励起光により励起されて、信号光の光増幅を行う光増幅媒体と、前記光増幅媒体に光学的に接続された光部品の光ロスを検出する光ロス検出部と、前記光増幅媒体の入力経路側光部品の前記光ロスに基づいて前記光増幅媒体の雑音指数の劣化を検出する雑音指数劣化検出部と、を有することを特徴とする光増幅装置。前記光ロス検出部は、前記光増幅媒体による光増幅の利得一定制御時における前記励起光のパワー、前記光増幅媒体から漏出する自然放出光のパワーおよび前記自然放出光のチルトの各パラメータに対して、設定値からの変化を検出し、前記パラメータの前記変化の組み合わせにもとづいて、前記光増幅媒体に光学的に接続された光部品に対して、どの前記光部品に前記光ロスが生じているかを検出する、ことを特徴とする請求項1記載の光増幅装置。前記光増幅媒体の前記入力経路上には、前記信号光の進行方向とは逆向きに流れてくる前記自然放出光を分波して、前記光ロス検出部へ出力するための自然放出光分波器と、前記信号光と前記励起光を合波して、前記光増幅媒体へ合波光を入力するための励起光合波器とが配置され、装置入力端から前記自然放出光分波器の信号光入力ポートまでの範囲を第1の入口信号系とし、前記自然放出光分波器の信号光出力ポートから前記励起光合波器の信号光入力ポートまでの範囲を第2の入口信号系とし、前記励起光合波器の合波光出力ポートから前記光増幅媒体の入力端までの範囲を入口信号励起系とした場合に、前記光ロス検出部は、前記励起光のパワーに変化がなく、前記自然放出光のパワーおよびチルトが増加している場合は、前記第1の入口信号系の範囲に含まれる前記入力経路側光部品に、前記光ロスが発生していることを検出し、前記励起光のパワーおよび前記自然放出光のチルトが増加し、前記自然放出光のパワーに変化がない場合は、前記入口信号励起系の範囲に含まれる前記入力経路側光部品に、前記光ロスが発生していることを検出し、前記励起光のパワーおよび前記自然放出光のパワーに変化がなく、前記自然放出光のチルトが増加している場合は、前記第2の入口信号系の範囲に含まれる前記入力経路側光部品に、前記光ロスが発生していることを検出する、ことを特徴とする請求項2記載の光増幅装置。前記光増幅媒体の入力側には、前記励起光を出力する励起光源と、前記信号光と前記励起光を合波して、前記光増幅媒体へ合波光を入力するための励起光合波器とが配置され、前記励起光源から前記励起光合波器の励起光入力ポートまでの範囲を励起系とし、前記光増幅媒体の出力端以降の範囲を出口信号系とした場合に、前記光ロス検出部は、前記励起光のパワー、前記自然放出光のパワーおよびチルトが増加している場合は、前記出口信号系の範囲に含まれる前記光部品に、前記光ロスが発生していることを検出し、前記励起光のパワーが増加し、前記自然放出光のパワーおよびチルトに変化がない場合は、前記励起系の範囲に含まれる前記光部品に、前記光ロスが発生していることを検出する、ことを特徴とする請求項2記載の光増幅装置。一定パワーの第1の励起光で励起される第1の光増幅媒体と、前記第1の光増幅媒体の後段に位置して、可変パワーの第2の励起光で利得一定制御が行われる第2の光増幅媒体とを備え、前記光ロス検出部は、前記第1の光増幅媒体から漏出する自然放出光のパワーおよび前記自然放出光のチルトの各パラメータに対して、設定値からの変化を検出し、前記パラメータの前記変化の組み合わせにもとづいて、前記第1の光増幅媒体に光学的に接続された光部品に対して、どの前記光部品に前記光ロスが生じているかを検出する、ことを特徴とする請求項1記載の光増幅装置。前記第1の光増幅媒体の前記入力経路上には、前記信号光の進行方向とは逆向きに流れてくる前記自然放出光を分波して、前記光ロス検出部へ出力するための自然放出光分波器と、前記信号光と前記第1の励起光を合波して、前記第1の光増幅媒体へ合波光を入力するための励起光合波器とが配置され、装置入力端から前記自然放出光分波器の信号光入力ポートまでの範囲を第1の入口信号系とし、前記自然放出光分波器の信号光出力ポートから前記励起光合波器の信号光入力ポートまでの範囲を第2の入口信号系とし、前記励起光合波器の合波光出力ポートから前記第1の光増幅媒体の入力端までの範囲を入口信号励起系とした場合に、前記光ロス検出部は、前記自然放出光のパワーおよびチルトが増加している場合は、前記第1の入口信号系の範囲に含まれる前記入力経路側光部品に、前記光ロスが発生していることを検出し、前記自然放出光のパワーが減少し、前記自然放出光のチルトに変化がない場合は、前記入口信号励起系の範囲に含まれる前記入力経路側光部品に、前記光ロスが発生していることを検出し、前記自然放出光のパワーに変化がなく、前記自然放出光のチルトが増加している場合は、前記第2の入口信号系の範囲に含まれる前記入力経路側光部品に、前記光ロスが発生していることを検出する、ことを特徴とする請求項5記載の光増幅装置。前記第1の光増幅媒体の入力側には、前記第1の励起光を出力する励起光源と、前記信号光と前記第1の励起光を合波して、前記第1の光増幅媒体へ合波光を入力するための励起光合波器とが配置され、前記励起光源から前記励起光合波器の励起光入力ポートまでの範囲を励起系とした場合に、前記光ロス検出部は、前記自然放出光のパワーおよびチルトが減少した場合は、前記励起系の範囲に含まれる前記光部品に、前記光ロスが発生していることを検出する、ことを特徴とする請求項5記載の光増幅装置。前記光ロス検出部は、前記光増幅媒体による光増幅の利得一定制御時における前記励起光のパワーおよび前記光増幅媒体の励起光吸収比率の各パラメータに対して、設定値からの変化を検出し、前記パラメータの前記変化の組み合わせにもとづいて、前記光増幅媒体に光学的に接続された光部品に対して、どの前記光部品に前記光ロスが生じているかを検出する、ことを特徴とする請求項1記載の光増幅装置。前記光増幅媒体の前記入力経路上には、前記信号光と前記励起光を合波して、前記光増幅媒体へ合波光を入力するための励起光合波器が配置され、装置入力端から前記励起光合波器の信号光入力ポートまでの範囲を入口信号系とし、前記励起光合波器の合波光出力ポートから前記光増幅媒体の入力端までの範囲を入口信号励起系とした場合に、前記光ロス検出部は、前記励起光のパワーに変化がなく、前記励起光吸収比率が減少している場合は、前記入口信号系の範囲に含まれる前記入力経路側光部品に、前記光ロスが発生していることを検出し、前記励起光のパワーおよび前記励起光吸収比率が増加している場合は、前記入口信号励起系の範囲に含まれる前記入力経路側光部品に、前記光ロスが発生していることを検出する、ことを特徴とする請求項8記載の光増幅装置。前記光増幅媒体の入力側には、前記励起光を出力する励起光源と、前記信号光と前記励起光を合波して、前記光増幅媒体へ合波光を入力するための励起光合波器とが配置され、前記励起光源から前記励起光合波器の励起光入力ポートまでの範囲を励起系とし、前記光増幅媒体の出力端以降の範囲を出口信号系とした場合に、前記光ロス検出部は、前記励起光のパワーが増加し、前記励起光吸収比率が減少している場合は、前記出口信号系の範囲に含まれる前記光部品に、前記光ロスが発生していることを検出し、前記励起光のパワーおよび前記励起光吸収比率が増加している場合は、前記励起系の範囲に含まれる前記光部品に、前記光ロスが発生していることを検出する、ことを特徴とする請求項8記載の光増幅装置。前記光ロス検出部は、前記光増幅媒体による光増幅の利得一定制御時における前記励起光のパワーおよび前記光増幅媒体から増幅出力された増幅信号光のチルトの各パラメータに対して、設定値からの変化を検出し、前記パラメータの前記変化の組み合わせにもとづいて、前記光増幅媒体に光学的に接続された光部品に対して、どの前記光部品に前記光ロスが生じているかを検出する、ことを特徴とする請求項1記載の光増幅装置。前記光増幅媒体の前記入力経路上には、前記信号光と前記励起光を合波して、前記光増幅媒体へ合波光を入力するための励起光合波器が配置され、装置入力端から前記励起光合波器の信号光入力ポートまでの範囲を入口信号系とし、前記励起光合波器の合波光出力ポートから前記光増幅媒体の入力端までの範囲を入口信号励起系とした場合に、前記光ロス検出部は、前記励起光のパワーに変化がなく、前記増幅信号光のチルトが増加している場合は、前記入口信号系の範囲に含まれる前記入力経路側光部品に、前記光ロスが発生していることを検出し、前記励起光のパワーおよび前記増幅信号光のチルトが増加している場合は、前記入口信号励起系の範囲に含まれる前記入力経路側光部品に、前記光ロスが発生していることを検出する、ことを特徴とする請求項11記載の光増幅装置。前記光増幅媒体の入力側には、前記励起光を出力する励起光源と、前記信号光と前記励起光を合波して、前記光増幅媒体へ合波光を入力するための励起光合波器とが配置され、前記励起光源から前記励起光合波器の励起光入力ポートまでの範囲を励起系とし、前記光増幅媒体の出力端以降の範囲を出口信号系とした場合に、前記光ロス検出部は、前記励起光のパワーおよび前記増幅信号光のチルトが増加している場合は、前記出口信号系の範囲に含まれる前記光部品に、前記光ロスが発生していることを検出し、前記励起光のパワーが増加し、前記増幅信号光のチルトに変化がない場合は、前記励起系の範囲に含まれる前記光部品に、前記光ロスが発生していることを検出する、ことを特徴とする請求項11記載の光増幅装置。光伝送システムにおいて、励起光により励起されて、信号光の光増幅を行う光増幅媒体と、前記光増幅媒体に光学的に接続された光部品の光ロスを検出する光ロス検出部と、前記光増幅媒体の入力経路側光部品の前記光ロスに基づいて前記光増幅媒体の雑音指数の劣化が生じていることを検出する雑音指数劣化検出部とを含み、光ファイバ伝送路上に多段に接続して、光中継増幅を行う複数の光増幅装置と、光伝送の運用監視を行う監視局と、を備え、前記雑音指数劣化検出部は、前記雑音指数の劣化の検出結果に基づき、自装置で前記雑音指数の劣化が生じている旨を監視信号光により前記監視局に通知する、ことを特徴とする光伝送システム。一般的なNF劣化検出としては、光スペクトルアナライザを用いて、光増幅器の入出力光信号のOSNRを直接測定して、NF劣化を検出する方法がある。この場合、光スペクトルアナライザで測定した、光増幅器の入力段と出力段のそれぞれの光信号のスペクトル値のOSNRからNFを算出し、算出したNFと、NF初期値とを比較して、NF劣化を検出する。しかし、光スペクトルアナライザは、非常に高価であるので、例えば、多段光中継するシステムが有している光増幅器それぞれに設けて、上記のようなNF劣化検出を行うといった構成は現実的ではなく、実際の光通信ネットワークに適用することは困難である。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、安価な構成でNF劣化を検出する光増幅装置を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、安価な構成でNF劣化を検出し、また、NF劣化を生じている光増幅器を容易に特定することが可能な光伝送システムを提供することである。上記課題を解決するために、光増幅装置が提供される。光増幅装置は、励起光により励起されて、信号光の光増幅を行う光増幅媒体と、前記光増幅媒体に光学的に接続された光部品の光ロスを検出する光ロス検出部と、前記光増幅媒体の入力経路側光部品の前記光ロスに基づいて前記光増幅媒体の雑音指数の劣化を検出する雑音指数劣化検出部とを有する。安価な構成で雑音指数劣化を検出することが可能になる。以下、実施の形態を図面を参照して説明する。図1は光増幅装置の構成例を示す図である。光増幅装置1は、光増幅媒体1a、光ロス検出部1bおよび雑音指数劣化検出部1cを備える。光増幅媒体1aは、励起光により励起されて、信号光の光増幅を行う。光増幅媒体1aとしては例えば、EDFが該当する。光ロス検出部1bは、例えば、光増幅媒体1aの周辺部に位置し、光学的に接続された光部品1dの光ロスを検出する。雑音指数劣化検出部1cは、光増幅媒体1aの入力経路上に位置する光部品1dである入力経路側光部品の光ロスが検出された場合は、光増幅時の雑音指数の劣化が生じていることを検出する。また、雑音指数劣化の検出時には、アラーム信号等を出力してユーザに通知する。ここで、光部品のロス劣化において、EDFの入力側にある光部品のロスが劣化すると、光増幅器の雑音指数が劣化するという現象が現れる。この現象を利用して、光増幅装置1では、光増幅媒体1aの入力経路上に位置する入力経路側光部品の光ロスを検出することにより、光増幅時の雑音指数の劣化が生じていることを検出する構成とした。これにより、高価な光スペクトルアナライザを使用することなく、安価な構成で雑音指数劣化検出を行うことが可能になる。次に光スペクトルアナライザを用いて雑音指数の劣化検出を行う場合について説明する。なお、以降では、光増幅媒体をEDFとし、雑音指数をNFと呼ぶ。図2は光スペクトルアナライザを用いてNF劣化検出を行う装置の構成例を示す図である。光伝送装置100は、光増幅器101、分波器102a、102b、光スイッチ103、光スペクトルアナライザ104およびNF劣化検出部105を備える。分波器102aは、入力信号光を2分岐し、一方の入力信号光を光増幅器101へ出力し、他方の入力信号光を光スイッチ103へ出力する。光増幅器101は、分岐された一方の入力信号光を光増幅して出力する。分波器102bは、増幅信号光を2分岐し、一方の増幅信号光を後段へ出力し、他方の増幅信号光を光スイッチ103へ出力する。光スイッチ103は、分波器102aから送信された入力信号光入力信号光b1とすると、分波器102bから送信された増幅信号光増幅信号光b2とするとを受信し、光スイッチ処理を行って、いずれかの光を出力する。光スペクトルアナライザ104は、光スイッチ103でスイッチング出力された、入力信号光b1と増幅信号光b2とのそれぞれの光スペクトルを測定する。NF劣化検出部105は、光スペクトル測定結果からNFを算出する。そして、あらかじめ記憶してあるNF初期値と比較して、光増幅器101のNF劣化を検出する。ここで、光増幅器101に入力する信号光のOSNRをOSNRinとし、光増幅器101で増幅されて出力した信号光のOSNRをOSNRoutとすると、光増幅器101のNFは、入出力信号光のOSNRの比率で表されるので、以下の式1で求まる。NF=OSNRout/OSNRin1図3は光スペクトルを示す図である。信号光は、情報成分とノイズ成分を含み、情報成分のレベルをSとし、ノイズ成分のレベルをNとすれば、信号光のOSNRはS/Nで算出される。図2の場合では、入力信号光b1の情報成分のレベルをS1とし、ノイズ成分のレベルをN1とすれば、OSNRin=S1/N1である。また、増幅信号光b2の情報成分のレベルをS2とし、ノイズ成分のレベルをN2とすれば、OSNRout=S2/N2である。したがって、NF劣化検出部105では、光スペクトル測定後のOSNRinおよびOSNRoutから、式1にもとづいてNFを算出している。上記のように、光スペクトルアナライザ104で光増幅器101の入力段と出力段のそれぞれの光信号のスペクトル値を測定してNFを算出し、算出したNFと、あらかじめ記憶してあるNF初期値とを比較して、NF劣化を検出することができる。しかし、光スペクトルアナライザは、非常に高価であるので、多段光中継のシステムを構成する光増幅器それぞれに設けて、上記のようなNF劣化検出を行うといった構成は現実的ではない。また、光通信ネットワーク上で、多段光中継を行う複数の光増幅器において、どの光増幅器でNF劣化が生じているのかを特定するといったことも、従来では実現されてはいなかった。本技術はこのような点に鑑みてなされたものであり、安価な構成でNF劣化を検出する光増幅装置を提供するものである。さらに、安価な構成でNF劣化を検出し、また、光通信ネットワーク上で、NF劣化を生じている光増幅器を容易に特定することが可能な光伝送システムを提供するものである。次に第1の実施の形態の光増幅装置について図4~図9を用いて説明する。ここで、NF劣化は、上述したように、EDFの入力側に配置される各光部品のロス劣化時に発生する。したがって、以降に示す光増幅装置では、光スペクトルアナライザを用いて光増幅器の入出力のOSNRを測定してNF劣化を検出するのではなく、光部品のロス劣化の検出結果から、NF劣化を検出する構成を有するものである。図4は光増幅装置の構成例を示す図である。第1の実施の形態の光増幅装置1-1は、EDF11を前方励起して光増幅を行う装置である。光増幅装置1-1は、EDF11、信号光分波器12-1、12-2、アイソレータ13-1、13-2、backASEAmplifiedSpontaneousEmission分波器14、励起光合波器15、PDPhotoDiode16-1~16-4、波長フィルタ17、LDLaserDiode:励起光源18、利得誤差検出部21、LDパワー決定部22、LDパワー変化量検出部23、backASEチルト変化量検出部24、backASEパワー変化量検出部25およびNF劣化検出部26を備える。なお、図1の光ロス検出部1bは、LDパワー変化量検出部23、backASEチルト変化量検出部24およびbackASEパワー変化量検出部25の機能を有する。図1のNF劣化検出部1cは、NF劣化検出部26の機能を有する。光増幅装置1-1へ入力した信号光は、信号光分波器12-1によって2分岐される。分岐された一方の信号光は、アイソレータ13-1へ出力され、分岐された他方の信号光は、PD16-1へ出力される。アイソレータ13-1は、受信した信号光をbackASE分波器14へ出力する。なお、アイソレータは、図の矢印方向にのみ所要の光を通して、逆方向には光を通さないデバイスである。アイソレータ13-1をEDF11の入力段に配置することで、EDF11から出力される増幅光の進行方向とは逆向きに漏れ出すASE光自然放出光が、信号光入力側の光ファイバ伝送路へ流れて行かないように、アイソレータ13-1でブロックしている以降では、ASE光をbackASEと呼ぶ。backASE分波器14は、アイソレータ13-1から出力された信号光を受信して、励起光合波器15へ出力する。また、EDF11から後方へ漏れるbackASEを受信して、波長フィルタ17側へ分波出力する。励起光合波器15は、backASE分波器14から出力された信号光と、LD18から出力された励起光とを合波して、EDF11へ合波光を入射して、EDF11に対して前方励起を行う。EDF11は、ファイバコアに添加されているEr3イオンが励起光によって励起され、Er3イオンが励起状態にあるコア中を信号光が進行することによって誘導放出が生じて、信号光の光パワーを増幅させる。アイソレータ13-2は、EDF11によって増幅されて、出力した信号光を信号光分波器12-2へ出力する。なお、EDF11から出力された増幅光が光ファイバ伝送路や光コネクタ等で反射して、その反射光が再びEDF11に入射すると、EDF11内でループ発振が生じてしまう場合がある。このため、アイソレータ13-2をEDF11の出力段に配置して、アイソレータ13-2で反射光をブロックしている。信号光分波器12-2は、アイソレータ13-2から出力された信号光を2分岐し、一方の信号光を後段へ出力し、他方の信号光をPD16-4へ出力する。PD16-1は、信号光分波器12-1から出力された信号光のパワーをモニタして、電気の入力パワー信号を生成し、PD16-4は、信号光分波器12-2から出力された信号光のパワーをモニタして、電気の出力パワー信号を生成する。利得誤差検出部21は、入力パワー信号と出力パワー信号とにもとづいて、目標とする利得に対する誤差を検出する。LDパワー決定部22は、検出された利得誤差が低減するように、励起光パワーを決定し、決定した励起光パワーをLD18から出力させるための駆動信号をLD18へ出力する。LD18は、駆動信号にもとづく励起パワーで励起光を発出する。LDパワー変化量検出部23は、LDパワー決定部22で決定されたLDパワー決定値と、あらかじめ記憶しているLDパワー初期値とにもとづいて、LDパワーの変化量を検出する。一方、波長フィルタ17は、backASE分波器14から出力されたbackASEに対してフィルタリング処理を行って、短波長側と長波長側の2つの帯域に分岐して出力する。この例では、短波長側として1550nm未満のbackASEをPD16-2へ出力し、長波長側として1550nm以上のbackASEをPD16-3へ出力している。PD16-2は、1550nm未満の短波長側backASEのパワーをモニタして、電気の短波長側backASEパワー信号を生成し、PD16-3は、1550nm以上の長波長側backASEのパワーをモニタして、電気の長波長側backASEパワー信号を生成する。backASEチルト変化量検出部24は、短波長側backASEパワー信号と、長波長側backASEパワー信号とからbackASEのチルトを求める。そして、求めたbackASEチルトと、あらかじめ記憶しているbackASEチルト初期値とにもとづいて、backASEチルトの変化量を検出する。backASEパワー変化量検出部25は、短波長側backASEパワー信号と、長波長側backASEパワー信号とから、短波長側および長波長側の両帯域を合わせたbackASEのパワーを求める。そして、求めたbackASEパワーと、あらかじめ記憶しているbackASEパワー初期値とにもとづいて、backASEパワーの変化量を検出する。NF劣化検出部26は、LDパワー変化量検出部23で検出されたLDパワー変化量と、backASEチルト変化量検出部24で検出されたbackASEチルト変化量と、backASEパワー変化量検出部25で検出されたbackASEパワー変化量とにもとづいて、NF劣化を検出する。そして、検出結果を外部へ通知する例えば、正常範囲を超えるNF劣化を検出した場合は、アラームを出力するなど。なお、上記のLDパワー初期値、backASEチルト初期値およびbackASEパワー初期値は、記憶部で記憶されており、外部から任意に設定可能である。ここで、上記の光増幅装置1-1の動作を以下にまとめて記す。光増幅装置1-1では、入力信号光と出力信号光をモニタし、目標とする利得に対する誤差を検出し、その利得誤差から、励起LDのパワーを決定するという、利得一定制御を行っている。また、励起光合波器15の入力段にEDF11から後方へ向かって発生するbackASEを分岐するbackASE分波器14を設ける。backASE分波器14で分岐したbackASEは、EDF11の増幅帯域を2つに分割する波長フィルタ17を通して、それぞれのパワーがモニタされる。また、短波長側と長波長側のbackASEパワーの和から全体としてのbackASEパワーを算出する。さらに、短波長側のbackASEパワーから長波長側のbackASEパワーを引くことにより、backASEのチルトを算出する。そして、あらかじめ記憶してある、励起光パワー、backASEパワー、backASEチルトのそれぞれ初期値のパラメータ情報に対して、3つのパラメータ情報が経時的にどのように変化したかを観測する。3つのパラメータ情報の変化量は、光部品のロスが増加した場所によって、異なる挙動を見せることになる。次にロスの増加する場所の種別について説明する。図5はロスの増加する場所の種別を示す図である。光増幅装置1-1において、ロスの増加する場所は、大きく5つのブロックに分けることが可能である。その5つのブロックとは、入口信号系1、入口信号系2、入口信号励起系、出口信号系および励起系である。入口信号系1は、光増幅装置1-1の入力端からbackASE分波器14の信号光入力ポートp1までの範囲である。入口信号系2は、backASE分波器14の信号光出力ポートp2から励起光合波器15の信号光入力ポートp3までの範囲である。入口信号励起系は、励起光合波器15の合波光出力ポートp4からEDF11の入力端までの範囲である。出口信号系は、EDF11の出力端以降の範囲である。励起系は、LD18から励起光合波器15の励起光入力ポートp5までの範囲である。次に、それぞれのブロックのロス増加に対して、励起光パワーLDパワー、backASEパワー、backASEチルトの特性が、どのように変化するかを説明する。図6は励起光パワーとロス増加量の関係を示す図である。横軸はロス増加量dB、縦軸は励起光パワーdBmである。励起光パワーについては、出力信号系、励起系、入口信号励起系の各ブロックがロス増加した場合には、ロス増加分だけ、励起光パワーは増加する。また、入口信号系1、入口信号系2のロス増加に対しては、ほとんど増加しない。EDF11の利得は一般的に20dB程度であり、入力パワーは出力パワーの100分の1と無視できるパワーである。よって、励起光パワーは例えば098μmの場合、変換効率が約50であることから、出力パワーの約2倍のパワーとなる。したがって、励起光パワーと比較すると、入力光パワーの変化量は200分の1と微々たる量であるので、入口信号系1、入口信号系2のロス増加は、励起光パワーに効かないからである。図7はbackASEパワーとロス増加量の関係を示す図である。横軸はロス増加量dB、縦軸はbackASEパワーdBmである。backASEパワーについては、励起系のロス増加に対しては、変化しない。これは、励起系ロス増加分だけ、励起光パワーを増加させるようにLD18が動き、結果としてEDF11に入る励起光パワーは変化しないためである。出口信号系のロス増加に対しては、backASEは増加する。これは、出口信号系ロスが増加すると、それを補償するように励起光パワーを増加してEDF11の利得は大きくなるが、backASEはEDF11の利得増加と供に増幅されるためである。入口信号系1についても、同じように、ロス増加を補償するように、EDF11の利得が増加し、それに伴いbackASEも増加する。入口信号系2については、入口信号系1と同じ理由で、EDF11から発生するbackASEは増加するが、backASEがモニタされる途中でロス増加の経路を通るので、backASEはその分減少する。2つの効果で相殺されて、結果的には、backASEはほとんど変化しないように観測される。入口信号励起系については、励起系のロスが増加しても、その分、LD18のパワーを増加させる動きになり、EDF11に入る励起光パワーに変化はないので、backASEパワーに関与しない。入口信号系2と同様に、EDF11から出力されるbackASEは増加するが、その分、ロス増加によって減衰して相殺され、結果として、ほとんと変化しないように観測される。図8はbackASEチルトとロス増加量の関係を示す図である。横軸はロス増加量dB、縦軸はbackASEチルトdBである。backASEチルトについては、励起系のロス増加に対しては、backASEは変化しない。これは、励起系ロス増加分だけLD18のパワーが増加し、EDF11に入る励起光パワーは変化しないためである。出口信号系のロス増加に対しては、backASEパワーの所で述べたように、backASEが増加する。backASEはEDF11の利得増加に伴い増加するが、EDF11の利得は短波長側でより顕著に増加しやすい。したがって、backASEのチルトも増幅帯域の短波長の利得がより顕著に増加する。入口信号系1、入口信号系2、入口信号励起系についても、上述のように、EDF11から出てくるbackASEは増加するので、これに伴いbackASEチルトも大きくなる。次に上記の5つのロス増加ブロックと、3つのパラメータ情報との関連性をまとめたテーブルについて説明する。図9はロス増加ブロックとパラメータ情報との関連性をまとめたテーブルを示す図である。テーブルT1に示される状態として、入口信号系1のロスが増加した場合、励起光パワーの変化はないが、backASEパワーおよびbackASEチルトが増加するといった挙動となる。また、出口信号系のロスが増加した場合、励起光パワー、backASEパワーおよびbackASEチルトが増加するといった挙動となる。さらに、励起系のロスが増加した場合、励起光パワーは増加し、backASEパワーおよびbackASEチルトは変化なしといった挙動となる。また、入口信号励起系のロスが増加した場合、励起光パワーは増加し、backASEパワーは変化がなく、backASEチルトは増加するといった挙動となる。さらに、入口信号系2のロスが増加した場合、励起光パワーおよびbackASEパワーの変化はないが、backASEチルトが増加するといった挙動となる。テーブルT1からわかるように、励起光パワー、backASEパワー、backASEチルトの3つの挙動パターンで重複するものはなく、ロス増加ブロックによって独自の挙動を見せることがわかる。NF劣化検出部26では、テーブルT1をあらかじめ記憶しており、LDパワー変化量、backASEチルト変化量およびbackASEパワー変化量にもとづいて、ロス増加ブロックを特定できる。さらに、入口信号系1、入口信号系2、入口信号励起系の3ブロックのロス劣化は、そのままNF劣化として現れるので、入口信号系1、入口信号系2、入口信号励起系に対して、テーブルT1に示す挙動を認識した場合は、NF劣化アラームを出してユーザに知らせることとなる。なお、励起系と出口信号系のロス増加については、LD18の励起パワーに余裕がある場合は、LD18のパワーが増えるだけで、光増幅器の性能には影響を及ぼさない。しかしながら、LD18のパワーの上限にまで達しても目標となる利得が達成できない状態になった場合、その原因箇所がどこにあるのかを検出するのに役立つ。また、問題箇所が分かっていれば故障時、光増幅器ごと新品に交換しなくても、該当ブロックの光部品のみを交換するだけで復帰でき、復帰のためのコストと時間の削減が可能である。ここで、光増幅装置1-1を構成する各部品の具体的な数値設定の一例について説明する。backASEを信号光が流れる経路から分岐するbackASE分波器14については、例えば20:1の分岐比を持つカプラを用いる。1:1などの分岐比の大きいカプラを用いると、信号光が流れる経路のロスが増加し、NFが悪くなってしまうためである。また、波長フィルタ17としては、ここでは1550nmを境界とするフィルタを用いている。励起光波長は098μmの励起とする。光増幅装置1-1の波長数はCバンドで40波とする。入力信号光レベルは-20dBm/chとする。利得目標値は23dBとする。EDF11の長さは18mとする。また、記憶しておく励起光パワーの初期値は、図6からわかるように226dBm、backASEパワー初期値は図7から21dBm、backASEチルト初期値は図8から49dBである。さらに、励起光パワーが増加したと判定する閾値は、例えば10dBとする。backASEパワーが増加したと判定する閾値は、例えば10dBとする。backASEチルトが増加したと判定する閾値は、例えば03dBとする。この閾値を使えば、各ブロックのロスが1dB以上劣化した場合にロス増加の検出が可能となる。したがって、NF劣化も1dB以上の場合に検出可となる。次に実際の動作例として、入口信号系1のロスが2dB増加した場合の流れを示す。まず、励起光パワーは図6に示すように01dBしか増加しない。励起光パワーが増加したと判定する閾値は10dBであるので、励起光パワーは変化なしと判定する。backASEパワーは図7に示すように2dB増加する。backASEパワーが増加すると判定する閾値は10dBであるので、backASEパワーは増加したと判定する。backASEチルトは図8に示すように、07dB増加する。backASEチルト増加の閾値は03dBであるので、backASEチルトは増加したと判定する。以上の結果を図9のテーブルT1に照らし合わせると、入口信号系1のロスが増加したと判定でき、NF劣化検出のアラームを上げることができる。次に第2の実施の形態の光増幅装置について図10~図14を用いて説明する。図10は光増幅装置の構成例を示す図である。なお、光増幅装置1-1の構成要素と異なる箇所を中心に説明する。光増幅装置1-2は、EDF11-1、11-2、信号光分波器12-1、12-2、アイソレータ13、backASE分波器14、励起光合波器15-1、15-2、PD16-1~16-4、波長フィルタ17、LD18-1、18-2、利得等化器GEQ:GainEqualizer19、利得誤差検出部21b、LDパワー決定部22b、backASEチルト変化量検出部24、backASEパワー変化量検出部25、NF劣化検出部26bおよび励起パワー一定制御部27を備える。なお、図1の光ロス検出部1bは、backASEチルト変化量検出部24およびbackASEパワー変化量検出部25の機能を有する。図1のNF劣化検出部1cは、NF劣化検出部26bの機能を有する。第1の実施の形態の光増幅装置1-1では、EDFを1段としたが、第2の実施の形態の光増幅装置1-2では、EDFが2段の場合である。EDFを2段にすることで、EDF11-1とEDF11-2の間に、利得の平坦化制御を行うGEQ19や、図示していないVOAVariableOpticalAttenuator:可変光減衰器などの媒体を配置して、光増幅器全体のNFと励起光の所要パワーとの両立を調整制御することが可能になる。EDF11-1、EDF11-2はそれぞれLD18-1、LD18-2で励起する。前段のEDF11-1の利得はなるべく大きくした方が、後段のEDF11-2の入力レベルを上げることができるため、光増幅器のNFは良くなる。したがって、励起パワー一定制御部27により、LD18-1は、最大の一定パワーで制御されている。LD18-2は、第1の実施の形態と同様に利得一定制御を行っている。すなわち、PD16-1は、信号光分波器12-1から出力された信号光のパワーをモニタして、電気の入力パワー信号を生成し、PD16-2は、信号光分波器12-2から出力された信号光のパワーをモニタして、電気の出力パワー信号を生成する。利得誤差検出部21bは、入力パワー信号と出力パワー信号とにもとづいて、目標とする利得に対する誤差を検出する。LDパワー決定部22bは、検出された利得誤差が低減するように、励起光パワーを決定し、決定した励起光パワーをLD18-2から出力させるための駆動信号をLD18-2へ出力する。LD18-2は、駆動信号にもとづく励起パワーで励起光を発出する。なお、backASEパワーおよびbackASEチルトの変化量検出動作は、第1の実施の形態と同じなので説明は省略する。一方、光増幅装置1-2では、backASEパワー、backASEチルトの2つのパラメータ情報からNF劣化を検出する。励起光パワーのパラメータ情報は使わない。励起光パワーは一定に制御されているからである。図11はロスの増加する場所の種別を示す図である。ロス増加を想定するブロックは基本的には、第1の実施の形態と同じであるが、出口信号系は考えない。なぜなら、励起光パワー一定の条件では、出口信号系のロス変化はEDF11-1の動作およびbackASEパワーに影響を与えないためである。次に、それぞれのブロックのロス増加に対して、backASEパワーおよびbackASEチルトの特性が、どのように変化するかを説明する。図12はbackASEパワーとロス変化量の関係を示す図である。横軸はロス変化量dB、縦軸はbackASEパワーdBmである。backASEパワーについては、励起系のロスが増加した場合、EDF11-1に入る励起光パワーが減少することで、EDF11-1の利得が減少するため、backASEも減少する。入口信号系1のロスが増加した場合は、EDF11-1に入る信号光入力パワーは低下するが、励起光パワーは一定のままであるので、EDF11-1の出力はほとんど変化しない。よって、EDF11-1の利得は入力パワー低下分だけ増加することとなる。この増加量分だけbackASEパワーも増加する。入口信号系2のロスが増加した場合は、EDF11-1から出力されるbackASEは増加されるものの、入口信号系2のロスで減衰するため、相殺されて、ほとんど変化しない。入口信号励起系のロスが増加した場合は、EDF11-1に入る信号光パワーが低下することによるbackASEパワーの増加とEDF11-1に入る励起光パワーの低下によるbackASEの減少が相殺され、結果的にEDF11-1から出るbackASEはほとんど変化しない。しかし、backASEがモニタに入るまでの経路でロス増加部分を通ることによるパワー低下があるため、最終的には減少することとなる。図13はbackASEチルトとロス変化量の関係を示す図である。横軸はロス変化量dB、縦軸はbackASEチルトdBである。backASEチルトについては、励起系のロスが増加した場合、EDF11-1の利得が減少することにより、EDF11-1から発生するbackASEパワーは減少する。EDF11-1の利得が変化した場合、短波長側でより顕著に利得が変化することにより、backASEのチルトは減少することとなる。入口信号系1、2のロスが増加した場合、EDF11-1の利得は増加するため、backASEのチルトは増加する。入口信号励起系のロスが増加した場合、EDF11-1の利得の変化がほとんどないため、backASEパワーの変化がなく、backASEチルトもほとんど変化しない。次に上記のロス増加ブロックとパラメータ情報との関連性をまとめたテーブルについて説明する。図14はロス増加ブロックとパラメータ情報との関連性をまとめたテーブルを示す図である。テーブルT2に示される状態として、入口信号系1のロスが増加した場合、backASEパワーおよびbackASEチルトが増加するといった挙動となる。また、励起系のロスが増加した場合、backASEパワーおよびbackASEチルトが減少するといった挙動となる。さらに、入口信号励起系のロスが増加した場合、backASEパワーは減少し、backASEチルトは変化なしといった挙動となる。さらにまた、入口信号系2のロスが増加した場合、backASEパワーの変化はないが、backASEチルトが増加するといった挙動となる。テーブルT2からわかるように、backASEパワーおよびbackASEチルトの2つの挙動パターンで重複するものはなく、ロス増加ブロックによって独自の挙動を見せることがわかる。NF劣化検出部26bでは、テーブルT2をあらかじめ記憶しており、backASEチルト変化量およびbackASEパワー変化量にもとづいて、ロス増加ブロックを特定できる。また、入口信号系1、入口信号系2および入口信号励起系の3ブロックのロス劣化は、そのままNF劣化として現れるので、NF劣化アラームを出してユーザに知らせることになる。なお、励起系のロスが検出された場合は、NF劣化を示すものではないが、励起系のロス検出についてもアラーム等を出力することにより、光増幅装置1-2の異常箇所を早期に特定することが可能になる。次に光増幅装置1-2を構成する各部品の具体的な数値設定の一例について説明する。波長フィルタ17としては、ここでは1550nmを境界とするフィルタを用いている。また2つのLD18-1、18-2の励起光波長は098μm励起とする。光増幅器の波長数はCバンドで40波とする。入力レベルは-20dBm/chとする。利得目標値は23dBとする。EDF11-1、EDF11-2の長さは11m、14mとする。LD18-1は130mWで一定で光らせる。予め、記憶しておくbackASEパワーの初期値は図12より-24dBm、backASEチルト初期値は図13より61dBである。backASEパワーが増加したと判定する閾値は、例えば08dB、減少したと判定する閾値は-10dBとする。backASEチルトが増加したと判定する閾値は、例えば03dB、減少したと判定する閾値は、-04dBとする。この閾値を使えば、各ブロックのロスが1dB以上劣化した場合にロス増の検出が可能となる。したがって、NF劣化も1dB以上の場合に検出可となる。次に実際の動作例として、入口信号系1のロスが2dB増加した場合の流れについて説明する。まず、backASEパワーは図12に示すように15dB増加する。backASEパワーが増加したと判定する閾値は08dBであるので、backASEパワーは増加したと判定する。BackASEチルトは図13に示すように06dB増加する。backASEチルトが増加すると判定する閾値は03dBであるので、backASEチルトは増加したと判定する。以上の結果を図14のテーブルT2に照らし合わせると、入口信号系1のロスが増加したと判定でき、NF劣化検出のアラームを上げることができる。次に第3の実施の形態の光増幅装置について図15~図19を用いて説明する。図15は光増幅装置の構成例を示す図である。第3の実施の形態の光増幅装置1-3では、励起光パワーおよび励起光吸収比率の2つのパラメータ情報からNF劣化を検出する。光増幅装置1-3は、EDF11、信号光分波器12-1、12-2、アイソレータ13-1、13-2、励起光合波器15、励起光分波器15c、PD16-1~16-3、LD18、利得誤差検出部21c、LDパワー決定部22c、LDパワー変化量検出部23c、励起光吸収比率検出部31、励起光吸収比率変化量検出部32およびNF劣化検出部26cを備える。なお、図1の光ロス検出部1bは、LDパワー変化量検出部23cおよび励起光吸収比率変化量検出部32の機能を有する。図1のNF劣化検出部1cは、NF劣化検出部26cの機能を有する。光増幅装置1-3へ入力した信号光は、信号光分波器12-1によって2分岐される。分岐された一方の信号光は、アイソレータ13-1へ出力され、分岐された他方の信号光は、PD16-1へ出力される。アイソレータ13-1は、受信した信号光を励起光合波器15へ出力する。励起光合波器15は、アイソレータ13-1から出力された信号光と、LD18から出力された励起光とを合波して、EDF11へ合波光を入射して、EDF11に対して前方励起を行う。EDF11は、Er3イオン励起による誘導放出によって、信号光の光パワーを増幅させる。励起光分波器15cは、EDF11からの出力光から増幅信号光と、励起に使用されなかった励起光とを分波し、増幅信号光をアイソレータ13-2へ出力し、励起光をPD16-2へ出力する。アイソレータ13-2は、EDF11から出力された増幅信号光を信号光分波器12-2へ出力する。信号光分波器12-2は、アイソレータ13-2から出力された信号光を2分岐し、一方の信号光を後段へ出力し、他方の信号光をPD16-3へ出力する。PD16-1は、信号光分波器12-1から出力された信号光のパワーをモニタして、電気の入力パワー信号を生成し、PD16-3は、信号光分波器12-2から出力された信号光のパワーをモニタして、電気の出力パワー信号を生成する。利得誤差検出部21cは、入力パワー信号と出力パワー信号とにもとづいて、目標とする利得に対する誤差を検出する。LDパワー決定部22cは、検出された利得誤差が低減するように、励起光パワーを決定し、決定した励起光パワーをLD18から出力させるための駆動信号をLD18へ出力する。LD18は、駆動信号にもとづく励起パワーの励起光を出力する。LDパワー変化量検出部23cは、LDパワー決定部22cから出力されたLDパワー決定値と、あらかじめ記憶しているLDパワー初期値とにもとづいて、LDパワーの変化量を検出する。一方、PD16-2は、励起光分波器15cから出力された励起光パワーをモニタして、電気の励起パワー信号を生成する。励起光吸収比率検出部31は、励起パワー信号と、あらかじめ認識しているLD18が発出している励起光のパワーとから、励起光吸収比率を検出する。ここで、PD16-2から出力される励起パワー信号のレベルをA、LD18が発出している励起光のパワーをB電気レベルとすると、励起光吸収比率rは以下の式2から算出される。rdB=10log10B/A2励起光吸収比率変化量検出部32は、励起光吸収比率検出部31で検出された励起光吸収比率と、あらかじめ記憶している励起光吸収比率初期値とにもとづいて、励起光吸収比率の変化量を検出する。NF劣化検出部26cは、LDパワー変化量検出部23cで検出されたLDパワー変化量と、励起光吸収比率変化量検出部32で検出された励起光吸収比率変化量とにもとづいて、NF劣化を検出する。そして、検出結果を外部へ通知する例えば、正常範囲を超えるNF劣化を検出した場合は、アラームを出力するなど。なお、上記のLDパワー初期値および励起光吸収比率初期値は、図示しない記憶部で記憶されており、外部から任意に設定可能である。上記のように、光増幅装置1-3では、第1の実施の形態で用いたbackASEパワーとbackASEチルトの代わりに、励起光がEDF11でどれだけ吸収されるかの励起光吸収比率を用いてNF劣化検出を行うものである。なお、励起光吸収比率は、上記に示したように、LD18で光らせている励起光パワーと、EDF11の出力から漏れ出てきた励起光パワーとの比率である。図16は励起光吸収比率とEDF利得の関係を示す図である。横軸はEDF利得dB、縦軸は励起光吸収比率dBである。図では、18mのEDF11の場合の励起光吸収比率とEDF利得の関係を示している。次にロスの増加する場所の種別について説明する。図17はロスの増加する場所の種別を示す図である。光増幅装置1-3において、ロスの増加する場所は、大きく4つのブロックに分けることが可能である。その4つのブロックとは、入口信号系、入口信号励起系、出口信号系および励起系である。入口信号系は、入力端から励起光合波器15の信号光入力ポートp11までの範囲である。入口信号励起系は、励起光合波器15の合波光出力ポートp12からEDF11の入力端までの範囲である。さらに、出口信号系は、EDF11の出力以降の範囲であり、励起系は、LD18から励起光合波器15の励起光入力ポートp13までの範囲である。次に、それぞれのブロックのロス増加に対して、励起光パワー、励起光吸収比率の特性が、どのように変化するかを説明する。励起光パワーについては、すでに第1の実施の形態の図6で上述したので説明は省略する。図18は励起光吸収比率とロス増加量の関係を示す図である。横軸はロス増加量dB、縦軸は励起光吸収比率dBである。励起系のロスが増加した場合、EDF11に入る励起光パワーが同じになるようにLD18のパワーが高くなり、EDF利得は変化しない。そのため、EDF11自体での励起光吸収比率は変化しないが、全体としては、励起系のロス増加分だけ、モニタされる励起光吸収比率は増加することとなる。入力信号系のロスが増加した場合、EDF利得が増えるため、励起光吸収比率は減少する。出力信号系のロスが増加した場合もEDF利得が増えるため、励起光吸収比率は減少する。入口信号励起系のロスが増加した場合、励起系のロスが増加した分は、LD18のパワーが増えるため、EDF利得に変化はないが、観測される励起光吸収比率はロス分だけ増加する。信号系のロスが増加した分は、EDF利得が増え、EDF吸収比率は減少する。減少分は増加分より相対的に小さいため、全体としては、ロス増加に対して、吸収比率は増加して見える。次に上記のロス増加ブロックとパラメータ情報との関連性をまとめたテーブルについて説明する。図19はロス増加ブロックとパラメータ情報との関連性をまとめたテーブルを示す図である。テーブルT3に示される状態として、入口信号系のロスが増加した場合、励起光パワーは変化なしであり、励起光吸収比率は減少するといった挙動となる。また、出口信号系のロスが増加した場合、励起光パワーは増加し、励起光吸収比率は減少するといった挙動となる。さらに、励起系のロスが増加した場合、励起光パワーおよび励起光吸収比率は増加するといった挙動となる。さらにまた、入口信号励起系のロスが増加した場合、励起光パワーおよび励起光吸収比率は増加するといった挙動となる。テーブルT3において、励起光パワーおよび励起光吸収比率の2つの挙動パターンがすべて一致するロス増加ブロックが1箇所あり、それは、励起系と、入口信号励起系である。励起系はNF劣化と関係ないが、入口信号励起系はNF劣化に関係する。したがって、NF劣化した時には、アラームを発出するという必要条件を考えると、励起光パワーの増加および励起光吸収比率の増加の条件で、アラームをユーザに知らせる。また、励起系がロス増の場合もアラームを出すことになる。なお、出口信号系および励起系のロスが検出された場合は、NF劣化を示すものではないが、これらのロス検出についてもアラーム等を出力することにより、光増幅装置1-3の異常箇所を早期に特定することが可能になる。次に光増幅器1-3を構成する各部品の具体的な数値設定の一例について説明する。励起光波長は098μm励起とする。光増幅器の波長数はCバンドで40波とする。入力レベルは-20dBm/chとする。利得目標値は23dBとする。EDF11の長さは18mとする。あらかじめ記憶しておく励起光パワーの初期値は、図6からわかるように226dBm、励起光吸収比率の初期値は図18からわかるように141dBとなる。励起光パワーが増加したと判定する閾値は、例えば10dBとする。励起光吸収比率が増加したと判定する閾値は、例えば08dBとし、減少したと判定する閾値は-04dBとする。この閾値を使えば、各ブロックのロスが1dB以上劣化した場合にロス増の検出が可能となる。従ってNF劣化も1dB以上の場合に検出可となる。次に実際の動作例として、入口信号系のロスが2dB増加した場合の流れについて説明する。まず、励起光パワーは図6に示すように02dBmだけ増加する。励起光パワーが増加したと判定する閾値は10dBであるので、励起光パワーは変化なしと判定する。励起光吸収比率は、図18に示すように06dB減少する。励起光吸収比率が減少すると判定する閾値は-04dBであるので、励起光吸収比率は減少したと判定する。以上の結果を図19のテーブルT3に照らし合わせると、入口信号系のロスが増加したと判定でき、NF劣化検出のアラームを上げることができる。次に第4の実施の形態の光増幅装置について図20~図23を用いて説明する。図20は光増幅装置の構成例を示す図である。光増幅装置1-4は、EDF11、信号光分波器12-1、12-2、アイソレータ13-1、13-2、励起光合波器15、信号光分波器15d、PD16-1~16-4、波長フィルタ17d、LD18、利得誤差検出部21d、LDパワー決定部22d、LDパワー変化量検出部23d、NF劣化検出部26dおよび信号チルト変化量検出部41を備える。なお、図1の光ロス検出部1bは、LDパワー変化量検出部23dおよび信号チルト変化量検出部41の機能を有する。図1のNF劣化検出部1cは、NF劣化検出部26dの機能を有する。光増幅装置1-4へ入力した信号光は、信号光分波器12-1によって2分岐される。分岐された一方の信号光は、アイソレータ13-1へ出力され、分岐された他方の信号光は、PD16-1へ出力される。アイソレータ13-1は、受信した信号光を励起光合波器15へ出力する。励起光合波器15は、アイソレータ13-1から出力された信号光と、LD18から出力された励起光とを合波して、EDF11へ合波光を入射して、EDF11に対して前方励起を行う。EDF11は、Er3イオン励起による誘導放出によって、信号光の光パワーを増幅させる。アイソレータ13-2は、EDF11によって増幅されて、出力した信号光を信号光分波器12-2へ出力する。信号光分波器12-2は、アイソレータ13-2から出力された信号光を2分岐し、一方の信号光を後段へ出力し、他方の信号光をPD16-4へ出力する。PD16-1は、信号光分波器12-1から出力された信号光のパワーをモニタして、電気の入力パワー信号を生成し、PD16-4は、信号光分波器12-2から出力された信号光のパワーをモニタして、電気の出力パワー信号を生成する。利得誤差検出部21dは、入力パワー信号と出力パワー信号とにもとづいて、目標とする利得に対する誤差を検出する。LDパワー決定部22dは、検出された利得誤差が低減するように、励起光パワーを決定し、決定した励起光パワーをLD18から出力させるための駆動信号をLD18へ出力する。LD18は、駆動信号にもとづく励起パワーの励起光を出力する。LDパワー変化量検出部23dは、LDパワー決定部22dで決定されたLDパワー決定値と、あらかじめ記憶しているLDパワー初期値とにもとづいて、LDパワーの変化量を検出する。一方、波長フィルタ17dは、信号光分波器15dから分波出力された信号光に対してフィルタリング処理を行って、短波長側と長波長側の2つの帯域に分岐して出力する。この例では、短波長側として1550nm未満の信号光をPD16-2へ出力し、長波長側として1550nm以上の信号光をPD16-3へ出力する。PD16-2は、1550nm未満の短波長側信号光パワーをモニタして、電気の短波長側パワー信号を生成し、PD16-3は、1550nm以上の長波長側の信号光パワーをモニタして、電気の長波長側パワー信号を生成する。信号チルト変化量検出部41は、短波長側パワー信号と、長波長側パワー信号とから信号光のチルト信号チルトとも呼ぶを求める。そして、求めた信号チルトと、あらかじめ記憶している信号チルト初期値とにもとづいて、信号チルトの変化量を検出する。NF劣化検出部26dは、LDパワー変化量検出部23dで検出されたLDパワー変化量と、信号チルト変化量検出部41で検出された信号チルト変化量とにもとづいて、NF劣化を検出する。そして、検出結果を外部へ通知する例えば、正常範囲を超えるNF劣化を検出した場合は、アラームを出力するなど。なお、上記のLDパワー初期値および信号チルト初期値は、図示しない記憶部で記憶されており、外部から任意に設定可能である。上記のように第4の実施の形態の光増幅装置では、EDF11の出力信号を例えば20:1の分岐比の分波器を用いて分離する。さらに1550nm未満と以上の波長に分離して、それぞれのパワーをモニタし、1550nm未満のパワーから1550nm以上のパワーを引き算することで、信号チルトを算出して、励起光吸収比率を測定する代わりに、信号チルトを使用するものである。なお、EDF利得が増加すると励起光吸収比率が減少するのは、上述の通りであるが、EDF利得が増加すると、EDF11の信号チルトは増加する性質を持つので、励起光吸収比率と置き換えることができる。次にロスの増加する場所の種別について説明する。図21はロスの増加する場所の種別を示す図である。光増幅装置1-4において、ロスの増加する場所は、大きく4つのブロックに分けることが可能である。その4つのブロックとは、入口信号系、入口信号励起系、出口信号系および励起系である。入口信号系は、入力端から励起光合波器15の信号光入力ポートp11までの範囲である。入口信号励起系は、励起光合波器15の合波光出力ポートp12からEDF11の入力端までの範囲である。出口信号系は、EDF11の出力以降の範囲であり、励起系は、LD18から励起光合波器15の励起光入力ポートp13までの範囲である。次に、それぞれのブロックのロス増加に対して、励起光パワー、信号チルトの特性が、どのように変化するかを説明する。励起光パワーについては、すでに第1の実施の形態の図6で上述したので説明は省略する。図22は信号チルトとロス増加量の関係を示す図である。横軸はロス増加量dB、縦軸は信号チルトdBである。励起系のロスが増加した場合、EDF11に入る励起光パワーが同じになるようにLD18のパワーが高くなり、EDF利得は変化しない。そのため、信号チルトは変化しない。入口信号系、出力信号系、入口信号励起系のいずれかのロスが増加した場合は、EDF利得が増えるため、信号チルトは増加する。次に上記のロス増加ブロックとパラメータ情報との関連性をまとめたテーブルについて説明する。図23はロス増加ブロックとパラメータ情報との関連性をまとめたテーブルを示す図である。テーブルT4に示される状態として、入口信号系のロスが増加した場合、励起光パワーは変化なし、信号チルトは増加するといった挙動となる。出口信号系のロスが増加した場合、励起光パワーおよび信号チルトは増加するといった挙動となる。励起系のロスが増加した場合、励起光パワーは増加し、信号チルトは変化なしといった挙動となる。入口信号励起系のロスが増加した場合、励起光パワーおよび信号チルトは増加するといった挙動となる。テーブルT4において、励起光パワー、信号チルトの2つの挙動がすべて一致するロス増加ブロックが1箇所あり、それは、出口信号系と、入口信号励起系である。出口信号系はNF劣化と関係ないが、入口信号励起系はNF劣化に関係する。したがって、NF劣化した時には、アラームを発出するという必要条件を考えると、励起光パワー増、信号チルト増の条件で、アラームをユーザに知らせる。また、入口信号系がロス増加の場合もアラームを出すことになる。なお、出口信号系および励起系のロスが検出された場合は、NF劣化を示すものではないが、これらのロス検出についてもアラーム等を出力することにより、光増幅装置1-4の異常箇所を早期に特定することが可能になる。次に光増幅器1-4を構成する各部品の具体的な数値設定の一例について説明する。励起光波長は098μm励起とする。光増幅器の波長数はCバンドで40波とする。入力レベルは-20dBm/chとする。利得目標値は23dBとする。EDF11の長さは18mとする。あらかじめ記憶しておく励起光パワーの初期値は、図6からわかるように226dBmであり、信号チルトの初期値は図22からわかるように141dBである。励起光パワーが増加したと判定する閾値は、例えば10dBとする。信号チルトが増加したと判定する閾値は、例えば03dBとする。この閾値を使えば、各ブロックのロスが1dB以上劣化した場合にロス増の検出が可能となる。従ってNF劣化も1dB以上の場合に検出可となる。次に実際の動作例として、入口信号系のロスが2dB増加した場合の流れについて説明する。まず、励起光パワーは図6に示すように02dBだけ増加する。励起光パワーが増加したと判定する閾値は10dBであるので、励起光パワーは変化なしと判定する。信号チルトは図22に示すように05dB増加する。信号チルトが増加すると判定する閾値は03dBであるので、信号チルトは増加したと判定する。以上の結果を図23のテーブルT4に照らし合わせると、入口信号系のロスが増加したと判定でき、NF劣化検出のアラームを上げることができる。次に光増幅装置が多段に接続された構成を備える光伝送システムについて説明する。図24は光伝送システムの構成例を示す図である。WDMWavelengthDivisionMultiplexing光伝送を行う光伝送システム5は、端局監視局51a、51b、光増幅装置52-1~52-nを備える。光増幅装置52-1~52-nは、光ファイバ伝送路F上に多段に接続されている。光増幅装置52-1~52-nは、図1で上述した、光増幅媒体1a、光ロス検出部1bおよびNF劣化検出部1cを備え、光ファイバ伝送路F上に多段に接続して、光中継増幅を行う。ここで、光増幅装置52-2において、上記で説明したような制御によって、NF劣化が検出されたとする。この場合、光増幅装置52-2内のNF劣化検出部1cは、NF劣化を検出すると、自装置でNFの劣化が生じている旨を、自己の識別子と共に監視信号光に重畳して、端局51a、51bの少なくとも一方に通知する。監視信号光としては、例えば、OSCOpticalSupervisoryChannel信号などが利用できる。このように、光伝送システム5では、NF劣化を検出した光増幅装置は、自装置でNF劣化が生じている旨を監視信号光により局側へ通知する構成とした。これにより、NF劣化を生じている光増幅器を容易に特定することが可能になる。以上説明したように、本技術により、コストアップすることなく、光増幅器のNF劣化の検出、もしくはロスが増加しているブロックがどこかを検出することが可能となる。以上、実施の形態を例示したが、実施の形態で示した各部の構成は同様の機能を有する他のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や工程が付加されてもよい。