レーザを用いてガラス基板を加工する方法であって、aガラス基板を加熱した状態で、前記ガラス基板に対してレーザ加工を行う工程を有する、方法。前記aの工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板の軟化点をTs°Cとしたとき、室温よりも高く軟化点Ts未満の温度に加熱される、請求項1に記載の方法。前記aの工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板のガラス転移温度をTg°Cとしたとき、Tg以上でTsよりも低い温度に加熱される、請求項1または2に記載の方法。前記aの工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板の屈伏点をTd°Cとしたとき、Tg~Tdの範囲の温度に加熱される、請求項1乃至3のいずれか一つに記載の方法。前記レーザは、波長が400nm以下のレーザである、請求項1乃至4のいずれか一つに記載の方法。前記aの工程により、前記ガラス基板に、凹部、貫通孔、貫通溝、非貫通孔、および非貫通溝からなる群から選定された少なくとも一つの構造物が形成される、請求項1乃至5のいずれか一つに記載の方法。前記aの工程を1回実施することにより、前記少なくとも一つの構造物が一つ形成される、請求項6に記載の方法。前記aの工程を1回実施することにより、前記少なくとも一つの構造物が複数形成される、請求項6に記載の方法。前記ガラス基板の加熱は、加熱手段により行われ、該加熱手段は、レーザ光およびヒーターからなる群から選定された少なくとも一つである、請求項1乃至8のいずれか一つに記載の方法。前述のように、レーザを用いて、ガラス基板に各種構造物を形成する技術が知られている。しかしながら、ガラス基板のレーザ加工技術の分野では、ガラス基板により効率的に貫通孔および/または貫通溝のような構造物を形成するため、加工速度のさらなる向上に対する要望がある。本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、レーザを用いて、より迅速にガラス基板を加工することが可能な方法の提供を目的とする。本発明では、レーザを用いてガラス基板を加工する方法であって、aガラス基板を加熱した状態で、前記ガラス基板に対してレーザ加工を行う工程を有する、方法が提供される。ここで、本発明による方法では、前記aの工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板の軟化点をTs°Cとしたとき、室温よりも高く軟化点Ts未満の温度に加熱されても良い。また、本発明による方法では、前記aの工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板のガラス転移温度をTg°Cとしたとき、Tg以上でTsよりも低い温度に加熱されても良い。また、本発明による方法では、前記aの工程において、前記ガラス基板は、該ガラス基板の屈伏点をTd°Cとしたとき、Tg~Tdの範囲の温度に加熱されても良い。また、本発明による方法において、前記レーザは、波長が400nm以下のレーザであっても良い。また、本発明による方法では、前記aの工程により、前記ガラス基板に、凹部、貫通孔、貫通溝、非貫通孔、および非貫通溝からなる群から選定された少なくとも一つの構造物が形成されても良い。また、本発明による方法では、前記aの工程を1回実施することにより、前記少なくとも一つの構造物が一つ形成されても良い。あるいは、本発明による方法では、前記aの工程を1回実施することにより、前記少なくとも一つの構造物が複数形成されても良い。また、本発明による方法では、前記ガラス基板の加熱は、加熱手段により行われ、該加熱手段は、レーザ光およびヒーターからなる群から選定された少なくとも一つであっても良い。本発明では、レーザを用いて、より迅速にガラス基板を加工することが可能な方法を提供することができる。以下、本発明について説明する。本発明では、レーザを用いてガラス基板を加工する方法であって、aガラス基板を加熱した状態で、前記ガラス基板に対してレーザ加工を行う工程を有する、方法が提供される。前述のように、レーザを用いたガラス基板の加工の分野においては、加工効率のさらなる向上が求められている。本発明による方法では、ガラス基板を加熱した状態で、該ガラス基板のレーザ加工が行われるという特徴を有する。この場合、ガラス基板の加熱により原子の結合が切れ易くなり、ガラス基板に対する加工速度を高めることができる。従って、本発明では、レーザによる加工効率を向上させることが可能となる。また、従来のレーザによるガラス基板の加工方法では、室温のガラス基板に対するレーザ照射により、ガラス基板が局部的に加熱される。さらに、その後レーザを非照射とすることにより、ガラス基板の被照射位置が局部的に冷却される。このため、従来の方法では、特に、同じ箇所に対してレーザ照射を繰り返し行う場合以下、繰り返し照射加工というなどにおいて、ガラス基板が熱衝撃を受け、これによりガラス基板にクラックおよび/または割れ等の欠陥が生じる場合がある。特に繰り返し周波数が高い加工の場合は、上記割れ等の欠陥が顕著に発生する場合がある。さらに、従来のレーザによるガラス基板の加工方法では、同様の理由により、加工後のガラス基板に残留応力が蓄積され易いという問題がある。このため、加工後のガラス基板の保管中に、ガラス基板にクラックおよび/または割れ等の欠陥いわゆる後割れが生じる場合がある。これに対して、本発明による方法では、レーザ加工の際にガラス基板が加熱されているため、ガラス基板のレーザ照射位置での局部的な温度上昇、およびその後のガラス基板の急激な温度低下を抑制することができる。従って、本発明による方法では、繰り返し照射加工を行った場合であっても、ガラス基板に局部的な熱衝撃が加わることが抑制され、クラックおよび/または割れ等の発生を有意に抑制することができるという追加の効果が得られる。また、本発明による方法では、加工中、ガラス基板が加熱されているため、ガラス基板に残留応力が蓄積されにくい。このため、本発明による方法では、後割れの問題も有意に抑制することができるという追加の効果が得られる。ここで、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法において、加熱時のガラス基板の温度は、室温より高く、ガラス基板の軟化点Ts未満の範囲であることが好ましい。ガラス基板の温度を軟化点Ts以上の温度まで加熱すると、ガラス基板に反りや変形などが生じる場合がある。また、レーザ照射位置ずれが発生し、加工に大きな問題が生じるおそれがある。加熱時のガラス基板の温度は、ガラス基板のガラス転移温度をTgとしたとき、転移温度Tg以上で、軟化点Ts未満の範囲であることがより好ましい。特に、加熱時のガラス基板の温度は、ガラス基板の屈伏点をTdとしたとき、転移温度Tgから屈伏点Tdの範囲であることがより好ましい。ガラス基板の加熱温度をこのような範囲に調整した場合、極めて大きなレーザ加工速度を得ることができる。なお、本願において、ガラス基板の軟化点Ts、ガラス転移温度Tg、および屈伏点Tdは、以下の方法で測定した値を意味する。熱機械分析装置TMAを用い、十分にアニールされた試料を毎分4°Cの一定速度で加熱したときに得られる、温度と試料の伸びの関係を示す熱膨張曲線において、高温側と低温側との直線部分を延長した交点に対応する温度を、ガラス転移点Tgとする。また、熱膨張曲線において、見かけ上、膨張が停止する温度を屈伏点Tdとする。軟化点Tsの測定は、JIS-R3104およびASTM-C338に規定されているファイバーエロンゲーション法を用いて行う。本発明によるガラス基板のレーザ加工方法では、従来よりも効率的に、ガラス基板に、凹部、貫通孔、貫通溝、非貫通孔、および/または非貫通溝などの各種特徴物を形成することができる。本発明によるガラス基板のレーザ加工方法の一態様以下、図面を参照して、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法の具体例について説明する。図1には、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法の一例の概略的なフロー図を示す。図1に示すように、本発明による一態様において、ガラス基板のレーザ加工方法は、1ガラス基板を準備する工程ステップS110と、2前記ガラス基板を加熱する工程ステップS120と、3前記ガラス基板に対してレーザを照射し、前記ガラス基板を加工する工程ステップS130と、を有しても良い。以下、各工程について詳しく説明する。ステップS110まず、被加工対象となるガラス基板が準備される。ガラス基板は、例えば、第1の表面および第2の表面を有する。ガラス基板の組成は、特に限られない。ガラス基板は、例えば、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、シリカガラス、および無アルカリガラス等であっても良い。ガラス基板の厚さは、特に限られない。ガラス基板の厚さは、例えば、0.1mm~3mmの範囲であっても良い。ステップS120次に、ステップS110で準備されたガラス基板が加熱される。加熱の方法は、特に限られない。ガラス基板は、例えば、ヒーター等の加熱手段によって、直接的または間接的に加熱されても良い。直接加熱の方法としては、ガラス基板を、例えばホットプレートのような熱源に直接接するように配置する方法が挙げられる。また、ガラス基板に対して、広範囲にわたってレーザ例えば、CO2レーザのような低エネルギーレーザを照射して、これにより、ガラス基板全体を加熱しても良い。また、間接的な加熱方法としては、ガラス基板の加工を、温度制御されたチャンバ内で実施する方法等が挙げられる。ガラス基板の加熱温度は、室温よりも高い温度であれば、特に限られない。ただし、一般に、200°C以上の高温の方が、レーザ加工速度の上昇が顕著になる。また、前述のように、通常は、加熱温度として、ガラス基板の軟化点Ts未満の温度が選定される。前述のように、加熱温度は、ガラス基板のガラス転移温度をTgとしたとき、Tg以上でTs未満の範囲であることが好ましい。特に、前述のように、加熱温度は、ガラス基板の屈伏点をTdとしたとき、Tg~Tdの範囲であることがより好ましい。ステップS130次に、ガラス基板が加熱された状態で、ガラス基板に対してレーザが照射され、これにより、ガラス基板が加工される。レーザの種類は、特に限られないが、レーザは、例えば、エキシマレーザXeCl:波長308nm、KrF:波長248nm、ArF:波長193nm、YAGレーザ波長1064nm、YVO4レーザ波長1064nm、チタンサファイアレーザ波長800nm、または炭酸ガスレーザ波長10.6μm等であっても良い。YAGレーザおよびYVO4レーザは、前述の基本波の他に、例えば、2倍波、3倍波、4倍波、または5倍波のレーザであっても良い。例えば、2倍波のYAGおよびYVO4レーザは、532nmの波長を有し、3倍波のYAGおよびYVO4レーザは、355nmの波長を有し、4倍波のYAGおよびYVO4レーザは、266nmの波長を有し、5倍波のYAGおよびYVO4レーザは、213nmの波長を有する。特に、波長400nm以下のエキシマレーザXeCl:波長308nm、KrF:波長248nm、ArF:波長193nm、YAGレーザおよびYVO4レーザの3倍波、4倍波、5倍波レーザは、ガラスへの熱的影響が少ないため、クラック発生や後割れの心配が少なく好適である。照射するレーザは、オン/オフの繰り返し波形、または変調された繰り返し波形を有しても良い。また、ガラス基板に照射されるレーザは、ガラス基板に対して走査されても良い。これにより、ガラス基板に対して、より複雑な特徴物を形成する加工を行うことが可能になる。レーザ照射またはレーザ照射とレーザ走査の組み合わせ以下、いずれの場合も単に、レーザの照射と称するにより、ガラス基板には、凹部、貫通孔、貫通溝、非貫通孔、および/または非貫通溝などの各種特徴物が形成される。なお、ガラス基板に一度に照射されるレーザのスポット数は、一つであっても、複数であっても良い。レーザのスポット数が一つの場合、1回のレーザ加工により、ガラス基板には単一の特徴物が形成される。これに対して、レーザスポットの数が複数の場合、1回のレーザ加工により、ガラス基板に複数の特徴物を形成することができる。ここで、レーザ加工の回数が1回とは、ガラス基板の所望の位置に、最終形状の特徴物を形成する工程を一度実施することを意味する。従って、レーザ加工の回数は、ガラス基板にレーザが実際に照射された回数、すなわちレーザのショット数を意味するものではないことに留意する必要がある。例えば、ガラス基板に一度に照射されるレーザのスポット数が3つある場合、1回のレーザ加工の実施により、ガラス基板に最終的に3つの特徴物を加工形成することができる。この場合、1回のレーザ加工には、同一の3箇所に必要回数分、レーザを照射することが含まれる。同様に、例えば、ガラス基板に一度に照射されるレーザのスポット数が一つの場合、ガラス基板に3つの特徴物を加工形成する際には、場所を変えた計3回のレーザ加工が実施される。本発明による方法に使用され得る装置次に、前述のような本発明によるガラス基板のレーザ加工方法に使用され得る装置について、説明する。図2には、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法に使用され得る装置の構成を模式的に示す。図2に示すように、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法に使用され得る装置200は、レーザ光源図示されていないから放射された主レーザ220と、該主レーザ220を複数の分岐レーザ光260A、260B、260Cに分岐する回折光学素子230と、各分岐レーザ光260A、260B、260Cをガラス基板210の所望の位置に収束させるレンズ250と、ガラス基板210を加熱することが可能な加熱装置290とを備える。レーザ光源は、特に限られないが、例えば、エキシマレーザ光源XeCl:波長308nm、KrF:波長248nm、ArF:波長193nm、YAGレーザ光源波長1064nm、YVO4レーザ光源波長1064nm、チタンサファイアレーザ光源波長800nm、または炭酸ガスレーザ光源波長10.6μm等であっても良い。YAGレーザ光源およびYVO4レーザ光源は、前述の基本波の他に、例えば、2倍波または3倍波のレーザ源であっても良い。例えば、2倍波のYAGレーザは、532nmの波長を有し、3倍波のYAGレーザは、355nmの波長を有する。主レーザ220の出力は、特に限られないが、主レーザ220のパワーが大きいほど、一度に多くの分岐レーザ光260A、260B、260Cを得ることができるため有利である。なお、主レーザ220は、オン/オフの繰り返し波形、または変調された繰り返し波形を有しても良い。回折光学素子230は、一つの主レーザ220を複数の分岐レーザ光260A、260B、260Cに分割することができる素子であれば、いかなる素子であっても良く、例えば、回折光学素子の代わりにビームスプリッタ等を使用しても良い。このような構成の装置200を用いてガラス基板210を加工する際には、まず、第1の表面212および第2の表面214を有するガラス基板210が、加熱装置290により加熱される。図2の例では、加熱装置290は、ガラス基板210の第2の表面214と接するようにして配置される。次に、ガラス基板210が加熱され、所定の温度に達したことが確認されてから、レーザ光源からガラス基板210の第1の表面212に向かって、主レーザ220が放射される。主レーザ220は、回折光学素子230において、例えば、3つの分岐レーザ光260260A、260B、260Cに分岐される。各分岐レーザ光260A、260B、260Cは、レンズ250によって収束され、それぞれ、分岐レーザ光265A、265B、265Cとなる。さらに、これらの分岐レーザ光265A、265B、265Cは、ガラス基板210の第1の表面212に、それぞれ、焦点270A、270B、270Cを形成する。各焦点270A、270B、および270Cのスポット直径は、レンズ250等の性能等によっても異なるが、例えば、0.1μm~100μm程度であっても良い。各焦点270A、270B、および270Cの間隔は、特に限られない。各焦点270A、270B、および270Cの間隔は、例えば、20μm~400μmの範囲であり、50μm~250μmの範囲であっても良い。なお、ガラス基板210に複雑な特徴物を形成する場合、一連の分岐レーザ光265A、265B、265Cを、所望の方向に走査しても良い。また、ガラス基板210に貫通孔および/または貫通溝のような特徴物を形成する場合は、分岐レーザ光265A、265B、265Cによる加熱装置290の損傷を防ぐため、ガラス基板210と加熱装置290の間に、スペーサを配置しても良い。以上の工程により、ガラス基板210が加工され、ガラス基板210に各種特徴物が形成される。なお、図2の例では、装置200を使用することにより、1回のレーザ加工により、3つの特徴物が形成される。しかしながら、本発明による方法に使用され得る装置の構成は、このような態様に限られるものではない。例えば、装置200において、分岐レーザ光265の数は、2つまたは4つ以上にしても良い。この場合、1回のレーザ加工により、2または4つ以上の特徴物を形成することができる。また、回折光学素子230を使用せずに、主レーザ220をそのまま使用した場合、1回のレーザ加工により、単一の特徴物を形成することができる。このような態様は、特に、使用レーザ光のエネルギーが比較的小さい場合に、有益である。また、エキシマレーザのようなビームサイズが大きなレーザを用いる場合、パターンが形成されたマスクを介して、マスクパターンをガラス基板上に縮小投影して、加工する方法が好ましい。この場合、一度に多くの箇所を加工することが可能となる。次に、本発明による実施例について説明する。実施例1以下の方法で、ガラス基板を各温度に加熱した状態でガラス基板に対してレーザ加工を行い、加工速度を評価した。ガラス基板には、市販のソーダライムガラスを使用した。ガラス基板の寸法は、縦25mm×横75mm×厚さ0.2mmとした。このソーダライムガラスのガラス転移温度Tgは、約540°Cであり、屈伏点Tdは、約580°Cであり、軟化点Tgは、約740°Cである。加工用レーザには、波長約193nmのエキシマレーザを使用した。前記ガラス基板の一方の表面に、マスクを介してエキシマレーザ光を縮小投影し、マスクパターンに沿った加工を行った。直径約60μmの複数の穴部を形成した。パルス波の繰り返し周波数は、50Hzとし、フルエンスは、4J/cm2とした。ガラス基板の加熱には、市販のホットプレートを使用し、このホットプレート上にガラス基板を載せた状態で、ガラス基板のレーザ加工を行った。加熱温度は、200°C、400°C、および600°Cとした。また、比較のため、非加熱状態すなわち室温のガラス基板に対しても、同様のレーザ加工を行った。所定の回数のレーザショット毎にガラス基板を取り出し、レーザ照射部分の加工深さを測定した。表1には、各温度において得られた加工深さの測定結果をまとめて示す。図3には、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係を示す。この図3から、いずれの加熱温度においても、加工深さは、ショット数の増加に伴い、ほぼ直線的に増加する傾向にあることがわかる。なお、図3において、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係から得られた直線の傾きを、前述の表1の直線の傾きの欄に示した。図4には、加熱温度と加工速度の関係を示す。図4において、縦軸の加工速度は、図3の各加熱温度での測定結果における直線の傾きから算出した。なお、縦軸は、室温すなわち非加熱状態のガラス基板における加工速度を基準として、これに対する増加率で表示した。図4から、ガラス基板を加熱した場合、加熱しない場合に比べて、約10以上の加工速度の向上が得られることがわかる。特に、加熱温度が400°Cおよび600°Cの場合、加工速度は、非加熱状態での結果に比べて約18も向上した。ソーダライムガラス基板のガラス転移温度Tgは、約540°Cであり、屈伏点Tdは、約580°Cである。従って、図4から、ガラス基板をガラス転移温度Tg~屈伏点Tdの範囲に加熱した場合400°C~600°C、加工速度が最大となることがわかった。実施例2実施例1と同様の方法により、ガラス基板を各温度に加熱した状態でガラス基板に対してレーザ加工を行い、加工速度を評価した。ただし、この実施例2では、被加工対象となるガラス基板として、無アルカリガラス製の基板を使用した。このガラス基板のガラス転移温度Tgは、約660°Cであり、屈伏点Tdは、約740°Cであり、軟化点Tgは、約880°Cである。表2には、各温度において得られた加工深さの測定結果をまとめて示す。図5には、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係を示す。この図5から、無アルカリガラス製の基板の場合も、加熱温度に関わらず、加工深さは、ショット数の増加に伴い、直線的に増加する傾向にあることがわかる。なお、図5において、各加熱温度におけるショット数と加工深さの関係から得られた直線の傾きを、前述の表2の直線の傾きの欄に示した。図6には、加熱温度と加工速度の関係を示す。図6において、縦軸の加工速度は、図5の各加熱温度での測定結果における直線の傾きから算出した。なお、縦軸は、室温すなわち非加熱状態のガラス基板における加工速度を基準として、これに対する増加率で表示した。図6から、ガラス基板を加熱することにより、加熱しない場合に比べて、約5以上の加工速度の向上が得られることがわかる。特に、加熱温度が600°C~800°Cの場合、加工速度は、非加熱状態での結果に比べて約11~約22も向上した。無アルカリガラス基板のガラス転移温度Tgは、約660°Cであり、屈伏点Tdは、約740°Cである。従って、図6から、ガラス基板をガラス転移温度Tg~屈伏点Tdの範囲に加熱した場合600°C~800°C、良好な加工速度が得られることがわかった。このように、本発明によるガラス基板のレーザ加工方法では、加工速度を有意に向上することができることがわかった。