傾斜した側壁を備えるリセスされたキャビティを有するパッケージ本体と、前記キャビティ内にそれぞれ離隔して配置される第1のリード電極及び第2のリード電極と、上部に前記パッケージ本体が配置され、交流電源と接続される複数の電極と、前記キャビティ内に配置され、金属を含むヒートシンクと、前記キャビティ内かつ前記ヒートシンク上に配置される発光素子と、それぞれ前記第1のリード電極及び前記第2のリード電極と発光素子とを電気的に接続する第1のボンディングワイヤ及び第2のボンディングワイヤと、前記発光装置から放出された光の方向及び/または波長を変換する、蛍光体を含む第1のモールド部材と、を有し、前記発光素子は前記第1のリード電極及び前記第2のリード電極から離隔して配置され、交流電源で、かつ1つの前記発光素子が駆動する電圧よりも高い電圧により駆動することを特徴とする発光ダイオードパッケージ。さらに、蛍光体を含まない第2のモールド部材を有し、前記第1のモールド部材は前記キャビティ内に配置され、前記発光素子を封入することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。前記第2のモールド部材は、拡散剤を含むことを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオードパッケージ。さらに、前記第1のモールド部材及び前記第2のモールド部材の上部に配置され、レンズ形状である第3のモールド部材を有することを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオードパッケージ。前記発光素子は、複数の直列接続された発光素子であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。前記発光素子は、複数の並列接続された発光素子であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。前記発光素子は、前記パッケージ本体上に搭載され、電気的に直列に接続された複数の発光セルを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。前記複数の発光セルは、フリップチップ型の発光セルであることを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオードパッケージ。さらに、交流電源を整流するブリッジ整流器を有することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。前記パッケージ本体の底部に、電気的にそれぞれ離隔された第1の金属部、第2の金属部、及び第3の金属部を有し、前記第1の金属部及び前記第2の金属部は交流電源と接続する電極を有し、前記第3の金属部は熱を放散することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。本発明の目的は、外部の交流/直流変換器なしに、交流電源を用いて駆動することができ、小型化が可能な発光ダイオードパッケージを提供することにある。また、本発明の他の目的は、工程を単純化することができ、大量生産に有利な発光ダイオードパッケージを提供することにある。さらに、本発明の他の目的は、発生した熱を容易に放出して発光効率を向上させ、構造的に安定した発光ダイオードパッケージを提供することにある。上記の目的を達成するためになされた本発明は、直列接続された発生セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージを提供する。本発明の一態様による発光ダイオードパッケージは、パッケージ本体、及び該パッケージ本体上に搭載された発光ダイオードチップを含む。前記発光ダイオードチップは、直列接続された発光セルのアレイを有する。本態様による発光ダイオードパッケージは、直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードチップを搭載することにより、交流電源を用いて直接駆動され得る。ここで、発光セルとは、単一の発光ダイオードチップ内に形成された微細発光ダイオードを意味する。一般に、発光ダイオードチップは、ただ一つの発光ダイオードを有するが、本発明において、前記発光ダイオードチップは、複数個の発光セルを有する。本発明の実施形態において、前記発光ダイオードチップは、基板、及び前記基板上に形成された複数個の発光セルを含む。前記発光セルは、前記基板と電気的に絶縁される。本発明のいくつかの実施形態において、前記発光ダイオードチップは、前記発光セルを電気的に直列接続する配線を含んでもよい。前記発光セル及び前記配線により前記直列接続された発光セルのアレイが形成される。本発明の他の実施形態において、前記発光ダイオードチップと前記パッケージ本体との間にサブマウントが介在してもよい。前記サブマウントは、前記発光セルに対応する電極パターンを有してもよく、前記電極パターンが前記発光セルを直列接続してもよい。その結果、前記発光セルと前記電極パターンにより前記直列接続された発光セルのアレイが形成される。また、前記発光ダイオードチップは、前記直列接続された発光セルのアレイに所定の整流電源を印加するための整流ブリッジ部をさらに含んでもよい。これにより、交流電源を用いて前記発光ダイオードチップを駆動させることができる。一方、前記発光ダイオードチップは、少なくとも一つの直列接続された発光セルのアレイをさらに含んでもよい。前記直列接続された発光セルのアレイは、互いに逆並列で接続されてもよい。これにより、交流電源を用いて、整流ブリッジ部又は交流/直流変換器なしに、前記発光ダイオードチップを駆動させることができる。封止材及び/又はモールド部材が、前記発光ダイオードチップを覆ってもよい。前記封止材及び/又はモールド部材は、水分又は外力から前記発光ダイオードチップを保護する。本明細書において、封止材とモールド部材は、区別されずに使われ、ただ、いくつかの実施形態において、構成要素を区別して命名するために一緒に使われている。一方、前記発光ダイオードパッケージは、前記発光ダイオードチップから放射された光の波長を変換させる蛍光体をさらに含んでもよい。前記蛍光体は、前記モールド部材内に含有されてもよく、前記モールド部材と前記発光ダイオードチップ間、又は前記モールド部材上に位置してもよい。前記蛍光体を適宜選択し、多様な色相の光又は白色光を具現することができる発光ダイオードパッケージを提供することができる。一方、前記パッケージ本体は、多様な構造を有することができる。例えば、前記パッケージ本体は、リード電極を有する印刷回路基板であってもよい。前記発光ダイオードチップは、前記リード電極と電気的に接続される。これに加えて、反射部が前記印刷回路基板上に配置され、前記発光ダイオードチップから放射されて入射した光を反射させてもよい。また、前記発光ダイオードパッケージは、互いに離隔した一対のリードフレーム及びヒートシンクをさらに含んでもよい。前記パッケージ本体は、前記一対のリードフレームと前記ヒートシンクを支持する。前記パッケージ本体は、前記リードフレームのそれぞれの一部分及び前記ヒートシンクの上部を露出させる開口部を有してもよい。一方、前記発光ダイオードチップは、前記ヒートシンク上に搭載される。前記ヒートシンクを採用し、前記発光ダイオードチップで発生した熱を容易に放出することができる。本発明のいくつかの実施形態において、前記ヒートシンクは、側面にて前記リードフレームの一つと直接接続され、他の一つとは離隔してもよい。これにより、前記ヒートシンクがパッケージ本体から分離されることを防止することができ、構造的に安定した発光ダイオードパッケージを提供することができる。これに加えて、前記ヒートシンクは、基底部及び前記基底部の中央部分から上向きに突出した突出部を有してもよい。これにより、熱放出面を大きくして熱を容易に放出すると共に、発光ダイオードパッケージの大きさを小型化することができる。前記突出部は、前記パッケージ本体の上部面上に突出されてもよい。また、前記ヒートシンクは、前記突出部の側面に、前記リードフレームの一つを収容するリードフレーム収容溝を有してもよい。前記直接接続されたリードフレームは、前記リードフレーム収容溝に挿入される。これとは異なり、前記ヒートシンクと前記ヒートシンクに直接接続されたリードフレームは、一体に形成されてもよい。本発明の他の実施形態において、前記パッケージ本体は、前記開口部により露出した貫通孔を有する。また、前記一対のリードフレームは、前記パッケージ本体の開口部内に露出した一対の内部フレーム、及び前記内部リードフレームのそれぞれから延長され、前記パッケージ本体の外部に突出した外部フレームを有する。これに加えて、前記ヒートシンクは、前記貫通孔を通じて前記パッケージ本体の下部と結合される。これに加えて、前記ヒートシンクは、前記パッケージ本体の下部に結合された基底部及び該基底部の中央部分から上向きに突出し、前記貫通孔に結合された突出部を有してもよい。また、前記ヒートシンクは、前記突出部の側面に係止段を有してもよい。前記係止段が、前記パッケージ本体の上部面に引っ掛かり、又は前記貫通孔の側壁に挿入されることにより、前記ヒートシンクがパッケージ本体から分離されることを防止する。本発明の他の態様によると、直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードチップを搭載した発光ダイオードランプが提供される。前記発光ダイオードランプは、頂部と、前記頂部から延長されたピン型又はスナップ型脚部を有する第1リードと、前記第1のリードと離隔して配置され、前記第1のリードに対応するピン型又はスナップ型脚部を有する第2のリードとを含む。直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードチップが、前記頂部に搭載される。一方、ボンディングワイヤが、前記発光ダイオードチップを前記第1のリード及び第2のリードにそれぞれ電気的に接続させる。これに加えて、モールド部材が、前記第1のリードの頂部と、前記発光ダイオードチップと、前記第2のリードの一部とを封入する。本態様によると、直列接続された発光セルアレイを有する発光ダイオードチップを搭載し、交流/直流変換器なしに、交流電源を用いて駆動することができる発光ダイオードランプを提供することができる。前記第1のリードの頂部は、キャビティを有してもよく、前記発光ダイオードチップは、前記キャビティ内に搭載される。一方、前記第1のリード及び第2のリードがピン型脚部を有する場合、前記第1及び第2のリードは、それぞれ二つのピン型脚部を有してもよい。このような発光ダイオードランプは、一般に、ハイフラックスhighflux発光ダイオードランプとして知られている。したがって、本態様によると、交流電源を用いて駆動することができるハイフラックス発光ダイオードランプを提供することができる。また、ヒートシンクが、前記第1のリードの頂部から前記第1のリードの脚部に平行に延長されてもよい。前記ヒートシンクは、前記発光ダイオードチップで発生した熱を容易に放出し、前記発光ダイオードランプの発光効率を増加させる。これに加えて、前記ヒートシンクは、表面にグルーブを有してもよい。前記グルーブは、前記ヒートシンクの表面積を増加させ、熱放出性能をさらに向上させる。本態様の実施形態において、前記発光ダイオードチップは、基板及び該基板上に形成された複数個の発光セルを含む。前記発光セルは、前記基板と電気的に絶縁される。本態様のいくつかの実施形態において、前記発光ダイオードチップは、前記発光セルを電気的に直列接続する配線を含んでもよい。本態様の他の実施形態において、前記発光ダイオードチップと前記頂部との間にサブマウントが介在してもよい。前記サブマウントは、前記発光セルに対応する電極パターンを有してもよく、前記電極パターンが、前記発光セルを直列接続することができる。一方、前記発光ダイオードチップは、前記直列接続された発光セルのアレイに所定の整流電源を印加するための整流ブリッジ部をさらに含んでもよい。また、前記発光ダイオードチップは、少なくとも一つの直列接続された発光セルのアレイをさらに含んでもよい。前記直列接続された発光セルのアレイは、互いに逆並列で接続されてもよい。一方、前記発光ダイオードランプは、前記発光ダイオードチップから放射された光の波長を変換させる蛍光体をさらに含んでもよい。前記蛍光体は、前記モールド部材内に分布してもよく、前記モールド部と前記発光ダイオードチップとの間、又は前記モールド部上に位置してもよい。本発明のまた他の態様によると、直列接続された発光セルを有する発光ダイオードパッケージが提供される。前記発光ダイオードパッケージは、パッケージ本体を含む。電極パターンを有するサブマウントが、前記パッケージ本体上に搭載される。一方、発光セルが、前記サブマウントの電極パターンにそれぞれボンディングされる。この際、前記発光セルは、前記電極パターンを介して直列接続される。これに加えて、モールド部材が、前記発光セルを覆ってもよい。前記パッケージ本体は、リード電極を有する印刷回路基板であってもよく、前記サブマウントは、前記リード電極に電気的に接続されてもよい。一方、本態様による前記発光ダイオードパッケージは、互いに離隔した一対のリードフレーム及びヒートシンクをさらに含んでもよい。前記パッケージ本体は、前記一対のリードフレームと前記ヒートシンクを支持し、前記リードフレームのそれぞれの一部及び前記ヒートシンクの上部を露出させる開口部を有してもよい。また、前記サブマウントは、前記ヒートシンク上に搭載される。本発明のまた他の態様によると、直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードランプが提供される。前記発光ダイオードランプは、頂部と、前記頂部から延長されたピン型又はスナップ型脚部を有する第1のリードと、前記第1のリードと離隔して配置され、前記第1のリードに対応するピン型又はスナップ型脚部を有する第2のリードとを含む。一方、電極パターンを有するサブマウントが前記頂部に搭載される。これに加えて、発光セルが、前記サブマウントの電極パターンにそれぞれボンディングされる。この際、前記発光セルは、前記電極パターンを介して直列接続される。また、ボンディングワイヤが、前記サブマウントを、前記第1のリード及び第2のリードにそれぞれ電気的に接続する。一方、モールド部材が、前記第1のリードの頂部と、前記発光セルと、前記第2のリードの一部とを封入する。また、本発明の他の実施形態において、傾斜した側壁を備えるリセスされたキャビティを有するパッケージ本体と、前記キャビティ内にそれぞれ離隔して配置される第1のリード電極及び第2のリード電極と、上部に前記パッケージ本体が配置され、交流電源と接続される複数の電極と、前記キャビティ内に配置され、金属を含むヒートシンクと、前記キャビティ内かつ前記ヒートシンク上に配置される発光素子と、それぞれ前記第1のリード電極及び前記第2のリード電極と発光素子とを電気的に接続する第1のボンディングワイヤ及び第2のボンディングワイヤと、前記発光装置から放出された光の方向及び/または波長を変換する、蛍光体を含む第1のモールド部材と、を有し、前記発光素子は前記第1のリード電極及び前記第2のリード電極から離隔して配置され、交流電源で、かつ1つの前記発光素子が駆動する電圧よりも高い電圧により駆動することを特徴とする発光ダイオードパッケージを提供する。本発明によると、外部の交流/直流変換器なしに、交流電源を用いて駆動することができ、小型化が可能な発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードランプを提供することができる。また、単一基板上に形成された発光セルを採用するので、パッケージの製造工程を単純化することができ、大量生産に有利である。これに加えて、ヒートシンクを採用して、発生した熱を容易に放出することができるので、発光セルの発光効率を向上させることができ、前記ヒートシンクがパッケージ本体から分離されることを防止することができるので、構造的に安定した発光ダイオードパッケージを提供することができる。次に、本発明に係る発光ダイオードパッケージを実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。以下に紹介される実施形態は、本発明の思想を当業者に充分伝達するために、例として提供されるものである。したがって、本発明は、後述される実施形態に限定されず、他の形態に具体化され得る。なお、図面において、構成要素の幅、長さ、厚さ等は、便宜のために誇張して表現されることもある。明細書の全体にわたって、同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。直列接続された発光セルのアレイ本発明による発光ダイオードパッケージは、直列接続された発光セルのアレイを含む。図1~図5は、本発明の実施形態に適用可能な直列接続された発光セルのアレイを示す断面図である。ここで、図1及び図2は、配線により直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードチップを示す断面図であり、図3及び図5は、サブマウントの電極パターンを介して直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードチップを示す断面図であり、図4は、サブマウント基板の電極パターンを介して直列接続された発光セルのアレイを示す断面図である。図1及び図2を参照すると、本発明の発光ダイオードチップは、基板20上に形成され、配線80-1~80-nにより直列接続された複数の発光セル100-1~100-nを有する。すなわち、発光ダイオードチップは、発光セル100-1~100-nのn型半導体層40とそれと隣接した発光セルのp型半導体層60とが電気的に接続され、一端の発光セル100-nのn型半導体層40上にn型パッド95が形成され、他端の発光セル100-1のp型半導体層60上にp型パッド90が形成された複数の発光セル100を含む。隣接した発光セル100-1~100-nのn型半導体層40とp型半導体層60が、金属配線80を介して電気的に接続され、直列接続された発光セルのアレイが形成される。発光セル100-1~100-nは、交流駆動が可能な数だけ直列接続してもよい。本発明では、単一の発光セル100を駆動するための電圧/電流と照明用発光ダイオードチップに印加される交流駆動電圧に応じて、直列接続される発光セル100の個数が選択される。第1~第nの発光セル100-1~100-nが直列接続された発光ダイオードチップにおいて、図1に示すように、第1の発光セル100-1のp型半導体層60上にp型パッド90が形成され、第1の発光セル100-1のn型半導体層40と第2の発光セル100-2のp型半導体層60が、第1の配線80-1を介して接続される。また、第2の発光セル100-2のn型半導体層40と第3の発光セル図示せずのp型半導体層図示せずが、第2の配線80-2を介して接続される。また、第n-2の発光セル図示せずのn型半導体層図示せずと第n-1の発光セル100-n-1のp型半導体層60が、第n-2の配線80-n-2を介して接続され、第n-1の発光セル100-n-1のn型半導体層40と第nの発光セル100-nのp型半導体層60が、第n-1配線80-n-1を介して接続される。また、第nの発光セル100-nのn型半導体層40にn型パッド95が形成される。本発明の基板20は、複数個の発光ダイオードチップを作製可能な基板であってもよい。ここで、図1及び図2のAは、このような複数個の発光ダイオードチップを個別に切断するための切断部を示す。また、上述した発光ダイオードチップは、外部交流電圧を整流するための整流用ダイオードセルを有してもよい。ダイオードセルは、整流ブリッジの形態で接続され、ブリッジ整流器を構成する。ブリッジ整流器は、外部電源と直列接続された発光セルのアレイとの間に配置する。これにより、直列接続された発光セルのアレイに一定の方向の電流が供給される。整流用ダイオードセルは、発光セルと同一の構造を有することができる。すなわち、整流用ダイオードセルは、発光セルと同一の工程により形成され得る。一方、基板上に、少なくとも二つの直列接続された発光セルのアレイが形成されてもよい。アレイは、互いに逆並列で接続され、交流電源により交互に駆動され得る。以下、直列接続された発光セルを有する発光ダイオードチップの製造方法について説明する。基板20上に、バッファ層30、n型半導体層40、活性層50、及びp型半導体層60を順次成長させる。p型半導体層60上に透明電極層70をさらに形成してもよい。基板20は、サファイアAl2O3、炭化ケイ素SiC、酸化亜鉛ZnO、シリコンSi、ガリウムヒ素GaAs、ガリウムリンGaP、リチウム-アルミナLiAl2O3、窒化ホウ素BN、窒化アルミニウムAlN、又は、窒化ガリウムGaN基板よりなってもよく、基板20上に形成すべき半導体層の物質に応じて選択され得る。窒化ガリウム系半導体層を形成する場合、基板20は、サファイア又は炭化ケイ素SiC基板が好ましい。バッファ層30は、結晶成長時、基板20と後続層との格子不整合を減らすための層であって、例えば、窒化ガリウム膜GaNであってもよい。SiC基板が、導電性基板である場合、バッファ層30は、絶縁層で形成されることが好ましく、半絶縁体GaNで形成されてもよい。n型半導体層40は、電子が生成される層であって、n型化合物半導体層とn型クラッド層で形成されてもよい。この際、n型化合物半導体層は、n型不純物がドープされるGaNであってもよい。p型半導体層60は、正孔が生成される層であって、p型クラッド層とp型化合物半導体層で形成されてもよい。この際、p型化合物半導体層は、p型不純物がドープされるAlGaNであってもよい。活性層50は、所定のバンドギャップと量子井戸が設けられ、電子及び正孔が再結合する領域であって、InGaN層を含んでもよい。また、活性層50をなす物質の種類に応じて、電子及び正孔が結合して発生する発光波長が変化する。したがって、目標とする波長に応じて、活性層50に含まれる半導体物質を調節することが好ましい。その後、リソグラフィ及びエッチング技術を用いて、p型半導体層60及び活性層50をパターニングして、n型半導体層40の一部を露出させる。また、露出したn型半導体層40の一部を除去し、互いの発光セル100と電気的に絶縁させる。この際、図1に示すように、露出したバッファ層30を除去し、基板20の上部面を露出させることができるか、又は、バッファ層30においてエッチングを停止することができる。バッファ層30が導電性である場合、露出したバッファ層30を除去して、発光セルを電気的に絶縁分離する。上述した製造工程と同一の方法を用いて、整流ブリッジ用ダイオードセルも一緒に形成することができる。もちろん、通常の半導体製造工程を用いて、別途の整流ブリッジ用ダイオードセルを形成することもできる。以降、所定のブリッジ工程又はステップカバー工程を通じて、それぞれ隣接した発光セル100-1~100-nのn型半導体層40とp型半導体層60を電気的に接続する配線80-1~80-n-1を形成する。配線80-1~80-nは、導電性物質を用いて形成し、例えば、金属又は不純物ドープのシリコン又はシリコン化合物を用いて形成する。ブリッジ工程は、エアブリッジ工程とも呼ばれ、この工程について簡単に説明する。先ず、発光セルが形成された基板上に感光膜を形成した後、露光技術を用いて、露出したn型半導体層及びp型半導体層の上部の電極層を露出させる開口部を有する第1の感光膜パターンを形成する。その後、電子ビーム蒸着技術等を用いて、金属物質層を薄く形成する。金属物質層は、開口部及び感光膜パターン上部の全面に形成される。次いで、感光膜パターンの上部に、再度、接続しようとする隣接した発光セル間の領域、及び開口部の金属物質層を露出させる第2の感光膜パターンを形成する。その後、金等をメッキ技術を用いて形成した後、第1及び第2の感光膜パターンを除去する。その結果、隣接した発光セルを接続する配線は残り、他の金属物質層及び感光膜パターンは、全て除去され、配線が、図に示すように、ブリッジ形態で発光セル間を接続する。一方、ステップカバー工程は、発光セルを有する基板上に絶縁層を形成することを含む。絶縁層をリソグラフィ及びエッチング技術を用いてパターニングし、n型半導体層及びp型半導体層の上部の電極層を露出させる開口部を形成する。次いで、電子ビーム蒸着技術を用いて、開口部を満たし、絶縁層の上部を覆う金属層を形成する。その後、金属層を、リソグラフィ及びエッチング技術を用いてパターニングし、互いに隣接した発光セルを接続する配線を形成する。このようなステップカバー工程は、多様な変形例が可能である。ステップカバー工程を用いると、配線が絶縁層により支持されるので、配線に対する信頼性を増加させることができる。一方、両端に位置した発光セル100-1及び発光セル100-nに、それぞれ外部との電気的接続のためのp型パッド90とn型パッド95を形成する。p型パッド90及びn型パッド95にボンディングワイヤ図示せずが接続されてもよい。上述した本発明の発光ダイオードチップの製造方法は、一実施形態であるだけで、これに限定されず、多様な工程と製造方法が、素子の特性及び工程の便宜により、変更又は追加され得る。例えば、n型電極、n型半導体層、活性層、p型半導体層、及びp型電極が、順次積層された形状の複数の垂直型発光セルを基板上に形成し、又は、このような構造を有する発光セルを基板上にボンディングして配列する。以降、隣接した発光セルのn型電極及びp型電極を配線で接続し、複数の発光セルを直列接続して、発光ダイオードチップを作製することができる。もちろん、垂直型発光セルは、上述した例に限定された構造ではなく、多様な構造が可能である。また、基板上に複数個の発光セルを形成した後、別途のホスト基板上に発光セルをボンディングし、基板をレーザを用いて分離し、又は、化学機械研磨技術を用いて除去することにより、ホスト基板上に複数個の発光セルを形成することも可能である。その後、隣接した発光セルを配線で直列接続することができる。発光セル100のそれぞれは、基板20上に順次積層されたn型半導体層40、活性層50、及びp型半導体層60を含み、バッファ層30が、基板20と発光セル100との間に介在する。発光セル100のそれぞれは、p型半導体層60上に形成された透明電極層70を含む。また、垂直型発光セルの場合、n型半導体層の下部に位置するn型電極を含む。n型パッドとp型パッドは、発光セル100を、外部の金属配線又はボンディングワイヤと電気的に接続するためのパッドであって、Ti/Auの積層構造で形成することができる。また、配線80を接続するための電極パッドを、発光セル100のn型半導体層及びp型半導体層上に形成することができる。また、上述した透明電極層70は、入力された電流を分散させ、電流がp型半導体層60に均一に入力されるようにする。図1及び図2を参照して説明した発光ダイオードチップは、発光セル100が配線80を介して直列接続された発光セルのアレイを有する。しかしながら、発光セルを直列接続する方法は多様であり、例えば、サブマウントを用いて発光セルを直列接続してもよい。図3~図5は、サブマウントを用いて直列接続された発光セルのアレイを説明するための断面図である。図3を参照すると、発光ダイオードチップ1000は、基板110上に配列された複数のフリップチップ型発光セルを有する。発光セルのそれぞれは、基板110上に形成されたn型半導体層130と、n型半導体層130の一部に形成された活性層140と、活性層140上に形成されたp型半導体層150とを含む。一方、基板110と発光セルとの間にバッファ層120を介在させてもよい。この際、p型半導体層150の接触抵抗を減らすために、別途のp型電極層160がp型半導体層150上に形成されてもよい。p型電極層は、透明電極層であってもよいが、これに限定されるものではない。また、発光ダイオードチップ1000は、p型電極層150上にバンピング用として形成されたp型金属バンパー170と、n型半導体層130上にバンピング用として形成されたn型金属バンパー180とをさらに含む。また、p型電極層160の上部に、反射率10~100の反射層図示せずが形成されてもよく、p型半導体層150上に、電流の供給を円滑に行うための別途のオーミック金属層がさらに形成されてもよい。基板110、バッファ層120、n型半導体層130、活性層140、及びp型半導体層150は、図1及び図2を参照して説明したような基板20及び半導体層で形成され得る。サブマウント2000は、複数のn領域とp領域が定義されたサブマウント基板200と、サブマウント基板200の表面に形成された誘電体膜210と、隣接したn領域とp領域を接続する複数の電極パターン230とを含む。また、サブマウント2000は、基板の一端に位置したp型ボンディングパッド240と、他端に位置したn型ボンディングパッド250とをさらに含む。n領域は、発光ダイオードチップ1000のn型金属バンパー180が接続すべき領域を称し、p領域は、発光ダイオードチップ1000のp型金属バンパー170が接続すべき領域を称する。この時、サブマウント基板200としては、熱伝導性に優れた基板を用いる。例えば、SiC、Si、ゲルマニウムGe、シリコンゲルマニウムSiGe、AlN、金属基板などのようなものを用いてもよい。誘電体膜210は、多層に形成されてもよい。一方、基板が非導電性である場合、誘電体膜210は省略されてもよい。誘電体膜210としては、酸化シリコンSiO2、酸化マグネシウムMgO、又は窒化シリコンSiNを用いることができる。電極パターン230、n型ボンディングパッド250、及びp型ボンディングパッド240は、電気伝導性に優れた金属を用いることができる。以下、上述した構成を有するフリップチップ型発光セルを有する発光ダイオードチップ用サブマウント基板の製造方法について説明する。基板200に凸部及び凹部を形成し、n領域及びp領域と定義する。n領域とp領域は、ボンディングすべき発光ダイオードチップ1000のn型金属バンパー180とp型金属バンパー170の大きさに応じて、その幅と高さ及び形状が極めて多様に変化され得る。本実施形態では、基板200の凸部がn領域となり、基板の凹部がp領域となる。このような形状の基板200は、別途の鋳型を用いて製造されてもよく、所定のエッチング工程を用いて製造されてもよい。すなわち、基板200上にp領域を露出させるマスクを形成した後、露出した基板200の一部を除去し、リセスされたp領域を形成する。以降、マスクを除去すると、リセスされたp領域と相対的に突出したn領域が形成される。これとは異なり、機械的加工を通じてリセスされたp領域を形成してもよい。次に、全体の構造上に誘電体膜210を形成する。この際、基板200として導電性物質を用いていない場合は、誘電体膜210を形成しなくてもよい。熱伝導率の向上のために、電気伝導性に優れた金属基板を用いる場合、誘電体膜210を形成して、充分な絶縁体の役割を果たすようにする。誘電体膜210上に隣接したn領域とp領域を一対で接続する電極パターン230を形成する。スクリーン印刷法で電極パターン230を形成し、又は、電極層を蒸着した後、リソグラフィ及びエッチング技術を用いてパターニングし、電極パターン230を形成することができる。発光ダイオードチップ1000のp型金属バンパー170がp領域上の電極パターン230にボンディングされ、n型金属バンパー180がn領域上の電極パターン230にボンディングされることにより、発光ダイオードチップ1000とサブマウント基板2000がボンディングされる。この際、発光ダイオードチップ1000の発光セルが、電気パターン230により直列接続され、直列接続された発光セルアレイを形成する。直列接続された発光セルアレイの両端に、p型ボンディングパッド240とn型ボンディングパッド250が位置し、ボンディングワイヤにそれぞれ接続され得る。金属バンパー170、180と、電極パターン230と、ボンディングパッド240、250は、多様なボンディング方法を通じてボンディングされてもよく、例えば、共融温度を用いた共晶法を通じてボンディングしてもよい。この際、直列接続される発光セルの個数は、使用しようとする電源及び使用電力に応じて多様に変化され得る。図4を参照すると、本実施形態による発光セル100a~100cは、図3の発光セルと比較して、発光セル100a~100cが基板図3の110上に配列されず、互いに分離されて、サブマウント2000にボンディングされている。このような発光セルは、図3のように、サブマウント2000に発光ダイオードチップ1000をボンディングした後、レーザを用いて、発光ダイオードチップ1000から基板110を分離するか、又は、化学機械研磨技術を用いて、基板110を除去することにより形成され得る。この際、隣接した発光セル100a~100cのn型金属バンパー180とp型金属バンパー170が、サブマウント基板2000に形成された電極パターン230にボンディングされ、発光セルが電気的に直列接続される。図5を参照すると、複数のn領域とp領域が定義された平らな基板200上に、隣接したn領域Bとp領域Aをそれぞれ接続する電極パターン230を形成した後、発光ダイオードチップ1000をサブマウント2000に実装することができる。すなわち、図3とは異なり、所定のパターン、例えば、凹凸が形成されていないサブマウント基板200上に、電極パターン230を形成した後、発光ダイオードチップ1000の隣接した発光セルのn型金属バンパー180とp型金属バンパー170を、電極パターン230にボンディングし、発光セルを電気的に接続する。この際、n型金属バンパー180及びp型金属バンパー170は、その上部面が略同一の平面にあるように形成されることが好ましい。本実施形態において、p型及びn型金属バンパー170、180は、発光ダイオードチップ1000内の発光セルに形成されるものとして示しているが、これに限定されず、p型及びn型金属バンパー170、180を、サブマウント2000上のn領域B及びP領域Aにそれぞれ形成してもよい。この際、金属バンパー170、180とボンディングさせるために、n型及びp型半導体層130、150上に所定の金属電極図示せずがさらに形成してもよい。図6及び図7は、本発明の実施形態による発光セルのアレイを示す回路図である。図6を参照すると、発光セル31a、31b、31cが直列接続され、第1の直列発光セルアレイ31を形成し、また他の発光セル33a、33b、33cが直列接続され、第2の直列発光セルアレイ33を形成する。ここで、直列発光セルアレイは、複数の発光セルが直列で接続された発光セルのアレイを意味する。第1及び第2の直列アレイ31、33の両端部は、それぞれ交流電源35及び接地に接続される。第1及び第2の直列アレイは、交流電源35と接地との間で逆並列で接続される。すなわち、第1及び第2の直列アレイの両端部は、互いに電気的に接続され、第1及び第2の直列アレイ31、33は、互いに反対方向に流れる電流により、発光セルが駆動されるように配置される。すなわち、図に示すように、第1の直列アレイ31に含まれた発光セルの陽極及び陰極と、第2の直列アレイ33に含まれた発光セルの陽極及び陰極は、互いに反対方向に配置される。したがって、交流電源35が正の位相である場合、第1の直列アレイ31に含まれた発光セルがターンオンされて発光し、第2の直列アレイ33に含まれた発光セルがターンオフされる。これに対して、交流電源35が負の位相である場合、第1の直列アレイ31に含まれた発光セルがターンオフされ、第2の直列アレイ33に含まれた発光セルがターンオンされる。結果的に、第1及び第2の直列アレイ31、33が、交流電源によりターンオン及びターンオフを交互に繰り返すことにより、第1及び第2の直列アレイを含む発光ダイオードチップは、連続的に光を放射する。一つの発光ダイオードで構成された発光ダイオードチップを、図6の回路のように接続し、交流電源を用いて駆動させることができるが、発光ダイオードチップが占める空間が増加する。しかしながら、本発明の発光ダイオードチップは、シングルチップ形態にて交流電源を接続して駆動させることができるので、占める空間が増加しない。一方、図6の回路は、第1及び第2の直列アレイの両端部が、交流電源35及び接地にそれぞれ接続されるように構成しているが、両端部が交流電源の両端子に接続されるように構成してもよい。また、第1及び第2の直列アレイは、それぞれ三つの発光セルで構成されているが、これは、説明のための例示であって、発光セルの数は、必要に応じてさらに増加させてもよい。また、直列アレイの数も、さらに増加させてもよい。図7を参照すると、発光セル41a、41b、41c、41d、41e、41fが直列発光セルアレイ41を構成する。一方、交流電源45と直列発光セルアレイ41、及び接地と直列発光セルアレイ41の間に、ダイオードセルD1、D2、D3、D4を含むブリッジ整流器が配置される。ダイオードセルD1、D2、D3、D4は、発光セルと同一の構造を有するが、これに限定されず、光を放射しなくてもよい。直列発光セルアレイ41のアノード端子は、ダイオードセルD1、D2間のノードに接続され、カソード端子は、ダイオードセルD3、D4間のノードに接続される。一方、交流電源45の端子は、ダイオードセルD1、D4間のノードに接続され、接地は、ダイオードセルD2、D3間のノードに接続される。交流電源45が正の位相を有する場合、ブリッジ整流器のダイオードセルD1、D3がターンオンされ、ダイオードセルD2、D4がターンオフされる。したがって、電流は、ブリッジ整流器のダイオードセルD1、直列発光セルアレイ41、及びブリッジ整流器のダイオードセルD3を経て接地に流れる。一方、交流電源45が負の位相を有する場合、ブリッジ整流器のダイオードセルD1、D3がターンオフされ、ダイオードセルD2、D4がターンオンされる。したがって、電流は、ブリッジ整流器のダイオードセルD2、直列発光セルアレイ41、及びブリッジ整流器のダイオードセルD4を経て交流電源に流れる。結果的に、直列発光セルアレイ41にブリッジ整流器を接続することにより、交流電源45を用いて、直列発光セルアレイ41を継続的に駆動させることができる。ここで、ブリッジ整流器の端子が、交流電源45及び接地に接続されるように構成しているが、ブリッジ整流器の端子が、交流電源の両端子に接続されるように構成することもできる。一方、交流電源を用いて、直列発光セルアレイ41を駆動することにより、リップルが発生することがあり、これを防止するために、RCフィルタ図示せずを接続して用いることもできる。本実施形態によると、一つの直列発光セルアレイを交流電源に電気的に接続して駆動させることができ、図6の発光ダイオードチップに比べて、発光セルの使用効率を高めることができる。直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードチップ又は発光セルがボンディングされたサブマウントを搭載し、多様な構造の発光ダイオードパッケージ又は発光ダイオードランプを提供することができる。以下、直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ又は発光ダイオードランプについて詳述する。図8~図10は、本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージを示す断面図である。図8を参照すると、発光ダイオードパッケージは、基板310と、基板310上に形成された電極320、325と、基板310上に実装された発光素子350と、発光素子350を封止するモールド部材370とを含む。発光素子350は、図1及び図2を参照して説明したような、配線80により直列接続された発光セルのアレイ、又は図3~図5を参照して説明したような、電極パターン250を有するサブマウント2000と、サブマウント2000の電極パターン250により直列接続された発光セルのアレイで構成させる。発光素子350は、少なくとも一つの発光セルアレイを含み、逆並列で接続された少なくとも二つの発光セルアレイ及び/又は所定の整流動作を行う別途の整流ブリッジ部を含んでもよい。発光セルのそれぞれは、n型半導体層とp型半導体層を含むが、一つの発光セルのn型半導体層と、一つの発光セルに隣接した他の発光セルのp型半導体層とが電気的に接続される。一方、直列接続された発光セルのアレイの一端と他端に、外部電源を接続するためのn型ボンディングパッドとp型ボンディングパッドが形成されてもよい。これに加えて、発光素子350が、別途の整流ブリッジ部を含む場合、整流ブリッジ部に電源パッドが形成されてもよい。発光セルは、単一基板上に形成されるので、発光ダイオードをそれぞれ実装し、直列接続する従来技術に比べて、パッケージ製造工程を単純化することができ、パッケージの大きさを小型化することができる。基板310は、第1のリード電極及び第2のリード電極320、325が印刷された印刷回路基板であってもよい。リード電極320、325は、発光素子350のp型ボンディングパッド図1及び図2の90、又は図3~図5の240及びn型ボンディングパッド図1及び図2の95、又は図3~図5の250又は電源パッドにそれぞれ電気的に接続される。リード電極320、325は、印刷技法を用いて形成すること以外に、接着剤を用いて基板310上に接着してもよい。第1及び第2の電極320、325は、導電性に優れた銅又はアルミニウムを含む金属物質で形成されてもよく、電気的に互いに離隔して形成される。リード電極320、325と発光素子350は、ボンディングワイヤ390を介して電気的に接続される。すなわち、第1の電極320と発光素子350の一つのパッドが、一つのボンディングワイヤ390を介して接続され、第2の電極325と発光素子350の他の一つのパッドが、他のボンディングワイヤ390を介して接続される。モールド部材370は、熱硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂を硬化させて形成することができる。モールド部材370は、レンズ状、六面体状、平板状、半球状、円筒状等の多様な形状に形成されてもよく、その上部面に複数個の小さなレンズ形状をさらに含んでもよい。一方、発光素子350の上部に、目標とする色の光を具現するための所定の蛍光体図示せずをさらに含んでもよい。蛍光体は、発光素子350上に塗布されて形成されてもよい。また、蛍光体と熱硬化性樹脂を混合した後、この混合物を用いてモールド部材370を形成することにより、蛍光体をモールド部370内に分散させてもよい。本実施形態による発光ダイオードパッケージは、反射部をさらに含んでもよい。図9及び図10は、このような反射部を含む発光ダイオードパッケージを示す。図9を参照すると、発光素子350は、反射部340内に実装される。反射部340は、基板図8の310を機械的に加工して、所定の溝を設けることにより形成されてもよい。溝の内壁は、所定の傾きを有して形成される。その結果、発光素子350から放射され、反射部340に入射した光が、反射部340から外へ反射され、光の輝度を向上させることができる。溝の下部面は、発光素子350の実装のために平面であることが好ましい。図10を参照すると、反射部360が平らな基板310上に形成され、発光素子350を取り囲む。反射部360は、所定の傾きを有し、発光素子350から入射した光を外へ反射させる。反射部360は、熱可塑性又は熱硬化性樹脂をモールドして形成することができる。一方、モールド部材370は、反射部360の内部を満たして、発光素子350を封止する。また、反射部360と基板310は、一体に形成されてもよい。この際、リード電極320、325は、リードフレームを用いて形成され、反射部360及び基板310は、リードフレームをインサート-モールディングinsert-moldingして形成される。本発明の実施形態による発光ダイオードパッケージは、上述のような発光素子350を一つ以上含んでもよい。図11は、複数個の発光素子350を含む発光ダイオードパッケージを示す断面図である。図11を参照すると、本実施形態による発光ダイオードパッケージは、基板310と、基板310上に形成されたリード電極320、325と、基板310上に実装された複数個の発光素子350とを含む。光の輝度を向上させるために、発光素子350を取り囲んで反射部360を形成してもよく、発光素子350の上部に発光素子350を封止するモールド部材370が形成される。また、リード電極320、325が基板310上に形成され、ボンディングワイヤ390を介して複数個の発光素子350に接続される。したがって、リード電極320、325及びボンディングワイヤ390を介して、複数個の発光素子350を、外部電源に接続することができる。各発光素子350は、図8を参照して説明したような、直列接続された発光セルのアレイを含む。本実施形態によると、複数個の発光素子350を、基板310上に直列、並列又は直並列で多様に搭載して、要求される光出力が得られ、複数個の発光素子350を搭載して高い光出力が得られる。図12及び図13は、本発明のいくつかの実施形態によるヒートシンクを採用した発光ダイオードパッケージを示す断面図である。図12を参照すると、本実施形態による発光ダイオードパッケージは、両側にリード電極320、325が形成され、貫通孔を有する基板又はハウジング311と、ハウジング311の貫通孔に取り付けられるヒートシンク313と、ヒートシンク313上に実装された発光素子350と、発光素子350を封止するモールド部材370とを含む。ハウジング311の貫通孔に取り付けられるヒートシンク313は、熱伝導性に優れた物質であって、発光素子350で発生した熱を外部に放出させる。ヒートシンク313は、図13に示すように、中央の所定領域に逆転した円錐台形状のリセス領域を有してもよい。リセス領域は、反射部380を構成し、リセス領域の下部平面上に発光素子350が実装される。逆転した円錐台形状のリセス領域は、光の輝度及び能力を向上させるために、所定の傾きを有して形成される。発光素子350は、図8を参照して説明したように、直列接続された発光セルのアレイを含む。発光素子350は、ボンディングワイヤ390を介してリード電極320、325に接続される。また、本実施形態において、複数個の発光素子350が、ヒートシンク313上に搭載されてもよい。発光素子350を覆うモールド部材370は、図8を参照して説明したように、多様な形状に形成されてもよい。また、蛍光体図示せずが目標とする色の光を放射するために発光素子350の上部に形成されてもよい。図14~図17は、本発明の他の実施形態によるヒートシンクを採用した発光ダイオードパッケージを示す図である。図14及び図15は、それぞれ本実施形態による発光ダイオードパッケージ410を示す斜視図及び平面図であり、図16は、発光ダイオードパッケージ410に用いられるリードフレーム415、416を示す平面図である。一方、図17は、発光ダイオードパッケージの断面を示す断面図である。図14~図17を参照すると、発光ダイオードパッケージ410は、一対のリードフレーム415、416、ヒートシンク413、及びリードフレームとヒートシンクを支持するパッケージ本体411を含む。ヒートシンク413は、図17に示すように、基底部、及び基底部の中央部分から上向き突出した突出部を有してもよい。基底部及び突出部は、図に示すように、円柱状であってもよいが、これに限定されず、多角柱状等、多様な形態及び組み合わせが可能である。一方、ヒートシンク413の基底部の形状に応じて、パッケージ本体411の外形が変更され得る。例えば、基底部の形状が円柱である場合、パッケージ本体411の外形は、図に示すように、円柱であってもよく、基底部の形状が四角柱である場合、パッケージ本体411の外形は、四角柱であってもよい。ヒートシンク413は、突出部の側面に、リードフレーム415を収容するリードフレーム収容溝413aを有する。収容溝413aは、突出部の側面の一部に形成されてもよいが、好ましくは、突出部の側面に沿って、連続的な一つの溝に形成されてもよい。これにより、ヒートシンク413の回転に拘わらず、リードフレーム415を連続的に収容溝413aに結合することが容易である。一方、ヒートシンク413は、基底部の側面413bに係止溝を有してもよい。係止溝は、基底部の側面413bの一部に形成されてもよいが、一面に沿って連続的であってもよい。ヒートシンク413の底面は、広い程、熱放出を促進させるので、図14及び図17に示すように、基底部の側面の下端部は、外部に露出され得る。しかしながら、係止溝及びその上の基底部の側面は、パッケージ本体411で覆われる。したがって、係止溝がパッケージ本体411の一部を収容することにより、ヒートシンク413がパッケージ本体411から分離されることが防止される。ヒートシンク413は、伝導性物質で形成され、特に、銅Cu又はアルミニウムAlのような金属又は合金で形成されてもよい。また、ヒートシンク413は、モールド加工技術又はプレス加工技術等を用いて形成されてもよい。一対のリードフレーム415、416は、互いに離隔してヒートシンク413の近くに位置する。リードフレーム415、416は、それぞれ内部リードフレーム415a、416a及び外部リード端子415b、416bを有する。内部リードフレーム415a、416aは、パッケージ本体411の内部に位置し、外部リード端子415b、416bは、内部リードフレームから延長され、パッケージ本体411の外部に突出する。この際、外部リード端子415b、416bは、表面実装が可能であるように折り曲げられてもよい。一方、内部リードフレーム415aは、ヒートシンク413の収容溝413aに結合され、ヒートシンクに直接電気的に接続される。内部リードフレーム415aは、図16に示すように、ヒートシンク413の収容溝413aに収容されるように一部が除去された環状であってもよい。環状において除去された部分が小さい程、ヒートシンク413と内部リードフレーム415aの接触面が増加され、電気的接続が強化する。この際、内部リードフレーム415aは、ヒートシンク413の突出部の形状に応じて、円形環、多角環等の多様な形状となり得る。これに対して、内部リードフレーム416aは、ヒートシンク413と離隔して位置する。内部リードフレーム416aは、内部リードフレーム415aの除去された部分に位置し、ヒートシンク413に近づけて位置することができる。リードフレーム416は、締結溝416cを有してもよく、締付溝416cは、パッケージ本体411の一部を収容し、リードフレーム416が、パッケージ本体411から分離することを防止する。リードフレーム415もまた締結溝を有してもよい。パッケージ本体411は、ヒートシンク413及びリードフレーム415、416を支持する。パッケージ本体411は、インサート-モールド加工技術を用いて形成されてもよい。すなわち、ヒートシンク413の収容溝にリードフレーム415を結合し、リードフレーム416を対応位置に配置させた後、熱可塑性又は熱硬化性樹脂をインサート-モールディングして、パッケージ本体411を形成することができる。インサート-モールド加工技術を用いてパッケージ本体411を形成するので、複雑な構造を有するパッケージ本体411を容易に形成することができる。この際、ヒートシンク413の突出部は、パッケージ本体411の上部よりもさらに上方に突出され得る。一方、パッケージ本体411は、内部リードフレーム415a、416aのそれぞれの一部、及びヒートシンク413の突出部の一部を露出させる開口部を有する。したがって、ヒートシンク413の突出部とパッケージ本体411との間に溝が形成される。溝は、図14及び図15に示すように、突出部の周辺に沿う連続的な溝であってもよいが、これに限定されるものではなく、断続的であってもよい。また、パッケージ本体411は、外周辺部に沿って位置する封止材収容溝411aをさらに有してもよい。封止材収容溝411aは、モールド部材又は封止材421を収容して、パッケージ本体411から封止材421が分離されることを防止する。これに加えて、リードフレーム415、416の位置を表示するために、マーカ411bが、図14及び図15に示すように、パッケージ本体に形成されてもよい。マーカ411bは、ヒートシンク413と直接接続されたリードフレーム415及び離隔したリードフレーム416の位置を表示する。パッケージ本体411は、インサート-モールド加工技術を用いて形成されるので、ヒートシンク413の基底部の側面413bに形成された係止溝を満たし、ヒートシンクを支持する。これに加えて、ヒートシンクの収容溝413aにリードフレーム415が収容され、リードフレームはまた、パッケージ本体により支持される。また、収容溝413aのうち、リードフレーム415が接触する部分を除いた他の部分は、パッケージ本体により満たされる。したがって、本発明の実施形態によると、ヒートシンクがパッケージ本体から分離されることが防止される。再度、図17を参照すると、ヒートシンク413上に発光素子417が搭載される。発光素子417は、図1及び図2を参照して説明したような、配線80により直列接続された発光セルのアレイ、又は図3~図5を参照して説明したような、電極配線250を有するサブマウント2000とサブマウント2000の電極パターン250により直列接続された発光セルのアレイを含む。発光素子350は、少なくとも一つの発光セルアレイを含み、逆並列で接続された少なくとも二つの発光セルアレイ及び/又は所定の整流動作を行う別途の整流ブリッジ部を含んでもよい。発光素子417は、ボンディングワイヤ419a、419bを介してリードフレーム415、416に電気的に接続される。例えば、発光素子417が、図1又は図2を参照して説明した発光ダイオードチップである場合、ボンディングワイヤ419a、419bは、直列接続された発光セルのアレイの両端に形成されたボンディングパッド図1又は図2の90及び95とリードフレーム415、416を接続する。また、発光素子417が、図3~図5を参照して説明したサブマウント2000、及びサブマウントにボンディングされた発光セル100を含む場合、ボンディングワイヤ419a、419bは、サブマウントに形成されたボンディングパッド240、250とリードフレーム415、416を接続する。図3又は図5に示すように、サブマウント2000上に発光ダイオードチップ1000がボンディングされた場合、サブマウント2000は、発光ダイオードチップ1000とヒートシンク413との間に介在する。ボンディングワイヤ419bは、リードフレーム415に直接接続されてもよく、ヒートシンク413に接続されてもよい。一方、封止材421が、発光ダイオードチップ417の上部を覆う。封止材421は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂であってもよい。また、封止材は、発光ダイオードチップ417から放射された光の波長を変換させる蛍光体421aを含んでもよい。例えば、発光ダイオードチップ417が青色光を放射する場合、封止材421は、青色光を黄色光に変換させる、又は、青色光を緑色光及び赤色光に変換させる蛍光体421aを含んでもよい。その結果、発光ダイオードパッケージから白色光が外部に放射される。封止材421は、パッケージ本体411の開口部及び封止材収容溝411aを満たす。したがって、封止材421とパッケージ本体411との接合力が増加し、封止材が発光ダイオードパッケージから分離することが防止される。一方、封止材421は、レンズであってもよく、発光ダイオードチップ417から放射された光が一定の指向角内に出射されるように、図17に示すように、凸レンズの形状を有してもよく、その他使用目的に応じて、多様な形状を有することができる。図18は、本発明のまた他の実施形態によるヒートシンクを採用した発光ダイオードパッケージを示す断面図である。図18を参照すると、本実施形態による発光ダイオードパッケージは、図17を参照して説明したように、一対のリードフレーム415、416、ヒートシンク413、及びパッケージ本体411を有する。また、図17を参照して説明したように、発光素子417が、ヒートシンク413上に搭載され、ボンディングワイヤ419a、419bが、発光素子417とリードフレーム415、416を電気的に接続し、封止材421が発光ダイオードチップ417の上部を覆う。封止材421内には、蛍光体421aが含有されてもよい。以下では、図17の発光ダイオードパッケージとの相違点について説明する。本実施形態による発光ダイオードパッケージにおいて、ヒートシンク413とリードフレーム415は一体に形成される。すなわち、リードフレーム415は、ヒートシンク413と同一の材質で形成され、ヒートシンク413と一緒に形成される。ヒートシンク413とリードフレーム415が一体であるので、リードフレーム収容溝図17の413aは、省略されてもよい。本実施形態によると、ヒートシンク413とリードフレーム415が一体であるので、ヒートシンク413が、パッケージ本体411から分離されることをさらに防止することができる。図19~図23は、本発明のまた他の実施形態によるヒートシンクを採用した発光ダイオードパッケージを示す図である。ここで、図19及び図20は、本実施形態による発光ダイオードパッケージの上部斜視図及び下部斜視図であり、図21は、発光ダイオードパッケージを示す分解斜視図である。一方、図22は、図19及び図20の発光ダイオードパッケージに発光ダイオードチップを搭載し、ボンディングワイヤで接続したものを示す断面図であり、図23は、図22の発光ダイオードパッケージにモールド部材を形成し、レンズを取り付けた断面図である。図19~図21を参照すると、本発明の発光ダイオードパッケージは、第1のパッケージ本体506と第2のパッケージ本体509とからなるパッケージ本体を含む。第1のパッケージ本体と第2のパッケージ本体は、別個に製造されてもよいが、インサート-モールド加工技術を用いて一体に形成してもよい。一体に形成した場合、パッケージ本体は、第1のパッケージ本体506と第2のパッケージ本体509とに分離されないが、説明の便宜上、分離されたものとして示している。第1のパッケージ本体506は、開口部508を有し、上部面に封止材又はモールド部材を収容するように窪んで形成され、内側壁で取り囲まれた溝を有する。開口部508は、窪んで形成された部分と同一の面積を有してもよいが、図示のように、それよりも狭い面積を有してもよい。第1のパッケージ本体の内壁には、後述するモールド部材を収容可能に段部507が形成されてもよい。第2のパッケージ本体509は、第1のパッケージ本体506の開口部により露出する貫通孔511を有する。また、第2のパッケージ本体509の上部面に内部フレーム収容溝510が形成され、その下部面にヒートシンク安着溝512が形成される。内部フレーム収容溝510は、貫通孔511と離隔して、その周囲に位置する。一対のリードフレーム501が、互いに離隔して、第1のパッケージ本体506と第2のパッケージ本体509との間に位置する。リードフレーム501は、第1のパッケージ本体506の開口部により露出する一対の内部フレーム503と、内部フレームから延長され、パッケージ本体の外部に突出した外部フレーム502とを有する。内部フレーム503は、対称構造で形成され、それらで中央部に中空部hollowportion505を形成する。中空部505内に貫通孔511が位置するように、内部フレーム503は、内部フレーム収容溝510内に安着される。一方、内部フレーム503は、それぞれから延長された支持体504を有してもよい。支持体504は、発光ダイオードパッケージを大量生産するために、複数個のリードフレーム501が接続されたリードパネル図示せずを用いるとき、リードフレーム501を支持する役割をする。また、外部フレーム502は、図19及び図20に示すように、印刷回路基板等に表面実装可能に折り曲げられてもよい。一方、リードフレーム501は、図に示すように対称構造をなすことができるが、これに限定されるものではない。また、内部フレーム503で取り囲まれた中空部505は、図に示すように六角形であってもよいが、これに限定されず、円形又は四角形等、多様な形状であってもよい。ヒートシンク513は、第2のパッケージ本体509の下部面にて、第2のパッケージ本体に結合される。ヒートシンク513は、第2のパッケージ本体のヒートシンク安着溝512に安着される基底部514を有し、基底部の中央部分から上向き突出し、第2のパッケージ本体の貫通孔511に挿入され、第2のパッケージ本体に結合する突出部515を有する。突出部515の側面に係止段が形成されてもよい。突出部515内の上部面516は窪んで形成されてもよく、第1のパッケージ本体506の開口部508により露出する。一方、第1及び第2のパッケージ本体506、509は、プラスチックThermalConductivePlastics又はセラミックHighThermalConductiveCeramicsを用いて形成することができる。プラスチックとしては、ABSAcrylonitrileButadieneStyrene、LCPLiquidCrystallinePolymer、PAPolyamide、PPSPolyphenyleneSulfide、TPEThermoplasticElastomer等があり、セラミックとしては、アルミナAl2O3、炭化ケイ素SiC、及び窒化アルミニウムAlN等がある。セラミックスのうち、窒化アルミニウムAlNは、アルミナと同等の物性を有し、熱伝導性においてアルミナよりも優れ、多く活用されている。第1及び第2のパッケージ本体506、509がプラスチックである場合、リードフレーム501を位置させた後、インサート-モールド加工技術を用いて形成することができる。これに対して、第1及び第2のパッケージ本体506、509がセラミックである場合、第1のパッケージ本体506と第2のパッケージ本体509を別途に形成した後、接着力の大きな接着剤等を用いて取付固定させることができる。図22を参照すると、本発明による発光ダイオードパッケージは、第1のパッケージ本体506の内壁に段部507が二重に形成されてもよく、これは、後述するモールド部材を成形し、又はレンズを装着するのに必要な固定段として作用するためである。一方、ヒートシンク513の係止段515aは、突出部515の外側面に形成され、第2のパッケージ本体509の貫通孔511の内壁に形成された凹溝部に挿入固定されてもよい。また、係止段515aは、突出部515の上側に形成され、第2のパッケージ本体509の上部面に取り付けられてもよい。これにより、パッケージ本体からヒートシンク513が分離することを防止することができる。係止段は、ヒートシンク513の基底部の側面に形成されてもよい。ヒートシンク513は、伝導性物質で形成され、特に、銅Cu又はアルミニウムAlのような金属又は合金で形成してもよい。また、ヒートシンク513は、モールド加工技術又はプレス加工技術等を用いて形成してもよい。ヒートシンク513の上部面516に発光素子517が搭載される。発光素子517は、図17を参照して説明した発光素子417と同一であるので、説明を省略する。図23を参照すると、モールド部材521、523が発光素子517の上部を覆い、第1のパッケージ本体506の溝内に成形される。モールド部材は、第1のモールド部材521及び第2のモールド部材523を含んでもよい。第1及び第2のモールド部材は、それぞれエポキシ樹脂又はシリコン樹脂等で形成されてもよく、互いに同一又は異なる物質で形成され得る。第2のモールド部材523は、第1のモールド部材521に比べて、硬度値が大きいことが好ましい。第1及び第2のモールド部材は、それぞれ段部507aの近くで界面が形成されるように、第1のパッケージ本体506の溝を満たすことができる。一方、第1のモールド部材521及び/又は第2のモールド部材523内に、蛍光体が含有されてもよい。また、第1のモールド部材521及び/又は第2のモールド部材523内に、光を分散させる拡散剤が含有されてもよい。蛍光体は、発光素子517上に塗布され、第1のモールド部材521と発光素子517との間に位置してもよく、第1のモールド部材521又は第2のモールド部材523上に位置してもよい。また、モールド部材の上部にレンズ525が位置してもよい。レンズ525は、上部段部507bに固定される。レンズ525は、発光ダイオードチップ517から放射された光が一定の指向角内に出射されるように、図に示すのように、凸レンズの形状を有してもよく、その他使用目的に応じて、多様な形状を有することができる。図24は、本発明の一実施形態による直列接続された発光セルを有する発光ダイオードランプを示す断面図である。図24を参照すると、発光ダイオードランプは、頂部603と、頂部603から延長されたピン型脚部601aを有する第1のリードとを含む。ピン型脚部601aを有する第2のリードが、第1のリードから離隔して、第1のリードに対応して配置される。第1のリードの頂部603上に発光素子617が搭載される。第1のリードの頂部603は、リセスされたキャビティを有してもよく、発光素子617は、キャビティ内に搭載される。キャビティの側壁は、発光素子617から放射された光を所定の方向に反射させるように傾斜した反射面を形成してもよい。発光素子617は、ボンディングワイヤ613a、613bを介して、第1及び第2のリードと電気的に接続される。発光素子617は、図17を参照して説明した発光素子417と同一であるので、その説明を省略する。一方、モールド部材611が、第1のリードの頂部603、発光素子617、及び第2のリードの一部を密封する。モールド部材611は、一般に透明樹脂を用いて成形される。モールド部材611は、発光素子617を保護すると共に、発光素子617から放射された光を一定の指向角内に屈折させるレンズの機能を果たすことができる。これに加えて、封止材609が、キャビティ内に形成され、発光素子617の上部を覆ってもよい。封止材609は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂で形成されてもよい。一方、封止材609は、蛍光体を含有してもよい。蛍光体は、発光素子617から放射された光の波長を変換させて要求される波長の光を放射する。蛍光体は、発光素子617上に塗布して形成してもよい。ピン型脚部601a、601bは、印刷回路基板PCB、図示せずに挿着されてもよく、印刷回路基板を通じて、発光ダイオードランプに電流が供給され、発光素子617が光を放射するようになる。一方、ピン型脚部601a、601bは、家庭用交流電源のソケットに直接接続されてもよく、したがって、一般照明用として家庭で使用してもよい。以下では、図25~図32を参照して、本発明の他の実施形態による発光ダイオードランプの一種であるハイフラックス発光ダイオードランプについて説明する。図25及び図26は、それぞれ本発明の他の実施形態によるハイフラックス発光ダイオードランプを示す斜視図であり、図27は、図26の断面図である。図25~図27を参照すると、ハイフラックス発光ダイオードLEDランプは、第1のリード及び第2のリードを有する。第1のリードは、頂部703を有する。二つのピン型脚部701a、701cが、頂部703から延長され、外部に露出する。第2のリードは、第1のリードに対応する二つピン型脚部701b、701dを有し、二つピン型脚部701b、701dは、上側にて互いに接続される。第1のリード及び第2のリードは、銅又は鉄のような金属又は合金で形成してもよく、モールド技術を用いて成形してもよい。第1のリードの頂部703は、発光素子717を搭載する上部面及び下部面を有する。頂部703の上部面は、平らな面であってもよい。又は、図27に示すように、頂部703の上部面にキャビティが形成されてもよく、発光素子717は、キャビティ内に搭載される。キャビティの側壁には、発光ダイオードから放射された光を、所定の方向に反射させるための傾斜した反射面を形成する。発光素子71は、図17を参照して説明した発光素子417と同一であるので、その説明を省略する。発光素子717は、ボンディングワイヤ713a、713bを介して、第1及び第2のリードに電気的に接続される。一方、モールド部材711が、第1のリードの頂部703、発光素子717、及び第2のリードの一部を密封する。モールド部材711は、エポキシ樹脂又はシリコンのような透明樹脂を用いて成形されてもよいが、目的に応じて半透明樹脂を用いて成形することができる。モールド部材711は、発光素子717を保護すると共に、発光素子717から放射された光を一定の指向角内に屈折させるレンズの機能を有してもよい。したがって、モールド部材711の外形は、要求される指向角に応じて多様な形状を有してもよい。例えば、狭い指向角を得るために、モールド部材711の上部は、小さい曲率を有して膨らんでもよく、これに対して、広い指向角を得るために、モールド部材711の上部は、大きな曲率を有して略平らであってもよい。また、図25に示すように、発光素子717の上部の近くにレンズ711aが限定されるようにモールド部材711を成形してもよく、図26に示すように、上部の全体がレンズの形状を有するようにモールド部材711を成形してもよい。これに加えて、封止材709が、キャビティ内に形成され、発光素子717の上部を覆うことができる。封止材709は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂で形成されてもよい。一方、封止材709は、図24を参照して説明したように、蛍光体を含有してもよい。ピン型脚部701a、701b、701c、701dは、印刷回路基板PCB、図示せず等に挿着され、半田付けにより固定され得る。印刷回路基板を通じて、発光ダイオードランプに電流が供給され、発光素子717が光を放射するようになる。図28は、本発明のまた他の実施形態によるハイフラックス発光ダイオードランプを示す斜視図であり、図29及び図30は、図28の断面図及び側面図である。図28~図30を参照すると、発光ダイオードランプは、頂部723と、頂部723から延長されたスナップ型脚部721aを有する第1のリードとを含む。スナップ型脚部721aは、広い側面及び下部から略垂直に折り曲げられた折曲部722aを含む。また、スナップ型脚部721bを有する第2のリードが、第1のリードと離隔して、第1のリードに対応して配置される。第2のリードのスナップ型脚部721bはまた、広い側面及び下部から略垂直に折り曲げられた折曲部722bを含む。折曲部722a、722bは、互いに反対方向延長されることが好ましい。第1のリード及び第2のリードは、銅又は鉄のような金属又は合金で形成されてもよく、モールド技術を用いて成形されてもよい。第1のリードの頂部723は、図27を参照して説明したように、発光素子717を搭載する上部面及び下部面を有する。頂部723の上部面は、平らな面であってもよい。又は、図29に示すように、頂部723の上部面にキャビティが形成されてもよく、発光素子717は、キャビティ内に搭載される。キャビティの側壁は、発光素子717から放射された光を、所定の方向に反射させるための傾斜した反射面を形成する。発光素子717は、図27を参照して説明したように、ボンディングワイヤ713a、713bを介して、第1及び第2のリードにそれぞれ電気的に接続される。したがって、第1のリード及び第2のリードの折曲部722a、722bを印刷回路基板上に固定させた後、印刷回路基板を通じて、発光ダイオードランプに電流を供給することができる。一方、モールド部材711が、上述したように、第1のリードの頂部723、発光素子717、及び第2のリードの一部を密封し、封止材709が、キャビティ内の発光素子717を覆ってもよい。また、封止材709は、蛍光体を含有してもよい。一方、ヒートシンク723aが、第1のリードの頂部723から第1のリードの脚部721aと平行な方向に延長され得る。ヒートシンク723aは、少なくともモールド部材711の外部に延長されて突出する。ヒートシンク723aは、第1リードの脚部721aの最下部まで延長され得る。したがって、発光ダイオードランプを印刷回路基板上に搭載する場合、ヒートシンク723aも、印刷回路基板上に接着され得る。ヒートシンク723aは、その表面にグルーブgrooveを有してもよい。グルーブは、ヒートシンク723aの表面積をさらに広くする。このようなグルーブは、多様な形状、多様な幅を有して形成され得る。ヒートシンク723aは、第1のリードの頂部723及び脚部721aと一体に成形され得る。本発明の実施形態によると、発光ダイオードチップ717は、供給された電流により光を放射し、この際に熱も一緒に発生する。発光ダイオードチップ717で発生した熱は、第1のリードの頂部723及び脚部721aを通じて、また、ワイヤ713a、713b及び第2のリードを通じて外部に放出される。第1のリード及び第2のリードの脚部721a、721bはスナップ型であるので、その表面積がピン型脚部に比べて広い。したがって、発光ダイオードランプの熱放出性能が改善される。これに加えて、ヒートシンク723aが第1のリードの頂部723から延長する場合、ヒートシンク723aを通じて熱が放出され、熱放出性能がさらに改善される。ヒートシンク723aは、図25~図27を参照して説明したピン型脚部701a~701dを有するハイフラックス発光ダイオードランプの頂部703から延長されてもよい。図31及び図32は、それぞれスナップ型脚部721a、721bを変形して、熱放出性能をさらに改善させたハイフラックス発光ダイオードランプを示す側面図である。図31を参照すると、発光ダイオードランプは、図28~図30を参照して説明した発光ダイオードランプと同一の構成要素を有するが、第1のリード及び/又は第2のリードのスナップ型脚部721a、721bから変形された第1のリードのスナップ型脚部751a及び/又は第2のリードのスナップ型脚部図示せずを有する。すなわち、第1のリードの脚部751aは、空気が通過可能な少なくとも一つの貫通孔751hを有する。また、第2のリードの脚部も、空気が通過可能な少なくとも一つの貫通孔を有してもよい。貫通孔751hは、多様な形状、例えば、四角形状、円形状、楕円形状等の形状に形成されてもよい。また、貫通孔751hは、第1のリードの脚部751a内に多様な形状に配列されてもよい。すなわち、図31に示すように、行で配列されてもよく、これとは異なり、列で配列されてもよく、行列で配列されてもよい。貫通孔751hはまた、第2のリードの脚部内に配列されてもよい。本実施形態によると、空気が貫通孔751hを通過することができ、対流を用いて、リードの脚部を冷却することができる。したがって、発光ダイオードランプの熱放出性能をさらに改善することができる。図32を参照すると、本実施形態による発光ダイオードランプは、図28~図30を参照して説明した発光ダイオードランプと同一の構成要素を有するが、第1のリード及び/又は第2のリードのスナップ型脚部721a、721bから変形された第1のリードのスナップ型脚部771a及び/又は第2のリードのスナップ型脚部図示せずを有する。すなわち、第1のリードの脚部771aは、グルーブ771gを有する。グルーブ771gは、第1のリードの脚部771aの外側面及び/又は内側面に形成されてもよい。また、グルーブ771gは、第2のリードの脚部上に形成されてもよい。グルーブ771gは、多様な形状、例えば、直線状、螺旋状の形状に形成されてもよい。本実施形態によると、第1のリードの脚部及び/又は第2のリードの脚部の表面積を広くすることができ、第1のリード及び/又は脚部を通じた熱放出性能をさらに改善することができる。