オプトエレクトロニクス素子であって、プリント基板1と、オプトエレクトロニクス半導体チップ2と、ケーシング体3とを有し、前記プリント基板1は、チップ接続領域10を備えた上側1aを有しており、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2は、前記チップ接続領域10に固定されており、前記ケーシング体3は、前記プリント基板1の上側1aにて当該プリント基板1に固定され、さらに反射器領域30を備えている、オプトエレクトロニクス素子において、前記反射器領域30が前記ケーシング体3において開口部31を含んでおり、該開口部31内には前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2が配置されており、さらに、前記ケーシング体3はプラスチック材料で形成されており、該プラスチック材料は前記反射器領域30において少なくとも所々で金属化されていることを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。前記半導体チップ2は注封体35に埋め込まれており、該注封体35は白色、黒色又は有色に見え、この場合前記チップ接続領域10とは反対側のオプトエレクトロニクス半導体チップ2の表面が前記注封体35から露出している、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。前記プリント基板1は基体11を有しており、該基体11はプラスチック材料、とりわけポリフェニレンスルフィで形成されている、請求項1又は2記載のオプトエレクトロニクス素子。前記プリント基板1の上側1aは、ワイヤ接続領域12を有しており、該ワイヤ接続領域12は前記チップ接続領域10から離間されており、前記ケーシング体3は、ワイヤ領域32を有しており、該ワイヤ領域32は前記ケーシング体3において開口部33を含んでおり、該開口部33内には前記ワイヤ接続領域12が配置されており、前記ワイヤ領域32は反射器領域30から離間されている、請求項1から3いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2と前記ワイヤ接続領域12に固定される接続ワイヤ4を有しており、この場合前記接続ワイヤ4は前記ケーシング体3において凹部34を通って案内されており、該凹部34は前記反射器領域30とワイヤ領域32とを相互に接続している、請求項4記載のオプトエレクトロニクス素子。前記凹部34の底面34aにおいて前記プリント基板1が所々で露出している、請求項5記載のオプトエレクトロニクス素子。前記ケーシング体3は前記プリント基板1の上側1aにおいて当該プリント基板1を、前記反射器領域30及び場合によりワイヤ領域32と凹部34まで完全に覆っている、請求項1から6いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。前記ケーシング体3の側面3cは少なくとも所々で前記プリント基板1の側面1cと面一に終端している、請求項1から7いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。前記ケーシング体3の基準面は、前記プリント基板1の基準面と同じ形を有している、請求項1から8いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。前記ケーシング体3の基準面は、前記プリント基板1の基準面と同じ大きさを有している、請求項1から9いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。前記反射器領域30はチップに近い側の反射器開口部30aとチップから遠い側の反射器開口部30bとを含んでおり、前記反射器領域30の開口部31は、前記チップから遠い側の反射器開口部30bから前記チップに近い側の反射器開口部30aまで先細になっており、さらに前記反射器領域の少なくとも1つの反射器面30cは、前記チップに近い反射器開口部30aと前記チップから遠い反射器開口部30bとを相互に接続しており、この場合前記反射器面30cは、少なくとも所々で金属化された前記ケーシング体3の一部によって形成されている、請求項1から10いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。前記ケーシング体3は、前記反射器面30cの領域だけが金属化されている、請求項11記載のオプトエレクトロニクス素子。前記チップに近い反射器開口部30aは、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2の主表面2aの表面積よりも最大で4倍広い表面積を有している、請求項1から12いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。前記プリント基板1はその上側1aとは反対側に下側1bを有しており、さらに前記下側1bには、表面実装のための素子接続領域13が形成されている、請求項1から13いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。前記オプトエレクトロニクス素子は最大で100mmの厚さdを有しており、前記プリント基板1は最大で035mmの厚さdlを有しており、前記ケーシング体3は最大で065mmの厚さdgを有している、請求項1から14いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。