第1導電型のシリコン基板の裏面上の一部領域に形成した、第1の真性非晶質半導体膜及び第1導電型非晶質半導体膜を順に積層した積層膜と、前記シリコン基板の裏面上の他の領域に形成した、第2の真性非晶質半導体膜及び第2導電型非晶質半導体膜を順に積層した積層膜と、前記シリコン基板の裏面に形成した第1導電型拡散層とを有し、前記第1導電型拡散層は、前記第1の真性非晶質半導体膜を形成した領域と、前記第2の真性非晶質半導体膜を形成した領域との間の領域に形成する太陽電池。前記第1導電型拡散層は、前記シリコン基板の前記第1真性非晶質半導体膜と接する領域に形成されている請求項1に記載の太陽電池。前記第1導電型は、n型であり、前記第2導電型は、p型である請求項1または2に記載の太陽電池。前記シリコン基板の裏面側に、パッシベーション膜が形成されている請求項1~3のいずれかに記載の太陽電池。特許文献1においては、光起電力素子500である太陽電池の、i型非晶質シリコン膜104とi型非晶質シリコン膜105の間を流れる電流は、n型単結晶シリコン基板101の抵抗により制限されてしまう。よって、光電変換効率を高くするには、i型非晶質シリコン膜104とi型非晶質シリコン膜105の間隔を狭くする必要がある。しかしながら、i型非晶質シリコン膜104とi型非晶質シリコン膜105の間隔を狭くすると、正極100と負極200が接触してショートしてしまう危険性が大きくなる。このように、光電変換効率と、i型非晶質シリコン膜104とi型非晶質シリコン膜105の間隔とは、トレードオフの関係がある。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、i型非晶質シリコン膜104とi型非晶質シリコン膜105との間隔を広げても、光電変換効率が低減しないような太陽電池を提供することにある。本発明の太陽電池は、第1導電型のシリコン基板の裏面上の一部領域に形成した、第1の真性非晶質半導体膜及び第1導電型非晶質半導体膜を順に積層した積層膜と、シリコン基板の裏面上の他の領域に形成した、第2の真性非晶質半導体膜及び第2導電型非晶質半導体膜を順に積層した積層膜と、シリコン基板の裏面に形成した第1導電型拡散層とを有し、第1導電型拡散層は、第1の真性非晶質半導体膜を形成した領域と、第2の真性非晶質半導体膜を形成した領域との間の領域に形成する。ここで、本発明の太陽電池の第1導電型拡散層は、シリコン基板の第1真性非晶質半導体膜と接する領域に形成されていてもよい。また、本発明の太陽電池は、第1導電型は、n型であり、第2導電型は、p型であってもよい。また、本発明の太陽電池は、シリコン基板の裏面側に、パッシベーション膜が形成されていてもよい。本発明によれば、第1導電型のシリコン基板の裏面の、第1の真性非晶質半導体膜と接する領域と第2の真性非晶質半導体膜と接する領域との間の領域に、第1導電型拡散層を形成することで、第1真性非晶質半導体膜と第2真性非晶質半導体膜の間隔を広げても、光電変換効率が低減しないような太陽電池を提供することができる。図1は、受光面と反対側の面である裏面にのみ電極を形成した本発明の一例の太陽電池を表す図であり、裏面側の平面図である。太陽電池1の裏面は、パッシベーション膜11で覆われており、第1導電型であるn型非晶質半導体膜に接しているn型用電極3、及び第2導電型であるp型非晶質半導体膜に接しているp型用電極2がそれぞれ帯状に交互に形成されている。図2は、図1で示したA-A′の断面の一部を表す模式的な図である。図2は、太陽電池の受光面側が上となっている。図2aは、第1導電型であるn型シリコン基板4の裏面において、真性非晶質半導体膜6が接する領域と、真性非晶質半導体膜12が接する領域との間の領域に、n型拡散層であるn層5が形成された場合である。また、図2bは、図2aに示したn層5が形成されている領域に加えて、真性非晶質半導体膜6と接する領域にもn層が形成されて、n層25を形成している。図2aの太陽電池1と、図2bの太陽電池51とは、n層の構造のみが異なることから、図2aの太陽電池1を用いて以下説明する。n型シリコン基板4の受光面には、テクスチャ構造9が形成されており、テクスチャ構造9の上には、反射防止膜10が形成されている。n型シリコン基板4の裏面の一部領域には、n型シリコン基板4の裏面側から順に、第1の真性非晶質半導体膜6及びn型不純物をドーピングしたn型非晶質半導体膜8を形成した積層膜16、n型シリコン基板4の裏面の他の領域には、第2の真性非晶質半導体膜12及びp型不純物をドーピングしたp型非晶質半導体膜13を形成した積層膜15が、所望の形状に形成されている。そして、n型シリコン基板4と真性非晶質半導体膜6が接する領域と、n型シリコン基板4と真性非晶質半導体膜12が接する領域の間の、n型シリコン基板4裏面には、n層5が形成されている。真性非晶質半導体膜6、12、p型非晶質半導体膜13、n型非晶質半導体膜8の厚さは、各々約10nmである。さらに、n型シリコン基板4の裏面、積層膜15、及び積層膜16を覆うように、パッシベーション膜11が形成されている。また、p型非晶質半導体膜13にp型用電極2が接しており、n型非晶質半導体膜8にn型用電極3が接している。p型用電極2、n型用電極3は、非晶質半導体膜とオーミックコンタクトを形成する銀電極を用いる。以下に、本発明の太陽電池の製造方法の一例を示す。図3は、図2aに示す本発明の太陽電池1の製造方法の一例である。まず、図3aに示すように、n型シリコン基板4の受光面となる面以下n型シリコン基板の受光面という。の反対側の面である裏面以下n型シリコン基板の裏面という。に、窒化シリコン膜等のテクスチャマスク21をCVD法、またはスパッタ法等で形成する。次に、図3bに示すように、n型シリコン基板4の受光面にテクスチャ構造9をエッチングにより形成する。エッチングは、たとえば、アルカリ水溶液を用いる。次に、図3cを用いて次工程を説明する。図3cは、n型シリコン基板4の裏面側が上となっている。図3cに示すように、n型シリコン基板4の裏面に形成したテクスチャマスク21を除去後、n型シリコン基板4の受光面に酸化シリコン膜等の拡散マスク22を形成する。また、n型シリコン基板4の裏面において、n型拡散層であるn層5を形成しようとする箇所以外に、拡散マスク23を形成する。拡散マスク23は、例えば、溶剤、増粘剤および酸化シリコン前駆体を含むマスキングペーストをインクジェット、またはスクリーン印刷等で塗布し、熱処理により形成する。その後、POCl3を用いた気相拡散によって、n型シリコン基板4の裏面の露出した箇所に、n型不純物であるリンが拡散してn層5が形成される。次に、図3dを用いて次工程を説明する。図3dは、n型シリコン基板4の受光面側が上となっている。n型シリコン基板4に形成した拡散マスク22ならびに拡散マスク23、および拡散マスク22、23にリンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去した後、テクスチャ構造9の上に、反射防止膜10となる窒化シリコン膜等を高周波スパッタ法により形成する。膜厚は、約70nmである。次に、図3eを用いて次工程を説明する。図3eは、n型シリコン基板4の裏面側が上となっている。メタルマスクを用いて、CVD法により真性非晶質半導体膜6、真性非晶質半導体膜12を形成する。膜厚は、約10nmである。次に、図3fに示すように、メタルマスクを用いて、真性非晶質半導体膜12上にp型非晶質半導体膜13を、CVD法により形成する。膜厚は、約10nmである。これにより、積層膜15を形成する。次に、図3gに示すように、メタルマスクを用いて、真性非晶質半導体膜6上にn型非晶質半導体膜8を、CVD法により形成する。膜厚は、約10nmである。これにより、積層膜16を形成する。なお、p型非晶質半導体膜13の形成とn型非晶質半導体膜8の形成の順序は、逆であってもよい。次に、図3hに示すように、n型シリコン基板4の裏面側に窒化シリコン膜等からなるパッシベーション膜11を、CVD法により形成する。その後、フォトリソグラフィ法等を用いて、パッシベーション膜11に電極形成するための開口部を形成する。次に、図3iを用いて次工程を説明する。図3iは、n型シリコン基板4の受光面側が上となっている。p型非晶質半導体膜13上にp型用電極2を、n型非晶質半導体膜8上にn型用電極3を、銀蒸着により形成する。このようにして、太陽電池1を作製する。次に、真性非晶質半導体膜6と真性非晶質半導体膜12の間隔、すなわち、n層5の幅を変化させて、光電変換効率の変化を見た。真性非晶質半導体膜12及びp型非晶質半導体膜13を積層した積層膜15の幅を350μm、真性非晶質半導体膜6及びn型非晶質半導体膜8を順に積層した積層膜16の幅を100μmとして、上記n層の幅を50μmから順に変化させた。なお、n型シリコン基板4のn型不純物のドーピング濃度は、1×1015/cm3、n層のn型不純物のドーピング濃度は、1×1018/cm3、n型非晶質半導体膜8のn型不純物のドーピング濃度は、1×1020/cm3である。実施例1:図2aの太陽電池構造実施例2:図2bの太陽電池構造比較例:図2aにおいて、n層を形成していない太陽電池構造図4に結果を示す。図4は、真性非晶質半導体膜6と真性非晶質半導体膜12の間隔を変化させた場合の相対光電変換効率の結果を示した図である。なお、図4の太陽電池の相対光電変換効率は、比較例で真性非晶質半導体膜6と真性非晶質半導体膜12の間隔が50μmの光電変換効率値を100とした場合の値である。図4の結果から、真性非晶質半導体膜6と真性非晶質半導体膜12の間隔を増加させたときの相対光電変換効率の低下量は、比較例に対し、実施例1又は実施例2の方が小さいことがわかる。また、実施例1と実施例2の相対光電変換効率値に、大きな差は見られなかった。ここで、実施例1、実施例2、比較例のいずれの場合においても積層膜15と積層膜16の間隔の増加に伴って、相対光電変換効率が低下するのは、pn接合領域の面積比率が減少するためである。上記の結果から、n型シリコン基板4の裏面において、真性非晶質半導体膜6が接する領域と真性非晶質半導体膜12が接する領域との間に、n型拡散層であるn層を形成することで、真性非晶質半導体膜6と真性非晶質半導体膜12の間隔を広げても、光電変換効率の低減を抑制することができる。また、上記n層を形成することで、構造設計の自由度を拡大することができ、パターニング精度を緩和することができる。図5は、真性非晶質半導体膜6と真性非晶質半導体膜12の間隔が50μmの場合の相対光電変換効率の比較を詳細に見た図である。なお、図5の相対光電変換効率も、比較例のn層幅が50μmの光電変換効率値を100とした場合の値である。図5の結果から、真性非晶質半導体膜6と真性非晶質半導体膜12の間隔が同じ50μmの場合、比較例に対し、実施例1又は実施例2の光電変換効率は、1向上することがわかる。また、実施例1と実施例2に、大きな差は見られなかった。図4、図5の結果から、真性非晶質半導体膜6と真性非晶質半導体膜12の間隔が同じ場合、比較例に対し、n層5または25が形成された実施例1、実施例2の太陽電池は、光電変換効率が向上することがわかる。これは、n型シリコン基板4裏面において、真性非晶質半導体膜6が接する領域と真性非晶質半導体膜12が接する領域との間の導電性が改善されたためと考えられる。さらに、n層5または25が形成された太陽電池では、真性非晶質半導体膜6と真性非晶質半導体膜12の間隔を広げたときに、光電変換効率の低下を抑制することができる。これから、n型シリコン基板4裏面において、真性非晶質半導体膜6が接する領域と真性非晶質半導体膜12が接する領域との間にn型拡散層を形成することで、光電変換効率を向上させることができる。なお、上記条件で、n層のn型不純物のドーピング濃度が1×1016/cm3~1×1020/cm3の範囲においても同様の結果が得られた。本実施形態において、n型シリコン基板裏面において、第1真性非晶質半導体膜である真性非晶質半導体膜6が接する領域と、第2真性非晶質半導体膜である真性非晶質半導体膜12が接する領域との間にn型拡散層を形成することで、第1真性非晶質半導体膜と第2真性非晶質半導体膜との間隔を広げても、光電変換効率が低減しないようにすることができる。さらに、第1真性非晶質半導体膜と第2真性非晶質半導体膜との間隔が同じであれば、n型拡散層を形成することで、光電変換効率を向上させることができる。今回、n型シリコン基板について記載したが、p型シリコン基板でも同様の結果が得られた。p型シリコン基板の場合は、上記n型拡散層に対応する領域にp型拡散層を形成する。