研磨布を貼り付けた定盤と、マスクブランク用基板とを、一定荷重をかけた状態で相対的に移動させ、その際研磨液を研磨布とマスクブランク用基板との接触面間に供給してマスクブランク用基板の研磨を行う工程を有するマスクブランク用基板の製造方法であって、前記研磨布を貼り付けた定盤は、定盤の研磨布貼り付け面に溝を有し、この溝の断面形状は、少なくとも溝の開口周縁部において曲線状又は曲面状に形成されてなる定盤と、前記定盤の研磨布貼り付け平面及び前記所定の開口周縁部形態を有する溝の形態に沿って貼り付けられた研磨布と、で構成され、この研磨布を貼り付けた所定の定盤を用い、マスクブランク用基板の研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。研磨布を貼り付けた定盤と、マスクブランク用基板とを、一定荷重をかけた状態で相対的に移動させ、その際研磨液を研磨布とマスクブランク用基板との接触面間に供給してマスクブランク用基板の研磨を行う工程を有するマスクブランク用基板の製造方法であって、前記研磨布を貼り付けた定盤は、定盤の研磨布貼り付け面に溝を有し、この溝の断面形状は、少なくとも溝の開口周縁部において所定の形態に形成されてなる定盤と、前記定盤の研磨布貼り付け平面及び前記所定の開口周縁部形態を有する溝の形態に沿って貼り付けられた研磨布と、で構成され、かつ、定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝における開口周縁部の形態を、この研磨布で覆われてなる所定溝の開口周縁部の形態によって生じる作用のうち、基板表面から研磨液を除去する作用に対し、基板表面に研磨液を付着させる作用が相対的に大きくなるような形態とした定盤であって、この研磨布を貼り付けた所定の定盤を用い、前記研磨布で覆われてなる所定溝に蓄えられた研磨液及び研磨布で覆われてなる所定溝の開口周縁部の形態によってもたらされる作用を利用しつつマスクブランク用基板の研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。前記定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝における開口周縁部の形態は、断面方向から見て、曲線状、曲面状又は傾斜状であることを特徴とする請求項2に記載のマスクブランク用基板の製造方法。研磨布を貼り付けた定盤上にマスクブランク用基板を載置し、前記マスクブランク用基板に対して前記定盤から一定荷重をかけた状態で、前記定盤と前記マスクブランク用基板とを相対的に移動させ、その際研磨液を前記研磨布と前記マスクブランクとの接触面間に供給してマスクブランク用基板の研磨を行う工程を有するマスクブランク用基板の製造方法であって、前記研磨布を貼り付けた定盤は、定盤の研磨布貼り付け面に溝を有し、この溝の断面形状は、少なくとも溝の開口周縁部が丸みを帯びた形態に形成されてなる定盤と、前記定盤の研磨布貼り付け平面及び前記溝の形態に沿って貼り付けられた研磨布と、で構成され、この研磨布を貼り付けた所定の定盤を用い、マスクブランク用基板の研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。請求項1乃至4のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法を用いて、表示装置製造用のマスクブランク用大型基板の研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。前記研磨を行う工程は、前記マスクブランク用基板の表面が所望の平坦度と所望の平滑度が得られるように複数の研磨工程を行うことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。前記複数の研磨工程は、前記マスクブランク用基板を、前記研磨布を貼り付けた所定の溝形状を有する上定盤と下定盤によって挟み、前記マスクブランク用基板と前記上定盤、前記下定盤が相対的に移動することによって、前記マスクブランク用基板の両表面を両面研磨することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。前記複数の研磨工程の間に、前記マスクブランク用基板の表面の平坦度を測定する平坦度測定工程を有することを特徴とする請求項7記載のマスクブランク用基板の製造方法。前記平坦度測定工程によって得られた測定結果に基づいて前記マスクブランク用基板表面の平坦度が所望の平坦度となるように、前記研磨布を貼り付けた所定の定盤を用い、片面研磨によりマスクブランク用基板を研磨することを特徴とする請求項8記載のマスクブランク用基板の製造方法。請求項1乃至9のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の表面に、マスクパターンとなるマスクパターン用薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。請求項10に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクにおける前記マスクパターン用薄膜をパターニングして、前記マスクブランク用基板の表面にマスクパターンを形成することを特徴とするマスクの製造方法。これに対し、基板が液晶表示装置薄膜トランジスタ:TFTなどやカラーフィルタCF製造用マスク等に用いられる大型のマスクブランク用ガラス基板330mm×450mm以上であると、研磨効率を重視した条件下主に荷重大の条件下では、図12に示すように、基板進行方向の基板外周側Aから供給された研磨液11は、基板4が大面積大重量であるため、研磨液の供給側Aとは反対側基板の進行方向とは反対側Bにおいて、研磨布に含浸された研磨液の減少、基板表面と研磨布面との接触面間に介在する研磨液のごく薄い層11’’の液量層厚が減少することがあり、更に基板が大型化した場合には、基板表面と研磨布面との接触面間に介在する研磨液のごく薄い層11’’が消滅する途中で液切れてしまうことがあった。これらの現象により、液晶製造用マスクやCF製造用マスク等に用いられる大型のマスクブランク用基板を研磨するとき以下の弊害が発生する。1基板と研磨布との接触抵抗が大きくなり、この結果、研磨抵抗が非常に大きくなってしまう。2加工する基板のサイズが大きいため、常に新鮮な研磨液が基板と研磨布との接触面間に全体的に供給されないと、研磨液が発熱、凝着して、基板にキズを与えたり、又、研磨液のムラに起因した研磨速度ムラにより所望の平坦度が得られない。3液晶製造用マスクやCF製造用マスク等に用いられる大型ガラスのマスクブランク用基板は330mm×450mm以上とサイズが大きい割には厚さが8~15mmと小さいため、ある程度のたわみが許容され、研磨加工時に研磨布に強く吸着される。そのため、十分な研磨液が基板と研磨布との接触面間に供給されないと、摩擦抵抗が大きく、研磨装置の回転駆動系に大きな負荷が生じ装置全体に振動が起き、この振動は基板表面のキズ発生原因となり、最悪の場合基板そのものの破損を招く。4研磨終了後、基板が、定盤に貼り付けた研磨布に強く吸着してしまい、取り外す時に大きな力を要する。これらの弊害を避けるため、液晶製造用マスクやCF製造用マスク等に用いられる大型のマスクブランク用ガラス基板の研磨は、従来、荷重を低くして研磨を行っていた。このため、研磨速度が遅くなるので研磨時間が長く、研磨効率が非常に悪くならざるを得なかった。本発明の目的は、上記大型基板の研磨に係る課題を解決することである。本発明者は、研磨布に溝をつけ、上記大型基板研磨に係る課題解決を試みた。具体的には、図14に示すように、市販の各種平面視パターンの溝付き研磨布2例えば、縦横の格子状溝、溝幅2mm、溝ピッチ30mm、溝深さ1.5mmを定盤1に貼り付け、研磨布2の溝2aを介して大面積基板4下面から溝2aに溜まった研磨液図示せずの供給を試みたが、期待した効果は得られなかった。具体的には、図13に示す、研磨液11の供給側Aとは反対側Bにおいて、遠目でみて遠ざかってみて研磨布上の研磨液不足や研磨液切れが確認され、定盤駆動モーターの電流値上昇や、装置全体に振動発生が生じるなど、依然として、研磨抵抗が大きく、研磨効率が良いとは言えない状況であり、従って研磨効率を追求できない状況であった。この原因を究明したところ、大型基板特有の要因、即ち、基板が大面積大重量であるため、1図13に示す如く研磨時に研磨布2の溝2aがつぶれ、研磨時に溝の断面形状を維持できないこと、2研磨時に研磨布2の溝2aがつぶれるので、溝の容積が小さくなり、溝内の研磨液量を確保しにくいこと、3研磨布の厚さは所定の研磨品質平坦性鏡面精度及び研磨効率の面から所定の弾性柔軟性を有する厚さ通常1~2mmに限られるため、溝の深さ液量に限界があること、が主な原因である考えられた。そこで、溝の幅や、溝の深さ、溝のピッチ溝間の間隔、溝の数等を増やし、研磨布上にある溝全体に蓄えられる研磨液量を増やすこと溝の容積の合計量を増やすこと試みた。また、溝の平面視パターンの変更例えば渦状溝付き研磨布の適用を試みた。これらの結果、改善効果は見受けられるものの、依然として、研磨抵抗が大きく、研磨効率が良いとは言えない状況を解消するまでには至らなかった。この原因は溝つき研磨布では加工途中で溝に切れ目が生じるためであること、研磨布の厚さの制約及び研磨布の耐久性上の制約から溝の容積の合計量を増やすことには限界があること、などが主な原因であると考えられた。さらに、研磨布上の溝の幅や、溝の深さ、溝のピッチ、溝の数等を増やした場合、研磨布の耐久性に劣り、短時間しか使用できないので実用性に乏しいことも判明した。そこで、定盤に断面矩形状の凹溝を設け、この定盤上面及び定盤凹溝に沿って研磨布を貼り付けてなる定盤を用いて、実験したところ、大面積基板の研磨に関し、ある程度、研磨抵抗低減効果及び研磨効率向上効果が得られることを解明した。そして、更なる究明を続けた結果、図151に示す、定盤1の上面及び凹溝に沿って研磨布2を貼り付けてなる定盤3や、図152に示す、定盤1の上面及び断面V字状の溝に沿って研磨布2を貼り付けてなる定盤3を用いた実験では、溝3aの形状が保持され、溝3aによる研磨液供給作用が働くものの、溝3aの角部エッジで介在スラリーを掻き取る作用除去する作用がより強く働くため、一定の効果はあるものの思ったほど効果が上がらないことを解明した。そこで、図1に示すように、断面から見て溝の開口周縁部に所定のR曲率半径を付けてなる溝、即ち、開口周縁部が丸みを帯びた形態の溝以下R溝と言うを定盤に形成し、この定盤1の上面及びR溝に沿って研磨布2を貼り付けてなる定盤3を用いて、実験したところ、大面積基板の研磨に関し、研磨効率を重視した条件下主に荷重大の条件下において、図15に示す態様に比べ、研磨抵抗の低減効果が高く、したがって研磨効率の向上効果が高いこと、この結果生産性の向上を実現できることを究明して本発明を完成するに至った。この理由は、定盤1の上面及びR溝に沿って貼り付けられた研磨布2は、定盤R溝で下側から保持されている裏打ちされているため、R溝の変形が生じにくく、溝内に所定の液量を確保しやすいこと、しかも定盤上のR溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定R溝3aは、基板表面から研磨液介在スラリーを掻き取る除去する作用作用があまりなく、逆に基板表面に研磨液をまとわりつかせる作用や基板表面に研磨液を効果的に付着させる作用が強く働くためと考えられる。基板表面に研磨液をまとわりつかせる付着させる作用は、定盤回転に伴う遠心力で所定R溝のR部と基板表面との間に形成されるスペース3a’に溜まった研磨液の作用スペースの形態に伴う作用、基板表面と研磨液との接触面積が大となる作用など、研磨布の研磨液を含浸する作用、研磨布の弾性作用、などが働くためではないかと考えられる。即ち、本発明は、定盤上の所定溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝の形態を、基板表面から研磨液を掻き取る除去する作用作用が少なく、逆に基板表面に研磨液をまとわりつかせる付着させる作用の方が前者の作用に対してより大きく働くような断面形状形態としたものである。なお、研磨布自体に形成した断面矩形状の凹溝における開口周縁部にRを付けることは技術的に難しく作製が困難である。また、研磨布自体に形成した断面矩形状の凹溝における開口周縁部にRを付けたとしても、上述したように、溝がつぶれる、溝が変形する等の理由から十分な効果はあまり期待できないと考えられる。但し、図14に示した研磨布自体に形成した断面矩形状の凹溝に比べれば、Rを付けた分その分の作用は本願同様発揮されるものと考えられる。本発明は以下の構成を有する。構成1研磨布を貼り付けた定盤と、マスクブランク用基板とを、一定荷重をかけた状態で相対的に移動させ、その際研磨液を研磨布とマスクブランク用基板との接触面間に供給してマスクブランク用基板の研磨を行う工程を有するマスクブランク用基板の製造方法であって、前記研磨布を貼り付けた定盤は、定盤の研磨布貼り付け面に溝を有し、この溝の断面形状は、少なくとも溝の開口周縁部において曲線状又は曲面状に形成されてなる定盤と、前記定盤の研磨布貼り付け平面及び前記所定の開口周縁部形態を有する溝の形態に沿って貼り付けられた研磨布と、で構成され、この研磨布を貼り付けた所定の定盤を用い、マスクブランク用基板の研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。構成2研磨布を貼り付けた定盤と、マスクブランク用基板とを、一定荷重をかけた状態で相対的に移動させ、その際研磨液を研磨布とマスクブランク用基板との接触面間に供給してマスクブランク用基板の研磨を行う工程を有するマスクブランク用基板の製造方法であって、前記研磨布を貼り付けた定盤は、定盤の研磨布貼り付け面に溝を有し、この溝の断面形状は、少なくとも溝の開口周縁部において所定の形態に形成されてなる定盤と、前記定盤の研磨布貼り付け平面及び前記所定の開口周縁部形態を有する溝の形態に沿って貼り付けられた研磨布と、で構成され、かつ、定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝における開口周縁部の形態を、この研磨布で覆われてなる所定溝の開口周縁部の形態によって生じる作用のうち、基板表面から研磨液を除去する作用に対し、基板表面に研磨液を付着させる作用が相対的に大きくなるような形態とした定盤であって、この研磨布を貼り付けた所定の定盤を用い、前記研磨布で覆われてなる所定溝に蓄えられた研磨液及び研磨布で覆われてなる所定溝の開口周縁部の形態によってもたらされる作用を利用しつつマスクブランク用基板の研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。構成3前記定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝における開口周縁部の形態は、断面方向から見て、曲線状、曲面状又は傾斜状であることを特徴とする構成2に記載のマスクブランク用基板の製造方法。構成4研磨布を貼り付けた定盤上にマスクブランク用基板を載置し、前記マスクブランク用基板に対して前記定盤から一定荷重をかけた状態で、前記定盤と前記マスクブランク用基板とが相対的に移動させ、その際研磨液を前記研磨布と前記マスクブランクとの接触面間に供給してマスクブランク用基板の研磨を行う工程を有するマスクブランク用基板の製造方法であって、前記研磨布を貼り付けた定盤は、定盤の研磨布貼り付け面に溝を有し、この溝の断面形状は、少なくとも溝の開口周縁部が丸みを帯びた形態に形成されてなる定盤と、前記定盤の研磨布貼り付け平面及び前記溝の形態に沿って貼り付けられた研磨布と、で構成され、この研磨布を貼り付けた所定の定盤を用い、マスクブランク用基板の研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。構成5構成1乃至4のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法を用いて、表示装置製造用のマスクブランク用の大型基板の研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。構成6前記研磨を行う工程は、前記マスクブランク用基板の表面が所望の平坦度と所望の平滑度が得られるように複数の研磨工程を行うことを特徴とする構成1乃至5のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。構成7前記複数の研磨工程は、前記マスクブランク用基板を、前記研磨布を貼り付けた所定の溝形状を有する上定盤と下定盤によって挟み、前記マスクブランク用基板と前記上定盤、前記下定盤が相対的に移動することによって、前記マスクブランク用基板の両表面を両面研磨することを特徴とする構成1乃至6のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。構成8前記複数の研磨工程の間に、前記マスクブランク用基板の表面の平坦度を測定する平坦度測定工程を有することを特徴とする構成7記載のマスクブランク用基板の製造方法。構成9前記平坦度測定工程によって得られた測定結果に基づいて前記マスクブランク用基板表面の平坦度が所望の平坦度となるように、前記研磨布を貼り付けた所定の定盤を用い、片面研磨によりマスクブランク用基板を研磨することを特徴とする構成8記載のマスクブランク用基板の製造方法。構成10構成1乃至9のいずれか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の表面に、マスクパターンとなるマスクパターン用薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。構成11構成10に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクにおける前記マスクパターン用薄膜をパターニングして、前記マスクブランク用基板の表面にマスクパターンを形成することを特徴とするマスクの製造方法。構成12研磨布を貼り付けた定盤と、マスクブランク用基板とを、両者の間に一定荷重をかけた状態で相対的に移動させる手段と、研磨液を研磨布とマスクブランク用基板との接触面間に供給する手段とを、有するマスクブランク用基板の研磨工程で使用されるマスクブランク用基板の製造装置であって、前記研磨布を貼り付けた定盤は、定盤の研磨布貼り付け面に溝を有し、この溝の断面形状は、少なくとも溝の開口周縁部において曲線状又は曲面状に形成されてなる定盤と、前記定盤の研磨布貼り付け平面及び前記所定の開口周縁部形態を有する溝の形態に沿って貼り付けられた研磨布と、で構成されることを特徴とするマスクブランク用基板の製造装置。構成13前記定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝にのみ直接的に研磨液を供給する手段を有することを特徴とする構成12に記載のマスクブランク用基板の製造装置。構成14前記研磨布を貼り付けた定盤は、定盤の研磨布貼り付け平面に研磨布をまず平面状に貼り付け、次いで、定盤上の溝の上部に張り渡された研磨布の部分をその上部から溝内部に押しつけて、溝の内面に沿って研磨布を貼り付けたものであること特徴とする構成12又は13に記載のマスクブランク用基板の製造装置。以下、本発明を詳細に説明する。本発明のマスクブランク用基板の製造方法は、研磨布を貼り付けた定盤と、マスクブランク用基板とを、一定荷重をかけた状態で相対的に移動させ、その際研磨液を研磨布とマスクブランク用基板との接触面間に供給してマスクブランク用基板の研磨を行う工程を有するマスクブランク用基板の製造方法であって、前記研磨布を貼り付けた定盤は、定盤の研磨布貼り付け面に溝を有し、この溝の断面形状は、少なくとも溝の開口周縁部において曲線状又は曲面状に形成されてなる定盤と、前記定盤の研磨布貼り付け平面及び前記所定の開口周縁部形態を有する溝の形態に沿って貼り付けられた研磨布と、で構成され、この研磨布を貼り付けてなる所定の定盤を用い、マスクブランク用基板の研磨を行うことを特徴とする構成1。また、本発明のマスクブランク用基板の製造方法は、研磨布を貼り付けた定盤上にマスクブランク用基板を載置し、前記マスクブランク用基板に対して前記定盤から一定荷重をかけた状態で、前記定盤と前記マスクブランク用基板とを相対的に移動させ、その際研磨液を前記研磨布と前記マスクブランクとの接触面間に供給してマスクブランク用基板の研磨を行う工程を有するマスクブランク用基板の製造方法であって、前記研磨布を貼り付けた定盤は、定盤の研磨布貼り付け面に溝を有し、この溝の断面形状は、少なくとも溝の開口周縁部が丸みを帯びた形態に形成されてなる定盤と、前記定盤の研磨布貼り付け平面及び前記溝の形態に沿って貼り付けられた研磨布と、で構成され、この研磨布を貼り付けた所定の定盤を用い、マスクブランク用基板の研磨を行うことを特徴とする構成4。また、本発明のマスクブランク用基板の製造装置は、研磨布を貼り付けた定盤と、マスクブランク用基板とを、両者の間に一定荷重をかけた状態で相対的に移動させる手段と、研磨液を研磨布とマスクブランク用基板との接触面間に供給する手段とを、有するマスクブランク用基板の研磨工程で使用されるマスクブランク用基板の製造装置であって、前記研磨布を貼り付けた定盤は、定盤の研磨布貼り付け面に溝を有し、この溝の断面形状は、少なくとも溝の開口周縁部において曲線状又は曲面状に形成されてなる定盤と、前記定盤の研磨布貼り付け平面及び前記所定の開口周縁部形態を有する溝の形態に沿って貼り付けられた研磨布と、で構成されることを特徴とする構成12。本発明の製造方法及び製造装置において、定盤は、定盤の研磨布貼り付け面に溝を有する。この溝の断面形状は、少なくとも溝の開口周縁部において所定の形態に形成されてなる。所定の形態とは、断面方向から見て、丸みを帯びた形状、即ち曲線状、曲面状、又は傾斜状である構成1~4。例えば、本発明では、例えば図2に示すように、定盤1の研磨布貼り付け面1bに溝1aを有し、この溝1aの断面形状は、少なくとも、定盤1の研磨布貼り付け平面1bと溝1aの側面1cとが交差する部位Cにおいて、断面方向から見て、丸みを帯びた形状、即ち曲線状、曲面状、又は傾斜状に形成されてなる。本発明の製造方法及び製造装置において、研磨布は、前記定盤の研磨布貼り付け平面及び前記所定の開口周縁部形態を有する溝の形態に沿って少なくとも開口周縁部に沿って、通常溝の内面全面に沿って貼り付けられる。これにより、定盤上に形成された所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成された研磨布で覆われてなる所定溝が形成される。このとき、研磨布は、前記定盤の研磨布貼り付け平面及び前記溝の内面によって裏面側から一体的に支持される。そして、定盤と該定盤に貼り付けられた研磨布とが一体となって、研磨布で覆われてなる所定溝を有する研磨布を貼り付けてなる所定の定盤が構成される。本発明の製造方法及び製造装置において、定盤上に形成される所定の開口周縁部形態を有する溝、並びに、定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝の形態は、最も単純には、少なくとも溝の開口周縁部に所定のR曲率半径を付けた溝である図1参照。本発明の製造方法及び製造装置において、定盤上に形成される所定の開口周縁部形態を有する溝、並びに、定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝の形態は、例えば図3に示すように、断面方向から見て、溝の開口周縁部付近Dにおいて、定盤の研磨布貼り付け平面1b又はこれに研磨布2を貼り付けてなる平面2bから定盤1の厚さ方向になだらかに傾斜していく窪んでいく断面形状が好ましい。つまり、溝3aの開口周縁部付近と、これと接する基板4の表面との間に、断面略くさび形状のスペースEが形成される断面形状が好ましい図3。図3に示す如く、この断面略くさび形状のスペースEに、定盤回転に伴う遠心力の作用で、研磨液11が図示の如く溜まる。この溜まった研磨液11と基板4の表面との接触面積は、断面略くさび形状のスペースEが形成されない場合に比べ、大きくなる。また、この断面略くさび形状のスペースEは、基板4の表面と研磨布2との接触面線に向かって幅が狭くなっている。これらの作用によって、基板表面に研磨液をまとわりつかせる付着させる作用が強く働くものと考えられる。また、この断面略くさび形状のスペースEは、基板表面にまとわりつかせた付着させた研磨液介在スラリーを掻き取る除去する作用作用が非常に少ないものと考えられる。このように、本発明では、定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝の形態を、基板表面から研磨液を掻き取る除去する作用作用が少なく、逆に基板表面に研磨液をまとわりつかせる付着させる作用が強く働くような断面形状形態とすることが好ましい。つまり、定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝における開口周縁部の形態を、この研磨布で覆われてなる所定溝の開口周縁部の形態によって生じる2つの作用のうち、基板表面から研磨液を除去する作用に対し、基板表面に研磨液を付着させる作用が相対的に大きくなるような形態とすることが好ましい構成2。これによって、研磨抵抗の低減効果が非常に高く、したがって研磨効率の向上効果が非常に高く、この結果として生産性の飛躍的向上を実現できる。なお、図3に示す態様の応用として、図4に示すような態様、即ち、溝の開口周縁部付近Dにおいて、定盤の研磨布貼り付け平面1b又はこれに研磨布2を貼り付けてなる平面2bから定盤1の厚さ方向になだらかにかつ直線的に傾斜していく傾斜状の態様であってもよい。この場合、定盤の研磨布貼り付け平面1bと、溝の開口周縁部付近Dにおける溝の側面1cとのなす角αは120°以上、更には150°以上とすることが、上述した作用を効果的に発揮させる観点から好ましい。上記本発明に係る溝における開口周縁部以外の部位底部や底部付近の側面や開口付近を除く側面の形状形態は特に制限されないが、遠心力による研磨液供給作用、研磨布貼付の容易さ等を考慮すると、曲線状曲面状が好ましい。本発明において、溝の形態は、幅方向断面で見て左右対象とすることが、定盤の運動軌跡等の観点から好ましい。本発明において、溝の形態は、溝の長さ方向に沿って、均一又は略均一の幅方向断面を有する形態とすることができ、また、溝の長さ方向に沿って幅方向断面が異なる形態とすることもできる。本発明の製造方法及び製造装置において、定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝は、溝幅:10~50mm、溝深さ:1~10mm程度がよい。研磨布の厚さは、所定の研磨品質平坦性鏡面精度及び研磨効率を満たすことが可能な厚さであって、定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を大きく損なうことなく、溝の内面に沿って研磨布を確実且つ容易に貼付しうる厚さがよい。溝の断面形状の更に好ましい具体例は、図5に示す如く、溝の開口周縁部における曲面1cと溝の底部の曲面1dとで少なくとも構成される曲面Rの向きの異なる3つ以上の曲面で構成される曲面等が例示される。ここで、溝の開口周縁部における曲面1cの曲率半径Rは3~20mm、溝の底部の曲面1dの曲率半径R’は10~50mm、溝深さhは1~10mm、溝幅wは10~50mmが好ましい。本発明の製造方法及び製造装置において、上述した研磨布を貼り付けてなる所定の定盤の作製方法は、例えば、図61に示すように、所定の断面形状の溝1aを研磨定盤1の研磨布貼り付け面に作製し、平らなところで、まず定盤1の研磨布貼り付け平面に、定盤と略同サイズで均一な厚さの一枚の研磨布を載置し、研磨布全面に貼付された両面テープを介して、定盤1の研磨布貼り付け平面に研磨布2を平面状に貼り付ける。次いで、図61に示すように、定盤上の溝の上部に張り渡された研磨布の部分を、その上部から溝内部に押しつけ、図62に示すように、研磨布の伸び弾性作用及び両面テープの貼着作用を利用して溝の内面に沿って貼る構成14。溝の上部に張り渡された研磨布の部分をへこまし、かつ、研磨布を溝の内面形態に沿って溝全面に貼るには、曲面部を有する治具30を利用することが好ましい。この際、溝の断面形状プロファイル全体が緩やかな曲線で構成されていると、研磨布の貼り付けが容易となる。耐久性の面からは、一枚の研磨布を定盤に貼付することが好ましい。曲面部を有する治具としては、例えばゴルフボールなどを利用することができる。研磨布の貼り付けは、研磨布を、定盤の上面及び溝に沿わせて順次貼っていき、両者を貼り合わせることも可能である。本発明の製造方法及び製造装置において、定盤上に形成される所定の開口周縁部形態を有する溝、並びに、定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝の平面視レイアウト形状平面視デザインは、以下の理由から重要である。1溝の容積の合計量溝の長さ溝の深さ溝の数平面視で非溝部分と溝部分との面積比率等に比例に関係する。2研磨液を定盤上の溝に十分な量保持確保する機能と関係する。3定盤回転に伴う遠心力の作用により溝から流れ出る研磨液との関係で、研磨液を定盤上の溝に十分な量保持確保する機能と関係する。本発明では、溝の平面視レイアウト形状平面視デザインは、以上の項目を十分に併せて発揮しうる形態であることが好ましい。本発明に係る溝の具体的な平面視レイアウト形状としては、後述する図9及び図10に示すマスクブランク用大型基板のポリッシング工程で使用される片面研磨装置及び両面研磨装置における基板及び定盤の運動軌跡との相互作用の観点から、図71に示す、渦巻き状定盤中心を中心とした渦巻き状が特に好ましい。なお、両面研磨装置においては、上下の定盤の双方に本発明に係る溝を形成することが好ましい。この場合、下定盤の溝を図7に示す渦とした場合、上定盤の溝は反転させた渦鏡像関係にある渦とすることが好ましい。本発明に係る溝の他の具体的な平面視レイアウト形状としては、図8に示す、平面視円弧状の溝3aを、定盤中心部から定盤円周縁部にかけて、複数、放射状にレイアウトした態様が挙げられる。これらの例に示したように、定盤回転作用によって、基板が設置された定盤上に供給された研磨液を、溝内に巻き込むような平面視デザインが好ましい。なお、平行四辺形マス目や正方形マス目などの平面視レイアウト形状は、定盤の回転作用遠心力によって、溝内の研磨液が流出しやすい。また、これらの平面視レイアウト形状では、基板の運動軌跡との相互作用が得られにくく、溝の作用効果研磨抵抗抑制、キズ防止等が低減する。本発明の製造方法及び製造装置では、溝の幅変えることが可能である。例えば、渦溝の場合、定盤外周ほど遠心力の作用で液量が少なくなるので、渦溝における中心部の溝を太くすること定盤の中心から外周に向かって線幅小にしていくことによって、全体として外周における溝にも研磨液の供給量が大となるので有効である。本発明では、溝の深さに高低差をつけることも可能である。本発明において、研磨液を供給する手段としては、1研磨布を貼り付けた定盤上に研磨液を供給する手段、2少なくとも研磨布で覆われてなる所定溝にのみ研磨液を直接的に供給する手段構成13、などが挙げられる。これらの研磨液供給手段は、一方を単独で又は双方を併せて使用することが可能であるが、双方を併せて使用することが好ましい。この場合、研磨布を貼り付けた定盤上に研磨液を供給する手段と主とし、研磨布で覆われてなる所定溝にのみ研磨液を直接的に供給する手段を補助的に利用することが好ましい。なお、研磨布を貼り付けた定盤上に研磨液を供給する手段によって、間接的に研磨布で覆われてなる所定溝に研磨液を供給することが可能である。また、研磨布で覆われてなる所定溝にのみ研磨液を直接的に供給する手段によって、研磨布で覆われてなる所定溝から研磨液を流出させ、間接的に研磨布を貼り付けた定盤上に研磨液を供給することが可能である。本発明の製造方法及び製造装置において、研磨布で覆われてなる所定溝にのみ研磨液を直接的に供給する手段としては、溝の平面視レイアウト形状を図71に示す、渦巻き状定盤中心を中心とした渦巻き状とした場合においては、図71及び2に示すように、定盤中心から、渦巻き状の溝3aの中心側の端部に、研磨液供給路14を介して、研磨液を供給することが好ましい。両面研磨装置における上定盤についても同様であり、上下定盤に形成した双方の溝にそれぞれ研磨液を供給することが好ましい。研磨布で覆われてなる所定溝にのみ研磨液を直接的に供給する手段としては、溝の平面視レイアウト形状を例えば図8に示す態様の如く、複数の溝に分断された形態とした場合においては、例えば複数の溝に分断された各溝の底部等に研磨液供給孔を設けこれと連通された研磨液供給路を介して研磨液を供給すること等によって、各溝へのみ研磨液を直接供給することが可能である。渦巻き状の溝についても、溝の任意の位置の溝の底部等に研磨液供給孔を設けこれと連通された研磨液供給路を介して研磨液を供給すること等によって、一箇所以上の複数箇所から研磨液を溝に直接供給することが可能である。本発明の製造方法においては、溝の断面形状、溝深さ、溝幅や、溝の平面視レイアウト形状、並びに、溝への研磨液の直接的供給、定盤上への研磨液供給、これらの各研磨液供給量、定盤回転数、基板回転数等の複合作用によって、以下の事項を達成できることが好ましい。1定盤回転時研磨中に、溝のうちの一部において研磨液が切れた状態又は研磨液供給作用が失われる液量とならない、ようにすることが好ましい。2定盤回転時研磨中に、複数の溝のうちの一部の溝や、溝における各部位において、定盤回転作用及び重力作用水位の相違をなくす方向に働く作用によって、研磨液が溝の全体に、時間経過によらず平均して、一定以上の水位おおよそ半分以上にあるようにすることが好ましい。3大型基板と研磨布との接触面に、複数溝が介在し、新鮮な研磨液をところどころで供給可能となるようにすること例えば図1が好ましい。4大型基板と研磨布との接触面に、常時、溝が介在した状態で研磨されるようにすること図1参照が好ましい。5本発明においては、研磨開始から終了までの間、研磨布と大型基板の全面との間にスラリーの薄層を常時介在させる状態で研磨できるようにする、ことが好ましい。本発明の製造方法は、定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝における開口周縁部の形態によってもたらされる作用を利用しつつ基板の研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法である構成2。また、本発明方法は、研磨布で覆われてなる所定溝に蓄えられた保持された研磨液の作用を利用しつつ基板の研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法である構成2。また、本発明の製造方法は、定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝における開口周縁部の形態によってもたらされる作用、即ち、基板表面から研磨液を掻き取る除去する作用作用が、上述した他の形態図13、図15等に比べ減少する作用を利用しつつ研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法である。また、本発明の製造方法は、定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝における開口周縁部の形態によってもたらされる作用、即ち、基板表面から研磨液を掻き取る除去する作用作用が、上述した基板表面に研磨液をまとわりつかせる付着させる作用に対し相対的に小さくなるという作用を利用しつつ研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法である。また、本発明の製造方法は、定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝における開口周縁部の形態によってもたらされる作用、即ち、上述した基板表面に研磨液をまとわりつかせる付着させる作用が、上述した他の形態図13、図15等に比べ強いという作用を利用しつつ研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法である。本発明の製造方法は、上記各作用によって、研磨時研磨開始から研磨終了時までの間、研磨液を基板表面に効果的に付着させる作用、即ち、大型基板の研磨時の大きな研磨抵抗小さくしてあげてより高い荷重で効率よく研磨したいという本願発明の目的、課題を十分に達成できる量の研磨液を基板表面に供給する作用、を利用しつつ研磨を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法である。本発明の製造方法及び製造装置によれば、以下の作用効果が得られる。1研磨抵抗を低減でき、研磨速度加工効率を向上させることができる。このため、大型基板の研磨時の大きな研磨抵抗が小さくなるよう改善してより高い荷重で効率よく研磨したいという本願発明の目的、課題を十分に達成できる。2加工後、基板が研磨布に吸着する面積を減らせること、吸着を抑制する研磨液スラリーや水などの流体を基板と研磨布との間に多量に供給できることから、取り外しやすくなる。3研磨抵抗を減らし、機械振動を抑えた加工が可能である。4研磨面の発熱を抑え、瞬間的な研磨剤の凝固を抑え、キズ発生防止を図ることが可能となる。5基板の研磨面に接触している研磨布上の研磨液不足や研磨液切れを防止できるので、基板面内における研磨速度ばらつきが抑制され、高平坦度の基板が得られる。6上述した本発明の研磨布を貼り付けてなる所定の定盤では、使用時間に比例して研磨布の厚さが減っていっても、研磨布で覆われてなる所定溝の形態が維持されるので、研磨布交換まで研磨抵抗が少なくより高い加重で効率良く研磨するという課題を達成、維持できる。また、研磨布の交換だけで何度でも使用可能である。また、割高な市販の溝付き研磨布の使用が不要である。また、研磨布を貼り付けてなる所定の定盤では、研磨布の厚さ以上の溝を設けること可能である。これに対し、研磨布自体に溝を形成する従来技術では研磨布の厚さ以上の溝を研磨布に形成することは不可能である。このように、本発明の研磨布を貼り付けてなる所定の定盤では、溝設計の自由度が増す。7基板の大型化に伴い、基板が研磨布に吸着する吸着力が大きくなる傾向がある。本発明では、研磨布で覆われてなる所定溝の形態が維持され、この研磨布で覆われてなる所定溝によって空気または研磨液または水など、基板と研磨布を貼り付けた定盤との密着を取り除く作用を有する流体の抜け道が確保され、この研磨布で覆われてなる所定溝の箇所において吸着しないエリアが確保されるので、定盤に貼付された研磨布から基板を取り外しやすくなる。これに対し、研磨布自体に溝を形成する従来技術では、研磨布自体に形成された溝がつぶれ、吸盤のような作用を示すことがあるので、定盤に貼付された研磨布から基板を取り外し易くする効果は薄い。本発明では、例えば、上定盤に研磨布で覆われてなる所定溝を形成した場合、上定盤に貼付された研磨布から基板を取り外しやすくなる作用がある。同様に、下定盤に研磨布で覆われてなる所定溝を形成した場合、下定盤に貼付された研磨布から基板を取り外しやすくなる作用がある。本発明では、例えば、溝の平面視レイアウト形状が図7に示す、渦巻き状定盤中心を中心とした渦巻き状であると、大型基板を載置しても、溝全体が基板で覆われることがなく、空気または研磨液または水などの抜け道が十分確保されるので、上下定盤から基板を外しやすくなる。本発明の製造方法及び製造装置は、上述した作用効果から明らかなように、特に液晶表示装置TFTなどやカラーフィルターCFなどの表示装置例えば、表示パネル部品製造用の大型のマスクブランク用基板の製造に特に適する構成5。大型のマスクブランク用基板としては、大型のマスクブランク用ガラス基板の他に、大型のマスクブランク用透明基板が含まれる。本発明において、定盤に貼付された研磨布から基板を取り外しやすく作用方法は、上記研磨布で覆われてなる所定溝によって発揮される基板を取り外しやすく作用に加え、溝や定盤上に供給する研磨液供給量を調整することによって調整可能である。基板が更に大型化し相対的に研磨液量が不十分となる場合等にあっては、上記の手法に加え、下記1~6に示す、定盤の浮上剥離による基板の取り外し容易化手法特開2002-127000号公報との協同を図ることが、基板の取り外し容易化方法として有効である。1図10に示す、基板キャリア21によって保持された基板20を、研磨布を貼り付けてなる所定の定盤からなる上下定盤22、23に挟持させ、上下定盤22、23を基板20の被加工面と垂直な軸aにそれぞれ回転させるとともに、基板キャリア21を基板20の被加工面と垂直な軸bに回転させることにより、基板20に対し両面研磨加工を行う基板研磨方法において、基板20の研磨加工が終了し、上下定盤22、23の回転が停止する前に、上定盤22を、基板20の厚みよりも小さい範囲で所定量を上昇させる。上記のように、上定盤22を、基板20の厚みよりも小さい範囲で所定量を上昇させることにより、基板20の持っている自重で上定盤22と基板20とを剥離する作用が働く。2上記基板研磨方法において、上記所定量は、基板20の厚みに対して1/4~3/4とする。これにより、上定盤22の上昇量が少なく基板20と接触し易くなることがなく、また上定盤22の上昇量が大きすぎてキャリア21が回転しているときに基板20が飛び出してしまうことがない。3上記基板研磨方法において、上定盤22の上昇の前に、上定盤22と下定盤23の回転数を異ならしめることによって、基板20に働く下定盤23側の摩擦抵抗を、上定盤側22の摩擦抵抗よりも大きくする。このように、基板20に働く下定盤13側の摩擦抵抗を、上定盤側22の摩擦抵抗よりも大きくしているので、下定盤23に基板20を付着させているものの、上定盤22と基板20とが付着することを防止している。4上記基板研磨方法において、上定盤22の上昇の前に、上定盤22の回転数を、下定盤23の回転数よりも大きくする。これにより、基板20に働く下定盤23側の摩擦力を上定盤22側の摩擦力よりも大きくすることができる。5上記基板研磨方法において、下定盤23の回転数に対する上定盤22の回転数の比率を、1:4以上とする。これにより、上定盤からの基板の剥離が成功する確率を示す剥離成功率を高めることができる。6上記基板研磨方法において、下定盤23の回転数に対する上定盤22の回転数の比率を1:4~7とする。これにより、剥離成功率を低下させることはなく、しかも粗さ制御コントロールがしにくくなるなどの心配もない。本発明において、研磨布ポリッシングパッドとしては、例えば、人工皮革、発泡ウレタン、不飽和ポリエステル繊維などが挙げられる。研磨布には、基層と発泡樹脂層を備える研磨布が含まれる。研磨液としては、研磨粒子と水との懸濁液スラリーなどが好ましい。なお、研磨粒子として酸化セリウムCeO2使用する研磨工程例えば後述する第一ポリッシング工程では研磨粒子に起因した研磨抵抗がコロイダルシリカSiO2使用する研磨工程例えば後述する第三ポリッシング工程に比べ大きいので、本発明の効果が大きい。なお、本発明の研磨布で覆われてなる所定溝を有する研磨布を貼り付けてなる所定の定盤の作用、原理は、大面積基板以外にも応用しうる。但し、小型の電子デバイス用基板マスクブランクス用基板、液晶ディスプレイ用基板、情報記録媒体用基板等の場合、現状では溝のない研磨布を用いて研磨を実施しており、図11を用いて説明したように研磨抵抗が大きくなるといった課題は生じていない。また、本発明の製造方法は、マスクブランク用基板の表面が所望の平坦度と所望の平滑度が得られるように複数の研磨工程を経てマスクブランク用基板を製造する構成6ことが効率よくマスクブランク用基板が得られる点で好ましい。また、更に、複数の研磨工程は、マスクブランク用基板を、研磨布を貼り付けた所定の溝形状を有する上定盤と下定盤によって挟み、マスクブランク用基板と上定盤、下定盤が相対的に移動することによって、マスクブランク用基板の両表面を両面研磨してマスクブランク用基板を製造する構成7ことが好ましい。また、複数の研磨工程の間に、マスクブランク用基板の表面の平坦度を測定し構成8、平坦度の測定によって得られた測定結果に基づいて、マスクブランク用基板表面の平坦度が所望の平坦度となるように、研磨布を貼り付けた所定の定盤を用い、片面研磨によりマスクブランク用基板を製造する構成9ことが、効率が良く、高い歩留まりでマスクブランク用基板が得られる点で好ましい。また、本発明のマスクブランクの製造方法は、上記のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の表面に、マスクパターンとなるマスクパターン用薄膜を形成することを特徴とする構成10。このように作製されたマスクブランクは、高平坦性を維持しつつ、欠陥のないマスクブランクを得ることができる。本発明のマスクブランクとしては、マスクブランク用基板上に遮光性膜が形成されたマスクブランクや、半透光性膜と遮光性膜とをマスクブランク用基板上に順不同で形成されたグレートーンマスクブランクなどが挙げられる。また、遮光性膜の上層には反射防止機能を有する反射防止膜を兼ね備えても構わない。遮光性膜の材料としては、クロム、クロムの酸化物、クロムの窒化物、クロムの炭化物、クロムの酸化窒化物、クロムの酸化炭化物、クロムの酸化窒化炭化物、クロムの窒化炭化物、クロムの弗化物、それらを少なくとも1つ含む材料が好ましい。遮光性膜は単層でも複数層でも構わない。遮光性膜の材料としてクロムを含む材料を使用する場合、遮光性膜を構成する全ての層に窒素を含む材料が膜応力低減の点で好ましい。また、遮光性膜としては、クロムを含む材料に限らない。遮光性膜の材料としては、MoとSiで構成されるMoSi系材料に限らず、金属及びシリコンMSi、M:Mo、Ni、W、Zr、Ti、Ta、Cr等の遷移金属、酸化窒化された金属及びシリコンMSiON、酸化炭化された金属及びシリコンMSiCO、酸化窒化炭化された金属及びシリコンMSiCON、酸化された金属及びシリコンMSiO、窒化された金属及びシリコンMSiNなどを使用してもよい。半透光性膜の材料としては、マスクを作製する際に使用するエッチャントに対して、上述の遮光性膜とエッチング選択性を有する材料が好ましい。遮光性膜の材料がクロムを含む材料の場合、半透光性膜の材料は、MoとSiで構成されるMoSi系材料に限らず、金属及びシリコンMSi、M:Mo、Ni、W、Zr、Ti、Ta、Cr等の遷移金属、酸化窒化された金属及びシリコンMSiON、酸化炭化された金属及びシリコンMSiCO、酸化窒化炭化された金属及びシリコンMSiCON、酸化された金属及びシリコンMSiO、窒化された金属及びシリコンMSiNなどが挙げられる。また、本発明のマスクの製造方法は、上述のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクにおけるマスクパターン用薄膜をパターニングして、マスクブランク用基板の表面にマスクパターンを形成することを特徴とする構成11。このように作製されたマスクは、マスクパターンの位置精度が良好で、パターン欠陥もないマスクが得られる。実施例次に、本発明の実施例を掲げて本発明をより具体的に説明する。実施例1マスクブランク用基板の製造工程は、1粗ラッピング工程、2形状加工程、3精ラッピング工程、4第一ポリッシング工程、5第二ポリッシング工程、6第三ポリッシング工程、7洗浄工程、8評価工程、の各工程を有する。以下、各工程を詳細に説明する。1粗ラッピング工程まず、合成石英ガラスからなるシートガラスから研削砥石で切り出して、長方形状の大型のマスクブランク用基板330mm×450mm以上:800mm×920mm、厚み10mmを得た。次いで、マスクブランク用基板にラッピング工程を施した。このラッピング工程は、寸法精度及び形状精度の向上を目的としている。ラッピング工程は、両面ラッピング装置を用いて行い、砥粒の粒度を400で行った。詳しくは、粒度400のアルミナ砥粒を用い、荷重Lを100kg程度に設定して、キャリアに収納したマスクブランク用基板の両面を所定の精度に仕上げた。2形状加工工程次に、外周端面も研削して外形寸法を整えた後、外周端面及び内周面に所定の面取り加工を施した。3精ラッピング工程次に、砥粒の粒度を1000に変え、マスクブランク用基板表面をラッピングすることにより、マスクブランク用基板の両面を所定の精度に仕上げた。上記精ラッピング工程を終えたマスクブランク用基板を、中性洗剤、水の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。4第一ポリッシング工程次に、ポリッシング工程を施した。このポリッシング工程は、上述したラッピング工程で残留した傷や歪みの除去を目的とするもので、図10に示す大型マスクブランク用両面研磨装置を用いて行った。詳しくは、下定盤として、図7に示す、定盤中心を中心とした渦巻き状の溝定盤中心から時計回りの渦溝が形成されてなる研磨布を貼り付けてなる所定の定盤3を用い、図71及び2に示すように、下定盤中心から、渦の中心側の端部に、研磨液供給路14を介して、研磨液を供給した。同様に、上定盤として、定盤中心を中心とした渦巻き状の溝定盤中心から反時計回りの渦溝が形成されてなる研磨布を貼り付けてなる所定の定盤を用い、上定盤中心から、渦の中心側の端部に、研磨液供給路を介して、研磨液を供給した。なお、図10に示す大型マスクブランク用両面研磨装置においては、上下定盤22、23の回転軸aと基板20の回転軸bとの距理は、基板20が回転軸bを軸として回転した場合であっても、基板20のいずれの箇所も回転軸aの箇所を通過することのないようにすることが好ましく、図10に示す装置ではこのことを適用した。定盤に形成する溝の断面形状の形態は図5に示す形態とし、溝の開口周縁部における曲面1cのR:10mm、溝の底部の曲面1dのR’:25mm、溝深さh:1.5mm、溝幅w:20mmとした。研磨布の厚さは2mmとした。ポリシャとして硬質ポリシャを用い、以下の研磨条件で実施した。研磨液:酸化セリウム平均粒径2~3μm砥粒に水を加えた遊離砥粒研磨布:軟質ポリシャスウェードタイプ、厚さ2mm溝にのみ直接的に供給する研磨液量:5リットル/min定盤上に供給する研磨液量:2リットル/min上定盤回転数:1~50rpm装置上面から見て時計回り回転下定盤回転数:1~50rpm装置上面から見て反時計回り回転キャリアマスクブランク用基板回転数:1~50rpm装置上面から見て反時計回り回転荷重付圧:80~100g/cm2研磨時間:30~100分除去量:35~75μm上記ポリッシング工程を終えたマスクブランク用基板を、中性洗剤、純水、純水、IPA、IPA蒸気乾燥の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。尚、各洗浄槽には超音波を印加した。また、この洗浄工程は、次の第二ポリッシング工程において使用する研磨液が同一のものである場合、省略することもできる。5第二ポリッシング工程次に、図9に示す大型マスクブランク用片面研磨装置を用い、第二ポリッシング工程を実施した。詳しくは、図7に示す、定盤中心を中心とした渦巻き状の溝定盤中心から時計回りの渦溝が形成されてなる研磨布を貼り付けてなる所定の定盤3を用い、図71及び2に示すように、下定盤中心から、渦の中心側の端部に、研磨液供給路14を介して、研磨液を供給した。なお、図9に示す大型マスクブランク用片面研磨装置においては、下定盤23の回転軸aと基板20の回転軸bとの距理は、基板20が回転軸bを軸として回転した場合であっても、基板20のいずれの箇所も回転軸aの箇所を通過することのないようにすることが好ましく、図9に示す装置ではこのことを適用した。定盤に形成する溝の断面形状の形態は図5に示す形態とし、溝の開口周縁部における曲面1cの曲率半径R:10mm、溝の底部の曲面1dの曲率半径R’:25mm、溝深さh:1.5mm、溝幅w:20mmとした。研磨布の厚さは2mmとした。ポリシャとして超軟質ポリシャを用い、以下の研磨条件で実施した。研磨液:コロイダルシリカ平均粒径50~80nm砥粒に水を加えた遊離砥粒研磨布:超軟質ポリシャスウェードタイプ、厚さ2mm溝にのみ直接的に供給する研磨液量:5リットル/min定盤上に供給する研磨液量:2リットル/min下定盤回転数:1~50rpm装置上面から見て反時計回り回転キャリアマスクブランク用基板回転数:1~50rpm装置上面から見て反時計回り回転荷重付圧:80~100g/cm2研磨時間:30~50分除去量:35~45μm6第三ポリッシング工程鏡面研磨加工工程次に、図10に示す大型マスクブランク用両面研磨装置を用い、ポリシャとして硬質ポリシャから軟質ポリシャに変えて第三ポリッシング工程鏡面研磨加工工程;ファイナルポリッシングを実施した。詳しくは、下定盤として、図7に示す、定盤中心を中心とした渦巻き状の溝定盤中心から時計回りの渦溝が形成されてなる研磨布を貼り付けてなる所定の定盤3を用い、図71及び2に示すように、下定盤中心から、渦の中心側の端部に、研磨液供給路14を介して、研磨液を供給した。同様に、上定盤として、定盤中心を中心とした渦巻き状の溝定盤中心から反時計回りの渦溝が形成されてなる研磨布を貼り付けてなる所定の定盤を用い、上定盤中心から、渦の中心側の端部に、研磨液供給路を介して、研磨液を供給した。なお、図10に示す大型マスクブランク用両面研磨装置においては、上下定盤22、23の回転軸aと基板20の回転軸bとの距理は、基板20が回転軸bを軸として回転した場合であっても、基板20のいずれの箇所も回転軸aの箇所を通過することのないようにすることが好ましく、図10に示す装置ではこのことを適用した。定盤に形成する溝の断面形状の形態は図5に示す形態とし、溝の開口周縁部における曲面1cの曲率半径R:10mm、溝の底部の曲面1dの曲率半径R’:25mm、溝深さh:1.5mm、溝幅w:20mmとした。研磨布の厚さは2mmとした。ポリシャとして超軟質ポリシャを用い、以下の研磨条件で実施した。研磨液:コロイダルシリカ平均粒径50~80nm砥粒に水を加えた遊離砥粒研磨布:超軟質ポリシャスウェードタイプ、厚さ2mm溝にのみ直接的に供給する研磨液量:5リットル/min定盤上に供給する研磨液量:2リットル/min上定盤回転数:1~50rpm装置上面から見て時計回り回転下定盤回転数:1~50rpm装置上面から見て反時計回り回転キャリアマスクブランク用基板回転数:1~50rpm装置上面から見て反時計回り回転荷重付圧:80~100g/cm2研磨時間:30~50分除去量:35~45μm7洗浄工程上記第三ポリッシング工程を終えたマスクブランク用基板を、アルカリNaOH、硫酸に順次浸漬して、洗浄を行った。尚、各洗浄槽には超音波を印加した。さらに、中性洗剤、純水、純水、IPA、IPA蒸気乾燥の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。8評価工程このようにして得られたマスクブランク用基板は、高い平坦性11μm、高い平滑性、さらに傷等の欠陥のないものに仕上げることができた。また、第一~第三ポリッシング工程において、大型基板の研磨時の大きな研磨抵抗が小さくなるよう改善してより高い荷重で効率よく研磨したいという本願発明の目的、課題を十分に達成できた。また、これらの工程において、高い荷重で大型基板の研磨を行ったが、装置各部及び装置全体に振動は全く発生しなかった。また、これらの工程において、上下の所定の定盤から基板を容易に取り外すことができた。なお、得られたマスクブランク用大型基板上に遮光膜等を成膜して効率よく大型マスクブランクを製造することができた。実施例2上記実施例1において、ラッピング工程を経て得られたマスクブランク用基板に対して、図10に示す大型マスクブランク用両面研磨装置を用い、第一ポリッシング工程と同じ条件にて基板20の両主表面を両面研磨した。両面研磨した基板20の両主表面の平坦度を測定したところ、表面が5.3μm、裏面が11.4μmであった。次に、実施例1と同様に、図9に示す大型マスクブランク用片面研磨装置を用い、裏面に対して第二ポリッシング工程を実施した。尚、片面研磨装置の定盤に形成する溝の断面形状及び、研磨布の厚さは実施例1と同様のものを使用し、平坦度が約5μmとなるような研磨条件下定盤回転数、キャリア回転数、荷重、研磨時間を適宜設定して研磨を実施した。基板20の裏面の平坦度を測定したところ、6.2μmであった。最後に、実施例1と同様に、図10に示す大型マスクブランク用両面研磨装置を用い、第二ポリッシング工程によって得られた基板20の平坦度を維持又は良好になるように、荷重を50~85g/cm2に変えた以外は実施例1と同様にして第三ポリッシング工程を実施した。得られた基板20の両主表面の平坦度を測定したところ、表面が4.7μm、裏面が6.2μmと非常に良好であった。また、表面の平滑性も研磨によるはけ目もなく鏡面状態となっており良好であった。また、傷やクラック、かけ等の欠陥もなく良好であった。この得られた基板20の表面に窒化クロム膜、窒化炭化クロム膜、酸化窒化クロム膜を積層し、膜の深さ方向全てに窒素が含有された反射防止膜付き遮光膜をスパッタリングにより形成してTFT製造用大型マスクブランク、及びCF製造用大型マスクブランクを得た。得られた大型マスクブランクは、基板20の平坦度から殆ど変化がなく高平坦度を維持しており、また、欠陥もなく良好であった。上述の大型マスクブランクにおける遮光膜上にレジスト膜を形成し、レジスト膜に所望のパターンを描画した後、現像処理してレジストパターンを形成した。次に、レジストパターンをマスクにして、遮光膜をウェットエッチング液にてウェットエッチング処理して遮光膜パターンを形成した後、レジスト膜を剥離して、TFT製造用マスク、及びCF製造用マスクを得た。この得られたマスクはパターン位置精度も良好で、パターン欠陥もなく良好であった。比較例1~2実施例1における第一~第三ポリッシング工程において、定盤上に溝のない研磨布を貼り付けた定盤比較例1、又は、定盤上に溝付きの研磨布を貼り付けた定盤比較例2を用いたこと以外は、実施例1と同様にしてて研磨を行いマスクブランク用基板を製造した。これらの場合、第一~第三ポリッシング工程において、図13にて説明したのと同様に、研磨液11の供給側Aとは反対側Bにおいて、遠目でみて研磨布上の研磨液不足や研磨液切れが確認され、定盤駆動モーターの電流値上昇や、装置全体に振動発生が生じるなど、研磨抵抗が大きく、研磨効率が良いとは言えない状況であった。そこで、第一~第三ポリッシング工程において、荷重を低くして研磨を行った。このため、研磨速度が遅くなるので研磨時間が長く、研磨効率が実施例1と比べて5分の1と非常に悪くならざるを得なかった。また、これらの工程において、上下の定盤から基板を取り外すことは容易でなかった。更に、得られたマスクブランク用基板は、断面で見て基板外周部から基板中心部に向かいなだらかに板厚が厚くなる傾向が見受けられた。これに対し、実施例1では、このような傾向は見受けられなかった。尚、比較例1、2におけるマスクブランク用基板の両主表面の平坦度を測定したところ、比較例1は、表面が35μm、裏面が48μm、比較例2も表面が37μm、裏面が45μmとTFT製造用マスクブランク用基板の平坦度規格20μm以下、CF製造用マスクブランク用基板の平坦度規格30μm以下の規格から逸脱していた。実施例次に、本発明の実施例を掲げて本発明をより具体的に説明する。実施例1マスクブランク用基板の製造工程は、1粗ラッピング工程、2形状加工程、3精ラッピング工程、4第一ポリッシング工程、5第二ポリッシング工程、6第三ポリッシング工程、7洗浄工程、8評価工程、の各工程を有する。以下、各工程を詳細に説明する。1粗ラッピング工程まず、合成石英ガラスからなるシートガラスから研削砥石で切り出して、長方形状の大型のマスクブランク用基板330mm×450mm以上:800mm×920mm、厚み10mmを得た。次いで、マスクブランク用基板にラッピング工程を施した。このラッピング工程は、寸法精度及び形状精度の向上を目的としている。ラッピング工程は、両面ラッピング装置を用いて行い、砥粒の粒度を400で行った。詳しくは、粒度400のアルミナ砥粒を用い、荷重Lを100kg程度に設定して、キャリアに収納したマスクブランク用基板の両面を所定の精度に仕上げた。2形状加工工程次に、外周端面も研削して外形寸法を整えた後、外周端面及び内周面に所定の面取り加工を施した。3精ラッピング工程次に、砥粒の粒度を1000に変え、マスクブランク用基板表面をラッピングすることにより、マスクブランク用基板の両面を所定の精度に仕上げた。上記精ラッピング工程を終えたマスクブランク用基板を、中性洗剤、水の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。4第一ポリッシング工程次に、ポリッシング工程を施した。このポリッシング工程は、上述したラッピング工程で残留した傷や歪みの除去を目的とするもので、図10に示す大型マスクブランク用両面研磨装置を用いて行った。詳しくは、下定盤として、図7に示す、定盤中心を中心とした渦巻き状の溝定盤中心から時計回りの渦溝が形成されてなる研磨布を貼り付けてなる所定の定盤3を用い、図71及び2に示すように、下定盤中心から、渦の中心側の端部に、研磨液供給路14を介して、研磨液を供給した。同様に、上定盤として、定盤中心を中心とした渦巻き状の溝定盤中心から反時計回りの渦溝が形成されてなる研磨布を貼り付けてなる所定の定盤を用い、上定盤中心から、渦の中心側の端部に、研磨液供給路を介して、研磨液を供給した。なお、図10に示す大型マスクブランク用両面研磨装置においては、上下定盤22、23の回転軸aと基板20の回転軸bとの距理は、基板20が回転軸bを軸として回転した場合であっても、基板20のいずれの箇所も回転軸aの箇所を通過することのないようにすることが好ましく、図10に示す装置ではこのことを適用した。定盤に形成する溝の断面形状の形態は図5に示す形態とし、溝の開口周縁部における曲面1cのR:10mm、溝の底部の曲面1dのR’:25mm、溝深さh:1.5mm、溝幅w:20mmとした。研磨布の厚さは2mmとした。ポリシャとして硬質ポリシャを用い、以下の研磨条件で実施した。研磨液:酸化セリウム平均粒径2~3μm砥粒に水を加えた遊離砥粒研磨布:軟質ポリシャスウェードタイプ、厚さ2mm溝にのみ直接的に供給する研磨液量:5リットル/min定盤上に供給する研磨液量:2リットル/min上定盤回転数:1~50rpm装置上面から見て時計回り回転下定盤回転数:1~50rpm装置上面から見て反時計回り回転キャリアマスクブランク用基板回転数:1~50rpm装置上面から見て反時計回り回転荷重付圧:80~100g/cm2研磨時間:30~100分除去量:35~75μm上記ポリッシング工程を終えたマスクブランク用基板を、中性洗剤、純水、純水、IPA、IPA蒸気乾燥の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。尚、各洗浄槽には超音波を印加した。また、この洗浄工程は、次の第二ポリッシング工程において使用する研磨液が同一のものである場合、省略することもできる。5第二ポリッシング工程次に、図9に示す大型マスクブランク用片面研磨装置を用い、第二ポリッシング工程を実施した。詳しくは、図7に示す、定盤中心を中心とした渦巻き状の溝定盤中心から時計回りの渦溝が形成されてなる研磨布を貼り付けてなる所定の定盤3を用い、図71及び2に示すように、下定盤中心から、渦の中心側の端部に、研磨液供給路14を介して、研磨液を供給した。なお、図9に示す大型マスクブランク用片面研磨装置においては、下定盤23の回転軸aと基板20の回転軸bとの距理は、基板20が回転軸bを軸として回転した場合であっても、基板20のいずれの箇所も回転軸aの箇所を通過することのないようにすることが好ましく、図9に示す装置ではこのことを適用した。定盤に形成する溝の断面形状の形態は図5に示す形態とし、溝の開口周縁部における曲面1cの曲率半径R:10mm、溝の底部の曲面1dの曲率半径R’:25mm、溝深さh:1.5mm、溝幅w:20mmとした。研磨布の厚さは2mmとした。ポリシャとして超軟質ポリシャを用い、以下の研磨条件で実施した。研磨液:コロイダルシリカ平均粒径50~80nm砥粒に水を加えた遊離砥粒研磨布:超軟質ポリシャスウェードタイプ、厚さ2mm溝にのみ直接的に供給する研磨液量:5リットル/min定盤上に供給する研磨液量:2リットル/min下定盤回転数:1~50rpm装置上面から見て反時計回り回転キャリアマスクブランク用基板回転数:1~50rpm装置上面から見て反時計回り回転荷重付圧:80~100g/cm2研磨時間:30~50分除去量:35~45μm6第三ポリッシング工程鏡面研磨加工工程次に、図10に示す大型マスクブランク用両面研磨装置を用い、ポリシャとして硬質ポリシャから軟質ポリシャに変えて第三ポリッシング工程鏡面研磨加工工程;ファイナルポリッシングを実施した。詳しくは、下定盤として、図7に示す、定盤中心を中心とした渦巻き状の溝定盤中心から時計回りの渦溝が形成されてなる研磨布を貼り付けてなる所定の定盤3を用い、図71及び2に示すように、下定盤中心から、渦の中心側の端部に、研磨液供給路14を介して、研磨液を供給した。同様に、上定盤として、定盤中心を中心とした渦巻き状の溝定盤中心から反時計回りの渦溝が形成されてなる研磨布を貼り付けてなる所定の定盤を用い、上定盤中心から、渦の中心側の端部に、研磨液供給路を介して、研磨液を供給した。なお、図10に示す大型マスクブランク用両面研磨装置においては、上下定盤22、23の回転軸aと基板20の回転軸bとの距理は、基板20が回転軸bを軸として回転した場合であっても、基板20のいずれの箇所も回転軸aの箇所を通過することのないようにすることが好ましく、図10に示す装置ではこのことを適用した。定盤に形成する溝の断面形状の形態は図5に示す形態とし、溝の開口周縁部における曲面1cの曲率半径R:10mm、溝の底部の曲面1dの曲率半径R’:25mm、溝深さh:1.5mm、溝幅w:20mmとした。研磨布の厚さは2mmとした。ポリシャとして超軟質ポリシャを用い、以下の研磨条件で実施した。研磨液:コロイダルシリカ平均粒径50~80nm砥粒に水を加えた遊離砥粒研磨布:超軟質ポリシャスウェードタイプ、厚さ2mm溝にのみ直接的に供給する研磨液量:5リットル/min定盤上に供給する研磨液量:2リットル/min上定盤回転数:1~50rpm装置上面から見て時計回り回転下定盤回転数:1~50rpm装置上面から見て反時計回り回転キャリアマスクブランク用基板回転数:1~50rpm装置上面から見て反時計回り回転荷重付圧:80~100g/cm2研磨時間:30~50分除去量:35~45μm7洗浄工程上記第三ポリッシング工程を終えたマスクブランク用基板を、アルカリNaOH、硫酸に順次浸漬して、洗浄を行った。尚、各洗浄槽には超音波を印加した。さらに、中性洗剤、純水、純水、IPA、IPA蒸気乾燥の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。8評価工程このようにして得られたマスクブランク用基板は、高い平坦性11μm、高い平滑性、さらに傷等の欠陥のないものに仕上げることができた。また、第一~第三ポリッシング工程において、大型基板の研磨時の大きな研磨抵抗が小さくなるよう改善してより高い荷重で効率よく研磨したいという本願発明の目的、課題を十分に達成できた。また、これらの工程において、高い荷重で大型基板の研磨を行ったが、装置各部及び装置全体に振動は全く発生しなかった。また、これらの工程において、上下の所定の定盤から基板を容易に取り外すことができた。なお、得られたマスクブランク用大型基板上に遮光膜等を成膜して効率よく大型マスクブランクを製造することができた。実施例2上記実施例1において、ラッピング工程を経て得られたマスクブランク用基板に対して、図10に示す大型マスクブランク用両面研磨装置を用い、第一ポリッシング工程と同じ条件にて基板20の両主表面を両面研磨した。両面研磨した基板20の両主表面の平坦度を測定したところ、表面が5.3μm、裏面が11.4μmであった。次に、実施例1と同様に、図9に示す大型マスクブランク用片面研磨装置を用い、裏面に対して第二ポリッシング工程を実施した。尚、片面研磨装置の定盤に形成する溝の断面形状及び、研磨布の厚さは実施例1と同様のものを使用し、平坦度が約5μmとなるような研磨条件下定盤回転数、キャリア回転数、荷重、研磨時間を適宜設定して研磨を実施した。基板20の裏面の平坦度を測定したところ、6.2μmであった。最後に、実施例1と同様に、図10に示す大型マスクブランク用両面研磨装置を用い、第二ポリッシング工程によって得られた基板20の平坦度を維持又は良好になるように、荷重を50~85g/cm2に変えた以外は実施例1と同様にして第三ポリッシング工程を実施した。得られた基板20の両主表面の平坦度を測定したところ、表面が4.7μm、裏面が6.2μmと非常に良好であった。また、表面の平滑性も研磨によるはけ目もなく鏡面状態となっており良好であった。また、傷やクラック、かけ等の欠陥もなく良好であった。この得られた基板20の表面に窒化クロム膜、窒化炭化クロム膜、酸化窒化クロム膜を積層し、膜の深さ方向全てに窒素が含有された反射防止膜付き遮光膜をスパッタリングにより形成してTFT製造用大型マスクブランク、及びCF製造用大型マスクブランクを得た。得られた大型マスクブランクは、基板20の平坦度から殆ど変化がなく高平坦度を維持しており、また、欠陥もなく良好であった。上述の大型マスクブランクにおける遮光膜上にレジスト膜を形成し、レジスト膜に所望のパターンを描画した後、現像処理してレジストパターンを形成した。次に、レジストパターンをマスクにして、遮光膜をウェットエッチング液にてウェットエッチング処理して遮光膜パターンを形成した後、レジスト膜を剥離して、TFT製造用マスク、及びCF製造用マスクを得た。この得られたマスクはパターン位置精度も良好で、パターン欠陥もなく良好であった。比較例1~2実施例1における第一~第三ポリッシング工程において、定盤上に溝のない研磨布を貼り付けた定盤比較例1、又は、定盤上に溝付きの研磨布を貼り付けた定盤比較例2を用いたこと以外は、実施例1と同様にしてて研磨を行いマスクブランク用基板を製造した。これらの場合、第一~第三ポリッシング工程において、図13にて説明したのと同様に、研磨液11の供給側Aとは反対側Bにおいて、遠目でみて研磨布上の研磨液不足や研磨液切れが確認され、定盤駆動モーターの電流値上昇や、装置全体に振動発生が生じるなど、研磨抵抗が大きく、研磨効率が良いとは言えない状況であった。そこで、第一~第三ポリッシング工程において、荷重を低くして研磨を行った。このため、研磨速度が遅くなるので研磨時間が長く、研磨効率が実施例1と比べて5分の1と非常に悪くならざるを得なかった。また、これらの工程において、上下の定盤から基板を取り外すことは容易でなかった。更に、得られたマスクブランク用基板は、断面で見て基板外周部から基板中心部に向かいなだらかに板厚が厚くなる傾向が見受けられた。これに対し、実施例1では、このような傾向は見受けられなかった。尚、比較例1、2におけるマスクブランク用基板の両主表面の平坦度を測定したところ、比較例1は、表面が35μm、裏面が48μm、比較例2も表面が37μm、裏面が45μmとTFT製造用マスクブランク用基板の平坦度規格20μm以下、CF製造用マスクブランク用基板の平坦度規格30μm以下の規格から逸脱していた。本発明の研磨布で覆われてなる所定溝を有する研磨布を貼り付けてなる所定の定盤の一形態を説明するための模式的断面図である。本発明の定盤上に形成される所定の開口周縁部形態を有する溝の一形態を説明するための模式的断面図である。本発明の定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝の他の形態を説明するための模式的断面図である。本発明の定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝の更に他の形態を説明するための模式的断面図である。本発明の定盤上に形成される所定の開口周縁部形態を有する溝の他の形態を説明するための模式的断面図である。本発明の定盤上の所定の開口周縁部形態を有する溝の形態を反映して形成される研磨布で覆われてなる所定溝の一形成方法を説明するための模式的断面図である。本発明の研磨布で覆われてなる所定溝を有する研磨布を貼り付けてなる所定の定盤の平面視レイアウト形状等を説明するための模式図であり、図71は平面図、図72は図71のA-A線断面図である。本発明の溝の平面視レイアウト形状の他の態様を説明するための模式的平面図である。本発明の実施例で使用した片面研磨装置を説明するための模式図である。本発明の実施例で使用した両面研磨装置を説明するための模式図である。小型のマスクブランク用基板の研磨の様子を説明するための模式的断面図である。大型のマスクブランク用基板の研磨の様子を説明するための模式的断面図である。大型のマスクブランク用基板を、溝を有する研磨布によって研磨することを説明するための模式的断面図である。大型のマスクブランク用基板を、溝を有する研磨布によって研磨する際の研磨布の様子を説明するための模式的断面図である。大型のマスクブランク用基板を、定盤の上面及び凹溝あるいは定盤の上面及びV溝に沿って研磨布を貼り付けてなる定盤を用いて、実験した様子を説明するための模式的断面図である。1定盤2研磨布3研磨布を貼り付けてなる定盤3a研磨布で覆われてなる所定溝4基板11研磨液20基板21キャリア22上定盤23下定盤