基板上に化合物半導体薄膜の光吸収層を有する太陽電池に用いられる裏面電極であって、前記裏面電極は、基板側から順に、Cu合金およびMoの積層構造を有することを特徴とする化合物半導体薄膜太陽電池用裏面電極。前記Cu合金は、Alを0.5~10原子、および/またはTiを1.0~10原子含有するものである請求項1に記載の化合物半導体薄膜太陽電池用裏面電極。前記基板は、Naを含むガラス基板である請求項1または2に記載の化合物半導体薄膜太陽電池用裏面電極。請求項1~3のいずれかに記載の化合物半導体薄膜太陽電池用裏面電極を備えた太陽電池。請求項1~3のいずれかに記載の化合物半導体薄膜太陽電池用裏面電極の製造に用いられるスパッタリングターゲットであって、Alを0.5~10原子、および/またはTiを1.0~10原子含有し、残部:Cuおよび不可避的不純物であるスパッタリングターゲット。裏面電極には、上述した特性のほか、太陽電池の成膜工程で被る高温熱履歴約450~500°C程度を受けた後も基板との密着性に優れており、且つ、低い電気抵抗率を有していることが要求される。しかしながら、Moの電気抵抗は高く、例えば、基板との密着性を確保可能な成膜条件下例えば、約8~10mtorrといった高ガス圧成膜条件下におけるMoの電気抵抗率は約20μΩcm程度と高いため、Moより低い電気抵抗率を有する裏面電極の提供が望まれている。しかしながら、前述した特許文献1および2は、これらの特性について何ら考慮されていない。また、上記非特許文献1では、実験を行なった種々の金属材料中、最も低い電気抵抗率が期待される純Cuを用いたMo/純Cu/SLGの構造では、基板との密着性が不足し、望ましくないことが報告されている。一方、太陽電池の技術分野ではなく、液晶ディスプレイなどの表示装置の技術分野では、TFTの製造過程で被る熱履歴後も、低い電気抵抗と基板との高い密着性を兼ね備えたCu合金が提案されている。しかし、表示装置の製造工程では、せいぜい、約250~400°C程度の熱履歴を受けるに過ぎず、化合物薄膜太陽電池用の裏面電極に求められる、400°C超の更に高い高温熱履歴約450~500°C程度を受けたときの材料設計指針を教示するものではない。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、約450~500°C程度の高温熱履歴後も低い電気抵抗率を有し、基板との密着性にも優れた化合物薄膜太陽電池用の裏面電極に適した新規な材料裏面電極、および当該裏面電極に用いられる材料を製造するためのスパッタリングターゲットを提供することにある。上記課題を解決し得た本発明に係る化合物半導体薄膜太陽電池用裏面電極は、基板上に化合物半導体薄膜の光吸収層を有する太陽電池に用いられる裏面電極であって、前記裏面電極は、基板側から順に、Cu合金およびMoの積層構造を有するところに要旨を有するものである。本発明の好ましい実施形態において、前記Cu合金は、Alを0.5~10原子、および/またはTiを1.0~10原子含有するものである。本発明の好ましい実施形態において、前記基板は、Naを含むガラス基板である。本発明には、上記の裏面電極を備えた太陽電池も包含される。また、上記課題を解決し得た本発明のスパッタリングターゲットは、上記のいずれかに記載の化合物半導体薄膜太陽電池用裏面電極の製造に用いられるスパッタリングターゲットであって、Alを0.5~10原子、および/またはTiを1.0~10原子含有し、残部:Cuおよび不可避的不純物である。本発明によれば、基板側から順に、Cu合金およびMoの積層構造で構成される裏面電極を用いているため、約450~500°C程度の高温熱履歴を受けた後も低い電気抵抗率を有し、且つ、基板との高い密着性を確保することができる。しかも本発明の裏面電極は、光吸収層を構成するSeやSに対する耐食性にも優れているため、化合物半導体薄膜太陽電池用裏面電極として非常に有用である。本発明者らは、化合物半導体薄膜太陽電池に用いられる裏面電極であって、その上に形成される光吸収層を構成するSeやSに対する耐食性を確保しつつ、特に、光吸収層形成による400°C超の高温熱履歴約450~500°C程度を受けた後も、基板特に、安価で大面積化が可能なソーダライムガラス基板との密着性に優れており、しかも低い電気抵抗率を有する裏面電極を提供するとの観点から、従来のMo裏面電極を中心に検討を行なった。その結果、SeやSに対する高い耐食性確保の観点から、光吸収層側にMoを設けると共に、高温熱履歴後も基板との高い密着性および低い電気抵抗率を確保するとの観点から、基板側にCu合金好ましくは所定量のTiおよび/またはAlを含むCu-Ti/Al合金を設けた積層構造の裏面電極を採用すれば所期の目的が達成されることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明に係る化合物半導体薄膜太陽電池用裏面電極は、基板上に化合物半導体薄膜の光吸収層を有する太陽電池に用いられる裏面電極であって、前記裏面電極は、基板側から順に、Cu合金下層およびMo上層の積層構造を有するところに特徴がある。本発明に係る積層構造の裏面電極において、最大の特徴部分は、基板側にCu合金を設けたところにある。前述した非特許文献1に教示されているように、純Cuは基板との密着性が低く、配線材料が剥がれるといった問題がある。これに対し、本発明では、好ましくは所定量のTiおよび/またはAlを含むCu-Ti/Al合金残部:Cuおよび不可避的不純物を用いているため、約450~500°C程度の高温熱履歴を受けた後にガラス基板との界面側に薄い濃化層を形成し、基板との高い密着性を確保でき、且つ、低い電気抵抗率を維持できる後記する実施例を参照。ここで、TiおよびAlは、上記特性の確保に有用な元素であり、多くの基礎実験から選択されたものである。これらの元素は単独で添加しても良いし、併用しても良い。Alが0.5原子未満、Tiが1.0原子未満では、これらの特性を両立させることができず、高温熱履歴後の密着性が低下した後記する実施例を参照。AlおよびTiが多くなると、電気抵抗率が増加するようになるため、各元素の上限を10原子とすることが好ましい。低い電気抵抗率を確保するとの観点からすれば、Al量およびTi量の上限は少ない方が良く、より好ましくは、Al量の上限は8.0原子以下、Ti量の上限は8.0原子以下であり、更に好ましくは、Al量の上限は5.0原子以下、Ti量の上限は5.0原子以下である。本発明の裏面電極は、上述したCu合金の上直上にMoが形成されたものであり、Moは、その上の光吸収層に接触している。光吸収層側にMoを設置することにより、光吸収層を構成するSeやSに対する耐食性が高められる。本発明に係る裏面電極積層構造の膜厚全厚は、おおむね、0.2~1.0μmであることが好ましい。上記膜厚を薄くし過ぎると、SeやSに対する耐食性不足や裏面電極の断面積減少による電気抵抗値の増大などの問題が生じる。一方、上記膜厚を厚くし過ぎると、膜応力増加による密着性低下の誘発や材料コストの上昇を招くなどの問題があるからである。また、Cu合金下層およびMo上層の各厚さは、上記範囲内で適切に制御すれば良いが、好ましくは、Cu合金下層の厚さをおおむね、0.1~0.4μmとし、Mo上層の厚さをおおむね、0.1~0.4μmとし、より好ましくは、Cu合金下層の厚さをおおむね、0.2~0.4μmとし、Mo上層の厚さをおおむね、0.1~0.2μmとする。本発明の裏面電極は、スパッタリング法によってスパッタリングターゲットを用いて成膜することが好ましい。スパッタリング法によれば、成分や膜厚の膜面内均一性に優れた薄膜を容易に形成することができる。具体的には、基板上に、上記のCu合金を構成する材料をスパッタリング法により成膜して下層を形成した後、その上に、Moをスパッタリング法により成膜して上層を形成し、積層構成とすればよい。スパッタリング法を用いれば、スパッタリングターゲットとほぼ同じ組成のCu合金膜を成膜できる。そこでスパッタリングターゲットの組成を調整することによって、Cu合金膜の組成を調整できる。例えば、Alを0.5~10原子、および/またはTiを1.0~10原子含有し、残部:Cuおよび不可避的不純物であるCu合金スパッタリングターゲットを用いて、上記Cu合金膜を成膜することもでき、このようなスパッタリングターゲットも本発明の範囲内に包含される。あるいは、異なる組成のCu合金ターゲットを用いて所望のCu合金膜を成膜しても良く、あるいは、純Cuターゲットに合金元素の金属をチップオンすることによって所定のCu合金膜を成膜しても良い。上記スパッタリングターゲットは、例えば真空溶解法や粉末焼結法によって製造することができる。上記Cu-Ti/Al合金膜は、例えば以下のスパッタリング条件で成膜することが好ましい。なお、上記Cu合金膜の厚さは、例えば、スパッタ時間やパワー密度などを変化させることによって変更することができる。到達真空度:約1×105torr以下ガス圧:約1~5mtorrパワー密度:約1~10W/cm24インチφターゲットの面積で規格化基板温度:室温~300°Cまた、Mo膜は、例えば以下のスパッタリング条件で成膜することが好ましい。なお、Mo膜の厚さは、例えば、スパッタ時間やパワー密度などを変化させることによって変更することができる。到達真空度:約1×105torr以下ガス圧:約1~5mtorrパワー密度:約1~10W/cm24インチφターゲットの面積で規格化基板温度:室温~300°C本発明では、Cu合金膜下層およびMo合金膜上層の積層膜を効率よく作製するために、例えば、下層と上層のスパッタ時のパワー密度を適切に調整することによってスパッタ時間の差が小さくなるようにして成膜することが好ましい。本発明には、上記裏面電極を備えた太陽電池も包含される。前述したように本発明の特徴部分は、裏面電極の構成を特定したところにあり、裏面電極以外の構成は太陽電池の分野で通常用いられるものであれば特に限定されない。以下、図2を参照しながら本発明の太陽電極を構成する各要件について説明する。本発明に用いられる基板は、安価で大面積化が可能なソーダライムガラス基板珪酸、ソーダ灰、石灰を主な原料とするガラス基板のほか、低アルカリガラス基板、ステンレスやチタンなど金属基材あるいは樹脂基材などが用いられる。このうち製造コストなどのバランスを考慮して好ましいのは、ソーダライムガラス基板であり、ソーダライムガラス基板を用いれば、Naを含む基板からのNa拡散効果により光吸収層の結晶粒粗大化効果が有効に発揮されるため、太陽電池としての変換効率特性が向上する。上記裏面電極の上に形成される光吸収層は、例えば、Seを含む光吸収層として、Gaを含むCuInGaSeCIGS系光吸収層、Alを含むCuInAlSeCIAS系光吸収層、GaやAlを含まないCuInSe系光吸収層などSを含む光吸収層として、例えば、CuZnSnSCZTS、CuInSなどが代表的に例示される。上記光吸収層の上に形成されるバッファー層としては、例えば、CdS、InS、ZnSなどが挙げられる。また、上記バッファー層の上に形成される窓層としては、例えば、CdS、ZnO、ZnMgOなどが挙げられる。また、上記窓層の上に形成される透明電極層としては、例えば、ITO薄膜、Al添加のZnOなどが挙げられる。また、上記透明電極層の上に形成される取り出し電極としては、例えば、Al、Ag、Auなどが挙げられ、透明電極層と取り出し電極との間の密着層としては、例えば、NiCr、Crなどが挙げられる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例によって制限されず、前後記の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。実施例1本実施例では、表1~3に記載の種々の裏面電極用試料を用い、成膜後の電気抵抗率、並びに熱処理後の電気抵抗率および基板との密着性を調べた。表1は、従来のMo裏面電極を模擬した例であり、表2および表3は、上層Mo-下層Cu-Ti/Al合金膜の積層試料を用いた例である。表2と表3とは、上層および下層の膜厚が異なること以外、実質的に同じである。表1のNo.1~4についてソーダライムガラス基板テクノクオーツ株製、厚さ:0.7mm、φ:2インチ上にMo膜300nmを成膜した。スパッタリング条件は、到達真空度:7×106torr以下、Arガス圧:2mtorr、成膜パワー密度:3.2W/cm24インチφターゲットの面積で規格化、基板温度:室温とし、表1に示すようにArガス圧を2~10mtorrの範囲で変化させ、表1のNo.1~4の試料Mo単層膜を得た。表1のNo.5について上記のSLG基板を用い、表1のNo.4と同様のスパッタリング条件で下層のMo膜100nmを成膜した後、Arガス圧を2mtorrに変えて上層のMo膜200nmを成膜し、表1のNo.5の試料Mo積層膜を得た。表2のNo.1~10について上記のSLG基板を用い、表2に示す種々のCu-Ti/Al合金膜または純Cu膜下層、100nmを成膜した後、表1のNo.1と同様のスパッタリング条件でMo膜上層、200nmを成膜し、上層Mo膜200nm-下層Cu-Ti/Al合金膜または純Cu膜100nmの積層試料全膜厚300nmを得た。ここで、Cu-Ti/Al合金膜または純Cu膜のスパッタリング条件は以下のとおりである。スパッタリングターゲット:4インチの純Cuターゲットもしくは合金ターゲットを使用到達真空度:7×106torr以下Arガス圧:2mtorrパワー密度:3.2W/cm24インチφターゲットの面積で規格化基板温度:室温表3のNo.1~6について上記のSLG基板を用い、表3に示す種々のCu-Ti/Al合金膜下層、200nmを成膜した後、表1のNo.1と同様のスパッタリング条件でMo膜上層、100nmを成膜し、上層Mo膜100nm-下層Cu-Ti/Al合金膜200nmの積層試料全膜厚300nmを得た。Cu-Ti/Al合金膜のスパッタリング条件は前述した表2と同じであり、スパッタ時間を変えることによってMo膜の厚さおよびCu-Ti/Al合金膜の厚さを変化させた。真空熱処理上記の表1、表2、および表3の各試料に対し、真空熱処理炉を用いて5×106torrまで真空排気を行なった後、5°C/分の平均昇温速度で温度を上昇させ、450°Cまたは500°Cで1時間保持した後、5°C/分の平均冷却速度で徐冷し、100°C以下になった後、熱処理後の各試料を真空熱処理炉から取り出した。電気抵抗率の測定スパッタリング成膜後、および上記熱処理450°Cまたは500°C後の各試料について、4端子抵抗評価装置を用いてシート抵抗を測定し、電気抵抗率μΩcmを算出した。基板との密着性の評価ここでは、密着性試験用サンプルとして、表1のMo単層膜、表2および表3のMo/Cu合金の積層膜上層がMo、下層がCu合金膜を用い、上記熱処理450°Cまたは500°C後の各サンプルについて基板との密着性詳細には、表1ではMo単層膜と基板との密着性;表2ではMoとCu合金膜との界面に比べて密着力の低い、Cu合金膜と基板との密着性を、テープによる剥離試験で評価した。詳細には、上記サンプルの成膜面側基板側とは反対側にカッターナイフで1mm間隔の碁盤目状5マス×5マスを2箇所の切り込みを入れた。次いで、住友3M製黒色ポリエステルテープ製品番号8422Bを上記成膜表面上にしっかりと貼り付け、上記テープの引き剥がし角度が60°になるように保持しつつ、上記テープを一挙に引き剥がして、上記テープにより剥離しなかった碁盤目の区画数をカウントし、全区画との比率膜残存率を求めた。なお、碁盤目の全部が剥離せず一部が剥離したものは、0.5枚剥離したものとしてカウントした。なお密着性は◎80以上~100以下、○60以上~80未満、△30以上~60未満、×30未満で評価した。Cu合金膜の組成表2および表3の各積層試料について、成膜されたCu合金膜の組成はICP発光分光分析装置島津製作所製のICP発光分光分析装置ICP-8000型を用い、定量分析して確認した。これらの結果を表1~表3に併記する。まず、表1の従来例Mo膜について考察する。表1のNo.1~4は、スパッタリング時におけるArガス圧を変化させたMo単層膜の例であり、成膜直後as-depoに比べ、450°Cまたは500°Cの熱処理後に電気抵抗率が上昇する傾向が見られた。詳細には、Arガス圧が高くなる程、Moの膜応力が低下するために基板との密着性は向上する密着性の評価はNo.3=No.4>No.2>No.1の順に低くなる反面、基板との密着性が最も高かったNo.4の電気抵抗率は20μΩcm以上と高く、この結果は、熱処理温度450°Cまたは500°Cにかかわらず見られた。よって、Mo単層膜を用いたときは、Arガス圧をどのように変化させても、基板との高い密着性と低い電気抵抗率を両立できないことが分った。一方、表1のNo.5は、スパッタリング時のArガス圧を変化させてMo積層膜を成膜した例であり、成膜直後as-depoに比べ、450°Cまたは500°Cの熱処理後に電気抵抗率が若干低下する傾向が見られたが、太陽電池用裏面電極として使用するのに好ましい基準レベルおおむね15μΩcm以下を遥かに超えるものであった。また、熱処理の密着性はいずれも低かった。これに対し、表2において、Al量およびTi量を本発明の好ましい範囲で含む下層のCu合金膜100nmと、上層のMo膜200nmとの積層構造からなる試料表2のNo.1~7を用いたときは、各熱処理後の密着性はいずれも良好であった◎または○。また、電気抵抗率は、成膜直後as-depoに比べ、450°Cまたは500°Cの熱処理後に低下する傾向が見られ、合金元素量の増加につれて電気抵抗率は増加する傾向が見られたが、添加量が最も高い表2のNo.410原子Alを含有およびNo.710原子Tiを含有においても、太陽電池用裏面電極として使用するのに好ましい基準レベルおおむね15μΩcm以下を充分クリアした。一方、Al量が本発明の好ましい下限を下回る表2のNo.8、およびTi量が本発明の好ましい下限を下回る表2のNo.9、純Cuを用いる表2のNo.10は、いずれも、熱処理後の電気抵抗率は充分低かったが、密着性が大きく低下した。また、表2には示していないが、Al量およびTi量が本発明の好ましい上限を超えると電気抵抗率が大きく増加し、上記表1のNo.3または4高Arガス圧成膜でのMo単層膜と類似の結果となることが予想されるほか、Naを含む基板からのNa拡散効果による光吸収層の結晶粒粗大化効果も失われるため、太陽電池の変換効率などが低下することも考えられる。以上の結果より、本発明の要件を満足する積層構造の裏面電極を用いると、熱処理後の低い電気抵抗および基板との高い密着性を確保できることが分かった。一方、表3の積層試料は、表2の積層試料と積層膜の全厚さは同じであるが、表2に比べ、下層のCu合金膜の厚さを200nmと厚くし、上層のMo膜の厚さを100nmと薄くした例である。Cu合金膜を構成するAlまたはTiの含有量が1原子程度と、低合金組成の場合では、Cu合金膜の厚さを、表2厚さ100nmよりも表3のように厚く厚さ200nmとすることにより、電気抵抗率を更に低減できることが分かる。詳細には、表2のNo.2と表3のNo.1を対比すると、これらはいずれも、1原子Alを含むCu合金膜を用いた例であるが、Cu合金膜の厚さを、100nm表2のNo.2から200nm表3のNo.1と厚くすることにより、いずれの熱処理条件下での電気抵抗率も、一層低くすることができた。同様の傾向は、Alの代わりに1原子Tiを含むCu合金膜を用いた表2のNo.5と表3のNo.4を対比したときにも見られた。