"浮上ステージの浮上面より噴出する気体の圧力によって基板を空中に浮かせ、空中に浮く前記基板を前記浮上ステージ上で水平方向に搬送する基板浮上搬送方法であって、前記浮上ステージの浮上面を複数の浮上エリアに区画し、前記基板の種類、属性もしくは反り状態または前記基板の部位に応じて前記気体の噴出圧力を各々の前記浮上エリア毎に独立に可変し、またはオンオフ制御する基板浮上搬送方法。前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項1に記載の基板浮上搬送方法。前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向と交差する水平方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項1に記載の基板浮上搬送方法。前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向および搬送方向と交差する水平方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項1に記載の基板浮上搬送方法。搬送方向に並んで配置される少なくとも一群の前記浮上エリアについては、前記基板の選択された所定の部位が真上またはその近傍に在るか否かに応じて、各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を可変し、またはオンオフ制御する、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板浮上搬送方法。前記浮上ステージの少なくとも一部の区間においては、前記基板の選択された所定の部位に対する高圧気体の噴出圧力が前記基板の他の部位に対する高圧気体の噴出圧力よりも上回るように、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオンオフ制御する、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板浮上搬送方法。前記基板がその中心部と周縁部との間で反っているときは、前記浮上ステージの少なくとも一部の区間において、前記基板の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が前記基板の中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高く、もしくは相対的に低くなるように、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオンオフ制御する、請求項6に記載の基板浮上搬送方法。前記基板が搬送方向の前後両端部と中間部との間で反っているときは、前記浮上ステージの少なくとも一部の区間において、前記基板の前後両端部に対する高圧気体の噴出圧力が前記基板の中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高く、もしくは相対的に低くなるように、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオンオフ制御する、請求項6に記載の基板浮上搬送方法。前記基板が搬送方向の左右両端部と中間部との間で反っているときは、前記浮上ステージの少なくとも一部の区間において、前記基板の左右両端部に対する高圧気体の噴出圧力が前記基板の中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高く、もしくは相対的に低くなるように、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオンオフ制御する、請求項6に記載の基板浮上搬送方法。前記浮上ステージの少なくとも一部の区間においては、前記基板の任意の部位が真上またはその近傍に在るか否かに応じて、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオンオフ制御する、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板浮上搬送方法。複数の浮上エリアに区画された浮上面を有し、前記浮上面より高圧の気体を噴出して基板を空中に浮かす浮上ステージと、高圧気体を送出する高圧気体供給源と、前記高圧気体供給源と複数の前記浮上エリアとの間に設けられ、前記基板の種類、属性もしくは反り状態または前記基板の部位に応じて高圧気体の噴出圧力を各々の前記浮上エリア毎に独立に可変し、またはオンオフ制御する噴出圧力制御部と、空中に浮く前記基板を着脱可能に保持して前記浮上ステージ上で搬送する基板搬送部とを有する基板浮上搬送装置。前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項11に記載の基板浮上搬送装置。前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向と交差する水平方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項11に記載の基板浮上搬送装置。前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向および搬送方向と交差する水平方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項11に記載の基板浮上搬送装置。前記噴出圧力制御部は、前記気体流路網において噴出圧力を共通にする一群の前記浮上エリアに高圧気体を分配する第1の流路に設けられる比例制御弁を有し、前記一群の浮上エリアに供給する高圧気体の噴出圧力を可変するために前記比例制御弁の開度を調節する、請求項11~14のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置。前記噴出圧力制御部は、前記気体流路網において噴出圧力を共通にする一群の前記浮上エリアに高圧気体を分配する第1の流路に並列的に設けられる複数のレギュレータを有し、前記一群の浮上エリアに供給する高圧気体の噴出圧力を可変するために前記複数のレギュレータのいずれかを選択的に作動させる、請求項11~14のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置。前記噴出圧力制御部は、前記気体流路網において各々の前記浮上エリアに高圧気体を分配する第2の流路に設けられる開閉弁を有し、前記基板の選択された所定の部位もしくは任意の部位が当該浮上エリアの真上またはその近傍に在るか否かに応じて、前記開閉弁をオンオフ制御する、請求項11~16のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置。各々の前記浮上エリアには、高圧気体を噴出する多数の噴出口が一定の密度で設けられている、請求項11~17のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置。基板上に処理液を塗布するための基板処理装置であって、請求項11~18のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置と、搬送方向の所定の位置にて前記浮上ステージの上方に配置され、その直下を通過する前記基板に向けて処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに前記処理液を供給する処理液供給部とを有する基板処理装置。従来のこの種のレジスト塗布装置においては、浮上搬送中に基板が浮上ステージ特に搬入領域または搬出領域の浮上面を擦ることがないように、被処理対象の中で想定される最も浮きにくい基板あるいは最も反りの大きい基板を基準として、高圧気体の噴出圧力を高めに設定していた。しかしながら、そのことによって、浮上しやすくて反りの少ない基板が浮上ステージ上に搬入されるときは、高圧気体の噴出圧力が過剰になって、高圧気体を必要以上に消費していることが問題となっている。さらには、高圧気体の噴出圧力が過剰であると、搬入領域および搬出領域における浮上高が最適範囲200~2000μmを超えることがある。そうすると、塗布領域側の負担、すなわち浮上剛性を強くして精密浮上高30~60μmを保つ負担が増大し、塗布領域でも高圧気体およびバキュームの用力消費量が増えることになる。本発明は、上記のような従来技術の課題を解決するものであり、浮上ステージにおける基板の浮上高や姿勢を最適化しつつ浮上用高圧気体の消費効率を改善する基板浮上搬送方法および基板浮上搬送装置を提供する。さらに、本発明は、塗布処理の信頼性、再現性および効率を改善する基板処理装置を提供する。本発明の基板浮上搬送方法は、浮上ステージの浮上面より噴出する気体の圧力によって基板を空中に浮かせ、空中に浮く前記基板を前記浮上ステージ上で水平方向に搬送する浮上式の基板搬送方法であって、前記浮上ステージの浮上面を複数の浮上エリアに区画し、前記基板の種類、属性もしくは反り状態または前記基板の部位に応じて前記気体の噴出圧力を各々の前記浮上エリア毎に独立に可変し、またはオンオフ制御する。また、本発明の基板浮上搬送装置は、複数の浮上エリアに区画された浮上面を有し、前記浮上面より高圧の気体を噴出して基板を空中に浮かす浮上ステージと、高圧気体を送出する高圧気体供給源と、前記高圧気体供給源と複数の前記浮上エリアとの間に設けられ、前記基板の種類、属性もしくは反り状態または前記基板の部位に応じて高圧気体の噴出圧力を各々の前記浮上エリア毎に独立に可変し、またはオンオフ制御する噴出圧力制御部と、空中に浮く前記基板を着脱可能に保持して前記浮上ステージ上で搬送する基板搬送部とを有する。本発明の基板浮上搬送方法または基板浮上搬送装置においては、浮上ステージの浮上面を複数の浮上エリアに区画し、各浮上エリアにおける噴出圧力を独立に可変し、またはオンオフ制御することにより、基板の種類、属性もしくは反り状態に応じて基板の浮上高ないし矯正の最適化を図り、さらには高圧気体等の用力の使用効率を向上させることができる。また、本発明の基板処理装置は、本発明の基板浮上搬送装置と、搬送方向の所定の位置にて前記浮上ステージの上方に配置され、その直下を通過する前記基板に向けて処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに前記処理液を供給する処理液供給部とを有する。本発明の基板処理装置は、本発明の基板浮上搬送装置を含む上記の構成により、浮上式塗布処理の信頼性、再現性および効率を改善することができる。本発明の基板浮上搬送方法または基板浮上搬送装置によれば、上記のような構成および作用により、浮上ステージにおける基板の浮上高や姿勢を最適化しつつ、浮上用高圧気体等の用力消費効率を改善することができる。また、本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、塗布処理の信頼性、再現性および効率を改善することができる。以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。図1~図3につき、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布装置の全体的な構成および作用を説明する。このレジスト塗布装置は、たとえばLCD液晶ディスプレイ用の矩形のガラス基板Gを被処理基板とする。図1に示すように、浮上ステージ10の上面または浮上面には、高圧の気体たとえばエアを噴出する多数の噴出口12が一面に形成されている。浮上ステージ10の左右両側には直進運動型の第1左側および第2右側の搬送部16L,16Rが配置されている。これらの搬送部16L,16Rは、各々単独で、あるいは両者協働して、ステージ10上で浮いている基板Gを着脱可能に保持してステージ長手方向X方向に基板Gを搬送するようになっている。浮上ステージ10上で基板Gは、その一対の辺が搬送方向X方向と平行で、他の一対の辺が搬送方向と直交するような水平姿勢をとって、浮上搬送される。浮上ステージ10は、図2に示すように、その長手方向X方向に沿って複数たとえば3つの領域MIN,MCT,MOUTに分割されている。一端の領域MINは搬入領域であり、レジスト塗布処理を受けるべき新規の基板Gはたとえば搬送方向上流側で浮上ステージ10に隣接する第1のソーターユニット図示せずから平流しでこの搬入領域MINに搬入される。搬入領域MINは基板Gの浮上搬送が開始される領域でもあり、この領域の浮上面には基板Gを搬入の浮上搬送に適した浮上高Hβで浮かせるために多数の噴出口12が一面に設けられている。この搬入領域MINにおける基板Gの浮上高Hβは、特に高い精度を必要とせず、たとえば200~2000μmの範囲内に保たれればよい。また、搬送方向X方向において、搬入領域MINのサイズは基板Gのサイズを上回っているのが好ましい。さらに、搬入領域MINには、基板Gをステージ10上で位置合わせするためのアライメント部図示せずも設けられてよい。浮上ステージ10の長手方向中心部に設定された領域MCTはレジスト液供給領域または塗布領域であり、基板Gはこの塗布領域MCTを通過する際に上方のレジストノズル18からレジスト液Rの供給を受ける。この塗布領域MCTの浮上面には、基板Gを浮上剛性の大きな精密浮上高Hα標準値:30~60μmで安定に浮かせるために、高圧エアを噴き出す噴出口12と負圧で周囲のエアを吸い込む吸引口14とを一定の密度または配置パターンで混在させて設けている。搬送方向X方向における塗布領域MCTのサイズは、レジストノズル18の直下付近に上記のような浮上剛性の大きな精密浮上高Hαを保持できるほどのスペース的な余裕があればよいので、通常は基板Gのサイズよりも小さくてよく、たとえば1/3~1/10程度でよい。塗布領域MCTの下流側に位置する浮上ステージ10の他端の領域MOUTは搬出領域である。このレジスト塗布装置で塗布処理を受けた基板Gは、この搬出領域MOUTからたとえば搬送方向下流側で浮上ステージ10に隣接する第2のソーターユニット図示せずを経由して次工程の基板処理装置たとえば減圧乾燥装置図示せずへ平流しで移送される。この搬出領域MOUTの浮上面には、基板Gを搬出の浮上搬送に適した浮上高Hβたとえば200~2000μmで浮かせるために噴出口12が一面に多数設けられている。レジストノズル18は、その長手方向Y方向で浮上ステージ10上の基板Gを一端から他端までカバーできるスリット状の吐出口18aを有し、門形または逆さコ字形のフレーム図示せずに取り付けられ、たとえばボールネジ機構を有するノズル昇降部図示せずの駆動で昇降移動可能であり、レジスト液供給部図示せずからのレジスト液供給管20に接続されている。第1左側および第2右側の搬送部16L,16Rは、浮上ステージ10の左右両側に平行に配置された第1および第2のガイドレール22L,22Rと、これらのガイドレール22L,22R上で搬送方向X方向に移動可能に取り付けられた第1および第2のスライダ24L,24Rと、両ガイドレール22L,22R上で両スライダ24L,24Lを同時または個別に直進移動させる第1および第2の搬送駆動部図示せずと、基板Gを着脱可能に保持するために両スライダ24L,24Rに搭載されている第1および第2の保持部26L,26Rとをそれぞれ有している。各搬送駆動部は、直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されている。第1左側の保持部26Lは、基板Gの左側二隅の裏面下面にそれぞれ真空吸着力で結合する複数個の吸着パッド28Lと、各吸着パッド28Lを搬送方向X方向に一定の間隔を置いた複数箇所で鉛直方向の変位を規制して支持する複数個のパッド支持部30Lと、これら複数個のパッド支持部30Lをそれぞれ独立に昇降移動または昇降変位させる複数個のパッドアクチエータ32Lとを有している。第2右側の保持部26Rは、基板Gの左側二隅の裏面下面にそれぞれ真空吸着力で結合する複数個の吸着パッド28Rと、各吸着パッド28Rを搬送方向X方向に一定の間隔を置いた複数箇所で鉛直方向の変位を規制して支持する複数個のパッド支持部30Rと、これら複数個のパッド支持部30Rをそれぞれ独立に昇降移動または昇降変位させる複数個のパッドアクチエータ32Rとを有している。左右両側の各吸着パッド28L,28Rは、図示省略するが、たとえばステンレス鋼SUSからなる直方体形状のパッド本体の上面に複数個の吸引口を設けている。それらの吸引口はパッド本体内のバキューム通路および外部のバキューム管を介してパッド吸着制御部の真空源図示せずにそれぞれ通じている。このレジスト塗布装置において、レジスト塗布処理が行われるときは、図3に示すように、基板Gが浮上搬送によって搬入領域MINから塗布領域MCTに入る際に、基板Gの浮上高が漸次的に下がり、ラフで大きな浮上高Hβから精密で小さな浮上高Hαへと変化する。そして、塗布領域MCT内では、特にレジストノズル18の直下付近では、基板Gの浮上高精密浮上高Hαが標準値30~60μmに保たれる。基板Gが塗布領域MCTを過ぎると、基板Gの浮上高は漸次的にラフ浮上高Hβの標準値200~2000μmへと増大していく。こうして、基板Gが塗布領域MCT内では上下にぶれたりせずに精密浮上高Hαを保って移動することにより、レジストノズル18より帯状に供給されるレジスト液Rが基板G上で均一に塗布され、基板Gの前端から後端に向かってレジスト液Rの塗布膜RMが一定の膜厚で形成される。この実施形態では、以下に述べるような浮上ステージ10上の空間的かつ時間的な噴出圧力の可変制御ないしオンオフ制御機能により、浮上ステージ10上で浮上搬送される基板Gの浮上高や姿勢を最適化しつつ浮上用高圧気体の消費効率ひいてはバキューム消費効率を改善している。図4に点線で示すように、この実施形態の浮上ステージ10は、搬入領域MINおよび搬出領域MOUTの浮上面をそれぞれ多数の浮上エリアに区画している。より詳細には、搬入領域MINの浮上面は、搬送方向X方向において複数個m個の短冊状エリアE1,E2,,Emに区画され、各々の短冊状エリアEii12,mが搬送方向と直交する水平方向Y方向において左右両端部の浮上エリアALi,ARiと中間部の浮上エリアASiとに区画されている。全体的に見ると、左端浮上エリアAL1,AL2,,ALm、中間浮上エリアAS1,AS2,,ASmおよび右端浮上エリアAR1,AR2,,ARmが搬送方向X方向にそれぞれ一列に並んで第1、第2および第3の浮上エリア群38,38,38を形成している。一方、搬出領域MOUTの浮上面は、搬送方向X方向において複数個n個の短冊状エリアF1,F2,,Fnに区画され、各々の短冊状エリアFjj12,nが搬送方向と直交する水平方向Y方向において左右両端部の浮上エリアBLj,BRjと中間部の浮上エリアBSjとに区画されている。全体的に見ると、左端浮上エリアBL1,BL2,,BLm、中間浮上エリアBS1,BS2,,BSmおよび右端浮上エリアBR1,BR2,,BRmが搬送方向X方向にそれぞれ一列に並んで第4、第5および第6の浮上エリア群38,38,38を形成している。上記のような第1~第6の浮上エリア群38~38の各浮上エリアALi,ARi,ASi,BLj,BRj,BSj内に分布する噴出口12の密度および/または配置パターンは、同じであってもよく、あるいは異なっていてもよく、それぞれ独立に選定されてよい。この実施形態では、図2に示すように、搬入領域MINおよび搬出領域MOUTの左端浮上エリアALi,BLjおよび右端浮上エリアARi,BRjに同一の噴出口密度および配置パターンを設定し、搬入領域MINおよび搬出領域MOUTの中間浮上エリアASi,BSjに同一の噴出口密度および配置パターンを設定している。そして、面積の小さい両端の浮上エリアALi,BLj,ARi,BRjの単位面積当たりの応答性を高くするため、それらの噴出口密度を面積の大きい中間浮上エリアASi,BSjの噴出口密度よりも一段高くしている。図5Aおよび図5Bに、浮上ステージ10の搬入領域MINおよび搬出領域MOUTにおける高圧気体の噴出圧力を制御するための噴出圧力制御部40の構成を示す。この実施形態における噴出圧力制御部40は、たとえばコンプレッサからなる高圧気体供給源42と各浮上エリアALi,ASi,ARi,BLj,BSj,BRjとの間に設けられ、基板Gの種類、属性もしくは反り状態または基板Gの部位に応じて高圧気体の噴出圧力を各々の浮上エリアALi,ASi,ARi,BLj,BSj,BRj毎に独立に可変し、またはオンオフ制御するように構成されている。この噴出圧力制御部40は、高圧気体供給源42からの高圧気体を各浮上エリアALi,ASi,ARi,BLj,BSj,BRjに分配供給するための高圧気体流路網44と、この高圧気体流路網44において高圧気体供給源42からの一次高圧気体を減圧して複数段階たとえば強中弱の3段階の圧力に調整された二次高圧気体をそれぞれ出力する複数3つのレギュレータ46,48,50と、各浮上エリアALi,ASi,ARi,BLj,BSj,BRjに対してこれらのレギュレータ46,48,50からの3種類の二次高圧気体のいずれか1つを個別に選択するための切換弁52ALi,52ASi,52ARi,52BLj,52BSj,52BRjと、各浮上エリアALi,ASi,ARi,BLj,BSj,BRjにおける高圧気体の噴出を個別にオンオフするための開閉弁54ALi,54ASi,54ARi,54BLj,54BSj,54BRjと、上記レギュレータ、切換弁および開閉弁の各々を個別に制御するコントローラ55とを有している。この噴出圧力制御部40においては、上記の構成により、各浮上エリア毎に高圧気体の噴出をオンオフできるとともに、噴出圧力を強、中、弱の3通り3段階に可変することができる。たとえば、浮上エリアALiについては、開閉弁54AL1をオンにして、切換弁52AL1をレギュレータ46に切り換えると強の噴出圧力が選択され、切換弁52AL1をレギュレータ48に切り換えると中の噴出圧力が選択され、切換弁52AL1をレギュレータ50に切り換えると弱の噴出圧力が選択される。開閉弁54AL1をオフにすると、浮上エリアALiから高圧エアが噴出しなくなる。なお、高圧気体流路網42の途中に、たとえば各開閉弁54ALi,54ASi,54ARi,54BLj,54BSj,54BRjと各浮上エリアALi,ASi,ARi,BLj,BSj,BRjとの間には、各浮上エリアALi,ASi,ARi,BLj,BSj,BRj内に分布する多数の噴出口12に均一な圧力で高圧エアを分配するためのマニホールドまたはバッファ室図示せずが設けられている。コントローラ55は、たとえばマイクロコンピュータからなり、上記噴出圧力制御部40内の各部の制御を行うほか、このレジスト塗布装置内の他の機構、たとえばレジスト液供給部、基板搬送部等に対する制御も行い、さらにはレジスト塗布処理において装置全体のシーケンスを制御する。コントローラ55は、このレジスト塗布処理装置が組み込まれている上位システムたとえば塗布現像処理装置を統括制御するホストコンピュータ図示せずと種種のデータおよび信号をやりとりする。特に、このレジスト塗布処理装置に搬入される処理対象の基板Gに関して、基板の種類または属性たとえば長さ×幅サイズ、厚み、材質、下地膜の層順位種類等の情報をたとえばロット単位でホストコンピュータから受け取るようになっている。コントローラ55は、このような属性情報を基に、所定のアルゴリズムによって、処理対象の基板Gについてその浮上特性や反り具合を推定することができる。たとえば、基板のサイズ、厚み、材質等のデータから、単位面積当たりの重量を求めて、当該基板を所望の浮上高に浮かせるために必要な噴出圧力を決定することができる。また、基板の反りは、主に基板上にそれまで積層形成されている複数の層特に金属配線層間のバイメタル効果に起因して起こる。したがって、今回レジスト塗布処理を受ける下地膜の層順位または種類に応じて反りの種類態様および程度が変わる。逆な見方をすれば、下地膜に関する情報を基に、反りの種類態様および程度を推定することができる。もっとも、基板の反りに関しては、図3に示すように、たとえば浮上ステージ10の入口付近に光学式の反り検出部56を好適に設けることができる。この反り検出部56は、搬送方向と直交する水平方向Y方向に複数個の光学式距離センサ58を一定間隔で一列に並べて配置し、上記第1のソーターユニットから平流しで浮上ステージ10上に搬入される基板Gが真下を通過する際に、それら複数の光学式距離センサ58を通じて基板Gの2次元的な平坦度を光学的な走査でモニタし、基板Gの反りの種類態様および程度を正確に測定することができる。反り検出部56における信号処理は、専用の演算回路で行ってもよく、あるいはコントローラ55が兼用して行ってもよい。次に、図6~図11につき、この実施形態における噴出圧力制御部40の作用を説明する。なお、以下の説明では基板Gが浮上ステージ10の搬入領域MINの上を移動するときの作用について述べるが、搬出領域MOUTの上を移動するときも基本的には同じである。第1の例として、図6Aおよび図6Bに示すように、均一な噴出圧力で浮上させたときに4辺の周縁部が中心部より低く垂れ下がるような反りがある基板Gが処理対象として浮上ステージ10上に搬入されたとする。この場合は、基板Gが浮上搬送によって搬入領域MINの上を移動する際に、基板Gの4辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Gの中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、噴出圧力制御部40において搬入領域MIN内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Gの移動に合わせて順次可変し、またはオンオフする制御が行われる。したがって、浮上ステージ10上で移動する基板Gが図7のaに示す位置にある時は、基板Gの4辺の周縁部の下にある浮上エリアAL2~AL9、AS2,AS3,AS8,AS9、AR2~AR9における高圧気体の噴出圧力がたとえば強に制御され、基板Gの中心部の下にある浮上エリアAS4~AS7における高圧気体の噴出圧力が一段低い値たとえば中に制御される。そして、他の浮上エリアAL1,AL10~AL12、AS1,AS10~AS12、AR1,AR10~AR12においては、高圧気体の噴出がオフに制御される。その直後に、基板Gが図7のbに示す位置にある時は、この時点で基板Gの4辺の周縁部の下にある浮上エリアAL3~AL10、AS3,AS4,AS9,AS10、AR3~AR10における高圧気体の噴出圧力が強に制御され、基板Gの中心部の下にある浮上エリアAS5~AS8における高圧気体の噴出圧力が中に制御される。そして、他の浮上エリアAL1,AL2,AL11,AL12、AS1,ASL2,AS11,AS12、AR1,AR2,AR11,AR12においては、高圧気体の噴出がオフに制御される。さらにその直後で、基板Gが図7のcに示す位置にある時は、この時点で基板Gの4辺の周縁部の下にある浮上エリアAL4~AL11、AS4,AS5,AS10,AS11、AR4~AR11における高圧気体の噴出圧力が強に制御され、基板Gの中心部の下にある浮上エリアAS6~AS9における高圧気体の噴出圧力が中に制御される。そして、それ以外の浮上エリアAL1,AL2,AL3,AL12、AS1,AS2,AS3,AS12、AR1,AR2,AR3,AR12においては、高圧気体の噴出がオフに制御される。なお、基板Gが薄くて軽い場合は、基板Gの中心部の下に位置している各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を弱に制御し、基板Gの4辺の周縁部の下に位置している各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を中または強に制御してもよい。上記のように、基板Gの4辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力を基板Gの中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くすることによって、図6Aおよび図6Bに示すように、基板Gの4辺の反りをある程度まで矯正する効果も得られる。第2の例として、図8Aおよび図8Bに示すように、均一な噴出圧力で浮上させたときに4辺の周縁部が中心部より上に持ち上がるような反りがある基板Gが処理対象として浮上ステージ10上に搬入されたとする。この場合は、基板Gが浮上搬送によって搬入領域MINの上を移動する際に、基板Gの4辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Gの中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に低くなるように、噴出圧力制御部40において搬入領域MIN内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Gの移動に合わせて順次可変し、またはオンオフする制御が行われる。たとえば、図9に示すように、基板Gの中心部の下に位置している浮上エリア図9のaの場面ではAS4~AS7における高圧気体の噴出圧力を強に制御し、基板Gの4辺の周縁部の下に位置している浮上エリアAL2~AL9,AS2,AS3,AS8,AS9,AR2~AR9における高圧気体の噴出圧力を中または弱に制御し、それ以外の浮上エリアAL1,AL10~AL12,AS1,AS10~AS12,AR1,AR10~AR12において高圧気体の噴出をオフにする制御が行われる。あるいは、基板Gが薄くて軽い場合は、基板Gの中心部の下に位置している各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を中に制御し、基板Gの4辺の周縁部の下に位置している各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を弱に制御してもよい。上記のように、基板Gの4辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力を基板Gの中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に低くすることによって、図8Aおよび図8Bに示すように、基板Gの4辺の反りをある程度まで矯正する効果も得られる。第3の例として、図示省略するが、均一な噴出圧力で浮上させたときに搬送方向の左右2辺の周縁部が中心部より下に垂れ下がるような反りがある基板Gが処理対象として浮上ステージ10上に搬入されたとする。この場合は、基板Gが浮上搬送によって搬入領域MINの上を移動する際に、基板Gの左右2辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Gの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、噴出圧力制御部40において搬入領域MIN内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Gの移動に合わせて順次可変し、またはオンオフする制御が行われる。たとえば、図10に示すように、基板Gの左右2辺の周縁部の下に位置している各浮上エリア図10のaの場面ではAL2~AL9,AR2~AR9における高圧気体の噴出圧力を強に制御し、基板Gの中間部の下に位置している各浮上エリアAS2~AS9における高圧エアの噴出圧力を中または弱に制御し、それ以外の浮上エリアAL1,AL10~AL12,AS1,AS10~AS12,AR1,AR10~AR12において高圧気体の噴出をオフにする制御が行われる。第4の例として、図示省略するが、均一な噴出圧力で浮上させたときに搬送方向の前後2辺の周縁部が中心部より下に垂れ下がるような反りがある基板Gが処理対象として浮上ステージ10上に搬入されたとする。この場合は、基板Gが浮上搬送によって搬入領域MINの上を移動する際に、基板Gの前後2辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Gの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、噴出圧力制御部40において搬入領域MIN内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Gの移動に合わせて順次可変し、またはオンオフする制御が行われる。たとえば、図11に示すように、基板Gの前後2辺の周縁部の下に位置している浮上エリア図11のaの場面ではAL2,AL3,AL8,AL9,AS2,AS3,AS8,AS9,AR2,AR3,AR8,AR9における高圧気体の噴出圧力を強に制御し、基板Gの中間部の下に位置している浮上エリアAL4~AL7,AS4~AS7,AR4~AR7における高圧気体の噴出圧力を中または弱に制御し、それ以外の浮上エリアAL1,AL10~AL12,AS1,AS10~AS12,AR1,AR10~AR12において高圧気体の噴出をオフにする制御が行われる。このように、基板Gの選択された所定の部位たとえば周縁部/中心部が真上またはその近傍に在るか否かに応じて、各々の浮上エリアにおける高圧エアの噴出圧力を可変し、またはオンオフ制御することにより、浮上ステージ10上の基板Gの浮上高およびその反り状態に対する矯正力を最適化できるとともに、浮上搬送に用いる高圧気体の消費効率を向上させることができる。したがって、塗布処理の信頼性、再現性および効率を改善することができる。図12に、塗布領域MCTにおいて基板Gの浮上高精密浮上高Hαを設定値に保つための浮上圧力制御機構の一例を示す。この浮上圧力制御機構において、高圧気体供給源42は配管または高圧気体供給管60を介して浮上ステージ10の塗布領域MCT専用の高圧気体導入口62に接続されており、この高圧気体供給管60の途中にたとえば電空レギュレータからなる比例制御弁64が設けられている。一方、工場用力のバキューム源66は配管またはバキューム管68を介して塗布領域MCT専用のバキューム導入口70に接続されており、このバキューム管68の途中にコンダクタンスバルブ72が設けられている。さらに、浮上ステージ10には、光学式の距離センサ74が取り付けられている。この光学式距離センサ74は、直上の基板Gに向けて光ビームLBを照射し、基板Gの下面からの反射光を受光して、その受光位置から所定の測定基準高さ位置と基板Gの下面との間の距離ひいては基板Gの浮上高の測定値[Hα]を求める。コントローラ55は、その測定値[Hα]が精密浮上高Hαの設定値に一致するように比例制御弁64およびコンダクタンスバルブ72の開度を制御する。この実施形態では、上述したように搬入領域MINおよび搬出領域MOUTにおいて基板Gの浮上高および姿勢が最適化されるので、塗布領域MCTにおいて基板Gの浮上高精密浮上高Hαに設定値に合わせるための浮上圧力制御機構の負担が軽減される。そして、浮上圧力制御機構で消費する高圧気体の消費効率およびバキューム消費効率も改善される。[他の実施形態または変形例]以上、本発明の好適な一実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種種の変形が可能である。たとえば、上記実施形態における噴出圧力制御部40を図13に示すような構成に変形することも可能である。この変形例は、浮上ステージ10の左右両端部の浮上エリアAL1~ALm,AR1~ARmBL1~BLn,BR1~BRnに対して共通の比例制御弁76を設ける。比例制御弁76は、たとえば電空レギュレータからなり、コントローラ55の制御の下で連続的に可変の二次高圧気体を出力する。この変形例によっても、上述した第1~第4の噴出圧力制御法図7、図9、図10、図11を実現することができる。別の実施例として、噴出圧力制御部40を図14に示すような構成にすることも可能である。この構成例は、浮上ステージ10の左右両端部の浮上エリアAL1~ALm,AR1~ARmBL1~BLm,BR1~BRmに対して共通の比例制御弁76を設けるとともに、中間部の浮上エリアAS1~ASmBS1~BSnに対しても共通の比例制御弁78を設ける、この比例制御弁78も、たとえば電空レギュレータからなり、コントローラ55の制御の下で連続的に可変の二次高圧気体を出力する。この構成例によれば、図17に示すように、基板Gが浮上搬送によって搬入領域MINおよび搬出領域MOUTの上を移動する際に、基板Gの左右2辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Gの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、もしくは相対的に低くなるように、噴出圧力制御部40において搬入領域MINおよび搬出領域MOUT内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Gの移動に合わせて順次可変し、またはオンオフする制御を行うことができる。これによって、搬送方向の左右両端部と中間部との間で反っている基板Gに対して浮上高および矯正力の最適化を図れるとともに、高圧気体の消費効率を向上させることができる。別の実施例として、浮上ステージ10の搬入領域MIN搬出領域MOUTの浮上面を、図18に示すように搬送方向X方向においてのみ複数の浮上エリアAP1~APmに区画することも可能である。この場合、噴出圧力制御部40をたとえば図15に示すように構成することができる。この構成は、上述した実施形態の構成図5Aにおいて中間部の浮上エリアAS1~ASmBS1~BSnに対する構成部分に相当する。この構成例によれば、図18に示すように、基板Gが浮上搬送によって搬入領域MINおよび搬出領域MOUTの上を移動する際に、基板Gの前後2辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Gの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、もしくは相対的に低くなるように、噴出圧力制御部40において搬入領域MINおよび搬出領域MOUT内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Gの移動に合わせて順次可変し、またはオンオフする制御を行うことができる。これによって、搬送方向の前後両端部と中間部との間で反っている基板Gに対して浮上高および矯正力の最適化を図れるとともに、高圧気体の消費効率を向上させることができる。別の実施例として、浮上ステージ10の搬入領域MIN搬出領域MOUTの浮上面を、図19に示すように搬送方向と直交する水平方向Y方向においてのみ複数の浮上エリアAL,AS,ARに区画することも可能である。この場合、噴出圧力制御部40をたとえば図16に示すように構成することができる。この構成は、図14の実施例において、左右両端の浮上エリアAL1~ALm,AR1~ARmBL1~BLm,BR1~BRmに対する開閉弁54AL1~54ALm,54AR1~54ARm54BL1~54BLm,54BR1~54BRmを比例制御弁76の上流側に集約して1つの開閉弁80に置き換えるとともに、中間部の浮上エリアAS1~ASmBS1~BSnに対する開閉弁54AS1~54ASm54BS1~54BSnを比例制御弁78の上流側に集約して1つの開閉弁82に置き換えたものである。この構成例によれば、図19に示すように、基板Gが浮上搬送によって搬入領域MINおよび搬出領域MOUTの上を移動する際に、基板Gの左右2辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Gの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、もしくは相対的に低くなるように、噴出圧力制御部40において搬入領域MINおよび搬出領域MOUT内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を可変する制御を行うことができる。これによって、搬送方向の左右両端部と中間部との間で反っている基板Gに対して浮上高および矯正力の最適化を図ることができる。上記した実施形態では、塗布領域MCTの浮上面には一面に噴出口12と吸引口14とを混在させていた。しかし、図示省略するが、塗布領域MCTの左右両端部を噴出口12だけを配置する1つまたは複数の浮上エリアとし、搬入領域MINおよび搬出領域MOUTにおける左右両端部の浮上エリアと同様または同列に制御することも可能である。上記した実施形態はLCD製造用のレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を塗布する任意の基板処理装置に適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。さらに、本発明は、浮上ステージを用いる検査装置にも適用可能である。その場合、上記実施形態における塗布領域は検査領域に置き換わり、レジストノズルはたとえば光学式検査計またはカメラ等に置き換わる。本発明における被処理基板はLCD基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。"