"下記一般式2~10で表される含窒素へテロ環を有する含窒素有機化合物。式中、R4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~15のアリール基、又は炭素数7~15のアラルキル基を表す。R5は水素原子又はメチル基を表す。R6は炭素数21~49の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、シアノ基又はアセタール基を含んでもよいアルキル基を表す。R7は単結合、又はメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。R8は炭素数1~9の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表す。R9は炭素数22~50の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基を表す。下記一般式2’~10’で表される含窒素へテロ環及びステロイド骨格を有する含窒素有機化合物。式中、R4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~15のアリール基、又は炭素数7~15のアラルキル基を表す。R5は水素原子又はメチル基を表す。R6はステロイド骨格を有する炭素数21~49の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、シアノ基又はアセタール基を含んでもよいアルキル基を表す。R7は単結合、又はメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。R8は炭素数1~9の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表す。R9はステロイド骨格を有する炭素数22~50の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基を表す。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にKrFレーザー、ArFレーザー、F2レーザー、極短紫外線、電子線、X線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、高解像性を達成すると共に、マスク被覆率依存性を低減し、更には液浸露光にも適用可能な化学増幅型レジスト材料に好適に用いられる新規な含窒素有機化合物を提供することを目的とする。本発明は、上記目的を解決するため、下記一般式2~10で表される含窒素へテロ環を有する含窒素有機化合物を提供する。式中、R4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~15のアリール基、又は炭素数7~15のアラルキル基を表す。R5は水素原子又はメチル基を表す。R6は炭素数21~49の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、シアノ基又はアセタール基を含んでもよいアルキル基を表す。R7は単結合、又はメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。R8は炭素数1~9の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表す。R9は炭素数22~50の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基を表す。更に、本発明は、下記一般式2’~10’で表される含窒素へテロ環及びステロイド骨格を有する含窒素有機化合物を提供する。式中、R4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~15のアリール基、又は炭素数7~15のアラルキル基を表す。R5は水素原子又はメチル基を表す。R6はステロイド骨格を有する炭素数21~49の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、シアノ基又はアセタール基を含んでもよいアルキル基を表す。R7は単結合、又はメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。R8は炭素数1~9の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表す。R9はステロイド骨格を有する炭素数22~50の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基を表す。上記一般式2~10、及び2’~10’で示される含窒素有機化合物は、後述の方法により高収率かつ簡便に得られ、かつレジスト材料に適正量添加した場合に、高い解像性と、良好なマスク被覆率依存性を与えるものである。更に、用途に応じてR4~R9、R6、R9として最適なものを選択することにより、例えばパターン形状などのレジスト性能を最適に調整することができるものである。本発明の含窒素有機化合物を含有するレジスト材料は、高い解像性と良好なマスク被覆率依存性を与えるものであり、電子線や遠紫外線を用いた微細加工に有用である。ポジ型及びネガ型のKrFレジスト、ArFレジスト、F2レジスト、EUVレジスト、EBレジスト、X線レジストにおいて高い配合効果を与え、超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。また、通常の露光法の他、液浸露光にも好適である。以下、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明者らは、化学増幅型レジスト材料への配合により、高い解像性と良好なマスク被覆率依存性を与える化合物について鋭意検討を重ねた。その結果、下記一般式1で表される含窒素へテロ環を有する分子量380以上の含窒素有機化合物、好ましくは、下記一般式2~10で表される含窒素へテロ環を有する分子量430以上の含窒素有機化合物、更により好ましくは、下記一般式2’~10’で表される含窒素へテロ環を有する分子量430以上のステロイド骨格を有する含窒素有機化合物を配合して用いれば、高い解像性と良好なマスク被覆率依存性を与える化学増幅型フォトレジスト材料が得られることを見出し、本発明を完成させたものである。更に本発明のレジスト材料は、水液浸時の水へのアミン化合物の溶出が少ないため、液浸露光にも好適に用いることができる。ここで、本発明の化学増幅型レジスト材料に配合される含窒素有機化合物は、上述したように、下記一般式1で表される含窒素へテロ環を有する分子量380以上の含窒素有機化合物である。式中、R1は両端で結合する窒素原子と共に含窒素へテロ脂肪族環又は含窒素ヘテロ芳香族環を形成する炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状の2価の置換基を表し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はハロゲン原子を含んでもよい。R2は炭素数2~10のカルボニル基を含んでもよい直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表す。R3は炭素数22~50の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基又はアシル基を表す。一般式1中、R1は両端で結合する窒素原子と共に含窒素へテロ脂肪族環又は含窒素ヘテロ芳香族環を形成する炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状の2価の置換基を表し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はハロゲン原子を含んでもよい。R1が両端で結合する窒素原子と共に形成する含窒素へテロ脂肪族環として具体的には、アジリジン、アゼチジン、ピロリジン、ピペリジン、2-イミダゾリジン、2-ピロリン、ピラゾリジン、ピペラジン、3-ピラゾリン、モルホリン、チオモルホリン、及びこれらのアルキル又はアリール置換体を例示でき、R1が両端で結合する窒素原子と共に形成する含窒素へテロ芳香族環として具体的には、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、ベンズイミダゾール、1H-インダゾール、プリン、ペリミジン、フェノキサジン、フェノチアジン、及びこれらのアルキル又はアリール置換体を例示できるが、これらに限定されない。一般式1中、R2は炭素数2~10のカルボニル基を含んでもよい直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表し、具体的にはエチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、及びこれらのオキソ置換体を例示できるが、これらに限定されない。一般式1中、R3は炭素数22~50の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基又はアシル基を表し、より具体的には、一般式-CO-R6、-CH2-OR6又はR9、-CO-R6、-CH2-OR6又はR9で表すことができ、式中のR6、R9、R6、R9については後述する。一般式1で表される含窒素有機化合物として具体的には、後述の一般式2~10、2’~10’で表される含窒素有機化合物の具体例に加え、以下のものを例示できるが、これらに限定されない。本発明の化学増幅型レジスト材料に配合される含窒素有機化合物は、上述したように、下記一般式2~10で表される含窒素へテロ環を有する分子量430以上の含窒素有機化合物であることが好ましい。式中、R4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~15のアリール基、又は炭素数7~15のアラルキル基を表す。R5は水素原子又はメチル基を表す。R6は炭素数21~49の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、シアノ基又はアセタール基を含んでもよいアルキル基を表す。R7は単結合、又はメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。R8は炭素数1~9の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表す。R9は炭素数22~50の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基を表す。一般式2、3、5、6、8、9中、R4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~15のアリール基、又は炭素数7~15のアラルキル基を表し、具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、デシル基、アダマンチル基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基を例示でき、特に、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基であることが好ましい。一般式2~7中、R5は水素原子又はメチル基を表す。一般式2~7中、R6は炭素数21~49の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、シアノ基又はアセタール基を含んでもよいアルキル基を表し、具体的には、後述のR6の具体例に加え、下記のものを例示できる。下記式中、破線は結合位置を示し、以下同様である。一般式4、7、10中、R7は単結合、又はメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、酸素原子であることがより好ましい。一般式8、9、10中、R9は炭素数22~50の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基を表し、具体的には、後述のR9の具体例に加え、下記のものを例示できる。一般式2~10で表される含窒素有機化合物として具体的には、後述の一般式2’~10’で表される含窒素有機化合物の具体例に加え、以下のものを例示できるが、これらに限定されない。下記式中、Meはメチル基、Phはフェニル基を示し、以下同様である。本発明の化学増幅型レジスト材料に配合される含窒素有機化合物は、上述したように、下記一般式2’~10’で表される含窒素へテロ環を有する分子量430以上の含窒素有機化合物であることがより好ましい。式中、R4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~15のアリール基、又は炭素数7~15のアラルキル基を表す。R5は水素原子又はメチル基を表す。R6はステロイド骨格を有する炭素数21~49の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、シアノ基又はアセタール基を含んでもよいアルキル基を表す。R7は単結合、又はメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。R8は炭素数1~9の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表す。R9はステロイド骨格を有する炭素数22~50の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基を表す。一般式2’~10’中、R4、R5、R7、R8は上記と同様である。一般式2’~7’中、R6はステロイド骨格を有する炭素数21~49の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、シアノ基又はアセタール基を含んでもよいアルキル基を表し、具体的には下記の構造を例示できるが、これらに限定されない。下記式中、Acはアセチル基を示し、以下同様である。一般式8’~10’中、R9はステロイド骨格を有する炭素数22~50の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基を表し、具体的には下記の構造を例示できるが、これらに限定されない。一般式2’~10’で表される含窒素有機化合物として、具体的には、以下のものを例示できるが、これらに限定されない。本発明によれば、これらの含窒素へテロ環を有する分子量380以上の含窒素有機化合物において、含窒素へテロ環構造及び近傍に位置するエーテル、エステル、アセタールなどの官能基は酸との親和性が高く、光酸発生剤からの発生酸の速やかな捕捉を実現せしめ、一方で一般式1中のR3で表される高炭素数の側鎖部分は、含窒素有機化合物のレジスト膜中での分布、拡散、揮発及び水溶性等に多大な影響を及ぼしていると予想され、これらの結果として本発明の含窒素有機化合物を添加したフォトレジストにおける高解像性とマスク被覆率依存性の低減を達成、加えて液浸露光への適用も可能とするものと考えられる。また、本発明の含窒素へテロ環を有する分子量380以上の含窒素有機化合物の可能な構造の中から適切なものを選ぶことにより、本発明の含窒素有機化合物の塩基性度、酸の捕捉速度、レジスト中での拡散速度、水溶性などを、用いるレジストポリマー、酸発生剤、露光方法などに応じて適当に調節することができ、ひいてはパターン形状などのレジスト材料の性能を最適に調整することができるものである。上記式1~10及び2’~10’で示される含窒素有機化合物は、化合物の構造に応じた最適な方法を選択して製造される。具体的には窒素原子上に水素原子を有する含窒素ヘテロ環化合物のN-アルキル化反応を用いる方法、もしくはN上にヒドロキシアルキル置換基をもつ含窒素ヘテロ環化合物のO-アシル化もしくはO-アルキル化反応を用いる方法を例示できるが、これらの方法に限定されない。以下、詳しく説明する。まず、第1の方法として、窒素原子上に水素原子を有する含窒素ヘテロ環化合物のN-アルキル化反応による製造法が挙げられ、この方法は基本的には一般式1~10及び2’~10’のすべてについて適用が可能である。式中、R1は両端で結合する窒素原子と共に含窒素へテロ脂肪族環又は含窒素ヘテロ芳香族環を形成する炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状の2価の置換基を表し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はハロゲン原子を含んでもよい。R2は炭素数2~10のカルボニル基を含んでもよい直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表す。R3は炭素数22~50の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基又はアシル基を表す。Xはハロゲン原子、p-トルエンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、水酸基などの脱離基を表す。本反応のアルキル化剤である化合物12の使用量は、含窒素ヘテロ環化合物111モルに対し、0.1~10モル、特に0.3~2モルとすることが望ましい。反応は無溶媒又は溶媒中で行う。溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、t-ブチルアルコール、エチレングリコールなどのアルコール類、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジグリムなどのエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム、1,2-ジクロロエチレンなどの塩素系溶媒類、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドンなどの非プロトン性極性溶媒類、ギ酸、酢酸などのカルボン酸類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、アセトン、2-ブタノンなどのケトン類、アセトニトリルなどのニトリル類、ピリジン、トリエチルアミンなどのアミン類、水の中から反応条件により選択して単独又は混合して用いることができる。反応温度は反応速度に応じて0°Cから溶媒の還流温度までの範囲で選択する。必要に応じて反応に塩基を添加してもよく、その場合の塩基としては、ピリジン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、4-ジメチルアミノピリジン、イミダゾールなどのアミン類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムt-ブトキシドなどの金属アルコキシド類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムなどの炭酸塩類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどの水酸化物類、水素化ナトリウム、水素化カリウムなどの金属水素化物類、ブチルリチウム、エチルマグネシウムブロミドなどの有機金属類、リチウムジイソプロピルアミドなどの金属アミド類の中から反応条件により選択して単独又は混合して用いることができる。あるいは原料となる含窒素ヘテロ環化合物そのものを塩基として用いることも可能である。塩基の使用量は含窒素ヘテロ環化合物111モルに対し、0.1~10モル、特に0.5~5モルとすることが望ましい。反応には反応速度向上のために触媒としてヨウ化ナトリウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウムなどのヨウ化物、臭化ナトリウム、臭化リチウム、臭化テトラブチルアンモニウムなどの臭化物を加えてもよい。触媒を加える場合の添加量は、含窒素ヘテロ環化合物111モルに対し、0.001~2モル、特に0.005~0.5モルとすることが望ましい。反応時間はガスクロマトグラフィーGCや薄層クロマトグラフィーTLCにより反応を追跡して反応を完結させることが収率の点で望ましいが、通常0.5~100時間程度である。反応混合物から通常の水系後処理aqueouswork-upにより目的物である1を得る。必要があれば化合物1は蒸留、クロマトグラフィー、再結晶などの常法により精製することができる。あるいは水系後処理aqueouswork-upを行わず、反応で生じた塩を濾別後又は反応液を直接精製にかけることが可能な場合もある。目的物の構造によっては、この他、オキシラン、オキセタンなどの環状エーテル類;アクリル酸エステル、ビニルケトンなどのα,β-不飽和カルボニル化合物;環状カーボネート類への含窒素ヘテロ環化合物の付加反応によっても目的物1を得ることが可能な場合がある。第2の方法として、N上にヒドロキシアルキル置換基をもつ含窒素ヘテロ環化合物のO-アシル化もしくはO-アルキル化反応を用いる製造法を挙げることができる。この方法は特に一般式2~7及び2’~7’で示される含窒素有機化合物の製造に効果的である。式中、R1は両端で結合する窒素原子と共に含窒素へテロ脂肪族環又は含窒素ヘテロ芳香族環を形成する炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状の2価の置換基を表し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はハロゲン原子を含んでもよい。R2は炭素数2~10のカルボニル基を含んでもよい直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表す。R3は炭素数22~50の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基又はアシル基を表す。Yはハロゲン原子、アルキル又はアリールスルホニルオキシ基、水酸基、アシルオキシ基、フェノキシ基、アルコキシ基などの脱離基を表す。反応は前述の方法等により製造可能なN-ヒドロキシアルキル含窒素ヘテロ環化合物13に対してアルキル化剤もしくはアシル化剤である化合物14を作用させることにより目的化合物1を得る。R3がアルキル基の場合、化合物14はアルキル化剤、R3がアシル基の場合、化合物14はアシル化剤である。化合物14の使用量はN-ヒドロキシアルキル含窒素ヘテロ環化合物131モルに対し、0.1~5.0モル、特に0.3~2.0モルとすることが望ましい。反応は無溶媒又は溶媒中で行う。溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジグリムなどのエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム、1,2-ジクロロエチレンなどの塩素系溶媒類、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドンなどの非プロトン極性溶媒類、ギ酸、酢酸などのカルボン酸類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、アセトン、2-ブタノンなどのケトン類、アセトニトリルなどのニトリル類、ピリジン、トリエチルアミンなどのアミン類、メタノール、エタノール、2-プロパノール、t-ブチルアルコールなどのアルコール類、水の中から反応条件により選択して単独又は混合して用いることができる。反応を促進するために塩基性化合物を加えてもよく、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム,炭酸ナトリウム、重曹、水素化ナトリウム、水素化カルシウム、カリウムt-ブトキシド、リチウムt-ブトキシドなどのアルカリ又はアルカリ土類金属の塩類、n-ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムヘキサメチルジシラジド、ブロモマグネシウムジイソプロピルアミドなどの有機金属類、ピリジン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N,N-ジメチルアニリン、4-ジメチルアミノピリジンなどの有機アミン類を例示できるが、これらに限定されない。塩基性化合物は単独あるいは2種類以上を混合して用いることができ、使用量は化合物141モルに対し、0.8~10モル、特に0.9~3.0モル用いることが好ましい。反応温度は-70°Cから溶媒の還流温度までの範囲で選択できるが、特に0~50°Cの範囲で行うことが好ましい。R3=アシル基、Y=アルコキシ基である場合は化合物14はカルボン酸エステル化合物であり、本反応はエステル交換反応である。この場合、反応触媒として上記塩基性化合物を化合物141モルに対し、0.001~5.0モル、特に0.005~0.5モル用い、反応により生成するアルコールY-Hを留去しながら反応することが好ましい。反応時間はガスクロマトグラフィーGCや薄層クロマトグラフィーTLCにより反応を追跡して反応を完結させることが収率の点で望ましいが、通常0.2~20時間程度である。反応混合物から通常の水系後処理aqueouswork-upにより目的物1を得る。必要があれば化合物1は蒸留、クロマトグラフィー、再結晶などの常法により精製することができる。あるいは水系後処理aqueouswork-upを行わず、反応で生じた塩を濾別後又は反応液を直接精製にかけることが可能な場合もある。本発明のレジスト材料には、上述した含窒素有機化合物が配合されるが、典型的には下記の組成の化学増幅ポジ型レジスト材料とすることが好ましい。A上記式1~10及び2’~10’で示される含窒素有機化合物、B有機溶剤、C酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、D酸発生剤更に、必要に応じてE溶解制御剤を含有する。この場合、A成分の配合量は、C成分のベース樹脂100部質量部、以下同様に対し0.01~10部、特に0.05~5部であることが好ましい。少なすぎると、配合効果がなく、多すぎると、感度が低下しすぎる場合がある。A成分は単独でもしくは2種以上併用してもよい。また、本発明の含窒素有機化合物以外に、従来から用いられている含窒素有機化合物等のクエンチャーを1種あるいは2種以上併用することもできる。本発明で使用されるB成分の有機溶剤としては、A成分のアミン化合物、ベース樹脂、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジメチルエーテルや1-エトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく使用される。有機溶剤の使用量は、ベース樹脂100部に対して200~1,000部、特に400~800部が好適である。本発明で使用されるC成分のベースポリマーベース樹脂は、KrFエキシマレーザー用レジスト材料としては、ポリヒドロキシスチレンPHS、及びヒドロキシスチレンとスチレン、メタアクリル酸エステル、その他の重合性オレフィン化合物などとの共重合体、ArFエキシマレーザー用レジスト材料としては、メタアクリル酸エステル系ポリマー、シクロオレフィンと無水マレイン酸との交互共重合系ポリマー及び更にこの交互共重合系ポリマーにビニルエーテル類又はメタアクリル酸エステルを共重合した共重合系ポリマー、ポリノルボルネン系ポリマー、シクロオレフィン開環メタセシス重合系、F2レーザー用として上記KrF、ArF用ポリマーのフッ素置換体のほか、フッ素化ジエンを用いた閉環重合系ポリマーなど、2層レジスト用としては上記ポリマーの珪素置換体及びポリシルセスキオキサンポリマーなどが挙げられるが、これらの重合系ポリマーに限定されることはない。ベースポリマーは単独であるいは2種以上混合して用いることができる。ポジ型レジスト材料の場合、フェノールあるいはカルボキシル基あるいはフッ素化アルキルアルコールの水酸基を酸不安定基で置換することによって、未露光部の溶解速度を下げる場合が一般的である。ベースポリマーの酸不安定基は、種々選定されるが、特に下記式C1、C2で示される炭素数2~30のアセタール基、炭素数4~30の3級アルキル基等であることが好ましい。上記式C1、C2においてR11、R12は水素原子又は炭素数1~20、特に1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、R13、R14、R15、R16は炭素数1~20、特に1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよい。またR11とR12、R11とR13、R12とR13、R14とR15、R14とR16、R15とR16はそれぞれ結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に炭素数3~20、特に3~12の環を形成してもよい。式C1で示されるアセタール基として具体的には、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、イソプロポキメチル基、t-ブトキシメチル基、ネオペンチルオキシメチル基、1-メチルシクロヘキシルメトキシメチル基、2-アダマンチルオキシメチル基、1-アダマンチルメトキシメチル基、フェンキルオキシメチル基、2-メチル-2-ノルボルニルメトキシメチル基、1-メトキシエチル基、1-メトキシプロピル基、1-メトキシブチル基、1-エトキシエチル基、1-エトキシプロピル基、1-エトキシブチル基、1-プロポキシエチル基、1-プロポキシプロピル基、1-プロポキシブチル基、1-シクロペンチルオキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、2-メトキシイソプロピル基、2-エトキシイソプロピル基、1-フェノキシエチル基、1-ベンジルオキシエチル基、1-フェノキシプロピル基、1-ベンジルオキシプロピル基、1-アダマンチルオキシエチル基、1-アダマンチルオキシプロピル基、2-テトラヒドロフリル基、2-テトラヒドロ-2H-ピラニル基、1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシエトキシエチル基、1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシエトキシプロピル基、1-[2-1-アダマンチルカルボニルオキシエトキシ]エチル基、1-[2-1-アダマンチルカルボニルオキシエトキシ]プロピル基を例示できるがこれらに限定されない。式C2で示される3級アルキル基として具体的には、t-ブチル基、t-ペンチル基、1-エチル-1-メチルプロピル基、1,1-ジエチルプロピル基、1,1,2-トリメチルプロピル基、1-アダマンチル-1-メチルエチル基、1-メチル-1-2-ノルボルニルエチル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、1-メチル-1-7-オキサナルボルナン-2-イルエチル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-プロピルシクロペンチル基、1-シクロペンチルシクロペンチル基、1-シクロヘキシルシクロペンチル基、1-2-テトラヒドロフリルシクロペンチル基、1-7-オキサナルボルナン-2-イルシクロペンチル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-シクロペンチルシクロヘキシル基、1-シクロヘキシルシクロヘキシル基、2-メチル-2-ノルボニル基、2-エチル-2-ノルボニル基、8-メチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、8-エチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、3-メチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125,1710]ドデシル基、3-エチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125,1710]ドデシル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、1-メチル-3-オキソ-1-シクロヘキシル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、5-ヒドロキシ-2-メチル-2-アダマンチル基、5-ヒドロキシ-2-エチル-2-アダマンチル基を例示できるが、これらに限定されない。また、ベース樹脂の水酸基の一部が一般式C3aあるいはC3bで表される酸不安定基によって分子間あるいは分子内架橋されていてもよい。上記式中、R17、R18は水素原子又は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R17とR18は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはR17、R18は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R19は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、bは0又は1~10の整数である。Aは、a1価の炭素数1~50の鎖状もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又は水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。aは1~7の整数である。一般式C3a、C3bに示される架橋型アセタールとして、具体的には下記C3-1~C3-8が挙げられるが、これらに限定されない。ベースポリマーの重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィーGPCによる測定法でポリスチレン換算2,000~100,000とすることが好ましく、2,000に満たないと成膜性、解像性に劣る場合があり、100,000を超えると解像性に劣るかあるいはパターン形成時に異物が発生する場合がある。D成分の酸発生剤として光酸発生剤を添加する場合は、紫外線、遠紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線等の高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでもかまわない。好適な光酸発生剤としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシジカルボキシイミド、O-アリ-ルスルホニルオキシム、O-アルキルスルホニルオキシム等の光酸発生剤等がある。以下に詳述するが、これらは単独あるいは2種以上を混合して用いることができる。スルホニウム塩は、スルホニウムカチオンとスルホネートあるいはビス置換アルキルスルホニルイミド、トリス置換アルキルスルホニルメチドの塩であり、スルホニウムカチオンとしてトリフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3,4-ジ-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、ジフェニル4-チオフェノキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルビス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、トリス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-メチルフェニルフェニルスルホニウム、ビス4-tet-ブチルフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-メチルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウム、トリスフェニルメチルスルホニウム、2-ナフチルジフェニルスルホニウム、ジメチル2-ナフチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、4-メトキシフェニルジメチルスルホニウム、トリメチルスルホニウム、2-オキソシクロヘキシルシクロヘキシルメチルスルホニウム、トリナフチルスルホニウム、トリベンジルスルホニウム、ジフェニルメチルスルホニウム、ジメチルフェニルスルホニウム、2-オキソプロピルチアシクロペンタニウム、2-オキソブチルチアシクロペンタニウム、2-オキソ-3,3-ジメチルブチルチアシクロペンタニウム、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム、4-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、2-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム等が挙げられ、スルホネートとしては、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ヘプタフルオロプロパンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、5-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、8-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等が挙げられ、ビス置換アルキルスルホニルイミドとしてはビストリフルオロメチルスルホニルイミド、ビスペンタフルオロエチルスルホニルイミド、ビスヘプタフルオロプロピルスルホニルイミド、パーフルオロ1,3-プロピレンビススルホニルイミド等が挙げられ、トリス置換アルキルスルホニルメチドとしてはトリストリフルオロメチルスルホニルメチドが挙げられ、これらの組み合わせのスルホニウム塩が挙げられる。ヨードニウム塩はヨードニウムカチオンとスルホネートあるいはビス置換アルキルスルホニルイミド、トリス置換アルキルスルホニルメチドの塩であり、ヨードニウムカチオンとしてはジフェニルヨードニウム、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム、4-tert-ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウム等が挙げられ、スルホネートとしてはトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ヘプタフルオロプロパンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、5-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、8-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等が挙げられ、ビス置換アルキルスルホニルイミドとしてはビストリフルオロメチルスルホニルイミド、ビスペンタフルオロエチルスルホニルイミド、ビスヘプタフルオロプロピルスルホニルイミド、パーフルオロ1,3-プロピレンビススルホニルイミド等が挙げられ、トリス置換アルキルスルホニルメチドとしてはトリストリフルオロメチルスルホニルメチドが挙げられ、これらの組み合わせのヨードニウム塩が挙げられる。スルホニルジアゾメタンとしては、ビスエチルスルホニルジアゾメタン、ビス1-メチルプロピルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチルプロピルスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスパーフルオロイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-アセチルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-メタンスルホニルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-P-トルエンスルホニルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス3,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-5-イソプロピル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-ナフチルスルホニルジアゾメタン、4-メチルフェニルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、tert-ブチルカルボニル-4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、2-ナフチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、4-メチルフェニルスルホニル-2-ナフトイルジアゾメタン、メチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、tert-ブトキシカルボニル-4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタンとスルホニルカルボニルジアゾメタンが挙げられる。N-スルホニルオキシジカルボキシイミド型光酸発生剤としては、コハク酸イミド、ナフタレンジカルボキシイミド、フタル酸イミド、シクロヘキシルジカルボキシイミド、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド、7-オキサビシクロ[2.2.1]-5-ヘプテン-2,3-ジカルボキシイミド等のイミド骨格とトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ヘプタフルオロプロパンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、5-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、8-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等の組み合わせの化合物が挙げられる。ベンゾインスルホネート型光酸発生剤としては、ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレート、ベンゾインブタンスルホネート等が挙げられる。ピロガロールトリスルホネート型光酸発生剤としては、ピロガロール、フロログリシン、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノンのヒドロキシル基の全てをトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ヘプタフルオロプロパンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、5-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、8-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等で置換した化合物が挙げられる。ニトロベンジルスルホネート型光酸発生剤としては、2,4-ジニトロベンジルスルホネート、2-ニトロベンジルスルホネート、2,6-ジニトロベンジルスルホネートが挙げられ、スルホネートとしては、具体的にトリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ヘプタフルオロプロパンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、5-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、8-P-トルエンスルホニルオキシナフタレン-1-スルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホネート、2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。また、ベンジル側のニトロ基をトリフルオロメチル基で置き換えた化合物も同様に用いることができる。スルホン型光酸発生剤の例としては、ビスフェニルスルホニルメタン、ビス4-メチルフェニルスルホニルメタン、ビス2-ナフチルスルホニルメタン、2,2-ビスフェニルスルホニルプロパン、2,2-ビス4-メチルフェニルスルホニルプロパン、2,2-ビス2-ナフチルスルホニルプロパン、2-メチル-2-p-トルエンスルホニルプロピオフェノン、2-シクロヘキシルカルボニル-2-p-トルエンスルホニルプロパン、2,4-ジメチル-2-p-トルエンスルホニルペンタン-3-オン等が挙げられる。O-アリールスルホニルオキシム化合物あるいはO-アルキルスルホニルオキシム化合物オキシムスルホネート型光酸発生剤としては、グリオキシム誘導体型、チオフェンやシクロヘキサジエンを介した共役系の長いオキシムスルホネート型、トリフルオロメチル基のような電子吸引基で化合物の安定性を増したオキシムスルホネート型、フェニルアセトニトリル、置換アセトニトリル誘導体を用いたオキシムスルホネート型、また、ビスオキシムスルホネート型等が挙げられる。グリオキシム誘導体型の光酸発生剤としては、ビス-O-p-トルエンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-p-トルエンスルホニル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-O-p-トルエンスルホニル-α-ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス-O-p-トルエンスルホニル-2,3-ペンタンジオン=ジオキシム、ビス-O-n-ブタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-n-ブタンスルホニル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-O-n-ブタンスルホニル-α-ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス-O-メタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-トリフルオロメタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-2,2,2-トリフルオロエタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-10-カンファースルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-ベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-4-フルオロベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-キシレンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-トリフルオロメタンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-2,2,2-トリフルオロエタンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-10-カンファースルホニル-ニオキシム、ビス-O-ベンゼンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-4-フルオロベンゼンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニル-ニオキシム、ビス-O-キシレンスルホニル-ニオキシム等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。チオフェンやシクロヘキサジエンを介した共役系の長いオキシムスルホネート型光酸発生剤として、5-P-トルエンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-10-カンファースルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-n-オクタンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-P-トルエンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-10-カンファースルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-n-オクタンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-4-P-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル、5-2,5-ビスP-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデンフェニルアセトニトリル等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。トリフルオロメチル基のような電子吸引基で化合物の安定性を増したオキシムスルホネート型酸発生剤として、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-4-メトキシベンゼンスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-1-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-2-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-フェニルエタノン=O-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-メチルフェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニルエタノン=O-1-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4-ジメチルフェニルエタノン=O-2-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニルエタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニルエタノン=O-1-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2,4,6-トリメチルフェニルエタノン=O-2-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルチオフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-3,4-ジメトキシフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-4-メチルフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-4-メトキシフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-4-ドデシルフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシフェニルエタノン=O-オクチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニルエタノン=O-4-メトキシフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニルエタノン=O-4-ドデシルフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニルエタノン=O-オクチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-チオメチルフェニルエタノン=O-2-ナフチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-メチルフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルフェニルエタノン=O-フェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-クロロフェニルエタノン=O-フェニルスルホニルオキシム、2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロ-1-フェニルブタノン=O-10-カンファースルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-1-ナフチルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-ナフチルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-ベンジルフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-フェニル-1,4-ジオキサ-ブト-1-イルフェニルエタノン=O-メチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-1-ナフチルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-ナフチルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-ベンジルフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルスルホニルフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルスルホニルオキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メチルカルボニルオキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-6H,7H-5,8-ジオキソナフト-2-イルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシカルボニルメトキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-メトキシカルボニル-4-アミノ-1-オキサ-ペンタ-1-イルフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-3,5-ジメチル-4-エトキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-ベンジルオキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-2-チオフェニルエタノン=O-プロピルスルホネートオキシム、及び2,2,2-トリフルオロ-1-1-ジオキサチオフェン-2-イルエタノン=O-プロピルスルホネートオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-トリフルオロメタンスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-トリフルオロメタンスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-1-プロパンスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-プロピルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-1-ブタンスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-ブチルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-4-4-メチルフェニルスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-4-4-メチルフェニルスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシム、2,2,2-トリフルオロ-1-4-3-4-2,2,2-トリフルオロ-1-2,5-ビス4-メチルフェニルスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシイミノエチルフェノキシプロポキシフェニルエタノン=O-2,5-ビス4-メチルフェニルスルホニルオキシベンゼンスルホニルオキシフェニルスルホニルオキシム等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。また、下記式Ox-1で示されるオキシムスルホネートが挙げられる。上記式中、R401は置換又は非置換の炭素数1~10のハロアルキルスルホニル又はハロベンゼンスルホニル基を表す。R402は炭素数1~11のハロアルキル基を表す。Ar401は置換又は非置換の芳香族基又はヘテロ芳香族基を表す。具体的には、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノペンチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノブチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノペンチル-4-ビフェニル、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノブチル-4-ビフェニル、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシル-4-ビフェニルなどが挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。置換アセトニトリル誘導体を用いたオキシムスルホネート型として、α-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-p-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-4-ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-4-ニトロ-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-クロロフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,4-ジクロロフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,6-ジクロロフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-2-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2-チエニルアセトニトリル、α-4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-4-トルエンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トシルオキシイミノ-3-チエニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。また、ビスオキシムスルホネートとして、ビスα-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-メタンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリルビスα-ブタンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-10-カンファースルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-トリフルオロメタンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-4-メトキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-p-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-メタンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-ブタンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-10-カンファースルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-トリフルオロメタンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル、ビスα-4-メトキシベンゼンスルホニルオキシイミノ-m-フェニレンジアセトニトリル等が挙げられ、更に上記骨格に2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-4-フェニルベンゾイルオキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-フロイルオキシプロパンスルホネート、2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-4-tert-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-1-アダンマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-アセチルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ヒドロキシプロパンスルホネート、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-トシルオキシプロパンスルホネート、1,1-ジフルオロ-2-トシルオキシエタンスルホネート、アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートを置換した化合物が挙げられる。KrFエキシマレーザー用のレジスト材料として上記D成分の光酸発生剤を用いる場合には、スルホニウム塩、ビススルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネートが好ましい。具体的にはトリフェニルスルホニウム=p-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=4-p-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム=p-トルエンスルホネート、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム=4-p-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、トリス4-メチルフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウム=カンファースルホネート、ビスtert-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロへキシルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス3,5-ジメチル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチル-5-イソプロピル-4-n-ヘキシルオキシフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-tert-ブチルフェニルスルホニルジアゾメタン、N-カンファースルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸イミド、N-p-トルエンスルホニルオキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸イミド、5-10-カンファースルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル、5-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン2-メチルフェニルアセトニトリル等が挙げられる。また、ArFエキシマレーザー用のレジスト材料として上記D成分の光酸発生剤を用いる場合には、スルホニウム塩あるいはオキシム-O-スルホネートが好ましい。具体的にはトリフェニルスルホニウム=トリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ペンタフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ヘプタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=トリデカフルオロヘキサンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=ヘプタフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-ヒドロキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-ヒドロキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=パーフルオロ1,3-プロピレンビススルホニルイミド、トリフェニルスルホニウム=ビスペンタフルオロエチルスルホニルイミド、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノペンチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノブチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホニルオキシイミノペンチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホニルオキシイミノブチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシルフルオレン等が挙げられる。また、ArF液浸レジスト材料として上記D成分の光酸発生剤を用いる場合には、スルホニウム塩あるいはオキシム-O-スルホネートが好ましい。具体的にはトリフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=トリデカフルオロヘキサンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=ノナフルオロブタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=パーフルオロ4-エチルシクロヘキサンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=ヘプタフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1-ジフルオロ-2-ナフチルエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=2-ヒドロキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-ピバロイルオキシプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-2-ナフトイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=2-ヒドロキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=1-3-ヒドロキシメチルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム=メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=2-ベンゾイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム=2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=パーフルオロ1,3-プロピレンビススルホニルイミド、トリフェニルスルホニウム=ビスペンタフルオロエチルスルホニルイミド、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノペンチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノブチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホニルオキシイミノペンチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4-ペンタフルオロ-1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホニルオキシイミノブチルフルオレン、2-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロ-1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノヘキシルフルオレン等が挙げられる。本発明の化学増幅型レジスト材料におけるD成分の光酸発生剤の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲であればいずれでもよいが、レジスト材料中のベース樹脂100部に対し0.1~10部、好ましくは0.1~5部である。D成分の光酸発生剤の割合が多すぎる場合には、解像性の劣化や、現像/レジスト剥離時の異物の問題が起きる可能性がある。上記D成分の光酸発生剤は、単独でも2種以上混合して用いることもできる。更に、露光波長における透過率が低い光酸発生剤を用い、その添加量でレジスト膜中の透過率を制御することもできる。なお、光酸発生剤を2種以上混合して用い、一方の光酸発生剤がいわゆる弱酸を発生するオニウム塩である場合、酸拡散制御の機能を持たせることもできる。即ち、強酸例えばフッ素置換されたスルホン酸を発生する光酸発生剤と弱酸例えばフッ素置換されていないスルホン酸もしくはカルボン酸を発生するオニウム塩を混合して用いた場合、高エネルギー線照射により光酸発生剤から生じた強酸が未反応の弱酸アニオンを有するオニウム塩と衝突すると塩交換により弱酸を放出し強酸アニオンを有するオニウム塩を生じる。この過程で強酸がより触媒能の低い弱酸に交換されるため見かけ上、酸が失活して酸拡散の制御を行うことができる。ここで強酸を発生するオニウム塩と弱酸を発生するオニウム塩を混合して用いた場合、上記のように強酸が弱酸に交換することはできるが、弱酸は未反応の強酸を発生するオニウム塩と衝突して塩交換を行うことはできない。これらはオニウムカチオンがより強酸のアニオンとイオン対を形成し易いとの現象に起因する。また、本発明のレジスト材料に、酸により分解し酸を発生する化合物酸増殖化合物を添加してもよい。これらの化合物については、J.Photopolym.Sci.andTech.,8.43-44,45-461995、J.Photopolym.Sci.andTech.,9.29-301996において記載されている。酸増殖化合物の例としては、tert-ブチル-2-メチル-2-トシロキシメチルアセトアセテート、2-フェニル-2-2-トシロキシエチル-1,3-ジオキソラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。公知の光酸発生剤の中で安定性、特に熱安定性に劣る化合物は酸増殖化合物的な性質を示す場合が多い。本発明のレジスト材料における酸増殖化合物の添加量としては、レジスト材料中のベース樹脂100部に対し2部以下、好ましくは1部以下である。添加量が多すぎる場合は拡散の制御が難しく、解像性の劣化、パターン形状の劣化が起こる。E成分の溶解制御剤としては、分子量D8、D9は重量平均分子量が100~1,000、好ましくは150~800で、かつ分子内にフェノール性水酸基を2つ以上有する化合物の該フェノール性水酸基の水素原子を酸不安定基により全体として平均0~100モルの割合で置換した化合物又は分子内にカルボキシ基を有する化合物の該カルボキシ基の水素原子を酸不安定基により全体として平均50~100モルの割合で置換した化合物を配合する。なお、フェノール性水酸基の水素原子の酸不安定基による置換率は、平均でフェノール性水酸基全体の0モル以上、好ましくは30モル以上であり、その上限は100モル、より好ましくは80モルである。カルボキシ基の水素原子の酸不安定基による置換率は、平均でカルボキシ基全体の50モル以上、好ましくは70モル以上であり、その上限は100モルである。この場合、かかるフェノール性水酸基を2つ以上有する化合物又はカルボキシ基を有する化合物としては、下記式D1~D14で示されるものが好ましい。但し、式中R201、R202はそれぞれ水素原子、又は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基を示す。R203は水素原子、又は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基、あるいは-R207hCOOHを示す。R204は-CH2i-i=2~10、炭素数6~10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示す。R205は炭素数1~10のアルキレン基、炭素数6~10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示す。R206は水素原子、炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はそれぞれ水酸基で置換されたフェニル基又はナフチル基を示す。R207は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R208は水素原子又は水酸基を示す。jは0~5の整数である。u、hは0又は1である。s、t、s’、t’、s’’、t’’はそれぞれst=8、s’t’=5、s’’t’’=4を満足し、かつ各フェニル骨格中に少なくとも1つの水酸基を有するような数である。αは式D8、D9の化合物の分子量を100~1,000とする数である。溶解制御剤の配合量は、ベース樹脂100部に対して0~50部、好ましくは5~50部、より好ましくは10~30部であり、単独又は2種以上を混合して使用できる。配合量が少ないと解像性の向上がない場合があり、多すぎるとパターンの膜減りが生じ、解像度が低下する傾向がある。本発明のレジスト材料は、ネガ型レジスト材料として用いることも可能であり、その場合は、典型的には下記の組成の化学増幅ネガ型レジスト材料とすることが好ましい。A上記式1~10及び2’~10’で示される含窒素有機化合物、B有機溶剤、C’アルカリ可溶性樹脂であって、架橋剤による架橋によってアルカリ難溶性となるベース樹脂、D酸発生剤、F酸によって架橋する架橋剤を含有する。この場合、A、B、D成分については前記と同様である。C’成分のベース樹脂としては、アルカリ可溶性樹脂であって、架橋剤による架橋によってアルカリ難溶性となるベース樹脂が用いられ、前述の化学増幅ポジ型レジスト材料中のC成分において、保護されていないアルカリ可溶性基の比率が高く、アルカリ可溶性である樹脂が好適に用いられる。F成分の酸架橋剤としては、分子内に2個以上のヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、エポキシ基又はビニルエーテル基を有する化合物が挙げられ、置換グリコールウリル誘導体、尿素誘導体、ヘキサメトキシメチルメラミン等が好適に用いられる。例えば、N,N,N’,N’-テトラメトキシメチル尿素とヘキサメチルメラミン、テトラヒドロキシメチル置換グリコールウリル類及びテトラメトキシメチルグリコールウリルのようなテトラアルコキシメチル置換グリコールウリル類、置換及び未置換ビスヒドロキシメチルフェノール類、ビスフェノールA等のフェノール製化合物とエピクロロヒドリン等の縮合物が挙げられる。特に好適な酸架橋剤は、1,3,5,7-テトラメトキシメチルグリコールウリルなどの1,3,5,7-テトラアルコキシメチルグリコールウリル又は1,3,5,7-テトラヒドロキシメチルグリコールウリル、2,6-ジヒドロキシメチルp-クレゾール、2,6-ジヒドロキシメチルフェノール、2,2’,6,6’-テトラヒドロキシメチルビスフェノールA、及び1,4-ビス-[2-2-ヒドロキシプロピル]-ベンゼン、N,N,N’,N’-テトラメトキシメチル尿素とヘキサメトキシメチルメラミン等が挙げられる。添加量は任意であるが、レジスト材料中のベース樹脂100部に対して1~25部、好ましくは5~20部である。これらは単独でも2種以上併用して添加してもよい。本発明のレジスト材料には、上記成分以外に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤を添加することができる。なお、任意成分の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量とすることができる。ここで、界面活性剤としては非イオン性のものが好ましく、パーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイド、パーフルオロアルキルEO付加物、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が挙げられる。例えばフロラードFC-430、FC-431いずれも住友スリーエム株製、サーフロンS-141、S-145、KH-10、KH-20、KH-30、KH-40いずれも旭硝子株製、ユニダインDS-401、DS-403、DS-451いずれもダイキン工業株製、メガファックF-8151大日本インキ工業株製、X-70-092、X-70-093いずれも信越化学工業株製等を挙げることができる。好ましくは、フロラードFC-430住友スリーエム株製、KH-20、KH-30いずれも旭硝子株製、X-70-093信越化学工業株製が挙げられる。本発明のレジスト材料には、必要に応じて、この他に既知の酸性化合物、色素、熱架橋剤、安定剤などを加えてもよい。本発明のレジスト材料を使用してパターンを形成するには、特に限定されないが公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができる。集積回路製造用の基板Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜、Cr、CrO、CrON、MoSi等上にスピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により膜厚が0.05~2.0μmとなるように塗布し、これをホットプレート上で60~150°C、0.1~10分間、好ましくは80~140°C、0.5~5分間プリベークする。次いで、目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、紫外線、遠紫外線、極端紫外線、エキシマレーザー、電子線、X線、γ線、シンクロトロン放射線等から選ばれる光源、好ましくは300nm以下の露光波長で露光量1~200mJ/cm2、好ましくは10~100mJ/cm2となるように照射する。露光は通常の露光法の他、必要に応じて投影レンズとレジスト膜の間を水などの液体で満たす液浸露光ImmersionLithographyを用いることも可能である。液浸露光の場合は、必要に応じて露光前にレジスト上に更にトップコートを塗布した後に露光を行うことTopCoatProcessも可能である。次いで、ホットプレート上で60~150°C、0.1~5分間、好ましくは80~140°C、0.5~3分間ポストエクスポージャーベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは、2~3質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像して、基板上に目的のパターンが形成される。また必要に応じて現像後の更なる加熱処理thermalflow、あるいは化学シュリンク剤処理chemicalshrinkによるパターンサイズの調整も可能である。なお、本発明のレジスト材料は、特に高エネルギー線の中でも260~120nmの遠紫外線又はエキシマレーザー、極短紫外線、X線及び電子線による微細パターニングに最適である。以下、合成例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。[合成例]本発明の含窒素有機化合物を以下に示す方法で合成した。[合成例1]ベヘン酸[2-1H-イミダゾール-1-イル-1-メチルエチル]quencher1の合成1-1H-イミダゾール-1-イル-2-プロパノール1512.6g、ジメチルホルムアミド50gの混合物に氷冷、撹拌下、ベヘン酸クロリド1635.9gを添加し、その後、室温で2時間撹拌した。トルエン添加、中和に続き、通常の水系後処理aqueouswork-upを行った後、カラムクロマトグラフィーにより精製を行い、41.3gのベヘン酸[2-1H-イミダゾール-1-イル-1-メチルエチル]quencher1を得た収率92。[合成例2]ベヘン酸2-モルホリノエチルquencher2の合成ベヘン酸メチル35.5g18、2-モルホリノエタノール19.7g17、ナトリウムメトキシド270mg、トルエン150gの混合物を、反応により生成するメタノールを留去しながら6時間加熱還流した。冷却後、通常の水系後処理aqueouswork-upを行った後、トルエンを留去し、ベヘン酸2-モルホリノエチルquencher241.3gを得た収率91。得られた目的物の赤外吸収スペクトルIR及び核磁気共鳴スペクトル1H-NMRの測定結果を下記に示す。IRKBr:ν=2917,2850,1739,1467,1172,1116cm11H-NMR600MHzinCDCl3:δ=0.853H,t,J=7.1Hz,1.20-1.3536H,m,1.592H,tt,J=7.6,7.3Hz,2.282H,t,J=7.6,2.504H,m,2.612H,br.t,J=5.9Hz,3.694H,br.t,J=4.5Hz,4.192H,br.t,J=5.9Hz.[合成例3]デヒドロコール酸[2-1H-ベンズイミダゾール-1-イルエチル]quencher3の合成2-1H-ベンズイミダゾール-1-イルエタノール1916.2gとジメチルホルムアミド100gの混合物に、氷冷、撹拌下、デヒドロコール酸クロリド2042.1gを加え、その後、室温で2時間撹拌した。酢酸エチルを加えて通常の水系後処理aqueouswork-upを行った後、カラムクロマトグラフィーにより精製を行い、46.5gのデヒドロコール酸[2-1H-ベンズイミダゾール-1-イルエチル]quencher3を得た収率85。[合成例4]コール酸トリホルマート2-モルホリノエチルエステルquencher4の合成コール酸トリホルマート2249.3g、シュウ酸クロリド12.7g、トルエン500gの混合物を50°Cで3時間撹拌後、氷冷し、2-モルホリノエタノール2128.9gを滴下、その後、室温で3時間撹拌した。通常の水系後処理aqueouswork-upの後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、コール酸トリホルマート2-モルホリノエチルエステルquencher443.0gを得た収率71。得られた目的物の赤外吸収スペクトルIR及び核磁気共鳴スペクトル1H-NMRの測定結果を下記に示す。IRKBr:ν=2954,2869,2811,1718,1467,1452,1380,1299,1180,1116cm11H-NMR600MHzinCDCl3:δ=0.743H,s,0.833H,d,J=6.9Hz,0.933H,s,1.05-1.152H,m,1.20-1.505H,m,1.50-1.602H,m,1.60-1.809H,m,1.80-1.952H,m,2.011H,m,2.05-2.152H,m,2.201H,ddd,J=15.8,9.3,6.5Hz,2.484H,m,2.602H,t,J=5.9Hz,3.694H,br.t,J=4.7Hz,4.182H,t,J=5.9Hz,4.701H,m,5.061H,m,5.231H,m,8.011H,s,8.091H,s,8.151H,s.[合成例5]1-[2-コレスタニルオキシメトキシエチル]イミダゾールquencher5の合成2-1H-イミダゾール-1-イルエタノール2311.2g、t-ブトキシカリウム11.2g、テトラヒドロフラン100gの混合物に、氷冷下、クロロメチルコレスタニルエーテル2443.7gを加え、その後室温で10時間撹拌した。通常の水系後処理aqueouswork-upの後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、1-[2-コレスタニルオキシメトキシエチル]イミダゾールquencher538.5gを得た収率75。[合成例6]2-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾール-1-イル酢酸コレステリルエステルquencher6の合成2-フェニルベンズイミダゾール2519.4gとクロロ酢酸コレステリル2646.3g、ジメチルホルムアミド200gの混合物を100°Cで10時間加熱撹拌した。冷却、中和に続き、通常の水系後処理aqueouswork-upを行った後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、2-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾール-1-イル酢酸コレステリルエステルquencher651.1gを得た収率82。[合成例7]サルササポゲニン[3-チオモルホリノプロピオナート]quencher7の合成サルササポゲニンアクリラート2847.1gとテトラヒドロフラン200gの混合物にチオモルホリン2710.3gを滴下し、室温で3時間撹拌した。テトラヒドロフランを留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、サルササポゲニン[3-チオモルホリノプロピオナート]quencher756.2gを得た収率98。[実施例、比較例]本発明の含窒素有機化合物を配合したレジスト材料を調製し、次いで本発明のパターン形成方法を実施し、その解像性、マスク被覆率依存性、及びパターン上異物の評価を行った。なお、下記実施例及び比較例で使用したベースポリマー、酸発生剤、クエンチャーの構造式を以下に示す。下記例でMw、Mnはゲル浸透クロマトグラフィーGPCにより測定したポリスチレン換算の値である。[実施例1]合成例1で得られた含窒素有機化合物quencher1を用いて、以下に示す組成で混合した後、孔径0.2μmのテフロン登録商標フィルターを用いて濾過し、レジスト材料を調製した。AベースポリマーPolymer1100質量部B酸発生剤PAG12.0質量部C溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート280質量部及び乳酸エチル120質量部Dクエンチャーquencher10.13質量部このレジスト材料を、反射防止膜日産化学工業株製DUV30、55nmを塗布したシリコンウエハー上へ回転塗布し、115°Cで90秒間の熱処理を施して、厚さ550nmのレジスト膜を形成した。これをKrFエキシマレーザーステッパー株ニコン製、NSR-S203B、NA=0.68、σ=0.75、2/3輪帯照明を用いて露光し、露光後110°Cで90秒間熱処理を施した後、23°Cまで冷却し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、23°Cで60秒間パドル現像を行い、1:1のラインアンドスペースパターンを形成した。現像済ウエハーを上空SEMで観察し、0.18μmのラインアンドスペースパターンを1:1で解像する露光量最適露光量において、0.15μmのラインアンドスペースパターンを剥がれなく、分離解像していた。[実施例2~7及び比較例1~3]実施例1に準じて、合成例2~7で合成した含窒素有機化合物quencher2~7及び比較となる含窒素有機化合物quencher8~10について、それぞれこれらをクエンチャーとして配合したレジスト材料を調製し該実施例及び比較例のアミンについて、quencher1の0.13質量部と等モルを配合、パターン形成を行った。評価例実施例1~7及び比較評価例比較例1~31解像性評価現像済みウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡により観察し、明領域brightfield、低マスク被覆率の領域にて、180nmの1:1密集ラインアンドスペースパターンを解像する露光量最適露光量において、150nmの1:1密集ラインアンドスペースパターンを剥がれなく分離解像しているかどうかを解像性の指標とした。2マスク被覆率依存性の評価現像済みウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡により観察して、明領域brightfield、低マスク被覆率の領域にて、180nmの1:1密集ラインアンドスペースパターンを解像する露光量最適露光量において、暗領域darkfield、高マスク被覆率の領域での、180nmの1:1密集ラインアンドスペースパターンのパターン形状を断面SEM走査型電子顕微鏡により観察し、マスク被覆率依存性の指標矩形であれば良好、T-トップならば不良とした。3パターン上異物の評価現像済みウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡により観察し、目視でのパターン上異物の有無を評価した。実施例1~7及び比較例1~3のレジスト材料について、上記解像性、マスク被覆率依存性、及びパターン上異物の評価を行った。上記評価結果をもとに、1:1ラインアンドスペースパターンにおける150nm解像性、マスク被覆率依存性暗領域パターン形状、及びパターン上異物について下記の表1にまとめた。[実施例8]合成例1で得られた含窒素有機化合物を用いて、以下に示す組成で混合した後、孔径0.2μmのテフロン登録商標フィルターを用いて濾過し、レジスト材料を調製した。AベースポリマーPolymer280質量部B酸発生剤PAG22.0質量部C溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート640質量部Dクエンチャーquencher10.33質量部このレジスト材料を、反射防止膜日産化学工業株製ARC29A,78nmを塗布したシリコンウエハー上へ回転塗布し、120°Cで60秒間の熱処理を施して、厚さ300nmのレジスト膜を形成した。これをArFエキシマレーザーステッパー株ニコン製、NSR-S305B、NA=0.68、σ=0.85、2/3輪帯照明を用いて露光し、120°Cで60秒間の熱処理を施した後、23°Cまで冷却し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、23°Cで60秒間パドル現像を行い、1:1のラインアンドスペースパターンを形成した。現像済ウエハーを上空SEMで観察し、0.12μmのラインアンドスペースパターンを1:1で解像する露光量最適露光量において、0.10μmのラインアンドスペースパターンを剥がれなく、分離解像していた。[実施例9~14及び比較例4~6]実施例8に準じて、合成例2~7で合成した含窒素有機化合物quencher2~7及び比較となる含窒素有機化合物quencher8~10について、それぞれこれらをクエンチャーとして配合したレジスト材料を調製し該実施例及び比較例のアミンについて、quencher1の0.33質量部と等モルを配合、パターン形成を行った。評価例実施例8~14及び比較評価例比較例4~61解像性評価現像済みウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡により観察し、明領域brightfield、低マスク被覆率の領域にて、120nmの1:1密集ラインアンドスペースパターンを解像する露光量最適露光量において、100nmの1:1密集ラインアンドスペースパターンを剥がれなく分離解像しているかどうかを解像性の指標とした。2マスク被覆率依存性の評価現像済みウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡により観察して、明領域brightfield、低マスク被覆率の領域にて、120nmの1:1密集ラインアンドスペースパターンを解像する露光量最適露光量において、暗領域darkfield、高マスク被覆率の領域での、120nmの1:1密集ラインアンドスペースパターンのパターン形状を断面SEM走査型電子顕微鏡により観察し、マスク被覆率依存性の指標矩形であれば良好、T-トップならば不良とした。3パターン上異物の評価現像済みウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡により観察し、目視でのパターン上異物の有無を評価した。実施例8~14及び比較例4~6のレジスト材料について、上記解像性、マスク被覆率依存性、及びパターン上異物の評価を行った。上記評価結果をもとに、1:1ラインアンドスペースパターンにおける100nm解像性、マスク被覆率依存性暗領域パターン形状、及びパターン上異物について下記の表2にまとめた。表1,2の結果より、本発明のレジスト材料が、高解像性と良好なマスク被覆率依存性を両立可能であり、微細加工のためのフォトリソグラフィーに好適であることが確認された。"