投影光学系の像面側に液体の液浸領域を形成し、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して基板を露光する露光装置において、前記液浸領域を形成するための液体の性質及び成分のうち少なくともいずれか一方を計測する計測装置を備えたことを特徴とする露光装置。前記液体を供給する液体供給機構を備え、前記計測装置は、前記液体供給機構により供給される液体を計測することを特徴とする請求項1記載の露光装置。前記液体供給機構は、液体を供給する供給口と、前記供給口に接続する供給流路と、前記供給流路の途中から分岐する分岐流路とを備え、前記計測装置は、前記分岐流路を流れる液体を計測することを特徴とする請求項2記載の露光装置。前記液体を回収する液体回収機構を備え、前記計測装置は、前記液体回収機構により回収される液体を計測することを特徴とする請求項1記載の露光装置。前記基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、前記計測装置は、前記基板ステージに設けられていることを特徴とする請求項1記載の露光装置。前記計測装置は、露光動作と並行して、前記液体を計測することを特徴とする請求項1記載の露光装置。前記計測装置の計測結果を時間経過に対応付けて記憶する記憶装置を備えたことを特徴とする請求項1~6のいずれか一項記載の露光装置。前記基板上に設定された複数のショット領域が順次露光され、前記計測装置の計測結果を前記ショット領域に対応付けて記憶する記憶装置を備えたことを特徴とする請求項1~6のいずれか一項記載の露光装置。前記液体を回収する第1液体回収機構と、前記第1液体回収機構で回収しきれなかった液体を回収する第2液体回収機構と、前記第2液体回収機構が液体を回収したか否かを検出する検出装置と、前記検出装置の検出結果を時間経過に対応付けて記憶する記憶装置とを備えたことを特徴とする1~6のいずれか一項記載の露光装置。前記計測装置の計測結果が異常か否かを判別し、該判別結果に基づいて、露光動作を制御する制御装置を備えたことを特徴とする請求項1~6のいずれか一項記載の露光装置。前記計測装置の計測結果を報知する報知装置を備え、前記制御装置は、前記計測結果が異常であるとき、前記報知装置で警告を発することを特徴とする請求項10記載の露光装置。前記液体が流れる流路の複数の所定位置のそれぞれに設けられ、前記液体の性質及び成分のうち少なくともいずれか一方を調整可能な複数の調整装置を備え、前記制御装置は、前記計測装置の計測結果に基づいて、前記複数の調整装置のうちから少なくとも一つの調整装置を特定し、該特定された調整装置に関する情報を前記報知装置で報知することを特徴とする請求項11記載の露光装置。前記計測装置の計測結果に基づいて、前記液体に接触する所定部材を洗浄する洗浄装置を備えたことを特徴とする請求項1記載の露光装置。前記洗浄装置は、所定の機能を有する機能液を前記所定部材に供給することを特徴とする請求項13記載の露光装置。投影光学系の像面側に液体の液浸領域を形成し、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して基板を露光する露光装置において、前記液体に接触する所定部材に対して、所定の機能を有する機能液を供給する機能液供給装置を備えたことを特徴とする露光装置。前記機能液は、殺菌作用を有する液体を含むことを特徴とする請求項15記載の露光装置。前記所定部材は、液体を供給する供給口及び液体を回収する回収口のうち少なくともいずれか一方を有するノズル部材、前記ノズル部材に接続する流路形成部材、前記投影光学系のうち最も像面側の光学素子、前記基板を保持して移動可能な基板ステージ、及び基板ステージ上に設けられた光計測部のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項15記載の露光装置。前記液浸領域を形成するための液体を供給する流路を有する液体供給機構と、前記液浸領域の液体を回収する流路を有する液体回収機構とを備え、前記機能液供給装置は、前記液体供給機構及び前記液体回収機構のそれぞれの流路に前記機能液を供給し、前記機能液からなる液浸領域を前記投影光学系の像面側に形成することを特徴とする請求項15~17のいずれか一項記載の露光装置。投影光学系の像面側に液体の液浸領域を形成し、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して基板上に設定された複数のショット領域を順次露光する露光装置において、液体を供給する液体供給機構と、液体を回収する第1液体回収機構と、前記第1液体回収機構で回収しきれなかった液体を回収する第2液体回収機構と、前記第2液体回収機構が液体を回収したか否かを検出する検出装置と、前記検出装置の検出結果を前記ショット領域に対応付けて記憶する記憶装置とを備えたことを特徴とする露光装置。前記記憶装置は、前記検出装置の検出結果を時間経過に対応付けて記憶することを特徴とする請求項19記載の露光装置。前記第1液体回収機構は、前記基板に対向する第1回収口を有し、前記第2液体回収機構は、前記投影光学系の投影領域に対して前記第1回収口よりも外側に設けられた第2回収口を有し、前記第2液体回収機構は、液体をその周囲の気体とともに回収することを特徴とする請求項19記載の露光装置。前記検出装置は、第2液体回収機構による単位時間あたりの液体回収量を検出可能であり、前記記憶装置は、前記液体回収量に関する情報を記憶することを特徴とする請求項19記載の露光装置。前記基板上には前記投影光学系及び前記液浸領域の液体を介して所定のパターンが転写され、前記記憶装置には、前記第2液体回収機構が液体を回収したときのパターン転写精度に関する情報が予め記憶されており、前記検出装置の検出結果に基づいて、前記第2液体回収機構が前記液体を回収したときに前記パターンを転写されたショット領域のパターン転写精度を予測する制御装置と、前記制御装置が予測した結果を報知する報知装置とを備えたことを特徴とする請求項19~22のいずれか一項記載の露光装置。前記基板上に設定された複数のショット領域のうち第1のショット領域を露光中に前記検出装置が前記第2液体回収機構による液体回収を検出したとき、前記検出装置が液体を検出しなくなるまで待った後、前記第1のショット領域の次の第2のショット領域を露光することを特徴とする請求項19~22のいずれか一項記載の露光装置。前記液浸領域を形成するための液体の性質及び成分のうち少なくともいずれか一方を計測する計測装置を備え、前記記憶装置は、前記計測装置の計測結果も記憶することを特徴とする請求項19記載の露光装置。請求項1~請求項25のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。投影光学系の像面側に液体の液浸領域を形成し、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、前記液浸領域を形成する液体を、所定の機能を備えた機能液と置換する段階を有するメンテナンス方法。前記液体を供給する液体供給機構を備え、前記機能液は、前記液体供給機構の少なくとも一部を介して供給される請求項27記載のメンテナンス方法。前記液体を回収する機体回収機構を備え、前記機能液は、前記液体回収機構の少なくとも一部を介して回収される請求項27記載のメンテナンス方法。前記投影光学系の像面側に配置される物体との間に形成された前記機能液の液浸領域を、前記物体上で移動させる段階を有する請求項27記載のメンテナンス方法。前記物体は、前記基板を載置して移動する基板ステージを含む請求項30記載のメンテナンス方法。前記機能液は、殺菌作用を有する液体を含む請求項27~31のいずれか一項記載のメンテナンス方法。前記機能液は、導電性を有する液体を含む請求項27~31のいずれか一項記載のメンテナンス方法。ところで、液浸法においては、液体を介した露光処理及び計測処理を精度良く行うために、液体を所望状態に維持することが重要である。そのため、液体に不具合がある場合や、液体を介した露光処理及び計測処理に不具合がある場合には、その不具合に応じた適切な処置を迅速に施すことが重要である。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液浸法に基づく露光処理及び計測処理を精度良く行うことができる露光装置及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図1~図9に対応付けした以下の構成を採用している。本発明の露光装置EXは、投影光学系PLの像面側に液体LQの液浸領域AR2を形成し、投影光学系PLと液浸領域AR2の液体LQとを介して基板Pを露光する露光装置において、液浸領域AR2を形成するための液体LQの性質及び成分のうち少なくともいずれか一方を計測する計測装置60を備えたことを特徴とする。本発明によれば、液体の性質及び成分のうち少なくともいずれか一方を計測装置が計測することで、その計測結果に基づいて、液体が所望状態であるか否かを判別することができる。そして、液体に不具合がある場合には、その不具合に応じた適切な処置を迅速に施すことができる。したがって、液体を介した露光処理及び計測処理を精度良く行うことができる。ここで、計測装置が計測する液体の性質又は成分の項目としては、液体の比抵抗値、液体中の全有機体炭素TOC:totalorganiccarbon、液体中に含まれる微粒子particleあるいは気泡bubbleを含む異物、溶存酸素DO:dissolvedoxygen及び溶存窒素DN:dissolvednitrogenを含む溶存気体、及び液体中のシリカ濃度、生菌などが挙げられる。本発明の露光装置EXは、投影光学系PLの像面側に液体LQの液浸領域AR2を形成し、投影光学系PLと液浸領域AR2の液体LQとを介して基板Pを露光する露光装置において、液体LQに接触する所定部材2、13、23、33、51、70などに対して、所定の機能を有する機能液を供給する機能液供給装置120を備えたことを特徴とする。本発明によれば、液体に接触する所定部材に対して機能液供給装置が機能液を供給することで、その所定部材を液体に対して所望状態にすることができる。したがって、所定部材あるいはその所定部材に接触する液体に不具合がある場合でも、その不具合に応じた機能液を供給することで、その所定部材に接触した液体を所望状態に維持あるいは変換することができる。したがって、液体を介した露光処理及び計測処理を精度良く行うことができる。本発明の露光装置EXは、投影光学系PLの像面側に液体LQの液浸領域AR2を形成し、投影光学系PLと液浸領域AR2の液体LQとを介して基板P上に設定された複数のショット領域S1~S24を順次露光する露光装置において、液体LQを供給する液体供給機構10と、液体LQを回収する第1液体回収機構20と、第1液体回収機構20で回収しきれなかった液体LQを回収する第2液体回収機構30と、第2液体回収機構30が液体LQを回収したか否かを検出する検出装置90と、検出装置90の検出結果をショット領域S1~S24に対応付けて記憶する記憶装置MRYとを備えたことを特徴とする。本発明によれば、第2液体回収機構が液体を回収したか否かを検出装置を使って検出し、その検出結果を基板上のショット領域に対応付けて記憶装置が記憶することで、ショット領域上で発生した不具合の発生原因を記憶装置の記憶情報を使って解析することができる。すなわち、第2液体回収機構が液体を回収したときに露光されたショット領域においては、そのショット領域の露光精度が劣化している等の不具合が発生しているおそれがあるが、その場合には、前記記憶情報を使って不具合の発生原因を特定することができる。したがって、特定された不具合の発生原因に応じた適切な処置を迅速に施すことができ、液体を介した露光処理及び計測処理を精度良く行うことができる。本発明のデバイス製造方法は、上記記載の露光装置EXを用いることを特徴とする。本発明によれば、露光精度及び計測精度を良好に維持した状態でデバイスを製造できるので、所望の性能を発揮するデバイスを製造できる。本発明のメンテナンス方法は、投影光学系PLの像面側に液体LQの液浸領域AR2を形成し、その投影光学系とその液浸領域の液体とを介して基板Pを露光する露光装置EXのメンテナンス方法であって、その液浸領域を形成する液体を、所定の機能を備えた機能液LKと置換する段階を有するものである。本発明によれば、液浸領域を形成する液体が接していた部分を、機能液の所定の機能に基づいて保守することができる。本発明によれば、液体を介した露光処理及び計測処理を精度良く行うことができる。以下、本発明の露光装置について図面を参照しながら説明する。図1は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持して移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに保持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。制御装置CONTには、露光処理に関する情報を報知する報知装置INFが接続されている。報知装置INFは、ディスプレイ装置表示装置、音又は光を使って警報警告を発する警報装置等を含んで構成されている。更に、制御装置CONTには、露光処理に関する情報を記憶する記憶装置MRYが接続されている。露光装置EX全体は、電力会社から供給される商用電源第1駆動源100Aからの電力によって駆動されるようになっている。本実施形態の露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系PLの像面側に液体LQを供給する液体供給機構10と、液体LQを回収する第1液体回収機構20及び第2液体回収機構30とを備えている。露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板P上に転写している間、液体供給機構10から供給した液体LQにより投影光学系PLの投影領域AR1を含む基板P上の一部に、投影領域AR1よりも大きく且つ基板Pよりも小さい液浸領域AR2を局所的に形成する。具体的には、露光装置EXは、投影光学系PLの像面側端部の光学素子2と、その像面側に配置された基板P表面との間に液体LQを満たす局所液浸方式を採用し、この投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMを通過した露光光ELを基板Pに照射することによってマスクMのパターンを基板Pに投影露光する。制御装置CONTは、液体供給機構10を使って基板P上に液体LQを所定量供給するとともに、第1液体回収機構20を使って基板P上の液体LQを所定量回収することで、基板P上に液体LQの液浸領域AR2を局所的に形成する。また、第2液体回収機構30は、液体供給機構10より供給され、第1液体回収機構20で回収しきれなかった液体LQを回収する。また、露光装置EXは、液浸領域AR2を形成するための液体LQの性質及び成分のうち少なくともいずれか一方を計測する計測装置60を備えている。本実施形態においては、計測装置60は、液体供給機構10により供給される液体LQを計測する。その液体供給機構10は、液浸領域AR2を形成するための液体LQとは別の所定の機能を有する機能液を供給可能な機能液供給装置120を含んで構成されている。また、露光装置EXは、第2液体回収機構30が液体LQを回収したか否かを検出する検出装置90を備えている。投影光学系PLの像面側近傍、具体的には投影光学系PLの像面側端部の光学素子2の近傍には、後に詳述する第1ノズル部材70が配置されている。第1ノズル部材70は、基板P基板ステージPSTの上方において光学素子2の周りを囲むように設けられた環状部材である。また、投影光学系PLの投影領域AR1に対して第1ノズル部材70の外側には、第1ノズル部材70とは別の第2ノズル部材80が配置されている。第2ノズル部材80は、基板P基板ステージPSTの上方において第1ノズル部材70の周りを囲むように設けられた環状部材である。本実施形態において、第1ノズル部材70は液体供給機構10及び第1液体回収機構20それぞれの一部を構成している。一方、第2ノズル部材80は第2液体回収機構30の一部を構成している。本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとを走査方向における互いに異なる向き逆方向に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置所謂スキャニングステッパを使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内でマスクMと基板Pとの同期移動方向走査方向をX軸方向、Z軸方向及びX軸方向に垂直な方向非走査方向をY軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転傾斜方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。露光装置EXは、床面上に設けられたベースBPと、そのベースBP上に設置されたメインコラム1とを備えている。メインコラム1には、内側に向けて突出する上側段部7及び下側段部8が形成されている。照明光学系ILは、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明するものであって、メインコラム1の上部に固定された支持フレーム3により支持されている。照明光学系ILは、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ELによるマスクM上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光や、ArFエキシマレーザ光波長193nm及びF2レーザ光波長157nm等の真空紫外光VUV光などが用いられる。本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。本実施形態においては、液体LQとして純水が用いられる。純水はArFエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光も透過可能である。マスクステージMSTは、マスクMを保持して移動可能である。マスクステージMSTは、マスクMを真空吸着又は静電吸着により保持する。マスクステージMSTの下面には非接触軸受である気体軸受エアベアリング45が複数設けられている。マスクステージMSTは、エアベアリング45によりマスク定盤4の上面ガイド面に対して非接触支持されている。マスクステージMST及びマスク定盤4の中央部にはマスクMのパターン像を通過させる開口部MK1、MK2がそれぞれ形成されている。マスク定盤4は、メインコラム1の上側段部7に防振装置46を介して支持されている。すなわち、マスクステージMSTは、防振装置46及びマスク定盤4を介してメインコラム1上側段部7に支持された構成となっている。また、防振装置46によって、メインコラム1の振動が、マスクステージMSTを支持するマスク定盤4に伝わらないように、マスク定盤4とメインコラム1とが振動的に分離されている。マスクステージMSTは、制御装置CONTにより制御されるリニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置MSTDの駆動により、マスクMを保持した状態で、マスク定盤4上において、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微少回転可能である。マスクステージMSTは、X軸方向に指定された走査速度で移動可能となっており、マスクMの全面が少なくとも投影光学系PLの光軸AXを横切ることができるだけのX軸方向の移動ストロークを有している。マスクステージMST上には移動鏡41が設けられている。また、移動鏡41に対向する位置にはレーザ干渉計42が設けられている。マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及びθZ方向の回転角場合によってはθX、θY方向の回転角も含むはレーザ干渉計42によりリアルタイムで計測される。レーザ干渉計42の計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、レーザ干渉計42の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動し、マスクステージMSTに保持されているマスクMの位置制御を行う。投影光学系PLは、マスクMのパターンを所定の投影倍率βで基板Pに投影露光するものであって、基板P側の先端部に設けられた光学素子2を含む複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒PKで支持されている。本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4、1/5、あるいは1/8の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、本実施形態の投影光学系PLの先端部の光学素子2は鏡筒PKより露出しており、その光学素子2には液浸領域AR2の液体LQが接触する。投影光学系PLを保持する鏡筒PKの外周にはフランジPFが設けられており、投影光学系PLはこのフランジPFを介して鏡筒定盤5に支持されている。鏡筒定盤5は、メインコラム1の下側段部8に防振装置47を介して支持されている。すなわち、投影光学系PLは、防振装置47及び鏡筒定盤5を介してメインコラム1下側段部8に支持された構成となっている。また、防振装置47によって、メインコラム1の振動が、投影光学系PLを支持する鏡筒定盤5に伝わらないように、鏡筒定盤5とメインコラム1とが振動的に分離されている。基板ステージPSTは、基板Pを保持する基板ホルダPHを支持して移動可能である。基板ホルダPHは、例えば真空吸着等により基板Pを保持する。基板ステージPSTの下面には非接触軸受である気体軸受エアベアリング48が複数設けられている。基板ステージPSTは、エアベアリング48により基板定盤6の上面ガイド面に対して非接触支持されている。基板定盤6は、ベースBP上に防振装置49を介して支持されている。また、防振装置49によって、ベースBP床面やメインコラム1の振動が、基板ステージPSTを支持する基板定盤6に伝わらないように、基板定盤6とメインコラム1及びベースBP床面とが振動的に分離されている。基板ステージPSTは、制御装置CONTにより制御されるリニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置PSTDの駆動により、基板Pを基板ホルダPHを介して保持した状態で、基板定盤6上において、XY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。更に基板ステージPSTは、Z軸方向、θX方向、及びθY方向にも移動可能である。基板ステージPST上には移動鏡43が設けられている。また、移動鏡43に対向する位置にはレーザ干渉計44が設けられている。基板ステージPST上の基板Pの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計44によりリアルタイムで計測される。また、不図示ではあるが、露光装置EXは、例えば特開平8-37149号公報に開示されているような、基板ステージPSTに支持されている基板Pの表面の位置情報を検出する斜入射方式のフォーカスレベリング検出系を備えている。なお、フォーカスレベリング検出系は、静電容量型センサを使った方式のものを採用してもよい。フォーカスレベリング検出系は、基板P表面のZ軸方向の位置情報、及び基板PのθX及びθY方向の傾斜情報を検出する。レーザ干渉計44の計測結果は制御装置CONTに出力される。フォーカスレベリング検出系の検出結果も制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、フォーカスレベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDを駆動し、基板Pのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板Pの表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系PLの像面に合わせ込むとともに、レーザ干渉計44の計測結果に基づいて、基板PのX軸方向及びY軸方向における位置制御を行う。基板ステージPST上には凹部50が設けられており、基板Pを保持するための基板ホルダPHは凹部50に配置されている。そして、基板ステージPSTのうち凹部50以外の上面51は、基板ホルダPHに保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さ面一になるような平坦面平坦部となっている。また本実施形態においては、移動鏡43の上面も、基板ステージPSTの上面51とほぼ面一に設けられている。基板Pの周囲に基板P表面とほぼ面一の上面51を設けたので、基板Pのエッジ領域を液浸露光するときにおいても、基板Pのエッジ部の外側には段差部がほぼ無いので、投影光学系PLの像面側に液体LQを保持して液浸領域AR2を良好に形成することができる。また、基板Pのエッジ部とその基板Pの周囲に設けられた平坦面上面51との間には0.1~2mm程度の隙間があるが、液体LQの表面張力によりその隙間に液体LQが流れ込むことはほとんどなく、基板Pの周縁近傍を露光する場合にも、上面51により投影光学系PLの下に液体LQを保持することができる。液体供給機構10は、液体LQを投影光学系PLの像面側に供給するためのものであって、液体LQを送出可能な液体供給部11と、液体供給部11にその一端部を接続する供給管13とを備えている。供給管13の他端部は第1ノズル部材70に接続されている。本実施形態においては、液体供給機構10は純水を供給するものであって、液体供給部11は、純水製造装置16、及び供給する液体純水LQの温度を調整する温調装置17等を備えている。なお純水製造装置として、露光装置EXに純水製造装置を設けずに、露光装置EXが配置される工場の純水製造装置を用いるようにしてもよい。基板P上に液浸領域AR2を形成するために、液体供給機構10は、投影光学系PLの像面側に配置された基板P上に液体LQを所定量供給する。供給管13の途中には、液体供給機構10の液体供給部11より送出され、投影光学系PLの像面側に供給される液体LQの性質及び成分のうち少なくともいずれか一方を計測する計測装置60が設けられている。上述したように、液体供給機構10は液体LQとして水を供給するため、計測装置60は水質を計測可能な装置により構成されている。第1液体回収機構20は、投影光学系PLの像面側の液体LQを回収するためのものであって、液体LQを回収可能な第1液体回収部21と、第1液体回収部21にその一端部を接続する回収管23とを備えている。回収管23の他端部は第1ノズル部材70に接続されている。第1液体回収部21は例えば真空ポンプ等の真空系吸引装置26、及び回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器27等を備えている。なお真空系として、露光装置EXに真空ポンプを設けずに、露光装置EXが配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。基板P上に液浸領域AR2を形成するために、第1液体回収機構20は、液体供給機構10より供給された基板P上の液体LQを所定量回収する。第2液体回収機構30は、投影光学系PLの像面側の液体LQを回収するためのものであって、液体LQを回収可能な第2液体回収部31と、第2液体回収部31にその一端部を接続する回収管33とを備えている。回収管33の他端部は第2ノズル部材80に接続されている。第2液体回収部31は例えば真空ポンプ等の真空系吸引装置36、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器37等を備えている。なお真空系として、露光装置EXに真空ポンプを設けずに、露光装置EXが配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。第2液体回収機構30は、第1液体回収機構20で回収しきれなかった液体LQを回収可能である。また、第2液体回収機構30は、第1液体回収機構20を含む露光装置EX全体の駆動源である商用電源100Aとは別の無停電電源第2駆動源100Bを有している。無停電電源100Bは、例えば商用電源100Aの停電時に、第2液体回収機構30の駆動部に対して電力駆動力を供給する。例えば、商用電源100Aが停電した場合、第2液体回収機構30の第2液体回収部31は、無停電電源100Bより供給される電力で駆動される。この場合、第2液体回収部31を含む第2液体回収機構30の液体回収動作は、制御装置CONTに制御されず、例えば第2液体回収機構30に内蔵された別の制御装置からの指令信号に基づいて制御される。なお、商用電源100Aの停電時においては、無停電電源100Bは、第2液体回収機構30に加えて制御装置CONTにも電力を供給するようにしてもよい。この場合、その無停電電源100Bからの電力によって駆動される制御装置CONTが、第2液体回収機構30の液体回収動作を制御するようにしてもよい。また、第2液体回収機構30は無停電電源100Bにより常時駆動されるようにしてもよい。その場合、第1液体回収機構20と第2液体回収機構30とは別の電源100A、100Bでそれぞれ駆動されることになる。本実施形態においては、第1液体回収機構20及び第2液体回収機構30で回収された液体LQは、液体供給機構10の液体供給部11に戻されるようになっている。すなわち本実施形態の露光装置EXは、液体供給機構10と、第1液体回収機構20及び第2液体回収機構30との間で液体LQを循環する循環系を備えた構成となっている。液体供給機構10の液体供給部11に戻された液体LQは、純水製造装置16で精製された後、再び投影光学系PLの像面側基板P上に供給される。なお、第1、第2液体回収機構20、30で回収された液体LQの全部が液体供給機構10に戻されてもよいし、その一部が戻されてもよい。あるいは、第1、第2液体回収機構20、30で回収した液体LQを液体供給機構10に戻さずに、別の供給源より供給された液体LQ、あるいは水道水を純水製造装置16で精製した後、投影光学系PLの像面側に供給するようにしてもよい。更に、回収した液体LQを精製し再度液体供給部11に戻して循環させる第1モードと、回収した液体LQは廃棄し、新たな液体LQを液体供給部11から供給する第2モードとを必要に応じて切り替える構成としてもよい。供給管13と回収管23とは接続管9を介して接続されている。接続管9の一端部は供給管13の途中の所定位置に接続され、他端部は回収管23の途中の所定位置に接続されている。また、供給管13の途中には、この供給管13の流路を開閉する第1バルブ13Bが設けられており、回収管23の途中には、この回収管23の流路を開閉する第2バルブ23Bが設けられており、接続管9の途中には、この接続管9の流路を開閉する第3バルブ9Bが設けられている。第1バルブ13Bは、供給管13のうち接続管9との接続位置よりも第1ノズル部材70側に設けられており、第2バルブ23Bは、回収管23のうち接続管9との接続位置よりも第1ノズル部材70側に設けられている。各バルブ13B、23B、9Bの動作は制御装置CONTにより制御される。これらバルブ13B、23B、9Bによって、液体供給部11から送出された液体LQの流路が変更されるようになっている。また、第1バルブ13Bにはタイマー13Tが接続されている。タイマー13Tは、第1バルブ13Bの開いている時間及び閉じている時間を計測可能である。また、タイマー13Tは、第1バルブ13Bが供給管13の流路を閉じているか否かを検知可能である。タイマー13Tは、第1バルブ13Bが供給管13の流路を開けたことを検知したときに、時間計測を開始する。また、タイマー13Tは、第1バルブ13Bが供給管13の流路を閉じたことを検知したときにも、時間計測を開始することができる。タイマー13は、第1バルブ13Bが供給管13の流路を開けたときからの経過時間、すなわち、液体供給機構10による液体供給が開始されてからの経過時間を計測することができる。タイマー13Tによって計測された前記経過時間に関する情報は制御装置CONTに出力される。また、タイマー13Tは、第1バルブ13Bが供給管13の流路を閉じたことを検知したとき、時間計測動作を停止するとともに、計測時間をリセットする零に戻す。また、タイマー13Tは、第1バルブ13Bが供給管13の流路を閉じたときからの経過時間、すなわち、液体供給機構10による液体供給が停止されてからの経過時間を計測することができる。タイマー13Tによって計測された前記経過時間に関する情報は制御装置CONTに出力される。またタイマー13Tは、第1バルブ13Bが供給管13の流路を開けたことを検知したとき、時間計測動作を停止するとともに、計測時間をリセットする零に戻す。液体供給機構10及び第1液体回収機構20の一部を構成する第1ノズル部材70は第1ノズル保持部材52に保持されており、その第1ノズル保持部材52はメインコラム1の下側段部8に接続されている。第2液体回収機構30の一部を構成する第2ノズル部材80は、第2ノズル保持部材53に保持されており、その第2ノズル保持部材53はメインコラム1の下側段部8に接続されている。第1ノズル部材70と第2ノズル部材80とは互いに独立した部材である。図2は投影光学系PLの像面側近傍を示す要部拡大図である。図2において、第1ノズル部材70は、投影光学系PLの先端部の光学素子2の近傍に配置されており、基板P基板ステージPSTの上方において光学素子2の周りを囲むように設けられた環状部材である。第1ノズル部材70は、その中央部に投影光学系PL光学素子2を配置可能な穴部70Hを有している。また、第1ノズル部材70の下面70Aは基板ステージPSTに保持された基板Pと対向するように設けられている。また、第1ノズル保持部材52図1参照に保持された第1ノズル部材70と、投影光学系PL光学素子2とは離れている。すなわち、環状部材である第1ノズル部材70の内側面と投影光学系PLの光学素子2の外側面との間には間隙が設けられている。この間隙は、投影光学系PLと第1ノズル部材70とを振動的に分離するために設けられたものである。これにより、第1ノズル部材70で発生した振動が、投影光学系PL側に伝達することが防止されている。第2ノズル部材80は、基板P基板ステージPSTの上方において第1ノズル部材70の周りを囲むように設けられた環状部材である。第2ノズル部材80は、その中央部に第1ノズル部材70の一部を配置可能な穴部80Hを有している。また、第2ノズル部材80の下面80Aは基板ステージPSTに保持された基板Pと対向するように設けられている。また、第1ノズル保持部材52に保持された第1ノズル部材70と、第2ノズル保持部材53図1参照に保持された第2ノズル部材80とは離れている。すなわち、環状部材である第2ノズル部材80の内側面と、第1ノズル部材70の外側面との間には間隙が設けられている。この間隙は、第1ノズル部材70と第2ノズル部材80とを振動的に分離するために設けられたものである。これにより、第2ノズル部材80で発生した振動が、第1ノズル部材70側に伝達することが防止されている。そして、第1、第2ノズル部材70、80を第1、第2ノズル保持部材52、53を介して支持しているメインコラム1と、投影光学系PLの鏡筒PKをフランジPFを介して支持している鏡筒定盤5とは、防振装置47を介して振動的に分離されている。したがって、第1ノズル部材70及び第2ノズル部材80で発生した振動が投影光学系PLに伝達されることは防止されている。また、第1、第2ノズル部材70、80を第1、第2ノズル保持部材52、53を介して支持しているメインコラム1と、基板ステージPSTを支持している基板定盤6とは、防振装置49を介して振動的に分離している。したがって、第1ノズル部材70及び第2ノズル部材80で発生した振動が、メインコラム1及びベースBPを介して基板ステージPSTに伝達されることが防止されている。また、第1、第2ノズル部材70、80を第1、第2ノズル保持部材52、53を介して支持しているメインコラム1と、マスクステージMSTを支持しているマスク定盤4とは、防振装置46を介して振動的に分離されている。したがって、第1ノズル部材70及び第2ノズル部材80で発生した振動がメインコラム1を介してマスクステージMSTに伝達されることが防止されている。第1ノズル部材70の下面70Aには、液体供給機構10の一部を構成する供給口1212A、12Bが設けられている。本実施形態においては、供給口1212A、12Bは2つ設けられており、投影光学系PLの光学素子2投影領域AR1を挟んでX軸方向両側のそれぞれに設けられている。本実施形態においては、供給口12A、12Bは略円形状に形成されているが、楕円形状、矩形状、スリット状など任意の形状に形成されていてもよい。また、供給口12A、12Bは互いにほぼ同じ大きさであってもよいし、互いに異なる大きさであってもよい。第1ノズル部材70の下面70Aにおいて、投影光学系PLの投影領域AR1を基準として供給口12の外側には第1液体回収機構20の一部を構成する第1回収口22が設けられている。第1回収口22は、第1ノズル部材70の下面70Aにおいて、投影領域AR1、及び供給口12A、12Bを囲むように環状に形成されている。また、第1回収口22には多孔体22Pが設けられている。供給管13の他端部は、第1ノズル部材70の内部に形成された供給流路14の一端部に接続している。一方、第1ノズル部材70の供給流路14の他端部は、第1ノズル部材70の下面70Aに形成された供給口12に接続されている。ここで、第1ノズル部材70の内部に形成された供給流路14は、複数2つの供給口1212A、12Bのそれぞれにその他端部を接続可能なように途中から分岐している。液体供給部11の液体供給動作は制御装置CONTにより制御される。液浸領域AR2を形成するために、制御装置CONTは、液体供給機構10の液体供給部11より液体LQ1を送出する。液体供給部11より送出された液体LQは、供給管13を流れた後、第1ノズル部材70の内部に形成された供給流路14の一端部に流入する。そして、供給流路14の一端部に流入した液体LQは途中で分岐した後、第1ノズル部材70の下面70Aに形成された複数2つの供給口12A、12Bより、光学素子2と基板Pとの間の空間に供給される。回収管23の他端部は、第1ノズル部材70の内部に形成された第1回収流路24の一部を構成するマニホールド流路24Mの一端部に接続している。一方、マニホールド流路24Mの他端部は、第1回収口22に対応するように平面視環状に形成され、その第1回収口22に接続する第1回収流路24の一部を構成する環状流路24Kの一部に接続している。第1液体回収部21の液体回収動作は制御装置CONTに制御される。制御装置CONTは、液体LQを回収するために、第1液体回収機構20の第1液体回収部21を駆動する。真空系26を有する第1液体回収部21の駆動により、基板P上の液体LQは、その基板Pの上方に設けられている第1回収口22を介して環状流路24Kに鉛直上向きZ方向に流入する。環状流路24KにZ方向に流入した液体LQは、マニホールド流路24Mで集合された後、マニホールド流路24Mを流れる。その後、液体LQは、回収管23を介して第1液体回収部21に吸引回収される。第2ノズル部材80の下面80Aには、第2液体回収機構30の一部を構成する第2回収口32が設けられている。第2回収口32は、第2ノズル部材80のうち基板Pに対向する下面80Aに形成されている。第2ノズル部材80は第1ノズル部材70の外側に設けられており、第2ノズル部材80に設けられた第2回収口32は、投影光学系PLの投影領域AR1に対して、第1ノズル部材70に設けられた第1回収口22よりも更に外側に設けられた構成となっている。第2回収口32は、第1回収口22を囲むように環状に形成されている。回収管33の他端部は、第2ノズル部材80の内部に形成された第2回収流路34の一部を構成するマニホールド流路34Mの一端部に接続している。一方、マニホールド流路34Mの他端部は、第2回収口32に対応するように平面視環状に形成され、その第2回収口32に接続する第2回収流路34の一部を構成する環状流路34Kの一部に接続している。第2液体回収部31の液体回収動作は制御装置CONTに制御される。制御装置CONTは、液体LQを回収するために、第2液体回収機構30の第2液体回収部31を駆動する。真空系36を有する第2液体回収部31の駆動により、基板P上の液体LQは、その基板Pの上方に設けられている第2回収口32を介して環状流路34Kに鉛直上向きZ方向に流入する。環状流路34KにZ方向に流入した液体LQは、マニホールド流路34Mで集合された後、マニホールド流路34Mを流れる。その後、液体LQは、回収管33を介して第2液体回収部31に吸引回収される。また、本実施形態においては、制御装置CONTは、第2液体回収機構30による液体回収動作吸引動作を、基板Pの液浸露光中及び露光前後において常時行う。計測装置60は、液体供給機構10により供給される液体LQの性質又は成分水質を計測するものである。計測装置60で計測する液体LQの性質又は成分は、露光装置EXの露光精度に与える影響、あるいは露光装置EX自体に与える影響を考慮して決定する。表1は、液体LQの性質又は成分と、それが露光装置EXの露光精度あるいは露光装置EX自体に与える影響との一例を示した表である。表1に示す通り、液体LQの性質又は成分としては、比抵抗、金属イオン、全有機体炭素TOC:totalorganiccarbon、パーティクルバブル、生菌、溶存酸素DO:dissolvedoxygen、溶存窒素DN:dissolvednitrogenなどがある。一方、露光装置EXの露光精度あるいは露光装置EX自体に与える影響項目としては、レンズ特に光学素子2の曇り、ウォーターマーク液体LQが蒸発することにより、液体中の不純物が固化して残留する付着物の発生、屈折率変化や光の散乱による光学性能の劣化、レジストプロセスレジストパターン形成への影響、各部材等の錆の発生などがある。表1はこれらについて、どの性質又は成分が、どの性能にどの程度の影響を与えるかをまとめたものであり、懸念される影響があると予想されるものに○を付してある。計測装置60によって計測すべき液体LQの性質又は成分は、露光装置EXの露光精度あるいは露光装置EX自体に与える影響に基づいて、表1の中から必要に応じて選択される。もちろん、全ての項目について計測しても構わないし、表1には示されていない性質又は成分でも構わない。上記観点により選択された項目を計測するために、計測装置60は複数の計測器を有している。例えば、計測装置60は、計測器として、比抵抗値を計測するための比抵抗計、全有機体炭素を計測するためのTOC計、微粒子及び気泡を含む異物を計測するためのパーティクルカウンタ、溶存酸素溶存酸素濃度を計測するためのDO計、溶存窒素溶存窒素濃度を計測するためのDN計、シリカ濃度を計測するためのシリカ計、及び生菌の種類や量を分析可能な分析器等を備えることができる。本実施形態では一例として、全有機体炭素、パーティクルバブル、溶存酸素、比抵抗値を計測項目として選択し、図2に示すように、計測装置60は、全有機炭素を計測するためのTOC計61、微粒子及び気泡を含む異物を計測するためのパーティクルカウンタ62、溶存酸素を計測するための溶存酸素計DO計63、及び比抵抗計64を含んで構成されている。図2に示すように、TOC計61は、供給口12に接続する供給管供給流路13の途中から分岐する分岐管分岐流路61Kに接続されている。液体供給部11より送出され、供給管13を流れる液体LQのうち一部の液体LQは第1ノズル部材70の供給口12より基板P上に供給され、残りの一部は分岐管61Kを流れてTOC計61に流入する。TOC計61は、分岐管61Kによって形成された分岐流路を流れる液体LQの全有機体炭素TOCを計測する。同様に、パーティクルカウンタ62、溶存酸素計63、及び比抵抗計64は、供給管13の途中から分岐する分岐管62K、63K、64Kのそれぞれに接続されており、それら分岐管62K、63K、64Kによって形成された分岐流路を流れる液体LQ中の異物微粒子又は気泡、溶存酸素、比抵抗値を計測する。なお、上記シリカ計や生菌分析器も、供給管13の途中から分岐する分岐管に接続可能である。本実施形態においては、分岐管61K~64Kはそれぞれ独立した分岐流路を形成しており、それら互いに独立した分岐流路のそれぞれに、各計測器61~64が接続されている。すなわち、複数の計測器61~64は、供給管13に対して分岐管61K~64Kを介して並列に接続されている。なお、計測器の構成によっては、供給管13から分岐させた液体LQを第1の計測器で計測し、その第1の計測器を通過した液体LQを第2の計測器で計測するといったように、供給管13に対して複数の計測器を直列に接続するようにしてもよい。なお、分岐管分岐箇所の数や位置によっては、異物微粒子が発生する可能性が高まるため、異物発生の可能性を考慮して、分岐管の数や位置を設定するとよい。また、同一種類の計測器を供給管13に沿った複数の位置に配置するようにしてもよい。このように配置すれば、供給管13のどの位置で液体LQの性質又は成分が変化したかを特定することができ、変化の原因究明が容易になる。本実施形態においては、計測装置60は、供給管13によって形成された供給流路の途中から分岐する分岐流路を流れる液体LQの性質又は成分をインライン方式で計測するようになっている。インライン方式を採用することにより、計測装置60には液体LQが常時供給されるため、計測装置60は液体LQの性質又は成分水質を露光中及び露光前後において常時計測することが可能な構成となっている。すなわち、計測装置60は、基板Pに対する液浸露光動作と並行して、液体LQを計測可能である。計測装置60の計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、計測装置60の計測結果に基づいて、液体供給機構10により基板P上に供給される液体LQの性質又は成分水質を常時モニタ可能である。なお、液体LQ中に含まれる金属イオンの種類を特定するために、液体LQをサンプリングして、露光装置EXとは別に設けられた分析装置を使って、前記金属イオンの種類を特定することができる。これにより、特定された金属イオンに応じた適切な処置を施すことができる。また、液体LQ中に含まれる不純物を計量するために、液体LQをサンプリングして、露光装置EXとは別に設けられた全蒸発残渣計により液体LQ中の全蒸発残渣量を計測するようにしてもよい。この場合、分析装置および全蒸発残渣計は定期的に自動で液体LQのサンプリングを行い、金属イオンの種類や全蒸発残渣計等の計測結果を露光装置EXに通知するようにしてもよい。露光装置EXは、通知された計測結果とあらかじめ記憶している基準値とを比較して、基準値を超える場合に警報を発するようにすることができる。検出装置90は、第2液体回収機構30が液体LQを回収したか否かを検出するものである。本実施形態においては、検出装置90は、第2液体回収機構30の回収管33に液体LQが流れているか否かを光学的に検出することによって、第2液体回収機構30の第2回収口32を介して液体LQが回収されたか否かを検出する。検出装置90は、検出光Laを射出する投光部91と、検出光Laを受光する受光部92とを備えている。回収管33の途中には、検出光Laを透過可能な透過窓93、94が設けられている。検出装置90は、投光部91より透過窓93に対して検出光Laを照射する。透過窓93を通過した検出光Laは、回収管33の内側を通過した後、透過窓94を介して受光部92に受光される。受光部92の受光結果は制御装置CONTに出力される。回収管33の内側検出光Laの光路上に液体LQが有る場合と無い場合とでは、受光部92での受光量は互いに異なる値となる。そのため、制御装置CONTは、受光部92の受光結果に基づいて、回収管33に液体LQが有るか否か流れているか否か、すなわち第2回収機構30が液体LQを回収したか否かを判別することができる。なお検出装置90としては、第2回収口32を介して液体LQが回収されたか否かを検出可能であればよく、例えば回収管33の内側に設けられた液体有無センサであってもよい。また、液体有無センサの設置位置としては、回収管33の途中に限られず、例えば第2ノズル部材80の第2回収口32近傍や第2回収流路34の内側であってもよい。また、検出装置90として、例えば回収管33の途中にマスフローコントローラと呼ばれる流量制御器流量検出器等を設けておき、マスフローコントローラの検出結果に基づいて、第2回収口32を介して液体LQが回収されたか否かが判断されるようにしてもよい。また、投光部及び受光部を含んで構成される上記検出装置90や、マスフローコントローラからなる検出装置は、第2液体回収機構30による単位時間あたりの液体回収量を検出することができる。図3は液体供給部11の構成を詳細に示す図である。液体供給部11は、純水製造装置16と、純水製造装置16で製造された液体LQの温度を調整する温調装置17とを備えている。純水製造装置16は、例えば浮遊物や不純物を含む水を精製して所定の純度の純水を製造する純水製造器161と、純水製造器161で製造された純水から更に不純物を除いて高純度な純水超純水を製造する超純水製造器162とを備えている。純水製造器161あるいは超純水製造器162は、イオン交換膜やパーティクルフィルタ等の液体改質部材、及び紫外光照射装置UVランプ等の液体改質装置を備えており、これら液体改質部材及び液体改質装置により、液体の比抵抗値、異物微粒子、気泡の量、全有機体炭素、及び生菌の量等を所望値に調整する。また、上述したように、第1液体回収機構20及び第2液体回収機構30で回収された液体LQは、液体供給機構10の液体供給部11に戻されるようになっている。具体的には、第1液体回収機構20及び第2液体回収機構30で回収された液体LQは、戻し管18を介して、液体供給部11の純水製造装置16純水製造器161に供給される。戻し管18には、その戻し管18の流路を開閉するバルブ18Bが設けられている。純水製造装置16は、戻し管18を介して戻された液体を上記液体改質部材及び液体改質装置等を使って精製した後、温調装置17に供給する。また、液体供給部11の純水製造装置16純水製造器161には、供給管19を介して機能液供給装置120が接続されている。機能液供給装置120は、液浸領域AR2を形成するための液体LQとは別の所定の機能を有する機能液LKを供給可能である。本実施形態においては、機能液供給装置120は、殺菌作用を有する液体機能液LKを供給する。供給管19には、その供給管19の流路を開閉するバルブ19Bが設けられている。制御装置CONTは、バルブ18Bを作動して戻し管18の流路を開けて液体LQを供給しているとき、バルブ19Bを作動して供給管19の流路を閉じて機能液LKの供給を停止する。一方、制御装置CONTは、バルブ19Bを作動して供給管19の流路を開けて機能液LKを供給しているとき、バルブ18Bを作動して戻し管18の流路を閉じて液体LQの供給を停止する。温調装置17は、純水製造装置16で製造され、供給管13に供給される液体純水LQの温度調整を行うものであって、その一端部を純水製造装置16超純水製造器162に接続し、他端部を供給管13に接続しており、純水製造装置16で製造された液体LQの温度調整を行った後、その温度調整された液体LQを供給管13に送出する。温調装置17は、純水製造装置16の超純水製造器162から供給された液体LQの温度を粗く調整するラフ温調器171と、ラフ温調器171の流路下流側供給管13側に設けられ、供給管13側に流す液体LQの単位時間当たりの量を制御するマスフローコントローラと呼ばれる流量制御器172と、流量制御器172を通過した液体LQ中の溶存気体濃度溶存酸素濃度、溶存窒素濃度を低下させるための脱気装置173と、脱気装置173で脱気された液体LQ中の異物微粒子、気泡を取り除くフィルタ174と、フィルタ174を通過した液体LQの温度の微調整を行うファイン温調器175とを備えている。ラフ温調器171は、超純水製造器162から送出された液体LQの温度を目標温度例えば23°Cに対して例えば±0.1°C程度の粗い精度で温度調整するものである。流量制御器172は、ラフ温調器171と脱気装置173との間に配置されており、ラフ温調器171で温度調整された液体LQの脱気装置173側に対する単位時間当たりの流量を制御する。脱気装置173は、ラフ温調器171とファイン温調器175との間、具体的には流量制御器172とフィルタ174との間に配置されており、流量制御器172から送出された液体LQを脱気して、液体LQ中の溶存気体濃度を低下させる。脱気装置173としては、供給された液体LQを減圧することによって脱気する減圧装置など公知の脱気装置を用いることができる。また、中空糸膜フィルタ等のフィルタを用いて液体LQを気液分離し、分離された気体成分を真空系を使って除く脱気フィルタを含む装置や、液体LQを遠心力を使って気液分離し、分離された気体成分を真空系を使って除く脱気ポンプを含む装置などを用いることもできる。脱気装置173は、上記脱気フィルタを含む液体改質部材や上記脱気ポンプを含む液体改質装置によって、溶存気体濃度を所望値に調整する。フィルタ174は、ラフ温調器171とファイン温調器175との間、具体的には脱気装置173とファイン温調器175との間に配置されており、脱気装置173から送出された液体LQ中の異物を取り除くものである。流量制御器172や脱気装置173を通過するときに、液体LQ中に僅かに異物particleが混入する可能性が考えられるが、流量制御器172や脱気装置173の下流側供給管13側にフィルタ174を設けたことにより、そのフィルタ174によって異物を取り除くことができる。フィルタ174としては、中空糸膜フィルタやパーティクルフィルタなど公知のフィルタを用いることができる。上記パーティクルフィルタ等の液体改質部材を含むフィルタ174は、液体中の異物微粒子、気泡の量を許容値以下に調整する。ファイン温調器175は、ラフ温調器171と供給管13との間、具体的にはフィルタ174と供給管13との間に配置されており、高精度に液体LQの温度調整を行う。例えばファイン温調器175は、フィルタ174から送出された液体LQの温度温度安定性、温度均一性を目標温度に対して±0.01°C~±0.001°C程度の高い精度で微調整する。本実施形態においては、温調装置17を構成する複数の機器のうち、ファイン温調器175が液体LQの供給対象である基板Pに最も近い位置に配置されているので、高精度に温度調整された液体LQを基板P上に供給することができる。なお、フィルタ174は温調装置17内でラフ温調器171とファイン温調器175との間に配置されているのが好ましいが、温調装置17内の異なる場所に配置されていてもよいし、温調装置17の外に配置されるようにしてもよい。上述したように、純水製造器161、超純水製造器162、脱気装置173、及びフィルタ174等は、液体改質部材及び液体改質装置をそれぞれ備えており、液体LQの水質性質又は成分を調整するための調整装置を構成している。これら各装置161、162、173、174は、液体供給機構10のうち液体LQが流れる流路の複数の所定位置のそれぞれに設けられた構成となっている。なお、本実施形態においては、1台の露光装置EXに対して液体供給部11を1台配置している図1参照がこれに限られず、1台の液体供給部11を複数台の露光装置EXで共用しても構わない。このようにすれば、液体供給部11が占有する面積フットプリントを節減することができる。あるいは、液体供給部11を構成する純水製造装置16と温調装置17とを分割して、純水製造装置16を複数の露光装置EXで共用し、温調装置17は露光装置EX毎に配置しても構わない。このようにすれば、フットプリントを節減できるとともに、露光装置毎の温度管理が可能である。更に上記の場合において、複数の露光装置EXで共用する液体供給部11または純水製造装置16を、露光装置EXが設置された床とは異なる床たとえば、床下に配置すれば、露光装置EXが設置されるクリーンルームの空間をより有効に用いることができる。次に、上述した構成を有する露光装置EXを用いてマスクMのパターン像を基板Pに露光する方法について図4及び図5のフローチャート図を参照しながら説明する。図4は基板ステージPSTを上方から見た平面図である。図4において、不図示の搬送系ローダ装置によって基板ステージPST上に搬入ロードされた基板P上には、複数のショット領域S1~S24が設定されている。基板P上の複数のショット領域S1~S24のそれぞれにはアライメントマークAMが付随して設けられている。また、基板ステージPST上の所定位置には、例えば特開平4-65603号公報に開示されているような基板アライメント系によって計測される基準マークPFM、及び特開平7-176468号公報に開示されているようなマスクアライメント系によって計測される基準マークMFMを備えた基準部材計測部材300が配置されている。また、基板ステージPST上の所定位置には、光計測部として、例えば特開昭57-117238号公報に開示されているような照度ムラセンサ400、特開2002-14005号公報に開示されているような空間像計測センサ500、特開平11-16816号公報に開示されているような照射量センサ照度センサ600が設けられている。これら計測部材300、光計測部400、500、600のそれぞれの上面は、基板ステージPSTの上面51とほぼ面一となっている。基板Pの露光を開始する前に、制御装置CONTは、上記基板アライメント系の検出基準位置とマスクMのパターン像の投影位置との位置関係ベースライン量を、基板アライメント系、マスクアライメント系、及び基準部材300等を使って計測する。基準部材300上の基準マークMFM、PFMが計測されているときの基板ステージPSTの位置は、レーザ干渉計44により計測されている。また、基板Pの露光を開始する前に、制御装置CONTは、基板ステージPST上に設けられている各光計測部400、500、600を使った計測処理を行い、その計測結果に基づいてレンズキャリブレーション等の各種補正処理を行うステップSA1。例えばマスクアライメント系を使った計測処理を行う場合には、制御装置CONTは、基板ステージPSTの位置制御を行って投影光学系PLと基準部材300とを対向させ、液体供給機構10及び第1液体回収機構20による液体供給動作及び液体回収動作を行い、基準部材300上に液体LQの液浸領域AR2を形成した状態で、投影光学系PL及び液体LQを介して基準部材300上の基準マークMFMを計測する。同様に、各光計測部400、500、600を使った計測処理を行う場合には、制御装置CONTは、光計測部400、500、600上に液体LQの液浸領域AR2を形成した状態で、液体LQを介した計測処理を行う。計測部材及び光計測部を含む基板ステージPST上に液体供給機構10より液体LQを供給する際、制御装置CONTは、第3バルブ9Bにより接続管9の流路を閉じた状態で、第1バルブ13Bを駆動して供給管13の流路を開ける。また、液浸領域AR2を形成しているときは、制御装置CONTは、第2バルブ23Bを駆動して回収管23の流路を開けている。このように、露光前の計測動作においては、液体LQを介した計測が行われる。また、液浸領域AR2を形成したとき、その液浸領域AR2の液体LQは、投影光学系PLのうち最も像面側の光学素子2の下面液体接触面2Aや、ノズル部材70、80の下面液体接触面70A、80Aに接触する。更に、計測部材300、及び光計測部400、500、600を含む基板ステージPSTの上面51にも液体LQが接触する。次に、制御装置CONTは、基板Pに対して重ね合わせ露光をするために、基板P上の複数のショット領域S1~S24のそれぞれに付随して形成されているアライメントマークAMを基板アライメント系を使って計測する。基板アライメント系がアライメントマークAMを計測しているときの基板ステージPSTの位置はレーザ干渉計44によって計測されている。制御装置CONTは、アライメントマークAMの検出結果に基づいて、レーザ干渉計44によって規定される座標系内での、基板アライメント系の検出基準位置に対するショット領域S1~S24の位置情報を求め、その位置情報と先に計測していたベースライン量とに基づいて基板ステージPSTを移動することで、マスクMのパターン像の投影位置とショット領域S1~S24とを位置合わせする。ここで、本実施形態においては、アライメントマークAMや基準マークPFMを計測するとき、基板P上基板ステージPST上には液浸領域AR2が形成されず、基板アライメント系は非液浸状態ドライ状態でアライメントマークAMを計測する。基板P上基板ステージPST上に液浸領域AR2を形成しない場合、制御装置CONTは、第1バルブ13Bを使って供給管13の流路を閉じた状態で、第3バルブ9Bを駆動して接続管9の流路を開ける。こうすることにより、温調装置17を含む液体供給部11から供給管13に流入した液体LQは接続管9を介して回収管23に流れる。すなわち、本実施形態においては、温調装置17を含む液体供給部11は常時駆動しており、投影光学系PLの像面側への液体供給時には、制御装置CONTは、第1バルブ13Bを駆動して供給管13の流路を開けるとともに、第3バルブ9Bによって接続管9の流路を閉じることで、液体供給部11から送出された液体LQを、投影光学系PLの像面側に供給する。一方、投影光学系PLの像面側への液体供給不要時には、制御装置CONTは、第3バルブ9Bを駆動して接続管9の流路を開けるとともに、第1バルブ13Bによって供給管13の流路を閉じることで、液体供給部11から送出された液体LQを、投影光学系PLの像面側に供給せずに、回収管23を介して液体回収部21に回収させる。次に、制御装置CONTは、液浸露光開始の指令信号を出力するステップSA2。制御装置CONTは、投影光学系PLの光学素子2と基板Pを含む基板ステージPST上の所定領域とを対向した状態で、第3バルブ9Bによって接続管9の流路を閉じ、第1バルブ13Bを駆動して供給管13の流路を開け、液体供給機構10による基板P上に対する液体LQの供給を開始する。また、制御装置CONTは、液体供給機構10による液体LQの供給の開始とほぼ同時に、第1液体回収機構20による液体回収を開始する。ここで、液体供給機構10による単位時間あたりの液体供給量、及び第1液体回収機構20による単位時間あたりの液体回収量はほぼ一定値である。基板Pを液浸露光するために形成された液浸領域AR2の液体LQは、光学素子2の下面2Aや第1ノズル部材70の下面70Aに接触する。なお、第1液体回収機構20による液体回収動作吸引動作は、液体供給機構10による液体供給が開始される前から液体供給が停止されている状態においても行うことができる。また、上述したように、第2液体回収機構30は常時駆動しており、第2液体回収機構30による第2回収口32を介した吸引動作は常時行われている。そして、第1バルブ13Bの開放から所定時間経過し、液浸領域AR2を形成した後、制御装置CONTは、投影光学系PLと基板Pとを対向した状態で、基板Pに露光光ELを照射し、マスクMのパターン像を投影光学系PLと液体LQとを介して基板P上に露光する。ここで、第1バルブ13Bの開放から所定時間経過するまで露光を行わないのは、バルブ開放直後はバルブの動作により発生した気泡が液浸領域AR2内に残存しているおそれがあるためである。基板Pを露光するときは、制御装置CONTは、液体供給機構10による液体LQの供給と並行して、第1液体回収機構20による液体LQの回収を行いつつ、基板Pを支持する基板ステージPSTをX軸方向走査方向に移動しながら、マスクMのパターン像を投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介して基板P上に投影露光する。本実施形態における露光装置EXは、マスクMと基板PとをX軸方向走査方向に移動しながらマスクMのパターン像を基板Pに投影露光するものであって、走査露光時には、液浸領域AR2の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMの一部のパターン像が投影領域AR1内に投影され、マスクMが-X方向又はX方向に速度Vで移動するのに同期して、基板Pが投影領域AR1に対してX方向又は-X方向に速度βVβは投影倍率で移動する。基板P上に設定された複数のショット領域S1~S24のうち、1つのショット領域への露光終了後に、基板Pのステッピング移動によって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップアンドスキャン方式で基板Pを移動しながら各ショット領域S1~S24に対する走査露光処理が順次行われる。また、基板Pの周辺領域に設定されているショット領域例えばショット領域S1、S4、S21、S24等を液浸露光するときは、投影領域AR1よりも大きい液浸領域AR2の液体LQは基板ステージPSTの上面51に接触する。液浸露光中において、液体供給機構10により基板P上に液体LQを供給されている液体LQの性質又は成分水質は、計測装置60により常時計測モニタされている。計測装置60の計測結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTは、計測装置60の計測結果モニタ情報を記憶装置MRYに記憶するステップSA3。制御装置CONTは、計測装置60の計測結果を時間経過に対応付けて記憶装置MRYに記憶する。制御装置CONTは、例えばタイマー13Tの出力に基づいて、第1バルブ13Bが供給管13の流路を開けたときを時間経過の計測開始点基準として、計測装置60の計測結果を時間経過に対応付けて記憶装置MRYに記憶することができる。以下の説明においては、計測装置60の計測結果を時間経過に対応付けて記憶した情報を適宜第1ログ情報と称する。また、制御装置CONTは、計測装置60の計測結果を、露光されるショット領域S1~S24に対応付けて記憶装置MRYに記憶する。制御装置CONTは、例えば基板ステージPSTの位置計測を行うレーザ干渉計44の出力に基づいて、レーザ干渉計44によって規定される座標系でのショット領域S1~S24の位置情報を求め、位置情報を求められたショット領域を露光しているときの計測装置60の計測結果を、ショット領域に対応付けて記憶装置MRYに記憶することができる。なお、計測装置60で液体LQを計測する時点と、その計測された液体LQが基板P上ショット領域上に供給される時点とでは、計測装置60のサンプリングポート分岐管と供給口12との距離に応じた時間的なずれが生じるため、前記距離を考慮して、記憶装置MRYに記憶する情報を補正すればよい。以下の説明においては、計測装置60の計測結果をショット領域に対応付けて記憶した情報を適宜第2ログ情報と称する。制御装置CONTは、計測装置60の計測結果が異常か否かを判別するステップSA4。そして、制御装置CONTは、前記判別結果に基づいて、露光動作を制御する。ここで、計測装置60の計測結果が異常であるとは、計測装置60で計測される各項目比抵抗値、TOC、異物、溶存気体濃度、シリカ濃度、生菌などの計測値が許容範囲外となり、液体LQを介した露光処理及び計測処理を所望状態で行うことができない状況である場合を指す。例えば、液体LQの比抵抗値が許容値一例として、25°Cにおいて18.2MΩcmよりも小さい場合異常である場合、液体LQ中にナトリウムイオン等の金属イオンが多く含まれている可能性がある。その金属イオンを多く含んだ液体LQで基板P上に液浸領域AR2を形成すると、液体LQの金属イオンが基板P上の感光材を浸透して、その感光材の下に既に形成されているデバイスパターン配線パターンに付着し、デバイスの動作不良を引き起こす等の不都合が生じる可能性がある。また、液体LQ中のイオンを個別に見ると、金属イオンが許容値一例として3ppt、より好ましくは1pptよりも多く含まれる場合、ホウ素が許容値一例として3ppt、より好ましくは1pptよりも多く含まれる場合、シリカが許容値一例として1ppt、より好ましくは0.75pptよりも多く含まれる場合、陰イオンが許容値一例として400pptよりも多く含まれる場合には、上記と同様の汚染が生じ、デバイスの動作不良を引き起こす等の不都合を生じる可能性がある。また、液体LQ中の全有機体炭素の値が許容値一例として、5.0ppb、より好ましくは1.0ppbよりも大きい場合異常である場合、液体LQの光透過率が低下している可能性がある。その場合、液体LQを介した露光精度や、液体LQを介した光計測部による計測精度が劣化する。具体的には、液体LQの光透過率が下がると基板P上での露光量が変動し、基板P上に形成される露光線幅にばらつきが生じてしまう。また光透過率の低下により、液体LQは光透過率低下分だけ多くの光エネルギーを吸収していることになるので、液体温度が上昇する。この温度上昇に起因して、投影光学系PLの焦点位置にばらつきが生じてしまう。このように、液体LQの光透過率の低下は露光精度の悪化を招く。そこで、これらの事情を考慮して、液体LQには所定の光透過率が要求され、これに対応して全有機炭素TOCの値が規定されている。一例として、液体LQに要求される光透過率は、液体LQの厚さ1mmあたり99以上であり、これに対応して液体LQに必要とされるTOCは1.0ppb以下である。また、液体LQ中の微粒子又は気泡を含む異物の量が許容値一例として、大きさが0.1μm以上のものが1m1中に0.1個、より好ましくは0.02個よりも多い場合異常である場合、液体LQを介して基板P上に転写されるパターンに欠陥が生じる可能性が高くなる。また、液体LQ中の溶存酸素及び溶存窒素を含む溶存気体溶存気体濃度の値が許容値一例として、溶存酸素の場合、3ppb、より好ましくは1ppb。溶存窒素の場合、一例として3ppmよりも大きい場合異常である場合、例えば供給口12を介して基板P上に供給された液体LQが大気開放されたときに、液体LQ中の溶存気体によって液体LQ中に気泡が生成される可能性が高くなる。液体LQ中に気泡が生成されると、上述同様、基板P上に転写されるパターンに欠陥が生じる可能性が高くなる。また、生菌の量が許容値一例として、1.0cfu/L、より好ましくは0.1cfu/Lよりも大きい場合異常である場合、液体LQが汚染されて光透過率が劣化する。更に、生菌の量が多い場合、液体LQに接触する部材ノズル部材70、光学素子2、基板ステージPST、供給管13、回収管23、33等が汚染する。また、レジストから溶出したPAGPhotoAcidGenerator:光酸発生剤が許容値一例として、7.4×10-13mol/cm2よりも多い場合、アミン類が許容値一例として、3.1×10-13mol/cm2よりも多い場合には、投影光学系PLの光学素子2にウォーターマークが付着したり曇りを生じたりする。液浸露光中液体LQの供給中において、計測装置60の計測結果が異常でないと判断したとき、制御装置CONTは、液浸露光動作を継続するステップSA5。一方、液浸露光中液体LQの供給中において、計測装置60の計測結果が異常であると判断したとき、制御装置CONTは、露光動作を停止するステップSA6。このとき、制御装置CONTは第1バルブ13Bを駆動して供給管13の流路を閉じ、液体LQの供給を停止することもできる。また、露光動作を停止した後、基板P上の残留した液体LQをノズル部材70、第1液体回収機構20を用いて回収してもよい。この場合、回収した液体LQは液体供給部11に戻さずに破棄し、新規の液体LQを液体供給部11に注入し、液体LQ全体を置換するようにしてもよい。更に、基板P上に残留した液体LQを回収した後、基板Pを基板ステージPSTより搬出アンロードしてもよい。こうすることにより、異常な液体LQを介した露光処理を継続してしまうことに起因して不良ショット不良基板が多量に形成されてしまう等の不都合を防止することができる。また、制御装置CONTは、計測装置60の計測結果モニタ情報を、報知装置INFで報知するステップSA7。例えば液体LQ中に含まれているTOCや溶存気体濃度の時間経過に伴う変動量に関する情報や、複数のショット領域S1~S24のうちあるショット領域例えばショット領域S15を露光しているときの液体LQ中に含まれているTOCや溶存気体濃度に関する情報を、表示装置を含んで構成されている報知装置INFで表示することができる。また、計測装置60の計測結果が異常であると判断したとき、制御装置CONTは、報知装置INFで警報警告を発するなど、計測結果が異常である旨を報知装置INFで報知することができる。また、計測装置60が供給管13に沿った複数の位置に同一種類の計測器を有する場合、制御装置CONTは、それらの計測器の計測結果に基づいて、どの区間で異常が発生しているかを特定することができる。そして、ある区間で異常が発生している旨を報知装置INFで報知して当該区間の調査を促すことができ、不具合からの早期回復を図ることができる。また、上述したように、液体供給部11は、液体改質部材及び液体改質装置をそれぞれ有し、液体LQの水質性質又は成分を調整するための複数の調整装置純水製造器161、超純水製造器162、脱気装置173、フィルタ174等を備えている。制御装置CONTは、計測装置60の計測結果に基づいて、複数の調整装置のうちから少なくとも一つの調整装置を特定し、その特定された調整装置に関する情報を報知装置INFで報知することができる。例えば、計測装置60のうちDO計又はDN計の計測結果に基づいて、溶存気体濃度が異常であると判断した場合、制御装置CONTは、複数の調整装置のうち例えば脱気装置173の脱気フィルタや脱気ポンプのメンテナンス点検交換を促す内容の表示を報知装置INFで表示報知する。また、計測装置60のうち比抵抗計の計測結果に基づいて、液体LQの比抵抗値が異常であると判断した場合、制御装置CONTは、複数の調整装置のうち例えば純水製造装置のイオン交換膜のメンテナンス点検交換を促す内容の表示を報知装置INFで表示報知する。また、計測装置60のうち比抵抗計の計測結果に基づいて、液体LQの比抵抗値が異常であると判断した場合、制御装置CONTは、複数の調整装置のうち例えば純水製造装置16のイオン交換膜のメンテナンス点検交換を促す内容の表示を報知装置INFで表示報知する。また、計測装置60のうちTOC計の計測結果に基づいて、液体LQの全有機体炭素が異常であると判断した場合、制御装置CONTは、複数の調整装置のうち例えば純水製造装置16のUVランプのメンテナンス点検交換を促す内容の表示を報知装置INFで表示報知する。また、計測装置60のうちパーティクルカウンタの計測結果に基づいて、液体LQ中の異物微粒子、気泡の量が異常であると判断した場合、制御装置CONTは、複数の調整装置のうち例えばフィルタ174あるいは純水製造装置16のパーティクルフィルタのメンテナンス点検交換を促す内容の表示を報知装置INFで表示報知する。また、計測装置60のうち生菌分析器の分析結果に基づいて、液体LQ中の生菌の量が異常であると判断した場合、制御装置CONTは、複数の調整装置のうち例えば純水製造装置16のUVランプのメンテナンス点検交換を促す内容の表示を報知装置INFで表示報知する。また、計測装置60のうちシリカ計の計測結果に基づいて、液体LQ中のシリカ濃度が異常であると判断した場合、制御装置CONTは、複数の調整装置のうち例えば純水製造装置16のシリカ除去用フィルタのメンテナンス点検交換を促す内容の表示を報知装置INFで表示報知する。また、制御装置CONTは、液体LQの水質性質又は成分の状態に応じてバルブ18Bを制御し、液体LQの循環を停止することもできる。この場合、制御装置CONTは、汚染された液体LQを全て回収廃棄し、新規の液体LQを液体供給部11に注入して、系内の液体LQを新たなものに置換するように制御してもよい。また、制御装置CONTは、液体LQの異常が生じたと判断した場合でも、露光動作を継続することができる。そして、例えばショット領域S15を露光しているときの、計測装置60のパーティクルカウンタの計測結果が異常であると判断したとき、制御装置CONTは、そのショット領域S15に対応付けて、パーティクルカウンタの計測結果が異常であった旨を第2ログ情報として記憶装置MRYに記憶する。そして、全てのショット領域S1~S24を露光した後、記憶装置MRYで記憶した第2ログ情報に基づいて、制御装置CONTは、液体LQの異常異物の存在に起因してパターン転写不良が生じている可能性のあるショット領域S15を、取り除いたり、あるいは次の重ね合わせ露光のときは露光しないようにする等の処置を施すことができる。また、ショット領域S15を検査し、形成されたパターンに異常がない場合には、ショット領域S15を取り除くことなく、そのショット領域S15を使ったデバイス形成を継続する。あるいは、制御装置CONTは、そのショット領域S15に対応付けて、パーティクルカウンタの計測結果が異常であった旨を報知装置INFで報知するようにしてもよい。このように、制御装置CONTは、計測装置60の計測結果をモニタ情報としてリアルタイムに報知装置INFで表示する構成の他に、ログ情報を報知装置INFで表示することも可能である。また、制御装置CONTは、計測装置60の計測結果に基づいて、露光動作を制御することもできる。例えば、上述したように、基板Pの露光前において、露光光ELの照射量照度が光計測部600を使って計測されステップSA1、その計測結果に基づいて露光光ELの照射量照度が最適に設定補正された後、露光動作が開始されるが、例えば、基板Pの露光中に、液体LQ中のTOCが変動することに起因して、液体LQの光透過率が変動する可能性がある。液体LQの光透過率が変動すると、基板P上での露光量積算露光量に変動が生じ、その結果、ショット領域に形成されるデバイスパターンの露光線幅にばらつきが生じる等の不都合が生じる可能性がある。そこで、液体LQ中のTOCとそのときの液体LQの光透過率との関係を予め求めて記憶装置MRYに記憶しておき、制御装置CONTは、前記記憶情報と、計測装置60TOC計61の計測結果とに基づいて、露光量を制御することで、上記不都合を防止できる。すなわち、制御装置CONTは、液体LQ中のTOCの変動に応じた光透過率を前記記憶情報に基づいて導出し、基板Pに到達する露光量を一定にするように制御する。TOC計61で計測されるTOCの変化に応じて、基板P上での露光量を制御することで、基板内ショット間、あるいは基板間での露光量が一定となり、露光線幅のばらつきを抑制することができる。なお、TOCと液体LQの光透過率との関係は、光計測部600を使った液体LQを介した計測処理により求めることができる。本実施形態においては、露光光ELの光源としてレーザを用いているため、1パルスあたりのエネルギー光量を制御する、あるいはパルス数を制御する等の方法を用いて、基板P上での露光量を制御することができる。あるいは、基板Pの走査速度を制御することで、基板P上での露光量を制御することもできる。なお、光計測部600を使った計測動作ステップSA1は、露光シーケンス中、所定時間間隔毎あるいは所定処理基板枚数毎に行われ、上述した露光量の補正制御は、上記露光シーケンス中の計測動作間に行われるものであり、計測動作毎にリセットされる。以上説明したように、液体LQの性質及び成分のうち少なくともいずれか一方を計測する計測装置60を設けたことにより、その計測結果に基づいて、液浸領域AR2を形成するための液体LQが所望状態であるか否か異常か否かを判別することができる。そして、計測装置60の計測結果が異常である場合には、液体LQを所望状態にするための適切な処置を迅速に施したり、露光動作を制御することで、露光精度の劣化を防止することができる。また、計測装置60の計測結果に基づいて液体LQを所望状態にすることで、液体LQを介した計測部材及び光計測部を使った計測処理の精度を維持することができる。例えば比抵抗計64の計測結果に基づいて、液体LQの比抵抗値が異常であると判断した場合には、その比抵抗値を所望値にするための適切な処置イオン交換膜のメンテナンス等を迅速に施すことで、デバイスの動作不良が発生する等の不都合を防止できる。同様に、TOC計61の計測結果に基づいて、液体LQの全有機体炭素の値が異常であると判断した場合には、その全有機体炭素の値を所望値にするための適切な処置UVランプのメンテナンス等を迅速に施すことで、良好な露光精度及び計測精度を維持することができる。また、パーティクルカウンタ62の計測結果に基づいて、液体LQ中の異物の量が異常であると判断した場合には、その異物の量を所望値にするための適切な処置パーティクルフィルタのメンテナンス等を迅速に施すことで、転写されるパターンに欠陥が生じる等の不都合の発生を防止することができる。また、DO計63あるいはDN計の計測結果に基づいて、液体LQ中の溶存酸素溶存窒素の値が異常であると判断した場合には、その溶存酸素溶存窒素の値を所望値にするための適切な処置脱気ポンプのメンテナンス等を迅速に施すことで、気泡の発生を防ぎ、転写されるパターンに欠陥が生じる等の不都合の発生を防止することができる。同様に、生菌分析器の分析結果に基づいて、その生菌の量を所望値にするための適切な処置を迅速に施したり、シリカ計の計測結果に基づいて、シリカ濃度の値を所望値にするための適切な処置を施すことで、液体純水の水質を維持でき、液体LQを介した露光精度及び計測精度を維持することができる。ところで、基板Pの液浸露光中において、第1液体回収機構20が液体LQを回収しきれずに、液体LQが第1回収口22よりも外側に流出する可能性がある。また、第1液体回収機構20に何らかの異常が生じて液体回収動作不能となった場合や、液体供給機構10に何らかの異常が生じて誤作動し、大量に液体LQが供給されてしまって第1液体回収機構20だけでは液体LQを回収しきれない状況が発生する可能性もある。その場合、第2液体回収機構30は、第1液体回収機構20で回収しきれずに第1回収口22よりも外側に流出した液体LQを第2回収口32を介して回収する。図6Aの模式図に示すように、第1液体回収機構20が液体LQを回収しきれているときは、第2ノズル部材80の第2回収口32からは液体LQは回収されず、気体空気のみが回収される。一方、図6Bの模式図に示すように、第1液体回収機構20が液体LQを回収しきれず、第1回収口22よりも外側に液体LQが流出したとき、第2ノズル部材80の第2回収口32からは、液体LQとともにその周囲の気体も一緒に噛み込むようにして回収される。第2液体回収機構30を設けたことにより、基板P上基板ステージPST上からの液体LQの流出を防止することができる。したがって、流出した液体LQに起因する機械部品部材等の錆びや駆動系周辺機器の漏電の発生、あるいは流出した液体LQの気化による基板Pの置かれている環境変動湿度変動等を防止することができ、露光精度及び計測精度の劣化を防止することができる。また、第2液体回収機構30は常時駆動されており、回収動作吸引動作を常時行っているため、液体LQを確実に回収することができる。本実施形態においては、第1液体回収機構20は液体LQのみを回収するため、液体LQを回収するときに大きな振動を生じない構成となっている。一方、第2液体回収機構30は、液体LQをその周囲の気体とともに回収する構成であって、第2液体回収機構30の第2回収口32から液体LQを回収するとき、その液体LQの周囲の気体も一緒に噛み込むようにして回収した場合、回収した液体LQが液滴状となって回収流路や回収管の内壁に当たり、第2ノズル部材80で振動が発生する可能性がある。第2ノズル部材80で振動が発生すると、その振動がメインコラム1の下側段部8を介して第1ノズル部材70に伝達され、第1ノズル部材70に接触する液体LQの液浸領域AR2を振動させ、その液浸領域AR2に接触する基板Pや基板ステージPSTを振動させる可能性がある。また、上述したように、防振装置47によって第2ノズル部材80と投影光学系PLとは振動的に分離されているものの、第2ノズル部材80で発生した振動が投影光学系PLを振動させ、投影光学系PL及び液体LQを介した結像特性が劣化する可能性がある。また、第2ノズル部材80で発生した振動により、液浸領域AR2の液体LQが振動し、その振動によって結像特性が劣化する可能性もある。本実施形態においては、液浸露光中及び液体LQを介した計測動作中ステップSA1において、第2液体供給機構30が液体LQを回収したか否かは、検出装置90によって常時検出モニタされている。検出装置90の検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTは、検出装置90の検出結果モニタ情報を記憶装置MRYに記憶するステップSA8。制御装置CONTは、検出装置90の検出結果を時間経過に対応付けて記憶装置MRYに記憶する。制御装置CONTは、例えばタイマー13Tの出力に基づいて、第1バルブ13Bが供給管13の流路を開けたときを時間経過の計測開始点基準として、検出装置90の検出結果を時間経過に対応付けて記憶装置MRYに記憶することができる。以下の説明においては、検出装置90の検出結果を時間経過に対応付けて記憶した情報を適宜第3ログ情報と称する。また、制御装置CONTは、検出装置90の計測結果を、露光されるショット領域S1~S24に対応付けて記憶装置MRYに記憶する。制御装置CONTは、例えば基板ステージPSTの位置計測を行うレーザ干渉計44の出力に基づいて、レーザ干渉計44によって規定される座標系でのショット領域S1~S24の位置情報を求め、位置情報を求められたショット領域を露光しているときの検出装置90の検出結果を、ショット領域に対応付けて記憶装置MRYに記憶することができる。なお、第2回収口32を介して基板P上ショット領域上の液体LQが回収される時点と、その回収された液体LQが回収管23を流れて検出装置90で検出される時点とでは、検出装置90の検出領域透過窓93、94の位置に相当と第2回収口32との距離に応じた時間的なずれが生じるため、前記距離を考慮して、記憶装置MRYに記憶する情報を補正すればよい。以下の説明においては、検出装置90の検出結果をショット領域に対応付けて記憶した情報を適宜第4ログ情報と称する。また、検出装置90は、第2液体回収機構30による単位時間あたりの液体回収量を検出することができる。制御装置CONTは、検出装置90で検出した前記単位時間あたりの液体回収量に関する情報を記憶装置MRYに記憶する。また、前記単位時間あたりの液体回収量に関する情報は、時間経過に対応付けて上記第3ログ情報として記憶することもできるし、ショット領域に対応付けて上記第4ログ情報として記憶することもできる。第2液体回収機構30が液体LQを回収したか否かを検出する検出装置90を設けたことにより、その計測結果に基づいて、液浸露光を行っているときの状態が所望状態であるか否かを判別することができる。すなわち、制御装置CONTは、検出装置90の検出結果に基づいて、基板Pショット領域を露光しているときに、第2液体回収機構30の液体回収動作に伴って振動が発生したか否かを判別することができる。振動が発生している状態でマスクMのパターン像を露光されたショット領域のパターン転写精度は劣化している可能性が高い。そこで、制御装置CONTは、検出装置90の検出結果に基づいて、不良ショット不良基板を製造しないようにするためや、良好な露光精度及び計測精度を維持するための適切な処置を施すことができる。制御装置CONTは、検出装置90の検出結果に基づいて、第2液体回収機構30が液体LQを回収したか否かを判別するステップSA9。そして、制御装置CONTは、前記判別結果に基づいて、露光動作を制御する。具体的には、液浸露光中液体LQの供給中において、第2液体回収機構30が液体LQを回収していないと判断したとき、制御装置CONTは、液浸露光動作を継続するステップSA5。一方、液浸露光中液体LQの供給中において、第2液体回収機構30が液体LQを回収したと判断したとき、制御装置CONTは、露光動作を停止するステップSA6。また、露光動作を停止した後、基板Pを基板ステージPSTより搬出アンロードしてもよい。こうすることにより、第2液体回収機構30の液体回収動作に伴って振動が発生している状態で露光処理を継続してしまうことに起因して不良ショット不良基板が多量に形成されてしまう等の不都合を防止することができる。あるいは、制御装置CONTは、検出装置90の検出結果に基づいて、第2液体回収機構30が液体LQを回収したと判断したとき、例えば液体供給機構10からの液体供給を停止するようにしてもよい。第2液体回収機構30が液体LQを回収したときは、液体LQが流出している可能性が高いので、その場合においては、液体供給機構10からの液体供給を停止することで、液体LQの流出を防止することができる。あるいは、第2液体回収機構30が液体LQを回収したと判断したとき、制御装置CONTは、例えば基板ステージPSTを駆動するアクチュエータリニアモータをはじめとする電気機器に対する電力供給を停止するようにしてもよい。第2液体回収機構30が液体LQを回収したときは、液体LQが流出している可能性が高いので、その場合においては、電気機器への電力供給を停止することで、流出した液体LQが電気機器にかかっても、漏電の発生を防止することができる。また、制御装置CONTは、検出装置90の検出結果モニタ情報を、報知装置INFで報知するステップSA7。例えば、第2液体回収機構30が液体LQを回収した旨を、警報装置を含んで構成されている報知装置INFから警報警告を発するようにしてもよい。あるいは、第2液体回収機構30による単位時間あたりの液体回収量に関する情報や、複数のショット領域S1~S24のうちあるショット領域例えばショット領域S15を露光しているときに第2液体回収機構30が液体LQを回収したか否かに関する情報を、表示装置を含んで構成されている報知装置INFで表示することができる。また、検出装置90は、第2液体回収機構30による単位時間あたりの液体回収量を検出可能であるため、報知装置INFは、前記液体回収量を表示することもできる。また、制御装置CONTは、第2液体回収機構30が液体LQを回収したと判断した場合でも、露光動作を継続することができる。そして、例えばショット領域S15を露光しているときに、第2液体回収機構30が液体LQを回収したと判断したとき、制御装置CONTは、そのショット領域S15に対応付けて、第2液体回収機構30が液体LQを回収したことを第4ログ情報として記憶装置MRYに記憶する。そして、全てのショット領域S1~S24を露光した後、記憶装置MRYで記憶した第4ログ情報に基づいて、制御装置CONTは、第2液体回収機構30の液体回収振動の発生に起因してパターン転写不良が生じている可能性のあるショット領域S15を、取り除いたり、あるいは次の重ね合わせ露光のときは露光しないようにする等の処置を施すことができる。また、ショット領域S15を検査し、形成されたパターンに異常がない場合には、ショット領域S15を取り除くことなく、そのショット領域S15を使ったデバイス形成を継続する。あるいは、制御装置CONTは、そのショット領域S15に対応付けて、そのショット領域S15を露光したときに第2液体回収機構30が液体LQを回収した旨を報知装置INFで報知するようにしてもよい。このように、制御装置CONTは、検出装置90の検出結果をモニタ情報としてリアルタイムに報知装置INFで表示する構成の他に、ログ情報を報知装置INFで表示することも可能である。また、第2液体回収機構30が液体LQを回収した場合でも露光動作を継続する場合において、基板P上に設定された複数のショット領域S1~S24のうち第1のショット領域例えばショット領域S15を露光中に、検出装置90が第2液体回収機構30による液体回収を検出したとき、検出装置90が液体LQを検出しなくなるまで待った後、第1のショット領域S15の次の第2のショット領域S16を露光するとよい。1つのショット領域に対する露光光ELの照射時間例えば数百ミリ秒対して、第2液体回収機構30が液体LQを回収している時間、すなわち振動が生じている時間が長い場合例えば数秒、複数のショット領域を連続して露光すると、振動が発生している状態でそれら複数のショット領域が露光されてしまうこととなる。そこで、第1のショット領域の露光後に待ち時間を設け、検出装置90が第2液体回収機構30により回収される液体を検出しなくなるまで待った後振動がおさまるまで待った後、ショット領域に対する露光動作を再開することで、不良ショットの発生を抑制することができる。なお、例えば第2ノズル部材80に加速度センサ振動センサを設けておき、第1のショット領域を露光後、振動センサの検出値が許容値以下になるのを待った後、第2のショット領域を露光するようにしてもよい。基板Pの液浸露光が終了した後、制御装置CONTは、液体供給機構10による供給口12を介した液体LQの供給を停止する。そして、第1液体回収機構20の第1回収口22、及び第2液体回収機構30の第2回収口32を介して、基板P上や基板ステージPST上に残留した液体LQを回収する。そして、基板P上の液体LQの回収動作を終了した後、露光処理を終えた基板Pは基板ステージPSTよりアンロードされるステップSA10。液浸露光終了後においては、制御装置CONTは、第1バルブ13Bを使って供給管13の流路を閉じた状態で、第3バルブ9Bを駆動して接続管9の流路を開ける。こうすることにより、温調装置17を含む液体供給部11から供給管13に流入した液体LQは接続管9を介して回収管23に流れ、液体供給不要時においては、液体供給部11から送出された液体LQは基板P上に供給されずに、回収管23を介して液体回収部21に回収される。そして、露光処理済みの基板Pを基板ステージPSTよりアンロードした後、露光処理されるべき新たな基板Pが基板ステージPSTにロードされる。そして、上述した露光シーケンスが繰り返される。記憶装置MRYには、上述した第1~第4ログ情報が蓄積及び保存される。上述したように、記憶装置MRYには、液体LQの性質又は成分水質に関する第1、第2ログ情報、及び第2液体回収機構30の液体回収動作回収状況に関する第3、第4ログ情報が記憶されている。これらログ情報を用いて、露光不良エラーの解析や、露光装置EXの管理を行うことができるステップSA11。例えば、第1、第2ログ情報に基づいて、液体供給部11を構成する各調整装置液体改質部材及び液体改質装置を最適なタイミングでメンテナンス点検交換することができる。また、第1、第2ログ情報に基づいて、各調整装置に応じた点検交換の頻度を最適に設定できる。例えば、第1ログ情報より、パーティクルカウンタの計測値異物の量が時間経過に伴って悪化している場合、時間経過に伴う計測値の変化の度合いに基づいて、パーティクルフィルタの最適な交換時期交換頻度を予測し設定することができる。また、第1ログ情報より、使用するパーティクルフィルタの性能を最適に設定することができる。例えば、パーティクルカウンタの計測値が時間経過に伴って急速に悪化している場合には、高性能なパーティクルフィルタを使用し、大きく変動しない場合には、比較的低性能な安価なパーティクルフィルタを使用してコストダウンを図ることができる。このように、第1、第2ログ情報に基づいて露光装置EXを管理することで、過剰に不必要にメンテナンスを行って露光装置の稼働率を低下させてしまったり、逆にメンテナンスを怠って所望状態の液体LQを供給できなくなってしまうといった不都合の発生を防止することができる。また、第1ログ情報は、時間経過に対応付けた水質情報であるため、どの時点から水質が悪化したかを特定することができる。したがって、露光不良の発生原因を時間経過に対応付けて解析することができる。また、第1、第2ログ情報を用いて、露光不良パターン欠陥等の不具合エラーの原因の解析を行うことができる。具体的には、基板Pを露光後、その後工程である検査工程で基板Pを検査したとき、検査結果と第1、第2ログ情報とを照合解析することで、不具合原因の解析及び特定を行うことができる。例えば、特定ロットあるいは特定ショット領域に露光不良パターン欠陥が多く発生している場合において、第2ログ情報を参照し、そのロットあるいはショット領域を露光しているときのパーティクルカウンタの計測値が異常値を示している場合には、パターン欠陥の原因が異物微粒子、気泡であると解析することができる。このように、第1、第2ログ情報に基づいて、パターン欠陥と異物との相関関係を解析することで、不具合パターン欠陥の原因を特定することができる。そして、その解析結果に基づいて、パターン欠陥を発生させないように、パーティクルフィルタや脱気フィルタを交換するなどの適切な処置を講ずることができる。同様に、ログ情報を参照し、デバイス動作不良と比抵抗値との相関関係、光計測部による液体LQの光透過率計測値とTOCとの相関関係などを解析することで、各種不具合の原因を特定することができる。また、制御装置CONTは、第1、第2ログ情報に基づいて、露光動作及び計測動作を制御する。例えば、第1ログ情報に基づいて、TOCの値が時間経過に伴って除々に悪化していると判断した場合、露光装置EXは、第1ログ情報として記憶されているTOCの時間経過に応じた値変化量に基づいて、露光量を時間経過に応じて制御することで、基板P間での露光量を一定にし、露光線幅のばらつきを低減することができる。露光量を制御する場合には、上述同様、1パルスあたりのエネルギー光量を制御する、パルス数を制御する、基板Pの走査速度を制御するなどの方法を採用することが可能である。また、第3、第4ログ情報を用いることによっても、露光不良線幅ばらつき等の不具合エラーの原因の解析を行うことができる。第2液体回収機構30による液体回収に伴って振動が発生すると、パターンの露光線幅にばらつき基板内線幅ばらつき及びショット内線幅ばらつきを含むが生じやすくなる。そこで、具体的には、基板Pを露光後、その後工程である検査工程で基板Pを検査したとき、検査結果と第3、第4ログ情報とを照合解析することで、不具合原因の解析及び特定を行うことができる。例えば、特定ロットあるいは特定ショット領域に露光不良線幅ばらつきが多く発生している場合において、第4ログ情報を参照し、そのロットあるいはショット領域を露光しているときに、第2液体回収機構30が液体LQを回収している場合には、パターン欠陥の原因が第2液体回収機構30による液体回収に伴って発生した振動であると解析することができる。このように、第3、第4ログ情報として記憶されている検出装置90の検出結果第2液体回収機構30の液体回収状況と線幅変化との相関関係を解析することで、第2液体回収機構30による液体回収動作の露光精度への影響を求め、不具合線幅ばらつきの原因を特定することができる。また、第2液体回収機構30による液体回収に伴って振動が発生すると、マスクMマスクステージMSTと基板P基板ステージPSTとの同期移動精度、あるいは投影光学系PLの液体LQを介した像面と基板P表面との位置合わせ精度フォーカス精度が劣化する。したがって、第2液体回収機構30の液体回収動作回収状況に関する情報を第3、第4ログ情報として記憶しておき、検出装置90の検出結果第2液体回収機構30の液体回収状況と同期移動精度及びフォーカス精度との相関関係を解析することで、第2液体回収機構30による液体回収動作の露光精度への影響を求め、不具合同期移動精度、フォーカス精度の劣化の原因を特定することができる。そして、その解析結果に基づいて、線幅ばらつき等を発生させないように、具体的には第2液体回収機構30が液体LQを回収しないように、液体供給機構10による単位時間あたりの液体供給量を変更する、第1液体回収機構20による単位時間あたりの液体回収量を変更する、及び基板Pの移動速度走査速度を変更する等の適切な処置を講ずることができる。また、第3ログ情報は、時間経過に対応付けた第2液体回収機構30の液体回収動作に関する情報であるため、どの時点で第2液体回収機構30により液体LQが回収されたかを特定することができる。したがって、露光不良の発生原因を時間経過に対応付けて解析することができる。また、上述したように、第2ログ情報及び第4ログ情報に基づいて、特定ショット領域を露光中に、液体LQが異常であったり、第2液体回収機構30が液体回収を行っていると判断した場合には、制御装置CONTは、その特定ショット領域を取り除いたり、次の重ね合わせ露光のときは露光しないようにする等の処置を施すことができる。あるいは、制御装置CONTは、検査工程を行う検査装置に、前記特定ショット領域の検査を、通常時よりも詳細に行う旨の指示を発することもできる。また、上述したように、第2液体回収機構30の液体回収状況と線幅変化との相関関係、あるいは同期移動精度フォーカス精度との相関関係を解析することで、第2液体回収機構30による液体回収動作の露光精度パターン転写精度への影響を求めることができる。そのため、第2液体回収機構30が液体LQを回収したときの基板P上へのパターン転写精度を予め求めることができる。更に、第2液体回収機構30による単位時間あたりの液体回収量に応じて、パターン転写精度の劣化の度合いが変動するため、前記液体回収量に応じたパターン転写精度を予め求めることができる。そして、その第2液体回収機構30が液体LQを回収したときのパターン転写精度に関する情報を予め記憶装置MRYに記憶させておくことにより、制御装置CONTは、検出装置90の検出結果と、記憶装置MRYに記憶してある前記記憶情報とに基づいて、第2液体回収機構30が液体LQを回収したときにマスクMのパターンを転写された基板P上のショット領域のパターン転写精度を予測することができる。そして、制御装置CONTは、予測した結果を報知装置INFで報知することができる。これにより、その基板Pの露光後において、前記予測したパターン転写精度が許容値以上であって不良ショットと予測される場合には、検査工程を経ることなく、その不良ショットを取り除く等の処置を施すことができる。なお、上述した実施形態において、例えば液体LQ中の生菌の成分を計測したい場合には、供給される液体LQを所定のタイミングでサンプリングし、露光装置EXとは別に設けられた計測装置分析装置を使って、液体LQを計測分析してもよい。また、微粒子や気泡、溶存酸素などを計測する場合にも、インライン方式とせずに、液体LQを所定のタイミングでサンプリングし、露光装置EXとは別に設けられた計測装置で計測するようにしてもよい。あるいは、図2に示す実施形態において、例えば分岐管61K~63Kにバルブを設けておき、バルブを操作することで供給管13を流れる液体LQを所定のタイミングで計測装置60に流入させ、液体LQを間欠的に計測するようにしてもよい。一方、供給管13を流れる液体LQを計測装置60に常時供給して連続的に計測することで、計測装置60による計測の安定化を図ることができる。なお、上述した実施形態において、分岐管61K、62K、63K、64Kは、液体供給部11と第1ノズル部材70との間の供給管13に接続されており、計測装置60は、供給管13から分岐した液体LQを計測する構成であるが、その場合、分岐管を可能な限りノズル部材70の近傍供給口12の近傍に設けることが好ましい。なお、上述した実施形態においては、分岐管61K、62K、63K、64Kは、供給管13を流れる液体LQをサンプリングするサンプリングポートとして機能し、計測装置60は、温調装置17と第1ノズル部材70との間の供給管13の途中から分岐流路によってサンプリングされた液体LQを計測しているが、第1ノズル部材70の例えば供給口12近傍にサンプリングポートを取り付け、計測装置60は供給口12近傍を流れる液体LQを計測するようにしてもよい。あるいは、サンプリングポートは、純水製造装置16と温調装置17との間、温調装置17の下流側直後に設けるようにしてもよい。あるいは、接続管9にサンプリングポートを設け、計測装置60は、接続管9を流れる液体LQを計測するようにしてもよい。更に、図7に示すように、計測装置60’は、第1液体回収機構20により回収される液体LQを計測するようにしてもよい。図7において、計測装置60’の計測器65は、第1液体回収機構20の回収管23の途中から分岐された分岐管65Kに接続している。すなわち、図7に示す例では、計測装置60’のサンプリングポートは回収管23に設けられている。計測器65は、基板Pに接触した液体LQを計測することとなる。基板Pに接触した液体LQ中には、基板P上に設けられたフォトレジストやトップコートと呼ばれる保護膜からの溶出物が含まれている可能性がある。計測器65は、これら溶出物を含む液体LQの性質及び成分を計測することができる。また、制御装置CONTは、計測器65の計測結果を、時間経過あるいはショット領域に対応付けたログ情報として記憶装置MRYに記憶することができる。例えば、制御装置CONTは、前記ログ情報に基づいて、時間経過に伴う溶出物の変動量を求めることができる。そして、その変動量が時間経過に伴って著しく増大している場合には、フォトレジストが液体LQに対して可溶性であると判断することができる。また、制御装置CONTは、計測装置60の計測結果あるいはログ情報に基づいて、回収された液体LQの酸性度を求めることができる。酸性度の高い液体LQは、回収管23などその液体LQに接触する部材の腐食錆びを引き起こす。そこで、制御装置CONTは、回収された液体LQの性質又は成分の計測結果ログ情報を例えば報知装置INFで報知し、使用するフォトレジストの種類の再検討変更を促す等の処置を行うことができる。また、計測器65は、第1回収口22に設けられた多孔体22Pを介した液体LQを計測することとなるので、多孔体22Pや回収管23に付着している不純物生菌などを計測することもできる。多孔体22P等に不純物が付着している状態で、液浸露光処理を行った場合、多孔体22Pに付着している不純物が基板P上に形成されている液浸領域AR2中に混入し、露光精度が劣化する不都合が生じる可能性がある。そこで、制御装置CONTは、回収された液体LQの性質又は成分の計測結果ログ情報を例えば報知装置INFで報知し、多孔体22Pの交換又は洗浄を促す等の処置を行うことができる。また、図7に示すように、計測装置60’’を基板ステージPSTに設けるようにしてもよい。図7において、計測装置60’’は、基板ステージPSTに埋設された計測器66と、基板ステージPSTの上面51に設けられたサンプリングポート孔67とを備えている。計測器66で液体LQを計測する際には、投影光学系PLの像面側に液体LQの液浸領域AR2を形成し、液浸領域AR2と基板ステージPSTとを相対移動し、液浸領域AR2をサンプリングポート67上に配置し、サンプリングポート67に液体LQを流入させる。計測器66は、サンプリングポート67を介して取得した液体LQを計測する。ところで、制御装置CONTは、液浸領域AR2を形成する液体LQに接触する各部材に対して、液体供給機構10より機能液LKを供給し、それら部材を洗浄することができる。例えば液体LQ中に生菌の量が多く含まれている等、液体LQが所望状態ではなく汚染していると、その液体LQに接触する各部材、具体的には、第1ノズル部材70の液体接触面70A、第2ノズル部材80の液体接触面80A、第1ノズル部材70の内部流路である供給流路14及び第1回収流路24、第2ノズル部材80の内部流路である第2回収流路34、第1ノズル部材70に接続する流路形成部材としての供給管13、回収管23、第2ノズル部材80に接続する回収管33、光学素子2の液体接触面2A、基板ステージPSTの上面51、基板ステージPST上の計測部材300及び光計測部400、500、600等が汚染する可能性がある。そして、前記部材が汚染すると、液体供給部11より清浄な液体LQを供給したとしても、その部材に接触することで液体LQは汚染され、その汚染された液体LQで液浸領域AR2が形成されると、液体LQを介した露光精度及び計測精度の劣化を招く。そこで、制御装置CONTは、計測装置60の計測結果に基づいて、例えば生菌の量が許容値よりも多い場合、殺菌作用を有する機能液LKを、液体供給機構10の一部を構成する機能液供給装置洗浄装置120より前記各部材に対して供給することで、前記各部材を洗浄する。本実施形態においては、液体に接触する部材の生菌を除去するために、機能液供給装置120は、殺菌作用を有する機能液LKを供給する。殺菌作用を有する機能液LKとしては、例えば過酸化水素水あるいはオゾンを含む液体が挙げられる。ここで、機能液LKを用いたメンテナンス方法について、図8を参照しながら説明する。制御装置CONTは、前記部材を洗浄するとき、機能液供給装置120と液体供給部11とを接続する供給管19に設けられたバルブ19Bを駆動して供給管19の流路を開けるとともに、戻し管18の流路をバルブ18Bによって閉じる。こうすることにより、機能液供給装置120から液体供給部11に対して殺菌作用を有する機能液LKが供給されるステップSB1。機能液供給装置120から供給された機能液LKは、純水製造装置16及び温調装置17を含む液体供給部11を流れた後、供給管13を流れ、第1ノズル部材70の供給流路14を流れた後、供給口12より投影光学系PLの像面側に供給される。機能液供給装置120は、液体供給機構10を構成する液体LQの流れる流路供給管13、供給流路14等に機能液LKを供給することで、それら流路を洗浄する。ただし、流路中に機能液LKを流すことが出来ない部材がある場合には、予め取り除いておく必要がある。具体的には、純水製造器161に装着されているイオン交換膜は、過酸化水素水が通過すると破壊されてしまうので、取り除いておく。制御装置CONTはバルブ19Bを駆動する前に、イオン交換膜を除去するように報知装置INFによって報知する。機能液供給装置120が機能液LKを投影光学系PLの像面側に供給しているとき、基板ステージPST基板ホルダPH上には、ダミー基板が保持されている。ダミー基板は、デバイス製造のための基板Pとほぼ同じ大きさ及び形状を有している。本実施形態において、ダミー基板は機能液LKに対して撥液性を有している。なお、ダミー基板は機能液LKに対する撥液性を有していなくてもよい。機能液供給装置120から送出された機能液LKは、供給口12よりダミー基板上に供給され、投影光学系PLの像面側に液浸領域を形成する。また、機能液供給装置120が機能液LKを供給しているとき、液浸露光動作時と同様、第1液体回収機構20及び第2液体回収機構30は液体回収動作吸引動作を行っている。したがって、投影光学系PLの像面側に形成された液浸領域の機能液LKは、第1回収口22を介して回収され、第1回収流路24及び回収管23を流れた後、第1液体回収部21に回収される。また、制御装置CONTは、例えば機能液供給装置120からの単位時間あたりの機能液供給量を多くしたり、あるいは第1液体回収機構20による単位時間あたりの機能液回収量を少なくして機能液LKの液浸領域を大きくし、第2液体回収機構30の第2回収口32を介して液浸領域の機能液LKを回収させる。こうすることにより、第2回収口32を介して回収された機能液LKは、第2回収流路34及び回収管33を流れた後、第2液体回収部31に回収される。このように、機能液LKが第1、第2液体回収機構20、30の流路を流れることで、それら流路が洗浄される。また、第1、第2回収口22、32を介して回収された機能液LKは、第1、第2液体回収部21、31に回収される代わりに、第1、第2液体回収部21、31とは別の回収部で回収されるようにしてもよい。また、回収した機能液LKは、再び液体供給部11に戻されてもよいし、廃棄されてもよい。このようにして、液体LQが機能液LKに置換されるステップSB2。また、投影光学系PLの像面側に形成された液浸領域の機能液LKは、光学素子2の液体接触面2Aやノズル部材70、80の液体接触面70A、80Aにも接触するため、それら液体接触面2A、70A、80Aを洗浄することができる。また、機能液LKの液浸領域を形成した状態で、基板ステージPSTを液浸領域に対してXY方向に2次元移動することで、基板ステージPSTの上面51や、その基板ステージPST上に設けられている計測部材300、光計測部400、500、600を洗浄することができるステップSB3。このように、液浸露光動作時と同様の手順で、機能液LKの液浸領域形成動作を行うことで、上記各部材を同時に効率良く洗浄することができる。機能液LKを使った洗浄処理の手順としては、機能液供給装置120より機能液LKを供給した後、液浸露光動作時と同様の手順で機能液LKの供給及び回収動作を所定時間継続して投影光学系PLの像面側に機能液LKの液浸領域を形成する。なお、機能液LKを加熱した後、液体供給機構10及び第1、第2液体回収機構20、30の流路に流すようにしてもよい。そして、所定時間経過後、機能液LKの供給及び回収動作を停止する。この状態では、投影光学系PLの像面側に機能液LKが保持されており、浸漬状態となっている。そして、浸漬状態を所定時間維持した後、制御装置CONTは、再びバルブ19B、18Bを操作して配管経路を切り換え、液体供給部11から液体LQを供給管13に供給するステップSB4。そして、液体供給機構10及び第1、第2液体回収機構20、30によって液体LQ例えば純水の供給及び回収動作を所定時間行い、液体LQの液浸領域を投影光学系PLの像面側に形成する。これにより、液体供給機構10、第1液体回収機構20、及び第2液体回収機構30のそれぞれの流路に液体LQが流れることとなり、その液体LQによって前記流路に残留した機能液LKが洗い流されるステップSB5。また、純水の液浸領域によって、光学素子2の液体接触面2Aや、第1、第2ノズル部材70、80の液体接触面70A、80Bも洗浄される。このとき、液体LQの液浸領域を形成した状態で基板ステージPSTが動くことにより、機能液LKが接触した基板ステージPSTの上面51や、計測部材300、光計測部400、500、600上に残留する機能液LKも液体LQで洗い流される。また、洗浄処理が完了した後、計測装置60を使って液体LQを計測することで、洗浄処理が良好に行われたか否か、すなわち液体LQが所望状態であるか否かを確認することができる。本実施形態においては、液浸露光中における基板P外側上面51外側への液体LQの流出を抑え、また液浸露光後においても液体LQを円滑に回収できて上面51に液体LQが残留する不都合を防止するために、基板ステージPSTの上面51は撥液性を有している。上面51は、例えばポリ四フッ化エチレンテフロン登録商標などの撥液性を有する材料によって形成されている。なお、上面51に対して、例えば、ポリ四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する等の撥液化処理を行うことで、上面51を撥液性にしてもよい。また、光学素子2は蛍石や石英によって形成されており、光学素子2の液体接触面2Aは親液性を有している。また、第1ノズル部材70の液体接触面70A場合によっては第2ノズル部材80の液体接触面80Aも親液性を有している。それら液体接触面が親液性を有していることにより、投影光学系PLの像面側に液体を良好に保持して液浸領域を形成することができる。また、液体接触面2A、70A等に親液化処理を施して親液性にする場合には、例えば、MgF2、Al2O3、SiO2等の親液性材料を付着塗布するとよい。また、本実施形態における液体LQは極性の大きい水であるため、親液化処理親水化処理としては、例えばアルコールなど極性の大きい分子構造の物質で薄膜を形成することで、親水性を付与することもできる。そして、機能液LKは、これら液体接触面に対して影響を与えない材料によって構成されていることが好ましい。そして、機能液LKは、基板ステージPSTの上面51や液体接触面2A、70A、80Aに対して影響を与えない材料によって構成されていることが好ましい。なお、基板ステージPSTの上面51などが、殺菌作用を有する機能液LKに対して耐性の無い材料で形成されている場合には、基板ステージPSTの上面51の全域を覆うダミー基板を基板ステージPST上に載置した状態で、投影光学系PLの像面側に機能液LKの液浸領域を形成すればよい。なお、上述した実施形態においては、計測装置60の計測結果に基づいて、機能液供給装置120を含む液体供給機構10の動作を制御して洗浄処理を行うように説明したが、計測装置60の計測結果によらずに、例えば所定時間間隔毎例えば1ヶ月毎、1年毎に、洗浄処理を行う構成とすることももちろん可能である。また、液体LQに接触する上記部材ノズル部材70や光学素子2等を汚染する汚染源としては、汚染された液体LQのみならず、例えば空中を浮遊する不純物が前記部材に付着することによっても、前記部材が汚染する可能性もある。そのような場合においても、計測装置60の計測結果によらずに所定時間間隔毎に洗浄処理を行うことで、部材の汚染、ひいてはその部材に接触する液体LQの汚染を防止することができる。なお、上述した実施形態においては、機能液LKとして、殺菌作用殺菌機能を有する洗浄液を供給しているが、例えば機能液LKとして、水素水を流すことにより、供給管13や回収管23等を含む部材に付着した異物を除去することができる。異物除去機能を有する機能液水素水を流し、洗浄処理時において異物を除去しておくことで、液浸露光時において、液浸領域AR2に異物が混入する不都合を防止できる。また、機能液として、炭酸ガス水を流すことにより、供給管13や回収管23等を含む部材の電気伝導度を制御することができる。電気伝導度を制御する機能を有する機能液炭酸ガス水を流すことで、部材からの静電気の発生を防止できるとともに、帯電した部材の除電を行うことができるので、静電気電気ノイズの発生に伴う露光動作不良の発生や、放電によるパターンの静電破壊を防止することができる。なお、上述した実施形態においては、機能液LKを流す処理洗浄処理と、液浸露光処理とは別々に行われているが、機能液LKが、液浸露光用の液体として使用可能であれば、液浸露光するための液浸領域AR2を機能液LKで形成してもよい。この場合、洗浄処理と液浸露光処理とは一緒に行われる構成となる。また、上述した実施形態においては、機能液供給装置120は純水製造装置16に機能液LKを供給する構成としたが、機能液供給装置120を純水製造装置16と温調装置17との間に接続し、機能液LKが純水製造装置16に逆流しないようなバルブを設けて、機能液LKを温調装置17よりも下流に供給する構成とすることもできる。これによれば、機能液LKを供給する際に純水製造装置16のイオン交換膜を除去する必要はない。上述した各実施形態における液体LQは純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジストや光学素子レンズ等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水水の屈折率nはほぼ1.44と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光波長193nmを用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数NAが0.9~1.3になることもある。このように投影光学系の開口数NAが大きくなる場合には、従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果によって結像性能が悪化することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスクレチクルのラインアンドスペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、マスクレチクルのパターンからは、S偏光成分TE偏光成分、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射出されるようにするとよい。投影光学系PLと基板P表面に塗布されたレジストとの間が液体で満たされている場合、投影光学系PLと基板P表面に塗布されたレジストとの間が空気気体で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与するS偏光成分TE偏光成分の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光学系の開口数NAが1.0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。また、位相シフトマスクや特開平6-188169号公報に開示されているようなラインパターンの長手方向に合わせた斜入射照明法特にダイポール照明法等を適宜組み合わせると更に効果的である。特に、直線偏光照明法とダイポール照明法との組み合わせは、ラインアンドスペースパターンの周期方向が所定の一方向に限られている場合や、所定の一方向に沿ってホールパターンが密集している場合に有効である。例えば、透過率6のハーフトーン型の位相シフトマスクハーフピッチ45nm程度のパターンを、直線偏光照明法とダイポール照明法とを併用して照明する場合、照明系の瞳面においてダイポールを形成する二光束の外接円で規定される照明σを0.95、その瞳面における各光束の半径を0.125σ、投影光学系PLの開口数をNA=1.2とすると、ランダム偏光光を用いるよりも、焦点深度DOFを150nm程度増加させることができる。また、例えばArFエキシマレーザを露光光とし、1/4程度の縮小倍率の投影光学系PLを使って、微細なラインアンドスペースパターン例えば25~50nm程度のラインアンドスペースを基板P上に露光するような場合、マスクMの構造例えばパターンの微細度やクロムの厚みによっては、Waveguide効果によりマスクMが偏光板として作用し、コントラストを低下させるP偏光成分TM偏光成分の回折光よりS偏光成分TE偏光成分の回折光が多くマスクMから射出されるようになる。この場合、上述の直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスクMを照明しても、投影光学系PLの開口数NAが0.9~1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。また、マスクM上の極微細なラインアンドスペースパターンを基板P上に露光するような場合、WireGrid効果によりP偏光成分TM偏光成分がS偏光成分TE偏光成分よりも大きくなる可能性もあるが、例えばArFエキシマレーザを露光光とし、1/4程度の縮小倍率の投影光学系PLを使って、25nmより大きいラインアンドスペースパターンを基板P上に露光するような場合には、S偏光成分TE偏光成分の回折光がP偏光成分TM偏光成分の回折光よりも多くマスクMから射出されるので、投影光学系PLの開口数NAが0.9~1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。更に、マスクレチクルのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明S偏光照明だけでなく、特開平6-53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線周方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合わせも効果的である。特に、マスクレチクルのパターンが所定の一方向に延びるラインパターンだけでなく、複数の異なる方向に延びるラインパターンが混在周期方向が異なるラインアンドスペースパターンが混在する場合には、同じく特開平6-53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影光学系の開口数NAが大きい場合でも高い結像性能を得ることができる。例えば、透過率6のハーフトーン型の位相シフトマスクハーフピッチ63nm程度のパターンを、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法輪帯比3/4とを併用して照明する場合、照明σを0.95、投影光学系PLの開口数をNA=1.00とすると、ランダム偏光光を用いるよりも、焦点深度DOFを250nm程度増加させることができ、ハーフピッチ55nm程度のパターンで投影光学系の開口数NA=1.2では、焦点深度を100nm程度増加させることができる。上述した実施形態では、投影光学系PLの先端に光学素子レンズ2が取り付けられており、このレンズにより投影光学系PLの光学特性、例えば収差球面収差、コマ収差等の調整を行うことができる。上述の各実施形態においては、投影光学系PLの光学素子2の射出側の光路空間を液体LQで満たして基板Pを露光する構成になっているが、国際公開第2004/019128号に開示されているように、投影光学系PLの光学素子2の入射側の光路空間も液体LQで満たすようにしてもよい。この場合において、上述の実施形態で説明した事項の一部あるいは全部を、光学素子2の入射側の光路空間を満たす液体LQに対して適用してもよい。たとえば、光学素子2の入射側に供給する液体LQの性質又は成分を、射出側に供給する液体LQと同様に管理してもよい。あるいは、露光性能に与えることのある影響の差異を考慮して、光学素子2の入射側と射出側とで液体LQの性質又は成分の管理値に差を設け、それぞれ個別に管理してもよい。更に、光学素子2の入射側にも機能液LKを導入し、洗浄や除電を行うこともできる。なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。なお、液体LQの流れによって生じる投影光学系PLの先端の光学素子と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。なお、上述した実施形態では、投影光学系PLと基板P表面との間は液体LQで満たされている構成であるが、例えば基板Pの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体LQを満たす構成であってもよい。なお、本実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF2レーザである場合、このF2レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF2レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテルPFPEやフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの例えばセダー油を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体LQの極性に応じて行われる。なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版合成石英、シリコンウエハ等が適用される。露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップアンドスキャン方式の走査型露光装置スキャニングステッパの他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパにも適用することができる。また、露光装置EXとしては、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第1パターンの縮小像を投影光学系例えば1/8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系を用いて基板P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第2パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップアンドスティッチ方式の露光装置にも適用できる。また、本発明は、特開平10-163099号公報、特開平10-214783号公報、特表2000-505958号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。また、上述の実施形態においては、投影光学系PLと基板Pとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平6-124873号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置にも適用可能である。露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCDあるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。基板ステージPSTやマスクステージMSTにリニアモータUSP5623853またはUSP5528118参照を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージPST、MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。各ステージPST、MSTの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージPST、MSTを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージPST、MSTに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージPST、MSTの移動面側に設ければよい。基板ステージPSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8-166475号公報USP5528118に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床大地に逃がしてもよい。マスクステージMSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8-330224号公報USSN08416558に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床大地に逃がしてもよい。本実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図9に示すように、マイクロデバイスの機能性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む205、検査ステップ206等を経て製造される。