複数の矩形開口が予め形成されているマスク板を基板の被加工面側に配置する配置工程と、砥粒を前記マスク板越しに前記被加工面へ噴射するブラスト工程と、を含むことを特徴とする基板の粗面化方法。前記ブラスト工程では、前記矩形開口の長手方向に沿うように前記基板を前記マスク板に対して相対的に移動させながら、前記砥粒を前記マスク板越しに前記被加工面へ噴射することを特徴とする請求項1に記載の基板の粗面化方法。前記ブラスト工程では、前記矩形開口の長手方向に対応する方向へストライプ状に延びた溝を前記被加工面に形成することを特徴とする請求項2に記載の基板の粗面化方法。前記マスク板では、前記複数の矩形開口が、少なくとも前記矩形開口の長手方向と交差する方向に配列されており、前記ブラスト工程では、前記矩形開口の長手方向に対応する方向へストライプ状にそれぞれ延びているとともに互いに並んだ複数の溝を前記被加工面に形成することを特徴とする請求項2に記載の基板の粗面化方法。前記配置工程では、前記矩形開口の一部を遮蔽するマスク部材と、前記基板との間に前記マスク板が位置するように、前記マスク部材をさらに配置し、前記ブラスト工程では、前記砥粒を前記マスク部材及び前記マスク板を介して前記被加工面へ噴射することを特徴とする請求項1に記載の基板の粗面化方法。前記ブラスト工程では、前記矩形開口の長手方向に沿うように前記基板を前記マスク板に対して相対的に移動させるとともに、前記基板を前記マスク部材に対して相対的に静止させながら、前記砥粒を前記マスク部材及び前記マスク板を介して前記被加工面へ噴射することを特徴とする請求項5に記載の基板の粗面化方法。前記配置工程では、前記マスク板と前記基板との間に、前記矩形開口の一部を遮蔽するマスク部材をさらに配置し、前記ブラスト工程では、前記砥粒を前記マスク板及び前記マスク部材を介して前記被加工面へ噴射することを特徴とする請求項1に記載の基板の粗面化方法。前記ブラスト工程では、前記矩形開口の長手方向に沿うように前記基板を前記マスク板に対して相対的に移動させるとともに、前記基板を前記マスク部材に対して相対的に静止させながら、前記砥粒を前記マスク部材及び前記マスク板を介して前記被加工面へ噴射することを特徴とする請求項7に記載の基板の粗面化方法。前記ブラスト工程を経た前記被加工面に対してエッチング処理を施すエッチング工程をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の基板の粗面化方法。少なくとも前記ブラスト工程の前に、前記被加工面に耐エッチング膜を形成する形成工程をさらに含み、前記ブラスト工程では、前記複数の矩形開口に対応した複数の開口を前記耐エッチング膜に形成することを特徴とする請求項1に記載の基板の粗面化方法。前記マスク板では、前記複数の矩形開口が、少なくとも前記矩形開口の長手方向と交差する方向に配列されており、前記ブラスト工程では、前記耐エッチング膜における、前記矩形開口の長手方向に対応する方向へストライプ状にそれぞれ延びているとともに互いに並んだ複数の被加工領域のそれぞれに、前記複数の開口を形成することを特徴とする請求項10に記載の基板の粗面化方法。前記配置工程では、前記矩形開口の一部を遮蔽するマスク部材と、前記基板との間に前記マスク板が位置するように、前記マスク部材をさらに配置し、前記ブラスト工程では、前記砥粒を前記マスク部材及び前記マスク板を介して前記被加工面上の前記耐エッチング膜へ噴射することを特徴とする請求項11に記載の基板の粗面化方法。前記ブラスト工程では、前記矩形開口の長手方向に沿うように前記基板を前記マスク板に対して相対的に移動させるとともに、前記基板を前記マスク部材に対して相対的に静止させながら、前記砥粒を前記マスク部材及び前記マスク板を介して前記被加工面上の前記耐エッチング膜へ噴射することを特徴とする請求項12に記載の基板の粗面化方法。前記配置工程では、前記マスク板と前記基板との間に、前記矩形開口の一部を遮蔽するマスク部材をさらに配置し、前記ブラスト工程では、前記砥粒を前記マスク板及び前記マスク部材を介して前記被加工面上の前記耐エッチング膜へ噴射することを特徴とする請求項11に記載の基板の粗面化方法。前記ブラスト工程では、前記矩形開口の長手方向に沿うように前記基板を前記マスク板に対して相対的に移動させるとともに、前記基板を前記マスク部材に対して相対的に静止させながら、前記砥粒を前記マスク部材及び前記マスク板を介して前記被加工面上の前記耐エッチング膜へ噴射することを特徴とする請求項14に記載の基板の粗面化方法。前記複数の開口が形成された前記耐エッチング膜をマスクとして、前記被加工面に対してエッチング処理を施す第2のエッチング工程と、前記第2のエッチング工程の後に、前記被加工面から前記耐エッチング膜を除去する除去工程と、をさらに備えたことを特徴とする請求項10に記載の基板の粗面化方法。基板の被加工面に第1の不純物拡散領域を形成する第1の拡散工程と、前記被加工面に複数の凹部を形成するように、前記基板に対して請求項1に記載の基板の粗面化方法を施す粗面化工程と、前記被加工面における前記複数の凹部の形成されていない平坦部に前記第1の不純物拡散領域を残すように、前記複数の凹部に前記第1の不純物拡散領域より不純物濃度の低い第2の不純物拡散領域を形成する第2の拡散工程と、前記被加工面における前記平坦部に電極を形成する電極形成工程と、を含むことを特徴とする光起電力装置の製造方法。特許文献1に記載された技術では、1枚のシリコン基板の表面を加工するために、シリコン基板の表面に感光性樹脂をパターニングして保護マスクを形成する必要があり、さらに、異なる粒度の砥粒を用いた2回のブラスト加工が必要になる。これにより、シリコン基板の表面被加工面を加工するための処理が全体として複雑になる。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、基板の被加工面を加工するための処理を簡略化できる基板の粗面化方法及び光起電力装置の製造方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の1つの側面にかかる基板の粗面化方法は、複数の矩形開口が予め形成されているマスク板を基板の被加工面側に配置する配置工程と、砥粒を前記マスク板越しに前記被加工面へ噴射するブラスト工程とを含むことを特徴とする。本発明によれば、複数の開口が予め形成されているマスク板越しにブラスト加工を実施する。これにより、基板の被加工面に保護マスクを形成することなく、テクスチャ微細凹凸を形成するためのブラスト加工を基板の被加工面に施すことができる。また、ブラスト加工後に保護マスクを除去する必要もない。すなわち、基板の被加工面を加工するための処理を簡略化できる。以下に、本発明にかかる基板の粗面化方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。以下では、一例として単結晶シリコン基板の粗面化について説明する。また、基板の用途として、単結晶シリコン太陽電池を製造するために用いるものとして説明する。実施の形態1.実施の形態1にかかる基板の粗面化方法について図1を用いて説明する。図1は、実施の形態1にかかる基板の粗面化方法を説明するための工程断面図である。図1aに示す工程配置工程では、基板1を準備する。基板1は、例えば、単結晶シリコンで形成されている。例えば、基板1は、単結晶シリコンインゴットからマルチワイヤーソーでスライスした後に、酸またはアルカリ溶液を用いたウェットエッチングでスライス時のダメージを除去したものである。ダメージ除去後の基板1の厚みは例えば200μm、基板1の寸法は例えば156mm×156mmである。そして、耐ブラストマスクマスク板2を基板1の被加工面1a側に配置する。耐ブラストマスク2では、例えば2次元的に配列されている複数の開口複数の矩形開口5が予め形成されている図2参照。耐ブラストマスク2は、例えば、板厚100μmのステンレスの板材をエッチング加工にて所定寸法の開口5を形成したものの表面に樹脂コーティングを施したものを使用する。樹脂コーティングの目的は、耐ブラストマスク2の表面に弾性を付与し、砥粒衝突による板材の磨耗を抑制することである。開口5の寸法形状等については後述する。図1bに示す工程ブラスト工程では、耐ブラストマスク2を介して、基板1を移動させながらブラスト加工する。すなわち、基板1を耐ブラストマスク2に対して相対的に移動させながら、砥粒6を耐ブラストマスク2越しに被加工面1aへ噴射する。これにより、基板1の表面に複数の溝3を形成する。砥粒6としては、例えば、1200番のアルミナ砥粒を使用する。我々の試験では、基板1の微小クラックを最小限に抑制しつつ基板1の被加工面1aに溝加工を施すのに適した砥粒6がアルミナ砥粒であることが明らかとなった。なお、所望の溝加工が可能であれば他の砥粒を用いてもかまわない。ここで、図2を用いてブラスト加工される領域FRと耐ブラストマスク2の開口5との位置関係を説明する。図2は、耐ブラストマスク2が基板1の被加工面1a側に配置された状態で基板1を被加工面1a側から見た場合の図である。仮に、それぞれストライプ状である複数の溝4を被加工面1aに形成するために、開口5の形状を、基板1の一端から他端まで延長されたストライプ形状とした場合を考える。この場合、開口5の長手方向の幅が非常に長いものとなり、ブラスト加工時に耐ブラストマスク2に振動が発生し、被加工面1aに正常なブラスト加工形状を形成できない。それに対して、実施の形態1では、図2に示すように、長方形の開口5を例えば2次元的に複数並べた耐ブラストマスク2を使用する。耐ブラストマスク2では、例えば、短手方向の開口幅5bを100μm、短手方向の開口ピッチ5aを200μm、長手方向の開口幅5dを300μm、長手方向の開口ピッチ5cを400μmとする。そして、基板1を開口5の長手方向に沿って例えば平行な方向7へ移動させながらブラスト加工を実施する。これにより、ブラスト加工による、基板1の一端から他端までそれぞれ延びた溝4を有する被加工領域FRを得ることができる。なお、ここでは基板1を移動させる方法を採ったが、基板1を固定とし、耐ブラストマスク2と砥粒噴射ノズル108図3参照とを一体として移動させても良い。あるいは、基板1と耐ブラストマスク2との両方を移動させても良い。また、ブラスト加工に使用するブラスト加工装置100について図3を用いて説明する。ブラスト加工装置100は、砥粒噴射ノズル108から圧縮空気ボンベ109により供給される圧縮空気を噴出しながら、同時に砥粒タンク110から供給される砥粒を噴出し、噴出された砥粒111を被加工面1aへ衝突させることで被加工面1aを切削加工するものである。なお、図3では特に示さないが、基板1を平行移動させることで砥粒を被加工面1a内全面に作用させることができ、被加工面1aの全面を均一に切削加工することができる。また、図3では、圧縮空気によって砥粒を直接噴出したが、砥粒が混合された液体を圧縮空気によって噴出する方法、砥粒が混合された液体に直接圧力をかけて噴出する方法を採ってもよい。図1cに示す工程エッチング工程では、ブラスト工程を経た基板1の被加工面1aにエッチング処理を施す。これにより、ブラスト加工時に基板1内の被加工面1a近傍に発生する微小クラックなどの損傷を除去することができるとともに、基板1の被加工面1aに複数の溝8をテクスチャ微細凹凸として形成することができる。エッチング処理は、例えば、1の水酸化ナトリウム水溶液を80°Cとして1min処理した。なお、他の薬液を用いても良いし、反応性イオンエッチング、ガスエッチング等のドライエッチングを使用しても良い。以下に、上述した基板の粗面化方法を用いて、光起電力装置を製造するための工程を簡単に説明する。なおここで説明する工程は、一般的な単結晶シリコン基板を用いた光起電力装置の製造工程と同様であるため、特に図示しない。図1cに示す工程の処理が完了した例えば単結晶シリコンの基板1を拡散炉へ投入し、オキシ塩化リンPOCl3蒸気の存在下で加熱し、リンガラスを形成する。これにより、基板1中にリンを拡散させN層を形成する。拡散温度は例えば840°Cとした。次に、フッ酸溶液中でリンガラス層を除去した後、反射防止膜としてプラズマCVD法によりSiN膜を形成する。膜厚および屈折率は光反射を最も抑制する値に設定する。なお、屈折率の異なる2層以上の膜を積層してもよい。またスパッタ法など異なる成膜方法により形成しても良い。次に、上部電極として銀の混入したペーストを櫛形にスクリーン印刷にて形成し、裏面電極としてアルミニウムの混入したペーストを全面にスクリーン印刷にて形成する。その後、焼成処理を実施する。焼成は、例えば大気雰囲気中で760°Cで実施した。このようにして光起電力装置が作製される。上記工程を経て作製した光起電力装置の性能評価した結果に関して述べる。まず粗面化を実施した時点での反射特性を分光光度計で評価した。そのうち波長628nmにおける反射率を図4の表1に示す。単結晶シリコンの基板に対してアルカリ水溶液でテクスチャ微細凹凸を形成した場合の比較例では反射率が30であるのに対して、実施の形態1にかかる基板の粗面化方法を施した基板1では反射率が15にまで抑制できており、良好な反射率抑制効果を発揮していることがわかった。次に、作製した156mm□の光起電力装置の発電特性を評価した結果を図5の表2に示す。実施の形態1にかかる基板の粗面化方法を施した基板1を適用した光起電力装置では、比較例に比べて、表面反射損失の抑制が奏功して、短絡電流密度が大幅に増大し、変換効率の向上に寄与することがわかった。ここで、仮に、耐ブラストマスク2を用いずに、基板1の被加工面1aに感光性樹脂をコーティングしエッチングして開口することで保護マスクを形成する場合について考える。この場合、保護マスクの開口を通じて第1砥粒を基板1の被加工面1aに噴射し、その後、第1砥粒より粒度の細かい第2砥粒を基板1の被加工面1aに噴射して保護マスクを除去することになる。すなわち、1枚の基板1の被加工面1aを加工するために、基板1の被加工面1aに感光性樹脂をパターニングして保護マスクを形成する必要があり、さらに、異なる粒度の砥粒を用いた2回のブラスト加工が必要になる。これにより、基板1の被加工面1aを加工するための処理が全体として複雑になる。それに対して、実施の形態1では、複数の開口5が予め形成された板材である耐ブラストマスク2越しにブラスト加工を実施する。これにより、基板1の被加工面1aに保護マスクを形成することなく、テクスチャ微細凹凸を形成するためのブラスト加工を基板1の被加工面1aに施すことができる。また、ブラスト加工後に保護マスクを除去する必要もない。すなわち、実施の形態1によれば、基板1の被加工面1aを加工するための処理を簡略化できる。また、複数の基板1のそれぞれの被加工面1aに保護マスクを形成する場合、その保護マスクを形成する工程が、リソグラフィ法又はスクリーン印刷法による枚葉処理となる。これにより、複数の基板1に対する処理の効率が悪く、量産性が低下する。それに対して、実施の形態1では、耐ブラストマスク2に複数の開口5が予め形成されているので、耐ブラストマスク2に開口を毎回形成する必要がない。これにより、複数の基板1に対する処理の効率を向上でき、量産性を高めることができる。さらに、基板1の被加工面1aに保護マスクを形成する場合、第2砥粒を基板1の被加工面1aに噴射して保護マスクを除去するので、保護マスクを完全に除去することができない。また、太陽電池における基板として使用される結晶シリコンは、ブラストの保護マスクとして使用される感光性樹脂よりも脆弱であり、砥粒の粒径を調整しても、保護マスクを除去する工程において、基板の被加工面が微小クラックなどのダメージを受ける。それに対して、実施の形態1では、基板1の被加工面1aに保護マスクを形成しないので、保護マスクを除去する必要もない。また、図1aに示すように、耐ブラストマスク2が基板1の被加工面1a側に非接触の状態で配置されるので、耐ブラストマスク2自体が基板1にダメージを与える可能性が低い。あるいは、仮に、それぞれストライプ状である複数の溝4を被加工面1aに形成するために、開口5の形状を、基板1の一端から他端まで延長されたストライプ形状ストライプ開口とした場合を考える。この場合、開口5の長手方向の幅が非常に長いものとなり、ブラスト加工時に耐ブラストマスク2に振動が発生し、被加工面1aに正常なブラスト加工形状を形成できない。それに対して、実施の形態1では、矩形状の開口短冊開口5の長手方向に沿うように基板1を耐ブラストマスク2に対して相対的に移動させながら、砥粒を耐ブラストマスク2越しに被加工面1aへ噴射する。これにより、ストライプ開口ではなく短冊開口を使用してもストライプ領域を加工できる。すなわち、開口5の長方形の長辺が基板1の外形寸法よりも短いにもかかわらず基板1の外形寸法の一端から他端まで延びた溝3を加工することができる。また、開口5が長手方向に複数配列されているので、溝3を確実に加工することができる。さらに、開口5が長手方向に交差する方向例えば、短手方向に複数配列されているので、複数の溝3を並行して加工することができる。すなわち、矩形開口の長手方向に対応する方向へストライプ状にそれぞれ延びているとともに互いに並んだ複数の溝3を被加工面1aに形成する。これにより、複数の溝3を形成する際の処理の効率を向上でき、量産性を高めることができる。あるいは、仮に、ブラスト加工後の図1cに示す工程でエッチング処理を行わない場合を考える。この場合、基板1内の被加工面1a近傍にブラスト加工による微小クラックなどのダメージが残存している。このような基板1を光起電力装置に適用すると、光起電力装置の特性例えば発電特性が劣化する。それに対して、実施の形態1では、ブラスト加工後の図1cに示す工程で、ブラスト工程を経た基板1の被加工面1aにエッチング処理を施す。このため、ブラスト加工により基板の被加工面に生じた微小クラック等のダメージ損傷を除去することができ、良好な光起電力装置の特性例えば発電特性を得ることができる。また、実施の形態1では、図1cに示す工程で、ブラスト加工時に基板1内の被加工面1a近傍に発生する微小クラックなどの損傷を除去することができるとともに、基板1の被加工面1aに複数の溝8をテクスチャ微細凹凸として形成することができるので、損傷を除去する処理とテクスチャ微細凹凸を形成する処理とを別々の工程で行う場合に比べて、被加工面1aにテクスチャ微細凹凸を形成する処理を全体として簡略化できる。実施の形態2.実施の形態2にかかる基板の粗面化方法について図6を用いて説明する。図6は、実施の形態2にかかる基板の粗面化方法を説明するための工程断面図である。以下では、実施の形態1と異なる部分を中心に説明する。図6aに示す工程では、基板11iに対してダメージ除去を実施した後、基板11iの被加工面11iaに不純物拡散領域第1の不純物拡散領域21iを形成する。このとき、基板11iの裏面11ibにも不純物拡散領域22が形成される。基板11iとして、例えば、ボロン拡散されたP型基板を使用する。このため、不純物拡散領域21i、22としてリンを拡散したN型層とし、PN接合を形成する。この工程で不純物拡散領域21iを形成する目的は、後に集電電極を形成する際に接触抵抗を低減して性能を向上するためであり、光起電力装置として最低限の機能を果たすために不純物拡散領域21i、22は必須ではない。図6bに示す工程形成工程では、被加工面11iaに、不純物拡散領域21iを覆う耐エッチング膜13iを形成する。このとき、不純物拡散領域22を覆う耐エッチング膜23も形成される。耐エッチング膜13i、23は、耐エッチング性を有する膜であり、例えば、熱酸化によって成膜された膜厚50nmの酸化膜以下、SiO2膜と称すである。なお、ここではSiO2膜を用いたが、窒化シリコン膜SiN、酸化窒化シリコン膜SiON、アモルファスシリコン膜а-Si、ダイアモンドライクカーボン膜等を用いても良い。また、ここでは熱酸化を使用しているため、基板11iの被加工面11iaだけでなく裏面11ibと端面にも成膜されているが、被加工面11ia以外には成膜されていなくても構わない。図6cに示す工程では、まず配置工程、複数の開口15が配列された耐ブラストマスク12を基板11iの被加工面11ia側に配置する。耐ブラストマスク12として、例えば、短手方向の開口幅1.9mm、短手方向の開口ピッチ2.2mm、長手方向の開口幅3mm、長手方向の開口ピッチ3.3mmのものを準備する。ここで開口ピッチ2.2mmは後の工程で形成する集電電極18のピッチと同一としている。次にブラスト工程、基板11を耐ブラストマスク12に対して相対的に移動させながら、砥粒16を耐ブラストマスク12越しに被加工面11aへ噴射するブラスト加工を行う。例えば、耐ブラストマスク12を介して、基板11を移動させながらブラスト加工を行う。このブラスト加工により、例えば、ピッチ2.2mm、幅1.9mmの複数の帯状パターンを有する被加工領域FR10を形成する。被加工領域FR10内では耐エッチング膜13に微小開口14が複数個所形成されるよう、ブラスト加工条件を設定する。図6cでは、耐エッチング膜13のみにブラスト加工が施されている表記となっているのに対し、実際に直下の不純物拡散領域21にまでブラスト加工が及ぶことがあるが、後述のようにブラスト加工の後にエッチング処理を施すので問題とならない。図6dに示す工程第2のエッチング工程では、被加工領域FR10内に複数の微小開口14が形成された耐エッチング膜13をマスクとして基板11の被加工面11aにエッチング処理を施す。これにより、例えば、被加工面11aに、平坦部11a1が残るように複数のテクスチャ窪み複数の凹部11cを形成する。この際、平坦部11a1の不純物拡散領域21が残るように被加工領域FR10内の不純物拡散領域21が部分的に除去される。エッチングは、例えば、80°Cに加温した1水酸化ナトリウム水溶液を用い10分間実施する。アルカリによるエッチングを実施すると、例えば、逆ピラミッド状のテクスチャ窪み11cが形成される。なお、エッチング液の濃度およびエッチング温度はエッチング速度、エッチング形状を鑑み適切なものに変更可能である。図6eに示す工程除去工程では、被加工面11aから耐エッチング膜13を除去する。これにより、被加工面11aのテクスチャ窪み11cを表出させる。耐エッチング膜13の除去には、例えば、フッ酸水溶液を使用する。これにより、例えば、ピッチ2.2mm、幅0.3mmの平坦部11a1が露出される。平坦部11a1には不純物拡散領域21が残存している。図6fに示す工程では、被加工面11aにおける複数のテクスチャ窪み11cの形成されていない平坦部11a1に不純物拡散領域21を残すように、不純物拡散領域第2の不純物拡散領域17を形成する。不純物拡散領域17のリン濃度不純物濃度は、不純物拡散領域21のリン濃度よりも低い濃度に設定する。これにより、平坦部11a1のリン濃度が不純物拡散領域21による高い濃度に維持されながら、テクスチャ窪み11cのリン濃度は不純物拡散領域17による低い濃度になる。このように、受光部となるべきテクスチャ窪み11cのリン濃度が低いので、光生成された電子正孔対の寿命を延ばすことができ、発電特性を向上させることができる。その後、図示しないが受光面テクスチャ窪み11cの表面全面に反射防止膜としてプラズマCVD法によりSiN膜を形成する。図6gに示す工程では、平坦部11a1に、銀含有ペーストをスクリーン印刷して集電電極18を形成する。平坦部11a1には高濃度の不純物拡散領域21が配されているため、集電電極18との接触抵抗を容易に低減できる。また、基板11の裏面11b側に、アルミニウム含有ペーストをスクリーン印刷して裏面電極19を形成する。その後、基板11を大気中で760°Cに加熱して、集電電極18銀含有ペーストと裏面電極19アルミニウム含有ペーストとを焼成する。これにより、光起電力装置が作製される。上記工程を経て作製した光起電力装置の性能評価した結果に関して述べる。粗面化を実施した時点での反射特性を分光光度計で評価した。そのうち波長628nmにおける反射率を図7の表3に示す。単結晶シリコンの基板をアルカリ水溶液でテクスチャ微細凹凸を形成した場合の比較例では反射率が30であるのに対して、実施の形態2にかかる基板の粗面化方法を施した基板11では反射率が11にまで抑制できており、良好な反射率抑制効果を発揮していることがわかった。次に、作製した156mm□の光起電力装置の発電特性を評価した結果を図8の表4に示す。実施の形態2にかかる基板の粗面化方法を施した基板11を適用した光起電力装置では、比較例に比べて、表面反射損失の抑制と、集電電極の接触良化が奏功して、短絡電流密度、曲線因子が大幅に増大し、変換効率の向上に寄与することがわかった。さらに受光面の不純物拡散濃度が低いため、開放電圧の向上が確認された。実施の形態2では、被加工面11aを覆う耐エッチング膜13iへ向けて、砥粒16を耐ブラストマスク12越しに噴射して、耐エッチング膜13に複数の微小開口14を形成する。すなわち、主として耐エッチング膜13にブラスト加工を施し、基板11はほとんどブラスト加工が施されないので、基板11の被加工面11aの受けるダメージが抑制されている。そして、複数の微小開口14が形成された耐エッチング膜13をエッチングマスクとして被加工面11aにエッチング処理を施すことにより、微小開口ブラスト開口14を起点とした逆ピラミッド状のテクスチャ窪み11cを複数形成する。これにより、ブラスト加工により基板11の被加工面11aに生じた微小クラック等のダメージ損傷を除去することができ、良好な光起電力装置の特性例えば発電特性を得ることができる。さらに、被加工面11aにおける複数のテクスチャ窪み11cの形成されていない平坦部11a1に不純物拡散領域21を残すように、不純物拡散領域21より不純物濃度の低い不純物拡散領域17を各テクスチャ窪み11cに形成する。これにより、受光部となるべきテクスチャ窪み11cの不純物濃度が低いので、光生成された電子正孔対の寿命を延ばすことができる。また、平坦部11a1には高濃度の不純物拡散領域21が配されているため、平坦部11a1と集電電極18との接触抵抗を容易に低減できる。したがって、実施の形態2にかかる基板の粗面化方法を施した基板11を用いて光起電力装置を製造することにより、光起電力装置の発電特性を向上させることができる。実施の形態3.実施の形態3にかかる基板の粗面化方法について説明する。以下では、実施の形態1又は実施の形態2と異なる部分を中心に説明する。まず、実施の形態3にかかる基板の粗面化方法を用いて製造される光起電力装置200の上視図を図9に示す。光起電力装置200は、その一主面201上に、複数の集電電極18及び複数のバス電極202を有する。複数の集電電極18は、互いに例えば、平行に並んでいるとともに、それぞれ各バス電極202に例えば、直角に交差している。複数のバス電極202は、互いに例えば、平行に並んでいるとともに、それぞれ各集電電極18に例えば、直角に交差している。各バス電極202は、集電電極18により集電された電流をさらに集電して取り出す役割を果たす。集電電極18は、例えば、幅100μm、電極間ピッチ2mm、本数76本である。バス電極202は、例えば、電極幅2mm、電極間ピッチ76mm、本数2本である。バス電極202は、集電電極18により集電された電流をさらに集電する役割を果たすが、それ自身も基板1又は11上に配されるため、バス電極202直下には平坦部11a1に高濃度の不純物拡散領域21が配置された方がバス電極202と不純物拡散領域21との接触抵抗が低減できる。次に、実施の形態3にかかる基板の粗面化方法に使用するマスクに関して、図10を用いて説明する。図10は、バス電極用耐ブラストマスク203及び耐ブラストマスク2又は12が基板1又は11の被加工面1a又は11a側に配置された状態で基板1又は11を被加工面1a又は11a側から見た場合の図である。図1bに示す工程又は図6cに示す工程では、ブラスト加工前に、バス電極用耐ブラストマスクマスク部材203図10参照と基板1又は11iとの間に耐ブラストマスク2又は12が位置するように、バス電極用耐ブラストマスクマスク部材203が配置される。図10に示すバス電極用耐ブラストマスクマスク部材203は、被加工面1a又は11a上における複数のバス電極202が配されるべき領域のブラスト加工を抑制するように開口5の一部を遮蔽するためのマスクであり、光起電力装置200における形成されるべき複数のバス電極202に対応した位置に配される。例えば、バス電極用耐ブラストマスク203は、開口5の長手方向と直交する位置関係に2本配置し、その間隔が76mmである。そして、ブラスト工程では、砥粒6又は16をバス電極用耐ブラストマスク203及び耐ブラストマスク2又は12を介して被加工面1aへ又は被加工面11ia上の耐エッチング膜13へ噴射する。このとき、耐ブラストマスク2又は12に対して基板1又は11を相対的に移動させながらブラスト加工する際に、バス電極用耐ブラストマスク203は基板1又は11に対して静止した状態でブラスト加工する。すなわち、ブラスト工程では、矩形状の開口5の長手方向に沿うように基板1又は11を耐ブラストマスク2又は12に対して相対的に移動させるとともに、基板1又は11をバス電極用耐ブラストマスク203に対して相対的に静止させながら、砥粒6又は16をバス電極用耐ブラストマスク203及び耐ブラストマスク2又は12を介して被加工面1aへ又は被加工面11ia上の耐エッチング膜13へ噴射する。これにより、基板11の被加工面1a上又は被加工面11ia上の耐エッチング膜13には、図11に示すように、長手方向の一端から他端まで延長された被加工領域FR204と、それと例えば直交する未加工領域205とが76mm間隔で2本形成される。図12にバス電極用耐ブラストマスク203の形状を示す。バス電極用耐ブラストマスク203は、例えば、砥粒噴射ノズル108図3参照側に稜線が配置された三角柱形状をなしており、その表面に樹脂がコーティングされている。三角柱形状とすることで砥粒6又は16が噴射された際におけるバス電極用耐ブラストマスク203への直接の衝突を避けることができ、バス電極用耐ブラストマスク203への衝撃を低減できる。以上のように、実施の形態3では、ブラスト加工前に、バス電極用耐ブラストマスク203と基板1又は11iとの間に耐ブラストマスク2又は12が位置するようにバス電極用耐ブラストマスク203が配置される。そして、ブラスト工程では、砥粒6又は16をバス電極用耐ブラストマスク203及び耐ブラストマスク2又は12を介して被加工面1aへ又は被加工面11ia上の耐エッチング膜13へ噴射する。これにより、被加工面1a又は11a上における複数のバス電極202が配されるべき領域のブラスト加工を抑制することができるので、その領域を平坦部11a1図6d参照とすることができ、実施の形態2と同様にして、高濃度の不純物拡散領域21図6d参照が配された平坦部11a1上に各バス電極202を形成することができる。この結果、作成される光起電力装置の開放電圧をさらに増加できるなど、光起電力装置の発電特性をさらに向上させることができる。また、実施の形態3では、ブラスト工程において、矩形状の開口5の長手方向に沿うように基板1又は11を耐ブラストマスク2又は12に対して相対的に移動させるとともに、基板1又は11をバス電極用耐ブラストマスク203に対して相対的に静止させながら、砥粒6又は16をバス電極用耐ブラストマスク203及び耐ブラストマスク2又は12を介して被加工面1aへ又は被加工面11ia上の耐エッチング膜13へ噴射する。これにより、被加工面1a又は11a上における複数のバス電極202が配されるべき領域のブラスト加工を抑制しながら、複数の被加工領域FR204に対するブラスト加工例えば、図1bに示す溝3の形成、又は図6cに示す微小開口14の形成を並行して行うことができる。なお、バス電極用耐ブラストマスク203の形状は、図12に示されたものに限定されない。例えば被加工面1a又は11a上における複数のバス電極202が配されるべき領域のブラスト加工が遮蔽されれば良いため、バス電極用耐ブラストマスク203の形状は、例えば、板状、もしくは円柱状でもかまわない。また、図10では、バス電極用耐ブラストマスク203が、耐ブラストマスク2又は12に対して砥粒噴射ノズル108図3参照側に配置された場合が例示されているが、配置の仕方はこの場合に限定されない。例えば被加工面1a又は11a上における複数のバス電極202が配されるべき領域のブラスト加工が遮蔽されれば良いため、バス電極用耐ブラストマスク203は、基板1又は11と耐ブラストマスク2又は12との間に配置しても良い。この場合でも、被加工面1a又は11a上における複数のバス電極202が配されるべき領域のブラスト加工を抑制することができるので、その領域を平坦部11a1図6d参照とすることができ、第2の実施形態と同様にして、高濃度の不純物拡散領域21図6d参照が配された平坦部11a1上に各バス電極202を形成することができる。また、ブラスト工程において、矩形状の開口5の長手方向に沿うように基板1又は11を耐ブラストマスク2又は12に対して相対的に移動させるとともに、基板1又は11をバス電極用耐ブラストマスク203に対して相対的に静止させながら、砥粒6又は16をバス電極用耐ブラストマスク203及び耐ブラストマスク2又は12を介して被加工面1aへ又は被加工面11a上の耐エッチング膜13へ噴射することで、被加工面1a又は11a上における複数のバス電極202が配されるべき領域のブラスト加工を抑制しながら、複数の被加工領域FR204に対するブラスト加工例えば、図1bに示す溝3の形成、又は図6cに示す微小開口14の形成を並行して行うことができる。