中性子探知器を製造する方法であって、少なくとも酸化物層を基板の上に形成し、活性化半導体層を酸化物層の上に形成し、内部連絡層を活性化半導体層の上に形成することによって第1のウェハを形成するステップと、活性化半導体層および酸化物層を介して内部連絡層から延びる少なくとも一つの電気伝導経路を形成するステップと、第1のウェハと第2のウェハとの内部連絡層の間に回路転送結合を形成するステップと、前記回路転送結合を形成した後、前記第1のウェハの基板を除去するステップと、前記第1のウェハの基板を除去した後に、結合パッドを第1のウェハの酸化物に堆積するステップであって、結合パッドが電気伝導経路に電気的に接続されていることを特徴とするステップと、前記第1のウェハの基板を除去した後に、第1のウェハの酸化物層上に障壁層を堆積するステップと、障壁層を堆積させた後、中性子転換層を障壁層に堆積させるステップとを有することを特徴とする方法。第1のウェハを形成するステップが、内部連絡層の上に誘電層形成するステップを包含し、第2のウェハが、酸化物コンタクト層を有し、回路転送結合を形成するステップが、第1のウェハの誘電層と第2のウェハの酸化物コンタクト層との間に酸化物同士oxidetooxideの結合を形成することからなることを特徴とする請求項1の方法。第1のウェハを形成するステップは、内部連絡層に金属層を家伊勢宇するステップを包含し、第2のウェハが、金属接点層を有し、回路転送結合を形成するステップが、第1のウェハの金属層と第2のウェハの金属接点層との間に金属同士metaltometalの結合を形成することが設けられていることを特徴とする請求項1に記載の方法。第1のウェハの基板を除去している間、結合パッドを堆積させ、障壁層を堆積させ、および、中性子転換層を堆積させ、内部連絡層と第2のウェハとの間の機械的な結合を維持するように構成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。第1のウェハの酸化物層の上に結合パッドを堆積させるステップが、少なくとも一つの電気伝導経路の露出部の上に結合パッドを堆積させることから成ることを特徴とする請求項1に記載の方法。障壁層を堆積させた後、少なくとも一つの電気伝導経路をさらすために障壁層を介して開口部をパターンニングするステップと、前記開口部に接触を堆積させるステップであって、前記結合パッドを堆積させるステップが、接触および障壁層の上に結合パッドを堆積させるステップを有することを特徴とするステップと、を更に有することを特徴とする請求項1に記載の方法。中性子転換層をパターンニングするステップを更に有すること特徴とする請求項1に記載の方法。デバイスを複数の個々の中性子探知器にダイシングするステップを更に有することを特徴とする請求項1に記載の方法。中性子転換層を堆積させた後、第1のウェハが、第1の基板上に第1の内部連絡層と、第1の内部連絡層の上に第1の活性化半導体層と、第1の活性化半導体層上に第1の酸化物層と、第1の酸化物層の上に第1の結合パッドと、第1の電気伝導経路と、第1の酸化物層の上に第1の障壁層と、第1の障壁層の上に第1の中性子転換層とを有し、第1の中性子転換層、第1の結合パッドおよび第1の障壁層の上にコンタクト層を堆積させるステップと、少なくとも第2の酸化物層を第2の基板の上に形成し、第2の活性化半導体層を第2の酸化物層の上に形成し、第2の内部連絡層を活性化半導体層の上に形成することによって第3のウェハを形成するステップと、第3のウェハの第2の酸化物層および第2の活性化半導体層を介して第2の内部連絡層から延びる少なくとも1つの第2の電気伝導経路を形成するステップと、第2の内部連絡層とコンタクト層との間に第2の回路転送結合を形成するステップと、第2の回路転送結合を形成した後、第3のウェハの第2の基板を除去するステップと、第3のウェハの第2の基板を除去した後、第2の結合パッドを第3のウェハの第2の酸化物上に堆積させるステップであって、前記第2の結合パッドが、第3のウェハの少なくとも1つの第2の電気伝導経路に電気的に接続していることを特徴とするステップと、第3のウェハの第2の基板を除去した後、第2の障壁層を第3のウェハの第2の酸化物層の上に堆積させるステップと、第2の障壁層を堆積させた後、第2の中性子転換層を第2の障壁層の上に堆積させるステップとを更に有することを特徴とする請求項1に記載の方法。第1のウェハを有する半導体デバイスであって、基板と、基板上の酸化物層と、酸化物層上の活性化半導体層と、活性化半導体層上の内部連絡層であって、活性化半導体層が第2の荷電粒子を検出するように構成された荷電敏感回路のアレイを有することを特徴とする内部連絡層と、基板と前記基板上のコンタクト層とを有する第2のウェハと、第1のウェハのコンタクト層と前記第2のウェハのコンタクト層との間に形成された回路転送結合と、を備えたことを特徴とする半導体デバイス。0003全体的に、本開示は中性子探知器として使われることができる半導体デバイスを製造することに関する。半導体デバイスは、酸化物層、活性化半導体層および基板上の内部連絡層から成る第1のウェハを形成し、第1のウェハと第2のウェハとの間に回路転送結合を形成し、基板を除去し、酸化物層に結合パッド、障壁層および中性子変換層を堆積させることによって製造される。0004ある態様では、本開示は、中性子探知器を製造する方法であって、少なくとも酸化物層を基板の上に形成し、活性化半導体層を酸化物層の上に形成し、内部連絡層を活性化半導体層の上に形成することによって第1のウェハを形成するステップと、活性化半導体層および酸化物層を介して内部連絡層から延びる少なくとも一つの電気伝導経路を形成するステップと、第1のウェハと第2のウェハとの内部連絡層の間に回路転送結合を形成するステップと、前記回路転送結合を形成した後、前記第1のウェハの基板を除去するステップと、前記第1のウェハの基板を除去した後に、結合パッドを第1のウェハの酸化物に堆積するステップであって、結合パッドが電気伝導経路に電気的に接続されていることを特徴とするステップと、前記第1のウェハの基板を除去した後に、第1のウェハの酸化物層上に障壁層を堆積するステップと、障壁層を堆積させた後、中性子転換層を障壁層に堆積させるステップとを有することを特徴とする方法について開示する。0005他の態様では、本開示は、第1のウェハを有する半導体デバイスであって、基板と、基板上の酸化物層と、酸化物層上の活性化半導体層と、活性化半導体層上の内部連絡層であって、活性化半導体層が第2の荷電粒子を検出するように構成された荷電敏感回路のアレイを有することを特徴とする内部連絡層と、基板と前記基板上のコンタクト層とを有する第2のウェハと、第1のウェハのコンタクト層と前記第2のウェハのコンタクト層との間に形成された回路転送結合と、を備えたことを特徴とする半導体デバイスについて開示する。0006本開示の一つ以上の実施形態の詳細は、添付の図面および下記の説明に記載される。0021一般に、本開示は、ソリッドステート中性子探知器として使われることができる半導体デバイスを作る方法を目指す。この開示に記載されている方法によってできたソリッドステート中性子探知器は、電離放射線例えば中性子核反応で生産される2次荷電粒子を検出する活性化半導体層の使用を介して中性子の存在の指示を提供する。中性子は中性子変換材料に遭遇するとき、ソリッドステート中性子探知器は、2次荷電粒子例えばアルファ粒子を形成する中性子変換材料例えば、ホウ素10の固体薄膜を含む。本願明細書において記載されている実施形態において、中性子変換材料は半導体デバイス層また、2次荷電粒子に影響される荷電敏感回路例えば一つ以上のメモリ回路アレイの列から成る活性化半導体層の近くに配置され、半導体デバイス層の変化の検出は中性子の存在を示す。2次荷電粒子によって半導体デバイス層に存在する電気素子の電気効果が生じることがあり、電気効果は中性子の存在を検出するために検出されることができる。ソリッドステート中性子探知器は、主なサイズ、コスト、電圧を利用することができ、そして、大量の動力スケーリングはシリコンマイクロエレクトロニクスを製造して、中性子に敏感な材料を含んでいるガス入りの管を使用する中性子探知器と比較して、より高価ではならない。0022本願明細書において記載されている中性子探知器において、例えばホウ素10の同位元素薄膜からのような中性子変換層において発生する2次荷電粒子は、ランダム、等方性軌道および固体例えばシリコンまたは二酸化ケイ素の限られた進入レンジを有することができる。少なくともこの理由のために、実際的には可能であるように、充分な数の2次荷電粒子が検出可能な変化を起こすために活性化半導体層に着くことができるように、中性子変換層は活性化半導体層の近くに配置されることができる。活性化半導体層が薄い酸化物層の前方側面に堆積されるいくつかの実施形態では、2次荷電粒子が活性化半導体層に着くように含まれることができる薄い酸化物層およびいかなる薄い障壁層またはボンド層も通過しなければならないだけであるために、中性子変換層は薄い酸化物層の背側例えば、前方側面としての反対側上に堆積される。この構成は、中性子変換層において発生する大量の2次荷電粒子が活性化半導体層の充分なイオントラックを有することができる。このような方法で、中性子探知器は、中性子変換層を有する中性子の反応によって生産される2次荷電粒子の検出を提供する。0023本願明細書において記載されているソリッドステート中性子探知器を作る例示の方法は、活性化半導体層、関連する相互接続および第1のウェハ基板上の薄い酸化物層が結合されて、移されるウェハ間WAFERTOWAFER転送ステップが設けられ、第2のハンドルウェハ基板が、第1のウェハ基板の除去によってあとに続くように構成されている。ウェハ間WAFERTOWAFER転送には、半導体デバイス間の永久回路転送ボンドおよび適切なハンドル基板の形成が設けられて、標準的な相補型金属酸化物半導体CMOS技術による次の半導体処理を考慮に入れるように構成されている。方法はまた、中性子変換材料がウェハレベルでプロセス中に最後のステップまたは最後のステップのうち1つでさえ堆積させることができ、その結果、標準の半導体製造工場の外で堆積することができる。0024中性子変換層の材料が製造方法例えば活性化半導体層および内部連絡層を形成するために用いる装置上の副作用を有し、特別な堆積手順によって一般に取り扱われるので、後で例えば、最後のステップまたはほとんど最後のステップで中性子変換材料を中性子探知器形成プロセスに置くことは有利である。ソリッドステート中性子探知器の剰余の形成の後、中性子変換材料を堆積させることによって半導体製造工場がダイおよバイアセンブリレベルで、ストック製造法を使用することができ、その一方で、中性子変換層はウェハレベルで堆積することができ、それは中性子変換の従来のいくつかの方法と比較して、より安価で信頼性が高い製造プロセスにダイレベルか組立てレベルまたは両方ともで重要で高価な方法開発および変化を必要とした材料堆積を提供することができる。0025図1は、例示の半導体デバイス10中性子探知器10とも称するを示し、基板12、コンタクト層14、16の上に横たわっている基板12、コンタクト層14の上に横たわっている少なくとも一つの内部連絡層18、16、内部連絡層18の上に横たわっている活性化半導体層20、絶縁体層例えば活性化半導体層20の上に横たわっている酸化物層22また、埋設された酸化物またはBOX層22と称するおよびBOX層22の上に横たわっている中性子変換層24から成る。いくつかの実施形態では、中性子探知器10はまた、中性子変換層24の中性子変換材料によって活性化半導体層20および/または内部連絡層18の汚染を予防するのを助けるためにBOX層22と中性子変換層24と間に障壁層26を含むことができる。障壁層26はまた、中性子変換層24とBOX層22との間の接着を促進するのを助けることができる。障壁層26として使われることができる材料の実施形態は、窒化ケイ素またはオキシナイトライドoxynitrideスタックを含むが、これに限定されるものではない。接着層図示せずがまた、中性子変換層24をBOX層22または障壁層26に接着するように提供される。いくつかの実施形態では、パッシベーション層はまた、BOX層22と中性子変換層24との間で堆積することができる。0026図1に示される実施形態では、中性子探知器10もまた、活性化半導体層20を、内部連絡層18を介してプリント基板図示せずのような中性子探知器10に対して外部の回路に電気的に接続する結合パッド28が設けられる。ある実施形態では、内部連絡18を電気的に接続するために活性化半導体層20およびBOX層22を介して内部連絡層18から結合パッド28に延びる、バイア30のような少なくとも一つの電気伝導経路が形成される。いくつかの実施形態において、結合パッド28は、外側の回路に対する結合パッド28に結合される導線32を備えた外部回路バイアワイヤボンディングに電気的に接続される。しかし、フリップチップソルダーバンプのような外部回路と結合パッド28との間の他のいかなる適切な電気的接続も実行されることができる。図1の実施形態において、中性子探知器10は、フレームを外部回路に提供する電気的パッケージのパッケージリードフレーム34に載置されるように示される。結合パッド28は、外部回路に電気接続を提供するために導線32を有するパッケージに結合される導線である。0027図2は、中性子探知器10と相互に作用している中性子の概念上の具体例である。中性子探知器10は、中性子変換層24を用いて、中性子を検出し、中性子36と反応する中性子変換材料が設けられて、核反応サイト48から2次荷電粒子38を発することように構成される。2次荷電粒子38は、2次荷電粒子38が活性化半導体層20によって検出されることができる荷電雲40を生成する活性化半導体層20に、浸透する中性子変換層24および酸化物層22を通過する。ある実施形態では、中性子変換層24は、マグネトロンスパッタリングおよび標準的な化学蒸気堆積技術によって堆積された純粋なホウ素10薄膜を備える。ホウ素10は、アルファ粒子およびリチウム7イオン7Liを発するために一つ以上の中性子36と反応する。アルファ粒子およびリチウム7イオンは、活性化半導体層20の荷電雲40を形成することができる2次荷電粒子38の両方の実施形態である。中性子変換層24において使われることができる他の材料は、ホウ素10でドープされる層またはホウ素10またはリチウムリッチ材料から成るborophosphosilicateガラスBPSGのような、ホウ素10で豊かにされた化合物を含むが、これに限定されるものではない。0028アルファ粒子およびリチウム7イオンを形成するためにホウ素10の中性子変換層24との中性子36の反応を介して、2次荷電粒子38が形成されたあと、2次荷電粒子38は、BOX層22、および、中性子探知器10に存在するのであれば、障壁層26およびいかなるパッシベーション層を介して、活性化半導体層20に中性子変換層24から発される。活性化半導体層20は、2次荷電粒子38によって形成される荷電雲40を検出するように構成される。ある実施形態では、活性化半導体層20は、荷電敏感回路44のアレイ42を有し、例えば、シングルイベントアップセットSEUsに影響されすいスタティックRAMSRAMデバイスにある。少なくとも一つの2次荷電粒子38が、活性化半導体層20に着く前に、活性化半導体層20の方向に全体的に発される2次荷電粒子38は、一部の中性子変換層24、障壁層26あるならばおよびBOX層22を通過しなければならない。活性化半導体層20内に発せられる2次荷電粒子38は、2次荷電粒子38が活性化半導体層20内で移動するイオントラック46に沿って荷電雲40を生成する。00292次荷電粒子38のイオントラック46が、荷電敏感アレイ42以下検出可能荷電と称するによって検出される充分な荷電を生成する少なくとも最小限のトラック長さTIonを有する場合、荷電敏感アレイ42は、少なくとも一つの2次荷電粒子38の存在を検出する。この最小限のイオントラック長さTIonは、荷電敏感アレイ42の特定の回路44の感度に依存する。ある実施形態では、荷電敏感アレイ42は、検出可能な荷電を作る活性化半導体層20の最小限のトラック長さTIonが、約04ミクロンと約09ミクロンとの間、例えば約07ミクロンのような約02ミクロンと約15ミクロンの間であるような感度を有する。0030中性子変換層24から発される2次荷電粒子38の各々は、限られたエネルギー量を有して、このようにデバイス10を通して限られた進入レンジRを有する。中性子変換層24から発せられた2次荷電粒子38の実際の進入レンジRは、2次荷電粒子38が通過する材料および2次荷電粒子38を生成する反応に依存する。例えば、中性子36とホウ素10との間の反応から発され、BOX層22の誘電材料として使われることができる二酸化ケイ素および活性化半導体層20の半導体材料として使われることができるシリコンを介して発されるアルファ粒子は、約35ミクロンの進入レンジを有することが示される。この限られた進入レンジRのため、実際的に可能であるくらい活性化半導体層20の近くに中性子変換層24を配置することにより、中性子探知器10によって中性子36の検出を改善することができる、それは、2次荷電粒子38が、活性化半導体層20に着く前に侵入するのにより少ない距離を有するためである。0031ある実施形態では、BOX層22および障壁層または接着層は約25ミクロンの厚みを有し、生成された2次荷電粒子38の約5未満は、シリコンの検出可能なイオントラック長を有する。しかし、他の実施形態では、BOX層22および障壁層または接着層の厚みは、約025ミクロンまで減少し、約35の生成された2次荷電粒子38が、検出可能なイオントラックを備えた活性化半導体層20に進入することができる。図2に示される実施形態において、中性子変換層24と活性化半導体層20との間の距離は、BOX層22とあるならば障壁層26との厚みに等しく、TBoxとして示される。0032活性化半導体層20に届き、検出可能な荷電を生成するのに十分な少なくとも所望の最小限のイオントラック長さTIonを備えた活性化半導体層20に侵入する、生成された2次荷電粒子38の一部が見積もられる。下の式1は、中性子変換層24の範囲内で特定の位置で中性子の反応から活性化半導体層20に届く生成された2次荷電粒子38の一部を推定するために1つの式を提供する。式1は、2次荷電粒子38が、中性子変換層24内の反応48のポイントから一様に発されると仮定する。加えて、式1はそれを活性化半導体層20の領域活性化半導体層20の全体の方向に発される生成された2次荷電粒子38の半分だけとみなす。第2の仮定が、考慮から生成された2次荷電粒子38の50を除去すると共に、少なくとも一般に平面活性化半導体層20と全体的に平行な単一の全体的に平面中性子変換層24の場合、中性子変換層24が、活性化半導体層20からどれくらい近いかにかかわらず、生成された2次荷電粒子38例えば、活性化半導体層20から離れた方向に発されるのほぼ半分が、活性化半導体層20によって捕獲されることに失敗すると予想される。0033中性子変換層24の底部すなわちBOX層22に最も近い中性子変換層24の表面に対する底部から深さTxで反応ポイント48で起こる中性子変換反応に関して、厚さTBoxを有する障壁層26およびBOX層22を介して所望のイオントラック長TIonに対して少なくとも活性化半導体層20を進入するのに充分なエネルギーを有する2次荷電粒子38の一部FTxは、式1に基づいて決定される。0034中性子変換層24中性子変換層24はTNCLの総厚みを有する内の全ての可能な中性子反応のための捕獲された2次荷電粒子38の全体的の一部を推定するために、式1は、式2に示すように、中性子変換層24の全ての厚みの全体にわたって統合される。0035式1および2によって決定された部分Fは、所望の最小限のトラック長さTIonに進入するのに充分なエネルギーを有する活性化半導体層20に到着することができる2次荷電粒子38の一部を示すだけである。0036式1および2によって示されるように、2次荷電粒子38が、最小限のイオントラック長TIonに侵入するのに充分なエネルギーを有するどうかに影響する主要因は、活性化半導体層20、BOX層22および障壁層26の材料の2次荷電粒子38の進入レンジRと、BOX層22および障壁層26の厚さTBoxと、中性子変換層24Tx内の核反応48の位置である。式1および2から分かるように、検出可能な2次荷電粒子38の一部は、BOX層22の厚さとして増加し、中性子変換層24と活性化半導体層20例えばパッシベーション層または接着層との間の他のいかなる中間の層もの厚さと同様に、障壁層26は減少し、そうすると、充分なイオントラック長TIonで更に2次荷電粒子は活性化半導体層20に到達する。ある実施形態では、BOX層22および障壁層26同様に、いかなるパッシベーション層、接着層または他の層があってもよいの集積された厚さTBoxは、例えば、約025ミクロンのような、例えば約015ミクロンと約05ミクロンとの間のような約01ミクロンと約1ミクロンとの間にある。0037BOX層22の機能性に悪影響を与えることのないBOX層22の望ましい最小限の厚みを制限することができる実際的な考慮すべき問題はBOX層22それは電気的に結合パッド28および障壁層26バイア30のような電気伝導経路除外するからの活性化半導体層20、結合パッド28例えば、導線の形成に耐えるために、ワイヤ32でワイヤボンディングを形成するの機械の健全性および活性化半導体層20の荷電敏感回路44に加えられている静電容量の防止を分離するのに選ばれることができるによって提供される電気絶縁の量を含み、荷電敏感アレイ42が2次荷電粒子38によって堆積する比較的小さい変化を検出することをむずかしくする。BOX層22の望ましい最小限の厚み以下で、BOX層22の厚さを制限する逆影響は、例えば、活性化半導体層22と結合パッド28と障壁層26と間の電気絶縁の低下を含むことである。0038障壁層26の機能性に悪影響を与えることのない障壁層26の望ましい最小限の厚さを制限することができる実際的な考慮すべき問題は障壁層26によって提供される汚染保護の量を含むことができ、それは中性子変換層24の中性子変換材料によってまたは他の移動イオンの汚染例えばNaイオン、堆積均一性および障壁層26のステップカバーによって活性化半導体層20および内部連絡層18の汚染を予防するのに選ばれることができる。例えば、望ましい最小限の厚さ以下で厚さに障壁層26の厚さを制限する逆影響は、中性子変換層24の中性子変換材料によって、活性化半導体層20の汚染を含み得る。ある実施形態では、BOX層22が、例えば約015ミクロンと約05ミクロンとの間、例えば約025ミクロンのような、約005ミクロンと約15ミクロンとの間の厚みを有する。ある実施形態では、障壁層26は、約005ミクロンと約025ミクロンの間、例えば約01ミクロンのような、約005ミクロンと約15ミクロンとの間の厚さを有する。0039本開示の中性子探知器10において有用な活性化半導体層20の例示の一部は、図2に示され、2次荷電粒子38によって引き起こされる荷電雲40を検出することができる活性化半導体層20において組み立てられる荷電敏感回路44のアレイ42を含む。ある実施形態では、活性化半導体層20は単一のイベントアップセットSEUの現象を利用し、それは電離放射線の存在下で、生じる半導体メモリデバイスの放射線障害性ビットエラーから生じる。これらのSEUは、SEUが起こるときに、決定する半導体デバイスを使用するに際して電離放射線例えば中性子核反応48によって生成される2次荷電粒子の存在を検出するために用いることができる。本願明細書に記載されているソリッドステート中性子探知器10は、アルファ粒子のような中性子変換材料例えば2次荷電粒子を形成する10Bから作られる固体フィルムの使用によるSEU現象を利用することができる。0040いくつかの実施形態では、荷電敏感回路44は、pチャネルおよびnチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタMOSFET例えばレジスタ、コンデンサ、ダイオードおよびバイポーラ接合トランジスタBJTsから成ることができる。いくつかの実施形態では、従来の半導体メモリデバイス例えば個々のメモリセルを有するスタティックRAMSRAMデバイスと同様の荷電敏感回路44を構成することができる。ある実施形態では、それらが荷電敏感アレイ42を打つhit例えば、相互に作用するかまたは接触するので、荷電敏感回路44は2次荷電粒子を検出して、計数するように構成することができる。これらのhitを計数するのに用いることができる回路の例示のタイプは、ステートラッチ回路statelatchingcircuits、グリッチ生成回路glitchgeneratingcircuitsおよび/またはチャージロス回路chargelosscircuitsを包含するが、それらに限定されるわけではない。ステートラッチ回路は、単一のイベントアップセットベースであり、後の読み出しのためにバイナリ状態変化をストアする。ステートラッチ回路は、第2のbitlineおよび第2のイネーブルセレクトトランジスタを欠いている1つの状態のメモリセルであってもよい。これらの回路によって、アップセットの空間マッピングと同様に、非常にまれなリードをすることができる。グリッチ生成回路またはエッジ生成セルは、例えば、検出された各アップセットに関する上昇または下降エッジのようなグリッチglitchを生成する。チャージロス回路は、2次荷電粒子侵入に応答して、ノード上にチャージリークを引き起こす。観測可能な回路変化は、セル電流、閾値電圧、リード中のビットラインの電圧の変化、または、浮遊ボディ効果であってよい。チャージロス回路は、ビット線に連結するドレインおよび低電圧に連結するソースを備えた部分的に空乏した浮遊ボディSOIトランジスタのアレイとして造られることができる。0041他の実施形態では、荷電敏感回路44はまた、ダイナミックランダムアクセスメモリDRAM、他の種類のランダムアクセスメモリ、非ランダムアクセスメモリ、電荷結合素子、荷電注入デバイスまたは他のメモリデバイス構造および基板からなってもよい。本開示の中性子探知器10で使われることができる荷電敏感回路44およバイアレイ42の実施形態は、2009年8月6日に出願されたNeutronDetectorCellEfficiencyと名づけられた米国特許出願シリアル番号第12536950号に開示される。0042ある実施形態では、活性化半導体層20は、半導体材料例えばシリコンの層からなり、荷電敏感アレイ42の回路44が半導体材料に作られる。ある実施形態では、回路44は、例えば、自由電子のより高いレベルで領域を形成するために半導体材料の選択された部分に、不純物を拡散することによって製造され、図2ではネガティブに関してはNによって示され、または、正孔のより高いレベルで図2ではポジティブに関してはPによって示される。いくつかの実施形態では、活性化半導体層20の半導体材料は、シリコンから成ることができる。他の実施形態では、例えば、活性化半導体層20が、炭化ケイ素SiC、ゲルマニウムGe、シリコンゲルマニウムSiGe、ヒ化ガリウムGaAs、ダイヤモンドまたは他のいかなる適当な半導体材料のような他の半導体材料から成ることができるが、これらに制限されない。0043図1に一旦戻ると、少なくとも一つの内部連絡層18は、互いに活性化半導体層20の荷電敏感アレイ42の電気素子を電気的に接続し、中性子探知器10に接続しているプリント基板図示せずのような外部回路に接続するバイアおよび伝導性接触を含む。内部連絡層18は、図1において詳細に例示されない。内部連絡層18時々メタル層と称されるは、二酸化ケイ素または低κ誘電体のような誘電材料に囲まれている、例えば、配線、トレース、および/または、電気伝導バイアによって形成される電気伝導経路を含む。電気伝導経路は、中性子探知器10に対する外部回路とアレイ42との間と荷電敏感アレイ42の間に無制限のルーティング層を提供する。ある実施形態では、中性子探知器10は、例えば、活性化半導体層に隣接して直接堆積された第1の内部連絡層と、該第1の内部連絡層直接隣接して堆積された第2の内部連絡層とを備えた活性化半導体層20に堆積された2つの内部連絡層図示せずのような、複数の内部連絡層18を有する。0044電気伝導経路例えばバイア30は、内部連絡層18と結合パッド28との間の電気接続を提供する。ある実施形態では、バイア30は電気導電材料例えばタングステンまたは銅から成る。他の例では、結合パッド28と内部連絡層18との間の電気伝導経路は、結合パッドと内部連絡層18との間の電気伝導ができるドーピングしたシリコンのようなドーピングした半導体材料からなる。各々の結合パッド28が他の実施形態の任意の適当な数の電気伝導経路に電気的に連結することができるけれども、ある実施形態では、少なくとも2つのバイア30は、各々の結合パッド28に関して提供される。結合パッド28は、バイア30を介して内部連絡層18を外部回路例えばプリント基板に電気的に接続する。図1に示される実施形態において、結合パッド28は、側方に対向する活性化半導体層20のBOX層22例えば直接隣接したBOX層22に堆積される。ある実施形態では、結合パッド28は、内部連絡層18と外部回路例えば、電力供給、接地点、信号源、他のチップ、プリント基板、などと間の電気接続を許すために十分に大きい領域を提供する。結合パッド28は、例えばアルミニウム、金または、AlCuのようなアルミニウム合金のようないかなる適切な電気伝導材料からも形成されることができる。0046図39は、中性子探知器10を作る間の例示の方法が定められた例示の構造を例示する。図3は、中性子探知器10の機能的な構成要素を定める構造上の構成要素を含む例示のデバイスウェハ50を例示する。デバイスウェハ50は、基板52の前方側面に堆積される絶縁体層22例えば埋設された酸化物BOX層22を有する基板52例えば大きさ半導体基板から成る。活性化半導体層20は、BOX層22の前方側面に製造される。デバイスウェハ50も、活性化半導体層20の前方側面に堆積される少なくとも一つの内部連絡層18から成る。デバイスウェハ50はまた、内部連絡層18の前方側面に堆積されるコンタクト層16から成ることができる。0047下記のように、デバイスウェハ50の構造の多数は、最終的な中性子探知器10の構造になる。例えば、デバイスウェハ50の絶縁体層は、中性子探知器10のBOX層22を定め、デバイスウェハ50の活性化半導体層は、中性子探知器10の活性化半導体層20を定め、デバイスウェハ50の内部連絡層は中性子探知器10の内部連絡層18を定める。したがって、同じ参照番号は、全体にこれらの構造を記載するために用いられる。図3に示される実施形態では、バイア30は、デバイスウェハ50の一部分として予め形成され、例えば、バイア30は、BOX層22、活性化半導体層20および内部連絡層18の製造中に形成される。下記のように、バイアはまた、基板52の除去の後のように、デバイスウェハ50の次の処理の後で形成されることができる。図3に示すように、バイア30は、活性化半導体層20を介して、および、BOX層22を介して、内部連絡層18から伸びる。0048図4は、図3に示される製造の次のステージでのデバイスウェハ50を示す。図4では、デバイスウェハ50は逆にされ、ハンドルウェハ60の上に1秒配置され、その結果、ハンドルウェハ60はデバイスウェハ50の前方側面に結合される。デバイスウェハ50の基板52が除去されるとき、ハンドルウェハ60は、活性化半導体層20および内部連絡層18に対する構造上の支持を提供する。ハンドルウェハ60は、バルク基板12それは、後で中性子探知器10図1の基板12を画定するから成ることができ、コンタクト層14は基板12上に堆積される。基板12は、半導体材料例えばバルクシリコン、シリコン酸化物、窒化ケイ素、サファイヤ、ゲルマニウム、SiGe、炭化ケイ素、サファイヤまたは金属から成ることができる。ある実施形態では、デバイスウェハ50およびハンドルウェハ60は、全体的に同じ寸法を有し、デバイスウェハ50の側面はハンドルウェハ60の側面に合わせられ、その結果、結果として生じた結合ウェハが全体的に、より大きな厚み以外、各々のウェハ50、60と同じ寸法を有する。0049デバイスウェハ50およびハンドルウェハ60は、デバイスウェハ50およびハンドルウェハ60の外縁部が整列配置されることを確実にすることによって整列配置されることができる。配置の他の方法は、ウェハを整列配置する赤外線ビジョン、またはウェハ50、60がお互いに合わせられるように、ツールに各々のウェハ50、60を整列配置する配置ツールの使用の活用法を含むことができる。ハンドルウェハ60の接触層14がデバイスウェハ50の前方側面と接触するように、デバイスウェハ50は配置される。図4および5に示されるある実施形態では、コンタクト層14はデバイスウェハの接触層16の前方側面と接触して配置される。他の例では、コンタクト層14は内部連絡層18の前方側面と接触して配置される。0050図4に関して上記したように、図5は、ハンドルウェハ60上のデバイスウェハ50の位置決めの後、処理における次のステップを示す。図5に示すように、デバイスウェハ50は、ウェハ転送結合62を有するハンドルウェハ60に結合され、それはデバイスウェハ50およびハンドルウェハ60の前方側面の間で形成される。ある実施形態では、ウェハ転送結合62本願明細書ではまた、回路転送結合62と称されるは、ハンドルウェハ60およびデバイスウェハ50の接触層14の間で形成される。ある実施形態では、デバイスウェハ50は、内部連絡層18の前方側面に堆積されるコンタクト層16例えば、対向する活性化半導体層20を有し、回路転送結合62が、デバイスウェハ50の接触層16の前方側面とハンドルウェハ60の接触層14との間で形成される。0051後で詳しく述べるように、回路転送結合62が形成されたあと、デバイスウェハ50の基板52は、除去され、追加的な半導体処理ステップが、中性子探知器10を製造するために結果として生じるウェハに実行される。したがって、回路転送結合62は、追加的な処理ステップの間、活性化半導体層20および内部連絡層18に対する機械の構造上の支持を提供するのに十分に強い永久ボンドを提供するように構成される。加えて、回路転送結合62は、それがウェハの次の処理の間に従属するという処理状況に耐えるように構成される。例えば、デバイスウェハ基板52が除去されるにつれて、基板52の除去が研磨または化学機械的平坦化CMPによって実行される場合、回路転送ボンド62は大きい剪断力をかけられ得る。回路転送ボンド62はまた、ダイ切断の間、例えばダイ鋸を使用して、大きな機械の力をかけられ得る。他の例では、回路転送結合62は、次の層例えば結合パッド28、障壁層26、不動態化またはボンド層および中性子変換層24の堆積のために、高温に晒され得る。ある実施形態では、回路転送結合62が、約100°Cと約400°Cと間の比較的低い温度で形成され、その結果、回路転送結合62の形成が、内部連絡層18の内部連絡部分を形成する金属化をコンプロマイズしない。ハンドルウェハ60にデバイスウェハ50を結合するのに用いることができる回路転送結合62の実施形態は、酸化物同士oxidetooxide結合および金属同士metaltometalの結合を含む。0052ある実施形態では、回路転送結合62は、酸化物が設けられ、2枚の誘電層の間で形成される酸化物同士oxidetooxideの結合からなる。ある実施形態では、デバイスウェハ50は、内部連絡層18に堆積された二酸化ケイ素またはTEOSのような誘電材料からなるコンタクト層16を有し、ハンドルウェハ60はまた、二酸化ケイ素またはTEOSのような誘電材料から成るコンタクト層14を有する。他の例では、酸化物同士oxidetooxideの結合は、内部連絡層18例えば内部連絡層18内で電気伝導経路を絶縁する誘電体の一部である誘電材料とハンドルウェハのコンタクト層14との間に形成される。酸化物同士oxidetooxideの結合は、表面を平坦化または研磨することにより、および、上昇した温度および/または圧力で一緒にコンタクト層14およびコンタクト層16を押圧することなどによって、コンタクト層14およびコンタクト層16の表面を準備することによって形成される。酸化物同士oxidetooxide結合の例示は、フランスのBerninのSOITECSiliconOnInsulatorTechnologiesSoitecによって用いられる直接酸化物ボンディング方法である。酸化物溶融ボンディング、共晶ボンディング、熱圧着ボンディング、または、silicononglassSOGボンディングのような他のボンディング方法を用いることが出来る。0053他の例では、回路転送結合62は、2つのメタル層の間で形成される金属同士metaltometalの結合からなる。ある実施形態では、ハンドルウェハ60は、金属接点層14例えば銅から成る層から成ることができる。ハンドルウェハ60の金属接点層14は、デバイスウェハ50の金属部分に結合される。ハンドルウェハ60の金属接点層14に結合されるデバイスウェハ50の金属部分は、内部連絡層18に堆積された銅の層のような、金属接点層16から成り、または、デバイスウェハ50の金属は、内部連絡層18例えば、配線、トレース、または、荷電敏感アレイ42と結合パッド28と間と、荷電敏感アレイ42の電気素子との間に相互接続を提供するバイアのような電気伝導経路を定める金属内部連絡の一部から成ることができる。ある実施形態では、内部連絡層18内の所望でない短絡を防止するために、誘電層図示せずは、デバイスウェハ50の金属接点層16と内部連絡層18との間に堆積されることができる。金属同士metaltometalの結合は、表層を平坦化または研磨して、時々拡散結合または拡散溶接と称されるような高い温度および/または圧力で一緒にコンタクト層14およびコンタクト層16を押圧することなどによって金属接点層14、16の表面を準備することによって形成されることができる。金属同士の接着している方法の実施形態は、NapervilleILのTezzaronSemiconductorによって提供される熱圧着方法である。0054図6は、図5に関して上述した回路転送結合62の形成の後の処理における次のステップを示す。図6において、デバイスウェハ50の基板52は、BOX層22の背側から除去された。回路転送結合62は、内部連絡層18、活性化半導体層20およびBOX層22に安全にハンドルウェハ60を結合し、ハンドルウェハ60の基板12は取り除かれたデバイスウェハ50の基板52の代わりに、サポート基板として作用する。ある実施形態では、基板52の除去は、少なくとも、基板52の材料をグラインディングして除去し、基板52の材料を研磨で除去し、化学的機械的研磨CMPおよび化学的エッチングのようなもので除去することによって達成される。基板52の材料を除去する他の方法がまた、使われることができる。ある実施形態では、デバイスウェハ50の基板52の除去はまた、基板52を除去するプロセスの終わりで、BOX層22の一部をグラインディングし、研磨し、または、エッチングすることなどによって、BOX層22の一部の除去を提供する。0055図7は、図6に関して上記の通りに基板52の除去の後、処理における次のステップを示す。図7では、結合パッド28はBOX層22の背側の上に堆積され、その結果、結合パッドはバイア30に電気的に接続され、かくして内部連絡層18に電気的に接続される。障壁層26はまた、BOX層22の背側の上に堆積する。0056図7に示される実施形態では、結合パッド28は、バイア30の上のBOX層22の背側上の場所で堆積され、障壁層26は、BOX層22の背側の一部の結合パッド28および残留する露出部をカバーするためにその後堆積される。上述したように、ある実施形態では、ハンドルウェハ60にデバイスウェハ50を結合する前に、バイア30はデバイスウェハ50に予め形成され、その結果、バイア30は、活性化半導体層20およびBOX層22を介して内部連絡層18から伸びる。かかる場合、基板52がBOX層22の背側から除去されるとき、バイア30は露出される。その結果、結合パッド28がBOX層22の背側に堆積されるとき、結合パッド28を定める材料は、バイア30が伸びるBOX層22の領域を通じて堆積することができ、その結果、結合パッド28はバイア30と電気的接触される。ある実施形態では、結合パッド28の材料は、堆積することができ、それから例えばエッチングによってパターニングされることができ、その結果、材料が結合パッド28の所望の位置に残る。他の例では、BOX層22の背側は、露出された結合パッド28の位置だけでマスクされ、次いで、結合パッド28の材料が、露出された部分に堆積され、マスクは除去される。図7の実施形態では、一旦結合パッド28が形成されたならば、障壁層26はBOX層22にわたって堆積され、パターニングされる。他の層は例えばパッシベーション層または接着層のようなBOX層22上へ堆積することができ、その後に、障壁層26はBOX層22にわたって堆積される。ある実施形態では、障壁層26は、BOX層22および結合パッド28の全体にわたって堆積し、それから、障壁層26はパターニングされ、例えばマスキングおよびエッチングによって、結合パッド28にわたって障壁層26を介して開口部をつくる。0057図8に示された他の例では、障壁層26が、バイア30の露出部を含むBOX層22の全てを実質的にカバーするように、障壁層26はBOX層22にわたって堆積される。次のステップにおいて、一つ以上の開口部は、バイア30をさらすために障壁層26において例えばそばにマスキングおよびエッチングによってパターニングされる。少なくとも一つの金属化接触64例えばAlCuまたはタングステン接触材料は、バイア30に障壁層26を介して電気的接点を提供するために開口部に堆積される。結合パッド28は次いで、堆積され、金属化接触64にわたって障壁層26の頂部にパターニングされ、その結果、結合パッド28は金属化接触64を介してバイア30に電気的に接続される。0058さらに別の実施形態図8に示されないでは、結合パッド28は、中性子変換層24または障壁層26だけの堆積の後まで、堆積することはない。かかる実施形態では、中性子変換層24および障壁層は、結合パッドとバイア30との間の電気接続を提供するためにバイア30をさらすようにパターニングされる。金属化接触はまた、結合パッドとバイア30との間の電気接続を提供するために形成されることができる。電気伝導材料から成ることができる中性子変換層24はまた、中性子変換層24と結合パッド図示せずとの間の誘電絶縁層などによって結合パッドから電気的に絶縁されることを必要とするかもしれない。0059図9は、図7に関して上記の通りに結合パッド28および障壁層26の堆積の後の処理における次のステップを示す。中性子変換層24を有する中性子の反応から発される2次荷電粒子38図2が荷電敏感アレイ42によって検出されることができるように、中性子変換層24は堆積され、活性化半導体層20の上の障壁層26に従ってパターニングされる。ある実施形態では、中性子変換層24は、障壁層26および結合パッド28の上のシャドーマスク図示せずを最初に形成することによって堆積され、シャドーマスクは、中性子変換層24が堆積されることが望まれる障壁層26の一部をさらす。中性子変換層24の中性子変換材料は、次いで、シャドーマスクの露出部を通じて堆積される。中性子変換層24は、中性子変換層24のために選ばれる中性子変換材料を堆積させることができるいかなる適切な技術も使用して堆積することができる。例えば、ホウ素10の中性子変換材料が選ばれる場合、中性子変換層20はマグネトロンスパッタリングによってまたは化学蒸気堆積によって堆積することができる。中性子変換材料が堆積したあと、シャドーマスクは取り外され、中性子変換層24を残す。中性子変換材料は、例えば結合パッド28をさらすために、中性子変換材料の選択的な部分を取り出すために、例えば従来のフォトリソグラフィおよびエッチング技術などにより、例えば反応性イオンエッチングのような、他の方法によってパターニングされることができる。0060図39に関して記載されている例示の方法によって示されるように、中性子変換層24が比較的薄い障壁層26およびBOX層22によって活性化半導体層20から切り離されるだけであるので、デバイスウェハ50とハンドルウェハ60との間の回路転送結合62を形成して、その後デバイスウェハ50の基板52を除去することによって中性子探知器10を形成する技術によって中性子変換層24が活性化半導体層20の非常に近くに堆積することができる。図39に関しても上記した例示の方法によって、中性子変換層24が最後の層または中性子探知器10の製造の間、堆積する最後の層のうちの1つである。中性子変換層24を作るために用いる中性子変換材料が中性子探知器を組み立てるために用いる器材を製造している半導体デバイスを汚染することができるので、これは有利であり、特にフロントエンドの処理器材が活性化半導体層20例えば拡散炉および湿式化学オペレーションを作るのに用いられる。0061いくつかの半導体製造工場は、中性子変換材料または他のいかなる非標準材料も堆積させないか、または、それらの器材に危険を原因として生じるので従来の中性子変換材料堆積があったいかなる部品でも作用しないのが好ましい。図39に関する例示の方法によって中性子変換層24が製造工場の半導体処理の、そして、製造工場からの別々の製造環境の完成の後、堆積されることができる。いくつかの製造工場が標準でないCMOSプロセスの処理より、変化または追加を好まないので、これは有利である。このような中性子変換材料を堆積させるための必要なプロセスとして任意の非標準、CMOSベースのプロセスは、追加の工学的制御を必要とし、コストと製造プロセスへのリスクを追加し、学習、統計的工程管理、歩留まり信頼性標準CMOSプロセスからくる改良からの処理を除去する。0062図39は、単一の中性子探知器10を形成するハンドルウェハ60およびデバイスウェハ50の一部にフォーカスする。換言すれば、図39は、デバイスウェハ50およびハンドルウェハ60の個々のダイに集中する。しかし、いくつかの実施形態では、複数の中性子探知器は、単一のデバイスウェハ50から形成される。図10A10Fは、デバイスウェハ50が、複数のダイ66A、66B、66Cから成る実施形態を例示し、各々のダイ66A、66B、66Cは、個々の中性子探知器10A、10B、10Cを形成することができる。図10A10Fは、全てのウェハに実装されている図39のステップを示す。例えば、図10Aでは、上記した図3に記載のデバイスウェハ50が形成される時、活性化半導体層20は、複数の荷電敏感アレイ42A、42B、42Cを有し、各々の荷電敏感アレイ42A42B42Cは、中性子探知器10A、10B、10C図10Fを各々形成するそれぞれのダイ66A、66B、66Cに対応する。図10Bでは、デバイスウェハ50は、図5について述べたように、それらの間で形成される回路転送結合62を有するハンドルウェハ60に結合される。図10Cでは、図6について述べたように、デバイスウェハ50の基板52は、BOX層22へ移された。図10Dでは、障壁層26は堆積し、中性子探知器10および図7について述べたように、結合パッド28A、28B、28Cは、各々のダイ66A、66B、66Cに関して形成される。図10Eでは、中性子変換層24A、24B、24Cは、堆積され、図9で上述した様に、各々のダイ66A、66B、66Cに関してパターニングされる。0063各々のダイ66A、66B、66Cが、それぞれ機能的な中性子探知器10A、10B、10Cであるために必要な構成要素の全てを有するように、一旦、各々のダイ66A、66B、66Cが形成されると、図10Eに示されるウェハは、分離された中性子探知器10A、10B、10Cを形成するために個々のダイス68A、68B、68Cに個別化される。個別化または、ダイシングまたはウェハダイシングと称するは、いかなる適切な技術を用いて、例えば基板12および/またはウェハの他の層のスクライブラインおよびスクライブラインに沿ってウェハに線をひき、または、ウェハを個別に切ることは小立方体にする破壊の形成によって、例えば機械式ウェハ鋸で、またはレーザーカットによって達成されることができる。図10Fは、ウェハをダイシングした後の、個々の中性子探知器10A、10B、10Cを示す。0064上述したように図3に示される実施形態では、例えば、デバイスウェハ50をハンドルウェハ60に結合し、基板を除去する前に、BOX層22、活性化半導体層20および内部連絡層18を構成する間、バイア30が形成されるように、バイア30のような電気伝導経路が予め形成される。他の実施形態では、バイア30は、他の方法によって、そして、他の時間に形成されることができる。ある実施形態では、デバイスウェハ50がハンドルウェハ60に結合されたあと、バイア30は形成されず、デバイスウェハ50の基板52が除去される。かかる実施形態では、基板52が除去されたあと、一つ以上の開口部はBOX層22および活性化半導体層20で、内部連絡層18に達するようにパターニングされることができる。電気伝導材料例えばタングステンは、次いで、バイア30を形成するために開口部に堆積することができる。バイア材料が、バイア30を活性化半導体層20の構成要素から電気的に絶縁するために堆積する前に、電気絶縁材料例えば二酸化ケイ素のような誘電体またはテトラエチルオルトシリケートな酸化物TEOS酸化物は、堆積され、または、開口部において成長する。0065図11は、電気伝導経路例えばバイア72の他の構成を有している他の例示の中性子探知器80図12を形成するために用いる例示のデバイスウェハ70を図示する。上述した図3に関して記載したデバイスウェハ50と同様に、図11の例示のデバイスウェハ70は、基板52、酸化物層例えば基板52に直接堆積された埋設酸化物BOX層22のような絶縁体層22、BOX層22に直接堆積された活性化半導体層20、および、例えば、直接隣接する活性化半導体層20に堆積された少なくとも一つの内部連絡層18とを備える。基板52、BOX層22、活性化半導体層20およびデバイスウェハ70および中性子探知器80の内部連絡層18は、図110に関するデバイスウェハ50および中性子探知器10に関して機能の点で上記したそれらと実質的に同様である。このために、デバイスウェハ70および中性子探知器80のこれらの構成要素は、デバイスウェハ50のために使われるのと同じ参照番号によってラベル付けされる。図11にも示される実施形態のデバイスウェハ70はまた、活性化半導体層20を介して内部連絡層18から伸びる少なくとも1つの予め形成されるバイア72を有する。しかし、図11に示される実施形態で、BOX層22を介してまた延びる例示のデバイスウェハ50図3のバイア30と比較すると、バイア72は、BOX層22を通って延びない。バイア72は、BOX層22で止まって、BOX層22によってカバーされる。いくつかの実施形態では、バイア72はまた、よりかなりの幅を有することができ、それはデバイスウェハ50図3のためのバイア30よりxy方向直角xz軸は、説明を補助するために図11に示されるにおいて測定されることができる。後で詳しく述べるように、より広いバイア72は、よりかなりの表面積を提供し、それはバイア72にアクセスするためにBOX層22に形成された開口部内でバイア72と結合パッド28と間の電気接続の形成を補助することができる。0066デバイスウェハ70は、デバイスウェハ50および中性子探知器10に関して上の図39に関して記載されている同じステップによって処理されることができる。例えば、デバイスウェハ70は、ハンドルウェハ60に回路転送結合によって結合されることができ、基板52は除去されることができ、障壁層26、結合パッド28および中性子変換層24はBOX層22に堆積されることができる。デバイスウェハ70から形成され、結果として生じる中性子探知器80の実施形態を図12に示す。図12の実施形態に示すように、障壁層26はBOX層22の上に堆積し、開口部は、例えば、アクセスバイア30に対する障壁層26の開口部が図8に関して上記している類似した方法のバイア72をさらすために障壁層26およびBOX層22によって形成される。障壁層26およびBOX層22でバイア72をさらした後に、バック接触82が堆積され、それは、例えば開口部および接触バイア72を満たすタングステンバック接触材料であってよい。結合パッド28を定めている材料は、次いで、電気的に結合パッド28をバイア72に接続するためにバック接触82と接触し、それゆえに、内部連絡層18にある結合パッド28を定めるために障壁層26を通じて堆積する。図7に関して上記した様に、いくつかの実施形態は、結合パッド28は、堆積、次いで、結合パッド28の材料を例えばエッチングによってパターニングすることによって形成され、または、結合パッド28は、シャドーマスキングによって形成され、その結果、結合パッド28の所望の位置だけが露出される。結合パッド28を定めるための他の技術を考察する。図12に示すように、中性子変換層24はまた、障壁層26に堆積される。中性子探知器80の中性子変換層24は、中性子探知器10の中性子変換層24に関する図9に関して、上記の通りに同じ方法によって堆積することができる。0067図13は、z軸方向直交するxz軸が、図13の説明を補助するために、図13に示されるで別の頂部にスタックし、一緒に結合される、複数の中性子検出装置92A92B92C92D92E92F集合的に、本願明細書において中性子検出装置92と称するのスタックを含む中性子検出器90を示す。各々の中性子検出装置92は、それぞれの活性化半導体層20A、20B、20C、20D、20E、20F集合的に、本願明細書において活性化半導体層20と称するを備えたそれぞれのBOX層22A、22B、22C、22D、22E、22F集合的に、本願明細書においてBOX層22と称すると、BOX層22の一方の側のそれぞれの内部連絡層18A、18B、18C、18D、18E、18F本願明細書において集合的に相互接続層18と称すると、それぞれの障壁層26A、26B、26C、26D、26E、26F集合的に、本願明細書において障壁層26と称すると、BOX層22の他の側のそれぞれの中性子変換層24A、24B、24C、24D、24E、24F集合的に、本願明細書において中性子変換層24と称するとからなる各々の中性子検出装置92を備えた、個々の中性子探知器10図1と同一の構造およびきのうであってもよい。中性子探知器90への入射である中性子を捕獲し、変換することができる中性子変換材料のより大きな量を提供するので、積み重ねられた中性子探知器90は中性子に対して増加した感度を提供する。0068第1の中性子検出装置90Aは、基板12上の中性子探知器10図39を作るために上記した同じ方法によって作られることができる。ある実施形態では、第1の中性子検出装置90Aが作られたあと、誘電層94Aは、中性子変換層24Aを通じて堆積され、誘電層94Aを通って延びる一つ以上のインタースタックinterstackバイア96Aが形成される。ある実施形態では、誘電層94Aは、誘電材料例えば、高密度プラスマ堆積を経て堆積するTEOS酸化物から成る。誘電層94Aの誘電材料が堆積したあと、化学的機械的平坦化CMPなどによって、誘電材料は平坦化される。インタースタックバイア96Aはまた、インタースタックバイア96Aを形成するために、例えば、誘電層94Aを介してエッチングし、タングステンのような電気伝導材料を堆積させることによって、誘電層94Aを介して形成される。結合パッド28Aは、誘電層94Aの上面z軸方向で、誘電層94Aにまたはその上に形成されることができる。結合パッド28Aは、結合パッド28Aを形成するために、銅のダマスクの材料またはAlCu合金のような電気伝導材料を堆積させることによってあとに続き、例えばエッチングなどによって、誘電層94Aをパターニングすることによって形式される。誘電層94Aは、インタースタックバイア96Aと結合パッド28Aを中性子変換層24Aから電気的に絶縁する。インタースタックバイア96Aは、中性子検出装置92Aの相互接続層18Aの一つ以上の結合パッド28Aを電気的に接続する。0069次に、図3に関して上記したデバイスウェハ50と同様のデバイスウェハ図示せずは、図5に関して上述した結合と同様に、デバイスウェハの内部連絡層18Bと誘電層の上面との間に回路転送結合62Aによって、第1の中性子変換装置に結合される。このような方法で、第1の中性子検出装置92Aは、第2の中性子検出装置92Bの形成のためのハンドルウェハとして作用する。ある実施形態では、回路転送結合62Aは、第1の中性子検出装置92A上の金属コンタクトと第2の中性子検出装置92B上の金属コンタクトとの間で形成される金属同士の結合である。図13に示されるある実施形態では、金属同士の結合は、第2の中性子検出装置92Bの内部連絡層18Bの金属部分と結合パッド28Aとの間で形成される。金属同士の結合の実施形態は、図5に関して上に更に詳細に記載されている。0070他の例では、回路転送結合62Aは、第1の中性子検出装置92Aの誘電層94Aと、第2の中性子検出装置92Bの内部連絡層18Bに堆積された誘電コンタクト層図示せずとの間で形成される酸化物同士oxidetooxide結合である。この種の実施形態では、第1の中性子検出装置92Aの相互接続層18Aと第2の中性子検出装置92Bの相互接続層18Bとの間に電気接続を提供するために誘電コンタクト層を通って延びる一つ以上のバイア図示せずが形成される。酸化物同士oxidetooxide結合の実施形態は、図5に関してより詳細に記載されている。0071回路転送結合が62Aが、第1の中性子検出装置92Aとデバイスウェハとの間で形成されたあと、デバイスウェハ図示せずの基板は、図6に関して上記した方法と同様にBOX層22Bの下へ移される。障壁層26Bおよび中性子変換層24Bは、BOX層22B図79に関して上記した方法と同様に上へ堆積する。第二誘電体層94Bは、中性子変換層24Bおよび障壁層26Bにわたって堆積され、同じ方法で、誘電層94Aは、中性子変換層24Aおよび障壁層26Aにわたって堆積された。誘電層94Aおよびインタースタックバイア96Aに関して上述した方法と同様に、誘電層94Bは平坦化され、インタースタックバイア96Bが誘電層94Bに形成される。結合パッド28Bは、誘電層94Bの上に形成され、インタースタックバイア96Bを介して第2の中性子検出装置92Bの内部連絡層18Bに電気的に接続される。このような方法で、結合パッド28Bは、バイア96Bおよび内部連絡層18Bを介して第2の中性子検出装置92Bの活性化半導体層20Bに電気的に接続している。結合パッド28Bは更に、結合パッド28Aを介して第1の中性子検出装置92Aの活性化半導体層と、インタースタックバイア96Aと、および内部連絡層18Aとに接続している。0072プロセスは、図13に示すように、追加的な中性子検出装置92C、92d、92Eおよび92Fを形成するために追加的なデバイスウェハによって繰り返されることができる。電気接続が、インタースタックバイア96、結合パッド28および、内部連絡層18によって提供されるけれども、中性子検出装置92の複数の活性化半導体層20は、中性子検出装置92の荷電敏感アレイによる2次荷電粒子38の検出が、一番上の結合パッド28Fから、例えばワイヤー接合接続を介して外側の回路への接続を介して回路の外側に報告されるように一緒に接続される。0073中性子探知器10、80を作る例示の方法を、図14のフローチャートに示す。例示の方法は、例えば、基板52に直接隣接する基板52上に酸化物層例えばBOX層22を少なくとも少なくとも形成することによりデバイスウェハ50100を形成するステップと、活性化半導体層20を例えば、BOX層22に直接隣接するBOX層22の上に形成するステップと、内部連絡層18を例えば、半導体層20に直接隣接する活性化半導体層20の上に形成するステップとを有する。バイア30、72のような少なくとも一つの電気伝導経路がまた、形成され102、該バイアは活性化半導体層20およびBOX層22を介して内部連絡層18から伸びる。ある実施形態では、バイア30、72のような電気伝導経路は、デバイスウェハ50の製造中に予め形成される。回路転送結合62は、デバイスウェハ50の内部連絡層18とハンドルウェハ60との間に形成される104。回路転送結合104の形成の後、基板52はデバイスウェハ50106から除去される。ある実施形態では、回路転送結合62104の形成の後、および、基板106の除去の後、BOX層22を介して貫通半導体バイアthroughsemiconductorvia、活性化半導体層20を形成することによって、少なくとも一つの電気伝導経路が形成され102、接続パッド図示せずのような内部連絡層18の電気伝導材料に着けるために少なくとも部分的に内部連絡層18に形成される。基板52が除去された106あと、結合パッド28は、BOX層22例えば、BOX層22と直接隣接108に堆積され、結合パッド28は、バイア30に電気的につながられる。また、基板52が除去された106あと、障壁層26はBOX層22110に堆積される。障壁層26が堆積した110あと、中性子変換層24は障壁層26112に堆積される。デバイスウェハ50が複数の個々の中性子探知器10を形成するために複数の個々のダイから成る場合、ウェハは中性子探知器10114の複数のダイスにされることができる。0074図5に関して記載したように、デバイスウェハ50とハンドルウェハ60との間に回路転送結合62を形成するステップ104は、ハンドルウェハ60上の誘電コンタクト層14と、デバイスウェハ50の内部連絡層18上の誘電コンタクト層16との間の酸化物同士oxidetooxideの結合のような、酸化物同士oxidetooxideの結合を形成するステップから成ることができる。別の実施形態では、回路転送結合62104を形成するステップはまた、ハンドルウェハ60の金属接点層14と、内部連絡層18の金属部分か又は内部連絡層18に堆積される金属接点層16との間の金属同士metaltometalの結合のような、金属同士metaltometalの結合を形成するステップから成ることができる。