"半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、前記回路素子および前記寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報と前記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報とを入力するステップaと、前記ステップaによって入力された素子電位変動情報および素子配置情報を参照して、前記回路素子および前記寄生素子の中から予め設定された第1の電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を選別し、選別された素子の電位変動量および配置位置を示す情報を素子選別情報に登録するステップbとを備えることを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。請求項1において、前記ステップbは、前記回路素子および前記寄生素子のうち予め設定された除外条件に該当する素子を処理対象から除外することを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。請求項2において、前記除外条件は、処理対象となる素子が予め設定された除外領域内に配置されているという条件であることを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。請求項3において、前記除外領域は、前記電位変動の発生源から予め設定された距離内の領域であることを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。請求項2において、前記除外条件は、処理対象となる素子が予め設定された除外レイヤに配置されているという条件であることを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。請求項2において、前記除外条件は、処理対象となる素子が予め設定された除外素子の種類に該当するという条件であることを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。請求項1において、前記ステップbによって得られた素子選別情報と、前記回路素子および前記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、前記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、前記観測点の配置位置が登録された観測位置情報とを参照して、前記素子選別情報に登録された素子の各々について、当該素子を前記回路網から削除するとともに前記電位変動の発生源に前記電流変化パターンを代入した場合に前記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップcと、前記ステップcによって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された第2の電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップdとを備えることを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。請求項1において、前記ステップbによって得られた素子選別情報と、前記回路素子および前記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、前記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、前記観測点の配置位置が登録された観測位置情報と、前記回路素子および前記寄生素子に関するパラメータ変化量が登録された感度解析設定情報とを参照して、前記素子選別情報に登録された素子の各々について、前記パラメータ変化量に応じて前記回路網に含まれる当該素子のパラメータを変化させるとともに前記電位変動の発生源に前記電流変化パターンを代入した場合に前記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップcと、前記ステップcによって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された第2の電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップdとを備えることを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。請求項7または8において、前記回路網情報と前記素子電位変動情報とを参照して、前記回路網情報に登録された回路網から予め設定された第3の電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成するステップeをさらに備え、前記ステップcは、前記ステップeによって得られた新たな回路網情報を参照することを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。請求項9において、前記ステップeは、前記回路網情報に登録された回路網から前記第3の電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子と予め設定された削除レイヤに配置された素子とを削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成することを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、前記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報と、前記回路素子および前記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、前記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、前記観測点の配置位置が登録された観測位置情報とを参照して、前記回路素子および前記寄生素子の各々について、当該素子を前記回路網から削除するとともに前記電位変動の発生源に前記電流変化パターンを代入した場合に前記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップaと、前記ステップaによって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップbとを備えることを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、前記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報と、前記回路素子および前記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、前記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、前記観測点の配置位置が登録された観測位置情報と、前記回路素子および前記寄生素子に関するパラメータ変化量が登録された感度解析設定情報とを参照して、前記回路素子および前記寄生素子の各々について、前記パラメータ変化量に応じて前記回路網に含まれる当該素子のパラメータを変化させるとともに前記電位変動の発生源に前記電流変化パターンを代入した場合に前記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップaと、前記ステップaによって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップbとを備えることを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子によって構成された回路網が登録された回路網情報と、前記回路素子および寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報とを入力するステップaと、前記ステップaによって入力された回路網情報および素子電位変動情報を参照して、前記回路網情報に登録された回路網から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成するステップbとを備えることを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。請求項13において、前記ステップbは、前記回路網情報に登録された回路網から前記電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子と予め設定された削除レイヤに配置された素子とを削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成することを特徴とする半導体集積回路装置の解析方法。電位変動解析では、半導体集積回路装置のレイアウトに基づいて回路網半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子によって構成される回路網を抽出し、回路網に設けられた電位変動の発生源に電流変化パターンを代入することにより過渡解析を実行し、観測点例えば、電位変動の伝播による影響を無視できない回路上の任意の点における電位変動量を観測する。しかしながら、従来の解析方法では、半導体集積回路が形成される基板,パッケージ,およびボードや半導体集積回路に含まれる配線などを複雑に組み合わせて観測点における電位変動量を推定しているので、電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定することが困難である。また、従来の解析方法では、電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となるレイアウト形状を推定し、電位変動の伝播による観測点への影響が低減されるようにレイアウト形状を修正し、電位変動解析によって観測点における電位変動量を求めるという一連の作業を観測点における電位変動量が予め設定された許容量になるまで繰り返し実行することになるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮することが困難である。そこで、この発明は、上記課題を鑑み、電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる半導体集積回路装置の解析方法を提供することを目的とする。この発明の1つの局面に従うと、半導体集積回路装置の解析方法は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、上記回路素子および上記寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報と上記回路素子および上記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報とを入力するステップaと、上記ステップaによって入力された素子電位変動情報および素子配置情報を参照して、上記回路素子および上記寄生素子の中から予め設定された第1の電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を選別し、選別された素子の電位変動量および配置位置を示す情報を素子選別情報に登録するステップbとを備える。上記半導体集積回路装置の解析方法では、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。したがって、素子選別情報を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。この発明の別の局面に従うと、半導体集積回路装置の解析方法は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、上記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報と、上記回路素子および上記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、上記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、上記観測点の配置位置が登録された観測位置情報とを参照して、上記回路素子および上記寄生素子の各々について、当該素子を上記回路網から削除するとともに上記電位変動の発生源に上記電流変化パターンを代入した場合に上記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップaと、上記ステップaによって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップbとを備える。上記半導体集積回路装置の解析方法では、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。したがって、素子抽出情報を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。この発明の別の局面に従うと、半導体集積回路装置の解析方法は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から電位変動の発生源から観測点への電位変動の伝播経路の要因となる素子を特定する方法であって、上記回路素子および前記寄生素子の各々の配置位置が登録された素子配置情報と、上記回路素子および上記寄生素子を含む回路網が登録された回路網情報と、上記電位変動の発生源の電流変化パターンが登録された電流情報と、上記観測点の配置位置が登録された観測位置情報と、上記回路素子および上記寄生素子に関するパラメータ変化量が登録された感度解析設定情報とを参照して、上記回路素子および上記寄生素子の各々について、上記パラメータ変化量に応じて上記回路網に含まれる当該素子のパラメータを変化させるとともに上記電位変動の発生源に上記電流変化パターンを代入した場合に上記観測点において観測される電位変動量を解析し、当該素子の配置位置と当該電位変動量とを電位変動解析結果情報に登録するステップaと、上記ステップaによって得られた電位変動解析結果情報に登録された素子の中から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を抽出し、抽出された素子に対応する電位変動量および配置位置を示す情報を素子抽出情報に登録するステップbとを備える。上記半導体集積回路装置の解析方法では、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。したがって、素子抽出情報を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。この発明の別の局面に従うと、半導体集積回路装置の解析方法は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子によって構成された回路網が登録された回路網情報と、上記回路素子および寄生素子の各々の電位変動量が登録された素子電位変動情報とを入力するステップaと、上記ステップaによって入力された回路網情報および素子電位変動情報を参照して、上記回路網情報に登録された回路網から予め設定された電位変動閾値よりも小さい電位変動量に対応する素子を削除することによって、新たな回路網が登録された新たな回路網情報を生成するステップbとを備える。上記半導体集積回路装置の解析方法では、回路網情報に登録された回路網を構成する素子の個数を削減できる。したがって、回路網情報を用いた解析処理に要する時間を短縮できる。以上のように、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定でき、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。以下、実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一の符号を付しその説明は繰り返さない。実施形態1図1は、実施形態1による半導体集積回路装置の解析方法を示す。この方法は、図1に示すフローをコンピュータに実行させるためのプログラムによって、あるいは、当該フローを実行する装置例えば、上記プログラムを実行するコンピュータによって実現される。なお、後述する他の実施形態についても同様である。実施形態1による半導体集積回路装置の検証方法は、素子電位変動情報11,素子配置情報12,素子選別条件13を入力して素子選別情報10を生成する素子選別ステップST11を備える。素子電位変動情報図2のように、素子電位変動情報11には、半導体集積回路装置に含まれる回路素子半導体集積回路を構成する素子および寄生素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の電位変動量とが登録されている。素子配置情報図3のように、素子配置情報12には、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標と、その素子が形成されるレイヤとが登録されている。例えば、M1,M2,M3は、それぞれ、第1メタル配線層,第2メタル配線層,第3メタル配線層を示し、NW,PWは、N型基板層,P型基板を示し、Pは、パッケージ層を示す。また、M1-M2は、第1メタル配線層と第2メタル配線層との間を意味する。すなわち、素子配置情報には、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々の配置位置が登録されている。素子選別条件図4のように、素子選別条件13には、除外領域,除外レイヤ,除外素子,および電位変動閾値が登録されている。除外領域,除外レイヤ,および除外素子は、それぞれ、選別対象から除外される領域,レイヤ,および素子の種類を示す。電位変動閾値は、選別対象として選択される素子の電位変動量を示す。図4では、除外領域として電位変動発生源セルから20μm以内の領域およびパッケージ領域が登録され、除外レイヤとしてN型基板層NWおよびP型基板層PWが登録され、除外素子としてインダクタLが登録され、電位変動閾値として50mV以上が登録されている。例えば、電位変動源セルから一定距離内に配置された素子の電位変動量は、他の場所に配置された素子の電位変動量よりも大きいので、電位変動源セルから一定距離内に配置された素子は、選別対象として適切でない。そこで、電位変動源セルから一定距離内図4では、20μm以内の領域を選別対象から除外することにより、選別対象として適切でない素子を除外できる。素子選別ステップ次に、図5を参照して、素子選別ステップST11について説明する。ここでは、図6のように、半導体集積回路装置を構成する半導体集積回路111およびパッケージ112に着目し、半導体集積回路111には、抵抗R1~R3,容量C1~C3,およびインダクタL2が配置され、パッケージ112には、インダクタL2が配置されているものとする。また、図6において、セル101は、電位変動の発生源であり、観測点102は、電位変動の観測点例えば、電位変動の伝播による影響を無視できない回路上の任意の点であるものとする。すなわち、素子選別ステップST11では、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から、電位変動の発生源から観測点に至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を選別する。《ST101》まず、素子電位変動情報11および素子配置情報12の中からすなわち、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の中から処理対象となる素子を選択する。ここでは、抵抗R1~R3,容量C1~C3,およびインダクタL1,L2の中から処理対象となる素子を選択する。《ST102》次に、素子電位変動情報11および素子選別条件13を参照して、素子電位変動情報11に登録された処理対象となる素子の電位変動量が素子選別条件13に登録された電位変動閾値よりも大きいか否かを判定する。処理対象となる素子の電位変動量が電位変動閾値よりも大きい場合にはステップST103へ進み、そうでない場合にはステップST105へ進む。《ST103》次に、素子配置情報12および素子選別条件13を参照して、素子配置情報12に登録された処理対象となる素子が素子選別条件13に登録された除外条件に該当するか否かを判定する。ここでは、処理対象となる素子の始点座標および終点座標が素子選別条件13に登録された除外領域内に存在する場合,処理対象となる素子が形成されるレイヤが素子選別条件13に登録された除外レイヤである場合,および処理対象となる素子の種類が素子選別条件13に登録された除外素子の種類に一致する場合のうち少なくとも1つの場合に該当すると、処理対象となる素子が素子選別条件13に登録された除外条件に該当することになる。除外条件に該当しない場合にはステップST104へ進み、除外条件に該当する場合にはステップST105へ進む。《ST104》次に、素子電位変動情報11および素子配置情報12を参照して、処理対象となる素子に関する情報ここでは、その素子のインスタント名,その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標,その素子が形成されるレイヤ,その素子の電位変動量を素子選別情報10に登録する。《ST105》次に、素子電位変動情報11および素子配置情報12の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合にはステップST101へ進み、そうでない場合には素子選別ステップST11を終了する。このようして、素子選別情報10が生成される。ここでは、図2に示した素子電位変動情報11によれば、抵抗R,容量C1,C3,およびインダクタL1の電位変動量は、電位変動閾値50mVよりも大きい。また、図6に示したレイアウト配置によれば、容量C2は電位変動発生源セルから20μm以内の領域図7のハッチング領域113に配置され、インダクタL1はパッケージ領域図7のハッチング領域114に配置されている。さらに、素子選別条件13によれば、インダクタL1,L2は除外素子に該当する。したがって、図8のように、抵抗R1および容量C1,C3に関する情報が素子選別情報10に登録されることになる。素子選別情報図8のように、素子選別情報10には、素子選別ステップST11によって選別された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標と、その素子が形成されるレイヤと、その素子の電位変動量とが登録されている。以上のように、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子以下、要因素子と表記を容易に特定できる。したがって、素子選別情報10を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。また、素子選別条件13に除外条件ここでは、除外領域,除外レイヤ,および除外素子を登録することにより、限定された範囲の中から要因素子を選出できるので、要因素子の選出を容易にできる。なお、素子選別条件13に除外条件が登録されていなくても良い。また、素子電位変動情報11において、素子のインスタント名の代わりに、素子の配置位置素子のレイアウト上の始点座標および終点座標や、素子が形成されるレイヤなどが登録されても良い。実施形態2図9は、実施形態2による半導体集積回路装置の解析方法を示す。この方法は、素子選別情報10,回路網情報21,電流情報22,および観測位置情報23を入力して電位変動解析結果情報24を生成する電位変動解析ステップST21と、電位変動解析結果情報24および素子抽出条件25を入力して素子抽出情報20を生成する素子抽出ステップST22とを備える。回路網情報回路網情報21には、図10のような回路網が登録されている。回路網は、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子を含む。図10に示した回路網には、抵抗R1,容量C1,C3,およびインダクタL1と、電位変動発生源SSとが含まれている。また、回路網情報21には、回路網を構成する素子の各々について、その素子の配置位置例えば、その素子のインスタント名,その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標,その素子が形成されるレイヤなどや素子のパラメータ値例えば、抵抗値,容量値,インダクタンス値などが登録されても良い。電流情報,観測位置情報電流情報22には、図11のような電流値の時系列変化が登録されている。すなわち、電流情報22には、電位変動の発生源の電流変化パターンが登録されている。また、図12のように、観測位置情報23には、電位変動の観測点のレイアウト上の座標と、電位変動の観測点が配置されるレイヤとが登録されている。素子抽出条件図13のように、素子抽出条件25には、電位変動閾値が登録されている。電位変動閾値は、抽出対象として選択される素子の電位変動量を示す。図13に示した素子抽出条件25では、電位変動閾値として20mV以下が登録されている。電位変動解析ステップ次に、図14を参照して、電位変動解析ステップST21について説明する。ここでは、図8のように、素子選別情報10には、抵抗R1および容量C1,C3に関する情報が登録されているものとする。《ST201》まず、素子選別情報10の中から処理対象となる素子を選択する。ここでは、回路網情報21に登録された回路網を構成する素子図10に示された抵抗R1,容量C1,C3,インダクタL1などのうち抵抗R1および容量C1,C3が処理対象として選択されることになる。《ST202》次に、回路網情報21に登録された回路網から処理対象となる素子を削除して解析用回路網を生成する。例えば、抵抗R1が処理対象として選択された場合、図10に示した回路網の中から抵抗R1が削除されることにより、図15に示した解析用回路網が生成される。図15に示した解析用回路網では、抵抗R1が配置されていた部分201が開放された状態となっている。《ST203》次に、電流情報22,観測位置情報23,およびステップST202によって生成された解析用回路網を参照して、解析用回路網に含まれる電位変動発生源SSに電流情報22に登録された電流変化パターンを代入することにより、観測位置情報23に登録された観測点における電位変動量を解析する。このようにして、処理対象となる素子を回路網から削除した場合に観測点において観測される電位変動量を解析する。《ST204》次に、ステップST203による解析結果と素子選別情報10とを参照して、処理対象となる素子に関する情報その素子のインスタント名,その素子の始点配置位置レイアウト上の始点座標および始点が配置されるレイヤと、その素子の終点配置位置レイアウト上の終点座標および終点が配置されるレイヤとステップST203によって解析された観測点における電位変動量とを電位変動解析結果情報24に登録する。《ST205》次に、素子選別情報10の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合には、ステップST201へ進み、そうでない場合には、電位変動解析ステップST21を終了する。このようにして、電位変動解析結果情報24が生成される。ここでは、図16のように、抵抗R1および容量C1,C3に関する情報が電位変動解析結果情報24に登録されることになる。電位変動解析結果情報図16のように、電位変動解析結果情報24には、電位変動解析ステップST31によって解析された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の始点配置位置レイアウト上の始点座標および始点が配置されるレイヤと、その素子の終点配置位置レイアウト上の終点座標および終点が配置されるレイヤと、回路網情報21に登録された回路網からその素子を削除した場合の観測点における電位変動量とが登録されている。素子抽出ステップ次に、図17を参照して、素子抽出ステップST22について説明する。ここでは、電位変動解析結果情報24に登録された素子の中から、電位変動の発生源から観測点に至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を抽出する。《ST206》電位変動解析結果情報24の中から処理対象となる素子を選択する。ここでは、抵抗R1および容量C1,C3が処理対象として選択されることになる。《ST207》次に、電位変動解析結果情報24および素子抽出条件25を参照して、処理対象となる素子に対応する電位変動量処理対象となる素子を削除した場合の観測点における電位変動量が素子抽出条件25に登録された電位変動閾値よりも小さいか否かを判定する。処理対象となる素子に対応する電位変動量が電位変動閾値よりも小さい場合には、ステップST208へ進み、そうでない場合には、ステップST209へ進む。《ST208》次に、電位変動解析結果情報24を参照して、処理対象となる素子に関する情報ここでは、その素子のインスタント名,その素子の始点配置情報および終点配置情報,その素子を削除した場合の観測点における電位変動量を素子抽出情報20に登録する。《ST209》次に、電位変動解析結果情報24の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合には、ステップST206へ進み、そうでない場合には、素子抽出ステップST22を終了する。このようにして、素子抽出情報20が生成される。ここでは、図16に示した電位変動解析結果情報24によれば、抵抗R1および容量C1に対応する電位変動量観測点における電位変動量は電位変動閾値20mVよりも小さい。したがって、図18のように、抵抗R1および容量C1に関する情報が素子抽出情報20に登録されることになる。このように、電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を除外して電位変動閾値よりも大きい電位変動量に対応する素子を選択することにより、観測点における電位変動量を一定値以下ここでは、20mV以下にすることができる。素子抽出情報図18のように、素子抽出情報20には、素子抽出ステップST22によって抽出された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の始点配置情報および終点配置情報と、その素子を回路網から削除した場合の観測点における電位変動量とが登録されている。以上のように、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。これにより、素子抽出情報20を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路装置のレイアウトを修正することが容易となる。例えば、図18に示した素子抽出情報20に登録された容量C1の配置情報を参照すれば、容量C1が第1メタル配線層M1と第2メタル配線層M2との間に形成される寄生容量に相当することを容易に把握できる。すなわち、容量C1の配置部分において第1メタル配線層M1と第2メタル配線層M2との重複が解消されるようにまたは、少なくなるように半導体集積回路のレイアウトを修正することによって観測点における電位変動量を低減できることを容易に把握できる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。なお、ステップST201において、素子選別情報10の中からではなく回路網情報21に登録された素子の中から処理対象となる素子を選択しても良い。すなわち、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々について電位変動解析ステップST21が実行されても良い。この場合、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々の配置位置を取得するために、素子配置情報12を参照しても良い。実施形態3図19は、実施形態3による半導体集積回路装置の解析方法を示す。この方法は、素子選別情報10,回路網情報21,電流情報22,観測位置情報23,感度解析設定情報31,および素子電位変動情報11を入力して電位変動解析結果情報34を生成する電位変動解析ステップST31と、電位変動解析結果情報34および素子抽出条件25を入力して素子抽出情報30を生成する素子抽出ステップST32とを備える。感度解析設定情報図20のように、感度解析設定情報31には、素子の種類とパラメータ変化量とが対応付けて登録されている。図20では、抵抗のパラメータ変化量すなわち、抵抗値の変化量は±10とされ、容量のパラメータ変化量すなわち、容量値の変化量は±15とされ、インダクタのパラメータ変化量すなわち、インダクタンス値の変化量は±10とされている。電位変動解析ステップ次に、図21を参照して、電位変動解析ステップST31について説明する。ここでは、図8のように、素子選別情報10には、抵抗R1および容量C1,C3に関する情報が登録されているものとする。《ST301》まず、素子選別情報10の中から処理対象となる素子を選択する。ここでは、回路網情報21に登録された回路網を構成する素子図10に示された抵抗R1,容量C1,C3,インダクタL1などのうち抵抗R1および容量C1,C3が処理対象として選択されることになる。《ST302》次に、回路網情報21および感度解析設定情報31を参照して、回路網情報21に登録された回路網のうち処理対象となる素子のパラメータを感度解析設定情報31に登録された素子パラメータ変化量に応じて変更して解析用回路網を生成する。例えば、抵抗R1が処理対象として選択された場合、図10に示した抵抗R1の抵抗値を10減少させるすなわち、50Ωから45Ωに減少させることにより、図22に示した解析用回路網が生成される。また、図10に示した抵抗R1の抵抗値を10増加させるすなわち、50Ωから55Ωに増加させることにより、図23に示した解析用回路網が生成される。なお、図22および図23に示した抵抗R1の抵抗値45Ωおよび55Ωは、それぞれ、図10に示した抵抗R1抵抗値50Ωについてのパラメータ変化量の下限値および上限値に相当する。《ST303》次に、電流情報22,観測位置情報23,およびステップST302によって生成された解析用回路網を参照して、解析用回路網に含まれる電位変動発生源SSに電流情報22に登録された電流変化パターンを代入することにより、観測位置情報23に登録された観測点における電位変動量を解析する。このようにして、回路網に含まれる素子処理対象となる素子のパラメータを変化させた場合に観測点において観測される電位変動量を解析する。《ST304》次に、ステップST303による解析結果,素子選別情報10,および素子電位変動情報11を参照して、処理対象となる素子に関する情報その素子のインスタント名,その素子の始点配置位置と、その素子の終点配置位置とステップST303において解析された観測点における電位変動量とを電位変動解析結果情報34に登録する。《ST305》次に、処理対象となる素子のパラメータを感度解析設定情報31に登録されたパラメータ変化量に応じた値ここでは、パラメータ変化量の上限および下限の両方に設定したか否かを判定する。すなわち、処理対象となる素子について未設定のパラメータが残っているか否かを判定する。未設定の素子パラメータが残っている場合には、ステップST302へ進み、そうでない場合には、ステップST306へ進む。《ST306》次に、素子選別情報10の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合には、ステップST301へ進み、そうでない場合には、電位変動解析ステップST31を終了する。このようにして、電位変動解析結果情報34が生成される。なお、素子電位変動情報11に登録された電位変動量を、処理対象となる素子のパラメータを変化させない場合の観測点における電位変動量として電位変動解析結果情報34に登録しても良い。ここでは、図24のように、抵抗R1および容量C1に関する情報が電位変動解析結果情報24に登録されるものとする。電位変動解析結果情報図24のように、電位変動解析結果情報34には、電位変動解析ステップST31によって解析された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の始点配置位置と、その素子の終点配置位置と、その素子のパラメータ変化量に応じた観測点における電位変動量とが登録されている。ここでは、観測点における電位変動量として、回路網情報21に登録された回路網において素子パラメータを変化させない場合の電位変動量と、素子パラメータを下限値-10、または、-15に設定した場合の電位変動量と、素子パラメータを上限値10,または、15に設定した場合の電位変動量とが登録されている。図25は、図24に示した電位変動解析結果情報34におけるパラメータ変化量と観測点の電位変動量との対応関係を示す。容量C1および抵抗R1の各々の特性線の傾きの大きさから、容量C1の感度よりも抵抗R1の感度のほうが高いことがわかる。また、容量C1および抵抗R1の各々の特性線の傾きの符号から、容量C1の容量値を小さいほど観測点の電位変動量が低くなり、抵抗R1の抵抗値が大きくなるほど観測点の電位変動量が低くなることがわかる。素子抽出ステップ実施形態3における素子抽出ステップST32は、実施形態2における素子抽出ステップST22図17と同様である。すなわち、電位変動解析結果情報34の中から処理対象となる素子を選択しST206、処理対象となる素子に対応する電位変動量が素子抽出条件25に登録された電位変動閾値よりも小さいか否かを判定するST207。処理対象となる素子に対応する電位変動量が電位変動閾値よりも小さい場合には、電位変動解析結果情報34を参照して処理対象となる素子に関する情報ここでは、その素子のインスタント名,その素子の始点配置位置および終点配置位置,その素子のパラメータ変化量に応じた観測点における電位変動量を素子抽出情報30に登録する。ここで、電位変動解析結果情報34に登録された電位変動量の全てが素子抽出条件25に登録された電位変動閾値よりも小さい場合例えば、素子抽出条件25に登録された電位変動閾値が100mVである場合、素子抽出情報30の登録内容は、電位変動解析結果情報34の登録内容と等しくなる。素子抽出情報素子抽出情報30には、素子抽出ステップST32によって抽出された素子の各々について、その素子のインスタント名と、その素子の始点配置位置および終点配置位置と、その素子のパラメータ変化量に応じた観測点における電位変動量とが登録されている。以上のように、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できる。これにより、素子抽出情報30を参照すれば、観測点における電位変動量が低減されるように半導体集積回路のレイアウトを修正することが容易となる。また、素子パラメータの増減と観測点における電位変動量の増減との関係を容易に把握できる。例えば、素子抽出情報30に登録されたパラメータ変化量に応じた観測点における電位変動量を参照すれば、その素子の特性線の傾きパラメータ変化量に対する観測点の電位変動量の割合の符号を容易に把握できる。したがって、特性線の傾きが正である場合には、素子パラメータが減少するように半導体集積回路のレイアウトを修正することにより、観測点における電位変動量を低減でき、特性線の傾きが負である場合には、素子パラメータが増加するように半導体集積回路のレイアウトを修正することにより、観測点における電位変動量を低減できる。また、電位変動の発生源から観測点へ至る電位変動の伝播経路の要因となる素子を容易に特定できるので、半導体集積回路装置の解析に要する時間を短縮できる。なお、ステップST301において、素子選別情報10の中からではなく回路網情報21に登録された素子の中から処理対象となる素子を選択しても良い。すなわち、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々について電位変動解析ステップST31が実行されても良い。この場合、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子の各々の配置位置を取得するために、素子配置情報12を参照しても良い。実施形態4図26は、実施形態4による半導体集積回路装置の解析方法を示す。この方法は、回路網情報41,素子電位変動情報11,および回路網変更条件42を入力して回路網情報40を生成する回路網変更ステップST41を備える。回路網情報回路網情報21と同様に、回路網情報41には、半導体集積回路装置に含まれる回路素子および寄生素子によって構成された回路網が登録されている。また、回路網情報41には、回路網を構成する素子の各々について、その素子の配置位置例えば、その素子のレイアウト上の始点座標および終点座標や、その素子が形成されるレイヤなどや素子のパラメータ値例えば、抵抗値,容量値,インダクタンス値などが登録されても良い。回路網変更条件図27のように、回路網変更条件42には、電位変動閾値と、削除レイヤとが登録されている。電位変動閾値は、削除対象として選択される素子の電位変動量ここでは、電位変動量の上限値を示す。削除レイヤは、削除対象として選択される素子が形成されるレイヤを示す。一般的に、電位変動量が極めて小さい素子を削除しても、観測点における電位変動量は、ほとんど変化しない。図27では、電位変動閾値として0.1mVが登録され、削除レイヤとしてパッケージ層Pが登録されている。回路網変更ステップ次に、図28を参照して、回路網変更ステップST41について説明する。ここでは、図29のように、回路網情報41には、抵抗R101~R105,R201~R213,R301~R313,容量C101,C102,C201~C205,インダクタL101を含む回路網が登録されているものとする。また、回路網情報41には、抵抗R101~R104が配線層401に形成され、インダクタL101および抵抗R105がパッケージ402に形成され、抵抗R201~R213,R301~R313および容量C201~C205が基板403に形成され、容量C101,C102が配線層401と基板403との間に形成されていることが登録されているものとする。また、図30のように、素子電位変動情報11には、抵抗R101~R105,R201~R213,R301~R313,容量C101,C102,C201~C205、インダクタL101の電位変動量が登録されているものとする。《ST401》まず、回路網情報41に登録された素子の中から処理対象となる素子を選択する。ここでは、回路網情報41および回路網変更条件42を参照して、回路網情報41に登録された素子のうち回路網変更条件42に登録された削除レイヤに形成されない素子の中から処理対象となる素子を選択する。すなわち、図29に示した回路網を構成する素子のうちパッケージ402に形成されたインダクタL101および抵抗R105は、処理対象として選択されない。《ST402》次に、素子電位変動情報11および回路網変更条件42を参照して、素子電位変動情報11に登録された処理対象となる素子の電位変動量が回路網変更条件42に登録された電位変動閾値よりも小さいか否かを判定する。処理対象となる素子の電位変動量が電位変動閾値よりも小さい場合には、ステップST403へ進み、そうでない場合には、ステップST404へ進む。《ST403》次に、回路網情報41を参照して、処理対象となる素子の種類に応じて回路網情報41に登録された回路網を変更する。例えば、処理対象となる素子が抵抗または、インダクタである場合には、回路網情報41に登録された回路網において処理対象となる素子が配置された部分を短絡された状態にし、処理対象となる素子が容量である場合には、回路網情報41に登録された回路網において処理対象となる素子が配置された部分を開放された状態にする。《ST404》次に、回路網情報41に登録された素子の中に処理対象として選択されていない素子が残っているか否かを判定する。処理対象として選択されていない素子が残っている場合には、ステップST401へ進み、そうでない場合には、回路網変更ステップST41を終了する。このようにして、回路網情報41が変更されて新たな回路網情報40が生成される。ここでは、図30に示した素子電位変動情報11によれば、抵抗R301~R313および容量C201~C205の電位変動量は、電位変動閾値0.1mVよりも小さい。したがって、図29に示した回路網から抵抗R301~R313および容量C201~C205が削除されることによって、図31のような回路網が回路網情報40に登録される。以上のように、回路網を構成する素子の個数を削減できるので、回路網情報41を用いて解析処理例えば、電位変動解析ステップST21,ST31などを実行する場合よりも、回路網情報40を用いて解析処理を実行するほうが解析処理に要する時間を短縮できる。なお、回路網情報21の代わりに回路網情報40を用いて、電位変動解析ステップST21または、ST31を実行しても良い。"