"フッ素を含有するエッチングガスを真空槽内に導入し、プラズマ生成手段により該エッチングガスをプラズマ化して基板に凹部を形成する第1のエッチング工程と、前記真空槽内に存在する前記エッチングガスを連続的に減少させながら、デポジションガスを前記真空槽内に供給し、プラズマ化した前記エッチングガスにより前記凹部のエッチングを進行させつつ、プラズマ化した前記デポジションガスにより少なくとも前記凹部の内側面に保護膜を形成する第2のエッチング工程とを備えることを特徴とするドライエッチング方法。前記デポジションガスはフッ化炭素化合物を含有し、前記第2のエッチング工程は、前記デポジションガスを間欠的に前記真空槽内に供給することを備える請求項1に記載のドライエッチング方法。前記プラズマ生成手段に高周波電力を供給する高周波電源のインピーダンスと前記真空槽内のプラズマ生成領域を含めたインピーダンスとの整合をとるとともに、前記第1のエッチング工程及び前記第2のエッチング工程において、希釈ガスを定常的に前記真空槽内に供給することを特徴とする請求項1又は2に記載のドライエッチング方法。前記第2のエッチング工程は、前記エッチングガスを充填したエッチングガス供給源からの供給を該エッチングガス供給源と前記真空槽との間に設けられた供給制御部により停止して、前記供給制御部よりも下流の流路に残留した前記エッチングガスを、前記真空槽内の負圧により前記真空槽内に導くことで残留した前記エッチングガスを前記真空槽に供給することを備える請求項1~3のいずれか1項に記載のドライエッチング方法。前記第2のエッチング工程は、前記下流の流路に残留しているエッチングガスを、前記供給制御部が前記エッチングガス供給源を遮断している期間に、前記真空槽内を介して前記真空槽の外部に排気すること、及び、前記デポジションガスの供給源から間欠的に供給された前記デポジションガスを、前記供給制御部が前記エッチングガス供給源を遮断している期間に、前記真空槽内を介して前記真空槽の外部に排気することを備える、請求項4に記載のドライエッチング方法。シリコン層と該シリコン層上に形成されたマスクとを有する半導体基板に前記シリコン層を貫通する貫通孔を形成する半導体装置の製造方法において、前記貫通孔を形成する工程は、フッ素を含有するエッチングガスをプラズマ化して前記半導体基板に凹部を形成する第1のエッチング工程と、真空槽内に存在する前記エッチングガスを連続的に減少させながら、デポジションガスを供給し、前記プラズマ化した前記エッチングガスにより前記凹部のエッチングを進行させつつ、プラズマ化した前記デポジションガスにより少なくとも前記凹部の内側面に保護膜を形成する第2のエッチング工程と、前記凹部が前記シリコン層を貫通した際に、前記保護膜を除去して前記貫通孔を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第2のエッチング工程は、前記第1のエッチング工程の後に、前記真空槽内に前記デポジションガスを間欠的に繰り返し供給することを備え、前記凹部が前記シリコン層を貫通するまで、前記第1のエッチング工程と前記第2のエッチング工程が交互に複数回繰り返されることを特徴とする請求項6に記載の製造方法。しかし、エッチング工程及び重合工程を交互に行う場合、エッチングガス及びデポジションガスを入れ替えねばならず、目的とする深さの孔を得るために工程数が多くなり生産性が低下することがあった。また、多層配線構造のシリコン基板に貫通孔ThroughSiliconViaを形成する場合、レジストマスクを1回塗布したのみで貫通孔を形成しなければならないことがあり、レジストマスクに対する選択比の向上が要請される。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、異方性エッチング形状を得るとともに、生産性及び選択比を向上することができるドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供することにある。上記問題点を解決するために、本発明の一側面に従うドライエッチング方法は、フッ素を含有するエッチングガスを真空槽内に導入し、プラズマ生成手段により該エッチングガスをプラズマ化して前記基板に凹部を形成する第1のエッチング工程と、前記真空槽内に存在する前記エッチングガスを連続的に減少させながら、デポジションガスを前記真空槽内に供給し、プラズマ化した前記エッチングガスにより前記凹部のエッチングを進行させつつ、プラズマ化した前記デポジションガスにより少なくとも前記凹部の内側面に保護膜を形成する第2のエッチング工程とを備える。上記方法によれば、第1のエッチング工程では、フッ素を含有するエッチングガスをプラズマ化して基板のエッチングを行う。そして、第2のエッチング工程では、エッチングガスを連続的に減少させながら、デポジションガスを真空槽内に供給する。このため、エッチングを進行させつつ、少なくとも凹部の側面に保護膜が形成される。従って、第1のエッチング工程において凹部の側面に形成された保護膜により等方性のエッチングが進行することを抑制し、異方性エッチングを行うとともに、保護膜を形成する第2のエッチング工程においてもエッチングが行われるため、全体としてエッチング速度及びマスク等に対する選択比を向上し、生産性を高めることができる。一例では、前記デポジションガスはフッ化炭素化合物を含有し、前記第2のエッチング工程は、前記デポジションガスを間欠的に前記真空槽内に供給することを備える。上記方法によれば、デポジションガスはフッ化炭素化合物を有し、第2のエッチング工程の際には、このデポジションガスを間欠的に真空槽内に供給する。このため、真空槽内のデポジションガスが凹部の内表面に堆積する前にフッ素ラジカル等に解離してしまうのを抑制することができる。解離したフッ素ラジカルはエッチングに寄与してしまうため、デポジションガスを速やかに保護膜として凹部の内表面に堆積させることができる。従って強固な保護膜を形成することができる。一例では、前記プラズマ生成手段に高周波電力を供給する高周波電源のインピーダンスと前記真空槽内のプラズマ生成領域を含めたインピーダンスとの整合をとるとともに、前記第1のエッチング工程及び前記第2のエッチング工程において、希釈ガスを定常的に前記真空槽内に供給する。上記方法によれば、前記第1のエッチング工程及び前記第2のエッチング工程において、希釈ガスを定常的に前記真空槽内に供給する。このため、真空槽内のエッチングガスが連続的に減少したとしても、希釈ガスを定常的に供給することにより、真空槽を含む負荷インピーダンスを安定することができる。このため、インピーダンスの不整合を抑制することができるので、プラズマを安定化することができる。一例では、前記第2のエッチング工程は、前記エッチングガスを充填したエッチングガス供給源からの供給を該エッチングガス供給源と前記真空槽との間に設けられた供給制御部により停止して、前記供給制御部よりも下流の流路に残留した前記エッチングガスを前記真空槽内の負圧により前記真空槽内に導くことで残留した前記エッチングガスを前記真空槽に供給することを備える。上記方法によれば、第2のエッチング工程におけるエッチングガスの供給は、エッチングガス供給源と真空槽との間に設けられた供給制御部によりガスの供給を停止して、供給制御部よりも下流の流路に残留したエッチングガスを真空槽の負圧により真空槽に導くことにより行われる。このため、マスフローコントローラによる流量制御等を必要としないため、工程及び装置の複雑化を抑制することができる。一例では、前記第2のエッチング工程は、前記下流の流路に残留しているエッチングガスを、前記供給制御部が前記エッチングガス供給源を遮断している期間に、前記真空槽内を介して、前記真空槽の外部に排気すること、及び、前記デポジションガスの供給源から間欠的に供給された前記デポジションガスを、前記供給制御部が前記エッチングガス供給源を遮断している期間に、前記真空槽内を介して、前記真空槽の外部に排気することを備える。上記方法によれば、真空槽を排気しながら、残留しているエッチングガスの供給とデポジションガスの供給を行うので、真空槽内部に所望のガス組成を形成することができ、アスペクト比が高い凹部を形成することができる。本発明の別の側面は、シリコン層と該シリコン層上に形成されたマスクとを有する半導体基板に前記シリコン層を貫通する貫通孔を形成する半導体装置の製造方法において、前記貫通孔を形成する工程は、フッ素を含有するエッチングガスをプラズマ化して前記基板に凹部を形成する第1のエッチング工程と、前記真空槽内に存在する前記エッチングガスを連続的に減少させながら、デポジションガスを供給し、前記プラズマ化した前記エッチングガスにより前記凹部のエッチングを進行させつつ、プラズマ化した前記デポジションガスにより少なくとも前記凹部の内側面に保護膜を形成する第2のエッチング工程と、前記凹部が前記シリコン層を貫通した際に、前記保護膜を除去して前記貫通孔を形成する工程とを備える。上記方法によれば、第1のエッチング工程では、フッ素を含有するエッチングガスをプラズマ化して基板のエッチングを行う。そして、第2のエッチング工程では、エッチングガスを連続的に減少させながら、デポジションガスを真空槽内に供給する。このため、エッチングを進行させつつ、少なくとも凹部の側面に保護膜が形成される。そして、凹部がシリコン層を貫通すると保護膜を除去して貫通孔とする。従って、第1のエッチング工程において凹部の側面に形成された保護膜により等方性のエッチングが進行することを抑制し、異方性エッチングを行うとともに、保護膜を形成する第2のエッチング工程においてもエッチングが行われるため、全体としてエッチング速度及びマスク等に対する選択比を向上し、生産性を高めることができる。一例では、前記第2のエッチング工程は、前記第1のエッチング工程の後に、前記真空槽内に前記デポジションガスを間欠的に繰り返し供給することを備え、前記凹部が前記シリコン層を貫通するまで、前記第1のエッチング工程と前記第2のエッチング工程は交互に複数回繰り返される。この方法によれば、アスペクト比が高い貫通孔を比較的厚いシリコン層に形成することができる。以下、本発明の一実施形態を図1に従って説明する。本実施形態のエッチング装置1は、磁石により真空槽内に磁場ゼロとなる磁気中性線を生成するNLDNeutralLoopDischargeプラズマ装置である。図1に示すように、エッチング装置1は、略有蓋筒状に形成された真空槽10を有している。真空槽10は、少なくとも側壁部10a及び上壁部10fが石英等の誘電体で形成されている。また、側壁部10aには、隣室からシリコン基板Sbを真空槽内に搬入するための図示しない搬入口が設けられ、この搬入口は図示しないゲートバルブを介して開閉可能となっている。さらに側壁部10aには、真空槽10内の気体を排気する排気部10bが設けられている。この排気部10bには図示しないターボ分子ポンプ等が接続され、真空槽10内の流体を所定の真空度に到達するまで排気する。真空槽10の下部であって略中央には、シリコン基板Sbを載置するためのステージ11が設けられている。ステージ11は導電体からなり、コンデンサ等を含むマッチングボックス12を介して、ステージ11に負のバイアスを生成するための第1高周波電源RF1に接続されている。また、真空槽10の例えば上壁部10fには、真空槽10内に各種ガスを供給するガス供給部10dが形成されている。ガス供給部10dにはガス供給管15が接続されている。ガス供給管15には、各種ガスを真空槽10内に供給するためのガス供給機構16が設けられている。本実施形態のガス供給機構16は、ガス供給源として、希釈ガスを供給する希釈ガス供給源17と、エッチングガスを供給するエッチングガス供給源18と、基板Sbに形成された凹部に保護膜を形成するためのデポジションガスを供給するデポジションガス供給源19とを備える。本実施形態では、希釈ガス供給源17には希釈ガスとしてArガスが充填されている。希釈ガス供給源17は、Arガスを真空槽側に供給する第1供給管20に接続されている。第1供給管20は、上記ガス供給管15に接続されている。第1供給管20とガス供給管15との接続部と希釈ガス供給源17との間には、Arガスの供給を制御する希釈ガス供給バルブ21と第1マスフローコントローラ22とが設けられている。第1マスフローコントローラ22は、流量センサと、該センサの検出結果に基づき流量を制御する流量制御弁とを備え、Arガスの流量を調節する。尚、希釈ガスは、Arガスの他に、Xeガス、Krガス、N2を用いてもよい。エッチングガス供給源18には、エッチングガスとしてSF6六フッ化硫黄ガスが充填されている。エッチングガス供給源18は、SF6ガスを真空槽側に供給する第2供給管23に接続されている。第2供給管23はガス供給管15に接続されている。第2供給管23とガス供給管15との接続部とエッチングガス供給源18との間には、SF6ガスの供給を制御する供給制御部としてのエッチングガス供給バルブ24と、SF6ガスの流量を調節する第2マスフローコントローラ25とが設けられている。尚、エッチングガスは、SF6ガスの他に、NF2、F2、SiF4、XeF2等の他のフッ素含有ガスを用いてもよい。また、デポジションガス供給源19には、デポジションガスとしてC4F8八フッ化シクロブタンガスが充填されている。デポジションガス供給源19は、C4F8ガスを真空槽側に供給する第3供給管26に接続されている。第3供給管26はガス供給管15に接続されている。尚、C4F8ガスを供給するデポジションガス供給源19から第3供給管26を介して真空槽10までの流路長は、SF6ガスを供給するエッチングガス供給源18から第2供給管23を介して真空槽10までの流路長よりも短くなっている。第3供給管26とガス供給管15との接続部と、デポジションガス供給源19との間には、C4F8ガスの供給を制御するデポジションガス供給バルブ27と、C4F8ガスの流量を調節する第3マスフローコントローラ28とが設けられている。この第3マスフローコントローラ28は、コントローラ図示略の制御により、内蔵する流量制御弁図示略を制御して、C4F8ガスを所定の間隔で間欠的に供給するようになっている。ガス供給管15の途中であって、ガス供給管15と各供給管20,23,26との接続部と真空槽10との間には、混合ガスを供給及び供給を停止するバルブ29と、各供給管20,23,26を介して供給された各ガスを含む混合ガスの流量を調整するマスフローコントローラ30とを備える。例えば、SF6ガスを供給してエッチングを行う工程の際には、デポジションガス供給バルブ27によりC4F8ガスの供給は停止される。そして第1マスフローコントローラ22によって所定の流量に調整されたArガスと、第2マスフローコントローラ25によって所定の流量に調整されたSF6ガスとからなる混合ガスが、マスフローコントローラ30によって混合ガスとしての流量を調整されながら真空槽10に供給される。また、デポジションガスとしてのC4F8ガスを供給する工程では、エッチングガス供給バルブ24によりSF6ガスの供給が停止される。そして第1マスフローコントローラ22によって所定の流量に調整されたArガスと、第3マスフローコントローラ28によって所定の流量に調整されたC4F8ガスとの混合ガスが、マスフローコントローラ30によって混合ガスとしての流量を調整されながら真空槽10に供給される。真空槽10の外側には、その側壁部10aに沿って環状のアンテナ41が設けられている。このアンテナ41は、本実施形態では4重のアンテナであって、マッチングボックス42を介して第2高周波電源RF2に電気的に接続されている。マッチングボックス42は、高周波電源RF2の内部インピーダンスと真空槽10内のプラズマを含めた負荷インピーダンスとの整合をとるブロッキングコンデンサを有している。また、高周波電源RF2とマッチングボックス42との間には、高周波の反射波を検出する検出器44が設けられている。この検出器44は、上記ブロッキングコンデンサの容量を調整するために、内部インピーダンスと高周波電圧電流の位相とを検知する。また、アンテナ側から反射されてきた反射波の位相を検知する。そして、反射波の位相をマッチングボックスにフィードバックし、マッチングボックス42はフィードバック値の変動に基づいて上記ブロッキングコンデンサの容量を調節する。また、アンテナ41の外周には磁気コイル群43が設けられている。磁気コイル群43は、磁場ゼロとなるいわゆる磁気中性線を生成するためのコイルであって、第1磁気コイル43a、第2磁気コイル43b、第3磁気コイル43cからなる。これらの各磁気コイル43a~43cは同一径の環状コイルであって、同軸となるように配置されている。第1磁気コイル43aと第3磁気コイル43cとには、それぞれ同一方向に電流が供給され、中央の第2磁気コイル43bには他の磁気コイル43a,43cと逆方向に電流が供給される。これにより、真空槽10のプラズマ生成領域内に、磁場がゼロとなる磁気中性線NLが環状に連続して形成される。エッチングガス又はデポジションガスが真空槽10内に導入された状態でアンテナ41に高周波電力が供給されると、この磁気中性線NLに沿って高密度のプラズマが生成される。次に、本実施形態のエッチング方法について、図2~図3に従って詳述する。図3は各バルブ24,27の開閉動作及び真空槽10内のエッチングガス及びデポジションガスの質量又は体積変化を示すチャートである。図3aはSF6ガスの供給を制御するエッチングガス供給バルブ24の開閉タイミング、図3bは真空槽10内のSF6ガス量、図3cは真空槽10内の希釈ガス量、図3dはC4F8ガスを供給を制御するデポジションガス供給バルブ27の開閉タイミング、図3eは真空槽10内のC4F8ガス量を示す。図2aに示すように、基板Sbは、層間絶縁膜51上にシリコン層52が積層された積層構造を有する。層間絶縁膜51は、SiOC等の低誘電率材料、いわゆるLow-k材料からなる。シリコン層52の上には、貫通孔の形成領域を露出させる開口部54を有するマスク53が形成されている。まず隣室から基板Sbが真空槽10に搬入され、ステージ11に載置される。そして、排気部10bにより真空槽10内が所定圧に減圧されると、第1のエッチング工程が開始される。具体的には、図3aに示すように、時間t1にて、エッチングガス供給バルブ24が開状態とされ、マスフローコントローラ25により一定の流量で真空槽側にSF6ガスが供給される。図3bに示すように、真空槽10内のSF6ガス量は、真空槽10内の負圧とエッチングガス供給源18の正圧とによって、SF6ガスのプラズマを生成するに足りる目標値である第1エッチングガス量Efに直ちに到達する。また、希釈ガス供給バルブ21が開状態とされて、マスフローコントローラ22により一定の流量で真空槽10内にArガスが供給される。図3cに示すように、真空槽10内のArガス量は、真空槽10内の負圧と希釈ガス供給源17の正圧とによって、Arガスの目標値である第1希釈ガス量Afに到達する。SF6ガス及びArガスの供給とともに、上記ターボ分子ポンプが駆動され、真空槽10内が所定圧になるまで排気されている。また、第1高周波電源RF1からステージ11に高周波電力が供給されて、基板Sbに負のバイアス電圧が印加される。さらに、真空槽10の周辺に配置された第1及び第3磁気コイル43a,43cに第1の方向に電流が供給され、第2磁気コイル43bにそれらの磁気コイル43a,43cの電流とは逆方向の第2の方向に電流が供給される。これにより、磁場ゼロとなる環状の磁気中性線NLがプラズマ生成領域内に連続して生成される。また、第2高周波電源RF2からアンテナ41に高周波電力が供給される。高周波が供給されたアンテナ41は、エッチングガスが充満したプラズマ生成領域内に高周波電場を生成することにより、磁気コイル群43により生成された磁気中性線NLに沿ってプラズマを生成する。生成されたプラズマ中のフッ素ラジカルやフッ化硫黄系SFxの正イオンは、シリコン基板Sbに印加された負のバイアス電圧によって、マスク53の開口部54からシリコン層52に引き込まれる。指向性のないラジカルは等方性の高いエッチングを進行させ、シリコンと反応してSiFxとなり、基板Sbの表面から脱離する。一方、正イオンは基板Sbの厚み方向にエッチングを進行させて、異方性の高いエッチングを行う。これにより、図2bに示すように、基板Sbの厚み方向及び厚み方向に直交する方向面方向ともいうにエッチングが進行した凹部55が形成される。開始時間t1から所定時間が経過した時間t2において、図3dに示すようにデポジションガス供給バルブ27が開状態とされる。その所定時間は、1回目の第1のエッチング工程において、凹部55が目標となる深さまでエッチングされるのに要する時間であって、予め測定されているものとする。デポジションガス供給バルブ27が開状態とされると、デポジションガス供給源19からC4F8ガスがマスフローコントローラ28により一定の流量に調節されながら真空槽側へ供給される。図3eに示すように、真空槽内10のC4F8ガス量は、真空槽10内の負圧とデポジションガス供給源19の正圧との圧力差により、デポジションガスの目標値である第1デポジションガス量Dfに直ちに到達する。真空槽10に導入されたC4F8ガスはプラズマ化され、そのプラズマ中のラジカル種及びイオンは重合して、図2cに示すように、凹部55の内表面56にフッ化炭素化合物CF系からなる保護膜57を形成する。図3dに示すように時間t2から数百ミリ秒程度であって1秒以下の所定時間ΔT1が経過すると、C4F8ガスの供給を制御するデポジションガス供給バルブ27が閉状態とされ、C4F8ガスの供給が停止される。ここで、閉状態とされたバルブ27よりも下流の第3供給管26及びガス供給管15内にC4F8ガスが残留しているが、デポジションガス供給バルブ27の下流の配管長さは比較的短いため、残留した比較的少量のC4F8ガスは真空槽10内の負圧により直ちに真空槽10の下流へ排気される。従って、図3eに示すように、真空槽10内のC4F8ガスはバルブ27を閉状態とした直後に減少する。さらに所定時間ΔT2が経過するとバルブ27が開状態とされ、C4F8ガスが真空槽側に再び供給される。尚、所定時間ΔT2は、バルブ27を開状態から閉状態とする際の上記所定時間ΔT1と同一時間であってもよいし、異なっていてもよい。さらに2回目にバルブ27が開状態とされてから所定時間ΔT1が経過すると、バルブ27が閉状態とされる。以下、バルブ27の開閉動作が2回繰り返される。即ち、第2エッチング工程である時間t2から時間t4において、バルブ27が開状態とされ、所定時間ΔT1後に閉状態とされる動作が4回繰り返される。このようにデポジションガスであるC4F8ガスの供給を間欠的に複数回繰り返すことにより、ArガスによるC4F8ガスの希釈率が高くなり、カーボンリッチな強固な保護膜57を形成することができる。また、C4F8ガスを連続的に供給する場合に比べ、ArガスによるC4F8ガスの希釈率が高くなると、C4F8ガスが炭素原子と、フッ素原子又はフッ素ラジカル等とに解離する割合を低減することができる。解離する割合が少なくなれば、解離してエッチングに寄与するフッ素ラジカル等が少なくなるため、保護膜57の成膜速度が低下するのを抑制することができる。また、C4F8ガスを間欠的に供給した場合、フッ素の解離が抑制されイオンが主体のプラズマを生成することができるため、より効率的に保護膜を形成することができる。一方、開始時間t1から所定時間が経過した時間t3において、デポジションガスの供給が実施されている際に、第1のエッチング工程が終了し、第2のエッチング工程に移行する。尚、第1のエッチング工程は、SF6ガスによりシリコン層52を比較的高いエッチング速度でエッチングする工程であり、第2のエッチング工程は、第1のエッチング工程よりも緩やかな速度でエッチングを進行させつつ、保護膜57を生成する別の工程であって、エッチングの回数を区別したものではない。詳述すると、第2のエッチング工程では、まず図3aに示すように、エッチングガス供給バルブ24が閉状態とされる。これにより、エッチングガス供給源18からSF6ガスの供給が停止されるが、バルブ24から下流の第2供給管23にはSF6ガスが残留しており、第2供給管23よりも下流のガス供給管15には、Arガス及びSF6ガスの混合ガスが残留している。また、真空槽10内にもSF6ガスが残留している。C4F8ガスを供給する流路であってデポジションガス供給バルブ27よりも下流の配管長さに比べ、エッチングガス供給バルブ24の下流の配管長さは短いため、第2供給管23及びガス供給管15に残留していたSF6ガスは、エッチングガス供給源18からの正圧は印加されないため減圧された真空槽10の負圧のみにより、真空槽側に吸引される。これにより図3bに示すように、真空槽10内のSF6ガス量は急激に下降するのではなく、連続的且つ曲線的に、緩やかに減少していく。つまり、第2供給管23及びガス供給管15に残留したSF6ガスと、真空槽10内に残留したSF6ガスにより、バルブ24を閉状態としても直ちにSF6ガスが完全に排気されるわけではない。従って、C4F8ガスによる保護膜57の形成と同時に、SF6ガスによるエッチングも、第1のエッチング工程よりはエッチング量は少ないものの緩やかに進行し、次第にそのエッチング速度は低下する。そして、所定時間が経過して、エッチングガス量が第2のエッチングガス量Eu>0程度に到達すると、第2のエッチング工程を終了する。尚、第2のエッチング工程の所要時間は、Arガス、SF6ガス及びC4F8ガスが真空槽10内に同時に存在した状態で、保護膜57として必要な厚さのフッ化炭素化合物が凹部55の内表面56に堆積するまでに必要な時間を予め測定することにより算出されている。また、バルブ24から下流の第2供給管23の内径又は管路長は、第2のエッチング工程に亘って保護膜形成を阻害しない範囲内でのエッチングガスの最大量を予め求め、バルブ24が閉状態となった際に、ガス供給管15内及びバルブ24から下流の第2供給管23内に、その最大量程度のガス量が残留するように調整されている。従って時間t1から時間t3の間第1のエッチング工程において、SF6ガス量が第1エッチングガス量Efであって、比較的多い間は、プラズマ生成領域内のフッ素ラジカルが多く、主に基板Sbのエッチングが進行する。そして、保護膜形成を開始する時間t2から第2のエッチング工程が開始される時間t3までは、保護膜57の成膜速度は低い状態となる。そして、第2のエッチング工程が開始されると時間t3、SF6ガスが連続的に減少するためフッ素ラジカルも減少し、エッチング速度は小さくなる方向へ変化し、保護膜57の成膜速度が大きくなる方向へ変化する。さらに第2のエッチング工程が終了する際には時間t5、保護膜57の成膜速度が上昇し、エッチング速度は低下して、保護膜形成が主体となっている。これにより、第2のエッチング工程では、保護膜57が形成されると同時に、第1エッチング工程のみで形成した凹部55からさらに深さを増した凹部55が形成されるとともに、その凹部55の内面に保護膜57が形成される。また、第2エッチング工程においてエッチングされた凹部55の深さの増分は、第1のエッチング工程においてエッチングされた凹部55の深さの増分よりも小さいが、第2のエッチングを第1のエッチング工程から連続して続けることで、第1及び第2のエッチング全体としてエッチング速度及び選択比を向上し、生産性を向上することができる。また、本実施形態では、デポジションガス供給バルブ27を開状態とした時間t2後にエッチングガス供給バルブ24を閉状態としている時間t3。バルブ24,27の開閉タイミングのずれは、保護膜57を形成する過程においてもデポジションガスにエッチングガスを積極的に混合し、緩やかではあるがエッチングを進行させるために生じさせているが、これに限られることなくバルブ27を開くタイミングとバルブ24を閉じるタイミングを同時にしてもよい。上記したように本実施形態では、このようにSF6ガスが徐々に減少する過程で、C4F8ガスを間欠的に真空槽10に供給している。もし、C4F8ガスを連続的に供給した場合、マッチングポイントの変動が問題となる。即ち、第2のエッチング工程の際、C4F8ガスの導入に伴い、検出器44は、高周波電源RF2が出力した高周波電力の反射波の電流電圧をモニタし、その値をマッチングボックス42にフィードバックする。マッチングボックス42は、フィードバック値に基づいてブロッキングコンデンサの容量を調節して高周波電力を供給するが、そのブロッキングコンデンサの容量調節が完了した際には、反射波検出時よりもSF6ガスは大きく減少している。このため、各時点で必要とされるマッチングポイントとは、全く異なるマッチングポイントで高周波電力が供給されることとなる。その結果、供給される高周波電力が不安定になるため、プラズマも安定して生成されなくなる。これに対し、本実施形態のようにC4F8ガスを間欠的に真空槽10に供給すると、検出器44からマッチングボックス42へのフィードバックが、間欠的なC4F8ガスの供給に追従できないため、マッチングが追いつかずブロッキングコンデンサの容量は大きく変化しない。このため、マッチングポイントは若干ずれるものの、C4F8ガスを連続的に供給する場合に比べてプラズマが安定しやすい。また、本実施形態では、真空槽10内のインピーダンスを支配するArガスを一定の導入量で連続的に供給している。従ってC4F8ガスを間欠的に供給させたとしても、真空槽10内のArガス量がほぼ一定であるため、必要とされるマッチングポイントは、C4F8ガスの供給前後で大きく変動することはない。このため、プラズマの安定化を図ることができる。第2のエッチング工程が完了すると時間t5、図2cに示すように、凹部55に保護膜57が形成される。そして時間t5においては、デポジションガス供給バルブ27は閉状態とされており、エッチングガス供給バルブ24が開状態とされ、第1エッチング工程が再び繰り返される時間t5~時間t7。このとき、図2dに示すように、凹部55の内面に形成された保護膜57もまたエッチングされるが、凹部55の底面では正イオンの入射効率が高くなり、凹部55の側面においては正イオンの入射効率が低くなる。或いは、凹部55の底面においてはエッチング耐性が高いか、厚い膜厚を有する保護膜57が形成されており、凹部55の側面においてはエッチング耐性が低いか、薄い膜厚を有する保護膜57が形成されている。このため、底面に形成された保護膜57が先に除去されるようになり、側面に形成された保護膜57が残存しやすくなる。凹部55の底面において、シリコン層52のエッチングが再び進行し、保護膜57が形成された側面においてはシリコン層52のエッチングが抑制される。これにより、図2dに示すように、第1のエッチング工程で形成された凹部55の側面は保護膜57で保護され、保護膜57よりも下方のシリコン層52は、異方性エッチング及び等方性エッチングが進行して、厚み方向及び面方向に凹部55が深くなる。また、時間t5から所定時間が経過すると、デポジションガス供給バルブ27が開状態となり、上記したようにバルブ27の開閉動作が4回繰り返され、C4F8ガスが間欠的に真空槽内10に供給される。そして第1のエッチング工程が完了すると、再び第2のエッチング工程が実行され、SF6ガスの供給を制御するバルブ24が閉状態とされる。こうして、第1エッチング工程及び第2エッチング工程を所定回数繰り返すことにより、図2eに示すように、シリコン層52を厚み方向に貫通し、その底部が層間絶縁膜51に到達する貫通孔58が形成される。上記したように貫通孔58を形成するエッチングでは、保護膜57によりシリコン層52の等方性エッチングが抑制されるため、異方性エッチング形状が得られる。その後、シリコン層52に積層されたマスク53と、貫通孔58に残存する保護膜57とが除去されて、貫通孔58が形成される図2f参照。このように本実施形態では、保護膜57を形成する際にも緩やかなエッチングが進行するため、1回塗布したマスク53のみでも所望の貫通孔58を形成することができる。このため、多層配線構造の基板Sbを用いてシリコン貫通ビアを形成する場合でも、レジストマスクに対する選択比を向上することができる。上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。1上記実施形態のドライエッチング方法では、基板Sbをエッチングする工程は、真空槽10内にSF6からなるエッチングガスを導入し、エッチングガスをプラズマ化して基板Sbに凹部55を形成する第1のエッチング工程を有する。また、真空槽10内に存在するエッチングガスを連続的に減少させながら、デポジションガスを真空槽10内に供給し、プラズマ化したエッチングガスにより凹部55のエッチングを進行させつつ、プラズマ化したデポジションガスにより凹部55の内表面56に保護膜57を形成する第2のエッチング工程を有する。凹部55の内表面56に形成された保護膜57により等方性のエッチングが進行することを抑制して異方性エッチングを行うことができる。また、第2のエッチング工程では、保護膜57を形成しつつ、緩やかにエッチングが行われる。第1及び第2のエッチング工程全体としてエッチング速度及び選択比を向上し、生産性を高めることができる。2上記実施形態では、C4F8からなるデポジションガスを用い、このデポジションガスを間欠的に真空槽10内に供給する。このため、希釈ガスによるデポジションガスの希釈率が高められるので、カーボンリッチな強固な保護膜57を形成することができる。また、デポジションガスの希釈率を高めることにより、真空槽10内のデポジションガスが保護膜57となる前にフッ素ラジカル等に解離してしまうのを抑制することができる。従ってエッチングに寄与するフッ素ラジカルを抑制し、デポジションガスを速やかに保護膜57とすることができる。3上記実施形態では、マッチングボックス42及び検出器44により、アンテナ41に高周波電力を供給する高周波電源RF2の内部インピーダンスと真空槽10内のプラズマを含めた負荷インピーダンスとの整合をとるようにした。また、第1のエッチング工程及び第2のエッチング工程において、Arガスを定常的に真空槽10内に供給するようにした。このため、デポジションガスを間欠的に供給したとしても、インピーダンスを主に支配するArガスを定常的に供給することにより、真空槽10を含む負荷インピーダンスの大きな変動を抑制することができる。このため、マッチングポイントの大きな変動を抑制することができるので、プラズマを安定化することができる。4上記実施形態では、第2のエッチング工程の際に、エッチングガス供給源18からのエッチングガスの供給を、該エッチングガス供給源18と真空槽10との間に設けられたエッチングガス供給バルブ24により停止した。このバルブ24よりも下流の第2供給管23及びガス供給管15に残留したエッチングガスを、真空槽10内の負圧により真空槽10内に導くことで供給した。このように、エッチングガスを連続的に減少させるためのマスフローコントローラによる流量制御や特殊な流量制御機構等を必要としないため、工程及び装置の複雑化を抑制することができる。尚、本実施形態は以下のように変更してもよい。上記実施形態では、エッチング装置1をNLDプラズマ装置に具体化したが、この型のエッチング装置に限定されず、他のエッチング装置に具体化してもよい。要はエッチングガスをプラズマ化してエッチングを行うとともに、デポジションガスにより保護膜を形成できる装置であればよく、容量結合型エッチング装置、誘導結合型エッチング装置等でもよい。上記実施形態では、エッチングガス供給バルブ24を閉状態とすることにより第2のエッチング工程を行うようにしたが、マスフローコントローラ25により流量を徐々に少なくすることにより真空槽10内のエッチングガスを連続的に減少させるようにしてもよい。上記実施形態では、デポジションガスを間欠的に真空槽10内に供給するようにしたが、マスフローコントローラ28により流量を徐々に多くしてもよい。上記実施形態では、凹部55の内表面56全体に保護膜57を形成したが、第2のエッチング工程によるエッチングにより底面の保護膜57を除去して凹部55の側面にのみ保護膜57が形成されるように、デポジションガス及びエッチングガスの真空槽10内のガス量等を調整するようにしてもよい。上記実施形態では、バルブ24を閉状態とすることのみによりエッチングガスを連続して減少させるようにしたが、第2供給管23にエッチングガスが残留しやすいような構造のバッファを設けるようにしてもよい。或いは、第2供給管23の内径又は長さが、他の供給管20,26よりも大きくなるようにしてもよい。このようにするとエッチングガスの残留量が多くなるため、第2のエッチング工程において、よりエッチングを進行させることができる。上記実施形態では、エッチングガス供給バルブ24を閉状態とする前に、デポジションガスを供給するようにしたが、エッチングガス供給バルブ24を閉状態とした後にデポジションガスを供給するようにしてもよい。上記のエッチング方法は、プログラムコードとしてコンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納させることができる。上記のエッチング方法は、制御装置によって自動的に実施することができる。この制御装置は、メモリにロードされたプログラムコードに従い、バルブ21、24、27、29を制御することができる。"