シリコンからなる半導体ウェハを前記半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、a前記半導体ウェハを研磨板から第1の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、前記半導体ウェハの両側面に、少なくとも1回、1000Pa以下の圧力で水を吹付ける工程と、b回転ローラに挟まれた前記半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、c前記半導体ウェハの前記側面に、70000Pa以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、d前記半導体ウェハの前記側面に、20000Pa以下の圧力で水を吹付ける工程と、e前記半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、f回転ローラに挟まれた前記半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、g前記半導体ウェハに水を吹付ける工程と、h前記半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法。前記工程bからdは、前記第1の洗浄モジュールで実施され、前記工程eは、第2の洗浄モジュールで実施され、前記工程fおよびgは、第3の洗浄モジュールで実施される、請求項1に記載の方法。前記半導体ウェハは、前記工程bからgの間、鉛直方向に立てて保持され、その中心の周りを回転する、請求項1または2に記載の方法。前記工程bからgは、前記工程bについては、10秒以上30秒以下の長さの期間内で実施され、前記工程cについては、20秒以上30秒以下の長さの期間内で実施され、前記工程dについては、1秒以上10秒以下の長さの期間内で実施され、前記工程eについては、40秒以上60秒以下の長さの期間内で実施され、前記工程fについては、10秒以上30秒以下の長さの期間内で実施され、前記工程gについては、5秒以上10秒以下の長さの期間内で実施される、請求項1から3のいずれかに記載の方法。前記工程aに従って前記研磨板から前記半導体ウェハを搬送してから、前記工程hに従う前記半導体ウェハの乾燥が完了するまで、360秒以下が経過する、請求項1から4のいずれかに記載の方法。乾燥された前記半導体ウェハは、75秒以下のサイクル時間後に搬出される、請求項1から5のいずれかに記載の方法。洗浄された前記半導体ウェハは、200mmから450mmの範囲内の直径を有する、請求項1から6のいずれかに記載の方法。本発明の目的は、化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから、個々に、また高スループットで効果的に、研磨された表側および裏側の研磨プロセスの残渣を取り除くことができる洗浄方法を提供することである。目的は、シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、a半導体ウェハを研磨板から第1の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、半導体ウェハの両側面に、少なくとも1回、1000Pa以下の圧力で水を吹付ける工程と、b回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、c半導体ウェハの側面に、70000Pa以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、d半導体ウェハの側面に、20000Pa以下の圧力で水を吹付ける工程と、e半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、f回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、g半導体ウェハに水を吹付ける工程と、h半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法、により達成される。この方法は、半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に、シリコンからなる半導体ウェハの研磨された表側および裏側をも迅速かつ効率的に洗浄することを可能にする。半導体ウェハは、方法の間、異なる洗浄モジュールで処理される。洗浄モジュールは、半導体ウェハの側面に液体を吹付けることにより、または、半導体ウェハを槽へと浸漬することにより、または、回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながらもしくは洗浄液を供給しながら洗浄することにより、半導体ウェハが洗浄される機能的ユニットである。半導体ウェハは、洗浄モジュールでの上述の処理の間、その中心の周りを好ましくは鉛直面で回転することが好ましい。方法は、特定の操作の手順を含み、それら全体で、本発明の目的を達成する。方法に従って洗浄されたシリコンからなる半導体ウェハは、パーティクルによる汚染に関して、梱包して客先に送ろうとしているシリコンからなる研磨された半導体ウェハに期待される範囲内に既にある純度を有する。同時に、方法が継続するのは、半導体ウェハがロボットにより搬送される時間を考慮し、方法の工程aに従う研磨板からの搬送から工程hにおける乾燥の完了まで計算して、360秒以下、好ましくは300秒以下である。方法を使用する際、単位時間サイクル時間当りの乾燥された半導体ウェハの搬出は、75秒当り少なくとも1枚の半導体ウェハ、好ましくは、66秒当り少なくとも1枚の半導体ウェハである。方法は、研磨板から第1の洗浄モジュールへの搬送、洗浄工程bからg、および、最後に、乾燥モジュールでの半導体ウェハの乾燥を含む。方法の洗浄工程bからgを実施するために、3つ以下の洗浄モジュールが用いられることが好ましく、これは高スループットに貢献する。半導体ウェハの洗浄のために用いられる水は、好ましくは脱イオン水である。方法の始めに、研磨剤の残渣が研磨された表側および裏側に付着している半導体ウェハが、研磨板から第1の洗浄モジュールにできるだけ迅速に運ばれる。この搬送中、半導体ウェハの両側には、少なくとも1回水が吹付けられる。半導体ウェハは、水平に置かれるか、または鉛直方向に立てた態様で保持されることが好ましい。半導体ウェハを端縁で把持するロボットシステムの援助によりそれを受け入れステーションに運び、そこに載置し、方法の工程aに従ってそこで水を吹付け、次にロボットシステムの援助により第1の洗浄モジュールにさらに運ぶことが特に好ましい。側面の水の吹付けは、1秒以上10秒以下続くことが好ましい。期間が1秒より短いと、これは方法の効率に悪影響を与え、10秒より長いと、これは方法の生産性に好ましくない。方法の工程a中、半導体ウェハの側面に水を吹付ける圧力は、1000Pa10mbar以下である。方法のこの時点での圧力がより高いと、新たに研磨され、したがって傷つきやすい半導体ウェハに水を吹付けるとき、そのより高い圧力により表面欠陥が生じる虞があり、この表面欠陥は、後に洗浄によっては除去できない。方法の工程bからdは、第1の洗浄モジュールで実施されることが好ましい。方法の工程bは、回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄することを含む。ローラは、洗浄の間半導体ウェハと接触するポリビニルアルコールなどのプラスチックからなるスポンジ状のカバーを有することが好ましい。回転ブラシも好適である。この処理の間、半導体ウェハは鉛直方向に立てて保持され、その中心の周りを回転することが好ましい。方法の工程bは、10秒以上30秒以下続くことが好ましい。期間が10秒より短いと、これは方法の効率に悪影響を与え、30秒よりも長いと、これは方法の生産性に好ましくない。方法の工程cは、半導体ウェハの側面に、フッ化水素および少なくとも1種類の界面活性剤を含有する水溶液を吹付けることを含む。この処理の間、半導体ウェハは、鉛直方向に立てて保持され、その中心の周りを回転することが好ましい。方法の工程cは、20秒以上30秒以下続くことが好ましい。期間が20秒より短いと、これは方法の効率に悪影響を与え、30秒より長いと、方法の生産性に好ましくない。フッ化水素HFの濃度は、好ましくは、0.5から1.5重量であり、界面活性剤の濃度は、好ましくは、0.015から0.03重量である。好ましくは、1以上の酸基を含有し、したがってpHが7未満の水溶液を構成する界面活性剤が検討される。方法の工程c中、半導体ウェハの側面に水溶液が吹付けられる圧力は、70000Pa0.7bar以下であり、好ましくは40000Pa0.4bar以上である。方法のこの時点での圧力がより高いと、半導体ウェハに水溶液を吹付けるとき、表面欠陥が生ずる虞があり、この表面欠陥は、後に洗浄によっては除去できない。圧力が低過ぎると、洗浄が不完全なままとなる。方法の工程dは、半導体ウェハの側面に水を吹付けることを含む。この処理の間、半導体ウェハは、鉛直方向に立てて保持され、その中心の周りを回転することが好ましい。方法の工程dは、1秒以上10秒以下続くことが好ましい。期間が10秒より長いと、これは方法の生産性に好ましくない。工程d中、半導体ウェハの側面に水を吹付ける圧力は、20000Pa0.2bar以下である。方法のこの時点での圧力がより高いと、半導体ウェハに水を吹付けるとき、表面欠陥が生じる虞があり、この表面欠陥は、後に洗浄によっては除去できない。方法の工程eは、第2の洗浄モジュールで実施されることが好ましい。それは、半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬することを含む。この処理の間、半導体ウェハは、鉛直方向に立てて保持され、その中心の周りを回転することが好ましい。洗浄液は、50°C以上60°C以下の温度を有することが好ましい。それは、好ましくは水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHであるアルカリ性化合物、および、適宜、過酸化水素H2O2を含有する。アルカリ性化合物の濃度は、好ましくは、0.1から0.4重量の範囲内であり、過酸化水素の濃度は、好ましくは、0.7から1.5重量の範囲内である。方法の工程eは、40秒以上60秒以下続くことが好ましい。期間が40秒より短いと、これは方法の効率に悪影響を与え、60秒より長いと、これは方法の生産性に好ましくない。方法の工程fおよびgは、第3の洗浄モジュールで実施されることが好ましい。方法の工程fは、回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄することを含む。ローラは、洗浄の間半導体ウェハと接触するポリビニルアルコールなどのプラスチックからなるスポンジ状のカバーを有することが好ましい。回転ブラシも好適である。この処理の間、半導体ウェハは鉛直方向に立てて保持され、その中心の周りを回転することが好ましい。方法の工程fは、10秒以上30秒以下続くことが好ましい。期間が10秒より短いと、これは方法の効率に悪影響を与え、30秒より長いと、これは方法の生産性に好ましくない。方法の工程gは、半導体ウェハの側面に水を吹付けることを含む。この処理の間、半導体ウェハは、鉛直方向に立てて保持され、その中心の周りを回転することが好ましい。工程gは、5秒以上10秒以下続くことが好ましい。期間が5秒より短いと、これは方法の効率に悪影響を与え、10秒より長いと、これは方法の生産性に好ましくない。方法の工程hは、乾燥モジュールで半導体ウェハを乾燥することを含む。乾燥をイソプロパノール蒸気の存在下で行う乾燥モジュールが特に好ましい。乾燥は、好ましくは、45秒以上、かつ、好ましくは65秒以下続く。発明に従う方法は、シリコンからなる半導体ウェハ、特に200から450mmの範囲内の直径を有するものを洗浄するために好適である。シリコンからなる半導体ウェハを化学機械研磨に供し、研磨プロセス後、発明に従う態様で洗浄した。方法の効率は、梱包して客先に送る前の半導体ウェハ上で測定されたパーティクルの数で証明された。検査した半導体ウェハの半数の場合、37nmより大きい最大長さを有する5つ以下のパーティクルが見られた。比較の様式で、半導体ウェハを標準的な方法にも従って洗浄した。これらの半導体ウェハの場合、パーティクルの相当数は、15から20個の範囲内であった。工程cの間の界面活性剤の重要性を示すために、半導体ウェハの第1の群および第2の群を化学機械研磨に供し洗浄した。各群は、シリコンからなる40個の半導体ウェハを含んだ。研磨プロセス直後の第2の群の洗浄は、発明に従って行なった。第1の群の洗浄は、工程cの間に界面活性剤を分配したという点においてのみ異なった。洗浄された半導体ウェハを先行技術に相当する最終的な洗浄に供し、40nm以上のサイズを有するパーティクルの存在を検査した。図1および図2は、表側で見られたパーティクルのマップを示し、各マップは、半導体ウェハのそれぞれの群の半導体ウェハの研磨された表側に見られたパーティクルの全体を示す。図1と図2との比較は、発明に従って洗浄した半導体ウェハ第2の群、図2の表側に見られたパーティクル数が、発明に従って洗浄されなかった半導体ウェハ第1の群、図1の場合に見られた数より著しく少なかったことを示す。工程cの間の圧力の重要性を示すために、第3の群および第4の群の半導体ウェハを化学機械研磨に供し、洗浄した。各群は、シリコンからなる10個の半導体ウェハを含んだ。研磨プロセス直後の第4の群の洗浄は、発明に従って行なわれた。第3の群の洗浄は、工程cの間の水溶液を100000Paの圧力で半導体ウェハの側面に吹付けた点においてのみ異なる。60000Paの相当する圧力を第4の群の半導体ウェハの洗浄のために設定した。洗浄した半導体ウェハを先行技術に相当する最終的な洗浄に供し、40nm以上のサイズを有するパーティクルの存在について検査した。図3および図4は、表側に見られたパーティクルのマップを示し、各マップは、半導体ウェハのそれぞれの群の半導体ウェハの表側に見られたパーティクルの全体を示す。図3と図4との比較は、発明に従って洗浄した半導体ウェハ第4の群、図4の表側に見られたパーティクル数が、発明に従って洗浄しなかった半導体ウェハ第3の群、図3の場合に見られた数より著しく低かったことを示す。