半導体素子が搭載される支持基板を具備する半導体装置であって、前記支持基板の少なくとも一面に熱伝導部が形成されており、前記熱伝導部に前記半導体素子が高熱伝導接着剤を介して搭載されていることを特徴とする半導体装置。前記熱伝導部は、前記半導体素子が搭載される領域と、前記半導体素子が非搭載の領域とを具備し、前記半導体素子が搭載される領域は、前記半導体素子の底部全体が接触される大きさに形成されており、前記半導体素子が非搭載の領域は、前記支持基板の前記一面における外周縁部まで延出された大きさに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記熱伝導部は、前記支持基板より高熱伝導性を有する材質から構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。前記熱伝導部は、さらに、前記支持基板の前記一面と該一面の裏面とを連結する側面、または前記側面を介して前記裏面まで形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。支持基板は、ベース基板と、該ベース基板よりも上層に形成された回路配線層と、該回路配線層よりも上層に形成された前記一面に露出する前記熱伝導部の層と、前記ベース基板と前記回路配線層とを絶縁するとともに前記回路配線層と前記熱伝導部とを絶縁する絶縁層と、前記一面に形成され前記半導体素子及び前記回路配線層が電気的に接続される電極パッドとを具備する積層構造を有し、前記熱伝導部は、前記一面において、前記電極パッドを除いた全面に形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。しかしながら、図5に示すバックライト装置110の構成においては、サーマルビアホール103はセラミック基板104内部を高さ方向Zに貫通するように形成されているため、セラミック基板104内部で発光素子102からの熱が蓄積してしまうことから、発光素子102に熱劣化が発生してしまう可能性があるといった問題があった。本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、半導体素子の熱劣化を抑制する構成を具備することにより、高寿命および高信頼性を有する半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するため本発明の一態様による半導体装置は、半導体素子が搭載される支持基板を具備する半導体装置であって、前記支持基板の少なくとも一面に熱伝導部が形成されており、前記熱伝導部に前記半導体素子が高熱伝導接着剤を介して搭載されている。本発明によれば、半導体素子の熱劣化を抑制する構成を具備することにより、高寿命および高信頼性を有する半導体装置を提供することができる。具体的には、半導体素子の熱が支持基板の内部に伝わらないため、支持基板に熱が蓄積することなく放熱することが可能である。そのため、半導体素子の熱劣化を抑制することができる。また、半導体素子周辺部の温度上昇を防止することができ、高寿命および高信頼性を有する半導体装置を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。尚、図面は模式的なものであり、各部材の厚みと幅との関係、それぞれの部材の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。第1の実施の形態図1は、本実施の形態の半導体装置を示す斜視図、図2は、図1中のIIII線に沿う半導体装置の断面図である。図1、図2に示すように、半導体装置10は、半導体素子1が搭載される支持基板2を具備している。支持基板2は、半導体素子1より大きく形成されており、望ましくはセラミック、窒化アルミから構成されている。尚、支持基板2は、ガラスエポキシ、ポリイミド、プラスチック、アルミ、銅等から構成されていても構わない。支持基板2の一面2fに、熱伝導部3と回路配線4とが、印刷工法またはフォトリソエッチング工法等によって形成されている。熱伝導部3は、一面2fにおいて、半導体素子1の熱を支持基板2の、例えば外周縁部まで伝熱して放熱するものであり、例えば方向Xにそれぞれ所定の幅、具体的には、半導体素子1以上の幅を有するとともに、方向Yに沿って直線状に形成されている。また、熱伝導部3は、半導体素子1が搭載される領域3aと、半導体素子1が非搭載の領域3bとを具備しており、支持基板2よりも高熱伝導性を有する材質、例えばカーボングラファイト複合材、アルミチタン複合材、銅、ダイヤモンド等から構成されている。尚、領域3aと領域3bとは一体的に形成されている。また、熱伝導部3は、直線形状に限らず曲線形状等、どのような平面形状を有していても良く、さらに、形成本数は1本に限らず複数本であっても良い。また、放熱性を向上させるため、支持基板2の一面2fにおける熱伝導部3が形成される領域は、放熱面積を大きくする目的から凹凸状等に形成されていても構わない。熱伝導部3の領域3aに、半導体素子1が、高熱伝導接着剤6を介して搭載されている。尚、領域3aは、半導体素子1の底部1t全体が接触される大きさに形成されている。即ち、半導体素子1は、底部1tの全体が領域3aに貼着されている。半導体素子1は、LED、LD、IC、LSI等の駆動により発熱するものから構成されており、チップサイズや、チップ形状、チップ電極の取り出し方法は特に限定されない。高熱伝導接着剤6は、Agペースト入りエポキシ樹脂、Agペースト入りシリコーン樹脂、半田等から構成されている。熱伝導部3の領域3bは、図1に示すように、例えば支持基板2の一面2fにおける外周縁部まで方向Yに延出された大きさに形成されている。尚、領域3bは、放熱面積を大きくする目的から、一面2fにおいて、回路配線4を除く全ての領域に形成されていても構わないし、支持基板2の一面2fと裏面2rとを高さ方向Zに結ぶ側面2sにも形成されていても構わない。さらには、領域3bは、側面2sを介して裏面2rまで形成されていても構わない。この場合、半導体素子1の熱は側面2sまたは裏面2rまで伝熱された後、放熱される。尚、支持基板2の側面2sもしくは裏面2rまで伝わった半導体素子1の熱は、別途設けられた冷却機構により冷却されている構造を有していても良い。冷却機構としては、ペルチェ素子、空冷ファン等が挙げられるが、これらに限定されず、冷却できる手段であればどんなものであっても良い。回路配線4は、支持基板2の一面2fにおいて、例えば方向Xにそれぞれ所定の幅を有するとともに、方向Yに沿って直線状に形成されており、金、アルミ、銀、銅等の金属により構成されている。尚、回路配線4は電気的に導通するとともに、熱伝導部3と同等の放熱機能を有していれば、どのようなものから構成されていても良い。回路配線4には、半導体素子1に一端が電気的に接続されたボンディングワイヤ5の他端が電気的に接続されている。尚、ボンディングワイヤ5の材質としては、金、アルミなどの金属が挙げられる。また、回路配線4に対する半導体素子1の接続は、ボンディングワイヤ5に限定されず、フリップチップ、半田付け等であっても良い。このように、本実施の形態においては、支持基板2の一面2fに、熱伝導部3が形成されており、熱伝導部3の領域3aに、高熱伝導接着剤6を介して半導体素子1が実装されていると示した。このことによれば、駆動に伴い半導体素子1が発熱すると、半導体素子1の熱は、先ず、高熱伝導接着剤6に伝わり、その後、支持基板2の一面2fに形成された熱伝導部3に放熱され、該熱伝導部3から支持基板2外に放熱されることから、支持基板2の内部で熱が蓄積しないため、半導体素子1が実装される部材が熱されることに起因する半導体素子1の熱劣化を抑制することができる他、半導体素子1周辺部の温度上昇を防止することができる。よって、高寿命および高信頼性を有する半導体装置10を提供することができる。第2の実施の形態図3は、本実施の形態の半導体装置を示す斜視図、図4は、図3中のIVIV線に沿う半導体装置の断面図である。この第2実施の形態の半導体装置の構成は、上述した図1、図2に示した第1実施の形態の半導体装置と比して、回路配線が支持基板内に形成されている点が異なる。よって、この相違点のみを説明し、第1実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。図4に示すように、半導体装置20の支持基板11は、半導体素子1より大きく形成されており、ベース基板12と、該ベース基板12よりも高さ方向Zの上層に形成された回路配線層13と、該回路配線層13よりも高さ方向Zの上層に形成された一面11fに露出する熱伝導部15の層と、ベース基板12と回路配線層13とを絶縁するとともに回路配線層13と熱伝導部15とを絶縁する絶縁層14と、半導体素子1及び回路配線層13が電気的に接続される一面11fに形成された電極パッド16とを具備する積層構造を有している。尚、熱伝導部15は、図3に示すように、一面11fにおいて、電極パッド16を除いた全面に形成されている。また、本実施の形態においても、熱伝導部15は、半導体素子1の底部1t全体が接触される大きさに形成された半導体素子1が搭載される領域15aと、非搭載の領域15bとを有している。半導体素子1は、上述した第1実施の形態と同様に、高熱伝導接着剤6を介して熱伝導部15に搭載されている。また、半導体素子1と電極パッド16との電気的な接続も、上述した第1実施の形態と同様にボンディングワイヤ5が用いられている。電極パッド16は、ビアホール17に埋め込まれた導電性部材を介して回路配線層13に電気的に接続されている。ベース基板12は、半導体素子1より大きく形成されており、望ましくはセラミック、窒化アルミから形成されている。尚、ベース基板12は、ガラスエポキシ、ポリイミド、プラスチック、アルミ、銅等から構成されていても構わない。回路配線層13は、電気的に導通できる材質、例えば金、アルミ、銀、銅などの金属から構成されている。また、回路配線層13は、絶縁層14によりベース基板12および熱伝導部15と電気的に絶縁されていれば多層構造を有していても良い。絶縁層14は、エポキシ樹脂、メラニン樹脂、ガラス等から構成されており、絶縁機能および断熱機能を有している。熱伝導部15は、ベース基板12よりも高熱伝導性を有する材質、例えばカーボングラファイト複合材、アルミチタン複合材、銅、ダイヤモンド等から構成されている。電極パッド16及びビアホール17は、回路配線層13と同等の金属で構成されていることが望ましいが、電気的に導通すればどのような材質から構成されていても構わない。尚、その他の構成は、上述した第1実施の形態と同様である。このような構成によれば、回路配線層13を、支持基板11の内部に形成できるため、第1実施の形態のように、支持基板11の一面11fに回路配線のスペースを設けなくて良い。よって、熱伝導部15を、支持基板11の一面11fにおいて電極パッド16を除いた全面に形成することができることから、熱伝導部15の表面積を大きくすることができるため、放熱面積を大きくすることができ、第1の実施の形態と同等以上の放熱効果を得ることができる。尚、その他の効果は、上述した第1実施の形態と同様である。