半導体素子が形成された半導体ウエハの素子形成面に切断溝を形成する工程aと、前記工程aの後に、前記半導体ウエハの素子形成面に保護テープを貼り付ける工程bと、前記工程bの後に、前記半導体ウエハの裏面を研削して、前記半導体ウエハを薄厚化するとともに、前記半導体ウエハを半導体素子が形成された複数の半導体チップに分割する工程cと、前記工程cの後に、前記半導体ウエハの裏面に接着剤層を形成する工程dと、前記半導体ウエハの裏面に形成された前記接着剤層を加熱して溶融または軟化させつつ、前記接着剤層に高圧エアを吹き付けることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分離切断する工程eと、前記工程eの後に、前記保護テープを剥離する工程fとを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記工程eは、前記接着剤層の切断端により前記各半導体チップの側面が被覆されるように行われる請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記工程eにおいて、前記接着剤層に高温高圧エアを吹き付けることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。複数の半導体チップに分割され、それらの裏面全面に接着剤層が形成されて一体化されている半導体ウエハの前記接着剤層を加熱する加熱手段と、前記接着フィルムに高圧エアを吹き付けるノズルを備えた高圧エア発生装置とを具備したことを特徴とする半導体製造装置。表面に半導体素子が形成され、裏面から側面に跨って接着剤層が被着された半導体チップを有することを特徴とする半導体装置。本発明の目的は、半導体ウエハの裏面に形成された接着剤層を、半導体素子の配線部分の一部切断や、切断屑による汚れ、チップ割れを生じさせるような負荷等をかけることなく切断することができ、これにより、品質及び製造歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法及び製造装置、並びに半導体装置を提供することにある。実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体素子が形成された半導体ウエハの素子形成面に切断溝を形成する工程aと、前記工程aの後に、前記半導体ウエハの素子形成面に保護テープを貼り付ける工程bと、前記工程bの後に、前記半導体ウエハの裏面を研削して、前記半導体ウエハを薄厚化するとともに、前記半導体ウエハを半導体素子が形成された複数の半導体チップに分割する工程cと、前記工程cの後に、前記半導体ウエハの裏面に接着剤層を形成する工程dと、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分離切断する工程eと、前記工程eの後に、前記保護テープを剥離する工程fとを具備する。前記工程eは、前記半導体ウエハの裏面に形成された前記接着剤層を加熱して溶融または軟化させつつ、前記接着剤層に高圧エアを吹き付けることにより行われる。実施形態の半導体製造装置は、複数の半導体チップに分割され、それらの裏面全面に接着剤層が形成されて一体化されている半導体ウエハの前記接着剤層を加熱する加熱手段と、前記接着フィルムに高圧エアを吹き付けるノズルを備えた高圧エア発生装置とを具備する。実施形態の半導体装置は、表面に半導体素子が形成され、裏面から側面に跨って接着剤層が被着された半導体チップを有する。以下、図面を参照して、実施形態を説明する。図1及び図2は、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための概略斜視図、図3は図2に示す工程eをより詳細に説明するための概略断面図、図4は、図3に示す工程の変形例を示す概略断面図である。本実施形態においては、まず、シリコン等からなる半導体ウエハ1 ́の表面素子形成面に半導体素子を形成した後、この半導体素子を形成した半導体ウエハ1 ́を保持テーブル21上に固定し、半導体ウエハ1 ́の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、ダイヤモンドブレード22を用いて裏面に達しない深さの切断溝31を形成する。すなわち、ハーフカットダイシングを行う図1a。切断溝32の形成は、ダイヤモンドブレード22に限らず、ダイヤモンドスクライバー、レーザ等を用いて行なうことができる。また、反応性ガスエッチングや反応性イオンエッチングRIE等の手段を用いることも可能である。次に、半導体ウエハ1 ́の素子形成面に、保護テープ32を貼り付け、表面保護層を形成する図1b。保護テープ32には、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂PVC、ポリエチレンテレフタレート樹脂PET、ポリオレフィン樹脂PO等の熱可塑性樹脂からなるテープ基材上に粘着剤層を設けた粘着テープ等が使用される。保護テープ32に代えてガラス等からなる基材上に粘着剤層を設けたものを使用することも可能である。粘着剤は光硬化型粘着剤であってもよい。保護テープ32は、後の工程で剥離するため、粘着剤が光硬化型粘着剤である粘着性テープを使用した場合には、剥離前に光照射することにより剥離を容易にすることができる。図1bにおいて、符号23は、保護テープ32を半導体ウエハ1 ́の素子形成面に密着させるための押さえ部材を示している。次に、砥石24により半導体ウエハ1 ́の裏面を研削し、半導体ウエハ1 ́を薄厚化するとともに、個々の半導体チップ1へ分割する図1c-1。この個片化工程では、砥石24による研削後、さらに、エッチング装置25によりエッチング処理を行ってもよい図1c-2。エッチングは、ドライエッチング、プラズマエッチング、及びウエットエッチングのいずれであってもよい。また、エッチング処理に代えて、CMP化学機械研磨による平坦化処理を行ってもよい。研削後にエッチング、または平坦化処理を行うことにより、裏面チッピングを低減することができる。裏面研削後、あるいは裏面研削及びエッチング処理または平坦化処理後、半導体ウエハ1 ́の裏面に接着フィルムを貼り付けて接着剤層33を形成し図2d、さらに、この接着剤層33をチップサイズに切断する図2e。この接着フィルムの貼り付けから、チップサイズに切断する工程は、例えば、図3に示すように行われる。すなわち、図3iは、図1c-1または図1c-2の工程終了後の半導体ウエハ1 ́を示した断面図で、半導体チップ1に個片化された半導体ウエハ1 ́の素子形成面には保護テープ32が貼り付けられている。このように保護テープ32が貼り付けられた半導体ウエハ1 ́の裏面に、フィルム基材34上に接着剤層33が設けられた接着フィルム35を、接着剤層33側を半導体ウエハ1 ́側に向けて貼り付ける図3ii。次に、接着フィルム35のフィルム基材34を剥離する図3iii。次に、接着剤層33に向けて高温の高圧エアを吹き付ける図3iv。図2e及び図3ivにおいて、符号26は、高温高圧エア発生装置図示なしに接続されたノズルを示しており、このノズル26から高温高圧エアが接着剤層33に向けて吹き付けられる。接着剤層33に吹き付けられるエアは高温であるため、接着剤層33が溶融もしくは軟化し、この溶融もしくは軟化した接着剤層33にエアによる高圧が加わることによって、接着剤層33が切断溝31に沿って切断されるとともに、その切断端が個々の半導体チップ1の側面に回り込み、被着する。高温高圧エアの吹き付けは、接着剤層33の全面に行ってもよく、切断溝31に沿って吹き付けるようにしてもよい。また、切断溝31に沿って吹き付ける場合、切断溝31の溝幅より狭い範囲に吹き付けてもよく、溝幅より広い範囲に吹き付けてもよい。図3iv及び図2eでは、ノズル26の先端が切断溝31に沿って移動するように構成されており、高温高圧エアは接着剤層33に対し、切断溝31に沿って吹き付けられる。また、吹き付けるエアの温度は、接着剤層33が少なくとも軟化する温度であればよく、接着剤の種類にもよるが、通常、50°C以上200°C以下の範囲であり、好ましくは60°C以上120°C以下の範囲である。また、エアの圧力は、0.15MPa以上であることが好ましく、0.3MPa以上であることがより好ましい。エアの圧力が0.15MPa未満では、接着剤層33が切断されないおそれがある。さらに、エアの流量は、0.0005m3/s以上であることが好ましく、0.0008m3/s以上であることがより好ましい。ここで、上記エア温度は、ノズルの噴き出し口のエア温度ではなく、エアが切断溝31部分の接着剤層33に到達したときの温度、すなわち、切断溝31部分の接着剤層33の表面温度をいう。なお、本実施形態では、接着剤層33の形成に、フィルム基材34上に接着剤層33が設けられた接着フィルム35を使用しているが、接着剤層33のみからなる接着フィルムを用いることも可能である。この場合には、図3iiiに示すようなフィルム基材34の剥離工程を省略することができる。また、本実施形態では、高温の高圧エアを吹き付けているが、他の加熱手段によって接着剤層33を溶融もしくは軟化させ、常温の高圧エアを吹き付けるようにしてもよい。さらに、接着剤層33を切断溝31に沿って切断する工程、すなわち、図2eの工程を、図4に示すように、冷却ステージ41上で行い、高温高圧エアの吹き付け、または他の加熱手段による接着剤層33の加熱によって、半導体ウエハ1 ́の表面に貼り付けた保護テープ32が熱劣化するのを防止するようにすることも可能である。あるいは、接着剤層33の予備もしくは補助加熱手段として、同工程を加熱ステージ上で行うことも可能である。この場合には、より短時間に接着剤層33を軟化もしくは溶融させることができ、切断時間を短縮し、切断の作業効率を高めることができる。特に、図3iv及び図2eに示すように、ノズル26の先端を切断溝31に沿って移動させながら、高温高圧エアを接着剤層33に吹き付ける場合には、接着剤層33を予備もしくは補助的に加熱することにより、加工切断速度の高速化、切断安定性の向上を図ることができる。すなわち、図5は、図2eの工程を一定の温度に制御した加熱ステージ上で行うことによって接着剤層33を加熱しながら接着剤層33に高温高圧エアを吹き付けて切断した場合と、接着剤層33を加熱せずに接着剤層33に高温高圧エアを吹き付けて切断した場合の、接着剤層33の表面温度と加工速度ノズル26の移動速度の関係を示したグラフである。縦軸は接着剤層33の表面温度を示しており、横軸は加工速度を示している。なお、切断は接着剤層33に対する加熱の有無を除いて同一条件、同一方法で行った。図5から明らかなように、接着剤層33に対し加熱ステージによる加熱を行わなかった場合、加工速度を上げると接着剤層33の表面温度が大きく低下しているのに対し、接着剤層33を加熱ステージで加熱しながら切断した場合には、加工速度を上げても接着剤層33の表面は略一定の温度を保っている。これは、前者では、加工速度を上げると接着剤層33の表面温度が低下して切断ができなくなるおそれがあるのに対し、後者では、加工速度を上げても接着剤層33を所定の温度に保つことができ、安定に切断することができることを示している。これにより、接着剤層33を加熱ステージで加熱しながら行った場合には、高速での加工が可能となり、かつ切断の安定性を高めることができることがわかる。なお、接着剤層33に対し予備的もしくは補助的に加熱する温度は、あまり高いと前述したように半導体ウエハ1 ́の表面に貼り付けた保護テープ32が熱劣化させるおそれがあることから、保護テープ32が熱劣化しない範囲で設定することが好ましい。このように半導体ウエハ1 ́の裏面に接着剤層33を形成し、さらに、この接着剤層33をチップサイズに切断した後、半導体チップ1に個片化された半導体ウエハ1 ́から保護テープ32を剥離する図2f。その際、図2fに示すように、ウエハリング37に貼り付けたフィルム36上に、個片化された半導体ウエハ1 ́を、保護テープ32側を上に向けて保持させて、保護テープ32を剥離する。フィルム36は、粘着性を有するものであっても、非粘着性のものであってもよい。また、フィルム36を使用せず、保持テーブル等に直接保持させるようにしてもよい。保護テープ32が剥離され、裏面に接着剤層を備えた半導体ウエハ1 ́を構成する半導体チップ1は、吸着コレット27を備えたピックアップ機構によりピックアップされて、基板、あるいは他の半導体チップへの実装工程等の、半導体装置の所定の製造工程に搬送される図2g。本実施形態によれば、個々の半導体チップに個片化された半導体ウエハ1 ́の裏面に形成された接着剤層を切断するにあたり、接着剤層を溶融もしくは軟化させたうえでエア圧力で切断するので、従来のブレードを用いて切断した場合のような、半導体素子の一部が切断されたり、切断屑によって表面汚れが生ずることはなく、また、レーザを用いた場合のような、ピックアップ時において半導体チップの割れが発生することもない。さらに、接着剤層の切断端を半導体チップの側面に被着させるため、接着剤層の切断端におけるヒケ縮みや飛び出し等の発生を防止することができる。すなわち、ヒケは、接着剤層形成時の歪みが原因で生じるもので、ヒケが存在すると、実装時に封止材に含まれるフィラーが侵入して半導体チップに割れやクラックが発生するおそれがある。また、ぬれ不足により、半導体チップ実装時の接着不良が生ずるおそれがある。また、飛び出しは、切断端が半導体チップより外側に飛び出している現象をいい、飛び出しがあると、その部分が裏側に折曲がるなどして実装に支障をきたすおそれがある。本実施形態では、接着剤層の切断端が半導体チップの側面に回り込んで被着されるため、このようなヒケや飛び出しの発生が防止される。図6は、本実施形態を適用して切断された接着剤層33の断面を金属顕微鏡を用いて撮像した写真の模写図である。この例では、厚さ7μmの接着剤層33が切断され、その切断端が半導体チップ1の側面に約20μm切断溝3の深さ130mmの約1/7~1/6の深さまで被着しているのが確認された。接着剤層33の切断に用いたエアの条件は次の通りである。温度:100°C、圧力:0.4MPa上記のようなヒケ縮みや飛び出しを防止するためには、接着剤層33の切断端は、半導体チップ1の側面に少なくとも5μmの深さまで被着されていることが好ましい。本実施形態においては、接着フィルムとして、接着剤層に金属不純物イオンを捕獲する金属不純物イオン捕獲剤を含有するものを用いることができる。すなわち、近時、半導体素子の微細化、半導体チップの薄膜化等に伴い、微量の金属不純物による半導体素子への汚染が問題になっており、なかでも、半導体ウエハ中での拡散速度の速い可動イオンであるCu、Fe、Au、Na等の金属イオンによる汚染が問題となっている。そこで、このような金属不純物イオンを捕獲する金属不純物イオン捕獲剤を添加して、これにより金属不純物イオンの半導体ウエハへの侵入を抑制した接着フィルムが開発されている。本実施形態においては、かかる金属不純物イオン捕獲剤を含有する接着フィルムを用いることができる。本実施形態においては、前述したように、接着剤層の切断端が半導体チップの側面にまで被着されるため、半導体チップの裏面のみならず側面からの金属不純物イオン侵入も防止することができる。金属不純物イオンの半導体チップへの侵入を防止する観点からは、図7に示すように、金属不純物イオン捕獲剤を含有する接着剤層33Aの切断端は半導体チップ1の側面全体に被着されるようにすることが好ましい。つまり、半導体チップ1の側面全体が接着剤層33によって覆われるようにすることが好ましい。図7において、11は半導体チップ1の表面に形成された半導体素子を示している。なお、金属不純物イオンによる汚染が特に問題になるのは、裏面が鏡面処理例えば、CMP、ドライポリッシュ等された半導体チップ通常、20~50μm程度の厚みを有するであって、裏面が粗い場合には、金属不純物イオンによる汚染は実質的に問題にならないと考えられている。その理由としては、粗い裏面はいわゆる金属不純物イオンのゲッタリングサイトとして機能することや、裏面が粗い半導体チップは、通常、厚みが大きいために、金属不純物イオンが侵入しても表面の半導体素子に到達することが少ないこと等が挙げられている。したがって、特に、裏面が鏡面処理された半導体チップの場合には、金属不純物イオン捕獲剤を含有する接着フィルムを使用することが好ましく、その場合、図7に示すように、半導体チップ1の側面全体が金属不純物イオン捕獲剤を含有する接着剤層33Aで覆われるようにすることが好ましい。20~50μm程度の厚みを有する半導体チップでは、エアの温度や圧力、接着剤層の加熱温度加熱する場合等の切断加工条件を調節することにより、半導体チップの側面全体を接着剤層で覆うことができる。本実施形態において好適に使用される金属不純物イオン捕獲剤を含有する接着フィルムとしては、錯化剤、無機イオン交換体および金属パウダーの1種以上を含むものが挙げられる。錯化剤は、金属イオンと結びついて錯体を形成するという性質を有するものであり、例えば、フェノール、クレゾール、カテコール、レゾルシノール、ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。無機イオン交換体は、イオンを取り込み、その代わりに、無機イオン交換体の持っていた他のイオンを放出することで、無機イオン交換体の一部の入れ替えを行うものであり、例えば、酸化物やリン酸化合物等であるような、ジルコニウム系化合物、アンチモン系化合物、ビスマス系化合物、アンチモンビスマス系化合物、マグネシウムアルミニウム系化合物等が挙げられる。金属パウダーは、その表面等に存在する複数のダングリングボンドをゲッタリングサイトとして用いて金属不純物イオンを捕獲するというものであり、例えば、シリコンパウダーアモルファスシリコン、多結晶シリコン等等が挙げられる。接着剤層中のこれらの金属不純物イオン捕獲剤の含有量は、通常、20体積以下であり、好ましくは、10体積以下である。また、本実施形態では、接着剤層を、表面に半導体素子が形成された半導体ウエハの裏面に形成しているが、接着剤層は、半導体ウエハの表面、すなわち半導体素子の形成面に形成することも可能である。このように半導体ウエハの表面の形成された接着剤層に対しても、前述したと同様の方法で、接着剤層を加熱しつつ、高圧エアを接着剤層に吹き付けることにより、接着剤層33を切断溝31に沿って切断することができ、半導体素子形成面に接着剤層を備えた半導体チップを得ることができる。半導体素子形成面に接着剤層を備えた半導体チップは、基板、あるいは他の半導体チップにフリップチップ接続で実装する半導体チップとして有用である。以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。