"イオン源と、試料を保持する試料ステージと、該イオン源から放出されるイオンを該試料上に集束して該試料上の任意位置へ偏向するイオン光学系と、該イオン光学系を制御するイオン制御器と、該試料から放出される二次粒子を検出する二次粒子検出器と、該二次粒子検出器からの信号を該イオンの偏向と対応させて画像を形成して記憶部に記憶し該画像を表示器に表示する画像処理部とを有する走査イオン顕微鏡において、前記イオンが照射される薄膜を前記イオン光学系と前記試料との間に配置するとともに、該薄膜を支持する導電性の支持部材と、該支持部材の電位である第一電位を制御する手段とを有することを特徴とする走査イオン顕微鏡。前記走査イオン顕微鏡は、さらに、該薄膜と該試料との間に開口を有する電極を配置するとともに、該電極の電位である第二電位を制御する手段を有することを特徴とする請求項1に記載の走査イオン顕微鏡。前記薄膜が少なくともイオン照射時に導電性を持つことを特徴とする請求項1に記載の走査イオン顕微鏡。前記走査イオン顕微鏡は、さらに、前記薄膜を前記イオン光学系の光軸に対して移動させる薄膜移動手段を設けたことを特徴とする請求項1に記載の走査イオン顕微鏡。前記走査イオン顕微鏡は、さらに、前記薄膜の前記試料とは反対側に、該薄膜から放出される二次粒子の少なくとも一部を機械的に遮蔽するかまたは電磁界により遮蔽する手段を設けたことを特徴とする請求項1に記載の走査イオン顕微鏡。前記薄膜の上にイオン液体が塗布されていることを特徴とする請求項1に記載の走査イオン顕微鏡。前記薄膜は、網目状体へイオン液体を含浸させたものであることを特徴とする請求項1に記載の走査イオン顕微鏡。前記走査イオン顕微鏡は、さらに、前記薄膜が結晶体であり、かつ、前記薄膜を前記イオン光学系の軸に対して傾斜させる手段を設けたことを特徴とする請求項1に記載の走査イオン顕微鏡。前記第一電位に対して前記第二電位を相対的に負に保つことで、前記薄膜から放出される二次電子が前記二次粒子検出器に入射するのを防止することを特徴とする請求項2に記載の走査イオン顕微鏡。前記試料の電位に対して前記第一電位を相対的に正に保つことで、前記薄膜から放出される中性粒子のエネルギーを低減することを特徴とする請求項1に記載の走査イオン顕微鏡。前記遮蔽する手段に電流検出器が接続してあり、前記電流検出器は、前記薄膜から放出される二次電子の電流をモニタして、該電流が所定値以下になった場合、前記薄膜の異常を検出することを特徴とする請求項5に記載の走査イオン顕微鏡。前記第一電位を制御する手段は、前記薄膜に流れこむ電流をモニタして、該電流が所定値以上になった場合、前記薄膜の異常を検出することを特徴とする請求項1に記載の走査イオン顕微鏡。前記薄膜移動手段は、前記薄膜を前記イオン光学系の光軸から退避させることを特徴とする請求項4に記載の走査イオン顕微鏡。前記試料の電位に対して前記第一電位を相対的に負に保ち、かつ、前記第一電位に対して前記第二電位を相対的に正に保つことで、前記薄膜から放出される二次電子を数10Vから数100Vだけ加速させて前記試料へ入射させることを特徴とする請求項2に記載の走査イオン顕微鏡。前記二次粒子検出器の少なくとも一つが前記試料から放出されるX線の検出器であり、前記試料の電位に対して前記第一電位を相対的に負に保ち、かつ、前記第一電位に対して前記第二電位を相対的に正に保つことで、前記薄膜から放出される二次電子を数kVから数10kVだけ加速させて前記試料へ入射させ、前記試料から放出されるX線を検出することを特徴とする請求項2に記載の走査イオン顕微鏡。前記試料の電位に対して前記第一電位を相対的に負に保ち、かつ、前記薄膜から放出される二次電子を静電レンズ作用または磁場によるレンズ作用により前記試料に向かって集束させることを特徴とする請求項2に記載の走査イオン顕微鏡。イオン源と、試料を保持する試料ステージと、該イオン源から放出されるイオンを該試料上に集束して該試料上の任意位置へ偏向するイオン光学系と、該イオン光学系を制御するイオン制御器と、該試料から放出される二次粒子を検出する二次粒子検出器と、該二次粒子検出器からの信号を該イオンの偏向と対応させて画像を形成して記憶部に記憶し該画像を表示器に表示する画像処理部とを有する走査イオン顕微鏡を用いる二次粒子制御方法であって、前記走査イオン顕微鏡は、前記イオンが照射される薄膜を前記イオン光学系と前記試料との間に配置するとともに、該薄膜を支持する導電性の支持部材と、該支持部材の電位である第一電位を制御する手段と、該薄膜と該試料との間に開口を有する電極を配置するとともに、該電極の電位である第二電位を制御する手段とを有し、前記第一電位に対して前記第二電位を相対的に負に保つことで、前記薄膜から放出される二次電子が前記二次粒子検出器に入射するのを防止することを特徴とする二次粒子制御方法。走査イオン顕微鏡により絶縁物を含む試料を観察する場合、試料の部分帯電によりイオンビームの軌道が局所的に曲げられ、試料の像が実際に対して歪んでしまう問題がある。これは試料の帯電を軽減しても完全には解決せず、イオンビーム自体を中性化すること電荷を無くすことが最良の解決策である。特許文献3に記載されているイオンビーム中性化方法は、前記したように、イオンビームの飛行経路と交差して設けられた負電圧が印加されるグリッドの構造であると記載されているが、他の開示はない。特許文献4は、残留イオンを取り除くなどの手段を後段に付加する必要があり、イオンビームを微細に集束する場合には大きな妨げとなる。なお、特許文献6,7,8に記載されている従来の薄膜使用方法では、透過ビームが電荷を持っているかどうか記述されていないが、イオンのエネルギーが高いため電荷の有無は測定に影響せず、また、中性化率自体は低いと推定される。さらに、特許文献9に記載されている従来の薄膜使用方法では、ビームの集束性を気にしていないため、透過ビームの電荷や二次電子の存在は気にされていなかった。本発明は、前記問題に鑑みなされたものであり、試料を微細に観察することが可能で、絶縁物を含む試料が部分的に帯電しても観察像の歪みを起こすことを防止できる走査イオン顕微鏡および二次粒子制御方法を提供することを目的とする。前記目的を達成するため、本発明に係わる走査イオン顕微鏡では、ガス電界電離イオン源を用い、イオンを試料上に集束し偏向するイオン光学系と試料との間に、イオンを照射する薄膜を設け、この薄膜は導電性の支持部材で支持するとともに、その支持部材の電位を制御する手段を設けた。さらには、この薄膜と試料との間に、開口を有する電極を設けるとともに、その電極の電位を制御する手段例えば、電源83を設けた。本発明では、薄膜に照射されたイオンは薄膜の表面第一層を抜けるとほとんどが中性化され、薄膜を透過した場合には中性粒子として放出されることを利用している。また、薄膜に照射されたイオンは二次電子も放出し、その一部が薄膜を抜けていくのを防止するために、薄膜から放出される二次電子を適正に制御する手段例えば、電源84を設けている。本発明によれば、試料を微細に観察することが可能で、絶縁物を含む試料が部分的に帯電しても観察像の歪みを起こすことを防止できる。本発明の走査イオン顕微鏡に係る実施形態ついて、図面を参照して詳細に説明する。<第1の実施形態>図1は、本実施形態に係る走査イオン顕微鏡の全体構成図である。本実施形態の走査イオン顕微鏡200は、ヘリウムHeのガス電界電離イオン源GFIS100を、従来のガリウム-液体金属イオン源Ga-LMIS用に作製された集束イオンビームFIB装置にそのGa-LMISに代えて組み込んで構成したものである。図1において、走査イオン顕微鏡200は、GFIS100から放出されたヘリウムHeのイオンビーム5が、イオン光学系300イオン光学系システムに入射し、このイオン光学系300によって集束されて、試料ステージ101に載置された試料6上を照射する構成になっている。イオンの加速電圧は30kVである。GFIS100は、エミッタチップ1と、引出電極2と、イオン化用のガスをエミッタチップ先端に供給するガス供給配管のガス放出口3とを備えている。エミッタチップ1は、引出電極2との間に引出電圧印加部4から印加された高電圧エミッタチップ1側が正、引出電極2側が負によって、ガス放出口3から供給されてチップ先端に所在するガスをイオン化する。引出電極2は、エミッタチップ1によって生成されたイオンを引き出し、イオン光学系300に対してイオンビーム5として放出する。イオン光学系300は、静電レンズ102a,102b、ビーム制限絞り102c、アライナー102dを含むレンズ系102レンズ系システムと、偏向器103a,103bを含む偏向系103偏向系システムとを備えている。イオン光学系300に入射したイオンビーム5は、その中の静電レンズ102a,102bで集束されて試料6上に照射される。また、その際における、試料6上でのイオンビーム5の照射位置は、偏向器103a,103bでイオンビーム5を偏向することによって調整される。その際、静電レンズ102a,102b、ビーム制限絞り102c、アライナー102dを含むレンズ系102は、レンズ系制御器105により、対応するドライバ102aD~102dDを駆動制御されて制御される。また、レンズ系制御器105は、引出電圧印加部4を駆動制御して、イオン光学系300から放出されるイオンビーム5も制御する。一方、偏向器103a,103bを含む偏向系103は、偏向系制御器106により、対応するドライバ103aD,103bDを駆動制御されて制御される。なお、複数のドライバを含めて、レンズ系制御器105、偏向系制御器106により、イオン光学系300を制御するイオン制御器120が構成されている。そして、前述したイオンビーム5の照射により試料6から発生した二次電子7は、二次粒子検出器104で検出され、A/D信号変換部104Dを介してデジタル信号に変換される。その後、画像処理部110は、その信号強度を偏向強度と対応させた二次電子観察像画像を形成し、表示器110bに表示する。記憶部110a画像メモリでは、画像処理部110で形成した画像を保存し、保存された画像は画像演算や画像表示に利用される。ユーザは、表示器110bに表示された二次電子観察像を見ながら、イオンビーム5を照射する位置をその画面上で指定することができる。なお、これらのレンズ系制御器105、偏向系制御器106、画像処理部110との全体制御を行う部分については、図1では図示省略してある。本実施形態の第一の特徴は、前述のような走査イオン顕微鏡の基本的な構成に加えて、イオン光学系300と試料6との間に薄膜80を配置して、イオンビーム5を中性化して中性粒子ビーム50へ変換して試料に照射することである。すなわち、薄膜80がイオンビーム5の中性化手段となっており、かつイオン光学系300で集束され走査されたイオンビーム5の進行方向を全く変化させないため、顕微鏡としての特性が保持されている。試料6の二次電子像は、薄膜80が無い場合とほとんど変らないものとなる。ただし、イオンの運動エネルギーは若干減少するので、二次電子像の明るさは若干減少する。また、薄膜80内で散乱されて進行方向がずれた成分も僅かに混入するので、二次電子像には僅かにバックグラウンドノイズが生じる。なお、従来のイオンビームの中性化手段、例えばガス中での電荷交換やキャピラリ透過による方法は、中性化率が低いだけでなく、イオンビームが多くの散乱を受けて進行方向が分散してしまうため、本発明のような顕微鏡の用途には使うことができないことを記しておく。ここで、薄膜80がイオンビームの中性化手段になるためには、二つの条件を満たす必要がある。まず、イオンビーム5の加速電圧薄膜80に入射する際の運動エネルギーを表すは数kVから100kV程度の低速から中速とされる領域に無くてはならない。低速から中速の加速電圧のイオンが固体に入射する場合、固体内の伝導電子の速度に比べて入射するイオンの速度が圧倒的に低いため、イオンが発生させる電場はすぐに伝導電子で遮蔽される、すなわちイオンは中性化される。このことは、固体表面で散乱されるイオンを調べることで実験的にも確認されている。固体の表面第一原子層で散乱されたイオンはほぼイオンのまま出てくる。固体の表面第二原子層以下で散乱されたイオンはほぼ中性化して出てくる。なお、反射されるイオンも中性粒子も半導体検出器などでエネルギー弁別することで、エネルギーロスによってどの深さから何の原子から散乱されてきたかを区別できる。また、電場でイオンのみを除去して測定することができる。図9は、本発明のイオンビームの中性化の様子を示す説明図である。前記に説明したイオンビームの中性化の様子について図9を参照して説明する。この図で、はイオン、Nは中性粒子、-は電子を表す。薄膜80に入射したイオンビーム5は、表面で一部が散乱される。表面第一原子層で散乱されたものはイオン5bとして放出され、表面第二原子層で散乱されたものは中性粒子50bとして放出される、それより深いところで散乱される場合、薄膜80から出てくることは少ないが、中性粒子50cとして一部が透過する。イオンビーム5の大部分は方向を変化させずに、中性粒子ビーム50として透過する。イオンビーム5が入射する表面と中性粒子ビーム50が出射する表面からは励起された二次電子が放出される。なお、散乱されたイオン、中性粒子、二次電子は広い角度分布を持って放出する。また、中性粒子ビーム50が出射する際に稀に再イオン化が起こるが、確率が非常に低いため図示していない。なお、RBSやPIXEに使われるようなMVオーダの加速電圧を持つイオンビームでは、薄膜に入射してもほとんど相互作用を起こすことなく、イオンのまま透過してしまうので、本発明には使えないことを記しておく。もう一つの条件は、薄膜80の厚さがイオンビーム5の飛程レンジに比べて十分に薄いことである。固体に入射したイオンは、そのレンジの付近で急激に散乱確率が高まり方向が広がるとともに、その付近で停止する。レンジより十分手前では、イオンは非弾性散乱により僅かに運動エネルギーを入射からの距離に依存してロスするが、進行方向を変化させない。ただし、まれに弾性散乱で進行方向を変化させるものがある。このレンジはイオンの種類その質量に依存、イオンの運動エネルギー、固体の種類その元素種と密度に依存で変化するため、前記の条件を観測可能な一言で表すことが難しい。これに代えた表現としては、薄膜80の厚さをイオンビーム5の透過率で表すことが適当と考える。基本的にはイオンビーム5の50以上が透過するように薄膜80の厚さを設定する。これは、実用的には限界の条件であり、この限界を越えてしまうと薄膜内での散乱で方向が変えられたビームが多く混入して、二次電子像などのバックグラウンドノイズが多くなる。より好適にはイオンビーム5の90以上が透過するように薄膜80の厚さを設定することで、バックグラウンドノイズが抑えられた試料の像が得られる。なお、薄膜80の厚さが2原子層より薄い場合には中性化率が低くなるため本発明には好適では無い。ここで、本実施形態では、イオンビーム5のイオン種を1価のヘリウムイオンとしている。基本的には、イオンビームのエネルギーと薄膜の厚さとの関係を前記の条件に合わせれば、イオン種は問わない。多価イオンでも良いし、もっと重いイオン種でも良い。したがって、イオン源としては、ガス電界電離イオン源以外にも、プラズマイオン源、液体金属イオン源、イオン液体イオン源などを用いても良い。本実施形態でヘリウムイオンを選んだ理由は、その常態がガスであるため、薄膜中にわずかに残ってもガスとして抜けていくので、薄膜を痛めにくいためである。ガスで無い場合には薄膜に残留蓄積して薄膜の性質を変化させる可能性が高まる。その意味では、ガスであるネオンイオンやアルゴンイオンを用いても良い。また、ヘリウムイオンを選んだ別の理由は、現在入手できる薄膜に対して、その透過能が高いためである。その意味ではより質量の軽い水素イオンを用いても良い。重いイオンの場合には薄膜をスパッタして破損させる可能性が高まる。本実施形態でイオン源としてガス電界電離イオン源を選んだ理由は、高輝度でソースサイズが小さいため、試料上でのイオンビームを微細にすることが容易で、高分解能で顕微鏡を構成しやすいからである。また、放出されるイオンの電流がせいぜい数nAと小さく、また、イオンが中性化するとガスになるため、薄膜80に与える各種ダメージを小さくできるからである。本実施形態の第二の特徴は、薄膜80と試料の間に電極82を配置したことにある。薄膜80より発生する二次電子を適切に処理して試料の二次電子観察像へのノイズを発生させないようにできる。ただし、このような構成を持たせずに、二次電子が混入する状態であっても、二次電子像にはほぼ一様なバックグラウンドノイズがのるだけなので、適当なバイアスにより試料に依存したコントラストの観察は十分可能である。本実施形態の第三の特徴は、薄膜80の前後が真空であることである。これにより、大気圧差を支持しなくて良い薄膜80には、より薄いものを使用できるため、イオンビーム5の透過率を高めやすい。ただし、薄膜80の試料側に大気圧以下のガスを配置しても、本発明の本質前記第一の特徴自体に変更は無い。ここで、薄膜80はシリコン基板上に形成した窒化シリコン薄膜である。シリコン基盤は、窓状にエッチングされており窓部では窒化シリコン薄膜は単独で存在している。この薄膜は透過電子顕微鏡の試料保持用に市販されているもので、窒化シリコン薄膜の厚さは10nm、窓部の大きさは50μm角である。この薄膜80はステインレス性の支持体81で支持されており、また、電源83により電位を制御されている。窒化シリコン薄膜は通常は絶縁性であり帯電が懸念されるが、イオンビーム5の照射により内部に電子ホール対が発生して導電性を帯びるため大きな帯電は生じない。ここで、イオンビーム5の照射範囲を窓部の外側に広げることが抵抗による電位差を小さくするために有効である。それはイオンビーム5のブランキングを行う際であっても良い。薄膜80の電位を電源83により試料6と同じ接地電位とした。イオンビーム5を加速電圧30kVで薄膜80に照射すると、薄膜80を透過したビームは中性化して中性粒子ビーム50となる。中性粒子ビーム50は、薄膜80の中でほとんど散乱を受けていないので、元のイオンビーム5が集束され偏向されている、試料6上の同一位置に照射される。したがって、この走査イオン顕微鏡200により試料6の二次電子観察像を取得する動作をさせると、同じ場所の像が得られる。薄膜80が無い場合と比べると、二次電子7の発生量が若干低下するとともに、試料6が絶縁物であった場合に、その帯電によってイオンビーム5が曲げられ二次電子観察像が歪むことが無い。ここで、イオンビーム5は薄膜80上では集束されていないため、イオンビーム5が薄膜80に与えるダメージは、試料6へ与えるダメージよりもはるかに少ない。さらに、本実施形態では薄膜80に薄膜微動機構800薄膜移動手段図1参照で微動させることができるようにしている。これにより薄膜80の全域を満遍なく使って、その劣化を遅らせることができる。また、薄膜微動機構800は薄膜80をイオン光学系300のイオン光軸から退避させることができる。これにより、試料6が導電性の場合により大きな二次電子信号が得られる。図2は、本発明の第1の実施形態に係る走査イオン顕微鏡の薄膜周辺の構成図である。図2を用いて薄膜80周辺を詳細に説明する。薄膜80にイオンビーム5が照射されると、薄膜80の試料6側に透過するのは中性粒子ビーム50の他に、二次電子70がある。この二次電子70が試料6から発生する二次電子7と混じり合って二次粒子検出器104図1参照に検出されると、試料6の二次電子観察像にノイズが混じることとなる。そこで本実施形態では、中央に開口を有する電極82の電位を電源84により適切に設定する。すなわち、支持体81の電位ここでは接地電位に対して電極82の電位を負の数10Vに設定することで、二次電子70を薄膜80側へ追い返す。これにより試料6の二次電子観察像へのノイズが除去される。なお、電極82の電位をいかように設定しても、中性粒子ビーム50の軌道は影響を受けない。ここで、薄膜80の電位の設定により、中性粒子ビーム50の集束性能を向上させる方法について説明する。前述の説明では、イオンビーム5の加速電圧は30kVとして、薄膜80の電位すなわち支持体81の電位は試料6と同じ接地電位とした。この場合の中性粒子ビーム50の集束性能は基本的にイオンビーム5の集束性能と同じである。これに対して、電源83により薄膜80の電位を正の高電位、例えば10kVとして、イオンビーム5の加速電圧をその分だけ高く40kVとした場合には、中性粒子ビーム50の集束性能を向上させることができる。この設定ではイオンビーム5の加速電圧をあげたことでイオン光学系300の収差が小さくなり、イオンビーム5の集束性が向上する。イオンビーム5は試料6の直前で薄膜80から減速を受けるがこの部分のレンズ作用が小さく発生する収差も小さいからである。一方、中性粒子ビーム50の加速電圧加速エネルギーは、イオンビーム5の薄膜80への入射エネルギーイオンビーム5の加速電圧-薄膜80の電位であり、30kVと前述の場合と同じである。したがって、このような設定により中性粒子ビーム50の試料6への入射エネルギーを同じとして、その集束性能を向上させることができる。すなわち、同じビーム電流に対して絞ることができる。<第2の実施形態>図3は、本発明の第2の実施形態に係る走査イオン顕微鏡の薄膜周辺の構成図である。本実施形態の走査イオン顕微鏡は、図1に示したものと基本的には同じであるが、薄膜80の周辺に付加要素がある点で異なる。図3に薄膜80の周辺部分を示す。イオンビーム5が薄膜80に照射されると、イオン光学系300の側へ僅かながら反射粒子および二次電子71が放出される。これらがイオン光学系300内の静電レンズや偏向器に入射すると、絶縁部分に不要な帯電を誘発してイオン光学系300の動作を不安定にする可能性がある。そこで本実施形態では、薄膜80の上部に開口を有する遮蔽体85を配置して、これらの反射粒子および二次電子71をブロックしている。一部の粒子はイオン光学系300に入るが、少なくとも絶縁物には直接入射しないようにしてある。また、本実施形態では、遮蔽体85に電流検出器86を接続してあり、イオンビーム5により発生する二次電子の電流をモニタできる。イオンビーム5を照射しているのに遮蔽体への電流量が大幅に低下する場合には、薄膜80の破れなどの異常が考えられる。本実施形態の走査イオン顕微鏡では、前記電流のモニタで薄膜80の異常を検出して、少なくともユーザに警告を発するようにシステムを構成している。なお、薄膜80に流れ込む電流をモニタすることによっても、前記と同様にして薄膜80の破れなどの異常を検出することができる。具体的には、電源83第一電位を制御する手段は、薄膜80に流れこむ電流をモニタして、該電流が所定値以上になった場合、薄膜80の異常を検出すると良い。<第3の実施形態>図4は、本発明の第3の実施形態に係る走査イオン顕微鏡の薄膜周辺の構成図である。本実施形態の走査イオン顕微鏡は、図1に示したものと基本的には同じであるが、薄膜80の周辺に付加要素がある点で異なる。図4に薄膜80の周辺部分を示す。第1の実施形態と同様の窒化シリコンの薄膜80の上にイオン液体80aが数分子層分散してあることが特徴である。ここで、イオン液体80aとしては、C10H15F6N3O4S2C10H15F6N3O4S2CAS番号174899833を用いた。本実施形態ではイオン液体80aによって、薄膜80が実効的に導電性となるため、薄膜80自体の材料選択の制約が無くなる。すなわち、薄膜80が完全な絶縁物であっても良い。イオンビーム5の加速電圧が低く、その照射による導電性発現効果が小さい場合にも有効である。また、本実施形態ではイオンビーム5による損傷をもっぱらイオン液体80aが受け持ち、さらには流動によって自己修復される。したがって、薄膜80の寿命を延ばす効果がある。なお、ここで示したイオン液体80aは、導電性の液体であれば良く、前記の組成に限られることは無い。<第4の実施形態>図5は、本発明の第4の実施形態に係る走査イオン顕微鏡の薄膜周辺の構成図である。本実施形態の走査イオン顕微鏡は、図1に示したものと基本的には同じであるが、薄膜80の構成が異なる。図5に薄膜80の周辺部分を示す。本実施形態では、カーボンの網状体80b網目状体厚さ数nmで平均の開口サイズが数μmへイオン液体80aを含浸したもので、薄膜80を構成している。イオン液体80aは、第3の実施形態に示したものと同様である。イオンビーム5から見ると薄膜80は薄いイオン液体の層であるとみなされる。これはカーボンでのイオン散乱が少ないためである。したがって、薄膜80は導電性であり、かつイオン液体80aにより自己修復性を有する。本実施形態でも薄膜80の寿命を延ばす効果がある。<第5の実施形態>図6は、本発明の第5の実施形態に係る走査イオン顕微鏡の薄膜周辺の構成図である。本実施形態の走査イオン顕微鏡は、図1に示したものと基本的には同じであるが、薄膜80の構成が異なる。図6に薄膜80の周辺部分を示す。本実施形態では、薄膜80として結晶体80cを用いた。具体的には単結晶のシリコン基板をエッチングにより部分的に薄くしたものである。また、薄膜80へのイオンビーム5の入射角を変えられるように、薄膜傾斜機構801を設けた。ここで、結晶体に対するイオンビームの透過ではチャネリング現象が存在する。すなわち、特定の結晶方向に入射したイオンビームに対して透過能が高くなる現象である。本実施形態では、結晶体80cを薄膜傾斜機構801で適当に傾けることによりイオンビーム5の透過能が最も高くなるように調整している。これにより、薄膜80の上方へ余分な散乱粒子が発生することが防止される。なお、薄膜80が微結晶で構成されている場合でも、微結晶の向きが揃っている場合には、チャネリングと同様の効果が得られる。<第6の実施形態>図7は、本発明の第6の実施形態に係る走査イオン顕微鏡の薄膜周辺の構成図である。本実施形態の走査イオン顕微鏡は、図1に示したものと基本的には同じであるが、薄膜80の周辺部が異なる。図7に薄膜80の周辺部分を示す。本実施形態では、電極82をメッシュ状電極82aに置き換えてある。どちらも中性粒子ビーム50の透過する中央部分に開口を有することは共通である。電源83により薄膜80の電位を試料6に対して-100Vに設定する。また、電源84によりメッシュ状電極82aの電位は試料6と同じ接地電位に設定する。これらの電位設定により、薄膜80で発生した二次電子70は100V加速されて試料6に照射される。試料6が絶縁物であるときにこの二次電子70の照射により、表面の帯電を中和することができる。なお、試料6とメッシュ状電極82aで囲まれた等電位空間の中で、この二次電子70と試料6から発生する二次電子7とはエネルギーと方向が全く異なる。このため、二次粒子検出器104の先端に与える電場で二次電子7のみを選択的に検出することは容易であり、帯電中和と、試料像形成は両立可能である。もちろん、メッシュ電極82aを制御することで、二次電子70の試料6への照射を間欠的に行うことも可能である。メッシュ状電極82aの電位を制御しても中性粒子ビーム50の軌道への影響は無い。また、電極82をメッシュ状電極にしなくても前記同様の効果を得ることができる。ただし、その場合は二次電子70の試料6への照射量が少し減る。なお、本実施形態では薄膜80の電位を負としたが、試料6の電位に対して相対的に負であれば良く、例えば薄膜80を接地電位として試料を正電位としても同様の効果が得られる。この場合にはイオンビーム5の加速エネルギー、すなわち中性粒子ビーム50の加速エネルギーを一定にできるメリットがある。すなわち、試料6の電位に対して支持体81の電位である第一電位を相対的に負に保ち、かつ、第一電位に対して電極82の電位である第二電位を相対的に正に保つことで、薄膜80から放出される二次電子を数10Vから数100Vだけ加速させて試料6へ入射させるとよい。<第7の実施形態>図8は、本発明の第7の実施形態に係る走査イオン顕微鏡の薄膜周辺の構成図である。本実施形態の走査イオン顕微鏡は、図1に示したものと基本的には同じであるが、薄膜80の周辺に付加要素がある点で異なる。図8に薄膜80の周辺部分を示す。本実施形態では試料6から発生するX線72を検出するX線検出器700を設けている。このX線検出器700はX線のエネルギー分析を行うことができるとともに、エネルギー分布の一部をX線強度信号として出力して、試料6からの二次電子信号に代わって、試料像を形成することができる。本実施形態では、次のような設定により、試料6からX線72を放出させる。すなわち、電源83により薄膜80の電位を試料6に対して-10kVに設定する。電源84により電極82の電位は薄膜80の電位と試料6の電位である接地電位の間に設定する。これらの電位設定により、薄膜80で発生した二次電子70は10kV加速されて試料6に照射される。数kV以上に加速された二次電子70が試料6に照射されることにより、試料6の材料に依存した特性X線が放出される。この二次電子70は、イオンビーム5をイオン光学系300により走査すると、連動して走査される。したがって、本実施形態の構成と設定によれば、電子ビームをプローブとしたX線分析顕微鏡を構成したのと等価である。したがって、中性ビームにより試料6を微細に観察できるだけでなく、その材料分析を容易にできる効果がある。なお、本実施形態では薄膜80の電位を負としたが、試料6の電位に対して相対的に負であれば良く、例えば薄膜80を接地電位として試料を正電位としても同様の効果が得られる。この場合にはイオンビーム5の加速エネルギー、すなわち中性粒子ビーム50の加速エネルギーを一定にできるメリットがある。すなわち、二次粒子検出器104の少なくとも一つが試料6から放出されるX線の検出器700であり、試料6の電位に対して支持体81の電位である第一電位を相対的に負に保ち、かつ、第一電位に対して電極82の電位である第二電位を相対的に正に保つことで、薄膜6から放出される二次電子を数kVから数10kVだけ加速させて前記試料へ入射させ、前記試料から放出されるX線を検出するとよい。ここで、特別な配慮をしなければ、二次電子70の試料6上での広がりは大きく、二次電子70の分解能は低い。そこで、本実施形態では、電極82の開口径とその電位設定を工夫して、二次電子70に対して静電レンズ作用を持たせるようにした。これにより試料6上での電子ビームのプローブ系をある程度小さくすることができた。具体的には中性粒子ビーム50の分解能は約1nmであり、電子ビームの分解能は約1μmである。なお、試料6上での電子ビームの走査範囲は、中性粒子ビーム50の走査範囲とは対応するが大きさが異なってしまう。そこで、本実施形態の走査イオン顕微鏡では、双方の試料像を比較する場合に、倍率補正を行う機能を備えた。本実施形態では、電子ビームを集束するのに静電レンズ作用を用いたが、磁場によるレンズ作用を用いて、さらに電子ビームの集束性能を向上させることもできる。いずれの場合にも中性粒子ビーム50の軌道へは全く影響しない。なお、本発明の薄膜80は前述の材料に限られるものでは無く、少なくともイオン照射で導電性を示しイオンビームが透過しやすい薄さのものが好ましく、カーボンや金属の薄膜や、導電性高分子の単分子膜等を使うことができる。以上、本実施形態に係わる走査イオン顕微鏡によれば、中性粒子の走査で試料像を形成するので、絶縁物を含む試料を歪み無く観察することができる。また、薄膜から放出される電子の試料上への照射を制御できるので、試料像へのノイズ混入を防止できる。さらには、試料の帯電を防止することや、試料からX線を放出させ分析することが可能となる。"