電気信号を光に変換する発光素子と、この発光素子からの光を電気信号に変換する受光素子とを有する樹脂から形成される封止体と、前記封止体の外表面を酸化することにより形成される酸化膜と、を有することを特徴とする光結合装置。前記酸化膜は、200度で80時間の条件で加熱することにより形成されることを特徴とする請求項1記載の光結合装置。前記酸化膜は、180度で168時間の条件で加熱することにより形成されることを特徴とする請求項1記載の光結合装置。しかしながら、従来の光半導体装置では、互いに性質の異なる材料からなる第1の封止体21と第2の封止体22をそれぞれモールド形成する必要がある。そのため、従来の光結合装置では、2つのモールド工程が必要となり、製造工程が複雑であるとともにコストもかかる。このため、外乱光によるノイズの発生を招くことない光結合装置の設計が望まれていた。実施形態にかかる光結合装置は、電気信号を光に変換する発光素子とこの発光素子からの光を電気信号に変換する受光素子とを有する樹脂から形成される封止体と、前記封止体の外表面を酸化して形成される酸化膜と、を有する。酸化膜は、200度で80時間の条件で加熱することにより形成される。あるいは、酸化膜は、180度で168時間の条件で加熱することにより形成される。以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる光結合装置30を示す断面図である。実施形態にかかる光結合装置30は、透過性を有する樹脂を主な材料とする封止体31と当該封止体の表面を全体的に覆う酸化膜32とを有する。この封止体31の材料である樹脂は、たとえばエポキシ系樹脂であってよい。封止体31は、図1に示されるように、受光素子33と、発光素子34と、第1のリードフレームと、第2のリードフレームとを有する。受光素子33は、発光素子34からの光を電気信号に変換する素子であり、例えばフォトダイオードであってもよいし、レーザーダイオードであってもよい。他方の発光素子34は、電気信号を光信号に変換する素子であり、受光素子33と同様、フォトダイオードであってもよいし、レーザーダイオードであってもよい。受光素子33と発光素子34は、それぞれの発光面33aと受光面34aとを互いに対向させて、封止体31内に配置されている。受光素子33の表面である受光面33aと対抗する第1の裏面33bには、受光素子33に電圧を印加するための一対の電極図示せずが設けられており、これと同様に、発光素子34の表面である発光面34aと対抗する第2の裏面34bには、発光素子34に電圧を印加するための一対の電極図示せずが設けられている。第1のリードフレーム35と第2のリードフレーム36とは、一組で一対となっており、受光面33aおよび発光面34aとに対抗する第1の裏面33bおよび第2の裏面34bに設けられた前記一対の電極に電気的に接続されている。一対の第1のリードフレーム35と第2のリードフレーム36は、それぞれ、封止体31の側部から、封止体31の周面を貫通し、さらに、酸化膜32を貫通して酸化膜32の外方に突出しており、第1のリードフレーム35および第2のリードフレーム36の第1の外端部35bおよび第2の外端部36bを介して外部回路図示しないに接続されている。このように、封止体31は、第1のリードフレーム35と第2のリードフレーム36と、裏面33bおよび34bで各リードフレーム35と36に接続される受光素子33と発光素子34とを埋め込むことにより、受光素子33と発光素子34との相対位置を固定し且つ両素子33及び34等に接続される各リードフレーム35、36間の絶縁性を高める。また、封止体31の一部は、受光素子33及び発光素子34間に介在するが、封止体31は透明の樹脂からなるため、光の通過を許し、発光素子33及び受光素子34間の光の伝送が妨げられることはない。酸化膜34は、封止体31の外表面を酸化させることによって形成される。この酸化膜34は、酸化による変色させられることにより、外乱光が封止体31を経て受光素子33と発光素子34との間の光通信経路を含む光動作部を照射した場合であっても、この外乱光によるノイズの発生を防止することを可能とする。以下、酸化膜34の酸化工程について説明する。樹脂の酸化変色工程は常温では非常に長い時間がかかるが、高温で放置することによって酸化が活性化し、指数関数的に変色が確認できる。具体的には、図2に示すように、封止体31を110度、125度、150度、180度で4時間、21時間、80時間、168時間それぞれ放置する。この場合、200度で80時間または180度で168時間放置して酸化させた場合が、最も所望の変色がえられることが分かった。なお、所望の変色とは、視覚的には黒色を意味する。このように、本発明の実施形態にかかる光結合装置30の製造方法によれば、酸化膜32を形成するためにモールド技術が不要となることから、従来と比較してモールド工程を削減することができ、製造工程を簡易にするとともにコスト削減を図ることができる。また、本発明の実施形態にかかる光結合装置30の製造方法によれば、内部の半導体素子に影響を与えない程度の高温に放置することにより、工程時間短縮が可能である。また、酸素濃度を上げる、あるいは酸化しやすい樹脂を使用することによってさらに時間短縮が可能になる。さらに、本発明の実施形態にかかる光結合装置30によれば、モールドにより形成された従来の遮光部に比較して、極めて均一かつ薄い膜厚寸法を有する酸化膜32で光動作部を外乱光から保護することができ、ノイズの混入による不安定な動作を生じさせることなく光結合装置30のコンパクト化を図ることが可能となる。なお、本発明の実施形態では、第1のリードフレーム35と第2のリードフレームが一対のみ形成された光結合装置30を例示したが、これに限られるものではなく、リードフレームを複数対有するものであっても構わない。以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。