発光層と、前記発光層の両側にそれぞれ位置する2つのp型層と、前記p型層の前記発光層側とは反対側にそれぞれ位置し、前記p型層とトンネル接合する2つのn型層と、各前記n型層にそれぞれコンタクトする2つの電極と、を有し、いずれのバイアス方向であっても発光可能な半導体発光素子において、前記発光層は、互いに発光波長の異なる第1発光層と第2発光層の2層であり、前記第1発光層と前記第2発光層との間に、前記第1発光層および前記第2発光層よりもバンドギャップの大きな波長分離層を有する、ことを特徴とする半導体発光素子。前記p型層と前記発光層との間に、前記p型層よりもバンドギャップの大きな電子ブロック層をさらに設けたことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記波長分離層の厚さは、1~10nmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体発光素子。III族窒化物半導体発光素子であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。しかし、上記の半導体発光素子では、発光波長の分離性が十分でなく、分離性をより向上させることが課題となっていた。また、通常のIII族窒化物半導体発光素子では、電流によって発光波長を変化させることができるが、その変化量は10nm以下であり、発光波長を大きく変化させることはできなかった。そこで本発明の目的は、バイアス方向によって発光波長が異なる半導体発光素子において、発光波長の分離性を向上させることである。第1の発明は、発光層と、発光層の両側にそれぞれ位置する2つのp型層と、p型層の発光層側とは反対側にそれぞれ位置し、p型層とトンネル接合する2つのn型層と、n型層にコンタクトする2つの電極と、を有し、いずれのバイアス方向であっても発光可能な半導体発光素子において、発光層は、互いに発光波長の異なる第1発光層と第2発光層の2層であり、第1発光層と第2発光層との間に、第1発光層および第2発光層よりもバンドギャップの大きな波長分離層を有する、ことを特徴とする半導体発光素子である。波長分離層はノンドープでもよいが、n型であることが望ましい。発光波長の分離性をより向上させることができるためである。波長分離層をn型とする場合、不純物濃度は1×1017~1×1019/cm3とするのが望ましい。波長分離性をより向上させることができる。また、波長分離層の厚さは、1~10nmであることが望ましい。同じく発光波長の分離性をより向上させることができる。より望ましくは2~7nmである。発光層とp型層との間に、p型層よりもバンドギャップの大きな半導体層である電子ブロック層を設けてもよい。電子ブロック層は、発光層の外側へ電子がオーバーフローしてしまうことを抑制することで発光効率を向上させることができる。電子ブロック層はノンドープでもよいし、低濃度に、たとえば1×1017~1×1018/cm3程度にp型不純物がドープされていてもよい。電子ブロック層の厚さは3~100nmであることが望ましい。電子のオーバーフロー抑制効果がより高まり、発光効率をさらに向上させることができる。より望ましくは5~30nmである。第2の発明は、第1の発明において、p型層と発光層との間に、p型層よりもバンドギャップの大きな電子ブロック層をさらに設けたことを特徴とする半導体発光素子である。第3の発明は、第1の発明または第2の発明において、波長分離層の厚さは1~10nmであることを特徴とする半導体発光素子である。第4の発明は、第1の発明から第3の発明において、III族窒化物半導体発光素子であることを特徴とする。第1の発明の半導体発光素子に電圧を印加した場合、電子とホールの移動度の違いから、第1発光層と第2発光層のうち、正極に近い側の発光層が主として発光する。したがって、第1の発明の半導体発光素子ではバイアス方向によって第1発光層と第2発光層のうちのどちらかを選択的に発光させることができ、発光波長を変えることができる。ここで、第1発光層と第2発光層の間に波長分離層を設けているため、第1発光層と第2発光層のうち負極に近い側の発光層へホールが移動してしまうことが抑制され、負極に近い側の発光層での発光が抑制されると共に正極に近い側の発光層での発光効率が向上する。そのため、第1の発明によると、発光波長の分離性を向上させることができる。また、第2の発明のように、電子ブロック層を設けると発光層の外側へ電子がオーバーフローしてしまうことを抑制することができるので、半導体発光素子の発光効率を向上させることができる。また、第3の発明によると、発光波長の分離性をより向上させることができる。また、第4の発明のように、本発明はIII族窒化物半導体材料を用いた場合にも適用可能であり、従来は困難であった発光波長を大きく変化させることが1素子で実現できる。以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。図1は、実施例1の半導体発光素子の構成を示した図である。実施例1の半導体発光素子は、サファイア基板10を有し、サファイア基板10上に、n-GaN層11、n-GaN層12、p-GaN層13、第1発光層14、第2発光層15、p-GaN層16、n-GaN層17、n-GaN層18が順に積層されている。n-GaN層18上には第1電極19が形成されている。また、n-GaN層18表面の一部領域はn-GaN層11に達する深さの溝が形成されていて、その溝により露出したn-GaN層11上に第2電極20が形成されている。さらに、第1発光層14と第2発光層15との間には、波長分離層21が設けられている。n-GaN層12とp-GaN層13、およびn-GaN層17とp-GaN層16は、トンネル接合するように構成する。すなわち、逆バイアス時にトンネル電流が生じるように、各層の厚さおよび不純物濃度を設計する。たとえば、n-GaN層12およびn-GaN層17の厚さを20nm、Si濃度を1×1020/cm3とし、p-GaN層13およびp-GaN層16の厚さを20nm、Mg濃度を1×1020/cm3とする。これにより、n-GaN層12とp-GaN層13、n-GaN層17とp-GaN層16をそれぞれトンネル接合させることができる。また、p-GaN層13、p-GaN層16の材料をGaNからInGaNに替えてバンドギャップを下げることで、トンネル接合しやすくするようにしてもよい。第1発光層14および第2発光層15は、井戸層と障壁層とが交互に繰り返し積層されたMQW構造であり、発光波長が互いに異なっている。たとえば、第1発光層14は、3nmのInGaNと3nmのGaNとを1ペアとして、これが3ペア繰り返し積層された発光波長450nmのMQW構造であり、第2発光層15は、3nmのInGaNと3nmのGaNとを1ペアとして、これが3ペア繰り返し積層された発光波長480nmのMQW構造である。波長分離層21は、第1発光層14および第2発光層15よりもバンドギャップの大きなAlGaNからなる。第1電極19および第2電極20は、従来よりIII族窒化物半導体発光素子のn電極に用いられている材料からなる。たとえば、Ni/Au、V/Al、Ti/Alなどである。第1電極19、第2電極20は同一の材料であることが好ましい。第1電極19と第2電極20とを同時に形成することができ、製造工程を簡略化することができるからである。また、n-GaN層18表面のほぼ全面にITOなどの透明電極を設け、透明電極上に第1電極19を設ける構成としてもよい。実施例1の半導体発光素子は、第1電極19を正極、第2電極20を負極として電圧印加した場合と、逆に第1電極19を負極、第2電極20を正極として電圧印加した場合とで、発光波長を変えることができる。以下、実施例1の半導体発光素子の動作についてより詳しく説明する。図2は、実施例1の半導体発光素子のバンド構造を示した図である。図2aは、無バイアス状態でのバンド図、図2bは、第1電極19を負極、第2電極20を正極として電圧印加した場合のバンド図、図2cは、第1電極19を正極、第2電極20を負極として電圧印加した場合のバンド図である。図2bのように、第1電極19を負極、第2電極20を正極として電圧印加すると、n-GaN層12とp-GaN層13のpn接合については逆バイアス、n-GaN層17とp-GaN層16のpn接合については順バイアスとなる。ここで、n-GaN層12とp-GaN層13はトンネル接合となるように設計されているため、逆バイアスでもトンネル電流が生じ、p-GaN層13にホールが注入され、第1発光層14へと拡散していく。一方で、n-GaN層17からp-GaN層16へ電子が注入され、電子はp-GaN層16から第2発光層15、第1発光層14へと拡散していく。ホールは電子よりも移動度が低く、さらに波長分離層21が障壁となるため第2発光層15への拡散が抑制される。その結果、電子とホールの結合はほとんどが第1発光層14で生じ、波長450nmで発光する。また、図2cのように、第1電極19を正極、第2電極20を負極として電圧印加すると、n-GaN層12とp-GaN層13のpn接合については順バイアス、n-GaN層17とp-GaN層16のpn接合については逆バイアスとなり、図2bの場合とは反対の動作になる。つまり、ホールは波長分離層21が障壁となるため第1発光層14への拡散が抑制される。そのため、電子とホールの結合はほとんどが第2発光層15で生じ、波長480nmで発光する。以上のように、実施例1の半導体発光素子では、第1発光層14と第2発光層15との間に波長分離層21を設けたことにより、バイアス方向を変えて発光波長を変化させた際の発光波長の分離性が向上している。なお、波長分離層21はノンドープでもn型でもよいが、発光波長の分離性をより高めるためにn型層であることが望ましい。また、同じく発光波長の分離性をより向上させるために、波長分離層21の厚さは1~10nmとすることが望ましく、さらに望ましくは2~7nmである。また、同じく発光波長の分離性をより向上させるために、第1発光層14および第2発光層15と波長分離層21とのバンドギャップの差は30~1000meVとすることが望ましい。図3は、実施例2の半導体発光素子の構成を示した図である。実施例2の半導体発光素子は、実施例1の半導体発光素子において、電子ブロック層100、101をさらに設けたものである。電子ブロック層100、101は、p-GaN層13と第1発光層14との間、および第2発光層15とp-GaN層16との間にそれぞれ設けられている。電子ブロック層100、101は、それぞれp-GaN層13、16よりもバンドギャップの大きなIII族窒化物半導体からなる層である。たとえばAlGaNである。このように電子ブロック層100、101を設けることで、第1発光層14からp-GaN層13へ、あるいは第2発光層15からp-GaN層16へ電子がオーバーフローしてしまうのを抑制することができる。その結果、発光効率の向上を図ることができる。電子のオーバーフローをより効果的に抑制するために、電子ブロック層100、101は3~100nmとすることが望ましい。さらに望ましくは5~30nmである。また、電子ブロック層100、101は低濃度にMgがドープされていてもよい。たとえばMg濃度を1×1017~1×1018/cm3程度としてもよい。また、p-GaN層13、16と電子ブロック層100、101とのバンドギャップの差は30~1000meVとすることが望ましい。電子のオーバーフローをより効果的に抑制するためである。なお、実施例1、2では、III族窒化物半導体を材料とした半導体発光素子を示したが、GaAs系、InP系などの他のIIIV族半導体や、ZnO系などのII-VI族半導体などの化合物半導体を材料としても、本発明は実現可能である。また、実施例1、2の半導体発光素子は同一面側に2つの電極を設けた構成としたが、成長基板として導電性の基板を用いたり、レーザーリフトオフにより成長基板を除去するなどして表面側と裏面側にそれぞれ電極を設け、縦方向に導通をとる構成としてもよい。