"表示装置に用いられる配線膜であって、希土類金属元素、Zn、Mg、およびCaよりなる群から選択される少なくとも一種のX群元素を5原子以上50原子以下の範囲で含むMo合金と、純CuまたはCu合金との積層構造を有することを特徴とするウェットエッチング性に優れた配線膜。前記Mo合金は、更にFe、Ni、Co、Ge、Si、およびCuよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を30原子以下の範囲で含有する請求項1に記載の配線膜。前記希土類元素は、Nd、La、Gd、Y、Ce、Dy、Sm、およびTbよりなる群から選択される少なくとも一種である請求項1または2に記載の配線膜。前記Mo合金について、硫酸および硝酸を含む混酸系エッチング液を用いたウェットエッチングを行なってエッチングレートを測定したとき、Mo合金のエッチングレートは、純Moのエッチングレートの1.5倍以上である請求項1~3のいずれかに記載の配線膜。前記Mo合金と、前記純CuまたはCu合金との積層構造を有する試料について、硫酸および硝酸を含む混酸系エッチング液を用いてウェットエッチングを行ない、端面が段差を有する試料の片側端面の断面形状を走査型電子顕微鏡で観察したとき、前記試料端面における、前記Mo合金と、前記純CuまたはCu合金との配線幅の差は3.0μm以下である請求項1~3のいずれかに記載の配線膜。前記配線膜をソース-ドレイン電極用およびゲート電極用の配線膜に用いたとき、ウェットエッチングによって前記配線膜は一括してパターニングされ、ソース-ドレイン電極およびゲート電極を形成するものである請求項1~5のいずれかに記載の配線膜。前記Mo合金の膜厚が20~80nmである請求項1~6のいずれかに記載の配線膜。請求項1~7のいずれかに記載の配線膜を備えた表示装置。請求項1~8のいずれかに記載のMo合金を形成するためのスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットは、希土類金属元素、Zn、Mg、およびCaよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を5原子以上50原子以下含み、残部:Moおよび不可避的不純物であることを特徴とするスパッタリングターゲット。更にFe、Ni、Co、Ge、Si、およびCuよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を30原子以下の範囲で含有する請求項9に記載のスパッタリングターゲット。前記希土類元素は、Nd、La、Gd、Y、Ce、Dy、Sm、およびTbよりなる群から選択される少なくとも一種である請求項9または10に記載のスパッタリングターゲット。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、OXONEのような硫酸カリウム系水溶液含有エッチング液や、過酸化水素含有エッチング液を用いず、汎用の酸性エッチング液などのエッチング液を用いたときのウェットエッチング性が良好な表示装置用配線膜を提供することにある。上記課題を解決し得た本発明に係るウェットエッチング性に優れた配線膜は、表示装置に用いられる配線膜であって、希土類金属元素、Zn、Mg、およびCaよりなる群から選択される少なくとも一種のX群元素を5原子以上50原子以下の範囲で含むMo合金と、純CuまたはCu合金との積層構造を有するところに要旨を有するものである。本発明の好ましい実施形態において、前記Mo合金は、更にFe、Ni、Co、Ge、Si、およびCuよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を30原子以下の範囲で含有している。本発明の好ましい実施形態において、前記希土類元素は、Nd、La、Gd、Y、Ce、Dy、Sm、およびTbよりなる群から選択される少なくとも一種である。本発明の好ましい実施形態において、前記Mo合金について、硫酸および硝酸を含む混酸系エッチング液を用いたウェットエッチングを行なってエッチングレートを測定したとき、Mo合金のエッチングレートは、純Moのエッチングレートの1.5倍以上である。本発明の好ましい実施形態において、前記Mo合金と、前記純CuまたはCu合金との積層構造を有する試料について、硫酸および硝酸を含む混酸系エッチング液を用いてウェットエッチングを行ない、端面が段差を有する試料の片側端面の断面形状を走査型電子顕微鏡で観察したとき、前記Mo合金と、前記純CuまたはCu合金との配線幅の差は片側当たり3.0μm以下である。本発明の好ましい実施形態において、前記配線膜をソース-ドレイン電極用およびゲート電極用の配線膜に用いたとき、ウェットエッチングによって前記配線膜は一括してパターニングされ、ソース-ドレイン電極およびゲート電極を形成するものである。本発明の好ましい実施形態において、前記Mo合金の膜厚が20~80nmである。本発明には、上記のいずれかに記載の配線膜を備えた表示装置も包含される。また、本発明には、上記のいずれかに記載のMo合金を形成するためのスパッタリングターゲットも包含される。上記スパッタリングターゲットは、希土類金属元素、Zn、Mg、およびCaよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を5原子以上50原子以下含み、残部:Moおよび不可避的不純物である。本発明の好ましい実施形態において、上記スパッタリングターゲットは、更にFe、Ni、Co、Ge、Si、およびCuよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を30原子以下の範囲で含有している。本発明の好ましい実施形態において、上記希土類元素は、Nd、La、Gd、Y、Ce、Dy、Sm、およびTbよりなる群から選択される少なくとも一種である。本発明によれば、純CuまたはCu合金の配線膜を備えた表示装置において、従来の高融点金属からなるバリアメタル層の代わりに、ウェットエッチング性に優れた所定元素Xを含むMo-X合金を用いているため、ウェットエッチングの際、良好なエッチング形状を有する配線膜を得ることができる。従って、本発明で規定する配線膜上記Mo-X合金と、純CuまたはCu合金の積層構造を用い、例えばMo-X合金を半導体層と直接接続し、純CuまたはCu合金を透明導電膜と直接接続すれば、表示装置の品質向上や生産コストの大幅な低減化を図ることができる。本発明者らは、特許文献1で用いられるOXONEのような特殊なエッチング液硫酸カリウム系水溶液含有エッチング液や、特許文献2および3に記載の過酸化水素含有エッチング液でなく、汎用のエッチング液代表的には、硫酸および硝酸を含む混酸エッチング液などの酸性エッチング液を用いてウェットエッチングを行なったときのウェットエッチング性に優れたCu系配線膜を提供するため、特に当該Cu系配線膜の下地材料バリアメタルとして用いられる純Moなどの高融点金属に着目して検討を重ねてきた。その結果、純Moでなく、所定元素Xを含むMo-X合金[X群元素のほかに、Fe、Ni、Co、Ge、Si、およびCuよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を30原子以下0原子を含まないの範囲で含むものも含む。]をバリアメタルとして用いれば、純Moを用いたときに比べて良好な、エッチング後の端面形状が得られ、バリアメタルが残留して大きな段差ステップが形成されるのを防止できることを見出し、本発明を完成した。このように本発明は、電極などの配線材料としてAlより低抵抗の純CuまたはCu合金以下、Cu系合金で代表させる場合がある。と、Mo-X合金のバリアメタル材と、からなる積層構造の配線膜を用いることによって、汎用のエッチング液を用いたときのウェットエッチング性ウェットエッチングによる配線加工の際に良好な配線形状が得られる特性を高めたところに特徴がある。本発明の配線膜を用いれば、例えば上記配線膜をソース-ドレイン電極用およびゲート電極用の配線膜に用いたとき、ウェットエッチングによって上記配線膜は一括してパターニングされ、ソース-ドレイン電極およびゲート電極を形成することができる。本明細書において、ウェットエッチング性に優れているとは、下記1、2の少なくともいずれかの要件を満足するものを意味する。1Mo合金、および純Mo従来のバリアメタルを構成する金属について、後記する実施例1または2に記載の方法に基づき、硫酸および硝酸を含む混酸系エッチング液を用いて室温でウェットエッチングを行なってエッチングレートを測定したとき、Mo合金のエッチングレートは、純Moのエッチングレートの1.5倍以上であることを意味する。2Mo合金と、純CuまたはCu合金との積層構造を有する試料について、後記する実施例3に記載の方法に基づき、硫酸および硝酸を含む混酸系エッチング液を用いて40°Cでウェットエッチングを行ない、段差を有する試料の片側端面端面のいずれか一方を走査型電子顕微鏡SEMで上方から観察したとき、Mo合金と、純CuまたはCu合金との配線幅ステップ幅の差が3.0μm以下のものを意味する。以下では、Mo合金と、純CuまたはCu合金との配線幅の差を、単に配線幅の差またはステップ幅の差と呼ぶ場合がある。以下、図3に基づき、本発明で規定する上記配線幅の差について説明する。参考のため、図3には、後記する図4のSEM写真も併記している。図3に示すように、ガラス基板にMo-X合金、およびCuが積層された試料をウェットエッチングすると、Mo合金に比べてCuのエッチングレートが大きいため、エッチング後の試料端面は、Mo-X合金が残留して段差が生じる。本発明では、上記試料の片側端面を上方からSEM観察したときに測定される当該Mo-X合金の残留幅を、Mo合金とCuとの配線幅の差片側当たりと規定した図3の⇔を参照。ここで、SEMの観察倍率は、基本的に5千倍とするが、断面形状によっては倍率を更に高め、例えば3万倍とする場合もある。後記する実施例では、5千倍の倍率でSEM観察を行なった。このようにして測定される配線幅の差について、図4Aおよび図4Bを用いて、より詳しく説明する。図4Aは、実施例3の表4のNo.1純Moを使用におけるSEM観察写真であり、図4Bは、実施例3の表4のNo.4Mo合金として、Mo-20原子Nd合金を使用におけるSEM観察写真である。両者の端面形状を比較すると、純Moを用いたときは純Moの残留幅配線幅の差、図中、矢印を参照が大きくなっている配線幅の差=3.3μmのに対し、本発明で規定するMo-20原子Nd合金を用いたときは当該Mo合金の残留幅が低減されている配線幅の差=2.3μmことが分かる。まず、本発明を最も特徴付けるMo-X合金について説明する。Mo-X合金を構成するX群元素とは、希土類金属元素、Zn、Mg、およびCaよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素である。これらの元素は、単独で添加しても良いし、二種以上を併用しても良い。後記する実施例に示すように、これらの元素は、ウェットエッチング性に優れていることが本発明者らの実験結果によって明らかになった。すなわち、希土類金属元素などのX群元素をMo中に添加することにより、Mo-X合金膜のエッチングレートが大幅に上昇し、純Moを用いた場合に比べて、純CuまたはCu合金膜Cu系合金膜とのエッチングレート差が減少するため、ウェットエッチングによる配線膜加工の際、上層のCu系合金膜と下地のMo-X合金膜との界面の段差がなくなり、良好なエッチング形状が得られるものと考えられる。ここで、希土類元素とは、ランタノイド元素周期表において、原子番号57のLaから原子番号71のLuまでの合計15元素に、ScスカンジウムとYイットリウムとを加えた元素群を意味する。希土類元素は1種または2種以上を用いることができる。上記X群元素のうち好ましくはY、La、Ce、Nd、Gd、Dy、Sm、Tbであり、これらを単独で、または2種以上を併用することができる。本発明では、上記X群元素の含有量単独で含むときは単独の量であり、二種以上を含むときは合計量であるを5原子以上50原子以下とする。X群元素の添加による良好なウェットエッチング性を有効に発揮させるためには、X群元素の含有量を5原子以上とする必要がある。X群元素の含有量が多くなるにつれ、Mo-X合金のエッチングレートも増加する傾向が見られる。但し、過剰に添加すると上記作用が飽和する一方、Moよりも高価な希土類元素などの使用によるコスト上昇を招くほか、希土類金属元素などの多量添加による配線膜の酸化に伴うCu系膜とMo-X合金との界面腐食が発生し、密着性が低下する恐れがある。よって、X群元素の含有量の上限を50原子とする。X群元素の好ましい含有量は10原子以上40原子以下であり、より好ましくは20原子以上30原子以下である。上記Mo-X合金は、上記のようにX群元素を含み、残部:Moおよび不可避的不純物であるが、X元素の他に、更にFe、Ni、Co、Ge、Si、およびCuよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を合計で30原子以下の範囲で含んでいても良く、このようなものも、本発明の範囲に包含される。これらの元素は、製造過程などで不可避的に含まれる元素であり、単独で、または2種以上が含まれていても良いが、上記元素の含有量単独で含むときは単独の含有量であり、2種以上を含むときは合計量である。が30原子以下の範囲内であれば、ウェットエッチング後の配線形状に悪影響は無く、上述したX群元素の添加による作用効果が有効に発揮されることを、実験により確認している。次に、本発明に用いられる純CuまたはCu合金Cu系合金について説明する。本発明では、電極用配線材料として、Al系配線材料よりも電気抵抗率が低いCu系合金を用いている。配線膜全体の電気抵抗率が低く抑えられている限り、純Cuだけでなく、合金元素を含むCu合金を用いることもでき、Mo-X合金の上にCu合金を用いても、純Cuを用いたときと同様に良好なエッチング形状の形成が可能である。本発明に用いられるCu合金として、例えば電気抵抗率低減作用を有するNi、Mn、Znなどの元素を、おおむね0.1~1原子程度含むCu合金が用いられる。あるいは、添加する合金元素の含有量に比例して配線膜の電気抵抗率も増加する傾向が認められることから、合金元素の種類にかかわらず、その合計量がおおむね、1~2原子程度に制御されたCu合金を用いることもできる。本発明の配線膜は、上記のMo-X合金と、Cu系膜との積層構造を有するものであり、例えば基板側からみて、Mo-X合金の上に直接Cu系膜が積層2層されていても良いし、その逆にCu系膜の上に直接Mo-X合金が積層2層されていても良い。あるいは、Cu系膜の上および下にMo-X合金が積層された3層構造を有していても良い。本発明の配線膜は、ソース-ドレイン電極やゲート電極などの電極用配線膜として好適に用いられ、適用されるTFT基板の構成例えばボトムゲート型、トップゲート型などなどに応じ、適宜適切な積層構造を選択することができる。本発明に係る配線膜積層膜の合計膜厚の膜厚は、配線膜が適用される部位や、用途などによっても相違するが、おおむね、100nm~600nmであることが好ましく、200nm~400nmであることがより好ましい。また、上記配線膜を構成するMo-X合金膜の膜厚は、おおむね、10~100nmであることが好ましい。後記する実施例3の表4に示すように、Mo-X合金膜の膜厚が薄くなるにつれ、本発明で規定する上記配線幅の差は短くなり良好な配線形状が得られるすなわち、エッチング性に優れるが、Mo-X合金膜の膜厚が薄くなると、下地であるガラス基板との密着性が若干悪化する傾向にある。下地との優れた密着性を確保するとの観点からすると、Mo-X合金の膜厚は20nm以上であることがより好ましい。一方、Mo-X合金の膜厚が厚くなるにつれ、配線幅の差は長くなり、ウェットエッチング性が低下するようになるため、Mo-X合金の膜厚を100nm以下とすることが好ましく、より好ましくは80nm以下である。具体的には、Mo-X合金の膜厚は、配線膜の膜厚合計膜厚に応じて、適宜適切に制御することが好ましい。本発明の配線膜は、ウェットエッチング性に優れるものであり、特別なエッチング液を用いず汎用のエッチング液を用いても、エッチング後に良好な配線形状が得られる。本発明に用いられるエッチング液としては、代表的には酸性エッチング液が挙げられ、例えば少なくとも硫酸および硝酸を含む混酸系エッチング液が例示され、更にリン酸、酢酸などの、エッチング液に通常用いられる酸を含んでいても良い。上記エッチング液を用いたウェットエッチングでは、エッチング液中に含まれる硝酸などの酸化剤によって配線材料を構成するCuが酸化されて酸化物となり酸化プロセス、当該酸化物が溶解する溶解プロセスという2段階のプロセスによってウェットエッチングが行われる。本発明に用いられるMo-X合金を構成する希土類元素などのX群元素は、特に酸素と結びつき易く、上述した酸化プロセスが速く進むため、純Moを用いた場合に比べてエッチングレートが上昇するものと推察される。本発明では、OXONEのような硫酸カリウム含有水溶液を含むエッチング液や、過酸化水素のエッチング液の使用を積極的に排除するものではないが、上述したように、硫酸カリウム系水溶液含有エッチング液を用いると、シリコン半導体層を備えたTFT基板の特性を劣化する恐れがあるため、この点を考慮すると、できるだけ使用しない方が良い。本発明に用いられるエッチング液には、上記の酸のほか、エッチング液に通常添加される補助酸化剤、過塩素酸などが含まれていても良い。このようなエッチング液として市販品を用いても良く、例えば、関東化学株式会社製のCu-02リン酸、硝酸、硫酸、酢酸を含む混合液などが挙げられる。上記エッチング液を用いたウェットエッチング方法は、表示装置の分野で通常用いられる方法を採用することができ、特に限定されない。例えばウェットエッチング時の温度はおおむね、20~40°Cであることが好ましい。エッチング方法は特に限定されず、ディップまたはシャワーなどの方法を採用することができる。本発明の配線膜を用いれば、純Moを用いた場合に比べ、エッチングレートが高められる結果、ウェットエッチング時のエッチング形状が改善され、良好なウェットエッチング性が得られる。詳細には、上述したとおり、本発明で規定するMo-X合金、および純Mo従来のバリアメタルを構成する金属について、後記する実施例に記載の方法に基づき、混酸系エッチング液を用いたウェットエッチングを行なってエッチングレートを測定したとき、1Mo合金のエッチングレートは、純Moのエッチングレートの1.5倍以上を満足するか、および/または2端面が段差を有する試料の片側端面の断面形状を走査型電子顕微鏡で観察したとき、Mo合金と、純CuまたはCu合金との配線幅の差は3.0μm以下を満足するものである。本発明の配線膜を構成するCu系膜とMo-X合金膜とのエッチングレート比Cu系膜のエッチングレート/Mo-X合金膜のエッチングレートが小さいほど、すなわちMo-X合金膜のエッチングレートがCu系膜のエッチングレートに近づくほど、ウェットエッチング時のエッチング形状は向上する。ウェットエッチング性の評価基準は、エッチング液の組成やウェットエッチングの方法などによっても相違するが、上記1の評価基準では、純Moのエッチングレート比を基準にMo-X合金のエッチングレートが1.5倍以上増加すれば、十分に効果があるものと推察されるため、上記評価基準純Moに対して1.5倍以上を採択した。同様に上記2の評価基準では、配線幅の差が3.0μm以下であれば、十分に効果があるものと推察されるため、上記評価基準3.0μm以下を採択した。本発明の配線膜は、スパッタリング法にてスパッタリングターゲット以下ターゲットということがあるを用いて形成することが望ましい。イオンプレーティング法や電子ビーム蒸着法、真空蒸着法で形成された薄膜よりも、成分や膜厚の膜面内均一性に優れた薄膜を容易に形成できるからである。また、上記スパッタリング法で上記Mo-X合金膜を形成するには、上記ターゲットとして、前述した元素を含むものであって、所望のMo-X合金膜と同一組成のMo-X合金スパッタリングターゲットを用いれば、組成ズレの恐れがなく、所望とするMo-X合金膜を形成することができるのでよい。従って、本発明には、前述したMo-X合金膜と同じ組成のスパッタリングターゲットも本発明の範囲内に包含される。詳細には、希土類金属元素、Zn、Mg、およびCaよりなる群から選択される少なくとも一種の元素X群元素を5原子以上50原子以下含み、残部:Moおよび不可避的不純物のスパッタリングターゲットである。あるいは、上記Mo-X合金膜が更にFe、Ni、Co、Ge、Si、およびCuよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を合計で30原子以下の範囲で含むときは、スパッタリングターゲットとして、希土類金属元素、Zn、Mg、およびCaよりなる群から選択される少なくとも一種の元素X群元素を5原子以上50原子以下と;Fe、Ni、Co、Ge、Si、およびCuよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を合計で30原子以下と、を含み、残部:Moおよび不可避的不純物のものが挙げられる。上記希土類元素の好ましい種類は、前述した配線膜と同じである。上記ターゲットの形状は、スパッタリング装置の形状や構造に応じて任意の形状角型プレート状、円形プレート状、ドーナツプレート状などに加工したものが含まれる。上記ターゲットの製造方法としては、溶解鋳造法や粉末焼結法、スプレイフォーミング法で、Mo合金からなるインゴットを製造して得る方法や、Mo合金からなるプリフォーム最終的な緻密体を得る前の中間体を製造した後、該プリフォームを緻密化手段により緻密化して得られる方法が挙げられる。本発明の配線膜は、例えば薄膜トランジスタのソース電極および/またはドレイン電極並びに信号線に用いられる。上記ゲート電極および走査線と、上記ソース電極および/またはドレイン電極ならびに信号線は、同一組成の材料で構成されていても良い。本発明には、上記配線膜を備えた表示装置も含まれる。本発明は、配線膜を特定したところに特徴部分があり、表示装置を構成する他の部分は特に限定されず、表示装置の分野で通常用いられるものを採用することができる。例えば本発明に用いられる基板として、ガラス基板などが挙げられる。例えば、本発明に用いられる透明画素電極として、酸化インジウム錫ITO、酸化インジウム亜鉛IZOなどが挙げられる。また、本発明に用いられるシリコン半導体層も特に限定されず、水素化アモルファスシリコン、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどが挙げられる。本発明の配線膜を備えた表示装置を製造するにあたっては、表示装置の一般的な工程を採用することができる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例によって制限されず、前後記の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。以下の実施例において、種々の合金組成のMo-X合金膜の形成には、真空溶解法で作製した種々の組成のMo-X合金ターゲットをスパッタリングターゲットとして用いた。また、純Cu膜および純Mo膜の形成には、純Cuターゲットおよび純Moスパッタリングターゲットをスパッタリングターゲットとして用いた。また実施例で用いた種々のMo-X合金膜におけるX群元素の含有量原子は、ICP発光分析誘導結合プラズマ発光分析法によって求めた。測定装置は、島津製作所製のICP発光分光分析装置ICP-8000型を用いた。また各層の膜厚は、触針型段差計KLATENCOR社製αstepを用いて測定した。実施例1本実施例では、Mo-X合金を構成するX群元素として希土類元素のNdを用い、Ndの含有量原子を種々変化させたときにおけるウェットエッチング後のエッチング形状を観察した。詳細には、ガラス基板コーニング社製のEagle2000上に、DCマグネトロンスパッタ法により、Mo-Nd合金膜20nmおよび純Cu膜500nmを順次成膜して積層膜の試料を作製した。Mo-Nd合金膜、および純Cuのスパッタリング条件は以下のとおりである。いずれの膜も、スパッタ条件は同じである。比較のため、純Mo膜20nmおよび純Cu膜の試料も同様にして作製した。スパッタリング装置:島津製作所製の商品名HSM-552背圧:0.27×103Pa以下雰囲気ガス:ArArガス圧:2mTorrArガス流量:30sccmスパッタパワー:DC260W極間距離:50.4mm基板温度=25°C室温次に、上記の各試料について、フォトレジストとしてAZ650F5AZエレクトロニックマテリアル社製を用いてラインアンドスペースパターンに加工した後、Cu配線膜用の混酸エッチング液関東化学株式会社製のCu-02を用い、室温にて、ディップ法によりウェットエッチングを行なった。図2中、O/E50は、積層膜の除去が確認できてから50余分にエッチングすることを意味する。よって、エッチングの合計時間は、積層膜除去時間の150となる。ウェットエッチングは、目視にて、上記積層膜のエッチング除去が確認できた時間を100としたとき、その150に相当する時間までエッチングを行なったエッチング時間は150。次いで、レジストを除去し、積層膜端面の断面形状を光学顕微鏡倍率1000倍にて観察し、エッチング後の純Cu膜とMo膜の幅の差ステップ幅を測定した。ステップ幅が小さいほど、良好なエッチング形状が得られることを示している。これらの結果を図2に示す。図2において、例えばMo-5Ndとは、Mo中に5原子Ndを含有することを意味する。図2より、Mo合金膜中のNd量が増加するにつれ、エッチングによるステップ幅が減少しており、良好なエッチング形状が得られることが分った。これは、Mo-Nd合金と純Cuとのエッチングレート差が小さくなっているためである。参考のため、図2に、実験に用いた純Mo、Mo-5Nd、Mo-10Nd、Mo-20Nd、および純Cuの各単層膜について、後記する実施例に記載の方法に基づき測定したエッチングレートnm/minの結果を併記している。例えばMo-5Ndのエッチングレートは57nm/minであり、純Moのエッチングレート37nm/minに対する比率は約1.54であり、本発明の基準純Moに対する比率が1.5倍以上を満足している。上記では、純Cuを用いたが、Ni、Mn、Znなどの元素を含むCu合金を用いたときも同様の結果が得られると推察される。また、X群元素とて、Nd以外の希土類元素や、希土類元素以外のX群元素を含むMo合金を用いたときも、上記と同様の実験結果が得られることを実験により確認している。実施例2本実施例では、Mo-X合金を構成するX群元素として表1および表2に示す種々の元素を含むMo-X合金を用いたときのウェットエッチングレートを測定した。詳細には、ガラス基板コーニング社製のEagle2000上に、DCマグネトロンスパッタ法により、Mo-X合金膜150nmを成膜して単層の試料を作製した。Mo-X合金膜のスパッタリングリング条件は、上記実施例1に記載のMo-Nd合金のときと同じである。比較のため、純Mo膜150nm、および純Cu膜300nmの各試料も、実施例1と同様にして作製した。次に、上記の各試料について、実施例1と同様にして、レジストパターニングおよびエッチングを行なった。本実施例では、各試料のエッチングレートを測定するため、エッチングによりMo-X合金膜または純Mo膜膜厚150nmがすべてエッチングされるのに要する時間tminを算出し、エッチングレートnm/min=150nm/tminを算出した。純Moのエッチングレート37nm/minに対し、1.5倍55.5nm/min以上のエッチングレートが得られたものを○ウェットエッチング性に優れると判定し、1.5倍未満のものを×と判定した。表1に、Nd量を変化させたときの結果を示す。また、表2に、Nd以外の希土類元素Y、La、Ce、Sm、Gb、Tb、Zn、およびMgを用いたときの結果を示す。各表には、純Moのエッチングレート37nm/minに対する各試料の比率も併記した。この比率が大きいほど、Cuとの差が小さくなってウェットエッチング性に優れることを意味する。表1および表2より、本発明で規定するX群元素を所定量含む表1および表2に記載のMo-X合金は、純Moに対するエッチングレートの比率が合格基準を満足しており判定○、純Cuに対するエッチングレートの比率も良好であった。よって、本発明の配線膜を用いれば、混酸系エッチング液を用いたときのウェットエッチング性が向上することが分った。上記では、純Cuを用いたときの結果を示しているが、純Cu以外のCu合金を用いたときも同様の結果が得られることを実験により確認している。実施例3本実施例では、表3および表4に記載の種々のMo-X合金を用い、ウェットエッチング性およびガラス基板との密着性を評価した。詳細には、Mo-X合金の膜厚および純Cuの膜厚を表3および表4に記載の値としたこと以外は、前述した実施例1と同様にして、ガラス基板上にMo-X合金膜および純Cu膜が積層された積層膜の試料を作製し、以下のエッチング試験および密着性試験に供した。比較のため、純Mo膜表3のNo.1および純Cu膜表3のNo.40も同様にして作製した。エッチング試験上記試料について、前述した実施例1と同様にしてラインアンドスペースパターンに加工した後、実施例1と同じエッチング液を用い、以下のようにしてエッチング性を測定した。ここでは、参考のため、エッチングレートも測定した。Mo-X合金単層のエッチングレートは、上記の各試料を40°Cに加熱した混酸エッチャント関東化学製:Cu02中に30秒間および60秒間浸漬してMo-X合金をエッチングし、各エッチング時間におけるMo-X合金の膜減り量を触針型段差計KLATENCOR社製αstepによって測定し、30秒間および60秒間の膜減り量の差ΔTnmから、エッチングレートnm/秒=ΔT/60秒-30秒を算出した。表3および表4には、1分当たりのエッチングレートnm/minに換算してエッチングレートを記載している。更に上記試料の片側端面の断面形状を、走査型電子顕微鏡観察倍率:5,000倍を用いて上方から観察し、Mo合金と、前記純CuまたはCu合金との配線幅の差図3の⇔部分を測定したとき、配線幅の差が3.0μm以下の場合はエッチング性に優れる○と評価し、3.0μm超の場合をエッチング性不良×と評価した。密着性試験上記のようにして得られた各試料の密着性をテープによる剥離試験で評価した。詳細には、各試料の表面純Cu膜側にカッターナイフで1mm間隔の碁盤目状の切り込み5×5の升目の切り込みを入れた。次いで、ニチバン製セロハンテープ製品番号セロテープ登録商標No.405を上記表面上にしっかりと貼り付け、上記テープの引き剥がし角度が60°になるように保持しつつ、上記テープを一挙に引き剥がして、上記テープにより剥離した碁盤目の区画数をカウントし、全区画との比率剥離率を求めた。測定は3回行い、3回の平均値を各試料の剥離率とした。本実施例では、上記のようにして算出した10以下のものを密着性良好と評価した。これらの結果を表3および表4に併記する。表3中、No.3~7X群元素=Nd、8~19[X群元素NdFe、Ni、Co、Ge、Si、およびCuよりなる群から選択される少なくとも一種の元素]、21~23X群元素=La、25~27X群元素=Gd、29~31X群元素=Y、33~35X群元素=Ce、37~39X群元素=Dy、41~43X群元素=Sm、45~47X群元素=Tb、49~51X群元素=Zn、53~55X群元素=Mg、57~59X群元素=Caは、いずれも本発明で規定するMo-X合金を用いた例であり、配線幅の差も3.0μm以下と、純Mo表1のNo.1を用いたときの配線幅の差3.3μmに比べて低減されており、良好な断面形状が得られるすなわち、ウェットエッチング性に優れることが分かった。またこれらの例はいずれも、剥離率は0であり、ガラス基板との密着性も良好であった。同様に表4は、X群元素の含有量を30原子と一定にし、Mo-X合金の膜厚を変化させた例である。表4に示すように、Mo-X合金の膜厚が小さくなるにつれ、配線幅の差は短くなる傾向にあり、いずれの場合も配線幅の差≦3.0μmと良好であった。但し、Mo-X合金の膜厚が10nmになると、いずれのX群元素を用いた場合であっても剥離率が20を超え、ガラス基板との密着性が低下した。よって、ガラス基板との良好な密着性を確保するためには、Mo-X合金の膜厚を20nm以上にすることが良いことが分かる。これに対し、表3のNo.2、20、24、28、32、36、40、44、48、52、56は、いずれもX群元素の含有量が少ない例であり、配線幅の差が3.0μmを超え、エッチング性が低下した。上記では、純Cuを用いたときの結果を示しているが、純Cu以外のCu合金を用いたときも同様の結果が得られることを実験により確認している。"