"圧電薄膜と前記圧電薄膜を支持する支持体とを備える圧電デバイスの製造方法であって、圧電基板にイオン化した元素を注入することで、前記圧電基板の中に圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を形成するイオン注入工程と、前記圧電基板におけるイオン注入側の面を収縮させる応力層を前記圧電基板に形成する応力層形成工程と、前記支持体を形成する支持体形成工程と、前記圧電基板を加熱して前記圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として、前記圧電基板から前記圧電薄膜を分離する分離工程と、を有する圧電デバイスの製造方法。前記応力層形成工程は、前記圧電基板におけるイオン注入側の面に対向する裏面側に、前記イオン注入側の面を圧縮する圧縮応力膜を前記応力層として形成する圧縮応力膜形成工程であり、前記支持体形成工程は、前記支持体を前記圧電基板の前記イオン注入面側に形成する工程である、請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法。前記圧電基板のイオン注入面側に仮支持体を形成する仮支持体形成工程をさらに有し、前記応力層形成工程は、前記圧電基板におけるイオン注入側の面に対向する裏面側に、前記イオン注入側の面を圧縮する圧縮応力膜を前記応力層として形成する圧縮応力膜形成工程であり、前記支持体形成工程は、前記分離工程で前記圧電基板から分離した前記圧電薄膜に前記支持体を形成する工程である、請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法。前記圧電基板のイオン注入面側に仮支持体を形成する仮支持体形成工程をさらに有し、前記応力層形成工程は、前記圧電基板におけるイオン注入面側に、前記イオン注入側の面を引張る引張応力膜を前記応力層として形成する引張応力膜形成工程であり、前記支持体形成工程は、前記分離工程で前記圧電基板から分離した前記圧電薄膜に前記支持体を形成する工程である、請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法。前記圧縮応力膜形成工程は、前記圧電基板におけるイオン注入側の面に対向する裏面側に、前記圧電基板よりも線膨張係数の小さい材料を用いて前記圧縮応力膜を形成し、前記圧縮応力膜を形成した温度よりも低い温度にすることで前記圧電基板におけるイオン注入側の面に圧縮応力を印加しながら前記圧電基板の注入側の面を拘束する工程、もしくは、前記圧電基板におけるイオン注入側の面に対向する裏面側に、前記圧電基板よりも線膨張係数の大きな材料を用いて前記圧縮応力膜を形成し、前記圧縮応力膜を形成した温度よりも高い温度にすることでイオン注入側の面に圧縮応力を印加しながら前記圧電基板の注入側の面を拘束する工程である、請求項2又は3に記載の圧電デバイスの製造方法。前記支持体の表面上に形成された前記圧電薄膜上にIDT電極膜を形成する電極膜形成工程を有する、請求項1から5のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。前記イオン注入工程は、前記圧縮応力膜形成工程の後に行われる、請求項2、3、5、6のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。前記IDT電極膜を被覆するよう誘電体膜を前記圧電薄膜上に形成する誘電体膜形成工程を有する、請求項6又は7に記載の圧電デバイスの製造方法。前記圧電薄膜と前記支持体との間に形成される空隙層となる空間に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記圧電薄膜をエッチングし、前記犠牲層の一部を前記圧電薄膜の表面側に露出させる孔部を形成する露出工程と、前記孔部を介して前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、を有する、請求項1から8のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。しかしながら、上記特許文献1の製造方法においてイオンを注入すると図1A参照、圧電基板5は、図2に示すように、圧電基板5のイオン注入層6側を凸にして反りが生じる。この反りが生じる理由は、圧電基板5のイオン注入部分において圧電材料の結晶格子間距離が、注入されたイオン元素によって拡がるためである。このように反った状態で圧電基板5と支持基板9とを接合すると図1C参照、圧電基板5は、結晶格子間距離がイオン注入前の結晶格子間距離に比べて伸びた状態で支持基板9と接合することになる。そのため、支持基板9と接合した後にイオン注入層で分離された圧電薄膜5′の結晶格子間距離は、イオン注入前の結晶格子間距離に比べて拡がった状態となる。しかし、このように結晶格子間距離が拡がった状態の圧電薄膜5′は、結晶格子間距離が拡がっていない状態の圧電薄膜に比べて圧電性が劣化することが一般的に知られている。よって、特許文献1の製造方法で製造された圧電薄膜デバイスは、圧電性が劣化しているという問題があった。特に高周波フィルタデバイスでは、結晶格子間距離の拡がりが圧電性の劣化に大きく影響するため、デバイス特性に致命的な問題があった。また、圧電性回復のための熱処理を行うと、結晶間の注入イオン元素が圧電薄膜5′から脱気されて圧電薄膜5′の結晶格子間距離がイオン注入前の結晶格子間距離に戻ろうとする。しかし、圧電薄膜5′は支持基板9に接合しているため、支持基板9に拘束されてイオン注入前の結晶格子間距離に戻れなくなる。即ち、支持基板9上に形成された圧電薄膜5′にせん断応力が発生した状態となる。従って、特許文献1の製造方法で製造された圧電薄膜デバイスは、圧電薄膜5′の破損が起こりやすいという問題もあった。したがって、本発明の目的は、イオン注入を起因とした、圧電薄膜の圧電性の劣化と圧電薄膜の破損を防ぐ圧電デバイスの製造方法を提供することにある。この発明は、圧電薄膜と支持体とを備える圧電デバイスの製造方法に関するものである。この圧電デバイスの製造方法では、少なくとも、イオン注入工程、圧縮応力膜形成工程および引張応力膜形成工程を包含する応力層形成工程、支持体形成工程、および分離工程を有する。イオン注入工程は、圧電基板にイオン化した元素を注入することで、圧電基板の中に圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を形成する。圧縮応力膜形成工程は、圧電基板におけるイオン注入側の面に対向する裏面に、イオン注入側の面を圧縮する圧縮応力膜を応力層として形成する。仮支持体を形成しない場合、支持体形成工程は、支持体を圧電基板のイオン注入面側に形成する。分離工程は、圧電基板を加熱して圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面とした分離を行い、圧電薄膜を支持体の表面上に形成する。この製造方法の圧縮応力膜形成工程において圧縮応力膜を裏面側に形成すると、圧縮応力膜によって、圧電基板における圧電基板の厚み方向の中心線よりイオン注入側の部分に圧縮応力が印加される。圧電基板における中心線よりイオン注入側の部分は、この圧縮応力により圧縮されて収縮する。すなわち圧電基板は、反りが緩和して略平らになる。そのため、支持体形成工程では、圧電基板は、反りが緩和された略平らな状態で支持基板に形成される。さらに、分離工程において加熱処理を施しているため、圧電薄膜中に存在していた注入イオン元素が圧電薄膜から脱気されるとともに、イオン注入工程に起因した圧電薄膜の結晶歪が補正される。これらにより、イオン注入により拡がった圧電薄膜の結晶格子間距離は、安定したイオン注入前の結晶格子間距離に戻る。そのため、この製造方法における圧電薄膜は、安定した良好な圧電性を有する。また、この製造方法では、圧電薄膜がイオン注入前の結晶格子間距離で支持体上に形成されるため、圧電薄膜にせん断応力がかからない。従って、この圧電デバイスの製造方法によれば、圧電薄膜の圧電性の劣化と圧電薄膜の破損を防ぐことができる。また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、少なくとも仮支持体形成工程を有する。仮支持体形成工程は、圧電基板のイオン注入面側に仮支持体を形成する。仮支持体を形成する場合、支持体形成工程は、分離工程で圧電基板から分離した圧電薄膜に支持体を形成する。この発明の圧電デバイスの製造方法では、仮支持体形成工程において、反りが緩和された略平らな状態の圧電基板に仮支持体が形成される。そのため、この発明の圧電デバイスの製造方法においても、イオン注入により拡がった圧電薄膜の結晶格子間距離は、安定したイオン注入前の結晶格子間距離に戻る。そして、圧電薄膜がイオン注入前の結晶格子間距離で支持体上に形成される。また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、圧縮応力膜形成工程の代わりに、引張応力膜形成工程を有しても構わない。引張応力膜形成工程は、圧電基板におけるイオン注入側の面に、イオン注入側の面を引張る引張応力膜を応力層として形成する。この製造方法の引張応力膜形成工程において引張応力膜をイオン注入面側に形成すると、引張応力膜によって、圧電基板における圧電基板の厚み方向の中心線よりイオン注入面側の部分に引張応力が印加される。圧電基板における中心線よりイオン注入面側の部分は、この引張応力により引張られて収縮する。すなわち圧電基板は、反りが緩和して略平らになる。そのため、仮支持体形成工程では、反りが緩和された略平らな状態の圧電基板に仮支持体が形成される。さらに、分離工程において加熱処理を施しているため、圧電薄膜中に存在していた注入イオン元素が圧電薄膜から脱気されるとともに、イオン注入工程に起因した圧電薄膜の結晶歪が補正される。これらにより、イオン注入により拡がった圧電薄膜の結晶格子間距離は、安定したイオン注入前の結晶格子間距離に戻る。そのため、この製造方法における圧電薄膜は、安定した良好な圧電性を有する。また、この製造方法では、圧電薄膜がイオン注入前の結晶格子間距離で支持体上に形成されるため、圧電薄膜にせん断応力がかからない。従って、引張応力膜を応力層として形成する圧電デバイスの製造方法によっても、圧電薄膜の圧電性の劣化と圧電薄膜の破損を防ぐことができる。また、この発明の圧電デバイスの製造方法において、上記圧縮応力膜形成工程は、圧電基板におけるイオン注入側の面に対向する裏面側に、圧電基板よりも線膨張係数の小さい材料を用いて圧縮応力膜を形成し、圧縮応力膜を形成した温度よりも低い温度にすることで圧電基板におけるイオン注入側の面に圧縮応力を印加しながら圧電基板の注入側の面を拘束する。もしくは、圧縮応力膜形成工程は、圧電基板におけるイオン注入側の面に対向する裏面側に、圧電基板よりも線膨張係数の大きな材料を用いて圧縮応力膜を形成し、圧縮応力膜を形成した温度よりも高い温度にすることでイオン注入側の面に圧縮応力を印加しながら圧電基板の注入側の面を拘束する。また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、少なくとも電極膜形成工程を有する。電極膜形成工程は、支持体の表面上に形成された圧電薄膜上にIDTInterdigitalTransducer電極膜を形成する。また、この発明の圧電デバイスの製造方法において、イオン注入工程は、圧縮応力膜形成工程の後に行われる。まず、圧縮応力膜形成工程において圧縮応力膜を裏面側に形成すると、圧縮応力膜によって、圧電基板における圧電基板の厚み方向の中心線よりイオン注入側の面に圧縮応力が印加される。この圧縮応力により、圧電基板における中心線より面側の部分は圧縮されて収縮する。この結果、圧電基板は、圧電基板の圧縮応力膜側を凸にして反りが生じる。そして、イオン注入工程においてイオンを注入すると、圧電基板のイオン注入部分において圧電材料の結晶格子間距離が、注入されたイオン元素によって拡がる。これにより、圧電基板は、反りが緩和して略平らになる。そのため、イオン注入工程の後に行われる支持体形成工程において、圧電基板は、反りが緩和された略平らな状態で支持基板に形成される。また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、少なくとも誘電体膜形成工程を有する。誘電体膜形成工程は、IDT電極膜を被覆するよう誘電体膜を圧電薄膜上に形成する。また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、少なくとも、犠牲層形成工程、露出工程、および犠牲層除去工程を有する。犠牲層形成工程は、圧電薄膜と支持体との間に形成される空隙層となる空間に犠牲層を形成する。露出工程は、圧電薄膜をエッチングし、犠牲層の一部を圧電薄膜の表面側に露出させる孔部を形成する。犠牲層除去工程は、孔部を介して犠牲層を除去する。この製造方法では、メンブレン構造を有する圧電デバイスを製造する。この発明によれば、圧電薄膜の圧電性の劣化と圧電薄膜の破損を防ぐことができる。本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。なお、以下の説明では、圧電デバイスの製造方法として弾性表面波デバイスの製造方法を例に説明する。図3は、第1の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図4、図6~図8は、第1の実施形態に係る圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。図5Aは、イオン注入工程を経た圧電単結晶基板の反った様子を模式的に示す図であり、図5Bは、圧縮応力膜により圧電単結晶基板の反りが緩和された様子を模式的に示す図である。まず、図4Aに示すように、所定厚みからなる圧電単結晶基板1を用意する。また、後述の図6に示すように、所定厚みからなる支持基板50を用意する。圧電単結晶基板1は、タンタル酸リチウム基板を利用し、支持体に相当する支持基板50は、Si基板を利用する。ここで、圧電単結晶基板1は、タンタル酸リチウム基板の他、ニオブ酸リチウム基板、四ホウ酸リチウム基板やランガサイト基板、ニオブ酸カリウム基板を用いても構わない。また、支持基板50は、Si基板の他、ガラス等のセラミック、水晶、サファイアまたは圧電単結晶基板等を用いても構わない。そして、図4Bに示すように、圧電単結晶基板1の表面12側から水素イオンを注入することで、圧電単結晶基板1にイオン注入部分100を形成する図3:S101。例えば圧電単結晶基板1にタンタル酸リチウム基板を用いれば、加速エネルギー150KeVで1.0×1017atom/cm2のドーズ量により水素イオン注入を行うことにより、表面12から深さ約1μmの位置に水素分布部分が形成されて、イオン注入部分100が形成される。このイオン注入部分100は、圧電単結晶基板に注入されたイオン元素の濃度がピークになる部分である。ここで、圧電単結晶基板1の厚みは、水素分布部分の深さに対して10倍以上の厚みであることが好ましい。この理由は、圧電単結晶基板1に過剰な反りが生じるためである。なお、圧電単結晶基板1にタンタル酸リチウム基板以外の素材を用いた場合、それぞれの基板に応じた条件でイオン注入を行う。ここで、上記S101のイオン注入工程においてイオンを注入すると、圧電単結晶基板1は、図5Aに示すように、圧電単結晶基板1のイオン注入部分100側を凸にして反りが生じる。この反りが生じる理由は、圧電単結晶基板1のイオン注入部分において圧電材料の結晶格子間距離が、注入されたイオン元素によって拡がるためである。このように反った状態で圧電単結晶基板1と支持基板50とを接合した場合後述の図6C参照、イオン注入部分100側の面12の圧電材料は、結晶格子間距離がイオン注入前の結晶格子間距離に比べて伸びた状態で支持基板50と接合することになる。そのため、支持基板50と接合した後に圧電薄膜10を分離した場合、圧電薄膜10の結晶格子間距離は、イオン注入前の結晶格子間距離に比べて拡がった状態となってしまう後述の図7A参照。そこで、図5Bに示すように、圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12に対向する裏面13に圧縮応力膜90を形成する図3:S102。圧縮応力膜90は、圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12を圧縮する膜である。圧縮応力膜90は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化タンタルなどを用いることができる。圧縮応力膜90は、蒸着、スパッタリング、CVD等により、圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12に対向する裏面13に成膜される。ただし、いずれの成膜方法でも圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12を圧縮する膜が成膜されるよう、材料や膜厚などの成膜条件を設定する。ここで、圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12に圧縮応力をかける方法としては、上記に述べた成膜方法のほかに、次のような2つの方法を用いてもよい。まず1つ目の方法は、圧電単結晶基板1より線膨張係数の小さい材料を用いて圧縮応力膜90を圧電単結晶基板1の裏面13に形成し、イオン注入側の面12に後述の支持体を形成する際この実施形態では図3S105と図6C参照、圧縮応力膜90を形成したときの温度よりも低い温度で形成する方法である。次に2つ目の方法は、圧電単結晶基板1より線膨張係数の大きい材料を用いて圧縮応力膜90を圧電単結晶基板1の裏面13に形成し、イオン注入側の面12に後述の支持体を形成する際この実施形態では図3S105と図6C参照、圧縮応力膜90を形成したときの温度よりも高い温度で形成する方法である。この実施形態では、1つ目の方法を用いている。上記S102の圧縮応力膜形成工程において圧縮応力膜90を裏面13に形成すると、圧縮応力膜90によって、圧電単結晶基板1における圧電単結晶基板1の厚み方向の中心線Cよりイオン注入部分100側の部分に圧縮応力が印加される。圧電単結晶基板1における中心線Cよりイオン注入部分100側の部分は、この圧縮応力により圧縮されて収縮する。すなわち圧電単結晶基板1は、反りが緩和して略平らになる。なお、S102の圧縮応力膜形成工程で形成した圧縮応力膜90の圧縮応力で、圧電単結晶基板1を絶対的に平らにすることは困難である。しかし、反り量を緩和することは容易であり、反り量を緩和することにより、後述のS106の加熱工程後の圧電薄膜10の結晶格子間距離は、反り量を緩和しない場合と比べてイオン注入前の結晶格子間距離に近づく。次に、図6Aに示すように、圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12に誘電体膜21を形成する図3:S103。誘電体膜21は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどを用いることができる。誘電体膜21は、蒸着、スパッタリング、CVD等により、成膜される。誘電体膜21は、弾性表面波デバイスとして得たい物性を満たす構造材料膜厚を適宜選択する。なお、仮に上記S102の圧縮応力膜形成工程を行わずに誘電体膜21を形成した場合、イオン注入部分100側の面12の圧電材料は、結晶格子間距離がイオン注入前の結晶格子間距離に比べて伸びた状態で誘電体膜21と接することになる。この場合、後述のS106の加熱工程による注入イオン元素の脱気等で、イオン注入後に拡がった圧電薄膜10の結晶格子間距離がイオン注入前の結晶格子間距離に戻ろうとする際に、戻るのを阻害する力が誘電体膜21により掛かることになる。そのため、この実施形態では、上記S102の圧縮応力膜形成工程を行った後に誘電体膜21を形成している。同様に、上記S103の工程において誘電体膜21の代わりに所定の金属膜を形成する場合や、上記S103の工程や後述のS104の工程を行わずに支持体50を圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12に直接に接合する場合も、上記S102の圧縮応力膜形成工程を行った後に所定の金属膜を形成したり接合したりする必要がある。次に、図6Bに示すように、支持基板50と接合するための接合膜22を誘電体膜21の表面に形成する図3:S104。さらに、接合膜22の表面を研磨することにより平坦化する。接合膜22は、無機材料からなり、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどを用いることができる。接合膜22は、蒸着、スパッタリング、CVD等により、成膜される。ここで、支持基板50と誘電体膜21と接合膜22とからなる部分が、本発明の支持体に相当する。次に、図6Cに示すように、支持基板50を圧電単結晶基板1上の接合膜22の表面に接合する図3:S105。なお、この接合には、直接接合と呼ばれる活性化接合や親水化接合、あるいは、金属層を介した相互拡散を利用した接合を用いることができる。また、本実施形態では、支持基板50を圧電単結晶基板1に接合しているが、実施の際は、支持基板50を、成膜等により圧電単結晶基板1上に形成しても構わない。次に、図6Cに示す圧電単結晶基板1と支持基板50との接合体をこの実施形態では500°Cまで加熱し、イオン注入部分100を分離面とした分離を行う図3:S106。ここで、S106の分離工程は、減圧雰囲気下で加熱すれば、加熱温度を低くすることができる。S106の分離工程により、図7Aに示すように、支持基板50上の誘電体膜21の表面に、単結晶の圧電薄膜10が形成される。ここで、S105の接合工程において圧電単結晶基板1は、反りが緩和された略平らな状態で支持基板50に接合される。さらに、S106の分離工程では500°Cまで加熱しているため、圧電薄膜10中に存在していた注入イオン元素ここでは水素が圧電薄膜10から脱気されるとともに、S101のイオン注入工程に起因した圧電薄膜10の結晶歪が補正される。これらにより、イオン注入により拡がった圧電薄膜10の結晶格子間距離は、安定したイオン注入前の結晶格子間距離に戻る。そのため、この実施形態における圧電薄膜10は、安定した良好な圧電性を有する。また、この実施形態では、圧電薄膜10がイオン注入前の結晶格子間距離で支持基板50上に形成されるため、圧電薄膜10にせん断応力がかからない。従って、この実施形態の圧電デバイスの製造方法によれば、圧電薄膜10の圧電性の劣化と圧電薄膜10の破損を防ぐことができる。なお、圧電薄膜10を単結晶薄膜とすることで、スパッタ、蒸着、CVD法等で成膜される多結晶薄膜より圧電性に優れた薄膜を形成することができる。また、圧電単結晶基板1の結晶方位が圧電薄膜10の結晶方位となるため、圧電デバイスの特性に応じた結晶方位を有する圧電単結晶基板1を用意することで、該特性に応じた結晶方位を有する圧電薄膜10を形成できる。また、イオン注入、接合、分離により単結晶薄膜を形成しているため、1枚の圧電単結晶基板1から複数の圧電薄膜10を形成することができるため、単結晶の圧電材料を節約することができる。次に、分離形成した圧電薄膜10の表面をCMP処理等により研磨して平坦化する図3:S107。この表面粗さは、算術平均粗さRaで0.5nm以下が好ましい。次に、図7Bに示すように、圧電薄膜10の表面上に、Alアルミニウム等を用いて、所定膜厚の上部電極60A,60BとIDTInterdigitalTransducer電極60Cを形成する図3:S108。ここで、上部電極60A、60BとIDT電極60Cが、本発明の電極膜に相当する。なお、電極60A~60Cには、Alのみでなく、デバイスの仕様に応じて、Al,W、Mo、Ta、Hf、Cu、Pt、Ti、Au等を単体もしくは複数積層して用いてもよい。次に、図7Cに示すように、圧電薄膜10及び電極60A~60Cを保護するため、圧電薄膜10及び電極60A~60Cの表面に絶縁膜70を形成する図3:S109。次に、図8Aに示すように、絶縁膜70の上部電極60A,60Bを露出させる領域に開口部82A、82Bをエッチング等で形成する図3:S110。次に、図8Bに示すように、外部端子を形成する図3:S111。詳述すると、上部電極60A、60B上にバンプパッド61A、61Bを形成し、両バンプパッド61A、61B上にバンプ62A、62Bを形成する。最後に、支持基板50上に形成された複数の薄膜型圧電デバイスから個別の薄膜型圧電デバイスに分割する分割工程を経て、モールド金型を用いたパッケージングを行う。このようにして薄膜型圧電デバイス弾性表面波共振子を形成する。そのため、複数の薄膜型圧電デバイスを一括製造できる。従って、この実施形態によれば、複数の薄膜型圧電デバイスを一括製造できるため、薄膜型圧電デバイスの製造コストを大幅に削減できる。ここで、以上のようにして得られた本実施形態の弾性表面波共振子の特性と、本実施形態の弾性表面波共振子の比較例である弾性表面波共振子の特性と、を測定した結果を表1に示す。比較例の弾性表面波共振子が本実施形態の弾性表面波共振子と相違する点は、製造する際に圧電単結晶基板1の裏面13に圧縮応力膜90を形成しなかった点であり、その他の製造方法および構成については同じである。表1の上段に示されている比較例の弾性表面波共振子は、上述したように、圧電単結晶基板1のイオン注入面側の面12に圧縮応力を印加せずに圧電薄膜10を支持基板50に形成して作製したものである。一方、表1の下段に示されている本実施形態の弾性表面波共振子は、圧電単結晶基板1が平らになるよう圧電単結晶基板1の裏面13に圧縮応力膜90として厚み250nmの窒化シリコン膜をスパッタリング法で形成して作製したものである。なお、表1の上段に示されている比較例の弾性表面波共振子の反り量が80mmあたり220μmであったのに対し、表1の下段に示されている本実施形態の弾性表面波共振子の反り量は圧縮応力膜90の形成によって同じく80mmあたり20μmにまで改善した。表1に示すように、圧縮応力膜90を形成した場合と形成しなかった場合では、圧縮応力膜90を形成した方が圧電性に優れた共振子特性を得られることが明らかとなった。これは、圧電薄膜10の結晶格子間距離が伸びた状態で圧電薄膜10が支持基板50に形成されると圧電性が劣化するが、圧縮応力膜90によって圧電薄膜10の結晶格子間距離の伸びを修正した状態で圧電薄膜10を支持基板50に形成することによって、圧電薄膜10の圧電性が回復するためであると考えられる。次に、本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図9~図12を参照して説明する。なお、以下の説明では、圧電デバイスの製造方法として弾性表面波デバイスの製造方法を例に説明する。図9は、第2の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図10,図11は、図9に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。この第2の実施形態は、上記第1の実施形態と、仮支持体形成工程を経る点で異なり、圧縮応力膜形成工程までは同じである。圧縮応力膜形成工程図9、10:S202の後、圧電単結晶基板1のイオン注入側の面に被エッチング層3を積層形成する被エッチング層形成工程を行う図9、10:S203。被エッチング層3は、後の仮支持基板除去工程において、圧電薄膜10や支持材に対して選択性を確保してエッチングできる構成材料を採用するとよく、ZnO、SiO2、AlNなどの無機材料やCu、Al、Tiなどの金属材料、ポリイミド系などの有機材料、あるいはそれらの多層膜などを用いることができる。なお、被エッチング層3は設けられずともよい。次に、圧電単結晶基板1に積層した被エッチング層3に仮支持体4を形成する仮支持体形成工程を行う図9、10:S204。この実施形態の圧電デバイスの製造方法では、この仮支持体形成工程において、反りが緩和された略平らな状態の圧電単結晶基板1に仮支持体4が形成される。ここで、仮支持体4は被エッチング層3とともに仮支持基板を構成する。被エッチング層3と仮支持体4とからなる仮支持基板は、特に限定されるものではなく、圧電単結晶基板1圧電薄膜10との界面に作用する熱応力が支持体51よりも小さく、好ましくは略ゼロにすることが可能な構成材料を選定するのがよい。ここでは仮支持体4の構成材料として圧電単結晶基板1と同種のタンタル酸リチウム基板を採用し、被エッチング層3の構成材料としてCu膜およびSiO2膜をそれぞれスパッタ成膜により積層したものを採用する。したがって仮支持体4単体の線膨張係数と圧電単結晶基板1単体の線膨張係数は等しく、これにより、被エッチング層3と仮支持体4とからなる複合材である仮支持基板と圧電単結晶基板1圧電薄膜10との界面に作用する熱応力を略ゼロにすることができる。なお、被エッチング層3の線膨張係数はタンタル酸リチウム基板の線膨張係数と相違するが、上記Cu膜のような延性が高い構成材料金属材料などを圧電単結晶基板1に直接積層するとともに、被エッチング層3の厚みを必要十分な程度に薄くしておくことにより、圧電単結晶基板1圧電薄膜10との界面における熱応力を低減することができる。上記S204の後、第1の実施形態と同様に、圧電単結晶基板1を加熱して、圧電単結晶基板1に注入された元素の濃度がピークになるイオン注入部分100を分離面とした分離を行う分離工程を行う図9、10:S205。この結果、イオン注入により拡がった圧電薄膜10の結晶格子間距離は、安定したイオン注入前の結晶格子間距離に戻る。そして、第1の実施形態と同様に誘電体膜21を圧電薄膜10に形成した後図9、10:S206、その誘電体膜21に支持体51を形成する支持体形成工程を行う図9、10:S207。そのため、この実施形態の圧電デバイスの製造方法においても、圧電薄膜10がイオン注入前の結晶格子間距離で支持体51上に形成される。この支持体形成工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。ここで、支持体51は誘電体膜21とともに支持基板を構成する。誘電体膜21と支持基板51とからなる支持基板は、前述の仮支持基板のように加熱工程における圧電単結晶基板1圧電薄膜10との界面に作用する熱応力を考慮する必要が無く、任意の線膨張係数の構成材料を選定できる。そのため、誘電体膜21や支持体51として、単体での線膨張係数が圧電薄膜10に比べて著しく小さな構成材料を採用することも可能になり、弾性表面波デバイスの温度―周波数特性を大幅に改善させられる。また、誘電体膜21や支持体51として熱伝導性の良い構成材料を採用することで、弾性表面波デバイスの放熱性、耐電力性を良化できる。さらに、誘電体膜21や支持体51として安価な構成材料、形成方法を採用することで、弾性表面波デバイスの製造コストを低廉にできる。次に、被エッチング層3および仮支持体4からなる仮支持基板を除去する仮支持基板除去工程を行う図9、11:S208。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。ここでは、被エッチング層3および仮支持体4からなる仮支持基板を除去するために、被エッチング層3をウエットエッチング、あるいはドライエッチングする。一般的には、被エッチング層3が無機系材料、金属系材料であればウエットエッチングを用い、有機系材料であればドライエッチングを用いる。これにより、圧電薄膜10に不要な応力や衝撃を与えることなく被エッチング層3および仮支持体4を除去でき、圧電薄膜10における不具合の発生を抑止できる。なお、被エッチング層3から分離した仮支持体4は、その後の弾性表面波デバイスの製造で再利用すると好適である。最後に、第1の実施形態と同様に電極形成等を行い図9、11:S209~S212、分割工程とモールド工程を経て、弾性表面波デバイスを得る。以上より、第2の実施形態により得られるデバイスは、第1の実施形態で製造する場合とは圧電薄膜10の表裏が逆向きの弾性表面波デバイスとなる。ここで、第1の実施形態で製造する場合とは圧電薄膜10の表裏が逆向きの弾性表面波デバイス10の構造に基づく本発明の作用効果の一例を、図12を参照して説明する。図12Aは、第1の実施形態で製造する弾性表面波デバイスの模式図、図12Bは、第2の実施形態で製造する弾性表面波デバイスの模式図である。いずれの場合も、イオン注入工程で圧電単結晶基板1にイオン注入面Aからイオンを注入することでイオン注入部分100を形成し、イオン注入部分100を分離面Bとして圧電単結晶基板1から圧電薄膜10を分離する。第1の実施形態では、イオン注入面Aに支持基板を形成することになり、圧電薄膜10の分離面Bにデバイスの機能電極60Cを形成することになる。一方、第2の実施形態では、イオン注入面Aに仮支持基板を形成した後、分離面Bに支持基板を形成し、仮支持基板を除去した後のイオン注入面Aにデバイスの機能電極60Cを形成することになる。イオン注入部分100を分離面として圧電単結晶基板1から圧電薄膜10を分離形成する方法により形成した圧電薄膜10では、加熱工程で結晶性や圧電性を回復していても一定程度の水素イオンの残留がある。そして、水素イオンの残留密度は圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100となる領域、即ち圧電薄膜10における分離面Bの近傍領域で大きく、イオン注入面Aの近傍領域で小さい。水素イオンの残留密度が小さい領域ほど局所的な圧電性の劣化が少ない傾向があるため、分離面Bの近傍領域では圧電性の劣化の程度が大きく、イオン注入面A近傍では圧電性の劣化の程度が小さい。したがって、本実施形態で製造する弾性表面波デバイスでは、圧電性の劣化が少ないイオン注入面Aに機能電極60Cを形成することで、第1の実施形態で製造する弾性表面波デバイスよりも、さらに良好なデバイス特性が得られる。次に、第3の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。なお、以下の説明では、圧電デバイスの製造方法として弾性表面波デバイスの製造方法を例に説明する。図13は、第3の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図14Aは、圧縮応力膜により圧電単結晶基板の反った様子を模式的に示す図である。図14Bは、圧縮応力膜により反った圧電単結晶基板の表面に対してイオンを注入している様子を模式的に示す図である。図14Cは、イオン注入工程を経て圧電単結晶基板の反りが緩和された様子を模式的に示す図である。この実施形態の圧電デバイスの製造方法が第1の実施形態に示した圧電デバイスの製造方法と相違する点は、圧縮応力膜形成工程をイオン注入工程の前に行う点である。即ち、図13のS303~S311は、それぞれ第1の実施形態に示したS103~S111と同じである。詳述すると、まず、S301の圧縮応力膜形成工程において圧縮応力膜90を裏面13に形成する。その結果、圧縮応力膜90によって、圧電単結晶基板1における圧電単結晶基板1の表面12側に圧縮応力が印加される図14A参照。この圧縮応力により、圧電単結晶基板1における中心線Cより面12側の部分は圧縮されて収縮する。この結果、圧電単結晶基板1は、圧電単結晶基板1の圧縮応力膜90側を凸にして反りが生じる。そして、S302のイオン注入工程においてイオンを注入すると図14B参照、圧電単結晶基板1のイオン注入部分において圧電材料の結晶格子間距離が、注入されたイオン元素によって拡がる。これにより、圧電単結晶基板1は、反りが緩和して略平らになる図14C参照。そのため、S305の接合工程において圧電単結晶基板1は、平らな状態で支持基板50に接合される。さらに、S306の分離工程では500°Cまで加熱しているため、圧電薄膜10中に存在していた注入イオン元素ここでは水素が圧電薄膜10から脱気されるとともに、S101のイオン注入工程に起因した圧電薄膜10の結晶歪が補正される。これらにより、イオン注入により拡がった圧電薄膜10の結晶格子間距離は、安定したイオン注入前の結晶格子間距離に戻る。従って、この実施形態の圧電デバイスの製造方法によれば、第1の実施形態の圧電デバイスの製造方法と同様の効果を奏する。次に、第4の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。なお、以下の説明では、圧電デバイスの製造方法として弾性境界波デバイスの製造方法を例に説明する。図15は、第4の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図16は、第4の実施形態に係る圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。この実施形態の圧電デバイスの製造方法は、第1の実施形態に示した圧電デバイスの製造方法における絶縁膜70の形成工程図3:S109を、誘電体膜71の形成工程図15:S409に置き換えたものである。即ち、図15のS401~S408、S410、S411は、それぞれ第1の実施形態に示した図3のS101~S108、S110、S111と同じである。この実施形態においても、S402の圧縮応力膜形成工程で圧縮応力膜90を形成して圧電単結晶基板1の反りを緩和し、S405の接合工程において平らな圧電単結晶基板1を支持基板50に接合し、S406の分離工程において加熱分離している。従って、この実施形態の圧電デバイスの製造方法によれば、第1の実施形態の圧電デバイスの製造方法と同様の効果を奏する。次に、第5の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。図17は、第5の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図18~図20は、図17に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、圧電デバイスの製造方法として、弾性バルク波デバイス図19参照、板波デバイス図20参照、及びラム波デバイスなどのメンブレン構造を持つ圧電デバイスの製造方法を例に説明する。この実施形態の圧電デバイスの製造方法は、図17のS501、S502、S508の工程が図3のS101、S102、S108の工程と共通し、その他の工程S503~S507、S509~S512が相違するものである。まず、S501のイオン注入工程とS502の圧縮応力膜形成工程とを経た圧電単結晶基板1を用意する。ここで、この圧電単結晶基板1は、両工程を経ているため反りが緩和されて略平らな状態になっている。そして、圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12に、図18Aに示すように、Alアルミニウム等を用いて所定膜厚の下部電極膜20を形成する図17:S503。ここで、下部電極膜20には、Alのみでなく、デバイスの仕様に応じて、W、Mo、Ta、Hf、Cu、Pt、Ti、Au等を単体もしくは複数積層して用いてもよい。なお、下部電極膜20を有さない構造の板波デバイス図20参照を製造する場合は、S503の工程を省略する。一方、図18Bに示すように、支持基板50の表面に、所定膜厚の支持層40を形成する図17:S504。支持層40は、絶縁性材料からなり、シリコン酸化物や窒化物、アルミニウム酸化物、PSG等の無機物や、樹脂等の有機物を利用し、犠牲層30の除去のためのエッチングガスやエッチング液に対して強い耐性を有するものであればよい。支持層40は、蒸着、スパッタリング、CVD、スピン塗布等により、支持基板50の表面の一定領域犠牲層30を形成する領域を除外した領域に成膜される。即ち、この支持層40は、圧電薄膜10が圧電デバイスとして機能しない非振動領域の直下に形成される。そして、支持層40の膜厚は、メンブレンの中空領域を構成する空隙層80の深さに応じて設定される。ここで、支持層40と支持基板50とからなる部分が、本発明の支持体に相当する。なお、支持層40は、圧電単結晶基板1や犠牲層30に対して、線膨張係数を加味した上で材質を決定するとよりよい。次に、図18Bに示すように、支持基板50の表面に、所定膜厚の犠牲層30を形成する図17:S505。犠牲層30は、上部電極60と圧電薄膜10と下部電極20と支持層40よりもエッチングされやすい材料からなる。具体的には、Ni,Cu,Al等の金属や、SiO2、ZnO、PSGリンケイ酸ガラス等の絶縁膜や、有機膜等から、条件に応じて適宜設定する。犠牲層30は、蒸着、スパッタリング、CVD、スピン塗布等により、支持基板50の表面上における空隙層80となる空間即ち、圧電薄膜10が圧電デバイスとして機能する振動領域および孔部81A、81Bの直下の空間に、支持層40の膜厚と同じ膜厚で成膜される。そして、犠牲層30及び支持層40や下部電極20の表面をCMP等により平坦化処理する。次に、図18Cに示すように、圧電単結晶基板1上の下部電極20と支持基板50の犠牲層30及び支持層40とを接合する図17:S506。なお、この接合方法は、第1の実施形態と同じである。次に、図18Cに示す圧電単結晶基板1と支持基板50との接合体をこの実施形態では500°Cまで加熱し、イオン注入部分100を分離面とした分離を行う図17:S507。この分離工程により、図18Dに示すように、支持基板50上の下部電極20の表面に、単結晶の圧電薄膜10が形成される。なお、この分離方法は、第1の実施形態と同じである。次に、弾性バルク波デバイス図19参照であれば、S508のポリッシングの後、圧電薄膜10の表面上に、Alアルミニウム等を用いて所定膜厚の上部電極63B、63Cを形成する図17:S509。ここで、上部電極63B、63Cも、下部電極と同様に、Alのみでなく、デバイスの仕様に応じて、W、Mo、Ta、Hf、Cu、Pt、Ti、Au等を単体もしくは複数積層して用いることができる。また、板波デバイス図20参照であれば、S508のポリッシングの後、圧電薄膜10の表面上に、Alアルミニウム等を用いて所定膜厚の上部電極60A,60BとIDT電極60Cを形成する図17:S509。これらの上部電極60A、60B、60Cも、Alのみでなく、デバイスの仕様に応じて、W、Mo、Ta、Hf、Cu、Pt、Ti、Au等を単体もしくは複数積層して用いることができる。次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト膜をパターニングした後、エッチングガスを流入させることで、犠牲層30の一部を圧電薄膜10の表面側に露出させる孔部81A,81Bを形成する図17:S510。板波デバイス図20参照であれば、同時に、下部電極20の一部を圧電薄膜10の表面側に露出させる開口部も形成する。そして、エッチングガスもしくはエッチング液を孔部81A,81Bを介して流入させることで、犠牲層30を除去する図17:S511。これにより、犠牲層30が形成されていた空間は、図19に示すような空隙層80、図20に示すような空隙層80′となる。次に、第1の実施形態の圧電デバイスの製造方法と同様に、外部端子を形成する図17:S512。この際、弾性バルク波デバイス図19参照であれば、引き回し配線63Aを外部端子として形成する。最後に、支持基板50上に形成された複数の薄膜型圧電デバイスから個別の薄膜型圧電デバイスに分割する分割工程を経て、モールド金型を用いたパッケージングを行う。このようにして薄膜型圧電デバイスを形成する。以上より、この実施形態においても、S502の圧縮応力膜形成工程で圧縮応力膜90を形成して圧電単結晶基板1の反りを緩和し、S506の接合工程において平らな圧電単結晶基板1を支持基板50に接合し、S507の分離工程において加熱分離している。従って、この実施形態の圧電デバイスの製造方法によれば、第1の実施形態の圧電デバイスの製造方法と同様の効果を奏する。さらに、図18Dに示すように圧電薄膜10はイオン注入部分100であった面が上側になるため、図19、図20に示すように上部電極63C又はIDT電極60C側へ応力が印加される。よって、犠牲層30を除去した際に、圧電薄膜10と支持層40との距離が近くても、スティッキング現象を引き起こし難い。次に、第6の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。第6の実施形態の圧電デバイスの製造方法が第2の実施形態に示した圧電デバイスの製造方法と相違する点は、圧縮応力膜形成工程の代わりに、引張応力膜形成工程を行う点である。図21は、第6の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図22は、図21に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。図23Aは、イオン注入工程を経た圧電単結晶基板の反った様子を模式的に示す図である。図23Bは、引張応力膜により圧電単結晶基板の反りが緩和された様子を模式的に示す図である。図21に示す第6の実施形態の圧電デバイスの製造方法は、図9に示したS202~S204をS602、S604に置き換えてS208をS608に置き換えたものであり、その他の工程S201、S205~S207、S209~S212については同じである。そのため、S602、S604、S608について以下詳述する。まず、図22、図23に示すように、圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12に引張応力膜91を形成する図21:S602。引張応力膜91は、圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12を引っ張る膜である。また、引張応力膜91は、第2の実施形態で述べた被エッチング層3図10参照も兼ねており、後のS208において、圧電薄膜10や仮支持体4に対して選択性を確保してエッチングできる構成材料を採用する。引張応力膜91は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化タンタルなどを用いることができる。引張応力膜91は、蒸着、スパッタリング、CVD等により、圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12に成膜される。ただし、いずれの成膜方法でも圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12を引っ張る膜が成膜されるよう、材料や膜厚などの成膜条件を設定する。上記S602の引張応力膜形成工程において引張応力膜91をイオン注入部分100側の面12に形成すると、引張応力膜91によって、圧電単結晶基板1における圧電単結晶基板1の厚み方向の中心線Cよりイオン注入部分100側の部分に引張応力が印加される図23参照。圧電単結晶基板1における中心線Cよりイオン注入部分100側の部分は、この引張応力により引っ張られて収縮する。すなわち圧電単結晶基板1は、反りが緩和して略平らになる。なお、S602の引張応力膜形成工程で形成した引張応力膜91の引張応力で、圧電単結晶基板1を絶対的に平らにすることは困難である。しかし、反り量を緩和することは容易であり、反り量を緩和することにより、S205の加熱工程後の圧電薄膜10の結晶格子間距離は、反り量を緩和しない場合と比べてイオン注入前の結晶格子間距離に近づく。よって、この実施形態の仮支持体形成工程においても、反りが緩和された略平らな状態の圧電単結晶基板1に仮支持体4が形成される図21、図22:S604。なお、この工程における仮支持体4の形成方法および材料は、第2の実施形態に示したS204と同じである。次に、引張応力膜91および仮支持体4からなる仮支持基板を除去する仮支持基板除去工程を行う図11、図21:S608。この工程では、当該仮支持基板を除去するために、第2の実施形態で述べた被エッチング層3の代わりに、引張応力膜91をウエットエッチング、あるいはドライエッチングする。なお、この工程における仮支持基板の除去方法は、第2の実施形態に示したS208と同じである。最後に、第2の実施形態と同様に電極形成等を行い図11、図21:S209~S212、分割工程とモールド工程を経て、弾性表面波デバイスを得る。従って、この実施形態の圧電デバイスの製造方法によれば、第2の実施形態の圧電デバイスの製造方法と同様の効果を奏する。なお、上述の実施形態では、バルク波の圧電デバイスや板波デバイスを例に説明したが、他に、ジャイロ、RFスイッチ、振動発電素子等、圧電単結晶薄膜からなりメンブレンを有する各種デバイスに対しても、本発明の製造方法を適用することができる。また、上述の各実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"