"基板と、前記基板上に形成された少なくとも1つの微細ばねと、前記基板上に形成された積層構造とを含み、前記微細ばねが前記積層構造内に少なくとも部分的に埋設されている、微細ばね構造。前記微細ばねは、固定部分および遊離部分を含み、前記固定部分は、前記基板上に貼り付けられており、さらに、前記固定部分は、前記積層構造内に埋設されており、前記遊離部分の少なくとも一部が、前記積層構造から伸びており、前記基板上で自由にたわむことができる、請求項1に記載の微細ばね構造。前記微細ばねは、前記積層構造内に完全に埋設されている、請求項1に記載の微細ばね構造。前記積層構造は、複数の層を含んでおり、前記微細ばねは、固定部分および遊離部分を含んでおり、前記固定部分は、前記基板上に貼り付けられ、前記積層構造の第1層に完全に配置されており、前記遊離部分の少なくとも一部は、前記第1層とは異なる前記積層構造の第2層内に配置されており、前記第2層を除去した状態で、前記遊離部分が、前記基板上で自由にたわむことができるように配置されている、請求項3に記載の微細ばね構造。前記積層構造は、さらに、前記第1層と第2層との間に配置された分離層を含んでいる、請求項4に記載の微細ばね構造。前記遊離部分の前記一部は、めっき金属によってめっきされており、前記積層構造内に埋設された前記微細ばねの部分が、前記めっき金属を含んでいない、請求項2に記載の微細ばね構造。前記微細ばねは、先端部分を含んでおり、少なくとも、はんだを有する前記先端部分は、前記微細ばねに設けられており、前記積層構造内に埋設された前記微細ばねの前記部分は、はんだを含んでいない、請求項1に記載の微細ばね構造。前記積層構造は、シリコンを少なくとも部分的に含んでいる、請求項1に記載の微細ばね構造。前記積層構造は、さらに、前記基板上に前記積層構造を接着する接着層を含んでいる、請求項8に記載の微細ばね構造。前記積層構造は、フォトリソグラフィによってパターン形成可能な材料を含んでおり、使用中に前記微細ばねの過度のたわみの防止を補助する働きをするために、前記微細ばねに隣接した隙間充填部を形成するようにパターニングされている、請求項1に記載の微細ばね構造。それゆえに、本開示は、機械的な損傷を防止するために、微細ばねの物理的保護を改善した構造、および、その製造方法に関するものである。他の利点は、ばねスペーサ層の提供、ばねと基板との間の上記固定部の強化、ばねがたわんでいる間の隙間充填部の提供、および、湿度および汚染物質からの保護を含んでいるが、それらに限定されるものではない。本開示の一実施形態に従って、垂直に動かされた少なくとも1つの微細ばねが、基板の上に形成される。上記微細ばねは、調整された応力外形を含んでいる。これにより、上記微細ばねが形成される上記基板からの分離に続いて、上記微細ばねは、上記応力外形から得られる凹形の外形となる。上記微細ばねは、固定部分、および、先端を含む遊離分離された部分を含んでいる。上記微細ばねの一部が上記積層構造に埋設され、上記微細ばねの先端に隣接した別の部分が露出するように、上記微細ばね構造の上に積層構造が設置または形成されてもよい。上記積層構造は前もって形成されていてもよく、上記微細ばねの先端は、上記微細ばね構造の上に取り付けられると、上記積層構造を貫通する。あるいは、上記構造は、上記微細ばね構造の上に形成され、固められるか、または、硬化してもよい。上記微細ばねが使用中であるとき、上記積層構造は所定の位置にあってもよく、あるいは、上記積層構造は全体的にまたは一部除去されてもよい。上記積層構造は、上記構造の上に設置または形成されるとき、上記微細ばねの一部が上記構造から突き出ており、これにより、接触するために露出するような、厚さであってもよい。あるいは、上記積層構造は、上記微細ばねが上記積層構造に完全に埋設されているように、設けられていてもよい。上記微細ばね構造は、次に、操作され、さらに処理されてもよく、このとき、上記微細ばねは、上記積層構造内で保護されている。操作および/または処理が完了すると、上記積層構造は、上記微細ばね構造から部分的にまたは完全に除去されてもよく、少なくとも、接触するために露出した上記微細ばねの先端を残している。上記積層構造は、均質な本体であってもよいし、あるいはそれ自体、2つ以上の層から形成されていてもよい。上記積層構造が複数の層から形成されている場合、上記層は、上記微細ばね構造の上に貼り付けられた状態であってもよいし、あるいは、例えば上記構造の操作および/または処理の後、1つまたは複数の層が除去されてもよい。これにより、少なくとも、接触するための上記微細ばねの上記先端を露出することができる。上記積層構造は、フォトリソグラフィによってパターン形成可能な材料であってもよい。上記積層構造は、形成されると、次に、上記構造のいくらかまたは全てを除去するために、パターニングおよびエッチングされてもよい。上記積層構造の一部が残った場合、この部分は、上記微細ばねの上記埋設された部分を保護してもよく、および/または、過度のたわみすなわち、弾力性のないたわみに抵抗することによって上記ばねを補助する働きをするために、隙間充填部として機能してもよい。上記積層構造は、上記微細ばねの先端領域の上にはんだなどの材料を選択的にめっきまたは堆積することができる、マスクを形成してもよい。あるいは、上記積層構造は、上記微細ばねの上記先端部分をエッチング、洗浄、または、他の処理を施すためのマスクを形成してもよい。いずれの場合にも、上記積層構造は、完成した上記微細ばね構造の一部として所定の位置にあってもよいし、あるいは、上記構造の完成前に除去されてもよい。それゆえに、本開示の一実施形態に従って、基板と、上記基板上に形成された少なくとも1つの微細ばねと、上記基板上に形成された積層構造とを含み、上記微細ばねが上記積層構造内に少なくとも部分的に埋設されている、微細ばね構造を提供する。本開示のもう1つの形態に従って、基板上に微細ばねを形成し、上記基板上に積層構造を形成して、上記微細ばねが上記積層構造内に少なくとも部分的に埋設されるようにする、微細ばね構造の製造方法を提供する。上記のことが、多くの本開示の独特の形態、特徴、および、利点の要約である。しかし、この要約は、網羅的なものではない。従って、ここに提示した特許請求の範囲を踏まえて考察すると、本開示のこれらのおよび他の形態、特徴、および、利点が、続く詳細な説明および添付図面からより明らかになるだろう。ここに添付した図面では、参照符号が同じものは、各種図面の同じ要素を意味している。上記図面は説明に役立つが、縮尺比に従って描かれたものではない。初めに、よく知られている出発原料、処理技術、構成要素、機器および他のよく知られている細部の説明については、本開示の細部を不必要にあいまいにしないように要約または省略しているにすぎないということを、指摘しておく。従って、細部が別のやり方でよく知られている場合には、これらの細部に関する選択を提示または指示するために、本開示の適用例に上記細部を残す。図1に示したのは、微細ばね構造10の一実施形態の側面図である。構造10は複数の微細ばねを含んでいるが、単一の微細ばね12が示されている。微細ばね12は、遊離部分14と、基板18例えば、ガラス、シリコン、石英などに固定された固定部分16とを含んでいる。微細ばね12を形成する前に、基板18の表面に誘電体層20が形成され、上記基板の中には開口部22が形成された。微細ばね12は、例えば基板18中のビア26に形成された接触部24に、開口部22を介して電気的に接続されるように、誘電体層20の上に形成される。微細ばね12と接触部24との接続は、基板18に微細ばね12をさらに固定する物理的接続と同様に、微細ばね12と接触部24との電気的連絡を提供してもよい。さらに、微細ばね12は、接触部24においてのみ基板18に接続されていてもよい。さらに他の実施形態では、微細ばね12が、別の電気的接触部を有していても、有していなくても、基板18に取り付けられた別の固定部図示せずの上に形成されており、上記別の固定部に貼り付けられている。上記米国特許第7550855号に開示されているように、複数の層に積み重ねられた微細ばねが形成されていてもよい。微細ばね12は、モリブデンクロムMoCr合金、ニッケルジルコニウムNiZr合金、または、微細ばねの形成に適した色々な金属または合金のいずれか例えば、Mo、MoCr、W、Ni、NiZr、Cu、ダイヤモンド、または、他の合金、非金属、酸化物、窒化物、または、有機材料といった、弾力的に変形可能な材料からなる。微細ばね12を形成する上記材料は、非導電性または半導電性の材料から形成されていてもよいが、導電性であることが好ましい。非導電性または半導電性の材料から形成される場合、微細ばね12は、図示しないが、導電性の材料によって被覆またはめっきされていてもよいし、あるいは、導電性の接触部を必要としない適用例において配置されてもよい。よく理解されるように、微細ばね12は、初めに、基板18の表面の平らな面に沿ってほぼ平行な平面に形成される。この形成は、通常、従来技術においてよく知られているフォトリソグラフィ技術によって行われる。微細ばね12の内部応力は、上記微細ばねの垂直の断面によって変化する。色々な技術のうちの1つ例えば、エッチングによるアンダーカッティングが、先端28を含む微細ばね12の遊離部分14を分離するために用いられ、微細ばね12内の内部応力によって、先端28を平面から引っ張り上げ、図1に示したように、凹形の微細ばねを作り出す。通常の実施形態では、先端28は、層20の表面から約10‐250μm上の高さHまで上昇する。微細ばね12の幅は、通常、5‐100μmである。ある実施形態では、微細ばね12は、微細ばね12の平面図である図2に示したように、ポイント形状をした先端28を有するように形成されている。このようなポイント形状は、プローブおよび接触を用いるために酸化物または他の層を貫通することによって補助する働きをする。上記ポイント形状は、以下にさらに論じる保護構造を用いることによって補助する働きをしてもよい。多くの他の先端形状および設計がよく知られており、本開示において用いられてもよい。第1実施形態では、遊離部分14が分離されると、本実施形態では薄い積層構造30である保護構造が、構造10の上面に設けられる。図3は、構造10の上の位置にもたらされた積層構造30を示している。図4は、構造10の上の所定の位置に固定された積層構造30を示している。薄い積層構造30は、構造10の上に永久的に設置されるように、色々な異なる材料から形成されていてもよい。シリコンが、1つの模範的な材料である。シリコンは、比較的軟質であり、コンフォーマルであり、以下の説明から理解されるように有効である。もう1つの候補材料が、DelphonIndustries,LLCの一事業部であるGel-Pak参照:例えば、www.gelpak.com/products/index.cfmfuseaction=gel-filmから入手できるゲル薄膜として商業的に知られている。明確にするために、本実施形態では、構造30は、上記装置の形成プロセスにおいて、すでに形成された微細ばねおよび基板構造の上に設置または積層されるので、積層構造と呼ばれる。積層構造30は、単一の材料を含んでいてもよいし、あるいは、それ自体、いくつかの材料層の積層であってもよい。ある実施形態では、積層構造30は、搬送シート図示せずを介して操作され、使用中に上記シートを移されてもよい。積層構造30の厚さTは約25μmである。本実施形態では、上記積層の厚さTは、微細ばね12の高さHよりも薄いが、ある実施形態では、少なくとも初めはそうではない。以下に記載するような他の実施形態では、TはHより大きくてもよい。薄い積層構造30は、次に、その裏材から除去され、微細ばね12の先端28が積層構造30を貫通するように、構造10の上面に設けられる。微細ばね12は、先端28が非常に小さく、比較的尖っており、上記積層が比較的軟質であるという事実のゆえに、損傷を受けない。構造30が、概して、構造10の上面の形状に適合され、上記上面によく固定されるように、構造30の上面32に適切な圧力が加えられる。構造10の上面例えば、微細ばね12および誘電体層20の上面の一部に接触している積層構造30の下面に位置する任意の接着層34が、積層構造30を所定の位置に維持してもよい。一実施形態では、構造30を貫通するプロセスにおいて微細ばね12が損傷を受けないように、および、さらには、構造30が構造10の平坦ではない上面の大部分に接触することができるように、構造30用の軟質のコンフォーマルな材料を用いることが有効である。ある実施形態では、例えば、構造10の表面によりコンフォーマルな覆いを提供する、微細ばね12が構造30を貫通するときの上記微細ばねに対する損傷の可能性をさらに低減するなどのために、使用前に構造30を軟質にすることが望ましい。構造30を軟質にすることは、加熱、化学的な軟化、または、従来技術において知られているような他の方法によって成し遂げられてもよい。さらに、構造30は、光硬化性エポキシまたは光硬化性ポリマーといった硬化性材料を含んでいてもよい。初めに、構造30は、その物理的構造を維持することができるように部分的に硬化された状態で設けられているが、十分に軟質であり、微細ばね12が比較的簡単に貫通するなど、適合されている。設けられると、構造30の硬化を完成することができ、これにより、微細ばね12が埋設されたより剛性の本体を提供することができる。さらには、構造10の上で使用後に軟質になることができる材料が、用いられてもよい。これにより、上記材料は、例えば、加熱、化学的な処理などによって軟質になることができる微細ばね12を保護するために、および、構造10および微細ばね12から容易に除去できるようにするために、構造10の上に配置されるときにより剛性であることができる。微細ばね12の先端28は、次に、H‐Tにほぼ等しい距離だけ構造30の上面32上に伸びる。次に、露出した先端28を、例えば電気的接触部として用いることができる。これにより、少なくとも微細ばね12の一部、および具体的には、一部の遊離部分14が、積層構造30の内部に位置することになる。微細ばね12を物理的に支持することは、積層構造30の一機能である。この支持とは、上記ウェハを支える微細ばね12が操作されるとき、全ての方向における強度、微細ばね12がその上の装置とのばね接触状態にあるときの、たわみ方向における強度、などであることができる。それゆえに、積層構造30は、上記微細ばね間にわずかな隙間を有する微細ばね12の表面と十分に接触している必要がある。積層構造30は、微細ばね12に対して全体的に加えられた強度をなおも提供する一方で、いくつかの曲がり、または、微細ばね12のたわみに対する許容範囲、を有する必要がある。積層構造30は、さらに、誘電体層20の上面と先端28に接触している構造の下面図示せずとの最小間隔を規定する、スペーサの機能を果たしていてもよい。さらには、積層構造30は、接着層34によって提供された接着と同様に、部分的には大きい表面接触領域と上記接着との両方のゆえに、微細ばね12と基板18との間の固定部のさらなる強度を提供してもよい。構造30はさらに、ばねがたわんでいる間に隙間充填部を提供する。構造30がいくつかの曲がりを許容している間、上記材料がさらに微細ばね12のたわみに抵抗する限界に達する。この時点で、構造30と装置10が接触する装置との間の最も小さい隙間が、これにより規定される。その上、構造30は、さらに、湿度および汚染物質の障壁を提供し、微細ばね12の一部、誘電体層20、接触部24、などを環境汚染および損傷から保護する。さらには、積層構造30内に埋設された微細ばね12の上記一部は、本開示のある用途において必要とされる、めっきおよびはんだ付けといった化学的処理ステップによって保護される。図5は、先端28a、28bを有する2つの微細ばね12a、12bのマイクロ写真である。微細ばね12aは、基板18の上に独立して立っており、他方、微細ばね12bは、シリコン積層構造30に埋設されている。先端28a、28bの画像の相対的な鮮明さが類似しているということは、上記先端の高さがほぼ同じであることを確証している。このことは、本実施形態において、先端28が上記積層構造を貫通するように積層構造30を設けることにより、微細ばね12が形成される上記表面に先端の高さHが生じ、厚さTの積層構造の上の先端28の間隔は、H‐Tとほぼ同じであるということを確証している。さらに、図6は、先端28c、28dをそれぞれ有する2つの微細ばね12c、12dのマイクロ写真である。各微細ばねは、シリコン積層構造30から突き出ている。先端28c、28dの画像の相対的な鮮明さが類似しているということは、上記微細ばねがほぼ同じ分量だけシリコン積層構造30から突き出ているということを確証している。従って、上記積層構造を介して先端28を貫通するために積層構造30を設けるプロセスが、ほぼ均一の結果を有する微細ばねの配列に適用可能である。図7を参照しながら、本開示のもう1つの実施形態を示す。磨耗、ばね定数などの物理的性質、抵抗などの電気的性質などを含んだ、微細ばね12の接触部分の性質を改善するために、先端28を含む、積層構造30の上面32の上に露出した微細ばね12の部分、あるいは、上記先端の一部を、適切な金属36によってめっきすることができる。あるいは、はんだまたは同様の材料を、同様の結果を得るために、先端28を含んだ、積層構造30の上面32の上に露出した微細ばね12の部分、あるいは、上記先端の一部に適用することができる。例えば、酸化の排除または先端18の大きさおよび形状の制御のためのエッチングといったさらなる処理、および、他の適切な処理と同様に、例えば、さらなる物理的磨耗抵抗のため、微細ばね12のばね定数を制御するため、などの他の被覆が、適用される。いずれの場合にも、積層構造30は、上記積層構造に埋設された微細ばね12の部分を保護するために、マスクとして用いられてもよい。実際に、上記微細ばね全体の代わりに微細ばね12の部分を選択的に覆うか、あるいは、処理することができるという特徴は、回転塗布被覆などの従来のプロセスとは決定的に異なっている。積層構造30の使用は、上記積層構造が微細ばね12に損傷を与えることなく除去されてもよいという点において、反転可能であってもよい。このことは、例えば、上記の被覆および処理といった、先端28の近傍に位置付けられた微細ばね12の部分を被覆または処理して、次に、そうでなければ、動き、位置などの影響を受けない微細ばね12を提供することが望ましい場合に、有益である。図9は、上記シリコン積層構造図示せずを設置するステップの後、次に、上記積層構造を除去する、先端28a、28bをそれぞれ有する2つのばね12a、12bのマイクロ写真である。再び、先端28a、28bの画像の相対的な鮮明さが類似しているということは、上記先端の高さがほぼ同じであることを確証している。このことは、本実施形態において、上記シリコン積層構造の除去が微細ばねを著しく損傷しなかったことを確証している。本開示の本形態の他の利点は、上記積層構造を除去するプロセスにおいて、上記微細ばねの先端から上記プロセスにおいて粒子および汚染物質を取り除いてもよいという点にある。ここに開示されたもう1つの実施形態に従って、積層構造が上記微細ばね構造の上に取り付けられ、上記微細ばねを完全に覆っていてもよい。これにより、保護された上記ばねの先端と共に上記ウェハが操作され、処理される。上記操作、他の処理などに続く時間では、上記積層構造は、上記微細ばねまたはその一部を露出するために、全体的にまたは部分的に除去されてもよい。以下では、これらの構想をより詳細に示す。図10を参照しながら、厚い保護積層構造42による微細ばね12の覆いに関する第1ステップを示す。すでに記載したように、遊離部分14が分離されると、比較的厚い保護積層構造42が構造10の上面に設けられる。微細ばね12は、誘電体層20の表面から高さHだけ上に伸びている。保護積層構造42の厚さはXである。ここで、X>Hである。先端28が保護積層構造42の表面を貫通することができるように、およびこれにより、微細ばね12に損傷を与えることなく上記保護積層構造に微細ばね12の一部を埋め込むために、保護積層構造42は、色々な材料から製造されてもよいが、比較的軟質である必要がある。保護積層構造42を形成する上記材料は、微細ばね12の一部が上記保護積層構造に埋設されるとすぐに構造42が微細ばね12を物理的および環境的に保護するには、十分に強く、十分に剛性がある必要がある。ここでも、シリコンが、これらのいくぶん対立する必要条件を満たす材料の一例である。図11を参照しながら、構造の上の所定の位置に保護積層構造42を備えた構造10を示す。微細ばね12全体が保護積層構造42内に埋設されている。今や、損傷を与える微細ばね12の危険性が低減された状態で上記構造を操作することができる。例えば、微細ばね12が保護積層構造42内に保護されている間、上記裏側から操作することにより、例えば、研削、化学エッチングなどによって、今や基板18を薄膜化することができる。上記したように、使用後、シリコンなどの特定の材料を容易に除去することができる。従って、保護積層構造42用の材料を適切に選択することによって、任意の形成後の操作および処理の後で上記構造を除去して、接触するために露出した微細ばね12を残すことができる。さらに、構造10からの分離を容易にするのと同様に、保護積層構造42の相対的な接着を制御するために、加熱技術および/または光分離技術を用いてもよい。本開示のさらにもう1つの実施形態に従って、上記微細ばねが上記構造に完全に埋設されるような厚さを有する上記保護積層構造は、それ自体、少なくとも2つの層を含んでいてもよい。上記層のうちの1つは、上記微細ばね構造に取り付けられた状態にするためのものであり、上記層のもう1つは、上記保護積層構造が上記微細ばねを保護している間に、操作、他の処理などに続いて除去されるためのものである。図12は、このような一実施形態の一例である。上述したように、遊離部分14が分離されると、比較的厚い保護積層構造44が、構造10の上面に設けられる。図12に示した保護積層構造44が2つの層46、48を含んでいるが、他の実施形態では、他の層が用いられてもよい。上記層は、それぞれ、本開示の適用例に応じて、同じ材料を含んでいてもよいし、あるいは、異なる材料を含んでいてもよい。微細ばね12は、誘電体層20の表面から高さHだけ上に伸びている。保護積層構造44の厚さは、それぞれ層46、48の厚さY1、Y2の合計である。構造44の全体的な厚さは、微細ばね12が上記構造内に完全に埋設されるような厚さ、すなわち、Y1Y2>Hである。層46、48は、先端28による貫通および上述した所望の保護のレベルを考慮して、色々な材料から製造されてもよい。一実施形態では、各層46は、シリコンであり、構造10の適用および任意の必要な操作および処理後の上記層の分離を促進する、上記2つの層の間の表面エネルギー境界があるように、別々に形成される。もう1つの実施形態では、層46と層48との間に、分離層47が配置される。上記分離層は、設けられるときに層46と層48とがくっつく十分に粘着性のあるものであるが、さらには上記層の続く分離を補助する働きをするものである。さらに他の実施形態では、加熱活性化層または光活性化層が、初めに、層46と層48とを共に接着するが、加熱または光の適用によって、上記活性化層は、必要な時に、層46と層48との分離を促進する。図13を参照しながら、構造の上の所定の位置に保護積層構造44を備えた構造10を示す。微細ばね12全体が保護積層構造44内に埋設されている。今や、損傷を与える微細ばね12の危険性が低減された状態で上記構造を操作することができる。例えば、微細ばね12が保護積層構造44内に保護されている間、上記裏側から操作することにより、例えば、研削、化学エッチングなどによって、今や基板18を薄膜化することができる。任意の操作および処理に続いて、層48は、次に、図14に示したように、例えば層46と層48との分離を補助する働きをする加熱または光を用いて、上記構造から除去されてもよい。層46、48の材料を適切に選択することによって、任意の形成後の操作および処理の後で、層46に埋設された微細ばね12の部分を残して、層48を除去することができる。微細ばね12の残りは、接触するために露出している。上記の実施形態の代案として、図11に示したような構造42、層46および/または層48は、フォトリソグラフィによってパターン形成可能な材料であってもよい。上記構造の処理中に、層48は、従来技術において知られている技術によってパターニングおよびエッチングされてもよい。上記エッチングは、層48を完全に除去してもよいし、あるいは、微細ばねの配列、隙間充填部の役割を果たすための微細ばね12の遊離部分14の下の領域、などにおける個々の微細ばね間、といった選択された位置において、層48の部分を残してもよい。このような隙間充填部50の一例を、図15に示す。本開示のさらに他の実施形態に従って、微細ばね構造の上に注入空洞部が形成されてもよく、上記微細ばねの部分を取り囲むための上記空洞部には、適切な材料が注入される。上記注入空洞部は、上記微細ばねが形成される上記誘電体層の上面と、上記誘電体層の表面から間隔を空けた、上記微細ばねの先端が埋設された材料の成形構造との間に形成されてもよい。本実施形態を、図16に示す。遊離部分14が分離されると、例えば、スペーサ56に支えられることにより、あるいは、他の適切な方法によって、成形構造54が構造10の上に配置される。これにより、空洞部58が、構造10と成形構造54との間に形成される。次に、硬化性ポリマーといった適切な材料が、液体の形状で空洞部58に注入される。微細ばね12の一部が成形構造54に埋設されると、微細ばね12のこの部分は、注入された材料における埋設部分からマスクされる。上記注入された材料は、次に、硬化され、成形構造54は、その後除去される。上記完成した構造を図17に示す。図17では、微細ばね12の一部が硬化されたポリマー60に埋設されており、微細ばね12の残りが接触するために露出している。硬化性ポリマーは、微細ばね12の一部を埋設するために本実施形態において用いられる上記材料の一例にすぎない。さらに、従来のフリップチップ実装プロセスおよび装置を利用することができ、本開示のこの形態を支持するために、特殊な固定具、プロセス、材料などを開発する必要は少ない。"