"第1格子定数を有する半導体基板上に、前記第1格子定数と前記第1格子定数より大きな第2格子定数の範囲で格子定数が段階的に増加するように組成を傾斜させた傾斜バッファ層と、前記第2格子定数を有する半導体結晶からなる半導体層光吸収層と、をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャル基板であって、前記半導体層のmnn面m,nは整数、ただし、m=n=0を除くと、前記半導体基板のmnn面のなす角が、[100]方向から[011]方向へ時計回りに回転する方向を正とするとき、0.05°以上となっていることを特徴とする半導体エピタキシャル基板。前記半導体基板がInPで構成され、前記傾斜バッファ層がInAsPで構成され、前記半導体層がInGaAsで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体エピタキシャル基板。ところで、MOCVD法により半導体層例えばInGaAs光吸収層をエピタキシャル成長させる場合、一般的には100面の成長用基板が用いられている。しかしながら、このような成長用基板上に、成長用基板よりも大きい格子定数を有する傾斜バッファ層を成長させると、結晶軸が成長用基板とはわずかに異なる微小領域が成長結晶中に多数発生し、このような微小領域の集合からなるモザイク構造が形成されることが判明した。このモザイク構造の発生は、結晶中の格子欠陥の増加を招き、化合物半導体結晶の品質が低下する要因となる。本発明は、成長用基板上に傾斜バッファ層を介して成長用基板と異なる格子定数を有する半導体層をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャル基板であって、半導体層のモザイク性が低く、半導体デバイスの作製に好適な半導体エピタキシャル基板を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明は、上記目的を達成するためになされたもので、第1格子定数を有する半導体基板上に、前記第1格子定数と前記第1格子定数より大きな第2格子定数の範囲で格子定数が段階的に増加するように組成を傾斜させた傾斜バッファ層と、前記第2格子定数を有する半導体結晶からなる半導体層と、をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャル基板であって、前記半導体層のmnn面m,nは整数、ただし、m=n=0を除くと、前記半導体基板のmnn面のなす角が、[100]方向から[011]方向へ時計回りに回転する方向を正とするとき、0.05°以上となっていることを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の半導体エピタキシャル基板において、前記半導体基板がInPで構成され、前記傾斜バッファ層がInAsPで構成され、前記半導体層がInGaAsで構成されていることを特徴とする。本発明に係る半導体エピタキシャル基板によれば、半導体層のモザイク性が低く結晶性が極めて高いので、赤外線センサ等の半導体デバイスの性能を格段に向上することができる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明に係る半導体エピタキシャル基板をフォトダイオードに適用したときの積層構造を示す図である。図1に示すように、実施形態の半導体エピタキシャル基板1は、InP基板11上に、InAsP傾斜バッファ層12、InAsPバッファ層13、InGaAs光吸収層14、InAsP窓層15が順に形成された積層構造を有している。そして、InGaAs光吸収層14の5-1-1面と、InP基板11の5-1-1面のなす角が、[100]方向から[011]方向へ時計回りに回転する方向を正とするとき、0.05°以上となっている。以下において、InGaAs光吸収層14の5-1-1面とInP基板11の5-1-1面のなす角については、同様に[100]方向から[011]方向へ時計回りに回転する方向を正として記載するものとする。ここで、InGaAs光吸収層14の5-1-1面と、InP基板11の5-1-1面のなす角は、図2に示す逆格子空間における角度αで表される。すなわち、InP基板1の5-1-1面の逆格子点の座標と、InGaAs光吸収層14の5-1-1面の逆格子点の座標から算出される。[実施例]実施例では、図1に示す半導体エピタキシャル基板1を作製するに際し、100面を[110]方向へオフ角1°,2°,3°,5°で傾斜させた主面を有するInP基板11格子定数:5.8688Åを用い、このInP基板11上にMOCVD法により格子歪系の半導体層12~15を順にエピタキシャル成長させた。このとき、半導体層12~15の原料には、AsH3,PH3,TMIn,TMGaを用い、成長圧力を50Torr、成長温度を600~670°Cとした。まず、InP基板11上に、格子定数が徐々に大きくようにAsの組成xを調整した複数のInAsxP1-x層からなる傾斜バッファ層12を成長させた。具体的には、Asの組成xを0.05~0.60とすることで、傾斜バッファ層12の格子定数がInP基板11の格子定数第1格子定数である5.8688ÅからInGaAs光吸収層14の格子定数第2格子定数である59852Åまでの範囲で段階的に増加するようにした。そして、この傾斜バッファ層12上に、Asの組成xが0.6程度のInAsxP1-xバッファ層13格子定数:59880Å、Inの組成yが0.82程度のInyGa1-yAs光吸収層14格子定数:59852Å、Asの組成xが0.6程度のInAsxP1-x窓層15を順に成長させ、半導体エピタキシャル基板1を作製した。なお、InAsP傾斜バッファ層12の厚さは0.3~1μm程度、InAsPバッファ層13の膜厚は0.5~5μm、InGaAs光吸収層14の膜厚は1~5μm、InAsP窓層15の膜厚は0.5~3μmとした。[比較例]比較例では、図1に示す半導体エピタキシャル基板1を作製するに際し、100面を[110]方向へオフ角0°,0.5°で傾斜させた主面を有するInP基板11格子定数:5.8688Åを用い、このInP基板11上にMOCVD法により格子歪系の半導体層12~15を順にエピタキシャル成長させた。具体的な成長条件は実施例と同様とした。図3は実施例で作製した半導体エピタキシャル基板1の5-1-1面の逆格子マッピングの一例を示す図で、図4は比較例で作製した半導体エピタキシャル基板1の5-1-1面の逆格子マッピングの一例を示す図である。図3ではオフ角2°のInP基板11上に半導体層12~15をエピタキシャル成長させた半導体エピタキシャル基板1の逆格子マッピングについて示しており、図4ではオフ角0°のInP基板11上に半導体層12~15をエピタキシャル成長させた半導体エピタキシャル基板1の逆格子マッピングについて示している。また、図3,4では、011面の逆格子ベクトルをX軸方向、100面の逆格子ベクトルをY軸方向としており、逆格子点の広がりを比較できるように目盛軸は同一としてある。逆格子マッピング法によると、逆格子点の座標逆格子ベクトルの大きさから結晶面の面間隔と結晶方位が分かり、異なる結晶面の逆格子点の座標からそれらの結晶面の成す角度がわかる。また、試料の結晶性が悪い場合には逆格子点の広がりが大きくなるので,結晶性の良否も分かる。例えば、半導体エピタキシャル基板について、非対称面である5-1-1面の逆格子マッピングを測定すると、逆格子点の座標から、結晶の成長していく方向基板の法線方向である500面の面間隔、基板に平行な方向である0-1-1面の面間隔、及び500面と0-1-1面の成す角度が分かる。そして、これらの面間隔等の情報から,成長した結晶の格子緩和の度合いなどを推定することができる。また、欠陥のない理想的な結晶であれば、逆格子点の広がりが無く円形のスポット状の逆格子マッピングとなる一方、微妙に様々な方向を向いた微小結晶の集合であるモザイク構造があると、逆格子ベクトルも微妙に種々の方向を向くため、逆格子点の広がりが大きい楕円状の逆格子マッピングとなる。図3,4に示すように、実施例で作製した半導体エピタキシャル基板1では、比較例で作製した半導体エピタキシャル基板1に比較して、明らかに逆格子点の長軸方向横方向の広がりが小さく、結晶性が向上しているモザイク性が低くなっていることがわかる。図示を省略するが、実施例に係るオフ角1°,3°,5°のInP基板11を用いた半導体エピタキシャル基板1でも図3と同様の結果となり、良好なモザイク性が確認された。これに対して、比較例に係るオフ角0.5°のInP基板11を用いた半導体エピタキシャル基板1では図4と同様の結果となり、モザイク性が劣化していた。これは、成長用基板InP基板11上に、この成長用基板よりも格子定数が大きな半導体層InGaAs光吸収層14を成長させる場合に、オフ角が小さい例えば0°,0.5°成長用基板を用いると、成長用基板上に成長する格子定数の大きな結晶層は、その微小領域において結晶方位が様々な方向を向いてモザイク構造となってしまうが、ある程度のオフ角例えば1°以上がある成長用基板を用いると、成長結晶の方位が成長用基板に対してある一定の方向に配向することを示している。すなわち、成長用基板上に、その成長用基板よりも格子定数の大きな半導体層を成長させる場合、半導体層の膜厚が臨界膜厚に達するまでは格子変形しながら無理やり成長していくが、臨界膜厚を超えると結晶欠陥等が発生し、歪みエネルギーが緩和される。このとき、比較例のようにオフ角0°の成長用基板上に成長した半導体層では、微小領域の結晶はどの方向を向くにもエネルギー的に等価なので、その面方向はバラバラな方向を向いてしまい、図4のように逆格子点の広がりが大きくなる。一方、実施例のようにオフ角2°の成長基板を用いた場合には、図3のように逆格子点の広がりが小さくなる。つまり、オフ角0°の成長用基板を用いた場合には成長結晶がバラバラな方向を向いて成長してモザイク構造が形成されるところ、オフ角2°の成長用基板を用いた場合にはある一定の方向にそろって成長するといえる。ここで、特筆すべきは、比較例に係る半導体エピタキシャル基板1では、InP基板11の5-1-1面の逆格子点と逆格子空間の原点を結ぶ直線L上に半導体層12~15の5-1-1面の各逆格子点が位置している図4参照のに対して、実施例に係る半導体エピタキシャル基板1では、半導体層12~15の5-1-1面の各逆格子点が直線Lからずれた位置にある図3参照ということである。解析の結果、比較例に係る半導体エピタキシャル基板1では、InGaAs光吸収層14の5-1-1面とInP基板11の5-1-1面のなす角が-0.07~0.03°であったのに対して、実施例に係る半導体エピタキシャル基板1では、0.05~0.72°であった。図5は、実施例及び比較例で作製した半導体エピタキシャル基板1について、InGaAs光吸収層14の5-1-1面とInP基板11の5-1-1面のなす角αと、InGaAs光吸収層14の逆格子点の半値幅の関係を示す図である。図5に示すように、角度αが増加するにつれて半値幅が減少し、特に、角度αが0.05°以上であれば、半値幅が1.5×10-3a.u.より小さく、極めて良好な結晶性となっている。図6は、実施例及び比較例で作製した半導体エピタキシャル基板1について、InGaAs光吸収層14の5-1-1面とInP基板11の5-1-1面のなす角αと、光学的品質を示すPL強度の関係を示す図である。図6に示すように、角度αが0.05°以上では、0.05°以下と比較してPL強度が2~3割増加しており、光学的品質の観点からも結晶性が向上し高品質な半導体層が形成されていることがわかる。つまり、InGaAs光吸収層14の5-1-1面とInP基板11の5-1-1面のなす角が、[100]方向から[011]方向へ時計回りに回転する方向を正とするとき、0.05°以上である半導体エピタキシャル基板では、InGaAs光吸収層14が一定の方向に配向して成長しており、モザイク性が低く高品質な結晶で構成されていることになる。したがって、この半導体エピタキシャル基板1を用いることで、赤外線センサ等の半導体デバイスの性能を向上させることができる。なお、InGaAs光吸収層14の5-1-1面とInP基板11の5-1-1面のなす角は、InP基板11のオフ角に最も影響を受けるが、それだけに依存するものではない。成長用基板としてオフ基板を用いるのは、InGaAs光吸収層14の5-1-1面とInP基板11の5-1-1面のなす角が0.05°以上になるようにする一手法であり、例えばオフ角1°以上のInP基板11を用いるのが望ましいと考えられる。以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。実施形態では、InP基板11上にInAsP傾斜バッファ層12及びInAsPバッファ層13を介してInGaAs層14を成長させる場合について説明したが、本発明は、第1格子定数を有する半導体基板上に、第1格子定数と前記第1格子定数より大きな第2格子定数の範囲で格子定数が段階的に増加するように組成を傾斜させた傾斜バッファ層と、第2格子定数を有する半導体結晶からなる半導体層と、をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャル基板に適用できる。例えば、Si基板上にSiよりも格子定数の大きなSixGe1-x傾斜バッファ層及びSixGe1-x層を成長した半導体エピタキシャル基板、またはGaAs基板上にGaよりも格子定数の大きなInxAl1xAs組成傾斜バッファ層及びInxAl1xAs層を成長した半導体エピタキシャル基板などに適用することが出来る。また、実施形態では、InGaAs光吸収層14の5-1-1面とInP基板11の5-1-1面のなす角が0.05以上となる場合について説明したが、結晶学的考察から311面や511面、或いは711面のような非対称面としてのmnn面m,nは0≦mn≦7の整数、ただし、m=n=0を除くについても同様のことがいえる。すなわち、本発明に係る半導体エピタキシャル基板は、半導体層のmnn面m,nは整数、ただし、m=n=0を除くと、半導体基板のmnn面のなす角が、[100]方向から[011]方向へ時計回りに回転する方向を正とするとき、0.05°以上であることを特徴とする。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"