リードフレームにおいて、半導体素子が搭載される搭載領域と、搭載領域を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域とを含む金属製のダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを備え、半田流出防止領域は、搭載領域に対して粗面化されていることを特徴とするリードフレーム。搭載領域上にAgめっき層が設けられていることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。ダイパッドは、半田流出防止領域の外側に位置する外側領域を有することを特徴とする請求項1または2記載のリードフレーム。半田流出防止領域は、ダイパッドの周縁に対応することを特徴とする請求項1または2記載のリードフレーム。ダイパッドは、それぞれ半田流出防止領域によって囲まれた複数の搭載領域を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項記載のリードフレーム。ダイパッドは、複数設けられていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載のリードフレーム。請求項1記載のリードフレームの製造方法において、ダイパッドおよびリード部の外形形状を有するリードフレーム素材を準備する工程と、リードフレーム素材の外側全面にめっき層を形成する工程と、リードフレーム素材の外側全面に形成されためっき層のうち、半田流出防止領域に対応する部分を部分剥離する工程と、リードフレーム素材表面のうち、めっき層が部分剥離された領域を粗面化し、半田流出防止領域を形成する工程と、めっき層を全面剥離する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。請求項1記載のリードフレームの製造方法において、ダイパッドおよびリード部の外形形状を有するリードフレーム素材を準備する工程と、リードフレーム素材の外側に、半田流出防止領域に対応する開口を有するめっき層を形成する工程と、リードフレーム素材表面のうち、めっき層の開口領域を粗面化し、半田流出防止領域を形成する工程と、めっき層を全面剥離する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。上述したように、パワーIC用の半導体装置においては、半導体素子を半田によりダイパッドに接続することが行われているが、ダイパッドが小さくなると、半田流れを防止するために、半田の量や接続条件を厳しく管理することが必要となる。また、仮に半田の量や接続条件の管理を厳しくしたとしても、ダイパッドの側面およびダイパッドの裏面に半田が流れてしまう場合があり半田流れという、外観不良が生じるだけでなくパッケージの信頼性を悪化させるという問題がある。また、半導体装置を小型化するために、ドライバーICとコンバータ用ICとをワンパッケージ化したモジュールパッケージも増加してきているが、このようなモジュールパッケージにおいては、半導体素子とダイパッドとを半田接続した面と同一の面にワイヤーボンディングをしなければならないものもあり、半田流れによりワイヤーボンディングが阻害されるという問題も生じている。本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ダイパッドの側面およびダイパッドの裏面に半田が流れてしまう不具合を防止することが可能なリードフレームおよびその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、リードフレームにおいて、半導体素子が搭載される搭載領域と、搭載領域を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域とを含む金属製のダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを備え、半田流出防止領域は、搭載領域に対して粗面化されていることを特徴とするリードフレームである。本発明は、搭載領域上にAgめっき層が設けられていることを特徴とするリードフレームである。本発明は、ダイパッドは、半田流出防止領域の外側に位置する外側領域を有することを特徴とするリードフレームである。本発明は、半田流出防止領域は、ダイパッドの周縁に対応することを特徴とするリードフレームである。本発明は、ダイパッドは、それぞれ半田流出防止領域によって囲まれた複数の搭載領域を有することを特徴とするリードフレームである。本発明は、ダイパッドは、複数設けられていることを特徴とするリードフレームである。本発明は、リードフレームの製造方法において、ダイパッドおよびリード部の外形形状を有するリードフレーム素材を準備する工程と、リードフレーム素材の外側全面にめっき層を形成する工程と、リードフレーム素材の外側全面に形成されためっき層のうち、半田流出防止領域に対応する部分を部分剥離する工程と、リードフレーム素材表面のうち、めっき層が部分剥離された領域を粗面化し、半田流出防止領域を形成する工程と、めっき層を全面剥離する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法である。本発明は、リードフレームの製造方法において、ダイパッドおよびリード部の外形形状を有するリードフレーム素材を準備する工程と、リードフレーム素材の外側に、半田流出防止領域に対応する開口を有するめっき層を形成する工程と、リードフレーム素材表面のうち、めっき層の開口領域を粗面化し、半田流出防止領域を形成する工程と、めっき層を全面剥離する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法である。本発明によれば、ダイパッドに、搭載領域を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域が設けられており、半田流出防止領域は、搭載領域に対して粗面化されている。このことにより、ダイパッドの側面およびダイパッドの裏面に半田が流れてしまう不具合を防止することができる。第1の実施の形態以下、本発明の第1の実施の形態について、図1乃至図6を参照して説明する。リードフレームの構成まず、図1および図2により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図1および図2は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。図1および図2に示すリードフレーム10は、半導体素子21仮想線を搭載する平面矩形状のダイパッド11と、ダイパッド11周囲に設けられ、半導体素子21と外部回路図示せずとを接続する複数の細長いリード部12とを備えている。このうちリード部12の周囲には、ダイパッド11とリード部12とを支持する外枠13が設けられている。さらに、ダイパッド11の四隅には吊りリード14が連結されており、ダイパッド11は、4本の吊りリード14を介して外枠13に連結支持されている。このようなリードフレーム10は、全体として銅Cuまたは銅Cu合金等の金属から構成されている。また、リードフレーム10の厚みは、製造する半導体装置の構成にもよるが、0.05mm~0.5mmとすることができる。一方、ダイパッド11は、半田部22図2の仮想線を介して半導体素子21が搭載される平面矩形状の搭載領域15と、搭載領域15を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域16とを含んでいる。さらに、半田流出防止領域16の外側に、外側領域17が設けられている。これら搭載領域15、半田流出防止領域16および外側領域17は、ダイパッド11の表面側に形成されている。半田流出防止領域16は、その表面を粗面化処理例えば後述するマイクロエッチング処理することにより、搭載領域15および外側領域17に対して粗面化されている。すなわち、半田流出防止領域16のあらさは、搭載領域15および外側領域17より粗くなっている。この半田流出防止領域16の平均あらさは、例えばRa=0.3μm~0.6μmとすることができる。なお、平均あらさRaは、JISB0601で規定される算術平均あらさである。また、図1において、半田流出防止領域16の一辺の長さL1、L2は、半導体素子21のサイズと半導体素子21の搭載精度に基づいて定めることができる。また、半田流出防止領域16の幅wは、例えば0.5mm~2mmとすることができる。なお、図1において、半田流出防止領域16は、平面環状、具体的には平面ロ字形状を有しているが、これに限られるものではなく、例えば平面円形状または平面多角形形状を有していても良い。また、図1において、半田流出防止領域16の幅は全周に渡って均一であるが、これに限られるものではなく、半田流出防止領域16の幅が場所によって不均一であっても良い。例えば、半田流出防止領域16のうち、特に半田の流出を防止したい箇所の幅を太くし、それ以外の箇所の幅を細くしても良い。また、ダイパッド11のうち搭載領域15以外の部分を全て半田流出防止領域16としても良い。一方、搭載領域15および外側領域17は、粗面化処理が施されることなく平滑面を維持している。搭載領域15の形状は、特に限定されるものではないが、例えば搭載する半導体素子21の形状に対応させて、半導体素子21の外形と略同一の形状を有していても良い。また、搭載領域15上にはAgめっき層18が設けられている。このAgめっき層18の厚みは特に限定されるものではないが、例えば、0.1μm~10μmとしても良い。このようにAgめっき層18を設けたことにより、半導体素子21を搭載する際、搭載領域15に対する半田部22の接合性を良好にすることができる。また、各リード部12の先端ダイパッド11側の端部にも、それぞれワイヤボンディング用のAgめっき層18aが設けられている。このAgめっき層18aの厚みについても特に限定されるものではないが、搭載領域15上のAgめっき層18と同様、例えば、0.1μm~10μmとしても良い。なお、図1において、便宜上1つのダイパッド11のみを示しているが、実際は、1つのリードフレーム10に複数のダイパッド11が面付けされた状態で製造される。また、図1において、領域S仮想線は、リードフレーム10のうち1つの半導体装置に対応する領域を示している。リードフレームの製造方法次に、図1および図2に示すリードフレーム10の製造方法について、図3a-d、図4a-fおよび図5a-cを用いて説明する。まず図3aに示すように、平板状の基板31を準備する。この基板31としては、銅または銅合金等の金属からなる基板を使用することができる。なお基板31は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。次に、基板31の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト32a、33aを塗布し、これを乾燥する図3b。なお感光性レジスト32a、33aとしては、従来公知のものを使用することができる。続いて、この基板31に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部32b、33bを有するエッチング用レジスト層32、33を形成する図3c。次に、エッチング用レジスト層32、33を耐腐蝕膜として基板31に腐蝕液でエッチングを施す図3d。これにより、ダイパッド11およびリード部12の外形が形成される。腐蝕液は、使用する基板31の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、基板31として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、基板31の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。次いで、エッチング用レジスト層32、33を剥離して除去することにより、ダイパッド11およびリード部12の外形形状を有する粗面加工されていないリードフレーム素材30が得られる図4a。なお、これら図3a-dに示す工程に代えて、金型を用いて基板31をプレスして打ち抜き加工することにより、リードフレーム素材30を得ても良い。次に、リードフレーム素材30の外側全面表面、裏面および側面に、電解めっきによりめっき層34を形成する図4b。なお、めっき層34は、後述するマイクロエッチングのマスクとなるものであり、例えばAgめっき層から構成することができる。さらにこのめっき層34は、マイクロエッチングに耐える厚さがあれば良く、生産効率の面からは薄いほど良いため、その厚みは0.05μm~1μmとすることができる。めっき層34がAgめっき層からなる場合、電解めっき液としてはシアン化銀AgCNとシアン化カリウムKCNを主成分とするものを用いることができる。次に、リードフレーム素材30の外側全面に形成されためっき層34を部分剥離する。この場合、まず、全面にめっき層34が形成されたリードフレーム素材30のうち、半田流出防止領域16に対応する部分を除く部分を電解剥離液に触れさせないように、治具37を用いて保持する図4c。治具37は、リードフレーム素材30のうち、半田流出防止領域16に対応する部分に開口37aが形成されており、開口37aを介して半田流出防止領域16に対応する部分のみが電解剥離液に触れるようになっている。その後、治具37により保持されたリードフレーム素材30を電解剥離液に浸漬し、通電を行い、リードフレーム素材30の半田流出防止領域16に対応するめっき層34を部分剥離する図4d。このようにめっき層34を部分剥離した後に、電解剥離のための通電を止めて、リードフレーム素材30を治具37から取り外す。なお、電解剥離液はめっき層34を溶解、剥離し、リードフレーム素材30は溶解しない電解剥離液であれば良い。例えば、Agめっき層を剥離するには、コハク酸イミドを主成分とする電解剥離液を用いることができる。次に、リードフレーム素材30のうちめっき層34が部分剥離された領域を粗面化し、半田流出防止用の半田流出防止領域16を形成する図4e。この際、めっき層34が部分剥離されたリードフレーム素材30に対してマイクロエッチング液を供給し、リードフレーム素材30のうち半田流出防止領域16に対応する部分に粗面を形成する。ここでマイクロエッチング液とは、金属表面を僅かに溶かし、微細な凹凸の粗面を形成する表面処理剤である。銅または銅合金からなるリードフレーム素材30を粗面化する場合、過酸化水素水と硫酸を主成分とするマイクロエッチング液が好適である。その後、めっき層34を全面剥離する図4f。この場合、リードフレーム素材30の全面が電解剥離液に触れるようにし、上述した部分剥離の工程図4dと同様の方法で電解剥離を行なえばよい。続いて、リードフレーム素材30の表面および裏面にめっき用レジスト層38、39を設ける図5a。このうち表面側のめっき用レジスト層38は、Agめっき層18、18aの形成部位に相当する箇所に開口部38a、38bが形成され、この開口部38a、38bからはリードフレーム素材30の表面搭載領域15が露出している。他方、裏面側のめっき用レジスト層39は、リードフレーム素材30の裏面全体を覆っている。次に、めっき用レジスト層38、39に覆われたリードフレーム素材30の表面側に電解めっきを施す図5b。これによりリードフレーム素材30上に金属銀を析出させて、ダイパッド11の搭載領域15上にAgめっき層18、18aを形成する。このAgめっき層18、18aを形成するために用いられる電解めっき液としては、シアン化銀AgCNとシアン化カリウムKCNを主成分とするものを用いることができる。次いで、めっき用レジスト層38、39を剥離することにより、図1および図2に示すリードフレーム10を得ることができる図5c。リードフレームの製造方法の変形例次に、図6a-fを用いて、リードフレーム10の製造方法の変形例について説明する。まず、上述した図3a-dに示す工程により、ダイパッド11およびリード部12の外形形状を有するリードフレーム素材30を作製する図6a。なお、上述したようにプレス加工によりリードフレーム素材30を作製しても良い。次に、リードフレーム素材30の外側に、半田流出防止領域16に対応する開口を有するめっき層44を形成する図6b-d。この場合、まずリードフレーム素材30のうち半田流出防止領域16に対応する部分を、治具47により保持する図6b。治具47は、リードフレーム素材30のうち、半田流出防止領域16のみを保持するようになっており、半田流出防止領域16に対応する部分以外は、外方に露出するようになっている。次に、治具47により保持されたリードフレーム素材30の外側に、電解めっきによりめっき層44を形成する図6c。この場合、リードフレーム素材30の外側のうち、治具47により覆われた部分以外の部分全体にめっき層44が形成される。なお、めっき層44の構成およびめっき層44を形成する方法については、上述しためっき層34の場合図4b参照と略同様である。このようにしてめっき層44を形成した後、リードフレーム素材30を治具47から取り外す。この際、めっき層44のうち半田流出防止領域16に対応する部分すなわち治具47によって覆われた部分に、半田流出防止領域16に対応する開口45が形成される図6d。続いて、リードフレーム素材30の表面のうち、めっき層44の開口45から露出する部分を粗面化し、半田流出防止領域16を形成する図6e。この場合、マイクロエッチング液を用いて、リードフレーム素材30の半田流出防止領域16に対応する部分に粗面を形成する。なお、リードフレーム素材30をマイクロエッチング液によって粗面化する方法は、上述した工程図4e参照と略同様である。次いで、めっき層44を全面剥離する図6f。めっき層44を全面剥離する方法は、上述した工程図4f参照と略同様である。その後、上述した図5a-cに示す工程と同様に、ダイパッド11の搭載領域15上にAgめっき層18、18aを形成することにより、図1および図2に示すリードフレーム10が得られる。本実施の形態の作用効果次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。図2に示すように、本実施の形態によるリードフレーム10において、ダイパッド11の搭載領域15上に、例えば半田ペースト等の半田材料からなる半田部22を介して、半導体素子21が搭載されて接合される。このように半導体素子21が搭載領域15に接合される際、半田半田部22は加熱されて溶融する。本実施の形態によれば、搭載領域15を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域16が設けられており、この半田流出防止領域16は、搭載領域15に対して粗面化されている。ところで一般に、固体表面が粗くなることにより、液体に濡れる表面はより濡れるようになり、液体をはじく表面はよりはじくようになることが知られているWenzelのモデル。したがって、本実施の形態において、溶融した液状の半田は、粗面化された半田流出防止領域16で弾かれて、搭載領域15内に留まり、半田流出防止領域16の外側に流れることがない。これにより、溶融した半田がダイパッド11の側面およびダイパッド11の裏面に流れてしまう不具合を防止することができる。とりわけ、半導体素子21がパワーICからなる場合、半導体素子21の裏面が端子ドレインとなっており、半田部22は、半導体素子21の裏面全体を覆うように搭載領域15上で拡がる。本実施の形態によれば、半導体素子21がパワーICからなる場合であっても、半田の流れが半田流出防止領域16で止められ、ダイパッド11の側面や裏面に流れ出るおそれがない。これにより、半田流れによる半導体装置の外観不良の発生を防止することができ、半導体装置の信頼性を高めることができる。また、本実施の形態によれば、ダイパッド11の側面および裏面に半田が流れてしまう不具合を防止するための構造を、安価で容易に実現することができる。また、半田流出防止領域16の形状は、治具37、47によって決定することができるので、ダイパッド11や半導体素子21の形状に応じて半田流出防止領域16の形状を自由に設定することができる。さらに、本実施の形態によれば、搭載領域15上にAgめっき層18を設けることにより、搭載領域15に対する半田部22の接合性を良好に維持することができる。さらに、本実施の形態によれば、半田流出防止領域16を設けたことにより、半田がダイパッド11の側面や裏面に流れるおそれがないので、ダイパッド11上にもワイヤボンディングを行うことが可能となる。ダイパッド11にワイヤボンディングした分だけ、リード部12の本数を削減できるので、半導体装置を小型化することができる。第2の実施の形態次に、図7を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。図7は、本発明の第2の実施の形態を示す図である。図7に示す第2の実施の形態は、半田流出防止領域16がダイパッド11の周縁に対応している点が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図7において、図1乃至図6に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。図7に示すように、本実施の形態によるリードフレーム10Aにおいて、ダイパッド11は、半導体素子21が搭載される平面矩形状の搭載領域15と、搭載領域15を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域16とを含んでいる。このうち半田流出防止領域16は、その表面を粗面化処理することにより、搭載領域15に対して粗面化されている。この場合、半田流出防止領域16は、ダイパッド11の周縁全周に対応しており、半田流出防止領域16の外側に外側領域17は設けられていない。このほか、図7に示すリードフレーム10Aの構成は、図1および図2に示すリードフレーム10と略同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。本実施の形態によれば、半田流出防止領域16を設けたことにより、半田がダイパッド11の側面や裏面に流れるおそれがないので、ダイパッド11上にもワイヤボンディングを行うことが可能となる。ダイパッド11にワイヤボンディングした分だけ、リード部12の本数を削減できるので、半導体装置を小型化することができる。第3の実施の形態次に、図8を参照して本発明の第3の実施の形態について説明する。図8は、本発明の第3の実施の形態を示す図である。図8に示す第3の実施の形態は、ダイパッド11が複数の半田流出防止領域16a、16bを有している点が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図8において、図1乃至図6に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。図8に示すように、本実施の形態によるリードフレーム10Bにおいて、1つのダイパッド11に複数2つの半導体素子21が搭載されるようになっている。この場合、ダイパッド11は、それぞれ半導体素子21が搭載される複数の搭載領域15a、15bと、各搭載領域15a、15bを帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域16a、16bとを有している。このうち半田流出防止領域16a、16bは、それぞれその表面を粗面化処理することにより、搭載領域15a、15bに対して粗面化されている。さらに、半田流出防止領域16a、16bの外側には、外側領域17が設けられている。このほか、図8に示すリードフレーム10Bの構成は、図1および図2に示すリードフレーム10と略同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。本実施の形態によれば、半田の流れが各半田流出防止領域16a、16bで止められるので、1つのダイパッド11に複数の半導体素子21を搭載した場合であっても、各半導体素子21を接合する半田同士が接触し、相乗効果による半田の濡れ拡がりを防止できる。第4の実施の形態次に、図9を参照して本発明の第4の実施の形態について説明する。図9は、本発明の第4の実施の形態を示す図である。図9に示す第4の実施の形態は、ダイパッド11が複数設けられている点が異なるものである。図9において、図1乃至図6に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。図9に示すように、本実施の形態によるリードフレーム10Cにおいて、複数のダイパッド11a、11b、11cが設けられている。このうちダイパッド11a、11bは、それぞれ半導体素子21が搭載される平面矩形状の搭載領域15c、15dと、各搭載領域15c、15dを帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域16c、16dとを含んでいる。また、半田流出防止領域16c、16dは、それぞれその表面を粗面化処理することにより、搭載領域15c、15dに対して粗面化されている。この場合、半田流出防止領域16c、16dは、それぞれ11a、11bの周縁全周に対応している。一方、図9において、ダイパッド11cには、半導体素子21が搭載されておらず、かつ半田流出防止領域が設けられていない。しかしながら、これに限らず、ダイパッド11cにも搭載領域と半田流出防止領域とを設け、ダイパッド11cの搭載領域上に追加の半導体素子21を搭載しても良い。また、図9において、ダイパッド11a、11b、11cは、それぞれ吊りリード14に加え、リード部12に並んで配置された連結リード19により外枠13に連結されている。図9において、ダイパッド11aとダイパッド11bとにそれぞれ半田流出防止領域16c、16dを設けたことにより、吊りリード14および連結リード19の方へ半田が流出することがない。このほか、図9に示すリードフレーム10Cの構成は、図1および図2に示すリードフレーム10と略同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。本実施の形態によれば、半田の流れが各半田流出防止領域16c、16dで止められるので、リードフレーム10Cが複数のダイパッド11a、11b、11cを有する場合であっても、各ダイパッド11a、11b、11cの側面や裏面に半田が流れてしまう不具合を防止することができる。また、半田流出防止領域16c、16dを設けたことにより、半田がダイパッド11a、11bの側面や裏面、あるいは吊りリード14および連結リード19の方へ流れるおそれがないので、ダイパッド11a、11b上にもワイヤボンディングを行うことが可能となる。ダイパッド11a、11bにワイヤボンディングした分だけ、リード部12の本数を削減できるので、半導体装置を小型化することができる。なお、図7乃至図9に示す各実施の形態において、リードフレーム10A、10B、10Cは、上述した図3乃至図6に示す製造方法と同様にして製造することができる。上記実施の形態に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組み合わせることも可能である。あるいは、上記実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。例えば、図9に示す実施の形態と図8に示す実施の形態とを組合せ、図9に示す各ダイパッド11a、11bが、それぞれ半田流出防止領域によって囲まれた複数の搭載領域を有するようにしても良い。