"ガラス基板と、ITO層と、前記ガラス基板と前記酸化インジウムスズ層の間の金属酸化物層と、を含む有機エレクトロルミネセンスデバイスの導電性基板であって、前記金属酸化物層の屈折率は、前記ガラス基板と前記酸化インジウムスズ層の屈折率の間とされる、ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンスデバイスの導電性基板。前記金属酸化物層は、MgO、ZrO、或いは、Al2O3とされる、ことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイスの伝導性基板。金属酸化物層は50nmから150nmの厚みを有する、ことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイスの伝導性基板。ITO層は100nmから200nmの厚みを有する、ことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイスの伝導性基板。導電性基板と、前記導電性基板の上に順番に積層される、ホール注入層、ホール輸送層、光放出層、電子輸送層、電子注入層、および金属陰極と、を含む有機エレクトロルミネセンスデバイスであって、ガラス基板、酸化インジウムスズ層、及び、前記ガラス基板と前記酸化インジウムスズ層の間の金属酸化物層と、を含み、前記金属酸化物層の屈折率は、前記ガラス基板と前記酸化インジウムスズ層の屈折率の間とされる、有機エレクトロルミネセンスデバイス。前記ホール注入層は、三酸化モリブデン、三酸化タングステン、又は、VOXが採用される、ことを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。前記ホール輸送層は、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、N,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、1,3,5-トリフェニルベンゼン、又は、銅フタロシアニンが採用される、ことを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。前記発光層は、テトラtert-ブチルペリレン、4-ジシアノメチレン-2-tert-ブチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-9-ジュロリジン-エテニル]-4H-ピラン、9,10-ナフタレン-β-アンスラセン、ビス2-メチル-8-ヒドロキシキノリン-4-ジフェノールアルミニウム、4-ジシアノメチレン-2-イソプロピル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-9-ジュロリジン-エテニル]-4H-ピラン、ジメチルキナクリドン、又は、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムキノリン、が採用される、ことを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。前記電子輸送層は、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムキノリン、2,5-ビス1-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾール、1,2,4-トリアゾロ誘導体、N-アリールベンツイミダゾール、又は、キノキサリン誘導体が採用される、ことを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。前記電子注入層は、LiF、LiO2,Cs2O、Al2O3,NaF、CsF、CaF2,MgF2,NaCl、KCl、RbCl、LiBO2,又は、K2SiO3が採用される、ことを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。以上のことから、一種の高い光抽出効率を具備する有機エレクトロルミネセンスデバイス、及び、その導電性基板が必要とされる。この有機エレクトロルミネセンスデバイスの導電性基板は、ガラス基板と、酸化インジウムスズ層と、ガラス基板と酸化インジウムスズ層の間の金属酸化物層と、を含む。ここで、金属酸化物層の屈折率は、ガラス基板と酸化インジウムスズ層の屈折率の間とされる。好適な実施例では、金属酸化物層は、MgO、ZrO、或いは、Al2O3とされる。好適な実施例では、金属酸化物層は50nmから150nmの厚みを有する。好適な実施例では、酸化インジウムスズ層は100nmから200nmの厚みを有する。有機エレクトロルミネセンスデバイスは、導電性基板と、この導電性基板の上に順番に積層される、ホール注入層、ホール輸送層、光放出層、電子輸送層、電子注入層、および金属陰極を含んでいる。導電性基板は、ガラス基板と、酸化インジウムスズ層と、ガラス基板と酸化インジウムスズ層の間の金属酸化物層と、を含む。ここで、金属酸化物層の屈折率は、ガラス基板と酸化インジウムスズ層の屈折率の間とされる。好適な実施例では、ホール注入層は、三酸化モリブデン、三酸化タングステン、又は、VOXが採用される。好適な実施例では、ホール輸送層は、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、N,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、1,3,5-トリフェニルベンゼン、又は、銅フタロシアニンが採用される。好適な実施例では、発光層は、テトラtert-ブチルペリレン、4-ジシアノメチレン-2-tert-ブチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-9-ジュロリジン-エテニル]-4H-ピラン、9,10-ナフタレン-β-アンスラセン、ビス2-メチル-8-ヒドロキシキノリン-4-ジフェノールアルミニウム、4-ジシアノメチレン-2-イソプロピル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-9-ジュロリジン-エテニル]-4H-ピラン、ジメチルキナクリドン、又は、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムキノリン、が採用される。好適な実施例では、電子輸送層は、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムキノリン、2,5-ビス1-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾール、1,2,4-トリアゾロ誘導体、N-アリールベンツイミダゾール、又は、キノキサリン誘導体が採用される。好適な実施例では、電子注入層は、LiF、LiO2、Cs2O、Al2O3、NaF、CsF、CaF2、MgF2、NaCl、KCl、RbCl、LiBO2、又は、K2SiO3が採用される。導電性基板において、屈折率をガラス基板と酸化インジウムスズ層の間とした金属酸化物層を挿入したため、ITO酸化インジウムスズ/金属酸化物、金属酸化物/ガラスの間で光が放出され、全反射の臨界角は、金属酸化物を挿入していない臨界角と比較して増大され、大部分の光が屈折を通じて界面から放出され、少量の光のみが全反射を発生させるので、光の抽出効率が高められる。"