絶縁基板と、この絶縁基板の両端部に設けた一対の外部電極と、この一対の外部電極間に設けた抵抗体とを備えた薄膜チップ抵抗器であって、前記絶縁基板上に前記両端部から内側に延出して形成した貴金属からなる第1上面電極と、前記第1上面電極を覆い前記両端部間をつなぐ薄膜からなる前記抵抗体と、前記抵抗体の上に設けられ少なくとも一部前記第1上面電極に上面視にて重なる厚膜からなる第2上面電極を有し、前記第1上面電極を設けた部分における前記両端部間をつなぐ方向と直交する方向の幅をそれぞれ前記第1上面電極の幅をW1、前記抵抗体の幅をW2、前記第2上面電極の幅をW3としたとき、W1<W3<W2の関係を有し、前記抵抗体の両側面側から内側に向かって、前記第1上面電極に達する切り欠き部が設けられていることを特徴とする薄膜チップ抵抗器。絶縁基板の上面に貴金属からなる複数個の第1上面電極を形成する工程と、前記絶縁基板の上面全体に抵抗体となる薄膜を形成する工程と、前記薄膜をエッチングすることにより前記第1上面電極を完全に覆う抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体上に少なくとも一部前記第1上面電極に上面視にて重なる厚膜からなる第2上面電極を形成する工程と、前記第2上面電極にプローブを当てながらレーザにより抵抗値をトリミングする工程と、前記抵抗体を保護する保護コートを形成する工程と、前記絶縁基板を分割することにより個片化する工程と、個片化されたものの両端部に外部電極を形成する工程と、を備えた薄膜チップ抵抗器の製造方法であって、前記第1上面電極を設けた部分における前記両端部間をつなぐ方向と直交する方向の幅をそれぞれ前記第1上面電極の幅をW1、前記抵抗体の幅をW2、前記第2上面電極の幅をW3としたとき、W1<W3<W2の関係を有するものであり、抵抗値をトリミングする前に前記抵抗体の両側面側から内側に向かって、前記第1上面電極に達する切り欠き部を形成することを特徴とする薄膜チップ抵抗器の製造方法。上記従来の構成とした場合、抵抗値が比較的高いものであれば、その抵抗値は薄膜抵抗体4の固有抵抗で決まるため、この薄膜抵抗体4が安定であれば、チップ抵抗器としての安定性を確保することができていた。しかしながら、抵抗値が10mΩ程度以下の非常に小さいものになってくると、薄膜抵抗体4そのものだけでなく、外部電極7に至るまでの全体の系で安定なものとする必要が出てくる。具体的には、第2上面電極5と薄膜抵抗体4との接触抵抗が、熱履歴を経るごとに小さくなっていき、チップ抵抗器としての抵抗値が低い方にシフトしてしまうものである。本発明は、低い抵抗値を有する薄膜チップ抵抗器であっても、熱履歴に対して抵抗値の変化が小さい薄膜チップ抵抗器を提供することを目的とする。本発明は上記課題を解決するために、絶縁基板と、この絶縁基板の両端部に設けた一対の外部電極と、この一対の外部電極間に設けた抵抗体とを備えた薄膜チップ抵抗器であって、絶縁基板上に両端部から内側に延出して形成した貴金属からなる第1上面電極と、第1上面電極を覆い両端部間をつなぐ薄膜からなる抵抗体と、この抵抗体の上に設けられ少なくとも一部第1上面電極に上面視にて重なる厚膜からなる第2上面電極を有し、第1上面電極を設けた部分における両端部間をつなぐ方向と直交する方向の幅をそれぞれ第1上面電極の幅をW1、抵抗体の幅をW2、第2上面電極の幅をW3としたとき、W1<W3<W2の関係を有し、抵抗体の両側面側から内側に向かって、第1上面電極に達する切り欠き部を設けたものである。上記構成により、熱履歴によって第2上面電極と薄膜抵抗体との接触抵抗が変化しても、全体の抵抗値に与える影響を最小限にできるため、抵抗値の安定した薄膜チップ抵抗器を得ることができる。以下、本発明の一実施の形態における薄膜チップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施の形態における薄膜チップ抵抗器の上面付近の上面図である。この薄膜チップ抵抗器は、抵抗値が10mΩで、平面形状が1.0mm×0.5mmのものであり、その短辺側に外部電極12が設けられるものである。アルミナからなる絶縁基板11の上面に、短辺側の端部13以下端部と記すから内側に延出したほぼ矩形状の第1上面電極14図1では破線で示すが金レジネートを用いて形成されている。この第1上面電極14の形状は、端部13からその先端部までの長さL1を約0.25mm、先端部付近の幅W1を約0.29mmとしている。ここで幅とは長辺側の側面15が直交する方向の長さをいう。抵抗体16は、Ni-Cu合金薄膜からなり、第1上面電極14を覆い両端部13間をつなぐように形成されている。第1上面電極14を覆っている両端部13部分の幅W2は約0.48mmとW1よりも大きく形成され、トリミングすることにより中央部分の抵抗値を決定する部分までの端部13からの長さL2を約0.32mmとしている。この抵抗体16のパターンは、絶縁基板11の上面全体にスパッタにより形成した後、エッチングによりパターン形成したものであるが、エッチングする際に貴金属である第1上面電極14の一部が露出していると、その境界部分で局部電池反応が進行して、抵抗体16が過エッチングの状態となってしまう。そのため第1上面電極14全体をパターン形成された抵抗体16が覆うように形成しておく必要がある。そのため、W1<W2、L1<L2の関係となっている。なお、抵抗体16の形状を直線状ではなく、蛇行状に形成してもよい。第2上面電極17は、抵抗体16の上面に樹脂銀をスクリーン印刷により形成したものであり、ほぼ矩形状の形をしており、端部13からその先端部までの長さL3を約0.21mm、端部13付近の幅W3を約0.39mmとし、W3<W2となっている。また、少なくともその一部が上面視にて第1上面電極14に重なる。この第2上面電極17は抵抗値をトリミングする際に、抵抗値を測定するためのプローブを当てるために設けられており、低い抵抗値を測定するためには、四端子回路網で測定する必要があるため、一つの第2上面電極17に2個のプローブを当てる必要があり、また形状が小さくなってきているため、プローブを当てるのが非常に難しくなってくる。そのためなるべく幅を大きくとるために、W1<W3となるようにしている。また後に述べる接触抵抗による変化を抑えるために、L3<L1となるようにしている。切り欠き部18は、絶縁基板11の表面が露出するように、第1上面電極14が形成された両端部13近傍において抵抗体16の側面側から内側に向かって幅方向に延伸し、少なくとも第1上面電極14に到達するように設けられている。切り欠き部18によって接触抵抗の高い第2上面電極17と抵抗体16とが重なる部分の一部を切り欠く。この切り欠き部18を設ける位置は、第2上面電極17の先端部分の角を通って第1上面電極14に到達するようにすることがより望ましい。本実施の形態のような抵抗値の低い薄膜チップ抵抗器では、切り欠き部18を設けていないものでは、熱履歴をかけると抵抗値が低いほうにシフトする傾向がある。これを詳細に調べると、第1上面電極14と抵抗体16が重なっている部分では変化が生じないが、抵抗体16が第2上面電極17のみと重なっている部分では、接触抵抗が低い方にシフトしやすいことがわかった。すなわち、金からなる第1上面電極14と抵抗体16が重なっている部分では、もともと接触抵抗が低いため熱履歴によって変動しにくいが、樹脂銀からなる第2上面電極17と抵抗体16との接触抵抗の方が高いため、第1上面電極14がない部分では、第2上面電極17と抵抗体16との接触抵抗が主体となり、これが変動することにより、全体の抵抗値が変動しやすくなるものである。これに対し本実施の形態では、抵抗体16の側面側から内側に向かって幅方向に延伸し、第1上面電極14に到達する切り欠き部18を設けているため、切り欠き部18と端部13との間の部分には、ほとんど電流が流れず、この結果、この第2上面電極17と抵抗体16との接触抵抗が変動しても、全体の抵抗値には影響を与えないため、熱履歴に対して抵抗値の変動が少ない薄膜チップ抵抗器を得ることができる。次に本発明の一実施の形態における薄膜チップ抵抗器の製造方法について説明する。なお、図2a、図3a、図4は断面図、図2b、図3bcは上面図である。まず、図2aに示すように、アルミナからなる絶縁基板11の上面両端部に金を主成分とする金属有機物ペーストをスクリーン印刷し、これを焼成炉で焼成することにより、金からなる第1上面電極14を形成する。次に絶縁基板11の上面全体にスパッタによりNi-Cu合金薄膜を形成する。そのあと、レジストパターンを形成した後エッチングにより抵抗体16を形成し、図2bのようになる。このとき、第1上面電極14と抵抗体16のパターンの大きさ、位置関係は、個片にしたときに、図1と同じようになるように形成されているため、第1上面電極14を抵抗体16が完全に覆っているようになっており、エッチング時に過エッチングが生じることはない。次に、図3abに示すように、さらにその上に樹脂銀をスクリーン印刷することにより、第2上面電極17を形成する。これらのパターンの大きさ、位置関係は、個片にしたときに、図1と同じようになるように形成されている。次に、図3cに示すように、レーザを用いて抵抗体16の両側面側から内側に向かって、第1上面電極14に達する切り欠き部18を形成する。その後、第2上面電極17にプローブを当てて抵抗値を測定しながら、レーザにより抵抗体16にトリミング溝図示せずを形成することにより、抵抗値を調整する。なお、切り欠き部18およびトリミング溝の形成は別々の設備を用いても構わないが、一つの設備で順番に形成しても構わない。最後に、抵抗体16の上に保護体19を形成し、個片に分割した後、端部13に外部電極12を形成し、図4に示すような薄膜チップ抵抗器を得る。なお、個片に分割するためには、ダイシングを行う、あるいは絶縁基板11にあらかじめブレイク用のスリットの入ったスリット基板を用い、スクライブにより個片化しても構わない。本発明では、抵抗体16の両側面側から内側に向かって、第1上面電極14に達する切り欠き部18を設けているため、熱履歴によって第2上面電極17と抵抗体16との接触抵抗が変化しても、全体の抵抗値に与える影響を最小限にでき、これにより、抵抗値の安定した薄膜チップ抵抗器を得ることができる。