基板と、一方の主面に回路が形成された回路部を有する半導体チップと、を備え、前記半導体チップは、前記回路部が前記基板の表面と対向するように配置されており、前記回路部と前記基板との間の空間には、熱伝導性グリースが充填されていることを特徴とする半導体装置。前記基板は、前記回路部と対向する部分に設けられた貫通孔と、当該基板の表面側において前記貫通孔を覆う熱伝導性薄膜と、を有し、前記貫通孔内部には、前記基板よりも高い熱伝導性を有する熱伝導部材が、前記熱伝導性薄膜と接触するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記熱伝導部材は、熱伝導性グリースであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記半導体チップ主面上において前記回路部よりも外側に形成された表面電極と、前記基板の表面上において、前記熱伝導性薄膜よりも外側であって前記表面電極と対向する位置に形成された配線リードと、前記表面電極と前記配線リードとの間に配され、当該表面電極と配線リードとを電気的に接続する突起状端子と、をさらに備えることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置。前記熱伝導性薄膜と前記配線リードとの間を通り、前記熱伝導性薄膜を囲む態様で前記基板の表面上に立設された基板側凸部をさらに備え、前記基板側凸部は、導電性の部材から成り、前記配線リードおよび前記突起状端子から離間して設けられていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記熱伝導性薄膜と、前記配線リードと、前記基板側凸部とは、同一の部材から成り、前記基板からの高さが同じであり、前記基板側凸部は、前記熱伝導性薄膜から離間して設けられていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。前記熱伝導性薄膜の前記回路部に対向する部分と、前記配線リードおよび前記突起状端子との間を通り、前記熱伝導性薄膜の前記回路部に対向する部分を囲む態様で前記熱伝導性薄膜上に立設された基板側凸部をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記基板側凸部は、導電性の部材から成り、前記配線リードおよび前記突起状端子から離間して設けられていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。前記基板側凸部は、絶縁性の部材から成ることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。前記回路部と前記表面電極との間を通り、前記回路部を囲む態様で、前記半導体チップの前記回路部が形成されている方の主面上に立設された半導体チップ側凸部をさらに備えることを特徴とする請求項4から9のいずれか1項に記載の半導体装置。前記半導体チップ側凸部は、絶縁性の部材から成ることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。前記半導体チップ側凸部は、導電性の部材から成り、前記表面電極、前記突起状端子、および前記配線リードから離間して設けられていることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。前記基板の裏面側には当該基板よりも高い熱伝導性を有し、前記熱伝導部材と接触した放熱部材が配置されていることを特徴とする請求項2から12のいずれか1項に記載の半導体装置。しかしながら、図11に示す様に、従来技術においては、半導体チップ1をテープ状フィルム基板2にフリップチップ接続する際に、半導体チップ1の回路が形成されている側の主面1aと放熱用ベタ層2eとを放熱用バンプ4により接続しているため、半導体チップ1の回路に硬度の高い放熱用バンプ4からの応力がかかり、回路がダメージを受ける虞がある。さらに、放熱用バンプ4をリフローにより接合する際の熱ストレスによっても回路がダメージを受ける虞がある。これらのダメージが、回路破壊や回路動作時の特性変動を引き起こす原因となり、半導体装置の信頼性低下に繋がる虞がある。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、良好な放熱性を確保しつつ、フリップチップ接続に伴う半導体チップの回路へのダメージが低減された半導体装置を提供することを目的とする。上記の目的を達成するため、本発明に係る半導体装置は、基板と、一方の主面に回路が形成された回路部を有する半導体チップと、を備え、前記半導体チップは、前記回路部が前記基板の表面と対向するように配置されており、前記回路部と前記基板との間の空間には、熱伝導性グリースが充填されていることを特徴とする。上記構成により、半導体チップの回路部において発生した熱を、熱伝導性グリースを介して基板側へと導き放熱させることができるとともに、熱伝導性グリースは流体であって、変形が容易であるため、半導体チップを基板上に搭載する際に、回路部へと加えられる応力を低減させて回路部へのダメージを低減させることができる。さらには、熱伝導性グリースは、はんだ等の放熱用バンプを用いる場合のように加熱する必要がないため、回路部が受ける熱ストレスを低減させて、回路部へのダメージを低減させることができる。また、前記基板は、前記回路部と対向する部分に設けられた貫通孔と、当該基板の表面側において前記貫通孔を覆う熱伝導性薄膜と、を有し、前記貫通孔内部には、前記基板よりも高い熱伝導性を有する熱伝導部材が、前記熱伝導性薄膜と接触するように配置されていてもよい。これにより、熱伝導性グリースおよび熱伝導性薄膜を介して回路部からの熱を、基板よりも高い熱伝導性を有する熱伝導部材へと伝達することができ、より効率的に回路部からの熱を放熱させることができる。また、前記熱伝導部材は、熱伝導性グリースであってもよい。これにより、熱伝導性部材として別部材を使用する必要がないため、資材種類の増加を抑制し、且つ、塗布という容易な方法により組み付けることができるため、コスト抑制に資することができる。また、前記半導体チップ主面上において前記回路部よりも外側に形成された表面電極と、前記基板の表面上において、前記熱伝導性薄膜よりも外側であって前記表面電極と対向する位置に形成された配線リードと、前記表面電極と前記配線リードとの間に配され、当該表面電極と配線リードとを電気的に接続する突起状端子と、をさらに備えてもよい。これにより、配線リードと表面電極とが突起状端子により電気的に接続されるので、回路を作動させるのに必要な電源の供給や、信号の入出力を行うことができる。また、突起状端子の配線リードおよび表面電極への接続は、通常、熱圧着により行われるが、このとき、回路部よりも外側に表面電極が形成されており、熱圧着の際に突起状端子からの応力を回路部が直接受けることがないため、熱ひずみのストレスが軽減されて回路部へのダメージを軽減させることができる。また、前記熱伝導性薄膜と前記配線リードとの間を通り、前記熱伝導性薄膜を囲む態様で前記基板の表面上に立設された基板側凸部をさらに備え、前記基板側凸部は、導電性の部材から成り、前記配線リードおよび前記突起状端子から離間して設けられていてもよい。これにより、基板側凸部と、配線リードおよび突起状端子との間は絶縁されており、また、熱伝導性グリースが濡れ広がる際に、基板側凸部がダムのように熱伝導性グリースをせき止めて、突起状端子および配線リードに接触するのを防ぐため、熱伝導性を高めるために金属フィラーが混入された、より熱伝導性の高い導電性を有する熱伝導性グリースが使用された場合であっても、回路動作時の電気ショート等の問題の発生リスクを抑制しつつ、回路部からの熱をより効率よく放熱することができるという効果を奏する。また、前記熱伝導性薄膜と、前記配線リードと、前記基板側凸部とは、同一の部材から成り、前記基板からの高さが同じであり、前記基板側凸部は、前記熱伝導性薄膜から離間して設けられていてもよい。これにより、熱伝導性薄膜および配線リードをエッチング等により形成する際に、基板側凸部も同時に形成することができるため、追加の資材や工程を要することがなく、コスト抑制に資することができる。さらに、基板側凸部が熱伝導性薄膜から離間して設けられているため、双方の間の隙間に濡れ広がった熱伝導性グリースの一部を収容することができ、基板側凸部のせき止め効果をより高めることができる。また、前記熱伝導性薄膜の前記回路部に対向する部分と、前記配線リードおよび前記突起状端子との間を通り、前記熱伝導性薄膜の前記回路部に対向する部分を囲む態様で前記熱伝導性薄膜上に立設された基板側凸部をさらに備えてもよい。これにより、熱伝導性グリースせき止め効果をより高めることができる。また、熱伝導性薄膜のサイズを大きくして、当該熱伝導性薄膜の基板と接している部分の面積を大きくすることができるため、熱伝導薄膜の基板からの剥離の虞を減じることができる。さらには、熱伝導性薄膜のサイズを大きくすることができるため、貫通孔および熱伝導部材のサイズを大きくして、より放熱性を高めることができる。また、前記基板側凸部は、導電性の部材から成り、前記配線リードおよび前記突起状端子から離間して設けられていてもよい。これにより、基板側凸部に加工が比較的容易な金属を用いることができ、容易に作成することができる。また、前記基板側凸部は、絶縁性の部材から成ってもよい。これにより、基板側凸部を突起状端子および配線リードと接する位置まで広く設けることができ、熱伝導性グリースの量を増加させてより放熱性を高めることができる。また、前記回路部と前記表面電極との間を通り、前記回路部を囲む態様で、前記半導体チップの前記回路部が形成されている方の主面上に立設された半導体チップ側凸部をさらに備えてもよい。上記構成によっても、半導体チップ側凸部が熱伝導性の高い導電性を有する熱伝導性グリースの濡れ広がりをせき止めて突起状端子に接触するのを防ぎ、電気ショート等の問題の発生リスクを抑制しつつ、回路部からの熱をより効率よく放熱することができるという効果を奏する。また、前記半導体チップ側凸部は、絶縁性の部材から成ってもよい。これにより、半導体チップ側凸部を突起状端子と接する位置まで広く設けることができ、突起状端子が回路部に近接して設けられている場合であっても、熱伝導性グリースと半導体チップとの接触面積をできるだけ広くして良好な放熱性を確保することができる。また、前記半導体チップ側凸部は、導電性の部材から成り、前記表面電極、前記突起状端子、および前記配線リードから離間して設けられていてもよい。これにより、半導体チップ側凸部を、金属薄膜等を用いてエッチング等により容易に形成することができ、コスト抑制に資することができる。また、前記基板の裏面側には当該基板よりも高い熱伝導性を有し、前記熱伝導部材と接触した放熱部材が配置されていてもよい。これにより、回路部において発生した熱を、熱伝導性グリース、熱伝導性薄膜、および熱伝導部材を介して放熱部材へと伝導させて、より効率的に放熱することができる。以下、本発明に係る実施の形態を、図面を参照しながら説明する。<実施の形態1>図1は、本実施の形態に係る半導体装置100の概略構成を示す断面図である。フレキシブル基板45には貫通孔である塗布開口孔22が形成されており、フレキシブル基板45の表おもて面上には、塗布開口孔22を覆い塞ぐように熱伝導性薄膜28が形成されており、フレキシブル基板45表面上の熱伝導性薄膜28よりも外側には、形成銅箔インナーリード配線リード27が形成されている。熱伝導性薄膜28は銅箔膜より成り、当該熱伝導性薄膜28と形成銅箔インナーリード27とは、フレキシブル基板45表面上に形成された同一の銅箔膜からエッチングにより形成される。詳しくは、後述する。シリコン基板10の表面に、脆弱な半導体回路を含む回路部15が形成され、その外側にはアルミパッド12が配置されており、これらの上にガラス系保護膜11が形成されている。ガラス系保護膜11は、エッチング処理によりアルミパッド12上で開口しており、これによりアルミパッド12が露出しボンディングパッド表面電極13を形成している。シリコン基板10、回路部15、ガラス系保護膜11、およびボンディングパッド13等により半導体チップ43が構成されている。回路部15が熱伝導性薄膜28と対向するように半導体チップ43がフレキシブル基板45にフリップチップ実装されている。このとき、半導体チップ43のボンディングパッド13と形成銅箔インナーリード27とは、互いに対向する位置に予め形成されており、双方の間に介在する電極バンプ突起状端子42が熱圧着されて双方を電気的に接続している。半導体チップ43の回路部15が形成されている部分より正確には、ガラス系保護膜11の回路部15を被覆している部分と熱伝導性薄膜28との間の空間には、熱伝導性を有する放熱用グリース熱伝導性グリース41が塗布充填され、半導体チップ43の回路部15が形成されている部分と熱伝導性薄膜28とを濡れ広がり接続している。上記放熱用グリース41としては、例えば、シリコーングリース等が用いられる。なお、ガラス系保護膜11も含めて半導体チップ43の回路部15が形成されている部分を、以下、単に回路部15という場合もある。フリップチップ接続された半導体チップ43とフレキシブル基板45との間および半導体チップ43の周囲には、液体封止樹脂が塗布された後に熱硬化されてモールド部44が形成されている。モールド部44の外側には、レジストコート30が形成されている。また、フレキシブル基板45の裏面には外部放熱板49が取着されており、フレキシブル基板45の塗布開口孔22内部には、熱伝導部材46として放熱用グリースが塗布充填されている。熱伝導性薄膜28と外部放熱板49とは、熱伝導部材46により濡れ広がり接続されている。ここで、熱伝導部材46には、フレキシブル基板45よりも熱伝導性の高いグリースが使用されており、これにより、塗布開口孔22が形成されていない場合と比較して、即ち、フレキシブル基板45を介して熱伝導性薄膜28から外部放熱板49へと熱が伝道される場合と比較して、より効率よく熱伝導放熱が行われる。また、ボンディングパッド13は、回路部15から離間して形成されており、形成銅箔インナーリード27も、熱伝導性薄膜28から離間して形成されている。そして、放熱用グリース41の塗布量は、回路部15と熱伝導性薄膜28とを濡れ広がり接続するのに十分な量であり、且つ、ボンディングパッド13、電極バンプ42、および形成銅箔インナーリード27にまでは濡れ広がらない接触しない程度の量である。従って、放熱性熱伝導性を高めるために銅等の熱伝導性の高い金属フィラーが混入されたシリコーン等から成るグリースを放熱用グリース41として使用した場合においても、電気ショート等の問題を引き起こす虞が低い。実施の形態1のまとめ以上説明したように、放熱用グリース41が回路部15と熱伝導性薄膜28との間に充填されていることにより、回路部15において発生した熱を、放熱用グリース41を介して基板側の熱伝導性薄膜28へと導き放熱させることができる。ここで、放熱用グリース41は粘性を有する流体であって、変形が容易であるため、半導体チップを基板上に搭載する際に、回路部へと加えられる応力が小さく、回路部へのダメージを小さくすることができる。これにより、ダメージによる回路破壊や回路動作時の特性変動の発生リスクが低減されるとともに、回路部において発生した熱が効率よく放熱されて回路部が高温になりにくいため、回路の安定的な動作を確保することができ、放熱用バンプを用いることなく、簡単な構成で放熱効率がよくかつ信頼性の高い半導体装置を実現することができる。また、回路部15から熱伝導性薄膜28へと伝導された熱は、そこからさらに熱伝導部材46を介して外部放熱板49へと伝導され放熱されるため、さらに効率よく放熱することができ、半導体装置の信頼性をより一層確かなものとすることができる。<実施の形態2>図2は、本実施の形態に係る半導体装置200の概略構成を示す断面図である。なお、説明の重複を避けるため、実施の形態1と同じ構成要素については、同符号を付して、その説明を省略する。半導体装置200は、実施の形態1の半導体装置100と同様に、半導体チップ43、フレキシブル基板45、外部放熱板49、電極バンプ42、形成銅箔インナーリード27、熱伝導性薄膜28、放熱用グリース41および46、モールド部44、レジストコート30等を備える。半導体装置200で特徴的なのは、ガラス系保護膜11上において、回路部15が形成されている部分の外側に放熱用グリース漏れ出し防止用の半導体チップ側凸枠14が形成されていることである。当該半導体チップ側凸枠14は、回路部15が形成されている部分を囲むように形成されており、その内側に放熱用グリース41が塗布されていて、熱伝導性薄膜28上に濡れ広がりさせて接続している。半導体チップ側凸枠14は、例えば、シリコーン樹脂やポリイミド等の樹脂から成る。ここで、放熱用グリース41は、半導体チップ側凸枠14によりブロックされてその外側には濡れ広がらないため、放熱用グリース41が流れ出して電極バンプ42と接触し、回路動作時の電気ショートを引き起こす虞が低減され、より信頼性の高い半導体装置を実現することができる。図3aは、半導体チップ側凸枠14が形成された半導体チップ43の外観斜視図であり、図3bは、図3aにおける仮想平面Pによる断面図である。脆弱な回路部が形成されたシリコン基板上にガラス系保護膜を形成して、回路部を外部からの衝撃等から保護することは、一般的に行われている。COGChipOnGlass等の半導体チップ単体で輸送する場合などには、ガラス系保護膜のさらに上層にポリイミド系等の樹脂系保護膜を施して、半導体チップの回路面を外部衝撃から保護することも、一般に行われている。そこで、この樹脂系保護膜を、回路部15と電極バンプ42との間に、回路部15を囲む凸形の枠状に設けることにより、樹脂系保護膜に放熱用グリース41の漏れ出し防止の機能を持たせることができる。実施の形態2のまとめ以上説明したように、本実施の形態の構成によると、半導体チップ43の表面上において回路部15と電極バンプ42との間に、回路部15を囲む形状の凸状の枠である半導体チップ側凸枠14を設けることにより、放熱用グリース41が回路部15よりも外側に必要以上に濡れ広がるのを防ぎ、放熱用グリース41が電極バンプ42と接触して、回路動作時の電気ショートが引き起こされるリスクを軽減させ、より信頼性の高い半導体装置を得ることができる。<実施の形態3>図4は、本実施の形態に係る半導体装置300の概略構成を示す断面図である。なお、説明の重複を避けるため、実施の形態1および2と同じ構成要素については、同符号を付して、その説明を省略する。半導体装置300は、半導体装置100および半導体装置200と同様に、半導体チップ43、フレキシブル基板45、外部放熱板49、電極バンプ42、形成銅箔インナーリード27、熱伝導性薄膜28、放熱用グリース41および46、モールド部44、レジストコート30等を備える。半導体装置300で特徴的なのは、フレキシブル基板45上において、熱伝導性薄膜28の周囲に、放熱用グリース41の濡れ広がりを止めるためのフレキシブル基板側凸枠29が形成されていることである。フレキシブル基板側凸枠29は、銅箔膜から成り、熱伝導性薄膜28と形成銅箔インナーリード27との間に、熱伝導性薄膜28を囲むように形成されている。ここで、フレキシブル基板側凸枠29は、熱伝導性薄膜28および形成銅箔インナーリード27とフレキシブル基板45からの高さが同じに形成されている。これは、熱伝導性薄膜28と、形成銅箔インナーリード27と、フレキシブル基板側凸枠29とは、フレキシブル基板45表面上に形成された同一の銅箔膜からエッチングにより形成されているためである。これにより、熱伝導性薄膜28および形成銅箔インナーリード27を形成する際に、別部材を使用したり別工程を設けたりすることなく、フレキシブル基板側凸枠29を同時に形成することができるので、コスト抑制および生産性低下抑制のメリットがある。熱伝導性薄膜28、形成銅箔インナーリード27、およびフレキシブル基板側凸枠29の形成工程については、詳しくは、後述する。フレキシブル基板側凸枠29は、熱伝導性薄膜28から離間して設けられており、濡れ広がって熱伝導性薄膜28からはみ出した放熱用グリース41が、熱伝導性薄膜28とフレキシブル基板側凸枠29との間の隙間に収容されることにより、フレキシブル基板側凸枠29の放熱用グリース漏れ出し防止効果がより高められている。また、フレキシブル基板側凸枠29は、形成銅箔インナーリード27からも離間して設けられているため、フレキシブル基板側凸枠29と形成銅箔インナーリード27との間は電気的に絶縁されている。これにより、放熱用グリース41として導電性のグリースが使用された場合であっても、回路動作時に電気ショート等の問題の発生が抑制される。フレキシブル基板テープの製造工程図5a~図5hは、フレキシブル基板テープ31の製造工程を模式的に示す図である。以下、図5a~図5hに基づいて、フレキシブル基板テープ31の製造工程について説明する。図5aは、ポリイミドテープ21に必用な開口部や貫通孔がパンチプレスで開けられた状態を示す平面図であり、図5bは、図5aにおけるA-A’矢視断面図である。まず、図5aに示すように、プレスで加工形成されたフレキシブル基板45の素となるポリイミドテープ21に、穴開け用プレスにより送りガイド孔23が形成される。送りガイド孔23は、以下に説明するフレキシブル基板テープ31の製造工程において、ポリイミドテープ21を順送りする際に使用される。個々のフレキシブル基板45は、ポリイミドテープ21から切り出されて分離されて製造される。詳しくは、後述する。そして、送りガイド孔23を利用してポリイミドテープ21を順送りしながら、穴開け用プレスにより、さらに、塗布開口孔22、外部放熱板固定ネジ孔24、およびスリット25が形成され。ここで、外部放熱板固定ネジ孔24は、フレキシブル基板45を外部放熱板49に固定するための孔である。また、スリット25は、フレキシブル基板テープ31から個々のフレキシブル基板45を分離する際に切り離しを容易にするために、また、順送りの際のポリイミドテープ21の変形を防ぐために形成される。次に、図5cに示すように、ポリイミドテープ21上に接着シートで銅箔ベタ26が貼り付けられる。図5dは、図5cにおけるB-B’矢視断面図である。続いて、図5eに示すように、銅箔ベタ26にエッチング処理とメッキが施されて、電極である形成銅箔インナーリード27が形成されると同時に、熱伝導性薄膜28が形成される。熱伝導性薄膜28は、塗布開口孔22を覆い塞ぐように形成される。ここで、熱伝導性薄膜28は、放熱用グリース41を介して回路部15から伝導された熱を、熱伝導部材46へと導き放熱させる部材であり、放熱効果とともに電磁波シールド効果もあり、回路にノイズ等の影響を与えにくくする効果が期待できる。また、このとき同時に、熱伝導性薄膜28の周囲には、放熱用グリース41漏れ出し防止用のフレキシブル基板側凸枠29が熱伝導性薄膜28を囲むように形成される。図5fは、図5eにおけるC-C’矢視断面図である。続いて、図5gに示すように、ポリイミドテープ21上にレジストコート30が形成され、フレキシブル基板テープ31が完成する。ここで、レジストコート30は、形成銅箔インナーリード27やその他の重要な箇所を保護するためのものである。図5hは、図5gにおけるD-D’矢視断面図である。以上説明した工程により、フレキシブル基板テープ31が形成される。そして、この後、フレキシブル基板テープ31に半導体チップ43が搭載された後、個々のフレキシブル基板45が分離されて、半導体装置300となる。なお、半導体装置100および200におけるフレキシブル基板45も、フレキシブル基板側凸枠29の有無の違いはあるが、上記と同様の工程により製造される。実施の形態3のまとめ以上説明したように、本実施の形態の構成によると、フレキシブル基板45上において、熱伝導性薄膜28と形成銅箔インナーリード27との間に、熱伝導性薄膜28を囲む形状の凸状の枠であるフレキシブル基板側凸枠29を設けることにより、放熱用グリース41が熱伝導性薄膜28の回路部15と対向する部分よりも外側に必要以上に濡れ広がるのを防ぎ、放熱用グリース41が電極バンプ42および形成銅箔インナーリード27と接触して、回路動作時の電気ショートが引き起こされるリスクを軽減させ、より信頼性の高い半導体装置を得ることができる。<実施の形態4>図6は、本実施の形態に係る半導体装置400の概略構成を示す断面図である。なお、説明の重複を避けるため、実施の形態1~3と同じ構成要素については、同符号を付して、その説明を省略する。半導体装置400は、半導体装置100、半導体装置200、および半導体装置300と同様に、半導体チップ43、フレキシブル基板45、外部放熱板49、電極バンプ42、形成銅箔インナーリード27、熱伝導性薄膜28、放熱用グリース41および46、モールド部44、レジストコート30等を備える。半導体装置400で特徴的なのは、ガラス系保護膜11上において、回路部15が形成されている部分の外側に半導体チップ側凸枠14が形成されているとともに、フレキシブル基板45上において、熱伝導性薄膜28の周囲に、フレキシブル基板側凸枠29が形成されていることである。半導体チップ側凸枠14の内側に放熱用グリース41が塗布されており、フレキシブル基板45上に形成された熱伝導性薄膜28上に濡れ広がりさせて接続している。このとき、放熱用グリース41は、半導体チップ側凸枠14により、回路部15よりも外側に必要以上に濡れ広がって電極バンプ42と接触しないようになっている。放熱用グリース41は、さらに、フレキシブル基板側凸枠29により、熱伝導性薄膜28の回路部15と対向する部分よりも外側に必要以上に濡れ広がって電極バンプ42および形成銅箔インナーリード27と接触しないようになっている。これにより、回路動作時の電気ショートを引き起こす虞が低減され、より信頼性の高い半導体装置を実現することができる。半導体装置400の組み立て工程図7a~dは、本実施の形態の半導体装置400の組み立て工程の一部を模式的に示す図であり、図8a~cは、その続きの工程を模式的に示す図である。図7aは、半導体装置400の半導体チップ43を示す外観斜視図である。まず、同図に示すように、シリコン基板10の表面側縁部に複数のボンディングパッド13がライン状に設けられ、それぞれのボンディングパッド13上に電極バンプ42が実装される。また、シリコン基板10表面上において、回路部15が形成されている部分の周囲を囲むように半導体チップ側凸枠14が形成され、その内側に放熱用グリース41が塗布される。なお、同図においては、ボンディングパッド13は、電極バンプ42に隠れており、図示されていない。また、シリコン基板10表面には、ガラス系保護膜11も形成されているが、同図においては、図示を省略している。以下、図7b~dにおいても同様である。次に、図7b、cに示すように、半導体チップ43と、フレキシブル基板テープ31を熱圧着により実装する。図7bは、実装前の半導体チップ43とフレキシブル基板テープ31とを示す一部切欠き斜視図であり、図7cは、図7bに示すフレキシブル基板テープ31と半導体チップ43を、上下反転させた状態を示す一部切欠き斜視図である。このとき、半導体チップ43の半導体チップ側凸枠14が形成されている側の主面表面と、フレキシブル基板テープ31のフレキシブル基板側凸枠29が形成されている側の面表面とが対向するように実装する。なお、フレキシブル基板テープ31は、図5a~hに示す工程により形成される。また、上記説明においては、図7aに示すように、放熱用グリース41は、半導体チップ側凸枠14の内側に塗布されるが、これに限られず、フレキシブル基板側凸枠29内側の熱伝導性薄膜28上に塗布されてもよい。ここで、半導体チップ43とフレキシブル基板テープ31のうち、組み付ける際に下側に位置する方の部材に放熱用グリース41を塗布すると組み付けの際に放熱用グリース41の意図しない流れ出し濡れ広がりを防ぐことができる。次に、図7dに示すように、フレキシブル基板テープ31に実装された半導体チップ43の周囲に液体封止樹脂を塗布した後に熱硬化を行ってモールド部44を形成する。そして、図8aに示すように、フレキシブル基板テープ31から余分な送りガイド孔23をプレスカッティングにより切り離した後に、個々のフレキシブル基板45を製品加工プレスカッティングにより分離して製品加工する。次に、図8bに示すように、フレキシブル基板45を裏側にし、フレキシブル基板45の塗布開口孔22内部に熱伝導部材46として、放熱用グリースを塗布する。最後に、図8cに示すように、外部放熱板固定ネジ孔24に固定ネジ48を通して外部放熱板49をフレキシブル基板45に固定して装着する。このとき、フレキシブル基板45の熱伝導部材46が塗布された側の面裏面に、外部放熱板49を装着して、半導体装置400を得る。なお、図8cにおいては、外部放熱板固定ネジ孔24は固定ネジ48のネジ頭に隠れて見えない。ここで、熱伝導部材46として用いられる放熱用グリースは、熱伝導性薄膜28と外部放熱板49とを濡れ広がり接続するのに十分な量が塗布される。これにより、熱伝導性薄膜28と外部放熱板49とが熱伝導部材46により熱的に接続され、放熱用グリース41および熱伝導性薄膜28を介して伝導した回路部15からの熱を、熱伝導部材46を介して熱伝導性薄膜28から外部放熱板49へと伝導させて放熱させることができる。また、外部放熱板固定孔50は、半導体装置400を別の基板等に別の固定ネジで固定するためのものである。以上説明した組立プロセスにより、本実施の形態に係る半導体装置400が製造される。なお、半導体装置100、200、300も、半導体チップ側凸枠14およびフレキシブル基板側凸枠29の有無、放熱用グリース41が塗布されるのが半導体チップ43側であるかフレキシブル基板45側であるかといった違いはあるが、上記と同様の工程により製造される。実施の形態4のまとめ以上説明したように、本実施の形態の構成によると、半導体チップ側凸枠14に加えてフレキシブル基板側凸枠29が設けられることにより、放熱用グリース41が回路部15および熱伝導性薄膜28の回路部15と対向する部分よりも外側に必要以上に濡れ広がるのをより効果的に防ぎ、放熱用グリース41が電極バンプ42および形成銅箔インナーリード27と接触して、回路動作時の電気ショートが引き起こされるリスクをさらに軽減させ、さらに信頼性の高い半導体装置を得ることができる。<変形例>以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、上記実施形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る半導体装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれ、以下のような変形例を実施することが出来る。なお、説明の重複を避けるため、実施形態1~4と同じ内容のものについてはその説明を省略し、同じ構成要素については、同符号を付すものとする。1上記各実施の形態においては、熱伝導性薄膜28は、銅箔膜であったが、これに限られない。例えば、アルミ等の他の金属箔膜や、熱伝導性樹脂等の他の材料から成る薄膜等を用いても良い。2上記各実施の形態においては、熱伝導部材46に、放熱用グリースを用いた例について説明したが、これに限られない。例えば、熱伝導性を有する樹脂等の部材を用いても良い。この場合、当該樹脂を、熱伝導性薄膜28および外部放熱板49にちょうど接するような形状および大きさとするのが好ましい。これにより、当該樹脂が、熱伝導性薄膜28を押し上げてフレキシブル基板45からの剥離を引き起こしたりすることなく、熱伝導性薄膜28から外部放熱板49へと熱を伝導し放熱させることができる。3実施の形態2~4においては、半導体チップ側凸枠14の形状平面視した場合の形状は、図3aに示すように、四角形である場合を例に説明したが、これに限られない。例えば、三角形や五角形以上の多角形、角丸の多角形でも良いし、楕円等の円形状であってもよく、さらには、回路部15と電極バンプ42との間を通り、回路部15を囲む形状であれば不定形の枠でもよい。4上記、実施の形態2および4においては、半導体チップ側凸枠14は、例えば、シリコーン樹脂やポリイミド等の樹脂から成るとしたが、これに限られず、銅やアルミ等の金属箔やその他の部材により形成されても良い。なお、半導体チップ側凸枠14を金属等の導電性の素材を用いて形成する場合には、当該半導体チップ側凸枠14は、電極バンプ42およびボンディングパッド13から離間して設けられるか、もしくは、これらとの間に絶縁部材を介在させるかなどして、これらとの間に電気的絶縁を確保する必要がある。5上記、実施の形態3および4においては、フレキシブル基板側凸枠29は、銅箔より形成されているが、これに限られず、アルミ等の他の金属箔や樹脂等の他の部材から形成されていてもよい。また、フレキシブル基板側凸枠29が、樹脂等の絶縁性の部材より成る場合には、必ずしも形成銅箔インナーリード27から離間して形成されていなくてもよい。6また、フレキシブル基板側凸枠29の高さは、熱伝導性薄膜28および形成銅箔インナーリード27より高くてもよい。この場合、フレキシブル基板側凸枠29と熱伝導性薄膜28とが必ずしも互いに離間していなくてもよい。フレキシブル基板側凸枠29の高さが熱伝導性薄膜28よりも十分に高い場合には、放熱用グリース41の放熱用グリース漏れ出し防止効果が十分に得られる。7また、上記、実施の形態3および4においては、フレキシブル基板側凸枠29はフレキシブル基板45上に形成されているが、これに限られない。例えば、図9に示す半導体装置500のように、銅箔より成る熱伝導性薄膜28に代えて、樹脂薄膜等の絶縁性の部材から成る熱伝導性薄膜280が用いられる場合には、熱伝導性薄膜280と形成銅箔インナーリード27とが離間して設けられていなくてもよいため、同図に示すように双方が互いに接触した状態で隣接して形成されていてもよく、フレキシブル基板側凸枠290が熱伝導性薄膜280上に設けられていてもよい。また、このような場合、銅箔より成るフレキシブル基板側凸枠29に代えて、樹脂薄膜等の絶縁性の部材を用いてフレキシブル基板側凸枠290を形成すると、当該フレキシブル基板側凸枠290を電極バンプ42および形成銅箔インナーリード27と接する位置まで広く設けることができ、放熱用グリース41の量を増加させてより放熱性を高めることができる。これは、同図に示すように、電極バンプ42が回路部15に近接して設けられている場合には、より効果的である。8また、図10に示す半導体装置600のように、銅箔から成る熱伝導性薄膜28の上に同じく銅箔から成るフレキシブル基板側凸枠291を設けてもよい。この場合、上記実施の形態3および4においてフレキシブル基板側凸枠29が設けられていたスペースまで熱伝導性薄膜28を大きく形成することができるため、塗布開口孔22および熱伝導部材46のサイズを大きくして、より放熱性を高めることができる。なお、本変形例においては、熱伝導性薄膜28は銅箔から成り導電性を有するので、形成銅箔インナーリード27とは離間して設けられている必要がある。また、フレキシブル基板側凸枠291は、銅箔や他の金属箔等の導電性の部材から形成されてもよいし、樹脂等の絶縁性の部材から形成されても良いが、金属等の導電性の部材を用いる場合には、フレキシブル基板側凸枠291は、形成銅箔インナーリード27および電極バンプ42から離間して形成され、これらとの間に電気的絶縁が確保される必要がある。なお、フレキシブル基板側凸枠291が金属等から形成される場合には、熱伝導性薄膜28上に形成された金属薄膜からエッチング等により形成されてもよい。