pコンタクト層を有するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法において、pコンタクト層を形成する工程は、MgドープGaNからなる第1のpコンタクト層を、窒素源としてアンモニア、キャリアガスとして水素を用いたMOCVD法によって形成する第1工程と、次工程で形成する第2のpコンタクト層の成長温度まで降温し、アンモニアの供給を減少もしくは停止し、キャリアガスを水素から窒素に替える第2工程と、前記第2工程の温度を維持し、キャリアガスとして窒素を用いたMOCVD法によって、前記第1のpコンタクト層上に、MgドープInGaNからなる前記第2のpコンタクト層を形成する第3工程と、を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記第1のpコンタクト層の成長温度は、1000°C以上であり、前記第2のpコンタクト層の成長温度は、700~900°Cであることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記第2のpコンタクト層のIn組成比は、10~20であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。しかし、これら特許文献1、2の方法を用いたとしても、InGaNからなるpコンタクト層をp型化するとともに、電極とのコンタクト抵抗を低減することは難しかった。そのため素子の抵抗を十分に低くすることはできず、pコンタクト層のさらなる低抵抗化と、電極とのコンタクト抵抗の低減とを両立させる必要性があった。そこで本発明の目的は、III族窒化物半導体発光素子のpコンタクト層を低抵抗化するとともに、電極とのコンタクト抵抗の低減を図ることである。第1の発明は、pコンタクト層を有するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法において、pコンタクト層を形成する工程は、MgドープGaNからなる第1のpコンタクト層を、窒素源としてアンモニア、キャリアガスとして水素を用いたMOCVD法によって形成する第1工程と、次工程で形成する第2のpコンタクト層の成長温度まで降温し、アンモニアの供給を減少もしくは停止し、キャリアガスを水素から窒素に替える第2工程と、第2工程の温度を維持し、キャリアガスとして窒素を用いたMOCVD法によって、第1のpコンタクト層上にMgドープInGaNからなる第2のpコンタクト層を形成する第3工程と、を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。第1のpコンタクト層の成長温度は1000°C以上、第2のpコンタクト層の成長温度は700~900°Cとすることが望ましい。成長温度がこの範囲であれば結晶性を良好とすることができるからである。より望ましくは、第1のpコンタクト層の成長温度を1000~1050°C、第2のpコンタクト層の成長温度を700~800°Cとすることであり、さらに望ましくは、第1のpコンタクト層の成長温度を1000~1020°C、第2のpコンタクト層の成長温度を700~750°Cとすることである。第1のpコンタクト層のMg濃度は、1×1019~7×1019/cm3とすることが望ましく、第2のpコンタクト層のMg濃度は、2×1019~2×1020/cm3とすることが望ましい。Mg濃度がこの範囲であれば、結晶性を良好とすることができるとともに、低抵抗なpコンタクト層を形成することができる。なお、第1のpコンタクト層のMg濃度は同じであってもよいし異なっていてもよい。より望ましいMg濃度は、第1のpコンタクト層が4×1019~7×1019/cm3、第2のpコンタクト層が5×1019~1×1020/cm3/cm3である。第1のpコンタクト層の厚さは、10~100nmとすることが望ましく、第2のpコンタクト層の厚さは、1~10nmとすることが望ましい。厚さがこの範囲であれば、pコンタクト層全体としての抵抗を低減することができる。より望ましい厚さは、第1のpコンタクト層が30~70nm、第2のpコンタクト層が1~5nmである。第2のpコンタクト層のIn組成比は、10~20とすることが望ましい。この範囲であれば、第2のpコンタクト層上に形成されるITOなどの透明電極や、Agなどの高反射率の金属からなる反射電極などの電極とのコンタクト抵抗を十分に低減することができる。より望ましいIn組成比は15~20である。第2の工程における第2のpコンタクト層の成長温度までの降温の際の降温速度は、1~3°C/秒とすることが望ましい。降温速度をこの範囲とすれば、第1のpコンタクト層を構成するGaN結晶から窒素が離脱してしまうのを抑制することができ、結晶性の悪化を抑制することができる。アンモニアの供給を減少もしくは停止させることは、第2のpコンタクト層の成長温度まで降温した後に行ってもよいが、降温しつつ行ってもよい。同じく、キャリアガスを水素から窒素に替えることも、第2のpコンタクト層の成長温度まで降温した後に行ってもよいし、降温しつつ行ってもよい。ただし、降温しつつキャリアガスを置換する方が、結晶からの窒素の離脱が抑制され、結晶性の悪化が抑制されるため望ましい。第2の工程後、第3の工程を行う前に、温度、雰囲気を1~10分間維持することが望ましい。第1のpコンタクト層中のMgの活性化をより十分とすることができる。より望ましくは2~5分間である。第2の発明は、第1の発明において、第1のpコンタクト層の成長温度は、1000°C以上であり、第2のpコンタクト層の成長温度は、700~900°Cであることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。第3の発明は、第1の発明または第2の発明において、第2のpコンタクト層のIn組成比は、10~20であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。本発明によると、pコンタクト層のp型化による低抵抗化と、pコンタクト層と電極とのコンタクト抵抗の低減を両立させることができ、その結果、III族窒化物半導体発光素子の低抵抗化を図ることができる。また、第2のpコンタクト層を形成するための一連の工程の途中で第1のpコンタクト層をp型活性化することができ、製造工程を簡略化することができる。以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。図1は、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の構成を示した図である。実施例1のIII族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板10上に、図示しないAlNからなるバッファ層を介して、III族窒化物半導体からなるnコンタクト層11、nクラッド層12、発光層13、pクラッド層14、pコンタクト層15が順に積層された構造を有している。また、p型コンタクト層15表面側からn型コンタクト層11に達する深さの溝が設けられ、その溝の底面に露出したn型コンタクト層11上にはn電極16が設けられている。また、pコンタクト層15上のほぼ全面にわたってITOからなる透明電極17が設けられ、透明電極17上にはp電極18が設けられている。サファイア基板10のnコンタクト層11側表面にドット状、ストライプ状などの凹凸パターンを設け、光取り出し効率の向上を図るようにしてもよい。成長基板としてサファイア基板以外にも、SiC、Si、ZnO、スピネル、GaNなどを用いることができる。nコンタクト層11は、Si濃度が1×1018/cm3以上のn-GaNである。n電極16とのコンタクト抵抗をより低減するために、nコンタクト層11をSi濃度の異なる複数の層で構成してもよい。nクラッド層12は、厚さ4nmのノンドープのInGaN層、厚さ0.8nmのノンドープのAlGaN層、厚さ1.6nmのSiドープのn-GaN層の3層を順に積層させたものを1単位として、この単位構造を15回繰り返し積層させた超格子構造である。ただし、nクラッド層12は、最初に形成する層、すなわち、nコンタクト層11に接する層をInGaN層とし、最後に形成する層、すなわち、発光層13に接する層をn-GaN層としている。nクラッド層12の全体の厚さは、96nmである。nコンタクト層11とnクラッド層12との間に、素子の静電耐圧性を高めるためのESD層を設けてもよい。ESD層は、たとえば、nコンタクト層11側から順に、第1ESD層、第2ESD層、第3ESD層の3層構造とし、第1ESD層は、発光層13側の表面に1×108/cm2以下のピットが形成され、厚さが200~1000nm、Si濃度が1×1016~5×1017/cm3のGaNで構成され、第2ESD層は、発光層13側の表面に2×108/cm2以上のピットが形成され、厚さが50~200nm、キャリア濃度が5×1017/cm3以下のGaNで構成され、第3ESD層は、Si濃度/cm3と膜厚nmの積で定義される特性値が0.9×1020~3.6×1020nm/cm3のGaNで構成する。このようにESD層を構成すれば、静電耐圧特性を向上させつつ、発光効率や信頼性を向上させることができ、電流のリークを減少させることができる。発光層13は、ノンドープのInGaNからなる井戸層とノンドープのAlGaNからなる障壁層とが交互に繰り返し積層されたMQW構造である。井戸層と障壁層との間に、Al組成比が障壁層のAl組成比以下のAlGaNからなり、井戸層と同じ成長温度で形成するキャップ層を設けてもよい。このようなキャップ層を設けると、障壁層を形成する際の昇温時に井戸層からのInの離脱が防止されるため、発光効率を向上させることができる。発光層13とpクラッド層14との間に、pクラッド層14中のMgが発光層13へ拡散するのを防止するために、ノンドープのGaNとノンドープのAlGaNとからなる層を設けてもよい。pクラッド層14は、厚さ1.7nmのp-InGaN層、厚さ3.0nmのp-AlGaN層を順に積層させたものを1単位として、この単位構造を7回繰り返し積層させた構造である。ただし、最初に形成する層、すなわち、発光層13に接する層をp-InGaN層とし、最後に形成する層、すなわち、pコンタクト層15に接する層をp-AlGaN層としている。pクラッド層14の全体の厚さは32.9nmである。p型不純物にはMgを用いている。pコンタクト層15は、pクラッド層14側から順に第1のpコンタクト層151と第2のpコンタクト層152が積層された構造である。第1のpコンタクト層151はp-GaNであり、第2のpコンタクト層152はp-InGaNである。第1のpコンタクト層151、第2のpコンタクト層152の厚さ、Mg濃度は、次に示す範囲であれば、pコンタクト層15全体としては十分に低抵抗化することができる。第1のpコンタクト層151については、厚さ6~7nm、Mg濃度は4×1019~7×1019/cm3、第2のpコンタクト層152については、厚さ2~4nm、Mg濃度5×1019~1×1020/cm3である。第2のpコンタクト層152のIn組成比は0.1~0.2である。In組成比がこの範囲であれば、結晶性を劣化させることなく第2のpコンタクト層152を形成することができ、第2のpコンタクト層152上に接して位置するITOからなる透明電極17とのコンタクト抵抗も低減することができる。次に、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の製造工程について、図2を参照に説明する。まず、サファイア基板10上に、MOCVD法によって、バッファ層図示しない、nコンタクト層11、nクラッド層12、発光層13、pクラッド層14、を順に積層する図2a。原料ガスは、Ga源としてTMGトリメチルガリウム、In源としてTMIトリメチルインジウム、Al源としてトリメチルアルミニウム、窒素源としてアンモニアを用い、キャリアガスとして水素と窒素を用いる。また、n型ドーパントガスにはシランを用いる。次に、pクラッド層14上に、MOCVD法によって、MgがドープされたGaNである第1のpコンタクト層151を形成する図2b。キャリアガスとして水素を用い、Ga源としてTMG、窒素源としてアンモニアを用いる。また、p型ドーパントガスにはCp2Mgビスシクロペンタジエニルマグネシウムを用いる。第1のpコンタクト層151の厚さは6~7nm、Mg濃度は4×1019~7×1019/cm3とする。また、成長温度は1000°C以上とする。この成長温度であれば、結晶性よく第1のpコンタクト層151を形成することができる。より望ましい成長温度は1000~1020°Cである。また、圧力は大気圧とする。圧力がこの範囲であれば、結晶性よく第1のpコンタクト層151を形成することができる。次に、次工程で形成する第2のpコンタクト層152の成長温度である700°Cまで降温した後、アンモニアの供給を停止し、キャリアガスを水素から窒素へと切り換えて置換する。TMGについては供給を停止しなくともよいし、停止してもかまわない。また、圧力は第1のpコンタクト層151形成時と同様とする。そして、700°C、窒素雰囲気の状態を2~5分間維持する。この維持時間は必ずしも必要ではないが、十分なMgの活性化には維持時間を設けるのがよい。これにより、第1のpコンタクト層151のMgは活性化され、第1のpコンタクト層151はp型化する。また、第1のpコンタクト層151とともに、pクラッド層14についても同時にp型化される。なお、アンモニアの供給は停止するのではなく、一定量まで供給量を減少させるのでもよい。この場合、アンモニアの供給量は10以下まで減少させることが望ましい。Mgが十分に活性化されないためである。最も望ましいのはアンモニアの供給を停止させることである。これらのアンモニアの供給停止または供給量減少は、降温後ではなく、降温しつつ行ってもよい。同じく、キャリアガスの置換は降温後ではなく、降温しつつ行ってもよい。ただし、降温しつつキャリアガスを置換する方が、結晶から窒素が離脱してしまうのをより抑制することができ、結晶性の劣化を防止することができるため望ましい。また、700°Cまで降温する際の降温速度は、1~3°C/秒とするのが望ましい。この範囲であれば、第1のpコンタクト層151であるGaN結晶から窒素が蒸発してしまうのを効果的に抑制することができる。次に、前工程の温度である700°Cを維持し、キャリアガスには窒素を用いて原料ガスとしてアンモニア、TMG、TMIを供給して、p型ドーパントガスとしてCp2Mgを供給して、MOCVD法によって、第1のpコンタクト層151上に、MgがドープされたInGaNである第2のpコンタクト層152を形成する図2c。第2のpコンタクト層152の厚さは2~4nm、Mg濃度は5×1019~1×1020/cm3とする。第2のpコンタクト層152のIn組成比は10~20とする。また、第2のpコンタクト層152形成時の圧力は大気圧Paとする。圧力がこの範囲であれば、結晶性よく第1のpコンタクト層151を形成することができる。なお、第2のpコンタクト層152の成長温度は700°Cとしたが、これに限るものではなく、700~900°Cであればよい。この成長温度であれば、結晶性よく第1のpコンタクト層151を形成することができる。その後、所定の領域をドライエッチングしてpコンタクト層15表面からnコンタクト層11に達する深さの溝を形成する。そして、pコンタクト層15上のほぼ全面にITOからなる透明電極17を形成し、透明電極17上にp電極18、溝底面に露出したnコンタクト層11表面にn電極16を形成する。以上によって図1に示した実施例1のIII族窒化物半導体発光素子が製造される。ここで、透明電極17は、pコンタクト層15の第2のpコンタクト層152に接触する。第2のpコンタクト層152はIn組成比が10~20のp-InGaNからなり、第1のpコンタクト層151であるp-GaNよりも仕事関数が小さい。そのため、第2のpコンタクト層152とITOからなる透明電極17との仕事関数の差は、p-GaNの場合よりも小さくなる。その結果、第2のpコンタクト層152と透明電極17とのコンタクト抵抗を低減することができる。なお、第2のpコンタクト層152は熱処理によってMgを活性化させてp型化させる処理を行っていないが、第2のpコンタクト層152の厚さが十分に薄いため、pコンタクト層15全体としては十分に低抵抗化することができる。以上に示したpコンタクト層15の成長方法によれば、第1のpコンタクト層151の低抵抗化を図ることができるとともに、透明電極17と接触する第2のpコンタクト層152がInGaNであるためにコンタクト抵抗を低減することができる。したがって、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の低抵抗化を図ることができる。また、第1のpコンタクト層151のp型活性化は、一連の第2のpコンタクト層152の形成工程の途中で連続的に行うことができるため、第2のpコンタクト層152形成後のp型活性化を省略することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。なお、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子はフェイスアップ型の素子であったが、本発明はこれに限定するものではなく、pコンタクト層上に電極が形成された構造を有するIII族窒化物半導体発光素子であれば任意の構造であってよい。たとえば、フリップチップ型の素子や、導電性基板を用いたり、レーザーリフトオフなどの技術によって基板を除去するなどして縦方向に導通をとる構造とした素子などにも本発明は適用することができ、実施例1と同様にpコンタクト層の低抵抗化、電極とのコンタクト抵抗の低減を図ることができる。また、通常、pコンタクト層形成後には、ITOからなる透明電極を焼成するための熱処理や、p電極、n電極のオーミックコンタクトを得るためのアロイ処理熱処理など複数の熱処理が行われるが、これらは本発明の効果、すなわち、pコンタクト層11のp型化および電極とのコンタクト抵抗の低減に影響を与えるものではない。