メモリセル電流を生み出すために相変化メモリPCMにバイアスパルスを与えることと、前記メモリセル電流と、1つ又は複数の特定の既知の基準状態から生じる基準セル電流との少なくとも一部は基づいて前記PCMセルの状態を決定することと、を含むことを特徴とする方法。前記基準セル電流は、前記PCMセルの前記状態を前記決定することを実行する前のタイムスパン中の前記PCMセルの物理的変化を補償する電流を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記PCMセルに前記バイアスパルスを前記与えること及び前記PCMセルの前記状態を前記決定することは、エラー訂正コードECCオーバーフローイベントに応じて実行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。特定の時間における基準セルの基準セル電流と、より早い時間における前記基準セルの基準セル電流とを比較することと、前記比較することの結果を記憶することと、を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記メモリセル電流の複数の値を順次ステップすることと、前記メモリセル電流の前記複数の値の個々のステップで前記メモリセル電流を修正するかどうかを決定することと、を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記決定に少なくとも一部は基づいてルックアップテーブルを取り込むことを更に含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記PCMセルは、マルチレベルメモリセルを備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記1つ又は複数の特定の基準状態と前記PCMセルとを同時にプログラムすることを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。メモリセル電流を生み出すために相変化メモリPCMにバイアスパルスを与えるとともに、前記メモリセル電流と、1つ又は複数の特定の既知の基準状態のから生じる基準セル電流と少なくとも一部は基づいて前記PCMセルの状態を決定する、コントローラを備えることを特徴とする装置。前記基準セル電流は、前記PCMセルの前記状態を前記決定することの前のタイムスパン中の前記PCMセルの物理的変化を補償する電流を含むことを特徴とする請求項9に記載の装置。前記コントローラは、特定の時間における前記PCMアレイの基準部分の基準セルの基準セル電流と、より早い時間における前記基準セルの基準セル電流とを比較し、前記比較の結果を記憶し、かつ、前記記憶された結果に少なくとも一部は基づいて前記セル電流を修正することを特徴とする請求項9に記載の装置。前記コントローラは、前記メモリセル電流の複数の値を連続的にステップするとともに、前記メモリセル電流の前記複数の値の個々のステップで前記メモリセル電流を修正するかどうかを決定することを特徴とする請求項9に記載の装置。前記コントローラは、前記決定に少なくとも一部は基づいてルックアップテーブルを取り込むことを特徴とする請求項12に記載の装置。前記PCMセルは、マルチレベルメモリセルを備えることを特徴とする請求項9に記載の装置。前記コントローラは、前記PCMアレイの前記基準部分と前記PCMアレイの前記セルとを同時にプログラムすることを特徴とする請求項9に記載の装置。前記コントローラは、前記PCMアレイの前記基準部分と前記ページバッファとを同時にプログラムすることを特徴とする請求項15に記載の装置。1つ又は複数の特定の基準状態を記憶する基準部分を含む相変化メモリPCMアレイを備えるメモリデバイスであって、前記メモリデバイスは更に、読み出し動作に対してメモリセル電流を生み出すために相変化メモリPCMにバイアスパルスを与えるとともに、前記メモリセル電流と、1つ又は複数の特定の既知の基準状態から生じる基準セル電流とに少なくとも一部は基づいて前記PCMセルの状態を決定する、メモリコントローラを備え、更に、1つ又は複数のアプリケーションをホストするとともに、前記PCMアレイへのアクセスを与えるために、前記メモリコントローラに前記読み出し動作を開始するプロセッサを備えることを特徴とするシステム。前記基準セル電流は、前記PCMセルの前記状態を前記決定する前のタイムスパン中の前記PCMセルの物理的変化を補償する電流を含むことを特徴とする請求項17に記載のシステム。前記コントローラは、特定の時間における前記PCMアレイの前記基準部分の基準セルの基準セル電流と、より早い時間における前記基準セルの基準セル電流とを比較し、前記比較の結果を記憶し、かつ、前記記憶された結果に少なくとも一部は基づいて前記セル電流を修正することを特徴とする請求項9に記載のシステム。前記コントローラは、前記メモリセル電流の複数の値を順次ステップするとともに、前記メモリセル電流の前記複数の値の個々のステップで前記メモリセル電流を修正するかどうかを決定することを特徴とする請求項17に記載のシステム。前記コントローラは、前記決定に少なくとも一部は基づいてルックアップテーブルを取り込むことを特徴とする請求項19に記載のシステム。前記PCMセルは、マルチレベルメモリセルを備えることを特徴とする請求項17に記載のシステム。本明細書全体を通して、一実施形態又は実施形態を参照することは、特別な特色、構造、特徴が、請求項に記載された主題の少なくとも一実施形態に含まれることを意味する。それゆえ、本明細書を通して様々な箇所における一実施形態において又は実施形態という語句の出現は、必ずしも全てが同一の実施形態を参照しているものではない。更に、特定の特色、構造、又は特徴は、1つ又は複数の実施形態において組み合わされてもよい。ここに開示される実施形態は、シングルレベルセルSLC又はマルチレベルMLC相変化メモリPCMデバイスの読み出し分布を管理することを伴う処理及び/又は電子アーキテクチャを含む。PCMセルの読み出し分布を管理することは、以下に記載するように、時間にわたって生じ得るPCMセルの状態分布におけるシフトに応じて読み出しエラーを避けるように用いられてもよい。メモリセルの状態分布は、例えば、メモリセルによって記憶された多数の状態又は論理レベルに対応する1つ又は複数の閾値電圧に対応してもよい。換言すれば、このような状態又は論理レベルは、閾値電圧によって分けられた電圧範囲に対応してもよい。例えば、第1の論理レベルは、第1の電圧範囲に対応してもよく、第2の論理レベルは、第2の電圧範囲に対応してもよく、第3の論理レベルは、第3の電圧範囲に対応してもよい等である。個々の論理レベルは、例えば、第1の論理レベルのために00、第2の論理レベルのために01、第3の論理レベルのために10、及び、第4の論理レベルのために11等の2ビットのデータに対応してもよい。実施形態において、特定の電流でプログラムされたメモリセルを読み出す方法は、特定の電流における変化を補償することを含んでもよい。このような変化は、例えば、以下に詳細に記載されるように、PCM材料の抵抗ドリフト、温度変化、保持等の様々な物理的現象における変化の結果であってもよい。電流におけるこのような変化は、メモリセルを読み出すことに先立つタイムスパン中に生じてもよい。一実装において、このような電流補償は、以下に詳細に記載されるように、与えられた電流階段現象の1つ又は複数のステップのそれぞれに実行されてもよい。メモリセルを読み出すこのような方法は、例えば、メモリページのメモリセルアレイが書き込まれると同時に異なる既知の状態例えば、電流レベルのセットに1つ又は複数の基準セルをプログラムする処理を含んでもよい。このような処理は、1つ又は複数の基準セルをプログラムすることに続いて、基準セルがプログラムされた元の状態に関して基準セルの変化又はシフトを、確かめる及び/又は決定する機会を与えてもよい。このような確認及び/又は決定は、メモリセルの読み出し動作中に実行されてもよい。例えば、基準セルの電流値の変化又はシフトについての情報は、以下に詳細に記載されるように、ルックアップテーブルに記憶されてもよい。実施形態において、メモリセルを読み出す方法は、基準セル自身を介して起こる電圧降下を決定するように、基準セル内に電流を強制印加することを含んでもよい。このような結果として起こる電圧降下は、アレイの特定のメモリセルに流れ込む電流の結果の電圧降下と比較されてもよい。このような比較は、2つの電圧が実質的に等しい例えば、特定のメモリセルを通過する電流値がアレイの基準セルを通過する電流と同じであることを示す場合、特定のメモリセルは、基準電流の特定の範囲又は分布内であるとみなされてもよい。環境変化、処理変化等のために、特定のメモリセルの現在の電流値は、特定の基準セルがプログラムされた時間における元の状態の電流値からドリフトされていてもよい。従って、分布内の個々の電流の元の値と、分布内の個々の電流の現在の値との差が推定されてもよく、このような差値は、例えば、レジスタに記憶されてもよい。時間のスパン中に生じた電流変動を補償するために、適切な電流の差が、そのレジスタから取り出されるとともにメモリセルの電流に与えられてもよい。実施形態において、上記のように、メモリセルの特定の電流における変化を補償することは、エラー訂正コードECCのオーバーフローイベントに応じて実行されてもよい。例えば、ECC回路は、データ内の多数のエラーを訂正する特定の性能のために設計されてもよい。検出されたエラー数がこのような性能を超える場合、回路は、データ内のこのようなエラーが訂正されなくてもよいECCオーバーフローイベントを経験してもよい。実施形態において、PCMセルは、2つ以上の状態又は論理レベルを分ける1つ又は複数の閾値基準電圧又は閾値基準電流に少なくとも一部は基づいて、2つ以上の論理レベルの任意の1つでプログラムされてもよい。従って、PCMセル内に記憶された論理レベルは続いて読み出されるとともに、PCMセルを予めプログラムするために用いられたものと同じ1つ又は複数の閾値基準電流に少なくとも一部は基づいて決定されてもよい。特に、確認基準電流は、PCMの読み出し処理中のセル電流が比較される閾値として用いられてもよい。読み出し処理中のセル電流は、電圧をPCMセルにわたって与えることにより生じ、その結果として、読み出し処理中のセル電流がPCMセルの抵抗に少なくとも一部は依存してもよい。従って、PCMセルの状態又は論理値、例えば、抵抗レベルは、読み出し処理中のこのようなセル電流と閾値基準電流とを比較することによって決定されてもよい。しかしながら、時間にわたって、PCMセルを横切って与えられた特定の電圧に対するセル電流は、例えば、PCMセルの温度変化のためにドリフト又は変化してもよいこのようなドリフトの他の理由は、以下で議論される。ここで、特定の与えられた電圧に対するセル電流におけるこのような変化をもたらすPCMセルパラメータのドリフトは、状態分布ドリフトと呼ばれてもよい。記憶された論理レベルに対応するセル電流は、閾値基準電流が変化しないままである間に時間にわたって変化し得るため、セル電流と基準電流との比較は、メモリセル内に記憶された論理レベルの誤読を導く虞がある。実施形態において、装置は、PCMアレイと、特定の基準状態を記憶するPCMアレイの一部からなる基準セルとを含むプログラムバッファ等のメモリデバイスを備えてもよい。基準セル及びPCMアレイは、同時にプログラムされてもよい。このような場合に、例えば、PCMセル上の温度等の影響は、以下に更に詳細に説明されるように、記憶された基準状態及び記憶されたメモリ状態に同様に影響を与えてもよく、このような状態の分布におけるドリフト及び/又は変化という結果になり得る。このような装置はまた、読み出し電流を生み出すようにPCMアレイのセルを横切って特定の電圧を与えるとともに、基準セルの少なくとも1つから生じる基準電流に少なくとも一部は、基づいてセル電流を修正するコントローラを備えてもよい。実装において、特定の時間における基準セルの状態分布ドリフト量は、PCMセルの読み出し電流がそれに従って、PCMセルを読み出す処理中に修正され得るように決定されてもよい。従って、PCMセルの状態分布ドリフトの結果である読み出しエラーは読み出し処理中にPCMセル読み出し電流を修正することによって低減されてもよい。状態分布ドリフト量を決定することは、特定の時間における基準セルの読み出し電流とより早い時間における基準セルの読み出し電流とを比較することによって成されてもよい。このような決定の結果は、異なる時間における基準セル読み出し電流間の電流差の値として記憶されてもよい。このような電流差は、ここで電流デルタと呼ばれる。電流デルタは、以下に議論されるように、1つ又は複数の読み出し電流に対してこのような態様で決定されてもよい。続いて、PCMセルの読み出し電流は、このような電流デルタに少なくとも一部は、基づいてPCMアレイのPCMセルを読み出す処理中に修正されてもよい。更に、記憶された状態をスキャンするこのような読み出し処理中に、PCMセルの読み出し電流は、PCMセルを横切る漸次増加している電圧を与えることによって、漸次増加されてもよい。特定の実装において、漸次増加している電圧及び、その結果のセル電流は、以下に記載されるように、ここでNとラベルされるステップにおいて実行されてもよい。従って、メモリセルの読み出し電流は、このように、状態分布ドリフトが異なるセル電圧及び、その結果の読み出し電流によって異なってメモリセルに影響を与え得るという事実に鑑みて、個々の読み出し電流のステップNに対して特定の量だけ修正されてもよい。例えば、このような電流ステッピング中に、読み出し電流を修正するか否かに関して、個々の増加ステップNで決定されてもよい。このような決定は、個々の増加ステップNに対応する電流デルタが取り込まれたルックアップテーブルに少なくとも一部は基づいてもよい。1つの特定の実装において、不揮発性メモリは、例えば、Nの関数として電流デルタを記憶するために用いられてもよい。図1は、実施形態に係る、バイアス信号波形の特性を示すプロット100である。PCMセルは、比較的大きな振幅で比較的短い持続時間の電気プログラミングパルス又はバイアス信号120を適用して相変化材料を融解させることによってリセットされてもよい。リセット状態において、相変化材料の活性領域は、例えば、PCMセル内のヒーター要素に隣接して配置されたドーム型のアモルファス領域を備えてもよい。結晶化された相変化材料は、このようなアモルファス領域を囲んでもよい。このような状態において、PCMセルは、比較的高い電気抵抗を持ってもよい。続く処理において、PCMセルは、相変化材料の実質的に全体の領域が結晶であり得るように、ドーム型のアモルファス領域を結晶化することによってセットされてもよい。このような処理は、その相変化材料を結晶化するためにPCMセルに与えられた比較的低振幅で比較的長い持続時間のバイアス信号110の電圧及び/又は電流を直線的に低下させることを伴ってもよい。このような状態において、PCMセルは、比較的低い電気抵抗を持ってもよい。MLC等のためのような、特定の実装において、特定のバイアス信号120は、特定範囲の抵抗に対応する特定の状態にPCMセルをセットするために選択されてもよい。例えば、バイアス信号120は、持続時間及び/又は振幅において低減されてもよい。図2は、実施形態に係る、読み出し電流ステップ番号Nに対してプロットされたPCM内のメモリセルの分布状態210を示すプロット200である。特に、このようなメモリセルは、マルチレベルのセルを備えてもよい。横軸によって示された個々の読み出し電流ステップ番号Nは、特定の読み出し電流に対応してもよい。上に記載されたように、読み出し電流は、MLCの複数の状態を包含する範囲にわたって増加されてもよい。例えば、N=1は、1マイクロアンペアの読み出し電流に対応してもよく、N=2は、2マイクロアンペアの読み出し電流に対応してもよい等である。例示を続けると、プロット200のPCMのメモリセルの比較的大きな集合は、3マイクロアンペア又はN=3の読み出し電流に対応する00状態、10マイクロンアンペア又はN=10の読み出し電流に対応する01状態等を持ってもよい。しかしながら、より小さな集合のメモリセルは、読み出し電流分布の末端に当たる状態を持ってもよい。例えば、プロット200のPCMのいくつかのメモリセルは、2マイクロアンペア又はN=2の読み出し電流に対応する00状態、8マイクロンアンペア又はN=8の読み出し電流に対応する01状態等を持ってもよい。ゆえに、実装において、読み出し電流は、メモリセル集合の複数の状態に対する読み出し電流の変動を考慮するために、比較的低い値例えば、N=0から比較的高い値例えば、N=24までスキャンされてもよい。メモリセル集合にわたるこのような統計的な変動に加えて、メモリセルの分布状態200は、上に記載され、かつ、以下に更に詳細に議論されるように、既定時間を超えて変化又はドリフトしてもよい。勿論、状態分布について記載するこのような詳細は単に例示であって、請求項の主題はそのように限定されるものではない。図3は、実施形態に係る、スキャンされた読み出し電流値の特性のプロット図を示す。ゆえに、上記の例に戻ると、ステップN=1の読み出し電流324は、1マイクロアンペアの読み出し電流に対応してもよく、ステップN=2の読み出し電流326は、2マイクロアンペアの読み出し電流に対応してもよい等である。勿論、読み出し電流のこのような特定の値は単に例示であって、請求項の主題はこの点に限定されるものではない。更に、実施形態において、個々の読み出し電流は、時間にわたって変化し得るメモリセルパラメータを補償するために、時間にわたって調整されてもよい。例えば、このようなパラメータは、メモリセル温度が変化するにつれて変化し得るメモリセルの1つ又は複数の特定の状態のための閾値電圧を含んでもよい。図4は、他の実施形態に係る、PCMデバイス内のPCMセルの分布状態405を示すプロット400である。特定の実施例において、プロット400は、状態00及び10が実質的に変化しないままである間に状態01はドリフトするように見える、状態00、01、及び10を含む。このようなドリフトは、例えば、PCMデバイスの温度における変化の結果であってもよい。一実装において、プロット400は、図2に示したプロット200の一部を含んでもよい。例えば、分布部分410は、状態00の高電流末端を含んでもよく、分布部分420は、状態01の低電流末端を含んでもよく、分布部分430は、状態01の高電流末端を含んでもよく、かつ、分布部分440は、状態10の低電流末端を含んでもよい。状態00及び状態01は、ウィンドウ415によって分けられてもよく、かつ、状態01及び状態10は、ウィンドウ435によって分けられてもよい。実装において、状態分布405は、任意の多くの理由のために、時間にわたって変化してもよい。例えば、PCMセルは、特に、材料の結晶化が、マルチレベルのアプリケーションに用いられたPCMセル等において完全でない場合、より高い抵抗率に向かってドリフトし得る結晶材料を含んでもよい。他方で、PCMセルは、結晶状態に向かって進化し得るアモルファス材料を含んでもよく、その結果、エネルギー状態分布に影響を与えてもよい。加えて、PCMセルの状態にわたっての循環はまた、エネルギー状態分布に影響を与えてもよい。例えば、状態01は、より低い電流値にシフトしてもよい。このような場合、読み出し電流ステップN=9に対応する状態01を持つメモリセルは続いて、このような分布シフトの結果として、読み出し電流ステップN=8に対応するメモリ状態01を持ってもよい。勿論、このような値は単に例示であって、請求項の主題はそのように限定されるものではない。実装において、状態分布405は、一つの状態が他の状態に比べて、時間とともに異なって変化してもよい。例えば、状態01は、量450だけ低い電流値にシフトしてもよいが、状態00及び状態10は、変化しないままであってもよい。その結果、ウィンドウ415は減少してもよいが、その一方で、ウィンドウ435は増加してもよい。従って、PCMセルの読み出し電流を個々の読み出し電流ステップNで修正することは、時間によって変化する状態分布にも拘らず、ウィンドウ415及び/又はウィンドウ435を実質的に一定のままにさせてもよい。図5は、実施形態に係る、プログラムバッファ510を説明するための概略図である。このようなプログラムバッファは、メモリアレイ部分520及び基準部分530を備えてもよい。例えば、メモリアレイ部分520は、他の不揮発性メモリデバイスに書き込む処理中にメモリバッファとして用いられたPCMセルを備えてもよいが、請求項の主題はそのように限定されるものではない。他の実施例において、メモリアレイ部分520は、数秒間又は数年間等の長期間にわたって情報を記憶するためにPCMを備えてもよい。基準部分530は、メモリアレイ部分520がプログラムされると同時にプログラムされた1つ又は複数の基準状態を記憶するためにPCMセルを備えてもよい。このような基準状態は、例えば、特定パターンの状態を含んでもよい。一実装において、基準部分530は、メモリアレイ部分520に含まれたPCMセル数に比べて、比較的少数のPCMセルを備えてもよい。例えば、基準部分530は、4つの基準状態を記憶するために4つのPCMセルを備えてもよいが、その一方で、メモリアレイ部分520は、256kほどのPCMセルを備えてもよい。このような基準状態は、メモリアレイ部分520に情報をプログラムすると同時にプログラムされた既知の状態パターンを含んでもよい。このような既知のパターンの基準状態は、時間にわたってPCMセル状態分布をドリフトさせること又は変化させることを補償する技術を考慮してもよい。このような技術は、例えば、メモリアレイ部分520のPCMセルに起こる変化と同じ変化がまた、基準部分530の基準セルに起こり得る事実を利用してもよい。更に、基準部分530の基準セルが、既知の状態パターンを含んでもよいので、メモリアレイ部分520のPCMセル状態分布が、時間にわたって変化した量について決定されてもよい。勿論、PCM基準セルのこのような詳細及びメモリアレイは単に例示であって、請求項の主題はこの点に限定されるものではない。図6は、実施形態に係る、PCMセルのプログラム/読み出し処理600のフローチャート図である。ブロック610において、既知の状態パターンを含むPCM基準セルは、プログラムバッファ等のPCMアレイをプログラミングすると同時にプログラムされてもよい。ブロック610及びブロック620間の期間中に、PCMセル状態分布は、メモリアレイのPCM基準セル及びPCMセルの両方に実質的に同一態様で変化してもよい。ブロック620において、このような変化は、PCM基準セルの基準電流を測定することによって決定されてもよい。例えば、PCM基準セル状態分布は、PCM基準セルがプログラムされたときから変化している場合があるが、このようなPCM基準セル状態は従来から知られているので、分布における変化は決定されてもよい。一実装において、基準セル状態の分布における変化は、プログラミング時の基準セル状態分布と現在の基準セル状態分布との間の差から決定されてもよい。以下に詳細に説明されるように、このような差は、個々の読み出し電流ステップNで評価されてもよい。処理600を続けると、ブロック630において、現在測定された基準セル状態と基準セルが最初にプログラムされた値との間の差の値又は電流デルタが決定されるとともに記憶されてもよい。ブロック640において、このような電流デルタは、個々の読み出し電流ステップ番号Nに対して、PCMセルの読み出し電流に加算されるか、又はPCMセルの読み出し電流から減算されてもよい。例えば、現在測定された基準セル状態と基準セル状態が最初にプログラムされた値との間の差は、N=2に対して100ナノアンペアnA、N=3に対して200nA、N=4~8に対して0、N=9に対してー200nA等であると決定されてもよい。一実装において、このような電流デルタは、例えば、メモリに記憶されて、後で与えられてもよい。特定の実施例を説明すると、ステップN=3でPCMセルに与えられた特定の電圧に対して、その結果の読み出し電流は、約3.6マイクロアンペアであってもよい。N=3で200nAの測定された電流デルタに従って、修正された読み出し電流が3.4マイクロアンペアに等しくなるように、200nAが3.6マイクロアンペアの読み出し電流から減算されてもよい。このような減算後、修正された読み出し電流の減少は、PCMセルの修正された読み出し電流が比較される状態閾値として用いられ得る基準電流が、時間にわたってプログラム時の最初の値からドリフト又は変化されてもよいという事実を補償してもよい。例えば、00状態及び01状態間の電流閾値は、3.5マイクロアンペアであると定義されてもよい。読み出し電流の補償が無いと、時間にわたっての状態分布のドリフトは、00状態例えば、プログラム時に最初はN=3で3.4マイクロンアンペアであるメモリセル読み出し電流から、01状態例えば、ドリフト後の現在はN=3で3.6マイクロアンペアであるメモリセル読み出し電流への、メモリセルの誤ったシフトという結果になる可能性がある。他方で、記憶された電流デルタを用いてメモリセル読み出し電流を補償することは、メモリセル読み出し電流から200nAの減算という結果になり得る。ゆえに、修正された読み出し電流は、ドリフトしている状態分布が変化され記憶されたメモリセル状態を導かないように、00状態の範囲内である3.4マイクロンペアに等しくてもよい。勿論、状態分布を変化させることを補償する処理のこのような詳細は単に例示であって、請求項の主題はそのように限定されるものではない。図7は、実施形態に係る、PCMデバイスの読み出し分布管理部分700を説明するための概略図である。例えば、プログラム/読み出し処理600等の処理を実装し得る読み出し分布管理部分700は、基準セル部分730を含むページバッファ710等のPCMセルアレイを備えてもよい。このような基準セル部分は、既知の状態パターンを含む基準セル状態を記憶するために用いられてもよい。上に記載されたように、このような基準セル状態及びメモリアレイは、同時にプログラムされてもよい。ゆえに、プログラミングから続く読み出し処理までの期間中に、PCMセル状態分布は、メモリアレイの基準セルとPCMセルとの両方に対して実質的に同一な態様で変化してもよい。ブロック720において、基準セル部分730内の基準PCMセルの読み出し電流は、後で測定されてもよく、かつ、基準セル及びメモリアレイがプログラムされたときに基準セルの既知の読み出し電流725と比較されてもよい。このような比較から、現在測定された読み出し電流と基準セルの既知の最初の読み出し電流との間の差に等しい電流デルタは、ブロック720において決定されてもよい。例えば、もしプログラムバッファ710が基準セル状態分布におけるドリフトを経験していない場合、電流デルタは0に等しくてもよい。他方で、基準セル状態分布におけるドリフトを経験するプログラムバッファ710は、結果として0ではない電流デルタになってもよい。読み出し分布管理部分700は、個々のPCMセルの読み出し電流とブロック745によって提供された読み出し基準電流とを比較するアナログセンサ740を備えてもよい。このような読み出し基準電流値は、上に記載されたように、このようなステップが個々の読み出し電流ステップ番号Nに対応し得る個々のPCMセルを読み出す処理中に、順次ステップアップして階段状に上げられてもよい。アナログセンサ740は、メモリセルの読み出し電流と読み出し基準電流の閾値とを比較することによって、個々のPCMセルの状態を決定してもよい。読み出し処理中のセル電流は、読み出し中のセル電流がPCMセルの抵抗に少なくとも一部は基づき得るように、PCMセルにわたって電圧を与えることによる結果として生じてもよい。従って、PCMセル状態、例えば、その抵抗値は、読み出し中のこのようなセル電流と、ブロック745によって提供された読み出し基準電流値とを比較することによって決定されてもよい。実装において、このような読み出し基準電流値は、PCMセルを読み出す処理中に順次ステップアップされてもよい。実装において、ブロック720は、配線728を介して回路ノード733において個々のPCMセルの読み出し電流と結合される電流デルタを提供してもよい。このような態様で電流を結合することによって、アナログセンサ740によって測定された読み出し電流は、プログラムバッファ710の状態分布のドリフトを補償するために修正されてもよい。例えば、N=7でブロック720によって提供された負の電流デルタは結果として、アナログセンサ740がN=7でメモリセルの減少された読み出し電流例えば、修正された読み出し電流を測定するようになってもよい。その結果、アナログセンサ740は、減少された読み出し電流と、ブロック745によって提供されたN=7の基準電流とを比較してもよい。このような減少された読み出し電流は、基準電流との比較時に、プログラムバッファ710の状態分布をより正確に反映してもよい。勿論、読み出し分布管理のこのような詳細は単に例示であって、請求項の主題はこの点に限定されるものではない。図8は、メモリデバイス810を含むコンピュータシステム800の実施形態例を概略的に示す図である。このようなコンピュータデバイスは、例えば、アプリケーション及び/又は他のコードを実行するために、1つ又は複数のプロセッサを備えてもよい。例えば、メモリデバイス810は、図1に示したプログラムバッファ710等のPCMプログラムバッファを備えてもよい。コンピュータデバイス804は、メモリデバイス810を管理するように構成され得る任意のデバイス、装置、又は機械を表し得る。メモリデバイス810は、メモリコントローラ815及びメモリ822を含んでもよい。例示であって制限されるものではないが、コンピュータデバイス804は、例えば、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、ワークステーション、サーバデバイス、又はこれらと類似するような1つ又は複数のコンピュータデバイス及び/又はプラットフォームと、例えば、携帯情報端末、モバイル通信デバイス、又はこれらと類似するような1つ又は複数のパーソナルコンピュータデバイス又は通信デバイス及び/又は装置と、例えば、データベース又はデータ記憶サービスプロバイダ/システムのようなコンピュータシステム及び/又は関連サービスプロバイダ性能と、及び/又はこれらの任意の組み合わせとを含んでもよい。システム800に示した様々なデバイスの全部又は一部、及び本明細書に更に記載されたような処理及び方法は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はこれらの任意の組み合わせを用いるかあるいは含むように実装されてもよい。ゆえに、例示であって限定されるものではないが、コンピュータデバイス804は、バス840及びホスト又はメモリコントローラ815を通してメモリ822に動作的に連結される少なくとも1つの処理ユニット820を含んでもよい。処理ユニット820は、データ計算手順又はデータ計算処理の少なくとも一部を実行するように構成可能な1つ又は複数の回路を表す。例示であって限定されるものではないが、処理ユニット820は、1つ又は複数のプロセッサ、コントローラ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、アプリケーション専用集積回路、デジタル信号プロセッサ、プログラマブル論理デバイス、フィールドプログラマブルゲートアレイ、及びこれらと類似するもの、又はこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。処理ユニット820は、メモリコントローラ815と通信するように構成されたオペレーティングシステムを含んでもよい。このようなオペレーティングシステムは、例えば、バス840上でメモリコントローラ815に送信されるコマンドを生成することができる。一実装において、メモリコントローラ815は、外部メモリコントローラ図示せずがメモリデバイス810の外部にあり得るとともに、例えば、システムプロセッサとメモリ自身との間のインターフェースとして動作する、内部メモリコントローラ又は内部書き込み状態機械を備えてもよい。このようなコマンドは、例えば、読み出しコマンド/書き込みコマンドを含んでもよい。書き込みコマンドに応じて、例えば、メモリコントローラ815は、例えば、図4に示した、1つのパルスから次のパルスまで連続的に減少する個々のピーク振幅を持つ一連のセットパルスを含むバイアス信号410等のバイアス信号を提供してもよい。特に、メモリコントローラ815は、書き込みコマンドに応じてPCMセルを低抵抗状態に置くように試みるためにPCMセルに第1のバイアスパルスを与え、PCMセルを確認する間にセル電流を測定し、かつ、PCMセルを低抵抗状態に置くように試みるためにPCMセルに第2のバイアスパルスを与えてもよく、第2のバイアスパルスは、確認中のセル電流と最初に確認した基準電流値との比較に応じて、第1のバイアスパルスのピーク振幅より小さいピーク振幅を含んでもよい。メモリ822は、任意のデータストレージ機構を表す。メモリ822は、例えば、一次メモリ824及び/又は二次メモリ826を含んでもよい。一次メモリ824は、例えば、ランダムアクセスメモリ、リードオンリメモリ等を含んでもよい。この例示は処理ユニット820から離れて説明したが、一次メモリ824の全部又は一部は処理ユニット820内に備えられていてもよく、あるいは処理ユニット820と同じ場所に設置されているか、又は処理ユニット820に連結されてもよいと理解されるべきである。一実施形態において、コンピュータシステム800は、1つ又は複数の特定の比較状態を記憶するために、PCMアレイ及びPCM基準セル部分を含むプログラムバッファを備えてもよい。システム800はまた、読み出し動作に応じてセル電流を生み出すようにPCMアレイのセルにバイアスパルスを与えるとともに、1つ又は複数の特定の基準状態から生じる基準電流に少なくとも一部は基づいてセル電流を修正するコントローラを含んでもよい。システム800は更に、1つ又は複数のアプリケーションをホストするとともに読み出し動作を開始するプロセッサを含んでもよい。二次メモリ826は、例えば、一次メモリと同一タイプのメモリもしくは類似タイプのメモリ、及び/又は、例えば、ディスクドライブ、光学ディスクドライブ、テープドライブ、固体状態記憶ドライブ等の1つ又は複数のデータ記憶装置もしくはシステムを含んでもよい。所定の実装例において、二次メモリ826は動作可能的にコンピュータ可読媒体828から受信可能であってもよく、もしくは、コンピュータ可読媒体828に連結するように構成可能であってもよい。コンピュータ可読媒体828は、例えば、システム800における1つ又は複数のデバイスに対するデータ、コード、及び/又は命令を送ることができ、かつ/又は、こうしたデータ、コード、及び/又は命令をアクセス可能にすることができる任意の媒体を含むことができる。コンピュータデバイス804は、例えば、入力/出力832を含んでもよい。入力/出力832は、人及び/又は機械の入力を受入れるように構成可能な、又は導入するように構成可能な1つ又は複数のデバイス又は機能、及び/又は、人及び/又は機械の出力を送出するように構成可能な、又は提供するように構成可能な1つ又は複数のデバイス又は機能を表す。例示であって限定されるものではないが、入力/出力デバイス832は、動作可能に構成されたディスプレイ、スピーカー、キーボード、マウス、トラックボール、タッチスクリーン、データポート等を含んでもよい。現時点で考えられる実施形態例について説明して述べてきたが、請求項の主題から逸脱することなく、他の様々な変更がなされてもよく、均等なものに置換されてもよいと当業者に理解され得るものである。加えて、本明細書に開示された主要概念から逸脱することなく、特定の状況を請求項の主題の教示に適用するように多くの変更がなされてもよい。それゆえ、請求項の主題が開示された特定の実施形態に限定されることはないと示され、そのような請求項の主題はまた、添付の特許請求の範囲に含まれる全ての実施形態及びそれらの均等物を包含するものであると示されている。