけるろう付け合金は、調製および特性の制御が二元合金の調製および特性の制御よりもはるかに困難である、少なくとも複数構成成分の三元合金である。文献[7]に記載される例のろう付け組成物は、40重量未満のSi含量を有する三元系SiFeCo、SiFeCr、SiCrCoに限定される。これらの組成物は、ニッケルを含有せず、全体的に、27種の可能な追加元素のリストと比較してはるかに少ない数の元素を有する。また、本発明のろう付け組成物は、45重量を超えるケイ素濃度、すなわち文献[7]中に示されるSi濃度よりも高いSi濃度を有することを付け加えるべきである。文献[7]は、少なくとも3種の元素を含有する合金に関するため、二元ろう付け合金の調製につながり得るいかなる示唆も含んでいない。また、文献[7]は、ニッケルの選択につながり得るいかなる示唆も含んでおらず、またSiCに適合する二元ろう付け合金を調製するための、ならびに1020°Cから1150°C、好ましくは1080°Cから1100°Cの温度でのSiC系部品のろう付け、およびこれらの部品の効果的な接合を確実とする、ニッケルの特定の含量につながり得る示唆はなおさら含まない。文献[5]において、SiCの濡れ性は、純ニッケル、純ケイ素ならびに40、50、67および85原子のケイ素を含む合金に関して試験されている。上記で既に指摘されているように、これらの合金を用いてろう付け操作は行われておらず、この文献は、これらの合金を用いて作製され得る組付体の可能な機械的強度に関するいかなるデータも提供していない。40原子を超えるSi含量を有する合金によるSiCの非反応性および良好な濡れ性に関するデータのみが開示されている。上記のように、合金の良好な濡れ特性および/または非反応性は、SiCの部品を接合するために使用される場合のこの合金の良好な機械的挙動、またはこの組付体の良好な機械的特性を保証することは全くできない。本発明の方法は、必要性を満たし、上述の全ての要件および基準を満たし、先行技術の方法の欠点を有さない。特に、本発明の方法は、初めて、非常に複雑となり得るその構造および/またはそのサイズとは無関係に、炭化ケイ素系材料製の部品の、ある程度耐火性の、すなわち850°Cまで、さらには880°Cまでの使用温度を有する組付体の作製を可能とする。本発明の方法は、全ての場合において、特に、ろう付け組成物による接合部の良好な充填を確実とし、全く驚くべき様式で、周囲温度、および特に500°Cを超え850°C~880°Cまでの高温での組付体の優れた機械的強度、および任意選択で接合部の非常に良好な不透過性、耐漏洩性を確実とする。本発明の方法は、さらに、単純で、信頼性があり、実行が容易で、全体的に低コストである。換言すれば、本発明の複数の利点および驚くべき効果は、以下のように列挙することができるが、この列挙は、限定として解釈されるべきではない。-選択されるろう付け組成物の組成に関して、1020°Cから1150°Cの間でいくつかのろう付け温度が可能であり、したがって異なる仕様に適合することができる。-本発明により得られる組付体は、500°Cを超える、例えば850°C、さらには880°Cに達し得る最高使用温度であっても、炭化ケイ素基板間の保証された良好な機械的接着性を可能とする。結束様式において破裂が生じ、すなわち、炭化ケイ素基板内に破壊亀裂が生じ、ろう付けされた接合部には生じない。-ろう付け温度は、1150°C以下、好ましくは1020°Cから1150°C、より好ましくは1080°Cから1100°Cであり、したがって、本発明の方法により、複合材部品等の1150°Cを超える温度に耐えられない炭化ケイ素系部品、基板を、セラミックマトリックス、例えばCerasepA40C登録商標に接合することが可能である。換言すれば、本発明の方法により、1150°C、さらには1100°C以降で劣化するSiC系部品のろう付けを得ることが可能である。明らかに、本発明の方法は、1300°Cを超えるろう付け温度を使用することができる純粋またはほぼ純粋なSiC、例えば焼結SiC一般に、焼結SiCは、焼結添加剤を含有し、したがって完全に純粋ではないに適用されるが、より不安定な材料にも、これらの熱的により不安定な材料に適合されるろう付け組成物を使用して適用される。-驚くべきことに、本発明の方法において使用される1150°C以下、好ましくは1020°Cから1150°C、より好ましくは1080°Cから1100°Cのろう付け温度にもかかわらず、本発明のろう付け合金のろう付け組成物の、組み付けられる炭化ケイ素の基板、部品の表面に対する優れた濡れ性が確認されている。したがって、この表面の良好な濡れ性を用いて、本発明に従い、毛管ろう付けcapillarybrazingを行うことが可能であるが、これは、本発明のろう付け組成物が、数ミクロンから数十ミクロンの接合部だけでなく、厚さが500μmに達し得るより厚い接合部に対しても、ろう付け操作中に部品間の接合部を単独で充填することができるためである。-炭化ケイ素系基板に対するろう付け合金の非反応性は、走査型電子顕微鏡のスケールで観察された。界面において、複雑で多孔質の脆弱な領域は見られない。-本発明の方法により得られるろう付けは、可逆的である。したがって、例えばその修復のために、ろう付け合金の第2の溶融操作中に炉内でこのろう付け合金を溶融することにより、部品、基板を劣化させることなく、組み付けられた部品、基板を解体、分解することが可能である。部品、基板はまた、化学的な攻撃により分離することもできる。換言すれば、本発明の方法は、炭化ケイ素材料の接合された部品の修復を可能とする。これは、修復を目的として、接合部の特性を劣化させることなく、それらの部品を必要に応じて第2のろう付けサイクルに供することができることを意味する。この修復のための能力は、本発明において使用されるろう付け合金の炭化ケイ素との非反応性または難反応性により可能となる。-本発明の方法により得られる別の卓越した特性は、ろう付け後に得られた接合部の均質性、および形成された接合部の非常に良好な機械的挙動である。-本発明の方法において、接合部は、毛管構成であっても、本発明のろう付け組成物で良好に充填されるため、1150°C以下の温度でのろう付け操作前に、ろう付け組成物によりSiC材料の部品、基板を金属化することは必要ではない。-さらに、本発明の方法において、特に1150°C未満の温度でのろう付け操作前に、SiC系材料の部品、基板上に炭素を堆積させる必要はない。濡れの運動学は急速であり、良好な濡れ角が存在する。例えば、CerasepA40C登録商標SiC/SiC複合材上では、角度は、1100°Cで5分間の保持時間後に約40°、30分の保持時間後に約30°であり、焼結SiC上では、1100°Cで5分間の保持時間後に約60°、30分後に40°未満である実施例1および2を参照されたい。接合部は、毛管構成であっても、本発明のろう付け材料で良好に充填される。-本発明のろう付け組成物は、いかなる貴重な化学元素も含有せず、特に、多くの先行技術の組成物と比較してろう付け材料のコストおよびそれらが使用される方法のコストを制限する、白金またはロジウム族からの金属を含有しない。-本発明の方法により得られるろう付けされた接合部は、概して不透過性である。したがって、本発明の方法は、ろう付け合金組成物に依存して850°Cから880°Cの最高温度に耐えなければならない封止操作に適合される。既に上述したように、ろう付け組成物、より具体的にはSiCをろう付けするためのろう付け組成物の挙動は、極めて予測不可能であり、いかなる状況においても、同様のろう付け組成物の挙動から推測することはできない。有利には、本発明のろう付け組成物は、原子百分率で63から65のケイ素および35から37のニッケルからなるで構成される二元合金である。本発明の好ましい組成物は、原子百分率で64のケイ素および36のNi、すなわち質量パーセントで54のNiおよび46のSiからなる。この好ましい組成物は、966°Cの固相線温度、および1070°Cの液相線温度を有する。上で特定された有利なパーセンテージにより定義される異なるろう付け組成物は、先行技術において説明されておらず、また示唆されてもいない。有利には、本発明の方法において、ろう付け組成物の粉末を形成し、ろう付け組成物の懸濁液またはペーストを得るためにこの粉末を有機結合剤中に懸濁させ、得られたろう付け組成物の懸濁液またはペーストを、組み付けられ接合される部品の少なくとも1つの、少なくとも1つの表面上に堆積させることが可能である。例えば、組み付けられ接合される部品の少なくとも1つの、接合される1つの表面を、ろう付け組成物の懸濁液またはペーストでコーティングし、次いで、部品の、接合し組み付けられる表面を、ろう付け組成物の懸濁液またはペーストがそれらの表面間に挿入されるように接触させることが可能である。あるいは、組み付けられ接合される部品の、接合され組み付けられる表面により形成される接合部の近辺に、ろう付け組成物の懸濁液またはペーストを受容することができる自由表面を形成するようにその間にオフセットを残すことにより、組み付けられ接合される部品の、接合され組み付けられる表面を接触させることが可能であり、次いで、ろう付け組成物の懸濁液またはペーストを、例えばビーズの形態でこの自由表面上に堆積させることができる。ろう付け組成物に接触させる前に、組み付けられる部品の表面の少なくとも1つに炭素を堆積させることは必要ではない。この炭素堆積を省略することができ、それによりろう付け方法における追加のステップが回避されることから、これはまさに本発明による方法の別の利点である。有利には、ろう付けは、ろう付け組成物の融点より少なくとも15°C、好ましくは少なくとも30°C高いろう付け温度で行うことができる。多孔質のろう付け表面のろう付けの場合、例えば、SiC表面コーティングが十分厚くない複合材料の場合、ろう付け温度プラトー中に半固体状態のろう付け充填剤を得るために、ろう付け組成物の液相線と固相線との間の温度でろう付けを行うことが有用となり得る。すると、ろう付け組成物は粘稠性となり、その細孔への浸透をより良好に制御することができる。有利には、1分から150分、好ましくは30分から150分、より好ましくは60分から120分、さらに好ましくは90分から120分の時間保持される、1020°Cから1150°C、好ましくは1080°Cから1100°Cのろう付け温度でのろう付けプラトーを行うことにより、ろう付けを行うことができる。組み付けられ接合される部品の、接合される少なくとも1つの表面が多孔質である場合、1分から30分の時間保持される1020°Cから1080°Cでのろう付け温度プラトーを適用することができる。換言すれば、比較的多孔質のろう付け表面を有する材料の場合、例えば、SiCコーティングが十分厚くない複合材料の場合、接合部充填に有害となるろう付け合金の材料の細孔への過剰の浸透を回避するために、概して約30分から150分である通常のろう付け時間を、数分の時間、すなわち、例えば1分から30分の時間に短縮することが有用となり得る。この場合、浸透を制限するために、一般に、最低ろう付け温度、すなわち概して1000°Cまたは1020°Cから1080°Cが推奨されることにも留意される。有利には、ろう付け温度プラトーの前に、30分から180分、好ましくは60分から180分、より好ましくは90分から180分、例えば120分の時間保持される、概して850°Cから910°C、例えば900°Cの温度での第1のプラトーを観察することが可能である。有利には、炭化ケイ素系材料は、純α炭化ケイ素α-SiCまたは純β炭化ケイ素β-SiC等の純炭化ケイ素、ならびに炭化ケイ素繊維および/またはマトリックスを用いた複合材等のSiC系複合材料の中から選択され得る。より具体的には、炭化ケイ素材料は、常圧焼結炭化ケイ素PLS-SiC;Si浸透炭化ケイ素SiSiCまたはRBSC;多孔質再結晶炭化ケイ素RSiC;SiC層でコーティングされた黒鉛で構成される黒鉛ケイ素C-SiC;例えば繊維またはウィスカーを用いたSiC/SiC複合材;自己回復性マトリックスを用いたSiC/SiC複合材;例えば炭素繊維またはウィスカーおよびSiCマトリックスを用いたC/SiC複合材;SiC単結晶;別のセラミックを用いたSiC複合材、例えばSiC/Si3N4およびSiC/TiN複合材の中から選択され得る。概して、前記炭化ケイ素系材料は、少なくとも50質量、好ましくは少なくとも80質量、より好ましくは100質量の炭化ケイ素含量を有する。本発明はまた、本発明による方法の説明において上述したろう付け組成物に関する。本発明はまた、炭化ケイ素系材料製の部品のろう付け、例えば非反応性のある程度耐火性のろう付けのための、ろう付けペースト、懸濁液であって、上で定義されるような本発明によるろう付け組成物の粉末と、有機液体セメント、結合剤または有機粘稠性ゲルとを含む、ろう付けペースト、懸濁液に関連する。本発明はまた、ある程度耐火性の接合部最高使用温度は概して850°C~880°C、および、上述の本発明の方法を使用して得られるSiC系材料製の少なくとも2つの部品を含む組付体に関する。非限定的な例示として示される以下の説明を読み、また添付の図面を参照すれば、本発明の他の特徴および利点がより明確となる。本発明による方法の第1のステップは、概して、ろう付け組成物、換言すればケイ素およびニッケルを含有するろう付け合金の調製、形成からなる。本発明のろう付け合金は、二元ケイ素Si-ニッケルNi合金である。本発明のろう付け合金の融点は、概して966°C固相線=共晶融点、混合物の全ての組成に共通する溶融の開始~1125°Cケイ素含量が最も高い組成物の液相線であり、好ましい組成物は1070°Cの液相線温度を有する。合金の主元素はケイ素である。二元Si-Ni合金の質量割合は、原子百分率で60から66のケイ素および34から40のニッケルである。有利な割合および特に有利または好ましい割合は、上述した通りである。ろう付け組成物は、概して、例えばまず純SiおよびNi元素からケイ素およびニッケルを含有する金属間化合物を合成することにより調製され得る、粉末組成物である。前記金属間化合物の合成は、例えば、ケイ素例えば材料片の形態、ニッケル例えば材料片の形態または他の形態を、ろう付け組成物に望ましい割合で、例えばアルミナ製の耐火性るつぼに加えることにより得られる。るつぼ、ケイ素およびニッケルにより形成された組付体を、黒鉛炉または金属炉等の加熱装置内に設置し、好ましくはアルゴン下で、60分から120分、例えば120分の時間、概して1200°Cから1300°C、例えば1250°Cの温度に加熱し、ろう付け組成物の異なる構成成分を溶融すると、冷却後に、均質でインゴット形態の最終的な所望の金属間化合物が得られる。加熱温度は、本発明の好ましい組成物のためには、好ましくは1250°Cである。インゴットの製造は、低温るつぼ内でも行うことができる。この非接触溶融技術循環水により冷却され、誘導子内に設置せれた銅るつぼにより、合金は、るつぼに接触することなく溶融することができ、したがって、るつぼを機械加工することなく合金を回収することができる。次いで、得られる金属間化合物のインゴットを、任意の好適な装置を用いて、例えば乳鉢内で粉砕すると、適切な粒径の粉末、すなわち粒子が例えば1μmから300μmの直径を有する粉末が得られ、これがろう付け組成物を構成する。あるいは、本発明の二元ろう付け組成物は、純ケイ素粉末ならびに金属間NiSi2および/またはNiSi化合物の粉末を、本発明のろう付け組成物用に選択された割合で秤量し、次いでこれらの粉末をTurbula内で少なくとも30分間ブレンドすることにより調製され得る。この場合、金属間化合物およびSiの粉末の混合物で構成される粉末が、ろう付け組成物を形成する。前記NiSi2またはNiSi金属間化合物は、合成することができ、または、既知の粒径および純度の金属間化合物の粉末の形態で購入することができる。純ケイ素粉末は、任意の好適な装置、例えば乳鉢内で粉砕された純ケイ素の材料片から調製して、好適な粒径の粉末を得ることができ、粒の直径は、例えば1μmから250μmである。このようにして調製される代わりに、前記純ケイ素粉末はまた、既知の粒径および純度の市販の粉末であってもよい。これらの市販の粉末のうち、例えば、99.5または99.99の純度および約50μmの粒径を有する、CERAC登録商標の商品名で販売されている純Si粉末を挙げることができる。ろう付け組成物の粉末SiおよびNiは、従来のように、好ましくは粘稠性かつ粘着性の結合剤、セメント、有機液体ゲルに懸濁され、ろう付けされる炭化ケイ素系材料製の部品、基板の表面上に均質に覆うことを可能とする、ろう付け組成物のペースト、懸濁液が得られる。結合剤、セメント、ゲルは、概して、例えば100°Cから300°Cの間でいかなる痕跡も残さずに分解する。結合剤は、例えば、NICROBRAZ登録商標型のセメント、またはゲルVITTA登録商標ゲルであってもよい。本発明の方法の第2のステップは、概して、実際のろう付けにより組付体を形成することからなる。組付、接合前に、組み付けられるSiC材料製の部品の2つ以上の表面は、概して、例えばケトン、エステル、エーテル、アルコール種、またはそれらの混合物等の有機溶媒中で脱脂、洗浄される。1つの好ましい溶媒は、アセトン、または例えば1:3、1:3、1:3の割合のアセトン-エチルアルコール-エーテル混合物であるが、いくつかの異なる溶媒で連続的に、例えばアセトンの次にエタノールを使用して部品を洗浄することも可能である。次いで部品は乾燥される。組み付けられるSiC系材料製の部品の数は、概して2つであるが、恐らくは100個までのより多数の部品を同時に接合することも可能である。SiC系材料製の部品とは、概して、1つまたは複数の他の部品と組み付けられた後に、より大きなサイズの構造の一部となる、任意の形状およびサイズの任意の要素または実体を意味する。本発明によれば、毎回優秀な結果をもって、複雑な構造、形状、および/または大きなサイズの部品、例えば0.5m2以上のろう付けされる表面積を有する部品を接合することが可能である。炭化ケイ素系材料とは、概して、本明細書において、少なくとも50質量の炭化ケイ素、好ましくは少なくとも80質量炭化ケイ素、さらに好ましくは100質量の炭化ケイ素を含有する任意の材料を意味し、この後者の場合、材料は、炭化ケイ素のみからなる、または炭化ケイ素のみで構成される。炭化ケイ素系材料は、特に、焼結もしくは浸透された粉末、またはセラミックマトリックスにより結合された繊維の形態であってもよい。炭化ケイ素系材料は、純α炭化ケイ素α-SiCまたは純β炭化ケイ素β-SiC等の純炭化ケイ素、ならびに炭化ケイ素繊維および/またはマトリックスを用いた複合材等のSiC系複合材料の中から選択され得る。SiC系材料の例として、純高密度炭化ケイ素または常圧焼結炭化ケイ素PLS-SiC;Si浸透炭化ケイ素5から20のSiを含有するSiSiCまたはRBSC;多孔質再結晶炭化ケイ素RSiC;例えば0.1mmから1mmの厚さまでSiCの層でコーティングされた黒鉛で形成された黒鉛ケイ素C-SiC;および例えば繊維またはウィスカーを用いたSiC/SiC複合材;自己回復性マトリックスを用いたSiC/SiC複合材;例えば炭素繊維またはウィスカーおよびSiCマトリックスを用いたC/SiC複合材;ならびにSiC単結晶;別のセラミックを用いたSiC複合材、例えばSiC/Si3N4およびSiC/TiN複合材を挙げることができる。好ましくは、本発明による、接合される基板、部品のケイ素系材料は、例えば焼結純αα-SiCもしくは純ββ-SiC炭化ケイ素の中から、または炭化ケイ素繊維および炭化ケイ素マトリックスを用いた複合材の中から選択される、100の炭化ケイ素で構成される。驚くべきことに、本発明の方法により、優秀な結果をもって複合材をろう付けすることができることが確認されている。接合される2つ以上の部品は、1つの同じ炭化ケイ素系材料で作製されてもよく、例えば、PLS常温焼結-SiCもしくはSiC-SiC複合材で作製されてもよく、または、部品のそれぞれが、異なる炭化ケイ素系材料で作製されてもよい。上述のように調製されたろう付け組成物の懸濁液、ペーストは、例えば刷毛もしくはスパチュラ、または任意選択で自動化システムに固定されたシリンジを使用して、あるいは、接合され組み付けられる炭化ケイ素系材料製の部品の少なくとも1つの表面上にろう付けペーストの均一層を堆積させることができる任意の他の手段を使用して、均質、均一に、広げられ、コーティングされ、塗布される。次いで、接合され組み付けられる2つの部品1、2の、ペーストがコーティングされた表面を接触させる。図1に示されるこのろう付け構成は、ろう付け組成物のペースト3が、接合され組み付けられる部品の表面4、5の間に直接設置されるため、サンドイッチ構成と呼ばれる。好ましくは、このサンドイッチ構成において、本発明のろう付け組成物に関し、ろう付けペーストは均一に分布するべきではないが、互いに接触せずに過剰に密閉された構成を回避するろう付け合金のビーズろう付けビーズの形態で塗布されるべきであることが推奨される。この構成において使用されるろう付け組成物のペースト、懸濁液の量は、概して、10mg/cm2から60mg/cm2、例えば20mg/cm2である。サンドイッチ構成は、薄い、すなわち500マイクロメートル未満の厚さを有する接合部、および厚い、すなわち500マイクロメートル以上の厚さを有する接合部の両方に適用される。あるいは、図2に示されるように、例えばブロック21、22の形態の接合される部品を、その間にろう付け組成物を堆積させず、ただし、組み付けられ接合される部品の接合される表面により形成される接合部25の近辺に、懸濁液またはペーストを受容することができる自由表面24を形成するように、部品間に概して数mm、例えば1mm、2mmから10mmまでのギャップ、オフセット23を残して接触させ、次いで、ろう付け組成物の懸濁液またはペーストを、例えばろう付け合金のビーズ26の形態で、接合部の近辺または接合部の端部のこの表面上に堆積させる。ろう付け熱サイクル中、液体のろう付け組成物が、接合部内に浸透する。このろう付け構成は、毛管構成と呼ばれる。本発明のろう付け組成物により、サンドイッチ構成の場合のように、組み付けられる部品の間に直接ろう付け組成物を堆積させることなく、ろう付けサイクル中の液体ろう付け合金のろう付けされる接合部への浸透によって、前記毛管ろう付けを行うことが可能である。この毛管構成は、Ni-Si系においてさらにより好ましいが、これは、この構成により、ろう付け合金を用いて接合部のより良好な充填を得ることができるためである。この毛管構成において使用されるろう付け組成物のペースト、懸濁液の量は、概して、10mg/cm2から40mg/cm2、例えば20mg/cm2である。Ni-Si系を用いると、接合部に強化材を事前に設置する必要なしに、500μm未満の厚さを有する薄い接合部の毛管ろう付けが可能である。毛管ろう付けは、Ni-Siろう付け合金による接合部の良好な充填をもたらし、接合部厚は、表面欠陥を有するSiC/SiC複合材製の部品に対して、数ミクロンからほぼ500μmまで変動し得る。ろう付けの準備が整った部品は、次いで、炉等の加熱デバイス内に配置されるか、または任意の他の好適な手段を用いた加熱に供される。炉は、概して、真空下または中性ガス雰囲気中の黒鉛炉または金属炉である。概して、真空は高真空であり、すなわち圧力が10-3Paから10-5Pa、例えば10-4Paである。好ましくは、中性ガスはアルゴンである。本発明により、商業品質のアルゴン概して5ppmのO2を有するを使用することも可能である。接合される部品は、例えば炉内で、加熱サイクルに供される。したがって、部品およびろう付け組成物により形成された組付体は、好ましくは、周囲温度からの1つまたは複数の温度傾斜を有する緩やかな温度上昇に従って、ろう付け温度まで上昇され得る。この温度上昇は、例えば、1°C/分から5°C/分の温度傾斜を用いて得ることができる。ろう付けプラトーは、概して、ろう付け温度である、選択されたろう付け組成物、ろう付け合金の融点または液相線温度より少なくとも15°C、より好ましくは少なくとも30°C高い温度で行われる。多孔質のろう付けされる表面のろう付けの場合、例えば、SiC表面コーティングが十分厚くない複合材料の場合、ろう付け温度プラトー中に半固体状態のろう付け合金を得るために、ろう付け組成物の液相線と固相線との間の温度でろう付けを行うことが有用となり得る。すると、ろう付け合金は粘稠性となり、その細孔への浸透をより良好に制御することができる。このろう付け温度は、ろう付け組成物およびこの組成物中のNiおよびSiの相対的割合に依存して、概して1020°Cから1150°C、好ましくは1080°Cから1100°Cである。組成物に依存して、液相線温度は、概して、1005°Cから1125°Cまで変動し、したがって、ろう付け温度は、例えば上に指定したように1020°Cから1150°Cまで変動する。1020°Cの温度が最低ろう付け温度として挙げられているのは、方法が、融点とろう付け温度との間の差が15°Cであっても有効であるためであるが、大きなサイズの部品に対しては少なくとも30°Cの差が概して好ましく、その場合最低ろう付け温度は1055°Cである。同様に、最高ろう付け温度は1150°Cとなり得る。本発明の方法の別の利点によれば、組成物の前記融解温度により、850°Cまで、さらには880°Cまでの温度で組付体を使用することができる。驚くべきことに、本発明によるろう付け組成物のろう付け温度は、1150°C未満であるが、これらのろう付け組成物を用いて行われる液滴試験により示されるように、急速な濡れの運動学により、炭化ケイ素の優れた接着および非常に良好な濡れが得られ、したがって、1100°Cで30分間のろう付け後に40°未満の接触角を得ることが可能である実施例1および2を参照されたい。この優れた濡れは、接合部の良好な品質の充填を確実とするため、形成された接合部の良好な品質を達成するためには必須であるが、機械的な挙動の特性は予測不可能であるため、必ずしも良好な機械的挙動を保証することはできない。しかしながら、驚くべきことに、本発明のろう付け組成物を用いて作製された接合部はまた、優れた機械的特性を有する。上で定義されたろう付け温度1020°Cから1150°C、好ましくは1080°Cから1100°Cは、1分から150分、好ましくは30分から150分、より好ましくは60分から120分、最も好ましくは90分から120分の時間保持され、これはろう付けプラトーと呼ばれる。比較的多孔質のろう付け表面を有する材料の場合、例えば、SiCコーティングが十分厚くない複合材料の場合、接合部の充填に有害となるろう付け組成物の材料の細孔への過剰の浸透を防止するために、概して30分から150分である通常のろう付け時間を、数分の時間、すなわち、例えば1分から30分の時間に短縮することが有用となり得る。この場合、浸透を制限するために、一般に、最低ろう付け温度、すなわち概して1000°Cまたは1020°Cから1080°Cが推奨されることにも留意されたい。ろう付けプラトーの期間は、接合される部品のサイズに依存し、より具体的には、ろう付けされる表面のサイズに依存する。ろう付けされる広い表面積、すなわち典型的には少なくとも50×50mm2の表面積を有する非常に大きな部品に対しては、事実上この期間は150分に達し得る。本発明の方法のためのろう付けプラトーは、例えば、1100°Cの温度で60分から90分間行われてもよい。選択されたろう付けプラトーの特定の温度は、ろう付け合金の組成の関数である。大きいサイズの部品典型的には50×50mm2以上に対しては、接合される部品における熱的均質性を保証するために、例えば900°Cでの均質化プラトーが推奨され、さらには必須である。濡れの運動学は既に良好であるため、既に優れている濡れを促進する必要はなく、本発明のNi-Si組成物の場合のこの第1の温度プラトーは、本質的に、さらには唯一、均質化プラトーであることに留意されたい。このプラトーは、例えば約900°C付近の緩やかな温度上昇で置き換えられてもよい。第1のプラトーの期間およびろう付けプラトーの長さは、炉のサイズ、ろう付けされる部品のサイズ、およびろう付けされる部品を支持する工具に依存する。したがって均質化プラトーであるこの第1のプラトーは、既に上述した条件下で実際のろう付けプラトーを行う前に、概して、850°Cから910°C、例えば900°Cの温度で、1時間の最短推奨時間、期間、例えば60分から180分の時間観察される。毛管構成およびサンドイッチ構成の両方において、前記第1のプラトーは、小さいサイズの部品には必須ではない。前記第1のプラトーは、概して、大きいサイズの部品、すなわち、および概して50×50mm2を超えるろう付けされる表面を有する部品に対しては、接合される部品における熱的均質性を保証するために、これらの構成の両方において推奨され、さらには必須である。これらの温度プラトーの期間は増加されてもよく、例えば、非常に大きなサイズの部品、例えば0.5m2以上のろう付けされる表面積を有する部品に対しては、第1のプラトーを180分に設定し、第2のプラトーを150分に設定してもよい。あるいは、熱的均質化は、この第1のプラトーを省略し、概して850°Cから910°C、例えば約900°Cで、この温度範囲での組付体の暴露時間が例えば約60分から180分であるように、緩やかな温度上昇例えば0.5°C/分の速度でを行うことによって得ることもできる。第1のプラトーと同様に、前記の緩やかな温度上昇は、両方の構成において、大きなサイズの部品に対して望ましく、さらには必須である。ろう付けサイクルの終了時、ろう付けプラトーの後に、組付体は、例えば毎分5°Cまたは6°Cの速度で、周囲温度まで冷却される。冷却中、ろう付け合金は固化し、炭化ケイ素系材料製の部品の接合は、サンドイッチ構成が使用されるか、または毛管構成が使用されるかにかかわらず効果的となる。本発明の方法で形成された組付体を、周囲温度で圧縮/せん断試験に供した図4を参照されたい。焼結SiC/強化材を含まない本発明のNiSiろう付け合金/焼結SiCの結合部の場合、組付体に対して得られた破壊応力値は、26MPaおよび90MPaであり、これは、文献[3]において、65質量のニッケルおよび35質量のケイ素を含有するNiSiろう付け合金を用いて得られた値よりもはるかに高い、優秀な結果である。CerasepA40C登録商標型のCMC複合材SiCマトリックス、SiC繊維製の基板/強化材を含まない本発明のNiSiろう付け合金/CMC複合材の間の接合部の場合、得られた破壊応力値は約13MPaであり、ろう付け合金とCMCとの間の組付体の脆弱点は、化学気相堆積CVDにより調製されたSiCであるCMCコーティングに位置する。本発明の方法を使用して作製された接合部を備える炭化ケイ素製の部品の組付体により、850°C、さらには880°Cに達し得る高い使用温度を有する、複雑な形状の構造物、装置、構成要素を、非常に正確に得ることができる。炭化ケイ素の以下の特性:-高硬度、-高剛性、-低密度、-低膨張係数、-高破壊強度、-良好な耐熱衝撃性、-および非常に良好な伝導性により、この材料は、現在および将来の、特に高温での産業用途において必須材料となっていることが、事実上知られている。さらに、SiCは、フッ化水素酸を含む様々な酸に対する非常に良好な耐薬品性を有し、また、空気中1300°Cまでの高温での酸化に対する非常に良好な耐性を有する。換言すれば、本発明の方法は、特に、接合部における良好な機械的強度および十分な封止、耐漏洩性の両方を保証することにより、炭化ケイ素製の少なくとも2つの基板、部品の間のある程度耐火性の接合、組み付けを必要とする、任意のデバイス、装置、構造物、構成要素の製造に適用することができる。この種のデバイス、装置、構造物、構成要素は、以下の様々な分野における必要性を満たすことができる。-炭化ケイ素は良好な熱伝導性および極限環境中での高温に対する良好な耐性を有することから、特に高性能熱交換器の設計のための熱工学の分野。-摩耗および機械的応力に抵抗する軽量、剛性、耐火性の構成要素を得るための、オンボードデバイスを製造する機械工学の分野。-炭化ケイ素は、塩基および強酸等の多くの腐食性化学製品に対し耐性であることから、化学工学の分野。-核燃料用クラッディングの製造のための、核工学の分野。-空間光学SiC製の望遠鏡ミラーおよび航空学SiC/SiC複合材製の部品の分野。-SiC基板を使用するパワーエレクトロニクス。ここで、明らかに制限されない例示として示される以下の実施例を用いて、本発明を説明する。実施例実施例1この実施例は、原子百分率で64のSiおよび36のNi、すなわち質量で46のSiおよび54のNiの組成を含有する、本発明のろう付け組成物、ろう付け合金を用いて行った、1100°Cでの単一ろう付けプラトーを観察する焼結純α-SiC上での液滴試験を説明する。aろう付け組成物およびろう付けペーストの調製64原子のSiおよび36原子のNiの対象となるろう付け組成物を、純Si片および純Ni片から調製した。これらの材料片を、ろう付け組成物の割合に注意しながら秤量し、アルミナるつぼ内に設置した。組付体を金属炉内に設置し、アルゴン下、1250°Cで120分間のプラトーでの熱サイクルに供した。冷却後、インゴットが得られた。粉末を得るためにこのインゴットを粉砕した。この粉末の混合物に有機結合剤NICROBRAZ登録商標セメントを添加し、粘稠性のペーストを形成した。b1100°Cでの液滴試験このようにして調製されたろう付けペーストを使用して、重量約50mgのろう付け合金の小さな山を形成した。このろう付け合金の山を、事前に清浄化したSiCプレート上に堆積させた。ろう付け合金の山およびプレートの組付体を、ろう付け炉内、この場合金属炉内に設置し、高真空下、1100°Cでのろう付けプラトーである単一プラトーのみでのろう付け熱サイクルに供した。この熱処理中、ろう付け合金の山は溶融し、付着液滴と呼ばれる液滴を形成する。観察窓により、液滴の広がりをその場で監視することができる。液滴に対し、観察窓を通してその場で液滴の濡れ、接触角を測定した。濡れ角は、5分の保持時間後に約60°、20分後に約50°、および30分後に40°未満であったが、これは良好な濡れに相当する。次いで、SiCおよびその固化したろう付け合金の液滴を切断し、コーティングおよび研磨して、走査型電子顕微鏡下で観察した。SiC/ろう付け合金界面は、走査型電子顕微鏡スケールではいかなる反応性も示しておらず、すなわち新たな化合物の形成は観察されなかった。特に、界面において壊れやすい化合物の形成は観察されなかった。実施例2この実施例は、原子百分率で64のSiおよび36のNi、すなわち46質量のSiおよび54質量のNiの組成を有する、本発明のろう付け組成物、ろう付け合金を用いて行った、1100°Cでの単一ろう付けプラトーを観察するCerasepA40C登録商標SiC/SiC複合材上での液滴試験を説明する。aろう付け組成物およびろう付けペーストの調製対象となるろう付け組成物、64原子のSiおよび36原子のNiを、実施例1に示したように調製した。ろう付け組成物のペーストを、実施例1のように形成した。b1100°Cでの液滴試験調製されたろう付けペーストを使用して、質量約50mgのろう付け合金の小さな山を形成した。このろう付け合金の山を、SiCマトリックスおよびSiC繊維を用いたSiC/SiC複合材のプレート上に堆積させた。この複合材は、SnecmaPropulsionSolide社から、CERAA40C登録商標の商品名で入手可能である。ろう付け合金を堆積させる前に、このプレートを事前に清浄化した。ろう付け合金の山およびプレートの組付体を、ろう付け炉内、ここでは金属炉内に設置し、高真空下、1100°Cで60分間のろう付けプラトーである単一プラトーでのろう付け熱サイクルに供した。この熱処理中、ろう付け合金の山は溶融し、いわゆる付着液滴を形成する。観察窓により、液滴の広がりをその場で監視することができる。液滴に対し、窓を通してその場で液滴の濡れ、接触角を測定した。濡れ角は、5分の保持時間後に約40°、30分の保持時間後に30°、および60分の保持時間後に20°未満であったが、これは良好な濡れに相当する。次いで、複合材およびその固化したろう付け合金の液滴を切断し、コーティングおよび研磨して、走査型電子顕微鏡下で観察した。CMC/ろう付け合金界面は、走査型電子顕微鏡スケールではいかなる反応性も示しておらず、すなわち新たな化合物の形成は観察されなかった。特に、界面において壊れやすい化合物の形成は観察されなかった。実施例3この実施例は、本発明によるろう付け方法を用いた、焼結純α-SiC製の2つの部品間の結合、接合部の作製を説明するが、ろう付けは、原子で64のSi、3のNi、すなわち4質量のSiおよび5質量のNiで構成される本発明のろう付け組成物、ろう付け合金を使用して、毛管構成で行われる。この実施例はまた、試験、これらの組付体に対して行われた機械的試験を説明する。aろう付け組成物の調製、ろう付けペーストの調製および組み付けられ接合される部品の作製対象となるろう付け組成物、すなわち64原子のSiおよび36原子のNiを、実施例1に記載の様式で調製した。ろう付け組成物のペーストを、実施例1のように形成した。組み付けられる焼結SiC製の部品は、サイズ20×10mm2および厚さ1.5mmのプレートであった。部品を、アセトン、次いでエタノールで清浄化し、最後に乾燥させた。接合部の近辺にろう付けペーストを堆積させるための空間を残すように、1mmから2mmのわずかなオフセットを残して基板、部品を接触させたこの構成は、毛管構成と呼ばれる。接合部の端部の利用可能な表面上に、ろう付け合金のビーズの形態でペーストをスパチュラで堆積させた図2を参照されたい。堆積させたろう付け合金の量は、この組付体に対して20mgから30mgであった。bろう付けろう付けの準備が整った接触させた部品を、高真空下のろう付け炉この場合金属炉内に設置し、真空下で、ろう付けプラトーである1100°Cで60分の単一温度プラトーを含むろう付け熱サイクルに供した。熱サイクルを、図3に示す。c接合部の観察冷却後、組付体は良好に接合された。接合部を走査型電子顕微鏡により特性決定した。走査型電子顕微鏡下での観察スケールでは、空隙は観察されず、またSiCとろう付け合金との間の反応性は見られなかった。d機械的試験片の作製および機械的試験の結果それぞれ20×10×1.5mm3のサイズの2つの部品したがってろう付けされた試験片の厚さは1.51.5=3mmであった41、42を、上記aにおいて調製されたろう付けペーストを用いて、上記bに記載のろう付け条件下でろう付けすることにより、機械的試験用の組付体、試験片2つの試験片を作製した。セラミックの力学は統計的であるため、試験用に2つ以上の試験片を作製したが、同じ製造方法に従った。試験片を図4に図式化する。試験片をマウント上に保持し、周囲温度での圧縮/せん断試験43の間せん断に供した。この試験によって純粋なせん断を保証することはできないが、好ましい様式であることに留意されたい。しかしながら、この試験によって組付体間の比較が可能となる。機械的試験の結果2つの試験片のそれぞれに対し決定された破壊応力は、26MPaおよび90MPaであった。SiCにおいて破壊が生じたが、これは、ろう付け合金とSiC製の基板との間の強固な結合の特徴である。SiC/高Si含量のろう付け合金/SiC型の接合部、組付体の破壊応力値は、セラミック材料の壊れやすい性質のために、多かれ少なかれ分散し得ることに留意されたい。実施例4この実施例は、本発明のろう付け方法を用いた、CMC製の、より具体的には、SiCマトリックスおよびSiC繊維を用いたSiC/SiC複合材製の2つの部品間の結合、接合部、組付体の作製を説明するが、ろう付けは、原子で64のSiおよび36のNi、すなわち46質量のSiおよび54質量のNiで構成される本発明のろう付け組成物、ろう付け合金を使用して、毛管構成で行われる。この実施例はまた、試験、これらの組付体に対して行われた機械的試験を説明する。aろう付け組成物の調製、ろう付けペーストの調製および接合され組み付けられる部品の作製対象となるろう付け組成物、すなわち64原子のSiおよび36原子のNiを、実施例1に記載の様式で調製した。ろう付け組成物のペーストを、実施例1のように形成した。ろう付けされ、接合され、組み付けられる部品、基板は、SiCマトリックスおよびSiC繊維を用いたSiC/SiC複合材のプレートであった。前記複合材料は、SnecmaPropulsionSolide社から、CerasepA40C登録商標の商品名で入手可能である。これらのプレートは、サイズ20×10mm2および厚さ1.5mmであった。部品を、アセトン、次いでエタノールで清浄化し、最後に乾燥させた。接合部の近辺にろう付けペーストを堆積させるための空間を残すように、3mmのわずかなオフセットを残して基板、部品を接触させたこの構成は、毛管構成と呼ばれる。実施例3に記載のように、接合部の端部の自由で利用可能な表面上に、ろう付け合金のビーズの形態でペーストをスパチュラで堆積させた図2を参照されたい。堆積させたろう付け合金の量は、この組付体に対して180mgから220mgであった。CMC製のプレート間の隙間は、実施例3における焼結SiCのプレートの場合よりもはるかに大きかったため、このペーストの量は、実施例3の場合よりもはるかに多い。例えば、接合部の厚さは、CMCプレートの場合平面性の欠陥により500μmに達し得るが、SiCプレートの場合概して100μm未満である。bろう付け接触させ、ろう付けの準備が整った部品を、高真空下のろう付け炉内に設置し、ろう付けプラトーである1100°Cで60分から90分間の単一プラトーを含む真空ろう付け熱サイクルに供した。熱サイクルを、図3に示す。ろう付けは、金属炉内で1100°Cで60分のプラトーで、または黒鉛炉内で90分の温度プラトーで行った。c接合部の観察冷却後、組付体は良好に接合された。接合部を走査型電子顕微鏡下で特性決定した。走査型電子顕微鏡下での観察スケールでは、空隙は観察されず、またSiCとろう付け合金との間の反応性は見られなかった。接合部の厚さは、CMCの局所的コーティング欠陥および平面性の欠陥により、観察領域に依存して100μmから500μmであった。d機械的試験片の作製および機械的試験の結果それぞれ20×10×1.5mm3のサイズの2部の被検試料を、上記aにおいて調製されたろう付けペーストを用いて、上記bに記載のろう付け条件下でろう付けすることにより、機械的試験用の組付体、試験片3つの試験片を作製した。2つの組付体を、金属炉内で1100°Cで60分のプラトーでろう付けした。1つの組付体を、黒鉛炉内で1100°Cで90分のプラトーでろう付けした。試験片は、実施例3における試験片と同様のサイズであり、圧縮/せん断下で同様に試験した。機械的試験の結果:3つの試験片のそれぞれに対し決定された破壊応力は、11MPa、12MPaおよび13MPaであった。1つの試験片において、CMCからのSiCコーティングの剥離により破壊が生じた。したがって、このコーティングは、CMC/ろう付け合金/CMC組付体の脆弱点であることが分かる。他の2つの試験片においては、測定された応力は、複合材の劣化の開始に対応した。