"ライン接続と、負荷接続と、ライン接続と負荷接続との間で並列に配設された第1および第2の電界効果トランジスタFETと、電圧オフセットエレメントと、を含む遠隔電力制御装置RPCであって、第1および第2のFETは、安全運転エリアSOAをそれぞれ有し、第1のFETの安全運転エリアSOAは、第2のFETの安全運転エリアSOAより低く、第1のFETは、第2のFETに比べて、飽和における抵抗RDSonがより低く、電圧オフセットエレメントは第1および第2のFETの間に接続され、これにより、RPCにおける電流が限流設定点より高い場合に、第1のFETをオフにするように電圧オフセットエレメントが構成されることを特徴とする遠隔電力制御装置。電圧オフセットエレメントは、分圧器、バッテリーあるいはダイオードの1つからなることを特徴とする請求項1に記載の遠隔電力制御装置。電圧オフセットエレメントはツェナーダイオードからなることを特徴とする請求項1に記載の遠隔電力制御装置。出力を有する差動増幅器をさらに含み、該出力は、第1のFETのゲートおよび第2のFETのゲートに接続されることを特徴とする請求項1に記載の遠隔電力制御装置。電圧オフセットエレメントは、第1のFETと差動増幅器の出力との間に位置することを特徴とする請求項4に記載の遠隔電力制御装置。差動増幅器の第1の入力は基準電圧に接続され、差動増幅器の第2の入力は分流器に接続されることを特徴とする請求項4に記載の遠隔電力制御装置。限流時間の期間の経過後、第1のFETをオフにした後、RPCをオフにするように構成されたタイミング回路をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の遠隔電力制御装置。限流時間の期間は所定の時間期間であることを特徴とする請求項7に記載の遠隔電力制御装置。限流時間の期間はRPCに亘る電圧に反比例することを特徴とする請求項7に記載の遠隔電力制御装置。限流時間の期間は第2のFETのSOAに基づくことを特徴とする請求項7に記載の遠隔電力制御装置。ライン接続と、負荷接続と、ライン接続と負荷接続との間で並列に配設された第1および第2の電界効果トランジスタFETと、を含む遠隔電力制御装置RPCの運転方法であって、第1および第2のFETは、安全運転エリアSOAをそれぞれ有し、第1のFETの安全運転エリアSOAは、第2のFETの安全運転エリアSOAより低く、第1のFETは、第2のFETに比べて、飽和における抵抗RDSonがより低く、前記運転方法は、RPCにおける電流が限流設定点以下の場合に、第1および第2のFETをオンにするステップと、RPCにおける電流が限流設定点以上の場合に、第1のFETをオフにするステップと、を含むことを特徴とする遠隔電力制御装置運転方法。第1のFETをオフにするステップは、第1のFETと第2のFETとの間に電圧オフセットを付与するステップを含み、電圧オフセットは、第1のFETをオフにするように構成されることを特徴とする請求項11に記載の遠隔電力制御装置運転方法。限流時間の期間の経過後、第1のFETをオフにした後、RPCをオフにするステップをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の遠隔電力制御装置運転方法。限流時間の期間は所定の時間期間であることを特徴とする請求項13に記載の遠隔電力制御装置運転方法。限流時間の期間はRPCに亘る電圧に反比例することを特徴とする請求項13に記載の遠隔電力制御装置運転方法。限流時間の期間は第2のFETのSOAに基づくことを特徴とする請求項13に記載の遠隔電力制御装置運転方法。あるFET相対的に小さいは、用途を切り替えるように構成され、さらに低いRDSonを実現することができる。しかし、小さいFETのエネルギー能力SOAは著しく低い。より高いRDSonを有するFETは、より大きく、小さいFETに比べてSOA能力が著しく高い。電圧および電流の双方が印加された状態での運転が好ましい、より高いSOA能力を有するタイプのFETは、リニアFETである。本発明の一態様によると、遠隔電力制御装置RPCは、ライン接続と、負荷接続と、ライン接続と負荷接続との間で並列に配設された第1および第2の電界効果トランジスタFETと、電圧オフセットエレメントと、を含み、第1および第2のFETは、安全運転エリアSOAをそれぞれ有し、第1のFETの安全運転エリアSOAは、第2のFETの安全運転エリアSOAより低く、第1のFETは、第2のFETに比べて、飽和における抵抗RDSonがより低く、電圧オフセットエレメントは第1および第2のFETの間に接続され、これにより、RPCにおける電流が限流設定点より高い場合に、第1のFETをオフにするように電圧オフセットエレメントが構成される。本発明の他の態様によると、遠隔電力制御装置の運転方法は、ライン接続と、負荷接続と、ライン接続と負荷接続との間で並列に配設された第1および第2の電界効果トランジスタFETと、を含む遠隔電力制御装置RPCの運転方法であって、第1および第2のFETは、安全運転エリアSOAをそれぞれ有し、第1のFETの安全運転エリアSOAは、第2のFETの安全運転エリアSOAより低く、第1のFETは、第2のFETに比べて、飽和における抵抗RDSonがより低く、前記運転方法は、RPCにおける電流が限流設定点以下の場合に、第1および第2のFETをオンにするステップと、RPCにおける電流が限流設定点以上の場合に、第1のFETをオフにするステップと、を含む。本発明の他の特徴および利点は、発明を実施するための形態および添付の図面から明らかになるであろう。図面において、類似の構成要素には類似の符号を付している。複数の並列FET電界効果トランジスタを有するRPC遠隔電力制御装置のシステムおよび方法の例示的な実施例を以下に詳細に説明する。例示的なRPCは、複数の並列FETを有し、各FETは、異なるタイプのものである。RPCにおける異なる特性を有する並列FETを用いることにより、個々のFETに対する負荷を持続可能なレベルまで減少させることができる。1つのFETを通常の運転状態の間に用いるように選択し、残りのFETを過負荷状態の放散や限流のために選択することができる。FETの特性は、安全運転エリアSOAおよびRDSonを含む。SOAは、FETの電力およびエネルギー処理能力を画定する。SOAは、FETがダメージなく所定の時間の間処理可能な、電源電圧値に対するドレインの領域範囲およびドレイン電流値の領域を画定する。FETの安全な作動のため、運転中の電源電圧に対するドレインおよびドレイン電流の双方を各々の最大値以下に維持しなければならず、ドレイン電流および電圧の積は、FET装置のために最大電力損失放散以下に維持しなければならない。RDSonは、FETが完全にオンのときすなわち、FETが飽和のときにFETに抵抗を与える。図1は、RPC100の実施例を示す。RPC100は、並列FET104,105を含む。RPC100の機能は、負荷接続109に接続された負荷およびワイヤを制御し保護することである。負荷接続109は、ライン接続112に接続された電源により給電される。FET105は、相対的に低いRDSonおよび低いSOA能力を有する。FET104は、リニアFETからなり、より高いSOA能力および相対的に高いRDSonを有する。電流は、ライン接続112から、FET104およびFET105の少なくとも一方を通って負荷接続109へとRPC100に亘って流れる。FET104のゲート電圧とFET105のゲート電圧との間に電圧オフセットエレメント106が位置する。RPC100は、さらに電源PS1101、基準電圧REF102、差動増幅器103、抵抗器107,108、負荷接続109、接地接続110、整流ダイオード111およびライン接続112を含む。電源101をFET104,105のためのゲートドライブ電源としてもよい。一実施例では、電源101を10~15ボルトの電源としてもよい。一実施例では、基準電圧102はミリボルトの範囲とし得る。電圧オフセットエレメント106に亘る電圧は、数ボルト程度である。電圧オフセットエレメント106は、分圧器、バッテリーあるいは1つまたは複数のダイオード例えば、一実施例ではツェナーダイオードからなる。一実施例では、抵抗器107の値は、数千オームとしてもよく、抵抗器108の値は、数万オームとしてもよい。抵抗器108は、分流器かなり、差動増幅器103に対して低いミリボルトの信号を付与する。RPC100は、さらに、差動増幅器103の周囲におけるゲインおよび周波数応答整形エレメントgainandfrequencyresponseshapingelements、限流時間を制御するタイミング回路や増減時間制御をさらに備えていてもよい。図2は、並列FETを含むRPCの運転方法200の実施例を示す。図1を参照しつつ図2について説明する。ブロック201では、RPC100は、通常負荷で作動する。RPC100における電流は、通常負荷の間、限流制限電流設定点以下である。限流設定点は、負荷接続109に接続された負荷の電力能力によって決定される。差動増幅器103の出力は高く、十分なゲート電流がFET104,105の双方に印加されて、FETがオンとなる。しかし、FET105のRDSonがFET104のRDSonより低いため、FET104よりも多くの電流がFET105を通流する。ブロック202では、RPC100は、故障や過負荷状態を含む限流モードで作動する。RPC100における電流が限流設定点よりも高いときに、限流モードがトリガされる。差動増幅器103は、抵抗器108から基準電圧102への分流器電圧を含み、FET104へのゲートドライブを中間電圧に調節して、電流を所望の限流レベルに維持する。電圧オフセットエレメント106および抵抗器107に亘る減少した電圧によりFET105がオフとなり、RPC100における電流がFET104だけを通流する。FET104のより高いSOAのため、FET104は、電流および電圧値の相対的に広い範囲領域に亘って電力を放散する。限流状態が持続する場合、ブロック203において、限流時間の期間が経過した後、RPC100はオフとなる。限流時間の期間は、FET104のSOAに基づいて決めることができ、この期間を固定の時間期間としてもよく、また、RPC100に亘る電圧に反比例する時間の期間としてもよい。一実施例では、限流時間の期間は、タイミング回路によって実行され得る。図3A,3Bは、並列FETを含むRPCのタイミングチャートの実施例を示す。図2を参照して図3A,3Bを説明する。図3Aにおいて、ライン301aは、RPC100における電流レベルを示す。通常運転中図2のブロック201、ライン301aにおける電流は、ゼロライン303aで示すと限流設定点ライン302aで示すの間にある。限流運転の間図2のブロック202は、ライン301aにおける電流は、ライン302aで示す限流設定点に限定される。限流時間の期間の経過後図2のブロック203、RPC100はオフに切り替えられ、ライン301aにおける電流は、ライン303aで示すゼロとなる。図3Bにおいて、ライン301bは、FET105のゲート電圧を示し、ライン302bは、FET104のゲート電圧を示す。ライン303bは、FETゲート閾値すなわち、FETをオンにするために要求される電圧量を示し、ライン304bは、ゼロ電圧を示す。通常運転中図2のブロック201、ライン301b,302bにおけるゲート電圧は、FETゲート閾値303b以上である。限流運転の間図2のブロック202は、ライン301bにおけるゲート電圧は、FETゲート閾値303b以上であり、ライン302bにおけるゲート電圧は、FETゲート閾値303b以下である。限流時間の期間の経過後図2のブロック203、RPC100はオフに切り替えられ、ライン301b,302bにおけるゲート電圧は、ライン304bで示すゼロとなる。本発明の例示的な実施例の効果および利点は、電気部材を故障や過負荷状態から保護することである。本発明に使用している用語は、特定の実施例を説明することだけを目的とするのであって、本発明を限定するものではない。本発明を図示、説明してきたが、これは、本発明を開示の形態に限定するものではない。本発明の範囲を逸脱することなく、本明細書に記載していない種々の修正や変更等が本発明に対してなされることは当業者であれば理解されるであろう。さらに、本発明の複数の実施例について説明してきたが、本発明のいくつかの実施例について説明しているに過ぎないことを理解されたい。したがって、本発明は、上記の記載事項に限定されることなく、以下の特許請求の範囲の範囲によって限定されるものである。"