電気光学装置用の素子基板の一方面に少なくとも画素トランジスターおよび端子を形成する素子基板形成工程と、前記素子基板の前記一方面に向けて斜め方向から気流を吹き付けるとともに、前記気流を該気流の下流側で吸引しながら、前記端子に検査端子を当接させて前記素子基板の電気的な検査を行う検査工程と、当該検査工程が行われた前記素子基板の前記一方面側に対向基板を貼り付ける貼り合せ工程と、を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。前記素子基板では、複数の前記端子が一方方向に配列されており、前記素子基板は、平面視で前記一方方向に交差する方向から前記気流が吹き付けられることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。前記気流の吸引は、前記気流を吹き出す吹き出し口よりサイズが大きな吸引口によって行われることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置の製造方法。前記素子基板に対して前記気流を吹き付ける方向と、当該気流を吸引する方向とを反転させながら前記検査を行うことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。前記検査工程では、前記一方面を下方に向けて前記検査を行うことを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。一方面側に少なくとも画素トランジスターおよび端子が形成された電気光学装置用の素子基板を保持する基板保持具と、前記基板保持具に保持された前記素子基板の前記端子に当接する検査端子と、該検査端子と前記素子基板との相対位置を切り換える駆動機構と、前記素子基板の前記一方面に向けて斜め方向から気流を吹き付ける気流吐出装置と、前記気流の下流側で吸引を行う吸引装置と、を有していることを特徴とする電気光学装置用素子基板検査装置。前記素子基板では、複数の前記端子が一方方向に配列されており、前記素子基板は、平面視で前記一方方向に交差する方向から前記気流が吹き付けられることを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置用素子基板検査装置。前記吸引装置において前記気流を吸引する吸引口は、前記気流吐出装置において前記気流を吹き出す吹き出し口よりサイズが大きいことを特徴とする請求項6または7に記載の電気光学装置用素子基板検査装置。前記吸引装置は、前記気流を吹き出す気流吐出機構を備え、前記気流吐出装置は、前記気流を吸引する吸引機構を備え、前記気流吐出装置と前記吸引装置とは、前記気流の吹き付けと前記吸引とを交互に行うことを特徴とする請求項6乃至8の何れか一項に記載の電気光学装置用素子基板検査装置。前記基板保持具は、前記一方面側を下向きに前記素子基板を保持することを特徴とする請求項6乃至9の何れか一項に記載の電気光学装置用素子基板検査装置。特許文献1~3に記載の構成はいずれも、プローブと端子とが当接した際にプローブやプローブの間に付着した金属粉等の異物パーティクルを除去することによって検査を確実に行うことを主眼に構成されているため、気流が主にプローブに向けて供給される構成になっている。このため、特許文献1~3に記載の構成を電気光学装置用の素子基板の検査に適用した場合、異物に起因する素子基板の不具合の発生を防止するという点では不十分である。すなわち、電気光学装置のうち、液晶装置用の素子基板の場合、半導体ICチップと違って、検査の時点では、端子が形成されている側の面は封止されていないため、プローブと端子とが当接した際に発生した金属粉等の異物が素子基板の一方面に付着すると不具合の原因となる。また、液晶装置用あるいは有機エレクトロルミネッセンス装置の場合、素子基板の一方面側に表示光が通過するため、プローブと端子とが当接した際に発生した金属粉等の異物が素子基板の一方面に付着すると不具合の原因となる。以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、素子基板の端子に検査端子が当接した際に発生した異物が素子基板の一方面に付着することを確実に防止することのできる電気光学装置の製造方法、および電気光学装置用素子基板検査装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学装置用の素子基板の一方面に少なくとも画素トランジスターおよび端子を形成する素子基板形成工程と、前記素子基板の前記一方面に向けて斜め方向から気流を吹き付けるとともに、前記気流の下流側で当該気流を吸引しながら、前記端子に検査端子を当接させて前記素子基板の電気的な検査を行う検査工程と、当該検査工程が行われた前記素子基板の前記一方面側に対向基板を貼り付ける貼り合せ工程と、を有していることを特徴とする。また、本発明に係る電気光学装置用素子基板検査装置は、一方面側に少なくとも画素トランジスターおよび端子が形成された電気光学装置用の素子基板を保持する基板保持具と、前記基板保持具に保持された前記素子基板の前記端子に当接する検査端子と、該検査端子と前記素子基板との相対位置を切り換える駆動機構と、前記素子基板の前記一方面に向けて斜め方向から気流を吹き付ける気流吐出装置と、前記気流の下流側で当該気流の吸引を行う吸引装置と、を有していることを特徴とする。本発明では、素子基板に対する検査時、素子基板において端子が形成されている一方面に向けて気流を斜め方向から吹き付けるとともに、気流の下流側で気流を吸引しながら、端子に検査端子を当接させて素子基板の電気的な検査を行う。このため、検査端子と端子とが当接した際に金属粉等の異物が発生しても、かかる異物は気流によって素子基板および検査端子から離脱して吸引される。その際、気流が斜め方向から吹き付けられるため、素子基板に対して十分な風圧が加わる。従って、異物は気流によって素子基板および検査端子から確実に離脱して吸引される。それ故、異物が素子基板に再付着することに起因する不具合の発生を確実に防止することができるとともに、異物が検査端子に付着することに起因する検査不良の発生を確実に防止することができる。本発明に係る電気光学装置の製造方法、および電気光学装置用素子基板検査装置において、前記素子基板では、複数の前記端子が一方方向に配列されており、前記素子基板は、平面視で前記一方方向に交差する方向から前記気流が吹き付けられることが好ましい。かかる構成によれば、気流は複数の端子の各々に向けて確実に吹き付けられる。従って、検査端子と端子とが当接した際に異物が発生しても、かかる異物は気流によって素子基板および検査端子から確実に離脱して吸引される。このため、異物が素子基板に再付着することに起因する不具合の発生を確実に防止することができるとともに、異物が検査端子に付着することに起因する検査不良の発生を確実に防止することができる。本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記気流の吸引は、前記気流を吹き出す吹き出し口よりサイズが大きな吸引口によって行われることが好ましい。また、本発明に係る電気光学装置用素子基板検査装置において、前記吸引装置において前記気流を吸引する吸引口は、前記気流吐出装置において前記気流を吹き出す吹き出し口よりサイズが大きいことが好ましい。かかる構成によれば、吹き出し口から吹き出された気流が拡散しても確実に吸引することができる。本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記素子基板に対して前記気流を吹き付ける方向と、当該気流を吸引する方向とを反転させながら前記検査を行うことが好ましい。また、本発明に係る電気光学装置用素子基板検査装置において、前記吸引装置は、前記気流を吹き出す気流吐出機構を備え、前記気流吐出装置は、前記気流を吸引する吸引機構を備え、前記気流吐出装置と前記吸引装置とは、前記気流の吹き付けと前記吸引とを交互に行うことが好ましい。かかる構成によれば、検査端子と端子とが当接した際に異物が検査端子のいずれの側に位置している場合でも、気流によって素子基板および検査端子から異物を確実に離脱させることができる。このため、異物が素子基板に再付着することに起因する不具合の発生を確実に防止することができるとともに、異物が検査端子に付着することに起因する検査不良の発生を確実に防止することができる。本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記検査工程では、前記一方面を下方に向けて前記検査を行うことが好ましい。本発明に係る電気光学装置用素子基板検査装置において、前記基板保持具は、前記一方面側を下向きに前記素子基板を保持することが好ましい。かかる構成によれば、検査端子と端子とが当接した際に異物が発生した際、異物は自重によって落下し、素子基板および検査端子から離脱する。このため、異物が素子基板に再付着することに起因する不具合の発生を確実に防止することができるとともに、異物が検査端子に付着することに起因する検査不良の発生を確実に防止することができる。図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、以下の説明では、素子基板の面内方向において互いに直交する方向をX方向およびY方向とし、素子基板に対する法線方向をZ方向として説明する。[実施の形態1]全体構成図1は、本発明に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図1において、液晶装置100は、TNTwistedNematicモードやVAVerticalAlignmentモードの液晶パネル100pを有しており、液晶パネル100pは、その中央領域に複数の画素100aがマトリクス状に配列された画像表示領域10a有効画素領域を備えている。液晶パネル100pにおいて、後述する素子基板10図2を参照では、画像表示領域10aの内側で複数本のデータ線6a画像信号線および複数本の走査線3aが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素100aが構成されている。複数の画素100aの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター30、および後述する画素電極9aが形成されている。画素トランジスター30のソースにはデータ線6aが電気的に接続され、画素トランジスター30のゲートには走査線3aが電気的に接続され、画素トランジスター30のドレインには、画素電極9aが電気的に接続されている。素子基板10において、画像表示領域10aより外周側には走査線駆動回路104やデータ線駆動回路101が設けられている。データ線駆動回路101は各データ線6aに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線6aに順次供給する。走査線駆動回路104は、各走査線3aに電気的に接続しており、走査信号を各走査線3aに順次供給する。素子基板10において、画素電極9aは、後述する対向基板20図2等を参照に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量50aを構成している。また、各画素100aには、液晶容量50aで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量50aと並列に保持容量55が付加されている。本形態では、保持容量55を構成するために、複数の画素100aに跨って走査線3aと並行して延びた容量線5bが形成されている。本形態において、容量線5bは、共通電位Vcomが印加された定電位配線6tに導通している。液晶パネル100pおよび素子基板10の構成図2は、本発明に係る液晶装置100の液晶パネル100pの説明図であり、図2a、bは各々、液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH-H′断面図である。図3は、本発明に係る液晶装置100の素子基板10に形成されている電極等の構成を示す説明図であり、図3a、bは、電極等の全体的なレイアウトを示す説明図、および液晶パネル100pの角部分の一つを拡大して示す説明図である。なお、図3において画素電極9aやダミー画素電極9bの数等については少なく示してある。図2および図3に示すように、液晶パネル100pでは、素子基板10と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107は対向基板20の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材107は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材107aが配合されている。かかる構成の液晶パネル100pにおいて、素子基板10および対向基板20はいずれも四角形であり、液晶パネル100pの略中央には、図1を参照して説明した画像表示領域10aが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材107も略四角形に設けられ、画像表示領域10aの外側は、四角枠状の外周領域10cになっている。素子基板10において、外周領域10cでは、素子基板10の一辺に沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子102が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。端子102は、X方向に並んだ状態にある。かかる端子102には、フレキシブル配線基板図示せずが接続されており、素子基板10には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。詳しくは後述するが、素子基板10において対向基板20と対向する一方側の基板面において、画像表示領域10aには、図1を参照して説明した画素トランジスター30、および画素トランジスター30に電気的に接続する画素電極9a液晶駆動用電極がマトリクス状に形成されており、かかる画素電極9aの上層側には、素子基板側配向膜としての配向膜16が形成されている。素子基板10の一方側の基板面において、外周領域10cのうち、画像表示領域10aとシール材107とに挟まれた四角枠状の周辺領域10bには、画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極9bが形成されている。ダミー画素電極9bは、隣り合うダミー画素電極9b同士が細幅の連結部9f図3b参照で繋がっている。また、ダミー画素電極9bは、共通電位Vcomが印加されており、画像表示領域10aの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極9bは、素子基板10において配向膜16が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域10aと周辺領域10bとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜16が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極9bに電位を印加せず、ダミー画素電極9bを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極9bは、画像表示領域10aと周辺領域10bとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜16が形成される面を平坦面にするのに寄与する。図2bに示すように、対向基板20において素子基板10と対向する一方面側には共通電極21液晶駆動用電極が形成されている。共通電極21は、対向基板20の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素100aに跨って形成されている。また、対向基板20において素子基板10と対向する一方面側には、共通電極21の下層側に遮光層29が形成され、共通電極21の表面には対向基板側配向膜としての配向膜26が積層されている。本形態において、遮光層29は、画像表示領域10aの外周縁に沿って延在する額縁部分29aと、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部29bとからなる。ここで、額縁部分29aはダミー画素電極9bと重なる位置に形成されており、額縁部分29aの外周縁は、シール材107の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分29aとシール材107とは重なっていない。図2a、および図3a、bに示すように、液晶パネル100pにおいて、シール材107より外側には、対向基板20の一方面側素子基板10と対向する面側の角部分に、対向基板側基板間導通用電極部としての基板間導通用電極部25tが形成されており、素子基板10の一方面10s側対向基板20と対向する面側には、対向基板20の角部分基板間導通用電極部25tと対向する位置に素子基板側基板間導通用電極部としての基板間導通用電極部8tが形成されている。基板間導通用電極部8tは、共通電位Vcomが印加された定電位配線6tに導通しており、定電位配線6tは、端子102のうち、共通電位印加用の端子102aに導通している。基板間導通用電極部8tと基板間導通用電極部25tとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材109が配置されており、対向基板20の共通電極21は、基板間導通用電極部8t、基板間導通材109および基板間導通用電極部25tを介して、素子基板10側に電気的に接続されている。このため、共通電極21は、素子基板10の側から共通電位Vcomが印加されている。シール材107は、略同一の幅寸法をもって対向基板20の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材107は、略四角形である。但し、シール材107は、対向基板20の角部分と重なる領域では基板間導通用電極部8t、25tを避けて内側を通るように設けられており、シール材107の角部分は略円弧状である。かかる構成の液晶装置100において、画素電極9aおよび共通電極21を透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、画素電極9aおよび共通電極21のうち、例えば、共通電極21を透光性導電膜により形成し、画素電極9aを反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置100が反射型である場合、素子基板10および対向基板20のうち、対向基板20の側から入射した光が素子基板10で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置100が透過型である場合、素子基板10および対向基板20のうち、例えば、対向基板20の側から入射した光が素子基板10を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置100は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板20あるいは素子基板10には、カラーフィルター図示せずが形成される。また、液晶装置100では、使用する液晶層50の種類や、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル100pに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置100は、後述する投射型表示装置液晶プロジェクターにおいて、RGB用のライトバルブとして用いることができる。この場合、RGB用の各液晶装置100の各々には、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。液晶装置100の製造方法図4は、本発明に係る液晶装置100の製造に用いられる素子基板10の説明図であり、図4a、bは、単品サイズの素子基板10の説明図、および大型の素子基板10の説明図である。図5は、本発明に係る液晶装置100の製造工程を示す説明図である。本形態の液晶装置100を製造するにあたって、素子基板10は、図4aに示すように、単品サイズの素子基板10を用い、かかる単品サイズの素子基板10で、図5を参照して説明する素子基板形成工程を行って液晶パネル100pを形成する場合がある。また、図4bに示すように、単品サイズの素子基板10を多数取りできる大型基板10tの状態で、図5を参照して説明する素子基板形成工程を行う場合もある。同様に、対向基板20についても大型基板を用いる場合があり、この場合、大型基板同士を貼り合せて大型のパネル構造体を形成した後、大型のパネル構造体から単品サイズの液晶パネル100pを複数、切り出すことになる。大型基板10tにおいては、単品サイズの素子基板10が切り出される領域図4bに一点鎖線で示す領域が有効領域10yであり、その周りの部分は、大型基板10tを切断する際に除去される除材領域10zである。図4bに示す大型基板10tは、シリコンウエーハのように、円盤状の基板にオリエンテーションフラットが形成された形状を有することもある。なお、大型基板10tを用いた場合、素子基板10は同一の向きに形成される。このため、端子102は、X方向に並んだ状態にある。以下の説明では、大型基板10tを用いた場合を説明するが、この場合、大型基板10tについても素子基板10として説明する。図5に示すように、液晶装置100を製造するには、まず、大型の素子基板10に対して画素トランジスター30、各種配線、端子102、画素電極9a等を形成する素子基板形成工程S1を行った後、後述する素子基板検査工程S10を行う。かかる素子基板検査工程S10は、素子基板形成工程S1の途中で行われることもある。次に、素子基板10に対して斜方蒸着法、印刷法、スピンコート法等により配向膜16を形成する配向膜形成工程S2を行う。配向膜16がポリイミド膜からなる場合には、配向膜形成工程S2の後、配向膜16に対するラビング工程を行う。配向膜16が斜方蒸着法により形成された無機配向膜の場合、かかる配向膜16の形成工程は、素子基板形成工程S1の中で行われることもある。一方、対向基板20に対しては、共通電極21等を形成する対向基板形成工程S11を行った後、斜方蒸着法、印刷法、スピンコート法等により配向膜26を形成する配向膜形成工程S12を行う。配向膜26がポリイミド膜からなる場合には、配向膜形成工程S12の後、配向膜26に対するラビング工程を行う。また、配向膜26が斜方蒸着法により形成された無機配向膜の場合、かかる配向膜26の形成工程は、対向基板形成工程S11の中で行われることもある。次に、素子基板10と対向基板20とを貼り合せる貼り合せ工程S20を行う。それには、まず、素子基板10にシール材107および基板間導通材109を塗布するシール材基板間導通材塗布工程S3を行う。シール材107の塗布は、ノズルからシール材107を吐出しながら、ノズルと素子基板10とを相対移動させて、シール材107を矩形枠状に描画する。基板間導通材109の塗布は、ノズルから基板間導通材109を吐出しながらノズルと素子基板10とを相対移動させて、基板間導通材109を基板間導通用電極部8t上に点状に配置する。なお、シール材107および基板間導通材109の塗布は、対向基板20の側に行ってもよい。次に、シール材107および基板間導通材109を間に挟んで素子基板10と対向基板20とを重ね合わせる。次に、素子基板10と対向基板20とを押圧して、素子基板10および対向基板20の双方にシール材107のギャップ材107aが当接するまで、素子基板10と対向基板20との隙間を狭め、しかる後に、シール材硬化工程S22を行う。かかるシール材硬化工程S22では、対向基板20側からUV光等を照射してシール材107を硬化させる。しかる後には、大型の素子基板10と大型の対向基板20とを貼り合せたパネルを単品サイズに切断するパネル切断工程S23を行い、その後、液晶封入工程S24を行う。液晶封入工程S24では、減圧雰囲気中でシール材107の途切れ部分に液晶を供給した後、減圧状態を解除する。その結果、シール材107の内側に液晶が注入され、液晶パネル100pが完成する。かかる液晶の注入を終えた後は、シール材107の途切れ部分を封止材107c図2a参照で封止する。その結果、液晶パネル100pが完成する。なお、大型の素子基板10に対して単品サイズの対向基板20を貼り合せた後、液晶を注入し、しかる後にパネル切断工程S23を行うこともある。また、素子基板10にシール材107を形成した後、シール材107の内側に液晶を滴下し、その後、シール材107を間に挟んで素子基板10と対向基板20とを重ね合わせた後、シール材107を硬化させることもある。かかる方法の場合、シール材107に対しては、途切れ部分や封止材105を設ける必要がない。検査工程S10の詳細説明図6は、本発明の実施の形態1に係る素子基板検査装置電気光学装置用素子基板検査装置の説明図である。本形態では、図5を参照した工程によって液晶装置100を製造するにあたって、素子基板形成工程S1の後、検査工程S10において、図6に示す素子基板検査装置300によって、大型の素子基板10の電気的な検査を行う。より具体的には、検査工程S10において、端子102に通電して配線の切断や短絡、画素トランジスター30の特性等の電気的な検査を行う。本形態において、素子基板検査装置300は、大型の素子基板10を保持する基板保持具310と、基板保持具310に保持された素子基板10の端子102に当接する検査端子320と、検査端子320と素子基板10との相対位置を切り換える駆動機構330とを有している。本形態において、基板保持具310は真空チャック機構を備えたステージであり、駆動機構330は、基板保持具310および検査端子320の少なくとも一方を、X方向と、X方向に対して90°の角度をもって交差するY方向と、X方向およびY方向に対して90°の角度をもって交差するZ方向とに駆動して、検査端子320と素子基板10との相対位置を切り換える。検査端子320は、プローブカードに設けられており、検査回路340に電気的に接続されている。検査端子320は、端子102の数に対応して複数設けられている。また、検査端子320は、単品サイズの素子基板10を同時に複数検査できるように、例えば、単品サイズの素子基板10を4枚分、同時に検査可能な数が設けられている。また、本形態の素子基板検査装置300は、素子基板10の一方面10s端子102等が形成されている側の面に向けて斜め方向法線方向に対して斜めに傾いた方向から気流Sを吹き付ける気流吐出装置350と、気流Sの下流側で吸引を行う吸引装置360とを有している。本形態において、気流吐出装置350は、素子基板10に対して斜め20°程度の角度位置から検査端子320の先端部に向けて乾燥空気等の気流Sを吹き付ける。また、吸引装置360は、検査端子320に対して気流吐出装置350が位置する側とは反対側に設けられ、吸引装置360の吸引口361は、素子基板10に対して斜め30°程度の角度で傾いた状態で検査端子320の先端部に向いている。このため、気流吐出装置350の吹き出し口351から吹き出された気流Sは、端子102に当接する検査端子320の先端部に向けて吹き付けられた後、吸引装置360の吸引口361によって吸い込まれる。本形態において、吸引口361は、吹き出し口351よりサイズが大きい。図示されてはいないが、より具体的には、開口された吸引口の面積が、開口された吹き出し口の面積よりも大きく、更には、素子基板10上において気流Sの流れる方向と交差した方向一方方向に対応した吸引口の幅が、吹き出し口の幅より大きくされていることが好ましい。そして、上記吸引口の幅及び吹き出し口の幅は、素子基板10において複数の端子102が配置されている領域の前記一方方向における幅、あるいは検査端子320が配置されている領域の前記一方方向における幅よりも大きく設定されている。また、本形態では、端子102がX方向に配列していることから、かかる配列方向に対して平面視で交差する方向に気流吐出装置350と吸引装置360とが配置されている。本形態では、端子102が配列しているX方向に対して90°の角度を成すY方向に気流吐出装置350と吸引装置360とが配置されている。このような素子基板検査装置300において検査を行う際、気流吐出装置350の吹き出し口351から素子基板10の一方面10sに向けて斜め方向から気流Sを吹き付けるとともに、気流Sの下流側において、気流吐出装置350の吸引口361で気流Sを吸い込みながら、検査端子320を素子基板10の端子102に当接させて検査を行う。従って、検査端子320と端子102とが当接した際に金属粉等の異物Pが発生しても、かかる異物Pは気流Sによって素子基板10および検査端子320から離脱して、気流吐出装置350の吸引口361に気流Sとともに吸い込まれる。本形態の主な効果以上説明したように、本形態の液晶装置100の製造方法素子基板10の検査方法、および素子基板検査装置300では、素子基板10に対する検査時、素子基板10において端子102が形成されている一方面10sに向けて気流Sを斜め方向から吹き付けるとともに、気流Sの下流側で気流Sを吸引しながら、端子102に検査端子320を当接させて素子基板10の電気的な検査を行う。その際、気流Sが斜め方向から吹き付けられるため、素子基板10の一方面10sに対して十分な風圧が加わる。このため、検査端子320と端子102とが当接した際に金属粉等の異物Pが発生しても、かかる異物Pは気流Sによって素子基板10および検査端子320から確実に離脱して吸引される。従って、異物Pが素子基板10に再付着することに起因する不具合の発生を確実に防止することができるとともに、異物Pが検査端子320に付着することに起因する検査不良の発生を確実に防止することができる。また、本形態において、端子102が配列しているX方向と直交するY方向に気流吐出装置350と吸引装置360とが配置されているため、素子基板10および検査端子320は、平面視で端子102が配列しているX方向と直交するY方向から気流Sが吹き付けられる。このため、気流Sは複数の端子102の各々に向けて確実に吹き付けられる。従って、検査端子320と端子102とが当接した際に異物Pが発生しても、かかる異物Pは気流Sによって素子基板10および検査端子320から確実に離脱して吸引される。それ故、異物Pが素子基板10に再付着することに起因する不具合の発生を確実に防止することができるとともに、異物Pが検査端子320に付着することに起因する検査不良の発生を確実に防止することができる。また、気流Sの吸引は、気流Sを吹き出す吹き出し口351よりサイズが大きな吸引口361によって行われる。このため、吹き出し口351から吹き出された気流Sが拡散しても確実に吸引することができる。[実施の形態2]図7は、本発明の実施の形態2に係る素子基板検査装置電気光学装置用素子基板検査装置の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。本形態でも、実施の形態1と同様、素子基板形成工程S1の後、検査工程S10において、図7に示す素子基板検査装置300によって、大型の素子基板10の電気的な検査を行う。本形態において、素子基板検査装置300は、実施の形態1と同様、大型の素子基板10を保持する基板保持具310と、基板保持具310に保持された素子基板10の端子102に当接する検査端子320と、検査端子320と素子基板10との相対位置を切り換える駆動機構330とを有している。また、本形態の素子基板検査装置300も、実施の形態1と同様、素子基板10の一方面10s端子102等が形成されている側の面に向けて斜め方向から気流Sを吹き付ける気流吐出装置350と、気流Sの下流側で吸引を行う吸引装置360とを有している。また、吸引口361は、吹き出し口351よりサイズが大きい。また、本形態でも、実施の形態1と同様、端子102が配列しているX方向に対して、平面視で90°の角度を成すY方向に気流吐出装置350と吸引装置360とが配置されている。ここで、吸引装置360は、気流Sを吹き出す気流吐出機構365を備え、気流吐出装置350は、気流Sを吸引する吸引機構355を備えている。従って、気流吐出装置350と吸引装置360とは、気流Sの吹き付けと吸引とを交互に行うことができる。従って、本形態では、図7に矢印Cで示すように、検査端子320が端子102に当接している途中、あるいは検査端子320が移動している途中、気流Sの吹き付け方向と吸引方向とが反転する。また、気流吐出装置350に設けた吸引機構355の吸引口356は、吸引装置360に設けた気流吐出機構365の吹き出し口366よりサイズが大きい。このように構成した素子基板検査装置300において検査を行う際も、実施の形態1と同様、気流吐出装置350の吹き出し口351から素子基板10の一方面10sに向けて斜め方向から気流Sを吹き付けるとともに、気流Sの下流側において、気流吐出装置350の吸引口361で気流を吸い込みながら、検査端子320を素子基板10の端子102に当接させて検査を行う。このため、検査端子320と端子102とが当接した際に異物Pが発生しても、かかる異物Pは気流Sによって素子基板10および検査端子320から確実に離脱して吸引される等、実施の形態1と同様な効果を奏する。また、本形態においては、検査端子320が端子102に当接している途中、あるいは検査端子320が移動している途中、気流Sの吹き付け方向と吸引方向とが反転する。このため、検査端子320と端子102とが当接した際に異物Pが検査端子320のいずれの側に位置している場合でも、気流Sによって素子基板10および検査端子320から異物Pを確実に離脱させることができる。このため、異物Pが素子基板10に再付着することに起因する不具合の発生を確実に防止することができるとともに、異物Pが検査端子320に付着することに起因する検査不良の発生を確実に防止することができる。[実施の形態3]図8は、本発明の実施の形態3に係る素子基板検査装置電気光学装置用素子基板検査装置の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。本形態でも、実施の形態1と同様、素子基板形成工程S1の後、検査工程S10において、図8に示す素子基板検査装置300によって、大型の素子基板10の電気的な検査を行う。本形態において、素子基板検査装置300は、実施の形態1と同様、大型の素子基板10を保持する基板保持具310と、基板保持具310に保持された素子基板10の端子102に当接する検査端子320と、検査端子320と素子基板10との相対位置を切り換える駆動機構330とを有している。また、本形態の素子基板検査装置300も、実施の形態1と同様、素子基板10の一方面10s端子102等が形成されている側の面に向けて斜め方向から気流Sを吹き付ける気流吐出装置350と、気流Sの下流側で吸引を行う吸引装置360とを有している。また、吸引口361は、吹き出し口351よりサイズが大きい。また、本形態でも、実施の形態1と同様、端子102が配列しているX方向に対して、平面視で90°の角度を成す矢印Yに気流吐出装置350と吸引装置360とが配置されている。ここで、基板保持具310は真空チャック機構であり、基板保持具310および検査端子320の少なくとも一方を、X方向と、X方向に対して90°の角度をもって交差するY方向と、X方向およびX方向に直交するZ方向とに駆動して、検査端子320と素子基板10との相対位置を切り換える。また、基板保持具310は、素子基板10において端子102等が形成されている一方面10sを下向きに素子基板10を保持している。このため、気流吐出装置350および気流吐出装置350は斜め上向きに配置されている。このように構成した素子基板検査装置300において検査を行う際も、実施の形態1と同様、気流吐出装置350の吹き出し口351から素子基板10の一方面10sに向けて斜め方向から気流Sを吹き付けるとともに、気流Sの下流側において、気流吐出装置350の吸引口361で気流を吸い込みながら、検査端子320を素子基板10の端子102に当接させて検査を行う。このため、検査端子320と端子102とが当接した際に異物Pが発生しても、かかる異物Pは気流Sによって素子基板10および検査端子320から確実に離脱して吸引される等、実施の形態1と同様な効果を奏する。また、本形態においては、素子基板10は、端子102等が形成されている一方面10sが下向きである。このため、検査端子320と端子102とが当接した際に発生した異物Pは、気流Sによって素子基板10および検査端子320から離脱して吸引されるとともに、自重によっても、素子基板10および検査端子320から離脱する。このため、異物Pが素子基板10に再付着することに起因する不具合の発生を確実に防止することができるとともに、異物Pが検査端子320に付着することに起因する検査不良の発生を確実に防止することができる。[他の実施の形態]上記実施の形態では、端子102が配列しているX方向と直交するY方向に気流吐出装置350と吸引装置360とを配置したが、端子102が配列しているX方向と交差する方向であれば、直交するY方向でなくてもよい。この場合の交差する方向としては、端子102の形成ピッチ等にもよるが、端子102が配列しているX方向に対して60°以上の角度を成していることが好ましい。上記実施の形態では液晶装置100を例示したが、有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置の素子基板を検査する際に本発明を適用してもよい。[電子機器への搭載例]上述した実施形態に係る液晶装置100を備えた電子機器について説明する。図9は、本発明を適用した液晶装置100を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図9a、bは各々、透過型の液晶装置100を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置100を用いた投射型表示装置の説明図である。投射型表示装置の第1例図9aに示す投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置110は、光源112を備えた光源部130と、ダイクロイックミラー113、114と、液晶ライトバルブ115~117液晶装置100と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119と、リレー系120とを備えている。光源112は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。ここで、ダイクロイックミラー113と光源112との間には、インテグレーター121及び偏光変換素子122が光源112から順に配置されている。インテグレーター121は、光源112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子122は、光源112からの光を例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置100である。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、液晶パネル115c及び第2偏光板115dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ115に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。λ/2位相差板115aは、液晶ライトバルブ115に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル115cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ115は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する構成となっている。なお、λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bは、偏光を変換させない透光性のガラス板115eに接した状態で配置されており、λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bが発熱によって歪むのを回避することができる。液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置100である。そして、液晶ライトバルブ116は、液晶ライトバルブ115と同様に、第1偏光板116b、液晶パネル116c及び第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ116に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板116bは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル116cは、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。そして、第2偏光板116dは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ116は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する構成となっている。液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置100である。そして、液晶ライトバルブ117は、液晶ライトバルブ115、116と同様に、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、液晶パネル117c及び第2偏光板117dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ117に入射する青色光は、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系120の後述する2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。λ/2位相差板117aは、液晶ライトバルブ117に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル117cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ117は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する構成となっている。なお、λ/2位相差板117a及び第1偏光板117bは、ガラス板117eに接した状態で配置されている。リレー系120は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光をリレーレンズ124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光を液晶ライトバルブ117に向けて反射するように配置されている。クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115~117のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系118に向けて射出するように構成されている。なお、液晶ライトバルブ115、117からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ116からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ115~117から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光及び青色光をs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光をp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ図示略を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン111に投射するように構成されている。投射型表示装置の第2例図9bに示す投射型表示装置1000は、光源光を発生する光源部1021と、光源部1021から出射された光源光を赤、緑、青の3色に分離する色分離導光光学系1023と、色分離導光光学系1023から出射された各色の光源光によって照明される光変調部1025とを有している。また、投射型表示装置1000は、光変調部1025から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム1027合成光学系と、クロスダイクロイックプリズム1027を経た像光をスクリーン不図示に投射するための投射光学系である投射光学系1029とを備えている。かかる投射型表示装置1000において、光源部1021は、光源1021aと、一対のフライアイ光学系1021d、1021eと、偏光変換部材1021gと、重畳レンズ1021iとを備えている。本形態においては、光源部1021は、放物面からなるリフレクタ1021fを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系1021d、1021eは、システム光軸と直交する面内にマトリックス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光発散させる。偏光変換部材1021gは、フライアイ光学系1021eから出射した光源光を、例えば図面に平行なp偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ1021iは、偏光変換部材1021gを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部1025に設けた複数の液晶装置100を各々均一に重畳照明可能とする。色分離導光光学系1023は、クロスダイクロイックミラー1023aと、ダイクロイックミラー1023bと、反射ミラー1023j、1023kとを備える。色分離導光光学系1023において、光源部1021からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー1023aに入射する。クロスダイクロイックミラー1023aを構成する一方の第1ダイクロイックミラー1031aで反射された赤色Rの光は、反射ミラー1023jで反射されダイクロイックミラー1023bを透過して、入射側偏光板1037r、p偏光を透過させ、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032r、および光学補償板1039rを介して、p偏光のまま、赤色R用の液晶装置100に入射する。また、第1ダイクロイックミラー1031aで反射された緑色Gの光は、反射ミラー1023jで反射され、その後、ダイクロイックミラー1023bでも反射されて、入射側偏光板1037g、p偏光を透過させ、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032g、および光学補償板1039gを介して、p偏光のまま、緑色G用の液晶装置100に入射する。これに対して、クロスダイクロイックミラー1023aを構成する他方の第2ダイクロイックミラー1031bで反射された青色Bの光は、反射ミラー1023kで反射されて、入射側偏光板1037b、p偏光を透過させる一方で、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032b、および光学補償板1039bを介して、p偏光のまま、青色B用の液晶装置100に入射する。なお、光学補償板1039r、1039g、1039bは、液晶装置100への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。このように構成した投射型表示装置1000では、光学補償板1039r、1039g、1039bを経て入射した3色の光は各々、各液晶装置100において変調される。その際、液晶装置100から出射された変調光のうち、s偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板1032r、1032g、1032bで反射し、出射側偏光板1038r、1038g、1038bを介してクロスダイクロイックプリズム1027に入射する。クロスダイクロイックプリズム1027には、X字状に交差する第1誘電体多層膜1027aおよび第2誘電体多層膜1027bが形成されており、一方の第1誘電体多層膜1027aはR光を反射し、他方の第2誘電体多層膜1027bはB光を反射する。従って、3色の光は、クロスダイクロイックプリズム1027において合成され、投射光学系1029に出射される。そして、投射光学系1029は、クロスダイクロイックプリズム1027で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン図示せず。投射する。他の投射型表示装置なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。他の電子機器本発明を適用した液晶装置100については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末PDA:PersonalDigitalAssistants、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。