チャンバー内に設けられたサセプタ上にシリコンウェーハを載置し、前記サセプタの上方及び下方にそれぞれ設けられた上側ヒーター及び下側ヒーターで前記シリコンウェーハを加熱し、前記上部ヒーターと対向する前記シリコンウェーハの一方の主面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、予め裏面側を撥水面としたシリコンウェーハを前記サセプタ上に載置するウェーハ導入工程と、前記上側ヒーター及び前記下側ヒーターを用いて前記チャンバー内で前記シリコンウェーハを水素ガス雰囲気で熱処理する水素ベーク工程と、前記水素ベーク後、前記チャンバー内に原料ガスを供給して前記シリコンウェーハの前記一方の主面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャル成長処理を実施するエピタキシャル成長工程とを含み、前記水素ベーク工程は、前記上部ヒーター及び前記下部ヒーターを含むヒーター全体に対する前記下側ヒーターの出力パワー比率を48から58までの範囲内に設定して、前記チャンバー内の昇温を実施することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。前記サセプタの少なくとも上面にシリコン膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。複数枚のシリコンウェーハに対して前記エピタキシャル成長処理を実施した後に前記チャンバー内部のクリーニングを1回実施するマルチデポ処理を行うと共に、前記エピタキシャル成長処理の回数の増加に合わせて、前記昇温過程における前記下側ヒーターの加熱比率を低下させることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。前記サセプタの底壁部の厚みは2.8mm以上6mm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。前記サセプタの前記底壁部に貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項4に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。本発明者の実験によれば、上記した特許文献1~3で記載されるように、エピタキシャル成長処理前にウェーハ裏面の自然酸化膜を除去したとしても、以下に示すエピタキシャル成長処理条件によっては、ウェーハの裏面にクモリが発生する場合があることが判明した。近年、サセプタ基材からの金属汚染を防止するために、サセプタ表面をシリコン膜でコーティングした後、当該サセプタ上にウェーハを載置してエピタキシャル成長処理を行う場合がある。ところが、このようなシリコンコートサセプタを使用してエピタキシャル成長処理を実施した場合、処理後のウェーハの裏面にクモリエッチング斑、裏面クモリが発生することが散見された。また、通常、エピタキシャル成長処理を経たチャンバー内の壁面やサセプタ等にはシリコンなどが付着堆積するため、エピタキシャル成長処理後に、チャンバー内クリーニングを実施した後、次のエピタキシャル成長処理が実施されている。チャンバー内クリーニングは、例えば、チャンバー内に塩化水素ガスや三フッ化塩素ガス等のクリーニングガスを供給して付着堆積物を除去する処理である。近年、生産性の向上を目的として、エピタキシャル成長処理後のチャンバー内クリーニングを毎回行わず、エピタキシャル成長処理を複数回例えば10回実施した後にチャンバー内クリーニングを1回実施する操業方式以下、マルチデポ処理というが好ましく採用されている。ところが、このようなマルチデポ処理を実施した場合、マルチデポ処理の回数が増大するに連れて、ウェーハの裏面にクモリが多発することが確認された。ウェーハの裏面クモリは外観不良であり、製品ウェーハとして好ましくない。ウェーハ裏面にクモリがあると、裏面のパーティクル測定において誤検出が生じるおそれがある。また、ウェーハの表面のみならず裏面にまで高平坦化が要求される昨今のニーズに応えることができない。本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、シリコンコートサセプタを使用する場合やマルチデポ処理を実施する場合であっても、ウェーハの裏面クモリの発生を防止することが可能なシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。本発明者は、上記問題が発生する原因について鋭意研究を重ねた結果、ウェーハの裏面クモリはエピタキシャル成長処理中に発生するのではなく、エピタキシャル成長処理の前に行われる水素ベーク工程水素熱処理工程ともいうの昇温過程で発生し、上側ヒーターと下側ヒーターとの出力パワー比加熱比率を制御することで裏面クモリの発生を防止できることを見出した。これまで、シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する前に、ウェーハ裏面の自然酸化膜を除去することが必要とされてきた。自然酸化膜が除去されなければ、その後のエピタキシャル成長処理において、ウェーハ裏面にSiが不均一に成長してしまい、クモリやハローが生じるからである。ところが、自然酸化膜を除去したウェーハを使用しても、シリコンコートしたサセプタを使用してエピタキシャル成長処理を行った場合にはウェーハ裏面にクモリが発生することが実験により明らかとなった。この実験結果から、サセプタ表面にコートしたシリコン膜がウェーハ裏面へのクモリ発生に関与しているものと推定できる。また、シリコンコートしていないサセプタを使用してエピタキシャル成長処理を行う場合でも、マルチデポ処理を行った場合には、マルチデポ処理の回数が増大するにつれて、ウェーハ裏面にクモリが発生する。エピタキシャル成長処理中、ウェーハ裏面側にも成長ソースガスが回り込み、サセプタの底面部の表面に僅かながらもシリコン生成物が堆積していく。使用当初はシリコンコートしていないサセプタであっても、マルチデポ処理回数の増大に伴い、サセプタの底面部の表面に堆積するシリコン生成物の厚みが増加し、前述したシリコンコートしたサセプタと同様の状態になってしまう。このため、サセプタへのシリコンコートと同様に、サセプタ表面のシリコン膜がウェーハ裏面へのクモリ発生に関与しているものと推定できる。さらに、もう一つの要因として、高温熱処理条件下においてはサセプタ変形凸化が生じ、マルチデポ処理回数が増えるごとに変形量も増え、その結果、サセプタ表面とウェ-ハ裏面の隙間が狭くなることで、前記の現象が加速されるものと推察できる。シリコンコートやマルチデポ処理によって、サセプタ表面に形成されたシリコン膜は、SiCなどのカーボン基材からなるサセプタ表面上に気相成長されたシリコン膜であるため、単結晶シリコン膜ではなく多結晶シリコン膜である。多結晶シリコン膜は非常にポーラスであって、内部に他の成分が取り込まれやすく、サセプタへのシリコンコート処理時に使用される原料ガスSiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4など中のCl基などが内部に取り込まれており、その他水分なども吸着されている可能性がある。このため、エピタキシャル成長処理において高温熱処理を受けることによって、サセプタ表面のシリコン膜中の成分例えばHCl成分あるいはSi成分などがウェーハ裏面に転写マストランスファーされ、ウェーハ裏面がエッチングあるいはSi成長などによりウェーハ裏面のクモリを発生させているものと推測される。なお、原子間力顕微鏡AFMを用いて、エピタキシャル成長処理後のウェーハ裏面のクモリ部微小凹凸部を観察しても、サセプタ表面のシリコン膜中の活性なHCl成分などがウェーハ裏面側に転写されて形成された凹凸なのか、ウェーハ裏面がエッチングされて形成された凹凸なのか、シリコン膜中の活性なSi成分がウェーハ裏面側に転写されてSi成長により凹凸が形成されたものなのか、あるいはこれら両方の現象が複合されて形成された凹凸なのかまでは判別できない。いずれにしても、マストランスファー作用は、温度の高いところから温度の低いところへの物質移動によって起きる現象であるから、マストランスファー作用を抑制するには、サセプタ側の温度が低下するように加熱手段を調整することが有効である。しかしながら、本発明者の研究によれば、エピタキシャル成長処理時に下側ヒーターのパワーを低下させてエピタキシャル成長処理を行っても、ウェーハ裏面へのクモリ発生を抑制することができず、エピタキシャル膜成長を開始する前に実施する、水素ベーク工程における昇温過程において、下側ヒーターのパワーを低下させることが裏面クモリ発生低減に有効であることを確認した。これは、以下の理由によるものと推測される。水素ベークの昇温工程では、低温状態のシリコンウェ-ハをチャンバー内に配置されたサセプタ上に搬入載置して、極短時間の間で所定温度にまで達するように上下からのランプ照射により昇温される。このとき、チャンバー内の温度環境は、ランプ照射によって発熱体として機能するサセプタの温度が高く、ウェーハ温度が低い状態で昇温処理が進行するため、ウェーハ中心付近が下側に大きく反った凹形状の状態となる。このため、昇温工程にあっては、ウェーハ裏面の中心付近とサセプタ表面との間隔距離が狭く、マストランスファーが最も起こり易い環境となる。その後、水素ベーク処理の時間の経過とともにウェーハの反りが回復されるため、エピタキシャル成長処理時にはマストランスファーが起こらないものと推測される。実際、水素ベーク処理の昇温工程において裏面クモリを発生させなければ、その後のエピタキシャル成長処理において裏面クモリが発生しないことが確認された。なお、サセプタの底部厚みが適切でない薄すぎる場合には、下側ヒーターのパワーを低下させただけでは、裏面クモリ発生を防止できないケースも確認され、サセプタの底部厚みも裏面クモリに影響を与える因子であることを知見した。具体的には、サセプタ底部の厚みを2.8~6mmの範囲に調整することが有効である。このように、本発明者は、水素ベーク処理の昇温工程における下側ヒーターの出力パワー比率が裏面クモリ発生に影響を与える因子であることを知見し、本発明を完成させたものである。本発明は以上のような技術的知見に基づくものであり、本発明によるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、チャンバー内に設けられたサセプタ上にシリコンウェーハを載置し、前記サセプタの上方及び下方にそれぞれ設けられた上側ヒーター及び下側ヒーターで前記シリコンウェーハを加熱し、前記シリコンウェーハの一方の主面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる方法であって、予め裏面側を撥水面としたシリコンウェーハを前記サセプタ上に載置するウェーハ導入工程と、前記上側ヒーター及び前記下側ヒーターを用いて前記チャンバー内で前記シリコンウェーハを水素ガス雰囲気で熱処理する水素ベーク工程と、前記水素ベーク後、前記チャンバー内に原料ガスを供給して前記シリコンウェーハの前記一方の主面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャル成長処理を実施するエピタキシャル成長工程とを含み、前記水素ベーク工程は、前記上部ヒーター及び前記下部ヒーターを含むヒーター全体に対する前記下側ヒーターの出力パワー比率を48から58までの範囲内に設定して、前記チャンバー内の昇温を実施することを特徴とする。本発明において、前記サセプタの少なくとも上面にはシリコン膜が形成されていることが好ましい。シリコンコートサセプタを用いる場合には本発明の効果が顕著であり、ウェーハの裏面クモリの発生を防止することができる。本発明によるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、複数枚のシリコンウェーハに対して前記エピタキシャル成長処理を実施した後に前記チャンバー内部のクリーニングを1回実施するマルチデポ処理を行うと共に、前記エピタキシャル成長処理の回数の増加に合わせて、前記昇温過程における前記下側ヒーターの加熱比率を低下させることが好ましい。マルチデポ処理を実施する場合には本発明の効果が顕著であり、ウェーハの裏面クモリの発生を防止することができる。本発明において、前記サセプタの底壁部の厚みは2.8mm以上6mm以下であることが好ましい。サセプタの底壁部の厚みが2.8mm以上6mm以下であれば、ウェーハの裏面クモリの発生を確実に防止することができる。本発明において、前記サセプタの前記底壁部には貫通孔が設けられていることが好ましい。一般的に、エピタキシャル成長処理の熱処理によって、シリコンウェーハ中のドーパントがウェーハ裏面から外方拡散して、成長するエピタキシャル層に取り込まれる現象オートドープ現象が発生するが、この構成によれば、ウェーハ裏面から外方拡散するドーパントをサセプタに形成した貫通孔を通じてサセプタ外方に向けて速やかに排出することができ、形成するエピタキシャル層の面内抵抗分布の均一化を図ることができる。本発明によれば、シリコンコートサセプタを使用する場合やマルチデポ処理を実施する場合であっても、ウェーハの裏面クモリの発生を防止することが可能なシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することができる。以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。図1は、シリコンエピタキシャルウェーハの製造工程を概略的に示すフローチャートである。図1に示すように、シリコンエピタキシャルウェーハの製造では、まずCZ法により育成されたシリコンインゴットからスライスした所定サイズ例えば口径300mmのシリコンウェーハを用意するステップS101。次に、面取り用の砥石を用いて、シリコンウェーハの周縁部を所定形状に面取りするステップS102。その結果、シリコンウェーハの周縁部は、断面が所定の丸みを帯びた形状に成形される。次に、ラップ盤を用いてシリコンウェーハにラップ加工を施しステップS103、その後、ラップドウェーハを所定のエッチング液混酸またはアルカリ混酸に浸漬してエッチングするステップS104。このエッチング工程により、ラップ加工での歪み、面取り工程などの歪みなどが除去される。この場合、通常片面で20μm、両面で40μm程度をエッチングすることが好ましい。その後、必要に応じシリコンウェーハにドナーキラー熱処理工程を施すステップS105。次に、このシリコンウェーハを両面研磨してシリコンウェーハの表面および裏面に鏡面加工を施しステップS106、さらに後述する第1~第3の洗浄工程を順に実施するステップS107~S109。この後、シリコンウェーハの表面にシリコンのエピタキシャル膜を成長させるステップS110。すなわち、原料ガスであるトリクロロシランSiHCl3を、キャリアガスであるH2ガス及び必要に応じたドーパントガスとともにチャンバーへ導入し、1000~1200°Cの高温に熱せられたシリコンウェーハ上に、原料ガスの熱分解または還元によって生成されたシリコンを、反応速度0.5~6.0μm/分で成長させる。最後に、エピタキシャル成長処理洗浄工程を行うステップS111。具体的には、エピタキシャル成長前の第1の洗浄工程と同じRCA洗浄SC-1液による洗浄およびSC-2液による洗浄である。以上の工程により、エピタキシャルウェーハが完成する。図2は、第1~第3の洗浄工程を示すフローチャートである。図2に示すように、第1の洗浄工程では、まず、シリコンウェーハの表裏面をSC-1液アルカリ洗浄で洗浄しステップS201、この後、SC-2液酸洗浄で洗浄するステップS202。SC-1液は、アンモニア水溶液:過酸化水素水:水=1:5:50の比容量比で作製し、50~85°Cで洗浄する。このSC-1洗浄により、シリコンウェーハの表裏面に付着したパーティクルが除去される。また、SC-2液は、塩酸水溶液:過酸化水素水:水=1:1:100~1:1:5の比容量比で作製し、常温室温~70°Cで洗浄する。このSC-2洗浄により、シリコンウェーハの表裏面の金属不純物が除去される。次に、シリコンウェーハの裏面を洗浄する第2の洗浄工程を実施する。第2の洗浄工程では、まず、シリコンウェーハを枚葉式の洗浄装置にセットする。そして、シリコンウェーハの裏面に純水を噴出して、純水でリンスするステップ203。次いで、シリコンウェーハの裏面にHF溶液を噴出して、3wtの20°CのHF溶液で洗浄するステップS204。この後、シリコンウェーハの裏面に純水を噴出して、純水でリンスするステップS205。最後に、シリコンウェーハをスピン乾燥させてステップS206、第2の洗浄工程を完了させる。以上の第2の洗浄工程により、シリコンウェーハの裏面は撥水面になる。なお、撥水面としては、接触角で30度以上のものであればよく、最大90度以内の撥水面とすることが望ましい。次に、シリコンウェーハの表面を洗浄する第3の洗浄工程を実施する。第3の洗浄工程では、まず、枚葉式の洗浄装置にセットされているシリコンウェーハの表面に純水を噴出して、純水でリンスするステップS207。次いで、純水を噴出して、スポンジブラシを使用して、シリコンウェーハの表面をスクラブしながら純水でリンスするステップS208。この後、スポンジブラシを使用せず純水でリンスするステップS209。さらに、シリコンウェーハの表面にHF溶液を噴出して、3wtの20°CのHF溶液で洗浄するステップS210。さらに、シリコンウェーハの表面に純水を噴出して、純水でリンスするステップS211。最後に、シリコンウェーハの表面をスピン乾燥させてステップS212、第3の洗浄工程を完了させる。以上の第3の洗浄工程により、シリコンウェーハの表面も撥水面になる。なお、シリコウェーハ表面側をHF溶液で洗浄して撥水面にする工程ステップS210を実施する形態について説明したが、ウェーハ表面側に自然酸化膜が存在していても、後述する水素ベーク工程においてウェーハ表面側には水素ガスが十分に接触して自然酸化膜が除去されるため、この工程を省略してもよい。以上の第1から第3の洗浄工程により、シリコンウェーハの表裏面のパーティクルが除去されるとともに、シリコンウェーハの表裏面のそれぞれが撥水面となる。シリコンウェーハが撥水面になると、自然酸化膜が少なくなる。このときの自然酸化膜の厚さは数nm程度の極僅かな厚さであり、シリコンウェーハ裏面に残存する自然酸化膜を起因とした裏面クモリの発生を防止することができる。図3は、本実施形態によるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において使用される枚葉式の気相成長装置の構成を示す略側面断面図である。図3に示すように、気相成長装置1は、チャンバー11と、チャンバー11の内部に設けられてシリコンウェーハWを上面で支持するサセプタ20とを備えている。チャンバー11には、該チャンバー11内に原料ガス例えば、トリクロロシラン及びキャリアガス例えば、水素を含む気相成長用ガスをサセプタ20の上側の領域に導入してサセプタ20上のシリコンウェーハWの一方の主面主表面上に供給する気相成長用ガス導入管15が設けられている。さらに、チャンバー11のうちの、気相成長用ガス導入管15が設けられた側と反対側には、チャンバー11内のガスが排気される排気管16が設けられている。チャンバー11の外部には、該チャンバー11を上側から加熱する上側ヒーター14aと下側から加熱する下側ヒーター14bとが設けられている。ヒーター14a、14bとしては、例えば、ハロゲンランプ等が挙げられる。また、上側ヒーター14a及び下側ヒーター14bは、後述するがそれぞれの出力パワー比率加熱比率を制御できるようになっており、加熱比率を制御することによって本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハを製造することを可能としている。図4は、本実施形態によるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において使用するサセプタの構造を示す模式図であって、aは側面断面図、bは正面図を示すものである。サセプタ20は、例えば炭化ケイ素で被覆されたグラファイトにより構成されている。サセプタ20はさらに、シリコンコートされたものであってもよい。このサセプタ20は、例えば略円板状に形成され、その主表面には、該主表面上にシリコンウェーハWを位置決めするための平面視略円形状の凹部である座ぐり21が形成されている。座ぐり21の内周壁には、シリコンウェーハWの裏面側周縁部を線接触あるいは線接触支持するように環状支持部21aが設けられている。これにより、シリコンウェーハWの裏面と座ぐり21の底壁部上面とが接触しないように離間された状態で環状支持部21aによってシリコンウェーハWが支持される。本実施形態において、サセプタ20の底壁部の厚みtは2.8~6.0mmであることが好ましい。すなわち、サセプタ20の底壁部の厚みtが薄くなる程、裏面クモリが発生し易くなる傾向にあり、2.8mm以上の厚みを確保することにより裏面クモリの発生をより低減することができる。ただし、6.0mmを超えると、裏面クモリは発生しないが、肉厚が厚すぎて、サセプタ20そのものの温度制御が困難となる。サセプタ20の底壁部には、座ぐり21に対してシリコンウェーハWの搬入搬出するための昇降用リフトピン13が挿通されるリフトピン用孔部22が形成されている。図3に示すように、リフトピン13は、丸棒状に形成された胴体部13aと、該胴体部13aの上端部に形成されてシリコンウェーハWを支持する頭部13bとを備えている。頭部13bは、シリコンウェーハWを支持しやすいように胴体部13aの径に比べて大きく形成されている。リフトピン13は矢印Aで示す上下方向に移動可能なリフトピン昇降部材17とともに昇降することができる。サセプタ20の底壁部のうちシリコンウェーハWと平面視にて重なる位置には、サセプタ20の表裏に貫通する貫通孔25が底壁部の外周に沿って円周状に複数個形成されている。これにより、エピタキシャル成長処理中、シリコンウェーハWの裏面から外方拡散するドーパントは、雰囲気ガスとともにサセプタ20に形成した貫通孔25を通じてサセプタ20下方に向けて速やかに排出され、エピタキシャル層の面内抵抗分布の均一化を図ることができる。また、図3に示すように、サセプタ20の裏面には、該裏面からサセプタ20を支持するサセプタ支持部材12が設けられている。このサセプタ支持部材12は矢印Bで示す方向に回転可能とされている。サセプタ支持部材12の先端部には、放射状に分岐した複数の支持アーム12aが設けられている。そして、支持アーム12aの先端部は、サセプタ20の裏面に接続されており、支持アーム12aはサセプタ20をその上面が略水平となるように支持する。また、支持アーム12aには、リフトピン13の胴体部13aが挿通する孔12bが形成されている。次に、気相成長装置1を用いたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法について説明する。まず、シリコンウェーハWを、投入温度例えば650°Cに設定したチャンバー11内のサセプタ20上にセットする。具体的には、リフトピン13上にシリコンウェーハWを受け渡すために、リフトピン昇降部材17を上昇させて、各リフトピン13をサセプタ20上面より上方に突出するように該サセプタ20に対し相対的に上昇させる。このようにサセプタ20に対し相対的にリフトピン13が上昇した状態で、図示しないハンドラによりシリコンウェーハWをチャンバー11内に搬送し、各リフトピン13の頭部13bにより主表面を上にしてシリコンウェーハWを支持させる。そして、ハンドラを退避させた後、リフトピン昇降部材17を下降させて各リフトピン13を降下させることにより、シリコンウェーハWの裏面周辺部が座ぐり21内の環状支持部21aによって支持され、リフトピン昇降部材17と各リフトピン13の係合が解除される。このようにサセプタ20の座ぐり21内にシリコンウェーハWを支持させたら、水素ガス雰囲気のチャンバー11内でシリコンウェーハWに熱処理を施す水素ベーク工程。すなわち、チャンバー11内に気相成長用ガス導入管15及びパージガス導入管16をそれぞれ介してチャンバー11内に水素ガスを流した状態で、チャンバー11内の温度が所定温度例えば、1110°C以上1180°C以下になるように上側ヒーター14a及び下側ヒーター14bに電力を供給して加熱する。この際に、サセプタ支持部材12を鉛直軸回りに回転駆動させることによりサセプタ20及びシリコンウェーハWを回転させる。これにより、シリコンウェーハWの主表面の自然酸化膜が水素ガスによりエッチングされて除去される。また、シリコンウェーハWの裏面の自然酸化膜も、貫通孔25を通って当該裏面に到達した水素ガスによりエッチングされる。この際、チャンバー11内を投入温度650°Cから水素熱処理温度約1150°Cまで昇温させる昇温過程において、ヒーター全体に対する下側ヒーター14bの加熱比率下側加熱比率を48~58の範囲に設定することにより、ウェーハの裏面クモリの発生を防止する。次いで、シリコンウェーハWの主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程。すなわち、チャンバー11内を上側ヒーター14aと下側ヒーター14bとの加熱比率を制御することによって所望の温度例えば、1100°C以上1150°C以下に設定し、気相成長用ガス導入管15を介してシリコンウェーハWの主表面上に気相成長用ガスを供給し、シリコンウェーハWの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。その後、チャンバー11内の温度を投入温度650°Cまで下げ、さらにチャンバー11内のガスを排気管16から排気した後、シリコンエピタキシャルウェーハを取り出し、一連のエピタキシャル成長工程が終了する。マルチデポ処理では、一枚のウェーハに対する一連のエピタキシャル成長工程の後、チャンバー11のクリーニングを行うことなく、次のウェーハのための一連のエピタキシャル成長工程を実施する。そして所定枚数のウェーハのエピタキシャル成長処理が完了した後、クリーニングを実施する。図5は、一連のエピタキシャル成長工程におけるチャンバー11内の温度変化を示すタイムチャートである。図5に示すように、ウェーハのロード時にはチャンバー内の温度が約650°Cに保たれている区間T1。ウェーハがロードされると、上側ヒーター14a及び下側ヒーター14bのPID制御によりチャンバー内の温度は約1100~1150°Cまで昇温される区間T2。その後、水素ベーク処理を一定時間行い区間T3、次いでエピタキシャル成長処理が実施される区間T4。その後、チャンバー内のパージガスが排出され区間T5、さらにチャンバー内の温度が約650°Cまで冷却され区間T6、シリコンエピタキシャルウェーハはアンロードされる区間T7。以上説明したように、本実施形態によるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、水素ベーク工程の昇温ステップ区間T2において、チャンバー内の下側ヒーターの出力パワー比を48~58としたので、シリコンコートされたサセプタを使用する場合やマルチデポ処理を実施する場合であっても、ウェーハの裏面クモリを防止することができる。また、本実施形態においては、サセプタの底壁部の厚みを2.8~6.0mmとしたので、ウェーハの裏面クモリを確実に防止することができる。実施例1として、下側加熱比率とウェーハの裏面クモリとの関係について調べた。まず図1及び図2のフローチャートに従い、直径300mm、比抵抗8~12ΩcmのP型シリコンウェ-ハを用意し、その表面に比抵抗率10Ωcm、厚み4umのエピタキシャル層を気相成長させた。ここで、気相成長装置としてはアプライドマテリアルズ社製のCentura300Epiを用い、サセプタにはシリコンコート無しのものを用いた。また、サセプタには、座ぐりの中央位置での肉厚が2.6mmのものを用いた。エピタキシャル成長条件は、水素ベーク工程において650°Cから1150°Cまで昇温し、昇温ステップにおける下側加熱比率を43に設定した。その後、エピタキシャル成長温度1150°Cにおいて、ウェーハ表面に厚み4umのエピタキシャル層を気相成長させた。同様の処理条件にてマルチデポ処理6回を実施した。すなわち、チャンバー内クリーニングを毎回行うのではなく、6回までクリーニングなしで各ウェーハのエピタキシャル成長処理を実施した。こうして、下側加熱比率を43に設定し、マルチデポ処理により6枚のシリコンエピタキシャルウェーハを製造した。そして同様にして、下側加熱比率を46、48、53、58、60及び63に変えたときのシリコンエピタキシャルウェーハも製造した。その後、各シリコンエピタキシャルウェーハの外観検査を行い、裏面クモリの有無を目視にて検査した。その結果を表1に示す。表1において、○印は裏面クモリ無しの場合、×印は裏面クモリ発生の場合を示している。表1に示すように、下側加熱比率が高ければ高いほど、マルチデポ処理の回数が増加したときに裏面クモリが発生しやすいことが分かった。よって、マルチデポ処理の回数の増加に合わせて下側加熱比率を低くすることが好ましいことが分かった。ただし、下側の加熱比率を48未満にまで低下させると、上側の加熱出力が過度になり過ぎてしまい、ウェーハ面内の加熱分布を悪化させ、ウェーハにスリップを発生させる場合があり、安定的な操業を行うことが困難となる。実施例2として、サセプタの底壁部の肉厚とウェーハの裏面クモリとの関係について調べた。本実施例では、昇温ステップにおける下側加熱比率を58に固定し、サセプタの座ぐりの中央位置での肉厚を2.6mm~6.0mmの間で変化させた点以外は実施例1と同一条件下でシリコンエピタキシャルウェーハを製造し、外観検査を行った。その結果を表2に示す。表2に示すように、サセプタの肉厚が厚ければ厚いほど、マルチデポ処理の回数が増加しても裏面クモリが発生しにくく、特に、2.8~6.0mmの範囲ではマルチデポ処理の6回目であっても裏面クモリが発生しないことが分かった。次に、実施例3について説明する。実施例3では、上記実施例1及び2の結果を踏まえて、マルチデポ処理の回数を10回としたときの裏面クモリの発生状況を調べた。この測定では、サセプタの座ぐりの中央位置での肉厚を2.6mm、2.8mm、4.0mm、6.0mmの4種類とし、昇温ステップにおける下側加熱比率を48、58、63の3種類とした点以外は実施例1と同一条件下でシリコンエピタキシャルウェーハを製造し、外観検査を行った。その結果を表3に示す。表3に示すように、昇温ステップにおける下側加熱比率が48と58の場合には、サセプタの肉厚が2.8mm、4.0mm、および6.0mmのいずれの場合でも、1~10回目までのすべてのエピタキシャル成長処理において、裏面クモリが発生しなかった。したがって、昇温ステップにおける下部加熱比率を48~58の範囲とし、サセプタの肉厚を2.8~6.0mmとした場合には、一般に行われている回数の範囲内でマルチデポ処理を行ったとしても、裏面クモリの発生を防止できることが分かった。