向上した電解腐食耐性を有する銀鏡において、アルミニウム基板であって、該アルミニウム基板上の50~150nmの範囲の厚さを有するその場で形成された窒化クロム層、該窒化クロム層上の75~150nmの範囲の厚さを有する銀層、該銀層の上面の0.1~0.6nmの厚さを有する形成された酸化クロム層、および該酸化クロム層上に形成された1つまたは複数の強化層を有するアルミニウム基板から実質的になり、複数の強化層が使用された場合、交互の隣接する強化層に異なる材料が使用され、各個別の強化層が10~100nmの範囲の厚さを有する、銀鏡。前記窒化クロム層の厚さが75~125nmの範囲にある、請求項1記載の銀鏡。前記銀層の厚さが100~130nmの範囲にある、請求項1記載の銀鏡。前記強化層が、個別に、二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、五酸化ニオブ、フッ化イッテルビウム、二酸化チタン、五酸化タンタル、フッ化マグネシウム、フッ化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、またはそれらの組合せからなる群より選択される、請求項1記載の銀鏡。アルミニウム基板、該基板上に堆積された100nm厚のCrN層、該CrN層上に堆積された120nm厚のAg層、該Ag層上に形成された0.45nm厚の酸化クロム層、該酸化クロム層上に堆積された55.3nm厚の第1の二酸化ケイ素層、該第1の二酸化ケイ素層上に堆積された20.9nm厚の五酸化ニオブおよび該五酸化ニオブ層上に堆積された53.8nm厚の第2の二酸化ケイ素層からなる銀被覆鏡であって、前記酸化クロム層を除いた各層の厚さのばらつきが±5であり、該酸化クロム層が、±10の厚さのばらつきを有する、銀被覆鏡。アルミニウム基板を使用した銀鏡であって、アルミニウムと銀との間の電解反応を回避する銀鏡を形成する方法において、被覆すべき前記アルミニウム基板を被覆槽に装填する工程、該被覆槽を3×106トール未満の圧力まで排気する工程、7~15分間の範囲の期間に亘り約10sccmのアルゴン流を前記被覆槽に通して、300~500WでRF前処理を行う工程、それによってクロムを窒化クロムに転化させる250~400WのRF出力で約30sccmのN2および約5sccmのArの流れの中でクロムの堆積により、50~150nmの範囲の厚さまで、窒化クロムバリア層を堆積させる工程、前記RF出力をオフにし、銀層を75~150nmの範囲の厚さまで堆積させる工程、前記RF出力をオフにし、ガスを流さずに、0.1~0.6nmの範囲の厚さを有するクロム層を堆積させる工程、前記RF出力を250Wの設定値でオンにして、約50sccmの酸素流を提供し、これらの条件を維持して、前記クロム層を酸化クロム層に完全に酸化させる工程、1つまたは複数の強化層を堆積させる工程、および前記槽を排気し、きれいにし、該槽から前記アルミニウム基板を使用した銀鏡を取り出す工程、を有する方法。交互の隣接する強化層に異なる材料が使用されるという条件で、前記強化層が複数使用され、該強化層の数が3~9の範囲にあり、各個別の強化層が10~100nmの範囲の厚さを有する、請求項6記載の方法。前記強化層が、独立して、二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、五酸化ニオブ、フッ化イッテルビウム、二酸化チタン、五酸化タンタル、フッ化マグネシウム、フッ化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、またはそれらの組合せからなる群より選択される、請求項7記載の方法。前記窒化クロムバリア層の厚さが75~125nmの範囲にある、請求項6記載の方法。前記銀層の厚さが100~130nmの範囲にある、請求項6記載の方法。しかしながら、鏡を形成するためのアルミニウム基板上の銀被覆には、まだ問題がある。それゆえ、本開示に記載されたような、さらなる改善が必要とされている。1つの実施の形態において、本開示は、機械試験、環境試験、およびスペクトル試験の厳しさに耐える前面光学ミラー被覆を製造する、材料と技法の組合せを利用した被覆堆積プロセスに関する。このプロセスにおいて、被覆すべき表面、例えば、アルミニウム表面の状態を調節し、潜在的な汚染物質を除去するそのプロセスの前処理段階に、高出力RFイオン源が利用される。前処理段階が完了した後、蒸発物を支援し、また充填密度を増加させ、これにより、堆積され形成されるときにバリア層膜に空隙またはピンホールをなくすまたは最小にするためにRFイオン源を利用して、窒化クロムCrNのバリア層が、窒素/アルゴン雰囲気内でその場で堆積または形成される。バリア層が形成されると、次いで、銀を蒸発させて、窒化クロム層上に堆積させ、その後、クロムの層結合層としてを堆積させ、次いで、酸素の存在下でイオングロープラズマ放電により処理して、クロム結合層を完全に酸化させ、酸化クロム層を形成する。一旦、クロム結合層が完全に酸化されたら、1つまたは複数の強化保護層を連続的に堆積させて、所望の反射率を有する鏡、例えば、アルミニウム基板上の銀被覆鏡を生成する。上述した鏡は、強化層により環境から保護され、アルミニウム基板と銀層との間のその場で形成された窒化クロム層のために、アルミニウム基板との電解反応を経ない。窒化クロム層の形成中にRFイオン源を使用すると、銀とアルミニウムとの電解反応をもたらし得る空隙またはピンホールのない、もしくはそれらの数が最小である緻密化されたCrN層が生成される。別の実施の形態において、本開示は、向上した電解腐食耐性を有する銀鏡において、アルミニウム基板であって、アルミニウム基板上の50~150nmの範囲の厚さを有するその場で形成された窒化クロム層、窒化クロム層上の75~150nmの範囲の厚さを有する銀層、銀層の上面の0.1~0.6nmの厚さを有する形成された酸化クロム層、および酸化クロム層上に形成された1つまたは複数の強化層を有するアルミニウム基板から実質的になり、複数の強化層が使用された場合、交互に隣接する層に異なる材料が使用される、銀鏡に関する。例えば、三層の強化構造が使用される場合、その構造はA-B-A構造であって差し支えなく、ここで、例えば、Aは二酸化ケイ素であり、Bは五酸化ニオブである。1つの実施の形態において、窒化クロム層の厚さは50~125nmの範囲にある。別の実施の形態において、窒化クロム層の厚さは75~125nmの範囲にある。ある実施の形態において、銀層の厚さは75~150nmの範囲にある。別の実施の形態において、銀層の厚さは100~130nmの範囲にある。1つまたは複数の強化層は、個別に、二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、五酸化ニオブ、フッ化イッテルビウム、二酸化チタン、五酸化タンタル、フッ化マグネシウム、フッ化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、またはそれらの組合せからなる群より選択される。しかしながら、複数の強化層が使用される場合、交互の隣接する層に異なる材料が使用される。例えば、交互の隣接する上に異なる材料が使用されるという条件で、複数の強化層は、A-B-A、A-B-C、A-B-A-Cなどの構造を有し得る。個々の強化層は、各々、10~100nmの範囲の厚さを有し得、複数の強化層が使用される場合、各層は、10~100nmの範囲内の異なる厚さを有し得る。追加の実施の形態において、本開示は、図1に示された高反射率銀鏡において、アルミニウム基板10であって、アルミニウム基板10の上にその場で形成された50~125nmの範囲の厚さの窒化クロム層12、窒化クロム層12上に堆積された75~150nmの範囲の厚さを有する銀被覆層14、銀層14上に堆積された1~6オングストローム0.1~0.6nm範囲の厚さを有する形成された酸化クロム層16、酸化クロム層16上に堆積された30~80nmの範囲の厚さを有する第1の強化層18、第1の強化層18上に堆積された15~100nmの範囲の厚さを有する第2の強化層20および第2の強化層20上に堆積された10~100nmの範囲の厚さを有する第3の強化層の三層強化層を有するアルミニウム基板10からなる銀鏡に関する。特別な例において、強化層は、酸化クロム層16上に堆積された40~60nmの範囲の厚さを有する第1の二酸化ケイ素層18、第1の二酸化ケイ素層18上に堆積された15~30nmの範囲の厚さを有する五酸化ニオブ層20および五酸化ニオブ層20上に堆積された40~60nmの範囲の厚さを有する第2の二酸化ケイ素層22であった。ここに記載されたようなアルミニウム基板を使用した銀鏡を製造するプロセスでは、任意の材料の堆積の前に、並びに速い堆積速度を可能にし、製品の寿命の改善にも役立つ膜の充填密度を増加させるための、バリア層、結合層、および特定の強化層の堆積の最中に、表面処理のために市販のRFイオンガンを利用する。図2は、本開示の方法を示すプロセス流れ図である。以下のプロセスを使用する前に、基板は、真空槽に装填する準備ができる時間まで、基板を慎重に洗浄し、検査し、窒素パージ済み容器に入れる。図2に示されたプロセスは、被覆すべき製品器具基板を被覆槽に装填する工程[100]、被覆槽を3×106トール未満の圧力まで排気する工程[102]、7~15分間の範囲の期間に亘り約10sccmのアルゴン流を被覆槽に通して、300~500WでRF前処理を行う工程[104]、それによってクロムを窒化クロムに転化させる400WのRF出力で約30sccmのN2および約5sccmのAr約6/1V/VのN2/Arの流れの中でクロムCrの堆積により、50~150nmの範囲の厚さまで、その場で形成される窒化クロムバリア層を堆積させる工程[106]、RF出力をオフにし、銀層を75~150nmの範囲の厚さまで堆積させる工程[108]、RF出力をオフにし、ガスを流さずに、0.1~0.6nmの範囲の厚さを有するクロムCr層を堆積させる工程[110]、RF出力を200~300Wの設定値でオンにして、約50sccmの酸素流を提供し、これらの条件を維持して、クロム層を酸化クロム層形成された酸化クロム層とも呼ばれるに完全に酸化させる工程[112]、1つまたは複数の強化層を堆積させる工程[114]、および例えば、窒素または空気を使用して、槽を排気し、きれいにし、槽から被覆鏡を取り出す工程[116]、を有する。複数の強化層の例が、以下の順番にi40~60nmの範囲の厚さを有する第1の二酸化ケイ素層18、ii15~30nmの範囲の厚さを有する五酸化ニオブ層20、およびiii40~60nmの範囲の厚さを有する第2の二酸化ケイ素層22として堆積された三層として、図1に示されている。他の材料を、以下に記載するように、強化層材料として、単独で、または組合せで使用することができる。106に上述したようなプロセスにおいて、クロムCrが、堆積されている金属である。しかしながら、堆積が、それぞれ、28/3.5sccmの流量でRFイオン源400Wの出力レベルに流すことによって、純粋な窒素99.999とアルゴン99.999の混合物を使用して行われる場合、クロムが変えられて、窒化クロムの層を形成する。同様に、110において、クロムが4~6nmの範囲の目的厚さまで堆積されている金属であり、この金属が堆積された後、工程112が行われ、それによって、クロムが酸化クロムに酸化される。クロム金属を酸化クロムに酸化するのに要する時間は、おおよそ7~8分間の範囲にある。さらに、1つの実施の形態において、RF前処理工程が8~12分間の範囲の時間で行われる。一例において、アルミニウム基板を使用して、銀被覆鏡を調製した。アルミニウム基板から最後に施された被覆層強化層まで、ここに記載したように調製した鏡上の被覆は、100nmのCrN、120nmのAg、0.45nm4.5オングストロームの酸化クロム、55.3nmの第1の二酸化ケイ素層、20.9nmの五酸化ニオブおよび53.8nmの第2の二酸化ケイ素層の測定厚を有した。各厚さのばらつきは、±10のばらつきを有し得る酸化クロム層を除いて、±5であった。114により図2に示されるようなプロセスの最終段階は、強化層としばしば称されるものの追加の堆積である。これらの層は、異なる波長領域において反射率を増加させるために酸化クロム層112の上面に堆積される、酸化物またはフッ化物としての金属の任意の組合せであって差し支えない。このプロセスに利用される材料としては、二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、五酸化ニオブ、フッ化イッテルビウム、二酸化チタン、五酸化タンタル、フッ化イットリウム、酸化ハフニウム、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、またはそれらの組合せ、例えば、制限するものではなく、酸化ケイ素アルミニウムなどが挙げられる。強化は、1つだけの層を使用して行うことができるが、一般に、3から9の交互の層の範囲の複数の層を使用して行われる。複数の強化層が使用される場合、交互の隣接する層に様々な材料が使用される;例えば、制限するものではなく、A-B-AおよびA-B-C-A、A-B-A-Bなど。本発明を、限られた数の実施の形態に関して説明してきたが、本開示の恩恵を受けた当業者には、ここに開示された本発明の範囲から逸脱しない他の実施の形態を想起できることが認識されるであろう。したがって、本発明の範囲は、付随する特許請求の範囲のみによって制限されるものとする。