銅を主成分とするボンディングワイヤによる電気的接続が可能な半導体装置であって、半導体素子と、前記半導体素子上に配置された、アルミニウムよりも硬い金属からなる電極パッドと、前記電極パッド上に配置された、前記ボンディングワイヤが接続されるアルミニウム膜からなる金属層とを備えることを特徴とする半導体装置。半導体素子と、前記半導体素子上に配置され、アルミニウムよりも硬い金属からなる電極パッドと、前記電極パッド上に配置された、アルミニウムからなる金属層と、前記金属層の上部に形成された、銅とアルミニウムの合金層と、前記合金層に接続された、銅を主成分とするボンディングワイヤとを備えることを特徴とする半導体装置。前記電極パッドが、アルミニウムを主成分とし且つ銅を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記電極パッドにおける銅の含有率が0.3~5.0重量であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。アルミニウムよりも硬い金属からなる電極パッドが表面に配置された半導体素子を準備するステップと、前記電極パッド上にアルミニウム膜からなる金属層を形成するステップと、前記金属層に銅を主成分とするボンディングワイヤを接合するステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記金属層の上部のアルミニウムと前記ボンディングワイヤに含まれる銅とを反応させて、銅とアルミニウムの合金層を形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。超音波ボンディングによって前記金属層に前記ボンディングワイヤを接合することを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、Alを主成分とする電極パッドのCuの含有率を上げることによって、電極パッド表面のCuの酸化が進む。このため、ワイヤーボンディング時に新生面が出づらくなり、電極パッドとCuワイヤとの接合強度の低下を防ぐために接合時のパワーを上げる必要がある。その結果、硬いCuワイヤーによるボンディング時に、電極パッド下の半導体素子に損傷を与えるという問題があった。上記問題点に鑑み、本発明は、Cuワイヤーによるボンディング時に電極パッド下の半導体素子に損傷が生じない半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、銅を主成分とするボンディングワイヤによる電気的接続が可能な半導体装置であって、半導体素子と、半導体素子上に配置されたアルミニウムよりも硬い金属からなる電極パッドと、電極パッド上に配置された、ボンディングワイヤが接続されるアルミニウム膜からなる金属層とを備える半導体装置が提供される。本発明の他の態様によれば、半導体素子と、記半導体素子上に配置され、アルミニウムよりも硬い金属からなる電極パッドと、電極パッド上に配置された、アルミニウムからなる金属層と、金属層の上部に形成された、銅とアルミニウムの合金層と、合金層に接続された、銅を主成分とするボンディングワイヤとを備える半導体装置が提供される。本発明の更に他の態様によれば、アルミニウムよりも硬い金属からなる電極パッドが表面に配置された半導体素子を準備するステップと、電極パッド上にアルミニウム膜からなる金属層を形成するステップと、金属層に銅を主成分とするボンディングワイヤを接合するステップとを含む半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、Cuワイヤーによるボンディング時に電極パッド下の半導体素子に損傷が生じない半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供できる。次に、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各部の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。本発明の実施形態に係る半導体装置1は、Cuを主成分とするボンディングワイヤによる電気的接続が可能な半導体装置である。半導体装置1は、図1に示すように、半導体素子10と、半導体素子10上に配置された、Alよりも硬い金属からなる電極パッド20と、電極パッド20上に配置された、ボンディングワイヤが接続されるAl膜からなる金属層30とを備える。半導体素子10は、半導体基板上に各種の半導体層や絶縁膜を積層した積層体11からなり、図示を省略する電極や配線層を有する。積層体11の上面には、絶縁膜12が配置されている。電極パッド20は、絶縁膜12に設けられた開口部図示略において、半導体素子10の電極や配線層と電気的に接続している。絶縁膜12は、例えば酸化シリコンSiO2膜、窒化シリコンSiN膜、ポリミド膜などである。電極パッド20は、例えば、Alを主成分とし且つCuを含有する金属からなる。このとき、電極パッド20における銅の含有率は、例えば0.3~5.0重量程度である。電極パッド20の膜厚は、例えば1μm~2μm程度である。金属層30は、99.99重量以上のAl膜である。金属層30の膜厚は、1μm~5μm程度、好ましくは3μm~5μm程度である。金属層30の膜厚が3μm以上であれば、通常、金属層30にCuワイヤをボンディングした後も電極パッド20上に金属層30が残った状態になる。図1に示した半導体装置1にボンディングワイヤ40を接合した例を、図2に示す。ボンディングワイヤ40は、Cuを主成分とするCuワイヤである。ボンディングワイヤ40は、例えば超音波ボンディングによって金属層30に接合される。超音波によってボンディングワイヤ40と金属層30の表面が擦り合わされて、新生面がそれぞれ生成される。これらの新生面同士が密着することによって異種金属間の凝着が進行し、ボンディングワイヤ40と金属層30が接合される。このとき、金属層30の上部のAlがボンディングワイヤ40のCuと反応して、AlとCuの合金層35が形成される。その結果、図2に示すように、ボンディングワイヤ40が接合された半導体装置1は、半導体素子10、電極パッド20、Al膜からなる金属層30、及びAlとCuの合金層35が積層された構造である。合金層35にボンディングワイヤ40が接続されている。ボンディングワイヤ40は、電極パッド20と半導体装置1のインナーリードとを電気的に接続するワイヤとしても、電極パッド20と半導体装置1を搭載するプリント基板上の配線パターンとを電気的に接続するワイヤとしても使用される。半導体装置1では、電極パッド20上に金属層30を配置することにより、電極パッド20の表面が露出しない。このため、電極パッド20表面のCuの酸化を防止できる。Cuワイヤであるボンディングワイヤ40は硬いため、ボンディングワイヤ40を電極パッド20に接合するときに、電極パッド20下の半導体素子10に損傷を与えるおそれがある。しかし、半導体装置1では、電極パッド20上に配置された金属層30が電極パッド20よりも柔らかい。このため、金属層30によってボンディング時の衝撃が緩衝され、ボンディング時における電極パッド20下方の絶縁膜12の損傷を抑制できる。また、電極パッド20のCu含有率が高いと、ダイス工程時に水と反応して電極パッド20にピンホールが発生するコロージョンによって接合面積が減少し、ワイヤーボンディングの接合強度が低下する問題がある。しかし、半導体装置1では、電極パッド20上に金属層30が配置されているため、電極パッド20表面でのピンホール発生が防止される。このため、接合強度を高く維持できる。したがって、半導体装置1では、電極パッド20上にAl膜からなる金属層30を配置することにより、電極パッド20にCuワイヤを直接接合する場合と比べて、ワイヤーボンディング条件を緩和することができる。例えば、ボンディング時の加重を大きくし、超音波のエネルギーを小さくできる。これにより、半導体素子10の受けるダメージを小さくできる。上記のようにワイヤーボンディング条件を緩和することができるため、半導体装置1の製造が容易になる。以上に説明したように、本発明の実施形態に係る半導体装置1では、Alよりも硬い金属からなる電極パッド20上にAl膜からなる金属層30が配置され、金属層30にCuワイヤであるボンディングワイヤ40が接合される。金属層30によってボンディング時の衝撃が緩衝されるため、半導体装置1によれば、ボンディング時に電極パッド20下方の半導体素子10に損傷が生じない半導体装置を提供することができる。その他の実施形態上記のように本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。既に述べた実施形態の説明においては、電極パッド20の材料がAlとCuである場合を例示的に説明したが、Alを主成分とし且つCuを含有するのであれば、電極パッド20の材料はこれに限られない。例えば、Alを主成分とし、Cuの含有率が0.3~5.0重量であり、且つシリコンSiを含有させた電極パッド20であってもよい。また、本発明の実施形態は、半導体素子半導体素子の電極パッドと半導体素子の金属層を含むとワイヤを樹脂で覆った樹脂封止型半導体装置として適応することができる。例えば、樹脂はエポキシ樹脂、ハロゲンフリー樹脂を使用することができる。また、ボンディングワイヤ40に、酸化防止のために金属めっきを被覆したワイヤも採用可能である。例えば、ボンディングワイヤ40にパラジウムPdめっきCuワイヤを使用することができる。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。