直流回路に用いられる薄膜キャパシタの放電を行う薄膜キャパシタ装置において、薄膜キャパシタが、導電性材料で形成された第一の電極と、導電性材料で形成され前記第一の電極と向かい合うように位置付けられている第二の電極と、前記第一の電極と前記第二の電極に挟まれるように形成された誘電体層とからなり、前記第一の電極と前記誘電体層との間および前記第二の電極と前記誘電体層との間に、金属、半導体物質又は導電的表面改質されたセラミックスの微粒子などにより構成された集電子体により集電子体層が形成されており、上記薄膜キャパシタを充電する充電回路と放電する放電回路とを有しており、放電回路が、蓄電した上記薄膜キャパシタより電圧下降しながらの直流電流を受けて一時的に電荷を蓄積しDC/DCインバータにベース電圧のある状態で直流電流を供給するハイブリッド式で薄膜キャパシタ蓄電量が完全になくなるまで放電効果を有することを特徴とする薄膜キャパシタ装置。薄型キャパシタが、並列又は直列に切換可能に接続された複数の薄型キャパシタ群からなり、該薄型キャパシタ群に充電回路と放電回路とがスイッチ装置により切換可能に接続されており、充電回路が接続された場合には複数の薄型キャパシタを並列に接続し、放電回路が接続された場合には複数の薄型キャパシタを直列に接続してなることを特徴とする請求項1に記載の薄膜キャパシタ装置。薄膜キャパシタの集電子体層が金属の微粒子からなっており、該金属の微粒子が着磁されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電気エネルギー蓄積装置。誘電体層が、複数の第一の電極同士を接続する配線と、前記複数の第二の電極同士を接続する配線とを備えてなることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の電気エネルギー蓄積装置。薄膜キャパシタは、例えば図1の回路に例示するように、スイッチSW1とSW2を切り替えて充電回路C1のみを閉成し薄膜キャパシタ20の入出力の端子8、9と電源装置とを接続し、充填を行って電気エネルギーを蓄積し、蓄電後は前記スイッチSW1とSW2を切り替えて充電回路C1を開放し、放電回路C2を閉成して放電を行う。上記放電を行う際に図示のように薄膜キャパシタ20とインバータ40とを直接接続すると、インバータ40の閾値以下の電流では変換が行われなく、無効に放電してしまう状況にあった。本発明は、薄膜キャパシタを充電回路で蓄電し、放電時には放電回路で蓄電量が0となるまでインバータの平滑変換を有効に行うに際し、安価な構成で行うことが可能な薄膜キャパシタ装置を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため請求項1に係る発明では、直流回路に用いられる薄膜キャパシタの放電を行う薄膜キャパシタ装置において、薄膜キャパシタが、導電性材料で形成された第一の電極と、導電性材料で形成され前記第一の電極と向かい合うように位置付けられている第二の電極と、前記第一の電極と前記第二の電極に挟まれるように形成された誘電体層とからなり、前記第一の電極と前記誘電体層との間および前記第二の電極と前記誘電体層との間に、金属、半導体物質又は導電的表面改質されたセラミックスの微粒子などにより構成された集電子体により集電子体層が形成されており、上記薄膜キャパシタを充電する充電回路と放電する放電回路とを有しており、放電回路が、蓄電した上記薄膜キャパシタより電圧下降しながらの直流電流を受けて一時的に電荷を蓄積しDC/DCインバータにベース電圧のある状態で直流電流を供給するハイブリッド式で薄膜キャパシタ蓄電量が完全になくなるまで放電効果を有することを特徴とする。また、請求項2の発明では、前記薄型キャパシタが、並列又は直列に切換可能に接続された複数の薄型キャパシタ群からなり、該薄型キャパシタ群に充電回路と放電回路とがスイッチ装置により切換可能に接続されており、充電回路が接続された場合には複数の薄型キャパシタを並列に接続し、放電回路が接続された場合には複数の薄型キャパシタを直列に接続してなることを特徴とする。更に、請求項3の発明では、前記薄膜キャパシタの集電子体層が金属の微粒子からなっており、該金属の微粒子が着磁されていることを特徴とする。また、請求項4の発明では、前記誘電体層が、複数の第一の電極同士を接続する配線と、前記複数の第二の電極同士を接続する配線とを備えてなることを特徴とする。電気エネルギーを蓄積した薄膜キャパシタより電圧下降しながらの直流電流を受けて一時的に電荷を蓄積しDC/DCインバータにベース電圧のある状態で直流電流を供給するハイブリッド式であり、薄膜キャパシタ蓄電量が完全になくなるまで放電効果を有するので、直流回路に用いられる薄膜キャパシタの放電時の安定定電圧出力を安価な構成で長く行うことができる。以下、本発明に係る薄膜キャパシタ装置の好適な実施の形態について、以下に示す実施例により詳細に説明する。本発明の薄膜キャパシタ装置1の好適実施例について図2以降の図面を参照しながら説明する。本実施例1は、薄膜キャパシタ20の端子の一方8または9と他方9または8に切換可能に接続される充電回路C1と放電回路C2とを有している。放電回路C2では、薄膜キャパシタ20とDC/DCインバータ40との間に補助キャパシタ30を付設しており、薄膜キャパシタ20の蓄電量が0になるまでインバータ変換を行う構成からなっている。図2aはSW1、SW2の操作スイッチにより、充電回路C1と放電回路C2を選択して薄膜キャパシタ20に接続する構成からなっている。ここで薄型キャパシタ20は単体でも複数でもよい。図示例では2つのスイッチを連動する構成としたが、この発明でスイッチは要するに充電回路C1と放電回路C2を切り替えて操作することができる構造であれば、1つでも複数でもよく、特にその構造は問わない。図示省略の充電回路C1は図1と同様に公知の充電回路を用いることができるが、薄膜キャパシタ20の初期充電の際に直流電源と直接接続すると大電流が流れて許容電流値を超える虞れがあるので、電源装置には定電流制御機能または大電流の入力を制限する電流制限手段を付加することが好ましい。また、本実施例では、薄膜キャパシタ20と放電回路C2は直列に接続されるが、充電回路は複数の薄膜キャパシタの場合、これらを直列に接続するものでも、並列に接続するものでもよい。図2bは、複数の薄膜キャパシタからなる薄膜キャパシタ群20’と充電回路C1、放電回路C2との間にスイッチ装置SWを設けており、該スイッチ装置SWの切換で、前記回路C1、C2の切換と同時に複数の薄膜キャパシタ群20’を並列接続と直列接続とに切換可能となっている。従って、前記スイッチ装置SWを充電回路C1に切り替えると、複数の薄膜キャパシタ群20’を並列に接続して電源装置からの充電が行なわれ、放電回路C2に切り替えると複数の薄膜キャパシタ群20’を直列に接続して放電を行うことができる。前記充電回路C1の電源装置には前述のように定電流制御機能や大電流の入力を制限する電流制限手段を付加することが好ましい。ここで補助キャパシタ30は、薄膜キャパシタでもよいが、その他公知のキャパシタを用いることができる。本実施例の薄膜キャパシタ2020’も同じは、図3aの模式図に示すように、支持基板2と、バッファ層3と、第一電極4と、集電子体層5と、誘電体層6と、第二電極7と、端子8、9とを備えている。支持基板2は、特に限定しないが、例えば、シリコン単結晶、SiGe単結晶、GaAs単結晶、InP単結晶、SrTiO3単結晶、MgO単結晶、LaAlO3単結晶、ZrO2単結晶、MgAl2O4単結晶、NdGaO3単結晶、NdAIO3単結晶、LaGaO3単結晶あるいはガラス基材などによって、形成することができる。これらの中では、低コストのため、シリコン単結晶が最も好ましい。また、支持基板2の厚さは、電気エネルギー蓄積装置1全体の機械的強度を確保することができれば、とくに限定されるものではなく、例えば、10ないし1000μm程度に設定すればよい。バッファ層3は、支持基板2の上層に形成され、支持基板2と第一電極4を構成する電極薄膜との反応を防ぐバリア層としての役割を果たす。バッファ層3を形成するための材料は、例えば、ZrO2、ReO2、ReO2-ZrO2ReはイットリウムYまたは希土類元素、MgAlO4、γ一A12O3、SrTiO3、LaAlO3などによって、形成することができる。具体的には、これらの中から、支持基板2との格子整合性に優れ、熱膨張係数が、支持基板2と誘電体層6を構成する薄膜材料の間にある材料を選択して、バッファ層3を形成することが好ましい。また、バッファ層3は単層構造であっても、多層構造であってもよい。そして、バッファ層3の厚さは、支持基板2と第一電極4を構成する電極薄膜との反応を防ぐバリア層としての機能を確保することができれば、特に限定されず、例えば、1ないし1000nm程度に設定すればよい。なお、バッファ層3は設けなくてもよい。バッファ層3を設けない場合は、支持基板2の表面に、第一電極4を形成する。第一電極4は、バッファ層3の上層に薄膜に形成され、例えば、白金Pt、ルテニゥムRu、ロジウムRh、パラジウムPd、イリジウムIr、金Au、銀Ag、銅Cu、ニッケルNiなどの導電性の金属によって、形成することができる。具体的には、これらの材料の中から、支持基板2あるいはバッファ層3との格子整合性に優れた材料を選択して形成することが好ましい。また、第一電極4の電極薄膜の厚さは、薄膜キャパシタ20の一方の電極として機能することができれば、特に限定されるものではなく、例えば、500~2000nm程度に設定すればよい。集電子体層5は、金属、半導体物質又は導電的表面改質されたセラミックスの微粒子などにより構成されるが、本実施例の集電子体層5は、図3bに示すように集電子体の微粒子5aの積層をスパッタリング法などにより、第一電極4の表面上層に粒子径を制御しながら成形する。粒子径は200~2000nm程度で設定され、積層数は5~20層程度で成形され合わせて1μm~2μm程度の厚みに複合積層される図示例では2層である。微粒子5aの材料は、磁性材料として、鉄コバルト合金などの軟磁性材料あるいはマンガン酸化物のようにコロッサル効果超巨大磁気抵抗効果により磁性抵抗が常温で極めて高い材料を選定する。また、微粒子5aの材料として、第一電極4と同一の材料、即ち磁性材料ではない導電性の金属を用いてもよい。微粒子5aの材料として第一電極4と同一の材料の場合は電極の表面積を100~1000倍に増大させることができる。また、磁性材料を用いた場合は磁界の集電効果により電気エネルギーの蓄積量をさらに50~100倍に増大させることができる。誘電体層6は、第一電極4に積層した集電子体層5の上層に形成される。誘電体層6の材料としては高い誘電率を持つ材料、例えばチタン酸バリウムで形成される。誘電体層6は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法PLD、有機金属化学気相成長法metalorganicchemicalvapordeposition:MOCVD、有機金属分解法metalorganicdeacomposition:MODやゾルゲル法などの液相法CSD法などの各種薄膜形成法を用いて形成することができる。特に低温で、誘電体層6を形成する必要がある場合には、プラズマCVD、光CVD、レーザーCVD、光CSD、レーザーCSD法を用いることが好ましい。なお、誘電体層6は、図3aに示したように各層を薄膜で形成して集電子体層5は微粒子のまま層を形成して順次積層するため固体に形成される誘電体を用いる。誘電体層6の表面上層には、第一電極4と同様に集電子体層5をスパッタリング法などにより粒子径を制御しながら成形する。粒子系は200~2000nm程度で設定され、積層数は5層程度で成形され合わせて1μm~2μm程度の厚みに複合積層される。第二電極7は、誘電体層6の上層に形成した集電子体層5の上層に薄膜に形成されている。第二電極7は、導電性を有していれば特に限定されるものではなく、第一電極4と同様な材料によって形成することができるが、格子整合性を考慮する必要はなく、また、室温で形成することができるから、鉄Fe、ニッケルNiなどの卑金属や、WSi、MoSiなどの合金を用いて形成することもできる。また、第二電極7の電極薄膜の厚さは、薄膜キャパシタの他方の電極として機能することができれば、特に限定されるものではなく、例えば、1000~10000nm程度に設定すればよい。端子8は、第一電極4から引き出され、入出力回路本実施例では充電回路又は放電回路と接続するための一方の端子であり、端子8を引き出すために第一電極4は表出してマスキングで部分露出が行われている。端子9は、第二電極7から引き出され、前記入出力回路と接続するための他方の端子である。上述したように形成することで、第一電極4と誘電体層6および第2電極7と誘電体層6の間に集電子体層5が形成される。上述した薄膜キャパシタ20は、充電回路に端子8、9を接続することで、電荷電気エネルギーを充電蓄積する。この際に集電子体層5の微粒子5aが磁性材料で構成されていれば、超巨大磁気抵抗効果により電流のリークを防止して誘電体層6により多くの電荷を蓄積することができる。そして、端子8、9を充電回路から、図1の放電回路に切り替えることで充電した電荷を放電して負荷に電気エネルギーを供給し薄膜キャパシタとして動作する。本実施例によれば、第一電極4と誘電体層6との間および第二電極7と誘電体層6との間に、集電子体の微粒子5aにより構成された集電子体層6が形成されているので、第一電極4および第二電極7の表面積を拡大することができ、そのために蓄積できる電気エネルギーを増大させることができる。また、微粒子5aが非カーボン基材で形成されているので、大電圧や大電流を取り出すことができ、大きな電気エネルギーを得ることができる。また、集電子体層5の微粒子5aが、磁性材料で形成されているので、第一電極4と第二電極7との間に電圧を印加した場合に、電界により微粒子5aの磁性性能による集電率の向上が可能になり、より多くの電気エネルギーを蓄積することができる。なお、上述した集電子体層5の微粒子5aを磁性材料で形成する際は、予め着磁された状態で微粒子層を形成してもよいし、電気エネルギー形成装置1として製造して当該電気エネルギー形成装置1使用前に外部から磁界をかけて着磁してもよい。予め着磁すれば、後から着磁する必要が無く、そのための回路や装置等も必要ない。上記薄膜キャパシタ20の放電に際しては、前述のように、補助キャパシタ30を付設し、薄膜キャパシタ2の蓄電量が0になるまでインバータ変換を行う図2参照。図中、符号4はDC/DCインバータである。図4は、前記補助キャパシタを付設しない参考例図1参照の放電回路C2におけるインバータ変換の状態と、図2示した補助キャパシタ30を付設した本実施例のインバータ変換の状態を比較したものである。これにより本実施例のように補助キャパシタ30を付設することで、付設しない場合に比べて一層長く薄膜キャパシタ蓄電量が完全になくなるまで安定定電圧出力による放電効果を有することが確認できた。これは、薄膜キャパシタ20より電圧下降しながらの直流電流を受けて一時的に電荷を蓄積しDC/DCインバータ4にベース電圧のある状態で直流電流を供給する薄膜キャパシタ蓄電量が完全になくなるまで放電効果を有するからである。図5aは、実施例2の薄膜キャパシタ群20’にスイッチ装置SWにより切換可能に接続される充電回路C1と放電回路C2の模式図を示し、図5bは単体の薄膜キャパシタ20を示す。この薄膜キャパシタ20は、支持基板2、バッファ層3の上層に、第一電極4、集電子体層5、誘電体層6、集電子体層5、第二電極7、集電子体層5、誘電体層6、集電子体層5、第一電極4、...、というように第一電極4または第二電極7のいずれかと集電子体層5および誘電体層6さらにその上に形成される集電子体層5が順次交互に奇数層を積層する。積層にあたり各電極は交互にボンディングされ一対の対極を構成するために、1層おきに交互にボンディングを可能とするようにマスキングにより部分露出を行う。本実施例では積層数形成される薄膜キャパシタの積層数、つまり誘電体層6の数を例えば5~100程度を設定する。第一電極4と第2電極7は、交互に第一の積層電極接合用縦層電極10、第2の積層電極接合用縦層電極11のボンディング線によりそれぞれ結合されることで、最下位の電極から数えて奇数電極を第一電極4、偶数電極を第2電極7として分離される。即ち、前記ボンディング線が複数の第一の電極同士を接続する配線および複数の第二の電極同士を接続する配線となる。そして、第一電極4、第2電極7それぞれから端子8、9を引き出し、充電回路または放電回路図1参照に接続される。このようにすることで、複数の第一電極4と複数の第2電極7と複数の誘電体層6とを備え、第一電極4集電子体層5と第二電極7集電子体層5に挟まれた誘電体層6が順次積層された薄膜キャパシタ20を構成することができる。本実施例によれば、第一電極4集電子体層5と第二電極7集電子体層5に挟まれた誘電体層6が複数積層されて、それぞれが第一の積層電極接合用縦層電極10、第2の積層電極接合用縦層電極11のボンディング線によって並列に接続されるので、単層よりもさらに蓄積できる電気エネルギーを増大させることができる。本実施例では、薄膜キャパシタ20は単体でも複数でもよく、スイッチ装置SWは充電時には薄膜キャパシタ群20’を並列に接続し、放電時には薄膜キャパシタ群20’を直列に接続するものとしたが、充電時も放電時も薄膜キャパシタ20を直列に接続するものでもよい。上記単体又は複数の薄膜キャパシタの放電に際しては、実施例1の図2に示したように、補助キャパシタ30を付設し、薄膜キャパシタ2の蓄電量が0になるまでインバータ変換を行う点は前記実施例と同様であるので、同一構成には同一符号を付してその説明を省略する。本実施例3は、図6に示すように、支持基板2、バッファ層3の上層に、第一電極4、集電子体層5、誘電体層6、集電子体層5、第二電極7、集電子体層5、誘電体層6、集電子体層5、第一電極4、...、というように第一電極4または第二電極7のいずれかと集電子体層5および誘電体層6さらにその上に形成される集電子体層5が順次交互に奇数層を積層する。積層にあたり各電極は交互に積層電極接合用縦層電極に接合され一対の対極を構成するために、1層おきに交互に接合を可能とするようにマスキングにより部分露出を行いかつ絶縁誘電体層12を積層する。本実施例では積層数形成される薄膜キャパシタの積層数、つまり誘電体層6の数を例えば5~100程度を設定する。第一電極4と第2電極7は、交互に10、11によりそれぞれ結合されることで、最下位の電極から数えて奇数電極を第一電極4、偶数電極を第2電極7として分離される。即ち、第一及び第二の積層電極接合用縦層電極10、11が複数の第一の電極同士を接続する電極および複数の第二の電極同士を接続する電極となる。そして、第一電極4、第2電極7それぞれから端子8、9を引き出し、充電回路または放電回路図1参照に接続される。このようにすることで、複数の第一電極4と複数の第2電極7と複数の誘電体層6とを備え、第一電極4集電子体層5と第二電極7集電子体層5に挟まれた誘電体層6が順次積層された薄膜キャパシタ20’を構成することができる。本実施例によれば、第一電極4集電子体層5と第二電極7集電子体層5に挟まれた誘電体層6が複数積層されて、それぞれが第一及び第二の積層電極接合用縦層電極10、11によって並列に接続されるので、単層よりもさらに蓄積できる電気エネルギーを増大させることができる。なお、上述した3つの実施例では、薄膜キャパシタ20’の各層は矩形平型の形状で積層していくが、マスキングの方式、薄膜成形方式により自由な形状を選択することが出来る。薄膜キャパシタ20’の放電については前記実施例と同様であるので、その説明を省略する。上記実施例の薄膜キャパシタは一例を示すものであり、本発明は上記実施例の構成に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で種々設計変更しうる。