"半導体素子5、13のNi/Pd/Au被覆電極a又は金被覆電極aと回路配線基板3、15の導体配線cとをボールボンディング法によって接続するためのボンディング用ワイヤWであって、そのワイヤの引張伸びELがその伸びの最小値ELLの1.5倍以上、同最大値ELHの0.8倍以下となるように、炉温度を350°C以上600°C以下、ワイヤ走行速度を30~90m/分の調質熱処理を行なったAgを主成分とするボールボンディング用ワイヤ。Pdを0.5~3.0質量含み、Ca、Y、La、Ceから選ばれる1種以上の元素を合計で1~10質量ppm含み、かつ、Cuを5~300質量ppm含み、それ以外がAg及び不可避不純物からなることを特徴とする請求項1に記載のボールボンディング用ワイヤ。上記ワイヤの引張伸びELがその伸びの最小値ELLの2.0倍以上、同最大値ELHの0.7倍以下となるように、上記調質熱処理を行なったことを特徴とする請求項1又は2に記載のボールボンディング用ワイヤ。Pdを0.7質量以上、1.5質量以下としたことを特徴とする請求項3に記載のボールボンディング用ワイヤ。金ボンディングワイヤは高価である。その代替材である銅ボンディングワイヤは安価ではあるが、金ボンディングワイヤに比べてFABが硬く、電極aのチップが脆弱であるとチップダメージ発生の恐れが高くなる。また、金ボンディングワイヤに比べて2nd接合性が悪く、連続ボンディング性に問題がある。表面被覆銅ボンディングワイヤは、銅ボンディングワイヤに比べて2nd接合性がよく、連続ボンディング性がよいが、FABが銅ボンディングワイヤよりもさらに硬くなるため、チップダメージ発生の問題がある。また、従来、BGA等の半導体パッケージの電極aにはAl合金Al-Si-Cu等パッドが用いられていたが、高温信頼性、例えば150°C以上における信頼性が求められる車載などの用途ではNi/Pd/Auニッケル/パラジウム/金被覆した電極aが検討されている。さらに脆弱なチップ5に対するダメージ低減の必要もある。このNi/Pd/Au被覆電極aに対し、上記表面被覆銅ボンディングワイヤは接合し難いという問題があり、銅ボンディングワイヤは、脆弱なチップ5に対してダメージを与えないような条件でボンディングしようとすると、十分な接合ができないという問題がある。さらに、従来、LEDパッケージにおいてはAu被覆した電極aのLED13が用いられ、電極aとの接続には金ボンディングワイヤが用いられている。この金を用いた組み合わせではコストダウンができないため、LED13用にも安価なボンディングワイヤが望まれている。しかし、銅ボンディングワイヤは連続ボンディング性に難があり、Pd表面被覆銅ボンディングワイヤではFABが硬くなるため、チップダメージが発生する恐れがある。また、銅ボンディングワイヤ又はPd表面被覆銅ボンディングワイヤを用いると、LED13の種類によってはLED13そのものの輝度を低下させることもある。また、従来の銀ボンディングワイヤでは、ボールbを形成する際に窒素N2ガスを吹き付けて非酸化雰囲気で放電するのが一般的である。これに対し、特許文献2、3に、Ag銀にAlアルミニウムもしくはMgマンガンを添加することにより、N2ガスを吹き付けることなく大気中で放電しても形状のよいボールbを得ることができることが記載されている。しかし、近年、BGAの半導体パッケージでは、電極aが小さくなり、また、電極a同士の距離も近くなっているので、より安定した真球状のボールbを得る必要があるため、銀ボンディングワイヤにおいても、一般的なN2ガスを吹き付けて放電する方が好ましくなっている。このN2ガスを吹き付けて放電した場合、周囲からの酸素の侵入は防ぐことができるが、ワイヤ先端が溶融した際にワイヤ表面の酸化銀から上記添加したAlもしくはMgが酸素を奪い、Al2O3もしくはMgOができる。このとき、AlもしくはMgを多量に含有していると、このAl2O3もしくはMgOがボールb表面に大量に生成してしまい、電極aとの接合の際に硬質なAl2O3もしくはMgOが電極aを損傷する問題がある。同様に、特許文献4にワイヤ強度や耐熱性を向上させるために、Caカルシウム、Srストロンチウム、Yイットリウム、Laランタン、Ceセリウム、Euユウロピウム、Beベリリウム、Geゲルマニウム、Inインジウム、Snスズを添加することが記載されているが、これらの元素についても多量に添加すると、それらの元素の酸化物が電極aを損傷する問題がある。また、特許文献4にはワイヤの接合信頼性を高めるために、Pt白金、Pd、Cu、Ruルテニウム、Osオスミウム、Rhロジウム、Irイリジウム、Auを添加することが記載されている。しかし、このような元素を多量に添加すれば、ワイヤ自体の電気抵抗が上がり、ボンディングワイヤWとしての性能を損なう問題が生じる。すなわち、上述のとおりBGA等の半導体パッケージでは、電極aはより小さく、その電極a間の距離もより近くなっているため、1st接合部を小さくすることが求められている。そのためには、ボンディングワイヤの直径を小さくする必要があるが、通常、その直径を小さくすることによって電気抵抗が高くなるため、ワイヤの直径を小さくして所要の径にすることができなくなる問題がある。また、LED13においては、光度を上げるために動作電流が高くなってきているが、ワイヤの電気抵抗が高いと発熱の問題が生じ、封止樹脂の寿命を縮める不具合が生じる。因みに、金ボンディングワイヤとNi/Pd/Au被覆電極a又はAu被覆電極aとの接合であれば、同被覆電極との接合箇所の耐食性は良いが、材料費が高価になるという問題がある。因みに、金ボンディングワイヤとAl電極との接合箇所は耐食性が低い。この発明は、以上の実状の下、Ni/Pd/Au被覆電極a又はAu被覆電極aとの接合性がよく、かつ金ボンディングワイヤより安価なボンディング用ワイヤとすることを課題とする。上記課題を達成するため、この発明は、半導体素子のNi/Pd/Au被覆電極又はAu被覆電極と回路配線基板の導体配線とをボールボンディング法によって接続するためのボンディング用ワイヤにおいて、そのワイヤの引張伸びELがその伸びの最小値ELLの1.5倍以上、同最大値ELHの0.8倍以下となるように、炉温度を350°C以上600°C以下、ワイヤ走行速度を30~90m/分の調質熱処理を行なったAgを主成分とするものとしたのである。Agを主体主成分とするボンディングワイヤは、Auを主体とする金ボンディングワイヤに比べれば、安価なものとし得る。このAgを主成分とするボンディングワイヤWの製造方法は、従来と同様に、例えば、連続鋳造法で大きな線径の所要の化学組成のロッドを作製し、そのロッドをダイスに順次貫通させていくことにより、所定の線径、例えば、50.8μm以下に伸線する。その後、ワイヤWに調質熱処理を施す。その調質熱処理は、所定の線径まで伸線を行いリールに巻きとられたワイヤWを、巻き戻して管状の熱処理炉中に走行させ、再び巻き取りリールで巻き取ることによって連続熱処理を行う。管状の熱処理炉中にはN2ガスもしくはN2に微量のH2を混合させたガスを流す。また、その炉温度は350°C以上600°C以下として、ワイヤ走行速度は30~90m/分で熱処理を行う。このとき、例えば、炉長:50cmであれば、ワイヤ走行速度:30~90m/分の場合、調質熱処理時間は0.33~1秒となる。この調質熱処理において、ボンディングワイヤWの引張り伸びELは、そのワイヤWが同一化学組成の場合、熱処理温度と熱処理時間に左右され、図4に示すワイヤWの軟化曲線のように、熱処理温度が高くなったり、熱処理時間が長くなったりすれば、それに応じて大きくなる。そのいずれにおいても、同図のように、ある低温の熱処理温度又は短い熱処理時間までは、大きな伸びの変化はなく、そのある低温熱処理温度又は短い熱処理時間からある高温の熱処理温度又は長い熱処理時間までは、急な上昇カーブの伸びを示し、そのある高温の熱処理温度又は長い熱処理時間からは大きな変化を示さない。その大きな伸びを示さない低温の熱処理温度又は短い熱処理時間までの引張り伸びELを最小値ELL、一方、大きな伸びを示さなくなる高温の熱処理温度又は長い熱処理時間引張り伸びELを最大値ELHとする。例えば、Pdを2.0質量、Caを10質量ppm、Cuを50質量ppm含有し、残部がAgである組成で線径が30μmのワイヤWであると、炉長50cmの電気炉を用いて調質熱処理をした場合、200°C90m/分でELが1.0となり、この値がELLとなる。一方、650°C30m/分でELが28となり、この値がELHとなる。このようにして、各化学組成のワイヤWにおける熱処理温度及び熱処理時間を変化させて、そのELLとELHを決定すると、後記の実施例と比較例の対比から、ワイヤWの引張試験における伸びELがその最小値ELLの1.5倍以上、最大値ELHの0.8倍以下となるように調整する。すなわち、通常、ELがELLの1.5倍未満であると、低温もしくは短時間で調質熱処理を行うこととなって、ワイヤWは硬質となるため、ワイヤWはボンディングの際にクセがつけにくくなる。そのため、1st接合部と2nd接合部の距離が近い場合、ワイヤWが硬質であることから、1st、2nd接合部の両方に負荷がかかり、接合部付近のワイヤ部分が破断に至ることがある。また、2nd接合の際にワイヤが変形しにくくなるため、2nd接合性が悪くなって、連続ボンディング性が悪くなる。一方、ELがELHの0.8倍を上回ると、高温もしくは長時間で調質熱処理を行うこととなって、ワイヤWは軟質となるため、1st接合部に比べて2nd接合部の高さが著しく低く、1st接合部直上のワイヤ部分ネック部分に負荷がかかる場合、このネック部分に亀裂が生じる恐れがある。また、ワイヤ強度が低下するため、その低下によってワイヤフローが発生する恐れがある。以上から、ELをELLの1.5倍以上、ELHの0.8倍以下とすれば、後記実施例と比較例の対比から、連続ボンディング性が良好となり、ループに亀裂などの欠陥がなく、ワイヤフローの発生の恐れも少なくなる。例えば、上記Pdを2.0質量、Caを10質量ppm、Cuを50質量ppm含有し、残部がAgである組成で線径が30μmのワイヤWの場合、ELL:1.0、ELH:28であることから、500°C30m/分で熱処理すれば、ELが10となるので、ELLの1.5倍以上、ELHの0.8倍以下となり、上記の好ましい特性が得られる。特に、後記実施例と比較例の対比から、ELをELLの2.0倍以上でかつELHの0.7倍以下とすれば、ループに亀裂などの欠陥が発生する可能性をより低減できる。なお、調質熱処理において、炉温度を350°C以上600°C以下、ワイヤ走行速度を30~90m/分としたのは、その熱処理温度とワイヤ走行速度の範囲内であると、伸びの最小値ELL:1.5倍以上、同最大値ELH:0.8倍以下となるように調整することが容易にできたからである。このボンディングワイヤWの化学組成は、上記のELL:1.5倍以上、ELH:0.8倍以下となるAgを主成分とする従来周知の構成を適宜に採用すれば良いが、例えば、Pdを0.5~3.0質量含み、Ca、Y、La、Ceから選ばれる1種以上の元素を合計で1~10質量ppm含み、かつ、Cuを5~300ppm含み、それ以外がAg及び不可避不純物からなる構成とすることができる。Pdは、耐食性及び良好な電気特性を得るために添加するが、図3hに示すように、FABを作製する時にワイヤ先端部と放電棒gとの間で放電させてワイヤ先端を溶融させる際、Agに比べて高融点なPdがFAB表面に集積するため、FABボールb表面がPdの高濃度層になり、同図bの、次に続く1st接合時に電極aとの接合界面の高信頼性化に寄与する。このPdの添加において、Pdが0.5質量未満であると、接合部の信頼性が低くなる。より好ましくは0.7質量以上であれば、特に湿潤環境下での信頼性が確保できる。また、3.0質量を超えた量を添加すると、一般的に用いられているAu-Pd合金ボンディングワイヤの電気抵抗固有抵抗3.0μΩcmよりも本発明に係るワイヤの電気抵抗が高くなるため、直径を小さくすることが難しくなる。また、より好ましくは1.5質量以下とすると、一般的に用いられている4NのAuボンディングワイヤよりも低い電気抵抗固有抵抗2.3μΩcm以下を得ることができる。Ca、Y、La、Ceは、ワイヤ強度や耐熱性を向上させるために添加するが、その1種以上の元素の合計添加が1質量ppm未満であると、そのワイヤの耐熱性が低くなって実用上の問題が生じる。すなわち、耐熱性が低ければ、ボールb生成の際の放電による熱影響によってボールb直上のワイヤ部分の強度が低くなり、樹脂封止時にその部分が曲がったり断線したりする不具合が生じる。一方、合計添加量が10質量ppmを超えると、添加元素がワイヤ表面の酸化銀から酸素を奪い、酸化物となって大量にボールb表面に生じる。この酸化物の大量析出によって、1st接合時に電極aが損傷するため、合計添加量は10質量ppm以下とする。ここで、Y、La、Ceは希土類元素であり、入手性に難があるため、Caの添加が最も好ましい。また、ワイヤの強度を上げるためにCuを5質量ppm以上添加する。Agの強度を上げるために添加する元素としては、Ni、Tiチタンなども挙げられるが、Niは添加するための鋳造凝固の際に2相に分離することがあるため、添加が難しく、TiはAg、Pdと反応してそれぞれ脆弱な金属間化合物を作るので、好ましくない。CuについてはAg中に安定して添加できるため最適である。Cuが5質量ppm未満であると、ワイヤの強度が不足するため、ワイヤボンディング後の樹脂封止の際にワイヤフローを起こしやすくなる。また、Cuの添加量が300質量ppmを超えると、ボールbの形状が安定した真球状にならず、異形のボールbが発生し易くなる。このワイヤWの線径はボンディングワイヤとして使用し得れば任意であるが、例えば、12~50.8μmとする。50.8μm以下とすると溶融ボールbをより小さくでき、12μm未満であると、ボンディング前にオペレータがワイヤWをキャピラリー10aに通すのが困難になり、作業性が悪くなるうえに、空気圧によりワイヤに十分な張力をかけることができなくなり、ループ制御が困難になる恐れがある。この発明は、以上のようにAgを主体としたので、金ボンディングワイヤに比べれば、安価なものとし得るとともに、その引張伸びELがその伸びの最小値ELLの1.5倍以上、同最大値ELHの0.8倍以下となるようにしたので、連続ボンディング性及び亀裂等の欠陥が発生し難い適度な強度のワイヤとなってNi/Pd/Au被覆電極又はAu電極との接合性が良いものとすることができる。純度が99.99質量以上4Nの高純度Agを用いて、表1に示す化学成分の銀合金を鋳造し、8mmφのワイヤロッドを作成した。そのワイヤロッドを伸線加工し所定の最終線径12~50μmφの銀合金線とし、窒素雰囲気中で種々の加熱温度加熱時間にて連続焼鈍した。その連続焼鈍による調質熱処理は、炉長:50cmの炉において、その炉温度を350°C以上600°C以下、ワイヤ走行速度を30~90m/分で行なった。なお、化学成分の定量はICP-OESにより行った。その連続焼鈍した各ワイヤWの引張試験を行なって伸びELを測定した。その引張試験は試料長さ:100mmW0のワイヤWを引張速度10m/分の速度で引張り、破断に至る時のワイヤ長WLを測定し、伸びEL=WL―W0/W0×100として算出した。この伸びELを、各化学組成のワイヤWにおいてそれぞれ種々の加熱温度加熱時間の熱処理条件において測定し、図4に示す各化学組成のワイヤWにおける伸びの最小値ELL、最大値ELHを求めた。表1の化学組成の各実施例及び比較例において、その伸びELがELLの2.0倍以上でかつELHの0.7倍以下となるように調質されたワイヤWは、その伸びELをA1とし、同伸びELがELLの1.5倍以上でかつELLの2.0倍未満であればA2、同伸びELHの0.7倍を超えてかつELHの0.8倍以下であればA3、同伸びELがELLの1.5倍未満であればB、同伸びELがELHの0.8倍を超えればCと区分した図4参照。この各実施例及び各比較例に対し、それぞれ下記の試験を行った。評価項目各ワイヤWについて、自動ワイヤボンダで、図3に示すボールボンディングを行った。すなわち、放電棒gによるアーク放電によりワイヤW先端にFABボールbを作製し、それを半導体素子チップ5、13上のNi/Pd/Au被覆電極a又はAu被覆電極aに接合し、ワイヤ他端をリード端子導体配線cに接合した図1、図2参照。なお、FAB作製時にはワイヤW先端部に窒素N2ガスを流しながらアーク放電を行った。リード端子cにはAg被覆42Ni-Fe合金を使用した。評価に用いたボンディング試料における連続ボンディング性、ループ形状亀裂等の欠陥発生の有無、HAST、1st接合部のチップ損傷、電気抵抗、樹脂封止時のワイヤフロー、FABの形状安定性及び総合評価を表2に示す。それらの評価方法等は以下の通りである。評価方法連続ボンディング性ボンディングマシンで10,000回の連続ボンディングを行い、マシンストップが発生しなければA、1回のマシンストップが発生すればB、2回以上のマシンストップが起こればDとした。このとき、ステージ温度が低くなれば、その連続ボンディングが困難になることから、200°C、150°Cの2水準で行った。ループ形状亀裂等の欠陥発生の有無ボンディング後のループを走査型電子顕微鏡SEMで30本確認し、ワイヤ表面の亀裂の有無により判定した。ワイヤ表面が平滑に弧を描き、30本どこにも亀裂が生じていないものの評価をAとし、ワイヤ径の3未満の亀裂が生じているものがあっても同3以上の亀裂のあるものがない場合は使用上の問題がないと判断してB、1本でもワイヤ径の3以上の亀裂が生じているものがある場合は使用上問題があると判断して評価をDとした。HASTによる信頼性評価ボンディング試料30本を130°C/85RHRelativeHumidityの試験槽中に1000時間装入し、1000時間経過後のシェア強度Hを初期のシェア強度Hで除した割合RH×100を用いて評価した。各試料のRが全て80以上ならA、各試料のR平均値が60以上80未満ではB、同60未満ではDとした。ボンディング後、1st接合部直下のチップ損傷の評価1st接合部および電極膜を王水で溶解し、半導体素子5、13のクラックを光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡SEMで観察した。100個の接合部を観察して3μm未満の微小なピットが1個もしくはまったく見られない場合はA、3μm以上のクラックが2個以上認められた場合をDとした。電気抵抗4端子法を用いて室温での電気抵抗を測定した。3試料の固有抵抗の平均値が2.3μΩcm未満であれば十分な導電性を有すると考えられるのでA、同2.3μΩcm以上30μΩcm未満であればB、同30μΩcm以上であればDとした。樹脂封止時のワイヤフローの評価ワイヤ長:5mmのボンディング試料をエポキシ樹脂で封止した後で、X線非破壊観察装置にて最大ワイヤフロー量を測定した。測定は20本行い、その平均値をワイヤ長5mmで除した割合をワイヤフロー率とした。このワイヤフロー率が5未満ならA、5以上7未満ではB、7以上では実用上の問題があると考えて評価をDとした。FAB形状の安定性の評価ワイヤ径に対するFAB径の比率が小さくなると、安定性の確保が難しいことから、FAB径ワイヤ径の比率が1.9~2.1の時の真球性を評価した。接合前のボールを50本観察して、FAB形状が真球状であるか否かを判定した。真球状の比率が95以上であればA、同95未満であれば、Dとした。ここで、FABボールbの作製はN2ガスを吹き付けながら行なった。総合評価各評価において、すべてがAであるものをA、AとBが混在するものをB、一つでもDがあり、そのDが連続ボンディング性又はループ形状以外のものはC、同連続ボンディング性又はループ形状を含むものはDとした。この発明は、連続ボンディング性及びループ形状の向上を目的とし、HAST等の向上は要求されない場合があり、評価Cであっても使用し得る場合があるからである。この表1、2において、Ca、Y、La、Ceから選ばれる1種以上の元素の合計が10質量ppmを超えると、比較例1、3、10からFAB表面に析出物の生成が確認され、1st接合部のチップ損傷が発生するために1st接合部のチップ損傷がDとなり、総合評価でもDとなっている。これらの元素を含有しない場合は、比較例6、9から、樹脂封止時にワイヤフローが起こり、Dとなって総合評価でDとなっている。また、Pdが0.5質量未満であると、比較例2から、HAST評価においてD、3.0質量を超えると、比較例6、7から、電気抵抗の評価においてDとなって、総合評価でDとなっている。また、Cuの添加量が5質量ppm未満であると、比較例1~4、10から樹脂封止の際にワイヤフローが起こるため、その評価においてD、300質量ppmを超えると、比較例6~9から、FAB形状の安定性評価がDとなり、総合評価でDとなっている。さらに、伸びELがB又はCであると、比較例1~10から、ループ形状の観察において、亀裂が認められるためDとなる。ELがBであると、比較例1、2、5、6、8、9から、連続ボンディング性がDとなり、ELがCであると、比較例3、4、7、10からワイヤフローが起こるためその評価においてDとなって、総合評価でDとなっている。このように、比較例1~10においては、各評価において、Dが2つ以上あるとともに、連続ボンディング性又はループ形状の評価においてDとなっている。これに対し、各実施例1~25は、ワイヤWの引張伸びELが伸びの最小値ELLの1.5倍以上、最大値ELHの0.8倍以下A1~A3であるボンディング用ワイヤであることから、総合評価においてA、B又はCを得て、実用上問題がないかA、B又は使用条件を特定すれば、使用可能であるCことが理解できる。この引張伸びのワイヤWにおいて、実施例1~20は、いずれも、Ca、Y、La、Ceから選ばれる1種以上の元素を合計で1~10質量ppm含み、Pdを0.5~3.0質量含み、Cuを5~300質量ppm含み、ELがA1、A2又はA3であることから、連続ボンディング性、ループ形状、HAST、1st接合部のチップ損傷、電気抵抗、樹脂封止時のワイヤフロー及びFAB形状の安定性の各評価において、A又はBを得ており、総合評価においては、B以上を得て、実用上問題ないことがわかる。また、Pdが0.7質量以上であれば、実施例3~15、18~20、比較例1、3、5~10から、HAST評価においてAとなり、高い信頼性を有することが理解できる。一方、Pdが1.5質量以下であると、実施例1~3、5~9、11、12、14~18、20~22、25、比較例1~5、8、9から、電気抵抗評価においてAとなり、良好な電気特性を得られることが理解できる。さらに、ELがA1であれば、実施例1~11、実施例24、25から150°Cでの連続ボンディング性、ループ形状がAとなり、優れた連続ボンディング性とループ形状を得られることが理解できる。さらに、ELがA2であれば、実施例12~15、21~23から、150°Cでの連続ボンディング性、ループ形状がBとなり、また、ELがA3であれば、実施例16~20から、150°Cでの連続ボンディング性がA、ループ形状がBとなることがわかる。以上から、Ca、Y、La、Ceから選ばれる1種以上の元素を合計で1~10質量ppm含み、Pdを0.5~3.0質量含み、Cuを5~300質量ppm含み、それ以外がAg及び不可避不純物からなり、ワイヤの引張伸びELが伸びの最小値ELLの1.5倍以上、最大値ELHの0.8倍以下A1~A3であるボンディング用ワイヤにおいて、Pdが0.7質量以上であれば、HAST評価において高い信頼性を有するものとなり実施例3~15、18~20、また、Pdが1.5質量以下であると、良好な電気特性を得られるものとなり実施例1~3、5~9、11、12、14~18、20、Ca等及びCuの添加量が全てそれらの値であって、ELがELLの2.0倍以上、同ELHの0.7倍以下A1のボンディングワイヤWでは、全ての評価がA、又はA以外はBの評価が一つ実施例1~11と、実用性のより高いものとなり、特に、Pdが0.7質量以上、1.5質量以下であると、全ての評価がAとなって実施例3、5~9、11、さらに実用性の高いものとなることが理解できる。"