低温加圧焼結接合によって相互に材料密着結合で接合される第1素子10と第2接合素子50を含む構成体の製造方法であって、前記両方の接合素子10、50は、それぞれ、もう一方のそれぞれの前記接合素子に接合されるべき接触面16、56を有し、それら接触面16、56の間には焼結金属層34が配置される構成体の製造方法において、a第1接触面16を有する第1接合素子10を用意するステップと、b焼結金属の粒子と溶剤からなる焼結ペースト30の層を前記第1接触面16に施与するステップと、c前記焼結ペースト30に温度22を加えて、焼結層32を形成するように前記溶剤を追い出すステップと、d前記焼結層32に液体40を施与するステップと、e第2接合素子50を、それらの第2接触面56が前記焼結層32の上に位置するように配置するステップと、f前記両方の接合素子10、50を相互に固定するために、接着剤60、62を、前記焼結層32と前記第2接合素子50との縁部領域に、前記第1接合素子10にも接触する状態で塗着するステップと、g前記両方の接合素子10、50の間で材料密着結合の低温加圧焼結接合を形成するために、前記構成体にさらに温度および圧力を加えるステップであって、前記焼結層32が均質な焼結金属層34に転化されるステップと、を含み、ステップdとfは、連続的に実施するか、あるいは、選択的にいずれかを実施することが可能であることを特徴とする方法。前記液体40が、極性の液体、好ましくはグリセリンのような短鎖の多価アルコールとして具現化される、請求項1に記載の方法。前記接着剤60、62が、好ましくは熱架橋するシリコーンとして具現化される、請求項1に記載の方法。前記接着剤60、62が、前記縁部領域の少なくとも2箇所に施与されるか、あるいは、全周に施与される、請求項1に記載の方法。ステップbが実行される直前に、前記第1接触面16とそれを直接取り巻く領域が超音波20に曝露される、請求項1に記載の方法。ステップbが実行される直前および実行されている間に、前記第1接触面16とそれを直接取り巻く領域が超音波20に曝露される、請求項1に記載の方法。請求項1~6のいずれか一項による方法に従って形成される構成体であり、低温加圧焼結接合によって相互に材料密着結合で接合される第1接合素子10と第2接合素子50を含む構成体であって、前記両方の接合素子10、50は、それぞれ、もう一方のそれぞれの前記接合素子に接合されるべき接触面16、56を有しており、さらに、これら接触面16、56の間には焼結金属34が配置され、この焼結金属34は、均質な層として形成され、最大でも10μmの直径の空洞しか有しない構成体。接着剤60、62が、前記焼結金属層34の縁部領域に塗着され、前記接着剤は両方の接合素子10、50と接触する、請求項7に記載の構成体。本発明は、2つの接合素子の低温加圧焼結接合の形態の材料密着結合の接合を含む製造方法と、それによって形成される構成体とであって、低温加圧焼結接合の焼結金属層における空洞の形成が避けられるか、あるいは、少なくともその空洞のサイズが大幅に低減されるような製造方法とそれによる構成体とを提供するという目的に基づいている。この目的は、請求項1の特徴を含む方法と、請求項7による構成体とによって、本発明に従って達成される。好ましい実施形態はそれぞれの従属請求項に記述される。本発明による方法によって、第1および第2の接合素子を含む構成体が製造され、前記接合素子は、低温加圧焼結接合によって相互に材料密着結合で接合される。その場合、各接合素子は、それぞれ、もう一方の接合素子に接合される接触面を有しており、前期接触面の間に焼結金属層が配置される。この方法は、以下に述べるステップを含む。本発明による方法に関しては、ステップdおよびfは記述した順序で実施するのが有利であるが、2つのステップdまたはfのいずれか1つのみを選択的に実施することが好ましい場合もある。a第1接触面を有する第1接合素子であって、この接触面は好ましくは貴金属表面を有する第1接合素子を用意するステップ。次に、前記接触面を、超音波の作用によって不純物なしの状態にすることが望ましい。この超音波の作用は方法の次のステップの前に終了させることが可能であるが、別の不純物を防止するため、前記作用を次の処理ステップと一時的に重ね合せ得ることが特に有利である。b焼結金属の粒子、好ましくは銀粒子と溶剤とから構成される焼結ペーストからなる層を第1接触面に施与するステップ。c焼結ペーストに温度を加えて、まだ相互に接合されていない焼結金属の粒子から構成される焼結層を形成するように溶剤を追い出すステップ。dその焼結層に、例えばグリセリンのような好ましくは極性の液体を施与するステップ。前記液体は、溶剤が追い出された後に、第2接合素子を固定するための僅かな接着力のみを有するものであり、第2接合素子を焼結層の上に固定する次のステップにおいて役立つ。e第2接合素子を、その第2接触面が焼結ペーストからなる層の上に位置するように、あるいは、正確に言えば、ステップdによる液体が存在する場合は正確にその液体の上に位置するように配置するステップ。f接合素子を相互に固定するために、接着剤を、焼結層と第2接合素子との縁部領域に、その接着剤が第1接合素子にも接触する状態で塗着するステップ。この場合、好ましくはシリコーンである接着剤を、構成体の少なくとも2箇所においてのみ施与することで十分である可能性もある。しかし、前記の接着剤を上記の全領域の周囲に塗着することが特に有利である。g接合素子の間の材料密着結合の低温加圧焼結接合を形成するために、構成体にさらに温度および圧力を加えるステップ。この場合、ステップdに従って焼結層と第2接合素子との間に塗着することができる液体は追い出され、焼結層は均質な焼結金属層に転化される。この場合、均質な焼結金属層というのは、最大直径が10μmの空洞を含む金属層を意味すると理解する。従って、本発明による上記の方法は、2つの接合素子の接触面を接合する焼結金属層を含む2つの接合素子の構成体を生成する。本発明によれば、前記焼結金属層は、均質な層として具現化され、最大でも10μmの直径の空洞しか有しない。本発明による方法と、それによって製造される本発明の構成体との本質的な利点は、焼結金属層内の空洞の個数が少なく、および/または、その空洞のサイズが小さい結果として、電気的性質が改善され、特にオーム抵抗が低減され、さらに、接合の長期的な耐久性が改善される点にある。また、超音波の適用と的確に組み合わせると、この接合形成に必要な圧力を、先行技術に比べて10より多く追加的に低減可能である。印加されるべき必要圧力の低減は、どのようなものであれ、その結果として破損率の低下が可能になるので、方法の収率を直接的に増大させる。以下、本発明を、代表的な実施形態に基づいて、図1に従ってさらに詳しく説明する。図1aは、第1接合素子として、パワーエレクトロニクスの分野で用いられているような典型的な基板10の一部分を示す。前記基板10は、好ましくは例えば窒化アルミニウムのような工業用セラミックである絶縁材料体12と、前記絶縁材料体12の主面の少なくとも一方に装着される複数の金属導体トラック14とから構成される。図には、前記複数の導体トラックの1つが表現されている。前記導体トラック14は、好ましくは銅から形成され、相互に電気絶縁されて、基板10の回路構造を形成する。第2接合素子が導電接触されるべき基板の接触面は、低温加圧焼結接合処理し得る表面を有する。このため、接触面16は貴金属表面18を有することが望ましい。図には、前記接触面16に塗着される焼結ペースト30が同様に示されているが、前記焼結ペーストそのものは銀粒子および溶剤から構成される。前記焼結ペースト30の施与に先立って、表面を超音波20に曝露することを実施した。この超音波への曝露は、焼結ペースト30を施与する間にも維持された。この手段によって、後に行われる低温加圧焼結接合の形成を損なう可能性がある不純物が除去される。図1bは、引き続く方法のステップとして、温度による焼結ペーストからの溶剤の追い出しを示している。この目的のための温度作用22は、任意の所望の態様で具現化できる。例えば、焼結ペースト30上への直接作用以外に、基板10を加熱することによっても可能である。早くもこの時点で溶剤を追い出すことの本質的な利点は、第2接合素子を配置した後に前記溶剤の追い出しを行うと、上記のような完全な追い出しが得られないという点にある。残留溶剤が空洞をもたらすことになるが、本発明による方法においては、この空洞は、形成されるとしてもそのサイズが大幅に小さくなる。この方法のステップの後、残った焼結ペースト図1aによれば30の殆どすべては貴金属の粒子であり、以下これを、焼結層32として表示する。焼結ペーストの場合には、その溶剤部分によって、表面上に配置される第2接合素子に対する接着効果がもたらされるが、この焼結ペーストの場合の接着効果に比べると、焼結層32は、第2接合素子に対するその自由表面の接着力を全く有しないか、またはごく僅かしか有しない。それにも拘らず第2接合素子の固定を実現するため、図1cに示すように、液体40を焼結層32の自由表面に施与する。第2接合素子を配置する間に、前記液体40は、焼結層32と、第2接合素子、この場合パワー半導体素子50、図1d参照との間の接着力を形成する非常に薄い層になる。そのため、前記パワー半導体素子50は焼結層32上の所定位置に固定され、その結果、この方法遂行の間のさらなる取り扱いが大幅に簡素化される。グリセリンのような短鎖の多価アルコールが、低沸点でありながら低蒸気圧を有するというその物理的性質のために、この場合、特に適した液体であることが分かっている。図1cに関して述べた固定方法の代わりの方式として、しかし特に望ましくはその方法に対する追加的な方式として、接触面56を含む第2接合素子、すなわちパワー半導体素子50を、別の接着剤60によって、その縁部領域および焼結層32の縁部領域において、かつ、第1接合素子すなわち基板10にも接触する状態で、第1接合素子に固定することも可能である。この場合、前記固定方式は、上記の縁部領域の2箇所または3箇所に設けることで十分である可能性もあるが、上記の液体40による固定が設けられない場合は、前記接着剤を縁部領域の全周に設けることが有利である。両実施形態において、原理的には、2つの変形態様が等価であり、また等しく好ましいものである。図1dは、左側に、第2接合素子、すなわちパワー半導体素子50の頂部の上に右向きに延びる接着剤60の施与状態を示し、一方、右側においては、接着剤62は、パワー半導体素子50に専ら側方から施与されており、その他の点では左側の状況と同じである。