"半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む、固体撮像素子の製造方法。前記遮光性を有する材料は、金属である、請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。前記遮光層を形成する工程は、前記レンズを形成する材料に対して前記遮光性を有する材料を密着させる密着層を形成する工程を有する、請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。前記レンズを形成する工程と、前記遮光層を形成する工程との間に、前記レンズ上に、前記遮光性を有する材料に対してエッチング選択性を有する材料によりエッチングストッパ膜を形成する工程をさらに備える、請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。前記エッチング選択性を有する材料として、前記レンズを形成する材料よりも屈折率が低く、前記エッチングストッパ膜を介して前記レンズ上に形成される層の材料よりも屈折率が高い材料を用いる、請求項4に記載の固体撮像素子の製造方法。遮光層を形成する工程および前記エッチングストッパ膜を形成する工程では、前記遮光層および前記エッチングストッパ膜の成膜を、前記レンズの温度が200°C以下となる温度条件で行う、請求項4に記載の固体撮像素子の製造方法。前記遮光層を形成する工程では、遮光性を有する材料をコンフォーマルに成膜し、前記遮光層を形成する工程と、前記遮光部を形成する工程との間に、前記遮光層上に、平坦化用レジスト膜を塗布する工程をさらに備え、前記遮光部を形成する工程では、前記遮光層とともに前記平坦化用レジスト膜をエッチングする、請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。前記遮光層を形成する工程と、前記遮光部を形成する工程との間に、前記遮光層上における前記レンズの境界部分に、ハードマスクを形成する工程をさらに備える、請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。前記遮光層を形成する工程では、遮光性を有する材料をコンフォーマルに成膜する、請求項8に記載の固体撮像素子の製造方法。前記レンズは、隣り合う前記レンズとの間にギャップを有しないギャップレスのレンズである、請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。半導体基板上の撮像領域に配列され、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積する受光部を有する複数の画素と、前記複数の画素の画素ごとに設けられるカラーフィルタと、前記複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズと、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に設けられ、金属により構成される遮光部と、を備える、固体撮像素子。前記レンズとして、前記カラーフィルタ上に設けられるオンチップレンズと、前記各画素を構成する積層構造の内部に設けられる層内レンズと、を有する、請求項11に記載の固体撮像素子。固体撮像素子と、前記固体撮像素子の受光部に入射光を導く光学系と、前記固体撮像素子を駆動するための駆動信号を生成する駆動回路と、前記固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理回路と、を有する電子機器の製造方法であって、前記固体撮像素子を製造する工程として、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む、電子機器の製造方法。固体撮像素子と、前記固体撮像素子の受光部に入射光を導く光学系と、前記固体撮像素子を駆動するための駆動信号を生成する駆動回路と、前記固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理回路と、を有し、前記固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域に配列され、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積する受光部を有する複数の画素と、前記複数の画素の画素ごとに設けられるカラーフィルタと、前記複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズと、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に設けられ、金属により構成される遮光部と、を備える、電子機器。確かに、特許文献1のように、固体撮像素子における各受光部領域を囲むマス型のメタル薄膜を備える構成によれば、各受光部領域がメタル薄膜によって筒状に囲まれ、集光効率が向上して感度の向上や混色の抑制を図ることができると考えられる。しかしながら、特許文献1に開示されているような従来の固体撮像素子においては、隣接画素間に設けられる遮光部がパターニングにより形成されているため、各画素の受光部に対応して設けられるレンズと、隣接画素間に位置する遮光部とのパターンずれが生じやすく、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度が低い。レンズと遮光部とのパターン合わせ精度が十分に得られないと、固体撮像素子における微細化や画素数の増大に対応することが困難となる。本技術の目的は、各画素の受光部に対応して設けられるレンズ同士の境界部分に遮光部を設けるに際し、遮光部をセルフアラインで形成することができ、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、電子機器の製造方法、および電子機器を提供することである。本技術に係る固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含むものである。また、本技術に係る固体撮像素子の製造方法においては、好ましくは、前記遮光性を有する材料は、金属である。また、本技術に係る固体撮像素子の製造方法においては、好ましくは、前記遮光層を形成する工程は、前記レンズを形成する材料に対して前記遮光性を有する材料を密着させる密着層を形成する工程を有する。また、本技術に係る固体撮像素子の製造方法は、好ましくは、前記レンズを形成する工程と、前記遮光層を形成する工程との間に、前記レンズ上に、前記遮光性を有する材料に対してエッチング選択性を有する材料によりエッチングストッパ膜を形成する工程をさらに備える。また、本技術に係る固体撮像素子の製造方法は、好ましくは、前記エッチング選択性を有する材料として、前記レンズを形成する材料よりも屈折率が低く、前記エッチングストッパ膜を介して前記レンズ上に形成される層の材料よりも屈折率が高い材料を用いる。また、本技術に係る固体撮像素子の製造方法は、好ましくは、遮光層を形成する工程および前記エッチングストッパ膜を形成する工程では、前記遮光層および前記エッチングストッパ膜の成膜を、前記レンズの温度が200°C以下となる温度条件で行う。また、本技術に係る固体撮像素子の製造方法は、好ましくは、前記遮光層を形成する工程では、遮光性を有する材料をコンフォーマルに成膜し、前記遮光層を形成する工程と、前記遮光部を形成する工程との間に、前記遮光層上に、平坦化用レジスト膜を塗布する工程をさらに備え、前記遮光部を形成する工程では、前記遮光層とともに前記平坦化用レジスト膜をエッチングする。また、本技術に係る固体撮像素子の製造方法は、好ましくは、前記遮光層を形成する工程と、前記遮光部を形成する工程との間に、前記遮光層上における前記レンズの境界部分に、ハードマスクを形成する工程をさらに備える。また、本技術に係る固体撮像素子の製造方法は、好ましくは、前記遮光層を形成する工程では、遮光性を有する材料をコンフォーマルに成膜する。本技術に係る固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域に配列され、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積する受光部を有する複数の画素と、前記複数の画素の画素ごとに設けられるカラーフィルタと、前記複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズと、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に設けられ、金属により構成される遮光部と、を備えるものである。また、本技術に係る固体撮像素子は、好ましくは、前記レンズとして、前記カラーフィルタ上に設けられるオンチップレンズと、前記各画素を構成する積層構造の内部に設けられる層内レンズと、を有する。また、本技術に係る固体撮像素子においては、前記レンズは、隣り合う前記レンズとの間にギャップを有しないギャップレスのレンズを含む。本技術に係る電子機器の製造方法は、固体撮像素子と、前記固体撮像素子の受光部に入射光を導く光学系と、前記固体撮像素子を駆動するための駆動信号を生成する駆動回路と、前記固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理回路と、を有する電子機器の製造方法であって、前記固体撮像素子を製造する工程として、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含むものである。本技術に係る電子機器は、固体撮像素子と、前記固体撮像素子の受光部に入射光を導く光学系と、前記固体撮像素子を駆動するための駆動信号を生成する駆動回路と、前記固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理回路と、を有し、前記固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域に配列され、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積する受光部を有する複数の画素と、前記複数の画素の画素ごとに設けられるカラーフィルタと、前記複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズと、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に設けられ、金属により構成される遮光部と、を備えるものである。本技術によれば、各画素の受光部に対応して設けられるレンズ同士の境界部分に遮光部を設けるに際し、遮光部をセルフアラインで形成することができ、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる。[本技術の概要]近年の固体撮像素子の小型化や高画素化の要求によって、固体撮像素子の画角端への光の入射角度はますます大きくなっている。入射角度の大きい光は、斜め入射光として画素間における混色を生じさせる原因となる。そこで、斜め入射光によって悪化する混色を改善するためには、各画素の受光部に対応して設けられるレンズの画素間における境界部分、例えばレンズ間のギャップ部のボトムに遮光部を設けることが有効である。しかしながら、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度が低いと、固体撮像素子の微細化や高画素化への対応が困難となり、感度の低下が生じることもある。本技術は、各画素の受光部に対応して設けられるレンズ同士の間の境界部分に遮光部を設けることで、混色を低減するとともに、レンズ間の遮光部をセルフアラインで形成することを可能とするものである。これにより、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度を向上させ、固体撮像素子の微細化や高画素化への対応を容易とするものである。また、本技術は、隣り合うレンズ間に設ける遮光部を構成する材料として金属を用いることで、遮光部について高い遮光能力を得ながら、高温プロセスに耐えられ、応用範囲の広い固体撮像素子を実現しようとするものである。以下、本技術の実施の形態を説明する。以下に説明する実施の形態では、固体撮像素子として、CCD型の固体撮像素子メージセンサを例に説明する。ただし、本技術は、CCD型の他、CMOS型等、他の固体撮像素子にも広く適用することができる。[固体撮像素子の構成]本技術の第1実施形態に係る固体撮像素子の構成について、図1および図2を用いて説明する。なお、図2は、図1におけるA-A’位置の部分断面図に相当する。図1および図2に示すように、固体撮像素子1は、半導体基板11上に構成される矩形状の撮像領域2を有する。固体撮像素子1は、撮像領域2に、複数の受光部3を備える。複数の受光部3は、半導体基板上の撮像領域2にて行列状に配列される。つまり、複数の受光部3は、矩形状の撮像領域2に沿って、縦方向横方向に2次元行列状に配置される。本実施形態の固体撮像素子1では、図1において、縦方向を垂直方向とし、横方向を水平方向とする。受光部3は、光電変換素子であるフォトダイオード17により構成され、撮像領域2における画素7を構成する。つまり、固体撮像素子1が備える複数の画素7は、半導体基板11上の撮像領域2に配列され、それぞれ受光部3を有する。受光部3は、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積する。つまり、受光部3は、受光面を有し、その受光面に入射した光量強度に応じた信号電荷を光電変換により生成し、生成した信号電荷を蓄積する。固体撮像素子1は、受光部3で生成された信号電荷を転送する電荷転送部転送レジスタとして、信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送レジスタ4と、垂直転送レジスタ4により転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ5とを備える。垂直転送レジスタ4は、複数の受光部3の行列状の2次元配列における各列方向垂直方向の並びに沿って設けられる。つまり、図1に示すように、複数の垂直転送レジスタ4は、行列状に配置される複数の受光部3の垂直方向に並ぶ列毎に、各列の一側図1では左側に隣接するように、受光部3の垂直方向の並びに沿って互いに平行に配された状態で設けられる。受光部3により生成された信号電荷は、垂直転送レジスタ4に読み出され、垂直転送レジスタ4によって垂直方向に転送される。水平転送レジスタ5は、矩形状の撮像領域2に対して垂直方向の一側図1では下側の水平方向の辺に沿って配置される。したがって、垂直転送レジスタ4は、受光部3から読み出された信号電荷を、水平転送レジスタ5側図1では下側に向けて垂直方向に転送する。垂直転送レジスタ4および水平転送レジスタ5により転送された信号電荷は、水平転送レジスタ5の終端側に設けられる出力部6から出力される。出力部6は、転送された信号電荷を、FDFloatingDiffusionアンプ等の出力アンプによって電気信号に変換して出力する。垂直転送レジスタ4および水平転送レジスタ5は、それぞれ、複数種類の電極と、この電極の下側半導体基板11側に設けられる埋め込み転送領域とを有する。図2には、垂直転送レジスタ4を構成する電極である転送電極12が示されている。垂直転送レジスタ4および水平転送レジスタ5は、それぞれ複数相の駆動パルスにより駆動される。垂直転送レジスタ4は、例えば、4相駆動パルスにより駆動される。この場合、垂直転送レジスタ4は、転送電極12として、4相駆動に対応する4種類の転送電極を有する。この4種類の転送電極には、受光部3から信号電荷を読み出すための読み出し電極が含まれる。垂直転送レジスタ4において、4種類の転送電極は、垂直方向に隣り合う2つの画素7ごと2画素ごとに垂直方向に所定の順序で繰り返し設けられる。そして、垂直転送レジスタ4を構成する4種類の転送電極には、駆動電圧としての4相のクロックパルスVφ1,Vφ2,Vφ3,Vφ4が、各電極に独立して与えられる。この4相のクロックパルスVφ1,Vφ2,Vφ3,Vφ4の大きさとタイミングが適切に制御されることにより、各受光部3から垂直転送レジスタ4に読み出された信号電荷が、垂直転送レジスタ4の電極の並びに従って転送される。また、水平転送レジスタ5は、例えば、3相駆動パルスにより駆動される。この場合、水平転送レジスタ5は、電極として、3相駆動に対応する3種類の転送電極を有する。水平転送レジスタ5を構成する3種類の転送電極には、駆動電圧としての3相のクロックパルスHφ1,Hφ2,Hφ3が、各電極に独立して与えられる。この3相のクロックパルスHφ1,Hφ2,Hφ3の大きさとタイミングが適切に制御されることにより、垂直転送レジスタ4から水平転送レジスタ5に転送された信号電荷が、水平方向に転送される。固体撮像素子1の断面構造について説明する。図2に示すように、垂直転送レジスタ4の転送電極12上には、例えばシリコン酸化膜SiO2膜である絶縁膜13を介して接続配線14が設けられる。接続配線14は、例えばタングステン等により構成されるコンタクト部15を介して、転送電極12に電気的に接続される。接続配線14は、各種の転送電極12の配置に対応して、水平方向および垂直方向の各方向に沿うように所定の経路で配され、各転送電極12に所定の駆動電圧を印加するために機能する。図2に示すように、半導体基板11上には、半導体層16が設けられ、この半導体層16に、受光部3を構成するフォトダイオード17が設けられる。半導体層16は、例えば、半導体基板11が第1導電型であるn型のシリコン半導体基板である場合、第2導電型であるp型の半導体ウェル領域として形成される。また、半導体層16上においては、垂直転送レジスタ4の転送電極12の下に、ゲート酸化膜18が設けられる。つまり、半導体層16上においては、ゲート酸化膜18を介して転送電極12が設けられ、転送電極12上に、絶縁膜13を介して接続配線14が設けられる。絶縁膜13は、転送電極12および転送電極12上に設けられる接続配線14が配置される領域、および受光部3が配置される領域を含む部分を覆うように設けられる。また、絶縁膜13上においては、受光部3が設けられる領域を除く領域に、垂直転送レジスタ4の転送電極12および接続配線14を被覆するように、遮光膜19が設けられる。一方、受光部3上には、絶縁膜13の一部が存在するとともに、例えばシリコン窒化膜SiN膜である絶縁膜20が設けられる。この受光部3上の絶縁膜13、20による積層絶縁膜は、半導体基板11の界面の反射防止層として機能し、感度の低下を防止する。撮像領域2において、受光部3が設けられる半導体層16の上側には、入射光を受光部3に集光するための導波路21が設けられる。導波路21は、クラッド層22と、コア層23とにより構成される。クラッド層22は、受光部3の配列に沿って設けられる垂直転送レジスタ4の転送電極12、接続配線14、および遮光膜19からなる積層構造の形状に倣って、この積層構造を覆うように形成される。したがって、クラッド層22においては、隣り合う垂直転送レジスタ4の間に凹部が形成される。コア層23は、クラッド層22において形成される凹部を埋めるように設けられる。コア層23は、クラッド層22を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料により構成される。例えば、クラッド層22がシリコン酸化膜で形成される場合、コア層23は、シリコン酸化膜よりも屈折率が高い材料であるシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜等により形成される。導波路21上には、層内レンズ30が設けられる。本実施形態では、層内レンズ30は、画素7を構成する受光部3フォトダイオード17に対応して、画素7ごとに設けられる。したがって、複数の層内レンズ30は、画素7と同様に平面的に行列状に配置される。本実施形態では、層内レンズ30は、例えば、SiN窒化シリコン等の無機材料により構成される。このように、固体撮像素子1は、複数の画素7の各画素7の受光部3に対応して設けられ、受光部3に対して光を集光する層内レンズ30を備える。図2に示すように、層内レンズ30は、光が入射する側図2における上側に凸な形状を有する。具体的には、本実施形態では、層内レンズ30は、略楕円形状ないし略円形状となる断面形状を有する。このため、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分は、凹部を形成する。本実施形態では、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分には、ギャップ部31が存在し、層内レンズ30のボトム同士を繋ぐ平坦部32が設けられている。平坦部32は、互いに隣り合う層内レンズ30間において、導波路21のコア層23の上面に沿う膜状の部分であり、層内レンズ30とともに形成される部分である。層内レンズ30上には、パシベーション膜24が設けられる。パシベーション膜24は、平坦部32を含み層内レンズ30の表面の全面を覆うように形成される。パシベーション膜24は、例えば、シリコン酸化膜SiO2等により形成される。パシベーション膜24上には、平坦化膜25を介してカラーフィルタ層26が設けられる。平坦化膜25は、例えばアクリル樹脂などの有機塗布膜により形成される。なお、パシベーション膜24が省略され、層内レンズ30上に、平坦化膜25が設けられてもよい。この場合、平坦化膜25は、平坦部32を含み層内レンズ30の表面の全面を覆うように形成される。カラーフィルタ層26は、各画素7に対応して設けられるカラーフィルタ27に区分される。つまり、カラーフィルタ層26は、各画素7を構成する受光部3フォトダイオード17ごとに複数のカラーフィルタ27に区分される。本実施形態の固体撮像素子1では、各カラーフィルタ27は、赤色R、緑色G、および青色Bのいずれかの色のフィルタ部分であり、各色の成分の光を透過させる。各色のカラーフィルタ27は、いわゆるオンチップカラーフィルタであり、複数の画素7の配列に従って形成される。このように、固体撮像素子1は、複数の画素7の画素7ごとに設けられるカラーフィルタ27を備える。カラーフィルタ層26上には、複数のマイクロレンズ35が設けられる。マイクロレンズ35は、いわゆるオンチップマイクロレンズであり、画素7を構成する受光部3フォトダイオード17に対応して、画素7ごとに形成される。したがって、複数のマイクロレンズ35は、画素7と同様に平面的に行列状に配置される。本実施形態では、マイクロレンズ35は、例えば、SiN窒化シリコン等の無機材料により構成される。このように、固体撮像素子1は、複数の画素7の各画素7の受光部3に対応して設けられ、受光部3に対して光を集光するマイクロレンズ35を備える。図2に示すように、マイクロレンズ35は、光が入射する側図2における上側に凸な形状を有する。このため、互いに隣り合うマイクロレンズ35の境界部分は、凹部を形成する。マイクロレンズ35は、外部からの入射光を、対応する画素7の受光部3フォトダイオード17に集光する。マイクロレンズ35により集束された光は、上述したように導波路21上に設けられる層内レンズ30によってさらに集光され、受光部3に導かれる。このように、本実施形態の固体撮像素子1は、複数の画素7の各画素7の受光部3に対応して設けられ、受光部3に対して光を集光するレンズとして、カラーフィルタ27上に設けられるオンチップレンズであるマイクロレンズ35と、各画素7を構成する積層構造の内部に設けられる層内レンズ30とを有する。これにより、受光部3に対する高い集光効率が得られ、良好な感度が得られる。以上のような構成を備える本実施形態の固体撮像素子1においては、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に、遮光部40が設けられている。遮光部40は、互いに隣り合う層内レンズ30のレンズ間において、平坦部32上に積層される層状ないし膜状の部分として設けられる。つまり、遮光部40は、層内レンズ30のレンズ間におけるギャップ部31のボトムに設けられている。遮光部40は、金属を材料として構成される。遮光部40を構成する金属としては、例えば、Wタングステン、Alアルミニウム、Ag銀、Au金、Ruルテニウム、Tiチタン等のうちいずれか1種、あるいはこれらの金属のうち2種以上の金属を含む合金が用いられる。このように、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に遮光部40が設けられることにより、互いに異なる色の画素7が隣接する画素7間の境界部分における混色を低減することができる。ここで、画素7について色とは、その画素7に対応するカラーフィルタ27の色である。遮光部40による混色の低減効果について、図3を用いて説明する。図3では、画素7の色が互いに異なる異色画素の組み合わせの一例として、緑色のカラーフィルタ27Gを有する緑Gの画素7以下G画素7Gとする。と、赤色のカラーフィルタ2727Rを有する赤Rの画素7以下R画素7Rとする。とが互いに隣り合う組み合わせを示している。また、図3に示す断面図では、便宜上、一部の構成要素についてのハッチングを省略している。図3に示すように、G画素7Gのマイクロレンズ35に入射した光のうちの大部分は、緑色のカラーフィルタ27Gを透過して、G画素7Gのフォトダイオード17に入射する。その一方で、G画素7Gのマイクロレンズ35に入射した光には、マイクロレンズ35が集光しきれずに、緑色のカラーフィルタ27Gを透過した後、G画素7Gに隣接するR画素7R側に向かい、このR画素7Rのフォトダイオード17に入射するような斜め光が含まれる実線矢印L、破線矢印L2参照。また、R画素7Rのマイクロレンズ35に入射した光のうちの大部分は、赤色のカラーフィルタ27Rを透過して、R画素7Rのフォトダイオード17に入射する。したがって、上記のとおり緑色のカラーフィルタ27Gを透過した光が斜め光としてR画素7Rのフォトダイオード17に入射した場合、緑Gと赤Rの混色が生じる。つまり、フォトダイオード17に入射する光が透過したカラーフィルタ27の色と、その光を受光するフォトダイオード17に対応して設けられるカラーフィルタ27の色とが異なることで、光学的な混色が生じる。そこで、本実施形態の固体撮像素子1のように、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に遮光部40が設けられることにより、光学的な混色が抑制される。具体的には、図3に示すように、例えば、G画素7Gのマイクロレンズ35に入射した光のうち、マイクロレンズ35により集光されずに、G画素7Gに隣接するR画素7R側に向かう斜め光実線矢印L1は、層内レンズ30間の境界部分に存在する遮光部40によって遮光される。つまり、遮光部40が存在しない場合にG画素7G側から隣のR画素7Rのフォトダイオード17に入射する光破線矢印L2が、遮光部40に入射して反射される実線矢印L2、L3。これにより、異色画素間において混色の原因となる斜め光のフォトダイオード17への入射が阻止され、混色が抑制される。また、本実施形態の固体撮像素子1において層内レンズ30のレンズ間に設けられる遮光部40は、金属により構成されていることから、高い遮光能力を得ることができる。すなわち、遮光性を有する層を形成する材料としては、例えば、熱硬化樹脂にカーボンを含有させた樹脂材料が考えられるが、こうした樹脂材料は遮光能力が低く、混色を十分に抑制できない場合がある。この点、本実施形態の固体撮像素子1が備える遮光部40は、金属により構成されているため、高い遮光能力を得ることができ、効果的に混色を低減させることができる。また、本実施形態の固体撮像素子1が備える遮光部40が金属により構成されていることから、固体撮像素子1の製造過程において高温プロセスに対して高い耐熱性を容易に得ることができる。すなわち、遮光部40を構成する材料として上記のような樹脂材料が用いられた場合、例えばマイクロレンズ35を形成する際のリフロー処理を行う工程等の高温プロセスに耐えられない場合がある。この点、本実施形態の固体撮像素子1が備える遮光部40は、金属により構成されているため、高い耐熱性を得ることができ、応用範囲を広げることができる。図3に示すように、本実施形態の固体撮像素子1は、層内レンズ30のレンズ間に設けられる遮光部40に加え、オンチップレンズであるマイクロレンズ35においても、レンズ間に遮光部45を備える。つまり、本実施形態の固体撮像素子1においては、互いに隣り合うマイクロレンズ35の境界部分に、遮光部45が設けられている。遮光部45は、層内レンズ30のレンズ間の遮光部40と同様にして、マイクロレンズ35のレンズ間に設けられる。マイクロレンズ35は、隣り合うマイクロレンズ35との関係において、ギャップ部を有しない、いわゆるギャップレスのレンズである。このようなギャップレスの構成においても、互いに隣り合うマイクロレンズ35の境界部分に存在する凹部に、遮光部45が設けられる。遮光部45は、層内レンズ30のレンズ間の遮光部40と同様に、金属を材料として構成される。すなわち、遮光部45を構成する金属としては、例えば、Wタングステン、Alアルミニウム、Ag銀、Au金、Ruルテニウム、Tiチタン等のいずれか、あるいはこれらの金属のうち2種以上の金属を含む合金が用いられる。このように、層内レンズ30のレンズ間の遮光部40に加え、マイクロレンズ35のレンズ間においても遮光部45を設けることにより、異色画素間において混色の原因となる斜め光のフォトダイオード17への入射を効果的に阻止することができ、混色の低減効果を高めることができる。また、遮光部45は、層内レンズ30のレンズ間の遮光部40と同様に金属により構成されていることから、高い遮光能力、および高温プロセスに対する高い耐熱性を容易に得ることができる。次に、本実施形態の固体撮像素子1による光学的なシミュレーション結果の一例について説明する。本例では、シミュレーション条件として、本実施形態の固体撮像素子1のように層内レンズ30のレンズ間に遮光部40を備える場合本実施例とする。と、層内レンズ30のレンズ間に遮光部40を備えない場合比較例とする。の各場合について、図3に示すように、緑色のカラーフィルタ27Gを透過した緑色の入射光の入射角度が0°鉛直方向、矢印X0参照の場合と10°矢印X1参照の場合とを用いた。また、遮光部40を構成する材料として、Wタングステンを採用した。このような条件の下、混色率R画素感度/G画素感度[]と、感度の各値についてのシミュレーションを行った。図4に、本シミュレーションの結果を示す。図4において、破線で示すグラフG1、G2は、混色率についてのシミュレーション結果であり、グラフG1は本実施例、グラフG2は比較例を示す。また、図4において、実線で示すグラフG3、G4は、感度についてのシミュレーション結果であり、グラフG3は本実施例、グラフG4は比較例を示す。混色率について、図4のグラフG1、G2からわかるように、入射光の入射角度が0°の場合、混色率の値は、本実施例と比較例とで略同じである。一方、入射光の入射角度が10°の場合、比較例グラフG2では、混色率が大きく上昇しているのに対し、本実施例グラフG1では、混色率の上昇はわずかである。つまり、層内レンズ30のレンズ間に遮光部40を配置することで、混色率が低減する。具体的には、本実施例の比較例に対する混色率の低下量は2程度という結果が得られた。感度について、図4のグラフG3、G4からわかるように、本実施例グラフG3の感度は、比較例グラフG4の感度よりもわずかながら低い。また、本実施例グラフG3および比較例グラフG4のいずれについても、入射光の入射角度が0°の場合に対して、入射角度が10°の場合は感度が低下している。この感度の低下度合いは、本実施例グラフG3と比較例グラフG4とで略同じである。つまり、層内レンズ30のレンズ間に遮光部40を配置することで、感度が低下するものの、その低下量はわずかである。具体的には、本実施例の比較例に対する感度の低下量は1程度という結果が得られた。このように、本シミュレーションにより、本実施形態の固体撮像素子1のように層内レンズ30のレンズ間に遮光部40を備えることにより、大きな感度の低下を招くことなく、つまり感度をほぼ維持した状態で、混色を低減できるという結果が得られた。変形例本実施形態の固体撮像素子1の変形例について、図5を用いて説明する。図5に示すように、本例の固体撮像素子1Aは、層内レンズ30を備えていない点で、図2に示す固体撮像素子1と異なる。すなわち、本例の固体撮像素子1Aにおいては、導波路21上に、パシベーション膜24が設けられ、パシベーション膜24上に、平坦化膜25を介してカラーフィルタ層26および複数のマイクロレンズ35が設けられている。そして、本例の固体撮像素子1Aにおいては、互いに隣り合うマイクロレンズ35の境界部分に、遮光部45が設けられている。つまり、本例の固体撮像素子1Aは、層内レンズを有しないことから、互いに隣り合う画素7間におけるレンズ間の遮光部として、互いに隣り合うマイクロレンズ35の境界部分に設けられる遮光部45のみを備える。このように、互いに隣り合うマイクロレンズ35の境界部分にのみ遮光部45を備える構成によっても、上述したような混色の低減効果を得ることができる。なお、図2に示すように、層内レンズ30を備える構成において、層内レンズ30のレンズ間、およびマイクロレンズ35のレンズ間のいずれか一方のみに遮光部40、45を備える構成が採用されてもよい。[固体撮像素子の製造方法]本実施形態の固体撮像素子1の製造方法として、層内レンズ30のレンズ間に設けられる遮光部40以下層内レンズ30の遮光部40という。、およびマイクロレンズ35のレンズ間に設けられる遮光部45以下マイクロレンズ35の遮光部45という。を形成する方法について説明する。なお、層内レンズ30の遮光部40、およびマイクロレンズ35の遮光部45は、共通の手法により形成することができるため、以下では、層内レンズ30の遮光部40を形成する場合を主に説明する。レンズ形成層内レンズ30の遮光部40の形成に際しては、まず、層内レンズ30を形成する工程が行われる。図6aに示すように、本実施形態の固体撮像素子1の場合、導波路21上、詳しくは導波路21を構成するコア層23の表面上に、各画素7の受光部3に対応する複数の層内レンズ30が形成される。複数の層内レンズ30は、例えばリフロー法等、固体撮像素子の技術分野において公知の方法により形成される。層内レンズ30が形成された状態においては、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に、ギャップ部31が存在する。また、層内レンズ30のボトム同士を繋ぐ平坦部32が、層内レンズ30とともに形成される。層内レンズ30は、層内レンズ30上に形成される層ないし膜を構成する材料よりも、屈折率が高い材料により形成される。すなわち、層内レンズ30を構成する材料の屈折率をn1、層内レンズ30上に形成される層ないし膜を構成する材料の屈折率をn2とすると、層内レンズ30を構成する材料としては、n1>n2の関係を満たすものが用いられる。この屈折率の関係は、層内レンズ30について、層内レンズ30の下方に位置するフォトダイオード17に対して、光を屈折させて集光する光学的要素としての機能を得るための条件である。本実施形態の固体撮像素子1のように、層内レンズ30上にパシベーション膜24が形成される構成においては、例えば、パシベーション膜24を構成する材料がSiO2膜シリコン酸化膜である場合、層内レンズ30は、SiN窒化シリコンにより構成される。光の波長が550nmの場合において、SiO2の屈折率n2は1.4~1.5であり、SiNの屈折率n1は作成法等により1.8~2.1程度の範囲内の値となる。また、上述したようにパシベーション膜24が省略されて層内レンズ30上に平坦化膜25が形成される場合においては、層内レンズ30がSiNにより構成されるのに対し、平坦化膜25は、例えばアクリル樹脂などの有機塗布膜により形成される。光の波長が550nmの場合において、有機塗布膜の屈折率n2は、1.4~1.5である。なお、層内レンズ30の材料としては、上記の例に限定されず、層内レンズ30上に形成される層ないし膜の材料との屈折率の関係等に基づいて適宜の材料が採用される。また、層内レンズ30の材料として樹脂等の有機材料を用いることで、作成法等により屈折率を1.6前後で調整することができる。ただし、高温プロセスに耐えうる耐熱性を得る観点からは、層内レンズ30の材料は、SiN窒化シリコン等の無機材料が好ましい。また、層内レンズ30上に形成される膜として、LTOLowTemperatureOxidation膜が採用される場合、屈折率n2を1.3程度に抑えることができるので、屈折率の点から、層内レンズ30の材料の選択の範囲を広げることができる。また、層内レンズ30上に形成される層としては、真空層であってもよい。この場合、真空層の屈折率n2は1となる。また、オンチップレンズであるマイクロレンズ35の場合、レンズを形成する工程では、カラーフィルタ層26上において、各カラーフィルタ27に対応してマイクロレンズ35が形成される。この場合、マイクロレンズ35上は空気大気が存在することになるので、マイクロレンズ35の材料としては、空気よりも屈折率が高い材料が用いられる。遮光層成膜次に、層内レンズ30上に、遮光層を形成する工程が行われる。すなわち、図6bに示すように、導波路21上に形成された層内レンズ30上に、遮光性を有する材料以下遮光材料という。により成膜することで、遮光層41が形成される。遮光層41を形成する工程では、互いに隣り合う層内レンズ30間のギャップ部31を埋めるように、遮光部40を構成する遮光材料が成膜され、遮光層41が形成される。遮光材料として、例えば、Wタングステン、Alアルミニウム、Ag銀、Au金、Ruルテニウム、Tiチタン等のうちいずれか1種、あるいはこれらの金属のうち2種以上の金属を含む合金が用いられ、遮光層41が成膜される。ただし、遮光層41を形成する遮光材料は、金属に限定されず、例えば、熱硬化樹脂にカーボンを含有させた樹脂材料等であってもよい。遮光層41は、複数の層内レンズ30およびこれらの境界部分に存在する平坦部32を全体的に覆うように形成される。このため、遮光層41の上面は、例えば、層内レンズ30の形状に倣った凸形状を有する。遮光層41を成膜する手法としては、スパッタリング法やCVDChemicalVaporDeposition法等が用いられる。スパッタリング法は、遮光層41の層内レンズ30および平坦部32に対する高い密着性が得られることから好ましい。また、CVD法は、遮光層41を形成する金属材料のギャップ部31に対する高い埋め込み性が得られることから好ましい。そこで、遮光層41を形成する工程では、次のような手法を採用することができる。まず、スパッタリング法により、遮光層41を形成する遮光材料を、平坦部32を含む層内レンズ30群に対して成膜することで、高い密着性を得る。次に、CVD法により、遮光層41を形成する遮光材料の成膜を続行することで、ギャップ部31に対する高い埋め込み性を得ながら、遮光層41を形成する。この場合、遮光層41を形成する工程は、スパッタリングにより層内レンズ30上に遮光材料を成膜する第1の成膜工程と、第1の工程の後、CVDにより層内レンズ30上に成膜された遮光材料に対して遮光材料をさらに成膜する第2の成膜工程とを有する。このように、スパッタリング法およびCVD法の両者を組み合わせた2段階の成膜方法を採用することで、両者の利点を得ることができ、遮光層41についての良好な成膜性が得られる。また、遮光層41の材料の層内レンズ30の材料に対する密着性に関しては、遮光層41の成膜の手法のほか、層内レンズ30の材料と遮光層41の材料との組み合わせに影響を受ける。このため、遮光層41の材料の選択に際しては、層内レンズ30の材料との組み合わせによる密着性が考慮される。エッチングそして、エッチングにより、層内レンズ30上に形成した遮光層41を部分的に除去することで、遮光層41を構成する遮光材料により層内レンズ30の遮光部40を形成する工程が行われる。すなわち、図6cに示すように、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に遮光材料を残すように遮光層41をエッチングすることで、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に、遮光材料からなる遮光部40が形成される。このエッチングの工程では、層内レンズ30のレンズ間における平坦部32上に、遮光層41が所定の膜厚で残り、遮光層41の材料により遮光部40が形成されるように、遮光層41が部分的に除去される。この際、層内レンズ30上に遮光層41が残ることなく、かつ、層内レンズ30が除去されることがないように、エッチングが行われる。このような選択的なエッチングを行うため、エッチング条件として、層内レンズ30の材料と遮光層41の材料との選択比が取れるエッチング条件が適用される。例えば、層内レンズ30の材料がSiN窒化シリコンであり、遮光層41の材料がタングステンである場合は、SiNとタングステンとの選択比がとれるエッチング条件が適用される。層内レンズ30の材料と遮光層41の材料との選択比が取れるエッチング条件としては、例えば次のような条件が用いられる。エッチングガスとして、SF6六フッ化硫黄とCl2塩素とO2酸素とN2窒素との混合ガスが用いられ、各ガスは、SF6は100[ml/min]、Cl2は50[ml/min]、O2は10[ml/min]、N2は50[ml/min]の流量で使用される。また、処理雰囲気の圧力は、0.5[Pa]とされる。また、ソースパワーは1000[W]程度、ウエーハ側半導体基板11側に印加するバイアスパワーは25[W]程度とされる。また、エッチング処理対象が載置されるステージの温度が60[°C]程度とされる。また、最終的な遮光部40の膜厚は、エッチングにおける時間制御、または終点検出により調整される。なお、層内レンズ30の材料と遮光層41の材料との選択比が取れるエッチング条件を満たすことができるものであれば、エッチングガスを用いたドライエッチング、およびウエットエッチングを含み、適宜のエッチング方法が用いられる。また、層内レンズ30のレンズ機能を確保する観点からは、平坦部32上に残す遮光層41の膜厚、つまり遮光部40の膜厚は薄いほど好ましいが、遮光部40の膜厚が薄いことは、遮光部40による遮光機能を確保することとのトレードオフとなる。このため、このエッチングの工程において遮光層41を除去する量、つまり平坦部32上に残す遮光層41の膜厚遮光部40の膜厚は、層内レンズ30および遮光層41それぞれの材料および層内レンズ30の形状ごとに最適設計を行うことが望ましい。以上のようにして、本実施形態の固体撮像素子1が備える層内レンズ30の遮光部40が形成される。以上のような各工程を含む本実施形態の固体撮像素子1の製造方法によれば、各画素7の受光部3に対応して設けられる層内レンズ30のレンズ同士の境界部分に遮光部40を設けるに際し、遮光部40をセルフアラインで形成することができ、層内レンズ30と遮光部40とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる。具体的には、本実施形態の固体撮像素子1の製造方法によれば、遮光層41を形成する工程において層内レンズ30のレンズ間のギャップ部31に遮光材料が埋め込まれることで形成された遮光層41の、ギャップ部31に対する埋め込み部分が、平坦部32上に設けられる遮光部40として形成される。したがって、層内レンズ30を形成する工程で層内レンズ30とともに形成されるギャップ部31および平坦部32の形状が、後の工程において遮光部40を形成する部分の形状として利用される。このため、層内レンズ30に対する位置合わせを行うことなく、層内レンズ30のレンズ間に遮光部40を形成することができる。このように、本実施形態の固体撮像素子1の製造方法によれば、遮光部40をセルフアラインにより形成することができる。仮に、層内レンズ30を形成した後に、遮光膜を成膜し、フォトリソグラフィ等のパターニングによって遮光部を形成する場合は、層内レンズ30に対するパターンの位置合わせが必要となり、層内レンズ30と遮光部との間で高いパターン合わせ精度を得ることが困難である。このため、パターニングによって遮光部が形成される場合、固体撮像素子の微細化や画素数の増大に対応することが難しい。この点、本実施形態の固体撮像素子1の製造方法によれば、上記のとおりセルフアラインで遮光部40を形成することができるので、層内レンズ30と遮光部40との間で高いパターン合わせ精度を得ることができ、微細化や画素数の増大への対応が容易となる。また、フォトリソグラフィ等のパターニングによって遮光部を形成する手法は、マスクを形成する工程等を必要とするため、工程数の大幅な増加を招く。この点、本実施形態の固体撮像素子1の製造方法は、層内レンズ30を形成する工程に対して、遮光層41を形成する工程と、遮光層41を部分的に除去するエッチングの工程との2工程を追加するだけなので、工程数の大幅な増加を招くことなく、コスト面で有利である。また、本実施形態の固体撮像素子1の製造方法において、遮光部40の材料として例えばタングステン等の金属を用いることで、高い遮光能力を得ることができ、効果的に混色を低減させることができる。また、遮光部40の材料として金属を用いることで、高温プロセスに対して高い耐熱性を得ることができ、応用範囲を広げることができる。なお、マイクロレンズ35の遮光部45についても、上述した各工程と同様の手法により形成することができ、上述したような効果を得ることができる。すなわち、マイクロレンズ35の遮光部45の場合、本実施形態の固体撮像素子1の製造方法によれば、各画素7の受光部3に対応して設けられるマイクロレンズ35のレンズ同士の境界部分に遮光部45を設けるに際し、遮光部45をセルフアラインで形成することができ、マイクロレンズ35と遮光部45とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる。ただし、層内レンズ30のギャップ部31に当たる入射光はほぼ混色成分に限定されることから、入射光のケラレによる感度の低下を防止する観点からは、マイクロレンズ35において遮光部45を設けることよりも、層内レンズ30において遮光部40を設けることの方が、より効果的である。すなわち、マイクロレンズ35のレンズ間に設けられる遮光部45は、入射光の一部が遮られること、いわゆる入射光のケラレを生じさせる場合があり、入射光のケラレは、感度低下の原因となる。この点、層内レンズ30の場合は、上記のとおりギャップ部31への入射光はほぼ混色成分に限定されることから、感度を維持する観点からは、層内レンズ30の遮光部40の方が、マイクロレンズ35の遮光部45よりも優先的に採用される。変形例1本実施形態の固体撮像素子1の製造方法の変形例について、図7を用いて説明する。図7に示すように、本変形例では、レンズを形成する工程にて形成される層内レンズ30Aが、矩形状の断面形状を有するデジタルレンズとして形成される。本変形例の場合、互いに隣り合う層内レンズ30Aの境界部分に形成される凹部として、断面視で矩形状となる溝状のギャップ部31Aが形成される。このように、層内レンズ30Aがデジタルレンズである場合においても、上述した各工程と同様の手法により、ギャップ部31A内におけるボトムである平坦部32上に、遮光部40Aを形成することができる。すなわち、図7aに示すように、導波路21上に、各画素7の受光部3に対応する複数の層内レンズ30Aが形成される。次に、図7bに示すように、導波路21上に形成された層内レンズ30A上に、遮光材料により成膜することで、遮光層41Aが形成される。この遮光層41Aを形成する工程では、互いに隣り合う層内レンズ30A間のギャップ部31Aを埋めるように、遮光部40Aを構成する遮光材料が成膜され、遮光層41Aが形成される。そして、図7cに示すように、互いに隣り合う層内レンズ30Aの境界部分に遮光材料を残すように遮光層41Aをエッチングすることで、互いに隣り合う層内レンズ30Aの境界部分に、遮光材料からなる遮光部40Aが形成される。以上のように、デジタルレンズとして形成される層内レンズ30Aを備える構成においても、上述したように断面視で略楕円形状ないし略円形状を有する層内レンズ30の場合と同様にしてレンズ間に遮光部40Aを形成することができ、同様の効果を得ることができる。変形例2本実施形態の固体撮像素子1の製造方法の他の変形例について、図8を用いて説明する。図8に示すように、本変形例では、レンズを形成する工程にて形成される層内レンズ30Bが、隣り合う層内レンズ30Bとの間にギャップを有しないギャップレスのレンズである。本変形例の場合、互いに隣り合う層内レンズ30Bの境界部分に形成される凹部として、断面視で略楕円形状ないし略円形状となる曲面の端部同士により断面視で略V字状の溝部33が形成される。つまり、本変形例では、互いに隣り合うレンズ間に、図6に示すようなギャップ部31および平坦部32が存在せず、互いに隣り合う層内レンズ30B同士が連続的に形成される。このように、層内レンズ30Bがギャップレスのレンズである場合においても、上述した各工程と同様の手法により、溝部33上に、遮光部40Bを形成することができる。すなわち、図8aに示すように、導波路21上に、各画素7の受光部3に対応する複数の層内レンズ30Bが形成される。次に、図8bに示すように、導波路21上に形成された層内レンズ30B上に、遮光材料により成膜することで、遮光層41Bが形成される。この遮光層41Bを形成する工程では、互いに隣り合う層内レンズ30B間の溝部33を埋めるように、遮光部40Bを構成する遮光材料が成膜され、遮光層41Bが形成される。そして、図8cに示すように、互いに隣り合う層内レンズ30Bの境界部分に遮光材料を残すように遮光層41Bをエッチングすることで、互いに隣り合う層内レンズ30Bの境界部分に、遮光材料からなる遮光部40Bが形成される。以上のように、ギャップレスのレンズとして形成される層内レンズ30Bを備える構成においても、上述したように断面視で略楕円形状ないし略円形状を有する層内レンズ30の場合と同様にしてレンズ間に遮光部40Bを形成することができ、同様の効果を得ることができる。また、本変形例のように、レンズを形成する工程にて形成される層内レンズ30Bがギャップレスのレンズである場合、レンズ間にギャップ部図6a、ギャップ部31参照を有する場合との比較において、レンズ間の凹部が浅くなる。このため、例えばドライエッチングにより遮光層41Bをエッチングする際に、レンズ間の凹部に存在する遮光層41Bに対してもエッチングガスが十分に行き届き、レンズ間の凹部における遮光層41Bの除去を確実に行うことができる。具体的には、図6aに示すように層内レンズ30のレンズ間にギャップ部31が存在する場合、遮光層41を除去するエッチングの工程で、ギャップ部31内にエッチングガスが十分に行き届かず、例えば図9に示すように、遮光部40上における層内レンズ30の周囲に、除去されなかった遮光層41によるサイドウォール41sが形成される。このように層内レンズ30の周囲に形成される遮光材料によるサイドウォール41sは、感度を確保する観点から好ましくない。この点、本変形例のようにギャップレスの層内レンズ30Bの場合、レンズ間の凹部内に存在する遮光層41Bもエッチングガスに十分に晒され、サイドウォール41sが形成されることがなく、感度を確保することができる。変形例3本変形例は、遮光層41を形成する工程において、層内レンズ30を形成する材料に対して遮光材料を密着させる密着層を形成する工程が行われる。具体的には、遮光層41を形成するに際し、図10aに示すように、レンズを形成する工程において形成した層内レンズ30上に、密着層としての下地膜42を形成する。下地膜42は、複数の層内レンズ30およびこれらの境界部分に存在する平坦部32を全体的に覆うようにコンフォーマルに形成される。下地膜42は、例えばスパッタリング法により形成される。そして、下地膜42を形成した後、図10bに示すように、下地膜42上に、互いに隣り合う層内レンズ30間のギャップ部31を埋めるように、遮光部40図6c参照を構成する遮光材料が成膜され、遮光層41が形成される。上述したように、遮光層41の材料の層内レンズ30の材料に対する密着性は、層内レンズ30と遮光層41の材料の組み合わせの影響を受ける。そこで、本変形例のように、層内レンズ30と遮光層41の材料の組み合わせに応じて、層内レンズ30の材料および遮光層41の材料のいずれの材料に対しても密着性の良い材料により、下地膜42を形成しても良い。例えば、層内レンズ30の材料がSiN窒化シリコンであり、遮光層41の材料がタングステンである場合、下地膜42の材料としてSiO2を用いて成膜する。つまり、この場合、層内レンズ30および平坦部32を含むSiN膜上に、SiOからなる下地膜42を1層形成し、この下地膜42の上に、遮光層41を形成する。また、遮光層41の材料としては、Wタングステンのほか、Alアルミニウム等が挙げられ、下地膜42の材料としては、SiO2のほか、Tiチタン、Al2O3酸化アルミニウム、HfO2酸化ハフニウム、TiO2二酸化チタン等が挙げられ、これらの材料が遮光層41および下地膜42の材料として適宜の組み合わせで用いられる。このように、本変形例では、遮光層41を形成する工程は、層内レンズ30を形成する材料に対して遮光材料を密着させる下地膜42を形成する工程を有し、層内レンズ30上に形成される遮光層41が、層内レンズ30との間に介装される下地膜42を含む積層構造を有する。これにより、層内レンズ30のレンズ間に形成される遮光部40の、層内レンズ30の材料に対する密着性を向上させることができる。本実施形態では、最終的にギャップ部31のボトムに形成される遮光部40について、下地膜42上に遮光部40が形成され、主に平坦部32に対する密着性を高めることができる。[第2実施形態]本技術の第2実施形態について説明する。なお、以下に説明する各実施形態では、第1実施形態と共通する部分については同一の符号を用いる等して適宜説明を省略し、異なる部分を重点的に説明する。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法は、層内レンズ30を形成する工程と、遮光層41を形成する工程との間に、層内レンズ30上に、エッチングストッパ膜51を形成する工程を備える点で、第1実施形態と異なる。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法においては、まず、図11aに示すように、導波路21上に、例えば、SiN等により層内レンズ30が形成された後、同図bに示すように、層内レンズ30上に、エッチングストッパ膜51が形成される。エッチングストッパ膜51は、遮光部40を形成する工程での遮光層41に対するエッチングにおいて、層内レンズ30に対するエッチングを防止するための膜である。このため、エッチングストッパ膜51は、遮光層41に対してエッチング特性が異なる膜として形成される。つまり、エッチングストッパ膜51は、遮光層41を形成する遮光材料に対してエッチング選択性を有する材料により形成される。エッチングストッパ膜51は、複数の層内レンズ30およびこれらの境界部分に存在する平坦部32を全体的に覆うようにコンフォーマルに形成される。エッチングストッパ膜51は、例えばスパッタリング法により形成される。エッチングストッパ膜51は、例えば、数10~100nmナノメートルの膜厚で形成される。エッチングストッパ膜51を形成する材料としては、例えば、SiO2シリコン酸化膜が用いられる。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法においては、エッチングストッパ膜51を形成する材料として、層内レンズ30を形成する材料よりも屈折率が低く、エッチングストッパ膜51を介して層内レンズ30上に形成される層の材料よりも屈折率が高い材料を用いることが好ましい。ここで、エッチングストッパ膜51を介して層内レンズ30上に形成される層とは、固体撮像素子1において層内レンズ30上に形成されたエッチングストッパ膜51上に形成される層であり、本実施形態の固体撮像素子1の場合、パシベーション膜24である図2参照。上述したように、層内レンズ30は、層内レンズ30上に形成される層ないし膜を構成する材料、つまりパシベーション膜24を構成する材料よりも、屈折率が高い材料により形成される。そこで、本実施形態のように層内レンズ30上にエッチングストッパ膜51が形成される構成において、材料の屈折率に関し、層内レンズ30、エッチングストッパ膜51、パシベーション膜24の順に小さくなるような関係を満たす材料が選択されることが好ましい。すなわち、層内レンズ30を形成する材料の屈折率をn1、エッチングストッパ膜51を形成する材料の屈折率をn2、層内レンズ30上に形成されるパシベーション膜24を構成する材料の屈折率をn3とすると、エッチングストッパ膜51を形成する材料としては、n1>n2>n3の関係を満たすものが好適に用いられる。具体的には、例えば、層内レンズ30を形成する材料がSiN窒化シリコンであり、パシベーション膜24を構成する材料がSiO2膜シリコン酸化膜である場合、エッチングストッパ膜51の材料としては、SiNおよびSiO2に対する中間屈折率材料であるSiONシリコン酸窒化膜が用いられる。光の波長が550nmの場合において、SiNの屈折率n1は作成法等により1.8~2.1程度の範囲内で調整可能であり、SiONの屈折率n2は1.5~1.8程度であり、SiO2の屈折率n3は1.4~1.5である。また、例えば、層内レンズ30を形成する材料がSiN窒化シリコンである場合において、エッチングストッパ膜51を形成する材料としてSiO2膜シリコン酸化膜を用いたときには、パシベーション膜24を構成する材料として、SiO2よりも低屈折率材料が用いられる。このように、エッチングストッパ膜51を形成する材料として、層内レンズ30の材料よりも低屈折率材料、かつ、エッチングストッパ膜51を介して層内レンズ30上に形成される層の材料よりも高屈折率材料を用いることで、エッチングストッパ膜51を、層内レンズ30に入射する光に対する反射防止膜として機能させることができる。つまり、エッチングストッパ膜51を形成する材料について、その上下に存在する層構造の材料に対して上述のような屈折率の条件を満たすことで、エッチングストッパ膜51に、反射防止膜を兼ねることができる。図11bに示すように、層内レンズ30上に、エッチングストッパ膜51が形成された後、図11cに示すように、層内レンズ30を覆うエッチングストッパ膜51上に、遮光材料により成膜することで、遮光層41が形成される。この遮光層41を形成する工程では、スパッタリングやCVD等により、互いに隣り合う層内レンズ30間のギャップ部31を埋めるように、遮光部40を構成する遮光材料がエッチングストッパ膜51上に成膜され、遮光層41が形成される。そして、図11dに示すように、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に遮光材料を残すように遮光層41をエッチングすることで、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に、遮光材料からなる遮光部40が形成される。本実施形態では、遮光部40は、層内レンズ30および平坦部32上に成膜されたエッチングストッパ膜51上に形成される。このエッチングの工程では、層内レンズ30のレンズ間における平坦部32上に、エッチングストッパ膜51を介して遮光層41が所定の膜厚で残り、遮光層41の材料により遮光部40が形成されるように、遮光層41が部分的に除去される。この際、層内レンズ30上に遮光層41が残ることなく、かつ、エッチングストッパ膜51が除去されることがないように、エッチングが行われる。このような選択的なエッチングを行うため、エッチング条件として、エッチングストッパ膜51の材料と遮光層41の材料との選択比が取れるエッチング条件が適用される。つまり、上記のとおりエッチングストッパ膜51は、遮光層41を形成する遮光材料に対してエッチング選択性を有する材料により形成されるため、エッチングストッパ膜51と遮光層41との選択的なエッチングを行うことができる。例えば、遮光層41の材料がタングステンであり、エッチングストッパ膜51の材料がSiONである場合は、タングステンとSiONの選択比がとれるエッチング条件が適用される。本実施形態では、エッチングとしてドライエッチングが行われ、そのエッチング条件として、例えば次のような条件が用いられる。エッチングガスとして、SF6六フッ化硫黄とCl2塩素とO2酸素とN2窒素との混合ガスが用いられ、各ガスは、SF6は100[ml/min]、Cl2は50[ml/min]、O2は10[ml/min]、N2は50[ml/min]の流量で使用される。また、処理雰囲気の圧力は、0.5[Pa]とされる。また、ソースパワーは500[W]程度、ウエーハ側半導体基板11側に印加するバイアスパワーは50[W]程度とされる。また、エッチング処理対象が載置されるステージの温度が25[°C]程度とされる。また、最終的な遮光部40の膜厚は、エッチングにおける時間制御、または終点検出により調整される。以上のようにして、本実施形態の固体撮像素子1が備える層内レンズ30の遮光部40が形成される。本実施形態の製造方法のように、層内レンズ30を形成する工程と遮光層41を形成する工程との間に、エッチングストッパ膜51を形成する工程を行う方法によれば、層内レンズ30の材料と遮光層41の遮光材料との選択比にかかわらず、エッチングの工程において層内レンズ30がエッチングされることを回避することができる。つまり、本実施形態の製造方法は、層内レンズ30の材料と遮光層41の遮光材料との選択比を取ることが困難な場合に、好適に用いられる。[第3実施形態]本技術の第3実施形態について説明する。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法は、層内レンズ30上に形成する遮光層をコンフォーマルに成膜し、その後、遮光層の上に平坦化用レジスト膜を塗布する点で、上述した各実施形態と異なる。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法においては、まず、図12aに示すように、導波路21上に、例えば、SiN等により層内レンズ30が形成された後、同図bに示すように、層内レンズ30上に、エッチングストッパ膜51が形成される。次に、図12cに示すように、層内レンズ30を覆うエッチングストッパ膜51上に、遮光材料により成膜することで、遮光層41Cが形成される。ここで、本実施形態では、遮光層41Cは、コンフォーマルに成膜される。つまり、エッチングストッパ膜51が複数の層内レンズ30およびこれらの境界部分に存在する平坦部32を全体的に覆うようにコンフォーマルに形成された状態から、遮光層41Cが、層内レンズ30および平坦部32の形状にならってエッチングストッパ膜51に積層されるように成膜される。遮光層41Cをコンフォーマルに成膜する手法としては、スパッタリングが好適に用いられる。ただし、遮光層41Cを成膜する手法は限定されるものではなく、適宜CVD等の他の成膜方法を用いることができる。続いて、図12dに示すように、コンフォーマルに成膜した遮光層41C上に、平坦化用レジスト膜61が塗布される。平坦化用レジスト膜61の材料としては、公知のレジスト材料を用いることができる。平坦化用レジスト膜61は、少なくとも平坦面61aが形成される程度の厚さに形成される。したがって、平坦化用レジスト膜61は、層内レンズ30上においてコンフォーマルに成膜された遮光層41Cの、層内レンズ30の形状に沿う高さ寸法符号D1参照よりも厚く形成される。そして、図12eに示すように、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に遮光材料を残すように遮光層41Cおよび平坦化用レジスト膜61をエッチングすることで、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に、遮光材料からなる遮光部40が形成される。このエッチングの工程では、層内レンズ30のレンズ間における平坦部32上に、エッチングストッパ膜51を介して遮光層41Cが所定の膜厚で残り、遮光層41Cの材料により遮光部40が形成されるように、遮光層41Cが部分的に除去されるとともに、平坦化用レジスト膜61が全体的に除去される。この際、層内レンズ30上に平坦化用レジスト膜61や遮光層41Cが残ることなく、かつ、エッチングストッパ膜51が除去されることがないように、エッチングが行われる。このような選択的なエッチングを行うため、本実施形態では、ドライエッチングにより、平坦化用レジスト膜61の平坦面61a側から全面エッチバックすることが行われる。そして、エッチング条件として、平坦化用レジスト膜61の材料と遮光層41Cの材料とが1:1の選択比で、かつ、エッチングストッパ膜51の材料と遮光層41Cの材料との選択比が取れるエッチング条件が適用される。すなわち、平坦化用レジスト膜61および遮光層41Cは、平坦面61aに沿って均一にエッチングされていくことで、層内レンズ30のレンズ間において所定の膜厚の遮光部40が得られることから、平坦化用レジスト膜61と遮光層41Cとが1:1の選択比でエッチングされる。また、エッチングストッパ膜51は、層内レンズ30上に残す必要があるので、エッチングストッパ膜51と遮光層41Cとは選択的にエッチングされる。本実施形態では、平坦化用レジスト膜61と遮光層41Cとを1:1の選択比でエッチングするため、エッチング条件として、第2実施形態において例示したエッチング条件に対して、例えば次のような条件が用いられる。遮光層41Cの材料がWタングステン、エッチングストッパ膜51の材料がSiO2の場合、エッチングガスとして、SF6六フッ化硫黄とCl2塩素とO2酸素との混合ガスが用いられ、各ガスは、SF6が30[ml/min]、Cl2が100[ml/min]、O2が50[ml/min]の流量で使用される。また、ソースパワーは1000[W]程度、バイアスパワーは50[W]程度とされる。以上のように、本実施形態においては、遮光層41Cを形成する工程では、遮光材料をコンフォーマルに成膜し、遮光層41Cを形成する工程と、遮光部40を形成する工程との間に、遮光層41C上に、平坦化用レジスト膜61を塗布する工程をさらに備える。そして、遮光部40を形成する工程では、遮光層41Cとともに平坦化用レジスト膜61がエッチングされる。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法によれば、遮光層41Cを形成する工程において、層内レンズ30のレンズ間のギャップ部31に対して遮光材料の十分な埋め込み性が得られない場合であっても、容易に対応することができる。つまり、本実施形態の製造方法は、遮光層41Cを形成する工程において、層内レンズ30のレンズ間のギャップ部31を埋めるような成膜が困難な場合、好適に用いられる。なお、層内レンズ30のレンズ間のギャップ部31を埋めるような成膜が困難な場合としては、例えば、上記のとおり高い埋め込み性が得られるCVD法がプロセス上安定せずに使用できない場合等が挙げられる。また、本実施形態の固体撮像素子1の製造方法によれば、次のような付随的な効果も得られる。固体撮像素子1においては、画素7が配列される撮像領域2の周辺に、配線領域が存在する。このため、遮光層41Cを形成した後は、その撮像領域2の周辺配線領域にも、遮光層41Cを形成する遮光材料が残る場合がある。このような場合、撮像領域2をレジストでマスクし、周辺配線領域の遮光材料をエッチング等により除去する必要がある。この点、本実施形態の固体撮像素子1の製造方法を採用することで、遮光層41C上に平坦化用レジスト膜61を塗布した後、平坦化用レジスト膜61の周辺配線領域の部分をあらかじめ露光して除去してから、遮光部40を形成するためのエッチングを行うことができる。これにより、上述のような周辺配線領域の遮光材料を除去する工程を削減することができる。[第4実施形態]本技術の第4実施形態について説明する。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法は、主に、層内レンズ30上に形成する遮光層をコンフォーマルに成膜した後、コンフォーマルな遮光層における層内レンズ30のレンズ間のギャップに、ハードマスクを形成する工程を備える点で、上述した第3実施形態と異なる。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法においては、まず、図13aに示すように、導波路21上に、例えば、SiN等により層内レンズ30が形成された後、同図bに示すように、層内レンズ30上に、エッチングストッパ膜51が形成される。次に、図13cに示すように、層内レンズ30を覆うエッチングストッパ膜51上に、遮光材料によりコンフォーマルに成膜することで、遮光層41Cが形成される。続いて、図13dに示すように、コンフォーマルに成膜した遮光層41C上に、ハードマスク71が形成される。ハードマスク71は、遮光部40を形成する工程におけるエッチング時にハードマスクとして機能するものであり、例えば酸化膜である。ハードマスク71は、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分におけるギャップ部31を埋めるように選択的に形成される。つまり、図13dに示すように、ハードマスク71は、層内レンズ30のレンズ間のギャップ部31における遮光層41C上では、層内レンズ30上の遮光層41Cの頂点部分よりも低い位置まで形成され、遮光層41C上におけるギャップ部31以外の部分には、比較的薄く形成される。ハードマスク71は、例えば、SOGSpinOnGlass膜等として樹脂膜が塗布されることで形成される。また、ハードマスク71は、例えば、TEOSテトラエトキシシランガスを用いたCVD法によりBPSGボロンリンシリケートガラスやシリコン酸化膜SiO2として形成される。また、ハードマスク71は、例えば、バイアス高密度プラズマCVD法によりSiO2系のCVD膜として形成される。ハードマスク71が形成された後、図13eに示すように、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に遮光材料を残すように遮光層41Cおよびハードマスク71をエッチングすることで、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に、遮光材料からなる遮光部40が形成される。このエッチングの工程では、層内レンズ30のレンズ間における平坦部32上に、エッチングストッパ膜51を介して遮光層41Cが所定の膜厚で残り、遮光層41Cの材料により遮光部40が形成されるように、遮光層41Cおよびハードマスク71が部分的に除去される。この際、層内レンズ30の頂点部分において遮光層41C上に形成された比較的薄いハードマスク71が先に除去されてから、遮光層41Cがエッチングされる。そして、層内レンズ30上に遮光層41Cが残ることなく、かつ、エッチングストッパ膜51が除去されることがないように、エッチングが行われる。このような選択的なエッチングを行うため、本実施形態では、エッチング条件として、上述したようなエッチングストッパ膜51の材料と遮光層41Cの材料との選択比が取れるエッチング条件が適用される。なお、図13eに示すように、本実施形態では、エッチングの工程が行われた後、場合によっては、遮光部40上に、ハードマスク71の残膜71aが存在する。以上のように、本実施形態においては、遮光層41Cを形成する工程では、遮光材料をコンフォーマルに成膜し、遮光層41Cを形成する工程と、遮光部40を形成する工程との間に、遮光層41C上における層内レンズ30の境界部分に、ハードマスク71を形成する工程をさらに備える。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法によれば、遮光層41Cを形成する工程において、層内レンズ30のレンズ間のギャップ部31に対して遮光材料の十分な埋め込み性が得られない場合で、しかも、エッチングにおいて平坦化用レジスト膜61と遮光層41Cとの選択比を1:1にすること第3実施形態参照が難しい場合あっても、容易に対応することができる。つまり、本実施形態の製造方法は、遮光層41Cを形成する工程において、層内レンズ30のレンズ間のギャップ部31を埋めるような成膜が困難であり、かつ、平坦化用レジスト膜61と遮光層41Cとの間で1:1の選択比を取ることが困難な場合、好適に用いられる。なお、平坦化用レジスト膜61と遮光層41Cとの間で1:1の選択比を取ることが困難となる原因としては、エッチングガスの流量が安定しないことや、遮光層41Cを形成する金属材料のエッチング特性等が挙げられる。変形例本実施形態の固体撮像素子1の製造方法の変形例について説明する。本変形例では、コンフォーマルに成膜した遮光層41C上に形成するハードマスクとして、NSGNone-DopedSilicateGlass膜を形成する。このように、ハードマスクとしてNSG膜を採用する場合、遮光部40を形成する工程におけるエッチングとしてドライエッチングが行われ、そのエッチング条件として、例えば次のような条件が用いられる。エッチングガスとして、ArアルゴンとCF4四フッ化炭素とCHF3トリフルオロメタンとの混合ガスが用いられ、各ガスは、Arは200[ml/min]、CF4は20[ml/min]、CHF3は15[ml/min]の流量で使用される。また、処理雰囲気の圧力は、1.5[Pa]とされる。また、ソースパワーは700[W]程度、ウエーハ側半導体基板11側に印加するバイアスパワーは70[W]程度とされる。また、エッチング処理対象が載置されるステージの温度が25[°C]程度とされる。また、最終的な遮光部40の膜厚は、エッチングにおける時間制御により調整される。このように、コンフォーマルに成膜した遮光層41C上に形成するハードマスクとして、酸化膜等の代わりにNSG膜を形成することによっても、同様の効果を得ることができる。[第5実施形態]本技術の第5実施形態について説明する。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法は、遮光層41を形成する工程において、互いに隣り合う層内レンズ30間のギャップ部31を埋めるように遮光層41が形成される点で、上述した第4実施形態と異なる。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法においては、まず、図14aに示すように、導波路21上に、例えば、SiN等により層内レンズ30が形成された後、同図bに示すように、層内レンズ30上に、エッチングストッパ膜51が形成される。次に、図14cに示すように、層内レンズ30を覆うエッチングストッパ膜51上に、遮光材料により層内レンズ30のレンズ間のギャップ部31を埋めるように成膜することで、遮光層41が形成される。続いて、図14dに示すように、ギャップ部31を埋めるように成膜した遮光層41上に、ハードマスク71Aが形成される。ハードマスク71Aは、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分におけるギャップ部31を埋めるように選択的に形成される。つまり、図14dに示すように、ハードマスク71Aは、層内レンズ30のレンズ間のギャップ部31における遮光層41上では、層内レンズ30上の遮光層41の頂点よりも低い位置まで形成され、遮光層41上におけるギャップ部31以外の、頂点を含む部分には、比較的薄く形成される。ハードマスク71Aが形成された後、図14eに示すように、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に遮光材料を残すように遮光層41およびハードマスク71Aをエッチングすることで、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に、遮光材料からなる遮光部80が形成される。このエッチングの工程では、層内レンズ30のレンズ間における平坦部32上に、エッチングストッパ膜51を介して遮光層41が所定の膜厚で残り、遮光層41の材料により遮光部80が形成されるように、遮光層41およびハードマスク71Aが部分的に除去される。この際、層内レンズ30の頂点部分において遮光層41上に形成された比較的薄いハードマスク71Aが先に除去されてから、遮光層41がエッチングされる。そして、層内レンズ30上に遮光層41が残ることなく、かつ、エッチングストッパ膜51が除去されることがないように、エッチングが行われる。このような選択的なエッチングを行うため、本実施形態では、エッチング条件として、上述したようなエッチングストッパ膜51の材料と遮光層41の材料との選択比が取れるエッチング条件が適用される。また、図14eに示すように、エッチングの工程では、遮光層41が柱状となるように加工されることで遮光部80が形成されるように、等方性エッチングが行われる。すなわち、本実施形態の製造方法によれば、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に形成される遮光部80は、ギャップ部31のボトムだけでなく、柱状の部分としてギャップ部31の上部まで形成される。遮光部80の上側には、ハードマスク71Aの残膜71Aaが存在する。したがって、遮光部80の高さ膜厚は、遮光層41の、ギャップ部31を埋めるように成膜された部分の膜厚に対応する。以上のように、本実施形態においては、遮光層41を形成する工程では、遮光材料をギャップ部31を埋めるように成膜し、遮光層41を形成する工程と、遮光部80を形成する工程との間に、遮光層41上における層内レンズ30の境界部分に、ハードマスク71Aを形成する工程をさらに備える。本実施形態の固体撮像素子1の製造方法によれば、層内レンズ30のレンズ機能を損ねることなく、レンズ間のギャップ部31のボトムだけでなく上部にまで遮光部80を形成することができるので、遮光部80による遮光機能を向上させることができる。特に、入射角度の大きい斜め光に対して高い遮光性が得られる。これにより、固体撮像素子1において混色防止効果が高い構造を得ることができる。なお、本実施形態においても、第4実施形態の変形例と同様に、ハードマスクとしてNSG膜を採用することができる。[成膜条件について]上述した各実施形態の製造方法は、層内レンズ30の材料について、高温プロセスを許容する、例えば、SiN窒化シリコン等の無機材料を想定した製造方法である。このため、層内レンズ30の材料が、例えば樹脂等の場合等、高温プロセスに耐えられない場合がある。そこで、遮光層41を形成する工程、およびエッチングストッパ膜51を形成する工程の各工程において、遮光層41またはエッチングストッパ膜51の成膜条件として、層内レンズ30の温度が200°C以下となる温度条件を用いることができる。つまり、層内レンズ30として、例えば樹脂レンズ等の高温プロセスに耐えられないレンズを用いる場合には、200°C以下の低温プロセスが望ましい。具体的には、次の通りである。例えば図14aに示すように、導波路21上に、例えば、SiN等により層内レンズ30が形成された後、同図bに示すように、層内レンズ30上に、エッチングストッパ膜51が形成される。ここで、エッチングストッパ膜51として、例えば、SiO2シリコン酸化膜が、数10~100nmナノメートルの膜厚で、200°C以下の温度条件で、コンフォーマルに成膜される。次に、例えば図14cに示すように、層内レンズ30を覆うエッチングストッパ膜51上に、遮光材料により層内レンズ30のレンズ間のギャップ部31を埋めるように成膜することで、遮光層41が形成される。ここで、200°C以下の成膜条件で、遮光層41が形成される。200°C以下の成膜条件で遮光層41を形成する手法としては、スパッタリング法や蒸着やPVDPhysicalVaporDeposition等が好適に用いられる。その後は、上述した各実施形態のように、例えばハードマスク71が形成される工程を経て、エッチングによりレンズ間に遮光部40を形成する工程が行われる。以上のように、層内レンズ30として例えば樹脂レンズ等の高温プロセスに耐えられないレンズを用いる場合には、遮光層41を形成する工程およびエッチングストッパ膜51を形成する工程では、遮光層41およびエッチングストッパ膜51の成膜を、層内レンズ30の温度が200°C以下となる温度条件で行うことが望ましい。これにより、層内レンズ30が樹脂レンズ等の、比較的高温プロセスに耐えられないようなレンズであっても、層内レンズ30のレンズ間に遮光部40を形成することが可能となる。なお、エッチングストッパ膜51を形成する工程が行われない場合は、遮光層41を形成する工程において、遮光層41の成膜条件として、200°C以下の温度条件が用いられる。以上説明した第2~5実施形態においては、第1実施形態と同様に、層内レンズ30がデジタルレンズ図7参照やギャップレスのレンズ図8参照であったり、遮光層41が密着層としての下地膜42を含む積層構造図10参照であったりしてもよく、同様の効果を得ることができる。[電子機器の構成例]上述した実施形態に係る固体撮像素子は、例えば、いわゆるデジタルカメラと称されるデジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、撮像機能を有する携帯電話器その他の機器等、各種の電子機器に適用される。以下では、上述した実施形態に係る固体撮像素子を備える電子機器の一例であるビデオカメラ100について、図15を用いて説明する。ビデオカメラ100は、静止画像または動画の撮影を行うものである。ビデオカメラ100は、上述した実施形態に係る固体撮像素子101と、光学系102と、シャッタ装置103と、駆動回路104と、信号処理回路105とを有する。光学系102は、例えば一または複数の光学レンズを有する光学レンズ系として構成されるものであり、固体撮像素子101の受光部受光部3に入射光を導く。光学系102は、被写体からの像光入射光を固体撮像素子101の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像素子101内に、一定期間信号電荷が蓄積される。シャッタ装置103は、固体撮像素子101への光照射期間および遮光期間を制御するための構成である。駆動回路104は、固体撮像素子101を駆動させる。駆動回路104は、固体撮像素子101を所定のタイミングで駆動するための駆動信号タイミング信号を生成し、固体撮像素子101に供給する。駆動回路104から固体撮像素子101に供給される駆動信号により、固体撮像素子101の信号電極の転送動作等が制御される。つまり、固体撮像素子101は、駆動回路104から供給される駆動信号により、信号電荷の転送動作等を行う。駆動回路104は、固体撮像素子101を駆動するための駆動信号として各種のパルス信号を生成する機能と、生成したパルス信号を、固体撮像素子101を駆動するためのドライブパルスに変換するドライバとしての機能とを有する。駆動回路104は、シャッタ装置103の動作を制御するための駆動信号の生成供給も行う。信号処理回路105は、各種の信号処理を行う機能を有し、固体撮像素子101の出力信号を処理する。信号処理回路105は、入力された信号を処理することで、映像信号を出力する。信号処理回路105から出力された映像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶されたり、モニタに出力されたりする。なお、ビデオカメラ100は、駆動回路104等に電源を供給するバッテリ等の電源部、撮像により生成した映像信号等を記憶する記憶部、装置全体を制御する制御部等を有する。なお、本実施形態のビデオカメラ100は、固体撮像素子101と、光学系102と、シャッタ装置103と、駆動回路104と、信号処理回路105とがモジュール化されたカメラモジュールあるいは撮像機能モジュールの形態も含む。以上のような構成を備える本実施形態の固体撮像素子101を有するビデオカメラ100によれば、互いに隣り合う層内レンズ30の境界部分に遮光部40が設けられることにより、互いに異なる色の画素7が隣接する画素7間の境界部分における混色を低減することができる。また、遮光部40が金属により構成されていることから、高い遮光能力を得ることができるとともに、高温プロセスに対しても耐え得る高い耐熱性を得ることができ、応用範囲を広げることができる。そして、ビデオカメラ100が有する固体撮像素子101を製造する工程として、上述した各実施形態の固体撮像素子の製造方法を採用することで、各画素7の受光部3に対応して設けられる層内レンズ30のレンズ同士の境界部分に遮光部40を設けるに際し、遮光部40をセルフアラインで形成することができ、層内レンズ30と遮光部40とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる。なお、本技術は、以下のような構成を取ることができる。1半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む、固体撮像素子の製造方法。2前記遮光性を有する材料は、金属である、前記1に記載の固体撮像素子の製造方法。3前記遮光層を形成する工程は、前記レンズを形成する材料に対して前記遮光性を有する材料を密着させる密着層を形成する工程を有する、前記1または前記2に記載の固体撮像素子の製造方法。4前記レンズを形成する工程と、前記遮光層を形成する工程との間に、前記レンズ上に、前記遮光性を有する材料に対してエッチング選択性を有する材料によりエッチングストッパ膜を形成する工程をさらに備える、前記1~3のいずれか1つに記載の固体撮像素子の製造方法。5前記エッチング選択性を有する材料として、前記レンズを形成する材料よりも屈折率が低く、前記エッチングストッパ膜を介して前記レンズ上に形成される層の材料よりも屈折率が高い材料を用いる、前記4に記載の固体撮像素子の製造方法。6遮光層を形成する工程および前記エッチングストッパ膜を形成する工程では、前記遮光層および前記エッチングストッパ膜の成膜を、前記レンズの温度が200°C以下となる温度条件で行う、前記4または前記5に記載の固体撮像素子の製造方法。7前記遮光層を形成する工程では、遮光性を有する材料をコンフォーマルに成膜し、前記遮光層を形成する工程と、前記遮光部を形成する工程との間に、前記遮光層上に、平坦化用レジスト膜を塗布する工程をさらに備え、前記遮光部を形成する工程では、前記遮光層とともに前記平坦化用レジスト膜をエッチングする、前記1~6のいずれか1つに記載の固体撮像素子の製造方法。8前記遮光層を形成する工程と、前記遮光部を形成する工程との間に、前記遮光層上における前記レンズの境界部分に、ハードマスクを形成する工程をさらに備える、前記1~6のいずれか1つに記載の固体撮像素子の製造方法。9前記遮光層を形成する工程では、遮光性を有する材料をコンフォーマルに成膜する、前記8に記載の固体撮像素子の製造方法。10前記レンズは、隣り合う前記レンズとの間にギャップを有しないギャップレスのレンズである、前記1~9のいずれか1つに記載の固体撮像素子の製造方法。"