円筒状に形成されたアルミナセラミックの内表面に線状の放電電極を設け、かつ、その内部または外表面に面状の誘導電極を設けた円筒型沿面放電素子において、一方の端面ガス流入口からガスを供給し他方の端面噴出口から噴出させ、放電電極と誘導電極の間に高周波高電圧を印加して沿面放電を発生させプラズマ沿面放電励起プラズマを生成することで噴出口からプラズマジェットを噴出することを特徴とする沿面放電型プラズマジェット生成装置。処理対象物の処理表面にプラズマジェットを直接照射することを特徴とする請求項1に記載の沿面放電型プラズマジェット生成装置。供給するガスがヘリウム、アルゴン、キセノンなどの希ガスまたは窒素、若しくはそれらを主成分とするガスであることを特徴とする請求項1から2に記載の沿面放電型プラズマジェット生成装置。円筒型沿面放電素子の内表面に形成された放電電極全体を覆うように、アルミナセラミックまたはガラスの薄膜保護層を形成することを特徴とする請求項1から3に記載の沿面放電型プラズマジェット生成装置。円筒型沿面放電素子の周りに空冷フィンを取り付けたことを特徴とする請求項1から4に記載の沿面放電型プラズマジェット生成装置。低温プラズマで生成するプラズマジェットを、簡易な構成により、効率良く発生させることを目的としている。特に大気圧下で用いる低温プラズマで生成するプラズマジェットでは電離電圧の低いヘリウムでは容易にプラズマジェットを生成できるが、電離電圧の高いアルゴンあるいは希ガスではない窒素などのプラズマジェットは生成が難しかった。これらのガス種に対しても投入電力放電電力を調整するだけで簡単にプラズマジェット生成できるプラズマジェット生成装置を提供することを目的としている。本発明は、円筒状に形成されたアルミナセラミックの内表面に線状の放電電極を設け、かつ、その内部または外表面に面状の誘導電極を設けた円筒型沿面放電素子において、一方の端面ガス流入口からガスを供給し他方の端面噴出口から噴出させ、放電電極と誘導電極の間に高周波高電圧を印加して沿面放電を発生させプラズマ沿面放電励起プラズマを生成することで噴出口からプラズマジェットを噴出することを特徴としている。この沿面放電励起プラズマは低温プラズマであり、電子温度は高いがイオンや分子温度の低いことが特徴である。この円筒型沿面放電素子のガス流入口からヘリウム、アルゴン、キセノンなどの希ガスや窒素若しくはそれらを主成分とするガスを供給し、沿面放電励起プラズマを生成の上、噴出口をプラズマ処理対象物質に向けてプラズマジェットを生成のうえ直接処理表面に照射することが可能である。なお、円筒状に形成されたアルミナセラミックの内表面に形成された線状の放電電極をアルミナセラミックまたはガラスの薄膜で覆うことで放電電極が放電に直接曝されることがなく、放電電極がスパッタリングで消耗することもない。また、ガス中に放電電極由来の金属微粒子によるコンタミネーションも生じる恐れがない。また、円筒型沿面放電素子の周りに空冷フィンを取り付けたことを特徴としている。通常は沿面放電で発生する熱は供給されたガス流自体で除去され、冷却構造は不要であるが、放電注入電力を大きくしないとプラズマジェットが生じないようなガスを使用する場合、ガス流自体の冷却では円筒型沿面放電素子が過熱する恐れがある。その場合には、円筒型沿面放電素子の周りに空冷フィンを設け、自然冷却ないしファンで冷却フィンを風冷することで過熱を防止することも可能である。本発明による沿面放電型プラズマジェット生成装置では大気圧中の低温プラズマによるプラズマジェットが非常に簡便にかつ効率よく生成することが可能となった。さらにヘリウムのみならず、電離電圧の高いアルゴンや窒素などのガス種でもプラズマジェットを生成することが可能となった。本発明は、円筒状に形成された円筒状アルミナセラミック4の内表面13に線状の放電電極3を設け、かつ、その内部または外表面14に面状の誘導電極5を設けた円筒型沿面放電素子2に希ガス、酸素、窒素、水素、若しくはそれらを主成分とするガスを一方の端面ガス流入口1からガスを供給し他方の端面噴出口6から供給するとともに、両電極間に高周波高電圧2~20kVpp、1~100kHz程度を印加すると円筒型沿面放電素子2の放電電極3から壁面に沿って沿面放電が発生する。この沿面放電で生成されるプラズマ沿面放電励起プラズマをガスと共に噴出口6から噴出させることでプラズマジェット31を生成することができる。このプラズマジェット31は、イオン、電子、励起種などのプラズマ由来の粒子を多く含み、プラスチック材料、シリコン、ガラスなどの濡れ性を向上させるたり、処理対象物の殺菌を行ったり、酸化膜やダイヤモンド薄膜、有機膜を成膜する処理対象物32の処理表面33に照射する。または、プラズマジェット自体またはプラズマジェットが噴出した空間に存在もしくは供給した別のガスがプラズマジェットのペニング効果などで活性種に変換され、その活性種を用いることで、表面処理に用いることができる。プラズマジェット自体を必ずしも対象表面33に直接照射する必要はなく、処理対象物32が存在する容器にプラズマジェットを噴出させて、プラズマジェット自体の活性種、または、前記のように変換された活性種が処理対象物に拡散して処理することも可能である。図1ならびに図2に示すものは円筒状アルミナセラミック4の内表面13に線状の放電電極3を設け、その外表面14に面状の誘導電極5を設け、さらに、内表面13に5~50μmの薄膜保護層アルミナ又はガラス12を形成した円筒型沿面放電素子2である。また、放電電極にセラミックを貫通して導通させた放電電極ターミナル8と誘導電極ターミナル11が設けられている。この素子の製造は、例えば、ドクターブレード法やロールコンパクション法で形成した厚さ0.2mm~1mmセラミックシートの表面に放電電極3をタングステンインクで印刷し、背面に面状の誘導電極5をやはりタングステンインクで印刷する。また、放電電極ターミナル8を設けるため、誘導電極5を形成しない一方の端面側に沿面絶縁距離を隔ててスルーホール7を設け、そのスルーホール7にタングステンインクを注入するとともに放電電極3とやはりタングステンインクで接続線9で接続しておく。放電電極3やスルーホール7、接続線9などタングステンインクで印刷した部分を覆うように5~50ミクロンのアルミナセラミックをセラミックシートを重ねたり、スプレーすることで薄膜保護層12を形成する。このように形成した電極が印刷されたセラミックシートを円筒状に丸め、接合面をプレス接着させて内径Dの円筒状のセラミックとタングステンインクからなるアルミナセラミック円筒を成形したのち、還元炉で焼結すると、セラミックとタングステン電極誘導電極、放電電極ならびに接続線からなる円筒型沿面放電素子2が得られる。内径Dは10mmを超えると、プラズマジェットの生成が困難となるため、Dは10mm以下としておく。放電電極3の先端から吐出口6までの距離Cは短い方が壁面ロスによるプラズマの減衰が小さいため良いが、放電電極3と誘導電極4との沿面距離が短いと短絡現象が発生するために、Cは5~20mmになるように設定すると良い。この時、アルミナセラミックとタングステン電極誘導電極、放電電極ならびに接続線の境界にはメタライズ層17が形成され、タングステン電極誘導電極、放電電極ならびに接続線はアルミナセラミックに強固に接着することになる。焼結後のタングステン電極誘導電極、放電電極ならびに接続線の厚さは5μm以上とすること電流が流れてもこれら電極の抵抗損失が大きくなることがない。なお、薄膜保護層はアルミナセラミックの代わりに、沿面放電素子を焼結作製の後、ガラス釉薬を流して5~50μmのガラス層を形成してもよい。円筒型沿面放電素子2の外周面に空冷を効率良く行うためにフィン10を取り付けることもできる。円筒型円面放電素子2の内側を流れるガスだけで沿面放電で発生する熱が十分除去できない場合はこのフィンで放熱することができる。特に、ファン図示はしていないで空気流をフィンに当てることで効率的な放熱が可能となる。特に、放電電力を大きくとしないとプラズマジェットが得られない窒素などのガスを用いる場合には、円筒型沿面放電素子2の過熱防止に有効である。図3は、図1および図2に示した構造の円筒型沿面放電素子2を大気圧雰囲気中に置いた処理対象物32の処理表面31に直接プラズマジェットを照射する構成を示したものである。沿面放電素子2の放電電極ターミナル8と誘導電極ターミナル11の間に高周波高電圧電源29を接続し、2~20kVpp、1~100kHz程度の電圧を印加するとともに、円筒型沿面放電素子2の一方の端面をガス流入口1としてガス配管26を継ぎ手27を介して接続する。ガス配管26を継ぎ手27はPTFEなどの絶縁物を使用すると導電性の沿面放電プラズマを絶縁することができる。このガス配管26に主成分ガス源21をマスフローコントローラなどの流量制御器22を接続することで円筒型沿面放電素子2にガスを供給する。用いる高周波高電圧電源29は放電電力を制御できる機能を有するものが望ましい。例えば、高周波高電圧を生成するインバータ一次側の直流電源をチョッパ制御することで放電エネルギーを制御すると良い。この場合、主たる成分のガス主成分ガスに別のガス添加ガスを添加することでプラズマジェットの反応性を上げる場合があるが、この場合、添加ガス源25とマスフローコントローラなどの添加ガス流量制御器24を追加添加ガスが複数在る場合はこれらを複数用意するし、ガス混合器23で混合した後、ガス配管26、継ぎ手27を介して円筒型沿面放電素子2に供給するとよい。供給するガスはヘリウム、アルゴン、キセノンなどの希ガスまたは窒素、若しくはそれらを主成分とするガスを用いると、沿面放電励起プラズマによって生成されたプラズマジェット31が円筒型沿面放電素子2の噴出口6からガスとともに噴出する。このプラズマジェット31をプラズマ処理を行う処理対象物32の処理表面33に照射する。処理対象物32若しくは円筒型沿面放電型プラズマ生成器2を適宜移動させながらプラズマジェット31を照射すると、処理対象物32の処理表面33全域に渡りをプラズマ処理することが可能である。プラズマジェット自体を必ずしも対象表面33に直接照射する必要はなく、処理対象物32が存在する容器にプラズマジェットを噴出させて、プラズマジェット自体の活性種、または、プラズマジェットとの相互作用で容器中のガスから生成された活性種が処理対象物に拡散して処理することも可能である。図4は内径D=5mm、長さ108mm、有効放電電極長140mm、放電電極端から噴出口6までの距離C=11mmに10kHz、10kVpp程度の高周波高電圧を印加し、毎分7リットルのアルゴンを供給して、放電電力28Wを投入したと場合に得られるプラズマジェットの発光スペクトルであり、アルゴンプラズマに特徴的な波長の発光が観測されている。図5は同じく内径D=5mm、長さ108mm、有効放電電極長140mm、放電電極端から噴出口6までの距離C=11mmに10kHz、10kVpp程度の高周波高電圧を印加し、毎分14リットルの窒素を供給して、放電電力40Wを投入したと場合に得られるプラズマジェットの発光スペクトルであり、窒素プラズマに特徴的な波長の発光が観測されている。