"一方面側に複数の画素電極が配列する画像形成領域が設けられた素子基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた対向基板と、前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わすシール材と、前記素子基板と前記対向基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を有する液晶装置であって、前記素子基板の一方面側には、前記画像形成領域と前記シール材とに挟まれた周辺領域で前記複数の画素電極と同一層の導電膜により形成された複数の導電パターンと、前記複数の導電パターンおよび前記複数の画素電極に対して前記対向基板が位置する側に設けられ、前記対向基板側の面が平坦面からなる絶縁膜と、前記周辺領域において前記絶縁膜に対して前記対向基板が位置する側で前記複数の導電パターンに平面視で重なる領域に設けられ、前記共通電位と異なる電位が印加される周辺電極と、該周辺電極に対して前記対向基板が位置する側に設けられた配向膜と、を有していることを特徴とする液晶装置。前記周辺領域には、前記複数の導電パターンに対して前記対向基板が位置する側とは反対側で平面視で重なる領域に、周辺回路および信号配線を備えた周辺回路部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。前記周辺電極は、少なくとも前記周辺回路部に対して平面視で重なる領域では、前記複数の導電パターンと重なる領域に沿って並行して延在する複数の帯状電極からなることを特徴とする請求項2に記載の液晶装置。前記複数の帯状電極のピッチは、当該複数の帯状電極の延在方向と直交する方向における前記複数の導電パターンのピッチと等しいことを特徴とする請求項3に記載の液晶装置。前記複数の帯状電極のライン幅は、当該複数の帯状電極の延在方向と直交する方向における前記複数の導電パターンの寸法より小であることを特徴とする請求項3または4に記載の液晶装置。前記複数の導電パターンおよび前記周辺電極は、前記周辺領域において全周に設けられていることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の液晶装置。前記配向膜は無機配向膜であり、前記液晶層には、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の液晶装置。請求項1乃至7の何れか一項に記載の液晶装置を備えた投射型表示装置であって、前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有していることを特徴とする投射型表示装置。しかしながら、周辺領域に画素電極と同一層の導電膜によってダミー画素電極を設けることにより、画像形成領域と周辺領域との高低差を緩和して画像形成領域内の平坦化を図った場合、特許文献1に記載のイオン性不純物トラップ用の周辺電極を適正な位置に配置できなくなるという問題点がある。例えば、ダミー画素電極を設けた領域より内側にイオン性不純物トラップ用の周辺電極を設けると、周辺電極と画像形成領域との距離が短くなりすぎて、周辺電極にトラップしたイオン性不純物の影響が画像形成領域に及んでしまう。これに対して、ダミー画素電極を設けた領域より外側にイオン性不純物トラップ用の周辺電極を設けると、画像形成領域内のイオン性不純物を周辺電極により引き寄せるのが困難となる。以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ダミー画素電極を設けた場合でも、イオン性不純物トラップ用の周辺電極を適正な位置に配置することのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置は、一方面側に複数の画素電極が配列する画像形成領域が設けられた素子基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた対向基板と、前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わすシール材と、前記素子基板と前記対向基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を有する液晶装置であって、前記素子基板の一方面側には、前記画像形成領域と前記シール材とに挟まれた周辺領域で前記複数の画素電極と同一層の導電膜により形成された複数の導電パターンと、前記複数の導電パターンおよび前記複数の画素電極に対して前記対向基板が位置する側に設けられ、前記対向基板側の面が平坦面からなる絶縁膜と、前記周辺領域において前記絶縁膜に対して前記対向基板が位置する側で前記複数の導電パターンに平面視で重なる領域に設けられ、前記共通電位と異なる電位が印加される周辺電極と、該周辺電極に対して前記対向基板が位置する側に設けられた配向膜と、を有していることを特徴とする。本発明に係る液晶装置において、素子基板の周辺領域には、共通電位と異なる電位が印加された周辺電極が設けられているため、周辺電極と共通電極との間には、液晶層の層厚方向の電界が生成される。このため、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材から溶出したイオン性不純物が液晶中に存在し、かかるイオン性不純物が液晶駆動に伴って画像形成領域の端部に凝集した場合でも、イオン性不純物は、周辺領域において周辺電極あるいは共通電極において周辺電極と対向する部分に引き寄せられ、引き寄せられたイオン性不純物は、そこで凝集した状態のまま周辺領域に滞留する。従って、イオン性不純物が画像形成領域に滲み出ないので、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を防止することができる。ここで、画像形成領域と周辺領域との高低差を緩和して画像形成領域内における表面絶縁膜の平坦性を高めることを目的に、周辺領域に導電パターンを設けてあるが、本発明では、導電パターンと重なる位置にイオン性不純物トラップ用の周辺電極を設けてあるため、導電パターンを形成した場合でも、周辺電極を画像形成領域からの距離が適正な位置に設けることができる。それ故、周辺電極でトラップしたイオン性不純物の影響が画像形成領域に及んでしまうことを防止することができるとともに、画像形成領域で凝集しようとするイオン性不純物を周辺電極に確実に引き寄せることができる。それ故、画像形成領域内の平坦化と、イオン性不純物に起因する表示品位の低下の防止とを同時に達成することができる。本発明において、前記周辺領域には、前記複数の導電パターンに対して前記対向基板が位置する側とは反対側で平面視で重なる領域に、周辺回路および信号配線を備えた周辺回路部が設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、周辺電極に交流を印加した場合でも、イオン性不純物トラップ用の周辺電極の電気的な影響を導電パターンによって阻止することができるので、周辺回路部を導電パターンと重なる領域、すなわち、周辺電極と重なる領域に設けることができる。本発明において、前記周辺電極は、少なくとも前記周辺回路部に対して平面視で重なる領域では、前記複数の導電パターンと重なる領域に沿って並行して延在する複数の帯状電極からなることが好ましい。かかる構成によれば、周辺電極において、導電パターンからはみ出る部分を小さく抑えることができるので、周辺電極に交流を印加した場合でも、イオン性不純物トラップ用の周辺電極の電気的な影響は、導電パターンによって阻止され、周辺回路部に及びにくい。本発明において、前記複数の帯状電極のピッチは、当該複数の帯状電極の延在方向と直交する方向における前記複数の導電パターンのピッチと等しいことが好ましい。かかる構成によれば、周辺電極において、導電パターンからはみ出る部分を小さく抑えることができるので、周辺電極に交流を印加した場合でも、イオン性不純物トラップ用の周辺電極の電気的な影響は、導電パターンによって阻止され、周辺回路部に及びにくい。本発明において、前記複数の帯状電極のライン幅は、当該複数の帯状電極の延在方向と直交する方向における前記複数の導電パターンの寸法より小であることが好ましい。かかる構成によれば、周辺電極において、導電パターンからはみ出る部分を小さく抑えることができるので、イオン性不純物トラップ用の周辺電極の電気的な影響は、導電パターンによって阻止され、周辺回路部に及びにくい。本発明において、前記複数の導電パターンおよび前記周辺電極は、前記周辺領域において全周に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、周辺電極の形成範囲が広いので、イオン性不純物を効果的にトラップすることができる。本発明は、前記配向膜が無機配向膜であり、前記液晶層に、誘電異方性誘電率異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられている場合に適用すると効果的である。無機配向膜は、イオン性不純物を吸着しやすい傾向にあるが、本発明によれば、無機配向膜を用いた場合でも、画像形成領域内でイオン性不純物が凝集することを確実に防止することができる。また、液晶層に、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられている場合、液晶分子は、長さ方向の一箇所を中心に回転するので、イオン性不純物を特定箇所に集めやすい分、画像の劣化を発生させやすいが、本発明によれば、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いた場合でも、画像形成領域内でイオン性不純物が凝集することを確実に防止することができる。本発明に係る液晶装置は、例えば、投射型表示装置のライトバルブや直視型表示装置として用いられる。本発明に係る液晶装置を投射型表示装置に用いる場合、投射型表示装置には、前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側対向基板が位置する側を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側対向基板が位置する側とは反対側を意味する。[実施の形態1]全体構成図1は、本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図1において、液晶装置100は、TNTwistedNematicモードやVAVerticalAlignmentモードの液晶パネル100pを有しており、液晶パネル100pは、その中央領域に複数の画素100aがマトリクス状に配列された画像形成領域10a画像表示領域を備えている。液晶パネル100pにおいて、後述する素子基板10図2等を参照では、画像形成領域10aの内側で複数本のデータ線6aおよび複数本の走査線3aが縦横に延びており、それらの交差に対応する位置に画素100aが構成されている。複数の画素100aの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター30、および後述する画素電極9aが形成されている。画素トランジスター30のソースにはデータ線6aが電気的に接続され、画素トランジスター30のゲートには走査線3aが電気的に接続され、画素トランジスター30のドレインには、画素電極9aが電気的に接続されている。素子基板10において、画像形成領域10aより外周側には、走査線駆動回路104、データ線駆動回路101および各種配線を備えた周辺回路部106が設けられている。データ線駆動回路101は各データ線6aに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線6aに順次供給する。走査線駆動回路104は、各走査線3aに電気的に接続しており、走査信号を各走査線3aに順次供給する。各画素100aにおいて、画素電極9aは、後述する対向基板20図2等を参照に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量50aを構成している。また、各画素100aには、液晶容量50aで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量50aと並列に蓄積容量55が付加されている。本形態では、蓄積容量55を構成するために、複数の画素100aに跨って走査線3aと並行して延びた容量線5bが形成されている。かかる液晶装置100において、走査線駆動回路104やデータ線駆動回路101の形成領域およびその近傍では、共通電位Vcomが印加された共通電位線5cや、共通電位Vcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Vtrapを供給する配線5sが設けられており、蓄積容量55は共通電位線5cに電気的に接続され、後述する周辺電極は、配線5sに電気的に接続されている。液晶パネル100pおよび素子基板10の構成図2は、本発明を適用した液晶装置100の液晶パネル100pの説明図であり、図2a、bは各々、本発明を適用した液晶装置100の液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH-H′断面図である。図3は、本発明を適用した液晶装置100の素子基板10に形成されている電極等の説明図であり、図3a、bは各々、素子基板10全体における画素電極9aやダミー画素電極9bのレイアウトを示す説明図、およびダミー画素電極9bの形状等を示す説明図である。なお、図3では、周辺電極8aの図示を省略してある。また、図3においては画素電極9aやダミー画素電極9bの数等について少なく示してあり、周辺領域10bの幅寸法はダミー画素電極3列分として表されている。図2a、bおよび図3aに示すように、液晶パネル100pでは、素子基板10と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107は対向基板20の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材107は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、シール材107には、液晶注入口として利用される途切れ部分107aが設けられており、かかる途切れ部分107aは、液晶の注入後、封止材105によって封止されている。本形態では、素子基板10の4つ辺部分10d~10gのうち、辺部分10dが位置する側に途切れ部分107aおよび封止材105が設けられている。かかる構成の液晶パネル100pにおいて、素子基板10および対向基板20はいずれも四角形であり、液晶パネル100pの略中央には、図1を参照して説明した画像形成領域10aが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材107も略四角形に設けられ、シール材107の内周縁と画像形成領域10aの外周縁との間には、略四角形の周辺領域10bが額縁状に設けられている。素子基板10の一方面10sおよび他方面10tのうち、一方面10sの側対向基板20が位置する面側において、画像形成領域10aの外側では、素子基板10の一辺辺部分10dに沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子102が形成されており、この一辺に隣接する他の辺辺部分10e、10gに沿って走査線駆動回路104が形成されている。また、詳しくは後述するが、素子基板10の一方面10sにおいて、画像形成領域10aには、図1を参照して説明した画素トランジスター30、および画素トランジスター30に電気的に接続する矩形の画素電極9aがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極9aの上層側には配向膜16が形成されている。また、素子基板10の一方面10sにおいて、周辺領域10bには、画素電極9aと同時形成された導電パターンとしてのダミー画素電極9bが形成されている。ダミー画素電極9bについては、電位が印加された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。いずれの場合でも、ダミー画素電極9bは、素子基板10において配向膜16が形成される面を研磨により平坦化する際、画像形成領域10aと周辺領域10bとの高さ位置を圧縮し、配向膜16が形成される面を平坦面にするのに寄与する。本形態では、ダミー画素電極9bには、共通電位線5cを介して共通電位Vcomが印加されているため、画像形成領域10aの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。本形態において、ダミー画素電極9bは、図3bに示すように、画素電極9aと同一形状および同一サイズをもって画素電極9aと同一ピッチで形成されている。ここで、複数のダミー画素電極9bのうち、隣り合うダミー画素電極9b同士は、ダミー画素電極9bより幅が狭い連結部9uを介して繋がっている。従って、一部のダミー画素電極9bに共通電位Vcomを印加すれば、全てのダミー画素電極9bに共通電位Vcomが印加されることになる。再び図2bにおいて、対向基板20の両面のうち、素子基板10と対向する一方面には共通電極21が形成されており、共通電極21の上層には配向膜26が形成されている。共通電極21は、対向基板20の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素100aに跨って形成されている。また、対向基板20において素子基板10と対向する一方の基板面には、共通電極21の下層側に遮光層108が形成されている。本形態において、遮光層108は、画像形成領域10aの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されている。ここで、遮光層108の外周縁は、シール材107の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層108とシール材107とは重なっていない。なお、対向基板20において、遮光層108は、隣り合う画素電極9aにより挟まれた領域と重なる領域等にブラックマトリクス部として形成されることがある。このように構成した液晶パネル100pにおいて、素子基板10には、シール材107より外側において対向基板20の角部分と重なる領域に、素子基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極109が形成されており、かかる基板間導通用電極109は、共通電位線5cに電気的に接続している。また、基板間導通用電極109と重なる位置には、いわゆる銀点等の導電粒子を含む基板間導通材109aが配置されており、素子基板10の共通電位線5cと対向基板20の共通電極21とは、基板間導通材109aを介して電気的に接続されている。このため、共通電極21は、素子基板10の側から共通電位Vcomが印加されている。ここで、シール材107は、略同一の幅寸法をもって対向基板20の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材107は、略四角形である。但し、シール材107は、対向基板20の角部分と重なる領域では基板間導通用電極109を避けて内側を通るように設けられており、シール材107の角部分は略円弧状である。かかる構成の液晶装置100において、画素電極9aおよび共通電極21をITOIndiumTinOxide膜やIZOIndiumZincOxide膜等の透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、画素電極9aおよび共通電極21の一方を透光性導電膜により形成し、他方をアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置100が反射型である場合、素子基板10および対向基板20のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置100が透過型である場合、素子基板10および対向基板20のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置100は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板20には、カラーフィルター図示せずや保護膜が形成される。また、液晶装置100では、使用する液晶層50の種類や、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル100pに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置100は、後述する投射型表示装置液晶プロジェクターにおいて、RGB用のライトバルブとして用いることができる。この場合、RGB用の各液晶装置100の各々には、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。本形態において、液晶装置100が、後述する投射型表示装置においてRGB用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板20から入射した光が素子基板10を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置100は、液晶層50として、誘電異方性誘電率異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたVAモードの液晶パネル100pを備えている場合を中心に説明する。画素の具体的構成図4は、本発明を適用した液晶装置100の画素の説明図であり、図4a、bは各々、本発明を適用した液晶装置100に用いた素子基板10において隣り合う画素の平面図、および図4aのF-F′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、図4aでは、半導体層は細くて短い点線で示し、走査線3aは太い実線で示し、データ線6aおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線5bは二点鎖線で示し、画素電極9aは太くて長い点線で示し、後述するドレイン電極4aは細い実線で示してある。なお、走査線3aや容量線5b等と重なる領域には遮光層7aが形成されているが、図4aでは遮光層7aの図示を省略してある。図4aに示すように、素子基板10の一方面10s側には、複数の画素100aの各々に四角形の画素電極9aが形成されており、各画素電極9aの縦横の境界に各々沿ってデータ線6aおよび走査線3aが形成されている。データ線6aおよび走査線3aは各々、直線的に延びており、データ線6aと走査線3aとの交差に対応して画素トランジスター30が形成されている。素子基板10上には、走査線3aと重なるように容量線5bが形成されている。本形態において、容量線5bは、走査線3aと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線6aと走査線3aとの交差部分でデータ線6aに重なるように延びた副線部分とを備えている。図4a、bに示すように、素子基板10は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体10wの一方面10s側に形成された画素電極9a、画素スイッチング用の画素トランジスター30、および配向膜16を主体として構成されている。対向基板20は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20wの一方面側に形成された共通電極21、および配向膜26を主体として構成されている。素子基板10において、基板本体10wの一方面10s側には、金属シリサイド膜、あるいは金属膜からなる遮光層7aが形成されており、かかる遮光層7aの表面側には下地絶縁膜12が形成されている。また、複数の画素100aの各々には、半導体層1aを備えた画素トランジスター30が形成されている。半導体層1aは、走査線3aの一部からなるゲート電極3cに対してゲート絶縁層2を介して対向するチャネル領域1gと、ソース領域1bと、ドレイン領域1cとを備えており、ソース領域1bおよびドレイン領域1cは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層1aは、例えば、下地絶縁膜12の表面に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層2は、CVD法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁層2は、半導体層1aを熱酸化してなるシリコン酸化膜と、CVD法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との2層構造を有する場合もある。走査線3aには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。なお、本形態では、液晶装置100を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層1aに入射して画素トランジスター30で光電流に起因する誤動作が発生することを防止することを目的に画素トランジスター30と重なる領域に遮光層7aが設けられている。但し、遮光層7aを走査線として形成し、ゲート電極3cと遮光層7aとをコンタクトホールを介して電気的に接続した構造を採用してもよい。走査線3aの上層側にはシリコン酸化膜等からなる第1層間絶縁膜41が形成されており、第1層間絶縁膜41の上層にはドレイン電極4aが形成されている。ドレイン電極4aは、走査線3aとデータ線6aとの交差する位置を基点として走査線3aおよびデータ線6aに沿って延出する略L字型に形成されている。ドレイン電極4aは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール41aを介してドレイン領域1cに電気的に接続されている。ドレイン電極4aの上層側には、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等からなる誘電体層42が形成されている。誘電体層42の上層側には、誘電体層42を介してドレイン電極4aと対向するように容量線5bが形成され、かかる容量線5b、誘電体層42およびドレイン電極4aによって、蓄積容量55が形成されている。容量線5bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。容量線5bの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第2層間絶縁膜43が形成され、第2層間絶縁膜43の上層にはデータ線6aおよび中継電極6bが形成されている。データ線6aはコンタクトホール43aを介してソース領域1bに電気的に接続している。中継電極6bはコンタクトホール43bを介してドレイン電極4aに電気的に接続し、ドレイン電極4aを介してドレイン領域1cに電気的に接続している。データ線6aおよび中継電極6bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。データ線6aおよび中継電極6bの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第3層間絶縁膜44が形成されている。第3層間絶縁膜44には、中継電極6bへ通じるコンタクトホール44aが形成されている。第3層間絶縁膜44の上層には、ITO膜等の透光性導電膜からなる画素電極9aが形成されており、画素電極9aは、コンタクトホール44aを介して中継電極6bに電気的に接続されている。本形態において、第3層間絶縁膜44の表面は平坦面になっている。ここで、第3層間絶縁膜44の表面には、図2bおよび図3aを参照して説明したダミー画素電極9b図4には図示せずが形成されており、かかるダミー画素電極9bは、画素電極9aと同時形成された透光性導電膜からなる。画素電極9aの表面には配向膜16が形成されている。配向膜16は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜16は、SiOXx<2、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜垂直配向膜であり、配向膜16と画素電極9aとの層間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の表面絶縁膜17が形成されている。表面絶縁膜17は、表面が平坦面になっており、画素電極9aの間に形成された凹部を埋めている。従って、配向膜16は、表面絶縁膜17の平坦な表面に形成されている。かかる構成は、画素電極9aの表面側に表面絶縁膜17を形成した後、表面絶縁膜17の表面を研磨することによって実現することができる。かかる研磨には化学機械研磨を利用でき、化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と素子基板10との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布パッドを貼り付けた定盤と、素子基板10を保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が0.01~20μmの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と素子基板10との間に供給する。その際、画像形成領域10aと周辺領域10bとの間に大きな高低差が存在すると、研磨工程を行っても、画像形成領域10a内を平坦面とすることが困難であるが、本形態では、図2および図3を参照して説明したように、周辺領域10bにダミー画素電極9bが形成されている。従って、表面絶縁膜17を形成した時点で画像形成領域10aと周辺領域10bとの間に大きな高低差が存在しないので、研磨工程を行うことにより、画像形成領域10a内を平坦面とすることができる。対向基板20では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20wの一方面側に共通電極21が形成されており、かかる共通電極21を覆うように配向膜26が形成されている。配向膜26は、配向膜16と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜26は、SiOXx<2、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜垂直配向膜であり、配向膜26と共通電極21との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜27が形成されている。保護膜27は、表面が平坦面になっており、かかる平坦面上に配向膜26が形成されている。かかる配向膜16、26は、液晶層50に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル100pは、ノーマリブラックのVAモードとして動作する。周辺回路部の構成図5は、本発明を適用した液晶装置100の周辺回路部106等の説明図である。図5に示すように、液晶装置100では、図1および図2を参照して説明したデータ線駆動回路101および走査線駆動回路104等の周辺回路部106には、nチャネル型の駆動用トランジスター106aとpチャネル型の駆動用トランジスター106bとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。また、周辺回路部106には各種の配線106c等も形成されている。ここで、駆動用トランジスター106a、106bは、画素トランジスター30の製造工程の一部を利用して形成されたものであるため、素子基板10においてデータ線駆動回路101および走査線駆動回路104が形成されている領域も、図3bに示す断面構成と略同様な断面構成を有している。本形態では、周辺回路部106が形成されている領域のうち、画像形成領域10aとシール材107とに挟まれた周辺領域10bでは、周辺回路部106を覆う第3層間絶縁膜44の表面に、画素電極9aと同一層の導電膜からなるダミー画素電極9bが形成されている。かかるダミー画素電極9bは、周辺領域10bにおいて、周辺回路部106の空き領域等を利用して、図1、図2aおよび図3aに示す共通電位線5cに電気的に接続されている。ダミー画素電極9bと共通電位線5cとの電気的な接続には、第3層間絶縁膜44等に形成したコンタクトホール図示せずが利用される。また、素子基板10において、周辺領域10bには、表面絶縁膜17の表面にイオン性不純物トラップ用の周辺電極8aが形成されている。かかる周辺電極8aは、周辺領域10bにおいて、周辺回路部106およびダミー画素電極9bの空き領域等を利用して、図1、図2aおよび図3aに示す配線5sに電気的に接続されている。かかる周辺電極8aと配線5sとの電気的な接続には、第3層間絶縁膜44等に形成したコンタクトホール図示せずが利用される。周辺電極8aの詳細構成図6は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置100の素子基板10に形成した周辺電極8aの説明図であり、図6a、bは、周辺電極8a全体のレイアウトを示す説明図、および周辺電極8aを拡大して示す説明図である。なお、図6においては画素電極9aやダミー画素電極9bの数等について少なく示してあり、図6では、周辺領域10bの幅寸法はダミー画素電極3列分として表されている。図5および図6に示すように、本形態の液晶装置100の素子基板10において、画像形成領域10aとシール材107とにより挟まれた周辺領域10bには、周辺回路部106の一部が構成されており、周辺領域10bにおいて、周辺回路部106に対して上層側で重なる領域にはダミー画素電極9bが形成されている。また、本形態の液晶装置100の素子基板10において、周辺領域10bにおいて、ダミー画素電極9bに対して上層側で重なる領域には、イオン性不純物トラップ用の周辺電極8aが形成されている。本形態において、周辺電極8aは、ITOやIZO等の導電性金属酸化膜、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜等からなる。かかる周辺電極8aは、周辺領域10bにおいて、周辺回路部106およびダミー画素電極9bの空き領域等を利用して、図1、図2aおよび図3aに示す配線5sに電気的に接続されており、イオン性不純物トラップ用の電位Vtrapが印加されている。かかる周辺電極8aと配線5sとの電気的な接続には、第3層間絶縁膜44等に形成したコンタクトホール図示せずが利用される。本形態において、周辺電極8aは、周辺領域10bにおいて画像形成領域10aを全周にわたって囲む矩形枠状に形成されている。ここで、周辺電極8aは、周辺領域10bの幅方向において、画像形成領域10aに隣接する位置には形成されておらず、周辺領域10bのうち、画像形成領域10aから離間した位置のみに形成されている。このため、表面絶縁膜17の表面に周辺電極8aを形成した後、配向膜16を形成した際、周辺電極8aが形成されている領域では周辺電極8aに起因する段差があって配向膜16の形成が最適条件から外れることがあっても、画像形成領域10aでは、配向膜16を好適に形成することができる。また、周辺電極8aに対してイオン性不純物トラップ用の電位Vtrapを印加しても、画像形成領域10aの液晶分子の配向を乱すことがない。本形態の液晶装置100において、共通電極21およびダミー画素電極9bに印加された共通電位Vcomは0Vで一定であり、画素電極9aに印加される信号の極性が反転する。また、周辺電極8aに印加される電位も極性が反転する。例えば、周辺電極8aに印加される電位Vtrapは、画素電極9aに印加される信号の極性が反転するタイミングと同一のタイミングで極性が反転する。また、周辺電極8aに印加される電位Vtrapは、画素電極9aに印加される信号の極性が反転するタイミングより高い周波数で極性が反転する構成を採用してもよい。いずれの駆動方法を採用した場合でも、周辺電極8aに印加される電位Vtrapは、共通電極21およびダミー画素電極9bに印加された共通電位Vcom0Vと常に相違する。従って、液晶装置100を製造する際の液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材107から溶出したイオン性不純物が液晶層50内に存在しても、周辺電極8aに電位Vtrapが印加されると、周辺電極8aと共通電極21との間には、液晶層50の層厚方向の電界が生成される。このため、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材107から溶出したイオン性不純物が液晶層50中に存在していても、周辺電極8a、および共通電極21において周辺電極8aと対向する部分に効率よく引き寄せられ、そこに滞留する。それ故、イオン性不純物が画像形成領域10aにおいて凝集することがない。従って、液晶装置100を製造した後、液晶装置100の検査時に周辺電極8aにイオン性不純物トラップ用の電位Vtrapを印加し、共通電極21に共通電位Vcomを印加すれば、イオン性不純物を周辺電極8aが位置する側に引き寄せ、そこに滞留させておくことができる。また、液晶装置100が表示動作を行った際、液晶層50に用いた液晶分子の姿勢が切り換わり、それに伴う液晶分子の微小な揺らぎによって、液晶層50中のイオン性不純物が画像形成領域10aの角部分に集中しようとした場合でも、イオン性不純物は、周辺電極8aが位置する側に引き寄せられ、そこで凝集した状態のまま滞留するので、イオン性不純物が画像形成領域10aにおいて凝集することがない。特に、液晶装置100を反転駆動した際の直流成分にアンバランスが発生すると、液晶層50中のイオン性不純物が画像形成領域10aの角部分に集中しようとしやすいが、本形態によれば、イオン性不純物は、周辺電極8aが位置する側に引き寄せられ、そこで凝集した状態のまま滞留するので、イオン性不純物が画像形成領域10aにおいて凝集することがない。それ故、イオン性不純物に起因する画像の品位低下の発生を防止することができる。本形態の主な効果以上説明したように、本形態の液晶装置100において、素子基板10の周辺領域10bには、共通電位Vcomと異なる電位Vtrapが印加された周辺電極8aが設けられているため、イオン性不純物が画像形成領域10aで凝集しないので、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を防止することができる。また、本形態では、画像形成領域10aと周辺領域10bとの間における表面絶縁膜17の高低差を緩和することを目的に、周辺領域10bにダミー画素電極9bを設けてあるが、本形態では、ダミー画素電極9bと重なる位置にイオン性不純物トラップ用の周辺電極8aを設けてある。このため、ダミー画素電極9bを形成した場合でも、周辺電極8aを画像形成領域10aからの距離が適正な位置に設けることができる。それ故、周辺電極8aにトラップしたイオン性不純物の影響が画像形成領域10aに及んでしまうことを防止することができるとともに、画像形成領域10aで凝集しようとするイオン性不純物を確実に引き寄せることができる。それ故、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。また、周辺領域10bには、ダミー画素電極9bの下層側に周辺回路部106が設けられているが、周辺電極8aに交流の電位Vtrapを印加した際の電気的な影響は、定電位共通電位Vcomが印加されたダミー画素電極9bによって阻止することができる。従って、本形態によれば、周辺回路部106をダミー画素電極9bと重なる領域、すなわち、周辺電極8aと重なる領域に設けることができるので、周辺回路部106に対するレイアウト面での自由度が高い。また、周辺電極8aにおいてイオン性不純物をトラップする能力は、周辺電極8aの平面積に概ね比例するが、本形態において、ダミー画素電極9bおよび周辺電極8aは、周辺領域10bにおいて全周に設けられているため、周辺電極8aの形成範囲が広い。それ故、イオン性不純物を効果的にトラップすることができる。また、VAモードの液晶装置100の場合、液晶分子が垂直姿勢と水平に平伏した姿勢とに切り換わる際の流動によって、プレチルトの方位に対応する対角の角領域イオン性不純物が偏在しやすいが、本形態では、周辺電極8aによって、イオン性不純物を効果的にトラップすることができる。また、配向膜16,26として無機配向膜を用いた場合、無機配向膜は、イオン性不純物を吸着しやすい傾向にあるが、本形態では、周辺電極8aによって、イオン性不純物を効果的にトラップすることができる。それ故、VAモードの液晶装置100において無機配向膜を用いた場合でも、画像形成領域10aでイオン性不純物が凝集することを確実に防止することができる。[実施の形態2]図7は、本発明の実施の形態2に係る液晶装置100の素子基板10に形成した周辺電極8aの説明図であり、図7a、bは、周辺電極8a全体のレイアウトを示す説明図、および周辺電極8aを拡大して示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。図7に示すように、本形態の液晶装置100も、実施の形態1と同様、素子基板10には、複数の画素電極9aが配列された画像形成領域10aと、画像形成領域10aとシール材107とにより挟まれた周辺領域10bとが設けられている。また、周辺領域10bには、周辺回路部106の一部が構成されており、周辺領域10bにおいて、周辺回路部106に対して上層側で重なる領域にはダミー画素電極9bが形成されている。また、周辺領域10bにおいて、ダミー画素電極9bに対して上層側で重なる領域には、イオン性不純物トラップ用の周辺電極8aが形成されている。本形態において、周辺電極8aは、少なくとも、周辺回路部106に対して重なる領域では、複数のダミー画素電極9bと重なる領域に沿って並行して延在する複数の帯状電極8bからなる。本形態では、周辺電極8aの全体が、複数のダミー画素電極9bと重なる領域に沿って並行して延在する複数の帯状電極8bからなる。また、複数の帯状電極8bは各々が、周辺領域10bにおいて全周にわたって形成されていることから、矩形枠状になっている。このため、周辺電極8aは、多重の帯状電極8bによって構成されていることになる。また、帯状電極8bのピッチライン幅方向のピッチは、帯状電極8bの延在方向と直交する方向におけるダミー画素電極9bのピッチと等しい。また、帯状電極8bのライン幅は、帯状電極8bの延在方向と直交する方向におけるダミー画素電極9bの寸法より小である。このため、帯状電極8bは、ライン幅方向においては、下層側で重なるダミー画素電極9bの端部より内側に位置する。このように構成した場合も、素子基板10の周辺領域10bには、共通電位Vcomと異なる電位が印加された周辺電極8aが設けられているため、イオン性不純物が画像形成領域10aで凝集しない。それ故、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を防止することができる。また、本形態では、周辺領域10bにダミー画素電極9bを設けてあるが、ダミー画素電極9bと重なる位置にイオン性不純物トラップ用の周辺電極8aを設けてある。このため、ダミー画素電極9bを形成した場合でも、周辺電極8aを画像形成領域10aからの距離が適正な位置に設けることができる。また、周辺領域10bには、ダミー画素電極9bの下層側に周辺回路部106が設けられているが、周辺電極8aに交流電位Vtrapを印加した際の電気的な影響は、定電位共通電位Vcomが印加されたダミー画素電極9bによって阻止することができる。従って、本形態によれば、周辺回路部106をダミー画素電極9bと重なる領域、すなわち、周辺電極8aと重なる領域に設けることができるので、周辺回路部106に対するレイアウト面での自由度が高い等、実施の形態1と略同様な効果を奏する。また、本形態において、周辺電極8aは、複数のダミー画素電極9bと重なる領域に沿って並行して延在する複数の帯状電極8bからなる。また、帯状電極8bのピッチライン幅方向のピッチは、帯状電極8bの延在方向と直交する方向におけるダミー画素電極9bのピッチと等しく、帯状電極8bのライン幅は、帯状電極8bの延在方向と直交する方向におけるダミー画素電極9bの寸法より小である。このため、帯状電極8bは、ライン幅方向においては、下層側で重なるダミー画素電極9bの端部より内側に位置する。それ故、帯状電極8bにおいて、ダミー画素電極9bからはみ出して領域の面積が極めて狭いので、周辺電極8aに交流を印加した際の電気的な影響は、定電位共通電位Vcomが印加されたダミー画素電極9bによって効率よく阻止することができる。[実施の形態2の変形例]図8は、本発明の実施の形態2の変形例に係る液晶装置100の素子基板10に形成した周辺電極8aを拡大して示す説明図であり、図8a、bは、周辺電極8aにおいて周辺回路部106と重なる部分のみを帯状電極とした場合の説明図、および周辺電極8aをダミー画素電極9bと同様な形状とした場合の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。図8aに示すように、本形態の液晶装置100も、実施の形態1と同様、素子基板10には、複数の画素電極9aが配列された画像形成領域10aと、画像形成領域10aとシール材107とにより挟まれた周辺領域10bとが設けられている。また、周辺領域10bには、周辺回路部106の一部図3等参照が構成されており、周辺領域10bにおいて、周辺回路部106に対して上層側で重なる領域にはダミー画素電極9bが形成されている。また、周辺領域10bにおいて、ダミー画素電極9bに対して上層側で重なる領域には、イオン性不純物トラップ用の周辺電極8aが形成されている。本形態において、周辺電極8aは、周辺回路部106に対して重なる領域では、複数のダミー画素電極9bと重なる領域に沿って並行して延在する複数の帯状電極8bからなる。これに対して、周辺電極8aは、周辺回路部106に対して重ならない領域では、ライン幅寸法が複数のダミー画素電極9bの幅寸法に相当する。このように構成した場合でも、周辺電極8aに交流を印加した際の電気的な影響は、定電位共通電位Vcomが印加されたダミー画素電極9bによって阻止することができる。従って、本形態によれば、周辺回路部106をダミー画素電極9bと重なる領域、すなわち、周辺電極8aと重なる領域に設けることができるので、周辺回路部106に対するレイアウト面での自由度が高い等、実施の形態1と略同様な効果を奏する。また、周辺電極8aにおいてイオン性不純物をトラップする能力は、周辺電極8aの平面積に概ね比例するが、本形態において、周辺電極8aは、周辺回路部106に対して重ならない領域では、ライン幅寸法が大になっている。このため、イオン性不純物をトラップする能力が大である。図8bに示すように、本形態の液晶装置100も、実施の形態1と同様、素子基板10には、複数の画素電極9aが配列された画像形成領域10aと、画像形成領域10aとシール材107とにより挟まれた周辺領域10bとが設けられている。また、周辺領域10bには、周辺回路部106の一部図3等参照が構成されており、周辺領域10bにおいて、周辺回路部106に対して上層側で重なる領域にはダミー画素電極9bが形成されている。また、周辺領域10bにおいて、ダミー画素電極9bに対して上層側で重なる領域には、イオン性不純物トラップ用の周辺電極8aが形成されている。本形態において、周辺電極8aは、ダミー画素電極9bよりわずかに小さいが、ダミー画素電極9bと同様な形状を有する帯状電極8bからなる。より具体的には、周辺電極8aは、ダミー画素電極9bと同様、複数の矩形部分8a1と、矩形部分8a1より狭い幅寸法で矩形部分8a1同士を連結する連結部分8a2とを有している。このため、周辺電極8aは、ダミー画素電極9bからはみ出していない。かかる構成によれば、周辺電極8aに交流を印加した際の電気的な影響は、定電位共通電位Vcomが印加されたダミー画素電極9bによって確実に阻止することができる。従って、本形態によれば、周辺回路部106をダミー画素電極9bと重なる領域、すなわち、周辺電極8aと重なる領域に設けることができるので、周辺回路部106に対するレイアウト面での自由度が高い等の効果を奏する。[他の実施の形態]上記実施の形態において、周辺電極8aは、全周で繋がった構成になっていたが、イオン性不純物トラップ用の電位Vtrapを印加可能な構成であれば、周辺電極8aが部分的に途切れていてもよい。また、上記実施の形態において、周辺電極8aは、全周で繋がった構成になっていたが、例えば、角部分のみに周辺電極8aを設けた場合に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態2において、周辺電極8aを構成する複数の帯状電極8bについては同一のイオン性不純物トラップ用の電位Vtrapを印加したが、複数の帯状電極8bに異なるイオン性不純物トラップ用の電位Vtrapを印加してもよい。上記実施の形態では、透過型の液晶装置100に本発明を適用したが、反射型の液晶装置100に本発明を適用してもよい。[電子機器への搭載例]上述した実施形態に係る液晶装置100を適用した電子機器について説明する。図9は、本発明を適用した液晶装置100を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図9a、bは各々、透過型の液晶装置100を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置100を用いた投射型表示装置の説明図である。投射型表示装置の第1例図9aに示す投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置110は、光源112を備えた光源部130と、ダイクロイックミラー113、114と、液晶ライトバルブ115~117液晶装置100と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119と、リレー系120とを備えている。光源112は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。ここで、ダイクロイックミラー113と光源112との間には、インテグレーター121及び偏光変換素子122が光源112から順に配置されている。インテグレーター121は、光源112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子122は、光源112からの光を例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置100である。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、液晶パネル115c及び第2偏光板115dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ115に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。λ/2位相差板115aは、液晶ライトバルブ115に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル115cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ115は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。なお、λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bは、偏光を変換させない透光性のガラス板115eに接した状態で配置されており、λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bが発熱によって歪むのを回避することができる。液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置100である。そして、液晶ライトバルブ116は、液晶ライトバルブ115と同様に、第1偏光板116b、液晶パネル116c及び第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ116に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板116bは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル116cは、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。そして、第2偏光板116dは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ116は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置100である。そして、液晶ライトバルブ117は、液晶ライトバルブ115、116と同様に、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、液晶パネル117c及び第2偏光板117dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ117に入射する青色光は、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系120の後述する2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。λ/2位相差板117aは、液晶ライトバルブ117に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル117cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ117は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。なお、λ/2位相差板117a及び第1偏光板117bは、ガラス板117eに接した状態で配置されている。リレー系120は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光をリレーレンズ124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光を液晶ライトバルブ117に向けて反射するように配置されている。クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115~117のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系118に向けて出射するように構成されている。なお、液晶ライトバルブ115、117からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ116からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ115~117から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光及び青色光をs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光をp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ図示略を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン111に投射するように構成されている。投射型表示装置の第2例図9bに示す投射型表示装置1000は、光源光を発生する光源部1021と、光源部1021から出射された光源光を赤、緑、青の3色に分離する色分離導光光学系1023と、色分離導光光学系1023から出射された各色の光源光によって照明される光変調部1025とを有している。また、投射型表示装置1000は、光変調部1025から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム1027合成光学系と、クロスダイクロイックプリズム1027を経た像光をスクリーン不図示に投射するための投射光学系である投射光学系1029とを備えている。かかる投射型表示装置1000において、光源部1021は、光源1021aと、一対のフライアイ光学系1021d、1021eと、偏光変換部材1021gと、重畳レンズ1021iとを備えている。本形態においては、光源部1021は、放物面からなるリフレクタ1021fを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系1021d、1021eは、システム光軸と直交する面内にマトリックス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光発散させる。偏光変換部材1021gは、フライアイ光学系1021eから出射した光源光を、例えば図面に平行なp偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ1021iは、偏光変換部材1021gを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部1025に設けた複数の液晶装置100を各々均一に重畳照明可能とする。色分離導光光学系1023は、クロスダイクロイックミラー1023aと、ダイクロイックミラー1023bと、反射ミラー1023j、1023kとを備える。色分離導光光学系1023において、光源部1021からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー1023aに入射する。クロスダイクロイックミラー1023aを構成する一方の第1ダイクロイックミラー1031aで反射された赤色Rの光は、反射ミラー1023jで反射されダイクロイックミラー1023bを透過して、入射側偏光板1037r、p偏光を透過させ、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032r、および光学補償板1039rを介して、p偏光のまま、赤色R用の液晶装置100に入射する。また、第1ダイクロイックミラー1031aで反射された緑色Gの光は、反射ミラー1023jで反射され、その後、ダイクロイックミラー1023bでも反射されて、入射側偏光板1037g、p偏光を透過させ、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032g、および光学補償板1039gを介して、p偏光のまま、緑色G用の液晶装置100に入射する。これに対して、クロスダイクロイックミラー1023aを構成する他方の第2ダイクロイックミラー1031bで反射された青色Bの光は、反射ミラー1023kで反射されて、入射側偏光板1037b、p偏光を透過する一方でs偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032b、および光学補償板1039bを介して、p偏光のまま、青色B用の液晶装置100に入射する。なお、光学補償板1039r、1039g、1039bは、液晶装置100への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。このように構成した投射型表示装置1000では、光学補償板1039r、1039g、1039bを経て入射した3色の光は各々、各液晶装置100において変調される。その際、液晶装置100から出射された変調光のうち、s偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板1032r、1032g、1032bで反射し、出射側偏光板1038r、1038g、1038bを介してクロスダイクロイックプリズム1027に入射する。クロスダイクロイックプリズム1027には、X字状に交差する第1誘電体多層膜1027aおよび第2誘電体多層膜1027bが形成されており、一方の第1誘電体多層膜1027aはR光を反射し、他方の第2誘電体多層膜1027bはB光を反射する。従って、3色の光は、クロスダイクロイックプリズム1027において合成され、投射光学系1029に出射される。そして、投射光学系1029は、クロスダイクロイックプリズム1027で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン図示せず。投射する。他の投射型表示装置なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。他の電子機器本発明を適用した液晶装置100については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末PDA:PersonalDigitalAssistants、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。"