"半導体基板上に第1導電型クラッド層と光を発生する活性層と第2導電型クラッド層がこの順に積層された積層構造を含み、前記活性層で発生した光を面内方向に反射もしくは共振させる共振器構造部と、前記半導体基板の少なくとも一部に設けられ、前記活性層から発生した光を導波する光導波路層と、前記共振構造部から放射される光を反射させ、前記半導体基板の裏面から出射するための前記光導波路層の一部に設けられた反射鏡と、前記半導体基板の裏面であって該光が出射される光出射領域に設けられ前記反射鏡で反射された光を集光する集光レンズと、を備え、前記半導体基板の裏面には、その底部に前記集光レンズが設けられた溝部と、前記半導体基板のヘキカイ方向に沿って設けられたテラス状部とを有し、前記テラス状部は、前記共振器構造の形成領域を下方に延長してなる範囲内に配置され、前記半導体基板のヘキカイにより形成された結晶面を有する側端側に開放端を持ち、該開放端に対向する側に側壁を持ち、前記ヘキカイ方向を長手方向とするテラス形状を有することを特徴とする水平共振器垂直出射レーザ。前記溝部は、前記光出射領域の周辺部を囲むように設けられた凹形状を有し、該溝内部の底部に前記集光レンズが設けられていることを特徴とする請求項1に記載の水平共振器垂直出射レーザ。前記テラス状部の深さが、前記溝部の深さより深いことを特徴とする請求項1に記載の水平共振器垂直出射レーザ。前記テラス状部の深さが、前記活性層から放出された光が前記反射鏡で反射される反射点と、反射された光が入射する前記集光レンズ表面の入射点とを結ぶ経路長より短いことを特徴とする請求項1に記載の水平共振器垂直出射レーザ。前記テラス状部の側壁が、前記半導体基板表面と概ね平行する方向に対して所定の角度を有するテーパ形状をなすように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の水平共振器垂直出射レーザ。前記テラス状部の断面形状がV字形状をなすことを特徴とする請求項1に記載の水平共振器垂直出射レーザ。前記反射鏡の光共振方向の断面は、少なくとも前記共振構造部側にテーパ形状を有することを特徴とする請求項1に記載の水平共振器垂直出射レーザ。請求項1に記載の水平共振器垂直出射レーザが、該レーザの光共振方向に対して垂直になる方向に少なくとも2つの該レーザが半導体基板上に並置されていることを特徴とする水平共振器垂直出射レーザアレイ。請求項8に記載の水平共振器垂直出射レーザアレイにおいて、隣接する前記レーザに設けられた凹部の平面形状が円形の場合に、前記凹部同士の中心間間隔が前記凹部の直径以下であることを特徴とする水平共振器垂直出射レーザアレイ。半導体基板上に設けられた第1導電型クラッド層と光を吸収する吸収層と第2導電型クラッド層がこの順に積層された積層構造を含み、前記半導体基板の少なくとも一部に設けられ、前記半導体基板に入射した光を導波する導波路層と、前記半導体基板の裏面から入射した光の光路を変更し前記吸収層へ入射させる反射鏡と、前記半導体基板の裏面であって該光が入射される光入射領域に設けられ、入射する光を集光する集光レンズと、を備え、前記半導体基板の裏面には、その底部に前記集光レンズが設けられた溝部と、前記半導体基板のヘキカイ方向に沿って設けられたテラス状部とを有し、前記テラス状部は、前記吸収層の形成領域を下方に延長してなる範囲内に配置され、前記半導体基板のヘキカイにより形成された結晶面を有する側端側に開放端を持ち、該開放端に対向する側に側壁を持ち、前記ヘキカイ方向を長手方向とするテラス形状を有することを特徴とする面入射導波路型受光素子。前記溝部は、前記光入射領域の周辺部を囲むように設けられた凹形状を有し、該溝内部の底部に前記集光レンズが設けられていることを特徴とする請求項10に記載の面入射導波路型受光素子。前記テラス状部の深さが、前記溝部の深さより深いことを特徴とする請求項10に記載の面入射導波路型受光素子。前記テラス状部の深さが、該光が入射する前記集光レンズ表面の入射点と入射した光が前記反射鏡で反射される反射点とを結ぶ経路長より短いことを特徴とする請求項10に記載の面入射導波路型受光素子。前記テラス状部の側壁が、前記半導体基板表面と概ね平行する方向に対して所定の角度を有するテーパ形状をなすように設けられていることを特徴とする請求項10に記載の面入射導波路型受光素子。前記テラス状部の断面形状がV字形状をなすことを特徴とする請求項10に記載の面入射導波路型受光素子。前記反射鏡の光共振方向の断面は、少なくとも前記吸収層側にテーパ形状を有することを特徴とする請求項10に記載の面入射導波路型受光素子。請求項10に記載の面入射導波路型受光素子が、該受光素子の光伝搬方向に対して垂直になる方向に少なくとも2つの該受光素子が半導体基板上に並置されていることを特徴とする面入射導波路型受光素子アレイ。請求項17に記載の面入射導波路型受光素子アレイにおいて、隣接する前記受光素子に設けられた凹部の平面形状が円形の場合に、前記凹部同士の中心間間隔が前記凹部の直径以下であることを特徴とする面入射導波路型受光素子アレイ。半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板上に第1導電型クラッド層と光を発生する活性層と第2導電型クラッド層とをこの順に積層し、前記活性層で発生した光を面内方向に反射もしくは共振させる共振器構造部を形成する工程と、前記半導体基板の少なくとも一部に、前記活性層から発生した光を導波する光導波路層を形成する工程と、前記共振構造部から放射される光を反射させ、前記半導体基板の裏面から出射するための反射鏡を前記光導波路層の一部に形成する工程と、前記半導体基板の裏面であって該光が出射される光出射領域に、前記反射鏡で反射された光を集光する集光レンズを形成する工程と、前記共振器構造の形成領域を下方に延長してなる範囲内に、前記半導体基板をヘキカイ可能な所定の方向を有するヘキカイ位置指定領域を含む範囲内にヘキカイ方向に沿って溝を設ける工程と、を備え、前記ヘキカイ位置指定領域においてヘキカイを行いことにより、前記半導体基板を少なくとも2つに分離し、分離された該半導体基板のそれぞれの側面に結晶面を形成することを特徴とする水平共振器垂直出射レーザの製造方法。水平共振器型垂直出射型レーザへのレンズ集積構造の例としては、特許文献1、2に開示されているようなレンズと同心円状の円形の窪みの底部に集積した構造或いは、非特許文献1に開示されているレンズが基板面に対して突出している構造のいずれかが考えられる。しかしながら、非特許文献1に開示されている構造では、半導体プロセス中及び素子をモジュールに実装する際に突出したレンズが物に当たるなどして破損する恐れがあり素子作製、モジュール組立ての両方で歩留まりが低下するなどの課題がある。これに対して、特許文献1,2に開示されているような構造ではレンズ周辺の基板面がレンズを保護するためにこのような課題は生じない。したがって、特許文献1,2に開示されている構造がより好適である。特許文献1,2に開示されているような従来の水平共振器垂直面発光レーザの構造例を図1A,Bを用いて説明する。以下本素子の構造を説明する。図1Aは、素子の光軸方向断面である。本素子はn型InP基板1001上に形成されている。光は該基板1001の裏面のn電極1006と該基板1の表面のp電極1005からInGaAsP活性層1002に電流が注入されて発生する。発生した光は屈折率が周期的に変化する回折格子1003が形成された導波路中を伝播する。光がこの回折格子で帰還されることでレーザ発振が起こる。本レーザは所謂分布帰還形DFB:DistributedFeedbackレーザである。こうして発生したレーザ光は導波路の一端をエッチング加工することで形成された45°反射鏡1008で全反射し、基板裏面方向に導かれ、基板裏面の出射面に集積されたレンズ1010から出射される。素子はチップ化された後、図示していないがレーザサブマウント上に、p電極1005のある面を接着面としてAuSnはんだでダイボンドされる。一方、n電極は50μ径の金ワイヤ1012を用いて、図示していないが、グランドと接続される。尚、本例では金ワイヤを用いて実装する構造を示したが、フリップチップ実装構造でも可能である。図1Bは素子の実装平面図である。このような構造を持つ水平共振器面発光レーザでは、共振器を基板面内に形成するので、共振器長を長く取ることができ、高出力可が容易である。また、基板面に垂直に光を出射するので、受光部材を素子の上面に配置することができ、高密度実装にも有利である。また、出射面に比較的容易に集積レンズを形成することが可能であるため、光受光系との高効率な光結合が可能であり、省電力化やモジュールの部品点数削減小型化にも優れた素子といえる。しかしながら、図1Aから分かるように、このような特許文献1,2に開示されている構造ではレンズが集積されている凹部1015が基板上の他の部位よりも薄くなる。このため、高密度実装に好適な狭ピッチのアレイ型にした場合、以下に説明するような作製上の課題が生じる。特許文献1,2に開示されている従来のレンズ集積型水平共振器垂直出射レーザでは、狭ピッチのアレイ構造とした場合、即ち各素子幅を縮小すると、隣接するレンズ間隔が小さくなり、図1Cに示されているようにレンズが形成されている凹部の間隔も密になる。つまり、ウェハの厚さが薄い部分が列状に且つヘキカイ方向と並行方向図1cのaa,bb,cc,dd,ee方向に密に配置されることになる。このため、所望のヘキカイ位置であるaaでは割れずに、bb、cc、dd、eeなどのウェハ厚が薄い部位に沿って割れてしまい、素子の作製歩留まりが著しく低下するという課題があった。尚、本課題は主として、GaAs基板及びInP基板を用いた光デバイスに特有のものである。他の光デバイスに使用される代表的な基板として、サファイア基板を例に挙げると、この基板はその結晶的性質から、GaAs、InPなどと比較して硬く割れにくい。このため、凹凸構造の有無に関わらず、元来結晶面を発生させるヘキカイが困難である。また、シリコンを用いるデバイスでは基板の厚さが600μm程度以上とGaAsやInPを用いるデバイスの100~200μmに対して厚く割れにくい。更にヘキカイによる結晶面を利用するデバイスはほとんど皆無であり、一般的にはダイシングによりチップ分割が実施されている。これに対して、本発明での課題は、GaAsやInP基板上にレンズを密に集積することでウェハ上に割れやすい箇所が新たに発生し、このため、結晶面を発生させたいヘキカイ位置でのヘキカイが困難になるというものである。つまり、サファイアやシリコンで発生している割れにくさの課題は元々の基板が持つ硬いという性質に起因しているものであり、構造を設けたがゆえに所定位置での割れにくさが発生している本発明での課題とは本質的に且つ構造的に異なるものである。以上のように、本発明が解決する課題はサファイアやシリコン基板を用いるデバイスでは本質的に発生しないものであるから、本発明は主として、GaAs或いはInP基板を用いる光デバイスに関する。そこで、本発明が解決しようとする課題は、作製歩留まりが高く、高密度簡易実装性に優れた水平共振器面出射型レーザを提供することである。上記目的を達成するための代表的な手段を以下に示す。本発明の水平共振器垂直出射レーザは、半導体基板上に第1導電型クラッド層と光を発生する活性層と第2導電型クラッド層がこの順に積層された積層構造を含み活性層で発生した光を面内方向に反射もしくは共振させる共振器構造部と、半導体基板の少なくとも一部に設けられ活性層から発生した光を導波する光導波路層と、共振構造部から放射される光を反射させ半導体基板の裏面から出射するための光導波路層の一部に設けられた反射鏡と、半導体基板の裏面であって該光が出射される光出射領域に設けられ反射鏡で反射された光を集光する集光レンズとを備え、半導体基板の裏面には、その底部に集光レンズが設けられた溝部と、半導体基板のヘキカイ方向に沿って設けられたテラス状部とを有し、テラス状部は、共振器構造の形成領域を下方に延長してなる範囲内に配置され、半導体基板のヘキカイにより形成された結晶面を有する側端側に開放端を持ち、該開放端に対向する側に側壁を持ち、ヘキカイ方向を長手方向とするテラス形状を有することを特徴とする。このような構成とすることにより、狭ピッチに配置されたレンズを有する水平共振器垂直出射レーザにおいても歩留まり良くヘキカイすることが可能である。さらに、素子幅を小さくすることができるために、面積あたりのウェハ利用効率も向上させることが可能なため、作製コストの低減も可能である。また、前記ヘキカイ位置指定領域に形成する前記溝はレンズと同時に形成することが可能であるため、新たな工程を増やすことなく、簡易に歩留まりを向上することが可能である。本発明によれば、所望のヘキカイ位置の直下に予め溝を設け、この位置でのウェハ厚さを薄くすることによって、素子間隔の狭ピッチ化に伴い発生する列状に密に配置された凹領域よりも、前記所望のヘキカイ位置でウェハが割れやすい構造としている。このため、所望の位置でのヘキカイを容易に発生させることができ、素子の作製歩留まりを向上させることができる。更に、狭ピッチ化した場合でも歩留まりが確保できることから、面積あたりのウェハ利用効率も向上させることが可能である。以下に、図面を用いて実施例を詳細に説明する。実施例1の水平共振器垂直出射型レーザの構造を図2A、図2B、図3A-F、図4を用いて説明する。本実施例は本発明を素子幅が製品化されているリボンファイバのピッチと同じ値である250μmの水平共振器垂直出射型レーザに適用した例である。図2Aはレーザ素子の表面の鳥瞰図であり、図2Bはレーザ素子の光出射面である。尚、図2A,Bでは単1チャンネル素子を切り出したチップを図示しているが、アレイ構造も可能である。当該実施例の水平共振器垂直出射型レーザはn型InP基板2000上に、活性層2001、p型半導体層2002、p型コンタクト層2004が順に積層成長され、更に図示しないが、活性層2001の直上には回折格子層が形成されている。p型半導体層2002にはpドープのInPが、活性層2001には、例えば、InGaAlAsの歪み量子井戸構造などが用いられ、回折格子層としてはGaInAsPなどが用いられる。また、半導体埋め込み層をエッチングした反射鏡2006を有する。この時、半導体埋め込み層には半絶縁性のFeドープInPを用いた。また、n型InP基板2000には凹形状段差が形成され、更にその段差の底部にはn型InP基板2000をエッチングして形成した集積レンズ2009が集積されており、この集積レンズ2009の表面には例えばアルミナの薄膜からなる無反射コーティングが施されている。この時、また、共振器の上部にはp型電極2005が形成されている。また、p型電極2005に対向する位置のn型InP基板上にn型電極2008を形成した。また、n型InP基板のヘキカイ端面には、本発明を適用してヘキカイを行ったため、テラス2007が形成されている。次に、図3A-Fを用いて、本発明を適用した水平共振器垂直出射型レーザの詳細な作製方法を説明する。図3A-Fは、実施例1で示す水平共振器垂直出射型レーザ素子の製造工程を示す断面図である。なお、当該断面は、図2Aで示すA-A間の断面である。図3A-Fに示すように、本実施例の波長1.3μm帯のInGaAlAs量子井戸型水平共振器面発光レーザ素子は、ストライプ状に加工された半導体のヘテロ構造が半絶縁層で埋め込まれた埋込みヘテロ型BH:BuriedHetero構造を有する。この例では、埋込みへテロ構造におけるストライプ状の光導波路部分の周囲は、Fe鉄をInPにドープした高抵抗の半絶縁層3007で埋め込まれている。n型半導体は硫黄Sulfur:元素記号Sをドープし、p型半導体は亜鉛Zinc:元素記号Znをドープするものとする。図3Aは、本実施例における積層構造の断面図を示す。n型InP基板3001の上に、活性層3002がある。図示しないが、この活性層3002は、n型InGaAlAsで構成されたn側光閉じ込め層、p型InGaAlAsで構成されたp型光閉じ込め層の間に、アンドープなInGaAlAsで構成され、厚さ7nmのウェル層WLと厚さ8nmのバリア層BLを5周期積層した多重量子井戸構造を備えている。このような多重量子井戸構造は、レーザとして十分な特性を実現できるように設計される。活性層3002の上には、InGaAsP系材料からなる回折格子層3003がクラッド層として機能するp型InPで構成されたp型半導体層3004に埋め込まれている。さらに、その上には、p型InPで構成されたコンタクト層3005が配置されている。活性層3002および回折格子層3003の構造は、室温でのDFBレーザの発振波長が1310nmとなるように形成した。光導波機能は活性層3002を、これより屈折率の低いクラッド層で挟み込むことによって生じるものであり、クラッド層/活性層/クラッド層の積層構造により光導波機能が実現されるものである。しかし、具体的形態では、活性層における光閉じ込めを強化するため、量子井戸層を挟んで光閉じ込め層を設けている。当然、クラッド層の屈折率は光閉じ込め層の屈折率より低い値である。尚、本実施例ではクラッド層として機能する第1半導体層はn型InP基板3001がこの役割を担っている。回折格子層3003の極性はp型とした。このような構造は、光の伝播方向に屈折率のみが周期的に変化するので屈折率結合型DFBレーザと呼ばれる。なお、本実施例では、回折格子3003がDFBレーザの全領域で均一に形成されたものを説明したが、必要に応じて、領域の一部に回折格子の位相をずらして構成した、いわゆる位相シフト構造を設けても良い。また、本実施例では、DFBレーザで構成したが、DBRレーザでも構わない。次に、本実施例の水平共振器垂直出射型レーザ素子の製造プロセスを、図3A-Fを用いて説明する。まず、図3Aに示すように、レーザ部分の構造を形成するために、n型InP基板上3001にn型InGaAlAsで構成された光閉じ込め層、InGaAlAsで構成された歪多重量子井戸層、およびp型InGaAlAsで構成された光閉じ込め層からなるInGaAlAsで構成された活性層3002を形成する。次に、その上方にInGaAsPで構成された回折格子層3003を含む半導体多層体を形成する。さらに、その上方にp型InPで構成されたp型半導体層3004クラッド層を形成し、次にp型InGaAsで構成されたコンタクト層3005を形成する。ドーピングによるキャリア濃度はn型p型ともに10の18乗cm-3にした。この多層構造を有するInPウェハ上に、二酸化珪素膜を被覆して保護マスクとする。この二酸化珪素マスクを用いて、図示していないが、コンタクト層、p型クラッド層3004、回折格子層3003、活性層3002、そしてn型InP基板3001の一部までをエッチングすることにより、光導波路を形成する図3Bを参照。エッチングには、例えば塩素系ガスによる反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtching等のドライエッチング、あるいは臭素系溶液等によるウェットエッチング、さらには両者の併用、いずれの手法を用いても良い。次に、図3Bに示すように、埋め込み成長を行う領域に酸化シリコン膜3006を用いて、パターニングマスクを形成した。酸化シリコン膜3006に覆われた領域は埋め込み成長時に半導体が成長されない。従って、このパターニングマスクを用いて、任意に埋め込み層を成長する部分としない部分を作成することができる。今回、このパターニング膜は導波路層を形成しない部位を覆うように形成した。次に、図3Cに示すように、本試料を結晶成長炉に搬入してMOVPE法を用いて600°CにてFeをドープしたInPで構成された半絶縁層3007を埋め込み成長した。このエッチング工程と埋込み層を再成長させるプロセスにより、埋込みヘテロ構造を形成した。埋込みへテロ構造は、光導波路の光進行方向の両側を、光を閉じ込め得る材料で埋め込んだ構造である。閉じ込めに用いる材料は、通例、高抵抗の材料とする。本例では、Feをドープした高抵抗のInPで構成した半絶縁層3007を用いた。なお、この埋込み構造形成工程においては光導波路の光進行方向に対して左右両側を埋め込むと同時に、光導波路の光出射側の端も半絶縁層3007で埋め込んだ。光導波路の先端をInPで埋め込んだ理由は、こうすることにより45°傾斜ミラーをエッチング加工する部分がInP材料Fe-InPだけで構成されるようにすることができて、エッチングで形成するミラーを完全に平滑に加工することが容易になるからである。その後、図3Dに示すように、埋込み成長のための選択成長マスクとして用いた二酸化珪素膜3006を除去して、エッチングマスク用の窒化珪素膜図示せずを形成し、45°の傾斜角度にFeがドープされたInPで構成された半絶縁層3007をエッチングし、反射鏡3009を形成した。この傾斜エッチングには、塩素とアルゴンガスを用いた化学アシストイオンビームエッチングCAIBE:ChemicallyAssistedIonBeamEtchingを用い、ウェハを45°の角度に傾斜させてエッチングすることにより45°のエッチングを実現した。なお、本実施例ではCAIBEを用いたエッチング方法について記載したが、塩素系ガスの反応性イオンビームエッチングRIBE:ReactiveIonBeamEtchingや、ウェットエッチングを用いても良い。反射鏡3009の光軸方向断面形状は、カタカナのれの字型としたが、V型でも可能であり、また、斜面のみからなる構造でも可能である。次に、窒化珪素膜を除去した後、p型InGaAsコンタクト層3005の上部にp電極3008p型電極を蒸着した。さらに、基板裏面を150μmの厚みまで研磨した後、基板裏面に窒化珪素マスク3010を形成した。続いて、図3Eに示すように、メタンと水素の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、直径125μm深さ30μmの円形状にエッチングした。この時、円柱形上の円の中心位置が、活性層3002の延長線αと45度傾斜ミラーの交差する点から直下に降ろした垂線と交わるように上記窒化珪素マスク3010を形成している。なお円の形状は用途によって楕円形状の場合もある。また、この時、同時に図3Eに示すようにヘキカイ端面を形成する位置のn型InP基板にヘキカイ方向即ち、光軸と直交する方向に溝3011を形成した。この時溝3011の幅光軸方向長さは60μmとし、深さは前記円柱形上と同じ30μmとした。引き続いて、図3Fに示すように、窒化珪素マスク3010を除去し、ドーナツ状に掘りこんだ部分に囲まれた柱状部分90の上部の窒化珪素マスクを除去し、ウェットエッチングを行った。これにより柱状の部分表面から食刻されて角が取れ、裏面InPレンズ3012が形成された。なお、該レンズの表面は、後の工程で、無反射膜3013で覆われる。ビーム出射面において凸レンズが形成されているので、放射角の狭い平行性の高いビームを得ることが可能である。次に、n型InP基板上にレジストでパターニングを行い、n型電極3014を蒸着した。図3Gにはここまでの工程で出来上がった水平共振器垂直出射レーザの光軸方向に隣接する2素子を図示している。本実施例では、図3Hに示すように、後にヘキカイ端面を形成する位置f-fを共有するように素子を配置した。次に溝3011に沿った、所定のヘキカイ領域f-fでヘキカイを行い、素子が光軸直交方向に並んだバー状形成体を作製した。この時、ヘキカイに形成された端面はInPの100結晶面であるようにした。この時のバー状形成体の光軸方向の断面図を図3Iに示す。本発明を適用したことによって、バー状形成体のヘキカイ位置のn型InP基板上には、テラス3015が形成されている。また、本発明を適用することによって、素子幅を250μmと狭ピッチ化した構造において、ヘキカイ時にレンズを形成した凹部で割れることなく、歩留まり高くバー状形成体を作製することができた。また、ウェハの面積当り素子取得数も従来の約1.6倍程度に向上することができ、コストの低減にも効果的な素子を作製することができた。その後、ヘキカイにより形成された結晶面に図示しないが、アモルファスシリコンとアルミナの積層構造からなる高反射膜を形成した。その後、所定のチャンネルごとにチップ化を行った。以上の工程により作製された4チャンネルアレイ型のレンズ集積水平共振器垂直出射レーザの鳥瞰図を図4に示す。本実施例の水平共振器面発光レーザ素子は、レンズ集積の効果により、ビーム拡がり角は2°であり、レーザ裏面から100μmの位置で直径120μmの円形なビームスポットとなる狭出射ビームを得た。以上より、高密度集積に好適な狭ピッチ且つ、ビーム広がり角の狭いアレイレーザを歩留まり良く作製することができた。なお、本実施例ではInP基板上に形成された波長帯1.3μmのInGaAlAs量子井戸型レーザに適用した例を示したが、基板材料や活性層材料、そして発振波長はこの例に限定されるものではない。本発明は例えば1.55μm帯InGaAsPレーザ等のその他の材料系にも同様に適用可能である。また、以上においては、BH構造の実施例を示したが、本発明は、リッジウェーブガイドRWG:RidgeWaveGuide型構造にも適用が可能である。本実施例は本発明を素子幅が250μmのRWG型のフリップチップ実装構造を有する1.3μm帯のInGaAlAs量子井戸型水平共振器面出射型レーザに適用した例である。図5Aはレーザ素子の表面の鳥瞰図であり、図5Bはレーザ素子の光出射面である。当該実施例の水平共振器垂直出射型レーザはFeドープの半絶縁性半導体基板4000上にn型半導体層4001、活性層4002、p型半導体層4003、コンタクト層4004が順に積層成長され、更に図示しないが、その上に活性層4002の直上には回折格子層が形成されている。n型半導体層4001にはnドープInPが、p型半導体層4003にはpドープのInPが、活性層4002には、例えば、InGaAlAsの歪み量子井戸構造などが用いられ、回折格子層としてはGaInAsPなどが用いられる。また、半導体埋め込み層をエッチングした反射鏡4009を有する。この時、素子間の電気分離層4008を同時に形成した。本実施例はRWG型であるため、図5Aに示すように、共振器直上のp型半導体層4003が凸型のストライプ状にエッチングされたリッジ形状を有する。このリッジ形状の上部にはp型電極4005が形成されている。また、これとは別に、p型半導体層4003、及び活性層4002をn型半導体層4001に達するまで掘り込み、露出したn型半導体層をn型のコンタクト層4007としてn型電極4006を形成した。また、図5Bに示すように半絶縁性半導体基板4000の裏面には、実施例1と同様なレンズを形成した。この時、実施例1と同様に、ヘキカイ位置を含む半絶縁性基板4000上に光軸と直交する方向に溝を形成した。その後、作製した溝に沿ってヘキカイを行い形成された結晶面に実施例1と同様に、図示しないが高反射膜を形成した。尚、図5A、Bではチップ化により単一チャンネル素子とした場合を図示しているが、もちろんアレイ構造も可能である。以上の工程により、フリップチップ実装構造のレンズ集積型、水平共振器垂直出射型レーザを狭ピッチ化素子幅短縮した場合においても、ヘキカイ歩留まり良く、素子を作製することができた。RWG型レーザでは上記リッジ形状部分を介して、活性層の共振器垂直方向断面において局所的に効率的に電流注入が可能である。また、光は電流注入された部分のみから発生するため、共振器垂直方向断面における光の閉じ込めも同時に達成される。更に、高温下において、BH構造で顕著に見られるような活性層側方部への電流リークも起こらないため、広温度範囲での動作が可能である。本実施例は本発明を適用して作製した、アレイ型のレンズ集積水平共振器垂直出射型レーザを小型モジュールに適用した場合の構成例である。図6Aはモジュールの素子光軸方向に沿った断面図であり、図6Bはモジュールの上面図を示している。本実施例のモジュールはストリップ線路を有するパッケージ基板6001上に、多層配線セラミック基板6002が金バンプ6009によって実装されており、更に多層配線セラミック基板6003上には、レーザを駆動するための集積回路6003及び、本発明を適用して作製したフリップチップ実装構造を有する4チャンネルのレンズ集積型の水平共振器垂直出射レーザアレイ6004が金バンプにより電気的接続を取りながら実装されている。更に、レーザアレイ6004の上方には支柱部材6008によって、レンズアレイ6006が実装されたファイバアレイコネクタ6005が最適な光結合を有する位置に実装されている。ファイバアレイコネクタに接続されているリボンファイバ6007のピッチ間隔は250μmとした。また、これに合わせるためにレーザアレイの各チャンネル間隔も250μmとした。この時、レーザアレイ6004の光出射面に集積されているレンズは実施例1の場合と同様に、レンズと同心円をなす凹部の底部に集積されている。また、光結合の観点から凹部の直径が200μm、レンズ直径を100μmとした。この場合、隣接する凹部の間隔は50μmと極めて小さくなるが、本発明を適用することで、歩留まり良く素子を作製することができた。また、このように作製した素子を用いることで、4チャンネル同時に高効率な光結合を実現できた。本モジュールを用いることによって、チャンネル当り25Gbps、合計100Gbpsの信号を伝送することができた。以上により、本発明を適用したレーザアレイを用いることで、ルータ装置内用として好適な小型な光モジュールを作製できた。本実施例は本発明を面入射型の導波路型フォトダイオードに適用した例である。図7Aは素子の表面鳥瞰図であり、図7Bは光入射面である。本実施例の導波路型フォトダイオードの作製方法を以下に説明する。最初に、n型InP基板7000上に有機金属気相成長法を用いて、図示しないが、InAlAsから成る第一クラッド層、InGaAlAsから成る第一コア層、及び、InGaAsから成る吸収層7001、図示しないが、InGaAlAsから成る第二コア層、InAlAsから成る第二クラッド層、InGaAsから成るコンタクト層をこの順に成長する。次に、第一クラッド層、第一コア層、吸収層、第二コア層、第二クラッド層、コンタクト層、n型InP基板の一部までをエッチングし、長さ100μm、幅10μmのリッジ形状を形成した。エッチングには、例えば塩素系ガスによる反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtching等のドライエッチング、あるいは臭素系溶液等によるウェットエッチング、さらには両者の併用、いずれの手法を用いても良い。続いて、リッジ形状の周辺部をFeドープのInPから成る埋め込み半絶縁層7003により埋め込んだ。その後、リッジ形状の先端部分前方にエッチングにより反射鏡7006を形成した。その後、図示しないが、SiNから成る保護膜7005をウェハ表面に形成し、リッジ形状上部の一部のSiNを除去した。その後、p電極7004をリッジストライプ上に形成した。この時、実装時の傾き防止のためスタッド用のp電極7002を同時に形成した。次に、n型InP基板7000レンズ7009を形成した。また、図7Bに示すように半絶縁性半導体基板7000の裏面には、実施例1と同様なレンズを形成した。この時、実施例1と同様に、ヘキカイ位置を含む半絶縁性基板7000上に光軸と直交する方向に溝を形成した。続いて、n型電極7008を形成し、最後に図示していないが、レンズ7009上へアルミナ単層膜からなる無反射コートを施した。その後、作製した溝に沿ってヘキカイを行った。ヘキカイ後のチップには本発明を用いたことによりテラス7007が形成されている。尚、図7A、Bではチップ化により単一チャンネル素子とした場合を図示しているが、もちろんアレイ構造も可能である。以上の工程により、フリップチップ実装構造のレンズ集積型、水平共振器垂直出射型レーザを狭ピッチ化素子幅短縮した場合においても、ヘキカイ歩留まり良く、素子を作製することができた。以上のように作製された導波路型フォトダイオードは、n型InP基板7000に垂直方向にレンズ7009を介して入射した光が反射鏡7006により基板面内方向へ90°光路変換され、ストライプ状の吸収層へと導かれる。以上の手順にて作製された導波路型のフォトダイオードは変換効率0.8W/A、変調帯域は30GHzであり、25Gbpsでの動作を達成した。"