リソグラフィ装置であって、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、基板を保持するように構築された基板テーブルと、画像センサと、パターニングデバイスを支持するように構築された支持体であって、前記装置が前記パターニングデバイスから前記基板上にパターンを転写するように配置され、前記パターニングデバイスが前記パターニングデバイスを前記画像センサに位置合わせする少なくとも1つのアライメント構造をさらに有する支持体と、前記放射ビームを投影する投影システムとを備え、前記装置は、前記投影システムを通して前記アライメント構造上に前記放射ビームを付与して結果として空間像を得るように動作可能であり、前記画像の特徴を測定して前記画像センサに対する前記アライメント構造の場所の決定を可能にするために、前記空間像を含む対象空間を通してスキャン方式に従って前記画像センサをスキャンし、前記スキャン方式は、前記対象空間の実質的に全体を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含む単一の連続スキャンの実行と比較して、前記画像センサが対象空間の実質的に中央部分を通過する機会の時間的な分離を増加させるリソグラフィ装置。前記代替スキャン方式は複数のスキャンを含み、各々のスキャンが対象空間の少なくとも一部を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含むように動作可能である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記スキャンの少なくとも2つがそれぞれ、前記対象空間の実質的に同じ部分を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含むように動作可能である、請求項2に記載のリソグラフィ装置。前記スキャンの少なくとも2つがそれぞれ、前記対象空間の実質的に全部を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含むように動作可能である、請求項3に記載のリソグラフィ装置。前記複数のスキャンの総計継続時間が同様の精度の従来の単一連続スキャンの総計継続時間を超えないように動作可能である、請求項2から請求項4のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。連続スキャンを結びつける任意の接続動作が前記対象空間の実質的に中央部分を通過するように動作可能である、請求項2から請求項5のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記対象空間が擬似ランダム化方式で水平及び垂直方向にスキャンされるように動作可能である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップを含むデバイス製造方法であって、前記方法が、前記パターニングデバイス上のアライメント構造上に放射ビームを付与して結果として空間像を得るステップと、前記空間像を含む対象空間を通してスキャン方式に従って画像センサをスキャンするステップであって、前記画像センサと前記基板の相対位置が知られているか又はその後決定されるステップと、前記画像の特徴を測定し、それによって前記画像センサに対する前記アライメント構造の場所を決定するステップとを実行することで前記パターニングデバイスと前記基板とを位置合わせするステップをさらに含み、前記スキャン方式は、前記対象空間の実質的に全体を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含む単一の連続スキャンの実行と比較して、前記画像センサが対象空間の実質的に中央部分を通過する機会の時間的な分離を増加させるデバイス製造方法。前記代替スキャン方式が複数のスキャンを含み、各々のスキャンが前記対象空間の少なくとも一部を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含む、請求項8に記載のデバイス製造方法。前記スキャンの少なくとも2つがそれぞれ、前記対象空間の実質的に同じ部分を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含む、請求項9に記載のデバイス製造方法。前記スキャンの少なくとも2つがそれぞれ、前記対象空間の実質的に全部を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含む、請求項10に記載のデバイス製造方法。前記複数のスキャンの総計継続時間が同様の精度の従来の単一連続スキャンの総計継続時間を超えない、請求項9から請求項11のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。連続スキャンを結びつける任意の接続動作が前記対象空間の実質的に中央部分を通過する、請求項9から請求項12のいずれかに記載のデバイス製造方法。前記接続動作は、前記対象空間の前記実質的に中央部分内の移動を最大限にするように、1つのスキャンの終了と次のスキャンの開始との間の直接の経路からそれる、請求項13に記載のデバイス製造方法。前記対象空間が擬似ランダム化方式で水平及び垂直方向にスキャンされる、請求項8から請求項14のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。0008したがって、レチクルアライメントに対する低周波雑音外乱の影響を制限し、及び/又はレチクルアライメントに対するレンズ、ウェーハステージ、レチクルステージの共振周波数での雑音寄与の影響を制限することで、レチクルアライメント中の画像センサの精度を向上させることが望ましい。本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置が提供され、該リソグラフィ装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、基板を保持するように構築された基板テーブルと、画像センサと、パターニングデバイスを支持するように構築された支持体であって、前記装置は前記パターニングデバイスから前記基板上にパターンを転写するように配置され、前記パターニングデバイスはパターニングデバイスを画像センサに位置合わせする少なくとも1つのアライメント構造をさらに有する支持体と、放射ビームを投影する投影システムとを備え、前記装置は、投影システムを通して前記アライメント構造上に放射ビームを付与して結果として得られる空間像を得るように動作可能で、前記結果として得られる空間像を含む対象空間を通してスキャン方式に従って画像センサをスキャンして前記画像の特徴を測定し、それによって画像センサに対するアライメント構造の場所の決定を可能にし、前記スキャン方式は、対象空間の実質的に全体を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含む単一の連続スキャンの実行と比較して、前記画像センサは対象空間の実質的に中央部分を通過する機会の時間的分離を増大させる。0009本発明の一態様によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップを含むデバイス製造方法が提供され、該方法は、前記パターニングデバイス上のアライメント構造上に放射ビームを付与して結果として得られる空間像を得るステップと、前記結果として得られる空間像を含む対象空間を通してスキャン方式に従って画像センサをスキャンするステップであって、前記画像センサと前記基板の相対位置が周知であるか又はその後決定されるステップと、前記画像の特徴を測定し、それによって画像センサに対するアライメント構造の場所を決定するステップとを実行することで前記パターニングデバイスと前記基板とを位置合わせするステップをさらに含み、前記スキャン方式は、対象空間の実質的に全体を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含む単一の連続スキャンの実行と比較して、前記画像センサは対象空間の実質的に中央部分を通過する機会の時間的分離を増大させる。0010本発明の一態様によれば、適切な装置上で実行されると、上記の方法を実行可能なプログラム命令を含むコンピュータプログラムプロダクトが提供される。0022図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、-放射ビームB例えばUV放射又はEUV放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、-パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMTと、-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ又は複数のダイを含むに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSとを含む。0023照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。0024支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支えている。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0025本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。0026パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。0027本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用、又はガスの組合せの使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なすことができる。0028本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。0029リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル及び/又は2つ以上のマスクテーブルを有するタイプであってもよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。0030リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えば投影システムと基板の間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する液浸という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。0031図1を参照すると、照明システムILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源及びリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOから照明システムILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及び照明システムILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0032イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調整することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。0033放射ビームBは、支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクMAを横断した放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2の位置決めデバイスPW及び位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサの助けにより、基板テーブルWTを、例えば様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第1の位置決めデバイスPMと別の位置センサ図1には明示されていないを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めできる。一般に、マスクテーブルMTの移動は、第1の位置決めデバイスPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。同様に、基板テーブルWT又は基板支持体の移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして周知である。同様に、マスクMA上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。00341.ステップモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分のスキャン方向における高さが決まる。3.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。0035上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0036図2は、図1のリソグラフィ装置内に示す基板テーブルWTの一構成を概略的に示す。基板テーブルWT上には、ここでは2つの固定マークTIS1及びTIS2が提供されている。固定マークTIS1及びTIS2は、透過イメージ検出器又は透過イメージセンサとも呼ばれる透過イメージ検出デバイスをその内部に組み込んでいる。この透過イメージセンサを用いて、空間像を透過イメージセンサでスキャンすることでマスクMA上にオブジェクトマークの空間像の位置を決定できる。透過イメージセンサは、実質的に基板平面、すなわち、基板Wが基板テーブルWT上に位置する場合に基板Wがある平面内に位置する。したがって、マスクMA上のオブジェクトマークの画像と固定マークTIS1及びTIS2との相対位置が決定できる。基板テーブルWTが基板マーク、すなわち、図2に示す基板マークP1、P2、P3、P4を含む基板Wを備える場合、アライメントセンサ図示せずは、基板マークP1、P2、P3、P4の相対位置を事前に得ることができる。アライメントセンサによって得られた基板マークP1、P2、P3、P4の相対位置の情報とTIS1、TIS2内の透過イメージセンサによって測定されたマスクMA上のオブジェクトマークの画像と固定マークTIS1及びTIS2との相対位置の情報を組み合わせることで、3つの直交する方向X、Y、及びZに高精度でマスクMAの投影画像に対する任意の所望する位置に基板Wを配置できる。0037図3は、上記の透過イメージセンサを概略的に示す。投影ビームPBが第1のオブジェクトG0、例えば、マスクMA上の格子に入射する。第1の格子G0は、投影システムPBから画像を形成するように配置された複数の開口を備える。第1の格子の開口は各々、投影ビームPBから生成される放射ビームを発する。G0の複数の開口によって発せられた放射ビームは、レンズ、例えば、投影レンズシステムPSを通過する。そのような投影レンズシステムは、G0、G0’の画像が投影レンズシステムPSの下方の所与の平面に形成される光学特性を有する。透過イメージセンサTDは、投影レンズシステムPSの下方に位置する。透過イメージセンサTDは、スロットパターンGIとフォトセンサPHデバイスとを含む。スロットパターンGIは、スリット又は四角形の形状を有するフォトセンサPHデバイス上方の開口である。有利には、PHデバイス上方の開口にパターンを印加すると縁部の数が増加し、それによってフォトセンサPHの信号レベル、それ故、信号対雑音比が向上する。0038基板Wに対するマスクMA上のオブジェクトG0の位置を決定するために、画像G0’の強度を透過イメージセンサのXYZ位置の関数としてマッピングできる。このマッピングは、例えば、サンプリング場所の座標と各場所でサンプリングされた強度とを含む画像マップ3Dマップ内でのX、Y、及びZ方向に沿ったスキャンによって実行することができる。3Dマップから、透過イメージセンサTDに接続された計算手段が、最小二乗適合法などの最大強度を示す位置の放物線適合を用いて画像の位置を導出できる。0039図4は、そのような従来の単一スキャンAの具体例を示す。図示のスキャンは、定義された数のzレベルの各レベルで予想アライメント位置を中心とするx及びy方向の移動が実行される水平/垂直スキャンである。このスキャンは各zレベルを往復して横断し、各横断が直線としてプログラミングされている連続の単一スキャンである。パラメータ、zレベルの数、zレベル当たりのサンプリングポイント数、及びスキャン領域のサイズは、空間像G0’のサイズ照明設定及びマークの幅に依存すると撮像範囲空間像G0’がどこにあるかという情報の精度によって定義される。0040図5は、レベル当たりi個のサンプルの13のzレベルZ-1~Z-13のそのようなスキャンの後の結果として得られる強度プロファイル対時間の関係の一例を示す。スキャンZ-1~Z1-3に対応する継続期間が最も下の軸に沿って記されている。これらのパスの各々において、強度の明確なピークが観察される。各々のパスの中心ピークは、特定の焦点レベルZでX/Y方向のアライメント位置に対応する。各々のパスの中心ピークは、特定の焦点レベルZでフォトセンサPHに入射する放射の最大量に対応する。異なるパスの間で、パスZ-7に対応する強度のピークが最も高いことが分かる。したがって、簡単な信号処理によって、X/Y方向のアライメント位置がベストフォーカスで決定できる。ここで、ベストフォーカスZ位置は、Z-7レベルによって決定される。0041最高の中心ピークの位置を基板テーブルWTを駆動する位置決めサブシステムから受信した移動信号に相関させることで、データが確立でき、それによって、原則として、パターニングデバイスの空間像に対して基板テーブルと基板Wの任意の位置が達成できる。0042空間像G0’は、位置依存関数で既述できる。この関数、は、但し、nはサンプル数をサンプリングすることでレチクルアライメント中に再構成される。位置外乱δiを考慮して、関数は、から再構成される。位置外乱は、空間像のこの再構成を不正確なアライメント位置に導くことがある。1つの外乱の第1の次数で、すべての交差項を無視して、であることを示すことができる。理想的には、<ΔF>は最適検出方法を開発して最小化しなければならない。0043いかなる誤差も位置外乱対時間の直線ドリフトから生じると分かっている状況を考えてみる。そのような状況では、位置外乱は、と記述でき、一方向にスキャンを実行し同じルートを戻ることで正確なアライメント位置が得られる。これは、位置外乱の総計にこれらの外乱に対する感度を掛けるとゼロになるためである。同様に、周知の周期的位置外乱対時間の場合、位置外乱は、と記述できる。したがって、理論的には、外乱周期の整数倍にあたる継続期間にわたってスキャンを実行することで、位置外乱の総計にその感度を掛けるとゼロになる。振動周期の半分だけ互いに間隔を空けた均一な量の測定サンプルを採集することで、これらの位置外乱の影響を除去することができる。0044しかし現実的には、将来も外乱は、不明であり及び/又は複雑であろう。不明な外乱の場合、上記の理論的な例を用いて特定のスキャン方法を調整することは不可能である。したがって、提案される解決策は、基本的に何らかの方法で位置サンプリンクをランダム化して空間像関数を適合させる時にすべてのサンプルの個別の位置エラーの総計の影響を最小限にすることである。しかし、ハードウェアを制御し、基板の完全なスキャン範囲を確保することが困難なために、完全にランダムなスキャン本発明の範囲内ではあるがは理想的でない。0045したがって、一実施形態では、総スキャン継続期間が従来の単一スキャンのスキャン継続期間以下になるように、すべてのzレベルについて連続して実行される従来の単一スキャンに代えてスキャン継続期間がより短い数回のスキャンを実行することが提案される。しかし、万一、スループットを犠牲にしてさらに精度を上げることが望ましい場合に、上記の従来の単一スキャンより長い総計スキャン継続期間を有するより短い継続期間のスキャンを数回実行することは、本発明の範囲外ではないことを理解されたい。0046例えば、開始ポイント、初期スキャン方向及び/又はたどるスキャン経路を含む1つ又は複数のパラメータに関して、各々のより短いスキャンはランダム又は擬似ランダムであってもよい。最後の要素に関して、各パスを直線的に実行するようにプログラミングする代わりに、異なるパスをプログラミングしてもよく、又は経路それ自体を擬似ランダム化してもよく、例えば、各サンプルの後に、又は数サンプルごとにランダムな方向を選択してもよい。0047一実施形態では、従来の単一スキャンを各々が異なるパラメータを有していてもよい有限数の少なくとも部分的に重なり合ったより短いスキャンに置き換えることが提案される。例えば、従来の単一スキャンは継続期間が20msであってもよいが、重なり合うより短いスキャンの例は、2回の10msスキャン又は1回の8msのスキャンと1回の12msのスキャン又は1回の7msのスキャン、1回の5msのスキャン及び2回の4msのスキャンを含んでいてもよい。本発明の範囲に入るこれらの例には、ほぼ無限のバリエーションがあることは明らかである。いずれにせよ、各々のスキャンは、従来の単一のスキャンでカバーされる部分の量のほんの一部しかカバーできず、そうでなければほぼ同じ量をすべてカバーでき各々のスキャンがより少ないサンプル/レベルを採集して同じ量をカバーし、又は上記オプションのいずれかの組合せとなる。より短いスキャンの少なくとも2回は、それらがほぼ同じ量の空間を通過する限りほぼ重なり合うはずである。0048図6は、その間に接続動作Bが実行される2つの重なり合う単一スキャン、すなわち第1のスキャンA及び第2のスキャンCの具体例のz位置対x及びy位置を示す。この例の両方のスキャンA及びCは基本的に図4の従来の単一スキャンと同じ量の空間をカバーする。しかし、いずれのケースでもスキャンは従来の単一スキャンよりも徹底せず、レベルの数もそのレベルにわたって採集するサンプルの数も少ない。0049図7a及び図7bは、図4の従来の単一スキャンと対比して図6に示す2つのスキャン方法の影響を示す。図7aは、従来のスキャンA及び2つのより短いスキャンBでの低周波域の周波数に対する感度のグラフである。図7bは、より高い周波数域での同じグラフである。導入部分で説明したように、レチクルアライメントの不正確さは、その大部分が低周波雑音によって引き起こされる。さらに、特定の高周波域での雑音感度スパイクは、レチクルアライメントの精度に悪影響を与えることがある。0050最初に図7aを参照すると、従来の単一スキャン方法Aの結果としての低周波域での一般的な雑音パターンは、1/周波数1/f雑音として振舞う。スキャン時間を増やせば、図面の低周波部分の感度は、より急峻になるであろう。しかし、低周波域では大きい雑音寄与がいまだに存在する。その結果、従来の単一スキャンと同じ量の時間にわたって有限数のスキャンこの例では2回でレチクルアライメントの総計スキャンを実行することで、図7aのグラフから、低周波感度曲線は、公称感度とゼロ感度との間で変動することが分かる。この変動する感度曲線を液浸スキャナの通常の雑音方式で逓倍すると、従来の単一スキャン感度曲線と比較して正味の不正確さは低下する。この理由は、アライメント位置付近のまた適合に使用される測定ポイントがより長い期間にわたって塗り付けられ、測定サンプルの相関は減少し、レチクルアライメントの精度が向上するという事実を考慮することでも理解できる。0051図7bを参照すると、従来の単一スキャンAの結果は上記のような急峻なピークであることが分かる。しかし、アライメント位置近傍での空間像をサンプリングする有減数の異なるパス方法を選択した例えば、スキャンごとに異なるパラメータが選択され、接続動作内でさらに多くのサンプルが採集される結果として、各々の異なるパス方法で強雑音感度最大値が異なる。その結果、周波数に対する感度プロファイルBはより平坦になる。少数の最大値を有する感度プロファイルと比較して同じ又は同様の積分値を有するより平坦な感度プロファイルは、固有の変動ウェーハステージ、レチクルステージ、レンズなど又は偶発的な変動に対してレチクルアライメントがより堅牢であるということを意味する。継続期間が異なる幾つかのスキャンを実行することで、これらのスキャンの各々は全体感度が低下する周波数の関数として異なる感度を示すため、レチクルアライメントの堅牢さはさらに増加する。0052図8は、従来の単一スキャンA及び上述の3つの具体的な例、すなわち、2回の10msスキャンB;1回の8msのスキャン及び1回の12msのスキャンC;1回の7msのスキャン、1回の5msのスキャン及び2回の4msのスキャンDにおける累積雑音寄与対周波数のグラフである。非連続的なスキャンは、3つともすべて従来の単一スキャンよりも小さい累積雑音の影響を示し、したがって、本明細書に記載する方法でも全体として雑音の影響が減少することを示している。したがって、レチクルアライメントの再現性が向上する。0053図9は、図6の2つのスキャンの実施形態の変形形態を示す。ここでも、その間に接続動作Bが実行される2つの重なり合う単一スキャン、すなわち第1のスキャンA及び第2のスキャンCが実行される。この例では、各横断各レベルでのが直線でなく起伏のある経路当然、任意の経路プロファイルを使用できるをたどるようにことさらにプログラミングがなされている。こうすることで、さらに改良された結果が得られ、雑音はさらに低減し、及び/又は感度プロファイルはさらに平坦になる。0054本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。0055光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。0056本明細書で使用する放射及びビームという用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線UV放射例えば、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有する及び極端紫外線光EUV放射例えば、1nm~50nmの範囲の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。0057レンズという用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。0058以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとることができる。0059上記の説明は例示的であり限定的ではない。例えば上記説明は位置外乱の例を用いて記載されている。しかし、開示された概念は、電源及び温度変動から生じた外乱などの他の外乱にも適用することができる。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。1.リソグラフィ装置であって、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、基板を保持するように構築された基板テーブルと、画像センサと、パターニングデバイスを支持するように構築された支持体であって、前記装置が前記パターニングデバイスから前記基板上にパターンを転写するように配置され、前記パターニングデバイスが前記パターニングデバイスを前記画像センサに位置合わせする少なくとも1つのアライメント構造をさらに有する支持体と、前記放射ビームを投影する投影システムとを備え、前記装置が、前記投影システムを通して前記アライメント構造上に前記放射ビームを付与して結果として得られる空間像を得るように動作可能で、前記結果として得られる空間像を含む対象空間を通してスキャン方式に従って画像センサをスキャンして前記画像の特徴を測定し、それによって前記画像センサに対する前記アライメント構造の場所の決定を可能にし、前記スキャン方式が、前記対象空間の実質的に全体を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含む単一の連続スキャンの実行と比較して、前記画像センサが対象空間の実質的に中央部分を通過する機会の時間的分離を増大させるリソグラフィ装置。2.前記代替スキャン方式が複数のスキャンを含み、各々のスキャンが対象空間の少なくとも一部を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含むように動作可能である、実施形態1に記載のリソグラフィ装置。3.前記スキャンの少なくとも2つがそれぞれ、前記対象空間の実質的に同じ部分を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含むように動作可能である、実施形態2に記載のリソグラフィ装置。4.前記スキャンの少なくとも2つがそれぞれ、前記対象空間の実質的に全部を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含むように動作可能である、実施形態3に記載のリソグラフィ装置。5.前記スキャンの少なくとも2つがそれぞれ異なる継続期間である、実施形態2、3又は4に記載のリソグラフィ装置。6.前記複数のスキャンの総計継続時間が同様の精度の従来の単一連続スキャンの総計継続時間を超えないように動作可能である、実施形態2から5のいずれかに記載のリソグラフィ装置。7.高い精度のための前記複数のスキャンの総計継続時間が10~500msの範囲内に収まるように動作可能である、実施形態2から6のいずれかに記載のリソグラフィ装置。8.連続スキャンを結びつける任意の接続動作が前記対象空間の実質的に中央部分を通過するように動作可能である、実施形態2から7のいずれかに記載のリソグラフィ装置。9.前記接続動作が1つのスキャンの終了と次のスキャンの開始との間の直接の経路から逸脱し、前記対象空間の前記実質的に中央部分内の移動を最大限にするように動作可能である、実施形態8に記載のリソグラフィ装置。10.前記複数のスキャンの少なくとも1つで、各々の横断が直線からことさらに逸脱するようにプログラミングされる、実施形態2から9のいずれかに記載のリソグラフィ装置。11.前記対象空間が擬似ランダム化方式で水平及び垂直方向にスキャンされるように動作可能である、実施形態1に記載のリソグラフィ装置。12.前記画像センサと前記基板との相対位置も決定されるように動作可能である、前記実施形態のいずれかに記載のリソグラフィ装置。13.パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップを含むデバイス製造方法であって、前記方法が、前記パターニングデバイス上のアライメント構造上に放射ビームを付与して結果として得られる空間像を得るステップと、前記結果として得られる空間像を含む対象空間を通してスキャン方式に従って画像センサをスキャンするステップであって、前記画像センサと前記基板の相対位置が周知であるか又はその後決定されるステップと、前記画像の特徴を測定し、それによって前記画像センサに対する前記アライメント構造の場所を決定するステップとを実行することで前記パターニングデバイスと前記基板とを位置合わせするステップをさらに含み、前記スキャン方式が、前記対象空間の実質的に全体を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含む単一の連続スキャンの実行と比較して、前記画像センサが前記対象空間の実質的に中央部分を通過する機会の時間的分離を増大させるデバイス製造方法。14.前記代替スキャン方式が複数のスキャンを含み、各々のスキャンが前記対象空間の少なくとも一部を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含む、実施形態13に記載のデバイス製造方法。15.前記スキャンの少なくとも2つがそれぞれ、前記対象空間の実質的に同じ部分を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含む、実施形態14に記載のデバイス製造方法。16.前記スキャンの少なくとも2つがそれぞれ、前記対象空間の実質的に全部を通して配置された連続するレベルでの複数の横断パスを含む、実施形態15に記載のデバイス製造方法。17.前記スキャンの少なくとも2つがそれぞれ異なる継続期間である、実施形態14、15又は16に記載のデバイス製造方法。18.前記複数のスキャンの総計継続時間が同様の精度の従来の単一連続スキャンの総計継続時間を超えない、実施形態14から17のいずれかに記載のデバイス製造方法。19.高い精度のための前記複数のスキャンの総計継続時間が10~500msの範囲内に収まる、実施形態14から18のいずれかに記載のデバイス製造方法。20.連続スキャンを結びつける任意の接続動作が前記対象空間の実質的に中央部分を通過する、実施形態14から19のいずれかに記載のデバイス製造方法。21.前記接続動作が1つのスキャンの終了と次のスキャンの開始との間の直接の経路から逸脱し、前記対象空間の前記実質的に中央部分内の移動を最大限にする実施形態20に記載のデバイス製造方法。22.前記複数のスキャンの少なくとも1つで、各々の横断が直線からことさらに逸脱するようにプログラミングされる、実施形態14から21のいずれかに記載のデバイス製造方法。23.前記対象空間が擬似ランダム化方式で水平及び垂直方向にスキャンされる、実施形態13から22のいずれかに記載のデバイス製造方法。24.適切な装置上で実行された時に実施形態13から23のいずれかに記載の方法を実行するように動作可能なプログラム命令を含むコンピュータプログラムプロダクト。25.実施形態13から23のいずれかに記載の方法に従ってリソグラフィ装置を動作させるマシン実行可能命令を有するマシン可読媒体。