"以下の式によって表されされるジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料。ここで、R1とR2はC1~C20のアルキル基であり、nは10~50の整数である。nが30~40である、ことを特徴とする請求項1に記載のジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料。以下のステップを含む、ジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料の製造方法。ステップS1:以下の式によって表される化合物Aと、化合物Bをそれぞれ提供するステップ;ここで、化合物AのR1は、C1~C20のアルキル基であり、化合物BのR2は、C1~C20のアルキル基である。ステップS2:無酸素環境において、モル比を1:1として、触媒を含む有機溶剤中に、化合物Aと化合物Bを加え、Heckカップリング反応Heckcouplingreactionを70°Cから130°Cの温度で24~96時間実施し、以下の式によって表されるジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料を得る。ここで、nは、10~50の整数である。以下のステップS3をさらに含む、ことを特徴とする請求項3に記載のジフルオロベンゾトリアゾリル太陽電池材料の製造方法。ステップS3:ステップS2で得られたジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料を精製するステップ。ステップS2における触媒は、有機パラジウム、又は、有機パラジウムと有機りんリガンドの混合物である、ことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載のジフルオロベンゾトリアゾリル太陽電池材料の製造方法。有機パラジウムは、ビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロリドと、テトラキストリフェニルホスフィンプラチナ、酢酸パラジウムの少なくとも一つから選択され、有機りんリガンドは、トリ-O-トリルフォスフィンTRI-O-TOLYPHOSPHINEである、ことを特徴とする請求項5に記載のジフルオロベンゾトリアゾリル太陽電池材料の製造方法。有機パラジウムと化合物Aのモル比は、1:20~1:100である、ことを特徴とする請求項5に記載のジフルオロベンゾトリアゾリル太陽電池材料の製造方法。有機溶媒溶液は、トルエン、N,N-ジメチルホルムアミド、およびテトラヒドロフランの少なくとも一つから選択される、ことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載のジフルオロベンゾトリアゾリル太陽電池材料の製造方法。前記ステップS2において、Heckカップリング反応の反応温度は、90°Cから120°Cであり、Heckカップリング反応の反応時間は48~72時間である、ことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載のジフルオロベンゾトリアゾリル太陽電池材料の製造方法。請求項1に記載のジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料の有機太陽電池における使用方法。本発明は高エネルギー変換効率を有するジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料を提供することを目的とする。本発明のジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料は、以下の式1によって表される構造式により代表される。ここで、R1とR2はC1~C20のアルキル基であり、nは10~50の整数である。好ましくは、30~40である。また、本発明は、以下のステップを含むジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料の製造方法を提供することである:ステップS1:以下の式2によって表される化合物Aと、化合物Bをそれぞれ提供するステップ。ここで化合物AのR1は、C1~C20のアルキル基であり、化合物BのR2は、C1~C20のアルキル基である。ステップS2:無酸素環境において、モル比を1:1として、触媒を含む有機溶剤中に、化合物Aと化合物Bを加え、Heckカップリング反応Heckcouplingreactionを70°Cから130°Cの温度で24~96時間実施し、以下の式3によって表されるジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料を得る。ここで、nは、10~50の整数である。上述のジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料の製造方法は、さらに以下のステップを含む。ステップS3:ステップS2で得られたジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料を精製するステップ。ジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料の製造方法において、上述のステップS2における触媒は有機パラジウム、又は、有機パラジウムと有機りんリガンドの混合物である。有機パラジウムと化合物Aのモル比は、1:20~1:100である。有機パラジウムは、ビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロリドと、テトラキストリフェニルホスフィンプラチナ、酢酸パラジウムの少なくとも一つから選択される。有機りんリガンドは、トリ-O-トリルフォスフィンTRI-O-TOLYPHOSPHINEである。有機溶媒溶液は、トルエン、N,N-ジメチルホルムアミド、およびテトラヒドロフランの少なくとも一つから選択される。好ましくは、ステップS2において、Heckカップリング反応の反応温度は、90°Cから120°Cであり、Heckカップリング反応の反応時間は48~72時間である。本発明はさらに有機太陽電池にジフルオロベンゾトリアゾリル有機半導体材料を応用することを目的とする。本発明で提供されるジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料は、1,2,3-ベンゾトリアゾール有機物半導体材料が、2つのフッ素原子を含んでいるため、そのHOMOエネルギー準位が0.11eV減少し、一方で、フッ素置換1,2,3-ベンゾトリアゾールが、強い電子求引性能力を有する二つのイミド基を有しており、そのフッ素置換1,2,3-ベンゾトリアゾールは、強い電子求引性能力を有する複素環式化合物であり、アルキル鎖がベンゾトリアゾールのN‐H結合のN-位置に容易に導入される。アルキル鎖の官能基は太陽エネルギー変換効率を改良でき、その結果、有機物半導体材料で作られた太陽電池の低効率の問題が解決される。さらに、アルキル鎖の官能基はジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料の溶解牲を調整することができ、有機物半導体材料を成膜プロセスに役立てることができ、有機半導体材料太陽電池の分野での応用範囲が広げられる。本発明で提供されるジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料は、以下の式4によって表される。ここで、R1とR2はC1~C20のアルキル基であり、nは10~50までの整数であり、好ましくは、30~40である。図1に示されるように、上述のジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料の製造方法は、以下のステップを含んでいる。ステップS1:以下の式によって表される化合物Aと、化合物Bをそれぞれ提供するステップ。化合物A:2,5-ジアルコキシ-1,4-ジビニルベンゼン、化合物B:2-アルキ-4,7-ビス5-ブロモ-チェニル-5,6-ジフルオロ-1,2,3-ベンゾトリアゾール。ここで化合物AのR1は、C1~C20のアルキル基であり、化合物BのR2は、C1~C20のアルキル基である。ステップS2:無酸素環境例えば、窒素、アルゴン、または、窒素とアルゴンの混合物の環境において、モル比を1:1として、触媒を含む有機溶剤中に、化合物Aと化合物Bを加える。そして、Heckカップリング反応Heckcouplingreactionを70°Cから130°C望ましくは90°Cから120°Cの温度で24~96時間望ましくは48~72時間実施し、反応溶液が得られる。製品を含む反応溶液、すなわち、以下の式7によって表されるジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料を得る。ここで、nは、10~50の整数である。ステップS3:ステップS2で得られた製品を、以下の方法で精製する。ステップS2の反応溶液にメタノールを加え、反応溶液を沈殿させ、ソックスレー抽出器によってろ過し、順次メタノールとn-ヘキサンを用い、抽出、沈殿を24時間掛けて行う。溶媒としてクロロホルムを使用し、反応溶液が無色になるまで抽出、沈殿を行う。クロロホルム溶液が収集され、赤色の粉末を得るために回転蒸発させられ、真空下で50°Cの温度で24時間乾燥させ、精製されたジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料を得る。上述したジフルオロベンゾトリアゾリル太陽電池材料の製造方法のステップS2において、触媒は有機パラジウム、又は、有機パラジウムと有機りんリガンドの混合物である。有機パラジウムと化合物Aのモル比は、1:20~1:100である。有機パラジウムは、ビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロリドと、テトラキストリフェニルホスフィンプラチナ、酢酸パラジウムの少なくとも一つから選択される。有機りん配位子は、トリ-O-トリルフォスフィンTRI-O-TOLYPHOSPHINEであり、有機パラジウムと有機りん配位子の混合物において、有機パラジウムと有機りん配位子のモル比は、1:3から1:6である。有機溶媒溶液は、トルエン、N,N-ジメチルホルムアミド、およびテトラヒドロフランの少なくとも一つから選択される。好ましくは、ステップS2において、Heckカップリング反応の反応温度は、90°Cから120°Cであり、Heckカップリング反応の反応時間は48~72時間である。本発明で提供されるジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料は、1,2,3-ベンゾトリアゾール有機物半導体材料が、2つのフッ素原子を含んでいるため、そのHOMOエネルギー準位が0.11eV減少し、一方で、フッ素置換1,2,3-ベンゾトリアゾールが、強い電子求引性能力を有する二つのイミド基を有しており、そのフッ素置換1,2,3-ベンゾトリアゾールは、強い電子求引性能力を有する複素環式化合物であり、アルキル鎖がベンゾトリアゾールのN‐H結合のN-位置に容易に導入される。アルキル鎖の官能基は太陽エネルギー変換効率を改良でき、その結果、有機物半導体材料で作られた太陽電池の低効率の問題が解決される。さらに、アルキル鎖の官能基はジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料の溶解牲を調整することができ、有機物半導体材料を成膜プロセスに役立てることができ、有機半導体材料太陽電池の分野での応用範囲が広げられる。さらに、本発明の製造方法は、比較的簡単な合成経路を使い、これにより、プロセスがシンプルになり、材料費を安価にすることができ、製造コストを下げることができる。上述したジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料は、有機太陽電池の活性層に応用することができる。本発明特許の内容をより理解し易くするために、具体的な実施例と図を用い、具体的な材料の製造とデバイスの製造を含め、本発明の技術案を説明する。しかしながら、実施例は、本発明の範囲を限定するものではない。化合物Aのモノマーは市場において購入することができ、化合物Bのモノマーは、参考文献J.Am.Chem.Soc.2011,133,4625に従って準備することができ、或いは、市場において購入することができる。実施例1本実施例のジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料はポリ{2,5-ジ-n-オクチルオキシ-1,4-ジビニルベンゼン-co-2-n-オクチル-4,7-ジチニエル-5,6-ジフルオロフェニル-ベンゾトリアゾール}であり、R1はn-オクチルであり、R2がn-オクチルであり、nは40である。その構造式は、以下の式8によって表される。有機物半導体材料の製造方法は、以下のステップを含む。化学反応式は以下の式9によって表される。2,5-ジ-n-オクチルオキシ-1,4-ジビニルベンゼン116mg、0.3mmol、2-n-オクチル-4,7-ビス5-ブロモチェニル-5,6-ジフルオロ-1,2,3-ベンゾトリアゾール176.8mg、0.3mmol、酢酸パラジウム10.1mg、0.015mmol、およびトリ-o-メトキシリン3mgが、12mlのN,N-ジメチルホルムアミドを含むフラスコに加えられ、溶液を形成するために溶解される。約30分間フラスコに窒素を十分導入し、空気を排出させた後、100°Cの温度で攪拌をさせながら、Heckカップリング反応を48時間させ、温度降下をさせた後にカップリング反応を停止させ、反応溶液を得た。40mlのメタノールをフラスコに加え、沈殿処理を行い、ソックスレー抽出器で濾過し、その後、順次メタノールとn-ヘキサンを用い、抽出、沈殿を24時間掛けて行う。溶媒としてクロロホルムを使用し、反応溶液が無色になるまで抽出、沈殿を行う。クロロホルム溶液が収集され、赤色の粉末を得るために回転蒸発させられ、真空下で50°Cの温度で24時間乾燥させ、ポリ{2,5-ジ-n-オクチルオキシ-1,4-ジビチルベンゼン-co-2-n-オクチル-4,7-ジチエニル-5,6-ジフルオロフェニル-ベンゾトリアゾール}を得る。収率は57である。試験結果:分子量ゲル浸透クロマトグラフ、THF、R.I:Mn=31.0kDa、Mw/Mn=2.1。図2は、実施例1で製造されたジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料の紫外可視吸収スペクトルを示しており、図2からこの共役重合体が約621nmに強い吸収ピークを呈することが確認される。実施例2本実施例のジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料は、ポリ{2,5-ジメトキシ-1,4-ジビニルベンゼン-co-2-n-エイコシル-4,7-ジチエニル-5,6-ジフルオロフェニル-ベンゾトリアゾール}であり、R1がメチルであり、R2がn-エイコシルであり、nは30である。その構造式は、以下の式10によって表される。有機物半導体材料の製造方法は、以下のステップを含む。化学反応式は以下の式11によって表される。2,5-ジメトキシ-1,4-ジビニルベンゼン38mg、0.2mmolと2-エイコシル-4,7-ビス5-ブロモ-チェニル-5,6-ジフルオロ-1,2,3-ベンゾトリアゾール151.4mg、0.2mmolが、15mlのトルエンを含むフラスコに加えられ、溶液を形成するために溶解される。フラスコが真空引きされ酸素を取り除き、アルゴンを導入する。そして、5mgのビストリフェニルホスフィン二塩化パラジウムをフラスコに加えた後に、90°Cの温度で攪拌をさせながら、Heckカップリング反応を72時間させ、温度降下をさせた後にカップリング反応を停止させ、反応溶液を得た。50mlのメタノールをフラスコに加え、沈殿処理を行い、ソックスレー抽出器で濾過し、その後、順次メタノールとn-ヘキサンを用い、抽出、沈殿を24時間掛けて行う。溶媒としてクロロホルムを使用し、反応溶液が無色になるまで抽出、沈殿を行う。クロロホルム溶液が収集され、赤色の粉末を得るために回転蒸発させられ、真空下で50°Cの温度で24時間乾燥させ、ポリ{2,5-ジメトキシ1,4-ジビニルベンゼン-co-2-n-エイコシル-4,7-ジチエニル-5,6-ジフルオロフェニル-ベンゾトリアゾール}を得る。収率は57である。試験結果:分子量ゲル浸透クロマトグラフ、THF、R.I:Mn=23.6kDa、Mw/Mn=2.2。実施例3本実施例のジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料は、ポリ{2,5-ビスn-エイコシルオキシ-1,4-ジビニルベンゼン-co-2-n-メチル-4,7-ジチエニル-5,6-ジフルオロフェニル-ベンゾトリアゾール}であり、R1がエイコシルであり、R2がn-メチルであり、nは35である。その構造式は、以下の式12によって表される。有機物半導体材料の製造方法は、以下のステップを含む。化学反応式は以下の式13によって表される。2,5-ビスn-エイコシルオキシ-1,4-ジビニルベンゼン217mg、0.3mmol、2-メチル-4,7-ビス5-ブロモ-チェニル-5,6-ジフルオロ-1,2,3-ベンゾトリアゾール147.3mg、0.3mmolが、15mlのテトラヒドロフランを含む50mlの二首フラスコに加えられ、窒素とアルゴンの混合気が二首フラスコに十分に導入され、約20分間空気を取り除く。そして、17mgのパラジウムテトラキストリフェニルホスフィンをフラスコに加えた後、約10分間窒素とアルゴンの混合気を通して空気を取り除き、120°Cの温度で攪拌をさせながら、Heckカップリング反応を48時間させ、温度降下をさせた後にカップリング反応を停止させ、反応溶液を得た。40mlのメタノールをフラスコに加え、沈殿処理を行い、ソックスレー抽出器で濾過し、その後、順次メタノールとn-ヘキサンを用い、抽出、沈殿を24時間掛けて行う。溶媒としてクロロホルムを使用し、反応溶液が無色になるまで抽出、沈殿を行う。クロロホルム溶液が収集され、赤色の粉末を得るために回転蒸発させられ、真空下で50°Cの温度で24時間乾燥させ、ポリ{2,5-ビスn-エイコシル-1,4-ジビニルベンゼン-co-2-メチル-4,7-ジチエニル-5,6-ジフルオロフェニル-ベンゾトリアゾール}を得る。収率は52である。試験結果:分子量ゲル浸透クロマトグラフ、THF、R.I:Mn=36.9kDa、Mw/Mn=2.3。実施例4本実施例のジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料はポリ{2,5-ジ-n-ヘキシルオキシ-1,4-ジビニルベンゼン-co-2-n-ドデシル-4,7-ジチニエル-5,6-ジフルオロフェニル-ベンゾトリアゾール}であり、R1はn-ヘキシルであり、R2がn-ドデシルであり、nは10である。その構造式は、以下の式14によって表される。有機物半導体材料の製造方法は、以下のステップを含む。化学反応式は以下の式15によって表される。2,5-ジ-n-ヘキシルオキシ-1,4-ジビニルベンゼン66mg、0.2mmol、2-n-ドデシル-4,7-ビス5-ブロモ-チェニル-5,6-ジフルオロ-1,2,3-ベンゾトリアゾール129mg、0.2mmolが、15mlのトルエンを含むフラスコに加えられ、溶液を形成するために溶解される。フラスコが真空引きされ酸素を取り除き、アルゴンを導入する。そして、ビストリフェニルホスフィン二塩化パラジウム0.01mmol、7.02mgをフラスコに加えた後に、130°Cの温度で攪拌をさせながら、Heckカップリング反応を24時間させ、温度降下をさせた後にカップリング反応を停止させ、反応溶液を得た。50mlのメタノールをフラスコに加え、沈殿処理を行い、ソックスレー抽出器で濾過し、その後、順次メタノールとn-ヘキサンを用い、抽出、沈殿を24時間掛けて行う。溶媒としてクロロホルムを使用し、反応溶液が無色になるまで抽出、沈殿を行う。クロロホルム溶液が収集され、赤色の粉末を得るために回転蒸発させられ、真空下で50°Cの温度で24時間乾燥させ、ポリ{2,5-ジ-n-ヘキシルオキシ-1,4-ジビニルベンゼン-co-2-n-ドデシル-4,7-ジチエニル-5,6-ジフルオロフェニル-ベンゾトリアゾール}を得る。収率は48である。試験結果:分子量ゲル浸透クロマトグラフ、THF、R.I:Mn=8.9kDa、Mw/Mn=2.3。実施例5本実施例のジフルオロベンゾトリアゾリル有機物半導体材料はポリ{2,5-ジn-テトラデシルオキシ-1,4-ジビニルベンゼン-co-2-n-ブチル-4,7-ジチニエル-5,6-ジフルオロトリアゾール}であり、R1はn-テトラデシルあり、R2がn-ブチルであり、nは50である。その構造式は、以下の式16によって表される。有機物半導体材料の製造方法は、以下のステップを含む。化学反応式は以下の式17によって表される。2,5-ジn-テトラデキシルオキシ-1,4-ジビニルベンゼン166mg、0.3mmol、2-ブチル-4,7-ビス5-ブロモ-チェニル-5,6-ジフルオロ-1,2,3-ベンゾトリアゾール159mg、0.3mmolが、15mlのテトラヒドロフランを含む50mlの二首フラスコに加えられ、窒素とアルゴンの混合気が二首フラスコに十分に導入され、約20分間空気を取り除く。そして、パラジウムテトラキストリフェニルホスフィン0.003mmol、3.7mgをフラスコに加えた後に、約10分間窒素とアルゴンの混合気を通して空気を取り除き、70°Cの温度で攪拌をさせながら、Heckカップリング反応を96時間させ、温度降下をさせた後にカップリング反応を停止させ、反応溶液を得た。40mlのメタノールをフラスコに加え、沈殿処理を行い、ソックスレー抽出器で濾過し、その後、順次メタノールとn-ヘキサンを用い、抽出、沈殿を24時間掛けて行う。溶媒としてクロロホルムを使用し、反応溶液が無色になるまで抽出、沈殿を行う。クロロホルム溶液が収集され、赤色の粉末を得るために回転蒸発させられ、真空下で50°Cの温度で24時間乾燥させ、ポリ{2,5-ジ-テトラデキシルオキシ-1,4-ジビニルベンゼン-co-2-n-ブチル-4,7-ジチエニル-5,6-ジフルオロトリアゾール}を得る。収率は75である。試験結果:分子量ゲル浸透クロマトグラフ、THF、R.I:Mn=46.3kDa、Mw/Mn=2.0。実施例6本実施例の有機太陽電池は、実施例1のポリ{2,5-ジ-n-オクチルオキシ-1,4-ジビニルベンゼン-co-2-n-オクチル-4,7-ジチエニル-5,6-ジフルオロフェニル-ベンゾトリアゾール}すなわち、DFBTz-PPV1を、活性層の電子提供材料としたものである。図3に示すように、有機太陽電池は、順次積層されるガラス基板11,透明陽極12,中間補助レイヤ13,活性層14,および陰極15を含んでいる。透明陽極12は、インジウムすず酸化物ITOと略称されるで構成することができ、好ましくは、シート抵抗が10-20Ω/平方を有するインジウムすず酸化物が用いられる。中間補助レイヤ13は、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンとポリースチレンスルホナートの合成材料PEDOT:PSSと略称されるで構成される。活性層14は、電子供容体と電子受容体を含んでいる。電子供容体は、実施例1で得られるポリマーすなわち、DFBTz-PPV1で構成できる。電子受容体は、[6,6]-フェニル-C61-酪酸メチルエステルPCBMと略称されるで構成できる。陰極15は、アルミニウム電極または二重層金属電極で構成することができ、例えば、Ca/Al或いはBa/Alなどであり、その厚さは、望ましくは170nm、30nm、130nmまたは60nmである。ガラス基板11は、ボトムレイヤとすることができ。制作時には、ITOガラスは、超音波によって掃除後、酸素プラズマ処理され、次いで、中間補助レイヤ13がスピンコートされる。実施例1で得られたポリマーと電子受容体を混合し、活性層14を形成するために中間補助レイヤ13の上にコーティングされ、次いで、活性層14の上に真空蒸着法で陰極15が蒸着され、有機太陽電池が作製される。有機太陽電池は、4時間、110°Cで気密状態下で加熱された後、室温に冷却される。このアニーリングプロセスは、分子内の各グループと分子鎖セグメントの間の配列の順序性と、規則性を効果的に高め、キャリア移動率の伝送速度と効率を高め、その結果、光電変換効率が高められる。本実施例では、陰極15のAl層の厚さは170nmである。図3に示すように、光が照らされると、光はガラス基板11とITO電極12を通り抜け、活性層14の正孔伝導型電場発光材料にて光エネルギーが吸収され、励起子が発生される。励起子は、次に、電子供与体または電子受容体の間の界面に移動し、例えば、PCBM等の電子受容体に電子を移し、電荷が分離され、その結果、自由キャリア、すなわち、自由電子と正孔が形成される。自由電子は、電子受容体の材料に沿って陰極に向かって移動し、陰極に集められ、正孔は電子供与体に沿ってITO陽極に向かって移動し、陽極に集められ、これにより、光電流と光電圧が形成され、光電変換が達成される。ロード16が接続されているときには、これに対して給電をすることができる。正孔伝導型の電場発光物質は、広スペクトル反応レンジを有するため、光エネルギーをより十分に利用することができ、より高い光電変換効率を得ることができ、有機太陽電池の発電能力を増加させることができる。加えて、このタイプの有機太陽電池は、有機太陽電池の重量を減少させることができ、さらに、スピンコーティング技術で製造することができ、大量生産が可能となる。表1は、実施例6の有機太陽電池の光起電特性を示している注釈:PCEは電力変換効率、Vocは開放電圧、Jscは短絡回路電流、FFは充填因子表1に示すように、AM1.5,100mW/cm2の光照射において、DFBTz-PPV1を電子供与体として用いるバルクヘテロ接合太陽電池のエネルギー変換効率は、3.2であり、ここで、AMは、太陽が天頂に有るときに海面に到達する太陽光線の光学的距離に対する、大気を通過する太陽光線の光学的距離の比率によって代表される大気質量である。AM1.5の条件は、地表で使用される太陽電池について規定される照度と分光分布について、指標を定め測定する条件である。総日射照度は1平方メートルあたり1000ワットであり、太陽電池の測定温度は25°Cである。国際電気標準会議によって制定された規格は、わが国が現在採用しており、具体的には、AM1.5Gの標準的な光源の照射強度に対応する標準のものであり、AM1.5Gは天頂角入射光源からの入射光と地面の法線との間の角度が48°の太陽光のことをいい、光強度は1000W/m2すなわち、AM1.5,100mW/cm2の光照射である。理解されるべきは、上述した本発明の好ましい実施例は、詳細に説明するためのものであり、これにより本発明の特許の権利範囲を制限するものではない。本発明の権利範囲は、特許請求の範囲の記載に基くものである。"