"2種以上の下記式1-1で示される環状化合物を含み、R’のうち少なくとも1種類が、下記式1-2で表される基であり、かつ、下記式1-2で表される基の少なくとも1種類の含有量が、材料中に含まれるR’の10mol~90molである下層膜材料。1-1式1-1中、Lは、独立して、単結合、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、炭素数3~20のシクロアルキレン基、炭素数6~24のアリーレン基、-O-、-OC=O-、-OC=OO-、-NR5-C=O-、-NR5-C=OO-、-S-、-SO-、-SO2-及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される二価の基であり、R1は独立して、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数1~20のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、複素環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、炭素数2~20のアシル基、炭素数1~20のアルキルシリル基、又は水素原子である。R’は独立して、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、ビフェニル基、炭素数6~20のアリール基の水素原子が炭素数1~20のアルキル基及びハロゲン原子で置換された基、又は炭素数2~20のアルキル基の水素原子の一つ以上が炭素数1~20のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数1~20のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、炭素数2~20のアシル基、水酸基、及び炭素数1~20のアルキルシリル基からなる群から選択される官能基で置換されているもの、又は下記式1-21-2で表される基である。R4は、独立して水素原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数1~20のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、炭素数3~20のアルキル基を有するシクロアルキル基及び炭素数1~20のアルキルシリル基からなる群から選択される官能基であり、R5は水素原子又は炭素数1~10のアルキル基であり、mは1~4の整数であり、pは0~5の整数である。前記環状化合物が下記式2で示される請求項1記載の下層膜材料。2式2中、R1、R’、mは前記と同様である。X2は水素原子又はハロゲン原子であり、m5は0~3の整数であり、mm5=4である。前記環状化合物が、下記式3で示される請求項1記載の下層膜材料。3式3中、R’、mは前記と同様である。但し、R’は全て同じとは限らない。R’が、下記式1-3で表される各基からなる群から選ばれる基を含み、R’が全て同じとはならない請求項1記載の下層膜材料。1-3下記式4-1で表されるアルデヒドA1からなる群より選ばれる2種以上但し、少なくとも1種は下記式4-2で表されるアルデヒドである。と、フェノール性化合物A2からなる群より選ばれる1種以上とを、酸触媒を用いて縮合反応させることによって得られる請求項1記載の下層膜材料。4-1式4-1中、R’は前記と同様である。式4-2中、R4、pは前記と同様である。フェノール性化合物A2、酸触媒及びアルコールからなる混合液Aに、前記アルデヒドA1からなる群より選ばれる2種以上但し、少なくとも1種は前記式4-2で表されるアルデヒドである。からなる混合液Bを滴下することによって得られる請求項5記載の下層膜材料。さらに、溶媒を含む請求項1記載の下層膜材料。前記環状化合物が、下記式4-1で表されるアルデヒドA1からなる群より選ばれる2種以上但し、少なくとも1種は下記式4-2で表されるアルデヒドである。と、フェノール性化合物A2からなる群より選ばれる1種以上とを、酸触媒を用いた縮合反応により合成した、分子量が700~5000の環状化合物Aである、請求項1又は7記載の下層膜材料。4-1式4-1中、R’は前記と同様である。式4-2中、R4、pは前記と同様である。固形成分1~80重量及び溶媒20~99重量からなる請求項8記載の下層膜材料。前記環状化合物Aが固形成分全重量の50~99.999重量である請求項9記載の下層膜材料。さらに、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線EUV、X線、及びイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤Cを含む請求項7記載の下層膜材料。さらに、酸架橋剤Gを含む請求項7記載の下層膜材料。さらに、酸拡散制御剤Eを含む請求項7記載の下層膜材料。前記固形成分が、環状化合物A/酸発生剤C/酸架橋剤G/酸拡散制御剤E/任意成分Fを、固形成分基準の重量で、50~99.489/0.001~49.49/0.5~49.989/0.01~49.499/0~49.489含有する請求項9記載の下層膜材料。スピンコートによって、アモルファス膜の形成に用いられる請求項7記載の下層膜材料。請求項1~15のいずれかに記載の下層膜材料を用いて形成される下層膜。請求項1~15のいずれかに記載の下層膜材料を用いて、基板上に下層膜を形成する工程、前記下層膜を露光する工程、及び前記下層膜を用いて作製したレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。本発明が解決しようとする課題は、特に、2層あるいは3層レジストプロセス用下層膜として、安全溶媒への溶解性及びエッチング耐性に優れ、更に昇華物が実質的に無い、新規なフォトレジスト下層膜を形成するための組成物下層膜材料、それから形成された下層膜、及びこれを用いたレジストパターン形成方法を提供するものである。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、下記式で示されるポリフェノール化合物1を含む下層膜形成組成物が、光学特性及びエッチング耐性に優れ、更に昇華物が実質的に存在しない、2層あるいは3層レジストプロセス用下層膜として有望な材料であることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明はつぎの通りである。1.2種以上の下記式1-1で示される環状化合物を含み、R’のうち少なくとも1種類が、下記式1-2で表される基であり、かつ、下記式1-2で表される基の少なくとも1種類の含有量が、材料中に含まれるR’の10mol~90molである下層膜材料。1-1式1-1中、Lは、独立して、単結合、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、炭素数3~20のシクロアルキレン基、炭素数6~24のアリーレン基、-O-、-OC=O-、-OC=OO-、-NR5-C=O-、-NR5-C=OO-、-S-、-SO-、-SO2-及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される二価の基であり、R1は独立して、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数1~20のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、複素環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、炭素数2~20のアシル基、炭素数1~20のアルキルシリル基、又は水素原子である。R’は独立して、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、ビフェニル基、炭素数6~20のアリール基の水素原子が炭素数1~20のアルキル基及びハロゲン原子で置換された基、又は炭素数2~20のアルキル基の水素原子の一つ以上が炭素数1~20のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数1~20のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、炭素数2~20のアシル基、水酸基、及び炭素数1~20のアルキルシリル基からなる群から選択される官能基で置換されているもの、又は下記式1-21-2で表される基である。R4は、独立して水素原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数1~20のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、炭素数3~20のアルキル基を有するシクロアルキル基及び炭素数1~20のアルキルシリル基からなる群から選択される官能基であり、R5は水素原子又は炭素数1~10のアルキル基であり、mは1~4の整数であり、pは0~5の整数である。2.前記環状化合物が下記式2で示される第1項記載の下層膜材料。2式2中、R1、R’、mは前記と同様である。X2は水素原子又はハロゲン原子であり、m5は0~3の整数であり、mm5=4である。3.前記環状化合物が、下記式3で示される第1項記載の下層膜材料。3式3中、R’、mは前記と同様である。但し、R’は全て同じとは限らない。4.R’が、下記式1-3で表される各基からなる群から選ばれる基を含み、R’が全て同じとはならない第1項記載の下層膜材料。1-35.下記式4-1で表されるアルデヒドA1からなる群より選ばれる2種以上但し、少なくとも1種は下記式4-2で表されるアルデヒドである。と、フェノール性化合物A2からなる群より選ばれる1種以上とを、酸触媒を用いて縮合反応させることによって得られる第1項記載の下層膜材料。4-1式4-1中、R’は前記と同様である。式4-2中、R4、pは前記と同様である。6.フェノール性化合物A2、酸触媒及びアルコールからなる混合液Aに、前記アルデヒドA1からなる群より選ばれる2種以上但し、少なくとも1種は前記式4-2で表されるアルデヒドである。からなる混合液Bを滴下することによって得られる第5項記載の下層膜材料。7.さらに、溶媒を含む第1項記載の下層膜材料。8.前記環状化合物が、下記式4-1で表されるアルデヒドA1からなる群より選ばれる2種以上但し、少なくとも1種は下記式4-2で表されるアルデヒドである。と、フェノール性化合物A2からなる群より選ばれる1種以上とを、酸触媒を用いた縮合反応により合成した、分子量が700~5000の環状化合物Aである、第1項又は第7項記載の下層膜材料。4-1式4-1中、R’は前記と同様である。式4-2中、R4、pは前記と同様である。9.固形成分1~80重量及び溶媒20~99重量からなる第8項記載の下層膜材料。10.前記環状化合物Aが固形成分全重量の50~99.999重量である第9項記載の下層膜材料。11.さらに、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線EUV、X線、及びイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤Cを含む第7項記載の下層膜材料。12.さらに、酸架橋剤Gを含む第7項記載の下層膜材料13.さらに、酸拡散制御剤Eを含む第7項記載の下層膜材料。14.前記固形成分が、環状化合物A/酸発生剤C/酸架橋剤G/酸拡散制御剤E/任意成分Fを、固形成分基準の重量で、50~99.489/0.001~49.49/0.5~49.989/0.01~49.499/0~49.489含有する第9項記載の下層膜材料。15.スピンコートによって、アモルファス膜の形成に用いられる第7項記載の下層膜材料。16.第1項~第15項のいずれかに記載の下層膜材料を用いて形成される下層膜。17.第1項~第15項のいずれかに記載の下層膜材料を用いて、基板上に下層膜を形成する工程、前記下層膜を露光する工程、及び前記下層膜を用いて作製したレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。本発明の下層膜材料を用いる多層レジストパターンの形成方法により、KrF、ArF等のエキシマレーザー光などの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマエッチング等に対するエッチング耐性にも優れ、更に昇華物による装置の汚染を最小限に抑えた下層膜を形成することが出来る。以下、本発明を詳細に説明する。[2種以上の環状化合物を含む下層膜材料及びその製造方法]本発明は、下層膜材料として有用な環状化合物を含む組成物及びその製造方法に関する。本発明は、2種以上の下記式1-1で示される環状化合物を含み、R’のうち少なくとも1種類が、下記式1-2で表される基であり、かつ、下記式1-2で表される基の少なくとも1種類の含有量が、材料中に含まれるR’の10mol~90molである下層膜材料である。1-1式1-1中、Lは、独立して、単結合、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、炭素数3~20のシクロアルキレン基、炭素数6~24のアリーレン基、-O-、-OC=O-、-OC=OO-、-NR5-C=O-、-NR5-C=OO-、-S-、-SO-、-SO2-及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される二価の基であり、R1は独立して、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数1~20のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、複素環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、炭素数2~20のアシル基、炭素数1~20のアルキルシリル基、又は水素原子である。R’は独立して、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、ビフェニル基、炭素数6~20のアリール基の水素原子が炭素数1~20のアルキル基及びハロゲンで置換された基、又は炭素数2~20のアルキル基の水素原子の一つ以上が炭素数1~20のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数1~20のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、炭素数2~20のアシル基、水酸基、及び炭素数1~20のアルキルシリル基からなる群から選択される官能基で置換されているもの、又は下記式1-21-2で表される基である。R4は、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数1~20のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、及び炭素数1~20のアルキルシリル基からなる群から選択される官能基であり、mは1~4の整数であり、pは0~5の整数である。pが2以上の整数の場合、R4は同一でも異なってもよい。本発明において、2種以上の上記式1-1で示される環状化合物のR’のうち少なくとも1種類が、上記式1-2で表される基であり、かつその含有量はR’の10mol~90molである。好ましくは35mol~80mol、特に好ましくは50mol~75molである。上記式1-1で表される環状化合物としては、好ましくは下記式2で表される化合物があげられる。2式2中、R1、R’、mは前記と同様である。X2は水素原子又はハロゲン原子であり、m5は0~3の整数であり、mm5=4である。上記式1-1で表される環状化合物としては、より好ましくは下記式3で表される化合物があげられる。3式3中、R’、mは前記と同様である。上記式1-1で表される環状化合物としては、さらに好ましくは以下の化合物があげられる。該化合物においては、R’が、下記式1-3で表される各基からなる群から選ばれる基を含むことが好ましい。但し、R’は全て同じ種類の基からなることはない。1-3上記式1-1で表される環状化合物はガラス転移点が200°C以上を有し、耐熱性が高く、アモルファス性を有するため製膜性にも優れ、昇華性を持たない。更に、驚くべきことにベンゼン構造を有しながら193nm光に対する消衰係数は比較的低く、また屈折率は高いという特長を有する。また、製造面においても工業的に製造されている芳香族アルデヒドをはじめとする各種アルデヒド類2種以上とレゾルシノール、ピロガロール等のフェノール類を原料として、塩酸等の非金属触媒により脱水縮合反応させることにより、高収率で製造できることから、実用性にも極めて優れる。更にレジスト溶媒として一般的に使用されているプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAに難溶であり、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEやシクロヘキサノンに可溶であることから、多層レジストを形成する際にインターミキシングすることも抑えることが出来る。上記式1-1で示される環状化合物の分子量は700~5000であり、好ましくは800~2000、より好ましくは1000~2000である。上記範囲であると下層膜に必要な成膜性を保持しつつ、解像性が向上する。本発明における環状化合物は、それぞれの化合物において、シス体及びトランス体を取りうるが、いずれかの構造若しくは混合物でもよい。上記式1-1で示される環状化合物は、式4-1で表されるアルデヒドA1からなる群より選ばれる2種以上但し、少なくとも1種は下記式4-2で表されるアルデヒドである。と、フェノール性化合物A2からなる群より選ばれる1種以上との縮合反応により得られる。本発明に用いられるアルデヒドA1は下記式4-1で表される。4-1式4-1中、R’は前記と同様である。例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロパナール、ブタナール、ペンタナール、ヘキサナール、オクタナール、1-ノナナール、3-4-t-ブチルフェニル-2-イソブチルアルデヒド、4-フッ化-3-メチルベンズアルデヒド、ベンズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、ジメチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、ブチルベンズアルデヒド、エチルメチルベンズアルデヒド、ジエチルベンズアルデヒド、アニスアルデヒド、ナフトアルデヒド、アントラアルデヒド、シクロプロピルベンズアルデヒド、シクロブチルベンズアルデヒド、シクロペンチルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒド、ナフチルベンズアルデヒド、アダマンチルベンズアルデヒド、ノルボルニルベンズアルデヒド、ラクチルベンズアルデヒド、イソプロピルベンズアルデヒド、ノルマルプロピルベンズアルデヒド、ブロモベンズアルデヒド、ジメチルアミノベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、トリヒドロキシベンズアルデヒド等が挙げられ、1-ノナナール、3-4-t-ブチルフェニル-2-イソブチルアルデヒド、ジメチルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒド及び4-フッ化-3-メチルベンズアルデヒドが好ましく、ジメチルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒド及び4-フッ化-3-メチルベンズアルデヒドがより好ましい。本発明に用いられる上記アルデヒドA1のうち少なくとも1種は下記式4-2で表されるアルデヒドである。好ましくは、上記アルデヒドA1のうち2種以上が下記式4-2で表されるアルデヒドである。式4-2で表されるアルデヒドとしては、例えば、ベンズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、ジメチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、プロピルベンズアルデヒド、ブチルベンズアルデヒド、ペンチルベンズアルデヒド、ヘキシルベンズアルデヒド、シクロプロピルベンズアルデヒド、シクロブチルベンズアルデヒド、シクロペンチルベンズアルデヒド、シクロヘキシルベンズアルデヒド、シクロヘプチルベンズアルデヒド、シクロオクチルベンズアルデヒド、シクロノニルベンズアルデヒド、シクロヘキシルメチルベンズアルデヒド、シクロヘキシルエチルベンズアルデヒド、メチルシクロヘキシルベンズアルデヒド、エチルシクロヘキシルベンズアルデヒド、プロピルシクロヘキシルベンズアルデヒド、ブチルシクロヘキシルベンズアルデヒド、フッ化ベンズアルデヒド、フッ化メチルベンズアルデヒド、フッ化エチルベンズアルデヒド、フッ化ジメチルベンズアルデヒド、フッ化プロピルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒド、ヒドロキシルベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、メチルシリルベンズアルデヒド、エチルシリルベンズアルデヒド、プロピルシリルベンズアルデヒド、シアノベンズアルデヒド、メトキシベンズアルデヒド、エトキシベンズアルデヒド、メトキシメチルベンズアルデヒド、エトキシメチルベンズアルデヒド、メトキシエチルベンズアルデヒド、エトキシエチルベンズアルデヒド、メトキシプロピルベンズアルデヒド、エトキシプロピルベンズアルデヒド、臭化ベンズアルデヒド、カルボキシルベンズアルデヒド、ナフチルベンズアルデヒド、アントラセニルベンズアルデヒド、フェナントレニルベンズアルデヒド等が挙げられ、ベンズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、ジメチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、プロピルベンズアルデヒド、シクロヘキシルベンズアルデヒド、シクロヘキシルメチルベンズアルデヒド、メチルシクロヘキシルベンズアルデヒド、エチルシクロヘキシルベンズアルデヒド、プロピルシクロヘキシルベンズアルデヒド、ブチルシクロヘキシルベンズアルデヒド、フッ化メチルベンズアルデヒド、フッ化エチルベンズアルデヒド、フッ化ジメチルベンズアルデヒド、フッ化プロピルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒドが好ましく、メチルベンズアルデヒド、ジメチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、プロピルベンズアルデヒド、シクロヘキシルベンズアルデヒド、フッ化メチルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒドがより好ましい。式4-2で表されるアルデヒドは本発明の効果を損ねない範囲で炭素数1~4の直鎖又は分岐アルキル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン原子等を有していても良い。式4-2で表されるアルデヒドは、二種以上組み合わせて使用してもよい。フェノール性化合物A2の例としては、フェノール、カテコール、レゾルシノール、ハイドロキノン、ピロガロール等が挙げられ、レゾルシノール、ピロガロールが好ましく、レゾルシノールが更に好ましい。フェノール性化合物A2は本発明の効果を損ねない範囲で炭素数1~4の直鎖又は分岐アルキル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン原子等を有していても良い。フェノール性化合物A2は、単独で又は二種以上組み合わせて使用してもよい。上記式1-1で示される環状化合物Aは、公知の方法によって製造できる。例えば、メタノール、エタノール等の有機溶媒中、アルデヒドA1の混合物1モルに対し、フェノール性化合物A2を0.1~10モル量、酸触媒塩酸、硫酸又はパラトルエンスルホン酸等を使用し、60~150°Cで0.5~20時間程度反応させ、濾過後、メタノール等のアルコール類で洗浄後、水洗し、濾過を行い分離し、乾燥させることにより環状化合物Aが得られる。酸触媒の代わりに、塩基性触媒水酸化ナトリウム、水酸化バリウム又は1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7等を使用し、同様に反応することによっても得られる。さらに該環状化合物Aは、上記アルデヒドA1をハロゲン化水素若しくはハロゲンガスでジハロゲン化物とし、単離したジハロゲン化物とフェノール性化合物A2とを反応させて製造することも出来る。また、上記式1-1で示される環状化合物Aは、フェノール性化合物A2、酸触媒及びアルコールからなる混合液Aを調製し、またアルデヒドA1からなる群より選ばれる2種以上からなる混合液Bを調製し、混合液Aに混合液Bを滴下することによって製造することが望ましい。上記アルデヒドA1は混合してから滴下しない場合、望まれる組成物が得られない。2種以上のアルデヒドA1と2種以上のフェノール性化合物A2を用いることが好ましい。式4-2で表される2種以上のアルデヒドA1と2種以上のフェノール性化合物A2を用いることがより好ましい。式4-2で表される2種以上のアルデヒドA1と2種以上のフェノール性化合物A2を用いることにより、得られる環状化合物Aの半導体安全溶媒に対する溶解性が向上する。本発明に用いる環状化合物A中の残存金属量を低減するために、必要に応じて精製してもよい。また酸触媒及び助触媒が残存すると、一般に、下層膜材料の保存安定性が低下する、又は塩基性触媒が残存すると、一般に、下層膜材料の感度が低下するので、その低減を目的とした精製を行ってもよい。精製は、環状化合物Aが変性しない限り公知の方法により行うことができ、特に限定されないが、例えば、水で洗浄する方法、酸性水溶液で洗浄する方法、塩基性水溶液で洗浄する方法、イオン交換樹脂で処理する方法、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで処理する方法などが挙げられる。これら精製方法は2種以上を組み合わせて行うことがより好ましい。酸性水溶液、塩基性水溶液、イオン交換樹脂及びシリカゲルカラムクロマトグラフィーは、除去すべき金属、酸性化合物及び/又は塩基性化合物の量や種類、精製する環状化合物Aの種類などに応じて、最適なものを適宜選択することが可能である。例えば、酸性水溶液として、濃度が0.01~10mol/Lの塩酸、硝酸、酢酸水溶液、塩基性水溶液として、濃度が0.01~10mol/Lのアンモニア水溶液、イオン交換樹脂として、カチオン交換樹脂、例えばオルガノ製Amberlyst15J-HGDryなどが挙げられる。精製後に乾燥を行っても良い。乾燥は公知の方法により行うことができ、特に限定されないが、環状化合物Aが変性しない条件で真空乾燥、熱風乾燥する方法などが挙げられる。上記式1-1で示される環状化合物Aを材料として用い、スピンコートによりアモルファス膜を形成することができる。また一般的な半導体製造プロセスに適用することができる。本発明はインターミキシングを抑制するために酸架橋剤G及び酸発生剤Cを含有することができる。本発明で使用可能な酸架橋剤Gの具体例を列挙すると、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基で置換されたメラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物又はウレア化合物、エポキシ化合物、チオエポキシ化合物、イソシアネート化合物、アジド化合物、アルケニルエーテル基などの2重結合を含む化合物を挙げることができる。これらは添加剤として用いてもよいが、これら架橋性基をポリマー側鎖にペンダント基として導入してもよい。また、ヒドロキシ基を含む化合物も酸架橋剤Gとして用いられる。前記酸架橋剤Gとして列挙された化合物のうち、エポキシ化合物を例示すると、トリス2,3-エポキシプロピルイソシアヌレート、トリメチロールメタントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリエチロールエタントリグリシジルエーテルなどが例示される。メラミン化合物を具体的に例示すると、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンの1~6個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、ヘキサメトキシエチルメラミン、ヘキサアシロキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンのメチロール基の1~6個がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物が挙げられる。グアナミン化合物としては、テトラメチロールグアナミン、テトラメトキシメチルグアナミン、テトラメチロールグアナミンの1~4個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメトキシエチルグアナミン、テトラアシロキシグアナミン、テトラメチロールグアナミンの1~4個のメチロール基がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物が挙げられる。グリコールウリル化合物としては、テトラメチロールグリコールウリル、テトラメトキシグリコールウリル、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の1~4個がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の1~4個がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物が挙げられる。ウレア化合物としてはテトラメチロールウレア、テトラメトキシメチルウレア、テトラメチロールウレアの1~4個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメトキシエチルウレアなどが挙げられる。アルケニルエーテル基を含む化合物としては、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、1,2-プロパンジオールジビニルエーテル、1,4-ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、1,4-シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテルなどが挙げられる。本発明における酸架橋剤Gの配合量は、環状化合物A100質量部に対して5~50質量部が好ましく、特に10~40質量部が好ましい。5質量部未満であるとレジストとミキシングを起こす場合があり、50質量部を超えると反射防止効果が低下したり、架橋後の膜にひび割れが入ることがある。本発明においては、熱による架橋反応を更に促進させるための酸発生剤Cを添加することができる。酸発生剤Cは熱分解によって酸を発生するものや、光照射によって酸を発生するものがあるが、いずれのものも添加することができる。本発明で使用される酸発生剤Cとしては、1下記一般式P1a-1、P1a-2、P1a-3又はP1bのオニウム塩、2下記一般式P2のジアゾメタン誘導体、3下記一般式P3のグリオキシム誘導体、4下記一般式P4のビススルホン誘導体、5下記一般式P5のN-ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル、6β-ケトスルホン酸誘導体、7ジスルホン誘導体、8ニトロベンジルスルホネート誘導体、9スルホン酸エステル誘導体等が挙げられる。式中、R101a、R101b、R101cはそれぞれ炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基、炭素数6~20のアリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基等によって置換されていてもよい。また、R101bとR101cとは環を形成してもよく、環を形成する場合には、R101b、R101cはそれぞれ炭素数1~6のアルキレン基を示す。Kは非求核性対向イオンを表す。R101d、R101e、R101f、R101gは、R101a、R101b、R101cに水素原子を加えて示される。R101dとR101e、R101dとR101eとR101fとは環を形成してもよく、環を形成する場合には、R101dとR101e及びR101dとR101eとR101fは炭素数3~10のアルキレン基を示す。又は式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。上記R101a、R101b、R101c、R101d、R101e、R101f、R101gは互いに同一であっても異なっていてもよく、具体的にはアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロプロピルメチル基、4-メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、プロぺニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。オキソアルキル基としては、2-オキソシクロペンチル基、2-オキソシクロヘキシル基等が挙げられ、2-オキソプロピル基、2-シクロペンチル-2-オキソエチル基、2-シクロヘキシル-2-オキソエチル基、2-4-メチルシクロヘキシル-2-オキソエチル基等を挙げることができる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基等や、p-メトキシフェニル基、m-メトキシフェニル基、o-メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、p-tert-ブトキシフェニル基、m-tert-ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基、2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基、メチルナフチル基、エチルナフチル基等のアルキルナフチル基、メトキシナフチル基、エトキシナフチル基等のアルコキシナフチル基、ジメチルナフチル基、ジエチルナフチル基等のジアルキルナフチル基、ジメトキシナフチル基、ジエトキシナフチル基等のジアルコキシナフチル基等が挙げられる。アラルキル基としてはベンジル基、フェニルエチル基、フェネチル基等が挙げられる。アリールオキソアルキル基としては、2-フェニル-2-オキソエチル基、2-1-ナフチル-2-オキソエチル基、2-2-ナフチル-2-オキソエチル基等の2-アリール-2-オキソエチル基等が挙げられる。Kの非求核性対向イオンとしては塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン、トリフレート、1,1,1-トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等のフルオロアルキルスルホネート、トシレート、ベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、1,2,3,4,5-ペンタフルオロベンゼンスルホネート等のアリールスルホネート、メシレート、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネートが挙げられる。また、R101dは、R101e、R101f、R101gが式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環は、イミダゾール誘導体例えばイミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール等、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体例えばピロリン、2-メチル-1-ピロリン等、ピロリジン誘導体例えばピロリジン、N-メチルピロリジン、ピロリジノン、N-メチルピロリドン等、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、4-1-ブチルペンチルピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、3-メチル-2-フェニルピリジン、4-tert-ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、1-メチル-2-ピリドン、4-ピロリジノピリジン、1-メチル-4-フェニルピリジン、2-1-エチルプロピルピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、1H-インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体例えばキノリン、3-キノリンカルボニトリル等、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,10-フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。上記一般式P1a-1と一般式P1a-2は光酸発生剤C、熱酸発生剤Cの両方の効果があるが、上記一般式P1a-3は熱酸発生剤Cとして作用する。式中、R102a、R102bはそれぞれ炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R103は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R104a、R104bはそれぞれ炭素数3~7の2-オキソアルキル基を示す。Kは非求核性対向イオンを表す。上記R102a、R102bとして具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル基、4-メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基等が挙げられる。R103としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、へプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、1,4-シクロへキシレン基、1,2-シクロへキシレン基、1,3-シクロペンチレン基、1,4-シクロオクチレン基、1,4-シクロヘキサンジメチレン基等が挙げられる。R104a、R104bとしては、2-オキソプロピル基、2-オキソシクロペンチル基、2-オキソシクロヘキシル基、2-オキソシクロヘプチル基等が挙げられる。Kは式P1a-1、P1a-2及びP1a-3で説明したものと同様のものを挙げることができる。式中、R105、R106は炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素数6~20のアリール基又はハロゲン化アリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基を示す。R105、R106のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、アミル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、1,1,1-トリフルオロエチル基、1,1,1-トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、p-メトキシフェニル基、m-メトキシフェニル基、o-メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、p-tert-ブトキシフェニル基、m-tert-ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基、2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基が挙げられる。ハロゲン化アリール基としては、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、1,2,3,4,5-ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。式中、R107、R108、R109は炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素数6~20のアリール基又はハロゲン化アリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基を示す。R108、R109は互いに結合して環状構造を形成してもよく、環状構造を形成する場合、R108、R109はそれぞれ炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R107、R108、R109のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、ハロゲン化アリール基、アラルキル基としては、R105、R106で説明したものと同様の基が挙げられる。なお、R108、R109のアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基等が挙げられる。式中、R101a、R101bは上記と同様である。式中、R110は炭素数6~10のアリーレン基、炭素数1~6のアルキレン基又は炭素数2~6のアルケニレン基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部は更に炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシ基、ニトロ基、アセチル基、又はフェニル基で置換されていてもよい。R111は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は置換のアルキル基、アルケニル基又はアルコキシアルキル基、フェニル基、又はナフチル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部は更に炭素数1~4のアルキル基又はアルコキシ基;炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で置換されていてもよいフェニル基;炭素数3~5のヘテロ芳香族基;又は塩素原子、フッ素原子で置換されていてもよい。ここで、R110のアリーレン基としては、1,2-フェニレン基、1,8-ナフチレン基等が、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、フェニルエチレン基、ノルボルナン-2,3-ジイル基等が、アルケニレン基としては、1,2-ビニレン基、1-フェニル-1,2-ビニレン基、5-ノルボルネン-2,3-ジイル基等が挙げられる。R111のアルキル基としては、R101a~R101cと同様のものが、アルケニル基としては、ビニル基、1-プロペニル基、アリル基、1-ブテニル基、3-ブテニル基、イソプレニル基、1-ペンテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、ジメチルアリル基、1-ヘキセニル基、3-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、1-ヘプテニル基、3-ヘプテニル基、6-ヘプテニル基、7-オクテニル基等が、アルコキシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ペンチロキシメチル基、ヘキシロキシメチル基、ヘプチロキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ペンチロキシエチル基、ヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基、メトキシヘキシル基、メトキシヘプチル基等が挙げられる。なお、更に置換されていてもよい炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基等が、炭素数1~4のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基等が、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で置換されていてもよいフェニル基としては、フェニル基、トリル基、p-tert-ブトキシフェニル基、p-アセチルフェニル基、p-ニトロフェニル基等が、炭素数3~5のヘテロ芳香族基としては、ピリジル基、フリル基等が挙げられる。具体的には、例えばトリフルオロメタンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリエチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸ピリジニウム、カンファースルホン酸トリエチルアンモニウム、カンファースルホン酸ピリジニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラn-ブチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラフェニルアンモニウム、p-トルエンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸p-tert-ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、p-トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、p-トルエンスルホン酸p-tert-ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸p-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビスp-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリスp-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸p-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸ビスp-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸トリスp-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸2-ノルボニルメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウム、エチレンビス[メチル2-オキソシクロペンチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート]、1,2’-ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレート等のオニウム塩、ビスベンゼンスルホニルジアゾメタン、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビスキシレンスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロペンチルスルホニルジアゾメタン、ビスn-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスイソブチルスルホニルジアゾメタン、ビスsec-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスn-プロピルスルホニルジアゾメタン、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスtert-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスn-アミルスルホニルジアゾメタン、ビスイソアミルスルホニルジアゾメタン、ビスsec-アミルスルホニルジアゾメタン、ビスtert-アミルスルホニルジアゾメタン、1-シクロヘキシルスルホニル-1-tert-ブチルスルホニルジアゾメタン、1-シクロヘキシルスルホニル-1-tert-アミルスルホニルジアゾメタン、1-tert-アミルスルホニル-1-tert-ブチルスルホニルジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス-p-トルエンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-p-トルエンスルホニル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-p-トルエンスルホニル-α-ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス-p-トルエンスルホニル-2,3-ペンタンジオングリオキシム、ビス-p-トルエンスルホニル-2-メチル-3,4-ペンタンジオングリオキシム、ビス-n-ブタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-n-ブタンスルホニル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-n-ブタンスルホニル-α-ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス-n-ブタンスルホニル-2,3-ペンタンジオングリオキシム、ビス-n-ブタンスルホニル-2-メチル-3,4-ペンタンジオングリオキシム、ビス-メタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-トリフルオロメタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-1,1,1-トリフルオロエタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-tert-ブタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-パーフルオロオクタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-シクロヘキサンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-ベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-p-フルオロベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-p-tert-ブチルベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-キシレンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-カンファースルホニル-α-ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ビスナフチルスルホニルメタン、ビストリフルオロメチルスルホニルメタン、ビスメチルスルホニルメタン、ビスエチルスルホニルメタン、ビスプロピルスルホニルメタン、ビスイソプロピルスルホニルメタン、ビス-p-トルエンスルホニルメタン、ビスベンゼンスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、2-シクロヘキシルカルボニル-2-p-トルエンスルホニルプロパン、2-イソプロピルカルボニル-2-p-トルエンスルホニルプロパン等のβ-ケトスルホン誘導体、ジフェニルジスルホン誘導体、ジシクロヘキシルジスルホン誘導体等のジスルホン誘導体、p-トルエンスルホン酸2,6-ジニトロベンジル、p-トルエンスルホン酸2,4-ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネート誘導体、1,2,3-トリスメタンスルホニルオキシベンゼン、1,2,3-トリストリフルオロメタンスルホニルオキシベンゼン、1,2,3-トリスp-トルエンスルホニルオキシベンゼン等のスルホン酸エステル誘導体、N-ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミドエタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミド1-プロパンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミド2-プロパンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミド1-ペンタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミド1-オクタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミドp-トルエンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミドp-メトキシベンゼンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミド2-クロロエタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミドベンゼンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミド-2,4,6-トリメチルベンゼンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミド1-ナフタレンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミド2-ナフタレンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシ-2-フェニルスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシマレイミドメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシマレイミドエタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシ-2-フェニルマレイミドメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシグルタルイミドメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシグルタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシフタルイミドメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシフタルイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシフタルイミドp-トルエンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシナフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミドメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミドp-トルエンスルホン酸エステル等のN-ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体等が挙げられるが、特にトリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸p-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリスp-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸p-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、p-トルエンスルホン酸トリスp-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸2-ノルボニルメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウム、1,2’-ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレート等のオニウム塩、ビスベンゼンスルホニルジアゾメタン、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスn-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスイソブチルスルホニルジアゾメタン、ビスsec-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスn-プロピルスルホニルジアゾメタン、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスtert-ブチルスルホニルジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス-p-トルエンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-n-ブタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ビスナフチルスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、N-ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミド1-プロパンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミド2-プロパンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミド1-ペンタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミドp-トルエンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシナフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル等のN-ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体、が好ましく用いられる。なお、上記酸発生剤Cは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。酸発生剤Cの添加量は、ポリフェノール化合物100質量部に対して好ましくは0.1~50質量部、より好ましくは0.5~40質量部である。0.1質量部より少ないと酸発生量が少なく、架橋反応が不十分な場合があり、50質量部を超えると上層レジストへ酸が移動することによるミキシング現象が起こる場合がある。更に、本発明の下層膜材料には、保存安定性を向上させるための酸拡散制御剤Eを配合することができる。上記酸拡散制御剤Eとしては、例えば塩基性化合物が挙げられる。塩基性化合物としては、酸発生剤Cより微量に発生した酸が架橋反応を進行させるのを防ぐための、酸に対するクエンチャーの役割を果たす。このような塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。具体的には、第一級の脂肪族アミン類として、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、n-プロピルアミン、イソプロピルアミン、n-ブチルアミン、イソブチルアミン、sec-ブチルアミン、tert-ブチルアミン、ペンチルアミン、tert-アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示され、第二級の脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ-n-ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ-sec-ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N-ジメチルメチレンジアミン、N,N-ジメチルエチレンジアミン、N,N-ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示され、第三級の脂肪族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ-sec-ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。また、混成アミン類としては、例えばジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体例えばアニリン、N-メチルアニリン、N-エチルアニリン、N-プロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、2-ニトロアニリン、3-ニトロアニリン、4-ニトロアニリン、2,4-ジニトロアニリン、2,6-ジニトロアニリン、3,5-ジニトロアニリン、N,N-ジメチルトルイジン等、ジフェニルp-トリルアミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体例えばピロール、2H-ピロール、1-メチルピロール、2,4-ジメチルピロール、2,5-ジメチルピロール、N-メチルピロール等、オキサゾール誘導体例えばオキサゾール、イソオキサゾール等、チアゾール誘導体例えばチアゾール、イソチアゾール等、イミダゾール誘導体例えばイミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール等、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体例えばピロリン、2-メチル-1-ピロリン等、ピロリジン誘導体例えばピロリジン、N-メチルピロリジン、ピロリジノン、N-メチルピロリドン等、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、4-1-ブチルペンチルピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、3-メチル-2-フェニルピリジン、4-tert-ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、1-メチル-2-ピリドン、4-ピロリジノピリジン、1-メチル-4-フェニルピリジン、2-1-エチルプロピルピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、1H-インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体例えばキノリン、3-キノリンカルボニトリル等、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,10-フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体例えばニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、3-アミノピラジン-2-カルボン酸、メトキシアラニン等が例示され、スルホニル基を有する含窒素化合物として3-ピリジンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示され、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物としては、2-ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、2,4-キノリンジオール、3-インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、2,2’-イミノジエタノール、2-アミノエタノ-ル、3-アミノ-1-プロパノール、4-アミノ-1-ブタノール、4-2-ヒドロキシエチルモルホリン、2-2-ヒドロキシエチルピリジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン、1-[2-2-ヒドロキシエトキシエチル]ピペラジン、ピペリジンエタノール、1-2-ヒドロキシエチルピロリジン、1-2-ヒドロキシエチル-2-ピロリジノン、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、3-ピロリジノ-1,2-プロパンジオール、8-ヒドロキシユロリジン、3-クイヌクリジノール、3-トロパノール、1-メチル-2-ピロリジンエタノール、1-アジリジンエタノール、N-2-ヒドロキシエチルフタルイミド、N-2-ヒドロキシエチルイソニコチンアミド等が例示される。アミド誘導体としては、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が例示される。イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。塩基性化合物の配合量は環状化合物A100質量部に対して0.001~2質量部、特に0.01~1質量部が好適である。配合量が0.001質量部より少ないと配合効果がなく、2質量部を超えると熱で発生した酸を全てトラップして架橋しなくなる場合がある。また、本発明の下層膜材料には、吸光度をコントロールする目的で他のポリマーを添加することもできる。193nmにおける透明性が高いナフトール樹脂、キシレン樹脂ナフトール変性樹脂、ナフタレン樹脂のフェノール変性樹脂、ジシクロペンタジエン樹脂、メタアクリレート、ビニルナフタレン、ポリアセナフチレンなどのナフタレン環、フェナントレンキノン、フルオレンなどのビフェニル環、チオフェン、インデンなどのヘテロ原子を有する複素環を含む樹脂や芳香族環を含まない樹脂を添加することもできる。また、縮合芳香族、あるいは脂環族の置換基を導入することによって、通常のノボラック樹脂よりもガラス転移点が低下することができる。この場合、導入する置換基の種類、又はその割合にも依るが、10~50°Cガラス転移点を低下させることができる。もう一つのガラス転移点を下げるための方法としては、ヒドロキシスチレンのヒドロキシ基の水素原子を炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、t-ブチル基、t-アミル基、アセタールなどの酸不安定基、アセチル基、ピバロイル基などで置換する方法を挙げることができる。この時の置換率は、ヒドロキシ基の10~80モル、好ましくは15~70モルの範囲である。本発明の下層膜材料において使用可能な有機溶剤としては、前記のポリフェノール、酸発生剤C、酸架橋剤G、その他添加剤等が溶解するものであれば特に制限はない。例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン等のケトン系溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のセロソルブ系溶剤、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、ヒドロキシイソ酪酸メチル等のエステル系溶剤、メタノール、エタノール、イソプロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素等が挙げられる。上記溶媒の中で、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ヒドロキシイソ酪酸メチルが特に好ましい。溶剤の配合量は、環状化合物A100質量部に対して200~10,000質量部が好ましく、特に300~5,000質量部とすることが好ましい。本発明の下層膜形成方法はスピンコート後、溶媒を揮発し、上層レジストとミキシング防止のため、架橋反応を促進させるためにベークをすることが望ましい。ベーク温度は80~300°Cの範囲内で、10~300秒の範囲内が好ましく用いられる。なお、この下層膜の厚さは適宜選定されるが、30~20,000nm、特に50~15,000nmとすることが好ましい。下層膜を作製した後、2層プロセスの場合はその上に珪素含有レジスト層、あるいは通常の炭化水素からなる単層レジスト、3層プロセスの場合はその上に珪素含有中間層、更にその上に珪素を含まない単層レジスト層を作製する。この場合、このレジスト層を形成するためのフォトレジスト組成物としては公知のものを使用することができる。2層プロセス用の珪素含有レジスト組成物としては、酸素ガスエッチング耐性の点から、ベースポリマーとしてポリシルセスキオキサン誘導体又はビニルシラン誘導体等の珪素原子含有ポリマーを使用し、更に有機溶剤、酸発生剤C、必要により塩基性化合物等を含むポジ型のフォトレジスト組成物が使用される。なお、珪素原子含有ポリマーとしては、この種のレジスト組成物に用いられる公知のポリマーを使用することができる。3層プロセス用の珪素含有中間層としてはポリシルセスキオキサンベースの中間層が好ましく用いられる。中間層に反射防止膜として効果を持たせることによって、反射を抑えることができる。193nm露光用としては、下層膜として芳香族基を多く含み基板エッチング耐性が高い材料を用いると、k値が高くなり、基板反射が高くなるが、中間層で反射を抑えることによって基板反射を0.5以下にすることができる。反射防止効果がある中間層としては、193nm露光用としてはフェニル基又は珪素-珪素結合を有する吸光基を導入し、酸あるいは熱で架橋するポリシルセスキオキサンが好ましく用いられる。また、ChemicalVapourDepositionCVD法で形成した中間層を用いることもできる。CVD法で作製した反射防止膜としての効果が高い中間層としてはSiON膜が知られている。CVD法よりスピンコート法による中間層の形成の方が簡便でコスト的なメリットがある。3層プロセスにおける上層レジストは、ポジ型でもネガ型でもどちらでもよく、通常用いられている単層レジストと同じものを用いることができる。本発明の下層膜は、通常の単層レジスト用の反射防止膜として用いることもできる。本発明の下層膜は下地加工のためのエッチング耐性に優れるため、下地加工のためのハードマスクとしての機能も期待できる。上記フォトレジスト組成物によりレジスト層を形成する場合、上記下層膜を形成する場合と同様に、スピンコート法が好ましく用いられる。レジスト組成物をスピンコート後、プリベークを行うが、80~180°Cで10~300秒の範囲が好ましい。その後常法に従い、露光を行い、ポストエクスポジュアーベークPEB、現像を行い、レジストパターンを得る。なお、レジスト膜の厚さは特に制限されないが、30~500nm、特に50~400nmが好ましい。また、露光光としては、波長300nm以下の高エネルギー線、具体的には248nm、193nm、157nmのエキシマレーザー、3~20nmの軟X線、電子ビーム、X線等を挙げることができる。次に、得られたレジストパターンをマスクにしてエッチングを行う。2層プロセスにおける下層膜エッチングは酸素ガスを用いたエッチングを行う。酸素ガスに加えて、He、Arなどの不活性ガスや、CO、CO2、NH3、SO2、N2、NO2、H2ガスを加えることも可能であり、酸素ガスを用いないで、CO、CO2、NH3、N2、NO2、H2ガスだけでエッチングを行うこともできる。特に後者のガスはパターン側壁のアンダーカット防止のための側壁保護のために用いられる。3層プロセスにおける中間層のエッチングは、フロン系のガスを用いてレジストパターンをマスクにして中間層の加工を行う。次いで上記酸素ガスエッチングを行い、中間層パターンをマスクにして下層膜の加工を行う。次の被加工基板のエッチングも、常法によって行うことができ、例えば基板がSiO2、SiNであればフロン系ガスを主体としたエッチング、p-SiやAl、Wでは塩素系、臭素系ガスを主体としたエッチングを行う。基板加工をフロン系ガスでエッチングした場合、2層レジストプロセスの珪素含有レジストと3層プロセスの珪素含有中間層は基板加工と同時に剥離される。塩素系、臭素系ガスで基板をエッチングした場合は、珪素含有レジスト層又は珪素含有中間層の剥離は基板加工後にフロン系ガスによるドライエッチング剥離を別途行う必要がある。本発明の下層膜は、これら被加工基板のエッチング耐性に優れる特徴がある。なお、被加工基板としては、基板上に形成される。基板としては、特に限定されるものではなく、Si、α-Si、p-Si、SiO2、SiN、SiON、W、TiN、Al等で被加工膜被加工基板と異なる材質のものが用いられる。被加工膜としては、Si、SiO2、SiON、SiN、p-Si、α-Si、W、W-Si、Al、Cu、Al-Si等種々のLow-k膜及びそのストッパー膜が用いられ、通常50~10,000nm、特に100~5,000nm厚さに形成し得る。本発明に用いる環状化合物Aのガラス転移温度は、好ましくは100°C以上、より好ましくは120°C以上、さらに好ましくは140°C以上、特に好ましくは150°C以上である。ガラス転移温度が上記範囲内であることにより、半導体リソグラフィープロセスにおいて、パターン形状を維持しうる耐熱性を有し、高解像度などの性能が付与しうる。本発明に用いる環状化合物Aのガラス転移温度の示差走査熱量分析により求めた結晶化発熱量は20J/g未満であるのが好ましい。また、結晶化温度-ガラス転移温度は好ましくは70°C以上、より好ましくは80°C以上、さらに好ましくは100°C以上、特に好ましくは130°C以上である。結晶化発熱量が20J/g未満、又は結晶化温度-ガラス転移温度が上記範囲内であると、感放射線性組成物をスピンコートすることにより、アモルファス膜を形成しやすく、かつレジストに必要な成膜性が長期に渡り保持でき、解像性を向上することができる。本発明において、前記結晶化発熱量、結晶化温度及びガラス転移温度は、島津製作所製DSC/TA-50WSを用いて次のように測定及び示差走査熱量分析により求めることができる。試料約10mgをアルミニウム製非密封容器に入れ、窒素ガス気流中50ml/min昇温速度20°C/minで融点以上まで昇温する。急冷後、再び窒素ガス気流中30mL/min昇温速度20°C/minで融点以上まで昇温する。さらに急冷後、再び窒素ガス気流中30mL/min昇温速度20°C/minで400°Cまで昇温する。ベースラインに不連続部分が現れる領域の中点比熱が半分に変化したところの温度をガラス転移温度Tg、その後に現れる発熱ピークの温度を結晶化温度とする。発熱ピークとベースラインに囲まれた領域の面積から発熱量を求め、結晶化発熱量とする。本発明に用いる環状化合物Aは、常圧下、100°C以下、好ましくは120°C以下、より好ましくは130°C以下、さらに好ましくは140°C以下、特に好ましくは150°C以下において、昇華性が低いことが好ましい。昇華性が低いとは、熱重量分析において、所定温度で10分保持した際の重量減少が10、好ましくは5、より好ましくは3、さらに好ましくは1、特に好ましくは0.1以下であることが好ましい。昇華性が低いことにより、露光時のアウトガスによる露光装置の汚染を防止することができる。また低LERで良好なパターン形状を与えることができる。本発明に用いる環状化合物Aは、好ましくはF<3.0Fは、全原子数/全炭素原子数-全酸素原子数を表す、より好ましくはF<2.5を満たす。上記条件を満たしていることにより、耐ドライエッチング性が優れる。本発明に用いる環状化合物Aは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、シクロヘキサノンCHN、シクロペンタノンCPN、2-ヘプタノン、アニソール、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル、及び乳酸エチルから選ばれ、かつ、環状化合物Aに対して最も高い溶解能を示す溶媒に、23°Cで、好ましくは1重量以上、より好ましくは5重量以上、さらに好ましくは10重量以上、特に好ましくは、PGMEA、PGME、CHNから選ばれ、かつ、環状化合物Aに対して最も高い溶解能を示す溶媒に、23°Cで、20重量以上、特に好ましくはPGMEAに対して、23°Cで、20重量以上溶解する。上記条件を満たしていることにより、実生産における半導体製造工程での使用が可能となる。本発明の効果を損ねない範囲で、本発明に用いる環状化合物Aにハロゲン原子を導入しても良い。前記環状化合物Aの全構成原子数に対するハロゲン原子数の割合は0.1~60であることが好ましく、0.1~40であることがより好ましく、0.1~20であることがさらに好ましく、0.1~10であることが特に好ましく、1~5であることが最も好ましい。上記範囲内であると、放射線に対する感度を上げつつ、成膜性を維持することができる。また安全溶媒溶解性を向上しうる。本発明の下層膜材料は、前記した、2種以上の式1-1で示される環状化合物Aと溶媒とを含む。また、本発明の下層膜材料は、固形成分1~80重量及び溶媒20~99重量からなることが好ましく、さらに前記環状化合物Aが固形成分全重量の50~99.499重量であることが好ましい。本発明の下層膜材料において、好ましくは固形成分1~80重量及び溶媒20~99重量であり、より好ましくは固形成分1~50重量及び溶媒50~99重量、さらに好ましくは固形成分2~40重量及び溶媒60~98重量であり、特に好ましくは固形成分2~10重量及び溶媒90~98重量である。環状化合物Aの量は、固形成分全重量の50重量以上であり、好ましくは65重量以上、より好ましくは81重量以上である。本発明の下層膜材料において、前記固形成分の割合環状化合物A/酸発生剤C/酸架橋剤G/酸拡散制御剤E/任意成分Fは、固形物基準の重量で、好ましくは、50~99.489/0.001~49.49/0.5~49.989/0.01~49.499/0~49.489、より好ましくは、50~99.489/0.001~49.49/0.5~40/0.01~5/0~15、さらに好ましくは、60~70/10~25/1~30/0.01~3/0~1、特に好ましくは、60~70/10~25/2~20/0.01~3/0である。上記配合にすると、感度、解像度、アルカリ現像性等の性能に優れる。本発明の下層膜材料は、通常は、使用時に各成分を溶媒に溶解して均一溶液とし、その後、必要に応じて、例えば孔径0.2μm程度のフィルター等でろ過することにより調製される。本発明の下層膜材料の調製に使用される前記溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのエチレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-プロピル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル等の乳酸エステル類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸n-アミル、酢酸n-ヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等の脂肪族カルボン酸エステル類;3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-メトキシ-3-メチルプロピオン酸ブチル、3-メトキシ-3-メチル酪酸ブチル、アセト酢酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド類;γ-ラクトン等のラクトン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。前記溶媒の中でも、一般的に広く用いられるものとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。これらの溶媒は、単独で又は2種以上を使用することができる。以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に限定はされない。以下の合成例、実施例において、環状化合物の構造はLC-MS測定及び1H-NMR測定で確認した。<合成例>下層膜材料の合成合成実施例1CR-1Aの合成十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジムロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ300mLに、窒素気流下で、関東化学社製レゾルシノール12.3g、0.112molと、脱水エタノール140mL、濃塩酸3517.2mLを投入し、エタノール溶液を調製した。次いで3,4-ジメチルベンズアルデヒド7.14g,0.0532molと4-ビフェニルアルデヒド9.69g,0.0532mol、エタノール30mLを混合し、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで80°Cまで加熱した。引き続き80°Cで5時間攪拌した。反応終了後、放冷し室温に到達させた。目的粗結晶が生成し、反応後エバポレーションによりエタノールを留去させ、蒸留水100mLを加えた。これを濾別し、粗結晶を蒸留水200mLで6回洗浄し、濾別、真空乾燥させることにより、目的生成物以下、CR-1Aと示す24.6g、収率92を得た。この生成物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量905,953,1001,1049,1097を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は0.5~2.3m,12H、5.4~5.6m,4H、6.0~7.6m,32H、8.3~8.8m,8Hであった。3,4-ジメチルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は50molであった。4-ビフェニルアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は50molであった。CR-1A合成実施例2CR-2Aの合成CR-1Aの合成例における3,4-ジメチルベンズアルデヒドを4-イソプロピルベンズアルデヒドへ代え1/2倍量とし、4-ビフェニルアルデヒドを4-シクロヘキシルベンズアルデヒドへ代え3/2倍とした以外はCR-1Aと同様に合成した。その結果、CR-2A27.9g、収率97を得た。この化合物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量961,1001,1041,1081,1122を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は0.8~1.9m,40H、5.5~7.0m,28H、8.5~9.0m,8Hであった。1H-NMRより、4-シクロヘキシルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は75molであった。4-イソプロピルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は25molであった。CR-2A合成実施例3CR-3Aの合成CR-1Aの合成例における3,4-ジメチルベンズアルデヒドを4-シクロヘキシルベンズアルデヒドへ代えた以外はCR-1Aと同様に合成した。その結果、CR-3A28.4g、収率96を得た。この化合物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量1097,1103,1109,1116,1122を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は0.8~1.9m,22H、5.5~6.3m,4H、6.3~7.6m,26H、8.3~8.7m,8Hであった。1H-NMRより、4-シクロヘキシルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は50molであった。4-ビフェニルアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は50molであった。CR-3A合成実施例4CR-4Aの合成CR-2Aの合成例における4-イソプロピルベンズアルデヒドを4-4-プロピルシクロヘキシルベンズアルデヒドに代えた以外はCR-2Aと同様に合成した。その結果、CR-4A30.5g、収率99を得た。この化合物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量1122,1164,1206,1248,1290を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は0.8~2.4m,50H、5.5~7.2m,28H、8.4~9.0m,8Hであった。1H-NMRより、4-シクロヘキシルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は75molであった。4-4-プロピルシクロヘキシルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は25molであった。CR-4A合成実施例5CR-5Aの合成CR-2Aの合成例における4-イソプロピルベンズアルデヒドを3,4-ジメチルベンズアルデヒドに代えた以外はCR-2Aと同様に合成した。その結果、CR-5A27.9g、収率98を得た。この化合物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量905,959,1013,1067,1122を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は1.0~2.5m,39H、5.4~5.8m,4H、5.8~7.1m,23H、8.2~9.0m,8Hであった。1H-NMRより、4-シクロヘキシルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は75molであった。3,4-ジメチルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は25molであった。CR-5A合成実施例6CR-6Aの合成CR-2Aの合成例における4-イソプロピルベンズアルデヒドを4-フッ化-3-メチルベンズアルデヒドに代えた以外はCR-3Aと同様に合成した。その結果、CR-6A27.9g、収率98を得た。この化合物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量921,971,1021,1071,1122を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は1.0~2.4m,36H、5.4~5.8m,4H、6.0~8.0m,23H、8.3~8.9m,8Hであった。1H-NMRより、4-シクロヘキシルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は75molであった。4-フッ化-3-メチルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は25molであった。CR-6A合成実施例7CR-7Aの合成CR-2Aの合成例における4-イソプロピルベンズアルデヒドをn-ノナナールに代えた以外はCR-2Aと同様に合成した。その結果、CR-7A27.0g、収率94を得た。この化合物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量937,984,1030,1076,1122を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は0.5~2.7m,50H、5.5~6.0m,4H、6.0~7.3m,20H、8.3~9.0m,8Hであった。1H-NMRより、4-シクロヘキシルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は75molであった。n-ノナナール由来の式1-2で表される基の含有量は25molであった。CR-7A合成実施例8CR-8Aの合成CR-2Aの合成例における4-イソプロピルベンズアルデヒドを3-4-t-ブチルフェニル-2-イソブチルアルデヒドに代えた以外はCR-2Aと同様に合成した。その結果、CR-8A29.0g、収率96を得た。この化合物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量1122,1138,1154,1170,1186を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は0.9~2.5m,48H、5.4~7.3m,28H、8.3~9.0m,8Hであった。1H-NMRより、4-シクロヘキシルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は75molであった。3-4-t-ブチルフェニル-2-イソブチルアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は25molであった。CR-8A合成比較例1CR-9Aの合成十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジムロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ2000mLに、窒素気流下で、関東化学社製レゾルシノール120g、1.09molと、脱水エタノール1.36L、濃塩酸35168mLを投入し、エタノール溶液を調製した。次いで4-シクロヘキシルベンズアルデヒド196g,1.04molを混合し、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで80°Cまで加熱した。引き続き80°Cで5時間攪拌した。反応終了後、放冷し室温に到達させた。目的粗結晶が生成し、反応後これを濾別し、蒸留水1000mLを加えた。これを濾別し、粗結晶を蒸留水1000mlで6回洗浄し、濾別、真空乾燥させることにより、目的生成物以下、CR-9Aと示す278g、収率91を得た。この化合物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量1122を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は0.8~1.9m,44H、5.5~5.6d,4H、6.0~6.8m,24H、8.4~8.5m,8Hであった。1H-NMRより、4-シクロヘキシルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は100molであった。CR-9A合成比較例2CR-10Aの合成十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジムロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ1000mLに、窒素気流下で、関東化学社製レゾルシノール54.5g、0.50molと、脱水エタノール500mL、3,4-ジメチルベンズアルデヒド63.1g,0.47molを投入し、エタノール溶液を調製した。次いで濃塩酸3540mLを滴下漏斗により20分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで80°Cまで加熱した。引き続き80°Cで5時間攪拌した。反応終了後、放冷し室温に到達させた。目的粗結晶が生成し、反応後これを濾別し、蒸留水200mLを加えた。これを濾別し、粗結晶を蒸留水200mLで5回洗浄し、メタノール100mLで5回洗浄した後、濾別、真空乾燥させることにより、目的生成物以下、CR-10Aと示す理論収量95.4g、収率90を得た。この化合物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量905を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は1.8~2.2m,24H、5.6s,4H、6.0~6.8m,20H、8.4s,8Hであった。3,4-ジメチルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は100molであった。CR-10A合成比較例3CR-11Aの合成十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジムロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ500mLに、窒素気流下で、関東化学社製レゾルシノール11g、0.1mol、4-フッ化-3-メチルベンズアルデヒド13.8g,0.1molと、脱水エタノール100mLを投入し、エタノール溶液を調製した。この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで80°Cまで加熱した。次いで濃塩酸3525mLを、滴下漏斗により30分かけて滴下した後、引き続き80°Cで1.5時間攪拌した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。1時間静置後、淡黄色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶をメタノール500mLで2回洗浄し、濾別、真空乾燥させることにより、目的生成物以下、CR-11Aと示す3.5g、収率15を得た。この化合物をLC-MSで分析した結果、目的物の分子量921を示した。また得られた生成物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は2.0s,12H、5.6s,4H、6.0~6.7m,20H、8.6s,8Hであった。4-フッ化-3-メチルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は100molであった。CR-11A合成比較例4CR-12Aの合成十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジムロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ1000mLに、窒素気流下で、関東化学社製レゾルシノール22g、0.2molと、4-イソプロピルベンズアルデヒド29.6g,0.2molと、脱水エタノール200mLを投入し、エタノール溶液を調整した。この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで85°Cまで加熱した。次いで濃塩酸3575mLを、滴下漏斗により30分かけて滴下した後、引き続き85°Cで3時間攪拌した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。1時間静置後、淡黄色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶をメタノール500mlで2回洗浄し、濾別、真空乾燥させることにより、トランス体の構造の生成物とシス体の構造との生成物との混合物である目的生成物以下、CR-12Aと示す45.6g、収率95を得た。この化合物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量960を示した。重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は1.1~1.3m,24H、2.6~2.7,2.7~2.8m,m,sシス体,4H、6.0~6.9m,24H、84~85m,8Hであった。4-イソプロピルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は100molであった。CR-12A合成比較例5CR-13Aの合成十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジムロート冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ2000mLに、窒素気流下で、関東化学社製レゾルシノール73.8g、0.670molと、脱水エタノール838mL、濃塩酸35103mLを投入し、エタノール溶液を調製した。次いで4-4-プロピルシクロヘキシルベンズアルデヒド147.12g,0.638molを混合し、滴下漏斗により10分かけて滴下した後、この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで80°Cまで加熱した。引き続き80°Cで5時間攪拌した。反応終了後、放冷し室温に到達させた。反応後、蒸留水800mLを加えた。目的粗結晶が生成したため、これを濾別し、粗結晶を蒸留水800mlで6回洗浄し、濾別、真空乾燥させることにより、目的生成物以下、CR-13Aと示す202g、収率98を得た。この化合物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量1290を示した。また重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は0.8~1.9m,68H、5.5~5.7d,4H、6.0~6.8m,24H、8.4~8.6m,8Hであった。4-4-プロピルシクロヘキシルベンズアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は100molであった。CR-13A合成比較例6CR-14Aの合成CR-10Aの合成例における4-イソプロピルベンズアルデヒドをビフェニルアルデヒドに代えた以外はCR-12Aと同様に合成した。その結果、CR-14A53.5g、収率98を得た。この化合物の構造は、LC-MSで分析した結果、目的物の分子量1096を示した。また得られた生成物の重ジメチルスルホキシド溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は6.0-7.4m,48H、8.6-8.7t,8Hであった。ビフェニルアルデヒド由来の式1-2で表される基の含有量は100molであった。CR-14A実施例1~8及び比較例1~61化合物混合物の安全溶媒溶解度試験上記合成実施例1~8及び合成比較例1~6で得られた化合物混合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAへの溶解量を評価した。結果を第1表に示す。A:5.0wt≦溶解量B:3.0wt≦溶解量<5.0wtC:溶解量<3.0wt実施例9~14及び比較例7~12上記合成実施例1~6、合成比較例1~6で得られた化合物混合物を溶媒PGMEプロピレングリコールモノメチルエーテル、溶解しない場合はシクロヘキサノン、又はシクロペンタノン中に5質量の割合で溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって下層膜形成溶液をそれぞれ調製した。次に該下層膜形成溶液をシリコン基板上に回転塗布して、110°Cで90秒間ベークして膜厚200nmの下層膜以下、下層膜1~6、比較下層膜1~6と称すをそれぞれ得た。2種のガスCF4ガス、O2ガス、及びその両方のガスArガスで希釈を用いて10cc/min60秒間エッチングを行い、エッチング前後の膜厚を測定することにより、エッチング速度nm/minを計算した。エッチング条件は下記に示す通りである。エッチング装置:サムコインターナショナル社製RIE-10NR出力:50W圧力:20Paガスの種類A:CF4ガス流量/Arガス流量/O2ガス流量=10/0/0B:CF4ガス流量/Arガス流量/O2ガス流量=5/50/5C:CF4ガス流量/Arガス流量/O2ガス流量=0/0/10cc/min結果を第2表に示す。表1及び2の結果から、新規下層膜材料各合成実施例において、溶解性の向上及びエッチング速度の抑制が行えることが認められた。"