絶縁性非磁性体からなるマトリックス中に軟磁性体が三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm~100nmである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造軟磁性材料。前記軟磁性体が、鉄、コバルト、鉄-コバルト合金、鉄-ニッケル合金、鉄-貴金属合金、ケイ素鋼、センダストおよびソフトフェライトからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載のナノヘテロ構造軟磁性材料。前記絶縁性非磁性体が、金属または半金属の酸化物および窒化物からなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1または2に記載のナノヘテロ構造軟磁性材料。互いに混和しない少なくとも第一ポリマーブロック成分と第二ポリマーブロック成分とが結合してなるブロックコポリマーと、軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体のうちの一方である第一無機前駆体と、軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体のうちの他方である第二無機前駆体と、を溶媒に溶解して原料溶液を調製する第一の工程と、少なくとも、前記第一無機前駆体が導入された前記第一ポリマーブロック成分からなる第一ポリマー相と、前記第二無機前駆体が導入された前記第二ポリマーブロック成分からなる第二ポリマー相と、が自己組織化により規則的に配置したナノ相分離構造体を形成せしめる相分離処理と、前記絶縁性非磁性体前駆体および前記軟磁性体前駆体をそれぞれ絶縁性非磁性体からなるマトリックスおよび軟磁性体に変換せしめる変換処理と、前記ナノ相分離構造体から前記ブロックコポリマーを除去する除去処理とを含み、前記絶縁性非磁性体からなるマトリックスと前記軟磁性体とからなるナノヘテロ構造軟磁性材料を得る第二の工程と、を含むことを特徴とするナノヘテロ構造軟磁性材料の製造方法。前記第一無機前駆体と前記第一ポリマーブロック成分との溶解度パラメータの差が2cal/cm31/2以下であり、前記第二無機前駆体と前記第二ポリマーブロック成分との溶解度パラメータの差が2cal/cm31/2以下であることを特徴とする請求項4に記載のナノヘテロ構造軟磁性材料の製造方法。前記第一ポリマーブロック成分と前記第一無機前駆体との溶解度パラメータの差は、前記第一ポリマーブロック成分と前記第二無機前駆体との溶解度パラメータの差よりも小さいことを特徴とする請求項4または5に記載のナノヘテロ構造軟磁性材料の製造方法。前記第二ポリマーブロック成分と前記第二無機前駆体との溶解度パラメータの差は、前記第二ポリマーブロック成分と前記第一無機前駆体との溶解度パラメータの差よりも小さいことを特徴とする請求項4~6のうちのいずれか一項に記載のナノヘテロ構造軟磁性材料の製造方法。前記ブロックコポリマーが、ポリスチレン成分、ポリイソプレン成分およびポリブタジエン成分からなる群から選択される少なくとも1種の第一ポリマーブロック成分と、ポリメチルメタクリレート成分、ポリエチレンオキシド成分、ポリビニルピリジン成分およびポリアクリル酸成分からなる群から選択される少なくとも1種の第二ポリマーブロック成分とが結合してなるものであり、前記第一無機前駆体が、フェニル基、炭素数5以上の長鎖炭化水素鎖、シクロオクタテトラエン環、シクロペンタジエニル環、およびアミノ基からなる群から選択される少なくとも1つの構造を備える、有機金属化合物および有機半金属化合物のうちの少なくとも1種であり、前記第二無機前駆体が、金属または半金属の塩、金属または半金属を含む炭素数1~4のアルコキシド、および金属または半金属のアセチルアセトナート錯体からなる群から選択される少なくとも1種である、ことを特徴とする請求項4~7のうちのいずれか一項に記載のナノヘテロ構造軟磁性材料の製造方法。また、アルミナからなるマトリックスに球状のコバルトを配置した合金膜をスパッタリングにより作製した場合、コバルトの規則性が低くなるため、十分に高い透磁率や高い飽和磁化を達成することは困難であった。本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、ナノ構造を有し、高い飽和磁化と高い比透磁率を有する軟磁性材料およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、ブロックコポリマーを構成する第一ポリマーブロック成分と軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体のうちの一方の無機前駆体と、第二ポリマーブロック成分と軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体のうちの他方の無機前駆体とをそれぞれ組み合わせて用いることにより、ブロックコポリマーの自己組織化を利用してナノ相分離構造体を形成せしめ且つ前記無機前駆体をそれぞれ軟磁性体および絶縁性非磁性体に変換せしめると共にブロックコポリマーを除去することによって、絶縁性非磁性体からなるマトリックス中に軟磁性体が三次元的にナノスケールの周期性をもって配置したナノヘテロ構造を有する軟磁性材料が得られ、さらに、このナノヘテロ構造軟磁性材料が高い飽和磁化と高い比透磁率を有するものであることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料の製造方法は、互いに混和しない少なくとも第一ポリマーブロック成分と第二ポリマーブロック成分とが結合してなるブロックコポリマーと、軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体のうちの一方である第一無機前駆体と、軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体のうちの他方である第二無機前駆体と、を溶媒に溶解して原料溶液を調製する第一の工程と、少なくとも、前記第一無機前駆体が導入された前記第一ポリマーブロック成分からなる第一ポリマー相と、前記第二無機前駆体が導入された前記第二ポリマーブロック成分からなる第二ポリマー相と、が自己組織化により規則的に配置したナノ相分離構造体を形成せしめる相分離処理と、前記絶縁性非磁性体前駆体および前記軟磁性体前駆体をそれぞれ絶縁性非磁性体からなるマトリックスおよび軟磁性体に変換せしめる変換処理と、前記ナノ相分離構造体から前記ブロックコポリマーを除去する除去処理とを含み、前記絶縁性非磁性体からなるマトリックスと前記軟磁性体とからなるナノヘテロ構造軟磁性材料を得る第二の工程と、を含むことを特徴とする方法である。本発明に用いる前記第一無機前駆体と前記第一ポリマーブロック成分との溶解度パラメータの差は2cal/cm31/2以下であることが好ましく、前記第二無機前駆体と前記第二ポリマーブロック成分との溶解度パラメータの差は2cal/cm31/2以下であることが好ましい。さらに、本発明に用いる前記第一ポリマーブロック成分と前記第一無機前駆体との溶解度パラメータの差は、前記第一ポリマーブロック成分と前記第二無機前駆体との溶解度パラメータの差よりも小さいことが好ましい。また、前記第二ポリマーブロック成分と前記第二無機前駆体との溶解度パラメータの差は、前記第二ポリマーブロック成分と前記第一無機前駆体との溶解度パラメータの差よりも小さいことが好ましい。本発明に用いる前記ブロックコポリマーが、ポリスチレン成分、ポリイソプレン成分およびポリブタジエン成分からなる群から選択される少なくとも1種の第一ポリマーブロック成分と、ポリメチルメタクリレート成分、ポリエチレンオキシド成分、ポリビニルピリジン成分およびポリアクリル酸成分からなる群から選択される少なくとも1種の第二ポリマーブロック成分とが結合してなるものである場合、前記第一無機前駆体としては、フェニル基、炭素数5以上の長鎖炭化水素鎖、シクロオクタテトラエン環、シクロペンタジエニル環、およびアミノ基からなる群から選択される少なくとも1つの構造を備える、有機金属化合物および有機半金属化合物のうちの少なくとも1種が好ましく、前記第二無機前駆体としては、金属または半金属の塩、金属または半金属を含む炭素数1~4のアルコキシド、および金属または半金属のアセチルアセトナート錯体からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。また、このような本発明の製造方法によって得ることができるようになった本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料は、絶縁性非磁性体からなるマトリックス中に軟磁性体が三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm~100nmである三次元的周期構造を有していることを特徴とするものである。本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料において、前記軟磁性体としては、鉄、コバルト、鉄-コバルト合金、鉄-ニッケル合金、鉄-貴金属合金、ケイ素鋼、センダストおよびソフトフェライトからなる群から選択される少なくとも1種が好ましく、前記絶縁性非磁性体としては、金属または半金属の酸化物および窒化物からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。なお、前記本発明の方法によって前記本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料が得られるようになる理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。すなわち、先ず、互いに混和しないAおよびBの2種類のポリマーブロック成分が結合してなるブロックコポリマーは、ガラス転移点以上の温度で熱処理することでA相とB相とが空間的に分離したナノ相分離構造を構成する自己組織化。その際、ポリマーブロック成分の分子量比によって一般的に相分離構造は変化する。具体的には、A:Bの分子量比が1:1の場合には一般的に層状の層状構造をとり、分子量比が1:1からずれるにしたがい、二つの連続相が絡み合ったようなジャイロイド状構造から柱状構造、さらに球状構造へと変化してゆく。なお、図1は、ブロックコポリマーから生成されるナノ相分離構造を示す模式図であり、左から、層状構造a、ジャイロイド状構造b、柱状構造c、球状構造dをそれぞれ示しており、右側の構造ほど一般的にAの割合が高い。本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料の製造方法においては、先ず、上記のブロックコポリマーの自己組織化を利用して、複数の無機前駆体を三次元的にナノスケールの周期性をもって配置させる。すなわち、互いに混和しない複数のポリマーブロック成分からなるブロックコポリマーは、前述のように自己組織化によりナノスケールで相分離する。その際、本発明においては、ブロックコポリマーを構成する第一ポリマーブロック成分と軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体のうちの一方である第一無機前駆体と、第二ポリマーブロック成分と軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体のうちの他方である第二無機前駆体とをそれぞれ組み合わせて用い、さらには、前記第一ポリマーブロック成分との溶解度パラメータの差が2cal/cm31/2以下である第一無機前駆体と、前記第二ポリマーブロック成分との溶解度パラメータの差が2cal/cm31/2以下である第二無機前駆体とを組み合わせて用いることが好ましい。これにより、第一無機前駆体および第二無機前駆体はそれぞれ第一ポリマーブロック成分中および第二ポリマーブロック成分中に十分に導入された状態でブロックコポリマーの自己組織化と共にナノ相分離構造を構成し、ナノ相分離構造を所定の構造とすることによって前記無機前駆体は三次元的にナノスケールの周期性をもって配置される。さらに、本発明においては、前記軟磁性体前駆体および前記絶縁性非磁性体前駆体をそれぞれ軟磁性体および絶縁性非磁性体に変換せしめると共にブロックコポリマーを除去することによって、ナノ相分離構造の形状に応じて絶縁性非磁性体からなるマトリックス中に軟磁性体が三次元的に特定のナノスケールの周期性をもって配置されたナノヘテロ構造を有する軟磁性材料が得られる。なお、本発明においては、前記第一無機前駆体および前記第二無機前駆体と第一ポリマーブロック成分および第二ポリマーブロック成分とをそれぞれ組み合わせて用いており、さらには、これらの溶解度パラメータの差がそれぞれ2cal/cm31/2以下であることが好ましい。これにより、各ポリマーブロック成分に対する各無機前駆体の導入量が十分に多くなり、そのため前記軟磁性体前駆体および前記絶縁性非磁性体前駆体をそれぞれ軟磁性体および軟磁性体前駆体に変換せしめると共にブロックコポリマーを除去してもナノスケールの三次元的周期構造が十分に維持されると本発明者らは推察する。なお、本発明における溶解度パラメータとは、ヒルデブラントによって導入された正則溶液論により定義されたいわゆるSP値であり、以下の式:溶解度パラメータδ[cal/cm31/2]=ΔE/V1/2式中、ΔEはモル蒸発エネルギー[cal]、Vはモル体積[cm3]を示す。に基づいて求められる値である。また、本発明における繰り返し構造の一単位の長さの平均値とは、一方の無機成分からなるマトリックス中に配置されている他方の無機成分の隣接するもの同士の中心間の距離の平均値であり、いわゆる周期構造の間隔dに相当する。係る周期構造の間隔dは、以下のように小角X線回折により求められる。また、本発明に係る、球状、柱状、ジャイロイド状または層状といった構造についても、以下のように小角X線回折により測定される特徴的な回折パターンにより規定することができる。すなわち、小角X線回折により、球状、柱状、ジャイロイド状または層状などの形状の構造体がマトリックス中に周期的に配置した擬似結晶格子の特徴的な格子面からのBragg反射が観察される。その際、周期構造が形成されていると回折ピークが観察され、それら回折スペクトルの大きさq=2π/dの比から、球状、柱状、ジャイロイド状、層状などの構造を特定することができる。また、係る回折ピークのピーク位置から、Braggの式nλ=2dsinθ;λはX線波長、θは回折角を示す。により、周期構造の間隔dを求めることができる。以下の表1に、各構造とピーク位置の回折スペクトルの大きさqの比の関係を示す。なお、表1に示すようなピークが全て確認される必要はなく、観察されたピークから構造が特定できればよい。また、本発明に係る球状、柱状、ジャイロイド状、層状といった構造を透過型電子顕微鏡TEMを用いて特定することも可能であり、それによってその形状や周期性を判別評価することができる。さらに、様々な方向からの観察や三次元トモグラフィーを用いることによって、三次元性をより詳しく判別することも可能である。本発明によれば、絶縁性非磁性体からなるマトリックス中に軟磁性体が三次元的にナノスケールの周期性をもって配置したナノヘテロ構造を有し、高い飽和磁化と高い比透磁率を有する軟磁性材料を得ることが可能となる。以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。先ず、本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料について説明する。本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料は、絶縁性非磁性体からなるマトリックス中に軟磁性体が三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm~100nmである三次元的周期構造を有しているものである。このような本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料は、従来の製造方法では実現することができなかった構造を有するものであり、軟磁性体と絶縁性非磁性体との組み合わせについて、それらの配置、組成、構造スケールなどを様々に制御したナノヘテロ構造を有するものとして得ることが可能である。そのため、本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料は、軟磁性体と絶縁性非磁性体との組み合わせによって高周波帯域での渦電流損失が低減され、発熱の少ない低磁性損失および優れた高周波軟磁気特性を示すようになる。また、従来のナノ構造軟磁性材料以上の界面増大効果、ナノサイズ効果、耐久性などの飛躍的な向上が発揮され、結果として高飽和磁化および高透磁性を発現し、さらに低磁歪、低ノイズ化、小型化、低振動性、および高感度が発揮されるようになる。本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料を構成する軟磁性体としては、保磁力が小さく透磁率が大きいものであれば公知の軟磁性体を使用することができるが、鉄、コバルト、鉄-コバルト合金パーメンジュールなど、鉄-ニッケル合金パーマロイなど、鉄-貴金属合金Fe3Ptなど、ケイ素鋼、センダスト、ソフトフェライトが好ましい。これらの軟磁性体は、1種を単独で使用しても2種以上を併用してもよい。また、本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料を構成する絶縁性非磁性体としては、シリカやアルミナといった金属または半金属の酸化物、窒化ケイ素や窒化ホウ素といった金属または半金属の窒化物などの絶縁性を有する公知の非磁性体が挙げられる。これらの絶縁性非磁性体は、1種を単独で使用しても2種以上を併用してもよい。次に、このような本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料の製造方法について説明する。本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料の製造方法は、互いに混和しない少なくとも第一ポリマーブロック成分と第二ポリマーブロック成分とが結合してなるブロックコポリマーと、軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体のうちの一方である第一無機前駆体と、軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体のうちの他方である第二無機前駆体と、を溶媒に溶解して原料溶液を調製する第一の工程と、少なくとも、前記第一無機前駆体が導入された前記第一ポリマーブロック成分からなる第一ポリマー相と、前記第二無機前駆体が導入された前記第二ポリマーブロック成分からなる第二ポリマー相と、が自己組織化により規則的に配置したナノ相分離構造体を形成せしめる相分離処理と、前記絶縁性非磁性体前駆体および前記軟磁性体前駆体をそれぞれ絶縁性非磁性体からなるマトリックスおよび軟磁性体に変換せしめる変換処理と、前記ナノ相分離構造体から前記ブロックコポリマーを除去する除去処理とを含み、前記絶縁性非磁性体からなるマトリックスと前記軟磁性体とからなるナノヘテロ構造軟磁性材料を得る第二の工程と、を含む方法である。以下に、それぞれの工程を説明する。[第一の工程:原料溶液調製工程]係る工程は、以下に説明するブロックコポリマーと以下に説明する無機前駆体とを溶媒に溶解して原料溶液を調製する工程である。本発明で用いられるブロックコポリマーは、少なくとも第一ポリマーブロック成分と第二ポリマーブロック成分とが結合してなるものである。このようなブロックコポリマーの具体例として、繰り返し単位aを有するポリマーブロック成分A第一ポリマーブロック成分と、繰り返し単位bを有するポリマーブロック成分B第二ポリマーブロック成分と、が末端同士で結合した、-aa...aa-bb...bb-という構造をもつA-B型、A-B-A型のブロックコポリマーがある。また、1種類以上のポリマーブロック成分が中心から放射状に伸びたスター型や、ブロックコポリマーの主鎖に他のポリマー成分がぶらさがった形でもよい。本発明で用いられるブロックコポリマーを構成するポリマーブロック成分は、互いに混和しないものであれば、その種類に特に限定はない。したがって、本発明で用いられるブロックコポリマーは、極性がそれぞれ異なるポリマーブロック成分からなるものが好ましい。係るブロックコポリマーの具体例としては、ポリスチレン-ポリメチルメタクリレートPS-b-PMMA、ポリスチレン-ポリエチレンオキシドPS-b-PEO、ポリスチレン-ポリビニルピリジンPS-b-PVP、ポリスチレン-ポリフェロセニルジメチルシランPS-b-PFS、ポリイソプレン-ポリエチレンオキシドPI-b-PEO、ポリブタジエン-ポリエチレンオキシドPB-b-PEO、ポリエチルエチレン-ポリエチレンオキシドPEE-b-PEO、ポリブタジエン-ポリビニルピリジンPB-b-PVP、ポリイソプレン-ポリメチルメタクリレートPI-b-PMMA、ポリスチレン-ポリアクリル酸PS-b-PAA、ポリブタジエン-ポリメチルメタクリレートPB-b-PMMAなどが挙げられる。中でも、ポリマーブロック成分の極性の差が大きいほど導入する前駆体も極性の差が大きいものを用いることができるため、それぞれのポリマーブロック成分に前駆体を導入し易くなるという観点から、PS-b-PVP、PS-b-PEO、PS-b-PAAなどが好ましい。ブロックコポリマーおよびそれを構成する各ポリマーブロック成分の分子量は、製造するナノヘテロ構造軟磁性材料の構造スケール球、柱、層などのサイズや間隔や配置に応じて適宜選択すればよい。例えば、数平均分子量が100~1000万より好ましくは1000~100万であるブロックコポリマーを用いることが好ましく、数平均分子量が小さいほど構造スケールは小さくなる傾向にある。また、各ポリマーブロック成分の数平均分子量に関しては、各ポリマーブロック成分の分子量比などを調整することにより、後述するナノ相分離構造体の形成工程において自己組織化により得られるナノ相分離構造を所望の構造とすることができ、ひいては、無機成分を所望の形態で配列した構造をもつナノヘテロ構造を有する軟磁性材料が得られるようになる。また、後述する熱処理焼成または光照射により容易に分解されるブロックコポリマーや、溶媒により容易に除去されるブロックコポリマーを用いることが好ましい。本発明で用いられる軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体は、それぞれ前述した軟磁性体および絶縁性非磁性体を後述する変換処理によって形成できる無機前駆体であれば特に制限はない。具体的には、前記軟磁性体および前記絶縁性非磁性体を構成する金属または半金属の塩例えば、炭酸塩、硝酸塩、リン酸塩、硫酸塩、酢酸塩、塩化物、有機酸塩アクリル酸塩など、前記金属または前記半金属を含む炭素数1~4のアルコキシド例えば、メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキシド、前記金属または前記半金属の錯体例えば、アセチルアセトナート錯体、前記金属または前記半金属を含む有機金属化合物または有機半金属化合物例えば、フェニル基、炭素数5以上の長鎖炭化水素鎖、シクロオクタテトラエン環、シクロペンタジエニル環、およびアミノ基からなる群から選択される少なくとも1種の構造を備えるものが好ましい。このような軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体は、目的とするナノヘテロ構造軟磁性材料を構成する軟磁性体と絶縁性非磁性体との組み合わせに応じて、且つ、それらが前述の諸条件を満たすように1種または2種以上を適宜選択して使用される。本発明で用いられる溶媒としては、用いるブロックコポリマーと第一および第二無機前駆体とを溶解できるものであればよく、特に限定されないが、例えば、アセトン、テトラヒドロフランTHF、トルエン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、クロロホルム、ベンゼンなどが挙げられる。このような溶媒は、1種を単独で用いてもよく、また2種以上を混合して用いてもよい。なお、本明細書において、溶解とは、物質溶質が溶媒に溶けて均一混合物溶液となる現象であって、溶解後、溶質の少なくとも一部がイオンとなる場合、溶質がイオンに解離せず分子状で存在している場合、分子やイオンが会合して存在している場合、などが含まれる。本発明においては、前記第一ポリマーブロック成分と軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体のうちの一方である第一無機前駆体と、前記第二ポリマーブロック成分と前記前駆体のうちの他方である第二無機前駆体とをそれぞれ組み合わせて用い、さらには、前記第一ポリマーブロック成分との溶解度パラメータの差が2cal/cm31/2以下である第一無機前駆体と、前記第二ポリマーブロック成分との溶解度パラメータの差が2cal/cm31/2以下である第二無機前駆体とを組み合わせて用いることが好ましい。このような条件を満たす第一無機前駆体と第二無機前駆体とを組み合わせて用いることにより、後述するナノ相分離構造体を形成する工程において、第一ポリマーブロック成分中に第一無機前駆体が、第二ポリマーブロック成分中に第二無機前駆体がそれぞれ十分に導入された状態でブロックコポリマーの自己組織化と共にナノ相分離構造が構成され、前記無機前駆体は三次元的にナノスケールの周期性をもって配置される。本発明に用いる前記第一ポリマーブロック成分と前記第一無機前駆体との溶解度パラメータの差は、前記第一ポリマーブロック成分と前記第二無機前駆体との溶解度パラメータの差よりも小さいことが好ましい。また、前記第二ポリマーブロック成分と前記第二無機前駆体との溶解度パラメータの差は、前記第二ポリマーブロック成分と前記第一無機前駆体との溶解度パラメータの差よりも小さいことが好ましい。さらに、これらの両方の条件を満たすことがより好ましい。さらに、本発明において用いる前記第一無機前駆体は前記第二ポリマーブロック成分との溶解度パラメータの差が2cal/cm31/2超であることが好ましい。また、前記第二無機前駆体は前記第一ポリマーブロック成分との溶解度パラメータの差が2cal/cm31/2超であることが好ましい。さらに、これらの両方の条件を満たすことがより好ましい。このような条件を満たす第一無機前駆体と第二無機前駆体とを組み合わせて用いることにより、後述するナノ相分離構造体を形成する工程において、第一ポリマーブロック成分中に不純物として第二無機前駆体の一部が、また、第二ポリマーブロック成分中に不純物として第一無機前駆体の一部が導入されてしまうことがより確実に防止される傾向にあり、得られるナノヘテロ構造軟磁性材料におけるマトリックスを構成する無機成分の純度および/またはマトリックス中に配置される無機成分の純度がより向上する傾向にある。このような条件を満たす第一および第二ポリマーブロック成分と第一および第二無機前駆体との組み合わせとしては、第一ポリマーブロック成分がポリスチレン成分、ポリイソプレン成分およびポリブタジエン成分からなる群から選択される少なくとも1種の極性の小さいポリマーブロック成分であり、第二ポリマーブロック成分がポリメチルメタクリレート成分、ポリエチレンオキシド成分、ポリビニルピリジン成分およびポリアクリル酸成分からなる群から選択される少なくとも1種の極性の大きいポリマーブロック成分であり、第一無機前駆体が前記有機金属化合物および前記有機半金属化合物からなる群から選択される少なくとも1種の極性の小さい無機前駆体であり、第二無機前駆体が前記金属または前記半金属の塩、前記金属または前記半金属を含む炭素数1~4のアルコキシド、ならびに前記金属または前記半金属のアセチルアセトナート錯体からなる群から選択される少なくとも1種の極性の大きい無機前駆体である組み合わせが好ましい。また、前記第一無機前駆体および前記第二無機前駆体のうちの少なくとも一方より好ましくは両方は、用いる溶媒との溶解度パラメータの差が2cal/cm31/2以下であることが好ましい。このような条件を満たす第一無機前駆体および/または第二無機前駆体を用いることにより、溶媒に無機前駆体がより確実に溶解し、後述するナノ相分離構造体を形成する工程においてポリマーブロック成分中に無機前駆体がより確実に導入される傾向にある。さらに、得られる原料溶液における溶質ブロックコポリマー、第一無機前駆体および第二無機前駆体の割合は特に限定されないが、原料溶液の全量を100質量としたときに、溶質の合計量を0.1~30質量程度とすることが好ましく、0.5~10質量とすることがより好ましい。また、ブロックコポリマーに対する第一および第二無機前駆体の使用量を調整することにより、各ポリマーブロック成分に導入される各無機前駆体の量が調整されるため、得られるナノヘテロ構造軟磁性材料における軟磁性体と絶縁性非磁性体との比率やこれらの構造スケール球や柱などのサイズや間隔などを所望の程度とすることができる。[第二の工程:ナノヘテロ構造軟磁性材料形成工程]この工程は、以下に詳述する相分離処理と変換処理と除去処理とを含み、絶縁性非磁性体からなるマトリックスと軟磁性体とからなるナノヘテロ構造軟磁性材料を調製する工程である。先ず、前記第一の工程において調製された原料溶液は、ブロックコポリマー、軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体を含むものであるが、本発明においては、前記第一ポリマーブロック成分と軟磁性体前駆体および絶縁性非磁性体前駆体のうちの一方である第一無機前駆体と、前記第二ポリマーブロック成分と前記前駆体のうちの他方である第二無機前駆体とをそれぞれ組み合わせて用い、さらには、前記第一ポリマーブロック成分との溶解度パラメータの差が2cal/cm31/2以下である第一無機前駆体と、前記第二ポリマーブロック成分との溶解度パラメータの差が2cal/cm31/2以下である第二無機前駆体とを組み合わせて用いることが好ましい。これにより、第一無機前駆体および第二無機前駆体はそれぞれ第一ポリマーブロック成分中および第二ポリマーブロック成分中に十分に導入された状態で存在する。そのため、ブロックコポリマーの自己組織化によりナノ相分離構造体を形成せしめる相分離処理により、第一無機前駆体が導入された第一ポリマーブロック成分からなる第一ポリマー相と第二無機前駆体が導入された第二ポリマーブロック成分からなる第二ポリマー相とが規則的に配置し、前記無機前駆体は三次元的にナノスケールの周期性をもって配置される。このような相分離処理としては、特に限定されないが、用いるブロックコポリマーのガラス転移点以上の温度で熱処理することにより、ブロックコポリマーは自己組織化され、相分離構造が得られる。次に、本発明においては、相分離処理により形成されたナノ相分離構造体に対して、前記軟磁性体前駆体および前記絶縁性非磁性体前駆体をそれぞれ軟磁性体および絶縁性非磁性体に変換せしめる変換処理と、前記ナノ相分離構造体から前記ブロックコポリマーを除去する除去処理とが施される。係る変換処理により前記軟磁性体前駆体および前記絶縁性非磁性体前駆体をそれぞれ軟磁性体および絶縁性非磁性体に変換せしめると共に、係る除去処理によりブロックコポリマーを除去することによって、ナノ相分離構造の種類形状に応じて絶縁性非磁性体からなるマトリックス中に軟磁性体が球状、柱状、ジャイロイド状または層状といった形状で三次元的に特定のナノスケールの周期性をもって配置された本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料が得られる。このような変換処理としては、前記無機前駆体が前記無機成分に変換される温度以上で加熱して無機成分に変換する工程であってもよいし、前記無機前駆体を加水分解するとともに脱水縮合させて無機成分に変換する工程であってもよい。また、除去処理としては、ブロックコポリマーが分解する温度以上で熱処理焼成することによってブロックコポリマーを分解する工程であってもよいが、溶媒によりブロックコポリマーを溶解して除去する工程や、紫外線などの光照射によりブロックコポリマーを分解する工程であってもよい。さらに、本発明における前記第二の工程においては、前記第一の工程において調製された原料溶液に対してブロックコポリマーが分解する温度以上で熱処理焼成を施すことによって、前記相分離処理、前記変換処理および前記除去処理を一度の熱処理で行うことができる。このように一度の熱処理により前記相分離処理、前記変換処理および前記除去処理を完結させるためには、用いるブロックコポリマーや無機前駆体の種類によっても異なるが、300~1200°Cより好ましくは400~900°Cで0.1~50時間程度の熱処理を施すことが好ましい。このような熱処理は、不活性ガス雰囲気例えば、窒素ガスなど中、酸化ガス雰囲気例えば、空気など中、あるいは還元ガス雰囲気例えば、水素など中で行なってもよい。不活性ガス雰囲気中で無機前駆体を無機成分に変換せしめると共にブロックコポリマーを除去することにより、ナノスケールの三次元的周期構造がより確実に維持される傾向にある。また、酸化ガス雰囲気中で無機前駆体を無機成分に変換せしめることにより、金属または半金属の酸化物からなる軟磁性体および絶縁性非磁性体を備える軟磁性材料を得ることができる。さらに、還元ガス雰囲気中で無機前駆体を無機成分に変換せしめることにより、金属または半金属からなる軟磁性体および絶縁性非磁性体を備える軟磁性材料を得ることができる。このような不活性ガス雰囲気中、酸化ガス雰囲気中、あるいは還元ガス雰囲気中での熱処理の条件は特に制限されないが、300~1200°Cより好ましくは400~900°Cで0.1~50時間程度の処理が好ましい。また、前記熱処理の後あるいは前記熱処理の際に、それぞれ公知の方法により、アルゴン雰囲気などを用いて無機成分を炭化せしめる処理、アンモニア雰囲気などを用いて無機成分を窒化せしめる処理、炭化ホウ素含有雰囲気などを用いて無機成分を硼化せしめる処理などを更に施すようにしてもよい。本発明のナノヘテロ構造軟磁性材料の製造方法においては、前記第一の工程の後に、前記原料溶液を熱処理容器に装入して前記第二の工程を施してもよいし、あるいは、前記原料溶液を基材の表面に塗布した後、前記第二の工程を施してもよい。後者の方法によれば、基材の表面に膜状のナノヘテロ構造軟磁性材料を直接形成することができる。用いる基材の種類に特に限定はなく、得られるナノヘテロ構造軟磁性材料の用途などに応じて適宜選択すればよい。また、原料溶液の塗布方法としては、ハケ塗り、スプレー法、ディッピング法、スピン法、カーテンフロー法などが用いられる。以下、実施例および比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1ブロックコポリマーとしてポリスチレン-b-ポリ4-ビニルピリジンPS-b-P4VP、PS成分の数平均分子量:50×103、P4VP成分の数平均分子量:13×1030.1gと、軟磁性体前駆体であるCo前駆体としてアセチルアセトナートコバルトCoacac20.085gと、絶縁性非磁性体前駆体であるアルミナ前駆体としてアルミニウムフェノキサイドPhO3Al0.074gとを10mLのトルエンに溶解し、原料溶液を得た。次に、得られた原料溶液を熱処理容器に入れ、空気気流下、650°Cで3時間熱処理した後、水素4含有アルゴン気流下、550°Cで3時間熱処理することによって、無機構造体0.8cm×0.8cm×2μmを得た。得られた無機構造体を透過型電子顕微鏡TEMを用いて観察したところ、図2に示すように、絶縁性非磁性体であるAl2O3マトリックス中に軟磁性体である球状のCoが三次元的且つ周期的に配置しているナノヘテロ構造体であることが確認された。また、得られた無機構造体について小角X線回折測定装置リガク社製、商品名:NANO-Viewerを用いて小角X線回折パターンを測定したところ、周期構造の間隔dは22.2nmであり、球状構造に特徴的な回折ピークパターンピーク位置の回折スペクトルの大きさqの比が確認された。さらに、得られた無機構造体の磁化曲線を振動試料型磁力計東英工業株製、商品名:VSM-3S-15を用いて20kOeまでの範囲について室温で測定し、飽和磁化値および比透磁率を求めたところ、それぞれ0.89Tおよび1.2×106であった。実施例2ブロックコポリマーとしてPS成分の数平均分子量が40×103であり、P4VP成分の数平均分子量が18×103であるPS-b-P4VPを0.1g使用し、軟磁性体前駆体としてFe前駆体であるアセチルアセトナート鉄Feacac30.084gを使用し、絶縁性非磁性体前駆体としてシリカ前駆体であるフェニルシランPhSiH30.026gを使用した以外は、実施例1と同様にして無機構造体0.8cm×0.8cm×2μmを作製した。得られた無機構造体を実施例1と同様に透過型電子顕微鏡TEMを用いて観察したところ、図3に示すように、絶縁性非磁性体であるSiO2マトリックス中に軟磁性体である柱状のFeが三次元的且つ周期的に配置しているナノヘテロ構造体であることが確認された。また、得られた無機構造体について実施例1と同様に小角X線回折パターンを測定したところ、周期構造の間隔dは17.4nmであり、柱状構造に特徴的な回折ピークパターンピーク位置の回折スペクトルの大きさqの比が確認された。さらに、得られた無機構造体について実施例1と同様に飽和磁化値および比透磁率を求めたところ、それぞれ1.31Tおよび1.0×106であった。比較例1CoターゲットおよびAl2O3ターゲットを用いて、同時にスパッタリングを行い、Al2O3マトリックス中にCoナノ粒子が分散しているナノグラニュー薄膜を作製した。得られた薄膜について実施例1と同様に飽和磁化値および比透磁率を求めたところ、それぞれ0.52Tおよび0.31×106であった。