"オプトエレクトロニクス半導体チップ1であって、半導体積層体を有する半導体ボディ2と、キャリア5とを備えており、前記半導体ボディ2が前記キャリア5の上に配置されており、前記半導体積層体を有する前記半導体ボディ2に、発光領域23および検出領域24が形成されており、前記半導体積層体が活性領域20を備えており、前記活性領域20が、第1の半導体層21と第2の半導体層22との間に配置されており、前記発光領域23においては放射を生成する目的で設けられており、前記第1の半導体層21が、前記キャリア5とは反対側の前記活性領域20の面に配置されており、前記発光領域23が、前記活性領域20を貫く凹部25を有し、前記発光領域23において、前記第1の半導体層21が第1の接続層31を介して第1のコンタクト41に導電接続されており、前記第1の接続層31が、前記凹部25の中に前記第1の半導体層21から前記キャリア5の方向に延在しており、前記第2の半導体層22が、第2の接続層32を介して第2のコンタクト42に導電接続されており、前記検出領域24が、追加のコンタクト43に導電接続されている、オプトエレクトロニクス半導体チップ1。前記半導体ボディ2が前記キャリア5に接合的に結合されている、請求項1に記載の半導体チップ。前記第1の接続層31の一部分が前記半導体ボディ2と前記キャリア5との間に延在している、請求項1または請求項2に記載の半導体チップ。前記第2の接続層32の一部分が前記発光領域23と前記第1の接続層31との間に延在している、請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体チップ。前記第2のコンタクト42が、前記発光領域23および前記検出領域24の共通のコンタクトを形成している、請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体チップ。前記第1のコンタクト41が、前記発光領域23および前記検出領域24の共通のコンタクトを形成している、請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体チップ。前記第2の接続層32に接続窓320が形成されており、前記検出領域24において前記第1の接続層31が前記接続窓320を通じて前記第2の半導体層22に接続されている、請求項6に記載の半導体チップ。前記検出領域24において、前記追加のコンタクト43が前記第1の半導体層21の上に配置されている、請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体チップ。前記検出領域24が追加の凹部25bを有し、前記第1の接続層31が、前記追加の凹部25bの中に、前記第1の半導体層21から前記キャリア5の方向に延在している、請求項6に記載の半導体チップ。前記第2の接続層32が、互いに電気的に絶縁されている少なくとも2つの部分領域32a,32bに、切取り部27によって分割されている、請求項9に記載の半導体チップ。前記追加のコンタクト43と前記検出領域24とが、前記半導体チップ1の平面視において、互いに並んで配置されている、請求項10に記載の半導体チップ。前記発光領域23の前記活性領域20と前記検出領域24の前記活性領域20が、同じ組成を有する、請求項1から請求項11のいずれかに記載の半導体チップ。複数のオプトエレクトロニクス半導体チップ1を製造する方法であって、a活性領域20を備えた半導体積層体2を形成するステップであって、前記活性領域20が第1の半導体層21と第2の半導体層22との間に配置されている、前記ステップと、b前記第2の半導体層22および前記活性領域20を貫く複数の凹部25を形成するステップと、c前記半導体積層体2の上に第1の接続層31を形成するステップであって、前記第1の接続層31が、前記凹部25の中で前記第1の半導体層21に導電接続されている、前記ステップと、d前記半導体積層体2とキャリア5とを備えた複合体アセンブリ8を形成するステップと、e前記半導体積層体2から複数の発光領域23および複数の検出領域24を形成するステップであって、前記発光領域23それぞれが少なくとも1つの凹部25を有し、前記検出領域24それぞれに追加のコンタクト43が設けられており、前記検出領域24が前記発光領域23から電気的に絶縁されている、前記ステップと、f前記複合体アセンブリ8を複数の半導体チップ1に個片化するステップであって、前記半導体チップ1それぞれが少なくとも1つの発光領域23および少なくとも1つの検出領域24を備えている、前記ステップと、を含んでいる、方法。ステップeの前に、前記半導体積層体2の成長基板28の少なくとも一部分が除去される、請求項13に記載の方法。請求項1から請求項12のいずれかに記載の複数の半導体チップ1が製造される、請求項13または請求項14に記載の方法。本発明の1つの目的は、信頼性および安定性の高い発光を得ることができるオプトエレクトロニクス半導体チップを開示することである。さらに、本発明の目的は、このようなオプトエレクトロニクス半導体チップを高い信頼性で簡単に製造することのできる方法を開示することである。これらの目的は、独立請求項によるオプトエレクトロニクス半導体チップおよび方法によって、達成される。従属請求項は、本オプトエレクトロニクス半導体チップおよび本方法のさらなる実施形態および利点に関する。一実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体チップは、半導体積層体を有する半導体ボディと、キャリアとを備えており、半導体ボディはキャリア上に配置されている。半導体積層体を有する半導体ボディに、発光領域および検出領域が形成されている。半導体積層体は、第1の半導体層と第2の半導体層との間に配置されている活性領域を備えている。活性領域は、発光領域においては放射を生成する目的で設けられている。第1の半導体層は、キャリアとは反対側の活性領域の面に配置されている。発光領域は、活性領域を貫く凹部を有する。発光領域において、第1の半導体層は、第1の接続層を介して第1のコンタクトに導電接続されており、この場合、第1の接続層は、凹部の中に第1の半導体層からキャリアの方向に延在している。第2の半導体層は、第2のコンタクトに導電接続されている。検出領域は、追加のコンタクトに導電接続されている。この追加のコンタクトは、第1のコンタクトおよび第2のコンタクトとは異なり、電荷キャリアを発光領域内に注入する目的では設けられていない。本半導体チップの動作時に検出領域の活性領域において生成される信号に、追加のコンタクトによって外部からアクセスすることができる。言い換えれば、検出領域は、本半導体チップに組み込まれたフォトダイオードとして機能する。発光領域の発光挙動を、検出領域によって監視することができる。監視を目的とする、半導体チップから隔てられた外部の個別のフォトダイオードを省くことができる。外部のフォトダイオードと比較すると、検出領域は、発光領域の極めて近くに配置することができる。検出領域と発光領域との間の距離は、好ましくは最大で50μm、特に好ましくは最大で20μmである。製造時、検出領域および発光領域を、同じ半導体積層体から形成することができる。検出領域を形成する目的で追加の層を堆積させる必要はない。発光領域の活性領域と検出領域の活性領域は、同じ材料組成を有することができる。第1のコンタクト、第2のコンタクト、および追加のコンタクトは、それぞれ、外部から本半導体チップとの電気的接触接続を形成する目的で設けられた領域を意味するものと理解されたい。これらのコンタクトは、それぞれ、外部からアクセス可能な領域を構成している。コンタクトそれぞれは、特に、個別の層として形成する、または、いずれかの接続層の表面として、あるいは半導体ボディの表面として具体化することができる。放出領域の活性領域と検出領域の活性領域は、互いに電気的に絶縁されていることが好ましい。さらに、発光領域および検出領域は、好ましくは横方向にすなわち半導体ボディの半導体層の主延在面に沿って互いに並んで配置されている。発光領域と検出領域との間には、間隙が形成されていることが好ましく、この間隙は、半導体ボディ特に活性領域を、横方向に互いに隔てられた2つの個別の領域に分割している。好ましい一構造形態においては、半導体ボディは、キャリアに接合的に結合されているcohesivelyconnected。キャリアは、特に、半導体ボディの半導体積層体のための成長基板とは異なる。接合的に結合される場合、結合される両要素好ましくはあらかじめ作製されるは、原子間力もしくは分子間力またはその両方によって一体に保持される。接合的な結合は、例えば接合層例:接着剤層またははんだ層によって得ることができる。一般的に、この結合を分離するためには、結合されている両要素の少なくとも一方、もしくは接合層、またはその両方の破壊を伴う。好ましい一構造形態においては、第1の接続層は、その一部分が半導体ボディとキャリアとの間に延在している。第1の接続層は、本半導体チップの平面視において、キャリアを完全に、または少なくとも実質的に完全に覆っていることができる。製造時、第1の接続層を構造化するステップを省くことができる。さらなる好ましい形態においては、第2の接続層は、その一部分が発光領域と第1の接続層との間に延在している。第1の接続層および第2の接続層によって、それぞれ、発光領域における第1の半導体層および第2の半導体層との電気的接触を、キャリアの側の面から形成することができる。キャリアとは反対側の発光領域の放射出口領域を、外部電気コンタクトが存在しないように具体化することができる。検出領域には、第1のコンタクトまたは第2のコンタクトのいずれかが導電接続されていることが好ましい。したがって、追加のコンタクトと合わせて2つのコンタクトによって、検出領域に外部からアクセスすることができる。発光領域から電気的に絶縁されたさらなるコンタクトを省くことができる。特に、本半導体チップの動作時、発光領域および検出領域の共通のコンタクトは、接地コンタクトを構成することができる。しかしながら、共通のコンタクトの代替として、さらなる追加のコンタクトを設けることも考えられ、この場合、外部から検出領域との電気的接触接続を、発光領域とは完全に個別に形成することができる。この構造形態の第1のタイプにおいては、第2のコンタクトが、発光領域および検出領域の共通のコンタクトを形成している。特に、第2の接続層を、検出領域における第2の半導体層に導電接続することができる。この構造形態の第2のタイプにおいては、第1のコンタクトが、発光領域および検出領域の共通のコンタクトを形成している。この場合、第1のコンタクトを、検出領域における第1の半導体層または第2の半導体層のいずれかに導電接続することができる。好ましい一発展形態においては、第2の接続層に接続窓connectionwindowが形成されており、この場合、検出領域において第1の接続層が接続窓を通じて第2の半導体層に接続されている。したがって、この場合、第1の接続層は、発光領域における第1の半導体層と、検出領域における第2の半導体層とに、導電接続されている。この発展形態においては、第2の接続層は、第2の半導体層から電気的に絶縁されていることが好ましい。電気的に絶縁されるように、本半導体チップの平面視において、接続窓が検出領域を超えて突き出していることができる。これに代えて、またはこれに加えて、第2の接続層と検出領域との間に絶縁層を設けることができる。一構造形態においては、検出領域において、追加のコンタクトが第1の半導体層の上に配置されている。言い換えれば、追加のコンタクトは、本半導体チップの平面視において、検出領域の少なくとも一部分を覆っている。追加のコンタクトによる接触接続は、本半導体チップの平面視において、検出領域の内側に形成される。放射を生成する目的に利用できる発光領域の範囲を、追加のコンタクトを形成する目的で、さらに大きく減らす必要がない。さらに、検出領域において生成される信号成分のうち、半導体チップにおいて放出される、あるいは半導体チップの外側で反射され、検出領域の活性領域に垂直に、または実質的に垂直に入射する放射によって生成される信号成分を、追加のコンタクトによって減少させることができる。代替の構造形態においては、検出領域は追加の凹部を有し、この場合、第1の接続層は、この追加の凹部の中に、第1の半導体層からキャリアの方向に延在している。この追加の凹部によって、検出領域における第1の半導体層との電気的接触を、キャリアの側の半導体ボディの面から、形成することができる。特に、発光領域における第1の半導体層と、検出領域における第1の半導体層とを、それぞれ、凹部および追加の凹部によって、共通のコンタクトとしての第1のコンタクトに導電接続することができる。好ましい一実施形態においては、第2の接続層は、互いに電気的に絶縁されている少なくとも2つの部分領域に、切取り部によって分割されている。第1の部分領域が発光領域に導電接続されており、第2の部分領域が検出領域に導電接続されていることが好ましい。本半導体チップの平面視において、追加のコンタクトと検出領域とを互いに並べて配置することができる。さらなる好ましい形態においては、本半導体チップの平面視において、検出領域と追加のコンタクトとが第2の接続層の第2の部分領域に配置されている。一実施形態による、複数のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法においては、最初に、活性領域を備えた半導体積層体を形成し、この活性領域は、第1の半導体層と第2の半導体層との間に配置されている。次いで、第2の半導体層および活性領域を貫く複数の凹部を形成する。半導体積層体の上に第1の接続層を形成し、この場合、第1の接続層は、凹部の中で第1の半導体層に導電接続されている。半導体積層体とキャリアとを備えた複合体アセンブリを形成する。半導体積層体から複数の発光領域および複数の検出領域を形成し、この場合、発光領域それぞれが少なくとも1つの凹部を有し、検出領域それぞれに追加のコンタクトが設けられており、検出領域が発光領域から電気的に絶縁されている。複合体アセンブリを複数の半導体チップに個片化し、この場合、各半導体チップは少なくとも1つの発光領域および少なくとも1つの検出領域を備えている。この場合、個々の方法ステップは、必ずしも上に列挙した順序で実行する必要はない。好ましい一構造形態においては、特に、複合体アセンブリを個片化する前に、半導体積層体の成長基板の少なくとも一部分を除去する。したがって、個片化より前の早い段階で、検出領域を半導体チップに組み込むことができる。成長基板が除去された半導体チップは、薄膜半導体チップとも称される。薄膜半導体チップ例えば薄膜発光ダイオードチップは、特に、以下の特徴的な形状構造によって区別される。放射を生成するエピタキシャル積層体の第1の主領域キャリア要素例:キャリアの側に、反射層が堆積または形成されており、この反射層は、エピタキシャル積層体において生成された電磁放射の少なくとも一部分を反射してエピタキシャル積層体に戻す。エピタキシャル積層体の厚さは、20μm以下、特に10μm以下である。エピタキシャル積層体は、少なくとも一部分が混合構造intermixingstructureを有する少なくとも1層の半導体層を含んでおり、この混合構造によって、理想的にはエピタキシャル積層体における近似的に光のエルゴード分布につながり、すなわち、この混合構造は、実質的にエルゴード的確率過程である散乱挙動を示す。薄膜発光ダイオードチップの基本的な原理は、例えば非特許文献1に記載されており、この点に関するこの文書の開示内容は、参照によって本出願に組み込まれている。薄膜発光ダイオードチップは、ランバート面の発光体の良好な近似であり、したがって、ヘッドライトにおける使用に特に適している。上述した方法は、前述した半導体チップを製造する目的に特に適している。したがって、本半導体チップに関して記載されている特徴は、本方法にもあてはまり、逆も同様である。以下では、例示的な実施形態について、図面を参照しながら説明する。さらなる特徴、構造形態、および利点は、以下の説明から理解されるであろう。図面において、同じ要素、同じタイプの要素、または同じ機能の要素には、同じ参照数字を付してある。図面と、図面に示した要素の互いのサイズの関係は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素特に層の厚さを、誇張した大きさで示してある。オプトエレクトロニクス半導体チップの第1の例示的な実施形態は、図1Bの概略平面図と、線AA’に沿っての図1Aの対応する断面図に示してある。半導体チップ1は、半導体積層体を有する半導体ボディ2を備えている。この半導体ボディ2は、キャリア5の第1の主領域51に、接合層6例えば接着剤層またははんだ層によって固定されている。半導体ボディ2は、発光領域23および検出領域24を有する。これらの発光領域23および検出領域24は、本半導体チップの平面視において、重なり合う領域が存在しないように、互いに並んで配置されている。発光領域23および検出領域24は、同じ半導体積層体から形成されており、同じ材料組成を有する。半導体ボディ2を形成している半導体積層体は、エピタキシャルに例えばMBEまたはMOVPEによって堆積されていることが好ましい。半導体積層体は、第1の半導体層21と第2の半導体層22との間に配置されている活性領域20を備えている。第1の半導体層21は、キャリア5とは反対側の活性領域20の面に配置されている。活性領域20は、発光領域23においては放射を生成する目的で、検出領域24においては放射を検出する目的で、設けられている。半導体チップ1の特に発光領域23の放射出口領域10は、キャリア5とは反対側の半導体ボディ2の面に形成されている。本半導体チップの動作時に発光領域の活性領域において生成される放射は、その大部分が放射出口領域10を通じて半導体チップ1から放出されることが好ましい。放射の取り出し効率を高める目的で、発光領域23における放射出口領域10に粗面化部明示的には図示していないを設けることができる。接触接続を簡単に形成できるように、検出領域24においては粗面化部を省くことができ、したがって、検出領域24では電気的接触接続部のためのなめらかな表面が提供される。第1の半導体層21と第2の半導体層22は、互いに導電型が異なる。一例として、第2の半導体層22をp型導電性として具体化し、第1の半導体層21をn型導電性として具体化する、または、この逆に具体化することができる。したがって、活性領域20は、ダイオード構造として配置されている。発光領域23および検出領域24は、間隙26によって互いに隔てられている。間隙26は、垂直方向においてすなわち半導体ボディ2の半導体層の主延在面に垂直な方向において、半導体ボディ2を完全に貫いている。このようにして、検出領域24が、簡単な方法で発光領域23から電気的に絶縁される。第1の接続層31は、半導体ボディ2とキャリア5との間に形成されている。発光領域23において、半導体ボディ2は複数の凹部25を有し、これらの凹部25は、第2の半導体層22および活性領域20を貫いて第1の半導体層21の中に達している。第1の接続層31は、これらの凹部25の中に延在しており、キャリアの側の半導体ボディ2の面から、第1の半導体層21との導電接続を形成している。第1の主領域51とは反対側に位置するキャリア5の第2の主領域52には、第1のコンタクト41が形成されており、この第1のコンタクト41は、キャリア5および接合層6を介して第1の接続層31に導電接続されている。半導体ボディ2とキャリア5との間、特に、半導体ボディ2と第1の接続層31との間に、第2の接続層32が形成されている。この第2の接続層32は、第2のコンタクト42に導電接続されている。第2のコンタクト42は、第2の接続層32を介して、発光領域23における第2の半導体層22と、検出領域24における第2の半導体層22とに導電接続されており、したがって、発光領域23および検出領域24の共通のコンタクトを形成している。半導体チップ1の動作時、コンタクト41,42を介して、発光領域23の活性領域20の中に、両側から電荷キャリアを注入することができ、活性領域20内で電荷キャリアが再結合して放射が放出される。第1の接続層31と第2の接続層32との間には、絶縁層71が形成されている。絶縁層71は、第1の接続層31と第2の接続層32との間の電気的接続と、第1の接続層31と第2の半導体層22との間の電気的接続を防止する。検出領域24において、第1の半導体層21は、追加のコンタクト43に電気的に接続されている。動作時、検出領域24の活性領域20において生成される信号を、第2のコンタクト42と追加のコンタクト43とを通じて取り出すことができる。したがって、検出領域24を、発光領域23とは独立して動作させることができる。この信号は、主として、検出領域24の側面領域241を通じて入射する放射特に、発光領域23の活性領域20において生成されて発光領域23の側面領域231から放出される放射によって生成される。したがって、特に、半導体チップ1とは個別に配置された検出器を備えた構造と比較して、外部からの無関係な放射すなわち半導体チップ1によって生成されていない放射の影響が小さい。したがって、検出領域24において生成される信号は、発光領域23を監視または閉ループ制御する目的に特に適している。したがって、半導体部品においてこのような半導体チップ1を1個または複数個使用するとき、外部のフォトダイオードを追加する必要がない。外部のフォトダイオードと比較すると、本明細書に記載されている、検出領域24の形で組み込まれたフォトダイオードは、特に小さい距離を特徴とし、この距離は製造段階で定義される。この距離は、好ましくは50μm以下、特に好ましくは20μm以下である。これにより、外部からの放射の影響がさらに大幅に低減する。半導体チップ1を封止する場合、間隙26を封止材料によって完全に満たすことができる。発光領域23と検出領域24との間の放射経路は、封止体の中を通る。半導体チップ1から隔てられた個別のフォトダイオードを備えた構造と比較して、検出領域24において生成される信号の品質が汚れによって低下する危険性が小さい。さらに、複数の半導体チップ1を備えた構造では、発光領域23の数に比例して増大する数の検出領域24を有し、したがって、個々の発光領域23を、簡単な方法で、高い信頼性で監視または制御することができる。複数の凹部25は、電荷キャリアを第1の半導体層21を介して活性領域20の中に横方向に均一に注入する役割を果たしている。凹部25は、例えば、行列状に、またはハニカムパターンの形に配置することができる。特に、第1の半導体層21の横方向導電率が十分に高いならば、本半導体チップ1の実施形態として、第1の半導体層21との電気的接触を形成するための凹部25が発光領域23において1つのみである実施形態も考えられる。本半導体チップ1の平面視において、検出領域24の範囲は、発光領域23の範囲よりも小さいことが好ましい。検出領域24の範囲は、半導体チップ1の範囲の好ましくは最大で20、特に好ましくは最大で10である。検出領域24の範囲の割合が小さいほど、検出領域24を組み込むことに起因して、放射の生成に利用できる発光領域23の失われる範囲が小さい。本半導体チップ1の動作時、第1のコンタクト41と第2のコンタクト42との間の電圧と、追加のコンタクト43と第2のコンタクト42との間の電圧を、互いに独立して設定することができる。この設定は、発光領域23が順方向動作すると同時に、検出領域24が、電圧が印加されない状態で動作する、または逆方向動作するように、行われることが好ましい。半導体ボディ2特に活性領域20は、III-V族半導体材料を含んでいることが好ましい。III-V族半導体材料は、紫外スペクトル領域InxGayAl1-x-yNから、可視スペクトル領域特に青色~緑色の放射の場合にはInxGayAl1-x-yN、特に黄色~赤色の放射の場合にはInxGayAl1-x-yP、さらに赤外スペクトル領域InxGayAl1-x-yAsまでの放射を生成するのに特に適している。いずれの場合も、0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1が成り立ち、特に、x≠1、y≠1、x≠0、y≠0の少なくとも1つが成り立つ。特に上に挙げた材料系のIII-V族半導体材料を使用する場合、放射の生成時に高い内部量子効率をさらに得ることができる。第1の接続層31もしくは第2の接続層32またはその両方は、金属例えば、チタン、白金、ニッケル、金、銀、アルミニウム、ロジウム、またはこれらの材料の少なくとも1種類を含んだ金属合金、を含んでいることが好ましい。これに代えて、またはこれに加えて、第1の接続層31もしくは第2の接続層32またはその両方は、TCO透明導電性酸化物材料例えばインジウムスズ酸化物ITO、酸化亜鉛を含んでいる、またはこのような材料からなることができる。さらに、第2の接続層32は、発光領域23の活性領域20において生成される放射に対して高い反射率を有することが好ましい。高い反射率に関して、紫外線および青色光のスペクトル領域においては、例えば、銀、アルミニウム、またはロジウムが適しており、赤色光および赤外線のスペクトル領域においては、例えば金が適している。反射性として具体化されている第2の接続層32によって、活性領域20において生成されてキャリア5の方向に放出される放射を、放射出口領域10の方向に方向転換して、放射出口領域10を通じて半導体チップ1から放出させることができる。第1のコンタクト41および第2のコンタクト42は、特に、第1の接続層31および第2の接続層32に関連して挙げた金属、またはこれらの材料のうちの1種類を含んだ金属合金を含んでいる、またはそのような材料からなることができる。特に、外部との電気的接触接続を簡単な方法で例えばボンディングワイヤによって、またははんだ付け結合によって形成することのできる材料が適している。一例として、コンタクトの材料として、金が特に適している。キャリア5の材料としては、この例示的な実施形態においては、一例として、好ましくはドープされた半導体材料例:ゲルマニウム、ガリウムヒ素、シリコンが適している。第1の絶縁層71は、例えば、酸化物例:酸化ケイ素、酸化チタン、窒化物例:窒化ケイ素、または酸窒化物例:酸窒化ケイ素を含んでいる、またはこのような材料からなることができる。本明細書に記載されている例示的な実施形態の変形形態においては、半導体チップ1は、静電放電ESDに起因する損傷に対して半導体チップを保護する保護ダイオード領域をさらに備えていることができる。半導体チップの半導体ボディに保護ダイオードを組み込むことに関しては、独国特許第102009006177号明細書に記載されており、この点に関するこの文書の開示内容は、参照によって本出願に組み込まれている。図2Aおよび図2Bは、第2の例示的な実施形態による半導体チップを示しており、この実施形態は、図1Aおよび図1Bに関連して説明した第1の例示的な実施形態と実質的に同じである。第1の例示的な実施形態とは異なる点として、第1のコンタクト41および第2のコンタクト42が、キャリア5の同じ側に配置されている。言い換えれば、半導体チップ1のコンタクトすべてが、放射出口領域10が存在する側の半導体チップの面に位置している。第1のコンタクト41は、この例示的な実施形態においては、半導体ボディ2および第2の接続層32が除去された領域に配置されている。第1のコンタクト41は、第1の接続層31に直接隣接している。電荷キャリアはキャリア5を通じて注入されず、したがって、キャリア5および接合層6に電気的絶縁材料を使用することもできる。一例として、キャリア5は、セラミック例:窒化アルミニウム、窒化ホウ素を含んでいる、またはこのような材料からなることができる。しかしながら、本明細書に記載されている例示的な実施形態の変形形態においては、第1のコンタクト41および第2のコンタクト42を、キャリア5の第2の主領域52に配置することもできる。この場合、第1のコンタクト41と接続層31の電気的接続と、第2のコンタクト42と接続層32の電気的接続は、それぞれ例えば、キャリア5を貫くめっきスルーホール互いに電気的に絶縁されているを介して、形成することができる。コンタクト41,42,43の配置は、さまざまなバリエーションが考えられる。一例として、図3に記載した第3の例示的な実施形態図2Aおよび図2Bに関連して説明した第2の例示的な実施形態と実質的に同じであるに示したように、平面視において発光領域23が長方形の基本形状を有するように、コンタクト41,42,43を半導体チップ1の一辺に沿って互いに並べて配置することができる。図4Aおよび図4Bに示した第4の例示的な実施形態は、第1の例示的な実施形態と実質的に同じである。第1の例示的な実施形態とは異なる点として、検出領域24に追加の凹部25bが形成されており、この追加の凹部25bは、第2の半導体層22および活性領域20を貫いている。検出領域24において、第1の半導体層21は、追加の凹部25bを通じて第1の接続層31に導電接続されている。第1のコンタクト41は、発光領域23および検出領域24の共通のコンタクトの役割を果たしている。第2の接続層32は、切取り部27によって、第1の部分領域32aと、第1の部分領域32aから絶縁された第2の部分領域32bとに分割されている。第1の部分領域32aは、発光領域23の第2の半導体層22との電気的接触を形成する役割を果たしている。第2の部分領域32bは、検出領域24における第2の半導体層22との電気的接触を形成する目的で設けられている。この例示的な実施形態においては、追加のコンタクト43が検出領域24から横方向に隔てられている。したがって、検出領域24には、キャリア5とは反対側の面に外部コンタクトが存在しない。この場合、発光領域23からの放射の取り出し効率を高める目的で、第1の半導体層21の全面にわたり粗面化部明示的には図示していないを設けることができる。平坦な電気コンタクトを後から形成できるように構造化を行わない領域を複雑に定義する必要がない。図5Aおよび図5Bは、オプトエレクトロニクス半導体チップの第5の例示的な実施形態を示している。この例示的な実施形態は、第1の例示的な実施形態と実質的に同じである。第1の例示的な実施形態とは異なる点として、第1のコンタクト41が、発光領域23および検出領域24の共通のコンタクトとして具体化されている。第1の接続層31は、発光領域23における第1の半導体層21と、検出領域24における第2の半導体層22とに、導電接続されている。第2の半導体層22との電気的接続は、第2の接続層32に形成されている接続窓320を通じて形成されている。検出領域24における第2の半導体層22と第2の接続層32との間の電気的接触を回避する目的で、第2の接続層32と検出領域24との間に第2の絶縁層72が配置されている。しかしながら、この変形形態として、本半導体チップ1の平面視において、検出領域24を完全に接続窓320の内側に配置することによって、電気的絶縁を得ることもできる。これにより第2の絶縁層72を省くことができる。以下では、オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法の例示的な実施形態について、図6A~図6Eの中間ステップに基づいて説明する。この場合、一例として、第1の例示的な実施形態において説明したように具体化されるオプトエレクトロニクス半導体チップが製造される。第1の半導体層21と第2の半導体層22との間に配置されている活性領域20を有する半導体積層体2を、基板例えば半導体積層体のための成長基板28の上に形成する。図を簡潔にするため、半導体積層体のうち製造時に半導体チップの半導体ボディが形成される部分のみを示してある図6A。成長基板28とは反対側の面から、半導体積層体2に凹部25を形成し、これらの凹部25は第1の半導体層21の中まで達している図6B。このようにあらかじめ作製された半導体積層体2の上に、例えば蒸着またはスパッタリングによって、第2の接続層32を形成する。凹部25の側面領域を覆う絶縁層71を形成する。絶縁層71に第1の接続層31を形成し、この第1の接続層31は、凹部25の中で第1の半導体層21との電気的接続を形成する図6C。第1の接続層31は、半導体積層体を完全に覆っている。第1の接続層31を構造化する、または構造化された状態に形成する必要はない。半導体積層体2およびキャリア5を備えた複合体アセンブリ8を、接合層6によって形成する。キャリア5は、半導体積層体2を機械的に安定させる役割を果たす。この目的に成長基板28はもはや必要なく、除去することができる。この除去は、例えば機械的に例:研削、ラッピング、研磨によって、もしくは化学的に例:湿式化学エッチング、乾式化学エッチングによって、またはその両方によって行うことができる。これに代えて、またはこれに加えて、レーザ剥離法を使用することもできる。成長基板28を除去した後、半導体積層体2から発光領域23および検出領域24を形成することができる。電気的接触接続を形成するための、第1のコンタクト41、第2のコンタクト42、および追加のコンタクト43を、例えば蒸着またはスパッタリングによって形成する。次いで、半導体チップ1に個片化する。これは例えば、機械的に例:分割splitting、ブレーキングbreaking、ソーイング、ウォータージェット切断によって、化学的に例:湿式化学エッチング、乾式化学エッチングによって、またはレーザ照射によって、あるいはこれらの組合せによって行う。個片化においては、それぞれが発光領域23および検出領域24を有する半導体チップ1を形成する。これらの領域の互いに対する相対的な配置は、製造段階で定義される。放出される放射の特性を監視する個別のフォトダイオードを位置決めする複雑なステップを省くことができる。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本特許出願は、独国特許出願第102010034665.9号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。"