"表面にマスクパターンが形成された基板を真空槽内に配置し、前記真空槽内に導入したガスのプラズマを発生させ、前記基板に高周波電場を印加しながら前記プラズマを用いて前記基板をエッチングし、前記真空槽内に設置されたターゲット材を前記プラズマでスパッタして、前記基板に形成されたエッチングパターンの側壁部に保護膜を形成し、前記基板に対するエッチングの進行に応じて前記高周波電場の周波数を変化させるプラズマエッチング方法。請求項1に記載のプラズマエッチング方法であって、前記エッチングする工程は、第1の周波数の前記高周波電場でエッチングする第1の工程と、前記第1の工程の後、前記第1の周波数より高い第2の周波数の前記高周波電場でエッチングする第2の工程と、前記第2の工程の後、前記第2の周波数より低い第3の周波数の前記高周波電場でエッチングする第3の工程とを含むプラズマエッチング方法。請求項2に記載のプラズマエッチング方法であって、前記基板は、シリコン基板または石英基板であるプラズマエッチング方法。請求項3に記載のプラズマエッチング方法であって、前記第1の周波数と前記第3の周波数は同一であるプラズマエッチング方法。請求項4に記載の前記第1の周波数は1.0MHzであり、前記第2の周波数は13.56MHzであるプラズマエッチング法。真空槽と、前記真空槽内に配置された基板を支持するためのステージと、前記真空槽内に導入されたガスをプラズマ化するプラズマ発生手段と、前記ステージに第1の周波数の高周波電場を印加するための第1の高周波電源と、前記ステージに前記第1の周波数より高い第2の周波数の高周波電場を印加するための第2の高周波電源と、前記ステージに対する前記第1の高周波電源の接続と前記ステージに対する前記第2の高周波電源の接続とを制御する制御手段とを具備するプラズマエッチング装置。請求項6に記載のプラズマエッチング装置であって、前記制御手段は、エッチングの開始時に前記第1の高周波電源と前記ステージを接続し、エッチングの進行に伴い前記第2の高周波電源と前記ステージを接続し、さらなるエッチングの進行に伴い前記第1の高周波電源と前記ステージを接続するプラズマエッチング装置。しかしながら、特許文献1に記載のエッチング法及びエッチング装置では、プラズマ中のイオンを基板に引き込む高周波電場の周波数はエッチングの工程中は同一とされている。ここで、高周波電場の周波数が高い場合、エッチングマスクと基板との選択性が高く、エッチング速度も大きい一方、エッチングの等方性が大きい。このため、エッチングの進行に伴いパターンの内壁が侵食され、パターン内径が拡張されるおそれがある。また、高周波電場の周波数が低い場合、エッチングの異方性が大きい一方、エッチングマスクと基板との選択性が小さく、エッチング速度も小さい。このため、エッチングの進行に伴いパターンの深部に到達するイオンの数が減少し、パターン内径が縮小されるおそれがある。このように、特に高アスペクト比のパターンでは開口から底部まで一定の内径を有するパターンを形成することは困難である。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、高アスペクト比を有しながら内径が均一なパターンを形成することが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供することにある。本発明の一形態に係るプラズマエッチング方法は、表面にマスクパターンが形成された基板を真空槽内に配置することを含む。上記真空槽内に導入したガスのプラズマが発生させられる。上記基板は、高周波電場を印加されながら上記プラズマを用いてエッチングされる。上記真空槽内に設置されたターゲット材は、上記プラズマでスパッタされ、保護膜が基板に形成されたエッチングパターンの側壁部に形成される。上記高周波電場の周波数は、上記基板に対するエッチングの進行に応じて変化させられる。本発明の一形態に係るプラズマエッチング装置は、真空槽と、ステージと、プラズマ発生手段と、第1の高周波電源と、第2の高周波電源と、制御手段とを具備する。上記ステージは、上記真空槽内に配置された基板を支持する。上記プラズマ発生手段は、上記真空槽内に導入されたガスをプラズマ化する。上記第1の高周波電源は、上記ステージに第1の周波数の高周波電場を印加する。上記第2の高周波電源は、上記ステージに上記第1の周波数より高い第2の周波数の高周波電場を印加する。上記制御手段は、上記ステージに対する上記第1の高周波電源の接続と上記ステージに対する上記第2の高周波電源の接続とを制御する。本発明の一実施形態に係るプラズマエッチング方法は、表面にマスクパターンが形成された基板を真空槽内に配置することを含む。上記真空槽内に導入したガスのプラズマが発生させられる。上記基板は、高周波電場を印加されながら上記プラズマを用いてエッチングされる。上記真空槽内に設置されたターゲット材は、上記プラズマでスパッタされ、保護膜が基板に形成されたエッチングパターンの側壁部に形成される。上記高周波電場の周波数は、上記基板に対するエッチングの進行に応じて変化させられる。上記プラズマエッチング方法によれば、エッチングにより形成されたパターンにスパッタによる保護膜が形成され、パターンの側壁方向がエッチングされることが防止される。また、エッチング時に印加される高周波電場の周波数を変更することにより、エッチングの指向性等方的か異方的かを変化させることが可能となる。エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。上記エッチングする工程は、第1の周波数の上記高周波電場でエッチングする第1の工程と、上記第1の工程の後、上記第1の周波数より高い第2の周波数の上記高周波電場でエッチングする第2の工程と、上記第2の工程の後、上記第2の周波数より低い第3の周波数の上記高周波電場でエッチングする第3の工程とを含んでもよい。上記構成によれば、エッチング開始段階ではエッチングの異方性が高い第1の周波数によりエッチングすることにより高い加工精度が得られる。次にエッチングの等方性が高い第2の周波数によりエッチングすることによりパターンの内径が縮小することが防止される。エッチング終了段階では再びエッチングの異方性が高い第3の周波数によりエッチングすることによりパターンの内径が拡張することが防止される。上記基板は、シリコン基板または石英基板であるものとしてもよい。上記構成によれば、シリコン基板あるいは石英基板上に、高アスペクト比ながら内径が均一なパターンを形成することが可能である。上記第1の周波数と上記第3の周波数は同一であるものとしてもよい。上記第1の周波数は1.0MHzであり、上記第2の周波数は13.56MHzであるものとしてもよい。本発明の一実施形態に係るプラズマエッチング装置は、真空槽と、ステージと、プラズマ発生手段と、第1の高周波電源と、第2の高周波電源と、制御手段とを具備する。上記ステージは、上記真空槽内に配置された基板を支持する。上記プラズマ発生手段は、上記真空槽内に導入されたガスをプラズマ化する。上記第1の高周波電源は、上記ステージに第1の周波数の高周波電場を印加する。上記第2の高周波電源は、上記ステージに上記第1の周波数より高い第2の周波数の高周波電場を印加する。上記制御手段は、上記ステージに対する上記第1の高周波電源の接続と上記ステージに対する上記第2の高周波電源の接続とを制御する。上記制御手段は、エッチングの開始時に上記第1の高周波電源と上記ステージを接続し、エッチングの進行に伴い上記第2の高周波電源と上記ステージを接続し、さらなるエッチングの進行に伴い上記第1の高周波電源と上記ステージを接続する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。図1は、本発明の第1の実施形態によるプラズマエッチング方法に適用されるプラズマエッチング装置20の概略構成図である。図示するプラズマエッチング装置20は、NLD磁気中性線放電:magneticNeutralLoopDischarge型のプラズマエッチング装置として構成されており、基板表面のエッチング機能と、基板表面のエッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する機能とを兼ね備えている。図1において、21は真空槽であり、内部にプラズマ形成空間21aを含む真空チャンバプラズマチャンバが形成されている。真空槽21にはターボ分子ポンプTMP等の真空ポンプが接続され、真空槽21の内部が所定の真空度に真空排気されている。プラズマ形成空間21aの周囲には、真空槽21の一部を構成する筒状壁22によって区画されている。筒状壁22は石英等の透明絶縁材料で構成されている。筒状壁22の外周側には、第1高周波電源RF1に接続されたプラズマ発生用の高周波コイルアンテナ23と、この高周波コイル23の外周側に配置された三つの磁気コイル群2424A,24B,24Cがそれぞれ配置されている。磁気コイル24Aと磁気コイル24Cにはそれぞれ同一方向に電流が供給され、磁気コイル24Bには他の磁気コイル24A,24Cと逆方向に電流が供給される。その結果、プラズマ形成空間21aにおいて、磁場ゼロとなる磁気中性線25が環状に連続して形成される。そして、高周波コイル23により磁気中性線25に沿った誘導電場高周波電場が形成されることで、放電プラズマが形成される。特に、NLD方式のプラズマエッチング装置においては、磁気コイル24A~24Cに流す電流の大きさによって、磁気中性線25の形成位置および大きさを調整することができる。すなわち、磁気コイル24A,24B,24Cに流す電流をそれぞれIA,IB,ICとしたとき、IA>ICの場合は磁気中性線25の形成位置は磁気コイル24C側へ下がり、逆に、IA<ICの場合は磁気中性線25の形成位置は磁気コイル24A側へ上がる。また、中間の磁気コイル24Bに流す電流IBを増していくと、磁気中性線25のリング径は小さくなると同時に、磁場ゼロの位置での磁場の勾配が緩やかになる。これらの特性を利用することで、プラズマ密度分布の最適化を図ることができる。一方、真空槽21の内部には、半導体ウエハシリコンSi基板Wを支持するステージ26が設置されている。ステージ26は、導電体で構成されており、制御部36に接続されている。ステージ26には、基板Wを所定温度に加熱するためのヒータ等の加熱源が内蔵されている。制御部36は、コンデンサ27を介して第2高周波電源RF21.0MHzと、コンデンサ35を介して第3高周波電源RF313.56MHzに接続されている。制御部36は、第2高周波電源RF2と第2高周波電源RF3のどちらがステージ26と接続されるかを切り替える。制御部36は例えば、切り替え信号を出力するコンピュータによって制御される。第2高周波電源RF2の周波数は1.0MHzに限られず、採用するエッチング条件において、エッチングの異方性が大きくなる周波数、即ち、後述するように物理的プロセスが支配的となる周波数の範囲内とすることが可能である。また、第3高周波電源RF3の周波数は13.56MHzに限られず、採用するエッチング条件において、エッチングの等方性が大きくなる周波数、即ち後述するように化学的プロセスが支配的となる周波数の範囲内とすることが可能である。プラズマ形成空間21aの上部には、天板29が設置されている。天板29は、ステージ26の対向電極として構成されており、コンデンサ28を介して第4高周波電源RF4に接続されている。天板29のプラズマ形成空間21a側の面には、スパッタにより基板を成膜するためのターゲットスパッタリングターゲット30が取り付けられている。ターゲット30は、本実施形態では、ポリテトラフルオロエチレンPTFE等のフッ素樹脂が用いられているが、これ以外の合成樹脂材料、あるいは珪素材、炭素材、炭化珪素材、酸化珪素材、窒化珪素材等が適用可能である。天板29の近傍には、真空槽21の内部にプロセスガスを導入するためのガス導入管31が設置されている。本実施形態において、プロセスガスは、エッチング用のガス、スパッタ用のガス、そして、後述するクリーニング用のガスが含まれる。プラズマエッチング装置20の動作を説明する。図2は、プラズマエッチング装置20の動作の一例を示すフローチャートである。同図に示すように、プラズマエッチング装置20では、エッチングST101、203等とスパッタリングST102、ST203等とクリーニングST201、ST301が行われる。エッチングによる基板Wの表面の除去と、スパッタリングによる保護膜の成膜が交互に複数サイクル50~100サイクル行われた後、クリーニングによる堆積物の除去が行われ、再びエッチング、スパッタリングが実行されることによって所定のパターンが形成される。エッチング及びスパッタリングの実行回数は適宜設定することが可能であり、クリーニングの間にエッチング及びスパッタリングを繰り返す回数も任意である。RF2エッチングST101、ST302等は、ステージ26に高周波電源RF2が接続されて、ステージ26に高周波電源RF2の周波数1.0MHzの高周波が印加された状態で進行するエッチングを意味する。RF3エッチングST201等は、ステージ26に高周波電源RF3が接続され、ステージ26に高周波電源RF3の周波数13.56MHzの高周波が印加された状態で進行するエッチングを意味する。図2では、クリーニングの前後で周波数が変更されているが、これに限られず、例えば、ステップ103をRF3エッチングとすることも可能である。エッチング及びスパッタリングについて説明する。図3は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置20の動作例を示すタイミングチャートである。図3において、Aは、高周波コイル23に供給される第1高周波電源RF1の電力印加タイミング、Bは、ステージ26に供給される第2高周波電源RF2の電力印加タイミング、Cは、ステージ26に供給される第3高周波電源RF3の電力印加タイミング、Dは、天板29に供給される第4高周波電源RF4の電力印加タイミング、Eは、真空槽21の内部における圧力をそれぞれ示している。この例では、エッチングの処理圧力プロセスガス導入量は、スパッタリングのそれよりも高く設定されている。基板Wの表面にはあらかじめ、マスクパターンが形成されている。このマスクパターンには、有機レジストやメタルマスク等のエッチングマスクが含まれる。エッチングおよびスパッタリングでは、プラズマ形成空間21aに、磁気コイル群24による環状磁気中性線25が形成され、更に、第1高周波電源RF1から高周波コイル23への電力投入により、環状磁気中性線25に沿って誘導結合プラズマが形成される。エッチングにおいて、真空槽21の内部に導入されたエッチングガスSF6とArの混合ガスは、プラズマ形成空間21aでプラズマ化され、生成されたイオンとラジカルによりステージ26上の基板Wをエッチング処理する。このとき、第2高周波電源RF2、もしくは第3高周波電源RF3からの電力投入で基板バイアスがONとなり、イオンをステージ26側へ加速させ、基板W上のラジカル生成物をスパッタ除去してエッチング性を高める。すなわち、フッ素ラジカルがシリコンと反応してラジカル生成物を形成し、これをプラズマ中のイオンによるスパッタ作用で除去することで、基板Wのエッチング処理が進行する。第2高周波電源RF2及び第3高周波電源RF3の切替については後述する。エッチング処理を所定時間行った後、真空槽21の内部に残留するエッチングガスが排気される。そして、保護膜形成用のプロセスガスArが真空槽21の内部に導入されることでスパッタリングが開始される。導入されたプロセスガスは、プラズマ形成空間21aでプラズマ化される。このとき、基板バイアスRF2もしくはRF3はOFFとなり、代わりに、第4高周波電源RF4からの電力投入で天板バイアスがONとなる。その結果、天板29に設置されたターゲット30はプラズマ中のイオンによりスパッタされ、そのスパッタ物が基板Wの表面および上述のエッチングで形成されたエッチングパターンに付着する。以上のようにして、エッチングパターンの底部および側壁部に、保護膜として機能するポリマー層が形成される。ここで、ターゲット30から叩き出されたスパッタ粒子は、プラズマ形成空間21aに形成されているNLDプラズマを通過して基板へ到達する。このとき、スパッタ粒子は、環状磁気中性線25が形成される高密度プラズマ領域で分解、再励起されることにより、化学的蒸着法CVD法に類似する成膜形態で、基板の表面に対して等方的に入射する。したがって、本実施形態によって得られるエッチングパターンの段差被膜保護膜は、カバレッジ性が高く、面内均一性に優れる。なお、スパッタリングのプロセスガスとして、例えば、Arとフロロカーボン系ガスC4F8、CHF3等の混合ガスを用いることで、プロセスガス中の反応ガスがプラズマ形成空間21aにおいてプラズマ化し、そのラジカル生成物が基板表面に堆積することによって、保護膜として機能するポリマー層を形成する。更に、プロセスガスとして上記混合ガスを用いることで、Arガスのみをプロセスガスとして用いる場合に比べてスパッタレート成膜レートの向上を図ることができる。スパッタリングを所定時間行った後、再び上述したエッチングが行われる。このエッチングの初期段階は、エッチングパターンの底部を被覆する保護膜の除去作用に費やされる。その後、保護膜の除去により露出したエッチングパターンの底部のエッチング処理が再開される。このとき、プラズマ中のイオンは、基板バイアス作用によって基板に対して垂直方向に入射する。このため、エッチングパターンの側壁部を被覆する保護膜に到達するイオンは、エッチングパターンの底部に到達するイオンに比べて少ない。したがって、エッチングの間、エッチングパターンの側壁部を被覆する保護膜は完全に除去されることなく残留する。これにより、エッチングパターンの側壁部とフッ素ラジカルとの接触が回避され、エッチングパターンの側壁部のエッチングによる侵食が防止される。以上のようにエッチングとスパッタリングが交互に複数回実行されることによってパターンが形成される。ここで、エッチングの際にステージ26に接続される高周波電源を、制御部36によって第2高周波電源RF2と第3高周波電源RF3のいずれかに切り替えることによって、基板Wに印加される高周波の周波数を変更し、エッチング特性を最適なものとする。図4は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置20による、基板に印加される高周波の周波数について説明する図である。図4Aは、エッチングの進行にともなって周波数が変更される様子を示す。図示するように、開口に近い部分、すなわちエッチングの開始段階においては第2高周波電源RF21.0MHzが用いられ、中間段階においては第3高周波電源RF313.56MHzが用いられ、最奥部分、すなわち終了段階においては再び第2高周波電源RF21.0MHzが用いられる。図4Bは、形成されたパターンの、エッチング深度毎の使用周波数を示す。図5は、パターン形状への高周波の周波数の影響を示す図である。図5Aは、エッチング時に高周波の周波数を1.0MHzのみとした場合のパターンの概念図である。同図に示すように、当該パターンでは開口から先端に向かって径が縮小し、また、エッチングマスクMの膜厚が減少する。図5Bは、エッチング時に高周波の周波数を13.56MHzのみとした倍のパターンの概念図である。同図に示すように、当該パターンは側壁がエッチングされて拡張され、一方、エッチングマスクMの膜厚はほとんど減少しない。エッチング時の高周波の周波数がエッチング特性に与える影響として、選択性、指向性、エッチング速度が上げられる。上述のように、エッチングガスのプラズマは高周波電場によりラジカルとイオンに解離し、生成したラジカルと基板Wが反応化学的プロセスし、イオンが基板Wに衝突してラジカル生成物が除去物理的プロセスされることにより進行する。高周波の周波数は、プラズマの解離度と、基板Wに入射するイオンの入射エネルギーに影響を与える。このため、高周波の周波数により化学的プロセスと物理的プロセスのどちらが支配的であるかが異なり、エッチング特性が変化する。周波数が高い高周波13.56MHzは、低い高周波1.0MHzに比べ、プラズマの解離度が大きく、化学的プロセスの寄与が大きいのに対し、低い周波数は高い周波数に比べイオンの入射エネルギーが大きく、物理的プロセスの寄与が大きい。選択性は、エッチングマスクMと基板Wのエッチング速度の比である。基板Wのみがエッチングされ、エッチングマスクMはエッチングされない場合が理想的であるが、多くの場合、エッチングマスクMもエッチングされる。選択性が大きい場合、エッチング速度の差が大きい、すなわちエッチングマスクMはエッチングされ難く、選択性が小さい場合エッチング速度の差は小さい、すなわちエッチングマスクMはエッチングされ易い。パターンの形成が完了する前にエッチングマスクMが失われてしまうと、基板W上のマスクされるべき領域もエッチングされてしまうため、選択性が大きい方が好適である。本実施形態に係るプラズマエッチング装置20において、周波数が1.0MHzである場合は選択性は小さく、13.56MHzである場合は選択性は大きい。これは、物理的プロセスよりも化学的プロセスによるエッチングの進行が支配的であり、基板WとエッチングマスクMの材質化学組成が異なるため、化学的プロセスの寄与が大きい13.56MHzではエッチング速度の差が大きいためである。指向性は、エッチングが等方的に進行するか、異方的に進行するかを意味する。本実施形態に係るプラズマエッチング装置20においては、パターンの側壁部を保護するための保護膜が形成されるが、エッチングの等方性が大きい場合は、側壁部の保護膜も除去され高アスペクト比のパターンを形成することができない。本実施形態に係るプラズマエッチング装置20において、周波数が1.0MHzである場合は異方性が大きく、13.56MHzである場合は等方性が大きい。これは、イオンの入射物理的プロセスは異方性が大きく、ラジカルと基板Wとの反応化学的プロセスは等方性が大きいためである。エッチング速度は基板Wを深度方向にエッチングする速度である。本実施形態に係るプラズマエッチング装置20においては、周波数が13.56MHzである場合が1.0MHzである場合に比べエッチング速度が大きい。これは、高周波ほどプラズマ解離が進行し、結果的にフッ素ラジカルが多く生成されるためである。図5Aにおいては、エッチングの異方性が高いため、パターンの深度が深くなるにつれて、底部に到達するイオンが減少し開口から先端に向かって径が縮小し、エッチング速度も遅い。また、上述のようにエッチングマスクMの残存膜厚が小さい。図5Bにおいては、エッチングの等方性が高いため、パターンの側壁がエッチングされて拡張されて、エッチングパターンの形状維持性が低下する。以上のように高周波の周波数が大きい例えば13.56MHz場合、化学的プロセスの寄与が大きいことに起因し、選択性が大きく、エッチング速度が大きい一方、エッチングの等方性が大きい。また、高周波の周波数が小さい例えば1.0MHz場合、物理的プロセスの寄与が大きいことに起因し、エッチングの異方性が大きい一方、選択性が小さく、エッチング速度が小さい。このような高周波の周波数によるエッチング特性への影響を利用して、エッチングの進行に伴い高周波の周波数を切り替える。エッチング開始段階では高周波の周波数を1.0MHzとする第2高周波電源RF2を用いる。異方性が高い1.0MHzとすることにより、開口の加工精度を維持することが可能である。エッチングがある程度進行した段階で、高周波の周波数を13.56MHzとする第3高周波電源RF3を用いる。等方性が高い13.56MHzとすることにより、パターンの径が収縮することを防止し、かつ、エッチング速度を向上させることが可能である。また、エッチングマスクがエッチングされることも防止される。さらにエッチングが進行した段階で、高周波の周波数を再び1.0MHzとする。13.56MHzのままでは、上述のように側壁が拡張してしまうが、適当な段階で1.0MHzに変更することにより、パターンの形状を維持することが可能である。また、パターンの底面の加工精度も高いものとなる。以上のように、エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。同時に、加工精度、エッチング速度、エッチングマスク残存膜厚のいずれも向上させることが可能である。次に、本発明に係るターゲット30の表面のクリーニング工程について説明する。基板のエッチング処理および保護膜の成膜処理を続けると、プラズマ形成空間21a内で生成されるエッチングガスSF6/Ar、ターゲット材PTFE、基板材料シリコン等に関連する反応生成物がターゲット30の表面に堆積する。この種の堆積膜は、プラズマの照射を受けてスパッタされて、基板の表面に形成されたエッチングパターンに付着する。エッチングの際に上記堆積膜のスパッタ物がエッチングパターンの開口部に堆積することによってエッチングの進行を妨げる。そこで本実施形態では、エッチングの途中またはエッチング後に、真空槽21内の雰囲気ガスを酸素系ガスに置換して、ターゲット30の表面を清浄化するためのクリーニング工程が実施される。このクリーニング工程では、真空槽21内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット30の表面に付着した反応生成物をプラズマアッシングによって除去する。このクリーニング工程で用いられるプロセスガスとしては、O2、O3、COx、NOx、H2O、SOxの何れか又はこれらの混合ガスが用いられる。また、これら酸素系ガスと希ガスとの混合ガスを用いてもよい。プロセス圧力は、エッチングと同程度に設定され、例えば1.0Pa~6.0Paである。酸素系ガスのプラズマは、第1高周波電源RF1に接続された高周波コイル23および磁気コイル群24を用いて発生される。図2では、ターゲット30のクリーニングを、エッチングとスパッタリングを交互に複数回実行した後に実施する例を示している。エッチングとスパッタリングを所定サイクル50~100サイクル実施する毎に、ターゲット30の表面のクリーニング処理が実行される。上述したように、エッチング時の周波数を変更するタイミングとクリーニングのタイミングは関連しない。第2の実施形態図6は、本発明の第2の実施形態に係るプラズマエッチング装置37の概略構成図である。なお、図において上述の第1の実施形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。本実施形態では、基板Sは石英基板で構成され、ターゲット38はシリコンSiプレートで構成されている。また、天板29は、コンデンサ28を介して、高周波コイル23用の第1高周波電源RF1と接続される。これにより、プラズマ形成空間21a内でプラズマが形成されている間、天板29にもバイアス電力が印加される。一方、真空槽21の内部には、基板Wを支持するステージ26が設置されている。ステージ26は、導電体で構成されており、コンデンサ27を介して第2高周波電源RF2と、コンデンサ35を介して第3高周波電源RF3に接続されている。第2高周波電源RF21.0MHzと第3高周波電源RF313.56MHzは、制御部36によって接続されている。石英からなる基板Wのエッチングガスには、C3F8やCF4、CHF3等のフロロカーボン系ガスが用いられる。プラズマ形成空間21aでエッチングガスのプラズマを発生させて、表面にマスクパターンが形成された基板Wをエッチングする。エッチング時、ターゲット38に高周波電力が印加されることで、プラズマ中のイオンが天板29へ引き込まれ、ターゲット38をスパッタする。スパッタされたシリコン粒子はエッチングガスの一部と反応し、チャンバ内におけるエッチャント濃度を調整する機能を果たす。これにより、基板Wの適切なエッチング処理が可能となり、形状制御性に優れたパターン加工を実現する。このような構成のプラズマエッチング装置37においても、第1の実施形態と同様に、エッチングの進行段階に応じて高周波の周波数を変更することにより、加工精度、エッチング速度、エッチングマスク残存膜厚のいずれも向上させることが可能である。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。上述の実施形態では、エッチング工程において、ステージに印加される高周波電力の周波数を2回切り替えたが、この回数は2回に限られず、より多段階であってもよい。また、連続的に高周波の周波数を変化させてもよい。また、エッチング開始段階において低い周波数とし、その後に高い周波数、さらに再び低い周波数としたが、この順に限られず、所望するパターンの形状に合わせて適宜変更することができる。上述の実施形態では、ステージに接続される、周波数の異なる高周波電源を2基としたが、これに限られず、3基以上でもよい。あるいは、1基の高周波電源でその発振周波数を可変としてもよい。エッチング開始から終了までにわたって使用される周波数の大きさ、切り替え順序、切り替え回数等は、要求されるエッチング精度、パターン形状、アスペクト比の大きさ等に応じて、適宜設定可能である。"