以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:a平面形状が四角形からなり、第1ダイパッド部、および平面視において前記第1ダイパッド部の周囲に配置された複数の第1リードを有する第1パターンと、平面形状が四角形からなり、第2ダイパッド部、および平面視において前記第2ダイパッド部の周囲に配置された複数の第2リードを有し、かつ前記第1パターンの隣に配置された第2パターンと、平面視において前記第1パターンと前記第2パターンとの間に配置され、前記複数の第1リードおよび前記複数の第2リードと連結する連結部分と、平面視において前記第1パターンおよび前記第2パターンの外側に位置する外枠部分とを備えたリードフレームを準備する工程;b第1金型と、前記第1金型に形成された第1キャビティと、前記第1金型に形成された第2キャビティと、前記第1金型と対向する第2金型とを備えた金型を準備する工程;c前記リードフレームの前記第1および第2ダイパッド部のそれぞれの上面に半導体チップを搭載する工程;d前記c工程の後、前記第1金型に形成された前記第1および第2キャビティが、前記リードフレームの前記第1および第2パターンにそれぞれ対応するように、前記リードフレームの前記連結部分および前記外枠部分を前記第1金型と前記第2金型とで挟み込み、前記金型に形成されたゲートを介して前記第1キャビティ内に樹脂を注入し、さらに、前記第1キャビティを介して前記第2キャビティ内に前記樹脂を注入し、前記複数の第1および第2リードのそれぞれの下面が露出するように、前記第1および第2パターンを一括して封止する樹脂封止体を成形する工程;e前記d工程の後、前記樹脂封止体の一部および前記リードフレームをダイサーで切断することによって、前記樹脂封止体を個片化する工程;ここで、前記d工程では、平面視において、前記第1キャビティと前記第2キャビティとの間に設けられた連通部分を介して前記第1キャビティから前記第2キャビティに前記樹脂を供給しており、前記連通部分は、前記リードフレームの前記連結部分のうち、前記連結部分と繋がる前記複数の第1および第2リードのうちの最も端に位置するリードが繋がる第1部分よりも外側の第2部分と平面的に重なる位置に設けられており、前記d工程では、前記リードフレームの前記連結部分のうち、前記連結部分における前記第2部分以外を前記第1金型と前記第2金型とで挟み込んだ状態で行う。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の第1および第2リードのそれぞれは、前記連結部分と同じ厚さで形成された端子部を有し、前記e工程では、前記端子部と前記連結部分との間を前記ダイサーで切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2記載の半導体装置の製造方法において、前記リードフレームは、前記端子部および前記連結部分以外がハーフエッチングされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記第1パターンのうち、前記連結部分と対向する辺側には、前記ゲートが設けられ、前記第2パターンのうち、前記連結部分と対向する辺側には、エアベントが設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記ダイサーの幅は、前記リードフレームの前記連結部分の幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記第1および第2パターンは、さらに、第1および第2吊りリードを備えており、前記第1および第2吊りリードは、前記第1および第2ダイパッド部に接続された一端部と、前記一端部とは反対側の他端部とを、それぞれ有し、前記第1および第2吊りリードの他端部は、前記連結部分と繋がる前記複数の第1および第2リードのうちの最も端に位置するリードよりも、それぞれ外側に位置しており、前記連結部分の前記第2部分は、前記リードフレームの前記連結部分のうち、前記第1および第2吊りリードの前記他端部が繋がる第3部分よりも外側に位置していることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項6記載の半導体装置の製造方法において、前記第1および第2吊りリードのそれぞれは、前記連結部分と同じ厚さで形成された突起部を有し、前記e工程では、前記突起部と前記連結部分との間を前記ダイサーで切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。上記QFNの製造工程では、リードフレームのダイパッド部上に半導体チップを搭載し、半導体チップとリードをワイヤで接続した後、リードフレームを金型に装着して半導体チップを樹脂封止し、その後、樹脂封止体の外部に露出したリードフレームの不要部分をダイサーで切断するが、このとき、リードの切断面に金属バリが発生し、QFNの製造歩留まりの低下を引き起こす。このとき、リードフレームをダイサーで切断する速度を遅くすると、金属バリの発生が少なくなるが、リードフレームをダイサーで切断する作業に多くの時間が費やされるために、QFNの生産性が低下してしまう。また、上記リードフレームは、金属板をエッチングまたはプレス成形してリードパターンを形成するため、QFNの多ピン化、リードの狭ピッチ化を推進しようとすると、リードフレームの製造に用いる金属板の板厚を薄くしなければならない。その結果、リードや吊りリードの剛性が不足し、半導体チップを樹脂封止する際の溶融樹脂の流動によって半導体チップの位置ずれが発生し易くなる。本発明の目的は、QFNの製造歩留まりを向上させる技術を提供することにある。本発明の他の目的は、QFNの多ピン化を推進することのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。本発明の好ましい一態様である半導体装置の製造方法は、a平面形状が四角形からなり、第1ダイパッド部、および平面視において前記第1ダイパッド部の周囲に配置された複数の第1リードを有する第1パターンと、平面形状が四角形からなり、第2ダイパッド部、および平面視において前記第2ダイパッド部の周囲に配置された複数の第2リードを有し、かつ前記第1パターンの隣に配置された第2パターンと、平面視において前記第1パターンと前記第2パターンとの間に配置され、前記複数の第1リードおよび前記複数の第2リードと連結する連結部分と、平面視において前記第1パターンおよび前記第2パターンの外側に位置する外枠部分とを備えたリードフレームを準備する工程;b第1金型と、前記第1金型に形成された第1キャビティと、前記第1金型に形成された第2キャビティと、前記第1金型と対向する第2金型とを備えた金型を準備する工程;c前記リードフレームの前記第1および第2ダイパッド部のそれぞれの上面に半導体チップを搭載する工程;d前記c工程の後、前記第1金型に形成された前記第1および第2キャビティが、前記リードフレームの前記第1および第2パターンにそれぞれ対応するように、前記リードフレームの前記連結部分および前記外枠部分を前記第1金型と前記第2金型とで挟み込み、前記金型に形成されたゲートを介して前記第1キャビティ内に樹脂を注入し、さらに、前記第1キャビティを介して前記第2キャビティ内に前記樹脂を注入し、前記複数の第1および第2リードのそれぞれの下面が露出するように、前記第1および第2パターンを一括して封止する樹脂封止体を成形する工程;e前記d工程の後、前記樹脂封止体の一部および前記リードフレームをダイサーで切断することによって、前記樹脂封止体を個片化する工程;を含み、前記d工程では、平面視において、前記第1キャビティと前記第2キャビティとの間に設けられた連通部分を介して前記第1キャビティから前記第2キャビティに前記樹脂を供給しており、前記連通部分は、前記リードフレームの前記連結部分のうち、前記連結部分と繋がる前記複数の第1および第2リードのうちの最も端に位置するリードが繋がる第1部分よりも外側の第2部分と平面的に重なる位置に設けられており、前記d工程では、前記リードフレームの前記連結部分のうち、前記連結部分における前記第2部分以外を前記第1金型と前記第2金型とで挟み込んだ状態で行うものである。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。樹脂封止体の外部に露出したリードフレームをダイサーで切断する際、樹脂封止体のそれぞれの周辺部をダイサーで切断することによって、樹脂封止体のそれぞれの切断面に露出するリードのそれぞれの一端部の全周を樹脂で覆うことにより、リードの切断面に金属バリが発生する不良を防止することができる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。実施の形態1図1は、本実施の形態のQFNの外観を示す斜視図、図2は、QFNの外観裏面側を示す平面図、図3は、QFNの内部構造表面側を示す平面図、図4は、QFNの内部構造裏面側を示す平面図、図5は、QFNの側面図、図6は、図1のA-A線に沿った断面図、図7は、図1のB-B線に沿った断面図である。本実施の形態のQFN1は、1個の半導体チップ2を樹脂封止体3で封止した表面実装型のパッケージであり、その外形寸法は、例えば縦×横=12mm×12mm、厚さ=1.0mmである。半導体チップ2は、金属製のダイパッド部4の上面に搭載された状態で樹脂封止体3の中央部に配置されている。ダイパッド部4は、例えば一辺の長さが4mm~7mmの範囲内にある複数種類の半導体チップ2を搭載可能とするために、その径を半導体チップ2の径よりも小さくした、いわゆる小タブ構造で構成されている。上記ダイパッド部4は、これと一体に形成され、樹脂封止体3のコーナー部方向に延在する4本の吊りリード8によって支持されている。図3および図4に示すように、4本の吊りリード8のそれぞれの先端部は、樹脂封止体3のコーナー部近傍で二股に分岐し、樹脂封止体3の側面で終端している。半導体チップ2が搭載されたダイパッド部4の周囲には、複数本例えば116本のリード5がほぼ等間隔で配置されている。これらのリード5は、それぞれの一端部側半導体チップ2に近い側が、Auワイヤ6を介して半導体チップ2の主面のボンディングパッド7と電気的に接続されており、それとは反対側の他端部側が、樹脂封止体3の側面で終端している。リード5のそれぞれは、半導体チップ2との距離を短くするために、一端部側半導体チップ2に近い側がダイパッド部4の近傍まで引き回されている。リード5は、ダイパッド部4および吊りリード8と同一の金属からなり、その厚さは、例えば65μm~75μm程度である。図1および図5に示すように、樹脂封止体3の外部側面には、上記リード5の他端部と吊りリード8の先端部とが露出している。樹脂封止体3の側面に露出したリード5の他端部および吊りリード8の先端部は、それぞれの全周上面、下面および両側面が樹脂封止体3を構成する樹脂によって覆われている。後述するように、QFN1は、半導体チップ2、ダイパッド部4、リード5および吊りリード8を樹脂モールドして樹脂封止体3を成形した後、樹脂封止体3の外部に露出したリード5および吊りリード8をダイサーで切断することによって製造される。そこで、リード5および吊りリード8をダイサーで切断する際、リード5の他端部および吊りリード8の先端部のそれぞれの全周が樹脂で覆われるように切断することにより、リード5および吊りリード8のそれぞれの切断面に金属バリが発生する不良を防ぐことができる。図2に示すように、樹脂封止体3の裏面基板実装面には、複数個例えば116個の外部接続用端子5aが設けられている。これらの端子5aは、樹脂封止体3の各辺に沿って千鳥状に2列ずつ配置され、その表面は、樹脂封止体3の裏面から外側に突出している。これらの端子5aは、リード5と一体に形成されたものであるが、その厚さはリード5の2倍程度125μm~150μm程度である。樹脂封止体3の裏面には、さらに4個の突起8aが設けられている。これらの突起8aは、樹脂封止体3のコーナー部近傍に配置され、その表面は、樹脂封止体3の裏面から外側に突出している。これらの突起8aは、吊りリード8と一体に形成されたもので、その厚さは吊りリード8の2倍程度125μm~150μm程度、すなわち前記端子5aの厚さと同じである。図6および図7に示すように、樹脂封止体3の外側に突出した端子5aおよび突起8aのそれぞれの表面には、メッキあるいは印刷などによって半田層9が被着されている。QFN1は、この半田層9を介して端子5aの表面を配線基板の電極フットプリントに電気的に接続することによって実装される。このとき、半田層9を介して突起8aの表面を配線基板に接合することにより、QFN1と配線基板との接続信頼性を高めることができる。次に、上記QFN1の製造方法を説明する。最初に、図8に示すようなリードフレームLF1を用意する。このリードフレームLF1は、Cu、Cu合金またはFe-Ni合金などの金属板からなり、前述したダイパッド部4、リード5、吊りリード8などのパターンが、縦および横方向に繰り返し形成された構成になっている。すなわち、リードフレームLF1は、複数個例えば24個の半導体チップ2を搭載する多連構造になっている。上記リードフレームLF1を製造するには、図9および図10に示すように、板厚125μm~150μm程度のCu、Cu合金またはFe-Ni合金などからなる金属板10を用意し、ダイパッド部4、リード5および吊りリード8を形成する箇所の片面をフォトレジスト膜11で被覆する。また、外部接続用の端子5aを形成する箇所と突起8aを形成する箇所は、金属板10の両面をフォトレジスト膜11で被覆する。そして、この状態で金属板10を薬液によってエッチングし、片面がフォトレジスト膜11で被覆された領域の金属板10の板厚を半分程度65μm~75μmまで薄くするハーフエッチング。このような方法でエッチングを行うと、両面共にフォトレジスト膜11で被覆されていない領域の金属板10は完全に消失し、片面のみがフォトレジスト膜11で被覆された領域に厚さ65μm~75μm程度のダイパッド部4、リード5および吊りリード8が形成される。また、両面共にフォトレジスト膜11で被覆された領域の金属板10は薬液によってエッチングされないので、エッチングを行う前の金属板10と同じ厚さ125μm~150μm程度の端子5aおよび突起8aが形成される。次に、フォトレジスト膜11を除去した後、図11に示すように、リード5の一端部側ボンディングエリアの表面にAgメッキ12を施すことによって、前記図8に示したリードフレームLF1が完成する。なお、リード5の一端部側にAgメッキ12を施す手段に代えて、リードフレームLF1の全面にPdパラジウムメッキを施してもよい。Pdメッキは、Agメッキに比べてメッキ層の膜厚が薄くなるので、リード5とAuワイヤ6の接合性を向上させることができる。また、リードフレームLF1の全面にPdメッキを施す場合は、端子5aおよび突起8aの表面にも同時にメッキ層が形成されるので、端子5aおよび突起8aの表面に半田層9を形成する工程を省略することができる。このように、リードフレームLF1の母材となる金属板10の一部にハーフエッチングを施して板厚を半分程度まで薄くすることにより、板厚の薄いダイパッド部4、リード5および吊りリード8と、板厚の厚い端子5aおよび突起8aを同時に形成することができる。上記リードフレームLF1を使ってQFN1を製造するには、まず、図12および図13に示すように、Auペーストやエポキシ樹脂系の接着剤を使ってダイパッド部4上に半導体チップ2を接着する。上記作業を行うときは、図13に示すように、リードフレームLF1の裏面側に端子5aおよび図示しない突起8aが位置するので、リードフレームLF1を支持する治具30Aの端子5aおよび突起8aと対向する箇所に溝31を形成しておくとよい。このようにすると、リードフレームLF1を安定して支持することができるので、ダイパッド部4上に半導体チップ2を搭載する際にリードフレームLF1が変形したり、ダイパッド部4と半導体チップ2の相互の位置がずれたりする不具合を防ぐことができる。次に、図14および図15に示すように、周知のボールボンディング装置を使って半導体チップ2のボンディングパッド7とリード5の一端部側との間をAuワイヤ6で結線する。この場合も図15に示すように、リードフレームLF1を支持する治具30Bの端子5aと対応する箇所に溝31を形成しておくことにより、リードフレームLF1を安定して支持することができるので、Auワイヤ6とリード5の位置ずれや、Auワイヤ6とボンディングパッド7の相互の位置ずれを防ぐことができる。次に、上記リードフレームLF1を図16に示す金型40に装着して半導体チップ2を樹脂封止する。図16は、金型40の一部QFN約1個分の領域を示す断面図である。この金型40を使って半導体チップ2を樹脂封止する際には、まず下型40Bの表面に薄い樹脂シート41を敷き、この樹脂シート41の上にリードフレームLF1を載置する。リードフレームLF1は、端子5aおよび図示しない突起8aが形成された面を下に向けて載置し、端子5aおよび突起8aと樹脂シート41とを接触させる。そしてこの状態で、樹脂シート41とリードフレームLF1を上型40Aと下型40Bで挟み付ける。このようにすると、リード5の下面に位置する端子5aおよび突起8aが金型40上型40Aおよび下型40Bの押圧力によって樹脂シート41を押さえ付けるので、端子5aおよび突起8aの先端部分が樹脂シート41の中に食い込む。この結果、上型40Aと下型40Bの隙間キャビティに溶融樹脂を注入して樹脂封止体3を成形した後、上型40Aと下型40Bを分離すると、図17および図18に示すように、樹脂シート41の中に食い込んでいた端子5aおよび突起8aのそれぞれの先端部分が樹脂封止体3の裏面から外側に突出する。なお、前述したように、本実施の形態で使用するリードフレームLF1は、ハーフエッチングによってパターンダイパッド部4、リード5、吊りリード8などを形成するので、リード5の板厚が通常のリードフレームの半分程度まで薄くなっている。そのため、金型40上型40Aおよび下型40BがリードフレームLF1を押圧する力は、通常のリードフレームを使用した場合に比べて弱くなるので、端子5aおよび突起8aが樹脂シート41を押さえ付ける力が弱くなる結果、樹脂封止体3の外側に突出する高さが低くなる。そこで、樹脂封止体3の外側に突出する端子5aおよび突起8aの高さを少しでも大きくしたい場合は、図19に示すように、上型40Aと接触する部分図の○印で囲んだ部分のリードフレームLF1をハーフエッチングせず、端子5aおよび突起8aと同じ厚さにしておくとよい。図20は、上記金型40の上型40AがリードフレームLF1と接触する部分を斜線で示した平面図である。また、図21は、金型40のゲートの位置と、キャビティに注入された溶融樹脂の流れる方向を模式的に示した平面図である。図20に示すように、上記金型40は、リードフレームLF1の外枠部分、およびリード5とリード5の連結部分のみが上型40Aと接触し、それ以外の全ての領域は、樹脂が注入されるキャビティとして有効に利用される構造になっている。図21に示すように、金型40の長辺の一方には複数のゲートG1~G8が設けられており、例えば金型40の短辺方向に並んだ3つのキャビティC1~C3には、ゲートG1を通じて樹脂が注入され、これらに隣接する3つのキャビティC4~C6には、ゲートG2を通じて樹脂が注入される構造になっている。一方、ゲートG1~G8が形成された長辺と対向する他の長辺には、ダミーキャビティDC1~DC8およびエアベント42が設けられており、例えばゲートG1を通じてキャビティC1~C3に樹脂が注入されると、キャビティC1~C3内のエアーがダミーキャビティDC1に流入し、キャビティC3内の樹脂にボイドが生じるのを防ぐ構造になっている。なお、金型40に設けるゲートの位置や数は、上記の例に限定されるものではなく、例えば図22に示すように、1つのゲートG1を通じて6つのキャビティC1~C6に樹脂を注入する構造にしてもよい。図23は、金型40のキャビティC1~C24に樹脂を注入して複数個例えば24個の樹脂封止体3を一括成形した後、金型40から取り外したリードフレームLF1の表面側の平面図、図24は、このリードフレームLF1の裏面側の平面図である。図24に示すように、それぞれの樹脂封止体3の裏面には、前述した端子5aおよび突起8aが露出する。次に、樹脂封止体3の裏面に露出した端子5aおよび突起8aのそれぞれの表面に半田層9を印刷し図6、図7参照、続いて樹脂封止体3の表面に製品名などのマークを印刷した後、ダイサーを使ってリードフレームLF1を切断することにより、樹脂封止体3を個片化する。図25リードフレームLF1の部分平面図、図26図25のX-X’線に沿った断面図および図27図26の部分拡大断面図に示す二点鎖線は、リードフレームLF1を切断する位置カットラインCを示している。図示のように、カットラインCは、樹脂封止体3の外縁に沿ったラインモールドラインよりも内側樹脂封止体3の中心側に位置している。そのため、このカットラインCに沿って樹脂封止体3の周辺部とリードフレームLF1を共に切断した場合は、図28に示すように、樹脂封止体3の側面切断面に露出するリード5の全周上面、下面および両側面が樹脂によって覆われた状態になるので、リード5の切断面には金属バリが発生しない。他方、図29に示す二点鎖線は、モールドラインと一致させた従来のリードフレームの切断位置カットラインC’を示している。このカットラインC’に沿ってリードフレームLF1を切断した場合は、図30に示すように、樹脂封止体3の側面に露出するリード5の一部上面が樹脂によって覆われないので、リード5の切断面に金属バリが発生する。また、モールドラインよりもさらに外側でリードフレームLF1を切断した場合は、樹脂封止体3の側面に露出するリード5の全周が樹脂によって覆われなくなるので、リード5の切断面には、さらに多くの金属バリが発生する。また、本実施の形態では、吊りリード8の先端部を二股に分岐して樹脂封止体3の側面で終端させている。そのため、前記図28に示すように、樹脂封止体3の側面に露出する吊りリード8の切断面は、全周が樹脂によって覆われた状態になるので、金属バリが発生しない。他方、吊りリード8の先端部を樹脂封止体3のコーナー部で終端させた場合は、カットラインC’モールドラインに沿ってリードフレームLF1を切断した場合はもちろん、前記カットラインCに沿って樹脂封止体3の周辺部とリードフレームLF1を切断した場合であっても、図31および図32に示すように、樹脂封止体3のコーナー部の側面に露出する吊りリード8の一部図32の矢印で示す箇所が樹脂で覆われない状態になるので、そこに金属バリが発生してしまう。上記のカットラインCに沿って樹脂封止体3の周辺部とリードフレームLF1を切断する場合は、例えば図33に示すように、互いに隣接する2つのカットラインC、Cの間隔と同じ間隔で2枚のブレード32aを配置したダイサー、あるいは図34に示すように、カットラインC、Cの間隔と同じ幅のブレード32bを備えたダイサーなどを使用することにより、切断作業を迅速に行うことができる。なお、樹脂封止体3の周辺部をダイサーで切断すると、樹脂封止体3の外形寸法が成形直後に比べて小さくなる。従って、本実施の形態で使用する金型40は、キャビティの内径寸法を、完成時のQFN1の外形寸法よりも幾分大きくしておく。以上のようにして樹脂封止体3を個片化することにより、前記図1~図7に示す本実施の形態のQFN1が完成する。このように、本実施の形態では、リードフレームLF1をダイサーで切断する際、樹脂封止体3の周辺部も同時に切断することによって、樹脂封止体3の切断面に露出するリード5および吊りリード8のそれぞれの先端部の全周が樹脂で覆われるようにする。これにより、リード5および吊りリード8のそれぞれの切断面に金属バリが発生しなくなるので、QFN1の製造歩留まりを向上させることができる。実施の形態2図35は、QFN1の製造に用いるリードフレームLF2の一部を示す平面図、図36は、図35のY-Y’線に沿った断面図、図37は、図35のZ-Z’線に沿った断面図である。図に示すように、本実施の形態のリードフレームLF2に形成された複数本のリード5のそれぞれは、端子5aが形成された箇所の内側ダイパッド部4に近い側と外側とで板厚が異なっている。すなわち、これらのリード5は、端子5aの外側部分図36の板厚t’が端子5aの内側部分図37の板厚tよりも厚いt’>t。上記リードフレームLF2は、前記実施の形態1で説明した金属板10をハーフエッチングする方法図9、図10参照によって製造するが、前記実施の形態1との違いは、金属板10のリード形成領域の片面にフォトレジスト膜11を形成する際、図38に示すように、端子5aが形成される箇所よりも外側部分は、リード形成領域の反対側の面に、フォトレジスト膜11よりも幅の狭いフォトレジスト膜11aを形成する点にある。一方、図39に示すように、端子5aが形成される箇所よりも内側部分は、金属板10のリード形成領域の片面のみにフォトレジスト膜11を形成する。図示は省略するが、端子5aが形成される箇所には、前記実施の形態1と同様、金属板10の両面にフォトレジスト膜を形成する。そして、この状態で金属板10を薬液でエッチングすると、端子5aの外側部分は、金属板10の両面のエッチング量が異なるので、図40に示すような断面形状を有する、中央部が厚いリード5が形成される。他方、端子5aの内側部分は、フォトレジスト膜11が形成されていない面のみがハーフエッチングされるので、図41に示すような断面形状を有する薄いリード5が形成される。その後、金属板10の表面に残ったフォトレジスト膜11、11aを除去することにより、前記図35~図37に示すリードフレームLF2が得られる。金属板をハーフエッチングしてリードフレームのパターンダイパッド部4、リード5、吊りリード8などを形成する方法は、リード5のピッチを縮小して多ピン化を実現する有効な方法であるが、反面、リード5の板厚が薄くなるので、リード5の剛性が不足する。その結果、前記実施の形態1で使用した金型40にリードフレームを装着して樹脂封止体3を成形する際、リード5に形成された端子5aが樹脂シート41を押さえ付ける力が弱くなり、樹脂封止体3の外側に突出する端子5aの高さが低くなるといった問題が生じる。これに対し、本実施の形態のリードフレームLF2は、端子5aが形成された箇所よりも外側のリード5を厚く形成するので、その分、リード5の剛性が高くなる。このため、図42に示すように、リードフレームLF2を金型40に装着して上型40Aと下型40BでリードフレームLF2を押圧した時に、端子5aが樹脂シート41を押さえ付ける力が大きくなるので、樹脂封止体3の外側に突出する端子5aの高さを高くすることができる。また、前記実施の形態1と同様、上型40Aと接触する部分のリードフレームLF2の板厚を端子5aと同じ厚さにする図19参照ことにより、端子5aが樹脂シート41を押さえ付ける力をさらに大きくすることができる。なお、金属板をプレスで打ち抜いてリードフレームのパターンダイパッド部4、リード5、吊りリード8などを形成する場合でも、リード5の狭ピッチ化、多ピン化を実現しようとすると薄い金属板を使用しなければならないので、リード5の剛性が不足する。その対策として、図43に示すように、リード5の片面にプレスでスリット50を形成することにより、板厚が薄くても剛性の高いリード5を形成することができる。実施の形態3図44は、QFN1の製造に用いるリードフレームLF3の表面の一部を示す平面図、図45は、このリードフレームLF3の裏面の一部を示す平面図、図46は、図45の中央部ダイパッド部4が形成された領域を拡大して示す斜視図である。このリードフレームLF3は、ダイパッド部4の裏面の外周に沿って複数の突起4aを設けたことに特徴がある。図47に示すように、これらの突起4aは、リードフレームLF3のパターンダイパッド部4、リード5、吊りリード8などを形成する際に同時に形成する。すなわち、板厚125μm~150μm程度のCu、Cu合金またはFe-Ni合金などからなる金属板10を用意し、ダイパッド部4、リード5および図示しない吊りリード8を形成する箇所の片面をフォトレジスト膜11で被覆する。また、端子5a、突起4aおよび図示しない吊りリード8の突起8aを形成する箇所は、金属板10の両面をフォトレジスト膜11で被覆する。そして、この状態で金属板10を薬液によってハーフエッチングすると、片面のみがフォトレジスト膜11で被覆された領域には、金属板10の厚さの半分程度の厚さを有するダイパッド部4、リード5および図示しない吊りリード8が形成される。また、両面がフォトレジスト膜11で被覆された領域には、金属板10と同じ厚さの端子5a、突起4aおよび図示しない吊りリード8の突起8aが形成される。このリードフレームLF3を使ってQFN1を製造するには、前述した方法でダイパッド部4上に半導体チップ2を搭載し、半導体チップ2とリード5をAuワイヤ6で接続した後、図48に示すように、リードフレームLF3を金型40に装着する。このとき、本実施の形態では、上型40Aと半導体チップ2の隙間を、下型40Aと半導体チップ2の隙間よりも広くする。次に、この状態でリードフレームLF3を上型40Aと下型40Bで挟み付けると、リード5の裏面に形成された端子5aおよびダイパッド部4の裏面に形成された突起4aが下型40Bの表面に敷いた樹脂シート41と接触し、それらの先端部分が樹脂シート41の中に食い込む。次に、図49に示すように、金型40のゲートGを通じてキャビティ内に溶融樹脂51を注入する。このとき、上型40Aと半導体チップ2の隙間が下型40Aと半導体チップ2の隙間よりも広くなっているので、上型40Aと半導体チップ2の隙間に入り込む溶融樹脂51の量は、下型40Aと半導体チップ2の隙間に入り込む溶融樹脂51の量よりも多くなる。そのため、ダイパッド部4上に搭載された半導体チップ2の上面には、上型40Aと半導体チップ2の隙間に入り込んだ溶融樹脂51から下向きの圧力が加わるが、ダイパッド部4の裏面に形成された突起4aが樹脂シート41と接触しているので、溶融樹脂51の圧力によって半導体チップ2が位置ずれを引き起こすことはない。他方、図50に示すように、ダイパッド部4の裏面に突起4aを設けない場合は、溶融樹脂51の圧力によって半導体チップ2が位置ずれを引き起こし、Auワイヤ6が樹脂封止体3の上面から露出したり、ダイパッド部4が樹脂封止体3の下面から露出したりする不良が発生する。従来、金型のキャビティ内に溶融樹脂51が流入する際の圧力による半導体チップ2の位置ずれを防止する対策として、ダイパッド部4を支持する吊りリード8を折り曲げることによって、上型40Aと半導体チップ2の隙間を下型40Aと半導体チップ2の隙間と同じにするタブ上げ技術が採用されている。しかし、QFN1の多ピン化に伴うリード5の狭ピッチ化が進み、リードフレームを構成する金属板の板厚が極めて薄くなると、吊りリード8の剛性が低下する結果、タブ上げ技術を採用しても半導体チップ2の位置ずれを防止することが困難になる。これに対し、ダイパッド部4の裏面に突起4aを形成し、この突起4aを下型40Aの樹脂シート41に密着させる本実施の形態によれば、リードフレームLF3を構成する金属板の板厚が極めて薄くなり、吊りリード8の剛性が低下した場合でも、キャビティ内に流入する溶融樹脂51の圧力による半導体チップ2の位置ずれを確実に防止することができるので、多ピン化したQFN1の製造歩留まりを向上させることができる。図51は、本実施の形態のリードフレームLF3を使って製造したQFN1の外観裏面側を示す平面図である。図示のように、このリードフレームLF3を使用した場合は、樹脂封止体3の裏面にダイパッド部4の突起4aが露出する。そこで、この突起4aに前述した半田層9を被着し、QFN1を配線基板に実装する際、半田層9を介して突起4aの表面を配線基板に接合することにより、QFN1と配線基板との接続信頼性を高めることができる。また、半導体チップ2から発生した熱が突起4aを通じて外部に伝達されるので、放熱性に優れたQFN1を実現することができる。ダイパッド部4の裏面に形成する突起4aは、前記の形状に限定されるものではなく、キャビティ内に流入する溶融樹脂51の圧力による半導体チップ2の位置ずれを防止できるものであれば、任意の形状を採用することができる。例えば図52に示すような円形の突起4aであってもよく、また、図53に示すように、ダイパッド部4の裏面だけでなく、吊りリード8の裏面の一部に形成してもよい。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。前記実施の形態では、ハーフエッチング法でリードフレームのパターンダイパッド部4、リード5、吊りリード8などを形成する場合について説明したが、金属板をプレスで打ち抜いてこれらのパターンを形成する場合にも適用することができる。プレス法を用いてリードフレームLF4を製造するには、図54および図55に示すように、まず金属板10をプレスで打ち抜いてリード5、吊りリード8、ダイパッド部4を形成する。次に、リード5の中途部をプレスで下方に折り曲げることによって端子5aを形成し、吊りリード8の一端部近傍をプレスで下方に折り曲げることによって突起8aを形成する。このとき、ダイパッド部4の一部をプレスで下方に折り曲げることによって、前記実施の形態3の突起4aを形成することもできる。端子5aを形成するには、図56に示すように、金属板10をプレス金型60の上型60Aと下型60Bの間に挟み込む。そして、この状態で上型60Aに設けたパンチ61を下型60Bに設けたダイ62に押し込むと、各リード5の中途部が塑性変形して下方に折れ曲がり、端子5aが形成される。図示は省略するが、吊りリード8の突起8aや、ダイパッド部4の突起4aも同様の方法で形成する。端子5aや突起4a、8aは、リードフレームと異なる材料で構成することもできる。この場合は、前述したハーフエッチング法またはプレス法でパターンダイパッド部4、リード5、吊りリード8を形成したリードフレームを用意し、このリードフレームの端子5aや突起4a、8aを形成する個所に樹脂などを塗布してダミーの端子や突起を形成しておく。次に、このリードフレームに半導体チップ2を搭載し、リード5と半導体チップ2をAuワイヤ6で接続した後、前述した金型40を使って樹脂封止体3を形成する。次に、樹脂封止体3の裏面に露出したダミーの端子や突起を溶剤で溶解、除去した後、そこに印刷法やメッキ法を用いて端子5aや突起4a、8aを形成すればよい。また、ダイパッド部4およびこれを支持する吊りリード8を備えた前記リードフレームに代えて、図57に示すような、リード5の一端部側にシート状の絶縁フィルムなどからなるチップ支持体33を貼り付け、このチップ支持体33上に半導体チップ2を搭載する方式のリードフレームLF5を使用してもよい。また、同図に示すように、リード5の狭ピッチ化を推進するために、端子5aの幅をリード5の幅と同じにしてもよい。