"ガラス基板と、前記ガラス基板の受光面側に形成されている反射防止層と、前記ガラス基板の受光面と反対側に設けられ、光を電気に変える光起電力素子と、を備え、前記反射防止層は、前記ガラス基板よりも屈折率が小さくなるように構成されており、前記ガラス基板は、受光面側に、二乗平均平方根粗さRMSが100~1100nmの範囲の凹凸を有することを特徴とする光起電力装置。前記反射防止層は、空孔が形成されている多孔質層であることを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。前記空孔は、その平均径が、前記ガラス基板の凹凸の二乗平均平方根粗さRMSよりも小さくなるように形成されていることを特徴とする請求項2に記載の光起電力装置。前記多孔質層は、受光側からガラス基板側へ向かって、空孔の占める割合が段階的にまたは連続的に小さくなるように構成されていることを特徴とする請求項2または3に記載の光起電力装置。前記反射防止層は、密度が2.4g/cm3以下の二酸化ケイ素を主成分とする材料で構成されており、その厚みが60~200nmの範囲であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光起電力装置。しかしながら、従来の反射防止膜は、ガラス基板との密着性と、反射防止効果との両立において、更なる改善の余地がある。本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、光の反射防止効果と信頼性とを高いレベルで両立し得る光起電力装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明のある態様の光起電力装置は、ガラス基板と、ガラス基板の受光面側に形成されている反射防止層と、ガラス基板の受光面と反対側に設けられ、光を電気に変える光起電力素子と、を備える。反射防止層は、ガラス基板よりも屈折率が小さくなるように構成されており、ガラス基板は、受光面側に、二乗平均平方根粗さRMSが100~1100nmの範囲の凹凸を有する。本発明によれば、光の反射防止効果と信頼性とを高いレベルで両立し得る。以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。以下の各図に示す各層、各部の縮尺や形状は、説明を容易にするために便宜的に設定されており、特に言及がない限り限定的に解釈されるものではない。図1は、本実施の形態に係る光起電力装置の概略断面図である。本実施の形態に係る光起電力装置10は、ガラス基板12と、ガラス基板12の受光面12a側に形成されている反射防止層14と、ガラス基板12の受光面12aと反対側に設けられ、光を電気に変える光起電力素子16と、を備える。光起電力素子16は、第1電極層18、半導体層20および第2電極層22を有する。第1電極層18は、ガラス基板12の面上に形成されており、導電性および透光性を有する。本実施の形態に係る第1電極層18としては、透明導電性酸化膜TCOが用いられ、特に、高い光透過性、低抵抗性を有し、低価格である酸化亜鉛ZnOが好適である。半導体層20は、第1電極層18側からの入射光により電荷電子および正孔を生成する。半導体層20としては、例えば、pin接合またはpn接合を基本構造として有するアモルファス非晶質シリコン半導体層や微結晶シリコン半導体層の単層体あるいは積層体を用いることができる。本実施の形態に係る半導体層20は、第1電極層18側からそれぞれアモルファスシリコン半導体24、微結晶シリコン半導体26が積層されたものとして構成されている。なお、本明細書において、微結晶の用語は、完全な結晶状態のみならず、部分的に非結晶状態を含む状態をも意味するものとする。また、アモルファスシリコン半導体24と微結晶シリコン半導体26との間に、中間層として、膜厚30nm程度の酸化シリコンSiOxを設けてもよい。こうした中間層は、スパッタリング等により形成される。第2電極層22は、微結晶シリコン半導体26上に形成される。第2電極層22は、酸化亜鉛ZnOなどの透明導電性酸化物TCOと銀Agなどの反射性金属との積層構造体からなる。一の光起電力素子16の第2電極層22は、隣接する他の光起電力素子16の第1電極層18と導通するように配置されている。これにより、一の光起電力素子16と他の光起電力素子16とが電気的に直列に接続される。次に、反射防止層について詳述する。反射防止層14に求められる特性は種々あるが、屈折率やガラス基板12との密着性が重要な特性である。光起電力装置10の受光面側に設けられる反射防止層14は、ガラス基板12の屈折率約1.52と、大気の屈折率約1.0との中間の屈折率を有するものが望ましい。しかし、大気に近い屈折率を有するような固体材料は少ないため、従来はガラス基板の材料よりもやや屈折率の小さなシリカ系無機材料、またはアクリル系樹脂材料などが用いられており、いずれも屈折率は1.46以上であることから、十分な反射防止効果が得られていなかった。そこで、本実施の形態に係る反射防止層14は、材料自体の屈折率はガラス基板12よりもそれほど小さくはないが、図1に示すように内部に多くの空隙空孔14aを含ませている。これにより、反射防止層14全体の平均的な屈折率が小さくなるため、より高い反射防止効果を発揮できる。本実施の形態に係る反射防止層14は、材料自体の選択だけでは困難な屈折率1.45を実現している。図2は、反射防止層の有無および屈折率の相違による光の波長と透過率との関係を示したグラフである。図2に示すラインaやラインcに示すように、反射防止層が未コートの場合や、反射防止層の屈折率nが1.48程度の場合、可視光の波長域約400~1100nmでの透過率は十分なものとは言えない。一方、図2のラインbに示すように、ガラス基板12との屈折率の差が大きい反射防止層屈折率n=1.45を用いることで、可視光の波長域約400~1100nmでの透過率が向上している。一方、このような多くの空隙を含む反射防止層は、耐湿性、強度、および基板との密着性などが低下し、長期の屋外使用中に反射防止層がはく離、損傷することで、反射防止効果が低下する点に改善の余地がある。図3は、加速劣化試験であるプレッシャークッカー試験による光の波長と透過率との関係の変化を示したグラフである。プレッシャークッカー試験の条件は、相対湿度99rh、器内圧力0.20MPa、器内温度121°C、であり、試験片の反射防止層の屈折率は1.45、ガラス基板の表面は平滑なものを用いている。図3に示すように、プレッシャークッカー試験の時間の経過とともに、透過率が全波長域で低下しており、反射防止効果が著しく低下することが判明した。これは、反射防止層の内部や、ガラス基板と反射防止層との界面への水分等の浸透により、反射防止層がはく離したことが原因である。そこで、本発明者は、反射防止層の屈折率を小さくしつつ、反射防止層とガラス基板との密着性を向上するために鋭意検討した結果、以下の構成に想到した。前述のように、本実施の形態に係る反射防止層14は、ガラス基板12よりも屈折率が小さくなるように構成されている。加えて、ガラス基板12は、反射防止層14との界面において、微細な凹凸が設けられている。具体的には、ガラス基板12は、JISで規定されている方法によって測定された二乗平均平方根粗さRMSRqが100~1100nmの範囲の凹凸を有する。二乗平均平方根粗さRMSが100nm未満であると、反射防止層14との密着性の改善の効果が小さい。一方、二乗平均平方根粗さRMSが1100nmより大きいと、凹凸の大きさが可視光の波長よりも大きくなってしまうため、太陽光中の可視光は、傾斜した凹凸面で幾何学反射し反射率が高まるため、透過光量が減少する。なお、400nm以下の波長の光は、ガラス基板12で吸収されやすく、光起電力素子16での発電に寄与する割合は高くない。そこで、ガラス基板12は、二乗平均平方根粗さRMSが400nm以上の範囲の凹凸を有してもよい。これにより、反射防止層14との密着性を更に向上できる。なお、二乗平均平方根粗さRMSの測定方法は、はじめに反射防止層の形成された試料を有機溶剤中アルコール,アセトンなどで超音波洗浄し、反射防止層をはく離する。次に、露出したガラス基板の表面を原子間力顕微鏡AFMにより測定することにより二乗平均平方根粗さRMSを算出する。このように、本実施の形態に係る光起電力装置10においては、ガラス基板12は、反射防止層14との界面において凹凸を有しているため、ガラス基板12と反射防止層14との密着性が増し、光起電力装置10の信頼性が増す。また、ガラス基板12表面の凹凸により、光が散乱することで、光起電力素子16での光路長が長くなり、光起電力素子16において光が吸収されやすくなる。次に、実施例に係る光起電力装置10の製造方法について詳述する。はじめに、ガラス基板12の一方の主面にサンドブラスト研磨材:WA1000、圧力:0.2MPa、噴射量:34g/s処理を行った。その結果、ガラス基板12の一方の主面に二乗平均平方根粗さRMSが800nmの微細な凹凸が形成された。そして、ガラス基板12の、微細な凹凸が形成されている側の面上に、シリカゾルゲルを主成分とする液体を塗布し、150°Cで30分間焼成することにより、屈折率1.45、膜厚85nmの反射防止層14を得た。シリカゾルゲルを主成分とする液体は、界面活性剤を含み、この界面活性剤の熱分解により、反射防止膜14は多数の空隙空孔14aを含むように形成される。次に、ガラス基板12の他方の主面上に、第1電極層18、アモルファスシリコン半導体24、微結晶シリコン半導体26、第2電極層22を順次積層し、アモルファスSi/微結晶Siから成るタンデム構造セルを形成し、実施例に係る光起電力装置10を作製した。一方、比較例に係る光起電力装置として、微細凹凸が形成されていないガラス基板上に、本実施の形態と同等の反射防止層を形成したタンデム構造セルも作製した。表1は、実施例および比較例に係る光起電力装置の特性の測定結果を示している。なお、測定は複数回行い、最大値、最小値、平均値を表1に記載している。表1に示す測定値、計算値の項目は、VocV:開放電圧、IscA:短絡電流、F.F.:曲線因子、Pmax:最大電力、η_cell:変換効率である。実施例1に係る光起電力装置は、比較例に係る光起電力装置と比較して、短絡電流Iscに関し、2.67の向上が確認できた。これは、大気、反射防止層、ガラス基板へと太陽光が進行する際に、反射防止層とガラス基板との界面での屈折率変化が、可視光に対して階段状に変化せず、微細な凹凸によって平均的屈折率が徐々に変化した結果、より大きな反射防止効果が得られたためと考えられる。また、実施例に係る光起電力装置は、プレッシャークッカー試験においても、時間の経過に伴う短絡電流Iscの低下は認められず、高い信頼性を有していることが確認できた。本実施の形態に係る反射防止層14は、前述のように、空孔14aが形成されている多孔質層である。これにより、反射防止層14の屈折率を材質を変えずに適宜小さくできる。図4は、反射防止層の一例の断面TEM写真を示す図である。図4に示す反射防止層は、空孔のサイズが約100nm×10nm程度であり、空孔率が10程度と見積もられる。この場合、空孔の平均径は、測定箇所によって変化するが、10~100nmの範囲と捉えることができる。空孔は、その平均径が、ガラス基板の凹凸の二乗平均平方根粗さRMSよりも小さくなるように形成されていてもよい。これにより、反射防止層の屈折率を小さくできるとともに、反射防止層自体の強度の低下を抑制できる。なお、反射防止層14が多孔質層の場合、受光側からガラス基板側へ向かって、空孔14aの占める割合が段階的にまたは連続的に小さくなるように構成されていてもよい。これにより、反射防止層14における反射率を更に下げることができる。反射防止層14は、受光側からガラス基板側へ向かって、屈折率が段階的にまたは連続的に大きくなるように構成されていてもよい。これにより、反射防止層14における反射率を更に下げることができる。反射防止層14は、密度が2.4g/cm3以下の二酸化ケイ素を主成分とする材料で構成されており、その厚みが60~200nmの範囲であってもよい。これにより、ガラス基板12と組成が似た材料で反射防止層14を構成するため、ガラス基板12と反射防止層14との密着性を向上できる。また、反射防止層14により、ガラス基板12にアルカリ金属が含まれている場合であっても、アルカリ金属の析出が抑制され、ガラス基板12の白濁を防止することができる。以上、本発明を上述の実施の形態を参照して説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、実施の形態の構成を適宜組み合わせたものや置換したものについても本発明に含まれるものである。また、当業者の知識に基づいて実施の形態における組合せや処理の順番を適宜組み替えることや各種の設計変更等の変形を実施の形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれ得る。上述の実施の形態に係る第1電極層18としては、酸化亜鉛ZnOの他、酸化スズSnO2、酸化インジウムIn2O3、酸化チタンTiO2、スズ酸亜鉛Zn2SnO4などの金属酸化物より選択された一種類あるいは複数種類の積層体により構成されていてもよい。なお、これらの金属酸化物には、フッ素F、スズSn、アルミニウムAl、ガリウムGa、ニオブNbなどがドープされていてもよい。また、上述の実施の形態では、ガラス基板の受光面側に設けられた微細な凹凸は、サンドブラスト処理により形成されているが、フッ酸によるエッチングにより形成してもよい。また、反射防止層は、所定の粒径粒子サイズを有するシリコン粒子を主成分とする液状材料を、ガラス基板上に塗布し、焼成して形成してもよい。この場合には、隣接するシリコン粒子間に生じる空隙が、反射防止層としての空隙に相当する。"