"ドナー元素及び酸化銀を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有するn型拡散層形成組成物。前記ドナー元素が、Pリン及びSbアンチモンから選択される少なくとも1種である請求項1に記載のn型拡散層形成組成物。前記ドナー元素及び酸化銀を含むガラス粉末が、P2O3、P2O5及びSb2O3から選択される少なくとも1種のドナー元素含有物質と、AgOと、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、及びMoO3から選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有する請求項1又は請求項2に記載のn型拡散層形成組成物。半導体基板上に、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のn型拡散層形成組成物を塗布する工程と、熱拡散処理を施す工程と、を有するn型拡散層の製造方法。半導体基板上に、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のn型拡散層形成組成物を塗布する工程と、熱拡散処理を施してn型拡散層を形成する工程と、形成されたn型拡散層上に電極を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。前記n型拡散層を形成する工程と、前記電極を形成する工程との間で、前記n型拡散層上に形成したガラス層の除去を行わない、または前記ガラス層の一部を除去する請求項5に記載の太陽電池素子の製造方法。上述のように、n型拡散層形成の際、オキシ塩化リンを用いた気相反応では、本来n型拡散層が必要となる片面通常は受光面、または表面のみならず、もう一方の面非受光面、または裏面や側面にもn型拡散層が形成されてしまう。また、リン酸塩を含有する溶液を塗布して熱拡散させる方法でも、気相反応法と同様、表面以外にもn型拡散層が形成されてしまう。そのため、素子としてpn接合構造を有するためには、側面においてはエッチングを行い、裏面においてはn型拡散層をp型拡散層へ変換しなければならない。一般には、裏面に第13族元素であるアルミニウムのペーストを塗布、焼成し、n型拡散層をp型拡散層へ変換している。また、従来の気相反応法やリン酸塩含有の溶液を塗布する方法においても、n型拡散層の上にガラス層が形成される。n型拡散層の上にガラス層を介して電極を形成すると、ガラス層の電気抵抗により電極とn型拡散層間のオーミックコンタクトが阻害されるため、生成したガラス層をエッチングにより除去する工程が必要となっている。本発明は、以上の従来の問題点に鑑みなされたものであり、シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、不要な領域にn型拡散層を形成させることなく特定の部分にn型拡散層を形成することが可能で、工程を簡略化しても充分なオーミックコンタクトが得られるn型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供を課題とする。前記課題を解決する手段は以下の通りである。<1>ドナー元素及び酸化銀を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有するn型拡散層形成組成物。<2>前記ドナー元素が、Pリン及びSbアンチモンから選択される少なくとも1種である前記<1>に記載のn型拡散層形成組成物。<3>前記ドナー元素及び酸化銀を含むガラス粉末が、P2O3、P2O5及びSb2O3から選択される少なくとも1種のドナー元素含有物質と、AgOと、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、及びMoO3から選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有する前記<1>又は<2>に記載のn型拡散層形成組成物。<4>半導体基板上に、前記<1>~<3>のいずれか1項に記載のn型拡散層形成組成物を塗布する工程と、熱拡散処理を施す工程と、を有するn型拡散層の製造方法。<5>半導体基板上に、前記<1>~<3>のいずれか1項に記載のn型拡散層形成組成物を塗布する工程と、熱拡散処理を施してn型拡散層を形成する工程と、形成されたn型拡散層上に電極を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。<6>前記n型拡散層を形成する工程と、前記電極を形成する工程との間で、前記n型拡散層上に形成したガラス層の除去を行わない、または前記ガラス層の一部を除去する前記<5>に記載の太陽電池素子の製造方法。本発明によれば、シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、不要な領域にn型拡散層を形成させることなく特定の部分にn型拡散層を形成することが可能となり、また工程を簡略化しても充分なオーミックコンタクトが得られる。まず、本発明のn型拡散層形成組成物について説明し、次にn型拡散層形成組成物を用いるn型拡散層及び太陽電池素子の製造方法について説明する。尚、本明細書において工程との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また本明細書において~は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示すものとする。本発明のn型拡散層形成組成物は、少なくともドナー元素と酸化銀を含むガラス粉末以下、単にガラス粉末と称する場合があると、分散媒と、を含有し、更に塗布性などを考慮してその他の添加剤を必要に応じて含有してもよい。ここで、n型拡散層形成組成物とは、ドナー元素及び酸化銀を含むガラス粉末を含有し、シリコン基板に塗布した後にこのドナー元素を熱拡散することでn型拡散層を形成することが可能な材料をいう。本発明のn型拡散層形成組成物を用いることで、所望の部位にn型拡散層が形成され、裏面や側面には不要なn型拡散層が形成されない。したがって、本発明のn型拡散層形成組成物を適用すれば、従来広く採用されている気相反応法では必須のサイドエッチング工程が不要となり、工程が簡易化される。また、裏面に形成されたn型拡散層をp型拡散層へ変換する工程も不要となる。そのため、裏面のp型拡散層の形成方法や、裏面電極の材質、形状及び厚さが制限されず、適用する製造方法や材質、形状の選択肢が広がる。また詳細は後述するが、裏面電極の厚さに起因したシリコン基板内の内部応力の発生が抑えられ、シリコン基板の反りも抑えられる。また、ガラス粉末中のドナー成分は焼成中でも揮散しにくいため、揮散ガスの発生によって表面のみでなく裏面や側面にまでn型拡散層が形成されるということが抑制される。この理由として、ドナー成分がガラス粉末中の元素と結合しているか、又はガラス中に取り込まれているため、揮散しにくいものと考えられる。このように、本発明のn型拡散層形成組成物は、所望の部位に所望の濃度のn型拡散層を形成することが可能であることから、n型ドーパント濃度の高い選択的な領域を形成することが可能となる。一方、n型拡散層の一般的な方法である気相反応法や、リン酸塩含有溶液を用いる方法によってn型ドーパント濃度の高い選択的な領域を形成することは一般的には困難である。なお、本発明のn型拡散層形成組成物に含有されるガラス粉末は焼成により溶融し、n型拡散層の上にガラス層を形成する。従来の気相反応法やリン酸塩含有の溶液を塗布する方法においてもn型拡散層の上にガラス層が生成するため、生成したガラス層はエッチングにより除去し、その後、n型拡散層上に電極を形成している。ここで本発明では、酸化銀を含有するガラス粉末を用いる。この酸化銀は、熱拡散処理工程を経て、n型拡散層の上に形成されたガラス層中に銀粒子として析出する。この銀粒子がガラス層中に分布することで、ガラス層自体の導電性を高めることができる。その結果、n型拡散層上に電極を形成する前のエッチング工程によりガラス層を除去しなくとも、電極とシリコン基板間に良好なオーミックコンタクトを形成することができる。そのため、本発明によればガラス層のエッチング工程を省いた場合でも、電極とn型拡散層間のオーミックコンタクトが充分なものとなる。次に、本発明に係るドナー元素及び酸化銀を含むガラス粉末について、詳細に説明する。ドナー元素とは、シリコン基板中にドーピングさせることによってn型拡散層を形成することが可能な元素である。ドナー元素としては第15族の元素が使用でき、例えばPリン、Sbアンチモン、Biビスマス、Asヒ素等が挙げられる。安全性、ガラス化の容易さ等の観点から、P又はSbが好適である。ガラス粉末は、必要に応じて成分比率を調整することによって、溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、化学的耐久性等を制御することが可能である。ドナー元素をガラス粉末に導入するために用いるドナー元素含有物質としては、P2O3、P2O5、Sb2O3、Bi2O3及びAs2O3が挙げられ、P2O3、P2O5及びSb2O3から選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。ガラス粉末中のドナー元素含有物質の含有比率は、溶融温度、軟化温度、ドナー元素のドーピング挙動、化学的耐久性を考慮して適宜設定することが望ましく、一般には、1質量以上90質量以下であることが好ましく、3質量以上80質量以下であることがより好ましい。ガラス粉末中の酸化銀の含有比率は、銀粒子の析出量、溶融温度、軟化温度、化学的耐久性を考慮して適宜設定することが望ましく、一般には1質量以上75質量以下であることが好ましく、3質量以上70質量以下であることがより好ましい。また、ガラス粉末中において、ドナー元素含有物質に対する酸化銀の含有率は、銀粒子の析出量、溶融温度、軟化温度、化学的耐久性を考慮して適宜設定することが望ましく、一般には2質量以上200質量以下であることが好ましく、5質量以上150質量以下であることがより好ましい。また、ガラス粉末は、更に以下に記すガラス成分物質を含むことが好ましい。ガラス成分物質としては、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、WO3、MoO3、MnO、La2O3、Nb2O5、Ta2O5、Y2O3、TiO2、ZrO2、GeO2、TeO2及びLu2O3等が挙げられ、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、及びMoO3から選択される少なくとも1種を用いることが、好ましい。ドナー元素及び酸化銀を含むガラス粉末の具体例としては、前記ドナー元素含有物質と酸化銀と前記ガラス成分物質とを含む系が挙げられ、P2O5-AgO-SiO2系ドナー元素含有物質-酸化銀-ガラス成分物質の順で記載、以下同様、P2O5-AgO-K2O系、P2O5-AgO-Na2O系、P2O5-AgO-Li2O系、P2O5-AgO-BaO系、P2O5-AgO-SrO系、P2O5-AgO-CaO系、P2O5-AgO-MgO系、P2O5-AgO-BeO系、P2O5-AgO-ZnO系、P2O5-AgO-CdO系、P2O5-AgO-PbO系、P2O5-AgO-V2O5系、P2O5-AgO-SnO系、P2O5-AgO-GeO2系、P2O5-AgO-TeO2系等のドナー元素含有物質としてP2O5を含む系、前記のP2O5を含む系のP2O5の代わりにドナー元素含有物質としてSb2O3を含む系のガラス粉末が挙げられる。なお、P2O5-AgO-Sb2O3系、P2O5-AgO-As2O3系等のように、2種類以上のドナー元素含有物質を含むガラス粉末でもよい。また、ガラス成分物質を含まないP2O5-AgO系、Sb2O3-AgO系等のガラス粉末でもよい。上記では3成分を含む複合ガラスを例示したが、P2O5-AgO-SiO2-V2O5、P2O5-AgO-SiO2-CaO等、必要に応じて4種類以上の成分を含むガラス粉末でもよい。ガラス粉末中の前記ガラス成分物質の含有比率は、溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、化学的耐久性を考慮して適宜設定することが望ましく、一般には、0.1質量以上95質量以下であることが好ましく、0.5質量以上90質量以下であることがより好ましい。具体的には、例えば、P2O5-AgO-ZnO系のガラス粉末の場合には、ZnOの含有比率は、1質量以上50質量以下であることが好ましく、3質量以上40質量以下であることがより好ましい。ガラス粉末の軟化温度は、拡散処理時の拡散性、液だれの観点から、200°C~1000°Cであることが好ましく、300°C~900°Cであることがより好ましい。ガラス粉末の形状としては、略球状、扁平状、ブロック状、板状及び鱗片状等が挙げられ、n型拡散層形成組成物とした場合の基板への塗布性や均一拡散性の点から、略球状、扁平状又は板状であることが望ましい。ガラス粉末の粒径は、100μm以下であることが望ましい。100μm以下の粒径を有するガラス粉末を用いた場合には、平滑な塗膜が得られやすい。更に、ガラス粉末の粒径は50μm以下であることがより望ましい。なお、下限は特に制限されないが、0.01μm以上であることが好ましい。ここで、ガラスの粒径は、平均粒子径を表し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。ドナー元素及び酸化銀を含むガラス粉末は、以下の手順で作製される。最初に原料、例えば、前記ドナー元素含有物質と酸化銀と前記ガラス成分物質とを秤量し、るつぼに充填する。るつぼの材質としては白金、白金―ロジウム、金、イリジウム、アルミナ、石英、炭素等が挙げられるが、溶融温度、雰囲気、溶融物質との反応性等を考慮して適宜選ばれる。次に、電気炉でガラス組成に応じた温度で加熱し融液とする。このとき融液が均一となるよう攪拌することが望ましい。続いて得られた融液をジルコニア基板やカーボン基板等の上に流し出して融液をガラス化する。最後にガラスを粉砕し粉末状とする。粉砕にはジェットミル、ビーズミル、ボールミル等公知の方法が適用できる。n型拡散層形成組成物中のドナー元素及び酸化銀を含むガラス粉末の含有比率は、塗布性、ドナー元素の拡散性等を考慮し決定される。一般には、n型拡散層形成組成物中のガラス粉末の含有比率は、0.1質量以上95質量以下であることが好ましく、1質量以上90質量以下であることがより好ましい。次に、分散媒について説明する。分散媒とは、組成物中において上記ガラス粉末を分散させる媒体である。具体的に分散媒としては、バインダーや溶剤などが採用される。バインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド類、ポリビニルアミド類、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド類、ポリスルホン酸、アクリルアミドアルキルスルホン酸、セルロースエーテル類、セルロース誘導体、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース、ゼラチン、澱粉及び澱粉誘導体、アルギン酸ナトリウム類、キサンタン、グア及びグア誘導体、スクレログルカン及びスクレログルカン誘導体、トラガカント及びトラガカント誘導体、デキストリン及びデキストリン誘導体、メタアクリル酸樹脂、メタアクリル酸エステル樹脂例えば、アルキルメタアクリレート樹脂、ジメチルアミノエチルメタアクリレート樹脂等、ブタジエン樹脂、スチレン樹脂、又はこれらの共重合体、他にも、シロキサン樹脂を適宜選択しうる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。バインダーの分子量は特に制限されず、組成物としての所望の粘度を鑑みて適宜調整することが望ましい。溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-iso-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン等のケトン系溶剤;ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル-n-プロピルエーテル、ジ-iso-プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル等のエーテル系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸2-2-ブトキシエトキシエチル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン等のエステル系溶剤;アセトニトリル、N-メチルピロリジノン、N-エチルピロリジノン、N-プロピルピロリジノン、N-ブチルピロリジノン、N-ヘキシルピロリジノン、N-シクロヘキシルピロリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤;メタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、n-ブタノール、i-ブタノール、sec-ブタノール、t-ブタノール、n-ペンタノール、i-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、t-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のアルコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールモノエーテル系溶剤;α-テルピネン、α-テルピネオール、ミルセン、アロオシメン、リモネン、ジペンテン、α-ピネン、β-ピネン、ターピネオール、カルボン、オシメン、フェランドレン等のテルペン系溶剤;水等が挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。n型拡散層形成組成物中の分散媒の含有比率は、塗布性、ドナー濃度を考慮し決定される。n型拡散層形成組成物の粘度は、塗布性を考慮して、10mPas以上1000000mPas以下であることが好ましく、50mPas以上500000mPas以下であることがより好ましい。次に、本発明のn型拡散層及び太陽電池素子の製造方法について、図1を参照しながら説明する。図1は、本発明の太陽電池素子の製造工程の一例を概念的に表す模式断面図である。以降の図面においては、共通する構成要素に同じ符号を付す。図11では、p型半導体基板10であるシリコン基板にアルカリ溶液を付与してダメージ層を除去し、テクスチャー構造をエッチングにて得る。詳細には、インゴットからスライスした際に発生するシリコン表面のダメージ層を20質量苛性ソーダで除去する。次いで1質量苛性ソーダと10質量イソプロピルアルコールの混合液によりエッチングを行い、テクスチャー構造を形成する図中ではテクスチャー構造の記載を省略する。太陽電池素子は、受光面表面側にテクスチャー構造を形成することにより、光閉じ込め効果が促され、高効率化が図られる。図12では、p型半導体基板10の表面すなわち受光面となる面に、上記n型拡散層形成組成物を塗布して、n型拡散層形成組成物層11を形成する。本発明では、塗布方法には制限がないが、例えば、印刷法、スピン法、刷毛塗り、スプレー法、ドクターブレード法、ロールコーター法、インクジェット法が挙げられる。上記n型拡散層形成組成物の塗布量としては特に制限は無いが、例えば、ガラス粉末量として0.01g/m2~100g/m2とすることができ、0.1g/m2~10g/m2であることが好ましい。なお、n型拡散層形成組成物の組成によっては、塗布後に、組成物中に含まれる溶剤を揮発させるための乾燥工程が必要な場合がある。この場合には、80°C~300°C程度の温度で、ホットプレートを使用する場合は1分~10分、乾燥機などを用いる場合は10分~30分程度で乾燥させる。この乾燥条件は、n型拡散層形成組成物の溶剤組成に依存しており、本発明では特に上記条件に限定されない。また、本発明の製造方法を用いる場合には、裏面のp型拡散層高濃度電界層14の製造方法はアルミニウムによるn型拡散層からp型拡散層への変換による方法に限定されることなく、従来公知のいずれの方法も採用でき、製造方法の選択肢が広がる。したがって、例えば、Bボロンなどの第13族の元素を含む組成物13を付与し、高濃度電界層14を形成することができる。前記Bボロン等の第13族の元素を含む組成物13としては、例えば、ドナー元素を含むガラス粉末の代わりにアクセプタ元素を含むガラス粉末を用いて、n型拡散層形成組成物と同様にして構成されるp型拡散層形成組成物を挙げることができる。アクセプタ元素は第13族の元素であればよく、例えば、Bボロン、Alアルミニウム及びGaガリウム等を挙げることができる。またアクセプタ元素を含むガラス粉末はB2O3、Al2O3及びGa2O3から選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。さらにp型拡散層形成組成物をシリコン基板の裏面に付与する方法は、既述のn型拡散層形成組成物をシリコン基板上に塗布する方法と同様である。裏面に付与されたp型拡散層形成組成物を、後述するn型拡散層形成組成物における熱拡散処理と同様に熱拡散処理することで、裏面に高濃度電界層14を形成することができる。尚、p型拡散層形成組成物の熱拡散処理は、n型拡散層形成組成物の熱拡散処理と同時に行なうことが好ましい。次いで、上記n型拡散層形成組成物層11を形成した半導体基板10を、600°C~1200°Cで熱拡散処理する。この熱拡散処理により、図13に示すように半導体基板中へドナー元素が拡散し、n型拡散層12が形成される。熱拡散処理には公知の連続炉、バッチ炉等が適用できる。また、熱拡散処理時の炉内雰囲気は、空気、酸素、窒素等に適宜調整することもできる。熱拡散処理時間は、n型拡散層形成組成物に含まれるドナー元素の含有率に応じて適宜選択することができる。例えば、1分間~60分間とすることができ、2分間~30分間であることがより好ましい。形成されたn型拡散層12の表面には、リン酸ガラスなどのガラス層不図示が形成されているため、通常の方法ではこのリン酸ガラスをエッチングにより除去する。エッチングとしては、フッ酸等の酸に浸漬する方法、苛性ソーダ等のアルカリに浸漬する方法など公知の方法が適用できる。ここで、本発明によれば、n型拡散層12表面のガラス層には銀粒子が析出しており、ガラス層自体が高い導電性を示している。従って、前記エッチングを行わずに次の工程反射防止膜の形成に進めることもできる。またはガラス層を完全に除去せずに、一部残して次の工程に進めることもできる。前記エッチング工程の有無、更にエッチングの程度については、形成したガラス層の厚さや銀粒子の析出量、ガラス層の導電率などを考慮し、適宜選択することができる。したがって本発明の製造方法によれば、ガラス層のエッチング工程が不要となり、或いは完全にガラス層を除去するまでのエッチングが要求されず、工程が簡易化される。図12及び3に示される、本発明のn型拡散層形成組成物11を用いてn型拡散層12を形成する本発明のn型拡散層の形成方法では、所望の部位にn型拡散層12が形成され、裏面や側面には不要なn型拡散層が形成されない。したがって、従来広く採用されている気相反応法によりn型拡散層を形成する方法では、側面に形成された不要なn型拡散層を除去するためのサイドエッチング工程が必須であったが、本発明の製造方法によれば、サイドエッチング工程が不要となり、工程が簡易化される。また、従来の製造方法では、裏面に形成された不要なn型拡散層をp型拡散層へ変換する必要があり、この変換方法としては、裏面のn型拡散層に、第13族元素であるアルミニウムのペーストを塗布、焼成し、n型拡散層にアルミニウムを拡散させてp型拡散層へ変換する方法が採用されている。この方法においてp型拡散層への変換を充分なものとし、更にp型拡散層の高濃度電界層を形成するためには、ある程度以上のアルミニウム量が必要であることから、アルミニウム層を厚く形成する必要があった。しかしながら、アルミニウムの熱膨張率は、基板として用いるシリコンの熱膨張率と大きく異なることから、焼成及び冷却の過程でシリコン基板中に大きな内部応力を発生させ、シリコン基板の反りの原因となっていた。この内部応力は、結晶の結晶粒界に損傷を与え、電力損失が大きくなるという課題があった。また、反りは、モジュール工程における太陽電池素子の搬送や、タブ線と呼ばれる導線との接続において、素子を破損させ易くしていた。近年では、スライス加工技術の向上から、シリコン基板の厚みが薄型化されつつあり、更に素子が割れ易い傾向にある。しかし本発明の製造方法によれば、裏面に不要なn型拡散層が形成されないことから、n型拡散層からp型拡散層への変換を行う必要がなくなり、アルミニウム層を厚くする必然性がなくなる。その結果、シリコン基板内の内部応力の発生や反りを抑えることができる。結果として、電力損失の増大や、素子の破損を抑えることが可能となる。また、本発明の製造方法を用いる場合には、裏面のp型拡散層高濃度電界層14の製造方法はアルミニウムによるn型拡散層からp型拡散層への変換による方法に限定されることなく、いずれの方法も採用でき、製造方法の選択肢が広がる。例えば、ドナー元素を含むガラス粉末の代わりにアクセプタ元素を含むガラス粉末を用いて、n型拡散層形成組成物と同様にして構成されるp型拡散層形成組成物を、シリコン基板の裏面n型拡散層形成組成物を塗布した面とは反対側の面に塗布し、焼成処理することで、裏面にp型拡散層高濃度電界層14を形成してもよい。また後述するように、裏面の表面電極20に用いる材料は第13族のアルミニウムに限定されず、例えばAg銀やCu銅などを適用することができ、裏面の表面電極20の厚さも従来のものよりも薄く形成することが可能となる。図14では、n型拡散層12の上に反射防止膜16を形成する。反射防止膜16は公知の技術を適用して形成される。例えば、反射防止膜16がシリコン窒化膜の場合には、SiH4とNH3の混合ガスを原料とするプラズマCVD法により形成する。このとき、水素が結晶中に拡散し、シリコン原子の結合に寄与しない軌道、即ちダングリングボンドと水素が結合し、欠陥を不活性化水素パッシベーションする。より具体的には、上記混合ガス流量比NH3/SiH4が0.05~1.0、反応室の圧力が13.3Pa0.1Torr~266.6Pa2Torr、成膜時の温度が300°C~550°C、プラズマの放電のための周波数が100kHz以上の条件下で形成される。図15では、表面受光面の反射防止膜16上に、表面電極用金属ペーストをスクリーン印刷法で印刷塗布乾燥させ、表面電極18を形成する。表面電極用金属ペーストは、1金属粒子と2ガラス粒子とを必須成分とし、必要に応じて3樹脂バインダー、4その他の添加剤などを含む。次いで、上記裏面の高濃度電界層14上にも裏面電極20を形成する。前述のように、本発明では裏面電極20の材質や形成方法は特に限定されない。例えば、アルミニウム、銀、又は銅等の金属を含む裏面電極用ペーストを塗布し、乾燥させて、裏面電極20を形成してもよい。このとき、裏面にも、モジュール工程における素子間の接続のために、一部に銀電極形成用銀ペーストを設けてもよい。図16では、電極を焼成して、太陽電池素子を完成させる。600°C~900°Cの範囲で数秒~数分間焼成すると、表面側では電極用金属ペーストに含まれるガラス粒子によって絶縁膜である反射防止膜16が溶融し、更にシリコン10表面も一部溶融して、ペースト中の金属粒子例えば銀粒子がシリコン基板10と接触部を形成し凝固する。これにより、形成した表面電極18とシリコン基板10とが導通される。これはファイアースルーと称されている。表面電極18の形状について説明する。表面電極18は、バスバー電極30、及び該バスバー電極30と交差しているフィンガー電極32で構成される。図2Aは、表面電極18を、バスバー電極30、及び該バスバー電極30と交差しているフィンガー電極32からなる構成とした太陽電池素子を表面から見た平面図であり、図2Bは、図2Aの一部を拡大して示す斜視図である。このような表面電極18は、例えば、上述の金属ペーストのスクリーン印刷、又は電極材料のメッキ、高真空中における電子ビーム加熱による電極材料の蒸着等の手段により形成することができる。バスバー電極30とフィンガー電極32とからなる表面電極18は受光面側の電極として一般的に用いられていて周知であり、受光面側のバスバー電極及びフィンガー電極の公知の形成手段を適用することができる。上記では、表面にn型拡散層、裏面にp型拡散層を形成し、更にそれぞれの層の上に表面電極及び裏面電極を設けた太陽電池素子について説明したが、本発明のn型拡散層形成組成物を用いればバックコンタクト型の太陽電池素子を作製することも可能である。バックコンタクト型の太陽電池素子は、電極を全て裏面に設けて受光面の面積を大きくするものである。つまりバックコンタクト型の太陽電池素子では、裏面にn型拡散部位及びp型拡散部位の両方を形成しpn接合構造とする必要がある。本発明のn型拡散層形成組成物は、特定の部位にn型拡散部位を形成することが可能であり、よってバックコンタクト型の太陽電池素子の製造に好適に適用することができる。以下、本発明の実施例をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限するものではない。なお、特に記述が無い限り、薬品は全て試薬を使用した。または断りがない限り質量を意味する。[実施例1]P2O5-AgO-V2O5系ガラスP2O5:35.1、AgO:40.3、V2O5:10、BaO:10.4、K2O:4.2粉末以下、G01と略記することがあるを調整した。得られたガラス粉末G0120gと、エチルセルロース0.3gと、酢酸2-2-ブトキシエトキシエチル7gとを、自動乳鉢混練装置を用いて混合してペースト化し、n型拡散層形成組成物を調製した。次に、テクスチャーが形成されたp型シリコン基板表面に、調製したペーストをスクリーン印刷によって塗布し、150°Cのホットプレート上で5分間乾燥させた。続いて、1000°Cに設定した電気炉で10分間熱拡散処理を行い、その後ガラス層を除去するため基板を10のフッ酸水溶液に5分間浸漬し、流水洗浄を行った。p型シリコン基板表面にガラス層は残存していなかった。続いてn型拡散層を形成した面に、プラズマCVDにより反射防止膜窒化ケイ素膜を90nmの厚さで形成した。その受光面にスクリーン印刷法を用い、市販の銀電極ペーストDuPont社製、商品名:PV159を図2に示すような電極パターンとなるように印刷した。電極のパターンは150μm幅のフィンガーラインと1.5mm幅のバスバーで構成され、焼成後の膜厚が20μmとなるよう、印刷条件スクリーン版のメッシュ、印刷速度、印圧を適宜調整した。これを150°Cに加熱したオーブンの中に15分間いれ、溶剤を蒸散により取り除いた。続いてアルミニウム電極ペーストPVGSolutions社製、商品名:HyperBSFAlPasteを、上記と同様にスクリーン印刷法を用いて、裏面の全面に印刷した。またアルミニウム電極の膜厚が30μmとなるように、アルミニウム電極ペーストの印刷条件を適宜調整した。これを150°Cに加熱したオーブンの中に15分間いれ、溶剤を蒸散により取り除いた。続いて、トンネル炉ノリタケ社製、1列搬送W/Bトンネル炉を用いて大気雰囲気下、焼成最高温度800°Cで保持時間10秒の加熱処理焼成を行って、所望の電極が形成された太陽電池素子1を作製した。[実施例2]熱拡散処理後のフッ酸処理及び流水洗浄を行わない状態で反射防止膜及び電極を形成したこと以外は、実施例1と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子2を作製した。[実施例3]熱拡散処理の時間を20分としたこと以外は実施例1と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子3を作製した。フッ酸処理後のp型シリコン基板表面にガラス層は残存していなかった。[実施例4]熱拡散処理の時間を20分としたこと以外は実施例2と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子4を作製した。[実施例5]熱拡散処理の温度を900°Cとしたこと以外は実施例1と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子5を作製した。フッ酸処理後のp型シリコン基板表面にガラス層は残存していなかった。[実施例6]熱拡散処理の温度を900°Cとしたこと以外は実施例2と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子6を作製した。[実施例7]ガラス粉末組成をP2O5-AgO-SnO系ガラスP2O5:44.1、AgO:25.8、SnO:21.3、CaO:8.8、以下G02と略記することがあるとしたこと以外は、実施例1と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子7を作製した。フッ酸処理後のp型シリコン基板表面にガラス層は残存していなかった。[実施例8]熱拡散処理後のフッ酸処理及び流水洗浄を行わない状態で反射防止膜及び電極を形成したこと以外は、実施例7と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子8を作製した。[実施例9]熱拡散処理の温度を900°Cとしたこと以外は実施例7と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子9を作製した。フッ酸処理後のp型シリコン基板表面にガラス層は残存していなかった。[実施例10]熱拡散処理の温度を900°Cとしたこと以外は実施例8と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子10を作製した。[実施例11]熱拡散処理の温度を800°Cとしたこと以外は実施例7と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子11を作製した。フッ酸処理後のp型シリコン基板表面にガラス層は残存していなかった。[実施例12]熱拡散処理の温度を800°Cとしたこと以外は実施例8と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子12を作製した。[実施例13]ガラス粉末組成をP2O5-AgO-ZnO系ガラスP2O5:40.0、AgO:40.0、ZnO:10.5、CaO:9.5、以下G03と略記することがあるとしたこと以外は、実施例1と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子13を作製した。フッ酸処理後のp型シリコン基板表面にガラス層は残存していなかった。[実施例14]熱拡散処理後のフッ酸処理及び流水洗浄を行わない状態で反射防止膜及び電極を形成したこと以外は、実施例13と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子14を作製した。[実施例15]熱拡散処理の温度を950°Cとしたこと以外は実施例13と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子15を作製した。フッ酸処理後のp型シリコン基板表面にガラス層は残存していなかった。[実施例16]熱拡散処理の温度を950°Cとしたこと以外は実施例14と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子16を作製した。[実施例17]熱拡散処理の温度を900°Cとし、処理時間を20分としたこと以外は、実施例13と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子17を作製した。フッ酸処理後のp型シリコン基板表面にガラス層は残存していなかった。[実施例18]熱拡散処理の温度を900°Cとし、処理時間を20分としたこと以外は、実施例14と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子18を作製した。[比較例1]テクスチャーが形成されたp型シリコン基板表面に、以下に示す一般的な手法でn型拡散層を形成した。まずシリコン基板を石英製ボートに立て、これを850°Cに加熱した石英チューブ内に挿入した。ここにオキシ塩化リンPOCl3を拡散源としたガス拡散法により、基板全面にリンを拡散させることで、n型拡散層を形成した。具体的には、バブラー容器に満たした液体のPOCl3内にキャリアガスとしての窒素N2を通し、POCl3を石英チューブ内に導入した。POCl3は酸素O2と混ざることでP2O5がシリコン基板表面に堆積し、これが拡散源となってリンがシリコン基板に拡散する。尚加熱処理時間は30分とした。その後10のフッ酸水溶液処理をシリコン基板全面に施し、基板表面に形成されているリン酸塩ガラスを除去した。これ以降の反射防止膜の形成、電極ペーストの印刷および焼成は、実施例1と同様にして行い、太陽電池素子C1を作製した。[比較例2]熱拡散処理後のフッ酸処理及び流水洗浄を行わない状態で反射防止膜及び電極を形成したこと以外は、比較例1と同様にしてn型拡散層を形成し、太陽電池素子C2を作製した。[比較例3]P2O5-V2O5系ガラスP2O5:55.1、V2O5:30.3、BaO:10.4、K2O:4.2粉末以下、G04と略記することがあるを調整した。得られたガラス粉末G0420gと、エチルセルロース0.3gと、酢酸2-2-ブトキシエトキシエチル7gとを、自動乳鉢混練装置を用いて混合してペースト化し、n型拡散層形成組成物を調製した。次に、テクスチャーが形成されたp型シリコン基板表面に、調製したペーストをスクリーン印刷によって塗布し、150°Cのホットプレート上で5分間乾燥させた。続いて、1000°Cに設定した電気炉で10分間熱拡散処理を行い、n型拡散層を形成した。その後、フッ酸処理を行わずに、実施例1と同様にして反射防止膜及び電極を形成し、太陽電池素子C3を作製した。[比較例4]P2O5-ZnO系ガラスP2O5:45.0、ZnO:45.5、CaO:9.5、以下G05と略記することがあるを調整した。得られたガラス粉末G0520gと、エチルセルロース0.3gと、酢酸2-2-ブトキシエトキシエチル7gとを、自動乳鉢混練装置を用いて混合してペースト化し、n型拡散層形成組成物を調製した。次に、テクスチャーが形成されたp型シリコン基板表面に、調製したペーストをスクリーン印刷によって塗布し、150°Cのホットプレート上で5分間乾燥させた。続いて、1000°Cに設定した電気炉で10分間熱拡散処理を行い、n型拡散層を形成した。その後、フッ酸処理を行わずに、実施例1と同様にして反射防止膜及び電極を形成し、太陽電池素子C4を作製した。実施例及び比較例におけるn型拡散層形成条件及び太陽電池の作製条件を、表1にまとめて示した。<評価>作製した太陽電池素子の評価は、擬似太陽光として株ワコム電創製WXS-155S-10、電流―電圧I-V評価測定器としてI-VCURVETRACERMP-160EKOINSTRUMENT社製の測定装置を組み合わせて行った。太陽電池としての発電性能を示すJsc短絡電流、Voc開放電圧、FFフィルファクター、Eff変換効率は、それぞれJIS-C-8912、JIS-C-8913及びJIS-C-8914に準拠して測定を行うことで得られたものである。両面電極構造の太陽電池素子において、得られた各測定値を、比較例1太陽電池素子C1の測定値を100.0とした相対値に換算して表2に示した。表2から、比較例2~4においては、比較例1よりも発電性能が劣化したことが分かる。これは、以下のように考えることができる。比較例2においては、POCl3によるn型拡散層を形成した後にフッ酸処理を施さなかったため、n型拡散層表面にできたリン酸塩ガラスの抵抗によって、電極とシリコン基板上のn型拡散層間のオーミックコンタクトが阻害されたと考えられる。また比較例3及び比較例4においても、ガラス粉末に酸化銀を含まないために、熱拡散処理中に形成された溶融ガラス層の抵抗が増大し、電極とシリコン基板上のn型拡散層間のオーミックコンタクトが不充分であったと考えられる。一方、実施例1~実施例18で作製した太陽電池素子の発電性能は、比較例1の太陽電池素子の測定値と比べほぼ同等であった。特に熱拡散処理後にフッ酸処理を施さなかった場合においても良好な発電性能を示した。これは、熱拡散処理中においてガラス中に銀粒子が析出し、導電性が向上したものと考えられる。また、比較例1では、n型拡散層形成組成物を付与していない裏面のシート抵抗が40.4Ω/□であり、裏面にもn型拡散層が形成されていた。これに対して、実施例1~実施例18では、n型拡散層形成組成物を付与していない裏面のシート抵抗は1000000を超えており、n型拡散層が実質的に形成されていないと判断された。したがって、実施例1~実施例18のn型拡散層形成組成物を用いた場合には、不要な領域にn型拡散層を形成させることなく、特定の部分にn型拡散層を形成することができた。"