発電手段により充電される蓄電手段を電源とする半導体装置の、前記蓄電手段の過充電を防止する過充電防止回路であって、前記蓄電手段の正極端子と負極端子に接続され、前記蓄電手段の電圧を検出する過充電検出回路と、ゲート端子が前記過充電検出回路の出力端子に接続され、ソース端子とバックゲート端子が接地端子に接続された過充電防止トランジスタと、ゲート端子が前記蓄電手段の正極端子に接続され、ドレイン端子が前記過充電防止トランジスタのドレイン端子に接続され、ソース端子とバックゲート端子が前記発電手段の正極端子が接続されたクランプトランジスタと、を備えたことを特徴とする過充電防止回路。発電手段と、蓄電手段と、前記蓄電手段から前記発電手段への逆流を防止する逆流防止回路と、請求項1記載の過充電防止回路と、を備えた半導体装置。しかしながら、図5に示す過充電防止回路を備えた半導体装置では、図3に示す過充電防止回路を備えた半導体装置に対して、クランプ機能を追加するために基準電圧回路56と、コンパレータ回路57が別途必要となるため、回路を構成する素子数が多くなり、チップ面積が大きくなるという問題がある。さらに、基準電圧回路56と、コンパレータ回路57は蓄電電源VBATと低電位側電源VSSの間で駆動されており、せっかく充電した蓄電電源VBATの電力を、基準電圧回路56と、コンパレータ回路57で消費してしまうという問題がある。本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたものであり、過充電状態における発電手段の電圧値を一定にクランプする過充電防止回路において素子数の少ない、かつ余分に電力を消費することの無い過充電防止回路を備えた半導体装置を提供する。従来の課題を解決するために、本発明の過充電防止回路を備えた半導体装置は以下のような構成とした。蓄電手段の正極端子と負極端子に接続され、蓄電手段の電圧を検出する過充電検出回路と、ゲート端子が過充電検出回路の出力端子に接続され、ソース端子とバックゲート端子が接地端子に接続された過充電防止トランジスタと、ゲート端子が蓄電手段の正極端子に接続され、ドレイン端子が過充電防止トランジスタのドレイン端子に接続され、ソース端子とバックゲート端子が発電手段の正極端子が接続されたクランプトランジスタと、を備えたことを特徴とする過充電防止回路、及び該過充電防止回路を備えた半導体装置。本発明の過充電防止回路によれば、少ない素子数で、余分な電力を消費することの無いクランプ機能を有する過充電防止回路、及びそれを備えた半導体装置を提供することが出来る。図1は、本実施形態の過充電防止回路を備えた半導体装置を示した回路図である。本実施形態の過充電防止回路を備えた半導体装置は、発電手段として太陽電池11と、蓄電手段として二次電池12と、逆流防止回路としてダイオード13と、過充電検出回路14と、過充電防止スイッチとしてNMOSトランジスタ15と、クランプトランジスタとしてPMOSトランジスタ16を備えている。太陽電池11の負極端子は低電位側電源VSSに接続され、正極端子は発電電源VSOLに接続される。二次電池12の負極端子は低電位側電源VSSに接続され、正極端子は蓄電電源VBATに接続される。ダイオード13のアノード端子は発電電源VSOLに接続され、カソード端子は蓄電電源VBATに接続される。過充電検出回路14の入力端子は蓄電電源VBATと低電位側電源VSSに接続され、出力端子はNMOSトランジスタ15のゲート端子に接続される。NMOSトランジスタ15のソース端子及びバックゲート端子は低電位側電源VSSに接続され、ゲート端子は過充電検出回路14の出力端子に接続される。PMOSトランジスタ16のゲート端子は蓄電電源VBATとダイオード13のカソード端子に接続され、ソース端子及びバックゲート端子は発電電源VSOLとダイオード13のアノード端子に接続され、ドレイン端子はNMOSトランジスタ15のドレイン端子に接続される。過充電検出回路14は、蓄電電源VBATと低電位側電源VSSの間で駆動され、出力ノードVDETはVBATが所定電圧VLIM以上であればHigh、所定電圧VLIM未満であればLowレベルを出力する。次に、本実施形態の過充電防止回路を備えた半導体装置の動作について説明する。図2は、本実施形態の過充電防止回路を備えた半導体装置の動作説明図である。ダイオード13の順方向電圧をVFとする。t0~t1の期間は、太陽電池11の発電が無い、或いは太陽電池11の発電量が少ない時を示し、VSOL<VBATVFの関係が成り立つ。このとき、ダイオード13が逆方向にバイアスされ、VBATからVSOLへの逆流電流は流れない非充電状態。t1~t2の期間は、太陽電池11の発電量が多く、VSOL電位が十分に上昇する時を示し、VSOL>VBATVFの関係が成り立つ。このとき、ダイオード13が順方向にバイアスされ、VSOLからVBATへの充電が行なわれる充電状態。t2以降の期間は、VBATが所定電圧VLIMを超えた時を示し、過充電検出回路14の出力VDETがHighレベルとなり、NMOSトランジスタ15がオンする。このとき、太陽電池11の発電電流はPMOSトランジスタ16とNMOSトランジスタ15を介してVSSへ放電される。しかし、PMOSトランジスタ16のゲート端子はVBATが印加されているため、PMOSトランジスタ16のソース端子であるVSOLの電位は、PMOSトランジスタ16のゲートとソース間の電位差をVGSPとすると、VCLA=VBATVGSPで表される電圧にクランプされる。このとき、太陽電池11は発電量に応じて、VSS電位からVCLA電位までを出力することができ、明暗判定も容易に行なうことができる。ここで、VGSPはVGSP<VFの関係を満たすように設定する必要がある。以上のように、本実施形態の過充電防止回路によれば、クランプトランジスタを1つ追加するのみであるため、チップ面積の増大も最小限に抑えることができ、さらに余分な消費電流が増えることのない、過充電状態における発電電圧のクランプを実現することができる。なお、本実施形態の過充電防止回路において、クランプトランジスタであるPMOSトランジスタ16の閾値電圧を通常のトランジスタより低くすることにより、過充電状態にてVGSP<VFの関係をより確実に満たすことができる。従って、より安全な過充電防止回路を備えた半導体装置を提供することができる。また、本実施形態の過充電防止回路を備えた半導体装置では、発電手段として太陽電池を、蓄電手段として二次電池を、逆流防止回路としてダイオードを、用いて説明を行なったが、それに限定されるものではない。また、接地電圧を最も低い電圧VSSとして説明を行なったが、接地電圧を最も高い電圧例えばVDDとするとし、発電電圧VSOLと蓄電電圧VBATが負電圧を出力する場合も、本発明の範囲である。