"2次電池が接続されるVDD端子及びVSS端子と、前記第2の外部端子に接続される過電流検出端子と、前記2次電池を充電する充電器による充電電流を制御する充電制御FETが接続される充電制御端子と、を備え、前記2次電池の、電圧及び電流を監視し、充放電を制御するバッテリ保護ICであって、前記過電流検出端子と前記VDD端子の間に第1のスイッチ素子を備え、前記第1のスイッチ素子は、前記充電器の極性が逆に接続されたときに、前記過電流検出端子と前記VDD端子の間の電流経路を遮断する、ことを特徴とするバッテリ保護IC。前記第1のスイッチ素子は、ドレインが前記過電流検出端子に接続され、ゲートが前記VDD端子に接続された、NMOSトランジスタである、ことを特徴とする請求項1に記載のバッテリ保護IC。ソースが前記第1のスイッチ素子のソースに接続され、ドレインが前記VDD端子に接続され、ゲートが前記過電流検出端子に接続された、NMOSトランジスタを更に備えた、ことを特徴とする請求項2に記載のバッテリ保護IC。前記充電制御端子と前記VDD端子の間に設けられた第2のスイッチ素子を更に備え、前記第2のスイッチ素子は、前記充電器の極性が逆に接続されたときに、前記充電制御端子と前記VDD端子の間の電流経路を遮断する、ことを特徴とする請求項1に記載のバッテリ保護IC。前記第2のスイッチ素子は、ドレインが前記充電制御端子に接続され、ゲートが前記VDD端子に接続された、NMOSトランジスタである、ことを特徴とする請求項4に記載のバッテリ保護IC。充電器が接続される第1の外部端子及び第2の外部端子と、前記第1の外部端子と前記第2の外部端子の間に直列に接続された、2次電池、放電制御FET及び充電制御FETと、前記2次電池の電圧と前記第2の外部端子の電圧が入力され、前記2次電池の充放電を制御する請求項1から5のいずれかに記載のバッテリ保護ICと、を備えたことを特徴とするバッテリ装置。しかしながら、上述のようなバッテリ保護IC3およびバッテリ装置1は、電流制限抵抗8を必要とするため、バッテリ保護IC3の外付け部品が増えてしまう、と言う課題がある。また、内部の電流制限用の抵抗は、バッテリ保護IC3の通常動作に与える影響とトレードオフの関係にあり、むやみに抵抗値を大きくすることは出来ない、と言う課題がある。上記の課題を解決するために、本発明のバッテリ保護ICは以下の構成とした。過電流検出端子とVDD端子の間に第1のスイッチ素子を備え、充電器の極性が逆に接続されたときに、過電流検出端子とVDD端子の間の電流経路を遮断する構成とした。また、充電制御端子とVDD端子の間に第2のスイッチ素子を備え、充電器の極性が逆に接続されたときに、充電制御端子とVDD端子の間の電流経路を遮断する構成とした。本発明のバッテリ保護IC3およびバッテリ装置1によれば、バッテリ保護IC3の内部に、充電器13の逆接続時の電流を遮断するスイッチ素子を設けることで、バッテリ装置1の部品点数を減らし、かつ安全性の高いバッテリ保護IC3およびバッテリ装置1を提供することが可能となる。以下、本発明による最良の形態について図面を用いて詳細に説明を行なう。図1は、本実施形態のバッテリ保護ICおよびバッテリ装置を示すブロック図である。バッテリ装置1は、2次電池2と、バッテリ保護IC30と、スイッチである放電制御FET4及び充電制御FET5と、容量6と、入力抵抗7と、充電器13や負荷が接続される外部端子11と12と、を有している。バッテリ保護IC30は、VDD端子15及びVSS端子16と、充電制御用のCO端子17及び放電制御用のDO端子18と、過電流検出用のVM端子19と、を備えている。また、バッテリ保護IC30は、図示はしないが図2と同様に、過放電検出回路31と、過充電検出回路32と、過電流検出回路33と、制御回路34と、を備えている。そして、それらの回路やESD保護素子などがあることによって、例えば、寄生ダイオードD1,D2、D3、D4、D5、D6が存在する。さらに、バッテリ保護IC30は、トランジスタM1、M2、M3を備えている。2次電池2は、正極を入力抵抗7を介してバッテリ保護IC30のVDD端子15と、負極をバッテリ保護IC30のVSS端子16と接続される。容量6は、バッテリ保護IC30のVDD端子15とVSS端子16に接続される。放電制御FET4と充電制御FET5は、2次電池2の負極とバッテリ装置1の外部端子12の間に直列に接続される。放電制御FET4のゲートは、バッテリ保護IC30の放電制御端子DOに接続される。充電制御FET5のゲートは、バッテリ保護IC30の充電制御端子COと接続される。放電制御FET4と充電制御FET5は、ゲートとソースの間にゲート酸化膜保護ダイオードが設けられている。VM端子19は、外部端子12に直接接続される。寄生ダイオードD1は、VM端子19とVDD端子15の間に接続されている。寄生ダイオードD2は、VM端子19とCO端子17の間に接続されている。寄生ダイオードD3及びD4は、VM端子19とVDD端子15の間に接続されている。寄生ダイオードD3と寄生ダイオードD4の接続点は、CO端子17に接続されている。寄生ダイオードD5は、VSS端子16とDO端子18の間に接続されている。寄生ダイオードD6は、VSS端子16とVDD端子15の間に接続されている。スイッチ素子であるトランジスタM1は、ドレインとソースがVM端子19とVDD端子15及びDO端子18の間に接続され、ゲートがVDD端子15に接続されている。トランジスタM2は、ドレインとソースがVDD端子15とトランジスタM1のソースの間に接続され、ゲートがVM端子19に接続されている。スイッチ素子であるトランジスタM3は、ドレインとソースがCO端子17とVDD端子15の間に接続され、ゲートがVDD端子15に接続されている。次に、本実施形態のバッテリ装置1の動作について説明する。2次電池2が1セルすると、その電圧はおよそ5V程度であり、充電器13の出力端子の両端に10V程度の電位差があるとする。最初に、充電器13がバッテリ装置1に正常に接続された場合について説明する。充電器13が正常に接続されている場合は、2次電池2を充電するための充電電流が、外部端子11~2次電池2~放電制御FET4~充電制御FET5~外部端子12の経路で流れている。この状態では、VSS端子16とVM端子19の電位はほぼ等しくなる。従って、トランジスタM1は、ゲートの電圧がVDDでドレインの電圧がVSSなので、オンする。また、トランジスタM2は、ゲートの電圧がVSSでドレインの電圧がVDDなので、オフする。従って、トランジスタM3は、ゲートの電圧がVDDなので、オンする。トランジスタM1からM3は、このような状態にあるときは、バッテリ保護IC30の通常動作に影響を与えることはない。例えば、過充電検出回路31は、2次電池2の電圧が所定の電圧を超えた時に、制御回路34に過充電検出信号を出力する。そして、制御回路34は充電制御FET5をオフして、充電器13による充電を停止する。次に、充電器13がバッテリ装置1に逆接続された場合について説明する。充電器13が逆に接続されると、VM端子15の電圧が高くなるので、過電流検出回路33が過電流を検出して、放電制御FET4や充電制御FET5をオフする。放電制御FET4がオフするとバッテリ装置1は電流を流さないので、VM端子-VDD端子間に充電器13の電圧10Vが印加されることになる。このとき、VM端子19とVDD端子15の間に、寄生ダイオードD1や、寄生ダイオードD3~D4を介する第1の電流経路が存在する。また、充電制御FET5のゲート酸化膜保護ダイオードがブレークダウンすると、CO端子17とVDD端子15の間に、寄生ダイオードD4を介する第2の電流経路が存在する。ここで、バッテリ保護IC30は、第1の電流経路にトランジスタM1を設け、第2の電流経路にトランジスタM3を設けることで、これらの電流経路を遮断する。トランジスタM1は、ゲートがVDD端子15に接続されていて、VM端子19の電圧がVDD10Vになるのでオフする。トランジスタM2は、ゲートがVM端子19に接続されているので、オンしてトランジスタM1のソースの電圧をVDDにする。以上の動作によって、バッテリ保護IC30は、第1の電流経路を遮断することが出来る。トランジスタM3は、ゲートがVDD端子15に接続されていて、CO端子17の電圧がVDD10Vになるのでオフする。従って、バッテリ保護IC30は、第1の電流経路を遮断することが出来る。以上説明したように、バッテリ装置1に充電器13が逆接続されても、トランジスタM1~M3の働きによって電流経路を遮断することが可能となり、VM端子19に接続されていた電流制限抵抗8や内部の抵抗を必要とせず、かつ高い安全性を確保することが可能となる。ここで、トランジスタM1~M3の求められる特性について説明する。トランジスタM1は、通常動作において、過電流を検出する電圧の精度に影響しないように、内部電位をVM端子19の電位と等しくにする必要があるため、オン抵抗が低いことが求められる。また、充電制御FET5がオフしたときには、ゲート及びソースとドレインの間に充電器13の電圧がかかるので、ゲート酸化膜を十分に厚く、ドレインは高耐圧構造であることが求められる。トランジスタM2は、通常動作時には常にオフであるので、例えば閾値電圧を高くするなど、オフリーク電流が発生しないことが求められる。また、充電制御FET5がオフしたときには、ソースとドレインの間に充電器13の電圧がかかるので、ドレインは高耐圧構造であることが求められる。また、充電器13の逆接続時には、ゲートには充電器13の電圧がかかるので、ゲート酸化膜を十分に厚いことが求められる。トランジスタM3は、充電制御FET5がオフしたときに、CO端子17はVM端子19と同電位になり、ゲートには充電器13の電圧がかかるので、ゲート酸化膜を十分に厚くしておく。また、充電器13の逆接続時において、ゲート及びソースとドレインの間に充電器13の電圧がかかるので、ゲート酸化膜を十分に厚く、ドレインは高耐圧構造であることが求められる。なお、トランジスタM2は、バッテリ保護IC30のVM端子19の静電保護素子を兼ねることも可能である。以上より、本発明のバッテリ保護IC30及びバッテリ装置1によれば、充電器13が逆接続された際にもバッテリ保護IC30を含め、バッテリ装置1内で電流を流すことなく、従来必要であった外付け抵抗を接続することなく、高い安全性を有するバッテリ保護ICおよびバッテリ装置を提供することが可能となる。"