"互いに略平行な光入射面及び光出射面を有し、前記光入射面或いは前記光出射面に対して所定の傾斜角度を有した接合面によって接合された複数の透光性基板と、前記複数の前記透光性基板の間の境界部に交互に設けられ、前記光入射面に入射した光を偏光方向が互いに直交する異なる2種類の直線偏光に分離して一方の直線偏光を透過させ、他方の直線偏光を反射させる偏光分離部と、反射された前記他方の直線偏光を反射し、光路の向きを変える反射部と、を有する光学素子と、前記光出射面に配置され、前記2種類の直線偏光の光束のうち何れか一方の直線偏光の偏光面を回転させて他方の直線偏光の偏光面と平行な直線偏光に変換して出射する位相差板と、を備え、前記位相差板は、前記光学素子の端縁部に前記偏光分離部と前記反射部とが交互に配置される方向に沿って接合された基部と、当該基部から延出され、前記光出射面であって前記偏光分離部の上部の領域、又は前記反射部の上部の領域に配置された位相差部と、を有し、前記位相差部は、前記偏光分離部により分離された直線偏光又は前記反射部により反射された直線偏光が透過する透光部と、当該透光部の端縁部に形成され前記透光部よりも厚肉の補強部とを有することを特徴とする偏光変換素子。請求項1に記載の偏光変換素子であって、前記補強部は、前記透光部の前記偏光分離部に沿った端縁部に形成された第一補強部と、前記透光部の前記反射部に沿った端縁部に形成された第二補強部と、前記第一補強部及び第二補強部の前記基部と反対側の端縁部に形成された第三補強部とを有することを特徴とする偏光変換素子。請求項1又は2に記載の偏光変換素子であって、前記光学素子の前記光出射面と、前記光学素子の前記光出射面に対向する前記透光部の光入射面との間に、隙間が設けられ、前記光学素子の前記光出射面と、前記透光部の前記光入射面とには、それぞれ反射防止膜が設けられていることを特徴とする偏光変換素子。請求項1乃至3のうちいずれか一項に記載の偏光変換素子であって、前記位相差板の前記基部が、接合膜により前記光学素子に接合されていることを特徴とする偏光変換素子。請求項4に記載の偏光変換素子であって、前記接合膜は、接着剤であることを特徴とする偏光変換素子。請求項5に記載の偏光変換素子であって、前記接着剤は、変性アクリレート又は変性メタクリレートを主成分とすることを特徴とする偏光変換素子。請求項4に記載の偏光変換素子であって、前記接合膜は、プラズマ重合法により設けられ、シロキサンSi-O結合を含み、結晶化度が45以下であるSi骨格と、当該Si骨格に結合する脱離基とを含み、前記脱離基は、有機基で構成され、前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したとき、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Si骨格から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、前記基部と前記光学素子との接着性が発現するものであることを特徴とする偏光変換素子。請求項4に記載の偏光変換素子であって、前記接合膜は、前記光学素子に設けられた微結晶連続膜と、前記基部に設けられた微結晶連続膜とを接触させて、前記光学素子の微結晶連続膜と前記基部の微結晶連続膜との接触界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせる原子拡散接合法により形成される、又は、前記光学素子と前記基部とのうちのいずれか一方に設けられた微結晶連続膜と、いずれか他方に設けられた微結晶構造とを接触させて、前記微結晶連続膜と前記微結晶構造との接触界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせる原子拡散接合法により形成されることを特徴とする偏光変換素子。請求項1乃至8のうちいずれか一項に記載の偏光変換素子であって、前記位相差板の材料が水晶であることを特徴とする偏光変換素子。請求項1乃至9のうちいずれか一項に記載の偏光変換素子であって、前記位相差板が積層型の位相差板であることを特徴とする偏光変換素子。請求項10項に記載の偏光変換素子であって、前記積層型の位相差板は、第1の位相差板と第2の位相差板とを積層してなり、入射する直線偏光の偏光面と、各々の結晶光学軸とのなす角度を、光学軸方位角θ1、θ2とし、光の出射面側から見て、入射する直線偏光の光軸を中心として反時計回りの方向を正の値としたとき、前記光学軸方位角θ1とθ2は、θ1が40°以上50°以下、θ2が130°以上140°以下、或いは、θ1が17.5°以上27.5°以下、θ2が62.5°以上72.5°以下、を満足することを特徴とする偏光変換素子。請求項11に記載の偏光変換素子であって、前記第1の位相差板の位相差Γ1と前記第2の位相差板の位相差Γ2は、Γ1=180°360°×NΓ2=360°×N但し、Nは正の整数或いは、Γ1=180°Γ2=180°或いは、Γ1=180°n×360°Γ2=180°n×360°但し、nは正の整数の何れかの組み合わせを満足することを特徴とする偏光変換素子。請求項1乃至12のうちいずれか一項に記載の偏光変換素子と、当該偏光変換素子を固定する固定枠と、を備えることを特徴とする偏光変換ユニット。光源と、請求項13に記載の偏光変換ユニットと、当該偏光変換ユニットから出射された光を画像情報に基づいて変調する光変調装置と、当該光変調装置により変調された光を投射する投射光学装置と、を備えることを特徴とする投射装置。請求項1乃至12のうちいずれか一項に記載の偏光変換素子の製造方法であって、複屈折性を有する透光性基板に前記透光部と前記補強部とを形成する凹部形成工程と、前記複屈折性を有する透光性基板をブラストにより櫛状に切断することにより前記位相差板を得る切断工程と、前記位相差板を前記光学素子の前記光出射面に接合する接合工程と、を有することを特徴とする偏光変換素子の製造方法。請求項15に記載の偏光変換素子の製造方法であって、前記複屈折性を有する透光性基板の材料が水晶であることを特徴とする偏光変換素子の製造方法。請求項15又は16に記載の偏光変換素子の製造方法であって、前記ブラストにより前記位相差板の切断部に生じた加工変質層を除去する除去工程を有することを特徴とする偏光変換素子の製造方法。請求項15乃至17のうちいずれか一項に記載の偏光変換素子の製造方法であって、前記切断工程は、前記複数の透光性基板の間の境界部に設けられた接合層の厚みと略同等となる幅で、前記複屈折性を有する透光性基板を切断することを特徴とする偏光変換素子の製造方法。しかしながら、特許文献1から6まで、9,10の従来例では、複数の短冊状の位相差板をそれぞれ光学素子の所定の位置に貼り付けなければならず煩雑な作業を要するため、量産コストが高くなるという問題がある。さらに、特許文献7,8の従来例では、開口部を形成するために、水晶基板の一部をエッチングにより除去し、位相差板として利用できないため廃棄している。従って、除去した分だけ水晶基板の利用効率が低下するため、コストが高くなるという問題がある。また、開口部を形成するために、水晶基板が貫通するまでエッチングを行わなければならず、エッチング時間が長くかかる。また、開口部の面積は、光学素子の出射面に露出している偏光分離部の端縁部と反射部の端縁部との間に挟まれた面積にほぼ等しいため、開口部を形成するには多量なエッチング液を必要とする。そのため、製造コストの増加をさらに招いてしまうという問題がある。また、特許文献8の従来例では、2度のエッチング工程を実施して、水晶基板に貫通孔を形成したり、位相差部を薄肉に形成しなければならないため、リードタイムが長くなり、それに伴って量産コストが高くなるという問題もある。さらに、特許文献11,12の従来例では、位相差板が非常に薄いため、取り扱い方によっては、すぐに破損してしまうため、取り扱い上注意を要するという問題がある。そこで、本発明の目的は、取り扱いが容易で、製造コストを低く抑えることができる偏光変換素子、偏光変換ユニット、投射装置、及び偏光変換素子の製造方法を提供することである。[適用例1]本適用例に係わる偏光変換素子は、互いに略平行な光入射面及び光出射面を有し、前記光入射面或いは前記光出射面に対して所定の傾斜角度を有した接合面によって接合された複数の透光性基板と、前記複数の前記透光性基板の間の境界部に交互に設けられ、前記光入射面に入射した光を偏光方向が互いに直交する異なる2種類の直線偏光に分離して一方の直線偏光を透過させ、他方の直線偏光を反射させる偏光分離部と、反射された前記他方の直線偏光を反射し、光路の向きを変える反射部と、を有する光学素子と、前記光出射面に配置され、前記2種類の直線偏光のうち何れか一方の直線偏光の偏光面を回転させて他方の直線偏光の偏光面と平行な直線偏光に変換して出射する位相差板と、を備え、前記位相差板は、前記光学素子の端縁部に前記偏光分離部と前記反射部とが交互に配置される方向に沿って接合された基部と、当該基部から延出され、前記光出射面であって前記偏光分離部の上部の領域、又は前記反射部の上部の領域に配置された位相差部と、を有し、前記位相差部は、前記偏光分離部により分離された直線偏光又は前記反射部により反射された直線偏光が透過する透光部と、当該透光部の端縁部に形成され前記透光部よりも厚肉の補強部と、を有することを特徴とする。この構成の本適用例では、位相差板がいわばすだれ状であるので、複屈折性を有する透光性基板を一対の櫛状に切断することにより、同時に二枚の位相差板を得ることができる。また、エッチングにより、透光性基板から開口部を形成するための領域を除去する場合と比較して、本適用例では、除去する部分を、透光部を形成するための掘削部や切断部のみとすることができる。従って、エッチング液の使用量を低減でき、環境負荷を低減した偏光変換素子とすることができる。また、複屈折性を有する透光性基板の利用効率が向上し、コストの低減が図れ、切断に必要な時間を少なくできる。リードタイムを短縮でき量産コストを低減できる。さらに、補強部が透光部よりも肉厚であるので、透光部が非常に薄肉であっても、位相差板を容易に取り扱うことができる。そのため、透光部が破損してしまうことを防止できる。また、取り扱いが容易となるので、これにより、リードタイムを短縮できる。さらに、位相差板の耐衝撃性も向上する。[適用例2]本適用例に係わる偏光変換素子では、前記補強部は、前記透光部の前記偏光分離部に沿った端縁部に形成された第一補強部と、前記透光部の前記反射部に沿った端縁部に形成された第二補強部と、前記第一補強部及び第二補強部の前記基部と反対側の端縁部に形成された第三補強部とを有することを特徴とする。この構成の本適用例では、第一補強部と第二補強部と第三補強部とにより透光部を三方から囲んでいるので、透光部の破損をより効果的に防止できる。[適用例3]本適用例に係わる偏光変換素子では、前記光学素子の前記光出射面と、前記光学素子の前記光出射面に対向する前記透光部の光入射面との間に、隙間が設けられ、前記光学素子の前記光出射面と、前記透光部の前記光入射面とには、それぞれ反射防止膜が設けられていることを特徴とする。この構成の本適用例では、光が光学素子と透光部とを透過する際に、光の反射を防止して、光の透過率の低下を抑制できる。[適用例4]本適用例に係わる偏光変換素子では、前記位相差板の前記基部が、接合膜により前記光学素子に接合されていることを特徴とする。この構成の本適用例では、基部と光学素子とを接合するので、透光部を光学素子に接合することに伴う不具合を回避できる。例えば、下記プラズマ重合法又は原子拡散接合法により、光学素子と透光部との間に接合膜を形成する場合では、接合膜を形成する過程で、透光部の光出射面にほこりやゴミなどが付着する場合がある。その場合、接合膜の膜厚よりも付着物の高さのほうがはるかに高いため、付着物が付着している領域を中心として所定の領域で気泡などがその領域に入り込んでしまう。これにより、光学特性上大きな問題となる。さらに、接着剤を用いて接合する場合、耐光性や断熱性の低下という不具合が生じる。しかしながら、この構成の本適用例では、透光部と光学素子とを接合しないで済むので、上述したような気泡が入り込んで光学特性上の問題が起こるという不都合を回避でき、さらに、接着剤の使用に伴う不都合も回避できる。さらに、接合膜により基部と光学素子とを接合するため、位相差板の押さえ治具が不要となり、部品点数を削減できる。[適用例5]本適用例に係わる偏光変換素子では、前記接合膜は、接着剤であることを特徴とする。この構成の本適用例では、接合膜を接着剤により形成するため、下記のようなプラズマ重合法や原子拡散接合法により形成する場合と比較して簡単な作業で位相差板と光学素子とを接合できる。[適用例6]本適用例に係わる偏光変換素子では、前記接着剤は、変性アクリレート又は変性メタクリレートを主成分とすることを特徴とする。この構成の本適用例では、このような接着剤を用いることにより、耐熱性及び耐光性に優れ、接合強度を確保できる。よって、長寿命の偏光変換素子とすることができる。[適用例7]本適用例に係わる偏光変換素子では、前記接合膜は、プラズマ重合法により設けられ、シロキサンSi-O結合を含み、結晶化度が45以下であるSi骨格と、当該Si骨格に結合する脱離基とを含み、前記脱離基は、有機基で構成され、前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したとき、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Si骨格から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、前記基部と前記光学素子との接着性が発現するものであることを特徴とする。この構成の本適用例では、プラズマ重合法により接合膜を形成するため、耐熱性及び耐光性に優れるとともに、接合強度を確保できる。従って、偏光変換素子の長寿命化が図れる。[適用例8]本適用例に係わる偏光変換素子では、前記接合膜は、前記光学素子に設けられた微結晶連続膜と、前記基部に設けられた微結晶連続膜とを接触させて、前記光学素子の微結晶連続膜と前記基部の微結晶連続膜との接触界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせる原子拡散接合法により形成される、又は、前記光学素子と前記基部とのうちのいずれか一方に設けられた微結晶連続膜と、いずれか他方に設けられた微結晶構造とを接触させて、前記微結晶連続膜と前記微結晶構造との接触界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせる原子拡散接合法により形成されることを特徴とする。この構成の本適用例では、原子拡散接合法により接合膜を形成するため、耐熱性及び耐光性に優れるとともに、接合強度を確保できる。[適用例9]本適用例に係わる偏光変換素子では、前記位相差板の材料が水晶であることを特徴とする。この構成の本適用例では、耐熱性に優れた長寿命の偏光変換素子とすることができる。[適用例10]本適用例に係わる偏光変換素子では、前記位相差板が積層型の位相差板であることを特徴とする。[適用例11]上記適用例に係わる偏光変換素子では、前記積層型の位相差板は、第1の位相差板と第2の位相差板とを積層してなり、入射する直線偏光の偏光面と、各々の結晶光学軸とのなす角度を、光学軸方位角をθ1、θ2とし、光の出射面側から見て、入射する直線偏光の光軸を中心として反時計回りの方向を正の値としたとき、前記光学軸方位角θ1とθ2は、θ1が40°以上50°以下、θ2が130°以上140°以下、或いは、θ1が17.5°以上27.5°以下、θ2が62.5°以上72.5°以下、を満足することを特徴とする。[適用例12]上記適用例に係わる偏光変換素子では、前記第1の位相差板の位相差Γ1と前記第2の位相差板の位相差Γ2は、Γ1=180°360°×N、Γ2=360°×N但し、Nは正の整数、或いは、Γ1=180°、Γ2=180°、或いは、Γ1=180°n×360°、Γ2=180°n×360°、但し、nは正の整数の何れかの組み合わせを満足することを特徴とする。これらの構成の本適用例では、積層型の位相差板であるが、取り扱いが容易で、低コストの偏光変換素子を提供できる。[適用例13]本適用例に係る偏光変換ユニットは、上述の偏光変換素子と、当該偏光変換素子を固定する固定枠と、を備えることを特徴とする。この構成の本適用例では、本発明の偏光変換素子を備えるため、取り扱いが容易で、低コストの偏光変換ユニットを提供できる。[適用例14]本適用例に係る投射装置は、光源と、上述の偏光変換ユニットと、当該偏光変換ユニットから出射された光を画像情報に基づいて変調する光変調装置と、当該光変調装置により変調された光を投射する投射光学装置と、を備えることを特徴とする。この構成の本適用例では、本発明の偏光変換素子を備えるため、取り扱いが容易で、低コストの投射装置を提供できる。[適用例15]本適用例に係る偏光変換素子の製造方法は、上述の偏光変換素子の製造方法であって、複屈折性を有する透光性基板に前記透光部と前記補強部とを形成する凹部形成工程と、前記複屈折性を有する透光性基板をブラストにより櫛状に切断することにより前記位相差板を得る切断工程と、前記位相差板を前記光学素子の前記光出射面に接合する接合工程と、を有することを特徴とする。この構成の本適用例では、上述したように、透光部の端縁部に補強部が配置された位相差板が得られるので、取り扱いが容易で、低コストの偏光変換素子の製造方法を提供できる。また、上述したように、エッチング液の使用量を低減でき、環境負荷に配慮した製造方法とすることができる。[適用例16]本適用例に係る偏光変換素子の製造方法では、前記複屈折性を有する透光性基板の材料が水晶であることを特徴とする。この構成の本適用例では、耐熱性に優れた偏光変換素子の製造方法を提供できる。また、上述したように、水晶の位相差板を製造する際に、除去する部分を少なくすることができるので、水晶の有効利用が図れ、環境負荷を低減できる。[適用例17]本適用例に係る偏光変換素子の製造方法では、前記ブラストにより前記位相差板の切断部に生じた加工変質層を除去する除去工程を有することを特徴とする。ここで、位相差板に加工変質層が残っている場合、加工変質層に光が透過すると、光学特性上所望の位相差が得られないといった問題が生じる可能性がある。しかし、この構成の本適用例では、加工変質層を除去するため、位相差板を光が透過する際に、光学特性上の問題が生じてしまうことを回避できる。[適用例18]本適用例に係る偏光変換素子の製造方法では、前記切断工程は、前記複数の透光性基板の間の境界部に設けられた接合層の厚みと略同等となる幅で、前記複屈折性を有する透光性基板を切断することを特徴とする。ここで、接合層の厚みよりも大きな幅で、複屈折性を有する透光性基板を切断し、得られた位相差板を光学素子に配置した場合、位相差部の幅が、偏光分離部と反射部との間の幅より狭くなる。これにより、透光部の幅も狭くなる。その場合、反射部により反射された直線偏光、又は、偏光分離部により分離された直線偏光が透光部を透過しなくなり、偏光変換効率が低下する可能性がある。しかし、この構成の本適用例では、接合層の厚みと略同等となる幅で、複屈折性を有する透光性基板を切断するので、透光部の幅を、比較的広くすることができる。従って、反射部により反射された直線偏光、又は、偏光分離部により分離された直線偏光を透光部に良好に透過させることができる。これにより、偏光変換効率に優れた偏光変換素子の製造方法を提供できる。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ここで、各実施形態において、同一の構成要素は同一符号を付して説明を省略もしくは簡略にする。[第一実施形態]本発明に係る偏光変換素子の第一実施形態について、図1,2を用いて詳細に説明する。図1は、例えば、プロジェクターに搭載される偏光変換素子の分解斜視図である。図2は、偏光変換素子の断面の一部分を拡大して示した断面図である。<偏光変換素子の構成>第一実施形態の偏光変換素子300は、図1,2に示すように、光学素子310と、光学素子310に接合され、1/2波長板として機能し、入射した直線偏光の偏光面を90°回転させて出射する水晶製の位相差板320とを備える。光学素子310は、略直方体形状であり、2つの光学素子310A,310Bが向かい合う長手方向の端部同士を互いに接合し、接合面310Cに対して対称関係となっている。この光学素子310は、互いに略平行な光入射面310Dと光出射面310Eとを有する。また、光学素子310は、複数の透光性基板311の間に、長手方向に沿って交互に並んで配置された偏光分離部312と反射部313とを有する。複数の透光性基板311は、それぞれ光入射面310D或いは光出射面310Eに対して所定の傾斜角度を有した接合面311Aによって接合されている。偏光分離部312と反射部313とは、複数の透光性基板311の間の境界部311A1に交互に設けられている。偏光分離部312は、光入射面310Dに入射した光を偏光方向が互いに直交する異なる2種類の直線偏光に分離して一方の直線偏光を透過させ、他方の直線偏光を反射させる。本実施形態では、偏光分離部312は、光入射面310Dに入射したランダム偏光光のうちP偏光光を選択的に透過させ、S偏光光を反射させる。反射部313は、偏光分離部312により反射された他方の直線偏光を反射し、光路の向きを変える。即ち、反射部313は、偏光分離部312にて反射されたS偏光光を光出射面310Eに向けて反射させる。光学素子310は、図2に示すように、境界部311A1に設けられた接合層314を有する。接合層314は、複数の透光性基板311を互いに接合する。ここで、接合層314は、紫外線硬化型等の光学系接着剤を用いることができる。紫外線硬化型の接着剤を用いた場合、粘度が高く、接合層314の厚みはおよそ10μm以上20μm以下程度となる。更に、変性アクリレート又は変性メタクリレートを主成分とする紫外線硬化型の接着剤を用いると、接合層314の厚みは5μm以上10μm以下と薄くできる。変性アクリレート又は変性メタクリレートを主成分とする紫外線硬化型の接着剤としては、例えば、UT20、HR154商品名、株式会社アーデル製などが挙げられる。更に、接合層314としては、プラズマ重合法により形成されたものであってもよい。このようなプラズマ重合法により形成された接合層314は、シロキサンSi-O結合を含み、結晶化度が45以下であるSi骨格と、当該Si骨格に結合する脱離基とを含んでいる。そして、前記脱離基が有機基で構成され、接合層314は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したとき、接合層314の表面付近に存在する前記脱離基が前記Si骨格から脱離することにより、接合層314の表面の前記領域に、透光性基板311と偏光分離部312又は反射部313との接着性が発現するものである。この接合層314は、所定の厚さW1を有する。位相差板320320A,320Bは、2つの光学素子310A、310Bの光出射面310Eにそれぞれ配置されている。位相差板320は、偏光分離部312を透過したP偏光光に180°の位相差を生じさせて当該P偏光光の偏光面を90°回転させるので、反射部313により反射されたS偏光光の偏光面と平行な直線偏光、即ちS偏光光に変換して出射する。位相差板320は、櫛状すだれ状であり、板厚tを有する。この位相差板320は、光学素子310に接合され光が透過しない基部321と、この基部321から延在され、光が透過する位相差部322とを有する。即ち、基部321は、光学素子310の光学領域である有効エリアEの外に配置されている。基部321は、光学素子310の長手方向、即ち、偏光分離部312と反射部313とが交互に並べられた方向に沿って接合されている。そして、一方の位相差板320Aの基部321Aは、光学素子310における長手方向に平行な端縁部のうち一方の端縁部310Fに接合され、他方の位相差板320Bの基部321Bは、光学素子310における長手方向に平行な端縁部のうち他方の端縁部310Gに接合されている。即ち、一方の位相差板320Aの基部321Aは、他方の位相差板320Bにおける位相差部322の先端部322A1に接近しており、他方の位相差板320Bの基部321Bは、一方の位相差板320Aにおける位相差部322Aの先端部322A1に接近している。基部321は、その主平面が長尺の矩形状であり、その幅は、例えば、3mmから4mm程度である。基部321は、光学素子310に、図示しない接合膜により接合されている。この接合膜は、接合層314と同様に、紫外線硬化型等の光学系接着剤やプラズマ重合膜により設けられている。接合膜は、光路上に配置されない、光学領域である有効エリアEの外側に配置されることが好ましいため、基部321と光学素子310の長手方向に平行な端縁部310F、310Gとの間にのみ形成されていることが好ましい。位相差部322は、いわば短冊状であり、その厚さは、基部321と同じである。位相差部322は、基部321から延出され、光出射面310Eにおける偏光分離部312の上部の領域に配置されている。隣り合う複数の位相差部322は、互いに所定幅の隙間W2をもって配置されており、前記隙間W2には、反射部313で反射されたS偏光光がそのまま通過する。位相差部322は、直線偏光P偏光の光が通過する光学領域である薄肉部と当該薄肉部の周縁を保持する厚肉部補強部とから構成されており、断面の形状は凹状になっており、凹部の底部が前記薄肉部となっている。即ち、光が透過する前記薄肉部である透光部323と、光が透過しない補強部324とを有する。即ち、位相差部322は、透光部323と、透光部323の長手方向に沿った両方の端縁部から立ち上がった2つの補強部324とを有する。透光部323は、非常に薄肉であり、その厚みは、例えば、20μm以上50μm以下である。透光部323は、位相差部322の長手方向に延びて形成されている。透光部323は、偏光分離部312により分離されたP偏光光をS偏光光に変換する。透光部323は、それぞれ光学素子310の光出射面310Eに対向する光入射面323Aを有する。透光部323の光入射面323Aと、光学素子310の光出射面310Eとの間には隙間W3が形成されている。そのため、透光部323の光入射面323Aと光学素子310の光出射面310Eとには、それぞれ図示しない反射防止膜が形成されていることが好ましい。補強部324は、透光部323よりも厚肉に形成されており、基部321の厚みと同じである。補強部324の厚みは、例えば、おおよそ50μm以上1000μm以下である。この補強部324は、光学素子310に接合されていない。また、補強部324は、透光部323の偏光分離部312に沿った端縁部に形成された第一補強部324Aと、透光部323の反射部313に沿った端縁部に形成された第二補強部324Bとを有する。また、第一補強部324Aと第二補強部324Bとは、それぞれの幅W4が0.2μm以上0.3μm以下程度である。幅W4が0.2μm以上であるため、透光部323の破損をより効果的に防止できる。一方、幅W4が0.3μm以下であるため、透光部323の幅を比較的広くすることができ、透光領域を十分に確保できる。なお、透光部323は、位相差部322の先端部322A1、即ち、基部321と反対側の端縁部にまで設けられている。そのため、先端部322A1の両端部に補強部が設けられている。<偏光変換素子の製造方法>次に、第一実施形態の偏光変換素子の製造方法を図3から10までを参照して説明する。図3は、AB前記偏光変換素子の本体製造工程における透光性部材を接合する前後工程を示す図である。図4は、A前記本体製造工程における接合層を形成する工程を示す図であり、B前記本体製造工程において接合された透光性部材を切断する工程を示す図である。図5は、前記切断された光学素子を示す図である。図6は、前記光学素子の切断面を研磨する工程を示す図である。図7は、A前記光学素子の端部を切断する工程を示す図であり、B端部が切断された2つの光学素子を接合する工程を示す図である。図8A,Bは、偏光変換素子の製造方法における凹部形成工程を示す図であり、Cは、切断工程を示す図である。図9ABは、切断工程の第一サンドブラスト工程及び第二サンドブラスト工程を示す図であり、図10は、切断工程により分離された一対の位相差板を示す図である。第一実施形態の製造方法では、本体製造工程と、凹部形成工程と、切断工程と、除去工程と、接合工程とが実施される。本体製造工程本体製造工程では、特開2000-298212号公報に記載の方法と同様の方法で光学素子310が製造される。まず、図3Aに示すように、複数の第一の板状の透光性部材311B1及び複数の第二の板状の透光性部材311B2が用意される。そして、図3Bに示すように、第一の板状の透光性部材311B1の一方の主面に、偏光分離部312が形成され、他方の主面に反射部313が形成される。この第一の板状の透光性部材311B1と、第二の板状の透光性部材311B2とが接合層314により交互に接合される。ここで、図4Aに示すように、接合層314は、UV光の照射により、硬化される。そして、図4Bに示すように、複数交互に積層されてなる積層光学ブロック311B3が第一、第二の板状の透光性部材311B1,311B2の主表面に対して所定の傾斜角度例えば、約45°の方向に沿って所定の間隔ごとに切断される。これにより、図5に示すような光学素子ブロック310Hが得られる。その後、図6Aに示すように、切断された光学素子ブロック310Hの切断面310H1を光学研磨する。そして、図7Aに示すように、光学素子ブロック310Hの端部を切断することによって、偏光ビームスプリッターアレイを得ることができる。これにより、複数の光学素子310偏光ビームスプリッターアレイが得られる。図7Bに示すように、このうち2つの光学素子310310A,310Bが互いに接合されて一体とされる。ここで、2つの光学素子310は、接合面310Cに対して対称関係になっている。凹部形成工程凹部形成工程では、図8Aに示すように、材料が水晶からなり、厚みがtの複屈折性を有する透光性基板400が用意される。そして、図8Bに示すように、透光性基板400の一方の表面に、所定間隔ごとに開口した保護膜401が形成される。保護膜401が形成されていない開口領域は、エッチングにより掘削される掘削部402である。そして、保護膜401が形成された状態で、透光性基板400がエッチング液に浸漬される。ここで、エッチング液は、フッ酸、又は、フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液などからなる。そして、掘削部402に貫通しないようにエッチングが施され、薄肉の透光部323と、厚肉の第一補強部324A並びに第二補強部324Bとが形成される。その後、保護膜401が除去される。切断工程切断工程では、第一マスク工程と、第一サンドブラスト工程と、第二マスク工程と、第二サンドブラスト工程とが実施される。第一マスク工程では、図8Cに示すように、一対の櫛状の保護膜403が形成されるとともに、それぞれの保護膜403の間に蛇行した切代部404も形成される。なお、この保護膜403の形成には、公知の方法を採用できる。ここで、切代部404の幅Lは接合層314の厚みW1と略同等であることが好ましい。図9Aに示すように、第一サンドブラスト工程では、透光性基板400の切代部404にサンドブラストが実施される。これにより、貫通孔405が形成される。この貫通孔405は、保護膜403から離れるに従って幅が狭くなるように形成される。即ち、隣り合う位相差部322と位相差部322との対向する側壁には、それぞれ傾斜部406が形成される。それぞれの傾斜部406は、保護膜403から最も離れた先端が互いに近づく傾斜面406Aを有する。傾斜部406の傾斜面406Aは、透光性基板400の平面400Aに対して傾斜角度θが約70°である。その後、第一マスク工程で形成された保護膜403が除去される。第二マスク工程では、透光性基板400が裏返されて、第一マスク工程と同様にして、一対の櫛状の保護膜403が形成される図8C参照。そして、図9Bに示すように、第二サンドブラスト工程では、第一サンドブラスト工程で形成された貫通孔405に対して、サンドブラストが実施される。ここで、第二サンドブラスト工程では、図9Bに示すように、第一サンドブラスト工程で形成された傾斜部406の先端が削られる。これにより、透光性基板400の側壁には、その厚さ方向の略中央で、突出幅Dで突出した突出部407が形成される。ここで、隣り合う一方の位相差部322の突出部407と、他方の位相差部322の突出部407との間の幅は、仕上げ幅Hである。この仕上げ幅Hは、光が突出部407を透過しないように設定されている。そして、図10に示すように、一対の櫛状の位相差板320が形成される。ここで、サンドブラストの条件は、例えば、砥粒径:25μm、噴射圧力:0.30MPa以上0.40MPa以下、レート:1.5μm/min以上2.5μm/min以下である。除去工程及び接合工程切断工程では、各位相差部322の切断部である突出部407に図示しない加工変質層が形成される場合がある。そこで、除去工程では、加工変質層をフッ素等を用いたライトエッチングにより除去する。接合工程では、光学素子310と位相差板320の基部321とが接合膜を用いて接合される。これにより、光学素子310と基部321との間に接合膜が形成される。一方、透光部323と光学素子310との間には、接合膜が形成されず、エアギャップとして隙間W3が形成される。ここで、第一補強部324Aと第二補強部324Bとは、光学素子310に接合してもされていなくてもよい。そして、得られた位相差板320は、その主面光の入射面或いは出射面法線方向と結晶光学軸Z軸とのなす角度αが90°所謂、Yカット或いはXカットの水晶基板であり、入射する直線偏光P偏光の偏光面と結晶光学軸とのなす角度、即ち、光学軸方位角θが45°である。第一実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。1位相差板320が基部321と位相差部322とを有するすだれ状であるので、透光性基板400を一対の櫛状に切断することにより、同時に二枚を得ることができる。また、位相差板320を製造する際には、除去する部分が掘削部402と切代部404のみであるため、不要な部分が少なく、コストの低減が図れ、切断に必要な時間を少なくできる。これにより、リードタイムを短くすることができ、量産コストの低減も図れる。そして、エッチングにより除去する部分を、透光部を形成するための掘削部のみとすることができるので、エッチング液の使用量を低減でき、環境負荷を低減した偏光変換素子とすることができる。また、補強部324が透光部323よりも肉厚であるので、透光部323の破損を防止して、位相差板320を容易に取り扱うことができ、リードタイムの短縮も図れる。また、位相差板320の耐衝撃性も向上する。2透光部323の光入射面323Aと光学素子偏光ビームスプリッターアレイ310の光出射面310Eとに反射防止膜を形成することにより、光が光学素子310と位相差板320とを透過する際に、光の反射を防止して、光の透過率の低下損出を抑制できる。3透光部323と光学素子310とを接合しないので、透光部323と光学素子310とを接合する場合に光の透過率が低下する等の不都合を回避できる。4接合膜により基部321と光学素子310とを接合するため、位相差板320の押さえ治具が不要となり、部品点数を削減できる。5接合層314等を変性アクリレート又は変性メタクリレートを主成分とする紫外線硬化型の接着剤を用いることにより、耐熱性及び耐光性に優れ、接合強度を確保できる。従って、偏光変換素子300の長寿命化が図れる。6接合層314等をプラズマ重合法により形成することにより、耐熱性及び耐光性に優れ、接合強度を確保できる。従って、偏光変換素子300のさらなる長寿命化が図れる。7切断工程は、サンドブラストにより、透光性基板400を一対の櫛状に切断するため、同時に二枚の位相差板320を得ることができ、低コストの偏光変換素子の製造方法を提供できる。8凹部形成工程は、掘削部402にエッチングを施すことにより、透光部323と補強部324とを同時に形成できるため、効率的である。9除去工程は、ライトエッチングにより、位相差部322に形成された加工変質層を容易に除去できるため、エッチング溶液の使用量が少なくて済み経済的である。また、加工変質層を除去するため、透光部323を光が透過する際に、光学特性上の問題が生じてしまうことを回避できる。10切断工程は、接合層314の厚みW1と略同等となるわずかな幅Lで、切代部404を切断するので、透光部323の幅を比較的広いものとすることができる。そのため、偏光分離部312により分離された光を透光部323に確実に透過させることができる。11また、上述したように、エッチング液の使用量を低減でき、環境負荷に配慮した製造方法とすることができる。さらに、水晶の透光性基板400から位相差板320を製造する際に、除去する部分を少なくすることができるので、水晶の有効利用が図れ、環境負荷を低減できる。[第二実施形態]次に、本発明に係る第二実施形態の偏光変換素子について図11を用いて説明する。図11は、本発明の偏光変換素子に係る第二実施形態の断面の一部分を拡大して示した図である。第二実施形態では、位相差部の幅が第一実施形態よりも長くなる点が異なる。すなわち、第一実施形態では、位相差部の両端縁が隣り合う2つの接合層の間に配置されていたが、第二実施形態では、図11に示すように、位相差部322Cの両端縁が偏光分離部312と、反射部313との間に配置されている点が異なる。それ以外の構成については、前記第一実施形態と同様であるので、説明を省略する。なお、第二実施形態の位相差板320を製造する際にも、複屈折性を有する透光性基板を切断するための切代部は、境界部311A1偏光分離部312および反射部313上で確保する。12第二実施形態では、上述の効果に加えて以下の効果を奏することができる。即ち、位相差部322Cの幅を第一実施形態の場合よりも長くすることができるので、光学領域を大きく稼ぐことができる。これにより、さらに偏光変換効率の優れた偏光変換素子を実現できる。[第三実施形態]次に、本発明に係る第三実施形態の偏光変換素子について図12を用いて説明する。図12は、本発明の偏光変換素子に係る第二実施形態を示す分解斜視図である。第一実施形態では、位相差部の先端部の両端部にしか補強部を有しない構成を説明したが、第三実施形態では、位相差部の先端部透光部の端部に第三補強部を有している点が異なる。以下に、第三実施形態の偏光変換素子について説明するが第一実施形態と同様の構成については、その説明を省略又は簡潔にする。第三実施形態の位相差板500は、位相差部322の長手方向の先端部322A1に、第三補強部324Cを有する。即ち、第三補強部324Cは、第一補強部324A及び第二補強部324Bの基部321と反対側の端縁部を連結するように形成される。これにより、透光部323は、第一補強部324Aと、第二補強部324Bと、第三補強部324Cと、基部321とにより四方が囲まれている。第三補強部324Cは、その厚さが第一補強部324A等と同じである。このような第三補強部324Cを有する位相差板500は、第一実施形態と同様に製造できる。13第三実施形態では、上述の効果に加えて以下の効果を奏することができる。即ち、透光部323の端縁部に第一補強部324Aと第二補強部324Bに加えて、第三補強部324Cも形成したので、位相差部322の強度をさらに高めることができる。これにより、位相差板500の取り扱いがさらに容易になる。[第四実施形態]次に、本発明に係る第四実施形態の偏光変換素子について図13を用いて説明する。図13は、第四実施形態の偏光変換素子を示す分解斜視図である。第一実施形態では、位相差板が基部と位相差部とを有する一部材からなる構成を説明したが、第四実施形態では、位相差板が二部材薄肉部材及び肉厚部材からなる点が異なる。以下に、第四実施形態の偏光変換素子を説明するが、第一実施形態と同様の構成については、その説明を省略又は簡潔にする。第四実施形態の位相差板600は、板状の薄肉部材610と、薄肉部材610の平面に接合された肉厚部材620からなる。薄肉部材610は、第一実施形態の透光部と同様の厚みであり、補強部が形成されていない以外は、第一実施形態の位相差板と同様である。薄肉部材610は、薄肉基部611と、薄肉基部611に形成された薄肉本体612とを有する。肉厚部材620は、薄肉部材610の一方の平面に接合膜により接合される。接合膜は、上述した接合層と同様である。肉厚部材620は、薄肉基部611と同形状の肉厚基部621と、この肉厚基部621における長手方向と直交する方向に延びて複数形成された棒状の肉厚本体622とを有する。肉厚本体622は、薄肉本体612における長手方向と直交する方向の端縁部に対応する位置にのみ配置される。また、肉厚本体622の厚みはW3である図2参照。これら薄肉部材610と肉厚部材620とにより、第一実施形態の位相差板と同様の位相差板600が形成される。<偏光変換素子の製造方法>次に、第四実施形態の偏光変換素子の製造方法について説明する。第四実施形態の製造方法では、切断工程、除去工程、凹部形成工程、接合工程の順に実施されるが、凹部形成工程以外は、第一実施形態と同様である。従って、以下に、第三実施形態の製造方法の凹部形成工程について説明するが、第一実施形態と同様の構成については、その説明を省略又は簡潔にする。第三実施形態の製造方法では、まず、平板状の薄肉基板が用意され、切断工程と除去工程とを経て、一対の薄肉部材610が得られる。凹部形成工程凹部形成工程では、薄肉部材610と、別途形成された肉厚部材620とが用意される。そして、図13に示すように、薄肉部材610の薄肉基部611に肉厚部材620の肉厚基部621が接合膜により接合される。この接合膜は、接合層と同様である。そして、薄肉本体612の端縁部には、肉厚本体622が対応するように接合される。このようにして、位相差板600が得られる。14第四実施形態では、上述の効果8と異なり以下の効果を奏することができる。即ち、保護膜を形成したり、エッチングを実施することなく、透光部と補強部とを有する位相差板600を製造することができる。従って、本発明の位相差板は、多様な方法で製造できる。[第五実施形態]次に、本発明に係る第五実施形態の偏光変換素子について図8から10を用いて説明する。図14は、第五実施形態の偏光変換素子を示す斜視図である。第一実施形態では、位相差板は1枚からなる単層型であったが、第五実施形態では、2枚からなる積層型である点が異なる。以下に、第五実施形態の偏光変換素子を説明するが、第一実施形態と同様の構成については、その説明を省略又は簡潔にする。第五実施形態の位相差板700は、光の入射方向から順に接合された第一位相差板710と第二位相差板720とを有する。第一位相差板710と第二位相差板720とは、第一実施形態の位相差板と各部の厚みが異なる以外は、同形状である。この積層型の位相差板700は、第一実施形態と同様に1/2波長板として機能する。第一位相差板710の透光部711の光出射面は、第二位相差板720の透光部721の光入射面と接合されていない。一方、第一位相差板710の基部712と、第二位相差板720の基部722とは積層接合膜により、接合されている。積層型の位相差板700は、位相差部本体730の断面が略H形状である。なお、位相差板の積層枚数は3枚以上でもよい。なお、透光部711、721の対向するそれぞれの主面には反射防止膜が形成されている。また、透光部711、721のそれぞれの凹部の底部にも反射防止膜が形成されているとよい。<偏光変換素子の製造方法>次に、第五実施形態の偏光変換素子の製造方法について図15,16を参照して説明する。図15は、偏光変換素子の製造方法における凹部形成工程と切断工程とを概略的に示す図であり、図16Aは、切断工程の第一サンドブラスト工程であり、Bは、第二サンドブラスト工程を示す図である。第五実施形態の製造方法では、積層工程、凹部形成工程、切断工程、除去工程、接合工程が順に実施される。この第五実施形態の製造方法では、凹部形成工程の前に積層工程が新たに実施され、凹部形成工程、切断工程が異なる以外は、第一実施形態と同様である。従って、積層工程と凹部形成工程と切断工程以外の工程については説明を省略又は簡潔にする。積層工程積層工程では、複屈折性を有する第一透光性基板710Aと、第二透光性基板720Aとが用意される。そして、第一透光性基板710Aと、第二透光性基板720Aとが積層接合膜により接合される。これにより、図15に示すように、積層型の透光性基板700Aが得られる。凹部形成工程凹部形成工程では、図15に示すように、透光性基板700Aの第一透光性基板710Aの平面に第一実施形態と同様のエッチングが施される。これにより、第一透光性基板710Aに透光部711が形成される。さらに、凹部形成工程では、透光性基板700Aが裏返されて、第二透光性基板720Aの平面にも、第一実施形態と同様のエッチングが施される。これにより、第二透光性基板720Aにも、透光部721が形成される図14参照。切断工程切断工程では、第一実施形態と同様に、第一マスク工程と、第一サンドブラスト工程と、第二マスク工程と、第二サンドブラスト工程とが実施され、15に示すように、破線で示す如く切代部740に沿って、透光性基板700Aが切断される。図16Aに示すように、第一マスク工程では、第一実施形態と同様に、積層型の第一透光性基板710Aの表面に一対の保護膜750が形成され、第一サンドブラスト工程が実施される。これにより、第一実施形態と同様の貫通孔751と、傾斜部752とが形成される。その後、第一マスク工程で形成された保護膜750が除去される。次に、第二マスク工程と、第二サンドブラスト工程とが実施される。これにより、図16Bに示すように、透光性基板700Aの側壁に突出部753が形成される。この突出部753は、第一透光性基板710Aと第二透光性基板720Aとに連続するようにそれぞれ形成される。その後、第二マスク工程で形成された保護膜750が除去される。そして、図14に示すように、第一位相差板710の透光部711と第二位相差板720の透光部721とが当接した積層型の位相差板700が得られる。その後、除去工程、接合工程が実施され、第四実施形態の偏光変換素子が得られる。15このような第五実施形態では、上述した効果の他にも以下の効果を奏する。即ち、第一透光性基板710Aと第二透光性基板720Aとを予め接合することにより、積層した状態で位相差板700を2枚同時に得ることができる。[第六実施形態]次に、本発明に係る第六実施形態の偏光変換素子について図11を用いて説明する。図17は、第六実施形態の偏光変換素子を示す斜視図である。第五実施形態では、第一位相差板の透光部と第二位相差板の透光部とが当接するが、第六実施形態の位相差板では、第一位相差板の透光部と第二位相差板の透光部とが当接しない点が異なる。以下に、第六実施形態の偏光変換素子を説明するが、第五実施形態と同様の構成については、その説明を省略又は簡潔にする。第六実施形態の位相差板800は、第一位相差板810の透光部811が第二位相差板820の透光部821と隙間W3を有している。一方、第一位相差板810の第一補強部812Aは、第二位相差板820の第一補強部822Aと接合されていてもよく、第一位相差板810の第二補強部812Bも第二位相差板820の第二補強部822Bと接合されてもよい。なお、透光部711、721の対向するそれぞれの主面及び反対側の主面には反射防止膜が形成されている。<偏光変換素子の製造方法>次に、第六実施形態の偏光変換素子の製造方法について説明する。第六実施形態の製造方法では、凹部形成工程、切断工程、除去工程、積層工程、接合工程の順に実施される。ここで、第六実施形態の製造方法では、積層工程のみ第一実施形態と異なるため、積層工程以外の工程については、その説明を省略又は簡潔にする。まず、凹部形成工程を経て、切断工程、除去工程、第一位相差板810と第二位相差板820とがそれぞれ得られる。これら第一位相差板810と第二位相差板820とは、厚みが異なる以外は、第一実施形態の位相差板と同様の形状である。積層工程そして、図17に示すように、積層工程では、前記切断工程等にて得られた第一位相差板810と第二位相差板820とが積層される。具体的には、第一位相差板810の透光部811と、第二位相差板820の透光部821とが当接しないように積層される。つまり、第一位相差板810の第一補強部812Aに第二位相差板820の第一補強部822Aが積層され、第一位相差板810の第二補強部812Bに第二位相差板820の第二補強部822Bが積層される。これにより、位相差板800が得られる。また、第一位相差板810の透光部811と第二位相差板820の透光部821との間に隙間W3が設けられている。そのため、第一位相差板810の透光部811は、第二位相差板820側の光出射面に反射防止膜が形成されることが好ましい。一方、第二位相差板820の透光部821も、第一位相差板810側の光入射面に反射防止膜が形成されることが好ましい。[第七実施形態]第七実施形態では、第六実施形態の位相差板の構成について、具体例を挙げて詳細に説明する。図18は、第一位相差板の位相差部と第二位相差板の位相差部とにおける各々の結晶光学軸の関係を示す分解斜視図である。なお、光学軸方位角θ1、θ2は、積層型の位相差板に入射する直線偏光の偏光面と、各々の結晶光学軸とのなす角度であって、積層型の位相差板の光の出射面側から見て、入射する光の光軸を中心として反時計回りの方向を正の値と定義する。位相差板の第一の構成図18Aに示すように、位相差板Aは、第一位相差板810の透光部811における光学軸方位角θ1が45°であり、第二位相差板820の透光部821における光学軸方位角θ2が135°である。即ち、第一位相差板810及び第二位相差板820の結晶光学軸810A,820Aは互いに90°の角度で交差している。そして、第一位相差板810の結晶光学軸810Aと第二位相差板820の結晶光学軸820Aとは、それぞれ厚み方向に傾いておらず、それらの平面方向に平行である。この位相差板Aは、第一位相差板810の位相差が180°N×360°であり、第二位相差板820の位相差がN×360°で表される。なお、Nは正の整数である。例えば、第一位相差板810の位相差をΓ1とし、第二位相差板820の位相差をΓ2としたとき、Γ1=180°360°×5=1980°Γ2=360°×5=1800°N=5である。従って、位相差板Aの位相差δは、δ=Γ1-Γ2=1980°-1800°=180°である。第一位相差板810及び第二位相差板820を構成する水晶の切断角度、即ち、水晶の結晶光学軸810A,820Aに対して第一位相差板810及び第二位相差板820の主表面の法線がなす角度は、それぞれ90°である。よって、これらの第一位相差板810及び第二位相差板820は、所謂、Yカット或いはXカットの水晶基板である。位相差板の第二の構成図18Bに示すように、位相差板Bは、第一位相差板810の透光部811における光学軸方位角θ1が22.5°であり、第二位相差板820の透光部821における光学軸方位角θ2が67.5°である。即ち、第一位相差板810と、第二位相差板820との結晶光学軸810A,820Aは互いに45°の角度で交差している。また、第一位相差板810と第二位相差板820との位相差がそれぞれ180°である。そして、第一位相差板810及び第二位相差板820は、仕様に応じてそれぞれ結晶光学軸810A,820Aに対して、第一位相差板810及び第二位相差板820の主表面の法線がなす角度が0°を除く所定の角度α、即ち、0°<α≦90°を有していればよい。ここでは、第一位相差板810及び第二位相差板820を構成する水晶の切断角度、即ち、水晶の結晶光学軸810A,820Aに対して第一位相差板810及び第二位相差板820の主表面の法線がなす角度αを、それぞれ90°に設定した。このような第一位相差板810及び第二位相差板820は、所謂、Yカット或いはXカットの水晶基板であり、このような第一位相差板810及び第二位相差板820を用いていると、入射角度依存性に優れた広帯域1/2波長板が得られる。位相差板の第三の構成位相差板Cは、位相差板Bと同様に、図18Bに示すように、第一位相差板810の透光部811における光学軸方位角θ1が22.5°であり、第二位相差板820の透光部821における光学軸方位角θ2が67.5°である。また、第一位相差板810と第二位相差板820との位相差がそれぞれ180°n×360°nは、1以上の整数である。ここで、第一位相差板810及び第二位相差板820を構成する水晶の切断角度、即ち、結晶光学軸810A,820Aに対して第一位相差板810及び第二位相差板820の主表面の法線がなす角度はそれぞれ90°である。このような第一位相差板810及び第二位相差板820は、所謂、Yカット或いはXカットの水晶基板である。こうすることにより入射角度依存性に優れた波長選択型の1/2波長板が得られる。例えば、B青帯域,G緑帯域,R赤帯域の波長に帯において位相差が180°となる1/2波長板を実現できる。なお、上記位相差板A,B,Cにおいて、光学軸方位角θ1、θ2の範囲は、要求仕様に応じて或いは許容誤差として、設定角度から±5°の範囲で有効である。このような第七実施形態の位相差板A,B,Cは、上述した第六実施形態の製造方法により製造できる。具体的には、表1に示す薄肉部の厚みt等の条件下で製造される。表1中の厚みtは、第一位相差板810及び第二位相差板820のそれぞれの薄肉部透光部の厚みである。また、表1に示す数値の単位は、mmである。[第八実施形態]次に、本発明に係る第八実施形態の位相差板について図19を用いて説明する。図19は、第八実施形態の位相差板の製造方法を説明するための図である。第八実施形態の偏光変換素子の製造方法では、第一実施形態の位相差板と切断工程のみ異なり、得られる偏光変換素子は、第一実施形態と同様である。以下に、第八実施形態の切断工程について説明するが、第一実施形態と同様の構成については、その説明を省略又は簡潔にする。第八実施形態の位相差板の製造においては、第一実施形態で用いた透光性基板よりも大判の透光性基板900が用意される。この大判の透光性基板900から一対の位相差板が9組、即ち、18枚の位相差板が製造される。切断工程まず、切断工程前に、凹部形成工程が実施され、透光性基板900に図示しない透光部が形成されている。切断工程の第一マスク工程では、図19に示すように、一対の櫛状となる保護膜901が9組形成される。この一対の櫛状の保護膜901の間には、第一実施形態と同様の切代部902が形成される。また、第八実施形態の偏光変換素子の製造方法では、互いに隣接する一対の位相差板と、一対の位相差板との間の境界にも境界切代部903が形成される。次に、第一サンドブラスト工程では、切代部902と境界切代部903に、サンドブラストが実施される。これにより、貫通孔が形成され、18枚の位相差板が分離される。その後、18枚の位相差板が裏返されて第二マスク工程により保護膜が形成される。そして、第二サンドブラスト工程では、第一サンドブラスト工程で形成された貫通孔に対して、サンドブラストが実施される図9参照。そして、得られた18枚の位相差板に、除去工程、接合工程が実施され、それぞれの位相差板が光学素子に接合される。これにより、第八実施形態の偏光変換素子が得られる。16第八実施形態の製造方法では、第一実施形態で説明したほかに、切代部902と境界切代部903との切断をサンドブラストで共通化できるという効果を奏する。これにより、切断作業を容易にできる。[第九実施形態]第九実施形態では、本発明に係る偏光変換素子を備えた投射装置として液晶プロジェクターを例示して説明する。20はプロジェクターの概略構成図である。図21は、プロジェクターに設けられた偏光変換ユニットの分解斜視図である。図20において、プロジェクター100は、インテグレーター照明光学系110と、色分離光学系120と、リレー光学系130と、光変調装置140と、投射光学装置150とを備える。インテグレーター照明光学系110は、光源111と、第1レンズアレイ112と、偏光変換ユニット200と、重畳レンズ113とを備える。インテグレーター照明光学系110は、光源111の光を略平行光線として第1レンズアレイ112へと射出する。偏光変換ユニット200は、第1レンズアレイ112から出射された光を1種類の直線偏光光に変換する。図21に示すように、この偏光変換ユニット200は、第2レンズアレイ210と、遮光板220と、上記偏光変換素子300と、固定枠230と、固定具240とを備える。第2レンズアレイ210は、偏光変換素子300の光入射側に配置され、重畳レンズ113とともに、第1レンズアレイ112の各小レンズの像を透過型液晶パネル141R,141G,141B上に結像させる。遮光板220は、スリット状の複数の孔221を有し、これらの孔221が偏光変換素子300の偏光分離部312に対応するように配置される。これにより、遮光板220は、偏光変換素子300の偏光分離部312に対応する光入射面310Dにのみ光を入射させることができる。なお、図21では、孔221と偏光分離部312との対応関係は、概略的に示されている。固定具240は、第2レンズアレイ210と、遮光板220と、偏光変換素子300とを固定枠230に固定する。偏光変換ユニット200を組み立てる際には、固定枠230の一方の開口面図21では下面側から2つの偏光変換素子300が挿入され、もう一方の開口面図21では上面側から遮光板220と第2レンズアレイ210とがこの順に挿入される。これらの第2レンズアレイ210と、遮光板220と、偏光変換素子300とは、固定枠230に収納された状態で、4つの固定具240で上下2方向から挟持される。固定具240は、その一端部が第2レンズアレイ210と係合し、他端部が偏光変換素子300の位相差板320と係合する。図20に示すように、色分離光学系120は、2枚のダイクロイックミラー121,122と、反射ミラー123とを備える。リレー光学系130は、入射側レンズ131と、リレーレンズ133と、反射ミラー132,134とを備える。色分離光学系120と、リレー光学系130とは、インテグレーター照明光学系110から射出された複数の光を赤R、緑G、青Bの3色の色光に分離し、各色光を、フィールドレンズ142を通して透過型液晶パネル141B、141G,141Rに到達させる。光変調装置140は、透過型液晶パネル141R,141G,141Bと、フィールドレンズ142と、クロスダイクロイックプリズム143とを備え、入射した光を画像情報に応じて変調してカラーの光学像を形成する。投射光学装置150は、光変調装置140で変調された光を投射する。17第一実施形態で説明したように、位相差板の基部が3mmから4mm程度の幅を有するので、固定具240により位相差板を固定枠230に良好に固定できる。即ち、従来の使用していた固定枠230や固定具240のサイズを変えることなく、位相差板を固定できる。このことから、本発明の位相差板は、汎用性が高いと言える。18プロジェクター100および偏光変換ユニット200は、上述した偏光変換素子300を備えるため、取り扱いが容易で、低コストのプロジェクター100および偏光変換ユニット200を提供できる。変形例なお、本発明は本実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。例えば、第一実施形態では、位相差部は、光出射面における偏光分離部の上部の領域に配置される構成を説明したが、反射部の上部の領域に配置されていてもよい。こうすることにより、偏光変換ユニットに入射したランダム光をP偏光の光束に統一して出射させることができる。第一実施形態では、凹部形成工程において、エッチングにより、透光部と補強部とが形成される構成を説明したが、サンドブラストにより、透光部等が形成されてもよい。また、第一実施形態では、凹部形成工程の後に切断工程が実施される構成を説明したが、切断工程の後に凹部形成工程が実施されてもよい。そして、第一実施形態では、透光部や補強部が光学素子と接合されない構成を説明したが、透光部等が上述したような接合膜により光学素子に接合されていても良い。第八実施形態では、境界切代部にサンドブラストが実施される構成を例示したが、砥石を用いたダイシングにより切断されてもよい。また、第八実施形態では、第一サンドブラスト工程にて18枚の位相差板が分離する構成を説明したが、18枚の位相差板が分離しないように粘着シートを用いてそれぞれの位相差板を貼り付けるようにしてもよい。この場合、まず、第一マスク工程において、一対の櫛状の保護膜が形成されるとともに、境界切代部にも保護膜が形成される。第一サンドブラスト工程では、蛇行した切代部のみサンドブラストが実施される。ここで、境界切代部にサンドブラストが実施されないので、互いに隣接する一対の位相差板と、一対の位相差板とは分離されていない。続けて、第二マスク工程と、第二サンドブラスト工程が実施される。その後、境界切代部にダイシングによりV溝が形成される。そして、透光性基板の一方の面のみに粘着シートが貼り付けられる。続けて、このシートの上からハンマーで衝撃が加えられて、V溝に沿って互いに隣接する一対の位相差板と、一対の位相差板とが分割される。このように粘着シート上に透光性基板を貼り付けた状態で、ハンマーで境界切代部を分離することにより、それぞれの位相差板が分散してしまうことを防止できる。また、接合膜や接合層などがそれぞれプラズマ重合法により設けられる構成を説明したが、原子拡散接合法により設けられてもよい。ここで、原子拡散接合法では、まず、真空容器内においてスパッタリングやイオンプレーティング等の真空成膜により真空中で光学素子及び位相差板にそれぞれ微結晶連続薄膜が成膜される。そして、微結晶連続薄膜同士が成膜中又は成膜後に重ね合わされて、接合界面及び結晶粒界において原子拡散が生じることにより光学素子及び位相差板の間で接合する。なお、微結晶連続薄膜同士が重なり合う場合だけでなく、光学素子と、位相差板とのいずれか一方に微結晶連続薄膜が形成され、いずれか他方に微結晶構造が形成されるようにしてもよい。そして、これら微結晶連続薄膜と微結晶構造とが重なり合う状態で、原子拡散接合が実施されるようにしてもよい。また、接合膜や接合層などは、耐光性を有する接着剤により形成されてもよい。"