高屈折率層と低屈折率層とが交互に積層され、各層は面内の一方向に周期が波長以下の周期的な凹凸構造を有する波長板において、高屈折率層と低屈折率層との厚さ方向の周期として、使用波長がフォトニックバンド構造の第1バンドに属するように定められた第1の周期と、使用波長がフォトニックバンド構造の第2バンドの中心波長より長波長側に属するように定められた第2の周期と、を有する波長板。請求項1記載の波長板を備えた発光素子であって、光を発生する発光層と、前記発光層に対して出射面の側に設けられた偏光子および前記波長板と、前記発光層に対して出射面と反対の側に設けられた反射層と、を有する発光素子。請求項2に記載の発光素子を用いた画像表示装置。特許文献2に記載の発明は、z方向の積層周期を徐々に変化させるものであるが、使用波長に対する積層周期は、偏光分離素子として用いるため、凹凸構造の長手方向に平行な偏光TE偏光に対してはバンドギャップに位置し、凹凸構造の長手方向に垂直な偏光TM偏光に対してはバンド内に位置するように定められる。このため、波長板として用いることはできない。本発明は、入射角許容度を高くすることができる波長板、広い角度範囲で直線偏光を出射可能な発光素子を実現し、光利用効率の高い画像表示装置を実現する。本発明の波長板は、高屈折率層と低屈折率層とが交互に積層され、各層は面内の一方向に周期が波長以下の周期的な凹凸構造を有する波長板において、高屈折率層と低屈折率層との厚さ方向の周期として、使用波長がフォトニックバンド構造の第1バンドに属するように定められた第1の周期と、使用波長がフォトニックバンド構造の第2バンドの中心波長より長波長側に属するように定められた第2の周期と、を有する。本発明の発光素子は、上記の波長板を備えた発光素子であって、光を発生する発光層と、前記発光層に対して出射面の側に設けられた偏光子および前記波長板と、前記発光層に対して出射面と反対の側に設けられた反射層と、を有する。本発明の画像表示装置は、上記構成の発光素子を用いている。上記のように構成される波長板では、入射角許容度を高くできる。このため、これを用いた発光素子は、広い角度範囲で直線偏光を出射可能なものになり、これを用いた画像表示装置は、光利用効率が高いものとなる。以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。図1は、本発明による波長板の一実施形態の構成を示す斜視図である。本実施形態の波長板100は、基板101上に、高屈折率層102と低屈折率層103を交互に積層したものである。基板101には、Y方向については一様とされ、Y方向と直交するX方向については150nm周期の凹凸が形成されている。このような凹凸が形成された基板101上に、Nb2O5である高屈折率層102とSiO2である低屈折率層103が積層されるがこれらの各層は、図示するように基板101の凸部中心を高さの頂点とする周期的に折れ曲がった形状を形成している。以下に、比較例としての設計例1-1、1-2、実施例としての設計例1-3における高屈折率層102と低屈折率層103の積層数と厚みを表にして示す。これらは1/2波長板の設計例である。図2aは、設計例1-1の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図であり、図2bは設計例1-2の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図である。いずれにおいても、縦軸は規格化角周波数ωL/2πc、横軸は規格化波数kL/2πである。各図において、破線は入射波長である460nmを示し、実線はTE偏光の特性を示し、点線はTM偏光の特性を示している。波長460nmは、図2aに示される設計例1-1では第1バンドに属し、図2bに示される設計例1-2では第2バンドの中心波長より長波長側に属している。図3は、設計例1-1の入射角依存性を示す図であり、図3aは、X-Z面内の入射角依存性を示し、図3bは、Y-Z面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。入射角度の増加に伴い、X-Z面内では図3aに示すように位相差が増加するのに対し、Y-Z面内では図3bに示すように位相差が減少する。図4は、設計例1-2の入射角依存性を示す図であり、図4aは、X-Z面内の入射角依存性を示し、図4bは、Y-Z面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。入射角度の増加に伴い、X-Z面内では図4aに示すように位相差が減少するのに対し、Y-Z面内では図4bに示すように位相差が増加する。図5は、設計例1-3の入射角依存性を示す図であり、図5aは、X-Z面内の入射角依存性を示し、図5bは、Y-Z面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。入射角度の増加に伴う位相差の変化は、図3に示す特性と図4に示す特性が打ち消し合い、X-Z面内、Y-Z面内のいずれにおいても図5a、図5bに示すように抑制されている。図6は、本発明による波長板の他の実施形態の構成を示す斜視図である。本実施形態の波長板600は、基板601上に、Nb2O5である高屈折率層602とSiO2である低屈折率層603を交互に積層したものを一定間隔で周期的に設け、これらの間にSiO2である低屈折率層604を形成したものである。以下に、比較例としての設計例2-1、2-2、実施例としての設計例2-3における高屈折率層602と低屈折率層603の積層数と厚みを表にして示す。これらは1/2波長板の設計例である。図7aは、設計例2-1の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図であり、図7bは設計例2-2の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図である。いずれにおいても、縦軸は規格化角周波数ωL/2πc、横軸は規格化波数kL/2πである。各図において、破線は入射波長である460nmを示し、実線はTE偏光の特性を示し、点線はTM偏光の特性を示している。波長460nmは、図7aに示される設計例2-1では第1バンドに属し、図7bに示される設計例2-2では第2バンドの中心波長より長波長側に属している。図8は、設計例2-1の入射角依存性を示す図であり、図8aは、X-Z面内の入射角依存性を示し、図8bは、Y-Z面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。入射角度の増加に伴い、X-Z面内では図8aに示すように位相差が増加するのに対し、Y-Z面内では図8bに示すように位相差が減少する。図9は、設計例2-2の入射角依存性を示す図であり、図9aは、X-Z面内の入射角依存性を示し、図9bは、Y-Z面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。入射角度の増加に伴い、X-Z面内では図9aに示すように位相差が減少するのに対し、Y-Z面内では図9bに示すように位相差が増加する。図10は、設計例2-3の入射角依存性を示す図であり、図10aは、X-Z面内の入射角依存性を示し、図10bは、Y-Z面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。入射角度の増加に伴う位相差の変化は、図8に示す特性と図9に示す特性が打ち消し合い、X-Z面内、Y-Z面内のいずれにおいても図10a、図10bに示すように抑制されている。上記のような特性を実現するフォトニックバンド構造について図11ないし図15を参照して説明する。図11に示すような凹凸構造を有する波長板の場合、凹凸構造の長手方向に平行な偏光がTE偏光であり、凹凸構造の長手方向に垂直な偏光がTM偏光である。入射面がX-Z平面の場合、TE偏光がS偏光となり、TM偏光がP偏光となる。また、入射面がY-Z平面の場合、TE偏光がP偏光となり、TM偏光がS偏光となる。図12は、垂直入射時のフォトニックバンド構造の規格化角周波数と規格化波数の関係を示す図であり、実線はTE偏光についての関係を示し、破線はTM偏光についての関係を示している。図示されるように、第1バンドと第2バンドのいずれにおいても、TE偏光よりもTM偏光が高周波数側短波長側となる。使用波長460nmにおけるTM偏光とTE偏光の規格化波数の差が位相差となる。図13は、入射角を変化させた場合のフォトニックバンド構造の規格化角周波数と規格化波数の関係を示す図であり、図13aはP偏光についての関係を示し、図13bはS偏光についての関係を示している。各図において、実線は斜め入射時の特性を示し、点線は垂直入射時の特性を示している。入射角が増加すると、第1バンドと第2バンドはいずれも高周波数側短波長側へシフトする。このとき、バンドギャップの幅はP偏光よりもS偏光のほうが大きくなる。従って、入射角の増加に伴うシフト量は、第1バンドではS偏光よりもP偏光のほうが大きく、第2バンドの中心波長より長波長側ではP偏光よりもS偏光のほうが大きい。図14は、入射角を変化させた場合の設計例1-1、2-1についてのフォトニックバンド構造の規格化角周波数と規格化波数の関係を示す図であり、図14aはX-Z面内についての関係を示し、図14bはY-Z面内についての関係を示している。各図において、実線はTE偏光の垂直入射時の特性を示し、点線はTM偏光の垂直入射時の特性を示している。また、破線はTE偏光の斜め入射時の特性を示し、一点鎖線はTM偏光の斜め入射時の特性を示している。X-Z面内では、入射角の増加に伴う第1バンドのシフト量は、図14aに示されるように、TES偏光よりもTMP偏光のほうが大きい。これは、入射角の増加に応じてTES偏光とTMP偏光のバンドが遠ざかり、位相差が大きくなることを意味する。これにより図3a、図8aの結果を説明できる。Y-Z面内では、入射角の増加に伴う第1バンドのシフト量は、図14bに示されるように、TMS偏光よりもTEP偏光のほうが大きい。これは、入射角の増加に応じてTEP偏光とTMS偏光のバンドが近づき、位相差が小さくなることを意味する。これにより図3b、図8bの結果を説明できる。図15は、入射角を変化させた場合の設計例1-2、2-2についてのフォトニックバンド構造の規格化角周波数と規格化波数の関係を示す図であり、図15aはX-Z面内についての関係を示し、図15bはY-Z面内についての関係を示している。各図において、実線はTE偏光の垂直入射時の特性を示し、点線はTM偏光の垂直入射時の特性を示している。また、破線はTE偏光の斜め入射時の特性を示し、一点鎖線はTM偏光の斜め入射時の特性を示している。X-Z面内では、入射角の増加に伴う第2バンドの中心波長より長波長側のシフト量は、図15aに示されるように、TMP偏光よりもTES偏光のほうが大きい。これは、入射角の増加に応じてTES偏光とTMP偏光のバンドが近づき、位相差が小さくなることを意味する。これにより図4a、図9aの結果を説明できる。Y-Z面内では、入射角の増加に伴う第2バンドの中心波長より長波長側のシフト量は、図15bに示されるように、TEP偏光よりもTMS偏光のほうが大きい。これは、入射角の増加に応じてTEP偏光とTMS偏光のバンドが遠ざかり、位相差が大きくなることを意味する。これにより図4b、図9bの結果を説明できる。上記のようなフォトニックバンド構造と使用波長の関係の比較例としての波長板100の設計例1-4、1-5の高屈折率層102と低屈折率層103の積層数と厚みを表にして示す。これらは1/2波長板の設計例である。図16aは、設計例1-4の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図であり、図16bは設計例1-5の垂直入射についてのフォトニックバンド構造を示す図である。いずれにおいても、縦軸は規格化角周波数ωL/2πc、横軸は規格化波数kL/2πである。各図において、破線は入射波長である460nmを示し、実線はTE偏光の特性を示し、点線はTM偏光の特性を示している。波長460nmは、図16aに示される設計例1-4では第2バンドの中心に属し、図16bに示される設計例1-5では第2バンドの中心波長よりも短波長側に属している。図17は、設計例1-4の入射角依存性を示す図であり、図17aは、X-Z面内の入射角依存性を示し、図17bは、Y-Z面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。X-Z面内では図17aに示されるように、入射角の増加によらず位相差はほぼ一定となっている。Y-Z面内では図17bに示されるように、入射角の増加に伴い位相差も増加している。図18は、設計例1-5の入射角依存性を示す図であり、図18aは、X-Z面内の入射角依存性を示し、図18bは、Y-Z面内の入射角依存性を示している。各図において、縦軸は位相差、横軸は入射角度である。X-Z面内では図18aに示されるように、入射角の増加に伴い位相差も増加している。Y-Z面内では図18bに示されるように、入射角の増加によらず位相差はほぼ一定となっている。上述した設計例1-4または1-5の周期と他の周期の組み合わせでは、入射角依存性をX-Z面内、Y-Z面内の両方において平坦なものとすることはできない。本発明では、使用波長が第1バンドに属するように定められた第1の周期と使用波長が第2バンドの中心波長より長波長側に属するように定められた第2の周期とを組み合わせることにより入射角依存性をX-Z面内、Y-Z面内の両方において平坦なものとしている。図19は本発明による発光素子の一実施形態の構成を示す斜視図である。なお、本実施形態の発光素子1900においては、実際の各層の厚さが非常に薄く、また各層の厚さの違いが大きいため、各層の比率が正確な図を描くことが困難である。このため、図では各層が実際の比率通りに描かれておらず、各層が模式的に示されている。サブマウント1901上に反射層1902が形成されている。反射層1902上にはP型半導体層1903が形成されている。P型半導体層1903上には発光層1904が形成されている。発光層1904上にはN型半導体層1905が形成されている。N型半導体層1905上には1/4波長板層1906が形成され、1/4波長板層1906上には偏光子層1907が形成されている。サブマウント1901の材料としては、例えばSiが用いられる。反射層1902の材料としては、例えばAgが用いられる。P型半導体層1903の材料としては、例えばMgがドープされたGaNが用いられる。発光層1904としては、例えばGaNを材料とする層とInGaNを材料とする層とが交互に積層された多重量子井戸の構成が用いられる。N型半導体層1905の材料としては、例えばSiがドープされたGaNが用いられる。発光素子1900の作製方法について説明する。まず、基板上に、N型半導体層1905、発光層1904、P型半導体層1903、反射層1902を順に形成する。次に、サブマウント1901上に反射層1902を貼り合わせ、基板を除去する。次に、設計例1-3、または、設計例2-3に示される材料、厚みにより形成された1/4波長板層1906を別プロセスにより作製し、N型半導体層1905上に貼り合わせる。積層数は設計例1-3または設計例2-3の半分とする。次に、偏光子層1907を別プロセスにより作製し、1/4波長板層1906上に貼り合わせる。偏光子層1907としては、例えば特許文献2に開示されている偏光分離素子が用いられる。本実施形態の概略動作について説明する。P型半導体層1903とN型半導体層1905の間に電圧を加え、これらの間に電流を流すことにより、発光層1904において光が発生する。発光層1904において発生した光には、様々な方向へ向かう成分が含まれる。発光層1904において発生し、N型半導体層1905の側へ向かう光は、1/4波長板層1906を透過して偏光子層1907に入射する。発光層1904において発生し、P型半導体層1903の側へ向かう光は、P型半導体層1903を透過し、反射層1902で反射され、P型半導体層1903、発光層1904、N型半導体層1905を透過し、1/4波長板層1906を透過して偏光子層1907に入射する。上記のように構成される本実施形態の発光素子では、偏光子層1907により偏光方向が揃えられた直線偏光が出射される。偏光子層1907で反射された光は反射層1902で反射され、1/4波長板層1906により偏光方向が変換されて偏光子層1907に再入射する。1/4波長板層1906は設計例1-3、または、設計例2-3に示される材料、厚み積層数は設計例1-3または設計例2-3の半分により形成された、入射角許容度が高いものであるため、広い角度範囲で直線偏光を出射可能な発光素子となっている。図20は、本発明による発光素子の他の実施形態の構成を示す断面図である。なお、本実施形態の発光素子2000においては、実際の各層の厚さが非常に薄く、また各層の厚さの違いが大きいため、各層の比率が正確な図を描くことが困難である。このため、図では各層が実際の比率通りに描かれておらず、各層が模式的に示されている。サブマウント2001上に反射層2002が形成されている。反射層2002上にはP型半導体層2003が形成されている。P型半導体層2003上には発光層2004が形成されている。発光層2004上にはN型半導体層2005が形成されている。N型半導体層2005上には偏光子層2006が形成されている。偏光子層2006上には1/2波長板層2007が形成されている。サブマウント2001の材料としては、例えばSiが用いられる。反射層2002の材料としては、例えばAgが用いられる。P型半導体層2003の材料としては、例えばMgがドープされたGaNが用いられる。発光層2004としては、例えばGaNを材料とする層とInGaNを材料とする層とが交互に積層された多重量子井戸の構成が用いられる。N型半導体層2005の材料としては、例えばSiがドープされたGaNが用いられる。発光素子2000の作製方法について説明する。まず、基板上に、N型半導体層2005、発光層2004、P型半導体層2003、反射層2002を順に形成する。次に、サブマウント2001上に反射層2002を貼り合わせ、基板を除去する。次に、偏光子層2006を別プロセスにより作製し、N型半導体層2005上に貼り合わせる。偏光子層2006としては、例えば特許文献2に開示されている偏光分離素子が用いられる。次に、設計例1-3、または、設計例2-3に示される材料、積層数、厚みによる1/2波長板層2007を別プロセスにより作製し、偏光子層2006上に貼り合わせる。本実施形態の概略動作について説明する。P型半導体層2003とN型半導体層2005との間に電圧を加え、これらの間に電流を流すことにより、発光層2004において光が発生する。発光層2004において発生した光には、様々な方向へ向かう成分が含まれる。発光層2004において発生し、N型半導体層2005の側へ向かう光は、N型半導体層2005を透過し、偏光子層2006へ入射する。発光層2004において発生し、P型半導体層2003の側へ向かう光は、P型半導体層2003を透過し、反射層2002で反射され、P型半導体層2003、発光層2004、N型半導体層2005を透過し、偏光子層2006へ入射する。偏光子層2006は第1の領域20061および第2の領域20062を備えている。第1の領域20061は、入射光のうち、第1の方向の偏光成分を透過させ、それ以外の偏光成分を反射する。第2の領域20062は、入射光のうち、第1の方向と直交する第2の方向の偏光成分を透過させ、それ以外の偏光成分を反射する。すなわち、偏光子層2006へ入射した光のうち、第1の領域20061へ入射した第1の方向の偏光成分、第2の領域20062へ入射した第2の方向の偏光成分は偏光子層2006を透過し、第1の領域20061へ入射した第2の方向の偏光成分、第2の領域20062へ入射した第1の方向の偏光成分は偏光子層2006で反射される。偏光子層2006で反射された光は、N型半導体層2005、発光層2004、P型半導体層2003を透過し、反射層2002で反射され、P型半導体層2003、発光層2004、N型半導体層2005を透過し、再び偏光子層2006へ入射する。このときの入射位置は前回と異なっており、再び偏光子層2006へ入射した光のうち、第1の領域20061へ入射した第1の方向の偏光成分、第2の領域20062へ入射した第2の方向の偏光成分は偏光子層2006を透過し、第1の領域20061へ入射した第2の方向の偏光成分、第2の領域20062へ入射した第1の方向の偏光成分は再び偏光子層2006で反射される。この動作を繰り返すことにより、発光層2004において発生した光は最終的に全て偏光子層2006を透過する。1/2波長板層2007は第1の領域ないし第4の領域20071~20074を備えている。1/2波長板層2007の第1の領域20071および第3の領域20073は偏光子層2006の第1の領域20061に対応するように設けられており、1/2波長板層2007の第2の領域20072および第4の領域20074は偏光子層2006の第2の領域20062に対応するように設けられている。第1の領域20071、第3の領域20073は、入射光に対して偏光回転角を与えずに出射させる。第2の領域20072、第4の領域20074は、入射光に対してそれぞれ90度、270度の偏光回転角を与えて出射させる。このため、1/2波長板層2007の第1の領域ないし第4の領域20071~20074を透過した光は偏光方向が同一となる。上記のように構成される本実施形態の発光素子では、1/2波長板層2007より偏光方向が揃えられた直線偏光が出射される。1/2波長板層2007は設計例1-3、または、設計例2-3に示される材料、積層数、厚みにより形成された、入射角許容度が高いものであるため、広い角度範囲で直線偏光を出射可能な発光素子となっている。図21は、本発明による発光素子を用いた画像表示装置の一実施形態の構成を示すブロック図である。本実施形態の画像表示装置は、複数の画素から成る液晶表示素子1303R、1303G、1303Bを用いて画像を形成するものであり、各画素は配向方向を個別に制御可能な液晶分子を有している。図21に示される画像表示装置は、赤色光を発生する光源ユニット1301R、緑色光を発生する光源ユニット1301G、青色光を発生する光源ユニット1301B、を備えている。これらの光源ユニットは、それぞれ本発明による発光素子4個とロッドインテグレータとを用いて構成されている。光源ユニット1301Rにおいて発生した赤色光は集光レンズ1302Rを介して赤色用画像を表示する液晶表示素子1303Rを照射し、これにより液晶表示素子1303Rにおいて生成された赤色画像光が色合成プリズム1304へ入射する。光源ユニット1301Gにおいて発生した緑色光は集光レンズ1302Gを介して緑色用画像を表示する液晶表示素子1303Gを照射し、これにより液晶表示素子1303Gにおいて生成された緑色画像光が色合成プリズム1304へ入射する。光源ユニット1301Bにおいて発生した青色光は集光レンズ1302Bを介して青色用画像を表示する液晶表示素子1303Bを照射し、これにより液晶表示素子1303Bにおいて生成された青色画像光が色合成プリズム1304へ入射する。色合成プリズム1304へ入射した赤色画像光、緑色画像光、青色画像光は色合成プリズム1304において合成され、合成された画像光は投写レンズ1305を介してスクリーンへ投写される。本実施形態の画像表示装置は、出射光の偏光状態が揃っていない光源ユニットを用いた、同様の構成の画像表示装置に比べ、液晶表示素子1303R、1303G、1303Bにおいて50の光損失が生じないため、輝度を2倍に高めることができる。また、広い角度範囲で直線偏光を出射可能な発光素子を有する光源ユニットを用いているため、投写レンズ1305のFナンバーを小さくした場合や液晶表示素子1303R、1303G、1303Bの面積を大きくした場合でも光利用効率が高く、さらに輝度を高いものとすることができる。図22は、本発明による発光素子を用いた画像表示装置の他の実施形態の構成を示すブロック図である。本実施形態の画像表示装置は、複数の画素から成るマイクロミラー1404を用いて画像を形成するものであり、各画素は角度を個別に制御可能なマイクロミラーを有している。図22に示される画像表示装置は、赤色光を発生する光源ユニット1401R、緑色光を発生する光源ユニット1401G、青色光を発生する光源ユニット1401B、を備えている。これらの光源ユニットは、本発明による発光素子4個とロッドインテグレータとを用いて構成されている。光源ユニット1401Rにおいて発生した赤色光は集光レンズ1402Rを介して色合成プリズム1403へ入射する。光源ユニット1401Gにおいて発生した緑色光は集光レンズ1402Gを介して色合成プリズム1403へ入射する。光源ユニット1401Bにおいて発生した青色光は集光レンズ1402Bを介して色合成プリズム1403へ入射する。光源ユニット1401R、光源ユニット1401G、光源ユニット1401Bは、各色の点灯状態が順番に切り替えられるように制御可能であり、色合成プリズム1403から赤色光、緑色光、青色光がマイクロミラー1404へ順番に照射される。マイクロミラー1404は照射された光の色に応じた画像を順番に表示する。これにより、マイクロミラー1404において生成された赤色画像光、緑色画像光、青色画像光が投写レンズ1405を介してスクリーンへ順番に投写される。色合成プリズム1403は、赤色光のS偏光成分を全て反射し、緑色光のP偏光成分を全て透過させ、青色光のS偏光成分を全て反射するが、赤色光のP偏光成分は一部しか反射せず、緑色光のS偏光成分は一部しか透過させず、青色光のP偏光成分は一部しか反射しない。このため、光源ユニットからの出射光の偏光状態が揃っていない場合、赤色光、緑色光、青色光のいずれも、色合成プリズム1403において一方の偏光成分に対しては光損失が生じないが、他方の偏光成分に対しては光損失が生じる。これに対し、光源ユニットからの出射光が直線偏光である場合、赤色光はS偏光、緑色光はP偏光、青色光はS偏光として色合成プリズム1403へ入射させれば、赤色光、緑色光、青色光のいずれも、色合成プリズム1403において光損失が生じない。すなわち、本実施形態の画像表示装置は、出射光の偏光状態が揃っていない光源ユニットを用いた同様の構成の画像表示装置に比べ、色合成プリズム1403において光損失が生じないため、輝度を高めることができる。また、広い角度範囲で直線偏光を出射可能な発光素子を有する光源ユニットを用いているため、投写レンズ1405のFナンバーを小さくした場合やマイクロミラー1404の面積を大きくした場合でも光利用効率が高く、さらに輝度を高いものとすることができる。図23は、本発明による発光素子を用いた画像表示装置の他の実施形態の構成を示すブロック図である。本実施形態の画像表示装置は、複数の画素から成るマイクロミラー1505を用いて画像を形成するものであり、各画素は角度を個別に制御可能なマイクロミラーを有している。図23に示される画像表示装置は、赤色光を発生する光源ユニット1501RP、1501RS、緑色光を発生する光源ユニット1501GP、1501GS、青色光を発生する光源ユニット1501BP、1501BSを備えている。これらの光源ユニットは、図19または図20を用いて説明した本発明による発光素子を1つ以上用いて構成されている。光源ユニット1501RP、1501RSにおいて発生した赤色光はそれぞれP偏光、S偏光として偏光ビームスプリッタ1502Rへ入射する。偏光ビームスプリッタ1502RはP偏光を透過させ、S偏光を反射する。従って、光源ユニット1501RP、1501RSにおいて発生した赤色光は偏光ビームスプリッタ1502Rにおいて合成され、合成された赤色光は集光レンズ1503Rを介して色合成プリズム1504へ入射する。光源ユニット1501GP、1501GSにおいて発生した緑色光はそれぞれP偏光、S偏光として偏光ビームスプリッタ1502Gへ入射する。偏光ビームスプリッタ1502GはP偏光を透過させ、S偏光を反射する。従って、光源ユニット1501GP、1501GSにおいて発生した緑色光は偏光ビームスプリッタ1502Gにおいて合成され、合成された緑色光は集光レンズ1503Gを介して色合成プリズム1504へ入射する。光源ユニット1501BP、1501BSにおいて発生した青色光はそれぞれP偏光、S偏光として偏光ビームスプリッタ1502Bへ入射する。偏光ビームスプリッタ1502BはP偏光を透過させ、S偏光を反射する。従って、光源ユニット1501BP、1501BSにおいて発生した青色光は偏光ビームスプリッタ1502Bにおいて合成され、合成された青色光は集光レンズ1503Bを介して色合成プリズム1504へ入射する。光源ユニット1501RP、1501RS、光源ユニット1501GP、1501GS、光源ユニット1501BP、1501BSは、各色の点灯状態が順番に切り替えられるように制御可能であり、色合成プリズム1504から赤色光、緑色光、青色光がマイクロミラー1505へ順番に照射される。マイクロミラー1505は照射された光の色に応じた画像を順番に表示する。これにより、マイクロミラー1505において生成された赤色画像光、緑色画像光、青色画像光が投写レンズ1506を介してスクリーンへ順番に投写される。光源ユニットからの出射光の偏光状態が揃っていない場合、偏光ビームスプリッタにおいて50の光損失が生じるため、図22に示す構成の画像表示装置に比べ、光源ユニットの数が2倍であるにも関わらず輝度を高めることができない。これに対し、光源ユニットからの出射光が直線偏光である場合、偏光ビームスプリッタにおいて50の光損失が生じないため、図22に示す構成の画像表示装置に比べ、光源ユニットの数が2倍であることにより輝度を2倍に高めることができる。また、広い角度範囲で直線偏光を出射可能な発光素子を有する光源ユニットを用いているため、投写レンズ1506のFナンバーを小さくした場合やマイクロミラー1505の面積を大きくした場合でも光利用効率が高く、さらに輝度を高いものとすることができる。図24は、図21に示した画像表示装置の駆動系の構成を示す図である。駆動回路1602R、1602G、1602Bは、それぞれ光源ユニット1301R、1301G、1301Bを駆動する。これにより、光源ユニット1301R、1301G、1301Bは、画像表示動作時には常に点灯した状態となる。なお、光源ユニット1301R、1301G、1301Bは、1つの駆動回路により駆動されるものとしても良い。画像信号処理回路1601は、外部のPCパーソナルコンピュータや画像再生装置等から与えられる入力画像信号に応じて赤色用画像、緑色用画像、青色用画像を表示するための信号を生成し、それぞれの信号を駆動回路1603R、1603G、1603Bへ供給する。駆動回路1603R、1603G、1603Bは、画像信号処理回路1601から供給された信号により、それぞれ液晶表示素子1303R、1303G、1303Bを駆動する。これにより、液晶表示素子1303R、1303G、1303Bはそれぞれ赤色用画像、緑色用画像、青色用画像を表示する。図25は、図22に示した画像表示装置の駆動系の構成を示す図である。画像信号処理回路1701は、外部のPCや画像再生装置等から与えられる入力画像信号に応じて赤色用画像、緑色用画像、青色用画像を表示するための信号を生成し、これらの信号を順番に駆動回路1703へ供給する。また、画像信号処理回路1701は、赤色用画像を表示するための信号を駆動回路1703へ供給するのと同時に、赤色光を発生させるための信号を生成してこの信号を駆動回路1702Rへ供給し、緑色用画像を表示するための信号を駆動回路1703へ供給するのと同時に、緑色光を発生させるための信号を生成してこの信号を駆動回路1702Gへ供給し、青色用画像を表示するための信号を駆動回路1703へ供給するのと同時に、青色光を発生させるための信号を生成してこの信号を駆動回路1702Bへ供給する。駆動回路1703は、画像信号処理回路1701から供給された信号により、マイクロミラー1404を駆動する。これにより、マイクロミラー1404は赤色用画像、緑色用画像、青色用画像を順番に表示する。駆動回路1702R、1702G、1702Bは、画像信号処理回路1701から供給された信号により、それぞれ光源ユニット1401R、1401G、1401Bを駆動する。これにより、マイクロミラー1404が赤色用画像を表示している時には光源ユニット1401Rが点灯し、マイクロミラー1404が緑色用画像を表示している時には光源ユニット1401Gが点灯し、マイクロミラー1404が青色用画像を表示している時には光源ユニット1401Bが点灯する。図26は、図23に示した画像表示装置の駆動系の構成を示す図である。画像信号処理回路1801は、外部のPCや画像再生装置等から与えられる入力画像信号に応じて赤色用画像、緑色用画像、青色用画像を表示するための信号を生成し、これらの信号を順番に駆動回路1803へ供給する。また、画像信号処理回路1801は、赤色用画像を表示するための信号を駆動回路1803へ供給するのと同時に、赤色光を発生させるための信号を生成してこの信号を駆動回路1802RP、1802RSへ供給し、緑色用画像を表示するための信号を駆動回路1803へ供給するのと同時に、緑色光を発生させるための信号を生成してこの信号を駆動回路1802GP、1802GSへ供給し、青色用画像を表示するための信号を駆動回路1803へ供給するのと同時に、青色光を発生させるための信号を生成してこの信号を駆動回路1802BP、1802BSへ供給する。駆動回路1803は、画像信号処理回路1801から供給された信号により、マイクロミラー1505を駆動する。これにより、マイクロミラー1505は赤色用画像、緑色用画像、青色用画像を順番に表示する。駆動回路1802RP、1802RS、1802GP、1802GS、1802BP、1802BSは、画像信号処理回路1801から供給された信号により、それぞれ光源ユニット1501RP、1501RS、1501GP、1501GS、1501BP、1501BSを駆動する。これにより、マイクロミラー1505が赤色用画像を表示している時には光源ユニット1501RP、1501RSが点灯し、マイクロミラー1505が緑色用画像を表示している時には光源ユニット1501GP、1501GSが点灯し、マイクロミラー1505が青色用画像を表示している時には光源ユニット1501BP、1501BSが点灯する。この出願は2010年4月6日に出願された日本出願特願2010-087805号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。