"平面状の基板と、前記基板の一方の面に設けられ、インクを吐出するためのエネルギーをインクに与えるエネルギー発生素子と、少なくとも前記エネルギー発生素子を覆うように前記一方の面に設けられ、耐インク性を有する薄膜層と、前記エネルギー発生素子を含むインク室を区画するために前記一方の面に設けられ、吐出孔を有するノズル層と流路壁とを有するインク室壁部と、を備え、前記基板は、前記一方の面の前記エネルギー発生素子から離間した位置に形成された第1開口と前記基板の他方の面に形成された第2開口とを連通するインク供給口を有し、前記薄膜層は、その周囲よりも厚みが小さい凹部を有し、前記凹部は、前記エネルギー発生素子と前記第1開口との間に設けられる、ことを特徴とするインク吐出ヘッド。前記凹部は、前記第1開口に沿って形成される、請求項1に記載のインク吐出ヘッド。前記凹部は、前記凹部と前記第1開口との間の離間間隔が、前記基板に直交する方向から見た前記吐出孔のサイズよりも小さくなるようにして、形成される、請求項2に記載のインク吐出ヘッド。前記インク供給口は、前記基板の平面方向に伸長する細長い形状に形成され、複数の前記エネルギー発生素子が、前記インク供給口の長手方向に沿って設けられ、複数の前記凹部が、前記長手方向に沿って設けられる、請求項2又は3の何れか1項に記載のインク吐出ヘッド。複数の前記凹部は、前記長手方向において隣り合う個々の前記凹部の離間間隔が、前記基板に直交する方向から見た前記吐出孔のサイズよりも小さくなるようにして、形成される、請求項4に記載のインク吐出ヘッド。前記インク室壁部は、前記ノズル層と前記基板との離間間隔が、前記凹部と前記第1開口との間の離間間隔よりも大きくなるようにして、形成される、請求項2~5の何れか1項に記載のインク吐出ヘッド。前記薄膜層は、異方性エッチングのストップ層であって、前記インク供給口は、異方性エッチングによって形成される、請求項1~6の何れか1項に記載のインク吐出ヘッド。インクを吐出するためのエネルギーをインクに与えるエネルギー発生素子を一方の面に有する平面状の基板を準備する準備工程と、少なくとも前記エネルギー発生素子を覆うように、前記一方の面に耐インク性を有する薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、前記一方の面の一部であって、前記エネルギー発生素子から離間した第1領域と前記エネルギー発生素子との間に、前記薄膜層の一部を前記基板の厚み方向に除去することにより、凹部を形成する凹部形成工程と、前記薄膜層上に、前記エネルギー発生素子及び前記第1領域を少なくとも含むインク流路パターンを形成する流路パターン形成工程と、前記基板の他方の面の一部であって前記第1領域に対向する第2領域から、前記第1領域へ向けて前記基板の一部を除去することで、インク供給口を形成するインク供給口形成工程と、前記凹部形成工程の後に、前記第1領域に形成された前記薄膜層を除去する除去工程と、を備えることを特徴とするインク吐出ヘッドの製造方法。前記薄膜層形成工程は、異方性エッチングのストップ層を少なくとも前記薄膜層として形成し、前記インク供給口形成工程は、前記第2領域から前記基板が異方性エッチングされるように、前記基板の他方の面にエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、異方性エッチングによって前記第2領域から前記第1領域に向かって前記基板を侵食するエッチング工程とを有する、請求項8に記載のインク吐出ヘッドの製造方法。前記したように、インク供給口Fが形成される際に、インク供給口F上の絶縁層52aが除去される。この際に、インク供給口Fに隣接する絶縁層52aに対しても、ドライエッチングにより力がかかる。その結果、インク供給口Fの周囲の絶縁層52aまでもが、剥離する可能性がある。仮に、絶縁層52aの曲げ破断に必要な荷重が、絶縁層52aの基板51からの剥離に必要な荷重を上回るような場合、ヒーター53の位置に存在する絶縁層52aまでもが、一体的に剥離する可能性がある。ヒーター53の位置の絶縁層52aが剥離すると、ヒーター53に対する配線非図示からの電気的接続が損なわれるため、インクの吐出が不可能になる。絶縁層52a以外の層構造が基板51上に形成されている場合であっても、その層構造が剥離してしまえば、同様の問題を生じる。即ち、インク供給口Fの形成時に、絶縁層52aなどの薄膜層の剥離がヒーター53の位置のまで及ばないインク吐出ヘッドとその製造方法が求められる。本発明は、上記問題を解決し、インク供給口の形成時に、ヒーター位置の薄膜層が剥離しにくいインク吐出ヘッドとその製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の一側面は、平面状の基板と、前記基板の一方の面に設けられ、インクを吐出するためのエネルギーをインクに与えるエネルギー発生素子と、少なくとも前記エネルギー発生素子を覆うように前記一方の面に設けられ、耐インク性を有する薄膜層と、前記エネルギー発生素子を含むインク室を区画するために前記一方の面に設けられ、吐出孔を有するノズル層と流路壁とを有するインク室と、を備え、前記基板は、前記一方の面の前記エネルギー発生素子から離間した位置に形成された第1開口と前記基板の他方の面に形成された第2開口とを連通するインク供給口を有し、前記薄膜層は、その周囲よりも厚みが小さい凹部を有し、前記凹部は、前記エネルギー発生素子と前記第1開口との間に設けられる、ことを特徴とするインク吐出ヘッドである。これによれば、薄膜層に凹部が設けられる。凹部はその周囲よりも厚みが薄いので、インク供給口の形成時に薄膜層に力がかかった場合、この凹部の位置で薄膜層が破断しやすくなる。凹部は、エネルギー発生素子とインク供給口との間に設けられるため、薄膜層が剥離する場合であっても、薄膜層の剥離がエネルギー発生素子まで到達することを防止できる。さらに、前記凹部は、前記第1開口に沿って形成されてもよい。これによれば、インク供給口の基板側の開口である第1開口に沿って、凹部が形成される。そのため、薄膜層の剥離によって生じる剥離片のサイズを小さく押えることができる。さらに、前記凹部は、前記凹部と前記第1開口との間の離間間隔が、前記基板に直交する方向から見た前記吐出孔のサイズよりも小さくなるようにして、形成されてもよい。これによれば、凹部と第1開口との間の離間間隔は、基板に直交する方向から見た吐出孔のサイズよりも小さい。そのため、剥離片のサイズが、吐出孔のサイズよりも小さくなり易い。従って、剥離片が生じても、インクが吐出される際に剥離片は吐出孔を通ってインク室から排出され、吐出孔の目詰まりする可能性を低減できる。さらに、前記インク供給口は、前記基板の平面方向に伸長する細長い形状に形成され、複数の前記エネルギー発生素子が、前記インク供給口の長手方向に沿って設けられ、複数の前記凹部が、前記長手方向に沿って設けられてもよい。これによれば、複数の凹部が、インク供給口の長手方向に沿って設けられる。複数の凹部がインク供給口の長手方向に沿うため、細長いインク供給口が設けられる場合であっても、薄膜層の剥離がエネルギー発生素子まで到達することを防止できるさらに、複数の前記凹部は、前記長手方向において隣り合う個々の前記凹部の離間間隔が、前記基板に直交する方向から見た前記吐出孔のサイズよりも小さくなるようにして、形成されてもよい。これによれば、隣り合う凹部の間隔は、基板に直交する方向から見た吐出孔のサイズよりも小さい。従って、剥離片のサイズは、より吐出孔よりも小さくなり易く、吐出孔の目詰まりする可能性がより低減される。さらに、前記インク室壁部は、前記ノズル層と前記基板との離間間隔が、前記凹部と前記第1開口との間の離間間隔よりも大きくなるようにして、形成されてもよい。仮に、ノズル層と基板との離間間隔が、凹部と第1開口との間の離間間隔よりも小さい場合、生じた剥離片のサイズが吐出孔よりも小さい場合であっても、ノズル層と基板との間に剥離片が引っかかる可能性が生じる。インク室の中に剥離片が残ると、インクの吐出時に、気泡の正常な形成が阻害される虞がある。ノズル層と基板との離間間隔を凹部と第1開口との間の離間間隔よりも大きくすることで、ノズル層と基板との間に剥離片が引っかかる可能性を低減できる。また、前記薄膜層は、異方性エッチングのストップ層であって、前記インク供給口は、異方性エッチングによって形成されてもよい。これによれば、インク供給口は、異方性エッチングによって形成される。この場合、薄膜層は異方性エッチングのストップ層として機能する。そして、薄膜層は、異方性エッチング後に基板の他方の面から一方の面に向かって除去される。そのため、より薄膜層からの剥離片が生じやすくなる。即ち、インク供給口が異方性エッチングによって形成される場合、凹部を設けることの必要性がより増す。上記課題を解決するために、本発明の他の側面は、インクを吐出するためのエネルギーをインクに与えるエネルギー発生素子を一方の面に有する平面状の基板を準備する準備工程と、少なくとも前記エネルギー発生素子を覆うように、前記一方の面に耐インク性を有する薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、前記一方の面の一部であって、前記エネルギー発生素子から離間した第1領域と前記エネルギー発生素子との間に、前記薄膜層の一部を前記基板の厚み方向に除去することにより、凹部を形成する凹部形成工程と、前記基板の他方の面の一部であって前記第1領域に対向する第2領域から、前記第1領域へ向けて前記基板の一部を除去することで、インク供給口を形成するインク供給口形成工程と、前記凹部形成工程の後に、前記第1領域に形成された前記薄膜層を除去する除去工程と、前記薄膜層上に、前記エネルギー発生素子及び前記第1領域を少なくとも含むインク流路パターンを形成する流路パターン形成工程と、を備えることを特徴とするインク吐出ヘッドの製造方法である。これによれば、凹部がエネルギー発生素子とインク供給口との間に形成された後で、第1領域に形成された薄膜層が除去される。従って、前記したように、除去工程において薄膜層が剥離する場合であっても、薄膜層の剥離はエネルギー発生素子まで到達しない。さらに、前記薄膜層形成工程は、異方性エッチングのストップ層を少なくとも前記薄膜層として形成し、前記インク供給口形成工程は、前記第2領域から前記基板が異方性エッチングされるように、前記基板の他方の面にエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、異方性エッチングによって前記第2領域から前記第1領域に向かって前記基板を侵食するエッチング工程とを有してもよい。これによれば、インク供給口が、異方性エッチングによって形成される。従って、前記したように、凹部を設けることの必要性がより増す。本発明によれば、インク供給口の形成時に、ヒーター位置の薄膜が剥離しにくいインク吐出ヘッドとその製造方法が得られる。以下に図面を参照しつつ、本発明に係る実施形態を示す。まず、図1及び図2を用いて、インク吐出ヘッド100の構成について説明する。[インク吐出ヘッド100の構成]図1に示されるように、インク吐出ヘッド100は、一方向に整列した複数の吐出孔Aを有する。この吐出孔Aのそれぞれは、個別に設けられたインク室CH図2参照にそれぞれ連通する。インク室CH内には、インクを吐出するためのエネルギー発生素子として機能するヒーター13図2参照が、それぞれ設けられる。インク吐出ヘッド100の下面からインク室CHへとつながるインク供給口Bによって、インク室CHへとインクが供給される。インク室CHに供給されたインクは、ヒーター13の加熱によりその一部が気泡となる。この気泡によって押し出されたインク室CH内のインクは、吐出孔Aから吐出する。図2Aは、インク吐出ヘッド100を、複数の吐出孔Aの整列方向と直交する方向に切断した断面即ち、図1のa―a断面の図である。図2Bは、インク吐出ヘッド100の一部を拡大した平面図であって、凹部Cの位置を示すために、ノズル層17及び流路壁15が除去された状態の図である。インク吐出ヘッド100の層構造は、基板11と、絶縁層12a,12bと、保護層14と、流路壁15と、ノズル層17とから主に構成される。なお、少なくとも流路壁15及びノズル層17によって、インク室壁部が構成される。基板11には、インク供給口Bが開口する。このインク供給口Bを通って、基板11の下面から、ノズル層17及び流路壁15で区画されるインク室CHにインクが供給される。以下、各層構造について説明する。基板11の一方の面例えば、上面には、絶縁層12aが形成される。絶縁層12a上には、ヒーター13が形成される。基板11の他方の面例えば、下面には、絶縁層12bが形成される。絶縁層12aは、例えば、酸化シリコンなどの脆性材料によって構成される。基板11は、インク供給口Bの部分に開口を有する。なお、基板11の上面一方の面に形成されるという文言は、基板11の上面に直接接触して形成されることは勿論、基板11の上面側に何らかの構成を間に挟んで形成されることも含む意味である。勿論、下面他方の面に形成されるという文言も、同様に解釈されるべきである。保護層14は、基板11の上面全てを覆うように設けられる。即ち、保護層14は、絶縁層12a及びヒーター13の上に形成される。保護層14は、例えば、窒化シリコンなどの脆性材料によって構成される。絶縁層12a及び保護層14には、その周囲よりも厚みが小さい凹部Cが形成されている。本実施形態では、基板11上の一部の絶縁層12a及び保護層14が削除されることで、凹部Cが形成される。凹部Cは、ヒーター13と、インク供給口Bの基板11の上面側の開口以下、第1開口との間に形成される。後記するように、インク供給口Bが形成される際に、インク供給口B上の絶縁層12a及び保護層14は除去される。この除去の際に、絶縁層12a及び保護層14には応力がかかる。本実施形態では、凹部Cがインク供給口Bに沿って複数設けられている。そのため、保護層14には応力がかかった場合に、凹部Cの周囲に応力集中が起こる。酸化シリコンや窒化シリコンなどは脆性材料であるため、この応力によって、凹部Cの近辺で脆性破壊を起こし易くなる。これにより、絶縁層12a及び保護層14が第1開口側から剥離する場合であっても、絶縁層12a及び保護層14の剥離はヒーター13まで到達しない。また、凹部Cと第1開口との間隔は、凹部Cとヒーター13との間隔よりも小さい。また、凹部Cと第1開口との間隔D2は、基板11に直交する方向から見た吐出孔Aのサイズ、本実施形態においては円形に形成される吐出孔Aの直径D1よりも小さい。凹部Cに応力が集中する事で、保護層14は凹部Cの近辺で脆性破壊を起こし易くなる。そのため、間隔D2が直径D1よりも小さい事によって、絶縁層12a及び保護層14から剥離した剥離片のサイズは、大きくても間隔D2程度のサイズに抑えられる。その結果、剥離片による吐出孔Aに詰まりが低減される。さらに、この間隔D2は、流路壁15の高さH1よりも小さい。これによって、剥離片のインク室CH中での詰まりが防止される。図2Bに示されるように、インク供給口Bは、基板11の平面方向に伸長する細長い形状、具体的には矩形、に形成される。そして、複数のヒーター13と、凹部Cとが、インク供給口Bの長手方向に沿って設けられる。本実施形態では、凹部Cは平面視正方形に形成されるが、これ以外のいかなる平面視形状を有しても差し支えない。隣り合う凹部Cの離間間隔D3は、吐出孔Aの直径D1よりも小さい。これにより、剥離片のインク供給口Bに沿う方向のサイズも、吐出孔Aの直径D1よりも小さく抑えることができる。流路壁15は、基板11の上面から、上方に向けて立設される。流路壁15は、ヒーター13及びインク供給口Bを囲う。なお、流路壁15は、ヒーター13及びインク供給口Bを全周に渡って囲う様態であっても、一部や一辺が開口した状態で囲う様態であっても、どちらでも差し支えない。ノズル層17は、流路壁15の上端から横方向に延出する。ノズル層17のヒーター13に対向する位置には、吐出孔Aが形成される。このノズル層17と、流路壁15とによって、基板11の上面においてインクが流れるインク流路パターンが規定される。なお、本実施形態において、ノズル層17及び流路壁15は別体に構成されるが、一体に構成されても差し支えない。[インク吐出ヘッド100の製造方法]以下、図3及び図4を用いて、インク吐出ヘッド100の製造工程を説明する。先ず、図3Aに示されるように、絶縁層12a及び絶縁層12bを有するシリコン製の基板11が準備される。絶縁層12a及び絶縁膜12bは、例えば、酸化シリコンによって構成される。絶縁層12a及び絶縁層12bは、例えば、シリコン製の基板11を熱酸化することで形成される。或いは、予め両面に酸化シリコン膜が設けられた既製品の基板が用いられても差し支えない。なお、基板11の厚みは、例えば、625μm程度である。また、絶縁層12a及び絶縁層12bの厚みは、例えば、1~5μm程度である。次に、図3Bに示されるように、絶縁層12aの上に、ヒーター13が形成される。ヒーター13は、例えば、TaNやTaAlなどの抵抗発熱体を、200~1000Å程度の厚みになるように、スパッタリング法によってヒーター13の形成位置に堆積することで形成される。次に、図3Cに示されるように、耐インク性を有する保護層14が、基板11の上面全てを覆うように形成される。本実施形態では、ヒーター13及び絶縁層12aを被覆するように、保護層14が形成される。保護層14は、例えば、プラズマを利用した化学気相成長プラズマCVDやスパッタリング法によって、窒化シリコンをヒーター13及び絶縁層12a上に成膜することで得られる。なお、保護層14の厚みは、例えば、0.4μm程度である。次に、図3Dに示されるように、凹部Cが形成される。凹部Cの形成は、例えばドライエッチングによって行われる。先ず、保護層14上に、エッチングマスクが形成される。このエッチングマスクは、インク供給口Bの第1開口が開口する予定の第1領域とヒーター13との間の位置に、開口を有する。なお、エッチングマスクは、これ以外の位置に凹部Cが形成されるための開口を有しても差し支えない。そして、基板11の上面からCF4ガスを用いたドライエッチングを行うことで、保護層14及び絶縁層12aが基板11の厚み方向に除去され、凹部Cが形成される。その後、エッチングマスクは除去される。次に、図3Eに示されるように、基板11上のヒーター13と前記した第1領域とを含むように、流路壁15が、保護層14の上に形成される。本実施形態では、流路壁15は、完全に硬化したエポキシ樹脂で形成される。なお、流路壁15は、ヒーター13及び第1領域を全周に渡って囲う様態であっても、一部や一辺が開口した状態で囲う様態であっても、どちらでも差し支えない。また、流路壁15の膜厚は、例えば10-30μm程度になるように調整されてよい。次に、図3Fに示されるように、犠牲層16が形成される。犠牲層16は、流路壁15の上面を覆う領域にも形成される。たとえば、犠牲層16の形成は、流路壁15によって形成された空間に、半硬化樹脂を注入し乾燥させることで行われる。本実施形態では、半硬化樹脂として、東レのポリイミド材、フォトニースが半硬化状態で使用される。フォトニースは、アルカリ溶液には可溶であるが、有機溶剤には不溶である。流路壁26を構成するエポキシ樹脂は、熱や光によって、犠牲層16が注入される前に、完全に硬化している。流路壁15を構成するエポキシ樹脂は、非硬化時には有機溶剤に可溶であるが、硬化時には有機溶剤に不溶である。そのため、流路壁26と犠牲層27との間で、クロスミキシングは生じない。また、犠牲層16として、ノボラック樹脂が利用されても良い。ノボラック樹脂としては、一例として、旭有機材工業株製のEP4080G、EP4050GなどをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタートPGMEAなどの有機溶剤に溶解したものが利用可能である。ノボラック樹脂は、キシレンやトルエンなどには溶解性が極めて低いが、アルカリ水溶液やアセトンなどには溶解する。流路壁15を構成するエポキシ樹脂は、完全に硬化しているため、有機溶剤に対して不溶となっている。そのため、ノボラック樹脂が利用される場合でも、流路壁15と犠牲層16との間で、クロスミキシングは生じない。次に、図3Gに示されるように、犠牲層16の上面が平坦になるように、犠牲層16が上面から削除される。ここで、犠牲層16が流路壁15の上に残っていると、隣接するインク室CHの間が連通する可能性がある。そのため、犠牲層16と流路壁15とが同一平面上に位置するまで、換言すれば、流路壁15の上面が露出するまで、犠牲層16が平坦化されるのが望ましい。このとき、流路壁15の上面も僅かながら削除されてよい。なお、犠牲層16の平坦化は、例えば、研磨、研削、切削などの機械加工によって行われる。あるいは、機械加工による粗平坦化の後で、インク吐出ヘッド100をアルカリ溶液に浸すことで、犠牲層16を上面から溶解させるなどの微細平坦化が行われてもよい。次に、図4Aに示されるように、流路壁15及び犠牲層16を覆うように、ノズル層17が形成される。ノズル層17には、ヒーター13に対向する位置に、インクを吐出するノズル孔Aが設けられる。ノズル層17は、犠牲層16を溶解しないように形成される。そのために、例えば、犠牲層16の樹脂を溶解しないような溶媒を使ってのスピンコートやスプレーコートなどが行われる。ノズル層17の形成には、例えば、キシレンやトルエンなどの溶媒に溶解したエポキシ樹脂と、シランカップリング剤と、光重合開始剤とを混合したものが利用される。キシレンやトルエンは前述の半硬化ポリイミドやノボラック樹脂を溶解しないため、ノズル層17を形成する樹脂の溶媒として好都合である。ノズル層17を構成する樹脂の塗布後は、流路壁16との密着性をよくするとともにノズル層17に残った溶媒を追い出すために、ノズル層17を構成する樹脂が加熱される。ここで、溶媒を使ったコーティングの場合、塗布後にあまり温度を上げると、ノズル層17に残った溶媒が犠牲層16を溶かす場合もある。そのため、この加熱温度は、犠牲層16にダメージを与えないように設定される。また、ノズル層17の膜厚は、20-50μmなどに調整される。このようにして形成されたノズル層17にフォトリソグラフィーを行い、吐出孔Cが形成される。吐出孔Cの現像の際にはキシレンやトルエンなど、犠牲層16を溶解しない溶媒が利用される。但し、PGMEAやアセトンやアルカリ水溶液などを利用して、吐出孔C近辺にある犠牲層27の一部まで除去してしまっても差し支えない。次に、図4Bに示されるように、基板11の下面に、エッチングマスクが形成される。本実施形態では、エッチングマスクとして、絶縁膜12bが利用される。即ち、前記第1領域に対向する第2領域から基板11がエッチングされるように、第2領域の位置に開口が形成される。この開口は、例えば、絶縁膜12bの一部をCF4などのガスを用いたドライエッチングや、フッ酸を用いたウェットエッチングで除去することによって形成される。次に、図4Cに示されるように、異方性エッチングによって、基板11の一部が除去されることで、第2領域から第1領域へ向けて貫通するインク供給口Bが形成される。本実施形態では、異方性エッチングは、水酸化カリウムKOH水溶液やテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液を用いたウェットエッチングである。基板11の下面から上面に向かってエッチングが進むが、エッチャントであるアルカリ水溶液に対して、絶縁膜12aを構成する酸化シリコン膜のエッチング速度は、シリコンのエッチング速度に比べて十分に遅い。そのため、エッチングは、絶縁膜12aの下面で止まる。これにより、インク供給口Bが形成される。次に、図4Dに示されるように、第1領域に形成された絶縁膜12a及び保護層14が除去される。本実施形態では、インク供給口Bの上部に形成された絶縁膜12a及び保護層14は、例えば、基板11の下面から、CF4を用いたドライエッチングによって除去される。この際に、凹部Cが形成されているため、絶縁膜12a及び保護層14がドライエッチングに起因する応力によって剥離しても、ヒーター13の位置に形成されている絶縁膜12a及び保護層14までは、剥離が及ばない。最後に、図4Eに示されるように、犠牲層16が除去される。犠牲層16が半硬化ポリイミドで構成される場合、TMAH2.38のアルカリ水溶液に対して、インク吐出ヘッド100が浸される。犠牲層16がノボラック樹脂で構成される場合、アセトンやPGMEAなどの有機溶剤に対して、インク吐出ヘッド100が浸される。溶媒に溶解した犠牲層16が、吐出孔A及びインク供給口Bから流出することで、犠牲層16が除去される。以上説明した工程により、インク吐出ヘッド100が得られる。本発明は、今までに述べた実施形態に限定されることは無く、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形変更が可能である。以下にその一例を述べる。前記した実施形態では、複数の凹部Cが、インク供給口Bの長手方向に沿って形成される図2B参照。しかし、凹部Cは、例えば図5Aに示されるように、単一一対の凹部が、インク供給口Bの長手方向に沿って伸長するような形態でもよい。あるいは、図5Bに示されるように、複数の凹部Cであっても、インク供給口Bの長手方向に直交する方向に伸長するような形態でもよい。前記した実施形態では、凹部Cは、対応する領域の絶縁層12a及び保護層14を、基板11が露出するまで完全に除去することで形成された。しかし、絶縁層12a及び保護層14が、厚み方向に対して部分的に削除されることで、凹部Cが形成されてもよい。要は、凹部Cの厚みがその周囲の部分よりも小さく形成されれば、インク供給口Bの形成時に絶縁層12a及び保護層14が剥離する場合でも、応力が凹部Cに集中するため、凹部Cの位置で破断しやすくなる。そのため、絶縁層12a及び保護層14の剥離は、ヒーター13にまで及ばなくなる。前記した実施形態では、流路壁15、犠牲層16及びノズル層17が基板11上に形成された後で、インク供給口Bが形成される図3E~G及び図4A~D参照。しかし、インク吐出ヘッド100の製造工程は、この順番に限定されない。例えば、先にインク供給口Bが形成されてから、流路壁15、犠牲層16及びノズル層17が基板11上に形成されても差し支えない。前記した実施形態では、ノズル層17は、溶媒に溶解させた樹脂を塗布乾燥させて形成された。しかし、フィルム状の光硬化性樹脂や吐出孔が形成されたフィルム状の樹脂を載置して、ノズル層17が形成されても差し支えない。前記した実施形態では、ノズル層17と流路壁15とは、別体に構成された。しかし、ノズル層17と流路壁15とが一体に構成されても差し支えない。例えば、図3Dで示される工程の後で、保護層14上に、アルコール系やケトン系の有機溶剤や、弱アルカリ水溶液に可溶なポジレジストが形成される。このポジレジストは、インク室CHの体積に対応するように形成される。そして、ポジレジスト上に、ノズル層17と流路壁15を構成する樹脂材料を塗布することで、ノズル層17と流路壁15を一体として形成できる。なお、ノズル層17と流路壁15を構成する樹脂材料としは、エポキシ、ポリイミド、ポリアミドなどの樹脂と、シランカップリング剤と、光重合開始剤とを混合したものを、キシレンやトルエンなどのポジレジストを溶解しない炭化水素系溶剤に溶解したものが利用可能である。以上、現時点において、もっとも、実践的であり、かつ好ましいと思われる実施形態に関連して本発明を説明したが、本発明は、本願明細書中に開示された実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うインク吐出ヘッドの製造方法もまた技術的範囲に包含されるものとして理解されなければならない。"