試料が載置される載置面を有する本体部と、該本体部の内部に配置された複数の発熱体とを備え、該複数の発熱体は個別に温度制御可能である載置用部材。前記本体部は、前記載置面と反対側に位置する非載置面をさらに有し、前記複数の発熱体は、前記非載置面よりも前記載置面に近接している請求項1に記載の載置用部材。前記本体部は、内部に前記載置面に沿って配列された複数の空洞をさらに有し、前記発熱体は、前記空洞の内面に前記載置面に沿って位置している請求項2に記載の載置用部材。前記本体部は、第1基板と該第1基板に接合される第2基板とを有し、前記第1基板は、前記載置面となる一方主面と前記第2基板に接合される他方主面とを有し、前記第1基板の前記他方主面は、前記複数の空洞のそれぞれを構成する複数の第1凹部を有しており、前記発熱体は、前記第1凹部の底面に設けられており、前記発熱体と前記第2基板との間には、空隙が設けられている請求項3に記載の載置用部材。前記発熱体は、金属薄膜からなる請求項4に記載の載置用部材。前記本体部は、前記内部に前記載置面に沿って位置している流路をさらに有し、前記第2基板は、前記第1基板の前記他方主面に接合される一方主面を有し、前記第2基板の前記一方主面は、前記複数の第1凹部のうち隣接する第1凹部の間に対応する部位に、前記流路を構成する第2凹部を有している請求項4または請求項5に記載の載置用部材。請求項1から請求項6のいずれかに記載の載置用部材と、前記複数の発熱体の温度をそれぞれ検出する複数の温度センサと、該温度センサが検出した温度に応じて、該温度センサに対応する前記発熱体の温度を制御する制御手段とを備える温度制御載置装置。以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。図1に一例として示した露光装置10は、マスクMを支持するマスクステージMSTと、半導体材料からなるウエハW試料を支持するウエハステージWSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMに露光光ELを照射する照明光学系11と、マスクMを通過した露光光ELをウエハステージWSTに支持されているウエハWに投影露光する投影光学系12と、ウエハW上に例えば供給管13a等を介して液体Lを供給する液体供給装置13と、ウエハWの外側に流出した液体Lを、例えば回収管14a等を介して回収する液体回収装置14と、露光装置10全体の動作を統括制御する制御装置15とを備えている。以下では、露光装置10としてマスクMとウエハWとを走査方向における互いに異なる向き逆方向に同期移動させつつマスクMに形成されたパターンをウエハWに露光する走査型露光装置いわゆる、スキャニングステッパを使用する場合を例にして説明する。また、投影光学系12の光軸AXと一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内でマスクMとウエハWとの同期移動方向走査方向をX軸方向、Z軸方向及びX軸方向に垂直な方向をY軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸回り方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。なお、マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。照明光学系11は、マスクステージMSTに支持されているマスクMに露光光ELを照射するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、および露光光ELによるマスクM上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照射領域には、照明光学系11によって均一な照度分布の露光光ELが照射される。照明光学系11から出射される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の深紫外光DUV光、ArFエキシマレーザ光波長193nm又はF2レーザ光波長157nm等の真空紫外光VUV光などを用いることができる。液浸露光技術を適用するためには、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を用いることが好ましい。マスクステージMSTは、マスクMを支持するものであって、投影光学系12の光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。マスクステージMSTはリニアモータ等のマスクステージ駆動装置16により駆動される。マスクステージ駆動装置16は制御装置15により制御される。マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及び回転角は、例えばレーザ干渉計によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置15に出力される。制御装置15は、レーザ干渉計の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置16を駆動することでマスクステージMSTに支持されているマスクMの位置決めを行なう。投影光学系12は、マスクMのパターンを所定の投影倍率βでウエハWに投影露光するものであって、複数の光学素子レンズで構成されており、これら光学素子は金属部材としての鏡筒17で支持されている。本実施形態において、投影光学系12は、投影倍率βが例えば1/4あるいは1/5の縮小系である。なお、投影光学系12は等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、本実施形態の投影光学系12の先端側ウエハW側には、光学素子レンズ18が鏡筒17より露出している。ウエハステージWSTは、ウエハWを支持するものであって、ウエハWを、載置用部材WH基板ホルダを介して保持するステージ19と、ステージ19を支持するベース20とを有している。このステージ19は、ZステージとXYステージとが一体的に構成されてもよいし、個別に形成されて組み合わされてもよい。ウエハステージWSTは、リニアモータ等のウエハステージ駆動装置21により駆動される。ウエハステージ駆動装置21は、制御装置15により制御される。例えば、ステージ19のZステージ部を駆動することにより、ウエハWのZ軸方向における位置フォーカス位置、及びθX、θY方向における位置が制御される。また、ステージ19のXYステージ部を駆動することにより、ウエハWのXY方向における位置投影光学系12の像面と実質的に平行な方向の位置が制御される。すなわち、Zステージ部は、ウエハWのフォーカス位置及び傾斜角を制御してウエハWの表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系12の像面に合わせ込み、XYステージ部は、ウエハWのX軸方向及びY軸方向における位置決めを行なう。露光装置10では、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに、焦点深度を実質的に広くするために、液浸露光技術を適用する。そのため、少なくともマスクMのパターンの像をウエハW上に転写している間は、ウエハWの表面と投影光学系12のウエハW側の光学素子レンズ18の先端面下面との間に所定の液体Lが満たされる。上述したように、投影光学系12の先端側にはレンズ18が露出しており、液体Lはレンズ18のみに接触するように供給されている。また、レンズ18の先端面は、投影光学系12の鏡筒17及びウエハWよりも十分小さく、且つ上述したように液体Lはレンズ18のみに接触するように構成されているため、液体Lは投影光学系12の像面側に局所的に満たされている構成となっている。すなわち、投影光学系12とウエハWとの間の空間Sに形成される液浸部分はウエハWよりも十分に小さい。露光装置10において、液体Lには純水が用いられる。純水は、ArFエキシマレーザ光のみならず、露光光ELを例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の深紫外光DUV光とした場合でも、これらの露光光ELを透過可能である。本実施の形態による載置用部材WHは、露光装置10において、真空チャックとして機能し、ウエハW試料を保持するものである。この載置用部材WHは、図4および図5に示すように、ウエハWが載置される載置面を有する本体部40を備えている。そして、載置用部材WHは、その本体部40の内部に複数の発熱体50を有する。これらの発熱体50は、個別に温度制御が可能である。この構成によれば、本体部40の載置面に載置されるウエハWの温度が部分的に低下すると、その温度が低下した部位以下、温度低下部位ともいう。の下部又はその温度低下部位に最も近い発熱体50を発熱させて、その温度低下部位に熱を供給することができる。これにより、載置面に載置されるウエハW全体の温度分布が大きくなることを抑制し、ウエハW全体を一定の温度に保持することができる。複数の発熱体50は、本体部40を上面視したときに、偏在することなく均一に配置されていることが好ましい。なお、ウエハWの温度が部分的に低下する場合とは、例えば、液浸露光装置において、露光エリアが移動する際に残存した純水の蒸発による気化熱の発生により、ウエハWが冷却される場合などがある。これらの発熱体50は、ウエハWが配置される載置面にできるだけ近接して配置され、発熱体50の熱が、載置面により早く、より効率よく伝わるようになっている。近年、露光装置の単位時間当たりのウエハ露光枚数は100枚を超え、ウエハ1枚当たりの露光時間は30秒前後である。高精度の回路パターンおよび高精度な重ね合わせ精度を実現するためには、この短い時間の間に、1枚のウエハ内で発生する温度分布を補正し、ウエハ全体を一定の温度に調節することが必要である。よって、本実施の形態による載置用部材WHのように、発熱体50を載置面により近接させて配置することが好ましい。また、載置用部材WHが、本体部40の内部に載置面に沿って配列された複数の空洞を有し、発熱体50が、その空洞の内面に載置面に沿って設けられていることが好ましい。このような発熱体50は、例えば、以下のようにして設けられる。図2~図5に示すように、本体部40は、第1基板51と該第1基板51に接合される第2基板52とを有する。第1基板51は、載置面となる一方主面と、第2基板52に接合される他方主面とを有する。第2基板52は、第1基板51に接合される主面と、その反対側に位置する主面以下、非載置面という。とを有する。第1基板51は他方主面に複数の凹部以下、第1凹部という。53を有する。発熱体50は、これら第1凹部53の底面に設けられる。これにより、発熱体50は、載置用部材WHの非載置面よりも載置面に対して近接して配置され、載置面に載置されるウエハWに対してより効率よく熱を伝えることができる。また、第1基板51と第2基板52とを接合した場合、発熱体50と第2基板52との間には空隙54が形成される。これにより、発熱体50から発せられた熱は、第2基板52よりも第1基板51に伝わりやすくなる。その結果、発熱体50は、載置面に載置されるウエハWに対して効率よく熱を伝えることができる。この空隙54は、例えば、開放系となっていて空気が配されていることが好ましい。また、空隙54は、真空状態となっていても構わないし、第1基板51および第2基板52よりも熱伝導率が低い部材が配されていても構わない。ここで、発熱体50から載置面、および載置面から発熱体50により効率よく熱が伝わるように、少なくとも第1基板51は、熱伝導率の高い炭化珪素SiCからなることが好ましい。なお、第1基板51は、炭化珪素以外に、窒化珪素や酸化アルミニウム等の無機絶縁材料を用いて形成しても構わない。また、第2基板52は、第1基板51と同様の無機絶縁材料を用いて形成することができる。なかでも、第2基板52は、第1基板51との熱膨張率の差を低減するため、第1基板51と同種の材料からなることが好ましい。発熱体50は、例えばタングステン等の金属からなる。これは、PVD法や溶射法等により、第1基板51に直接成膜される。また、各発熱体50には、発熱体50に電流を流すための1対の電流線55がそれぞれ接続されている。この電流線55は、例えば被覆銅線であり、発熱体50に半田または導電性接着剤等を用いて接続される。なお、導電性接着剤としては、例えば樹脂に金属粒子を分散させてなる接着剤を用いることができる。さらに、各発熱体50には、発熱体50の温度を検知する温度センサ56がそれぞれ取り付けられる。この温度センサ56は、例えば測温抵抗体又は熱電対である。載置用部材WHの使用中には、これらの温度センサ56が常時温度を測定しており、これらの温度センサ56によって検出された発熱体50の温度と設定温度所望の温度とに差がある場合には、温度が低い発熱体50を発熱させて、温度差を小さくし、載置面全体を一定の温度に保持することができる。なお、本実施の形態による載置用部材WHでは、発熱体50が載置面に近接して設けられているために、載置面における温度の上昇および下降と、発熱体50の温度の上昇および下降は連動している。すなわち、載置面のある部位の温度が低下すると、その部位に対応する発熱体50の温度が低下する。これにより、載置面の温度の低下は、発熱体50の温度を検出することによって知ることができる。一方、ある発熱体50の温度が上昇すると、その発熱体50に対応する載置面の部位の温度が上昇する。よって、各発熱体50の温度を制御することにより、載置面の温度を部分的に制御することができる。このような温度制御のために、載置用部材WHには、温度センサ56が検出した温度に応じて対応する発熱体50を制御する制御手段が接続されてもよい。図8は、そのような制御手段が載置用部材WHに接続された構成を模式的に示している。図8に示すように、温度センサ56によって検出された温度は信号線57を介して温度制御装置70に伝えられ、温度制御装置70は、その温度に応じて、対応する発熱体50を発熱させる。なお、載置用部材WH、温度センサ56、および温度制御装置70は、温度制御載置装置を構成する。温度制御装置70は、図1の制御装置15に含まれてもよい。また、温度センサ56は、発熱体50の一部、好ましくは中央部を除去して、その除去した部分に露出した第1基板51に直接取り付けられていることが好ましい。このようにすれば、温度センサ56を載置面により近づけることによって、載置面の温度をより正確に検出することができる。図3および図5に示すように、第2基板52には、複数の貫通孔が設けられている。これらの貫通孔は、発熱体50に電流を流すための電流線55を通す貫通孔第1貫通孔61と、温度センサ56に接続される信号線57を通す貫通孔第2貫通孔62と、吸引孔63とを有する。この吸引孔63は、第1基板51に設けられた吸引孔64に連通し、載置用部材WHを貫通する吸引貫通孔65を形成する。載置用部材WHの載置面には、例えば、その外周部に環状壁71が設けられ、ウエハWが載置面に載置された場合に、環状壁71と載置面とウエハWとの間に空間が形成される。この空間内の気体が、吸引貫通孔65によって吸引されると、ウエハWが載置用部材WHの載置面に吸着される。なお、図2に示すように、載置用部材WHの載置面は、ピン状の突起72を有していてもよい。その場合には、ウエハWと載置面との接触面積が小さくなり、パーティクルの発生を抑制することができるとともに、吸引を停止したときのウエハWの取り外しを容易に行なうことができる。また、第1貫通孔61には、2つの電流線55が束ねられた一対の電流線55が挿通されてもよいし、個々の電流線55がそれぞれ挿通されてもよい。図3および図5では、一対の電流線55が挿通される構成を示している。第1貫通孔61に挿通された一対の電流線55の先端は、第1凹部53内で分岐し、同じ発熱体50に、半田等によってそれぞれ接続される。なお、図6および図7に、第1貫通孔61に個々の電流線55が挿入される場合の斜視図をそれぞれ示す。さらに、第2貫通孔62には、2つの信号線57が束ねられた一対の信号線57が挿通されてもよいし、個々の信号線57がそれぞれ挿通されてもよい。ここで、本実施形態による載置用部材WHにおいては、図4および図5に示すように、それぞれの発熱体50に、電流線55の接続と温度センサ56の取り付けとを行なうため、1つの第1凹部50に第1貫通孔61および第2貫通孔62の双方が接続される。この1つの第1凹部50に接続される第1貫通孔61および第2貫通孔62においては、第2貫通孔62が第1貫通孔61よりも第1凹部50の中央部側に位置することが好ましい。これにより、信号線57に接続される温度センサ56を、電流線55の発熱体50の接続箇所よりも第1凹部50の中央部側に配置することができる。その結果、温度センサ56を温度測定領域の中央部に近づけて配置することができるため、温度センサ56による温度測定の精度を高めることができる。また、本実施形態による載置用部材WHは、その内部に流路75を備えている。流路75は、載置用部材WHを上面視したときに偏在することなく均一に配置されており、例えば格子状に、又は蛇行するように延在している。この流路75に、例えば20~25°Cの液体を流すと、流体が載置用部材WHの内部を均一に流れることから、載置用部材WHの表面に温度差が生じることを抑制することができる。よって、載置用部材WHのウエハを載置する載置面において、温度分布が大きくなることを抑制し、載置面全体を一定の温度に保持することができる。また、本実施形態による載置用部材WHにおいては、上面視したときに、各流路75の面積の合計が、各発熱体50の面積の合計よりも小さい。それ故、流路75で載置面全体の温度を制御しつつ、載置用部材WHの載置面において直下に発熱体50を有する領域を増加させることで、局所的な温度制御が可能な領域を増やし、載置面の各領域における温度をより均一に保つことができる。このような構成とするために、流路75の長手方向に直交する方向に載置用部材WHを切断した断面において、流路75の幅を、発熱体50の幅よりも小さくすることが好ましい。流路75は、第2基板52の第1基板51に接合される主面に、複数の溝状の凹部以下、第2凹部という。76を形成することによって設けられる。このとき、第2凹部76は、第1基板51と第2基板52とを接合した場合に、第2基板52において第1凹部53の間に対応する部位に位置される。このように、第2凹部76が、第2基板52において第1凹部53の間に対応する部位に設けられると、流路76に流れる流体が発熱体50に接触することがないので、発熱体50の腐食を抑制することができるとともに、発熱体50から発せられる熱が流体に伝わって流体の温度が変化することを抑制することができる。なお、図3および図6に示すように、第2基板52には、流路75に通じる流体用開口77が設けられる。これらの流体用開口77は、流体の入口および出口として機能する。なお、流路75は、第1基板51に設けられてもよい。このような流路75は、第1基板51の第2基板52に接合される主面において、複数の第1凹部53の間に第2凹部76を設けることによって、形成することができる。また、流路75は、第1基板51と第2基板52との双方に渡って設けられてもよい。その結果、流路75の厚みを、第1凹部53よりも大きくすることができる。このような流路75は、第1基板51と第2基板52とのそれぞれの対応する箇所に第2凹部76を設けることによって、形成することができる。発熱体50は、好ましくは、上記流路75に沿って設けられる。例えば、図4に示すように、流路75が格子状に設けられているとき、発熱体50は、載置用部材WHを上面視したときに、格子の間、又は格子と載置用部材WHの外縁との間に位置するように設けられている。この構成においては、隣接する発熱体50同士の間に流路75が配置されるため、隣接する発熱体50同士における熱の伝搬を流路75で低減することによって、個々の発熱体50における温度制御の精度を高めることができる。以下に、本実施形態による載置用部材WHの製造方法について、図9を用いて説明する。まず、a第1凹部53を有する第1基板51と第2凹部76を有する第2基板52とを準備する。第1基板51および第2基板52がセラミックスからなる場合には、第1凹部53および第2凹部76は、焼成前に切削加工によって形成されていてもよく、焼成後に研削加工によって形成されてもよい。第1凹部53の間隔は、絶縁性を考慮して決定すればよく、好ましくは、2mm以上である。また、第1基板51の端面と第1凹部53との間の距離は、第1凹部53に設けられる発熱体50が発熱により膨張して載置面が変形することを抑制するために、線膨張係数や発熱温度を考慮して十分な距離を設定する必要がある。好ましくは、0.05mm以上であればよい。また、第2基板52には、第2凹部76の他に、第1貫通孔61、第2貫通孔62および吸引孔63が形成され、第1基板51には、第1凹部53の他に、第2凹部76の吸引孔63に連通する吸引孔64が形成される。次に、b第1基板51の第1凹部53に発熱体用導体膜を形成する。これは、第1基板51の第1凹部53が設けられた主面全体、すなわちこの主面における第1凹部53の内面および第1凹部53以外の領域に、タングステン等の金属からなる薄膜を成膜することによって実現することができる。このような薄膜は、例えばPVD法又は溶射法等によって形成することができる。次に、c個々の発熱体50を形成する。これは、bの工程において発熱体用導体膜を設けた第1基板51の主面を研削することによって行なう。このとき、第1基板51の主面を、第1凹部53以外の領域に設けられた発熱体用導体膜が除去されるまで、研削する。これにより、第1凹部53の内面、すなわち底面および側面にのみに導体膜が残留し、これが発熱体50となる。このように、第1凹部53の底面だけでなく側面にも発熱体50が形成されていると、載置用部材WHの側方における熱の伝搬も制御することができる。なお、aの工程の後、発熱体用導体膜の成膜の際に、第1基板51の主面の第1凹部53以外の領域にマスクを施して、第1凹部53の底面および側面のみに選択的に成膜してもよい。また、同様にマスクを用いて、第1凹部53の底面の全部および一部のみに選択的に成膜してもよい。また、発熱体50は、熱伝導率が高い接合材料を用いて、第1基板51に接合されてもよい。このような接合材料としては、金属粒子を樹脂に分散させてなる接着剤を用いても構わないし、シリコーン樹脂からなる接着剤を用いても構わない。このようにマスクを用いた場合および発熱体50を、接合材料を用いて接合した場合には、cの工程を省略することができる。次に、d第2基板52の第1貫通孔61に、発熱体50に接続される電流線55を挿通して、その電流線55の先端を、半田または導電性接着剤等を用いて、発熱体50に接続する。また、熱伝導率が高い絶縁性接着剤を用いて、発熱体50に温度センサ56を取り付けるとともに、第2基板52の第2貫通孔62に温度センサ56に接続された信号線57を挿通する。このような絶縁性接着剤としては、例えば、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂からなるとともに金属粒子を含まない接着剤を用いることができる。最後に、e第1基板51の第1凹部53が設けられた主面と第2基板52の第2凹部76が設けられた主面とを接合する。このとき、第1基板51と第2基板52とを接合する接合材としては、例えばガラス等が挙げられる。以上のようにして、本実施の形態による載置用部材WHを製造することができる。なお、図10のように、cの工程の後、発熱体50に電流線55を接続する前に、第1基板51の第1凹部53が設けられた主面と第2基板52の第2凹部76が設けられた主面とを接合してもよい。その場合は、cの工程の後、第1基板51の発熱体50に温度センサ56を取り付けてから、第1基板51と第2基板52の接合を行ない、その後、電流線55および信号線57をそれぞれ第2基板52の第1貫通孔61および第2貫通孔63に通して、発熱体50および温度センサ56に接続すればよい。また、第1基板51と第2基板52との接合、電流線55の発熱体50に対する接続、および信号線57の温度センサ56に対する接続といった各工程の順番は、接合または接続の際の温度に応じて変更することが可能である。例えば、第1基板51と第2基板52との接合温度が、発熱体50に対する電流線55の接続温度よりも高くなる場合には、図10のように第1基板51と第2基板52とを接合してから、発熱体50に電流線55を接続してもよい。