"式1:式2:または式3:式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。Xはメチレン基、ビニリデン基、カルボニル基、チオカルボニル基、イミノメチレン基、イミノ基、酸素原子、または硫黄原子であり、X上の水素原子はハロゲン原子あるいは1価の有機基で置換されていてもよい。Xは互いに同一でも異なっていてもよい。Aは窒素原子あるいは炭素原子であり、互いに同一でも異なっていてもよい。nは1~100までの整数であり、mは1~50までの整数であり、vは1~98までの整数であり、wは1~48までの整数である。ただしv2wは3~100までの整数である。で示される、スマネン誘導体。スマネンにオリゴアニリン構造あるいはキノンジイミン構造を結合させた化合物に光照射を行うことにより得られる、有機導電体あるいは有機半導体。請求項1に記載のスマネン誘導体、または以下の式8:式9:または式10:式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。Xはメチレン基、ビニリデン基、カルボニル基、チオカルボニル基、イミノメチレン基、イミノ基、酸素原子、または硫黄原子であり、X上の水素原子はハロゲン原子あるいは1価の有機基で置換されていてもよい。Xは互いに同一でも異なっていてもよい。Aは窒素原子あるいは炭素原子であり、互いに同一でも異なっていてもよい。p、q、lはそれぞれ1~100までの整数である。で示されるスマネン誘導体、あるいは式8、9、10のオリゴアニリン鎖を全部または部分的に酸化してキノンジイミン構造へ変換した誘導体に光照射して得られる、有機導電体または有機半導体。波長300~700nm、強度10~300mJ/cm2の光照射により得られる、請求項2または3に記載の有機導電体または有機半導体。導電率が0.1~10000S/mである、請求項2~4のいずれかに記載の有機導電体。キャリア移動度が0.2~100cm2/Vsである、請求項2~4のいずれかに記載の有機半導体。前記スマネン誘導体を基板上に薄膜状に形成し、特定箇所を選択的に光照射することにより、請求項2~6のいずれかに記載の有機導電体または有機半導体を特定のパターンとして形成させて得られる、電子回路。レーザー光線の走査あるいはフォトマスク使用によりパターン化させて得られる、請求項7に記載の電子回路。有機導電体または有機半導体をパターンとして形成させた後、光照射しなかった部分を溶媒で除去して得られる、請求項7または8に記載の電子回路。本発明は、新規なスマネン誘導体を提供し、それを用いて微細電子回路を安価かつ簡便に作製する方法を提供することを課題とする。特に、従来法では困難であった印刷法を利用する高精細な回路描画を達成することを課題とする。上記課題を解決するための手段として、本発明者らはまず、光照射により変性してその電気的特性を変化させることのできるスマネン誘導体を設計し、合成した。このような化合物は式1:式2:または式3:式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。Xはメチレン基、ビニリデン基、カルボニル基、チオカルボニル基、イミノメチレン基、イミノ基、酸素原子、または硫黄原子であり、X上の水素原子はハロゲン原子あるいは1価の有機基で置換されていてもよい。Xは互いに同一でも異なっていてもよい。Aは窒素原子あるいは炭素原子であり、互いに同一でも異なっていてもよい。nは1~100までの整数であり、mは1~50までの整数であり、vは1~98までの整数であり、wは1~48までの整数である。ただしv2wは3~100までの整数である。で示される。なお、式3のスマネン誘導体において、アニリンユニットとキノンジイミンユニットはブロックとして配置されていてもよく、ランダムに配置されていてもよい。上記式1で示されるスマネン誘導体のうちAが窒素原子である化合物は、例えば式4:式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。Xはメチレン基、ビニリデン基、カルボニル基、チオカルボニル基、イミノメチレン基、イミノ基、酸素原子、または硫黄原子であり、X上の水素原子はハロゲン原子あるいは1価の有機基で置換されていてもよい。Xは互いに同一でも異なっていてもよい。で示されるスマネン化合物のメチレン基を酸化して式5:式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。Xはメチレン基、ビニリデン基、カルボニル基、チオカルボニル基、イミノメチレン基、イミノ基、酸素原子、または硫黄原子であり、X上の水素原子はハロゲン原子あるいは1価の有機基で置換されていてもよい。Xは互いに同一でも異なっていてもよい。で示されるスマネンモノオンを合成し、次に式6:式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。nは1~100までの整数である。で示されるオリゴアニリンと縮合させることにより合成される。また、式1で示されるスマネン誘導体のうちAが炭素原子である化合物は、例えば式4のメチレン炭素をリチオ化するなどしてベンジルアニオンを発生させ、式7:式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。nは1~100までの整数である。で示される化合物と反応させてアルコール体とし、次いで脱水アルケン化させることにより合成される。さらに、式2で示されるスマネン誘導体は、例えば式1で示されるスマネン誘導体のうちnが偶数の化合物を酸化することにより合成することができる。式3で示されるスマネン誘導体は、例えば式1で示されるスマネン誘導体を酸化する反応において、反応条件を緩やかにしたり途中で止めたりすることにより部分的に酸化を起こすことにより合成することができる。スマネンにオリゴアニリン構造あるいはキノンジイミン構造を結合させた化合物は、光照射により有機導電体あるいは有機半導体へと変性させることができる。好適には、上記式1、式2、式3、または以下の式8:式9:または、式10:式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。Xはメチレン基、ビニリデン基、カルボニル基、チオカルボニル基、イミノメチレン基、イミノ基、酸素原子、または硫黄原子であり、X上の水素原子はハロゲン原子あるいは1価の有機基で置換されていてもよい。Xは互いに同一でも異なっていてもよい。Aは窒素原子あるいは炭素原子であり、互いに同一でも異なっていてもよい。p、q、lはそれぞれ1~100までの整数である。で示されるスマネン誘導体、あるいは上記式8、9、10のオリゴアニリン鎖を全部または部分的に酸化してキノンジイミン構造へ変換した誘導体に光照射を加えることにより、これらスマネン誘導体は変性されて有機導電体または有機半導体となる。ここで好適には、波長300~700nm、強度10~300mJ/cm2の光を照射する。有機導電体としては導電率を0.1~10000S/mとすることが可能であり、有機半導体としてはキャリア移動度を0.2~100cm2/Vsとすることが可能である。このような有機導電体や有機半導体は、基板上パターン化させることにより電子回路として利用することができる。このために上記式1、2、3、8、9、または10で示される化合物を基板上に薄膜として形成し、回路として残したい箇所を選択的に光照射すればよい。このような選択的光照射の方法としては、レーザー光線の走査あるいはフォトマスクの使用が好ましい。またこのような電子回路をパターン化して形成させた後、光照射していない部分を溶媒で除去することも可能である。本発明により新規スマネン誘導体が提供され、微細電子回路を安価かつ簡便に作製することが可能となった。基板上に溶液キャストなどで薄膜形成させた後、レーザー光線の走査やフォトマスクを利用する光照射により、従来の印刷技術では達成できなかった微細電子回路を作製でき、プリンテッドエレクトロニクスの限界を凌駕する結果が得られた。本発明のスマネン誘導体は、式1:式2:または式3:で示される化合物である。式1、2、および3において、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。Xはメチレン基、ビニリデン基、カルボニル基、チオカルボニル基、イミノメチレン基、イミノ基、酸素原子、または硫黄原子であり、X上の水素原子はハロゲン原子あるいは1価の有機基で置換されていてもよい。Xは互いに同一でも異なっていてもよい。Aは窒素原子または炭素原子であり、互いに同一でも異なっていてもよい。nは1~100までの整数であり、mは1~50までの整数であり、vは1~98までの整数であり、wは1~48までの整数である。ただしv2wは3~100までの整数である。Rが1価の有機基である場合、そのような有機基としては例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基などのアルキル基;フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基などのアリール基;フェニルメチル基、フェニルエチル基などのアラルキル基;ヒドロキシ基;メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基などのアルコキシ基;アミノ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、チエニル基などのヘテロ元素含有基などを挙げることができる。合成の容易さ、および変性して得られる電気的特性に優れる点で、Rは水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、t-ブチル基、フェニル基、ピリジル基、チエニル基が好ましく、合成の容易さの点で水素原子が特に好ましい。X上の水素原子が1価の有機基で置換された構造の場合、そのような有機基としては例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基などのアルキル基;フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基などのアリール基;フェニルメチル基、フェニルエチル基などのアラルキル基;ヒドロキシ基;メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基などのアルコキシ基;アミノ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、チエニル基などのヘテロ元素含有基などを挙げることができる。合成の容易さの点でXはメチレン基が特に好ましい。変性して得られる電気的特性に優れる点でAは窒素原子が好ましい。また合成の容易さ、および変性して得られる電気的特性に優れる点で、nは1~20が好ましく、2~10が特に好ましい。同様にmは1~10が好ましく、1~5が特に好ましい。同様にv2wは3~20が好ましく、3~10が特に好ましい。式1で示されるスマネン誘導体のうち、Aが窒素原子である化合物は、例えば以下のようにして合成することができる。すなわち、式4:式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。Xはメチレン基、ビニリデン基、カルボニル基、チオカルボニル基、イミノメチレン基、イミノ基、酸素原子、または硫黄原子であり、X上の水素原子はハロゲン原子あるいは1価の有機基で置換されていてもよい。Xは互いに同一でも異なっていてもよい。で示されるスマネン化合物のメチレン基を酸化して、式5:式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。Xはメチレン基、ビニリデン基、カルボニル基、チオカルボニル基、イミノメチレン基、イミノ基、酸素原子、または硫黄原子であり、X上の水素原子はハロゲン原子あるいは1価の有機基で置換されていてもよい。Xは互いに同一でも異なっていてもよい。で示されるスマネンモノオンを合成し、次に式6:式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。nは1~100までの整数である。で示されるオリゴアニリンと脱水縮合させることにより合成される。式1で示されるスマネン誘導体のうちAが炭素原子である化合物は、例えば式4のメチレン炭素からベンジルアニオンを発生させ、式7:式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。nは1~100までの整数である。で示される化合物と反応させてアルコール体とし、次いで脱水アルケン化させることにより合成される。式1、式2および式3で示されるスマネン誘導体において、Rが1価の有機基である場合、そのような有機基としては、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基などのアルキル基;フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基などのアリール基;フェニルメチル基、フェニルエチル基などのアラルキル基;ヒドロキシ基;メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基などのアルコキシ基;アミノ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、チエニル基などのヘテロ元素含有基などを挙げることができる。合成の容易さ、および最終的に得られる電気的特性に優れる点で、Rは水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、t-ブチル基、フェニル基、ピリジル基、チエニル基が好ましく、合成の容易さの点で水素原子が特に好ましい。X上の水素原子が1価の有機基で置換された構造の場合、そのような有機基としては例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基などのアルキル基;フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基などのアリール基;フェニルメチル基、フェニルエチル基などのアラルキル基;ヒドロキシ基;メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基などのアルコキシ基;アミノ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、チエニル基などのヘテロ元素含有基などを挙げることができる。合成の容易さの点でXはメチレン基が特に好ましい。最終的に得られる電気的特性に優れる点でAは窒素原子が好ましい。また式6および式7のオリゴアニリンにおいても同様に、入手性の点でRは水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、t-ブチル基、フェニル基が好ましく、水素原子が特に好ましい。また合成の容易さ、および変性して得られる電気的特性に優れる点で、nは1~20が好ましく、2~10が特に好ましい。式4のスマネンを酸化して式5のスマネンモノオンへ変換するための方法は特に限定されず、例えば硝酸カリウム、次亜塩素酸、過塩素酸、過マンガン酸塩、クロム酸、二クロム酸、過酸化物などを作用させる反応を適用できる。これらのうち反応が穏やかでクリーンな点で過酸化物を用いる反応が好ましい。例えば式4のスマネンをピリジン-ジクロロメタン混合溶媒中に溶解させ、リンタングステン酸およびt-ブチルヒドロぺルオキシド70水溶液を添加して室温で撹拌することにより、式5のスマネンモノオンを得ることができる。式5のスマネンモノオンと、式6のオリゴアニリンとの反応は、ケトンとアミンを縮合させてイミンを合成する反応であり、特に限定されず、例えば酸触媒存在下に脱水縮合させる方法や、脱水剤を用いて縮合させる方法などを適用できる。脱水剤としてはオルトカルボン酸エステル、塩化カルシウム、硫酸マグネシウム、モレキュラーシーブズなどを使用することができる。式4のスマネン誘導体のメチレン炭素からベンジルアニオンを発生させる方法としては特に限定されないが、合成が容易で収率が高い点で、リチオ化させる方法が好ましい。リチオ化試薬としては特に限定されず、n-ブチルリチウムやt-ブチルリチウムなどを使用できる。次の脱水アルケン化反応についても特に限定されず、例えば酸触媒や濃硫酸を作用させて加熱するなど一般的な方法を適用可能である。このようにして得られるスマネン誘導体1を、更に酸化することにより式2および式3で示される化合物へと導くことができる。反応に使用する酸化剤としては特に限定されないが、酸化銀、塩素酸カリウム、酸化マンガン、次亜塩素酸ナトリウム、クロラミンなどを使用することができる。式3の化合物は、式1から式2へ酸化する際の途中段階の化合物と捉えることができ、例えば酸化反応の条件を穏やかなものとしたり、酸化反応を途中で止めることなどにより合成することができる。スマネンにオリゴアニリン構造あるいはキノンジイミン構造を結合させた化合物は、光照射により有機導電体あるいは有機半導体へと変性させることができる。例えば上記式1、2、および3で示されるスマネン誘導体は有機絶縁体であるが、これらに光照射して変性させることにより、有機導電体または有機半導体に変換させることができる。光照射の強度や時間を調節することにより、半導体から導電体までの特性をコントロールすることができる。また同様の現象は、上記式1、2、および3で示される化合物に限定されず、以下に示す式8:式9:または、式10:式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、あるいは1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。Xはメチレン基、ビニリデン基、カルボニル基、チオカルボニル基、イミノメチレン基、イミノ基、酸素原子、または硫黄原子であり、X上の水素原子はハロゲン原子あるいは1価の有機基で置換されていてもよい。Xは互いに同一でも異なっていてもよい。Aは窒素原子あるいは炭素原子であり、互いに同一でも異なっていてもよい。p、q、lはそれぞれ1~100までの整数である。で示されるスマネン誘導体、さらに式8、9、10のオリゴアニリン鎖を全部あるいは部分的に酸化してキノンジイミン構造へ変換した誘導体においても認められる。式8、9、および10の化合物において、Rが1価の有機基である場合、そのような有機基としては例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基などのアルキル基;フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基などのアリール基;フェニルメチル基、フェニルエチル基などのアラルキル基;ヒドロキシ基;メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基などのアルコキシ基;アミノ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、チエニル基などのヘテロ元素含有基などを挙げることができる。合成の容易さの点でRは水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、t-ブチル基、フェニル基、ピリジル基、チエニル基が好ましく、水素原子が特に好ましい。X上の水素原子が1価の有機基で置換された構造の場合、そのような有機基としては例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基などのアルキル基;フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基などのアリール基;フェニルメチル基、フェニルエチル基などのアラルキル基;ヒドロキシ基;メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基などのアルコキシ基;アミノ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、チエニル基などのヘテロ元素含有基などを挙げることができる。合成の容易さの点でXはメチレン基が特に好ましい。同様にAは窒素原子が好ましい。電気化学的特性に優れる点で、p、q、lはそれぞれ1~20が好ましく、2~10が特に好ましい。また上記式8、9、および10のオリゴアニリン鎖をキノンジイミン構造に変換させた化合物についても同様の効果が認められる。光照射の方法としては特に限定されず、レーザー光線、キセノンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、太陽光線などを使用することができる。導電体および半導体への変換効率が高く、高精細な回路描画化可能である点でレーザー光線照射が特に好ましい。また光照射の条件については特に限定されないが、効率が高い点で波長300~700nmの光が好ましく、350~650nmの光がより好ましく、350~600nmの光が特に好ましい。さらに照射する光の強度としては特性発現の効率が高くかつ材料に与えるダメージが少ない点で、10~300mJ/cm2が好ましく、15~100mJ/cm2がより好ましく、15~50mJ/cm2が特に好ましい。また照射時間は光の強度との関係で決定され、強度の高い光を照射する場合は短時間でよく、強度の低い光を照射する場合は長くする必要がある。標準的には0.1秒から10分程度の照射を行う。光の照射は連続的に実施してもよく、パルスとして照射してもよい。パルス照射する場合には、周波数は1~100Hzが好ましい。上記式1、2、3、8、9、または10で示されるスマネン誘導体に光照射して有機導電体へと変換させた場合、得られる導電率は分子構造および照射条件によりコントロール可能であるが、一般に導電率が0.1~10000S/mという値が得られる。導電率は、0.5~10000S/mが好ましい。また、同様にキャリア移動度としては、一般に0.2~100cm2/Vsという値が得られる。キャリア移動度は、0.25~100cm2/Vsさらには1~100cm2/Vsが好ましい。本発明の有機導電体および有機半導体はプリンテッドエレクトロニクス用の電子回路として利用することができる。このような場合、まず上記式1、2、3、8、9、または10で示される化合物を基板上に薄膜状に形成し、回路として残したい箇所を選択的に光照射することにより得ることができる。このとき用いる基板としては特に限定されず、シリコン、ガラス、石英、金属、ポリマー、紙などを用いることができる。シリコンや金属を用いる場合は表面を絶縁処理しておくことが好ましい。特にフレキシブルなデバイスを得ようとする場合には、金属箔、ポリマーフィルム、紙が好ましく、入手性及びコストの点でアルミニウム箔、ステンレス箔、銅箔、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリシクロオレフィンフィルム、ポリアラミドフィルム、紙がより好ましい。なお本発明の方法では従来の導電性ペーストやインクのように高温でアニールする必要がないため、低融点のポリエチレンフィルムやポリプロピレンフィルムなども使用することができる点が特徴である。基板上に式1、2、3、8、9、または10で示される化合物を薄膜として形成させる方法としては特に限定されないが、溶液キャスト法、印刷法、真空蒸着法、近接昇華法などをあげることができる。溶液キャスト法にはスピンコート、ドクターブレードやローラーなどによる塗付、ディッピングなどが含まれ、印刷法にはインクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、凸版印刷などが含まれる。これらのうちコストおよび簡便性の点で溶液キャスト法および印刷法が好ましく、スピンコート、ドクターブレードなどによる塗付、スクリーン印刷、グラビア印刷、凸版印刷がより好ましく、スピンコートおよびドクターブレードやローラーによる塗付が特に好ましい。使用する溶媒としては特に限定されず、上記式1、2、3、8、9、および10を溶解可能なものを適宜選択すればよい。簡便かつ低コストに実施できる点でジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、アセトン、トルエン、キシレン、ジクロロベンゼン、ジメチルスルホキシドが好ましい。また水を媒体としてエマルジョンとして使用することも可能である。基板上に回路形成させるための光照射方法としては特に限定されないが、高精細な回路を描ける点でレーザー光線の走査あるいはフォトマスク使用によるパターン化が好ましく、製造装置が簡便で低コストである点でレーザー光線の走査による方法が特に好ましい。上記のようにして基板上に回路を形成させた後、光照射していない未変性部分をそのまま残してもよいが、電子回路の安定性および材料リサイクルの点で、溶媒を用いて溶解除去することが好ましい。この場合、光照射して変性させた部分は溶媒に不溶となっているため容易に行うことが可能である。従来法のプリンテッドエレクトロニクスによる回路形成においては、印刷法の限界があり線幅やラインスペースは10~20μm程度が限界であったが、本発明の電子回路はレーザー光線の焦点を絞ったり、リソグラフィー技術を応用した高精細フォトマスクを利用することにより、30~40nm程度の高密度配線が可能である。また本発明のスマネン誘導体は、分子構造および変性条件の調節によって導電性から半導体性の特徴をコントロールすることが可能であり、電子伝導を担う回路部分と半導体特性を利用するトランジスタやコンデンサなどの駆動部分を同時に作製することが可能である。このため別の部品を実装することなく、また別の材料を塗り分けることなく、プリンテッドエレクトロニクスデバイスを構築可能である。以下に本発明を実施例に基づき説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。モレキュラーシーブズ4Aは、減圧下130°Cで12時間加熱することにより活性化して使用した。キャリア移動度の測定キャリア移動度測定は時間分解マイクロ波伝導度測定TRMC法により実施した。TRMC法は例えば有機薄膜太陽電池の最新技術IIシーエムシー出版、監修:上原赫、吉川暹38~55頁に記載されているように、試料にパルスレーザーを当てて電荷キャリアを発生させ、このキャリアによって試料を透過するマイクロ波のパワー損失を検出し、過渡光伝導度を測定する方法である。過渡光伝導度はキャリア発生の量子効率と総キャリア移動度の積に比例するため、キャリア移動度を見積もることができる。TRMC法では他の方法と比較して電極界面の影響を受けず、不純物や構造欠陥によるキャリア再結合の影響もないため、信頼性の高いデータを得ることができる。導電率の測定導電率測定は以下の方法により実施した。表面を酸化絶縁処理したシリコン基板上にチタンをスパッタリングした後、金を蒸着して1対のくし型電極を形成させ、ここに測定対象の化合物を溶液キャストした後乾燥させて薄膜を形成させた。向かい合う電極の長さは1.9mm、電極間の幅は5μm、厚さが100nmである。この電極間に電圧を変えながら直流電流を流して電流値をモニターし、導電率σ=IL/VSの式から計算した。ここでIは電流A、Lは電極間の距離5x10-6m、Vは電圧V、Sは出極間の断面積1.9x10-3x100x10-9m2である。計算には電圧20Vに対応する電流値を用いた。実施例1スマネン誘導体フェニレンジアミン体の合成以下のスキーム1に示す通り、式11で示されるスマネンを酸化して式12のスマネンモノオンを合成し、次いでアニリン3量体との縮合反応により式13で示されるスマネン誘導体フェニレンジアミン体を合成した。まず式11のスマネン150mgをジクロロメタン23mLに溶解させ、ピリジン6mL、リンタングステン酸300mg、およびt-ブチルヒドロぺルオキシドの70水溶液2.1mLを加え、室温で24日間撹拌した。反応溶液に1M塩酸水溶液100mLを加えて分液し、水層をジクロロメタン100mLで抽出して有機層を合一した。得られた有機層を蒸留水、チオ硫酸ナトリウムの飽和水溶液と炭酸水素ナトリウムの飽和水溶液を1:2の比で混合した水溶液、蒸留水、さらに飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過して硫酸マグネシウムを除去し、ろ液を濃縮し、次いでジクロロメタンとn-ヘキサンの混合液を溶出液としてシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより式12のスマネンモノオン81.1mgを得た収率51。このスマネンモノオン1230mgとN,N’-1,4-フェニレンジベンゼン-1,4-ジアミン15.6mgを脱水キシレン15mLに溶解させ、活性化したモレキュラーシーブズ4A1gの存在下に窒素雰囲気で加熱撹拌しながら4時間還流させた。室温まで冷却後、ろ過によりモレキュラーシーブズを取り除き、ろ液を濃縮した。さらにジクロロメタンと酢酸エチルの混合液を溶出液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、式13のスマネン誘導体26.2mgを赤黒色固体として得た収率66。実施例2スマネン誘導体キノンジイミン体の合成以下のスキーム2に示す通り、式13のスマネン誘導体を酸化してスマネン誘導体キノンジイミン体14を合成した。アルゴン置換した反応容器に式13のスマネン誘導体25mg、酸化銀I28.6mg、およびテトラヒドロフラン5mLを入れ、22時間室温で撹拌した。ジクロロメタン50mLで抽出し、有機層をチオ硫酸ナトリウムの飽和水溶液と炭酸水素ナトリウムの飽和水溶液を1:2の比で混合した水溶液で洗浄し、さらに蒸留水および塩化ナトリウムの飽和水溶液で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後ろ過し、ろ液から溶媒を留去することにより式14のスマネン誘導体20mgを赤黒色固体として得た収率81。合成例1スマネン誘導体トリアニリン体の合成スキーム3に示すように、スマネンモノオン12とアニリン3量体を縮合させることにより、スマネン誘導体15を合成した。スマネンモノオン1230mgと4-4’-アミノフェニルアミノジフェニルアミン59.4mgを脱水トルエン15mLに溶解させ、活性化したモレキュラーシーブズ4A1gの存在下にアルゴン雰囲気で加熱撹拌しながら21時間還流させた。室温まで冷却後、ろ過によりモレキュラーシーブズを取り除き、ろ液を濃縮した。さらにジクロロメタンと酢酸エチルの混合液を溶出液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、式15のスマネン誘導体43.5mgを橙色固体として得た収率75。実施例3実施例2で合成したスマネン誘導体14のジクロロメタン溶液を石英基板上にキャストし、風乾させさらに減圧乾燥することにより薄膜を形成させた。ここにNd:YAGレーザーTHG355nmを強度25mJ/cm2、照射径5mmで、10Hzのパルスとして5分間照射した。過渡光伝導度の上昇が止まるまで数分間照射することにより、照射前は赤黒色だった薄膜が黒色に変化し、ジクロロメタンに不溶となった。照射前の走査型電子顕微鏡写真を図1に、照射後の写真を図2に示す。照射前には不定形状であった膜が、光照射によりマイクロメートル幅のファイバー状構造に変化していることが分かる。レーザー光照射により得られた変性膜の総キャリア移動度をTRMC法にて測定したところ、キャリア発生の量子効率を0.1と見積もると4.7cm2/Vsと高い値を示した。比較例1実施例3のレーザー光線照射前の薄膜について、総キャリア移動度をTRMC法にて測定したところ、キャリア発生の量子効率を0.1として見積もると0.012cm2/Vsであった。実施例4実施例3においてスマネン誘導体14の代わりに、実施例1で合成したスマネン誘導体13を用いて同様の実験を行った。レーザー光強度23mJ/cm2、照射径5mmで、10Hzのパルスとして数分間照射することにより、赤黒色可溶体から黒色不溶体へと変性した。照射前の走査型電子顕微鏡写真を図3に、照射後ジクロロメタンで洗浄された変性体の写真を図4に示す。照射前には不定形状であった膜が、光照射によりナノロッド状に変化していることが分かる。このロッドの直径は約150nmである。レーザー光照射により得られた変性膜の総キャリア移動度をTRMC法にて測定したところ、キャリア発生の量子効率を0.1として見積もると0.27cm2/Vsであった。比較例2比較例1と同様に、実施例4のレーザー光照射前の薄膜について総キャリア移動度をTRMC法にて測定したところ、キャリア発生の量子収率を0.1として見積もると0.038cm2/Vsであった。実施例5実施例3においてスマネン誘導体14の代わりに、合成例1で合成したスマネン誘導体15を用いて同様の実験を行った。レーザー光強度36mJ/cm2、照射径5mmで、10Hzのパルスとして数分間照射することにより、橙色可溶体から黒色不溶体へと変性した。レーザー光照射により得られた変性膜の総キャリア移動度をTRMC法にて測定したところ、キャリア発生の量子効率を0.1として見積もると4.7cm2/Vsであった。比較例3比較例1と同様に、実施例5のレーザー光照射前の薄膜について総キャリア移動度をTRMC法にて測定したところ、キャリア発生の量子効率を0.1として見積もると0.024cm2/Vsであった。合成例2スマネン誘導体パラトルイジン付加体の合成スキーム4に示すように、スマネン誘導体16を合成した。式12のスマネンモノオン15mgとパラトルイジン11.6mgをキシレン6mL中に溶解させ、活性化したモレキュラーシーブズ4A1gの存在下にアルゴン雰囲気で加熱撹拌しながら3.5時間還流させた。室温まで冷却後、ろ過によりモレキュラーシーブズを取り除き、ろ液を濃縮した。さらにジクロロメタンと酢酸エチルの混合液を溶出液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、式16のスマネン誘導体16.5mgを黄色固体として得た収率81。比較例4実施例3においてスマネン誘導体14の代わりに、合成例2で合成したスマネン誘導体16を用いて同様の実験を行った。その結果、レーザー光高強度20mJ/cm2、照射径5mmで、10Hzのパルスとして30分間以上照射しても、光照射前後で顕著なキャリア移動度の上昇は認められなかった。合成例3フルオレン誘導体の合成スマネンの代わりにフルオレンが結合した誘導体17をスキーム5に示すようにして合成した。フルオレノン21.6mgと4-4’-アミノフェニルアミノジフェニルアミン50mgをトルエン15mL中に溶解させ、活性化したモレキュラーシーブズ4A1gの存在下にアルゴン雰囲気で加熱撹拌しながら2日間還流させた。室温まで冷却後、ろ過によりモレキュラーシーブズを取り除き、ろ液を濃縮した。さらにジクロロメタンと酢酸エチルの混合液を溶出液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、式17のフルオレン誘導体21.2mgを赤色固体として得た収率40。比較例5実施例3においてスマネン誘導体14の代わりに、式17のフルオレン誘導体を用いて同様の実験を行った。その結果、レーザー光強度20mJ/cm2、照射径5mmで、10Hzのパルスとして30分間以上照射しても、光照射前後でキャリア移動度の上昇は認められなかった。実施例6表面を酸化絶縁処理したシリコン基板上にチタンをスパッタリングした後、金を蒸着して1対のくし型電極を形成させ、ここに実施例2で合成したスマネン誘導体14のジクロロメタン溶液をキャストし、風乾させることにより薄膜を形成させた。ここにNd:YAGレーザーTHG355nmを強度25mJ/cm2、照射径5mmで、10Hzのパルスとして5分間照射した。照射前は赤黒色だった薄膜が黒色に変化した。この薄膜の導電率を測定したところ1S/mであった。比較例6実施例6において光照射前の導電率を測定したところ、1×10-6S/mであった。"