エピタキシャル法によってシリコン基板上に製造されるIII族元素の窒化物に基づく連続層であって、1×1018cm3より高いドーパント濃度を有する、少なくとも1つのドープされた第一のIII族元素の窒化物層105;少なくとも50nmの厚さ、および5×1018cm3未満のn型またはp型ドーパント濃度を有する第二のIII族元素の窒化物層106;およびIII族元素の窒化物半導体材料製の活性領域106;を含み、前記第一のIII族元素の窒化物層が、ゲルマニウム、スズ、鉛、酸素、硫黄、セレンおよびテルルによって構成される元素群から選択される少なくとも1つのn型ドーパント、または少なくとも1つのp型ドーパントを含み、且つ、前記活性領域が、5×109cm3を下回る体積密度のらせん転位または刃状転位のいずれかを有する、前記連続層。第二のIII族元素の窒化物層が、5×1017cm3未満の濃度のn型またはp型ドーパントによって低ドープされている、請求項1に記載の連続層。第二のIII族元素の窒化物層が、少なくとも500nmの厚さを有する、請求項1または2に記載の連続層。第二のIII族元素の窒化物層が、2~10μmの間の厚さを有する、請求項3に記載の連続層。活性領域が、5×108cm3未満の体積密度のらせん転位を有する、請求項1から4までのいずれか1項に記載の連続層。活性領域内のらせん転位の体積密度が、1×108cm3未満である、請求項1から5までのいずれか1項に記載の連続層。第一のIII族元素の窒化物層のドーパント濃度が、n型ドーパント濃度のことである、請求項1から6までのいずれか1項に記載の連続層。第一のIII族元素の窒化物層のドーパント濃度が、p型ドーパント濃度のことである、請求項1から6までのいずれか1項に記載の連続層。さらに、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ホウ素、または酸化アルミニウム、またはそれらの材料の少なくとも2つの混合物の層を含む、請求項1から8までのいずれか1項に記載の連続層。シリコン基板が、シリコンオンインシュレータ構造を有する、請求項1から9までのいずれか1項に記載の連続層。活性領域内の刃状転位の体積密度が、2×109cm3未満である、請求項1から10までのいずれか1項に記載の連続層。活性領域内の刃状転位の体積密度が、5×108cm3未満である、請求項11に記載の連続層。請求項1から12までのいずれか1項に記載の、少なくとも1つのIII族元素の窒化物に基づく連続層を含む半導体素子。ショットキーダイオード、pinダイオードとして、または発光ダイオードとしてのいずれかで構成される、請求項13に記載の半導体素子。活性領域を通って電流が垂直に流れることができるように構成されている、請求項13または14に記載の半導体素子。