セラミック製絶縁板と、絶縁板の一面にSiを含むろう材によりろう付された純アルミニウム製回路板とを備えた絶縁回路基板であって、絶縁板と回路板との間にSi粒子を含む残存ろう材層が存在しており、残存ろう材層の厚さが3μm以下であるとともに、残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率が20以下である絶縁回路基板。回路板に、絶縁板へのろう付面に開口しかつ溶融した後硬化したろう材を溜めるろう材溜穴が形成されている請求項1記載の絶縁回路基板。絶縁板における回路板がろう付された面とは反対側の面に、Siを含むろう材により純アルミニウム製伝熱板がろう付され、絶縁板と伝熱板との間にSi粒子を含む残存ろう材層が存在しており、当該残存ろう材層の厚さが3μm以下であるとともに、当該残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率が20以下である請求項1または2記載の絶縁回路基板。伝熱板に、絶縁板へのろう付面に開口しかつ溶融した後硬化したろう材を溜めるろう材溜穴が形成されている請求項3記載の絶縁回路基板。請求項1または2記載の絶縁回路基板の絶縁板における回路板がろう付された面とは反対側の面が、Siを含むろう材によって純アルミニウム製応力緩和部材にろう付され、応力緩和部材における絶縁板にろう付された面とは反対側の面が冷却器にろう付され、応力緩和部材と絶縁板との間にSi粒子を含む残存ろう材層が存在しており、当該残存ろう材層の厚さが3μm以下であるとともに、当該残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率が20以下であるパワーモジュール用ベース。請求項1または2記載の絶縁回路基板の絶縁板における回路板がろう付された面とは反対側の面が、Siを含むろう材によって純アルミニウム製冷却器にろう付され、冷却器と絶縁板との間にSi粒子を含む残存ろう材層が存在しており、当該残存ろう材層の厚さが3μm以下であるとともに、当該残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率が20以下であるパワーモジュール用ベース。請求項3または4記載の絶縁回路基板の伝熱板における絶縁板にろう付された面とは反対側の面がアルミニウム製応力緩和部材にろう付され、応力緩和部材における絶縁板にろう付された面とは反対側の面が冷却器にろう付されているパワーモジュール用ベース。請求項5~7のうちのいずれかに記載のパワーモジュール用ベースの絶縁回路基板の回路板における絶縁板にろう付された面とは反対側の面が、電子素子搭載部を有する配線面となされており、当該電子素子搭載部にパワーデバイスがはんだ付されているパワーモジュール。請求項5記載のパワーモジュール用ベースを製造する方法であって、セラミックス製絶縁板、純アルミニウム製回路板、純アルミニウム製応力緩和部材および冷却器を用意し、絶縁板、回路板、応力緩和部材および冷却器を加圧しつつ加熱してろう付すること含み、絶縁板と回路板、および絶縁板と応力緩和部材とのろう付に、それぞれSi7~13質量およびSr0.003~0.1質量を含むAl-Si系合金からなるろう材を使用することを特徴とするパワーモジュール用ベースの製造方法。絶縁板、回路板、応力緩和部材および冷却器に対する加圧力を、0.4~3kgf/cm2とする請求項9記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。請求項6記載のパワーモジュール用ベースを製造する方法であって、セラミックス製絶縁板、純アルミニウム製回路板および純アルミニウム製冷却器を用意し、絶縁板、回路板および冷却器を加圧しつつ加熱してろう付すること含み、絶縁板と回路板、および絶縁板と冷却器とのろう付に、それぞれSi7~13質量およびSr0.003~0.1質量を含むAl-Si系合金からなるろう材を使用することを特徴とするパワーモジュール用ベースの製造方法。絶縁板、回路板および冷却器に対する加圧力を、0.4~3kgf/cm2とする請求項11記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。回路板に、絶縁板へのろう付面に開口しかつ溶融した後硬化したろう材を溜めるろう材溜穴を複数形成しておく請求項9~12のうちのいずれかに記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。回路板の全ろう材溜穴の内容積の合計をX、用いるろう材の体積をYとした場合、0.1≦X/Yという関係を満たす請求項13記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。請求項7記載のパワーモジュール用ベースを製造する方法であって、セラミックス製絶縁板、純アルミニウム製回路板、純アルミニウム製伝熱板、応力緩和部材および冷却器を用意し、絶縁板、回路板、伝熱板、応力緩和部材および冷却器を加圧しつつ加熱してろう付すること含み、絶縁板と回路板、および絶縁板と伝熱板とのろう付に、それぞれSi7~13質量およびSr0.003~0.1質量を含むAl-Si系合金からなるろう材を使用することを特徴とするパワーモジュール用ベースの製造方法。絶縁板、回路板、伝熱板、応力緩和部材および冷却器に対する加圧力を、0.4~3kgf/cm2とする請求項15記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。回路板および伝熱板に、それぞれ絶縁板へのろう付面に開口しかつ溶融した後硬化したろう材を溜めるろう材溜穴を複数形成しておく請求項15または16記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。回路板の全ろう材溜穴の内容積の合計をX、用いるろう材の体積をYとした場合、0.1≦X/Yという関係を満たす請求項17記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。Al-Si系合金からなるろう材が、さらにBi0.03~0.2質量を含む請求項9~18のうちのいずれかに記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。ろう付温度まで加熱してろう材を溶融させた後冷却する際に、580°Cから560°Cまでの冷却を、冷却速度5°C/min以下で行う請求項9~19のうちのいずれかに記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。この発明の目的は、上記問題を解決し、熱サイクル寿命の低下を抑制しうる絶縁回路基板、ならびにパワーモジュール用ベースおよびその製造方法を提供することにある。本発明は、上記目的を達成するために以下の態様からなる。1セラミック製絶縁板と、絶縁板の一面にSiを含むろう材によりろう付された純アルミニウム製回路板とを備えた絶縁回路基板であって、絶縁板と回路板との間にSi粒子を含む残存ろう材層が存在しており、残存ろう材層の厚さが3μm以下であるとともに、残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率が20以下である絶縁回路基板。2回路板に、絶縁板へのろう付面に開口しかつ溶融した後硬化したろう材を溜めるろう材溜穴が形成されている上記1記載の絶縁回路基板。3絶縁板における回路板がろう付された面とは反対側の面に、Siを含むろう材により純アルミニウム製伝熱板がろう付され、絶縁板と伝熱板との間にSi粒子を含む残存ろう材層が存在しており、当該残存ろう材層の厚さが3μm以下であるとともに、当該残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率が20以下である上記1または2記載の絶縁回路基板。4伝熱板に、絶縁板へのろう付面に開口しかつ溶融した後硬化したろう材を溜めるろう材溜穴が形成されている上記3記載の絶縁回路基板。5上記1または2記載の絶縁回路基板の絶縁板における回路板がろう付された面とは反対側の面が、Siを含むろう材によって純アルミニウム製応力緩和部材にろう付され、応力緩和部材における絶縁板にろう付された面とは反対側の面が冷却器にろう付され、応力緩和部材と絶縁板との間にSi粒子を含む残存ろう材層が存在しており、当該残存ろう材層の厚さが3μm以下であるとともに、当該残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率が20以下であるパワーモジュール用ベース。6上記1または2記載の絶縁回路基板の絶縁板における回路板がろう付された面とは反対側の面が、Siを含むろう材によって純アルミニウム製冷却器にろう付され、冷却器と絶縁板との間にSi粒子を含む残存ろう材層が存在しており、当該残存ろう材層の厚さが3μm以下であるとともに、当該残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率が20以下であるパワーモジュール用ベース。7上記3または4記載の絶縁回路基板の伝熱板における絶縁板にろう付された面とは反対側の面がアルミニウム製応力緩和部材にろう付され、応力緩和部材における絶縁板にろう付された面とは反対側の面が冷却器にろう付されているパワーモジュール用ベース。8上記5~7のうちのいずれかに記載のパワーモジュール用ベースの絶縁回路基板の回路板における絶縁板にろう付された面とは反対側の面が、電子素子搭載部を有する配線面となされており、当該電子素子搭載部にパワーデバイスがはんだ付されているパワーモジュール。9上記5記載のパワーモジュール用ベースを製造する方法であって、セラミックス製絶縁板、純アルミニウム製回路板、純アルミニウム製応力緩和部材および冷却器を用意し、絶縁板、回路板、応力緩和部材および冷却器を加圧しつつ加熱してろう付すること含み、絶縁板と回路板、および絶縁板と応力緩和部材とのろう付に、それぞれSi7~13質量およびSr0.003~0.1質量を含むAl-Si系合金からなるろう材を使用することを特徴とするパワーモジュール用ベースの製造方法。10絶縁板、回路板、応力緩和部材および冷却器に対する加圧力を、0.4~3kgf/cm2とする上記9記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。11上記6記載のパワーモジュール用ベースを製造する方法であって、セラミックス製絶縁板、純アルミニウム製回路板および純アルミニウム製冷却器を用意し、絶縁板、回路板および冷却器を加圧しつつ加熱してろう付すること含み、絶縁板と回路板、および絶縁板と冷却器とのろう付に、それぞれSi7~13質量およびSr0.003~0.1質量を含むAl-Si系合金からなるろう材を使用することを特徴とするパワーモジュール用ベースの製造方法。12絶縁板、回路板および冷却器に対する加圧力を、0.4~3kgf/cm2とする上記11記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。13回路板に、絶縁板へのろう付面に開口しかつ溶融した後硬化したろう材を溜めるろう材溜穴を複数形成しておく上記9~12のうちのいずれかに記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。14回路板の全ろう材溜穴の内容積の合計をX、用いるろう材の体積をYとした場合、0.1≦X/Yという関係を満たす上記13記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。15上記7記載のパワーモジュール用ベースを製造する方法であって、セラミックス製絶縁板、純アルミニウム製回路板、純アルミニウム製伝熱板、応力緩和部材および冷却器を用意し、絶縁板、回路板、伝熱板、応力緩和部材および冷却器を加圧しつつ加熱してろう付すること含み、絶縁板と回路板、および絶縁板と伝熱板とのろう付に、それぞれSi7~13質量およびSr0.003~0.1質量を含むAl-Si系合金からなるろう材を使用することを特徴とするパワーモジュール用ベースの製造方法。16絶縁板、回路板、伝熱板、応力緩和部材および冷却器に対する加圧力を、0.4~3kgf/cm2とする上記15記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。17回路板および伝熱板に、それぞれ絶縁板へのろう付面に開口しかつ溶融した後硬化したろう材を溜めるろう材溜穴を複数形成しておく上記15または16記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。18回路板の全ろう材溜穴の内容積の合計をX、用いるろう材の体積をYとした場合、0.1≦X/Yという関係を満たす上記17記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。19Al-Si系合金からなるろう材が、さらにBi0.03~0.2質量を含む上記9~18のうちのいずれかに記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。20ろう付温度まで加熱してろう材を溶融させた後冷却する際に、580°Cから560°Cまでの冷却を、冷却速度5°C/min以下で行う上記9~19のうちのいずれかに記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。上記1~4の絶縁回路基板によれば、絶縁板と回路板との間にSi粒子を含む残存ろう材層が存在しており、残存ろう材層の厚さが3μm以下であるとともに、残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率が20以下であるから、絶縁板と回路板との線膨張係数の差に起因して生じる応力を低減することできる。したがって、上記応力が大きくなることによる絶縁板の割れや、回路板と絶縁板との間の広範囲の剥離が長時間にわたって抑制され、熱サイクル寿命の低下を抑制することができる。上記2の絶縁回路基板によれば、回路板に、絶縁板へのろう付面に開口しかつ溶融した後硬化したろう材を溜めるろう材溜穴が形成されているので、Si濃度の高いろう材がろう材溜穴内に溜まることになり、残存ろう材層の厚さを3μm以下にするとともに、残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率を20以下とすることを、効果的に行うことができる。上記3の絶縁回路基板によれば、絶縁板と伝熱板との線膨張係数の差に起因して生じる応力を低減することできる。したがって、上記応力が大きくなることによる絶縁板の割れや、伝熱板と絶縁板との間の広範囲の剥離が長時間にわたって抑制され、熱サイクル寿命の低下を抑制することができる。上記4の絶縁回路基板によれば、伝熱板に、絶縁板へのろう付面に開口しかつ溶融した後硬化したろう材を溜めるろう材溜穴が形成されているので、Si濃度の高いろう材がろう材溜穴内に溜まることになり、残存ろう材層の厚さを3μm以下にするとともに、残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率を20以下とすることを、効果的に行うことができる。上記5のパワーモジュール用ベースによれば、絶縁板と回路板との線膨張係数の差に起因して生じる応力による絶縁板の割れや、回路板と絶縁板との間の広範囲にわたる剥離が長時間にわたって抑制されるとともに、絶縁板と応力緩和部材との線膨張係数の差に起因して生じる応力による絶縁板の割れや、応力緩和部材と絶縁板との間の広範囲にわたる剥離が長時間にわたって抑制され、熱サイクル寿命の低下を抑制することができる。上記6のパワーモジュール用ベースによれば、絶縁板と回路板との線膨張係数の差に起因して生じる応力による絶縁板の割れや、回路板と絶縁板との間の広範囲にわたる剥離が長時間にわたって抑制されるとともに、絶縁板と冷却器との線膨張係数の差に起因して生じる応力による絶縁板の割れや、冷却器と絶縁板との間の広範囲にわたる剥離が長時間にわたって抑制され、熱サイクル寿命の低下を抑制することができる。上記9~20のパワーモジュール用ベースの製造方法によれば、絶縁板と純アルミニウム部品とのろう付に用いるろう材中のSrの働きによって当該ろう材中に含まれるSiを微細化することができるので、絶縁板と純アルミニウム部品のろう付に用いるろう材の各部の融点が均一になって、ろう材の各部での溶融開始温度と溶融完了温度とが均一になるとともに、溶融ろう材が流動しやすくなる。したがって、Si濃度の高い溶融ろう材が、絶縁板と純アルミニウム部品との間から効果的に排出され、その結果製造されたパワーモジュール用ベースにおいて、絶縁板と純アルミニウム部品との間に残存するSi粒子を含む残存ろう材層の厚さを3μm以下にすることができるとともに、残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率を20以下にすることができる。上記10、12および16のパワーモジュール用ベースの製造方法によれば、Si濃度の高い溶融ろう材を、絶縁板と純アルミニウム部品との間から効果的に排出することができる。上記13、14、17および18のパワーモジュール用ベースの製造方法によれば、Si濃度の高いろう材がろう材溜穴内に溜まることになり、製造されたパワーモジュール用ベースにおいて、絶縁板と純アルミニウム部品との間に残存する残存ろう材層の厚さを3μm以下にすること、ならびに残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率を20以下にすることを、効果的に行うことができる。上記19のパワーモジュール用ベースの製造方法によれば、Biの働きによって絶縁板と純アルミニウム部品とをろう付する際の溶融ろう材の流動性を向上させることができるので、Si濃度の高い溶融ろう材が、絶縁板と純アルミニウム部品との間から効果的に排出される。上記20のパワーモジュール用ベースの製造方法によれば、共晶ろう材が、絶縁板と純アルミニウム部品との間から効果的に排出されるので、パワーモジュール用ベースの絶縁板と純アルミニウム部品との線膨張係数の差に起因して生じる応力を効果的に低減することできる。以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、図1の上下、左右を上下、左右というものとする。図1はこの発明による実施形態1のパワーモジュール用ベースにおける回路板の電子素子搭載部にパワーデバイスが実装されたパワーモジュールを示す。図1において、パワーモジュールは、パワーモジュール用ベースと、パワーモジュール用ベースに実装されたパワーデバイス電子素子とよりなる。パワーモジュール用ベースは、方形のセラミックス製絶縁板、および絶縁板の上面にろう付された方形の純アルミニウム製回路板からなる絶縁回路基板と、絶縁回路基板の絶縁板の下面がろう付された板状の純アルミニウム製応力緩和部材と、応力緩和部材の下面がろう付されたアルミニウム製冷却器ヒートシンクとからなる。なお、図1においては1つの絶縁回路基板だけが図示されているが、パワーモジュール用ベースは、複数の絶縁回路基板を備えているのが一般的である。絶縁回路基板の絶縁板は、必要とされる絶縁特性、熱伝導率および機械的強度を満たしていれば、どのようなセラミックから形成されていてもよいが、たとえばAlN、Al2O3、Si3N4などにより形成される。回路板は、電気伝導率が高く、変形能が高く、しかも半導体素子とのはんだ付け性に優れた純度の高い純アルミニウム、たとえば純度99.99質量以上の純アルミニウムにより形成されていることが好ましい。そして、回路板の上面、すなわち回路板における絶縁板にろう付された面とは反対側の面が、電子素子搭載部を有する配線面となされている。応力緩和部材は、熱伝導率が高く、しかも変形能が高い純アルミニウム、たとえば純度99.99質量以上の純アルミニウムにより形成されていることが好ましい。応力緩和部材には複数の円形貫通穴が形成されており、貫通穴の働きにより応力緩和部材が変形して絶縁板と冷却器との線熱膨張係数の差により生じる熱応力が緩和される。したがって、絶縁板に割れが生じたり、絶縁板と応力緩和部材とのろう付部にクラックが生じたりすることが防止される。冷却器は、複数の冷却流体通路が並列状に設けられた扁平中空状であり、熱伝導性に優れるとともに、軽量であるアルミニウムにより形成されていることが好ましい。冷却流体としては、液体および気体のいずれを用いてもよい。なお、冷却器としては、ケース内にインナーフィンが配置されたものが用いられてもよい。絶縁回路基板の絶縁板と回路板、および絶縁板と応力緩和部材とは、それぞれSiを含むろう材によりろう付されている。そして、図2に示すように、絶縁板と回路板との間にSi粒子を含む残存ろう材層が存在している。残存ろう材層の厚さTは3μm以下但し、0μmは含まない。であり、残存ろう材層に含まれるSi粒子図示略の残存ろう材層中での面積率は20以下但し、0を含む。である。残存ろう材層は、主としてAlおよびSi粒子からなるが、残存ろう材層を構成するAlおよびSi粒子は、主としてろう付に用いられたろう材中に含まれていたAlおよびSiからなる。ここで、この明細書および特許請求の範囲で用いられているSi粒子という用語には、Si単体の粒子、共晶Si粒子、Siを含む金属間化合物の粒子が含まれるものとする。Siを含む金属間化合物としては、Al-Fe-Si系金属間化合物、Fe-Si系金属間化合物、SiおよびSrを含む金属間化合物、Si、SrおよびBiを含む金属間化合物などが挙げられる。また、Si粒子の面積率は、図1において、回路板の左右両端部近傍、および回路板の左右方向の中央部で切断した3つの垂直断面におけるSi粒子の投影面積百分率である。残存ろう材層の厚さTを3μm以下に限定し、残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率を20以下に限定する理由は、当該厚さTが厚くなりすぎるとともに、当該面積率が高くなりすぎると、絶縁板と回路板との線膨張係数の差に起因して生じる応力を低減することができないからである。残存ろう材層の厚さTは2μm以下であることが好ましく、残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率は10以下であることが好ましい。図示は省略したが、絶縁板と応力緩和部材との間にも残存ろう材層が存在している。この場合も、図2に示す残存ろう材層と同様の理由により、残存ろう材層の厚さTは3μm以下であり、残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率は20以下である。さらに、応力緩和部材の貫通穴内には、絶縁板と応力緩和部材とのろう付の際に溶融したろう材が流れ込み、その後硬化した共晶Siを含む硬化ろう材図示略が溜まっている。なお、図示は省略したが、回路板および応力緩和部材における絶縁板とのろう付界面近傍には、ろう付時にSi拡散層が形成されているが、当該Si拡散層の厚さは250μm以下であることが好ましい。Si拡散層の厚さが250μmを超えるということは、Siの拡散に必要な入熱量が多いということであり、ろう付時間を長くしたり、ろう付温度を高くしたりする必要があって、不経済である。絶縁回路基板の絶縁板と回路板、および絶縁板と応力緩和部材とをろう付するSiを含むろう材としては、Si7~13質量およびSr0.003~0.1質量を含み、残部Alおよび不可避不純物からなるAl-Si系合金よりなるものが使用される。上記ろう材において、Si含有量を7~13質量に限定したのは、ろう材の融点を回路板および応力緩和部材の融点よりも効果的に低くするためである。Si含有量は8~12質量であることが好ましい。上記ろう材中のSrは、ろう材中に含まれるSiを微細化することによって、絶縁板と回路板および応力緩和部材のろう付に用いるろう材の各部の融点を均一化し、ろう材の各部での溶融開始温度と溶融完了温度とを均一にして絶縁板と回路板および応力緩和部材との間からSi濃度の高い溶融ろう材を効果的に排出させる性質を有するとともに、溶融後に硬化したろう材中でのSi粒子を微細化させる性質を有する。しかしながら、Sr含有量が少ないと上記効果は少なく、多くなるとコストが高くなるので、Sr含有量は0.003~0.1質量にすべきであるが、0.005~0.03質量であることが好ましい。上記ろう材中には、さらにBiを0.03~0.2質量含有させておくことが好ましい。Biは溶融したろう材の流動性を高め、Si濃度の高い溶融ろう材を、絶縁板と回路板および応力緩和部材との間から効果的に排出させる性質を有する。しかしながら、Bi含有量が少ないと上記効果は少なく、多くなると絶縁板と回路板および応力緩和部材とのろう付界面にBiが残存し、界面に生じる応力が大きくなるので、Bi含有量は0.03~0.2質量であることが好ましく、0.05~0.13質量であることが望ましい。また、上記ろう材は、Feを不可避的に含有していることがあるが、含有量が多くなると絶縁板と回路板および応力緩和部材とのろう付界面にFe系の金属間化合物が残存し、界面に生じる応力が大きくなるので、Feの含有量は0.5質量以下但し、0質量を含む。であることが好ましい。さらに、絶縁板と回路板および応力緩和部材とのろう付が真空ろう付法により行われることがあるが、この場合、上記ろう材にはMgを0.1~2質量含有させておくことが好ましい。Mgは真空ろう付時に酸化皮膜を破る性質を有するが、Mg含有量が少ないと上記効果は少なく、多くなると蒸発量が多くなってろう付炉のメンテナンス周期が早くなるので、Mg含有量は0.1~2質量であることが好ましく、0.4~1.5質量であることが望ましい。パワーデバイスは、絶縁回路基板の回路板の配線面における電子素子搭載部上にはんだ付けされており、これによりパワーモジュール用ベースに実装されている。パワーデバイスから発せられる熱は、回路板、絶縁板および応力緩和部材を経て冷却器に伝えられ、冷却流体通路内を流れる冷却流体に放熱されるようになっている。以下、パワーモジュール用ベースの製造方法について説明する。まず、冷却器上にろう材箔を介して応力緩和部材を配置し、応力緩和部材上にろう材箔を介して絶縁板を配置し、絶縁板上にろう材箔を介して回路板を配置する。ろう材箔としては、上述したようなSi7~13質量、Sr0.003~0.1質量およびMg0.1~2質量を含み、必要に応じてBi0.03~0.2質量を含み、さらにFe0.5質量以下を含み、残部Alおよび不可避不純物からなるAl-Si系合金箔が用いられる。また、ろう材箔を用いる代わりに、回路板の下面および応力緩和部材の上面に上述したAl-Si系合金からなるろう材層を予めクラッドしておいてもよい。ついで、図示しない治具により回路板、絶縁板、応力緩和部材および冷却器を上下から加圧した状態にして仮止めする。回路板、絶縁板、応力緩和部材および冷却器に対する加圧力は、0.4~3kgf/cm2とすることが好ましく、6~3kgf/cm2とすることが望ましい。当該加圧力が小さいと、ろう材が溶融した際に、Si濃度の高い溶融ろう材を、絶縁板と回路板との間および絶縁板と応力緩和部材との間から効果的に排出することができず、当該加圧力が大きいと、冷却器が変形することがある。ついで、回路板、絶縁板、応力緩和部材および冷却器を仮止めしたものを真空雰囲気とされた加熱炉中に入れ、適当な温度に適当な時間加熱する。すると、ろう材が溶融し、絶縁板と回路板との間に介在させられていたろう材箔から生じるSi濃度の高い溶融ろう材が、絶縁板と回路板との間から回路板の周縁よりも外側に効果的に排出される。また、絶縁板と応力緩和部材との間に介在させられていたろう材箔から生じるSi濃度の高い溶融ろう材が、絶縁板と応力緩和部材との間から応力緩和部材の周縁よりも外側に効果的に排出されるとともに、応力緩和部材の貫通穴内に流入する。その後、加熱を停止して冷却する。この冷却の際に、580°Cから560°Cまでの冷却を、冷却速度を5°C/min以下但し、0°C/minは含まない。で行うことが好ましい。この場合、冷却速度が遅くなるので、共晶ろう材が、絶縁板と回路板および応力緩和部材との間から効果的に排出される。そして、冷却された溶融したろう材が硬化することによって、絶縁板と回路板とがろう付されて絶縁回路基板が製造されると同時に、絶縁回路基板の絶縁板と応力緩和部材、および応力緩和部材と冷却器とがろう付されてパワーモジュール用ベースが製造される。図3は絶縁回路基板の変形例を示す。図3に示す絶縁回路基板の場合、回路板に、絶縁板へのろう付面下面に開口しかつ溶融した後硬化したろう材を溜める有底状のろう材溜穴が形成されている。ろう材溜穴内には、絶縁板と回路板とのろう付の際に溶融したろう材が流れ込んでおり、その後硬化した共晶Siを含む硬化ろう材が溜まっている。硬化ろう材は、ろう材溜穴の周面から底面に掛けてろう材溜穴内の底側部分に溜まっており、ろう材溜穴内の全体を満たしてはいない。ここで、回路板における硬化ろう材が溜まる前の全ろう材溜穴の内容積の合計をX、絶縁板と回路板とのろう付に用いるろう材の体積をYとした場合、0.1≦X/Yという関係を満たしていることが好ましく、0.3≦X/Y≦0.5という関係を満たしていることが望ましい。X/Yが小さくなると、ろう材溜穴内が硬化ろう材で満たされることになり、この硬化ろう材の存在に起因して、絶縁板と回路板との界面に生じる応力が大きくなるからである。また、回路板の隣り合うろう材溜穴間の距離は、ろう材溜穴内への溶融ろう材の流入を考慮すると、15mm以下であることが好ましく、0.5~10mmであることが望ましい。また、絶縁板と、回路板の下面におけるろう材溜穴を除いた部分との間にSi粒子を含む残存ろう材層が存在している。ここでも、残存ろう材層の厚さTは3μm以下であり、残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率は20以下であることが好ましい。その他の構成は、図2に示す絶縁回路基板と同じであり、絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースの構成は、図1に示すパワーモジュール用ベースと同様である。図3に示す絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースを製造する際には、図4に示すように、上述した図1に示すパワーモジュール用ベースを製造する際に絶縁板と回路板との間に配置するろう材箔に、ろう材溜穴と対応するように貫通穴を形成しておく。その他は、絶縁回路基板およびパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。図5はこの発明の実施形態2のパワーモジュール用ベースにパワーデバイスが実装されることにより構成されたパワーモジュールを示す図5に示すパワーモジュールにおけるパワーデバイスが実装されたパワーモジュール用ベースは、図1に示すパワーモジュールのパワーモジュール用ベースから応力緩和部材を除いた構成であり、絶縁板が直接冷却器の上面にろう付されている。冷却器は、回路板と同様な純アルミニウムにより形成されていることが好ましい。絶縁板と冷却器とのろう付は、図1に示すパワーモジュール用ベースの絶縁板と回路板および応力緩和部材のろう付に用いられるろう材と同様のろう材を用いて行われている。そして、図示は省略したが、絶縁板と冷却器との間にSi粒子を含む残存ろう材層が存在している。ここでも、残存ろう材層の厚さTは3μm以下であり、残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率は20以下であることが好ましい。図6はこの発明の実施形態3のパワーモジュール用ベースにパワーデバイスが実装されることにより構成されたパワーモジュールを示す図6に示すパワーモジュールにおけるパワーデバイスが実装されたパワーモジュール用ベースの絶縁回路基板は、絶縁板および回路板の他に、絶縁板の下面にろう付された方形の純アルミニウム製伝熱板を備えており、伝熱板の下面が応力緩和部材にろう付されている。伝熱板は回路板と同様な純アルミニウムからなる。絶縁板と伝熱板とのろう付は、図1に示すパワーモジュール用ベースの絶縁板と回路板および応力緩和部材のろう付に用いられるろう材と同様のろう材を用いて行われている。そして、図示は省略したが、絶縁板と伝熱板との間にSi粒子を含む残存ろう材層が存在している。ここでも、残存ろう材層の厚さTは3μm以下であり、残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率は20以下であることが好ましい。なお、伝熱板には、図3に示す絶縁回路基板の回路板と同様に、絶縁板へのろう付面下面に開口しかつ溶融した後硬化したろう材を溜める有底状のろう材溜穴が形成されていてもよい。この場合、伝熱板における硬化ろう材が溜まる前の全ろう材溜穴の内容積の合計をX、絶縁板と伝熱板とのろう付に用いるろう材の体積をYとした場合、0.1≦X/Yという関係を満たしていることが好ましく、1≦X/Y≦10という関係を満たしていることが望ましい。1≦X/Y≦10という関係を満たしている場合、ろう材溜穴の働きにより、伝熱板が、応力緩和部材と同様に、絶縁板と冷却器との線熱膨張係数の差により生じる熱応力を緩和する。次に、この発明の具体的実施例を比較例とともに述べる。実施例1~4この実施例は、図6に示すパワーモジュール用ベースを製造したものである。厚み:0.6mm、縦:29mm、横:34mmのAlN製絶縁板と、純度99.99wtの純アルミニウムからなりかつ厚み:0.6mm、縦:29mm、横:34mmの回路板および伝熱板と、両面にろう材層が形成されたアルミニウムブレージングシートからなりかつ厚み:1mm、縦:29mm、横:34mmであるとともに、直径3mmの円形貫通穴が複数形成された応力緩和部材と、JISA3003からなる冷却器とを用意した。また、表1に示す4種類のAl-Si合金ろう材で形成され、かつ厚み:30μm、縦:29mm、横:34mmのろう材箔を用意した。ついで、冷却器、応力緩和部材、伝熱板、絶縁板および回路板を、伝熱板と絶縁板との間および絶縁板と回路板との間にろう材箔を配置した状態で積層し、治具により冷却器、応力緩和部材、伝熱板、絶縁板および回路板を表1に示す加圧力で加圧した状態にして仮止めした。その後、応力緩和部材、伝熱板、絶縁板および回路板を加圧状態で仮止めしたものを真空雰囲気とされた加熱炉中に入れ、600°Cで20分間加熱した後、冷却した。冷却の際の580~560°Cの範囲の冷却速度は表1に示す通りとした。こうして、絶縁板と回路板および伝熱板とをろう付することにより絶縁回路基板を製造すると同時に、絶縁回路基板の伝熱板と応力緩和部材、および応力緩和部材とと冷却器とをろう付することによりパワーモジュール用ベースを製造した。実施例5~8実施例1~4と同様な絶縁板、回路板、伝熱板、応力緩和部材および冷却器を用意した。また、表1に示す4種類のAl-Si合金ろう材で形成され、かつ厚み:30μm、縦:29mm、横:34mmのろう材箔を用意した。回路板の一面には複数のろう材溜穴を形成しておいた。各ろう材溜穴の直径は3mm、深さは0.4mmであり、隣接するろう材溜穴間の距離は3mmである。また、全ろう材溜穴の内容積の合計Xと、絶縁板と回路板とのろう付に用いるろう材の体積をYとの比X/Yは、表1に示す通りである。ろう材箔におけるろう材溜穴と対応する部分には貫通穴を形成しておいた。ついで、冷却器、応力緩和部材、伝熱板、絶縁板および回路板を、伝熱板と絶縁板との間および絶縁板と回路板との間にろう材箔を配置した状態で積層し、治具により冷却器、応力緩和部材、伝熱板、絶縁板および回路板を表1に示す加圧力で加圧した状態にして仮止めした。その後、応力緩和部材、伝熱板、絶縁板および回路板を加圧状態で仮止めしたものを真空雰囲気とされた加熱炉中に入れ、600°Cで20分間加熱した後、冷却した。冷却の際の580~560°Cの範囲の冷却速度は表1に示す通りとした。こうして、絶縁板と回路板および伝熱板とをろう付することにより絶縁回路基板を製造すると同時に、絶縁回路基板の伝熱板と応力緩和部材、および応力緩和部材と冷却器とをろう付することによりパワーモジュール用ベースを製造した。実施例9~10この実施例は、図1に示すパワーモジュール用ベースを製造したものである。厚み:0.6mm、縦:29mm、横:34mmのAlN製絶縁板と、純度99.99wtの純アルミニウムからなりかつ厚み:0.6mm、縦:29mm、横:34mmの回路板と、純度99.99wtの純アルミニウムからなりかつ厚み:1mm、縦:29mm、横:34mmであるとともに、直径3mmの円形貫通穴が複数形成された応力緩和部材と、JISA3003からなる冷却器を用意した。また、表1に示す2種類のAl-Si合金ろう材で形成され、かつ厚み:30μm、縦:29mm、横:34mmのろう材箔を用意した。ろう材箔におけるろう材溜穴と対応する部分には貫通穴を形成しておいた。回路板の一面には複数のろう材溜穴を形成しておいた。各ろう材溜穴の直径は3mm、深さは0.4mmであり、隣接するろう材溜穴間の距離は3mmである。また、全ろう材溜穴の内容積の合計Xと、絶縁板と回路板とのろう付に用いるろう材の体積をYとの比X/Yは、表1に示す通りである。ついで、冷却器、応力緩和部材、絶縁板および回路板を、冷却器と応力緩和部材との間、応力緩和部材と絶縁板との間および絶縁板と回路板との間にろう材箔を配置した状態で積層し、治具により冷却器、応力緩和部材、絶縁板および回路板を表1に示す加圧力で加圧した状態にして仮止めした。その後、冷却器、応力緩和部材、絶縁板および回路板を加圧状態で仮止めしたものを真空雰囲気とされた加熱炉中に入れ、600°Cで20分間加熱した後、冷却した。冷却の際の580~560°Cの範囲の冷却速度は表1に示す通りとした。こうして、絶縁板と回路板とをろう付することにより絶縁回路基板を製造すると同時に、絶縁回路基板の絶縁板と応力緩和部材、および応力緩和部材と冷却器とをろう付することによりパワーモジュール用ベースを製造した。比較例実施例1~4と同様な絶縁板、回路板、伝熱板、応力緩和部材および冷却器を用意した。また、表1に示すAl-Si合金ろう材で形成され、かつ厚み:30μm、縦:29mm、横:34mmのろう材箔を用意した。ついで、冷却器、応力緩和部材、伝熱板、絶縁板および回路板を、伝熱板と絶縁板との間および絶縁板と回路板との間にろう材箔を配置した状態で積層し、治具により冷却器、応力緩和部材、伝熱板、絶縁板および回路板を表1に示す加圧力で加圧した状態にして仮止めした。その後、応力緩和部材、伝熱板、絶縁板および回路板を加圧状態で仮止めしたものを真空雰囲気とされた加熱炉中に入れ、600°Cで20分間加熱した後、冷却した。冷却の際の580~560°Cの範囲の冷却速度は表1に示す通りとした。こうして、絶縁板と回路板および伝熱板とをろう付することにより絶縁回路基板を製造すると同時に、絶縁回路基板の伝熱板と応力緩和部材、および応力緩和部材とと冷却器とをろう付することによりパワーモジュール用ベースを製造した。評価試験実施例1~10および比較例で製造されたパワーモジュール用ベースの絶縁回路基板における絶縁板と回路板との間に形成された残存ろう材層の厚さを、の左右両端から3mm内側の部分、および左右方向中央部において断面観察することにより測定し、その平均値を残存ろう材層の厚さとした。また、絶縁回路基板における絶縁板と回路板との間に形成された残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率を、左右両端から3mm内側の部分、および左右方向中央部において画像解析ソフトを用いて測定し、その平均値を残存ろう材層に含まれるSi粒子の面積率とした。さらに、残存ろう材層中のSi含有量を調べた。さらに、パワーモジュール用ベースに、冷熱サイクル試験125°Cに加熱した後-40°Cに冷却を2000サイクル行った。そして、試験後の絶縁板と回路板とのろう付界面のろう付面積を超音波探傷機により測定し、絶縁板と回路板とのろう付界面全体に対するろう付面積の割合を求めた。これらの結果を表2に示す。表2の判定の欄において、○は、絶縁板と回路板とのろう付界面全体に対するろう付面積の割合が90以上であることを示し、×は、絶縁板と回路板とのろう付界面全体に対するろう付面積の割合が80以下であることを示す。その結果、実施例1~10で製造されたパワーモジュール用ベースでは、冷熱サイクル試験後にも絶縁板と回路板との間には広範囲にわたる剥離は発生していなかった。これに対し、比較例で製造されたパワーモジュール用ベースでは、冷熱サイクル試験後には絶縁板と回路板との間に広範囲にわたる剥離が発生していた。