電気信号に対応する光をそれぞれ出力する複数の光半導体デバイスと、前記複数の光半導体デバイスを冷却可能に設けられた冷却素子と、前記複数の光半導体デバイスのうちのいずれか1つの光半導体デバイスに通電による発熱が伝導可能となるように、前記各光半導体デバイスの近傍にそれぞれ設けられた複数の抵抗体と、を備える光モジュール。前記抵抗体が、1つの前記光半導体デバイスにつき、複数設けられている、ことを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記冷却素子の動作温度と、前記複数の抵抗体への通電状態とを調整する調整回路をさらに備える、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光モジュール。前記調整回路は、前記複数の光半導体デバイスのうち、規格で定められた範囲から長波長側に発光中心波長が外れる光半導体デバイスの発光中心波長が、所定の規格で定められた範囲内に収まるように前記冷却素子の動作温度を調整し、所定の規格で定められた範囲から外れた光半導体デバイスに対応する抵抗体を通電する、ことを特徴とする請求項3に記載の光モジュール。前記調整回路は、前記複数の光半導体デバイスのうち、発光中心波長が、所定の規格で定められた範囲内に収まる光半導体デバイスの数が最も多くなるように前記冷却素子の動作温度を調整し、所定の規格で定められた範囲から外れた光半導体デバイスに対応する抵抗体を通電する、ことを特徴とする請求項3に記載の光モジュール。前記複数の光半導体デバイスは、互いに発光中心波長が異なる、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光モジュール。IEEETheInstituteofElectricalandElectronicsEngineersでは、光半導体デバイスが満たすべき発光中心波長の範囲が規格で定められている。ところが、製造起因のばらつき等により、光半導体デバイスの発光中心波長が、この範囲からはずれることがある。光半導体デバイスの発光中心波長が短波長側にずれている場合には、上記特許文献1、2に開示された光モジュールでは、発熱体によって光半導体デバイスの温度を上昇させて、光半導体デバイスの発光中心波長を長波長側にシフトさせて規格で定められた範囲内に収めることができる。しかしながら、光半導体デバイスの発光中心波長が長波長側にずれている場合には、光半導体デバイスを冷却する必要がある。光半導体デバイスを冷却するためにはペルチェ素子等の冷却素子が必要となる。また、複数の光半導体デバイスから出力される光を合波して出力する集積型の光モジュールが開発されるようになっている。このような集積型の光モジュールでも、光半導体デバイスの温度制御を行う必要がある。しかしながら、上述のように、光半導体デバイスの発光中心波長は、製造起因によりばらつく。このため、ある光半導体デバイスは発光中心波長を短波長側にシフトさせ、他の光半導体デバイスは発光中心波長を長波長側にシフトさせる必要が出てくる場合もある。すなわち、複数の光半導体デバイスを備える光モジュールでは、各光半導体デバイスを個別に温度調整できるようにしておく必要がある。個別に温度調整するには、1つの光半導体デバイスにつきペルチェ素子や温度をモニタするためのサーミスタ等を1つずつ備える必要がある。ペルチェ素子やサーミスタは、極めて大型であることから、ペルチェ素子等を複数設けようとすれば、光モジュールが大型化し、コストが増大する。この発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、小型化、低コスト化を実現することができる光モジュールを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、この発明に係る光モジュールは、電気信号に対応する光をそれぞれ出力する複数の光半導体デバイスと、前記複数の光半導体デバイスを冷却可能に設けられた冷却素子と、前記複数の光半導体デバイスのうちのいずれか1つの光半導体デバイスに通電による発熱が伝導可能となるように、前記各光半導体デバイスの近傍にそれぞれ設けられた複数の抵抗体と、を備える。この発明によれば、1つの冷却素子が複数の光半導体デバイスを冷却する。また、通電による発熱を各光半導体デバイスにそれぞれ伝導する抵抗体が設けられている。これにより、冷却素子よりも十分に小型な抵抗体を光半導体デバイス毎に設けるだけで、複数の光半導体デバイスを個別に温度調整することができる。この結果、光モジュールの小型化、低コスト化を実現することができる。この発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態1.まず、この発明の実施の形態1について説明する。図1A及び図1Bには、この発明の実施の形態に係る光モジュール100の構成が示されている。図1Aは、光モジュール100の内部を示す上面図である。図1Bは、図1Aにおける光モジュールのA-A’断面図である。この光モジュール100は、光ファイバを伝送媒体とした光通信装置等に組み込まれている。図1A及び図1Bに示すように、この光モジュール100は、パッケージ1を備える。パッケージ1は、光モジュール100のケースである。このパッケージ1により、光モジュール100内部の機密性が確保されている。この光モジュール100は、ペルチェ素子2をさらに備える。図1Bに示すように、ペルチェ素子2は、パッケージ1上に設けられている。ペルチェ素子2の設置数は1である。ペルチェ素子2は、後述する光半導体デバイス5A、5B、5C、5Dの温度を一定に保つことを目的とした冷却素子である。光モジュール100は、さらに、キャリア3を備える。図1Bに示すように、キャリア3は、ペルチェ素子2の上に設けられている。キャリア3は、部品実装用の基板である。光モジュール100は、LDレーザダイオード基板4A、4B、4C、4Dをさらに備える。図1Bに示すように、LD基板4A乃至4Dは、キャリア3上伝送線路基板12Dよりも紙面奥側にに設けられている。LD基板4Aは、後述する光半導体デバイス5Aを実装する基板である。LD基板4Bは、後述する光半導体デバイス5Bを実装する基板である。LD基板4Cは、後述する光半導体デバイス5Cを実装する基板である。LD基板4Dは、後述する光半導体デバイス5Dを実装する基板である。図1Aに示すように、この光モジュール100は、4つの光半導体デバイス5A、5B、5C、5Dをさらに備える。言い換えると、光モジュール100は、複数の光半導体デバイス5A乃至5Dが実装された集積型の光モジュールである。このように、光モジュール100には、複数の光半導体デバイス5A乃至5Dに対して、1つのペルチェ素子2が実装されている。ペルチェ素子2は、キャリア3を介して、複数の光半導体デバイス5A乃至5Dを冷却可能に設けられている。光半導体デバイス5A乃至5Dは、前述のように、LD基板4A乃至4Dに実装されている。光半導体デバイス5Aは電気と光の変換を行う光半導体デバイスである。光半導体デバイス5Aは、入力した電気信号を所定の発光中心波長帯を有する光信号に変換して出力する。光半導体デバイス5Bは、光半導体デバイス5Aとは発光中心波長帯が異なる光半導体デバイスである。光半導体デバイス5Cは、光半導体デバイス5A、5Bとは発光中心波長帯が異なる光半導体デバイスである。光半導体デバイス5Dは、光半導体デバイス5A、5B、5Cとは発光中心波長帯が異なる光半導体デバイスである。この光モジュール100は、レンズ6A、6B、6C、6Dを更に備える。図1Bに示すように、レンズ6A乃至6Dは、キャリア3上に設置されている。レンズ6Aは、光半導体デバイス5Aから放射された光を集光する。レンズ6Bは、光半導体デバイス5Bから放射された光を集光する。レンズ6Cは、光半導体デバイス5Cから放射された光を集光する。レンズ6Dは、光半導体デバイス5Dから放射された光を集光する。この光モジュール100は、光合波器7をさらに備える。図1Bに示すように、光合波器7は、キャリア3上に設置されている。光合波器7は、レンズ6A、6B、6C、6Dで集光された複数の光を1つに合波して出力する。この光モジュール100は、レンズ8をさらに備える。図1Bに示すように、レンズ8は、キャリア3の端部に接続固定されている。レンズ8は、光合波器7から出力された光を、光ファイバ等に入力するリレーレンズである。光ファイバに入力された光は、光ファイバ中を受信側に向けて伝送される。図1Aに示すように、この光モジュール100は、抵抗体9A、9B、9C、9Dをさらに備える。抵抗体9Aは、LD基板4A上の光半導体デバイス5Aの近傍に設置されている。抵抗体9Aの通電による発熱は、光半導体デバイス5Aに伝導され、他の光半導体デバイス5B、5C、5Dには伝導されない。抵抗体9Bは、光半導体デバイス5Bの近傍に設置されている。抵抗体9Bの通電による発熱は、光半導体デバイス5Bに伝導され、他の光半導体デバイス5A、5C、5Dには伝導されない。抵抗体9Cは、光半導体デバイス5Cの近傍に設置されている。抵抗体9Cの通電による発熱は、光半導体デバイス5Cに伝導され、他の光半導体デバイス5A、5B、5Dには伝導されない。抵抗体9Dは、光半導体デバイス5Dの近傍に設置されている。抵抗体9Dの通電による発熱は、光半導体デバイス5Dに伝導され、他の光半導体デバイス5A、5B、5Cには伝導されない。この光モジュール100は、サーミスタ基板10及びサーミスタ11をさらに備える。図1Bに示すように、サーミスタ基板10は、LD基板4A上に搭載されている。サーミスタ基板10はサーミスタ11を実装する基板である。サーミスタ11は、光半導体デバイス4Aの温度をモニタするチップ部品である。この光モジュール100は、伝送線路基板12A、12B、12C、12Dをさらに備える。図1Bに示すように、伝送線路基板12A乃至12Dは、LD基板4A乃至4Dと、後述するフィードスルー14とを接続するように設置されている。伝送線路基板12Aは、電気信号を光半導体デバイス5Aに伝送する基板である。伝送線路基板12Bは、電気信号を光半導体デバイス5Bに伝送する基板である。伝送線路基板12Cは、電気信号を光半導体デバイス5Cに伝送する基板である。伝送線路基板12Dは、電気信号を光半導体デバイス5Dに伝送する基板である。この光モジュール100は、フィードスルー14をさらに備える。フィードスルー14は、複数の電極13A、13B、13C、13Dを備えている。これらの電極13A乃至13Dの中には、送信するデータに対応する電気信号が入力される電極が含まれている。この電極に入力された電気信号は、伝送線路基板12A乃至12Dを介して光半導体デバイス5A、5B、5C、5Dに伝送される。フィードスルー14の他の電極は、抵抗体9A、9B、9C、9Dや、サーミスタ11等に接続されている。これらの電力は、抵抗体9A、9B、9C、9Dや、サーミスタ基板10及びサーミスタ11等にに必要な電力を供給している。図2には、光モジュール100における光半導体デバイス5A乃至5Dの動作温度の制御系の構成が示されている。図2に示すように、光半導体デバイス5A乃至5Dの動作温度は、調整回路20によって調整される。調整回路20は、光モジュール100の外部に設けられていてもよいし、内部に設けられていてもよい。調整回路20は、サーミスタ11によってモニタされる温度に基づいて、ペルチェ素子2の動作温度を調整する。この動作温度を変更することにより、光半導体デバイス5A乃至5D全体の発光中心波長を長波長方向及び短波長方向にシフトさせることができる。また、調整回路20は、必要に応じて、抵抗体9A、9B、9C、9Dに電流を流すことにより、抵抗体9A乃至9Dを発熱させ、光半導体デバイス5A乃至5Dの発光中心波長を個別に、長波長方向及び短波長方向にシフトさせることができる。光半導体デバイス5A乃至5Dは、製造時のばらつきや、キャリア3上の温度分布のばらつきにより、発光中心波長がばらついている。図3には、ペルチェ素子2の動作温度が40°Cであるとき、光半導体デバイス5A乃至5Dの発光中心波長の一例が示されている。図3に示すように、光半導体デバイス5A乃至5Dの発光中心波長は、それぞれ1296.00nm、1300.00nm、1305.60nm、1308.05nmとなっている。IEEETheInstituteofElectricalandElectronicsEngineersでは、光半導体デバイス5A乃至5Dがそれぞれ満たすべき発光中心波長の範囲の規格が定められている。図3では、IEEE802.3、100GBASE-ER4に基づく各光半導体デバイス5A乃至5Dの発光中心波長の範囲が点線で示されている。図3に示すように、光半導体デバイス5Aの範囲は、1294.53nm以上1296.59nm以下となっている幅Δ2.06nm。また、光半導体デバイス5Bの範囲は、1299.02nm以上1301.09nm以下となっている幅Δ2.07nm。また、光半導体デバイス5Cの範囲は、1303.54nm以上1305.63nm以下となっている幅Δ2.09nm。また、光半導体デバイス5Cの範囲は、1308.09nm以上1310.19nm以下となっている幅Δ2.10nm。図3に示すように、ペルチェ素子2の動作温度が40°Cであるとき、光半導体デバイス5A、5B、5Cの発光中心波長は規格で定められた範囲内に収まっている。これに対し、光半導体デバイス5Dについては、発光中心波長が1308.05nmとなっており、規格で定められた範囲から短波長側にはずれている。そこで、光半導体デバイス5Dを、長波長側に移動させて規格に定められた範囲内とするため、ペルチェ素子2の動作温度を5°C上げた場合について考える。図4には、このときの各光半導体デバイスの発光中心波長の一例が示されている。図4に示すように、すべての光半導体デバイス5A乃至5Dの動作温度が5°C上昇するため、光半導体デバイス5A乃至5Dの発光中心波長はそれぞれ0.05nmだけ長波長側に移動する。このようにすれば、図4に示すように、光半導体デバイス5Dの発光中心波長を、1308.10nmとして、規格に定められた範囲内とすることができる。しかしながら、逆に規格で定められた範囲に収まっていた光半導体デバイス5Cの発光中心波長は、1305.65nmとなり、規格に定められた範囲1303.54nm以上1305.63nm以下外となってしまう。そこで、この実施の形態では、光半導体デバイス5A乃至5Dの発光中心波長を全て規格内とするため、調整回路20が、当初図3に示す状態で、規格に定められた範囲外であった光半導体デバイス5Dの直近に設置された抵抗体9Dに電流を流す。この抵抗体9Dの通電により、下式に示される発熱量Pが発生する。P=R×I2[W]...1ここで、Rは抵抗体9Dの抵抗値[Ω]であり、Iは抵抗体9Dに流れる電流値[A]である。ここで、この実施の形態に係る光モジュール100における各種パラメータの値を、以下の表1にまとめる。上記表1に示すように、抵抗体9Dの抵抗値を100Ω、抵抗体9Dに流す電流値を0.05Aとした場合、抵抗体9Dにおける発熱量Pは0.25Wとなる。この場合、光半導体デバイス5Dの動作温度だけが3.8°C上昇する。図5には、ペルチェ素子2の動作温度を40°Cとし、抵抗体9Dを通電した場合の光半導体デバイス5A乃至5Dの発光中心波長の一例が示されている。図5に示すように、抵抗体9Dの通電前後における光半導体デバイス5A乃至5Cの発光中心波長は、抵抗体9Dから十分遠い距離にあるため変化はない。これに対して、光半導体デバイス9Dでは、抵抗体9Dの発熱により、発光中心波長が0.38nm長波長側にシフトし、1308.43nmとなる。これにより、光半導体デバイス9Dの発光中心波長を、規格で定められた範囲内とすることができる。以上詳細に説明したように、この実施の形態に係る光モジュール100は、1つのペルチェ素子2の上に光半導体デバイス5A乃至5Dを複数実装した集積型の光モジュールである。この光モジュール100では、光半導体デバイス5A乃至5Dのうち、製造起因のばらつきやキャリア3上の温度分布のばらつきによって生じる発光中心波長の規格外品を、各光半導体デバイス5A乃至5Dの直近に設置された抵抗体6A乃至6Dによる発熱を利用することでその発光中心波長を個別に規格内に収めることが可能になる。すなわち、この実施の形態によれば、ペルチェ素子2よりも十分に小型な抵抗体9A乃至9Dを光半導体デバイス毎に設けるだけで、複数の光半導体デバイス5A乃至5Dを個別に温度調整することができる。この結果、光モジュール100の小型化、低コスト化を実現することができる。この実施の形態では、光半導体デバイス5Dの発光中心波長を調整する場合について説明したが、光半導体デバイス5A、5B、5Cについても同様の方法を用いることができる。また、同時に、2つ以上の抵抗体を通電するようにしてもよい。実施の形態2.次に、この発明の実施の形態2について説明する。図6A及び図6Bには、この実施の形態に係る光モジュール100の構成が示されている。図6Aに示すように、LD基板4A、4B、4C、4D上の各光半導体デバイス5A、5B、5C、5Dの直近に、抵抗体9A、9B、9C、9Dに加え、抵抗体19A、19B、19C、19Dがさらに設けられている点が、上記実施の形態1に係る光モジュール図1A及び図1B参照と異なる。抵抗体9A、19A、抵抗体9B、19B、抵抗体9C、19C、抵抗体9D、19Dは直列に接続されている。調整回路20図2参照は、抵抗体9A、19A、抵抗体9B、19B、抵抗体9C、19C、抵抗体9D、19Dに対して、電極13A、13B、13C、13Dを介して、電力を供給している。図7には、ペルチェ素子2の動作温度が40°Cであるときの光半導体デバイス5A乃至5Cの発光中心波長の一例が示されている。図7に示すように、光半導体デバイス5A、5B、5Dの発光中心波長は規格で定められた範囲内に収まっているが、光半導体デバイス5Cの発光中心波長は、1303.10nmと、規格で定められた範囲から短波長側に外れている。このような発光中心波長のばらつきは、前述のように、光半導体デバイス5A、5B、5C、5Dの製造起因によるばらつきやキャリア3上の温度分布のばらつきによって生じるものである。ここで、この実施の形態に係る光モジュール100における各種パラメータの値を、以下の表2にまとめる。仮に、抵抗体9Cに流せる電流が0.05Aに制限されているとき、上記実施の形態1で示したように、抵抗体1つでシフトできる発光中心波長は0.38nm表1参照である。この場合、光半導体デバイス9Cの発光中心波長は、1303.10nmから1303.48nmにシフトする。このシフト量では、規格で定められた範囲の下限である1303.54以上を満足しない。そこで、この実施の形態では、抵抗体9C、19Cを2個直列に設置し、調整回路20により、それらを通電させる。これにより、上記表2に示すように、電流を流したときの発熱量を、上記実施の形態1の2倍にすることができる。この結果、光半導体デバイス5Cの発光中心波長のシフト量を上記実施の形態1よりも大きくすることができる。上記表2に示すように、抵抗体9C、19C全体の抵抗値を100Ω×2個、電流値を0.05Aとした場合、抵抗体9C、19C全体の発熱量は0.5Wとなり、光半導体デバイス5Cの素子温度を7.5°C上昇させることができる。図8には、抵抗体9C、19Cを通電させたときの各光半導体デバイスの発光中心波長の一例が示されている。図8に示すように、抵抗体9C、19Cを通電させることにより、光半導体デバイス5Cの発光中心波長だけを、0.75nm長波長側に移動させ、1303.85nmとして、規格で定められた範囲内に収めることができる。以上詳細に説明したように、この実施の形態によれば、各光半導体デバイス5A乃至5Dに対応する抵抗体を2つ以上抵抗体9A、19A等形成しておくことで、各光半導体デバイス5A乃至5Dの発光中心波長のシフト量を大きくすることができる。この実施の形態では、光半導体デバイス5Cの発光中心波長を調整する場合について説明したが、光半導体デバイス5A、5B、5Dについても同様の方法を用いることができる。また、同時に、2つ以上の抵抗体を通電するようにしてもよい。実施の形態3.次に、この発明の実施の形態3について説明する。この実施の形態に係る光モジュール100の構成は、上記実施の形態2に係る光モジュールのもの図6A及び図6B参照と同じである。すなわち、上記実施の形態2と同様に、各光半導体デバイス5A乃至5Dの直近にそれぞれ抵抗体9A、19A、抵抗体9B、19B、抵抗体9C、19C、抵抗体9D、19Dが設けられており、それらが、直列に接続されている。図9には、この実施の形態に係る光モジュール100における光半導体デバイス5A乃至5Dの発光中心波長のばらつきの一例が示されている。図9では、ペルチェ素子2の動作温度は、40°Cとなっている。図9に示すように、光半導体デバイス5A、5B、5Cは規格で定められた範囲内となっているが、光半導体デバイス5Dは1310.33nmと、規格で定められた範囲外長波長側となっている。このばらつきは、前述のように、光半導体デバイス5A乃至5Dの製造起因によるばらつきやキャリア上の温度分布のばらつきによって生じるものである。図10には、ペルチェ素子2の動作温度を40°Cから38.5°Cに調整したときの光半導体デバイス5A乃至5Dの発光中心波長のばらつきの一例が示されている。図10に示すように、調整回路20により、ペルチェ素子2の動作温度を40°Cから38.5°Cに調整することで、光半導体デバイス5A乃至5Dの発光中心波長を0.15nm短波長側に移動させることができる。この場合、光半導体デバイス5A乃至5Dの中で、発光中心波長が、規格で定められた範囲から長波長側に外れていた光半導体デバイス5Dの発光中心波長が、その範囲内に収まるようになる。しかしながら、このようにすると、光半導体デバイス5Bの発光中心波長が1298.95nmとなって、規格で定められた範囲外短波長側となる。ここで、この実施の形態に係る光モジュール100における各種パラメータの値を、以下の表3にまとめる。上記表3に示すように、電流値を0.05Aとすると、抵抗体9B、19Bの発熱量は0.5Wとなる。このようにすれば、光半導体デバイス5Bの素子温度を7.5°C上昇させることができる。図11には、抵抗体9B、19Bを通電させたときの各光半導体デバイスの発光中心波長の一例が示されている。図11に示すように、半導体デバイス5Bの発光中心波長だけ、0.75nm長波長側にシフトし、1299.70nmとなる。この結果、光半導体デバイス5Bの発光中心波長は、規格で定められた範囲内に収まるようになり、これで、すべての光半導体デバイス5A乃至5Dの発光中心波長が、規格で定められた範囲内に収まったことになる。以上詳細に説明したように、この実施の形態によれば、発光中心波長が規格に定められた範囲から長波長側に外れている光半導体デバイスについて、その発光中心波長が、規格に定められた範囲内となるようにペルチェ素子2の動作温度を調整する。この調整により、短波長側に規格で定められた範囲外となった光半導体デバイスがある場合には、調整回路20は、その光半導体デバイス近傍の抵抗体を通電することにより、その光半導体デバイスの発光中心波長を長波長側にシフトさせ、規格で定められた範囲内に収めることができる。この結果、全ての光半導体デバイスの発光中心波長を規格で定められた範囲内とすることができる。この実施の形態では、光半導体デバイス5Cの発光中心波長を調整する場合について説明したが、光半導体デバイス5A、5B、5Dについても同様の方法を用いることができる。また、同時に、2つ以上の抵抗体を通電するようにしてもよい。なお、調整回路20は、複数の光半導体デバイス5A乃至5Cのうち、発光中心波長が、所定の規格で定められた範囲内に収まる光半導体デバイスの数が最も多くなるようにペルチェ素子2の動作温度を調整するようにしてもよい。この場合、調整回路20は、所定の規格で定められた範囲から外れた光半導体デバイスがある場合には、その光半導体デバイスに対応する抵抗体を通電して、すべての光半導体デバイス5A乃至5Dの発光中心波長を規格で定められた範囲内に収めるようにしてもよい。なお、1つの光半導体デバイスにつき、設置される抵抗体の数は、1つや2つに限られず、3つ以上であってもよい。また、抵抗体は、並列に接続されるようにしてもよい。しかしながら、全体の発熱量を多くするには、抵抗体を直列に接続するのが望ましい。なお、光モジュール100の各種パラメータは、表1、表2、表3に示されるものには限られない。光モジュール100に使用される基板、抵抗体等によって適宜決定されるものである。この他、上記各実施の形態で示される具体的な数値は、あくまで一例に過ぎない。なお、上記各実施の形態では、光半導体デバイスの数を4つとしたが、本発明はこれには限られない。光半導体デバイスの数は、2つでも、3つでも、5つ以上であってもよい。要は、光半導体デバイスの数が複数であればよい。なお、上記各実施の形態では、光半導体デバイス5A乃至5Dは、互いに発光中心波長が異なるデバイスであったが、これらの発光中心波長は一部又は全部が同じであってもよい。この発明は、この発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施の形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施の形態は、この発明を説明するためのものであり、この発明の範囲を限定するものではない。すなわち、この発明の範囲は、実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。そして、特許請求の範囲内及びそれと同等の発明の意義の範囲内で施される様々な変形が、この発明の範囲内とみなされる。