同軸構造を有し、炭素含有充填材で内部が詰められる接地電極モジュールに対し、周波数の変動によって接地インピーダンスの変動が最も少なく表れる接地電極モジュールの長さ以下、最適長さを求める炭素接地電極モジュールの長さ算定装置であって、2つの分布定数回路を2層に構成して接地電極回路を構成する回路構成部と、大地の抵抗率及び比誘電率、充填材の抵抗率及び比誘電率、接地電極モジュールの内部及び外部直径を模擬変数として入力を受ける変数入力部と、周波数変動範囲内で多数の周波数を選定する周波数選定部と、選定された各周波数に対し、前記模擬変数によって前記接地電極回路を模擬して、接地電極の長さに対応する接地インピーダンスを計算するシミュレーション部と、前記各周波数の接地インピーダンスの間の差が最小となる接地電極の長さを求める接地長さ推定部と、を含むことを特徴とする、炭素接地電極モジュールの長さ算定装置。前記接地電極回路は、大地の抵抗率及び比誘電率を使用した下層分布定数回路と、充填材の抵抗率及び比誘電率を使用した上層分布定数回路から構成された2層分布定数回路であることを特徴とする、請求項1に記載の炭素接地電極モジュールの長さ算定装置。前記2層分布定数回路の単位回路は、π型単位回路を2層に構成し、かつ前記π型単位回路は、コンダクタンスGとキャパシタンスCの並列回路を両側に構成し、両側の並列回路をインダクタンスL回路に連結することを特徴とする、請求項2に記載の炭素接地電極モジュールの長さ算定装置。前記上層分布定数回路の第1コンダクタンスG1、第1キャパシタンスC1、及び第1インダクタンスL1と、前記下層分布定数回路の第2コンダクタンスG2、第2キャパシタンスC2、及び第2インダクタンスL2は、垂直埋設時、<数式1>により求めることを特徴とする、請求項3に記載の炭素接地電極モジュールの長さ算定装置。但し、l、d1、d2は各々接地電極モジュールの長さ、内部直径、外部直径、ρ1、ε1は、各々充填材の抵抗率及び比誘電率、ρ2、ε2は、各々大地の抵抗率及び比誘電率、ε0、μ0は、各々真空の誘電率と透磁率。前記上層分布定数回路の第1コンダクタンスG1、第1キャパシタンスC1、及び第1インダクタンスL1と、前記下層分布定数回路の第2コンダクタンスG2、第2キャパシタンスC2、及び第2インダクタンスL2は、水平埋設時、<数式2>により求めることを特徴とする、請求項3に記載の炭素接地電極モジュールの長さ算定装置。但し、l、r1、r2は、各々接地電極モジュールの長さ、内部半径、外部半径、ρ1、ε1は、各々充填材の抵抗率及び比誘電率、ρ2、ε2は、各々大地の抵抗率及び比誘電率、ε0、μ0は、各々真空の誘電率と透磁率、sは、埋設深さ。前記シミュレーション部は、EMTPプログラムを用いて模擬することを特徴とする、請求項1に記載の炭素接地電極モジュールの長さ算定装置。接地長さ推定部は、接地電極モジュールの長さを単位長さ間隔に分けて、各接地電極モジュールの長さに該当する各周波数の接地インピーダンスの最大値と最小値の差以下、長さ別インピーダンス変動範囲を求めて、前記長さ別インピーダンス変動範囲が最も小さい接地電極モジュールの長さを接地電極モジュールの最適長さに定めることを特徴とする、請求項1に記載の炭素接地電極モジュールの長さ算定装置。前記接地電極回路は、接地導線引下げ導線のインダクタンス回路を前記分布定数回路の前段に直列に追加することを特徴とする、請求項1に記載の炭素接地電極モジュールの長さ算定装置。前記接地導線のインダクタンス回路のインダクタンスLは<数式3>により求めることを特徴とする、請求項1に記載の炭素接地電極モジュールの長さ算定装置。但し、μ0は真空の透磁率であり、lとr0は各々接地導線の長さと半径。同軸構造を有し、炭素含有充填材で内部が詰められる接地電極モジュールに対し、周波数の変動によって接地インピーダンスの変動が最も少なく表れる接地電極モジュールの長さ以下、最適長さを求める炭素接地電極モジュールの長さ算定方法であって、a2つの分布定数回路を2層に構成して接地電極回路を構成するステップと、b大地の抵抗率及び比誘電率、充填材の抵抗率及び比誘電率、接地電極モジュールの内部及び外部直径を模擬変数として入力を受けるステップと、c周波数変動範囲内で多数の周波数を選定するステップと、d選定された各周波数に対し、前記模擬変数によって前記接地電極回路を模擬して接地電極の長さに対応する接地インピーダンスを計算するステップと、e前記各周波数の接地インピーダンスの間の差が最小となる接地電極の長さを求めるステップと、を含むことを特徴とする、炭素接地電極モジュールの長さ算定方法。本発明の目的は、前述したような問題点を解決するためのものであって、同軸構造を有し、炭素含有充填材で内部が詰められる接地電極モジュールに対し、周波数の変動によって接地インピーダンスの変動が最も少なく表れる接地電極モジュールの長さを求める炭素接地電極モジュールの長さ算定装置及び方法を提供することにある。また、本発明の目的は、分布定数回路モデルを用いてシミュレーションし、かつ高周波である時、インピーダンスが変化する大地及び充填材の特性を反映できる炭素接地電極モジュールの長さ算定装置及び方法を提供することにある。上記の目的を達成するために、本発明は、同軸構造を有し、炭素含有充填材で内部が詰められる接地電極モジュールに対し、周波数の変動によって接地インピーダンスの変動が最も少なく表れる接地電極モジュールの長さ以下、最適長さを求める炭素接地電極モジュールの長さ算定装置に関するものであって、2つの分布定数回路を2層に構成して接地電極回路を構成する回路構成部と、大地の抵抗率及び比誘電率、充填材の抵抗率及び比誘電率、接地電極モジュールの内部及び外部直径を模擬変数で入力を受ける変数入力部と、周波数変動範囲内で多数の周波数を選定する周波数選定部と、選定された各周波数に対し、上記模擬変数によって上記接地電極回路を模擬して、接地電極の長さに対応する接地インピーダンスを計算するシミュレーション部と、上記各周波数の接地インピーダンスの間の差が最小となる接地電極の長さを求める接地長さ推定部と、を含むことを特徴とする。また、本発明は、炭素接地電極モジュールの長さ算定装置において、上記接地電極回路は、大地の抵抗率及び比誘電率を使用した下層分布定数回路と、充填材の抵抗率及び比誘電率を使用した上層分布定数回路から構成された2層分布定数回路であることを特徴とする。また、本発明は、炭素接地電極モジュールの長さ算定装置において、上記2層分布定数回路の単位回路は、π型単位回路を2層に構成し、かつ上記π型単位回路は、コンダクタンスGとキャパシタンスCの並列回路を両側に構成し、両側の並列回路をインダクタンスL回路に連結することを特徴とする。また、本発明は、炭素接地電極モジュールの長さ算定装置において、上記上層分布定数回路の第1コンダクタンスG1、第1キャパシタンスC1、及び第1インダクタンスL1と、上記下層分布定数回路の第2コンダクタンスG2、第2キャパシタンスC2、及び第2インダクタンスL2は、垂直埋設時、<数式1>により求めることを特徴とする。但し、l、d1、d2は各々接地電極モジュールの長さ、内部直径、外部直径、ρ1、ε1は、各々充填材の抵抗率及び比誘電率、ρ2、ε2は、各々大地の抵抗率及び比誘電率、ε0、μ0は、各々真空の誘電率と透磁率。また、本発明は、炭素接地電極モジュールの長さ算定装置において、上記上層分布定数回路の第1コンダクタンスG1、第1キャパシタンスC1、及び第1インダクタンスL1と、上記下層分布定数回路の第2コンダクタンスG2、第2キャパシタンスC2、及び第2インダクタンスL2は、水平埋設時、<数式2>により求めることを特徴とする。但し、l、r1、r2は、各々接地電極モジュールの長さ、内部半径、外部半径、ρ1、ε1は、各々充填材の抵抗率及び比誘電率、ρ2、ε2は、各々大地の抵抗率及び比誘電率、ε0、μ0は、各々真空の誘電率と透磁率、sは、埋設深さ。また、本発明は、炭素接地電極モジュールの長さ算定装置において、上記シミュレーション部は、EMTPプログラムを用いて模擬することを特徴とする。また、本発明は、炭素接地電極モジュールの長さ算定装置において、接地長さ推定部は、接地電極モジュールの長さを単位長さ間隔に分けて、各接地電極モジュールの長さに該当する各周波数の接地インピーダンスの最大値と最小値の差以下、長さ別インピーダンス変動範囲を求めて、上記長さ別のインピーダンス変動範囲が最も小さい接地電極モジュールの長さを接地電極モジュールの最適長さに定めることを特徴とする。また、本発明は、同軸構造を有し、炭素含有充填材で内部が詰められる接地電極モジュールに対し、周波数の変動によって接地インピーダンスの変動が最も少なく表れる接地電極モジュールの長さ以下、最適長さを求める炭素接地電極モジュールの長さ算定方法に関するものであって、a2つの分布定数回路を2層に構成して接地電極回路を構成するステップと、b大地の抵抗率及び比誘電率、充填材の抵抗率及び比誘電率、接地電極モジュールの内部及び外部直径を模擬変数で入力を受けるステップと、c周波数変動範囲内で多数の周波数を選定するステップと、d選定された各周波数に対し、上記模擬変数によって上記接地電極回路を模擬して、接地電極の長さに対応する接地インピーダンスを計算するステップと、e上記各周波数の接地インピーダンスの間の差が最小となる接地電極の長さを求めるステップと、を含むことを特徴とする。また、本発明は、上記の方法を遂行するプログラムを記録したコンピュータで読取可能な記録媒体に関するものである。前述したように、本発明に係る炭素接地電極モジュールの長さ算定装置及び方法によれば、周波数の変動にも接地インピーダンスの変動の少ない接地電極モジュールを具現することで、雷撃電流などの高周波事故電流に対し、安定した性能を有する接地システムを開発することができる効果が得られる。特に、本発明に係る炭素接地電極モジュールの長さ算定装置及び方法によれば、高周波である時にインピーダンスが変化する大地及び充填材の特性を反映してシミュレーションすることで、多様な大地環境条件または周波数環境条件に適した接地システムを設計することができる効果が得られる。以下、本発明の実施のための具体的な内容を図面を参照して説明する。また、本発明を説明するに当たって、同一部分は同一符号を与えて、その反復説明は省略する。まず、本発明を実施するための全体システムの構成例について図1を参照して説明する。図1に示すように、本発明に係る炭素接地電極モジュールの長さ算定装置及び方法は、格納装置10に格納された模擬変数の入力を受けて処理するコンピュータ端末20の上の装置またはプログラムシステム30により実施できる。即ち、電極モジュールの長さ算定装置及び方法は、プログラムで構成されてコンピュータ端末20に設置されて実行できる。コンピュータ端末20に設けられたプログラムは、1つの装置またはシステム30と共に動作することができる。また、コンピュータ端末20は、PC、ノートブック、PDA、スマートフォン等、コンピューティング機能を有する端末装置である。一方、他の実施形態として、電極モジュールの長さ算定装置及び方法は、プログラムで構成されて汎用コンピュータで動作するの他に、ASIC注文型半導体等、1つの電子回路で構成されて実施できる。その他の可能な他の形態も実施できる。格納装置10は模擬変数を格納するデータ格納所であって、ネットワーク上のデータベースまたは、DBサーバ、コンピュータ端末20のハードディスクなどの格納空間、移動格納媒体などを含む。また、他の実施形態として、模擬変数を分析者が直接コンピュータ端末20の入力装置を通じて入力することもできる。次に、本発明の一実施形態に係る炭素接地電極モジュールの長さ算定装置30の構成を図2を参照して説明する。図2に示すように、電極モジュールの長さ算定装置30は、回路構成部31、変数入力部32、周波数選定部33、シミュレーション部34、及び接地長さ推定部35から構成される。回路構成部31は、2つの分布定数回路を2層に構成して接地電極回路を構成する。接地電極回路は、大地の抵抗率及び比誘電率を使用した下層分布定数回路と、充填材の抵抗率及び比誘電率を使用した上層分布定数回路から構成された2層分布定数回路である。高周波成分を含む雷撃電流と電磁障害EMIを誘発する高周波異常電流が接地電極に印加される場合、接地電極のインダクタンスと土壌のキャパシタンスによるインピーダンス特性が表れて、このような接地電極の高周波電流に対するインピーダンス特性は、分布定数回路モデルを用いた解析が可能である。サージや故障電流が接地電極に流入する時、図3aのように、埋設された接地電極に沿って分散された漏洩電流の形態で大地に放流される。このような電流の分散特性は、伝送線路理論Transmissionlinetheoryにより理論的に具現可能であり、これを具現した模擬解析技法が本発明で用いた分布定数回路モデルである。分布定数回路モデルは、図3bのように、接地電極をなす金属導体である銅の抵抗RとインダクタンスL、そして接地電極が埋設された土壌のコンダクタンスGとキャパシタンスCを分布回路定数で表現し、分布回路定数と伝送線路の伝播方程式を用いて接地電極の接地インピーダンスを算出する。接地電極をなす銅の抵抗率10-8Ωmに比べて、土壌の抵抗率は1~106Ωmで、108~1014倍の差が出るため、接地システムを設計する時、接地電極そのものの抵抗Rは無視することができるので、接地電極を理想的な導体と仮定してインダクタンス成分のみで表す。本発明で遂行した同軸構造型の炭素接地電極モジュールの模擬は、直線型接地電極の分布定数回路モデルの模擬技法に炭素接地電極モジュールの特性を追加する。炭素接地電極モジュールの場合、直線型接地電極の一種で接地インピーダンスに対する模擬が可能であるが、炭素接地電極モジュールの内部の炭素特性が周波数に従う接地インピーダンスに影響を及ぼすので、その特性を反映するために、図4aのように、分布定数回路の2層構造でシミュレーションモデルを使用する。図4aは、同軸構造炭素接地電極モジュールのシミュレーションのための2層構造の分布定数回路モデルを示す。炭素接地電極モジュールのシミュレーションモデルは、炭素の特性を反映するための上層の分布定数回路と土壌の影響を反映するための下層の分布定数回路からなっている。下層の分布定数回路は、既存の分布定数回路と同一な方法により分布回路定数を算定できるが、上層の分布定数回路は、充填材の炭素特性を反映するために周波数と炭素含有量によって変化する抵抗率と比誘電率を考慮する。炭素含有量によって充填材の抵抗率と比誘電率の差が表れる。特に、周波数が変化するによって、比誘電率の差が大きく表れる。充填材の炭素含有量と周波数依存性を反映することで、既存の分布定数回路モデルより接地電極自体の構造的な特性を明確に反映できる2層構造分布定数回路モデルを提示する。図4bと図4cは、既存の接地電極を対象とする分布定数回路モデルを改善した2層構造の分布定数回路モデルを表す。図4bの2層構造分布定数回路モデルの場合、印加点で充填材の特性が考慮されず、短絡されている効果が表れるため、図4cのように、π型モデルに分布定数回路モデルを選定して充填材の特性が印加点でも反映されるように分布定数回路モデルを改善した。2層構造分布定数回路は、大別して充填材の特性を反映するための上層の分布定数回路と土壌または、大地の影響を反映するための下層の分布定数回路からなっているので、各々の分布定数回路を算定しなければ模擬が可能でない。図5のように、2層構造分布定数回路モデルの分布回路定数を先に計算し、π型2層分布定数回路モデルに合うように分布回路定数を修正して同軸構造炭素接地電極モジュールの分布回路定数を算定することができる。図5に示すように、π型2層分布定数回路のπ型単位回路は2層から構成する。上層のπ型単位回路は、コンダクタンスGとキャパシタンスCの並列回路を両側に構成し、両側の並列回路をインダクタンスL回路に連結する。即ち、第1上層コンダクタンスG11と第1上層キャパシタンスC11の並列回路以下、第1上層並列回路と、第2上層コンダクタンスG12と第2上層キャパシタンスC12の並列回路以下、第2上層並列回路を両側に構成する。そして、上層インダクタンスLの両端を各々第1上層並列回路の一端と第2上層並列回路の一端と連結する。上層のπ型単位回路と同一な方式により、下層のπ型単位回路は、コンダクタンスGとキャパシタンスCの並列回路を両側に構成し、両側の並列回路をインダクタンスL回路に連結する。即ち、第1下層コンダクタンスG21と第1下層キャパシタンスC21の並列回路以下、第1下層並列回路と、第2下層コンダクタンスG22と第2下層キャパシタンスC22の並列回路以下、第2下層並列回路を両側に構成する。そして、下層インダクタンスLの両端を各々第1下層並列回路の一端と第2下層並列回路の一端と連結する。上層のπ型単位回路と、下層のπ型単位回路は、各々の並列回路を連結させる。即ち、第1上層並列回路の一端を第1下層並列回路の一端と連結させる。この際、第1上層並列回路で上層インダクタンスLの一端と連結されない一端と、第1下層並列回路で下層インダクタンスLの一端と連結される一端と連結する。同一な方式により、第2上層並列回路で上層インダクタンスLの一端と連結されない一端と、第2下層並列回路で下層インダクタンスLの一端と連結される一端と連結する。まず、下層の分布定数回路モデルについて説明する。下層の分布回路定数G2、C2、L2は、既存の直線型接地電極と同様に外部電極による接地抵抗R0により算定できる。接地抵抗R0は、接地電極の周辺の土壌の大地抵抗率により決定され、同軸構造炭素接地電極モジュールの垂直埋設時には<数式3>の垂直接地電極の接地抵抗式により接地抵抗を算定し、水平埋設時には<数式7>の埋設地線の接地抵抗式を用いる。分布定数回路モデルにおいて、土壌による単位長さ当たりコンダクタンスは、接地抵抗と関連した回路定数であり、接地抵抗の逆数を接地電極の長さで割って算定する。伝送線路理論によれば、任意の形態の伝送線路に対し、分布回路定数G、C、Lは<数式1>と<数式2>のような相関関係を有する。但し、ε2は土壌の比誘電率、ε0、μ0は真空の誘電率と透磁率である。接地抵抗の逆数を接地電極の長さで割って算定したGをこのようなG、C、Lの相関関係を通じてCとLを算定することができる。同軸構造炭素接地電極モジュールの垂直埋設時に使われる垂直接地電極に対する接地抵抗式は<数式3>の通りであり、同軸構造炭素接地電極モジュールの分布回路定数は<数式4~6>の通り計算される。ここで、lは、同軸構造炭素接地電極モジュールの長さ、d2は、同軸構造炭素接地電極モジュールの外部導体の直径、ρ2は、大地の抵抗率、ε2は、大地の比誘電率、ε0、μ0は各々真空の誘電率と透磁率。同軸構造型の炭素接地電極モジュールの水平埋設時に使われる埋設地線に対する接地抵抗式は<数式7>の通りであり、同軸構造型の炭素接地電極モジュールの単位分布定数回路は、<数式8~10>の通り計算される。ここで、lは、同軸構造炭素接地電極モジュールの長さ、r2は、同軸構造炭素接地電極モジュールの外部導体の半径、sは、埋設深さ。大地の比誘電率はその測定が極めて難しく、水分の含有量及び含まれた水分の抵抗率等によって、その値が多様に変わるため、各種の文献上に表れた単一比誘電率を適用してシミュレーションを遂行した。乾燥した土壌の比誘電率は約2~3程度であり、水の比誘電率が略80程度であることを考慮して、10~80の範囲の比誘電率に対して模擬解析した。次に、上層の分布定数回路モデルについて説明する。上層の分布回路定数は充填材を模擬するパラメータであり、このようなパラメータは土壌または、大地と異なるので、炭素の含有量に従う充填材の抵抗率と比誘電率をシミュレーションに反映した。図6は、1kHzから1MHzまで測定した炭素含有量に従う充填材の抵抗率と比誘電率を表す。充填材の抵抗率は、炭素含有量によって減少した反面、比誘電率は炭素の含有量によって増加したし、周波数が増加するによって2つのパラメータが共に減少する特性を表すので、そのような結果を参照して接地インピーダンスの模擬時、該当する周波数に合せて充填材の抵抗率と比誘電率を上層の分布回路定数G1、C1の算定に適用した。同軸構造炭素接地電極モジュールの垂直埋設時に使われる上層部の分布回路定数は、<数式11~13>の通り計算される。ここで、lは、同軸構造炭素接地電極モジュールの長さ、d1は、同軸構造炭素接地電極モジュールの内部導体の直径、ρ1は、同軸構造炭素接地電極モジュールの内部充填材の比抵抗、ε1は、同軸構造炭素接地電極モジュールの内部充填材の比誘電率、ε0、μ0は、各々真空の誘電率と透磁率。同軸構造炭素接地電極モジュールの水平埋設時に使われる上層部の分布回路定数は、<数式14~16>の通り計算される。ここで、lは、同軸構造炭素接地電極モジュールの長さ、r1は、同軸構造炭素接地電極モジュールの内部導体の半径、sは、埋設深さ。次に、変数入力部32は、大地の抵抗率及び比誘電率、充填材の抵抗率及び比誘電率、接地電極モジュールの内部及び外部直径を模擬変数として入力を受ける。即ち、前述した模擬変数である接地電極モジュールの内部直径d1、外部直径d2、充填材の抵抗率ρ1、及び比誘電率ε1、大地の抵抗率ρ2、及び比誘電率ε2の入力を受ける。また、周波数選定部33は、周波数変動範囲内で多数の周波数を選定する。前述した例において、周波数変動範囲は100Hzから1MHzである。この周波数変動範囲を代表する多数の周波数を選定する。例えば、100Hz、1kHz、10kHz、50kHz、100kHz、500kHz、1MHzに選定する。これら周波数値は予め選定して格納できる。または、周波数変動範囲が与えられれば、一定の間隔で多数の周波数を選定することができる。この際、一定の間隔は各周波数にログを取ってログ結果値を一定の間隔にすることが好ましい。または、他の実施形態として、一定の倍率で増加させて多数の周波数を選定する。また、好ましくは、周波数の変動範囲の最小周波数及び最大周波数を含めて多数の周波数を選定する。次に、シミュレーション部34は選定された各周波数に対し、上記模擬変数によって上記接地電極回路を模擬して、接地電極の長さに対応する接地インピーダンスを計算する。好ましくは、シミュレーション部34はEMTPプログラムを用いて模擬する。即ち、同軸構造炭素接地電極モジュールのモデルに、上、下層の分布回路定数を算定して代入した後、EMTPプログラムを用いて模擬すれば、各々の周波数に従う接地インピーダンス模擬が可能である。図7は、10m炭素接地電極モジュールに対し、大地抵抗率300Ωmで100Hz~1MHz周波数範囲の接地インピーダンスを模擬した例を示す。約50kHz以下の周波数では比誘電率の大きさにかかわらず、炭素接地電極モジュールの接地抵抗に収束する接地インピーダンスを表し、約100kHz以上の周波数では、接地インピーダンスが接地抵抗より大きくなる誘導性特性を示したり、接地抵抗より小さくなる容量性特性を示した。大地抵抗率300Ωm、比誘電率20で周波数の変化によって接地インピーダンスが殆ど変化しない10m炭素接地電極モジュールの特性が模擬された。この結果を通じて本発明で目標とする周波数変化に従う接地インピーダンスの変動が最小化する接地設計で最も重要な核心要素である最適の接地電極長さの算定が可能である。次に、接地長さ推定部35は、各周波数の接地インピーダンスの間の差が最小となる接地電極の長さを求める。特に、接地長さ推定部35は、接地電極モジュールの長さを単位長さ間隔に分けて、各接地電極モジュールの長さに該当する各周波数の接地インピーダンスの最大値と最小値との差以下、長さ別インピーダンス変動範囲を求めて、上記長さ別インピーダンス変動範囲が最も小さい接地電極モジュールの長さを接地電極モジュールの最適長さに定める。2層構造分布定数回路モデルを用いて入力された模擬変数によってシミュレーションを説明する。前述した例として、100Hz~1MHzの周波数範囲で同軸構造炭素接地電極モジュールの長さが増加するによる特定周波数での接地インピーダンスを模擬する。図8は、大地抵抗率が比較的高い280Ωm、比誘電率20の土壌と大地抵抗率が比較的低い23Ωm、比誘電率20の条件で炭素接地電極モジュールの接地インピーダンスを模擬した結果を表す。同軸構造炭素接地電極モジュールの長さが短く、大地抵抗率の高い場合、容量性接地インピーダンスが表れて、周波数が高い時、接地インピーダンスが接地抵抗より低く表れたし、炭素接地電極モジュールの長さが長くなる時には、接地電極の内部のインダクタンス影響が大きくなって接地抵抗より大きい誘導性接地インピーダンスが表れた。したがって、炭素接地電極モジュールの長さが長くなるによって、容量性接地インピーダンスから誘導性インピーダンスに変化する過程で、周波数に従う接地インピーダンスの変動が最も小さく表れる長さを算出することができる。即ち、図8aの高い大地抵抗率では9.6m、図8bの低い大地抵抗率では2mの長さで接地インピーダンスの変動が最も少なく、その長さを炭素接地電極モジュールの周波数に従う接地インピーダンス変動を最小化することができる最適設計長さに定める。最適長さを求める具体的方法は、次の通りである。接地電極モジュールの長さを単位長さ間隔に分けて、各接地電極モジュールの長さに該当する各周波数の接地インピーダンスを求める。このインピーダンス値はシミュレーション部34により模擬した結果値である。そして、求めた各インピーダンスの最大値と最小値との差以下、長さ別インピーダンス変動範囲を求める。上記のように、単位長さ間隔に分けた各長さに対し、長さ別インピーダンス変動範囲を求める。そして、長さ別インピーダンス変動範囲が最も小さい長さを接地電極モジュールの最適長さに決める。次に、本発明の一実施形態に係る効果を図9及び図10を参照して説明する。図8で求めた炭素接地電極モジュールの最適設計長さ条件に対し、周波数変動性を確認するために同一な大地抵抗率を有する土壌で炭素接地電極モジュールの接地インピーダンスに対する周波数依存性を図9のように模擬し、測定結果と比較した。高周波数領域において、接地インピーダンスの模擬結果と測定結果に若干の誤差があるが、このような点は正確な土壌の比誘電率の結果が反映できないことによる誤差と判断され、周波数変化に従う接地インピーダンスの傾向性が測定結果と極めて類似し、接地インピーダンス変動が少ないということが分かる。したがって、本発明の一実施形態により遂行した炭素接地電極モジュールの接地インピーダンス模擬を通じて接地インピーダンス変動の少ない炭素接地電極モジュールの最適設計条件を算定することができ、測定結果と比較してシミュレーション結果の信頼性を確保した。一般的な土壌の大地抵抗率は10~1000Ωmであり、土壌の比誘電率が10~80であると知られているため、各土壌の特性によって炭素接地電極モジュールの接地インピーダンス変動性が最も少ない長さである臨界長さを算出しなければ、接地システム施工時、炭素接地電極モジュールの長さを決定できないようにする。図10は、周波数に従う最小接地インピーダンス変動を有する同軸構造炭素接地電極モジュールの最適設計長さを土壌の比誘電率と大地抵抗率によって各々分布定数回路モデルで模擬をし、その算出結果を最適の炭素接地電極モジュール長さ算定のための基準として提示する。次に、本発明の一実施形態により接地導線または、引下げ導線のインダクタンスの影響を考慮したミューレーションを図11乃至図13を参照して説明する。模擬解析結果との比較のための実測結果を得るために接地インピーダンスを測定する時、接地インピーダンスは印加電流と接地電極の電位の測定により算出される。この際、検出された電位には接地電極の電位だけでなく、引出し用接地導線の電圧降下が含まれ、接地電極に接続された接地導線のインダクタンスが1μであれば、接地インピーダンスは周波数1MHzで引出し用接地導線により6.28Ω増加するようになり、10MHzでは62.8Ω増加するようになる。したがって、高周波数で引出し用接地導線のインダクタンスの影響を無視することができないので、下記に提示された方法により接地導線のインダクタンスを計算して接地インピーダンス模擬解析に適用する。図11のような有限長さの接地導線に流れる電流により発生する磁界の強さはBiot-Savart法則を適用する<数式17>により計算され、有限長さの導線に鎖交する総電流磁束鎖交数は<数式18>により算出される。この計算された導線に鎖交する総電流磁束鎖交数を基礎にして、<数式19>のように接地導線の直径2r0と長さlに従うインダクタンスが算出される。但し、μ0は真空の透磁率であり、lとr0は各々接地導線の長さと半径である。実験用接地電極の一端に連結して引き出した接地導線は、断面積25mm2のGV電線であって、このGV電線のインダクタンスに対する模擬結果と測定結果は、図12の通りである。LCRメートルを用いて測定したし、測定装備の与件上、310mm以上の長さの直線形態の導線に対して測定が不可能で、導線の形態によってインダクタンスが変わるので、測定が可能な範囲内の3つの長さに対する直線型導線のインダクタンス模擬結果と測定結果を比較して提示する。図12に提示された資料のように、模擬結果が測定結果とほぼ同一な値を表すことを確認することができる。実際に施設された同軸構造炭素接地電極モジュールに連結された接地導線は長さが1.2mであるので、これに対するインダクタンスの計算結果は、1.38μHであり、この計算結果をEMTPの分布定数回路の前段に直列に追加して、模擬解析時に接地導線のインダクタンスによる影響を反映する。図13は、接地導線のインダクタンスによる影響を検証するために接地導線が含まれた場合と含まれない場合の同軸構造炭素接地電極モジュールの接地インピーダンスをシミュレーションして測定値と比較した結果を表す。図13aにおいて、2m炭素接地電極モジュールに対して模擬した結果、200kHz以上の周波数でもインダクタンス影響が殆ど表れず、接地インピーダンスが殆ど一定な結果を示している。しかしながら、同一な条件で実際に測定した結果は、200kHz以上の周波数でインダクタンス影響が大きく作用した誘導性接地インピーダンスを表した。同軸構造炭素接地電極モジュールに高周波数で接地導線のインダクタンス影響が表れることと判断して、接地導線の影響を考慮した接地インピーダンスのシミュレーション結果を図13bに表した。接地導線の影響を無視した結果と比較して、模擬結果と測定結果が殆ど類似するように表れた。したがって、高周波数では接地導線の影響が大きく表れて、接地インピーダンスに無視できない程度の影響を及ぼすので、接地インピーダンスの模擬時、接地導線の影響を必ず考慮しなければならない。次に、本発明の一実施形態に係る炭素接地電極モジュールの長さ算定方法を図14を参照して説明する。図14に示すように、本発明の一実施形態に係る炭素接地電極モジュールの長さ算定方法は、a2つの分布定数回路を2層に構成して接地電極回路を構成するステップS10と、b大地の抵抗率及び比誘電率、充填材の抵抗率及び比誘電率、接地電極モジュールの内部及び外部直径を模擬変数として入力を受けるステップS20と、C周波数変動範囲内で多数の周波数を選定するステップS30と、d選定された各周波数に対し、上記模擬変数によって上記接地電極回路を模擬して、接地電極の長さに対応する接地インピーダンスを計算するステップS40と、e上記各周波数の接地インピーダンスの間の差が最小となる接地電極の長さを求めるステップS50とに分けられる。上記炭素接地電極モジュールの長さ算定方法の説明のうち、省略した部分は上記炭素接地電極モジュールの長さ算定装置の説明を参照する。本発明の実施形態は多様なコンピュータで具現される動作を遂行するためのプログラム命令を含むコンピュータ読取可能媒体を含む。コンピュータ読取可能媒体は、プログラム命令、ローカルデータファイル、ローカルデータ構造などを単独または組合せて含むことができる。媒体は、本発明のために特別に設計され、構成されたものであるとか、コンピュータソフトウェア当業者に公知されて使用可能なものであることもある。コンピュータ読取可能記録媒体の例には、ハードディスク、フロッピーディスク、及び磁気テープのような磁気媒体、CD-ROM、DVDのような光記録媒体、フロプティカルディスクのような磁気-光媒体、及びROM、RAM、フラッシュメモリなどのプログラム命令を格納し、遂行するように特別に構成されたハードウェア装置が含まれる。プログラム命令の例には、コンパイラーにより作られるような機械語コードだけでなく、インタープリターなどを使用してコンピュータにより実行できる高級言語コードを含む。以上、本発明者によりなされた発明を実施形態によって具体的に説明したが、本発明は実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変更が可能であることは勿論である。