リードフレーム、前記リードフレーム上に搭載された半導体チップ、そして前記リードフレームおよび前記半導体チップを封止している封止樹脂を有している半導体パッケージと、前記半導体パッケージを実装している基板と、前記半導体パッケージおよび前記基板を互いに接合しているはんだと、を備え、前記半導体パッケージの前記基板側の面には、少なくとも3つ以上の凸部を有しており、前記凸部と前記基板が接触している半導体装置。前記凸部は、平面視で前記半導体チップよりも外側に設けられている請求項1に記載の半導体装置。少なくとも2つの前記凸部は前記半導体パッケージの対角線上に設けられている請求項1または2に記載の半導体装置。前記封止樹脂の側面からリード端子の端面が露出している請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置。前記封止樹脂の側面からリード端子の端面が露出していない請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置。リードフレームと、前記リードフレーム上に搭載された半導体チップと、前記リードフレームと前記半導体チップとを封止している封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂により、少なくとも3つ以上の凸部が形成されている半導体パッケージ。前記凸部は、前記半導体チップよりも外側に設けられている請求項6に記載の半導体パッケージ。少なくとも2つの前記凸部は前記半導体パッケージの対角線上に設けられている請求項6または7に記載の半導体パッケージ。前記封止樹脂の側面からリード端子の端面が露出している請求項6乃至8のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。前記封止樹脂の側面からリード端子の端面が露出していない請求項6乃至8のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。リードフレーム、前記リードフレーム上に搭載された半導体チップ、そして前記リードフレームおよび前記半導体チップを封止している封止樹脂を有している半導体パッケージを形成するとともに、前記半導体パッケージに少なくとも3つ以上の凸部を形成する突起形成工程と、前記半導体パッケージと基板とをはんだにより、互いに接合する接合工程と、を有し、前記半導体パッケージに設けた前記凸部と前記基板が接触している半導体装置の製造方法。前記突起形成工程では、凸部を形成する箇所に当たる部分の金型に窪みを、かつフィルムに開口を設けている請求項11に記載の半導体装置の製造方法。前記突起形成工程では、凸部を形成する箇所に当たる部分のテープに開口を、かつ金型に窪みを設けている請求項11に記載の半導体装置の製造方法。リードレスパッケージを基板に実装する際、基板と半導体パッケージとの間に塗布されるはんだの厚さスタンドオフ高さは、一定にする必要がある。しかしながら、半導体パッケージは、基板に対し傾いた状態ではんだ付けされやすい。本発明によれば、リードフレーム、上記リードフレーム上に搭載された半導体チップ、そして上記リードフレームおよび上記半導体チップを封止している封止樹脂を有している半導体パッケージと、上記半導体パッケージを実装している基板と、上記半導体パッケージおよび上記基板を互いに接合しているはんだと、を備え、上記半導体パッケージの上記基板側の面には、少なくとも3つ以上の凸部を有しており、上記凸部と上記基板が接触している半導体装置が提供される。さらに本発明によれば、リードフレームと、上記リードフレームに搭載された半導体チップと、上記リードフレームと上記半導体チップとを封止している封止樹脂と、を備え、上記封止樹脂により、少なくとも3つ以上の凸部が形成されている半導体パッケージが提供される。さらに本発明によれば、リードフレーム、上記リードフレーム上に搭載された半導体チップ、そして上記リードフレームおよび上記半導体チップを封止している封止樹脂を有している半導体パッケージを形成するとともに、上記半導体パッケージに少なくとも3つ以上の凸部を形成する突起形成工程と、上記半導体パッケージと基板とをはんだにより、互いに接合する接合工程と、を有し、上記半導体パッケージに設けた上記凸部と上記基板が接触している半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、半導体パッケージにおける基板と接合させる面に、少なくとも3つ以上の凸部を設けており、凸部と基板は接触している。これによって、半導体パッケージに含まれるリード端子のスタンドオフ高さを一定に保つことができる。本発明によれば、基板に半導体パッケージを実装する際、傾いた状態で半導体パッケージがはんだ付けされることを抑制できる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、本実施形態に係る半導体装置の断面図である。図1に示すように、リードフレーム20、リードフレーム20上に搭載された半導体チップ50、そしてリードフレーム20および半導体チップ50を封止している封止樹脂30を有している半導体パッケージ200と、半導体パッケージ200を実装している基板1と、半導体パッケージ200および基板1を互いに接合しているはんだ60と、を備え、半導体パッケージ200の基板1側の面には、少なくとも3つ以上の凸部70を有しており、凸部70と基板1が接触している。なお、凸部70は、半導体チップ50よりも外側に設けられている。そして、少なくとも2つの凸部70は半導体パッケージ200の対角線上に設けられていることが好ましい。また、封止樹脂30の側面からリード端子80の端面が露出しており、基板1の表面には、保護膜10が設けられている。次に、本実施形態に係る半導体装置について具体的に説明する。本実施形態に係る半導体装置では、半導体パッケージ200の下面に少なくとも3つ以上の凸部70を設けている。この凸部70は、半導体パッケージ200に備わっている封止樹脂30によって形成されている。また、凸部70の形状は、半球状だけでなく円錐、角錐や円柱、角柱といった形状であってもよい。これは、半導体パッケージ200を基板1に実装する際、凸部70と基板1が接すればスタンドオフ高さを一定に保つことができるからである。また、凸部70の高さは、20~60μmの範囲であることが好ましい。図2は、図1の変形例に係る半導体装置の断面図である。図2に示すように、半導体装置1において、半導体パッケージ200の凸部70と重なる部分において、リードフレーム20とダイパッド90の間隔は、他の部分と比べて広くてもよい。図3および図4は、本実施形態に係る半導体パッケージの下面図である。なお、図3におけるA-A断面を表した図が図1である。図3および図4に示すように、凸部70はダイパッド90の外側にあれば良い。また、基板1に半導体パッケージ200を実装した際、ダイパッド90に対し、はんだ60による表面張力が働く。これによって、ダイパッド90は基板1に引き寄せられる。このため、凸部70を配する箇所をダイパッド90から離せば離すほど、はんだ60は平坦度を得ることができる。半導体パッケージ200の下面に形成した少なくとも3つ以上の凸部70の内、3つの凸部70を頂点とする三角形を形成した場合、半導体パッケージ200の下面における対角線の交点は前記三角形の中に含まれる。なぜなら、半導体パッケージ200を基板1に実装した際、半導体パッケージ200のバランスは、凸部70によって形成している三角形内に、半導体パッケージ200の重心があることで、保たれているからである。このため、凸部70の内、少なくとも2つの凸部70は半導体パッケージ200の対角線上に形成されることが好ましい。さらに、重心を半導体パッケージ200の出来るだけ中心側に定めるために、残る1つの凸部70は、3つの凸部70が形成する三角形における辺の垂直二等分線上にあるとさらに好ましい。なお、半導体装置の外観検査を行う際、障害とならないように、凸部70は図3に示すように観察方向と観察対象の間に入らない位置に形成する方が良い。すなわち、ダイパッド90とリード端子80との間の領域に3つの凸部70を形成することで、リード端子80に形成したはんだ60のフィレット観察を行う際、高い視認性を得ることができる。さらに、凸部70は、半導体パッケージ200の対角線上、かつ半導体パッケージ200のコーナ部に寄せて配置するほうが好ましい。これは、上記で述べたように半導体パッケージ200の重心を出来る限り中心部に定めるためである。これによって、凸部70からリード端子80までの距離を大きく取ることができる。このとき、リード端子80から半導体パッケージ200の辺までの距離は、凸部70から半導体パッケージ200の辺までの距離より小さくなる。図5および、本実施形態に係る半導体装置の上面図である。図5に示すように、封止樹脂30が上部に配されている半導体パッケージ200を基板1に実装する際用いるはんだ60が、はみ出している。なお、半導体パッケージ200の上部には、半導体パッケージ200の向きを示すための表示130がされている。この表示130は、樹脂の凹部であってもよいし、捺印されていてもよい。次に、半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態に係る半導体装置の製造工程では、リードフレーム20、リードフレーム20上に搭載された半導体チップ50、そしてリードフレーム20および半導体チップ50を封止している封止樹脂30を有している半導体パッケージ200を形成するとともに、半導体パッケージ200に少なくとも3つ以上の凸部70を形成する。次に、半導体パッケージ200と基板1とをはんだにより、互いに接合する。図6は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法における突起形成工程の一例を説明するための断面図である。リードフレーム20上に半導体チップ50を搭載し、さらにリードフレーム20と半導体チップ50をボンディングワイヤ40で接続する。また、図6に示すように、突起形成工程では、上金型100および下金型110の内どちらに凹部を形成してもよく、例えば上金型100に凹部を形成し、凹部内にリリースフィルム120を入り込ませる。なお、リリースフィルム120は、金型に硬化した封止樹脂30が付着しないようにするため、配されている。次に、このリリースフィルム120を入り込ませた金型に、リードフレーム20、半導体チップ50、およびボンディングワイヤ40を設置する。半導体パッケージ200の各構成要素を金型内に設置した後、封止樹脂30を金型内に流し込む。そして、封止樹脂30が硬化した後、金型から取り出すことによって半導体パッケージ200を得ることができる。封止樹脂30は、金型に形成された凹型状部に沿って拡がる。この時、金型内の凹部において毛細管現象がおこるため、凹部内に封止樹脂30が浸透し、封止樹脂30による凸部70を形成することができる。ただし、封止樹脂30を金型内に流し込んでいる際、ブリッジパスを形成しないためには、リード端子80から凸部70の形成領域まで所定の距離を置いた方が好ましい。なぜなら、設定した所定の距離を凸部70の高さより大きく設定することによって、フラックスが凸部70の形成領域まで拡がることを抑制できるからである。さらに、凹部に対するリードフレーム20の配置は、凹部にリードフレーム20が重なっていなくてもよい。図6に示すように半導体パッケージ200を形成する際、リリースフィルム120が近接するリード端子80を金型の凹部方向に引っ張ってしまう可能性がある。このため、リード端子80とダイパッド90の間に凸部を形成する際、凹部はリード端子80よりダイパッド90に近い箇所に配置するか、あるいは、少なくとも2つ以上の半導体パッケージ200を製造できる金型を用いることによって、上記で述べた可能性を抑制できる図6。図7は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法における突起形成工程の他の例を説明するための断面図である。図7に示すように、上金型100および下金型110の内、下金型110に凹部を形成し、凹部内にフィルムを入り込ませる。なお、凹部は、上金型100、下金型110のどちらに形成してもよい。図7では使用する金型が、半導体パッケージ200単位ごとではなく、少なくとも2つ以上の半導体パッケージ200を同時に製造できるようになっている。図6に示すようにカット部分に対して、線対称になるように、凸部70を形成する。封止樹脂30が硬化した後、カット部分に沿ってダイシングすることで、半導体パッケージ200単位ごとに分割される。また、4コーナの内、1コーナのみ形成しないことで3つの凸部70を形成できる。図8および図9は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法における接合工程を説明するための図である。図8および図9に示すように、接合工程におけるはんだ60の供給方法も半導体パッケージ200を基板1に実装する際、スタンドオフ高さに影響を与える。なぜなら、はんだ60の供給によってブリッジを形成してしまう可能性があるからである。このため、図7に示すように、リード端子80の短辺側におけるはんだ60の供給量を、本実施形態に係らない半導体装置と比べて約90程度となるよう少なくする方法や、図8に示すように、短辺側におけるはんだ60の供給量をさらに少なくし、半導体パッケージ200の外側まではんだ60を供給する方法がある。上記で説明したように、突起形成工程と接合工程を行うことによって、半導体パッケージ200に形成された少なくとも3つ以上の凸部70の先端が、基板1に接している状態の半導体装置を得ることができる。次に、本実施形態による効果について説明する。半導体パッケージ200において基板1と接合させる面に、少なくとも3つ以上の凸部70を設けており、凸部70と基板1は接触している。これによって、半導体パッケージ200と基板1を実装した際、半導体パッケージ200が傾くことが抑制できる。つまり、スタンドオフ高さを一定に保つことができる。すなわち、スタンドオフ高さの安定した構造を有する電子部品を得ることができる。第2の実施形態図10は、本実施形態に係る半導体装置の断面図、図11は、本実施形態に係る半導体パッケージの下面図、図12は、本実施形態に係る半導体装置の上面図である。なお、図10は、図11におけるA-A断面を示した図である。図10、図11、および図12に示すように、本実施形態の半導体装置は、製造方法を含めて第1の実施形態とリード端子80の端面が露出していない点以外は同じである。また、図10および図12に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、第1の実施形態とは異なり、リード端子80が封止樹脂30に全て覆われている。なお、本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。第3の実施形態図13は、本実施形態に係る半導体装置の断面図、図14は、本実施形態に係る半導体パッケージの下面図である。なお、図13は、図14におけるA-A断面を示した図である。図13および図14に示すように、リード端子80に隣接する半導体パッケージ200のコーナー部に凸部70を形成している。また本実施形態に係る半導体装置の上面図は、図5と同じである。ただし、製造方法は、第1の実施形態と同様の方法を用いている。この場合、半導体パッケージ200を基板1に実装した際、形成したはんだ60のフィレット外観検査の際、接合部は影とならない。なお、本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。