"樹脂基材上に、スパッタ法により膜厚方向へエッチングを行った際の相対エッチングレートが、SiO2熱酸化膜のエッチングレートを1.0とした時に、11.0以上3.0以下である、蒸着膜からなる第1の応力緩和層と、21.1以上2.5以下である、ポリシラザンを含有した塗布膜を改質処理したバリア層と、31.0以上3.0以下である保護層とをこの順に有することを特徴とする、ガスバリア性フィルム。前記第1の応力緩和層の該相対エッチングレートが1.5以上3.0以下であり、さらに前記第1の応力緩和層及び前記バリア層と接する該相対エッチングレートが1.0以上1.4以下である第2の応力緩和層を有することを特徴とする、請求項1に記載のガスバリア性フィルム。樹脂基材上に、スパッタ法により膜厚方向へエッチングを行った際の相対エッチングレートが、SiO2熱酸化膜のエッチングレートを1.0とした時に、11.0以上3.0以下である第1の応力緩和層を蒸着により形成する工程と、21.1以上2.5以下であるバリア層を、ポリシラザンを含有した塗布膜を改質処理することにより形成する工程と、31.0以上3.0以下である保護層を形成する工程とをこの順に有するガスバリア性フィルムの製造方法。前記第1の応力緩和層の該相対エッチングレートが1.5以上3.0以下であり、さらに前記第1の応力緩和層を形成する工程の後、前記相対エッチングレートが1.0以上1.4以下である第2の応力緩和層を蒸着により形成する工程を有することを特徴とする請求項3に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。請求項3又は4に記載のガスバリア性フィルムの製造方法において、前記第1あるいは第2の応力緩和層を形成する際の蒸着時における成膜速度が0.1nm/秒~30nm/秒であることを特徴とする、請求項3又は4に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。請求項3~5に記載のガスバリア性フィルムの製造方法において、ポリシラザンを含有した塗布膜の改質処理が真空紫外線照射処理であることを特徴とする、請求項3~5に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。請求項3~6に記載のガスバリア性フィルムの製造方法において、前記第1あるいは第2の応力緩和層をCVD法で形成することを特徴とする、請求項3~6に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。請求項1~2に記載のガスバリア性フィルムで封止したことを特徴とする有機電子デバイス。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、高いガスバリア性能と高いガスバリア性能安定性湿熱耐性、屈曲耐性を達成できるガスバリア性フィルムと、ガスバリア性フィルムの製造方法、及び該ガスバリア性フィルムを用いた電子デバイスを提供することにある。本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。1、樹脂基材上に、スパッタ法により膜厚方向へエッチングを行った際の相対エッチングレートが、SiO2熱酸化膜のエッチングレートを1.0とした時に、11.0以上3.0以下である、蒸着膜からなる第1の応力緩和層と、21.1以上2.5以下である、ポリシラザンを含有した塗布膜を改質処理したバリア層と、31.0以上3.0以下である保護層とをこの順に有することを特徴とする、ガスバリア性フィルム。2、前記第1の応力緩和層の該相対エッチングレートが1.5以上3.0以下であり、さらに前記第1の応力緩和層及び前記バリア層と接する該相対エッチングレートが1.0以上1.4以下である第2の応力緩和層を有することを特徴とする、前記1に記載のガスバリア性フィルム。3、樹脂基材上に、スパッタ法により膜厚方向へエッチングを行った際の相対エッチングレートが、SiO2熱酸化膜のエッチングレートを1.0とした時に、11.0以上3.0以下である第1の応力緩和層を蒸着により形成する工程と、21.1以上2.5以下であるバリア層を、ポリシラザンを含有した塗布膜を改質処理することにより形成する工程と、31.0以上3.0以下である保護層を形成する工程とをこの順に有するガスバリア性フィルムの製造方法。4、前記第1の応力緩和層の該相対エッチングレートが1.5以上3.0以下であり、さらに前記第1の応力緩和層を形成する工程の後、前記相対エッチングレートが1.0以上1.4以下である第2の応力緩和層を蒸着により形成する工程を有することを特徴とする前記3に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。5、前記3又は4に記載のガスバリア性フィルムの製造方法において、前記第1あるいは第2の応力緩和層を形成する際の蒸着時における成膜速度が0.1nm/秒~30nm/秒であることを特徴とする、前記3又は4に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。6、前記3~5に記載のガスバリア性フィルムの製造方法において、ポリシラザンを含有した塗布膜の改質処理が真空紫外線照射処理であることを特徴とする、前記3~5に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。7、前記3~6に記載のガスバリア性フィルムの製造方法において、前記第1あるいは第2の応力緩和層をCVD法で形成することを特徴とする、前記3~6に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。8、前記1~2に記載のガスバリア性フィルムで封止したことを特徴とする有機電子デバイス。本発明により、生産性が高く、高いガスバリア性能と高いガスバリア性能安定性を達成できるガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、及び該ガスバリア性フィルムを用いた電子デバイスを提供することができた。以下、本発明を詳細に説明する。急激にガスバリア性が劣化しない安定なガスバリア性フィルムを得るためには、柔軟な樹脂基材上に良好な膜質で改質されたポリシラザン転化バリア層を安定に保持できるような構成が必須であることが、発明者の検討により分かった。このような構成としては、基材及びバリア層との密着性が良好で、バリア層に蓄積された内部応力を緩和し、バリア層形成時に基材側からの水分を適度に遮断できる応力緩和層と、湿熱下、屈曲時、素子作製工程時などにバリア層にかかるストレスから守る保護層が必須であり、また、これらの機能が湿熱下でも劣化しないことが必要条件であることが分かった。よって、安定性の高いバリアフィルムを得るためには、本発明のように、ポリシラザン転化バリア層の下層に蒸着膜からなる応力緩和層、上層に保護層を設け、さらに本発明者らの鋭意検討により、理由は明らかではないが、スパッタ法により膜厚方向へエッチングを行った際の相対エッチングレートが、SiO2熱酸化膜のエッチングレートを1.0とした時に、特定の値を有する応力緩和層、バリア層及び保護層を設ければよいことが分かった。本発明の蒸着膜からなる応力緩和層あるいは保護層は、高速堆積が可能なため、低コスト化も達成できる。以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態について詳細に説明する。《ガスバリア性フィルム及びガスバリア性フィルムの製造方法》本発明のガスバリア性フィルム及びガスバリア性フィルムの製造方法について説明する。本発明のガスバリア性フィルムは、樹脂基材上に、スパッタ法により膜厚方向へエッチングを行った際の相対エッチングレートが、SiO2熱酸化膜のエッチングレートを1.0とした時に、11.0以上3.0以下である、蒸着膜からなる応力緩和層と、21.1以上2.5以下である、ポリシラザンを含有した塗布膜を改質処理したバリア層と、31.0以上3.0以下である保護層とをこの順に有することを特徴とする。本発明のガスバリア性フィルムの製造方法としては、ガスバリア層の形成において、ポリシラザン、好ましくはパーヒドロポリシラザンを含有した塗布膜を前記蒸着膜からなる応力緩和層上に設けた後、改質処理転化処理ともいうを施すことでバリア層を形成することを特徴とする。さらに、前記改質処理は、紫外線照射処理であることが好ましい。パーヒドロポリシラザンを含む溶液を塗布して塗膜を形成する工程後から該塗膜を改質処理する工程については、後に詳細に説明する。また、本発明の蒸着膜からなる応力緩和層は、樹脂基材上に蒸着法によって形成されることを特徴とする。蒸着法によって樹脂基材上に本発明の蒸着膜からなる応力緩和層を設ける工程については、後に詳細に説明する。また、本発明の保護層は、前記ポリシラザンを含有した塗布膜を改質処理したバリア層上に設けることを特徴とする。本発明の保護層についても、後に詳細に説明する。ガスバリア性本発明でいうガスバリア性とは、JISK7129-1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度60±0.5°C、相対湿度90±2RHが、3×103g/m224h以下であり、JISK7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×103ml/m224hatm以下1atmとは、1.01325×105Paであるであると定義する。ガスバリア性フィルムの構成尚、ガスバリア層単に、バリア層、バリア膜ともいうは、単層1塗布で作製可能な層でも複数の同様な層を積層してもよい。複数の層を設けることで、更にガスバリア性を向上させることができる。また、基材の片面のみにガスバリア層を設けてもよいが、基材を挟んで両面に同様のガスバリア層を設けてもよい。本発明において、樹脂基材上に、蒸着膜からなる応力緩和層と、ポリシラザンを含有した塗布膜を改質処理したバリア層と、保護層とをこの順に有する構成のガスバリア性フィルムとすることで、洗浄工程などのデバイス作製プロセス時に発生するカールなどの基材変形を抑える効果が期待できるが、バリア層を設けた側とは反対側の基材の裏面側に、カールバランス調整やデバイス作製プロセス耐性、ハンドリング適性等を改良する目的で、さらにバックコート層を設けてもよい。ガスバリア層ガスバリア層の形成本発明のガスバリア層は、ポリシラザン、好ましくはパーヒドロポリシラザンを含有する組成物の塗布液を、本発明における蒸着膜からなる応力緩和層上に塗布した後、改質処理を施すことで、無機物を含むバリア層を形成することを特徴とする。具体的な無機物としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などが挙げられる。本発明におけるポリシラザンを含有した塗布膜が改質処理を施すことによって無機膜からなるバリア層に転化形成されていることについては、XPS表面分析によってSi原子、N原子、O原子などの各原子組成比を求めることで確認できる。表面分析に用いるXPS表面分析装置としては、特に限定はなく、いかなる機種も使用することができるが、本実施例においてはVGサイエンティフィックス社製ESCALAB-200Rを用いた。X線アノードにはMgを用い、出力600W加速電圧15kV、エミッション電流40mAで測定した。本発明におけるバリア層は、パーヒドロポリシラザンの塗布膜を後述するような適度な酸化性ガス雰囲気下と低湿度環境下で真空紫外線照射を行うことと、本発明の蒸着膜からなる応力緩和層を下層に設けた構成とすることによって、効率的に形成することが可能となる。ガスバリア層の膜質本発明におけるガスバリア層は、ポリシラザンを含有した塗布膜を改質処理することによって形成され、スパッタ法により膜厚方向へエッチングを行った際の相対エッチングレートが、SiO2熱酸化膜のエッチングレートを1.0とした時に、1.1以上2.5以下であることを特徴とする。本発明におけるガスバリア層のエッチングレートは、後述する本発明の応力緩和層と同様の方法によって求めることができる。本発明におけるガスバリア層のエッチングレートがSiO2熱酸化膜や蒸着法によって形成されたSiO2膜より大きくなる理由は、本発明のバリア層がSiO2単体から成るのではなく、N原子を含む酸窒化ケイ素を多く含む膜から成っているためと考えている。ポリシラザンから形成した薄膜は、例えば湿熱条件下などにおいて二酸化ケイ素に完全転化させることも可能であるが、このような二酸化ケイ素を主成分とするシリカ膜より、N原子を含む酸窒化ケイ素膜の方が高いバリア性が発現することが発明者の検討により分かった。ポリシラザンを含有した塗布膜の形成<塗布方法>本発明に係るポリシラザンを含有する塗布膜は、基材上に少なくとも1層のポリシラザン化合物を含有する塗布液を塗布することにより作製される。塗布方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。具体例としては、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法等が挙げられる。塗布厚さは、目的に応じて適切に設定され得る。例えば、塗布厚さは、乾燥後の厚さが好ましくは1nm~100μm程度、さらに好ましくは10nm~10μm程度、最も好ましくは10nm~1μm程度となるように設定され得る。塗布された膜は、溶媒が除去された均一な乾燥膜を得る上で、アニールする態様が好ましい。アニール温度は、好ましくは60~200°C、さらに好ましくは70~160°Cである。アニール時間は、好ましくは5秒~24時間程度、さらに好ましくは10秒~2時間程度である。このように、次工程に続く転化処理前に、前述した範囲でアニールを行うことにより、均一な塗布膜を安定に得ることができる。なお、アニールは、一定温度で行ってもよく、段階的に温度を変化させてもよく、連続的に温度を変化昇温及び/または降温させてもよい。また、ポリシラザンを含有する塗布液及び塗膜を一旦、湿度の高い状態に晒してしまうと、その塗布液や塗膜から脱水するのは困難なこと、更には加水分解反応が進行をはじめてしまうことから、塗布液の調製段階から改質処理が終わるまでの間を露点10°C25°C39RH以下の雰囲気、更に好ましくは露点8°C25°C10RH以下の雰囲気で保管若しくは取り扱うことで膜内のSi-OH生成を抑制することが可能となる。より好ましくは露点-31度25°C1RH以下である。また、薄膜が形成されると塗膜体積あたりの表面積が増えて水蒸気の影響が大きくなることから、特に、ポリシラザン含有溶液塗布からVUV光照射による改質処理までの間は雰囲気湿度の制御が重要である。下記に記載の改質処理における低湿度環境下とは、上記雰囲気下をいう。尚、露点温度とは雰囲気中の水分量を表す指標であり、露点温度とは、水蒸気を含む空気を冷却したとき、凝結が始まる温度をいう。露点温度計により直接測定を行うか、気温と相対湿度から水蒸気圧を求め、その水蒸気圧を飽和水蒸気圧とする温度を求めることにより得ることができる。相対湿度が100の場合は現在の温度がそのまま露点温度になる。<ポリシラザンを含有する組成物の塗布液>本発明で用いられるポリシラザンとは、珪素-窒素結合を持つポリマーで、Si-N、Si-H、N-H等からなるSiO2、Si3N4及び両方の中間固溶体SiOxNy等のセラミック前駆体無機ポリマーである。フィルム基材を損なわないように塗布するためには、特開平8-112879号公報に記載されている下記の一般式1で表されるような比較的低温でセラミック化してシリカに変性する化合物が好ましい。一般式1-SiR1R2-NR3-式中、R1、R2、R3は、各々水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基またはアルコキシ基を表す。本発明では、得られるガスバリア層としての緻密性の観点からは、R1、R2及びR3のすべてが水素原子であるパーヒドロポリシラザンPHPSともいうが特に好ましい。一方、そのSiと結合する水素部分が一部アルキル基等で置換されたオルガノポリシラザンは、メチル基等のアルキル基を有することにより下地基材との接着性が改善され、かつ硬くてもろいポリシラザンによるセラミック膜に靭性を持たせることができ、より膜厚を厚くした場合でもクラックの発生が抑えられる利点がある。用途に応じて適宜、これらパーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。パーヒドロポリシラザンは直鎖構造と6及び8員環を中心とする環構造が存在した構造と推定されている。その分子量は数平均分子量Mnで約600~2000程度ポリスチレン換算であり、液体又は固体の物質であり、分子量により異なる。これらは有機溶媒に溶解した溶液状態で市販されており、市販品をそのままパーヒドロポリシラザン含有塗布液として使用することができる。低温でセラミック化するポリシラザンの別の例としては、上記一般式1で表されるポリシラザンにケイ素アルコキシドを反応させて得られるケイ素アルコキシド付加ポリシラザン例えば、特開平5-238827号公報、グリシドールを反応させて得られるグリシドール付加ポリシラザン例えば、特開平6-122852号公報、アルコールを反応させて得られるアルコール付加ポリシラザン例えば、特開平6-240208号公報、金属カルボン酸塩を反応させて得られる金属カルボン酸塩付加ポリシラザン例えば、特開平6-299118号公報、金属を含むアセチルアセトナート錯体を反応させて得られるアセチルアセトナート錯体付加ポリシラザン例えば、特開平6-306329号公報、金属微粒子を添加して得られる金属微粒子添加ポリシラザン例えば、特開平7-196986号公報等が挙げられる。ポリシラザンを含有する液体を調製する有機溶媒としては、ポリシラザンと容易に反応してしまうようなアルコール系や水分を含有するものを用いることは好ましくない。具体的には、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類が使用できる。具体的には、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターベン等の炭化水素、塩化メチレン、トリコロロエタン等のハロゲン炭化水素、ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等がある。これらの溶剤は、ポリシラザンの溶解度や溶剤の蒸発速度、等目的にあわせて選択し、複数の溶剤を混合しても良い。ポリシラザン含有塗布液中のポリシラザン濃度は目的とするシリカ膜厚や塗布液のポットライフによっても異なるが、0.2質量~35質量程度である。<パーヒドロポリシラザンを含有する組成物>本発明におけるパーヒドロポリシラザンを含有する組成物としては、パーヒドロポリシラザンを含有していれば特に制限はなく、組成物中のパーヒドロポリシラザン以外の材料としては、パーヒドロポリシラザン及びその溶媒と塗布可能な程度の相溶性を有していれば、いかなる材料を用いてもよい。また、組成物中には、パーヒドロポリシラザンに対し、0.1~10質量程度で酸化反応を促進するために添加されるアミンや金属等の触媒を含んでもよく、特にアミン触媒を0.5~5質量含むことが、塗布性及び反応の短時間化の点で好ましい。組成物中の溶媒、添加剤を除いたパーヒドロポリシラザンの含有率としては、80質量以上であることがバリア性の観点から好ましく、100質量、すなわち、パーヒドロポリシラザンのみからなることが、緻密で高いバリア性を有する膜を形成できる点で最も好ましい。本発明におけるパーヒドロポリシラザンとして入手可能な材料は、AZエレクトロニックマテリアルズ株製アクアミカNN120、NN110、NAX120、NAX110、NL120A、NL110A、NL150A、NP110、NP140等が挙げられる。パーヒドロポリシラザンを含有した塗布膜の改質処理<紫外線照射による改質処理>パーヒドロポリシラザンを含有した塗布膜に施す本発明における改質処理転化処理は、適度な酸化性ガス雰囲気下と低湿度環境下で紫外線を照射することにより行う。紫外光を照射することで活性酸素やオゾンが発生し、酸化反応が進行することで、所望の組成を有する無機膜を得ることができる。この活性酸素やオゾンは非常に反応性が高いため、パーヒドロポリシラザンを含有する組成物から形成した塗布膜中のポリシラザンは、シラノールを経由することなく直接酸化されることで、より高密度で欠陥の少ない酸化ケイ素あるいは酸窒化ケイ素膜が形成される。本発明における改質処理は、加熱処理と組み合わせて行うことがより好ましい。さらに反応性オゾンの不足分を光照射部とは異なる部分で、放電法等の公知の方法により酸素からオゾンを生成し、紫外線照射部に導入してもよい。このときに照射する紫外線の波長は特に限定されるところではないが、紫外光の波長は100~450nmが好ましく、100~300nm程度の真空紫外線VUV光を照射することがより好ましい。光源は、低圧水銀灯、重水素ランプ、キセノンエキシマランプ、メタルハライドランプ、エキシマレーザー等を用いることができる。ランプの出力としては400W~30kW、照度としては100mW/cm2~100kW/cm2、照射エネルギーとしては10~10000mJ/cm2が好ましく、100~8000mJ/cm2がより好ましい。また、紫外線照射の際の照度は1mW/cm2~10W/cm2が好ましい。上記の中でも、波長としては、100~200nmの真空紫外線VUV光が最も好ましく、酸化反応をより低温、短時間で進めることが可能となる。また、光源としては、キセノンエキシマランプ等の希ガスエキシマランプが最も好ましく用いられる。パーヒドロポリシラザンを含有する組成物から形成した塗布膜中のポリシラザンに、酸化性ガス雰囲気下で紫外線を照射することにより、ポリシラザンが高密度のケイ素酸化物膜、すなわち高密度シリカ膜に転化するが、該シリカ膜の膜厚や密度は紫外線の強度、照射時間、波長光のエネルギー密度により制御が可能であり、所望の膜構造を得るためにランプの種類を使い分ける等、適宜選択することが可能である。また、連続的に照射するだけでなく複数回の照射を行ってもよく、複数回の照射が短時間ないわゆるパルス照射であってもよい。また、紫外線照射と同時に該塗膜を加熱することも、反応酸化反応、転化処理、改質処理ともいうを促進するために好ましく用いられる。加熱の方法は、ヒートブロック等の発熱体に基板を接触させ熱伝導により塗膜を加熱する方法、抵抗線等による外部ヒーターにより雰囲気を加熱する方法、IRヒーターの様な赤外領域の光を用いた方法等が挙げられるが、特に限定はされない。塗膜の平滑性を維持できる方法を適宜選択してよい。加熱する温度としては、50~200°Cの範囲が好ましく、さらに好ましくは80~150°Cの範囲であり、加熱時間としては1秒~10時間の範囲が好ましく、さらに好ましくは10秒~1時間の範囲で加熱することである。<真空紫外線VUV照射による転化処理>改質処理の中でもより好ましいのは、真空紫外線VUV光処理である。この真空紫外線VUV光照射により、ポリシラザンの分子結合を切断し、また膜内若しくは雰囲気内に微量に存在する酸素でも効率的にオゾン若しくは活性酸素に変換することが可能であり、塗膜表面のセラミックス化シリカ改質が促進され、また得られるセラミックス膜が一層緻密になる。VUV光照射は、塗膜形成後であればいずれの時点で実施しても有効である。本発明における真空紫外線とは、具体的には100~200nmの真空紫外線VUV光が用いられる。真空紫外線の照射強度及び/または照射時間は、適宜設定することが可能である。真空紫外線照射装置は、市販のランプ例えば、ウシオ電機製を使用することが可能である。VUV光照射はバッチ処理にも連続処理にも適合可能であり、被塗布基材の形状によって適宜選定することができる。例えば、バッチ処理の場合には、パーヒドロポリシラザンを含有する組成物から形成した塗布膜を設けた基材を、真空紫外線発生源を具備した真空紫外線焼成炉で処理することができる。真空紫外線焼成炉自体は一般に知られており、例えば、ウシオ電機株製を使用することができる。また、パーヒドロポリシラザンを含有する組成物から形成した塗布膜を設けた基材が長尺フィルム状である場合には、これを搬送させながら上記のような真空紫外線発生源を具備した乾燥ゾーンで連続的に真空紫外線を照射することにより、表面をセラミックス化することができる。該真空紫外光は、ほとんどの物質の原子間結合力より大きいため、原子の結合を光量子プロセスと呼ばれる光子のみによる作用により、直接切断することが可能であるため好ましく用いることができる。この作用を用いることにより、加水分解を必要とせず低温でかつ効率的に改質処理が可能となる。これに必要な真空紫外光源としては、希ガスエキシマランプが好ましく用いられる。Xe、Kr、Ar、Ne等の希ガスの原子は化学的に結合して分子を作らないため、不活性ガスと呼ばれる。しかし、放電等によりエネルギーを得た希ガスの原子励起原子は他の原子と結合して分子を作ることができる。希ガスがキセノンの場合にはeXe→XeXe2Xe→Xe2XeXe2→XeXehν172nmとなり、励起されたエキシマ分子であるXe2が基底状態に遷移するときに172nmのエキシマ光を発光する。エキシマランプの特徴としては、放射が一つの波長に集中し、必要な光以外がほとんど放射されないので効率が高いことが挙げられる。また、余分な光が放射されないので、対象物の温度を低く保つことができる。さらには始動再始動に時間を要さないので、瞬時の点灯点滅が可能である。エキシマ発光を得るには誘電体バリア放電を用いる方法が知られている。誘電体バリア放電とは両電極間に誘電体エキシマランプの場合は透明石英を介してガス空間を配し、電極に数10kHzの高周波高電圧を印加することによりガス空間に生じる、雷に似た非常に細いmicrodischargeと呼ばれる放電で、microdischargeのストリーマが管壁誘電体に達すると誘電体表面に電荷が溜まるため、microdischargeは消滅する。誘電体バリア放電は、このmicrodischargeが管壁全体に広がり、生成消滅を繰り返している放電である。このため肉眼でも分る光のチラツキを生じる。また、非常に温度の高いストリーマが局所的に直接管壁に達するため、管壁の劣化を早める可能性もある。効率よくエキシマ発光を得る方法としては、誘電体バリア放電以外に無電極電界放電でも可能である。容量性結合による無電極電界放電で、別名RF放電とも呼ばれる。ランプと電極及びその配置は基本的には誘電体バリア放電と同じでよいが、両極間に印加される高周波は数MHzで点灯される。無電極電界放電はこのように空間的にまた時間的に一様な放電が得られるため、チラツキが無い長寿命のランプが得られる。誘電体バリア放電の場合はmicrodischargeが電極間のみで生じるため、放電空間全体で放電を行なわせるには外側の電極は外表面全体を覆い、かつ外部に光を取り出すために光を透過するものでなければならない。このため細い金属線を網状にした電極が用いられる。この電極は光を遮らないようにできるだけ細い線が用いられるため、酸素雰囲気中では真空紫外光により発生するオゾン等により損傷しやすい。これを防ぐためにはランプの周囲、すなわち照射装置内を窒素等の不活性ガスの雰囲気にし、合成石英の窓を設けて照射光を取り出す必要が生じる。合成石英の窓は高価な消耗品であるばかりでなく、光の損失も生じる。二重円筒型ランプは外径が25mm程度であるため、ランプ軸の直下とランプ側面では照射面までの距離の差が無視できず、照度に大きな差を生じる。したがって仮にランプを密着して並べても、一様な照度分布が得られない。合成石英の窓を設けた照射装置にすれば酸素雰囲気中の距離を一様にでき、一様な照度分布が得られる。無電極電界放電を用いた場合には外部電極を網状にする必要はない。ランプ外面の一部に外部電極を設けるだけでグロー放電は放電空間全体に広がる。外部電極には通常アルミのブロックで作られた光の反射板を兼ねた電極がランプ背面に使用される。しかし、ランプの外径は誘電体バリア放電の場合と同様に大きいため、一様な照度分布にするためには合成石英が必要となる。細管エキシマランプの最大の特徴は構造がシンプルなことである。石英管の両端を閉じ、内部にエキシマ発光を行なうためのガスを封入しているだけである。細管ランプの管の外径は6~12mm程度で、あまり太いと始動に高い電圧が必要になる。放電の形態は誘電体バリア放電でも無電極電界放電のいずれでも使用できる。電極の形状はランプに接する面が平面であってもよいが、ランプの曲面に合わせた形状にすればランプをしっかり固定できるとともに、電極がランプに密着することにより放電がより安定する。またアルミで曲面を鏡面にすれば光の反射板にもなる。Xeエキシマランプは波長の短い172nmの紫外線を単一波長で放射することから発光効率に優れている。この光は、酸素の吸収係数が大きいため、微量な酸素でラジカルな酸素原子種やオゾンを高濃度で発生することができる。また、有機物の結合を解離させる波長の短い172nmの光のエネルギーは能力が高いことが知られている。この活性酸素やオゾンと紫外線放射が持つ高いエネルギーによって、短時間でポリシラザン層の改質を実現できる。したがって、波長185nm、254nmの発する低圧水銀ランプやプラズマ洗浄と比べて高スループットに伴うプロセス時間の短縮や設備面積の縮小、熱によるダメージを受けやすい有機材料やプラスチック基板等への照射を可能としている。エキシマランプは光の発生効率が高いため低い電力の投入で点灯させることが可能である。また、光による温度上昇の要因となる波長の長い光は発せず、紫外線領域で短い波長でエネルギーを照射するため、照射対象物の表面温度の上昇が抑えられる特徴を持っている。また、真空紫外線の照射強度が高ければ、光子とポリシラザン内の化学結合が衝突する確率が増え、改質反応を短時間化することができる。また、内部まで侵入する光子の数も増加するため改質膜厚も増加及び/または膜質の良化高密度化が可能である。但し、照射時間が長すぎると平面性の劣化やガスバリア性フィルムの他の材料にダメージを与える場合がある。一般的には、照射強度と照射時間の積で表される積算光量で反応進行具合を考えるが、酸化シリコンの様に組成は同一でも、様々な構造形態をとる材料においては、照射強度の絶対値が重要になる場合もある。従って、本発明ではVUV光照射工程において、少なくとも1回は100~200mW/cm2の最大照射強度を与える改質処理を行うことが好ましい。この強度以下だと急激に改質効率が劣化し、処理に時間を要することになり、照射強度をこれより高くすると、ランプやランプユニットのその他の部材へのダメージが大きくなり、ランプ自体の劣化を早めることになってしまう。VUV光の照射時間は、任意に設定可能であるが、高照度工程での照射時間は0.1秒~3分間が好ましい。より好ましくは0.5秒~1分である。VUV光照射時の酸素濃度は500~10000ppm1とすることが好ましい。より好ましくは、1000~5000ppmである。前記の濃度範囲より酸素濃度が高いと改質効率が低くなり、また前記範囲より低い酸素濃度の場合、大気との置換時間が長くなるのと同時に、ロールトゥロールの様な連続生産を行う場合はウエッブ搬送によってVUV光照射庫内に巻き込む空気量酸素を含むが多くなり、多大な流量のガスを流さないと酸素濃度を調整できなくなってくる。改質処理における適度な酸化性ガス雰囲気下とは、上記雰囲気下をいう。ポリシラザン含有塗膜中には、塗布時に酸素及び微量の水分が混入し、さらにはポリシラザン含有塗膜以外でも、基材や隣接する樹脂層等に吸着酸素や吸着水があり、照射庫内に敢えて酸素を導入しなくとも、改質反応に要する酸素を供給する酸素源は十分にあることが分かった。また、前述した様に172nmのVUV光が酸素により吸収され、膜面に到達する172nmの光量が減少してしまい、光による処理の効率を低下することになる。すなわち、VUV光照射時には、できるだけ酸素濃度の低い状態で、VUV光が効率よく塗膜まで到達する状態で改質処理することが好ましい。VUV光照射時にこれら酸素以外のガスとしては乾燥不活性ガスとすることが好ましく、特にコストの観点から乾燥窒素ガスにすることが好ましい。酸素濃度の調整は照射庫内へ導入する酸素ガス、不活性ガスの流量を計測し、流量比を変えることで調整可能である。蒸着膜からなる第1の応力緩和層本発明において、樹脂基材上に、スパッタ法により膜厚方向へエッチングを行った際の相対エッチングレートが、SiO2熱酸化膜のエッチングレートを1.0とした時に、1.0以上3.0以下である、蒸着膜からなる第1の応力緩和層を有することを特徴とする。以下、本発明における第1の応力緩和層について詳細に説明する。相対エッチングレート本発明において、第1の応力緩和層は、スパッタ法により膜厚方向へエッチングを行った際の相対エッチングレートが、SiO2熱酸化膜のエッチングレートを1.0とした時に、1.0以上3.0以下であることを特徴とする。スパッタ法によるエッチングとは、イオンビームの照射によりエッチングする方法のことであり、スパッタエッチングとも呼ばれる。イオンビームを試料表面に照射すると、試料表面の原子がはじき出され、試料から物質を除去することができる。この現象を利用して試料表面をエッチングすることをスパッタエッチングという。このスパッタ法により、薄膜が表面から削られることでエッチングされる。本発明においては、シリコンウェハー上に熱酸化法によって形成されたSiO2熱酸化膜をエッチングレートの基準としている。熱酸化膜付きシリコンウェハーは市販されており、市販品を入手して用いることができる。このような市販の熱酸化膜付きシリコンウェハーを用いれば、SiO2膜の膜厚が予め分かっているため、前述したスパッタ法により全SiO2膜がある一定条件下でエッチングされた時間から、ある一定条件下におけるエッチングレートを求めることができる。全SiO2膜がエッチングされたかどうかは、膜をエッチングしながら前述したXPS表面分析を行うことにより、エッチング単位時間毎のSi原子、O原子の各原子組成比が得られるため、確認することができる。同様にして、第1の応力緩和層のエッチングレートも、第1の応力緩和層の実膜厚と全膜厚がエッチングされるのに要した時間から、求めることができる。第1の応力緩和層の実膜厚は、TEMTransmissionElectronMicroscope:透過電子顕微鏡の断面写真より、隣接層との明確な界面が見られることで確認できる。本発明における第1の応力緩和層の相対エッチングレートERは、下記式のように求めることができる。ER=第1の応力緩和層のエッチングレートnm/分/SiO2熱酸化膜のエッチングレートnm/分蒸着法による第1の応力緩和層の形成本発明の第1の応力緩和層は、蒸着法により形成されることを特徴とする。蒸着法には、大きく分けて物理蒸着法と化学蒸着法の2つがあるが、本発明においては、より緻密な薄膜を低温で高速に成膜できる点で、化学蒸着法CVD法がより好ましい。化学蒸着法には、熱CVD法、光CVD法、プラズマCVD法、エピタキシャルCVD法、アトミックレイヤーCVD法、MOCVD法有機金属気相成長法などがあるが、なかでも、より緻密な膜を高速成膜できる点で、プラズマCVD法がより好ましい。プラズマCVD法には、真空プロセスと大気圧プロセスがあり、どちらも好ましく用いることができるが、大気圧プロセスは全工程を大気圧下で行えるため、工程負荷を低減できるという点で好ましい。プラズマCVD法とは、原料ガスに高周波などを印加することでガスをプラズマ化させ、原料ガスの原子や分子を励起反応させることによって、活性状態で基材上にSiO2などの無機膜を堆積させる方法である。得られる無機膜としては、酸化ケイ素膜、酸窒化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、炭化ケイ素膜、酸化炭化ケイ素膜などであるが、原料由来の少量の有機物を含む場合もある。以下、より好ましい態様である、大気圧プラズマCVD法について説明する。大気圧プラズマCVD法大気圧近傍でのプラズマCVD処理を行う大気圧プラズマCVD法は、真空下のプラズマCVD法に比べ、減圧にする必要がなく生産性が高いだけでなく、プラズマ密度が高密度であるために成膜速度が速く、更には通常のCVD法の条件に比較して、大気圧下という高圧力条件では、ガスの平均自由工程が非常に短いため、極めて均質の膜が得られる。大気圧プラズマ処理の場合は、放電ガスとしては窒素ガスまたは周期表の第18属原子、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が用いられる。これらの中でも窒素、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられ、特に窒素がコストも安く好ましい。<異なる周波数の電界を二つ以上形成した大気圧プラズマ処理>次に、大気圧プラズマ処理について好ましい形態を説明する。大気圧プラズマ処理は、具体的には、国際公開第2007-026545号明細書に記載されるように、放電空間に異なる周波数の電界を2つ以上形成したもので、第1の高周波電界と第2の高周波電界とを重畳した電界を形成する方式を用いることが好ましい。具体的には、第1の高周波電界の周波数ω1より第2の高周波電界の周波数ω2が高く、かつ、第1の高周波電界の強さV1と、第2の高周波電界の強さV2と、放電開始電界の強さIVとの関係が、V1≧IV>V2またはV1>IV≧V2を満たし、第2の高周波電界の出力密度が、1W/cm2以上であることが好ましい。このような放電条件を採用することにより、例えば、窒素ガスのように放電開始電界強度が高い放電ガスでも、放電を開始し、高密度で安定なプラズマ状態を維持でき、高性能な薄膜形成を行うことができる。上記の測定により放電ガスを窒素ガスとした場合、その放電開始電界強度IV1/2Vppは3.7kV/mm程度であり、従って、上記の関係において、第1の印加電界強度を、V1≧3.7kV/mmとして印加することによって窒素ガスを励起し、プラズマ状態にすることができる。ここで、第1電源の周波数としては、200kHz以下が好ましく用いることができる。またこの電界波形としては、連続波でもパルス波でもよい。下限は1kHz程度が望ましい。一方、第2電源の周波数としては、800kHz以上が好ましく用いられる。この第2電源の周波数が高い程、プラズマ密度が高くなり、緻密で良質な薄膜が得られる。上限は200MHz程度が望ましい。このような2つの電源から高周波電界を形成することは、第1の高周波電界によって高い放電開始電界強度を有する放電ガスの放電を開始するのに必要であり、また第2の高周波電界の高い周波数及び高い出力密度によりプラズマ密度を高くして緻密で良質な薄膜を形成することができる。本発明でいう大気圧もしくはその近傍の圧力とは、20kPa~110kPa程度であり、本発明に記載の良好な効果を得るためには、93kPa~104kPaが好ましい。また、本発明でいう励起したガスとは、エネルギーを得ることによって、ガス中の分子の少なくとも一部が、今ある状態からより高い状態へ移ることをいい、励起ガス分子、ラジカル化したガス分子、イオン化したガス分子を含むガスがこれに該当する。本発明において、例えば基材上に第1の応力緩和層を形成する場合、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、高周波電界を発生させた放電空間に、例えば珪素を含有する原料ガステトラエトキシシランやヘキサメチルジシロキサンなどを含有するガスを、励起した放電ガスと混合して二次励起ガスを形成し、基材をこの二次励起ガスに晒すことにより無機膜を形成する。すなわち、第1ステップとして、対向電極間放電空間を、大気圧もしくはその近傍の圧力とし、放電ガスを対向電極間に導入し、高周波電圧を対向電極間に印加して、放電ガスをプラズマ状態とし、続いてプラズマ状態になった放電ガスと原料ガスとを、放電空間外で混合させて、この混合ガス二次励起ガスに基材を晒して、基材上に例えば第1の応力緩和層を形成する。<大気圧プラズマ法に用いる原料ガス>大気圧プラズマ法において、原料原材料ともいう。である有機金属化合物、分解ガス、分解温度、投入電力等の条件を選ぶことで、酸化珪素、また酸化珪素を主体とした金属酸化物、また、金属炭化物、金属窒化物、金属硫化物、金属ハロゲン化物等との混合物金属酸窒化物、金属酸化ハロゲン化物等等の組成を作り分けることができる。例えば、珪素化合物を原料化合物として用い、分解ガスに酸素を用いれば、珪素酸化物が生成する。また、シラザン等を原料化合物として用いれば、酸化窒化珪素が生成する。これはプラズマ空間内では非常に活性な荷電粒子活性ラジカルが高密度で存在するため、プラズマ空間内では多段階の化学反応が非常に高速に促進され、プラズマ空間内に存在する元素は熱力学的に安定な化合物へと非常な短時間で変換されるためである。このようなセラミック層の形成原料としては、珪素化合物であれば、常温常圧下で気体、液体、固体いずれの状態であっても構わない。気体の場合にはそのまま放電空間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、バブリング、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用する。また、溶媒によって希釈して使用してもよく、溶媒は、メタノール、エタノール、n-ヘキサン等の有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用できる。なお、これらの希釈溶媒は、プラズマ放電処理中において、分子状、原子状に分解されるため、影響は殆ど無視することができる。このような珪素化合物としては、シラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラn-プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラn-ブトキシシラン、テトラt-ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ビスジメチルアミノジメチルシラン、ビスジメチルアミノメチルビニルシラン、ビスエチルアミノジメチルシラン、N,O-ビストリメチルシリルアセトアミド、ビストリメチルシリルカルボジイミド、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラキスジメチルアミノシラン、テトライソシアナートシラン、テトラメチルジシラザン、トリスジメチルアミノシラン、トリエトキシフルオロシラン、アリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン、ベンジルトリメチルシラン、ビストリメチルシリルアセチレン、1,4-ビストリメチルシリル-1,3-ブタジイン、ジ-t-ブチルシラン、1,3-ジシラブタン、ビストリメチルシリルメタン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン、プロパルギルトリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン、1-トリメチルシリル-1-プロピン、トリストリメチルシリルメタン、トリストリメチルシリルシラン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン、Mシリケート51等が挙げられる。また、これら珪素を含む原料ガスを分解してセラミック層を得るための分解ガスとしては、水素ガス、メタンガス、アセチレンガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス、窒素ガス、アンモニアガス、亜酸化窒素ガス、酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、酸素ガス、水蒸気、フッ素ガス、フッ化水素、トリフルオロアルコール、トリフルオロトルエン、硫化水素、二酸化硫黄、二硫化炭素、塩素ガス等が挙げられる。珪素を含む原料ガスと、分解ガスを適宜選択することで、酸化珪素、また、窒化物、炭化物等を含有するセラミック層を得ることができる。大気圧プラズマ法においては、これらの反応性ガスに対して、主にプラズマ状態になりやすい放電ガスを混合し、プラズマ放電発生装置にガスを送りこむ。このような放電ガスとしては、窒素ガス及び/または周期表の第18属原子、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が用いられる。これらの中でも特に、窒素、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられる。上記放電ガスと反応性ガスを混合し、薄膜形成混合ガスとして大気圧プラズマ放電発生装置プラズマ発生装置に供給することで膜形成を行う。放電ガスと反応性ガスの割合は、得ようとする膜の性質によって異なるが、混合ガス全体に対し、放電ガスの割合を50以上として反応性ガスを供給する。蒸着時の成膜速度本発明における蒸着時の成膜速度は、nm/秒の単位で表される。成膜速度が低い程、緻密な薄膜を形成できるが、低すぎるとコストが高くなるため、本発明においては、0.1~30nm/秒であることが好ましい。この成膜速度を制御することで、目的とするエッチングレートを有する膜質の薄膜を作り分けることも可能である。応力緩和層の機能急激にバリア性が劣化しない安定な塗布型ガスバリア性フィルムを得るためには、柔軟な樹脂基材上に良好な膜質で改質されたポリシラザン転化バリア層を安定に保持できるような構成が必須であることは、先に述べた通りである。このような構成要件のひとつとして、本発明における応力緩和層は、基材及びバリア層との密着性、バリア層に蓄積された内部応力や収縮応力などの緩和のほか、バリア層形成時の基材側からの水分調整などの機能を有していると考えている。従来技術では、バリア層においては、ポリシラザンの加水分解及び脱水縮合反応をいかに進行させるかが主眼であったのに対し、本発明では真空紫外線VUV光照射による改質処理前、処理中、処理後に、ポリシラザンの加水分解反応をいかに起こさせないかが、効率的な改質を行う上で最も重要と考えている。いったん、改質処理前に加水分解反応が進行し、膜内に多量のSi-OHが形成されてしまうと、その後VUV光を照射して改質処理を進めようとしても、バリア層において、本発明のバリア性を発現する層を形成することは困難となる。よって、本発明においては、前述したように最適な低酸素濃度雰囲気下、かつ、低湿度環境下においてVUV光を照射し、活性酸素による直接酸化のみを進行させることで、本発明のバリア層を形成することが重要となる。また、改質時の環境を最適化するだけでは、安定したバリア性能を得るには不十分であることも分かってきている。これは、基材やハードコート層、平坦化層、密着層などが主に樹脂成分から成るような場合、バリア層をそれらに接して形成すると、例えば樹脂基材や樹脂層自身が含有する水分や、外気からそれらを通って侵入する水分によって、ポリシラザン改質膜の膜質が低下してしまうためではないかと推測している。そこで、ポリシラザン改質膜を形成する下層として、本発明の応力緩和層を設けておくと、シラノール基等が生成しにくく、ポリシラザンの改質を効率化できることを見出した。第2の応力緩和層本発明において、第1の応力緩和層上に、バリア層に隣接するように設けた第2の応力緩和層をさらに有することが好ましい。本発明における第2の応力緩和層の相対エッチングレートは、SiO2熱酸化膜のエッチングレートを1.0とした時に、1.0以上1.4以下である。本発明の第2の応力緩和層のエッチングレートは、第1の応力緩和層と同様の方法によって求めることができる。ただし、実膜厚を求める際のTEM断面写真において、第1の応力緩和層との界面が判断しにくい場合は、第2の応力緩和層を形成する際の成膜条件と同一条件下で、別途、界面が明確に分かるような、組成が明らかに異なる基材上に第2の応力緩和層を作製し、実膜厚を確認することで、エッチングレートを求めてもよい。あるいは、第1の応力緩和層と第2の応力緩和層との膜質差がある程度大きい場合であれば、電子線を過剰に照射することで、写真の濃淡に反映される膜質差がより明確化し、判断し易くなる場合もある。本発明において、より相対エッチングレートの低い、すなわち、より熱酸化膜に近い膜質強度を有する第2の応力緩和層をバリア層の下層に設け、更に第2の応力緩和層の下層に、より相対エッチングレートの高い、すなわち、より柔らかい第1の応力緩和層を設けることで、バリア層にかかる内部応力や収縮応力などのストレスを緩和する機能がより高まり、バリア層の破壊を抑制できるのではないかと考えている。第2の応力緩和層の膜質は、有機成分などの不純物が膜中に残らないような最適な原料及び成膜条件を選択した上で、成膜速度を制御することで調整可能である。第2の応力緩和層は、第1の応力緩和層と同様に蒸着法により形成される。第2の応力緩和層の成膜速度は、0.1~10nm/秒、より好ましくは、0.1~2nm/秒である。保護層本発明において、スパッタ法により膜厚方向へエッチングを行った際の相対エッチングレートが、SiO2熱酸化膜のエッチングレートを1.0とした時に、1.0以上3.0以下である保護層をバリア層上に設けることを特徴する。本発明における保護層のエッチングレートは、前述した本発明の応力緩和層と同様の方法によって求めることができる。本発明における保護層は、バリア層の上層に設けることで、デバイス作製プロセス耐性や搬送、巻き取り工程適性等を向上させるような単純な保護膜としての役割だけでなく、急激にバリア性が劣化しないような安定なバリア性フィルムを得るためにもたいへん有効であることが、本発明者の検討により分かってきた。このことは、バリア層が湿熱による加速劣化時に急激に破壊することで起こると考えられるバリア性の劣化をナノレベルで抑制することができるためではないかと推測しているが、その機構に関して今のところ詳細は不明である。保護層の形成方法本発明の保護層を形成する方法としては、特に制限はないが、先に応力緩和層を形成する方法として挙げた蒸着法を好ましく用いることができる。また、適切な材料を選択することで、塗布法により形成することもできる。保護層の膜厚は、特に制限はないが、乾燥後の厚さが10nm~100μm程度が好ましく、100nm~10μm程度がより好ましい。塗布法により保護層を形成するための材料本発明において、塗布法により保護層を形成するための材料としては、耐熱性、弾性率などの膜物性、隣接するバリア層との密着性や親和性などの観点から、ポリシロキサンやポリシルセスキオキサン等を主成分として含む材料が好ましい。より具体的には、有機基を有するポリシロキサン有機ポリシロキサンともいう、有機基を有するポリチタン酸などが挙げられるが、有機ポリシロキサンが好ましい。有機ポリシロキサンはシロキサン結合で主鎖が構成される含珪素ポリマーにおいて珪素原子に有機基の数が珪素1個につき1~2個有する構成単位を有するシロキサンの総称であり、T単位ポリシロキサンの基本構成単位のうち、ケイ素原子に結合する有機基の数が1つで、残りの3つが酸素と結合しているものを有する有機ポリシロキサンすなわちシルセスキオキサンを含むことがより好ましい。有機基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、2-エチルブチル基、3-エチルブチル基、2,2-ジエチルプロピル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基などのアルキル基、ビニル基、アリル基などのアルケニル基、エチニル基などのアルキニル基、フェニル基、トリル基などのアリール基、ベンジル基、フェニチル基などのアラルキル基、その他の非置換1価炭化水素基が挙げられ、フッ素等の置換基を有していてもよい。また、アルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基等も挙げられる。塗布法により保護層を形成するための原料として用いることができる具体的な化合物としては、例えば、メチルヒドロポリシロキサン、メチルシルセスキオキサン、ヒドロシルセスキオキサン小西化学社製、テトラシラノフェニルPOSSなど籠状の有機シルセスキオキサン、ポリジエトキシシロキサン、ジエトキシシロキサン-エチルチタネートコポリマー、ポリジブチルチタネート、有機ポリシラザンなどを挙げることができる。保護層を形成する有機ポリシロキサンとして、市販の材料を適用することも可能である。前記メチルシルセスキオキサンとヒドロシルセスキオキサン小西化学社製のほか、日東紡社製の無機有機ナノコンポジット材料SSGコートSSGコートHB21BN、SSGコートHB31BN、JSR株式会社製のセラミックコーティング材グラスカグラスカHPC7003、Gelest社製のジエトキシシラン-エチルチタネートコポリマーPSITI-019、等が挙げられる。有機ポリシロキサン膜の硬化縮合反応を促進する目的で、アミン触媒や、パラジウム、スズ等を有する有機金属触媒、あるいは、テトラエトキシシランなどのアルコキシシランなどを材料液に添加してもよく、また、基材あるいはバリア層との密着性を向上する目的で、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシランや3-アミノプロピルトリエトキシシランなどのシランカップリング剤などを添加することも好ましく用いられる。また、塗布性を向上する目的で樹脂などのバインダーを少量添加してもよい。また、紫外線による硬化反応を用いてもよい。保護層を形成する有機無機ハイブリッド材料として、市販の熱硬化ハードコート剤などを適用することも可能である。例えば、クラリアント社製のトゥットプロムシリーズ有機ポリシラザン、セラミックコート株式会社製のSPCOAT耐熱クリアー塗料、アデカ社製のナノハイブリッドシリコーン、信越化学社製の各種シリコーン樹脂等が挙げられる。樹脂基材支持体ともいう本発明における樹脂基材支持体としては、本発明の応力緩和層、ガスバリア層及び保護層を保持することができるものであれば特に限定はされないが、ロールトゥロールなどの大量生産に適用可能で、取り扱い易く、低コスト化が可能な点で、プラスチックフィルムが好ましい。プラスチックフィルムとしては、例えば、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネートPC、ポリアリレート、ポリ塩化ビニルPVC、ポリエチレンPE、ポリプロピレンPP、ポリスチレンPS、ナイロンNy、芳香族ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド等の各樹脂フィルム、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格とした耐熱透明フィルム製品名Sila-DEC、チッソ株式会社製、更には前記樹脂を2層以上積層して成る樹脂フィルム等を挙げることができる。コストや入手の容易性の点では、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネートPCなどが好ましく用いられ、また、光学的透明性、耐熱性等の観点から、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格とした耐熱透明フィルムも好ましく用いることができる。本発明に係る支持体の厚みとして、5μm~500μmの範囲が好ましく、更に好ましくは25μm~250μmの範囲である。また、本発明に係る支持体は透明であることが好ましい。支持体が透明であり、支持体上に形成する層も透明であることにより、透明なガスバリアフィルムとすることが可能となるため、光電変換素子太陽電池等の透明基板とすることも可能となるからである。ここで、支持体が透明とは、可視光400nm~700nmの光透過率が80以上であることを示す。また、上記に挙げた樹脂等を用いたプラスチックフィルムは、未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。本発明に用いられるプラスチックフィルム支持体としては、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押し出し機により溶融し、環状ダイやTダイにより押し出して急冷することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸の支持体を製造することができる。また、未延伸の支持体を一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸などの公知の方法により、支持体の流れ縦軸方向、または支持体の流れ方向と直角横軸方向に延伸することにより延伸支持体を製造することができる。この場合の延伸倍率は、支持体の原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向及び横軸方向にそれぞれ2倍~10倍が好ましい。また、本発明に係るプラスチックフィルムにおいては、隣接層1を形成する前にコロナ処理を施してもよい。また、本発明における支持体上に、本発明の応力緩和層の支持体表面に対する密着性を向上する目的で、アンカーコート層を形成してもよい。このアンカーコート層としては、プラスチックフィルムと応力緩和層との接着性を高めるものであれば特に制限はないが、本発明の応力緩和層は主に無機物から成る膜であるため、有機-無機ハイブリッド材料のように有機性と無機性を併せ持つような材料が好ましく用いられる。また、シランカップリング剤のように単分子レベル~ナノレベルの薄膜を形成し、層界面で分子結合を形成できるような材料でアンカーコート層を設けることも、より高い密着性が期待できる点で好ましく用いることができる。また、本発明において、支持体上に更に樹脂などから成る応力緩和層や樹脂支持体の表面を平滑化するための平滑層、樹脂支持体からのブリードアウトを防止するためのブリードアウト防止層などを別途設けてもよい。平滑層支持体上の平滑層は、突起等が存在する透明樹脂フィルム支持体の粗面を平坦化し、あるいは、透明樹脂フィルム支持体に存在する突起により透明無機化合物層に生じた凹凸やピンホールを埋めて平坦化するために設けられる。このような平滑層は、基本的には感光性樹脂を硬化させて形成される。平滑層の感光性樹脂としては、例えば、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物を含有する樹脂組成物、アクリレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物を含有する樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、グリセロールメタクリレート等の多官能アクリレートモノマーを溶解させた樹脂組成物等が挙げられる。また、上記のような樹脂組成物の任意の混合物を使用することも可能であり、光重合性不飽和結合を分子内に1個以上有する反応性のモノマーを含有している感光性樹脂であれば特に制限はない。感光性樹脂の組成物は光重合開始剤を含有してもよい。平滑層の形成方法は特に制限はないが、スピンコーティング法、スプレー法、ブレードコーティング法、ディップ法等のウエットコーティング法、あるいは、蒸着法等のドライコーティング法により形成することが好ましい。平滑層の形成では、上述の感光性樹脂に、必要に応じて、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等の添加剤を加えることができる。また、平滑層の積層位置に関係なく、いずれの平滑層においても、成膜性向上及び膜のピンホール発生防止等のために適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。平滑層の平滑性は、表面粗さで表現される値で、最大断面高さRtpが、10nm以上、30nm以下であることが好ましい。この範囲よりも値が小さい場合には、後述の珪素化合物を塗布する段階で、ワイヤーバー、ワイヤレスバー等の塗布方式で、平滑層表面に塗工手段が接触する場合に、塗布性が損なわれる場合がある。また、この範囲よりも大きい場合には、珪素化合物を塗布した後の、凹凸を平滑化することが難しくなる場合がある。表面粗さは、AFM原子間力顕微鏡で、極小の先端半径の触針を持つ検出器で連続測定した凹凸の断面曲線から算出され、極小の先端半径の触針により測定方向が数十μmの区間内を多数回測定し、微細な凹凸の振幅に関する粗さである。平滑層への添加剤好ましい態様の一つは、前述の感光性樹脂中に表面に光重合反応性を有する感光性基が導入された反応性シリカ粒子以下、単に反応性シリカ粒子ともいうを含むものである。ここで光重合性を有する感光性基としては、メタアクリロイルオキシ基に代表される重合性不飽和基等を挙げることができる。また感光性樹脂は、この反応性シリカ粒子の表面に導入された光重合反応性を有する感光性基と光重合反応可能な化合物、例えば、重合性不飽和基を有する不飽和有機化合物を含むものであってもよい。また、感光性樹脂としては、このような反応性シリカ粒子や重合性不飽和基を有する不飽和有機化合物に適宜汎用の希釈溶剤を混合することによって固形分を調整したものを用いることができる。ここで反応性シリカ粒子の平均粒子径としては、0.001μm~0.1μmの平均粒子径であることが好ましい。平均粒子径をこのような範囲にすることにより、後述する平均粒子径1μm~10μmの無機粒子からなるマット剤と組合せて用いることによって、防眩性と解像性とをバランス良く満たす光学特性と、ハードコート性とを兼ね備えた平滑層を形成し易くなる。さらに平均粒子径として0.001μm~0.01μmのものを用いることがより好ましい。平滑層とガスバリア層との密着性を向上し、また、基材の湾曲を防止し、加熱処理を行った場合にクラックの発生を防止し、ガスバリア性フィルムの透明性や屈折率等の光学的物性を良好に保持する観点から、平滑層中には、上述の様な無機粒子を質量比として20~60の範囲で含有することが好ましい。本発明では、重合性不飽和基修飾加水分解性シラン化合物が、加水分解性シリル基の加水分解反応によって、シリカ粒子との間に、シリルオキシ基を生成して化学的に結合しているようなものを、反応性シリカ粒子として用いることができる。加水分解性シリル基としては、例えば、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基等のカルボキシリレートシリル基、クロルシリル基等のハロゲン化シリル基、アミノシリル基、オキシムシリル基、ヒドリドシリル基等が挙げられる。重合性不飽和基としては、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基、プロペニル基、ブタジエニル基、スチリル基、エチニイル基、シンナモイル基、マレート基、アクリルアミド基等が挙げられる。本発明に用いられる平滑層の厚みとしては、支持体の平滑性を向上し、さらに、支持体の光学特性のバランスを調整し易くなると共に、平滑層を支持体の一方の面にのみ設けた場合における平滑フィルムのカールを防止する観点から、1μm~10μmの範囲が好ましく、さらに好ましくは2μm~7μmの範囲である。ブリードアウト防止層ブリードアウト防止層は、平滑層を有するフィルムを加熱した際に、フィルム支持体中から未反応のオリゴマー等が表面へ移行して、接触する面を汚染してしまう現象を抑制する目的で、平滑層を有する支持体の反対面に設けられる。ブリードアウト防止層は、この機能を有していれば、基本的に平滑層と同じ構成をとっても構わない。ブリードアウト防止層に含ませることが可能な、重合性不飽和基を有する不飽和有機化合物としては、分子中に2個以上の重合性不飽和基を有する多価不飽和有機化合物、あるいは分子中に1個の重合性不飽和基を有する単価不飽和有機化合物等を挙げることができる。その他の添加剤として、マット剤を含有しても良い。マット剤としては、平均粒子径が0.1μm~5μm程度の無機粒子が好ましい。このような無機粒子としては、シリカ、アルミナ、タルク、クレイ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化ジルコニウム等の1種又は2種以上を併せて使用することができる。ここで無機粒子からなるマット剤は、ブリードアウト防止層の固形分100質量部に対して2質量部以上、好ましくは4質量部以上、より好ましくは6質量部以上、20質量部以下、好ましくは18質量部以下、より好ましくは16質量部以下の割合で混合されていることが望ましい。またブリードアウト防止層には、ハードコート剤及びマット剤の他の成分として熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電離放射線硬化性樹脂、光重合開始剤等を含有させてもよい。以上のようなブリードアウト防止層は、ハードコート剤、マット剤、及び必要に応じて他の成分を配合して、適宜必要に応じて用いる希釈溶剤によって塗布液として調製し、当該塗布液を支持体フィルム表面に従来公知の塗布方法によって塗布した後、電離放射線を照射して硬化させることにより形成することができる。尚、電離放射線を照射する方法としては、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、メタルハライドランプ等から発せられる100~400nm、好ましくは200~400nmの波長領域の紫外線を照射する、又は走査型やカーテン型の電子線加速器から発せられる100nm以下の波長領域の電子線を照射することにより行うことができる。ブリードアウト防止層の厚みとしては、支持体の耐熱性を向上させ、さらに、支持体の光学特性のバランスを調整し易くなると共に、ブリードアウト防止層を基材の一方の面にのみ設けた場合における支持体のカールを防止する観点から、1~10μmの範囲が好ましく、さらに好ましくは2~7μmの範囲である。《ガスバリア性フィルムの用途》本発明のガスバリア性フィルムの用途としては、主に電子デバイス等のパッケージ、または有機EL素子や太陽電池、液晶といったディスプレイ材料等、各種電子デバイス用樹脂基材としての用途が挙げられる。本発明のガスバリア性フィルムは、種々の封止用材料、封止用フィルムとして用いることができる。上記の中でも、本発明のガスバリア性フィルムは、電子デバイスに用いることが好ましい。以下、本発明のガスバリア性フィルムを有する電子デバイスの一例として、有機光電変換素子、該素子を有する太陽電池について説明する。有機光電変換素子本発明に係る有機光電変換素子は、本発明のガスバリア性フィルムを構成として有するが、有機光電変換素子に用いる際に、本発明のガスバリア性フィルムは透明であることが好ましく、具体的には、透明であるガスバリア性フィルムを有機光電変換素子の支持体の構成部材として用い、ガスバリア性フィルムの側から太陽光の受光を行うように構成することが好ましい。ここで、透明とは、可視光400nm~700nmの光透過率が80以上であることを意味する。即ち、このガスバリア性フィルム上に、例えば、ITO等の透明導電性薄膜を透明電極として設け、有機光電変換素子用樹脂支持体を構成することができる。そして、支持体上に設けられたITO透明導電膜を陽極としてこの上に多孔質半導体層を設け、更に金属膜からなる陰極を作製して有機光電変換素子を作製し、この上に別の封止材料を同じでもよいが重ねて、前記ガスバリア性フィルム支持体と周囲を接着、素子を封じ込めることで有機光電変換素子を封止することができ、これにより外気の湿気や酸素等のガスによる素子への影響を封じることができる。有機光電変換素子用樹脂支持体は、このようにして作製されたガスバリア性フィルムのガスバリア層単にバリア層ともいう上に、透明導電性膜を作製することによって得られる。透明導電膜の作製は、真空蒸着法やスパッタリング法等を用いることにより、またインジウム、スズ等の金属アルコキシド等を用いたゾルゲル法等塗布法によっても製造できる。透明導電膜の膜厚としては、0.1nm~1000nmの範囲が好ましい。次いで、これらガスバリア性フィルム、またこれに透明導電膜が作製された有機光電変換素子用樹脂支持体を用いた有機光電変換素子について説明する。封止フィルムとその製造方法本発明では、前記ガスバリア層単にバリア層ともいうを有するガスバリア性フィルムを基板として用いることが好ましい。前記バリア層を有するガスバリア性フィルムにおいて、バリア層上に更に透明導電膜を作製し、これを陽極としてこの上に有機光電変換素子を構成する層、陰極となる層とを積層し、この上に更にもう一つのガスバリア性フィルムを封止フィルムとして重ね接着することで封止する。用いられるもう一つの封止材料封止フィルムとしては、本発明のガスバリア性フィルムを用いることができる。また、例えば、包装材等に使用される公知のガスバリア性フィルム、例えば、プラスチックフィルム上に酸化ケイ素や、酸化アルミニウムを蒸着したもの、緻密なセラミック層と、柔軟性を有する衝撃緩和ポリマー層を交互に積層した構成のガスバリア性フィルム等を封止フィルムとして用いることができる。また、特に樹脂ラミネートポリマー膜された金属箔は、光取り出し側のガスバリア性フィルムとして用いることはできないが、低コストで更に透湿性の低い封止材料であり、光取り出しを意図しない透明性を要求されない場合、封止フィルムとして好ましい。本発明において、金属箔とはスパッタや蒸着等で作製された金属薄膜や、導電性ペースト等の流動性電極材料から作製された導電膜と異なり、圧延等で作製された金属の箔またはフィルムを指す。金属箔としては金属の種類に特に限定はなく、例えば、銅Cu箔、アルミニウムAl箔、金Au箔、黄銅箔、ニッケルNi箔、チタンTi箔、銅合金箔、ステンレス箔、スズSn箔、高ニッケル合金箔等が挙げられる。これらの各種の金属箔の中で特に好ましい金属箔としてはAl箔が挙げられる。金属箔の厚さは6~50μmが好ましい。6μm未満の場合は、金属箔に用いる材料によっては使用時にピンホールが空き、必要とするバリア性透湿度、酸素透過率が得られなくなる場合がある。50μmを越えた場合は、金属箔に用いる材料によってはコストが高くなり、有機光電変換素子が厚くなりフィルムのメリットが少なくなる場合がある。樹脂フィルムポリマー膜がラミネートされた金属箔において、樹脂フィルムとしては機能性包装材料の新展開株式会社東レリサーチセンターに記載の各種材料を使用することが可能であり、例えば、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリアミド系樹脂、エチレン-ビニルアルコール共重合体系樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合体系樹脂、アクリロニトリル-ブタジエン共重合体系樹脂、セロハン系樹脂、ビニロン系樹脂、塩化ビニリデン系樹脂等が挙げられる。ポリプロピレン系樹脂、ナイロン系樹脂等の樹脂は延伸されていてもよく、更に塩化ビニリデン系樹脂をコートされていてもよい。また、ポリエチレン系樹脂は低密度あるいは高密度のものも用いることができる。後述するが、2つのフィルムの封止方法としては、例えば、一般に使用されるインパルスシーラー熱融着性の樹脂層をラミネートして、インパルスシーラーで融着させ、封止する方法が好ましく、この場合、ガスバリア性フィルム同士の封止は、フィルム膜厚が300μmを超えると封止作業時のフィルムの取り扱い性が悪化するのとインパルスシーラー等による熱融着が困難となるため膜厚としては300μm以下が望ましい。有機光電変換素子の封止の好ましい態様本発明の有機電子デバイスの一つである有機光電変換素子に用いられる封止の好ましい態様について説明する。本発明に係る有機光電変換素子の作製の一例としては、バリア層を有する本発明のガスバリア性フィルム上に透明導電膜を形成し、有機光電変換素子用樹脂支持体上に有機光電変換素子各層を形成した後、上記封止フィルムを用いて、不活性ガスによりパージされた環境下で、上記封止フィルムで陰極面を覆うようにして、有機光電変換素子を封止することができる。不活性ガスとしては、N2の他、He、Ar等の希ガスが好ましく用いられるが、HeとArを混合した希ガスも好ましく、気体中に占める不活性ガスの割合は90体積~99.9体積であることが好ましい。不活性ガスによりパージされた環境下で封止することにより、保存性が改良される。また、前記の樹脂フィルムポリマー膜がラミネートされた金属箔を用いて、有機光電変換素子を封止するにあたっては、ラミネートされた樹脂フィルム面ではなく、金属箔上にセラミック層を作製し、このセラミック層面を有機光電変換素子の陰極に貼り合わせることが好ましい。封止フィルムのポリマー膜面を有機光電変換素子の陰極に貼り合わせると、部分的に導通が発生することがある。封止フィルムを有機光電変換素子の陰極に貼り合わせる封止方法としては、一般に使用されるインパルスシーラーで融着可能な樹脂フィルム、例えば、エチレン酢酸ビニルコポリマーEVAやポリプロピレンPPフィルム、ポリエチレンPEフィルム等の熱融着性フィルムを積層して、インパルスシーラーで融着させ封止する方法がある。接着方法としてはドライラミネート方式が作業性の面で優れている。この方法は、一般には1.0μm~2.5μm程度の硬化性の接着剤層を使用する。但し、接着剤の塗設量が多すぎる場合には、トンネル、浸み出し、縮緬皺等が発生することがあるため、好ましくは接着剤量を乾燥膜厚で3μm~5μmになるように調節することが好ましい。ホットメルトラミネーションとは、ホットメルト接着剤を溶融し支持体に接着層を塗設する方法であるが、接着剤層の厚さは一般に1μm~50μmと広い範囲で設定可能な方法である。一般に使用されるホットメルト接着剤のベースレジンとしては、EVA、EEA、ポリエチレン、ブチルラバー等が使用され、ロジン、キシレン樹脂、テルペン系樹脂、スチレン系樹脂等が粘着付与剤として、ワックス等が可塑剤として添加される。エクストルージョンラミネート法とは、高温で溶融した樹脂をダイスにより支持体上に塗設する方法であり、樹脂層の厚さは一般に10μm~50μmと広い範囲で設定可能である。エクストルージョンラミネートに使用される樹脂としては、一般にLDPE、EVA、PP等が使用される。次いで、有機光電変換素子を構成する有機光電変換素子材料各層構成層について説明する。有機光電変換素子及び太陽電池の構成本発明に係る電子デバイスの一例として、有機光電変換素子及び太陽電池の好ましい態様を説明するが、本発明はこれらに限定されない。尚、以下、本発明に係る有機光電変換素子の好ましい態様について詳細に説明するが、本発明に係る太陽電池は本発明に係る有機光電変換素子をその構成として有するものであり、太陽電池の好ましい構成も同様に記載することができる。有機光電変換素子としては、特に制限がなく、陽極と陰極と、両者に挟まれた発電層p型半導体とn型半導体が混合された層、バルクヘテロジャンクション層、i層とも言うが少なくとも1層以上あり、光を照射すると電流を発生する素子であればよい。有機光電変換素子の層構成太陽電池の好ましい層構成も同様であるの好ましい具体例を以下に示す。i陽極/発電層/陰極ii陽極/正孔輸送層/発電層/陰極iii陽極/正孔輸送層/発電層/電子輸送層/陰極iv陽極/正孔輸送層/p型半導体層/発電層/n型半導体層/電子輸送層/陰極v陽極/正孔輸送層/第1発電層/電子輸送層/中間電極/正孔輸送層/第2発電層/電子輸送層/陰極。ここで、発電層は、正孔を輸送できるp型半導体材料と電子を輸送できるn型半導体材料を含有していることが必要であり、これらは実質2層でヘテロジャンクションを作製していてもよいし、1層の内部で混合された状態となっているバルクヘテロジャンクションを作製してもよいが、バルクヘテロジャンクション構成のほうが、光電変換効率が高いため好ましい。発電層に用いられるp型半導体材料、n型半導体材料については後述する。有機EL素子同様、発電層を正孔輸送層、電子輸送層で挟み込むことで、正孔及び電子の陽極陰極への取り出し効率を高めることができるため、それらを有する構成ii、iiiの方が好ましい。また、発電層自体も正孔と電子の整流性キャリア取り出しの選択性を高めるため、ivのようにp型半導体材料とn型半導体材料単体からなる層で発電層を挟み込むような構成p-i-n構成とも言うであってもよい。また、太陽光の利用効率を高めるため、異なる波長の太陽光をそれぞれの発電層で吸収するような、タンデム構成vの構成であってもよい。太陽光利用率光電変換効率の向上を目的として、以下に説明する図1に示す有機光電変換素子10におけるサンドイッチ構造に代わって、一対の櫛歯状電極上にそれぞれ正孔輸送層14、電子輸送層16を作製し、その上に光電変換部15を配置するといった、バックコンタクト型の有機光電変換素子が構成とすることもできる。更に、詳細な本発明に係る有機光電変換素子の好ましい態様を下記に説明する。図1は、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子からなる太陽電池の一例を示す断面図である。図1において、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子10は、基板11の一方の面上に、陽極12、正孔輸送層17、バルクヘテロジャンクション層の発電層14、電子輸送層18及び陰極13が順次積層されている。基板11は、順次積層された陽極12、正孔輸送層17、発電層14、電子輸送層18及び陰極13を保持する部材である。本実施形態では、基板11側から光電変換される光が入射するので、基板11は、この光電変換される光を透過させることが可能な、即ち、この光電変換すべき光の波長に対して透明な部材である。基板11は、例えば、ガラス基板や樹脂基板等が用いられる。この基板11は、必須ではなく、例えば、発電層14の両面に陽極12及び陰極13を作製することでバルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子10が構成されてもよい。発電層14は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する層であって、p型半導体材料とn型半導体材料とを一様に混合したバルクヘテロジャンクション層を有して構成される。p型半導体材料は相対的に電子供与体ドナーとして機能し、n型半導体材料は相対的に電子受容体アクセプタとして機能する。図1において、基板11を介して陽極12から入射された光は、発電層14のバルクヘテロジャンクション層における電子受容体あるいは電子供与体で吸収され、電子供与体から電子受容体に電子が移動し、正孔と電子のペア電荷分離状態が作製される。発生した電荷は、内部電界、例えば、陽極12と陰極13の仕事関数が異なる場合では陽極12と陰極13との電位差によって、電子は、電子受容体間を通り、また正孔は、電子供与体間を通り、それぞれ異なる電極へ運ばれ、光電流が検出される。例えば、陽極12の仕事関数が陰極13の仕事関数よりも大きい場合では、電子は陽極12へ、正孔は陰極13へ輸送される。なお、仕事関数の大小が逆転すれば電子と正孔は、これとは逆方向に輸送される。また、陽極12と陰極13との間に電位をかけることにより、電子と正孔の輸送方向を制御することもできる。なお、図1には記載していないが、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子注入層、正孔注入層、あるいは平滑化層等の他の層を有していてもよい。更に好ましい構成としては、前記発電層14が、所謂p-i-nの三層構成となっている構成図2である。通常のバルクヘテロジャンクション層は、p型半導体材料とn型半導体層が混合したi層14i単体であるが、p型半導体材料単体からなるp層14p、及びn型半導体材料単体からなるn層14nで挟むことにより、正孔及び電子の整流性がより高くなり、電荷分離した正孔電子の再結合等によるロスが低減され、一層高い光電変換効率を得ることができる。更に、太陽光利用率光電変換効率の向上を目的として、このような光電変換素子を積層したタンデム型の構成としてもよい。図3は、タンデム型のバルクヘテロジャンクション層を備える有機光電変換素子からなる太陽電池を示す断面図である。タンデム型構成の場合、基板11上に、順次透明電極12、第1の発電層14′を積層した後、電荷再結合層15を積層した後、第2の発電層16、次いで対電極13を積層することで、タンデム型の構成とすることができる。第2の発電層16は、第1の発電層14′の吸収スペクトルと同じスペクトルを吸収する層でもよいし、異なるスペクトルを吸収する層でもよいが、好ましくは異なるスペクトルを吸収する層である。また、第1の発電層14′、第2の発電層16がともに前述のp-i-nの三層構成であってもよい。以下に、これらの層を構成する材料について述べる。有機光電変換素子材料本発明に係る有機光電変換素子の発電層光電変換層ともいうの形成に用いられる材料について説明する。p型半導体材料本発明に係る有機光電変換素子の発電層バルクヘテロジャンクション層として好ましく用いられるp型半導体材料としては、種々の縮合多環芳香族低分子化合物や共役系ポリマーオリゴマーが挙げられる。縮合多環芳香族低分子化合物としては、例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、クリセン、ピセン、フルミネン、ピレン、ペロピレン、ペリレン、テリレン、クオテリレン、コロネン、オバレン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、ゼスレン、ヘプタゼスレン、ピランスレン、ビオランテン、イソビオランテン、サーコビフェニル、アントラジチオフェン等の化合物、ポルフィリンや銅フタロシアニン、テトラチアフルバレンTTF-テトラシアノキノジメタンTCNQ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレンBEDTTTF-過塩素酸錯体、及びこれらの誘導体や前駆体が挙げられる。また、上記の縮合多環を有する誘導体の例としては、国際公開第03/16599号、国際公開第03/28125号、米国特許第6,690,029号明細書、特開2004-107216号公報等に記載の置換基をもったペンタセン誘導体、米国特許出願公開第2003/136964号明細書等に記載のペンタセンプレカーサ、J.Amer.Chem.Soc.,vol127.No14.4986、J.Amer.Chem.Soc.,vol.123、p9482、J.Amer.Chem.Soc.,vol.1302008、No.9、2706等に記載のトリアルキルシリルエチニル基で置換されたアセン系化合物等が挙げられる。共役系ポリマーとしては、例えば、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT等のポリチオフェン及びそのオリゴマー、またはTechnicalDigestoftheInternationalPVSEC-17,Fukuoka,Japan,2007,P1225に記載の重合性基を有するようなポリチオフェン、NatureMaterial,2006vol.5,p328に記載のポリチオフェン-チエノチオフェン共重合体、WO2008000664に記載のポリチオフェン-ジケトピロロピロール共重合体、AdvMater,2007p4160に記載のポリチオフェン-チアゾロチアゾール共重合体,NatureMat.vol.62007,p497に記載のPCPDTBT等のようなポリチオフェン共重合体、ポリピロール及びそのオリゴマー、ポリアニリン、ポリフェニレン及びそのオリゴマー、ポリフェニレンビニレン及びそのオリゴマー、ポリチエニレンビニレン及びそのオリゴマー、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリシラン、ポリゲルマン等のσ共役系ポリマー、等のポリマー材料が挙げられる。また、ポリマー材料ではなくオリゴマー材料としては、チオフェン6量体であるα-セクシチオフェンα,ω-ジヘキシル-α-セクシチオフェン、α,ω-ジヘキシル-α-キンケチオフェン、α,ω-ビス3-ブトキシプロピル-α-セクシチオフェン、等のオリゴマーが好適に用いることができる。これらの化合物の中でも、溶液プロセスが可能な程度に有機溶剤への溶解性が高く、且つ乾燥後は、結晶性薄膜を作製し、高い移動度を達成することが可能な化合物が好ましい。また、発電層上に電子輸送層を塗布で成膜する場合、電子輸送層溶液が発電層を溶かしてしまうという課題があるため、溶液プロセスで塗布した後に不溶化できるような材料を用いてもよい。このような材料としては、TechnicalDigestoftheInternationalPVSEC-17,Fukuoka,Japan,2007,P1225に記載の重合性基を有するようなポリチオフェンのような、塗布後に塗布膜を重合架橋して不溶化できる材料、または米国特許第2003/136964号明細書、及び特開2008-16834号公報等に記載されているような、熱等のエネルギーを加えることによって、可溶性置換基が反応して不溶化する顔料化する材料等を挙げることができる。n型半導体材料本発明に係るバルクヘテロジャンクション層に用いられるn型半導体材料としては特に限定されないが、例えば、フラーレン、オクタアザポルフィリン等、p型半導体の水素原子をフッ素原子に置換したパーフルオロ体パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物や、そのイミド化物を骨格として含む高分子化合物等を挙げることができる。しかし、各種のp型半導体材料と高速~50fs、且つ効率的に電荷分離を行うことができる、フラーレン誘導体が好ましい。フラーレン誘導体としては、フラーレンC60、フラーレンC70、フラーレンC76、フラーレンC78、フラーレンC84、フラーレンC240、フラーレンC540、ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブ、多層ナノチューブ、単層ナノチューブ、ナノホーン円錐型等、及びこれらの一部が水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、シリル基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、シリル基等によって置換されたフラーレン誘導体を挙げることができる。中でも、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッドメチルエステル略称PCBM、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッド-nブチルエステルPCBnB、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッド-イソブチルエステルPCBiB、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッド-nヘキシルエステルPCBH、Adv.Mater.,vol.202008,p2116等に記載のbis-PCBM、特開2006-199674号公報等のアミノ化フラーレン、特開2008-130889号公報等のメタロセン化フラーレン、米国特許第7,329,709号明細書等の環状エーテル基を有するフラーレン等のような、置換基を有してより溶解性が向上したフラーレン誘導体を用いることが好ましい。正孔輸送層電子ブロック層本発明の有機光電変換素子10は、バルクヘテロジャンクション層と陽極との中間には正孔輸送層17を、バルクヘテロジャンクション層で発生した電荷をより効率的に取り出すことが可能となるため、これらの層を有していることが好ましい。これらの層を構成する材料としては、例えば、正孔輸送層17としては、スタルクヴイテック製、商品名BaytronP等のPEDOT、ポリアニリン及びそのドープ材料、国際公開第06/19270号パンフレット等に記載のシアン化合物、等を用いることができる。なお、バルクヘテロジャンクション層に用いられるn型半導体材料のLUMO準位よりも浅いLUMO準位を有する正孔輸送層には、バルクヘテロジャンクション層で生成した電子を陽極側には流さないような整流効果を有する電子ブロック機能が付与される。このような正孔輸送層は電子ブロック層とも呼ばれ、このような機能を有する正孔輸送層を使用するほうが好ましい。このような材料としては、特開平5-271166号公報等に記載のトリアリールアミン系化合物、また酸化モリブデン、酸化ニッケル、酸化タングステン等の金属酸化物等を用いることができる。また、バルクヘテロジャンクション層に用いたp型半導体材料単体からなる層を用いることもできる。これらの層を作製する手段としては、真空蒸着法、溶液塗布法のいずれであってもよいが、好ましくは溶液塗布法である。バルクヘテロジャンクション層を作製する前に、下層に塗布膜を作製すると塗布面をレベリングする効果があり、リーク等の影響が低減するため好ましい。電子輸送層正孔ブロック層有機光電変換素子10は、バルクヘテロジャンクション層と陰極との中間には電子輸送層18を作製することで、バルクヘテロジャンクション層で発生した電荷をより効率的に取り出すことが可能となるため、これらの層を有していることが好ましい。また、電子輸送層18としては、オクタアザポルフィリン、p型半導体のパーフルオロ体パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等を用いることができるが、同様にバルクヘテロジャンクション層に用いられるp型半導体材料のHOMO準位よりも深いHOMO準位を有する電子輸送層には、バルクヘテロジャンクション層で生成した正孔を陰極側には流さないような整流効果を有する正孔ブロック機能が付与される。このような電子輸送層は正孔ブロック層とも呼ばれ、このような機能を有する電子輸送層を使用するほうが好ましい。このような材料としては、バソキュプロイン等のフェナントレン系化合物、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等のn型半導体材料、及び酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ガリウム等のn型無機酸化物及びフッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属化合物等を用いることができる。また、バルクヘテロジャンクション層に用いたn型半導体材料単体からなる層を用いることもできる。これらの層を作製する手段としては、真空蒸着法、溶液塗布法のいずれであってもよいが、好ましくは溶液塗布法である。その他の層エネルギー変換効率の向上や、素子寿命の向上を目的に、各種中間層を素子内に有する構成としてもよい。中間層の例としては、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層、UV吸収層、光反射層、波長変換層等を挙げることができる。透明電極第1電極本発明に係る透明電極は、陰極、陽極は特に限定せず、素子構成により選択することができるが、好ましくは透明電極を陽極として用いることである。例えば、陽極として用いる場合、好ましくは380nm~800nmの光を透過する電極である。材料としては、例えば、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の透明導電性金属酸化物、金、銀、白金等の金属薄膜、金属ナノワイヤ、カーボンナノチューブ用いることができる。また、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリアズレン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、ポリフェニルアセチレン、ポリジアセチレン及びポリナフタレンの各誘導体からなる群より選ばれる導電性高分子等も用いることができる。また、これらの導電性化合物を複数組み合わせて透明電極とすることもできる。対電極第2電極対電極は導電材単独層であってもよいが、導電性を有する材料に加えて、これらを保持する樹脂を併用してもよい。対電極の導電材としては、仕事関数の小さい4eV以下金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子の取り出し性能及び酸化等に対する耐久性の点から、これら金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。対電極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を作製させることにより、作製することができる。また、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50nm~200nmの範囲で選ばれる。対電極の導電材として金属材料を用いれば、対電極側に来た光は反射されて第1電極側に反射され、この光が再利用可能となり、光電変換層で再度吸収され、より光電変換効率が向上し好ましい。また、対電極13は、金属例えば、金、銀、銅、白金、ロジウム、ルテニウム、アルミニウム、マグネシウム、インジウム等、炭素からなるナノ粒子、導電性繊維、ナノワイヤ、ナノ構造体であってもよく、ナノワイヤの分散物であれば、透明で導電性の高い対電極を塗布法により作製でき好ましい。また、対電極側を光透過性とする場合は、例えば、アルミニウム及びアルミニウム合金、銀及び銀化合物等の対電極に適した導電性材料を薄く1~20nm程度の膜厚で作製した後、上記透明電極の説明で挙げた導電性光透過性材料の膜を設けることで、光透過性対電極とすることができる。中間電極また、前記vまたは図3のようなタンデム構成の場合に必要となる中間電極の材料としては、透明性と導電性を併せ持つ化合物を用いた層であることが好ましく、前記透明電極で用いたような材料ITO、AZO、FTO、酸化チタン等の透明金属酸化物、Ag、Al、Au等の非常に薄い金属層またはナノ粒子ナノワイヤ、導電性繊維を含有する層、PEDOT:PSS、ポリアニリン等の導電性高分子材料等を用いることができる。なお、前述した正孔輸送層と電子輸送層の中には、適切に組み合わせて積層することで中間電極電荷再結合層として働く組み合わせもあり、このような構成とすると1層作製する工程を省くことができ好ましい。金属ナノワイヤ本発明において、導電性繊維としては、金属でコーティングした有機繊維や無機繊維、導電性金属酸化物繊維、金属ナノワイヤ、炭素繊維、カーボンナノチューブ等を用いることができるが、金属ナノワイヤが好ましい。一般に、金属ナノワイヤとは、金属元素を主要な構成要素とする線状構造体のことを言う。特に、本発明における金属ナノワイヤとはnmサイズの直径を有する線状構造体を意味する。金属ナノワイヤとしては、1つの金属ナノワイヤで長い導電パスを作製するために、また、適度な光散乱性を発現するために、平均長さが3μm以上であることが好ましく、更には3μm~500μmが好ましく、特に3μm~300μmであることが好ましい。併せて、長さの相対標準偏差は40以下であることが好ましい。また、平均直径は、透明性の観点からは小さいことが好ましく、一方で、導電性の観点からは大きい方が好ましい。本発明においては、金属ナノワイヤの平均直径として10nm~300nmが好ましく、30nm~200nmであることがより好ましい。併せて、直径の相対標準偏差は20以下であることが好ましい。金属ナノワイヤの金属組成としては特に制限はなく、貴金属元素や卑金属元素の1種または複数の金属から構成することができるが、貴金属例えば、金、白金、銀、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウム等及び鉄、コバルト、銅、錫からなる群に属する少なくとも1種の金属を含むことが好ましく、導電性の観点から少なくとも銀を含むことがより好ましい。また、導電性と安定性金属ナノワイヤの硫化や酸化耐性、及びマイグレーション耐性を両立するために、銀と、銀を除く貴金属に属する少なくとも1種の金属を含むことも好ましい。本発明において、金属ナノワイヤが2種類以上の金属元素を含む場合には、例えば、金属ナノワイヤの表面と内部で金属組成が異なっていてもよいし、金属ナノワイヤ全体が同一の金属組成を有していてもよい。金属ナノワイヤの製造手段には特に制限はなく、例えば、液相法や気相法等の公知の手段を用いることができる。また、具体的な製造方法にも特に制限はなく、公知の製造方法を用いることができる。例えば、Agナノワイヤの製造方法としては、Adv.Mater.,2002,14,833~837;Chem.Mater.,2002,14,4736~4745等、Auナノワイヤの製造方法としては特開2006-233252号公報等、Cuナノワイヤの製造方法としては特開2002-266007号公報等、Coナノワイヤの製造方法としては特開2004-149871号公報等を参考にすることができる。特に、上述した、Adv.Mater.及びChem.Mater.で報告されたAgナノワイヤの製造方法は、水系で簡便にAgナノワイヤを製造することができ、また銀の導電率は金属中で最大であることから、本発明に係る金属ナノワイヤの製造方法として好ましく適用することができる。金属ナノワイヤが互いに接触し合うことにより3次元的な導電ネットワークを作製し、高い導電性を発現するとともに、金属ナノワイヤが存在しない導電ネットワークの窓部を光が透過することが可能となり、更に金属ナノワイヤの散乱効果によって、有機発電層部からの発電を効率的に行うことが可能となる。第1電極において金属ナノワイヤを有機発電層部に近い側に設置すれば、この散乱効果がより有効に利用できるのでより好ましい実施形態である。光学機能層本発明に係る有機光電変換素子は、太陽光のより効率的な受光を目的として、各種の光学機能層を有していてもよい。光学機能層としては、例えば、反射防止層、マイクロレンズアレイ等の集光層、陰極で反射した光を散乱させて再度発電層に入射させることができるような光拡散層等を設けてもよい。反射防止層としては、各種公知の反射防止層を設けることができるが、例えば、透明樹脂フィルムが二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムである場合は、フィルムに隣接する易接着層の屈折率を1.57~1.63とすることで、フィルム基板と易接着層との界面反射を低減して透過率を向上させることができるのでより好ましい。屈折率を調整する方法としては、酸化スズゾルや酸化セリウムゾル等の比較的屈折率の高い酸化物ゾルとバインダー樹脂との比率を適宜調整して塗設することで実施できる。易接着層は単層でもよいが、接着性を向上させるためには2層以上の構成にしてもよい。集光層としては、例えば、支持基板の太陽光受光側にマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせたりすることにより特定方向からの受光量を高めたり、逆に太陽光の入射角度依存性を低減することができる。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm~100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付き、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。また、光拡散層としては、各種のアンチグレア層、金属または各種無機酸化物等のナノ粒子ナノワイヤ等を無色透明なポリマーに分散した層等を挙げることができる。成膜方法表面処理方法電子受容体と電子供与体とが混合されたバルクヘテロジャンクション層、及び輸送層電極の作製方法としては、蒸着法、塗布法キャスト法、スピンコート法を含む等を例示することができる。このうち、バルクヘテロジャンクション層の作製方法としては、蒸着法、塗布法キャスト法、スピンコート法を含む等を例示することができる。このうち、前述の正孔と電子が電荷分離する界面の面積を増大させ、高い光電変換効率を有する素子を作製するためには、塗布法が好ましい。また、塗布法は製造速度にも優れている。この際に使用する塗布方法に制限はないが、例えば、スピンコート法、溶液からのキャスト法、ディップコート法、ブレードコート法、ワイヤバーコート法、グラビアコート法、スプレーコート法等が挙げられる。更には、インクジェット法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法等の印刷法でパターニングすることもできる。塗布後は残留溶媒及び水分、ガスの除去、及び半導体材料の結晶化による移動度向上吸収長波化を引き起こすために、加熱を行うことが好ましい。製造工程中において所定の温度でアニール処理されると、微視的に一部が凝集または結晶化が促進され、バルクヘテロジャンクション層を適切な相分離構造とすることができる。その結果、バルクヘテロジャンクション層のキャリア移動度が向上し、高い効率を得ることができるようになる。発電層バルクヘテロジャンクション層14は、電子受容体と電子供与体とが均一に混在された単一層で構成してもよいが、電子受容体と電子供与体との混合比を変えた複数層で構成してもよい。この場合、前述したような塗布後に不溶化できるような材料を用いることで作製することが可能となる。パターニング本発明において、電極、発電層、正孔輸送層、電子輸送層等をパターニングする方法やプロセスには特に制限はなく、公知の手法を適宜適用することができる。バルクヘテロジャンクション層、輸送層等の可溶性の材料であれば、ダイコート、ディップコート等の全面塗布後に不要部だけ拭き取ってもよいし、インクジェット法やスクリーン印刷等の方法を使用して塗布時に直接パターニングしてもよい。電極材料等の不溶性の材料の場合は、電極を真空堆積時にマスク蒸着を行う方法、エッチングまたはリフトオフ等の公知の方法によってパターニングすることができる。また、別の基板上に作製したパターンを転写することによってパターンを作製してもよい。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において部あるいはの表示を用いるが、特に断りがない限り質量部あるいは質量を表す。実施例1以下に記載のように、樹脂基材上に第1の応力緩和層を形成さらに第2の応力緩和層を形成し、さらにその上にバリア層を形成し、さらにその上に保護層を形成することで、本発明のガスバリア性フィルム1~14を作製した。図4及び図5に構成を断面図にて示した。図において4は支持体、3が第1の応力緩和層を、3-2が第2の応力緩和層を、2がバリア層を、1は保護層を示す。《ガスバリア性フィルム1の作製》樹脂基材の作製支持体支持体として、両面に易接着加工を施した厚さ125μmのポリエステルフィルム帝人デュポンフィルム株式会社製、テトロンO3を、170°Cで30分アニール加熱処理した後、ポリエステルフィルムの表面側に平滑層図4及び5では省略を、裏面側にブリードアウト防止層図4及び5では省略を設けたものを用いた。平滑層の形成ポリエステルフィルムの表面側に、JSR株式会社製UV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材OPSTARZ7501を塗布、乾燥後の膜厚が4μmになるようにワイヤーバーで塗布した後、乾燥条件;80°C、3分で乾燥後、空気雰囲気下、高圧水銀ランプ使用し、硬化条件;1.0J/cm2で硬化を行い、平滑層クリアハードコート層:CHC層を形成した。ブリードアウト防止層の形成ポリエステルフィルムの裏面側に、JSR株式会社製UV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材OPSTARZ7535を塗布、乾燥後の膜厚が4μmになるようにワイヤーバーで塗布した後、硬化条件;1.0J/cm2、空気下、高圧水銀ランプ使用し、乾燥条件;80°C、3分で硬化を行い、ブリードアウト防止層を形成した。応力緩和層第1の応力緩和層の形成上記基材の平滑層側に、大気圧プラズマ法AGP法によって、ガスバリア性フィルム1における第1の応力緩和層を形成した。大気圧プラズマ製膜装置特開2008-56967号の図3に記載、ロールツーロール形態の大気圧プラズマCVD装置を用いて、以下の薄膜形成条件で第1の応力緩和層を形成した。このとき成膜速度が0.5nm/秒になるように調整しながら行った。混合ガス組成物放電ガス:窒素ガス94.9体積薄膜形成ガス:テトラエトキシシラン0.1体積添加ガス:酸素ガス5.0体積成膜条件第1電極側電源種類:ハイデン研究所100kHz連続モードPHF-6k周波数:100kHz出力密度:10W/cm2電極温度:120°C第2電極側電源種類:パール工業13.56MHzCF-5000-13M周波数:13.56MHz出力密度:10W/cm2電極温度:90°C第1の応力緩和層の相対エッチングレートガスバリア性フィルム1における第1の応力緩和層の実膜厚は、TEMTransmissionElectronMicroscope:透過電子顕微鏡の断面写真より、およそ120nmであることが確認できた。また、スパッタ法とXPS表面分析を組み合わせることで、膜厚深さ方向における各原子組成比を確認しながら、SiO2熱酸化膜換算で5nm/分の速度エッチングレートでスパッタしたところ、第1の応力緩和層と思われる膜厚は125nmSiO2熱酸化膜換算値であったので、エッチングレートは5.2nm/分と求められた。よって、ガスバリア性フィルム1における第1の応力緩和層の相対エッチングレート相対ERは、1.0と求められた。ここで、表面分析に用いるXPS表面分析装置としては、特に限定はなく、いかなる機種も使用することができるが、本実施例においてはVGサイエンティフィックス社製ESCALAB-200Rを用いた。X線アノードにはMgを用い、出力600W加速電圧15kV、エミッション電流40mAで測定した。バリア層バリア層の形成次に、第1の応力緩和層上に、下記の工程a、bによりバリア層を形成した。工程a:パーヒドロポリシラザン層の形成パーヒドロポリシラザンPHPSを含有する溶液として、20質量ジブチルエーテル溶液AZエレクトロニックマテリアルズ株製アクアミカNN120-20PHPS、アミン触媒N,N,N′,N′-テトラメチル-1,6-ジアミノヘキサンを5質量含有するNAX120-20を混合することで、パーヒドロポリシラザンPHPS濃度に対してアミン触媒の含有量が1.0質量になるように調整した後、ジブチルエーテル溶媒にて10質量に希釈した液を用いてスピンコート法により塗布後、得られた塗膜を80°C、1分で乾燥し、乾燥後膜厚150nmのパーヒドロポリシラザン含有層を作製した。膜厚は、TEMTransmissionElectronMicroscope:透過電子顕微鏡の断面写真より、明確な界面が見られることで確認できた。工程b:パーヒドロポリシラザン層の改質処理酸化によるバリア層の作製上記の工程aで得られたパーヒドロポリシラザン層を有するフィルム基材に対して、下記に記載の真空紫外線VUV照射を行い、バリア層を形成した。真空紫外線VUV光照射処理条件真空紫外線VUV光の照射条件は下記の装置を用いランプと試料との間隔Gapともいうを3mmとなるように試料を設置し、照射した。照射時間は、可動ステージの可動速度を調整して変化した。また、真空紫外線VUV光照射時の酸素濃度の調整は、照射庫内に導入する窒素ガス、及び酸素ガスの流量をフローメーターにより測定し、庫内に導入するガスの窒素ガス/酸素ガス流量比により調整した。真空紫外線照射装置:ステージ可動型キセノンエキシマ照射装置MDエキシマ社製、MECL-M-1-200照度:140mW/cm2ステージ温度:100°C処理環境:ドライ窒素ガス雰囲気下処理環境の酸素濃度:0.1ステージ可動速度:10mm/秒で10回搬送バリア層の相対エッチングレート第1の応力緩和層における相対エッチングレートと同様にして、バリア層の相対エッチングレート相対ERを求めたところ、1.4であった。このときのバリア層全領域の原子組成は、XPS表面分析より膜厚深さ方向において一定ではないことが確認されており、様々な原子組成からなるバリア層の平均的な相対エッチングレートとして求められている。保護層保護層の形成上記バリア層上に、さらに第1の応力緩和層と同様の大気圧プラズマ法AGP法によって、ガスバリア性フィルム1における保護層を形成することで、本発明のガスバリア性フィルム1を作製した。混合ガス組成物放電ガス:窒素ガス94.9体積薄膜形成ガス:ヘキサメチルジシロキサン0.1体積添加ガス:酸素ガス5.0体積保護層の相対エッチングレート第1の応力緩和層における相対エッチングレートと同様にして、保護層の相対エッチングレート相対ERを求めたところ、2.0であった。《ガスバリア性フィルム2の作製》上記ガスバリア性フィルム1の作製において、大気圧プラズマ法AGP法によって第1の応力緩和層を形成する際の成膜速度が0.7nm/秒になるように調整しながら行った以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム2を作製した。ガスバリア性フィルム2における第1の応力緩和層の相対エッチングレート相対ERは、1.1と求められた。《ガスバリア性フィルム3の作製》上記ガスバリア性フィルム1の作製において、大気圧プラズマ法AGP法によって第1の応力緩和層を形成する際の成膜速度が1.2nm/秒になるように調整しながら行った以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム3を作製した。ガスバリア性フィルム3における第1の応力緩和層の相対エッチングレート相対ERは、1.5と求められた。《ガスバリア性フィルム4の作製》上記ガスバリア性フィルム1の作製において、大気圧プラズマ法AGP法によって第1の応力緩和層を形成する際の薄膜形成ガス原料ガスをテトラエトキシシランからヘキサメチルジシロキサンに変更し、成膜速度が10nm/秒になるように調整しながら行った以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム4を作製した。ガスバリア性フィルム4における第1の応力緩和層の相対エッチングレート相対ERは、2.0と求められた。《ガスバリア性フィルム5の作製》上記ガスバリア性フィルム1の作製において、大気圧プラズマ法AGP法の代わりに真空プラズマCVD法によって第1の応力緩和層を形成した以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム5を作製した。第1の応力緩和層の形成真空プラズマCVD装置を用いて、基材上に本発明の第1の応力緩和層を形成した。成膜条件高周波電源:27.12MHz電極間距離:20mmフィルム基板温度:100°Cガス圧:200Pa原料ガスアルゴンガス流量:150sccmシランガス流量:7.5sccm亜酸化窒素ガス流量:130sccmガスバリア性フィルム5における第1の応力緩和層の相対エッチングレート相対ERは、2.0と求められた。《ガスバリア性フィルム6の作製》上記ガスバリア性フィルム1の作製において、大気圧プラズマ法AGP法の代わりにスパッタ法によって第1の応力緩和層を形成した以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム6を作製した。第1の応力緩和層の形成RFマグネトロンスパッタリング法により、基材上に本発明の第1の応力緩和層を形成した。成膜条件フィルム基板温度:室温不活性ガス:アルゴンガスターゲット:二酸化ケイ素ガスバリア性フィルム6における第1の応力緩和層の相対エッチングレート相対ERは、2.5と求められた。《ガスバリア性フィルム7の作製》上記ガスバリア性フィルム1の作製において、大気圧プラズマ法AGP法の代わりに真空蒸着法によって第1の応力緩和層を形成した以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム7を作製した。第1の応力緩和層の形成真空蒸着装置を用いて、基材上に本発明の第1の応力緩和層を形成した。成膜条件フィルム基板温度:60°C真空度:4×106Pa蒸着源:二酸化ケイ素ガスバリア性フィルム7における第1の応力緩和層の相対エッチングレート相対ERは、3.0と求められた。《ガスバリア性フィルム8の作製》上記ガスバリア性フィルム3の作製において、バリア層の改質条件VUV光照射処理条件のひとつであるステージ可動速度を10mm/秒で10回搬送から10mm/秒で4回搬送に変更した以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム8を作製した。ガスバリア性フィルム8におけるバリア層の相対エッチングレート相対ERは、2.5と求められた。《ガスバリア性フィルム9の作製》上記ガスバリア性フィルム3の作製において、バリア層の改質条件VUV光照射処理条件のひとつである処理環境の酸素濃度を0.1から1に変更した以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム9を作製した。ガスバリア性フィルム9におけるバリア層の相対エッチングレート相対ERは、1.1と求められた。《ガスバリア性フィルム10の作製》上記ガスバリア性フィルム3の作製において、ガスバリア性フィルム1における第1の応力緩和層と同様の条件にて、ガスバリア性フィルム10における保護層を形成した以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム10を作製した。ガスバリア性フィルム10における保護層の相対エッチングレート相対ERは、1.0と求められた。《ガスバリア性フィルム11の作製》上記ガスバリア性フィルム3の作製において、保護層を下記のように形成した以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム11を作製した。保護層の形成バリア層上にグラスカHPC7003主剤とHPC404H硬化促進剤JSR社製の10:1混合物を、乾燥後の膜厚がおよそ600nmとなる条件にて塗布した後、80°Cで10分間乾燥後、ガスバリア性フィルム8におけるバリア層の改質処理と同様のVUV光照射条件下にて処理することで、ガスバリア性フィルム11における保護層を形成した。ガスバリア性フィルム11における保護層の相対エッチングレート相対ERは、3.0と求められた。《ガスバリア性フィルム12の作製》上記ガスバリア性フィルム4の作製において、ガスバリア性フィルム1における第1の応力緩和層と同様の条件にて、第1の応力緩和層上にさらに第2の応力緩和層を形成ただし、ガスバリア性フィルム12における第2の応力緩和層の膜厚は、およそ20nmした以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム12を作製した。ガスバリア性フィルム12における第2の応力緩和層の相対エッチングレート相対ERは、1.0と求められた。《ガスバリア性フィルム13の作製》上記ガスバリア性フィルム12の作製において、大気圧プラズマ法AGP法によって第2の応力緩和層を形成する際の成膜速度が1.0nm/秒になるように調整しながら行った以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム13を作製した。ガスバリア性フィルム13における第2の応力緩和層の相対エッチングレート相対ERは、1.4と求められた。《ガスバリア性フィルム14の作製》上記ガスバリア性フィルム12の作製において、大気圧プラズマ法AGP法によって第2の応力緩和層を形成する際の成膜速度が1.2nm/秒になるように調整しながら行った以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム14を作製した。ガスバリア性フィルム14における第2の応力緩和層の相対エッチングレート相対ERは、1.5と求められた。《ガスバリア性フィルム15の作製》上記ガスバリア性フィルム12の作製において、ガスバリア性フィルム3における第1の応力緩和層と同様の条件にて第1の応力緩和層を形成した以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム15を作製した。ガスバリア性フィルム15における第1の応力緩和層の相対エッチングレート相対ERは、1.5と求められた。《ガスバリア性フィルム16の作製》上記ガスバリア性フィルム12の作製において、ガスバリア性フィルム7における第1の応力緩和層と同様の条件にて第1の応力緩和層を形成した以外は同様にして、本発明のガスバリア性フィルム16を作製した。ガスバリア性フィルム16における第1の応力緩和層の相対エッチングレート相対ERは、3.0と求められた。《比較のフィルム17の作製》本発明のガスバリア性フィルム1の作製において、第1の応力緩和層及び保護層を形成しない以外は同様にして、比較のフィルム17を作製した。《比較のフィルム18の作製》本発明のガスバリア性フィルム3の作製において、保護層を形成しない以外は同様にして、比較のフィルム18を作製した。《比較のフィルム19の作製》比較のフィルム18の作製において、バリア層を下記のように形成した以外は同様にして、比較のフィルム19を作製した。バリア層の形成乾燥後のパーヒドロポリシラザン含有層を湿度90RH下、80°Cにて5分間処理した後、更に100°Cの真空オーブン中で8時間乾燥することで、ポリシラザンが酸化ケイ素を主成分とする膜に転化された層を形成した。比較のフィルム19におけるバリア層の相対エッチングレート相対ERは、1.0と求められた。《比較のフィルム20の作製》比較のフィルム19の作製において、本発明のガスバリア性フィルム1と同様にして更に保護層を設けた以外は同様にして、比較のフィルム20を作製した。《比較のフィルム21の作製》本発明のガスバリア性フィルム1の作製において、第1の応力緩和層を下記のように形成した以外は同様にして、比較のフィルム21を作製した。第1の応力緩和層の形成真空プラズマCVD装置を用いて、ダイヤモンドライクカーボンDLC薄膜からなる第1の応力緩和層を形成した。成膜条件フィルム基板温度:100°C不活性ガス:アルゴンガス原料ガス:アセチレンガス比較のフィルム21におけるバリア層の相対エッチングレート相対ERは、0.9と求められた。《比較のフィルム22の作製》本発明のガスバリア性フィルム7の作製において、真空蒸着法によって第1の応力緩和層を形成する際の条件を調整することで、第1の応力緩和層の相対エッチングレート相対ERが3.5になるように形成した以外は同様にして、比較のフィルム22を作製した。《比較のフィルム23の作製》本発明のガスバリア性フィルム8の作製において、バリア層の改質条件VUV光照射処理条件のひとつであるステージ可動速度を10mm/秒で4回搬送から10mm/秒で3回搬送に変更した以外は同様にして、比較のフィルム23を作製した。比較のフィルム23におけるバリア層の相対エッチングレート相対ERは、2.6と求められた。《比較のフィルム24の作製》本発明のガスバリア性フィルム3の作製において、保護層を比較のフィルム21における第1の応力緩和層と同様にして形成した以外は同様にして、比較のフィルム24を作製した。《比較のフィルム25の作製》本発明のガスバリア性フィルム3の作製において、保護層を比較のフィルム22における第1の応力緩和層と同様にして形成した以外は同様にして、比較のフィルム25を作製した。《ガスバリア性フィルムの水蒸気透過率WVTR特性の評価》評価1:屈曲耐性60°C、90RHの評価本発明のガスバリア性フィルム1~16及び比較のフィルム17~25について、屈曲前後のガスバリア性の変化を確認するために、あらかじめ、半径10mmの曲率になるように、180度の角度で100回屈曲を繰り返す処理を施したガスバリア性フィルムと、上記屈曲の処理を行わなかったガスバリア性フィルムについて、以下に示す方法に従って水蒸気透過率WVTRを測定し、下記に示すように4段階のランク評価を行い、ガスバリア性を評価した。水蒸気透過率の測定装置蒸着装置:日本電子株製真空蒸着装置JEE-400恒温恒湿度オーブン:YamatoHumidicChamberIG47M原材料水分と反応して腐食する金属:カルシウム粒状水蒸気不透過性の金属:アルミニウムφ3~5mm、粒状蒸気バリア性評価用セルの作製真空蒸着装置日本電子製真空蒸着装置JEE-400を用い、各フィルムガスバリア性フィルム1~16、比較のフィルム17~25試料の蒸着させたい部分12mm×12mmを9箇所以外をマスクし、金属カルシウムを蒸着させた。その後、真空状態のままマスクを取り去り、シート片側全面にアルミニウムをもう一つの金属蒸着源から蒸着させた。アルミニウム封止後、真空状態を解除し、速やかに乾燥窒素ガス雰囲気下で、厚さ0.2mmの石英ガラスに封止用紫外線硬化樹脂ナガセケムテックス製を介してアルミニウム封止側と対面させ、紫外線を照射することで、評価用セルを作製した。得られた両面を封止した試料を60°C、90RHの高温高湿下で保存し、特開2005-283561号公報記載の方法に基づき、金属カルシウムの腐食量からセル内に透過した水分量を計算した。このとき、本発明においては、セルの腐食面積が1になるまでの腐食速度から求めたWVTRを1WVTR、腐食面積が100、すなわち全面腐食になるまでの腐食速度から求めたWVTRを100WVTR平均WVTRともいうと呼ぶことにする。ランク評価4:1×103g/m2/day未満3:1×103g/m2/day以上、3×103g/m2/day未満2:3×103g/m2/day以上、1×101g/m2/day未満1:1×101g/m2/day以上評価2:高温高湿耐性の評価得られたフィルム1~25について、屈曲させず、60°C、90RHに調整した高温高湿槽恒温恒湿度オーブン:YamatoHumidicChamberIG47M内に、100時間連続で保管した後、上記評価1と同様にして、100WVTRにて水蒸気透過率を測定し、同様のランク評価を行った。本評価項目が良好の場合、湿熱耐性が高いことを示す。評価3:急激腐食度の評価本発明における急激腐食度とは、あるレベル以上のガスバリア性を有し、かつ、水蒸気がガスバリアフィルムへの透過を始めてから透過速度腐食速度が急激に増加していないか100WVTR/30WVTRが小さい程、急激劣化が少ない、すなわち安定であると判断できるを評価するものであり、ガスバリアフィルム自体の安定性の指標湿熱耐性とする。評価1、2と同様にして、下記の3段階のランク評価を行った。ただし、本発明においては、セルの腐食面積が30になるまでの腐食速度から求めたWVTRを30WVTRと呼ぶことにする。ランク評価3:1WVTRが3×103g/m2/day未満、かつ、100WVTR/30WVTRが10未満2:1WVTRが3×103g/m2/day未満、かつ、100WVTR/30WVTRが10以上100以下1:1WVTRが3×103g/m2/day以上、かつ、100WVTR/30WVTRが100以上《ガスバリア性フィルムのカール耐性の評価》本発明のガスバリア性フィルム1~16及び比較のフィルム17~25について、水洗処理前後での基材の最大変形度の評価を行った。基材の最大変形度は、基材の最大変形度=水洗処理後のフィルムの変形量-初期のフィルムの変形量で求めた。フィルムの変形量は、10cm×10cmのフィルムを平坦な台の上に静置した状態で、フィルムがカールすることによって台から浮いている頂点と台との距離の最大値から求めた。下記に示すように4段階のランク評価を行い、カール耐性を評価した。ランク評価4:基材の変形度が0mm以上2mm未満3:基材の変形度が2mm以上3mm未満2:基材の変形度が3mm以上10mm未満1:基材の変形度が10mm以上以上により得られた結果を、表1に示す。表1に記載の結果から明らかなように、比較のガスバリアフィルム17~25に比べて、本発明のガスバリアフィルム1~16は、各々、ガスバリア性水蒸気透過率が低いが高く、ガスバリア層の急激劣化が抑制され、高温高湿化で保存しても優れたバリア性を維持経時安定性し、屈曲性ヒビ割れ耐性、カール耐性素子作製プロセス耐性にも優れていることが明らかである。実施例2《有機光電変換素子1~25の作製》実施例1で作製した本発明のガスバリア性フィルム1~16、比較のフィルム17~25に、インジウムスズ酸化物ITO透明導電膜を150nm堆積したものシート抵抗10Ω/□導電膜形成前に加熱処理したものを、通常のフォトリソグラフィ技術と湿式エッチングとを用いて2mm幅にパターニングして、第1の電極を作製した。パターン形成した第1の電極を、界面活性剤と超純水による超音波洗浄、超純水による超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。この透明基板上に、導電性高分子であるBaytronP4083スタルクヴィテック社製を膜厚が30nmになるように塗布乾燥した後、150°Cで30分間熱処理させ正孔輸送層を製膜した。これ以降は、基板を窒素チャンバー中に持ち込み、窒素雰囲気下で作製した。まず、窒素雰囲気下で上記基板を150°Cで10分間加熱処理した。次に、クロロベンゼンにP3HTプレクトロニクス社製:レジオレギュラーポリ-3-ヘキシルチオフェンとPCBMフロンティアカーボン社製:6,6-フェニル-C61-ブチリックアシッドメチルエステルを3.0質量になるように1:0.8で混合した液を調製し、フィルタでろ過しながら膜厚が100nmになるように塗布を行い、室温で放置して乾燥させた。続けて、150°Cで15分間加熱処理を行い、光電変換層を製膜した。次に、上記一連の機能層を製膜した基板を真空蒸着装置チャンバー内に移動し、1×104Pa以下に真空蒸着装置内を減圧した後、蒸着速度0.01nm/秒でフッ化リチウムを0.6nm積層し、更に続けて、2mm幅のシャドウマスクを通して受光部が2×2mmに成るように直行させて蒸着、蒸着速度0.2nm/秒でAlメタルを100nm積層することで第2の電極を形成した。得られた各々の有機光電変換素子を窒素チャンバーに移動し、封止用キャップとUV硬化樹脂を用いて封止を行って、受光部が2×2mmサイズの有機光電変換素子1~25を作製した。次いで、下記の方法に従って封止用のガスバリアフィルム試料の作製及び有機光電変換素子の封止を行った。窒素ガス不活性ガスによりパージされた環境下で、ガスバリアフィルム1~25の各二枚を用い、ガスバリア層を設けた面に、シール材としてエポキシ系光硬化型接着剤を塗布したものを、各々対応する有機光電変換素子1~25の各々の封止用フィルム1~25として作製した。次いで、上記の有機光電変換素子1~25を、上記接着剤を塗布した二枚のガスバリアフィルム試料の接着剤塗布面の間に挟み込んで密着させた後、片側の基板側からUV光を照射して硬化させ、有機光電変換素子1~25の封止処理を行い、本発明の有機光電変換素子1~16と、比較の有機光電変換素子17~25を得た。《太陽電池の作製及びエネルギー変換効率の評価》上記で得られた有機光電変換素子1~16、比較の有機光電変換素子17~25の評価は、各々の素子を用いて、太陽電池1~16、比較の太陽電池17~25を各々作製し、エネルギー変換効率を求め、各々に素子としての耐久性を評価した。尚、有機光電変換素子1~16、比較の有機光電変換素子17~25の各々の評価は、ソーラーシミュレーターAM1.5Gフィルタの100mW/cm2の強度の光を照射し、有効面積を4.0mm2にしたマスクを受光部に重ね、太陽電池1~16、比較の太陽電池17~25としてのIV特性を各々評価した。具体的には、短絡電流密度JscmA/cm2、開放電圧VocV及びフィルファクターFFを、素子上に形成した4箇所の受光部をそれぞれ測定し、下記式1に従って求めたエネルギー変換効率PCEの4点平均値を見積もった。式1PCE=JscmA/cm2×VocV×FF/100mW/cm2得られた初期電池特性としての変換効率を測定し、性能の経時的低下の度合いを、温度60°C、湿度90RH環境で2000時間保存した強制劣化試験後の変換効率残存率として、強制劣化試験後の変換効率/初期変換効率の比として求め、下記の基準に従って、耐久性の評価を行ったOPV素子性能。3:変換効率残存率が、70以上2:変換効率残存率が、40以上、70未満1:変換効率残存率が、40未満尚、実用上に耐えうるのはランク2以上である。得られた結果を表1に合わせて示した。表1に記載の結果より明らかなように、比較のフィルムを用い作成した有機光電変換素子17~25を備えた比較太陽電池17~25に対し、本発明のガスバリア性フィルムを用い作成した有機光電変換素子1~16を備えた本発明の太陽電池1~16は、60°C、90RHという極めて過酷な環境高温高湿条件下においても極めて高い耐久性を示すことが分かった。"