"トッププレートと、前記トッププレートに載置された前記被加熱物を誘導加熱する加熱コイルと、前記加熱コイルに高周波電流を供給するインバータ回路と、前記トッププレートの下方に設けられて前記被加熱物から放射される赤外線量を検出する赤外線検出素子及び前記赤外線検出素子の検知した信号を増幅する増幅部を有し、前記被加熱物の温度に応じた大きさの検出信号を出力する赤外線センサと、前記赤外線センサの出力に基づき前記インバータ回路の出力を制御する制御部とを備え、前記赤外線センサは、前記被加熱物の温度が検出下限温度未満である場合に、前記被加熱物の温度に対して大きさが略一定の初期検出値を出力し、前記制御部により前記誘導加熱コイルの出力を制御して前記被加熱物の温度制御を行う制御温度範囲近傍で前記被加熱物の温度が高くなればなるほど、大きさ及び増加率が大きくなる前記検出信号を出力し、前記制御部は、前記初期検出値として予め決められた値を記憶する記憶部を備え、前記記憶部に記憶された初期検出値に対する前記赤外線センサの出力値の増加量が所定値以上となると前記誘導加熱コイルの出力を低減するかまたは加熱を停止すると共に、加熱開始後において、前記赤外線センサの出力値が前記初期検出値より小さくなった場合には、前記記憶部に記憶された前記初期検出値を前記小さくなった赤外線センサの出力値に変更することを特徴とする誘導加熱調理器。前記制御部は、加熱と同時、または加熱開始前において、前記赤外線センサの出力値が前記初期検出値より小さくなった場合には、前記記憶部に記憶された前記初期検出値を前記小さくなった赤外線センサの出力値に変更することを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱調理器。図11は、被加熱物の温度と発生する放射エネルギ量の関係を示す図である。実線47は被加熱物が黒体反射率=1である場合であり、破線48は被加熱物が磁性ステンレス反射率=0.4の場合である。同図によれば、黒体の温度が300°Cのときの放射エネルギと、磁性ステンレスの温度が447°Cのときの放射エネルギが略等しい。このように、被加熱物の反射率の違いにより、赤外線センサの受けるエネルギ量の絶対値は大きく変化する。このため、赤外線センサの受けるエネルギ量の絶対値に基づいて被加熱物の絶対温度を求めると大きな誤差が生じるという問題があった。特許文献1に記載の加熱調理器では、赤外線センサの受光量と被加熱物の反射率から被加熱物の温度を換算し、換算した絶対温度情報に基づき被加熱物の温度を制御するようにしている。このような方法は、反射率の測定をするため構成が煩雑となり、また、赤外線入射領域または被加熱物の汚れで反射率の測定が正確にできないおそれもあった。特許文献2では、1μm以下でかつ異なる波長域にピーク感度を持つ2個のSiフォトダイオードで構成された赤外線検出素子を用いて、それぞれの赤外線検出素子の出力比を演算して被加熱物の放射率の違いの影響を受けずに被加熱物の温度を測定する赤外線検出手段を備えた加熱調理器が提案されている。しかしながら、赤外線検出素子が2個必要で構成が複雑になり、また、外乱光の影響を受けやすいという問題があった。本発明は、前記課題を解決するもので、外乱光、トッププレートや被加熱物の汚れの影響を受けにくく簡単な構成で赤外線センサによる被加熱物の温度制御を行うことのできる誘導加熱調理器を提供することを目的とする。本発明の誘導加熱調理器は、トッププレートと、トッププレートに載置された被加熱物を誘導加熱する加熱コイルと、加熱コイルに高周波電流を供給するインバータ回路と、トッププレートの下方に設けられて被加熱物から放射される赤外線量を検出する赤外線検出素子及び赤外線検出素子の検知した信号を増幅する増幅部を有し、被加熱物の温度に応じた大きさの検出信号を出力する赤外線センサと、赤外線センサの出力に基づきインバータ回路の出力を制御する制御部とを備え、赤外線センサは、被加熱物の温度が検出下限温度未満である場合に、被加熱物の温度に対して大きさが略一定の初期検出値を出力し、制御部により誘導加熱コイルの出力を制御して被加熱物の温度制御を行う制御温度範囲近傍で被加熱物の温度が高くなればなるほど、大きさ及び増加率が大きくなる検出信号を出力し、制御部は、初期検出値として予め決められた値を記憶する記憶部を備え、記憶部に記憶された初期検出値に対する赤外線センサの出力値の増加量が所定値以上となると誘導加熱コイルの出力を低減するかまたは加熱を停止すると共に、加熱開始後において、赤外線センサの出力値が初期検出値より小さくなった場合には、記憶部に記憶された初期検出値を小さくなった赤外線センサの出力値に変更する。被加熱物の温度Tが上昇すると、赤外線センサは傾きが増加する検出信号Xを出力する。このため、所定の増加量ΔXが得られるときの被加熱物の温度Tは、記憶部に記憶された初期検出値TSに依存する。しかし、赤外線センサの出力は、被加熱物の温度に対して、累乗関数的な増加特性を有しており、被加熱物の温度Tが高くなればなるほど、検出信号の被加熱物の温度Tの変化の傾きが急になり、所定の増加量ΔXに対応する被加熱物の温度変化ΔTが小さくなる。したがって、被加熱物の温度Tが高温になればなるほど、よりわずかな温度変化ΔTで所定の増加量ΔXが得られるので、温度変化を検知して応答性良く出力を抑制しまたは加熱を停止して温度上昇を抑制することができる。また、被加熱物の加熱開始時の温度TSが検出下限温度T0未満の場合、赤外線センサ出力の検出信号は大きさが略一定である。このため、加熱中における赤外線センサ出力の初期出力値X0に対する所定の増加量ΔXが得られるときの被加熱物の温度Tは、加熱開始時の温度TSに依存しない値となる。被加熱物の加熱開始時の温度TSが検出下限温度T0以上の場合、赤外線センサの出力は、被加熱物の温度Tに対して、累乗関数的なTのn乗指数nは、例えば量子化型のフォトダイオードの場合、5~14の実数である。増加特性を有しており、被加熱物の温度Tが上昇すると、赤外線センサは傾きが累乗関数的に増加する検出信号Xを出力する。この場合は、上述した作用効果が得られる。検出下限温度T0を制御部により誘導加熱コイルの出力を制御して被加熱物の温度制御を行う制御温度範囲近傍に設定すれば、加熱開始時の被加熱物の温度の影響を受けずに被加熱物の温度を制御することができ、加熱開始時の被加熱物の温度範囲が広くなる。また、外乱光が定常的に赤外線センサに入射した場合でも、上記と同様、赤外線センサの出力Xは平行移動するので上記被加熱物の温度Tの抑制制御動作は、影響をほとんど受けないようにすることができる。制御部は、初期検出値として予め決められた値を記憶部に記憶しておき、加熱開始後において、赤外線センサの出力値が初期検出値より小さくなった場合には、記憶部に記憶された初期検出値を小さくなった赤外線センサの出力値に変更することにより、赤外線センサの出力値が記憶している初期検出値より低下して、設定している制御温度が高くずれるのを抑制することができる。制御部は、加熱開始と同時、または加熱開始直前において、赤外線センサの出力値が初期検出値より小さくなった場合には、記憶部に記憶された初期検出値を小さくなった赤外線センサの出力値に変更するようにしても良い。赤外線センサの温度特性などの出力変動により、初期検出値が記憶された値より低下すると、赤外線センサの出力値の増加量の演算結果が、実際の赤外線センサの出力値の増加量よりも初期検出値の低下分だけ小さくなり、その分被加熱物の制御温度が高くなるのを補正して、精度良い制御温度の設定を行うことができる。加熱開始後に赤外線センサの出力値が小さくなった場合には、加熱開始時に赤外線センサに入射していた外乱光がなくなったこと、水や調理物が投入されたこと等が想定される。この状態で加熱を継続し所定の増加量ΔXが得られるまで加熱を継続すると、出力を抑制するまたは停止する被加熱物の温度が、設定していた温度より高くなる。したがって、加熱開始直後に測定した赤外線センサの出力値を初期出力値として記憶部に記憶する場合、加熱開始後において初期出力値が低下した場合には初期出力値を低下後の値に変更することで、想定していた以上に被加熱物が加熱されるのを防止することができる。これにより、赤外線センサによる被加熱物の温度抑制制御が外乱光に影響されにくくなるようにして、安全に高火力調理を実現することが可能となる。本発明の誘導加熱調理器によれば、簡単な構成で精度良く赤外線センサによる被加熱物の温度制御を行うことのできる誘導加熱調理器を提供することができる。以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態[誘導加熱調理器の構成]図1は、本発明の実施の形態による誘導加熱調理器の斜視図である。本実施の形態の誘導加熱調理器は、外郭ケース1と、外郭ケース1の上部に設けられトップフレーム2aで周囲を覆われたトッププレート2とを有する。トッププレート2の上面左右に、加熱コイルを用いて加熱する左誘導加熱バーナ3及び右誘導加熱バーナ4が設けられ各加熱コイルに対応する加熱範囲がトッププレート2の上面に印刷して表示されている。鍋等の被加熱物は、左誘導加熱バーナ3、右誘導加熱バーナ4の加熱範囲を示す表示部上に載置された部分が誘導加熱される。左誘導加熱バーナ3及び右誘導加熱バーナ4の手前側には、左誘導加熱バーナ3、右誘導加熱バーナ4それぞれの加熱出力等を表示する左誘導加熱バーナ表示部5、右誘導加熱バーナ表示部6が設けられている。さらに手前側に、ユーザが左誘導加熱バーナ3、右誘導加熱バーナ4それぞれの加熱制御を行うための左誘導加熱バーナ操作スイッチ操作部7、右誘導加熱バーナ操作スイッチ操作部8が、左右方向に一列に設けられている。外郭ケース1の前面には、右に電源スイッチ9が設けられている。図2は、本発明の実施の形態による誘導加熱調理器の構成図である。図1では誘導加熱バーナは2口あるが、図2では説明の便宜上1口のみ図示する。トッププレート2の下方には、誘導加熱バーナ3,4の加熱範囲を示す円状の表示3a,4aに対応する位置に、交流磁界を発生させて被加熱物20を誘導加熱する加熱コイルが設けられている。本実施の形態において、加熱コイルは内コイル21aと外コイル21bとによる分割巻き構成を有する。以下、内コイル21aと外コイル21bとをまとめ、加熱コイル21という。なお、加熱コイル21は分割巻き構成である必要はない。加熱コイル21は、トッププレート2の下方に設けられた加熱コイル支持台22に載置される。加熱コイル支持台22の下面には、加熱コイル21の裏面側への磁束を加熱コイル21近傍に集中させる磁性体であるフェライト23が設けられている。トッププレート2において、内コイル21aと外コイル21bとの間の空間部分に対向する部分24は、赤外線入射領域であり、赤外線が透過可能となるように形成される。トッププレート2は、全体が赤外線の透過可能な耐熱セラミックで形成され、赤外線入射領域24以外の下面は赤外線の透過しにくいかつ反射率の小さい例えば黒色の印刷膜2bで覆われる図3参照。なお、赤外線入射領域24の構成はこれに限定されない。トッププレート2の、赤外線入射領域24以外の部分を、赤外線を透過しない材料で構成し、赤外線入射領域24の部分を赤外線透過可能な材料で構成しても良い。また赤外線入射領域24の周囲を赤外線透過率がゼロでない印刷膜で構成しても良い。赤外線入射領域24の下方の内コイル21aと外コイル21bとの間で加熱コイル21の上下の面に垂直に上下に開口を有する筒状の導光筒25が加熱コイル支持台22と一体に成形され設けられる。赤外線センサ26は、導光筒25の下方開口に対向するように設けられている。被加熱物20の底面から放射された赤外線は、被加熱物20の温度が高くなると放射エネルギが大きくなる。この赤外線は、トッププレート2に設けられた赤外線入射領域24から入射し、導光筒25の内部を通って、赤外線センサ26により受光される。導光筒25は赤外線センサ26をトッププレート2から遠ざける際、赤外線センサ26の受光する赤外線の視野範囲を狭める作用を有するので導光筒25の入光部に対向する調理容器の部分からの赤外線を効率良く選択的に赤外線センサ26に入光させることができる。赤外線センサ26は、受光した赤外線の赤外線エネルギ量に基づいた検出信号を出力する。なお、加熱コイル21が分割巻き構成でない場合、赤外線入射領域24は加熱コイル21の中心部の開口内に設けることができる。この場合できるだけ赤外線入射領域24を加熱コイル21の巻線に近づけると、被加熱物20の、より高温部の温度を赤外線センサ26により検知することができる。表示LED27は、赤外線センサ26の近傍に設けられ、赤外線センサ26とともに加熱コイル支持台22に取り付けられる。すなわち、表示LED27は、トッププレート2の下方で、加熱コイル21及び赤外線センサ26近傍に設けられている。表示LED27は、使用者が機器の上方から、その発光状態をトッププレート2を介して赤外線入射領域24の近傍で視認できるように配置される。例えば、加熱コイル21の下方に設けられた表示LED27の発光する光が、導光体27bによりトッププレート2の裏面近傍に導かれて発光する。したがって表示LED27は、赤外線入射領域24の存在する位置を使用者に認識させる作用を有する。機器の上から見ると図1に示すように、表示LED27の光が視認できる発光領域27aは赤外線入射領域24の近傍に形成され、赤外線入射領域24に対して、加熱コイル21の外周側でかつ加熱コイル21の中心より手前側に設けられている。赤外線入射領域24と発光領域27aとの位置関係をこのように設定することにより、被加熱物20底面で発光領域27aを覆い隠すことにより赤外線入射領域24を覆い隠す確率を高くすることができる。被加熱物20底面で赤外線入射領域24が覆い隠される確率を更に高めるためには、赤外線入射領域24と発光領域27aが、加熱コイル21の略中心を通り本体前面に垂直な直線上またはその近傍に配置され、かつ発光領域27aが赤外線入射領域24よりも手前側に設けられていることが望ましい。加熱コイル21の下方またはその周囲に、加熱コイル21に高周波電流を供給するインバータ回路28と、インバータ回路28の動作を制御する制御部29が設けられている。操作部7は、機器の前面または上面に設けられ、加熱動作を開始または停止するための加熱切/入キー7a、出力を低減するダウンキー7b、出力を増加させるアップキー7cを有している。制御部29は、記憶部29aを有し、操作部7の出力信号や赤外線センサ26の出力信号に基づいて、加熱コイル21への高周波電流の供給の開始停止及び加熱コイル21に供給する高周波電流の大きさを制御し、さらにその他の誘導加熱調理器全体の制御を行う。電源スイッチ9は、機器の前面または上面に設けられる。さらに、本実施の形態の誘導加熱調理器は、表示LED27の近傍に設けられ、表示LED27の周辺の雰囲気温度を検出する温度センサ30を有する。温度センサ30は、温度検知部でありサーミスタ等の温度検知素子で構成される。制御部29は、温度センサ30の検知した温度が所定温度以上であるか否かを判断し、所定温度以上であると判断した場合は、表示LED27の寿命の低下を抑制するため、所定温度未満である場合に比べ表示LED27の出力を低下もしくはその駆動を停止させることができるようにしている。[誘導加熱調理器の動作]以下、誘導加熱調理器の基本的な動作について説明する。ユーザにより電源スイッチ9が投入されると、制御部29は待機モードになる。待機モードにおいて、操作部7の加熱切/入キー7aから加熱開始命令が入力されると、制御部29は加熱モードとなる。加熱モードにおいて、加熱切/入キー7aが操作例えば押すされ加熱停止命令が入力されると、制御部29は、待機モードとなり加熱停止する。また、加熱モードにおいて、加熱出力増減キー7b、7cを操作例えば押すして火力の増減の命令が入力されると、制御部29はこの入力命令に基づいてインバータ回路28のスイッチング素子を制御して、加熱コイル21への高周波電流の供給量を制御する。加熱コイル21に高周波電流が供給されると、加熱コイル21から高周波磁界が発せられ、トッププレート2上に載置された被加熱物20が誘導加熱される。電源スイッチ9が投入された後、操作部7の加熱切/入キー7aが操作される前、すなわち待機状態において、制御部29は、表示LED27を、赤外線入射領域24の位置を使用者に認識させ、かつ赤外線入射領域24を被加熱物20により適正に覆うよう促すために駆動信号を出力し発光状態とする。また、使用者は、被加熱物20を、表示LED27を加熱開始前に覆い隠すように取扱説明書等により指示されているか、トッププレート2上にその旨の注意事項が表示されているか、または音声や文字で報知もしくは表示等により指示される。使用者は、被加熱物20を表示LED27の上方に載置して表示LED27覆い隠した後、加熱切/入りスイッチ7aを操作して加熱を開始する。図3に示すように、赤外線センサ26は、赤外線検出素子であるシリコンのフォトダイオード26aとフォトダイオード26aの出力信号を増幅する増幅器26bを構成要素として含む。導光筒25の下方開口と赤外線センサ26の赤外線検出素子26aの間に、可視光の影響を除去するためのフィルタ31を設ける。フィルタ31は、赤外線検出素子26aの側方及び上方を覆うように形成される。赤外線検出素子26aの上方には集光レンズ31aがフィルタ31と一体成形されて設けられる。集光レンズ31aは、導光筒25に入射した赤外線を効率良く赤外線検出素子26aに集光するとともに、赤外線検出素子26aの視野を定める作用を有する。上記のように導光筒25も視野を限定する作用を有するので、いずれかで視野が限定される。図6は、本発明の実施の形態による誘導加熱調理器のフィルタ31の透過率を示す図である。約0.9μm未満の波長の光の透過率がゼロとなるようなフィルタ31を使用する。図4は、本発明の実施の形態による誘導加熱調理器のフォトダイオード26aの分光感度特性図である。本実施の形態のフォトダイオード26aは、分光感度特性においてピーク感度が略1μm0.95μmとなるように設定され、略0.3~1.1μmの波長の光が検出可能である。トッププレート2は、その材質が耐熱セラミック製である場合には、3μm前後と5μm以上の光波長領域において光の透過率が著しく低下しかつ放射率が著しく高くなる。フォトダイオード26aの感度のピークが略1μmに設定され、3μm以下の波長領域に設定されているので、トッププレート2自身から多く放射される波長域の赤外線を、受光感度を下げて受けにくくすることによりその温度影響を抑制して、被加熱物20の底面から放射されトッププレート2を透過する赤外線を効率良く受光することができる。図5は、黒体の分光放射輝度と波長の関係を示す図である。赤外線の放射エネルギ放射輝度は、被加熱物20の温度上昇とともに増大する。本実施の形態の赤外線センサ26は、耐熱セラミック製のトッププレート2を透過する被加熱物20の底面から放射された赤外線を検出するとともに、赤外線検出素子26aを上記のようなシリコンフォトダイオードを使用し、増幅器26bの増幅率を調整することにより、図7に示すような検出信号が得られるように構成している。図7において、横軸は赤外線入射領域24に対向する被加熱物20の底面部分の温度であり、縦軸は赤外線センサ26の出力電圧、すなわち検出信号の大きさである。実線41は外乱のない場合であり、破線42は外乱のある場合である。まずは、可視光等による外乱がない場合について説明する。本実施形態においては、図7に示すように、赤外線センサ26の検出信号は、被加熱物20の温度が検出下限温度T0約235°C未満では大きさが略ゼロ本実施形態の場合20mV以下で、被加熱物20の温度が検出下限温度T0約235°Cに達すると出力が発生し始め、被加熱物の温度が高くなればなるほど赤外線センサ26の検出信号の大きさの増加の傾きが大きくなるように、すなわち、増加率が大となるべき乗関数的な増加特性を示すよう構成されている。例えば、シリコンフォトダイオードの増加特性を概略の関数に近似すると当該関数の乗べき指数は約12.3のものがある。なお、制御部29に使用されている赤外線センサ26の出力電圧を測定するマイクロコンピュータの分解能は20mVとなっており、その値未満はゼロと測定することになる。絶対温度がTKである物体の表面からは赤外線を含めた電磁波が放射されているが、その時間単位当りの総放射エネルギ量EW/m2は理論的には、E=εσT4で表される。ここで、εは放射率、σはステファンボルツマン常数である。したがって、各種赤外線検出可能な素子の中から必要な波長におけるピーク感度特性を有するものを検出素子26aとして選択し、図2、3のように構成してその検出電圧を増幅器26bにより増幅することにより、上記図7に示すような所望の特性を得ることができる。図8に制御部29の赤外線センサ26による被加熱物20の温度制御のフローチャートを示す。電源スイッチ9をオンしS1、加熱切/入キー7aをオンするS2と、制御部29は、赤外線センサ26の出力電圧を入力し、加熱開始直後の出力電圧X0初期検出値として検知するS3。検知した加熱開始直後の出力電圧X0を記憶部29aに記憶するS4。再度、赤外線センサ26の出力電圧を入力し、現在の出力電圧Xとして検知するS5。記憶部29aに記憶した加熱開始直後の出力電圧X0と、現在の出力電圧Xとの差増加量ΔXを算出し、算出した増加量ΔXが所定値以上か否かを判断するS6。例えば、図7において、増加量ΔXについて所定値を0.4Vと設定する。加熱開始直後例えば、加熱切/入キー7aの操作直後に被加熱物20の温度がT1例えば30°Cであれば、増加量ΔXが所定値となるときの被加熱物20の温度はT3例えば290°Cとなる。また、加熱開始直後に被加熱物20の温度がT2例えば約260°Cであれば、増加量ΔXが所定値となるときの被加熱物20の温度はT4例えば298°Cとなる。さらに、加熱開始直後に被加熱物20の温度がT4例えば約298°Cであれば、増加量ΔXが所定値となるときの被加熱物20の温度はT5例えば約316°Cとなる。制御部29は、増加量ΔXが所定値以上であると判断するとS6でYes、インバータ回路28の動作を停止するか加熱出力を低減して被加熱物20の温度上昇を抑制するS7。温度が低下しても増加量ΔXが所定値以上の間は、加熱出力の抑制動作または停止を継続しS11でYes、増加量ΔXが所定値未満になるとS11でNo、出力を再度増加するかまたは停止していた加熱コイル21の加熱動作を再開するなど加熱出力復帰制御を行いS12、S5に戻る。この加熱出力復帰制御に使用する所定の増加量ΔXは、加熱出力を抑制するための値と同じにしてもよいし、加熱出力を抑制するための値より低くしてヒステリシスを設けるなど異なる値にしてもよい。復帰する際の加熱出力の大きさは適宜選択することができる。特に、被加熱物20が高温になればなるほど、被加熱物20の温度変化に対する増加量ΔXの変化は急峻に変化し、より小さい被加熱物20の温度変化をより高感度で検出できるので、例えば3kWなどの高加熱出力で被加熱物20を加熱しても応答性良く被加熱物20の温度を高温に維持しかつ過度に上昇し過ぎないようにすることができる。例えば、油発火前の高温を検知することができ、また、空鍋での加熱と炒め物状態の区別ができ、炒めに適した温度まで高火力で加熱することができるので素早く昇温することができる。また、他の温度制御方法と組み合せることを排除するものでないことはいうまでもない。制御部29は、増加量ΔXが所定値未満であると判断するとS6でNo、現在の出力電圧Xが記憶部29aに記憶した加熱開始直後の出力電圧X0以上か否かを判断する。現在の出力電圧Xが記憶部29aに記憶した加熱開始直後の出力電圧X0以上である場合にはS8でYes、S6に戻る。現在の出力電圧Xが記憶部29aに記憶した加熱開始の出力電圧X0未満である場合にはS8でNo、記憶部29aに記憶した加熱開始直後の出力電圧X0を現在の出力電圧Xに変更してS9からS6に戻る。加熱中において、通常出力電圧は増加する。しかし、加熱開始直後には赤外線入射領域24が適正に被加熱物20により覆われておらず、加熱中に被加熱物20を適正な位置に移動させたときは、加熱開始直後の出力電圧X0は外乱の影響を受けており、外乱を受けていない場合よりも大きいため、加熱中にもかかわらず出力電圧が低下するという現象が起こる。この場合はS8でNo、記憶部29aに記憶した加熱開始直後の出力電圧X0を、外乱の影響を受けている可能性の低い現在の出力電圧Xに変更するS9。その後、この新しく記憶された出力電圧に基づいて出力制御処理を行う。以上のように、被加熱物20の加熱開始直後の温度TSが検出下限温度T0未満のときには、赤外線センサ26の検出信号出力電圧は、被加熱物20の温度が変わっても大きさがゼロで略一定である。したがって、加熱されることにより、被加熱物20の温度Tが検出下限温度T0を超え、加熱開始直後の検出信号の大きさに対する、現在の検出信号の大きさの増加量ΔXが所定値となる。このときの、被加熱物20の抑制温度T3は、加熱開始直後の温度TSに依存せず、赤外線センサ26の検出信号がゼロからΔX増加した点に対応する抑制温度T3=T0ΔT3となる。制御部29は、この抑制温度T3でインバータ回路28の動作を停止するか加熱出力を低減して被加熱物20の温度上昇を抑制する。また、被加熱物20の加熱開始直後の温度TSが検出下限温度T0以上のときには、被加熱物20の温度Tが上昇すると、赤外線センサ26の検出信号は大きくなりかつ増加率も徐々に大きくなる。増加量ΔXが所定値となるときの被加熱物の温度は、被加熱物の加熱開始直後の温度TSに依存する。しかし、被加熱物20の温度Tが高くなればなるほど、検出信号の増加率がより大きくなるため、所定の増加量ΔXに対応する被加熱物の温度変化ΔTが小さくなる。図7の場合、ΔT3約55°C>ΔT4約38°C>ΔT5約18°Cとなる。したがって、被加熱物20の温度Tが高温になればなるほど、よりわずかな温度上昇ΔTで所定の増加量ΔXが得られるので、応答性良く出力を抑制しまたは加熱を停止して温度上昇を抑制することができる。次に、可視光等による静的な外乱がある場合について説明する。外乱光は被加熱物20の温度に依存しない。したがって、図7に示すように、外乱がある場合破線42は、外乱がない場合実線41に比べてレベルがほぼ赤外線センサ26の検出信号の軸方向に外乱光のレベルWだけ平行移動し大きくなる。被加熱物20の加熱開始直後の温度TSが検出下限温度T0未満の場合、赤外線センサ26の検出信号は大きさがWで略一定である。図9は、加熱開始t0後における赤外線センサ26の出力電圧の時間経過に対する変化を示す図である。実線43は外乱のない場合であり、破線44は外乱のある場合である。いずれの場合にも、被加熱物20が所定の制御温度に到達した時点t1で加熱出力が抑制されるか、または加熱が停止される。したがって、本実施の形態の構成により静的な外乱光の影響を除去することができる。このように上記構成の赤外線センサ26と制御部29で被加熱物20の温度上昇を制御することにより、加熱開始直後の温度の差、あるいは定常的に入力される可視光線等の外乱光の影響を少なくして、300°C付近の温度以下に被加熱物20の底面温度を抑制することができ、被加熱物20の温度上昇を精度よく抑制するよう制御することができる。次に、赤外線センサ26の検出信号に対する被加熱物20の反射率の影響について図10を用いて説明する。図10において、実線45は被加熱物が黒体反射率=1の場合の被加熱物の温度と赤外線センサ26の検出信号の大きさとの関係を示す実測結果であり、破線46は被加熱物が磁性ステンレス反射率=0.4の場合の特性を、実線45に反射率0.4を乗じて算出した結果である。同図によれば、黒体の温度が300°Cのときの赤外線センサ26の出力値と、磁性ステンレスの温度が322°Cのときの赤外線センサ26の出力値が略等しく、その温度差は22°Cである。上述したように、図11においては、黒体の温度が300°Cのときの放射エネルギと、磁性ステンレスの温度が447°Cのときの放射エネルギが略等しく、その温度差は147°Cである。このように、従来の制御方法に比べ、顕著に放射率の差の影響を抑制することができる。本実施の形態の誘導加熱調理器は、被加熱物の温度が検出下限温度未満である場合には被加熱物の温度に対して大きさが略一定の検出信号を出力し、被加熱物の温度が検出下限温度以上である場合には被加熱物の温度が高くなればなるほど、大きさ及び増加率が大きくなる検出信号を出力する赤外線センサ26を使用して、加熱開始直後の出力電圧X0初期検出値に対する増加量ΔXが所定値以上となると誘導加熱コイルの出力を低減するかまたは加熱を停止する。これにより、被加熱物の加熱開始直後の温度TSが検出下限温度T0未満の場合は、被加熱物の温度Tが、加熱開始直後の温度TSに依存しないある一定の温度になったときに誘導加熱コイルの出力を低減するかまたは加熱を停止することができる。また、被加熱物の加熱開始直後の温度TSが検出下限温度T0以上の場合であっても、被加熱物の温度Tが、油の発火点である330°Cになる前に誘導加熱コイルの出力を低減するかまたは加熱を停止することができる。さらに、定常的な外乱光による影響もほとんど受けないようにすることができる。本実施の形態の誘導加熱調理器は、制御部29が加熱開始直後の出力電圧X0初期検出値を記憶部29aに記憶し、加熱開始後において現在の出力電圧Xが、記憶した加熱開始直後の出力電圧X0より小さくなった場合には記憶した加熱開始直後の出力電圧X0を現在の出力電圧Xに変更する。これにより、加熱開始直後には赤外線入射領域24が適正に被加熱物20により覆われておらず、加熱中に被加熱物20を適正な位置に移動させた場合、被加熱物20が高温のとき被加熱物20に水や野菜などの被調理物が投入されたときでも、想定以上に被加熱物が加熱されるのを防ぎ、安全に高火力調理を実現することができる。[変形例]図12は、最高感度が約2.2μmの波長近傍で得られるPINフォトダイオードを使用した赤外線センサ26の回路図である。赤外線センサ26は、バイアス部32a、I-V変換部32b、増幅部32cを有している。バイアス部32aは、オペアンプIC1を有し、直流電源VDD本実施例では5VとGND間に抵抗R1、R2の直列回路が接続され、抵抗R1と抵抗R2の接続点にオペアンプIC1の正入力端子が接続される。オペアンプIC1の負入力端子と出力端子は短絡され、バイアス部32aの出力端子に接続される。したがって、バイアス部32aの出力端子とGND間にバイアス部の出力電圧Vsが出力される。I-V変換部32bは、赤外線検出素子26aで受光した赤外線のエネルギが電流に変換され電流源32baとなる。オペアンプIC2の正入力端子にバイアス部32aの出力端子が接続される。オペアンプIC2の入力端子間に、電流源32baが接続される。オペアンプIC2の出力端子と負入力端子間に抵抗R3が接続される。オペアンプIC2の出力端子はI-V変換部32bの一方の出力端子となり、オペアンプIC2の正入力端子は、I-V変換部32bの他方の出力端子となる。増幅部32cは、オペアンプIC3を有し、オペアンプIC3の正入力端子は、増幅部32cの一方の入力端子に接続され、オペアンプIC3の負入力端子と増幅部32cの他方の入力端子間に抵抗R5、R6、R7の直列回路が接続される。抵抗R5、R6にはそれぞれスイッチS1、S2が並列に接続される。オペアンプIC3の負入力端子と出力端子間には抵抗R4が接続される。増幅部32cの出力端子とGND間に出力電圧V0が出力される。以上のように構成された赤外線センサ26の動作を説明する。バイアス部32aは、電源電圧VDDを抵抗R1、R2で抵抗分割した電圧を入力して出力し、I-V変換部32bの出力電圧に直流バイアス電圧Vsを加える。電流源32baの出力する電流Iは、抵抗R3により電圧に変換されI-V変換部32bの出力端子間に出力される。増幅部32cがこの電圧を増幅して赤外線センサ26の出力電圧V0となる。制御部29からの信号により、スイッチS1、S2のオン、オフを切り替えることにより、増幅部32cの増幅率を切り替える。スイッチS1とスイッチS2をともにオンすると増幅率は1R4/R7で大となり、スイッチS1とスイッチS2をともにオフすると増幅率は1R4/R5R6R7で小となり、スイッチS1をオン、スイッチS2をオフすると、増幅率は1R4/R6R7で中となる。図13に、図12に示した赤外線センサ26の増幅率が大である場合スイッチS1とスイッチS2を共にオンの出力特性図を示す。図12に示す赤外線センサ26の出力電圧は、実線49に示すようになるが、赤外線センサ26の周囲温度が上昇すると、赤外線センサ26の温度特性、あるいは増幅器32cの温度特性により、例えば破線50のように平行移動する場合がある。例えば、赤外線センサ26の周囲温度が室温で、被加熱物の温度が室温のとき、赤外線センサ26の出力電圧は初期検出値Vs0であるが、誘導加熱調理器内部が加熱調理後などで高温となっているときに、室温の被加熱物の加熱が開始されたとき、加熱開始直後、赤外線センサ26の初期検出値である出力電圧がVs1<Vs0となる場合がある。温度特性の影響を受けない場合の赤外線センサ26の初期検出値である出力電圧Vs0と、温度特性の影響を受けた場合の赤外線センサ26の初期検出値である出力電圧Vs1とでは、差ΔVs=Vs0-Vs1が生じる。以下、この差を赤外線センサ26の出力値の温度特性による出力変動幅という。このような場合においても、本実施の形態の誘導加熱調理器は、加熱開始後、変動後の赤外線センサ26の初期検出値を測定するので、当該変動の影響を受けない。また、加熱後においてさらに現在の出力電圧Xが記憶部29aに記憶した加熱開始の出力電圧X0未満である場合には、記憶部29aに記憶している初期検出電圧X0を現在の出力電圧Xに変更する図7のステップS8,9ことにより、赤外線センサ26の初期検出値を補正して、予定以上の加熱を防止することができる。図14に、図12に示した、増幅率を3段階に変更できる赤外線センサ26の出力特性図を示す。なお、図14においては、図13のバイアス成分を取り除いて示している。線51は増幅率1012増幅率大の場合であり、線52は増幅率1012×1/5増幅率中の場合であり、線53は増幅率1012×1/30増幅率小の場合である。赤外線センサ26は、加熱開始後、被加熱物の温度が低い間は、増幅率1012で動作する。約130°Cで赤外線センサ26の出力電圧が立ち上がる。従って、被加熱物の温度が約130°C未満で、一定の初期検出値が得られる。赤外線センサ26の出力電圧が所定の切替上限値ここでは4.0Vになると約228°C、増幅率を1012×1/5に切り替える点A→点B。増幅率1012×1/5で動作中に、また赤外線センサ26の出力電圧が所定の切替上限値ここでは4.0Vになると約269°C、増幅率を1012×1/30に切り替える点C→点D。逆に被加熱物の温度が下降する場合は、増幅率1012×1/30で動作中に、赤外線センサ26の出力電圧が所定の切替下限値ここでは0.6Vになると約247°C、増幅率を1012×1/5に切り替える点E→点F。増幅率1012×1/5で動作中に、また赤外線センサ26の出力電圧が所定の切替下限値ここでは0.6Vになると約199°C、増幅率を1012に切り替える点G→点H。これにより、増幅率が1012または1012×1/5のときは、この赤外線センサ26の出力電圧に基づき揚げ物の油温度を制御でき、増幅率が1012×1/30のときは、この赤外線センサ26の出力電圧に基づき油発火防止を制御できる。このように、増幅部を切り替えることで、制御温度範囲を低温側に移動し、べき乗関数的な立ち上がり特性を効果的に利用することができる。例えば、揚げ物の温度制御などにも使用することができるようになる。また、増幅器を切り替えることで、制御温度範囲を高温側に移動しべき乗関数的な立ち上がり特性を効果的に利用することができる。例えば、炒め物の温度制御などにも使用して、油発火などを応答性良く抑制することができる。なお、ここでは増幅率は3段階であるが、3段階よりも多くて少なくてもよい。図15は、制御部29の構成図である。赤外線センサ26の出力電圧が、出力電圧入力部29bに入力される。出力電圧入力部29bは入力されたアナログ信号またはデジタル信号の出力電圧の大きさを検出する。比較部29cは、検出した出力電圧Xと記憶部29aに記憶した加熱開始直後の出力電圧X0とを比較し、検出した出力電圧Xが記憶部29aに記憶した加熱開始直後の出力電圧X0未満の場合は、記憶部29aに記憶した加熱開始直後の出力電圧X0を検出した出力電圧Xに変更する。切替部29dは、赤外線センサ26の出力電圧が所定の切替上限値以上になると増幅率を1段階小さくし、赤外線センサ26の出力電圧が所定の切替下限値以下になると増幅率を1段階大きくするように、赤外線センサ26の増幅器26bを制御する。演算部29eは、検出した出力電圧Xと記憶部29aに記憶した加熱開始直後の出力電圧X0との差ΔXを求める。比較部29fは、求めた差ΔXが所定値以上か否かを判断する。これにより、赤外線センサ26の測定感度が飛躍的に増大する。なお、本実施の形態において、加熱開始直後の赤外線センサ26の出力電圧X0初期検出値を増加量ΔX測定の際の基準にしているが、本発明はこれに限定されない。加熱開始直後に代え、加熱開始と同時であってもよいし、または加熱開始直前であってもよく適宜選択して同様の効果を得ることができる。また、加熱開始直後または直前とは、上記発明の趣旨を変えない程度にそのタイミングを変更してもよい。例えば、加熱切/入キー7aによる加熱開始操作検知後、所定の時間遅延させてもよい。遅延時間は10秒以内が好ましく3秒以内とすればさらに好ましい。またさらに、加熱開始直後の赤外線センサ26の出力電圧X0を増加量ΔX測定の際の基準初期検出値にすることに代え、赤外線センサ26に光を入射させない状態で測定し、記憶部29aに予め記憶しておいた赤外線センサ26の出力電圧値を基準となる出力電圧初期検出値として用いてもよい。具体的には、図15に示すように、誘導加熱調理器製造時に、光を全く入射させない状態、または、被加熱物の温度が検出下限温度未満である場合の被加熱物の温度に対して大きさが略一定の初期検出値を出力している状態で測定した赤外線センサ26の出力値が、出力電圧入力部29bに入力され、記憶部29aに記憶され、この値を初期検出値として用いてもよい。すなわち、測定して記憶部29aに記憶された赤外線センサ26の初期検出値に対する赤外線センサ26の出力値の増加量ΔXが所定値以上となると加熱コイル21の出力を低減するかまたは加熱を停止する。これにより、赤外線センサ26の初期検出値の変動の影響を抑制し、赤外線センサ26の入光量により増加する出力値の変化を精度良く測定することができる。また、図15に、破線で示すように、制御部29は基準値入力部29gをさらに備え、誘導加熱調理器製造時に基準値入力部29gから入力された、初期検出値として予め決められた標準値を記憶部29aに記憶しておき、加熱開始後において、赤外線センサ26の出力値が初期検出値より小さくなった場合には、記憶部29aに記憶された初期検出値を小さくなった赤外線センサ26の出力値に変更するようにしてもよい。これにより、制御温度が上昇する方向への変動を抑制することができる。加熱開始直後の赤外線センサ26の出力電圧X0を増加量ΔX測定の際の基準初期検出値にする方法は、加熱を停止した場合に、被加熱物の温度が低下しやすい、被加熱物の熱容量が少なくかつ高温の調理、例えば炒め物の料理に適している。例えば、揚げ物のように炒め物調理に比べ、比較的温度が低く被加熱物の容量が大きい場合には、温度が低下しにくいので、再度加熱開始し且つ制御温度設定を再加熱前よりも低く設定した場合、加熱直後の温度が設定した制御温度を越える恐れがある。この場合には、赤外線センサ26に光を入射させない状態で測定した赤外線センサ26の出力値を初期検出値とするなど、予め測定した赤外線センサ26の出力する初期検出値を記憶部29aに記憶する方法が望ましい。従って、この二つの方法を組み合わせても良い。さらにこの場合、図13に示すように、基準となる出力電圧初期検出値が赤外線センサ26の出力値の温度特性による出力変動幅以上の所定値であってもよい。これにより、図7のステップS9で記憶部29aに記憶された初期設定値が変更されても、初期設定値がゼロにならないので、例えば、単一極性の電源で構成できるなど、回路構成を簡素化することができる。本実施の形態では、赤外線検出素子26aとして、シリコンフォトダイオードを使用して、制御温度が330°C近傍の温度として炒め物調理に適した安価な被加熱物の温度抑制機能を実現したが、シリコンPINフォトダイオードでも増加特性をべき乗関数に近似した場合に指数が約5.4のものがあり同様に増加するに従い急な増加特性を示すので、特に量子型のフォトダイオードであるシリコンピンフォトダイオード、ゲルマニウム、インジウムガリウムヒ素など、他のピーク感度の得られる波長の異なる赤外線検出素子を選択して、本実施の形態と異なる制御温度被加熱物20の温度を制御するため加熱出力を抑制したり、増加させたりする温度において、同様の出力特性温度が高くなればなるほど出力値と増加率が大きくなる特性を得て同様の加熱出力制御を行っても良い。また、実施の形態では、赤外線センサ26の検出信号の、加熱開始直後の出力値に対する増加量ΔXが所定以上となると加熱出力を抑制または加熱動作を停止したが、視覚的な表示装置、または音声や報知音などによる聴覚的な報知装置により、増加量ΔXの値が所定以上大きくなっていることに応じて、被加熱物の温度が低温状態か所定の温度に到達した高温状態となっているか例えばフライパンの予熱状態を示す等を表示または報知するようにしてもよい。"