複数の画素電極と、前記画素電極上に設けられた帯電層とを有し、前記複数の画素電極のうち隣接する2つの画素電極の端部は、端面方向に屈曲している部分を有することを特徴とする表示装置。複数の画素電極と、前記画素電極上に設けられた帯電層とを有し、前記複数の画素電極のうち隣接する2つの画素電極の間において、一方の画素電極の端部は端面方向に凹部を有し、他方の画素電極の端部は端面方向に凸部を有し、前記一方の画素電極の凹部と、前記他方の画素電極の凸部とが対になることで、前記2つの画素電極の間に隙間が形成されていることを特徴とする表示装置。複数の画素電極と、前記画素電極上に設けられた帯電層とを有し、前記複数の画素電極のうち隣接する2つの画素電極の間に隙間が形成されており、前記隙間は三カ所以上の間隔が等しい部分を有し、前記三カ所以上の部分において、各々の間隔の中点を線分で結ぶと、一つ以上の頂点を有することを特徴とする表示装置。複数の画素電極と、前記画素電極上に設けられた帯電層とを有し、前記複数の画素電極のうち隣接する2つの画素電極の間において、前記2つの画素電極の端部はともに屈曲し、且つ、隙間を形成しており、前記隙間は、三カ所以上の間隔が等しい部分を有することを特徴とする表示装置。複数の画素電極と、前記画素電極上に設けられた帯電層とを有し、前記複数の画素電極のうち一の画素電極の右辺の端部と、前記一の画素電極の右辺において隣接する画素電極の左辺の端部とが屈曲し、且つ、隙間を形成しており、前記一の画素電極の上辺の端部と、前記一の画素電極の上辺において隣接する画素電極の下辺の端部とが屈曲し、且つ、隙間を形成しており、前記一の画素電極の右辺における隙間と、前記一の画素電極の上辺における隙間とは、二カ所以上の間隔が等しい部分を有することを特徴とする表示装置。上記特許文献1では、表示画像を切り替える際に、残像が生じるという問題があった。その原因の一つとして、図13Aに示すように、画素電極5001の端部5003が直線形状であることが挙げられる。端部5003が直線形状であると、表示を行った際に、図13Bに示すように、画素電極間の隙間5005において電界が正しく印加されない可能性があるため、残像が生じてしまう。なお、残像を消すために初期化処理を行う場合、表示速度が遅くなってしまう。上記問題に鑑み、残像の低減をはじめとする表示装置の諸性能を向上することを課題の一とする。本明細書で開示する表示装置は、帯電物質に電界を印加することで表示を行う装置である。複数の画素電極を有し、隣接する2つの画素電極の端部の一部又は全部を直線形状としないことで、画素電極間の隙間において、帯電物質に正しく電界を印加するものである。本発明の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層帯電物質を有する層とも呼ぶとを有し、複数の画素電極のうち隣接する2つの画素電極の端部は、端面方向に屈曲している部分屈曲部ともいうを有する表示装置である。本明細書において、端面方向とは、画素電極の上面に対して平行な方向を指す。また、屈曲している部分は、頂点を有する形状折れている形状ともいうでもよく、頂点を有さない形状曲がっている形状ともいうでもよい。そして、2つの画素電極における屈曲している部分が、互いに噛み合っていることが好ましい。本発明の他の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層とを有し、複数の画素電極のうち隣接する2つの画素電極の間において、一方の画素電極の端部は端面方向に凹部又は凹凸部を有し、他方の画素電極の端部は端面方向に凸部又は凹凸部を有し、一方の画素電極の凹部又は凹凸部と、他方の画素電極の凸部又は凹凸部とが対になることで、2つの画素電極の間に隙間が形成されている表示装置である。本明細書において、凹部と凸部が対又は凹凸部が対になるとは、凹部に対し、凸部が入り込んでいる状態を指す。また、この状態を、凹部と凸部が互いに噛み合っていると表現してもよい。本発明の他の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層とを有し、複数の画素電極のうち隣接する2つの画素電極の間に隙間が形成されており、隙間は三カ所以上の間隔が等しい部分を有し、三カ所以上の部分において、各々の間隔の中点を線分で結ぶと、一つ以上の頂点を有する表示装置である。本発明の他の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層とを有し、複数の画素電極のうち隣接する2つの画素電極の間において、2つの画素電極の端部はともに屈曲し、且つ、隙間を形成しており、隙間は、三カ所以上の間隔が等しい部分を有する表示装置である。本発明の他の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層とを有し、複数の画素電極のうち一の画素電極の右辺の端部と、一の画素電極の右辺において隣接する画素電極の左辺の端部とが屈曲し、且つ、隙間を形成しており、一の画素電極の上辺の端部と、一の画素電極の上辺において隣接する画素電極の下辺の端部とが屈曲し、且つ、隙間を形成しており、前記一の画素電極の右辺における隙間と、前記一の画素電極の上辺における隙間とは、二カ所以上の間隔が等しい部分を有する表示装置である。残像の低減など表示装置の性能を向上させることができる。以下に、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、表示装置の構造の一例について説明する。図1は、表示装置の画素部の上面図である。なお、図1では画素部の一部を示している。画素部は、複数の画素を有し、該複数の画素は、それぞれ画素電極101を有している。本発明の一態様は、画素電極101の端部の一部又は全部が直線形状ではないことを特徴としている。すなわち、画素電極101の端部が、端面方向に屈曲している部分103を有している。なお、直線形状である部分105を有していてもよい。そして、隣接する2つの画素電極101における屈曲している部分103と部分104とが、互いに噛み合っていることが好ましい。ここで、画素電極101の構造の詳細な条件について、図1の拡大図である図2乃至図5を用いて説明する。まず条件1を説明する。隣接する2つの画素電極の間において、一方の画素電極の端部は端面方向に凹部を有し、他方の画素電極の端部は端面方向に凸部を有している。そして、一方の画素電極の凹部と他方の画素電極の凸部とが対になり、2つの画素電極の間に隙間が形成されている。また、2つの画素電極の端部に凹凸部凹部及び凸部とも呼ぶを有し、一方の画素電極の凹凸部と他方の画素電極の凹凸部が対になっていてもよい。条件1の具体例を、図2に示す。画素電極201は凹部211及び凸部213を有し、画素電極203は凹部215及び凸部217を有している。そして、画素電極201の凹部211と画素電極203の凸部217とが対になり、画素電極201の凸部213と画素電極203の凹部215とが対になっている。すなわち、画素電極201の凹凸部と画素電極203の凹凸部とが対になり、2つの画素電極201、203の間に隙間219が形成されている。条件1を適用することで、図1における画素電極の突出する部分103が形成される。また、別の条件2を説明する。隣接する2つの画素電極の間に隙間が形成されており、該隙間は三カ所以上の間隔が等しい部分を有する。そして、該三カ所以上の部分において、各々の間隔の中点を線分で結ぶと、一つ以上の頂点を有する。すなわち、該三カ所以上の部分における各々の間隔の中点が、一直線上に並ばないことを意味している。条件2の具体例を、図3に示す。隣接する2つの画素電極201、203の間に隙間219が形成されており、隙間219は三カ所の間隔が等しい部分301、303、305を有する。そして、三カ所における各々の間隔の中点を線分で結ぶと、一つの頂点307を有する。条件2を適用することで、図1における画素電極の突出する部分103が形成される。また、別の条件3を説明する。隣接する2つの画素電極の間において、2つの画素電極の端部はともに屈曲しており、且つ、隙間を形成している。そして、該隙間は三カ所以上の間隔が等しい部分を有している。特に、2つの画素電極の一辺の半分以上の部分で間隔が等しいことが好ましい。条件3の具体例を、図4に示す。画素電極201、203の端部401と端部403とはともに屈曲しており、隙間219が形成されている。そして、画素電極の一辺に渡り、隙間219の間隔が等しい。条件3を適用することで、図1における画素電極の突出する部分103が形成される。また、別の条件4を説明する。一の画素電極の右辺の端部と、該右辺において隣接する画素電極の左辺の端部とが屈曲し、且つ、両端部の間に隙間を形成している。そして、該一の画素電極の上辺の端部と、該上辺において隣接する画素電極の下辺の端部とが屈曲し、且つ、両端部の間に隙間を形成している。更に、該一の画素電極の右辺における隙間と上辺における隙間とは、二カ所以上の間隔が等しい部分を有している。条件4の具体例を、図5に示す。画素電極201の右辺の端部501及び画素電極203の左辺の端部502がともに屈曲しており、隙間219が形成されている。そして、画素電極201の上辺の端部503及び画素電極205の下辺の端部504がともに屈曲しており、隙間221が形成されている。そして、隙間219と隙間221とは、二カ所の間隔が等しい部分505、507を有している。条件4を適用することで、図1における画素電極の突出する部分103が形成される。なお、上記において間隔が等しいとは、誤差を考慮し、間隔が概ね等しい場合も含むものとする。上記のような画素電極の構造を適用することで奏する効果について、以下に説明する。図6は、図1に示した画素部の断面図であり、3画素分を示している。また、表示素子として、マイクロカプセル型電気泳動方式を用いる例を示している。一の画素は、画素電極603、対向電極605、画素電極603と対向電極605との間に設けられた帯電層606帯電物質を有する層とも呼ぶを有する表示素子601を有している。また、一の画素に隣接する画素は、画素電極603に隣接する画素電極609、対向電極605、及び帯電層606を有する表示素子601を有している。帯電層606は、複数のマイクロカプセル607を有する。そして、マイクロカプセル607は、着色された粒子623、625を有している。粒子623、625は帯電物質として機能する。そして、画素電極603と画素電極609との間には、隙間611が形成されている。画素電極603、609では、図1乃至図5のような画素電極の構造を用いている。そのため、図6の隙間611において紙面の奥行き方向を見ると、画素電極603が突出した部分613を有している。この突出した部分613は、図1の部分103又は図2の凸部213等に該当する。この状態で画素電極603、609と対向電極605との間に電圧を印加すると、矢印615のように電界が発生する。そして、画素電極603における突出した部分613にも電界が発生するため、隙間611の一部または全部においても、粒子623、625に正しく電界を印加することができる。そのため、図13のような従来例において、隙間5005で生じていた残像を低減することができる。なお、上記の隙間611の間隔は、画素電極603と対向電極605との隙間セルギャップとも呼ぶより狭いことが好ましい。以下に、帯電層606の一例について詳細に説明する。帯電層606は、複数のマイクロカプセル607と、樹脂617とを有する。マイクロカプセル607は、樹脂617中で分散して固定されている。樹脂617は、バインダとしての機能を有する。樹脂617は、透光性を有するとよい。樹脂617の代わりに、空気又は不活性ガスなどの気体を充填してもよい。その場合、画素電極603と対向電極605との一方又は両方に、粘着剤又は接着剤等を含む層を形成して、マイクロカプセル607を固定するとよい。マイクロカプセル607は、膜619と、液体621と、粒子623と、粒子625とを有する。液体621、粒子623と、粒子625とは、膜619の中に封入されている。膜619は、透光性を有する。なお、マイクロカプセル607の断面形状は、円形に限定されず、楕円形や、凹凸を有する形状であってもよい。液体621は、分散液としての機能を有する。液体621により、粒子623及び粒子625を膜619内に分散させることができる。なお、液体621は、透光性を有し、無着色であることが好ましい。粒子623と粒子625とは、互いに異なる色とする。例えば、一方は黒色であり、他方は白色であるとよい。なお、粒子623と粒子625とは、互いの電荷密度が異なるように帯電されており、帯電物質として機能する。例えば、一方は正に帯電され、他方は負に帯電されるとよい。これにより、画素電極603と対向電極605との間に電位差が生じると、粒子623と粒子625とは、電界方向に応じて移動する。こうして、表示素子601の反射率が変化することにより、階調を制御することができる。なお、マイクロカプセル607の構造は、上記に限定されない。例えば、液体621は、着色されていてもよい。また、粒子の色は、白色及び黒色だけでなく、赤色、緑色、青色、シアン、マゼンタ、イエロー、エメラルドグリーン、朱色などの中から選択することが可能である。また、粒子の色の種類は、1種類であっても、3種類以上であってもよい。また、表示素子601は、マイクロカプセル型に限定されず、マイクロカップ型、水平移動型、垂直移動型、ツイストボール型球状又は円筒状等、粉体移動型、電子粉流体登録商標型、帯電トナー、エレクトロウェッティング方式、エレクトロクロミズム方式、又はエレクトロデポジション方式などを適用することができる。帯電層606が有する粒子等の帯電物質の移動により、表示を行うことが可能な素子全般を指す。なお、対向電極605側から表示画面を閲覧する場合、対向電極605は透光性を有する材料で形成する。透光性を有する材料としては、例えば、インジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛ZnO、インジウム亜鉛酸化物IZO、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化スズSnO2、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることができる。この場合、画素電極603は、上記の透光性を有する材料、又は、金属材料を用いることができる。特に、可視光に対して反射率が低い金属材料、又は可視光に対して吸収率が高い金属材料を用いて形成することが好ましい。そうすることで、画素電極603での反射が生じにくくなるため、表示画面に対する視認度が向上する。反射率が低い金属としては、例えばクロム等を用いることができる。また、画素電極603側から表示画面を閲覧してもよく、その場合、画素電極603は上記の透光性を有する材料で形成する。この場合、対向電極605は、画素電極603より反射率が低い金属を用いて形成することが好ましい。上記の反射率の低い金属を用いることができる。また、対向電極605側及び画素電極603側の両方から表示画面を閲覧してもよく、その場合、対向電極605及び画素電極603はともに、上記の透光性を有する材料で形成する。そして、反対側への光の透過を防止するため、対向電極605側及び画素電極603側に偏光板をクロスニコルに配置することが好ましい。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態2本実施の形態では、画素電極の構造として、図1と異なる一例を示す。図7A乃至Dは、表示装置の画素部の上面図である。なお、図7A乃至Dでは画素部の一部を示している。図7Aでは、画素部は画素電極701を有している。画素電極701の端部は、端面方向に、長方形状の突出した部分を有している。図7Bでは、画素部は画素電極703を有している。画素電極703の端部は、端面方向に、台形状の突出した部分を有している。図7Cでは、画素部は画素電極705を有している。画素電極705の端部は、端面方向に、三角形状の突出した部分を有している。図7Dでは、画素部は画素電極707を有している。画素電極707の右辺の端部は、端面方向に、三角形状の突出した部分を有している。更に画素電極707の上辺の端部は端面方向に、突出した部分を有している。そして、図7A乃至図7Dの構造とした場合においても、実施の形態1で示した条件1乃至条件4のいずれかを満たすことで、図1乃至図6と同様に、隣接する2つの画素電極間の隙間において電界を印加することができる。そのため、隙間における残像を低減することができる。また、図1、図7A、図7B、図7C、及び図7Dの構造のうち複数を組み合わせてもよい。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態3本実施の形態では、表示装置の構造の一例を説明する。図8は、画素回路及び駆動回路の一例である。図8Aにパッシブマトリクス型の表示装置、図8Bにアクティブマトリクス型の表示装置を示す。それぞれマトリクス状に配置された複数の画素801に表示素子601を有する。表示素子の構造及び駆動方法は、上記実施の形態で示した表示素子の構成を適用することができる。図8Aに示すパッシブマトリクス型では、画素801は、複数の交差する配線803、805と、該交差する配線803、805に電気的に接続される表示素子601とを有する。また、配線803は、駆動回路811に電気的に接続され、配線805は、駆動回路813に電気的に接続されている。そして、表示素子601は、駆動回路811及び駆動回路813から入力される電位に応じて、階調表示を行う。また、図8Bに示すアクティブマトリクス型では、画素801は、複数の交差する配線803、805と、トランジスタ807と、表示素子601と、容量素子809とを有する。そして、トランジスタ807のゲートが配線805に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線803に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が表示素子601及び容量素子809に電気的に接続されている。また、配線803は、駆動回路811に電気的に接続され、配線805は駆動回路813に電気的に接続されている。トランジスタ807は、駆動回路813から入力される電位に応じて導通又は非導通が制御される。そして、表示素子601は、トランジスタ807が導通している際に駆動回路811から入力される電位に応じて、階調表示を行う。なお、容量素子809は、表示素子601に印加される電圧を保持する機能を有している。次に、画素部の断面構造を示す。図9Aはパッシブマトリクス型の断面構造である。基板901と対向基板903との間に表示素子601を有する。そして、基板901側に、画素電極603、609を紙面と垂直方向に延伸して設けることで、図8Aに示す複数の配線803が形成されている。そのため、画素電極603、609となる複数の配線803の端部において、上記条件1乃至条件3のいずれかを満たしていればよい。一方、対向基板903側には、対向電極605を紙面と平行方向に延伸して設けることで、図8Aに示す複数の配線805が形成されている。なお、図9Aでは対向電極605は1つしか示していないが、複数の対向電極605が紙面に平行して存在している。すなわち、複数の配線803と複数の配線805が交差する部分に表示素子601が形成されている。図9Bはアクティブマトリクス型の断面構造である。基板901と対向基板903との間に、トランジスタ807及び容量素子809を含む層と、該層上に表示素子601とを有する。そして、トランジスタ807及び容量素子809は、画素電極603と電気的に接続されている。なお、図9Bでは省略しているが、画素電極609にもトランジスタ及び容量素子が電気的に接続されている。基板901及び対向基板903は、ガラス基板、樹脂基板、半導体基板、金属基板、又は、それらに窒化膜又は酸化膜等の絶縁膜を設けたものを適宜用いることができる。トランジスタ807は、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタであり、電極911、絶縁膜913、電極915、電極917、及び半導体層919を有している。ここで、電極911はゲート電極である。また、絶縁膜913はゲート絶縁膜である。そして、電極915又は電極917は、一方がソース電極であり、他方がドレイン電極として機能する。容量素子809は、電極921、電極917、及び絶縁膜913を有している。ここで、電極921は、容量素子809の下部電極であり、電極911上記ゲート電極と同層に形成された導電層である。また、絶縁膜913は、上記ゲート絶縁膜と容量素子809の誘電体とを兼ねている。そして、電極917は、絶縁膜913上に延伸して形成された導電層であり、上記ソース電極又はドレイン電極の一方と容量素子809の上部電極とを兼ねている。電極911、電極921、電極915、及び電極917は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、導電層の単層又は積層により形成されている。絶縁膜913は、酸化珪素膜又は窒化珪素膜等を用いて、単層又は積層で形成されている。半導体層919は、非晶質半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は微結晶半導体を用いて形成することができる。また、半導体の材料としては、シリコン、ゲルマニウム、有機半導体、又は酸化物半導体等を用いることができる。また、p型トランジスタとしてもよく、n型トランジスタとしてもよい。なお、チャネルエッチ型又はチャネルストップ型としてもよく、トップゲート構造としてもよい。また、薄膜トランジスタとせずに、半導体基板を用いたトランジスタバルクトランジスタとも呼ぶとしてもよい。また、トランジスタ807は、シングルドレイン構造、LDD低濃度ドレイン構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。そして、トランジスタ807及び容量素子809と、画素電極603との間には絶縁膜923が形成されている。絶縁膜923は、酸化珪素若しくは窒化珪素等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、若しくはエポキシ等の有機材料、又はシロキサン材料等を用いて、単層又は積層で形成されている。また、基板901側又は対向基板903側に、カラーフィルタCFを設ける構成や、ブラックマトリクスBMを設ける構成等を適宜採用してもよい。なお、基板901側及び対向基板903側の両方に、CFやBMを設けてもよい。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態4本実施の形態では、表示装置の作製方法の一例を説明する。なお、材料や構造などは、上記実施の形態で示す構成を適宜用いることができる。まず、図9Aを用いてパッシブマトリクス型の表示装置の作製方法を説明する。基板901上に、紙面と垂直方向に延伸するように、画素電極603、609となる配線を形成する。ここで、画素電極603、609は、該画素電極となる導電膜を成膜した後、エッチング等を施し、上記の条件1乃至条件3のいずれかを満たすように加工する。次に、画素電極603、609上に、帯電層606帯電物質を有する層とも呼ぶを形成する。例えば、画素電極603、609上に、マイクロカプセル607が分散されて固定された樹脂617を設ける。続いて、樹脂617上帯電層606上に、紙面と平行方向に延伸するように、対向電極605となる配線を形成する。なお、予め対向電極605が形成された樹脂617を、画素電極603、609上に設けてもよい。次に、対向電極605上に、対向基板903を設ける。対向基板903は、シール材を用いて基板901と貼り合わせる。なお、対向電極605が形成された対向基板903を、シール材を用いて基板901と貼り合わせてもよい。また、マイクロカプセル型の代わりに電子粉流体型とする場合、正に帯電したある色の高分子ポリマー微粒子と、負に帯電した異なる色の高分子ポリマー微粒子を画素電極603と対向電極605の間に設ける構成とすればよい。このように、上述した他の方式を用いて表示素子を構成することもできる。以上のようにして、パッシブマトリクス型の表示装置を作製することができる。次に、図9Bを用いて、アクティブマトリクス型の作製方法の一例を説明する。パッシブマトリクス型と同様の工程については省略する。基板901上に、トランジスタ807及び容量素子809を形成する。トランジスタ807及び容量素子809上に絶縁膜923を形成する。絶縁膜923上に画素電極603、609を形成する。ここで、画素電極603、609は、該画素電極となる導電膜を成膜した後、エッチング等を施し、上記の条件1乃至条件4のいずれかを満たすように加工する。次に、画素電極603、609上に、帯電層606帯電物質を有する層とも呼ぶを形成する。例えば、画素電極603、609上に、マイクロカプセル607が分散されて固定された樹脂617を設ける。続いて、樹脂617上帯電層606上に、対向電極605を形成する。なお、予め対向電極605が形成された樹脂617を、画素電極603、609上に設けてもよい。次に、対向電極605上に、対向基板903を設ける。対向基板903は、シール材を用いて基板901と貼り合わせる。なお、対向電極605が形成された対向基板903を、シール材を用いて基板901と貼り合わせてもよい。以上のようにして、アクティブマトリックス型の表示装置を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態5本実施の形態では、表示装置の作製方法について、実施の形態4と異なる一例を示す。なお、材料や構造などは、上記実施の形態で示す構成を適宜用いることができる。まず、基板901上に剥離層931を形成する図10A参照。剥離層931は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、珪素等の材料を用いて、単層又は積層させて形成することができる。又は、これらの元素を主成分とする合金材料を用いて形成してもよいし、これらの元素を主成分とする化合物材料を用いて形成してもよい。これらの材料を用いて、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等により、厚さ30nm~200nmで剥離層931を形成することができる。また、剥離層931上にバッファ層として機能する絶縁膜窒化珪素膜又は酸化珪素膜等を形成してもよい。該絶縁膜を設けることで、後の剥離工程で剥離層931の表面での剥離が容易になる。次に、剥離層931上に画素電極603、609を形成する。ここで、画素電極603、609は、該画素電極となる導電膜を成膜した後、エッチング等を施し、上記の条件1乃至条件4のいずれかを満たすように加工する。画素電極603、609上に絶縁膜933を形成する。絶縁膜933としては、酸化珪素又は窒化珪素等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、又はエポキシ等の有機材料、シロキサン材料等を用いて、単層又は積層で形成する。これらの材料を用いて、CVD法、スパッタ法、SOG法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により絶縁膜933を形成することができる。そして、絶縁膜933上にトランジスタ807及び容量素子809を形成する。また、トランジスタ807及び容量素子809と、画素電極603とを電気的に接続する。なお、図10Aでは、画素電極609に電気的に接続されるトランジスタ及び容量素子は省略している。次に、基板901の端部に設けられた絶縁膜933の一部をエッチング等により除去した後、トランジスタ807及び容量素子809を覆って絶縁膜935を形成する。絶縁膜935は、バリア層として機能し、窒素含有層窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等を含む層を用いて形成することができる。次に、絶縁膜935にレーザー光を照射して溝937を形成する図10B参照。そして、少なくとも溝937を覆うように、セパレートフィルム939を設ける図10C参照。次に、絶縁膜935上に、第1の有機樹脂941を形成する。セパレートフィルム939を設けることで、第1の有機樹脂941が溝937に侵入して剥離層931と接着することを防止できる。なお、第1の有機樹脂941は、基板支持基板とも呼ぶとして機能する。続いて、溝937をきっかけとして、剥離層931の表面において、素子層943を基板901から剥離する図10D参照。そして、剥離後にセパレートフィルム939を取り除く。次に、画素電極603、609上に、他の実施の形態で示したように、帯電層606帯電物質を有する層とも呼ぶを形成する図10E参照。なお、剥離した素子層943の上下を反転させて用いている。そして、帯電層606上に、対向電極605が形成された第2の有機樹脂945を設ける。そして、加熱処理を行い、第1の有機樹脂941と第2の有機樹脂945とを接着させる。第2の有機樹脂945は、対向基板として機能する。なお、帯電層606、対向電極605、及び対向基板の形成順序は、上記実施の形態と同様に行ってもよい。上記第1の有機樹脂941及び第2の有機樹脂945は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。他にも、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂又はフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。有機樹脂を用いることで、可撓性を有する表示装置を作製することができる。なお、以上の作製方法を応用して、パッシブマトリクス型の表示装置を作製することもできる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態6本実施の形態では、画素電極と他の配線との位置関係について説明する。図11は、図1乃至図6で示した画素電極と、図8Bで示した配線803、805との位置関係の一例である。図11では、画素電極201と配線803、805とが重なっている。すなわち、配線803は隙間950と重ならず、配線805は隙間960と重ならない位置関係にある。このような位置関係にすることで、隙間950において、配線803の電位に起因する電界が帯電物質に加わることを防止できる。そのため、隙間950において残像を低減できる。同様に、隙間960において、配線805の電位に起因する電界が帯電物質に加わることを防止できる。そのため、隙間960において残像を低減できる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態7本実施の形態では、電子機器の一例を説明する。図12A及び図12Bは、電子ペーパー電子書籍、電子ブック等ともいうである。それぞれ本体4001の表示部4101及び本体4002の表示部4102に、本明細書で開示した表示装置を適用することができる。また、電子ペーパーに限らず、図12Cのテレビ、図12Dの携帯電話、図12Eのパーナルコンピュータ、又は図12Fのゲーム機器等の電子機器において、本体4003~4006の表示部4103~4106に、本明細書で開示した表示装置を適用することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。