大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空槽と、前記真空槽のなかに設けられ、基板を載置することが可能な支持台と、前記真空槽のなかに設けられ、前記支持台の主面に、放電空間を介して、表面を対向させた複数のターゲットと、前記複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石と、前記磁石のうちの少なくとも1つから前記放電空間へ向かう磁場を前記磁石と前記放電空間との間において低減させる低減手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。前記低減手段は、前記複数のターゲットのうち、電力が供給されていない前記ターゲットから前記放電空間へ向かう前記磁場を低減させることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。前記複数のターゲットのうちの少なくとも1つを前記放電空間に対して遮蔽可能なシャッタ板をさらに備え、前記低減手段は、前記複数のターゲットのうちの少なくとも1つに対向する前記シャッタ板の主面に設けられた磁性体層であることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。前記低減手段は、磁性材料を含んだシャッタ板であって、前記複数のターゲットのうちの少なくとも1つを前記放電空間に対して遮蔽可能なシャッタ板であることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。前記低減手段は、前記複数のターゲットのそれぞれと、前記複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた前記磁石と、の間に配置可能な磁性体含有物であることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。前記低減手段は、前記磁石のうちの少なくとも1つから前記放電空間へ向かう磁場を前記磁石と前記放電空間との間において遮蔽する手段であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の成膜装置。前記低減手段は、前記複数のターゲットのそれぞれと、前記複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた前記磁石と、の間の距離を調整する調整手段を有することを特徴とする請求項1記載の成膜装置。前記調整手段は、前記複数のターゲットのうち、前記電力が供給されていない前記ターゲットと前記磁石との間の距離を遠ざけることが可能であることを特徴とする請求項7記載の成膜装置。本発明の目的は、複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石からの磁場がプラズマ発生空間で互いに干渉し難い成膜装置を提供することにある。本発明の一態様によれば、大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空槽と、前記真空槽のなかに設けられ、基板を載置することが可能な支持台と、前記真空槽のなかに設けられ、前記支持台の主面に、放電空間を介して、表面を対向させた複数のターゲットと、前記複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石と、前記磁石のうちの少なくとも1つから前記放電空間へ向かう磁場を前記磁石と前記放電空間との間において低減させる低減手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置が提供される。本発明によれば、複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石からの磁場がプラズマ発生空間で互いに干渉し難い成膜装置が実現する。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜説明を省略する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る成膜装置の断面模式図である。成膜装置1は、スパッタリングによって基板90上に被膜を形成することが可能なスパッタ装置である。成膜装置1は、基板90を載置することが可能な支持台10と、支持台10の主面に、放電空間プラズマ発生空間80を介して、表面を対向させた複数のターゲット20と、複数のターゲット20のそれぞれの裏面側に設けられた磁石30と、複数のターゲット20のうちの少なくとも1つを放電空間80に対して遮蔽可能なシャッタ40と、を備える。さらに、成膜装置1は、磁石30のいずれかからターゲット20の表面被スパッタ面を介して放電空間80へ向かう磁場以下、漏れ磁場と称するを、磁石30と放電空間80との間で低減する低減手段を備える。成膜装置1は、大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空槽11によって外部と気密に遮断される。成膜装置1内にはガス導入系を介して各種ガスを導入可能である。成膜装置1内は、排気系を介して真空排気可能である。これらガス導入量と排気量の制御により、成膜装置1内を所望のガスによる所望の圧力下にすることが可能である。成膜装置1の底部付近には、支持台10が設けられている。支持台10は、誘電体板10aと、誘電体板10aを支持する基体10bと、を有する。誘電体板10aは、静電チャックとして機能する。誘電体板10aの上面は、基板90を静電吸着する静電吸着面である。基体10bは、例えば、金属ベース板である。基板90は、例えば、半導体ウェーハである。基板90の被成膜面全面に厚みや膜質が均一の薄膜を形成するため、誘電体板10aに吸着固定された基板90を回転させながらスパッタ成膜を行う。従って、支持台10の回転軸10rは、成膜装置1の外部で回転駆動機構に連結されている。例えば、支持台10は、図中において、1点鎖線C1で示す回転中心のまわりに回転可能になっている。誘電体板10aの平面形状は、例えば、円盤状である。誘電体板10aの上面に基板90を静電力により吸着することができる。支持台10内には、基板温度を制御するためのヒーターおよび冷却液流路を設けてもよい。真空槽11内における支持台10の上方には、ターゲット20が設けられている。ターゲット20は、複数例えば、2個設けられている。それぞれのターゲット20は、その表面を支持台10上方の放電空間80に対向している。複数のターゲット20のそれぞれの材質は同じであってもよく、異なってもよい。ターゲット20の材質は、例えば、チタンTiである。ターゲット20は、例えば、円盤状に形成されている。ターゲット20における被スパッタ面は、誘電体板10aの上面に対して平行には対向しておらず、傾斜した状態で対向している。2つのターゲット20は、誘電体板10aの上面の中心のまわりに対称的に配置されている。2つのターゲット20は、誘電体板10aの上面側に近い部分ほど互いの離間距離が広がるように傾いている。なお、複数のターゲット20の被スパッタ面が誘電体板10aの上面に対して略平行には対向する形態も本実施の形態に含まれる。2つのターゲット20のそれぞれの裏面側に設けられた磁石30は、ターゲット20側にN極を対向させた永久磁石30Nと、ターゲット20側にS極を対向させた永久磁石30Sと、を有する。永久磁石30Nおよび永久磁石30Sは、磁性材料を含む板部材31によって支持されている。ターゲット20と磁石30との間隙には、バッキングプレート25が設けられている。このバッキングプレート25内には、さらに流路が設けられ、この流路内に温度調節用の媒体を流すこともできる。ターゲット20と、磁石30と、バッキングプレート25と、板部材31と、を含む機構を成膜装置1のスパッタ源とする。また、成膜装置1の上方にはシャッタ40が設けられている。シャッタ40は、成膜装置1の外部で回転駆動機構に連結され、1点鎖線C2で示す回転中心のまわりに回転可能に設けられた回転軸部40rと、回転軸部40rの下端部に設けられシャッタ板40pと、を有する。シャッタ板40pは、支持台10の上方で板状に広がっている。回転軸部40rが回転することで、シャッタ板40pは、一方のターゲット20に対向する位置図において実線で示される位置と、他方のターゲット20に対向する位置図において2点鎖線で示される位置とが選択可能となっている。シャッタ板40pがターゲット20に対向することで、シャッタ板40pに対向するターゲット20を、成膜装置1内における放電空間80に対して遮蔽することができる。シャッタ40は、上下動も可能となっている。また、成膜装置1は、磁石30のいずれかからターゲット20の表面被スパッタ面を介して放電空間80へ向かう磁場を低減する低減手段を備える。低減手段は、複数のターゲット20のそれぞれに対向するシャッタ板40pの主面に設けられた磁性体層50である。磁性体層50の主成分は、例えば、鉄Fe、ニッケルNi、ニッケル/モリブデンMo/クロムCr合金、または磁性体ステンレス鋼である。磁性体ステンレス鋼は、JIS規格のSUS403、SUS405、SUS420、SUS430等である。次に、成膜装置1の動作について、図1を用いて説明する。基板90が誘電体板10aに吸着固定されると、基板90は、加熱されて所望の温度に制御される。支持台10は、回転されて基板90に対するスパッタ成膜処理が行われる。成膜装置1では、異なる2種類の膜の成膜を続けて行うことができる。例えば、図1において実線で示す位置にシャッタ板40pを移動させた状態でスパッタ成膜を行うことで、シャッタ板40pによって遮蔽されていない側図1において右側のターゲット20に電圧を印加して駆動させる。シャッタ板40pによって遮蔽されていない側のターゲット20図1において右側の材質またはその反応物の膜が基板90に成膜される。他方のターゲット20図1において左側には電圧が印加されず非駆動状態とされる。また、非駆動のターゲット20はシャッタ板40pにより放電空間に対して遮蔽されるため、駆動中のターゲット20図1において右側からの粒子の飛来を遮ることができる。これにより、異種材料ターゲットを使った場合に、一方に他方の異種物質が付着するのを防ぐことができる。さらに、他方のターゲット20図1において左側の裏面側に設けられた磁石30のから、その他方のターゲット20の表面被スパッタ面を介して放電空間80へ向かう磁場は、磁性体層50によって遮蔽される。次に、2点鎖線で示す位置にシャッタ板40pを移動させた状態でスパッタ成膜を行うことで、そのシャッタ板40pによって遮蔽されていない側図1において左側のターゲット20に電圧を印加して駆動させ、そのターゲット20の材質またはその反応物の膜が、連続して基板90上に成膜される。このときも、シャッタ板40pで遮蔽された他方のターゲット20図1において右側には電圧が印加されず非駆動状態とされ、その非駆動のターゲット20はシャッタ板40pにより放電空間に対して遮蔽されているため、駆動中のターゲット20のターゲットからの粒子の飛来を遮ることができる。さらに、一方のターゲット20図1において右側の裏面側に設けられた磁石30のから、その一方のターゲット20の表面被スパッタ面を介して放電空間80へ向かう磁場は、磁性体層50によって遮蔽される。仮に、磁性体層50が存在しないと、複数のターゲット20のそれぞれの裏面側に設けられた磁石30からの磁場が放電空間80で互いに干渉し合う。その結果、基板90上に形成される膜の膜厚分布、または膜質の分布に悪影響を及ぼす場合がある。成膜装置1では、複数のターゲット20のうちの少なくとも1つを放電空間80に対して遮蔽可能な磁性体層50を設けたために、複数のターゲット20のそれぞれの裏面側に設けられた磁石30からの磁場が放電空間80で互いに干渉し難くなる。すなわち、成膜装置1では、スパッタリング時に使用されていないターゲット20の裏面側の磁石30が作り出す磁場の影響を低減させることができる。その結果、基板90上に形成される膜の膜厚分布、または膜質の分布に悪影響が及び難い。また、成膜装置1では、異なる2種類の膜の成膜を連続して行うことができるので、量産性に優れる。さらに、低減手段は、磁性体層50をシャッタ板40p上に設けた簡便な構造なので、成膜装置のコスト上昇も起き難い。次に、磁場の影響を確認した例を説明する。図2は、基板上に形成された金属膜のシート抵抗分布依存を説明するグラフである。図2の横軸は、基板90中心からの距離mmであり、縦軸は、基板90上に形成された金属膜のシート抵抗値Ω/□である。基板90としては、シリコンSiウェーハ上に、酸化シリコンSiO2膜が形成されたものを用いている。基板90の直径は、8インチである。ターゲット20の材質は、チタンTiである。従って、基板90上には、チタン膜がスパッタ形成される。チタン膜の膜厚は、例えば、400nmである。スパッタ条件は、放電ガスとしてアルゴンArを用い、放電中の圧力は、0.3Paガス流量:35sccmである。放電は、直流放電に従い、その放電パワーは、8kWである。図中のラインAには、2つのターゲット20の裏面側に磁石30を設けた場合のチタン膜のシート抵抗分布が示されている。ラインAにおいては、基板90の中心部のシート抵抗が基板90の端のシート抵抗よりも高くなる傾向にある。ライン上の最高値max値と、最低値min値と、を算出し、D=max値-min値/max値min値の式から導かれる分布値Dは、ラインAにおいて、5.4である。これに対し、図中のラインBには、2つのターゲット20のうちの一方の裏面側の磁石30を取り外した場合のチタン膜のシート抵抗分布が示されている。2つのターゲット20のうちの一方の裏面側の磁石30を取り外した場合は、2つのターゲット20のうちの一方のターゲット20の表面からは放電空間80に磁場が漏れないことになる。すなわち、ラインBの条件は、2つのターゲット20のうちの一方を磁性体層50で遮蔽した条件と等価になる。ラインBにおいては、基板90の中心部のシート抵抗と、基板90の端のシート抵抗とが略同じになる傾向にある。また、ラインBにおいて、分布値Dは、1.2まで減少する。このように、2つのターゲット20のうちの一方からの放電空間80への磁場の漏れを遮蔽することによって、金属膜のシート抵抗分布、シート抵抗変動が改善されると予測できる。次に、放電空間80への漏れ磁場を遮蔽する低減手段の別の実施形態について説明する。第2実施形態図3は、第2実施形態に係る成膜装置の断面模式図である。成膜装置2においては、シャッタ板40p自体が磁性体を含む。シャッタ板40pの主成分は、例えば、鉄Fe、ニッケルNi、ニッケル/モリブデンMo/クロムCr合金、または磁性体ステンレス鋼である。すなわち、成膜装置2においては、シャッタ板40p自体が漏れ磁場を低減する低減手段になっている。その結果、成膜装置2においても、成膜装置1と同様の効果を奏する。第3実施形態図4および図5は、第3実施形態に係る成膜装置の断面模式図である。成膜装置3においては、複数のターゲット20のそれぞれと、複数のターゲット20のそれぞれの裏面側に設けられた磁石30と、の間に磁性体含有物51が配置可能になている。成膜装置3においては、磁性体含有物51が漏れ磁場を低減する低減手段になっている。磁性体含有物51は、流動体であり、ターゲット20の上方に設けられたタンク52内に収納されている。また、バッキングプレート25とターゲット20との間には、磁性体含有物51を充填させるためのスリット54が設けられている。成膜装置3においては、タンク52内の圧力を調整する圧力調整機構図示しないによって、磁性体含有物51をライン53を通じて、スリット54に充填させたり、スリット54から取り除いたりすることができる。あるいは、スリット54の幅をモータ、エアシリンダ、またはピエゾ素子を用いた制御機構により狭めたり広めたりして、スリット54内の磁性体含有物51をスリット54外に押し出したり、スリット54内に押し入れたりすることができる。磁性体含有物51に含まれる磁性体材は、磁性体微粒子であり、例えば、その主成分は、鉄Fe、ニッケルNi、ニッケル/モリブデンMo/クロムCr合金、または磁性体ステンレス鋼である。磁性体含有物51は、磁性体微粒子が流動体の樹脂等に分散された層である。成膜装置3においては、一方のターゲット20の裏面側のスリット54に磁性体含有物51が充填されているとき、磁性体含有物51を充填した箇所のターゲット20表面からは放電空間80に磁場が漏れないことになる。他方のターゲット20の裏面側のスリット54には、磁性体含有物51が充填されていない。従って、複数のターゲット20のそれぞれの裏面側に設けられた磁石30からの磁場が放電空間80で互いに干渉し難くなる。その結果、成膜装置3においても、成膜装置1と同様の効果を奏する。また、成膜装置3においては、スリット54に、鉄Fe等の磁性体板を差し込んだり、引き抜いたりする機構を成膜装置3に配置してもよい。その例を図5に示す。例えば、成膜装置3には、スリット54に、磁性体板61を挿入したり、スリット54から磁性体板61を引き抜いたりする機構が設けられている。磁性体板61の移動は、磁性体板61に接続された駆動機構62によって制御されている。第4実施形態図6は、第4実施形態に係る成膜装置の断面模式図である。成膜装置4においては、複数のターゲット20のそれぞれと、複数のターゲット20のそれぞれの裏面側に設けられた磁石30と、の間の距離を調整することが可能である。距離の調整は、成膜装置4に設けられた昇降機構調整手段によってなされる。成膜装置4においては、一方のターゲット20の裏面側に設けられた磁石30をターゲット20から遠ざけることができる。すなわち、調整手段は、複数のターゲット20のうち、電力が供給されていないターゲット20非稼働中のターゲット20と磁石30との間の距離を遠ざけることが可能である。一方のターゲット20の裏面側の磁石30をターゲット20から遠ざけたときは、遠ざけた磁石30からの放電空間80への漏れ磁場は弱くなる。他方のターゲット20の裏面側に設けられた磁石30については、図1と同様の位置に配置する。従って、複数のターゲット20のそれぞれの裏面側に設けられた磁石30からの磁場が放電空間80で互いに干渉し難くなる。その結果、成膜装置4においても、成膜装置1と同様の効果を奏する。以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、磁石30として、永久磁石を用いるのではなく、電磁石を用いることができる。電磁石の磁力を電気的な制御によってなくすことにより、複数のターゲット20のそれぞれの裏面側に設けられた磁石30からの磁場が放電空間80で互いに干渉し難くなる。また。磁力については、完全に遮蔽しなくとも、磁力をある程度に減衰させ、他方に影響させないようにすることも可能である。また、磁場の遮蔽は、稼働してないターゲット20に施される。すなわち、上述した、それぞれの低減手段は、複数のターゲット20のうち、電力が供給されていないターゲット20非稼働中のターゲットから放電空間80へ向かう磁場を低減させることが可能である。また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。