式II[式中、フェニルが置換したテトラヒドロイソキノリン1位の立体化学は体及び体の混合物であることを示す。]で示される化合物にコハク酸を作用させることを特徴とする、コハク酸ソリフェナシンの製造法。アルコール類及びエステル類の混合溶媒中で行われることを特徴とする、請求項1に記載の製造法。エタノール及び酢酸エチルの混合溶媒中で行われることを特徴とする、請求項2に記載の製造法。しかしながら、後述するように、ソリフェナシン又はその塩の製造法X及び製造法Yには様々な問題点があったため、工業的生産上、より効率的なソリフェナシン又はその塩の製造法の開発が望まれていた。本発明者らは、ソリフェナシン又はその塩の別途製造法について鋭意検討した結果、以下に示す製造法により、ソリフェナシン又はその塩を効率よく製造できることを見出し、本発明を完成させた。即ち、本発明によれば、以下に示すソリフェナシン又はその塩の新規製造法が提供される。1.式I[式中、Lvは1Hイミダゾール1イル、25ジオキソピロリジン1イルオキシ、3メチル1Hイミダゾール3イウム1イル若しくはクロロを示す。]で示される化合物と、キヌクリジン3オールとを縮合させることを特徴とする、ソリフェナシン又はその塩の製造法。Lvとしては、1Hイミダゾール1イルが好ましい。2.式II[式中、フェニルが置換したテトラヒドロイソキノリンの1位の立体化学は体及び体の混合物であることを示す。]で示される化合物にコハク酸を作用させることを特徴とする、コハク酸ソリフェナシンの製造法。3.式III[式中、R1は置換されていてもよい低級アルキルを示す。]で示される化合物と、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン又はその塩とを縮合させることを特徴とする、ソリフェナシン又はその塩の製造法。R1としては、エチルが好ましい。4.式IV[式中、R2はそれぞれ置換されていてもよい2級低級アルキル若しくは3級低級アルキルを示す。]で示される化合物と、キヌクリジン3オールとを、アルカリ金属低級アルコキシド存在下に反応させることを含む、ソリフェナシン又はその塩の製造法。R2としては、イソプロピル、若しくはtertブチルが好ましい。また、アルカリ金属低級アルコキシドの低級アルコキシドとしては、2級低級アルコキシド若しくは3級低級アルコキシドが好ましく、R2に対応する2級低級アルコキシド若しくは3級低級アルコキシドが特に好ましい。1製造法1[式中、Lvは1Hイミダゾール1イル、25ジオキソピロリジン1イルオキシ、3メチル1Hイミダゾール3イウム1イル若しくはクロロを示す。]本製造法は、前記製造法Yで製造原料として用いた1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸エチルエステルに代えて、21フェニル1234テトラヒドロイソキノリン、11フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2イルカルボニルオキシピロリジン25ジオン、21フェニル1234テトラヒドロイソキノリン、若しくは1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2イルカルボニルクロリドを用いるソリフェナシンの製造法である。製造法Yにおいては、製造原料としてエチルカルボキシラートを用いるため、エタノールEtOHが副生し、副生したEtOHは、塩基存在下で目的物であるソリフェナシンに対して求核攻撃する。そのため、例えばトルエンとの共沸等により、反応系中からEtOHを除去しながら反応を行う必要があるため、その反応の制御、特にその溶媒の蒸留による留去量の制御が不可欠であり、その制御は非常に困難であった。しかし、本製造法によればイミダゾール、1ヒドロキシピロリジン25ジオン、3メチル1Hイミダゾール3イウム、若しくは塩酸が副生するが、副生するこれらの化合物は塩基存在下で目的物であるソリフェナシンに対して求核攻撃せず、それらの反応の制御の必要がない。また、ある同程度の規模で製造法Yと21フェニル1234テトラヒドロイソキノリンを用いる製造法とを比較すると、製造法Yでは8時間程度の反応時間を要し、その上、製造原料である1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸エチルエステルが515程度残留してしまうのに比べ、本製造法では反応時間が3時間程度に短縮でき、その上、製造原料である21フェニル1234テトラヒドロイソキノリンは03程度しか残留しないことを見出した。さらに、ソリフェナシンは2つの不斉中心を有するため、4種類の光学異性体が存在するが、製造法Yでは望まない光学異性体の生成量が7程度であったのに比べ、本製造法では望まない光学異性体の生成量は1以下であった。従って、本製造法は、i反応副生物を反応系中から除去する必要がないため反応制御が容易である点、ii反応時間が大幅に短縮できる点、iii反応終結における製造原料の残留が大幅に低減できる点、iv副反応による望まない光学異性体の生成を大幅に低減できる点で、製造法Yと比較して優れた製造法である。2製造法2本製造法は、ジアステレオ混合物である1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸キヌクリジン3イルエステルを原料として、コハク酸による造塩に伴って光学分割を行い、光学活性なコハク酸ソリフェナシンを製造する方法である。従来、ソリフェナシン又はその塩の製造に当たっては、光学活性な1フェニル1234テトラヒドロイソキノリンユニットと、光学活性なキヌクリジン3オールユニットを結合させソリフェナシンを製造し、必要に応じてその光学活性なソリフェナシンに造塩反応を行い、光学活性なソリフェナシン又はその塩を製造していた。しかし、製造原料として用いる光学活性な1フェニル1234テトラヒドロイソキノリンユニットを製造するためには、例えば酒石酸を用いた光学分割や、不斉触媒を用いた反応、キラルカラムによる分割等の操作が必須であった。また、これら光学活性体として製造する際に必要となる操作は、工業的生産過程において工程数を増加させるばかりか、操作を煩雑化させる一因となりうる。一方、本製造法によれば、造塩反応を行う前の1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸キヌクリジン3イルエステルとして、テトラヒドロイソキノリン1位のジアステレオ混合物を用いることができるため、光学活性な1フェニル1234テトラヒドロイソキノリンユニットを製造する際に必要な不斉中心を有する酸を用いた造塩、光学分割、及びそれに続く脱塩;高価な不斉触媒を用いる不斉合成;並びに/又はキラルカラムによる分離;等の工程を省略できる。即ち、本製造法によれば、工業的生産過程において工程数を短縮でき、より効率的にコハク酸ソリフェナシンを製造できる。また、ジアステレオ混合物を、コハク酸のごとき不斉中心を有さない酸若しくは塩基で造塩する操作のみで、所望の一方の光学異性体のみが分離できることは極めて意外である。従って、本製造法は、iソリフェナシンの製造原料となる1フェニル1234テトラヒドロイソキノリンユニットを光学活性体として製造する必要がないため、光学活性体として製造する際に必要となる操作が不要となる点で、効率的かつ優れた製造法であり、iiジアステレオ混合物である1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸キヌクリジン3イルエステルを、不斉中心を有さないコハク酸により造塩することにより、所望の一方の光学異性体であるコハク酸ソリフェナシンを分離できる点で、極めて意外な製造法である。3製造法3[式中、R1は置換されていてもよい低級アルキルを示す。]本製造法は、前記製造法Xで製造原料として用いたキヌクリジン3イルクロロホルマートに代えて、炭酸低級アルキルキヌクリジン3イルエステルを用いるソリフェナシンの製造法である。製造法Xにおいては、製造原料としてクロロホルマートを用いており、このクロロホルマートはキヌクリジン3オールとホスゲン若しくはホスゲン誘導体とから製造される。ホスゲン誘導体としては、ジホスゲン、トリホスゲンを挙げることができる。しかし、ホスゲンは吸入した場合、呼吸器障害を起こすことが知られており、工業的生産で使用することは難しい。例えジホスゲンやトリホスゲンのようなホスゲン誘導体を使用した場合でも、分解すると容易にホスゲンを生成することから、工業的生産に向いているとはいえない。さらに、この種の反応はアルゴンや窒素等の不活性なガス雰囲気下、非水条件で反応を制御する必要があるため操作が煩雑となる。また、キヌクリジニルクロロホルマートは分解しやすいことから、用時調製が必要となる。一方、本製造法によれば、活性種として炭酸低級アルキルキヌクリジンエステルを用いており、これはキヌクリジノールと低級アルキルクロロカルボナートから工業生産上、安全に、また容易にかつ高収率で製造することができ、炭酸低級アルキルキヌクリジンエステルは低温乃至常温で安定であるため、用時調製の必要がない。従って、本製造法は、i極めて毒性の高いホスゲン若しくはホスゲン誘導体を使用しないため、工業生産上、安全性において優れている点、ii活性種である炭酸低級アルキルキヌクリジンエステルの製造において、不活性ガス雰囲気及び非水条件を必要とせず、製造工程が煩雑とならない点、iii活性種である炭酸低級アルキルキヌクリジンエステルが低温乃至常温で安定であるため、保管が可能であり、用時調製の必要がない点で、製造法Xと比較して優れた製造法である。4製造法4[式中、R2はそれぞれ置換されていてもよい2級secondary低級アルキル若しくは3級tertiary低級アルキルを示す。]本製造法は、前記製造法Yで塩基として用いた水素化ナトリウムに代えて、アルカリ金属低級アルコキシドを用い、かつ、前記製造法Yで製造原料として用いた1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸エチルエステルに代えて、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸のそれぞれ置換されていてもよい2級secondary低級アルキル若しくは3級tertiary低級アルキルエステルを用いるソリフェナシンの製造法である。製造法Yにおいては、発火の危険性があり、含有されるミネラルオイルの混入等の問題を有する水素化ナトリウムを用いている。しかし、本製造法では、それらの問題のないアルカリ金属低級アルコキシドを用いることを特徴としている。また、下記参考例2、参考例3及び参考例4に示すように、製造原料として1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸のエチルエステル、メチルエステル又はベンジルエステルのごとき置換されていてもよい1級低級アルキルのエステルを用いてソリフェナシンを製造した場合、ソリフェナシン2位、即ちキヌクリジン2位に置換されていてもよい1級低級アルキルが付加した化合物が不純物として副生することが確認された。一方、本製造法では、製造原料として1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸のそれぞれ置換されていてもよい2級低級アルキル若しくは3級低級アルキル、即ちR2のエステルを用いることにより、参考例2、参考例3及び参考例4で見られたような、ソリフェナシン2位、即ちキヌクリジン2位に低級アルキルが付加した化合物の副生は見られなかった。特に、アルカリ金属低級アルコキシドの低級アルコキシドとして、2級低級アルコキシド若しくは3級低級アルコキシド、さらには、R2に対応する低級アルコキシドを用いた場合に、上記キヌクリジン2位に低級アルキルが付加した化合物の副生は見られなかった。従って、本製造法は、i工業的生産における危険性の低減したアルカリ金属低級アルコキシドを用いることができる点で製造法Yと比較して優れた方法であり、ii製造原料として1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸のエチルエステル、メチルエステル又はベンジルエステルのごとき置換されていてもよい1級低級アルキルのエステルを用いる製造法と比較して、製造原料として1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸のそれぞれ置換されていてもよい2級低級アルキル若しくは3級低級アルキルのエステルを用いた本製造法により製造されるソリフェナシン含有組成物にキヌクリジン2位に低級アルキルが付加した化合物が副生しない点で、極めて意外な製造法である。本発明をさらに説明すると以下の通りである。本明細書中、低級アルキルとは、C16の鎖状若しくは分枝状のアルキルを意味し、具体的には、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、イソプロピル、tertブチル等を挙げることができる。従って、1級低級アルキルとは、具体的には、メチル、エチル、nプロピル、nブチル、2メチルプロパン1イル等を挙げることができ、2級低級アルキル若しくは3級低級アルキルとは、具体的には、イソプロピル、ブタン2イル、ペンタン3イル、tertブチル、2メチルブタン2イル、3メチルペンタン3イル等を挙げることができる。また、低級アルコキシドとは、上記低級アルキルに対応するO低級アルキルである。従って、1級低級アルコキシドとは、具体的には、メトキシ、エトキシ、nプロポキシ、nブトキシ、2メチルプロパン1イルオキシ等を挙げることができ、2級低級アルコキシド若しくは3級低級アルコキシドとは、具体的には、2プロポキシ、ブタン2イルオキシ、ペンタン3イルオキシ、tertブトキシ、2メチルブタン2イルオキシ、3メチルペンタン3イルオキシ等を挙げることができる。R1及びR2において許容される置換基としては、通常低級アルキルに置換が許容されるものであればいずれの基でもよいが、具体的には、フェニル等を挙げることができる。なお、1級低級アルキルにおいては、その結合手を有する炭素原子に、水素原子が少なくとも2つ置換しているものとする。アルカリ金属低級アルコキシドとは、上記低級アルキルに対応するアルコールとアルカリ金属との塩を示し、アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等を挙げることができ、好ましくはナトリウム若しくはカリウムである。アルカリ金属低級アルコキシドとしては、具体的には、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムプロポキシド、ナトリウムイソプロポキシド、ナトリウムブトキシド、ナトリウムtertブトキシド、ナトリウムベンジルオキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムtertブトキシド等を挙げることができる。なお、製造に用いるアルカリ金属低級アルコキシドは、その製造原料の分子中に存在するO低級アルキル基に対応したアルカリ金属低級アルコキシドを用いることが好ましい。塩基とは、キヌクリジノールの水酸基若しくはテトラヒドロイソキノリンのアミノ基が、求核攻撃を行うに足る塩基であればいずれでもよく、具体的には例えば、アルカリ金属低級アルコキシド;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のヒドロキシド;水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム等のヒドリド;トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン等の3級アミン;リチウムジイソプロピルアミド、カリウムヘキサメチルジシラジド、ナトリウムヘキサメチルジシラジド、ブチルリチウム等のアルカリ金属試薬;等を挙げることができ、4ピリジン等の触媒を添加して製造することもできる。ソリフェナシン又はその塩におけるその塩とは、ソリフェナシンと製薬学的に許容される酸との塩であればいずれでもよく、具体的には、ソリフェナシンと、塩酸、硫酸等の無機酸;コハク酸、酢酸、シュウ酸、マロン酸等の有機酸;との酸付加塩を挙げることができる。ソリフェナシン又はその塩として好ましくは、ソリフェナシン、又はコハク酸ソリフェナシンである。また、本明細書において示される含有率は、いずれもソリフェナシン又はその塩を100とした場合の、HPLC分析によるその面積の割合を示しており、HPLC分析の条件は後述の実施例に示す条件、若しくはそれに準じた条件で測定された含有率である。なお、それぞれの物質は付加塩が除去された塩基性物質として検出される。また、本発明は、ソリフェナシン、その製造原料、及び/又は上記Iで示されるソリフェナシン誘導体を構成する原子の一部又は全部を放射性同位元素で置き換えた化合物、いわゆるラベル体を用いた製造法、組成物をも包含する。製造法1は、21フェニル1234テトラヒドロイソキノリン、11フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2イルカルボニルオキシピロリジン25ジオン、21フェニル1234テトラヒドロイソキノリン、若しくは1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2イルカルボニルクロリドとキヌクリジン3オールとを、塩基存在下に反応させるソリフェナシンの製造法である。反応は、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル類;ジクロロメタン、12ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類;NNジメチルホルムアミドDMF、NNジメチルアセトアミド、Nメチルピロリドン、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒;等の反応に不活性な溶媒中又はそれらの混合物中、当該製造原料を等モル乃至一方を過剰量用い、冷却下乃至室温下、室温下乃至加熱下、若しくは加熱下乃至還流下に行うことができ、加熱下乃至還流下に行うことが好ましい。塩基は等量乃至過剰量用いることができ、ヒドリド、好ましくは水素化ナトリウムを用いて反応を行うことが好ましい。なお、上記式中、1Hイミダゾール1イル、25ジオキソピロリジン1イルオキシ、3メチル1Hイミダゾール3イウム1イル、若しくはクロロを示すLvとして、好ましくは1Hイミダゾール1イル、25ジオキソピロリジン1イルオキシ、若しくは3メチル1Hイミダゾール3イウム1イルであり、1Hイミダゾール1イルがもっとも好ましい。また、21フェニル1234テトラヒドロイソキノリン、11フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2イルカルボニルオキシピロリジン25ジオン、21フェニル1234テトラヒドロイソキノリン、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2イルカルボニルクロリドは、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリンと、それぞれ11カルボニルジイミダゾール、NNジスクシニミジルカルボナート、ホスゲン若しくはホスゲン誘導体及び1メチルイミダゾール、ホスゲン若しくはホスゲン誘導体とを常法に従って縮合させて製造することができる。製造法2は、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸キヌクリジン3イルエステルに対して、コハク酸を作用させるコハク酸ソリフェナシンの製造法である。反応に使用される溶媒は、ソリフェナシンのごとき塩基性物質を、その酸付加塩へ導く反応において常用される溶媒であればいずれでもよく、有機溶媒、水、若しくはこれらの混合物を挙げることができる。より具体的には、メタノール、EtOH、1プロパノール、2プロパノール、1ブタノール、2ブタノール、tertブタノール等のアルコール類;酢酸エチルEtOAc、酢酸nプロピル、酢酸nブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等のエステル類;エーテル類;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;非プロトン性極性溶媒;アセトニトリル;ハロゲン化炭化水素類;芳香族炭化水素類;ヘキサン、ヘプタン等の飽和炭化水素類;水等、又はこれらから選択される任意の種類の溶媒の混合溶媒を挙げることができる。好ましくは、アルコール類及びエステル類の混合溶媒であり、その中でも、EtOHとEtOAcの混合溶媒が特に好ましい。コハク酸は等量乃至過剰量用いることができる。また、コハク酸を添加し、溶解させる際には、過熱して溶解させることもできる。得られた溶液を冷却し、析出物を常法により濾取し、適切な溶媒を用いて洗浄後、乾燥することにより、望む一方の立体異性体である、コハク酸ソリフェナシンが得られる。この際、その工程の規模にもよるが、冷却速度は急激でない方が望ましい。また、洗浄に用いる溶媒は、コハク酸ソリフェナシンに対する溶解度が大きくない溶媒であればいずれも使用できるが、好ましくはエーテル類、エステル類、アルコール類、又はこれらの溶媒からなる群より選択される2つ以上の溶媒の混合溶媒が好ましい。乾燥は、加熱下、減圧下、若しくは加熱減圧下に行うこともできる。また、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸キヌクリジン3イルエステルは、例えば特許文献1記載の方法を援用することにより製造することができるが、具体的には以下のような製造法を挙げることができる。ひとつには、工程1による製造法を挙げることができる。Aで示されるラセミ体のテトラヒドロイソキノリン若しくはその塩に対し、市販のキヌクリジン3オールから1段階で誘導される、Cで示されるキヌクリジン3イルクロロホルマート若しくはその塩を、塩基存在下若しくは塩基性溶媒中反応させることによりラセミ化合物Iを製造することができる。詳細には、例えば、上述の特許文献1実施例7記載の方法を援用することができる。別の態様としては、工程2-1乃至2-2による製造法を挙げることができる。Aで示されるラセミ体のテトラヒドロイソキノリン若しくはその塩に対し、Dで示されるクロロギ酸エチルを、塩基存在下若しくは塩基性溶媒中反応させることにより得られる、Bで示されるカーバマートに対し、市販のキヌクリジン3オールを塩基存在下若しくは塩基性溶媒中反応させることによりラセミ化合物Iを製造することができる。詳細には、例えば、上述の特許文献1参考例1又は実施例8の方法を援用することができる。また、本発明のソリフェナシンの製造法1、製造法3、若しくは製造法4を援用して、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸キヌクリジン3イルエステルを製造することもできる。製造法3は、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリンと炭酸低級アルキルキヌクリジン3イルエステルとを、塩基存在下に反応させるソリフェナシンの製造法である。反応は、芳香族炭化水素類;エーテル類;ハロゲン化炭化水素類;非プロトン性極性溶媒;等の反応に不活性な溶媒中又はそれらの混合物中、当該製造原料を等モル乃至一方を過剰量、好ましくは等モル用いて行うことができる。また、反応温度は、冷却下乃至室温下、室温下乃至加熱下、若しくは加熱下乃至還流下に行うことができ、還流下、溶媒を留去しながら行うことが好ましい。塩基は触媒量乃至過剰量用いることができ、好ましくは0120等量、より好ましくは0110等量、さらに好ましくは0206等量である。アルカリ金属低級アルコキシド、好ましくはR1に対応するアルカリ金属低級アルコキシドを用いて反応を行うことが好ましい。製造法4は、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸2級低級アルキル若しくは3級低級アルキルエステルとキヌクリジン3オールとを、アルカリ金属低級アルコキシド存在下に反応させるソリフェナシンの製造法である。反応は、芳香族炭化水素類;エーテル類;ハロゲン化炭化水素類;非プロトン性極性溶媒等の反応に不活性な溶媒中又はそれらの混合物中、当該製造原料を等モル乃至一方を過剰量用い、冷却下乃至室温下、室温下乃至加熱下、若しくは加熱下乃至還流下に行うことができ、還流下、溶媒を留去しながら行うことが好ましい。アルカリ金属低級アルコキシドは触媒量乃至過剰量用いることができ、好ましくは0112等量、より好ましくは01504等量のアルカリ金属低級アルコキシドを用いることが望ましく、R2に対応するアルカリ金属低級アルコキシドを用いて反応を行うことが好ましい。以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら制限されるものではない。参考例11フェニル1234テトラヒドロイソキノリン400kg及びトルエン40Lの混合物に、水8L及び炭酸カリウム317kgの混合物を加え、クロロギ酸エチル249kgを滴下して加え、2時間攪拌した。この反応溶液に水20Lを加え、水層を分離し、有機層を水20Lで洗浄した。溶媒を減圧下留去後、さらにトルエン437L、DMF49Lを加え、キヌクリジン3オール264kg及び水素化ナトリウム0188kgを室温にて加え、溶媒を留去しながら8時間加熱した。この反応溶液にトルエン49L、水25Lを加え、室温に冷却後、水層を分離し、有機層を水25Lで洗浄した。さらにこの有機層を、4塩酸49Lで抽出し、得られた水層に炭酸カリウム58kgを加え、EtOAc49Lで抽出し、有機層を減圧濃縮し、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸キヌクリジン3イルエステル以下、ソリフェナシンという。532kgを得た。参考例1で得られたソリフェナシンの光学異性体含有量を、ソリフェナシンを100とした場合の含有率として表1に示す。また、参考例1で得られたソリフェナシンの光学異性体である化合物A、化合物B及び化合物Cに係る組成の定量の測定データを図1に示す。なお、化合物A、化合物B及び化合物Cは以下の構造を有する。なお、化合物A、化合物B及び化合物Cの定量は、以下の方法で行った。得られた組成物025gを、ヘキサン/2プロパノールの混液1:1に溶解させ、全量を100mLとして試料溶液とした。この試料溶液1mLに、さらにヘキサン/2プロパノールの混液1:1を加え、全量を100mLとして標準溶液とした。試料溶液及び標準溶液10μLを、次の条件で液体クロマトグラフ法により試験を行い、それぞれの溶液の各々のピーク面積を自動積分法により測定し、次の式により不純物量を算出した。各々の不純物の含有率ATi/AS[式中、ATiは試料溶液の各々の不純物のピーク面積、ASは標準溶液のソリフェナシンのピーク面積を示す。]<試験条件>検出器:紫外吸光光度計測定波長:220nmカラム:CHIRALPAKADH250mm×46mmIDDaicelChemical社製カラム温度:20°C移動相:ヘキサン/2プロパノール/ジエチルアミン混液800:200:1流量:ソリフェナシンの保持時間が約35分になるように調整約1mL/分参考例21フェニル1234テトラヒドロイソキノリン120kg及びトルエン600Lの混合物に、水360L及び炭酸カリウム832kgの混合物を加え、10°Cに冷却後、クロロギ酸エチル653kgを滴下して加え、25°Cで2時間攪拌した。水層を分離し、有機層を水360Lで洗浄した。溶媒を減圧下290L留去後、さらにトルエン1320L、DMF81Lを加え、キヌクリジン3オール875kg及びナトリウムエトキシド78kgを室温にて加え、溶媒を留去しながら8時間加熱した。この反応溶液にトルエン480L、水400Lを加え、室温に冷却後、水層を分離し、有機層を水400Lで洗浄した。さらにこの有機層を、濃塩酸774kg、水440Lで抽出し、得られた水層に、炭酸カリウム1268kg及び水320Lの混合物を加え、EtOAc810Lで抽出した。この有機層を水160Lで洗浄後、EtOH160L、EtOAc240Lを加えた。この溶液の溶媒を、常圧蒸留により820L留去し、ソリフェナシンを含有するEtOAc溶液5278kgを得た。参考例2で得られたソリフェナシン含有EtOAc溶液の、ソリフェナシンの光学異性体含有量を、ソリフェナシンを100とした場合の含有率として表1に示す。また、参考例2で得られたソリフェナシン含有EtOAc溶液の、ソリフェナシンの光学異性体である化合物A、化合物B及び化合物Cに係る組成の定量の測定データを図2に示す。参考例2で得られたソリフェナシンの化合物Dの含有量を、ソリフェナシンを100とした場合の含有率として表2に示す。なお、化合物Dは以下の構造を有する。なお、化合物Dの定量は、以下の方法で行った。上記参考例2で得られた組成物005gを、リン酸水素二カリウム87gを水に溶かして1000mLとした液にリン酸を加えてpHを60に調整した液700mLにアセトニトリル300mLを加えた液以下、液Pと言う。に溶解させ、全量を100mLとして試料溶液とした。この試料溶液1mLに、さらに液Pを加え、全量を100mLとして標準溶液とした。試料溶液及び標準溶液10μLを、次の条件で液体クロマトグラフ法により試験を行い、それぞれの溶液の各々のピーク面積を自動積分法により測定し、次の式により不純物量を算出した。各々の不純物の含有率ADTi/ADS[式中、ADTiは試料溶液の各々の不純物のピーク面積、ADSは標準溶液のソリフェナシンのピーク面積を示す。]<試験条件>検出器:紫外吸光光度計測定波長:210nmカラム:DevelosilODSUG5150mm×46mmIDNomuraChemical社製又は同等のものカラム温度:40°C移動相:リン酸水素二カリウム87gを水に溶かして1000mLとした液にリン酸を加えてpHを60に調整した液650mLにアセトニトリル200mL、2プロパノール100mL、メタノール50mLを加えた液流量:約1mL/分参考例3トルエン90mL、DMF45mLの混合物中、ナトリウムメトキシド036g存在下、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸メチルエステル900gとキヌクリジン3オール514gとを、溶媒を留去させながら8時間反応させ、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸2メチルキヌクリジン3イルエステル以下、化合物Eを含有するソリフェナシン溶液を得た。参考例3で得られたソリフェナシンの化合物Eの含有量を、ソリフェナシンを100とした場合の含有率として表2に示す。なお、化合物Eの定量は、以下の方法で行った。上記参考例3で得られた組成物001gを、液Pに溶解させ、全量を10mLとして試料溶液とした。この試料溶液10μLを、次の条件で液体クロマトグラフ法により試験を行い、ピーク面積を自動積分法により測定した。<試験条件>検出器:紫外吸光光度計測定波長:210nmカラム:DevelosilODSUG5150mm×46mmIDNomuraChemical社製カラム温度:40°C移動相:液P流量:約1mL/分参考例4トルエン125mL、炭酸カリウム198g、水75mLの混合物中、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン250g及びベンジルクロリドカルボナート245gを加え、20°Cで4時間攪拌し、有機層を水75mLで洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製後、乾燥し、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸ベンジルエステル380gを得た1HNMRDMSOd6、テトラメチルシラン内部標準:δ273283284294331341386396512518628710738質量スペクトル:mz344MHベンジルアルコール019gと金属ナトリウム004gより調整されたナトリウムベンジルアルコキシド、トルエン15mL、DMF075mLの混合物中、キヌクリジン3オール133gと1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸ベンジルエステル300gを、溶媒を留去しながら8時間反応させ、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸2ベンジルキヌクリジン3イルエステル以下、化合物Fを含有するソリフェナシン138gを得た。参考例4で得られたソリフェナシンの化合物Fの含有量を、ソリフェナシンを100とした場合の含有率として表2に示す。なお、化合物Fの定量は、以下の方法で行った。上記参考例4で得られた組成物003gに液Pを加え、全量を10mLとして試料溶液とした。この試料溶液1mLに、さらに液Pを加え、全量を200mLとして標準溶液とした。試料溶液及び標準溶液20μLを、次の条件で液体クロマトグラフ法により試験を行い、それぞれの溶液の各々のピーク面積を自動積分法により測定し、次の式により不純物量を算出した。各々の不純物の含有率ATi/AS/2[式中、ATiは試料溶液の各々の不純物のピーク面積、ASは標準溶液のソリフェナシンのピーク面積を示す。]<試験条件>検出器:紫外吸光光度計測定波長:210nmカラム:ODSAA302150mm×46mmIDYMC社製カラム温度:40°C移動相:液P流量:約1mL/分実施例1A1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン500g、トルエン25mLに11カルボニルジイミダゾール426gを加え、室温で30分攪拌した。水25mLを加えて水層を分離し、有機層を水25mLで洗浄、溶媒を減圧下留去した。残渣にトルエン10mLを加えた。この溶液を、キヌクリジン3オール365g、トルエン25mL、DMF5mLの混合物に水素化ナトリウム100gを室温にて加え、100°Cに加熱した溶液に滴下し、さらにトルエン5mLを加えた。110°Cで3時間加熱し、冷却して水25mLを加えて水層を分離した。再度水25mLで洗浄し、有機層を濃塩酸325g及び水18mLの混合物で抽出した。得られた水層にEtOAc34mL、炭酸カリウム528g及び水14mLの混合物を加え、得られた有機層を水7mLで洗浄したあと、溶媒を減圧下留去し、ソリフェナシンを得た。得られたソリフェナシンに、EtOH12mL、EtOAc28mLを、さらにコハク酸274gを加えて加熱し、30°Cに冷却後、再度50°Cまで加熱した。50°Cで2時間保持したあと、5時間かけて0°Cに冷却し、析出した結晶を濾取、EtOAc8mLで2回洗浄して減圧下乾燥し、コハク酸ソリフェナシン9013gを無色結晶として得た。実施例1Aで得られたコハク酸による造塩前のソリフェナシンの光学異性体含有量を、ソリフェナシンを100とした場合の含有率として表1に示す。また、実施例1Aで得られたコハク酸による造塩前のソリフェナシンの化合物A、化合物B及び化合物Cに係る組成の定量の測定データを図3に示す。実施例1B1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン200g、トリエチルアミン048gをトルエン20mLに溶解し、トリホスゲン142gを徐々に加え、室温で2時間攪拌した。この反応溶液に、さらにトリエチルアミン060gを加え、終夜攪拌した。この反応溶液に、メタノール10mL及び水20mLを加えて水層を分離した。有機層を水20mLで洗浄し、得られた有機層を減圧濃縮し、油状物を得た。キヌクリジン3オール146gをトルエン15mLに溶解し、還流下、水素化ナトリウム046gを加え、さらに上記で得られた油状物をトルエン10mLに溶解した溶液を徐々に滴下し、終夜還流することにより、ソリフェナシンが生成することを確認した。実施例21フェニル1234テトラヒドロイソキノリン500g、トルエン25mLに炭酸カリウム347g及び水15mLの混合物を加え15°Cに冷却し、クロロギ酸エチル272gを滴下し、25°Cで1時間攪拌した。水層を分離し、有機層を水15mLで洗浄し、溶媒を減圧下留去した。得られた残渣にトルエン67mL、DMF3mL、キヌクリジン3オール365g、ナトリウムエトキシド033gを室温にて加え、溶媒を留去しながら8時間加熱した。反応液を冷却し、トルエン20mL、水17mLを加えて洗浄し、再度水17mLで洗浄後、有機層を濃塩酸325g及び水18mLの混合物で抽出した。得られた水層にEtOAc34mL、炭酸カリウム528g及び水14mLの混合物を加え、得られた有機層を水7mLで洗浄したあと、溶媒を減圧下留去し、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸キヌクリジン3イルエステルを得た。得られた1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸キヌクリジン3イルエステルにEtOH6mL、EtOAc14mL、コハク酸130gを加えて加熱溶解し、50°Cまで冷却して、実施例1Aと同様にして製造したコハク酸ソリフェナシンの種晶0003gを加えた。この混合物を30°Cに冷却後、再度50°Cまで加熱した。50°Cで2時間保持したあと、5時間かけて0°Cに冷却し、析出した結晶を濾取、EtOAc10mLで洗浄して減圧下乾燥し、コハク酸ソリフェナシン2855gを無色結晶として得た。さらに、析出した結晶を濾取した後の濾液を減圧濃縮し、残渣にトルエン10mLを加えて、再度減圧濃縮した。この残渣にトルエン20mLを加え、炭酸カリウム500g及び水10mLの混合物を加え、得られた有機層を水10mLで洗浄し、減圧濃縮した。残渣にトルエン30mL、カリウムtertブトキシド191gを加え、100°Cで5時間攪拌し冷却した後、水15mLで2回洗浄し、得られた有機層を減圧濃縮した。EtOH5mL、EtOAc11mL、コハク酸111gを加えて加熱溶解し、40°Cまで冷却して、実施例1Aと同様にして製造したコハク酸ソリフェナシンの種晶0002gを加えた。0°Cに冷却後、析出した結晶を濾取、EtOAc10mLで洗浄して減圧下乾燥し、コハク酸ソリフェナシン1263gを無色結晶として得た。実施例2で得られたコハク酸ソリフェナシンの光学異性体含有量を、ソリフェナシンを100とした場合の含有率として表1に示す。また、実施例2で得られたコハク酸ソリフェナシンの化合物A、化合物B及び化合物Cに係る組成の定量の測定データを図4に示す。なお、表中NDとは検出限界以下を意味し、おおよそ0005以下であることを示す。実施例3クロロホルム100mL中、トリエチルアミン16g、4ジメチルアミノピリジン01g存在下、10°Cでキヌクリジン3オール100gにクロロギ酸エチル128gを加えた。20°Cに加温し、2時間攪拌後、水50mLを加え、得られた有機層を水50mLで洗浄後、有機層を減圧濃縮および真空で乾燥することにより油状物1549gを得た。この油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、炭酸エチルキヌクリジン3イルエステル724gを得た1HNMRDMSOd6、テトラメチルシラン内部標準:δ121126137142153155170191198248276306317411456464質量スペクトル:mz200MH。トルエン10mL、DMF05mLの混合物中、ナトリウムエトキシド021g存在下、炭酸エチルキヌクリジン3イルエステル100g、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン105gを、溶媒を留去させながら7時間攪拌し、トルエン20mL、水20mLを加え、得られた有機層を水20mLで洗浄後、1M塩酸水溶液15mLを加えた。得られた水層にEtOAc30mL、1M水酸化ナトリウム水溶液を加えた。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮、乾燥して得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、ソリフェナシン022gを得た。1HNMRDMSOd6、テトラメチルシラン内部標準、80°C:δ125138141153153165166177187196240296300315333345382392462469626712733質量スペクトルmz363MH実施例4Aトルエン75mL、炭酸カリウム1043g、水45mLの混合物中、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン1500g及びクロロギ酸イソプロピル922gを加え、20°Cで2時間攪拌し、有機層を水50mLで洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮後、乾燥し、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸プロパン2イルエステル2171gを得た1HNMRDMSOd6、テトラメチルシラン内部標準、80°C:δ118122273293325334383392480491622706733質量スペクトル:mz=296MH2プロパノール020gと金属ナトリウム008gより調整されたナトリウムイソプロポキシド、トルエン20mL、DMF25mLの混合物中、キヌクリジン3オール258gと1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸プロパン2イルエステル500gを、溶媒を留去しながら8時間反応させ、ソリフェナシンを含有する組成物397gを得た。実施例4Aで得られたソリフェナシンを含有する組成物には、参考例2、参考例3及び参考例4でみられたような、イソプロピルのごとき低級アルキルがソリフェナシン中キヌクリジン2位に付加した化合物は含有されていなかった。なお、本組成物の組成の定量は、以下の方法で行った。上記実施例4Aで得られたソリフェナシンを含有する組成物001gを、過塩素酸ナトリウム61gを水に溶かして1000mLとした液に過塩素酸を加えてpHを20に調製した液以下、液Qと言う。に溶解させ、全量を10mLとして試料溶液とした。この試料溶液10μLを、次の条件で液体クロマトグラフ法により試験を行い、ピーク面積を自動分析法により測定した。<試験条件>検出器:紫外吸光光度計測定波長:210nmカラム:DevelosilODSUG5150mm×46nnIDNomuraChemical社製カラム温度:40°C移動相:液Q流量:約1mL/分実施例4Bトルエン50mL、炭酸カリウム695g、水30mLの混合物中、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン1000g及びジtertブチルジカルボナート1041gを加え、20°Cで終夜攪拌し、有機層を水30mLで洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮後、乾燥し、1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸2メチルプロパン2イルエステル1459gを得た1HNMRDMSOd6、テトラメチルシラン内部標準、80°C:δ139272291328332380389618707733質量スペクトル:mz=310MHナトリウムtertブトキシド038g、トルエン60mL、DMF3mLの混合物中、キヌクリジン3オール296gと1フェニル1234テトラヒドロイソキノリン2カルボン酸2メチルプロパン2イルエステル600gを、溶媒を留去しながら8時間反応させ、ソリフェナシンを含有する組成物0274gを得た。実施例4Bで得られたソリフェナシンを含有する組成物には、参考例2、参考例3及び参考例4でみられたような、tertブチルのごとき低級アルキルがソリフェナシン中キヌクリジン2位に付加した化合物は含有されていなかった。なお、本組成物の組成の定量は、上記実施例4Aで得られた組成物の定量法に従って行った。なお、表中NDとは検出限界以下を意味し、おおよそ0005以下であることを示す。