"基板の欠陥の有無を検査するために擬似欠陥を除去するためのフィルタ画像を作成する画像作成方法において、登録された画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれかの画素の画素値を、前記円周上に位置する画素から選択した複数の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、前記フィルタ画像を作成するフィルタ画像作成工程を有する、画像作成方法。登録された画像における画素の位置座標を極座標変換することによって、変換画像を作成する変換画像作成工程と、作成した前記変換画像に基づいて、前記中心位置を中心とする円の半径と、前記円の円周上に位置する全ての画素の画素値のうちの最大値との関係を示す最大値データを作成するデータ作成工程とを有し、前記フィルタ画像作成工程は、前記中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれの画素の画素値をも、作成した前記最大値データに基づいて、前記円の半径に対応して定められた前記最大値に置換することによって、前記フィルタ画像を作成するものである、請求項1に記載の画像作成方法。登録された画像を、前記画像の中心位置を回転中心として、360/n度nは2以上の自然数ずつ回転させて得られたn枚の回転画像を作成する回転画像作成工程を有し、前記フィルタ画像作成工程は、前記画像の一の画素の画素値を、前記n枚の回転画像の各々における前記一の画素と同一位置の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、前記フィルタ画像を作成するものである、請求項1に記載の画像作成方法。予め複数の基板の各々を撮像した画像を合成することによって、合成画像を作成する合成画像作成工程を有し、前記登録された画像は、前記合成画像作成工程により作成した合成画像である、請求項1から請求項3のいずれかに記載の画像作成方法。前記データ作成工程の後、基板を撮像した画像に基づいて、作成した前記最大値データを変更するデータ変更工程を有し、前記フィルタ画像作成工程は、前記中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれの画素の画素値をも、変更した前記最大値データに基づいて、前記円の半径に対応して定められた前記最大値に置換することによって、前記フィルタ画像を作成するものである、請求項2に記載の画像作成方法。前記データ変更工程は、撮像した前記画像に擬似欠陥が発生したときに、前記擬似欠陥を除去するように、前記最大値データを変更するものである、請求項5に記載の画像作成方法。基板の欠陥の有無を検査する基板検査方法において、基板を撮像した画像に基づいて作成された被検査画像から、請求項1から請求項6のいずれかに記載の画像作成方法により作成された前記フィルタ画像を減算することによって、除去画像を作成する除去画像作成工程と、作成した前記除去画像の各画素の画素値を基準値と比較し、いずれかの画素の画素値が前記基準値よりも大きいときに、前記基板に欠陥があると判定する判定工程とを有する、基板検査方法。前記被検査画像の一の画素の画素値は、前記基板を撮像した画像の前記一の画素と同一位置の画素の画素値から、所定の基準画像の前記一の画素と同一位置の画素の画素値を減算して得た値の絶対値である、請求項7に記載の基板検査方法。コンピュータに請求項1から請求項6のいずれかに記載の画像作成方法又は請求項7若しくは請求項8に記載の基板検査方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。基板の欠陥の有無を検査するために、基板を撮像して画像データを取得する画像データ取得部と、取得した画像データを登録し、登録した前記画像データの画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれかの画素の画素値を、前記円周上に位置する画素から選択した複数の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、擬似欠陥を除去するためのフィルタ画像を作成するフィルタ画像作成部と、前記画像における画素の位置座標を極座標変換し、前記画像の中心位置を中心とする円の半径と、前記円の円周上に位置する全ての画素の画素値のうちの最大値との関係を示す最大値データを作成するデータ作成部と、前記フィルタ画像作成部及び前記データ作成部により作成されたフィルタ画像及び前記最大値データを表示する表示部とを有する、基板検査装置。ところが、基板に対してマクロ欠陥検査を行うための基板検査方法においては、次のような問題がある。基板検査装置が検出する欠陥を欠陥候補とすると、欠陥候補の中には、半導体製造上で問題になる可能性のある真の欠陥と、半導体製造上の問題にならない擬似欠陥が含まれている。従って、基板検査装置が欠陥を検出した後、検出した欠陥を擬似欠陥と区別することが、実用上重要である。例えば基板上に同心円状の斑が存在した場合、その斑が真の欠陥ではなく擬似欠陥であるにも関わらず、真の欠陥と誤って検出されることがある。このようにして誤って検出される擬似欠陥の数を低減することが、実際の基板検査の運用上望ましい。誤って検出される擬似欠陥の数を低減するためには、相対的に大きな閾値を設定すればよいとも考えられる。しかしながら、例えば基板全面で閾値が同一である場合、相対的に大きな閾値を設定すると、本来検出されるべき真の欠陥が検出できなくなる。また、基板毎に斑の状態も変化するため、その斑の状態の変化も考慮して閾値を適切に設定するのが困難である。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、誤って検出される擬似欠陥の数を低減できるとともに、欠陥の検出感度を落とすことなく、本来検出されるべき真の欠陥を検出できる基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法を提供する。上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。本発明の一実施例によれば、基板の欠陥の有無を検査するために擬似欠陥を除去するためのフィルタ画像を作成する画像作成方法において、登録された画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれかの画素の画素値を、前記円周上に位置する画素から選択した複数の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、前記フィルタ画像を作成するフィルタ画像作成工程を有する、画像作成方法が提供される。また、本発明の他の一実施例によれば、基板の欠陥の有無を検査する基板検査方法において、基板を撮像した画像に基づいて作成された被検査画像から、上述の画像作成方法により作成された前記フィルタ画像を減算することによって、除去画像を作成する除去画像作成工程と、作成した前記除去画像の各画素の画素値を基準値と比較し、いずれかの画素の画素値が前記基準値よりも大きいときに、前記基板に欠陥があると判定する判定工程とを有する、基板検査方法が提供される。また、本発明の他の一実施例によれば、基板の欠陥の有無を検査するために、基板を撮像して画像データを取得する画像データ取得部と、取得した画像データを登録し、登録した前記画像データの画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれかの画素の画素値を、前記円周上に位置する画素から選択した複数の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、擬似欠陥を除去するためのフィルタ画像を作成するフィルタ画像作成部と、前記画像における画素の位置座標を極座標変換し、前記画像の中心位置を中心とする円の半径と、前記円の円周上に位置する全ての画素の画素値のうちの最大値との関係を示す最大値データを作成するデータ作成部と、前記フィルタ画像作成部及び前記データ作成部により作成されたフィルタ画像及び前記最大値データを表示する表示部とを有する、基板検査装置が提供される。本発明によれば、基板検査の際に、誤って検出される擬似欠陥の数を低減できるとともに、欠陥の検出感度を落とすことなく、本来検出されるべき真の欠陥を検出できる。始めに、図1から図15を参照し、本発明の第1の実施の形態に係る基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法について説明する。また、以下では、本実施の形態に係る基板検査方法を行うための基板検査装置を備えた基板処理装置を、塗布現像装置に適用した場合を例示して説明する。先ず、図1から図4を参照し、塗布現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら簡単に説明する。図1は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。図2は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。図3は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。図4は、第3のブロックCOT層B3の構成を示す斜視図である。レジストパターン形成装置は、図1及び図2に示すように、キャリアブロックS1、処理ブロックS2、インターフェイスブロックS3を有する。また、レジストパターン形成装置のインターフェイスブロックS3側に、露光装置S4が設けられている。処理ブロックS2は、キャリアブロックS1に隣接するように設けられている。インターフェイスブロックS3は、処理ブロックS2のキャリアブロックS1側と反対側に、処理ブロックS2に隣接するように設けられている。露光装置S4は、インターフェイスブロックS3の処理ブロックS2側と反対側に、インターフェイスブロックS3に隣接するように設けられている。キャリアブロックS1は、キャリア20、載置台21及び受け渡し手段Cを有する。キャリア20は、載置台21上に載置されている。受け渡し手段Cは、キャリア20からウェハWを取り出し、処理ブロックS2に受け渡すとともに、処理ブロックS2において処理された処理済みのウェハWを受け取り、キャリア20に戻すためのものである。処理ブロックS2は、図2に示すように、棚ユニットU1、棚ユニットU2、第1のブロックDEV層B1、第2のブロックBCT層B2、第3のブロックCOT層B3、第4のブロックTCT層B4を有する。第1のブロックDEV層B1は、現像処理を行うためのものである。第2のブロックBCT層B2は、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。第3のブロックCOT層B3は、レジスト液の塗布処理を行うためのものである。第4のブロックTCT層B4は、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。棚ユニットU1は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットU1は、図3に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールTRS1、TRS1、CPL11、CPL2、BF2、CPL3、BF3、CPL4、TRS4を有する。また、図1に示すように、棚ユニットU1の近傍には、昇降自在な受け渡しアームDが設けられている。棚ユニットU1の各処理モジュール同士の間では、受け渡しアームDによりウェハWが搬送される。棚ユニットU2は、各種の処理モジュールが積層されて構成されている。棚ユニットU2は、図3に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールTRS6、TRS6、CPL12を有する。なお、図3において、CPLが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、BFが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウェハWを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。第1のブロックDEV層B1は、図1及び図3に示すように、現像モジュール22、搬送アームA1及びシャトルアームEを有する。現像モジュール22は、1つの第1のブロックDEV層B1内に、上下2段に積層されている。搬送アームA1は、2段の現像モジュール22にウェハWを搬送するためのものである。すなわち、搬送アームA1は、2段の現像モジュール22にウェハWを搬送する搬送アームが共通化されているものである。シャトルアームEは、棚ユニットU1の受け渡しモジュールCPL11から棚ユニットU2の受け渡しモジュールCPL12にウェハWを直接搬送するためのものである。第2のブロックBCT層B2、第3のブロックCOT層B3、及び第4のブロックTCT層B4は、各々塗布モジュール、加熱冷却系の処理モジュール群、及び搬送アームA2、A3、A4を有する。処理モジュール群は、塗布モジュールにおいて行われる処理の前処理及び後処理を行うためのものである。搬送アームA2、A3、A4は、塗布モジュールと処理モジュール群との間に設けられており、塗布モジュール及び処理モジュール群の各処理モジュールの間でウェハWの受け渡しを行う。第2のブロックBCT層B2から第4のブロックTCT層B4の各ブロックは、第2のブロックBCT層B2及び第4のブロックTCT層B4における薬液が反射防止膜用の薬液であり、第3のブロックCOT層B3における薬液がレジスト液であることを除き、同様の構成を有する。ここで、図4を参照し、第2のブロックBCT層B2、第3のブロックCOT層B3、及び第4のブロックTCT層B4を代表し、第3のブロックCOT層B3の構成を説明する。第3のブロックCOT層B3は、塗布モジュール23、棚ユニットU3及び搬送アームA3を有する。棚ユニットU3は、加熱モジュール、冷却モジュール等の熱処理モジュール群を構成するように積層された、複数の処理モジュールを有する。棚ユニットU3は、塗布モジュール23と対向するように配列されている。また、棚ユニットU3には、複数の処理モジュールのいずれかと隣接するように、後述する基板検査装置30が設けられている。搬送アームA3は、塗布モジュール23と棚ユニットU3との間に設けられている。図4中24は、各処理モジュールと搬送アームA3との間でウェハWの受け渡しを行うための搬送口である。搬送アームA3は、2枚のフォーク33A、3B、基台25、回転機構26、及び昇降台27を有する。2枚のフォーク3A、3Bは、上下に重なるように設けられている。基台25は、回転機構26により、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。また、フォーク3A、3Bは、図示しない進退機構により、基台25から、例えば、後述する基板検査装置30の載置台32に進退自在に設けられている。昇降台27は、図4に示すように、回転機構26の下方側に設けられている。昇降台27は、上下方向図4中Z軸方向に直線状に延びる図示しないZ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。この例ではZ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体28により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体28は、Y軸方向に直線状に伸びるY軸ガイドレール29に沿って摺動移動するように構成されている。インターフェイスブロックS3は、図1に示すように、インターフェイスアームFを有する。インターフェイスアームFは、処理ブロックS2の棚ユニットU2の近傍に設けられている。棚ユニットU2の各処理モジュール同士の間及び露光装置S4との間では、インターフェイスアームFによりウェハWが搬送される。キャリアブロックS1からのウェハWは、棚ユニットU1の一つの受け渡しモジュール、例えば第2のブロックBCT層B2に対応する受け渡しモジュールCPL2に、受け渡し手段Cにより、順次搬送される。受け渡しモジュールCPL2に搬送されたウェハWは、第2のブロックBCT層B2の搬送アームA2に受け渡され、搬送アームA2を介して各処理モジュール塗布モジュール及び加熱冷却系の処理モジュール群の各処理モジュールに搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWに反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハWは、搬送アームA2、棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF2、受け渡しアームD、棚ユニットU1の受け渡しモジュールCPL3を介し、第3のブロックCOT層B3の搬送アームA3に受け渡される。そして、ウェハWは、搬送アームA3を介して各処理モジュール塗布モジュール及び加熱冷却系の処理モジュール群の各処理モジュールに搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWにレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウェハWは、搬送アームA3を介し、棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF3に受け渡される。なお、レジスト膜が形成されたウェハWは、後述するように、基板検査装置30に搬送され、ウェハWの表面の画像を撮像し、基板検査が行われてもよい。また、レジスト膜が形成されたウェハWは、第4のブロックTCT層B4において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウェハWは受け渡しモジュールCPL4を介し、第4のブロックTCT層B4の搬送アームA4に受け渡され、搬送アームA4を介して各処理モジュール塗布モジュール及び加熱冷却系の処理モジュール群の各処理モジュールに搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWに反射防止膜が形成される。そして、反射防止膜が形成されたウェハWは、搬送アームA4を介し、棚ユニットU1の受け渡しモジュールTRS4に受け渡される。レジスト膜が形成されたウェハW又はレジスト膜の上に更に反射防止膜が形成されたウェハWは、受け渡しアームD、受け渡しモジュールBF3、TRS4を介して受け渡しモジュールCPL11に受け渡される。受け渡しモジュールCPL11に受け渡されたウェハWは、シャトルアームEにより棚ユニットU2の受け渡しモジュールCPL12に直接搬送された後、インターフェイスブロックS3のインターフェイスアームFに受け渡される。インターフェイスアームFに受け渡されたウェハWは、露光装置S4に搬送され、所定の露光処理が行われる。所定の露光処理が行われたウェハWは、インターフェイスアームFを介し、棚ユニットU2の受け渡しモジュールTRS6に載置され、処理ブロックS2に戻される。処理ブロックS2に戻されたウェハWは、第1のブロックDEV層B1において現像処理が行われる。現像処理が行われたウェハWは、搬送アームA1、棚ユニットU1のいずれかの受け渡しモジュール、受け渡し手段Cを介し、キャリア20に戻される。次に、図5及び図6を参照し、レジストパターン形成装置に組み込まれた基板検査装置30について説明する。図5は、基板検査装置30の一部断面を含む側面図である。図6は、基板検査装置30の一部断面を含む平面図である。基板検査装置30は、前述したように、例えば第3のブロックCOT層B3の各モジュールで処理が行われ、レジスト膜が形成されたウェハWの表面の画像を撮像し、基板検査を行うためのものである。基板検査装置30は、レジストパターン形成装置のいずれかの場所に設けられていればよく、前述したように、例えば第3のブロックCOT層B3に、各処理モジュールと隣接して設けることができる。基板検査装置30は、ケーシング31、載置台32及び撮像ユニット40を有する。載置台32は、ウェハWを載置するためのものであり、外側を覆うケーシング31内の下方空間に設けられている。載置台32は、モータなどの回転駆動部33によって、回転、停止が自在である。ケーシング31の一端側には、載置台32上のウェハWのノッチ部の位置を検出するセンサ34が設けられている。センサ34によるノッチ部の位置の検出結果に基づいて、回転駆動部33によって載置台32を回転させて、ウェハWの角度をアライメントすることができる。ケーシング31の底面には、ケーシング31の一端側図5の左側から他端側図5の右側まで延びるガイドレール35が設けられている。載置台32は、ガイドレール35上に設けられており、例えばパルスモータなどの駆動装置36によってガイドレール35に沿ってX方向に移動できる。載置台32の駆動は、例えばパルスモータなどの駆動装置36の駆動によって行なわれる。すなわち、駆動装置36によって、載置台32が、基板検査装置30のケーシング31内を直線移動する。ケーシング31内の端部には、搬送アームA3が載置台32に対してフォーク3A、3Bを進退駆動させ、ウェハWを搬入、搬出するための搬送口39図4における24と同じが設けられている。撮像ユニット40は、外側を覆うケーシング31内の上方空間に設けられている。撮像ユニット40は、撮像装置42、ハーフミラー43及び照明装置44を有している。撮像装置42は、撮像ユニット40内の一端側図5の左側に固定されている。本実施の形態では、撮像装置42として、広角型のCCDカメラを使用している。また、ハーフミラー43と照明装置44は、ケーシング31のX方向の中央付近に固定されている。照明装置44は、ハーフミラー43の背後に設けられている。照明装置44からの照明は、ハーフミラー43を通過して、ハーフミラー43の下方に向けて照射される。そしてこの照射領域にある物体の反射光は、ハーフミラー43で反射して、撮像装置42に取り込まれる。すなわち、撮像装置42は、照射領域にある物体を撮像することができる。以上の構成を有する基板検査装置30によれば、載置台32がケーシング31内の下方空間をガイドレール35に沿ってX方向又は-X方向に移動する間に、ケーシング31内の上方空間に固定された撮像ユニット40が、載置台32上のウェハWの上面を走査する。これにより、ウェハW全面を撮像することができる。なお、撮像ユニット40は、本発明における画像データ取得部に相当する。基板検査装置30は、制御系として、駆動装置36の駆動を制御する第1の制御装置51と、撮像装置42の撮像を制御する第2の制御装置52と、第1の制御装置51と第2の制御装置52を制御する第3の制御装置53を備えている。駆動装置36の駆動、例えばON、OFF、速度などは、第1の制御装置51によって制御される。すなわち第1の制御装置51から駆動装置36に対して出力される駆動信号によって、駆動装置36は駆動、停止、さらには駆動の速度等が制御される。そして駆動信号によって駆動された駆動装置36からは、そのときのエンコーダ信号が第1の制御装置51に出力される。撮像装置42は、第2の制御装置52によって制御される。本実施の形態においては、第2の制御装置52から撮像装置42に対して出力される外部同期信号によって、撮像装置42による撮像、撮像タイミング、画像取り込み時間等が制御される。そして撮像した画像は、第2の制御装置52に出力され、第2の制御装置52又は第3の制御装置53において、後述する画像処理及び基板検査が施される。第1の制御装置51、第2の制御装置52は、レジストパターン形成装置全体を制御する、上位の第3の制御装置53によって制御される。すなわち第3の制御装置53から第1の制御装置51に対して出力される駆動信号に基づいて、第1の制御装置51は駆動装置36に対して所定の駆動信号を出力する。一方第3の制御装置53は、第1の制御装置51に対して出力する駆動信号と同じタイミングで、駆動信号を第2の制御装置52に対しても出力し、第2の制御装置52は、当該駆動信号に基づいて外部同期信号を撮像装置42に対して出力する。この場合、駆動信号と外部同期信号との関係は、例えば駆動信号が1パルスに対して1ショット1ラインの撮像を行う同期信号であってもよく、複数のパルスに対して1ショット1ラインの撮像を行う同期信号としてもよい。以上のような制御は、たとえば第3の制御装置53に記録されたコンピュータプログラム、又は、第3の制御装置53において読み取り可能な各種の記憶媒体に記録されたコンピュータプログラムにしたがってなされる。前述した画像処理及び基板検査が第2の制御装置52において施される場合、第2の制御装置52は、フィルタ画像作成部52a、データ作成部52b及び表示部52cを有する。フィルタ画像作成部52aは、マイクロプロセッサコンピュータ等よりなる。フィルタ画像作成部52aは、取得した画像データを登録し、登録した画像データの画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれかの画素の画素値を、円周上に位置する画素から選択した複数の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、擬似欠陥を除去するためのフィルタ画像を作成する。データ作成部52bは、マイクロプロセッサコンピュータ等よりなる。データ作成部52bは、画像における画素の位置座標を極座標変換し、画像の中心位置を中心とする円の半径と、円の円周上に位置する全ての画素の画素値のうちの最大値との関係を示す最大値データを作成する。表示部52cは、ディスプレイ等よりなる。表示部52cは、フィルタ画像作成部及びデータ作成部により作成されたフィルタ画像及び最大値データを表示する。なお、フィルタ画像作成部52a、データ作成部52b及び表示部52cのいずれかは、第3の制御装置53に含まれるものであってもよい。ウェハWの基板検査を行う際は、先ずウェハWが搬送アームA3により搬送口39から搬入され、載置台32上に載置される。このとき、載置台32は、予めケーシング31内の他端側のウェハ搬入出位置P1図5中点線で示す位置に待機している。その後、駆動装置36によって載置台32がケーシング31の一端側のアライメント位置P2図5中実線で示す位置に移動して停止する。次にセンサ34によりウェハWのノッチ部が検出され、そのノッチ部の位置に基づいてウェハWが回転され、ウェハWのノッチ部の位置が所定の設定角度に合わせ込まれるウェハWのアライメント。このときの設定角度は、例えばウェハ処理のレシピに応じて予め定められており、最適な画像が取得できる角度が選択される。その後、駆動装置36によって載置台32がウェハ搬入出位置P1側に所定速度で移動し、ウェハWがハーフミラー43の下を通過する際に、撮像装置42によってウェハWの表面が撮像される。載置台32は、ウェハ搬入出位置P1で停止し、その後ウェハWは搬送アームA3により搬送口39から搬出される。次に、図7から図14を参照し、本実施の形態に係る基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法について説明する。図7は、本実施の形態に係る基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法における各工程の手順を示すフローチャートである。図8は、複数のウェハWの各々を撮像した画像を加算合成して合成画像を作成する様子を示す概念図である。図9及び図10は、作成した合成画像を示す概念図である。図11は、作成した変換画像を示す概念図である。図12は、変換画像から最大値データを作成する様子を示す概念図である。図13は、最大値データを模式的に示すグラフである。図14は、作成したフィルタ画像を示す概念図である。なお、図7に示すステップS11~ステップS14が、本発明における画像作成方法に相当し、図7に示すステップS11~ステップS17が、本発明における基板検査方法に相当する。始めに、ステップS11では、予め複数のウェハWの各々を撮像した画像を合成することによって、合成画像を作成する合成画像作成工程。撮像する画像の中心位置がウェハWの中心位置に一致するように、複数のウェハWの各々を撮像しておく。そして、図8に示すように、複数のウェハWの各々を撮像した画像について、同一の画素の画素値の標準偏差値を計算し、その値を新しく画素値とする。全ての画素について、標準偏差値を計算して新しく画素値とすることによって、図9に示すような合成画像を作成する。そして、作成した合成画像を登録しておく。また、予め撮像した画像の中心位置がウェハWの中心位置に一致しているため、合成画像の中心位置もウェハWの中心位置に一致している。ここで、複数のウェハWの各々とは、同一の装置を用いて基板処理したウェハ、例えば同一の塗布モジュール23を用いて塗布処理した異なるロットに含まれるウェハ同士であってもよい。あるいは、複数のウェハWの各々とは、異なる装置を用いて基板処理したウェハ、例えば異なる塗布モジュール23を用いて塗布処理したウェハ同士であってもよい。複数のウェハWが、例えば同一の塗布モジュール23を用いて塗布処理した異なるロットに含まれるウェハ同士であるときは、異なるロットも含めた処理条件の範囲で、誤って検出される擬似欠陥の数を低減することができる。また、複数のウェハWが、異なる装置を用いて基板処理したウェハ、例えば異なる塗布モジュール23を用いて塗布処理したウェハ同士であるときは、異なる塗布モジュール23も含めた処理条件の範囲で、誤って検出される擬似欠陥の数を低減することができる。次いで、ステップS12では、作成した合成画像における画素の位置座標を極座標変換することによって、変換画像を作成する変換画像作成工程。図10に示すように、合成画像において、画素Pの合成画像の中心位置CPからの距離をRとし、中心位置CPから画素Pに向かう方向がX方向となす角をθとする。そして、合成画像における画素Pの位置座標X,Yを、極座標R,θに極座標変換する。次いで、横軸をRとし、縦軸をθとする二次元座標において、各画素位置における画素値輝度値を等高線表示することによって、図11に示すように、変換画像を作成する。例えば、合成画像から、θを例えば0.1度間隔とし、図10の直線Lに示す半径1ライン分の輝度値を抜き出していく。半径1ライン分の輝度値のピクセル数を例えば1024ピクセルとする。この抜き出し作業を、1周分、すなわち3600ライン分繰り返し、各ラインに含まれるピクセルを平行に並べて長方形を作る。そうすると、図11に示すような、3600×1024ピクセルの画像を作成することができる。なお、合成画像の中心位置がウェハWの中心位置に一致しているとき、変換画像の左端のピクセル各ラインの1ピクセル目の位置もウェハWの中心位置に一致している。次いで、ステップS13では、変換画像に基づいて、最大値データを作成するデータ作成工程。図12に示す変換画像を縦方向角度θ方向にスキャンし、例えば3600ライン分に相当する3600ピクセルの輝度値のうちの最大値を取得し、最大値データとする。この取得作業を、横方向半径R方向に、例えば1024ピクセル分繰り返し、図13に示すように、横軸を半径Rとし、縦軸を輝度値の最大値画素値の最大値である最大値データとするグラフを作成する。すなわち、最大値データは、変換画像に基づいて、合成画像の中心位置を中心とする円の半径と、円の円周上に位置する全ての画素の画素値のうちの最大値との関係を示すものである。次いで、ステップS14では、作成した最大値データに基づいて、フィルタ画像を作成するフィルタ画像作成工程。図13に示す最大値データの曲線を、合成画像の中心位置に相当する左端のピクセル1ピクセル目よりなるピクセル列を中心として、例えば0.1度間隔で回転させる。そして、この回転により得られる回転体の形状を、二次元分布として等高線表示することによって、図14に示すような同心円状のフィルタ画像を得る。すなわち、フィルタ画像は、合成画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれの画素の画素値をも、作成した最大値データに基づいて、円の半径に対応して定められた最大値に置換することによって、作成される。なお、フィルタ画像を作成する際に、合成画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれの画素の画素値を、その円の円周上に位置する全ての画素の画素値のうちの最大値に置換しなくてもよい。例えば、合成画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれかの画素の画素値を、円周上に位置する画素から選択した複数の画素の画素値のうちの最大値に置換するようにしてもよい。そのような例を、第2の実施の形態において後述する。次いで、ステップS15では、被検査画像を作成する被検査画像作成工程。前述したように、基板検査装置30の載置台32にウェハWが載置されている状態で、載置台32を例えばアライメント位置P2からウェハ搬入出位置P1の位置まで-X方向に移動させる。そして、載置台32が移動する間に、撮像ユニット40が、載置台32上のウェハWの上面を走査する。これにより、ウェハW全面を撮像し、検査対象画像を得る。そして、下記式1被検査画像=ABS{検査対称画像-基準画像}1に示すように、検査対象画像から、例えば正常なウェハ等を撮像して得られる所定の基準画像を減算することによって、被検査画像を得る。なお、式1において、ABS{}は、{}内の値の絶対値を取ることを意味する。すなわち、被検査画像のある画素画素Aとする。の画素の画素値は、検査対象画像の画素Aと同一位置の画素の画素値から、所定の基準画像の画素Aと同一位置の画素の画素値を減算することによって、得られた値の絶対値である。次いで、ステップS16では、除去画像を作成する除去画像作成工程。下記式2除去画像=被検査画像-フィルタ画像2に示すように、被検査画像からフィルタ画像を減算することによって、除去画像を得る。次いで、ステップS17では、除去画像の各画素の画素値を基準値と比較し、基板に欠陥があるか否かを判定する判定工程。除去画像の各画素の画素値を、予め決められた基準値と比較し、いずれかの画素の画素値が、下記式3除去画像の画素値-基準値>03に示すように基準値よりも大きいときに、ウェハWに欠陥があると判定する。一方、いずれの画素の画素値も、下記式4除去画像の画素値-基準値≦04に示すように基準値と同じか又は基準値よりも小さいときは、ウェハWには欠陥がないと判定する。図15は、本実施の形態実施例に係る基板検査方法により得られた除去画像を、比較例1、2に係る基板検査方法により得られた除去画像と比較しながら模式的に示す図である。図15a及び図15bは、それぞれ比較例1、2における除去画像を示し、図15cは、実施例に係る除去画像を示す。また、比較例1及び比較例2は、除去画像を作成するためのフィルタ画像として、全面が等しい閾値を画素値として有するフィルタ画像を用いた例を示す。比較例1は、基準値として相対的に小さい閾値を用いた例を示し、比較例2は、基準値として相対的に大きい閾値を用いた例を示す。図15に示す例では、ウェハWの中心部には、半導体製造上で問題になる可能性のある真の欠陥があるものとし、ウェハWの周縁部には、半導体製造上に問題にならない例えばレジスト膜の塗布ムラに起因する擬似欠陥があるものとする。すると、図15aに示すように、フィルタ画像の画素値閾値として相対的に小さい閾値を用いるとき比較例1は、真の欠陥も検出されるものの、擬似欠陥も誤って検出されてしまう。そこで、図15bに示すように、誤って検出される擬似欠陥の数を低減するために、フィルタ画像の画素値閾値として相対的に大きい閾値を用いるとき比較例2は、擬似欠陥は検出されなくなるものの、真の欠陥も検出されなくなってしまう。一方、フィルタ画像として実施例に示すフィルタ画像を用いるときは、図15cに示すように、擬似欠陥は検出されないものの、真の欠陥を検出することができる。これは、フィルタ画像が、擬似欠陥が検出されるときの画素値よりも大きな画素値を有する同心円状の分布を有するものであり、擬似欠陥を除去した除去画像が作成されたからである。従って、本実施の形態によれば、誤って検出される擬似欠陥の数を低減できるとともに、欠陥の検出感度を落とすことなく、本来検出されるべき真の欠陥を検出できる。第1の実施の形態の変形例次に、図16及び図17を参照し、本発明の第1の実施の形態の変形例に係る基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法について説明する。本変形例に係る基板検査方法及び画像作成方法は、データ作成工程の後、確認用画像作成工程及びデータ変更工程を有する点で、第1の実施の形態に係る基板検査方法及び画像作成方法と相違する。本変形例に係る基板検査方法を行うための基板検査装置、及び基板検査装置が組み込まれたレジストパターン形成装置も、第1の実施の形態で説明した基板検査装置及びレジストパターン形成装置とそれぞれ同一とすることができる。従って、レジストパターン形成装置及び基板検査装置についての説明は省略する。図16は、本変形例に係る基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法における各工程の手順を示すフローチャートである。図17は、変更した最大値データを模式的に示すグラフである。図16に示すように、本変形例に係る基板検査方法及び画像作成方法は、確認用画像作成工程及びデータ変更工程を有する点以外は、第1の実施の形態に係る基板検査方法及び画像作成方法と同様である。そのため、確認用画像作成工程及びデータ変更工程以外の工程の説明を省略する。本変形例では、ステップS11合成画像作成工程からステップS13データ作成工程の後、例えばステップS13-2において、最大値データのままでよいか確認するために、新たなウェハWを撮像して確認用画像を作成することができる確認用画像作成工程。次いで、ステップS13-3において、作成した確認用画像で新たに擬似欠陥が発生したときに、新たな擬似欠陥が発生した半径領域において最大値データが更に大きくなるように、図17に示すように、最大値データを変更するデータ変更工程。図17に示す例では、点線CL1から実線CL2へ最大値データが変更されている。すなわち、撮像した確認用画像に擬似欠陥が発生したときに、擬似欠陥を除去するように、最大値データを変更する。なお、ステップS13-2確認用画像作成工程を行わず、ステップS13-3データ変更工程で、例えばステップS13データ作成工程で作成したデータを、予め決められている割合の分だけ増加させるようにしてもよい。その後、ステップS14フィルタ画像作成工程からステップS17判定工程は、第1の実施の形態と同様である。ただし、ステップS14フィルタ画像作成工程では、フィルタ画像は、合成画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれの画素の画素値をも、変更した最大値データに基づいて、円の半径に対応して定められた最大値に置換することによって、作成される。本変形例によれば、最大値データを作成した後、プロセス条件の変動等によって擬似欠陥の数が増えたときに、増えた擬似欠陥を除去するように、フィルタ画像を作成することができる。従って、誤って検出される擬似欠陥の数を更に低減できるとともに、欠陥の検出感度を落とすことなく、本来検出されるべき真の欠陥を検出できる。第2の実施の形態次に、図18から図21を参照し、本発明の第2の実施の形態に係る基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法について説明する。本実施の形態に係る基板検査方法及び画像作成方法は、データ作成工程に代え、回転画像作成工程を有する点、及び、変換画像作成工程がない点で、第1の実施の形態に係る基板検査方法及び画像作成方法と相違する。本実施の形態に係る基板検査方法を行うための基板検査装置、及び基板検査装置が組み込まれたレジストパターン形成装置も、第1の実施の形態で説明した基板検査装置及びレジストパターン形成装置とそれぞれ同一とすることができる。従って、レジストパターン形成装置及び基板検査装置についての説明は省略する。図18は、本実施の形態に係る基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法における各工程の手順を示すフローチャートである。図19は、36枚の回転画像を示す概念図である。図20は、36枚の回転画像に基づいてフィルタ画像を作成する様子を示す概念図である。図21は、作成したフィルタ画像を示す概念図である。本実施の形態におけるステップS21合成画像作成工程、ステップS24被検査画像作成工程からステップS26判定工程は、第1の実施の形態におけるステップS11合成画像作成工程、ステップS15被検査画像作成工程からステップS17判定工程のそれぞれと同一であり、説明を省略する。本実施の形態では、ステップS21合成画像作成工程の後、ステップS22では、回転画像を作成する回転画像作成工程。図19に示すように、合成画像を、合成画像の中心位置CPを回転中心として、10度°、20°、30°360°回転させた36枚の回転画像を作成する。次いで、ステップS23では、フィルタ画像を作成するフィルタ画像作成工程。図20では、36枚の回転画像の各々における、図19に示す合成画像の画素Bと同一位置の画素を結ぶ線を、点線Lで示す。そして、36枚の回転画像を比較し、点線L上にある画素の画素値が最大になる回転画像の画素値を抽出し、抽出した画素値により合成画像の画素Bの画素値を置換する。この作業を合成画像の全ての画素に対して繰り返すことによって、図21に示すようなフィルタ画像を作成する。すなわち、フィルタ画像は、合成画像の画素Bの画素値を、合成画像の36枚の回転画像の各々における画素Bと同一位置の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、作成される。これは、合成画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれかの画素の画素値を、円周上に位置する画素から中心角が10°間隔になるように選択した複数の画素の画素値のうちの最大値に置換するものである。なお、ステップS22回転画像作成工程では、合成画像を、合成画像の中心位置を回転中心として、10°、20°、30°360°回転させた例を示したが、nを2以上の自然数として、360°回転するまで、360/n°ずつ回転させたn枚の回転画像を作成してもよい。そして、ステップS23フィルタ画像作成工程では、合成画像の一の画素の画素値を、n枚の回転画像の各々における一の画素と同一位置の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、フィルタ画像を作成してもよい。なお、nは30以上の自然数であることが好ましい。これにより、フィルタ画像を略同心円状とすることができる。その後、ステップS24被検査画像作成工程からステップS26判定工程は、第1の実施の形態と同様である。本実施の形態でも、フィルタ画像は、擬似欠陥が検出されるときの画素値よりも大きな画素値を有する略同心円状の分布を有するものであり、擬似欠陥を除去した除去画像が作成される。従って、誤って検出される擬似欠陥の数を低減できるとともに、欠陥の検出感度を落とすことなく、本来検出されるべき真の欠陥を検出できる。なお、本実施の形態に係る基板検査方法及び画像作成方法は、ステップS22回転画像作成工程の後、ステップS23フィルタ画像作成工程の前に、第1の実施の形態の変形例で説明した、ステップS13データ作成工程からステップS13-3データ変更工程を有するものであってもよい。すなわち、ステップS22回転画像作成工程で作成した回転画像を登録した画像データとして用い、画像データの画像における中心位置を中心とする円の半径と、円の円周上に位置する全ての画素の画素値のうちの最大値との関係を示す最大値データを作成する。その後、ウェハWを撮像した画像に基づいて、作成した最大値データを変更する。これにより、第1の実施の形態の変形例と同様に、最大値データを作成した後、プロセス条件の変動等によって増えた擬似欠陥を除去するように、フィルタ画像を作成することができる。従って、誤って検出される擬似欠陥の数を更に低減できるとともに、欠陥の検出感度を落とすことなく、本来検出されるべき真の欠陥を検出できる。以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。上記した実施の形態では、複数のウェハWの各々を撮像した画像により合成画像を作成してからフィルタ画像を作成したが、合成画像を作成せずに1枚のウェハWの画像により、フィルタ画像を作成してもよい。この場合、ウェハWの登録画像のうち1枚を選択し、変換画像または回転画像を作成した後にフィルタ画像を作成してもよい。"