真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気部と、前記真空槽内に配置され、Inを含有する金属酸化物のターゲットを保持するターゲット保持部と、前記真空槽内にスパッタガスを供給するガス供給部と、前記ターゲットのスパッタ面上で前記スパッタガスをプラズマ化するプラズマ生成部と、前記ターゲットに電圧を印加する電源装置と、前記真空槽内に配置され、成膜対象物を前記スパッタ面と平行に保持する基板保持部と、前記基板保持部を、前記スパッタ面と平行な一平面内で移動させ、前記基板保持部に保持された前記成膜対象物の表面を、前記基板保持部の移動中に前記スパッタ面と対面させる移動装置と、を有するスパッタリング装置であって、前記スパッタ面から放出されるスパッタリング粒子の一部を遮蔽し、移動中の前記基板保持部に保持された前記成膜対象物の表面に前記スパッタリング粒子が入射しない状態から入射する状態に変化させる遮蔽板とを有し、前記遮蔽板は、前記スパッタリング粒子が、入射角度64°以上85°以下で入射を開始するように配置されたスパッタリング装置。Inを含有する金属酸化物のターゲットのスパッタ面をスパッタリングして、前記スパッタ面からスパッタリング粒子を放出させながら、成膜対象物を前記スパッタ面と平行な一の平面内で移動させ、移動中に前記スパッタ面と対面させ、前記成膜対象物の表面にInを含有する金属酸化物の薄膜を形成するIn金属酸化物膜の形成方法であって、成膜対象物の表面に下地層が露出した状態で、前記成膜対象物を前記一の平面内で移動させ、移動中の前記成膜対象物の前記下地層の表面に前記スパッタリング粒子が入射しない状態から入射する状態に変化させ、前記スパッタリング粒子の前記下地層の表面への入射を、入射角度64°以上85°以下で開始させるIn金属酸化物膜の形成方法。前記成膜対象物の表面にInを含有する金属酸化物の薄膜を形成した後、窒素及び酸素雰囲気下で前記成膜対象物を300°C以上800°C以下の温度に加熱する請求項2記載のIn金属酸化物膜の形成方法。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、スパッタリング法により、p型半導体層とオーミックコンタクトを持ち、光透過率が高く、電気抵抗率が低いInを含有する金属酸化物膜を形成する技術を提供することにある。上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気部と、前記真空槽内に配置され、Inを含有する金属酸化物のターゲットを保持するターゲット保持部と、前記真空槽内にスパッタガスを供給するガス供給部と、前記ターゲットのスパッタ面上で前記スパッタガスをプラズマ化するプラズマ生成部と、前記ターゲットに電圧を印加する電源装置と、前記真空槽内に配置され、成膜対象物を前記スパッタ面と平行に保持する基板保持部と、前記基板保持部を、前記スパッタ面と平行な一平面内で移動させ、前記基板保持部に保持された前記成膜対象物の表面を、前記基板保持部の移動中に前記スパッタ面と対面させる移動装置と、を有するスパッタリング装置であって、前記スパッタ面から放出されるスパッタリング粒子の一部を遮蔽し、移動中の前記基板保持部に保持された前記成膜対象物の表面に前記スパッタリング粒子が入射しない状態から入射する状態に変化させる遮蔽板とを有し、前記遮蔽板は、前記スパッタリング粒子が、入射角度64°以上85°以下で入射を開始するように配置されたスパッタリング装置である。本発明は、Inを含有する金属酸化物のターゲットのスパッタ面をスパッタリングして、前記スパッタ面からスパッタリング粒子を放出させながら、成膜対象物を前記スパッタ面と平行な一の平面内で移動させ、移動中に前記スパッタ面と対面させ、前記成膜対象物の表面にInを含有する金属酸化物の薄膜を形成するIn金属酸化物膜の形成方法であって、成膜対象物の表面に下地層が露出した状態で、前記成膜対象物を前記一の平面内で移動させ、移動中の前記成膜対象物の前記下地層の表面に前記スパッタリング粒子が入射しない状態から入射する状態に変化させ、前記スパッタリング粒子の前記下地層の表面への入射を、入射角度64°以上85°以下で開始させるIn金属酸化物膜の形成方法である。本発明はIn金属酸化物膜の形成方法であって、前記成膜対象物の表面にInを含有する金属酸化物の薄膜を形成した後、窒素及び酸素雰囲気下で前記成膜対象物を300°C以上800°C以下の温度に加熱するIn金属酸化物膜の形成方法である。本発明により得られるIn金属酸化物膜は、真空蒸着法により得られる膜よりも表面平坦性に優れるため、LED用電流拡散層に用いるとLEDの光取り出し効率の向上が見込まれる。また、エッチング加工性も優れているため、歩留まりの改善も見込まれる。さらに、p型半導体層とのコンタクト抵抗率を低減できるため、LED駆動電圧の低下による省消費電力化も見込まれる。<スパッタリング装置の構造>本発明のスパッタリング装置の構造を説明する。図1はスパッタリング装置10の内部構成図である。スパッタリング装置10は、真空槽11と、真空槽11内を真空排気する真空排気部12と、真空槽11内に配置され、Inを含有する金属酸化物のターゲット21を保持するターゲット保持部22と、真空槽11内にスパッタガスを供給するガス供給部24と、ターゲット21のスパッタ面28上でスパッタガスをプラズマ化するプラズマ生成部15と、ターゲット21に電圧を印加する電源装置23と、真空槽11内に配置され、成膜対象物1をスパッタ面28と平行に保持する基板保持部16と、基板保持部16を、スパッタ面28と平行な一平面内で移動させ、基板保持部16に保持された成膜対象物1の表面を、基板保持部16の移動中にスパッタ面28と対面させる移動装置13とを有している。ターゲット21には本実施例では平板形状のITO酸化インジウムスズが用いられる。ターゲット21はスパッタ面28が露出した状態で平板形状のターゲット保持部22に密着して固定され、ターゲット保持部22と電気的に接続されている。ターゲット保持部22は真空槽11の壁面に絶縁物26を介して固定され、真空槽11とは電気的に絶縁されている。電源装置23は真空槽11の外側に配置され、ターゲット保持部22に電気的に接続されている。電源装置23から電圧を出力すると、ターゲット保持部22を介してターゲット21に電圧が印加されるようになっている。ガス供給部24は真空槽11内に接続されている。ガス供給部24から真空排気された真空槽11内にスパッタガスを導入し、電源装置23からターゲット21に電圧を印加すると、スパッタ面28上でスパッタガスはプラズマ化される。すなわち、本実施例ではプラズマ生成装置15は電源装置23である。プラズマ生成装置15はスパッタ面28上でスパッタガスをプラズマ化できるならば上記構成に限定されず、誘導結合方式ICP等の他の方式で構成してもよい。ターゲット21が真空槽11に対して負電位に置かれているとき、プラズマ中のイオンはスパッタ面28に入射して、スパッタ面28からIn金属酸化物の粒子であるスパッタリング粒子が放出される。移動装置13はここでは直線状のレール14と不図示のモーターとを有している。レール14はスパッタ面28と平行な一の基板移動方向19と平行に向けられて、真空槽11内に配置されている。モーターは動力を基板保持部16に伝達して、基板保持部16をレール14に沿って移動させ、基板保持部16に保持された成膜対象物1の表面を、基板保持部16の移動中にスパッタ面28と対面させるように構成されている。本発明のスパッタリング装置10は、スパッタ面28から放出されるスパッタリング粒子の一部を遮蔽し、移動中の基板保持部16に保持された成膜対象物1の表面にスパッタリング粒子が入射しない状態から入射する状態に変化させる遮蔽板25を有している。本実施例では、遮蔽板25はターゲット21の外側を取り囲んで配置されている。ターゲット21のスパッタ面28と対面する位置には遮蔽板25で外周を囲まれた開口29が設けられ、スパッタ面28は開口29から露出されている。遮蔽板25は真空槽11と電気的に接続され、すなわち真空槽11と同電位に置かれている。スパッタ面28上で生成されたプラズマは遮蔽板25で取り囲まれた領域の外側に広がらず、スパッタ面28上でプラズマを安定して維持することができるようになっている。また遮蔽板25は真空槽11の壁面に向かって飛行するスパッタリング粒子を遮断し、真空槽11の壁面にスパッタリング粒子が付着することを防止する。図2は成膜対象物1とスパッタ面28を上方から見た図を示している。本実施例では、スパッタ面28の形状と開口29の形状はどちらも四角形であり、スパッタ面28の基板移動方向19の下流側に位置する第一の辺Aと、遮蔽板25の開口29の基板移動方向19の上流側に位置する第二の辺Bは、スパッタ面28と平行で基板移動方向19に対して直角な方向と平行に配置されている。図1を参照し、第二の辺Bとスパッタ面28との間の第一の間隔Lと、第二の辺Bと第一の辺Aとの間の第二の間隔Mとから、補助角度θ=arcsin第一の間隔L/第二の間隔Mを定義する。スパッタ面28から基板移動方向19の上流側に、スパッタ面28に対して補助角度θ未満で放出されたスパッタリング粒子は、遮蔽板25で遮断され、補助角度θ以上で放出されたスパッタリング粒子は、開口29を通過する。従って、スパッタ面28をスパッタリングしながら、基板保持部16の移動を、スパッタリング粒子が到達する位置よりも基板移動方向19の上流側から開始させると、移動中の基板保持部16に保持された成膜対象物1の表面は、スパッタリング粒子が入射しない状態から入射する状態に変化するようになっている。遮蔽板25は、補助角度θが5°以上26°以下になるように配置されている。従って、移動中の成膜対象物1の表面には、スパッタリング粒子が64°以上85°以下の入射角度φで入射を開始するようになっている。後述するように、成膜対象物1の表面にp型半導体層が露出している場合には、スパッタリング粒子の入射を64°以上85°以下の入射角度φで開始させると、LEDのVfが静止対向型スパッタリング法による場合より低くなり、すなわちLEDの電流拡散層として良好なITO膜を得ることができる。上記実施例では、遮蔽板25はターゲット21の外側を取り囲んで配置されているが、スパッタリング粒子が64°以上85°以下の入射角度φで入射を開始するように配置されている限りでは、本発明は上記構成に限定されない。遮蔽板25は、少なくともターゲット21から見て基板移動方向19の上流側に配置されていれば、基板移動方向19の下流側や左右側方にも配置されていてもよいし、配置されていなくてもよい。ただし、遮蔽板25がターゲット21の外側を取り囲んで配置されている方が、プラズマを安定して生成することができ、かつ真空槽11の壁面にスパッタリング粒子が付着することを防止できるため、好ましい。なお、図1ではターゲット21の上方に基板保持部16が配置されているが、本発明は、基板保持部16に保持された成膜対象物1がスパッタ面28と平行に配置されるならば上記構成に限定されず、図3に示すように、ターゲット21の下方に基板保持部16が配置されていてもよいし、図4に示すようにターゲット21と基板保持部16が互いに同じ高さに配置されていてもよい。<Inを含有する金属酸化物膜の形成方法>上述のスパッタリング装置10を使用したInを含有する金属酸化物膜の形成方法を説明する。スパッタ成膜工程予め遮蔽板25を、補助角度θが5°以上26°以下になるように配置しておく。真空槽11内を真空排気部12により真空排気する。以後真空排気を継続して真空槽11内の真空雰囲気を維持する。真空槽11内の真空雰囲気を維持しながら、成膜対象物1を真空槽11内に搬入し、表面に下地層が露出した状態で、基板保持部16に、スパッタ面28と平行に保持させる。真空排気された真空槽11内にガス供給部24からスパッタガスと酸素ガスとの混合ガスを導入する。ここではスパッタガスにはArガスを使用する。電源装置23からターゲット21に電圧を印加すると、スパッタ面28上のスパッタガスは電離されてプラズマ化する。ターゲット21が真空槽11に対して負電位に置かれているとき、プラズマ中のイオンがスパッタ面28に入射して、スパッタし、スパッタ面28からスパッタリング粒子が放出される。成膜対象物1を、スパッタリング粒子が到達する位置よりも基板移動方向19の上流側から、スパッタ面28と平行な一の平面内で移動開始させ、移動中の成膜対象物1の下地層の表面にスパッタリング粒子が入射しない状態から入射する状態に変化させると、下地層の表面に、スパッタリング粒子が入射角度φ=90°-補助角度θで入射し始める。遮蔽板25は、補助角度θが5°以上26°以下になるように配置されており、下地層の表面には、スパッタリング粒子が64°以上85°以下の入射角度φで入射し始める。成膜対象物1の下地層の表面には、主に64°以上85°以下の入射角度φで入射するスパッタリング粒子から成るIn金属酸化膜初期層が形成される。成膜対象物1の移動を継続して、スパッタ面28と対面する位置を通過させる。成膜対象物1がスパッタ面28と対面する位置に近づくにつれて、90°-補助角度θより小さな入射角度φで入射するスパッタリング粒子の割合が増え、In金属酸化膜初期層の表面には、主に64°未満の入射角度φで入射するスパッタリング粒子から成るIn金属酸化膜本体が形成される。スパッタリング法では、真空蒸着法と異なり、成膜中に成膜対象物1の温度は上昇せず、成膜対象物1の温度は0°C以上100°C以下の温度に維持され、In金属酸化物膜はアモルファス状態で形成される。アモルファスのIn金属酸化物膜は、シュウ酸などの弱酸で容易にエッチングでき、加工性に優れているという利点がある。また、スパッタリング法により形成されたIn金属酸化膜は、真空蒸着法よりも表面平坦性に優れている。アニール工程次いで、真空槽11内の真空雰囲気を維持しながら、成膜対象物1を真空槽11から搬出し、不図示のランプ加熱装置に搬入する。ランプ加熱装置に窒素ガス及び酸素ガスを供給しながら、成膜対象物1を300°C以上800°C以下の温度に急加熱するラピッドサーマルアニーリングRTA処理を行う。RTA処理は、窒素1L/min~100L/min、酸素0.1L/min~20L/minの流量の元、400°C~650°Cの所定の温度まで0.1分~60分で昇温させ、400°C~650°Cの温度を0.5分~60分間保持するのが好ましい。より好ましくは窒素5L/min~20L/min、酸素0.5L/min~5L/min、保持温度500°C~650°C、昇温時間1分~15分、保持時間1分~15分である。窒素及び酸素雰囲気下でのRTA処理によりアモルファスのIn金属酸化物膜の酸素欠損が補償され、多結晶化する。よって、In金属酸化物膜のキャリア密度が増大し、光透過率が向上し、比抵抗電気抵抗率が低下する。またスパッタ成膜工程前に、成膜対象物1の下地層の表面に予めp型半導体層が形成されている場合には、In金属酸化膜初期層がp型半導体層の表面に形成され、アニール工程後には、p型半導体層とIn金属酸化物膜とのコンタクト抵抗率が低下し、オーミックコンタクトが形成される。ランプ加熱を停止して、成膜対象物1を150°Cまで自然降温させた後、ランプ加熱装置から取り出す。<実施例>図5aを参照し、MOCVD法により、サファイア基板2上に、GaNバッファ層3と、n型GaN層4と、MQW構造のGaN系発光層5と、p型GaN層6を順に積層して形成した後、図5bを参照し、メサエッチングを行ってp型GaN層6とGaN系発光層5とを部分的に除去してn型GaN層4を部分的に露出させ、LED基板1’を得た。スパッタ成膜工程として、図1を参照し、上述のスパッタリング装置10を用いて、遮蔽板25の補助角度θを14°に設定した。すなわち、遮蔽板25を、スパッタリング粒子が、入射角度φ=76°で入射を開始するように配置した。LED基板1’をこのスパッタリング装置10の真空排気された真空槽11内に搬入し、p型GaN層6の表面と部分的に露出したn型GaN層4の表面が露出した状態で、基板保持部16にスパッタ面28と平行に保持させた。ターゲット21をスパッタしながら、基板保持部16に保持されたLED基板1’の移動を、スパッタリング粒子が到達する位置より基板移動方向19の上流側から開始させ、スパッタ面28と対面する位置を通過させ、図5cを参照し、p型GaN層6表面と部分的に露出したn型GaN層4の表面にITO膜7を220nmの膜厚で成膜した。次いで、真空槽11からLED基板1’を搬出した後、図5dを参照し、シュウ酸系エッチング液であるITO-06N関東化学製でエッチング処理を行い、n型GaN層4表面のITO膜7を除去して、n型GaN層4表面を部分的に露出させた。次いで、アニール工程として、このLED基板1’を、窒素及び酸素雰囲気下でRTA処理した。図5eを参照し、Au/Niを真空蒸着して、ITO膜7表面にp型電極8aを形成し、n型GaN層4表面にn型電極8bを形成して、LED40を作成した。次いで、このLED40のITO膜特性とVfとを測定した。<比較例>また、比較例として、スパッタ成膜工程をした後にアニール工程をしなかった場合比較例1と、アニール工程で酸素ガスを流さなかった場合比較例2と、真空蒸着法によりITO膜7を成膜した場合比較例3と、静止対向スパッタリング法によりITO膜7を成膜した後にアニール工程をした場合比較例4とで、LED40を形成し、ITO膜特性とVfを測定した。実施例と比較例1~4の測定結果を表1に示す。実施例のLED40のVfの測定結果を、比較例1乃至比較例4と比較すると、実施例の測定結果が最も低く、本発明によるITO膜7はLED用電流拡散層として優れていることが分かる。また実施例によるITO膜7は、真空蒸着法比較例3と同程度にp型GaN層6とのコンタクト抵抗率が低く、オーミックコンタクトが取れていることが分かる。<スパッタリング装置の角度θの比較>さらに、上述のスパッタリング装置10において、遮蔽板25の補助角度θを変化させてすなわち、スパッタリング粒子が入射を開始するときの入射角度φを変化させて、異なる複数の補助角度θでそれぞれLED基板1’上にITO膜7を成膜し、上記実施例と同様にしてLED40を作成して、Vfを測定した。測定結果を表2に示す。測定結果から、スパッタリング粒子が入射を開始するときの入射角度φ=90°-補助角度θを64°以上85°以下にしてITO膜7を成膜すると、LED40のVfを、静止対向型スパッタリング法比較例4よりも低くできることがわかる。また、スパッタリング粒子が入射を開始するときの入射角度φを76°にしてITO膜7を成膜したときに、LED40のVfは最も低くなり、LED用電流拡散層として最も好ましいことが分かる。逆にスパッタリング粒子が入射を開始するときの入射角度φを64°未満又は85°より大きくすると、LED40のVfが静止対向型スパッタリング法比較例4より大きくなり、LED用電流拡散層としては不良であることが分かる。オージェ電子分光AES分析により、本実施例で形成したLED40のITO膜7とp型GaN層6との界面の組成分布を調べると、界面のIn/GaInの原子組成比は0.3以上であることがわかった。すなわち、p型GaN層6の表面に形成されるITO膜7の初期層は、ITO膜7の本体に比べてInの原子組成比が大きいことが分かった。In金属酸化物をターゲットに用いたスパッタリングでは、スパッタ面に対して5°以上26°以下の角度で放出されるスパッタリング粒子にInの割合が多く、本発明によると、p型GaN層6に表面にInが多く含まれるITO膜7の初期層が形成され、LED40のVfが低下すると推定される。