"半導体基板の表面の少なくとも一部に、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂を含有し、ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10質量ppb以下である半導体用シール組成物を付与し、半導体用シール層を形成するシール組成物付与工程と、半導体基板の前記半導体用シール層が形成された面を、25°CにおけるpHが6以下のリンス液で洗浄する洗浄工程と、をこの順で含む、半導体装置の製造方法。前記カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂は、カチオン性官能基当量が43~430である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂は、ポリエチレンイミンまたはポリエチレンイミン誘導体である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体基板の表面の少なくとも一部に多孔質層間絶縁層が形成されている、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体シール層は前記多孔質層間絶縁層上に形成されており、多孔質層間絶縁層が10nm~32nm幅の凹状の溝を有し、前記シール組成物付与工程は、前記多孔質層間絶縁層の少なくとも前記凹状の溝の側面に、前記半導体用シール組成物を接触させる、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記多孔質層間絶縁層は、多孔質シリカを含み、その表面に前記多孔質シリカに由来するシラノール残基を有する、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記リンス液が水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群から選ばれる少なくとも1種類の溶媒を含む請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記リンス液がシュウ酸、ギ酸、クエン酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、塩酸、硝酸からなる群から選ばれる少なくとも1種類の酸を含む、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体基板の前記半導体用シール層が形成された面が半導体回路非形成面を含む、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体回路非形成面を洗浄するリンス液の25°CにおけるpHが2以下である、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体基板の表面が少なくとも一部に多孔質層間絶縁層と銅を含む配線材料とを備えた回路面を備え、前記洗浄工程が前記配線材料上のシール層を除去洗浄する回路面洗浄工程である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体回路面を洗浄するリンス液の25°CにおけるpHが1以上である、請求項11に記載の半導体装置の製造方法。半導体回路面の金属配線または半導体基板上の、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂に由来する半導体用シール層を除去するためのリンス液であって、25°CにおけるpHが6以下である、リンス液。前記カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂は、カチオン性官能基当量が43~430であり、前記カチオン性官能基は、1級アミノ基および2級アミノ基から選択された少なくとも1種である、請求項13に記載のリンス液。請求項13に記載のリンス液であって、25°CにおけるpHが1以上であり、半導体回路面のリンスに用いられるリンス液。請求項13に記載のリンス液であって、25°CにおけるpHが2以下であり、半導体基板の非回路面のリンスに用いられるリンス液。しかしながら、特許文献1に記載の技術では、ミセル構造をとっていない界面活性剤が溝の側壁面の細孔に入り込んで比誘電率が上昇する場合があった。またミセルによって層間絶縁層と配線材料の密着性が低下する場合があった。また、特許文献2に記載の技術では、ポリビニルアルコール系両親媒性ポリマー間の水素結合により、嵩高い層が形成されやすく、これによる比誘電率の上昇や、層間絶縁層と配線材料の密着性の低下が発生する場合があった。また、配線上に付着した余分なシール組成物を、多孔質の層間絶縁層をシールしている有効な材料を維持しつつ、迅速に洗浄リンスすることができず、製造効率が低下する場合があった。また、半導体基板の周縁部や裏面などに付着した余分な材料を、迅速に洗浄リンスすることができず、製造効率が低下する場合があった。本発明は、薄いシール層を形成可能で、多孔質層間絶縁層の細孔の被覆性に優れる半導体用シール組成物を用いるとともに、配線上や半導体基板の周縁部や裏面のシール組成物が容易に除去され、配線部分や半導体基板の周縁部や裏面における余分な半導体用シール組成物による汚染が抑制される半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。本発明はさらに、上記半導体装置の製造方法に用いられるリンス液を提供することを課題とする。本発明者らは、鋭意検討した結果、特定の樹脂を含む半導体用シール組成物と、特定のリンス液を用いた製造方法により上記課題を解決し得ることを見出し、発明を完成するに至った。すなわち、本発明は以下の手段を提供するものである。<1>半導体基板の表面の少なくとも一部に、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂を含有し、ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10質量ppb以下である半導体用シール組成物を付与し、半導体用シール層を形成するシール組成物付与工程と、半導体基板の前記半導体用シール層が形成された面を、25°CにおけるpHが6以下のリンス液で洗浄する洗浄工程と、をこの順で含む、半導体装置の製造方法。<2>前記カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂は、カチオン性官能基当量が43~430である、<1>に記載の半導体装置の製造方法。<3>前記カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂は、ポリエチレンイミンまたはポリエチレンイミン誘導体である、<1>又は<2>に記載の半導体装置の製造方法。<4>前記半導体基板の表面の少なくとも一部に多孔質層間絶縁層が形成されている、<1>~<3>のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。<5>前記半導体シール層は前記多孔質層間絶縁層上に形成されており、多孔質層間絶縁層が10nm~32nm幅の凹状の溝を有し、前記シール組成物付与工程は、前記多孔質層間絶縁層の少なくとも前記凹状の溝の側面に、前記半導体用シール組成物を接触させる、<4>に記載の半導体装置の製造方法。<6>前記多孔質層間絶縁層は、多孔質シリカを含み、その表面に前記多孔質シリカに由来するシラノール残基を有する、<4>又は<5>に記載の半導体装置の製造方法。<7>前記リンス液が水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群から選ばれる少なくとも1種類の溶媒を含む<1>~<6>のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。<8>前記リンス液がシュウ酸、ギ酸、クエン酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、塩酸、硝酸からなる群から選ばれる少なくとも1種類の酸を含む、<1>~<7>のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。<9>前記半導体基板の前記半導体用シール層が形成された面が半導体回路非形成面を含む、<1>~<8>のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。<10>前記半導体回路非形成面を洗浄するリンス液の25°CにおけるpHが2以下である、<9>に記載の半導体装置の製造方法。<11>前記半導体基板の表面が少なくとも一部に多孔質層間絶縁層と銅を含む配線材料とを備えた回路面を備え、前記洗浄工程が前記配線材料上のシール層を除去洗浄する回路面洗浄工程である、<1>~<8>のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。<12>前記半導体回路面を洗浄するリンス液の25°CにおけるpHが1以上である、<11>に記載の半導体装置の製造方法。<13>前記カチオン性官能基は、1級アミノ基および2級アミノ基から選択された少なくとも1種である、<1>~<12>のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。<14>さらに、半導体基板の半導体用シール層が形成された表面の周縁部に、前記リンス液を吹き付け洗浄する表面周縁部洗浄工程を含む、<1>~<13>のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。<15>前記リンス液が過酸化水素、および硝酸からなる群から選ばれる少なくとも1種類の樹脂分解剤を含む、<1>~<14>のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。<16>前記回路面洗浄工程は、非酸化性雰囲気下で洗浄を行う、<1>~<15>のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。<17>前記リンス液は、酸化性化合物を含まない、<1>~<16>のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。<18>前記半導体基板は、基板の表面に形成された自然酸化膜に由来するシラノール残基を有する、<1>~<17>のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。<19>半導体回路面の金属配線または半導体基板上の、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂に由来する半導体用シール層を除去するためのリンス液であって、25°CにおけるpHが6以下である、リンス液。<20>前記カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂は、カチオン性官能基当量が43~430であり、前記カチオン性官能基は、1級アミノ基および2級アミノ基から選択された少なくとも1種である、<19>に記載のリンス液。<21><19>又は<20>に記載のリンス液であって、25°CにおけるpHが1以上であり、半導体回路面のリンスに用いられるリンス液。<22><19>又は<20>に記載のリンス液であって、25°CにおけるpHが2以下であり、半導体基板の非回路面のリンスに用いられるリンス液。本発明の半導体装置の製造方法によれば、薄いシール層を形成可能で、多孔質層間絶縁層の細孔の被覆性に優れる半導体用シール組成物を用いた半導体装置を、配線上や半導体基板の回路が形成されていない周縁部や裏面に付着したシール組成物が容易に除去され、配線部分や半導体基板の周縁部や裏面の余分な半導体用シール組成物による汚染を抑制することができる。また、本発明のリンス液は上記製造方法に好適に用いることができる。本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面の少なくとも一部にカチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂を含有し、ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10ppb以下である半導体用シール組成物を付与し、半導体用シール層を形成するシール組成物付与工程と、前記半導体用シール組成物が形成された面を25°CにおけるpHが6以下のリンス液を付与して、前記半導体用シール層を除去する洗浄工程をこの順に含んで構成される。本発明の半導体装置の製造方法は、必要に応じて上記シール組成物付与工程及び洗浄工程の間、または洗浄工程の後にその他の工程をさらに含んで構成される。本発明において半導体用シール組成物が形成された面には、半導体基板の表面多孔質層間絶縁層と銅を含む配線材料とを備えた回路面、半導体基板の裏面半導体回路非形成面、および表面半導体回路形成面の周縁部、のいずれかまたはこれらの組み合わせが含まれる。1.シール組成物付与工程本発明のシール組成物付与工程は、半導体基板の表面の少なくとも一部に、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂を含有し、ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10ppb以下である半導体用シール組成物を付与する操作を含む。<半導体基板>本発明における半導体基板は、通常用いられる半導体基材であれば制限なく用いることができるが、具体的にはシリコンウエハや、シリコンウエハ上にトランジスターなどの回路を形成されたものを用いることができる。<多孔質層間絶縁層>本発明における多孔質層間絶縁層は、低誘電率材料から構成され、多孔質性であれば特に制限はないが、多孔質シリカを含み、表面に多孔質シリカに由来するシラノール残基を有することが好ましい。前記シラノール残基が、前記樹脂に含まれるカチオン性官能基と相互作用することにより、前記樹脂が層間絶縁層上の細孔を被覆するように前記樹脂からなる薄層が形成される。本発明における多孔質シリカとしては、半導体装置の層間絶縁層に通常用いられる多孔質シリカを特に制限なく用いることができる。例えば、国際公開第91/11390号パンフレットに記載されたシリカゲルと界面活性剤等とを用いて、密封した耐熱性容器内で水熱合成する有機化合物と無機化合物との自己組織化を利用した均一なメソ細孔を持つ酸化物や、Nature誌、1996年、379巻703頁またはSupramolecularScience誌、1998年、5巻247頁等に記載されたアルコキシシラン類の縮合物と界面活性剤とから製造される多孔質シリカ等を挙げることができる。中でも、国際公開第2009/123104号パンフレットに記載された多孔質シリカを用いて形成される多孔質層間絶縁層が好ましい。多孔質層間絶縁層は、例えば、上記の多孔質シリカの形成用組成物をシリコンウエハ表面上に塗布した後、適宜、加熱処理等を行うことにより形成することができる。また、本発明の多孔質層間絶縁層には10nm~32nm幅の凹状の溝が形成されていてもよい。前記凹状の溝は、主に配線材料を埋め込むために設けられるもので、一般的な半導体のエッチングプロセスによって形成される。尚、凹状の溝の側面とは、基板と平行な面に対してほぼ直交するように形成された面を意味する。また、多孔質層間絶縁層には、シリコンウエハ上に直接形成された配線等に達する孔を形成しても良い。後述するように、凹状の溝に半導体用シール組成物を接触させることで、配線材料を凹状の溝に埋め込むときに、配線材料を構成する成分が前記多孔質層間絶縁層の孔部に拡散するのを効果的に抑制することができ、有用である。前記層間絶縁層に10nm~32nm幅の凹状の溝や孔を形成する工程は、通常用いられる半導体装置の製造プロセス条件に従って行うことができる。例えば、層間絶縁層上に、ハードマスクとフォトレジストとを形成し、フォトレジストのパターン通りにエッチングすることで、所望のパターンを有する溝を形成することができる。また上述のように多孔質層間絶縁層が多孔質シリカを含む場合、凹状の溝の形成に伴って多孔質シリカの表面が削られるため、前記表面のシラノール基の密度が増える傾向にある。<配線形成工程>シリコンウエハ上に形成されたトランジスターなどの素子間に、銅を含む配線材料を配線することで回路を形成する。この配線形成工程は、公知のプロセス条件に従って行うことができる。例えば、シリコンウエハ上に直接、または、上記の凹状の溝や孔が形成された、層間絶縁層の上に、メタルCVD法、スパッタリング法または電解メッキ法により銅配線を形成し、ケミカルメカニカルポリッシングCMPにより膜を平滑化する。また、必要であれば、その膜の表面にキャップ膜を形成し、次いで、ハードマスクを形成し、上記の多孔質層間絶縁層の形成及び配線形成工程を繰り返すことで多層化することができる。<半導体用シール組成物>本発明の半導体用シール組成物は、例えば、多孔質の層間絶縁層上に形成された細孔を被覆する樹脂層を形成するために用いられ、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂の少なくとも1種を含有し、ナトリウムおよびカリウムの含有量が、それぞれ元素基準で10ppb以下であって、好ましくは動的光散乱法で測定された体積平均粒子径が10nm以下である。かかる構成の半導体用シール組成物を、多孔質構造を有する層間絶縁層に付与すると、例えば、前記樹脂が有するカチオン性官能基が前記層間絶縁層上に多点吸着して、前記層間絶縁層の表面に存在する細孔ポアが樹脂層によって被覆される。これにより多孔質の層間絶縁層への金属成分の拡散を抑制することができる。さらに、前記樹脂が形成する樹脂層は薄層例えば、5nm以下であるため、層間絶縁層と、樹脂層を介して層間絶縁層上に形成された配線材料との密着性に優れ、比誘電率の変化を抑制することができる。[樹脂]本発明の半導体用シール組成物は、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂の少なくとも1種を含む。前記樹脂は、カチオン性官能基の少なくとも1種を有するものであるが、必要に応じて、アニオン性官能基やノニオン性官能基をさらに有していてもよい。また前記樹脂は、カチオン性官能基を有する繰り返し単位構造を有するものであってもよく、また特定の繰り返し単位構造を持たず、樹脂を構成するモノマーが分岐的に重合して形成されるランダムな構造を有するものであってもよい。本発明においては、金属成分の拡散抑制の観点から、前記樹脂は特定の繰り返し単位構造を持たず、樹脂を構成するモノマーが分岐的に重合して形成されるランダムな構造を有するものであることが好ましい。前記カチオン性官能基は、正電荷を帯びることができる官能基であれば特に制限はない。例えば、アミノ基、4級アンモニウム基等を挙げることができる。中でも金属成分の拡散抑制の観点から、1級アミノ基および2級アミノ基から選択された少なくとも1種であることが好ましい。また、前記ノニオン性官能基は、水素結合受容基であっても、水素結合供与基であってもよい。例えば、ヒドロキシ基、カルボニル基、エーテル結合等を挙げることができる。さらに前記アニオン性官能基は、負電荷を帯びることができる官能基であれば特に制限はない。例えば、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸基等を挙げることができる。前記樹脂は、1分子中にカチオン性官能基を有することで、金属成分の拡散を抑制することができる。また、金属成分の拡散抑制の観点から、カチオン密度が高いポリマーであることが好ましい。具体的には、カチオン性官能基当量が43~430であることが好ましく、200~400であることがより好ましい。さらに、多孔質の層間絶縁層の表面を公知の方法、例えば、国際公開第04/026765号パンフレット、国際公開第06/025501号パンフレットなどに記載の方法で疎水化処理した場合は、前記表面の極性基の密度が減少するので、200~400であることもまた好ましい。ここで、カチオン性官能基当量とは、カチオン性官能基当たりの重量平均分子量を意味し、樹脂の重量平均分子量Mwを、1分子に相当する樹脂が含むカチオン性官能基数nで除して得られる値Mw/nである。このカチオン性官能基当量が大きいほどカチオン性官能基の密度が低く、一方、カチオン性官能基当量が小さいほどカチオン性官能基の密度が高い。本発明における樹脂が、カチオン性官能基を有する繰り返し単位構造以下、特定単位構造ということがあるを有するものである場合、前記カチオン性官能基は、特定単位構造において、主鎖の少なくとも一部として含まれていても、側鎖の少なくとも一部として含まれていてもよく、さらに、主鎖の少なくとも一部および側鎖の少なくとも一部として含まれていてもよい。さらに、前記特定単位構造がカチオン性官能基を2以上含む場合、2以上のカチオン性官能基は同一であっても異なっていてもよい。また前記カチオン性官能基は、多孔質層間絶縁層上に存在するカチオン性官能基の吸着点例えば、シラノール残基間の平均距離に対する、特定単位構造の主鎖長の比以下、カチオン性官能基間の相対距離ということがあるが、0.08~1.2となるように含まれていることが好ましく、0.08~0.6となるように含まれていることがより好ましい。かかる態様であることで樹脂が多孔質の層間絶縁層上に、より効率的に多点吸着しやすくなる。本発明において、前記特定単位構造は、層間絶縁層への吸着性の観点から、分子量が30~500であることが好ましく、40~200であることがより好ましい。尚、特定単位構造の分子量とは、特定単位構造を構成するモノマーの分子量を意味する。本発明における特定単位構造は、層間絶縁層への吸着性の観点から、カチオン性官能基間の相対距離が0.08~1.2であって、分子量が30~500であることが好ましく、カチオン性官能基間の相対距離が0.08~0.6であって、分子量が40~200であることがより好ましい。本発明において、カチオン性官能基を含む特定単位構造として、具体的には、エチレンイミンに由来する単位構造、アリルアミンに由来する単位構造、ジアリルジメチルアンモニウム塩に由来する単位構造、ビニルピリジンに由来する単位構造、リジンに由来する単位構造、メチルビニルピリジンに由来する単位構造、p-ビニルピリジンに由来する単位構造等を挙げることができる。中でも、層間絶縁層への吸着性の観点から、エチレンイミンに由来する単位構造およびアリルアミンに由来する単位構造の少なくとも一方であることが好ましい。また、前記樹脂は、ノニオン性官能基を含む単位構造およびアニオン性官能基を含む単位構造の少なくとも1種をさらに含んでいてもよい。前記ノニオン性官能基を含む単位構造として、具体的には、ビニルアルコールに由来する単位構造、アルキレンオキシドに由来する単位構造、ビニルピロリドンに由来する単位構造等を挙げることができる。さらに、アニオン性官能基を含む単位構造として、具体的には、スチレンスルホン酸に由来する単位構造、ビニル硫酸に由来する単位構造、アクリル酸に由来する単位構造、メタクリル酸に由来する単位構造、マレイン酸に由来する単位構造、フマル酸に由来する単位構造等を挙げることができる。本発明において、前記樹脂が特定単位構造を2種以上含む場合、それぞれの特定単位構造は、含有する極性基の種類または数、分子量等のいずれかが異なっていればよい。また前記2種以上の特定単位構造は、ブロックコポリマーとして含まれていても、ランダムコポリマーとして含まれていてもよい。また、前記樹脂は前記特定単位構造以外の繰返し単位構造以下、第2の単位構造ということがあるの少なくとも1種をさらに含んでいてもよい。前記樹脂が第2の単位構造を含む場合、特定単位構造と第2の単位構造とは、ブロックコポリマーとして含まれていても、ランダムコポリマーとして含まれていてもよい。前記第2の単位構造としては、前記特定単位構造を構成するモノマーと重合可能なモノマーに由来する単位構造であれば特に制限はない。例えば、オレフィンに由来する単位構造等を挙げることができる。また、本発明における樹脂が、特定の繰り返し単位構造を持たず、樹脂を構成するモノマーが分岐的に重合して形成されるランダムな構造を有するものである場合、前記カチオン性官能基は、主鎖の少なくとも一部として含まれていても、側鎖の少なくとも一部として含まれていてもよく、さらに、主鎖の少なくとも一部および側鎖の少なくとも一部として含まれていてもよい。かかる樹脂を構成し得るモノマーとしては、例えば、エチレンイミンおよびその誘導体を挙げることができる。本発明におけるカチオン性官能基を含む樹脂として具体的には、ポリエチレンイミンPEI、ポリアリルアミンPAA、ポリジアリルジメチルアンモニウムPDDA、ポリビニルピリジンPVP、ポリリジン、ポリメチルピリジルビニルPMPyV、プロトン化ポリp-ピリジルビニレンR-PHPyV、およびこれらの誘導体を挙げることができる。中でも、ポリエチレンイミンPEIまたはその誘導体、ポリアリルアミンPAAなどが好ましく、より好ましくはポリエチレンイミンPEIまたはその誘導体である。ポリエチレンイミンPEIは、一般にはエチレンイミンを通常用いられる方法で重合することにより製造することができる。重合触媒、重合条件なども、エチレンイミンの重合に一般的に用いられるものから適宜選択することができる。具体的には例えば、有効量の酸触媒、例えば塩酸の存在下に0~200°Cで反応させることができる。さらにポリエチレンイミンをベースにしてエチレンイミンを付加重合させてもよい。また本発明におけるポリエチレンイミンは、エチレンイミンの単独重合体であっても、エチレンイミンと共重合可能な化合物、例えばアミン類とエチレンイミンとの共重合体であってもよい。このようなポリエチレンイミンの製造方法については、例えば、特公昭43-8828号公報、特公昭49-33120号公報等を参照することができる。また本発明におけるポリエチレンイミンは、モノエタノールアミンから得られる粗エチレンイミンを用いて得られたものであってもよい。具体的には例えば特開2001-2123958号公報等を参照することができる。上記のようにして製造されるポリエチレンイミンは、エチレンイミンが開環して直鎖状に結合した部分構造のみならず、分岐状に結合した部分構造、直鎖状の部分構造同士が架橋連結された部分構造等を有する複雑な骨格を有している。かかる構造のカチオン性官能基を有する樹脂を用いることで、樹脂がより効率的に多点吸着される。さらに樹脂間の相互作用により、より効果的に被覆層が形成される。また、ポリエチレンイミン誘導体であることも好ましい。ポリエチレンイミン誘導体としては、上記ポリエチレンイミンを用いて製造可能な化合物であれば特に制限はない。具体的には、ポリエチレンイミンにアルキル基好ましくは炭素数1~10やアリール基を導入したポリエチレンイミン誘導体、ポリエチレンイミンに水酸基等の架橋性基を導入して得られるポリエチレンイミン誘導体等を挙げることができる。これらのポリエチレンイミン誘導体は、ポリエチレンイミンを用いて通常行われる方法により製造することができる。具体的には例えば、特開平6―016809号公報等に記載の方法に準拠して製造することができる。また、さらに本発明におけるポリエチレンイミンおよびその誘導体は、市販のものであってもよい。例えば、株日本触媒、BASF社等から市販されているポリエチレンイミンおよびその誘導体から、適宜選択して用いることもできる。本発明における前記樹脂の重量平均分子量は2000~600000であるが、2000~300000であることが好ましく、2000~100000であることがより好ましく、10000~80000であることがさらに好ましく、20000~60000であることがさらにより好ましい。重量平均分子量が2000~600000であることは、多孔質層間絶縁層の細孔の被覆や誘電率の点から、分子量をこの範囲内とすることを意味する。例えば、本発明の半導体用シール組成物を、配線間隔が32nm以下で層間絶縁層上の細孔直径が2nm程度である半導体装置の製造に適用する場合、前記樹脂の重量平均分子量が600000よりも大きいと、樹脂の大きさが配線間隔よりも大きくなり、樹脂が、配線材料が埋め込まれる凹状の溝に入り込めず、溝の側面の細孔が十分に被覆されない。また、重量平均分子量が2000未満であると、層間絶縁層上の細孔直径よりも樹脂分子の大きさが小さくなり、樹脂分子が層間絶縁層上の細孔に入り込んで層間絶縁層の誘電率が上昇する。また多点で吸着しない場合がある。尚、重量平均分子量は、樹脂の分子量測定に通常用いられるGPC装置を用いて測定される。本願明細書に記載の重量平均分子量は、下記の条件で測定されたものである。GPC装置:株Shodex社製GPC-101カラム:AsahipakGF-7MHQ展開溶媒:0.5MNaNO30.5MAcOH溶液流速:1mL/min.また、前記樹脂は、水溶媒中における臨界ミセル濃度が1質量以上であるか、実質的にミセル構造を形成しない樹脂であることもまた好ましい。ここで実質的にミセル構造を形成しないとは、常温の水溶媒中等の通常の条件下ではミセルを形成しない、すなわち臨界ミセル濃度が測定できないことをいう。かかる樹脂であることにより、厚さが分子レベルの薄い樹脂層例えば、5nm以下を形成することができ、層間絶縁層の誘電率の上昇を効果的に抑制することができる。さらに層間絶縁層と配線材料との密着性がより効果的に向上する。さらに、本発明における樹脂は、重量平均分子量が2000~600000であって、カチオン性官能基当量が43~430のポリエチレンイミンであることが好ましく、重量平均分子量が10000~80000であって、カチオン性官能基当量が200~400のポリエチレンイミンであることがより好ましい。かかる態様であることにより、層間絶縁層への金属成分の拡散がより効果的に抑制され、層間絶縁層と配線材料との密着性がより向上する。本発明の半導体用シール組成物における前記樹脂の含有量には、特に制限はなく、例えば0.01~1.0質量とすることができ、0.02~0.3質量であることが好ましい。また本発明の半導体用シール組成物を用いて樹脂層を形成する面の面積および細孔密度に基づいて、前記組成物における前記樹脂の含有量を調整することもできる。本発明の半導体用シール組成物は、ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10ppb以下である。10ppb以下とは、ナトリウムおよびカリウムを積極的に含まないことをいう。ナトリウムまたはカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10ppbを越えると、リーク電流が発生する場合がある。本発明の半導体用シール組成物は、前記樹脂に加えて必要に応じて溶媒を含むことができ、少なくともシール組成物付与工程においては、溶媒が含まれる。本発明における溶媒としては、前記樹脂が均一に溶解し、ミセルを形成しにくい溶媒であれば特に限定されない。例えば、水好ましくは、超純水、水溶性有機溶剤例えば、アルコール類等等を挙げることができる。本発明においては、ミセル形成性の観点から、水、または水と水溶性有機溶剤の混合物を溶媒として用いることが好ましい。また、前記溶媒の沸点は特に制限されないが、210°C以下であることが好ましく、160°C以下がさらに好ましい。溶媒の沸点が前記範囲であることで、例えば、後述する本願発明の半導体用シール組成物を層間絶縁層に付与する工程の後、洗浄工程や乾燥工程を設けた場合、層間絶縁層の絶縁性を大きく損なうことなく、また前記シール組成物を前記層間絶縁層から剥離させることがない低い温度で、前記溶媒を除去し、半導体用シール層を形成することができる。なお、これら半導体用シール層を形成している場合も、半導体用シール組成物という。さらに、本発明の半導体用シール組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じてセシウムイオン等の陽イオンをさらに含んでいてもよい。セシウム等の陽イオンを含むことで、半導体用シール組成物中の樹脂がより均一に層間絶縁層上に拡がりやすくなる。さらに、本発明の半導体用シール組成物は、層間絶縁層を腐食や溶解させる化合物を添加しないのが好ましい。具体的には例えば、特に層間絶縁層の主材がシリカなどの無機化合物である場合、フッ素化合物等が本発明の組成物中に含まれると、前記層間絶縁層が溶解して絶縁性が損なわれ、比誘電率が増加する場合がある。本発明の半導体用シール組成物は、210°C以下、好ましくは160°C以下の沸点を有する化合物か、250°Cまで加熱しても分解性を有さない化合物のみを含むことが好ましい。なお、前記250°Cまで加熱しても分解性を有さない化合物とは、25°Cで測定した質量に対する、250°C、窒素下で1時間保持した後の質量の変化が50未満の化合物のことをいう。本発明の半導体用シール組成物は、動的光散乱法で測定された体積平均粒子径が10nm以下であることが好ましい。体積平均粒子径が10nm以下とは、密着の点から、大粒子は積極的に含まないことを意味する。体積平均粒子径が10nmを超える場合、配線材料との密着性が低下する場合や、層間絶縁層への金属成分の拡散を充分に抑制できない場合がある。本発明において体積平均粒子径は、大塚電子社製ELSZ-2を用い、23~26°Cにおいて、動的光散乱法動的光散乱法で観測された散乱光の時間的揺らぎを、光子相関法を用いて解析する方法、例えば、積算回数70回、繰り返し回数1回などの条件で測定される。なお、本発明において体積平均粒子径が10nmを超える場合とは、具体的には、前記組成物中でミセル平均粒子径が10nm以上が形成されている場合や、前記組成物中に配線となる銅を研磨する際ケミカルメカニカルポリッシングに用いられる金属酸化物などの研粒などが含まれている場合等である。半導体用シール組成物中に粒子径の大きいミセルが形成されていると、例えば、本発明の半導体用シール組成物を配線間隔が32nm以下である半導体装置の製造に適用する場合に、半導体用シール組成物を構成する樹脂が、配線材料が埋め込まれる凹状の溝に充分に入り込むことができず、溝の側面の細孔を充分に被覆できない場合がある。本発明の半導体用シール組成物のpHには特に制限はないが、樹脂の層間絶縁層への吸着性の観点から、pHが層間絶縁層の等電点以上であることが好ましい。また前記樹脂が、極性基としてカチオン性官能基を有する場合、前記半導体用シール組成物のpHは、前記カチオン性官能基がカチオンの状態であるpHの範囲であることが好ましい。前記半導体用シール組成物がかかるpHであることにより、層間絶縁層と樹脂との静電相互作用により、前記樹脂が層間絶縁層上により効率的に吸着する。前記層間絶縁層の等電点は、層間絶縁層を構成する化合物が示す等電点であり、例えば、層間絶縁層を構成する化合物が多孔質シリカの場合、等電点は、pH2付近25°Cとなる。また、前記カチオン性官能基がカチオンの状態であるpHの範囲とは、半導体用シール組成物のpHが、カチオン性官能基を含む樹脂のpKb以下であることをいう。例えば、カチオン性官能基を含む樹脂がポリアリルアミンである場合、pKbは8~9であり、ポリエチレンイミンである場合、pKbは7~11である。すなわち、本発明において半導体用シール組成物のpHは、層間絶縁層を構成する化合物種類と、樹脂の種類とに応じて適宜選択することができ、例えば、pH2~11であることが好ましく、pH7~11であることがより好ましい。尚、pH25°Cは通常用いられるpH測定装置を用いて測定される。<シール組成物の付与方法>前記多孔質絶縁層に、本発明の半導体用シール組成物を付与する方法としては特に制限はなく、通常用いられる方法を用いることができる。例えば、ディッピング法例えば、米国特許第5208111号明細書参照、スプレー法例えば、Schlenoffら、Langmuir,1626,9968,2000や、Izuquierdoら、Langmuir,2116,7558,2005参照、および、スピンコート法例えば、Leeら、Langmuir,1918,7592,2003や、J.PolymerScience,partB,polymerphysics,42,3654,2004参照などにより多孔質絶縁層に半導体用シール組成物を接触させる方法を用いることができる。本発明の半導体装置の製造方法においては、前記樹脂を含む半導体用シール組成物を付与し、適宜、通常用いられる方法で乾燥することで、前記樹脂からなる半導体用シール層を層間絶縁層上に薄層状に形成することができる。前記半導体用シール層の厚さには特に制限はないが、例えば、0.3nm~5nmであり、好ましく0.5nm~2nmである。さらに、本発明のシール組成物付与工程に用いる半導体用シール組成物に含まれる前記樹脂の濃度は、前記樹脂の臨界ミセル濃度未満であることが好ましい。これにより、前記樹脂を薄層状例えば、5nm以下、好ましくは2nm以下に層間絶縁層に付与することができ、誘電率の上昇を抑制することができる。また、前記層間絶縁層の凹状の溝の側面に、前記半導体用シール組成物を接触させる方法として、上記したディッピング法、スプレー法、スピンコート法を用いることができる。半導体用シール組成物の付与後、架橋して樹脂を重合させてもよい。2.洗浄工程本発明の半導体製造方法は、上述のシール組成物付与工程の後に、25°CにおけるpHが6以下のリンス液を付与して、シール層を除去洗浄する工程を含む。<回路面洗浄工程>以下、半導体基板の表面の多孔質層間絶縁層の表面に形成された半導体用シール層を除去する工程回路面洗浄工程について説明する。上述のシール組成物付与工程において、半導体基板の表面の多孔質層間絶縁層の表面に半導体用シール層が形成される。ここで、半導体基板の表面の少なくとも一部に多孔質層間絶縁層と銅を含む配線材料とが備えられている場合にシール組成物を付与するとき、あるいは、多孔質層間絶縁層を有効にシールしていないシール層が、配線形成工程などの半導体製造工程で剥離し、配線材料上に付着した場合などには、配線材料上に半導体用シール層が形成されてしまう。そのため、この回路面洗浄工程で、配線材料上に付着した余分な半導体用シール組成物を、多孔質の層間絶縁層をシールしている有効な半導体用シール組成物を維持しつつ、迅速に除去洗浄リンスする。回路面洗浄工程に使用する本発明の第一のリンス液洗浄剤は、25°CにおけるpHの上限が6以下、好ましくは5以下、下限が好ましくは1以上、より好ましくは2以上、さらに好ましくは1~5、さらにより好ましくは2~5、さらにより好ましくは2~3の溶液である。第一のリンス液は、上述の余分な半導体用シール組成物半導体用シール層を迅速に洗浄除去するために、前記組成物を溶解または分解させるものであり、また、リンス液には、半導体の製造効率を高めるために半導体用シール組成物を迅速に除去する一方、多孔絶縁層などの回路材料を汚染や破壊しないものが求められるが、前記pHの範囲では、酸化銅は溶解するが、多孔質絶縁層が溶解しにくく、多孔質絶縁層とシール組成物材の相互作用を大きく損ねることはない。すなわち、第一のリンス液は、シリカなどで形成される多孔質層絶縁層を破壊しにくく、かつ多孔質絶縁層の細孔をシールしている有効なシール組成物の剥離を抑制し、配線材料上に付着した余分はシール組成物を迅速に除去する機能を有する。また、配線材料上には前記シール組成物以外にも、前記配線材料の酸化物が存在し、配線材料と低誘電率材料や配線材料同士の剥離の原因になるので、前記酸化物を除去する工程が必要であることが知られている。第一のリンス液は、配線材料上の酸化膜、具体的には配線材料が銅を含む場合は酸化銅の被膜を溶解させ、上記酸化膜ごと余分なシール組成物を除去する。これにより、多孔質絶縁層の細孔をシールしている有効なシール組成物の剥離を抑制しつつ、配線材料上の余分な酸化膜も余分なシール組成物と合わせて除去することができる。第一のリンス液は、極性が高い溶媒を含むのが好ましい。本発明の半導体用シール組成物は、上述のように極性が高いため、極性の高い溶媒に溶けやすく、リンス液の洗浄効率が向上するからである。具体的には、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどの極性溶媒を含むのが好ましい。一方、このような極性溶媒は、多孔質絶縁層とシール組成物との相互作用を大きく損ねることはない。また、第一のリンス液は、加温してもよく、超音波をかけてもよい。第一のリンス液は、溶媒に酸を加え、pHを上記範囲に調整することで製造することができる。本発明に使用できる酸は、特に限定されないが、多孔質層間絶縁膜を汚染や破壊しないもので、半導体基板上に残留しにくいものを使用でき、具体的には、ギ酸、酢酸等のモノカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸等のジカルボン酸、トリメリト酸、トリカルバリリル酸等のトリカルボン酸、ヒドロキシ酪酸、乳酸、サリチル酸等のオキシモノカルボン酸、リンゴ酸、酒石酸等のオキシジカルボン酸、クエン酸等のオキシトリカルボン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸等のアミノカルボン酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸などの有機酸、塩酸、硝酸、リン酸などの無機酸を挙げることができる。中でもシュウ酸、ギ酸、クエン酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、塩酸、硝酸からなる群から選ばれる少なくとも1種類が好ましい。また、銅などを含んで形成される配線材料の酸化を抑制するという観点からは、第一のリンス液は、還元剤や還元作用がある化合物を含むのが好ましい。第一のリンス液に用いることができる、還元剤や還元作用が在る化合物として、たとえばホルマリンが挙げられる。また、第一のリンス液には、シール組成物の樹脂中の炭素炭素結合等の解裂を防止し、多孔質絶縁層の細孔をシールしている有効なシール層の剥離を抑制する観点から、酸化性化合物例えば、過酸化水素、硝酸の含有量は10質量以下であることが好ましく、酸化性化合物を含まないことがさらに好ましい。また、第一のリンス液は、イオン強度が0.003以上であることが好ましく、0.01以上であることが好ましい。これは、上述のように半導体用シール組成物はカチオン性官能基を有し極性が高い樹脂を含むため、前記pHとイオン強度の範囲内ならば、これらの樹脂を溶解させやすい一方、多孔質絶縁層とシール組成物との相互作用を大きく損ねることはないからである。また、イオン強度の上限については特に限定はなく、イオン性化合物が溶解できる濃度のイオン強度であればよい。なお上記イオン強度は、下記式で表されるものである。イオン強度=1/2×Σc×Z2cはリンス液に含まれるイオン性化合物のモル濃度、Zはリンス液に含まれるイオン性化合物のイオン原子価を表すまた、イオン強度を調整するために、上記の酸以外に、例えば、アンモニア、ピリジン、エチルアミンなどの有機塩基などのイオン性化合物を必要に応じて添加することもできる。さらに、銅をはがした後に銅イオンを捕捉するポリマー例えばポリエチレンイミンを添加してもよい。第一のリンス液に含むことのできる、上記溶媒、酸、還元剤、イオン性化合物などの量は、前記リンス液のpHとイオン強度が上述の範囲になるように適宜、調整することができる。また、第一のリンス液は、上述の溶媒、酸、還元剤、イオン性化合物などを混合することで調製することができるが、半導体回路への汚染を防ぐために、クリーンルームなど清浄な環境下で作製するか、リンス液を作製後、精製やろ過などにより半導体回路への汚染成分を除去するのが好ましい。本発明では、第一のリンス液を付与することにより、配線材料上に付着した余分なシール組成物を、多孔質の層間絶縁層をシールしている有効な材料を維持しつつ、迅速に除去洗浄リンスすることができ、さらには、上述のように、配線材料の酸化物を除去することもでき、それにより配線材料と低誘電率材料や配線材料同士の剥離を抑制することができる。また、回路面洗浄工程は、非酸化性雰囲気下で洗浄することが好ましい。非酸化性雰囲気下で洗浄を行うことにより、リンスする前に存在した配線表面の酸化銅がリンス液で除去された後、さらに銅が酸化されリンス液がまた溶解する、という繰り返しにより、銅配線が過剰に除去されることを防ぐことができる。非酸化性雰囲気下とするには、例えば、還元雰囲気ガスを使用すれば良い。本発明の半導体基板の回路面の洗浄は、第一のリンス液を用いれば、通常用いられる方法で行なわれればよく、特に限定されない。回路面の洗浄時間は特に限定はないが、例えば、25°Cで、pH5のリンス液を用いた場合には、0.1~60分が好ましく、0.1~10分がさらに好ましい。<裏面洗浄工程>以下、半導体基板の多孔質層間絶縁層が形成されている面とは反対側の裏面をリンス液で洗浄する工程裏面洗浄工程について説明する。上述のシール組成物付与工程で、半導体基板の表面の多孔質層間絶縁層の表面に半導体用シール層が形成されるが、同時に、層間絶縁膜などの回路が形成されておらず半導体基板の下地半導体基板としてシリコンウエハを用い場合は、シリコンウエハの表面に形成された自然酸化膜が露出している半導体基板の表面の周縁部や、前記表面とは反対側の多孔質層間絶縁層などの回路が形成されていない裏面にも、半導体用シール層が形成される場合がある。これらの多孔質層間絶縁層をシールしていない、いわば余分なシール層が、後述のような配線形成工程などの半導体製造工程で剥離し、半導体基板を汚染する可能性がある。よって、シール組成物付与工程の後に、少なくとも余分な半導体用シール層が形成されやすい半導体基板の裏面については、これらの余分な半導体用シール層を除去する洗浄工程が必要となる。また、この裏面洗浄には、ウエハエッジの端部の丸みを帯びている、ウエハの多孔質層間絶縁層形成面から裏面にかかる部分のリンス液での洗浄ベベルリンスを含む。裏面洗浄工程に使用される本発明の第二のリンス液は、上述の余分な半導体用シール組成物半導体用シール層を迅速に洗浄除去するために、前記組成物を溶解または分解させるものである。また第二のリンス液には、半導体の製造効率を高めるために半導体用シール組成物を迅速に除去する一方、多孔絶縁層などの回路材料を汚染や破壊しないものが求められる。第二のリンス液で、半導体用シール用組成物を除去する方法としては、1半導体用シール組成物と前記組成物が吸着している半導体基板の相互作用を弱める、2極性が高い半導体用シール組成物を、リンス液のイオン強度を高めることで溶解させる、3半導体用シール組成物を分解する、という3つの方法が考えられる。またこれらの3つの方法を組み合わせることもできる。上記1の観点からは、第二のリンス液は、25°CにおけるpHが6以下であり、好ましくは5以下であり、0~2.5であることがさらに好ましく、0~2.0であることがさらにより好ましい。半導体基板としてシリコンウエハを用いた場合は、リンス液で洗浄する半導体基板の裏面や、後述する半導体基板の表面周縁部には自然酸化膜が形成され、表面にシラノール基が多く存在する。この自然酸化膜に由来するシラノール基の密度は、限定されるものではないが、一般に、約5個/100Å2程度の密度を挙げることができる。本発明の半導体用シール組成物はカチオン性官能基を有するため、前記シラノール基と相互作用し固定されていると推測される。そのため、pHが5以下、好ましくはシラノール残基の等電点以下のpHのリンス液で洗浄し、前記相互作用を弱めることで、効率的に余分な半導体用シール組成物を除去できるからである。第二のリンス液のpHを上記範囲に調整するのに使用できる酸は、特に限定されないが、多孔質層間絶縁膜を汚染や破壊しないもので、半導体基板上に残留しにくいものが使用でき、具体的には、ギ酸、酢酸等のモノカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸等のジカルボン酸、トリメリト酸、トリカルバリリル酸等のトリカルボン酸、ヒドロキシ酪酸、乳酸、サリチル酸等のオキシモノカルボン酸、リンゴ酸、酒石酸等のオキシジカルボン酸、クエン酸等のオキシトリカルボン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸等のアミノカルボン酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸などの有機酸、塩酸、硝酸、リン酸などの無機酸を挙げることができる。中でもシュウ酸、ギ酸、クエン酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、塩酸、硝酸からなる群から選ばれる少なくとも1種類が好ましい。また、上記2の観点からは、第二のリンス液は、イオン強度が0.003以上であり、0.01以上であることが好ましい。これは、上述のように半導体用シール組成物はカチオン性官能基を有し極性が高い樹脂を含むため、前記pHとイオン強度の範囲内ならば、これらの樹脂を溶解させやすいからである。また、イオン強度の上限については特に限定はなく、イオン性化合物が溶解できる濃度のイオン強度であればよい。なお上記イオン強度は、下記式で表されるものである。イオン強度=1/2×Σc×Z2cはリンス液に含まれるイオン性化合物のモル濃度、Zはリンス液に含まれるイオン性化合物のイオン原子価を表すまた、イオン強度を調整するために、上記の有機酸以外に、例えば、アンモニア、ピリジン、エチルアミンなどの有機塩基などのイオン性化合物を必要に応じて添加することもでる。さらに、銅をはがした後に銅イオンを捕捉するポリマー例えばポリエチレンイミンを添加してもよい。また、上記3の観点からは、第二のリンス液は、半導体用シール組成物を分解する樹脂分解剤を含んでもよい。前記樹脂分解剤は、樹脂中の炭素炭素結合や、炭素窒素結合、炭素酸素結合を解裂させる化合物ならば、特に限定されず、通常の分解剤を用いることができるが、具体的には、ラジカルやH、OH-などのイオンを発生させるものが挙げられ、具体的には、過酸化水素、硝酸、オゾンを含む良い溶液などが挙げられ、過酸化水素、硝酸が好ましい。第二のリンス液は、上記の、ApHが6以下、Bイオン強度が0.003以上、C樹脂分解剤を含むことの少なくとも一つ条件を満たすものである。また、A~Cのうち、いずれかの組合せの2つの条件を満たすものでもよく、A~Cの3つの全ての条件を満たすものであっても良い。第二のリンス液は、シリカなどで形成される多孔質層絶縁層を破壊しにくく、極性が高い溶媒を含むのが好ましい。本発明の半導体用シール組成物は、上述のように極性が高いため、極性の高い溶媒に溶けやすく、リンス液の洗浄効率が向上するからである。具体的には、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどの極性溶媒を含むのが好ましい。また第二のリンス液は、加温してもよく、超音波をかけてもよい。第二のリンス液に含まれる、上記溶媒、酸、イオン性化合物などの量は、第二のリンス液のpHとイオン強度が上述の範囲になるように適宜、調整することができる。また、第二のリンス液は、上述の溶媒、酸、酸化剤などを混合することで作製されるが、半導体回路への汚染を防ぐために、クリーンルームなど清浄な環境下で作製するか、リンス液を作製後、精製やろ過などにより半導体回路への汚染成分を除去するのが好ましい。本発明の半導体基板の裏面の洗浄は、第二のリンス液を用いれば、通常用いられる方法で行なわれればよく、特に限定されない。具体的には、特開平9-106980号公報に記載されているような、半導体製造におけるバックリンス方法で洗浄することができる。<表面周縁部洗浄工程>第二のリンス液は、本発明の反動装置の製造方法において半導体基板の表面多孔質層間絶縁膜と半導体用シール層とが少なくとも形成されている面の周縁部を洗浄する際にも使用できる。周縁部とは、多孔質層間絶縁層などが形成されていない、通常は、半導体基板の外延部から内側に1~10mm程度の部分をいう。周縁部は半導体基板上に回路を形成した後、ダイシング工程などで回路を取り出しにくいため、ダイシング工程後に廃棄される場合が多い。このため周縁部の表面は、多孔質層間絶縁層が形成されておらず、通常、半導体基板の下地、具体的にはシリコンウエハを基板に用いた場合は、シリコンやシリコンの自然酸化膜が露出している状態にある。このような周縁部の表面に形成された半導体用シール層は、上述の半導体基板の裏面に形成された半導体用シール層と同様に、多孔質層間絶縁層をシールする機能を発揮していないばかりか、半導体回路の汚染の原因になる可能性があるので、洗浄により除去するのが好ましい。半導体基板表面の周縁部の洗浄は、上述の半導体基板の裏面と同様に、本発明のリンス液を使用すれば、通常の半導体基板表面の周縁部の洗浄方法で行なうことができ、具体的には特開平9-106980号公報に記載されているような、いわゆる半導体製造におけるエッジリンス方法で洗浄することができる。上記の各洗浄工程は、同時に行ってもよく、単独で行ってもよい。<次の配線形成工程>本発明の半導体装置の製造方法においては、シール組成物付与工程、及び洗浄工程の後、必要に応じて上記と同様の配線形成工程等の通常行われる工程をさらに含んでいてもよい。例えば、公知のメタルCVD法、スパッタリング法または電解メッキ法により銅配線を形成し、CMPにより膜を平滑化する。次いでその膜の表面にキャップ膜を形成する。さらに必要であれば、ハードマスクを形成し、上記のシール組成物付与工程、及び回路面洗浄工程を含む工程を繰り返すことで多層化することができ、多層配線半導体装置を製造することができる。<バリア膜銅バリア層形成工程>さらに、本発明の半導体装置の製造方法においては、配線形成工程前にバリア膜銅バリア層形成工程をさらに設けることができる。バリア膜を形成することで層間絶縁層への金属成分の拡散をより効果的に抑制することができる。前記バリア膜形成工程は、通常用いられるプロセス条件に従って行うことができる。前記シール組成物付工程後に、例えば、気相成長法CVDにより、窒化チタン等のチタン化合物や窒化タンタル等のタンタル化合物からなるバリア膜を形成することができる。本発明においては、タンタル化合物からなるバリア膜を形成することが好ましい。<後リンス工程>さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、回路面洗浄工程や半導体基板の裏面の洗浄工程の後に、半導体基板上に残る前記リンス液をさらに洗浄する後リンス工程を含んでもよい。後リンス工程は、通常用いられる方法で行なうことができ、特に限定されないが、具体的には特開2008-47831号公報に記載されているような後リンス方法で洗浄することができる。また後リンス工程に用いられるリンス液以下、後リンス液というは、前記リンス液を溶解や分解することで除去できるものであれば、特に限定されないが、具体的にはアルコールのような極性を有する有機溶媒や水、前記極性を有する有機溶媒と水の混合物、分解性を有する硝酸、硫酸等の酸やオゾンを含む溶媒を用いることができる。4.半導体装置本発明の製造方法により製造される半導体装置は、例えば、多孔質の層間絶縁層と、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000~600000の樹脂を含み、厚さが0.3nm~5nmである樹脂層と、銅からなる層と、がこの順で配置された構造を備え、必要に応じてその他の層を含んで構成される。層間絶縁層と配線材料との間に、特定の樹脂を含む樹脂層が配置されていることで32nm以下の微細な回路構成であってもリーク電流等の発生が抑制され、良好な特性を示すことができる。本発明においては、前記樹脂層と前記銅を含む配線材料との間に、銅バリア層好ましくは、タンタル化合物からなる層がさらに配置されていることが好ましい。以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。<製造例1>層間絶縁層の形成多孔質シリカ形成用組成物1.0mLをシリコンウエハ表面上に滴下し、2000rpmで60秒間回転させて、シリコンウエハ表面に塗布した後、窒素雰囲気下150°Cで1分間、次いで、350°Cで10分間加熱処理した。その後、172nmエキシマランプを装備したチャンバー内で350°Cまで加熱し、圧力1Paで出力14mW/cm2により、紫外線を10分間照射することにより、層間絶縁層多孔質シリカ膜を得た。得られた層間絶縁層の密度は、0.887g/cm3であった。また、得られた層間絶縁層の、比誘電率kは2.0、弾性率Eは6.60GPaであった。尚、密度は、XRD装置リガク社、TPR-In-Planeを用い、X線電源50kV、300mA、波長1.5418Åの条件で、0~1.5°の走査範囲で、常法にて測定した。また比誘電率は、水銀プローブ装置SSM5130を用い、25°C、相対湿度30の雰囲気下、周波数1MHzにて常法により比誘電率を測定した。また、弾性率は、ナノインデンテーターHysitron社、Triboscopeにより、膜厚の1/10以下の押し込み深さで常法により弾性率を測定した。半導体用シール組成物半導体用シール組成物として、ポリエチレンイミンPEI、BASF社製、重量平均分子量25,000、カチオン性官能基当量309250mgを、水100mLに溶解させたものを使用した。前記半導体用シール組成物のpH10.52であった。前記半導体用シール組成物について、大塚電子製ELSZ-2を用いて動的光散乱法により体積平均粒子径を測定したところ、検出限界以下<10nmであった。尚、測定条件は、積算回数70回、繰り返し回数1回、解析条件は、ヒストグラム解析、キュムラント解析を用いた。また、上記半導体用シール組成物のナトリウムおよびカリウムの含有量を、ICP質量分析装置を用いて測定したところ、元素基準で10ppb以下であった。半導体用シール層の形成上記の層間絶縁層以下low-kということがあるに、上記半導体用シール組成物PEI水溶液を、市販のスプレーボトルAIR-BOYCarlRothGmbH社製を用いて、スプレー法溶液の接触時間20秒、スプレー距離10センチメートルで接触させた。次いで水を、上記と同様のスプレーボトルを用いて、スプレー法超純水の接触時間10秒、スプレー距離10センチメートルにより接触させた。エアブローにより乾燥させて、層間絶縁層上に樹脂層半導体用シール層を形成した。その後、23°C55の恒温恒湿環境に15時間以上保管した試料low-k/PEIについて以下の評価を行なった。尚、水には、超純水Millipore社製Milli-Q水、抵抗18MΩcm25°C以下を使用した。[半導体用シール層の組成および形態]得られた試料low-k/PEIについて、X線光電子分光XPS装置としてESCALAB220iXLVG社製を用い、X線源AlKα、分析領域φ1mmの条件で、形成された半導体用シール層の元素組成を測定したところ、上記で得られた層間絶縁層low-kと比較して増加した組成は、C/N=2.34であった。これにより、ポリエチレンイミンの層が形成されたことが確認できた。また原子間力顕微鏡により半導体用シール層表面の形態観察を行ったところ、RMSが0.369nm層間絶縁層のみで0.403nmであり、均一な厚みの層が形成されていた。また上記で得られた試料1low-k/PEI/Cuの断面を上記と同様にして観察し、元素マッピングを行った。ポリエチレンイミンに由来する窒素原子の分布状態から、形成された樹脂層の厚さを見積もったところ、5nm以下であった。[シール性の評価]得られた試料low-k/PEIの半導体用シール層上にスパッタリングにより金属銅膜を形成して試料1以下、low-k/PEI/Cuということがあるを作製した。得られた試料1low-k/PEI/Cuを目視により観察したところ、半導体用シール層上に金属銅色の金属膜が形成されていることが確認できた。尚、スパッタリングは、装置としてHSM-521島津製作所製を用い、設定電流0.4A、設定電圧440V、Ar雰囲気下、スパッタ時間2分10秒の条件で行なった。上記で得られた試料1low-k/PEI/Cuについて、表面形状測定装置として、DEKTAK3VeecoMetrologyGroup社製、version3.22bFP/Jを用いて形成された金属膜の膜厚を測定したところ、50nm~100nmであった。次に、上記で得られた試料1low-k/PEI/Cuについて、集束イオンビームFIB加工装置としてSMI2050セイコーインスツルメンツ社製を用いて、断面試料を作製した。透過型電子顕微鏡としてJEM-2200FS日本電子社製、加速電圧220kVを用いて半導体用シール層上に金属銅膜が形成された試料の断面を観察して、金属成分の拡散深度を測定したところ、金属成分の拡散深度は0nmであり、半導体シール層が多孔質層間絶縁膜中への金属成分の拡散を抑制していることが確認できた。<実施例1-1>リンス液1-1の調製超純水Millipore社製、Milli-Q水に、pHメータを用いてpHを測定しながら、シュウ酸2水和物純正化学株、試薬特級を徐々に添加して、混合し、pHを25°Cで3に調整して、リンス液1-1を得た。シール組成物付与表面に層間絶縁層を有するシリコンウエハフルウチ化学、8インチ、<100>面、P型ボロンドープ10~20ohm-cm、厚さ700~775μmの表面上に、昭和真空製真空蒸着装置SGC-8を用いて蒸着速度2nm/秒で25秒間の条件で、厚さ50nmの銅層を配線材料として形成し、シリコンウエハの一方の面に、多孔質層間絶縁層と銅を含む配線材料を備えた回路面を形成した。この回路面を形成したシリコンウエハを2時間以上、大気中に放置して自然酸化膜酸化銅を配線の表面に形成させ、表面が配線の部分を5mm角に切り出し、表面を5分間UV-O3処理したものに、製造例1の半導体用シール組成物ポリエチレンイミン水溶液を2mL滴下して、600rpmでスピンキャストして付与し、半導体用シール層を形成し、シール層/銅層/シリコン層からなる基板1を作製した。回路面洗浄次に前記基板1を、高さ15mmまでリンス液1を満たした容積20mLの容器に浸し、振盪器に載せ60分間保持後、容器内の溶液を捨て、超純水で3回ゆすぎ、高さ15mmまで超純水を満たした容積20mLの容器に浸し、振盪器に載せ15分間保持した。ピンセットで取り出し、超純水洗浄瓶で1分流し、乾燥空気ブローで乾燥させた。配線洗浄評価得られた試料を、XPS装置としてESCALAB220iXLVG社製を用い、X線源AlKα、分析領域φ1mmの条件で、元素組成を測定するとともに、目視観察を行い、配線洗浄評価を行った。また、リンス液1-1で洗浄する前の試料についても同様に元素組成を測定した。配線洗浄評価前の基板1上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、8.9atomだったものが、上記配線洗浄評価後、目視により洗浄前の酸化銅の色がまったくなくなり、リンス液1は配線上の余分な半導体用シール層へのリンス性が良好であることが確認できた。リンス耐性評価多孔質層間絶縁層上のシール層のリンス耐性を評価するために、シリコンウエハフルウチ化学、8インチ、<100>面、P型ボロンドープ10~20ohm-cm、厚さ700~775μmを、24時間以上、大気中に放置して自然酸化膜を表面に形成させ、5mm角に切り出し、表面を5分間UV-O3処理したものに、上記半導体用シール組成物ポリエチレンイミン水溶液を2mL滴下して、600rpmでスピンキャストして、基板2を作製した。基板2の表面は、多孔質低誘電率材料の1種である、多孔質シリカの表面状態をしていた。次に基板2を、高さ15mmまでリンス液1-1を満たした容積20mLの容器に浸し、振盪器に載せ60分間保持後、容器内の溶液を捨て、超純水で3回すすぎ、高さ15mmまで超純水を満たした容積20mLの容器に浸し、振盪器に載せ15分間保持した。ピンセットで取り出し、超純水洗浄瓶で1分流し、乾燥空気ブローで乾燥させた。得られた試料を、XPS装置としてESCALAB220iXLVG社製を用い、X線源AlKα、分析領域φ1mmの条件で、元素組成を測定し、リンス耐性評価を行った。リンス耐性評価前の基板2上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、9.3atomだったものが、上記リンス耐性評価後、5.4atomと保持されており、リンス液1-1に対して、多孔質低誘電率材料上の半導体用シール層のリンス耐性が良好であることが確認できた。<実施例1-2>リンス液1-2の調製純水Millipore社製、Milli-Q水に、pHメータを用いてpHを測定しながら、シュウ酸2水和物純正化学株、試薬特級を徐々に添加して、混合し、pHを25°Cで5に調整し、リンス液2を得た。リンス液1-1に代えてリンス液1-2を用いた以外は実施例1-1と同様に、基板1及び基板2を作製し、配線洗浄性評価及びリンス耐性評価を実施した。配線洗浄評価前の基板1上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、8.9atomだったものが、上記配線洗浄評価後、目視により洗浄前の酸化銅の色がまったくなくなり、リンス液1-2は配線上の余分な半導体用シール層へのリンス性が良好であることが確認できた。また、リンス耐性評価前の基板2上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、9.3atomだったものが、上記リンス耐性評価後、5.5atomと保持されており、リンス液1-2に対して、多孔質低誘電率材料上の半導体用シール層のリンス耐性が良好であることが確認できた。<比較例1-1>リンス液1-3の調製純水Millipore社製、Milli-Q水に、pHメータを用いてpHを測定しながら、0.5規定のアンモニア水を徐々に添加して、混合し、pHを25°Cで7に調整し、リンス液1-3を得た。リンス液1-1に代えてリンス液1-3を用いた以外は実施例1-1と同様に、基板1及び基板2を作製し、配線洗浄評価とリンス耐性評価を実施した。配線洗浄評価前の基板1上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、8.9atomだったものが、上記配線洗浄評価後、4.7atomまでしか減少しておらず、リンス液1-3は配線上の余分な半導体シール層へのリンス性が十分ではないことが確認できた。また、リンス耐性評価前の基板2上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、9.3atomだったものが、上記リンス耐性評価後、4.7atomまで減少し、リンス液1-3に対して、多孔質低誘電率材料上の半導体用シール層のリンス耐性が不良であることが確認できた。<比較例1-2>リンス液1-4の調製純水Millipore社製、Milli-Q水に、pHメータを用いてpHを測定しながら、0.5規定のアンモニア水を徐々に添加して、混合し、pHを25°Cで9に調整し、リンス液1-4を得た。リンス液1-1に代えてリンス液1-4を用いた以外は実施例1-1と同様に、基板1及び基板2を作製し、配線洗浄評価とリンス耐性評価を実施した。配線洗浄評価前の基板1上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、8.9atomだったものが、上記配線洗浄評価後、6.6atomまでしか減少しておらず、リンス液1-4は配線上の余分な半導体シール層へのリンス性が十分ではないことが確認できた。また、リンス耐性評価前の基板2上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、9.3atomだったものが、上記リンス耐性評価後、3.9atomまで減少し、リンス液1-4に対して、多孔質低誘電率材料上の半導体用シール層のリンス耐性が不良であることが確認できた。<比較例1-3>リンス液1-5の調製純水Millipore社製、Milli-Q水に、pHメータを用いてpHを測定しながら、0.5規定のアンモニア水を徐々に添加して、混合し、pHを25°Cで10.5に調整し、リンス液1-5を得た。リンス液1-1に代えてリンス液1-5を用いた以外は実施例1-1と同様に、基板1及び基板2を作製し、配線洗浄評価とリンス耐性評価を実施した。配線洗浄評価前の基板1上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、8.9tomだったものが、上記配線洗浄評価後、8.9atomと変化しておらず、リンス液1-5は配線上の余分な半導体シール層へのリンス性が十分ではないことが確認できた。また、リンス耐性評価前の基板2上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、9.3atomだったものが、上記リンス耐性評価後、9.3atomと変化していなかった。<実施例2-1>リンス液2-1の合成30過酸化水素水をリンス液2-1とした。pHは25°Cで4.5であった。半導体基板の調整裏面洗浄、エッジ洗浄性を評価するために、シリコンウエハフルウチ化学、8インチ、<100>面、P型ボロンドープ10-20ohm-cm、厚さ700-775μmを、24時間以上、大気中に放置して自然酸化膜を表面に形成させ、5mm角に切り出し、表面を5分間UV-O3処理したものに、上記半導体用シール組成物ポリエチレンイミン水溶液を2mL滴下して、600rpmでスピンキャストして、半導体用シール相を形成しシリコンウエハを作成した。EBR特性評価次に前記シリコンウエハを、高さ15mmまでリンス液2-1を満たした容積20mLの容器に浸し、振盪器に載せ60分間保持後、容器内の溶液を捨て、超純水で3回ゆすぎ、高さ15mmまで超純水を満たした容積20mLの容器に浸し、振盪器に載せ15分間保持した。ピンセットで取り出し、超純水洗浄瓶で1分流し、乾燥空気ブローで乾燥させた。得られた試料を、XPS装置としてESCALAB220iXLVG社製を用い、X線源AlKα、分析領域φ1mmの条件で、元素組成を測定し、EエッジBバック又はベベルRリンス特性評価を行った。EBR評価前の半導体基板上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、8atomだったものが、上記EBR評価後、1.3atomまで減少しており、リンス液2-1は半導体用シール層へのリンス性が良好であることが確認できた。<実施例2-2>リンス液2-2の合成超純水に、シュウ酸2水和物純正化学、試薬特級を加え、pHメータを用いてpHを測定し、pHを25°Cで2.0±0.05に調整し、イオン強度0.005のリンス液2-2を得た。リンス液2-1に代えてリンス液2-2を用いた以外は、実施例2-1と同様に半導体基板の調整とEBR特性評価を実施した。EBR評価前の半導体基板上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、8atomだったものが、上記EBR評価後、2.1atomまで減少しており、リンス液2-2は半導体用シール層へのリンス性が良好であることが確認できた。<実施例2-3>リンス液2-3の合成超純水に、塩酸を加え、pHメータを用いてpHを測定し、pHを25°Cで2.0±0.05に調整し、イオン強度0.0039のリンス液2-3を得た。リンス液2-1に代えてリンス液2-3を用いた以外は、実施例2-1と同様に半導体基板の調整とEBR特性評価を実施した。EBR評価前の半導体基板上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、8atomだったものが、上記EBR評価後、3.73atomまで減少しており、リンス液2-2は半導体用シール層へのリンス性が良好であることが確認できた。<実施例2-4>リンス液2-4の合成超純水に、メタンスルホン酸を加え、pHメータを用いてpHを測定し、pHを25°Cで2.0±0.05に調整し、イオン強度0.0055のリンス液2-4を得た。リンス液2-1に代えてリンス液2-4を用いた以外は、実施例2-1と同様に半導体基板の調整とEBR特性評価を実施した。EBR評価前の半導体基板上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、8atomだったものが、上記EBR評価後、1.77atomまで減少しており、リンス液2-4は半導体用シール層へのリンス性が良好であることが確認できた。<実施例2-5>リンス液2-5の合成超純水に、硝酸を加え、pHメータを用いてpHを測定し、pHを25°Cで2.0±0.05に調整し、イオン強度0.0071のリンス液2-5を得た。リンス液2-1に代えてリンス液2-5を用いた以外は、実施例2-1と同様に半導体基板の調整とEBR特性評価を実施した。EBR評価前の半導体基板上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、8atomだったものが、上記EBR評価後、3.44atomまで減少しており、リンス液2-5は半導体用シール層へのリンス性が良好であることが確認できた。<比較例2-1>リンス液2-6の合成超純水をリンス液2-6とした。pHは25°Cで6.5-7.0、イオン強度は0であった。リンス液2-1に代えてリンス液2-6を用いた以外は、実施例2-1と同様に半導体基板の調整とEBR特性評価を実施した。EBR評価前の半導体基板上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量atomが、8atomだったものが、上記EBR評価後、5.9atomしか減少しておらずおり、リンス液2-6は半導体用シール層へのリンス性が良好ではないことが確認できた。"