反射型フォトマスクの高反射部に発生した位相欠陥を修正する方法であって、位相欠陥部上に2種類の材料からなる多層膜を積層することにより、該位相欠陥部と高反射部の位相差を実用上0ゼロとし、該位相欠陥部の反射率と高反射部の反射率を実用上等しくすることを特徴とする反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法。前記位相欠陥部上に積層される2種類の材料の一方はSiシリコンであることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法。前記位相欠陥部上に積層される2種類の材料の一方はMoモリブデンであることを特徴とする請求項2に記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法。前記位相欠陥部上に積層される2種類の材料の一方はRuルテニウムであることを特徴とする請求項2に記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法。前記位相欠陥部上に積層されるSiシリコンの1層あたりの膜厚は、高反射部に使用されるSiの1層あたりの膜厚と異なることを特徴とする請求項2、若しくは3、若しくは4に記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法。前記位相欠陥部上に積層される多層膜は、前記位相欠陥部のキャッピング膜を剥離した上に積層されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法。前記位相欠陥部上に積層される多層膜は、前記位相欠陥部のキャッピング膜、および該キャッピング膜の下の多層膜の一部を剥離した上に積層されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法。前記位相欠陥部上に積層される多層膜は、前記位相欠陥部のキャッピング膜、および該キャッピング膜の下の多層膜、さらにその下の欠陥を剥離した上に積層されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法。請求項1乃至8のいずれかに記載する方法により位相欠陥を修正したことを特徴とする反射型フォトマスク。本発明は、以上のような事情の下になされ、反射型マスクがダメージを受けることなく、精度よく、位相欠陥が修正されることを可能とする、反射型マスクの位相欠陥修正方法を提供することを目的とする。請求項1に記載の本発明は、反射型フォトマスクの高反射部に発生した位相欠陥を修正する方法であって、位相欠陥部上に2種類の材料からなる多層膜を積層することにより、該位相欠陥部と高反射部の位相差を実用上0ゼロとし、該位相欠陥部の反射率と高反射部の反射率を実用上等しくすることを特徴とする反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法である。請求項2に記載の本発明は、前記位相欠陥部上に積層される2種類の材料の一方はSiシリコンであることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法である。請求項3に記載の本発明は、前記位相欠陥部上に積層される2種類の材料の一方はMoモリブデンであることを特徴とする請求項2に記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法である。請求項4に記載の本発明は、前記位相欠陥部上に積層される2種類の材料の一方はRuルテニウムであることを特徴とする請求項2に記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法である。請求項5に記載の本発明は、前記位相欠陥部上に積層されるSiシリコンの1層あたりの膜厚は、高反射部に使用されるSiの1層あたりの膜厚と異なることを特徴とする請求項2、若しくは3、若しくは4に記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法である。請求項6に記載の本発明は、前記位相欠陥部上に積層される多層膜は、前記位相欠陥部のキャッピング膜を剥離した上に積層されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法である。請求項7に記載の本発明は、前記位相欠陥部上に積層される多層膜は、前記位相欠陥部のキャッピング膜、および該キャッピング膜の下の多層膜の一部を剥離した上に積層されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法である。請求項8に記載の本発明は、前記位相欠陥部上に積層される多層膜は、前記位相欠陥部のキャッピング膜、および該キャッピング膜の下の多層膜、さらにその下の欠陥を剥離した上に積層されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法である。請求項9に記載の本発明は、請求項1乃至8のいずれかに記載する方法により位相欠陥を修正したことを特徴とする反射型フォトマスクである。本発明の反射型マスクの位相欠陥修正方法によると、位相欠陥部に2種類の好適な材料からなる多層膜を、欠陥部の反射率の低下と位相差に応じて、最適な膜厚と層数で形成するので、精度よく、反射率及び位相差の修正を行うことができる。以下、本発明を実施する形態を、図面を参照しつつ説明する。実施の形態において、同一構成要素には同一符号を付け、実施の形態において重複する説明は省略する。実施の形態図1はEUVマスクの位相欠陥部を本発明の方法により修正した後の断面を模式的に示す図である。ここで、突起欠陥3は基板1’の直上にあり、多層膜2は、その上に積層されている。多層膜2の最上層は、Siなどからなるキャッピング層となっている図では省略。さらに、7は位相欠陥を修正するために積層した多層膜である。修正用多層膜7は、多層膜2のキャッピング膜の上に積層されているか、あるいは、反射率、位相差の状況によっては位相欠陥部のキャッピング膜まで、若しくは多層膜2の上部数対までを剥離した上に積層されている。図2はEUVマスクの別の位相欠陥部を本発明の方法により修正した後の断面を模式的に示す図である。ここで、突起欠陥3’は多層膜2’の途中に存在している。多層膜2’の最上層は、Siなどからなるキャッピング層となっている図では省略。さらに、7’は位相欠陥を修正するために積層した多層膜である。修正用多層膜7’は、多層膜2’のキャッピング膜の上に積層されているか、あるいは、反射率、位相差の状況によっては位相欠陥部のキャッピング膜まで、若しくは多層膜2’の上部数対まで、若しくは欠陥3’までを剥離した上に積層されている。以下、本発明の位相欠陥修正方法が有効であることを、光学薄膜理論による反射率、位相差の計算によって確認した結果を示す。尚、計算において、波長はEUV露光に典型的な13.52nm、このときの薄膜材料の光学定数は図6に示した値を用いた。また、高反射用のMo/Si多層膜は50対各層における膜厚は、S:4.16nm、Mo:2.80nm、キャッピング膜は一般的なSi:11nm厚、突起欠陥の材質はSi、突起欠陥部の上に成膜される多層膜の各層の厚さは、正常な高反射部に成膜される膜厚よりも各々2薄いとして計算したが、これらの材質や数字が多少変わっても、本発明の方法の有効性には影響しない。上記の反射率、位相差の計算は、本発明の方法により、位相欠陥部に修正用多層膜を成膜した後の反射率、位相差を計算することで行った。この際、突起欠陥が基板真上にある場合図4a、通常の高反射用多層膜の中央にある場合図5によって分け、突起欠陥の高さは3nmと5nmの2通りとし、計算図の横軸は、修正用多層膜の片方の材料の1層あたりの膜厚とした。このとき修正用多層膜の1対あたりの合計膜厚は通常のMo/Si多層膜と同じとした。これは、干渉によって反射率が向上する合計膜厚は、材料に依らずほぼ半波長であることが理論上分かっているからである。図7は、基板真上に高さ3nmのSi突起パーティクルからなる位相欠陥があるときに、位相欠陥部にSiとMoからなる修正用多層膜を19対積層したときの、正常な高反射領域からの反射光5と修正部からの反射光8図1参照の位相差、及び反射光5による反射率Rmと反射光8による反射率Rdを、修正用Si膜の1層あたりの膜厚を横軸として計算した結果を示すものである。尚、位相差の図で、0°と360°の間には飛びが生じているが、これは計算に使用したソフトの表示上の都合によるもので、実際は連続している。図7から分かるように、修正用Si膜の1層あたりの膜厚がほぼ4nmのときに反射光5と反射光8の位相差はほぼ0になるとともに、欠陥部の反射率Rdは正常部の反射率Rmにほぼ等しくなり、修正がなされることが分かる。図8は、基板真上に高さ5nmのSi突起からなる位相欠陥があるときに、位相欠陥部のSi:11nm厚からなるキャッピング膜を剥離した後、SiとMoからなる修正用多層膜を27対積層したときの、反射光5と反射光8図1参照の位相差、及び反射光5による反射率Rmと反射光8による反射率Rdを、修正用Si膜の1層あたりの膜厚を横軸として計算した結果を示すものである。図8から分かるように、修正用Si膜の1層あたりの膜厚がほぼ3.5nmのときに反射光5と反射光8の位相差はほぼ0になるとともに、欠陥部の反射率Rdは正常部の反射率Rmにほぼ等しくなり、修正がなされることが分かる。図9は、基板真上に高さ3nmのSi突起からなる位相欠陥があるときに、位相欠陥部にSiとRuルテニウムからなる修正用多層膜を19対積層したときの、反射光5と反射光8図1参照の位相差、及び反射光5による反射率Rmと反射光8による反射率Rdを、修正用Si膜の1層あたりの膜厚を横軸として計算した結果を示すものである。図9から分かるように、修正用Si膜の1層あたりの膜厚がほぼ4.4nmのときに反射光5と反射光8の位相差はほぼ0になるとともに、欠陥部の反射率Rdは正常部の反射率Rmにほぼ等しくなり、修正がなされることが分かる。図10は、基板真上に高さ5nmのSi突起からなる位相欠陥があるときに、位相欠陥部のSi:11nm厚からなるキャッピング膜を剥離後、SiとRuからなる修正用多層膜を28対積層したときの、反射光5と反射光8図1参照の位相差、及び反射光5による反射率Rmと反射光8による反射率Rdを、修正用Si膜の1層あたりの膜厚を横軸として計算した結果を示すものである。図10から分かるように、修正用Si膜の1層あたりの膜厚がほぼ4.2nmのときに反射光5と反射光8の位相差はほぼ0になるとともに、欠陥部の反射率Rdは正常部の反射率Rmにほぼ等しくなり、修正がなされることが分かる。図11は、通常多層膜の中央に高さ3nmのSi突起からなる位相欠陥があるときに、位相欠陥部のSi:11nm厚からなるキャッピング膜を剥離後、位相欠陥部にSiとMoからなる修正用多層膜を21対積層したときの、正常な高反射領域からの反射光5と修正部からの反射光8’図2参照の位相差、及び反射光5による反射率Rmと反射光8’による反射率Rdを、修正用Si膜の1層あたりの膜厚を横軸として計算した結果を示すものである。図11から分かるように、修正用Si膜の1層あたりの膜厚がほぼ3.7nmのときに反射光5と反射光8’の位相差はほぼ0になるとともに、欠陥部の反射率Rdは正常部の反射率Rmにほぼ等しくなり、修正がなされることが分かる。図12は、通常多層膜の中央に高さ5nmのSi突起からなる位相欠陥があるときに、SiとMoからなる修正用多層膜を25対積層したときの、反射光5と反射光8’図2参照の位相差、及び反射光5による反射率Rmと反射光8’による反射率Rdを、修正用Si膜の1層あたりの膜厚を横軸として計算した結果を示すものである。図12から分かるように、修正用Si膜の1層あたりの膜厚がほぼ3.9nmのときに反射光5と反射光8’の位相差はほぼ0になるとともに、欠陥部の反射率Rdは正常部の反射率Rmにほぼ等しくなり、修正がなされることが分かる。図13は、通常多層膜の中央に高さ5nmのSi突起からなる位相欠陥があるときに、SiとRuからなる修正用多層膜を25対積層したときの、反射光5と反射光8’図2参照の位相差、及び反射光5による反射率Rmと反射光8’による反射率Rdを、修正用Si膜の1層あたりの膜厚を横軸として計算した結果を示すものである。図13から分かるように、修正用Si膜の1層あたりの膜厚がほぼ4.3nmのときに反射光5と反射光8’の位相差はほぼ0になるとともに、欠陥部の反射率Rdは正常部の反射率Rmにほぼ等しくなり、修正がなされることが分かる。位相欠陥部の位相差、反射率の状況は、原因となる突起パーティクル欠陥の位置、大きさ、材料によって異なる。従って状況によっては、位相欠陥部のキャッピング膜のみならずその下の多層膜の上部数対を剥離した上に、修正用多層膜を積層する方がよい場合もある。図14は、基板真上に高さ5nmのSi突起からなる位相欠陥があるときに、位相欠陥部のSi:11nm厚からなるキャッピング膜を剥離し、さらにその下の2薄い多層膜を5対剥離後、位相欠陥部にSiとRuからなる修正用多層膜を30対積層したときの、反射光5と反射光8図1参照の位相差、及び反射光5による反射率Rmと反射光8による反射率Rdを、修正用Si膜の1層あたりの膜厚を横軸として計算した結果を示すものである。図14から分かるように、修正用Si膜の1層あたりの膜厚がほぼ4.8nmのときに反射光5と反射光8の位相差はほぼ0になるとともに、欠陥部の反射率Rdは正常部の反射率Rmにほぼ等しくなり、修正がなされることが分かる。位相欠陥の原因となる突起パーティクル欠陥は、その欠陥の位置が通常多層膜の表面に近いほど、及び材料的にEUV光の吸収性が大きいほど、通常の黒欠陥または振幅欠陥に近いものとなってくる。この場合は反射率の低下が大きいとともに、高反射部との位相差も残った欠陥となる。このような場合は、欠陥部のキャッピング膜、薄い多層膜だけでなく、欠陥自身も剥離した後に、修正用多層膜を積層する方が効果的である。図15は、2薄い多層膜の上から10層目にSi突起があるときに、位相欠陥部のSi:11nm厚からなるキャッピング膜を剥離し、続けてその下の薄い多層膜を10対剥離し、さらに突起欠陥自身を剥離した後、SiとRuからなる修正用多層膜を28対積層したときの、反射光5と反射光8’図2参照の位相差、及び反射光5による反射率Rmと反射光8’による反射率Rdを、修正用Si膜の1層あたりの膜厚を横軸として計算した結果を示すものである。図15から分かるように、修正用Si膜の1層あたりの膜厚がほぼ4.3nmのときに反射光5と反射光8’の位相差はほぼ0になるとともに、欠陥部の反射率Rdは正常部の反射率Rmにほぼ等しくなり、修正がなされることが分かる。本発明での修正用多層膜の形成方法は、従来の透過型フォトマスクにおける白欠陥修正方法を応用することができる。まず、あらかじめ転写露光、または光学的測定、またはサブミクロンオーダーに絞ったFIB集束イオンビームでパターン表面を走査し、表面から放出される2次電子を検出してディスプレイ上に走査イオン像としてとらえること等により、位相欠陥部を特定する。次に照射処理室内に修正のために形成する材料を含むガスを導入し、FIBを位相欠陥部に照射することでガスを分解しつつ修正用多層膜を形成していく。ガスとしては、Si系膜のためのSiH3、Ruルテニウム膜を形成するためのルテニウムカルボニルRu3CO12特許文献2や、ルテニウムのペンタジエニル化合物特許文献3、Cカーボン膜を形成するためのスチレンやピレン等の炭素系のガスなど、金属または半導体元素を含む有機系のガスを用いることができる。本発明のうち、修正用多層膜を形成する前にあらかじめ、キャッピング膜、さらに位相差、反射率の状況によっては薄い多層膜、突起欠陥まで剥離するときにも従来の透過型フォトマスクにおける黒欠陥修正方法を応用することができる。すなわち、剥離する膜よりも硬い探針を有する原子力間顕微鏡の探針を用いて削り取る方法や、FIBをパターン表面に照射し、表面上の原子や分子を真空中にはじき出すスパッタリング現象方法、またはFIBにより塩素Cl2ガスなどのエッチングガスを分解させて反応させる方法により被剥離膜を除去することができる。