"111方位の単結晶シリコンである下地基板の上に、前記下地基板の基板面に対し0001結晶面が略平行となるようにIII族窒化物層群を形成してなる、半導体素子用のエピタキシャル基板であって、前記下地基板の上に形成されてなり、それぞれが、AlNからなる第1のIII族窒化物層と、前記第1のIII族窒化物層の上に形成された、AlyyGazzNyyzz=1、0≦yy<1、0<zz≦1からなる第2のIII族窒化物層と、からなる複数の下地層が、繰り返し積層されてなる下地層群と、前記下地層群の上にエピタキシャル形成された少なくとも1つの第3のIII族窒化物層と、を備え、前記第1のIII族窒化物層が、柱状あるいは粒状の結晶もしくはドメインの少なくとも一種から構成される多結晶欠陥含有性層であり、前記第1のIII族窒化物層と前記第2のIII族窒化物層との界面が三次元的凹凸面であり、前記複数の下地層のうち、前記下地基板の直上に形成されている下地層を第1の下地層とし、前記第1の下地層以外の下地層を第2の下地層とするとき、前記第2の下地層を構成する前記第1のIII族窒化物層の厚みが50nm以上100nm以下であり、前記第2のIII族窒化物層がAlyyGazzNyyzz=1、0≦yy≦0.2、0.8≦zz≦1からなる、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1に記載の半導体素子用エピタキシャル基板であって、前記下地基板と前記第1の下地層との間に、アモルファスの界面層が形成されてなることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項2に記載の半導体素子用エピタキシャル基板であって、前記界面層がSiAlxOyNzからなることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体素子用エピタキシャル基板であって、前記少なくとも1つの第3のIII族窒化物層が、相異なる組成の2種類以上のIII族窒化物層を前記下地層群の直上に周期的に積層した超格子構造層を含む、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の半導体素子用エピタキシャル基板であって、前記少なくとも1つの第3のIII族窒化物層が半導体素子の機能層を含むことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のエピタキシャル基板を用いて作製した半導体素子。111方位の単結晶シリコンである下地基板の上に、前記下地基板の基板面に対し0001結晶面が略平行なIII族窒化物層群を形成してなる半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法であって、前記下地基板の上に複数の下地層を繰り返し積層することにより下地層群を形成する工程であって、前記複数の下地層のそれぞれを形成する工程が、AlNからなる第1のIII族窒化物層を形成する第1形成工程と、前記第1のIII族窒化物層の上に、AlyyGazzNyyzz=1、0≦yy<1、0<zz≦1からなる第2のIII族窒化物層を形成する第2形成工程と、を備える下地層群形成工程と、前記下地層群の上に少なくとも1つの第3のIII族窒化物層をエピタキシャル形成する第3形成工程と、を備え、前記第1形成工程においては、前記第1のIII族窒化物層を、柱状あるいは粒状の結晶もしくはドメインの少なくとも一種から構成され、表面が三次元的凹凸面である多結晶欠陥含有性層として形成し、前記複数の下地層のうち、前記下地基板の直上に形成される下地層を第1の下地層とし、前記第1の下地層以外の下地層を第2の下地層とするとき、前記第2の下地層を構成する前記第1のIII族窒化物層を、20kPa以上の形成圧力にて50nm以上100nm以下の平均厚みに形成し、前記第2のIII族窒化物層をAlyyGazzNyyzz=1、0≦yy≦0.2、0.8≦zz≦1にて形成する、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。請求項7に記載の半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法であって、前記下地基板と前記第1の下地層との間に、アモルファスの界面層を形成する界面層形成工程、をさらに備えることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。請求項8に記載の半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法であって、前記界面層がSiAlxOyNzからなることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。請求項7ないし請求項9のいずれかに記載の半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法であって、前記第3形成工程が相異なる組成の2種類以上のIII族窒化物層を前記下地層群の直上に周期的に積層する工程を含む、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。請求項7ないし請求項10のいずれかに記載の半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法であって、前記第3形成工程が半導体素子の機能層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。請求項7ないし請求項11のいずれかに記載のエピタキシャル基板の製造方法を用いて作製した半導体素子用エピタキシャル基板。請求項7ないし請求項11のいずれかに記載のエピタキシャル基板の製造方法を用いて作製した半導体素子用エピタキシャル基板を備える半導体素子。<エピタキシャル基板の概略構成>図1は、本発明の実施の形態に係るエピタキシャル基板10の構成を概略的に示す模式断面図である。エピタキシャル基板10は、下地基板1と、複数の下地層7と、機能層5とを主として備える。本実施の形態においては主に、図1に示すようにエピタキシャル基板10が下地層7として第1下地層71と第2下地層72とを備える場合を対象として説明を行うが、さらに多くの下地層7が積層されてなる態様であってもよい。なお、エピタキシャル基板10において、複数の下地層7が積層された部分を下地層群とも称する。また、エピタキシャル基板10は、図1に示すように、下地基板1と最下部の下地層7である第1下地層71との間に界面層2を備える態様や、下地層7と機能層5の間に超格子構造層6を備える態様であってもよい。界面層2および超格子構造層6については後述する。また、それぞれの下地層7は、凹凸層3と平坦化層4とから構成される。第1下地層71を構成する凹凸層3および平坦化層4をそれぞれ第1凹凸層31および第1平坦化層41と称する。第2下地層72を構成する凹凸層3および平坦化層4をそれぞれ第2凹凸層32および第2平坦化層42と称する。下地基板1は、111面の単結晶シリコンウェハーである。下地基板1の厚みに特段の制限はないが、取り扱いの便宜上、数百μmから数mmの厚みを有する下地基板1を用いるのが好ましい。平坦化層4と、機能層5と、超格子構造層6とは、それぞれ、ウルツ鉱型のIII族窒化物を0001結晶面が下地基板1の基板面に対し略平行となるように、エピタキシャル成長手法によって形成した層である。これらの層の形成は、有機金属化学気相成長法MOCVD法により行うのが好適な一例である。凹凸層3第1凹凸層31および第2凹凸層32は、AlNからなる層第1のIII族窒化物層である。より具体的には、凹凸層3は、下地基板1の基板面に略垂直な方向成膜方向に成長した多数の微細な柱状結晶等柱状結晶、粒状結晶、柱状ドメインあるいは粒状ドメインの少なくとも一種から構成される層である。換言すれば、凹凸層3は、エピタキシャル基板10の積層方向への一軸配向はしてなるものの、積層方向に沿った多数の結晶粒界もしくは転位を含有する、結晶性の劣った多欠陥含有性層である。ただし、下地基板1の直上に形成される第1凹凸層31よりも第1平坦化層41の上に形成される第2凹凸層32の方が内在する結晶粒界は少ない。なお、本実施の形態においては、便宜上、ドメイン粒界あるいは転位も含めて、結晶粒界と称することがある。凹凸層3における結晶粒界の間隔は大きくても数十nm程度である。なお、第1凹凸層31は、c軸傾き成分についてのモザイク性の大小もしくはらせん転位の多少の指標となる0002面のX線ロッキングカーブ半値幅が、0.5度以上1.1度以下となるように、かつ、c軸を回転軸とした結晶の回転成分についてのモザイク性の大小もしくは刃状転位の多少の指標となる10-10面のX線ロッキングカーブ半値幅が0.8度以上1.1度以下となるように、形成される。一方、平坦化層4第1平坦化層41および第2平坦化層42は、凹凸層3の上に形成された、AlyyGazzNyyizzi=1、0≦yyi<1、0<zzi≦1なる組成式にて表されるIII族窒化物からなる層第2のIII族窒化物層である。なお、添字iはi番目の平坦化層4についての値であることを意味する。ただし、第2平坦化層42あるいはさらにその上に形成される平坦化層4すなわちi≧2をみたす平坦化層4については、0≦yyi≦0.2なる組成範囲のIII族窒化物にて構成される。機能層5は、III族窒化物により形成される少なくとも1つの層であり、エピタキシャル基板10の上にさらに所定の半導体層や電極などを形成することで半導体素子を構成する場合において、所定の機能を発現する層である。それゆえ、機能層5は、当該機能に応じた組成および厚みを有する1または複数の層にて形成される。<凹凸層と平坦化層の詳細構成とその効果>第1凹凸層31と第1平坦化層41との界面I1第1凹凸層31の表面、および、第2凹凸層32と第2平坦化層42との界面I2第2凹凸層32の表面は、第1凹凸層31および第2凹凸層32を構成する柱状結晶等の外形形状を反映した三次元的凹凸面となっている。界面I1および界面I2がこのような形状を有することは、図2に例示する、エピタキシャル基板10のHAADF高角散乱電子像において、明瞭に確認される。なお、HAADF像とは、走査透過電子顕微鏡STEMによって得られる、高角度に非弾性散乱された電子の積分強度のマッピング像である。HAADF像においては、像強度は原子番号の二乗に比例し、原子番号が大きい原子が存在する箇所ほど明るく白く観察される。エピタキシャル基板10においては、凹凸層3はAlNからなるのに対して、平坦化層4は、上記の組成式が示すように、少なくともGaを含んだAlNとは異なる組成を有する層である。Gaの方がAlよりも原子番号が大きいので、図2においては、平坦化層4が相対的に明るく、凹凸層3が相対的に暗く観察される。これにより、図2からは、両者の界面I1およびI2が、三次元的凹凸面となっていることが容易に認識される。なお、図1の模式断面においては、凹凸層3の凸部3aが略等間隔に位置するように示されているが、これは図示の都合にすぎず、実際には必ずしも等間隔に凸部3aが位置するわけではない。好ましくは、凹凸層3は、凸部3aの密度が5×109/cm2以上5×1010/cm2以下であり、凸部3aの平均間隔が45nm以上140nm以下であるように形成される。これらの範囲をみたす場合、特に結晶品質の優れた機能層5の形成が可能となる。なお、本実施の形態において、凹凸層3の凸部3aとは、表面界面I1、I2において上に凸の箇所の略頂点位置のことを指し示すものとする。なお、本発明の発明者の実験および観察の結果、凸部3aの側壁を形成しているのは、AlNの10-11面もしくは10-12面であることが確認されている。第1凹凸層31の表面に上記の密度および平均間隔を満たす凸部3aが形成されるには、平均膜厚が40nm以上200nm以下となるように第1凹凸層31を形成することが好ましい。平均膜厚が40nmより小さい場合には、上述のような凸部3aを形成しつつAlNが基板表面を覆い尽くす状態を実現することが難しくなる。一方、平均膜厚を200nmより大きくしようとすると、AlN表面の平坦化が進行し始めるために上述のような凸部3aを形成することが難しくなる。一方、第2凹凸層32は、平均膜厚が50nm以上100nm以下となるように形成されるのが好ましい。平均膜厚が50nmより小さい場合には、上述のような凸部3aを形成しつつAlNが直下の平坦化層4を覆い尽くす状態を実現することが難しくなる。一方、平均膜厚を100nmより大きくしようとすると、AlN表面の平坦化が進行し始めるために上述のような凸部3aを形成することが難しくなる。なお、凹凸層3の形成は、所定のエピタキシャル成長条件のもとで実現されるが、凹凸層3をAlNにて形成することは、シリコンと液相化合物を形成するGaを含まないという点、および、横方向成長が比較的進みにくいので界面I1およびI2が三次元的凹凸面として形成されやすいという点において好適である。上述した態様にて第1下地層71第1凹凸層31および第1平坦化層41を備えるエピタキシャル基板10は、下地基板1と第1平坦化層41との間に、結晶粒界を内在する多欠陥含有性層である第1凹凸層31を介在させた構成を有する。これにより、下地基板1と第1平坦化層41との間の格子ミスフィットが緩和され、さらには、係る格子ミスフィットに起因する歪みエネルギーの蓄積が抑制されてなる。しかも、これらの格子ミスフィット緩和および歪みエネルギー蓄積抑制という効果は、第1平坦化層41の上に第2下地層72第2凹凸層32および第2平坦化層42が積層されてなることによって、さらに強められている。なぜならば、エピタキシャル基板10は、第2下地層27を備えることで、第1平坦化層41と第2平坦化層42の間に、多欠陥含有性層である第2凹凸層32を介在させた構成を有するからである。その結果として、エピタキシャル基板10は、残留応力が少なく、かつクラックフリーで反りが少ないものとなっている。なお、上述した第1凹凸層31についての0002面および10-10面のX線ロッキングカーブ半値幅の範囲は、この結晶粒界による歪みエネルギーの蓄積が、好適に抑制される範囲として定まるものである。ただし、凹凸層3が介在することで、その直上の平坦化層4には、凹凸層3の柱状結晶等の結晶粒界が起点となった多数の転位が伝播している。係る転位の伝播は、異種材料である下地基板1の直上に形成された第1凹凸層31とその直上の第1平坦化層41との間で、特に顕著である。本実施の形態においては、凹凸層3と平坦化層4との界面I1およびI2を上述のように三次元的凹凸面とすることで、係る転位を効果的に低減させてなる。図3は、第1凹凸層31と第1平坦化層41との界面I1の前後の様子を例として、エピタキシャル基板10における転位の消失の様子を、模式的に示す図である。なお、図3においては後述する界面層2を省略している。第1凹凸層31と第1平坦化層41との界面I1が三次元的凹凸面として形成されていることにより、第1凹凸層31で発生した転位dのほとんどは、図3に示すように、第1凹凸層31から第1平坦化層41へと伝播する貫通する際に、界面I1で屈曲される。より具体的には、界面I1のうち下地基板1に略平行な箇所を伝播する転位dd0については第1平坦化層41の上方にまで達しうるが、界面I1のうち下地基板1に対して傾斜している箇所を伝播する転位dd1は、第1平坦化層41の内部において合体消失する。結果として、第1凹凸層31を起点とする転位のうち、第1平坦化層41を貫通してその直上の第2凹凸層32へ伝播する転位はごく一部となる。さらにいえば、第2凹凸層32においても結晶粒界を起点とする転位は存在するが、内在する結晶粒界の数が少ないために、第1凹凸層31に比べるとその数は小さい。それゆえ、第1平坦化層41から伝播する転位と併せても第2凹凸層32を貫通して第2平坦化層42へと伝播する転位は第1平坦化層41に存在する転位よりもさらに少ない。しかも、第2平坦化層42においても図3に示したものと同様のメカニズムにて転位の合体消失が起こるので、第2平坦化層42を貫通してその直上へと伝播する転位はさらに少なくなっている。第2平坦化層42の上にさらに下地層7を形成した場合にはさらなる転位低減の効果が期待される。すなわち、本実施の形態に係るエピタキシャル基板10においては、複数の下地層7を備えることで、その上方への転位の伝播が好適に抑制されたものとなっている。また、図3にその様子を模式的に示すように、第1平坦化層41は、好ましくは、その成長初期こそ第1凹凸層31の表面形状に沿って形成されるものの、成長が進むにつれて徐々にその表面が平坦化されていき、最終的には、10nm以下の表面粗さを有するように形成される。これは、第2平坦化層42についても同様である。なお、本実施の形態において、表面粗さは、AFM原子間力顕微鏡により計測した5μm×5μm領域についての平均粗さraで表すものとする。ちなみに、平坦化層4が、横方向成長が比較的進みやすい、少なくともGaを含む組成のIII族窒化物にて形成されることは、平坦化層4の表面平坦性を良好なものとするうえで好適である。なお、平坦化層4の平均厚みは、40nm以上とするのが好適である。これは、40nmより薄く形成した場合には、凹凸層3に由来する凹凸が十分に平坦化しきれないことや、平坦化層4に伝播した転位の相互合体による消失が十分に起こらない、などの問題が生じるからである。尚、平均厚みが40nm以上となるように形成した場合には、転位密度の低減や表面の平坦化が効果的になされるので、平坦化層4の厚みの上限については特に技術上の制限はないが、生産性の観点からは数μm以下程度の厚みに形成するのが好ましい。上述のような態様にて形成されてなることで、少なくとも最上部の平坦化層4第2平坦化層42の表面近傍はすなわち機能層5あるいは超格子構造層6との界面近傍は、転位密度が好適に低減されてなるとともに良好な結晶品質を有するものとなっている。これにより、機能層5においても良好な結晶品質が得られる。あるいは、平坦化層4および機能層5の組成や形成条件によっては、機能層5を平坦化層4よりも低転位に形成することもできる。例えば、転位密度が約2.5×109/cm2以下であるという、低転位の機能層5を形成することができる。なお、第2下地層72あるいはさらなる下地層7を設けず、第1下地層71のみを形成したエピタキシャル基板の転位密度は、最低でも約5×109/cm2程度であることが、本発明の発明者によって確認されている。MOCVD法によりサファイア基板またはSiC基板上に低温GaNバッファ層などを介して同じ総膜厚のIII族窒化物層群を形成した場合の転位密度の値は、おおよそ5×108~1×1010/cm2の範囲であるので、上述の結果は、サファイア基板を用いた場合と同等の品質を有するエピタキシャル基板が、サファイア基板よりも安価な単結晶シリコンウェハーを下地基板1として用いて実現されたことを意味している。<界面層>上述のように、エピタキシャル基板10は、下地基板1と第1下地層71の間により具体的には第1凹凸層31との間に界面層2を備える態様であってもよい。界面層2は、数nm程度の厚みを有し、アモルファスのSiAlxOyNzからなるのが好適な一例である。下地基板1と第1凹凸層31との間に界面層2を備える場合、下地基板1と第1平坦化層41などとの格子ミスフィットがより効果的に緩和され、それぞれの平坦化層4および機能層5の結晶品質がさらに向上する。すなわち、界面層2を備える場合には、第1凹凸層31であるAlN層が、界面層2を備えない場合と同様の凹凸形状を有しかつ界面層2を備えない場合よりも内在する結晶粒界が少なくなるように形成される。特に0002面でのX線ロッキングカーブ半値幅の値が改善された第1凹凸層31が得られる。これは、下地基板1の上に直接に第1凹凸層31を形成する場合に比して、界面層2の上に第1凹凸層3を1形成する場合の方が第1凹凸層31となるAlNの核形成が進みにくく、結果的に、界面層2が無い場合に比べて横方向成長が促進されることによる。なお、界面層2の膜厚は5nmを超えない程度で形成される。このような界面層2を備えた場合、第1凹凸層31を、0002面のX線ロッキングカーブ半値幅が、0.5度以上0.8度以下の範囲となるように形成することができる。この場合、転位密度が約1.5×109/cm2以下であるという、さらに低転位の機能層5を形成することができる。なお、界面層2を設ける一方で、第2下地層72あるいはさらなる下地層7を設けず、第1下地層71のみを形成したエピタキシャル基板の転位密度は、最低でも約3×109/cm2程度であることが、本発明の発明者によって確認されている。なお、第1凹凸層31の形成時に、Si原子とO原子の少なくとも一方が第1凹凸層31に拡散固溶してなる態様や、N原子とO原子の少なくとも一方が下地基板1に拡散固溶してなる態様であってもよい。<超格子構造層>上述のように、エピタキシャル基板10は、平坦化層4と機能層5の間に超格子構造層6を備える態様であってもよい。図1に示す例であれば、超格子構造層6は、第2平坦化層42の上に、相異なる組成の2種類のIII族窒化物層である第1単位層6aと第2単位層6bとを繰り返し交互に積層することにより形成されてなる。ここで、1つの第1単位層6aと1つの第2単位層6bとの組をペア層とも称する。エピタキシャル基板10においては、下地基板1である単結晶シリコンウェハーとIII族窒化物との間に熱膨張係数の値に大きな差異があることに起因して、平坦化層4の面内方向に歪が生じているが、超格子構造層6は、係る歪みを緩和して機能層5への歪の伝播を抑制する作用を有している。超格子構造層6は、エピタキシャル基板10において必須の構成要素ではないが、超格子構造層6を備えることで、エピタキシャル基板10におけるIII族窒化物層群の総膜厚が増加し、結果として、半導体素子における耐電圧が向上するという効果が得られる。なお、平坦化層4と機能層5の間に超格子構造層6を介在させたとしても、形成条件が好適に設定されていれば、機能層5の結晶品質は十分良好な程度に超格子構造層6を有さない場合と同程度に確保される。図1に示すHEMT素子用のエピタキシャル基板10の場合であれば、超格子構造層6は、第1単位層6aをGaNにて数十nm程度の厚みに形成し、第2単位層6bをAlNにて数nm程度の厚みに形成するのが好適な一例である。なお、図1においては、ペア層を15回繰り返し形成した場合を例示している。平坦化層4に内在する歪が十分に開放される程度にペア層の形成を繰り返したうえで、機能層5を形成することで、下地基板1とIII族窒化物層群との熱膨張係数の差に起因するクラックや反りの発生が好適に抑制された、エピタキシャル基板10が実現される。換言すれば、超格子構造層6は、エピタキシャル基板10において、機能層5に対する歪の伝播を緩和する歪緩和能を有してなるといえる。係る超格子構造層6を備えたエピタキシャル基板10は、クラックの発生がより好適に抑制されたものとなっている。<機能層の具体的態様>図1においては、エピタキシャル基板10がHEMT素子の基板として用いられる場合を想定して、機能層5として、高抵抗のGaNからなるチャネル層5aと、AlNからなるスペーサ層5bと、AlGaNやInAlNなどからなる障壁層5cとが形成される場合を例示している。チャネル層5aは数μm程度の厚みに形成されるのが好適である。スペーサ層5bは1nm程度の厚みに形成されるのが好適である。ただし、HEMT素子を構成するにあたってスペーサ層5bは必須の構成要素ではない。障壁層5cは、数十nm程度の厚みに形成されるのが好適である。係る層構成を有することにより、チャネル層5aの障壁層5cあるいはスペーサ層5bとのヘテロ接合界面近傍には、自発分極効果やピエゾ分極効果などによって二次元電子ガス領域が形成される。あるいは、エピタキシャル基板10がショットキーダイオードの基板として用いられる場合であれば、機能層5として、1つのIII族窒化物層例えばGaN層が形成される。さらに、エピタキシャル基板10が発光ダイオードの基板として用いられる場合であれば、機能層5として、n型窒化物層例えばGaN層、目標とする発光波長に応じた組成比で構成されるInAlGaN混晶からなる発光層、p型窒化物層例えばGaN層などが形成される。以上のような構成を有するエピタキシャル基板10を用いることで、サファイア基板またはSiC基板の上にIII族窒化物層群を形成した半導体素子例えばショットキーダイオードやHEMT素子などと同程度の特性を有する半導体素子が、より安価に実現される。例えば、機能層5をGaNにて形成したエピタキシャル基板10の上にアノードとカソードとを配置した同心円型ショットキーダイオードにおいては、小さいリーク電流と高い耐電圧とが実現される。あるいは、HEMT素子に適用しうるように機能層5をAlGaN/GaN積層構造として構成した場合であれば、結晶品質に優れ、電子移動度が高い機能層5が得られる。<エピタキシャル基板の製造方法>次に、MOCVD法を用いる場合を例として、エピタキシャル基板10を製造する方法について概説する。まず、下地基板1として111面の単結晶シリコンウェハーを用意し、希フッ酸洗浄により自然酸化膜を除去し、さらにその後、SPM洗浄を施してウェハー表面に厚さ数Å程度の酸化膜が形成された状態とする。これをMOCVD装置のリアクタ内にセットする。そして所定の加熱条件とガス雰囲気のもとで各層を形成する。まず、AlNからなる第1凹凸層31は、基板温度を800°C以上、1200°C以下の所定の凹凸層形成温度に保ち、リアクタ内圧力成長圧力とも称するを0.1kPa~30kPa程度とした状態で、アルミニウム原料であるTMAトリメチルアルミニウムバブリングガスとNH3ガスとを適宜のモル流量比にてリアクタ内に導入し、成膜速度を20nm/min以上とすることによって、形成させることができる。第1凹凸層31は、平均膜厚が40nm以上200nm以下の範囲をみたすように形成される。なお、シリコンウェハーが凹凸層形成温度に達した後、第1凹凸層31の形成に先立って、TMAバブリングガスのみをリアクタ内に導入し、ウェハーをTMAバブリングガス雰囲気に晒すようにした場合には、SiAlxOyNzからなる界面層2が形成される。第1平坦化層41の形成は、第1凹凸層31の形成後、基板温度を800°C以上1200°C以下の所定の平坦化層形成温度に保ち、リアクタ内圧力を0.1kPa~100kPaとした状態で、ガリウム原料であるTMGトリメチルガリウムバブリングガスとNH3ガスとを、あるいはさらに、TMAバブリングガスを、作製しようとする第1平坦化層41の組成に応じた所定の流量比にてリアクタ内に導入し、NH3とTMA、およびTMGの少なくとも1つを反応させることにより実現される。第2凹凸層32の形成は、リアクタ内圧力を20kPa以上とし、平均膜厚が50nm以上100nm以下の範囲をみたすようにするほかは、第1凹凸層31の形成と同様に行えばよい。なお、リアクタ内圧力を20kPaよりも小さくした場合には、界面I2が三次元的凹凸面とならないために、第2凹凸層32を好適に形成することが出来ない。第2平坦化層42の形成は、第1平坦化層41と同様の形成条件を設定することによって行える。また、第2平坦化層42の上に凹凸層3と平坦化層4とをさらに積層する場合の形成条件は、第2凹凸層32および第2平坦化層42の形成条件と同じとすればよい。このことは、第2下地層72の上に形成される下地層7についても、実質的に第2下地層72と同様の態様にて形成されることを意味する。換言すれば、エピタキシャル基板10は、1つの第1下地層71の上に、少なくとも1つの第2下地層72を積層してなる構成を有するものともいえる。超格子構造層6の形成は、最上部の平坦化層4の形成後、基板温度を800°C以上1200°C以下の所定の超格子構造層形成温度に保ち、リアクタ内圧力を0.1kPa~100kPaとした状態で、第1単位層6aと第2単位層6bの組成および膜厚に応じてリアクタ内に導入するNH3ガスとIII族窒化物原料ガスTMIトリメチルインジウム、TMA、TMGのバブリングガスとの流量比を交互に変化させることにより行う。機能層5の形成は、超格子構造層6の形成後、基板温度を800°C以上1200°C以下の所定の機能層形成温度に保ち、リアクタ内圧力を0.1kPa~100kPaとした状態で、TMIバブリングガス、TMAバブリングガス、あるいはTMGバブリングガスの少なくとも1つとNH3ガスとを、作製しようとする機能層5の組成に応じた流量比にてリアクタ内に導入し、NH3とTMI,TMA、およびTMGの少なくとも1つとを反応させることにより実現される。図1のように、機能層5を組成の異なる複数の層から構成する場合は、それぞれの層組成に応じた作製条件が適用される。実施例1本実施例では、第2下地層72の形成条件を違えた12種のエピタキシャル基板10試料No.a-1~a-12を作製し、機能層5の外観検査クラック発生有無の検査と転位密度の評価とを行った。具体的には、第2下地層72を形成しないエピタキシャル基板10試料NO.a-1と、第2凹凸層32の厚みおよび形成圧力と第2平坦化層42におけるAlモル分率yy2の値とを種々に違えた11種のエピタキシャル基板10試料No.a-2~a-12とを作製した。ただし、いずれの試料においても、界面層2および超格子構造層6の形成は省略した。表1に、それぞれの試料に固有の第2下地層72第2凹凸層32および第2平坦化層42の形成条件およびそれぞれの評価結果を示している。まず、下地基板1として111面の、直径4インチ、厚み525μmである単結晶シリコンウェハー以下、シリコンウェハーを用意した。用意したシリコンウェハーに、フッ化水素酸/純水=1/10体積比なる組成の希フッ酸による希フッ酸洗浄と硫酸/過酸化水素水=1/1体積比なる組成の洗浄液によるSPM洗浄とを施して、ウェハー表面に厚さ数Åの酸化膜が形成された状態とし、これをMOCVD装置のリアクタ内にセットした。次いで、リアクタ内を水素窒素混合雰囲気とし、基板温度が凹凸層形成温度である1050°Cとなるまで加熱した。基板温度が1050°Cに達すると、リアクタ内にNH3ガスを導入し、1分間、基板表面をNH3ガス雰囲気に晒した。その後、リアクタ内圧力を10kPaとし、TMAバブリングガスを所定の流量比にてリアクタ内に導入し、NH3とTMAを反応させることによって表面が三次元的凹凸形状を有する第1凹凸層31を形成した。その際、第1凹凸層31の成長速度成膜速度は20nm/minとし、目標平均膜厚は40nmとした。第1凹凸層3が形成されると、続いて、基板温度を1050°Cに保ったまま、リアクタ内圧力を20kPaとして、TMGバブリングガスをリアクタ内にさらに導入し、NH3とTMAならびにTMGとの反応により、第1平坦化層41としてのAl03Ga07N層を平均膜厚が50nm程度となるように形成した。第1平坦化層41が形成されると、第2下地層72を形成しない試料a-1を除き、目標平均膜厚およびリアクタ内圧力をそれぞれの試料に応じて違えた他は、第1凹凸層31と同じ条件とすることにより、表面が三次元的凹凸形状を有する第2凹凸層32を形成した。なお、目標平均膜厚は、50nm、75nm、100nm、200nmの4水準で違えた。また、リアクタ内圧力は、10kPa、20kPa、30kPa、40kPaの4水準に違えた。続けて、第1平坦化層41と同じ作製条件で第2平坦化層42を形成した。ただし、Alモル分率yy2の値は、0.05、0.1、0.2、0.3の4水準に違えた。次いで、基板温度を1050°Cとし、リアクタ内圧力を30kPaとして、TMGとNH3を反応させて機能層5としてのGaN層を800nmの厚さで形成した。これによりそれぞれのエピタキシャル基板10が得られた。得られたそれぞれのエピタキシャル基板10について、目視および顕微鏡にて外観検査を行ったところ、いずれの試料においてもGaN層機能層5にクラックは確認されなかった。また、それぞれのエピタキシャル基板10のGaN層機能層5について、転位密度を測定した。表1に示すように、第2下地層72を設けていない試料a-1の転位密度は、5.7×109/cm2であった。一方、第2下地層72を設けた試料のうち、a-3~a-5、およびa-8~a-11の転位密度は1.9×109/cm2~2.3×109/cm2と試料a-1の1/2程度となった。これに対して、第2凹凸層32の平均膜厚を40nmとした試料a-2、第2凹凸層32の平均膜厚を200nmとした試料a-6、第2凹凸層32の成長圧力を10kPaとした試料a-7、および第2平坦化層42のAlモル分率yy2を0.3とした試料a-12の転位密度は、最低でも3.9×1019/cm2であり、前者との間には10オーダー以上もの開きがあった。実施例2界面層2を設けるようにした他は、実施例1と同様の条件および手順で、12種のエピタキシャル基板10試料名b-1~b-12を作製した。具体的には、基板温度が凹凸層形成温度である1050°Cに達した地点で、リアクタ内にNH3ガスを導入して、1分間、基板表面をNH3ガス雰囲気に晒した後、実施例1とは異なり、NH3ガス供給をいったん停止し、代わってTMAバブリングガスをリアクタ内に導入し1分間TMAバブリングガス雰囲気に晒すようにした。その後、NH3ガスを再びリアクタ内に導入し、以降、実施例1と同様に各層を形成した。表2に、それぞれの試料に固有の第2下地層72第2凹凸層32および第2平坦化層42の形成条件およびそれぞれの評価結果を示している。第1凹凸層31までを形成した試料について、TEMおよびHAADF像による構造分析、さらにSIMS、およびEDSエネルギー分散型X線分光装置による組成分析を行った結果、AlN/Si界面に3nm程度の膜厚でSiAlxOyNz単にSiAlONとも記すからなるアモルファス状の界面層2が形成されていること、該界面層2の上に第1凹凸層31たるAlN層が三次元的な表面凹凸形状を有する態様にて堆積されていること、シリコンウェハー中にN、Oが拡散固溶していること、およびAlN層中にSi、Oが拡散固溶していることが確認された。最終的に得られたそれぞれのエピタキシャル基板10について、目視および顕微鏡にて外観検査を行ったところ、いずれの試料においてもGaN層機能層5にクラックは確認されなかった。また、それぞれのエピタキシャル基板10のGaN層機能層5について、転位密度を測定した。表2に示すように、第2下地層72を設けていない試料b-1の転位密度は、2.9×109/cm2であった。また、実施例1において低い転位密度が実現された条件と同じ条件にて第2下地層72が形成された試料b-3~b-5、およびb-8~b-11の転位密度は1.0×109/cm2~1.2×109/cm2と、試料b-1の1/3程度となった。これに対して、実施例1において高い転位密度しか得られなかった条件で第2下地層72を形成した試料b-2、b-6、b-7、およびb-12の転位密度は、最低でも2.8×1019/cm2であり、前者との間には10オーダー以上もの開きがあった。実施例1および実施例2の結果は、第2凹凸層32の平均膜厚を50nm以上100mn以下とし、第2平坦化層42のAlモル分率yy2を0.2以下とすることで、転位密度が好適に低減された機能層を備えたエピタキシャル基板10が実現できること、係るエピタキシャル基板10の作製は、第2凹凸層32の成長圧力を20kPa以上とすることで実現されること、さらには、界面層2を設けることで、より転位密度が低減されることを示している。"