半導体原料融液を貯留するルツボを内部に有する密閉可能なメインチャンバと、前記メインチャンバの上部に設けられ引上げられた半導体単結晶を収容するプルチャンバと、前記プルチャンバに連通する開口部を有する密閉可能なプルヘッドと、前記プルヘッド内に設けられ前記開口部を通過して前記半導体原料融液から半導体単結晶を引上げるワイヤを巻き取る巻取りドラムと、前記プルヘッド内に設けられ前記巻取りドラムに巻き取られるワイヤの引上げ経路を調整するシーブとを備えた単結晶引上げ装置において、前記シーブは、シーブ回転軸芯が前記巻取りドラムの巻取り軸芯より下方に位置するように、かつ上方から透視して前記シーブ回転軸芯が前記開口部を挟んで前記巻取り軸芯に相対向するように位置変更可能に設けられ、前記巻取りドラムは、ドラム周縁がワイヤの引上げ中心線から所定の距離だけ前記シーブ側に位置するように設けられ、前記シーブが前記開口部と前記ドラムとの間の前記ワイヤを前記巻取りドラム側に横押しすることにより、前記開口部を通過して前記巻取りドラムに巻取られるワイヤの引上げ経路を調整するように構成されたことを特徴とする単結晶引上げ装置。前記巻取りドラムの半径をR、前記シーブの半径をr、前記ワイヤの直径をS、前記巻取りドラムの巻取り軸芯から前記シーブ回転軸芯までの距離をLとするとき、前記Lが下記の式1を満たし、かつ前記巻取りドラムの中心を通る水平線に対する前記巻取りドラムの巻取り軸芯と前記シーブ回転軸芯とを結ぶ直線のなす角度が0より大きく90度より小さい角度になるように、前記巻取りドラムと前記シーブが配置された請求項1記載の単結晶引上げ装置。RrS/2≦L≦Rr4S1前記シーブの位置変更が前記プルヘッドの底部に備える摺動可能な位置変更装置により行われる請求項1又は2記載の単結晶引上げ装置。前記ワイヤの直径が4~6mmである請求項1ないし3いずれか1項に記載の単結晶引上げ装置。前記角度が20~40度である請求項2ないし4いずれか1項に記載の単結晶引上げ装置。近年、生産性の改善等の理由から、半導体ウェーハの大口径化が益々進んでいるが、直径450mm以上の大口径ウェーハにもなると、育成する単結晶の径とともに、その重量も大幅に大きくなる。そのため、大口径単結晶の引上げに対応させるためには、単結晶の重さによるワイヤの破断等を防止すべく、ワイヤの径を太くしたり、或いは強度の高い材質のものに変更する等の何らかの対策を要する。ワイヤの径を太くする場合、ワイヤの径を太くする前と比べて巻取りドラムによって巻き取られるワイヤの曲率が大きくなるため、曲げが原因でワイヤの破断等が起こりやすくなる。そのため、ワイヤの径を太くする場合は、巻き付けられるワイヤの曲率を下げるために、巻取りドラムの径を大きくせざるを得ない。しかしながら、図4に示す従来の引上げ装置30において、大口径単結晶の引上げに対応させるため、単純に巻取りドラム36の径を大きくすると、プルヘッド34のハウジングの容積が従来の2倍以上にもなってしまう。プルヘッド34は、単結晶引上げ中に回転するため、ハウジングの容積及び重量が大きくなると、回転精度が落ちたり、引上げ中の回転バランスが崩れてプルヘッド34の水平度が損なわれ、単結晶の品質にが低下するという問題が生じる。また、引上げ装置30の大幅な仕様変更が必要となるため、コストが非常に高くなるという問題もあった。更に、図4に示す従来の引上げ装置30において、ワイヤ35の直径を大きくすると、引上げ中のワイヤ35の鉛直方向に対する振れ幅が大きくなり、引上げ安定性が低下するという問題がある。即ち、ワイヤ35は、通常、6~8本程度のストランドと呼ばれる撚り線を更に撚りあわせることにより構成されており、ワイヤ35の径が大きくなると、この撚りが戻る方向にワイヤ35自身が回転する力が強く働く。このようなワイヤ35の自転性が、外乱因子となってワイヤ35の鉛直方向に対する振れ幅が大きくなると考えられる。また、プルヘッド34のハウジングの容積を抑えるために、シーブ37自体を取り除くことも考えられるが、装置芯調整作業を簡単にするという理由から採用することは困難である。そこで、巻取りドラム36の径を大きくしてもプルヘッド34の容積を大きくすることなく、しかも引上げ安定性に優れた装置の改良が求められていた。本発明の目的は、大幅な装置の改良を要することなく、大口径単結晶の安定した引上げに対応させた単結晶引上げ装置を提供することにある。本発明の第1の観点は、半導体原料融液を貯留するルツボを内部に有する密閉可能なメインチャンバと、メインチャンバの上部に設けられ引上げられた単結晶を収容するプルチャンバと、プルチャンバに連通する開口部を有する密閉可能なプルヘッドと、プルヘッド内に設けられ開口部を通過して半導体原料融液から半導体単結晶を引上げるワイヤを巻き取る巻取りドラムと、プルヘッド内に設けられ巻取りドラムに巻き取られるワイヤの引上げ経路を調整するシーブとを備えた単結晶引上げ装置において、シーブは、シーブ回転軸芯が巻取りドラムの巻取り軸芯より下方に位置するように、かつ上方から透視してシーブ回転軸芯が開口部を挟んで巻取り軸芯に相対向するように位置変更可能に設けられ、巻取りドラムは、ドラム周縁がワイヤの引上げ中心線から所定の距離だけシーブ側に位置するように設けられ、シーブが開口部と巻取りドラムとの間のワイヤを巻取りドラム側に横押しすることにより、開口部を通過して巻取りドラムに巻取られるワイヤの引上げ経路を調整するように構成されたことを特徴とする。本発明の第2の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更に巻取りドラムの半径をR、シーブの半径をr、ワイヤの直径をS、巻取りドラムの巻取り軸芯からシーブ回転軸芯までの距離をLとするとき、Lが下記の式1を満たし、かつ巻取り軸芯を通る水平線mに対する巻取り軸芯と回転軸芯とを結ぶ直線nのなす角度θが0より大きく90度より小さい角度になるように、巻取りドラムとシーブが配置されたことを特徴とする。RrS/2≦L≦Rr4S1本発明の第3の観点は、第1又は第2の観点に基づく発明であって、更にシーブの位置変更がプルヘッドの底部に備える摺動可能な位置変更装置により行われることを特徴とする。本発明の第4の観点は、第1ないし第3の観点に基づく発明であって、更にワイヤの直径が4.0~6.0mmであることを特徴とする。本発明の第5の観点は、第2ないし第4の観点に基づく発明であって、更に上記角度θが20~40度であることを特徴とする。本発明の第1の観点の単結晶引上げ装置では、シーブは、シーブ回転軸芯が巻取りドラムの巻取り軸芯より下方に位置するように、かつ上方から透視してシーブ回転軸芯が開口部を挟んで巻取り軸芯に相対向するように位置変更可能に設けられ、巻取りドラムは、ドラム周縁がワイヤの引上げ中心線から所定の距離だけシーブ側に位置するように設けられる。そして、シーブが開口部とドラムとの間のワイヤを巻取りドラム側に横押しすることにより、開口部を通過して巻取りドラムに巻取られるワイヤの引上げ経路を調整するように構成される。このように、本発明の単結晶引上げ装置では、従来の引上げ装置における巻取りドラムやシーブの配置といった巻取り機構を見直し、上記構成からなる新規な巻き取り機構を備えた装置である。これにより、大口径単結晶の引上げに対応する大型の巻き取りドラムを備えても、従来の引上げ装置が備えるプルヘッドのハウジングの容積を大きくすることなく、しかも優れた引上げ安定性を維持することができる。本発明の第3の観点の単結晶引上げ装置では、更にプルヘッドの底部に、摺動可能な位置変更装置を備える。これにより、ワイヤ15を押付ける力の調整や、ワイヤの引上げ中心線の位置の微調整、ワイヤ15交換又は確認等を容易に行うことができる。次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。本発明の単結晶引上げ装置は、CZ法による大口径単結晶の安定した引上げに対応すべく、例えば、図4に示すような従来の引上げ装置に改良を加えたものである。本発明の引上げ装置は、従来の引上げ装置と同様、図1に示すように、図示しない半導体原料融液が貯留されたルツボを内部に有する密閉可能なメインチャンバ11を有する。メインチャンバ11の上部には、引上げられた単結晶を収納するプルチャンバ12が設けられる。プルチャンバ12には、図示しない不活性ガス供給手段が設けられ、また、メイン真空ポンプ等がチャンバ外に設けられる。また、プルチャンバ12の上部には、プルチャンバ12に連通する開口部13を有する密閉可能なプルヘッド14が設けられる。開口部13には、ワイヤ15のプルチャンバ12に対する吊り下げ位置を規定する位置規制孔C1を有するセンターピースCが嵌合される。そして、プルヘッド14内には、開口部13を通過して半導体原料融液から半導体単結晶を引上げるワイヤ15を巻き取る巻取りドラム16と、巻取りドラム16に巻き取られるワイヤ15の引上げ経路を調整するシーブ17とを備える。シーブ17は、シーブ回転軸が巻取りドラムの巻取り軸16aと平行になるように設けられる。また、単結晶の引上げ中、プルヘッド14を回転させるため、プルヘッド14の下部には、従動プーリ18、駆動ベルト19、図示しない駆動モータ等の回転手段や、プルヘッド真空シール材20等が設けられている。また、巻取りドラム16の巻き取り軸16aは、いわゆるボールスプライン構造になっており、巻取りドラム16はワイヤの巻き取り中、図1において矢印の方向へ回転するとともに、図面に対して垂直方向に水平移動できる構造になっている。本発明の引上げ装置の特徴ある構成は、図1に示すように、巻取りドラム16とシーブ17の配置、及び開口部13通過後のワイヤ15経路に変更を加えたところにある。これにより、大口径の巻取りドラム16を備えても、ハウジングの容積を大きくする必要がなく、しかも十分な引上げ安定性を維持できる。本発明の引上げ装置10において、シーブ17は、シーブ回転軸芯が巻取りドラム16の巻取り軸芯より下方に位置するように、かつ上方から透視してシーブ回転軸芯が開口部13を挟んで巻取り軸芯に相対向するように位置変更可能に設けられる。また、巻取りドラム16は、ドラム周縁がワイヤの引上げ中心線から所定の距離だけシーブ17側に位置するように設けられる。そして、シーブ17が開口部13と巻取りドラム16との間のワイヤ15を巻取りドラム16側に横押しすることにより、開口部13を通過して巻取りドラム16に巻取られるワイヤ15の引上げ経路を調整するように構成される。具体的な巻取りドラム16とシーブ17の配置、及び開口部13通過後のワイヤ15経路について、図2を用いて詳細に説明する。なお、図2において図1と同一の符号は同一部品を示す。図2に示す横断面において、巻取りドラム16は、開口部13を通過するときのワイヤの引上げ中心線pが接線になるように配置したとき、この巻取り軸芯A’をAの位置までシーブ17側に水平移動させた位置に固定される。即ち、巻取りドラム16は、ドラム周縁がワイヤの引上げ中心線pから所定の距離AからA’の長さに等しい距離だけシーブ17側に位置するように固定されている。ワイヤの引上げ中心線pは、通常、プルヘッド14及びプルチャンバ12のセンター芯の位置、即ち開口部13の中心を正位置として設定される。上記ワイヤの引上げ中心線pからドラム周縁までの所定の距離は、このときのA’からAまでの巻取り軸芯の移動距離に等しい。このように巻取りドラム16を配置すると、シーブ17が無いものと仮定した場合、ワイヤの引上げ中心線pがA’からAの距離だけシーブ17側へ平行移動することになるが、シーブ17の横押しによって正位置に戻される。巻取りドラム16を、ドラム周縁がワイヤの引上げ中心線pから所定の距離だけシーブ17側に位置するように設けるのは、引上げ中のワイヤ15にシーブ17からの押付け力を常に発生させるためである。巻取りドラム16は、この距離が2~5mmだけシーブ17側に位置するように配置するのが好ましい。下限値未満では、シーブ17によるワイヤ15の押付け力が弱くなり、ワイヤ15の自転性等の外乱要因によって生じるワイヤ15の振れを抑制する効果が十分に得られなくなるため好ましくない。一方、上限値を越えると、シーブ17との位置関係からワイヤ15の曲がり量や曲率が大きくなり、ワイヤ15が折れ曲がる不具合が生じたり、また、シーブ17からの強い押付け力により、却ってワイヤ15の自転性が強く現れ、ワイヤ15の振れ幅が増大する場合があるため好ましくない。また、シーブ17は、具体的には図2に示すように、巻取りドラム16の半径をR、シーブ17の半径をr、ワイヤ15の直径をS、巻取りドラム16の巻取り軸芯Aからシーブ回転軸芯aまでの距離をLとするとき、Lが下記の式1を満たし、かつ巻取り軸芯Aを通る水平線mに対する巻取り軸芯Aと回転軸芯aとを結ぶ直線nのなす角度θが0より大きく90度より小さい角度になるように配置されるのが好ましい。なお、シーブ17は、ワイヤ15を正確に位置調整するため、図3に示すように溝17aが設けられることから、式1中、シーブ17の半径rは、実際にワイヤがシーブ15に巻き取られた状態における、シーブ回転軸芯aからワイヤの中心S/2までの距離と定義する。RrS/2≦L≦Rr4S1シーブ17をこのように配置する理由は、Lが下限値未満では、開口部13通過後のワイヤ15を巻取りドラム16とシーブ17の間を通過させることができない、また、ワイヤ15の曲がり量が大きくなってワイヤ15が折れ曲がる不具合が生じる場合があるため好ましくない。一方、上限値を越えると、ワイヤ15に適度な押付け力を付与できない場合があり、またハウジングの容積が大きくなるため好ましくない。また、θが0以下になると、シーブ回転軸芯aと巻取り軸芯Aとが同じ水平線上に並ぶ位置又はシーブ回転軸芯aが巻取り軸芯Aよりも上方になる位置にシーブ17が配置されることになる。この場合、巻取りドラム16とシーブ17の間を通過するようにワイヤ15の通過経路を設定すると、上述した巻取りドラム16の配置によってシーブ17側へ平行移動したワイヤの引上げ中心線pを、シーブ17の横押しにより正位置に戻すという機構を採用できないため好ましくない。また、θが90度になると、巻取りドラム16とシーブ17が垂線上に並ぶ配置となり、シーブ17が、上方から透視してシーブ回転軸芯aが開口部13を挟んで巻取り軸芯Aに相対向する配置とはならない。また、巻取りドラム16とシーブ17が垂線上に並ぶ配置にすると、ハウジングの高さが高くなるため、装置のコストアップになることから好ましくない。また、90度を越えると、巻取りドラム16とシーブ17の間を通過させる機構を採用する場合、ワイヤ15の曲がり量が多くなってワイヤ15が折れ曲がる不具合が生じやすいことから好ましくない。そして、開口部13を通過したワイヤ15は、上述のように配置された巻取りドラム16及びシーブ17の間を通過して巻取りドラム16に巻き取られる。その際、シーブ17が開口部13と巻取りドラム16との間のワイヤ15を巻取りドラム16側に横押しすることにより、ワイヤ15の引上げ経路が調整され、開口部13を通過するワイヤの引上げ中心線pが正位置に保たれる。このように、本発明の引上げ装置10では、上述した巻取りドラム16の配置によりシーブ17側へ移動したワイヤの引上げ中心線pの位置を、シーブ17の横押しによって正位置に戻すという機構を備える。これにより、開口部13を通過し、巻取りドラム16に巻き取られるワイヤ15は、巻取りドラム16とシーブ17によって押さえ付けられて、なだらかなS字曲線を描く。これにより、シーブ17との接点より下方のワイヤの引上げ中心線pの位置が正位置に、かつ鉛直に保たれ、引上げ安定性が確保される。このような巻き取り機構を備えることにより、例えばシーブが無く、巻取りドラムのみで引上げを行う装置に比べて引上げ安定性が向上する。それは、芯出し作業が容易になり、作業の安定性が得られるからである。また、シーブと巻取りドラムの双方を備え、図4に示す機構を備える従来の装置においてワイヤの直径を大きくした場合と比べても、引上げ安定性をより向上させることができる。また、本発明の引上げ装置10が採用する巻き取り機構では、巻取りドラム16に巻き取られるまでのワイヤ15は、図1に示すように、巻取りドラム16とシーブ17の押さえ付けによって、なだらかなS字曲線を描く程度である。即ち、図4に示す引上げ装置30が採用する巻き取り機構を採用するよりも、巻取りドラム16に巻き取られるまでのワイヤ15の曲がり量が大幅に低減される。これにより、ワイヤが曲がった際にワイヤ外側のストランドに与えられる損傷が大幅に低減され、ワイヤの破断を抑制できる。更に、シーブとの接触面積も小さくなるため、ワイヤ15の寿命を大幅に伸ばすことができる。シーブ17は、プルヘッド14の底部に備える摺動可能な位置変更装置21によって、例えば水平方向への位置変更を容易に行うことができるように設置されるのが好ましい。このように、位置変更が容易に行えるように設置することによって、ワイヤ15を押し付ける力の調整や、ワイヤの引上げ中心線pの微調整を容易に行うことができる。位置調整装置21は、この例に限定されないが、図1に示す引上げ装置が備える位置変更装置21では、プルヘッド14の底部に固定されたベースプレート21aと、このベースプレート21a上にスライド可能に取り付けられた可動プレート21bを備える。可動プレート21bは、可動プレート21bに設けられたネジ孔を貫通するボルト22によって、鉛直方向への移動ができないようにベースプレート21aに固定される。一方、可動プレート21bに設けられた上記ネジ孔は、ボルトの径よりも幅が広い長孔になっており、ボルト22を弛めた状態で可動プレート21bを水平方向へずらすことができるようになっている。シーブ17は、この可動プレート21bの上部に取り付けられる。そして、ベースプレート21aの両側側壁に取り付けられた2つの調整ネジ21cを調節し、可動プレート21bを水平方向にスライドさせることで、シーブ17の位置変更を容易に行うことができる。シーブ17の位置を変更した後、ボルト22を締め付けることにより、可動プレート21bは所定の位置で固定される。このように構成される本発明の引上げ装置は、大口径の巻取りドラムを備えても、プルヘッドのハウジングの容積を大きくする必要がなく、装置の大幅な改造をせずに、大口径単結晶の安定した引上げに対応させたものである。従来の装置が備える巻取りドラムの直径は、実際には150~250mm程度、ワイヤの直径は2.5~4.5mm程度であり、プルヘッドのハウジングの容積は25000~40000cm3程度である。一方、本発明の引上げ装置10が備える巻取りドラムの直径は200~250mm程度、ワイヤの直径は4~6mm程度であるが、プルヘッドのハウジングの容積は1.5~1.6倍程度までに抑えられる。次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。<実施例1>図1及び表1に示す引上げ装置10を用いて、直径450mmのシリコン単結晶を引上げた。そして、引上げの際に、設定したワイヤ15の回転速度に対するワイヤ15先端の振れ幅を測定した。具体的には、ワイヤの回転速度をそれぞれ2rpm、4rpm、6rpm、8prmに設定して引上げたときの、図5に示すtmm幅をそれぞれ測定した。その結果を、以下の表2に示す。なお、表1中、シーブ17の半径rは、実際にワイヤが巻き取られた状態における、シーブの中心aからワイヤの中心S/2までの距離を示す。<比較例1>図4及び表1に示す引上げ装置30を用いて、直径300mmのシリコン単結晶を引上げた。そして、実施例1と同様、引上げの際に、設定したワイヤ35の回転速度に対するワイヤ35先端の振れ幅を測定した。具体的には、実施例1と同様、ワイヤの回転速度を2rpm、4rpm、6rpm、8prmにそれぞれ設定して引上げたときの、図5に示すtmm幅を測定した。その結果を、以下の表2に示す。<比較例2>図4に示す装置と同じ巻き取り機構を有し、大口径の巻取りドラム37及びワイヤ35を備えた引上げ装置30を用いて、直径450mmのシリコン単結晶を引上げた。そして、実施例1と同様、引上げの際に、設定したワイヤ35の回転速度に対するワイヤ35先端の振れ幅を測定した。具体的には、実施例1と同様、ワイヤの回転速度を2rpm、4rpm、6rpm、8prmにそれぞれ設定して引上げたときの、図5に示すtmm幅を測定した。その結果を、以下の表2に示す。表1及び表2から明らかなように、実施例1で用いた装置は、大口径の巻取りドラム等を備えつつも、ハウジングの容積は、比較例1で用いた従来の装置の1.5倍程度に抑えられている。そして、実施例1では、ワイヤの回転速度を2rpm、4rpm、6rpm、8prmにそれぞれ設定して引上げたときのワイヤの振り幅が、いずれも比較例1と同程度に抑えられていることが判る。特に、シリコン単結晶の引上げの際に通常設定される10rpm程度の回転速度に設定した場合において、振り幅が一般的な合格水準である2.0mm以下に抑えられていることから、引上げ安定性にも優れていることが確認された。一方、従来の巻き取り機構を備え、かつ大口径の巻取りドラム及びワイヤを備えた装置を用いた比較例2では、ハウジングの容積が実施例1で用いた装置の2.5倍程度にもなり、また、いずれの回転速度に設定した場合でも、振り幅が2.0mm以上となり、良好な引上げ安定性が得られなかった。