同一の絶縁体上に設けられた画素部及びセンサ部を有する発光装置と、前記発光装置に電気的に接続された演算回路と、を有し、前記画素部は、発光素子を有し、前記センサ部は、フォトダイオード及びトランジスタを有し、前記フォトダイオードは、前記トランジスタと電気的に接続された配線、前記配線上に設けられた変換層、前記変換層上に設けられた電極、及び前記電極上に設けられた引出配線を有し、前記フォトダイオードが有する前記引出配線は、前記発光素子が有する画素電極と同一材料及び同一工程で設けられ、前記センサ部は、環境照度を感知する機能を有し、前記環境照度に応じて前記発光素子の発光輝度を調節することによって、前記環境照度に対する前記発光輝度の比率が一定に保たれることを特徴とする発光モジュール。同一の絶縁体上に設けられた画素部、センサ部、及び駆動回路を有する発光装置と、前記発光装置に電気的に接続された演算回路と、を有し、前記画素部は、発光素子を有し、前記センサ部は、フォトダイオード及びトランジスタを有し、前記フォトダイオードは、前記トランジスタと電気的に接続された配線、前記配線上に設けられた変換層、前記変換層上に設けられた電極、及び前記電極上に設けられた引出配線を有し、前記フォトダイオードが有する前記引出配線は、前記発光素子が有する画素電極と同一材料及び同一工程で設けられ、前記センサ部は、環境照度を感知する機能を有し、前記演算回路は、前記環境照度に応じた信号を前記駆動回路に出力する機能を有し、前記環境照度に応じた信号に基づいて前記駆動回路が前記発光素子の発光輝度を調節することによって、前記環境照度に対する前記発光輝度の比率が一定に保たれることを特徴とする発光モジュール。請求項2において、前記演算回路は、前記発光輝度を補正するためのデータが格納された補正メモリを有し、前記演算回路は、前記センサ部から伝送された前記環境照度のデータと前記発光輝度を補正するためのデータに基づいて前記環境照度に応じた信号を算出する機能を有することを特徴とする発光モジュール。請求項2または請求項3において、前記センサ部から伝送された前記環境照度のデータをデジタル信号に変換して前記演算回路に入力する機能を有する第1の回路と、前記演算回路から出力された前記環境照度に応じた信号をアナログ信号に変換する機能を有する第2の回路と、を有することを特徴とする発光モジュール。請求項2乃至請求項4のいずれか一項において、前記環境照度に応じた信号に基づいて前記駆動回路が前記発光素子に流れる電流量を補正することによって、前記発光輝度を調節することを特徴とする発光モジュール。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記画素部が有するトランジスタにおいて、ソース配線またはドレイン配線がチャネル形成領域を覆うことを特徴とする発光モジュール。請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記電極は、可視光を透過させる膜を有することを特徴とする発光モジュール。請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、前記引出配線は、周期表の1族または2族に属する元素を有する導電膜を有することを特徴とする発光モジュール。請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、前記発光素子は、EL素子であることを特徴とする発光モジュール。請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の発光モジュールを有することを特徴とする電気器具。請求項10に記載される電気器具とは、カメラ、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響機器、コンピュータ、ゲーム機器、携帯機器、または記録媒体を備えた画像再生装置であることを特徴とする電気器具。本発明は、消費電力が低く視認性に優れた発光装置を提供することを課題とする。また、そのような発光装置を用い、消費電力が低く視認性に優れた表示部を有する電気器具を提供することを課題とする。本発明の発光モジュールは、発光モジュールの使用環境の照度以下、環境照度というをセンサ部により感知し、それに応じて発光素子の発光輝度を調節し、環境照度に対する発光輝度の比率環境照度と発光輝度とのコントラスト比を一定に保つ手段を含む点に特徴がある。換言すれば、明るい使用環境ではEL素子の発光輝度を高くして視認性を良好なものとすることができ、暗い使用環境ではEL素子の発光輝度を低くして視認性を損なうことなく消費電力を抑えることができる点に特徴がある。環境照度の感知モニタリングは光センサにより行えば良い。本発明では一つもしくは複数の光センサ典型的にはフォトダイオードを含むセンサ部を、画像を表示する画素部と同一の絶縁体上に形成する点も特徴としている。即ち、画素部に設けるトランジスタ薄膜トランジスタおよびバルクシリコンを用いたMOSトランジスタを含むやEL素子を形成する工程と同一の工程でフォトダイオードを含むセンサ部を形成する点にも特徴がある。本発明の発光モジュールは、発光装置に設けられたセンサ部により環境照度が感知され、その出力信号に基づいて補正回路により適正なEL素子の発光輝度およびそれを得るために必要な補正信号が算出される。そして、この補正信号に基づいてEL素子に流れる電流量が補正され、環境照度に対する発光輝度の比率コントラスト比ともいうが一定に保たれる。本発明の発光モジュールは、明るい環境においては十分に明るい表示となるため視認性に優れ、暗い環境においては良好な視認性を確保しつつ明るさを最小限に抑えることができるため消費電力が低くて済む。従って、本発明の発光モジュールを用いた電気器具は、表示部の視認性に優れ、且つ、消費電力の低いものとなる。本発明は、発光装置に設けられたセンサ部により環境照度が感知され、その出力信号に基づいて補正回路により適正なEL素子の発光輝度およびそれを得るために必要な補正信号が算出される。そして、この補正信号に基づいてEL素子に流れる電流量が補正され、環境照度に対する発光輝度の比率が一定に保たれる。その結果、明るい環境でも暗い環境でも視認性に優れ、且つ、暗い環境においては消費電力を最小限に抑えることが可能な発光モジュールを得ることができる。従って、本発明の発光モジュールを用いた電気器具は、表示部の視認性に優れ、且つ、消費電力の低いものとすることができる。本発明の実施の形態について説明する。図1Aは本発明の発光モジュールの回路ブロック図である。発光装置100には画素部101、データ信号ビデオ信号側駆動回路102、ゲート信号側駆動回路103、センサ部104が含まれ、発光装置100には補正回路105が接続されている。この補正回路105はセンサ部104から伝送された信号に基づいて画素部101の発光素子の発光輝度を算出するための演算回路を有する。補正回路105としてはモノリシックICを用いても良いし、ハイブリッドICもしくはMCMMultiChipModuleを用いても良い。モノリシックICを用いる場合、発光装置100に直接実装しても良いし、TABTapeAutomatedBondingテープに実装してTCPTapeCarrierPackageとして発光装置100に接続しても良い。また、ハイブリッドICもしくはMCMを用いる場合、発光装置100にTABテープを用いて接続すれば良い。次に、図1Bはセンサ部104の回路構成の一例を示している。ここではセンサ部104にはフォトダイオード106、リセットTFT107、バッファTFT108および定電流TFT109が含まれる。リセットTFT107はフォトダイオード106に逆バイアス電圧を印加して初期状態に戻すリセットするためのTFTであり、初期状態に戻すタイミングはゲートであるリセット信号線110に伝送される信号で制御する。また、バッファTFT108はフォトダイオード106で感知された信号を増幅するためのTFTであり、定電流TFT109は定電流源として機能するTFTである。ここではバッファTFT108と定電流TFT109とでソースフォロアとして働くような構成となっており、出力信号は出力線111に伝送される。なお、定電圧V1~定電圧V3はフォトダイオード106、リセットTFT107、バッファTFT108もしくは定電流TFT109のソースもしくはドレインに印加された固定電圧である。固定電圧としては、代表的に電源電圧もしくは接地電圧が選択される。なお、図1Bに示す回路構成は一例であり、光センサとして働く回路構成であれば公知の如何なる構成を用いても良い。また、ここではTFTを能動素子として用いているが、画素部をMOSトランジスタ半導体基板に形成されたMOS構造のトランジスタで形成するような場合は当然MOSトランジスタを用いることになる。次に、図1Cは画素部101の回路構成の一例を示している。ここでは画素部101にはEL素子112、スイッチングTFT113、電流制御TFT114およびコンデンサ115が含まれる。スイッチングTFT113は電流制御TFT114のゲートを制御するためのTFTであり、ゲート線116をゲートとし、データ線ビデオ線117に伝送されてきた信号を電流制御TFT114のゲートに伝送する。また、電流制御TFT114はEL素子112に流れる電流を制御するためのTFTであり、電流供給線118に伝送されてきた信号をEL素子112に伝送する。なお、図1Cに示す回路構成は一例であり、EL素子の発光を制御しうる回路構成であれば公知の如何なる構成を用いても良い。また、ここではTFTを能動素子として用いているが、画素部をMOSトランジスタで形成するような場合もありうる。次に、補正回路105の構成の一例を図2、図3に示す。なお、図2は発光装置100をアナログ信号により駆動する場合アナログ駆動方式の例であり、図3は発光装置100をデジタル信号により駆動する場合デジタル駆動方式の例である。図2において、補正回路105はA/D変換回路A/Dコンバータ201、演算回路202、補正メモリ203およびD/A変換回路D/Aコンバータ204を含む。なお、演算回路202と補正メモリ203はMCMとしておくとデータ転送の高速化を図ることができるため好ましい。ここで補正メモリ203は、環境照度に対する発光輝度の比率を一定とするようEL素子の発光輝度を補正するための補正データを格納しておくためのメモリである。即ち、環境照度と発光輝度が常に一定のコントラスト比を確保しうるように、環境照度に応じた発光輝度の適正値データを格納記憶しておくためのメモリである。勿論、環境照度に応じた発光輝度の適正値データは、予め取得して格納しておく必要がある。ここでまず図2に示したアナログ駆動方式の場合について信号の流れを説明する。なお、アナログ駆動方式の場合、EL素子の電流量を決定する信号は図1Cのデータ線117に伝送される信号である。センサ部104から伝送された環境照度のデータセンサ出力信号はA/D変換回路201でデジタル信号に変換され、演算回路202に入力される。演算回路202では、入力されたセンサ出力信号および補正メモリ203に格納されたデータに基づいて環境照度に対して適正な発光輝度を得るためのデータ信号ビデオ信号の適正値が算出される。こうしてセンサ出力信号および補正メモリ203のデータに基づいてシグナルジェネレータ205からのデータ信号ビデオ信号が適正値に補正され、その補正されたデータ信号がD/A変換回路204で再びアナログ信号に戻されてデータ信号側駆動回路102に入力される。次に図3に示したデジタル駆動方式の場合について信号の流れを説明する。なお、デジタル駆動方式の場合、EL素子の電流量を決定する信号は図1Cの電流供給線118に伝送される信号である。センサ部104から環境照度のデータセンサ出力信号はA/D変換回路301でデジタル信号に変換され、演算回路302に入力される。演算回路302では、入力されたセンサ出力信号および補正メモリ303に格納されたデータに基づいて環境照度に対して適正な発光輝度を得るために必要な電流量の適正値が算出され、その情報を持った補正信号が出力される。こうしてセンサ出力信号および補正メモリ303のデータに基づいて算出された補正信号がD/A変換回路304でアナログ信号に変換されてEL駆動用電源305に入力される。EL駆動用電源305は画素部101の電流供給線に伝送される信号以下、電源データ信号というの電源であり、最終的にEL素子に流れる電流を決定する電源である。EL駆動用電源305には電圧可変器306が接続されており、補正回路105から伝送されてきた補正信号に基づいて電源データ信号が補正されて画素部101に入力される。以上のように、まず発光装置に設けられたセンサ部104により環境照度が感知され、その出力信号センサ出力信号に基づいて補正回路105では適正なEL素子の発光輝度を得るために必要なデータ信号もしくは補正信号が算出される。そして、このデータ信号もしくは補正信号に基づいてEL素子に流れる電流量が補正され、適正なコントラスト比の発光輝度が得られる。本発明の実施の形態に示した発光モジュールは、明るい環境においては十分に明るい表示となるため視認性に優れ、暗い環境においては良好な視認性を確保しつつ明るさを最小限に抑えることができるため消費電力が低くて済む。従って、本発明の発光モジュールを用いた電気器具は、表示部の視認性に優れ、且つ、消費電力の低いものとなる。本実施例では、本発明の発光モジュールに含まれる発光装置の断面構造但し封止前の状態について説明する。なお、本実施例では同一の絶縁体上にセンサ部、画素部および画素部を駆動する駆動回路を有した発光装置の例但し封止前の状態を示す。なお、センサ部はリセットTFTとそれに接続されたフォトダイオードを示し、駆動回路には基本単位となるCMOS回路を示し、画素部には一つの画素を示す。図4において、400は絶縁体絶縁基板、絶縁膜もしくは絶縁膜を表面に有した基板を含むであり、その上にはセンサ部、駆動回路および画素部が形成されている。センサ部にはリセットTFT451およびフォトダイオード452が設けられている。また、駆動回路にはCMOS回路を構成するnチャネル型TFT453およびpチャネル型TFT454が設けられている。また、画素部にはスイッチングTFT455、電流制御TFT456およびEL素子457が設けられている。なお、各TFTは公知の如何なる構造のTFTを用いても良い。本実施例では、各TFTをすべてボトムゲート型TFT具体的には逆スタガ型TFTで形成する例を示すが、トップゲート型TFT典型的にはプレーナ型TFTを用いることも可能である。また、本実施例ではセンサ部の回路構成は図1Bに示す構造となっており、画素部の回路構成は図1Cに示す構造となっている。ただし、このような回路構成に限らず、3個以上のTFTを用いても特に本発明の効果を妨げるものではない。ここで絶縁体400上に形成された各TFTの構造について説明する。nチャネル型TFT453において、401はゲート電極、402はゲート絶縁膜、403はn型の半導体領域以下、n型領域というからなるソース領域、404はn型領域からなるドレイン領域、405aおよび405bはLDDライトドープドレイン領域、406はチャネル形成領域、407チャネル保護膜、408は第1層間絶縁膜、409はソース配線、410はドレイン配線である。また、pチャネル型TFT454において、411はゲート電極、402はゲート絶縁膜、412はp型の半導体領域以下、p型領域というからなるソース領域、413はp型領域からなるドレイン領域、414はチャネル形成領域、415チャネル保護膜、408は第1層間絶縁膜、416はソース配線、410はドレイン配線である。このドレイン配線はnチャネル型TFT453と共通の配線となっている。また、リセットTFT451は基本的にはnチャネル型TFT453と同じ構造ソース配線もしくはドレイン配線の構成が異なるだけであるので詳細な説明は省略する。なお、リセットTFT451はpチャネル型TFT454と同じ構造とすることも可能である。リセットTFT451の場合、n型領域からなるドレイン領域417とp型領域418との間に非晶質半導体膜典型的には非晶質珪素膜419を設け、PIN接合を有するフォトダイオード452が形成されている。なお、420はp型領域418に電圧を印加するための配線である。また、スイッチングTFT455は基本的にはnチャネル型TFT453と同じ構造であるので詳細な説明は省略する。なお、スイッチングTFT455はpチャネル型TFT454と同じ構造とすることも可能である。また、ソース領域およびドレイン領域の間に二つ以上のチャネル形成領域を有した構造マルチゲート構造とすることも可能である。また、電流制御TFT456は基本的にはpチャネル型TFT454と同じ構造ドレイン配線が画素電極423となるだけであるので詳細な説明は省略する。なお、電流制御TFT456はnチャネル型TFT453と同じ構造とすることも可能である。そして、リセットTFT451、フォトダイオード452、nチャネル型TFT453、pチャネル型TFT454、スイッチングTFT455および電流制御TFT456を覆って第2層間絶縁膜平坦化膜421が設けられている。また、第2層間絶縁膜421には電流制御TFT456のドレイン領域422に到達するようにコンタクトホールが形成され、ドレイン領域422に接続された画素電極423が設けられている。画素電極423はEL素子の陽極として機能し、仕事関数の大きい導電膜、代表的には酸化物導電膜が用いられる。酸化物導電膜としては、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛もしくはそれらの化合物を用いれば良い。また、酸化物導電膜に酸化ガリウムを添加しても良い。次に、424は画素電極423の端部を覆うように設けられた絶縁膜であり、本明細書中ではバンクと呼ぶ。バンク424は珪素を含む絶縁膜もしくは樹脂膜で形成すれば良い。樹脂膜を用いる場合、樹脂膜の比抵抗が1×106~1×1012Ωm好ましくは1×108~1×1010Ωmとなるようにカーボン粒子もしくは金属粒子を添加すると、成膜時の絶縁破壊を抑えることができる。次に、425はEL層である。なお、本明細書中では発光層に対して正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層もしくは電子阻止層を組み合わせた積層体をEL層と定義する。発光層は公知の如何なる材料を用いても良いし、発光層に公知のドーパント代表的には蛍光色素を添加しても良い。また、ドーパントとして、三重項励起を経由して発光する有機材料を用いると高い発光効率が得られるので好ましい。次に、426はEL素子の陰極であり、仕事関数の小さい導電膜が用いられる。仕事関数の小さい導電膜としては、周期表の1族もしくは2族に属する元素を含む導電膜を用いれば良い。本実施例では、リチウムとアルミニウムとの化合物からなる導電膜を用いる。なお、画素電極陽極423、EL層425および陰極426からなる積層体457がEL素子である。EL素子457で生成された発光は、絶縁体400側図中矢印の方向へと放射される。また、本実施例のように電流制御TFTにpチャネル型TFTを用いる場合、電流制御TFTのドレインにはEL素子の陽極を接続することが好ましい。なお、陰極426を形成した後、EL素子457を完全に覆うようにして保護膜パッシベーション膜427を設けることは有効である。保護膜427としては、炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層で用いる。この際、カバレッジの良い膜を保護膜427として用いることが好ましく、炭素膜、特にDLCダイヤモンドライクカーボン膜を用いることは有効である。DLC膜は室温から100°C以下の温度範囲で成膜可能であるため、耐熱性の低いEL層425の上方にも容易に成膜することができる。また、DLC膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、EL層425の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後に続く封止工程を行う間にEL層425が酸化するといった問題を防止できる。ここで図4に示した構造を得るための製造工程について図5に示す。まず、ガラス基板501上にクロム膜からなるゲート電極502~506を形成し、その上に窒化酸化珪素膜SiOxNyで表される絶縁膜からなるゲート絶縁膜507を形成する。そして、ゲート絶縁膜507の上に非晶質珪素膜を形成し、レーザーアニールにより結晶化した後にパターニングして結晶質珪素膜からなる半導体膜508~513を形成する。ここまでの工程は公知の材料および公知の技術を用いれば良い。図5Aなお、半導体膜508と半導体膜509との間の距離は1μm以下、好ましくは0.3~0.5μmとしておく。次に、半導体膜508~513上に酸化珪素膜からなる絶縁膜514~519が形成され、その上からリンもしくは砒素を添加する。このとき添加方法は公知の技術を用いれば良い。こうしてn型領域520~525が形成される。n型領域520~525にはリンもしくは砒素が1×1020~1×1021atomscm3の濃度で含まれる。図5B次に、絶縁膜514~519をゲート電極502~506をマスクとして裏面露光によりパターニングし、絶縁膜チャネル保護膜526~530を形成する。そして、その状態で再びリンもしくは砒素を公知の技術を用いて添加する。こうしてn型領域531~541が形成される。n型領域531~541にはリンもしくは砒素が1×1017~1×1019atomscm3の濃度で含まれる。図5C次に、レジスト542~544を設け、ボロンを公知の技術により添加する。こうしてp型領域545~549が形成される。p型領域545~549にはボロンが3×1020~5×1021atomscm3の濃度で含まれる。なお、p型領域545~549には既にリンもしくは砒素が添加されているが、ボロンが3倍以上の濃度で添加されるため、完全にn型からp型に反転する。図5D次に、レジスト542~544を除去し、酸化珪素膜と窒化酸化珪素膜との積層構造からなる第1層間絶縁膜550を形成する。そして、第1層間絶縁膜550にコンタクトホールを形成し、モリブデンとタングステンとの積層構造からなる配線551~558を形成する。その後、半導体膜からなる変換層559を形成する。変換層559はフォトダイオードにおいて光吸収を行い、キャリアを発生させるための層であり、太陽電池のi層光電変換層に相当する。図5Eなお、変換層559としてはPIN接合を有する公知の層構造を用いることができる。また、光の入射側から見て、PIN接合となっていても良いし、NIP接合となっていても良い。また、変換層559の材料としては非晶質半導体膜、結晶質半導体膜もしくは微結晶半導体膜のいずれの膜を用いても良い。この後は、図4に示すように、第2層間絶縁膜421、画素電極423、バンク424、EL層425、陰極426および保護膜427を形成すれば、図4に示す断面構造の発光装置が完成する。本実施例の断面構造を含む発光装置を用いることで、明るい環境においては視認性に優れ、暗い環境においては良好な視認性を確保しつつ消費電力の低い発光モジュールが得られる。なお、本実施例は図1および図2または図1および図3に示す構成と組み合わせて実施すれば良い。本実施例では、実施例1とは異なる構造の発光装置但し封止前の状態の例を示す。なお、本実施例では実施例1と異なる部分について説明を行う。図4と同一の符号が付してある部分は実施例1の説明を参照すれば良い。図6において、絶縁体400上にはセンサ部、駆動回路および画素部が設けられている。センサ部にはリセットTFT451およびフォトダイオードフォトセンサ601が含まれ、駆動回路にはnチャネル型TFT453およびpチャネル型TFT454からなるCMOS回路が含まれ、画素部にはスイッチングTFT455、電流制御TFT456およびEL素子457が含まれている。本実施例では、フォトダイオード601の構造が実施例1と異なり、リセットTFT451のソースもしくはドレインとなる配線603、変換層604および反射側電極光が反射する側の電極605からフォトダイオードが形成される。また、本実施例では第2層間絶縁膜421の上に珪素を含む絶縁膜からなるバッファ層606を設けている。バッファ層606は第2層間絶縁膜421と配線603との密着性を高めるとともに、変換層604を形成する際に第2層間絶縁膜421がエッチングされるのを防ぐ効果も持つ。なお、配線603は画素電極423と同一工程で形成されるため、可視光に対して透明である。また、反射側電極となる導電膜は、反射率の高い導電膜が好ましく、アルミニウムや銀を主成分とする導電膜を用いれば良い。その際、変換層604と反射側電極605との間に酸化物導電膜をバッファ層として設けることで、変換層604と反射側電極605の間の反応を防止することができる。本実施例の断面構造を含む発光装置を用いることで、明るい環境においては視認性に優れ、暗い環境においては良好な視認性を確保しつつ消費電力の低い発光モジュールが得られる。なお、本実施例は図1および図2または図1および図3に示す構成と組み合わせて実施すれば良い。本実施例では、実施例1とは異なる構造の発光装置但し封止前の状態の例を示す。なお、本実施例では実施例1と異なる部分について説明を行う。図4と同一の符号が付してある部分は実施例1の説明を参照すれば良い。図7において、絶縁体400上にはセンサ部、駆動回路および画素部が設けられている。センサ部にはリセットTFT701およびフォトダイオードフォトセンサ702が含まれ、駆動回路にはnチャネル型TFT703およびpチャネル型TFT704からなるCMOS回路が含まれ、画素部にはスイッチングTFT705、電流制御TFT706およびEL素子707が含まれている。まず、本実施例では各TFTのソース配線もしくはドレイン配線がチャネル形成領域を覆うように設けられている点に特徴がある。本実施例の構造では、外部からの光がTFTのチャネル形成領域に直接当たる方向から到達するため、その光を遮ることでリーク電流の増加を防ぐために図7のような形状としている。また、本実施例では電流制御TFT706としてnチャネル型TFTを用いている。なお、電流制御TFT706は基本的には図4に示したnチャネル型TFT453と同じ構造ソース電極の形状が異なるだけであるので詳細な説明は省略する。なお、電流制御TFT706はpチャネル型TFT454と同じ構造とすることも可能である。また、本実施例では、フォトダイオード702の構造が実施例1と異なり、リセットTFT701のソースもしくはドレインとなる配線711、変換層712および透過側電極光が透過する側の電極713でフォトダイオードが形成され、透過側電極713には引出配線714が接続される。変換層712は実施例2の変換層604と同様の構成とすることができる。また、透過側電極713は酸化物導電膜を用いて形成すれば良い。画素部においては、この引出配線714と同一工程で画素電極715が形成される。画素電極715はEL素子707の陰極として機能する電極であり、周期表の1族もしくは2族に属する元素を含む導電膜を用いて形成されている。本実施例では、リチウムとアルミニウムとの化合物からなる導電膜を用いる。なお、本実施例のように電流制御TFTに陰極が接続される場合は電流制御TFTとしてnチャネル型TFTを用いることが好ましい。画素電極715が形成されたら絶縁膜バンク424を形成し、EL層716、酸化物導電膜からなる陽極717および保護膜718を形成し、図7の構造の発光装置但し封止前の状態が完成する。EL層716、陽極717および保護膜718の材料や構成に関しては実施例1を参考にすれば良い。本実施例の断面構造を含む発光装置を用いることで、明るい環境においては視認性に優れ、暗い環境においては良好な視認性を確保しつつ消費電力の低い発光モジュールが得られる。なお、本実施例は図1および図2または図1および図3に示す構成と組み合わせて実施すれば良い。本実施例では、実施例1とは異なる構造の発光装置但し封止前の状態の例を示す。なお、本実施例では実施例1と異なる部分について説明を行う。図4と同一の符号が付してある部分は実施例1の説明を参照すれば良い。図17において、絶縁体400上にはセンサ部および画素部が設けられている。なお、実施例2または実施例3と同様に同一絶縁体上に駆動回路を設けることも可能である。センサ部にはリセットTFT1701およびフォトダイオードフォトセンサ1702が含まれ、画素部にはスイッチングTFT1703、電流制御TFT1704およびEL素子1705が含まれている。本実施例では電流制御TFT1704としてpチャネル型TFTを用いている。なお、電流制御TFT1704は基本的には図4に示した電流制御TFT456と同じ構造であるので詳細な説明は省略する。なお、電流制御TFT1704は図4のnチャネル型TFT455と同じ構造とすることも可能である。また、本実施例では、フォトダイオード1702の構造が実施例1と異なっている。即ち、リセットTFT1701のソースもしくはドレインとなる酸化物導電膜からなる配線1711、n型半導体層1712、変換層i型半導体層1713、p型半導体層1714および受光側電極光を受光する側の電極1715でフォトダイオード1702が形成される。このとき、配線1711は、画素電極EL素子1705の陽極1716と同一工程で形成される。また、受光側電極1715は酸化物導電膜を用いて形成すれば良い。なお、画素部において配線1711と同一工程で形成される画素電極1716は、電流制御TFT1704のドレインに電気的に接続される。画素電極1716が形成されたら絶縁膜バンク424を形成し、EL層425、陰極426および保護膜427を形成し、図17の構造の発光装置但し封止前の状態が完成する。EL層425、陰極426および保護膜427の材料や構成に関しては実施例1を参考にすれば良い。本実施例の断面構造を含む発光装置を用いることで、明るい環境においては視認性に優れ、暗い環境においては良好な視認性を確保しつつ消費電力の低い発光モジュールが得られる。なお、本実施例は図1および図2または図1および図3に示す構成と組み合わせて実施すれば良い。本実施例では、同一の絶縁体上にセンサ部、補正回路、駆動回路および画素部を設けた発光装置について説明を行う。図8において800で示されるのは本実施例の発光装置であり、801は画素部、802はデータ信号側駆動回路、803はゲート信号側駆動回路、804はセンサ部、805は補正回路である。なお、画素部801の構成は図1Cを参照すれば良く、センサ部804の構成は図1Bを参照すれば良い。本実施例では、図2もしくは図3に示した構成の補正回路805をセンサ部、駆動回路および画素部と同一の絶縁体上に形成した点に特徴がある。即ち、本実施例の発光装置800は、センサ部804にて感知された環境照度に基づいて補正回路805から補正されたデータ信号が出力され、画素部801の発光輝度を適正な強度に調節する機能が備わっている。勿論、本実施例の構成では、補正回路805をすべてトランジスタTFTもしくはMOSトランジスタを用いて形成することになる。その際、図4のnチャネル型TFT453およびpチャネル型TFT454からなるCMOS回路を基本単位として回路設計を行えば良い。なお、本実施例の構成は実施例1~実施例4のいずれの構成とも組み合わせて実施することが可能である。本実施例の発光装置を含む発光モジュールは補正回路が内蔵されることで図1の構造に比べて軽量化を図ることができ、補正回路と駆動回路との接続に要するピン数を減らすことが可能である。本発明の発光モジュールに含まれるセンサ部には、光センサフォトセンサとして機能する回路を用いることができる。本実施例ではアクティブ型の光センサの回路構成の例として図9A、Bの構成を示す。図9Aに示す光センサには、フォトダイオード901、第1リセットTFT902、バッファTFT903、負荷容量904および第2リセットTFT905が含まれる。また、第1リセットTFT902のゲートには第1リセット信号線906が接続され、第2リセットTFT905のゲートには第2リセット信号線907が接続される。また、908は出力線である。また、図9Bに示すセンサ部には、フォトダイオード911、リセットTFT912、バッファTFT913および負荷抵抗負荷容量でも良い914が含まれる。また、リセットTFT912のゲートにはリセット信号線915が接続される。また、916は出力線である。なお、図9A、Bにおいて、定電圧V1、定電圧V2はフォトダイオード、リセットTFT、バッファTFTのソースもしくはドレインに印加された固定電圧である。定電圧としては、代表的に電源電圧もしくは接地電圧が選択される。本発明の発光モジュールのセンサ部には、図9Aもしくは図9Bに示す回路構成の光センサを一つもしくは複数設けることが可能である。また、図9A、Bに示す回路構成は一例であり、ここではTFTを能動素子として用いているが、画素部をMOSトランジスタで形成するような場合は当然MOSトランジスタを用いることになる。また、TFTを用いる場合、トップゲート型TFTを用いてもボトムゲート型TFTを用いても構わない。なお、本実施例の構成は実施例1~実施例5のいずれの構成とも組み合わせて実施することが可能である。本発明の発光モジュールに含まれるセンサ部としては、光センサとして機能する回路を用いることができる。本実施例ではパッシブ型の光センサの回路構成の例として図10の構成を示す。図10に示す光センサには、フォトダイオード1001およびリセットTFT1002含まれる。また、リセットTFT1002のゲートにはリセット信号線1003が接続される。また、1004は出力線である。なお、図10において、定電圧V1はフォトダイオード印加された固定電圧である。定電圧としては、代表的に電源電圧もしくは接地電圧が選択される。本発明の発光モジュールのセンサ部には、図10に示す回路構成の光センサを一つもしくは複数設けることが可能である。また、図10に示す回路構成は一例であり、ここではTFTを能動素子として用いているが、画素部をMOSトランジスタで形成するような場合は当然MOSトランジスタを用いることになる。また、TFTを用いる場合、トップゲート型TFTを用いてもボトムゲート型TFTを用いても構わない。なお、本実施例の構成は実施例1~実施例5のいずれの構成とも組み合わせて実施することが可能である。本実施例では、画素部における画素の構造を図1Bとは異なる構造とした場合について説明する。なお、図1Bと同じ符号を付してある部分については図1Bの説明を参照すれば良い。図11Aの構成では、スイッチングTFT113と電流制御TFT114のゲートとの間に消去TFT1101が接続されている点に特徴がある。消去TFT1101は電流制御TFT114に印加されたゲート電圧を強制的に0Vに変圧するためのTFTである。消去TFT1101のソースもしくはドレインの一方は電流制御TFT114のゲート電極に、他方は電流供給線118に接続され、ゲート電極は消去TFTのゲート電極となる配線消去ゲート線1102に接続される。また、図11Bの構成は、公知の構造であり、画素内に第1TFT1103、第2TFT1104、第3TFT1105、第4TFT1106、第1コンデンサ1107および第2コンデンサ1108が設けられている。また、データ線1109、第1ゲート線1110、第2ゲート線1111、第3ゲート線1112および電流供給線1113が図のように設けられ、各TFTに信号を伝送する構成となっている。また、第4TFT1106にはEL素子1114が接続されている。本実施例の発光モジュールの画素部は、図11AまたはBに示す構造の画素が複数設けられている。また、図11に示す回路構成は一例であり、ここではTFTを能動素子として用いているが、MOSトランジスタで形成することも可能である。また、トップゲート型TFTを用いてもボトムゲート型TFTを用いても構わない。なお、本実施例の構成は実施例1~実施例7のいずれの構成とも組み合わせて実施することが可能である。本発明の発光モジュールは、データ信号側駆動回路を公知の分割駆動法により駆動することで動作周波数を下げることが可能である。分割駆動法とは、点順次方式の駆動方法を行う際に、複数の画素に同時にデータ信号を書き込むことで動作周波数を下げる駆動方法である。この場合、n分割で分割駆動するにはデータ信号ビデオ信号がn本必要となる。そして、シフトレジスタの出力タイミングに同期して、n個の画素を1ブロックとしてブロック単位にデータ信号が書き込まれていく。こうすることでデータ信号側駆動回路の動作周波数を1/nに下げることができる。また、n本のデータ信号を設け、シフトレジスタの出力タイミングに同期して、n個おきに画素にデータ信号を書き込むこともできる。この場合もデータ信号側駆動回路の動作周波数を1/nに下げることができる。なお、本実施例の構成は実施例1~実施例8のいずれの構成とも組み合わせて実施することが可能である。本実施例では、EL素子を保護するための封止または封入工程まで行った後の本発明の発光モジュールについて図12A、Bを用いて説明する。なお、本実施例の封止構造は実施例1~実施例4に示したいずれの構造に対しても実施することが可能である。また、必要に応じて図4の符号を引用する。図12Aは、EL素子の封止までを行った状態を示す上面図、図12Bは図12AをA-A’で切断した断面図である。点線で示された1200は画素部、1201はソース信号側駆動回路、1202はゲート信号側駆動回路、1203はセンサ部である。また、1204はカバー材、1205は第1シール材、1206は第2シール材である。また、1207は外部入力端子となるTABテープであり、外部駆動回路や補正回路からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではTABテープしか図示されていないが、このTABテープにはプリント配線板PWBが取り付けられていても良いし、TCPとなっていても良い。次に、断面構造について図12Bを用いて説明する。絶縁体400の上方には画素部1200、ソース信号側駆動回路1201およびセンサ部1203が形成されており、画素部1200は電流制御TFT456とそのドレインに電気的に接続された画素電極423を含む複数の画素を含む。また、ソース信号側駆動回路1201はnチャネル型TFT453とpチャネル型TFT454とを組み合わせたCMOS回路を含む。また、センサ部1203はリセットTFT451に接続されたフォトダイオード452を含む。なお、絶縁体400には偏光板代表的には円偏光板を貼り付けても良い。画素電極423はEL素子の陽極として機能する。また、画素電極423の両端にはバンク424が形成され、画素電極423上にはEL層425およびEL素子の陰極426が形成される。陰極426は全画素に共通の配線としても機能し、最終的にTABテープ1207に電気的に接続されている。さらに、画素部1200、ソース信号側駆動回路1201およびセンサ部1203に含まれる素子は全て保護膜427で覆われている。また、第1シール材1205によりカバー材1204が貼り合わされている。なお、カバー材1204とEL素子との間隔を確保するためにスペーサを設けても良い。そして、第1シール材1205の内側には空隙1208が形成されている。なお、第1シール材1205は水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さらに、空隙1208の内部に吸湿効果をもつ物質や酸化防止効果をもつ物質を設けることは有効である。なお、カバー材1204の表面および裏面には保護膜として炭素膜具体的にはダイヤモンドライクカーボン膜1209a、1209bを2~30nmの厚さに設けると良い。このような炭素膜は、酸素および水の侵入を防ぐとともにカバー材1204の表面を機械的に保護する役割をもつ。また、カバー材1204を接着した後、第1シール材1205の露呈面を覆うように第2シール材1206を設けている。第2シール材1206は第1シール材1205と同じ材料を用いることができる。以上のような構造でEL素子を封入することにより、EL素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等のEL層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置が得られる。なお、図12A、Bに示したように、同一の絶縁体上に画素部、駆動回路およびセンサ部を有し、TABテープまで取り付けられた発光モジュールを本明細書中では駆動回路内蔵型発光モジュールと呼ぶ。実施例10において、図12に示した駆動回路内蔵型発光モジュールは、同一の絶縁体上に画素部および駆動回路が一体形成された例であるが、駆動回路を外付けIC集積回路で設けることも可能である。このような場合、構造は図13Aのようになる。図13Aに示すモジュールは、TFTおよびEL素子を含む画素部が形成された基板アクティブマトリクス基板10画素部11、配線12a、12bおよびセンサ部13を含むにTABテープ14が取り付けられ、そのTABテープ14を介してプリント配線板15が取り付けられている。ここでプリント配線板15の回路ブロック図を図13Bに示す。図13Bに示すように、プリント配線板15の内部には少なくともI/Oポート入出力部ともいう16、19、ソース信号側駆動回路17、ゲート信号側駆動回路18および補正回路20として機能するICが設けられている。このように、同一の絶縁体上に画素部およびセンサ部が形成された基板にTABテープが取り付けられ、そのTABテープを介して駆動回路としての機能を有するプリント配線板が取り付けられた構成のモジュールを、本明細書では特に駆動回路外付け型発光モジュールと呼ぶことにする。また、図14Aに示すモジュールは、駆動回路内蔵型発光モジュール30画素部31、ソース信号側駆動回路32、ゲート信号側駆動回路33、配線32a、33a、センサ部34およびTABテープ35を含むに、TABテープ35を介してプリント配線板36が取り付けられている。ここでプリント配線板36の回路ブロック図を図14Bに示す。図14Bに示すように、プリント配線板36の内部には少なくともI/Oポート37、40、コントロール部38およびメモリ部39として機能するICが設けられている。なお、メモリ部39は図2もしくは図3の補正メモリとしても機能し、コントロール部38に含まれる補正回路により発光輝度の調整が行われる。また、コントロール部38は、駆動回路に伝送される信号もしくはタイミング信号といった各種信号の制御も行うことが可能である。このように、同一の絶縁体上に画素部、駆動回路およびセンサ部が形成された駆動回路内蔵型発光モジュールにコントローラとしての機能を有するプリント配線板が取り付けられた構成のモジュールを、本明細書では特にコントローラ外付け型発光モジュールと呼ぶことにする。本発明を実施して形成された発光モジュールは様々な電気器具に用いられ、画素部は映像表示部として用いられる。本発明の電気器具としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響機器、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯機器モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍、記録媒体を備えた画像再生装置などが挙げられる。それら電気器具の具体例を図15、図16に示す。図15AはELディスプレイであり、筐体2001、支持台2002、表示部2003を含む。本発明の発光モジュールは表示部2003に用いることができる。本発明の発光モジュールを表示部に用いることでELディスプレイの視認性を向上させ、消費電力を下げることが可能である。図15Bはビデオカメラであり、本体2101、表示部2102、音声入力部2103、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106を含む。本発明の発光モジュールは表示部2102に用いることができる。図15Cはデジタルカメラであり、本体2201、表示部2202、接眼部2203、操作スイッチ2204を含む。本発明の発光モジュールは表示部2202に用いることができる。図15Dは記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDVD再生装置であり、本体2301、記録媒体CD、LDまたはDVD等2302、操作スイッチ2303、表示部a2304、表示部b2305を含む。表示部aは主として画像情報を表示し、表示部bは主として文字情報を表示するが、本発明の発光モジュールはこれら表示部a、bに用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には、CD再生装置、ゲーム機器なども含まれうる。図15Eは携帯型モバイルコンピュータであり、本体2401、表示部2402、受像部2403、操作スイッチ2404、メモリスロット2405を含む。本発明の発光モジュールは表示部2402に用いることができる。この携帯型コンピュータはフラッシュメモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情報を記録したり、それを再生したりすることができる。図15Fはパーソナルコンピュータであり、本体2501、筐体2502、表示部2503、キーボード2504を含む。本発明の発光モジュールは表示部2503に用いることができる。また、上記電気器具はインターネットやCATVケーブルテレビなどの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。表示部にEL素子を有した発光モジュールを用いた場合、EL素子の応答速度が非常に高いため遅れのない動画表示が可能となる。また、発光モジュールは発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響機器のような文字情報を主とする表示部に発光モジュールを用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。ここで図16Aは携帯電話であり、キー操作を行う部位操作部2601、情報表示を行う部位情報表示部2602であり、操作部2601および情報表示部2602は連結部2603で連結している。また、操作部2601には音声入力部2604、操作キー2605が設けられ、情報表示部2602には音声出力部2606、表示部2607が設けられている。本発明の発光モジュールは表示部2607に用いることができる。なお、表示部2607に発光モジュールを用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。図16Aに示した携帯電話の場合、表示部2604に用いた発光モジュールにCMOS回路でセンサCMOSセンサを内蔵させ、指紋もしくは手相を読みとることで使用者を認証する認証システム用端末として用いることもできる。また、外部の明るさ照度を読みとり、設定されたコントラストで情報表示が可能となるように発光させることもできる。さらに、操作スイッチ2605を使用している時に輝度を下げ、操作スイッチの使用が終わったら輝度を上げることで低消費電力化することができる。また、着信した時に表示部2604の輝度を上げ、通話中は輝度を下げることによっても低消費電力化することができる。また、継続的に使用している場合に、リセットしない限り時間制御で表示がオフになるような機能を持たせることで低消費電力化を図ることもできる。なお、これらはマニュアル制御であっても良い。また、図16Bは車載用オーディオであり、筐体2701、表示部2702、操作スイッチ2703、2704を含む。本発明の発光モジュールは表示部2702に用いることができる。また、本実施例では音響機器の例として車載用オーディオカーオーディオを示すが、据え置き型のオーディオオーディオコンポーネントに用いても良い。なお、表示部2704に発光モジュールを用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能である。その結果、明るい環境でも暗い環境でも視認性に優れ、且つ、暗い環境においては消費電力を最小限に抑えることが可能な発光モジュールを用いることで、電気器具の表示部の視認性を向上させ、且つ、消費電力を下げることが可能となる。また、本実施例の電気器具は実施例1~11のいずれの構成を含む発光モジュールを用いても良い。