"真空容器と、前記真空容器内に配置され、第1のターゲットを保持する第1のターゲット保持部と、前記真空容器内に配置され、前記第1のターゲットと対向するように第1のワークを載置する第1の載置部と、前記真空容器の側壁に配置され、アーク放電による第1のプラズマ流を前記真空容器内へ導入する第1のプラズマガンと、前記真空容器内に導入された第1のプラズマ流を前記第1のターゲットへ誘導する第1の誘導磁石と、前記第1のターゲットに照射される第1のプラズマ流の断面積を拡大させる第1の拡大磁石とを備え、前記第1のプラズマ流により前記第1のターゲットの粒子を弾き出し、前記第1のワーク表面に付着させて薄膜を形成することを特徴とする成膜装置。前記第1のターゲットが前記真空容器の上方に配置され、前記第1の載置部が前記真空容器の下方に配置され、前記第1のプラズマガンからの前記第1のプラズマ流が前記誘導磁石により前記真空容器の上方に曲げられて前記第1のターゲットに照射されることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。前記真空容器内に配置され、第2のターゲットを保持する第2のターゲット保持部と、前記真空容器の側壁に配置され、アーク放電による第2のプラズマ流を前記真空容器内へ導入する第2のプラズマガンと、前記真空容器内に導入された第2のプラズマ流を前記第2のターゲットへ誘導する第2の誘導磁石と、前記第2のターゲットに照射される第2のプラズマ流の断面積を拡大させる第2の拡大磁石とを更に備え、前記第2のプラズマ流中のイオンにより前記第2のターゲットの粒子を弾き出し、前記第1のワーク表面に付着させることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。第2のターゲットを収容する蒸発容器と、前記真空容器の側壁に配置され、アーク放電による第2のプラズマ流を前記真空容器内へ導入する第2のプラズマガンと、前記真空容器内に導入された第2のプラズマ流を前記蒸発容器へ誘導する第2の誘導磁石とを更に備え、前記第2のプラズマ流により前記蒸発容器を加熱して前記第2のターゲットを蒸気化し、前記蒸気化した粒子を前記第2のプラズマ流によりイオン化して前記第1のワークに付着させることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。前記真空容器内に配置され、前記第1のターゲットと対向するように第2のワークを保持する第2の載置部を更に備えることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の成膜装置。真空容器内に配置されたターゲット保持部にターゲットを保持させるステップと、前記真空容器内に配置された載置部に前記ターゲットと対向するようにワークを載置するステップと、前記真空容器の側壁に配置されたプラズマガンから、アーク放電によるプラズマ流を前記真空容器内へ導入するステップと、誘導磁石を用いて前記真空容器内に導入されたプラズマ流を前記ターゲットへ誘導するステップと、拡大磁石を用いて前記ターゲットに照射される前記プラズマ流の断面積を拡大させるステップと、前記プラズマ流中のイオンにより前記ターゲットの粒子を弾き出し、前記ワーク表面に付着させて薄膜を形成するステップとを含むことを特徴とする成膜体の製造方法。上記問題点を鑑み、本発明の目的は、合金や高融点材料からなる薄膜を成膜可能であるとともに、成膜速度を向上させることができる成膜装置及び成膜体の製造方法を提供することである。本発明の一態様によれば、真空容器と、真空容器内に配置され、第1のターゲットを保持する第1のターゲット保持部と、真空容器内に配置され、第1のターゲットと対向するように第1のワークを載置する第1の載置部と、真空容器の側壁に配置され、アーク放電による第1のプラズマ流を真空容器内へ導入する第1のプラズマガンと、真空容器内に導入された第1のプラズマ流を第1のターゲットへ誘導する第1の誘導磁石と、第1のターゲットに照射される第1のプラズマ流の断面積を拡大させる第1の拡大磁石とを備え、第1のプラズマ流中のイオンにより第1のターゲットの粒子を弾き出し、第1のワーク表面に付着させて薄膜を形成する成膜装置が提供される。本発明の一態様において、第1のターゲットが真空容器の上方に配置され、第1の載置部が真空容器の下方に配置され、第1のプラズマガンからの第1のプラズマ流が誘導磁石により真空容器の上方に曲げられて第1のターゲットに照射されても良い。本発明の一態様において、真空容器内に配置され、第2のターゲットを保持する第2のターゲット保持部と、真空容器の側壁に配置され、アーク放電による第2のプラズマ流を真空容器内へ導入する第2のプラズマガンと、真空容器内に導入された第2のプラズマ流を第2のターゲットへ誘導する第2の誘導磁石と、第2のターゲットに照射される第2のプラズマ流の断面積を拡大させる第2の拡大磁石とを更に備え、第2のプラズマ流に中のイオンより第2のターゲットの粒子を弾き出し、第1のワーク表面に付着させても良い。本発明の一態様において、第2のターゲットを収容する蒸発容器と、真空容器の側壁に配置され、アーク放電による第2のプラズマ流を真空容器内へ導入する第2のプラズマガンと、真空容器内に導入された第2のプラズマ流を蒸発容器へ誘導する第2の誘導磁石とを更に備え、第2のプラズマ流により蒸発容器を加熱して第2のターゲットを蒸気化し、蒸気化した粒子を第2のプラズマ流によりイオン化して第1のワークに付着させても良い。本発明の一態様において、真空容器内に配置され、第1のターゲットと対向するように第2のワークを保持する第2の載置部を更に備えていても良い。本発明の他の態様によれば、真空容器内に配置されたターゲット保持部にターゲットを保持させるステップと、真空容器内に配置された載置部にターゲットと対向するようにワークを載置するステップと、真空容器の側壁に配置されたプラズマガンから、アーク放電によるプラズマ流を真空容器内へ導入するステップと、誘導磁石を用いて真空容器内に導入されたプラズマ流をターゲットへ誘導するステップと、拡大磁石を用いてターゲットに照射されるプラズマ流の断面積を拡大させるステップと、プラズマ流中のイオンによりターゲットの粒子を弾き出し、ワーク表面に付着させて薄膜を形成するステップとを含む成膜体の製造方法が提供される。本発明によれば、合金や高融点材料からなる薄膜を成膜可能であるとともに、成膜速度を向上させることができる成膜装置及び成膜体の製造方法を提供することができる。次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。第1の実施の形態本発明の実施の形態に係る成膜装置スパッタ装置は、図1に示すように、真空容器1と、真空容器1内に配置され、ターゲット30を保持するターゲット保持部陽極3と、真空容器1内に配置され、ターゲット30と対向するようにワーク被成膜対象21を載置する載置部2と、真空容器1の側壁に配置され、アーク放電によるプラズマ流F1を真空容器1内へ導入するプラズマガン10と、真空容器1内に導入されたプラズマ流F1をターゲット30へ誘導する誘導磁石4と、ターゲット30に照射されるプラズマ流F1の断面積D1を拡大させる拡大磁石5とを備え、第1のプラズマ流F1中のイオンによりターゲット30の粒子を弾き出し、ワーク21表面に付着させて薄膜22を形成するスパッタリングを行う。真空容器1は例えば内径1400mm程度の筒状の側壁を有し、接地されている。真空容器1の下部には排気口6が設けられ、排気口6には真空容器1内を減圧可能な真空ポンプ7が接続されている。真空ポンプ7としては、ターボ分子ポンプ等が使用可能であり、制御部100により制御される。制御部100は、中央演算処理装置CPU、表示装置及び入力装置等で構成される。真空容器1の上部には反応ガス導入口8が設けられている。反応ガス導入口8からは酸素ガス、窒素ガス又はアセチレンガス等の反応ガスが適宜導入可能である。ワーク21の材料としては、金属、ガラス、セラミック、雲母又はカーボン等の種々の材料が使用可能である。ワーク21は、基板、フィルム又は粒状体等の種々の形状が採用可能である。更に、粒状体としては、球体、楕円体、直方体又は不規則な形状であっても良い。ワーク21を載置する載置部2は、ワーク21を回転させることが可能な図示を省略したモータ等を有していても良い。ターゲット30の材料としては、アルミニウムAl、チタンTi、ニッケルNi、金Au、銀Ag、銅Cu、インジウムIn、タンタルTa、モリブデンMo、タングステンW又はカーボンC等の単一の金属又はこれらのうち2つ以上を含む合金であっても良い。更には、ターゲット30の材料として酸化物や窒化物も使用可能である。ターゲット30は、例えば直径100mm~200mm程度の円板形状を有する。ターゲット保持部3は、放電電源E1の正極側に接続されており、プラズマ生成のための陽極として機能する。なお、ターゲット保持部3の代わりにターゲット30自身が放電電源E1の正極側に接続され、ターゲット30自身が陽極として機能しても良い。プラズマガン10としては、圧力勾配型プラズマガンが使用可能である。プラズマガン10は、キャリアガス導入口18と、Ta-LaB6複合電極等からなる陰極11と、筒状の第1及び第2の中間電極12,13と、補助陽極筒14と、補助陽極リング15と、補助陽極筒14及び補助陽極リング15の外側に配置された空芯の電磁コイル16と、偏向磁石17を備える。陰極11は可変抵抗R0を介して放電電源E1の負極側に接続されている。第1及び第2の中間電極12,13、補助陽極筒14並びに補助陽極リング15は、抵抗R1,R2,R3,R4を介して放電電源E1の正極側にそれぞれ接続されている。放電電源E1は、制御部100により制御される。放電電源E1は、第1及び第2の中間電極12,13、補助陽極筒14、補助陽極リング15並びにターゲット保持部3と陰極11との電位差を段階的に増大させる。キャリアガス導入口18は、プラズマ流F1を生成するためのアルゴンAr、ヘリウムHe又は水素H等のキャリアガスを導入する。放電電源E1によりプラズマガン10の陰極11とターゲット保持部3との間に直流電圧が印加されると、プラズマガン10の陰極11とターゲット保持部3との間でアーク放電によるプラズマ流F1が生成される。プラズマ流F1は、陰極11から第1及び第2の中間電極12,13、補助陽極筒14、並びに補助陽極リング15を順次通過して、真空容器1内に導入される。電磁コイル16は、補助陽極筒14及び補助陽極リング15内を抜けるプラズマ流F1を収束させる。補助陽極リング15を抜ける位置におけるプラズマ流F1の断面積は例えば2cm程度である。補助陽極筒14及び補助陽極リング15からなる補助陽極領域には、そのプラズマ流F1に平行な強磁場例えば0.03T~0.05Tが発生しており、電子は多数回のマグネトロン運動と中性子との多数回の衝突の後に補助陽極としての補助陽極リング15の中央まで到達する。この領域では二重圧力勾配型直交磁場放電DoublePressureGradientTypePIGDischargeとなる。偏向磁石17は、補助陽極リング15を抜けたプラズマ流F1が上方へ偏向するように磁場を発生させる。偏向磁石17としては、例えばネオジム磁石等の永久磁石が使用可能である。誘導磁石4は、真空容器1内に導入されたプラズマ流F1をターゲット30へ誘導するように磁場を発生させる。誘導磁石4としては、例えばネオジム磁石等の永久磁石を使用する場合を説明するが、電磁石も使用可能である。誘導磁石4の磁束密度、サイズ、形状等は、ターゲット30の種類等に応じて適宜調整可能である。誘導磁石4は、真空容器1の上部の外側において、ターゲット30と重なるように配置されている。拡大磁石5は、真空容器1の上部の外側において、誘導磁石4を取り囲むように配置されている。拡大磁石5としては、空芯の電磁石を一例として説明するが、永久磁石であっても良い。拡大磁石5の材料、コイルの巻き数、コイルの内径及び外径等は、ターゲット30の種類等に応じて適宜調整可能である。拡大磁石5は制御部100に接続され、制御部100によりコイルに流れる電流が制御される。拡大磁石5は、ターゲット30に照射されるプラズマ流F1の断面積D1を例えば10cm~20cm程度補助陽極リング15を抜けて真空容器1内に導入されたプラズマ流F1の断面積に対して例えば5倍~10倍程度に拡大させる。プラズマ流F1の断面積D1は、ターゲット30の融点、ターゲット30の直径及びプラズマ流F1のプラズマ密度等により適宜調整される。プラズマ流F1の断面積D1が拡大することにより、プラズマ流F1の照射によるターゲット30の加熱温度が抑制されるとともに、ターゲット30表面の広い面積に第1のプラズマ流F1が照射され、第1のプラズマ流F1中のArイオンによりターゲット30表面の原子や分子がスパッタ粒子P1として弾き出される。また、拡大磁石5は、ターゲット30が溶融し液滴となって落下するのを防止するため、プラズマ流F1の照射によるターゲット30の加熱温度がターゲット30の融点未満に抑制されるように、ターゲット30の種類を考慮してターゲット30に照射されるプラズマ流F1の断面積D1を拡大させることが好ましい。次に、本発明の第1の実施の形態に係る成膜装置を用いた成膜体20の製造方法成膜方法の一例を、図1を用いて説明する。イまず、ターゲット保持部3にターゲット30を保持するとともに、ワーク21を載置部2に載置する。真空ポンプ7により、真空容器1内を0.01Pa~1Pa程度に真空引きする。一方、陰極11周辺の領域は図示を省略した真空ポンプにより、10Pa~100Pa程度に維持される。ロ放電電源E1によりプラズマガン10の陰極11とターゲット保持部3との間に直流電圧が印加されると、プラズマガン10の陰極11とターゲット保持部3との間でアーク放電によるプラズマ流F1が生成される。プラズマ流F1は偏向磁石17が発生させる磁場により真空容器1内の上方に偏向され、真空容器1内に導入される。そして、ターゲット保持部3の電場及び誘導磁石4が発生させる磁場によりプラズマ流F1は略90°進路を曲げられてターゲット30へ誘導され、ターゲット30に照射される。ハここで、拡大磁石5が発生させる磁場により、ターゲット30に照射されるプラズマ流F1の断面積D1が拡大する。これにより、プラズマ流F1の照射によるターゲット30の加熱温度が抑制されるとともに、ターゲット30表面の広い面積に第1のプラズマ流F1が照射され、第1のプラズマ流F1中のArイオンによりターゲット30表面の原子や分子がスパッタ粒子P1として弾き出される。ニスパッタ粒子P1の一部は真空容器1の下方へ向かって飛散し、ワーク21の表面に付着し、薄膜22が形成される。この結果、薄膜22が形成されたワーク21からなる成膜体20が製造される。本発明の第1の実施の形態に係る成膜装置及び成膜体20の製造方法によれば、アーク放電によるプラズマ流F1を用いてスパッタリングを行うことにより、ターゲット30の材料が低融点金属であるAlやCuの場合には電解めっきと同等の3μm/min程度、高融点材料であるMo、Ta、Wでは0.3μm/min程度の成膜速度で成膜することができ、従来のマグネトロンスパッタ装置30nm/min程度の成膜速度に比べて10倍~100倍程度の成膜速度で成膜することができる。更に、ターゲット30として合金材料を用いてスパッタリングを行うことにより、合金からなる薄膜22を形成することができる。また、ターゲット30としてTa、Mo、W、C等の高融点材料を用いてスパッタリングを行うことにより、高融点材料からなる薄膜22を形成することができる。更に、拡大磁石5が発生させる磁場によりターゲット30に照射されるプラズマ流F1の断面積D1を拡大させるので、大口径のターゲット30を使用することができ、ターゲット30の使用効率も向上させることができる。更に、ターゲット30として安価なものを使用でき、ターゲット30をターゲット保持部3に容易に着脱することができる。更に、従来のイオンプレーティング法と比較して、ターゲット30を冷却しなくてすむため、水冷パイプ等の冷却装置が不要であるとともに、放電電力効率を向上させることができる。例えば、放電電源効率を従来のスパッタ装置80kW程度の10倍以上の6kW程度とすることが可能である。更に、ターゲット30を真空容器1の上方に配置し、ワーク21を下方に配置して、プラズマ流F1を上方に曲げてスパッタリングを行うことにより、スパッタ粒子P1が上方から下方へ向かう一方、真空容器1内に存在する不純物及び不純ガスは上方に向かう。このため、スパッタ粒子P1は不純物及び不純ガスに妨げられることなくワーク21の表面に付着する。この結果、密着強度が高く、均質な薄膜22を形成することができる。更に、プラズマガン10は真空容器1の側壁に取り付けられているため、汚れにくく、長期にわたってメンテナンスをする必要がなく、生産効率を高めることができる。第1の変形例本発明の第1の実施の形態の第1の変形例として、多数の粒状体をワークとして成膜を行う場合を説明する。本発明の第1の実施の形態の第1の変形例に係る成膜装置は、図2に示すように、供給部47及び搬送部40を備える点が、図1に示した成膜装置と異なる。供給部47は、多数の粒状体23を収容し、粒状体23を搬送部40に供給する。搬送部40は、粒状体23を吸着可能な搬送帯43と、搬送帯43が多重に巻かれ、搬送帯43を導入する供給リール42と、搬送帯43が巻かれた供給リール42を収容するケース41と、搬送帯43を巻き取る巻き取りリール46と、供給リール42及び巻き取りリール46の間に配置され、搬送帯43を懸架する中間リール44,45を備える。搬送帯43は、粒状体23を静電吸着若しくは磁気吸着しても良く、又は搬送帯43の表面に設けた粘着層により吸着させても良い。搬送帯43の材料としては、例えば粒状体23を静電吸着するポリエチレンフィルム等が使用可能である。図2に示した成膜装置の他の構成は、図1に示した成膜装置と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。図2に示した成膜装置を用いて成膜体20を製造する際には、供給リール42から搬送帯43が繰り出され、中間リール44,45を介して巻き取りリール46に巻き取られる。この搬送帯43上に供給部47から多数の粒状体23が連続して供給される。粒状体23は搬送帯43に吸着され、一定の姿勢に保持された状態で順次搬送される。ターゲット30から弾き出されたスパッタ粒子P1は、粒状体23の上面半面に付着する。この結果、図3aに示すように、粒状体23の半面が薄膜24で被覆された成膜体半面被覆粒状体を製造することができる。また、粒状体23を図示を省略したトレイに載せ、超音波等により粒状体23を振動させながらスパッタリングを行うこと等により、図3bに示すように粒状体23の全面が薄膜24で被覆された成膜体全面被覆粒状体を製造することもできる。第2の変形例本発明の第1の実施の形態の第2の変形例として、スパッタリングの代わりにイオンプレーティングによる成膜を行う場合を説明する。本発明の第1の実施の形態の第2の変形例に係る成膜装置は、図4に示すように、固体又は液体のターゲット蒸発源30xを収容保持する蒸発容器ターゲット保持部31を備える点が、図1に示した成膜装置と異なる。蒸発容器31は、例えばMo、W、C又はセラミック等の耐熱材からなり、プラズマ生成時の陽極となる。蒸発容器31の底面には、0.1mm~10mm程度の多数の微小な蒸発孔32が形成されている。蒸発容器31及びターゲット30xは、真空容器1の上部の外側に配置される図示を省略した水冷パイプ等により温度が調節される。図4に示した成膜装置の他の構成は、図1に示した成膜装置と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。図4に示した成膜装置においてイオンプレーティングを用いて成膜体20を製造する際には、真空容器1内に導入されたプラズマ流F1は、蒸発容器31の電場及び誘導磁石4が発生させる磁場により蒸発容器31に向かって誘導され、蒸発容器31の底面に照射される。ここで、拡大磁石5に電流を流さないため、プラズマ流F1の断面積D1は拡大せずに蒸発容器31の底面に照射される。なお、拡大磁石5に流す電流の大きさ及び向きを制御し、ターゲット30xが蒸気化する加熱温度となる程度にプラズマ流F1の断面積D1を拡大又は縮小させても良い。プラズマ流F1の照射により蒸発容器31及びターゲット30xが加熱される。この結果、ターゲット30xが溶融し、蒸気化し、蒸発容器31の蒸発孔32を介して放出される。蒸気化した粒子はプラズマ流F1によりイオン化する。イオン化した粒子I1は、プラズマ流F1中で加速されて末広がり状に降下し、ワーク21表面に付着する。本発明の第1の実施の形態の第2の変形例によれば、必要に応じて、スパッタリングに代えて、イオンプレーティングによる成膜を行うことができる。例えばターゲット30xがAlの場合には0.2μm/min程度の成膜速度で成膜を行うことができる。更に、ターゲット30xを収容する多数の微小な蒸発孔32を有する蒸発容器31を備えることにより、ターゲット30xが溶融した液滴の滴下を防止しつつ、蒸発孔32を介してターゲット30xを蒸気化することができる。第3の変形例本発明の第1の実施の形態の第3~第5の変形例として、ターゲット30及びワーク21の配置位置が、本発明の第1の実施の形態と異なる場合を順次説明する。本発明の第1の実施の形態の第3の変形例に係る成膜装置は、図5に示すように、ターゲット30及びターゲット30を保持するターゲット保持部3が真空容器1内の下方に配置され、ワーク21及びワーク21を載置する載置部2が真空容器1内の上方に配置されている点が、図1に示した成膜装置と異なる。誘導磁石4は、真空容器1の下部の外側において、ターゲット30と重なるように配置されている。拡大磁石5は、真空容器1の下部の外側において、誘導磁石4を取り囲むように配置されている。図5に示した成膜装置を用いて成膜体20を製造する際には、プラズマ流F1は真空容器1内の下方に偏向され、ターゲット30に照射される。そして、プラズマ流F1中のArイオンによりターゲット30の表面からスパッタ粒子P1が弾き出される。弾き出されたスパッタ粒子P1はターゲット30と対向している上方のワーク21の下面に付着し、薄膜22が形成される。この結果、ワーク21の表面に薄膜22が形成された成膜体20が製造可能である。本発明の第1の実施の形態の第3の変形例によれば、図5に示した成膜装置の構成においても、スパッタリングによる成膜を行うことができる。第4の変形例本発明の第1の実施の形態の第4の変形例に係る成膜装置は、図6に示すように、ターゲット30及びターゲット保持部3が真空容器1内の側壁のプラズマガン10と対向する位置に配置され、複数2つのワーク21,21x及びワーク21,21xをそれぞれ載置する複数2つの載置部2,2xがターゲット30に対向した位置に配置されている点が、図1に示した成膜装置と異なる。誘導磁石4は、真空容器1の側壁の外側において、ターゲット30と重なるように配置されている。拡大磁石5は、真空容器1の側壁の外側において、誘導磁石4を取り囲むように配置されている。図6に示した成膜装置を用いて成膜体20を製造する際には、真空容器1内に導入されたプラズマ流F1は、誘導磁石4に誘導されて直線的にターゲット30に照射される。そして、プラズマ流F1中のArイオンによりターゲット30の表面からスパッタ粒子P1が弾き出される。弾き出されたスパッタ粒子P1は、ターゲット30と対向しているワーク21,21xの表面に付着し、薄膜22,22xが形成される。この結果、薄膜22,22xが形成された成膜体20,20xが製造可能である。本発明の第1の実施の形態の第4の変形例によれば、図6に示した成膜装置の構成においても、スパッタリングによる成膜を行うことができる。第5の変形例本発明の第1の実施の形態の第5の変形例に係る成膜装置は、図7に示すように、ターゲット30及びターゲット保持部3が真空容器1内の側壁のプラズマガン10を取り付けた位置の上部に配置され、ワーク21及びワーク21を載置する載置部2が真空容器1内の側壁のターゲット30に対向した位置に配置されている点が、図1に示した成膜装置と異なる。誘導磁石4は、真空容器1の側壁の外側において、ターゲット30と重なるように配置されている。拡大磁石5は、真空容器1の側壁の外側において、誘導磁石4を取り囲むように配置されている。図7に示した成膜装置では、真空容器1内に導入されたプラズマ流F1は、誘導磁石4に誘導されて逆方向に曲げられ、ターゲット30に照射される。そして、プラズマ流F1中のArイオンによりターゲット30の表面からスパッタ粒子P1が弾き出される。弾き出されたスパッタ粒子P1は、ターゲット30と対向している側方のワーク21の表面に付着し、薄膜22,22xが形成される。この結果、ワーク21の表面に薄膜22が形成された成膜体20が製造可能である。本発明の第1の実施の形態の第5の変形例によれば、図7に示した成膜装置の構成においても、スパッタリングによる成膜を行うことができる。第2の実施の形態本発明の第1の実施の形態では、1つのターゲットを使用する場合を説明したのに対して、本発明の第2の実施の形態では、複数のターゲットを使用する場合を説明する。本発明の第2の実施の形態に係る成膜装置は、図8に示すように、真空容器1と、真空容器1内に互いに離間して配置され、複数2つのターゲット30,30xをそれぞれ保持する複数2つのターゲット保持部3,3xと、真空容器1内に配置され、ターゲット30,30xと対向するように複数2つのワーク21,21xをそれぞれ載置する複数2つの載置部2,2xと、真空容器1の側壁に互いに離間して配置され、アーク放電によるプラズマ流F1,F2を真空容器1内へそれぞれ導入する複数2つのプラズマガン10,50と、真空容器1内に導入されたプラズマ流F1,F2をターゲット30,30xへそれぞれ誘導する複数2つの誘導磁石4,4xと、ターゲット30,30xに照射されるプラズマ流F1,F2の断面積D1,D2をそれぞれ拡大させる複数2つの拡大磁石5,5xとを備える。プラズマガン50の構成は、プラズマガン10と同様であり、キャリアガス導入口58と、陰極51と、筒状の第1及び第2の中間電極52,53と、補助陽極筒54と、補助陽極リング55と、補助陽極筒54及び補助陽極リング55の外側に配置された電磁コイル56と、偏向磁石57を備える。陰極51は可変抵抗R9を介して放電電源E2の負極側に接続されている。第1及び第2の中間電極52,53、補助陽極筒54並びに補助陽極リング55は、抵抗R5,R6,R7,R8を介して放電電源E2の正極側にそれぞれ接続されている。載置部2,2xは回転部2yに取り付けられている。回転部2yはターゲット30,30x直下を通過するように載置部2,2xを回転させることが可能である。回転部2y上に2つの載置部2,2xが取り付けられた場合を説明するが、載置部の数は特に限定されず、載置部が3つ以上取り付けられていても良い。本発明の第2の実施の形態に係る成膜装置の他の構成は、図1に示した成膜装置と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。本発明の第2の実施の形態に係る成膜装置を用いてスパッタリングによる成膜を行う際には、プラズマガン10,50からそれぞれプラズマ流F1,F2が真空容器1内に導入され、誘導磁石4,4xにより誘導されてターゲット30,30xに照射する。拡大磁石5,5xが発生させる磁場により、ターゲット30,30xに照射されるプラズマ流F1,F2の断面積D1,D2がそれぞれ拡大する。スパッタリングの際には、ワーク21,21xは、回転部2y及び載置部2,2xの回転により移動及び回転する。この結果、ワーク21,21xの表面に均質な薄膜22,22xが形成された成膜体20,20xを製造することができる。本発明の第2の実施の形態によれば、複数のターゲット30,30xを使用することができる。よって、複数のターゲット30,30xにそれぞれ異なる金属を使用することにより、合金からなる薄膜22,22xを形成することができる。また、複数のターゲット30,30xに同じ材料を使用することにより、成膜速度をより向上させることができる。変形例本発明の第2の実施の形態の変形例として、複数のターゲット30,30xを使用し、スパッタリングとイオンプレーティングとを同時に行い成膜を行う場合を説明する。本発明の第2の実施の形態の変形例に係る成膜装置は、図9に示すように、一方のターゲット30xを収容する蒸発容器31を備える点が、図8に示した成膜装置と異なる。図9に示した成膜装置を用いて成膜体20を製造する際には、プラズマガン10からプラズマ流F1が真空容器1内に導入され、誘導磁石4により誘導されてターゲット30に照射する。拡大磁石5が発生させる磁場により、ターゲット30に照射されるプラズマ流F1の断面積D1がそれぞれ拡大する。そして、プラズマ流F1中のArイオンによりターゲット30表面のスパッタ粒子P1が弾き出され、ワーク21,21xに付着する。一方、プラズマガン50からプラズマ流F2が真空容器1内に導入され、蒸発容器31の電場及び誘導磁石4xが発生させる磁場により誘導されてターゲット30xに照射する。拡大磁石5xのコイルには電流を流さないため、蒸発容器31に照射されるプラズマ流F2の断面積D2は拡大せずにプラズマ流F2が蒸発容器31に照射される。プラズマ流F2の照射による加熱により、ターゲット30xが溶融し、蒸気化する。蒸気化した粒子はプラズマ流F2によりイオン化する。イオン化した粒子I2はプラズマ流F2中で加速され、末広がり状に降下し、ワーク21,21xに付着する。本発明の第2の実施の形態の変形例によれば、必要に応じてスパッタリングとイオンプレーティングを同時に行い成膜を行うことができる。その他の実施の形態上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば、本発明の第1の実施の形態において、図1に示した誘導磁石4は、ターゲット30の中心位置と重なるように配置されても良く、中心から外れた位置と重なるように配置されても良い。また、誘導磁石4は真空容器1内のターゲット30のワーク21と対向する側と反対側に配置されていても良く、ターゲット保持部3に埋設されていても良い。また、誘導磁石4は、図示を省略したモータ等により適宜移動可能であっても良い。また、本発明の第1の実施の形態において、図1に示した拡大磁石5は、真空容器1内のターゲット30のワーク21と対向する側と反対側に配置されていても良い。また、拡大磁石5は、ターゲット30の側面を取り囲むように配置されていても良く、又はターゲット30とワーク21の間においてプラズマ流F1の流路を取り囲むように配置されていても良い。また、拡大磁石5は、図示を省略したモータ等により適宜移動可能であっても良い。また、本発明の第1の実施の形態において、図1に示すように1つのワーク21及び載置部2が配置された場合を説明したが、ワークの数及び載置部の数は特に限定されず、本発明の第2の実施の形態と同様に複数のワーク21,21x及び複数の載置部2,2xが配置されていても良い。また、本発明の第1の実施の形態において、図1に示すように誘導磁石4はS極が下側、N極が上側となるように配置されているが、誘導磁石4はS極が上側、N極が下側となるように配置されていても良い。また、本発明の第2の実施の形態において、図8に示すように2つのターゲット30,30x及び2つのプラズマガン10,50を用いた場合を説明したが、更に複数3つ、4つ、...のターゲット及び複数3つ、4つ、...のプラズマガンを配置することも可能である。また、本発明の第2の実施の形態において、図8に示すようにターゲット30,30xが真空容器1内の上方に配置され、ワーク21,21xが真空容器1内の下方に配置された場合を説明したが、本発明の第1の実施の形態の第3~第5の変形例と同様に、ターゲット30,30x及びワーク21,21xの配置位置は特に限定されない。このように、本発明の第1及び第2の実施の形態の構成を適宜組み合わせることも可能である。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"