第1半導体層、活性層及び第2半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の上に形成され、炭素ナノチューブを含むナノチューブ層と、前記第1及び第2半導体層のうちで何れか一つの層上に形成された第1電極と、及び前記第1及び第2半導体のうちで他の一つの層上に形成された第2電極と、を含む発光素子。前記ナノチューブ層は、10nm乃至10μmの厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記ナノチューブ層は、前記発光構造物上面の少なくとも70以上の面積に形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記ナノチューブ層は所定のパターンで形成され、前記第2電極は前記ナノチューブ層と同一な面積を有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記ナノチューブ層は、前記第2電極と前記第2半導体層との間に形成されることを特徴とする請求項4に記載の発光素子。前記第2電極は、前記第2半導体層に接するように形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記第2電極は所定のパターンで形成され、前記ナノチューブ層は、前記第2電極周りの前記第2半導体層上に形成されることを特徴とする請求項6に記載の発光素子。前記ナノチューブ層は、前記発光構造物より低い屈折率を有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記発光構造物上に凹凸構造、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記ナノチューブ層は、前記凹凸構造に対応する形状を有することを特徴とする請求項9に記載の発光素子。前記第1電極は、伝導性を有する支持部材を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記第1電極と前記発光構造物との間に反射層及びオーミック接触層のうちで少なくとも一つ、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記少なくとも一つと前記発光構造物との間に前記第2電極と垂直方向に局所的に重畳される電流遮断層、をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の発光素子。前記反射層と前記発光構造物との間のまわり領域にチャンネル層、をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の発光素子。前記発光構造物の少なくとも側面上にパッシベーション層、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。本発明の目的は、新しい構造を有する発光素子及び発光素子パッケージを提供することにある。本発明の他の目的は、光抽出効率が向上した発光素子を提供することにある。本発明に従う発光素子は、第1半導体層、活性層及び第2半導体層を含む発光構造物と、該発光構造物の上に形成され、炭素ナノチューブを含むナノチューブ層と、前記第1及び第2半導体層のうちで何れか一つの層上に形成された第1電極と、及び前記第1及び第2半導体のうちで他の一つの層上に形成された第2電極と、を含む。本発明によれば、発光素子は、伝導性を有する支持部材を含む第1電極と、前記第1電極上の第1半導体層、活性層及び第2半導体層を含む発光構造物と、前記第2半導体層が局所的に露出するように前記第2半導体層上に形成されたナノチューブ層と、前記第2半導体層及び前記ナノチューブ層のうちで少なくとも一つの層上に形成された第2電極と、を含む。また、本発明によれば、発光素子は、基板と、該基板上に第1半導体層、活性層及び第2半導体層を含む発光構造物と、前記第1半導体層上に第1電極と、前記第2半導体層上に形成されたナノチューブ層と、前記ナノチューブ層上に形成された第2電極と、前記発光構造物まわりに形成されたパッシベーション層と、及び前記第2電極に対応する前記ナノチューブ層と前記第2半導体層との間に形成された電流遮断層を含む。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明すると、次の通りである。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するものではない。図1は、第1実施形態に従う発光素子の側断面図である。図1を参照すると、第1実施形態に従う発光素子100は、第1電極160と、前記第1電極160上に接合層158と、該接合層158上に反射層157と、該反射層157上面まわり領域にチャンネル層155と、前記反射層157上にオーミック接触層156と、前記オーミック接触層156及び前記チャンネル層155上に形成されて、光を生成する発光構造物145と、該発光構造物145の上面にナノチューブ層135と、前記発光構造物145の側面にパッシベーション層180と、前記ナノチューブ層135上に第2電極170と、を含むことができる。前記第1電極160は、その上に形成される複数の層を支持するだけでなく、電極としての機能を有することができる。言い換えれば、前記第1電極160は伝導性を有する支持部材を含むことができる。前記第1電極160は前記第2電極170とともに前記発光構造物145に電源を供給することができる。前記第1電極160は、例えば、チタン、クロム、ニッケル、アルミニウム、白金、金、タングステン、銅、モリブデン、銅タングステン及びキャリアウェハーからなるグループから選択された少なくとも一つまたはその以上を含むことができる。前記第1電極160の厚さは、前記発光素子100の設計によって変わることができるが、例えば、30μm乃至500μmの厚さを有することができる。前記第1電極160は、前記発光構造物145下にメッキまたは及び蒸着されるか、またはシート形態で付着することができるし、これに対して限定しない。前記第1電極160上には前記接合層158が形成されることができる。前記接合層158はボンディング層として、前記反射層157の下に形成される。前記接合層158は外側面が露出して、前記反射層157に接触されて、前記反射層157と前記第1電極160との間の接着力を強化する媒介体の役割をすることができる。前記接合層158はバリア金属またはボンディング金属などを含むことができる。前記接合層158は、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag及びTaからなるグループから選択された少なくとも一つまたはその以上を含む。但し、前記第1電極160がボンディング方式ではなく、メッキまたは蒸着方式によって形成する場合、前記接合層158は形成されないこともある。前記接合層158上には前記反射層157が形成されることができる。前記反射層157は前記発光構造物145から入射される光を反射させることで前記発光素子100の発光効率を向上することができる。前記反射層157は高反射率を有する材質、例えば、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及びHfからなるグループから選択された少なくとも一つまたは二つ以上の合金を含むが、これに対しては限定しない。また、前記反射層157は前記金属とともにIZO、GZO、AZO、AGZO、IGZO、IZTO、IAZO、IGTO、ATOなどの透明な伝導性物質を用いて多層で形成することができる。すなわち、前記反射層157は、例えば、IZONi、AZOAg、IZOAgNi、AZOAgNiのような多層で構成されることができる。前記反射層157の上面のまわり領域には前記チャンネル層155が形成されることができる。すなわち、前記チャンネル層155は前記発光構造物145と、前記オーミック接触層156と、前記反射層157との間のまわり領域に形成されることができる。前記チャンネル層155は、電気絶縁性を有する材質または前記発光構造物145に比べて低い電気伝導性を有する材質に形成されることができる。例えば、前記チャンネル層155はSi02、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3及びTiO2からなるグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。このような場合、前記チャンネル層155は前記発光構造物145と前記第1電極160との間の電気的なショートを防止して、発光素子100の信頼性を向上することができる。または、前記チャンネル層155は接着力が良い金属材質、例えば、Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir及びWからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。このような場合、前記チャンネル層155は、前記発光構造物145と前記反射層157との間の接合力を強化して、前記発光素子100の信頼性を向上することができる。また、前記チャンネル層155は、チップ分離工程で複数個のチップを個別チップ単位で分離するレーザースクライビング工程と基板をとり除くレーザーリフトオフ工程時において前記チャンネル層155が割れるか、または破片が発生しなくなるので、前記発光素子100の信頼性を向上することができる。また、前記チャンネル層155が前記第1導電型半導体層150とオーミック接触を形成する場合、前記チャンネル層155を通じて電流が流れることができるので、前記チャンネル層155上に垂直方向に重畳される前記活性層140でも光が生成されることができるようになって、前記発光素子100の発光効率をよりさらに向上することができる。例えば、前記第1導電型半導体層150がp型半導体層である場合、前記チャンネル層155は前記p型半導体に対してオーミック接触を形成するTi、Ni、Wなどのような金属を含むことができるが、これに対して限定しない。前記反射層157上には前記オーミック接触層156が形成されることができる。前記オーミック接触層156は前記発光構造物145の第1導電型半導体層150にオーミック接触されて前記発光構造物145に電源が円滑に供給されるようにする。具体的には、前記オーミック接触層156は透明な伝導性物質と金属を選択的に使用することができるし、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、RuOx、RuOxITO、Ni、Ag、NiIrOxAu及びNiIrOxAuITOからなるグループから選択された少なくとも一つ以上を用いて単層または多層で具現することができる。一方、前記反射層157が前記発光構造物145とオーミック接触される場合、前記オーミック接触層156は形成されないこともある。オーミック接触層156上には前記第1導電型半導体層150と接触するように電流遮断層154が形成されることができる。前記電流遮断層154は、前記第2電極170と垂直方向で局所的に少なくとも一部が重畳されるように形成されることができる。前記電流遮断層154は、前記オーミック接触層156を通じて前記第1導電型半導体層150に供給される電流を遮断する役割をすることができる。よって、前記電流遮断層154とその周辺では前記第1導電型半導体層150で電流供給が遮られることができる。すなわち、前記第1電極160と前記第2電極170との間の最短経路に沿って電流が集中的に流れることを前記電流遮断層154によって最大限抑制される一方、電流が前記電流遮断層154以外の前記オーミック接触層156と前記第1導電型半導体層150との間の領域で流れるようになって電流が第1導電型半導体層150の全領域で均衡が取れているようにあるいは、均一に流れるようになるので、発光効率が著しく向上することができる。たとえ、前記電流遮断層154によって前記第1電極160と前記第2電極170との間の最短経路で電流の流れが最大限抑制されることはあるが、相変らず前記電流遮断層154に接する前記第1導電型半導体層150にも前記電流遮断層154の周辺を経由した電流が前記第1電極160と前記第2電極170との間の最短経路上にも流れるようになる。よって、前記第1電極160と前記第2電極170との間の最短経路上と前記最短経路以外の前記第1導電型半導体層150の領域ですべて電流がほぼ同等であるか、または同等に流れるようになる。前記電流遮断層154は、前記オーミック接触層156に比べて低い電気伝導性を有するか、または電気絶縁性を有するか、または前記第1導電型半導体層150とショットキー接触を形成する材質を用いて形成されることができる。前記電流遮断層154は、例えば、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al及びCrからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。一方、前記電流遮断層154は前記オーミック接触層156と前記第1導電型半導体層150との間に形成されるか、または前記反射層157と前記オーミック接触層156との間に形成されることもでき、これに対しては限定しない。また、前記電流遮断層154は前記オーミック接触層156に形成された溝内部に形成されるか、または前記オーミック接触層156上に突き出されて形成されるか、または前記オーミック接触層156の上面と下面を貫通するホール内部に形成されるが、これに対して限定しない。前記電流遮断層154は前記第1電極160と前記第2電極170との間の最短距離に電流が偏重されて流れることを防止して、前記発光素子100の発光効率を向上することができる。前記オーミック接触層156及び前記チャンネル層155上には前記発光構造物145が形成されることができる。前記発光構造物145は、複数の3族乃至5族元素の化合物半導体材料を含むことができる。前記発光構造物145は第1導電型半導体層150、前記第1導電型半導体層150上に活性層140、該活性層140上に第2導電型半導体層130を含むことができる。前記第1導電型半導体層150は、前記チャンネル層155の一部領域、前記オーミック接触層156、そして前記電流遮断層154上に形成されることができる。前記第1導電型半導体層150は、p型ドーパントを含むp型半導体層であることができる。前記p型半導体層は3族乃至5族元素の化合物半導体材料、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP及びAlGaInPからなるグループから選択された一つを含むことができる。前記p型ドーパントは、Mg、Zn、Ga、Sr、Baなどであることができる。前記第1導電型半導体層150は単層または多層に形成されることができるし、これに対して限定しない。前記第1導電型半導体層150は、複数のキャリアを前記活性層140に供給してくれる役割をする。前記活性層140は前記第1導電型半導体層140上に形成されて、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造、量子点構造または量子線構造のうちで何れか一つを含むことができるが、これに対しては限定しない。前記活性層140の量子井戸構造に形成された場合、例えばInxAlyGa1-x-yNの組成式を有する井戸層とInaAlbGa1-a-bNの組成式を有する障壁層を有する単一または量子井戸構造を有することができる。前記井戸層は、前記障壁層のエネルギーバンドギャップより低いエネルギーバンドギャップを有する物質に形成されることができる。前記活性層140は3族乃至5族元素の化合物半導体材料を用いて井戸層と障壁層の周期に形成されることができる。前記活性層140で使用するための化合物半導体材料としては、GaN、InGaN、AlGaNであることがある。よって、前記活性層140は、例えばInGaN井戸層GaN障壁層の周期、InGaN井戸層AlGaN障壁層の周期、InGaN井戸層InGaN障壁層の周期などを含むことができるが、これに対しては限定しない。前記活性層140は前記第1導電型半導体層150から供給された複数のホールと前記第2導電型半導体層130から供給された複数の電子を再結合させて、前記活性層140の半導体材質によって決まったバンドギャップに相応する波長の光を生成することができる。図示していないが、前記活性層140の上または及び下には、導電型クラッド層が形成されることもでき、前記導電型クラッド層はAlGaN系半導体に形成されることができる。例えば、前記第1導電型半導体層150と前記活性層140との間にはp型ドーパントを含むp型クラッド層が形成されて、前記活性層140と前記第2導電型半導体層130との間にはn型ドーパントを含むn型クラッド層が形成されることができる。前記導電型クラッド層は、前記活性層140に供給された複数のホールと複数の電子が第1導電型半導体層150と第2導電型半導体層130に移動されないようにするガイドの役割をする。よって、前記導電型クラッド層によって前記活性層140に供給されたホールと電子がより多く再結合して、発光素子100の発光効率を向上することができる。前記第2導電型半導体層130は、前記活性層140上に形成されることができる。前記第2導電型半導体層130はn型ドーパントを含むn型半導体層であることができる。前記第2導電型半導体層130は3族乃至5族元素の化合物半導体材料、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP及びAlGaInPからなるグループから選択された一つを含むことができる。前記n型ドーパントはSi、Ge、Sn、Se、Teなどであることができる。前記第2導電型半導体層130は単層または多層に形成されることができるし、これに対して限定しない。前記第2導電型半導体層130の上面には光抽出効率のためにラフネスや凹凸132が形成されることができる。前記ラフネスや凹凸132は湿式蝕刻によって形成されたランダムなパターンに形成されるか、パターニング工程によって形成されたフォトニック結晶構造のように周期的なパターンに形成されることもでき、これに対して限定しない。前記ラフネスや凹凸132は、凹な形状と凸な形状を周期的に有することができる。前記凹な形状前記凸な形状すべてはラウンド面を有するか、または頂点で会う両側傾斜面を有することができる。例えば、前記ラフネスや凹凸132は、特定波長帯の光を選択的に透過または反射するフォトニック結晶構造を有することができるし、50nm乃至3000nmの周期を有することができるが、これに対して限定しない。一方、前記第1導電型半導体層150下に前記第1導電型半導体層の極性と反対である半導体層が形成されることができる。前記第1導電型半導体層150がp型半導体層であって、前記第2導電型半導体層130がn型半導体層であることができるし、その逆も可能である。よって、前記発光構造物145はN-P接合、P-N接合、N-P-N接合及びP-N-P接合構造のうちで少なくとも一つを含むことができる。前記発光構造物145の第2導電型半導体層130上面には複数の炭素ナノチューブらを含む前記ナノチューブ層135が形成されることができる。炭素ナノチューブは炭素6個でなされた六角形がお互いに連結されて管模様をなしているナノ単位の炭素構造体で電気伝導性及び熱伝導性が高くて、光学的に透明な特徴がある。前記炭素ナノチューブは電気放電法、レーザー蒸着法、プラズマ化学気相蒸着法、熱化学気相蒸着法、気相合成法、電気分解法、フレーム合成法のうちで少なくとも一つの方法によって形成されることができるが、これに対して限定しない。前記ナノチューブ層135は複数の前記炭素ナノチューブを前記発光構造物145上にコーティングして形成されるか、または前記発光構造物145上にフィルム形態で用意して付着することができる。前記ナノチューブ層135は、例えば、10nm乃至10μm単位の厚さを有する薄膜であることができる。前記ナノチューブ層135は前記第2導電型半導体層130上面に形成された前記ラフネスや凹凸132の形状に沿ってパターンを有するように形成されることができる。前記ナノチューブ層135は前記発光構造物145上面に形成されて高い電気伝導性を有するので、前記発光構造物145に電流を均一にスプレディングさせることで、前記第2電極170及びその周辺だけに電流が偏る現象を防止して、これを通じて窮極的には前記発光素子100の発光効率を向上することができる。電流スプレディング効果を極大化するために前記ナノチューブ層135は、前記発光構造物145上面の少なくとも70の面積に形成されるか、またはパターンを有するように形成されることが望ましいが、これに対して限定しない。前記ナノチューブ層135は高い熱伝導性を有するので、前記発光構造物145で発生した熱を効果的に外部に放出することができる。前記ナノチューブ層135は光学的に透明で、その屈折率が前記発光構造物145より小さく形成されることができるので、屈折率差によって前記発光素子100の光抽出効率を向上することができる。前記ナノチューブ層135は半導体と金属すべてに電流を円滑に流す特徴を有するので、前記第2電極170と前記第2導電型半導体層130との間の接触抵抗を減少させる役割をすることができる。前記発光構造物145の少なくとも側面には、前記パッシベーション層180が形成されることができる。具体的には、前記パッシベーション層180は一端が前記第2導電型半導体層130の上面のまわり領域に形成されて、前記発光構造物145の側面を経由するか、または横切って他端が前記チャンネル層155の上面に形成されることができるが、これに対して限定しない。言い換えれば、前記パッシベーション層180は前記チャンネル層155の上面から前記第1導電型半導体層150、前記活性層140及び前記第2導電型半導体層130の側面を経由して前記第2導電型半導体層130の上面のまわり領域まで形成されることができる。前記パッシベーション層180は、前記発光構造物145と外部の電極などのような伝導性部材の間の電気的ショートを防止する役割をすることができる。前記パッシベーション層180は、例えば、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3を含む絶縁性材質を含むことができるが、これに対して限定しない。前記第2電極170は、前記ナノチューブ層135上に形成されることができる。前記第2電極170は、Au、Ti、Ni、Cu、Al、Cr、Ag及びPtからなるグループから選択された少なくとも一つを含む単層または多層構造に形成されることができる。以下、第1実施形態に従う発光素子の製造方法に対して詳しく説明する。図2乃至図11は、第1実施形態に従う発光素子の製造工程を説明する図面である。図2を参照すると、成長基板110上に前記発光構造物145を形成することができる。前記成長基板110は、例えば、サファイア、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP及びGeからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことができるし、これに対して限定しない。前記成長基板110上に前記第2導電型半導体層130、活性層140及び第1導電型半導体層150を順次に成長して前記発光構造物145が形成されることができる。例えば、前記発光構造物145は有機金属化学蒸着法、化学蒸着法、プラズマ化学蒸着法、分子線成長法及び水素化物気相成長法のうち何れか一つの方法を用いて形成されることができるし、これに対して限定しない。一方、前記発光構造物145と前記成長基板110との間には格子定数の差緩和のためにバッファ層またはアンドープド半導体層がさらに形成されることもできる。前記バッファ層は、InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN及びInNからなるグループから選択された一つを含むことができるが、これに対して限定しない。図3を参照すると、前記発光構造物145上面に前記チャンネル層155及び前記電流遮断層154を形成することができる。前記第1導電型半導体層150上のチップ境界領域、すなわち第1チップ領域と第2チップ領域との間の境界領域の近所に前記チャンネル層155を形成することができる。後で前記第1チップ領域と前記第2チップ領域との間がスクライビング工程などによって切断して、単位発光素子が製造されることができる。よって、前記各チップ領域は、単位発光素子を得るための領域に定義されることができる。前記チャンネル層155は、マスクパターンを用いて第1チップ領域と第2チップ領域との間の境界領域の近所に形成されることができる。図面は2次元断面図であるために、前記チャンネル層155が前記第1及び第2チップ領域の間の境界領域の近所のみに形成されるものとして示されている。しかし、実際に前記チャンネル層155は何れか一つのチップ領域と前記チップ領域と接するすべてのチップ領域の間のすべての境界領域の近所に形成されることができる。よって、前記チャンネル層155は右から見る時、リング形状、ルーフ形状、フレーム形状などに形成されることができる。前記チャンネル層155はスパッタリング方法、電子ビーム蒸着、PECVDなどの各種蒸着方法を用いて形成することができる。前記チャンネル層155は前記発光構造物145と前記第1電極160との間の電気的なショートを防止するか、または前記発光構造物145と前記反射層570との間の接合力を強化して、発光素子100の信頼性を向上することができる。前記電流遮断層154は、後工程によって形成される第2電極170と垂直方向に少なくとも一部が重畳される前記第1導電型半導体層150上に形成されることができる。前記電流遮断層154と前記チャンネル層155は、同一物質で同一工程によって同時に形成されることもできて、お互いに違う物質で個別的に形成されることもできる。前記電流遮断層154は前記チャンネル層155よりさらに薄い厚さを有することができる。すなわち、前記チャンネル層155の上面は前記電流遮断層154の上面よりさらに高い高さを有することができる。前記電流遮断層154と前記チャンネル層155は、蒸着またはメッキ工程によって形成されることができる。前記チャンネル層155と前記電流遮断層154は、電気絶縁性を有するか、または前記第1導電型半導体層150とショットキー接触を形成する材質を用いて形成されることができる。すなわち、前記チャンネル層155と前記電流遮断層154は、例えば、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al及びCrからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。図4を参照すると、前記第1導電型半導体層150及び前記電流遮断層154上に前記オーミック接触層156を形成して、前記オーミック接触層156及び前記チャンネル層155上に前記反射層157を形成することができる。前記電流遮断層154は前記オーミック接触層156の内部に埋め立てる形状を有することができる。前記オーミック接触層156及び前記反射層157は、例えば、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、PECVD法のうち何れか一つの方法によって形成されることができる。図5を参照すると、前記反射層157上に前記接合層158を形成して、前記接合層158上に前記第1電極160を形成することができる。前記第1電極160は前記接合層158によって堅くボンディングされることができる。一方、前記第1電極160が蒸着またはメッキ方式によって形成される場合、前記接合層158は形成されないこともある。図6を参照すると、前記基板110を180°覆した後、前記基板110を除去することができる。前記成長基板110は、レーザーリフトオフ、化学的エッチング、または物理的な研磨方法のうちで少なくとも一つの方法によって除去されることができる。前記レーザーリフトオフは、前記基板110と前記第2導電型半導体層130との間の界面にレーザーを集中的に照射して、前記基板110が前記第2導電型半導体層130から分離するようにするものである。前記化学的エッチングは湿式エッチングを用いて、前記第2導電型半導体層130が露出するように前記基板110をとり除くものである。前記物理的な研磨機を用いて物理的に基板110を研磨して前記第2導電型半導体層130が露出するように前記基板110の上面から順次にとり除くものである。前記基板110をとり除いた後、前記第2導電型半導体層130の上面に残っている前記基板110の残有物をとり除くクリーニング工程がさらに遂行されることができる。前記クリーニング工程は、プラズマ表面処理や酸素や窒素を利用したアッシングを含むことができる。前記成長基板110が除去されることによって、前記第2導電型半導体層130の上面が露出することができる。図7を参照すると、前記第1及び第2チップ領域の間の境界領域105に沿ってアイソレーションエッチングを遂行して、前記発光構造物145を含む単位チップ領域を区分することができる。前記アイソレーションエッチングによって前記第1及び第2チップ領域の間の境界領域105の前記チャンネル層155が露出することができる。前記アイソレーションエッチングによって前記発光構造物145の側面が傾くようにエッチングされることができる。これと共に、前記発光構造物145の上面、すなわち前記第2導電型半導体層130の上面に前記ラフネスや凹凸132を形成することができる。前記アイソレーションエッチングは、例えば、ICPのような乾式蝕刻方法によって実施されることができる。前記ラフネスや凹凸132は、湿式蝕刻によってランダムな形状を有するように形成されるか、またはマスクパターンに沿ってフォトニック結晶構造などを有するように形成されることもでき、これに対して限定しない。図8を参照すると、前記発光構造物145の少なくとも側面、そして前記第1及び第2チップ領域の間の境界領域105の前記チャンネル層155上にパッシベーション層180を形成することができる。言い換えれば、前記パッシベーション層180は前記第1及び第2チップ領域の間の境界領域105の前記チャンネル層155の上面に接触して形成されて、前記第1導電型半導体層150、前記活性層140及び前記第2導電型半導体層130を経由するか、または横切って、前記第2導電型半導体層130の上面のまわり領域まで形成されることができる。前記パッシベーション層180は、前記発光構造物145と外部の電極などのような伝導性部材の間の電気的ショートを防止する役割をすることができる。前記パッシベーション層180は、例えば、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3を含む絶縁性材質を含むことができるが、これに対して限定しない。前記パッシベーション層180は、電子ビーム蒸着、PECVD、スパッタリングのような蒸着工程によって形成されることができる。前で言及されたラフネスや凹凸132は、パッシベーション層180が形成された後、前記パッシベーション層180をマスクで用いて、前記第2導電型半導体層130の上面に形成されることもできる。言い換えれば、前記ラフネスや凹凸132は、前記パッシベーション層180が形成される前に形成されることもできて、前記パッシベーション層180が形成された後に形成されることもできる。図9を参照すると、前記発光構造物145、すなわち、第2導電型半導体層130の上面に前記ナノチューブ層135を形成することができる。前記ナノチューブ層135は、スピンコーティング、ディップコーティングのようなコーティング方式に形成されるか、またはフィルム形態で用意して付着することもでき、これに対して限定しない。前記ナノチューブ層135は前記第2導電型半導体層130の上面に選択的に形成されることができるが、例えば、前記第2導電型半導体層130の全領域に形成されるか、または前記第2導電型半導体層130の少なくとも70の面積に形成されることもできる。図10を参照すると、前記ナノチューブ層135上に前記第2電極170が形成されることができる。前記第2電極170はメッキまたは蒸着されて形成されることができる。図11を参照すると、チップ分離工程を遂行して前記第1及び第2チップ領域の間の境界領域105を切断して、複数個のチップを個別チップ単位に分離することで実施形態に従う発光素子100が製造されることができる。前記チップ分離工程は、例えば、ブレードなどを用いて物理的な力を加えてチップを分離させるブレーキング工程、チップ境界にレーザーを照射してチップを分離させるレーザースクリビング工程、湿式または乾式蝕刻を含むエッチング工程などを含むことができるが、これに対して限定しない。図12は、第2実施形態に従う発光素子の側断面図である。第2実施形態は、第1電極及びナノチューブ層の形状を除いては第1実施形態とほとんど類似である。よって、第2実施形態で第1実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を付与して詳細な説明は略する。図12を参考すると、第1実施形態に従う発光素子100Aは第1電極160と、該第1電極160上に接合層158と、該接合層158上に反射層157と、該反射層157上面のまわり領域にチャンネル層155と、前記反射層157上にオーミック接触層156と、該オーミック接触層156及び前記チャンネル層155上に形成されて、光を生成する発光構造物145と、該発光構造物145の上面に選択的に形成されたナノチューブ層135aと、前記発光構造物145の側面にパッシベーション層180と、前記発光構造物145上に第2電極170aを含むことができる。前記第2電極170aは、前記発光構造物145、すなわち前記第2導電型半導体層130の上面に直接接触するように形成されることができる。このために、前記第2電極170aが形成される領域に対応する前記ナノチューブ層135aを選択的にとり除いた後、前記除去された領域に前記第2電極170aが前記第2導電型半導体層130に直接接するように形成されることができる。または、第2電極170aが前記第2導電型半導体層130上に形成された後、マスクで用いて前記第2電極170a周囲の前記第2導電型半導体層130上に前記ナノチューブ層135aが形成されることができるし、これに対して限定しない。言い換えれば、前記第2電極170aは前記ナノチューブ層135aによって囲まれるようになる。図13は、第3実施形態に従う発光素子の側断面図である。第3実施形態は、ナノチューブ層の形状を除いては、第1実施形態とほとんど類似である。よって、第3実施形態で第1実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を付与して詳細な説明は略する。図13を参考すると、第3実施形態に従う発光素子100Bは、第1電極160と、該第1電極160上に接合層158と、該接合層158上に反射層157と、該反射層157上面まわり領域にチャンネル層155と、前記反射層157上にオーミック接触層156と、該オーミック接触層156及び前記チャンネル層155上に形成されて光を生成する発光構造物145と、該発光構造物145の上面に選択的に形成されたナノチューブ層135bと、前記発光構造物145の側面にパッシベーション層180と、前記発光構造物145上に前記ナノチューブ層135bを含むことができる。前記ナノチューブ層135bは、前記第2電極170と前記第2導電型半導体層130との間の接触抵抗を減少させるために、前記第2電極170及び前記第2導電型半導体層130の間の領域のみに形成されることができる。言い換えれば、前記ナノチューブ層135bは、前記第2電極170と同一な面積を有することができる。このために、前記ナノチューブ層135bをパターンした後、前記ナノチューブ層135上のみに第2電極170を形成することができる。または、前記ナノチューブ層135bと前記第2電極170を連続で形成した後、前記第2電極170と前記ナノチューブ層135bを順次に選択的にとり除いて同一なサイズのパターンを有する前記第2電極170と前記ナノチューブ層135bを形成することもできる。図14は、第4実施形態に従う発光素子の側断面図である。第4実施形態は、第2電極170bが第2導電型半導体層130とナノチューブ層135c上に形成されることを除いては、第1実施形態乃至第3実施形態とほとんど類似である。よって、第3実施形態で第1実施形態乃至第3実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を付与して詳細な説明は略する。図13を参考すると、第4実施形態に従う発光素子100Cで、第2電極170bの下面は、前記第2導電型半導体層130にも接して前記ナノチューブ層135cにも接するように形成されることができる。このために、前記第2導電型半導体層130が露出するように前記ナノチューブ層135cの一部領域が除去されることができる。前記第2電極170bは、前記ナノチューブ層135cを貫通して前記ナノチューブ層135cの一部領域にオーバーラップされるように形成されることができる。前記第2電極170bは、前記第2導電型半導体層130に接するように形成されて、前記ナノチューブ層135cを貫通して、前記第2導電型半導体層130から前記ナノチューブ層135cの上面に延長されて、前記ナノチューブ層135cの一部領域とオーバーラップされるように前記ナノチューブ層135cの一部領域上に形成されることができる。図15は、第5実施形態に従う発光素子の側断面図である。図15を参考すると、第5実施形態に従う発光素子200は、成長基板210、該成長基板210上の第1導電型半導体層212、活性層214及び第2導電型半導体層216を含む発光構造物220、前記第1導電型半導体層212上に第1電極230、前記第2導電型半導体層216上にナノチューブ層250、該ナノチューブ層250上に第2電極260及び少なくとも前記発光構造物220のまわりにパッシベーション層を含む。前記成長基板210は、サファイア、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Geのうちで少なくとも一つに形成されることができる。前記発光構造物220は、複数の3族乃至5族元素の化合物半導体材料を含むことができる。前記第1導電型半導体層212は、n型ドーパントを含むn型半導体層であることができるし、前記第2導電型半導体層216はp型ドーパントを含むp型半導体層であることができるし、これに対して限定しない。前記第2導電型半導体層216上には前記ナノチューブ層250が形成されることができる。前記ナノチューブ層250は、前記第2電極260から供給された電流をスプレディングさせて、第2導電型半導体層216の全領域に電流が供給されるようにすることができる。前記第2電極260は、前記第2導電型半導体層216から前記ナノチューブ層250を貫通するように延長されることができる。このような場合、前記第2電極260が直接接触する前記第2導電型半導体層216に供給される電流が前記ナノチューブ層250を通じて前記第2導電型半導体層216に供給される電流に比べて相対的に多い電流量が流れるようになって、活性層214の全領域で均一な光が発光されなくなる。これによって、前記第2電極260が直接接触される前記第2導電型半導体層216上に電流遮断層240が形成されることができる。前記電流遮断層240は少なくとも前記第2電極260の面積より大きいように形成されることができる。前記第2電極260から供給された電流が前記電流遮断層240を通じて最小限に供給されるか、または全然供給されなくなることがある。これに反して、前記第2電極260から供給された電流を、前記ナノチューブ層250を通じてスプレディング拡散された後、前記第2導電型半導体層216に均一に供給されるので、前記活性層214で均一な光が放出されて発光素子200の発光効率を向上することができる。前記パッシベーション層270は、第1及び第2電極230、260を除いた前記発光構造物220のまわりに形成されることができる。例えば、前記パッシベーション層270は前記第1導電型半導体層212の側面のまわり、前記活性層214の側面のまわり及び前記第2導電型半導体層216の側面のまわりと上面に形成されることができる。前記パッシベーション層270は、例えば、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3を含む絶縁性材質を含むことができるが、これに対して限定しない。図示しなかったが、前記ナノチューブ層250は第2電極260によって貫通される貫通ホールが形成される代りに、ナノチューブ層250が少なくとも電流遮断層の全領域をカバーするように前記電流遮断層上に形成されることができる。言い換えれば、前記電流遮断層の全領域をカバーするようにナノチューブ層が形成されて、電流遮断層に対応するナノチューブ層上に第2電極が形成されることができる。前記電流遮断層は前記第2電極に対応する前記ナノチューブ層と前記第2半導体層の間に形成されることができる。よって、第2電極と電流遮断層はお互いに接触されなくなる。図示しなかったが、第2導電型半導体層216上にラフネスや凹凸が形成されることができる。図16は、実施形態に従う発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。図16を参照すると、実施形態に従う発光素子パッケージ30は、胴体20と、該胴体20に設置された第1電極層31及び第2電極層32と、前記胴体20上に前記第1電極層31及び第2電極層32と電気的に連結される前記発光素子100と、前記胴体20上に前記発光素子100を囲むモールディング部材40を含む。前記胴体20は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができる。前記胴体20は右から見る時内部に傾斜面53を有するキャビティ50を有する。前記第1電極層31及び前記第2電極層32は、お互いに電気的に分離して、前記胴体20内部を貫通するように形成されることができる。すなわち、前記第1電極層31及び前記第2電極層32は、一側末端は前記キャビティ50内部に配置されて、他側末端は前記胴体20の外部面に付着して外部に露出するようになる。前記第1電極層31及び第2電極層32は、前記発光素子100に電源を供給して、前記発光素子100で発生された光を反射させて光効率を増加させることができるし、前記発光素子100で発生された熱を外部に排出させる機能をすることもできる。前記発光素子100は、前記胴体20上に設置されるか、または前記第1電極層31または第2電極層32上に設置されることができる。前記発光素子100のワイヤ60は、前記第1電極層31及び第2電極層32のうち何れか一つに電気的に連結されることができるし、これに限定されない。このような場合、前記ワイヤ60が連結されない電極層は、発光素子100の背面と電気的に連結されることができる。前記モールディング部材40は、前記発光素子1を囲んで前記発光素子1を保護することができる。また、前記モールディング部材40には蛍光体が含まれて、このような蛍光体によって前記発光素子1で放出された光の波長が変化されることができる。実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージは、ライトユニットに適用されることができる。前記ライトユニットは複数の発光素子または発光素子パッケージがアレイされた構造を含んで、図17及び図18に示された表示装置、図19に示された照明装置を含んで、照明灯、信号灯、車両ヘッドライト、電光板などが含まれることができる。図17は、実施形態に従う表示装置の分解斜視図である。図17を参照すると、表示装置1000は、導光板1041と、該導光板1041に光を提供する発光モジュール1031と、前記導光板1041下に反射部材1022と、前記導光板1041上に光学シート1051と、該光学シート1051上に表示パネル1061と、前記導光板1041、発光モジュール1031及び反射部材1022を収納するボトムカバー1011を含むことができるが、これに限定されない。前記ボトムカバー1011、反射シート1022、導光板1041、光学シート1051は、ライトユニット1050に定義されることができる。前記導光板1041は、前記発光モジュール1031から提供された光を拡散させて面光源化させる役割をする。前記導光板1041は透明な材質でなされて、例えば、PMMAのようなアクリル樹脂系列、PET、PC、COC及びPEN樹脂のうちで一つを含むことができる。前記発光モジュール1031は、前記導光板1041の少なくとも一側面に配置されて前記導光板1041の少なくとも一側面に光を提供して、窮極的には表示装置の光源として作用するようになる。前記発光モジュール1031は、少なくとも一つを含んで、前記導光板1041の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。前記発光モジュール1031は、基板1033と前記に開示された実施形態に従う発光素子パッケージ30を含んで、前記発光素子パッケージ30は前記基板1033上に所定間隔にアレイ配列されることができる。前記基板は印刷回路基板であることがあるが、これに限定しない。また、前記基板1033はメタルコアPCB、軟性PCBなどを含むこともでき、これに対して限定しない。前記発光素子パッケージ30は、前記ボトムカバー1011の側面または放熱プレート上に搭載される場合、前記基板1033は除去されることができる。前記放熱プレートの一部は、前記ボトムカバー1011の上面に接触されることができる。よって、発光素子パッケージ30で発生された熱は、放熱プレートを経由してボトムカバー1011に放出されることができる。前記複数の発光素子パッケージ30は、前記基板1033上に光が放出される出射面が前記導光板1041と所定距離が離隔されるように搭載されることができるし、これに対して限定しない。前記発光素子パッケージ30は前記導光板1041の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができるし、これに対して限定しない。前記導光板1041下には前記反射部材1022が配置されることができる。前記反射部材1022は前記導光板1041の下面に入射された光を反射させて前記表示パネル1061に供給することで、前記表示パネル1061の輝度を向上することができる。前記反射部材1022は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどに形成されることができるが、これに対して限定しない。前記反射部材1022は前記ボトムカバー1011の上面であることができるし、これに対して限定しない。前記ボトムカバー1011は、前記導光板1041、発光モジュール1031及び反射部材1022などを収納することができる。このために、前記ボトムカバー1011は上面が開口されたボックス形状を有する収納部1012が具備されることができるし、これに対して限定しない。前記ボトムカバー1011はトップカバーと結合されることができるし、これに対して限定しない。前記ボトムカバー1011は、金属材質または樹脂材質に形成されることができるし、プレス成形または圧出成形などの工程を用いて製造されることができる。また、前記ボトムカバー1011は熱伝導性が良い金属または非金属材料を含むことができるし、これに対して限定しない。前記表示パネル1061は、例えば、LCDパネルとして、お互いに対向される透明な材質の第1及び第2基板、そして第1及び第2基板の間に介された液晶層を含む。前記表示パネル1061の少なくとも一面には偏光板が付着されることができるし、このような偏光板の付着構造に限定しない。前記表示パネル1061は前記発光モジュール1031から提供された光を透過または遮断させて情報を表示するようになる。このような表示装置1000は各種携帯端末機、ノートブックコンピューターのモニター、ラップトップコンピューターのモニター、テレビなどに適用されることができる。前記光学シート1051は、前記表示パネル1061と前記導光板1041との間に配置されて、少なくとも一枚以上の投光性シートを含む。前記光学シート1051は、例えば拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのようなシートのうちで少なくとも一つを含むことができる。前記拡散シートは入射される光を拡散させてくれて、前記水平または及び垂直プリズムシートは入射される光を前記表示パネル1061に集光させてくれて、前記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上してくれる。また、前記表示パネル1061上には保護シートが配置されることができるし、これに対して限定しない。前記発光モジュール1031の光経路上には光学部材として、前記導光板1041、及び光学シート1051を含むことができるし、これに対して限定しない。図18は、実施形態に従う表示装置を示した図面である。図18を参照すると、表示装置1100は、ボトムカバー1152、前記に開示された発光素子パッケージ30がアレイされた基板1120、光学部材1154、及び表示パネル1155を含む。前記基板1120と前記発光素子パッケージ30は、発光モジュール1060に定義されることができる。前記ボトムカバー1152、少なくとも一つの発光モジュール1060、光学部材1154はライトユニットに定義されることができる。前記ボトムカバー1152には、収納部1153を具備することができるし、これに対して限定しない。前記光学部材1154はレンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどで少なくとも一つを含むことができる。前記導光板はPC材質またはPMMA材質でなされることができるし、このような導光板は除去されることができる。前記拡散シートは入射される光を拡散させてくれて、前記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を前記表示パネル1155に集光させてくれて、前記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上してくれる。前記光学部材1154は、前記発光モジュール1060上に配置されて、前記発光モジュール1060から放出された光を面光源するか、または拡散、集光などを遂行するようになる。図19は、実施形態に従う照明装置の斜視図である。図19を参照すると、照明装置1500は、ケース1510と、該ケース1510に設置された発光モジュール1530と、前記ケース1510に設置されて外部電源から電源の提供を受ける連結端子1520を含むことができる。前記ケース1510は、放熱特性が良好な材質に形成されることが望ましくて、例えば、金属材質または樹脂材質に形成されることができる。前記発光モジュール1530は基板1532と、該基板1532に搭載される実施形態に従う発光素子パッケージ30を含むことができる。前記発光素子パッケージ30は複数個がマトリックス形態または所定間隔に離隔されてアレイされることができる。前記基板1532は、絶縁体に回路パターンを印刷したことであることができるし、例えば、一般印刷回路基板、メタルコアPCB、軟性PCB、セラミックスPCB、FR4基板などを含むことができる。また、前記基板1532は光を効率的に反射する材質に形成されるか、または表面の光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、シルバーなどのコーティング層になることができる。前記基板1532上には少なくとも一つの発光素子パッケージ30が搭載されることができる。前記発光素子パッケージ30それぞれは、少なくとも一つのLEDチップを含むことができる。前記LEDチップは赤色、緑色、青色または白色などのような可視光線帯域の発光ダイオードまたは紫外線を発光するUV発光ダイオードを含むことができる。前記発光モジュール1530は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子パッケージ30の組合を有するように配置されることができる。例えば、高演色性を確保するために白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード及び緑色発光ダイオードを組み合わせて配置することができる。前記連結端子1520は、前記発光モジュール1530と電気的に連結されて電源を供給することができる。前記連結端子1520はソケット方式で外部電源に回して挟まれて結合されるが、これに対して限定しない。例えば、前記連結端子1520はピン形態に形成されて外部電源に挿入されるか、または配線によって外部電源に連結されることもできるものである。実施形態によれば、発光素子の製造方法は、伝導性支持部材を含む第1電極を用意する段階と、前記第1電極上に第1半導体層、活性層及び第2半導体層を含む発光構造物を形成する段階と、及び前記発光構造物の上に複数の炭素ナノチューブを含むナノチューブ層を形成する段階と、及び前記発光構造物上に第2電極を形成する段階と、を含む。実施形態は、発光構造物上にナノチューブ層を形成することで、電流を均一にスプレディングさせて電流の偏重現象を防止して発光素子の発光効率を向上することができる。実施形態は、発光構造物上にナノチューブ層を形成することで、発光構造物で発生した熱を、ナノチューブ層を通じて迅速に放出することができる。実施形態は、発光構造物上に発光構造物より小さな屈折率を有するナノチューブ層を形成することで、発光構造物とナノチューブ層との間の屈折率差によって発光素子の光抽出効率を向上することができる。実施形態は、発光構造物と電極との間にナノチューブ層を形成することで、電極と発光構造物との間のコンタクト抵抗を減少させて電極に提供された電流をより円滑に発光構造物に流れるようにすることができる。以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。