"プラズマアーク中又はプラズマジェット中に投入され、溶融された溶射粉末材料を吹き付けることにより、基材表面に前記溶射粉末材料の皮膜を形成させるプラズマ溶射装置であって、前記プラズマアーク中又は前記プラズマジェット中に前記溶射粉末材料を投入する溶射粉末材料投入管と、前記プラズマアーク又は前記プラズマジェットの温度分布を計測する温度分布計測手段と、前記温度分布の最高温度領域に前記溶射粉末材料投入管の投入口を移動させる制御手段と、を備えるプラズマ溶射装置。前記温度分布計測手段が、サーモグラフィカメラであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ溶射装置。前記サーモグラフィカメラを複数備え、前記複数のサーモグラフィカメラは、異なる方向から前記プラズマアーク又は前記プラズマジェットの二次元温度分布をそれぞれ計測できるように設置されており、前記制御手段は、前記複数のサーモグラフィカメラによって計測された前記複数の二次元温度分布から三次元温度分布を作成し、前記三次元温度分布の最高温度領域に前記溶射粉末材料投入管の投入口を移動させることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ溶射装置。前記サーモグラフィカメラを2台備え、前記2台のサーモグラフィカメラは、前記プラズマアーク又は前記プラズマジェットの中心軸に対して真上と真横に設置され、異なる方向から前記プラズマアーク又は前記プラズマジェットの二次元温度分布をそれぞれ計測できるように設置されており、前記制御手段は、前記2台のサーモグラフィカメラによって計測された2つの二次元温度分布データから三次元温度分布データを作成し、前記三次元温度分布データの最高温度領域に前記溶射粉末材料投入管の投入口を移動させることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ溶射装置。前記温度分布は、三次元温度分布であり、前記制御手段は、前記三次元温度分布の最高温度領域に前記溶射粉末材料投入管の投入口を移動させることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ溶射装置。前記温度分布計測手段は、前記温度分布を連続計測し、前記制御手段は、前記温度分布の最高温度領域の変化に基づいて前記溶射粉末材料投入管の投入口を移動させることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のプラズマ溶射装置。溶射粉末材料投入管からプラズマアーク又はプラズマジェットに投入され、溶融された溶射粉末材料を吹き付けることにより、基材表面に前記溶射粉末材料の皮膜を形成させるプラズマ溶射装置の制御方法であって、前記プラズマアーク又は前記プラズマジェットの温度分布を計測する工程と、前記温度分布の最高温度領域に前記溶射粉末材料投入管の投入口を移動する工程と、を含むことを特徴とするプラズマ溶射装置の制御方法。上述のようなプラズマ溶射装置においては、溶射粉末材料の投入口が電極中心部の出口付近に固定されているが、プラズマの火花の発生位置は一定でないため、溶射粉末材料を効率的な位置で投入することができず、基材表面に対して溶射粉末材料の皮膜の形成を効率的に行うことができないという問題がある。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基材表面に溶射粉末材料の皮膜を効率的に形成することができるプラズマ溶射装置及びその制御方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明に係るプラズマ溶射装置は、プラズマアーク中又はプラズマジェット中に投入され、溶融された溶射粉末材料を吹き付けることにより、基材表面に前記溶射粉末材料の皮膜を形成させる装置であって、前記プラズマアーク中又は前記プラズマジェット中に前記溶射粉末材料を投入する溶射粉末材料投入管と、前記プラズマアーク又は前記プラズマジェットの温度分布を計測する温度分布計測手段と、前記温度分布の最高温度領域に前記溶射粉末材料投入管の投入口を移動させる制御手段と、を備える。前記温度分布計測手段は、例えばサーモグラフィカメラなどである。前記温度分布計測手段がサーモグラフィカメラであって、サーモグラフィカメラを複数備える場合、複数のサーモグラフィカメラは、異なる方向から前記プラズマアーク又は前記プラズマジェットの二次元温度分布をそれぞれ計測できるように設置されており、前記制御手段は、前記複数のサーモグラフィカメラによって計測された前記複数の二次元温度分布から三次元温度分布を作成し、前記三次元温度分布の最高温度領域に前記溶射粉末材料投入管の投入口を移動させるように制御してもよい。また、前記温度分布計測手段がサーモグラフィカメラであって、サーモグラフィカメラを2台備える場合、2台のサーモグラフィカメラは、前記プラズマアーク又は前記プラズマジェットの中心軸に対して真上と真横に設置され、異なる方向から前記プラズマアーク又は前記プラズマジェットの二次元温度分布をそれぞれ計測できるように設置されており、前記制御手段は、前記2台のサーモグラフィカメラによって計測された2つの二次元温度分布データから三次元温度分布データを作成し、前記三次元温度分布データの最高温度領域に前記溶射粉末材料投入管の投入口を移動させるように制御してもよい。前記温度分布計測手段によって計測された温度分布が、三次元温度分布である場合、前記制御手段は、前記三次元温度分布の最高温度領域に前記溶射粉末材料投入管の投入口を移動させるように制御してもよい。なお、上述のプラズマ溶射装置において、前記温度分布計測手段は、前記温度分布を連続計測し、前記制御手段は、前記温度分布の最高温度領域の変化に基づいて前記溶射粉末材料投入管の投入口を移動させるように制御してもよい。また、本発明に係る、溶射粉末材料投入管からプラズマアーク又はプラズマジェットに投入され、溶融された溶射粉末材料を吹き付けることにより、基材表面に前記溶射粉末材料の皮膜を形成させるプラズマ溶射装置の制御方法は、前記プラズマアーク又は前記プラズマジェットの温度分布を計測する工程と、前記温度分布の最高温度領域に前記溶射粉末材料投入管の投入口を移動する工程と、を含む。本発明によれば、基材表面に溶射粉末材料の皮膜を効率的に形成することができるプラズマ溶射装置及びその制御方法を提供することができる。以下、本発明の好ましい実施形態につき、添付図面を参照して詳細に説明する。本発明に係るプラズマ溶射装置は、プラズマの熱エネルギーを利用して、例えばセラミックスや金属粉末材料などの溶射粉末材料を溶融し、基材表面に吹き付け皮膜を形成する装置である。図1は、本発明の一実施形態として説明するプラズマ溶射装置100の概略構成を示す図である。図1に示すように、本発明に係るプラズマ溶射装置100は、対向する2つのアノードトーチ111,112と、1つのカソードトーチ120を備えるツインアノード型プラズマ溶射装置である。プラズマ溶射装置100は、主電源101,102、アノードトーチ111,112、アルゴン供給管113,114、カソードトーチ120、アルゴン供給管130、二次ガス供給管140、アクセルノズル150、プラズマトリミング160、溶射粉末材料投入管170などを備える。主電源101,102により電極111,112,120に電圧が印加されると、アルゴン供給管130から供給されたアルゴンガスと、二次ガス供給管140から供給された二次ガス例えば空気、窒素ガス、ヘリウムガス、二酸化炭素ガスなどによりカソードトーチ120からプラズマアークが生成され、また、アルゴン供給管113,114から供給されたアルゴンガスによりアノードトーチ111,112からプラズマアークが生成される。カソードトーチ120から生成されたプラズマアークは、アクセルノズル150によって加速されてプラズマアークPAが生成され、アノードトーチ111,112から生成されたプラズマアークと合流し、プラズマジェットPJとなる。また、アクセルノズル150によって生成されたプラズマアークPAには、溶射粉末材料投入管170から溶射粉末材料が投入され、溶融される。プラズマジェットPJにおいて溶射粉末材料の溶融に利用されない熱は、プラズマトリミング160から供給された空気によりトリミングされる。溶射粉末材料が溶融されたプラズマジェットPJは、基材Mの表面に吹き付けられ、溶射粉末材料の皮膜Cが形成される。本実施の形態において、本発明に係るプラズマ溶射装置100は、制御装置173、サーモグラフィカメラ181,182などをさらに備えている。2台のサーモグラフィカメラ181,182は、アクセルノズル150によって生成されたプラズマアークPAの二次元温度分布を計測するものであり、それらは異なる方向からプラズマアークPAの二次元温度分布を計測できるように設置されている。なお、2台のサーモグラフィカメラ181,182は、プラズマアークPAの中心軸の上下、該中心軸の左右など異なる位置に設置されていればよいが、三次元温度分布を作成できるように、例えば、計測したそれぞれの二次元温度分布の平面がプラズマアークPAの中心軸で垂直に交わるように設置されていることが好ましく、プラズマアークPAの中心軸に対して真上と真横の方向にそれぞれ設置されていることがより好ましい。また、2台のサーモグラフィカメラ181,182は、アクセルノズル150によって生成されたプラズマアークPAの全てを計測するものであってもよいが、プラズマアークPAの発生部付近、すなわちプラズマアークPAの最高温度領域付近、具体的にはアクセルノズル150の出口付近を計測するものであってもよい。計測されたプラズマアークPAの平面の二次元温度分布のデータは、通信線183を介してサーモグラフィカメラ181,182から制御装置173に送信される。制御装置173は、サーモグラフィカメラ181,182から受信したデータに基づいて、アクセルノズル150によって生成されたプラズマアークPAの三次元温度分布データを作成する。制御装置173は、三次元温度分布データから最高温度領域を特定し、溶射粉末材料投入管170と接続された制御線172を介して溶射粉末材料投入管170の投入口171をXYZ軸方向に移動させ、溶射粉末材料が最高温度領域に投入されるように投入口171を調整する。このように、プラズマアークPAの最高温度領域に溶射粉末材料投入管170の投入口171を移動させることにより、溶射粉末材料を効率よく溶融させることができるようになり、もって基材Mの表面に溶射粉末材料の皮膜Cを効率的に形成することができるようになる。なお、上述の、サーモグラフィカメラ181,182における計測、並びに、制御装置173における三次元温度分布データの作成、及びプラズマアークPAの最高温度領域に対する溶射粉末材料投入管170の投入口171の移動は、本発明に係るプラズマ溶射装置100を稼動する際にのみ行うこととしてもよいが、溶射粉末材料をより効率よく溶融させ、基材Mの表面に溶射粉末材料の皮膜Cをより効率的に形成できるようにするために、稼動時以降も定期的又は連続的に行うこととしてもよい。この場合、サーモグラフィカメラ181,182は、二次元温度分布を定期的又は連続的に計測し、制御装置173は、定期的又は連続的に作成した三次元温度分布データにおける最高温度領域の変化に基づいて溶射粉末材料投入管170の投入口171を瞬時に移動させる。図2は、本発明の他の一実施形態として説明するプラズマ溶射装置200の一部の概略構成を示す図である。図2に示すように、本発明に係るプラズマ溶射装置200は、単トーチ型のプラズマ溶射装置一般的なプラズマ溶射ガンである。プラズマ溶射装置200は、陽極210、陰極220、溶射粉末材料投入管230、制御装置233、サーモグラフィカメラ241,242などを備える。陽極210と陰極220との電極間に発生させた直流アーク放電PDに、後方から供給された作動ガス例えばアルゴン、ヘリウムなどのガス221を吹きつけ、高温高速のプラズマジェットPJを形成させる。このプラズマジェットPJ中に溶射粉末材料が溶射粉末材料投入口230から投入されて溶融される。溶融された溶射粉末材料は基材Mの表面に吹き付けられ、基材Mの表面に溶射粉末材料の皮膜Cが形成される。2台のサーモグラフィカメラ241,242は、形成されたプラズマジェットPJの二次元温度分布を計測するものであり、それらは異なる方向からプラズマジェットPJの二次元温度分布を計測できるように設置されている。なお、2台のサーモグラフィカメラ241,242は、プラズマジェットPJの中心軸の上下、該中心軸の左右など異なる位置に設置されていればよいが、三次元温度分布を作成できるように、例えば、計測したそれぞれの二次元温度分布の平面がプラズマジェットPJの中心軸で垂直に交わるように設置されていることが好ましく、プラズマジェットPJの中心軸に対して真上と真横の方向にそれぞれ設置されていることがより好ましい。また、2台のサーモグラフィカメラ241,242は、形成されたプラズマジェットPJの全てを計測するものであってもよいが、プラズマジェットPJの発生部付近、すなわちプラズマアークPAの最高温度領域付近を計測するものであってもよい。計測されたプラズマジェットPJの平面の二次元温度分布のデータは、通信線243を介してサーモグラフィカメラ241,242から制御装置233に送信される。制御装置233は、サーモグラフィカメラ241,242から受信したデータに基づいて、形成されたプラズマジェットPJの三次元温度分布データを作成する。制御装置233は、三次元温度分布データから最高温度領域を特定し、溶射粉末材料投入管230と接続された制御線232を介して溶射粉末材料投入管230の投入口231をXYZ軸方向に移動させ、溶射粉末材料が最高温度領域に投入されるように投入口231を調整する。このように、プラズマジェットPJの最高温度領域に溶射粉末材料投入管230の投入口231を移動させることにより、溶射粉末材料を効率よく溶融させることができるようになり、もって基材Mの表面に溶射粉末材料の皮膜Cを効率的に形成することができるようになる。なお、上述の、サーモグラフィカメラ241,242における計測、並びに、制御装置233における三次元温度分布データの作成、及びプラズマジェットPJの最高温度領域に対する溶射粉末材料投入管230の投入口231の移動は、本発明に係るプラズマ溶射装置200を稼動する際にのみ行うこととしてもよいが、溶射粉末材料をより効率よく溶融させ、基材Mの表面に溶射粉末材料の皮膜Cをより効率的に形成できるようにするために、稼動時以降も定期的又は連続的に行うこととしてもよい。この場合、サーモグラフィカメラ241,242は、二次元温度分布を定期的又は連続的に計測し、制御装置233は、定期的又は連続的に作成した三次元温度分布データにおける最高温度領域の変化に基づいて溶射粉末材料投入管230の投入口231を瞬時に移動させる。図3は、本発明の他の一実施形態として説明するプラズマ溶射装置300の一部の概略構成を示す図である。図3に示すように、本発明に係るプラズマ溶射装置300は、アノードトーチ陽極及びカソードトーチ陰極の1組のプラズマトーチからなる複合トーチ型プラズマ溶射装置である。プラズマ溶射装置300は、アノードトーチ310、カソードトーチ320、溶射粉末材料投入管330、制御装置333、サーモグラフィカメラ341,342などを備える。アノードトーチ310とカソードトーチ320は、それぞれの中心軸の延長が交差するように配置されており、これらのトーチ310,320間でアーク放電PDが発生する。このアーク放電PDに、カソードトーチ320から供給される作動ガスが吹き付けられることにより、プラズマアークPAが形成される。形成されたプラズマアークPAには、溶射粉末材料投入管330から溶射粉末材料が投入され、溶融される。溶射粉末材料が溶融されたプラズマアークPAは、高温高速化されて基材Mの表面に吹き付けられ、溶射粉末材料の皮膜Cが形成される。2台のサーモグラフィカメラ341,342は、形成されたプラズマアークPAの二次元温度分布を計測するものであり、それらは異なる方向からプラズマアークPAの二次元温度分布を計測できるように設置されている。なお、2台のサーモグラフィカメラ341,342は、プラズマアークPAの中心軸の上下、該中心軸の左右など異なる位置に設置されていればよいが、三次元温度分布を作成できるように、例えば、計測したそれぞれの二次元温度分布の平面がプラズマアークPAの中心軸で垂直に交わるように設置されていることが好ましく、プラズマアークPAの中心軸に対して真上と真横の方向にそれぞれ設置されていることがより好ましい。また、2台のサーモグラフィカメラ341,342は、形成されたプラズマアークPAの全てを計測するものであってもよいが、プラズマアークPAの発生部付近、すなわちプラズマアークPAの最高温度領域付近を計測するものであってもよい。計測されたプラズマアークPAの平面の二次元温度分布のデータは、通信線343を介してサーモグラフィカメラ341,342から制御装置333に送信される。制御装置333は、サーモグラフィカメラ341,342から受信したデータに基づいて、形成されたプラズマアークPAの三次元温度分布データを作成する。制御装置333は、三次元温度分布データから最高温度領域を特定し、溶射粉末材料投入管330と接続された制御線332を介して溶射粉末材料投入管330の投入口331をXYZ軸方向に移動させ、溶射粉末材料が最高温度領域に投入されるように投入口331を調整する。このように、プラズマアークPAの最高温度領域に溶射粉末材料投入管330の投入口331を移動させることにより、溶射粉末材料を効率よく溶融させることができるようになり、もって基材Mの表面に溶射粉末材料の皮膜Cを効率的に形成することができるようになる。なお、上述の、サーモグラフィカメラ341,342における計測、並びに、制御装置333における三次元温度分布データの作成、及びプラズマアークPAの最高温度領域に対する溶射粉末材料投入管330の投入口331の移動は、本発明に係るプラズマ溶射装置300を稼動する際にのみ行うこととしてもよいが、溶射粉末材料をより効率よく溶融させ、基材Mの表面に溶射粉末材料の皮膜Cをより効率的に形成できるようにするために、稼動時以降も定期的又は連続的に行うこととしてもよい。この場合、サーモグラフィカメラ341,342は、二次元温度分布を定期的又は連続的に計測し、制御装置333は、定期的又は連続的に作成した三次元温度分布データにおける最高温度領域の変化に基づいて溶射粉末材料投入管330の投入口331を瞬時に移動させる。本実施の形態において、本発明に係るプラズマ溶射装置100,200,300は、2台のサーモグラフィカメラ181及び182,241及び242,341及び342を備えることとしているが、1台又は3台以上のサーモグラフィカメラを備えていてもよいし、赤外線カメラ、光ファイバを温度センサとして用いた温度分布測定装置、分光法を用いた温度分布計測装置、プラズマアークPAやプラズマジェットPJから放射されるマイクロ波により温度分布を計測する装置などの、既存の二次元又は三次元の温度分布計測装置を1又は複数台備えていてもよい。なお、本発明に係るプラズマ溶射装置が、サーモグラフィカメラのように、プラズマアークPAやプラズマジェットPJの二次元温度分布しか計測できない温度分布計測装置を1台しか備えていない場合には、プラズマアークPAの二次元温度分布の平面が、溶射粉末材料投入管の投入口を可動可能な平面と一致するように、サーモグラフィカメラなどの温度分布計測装置と、制御装置によって移動可能な溶射粉末材料投入管を設置することが好ましい。また、本発明に係るプラズマ溶射装置100,200,300に最高温度領域予測装置をさらに備え、プラズマ溶射装置100,200,300の稼動時あるいは運転中に、蓄積された最高温度領域のデータに基づいて最高温度領域を予測し、その領域に溶射粉末材料が投入されるように溶射粉末材料投入管170,230,330の投入口171,231,331を予め移動させることとしてもよい。これにより、基材Mの表面に溶射粉末材料の皮膜Cをより効率的に形成することが可能となる。"