"試料素材上にイオンビーム非照射面とその周囲にイオンビーム照射面を形成するための遮蔽材を前記試料素材上に配置し、該遮蔽材の上方から該遮蔽材と前記試料素材にイオンビームを照射し、前記イオンビーム非照射面をイオンミリングせずに残して、その周囲のイオンビーム照射面をイオンミリングするようにした試料作製方法であって、前記イオンビーム非照射面から下方に向かうに従って薄くなり、最終的に貫通孔が開いた試料が出来る様に、前記イオンビームの照射方向をそれぞれ設定して前記遮蔽材と試料素材に向けて異なる方向からイオンビームを照射する様に成すと共に、作製しようとする薄膜の面に直交する軸、又は、該軸に平行な軸を中心として前記試料素材を傾斜させながらイオンビームを試料素材に照射する様にし、前記イオンビーム非照射面の下方の試料素材部分に貫通孔が開いたら試料素材へのイオンビーム照射を停止する様にした薄膜試料作製方法において、前記試料素材の傾斜において、少なくても1つの傾斜角で該試料素材を一時停止させる様に成した事を特徴とする薄膜試料作製方法。試料素材上にイオンビーム非照射面とその周囲にイオンビーム照射面を形成するための遮蔽材を前記試料素材上に配置し、該遮蔽材の上方から該遮蔽材と前記試料素材にイオンビームを照射し、前記イオンビーム非照射面をイオンミリングせずに残して、その周囲のイオンビーム照射面をイオンミリングするようにした試料作製方法であって、前記イオンビーム非照射面から下方に向かうに従って薄くなり、最終的に貫通孔が開いた試料が出来る様に、前記イオンビームの照射方向をそれぞれ設定して前記遮蔽材と試料素材に向けて異なる方向からイオンビームを照射する様に成すと共に、作製しようとする薄膜の面に直交する軸、又は、該軸に平行な軸を中心として前記試料素材を所定の速度で傾斜させながらイオンビームを試料素材に照射する様にし、前記イオンビーム非照射面の下方の試料素材部分に貫通孔が開いたら試料素材へのイオンビーム照射を停止する様にした薄膜試料作製方法において、前記試料素材の傾斜において、前記所定の速度で変化している傾斜角の少なくとも1箇所の僅かな傾斜角範囲において極めて低速度で試料素材を傾斜させる様に成した事を特徴とする薄膜試料作製方法。前記遮蔽材はベルト状に形成されたものである事を特徴とする請求項1又は2記載の薄膜試料作製装置。前記試料素材と遮蔽材を一緒に傾斜させる様に成した事を特徴とする請求項1又は2記載の薄膜試料作製装置。前記試料素材の傾斜において、二箇所の最大の傾斜角でそれぞれ該試料素材を一時停止させる様に成した事を特徴とする請求項1記載の薄膜試料作製方法。しかし、前記透過電子顕微鏡観察に適した100Å程度の薄膜部分、即ち、前記貫通孔Hの周辺部分Kは極めて小さい領域である。従って、この様な試料を透過電子顕微鏡の試料とした場合、観察視野が前記貫通孔Hの極めて近い周辺部に限られてしまい、試料観察に関しての使用効率が著しく低いものとなるばかりか、試料自身を充分に観察及び分析出来ない。本発明はこの様な問題を解決するためになされたもので、透過電子顕微鏡等の試料として観察可能領域のより広い薄膜試料が作製出来る新規な薄膜試料作製方法を提供することを目的とする。本発明の薄膜試料作製方法は、試料素材上にイオンビーム非照射面とその周囲にイオンビーム照射面を形成するための遮蔽材を前記試料素材上に配置し、該遮蔽材の上方から該遮蔽材と前記試料素材にイオンビームを照射し、前記イオンビーム非照射面をイオンミリングせずに残して、その周囲のイオンビーム照射面をイオンミリングするようにした試料作製方法であって、前記イオンビーム非照射面から下方に向かうに従って薄くなり、最終的に貫通孔が開いた試料が出来る様に、前記イオンビームの照射方向をそれぞれ設定して前記遮蔽材と試料素材に向けて異なる方向からイオンビームを照射する様に成すと共に、作製しようとする薄膜の面に直交する軸、又は、該軸に平行な軸を中心として前記試料素材を傾斜させながらイオンビームを試料素材に照射する様にし、前記イオンビーム非照射面の下方の試料素材部分に貫通孔が開いたら試料素材へのイオンビーム照射を停止する様にした薄膜試料作製方法において、前記試料素材の傾斜において、少なくても1つの傾斜角で該試料素材を一時停止させる様に成した事を特徴とする。又、本発明の薄膜試料作製方法は、試料素材上にイオンビーム非照射面とその周囲にイオンビーム照射面を形成するための遮蔽材を前記試料素材上に配置し、該遮蔽材の上方から該遮蔽材と前記試料素材にイオンビームを照射し、前記イオンビーム非照射面をイオンミリングせずに残して、その周囲のイオンビーム照射面をイオンミリングするようにした試料作製方法であって、前記イオンビーム非照射面から下方に向かうに従って薄くなり、最終的に貫通孔が開いた試料が出来る様に、前記イオンビームの照射方向をそれぞれ設定して前記遮蔽材と試料素材に向けて異なる方向からイオンビームを照射する様に成すと共に、作製しようとする薄膜の面に直交する軸、又は、該軸に平行な軸を中心として前記試料素材を所定の速度で傾斜させながらイオンビームを試料素材に照射する様にし、前記イオンビーム非照射面の下方の試料素材部分に貫通孔が開いたら試料素材へのイオンビーム照射を停止する様にした薄膜試料作製方法において、前記試料素材の傾斜において、前記所定の速度で変化している傾斜角の少なくとも1箇所の僅かな傾斜角範囲において極めて低速度で試料素材を傾斜させる様に成した事を特徴とする。本発明によれば、透過電子顕微鏡等の観察に適した薄膜部分を広く形成した薄膜試料を作製することが出来る。本発明の実施形態の説明に先立って、本発明の原理について説明する。先ず、本発明者は前記従来の薄膜作製方法の問題点の成因について考察した。前記従来の薄膜作製方法においては、前記ステージ3はY軸を中心として繰り返し往復傾斜している。即ち、図3に示す様に、前記試料素材11は前記遮蔽ベルト8と一緒に矢印Rに示す様に、繰り返し往復傾斜されている。この往復傾斜における各傾斜角度での前記試料素材11へのイオンビーム照射領域を探求すると、次の様に考えられる。図7のa~eは、代表的傾斜角度における前記試料素材11へのイオンビーム照射領域を示したもので、図7のaは傾斜角度0度の場合、図7のcは傾斜角度が時計方向に最大の場合、図7のeは傾斜角度が反時計方向に最大の場合、図7のbは傾斜角度が時計方向に0度と最大角の中間にある場合、図7のdは傾斜角度が反時計方向に0度と最大角の中間にある場合をそれぞれ示している。これら図7のa~e中において、帯状の領域QAは前記試料素材11の上面からHL辺りのイオンビーム照射領域、QBは該イオンビーム照射領域QAの上下のイオンビーム照射領域で、前者の領域QAは後者の領域QBに比べイオンミリングレートが高い。図8は前記試料素材11への前記前者のイオンビーム照射領域QAの軌跡を描いたもので、該軌跡の中心部分CRに常時イオンビームが照射されており、この部分に前記貫通孔Kが開き、該貫通孔のごく周辺部分が可なり薄く透過電子顕微鏡等の観察に適した50nm程度の薄膜ミリングされ、その他の軌跡領域は透過電子顕微鏡等の観察に適した薄さにはミリングされない。そこで、本発明者は、前記貫通孔Kのごく周辺だけではなく、前記比較的イオンミリングレートの高いイオンビーム照射領域QAの軌跡部分中にも透過電子顕微鏡等の観察に適した薄膜領域を作製する方法を模索し、前記ステージの往復傾斜において、少なくとも或る1つの傾斜角度で所定時間ステージを一時停止させれば、その傾斜角度時における、前記比較的イオンミリングレートの高いイオンビーム照射領域QAのイオンミリングレートが著しく大きくなり、この領域も透過電子顕微鏡等の観察に適した薄膜領域に出来るものと考えた。尚、多くの傾斜角度で一時停止すると、常時イオンビームが照射されている前記中心部分CRのイオンミリングレートが短時間に極めて大きくなり、一時停止傾斜角度におけるイオンビーム照射領域QAが透過電子顕微鏡等の観察に適した薄膜に成る前に、該中心部分CRに貫通孔Kが開いてしまうので、1~数箇所で一時停止するのが良いと思われる。又、一時停止させる代わりに、一定速度で変化している傾斜角の或る狭い傾斜角範囲で試料ステージを極めて低速度で傾斜させる様にしても、その傾斜角度範囲における、前記比較的イオンミリングレートの高いイオンビーム照射領域QAのイオンミリングレートが著しく大きく成ると考えられる。本発明はこの様な考えに基づいて成されたもので、本発明の薄膜試料作成方法の実施形態を以下に図面を用いて説明する。本発明の薄膜試料作成方法を実施する薄膜試料作製装置は前記図1及び図2に示すものと殆ど構成は同一である。異なる構成点は、中央制御装置14 ́、該中央制御装置の指令を受けるステージ傾斜制御回路14c ́、及び該ステージ傾斜制御回路からの傾斜信号で作動する傾斜駆動源17 ́にある。即ち、中央制御装置14 ́はステージ3を正負各最大傾斜角度時に所定時間一時停止させながら繰り返し往復傾斜させる指令を前記ステージ傾斜制御回路14c ́を送り、該ステージ傾斜制御回路は前記ステージ傾斜機構4を正負最大傾斜角度時にステージ3を所定時間一時停止させながら繰り返し往復傾斜させる傾斜信号を傾斜駆動源17 ́に送る様に構成されている。この様な構成を持つ薄膜試料作製装置によって、薄膜試料作製が次の様に行われる。先ず、オペレータが前記入力手段18でイオンミリング開始を指示すると、前記中央制御装置14 ́のイオン銃傾斜制御回路14bは、前記イオン銃12を左-Y方向に角度θ1傾斜させるための傾斜信号を前記傾斜駆動源16に送る。該傾斜駆動源はその傾斜信号に基づいてイオン銃傾斜機構13を傾斜させる。この結果、前記イオン銃12はZ軸に対して左に角度θ1傾斜する。又、同時に、中央制御装置14 ́はステージ3を正負各最大傾斜角度時に所定時間一時停止させながらY軸を中心として繰り返し往復傾斜させる指令を前記ステージ傾斜制御回路14c ́を送るので、該ステージ傾斜制御回路は前記ステージ傾斜機構4を正負各最大傾斜角度時に所定時間一時停止させながらY軸を中心として繰り返し往復傾斜させる傾斜信号を傾斜駆動源17 ́に送る。従って、該傾斜駆動源はその傾斜信号に基づいて前記ステージ傾斜機構4を傾斜させる。この結果、試料素材11は前記遮蔽ベルト8と一緒に、正負各最大傾斜角度時に所定時間一時停止しながらY軸を中心として繰り返し往復傾斜される。この時、前記イオン銃制御回路14aは、前記イオン銃12よりイオンビームIBを放出させるための信号を前記イオン銃電源15に送る。すると、該電源は前記イオン銃12の各電極間にイオンビームを放出させるための所定電圧を印加するので、Z軸に対して左に角度θ1傾斜した前記イオン銃12からイオンビームIBが放出される。該イオンビームは、前記遮蔽ベルト8の左斜め上方から該遮蔽ベルトと試料素材11に照射されるので、前記試料素材11はY軸を中心として傾斜されながらイオンミリングされることになる。この際、前記試料素材11が時計方向に最大角傾斜した時及び反時計方向に最大角傾斜した時に予め決められた所定時間一時停止する。図9のaは、試料素材11が時計方向に最大傾斜角で一時停止した時のイオンビーム照射領域を示したもの、図9のbは試料素材11が反時計方向に最大傾斜角で一時停止した時のイオンビーム照射領域を示したもので、何れの時も、前記試料素材11の上面からHL辺りのイオンビーム照射領域QA ́,QA ́ ́は、他の傾斜角度時の同一位置のイオンビーム照射領域QAよりもイオンミリングレートが可なり高い。従って、前記試料素材11の上面からHL辺りのイオンビーム照射領域の軌跡を示している図10に示す様に、常時イオンビームが照射されている該軌跡の中心部分CR程ではないが、前記イオンビーム照射領域QA ́,QA ́ ́に対応する軌跡部分実線部分は他の軌跡部分よりイオンミリングレートが可なり高くなっている。次に、前記イオン銃傾斜制御回路14bは、前記イオン銃12を右Y方向に角度θ1傾斜させるための傾斜信号を前記傾斜駆動源16に送る。該傾斜駆動源はその傾斜信号に基づいてイオン銃傾斜機構13を傾斜させる。この結果、前記イオン銃12はZ軸に対して右に角度θ1傾斜する。該イオン銃の傾斜により、Z軸に対して右にθ1傾斜したイオンビームIBが前記遮蔽ベルト8と試料素材11を照射する。該イオンビーム照射は、前記と同様、前記試料素材11は前記遮蔽ベルト8と一緒に傾斜されながらイオンミリングされる。この際、前記と同様に、前記試料素材11が時計方向に最大角傾斜した時及び反時計方向に最大角傾斜した時に予め決められた所定時間一時停止するので、試料素材11が時計方向に最大傾斜角で一時停止した時及び試料素材11が反時計方向に最大傾斜角で一時停止した時の各試料素材11の上面からHL辺りのイオンビーム照射領域QA ́,QA ́ ́は、他の傾斜角度時の同一イオンビーム照射領域QAよりもイオンミリングレートが可なり高くなる。以後、前記と同様にして前記イオン銃12が左右に繰り返し傾斜され、Z軸に対して左右にそれぞれθ1傾斜したイオンビームによって前記試料素材11はミリングされる。そして、この様なイオンミリング過程において、CCDカメラ23から前記試料素材11に貫通孔Hが開いたこと示す像信号が前記イオンミリング終了判定回路14dに送られると、該イオンミリング終了判定回路は該像信号に基づいて前記試料素材11へのイオンミリング終了信号を前記イオン銃制御回路14aに送る。すると、該イオン銃制御回路は、イオン照射を停止させるための信号を前記電源15に送るので、前記イオン銃12からのイオンビーム放出は停止される。同時に、前記イオンミリング終了判定回路14dからのイオンミリング終了信号は前記イオン銃傾斜制御回路14bとステージ傾斜制御回路14c ́にも送られ、それによりこれらの制御回路は傾斜停止信号をそれぞれの駆動源16,17 ́に送るので、前記イオン銃12の傾斜とステージ3の傾斜は停止される。以上の様にして薄膜試料が出来上がる。該出来上がった試料は前記貫通孔Hのごく周辺部分だけではなく、試料素材を時計方向に最大傾斜した時のイオンビーム照射領域及び試料素材を反時計方向に最大傾斜した時のイオンビーム照射領域も透過電子顕微鏡観察に適した50nm程度の薄膜となっている。尚、前例では、試料素材を時計方向に最大傾斜した時と反時計方向に最大傾斜した時に該試料素材を一時停止するようにしたが、他の1箇所以上の傾斜角度で一時停止させるようにしても良い。但し、一時停止させる角度により、貫通孔以外にイオンミリングレートが高く成る試料素材におけるイオンビーム照射領域が変化する。又、試料素材を或る傾斜角度で一時停止する代わりに、所定の速度で変化している傾斜角の或る1つ以上の僅かな傾斜角範囲において極めて低速度で試料素材を傾斜させ、該傾斜角範囲において試料素材の上面からHL辺りのイオンビーム照射領域のエッチングレートを上げる様にしても良い。"