半導体装置やLEDなどの電子部品、リチュームイオン電池、および、PV太陽電池のいずれかの電極端子を、接合相手装置の接合相手電極端子に常温で接合する直進往復高速応答性のピエゾステージを備えたボンディング装置であって、直進往復運動する直進往復運動体と、この直進往復運動体が直進往復運動するように前記直進往復運動体の左右に圧電素子を一対備えていることを特徴とする直進往復高速応答性のピエゾステージを備えたボンディング装置。前記直進往復高速応答性のピエゾステージは、直進往復運動する前記直進往復運動体と、前記直進往復運動体の前記直進往復方向の左右に一対に設けられた前記直進往復方向へ伸縮する前記圧電素子と、前記直進往復運動体の周囲に形成され、前記直進往復運動体とは同一ブロックで継目なく一体に形成され、前記直進往復運動体を把持する枠体と、を備え、前記枠体と前記直進往復運動体とは前記直進往復方向に弾性力を保持して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の直進往復高速応答性のピエゾステージを備えたボンディング装置。半導体装置やLEDなどの電子部品、リチュームイオン電池、および、PV太陽電池のいずれかの電極端子を接合相手装置の接合相手電極端子に常温で接合する金属間接合構造であって、前記電極端子は、前記接合相手電極端子と接合する一対の接合面同士が押圧されて直進往復運動することで、同じ経路で繰り返し研磨されて、互いに清浄化活性化して密着状態を維持して無界面の接合面を生成することを特徴とする金属間接合構造。前記半導体装置やLEDなどの電子部品、リチュームイオン電池、およびPV太陽電池、並びに前記接合相手装置の少なくとも一方はシリコンゴムを介して基板に固定されていることを特徴とする請求項3に記載の金属間接合構造。前記直進往復高速応答性のピエゾステージを直進往復運動させる圧電素子に印加する周波数は5Hz~5KHzであることを特徴とする請求項3に記載の金属間接合構造。前記直進往復運動は、始動時からピーク時に向かって前記周波数は一定で、振幅が徐々に増加し、前記ピーク時から停止時に向かって前記周波数は一定で、前記振幅が徐々に減衰して行くことを特徴とする請求項3に記載の金属間接合構造。前記電極端子および前記接合相手電極端子の少なくとも一方は、尖端フラット形状を有する縦横比1.5~3倍の細長い形状を有するピラー型であることを特徴とする請求項3に記載の金属間接合構造。前記電極端子および前記接合相手電極端子の少なくとも一方は、前記接合相手電極端子と接合する接合面が、Cu、Al、Ni、Auおよび半田のいずれかで形成されていることを特徴とする請求項3に記載の金属間接合構造。前記接合面は、放熱回路を形成することを特徴とする請求項3に記載の金属間接合構造。しかしながら、このピラーは直径30μm、高さ170μmであり、縦横比が5.7倍の細長いピラーを形成しているが、半田付けを前提にしたものであり、接合部は、必ずしも、フラットである必要はなく、めっきをAu線の周囲に被覆したもので、フラットであるとは記載されていない。Au線の高さも特に5.7倍の細長さの必要はなく、またそのように記載されていない。細長さは、高さ調節を容易にして高さを揃えること、そして、十分に補強されて、非常に丈夫にできていることが目的である。ところが、不揃いの高さを補正するためには縦横比を適度な細長にして柔軟性を持つことが必要であった。本発明は、前記課題を解決するために創案されたものであり、熱履歴を伴う半田付け接合を用いないで、常温での接合を行うために、接合部に高速応答性の直進往復運動を与えることによって、高精度の安定した金属間接合部を生成させること、および、プリント基板など接合相手装置の反りによって、接合面が不揃いである場合にも、全ての電極端子が問題なく高品質で接合できるピラー型の電極端子を用いて、直進往復高速応答性のピエゾステージを備えたボンディング装置、およびそれを用いた金属間接合構造を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明の直進往復高速応答性のピエゾステージを備えたボンディング装置は、半導体装置やLEDなどの電子部品、リチュームイオン電池、および、PV太陽電池のいずれかの電極端子を、接合相手装置の接合相手電極端子に常温で接合する直進往復高速応答性のピエゾステージを備えたボンディング装置であって、直進往復運動する直進往復運動体と、この直進往復運動体が直進往復運動するように前記直進往復運動体の左右に圧電素子を一対備えていることを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の直進往復高速応答性のピエゾステージを備えたボンディング装置であって、前記直進往復高速応答性のピエゾステージは、直進往復運動する前記直進往復運動体と、前記直進往復運動体の前記直進往復方向の左右に一対に設けられた前記直進往復方向へ伸縮する前記圧電素子と、前記直進往復運動体の周囲に形成され、前記直進往復運動体とは同一ブロックで継目なく一体に形成され、前記直進往復運動体を把持する枠体とを備え、前記枠体と前記直進往復運動体とは前記直進往復方向に弾性力を保持して形成されていることを特徴とする。請求項3に記載の発明の金属間接合構造は、半導体装置やLEDなどの電子部品、リチュームイオン電池、および、PV太陽電池の電極端子を接合相手装置の接合相手電極端子に常温で接合する金属間接合構造であって、前記電極端子は、前記接合相手電極端子と接合する一対の接合面同士が押圧されて直進往復運動することで、同じ経路で繰り返し研磨されて、互いに清浄化活性化して密着状態を維持して無界面の接合面を生成することを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の金属間接合構造であって、前記半導体装置やLEDなどの電子部品、リチュームイオン電池、およびPV太陽電池、並びに前記接合相手装置の少なくとも一方はシリコンゴムを介して基板に固定されていることを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項3に記載の金属間接合構造であって、前記直進往復高速応答性のピエゾステージを直進往復運動させる圧電素子に印加する周波数は5Hz~5KHzであることを特徴とする。請求項6に記載の発明は、請求項3に記載の金属間接合構造であって、前記直進往復運動は、始動時からピーク時に向かって前記周波数は一定で、振幅が徐々に増加し、前記ピーク時から停止時に向かって前記周波数は一定で、前記振幅が徐々に減衰して行くことを特徴とする。請求項7に記載の発明は、請求項3に記載の金属間接合構造であって、前記電極端子および前記接合相手電極端子の少なくとも一方は、尖端フラット形状を有する縦横比1.5~3倍の細長い形状を有するピラー型であることを特徴とする。請求項8に記載の発明は、請求項3に記載の金属間接合構造であって、前記電極端子および前記接合相手電極端子の少なくとも一方は、前記接合相手電極端子と接合する接合面が、Cu、Al、Ni、Auおよび半田のいずれかで形成されていることを特徴とする。請求項9に記載の発明は、請求項3に記載の金属間接合構造であって、前記接合面は、放熱回路を形成することを特徴とする。請求項1に記載の発明によれば、直進往復高速応答性のピエゾステージを備えたボンディング装置は、半導体装置やLEDなどの電子部品、リチュームイオン電池、および、PV太陽電池の電極端子を、接合相手装置の接合相手電極端子に常温で接合する直進往復高速応答性のピエゾステージを備えたボンディング装置であって、直進往復運動する直進往復運動体と、この直進往復運動体が直進往復運動するように前記直進往復運動体の左右に圧電素子を一対備えていることによって、直進往復運動体と枠体との間に圧電素子が、直進往復運動体の左右に設けられており、直進往復伸縮するため、機械的共振点を持たず、出力を上げても共振点を持たないため安定的な直進往復運動ができ、高精度な直進往復高速応答性を可能とする。これによって、高精度の安定した金属間接合部を生成させることができる。請求項2に記載の発明によれば、直進往復高速応答性のピエゾステージは、直進往復運動体と、直進往復方向の左右に一対に設けられた直進往復方向へ伸縮する圧電素子と、直進往復運動体の周囲に形成され、直進往復運動体とは同一ブロックで継目なく一体に形成され、直進往復運動体を把持する枠体とを備え、枠体と直進往復運動体とは直進往復方向に弾性力を保持して形成されることによって、直進往復運動体にバネを取り付けて付勢するのではなく、直進往復運動体とそれを把持する枠体が継目のない金属ブロックで一体に形成されているので、直進往復運動体は枠体に把持されると共に、枠体と直進往復運動体との間に弾性力を保持しており、さらに枠体と直進往復運動体を継目のなく一体とすることによって、直進往復運動体がヨーイングやピッチングすることなく、強い安定性がある。さらにこの直進往復運動体と枠体との間に圧電素子が、直進往復運動体の左右に設けられており、弾性力を有する方向に、直進往復運動体が直進往復伸縮するため、機械的共振点を持たず、出力を上げても共振点を持たないため安定的な直進往復運動ができ、高精度な直進往復高速応答性を可能とする。これによって、高精度の安定した金属間接合部を生成させることができる。請求項3に記載の発明によれば、電極端子は、接合相手電極端子と接合する一対の接合面同士が押圧されて直進往復運動することで、同じ経路で繰り返し研磨されて、互いに清浄化活性化して密着状態を維持して無界面の接合面を生成することによって、半導体装置やLEDなどの電子部品、リチュームイオン電池、および、PV太陽電池の全ての電極端子が問題なく高品質で接合できるピラー型の電極端子を用いて、接合相手装置の接合相手電極端子に常温で金属間接合することができ、さらに同一経路を繰り返し研磨することによって、電極端子の研磨面が接合相手電極端子と密着状態を維持して研磨しているため、接合面積が増え、応力集中を拡散した接合ができ、接合面からは破断しない強固な接合を得ることができた。その金属本来の強度を実現することができた。請求項4に記載の発明によれば、半導体装置やLEDなどの電子部品、リチュームイオン電池、およびPV太陽電池、並びに接合相手装置の少なくとも一方はシリコンゴムを介して基板に固定されることによって、電子部品、およびプリント基板など接合相手のどちらか一方、またはどちらもがシリコンゴムを介して基板に固定されて外れることもないため、接合部に高速応答性の直進往復運動を伝達することができ、高精度の安定した金属間接合部を生成させ、また、プリント基板など接合相手の反りによって、接合面が不揃いである場合にも、シリコンゴムの弾性が反りや変形を吸収して全ての電極端子を問題なく高品質で接合できる。請求項5に記載の発明によれば、直進往復高速応答性のピエゾステージを直進往復運動させる圧電素子に印加する周波数は5Hz~5KHzとすることによって、ピエゾステージは滑からな直進往復運動することができ、接合部に高速応答性の直進往復運動を与えることができ、高精度の安定した金属間接合部を生成させることができる。請求項6に記載の発明によれば、始動時からピーク時に向かって周波数は一定で、振幅が徐々に増加し、ピーク時から停止時に向かって周波数は一定で、振幅が徐々に減衰して行くことによって、起動時のドライバ容量を節約できる。請求項7に記載の発明によれば、電極端子および接合相手電極端子の少なくとも一方は、尖端フラット形状を有する縦横比1.5~3倍の細長い形状を有するピラー型とすることによって、プリント基板など接合相手が反って、接合面が不揃いである場合にも、高さの高いピラー型電極端子が先に変形することによって、低いピラー型電極端子も電極端子に当接できて、互いに高さを補い合い、全ての電極端子が問題なく高品質で接合できるピラー型の電極端子に直進往復運動を行わせて、高精度の安定した金属間接合部を生成させることができる。請求項8に記載の発明によれば、接合面が、Cu、Al、Ni、Auおよび半田のいずれかで形成されていることによって、ピラー型電極端子がCu、Al、Ni、Auおよび半田のいずれにおいても、接合面がフラットである限り、金属間接合部が生成され、良好な接合ができる。請求項9に記載の発明によれば、LED電子回路の両端に-電極を各一対有し、その間に、やはり金属間接合部を有する放熱回路部11を備えているため、LED電子回路では発熱を如何に制御できるかが課題であるが、これによって、効率的に放熱が行われる。以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る直進往復高速応答性のピエゾステージを用いた金属間接合構造の概略図であり、aは電子部品のフリップチップと、プリント基板などの接合相手との接合前を示す断面図、bcdはaに示すP部の拡大断面図を基にして金属間接合構造を示す工程断面図、eは放熱回路を形成した様子を示している。図1のaに示すように、金属間接合構造1は、半導体装置やLEDなどの電子部品2、リチュームイオン電池、および、PV太陽電池2、図1ではフリップチップ2の電極端子2aを接合相手電極端子3aに常温で接合する様子を示している。金属間接合構造1は、直進往復運動するように積層型の圧電素子6c、6c図3参照を直進往復運動体6a図3参照の左右に一対備えて、直進往復運動する直進往復高速応答性のピエゾステージ6を用いて、この直進往復高速応答性のピエゾステージ6が生成する振幅と共にこの電極端子2aを直進往復運動させるように、直進往復高速応答性のピエゾステージ6に電極端子2aを固定して、電極端子2aと電極端子3aとの接合間に金属間接合部1aを生成させている。また、電子部品2、およびプリント基板など接合相手装置3の少なくとも一方はシリコンゴム4を介して基板としてのチャックトップ5に固定されている。図1のbcdに示すように、bは直進往復運動前の様子、cは直進往復運動中の様子、dは金属間接合が完了した様子を示している。ピラー型の電極端子2aと電極端子3aともCu材で形成されているが、電極端子2aは、電極端子3aと接合する接合面が、Ni材およびCu材の少なくとも一方で形成されていれば良い。この場合、接合部8はNiであるが、NiはCuを覆っているものである。直進往復運動によって、Niが擦れてCuが露出して、Cu―Cuとなった接合部8が直進往復運動によって金属間接合部1aを形成する。また、金属間接合構造において、電極端子および接合相手電極端子の少なくとも一方は、接合相手電極端子と接合する接合面が互いにフラット形状であり、Cu、Al、Ni、Auおよび半田のいずれかで形成されている。また、図1のeに示すように、LED電子回路の両端に電極を各一対有し、その間にやはり金属間接合部を有する放熱回路部11を備えている。LED電子回路では発熱を如何に制御できるかが課題であるが、これによって、効率的に放熱が行われる。すなわち、1ピラー型電極端子2aがNi材で電極端子3aがCu材の場合、2ピラー型電極端子2aがCu材で電極端子3aがNi材の場合、3ピラー型電極端子2aがCu材で電極端子3aがCu材の場合、および4ピラー型電極端子2aがNi材で電極端子3aがNi材の場合、のいずれにおいても、接合部8がフラットである限り、金属間接合部1aが生成され、良好な接合ができる。また、電極端子および接合相手電極端子の少なくとも一方は、接合相手電極端子と接合する接合面が、Cu、Al、Ni、Auおよび半田のいずれかで形成されていることによって、ピラー型電極端子がCu、Al、Ni、Auおよび半田のいずれにおいても、接合面がフラットである限り、金属間接合部が生成され、良好な接合ができる。図2は、本発明の実施形態に係る直進往復高速応答性のピエゾステージを用いたボンディング装置の基本構造を示す部分詳細図であり、aは接合前の様子、bは直進往復運動中であり、端子は接合中~金属間接合完了を示している。図2のabに示すように、接合部8は、N2パージ枠7で囲まれ、金属間接合の生成時にはN2パージするようにしている。N2パージは無くても構わない。直進往復高速応答性のピエゾステージ6を直進往復運動させる周波数は5Hz~5KHzとした。また、電極端子2aは、尖端フラット形状を有する縦横比1.5~3倍の細長い形状を有するピラー型である。このピラー型の電極端子2aは、直径Dと高さHとの関係を、D×2=Hとしている。このピラー型の電極端子の縦横のアスペクト比は3:1程度迄としているが、これに限るものではない。将来、材質によっては、もっと大きくなることも考えられる。このように、直進往復高速応答性のピエゾステージ6は直進往復運動体6aの左右に圧電素子6cを一対備えているため、直進往復動作共に圧電素子6cの高速動作が直進往復運動体6aに伝達され、高速応答性を得ることができる。つまり、一方を圧電素子6c、他方をバネ構造6dによって直進往復動作する従来の方式に比べ、バネの機械的共振が発生せず、また、共振域を避けて調整する必要もないため、直進往復高速応答性のピエゾステージ6が持つ高精度の高速応答性によって、高品質の金属間接合構造が実現する。これによって、熱履歴を伴う半田付け接合を用いない常温での接合を行うために、接合部8に高速応答性の直進往復運動を与えることで、高精度の安定した金属間接合部1aを生成させること、および、プリント基板など接合相手装置3の反りによって、接合部8が不揃いである場合にも、全ての電極端子3aが問題なく高品質で接合できる直進往復高速応答性のピエゾステージ6を備えたボンディング装置、およびそれを用いた金属間接合構造を提供できる。この直進往復運動動作は、半導体装置やLEDなどの電子部品、リチュームイオン電池、および、PV太陽電池の電極端子を常温で実装する場合に、電極端子は、接合相手電極端子と接合する一対の接合面同士が押圧されて直進往復運動することで、同じ経路で繰り返し研磨されて、互いに清浄化活性化して密着状態を維持して界面が消失した、無界面状態の接合面を生成することができ、いわゆる、接合箇所の応力集中を低減させた、強力な接合を実現できた。この押圧する力は、電極端子の自重程度で構わない。それ以上でも以下でも適宜設定可能である。また、電子部品2、およびプリント基板など接合相手装置3のどちらか一方、またはどちらもがシリコンゴム4を介して基板9a、9bピエゾステージ6側はチャックトップ5に固定されて、ずれたり、外れたりすることもないため、接合部8に高速応答性の直進往復運動を伝達することができ、高精度の安定した金属間接合部1aを生成させ、また、プリント基板など接合相手装置3の反りによって、接合部8が不揃いである場合にも、シリコンゴム4の弾性が反りや変形を吸収して全ての電極端子3aを問題なく高品質で接合できる。シリコンゴムの厚さはピラー型電極端子、やプリント基板など接合相手装置の反りによる傾きを吸収できる程度に決める。さらに、適度な周波数によって、接合部に高速応答性の直進往復運動を与えることができ、高精度の安定した金属間接合部を生成させることができる。また、プリント基板など接合相手装置3などの反りによって、接合部8が不揃いである場合にも、高さの高いピラー型電極端子2aがそのアスペクト比によって変形して、低いピラー型電極端子2aも電極端子3aに当接できて、高精度の安定した金属間接合部1aを生成させることができる。図3は、本発明の実施形態に係る直進往復高速応答性のピエゾステージ構造の模式図であり、aは正面図、bcdefghはaに示すA―A線の端面図であり、bcdは従来のピエゾステージの構造を示す平面図であり、圧電素子の押し出し力によって移動する直進往復運動体の動きを説明する工程図である。そして、efghは本願発明のピエゾステージの構造を示す平面図であり、圧電素子の押し出し力によって移動する直進往復運動体の動きを説明する工程図である。図4は、本発明の実施形態に係る直進往復高速応答性のピエゾステージに備えられる圧電素子に印加する一定周波数の波形であり、aは一方の圧電素子に印加する周波数、bは他方の圧電素子に印加する周波数を示す波形であり、初期設定電圧Bを設定して、その位置を中心に振幅Fを設定する方式を備え、W1とW2は同一信号の位相を半周期ズラした波形である。ピエゾステージの外形は、□50mm~100mmである。cは一方の圧電素子に印加する三角波の周波数を示す波形、dは他方の圧電素子に印加する三角波の周波数を示す波形である。また、eは一方の圧電素子に印加するSin波の一定周波数における振幅の増加域、および振幅減衰域を説明する波形、fは他方の圧電素子に印加するSin波の一定周波数における振幅の増加域、および振幅減衰域を説明する波形である。図3のaに示すように、直進往復高速応答性のピエゾステージ6を備えたボンディング装置10は、半導体装置やLEDなどの電子部品2、リチュームイオン電池、および、PV太陽電池2の電極端子2aを接合相手電極端子3aへの常温での接合に用い、直進往復運動するように圧電素子6cを直進往復運動体6aの左右に一対備えて、直進往復運動する。直進往復高速応答性のピエゾステージ6は、直進往復運動する直進往復運動体6aと、直進往復運動体6aの直進往復方向の左右に一対に設けられた直進往復方向へ伸縮する圧電素子6cと、直進往復運動体6aの周囲に形成され、直進往復運動体6aとは同一ブロックで継目なく一体に形成され、直進往復運動体6aを把持する枠体6bとを備え、枠体6bと直進往復運動体6aとは直進往復方向に弾性力を保持して形成されている。この弾性力は模式図ではバネ構造6dとして表示しているが、別体のバネが取り付けられているものではなく、枠体6bと直進往復運動体6aとはバネ構造6dを介した一つのブロックから形成され、その一体構造の中で弾性力を生成しているものである。図3のbに示すように、直進往復運動体6aはバネ構造6dで付勢され、電圧が印加されていない圧電素子6cと当接している。cに示すように、直進往復運動体6aは圧電素子6cで図中左側へ押圧されている。さらに、dに示すように、直進往復運動体6aは、圧電素子6cの印加が解かれて図中右側にバネ構造6dによって押圧されている。この繰り返しでピエゾステージ6 ́には往復運動が生成される。このバネ構造には大きな欠陥がある。つまり、強力な押し出し力を有する圧電素子と同程度の反力をもったバネ構造を必要としていた。強力な押し出し力を有する圧電素子と同程度の反力をもったバネ構造によって、常に圧電素子を押し付けていることは、エネルギ的に大きな負担であった。また、圧電素子を駆動するドライバにも大きな容量のものを備えなければならなかった。これは従来のピエゾステージを説明したものであり、次に、e~hに示すように、本願発明のピエゾステージ6について説明する。図3のeに示すように、圧電素子6cが周波数を印加されていない状態では、直進往復運動体6aがバネ構造6dに支持されて、ピエゾステージ6のセンターのニュートラル状態に位置している。バネ構造6dが保持するバネ力は、直進往復運動体6aを位置的に支える程度で構わない。次に、fおよび図4のabcdに示すように、直進往復運動体6aは、左右の圧電素子6c、6cによって、軽く押圧された状態にある。所謂、初期設定電圧Bが印加されている。次に、gおよび図4のabcdに示すように、W1のようなSin波形によって、図中右側の圧電素子6cが押し出し、それと同時にW2のような逆位相のSin波形によって、左側の圧電素子6cが縮小している。またはW1 ́のような三角波形によって、図中右側の圧電素子6cが押し出し、それと同時にW2 ́のような逆位相の三角波形によって、左側の圧電素子6cが縮小している。直進往復運動体6aは左側に振れることになる。さらに、hおよび図4のabに示すように、W1のようなSin波形によって、図中右側の圧電素子6cが縮小し、それと同時にW2のような逆位相のSin波形によって左側の圧電素子6cが押し出している。またはW1 ́のような三角波形によって、図中右側の圧電素子6cが縮小し、それと同時にW2 ́のような逆位相の三角波形によって左側の圧電素子6cが押し出している。直進往復運動体6aは右側に振れることになる。このように、Sin波形および逆位相のSin波形によって、直進往復運動体6aは振幅Fで振れて直進往復運動する。Sin波形および逆位相のSin波形は、一つの信号から派生したものである。または三角波形および逆位相の三角波形によって、直進往復運動体6aは振幅Fで振れて直進往復運動する。Sin波形、三角波形および逆位相のSin波形、三角波形は、一つの信号から派生したものである。この圧電素子6cは積層型圧電素子を用いているが、これに限るものではない。そして、直進往復運動体6aを停止させる周波数の位置は、図中の停止位置d、d ́と停止位置f、f ́である。つまり、Sin波形W1では開始位置cから繰り返し動作して、最終的に停止位置dで直進往復運動体6aを停止させている。同様に、Sin波形W2では開始位置eから繰り返し動作して、最終的に停止位置fで直進往復運動体6aを停止させている。または、三角波形W1 ́では開始位置c ́から繰り返し動作して、最終的に停止位置d ́で直進往復運動体6aを停止させている。同様に、三角波形W2 ́では開始位置e ́から繰り返し動作して、最終的に停止位置f ́で直進往復運動体6aを停止させている。このように同一信号から発生した正波形W1、W1 ́と逆波形W2、W2 ́とを用いて、直進往復運動体6aの左右に配置した圧電素子6cにそれぞれ印加することによって、直進往復運動体6aを左右から交互に押し出す。これによって、直進往復動作が共に圧電素子の押し出し力で駆動するため、左右一対の圧電素子6cが高速応答性を発揮して、直進往復運動体6aを直進往復運動させることができる。つまり従来のように一方を圧電素子6cで押し出し、戻りをバネ構造6dで押し戻す方式に比べ、バネの機械的共振もなく、電圧印加に正確に比例して直進往復運動体6aの直進往復運動を起こし、精度良い直進往復運動を得られる。移動距離は不図示のレーザー変位計などで振幅を調整可能としている。このように、図中左右のように直進往復運動するように圧電素子6cを直進往復運動体6aの左右に一対備えて、直進往復運動することによって、常温でも、接合部8に直進往復高速応答性の直進往復運動を与えることができ、高精度の安定した金属間接合部1aを生成させることができる。また、これは、直進往復運動体6aにバネを取り付けて付勢するのではなく、直進往復運動体6aとそれを把持する枠体6bが継目のない金属ブロックで一体に形成されているので、直進往復運動体6aは枠体6bに把持されると同時に、枠体6bと直進往復運動体6aとの間には弾性力を保持しており、枠体6bと直進往復運動体6aを継目のなく一体とすることによって、直進往復運動体6aがヨーイングやピッチングすることはなく、強い安定性がある。さらにこの直進往復運動体6aと枠体6bとの間に圧電素子6cが、直進往復運動体6aの左右設けられており、弾性力を有する方向に、直進往復伸縮するため、機械的共振点を持たず、出力を上げても共振点を持たないため安定的な直進往復運動ができ、高精度な直進往復高速性応答を可能とし、直進往復運動を高速で応答することができる。これによって、高精度の安定した金属間接合部1aを生成させることができる。また、圧電素子6cは電圧を印加することで縦横矩形の一方が凹み、他方が膨らむため、一方向へ力が出る構造である。それを複数重ねることで、積層型圧電素子6cを用いたピエゾステージ6が振幅5μmから10μmで直進往復運動する。周波数は5Hzから5KHzで金属間接合は可能で、さらに高い周波数でも接合は可能と思われるため、~10KHz、~19KHzでもさらに実験を続けている。△波三角波やSin波が安定しており、矩形波は動きが堅くなり高周波では安定的でない。また、図4のeに示すように、始動時からピーク時に向かって周波数は一定で、振幅が徐々に増加し、ピーク時から停止時に向かって周波数は一定で、振幅が徐々に減衰して行くことによって、同一信号から発生した正波形W1 ́ ́と逆波形W2 ́ ́とを用いて、直進往復運動体6aの左右に配置した圧電素子6cにそれぞれ印加することによって、起動時のドライバ容量を節約できる。図5は、本発明の実施形態に係るピラー型電極端子の高さのバラツキ、および電極端子を備えるプリント基板など接合相手装置の反りによる接合状態を示し、aは電極端子の高さにバラツキがある場合、bはプリント基板など接合相手が上に反っている場合、cはプリント基板など接合相手装置が下に反っている場合を示している。図5のaに示すように、電極端子2aの高さにバラツキがある場合、高さの高い電極端子2aが電極端子3aと先に当接するが、降伏点に応じて変形することによって、高さの低い電極端子2aが電極端子3aと当接することができ、金属間接合部1aが生成する。このとき電極端子2aの先端は1μm程度ずれるが問題ない程度である。次に、図5のbに示すように、プリント基板など接合相手装置が上に反っている場合、図のように電極端子2aは変形する。これでも1μm程度のずれで金属間接合部1aが生成する。さらに、図5のcに示すように、プリント基板など接合相手装置が下に反っている場合、図のように電極端子2aは変形する。これでも1μm程度のずれで金属間接合部1aが生成する。つまり、電極端子の高さhにバラツキが有る場合に、高さの高い電極端子の接合が先に完了して固着してしまい、高さの低い電極端子が接合できないという問題があったが、電極端子の高さに関して、縦横比を2倍以上にすることで1μm程度のずれはあるが良好な接合が可能である。このとき電極端子の直径を20μm、電極端子間のピッチを200μmとしている。このとき周波数210Hzで5μmの振幅が得られる。端子数は1000ピン~2000ピンとしたが、さらに多ピンでも構わないし、電極端子間のピッチを40~50μmとしても構わない。このように、接合が完了した端子によって全体の直進往復運動が抑えられるため、まだ接合が完了して端子は接合が進まないことがある。これを防止するため、接合が完了した端子は柔軟にピラー型電極端子2aが変形して、接合が完成していない端子が完了するまで、その直進往復運動を阻害することがない。ピラー型電極端子2aの高さHと直径D図2参照は、縦横のアスペクト比で2:1としている。これは細長い縦方向が押圧された場合に、降伏点0.25から決めているが、変形してそのままの形状を維持するのであれば、降伏点を超えて変位しても構わない。この変位量が1μm程度である。もう少し大きく設定して、変位量が2~3μmでも構わない。プリント基板など接合相手装置3の反りなどで電極端子3aの位置がばらついても、複数の全ての電極端子2aと電極端子3aが接合することができる形状にピラー型の電極端子2aの縦横比を設定する。図6は、本発明の実施形態に係る電極端子および接合相手電極端子が共にピラー型の電極端子である場合を説明する概略図であり、aは接合前、bは電極端子の高さにバラツキがある場合の接合後、cは電極端子の高さにバラツキがない場合の接合後を示している。図6のaに示すように、電極端子の高さにバラツキがある場合がある、bに示すように、電極端子の高さにバラツキがある場合、高さの高い方の電極端子が先に金属間接合を完了して、ピラー型の電極端子が変形した状態で接合し、降伏点以下または降伏点をややオーバーしたところで変形を繰り返しながら、高さの低い電極端子が接合完了するまで待っている。また、cに示すように、電極端子の高さにバラツキがない場合はピラー型の電極端子の形状が変形することはなく金属間接合部が生成する。以上、好ましい実施の形態を説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱することの無い範囲内において適宜変更が可能なものである。例えば、直進往復高速応答性のピエゾステージが生成する振幅と共にこの電極端子を直進往復運動させるように、直進往復高速応答性のピエゾステージに電極端子を固定して、電極端子と電極端子との接合間に金属間接合部を生成させると説明したが、直進往復運動させるのは、一方の電極端子側でも他方の接合相手電極端子側でも構わない。