入力光を増幅する前段半導体光増幅部と、前記前段半導体光増幅部からの増幅光を増幅する後段側半導体光増幅部を有し、前記前段半導体光増幅部は、内部の光増幅素子の発光閾値電圧より高い値の印加電圧に応じて流れる駆動電流の可変制御によって、前記出力光パワー一定制御を行い、前記後段側半導体光増幅部は、駆動電流のスイッチング制御により、透過光のゲートスイッチングを行うことを特徴とする光増幅装置。前記後段側半導体光増幅部は、固定のパラメータでエッジ強調を施した印加電圧に対して流れる一定値の駆動電流のスイッチング制御により、ゲイン一定で前記透過光のゲートスイッチングを行うことを特徴とする請求項1記載の光増幅装置。前記前段半導体光増幅部からの出力光のフィルタリングを行い、前記後段側半導体光増幅部へ透過光を出力する光フィルタを更に備え、前記光フィルタは、波長多重されている前記入力光に対して、前記前段半導体光増幅部で出力光パワー一定制御が行われた際に生じる波長方向のゲインチルトを補償する透過特性によって、前記前段半導体光増幅部からの出力光のフィルタリングを行うことを特徴とする請求項1記載の光増幅装置。入力波長多重信号光を受信して、前記入力波長多重信号光の波長分波を行い、波長間隔を広げたn本の分波信号光を生成して出力する波長分波部と、前記分波信号光を増幅する第1の半導体光増幅部と、前記分波信号光が波長多重信号光の場合に、前記第1の半導体光増幅部で出力光パワー一定制御が行われた際に生じる波長方向のゲインチルトを減少させる透過特性と、第2の半導体光増幅部で生じるゲインチルトを予め補償する透過特性の積である透過特性によって、前記第1の半導体光増幅部からの出力光のフィルタリングを行う光フィルタと、前記光フィルタからの透過光を増幅する第2の半導体光増幅部とを備えるn個の光増幅部と、n個の前記第2の半導体光増幅部から出力されたn本の信号光の波長合波を行う波長合波部と、を有することを特徴とする光増幅装置。前記第1の半導体光増幅部は、内部の光増幅素子の発光閾値電圧より高い値の印加電圧に応じて流れる駆動電流の可変制御によって、前記出力光パワー一定制御を行うことを特徴とする請求項4記載の光増幅装置。前記第2の半導体光増幅部は、固定のパラメータでエッジ強調を施した印加電圧に対して流れる一定値の駆動電流のスイッチング制御により、ゲイン一定で増幅した光のゲートスイッチングを行うことを特徴とする請求項4記載の光増幅装置。前記波長分波部は、インターリーバを用いて前記波長分波を行うことを特徴とする請求項4記載の光増幅装置。前記波長分波部は、波長選択スイッチを用いて前記波長分波を行うことを特徴とする請求項4記載の光増幅装置。前記第2の半導体光増幅部の間に前記第1の半導体光増幅部を配置して、前記第1の半導体光増幅部と前記第2の半導体光増幅部とを集積化することを特徴とする請求項4記載の光増幅装置。SOAの光増幅時には、印加電圧の発生からSOAチップへ駆動電流が流れるまでの時間遅延を抑制するために、印加電圧に対してエッジ強調が施される。しかし、SOAに対する入力光パワーに変化がある場合に、その変化に合わせずに固定的な大きさのエッジ強調を印加電圧に施すと、SOAからの増幅出力光に波形歪みが生じるといった問題があった。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、波形歪みを抑制して、光通信品質の向上を図った光増幅装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、光増幅装置が提供される。光増幅装置は、入力光を増幅する前段半導体光増幅部と、前記前段半導体光増幅部からの増幅光を増幅する後段側半導体光増幅部を有し、前記前段半導体光増幅部は、内部の光増幅素子の発光閾値電圧より高い値の印加電圧に応じて流れる駆動電流の可変制御によって、前記出力光パワー一定制御を行い、前記後段側半導体光増幅部は、駆動電流のスイッチング制御により、前記透過光のゲートスイッチングを行う。波形歪みを抑制して光通信品質の向上を図ることが可能になる。以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1は光増幅装置の構成例を示す図である。光増幅装置1は、半導体光増幅部SOA10および光フィルタ20を備える。SOA10は、入力光を増幅する。光フィルタ20は、SOA10からの出力光のフィルタリングを行う。光フィルタ20は、SOA10で波長多重信号光WDM信号光の出力光パワー一定制御ALCが行われた際に生じる波長方向のゲインチルトに対し、ゲインチルトを補償する透過特性を有しており、該透過特性による光フィルタリングを行う。なお、図中、x軸は時間、y軸は波長、z軸は光パワーである。光フィルタ20の入力状態として、ゲインチルト補償前のWDM信号光を示し、光フィルタ20の出力状態として、ゲインチルト補償後のWDM信号光を示している詳細は後述する。次にSOAによるWDM信号光のALCの増幅時に、ゲインチルトによって生じる波長間のパワー偏差について説明する。図2は1波長の信号光の増幅状態を示す図である。x軸は時間、y軸は波長、z軸は光パワーである。SOA5aに対して、1波長波長λ1の光パケット信号が入力する。時間t1において、光パワーp2の波長λ1の光パケット信号s1-1が入力し、時間t2において、光パワーp1の波長λ1の光パケット信号s1-2が入力したとする。このような入力に対して、SOA5aにおいて、出力光のレベルを一定にして増幅するALCを行う場合を考える。時間t1、t2毎に、SOA5aの駆動電流の値を変えて、光パケット信号s1-1、s1-2の増幅後のレベルが一定となるように、光パワーp1、p2に応じたゲインを設定して増幅する。これにより、同じ光パワー同じ光ピークパワーp3に揃った、光パケット信号s1a-1、s1a-2がSOA5aから出力される。図3はゲインチルトによって波長間にパワー偏差が起きている状態を示す図である。x軸は時間、y軸は波長、z軸は光パワーであり、WDM信号光がSOA5aに入力したときのALCの増幅状態を示している。SOA5aに対して、波長λ1~λ3λ1<λ2<λ3が多重された光パケット信号が入力する。時間t1において、光パワーp2の波長λ1~λ3の光パケット信号s1-1~s3-1が入力し、時間t2において、光パワーp1の波長λ1~λ3の光パケット信号s1-2~s3-2が入力したとする。このような入力に対して、SOA5aにおいて、時間t1、t2毎に、図2で上述したような駆動電流の値を可変制御してALCを行う。すると、SOA5aの出力は、波長毎に時間方向x軸方向に見た光パワーは一定になって揃うが、波長方向y軸方向に見た光パワーは一定にならず揃わないという現象が生じる。すなわち、波長λ1~λ3毎に時間方向に見た場合、波長λ1の光パケット信号s1a-1、s1a-2は、同じ光パワーp5でSOA5aから出力される。また、波長λ2の光パケット信号s2a-1、s2a-2は、同じ光パワーp4でSOA5aから出力される。さらに、波長λ3の光パケット信号s3a-1、s3a-2は、同じ光パワーp3でSOA5aから出力される。しかし、波長λ1~λ3毎に波長方向に見た場合、波長λ1の光パケット信号s1a-1と、波長λ2の光パケット信号s2a-1と、波長λ3の光パケット信号s3a-1とはそれぞれ、光パワーp5、p4、p3であり、長波長になるにつれて光パワーが減少しており、同一の光パワーで出力されていない。同様に、波長λ1の光パケット信号s1a-2と、波長λ2の光パケット信号s2a-2と、波長λ3の光パケット信号s3a-2とはそれぞれ、光パワーp5、p4、p3であり、長波長になるにつれて光パワーが減少しており、同一の光パワーで出力されていない。このように、SOA5aに対して、多波長一括入力した光パケット信号のALCを実行しようとしても、図3に示すように、短波長側はゲインが大きく、長波長側はゲインが小さくなるといったゲインチルトが発生してしまう。このため、SOA5aの増幅出力光は、波長間にパワー偏差が生じた状態となり、出力信号光のパワーが一定にならない。次にゲインチルトを補償する光フィルタ20について説明する。図4はフィルタリング動作を示す図である。x軸は時間、y軸は波長、z軸は光パワーである。SOA10でWDM信号光のALCを実施した際の増幅信号光が光フィルタ20に入力する。この入力信号光は、図3で示したように、波長毎に時間方向の光パワーは一定であり、波長方向の光パワーは一定ではない信号光である。具体的には、波長λ1~λ3毎の時間方向の光パワーでは、波長λ1の光パケット信号s1a-1、s1a-2は、同じ光パワーp5であり、波長λ2の光パケット信号s2a-1、s2a-2は、同じ光パワーp4であり、波長λ3の光パケット信号s3a-1、s3a-2は、同じ光パワーp3である。波長λ1~λ3毎の波長方向の光パワーでは、波長λ1の光パケット信号s1a-1と、波長λ2の光パケット信号s2a-1と、波長λ3の光パケット信号s3a-1とはそれぞれ、光パワーp5、p4、p3であり、異なる光パワーである。また、波長λ1の光パケット信号s1a-2と、波長λ2の光パケット信号s2a-2と、波長λ3の光パケット信号s3a-2とはそれぞれ、光パワーp5、p4、p3であり、異なる光パワーである。ここで、光フィルタ20は、上記のようなWDM入力信号光に生じているゲインチルトを補償する透過特性を有している。すなわち、SOA10では、短波長側はゲインが大きく、長波長側はゲインが大きくなるといったゲインチルトが生じるので、光フィルタ20では、短波長側へ行くほど透過率を低下させて、光パワーを低減させる透過特性を有している。例えば、波長λ3の光パケット信号s3a-1、s3a-2の透過率を所定の透過率例えば、90の透過率にして、光パケット信号s3b-1、s3b-2を出力する。波長λ2の光パケット信号s2a-1、s2a-2に対しては、光パケット信号s3b-1、s3b-2と同一レベルとなるように、透過率を低下させてフィルタリングし例えば、透過率80でフィルタリング、光パケット信号s2b-1、s2b-2を出力する。また、波長λ1の光パケット信号s1a-1、s1a-2に対しては、光パケット信号s3b-1、s3b-2と同一レベルとなるように、透過率をさらに低下させてフィルタリングし例えば、透過率70でフィルタリング、光パケット信号s1b-1、s1b-2を出力する。このように、SOA10で生じるゲインチルトとは逆特性の透過特性でゲインチルトを補償するフィルタリングを行うことにより、光フィルタ20からは、時間方向にも波長方向にも光パワーが一定に揃ったWDM信号光を出力することができる。このように、光増幅装置1では、SOA10のWDM入力信号光のALC動作時に生じる、波長方向のゲインチルトに対し、ゲインチルトを補償する透過特性を有する光フィルタ20を設けて、SOA10の出力光のフィルタリングを行う構成とした。これにより、SOA10の出力光の波長間のパワー偏差を抑制することが可能になり、光通信品質の向上を図ることが可能になる。次に光増幅装置1の光フィルタ20の後段にSOA後段側半導体光増幅部をさらに備えた光増幅装置について説明する。図5は光増幅装置の構成例を示す図である。光増幅装置1aは、SOA10、30および光フィルタ20を備える。SOA10、30は縦列接続し、SOA10とSOA30との間に光フィルタ20が配置する。SOA10は図1で示した構成要素と同じである。光フィルタ20はSOA10で生じる波長方向のゲインチルトを補償する透過特性と、SOA30で生じる波長方向のゲインチルトを予め補償する透過特性の、積であるdB表示であれば和である透過特性を持つ。SOA30は、光フィルタ20からの透過光を増幅する。光増幅装置1aにおいて、前段のSOA10は、駆動電流の値を可変的に制御してALC動作を実施する。また、後段のSOA30では、一定値の駆動電流の制御により、光フィルタ20から出力された透過光のゲイン一定制御AGC:AutoGainControlを実施する。さらに、一定値の駆動電流のON/OFFによるスイッチング制御によって、ゲイン一定で増幅した信号光のゲートスイッチングを行う光増幅装置1aの構成および動作の詳細については後述する。なお、ゲートスイッチングとは、光をON、OFFする光ゲートしてのスイッチング動作のことであり、SOAでは、ゲートON時には光を増幅して出力し、ゲートOFF時にはほぼ消光する。次にゲートスイッチングについて光伝送システムの例を挙げて説明する。図6は光パケット信号の多重化伝送を示す図である。光伝送システム5は、SOA50、光カプラc1、c2を備える。光伝送システム5は、例えば、PONPassiveOpticalNetworkのような光アクセス系システムの上り信号伝送に適用されるシステムである。光カプラc1、c2は、2入力1出力の光カプラである。光カプラc1の一方の入力端は、光ファイバf1と接続し、他方の入力端は、光ファイバf2と接続し、出力端は、光ファイバf3を通じてSOA50の入力端と接続する。また、光カプラc2の一方の入力端は、光ファイバf4を通じて、SOA50の出力端と接続し、他方の入力端は、光ファイバf5と接続し、出力端は、光ファイバf6と接続する。光カプラc1は、互いに異なる時間に到着した、光ファイバf1を流れてきた光パケット信号Aと、光ファイバf2を流れてきた光パケット信号Cとを合波して出力する。SOA50は、光カプラc1から出力された光パケット信号A、CのALCを行って、一定レベルに増幅して出力する。この場合、SOA50は、光ゲートスイッチングを行い、時間t1で光パケット信号Aを出力し、時間t3で光パケット信号Cを出力するものとする。光カプラc2は、光ファイバf4を流れてきた増幅後の光パケット信号A、Cに対し、時間t1で光パケット信号Aを受信し、時間t3で光パケット信号Cを受信する。さらに、光ファイバf5を流れてきた光パケット信号Bを時間t2で受信する。そして、時間t1~t3の各時間帯の光パケット信号A、B、Cを多重化して出力する。上記のSOA50の光ゲートスイッチングにおいて、時間t1、t3では、ゲートがONして、増幅後の光パケット信号A、Cが出力され、時間t2ではゲートがOFFする。そして、光カプラc2によって、時間t2の時間帯に光パケット信号Bが挿入されることで、時間t1~t3のそれぞれの時間帯で光パケット信号A、B、Cが合波された多重化信号が生成する。ここで、光カプラc2において、時間t2に光パケット信号Bを多重化するので、時間t2の時間帯では、SOA50の出力の消光比が高いことが望まれる。すなわち、時間t1、t3ではゲートONとなって所定レベルの光パワーを出力するが、合流時間帯である時間t2ではゲートOFFとなって、SOA50からは雑音光が出力されないこと所定の品質を満たす範囲で雑音光がほぼ出力されないことが重要である。なぜなら、時間t2において、SOA50からASEAmplifiedSpontaneousEmissionのような雑音光が放出されていると、合流すべき光パケット信号Bと干渉してしまうからである。このように、SOAのゲートスイッチングでは、消光比ゲートON時の信号10の平均光強度と、ゲートOFF時の信号10の平均光強度の比率が大きいことが重要となる。消光比が大きいほど光のON、OFFが明確に識別でき、他ポートからの信号光の混信クロストークが抑制され、符号誤り率が低減する。次にSOAの構造等を示しながら、印加電圧が発生してから所定の駆動電流がSOAに供給されるまでに生じる時間遅れについて図7~図10を用いて段階的に説明する。図7はSOAの内部構成を示す図である。SOA50は、光増幅素子以下、SOAチップと呼ぶ51、駆動部52および光カプラ53を備える。光カプラ53は、入力光を2分岐し、一方の信号光を駆動部52へ送出し、他方の信号光をSOAチップ51へ送出する。駆動部52は、入力光の光レベルにもとづいて印加電圧を発生し、該印加電圧のレベルに対応した電流値の駆動電流がSOAチップ51に流れる。SOAチップ51は、駆動電流の大きさにもとづいてゲインを変化させて、入力した信号光を増幅して出力する。このように、SOA50内のSOAチップ51は、電気の入力端子と光の入出力端子を持っており、駆動電流の大きさに応じてゲインを変化させて光増幅を行う。図8はSOAの電圧-電流特性を示す図である。横軸は印加電圧であり、縦軸は駆動電流である。印加電圧の値が、SOAチップ51の発光閾値電圧Th約0.6Vよりも小さい範囲H1に位置している場合は、ゲートOFFとなる。また、印加電圧の値が発光閾値電圧Thよりも大きい範囲H2に位置している場合は、ゲートONとなって、印加電圧から生成される駆動電流の大きさに比例したゲインで光増幅が行われる。図9はSOAの等価回路を示す図である。SOA50は、電気的な等価回路としてはLRフィルタ回路として示すことができる。LRフィルタ回路50aは、コイルL1と抵抗R1を含む。コイルL1の一端は、電圧が印加される入力端子であり、他端は抵抗R1の一端と接続する。抵抗R1の他端はGNDに接続する。このようなLRフィルタ回路50aでは、電圧を印加してから所定の駆動電流が流れるまでに時間的な遅れが生じる。具体的には、発光閾値電圧Thを下回る電圧の範囲H1から発光閾値電圧Thを超える電圧の範囲H2へ印加電圧がまたぐとき、抵抗R1が高く見えるために数百kΩ、所定の駆動電流の値に達するまでに遅れが生じてしまう。図10は印加電圧と駆動電流との対応関係を示す図である。グラフg1の横軸は時間、縦軸は印加電圧である。グラフg2の横軸は時間、縦軸は駆動電流である。印加電圧の値V1>発光閾値電圧Thを生成し、印加電圧V1にもとづく駆動電流I1をSOAチップ51へ流すものとする。時刻T1において、印加電圧が0からV1へ遷移した場合、図8で示した範囲H1から範囲H2をまたぐ印加電圧が発生したことになる。すると、駆動電流は、時刻T1で即時に値I1に到達せずに、時刻T2になって所望の電流値I1に達しており、時刻T2-T1分だけ遅れが生じる。次に印加電圧のエッジ強調について図11~図13を用いて説明する。上記のように、発光閾値電圧Thを下回る電圧の範囲H1から発光閾値電圧Thを超える電圧の範囲H2へ印加電圧がまたぐ場合、所定の駆動電流の値になるまでに遅れが生じてしまう。このような遅れを減少させるために、印加電圧の立ち上がり波形にエッジ強調を施して、駆動電流の立ち上がりを早める制御を行う。図11はエッジ強調を行った印加電圧を示す図である。横軸は時間、縦軸は印加電圧である。点線波形k1は、エッジ強調を施していない印加電圧であり、実線波形k2は、エッジ強調を施した印加電圧である。エッジ強調が施された印加電圧の立ち上がり波形k2では、電圧V1を超える電圧V1aが瞬間的に与えられている。その後、印加電圧は、時間経過に伴って電圧値V1に遷移して、電圧値V1で定常状態となる。図12は駆動電流の遷移状態を示す図である。横軸は時間、縦軸は駆動電流である。点線波形k3は、エッジ強調を施していない印加電圧に対応する駆動電流であり、実線波形k4は、エッジ強調を施した印加電圧に対応する駆動電流である。ここで、印加電圧V1が供給されたときに対応する駆動電流の定常的な値をI1とする。また、駆動電流I1の値を100としたとき、90に該当する電流値を駆動電流I1bとし、駆動電流の値が0から値I1bの90に達するまでに要する時間を駆動電流の立ち上がり時間とする。印加電圧にエッジ強調を施したときの波形k4の駆動電流の立ち上がり時間は、時間Taであり、印加電圧にエッジ強調を施さないときの波形k3の駆動電流の立ち上がり時間は、時間Tbである。Ta<Tbであり、印加電圧にエッジ強調を施すことにより、駆動電流の立ち上がり時間が早くなることがわかる。図13はエッジ強調回路の構成例を示す図である。エッジ強調回路7は、コンデンサC1、抵抗R2、R3を含む。コンデンサC1の一端は、抵抗R2の一端と入力端子とに接続する。コンデンサC1の他端は、抵抗R2の他端と、抵抗R3の一端と、出力端子とに接続する。抵抗R3の他端はGNDに接続する。このような回路構成によって、入力パルスの立ち上がり波形にエッジ強調を施す。次にエッジ強調の問題点について図14、図15を用いて説明する。印加電圧に対して、上記のようなエッジ強調を行う場合、入力光パワーの変動に応じた大きさでエッジ強調を行うことになる。図14はエッジ強調を示す図である。グラフg11~g13において、横軸は時間である。また、グラフg11の縦軸はSOAへの入力光パワーであり、グラフg12の縦軸は印加電圧であり、グラフg13の縦軸はSOAからの出力光パワーである。SOAの入力光パワーの変動に応じた大きさのエッジ強調を与えている理想的な状態を示している。光パケット信号61、62のそれぞれの光パワーP1、P2に応じたエッジ強調の大きさで、印加電圧Va、Vbの立ち上がりのエッジを強調する。このような印加電圧から生成された駆動電流により、光パケット信号61、62がALC増幅されることで、増幅光の波形には歪みのない出力が得られる。このように、エッジ強調の大きさを変えるパラメータ高さおよび時定数を、光パケット信号の光パワーに応じて変えて印加電圧のエッジ強調を行うことにより、SOAから波形歪みのない光パワー一定の増幅光が出力される。しかし、図14で上述したようなエッジ強調は、理想的な動作であって、光パケット信号の入力光パワーの変化に応じてエッジ強調のパラメータを適応的に変えることは困難である。なぜなら、エッジ強調回路は、図13で示したように、コンデンサおよび抵抗から構成される時定数回路であるので、入力光パワーに応じて、抵抗値や静電容量値といった回路時定数を高速ナノ秒オーダで切り替えることは、現実的に困難であるからである。図15はエッジ強調を示す図である。グラフg11a~g13aにおいて、横軸は時間である。また、グラフg11aの縦軸はSOAへの入力光パワーであり、グラフg12aの縦軸は印加電圧であり、グラフg13aの縦軸はSOAからの光出力パワーである。SOAの入力光パワーの変動に対して、固定的なパラメータ高さおよび時定数のエッジ強調を行っている状態を示している。光パケット信号61、62のそれぞれの光パワーP1、P2には依存しない、固定的な平均的な大きさで、印加電圧Va、Vbの立ち上がりエッジを強調する。このような、固定的なエッジ強調が行われると、SOAからの増幅出力光の波形に歪みが生じることになる。例えば、図15において、光パワーP1のように入力光パワーが小さな光パケット信号61にALCを行う際は、印加電圧を大きく設定することになる。しかし、固定的な大きさのエッジ強調では、エッジ強調部分が相対的に小さくなるために、SOAからの光出力パワーの立ち上がり波形がなまってしまう。また、光パワーP2のように入力光パワーが大きな光パケット信号s2にALCを行う際は、印加電圧を小さく設定することになる。しかし、固定的な大きさのエッジ強調では、エッジ強調部分が相対的に大きくなるために、SOAからの光出力パワーの立ち上がり波形にオーバーシュートが生じてしまう。以上説明したように、SOAの光増幅時には、印加電圧の発生からSOAチップへ駆動電流が流れるまでの時間遅延を抑制するために、印加電圧に対してエッジ強調が施される。しかし、SOAに対する入力光パワーに変化がある場合に、その変化に合わせずに固定的な大きさのエッジ強調を印加電圧に施すと、SOAからの増幅出力光に波形歪みが生じるといった問題があった。次に光増幅装置1aの構成および動作について説明する。光増幅装置1aでは、波長間のパワー偏差を抑制する効果の他に、さらに上記のようなエッジ強調時の問題を解決して、良好な光ゲートスイッチングを行うものである。図16は光増幅装置の構成例を示す図である。光増幅装置1aは、SOA10、30および光フィルタ20を備える。SOA10は、光カプラ11、フォトディテクタ12、光パワー測定部13、駆動部14、SOAチップ15および光遅延線faを含み、ALC動作を行う。なお、駆動部14は、テーブル管理部14aを含む。SOA30は、出力光パワー設定部31、駆動部32およびSOAチップ33を含み、AGC動作を行う。また、AGCで増幅した光のゲートスイッチングを行う。なお、駆動部32は、エッジ強調回路32aを含む。SOA10の動作において、光カプラ11は、入力した信号光を2分岐する。2分岐された一方の信号光は、光遅延線faを通じてSOA15へ送出される。また、2分岐された他方の信号光は、フォトディテクタ12へ送出される。フォトディテクタ12は、受信した信号光を電気信号に変換する。該電気信号は、光パワー測定部13およびSOA30内の駆動部32へ送出される。光パワー測定部13は、電気信号のレベルから光パワー光ピークパワーを測定する。テーブル管理部14aは、光パワーと印加電圧との対応テーブルの管理を行うテーブル内容は外部から書き替えが可能。駆動部14は、対応テーブルにもとづいて、光パワー測定部13で測定された光パワーに該当する印加電圧を発生させる。また、印加電圧発生部は、光入力がないときであっても、発光閾値電圧Thを超える電圧を発生し続ける。SOAチップ15は、印加電圧に応じた駆動電流が流れて、駆動電流によりゲインを変えて、受信した信号光のALC増幅を行う。なお、光遅延線faは、信号光がフォトディテクタ12で受光されて駆動電流が生成するまでの制御に要する時間分、信号光を遅延させる。SOA30の動作において、出力光パワー設定部31は、外部設定ユーザ等から設定された出力光パワーを設定する。駆動部32は、フォトディテクタ12からの出力信号から、光入力があるか否かを判断し、光入力がある場合は、外部から設定された出力光パワーに対応する印加電圧を発生する。また、光入力がない場合は、発光閾値電圧Thより低い電圧を出力する。また、印加電圧の生成時には、エッジ強調回路32aによって、印加電圧の立ち上がりエッジを強調する。この場合、エッジ強調のパラメータレベルおよび時定数は、入力光パワーに依存しない固定的な値でエッジ強調を施す。SOAチップ33は、印加電圧に応じた駆動電流が流れて、駆動電流にもとづいて、ゲイン一定で増幅した信号光の光ゲートスイッチングを行う。次にSOA10のALC動作について説明する。図17はALC動作を示す図である。グラフg21~g23において、横軸は時間である。また、グラフg21の縦軸はSOA10への入力光パワーであり、グラフg22の縦軸は印加電圧であり、グラフg23の縦軸はSOA10からの光出力パワーである。SOA10は、光パケット信号61、62の入力がある場合は、光パワーP1、P2にもとづく印加電圧を発生して所望のゲインを得るが、光パケット信号の入力が無い時間帯であっても、発光閾値電圧Thを超える電圧を発生し保持するようにする。すなわち、ゲートOFFとならないように発光閾値電圧Thを超え、かつゲートONとなる電圧値よりも低い電圧となるような範囲内での電圧を発生して保持する。したがって、発光閾値電圧Thを超える電圧を常に生成するので、発光閾値電圧Thより低い電圧から発光閾値電圧Thをまたぐといった電圧制御は行わない。このため、SOA10には、エッジ強調回路は不要となるので、回路規模を削減できる。ただし、光パケット信号の入力が無い時間帯でも、発光閾値電圧Thを超える電圧を発生しているので、この時間帯では、SOA10から雑音光が放出することになる。図18はAGCで増幅した光のゲートスイッチングの動作を示す図である。グラフg31~g33において、横軸は時間である。また、グラフg31の縦軸はSOA30への入力光パワーであり、グラフg32の縦軸は印加電圧であり、グラフg33の縦軸はSOA30からの光出力パワーである。SOA30には、SOA10のALC動作によって時間方向には同一レベルの光パケット信号61a、62aが入力し、光パケット信号61a、62aをAGCにより増幅する。この場合、ゲートスイッチングを行うので、発光閾値電圧Thをまたがる印加電圧の制御を行うことになり、エッジ強調回路を備えることになる。ただし、SOA30に入力される光パケット信号61a、62aは、SOA10のALC動作によって時間方向には一定レベルに揃っている。このため、SOA30への入力光パワーは光信号が存在している時間帯だけ見ると、時間方向には変化がなく一定であるので、エッジ強調のパラメータ大きさは固定でよい。また、SOA30でゲートスイッチングを行うことにより、SOA10から放出された雑音光も遮断されることになる。以上説明したように、光増幅装置1aでは、まず、SOA10において駆動電流の可変制御によるALCを行う。この場合、光入力が無い時間帯でも発光閾値電圧Thを超える電圧を発生させるように制御した。これにより、エッジ強調回路が不要となり、回路規模の削減を図ることができる。また、光フィルタ20に対し、SOA10におけるWDM入力信号光のALC増幅時に生じるゲインチルトを補償する透過特性とSOA30によるAGC増幅時に生じるゲインチルトをSOA30への入力前に予め補償する透過特性の積である透過特性を持たせてフィルタリングを行う構成とした。これにより、光フィルタ20の光出力にはSOA30によるAGC増幅時に生じるゲインチルトの逆特性となる逆チルトが付いた波長間パワー偏差がついて出力され、その光出力がAGC増幅状態のSOA30に入力されていることにより、SOA30の光出力での波長間のパワー偏差を抑制することができる。さらに、SOA30では、駆動電流の一定制御によるAGCを行い、一定値の駆動電流のスイッチング制御により、AGCで増幅されたゲートスイッチングを行う。ゲートスイッチングを行うので、エッジ強調を要するが、光フィルタ20からは時間方向には一定レベルの信号光が出力されるので、固定のパラメータによるエッジ強調を行えばよく、SOA30からの出力光波形に歪みをもたらす要因を削除することができる。また、SOA10では、光入力が無い時間帯でも発光閾値電圧Thを超える電圧を発生させているので、この時間帯では、SOA10から放出された雑音光が光フィルタ20を介してSOA30に入力するが、SOA30では、消光比の高いゲートスイッチングを行うので、ゲートOFF時の雑音光を効率よく遮断することができる。ここで、光フィルタ20は、SOA10およびSOA30の波長方向のゲインチルトを補償する透過特性を備え、信号光の波長方向のパワー偏差を低減する効果を有するが、一定レベルの信号光をSOA30に入力することで、固定のパラメータによるエッジ強調を行い、出力光波形に歪みをもたらす要因を削除するためには、光フィルタ20はなくてもよい。次に複数の光増幅装置1aを含む装置構成について説明する。図19は光増幅装置の構成例を示す図である。光増幅装置2は、波長分波部41、波長合波部42および光増幅部1a-1~1a-nを含む。波長分波部41は、WDM信号光を受信して、WDM信号光の波長分波を行い、波長間隔を広げたn本の分波信号光を生成して出力する。光増幅部1a-1~1a-nは、SOA10、30および光フィルタ20を含み、図16で上述した同じ内部構成を有する。波長合波部42は、光増幅部1a-1~1a-n内のn個のSOA30から出力されたn本の信号光の波長合波を行う。次に光増幅装置2の具体的な構成例について説明する。なお、光増幅部1a-1~1a-nとしては、2チャンネルn=2であるとし、光増幅部1a-1、1a-2とする。図20は波長分波合波にインターリーバを使用した光増幅装置の構成例を示す図である。光増幅装置2-1は、インターリーバ41a、42aおよび光増幅部1a-1、1a-2を備える。光増幅部1a-1は、SOA10-1、30-1および光フィルタ20-1を含む。光増幅部1a-2は、SOA10-2、30-2および光フィルタ20-2を含む。インターリーバ41aは、WDM信号光を受信すると、奇数チャネルの波長の信号光と、偶数チャネルの波長の信号光とに分波する。例えば、波長チャネルch1~ch4の各波長が多重されているWDM信号光の分波に対し、波長チャネルch1、ch3の信号光を光増幅部1a-1側へ送信し、波長チャネルch2、ch4の信号光を光増幅部1a-2側へ送信する。光増幅部1a-1、1a-2ではそれぞれ、入力した信号光に対して上述した光増幅制御を行う。インターリーバ42aは、光増幅部1a-1で増幅された波長チャネルch1、ch3の信号光と、光増幅部1a-2で増幅された波長チャネルch2、ch4の信号光とを合波して出力する。ここで、狭いグリッドで各波長の信号光が配置されたWDM信号光をSOAで増幅すると、例えば、4光波混合FWM:FourWaveMixingなどの光干渉現象が起きて、信号劣化が生じるおそれがある。これに対して、上記のような光増幅装置2-1では、インターリーバ41aを用いて、WDM入力光の波長間隔を広げて、波長間隔を広げた信号光をSOAで光増幅する構成とした。これにより、4光波混合のような隣接波長チャネル間での相互干渉の発生を抑制することができ、高品質な光増幅を行うことが可能になる。なお、インターリーバ41a、42aの挿入損失は、光増幅部1a-1、1a-2で補償される。次に波長分波部41および波長合波部42に波長選択スイッチWSS:wavelengthselectiveswitchを使用した構成例について説明する。上記のように波長分波部41にインターリーバを使用することにより、波長間隔を広げたWDM信号光をSOAに入力することができ、これにより、4光波混合などの光干渉障害を抑制することができる。ただし、インターリーバを使用して奇数チャネルと偶数チャネルに分けて、波長間隔を広げると、インサービス中の波長チャネルの配置次第では、分波される波長に片寄りが生じる場合がある。図21は波長の片寄り状態を示す図である。インターリーバ41aの入力に対し、波長チャネルch1、ch3、ch5、ch7、ch9、ch10が多重化されたWDM信号光が入力するものとする。このような入力に対して、奇数チャネルと偶数チャネルに分けて、単純に飛び飛びの波長に分波すると、光増幅部1a-1には、波長チャネルch1、ch3、ch5、ch7、ch9が送信され、光増幅部1a-2には、波長チャネルch10が送信されることになる。このように、インサービス中の波長チャネルの配置次第では、分波される波長に片寄りが生じる場合がある。図22は波長分波合波にWSSを使用した光増幅装置の構成例を示す図である。光増幅装置2-2は、WSS41b、42bおよび光増幅部1a-1、1a-2を備える。WSS41bは、WDM信号光を受信すると、波長数が均等略均等になるように分波するどの波長を分波するかの設定は外部から任意に設定可能である。例えば、波長チャネルch1、ch3、ch5、ch7、ch9、ch10の各波長が多重されているWDM信号光に対し、波長チャネルch1、ch5、ch9と、波長チャネルch3、ch7、ch10とに分波する。波長チャネルch1、ch5、ch9は、光増幅部1a-1へ送信され、波長チャネルch3、ch7、ch10は、光増幅部1a-2へ送信される。光増幅部1a-1、1a-2ではそれぞれ、入力した信号光に対して上述した光増幅制御を行う。WSS42bは、光増幅部1a-1で増幅された波長チャネルch1、ch5、ch9の信号光と、光増幅部1a-2で増幅された波長チャネルch3、ch7、ch10の信号光とを合波して出力する。上記のように、インターリーバの代わりにWSSを使用することで、波長数を均等に割り振ることが可能になる。なお、WSS41b、42bの挿入損失は、光増幅部1a-1、1a-2で補償される。次にSOAの集積化について説明する。光増幅部1a-1、1a-2内のSOA10-1、10-2、30-1、30-2は、集積化して1つのモジュールとして構成することができる。図23はSOAの集積化を示す図である。SOA集積化の例として、図20で示した光増幅装置2-1のSOA10-1、10-2、30-1、30-2を集積化した場合の構成を示している。光増幅装置2a-1は、インターリーバ41a、42a、SOA集積モジュール100、光フィルタ20-1、20-2を備える。SOA集積モジュール100には、SOA10-1、10-2、30-1、30-2が含まれている。SOAの配置としては、一定値の駆動電流のON/OFFによるスイッチング制御で、光ゲートスイッチングを行うSOA30-1、30-2を外側の2チャネルに配置し、ALC動作を行うSOA10-1、10-2を内側の2チャネルに配置して集積化する。このように、駆動電流のスイッチング制御でゲートスイッチングを行うSOA30-1、30-2を互いに離した位置に配置し、SOA30-1、30-2の間に、ALCを行うSOA10-1、10-2を配置して集積化する。これにより、電気的なスイッチングノイズによるクロストークを抑制することが可能になる。なお、ALC動作を行うSOA10-1、10-2に対して、駆動部14とSOAチップ15との間にローパスフィルタを挿入する構成としてもよい。これにより、SOA30-1、30-2からのスイッチングノイズの影響をさらに抑制することが可能になる。以上、実施の形態を例示したが、実施の形態で示した各部の構成は同様の機能を有する他のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や工程が付加されてもよい。