"第1の半導体材料と、前記第1の半導体材料から離間配置される第2の半導体材料と、前記第1の半導体材料と前記第2の半導体材料との間の活性領域と、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料内のインデンテーションと、前記第2の半導体材料および前記活性領域を覆い、前記第1の半導体材料の一部分を露出する前記インデンテーション内の絶縁材料と、前記インデンテーション内で前記絶縁材料に隣接する導電性材料であって、前記第1の半導体材料と直接接触する、導電性材料と、を備える、固体照明SSL装置。前記第1の半導体材料が、N型窒化ガリウムGaN材料を含み、前記第2の半導体材料が、P型GaN材料を含み、前記活性領域が、GaN/窒化インジウムガリウムInGaN多重量子井戸を含み、前記インデンテーションが、前記第2の半導体材料の表面から前記第1の半導体材料の中へと延在する第1の側壁および第2の側壁を備える、三角形の断面を有し、前記絶縁材料が、前記第1の側壁を実質的に覆う第1の絶縁部分と、前記第2の側壁を部分的に覆う第2の絶縁部分とを含み、前記第1の絶縁部分が、第2の表面と反対側の第1の表面を有し、前記第1の絶縁部分の前記第1の表面が、前記第2の半導体材料の前記表面と概ね共平面であり、前記第1の絶縁部分の前記第2の表面が、前記第1の半導体材料の近位にあり、前記第2の絶縁部分が、第2の端部と反対側の第1の端部を有し、前記第2の絶縁部分の前記第1の端部が、前記第2の半導体材料の前記表面を越えて延在し、前記第2の絶縁部分の前記第2の端部が、前記第1の半導体材料に向かって延在し、前記絶縁材料が、前記第1の絶縁部分と前記第2の絶縁部分との間に間隙を含み、前記間隙が、前記第2の側壁の近位の前記第1の半導体材料の一部分を露出させ、前記導電性材料が、前記第1の絶縁部分と前記第2の絶縁部分との間の前記間隙を通して前記第1の半導体材料と直接接触する、請求項1に記載のSSL装置。前記インデンテーションが、前記第2の半導体材料の表面から前記第1の半導体材料の中へと延在する、側壁を有し、前記絶縁材料が、前記第1の半導体材料の一部分を前記絶縁材料を通して露出させて、前記側壁を部分的に覆う、請求項1に記載のSSL装置。前記インデンテーションが、前記第2の半導体材料の表面から前記第1の半導体材料の中へと延在する側壁を有し、前記側壁が、前記第1の半導体材料に対応する第1の区分と、前記活性領域に対応する第2の区分と、前記第2の半導体材料に対応する第3の区分とを含み、前記絶縁材料が、前記側壁の前記第2の区分および前記第3の区分を実質的に覆い、前記側壁の前記第1の区分を少なくとも完全には覆わない、請求項1に記載のSSL装置。前記インデンテーションが、前記第2の半導体材料の表面から前記第1の半導体材料の中へと延在する側壁を有し、前記側壁が、前記第1の半導体材料に対応する第1の区分と、前記活性領域に対応する第2の区分と、前記第2の半導体材料に対応する第3の区分と、を含み、前記絶縁材料が、前記側壁の前記第2の区分および前記第3の区分を実質的に覆い、前記側壁の前記第1の区分を少なくとも完全には覆わず、前記導電性材料が、前記側壁の前記第1の区分で前記第1の半導体材料と直接接触する、請求項1に記載のSSL装置。前記インデンテーションが、前記第2の半導体材料の表面から前記第1の半導体材料の中へと延在する第1の側壁および第2の側壁を備える、三角形の断面を有し、前記絶縁材料が、前記第1の側壁を実質的に覆う第1の絶縁部分と、前記第2の側壁を部分的に覆う第2の部分とを含む、請求項1に記載のSSL装置。前記インデンテーションが、前記第2の半導体材料の表面から前記第1の半導体材料の中へと延在する、側壁を有し、前記絶縁材料が、前記第1の半導体材料の一部分を前記絶縁材料を通して露出させて、前記側壁を部分的に覆い、前記絶縁材料が、第2の端部と反対側の第1の端部を有し、前記絶縁材料の前記第1の端部が、前記第2の半導体材料の前記表面を越えて延在し、前記絶縁材料の前記第2の端部が、前記第1の半導体材料に向かって延在する、請求項1に記載のSSL装置。前記インデンテーションが、前記第2の半導体材料の表面から前記第1の半導体材料の中へと延在する、側壁を有し、前記絶縁材料が、前記第1の半導体材料の一部分を前記絶縁材料を通して露出させて、前記側壁を部分的に覆い、前記絶縁材料が、第2の端部と反対側の第1の端部を有し、前記絶縁材料の前記第1の端部が、前記第2の半導体材料の前記表面を越えて延在し、前記絶縁材料の前記第2の端部が、前記第1の半導体材料に向かって延在し、前記SSL装置が、前記第2の半導体材料の前記表面に第1の電極要素および第2の電極要素を更に含み、前記絶縁材料の前記第1の端部が、前記第1の電極要素および前記第2の電極要素を電気的に絶縁する、請求項1に記載のSSL装置。前記インデンテーションが、前記第2の半導体材料の表面から前記第1の半導体材料の中へと延在する、側壁を有し、前記絶縁材料が、第2の端部と反対側の第1の端部を有し、前記絶縁材料の前記第1の端部が、前記第2の半導体材料の前記表面を越えて延在し、前記絶縁材料の前記第2の端部が、前記第1の半導体材料に向かって延在し、前記SSL装置が、前記絶縁材料の前記第1の端部が電気的に絶縁する、前記第2の半導体材料の前記表面に第1の電極要素および第2の電極要素と、前記第1の電極要素と反対側で前記第2の電極要素から横方向に離間配置される、前記第1の半導体材料内の接点と、を更に含む、請求項1に記載のSSL装置。前記インデンテーションが、前記第2の半導体材料の表面から前記第1の半導体材料へと延在する、側壁を有し、前記側壁が、前記第1の半導体材料に対応する第1の区分と、前記活性領域に対応する第2の区分と、前記第2の半導体材料に対応する第3の区分と、を含み、前記絶縁材料が、前記側壁の前記第2の区分および前記第3の区分を実質的に覆い、前記側壁の前記第1の区分を少なくとも完全には覆わず、前記絶縁材料が、第2の端部と反対側の第1の端部を有し、前記導電性材料が、前記側壁の前記第1の区分と直接接触し、前記絶縁材料の前記第1の端部が、前記第2の半導体材料の前記表面を越えて延在し、前記絶縁材料の前記第2の端部が、前記第1の半導体材料に向かって延在し、前記SSL装置が、前記絶縁材料の前記第1の端部が電気的に絶縁する、前記第2の半導体材料の前記表面に第1の電極要素および第2の電極要素と、前記第1の電極要素と反対側で前記第2の電極要素から横方向に離間配置される、前記第1の半導体材料内の接点と、を更に含む、請求項1に記載のSSL装置。固体照明SSL装置であって、第1の領域と前記第1の領域から横方向に離間配置される第2の領域とを有する、SSL構造体と、前記第1の領域と前記第2の領域との間の絶縁材料であって、前記第1の領域および前記第2の領域を電気的に絶縁する、絶縁材料と、前記第1の領域と前記第2の領域との間で前記絶縁材料に隣接する導電性材料であって、前記第1の領域および前記第2の領域を電気的に直列に結合する、導電性材料と、を備える、SSL装置。前記SSL構造体の前記第1の領域および前記第2の領域が、第1の半導体要素と、第2の半導体要素と、前記第1の半導体要素と前記第2の半導体要素との間の活性要素と、を個々に含み、前記第1の領域および前記第2の領域の前記第1の半導体要素および/または前記第2の半導体要素は、約2μm未満の厚さを有する、請求項11に記載のSSL装置。前記SSL構造体の前記第1の領域および前記第2の領域が、第1の半導体要素と、第2の半導体要素と、前記第1の半導体要素と前記第2の半導体要素との間の活性要素と、を個々に含み、前記第1の領域の前記第1の半導体要素、前記活性要素、および前記第2の半導体要素が、第1の電気経路を形成し、前記第2の領域の前記第1の半導体要素、前記活性要素、および前記第2の半導体要素が、第2の電気経路を形成し、前記導電性材料が、前記第1の電気経路および前記第2の電気経路を直列に電気的に結合する、請求項11に記載のSSL装置。前記SSL構造体の前記第1の領域および前記第2の領域が、第1の半導体要素と、第2の半導体要素と、前記第1の半導体要素と前記第2の半導体要素との間の活性要素と、を個々に含み、前記第1の領域および前記第2の領域の前記第1の半導体要素および/または前記第2の半導体要素が、約2μm未満の厚さを有し、前記第1の領域が、接点および第1の電極要素を含み、前記接点が、前記第1の領域の前記第1の半導体要素内にあり、前記第1の電極要素が、前記第1の領域の前記第2の半導体要素に隣接し、前記第2の領域が、前記第1の電極要素から横方向に離間配置される第2の電極要素を含み、前記SSL構造体が、前記第1の領域と前記第2の領域との間に直接インデンテーションを更に含み、前記絶縁材料が、前記インデンテーション内に少なくとも部分的に位置し、前記絶縁材料が、第1の絶縁部分および第2の絶縁部分を含み、前記第1の絶縁部分が、前記第1の領域に隣接し、前記第1の領域の前記第1の半導体要素、前記活性要素、および前記第2の半導体要素を前記導電性材料から電気的に絶縁し、前記第2の絶縁部分が、前記第2の領域に隣接し、前記第2の領域の前記活性要素および前記第2の半導体要素を前記導電性材料から電気的に絶縁し、前記第2の絶縁部分も、前記第2の電極要素から前記第1の電極要素を電気的に絶縁し、前記導電性材料が、前記インデンテーション内に、かつ前記第1の絶縁部分と前記第2の絶縁部分との間にあり、前記導電性材料が、前記第1の電極要素から前記第2の領域の前記第1の半導体要素への電気経路を形成する、請求項11に記載のSSL装置。前記第1の領域が、接点および前記接点から離間配置される第1の電極要素を含み、前記第2の領域が、前記第1の電極要素から横方向に離間配置され、電気的に絶縁される第2の電極要素を含み、前記導電性材料が、前記第1の電極要素から前記第2の領域を通って前記第2の電極要素へと電気経路を形成する、請求項11に記載のSSL装置。前記第1の領域が、接点および前記接点から離間配置される第1の電極要素を含み、前記第2の領域が、前記第1の電極要素から横方向に離間配置され、電気的に絶縁される第2の電極要素を含み、前記導電性材料が、直接前記第1の電極要素と前記第2の領域との間にあり、前記第1の電極要素および前記第2の領域を電気的に接続する、請求項11に記載のSSL装置。前記SSL構造体の前記第1の領域および前記第2の領域は、第1の半導体要素と、第2の半導体要素と、前記第1の半導体要素と前記第2の半導体要素との間の活性要素と、を個々に含み、前記第1の領域が、前記第1の半導体要素内の接点および前記第1の領域の前記第2の半導体要素に隣接する第1の電極要素を含み、前記第2の領域が、前記第2の領域の前記第2の半導体要素に隣接する第2の電極要素を含み、前記導電性材料が、前記第1の領域の前記第1の電極要素を前記第2の領域の前記第1の半導体要素に電気的に接続する、請求項11に記載のSSL装置。前記SSL構造体の前記第1の領域および第2の領域が、第1の半導体要素と、第2の半導体要素と、前記第1の半導体要素と前記第2の半導体要素との間の活性要素と、を個々に含み、前記第1の領域が、前記第1の領域の前記第2の半導体要素に隣接する第1の電極要素を含み、前記第2の領域が、前記第2の領域の前記第2の半導体要素に隣接し、かつ前記第1の領域の前記第1の電極要素から横方向に離間配置される、第2の電極要素を含み、前記絶縁材料が、前記第1の電極要素を前記第2の電極要素から電気的に絶縁する、請求項11に記載のSSL装置。前記SSL構造体の前記第1の領域および前記第2の領域が、第1の半導体要素と、第2の半導体要素と、前記第1の半導体要素と前記第2の半導体要素との間の活性要素と、を個々に含み、前記第1の領域が、前記第1の領域の前記第2の半導体要素に隣接する第1の電極要素を含み、前記第2の領域が、前記第2の領域の前記第2の半導体要素に隣接し、かつ前記第1の領域の前記第1の電極要素から横方向に離間配置される、第2の電極要素を含み、前記絶縁材料が、前記第1の電極要素を前記第2の電極要素から電気的に絶縁し、前記導電性材料が、前記第2の領域の前記第1の半導体要素、前記活性要素、および前記第2の半導体要素を介して、前記第1の領域の前記第1の電極要素を前記第2の領域の前記第2の電極要素に電気的に接続する、請求項11に記載のSSL装置。固体照明SSL装置であって、第1の領域と、前記第1の領域から横方向に離間配置される第2の領域とを有する、SSL構造体であって、前記第1の領域が、第1の電極要素を含み、前記第2の領域が、前記第1の領域の前記第1の電極要素から横方向に離間配置される第2の電極要素を含む、SSL構造体と、前記第1の電極要素と前記第2の電極要素との間で、前記第1の電極要素および前記第2の電極要素を電気的に絶縁する絶縁材料と、を備える、SSL装置。前記SSL構造体の前記第1の領域および前記第2の領域が、第1の半導体要素と、第2の半導体要素と、前記第1の半導体要素と前記第2の半導体要素との間の活性要素と、を個々に含み、前記SSL装置が、前記第1の電極要素を前記第2の領域の前記第1の半導体要素に電気的に接続する、導電性材料を更に含む、請求項20に記載のSSL装置。前記SSL構造体の前記第1の領域および前記第2の領域が、第1の半導体要素と、第2の半導体要素と、前記第1の半導体要素と前記第2の半導体要素との間の活性要素と、を個々に含み、前記第1の電極要素が、前記第1の領域の前記第2の半導体要素と接触し、前記第2の電極要素が、前記第2の領域の前記第2の半導体要素と接触し、前記絶縁材料が、前記第1の領域および前記第2の領域の前記第2の半導体要素を越えて延在し、直接前記第1の電極要素と前記第2の電極要素との間にある、請求項20に記載のSSL装置。固体照明SSL装置を形成する方法であって、基板材料上のSSL構造体であって、前記基板材料の近位に第1の半導体材料と、前記第1の半導体材料から離間配置される第2の半導体材料と、前記第1の半導体材料と前記第2の半導体材料との間に活性領域とを有する、SSL構造体を形成することと、前記SSL構造体内のインデンテーションであって、前記第2の半導体材料から前記活性領域を通って前記第1の半導体材料の中へと延在する、インデンテーションを形成することと、前記第1の半導体材料の一部分を露出させる絶縁材料で前記インデンテーションを絶縁することと、前記インデンテーション内で前記絶縁材料に隣接する導電性材料であって、前記第1の半導体材料と電気的に接触する、導電性材料を配置することと、を含む、方法。前記SSL構造体を形成することが、エピタキシャル成長によって、前記第1の半導体材料と、前記活性領域と、前記第2の半導体材料と、を形成し、前記第1の半導体材料が、約2μm未満の厚さを有することを含み、前記SSL構造体内の前記インデンテーションを形成することが、前記第2の半導体材料から前記活性領域を通って前記第1の半導体材料の中へと延在する側壁を有する、インデンテーションを形成することを含み、前記インデンテーションを絶縁することが、前記インデンテーションの前記側壁上に前記絶縁材料を堆積させ、前記絶縁材料が、前記側壁に概ね適合することと、前記側壁から前記絶縁材料を部分的に除去し、それによって前記第1の半導体材料の前記部分を露出させる間隙を形成することと、を含み、前記導電性材料を配置することが、前記導電性材料を前記絶縁材料の前記間隙内に配置することとを含み、前記方法が、前記第2の半導体材料および前記導電性材料上に電極を形成することを更に含み、前記電極が、前記絶縁材料によって分離される第1の電極要素および第2の電極要素を有する、請求項23に記載の方法。前記SSL構造体内の前記インデンテーションを形成することが、前記第2の半導体材料から前記活性領域を通って前記第1の半導体材料の中へと延在する側壁を有する、前記インデンテーションを形成することを含み、前記インデンテーションを絶縁することが、前記絶縁材料を前記インデンテーションの前記側壁上に堆積させることと、前記絶縁材料を前記側壁から部分的に除去し、それによって前記第1の半導体材料の前記部分を露出させる間隙を形成することと、を含む、請求項23に記載の方法。前記SSL構造体内の前記インデンテーションを形成することが、前記第2の半導体材料から前記活性領域を通って前記第1の半導体材料の中へと延在する側壁を有する、前記インデンテーション形成することを含み、前記インデンテーションを絶縁することが、前記第1の半導体材料の少なくとも一部分を覆わない前記絶縁材料で前記インデンテーションを絶縁することを含む、請求項23に記載の方法。前記SSL構造体内の前記インデンテーションを形成することが、前記第2の半導体材料から前記活性領域を通って前記第1の半導体材料の中へと延在する側壁を有する、前記インデンテーションを形成することを含み、前記インデンテーションを絶縁することが、第2の端部と反対側の第1の端部を有する前記絶縁材料で前記インデンテーションを絶縁することを含み、前記第1の端部が、前記第1の半導体材料の少なくとも一部分を覆わず、前記第2の端部が、前記第2の半導体材料を越えて延在する、請求項23に記載の方法。前記SSL構造体内の前記インデンテーションを形成することが、前記第2の半導体材料から前記活性領域を通って前記第1の半導体材料の中へと延在する側壁を有する、前記インデンテーションを形成することを含み、前記インデンテーションを絶縁することが、第2の端部と反対側の第1の端部を有する前記絶縁材料で前記インデンテーションを絶縁することを含み、前記第1の端部が、前記第1の半導体材料の少なくとも一部分を覆わず、前記第2の端部が、前記第2の半導体材料を越えて延在し、前記絶縁材料が、前記活性領域および前記第2の半導体材料を前記インデンテーション内の前記導電性材料から電気的に絶縁する、請求項23に記載の方法。前記SSL構造体内の前記インデンテーションを形成することが、第2の側壁に向かう第1の側壁を有する前記インデンテーションを形成することを含み、前記第1の側壁および前記第2の側壁の両方が、前記第2の半導体材料から前記活性領域を通って前記第1の半導体材料の中へと延在し、前記インデンテーションを絶縁することが、前記第1の側壁および前記第2の側壁を前記絶縁材料で絶縁することを含み、前記絶縁材料が、前記第1の側壁上の第1の絶縁部分および前記第2の側壁上の第2の絶縁部分を有し、前記第1の絶縁部分が、前記第1の側壁を実質的に覆い、前記第2の絶縁部分が、前記第2の側壁を部分的に覆い、それによって前記第1の半導体材料の前記部分を露出させる前記絶縁材料内に間隙を形成する、請求項23に記載の方法。前記SSL構造体内の前記インデンテーションを形成することが、第2の側壁に向かう第1の側壁を有する前記インデンテーションを形成することを含み、前記第1の側壁および前記第2の側壁の両方が、前記第2の半導体材料から前記活性領域を通って前記第1の半導体材料の中へと延在し、前記インデンテーションを絶縁することが、前記第1の側壁および前記第2の側壁を前記絶縁材料で絶縁することを含み、前記絶縁材料が、前記第1の側壁上の第1の絶縁部分および前記第2の側壁上の第2の絶縁部分を有し、前記第1の絶縁部分が、前記第1の側壁を実質的に覆い、前記第2の絶縁部分が、前記第2の側壁を部分的に覆い、それによって前記第1の半導体材料の前記部分を露出させる前記絶縁材料内に間隙を形成し、前記導電性材料を配置することが、間隙内の前記第1の絶縁部分と前記第2の絶縁部分との間に前記導電性材料を配置することを含む、請求項23に記載の方法。SSL構造体を有する固体照明SSL装置を操作する方法であって、前記SSL構造体が、第1の領域および前記第1の領域から横方向に離間配置される第2の領域を有し、前記第1の領域および前記第2の領域が、第1の半導体要素と、前記第1の半導体要素から離間配置される第2の半導体要素と、前記第1の半導体要素と前記第2の半導体要素との間の活性要素と、を個々に有し、前記第1の領域が、接点および第1の電極要素を有し、前記第2の領域が、前記第1の電極要素から電気的に絶縁される第2の電極要素を有し、前記接点から前記第1の半導体要素、前記活性要素、および前記第1の領域の前記第2の半導体要素を通って前記第1の電極要素へと電流を流すことと、前記第1の電極要素から前記第2の領域の前記第1の半導体要素へと前記電流を導電することと、前記第2の領域の前記第1の半導体要素から前記活性要素および前記第2の領域の前記第2の半導体要素を通って前記第2の電極要素へと前記電流を流すこと、とを含む、方法。前記電流を導電することが、前記第1の電極要素から前記SSL構造体の前記第1の領域と前記第2の領域との間のインデンテーション内の導電性材料を通して前記第2の領域の前記第1の半導体要素へと前記電流を導電することを含み、前記導電性材料が、前記SSL構造体の前記第1の領域および前記第2の領域の前記活性要素および前記第2の半導体要素から電気的に絶縁される、請求項31に記載の方法。前記接点から前記電流を流すことが、前記接点から前記第1の半導体要素、前記活性要素、および前記第1の領域の前記第2の半導体要素を通って前記第1の電極要素へと、前記電流を第1の方向に流すことを含み、前記電流を導電することが、前記第1の電極要素から前記第2の領域の前記第1の半導体要素へと、前記電流を前記第1の方向と概ね反対の第2の方向に導電することを含む、請求項31に記載の方法。前記接点から前記電流を流すことが、前記電流を第1の方向に流すことを含み、前記電流を導電することが、前記電流を前記第1の方向と概ね反対の第2の方向に導電することを含み、前記電流を前記第1の半導体要素から流すことが、前記電流を前記第2の方向と概ね反対の第3の方向に流すことを含む、請求項31に記載の方法。SSL装置、アセンブリ、および製造方法の様々な実施形態が、下に記載される。本明細書の以下で使用されるように、SSL装置という用語は、概ね、LED、レーザーダイオードLD、および/もしくは電気的フィラメント、プラズマ、または気体以外の他の好適な照明源を具備する装置のことを指す。当業者は、また、本技術が追加的な実施形態を有してもよく、かつ本技術が、図3A~5を参照して、下に記載される実施形態の詳細のいくつかのものを伴わずに実践されてもよいことを理解するであろう。図3A~3Hは、本技術の実施形態による処理を実施中のSSL装置100の概略断面図である。図3Aに示されるように、処理の初期段階中、SSL構造体111は、オプションの緩衝材料103を備える基板材料102上に形成されてもよい。例示される実施形態において、SSL構造体111は、直列に積層される、第1の半導体材料104と、活性領域106と、第2の半導体材料108とを含む。他の実施形態において、SSL構造体111は、SSL構造体111内に、絶縁体として窒化シリコンSi3N4と、緩衝材料として窒化アルミニウムAlNと、および/または他の好適な中間材とをも含み得る。ある実施形態において、基板材料102は、シリコンSiを含み得、その少なくとも一部分は、Si111結晶の配向を有する。他の実施形態において、基板材料102は、他の結晶の配向を有するシリコン例えば、Si1,0,0、窒化アルミニウムガリウムAlGaN、GaN、炭化シリコンSiC、サファイアAl2O3、酸化亜鉛ZnO2、前述の材料の組合せ、および/または他の好適な基板材料を含み得る。例示される実施形態において、基板材料102は、オプションの緩衝材料103の近位に概ね平面の表面101を有する。他の実施形態において、基板材料102は、開口部、チャネル、および/または他の表面特徴図示せずをも含んでもよい。オプションの緩衝材料103は、基板材料102上での第1の半導体材料104および第2の半導体材料108ならびに活性領域106の形成を容易にするように選択されてもよい。ある実施形態において、オプションの緩衝材料103は、AlN、AlGaN、窒化亜鉛ZnN、GaN、および/もしくは第1の半導体材料104および/または第2の半導体材料108によって基板材料102の表面101の適当な湿潤を可能とするように構成される他の好適な材料のうちの少なくとも1つを含み得る。他の実施形態において、オプションの緩衝材料103は、省略されてもよく、第1の半導体材料104は、基板材料102上に直接形成されてもよい。ある実施形態において、第1の半導体材料104は、例えば、シリコンSiでドープされたN型GaNを含み得、第2の半導体材料108は、例えば、マグネシウムMgでドープされたP型GaNを含み得る。他の実施形態において、第1の半導体材料104は、P型GaNを含み得、第2の半導体材料108は、N型GaNを含み得る。更なる実施形態において、第1の半導体材料104および第2の半導体材料108は、個々に、アルミニウムインジウムガリウムリンAlInGaP、ガリウムヒ素GaAs、アルミニウムガリウムヒ素AlGaAs、ガリウムヒ素リンGaAsP、リン化ガリウムIIIGaP、セレン化亜鉛ZnSe、窒化ホウ素BN、AlGaN、および/または他の好適な半導体材料のうちの少なくとも1つを含み得る。後により詳細に論じられるように、第1の半導体材料104および/または第2の半導体材料108は、小さい厚さ例えば、約1μm、約1μm~約2μm、約2μm~約3μm、または他の好適な厚さの値を有し得、一方で適当な電流拡散能力を維持する。結果として、SSL装置100は、従来の装置と比較すると、より少ない不良およびより低いコストで生産されることができる。活性領域106は、単一量子井戸SQW、MQW、および/またはバルク状半導体材料を含み得る。本明細書の以下で使用されるように、バルク状半導体材料は、概ね、約10ナノメートルから超~約500ナノメートルの厚さを有する、単一のグレーン半導体材料例えば、InGaNのことを指す。ある実施形態において、活性領域106は、InGaNSQW、GaN/InGaNMQW、および/またはInGaNバルク状材料を含み得る。他の実施形態において、活性領域106は、アルミニウムガリウムインジウムリンAlGaInP、窒化アルミニウムガリウムインジウムAlGaInN、および/または他の好適な材料または構成を含み得る。ある実施形態において、第1の半導体材料104のうちの少なくとも1つ、活性領域106、第2の半導体材料108、およびオプションの緩衝材料103は、金属有機化学蒸着MOCVD、分子線エピタキシーMBE、液相エピタキシーLPE、および/または水素化物気相エピタキシーHVPEによって、基板材料102上に形成され得る。他の実施形態において、前述の構成要素のうちの少なくとも1つおよび/またはSSL構造体111の他の好適な構成要素図示せずが、他の好適なエピタキシャル成長技術によって形成されてもよい。図3Bは、第1のマスキング材料112が第2の半導体材料108の表面108aに堆積し、複数の第1の開口部114を形成するようにパターン形成される処理の別の段階を示す。第1の開口部114は、第2の半導体材料108の想像線で図示される表面108aの一部分を個々に露出させる。一実施形態において、第1のマスキング材料112は、フォトレジストを含み得、写真平板法および/または他の好適な技術を使用してパターン形成されてもよい。他の実施形態において、第1のマスキング材料112は、酸化シリコンSiO2、窒化シリコン、および/またはフォトレジストを堆積およびパターン形成し図示せず、次に、ウェットエッチング、ドライエッチング、および/または他の好適な技術を使用して第1のマスキング材料112の一部分を除去することによりパターン形成されることができる、他の好適な硬いマスキング材料を含み得る。図3Bに示されるように、処理の別の段階は、第1のマスキング材料112で開口部114を通してSSL構造体111の一部を除去することと、SSL構造体111で1つ以上の横方向に配置されるインデンテーション窪み116を形成することとを含む。図3Bにおいて、SSL構造体111は、1つ、3つ、4つ、またはその他の好適な数のインデンテーション116を含み得るが、2つのインデンテーション116が、例示の目的のために示される。SSL構造体111の部分を除去するための技術としては、反応性イオンエッチング、ウェットエッチング、レーザーアブレーション、および/または他の好適な材料除去技術が挙げられ得る。例示される実施形態において、インデンテーション116は、オプションの緩衝材料103には到達せずに第2の半導体材料108の表面108aから第1の半導体材料104へと延在する第1の側壁116aおよび第2の側壁116bを有する三角形の断面とを個々に含む。第1の側壁116aおよび第2の側壁116bは、第1の半導体材料104に対応する第1の区分117aと、活性領域106に対応する第2の区分117bと、第2の半導体材料108に対応する第3の区分117cと、を個々に含む。別の実施形態において、インデンテーション116のうちの少なくとも1つは、オプションの緩衝材料103および/または基板材料102まで、またはその中にさえも延在してもよい。更なる実施形態において、インデンテーション116は、図6A~6Dに示されるように、概ね矩形の、スカロップされた、台形の、卵形の、および/または他の好適な型の断面を有し得る。ある実施形態において、処理は、少なくとも部分的には第1の半導体材料104の電流拡散特性例えば、電気抵抗に基づいて、隣接するインデンテーション116の間の配置本明細書の以下でピッチPと呼ばれるを選択することを含み得る。例えば、第1の半導体材料104が低い電気抵抗を伴う例えば、高いドープ濃縮を伴う高い電流拡散能力を有する場合、大きなピッチPが選択されてもよい例えば、約300μm~約500μm。他の実施形態において、第1の半導体材料104は、高い電気抵抗を伴う低い電流拡散能力を有する場合があり、小さいピッチPが選択されてもよい例えば、約100μm~約300μm。更なる実施形態において、ピッチPは、他の好適な配置の値を有してもよい。図3Cに示されるように、処理の別の段階は、第2の半導体材料108の表面108a上およびインデンテーション116の第1の側壁116aおよび第2の側壁116b上に絶縁材料118を堆積させることを含み得る。絶縁材料118は、酸化シリコン、窒化シリコン、および/または他の好適な絶縁性材料を含み得る。絶縁材料118を形成するための技術としては、熱酸化、化学蒸着CVD、原子層堆積ALD、および/または他の好適な技術が挙げられ得る。例示される実施形態において、絶縁材料118は、インデンテーション116の第1の側壁116aおよび第2の側壁116bに概ね適合する。他の実施形態において、絶縁材料118は、インデンテーション116を少なくとも部分的に充填してもよく、および/または他の好適な構成を有し得る。図3Dに示されるように、処理の別の段階は、絶縁材料118上に第2のマスキング材料113を形成することと、複数の第2の開口部115を形成するように第2のマスキング材料113をパターン形成することと、を含み得る。第2のマスキング材料113は、第1のマスキング材料112図3Bと概ね同じであり、またはこれと異なり得る。例示される実施形態において、第2の開口部115は、絶縁材料118の第1の部分118aおよび第2の部分118bを露出させる。第1の部分118aは、第2の半導体材料108上にある。第2の部分118bは、個々のインデンテーション116の第2の側壁116b上にある。他の実施形態において、第2の開口部115は、絶縁材料118の他の部分をも露出させ得る。第2の開口部115を形成した後、処理は、反応性イオンエッチング、ウェットエッチング、レーザー爆蝕、および/または他の好適な材料除去技術によって、第2の開口部115を通して絶縁材料118の第1の部分118aおよび第2の部分118bを除去することを含む。例示される実施形態において、材料除去作業は、第2の半導体材料108の表面108aおよびインデンテーション116の第2の側壁116bで停止する。他の実施形態において、材料除去は、第2の半導体材料108および/または第2の側壁116bの一部分を除去するように継続してもよい。図3Eに示されるように、絶縁材料118図3Dの第1の部分118aおよび第2の部分118bを除去した後、残存する絶縁材料118は、インデンテーション116の第1の側壁116a上の第1のセクション120および第2の側壁116b上の第2のセクション121を含む。例示される実施形態において、第1のセクション120は、第1の側壁116bを実質的に覆い、第2の半導体材料108の表面108aと実質的に共平面である第1の端部120aを有する。第2のセクション121は、第2の側壁116bを部分的にのみ覆い、第2の半導体材料108の表面108aを越えて延在する、第2の端部121aを有する。結果として、間隙123は、個々のインデンテーション116の絶縁材料118の第1のセクション120と第2のセクション121との間に形成される。間隙123は、第1の半導体材料104の少なくとも一部分を露出させる。したがって、第2のセクション121は、第2の側壁116bの第1の区分117aの少なくとも一部分を覆わない。他の実施形態において、第1のセクション120は、下に図5を参照して更に詳細に論じられるように、第1の側壁116aをも部分的に覆うことができ、したがって、第1の半導体材料104の一部分を露出させる。例示される実施形態において、間隙123は、第2の側壁116bに沿う活性領域106を露出させないが、更なる実施形態において、間隙123は、少なくとも第2の側壁116b上の活性領域106の一部分をも露出させることができる。図3Eについて更に続けると、処理の別の段階は、第2の半導体材料108の表面108aに第3のマスキング材料157を形成することと、複数の第3の開口部119を形成するように第3のマスキング材料157をパターン形成することと、とを含み得る。第3の開口部119は、インデンテーション116の少なくとも一部分を個々に露出させる。図3Fに示されるように、処理は、第3の開口部119を通してインデンテーション116の中に導電性材料122を堆積させることを含み得る。導電性材料122は、銅、アルミニウム、金、銀、および/または他の好適な金属または金属合金を含み得る。導電性材料122を堆積させるための技術としては、CVD、ALD、スパッタリング、電気めっき、および/または他の好適な堆積技術が挙げられ得る。例示される実施形態において、導電性材料122は、第2の半導体材料108の表面108aと概ね共平面コプラナーである第1の端部122aを含む。導電性材料122は、間隙123を通して第1の半導体材料104と直接接触する第2の端部122bをも含む。他の実施形態において、第1の端部122aは、第2の半導体材料108の表面108aから窪んでもよい。更なる実施形態において、第2の端部122bは、間隙123を通して第1の半導体材料104および活性領域106の両方と直接接触することができる。次に、第3のマスキング材料157は、SSL構造体111から除去されてもよい。図3Gに示されるように、処理の別の段階は、SSL構造体111上に電極124を形成することを含む。電極124は、銅、アルミニウム、金、銀、および/もしくは別の好適な金属またはCVD、ALD、スパッタリング、電気めっき、および/または他の好適な堆積技術によって形成される金属合金を含み得る。例示の実施形態において、電極124は、第2の半導体材料108の表面108aと直接接触する第1の表面124aを有する。電極124は、絶縁材料118の第2のセクション121の第2の端部121aと概ね共平面である第2の表面124bをも有する。結果として、絶縁材料118の第2のセクション121は、電極124を複数の電極要素125第1、第2、および第3の電極要素125a、125b、125cとして個々に特定されるに分離し、電気的に絶縁する。他の実施形態において、第2の表面124bは、第2のセクション121の第2の端部121aから窪んでもよく、および/または他の好適な構成を有してもよい。次に、パーシベーション不動態化、皮膜保護材料126は、電極124および絶縁材料118上に形成されることができる。パッシベーション材料126は、酸化シリコン、窒化シリコン、および/または他の好適な非導電性材料を含み得る。例示される実施形態において、パッシベーション材料126は、SSL構造体111の周辺領域の近位に開口部127を含む。他の実施形態において、パッシベーション材料126は、SSL構造体111の他の領域に開口部127を含み得る。図3Gにおいて、処理は、SSL構造体111上に第1の結合材料128を形成することを更に含む。第1の結合材料128は、銅、金/スズ合金、ニッケル/スズ合金、および/もしくは他の好適な金属またはCVD、ALD、スパッタリング、電気めっき、および/または他の好適な技術を使用して形成される金属合金を含み得る。例示される実施形態において、第1の結合材料128は、パッシベーション材料126内の開口部127を介して電極124と直接接触する。他の実施形態において、第1の結合材料128は、別途、電極124に電気的に結合されてもよい。理論に拘束されることなく、第1の半導体材料104がオプションの緩衝材料103上または基板材料102上に直接に形成されるとき、第1の半導体材料104は、初期に、表面104aの近位に多く転位を含有することが考えられる。エピタキシャル成長が継続すると、転位は合体し、および/または別途互いに結び付いて、高品質の結晶形成をもたらす。したがって、第1の半導体材料104の初期部分を表面104aから除去することによって、転位の数または密度は、第1の半導体材料104内で減少する場合がある。図3Hに示されるように、SSL構造体111は、第2の結合材料131を有する担体基板130に結合する。担体基板130は、セラミック基板、シリコン基板、金属合金基板、および/または他の好適な型の担体基板を含み得る。第2の結合材料131は、第1の結合材料128と概ね類似、またはこれと異なり得る。第1の結合材料128および第2の結合材料131は、固体と固体の結合、溶接、および/または他の好適な技術によって互いに結合されてもよい。次に、接点132例えば、銅接点は、第1の半導体材料104内に形成されてもよい。例示される実施形態において、2つのインデンテーション窪み、凹み、陥凹116第1のインデンテーション116’および第2のインデンテーション116として識別されるは、SSL構造体111を3つの領域個々に第1の領域111’、第2の領域111および第3の領域111’’’として識別されるに分割する。対応する部分である第1の半導体材料104個々に第1の半導体要素104’、104、および104’’’として識別される、活性領域106個々に第1の活性要素106’、第2の活性要素106、および第3の活性要素106’’’として識別される、および第2の半導体材料108個々に第2の半導体要素108’、108、および108’’’として識別されるを伴う3つの領域111’、111、および111’’’のそれぞれは、SSL構造体111内に3つの直列に結合される接合部を形成する。SSL構造体111を担体基板130に結合した後、基板材料102およびオプションの緩衝材料103は、研削、剥離、ウェットエッチング、および/または他の好適な技術によって第1の半導体材料104から除去されてもよい。一実施形態において、基板材料102およびオプションの緩衝材料103を除去することは、第1の半導体材料104の表面104aで中止され得る。他の実施形態において、処理は、表面104aから第1の半導体材料104の一部分を除去することをも含み得、第1の半導体材料104内の転位密度の水準を低下させ得る。図3Hに示されるように、作動中、電圧が接点132と電極124との間に印加されてもよい。反応して、電流矢印135によって示されるは、第1の領域111’内の第1の半導体要素104’、第1の活性要素106’、および第2の半導体要素108’を介して接点132から電極124の第1の電極要素125aに向かって流れる。第1の活性要素106’は、電流の一部分を第1の半導体材料104を通して抽出されることができる光に変換する。第1のインデンテーション116’に到達した後、電流は、矢印136によって示されるように第1のインデンテーション116’内の導電性材料122を介して、第1の電極要素125aから第2の領域111内の第1の半導体要素104に向かって流れる。SSL構造体111の第2の領域111において、電流は、次いで、矢印137によって示されるように活性領域106および第2の半導体材料108を介して第1の半導体材料104から第2の電極要素125bに向かって流れる。第2の活性要素106は、電流の別の部分を第1の半導体材料104を通して抽出されることができる光に転換する。第2のインデンテーション116に到達した後、電流は、次いで、想像矢印138によって示されるように導電性材料122によって、第2の電極要素125bからSSL構造体111の第3の領域111’’’内の第1の半導体材料104’’’へと流れる。SSL構造体111の第3の領域111’’’において、電流は、次いで、電極124に到達する前に、矢印139によって示されるように第3の活性領域106’’’および第2の半導体材料108’’’を介して第1の半導体材料104’’’から第3の電極要素125cに向かって流れる。第3の活性要素106’’’は、電流の更なる部分を第1の半導体材料104を通して抽出されることができる光に転換する。結果として、図3Iに示されるように、第1の半導体要素104’、104、および104’’’第1の活性要素106’、第2の活性要素106、および第3の活性要素106’’’、ならびに第2の半導体要素108’、108、および108’’’は、SSL構造体111内の第1の領域111’、第2の領域111、および第3の領域111’’’にそれぞれ対応する3つの直列に結合される接合部202個々に第1の結合部202’第2の結合部202、および第3の結合部202’’’として識別されるを形成する。本明細書で以下に使用されるように、用語接合部は、概ね、反対のまたは別途異なる電荷を保有する特性を有する半導体結晶の少なくとも2つの領域の間の界面空間のことを指す。たとえ、3つの接合部202のみが図4に示されていても、他の実施形態において、SSL装置100は、1つ、2つ、または他の好適な数の接合部202を含んでもよい。一般的な表現では、SSL装置100は、SSL構造体111をN1の接合部202に分割し、Nは正の整数である、N個のインデンテーション116図3Hを含んでもよい。理論に拘束されることなく、第1の半導体材料104および/または第2の半導体材料108の厚さは、SSL構造体111の隣接する領域111’と、111と、111’’’との間の横方向の配置が小さいので、小さくあり得ることが考えられる。したがって、第1の半導体材料104および/または第2の半導体材料108の小さい厚さは、第1の領域111’、第2の領域111、および第3の領域111’’’のそれぞれにおいて適当な横方向の電流拡散を提供するために十分である場合がある。小さい厚さは、低いエピタキシャル成長時間に対応し、したがって、SSL装置100は、従来の装置よりも効率的に、かつ安価に生産されることができる。SSL構造体111の実施形態は、従来の装置と比較すると、改善された光抽出効率を有し得る。図3Hに示されるように、SSL構造体111は、接点132によって占められる小さい区域以外の第1の半導体材料104の顕著な部分を占める、不透明な材料例えば、金属の接点形状を有しない。したがって、活性領域106で発生する光は、第1の半導体材料104を通して容易に抽出され得る。SSL装置100の実施形態は、SSL構造体111が従来の装置より高い電圧で作動することができるので、低い電力消費量でも作動し得る。図4に示されるように、SSL構造体111は、複数の直列に結合される接合部202を含む。単一の接合部全体での電圧低下が、Vo例えば、3ボルトであれば、SSL構造体111は、NVoで作動することができ、Nは、接合部の数である。したがって、ある実施形態において、SSL構造体111内の接合部の数Nは、所望の作動電圧例えば、12ボルト、24ボルト、48ボルト、または他の好適な電圧値を得る様に選択されてもよい。出力電圧が高い値にあるときは、電源における電圧を下げる転換がより効率的であることが考えられる。例えば、電源は、出力電圧が12ボルトの代わりに24ボルトであるとき、より効率的に動作する場合がある。結果として、SSL構造体111の実施形態を組み入れる照明装置は、従来の装置よりも高い電圧水準で動作することによって、より効率的であり得る。たとえ、図3A~3Hを参照する上述のSSL装置100が電極124および接点132に電圧を印加することを含んでいても、他の実施形態において、担体基板130は、図4に示されるように、SSL装置100のための電極を形成するように導電性または半導電性の材料を含み得る。更なる実施形態において、表面特徴例えば、粗化、モスアイ。図示せずは、基板材料102およびオプションの緩衝材料103を除去した後、第1の半導体材料104上に形成されてもよい。図5は、本技術の実施形態によるSSL装置200の断面図である。SSL装置200は、図3HのSSL装置100と概ね類似する一定の構成要素を含む。しかし、図3HのSSL装置100と異なり、SSL装置200においては、残存する絶縁材料118の第一のセクション120および第2のセクション121の両方は、第1の側壁116aおよび第2の側壁116bを部分的にのみ、それぞれ覆う。結果として、導電性材料122は、第1の側壁116aおよび第2の側壁116bの両方を介して第1の半導体材料104と直接接触する。図6A~6Dは、本技術の実施形態による異なるインデンテーション断面を有するSSL装置300の断面図である。SSL装置300は、SSL装置300内のインデンテーション116が図6A~6Dの、概ね矩形の、スカロップされた、台形の、および卵形の断面をそれぞれ有する以外、図3HのSSL装置100に概ね類似する一定の構成要素を含む。更なる実施形態において、インデンテーション116は、他の好適な断面形状をも含み得る。前述から、本技術の具体的な実施形態が本明細書で例示の目的で記載されているが、本開示から逸脱することなく種々の変形が行われてもよいことが理解されるであろう。更に、一実施形態の要素の多くは、他の実施形態の要素に加えてまたはその代わりに、他の実施形態と組み合わされてもよい。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲による限定を除いて、限定されない。"