"回路板を製造する方法であって、i前記回路板の絶縁基材となる基材成形品を金型を用いた成形によって得る工程;ii前記基材成形品に対してメタライジングを行って該基材成形品の表面に金属膜を形成する工程;iii前記基材成形品の回路部と非回路部との境界に相当する回路輪郭部分に対してレーザを照射し、前記金属膜を部分的に除去する工程;およびiv前記工程iiiから得られた前記基板成形品に対して電気めっき処理を施して前記回路部に相当する金属膜部分を厚くした後、ソフトエッチングを施して前記非回路部に相当する金属膜部分を除去する工程を含んで成り、前記工程iに用いる前記金型として、前記回路部を形成する部分が高密度領域を成している一方、前記非回路部を形成する部分が低密度領域を成している金型を用いることを特徴とする、回路板の製造方法。a粉末層の所定箇所に光ビームを照射して前記所定箇所の粉末を焼結又は溶融固化させて固化層を形成する工程;およびb得られた固化層の上に新たな粉末層を形成し、前記新たな粉末層の所定箇所に光ビームを照射して更なる固化層を形成する工程を繰り返して行うことを含んで成る金属光造形によって得られた三次元形状造形物を前記工程iの前記金型として用いることを特徴とする、請求項1に記載の回路板の製造方法。前記金型では前記高密度領域と前記低密度領域とが相互に一体化された造形物を成しており、該造形物を前記金属光造形によって得ることを特徴とする、請求項2に記載の回路板の製造方法。前記金型の前記高密度領域と前記低密度領域とがそれぞれ別個のサブ金型として分けられており、該高密度領域を成すサブ金型Aおよび該低密度領域を成すサブ金型Bをそれぞれ前記金属光造形によって得ることを特徴とする、請求項1または2に記載の回路板の製造方法。前記工程iでは前記低密度領域を通過するガスによって加圧操作を行い、それによって、前記基材成形品の離型処理を行うことを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載の回路板の製造方法。前記工程iでは前記低密度領域を介したガス吸引操作を行い、それによって、前記基材成形品の成形時のガス抜き処理を行うことを特徴とする、請求項1~5のいずれかに記載の回路板の製造方法。前記金型の前記低密度領域が固化密度50~90となっていることを特徴とする、請求項2~6のいずれかに記載の回路板の製造方法。前記金型の前記高密度領域が固化密度9090を含まず~100となっていることを特徴とする、請求項2~7のいずれかに記載の回路板の製造方法。前記請求項1~8のいずれかに記載の回路板の製造方法に用いる金型であって、前記金型が、前記回路板の絶縁基材となる基材成形品を得るために用いられるものであり、該回路板の回路部を形成する部分が高密度領域を成している一方、該回路板の非回路部を形成する部分が低密度領域を成していることを特徴とする、金型。MID技術のプロセスは、図1に示すように、1ショット法1回成形法と2ショット法2回成形法とに大別される。本願発明者本願出願人は、レーザで直接パターニングを行う1ショットレーザ法を開発している例えば、特許第3153682号公報を参照のこと。かかる1ショットレーザ法によるMIDプロセスの一例を図2および図3に示す。かかるプロセスではレーザにより直接銅薄膜を除去している。それゆえ、パターニング工程が簡略化され、回路変更を容易に行うことができる。特に、2ショット法やホットスタンプ法と比較するとファインパターン対応に優れており、また、フィルム転写法やフォトイメージング法と比較すると複雑形状対応性に優れている。つまり、1ショットレーザ法は、複雑な立体回路を形成するのに適しているといえる。ここで、本願発明者らは、1ショットレーザ法に起因したある特有の現象を見出した。具体的には、図4に示すように、回路板の絶縁基材を得るための成形用金型の回路形成部位に離型用ピンが存在すると、レーザによる回路輪郭除去が不可能となり得ることを見出した。離型用ピンはその作用によって基材成型品に凹みを発生させ得る。凹みの立ち面には金属薄膜が形成されず、それゆえ、本来的に金属薄膜を必要とする箇所に金属薄膜が存在しなくなる。これは、電気めっきによる回路部の肉厚形成などが好適に実施できず、それゆえ、好適に回路部を形成できないことを意味している。回路部を形成する金属薄膜領域は通電して電気めっき処理を行うところ、その部分と非回路部分とは絶縁されていることが求められるからである。また、本願発明者らは、金型の型割り部分が存在すると、レーザによる回路輪郭除去が不可能となり得ることも見出した。具体的には、図5に示すように、回路板の絶縁基材を得るための成形用金型が型割りして設けられると、成形バリが生じ得る。バリの立ち面には金属薄膜が形成されず、本来的に金属薄膜を必要とする箇所に金属薄膜が存在しなくなる。それゆえ、上記現象と同様、電気めっきによる回路部の肉厚形成などが好適に実施できなくなる。本発明は、このような事情に鑑みて為されたものである。即ち、本発明の課題は、1ショットレーザ法による回路板形成において好適に基板回路部を形成することができる方法を提供することである。上記課題を解決するため、本発明では、回路板を製造する方法であって、i回路板の絶縁基材となる基材成形品を金型成形によって得る工程、ii基材成形品に対してメタライジングを行って基材成形品の表面に金属膜を形成する工程、iii基材成形品の回路部と非回路部との境界に相当する回路輪郭部分にレーザを照射して金属膜を部分的に除去する工程、およびiv上記工程iiiから得られた基板成形品に対して電気めっき処理を施して回路部に相当する金属膜部分を厚くした後、ソフトエッチングを施して非回路部に相当する金属膜部分を除去する工程を含んで成り、工程iに用いる金型として、回路部を形成する部分回路部を形造る金型部分が高密度領域を成している一方、非回路部を形成する部分非回路部を形造る金型部分が低密度領域を成している金型を用いることを特徴とする、回路板の製造方法が提供される。ある好適な態様では、工程iで用いる金型として、金属光造形によって得られた三次元形状造形物を用いる。具体的には、a粉末層の所定箇所に光ビームを照射して当該所定箇所の粉末を焼結又は溶融固化させて固化層を形成する工程;およびb得られた固化層の上に新たな粉末層を形成し、その新たな粉末層の所定箇所に光ビームを照射して更なる固化層を形成する工程を繰り返して行うことを含んで成る金属光造形によって得られた三次元形状造形物を工程iの金型として用いる。工程iに用いる金型では高密度領域と低密度領域とが相互に一体化された造形物を成していることが好ましく、その相互に一体化された造形物を金属光造形によって製造することが好ましい。また、金型の高密度領域と低密度領域とをそれぞれ別個のサブ金型として分け、高密度領域を成すサブ金型Aおよび低密度領域を成すサブ金型Bをそれぞれ金属光造形によって得てもよい。ある好適な態様において、工程iでは低密度領域を通過するガスによって加圧操作を行い、それによって、基材成形品の離型処理を行う。更に別のある好適な態様において、工程iでは低密度領域を介したガス吸引操作を行い、それによって、基材成形品の成形時のガス抜き処理を行う。工程iで使用する金型の低密度領域は、その固化密度が例えば50~90となっていてよい。一方、工程iで使用する金型の高密度領域は、その固化密度が例えば9090を含まず~100となっていてよい。本発明では、上述の回路板製造方法に用いる金型も提供される。かかる本発明の金型は、回路板の絶縁基材となる基材成形品を得るために用いられるものであり、その回路板の回路部を形成する部分回路部を形造る金型部分が高密度領域を成している一方、回路板の非回路部を形成する部分非回路部を形造る金型部分が低密度領域を成していることを特徴とする。本発明の回路方法では、基材成形品の成形に用いる金型として、回路部形成に寄与する部分以外即ち、非回路部を低密度領域とするので、その部分を介して外部から金型内にガス供給できる。それゆえ、供給するガスによって加圧できるので、ノックアウトピンなどのピンを用いなくても離型処理を行うことができる図6参照。即ち、ピンに起因した凹みなどを生じずに基材成形品の離型を行うことができる。これは、本発明に従えば凹みの立ち面に金属薄膜が形成されないことに起因して、本来的に金属薄膜を必要とする箇所に金属薄膜が存在せず、よって、電気めっきによる回路部の肉厚形成などが好適に実施できないといった不都合が回避されることを意味している。また、回路部形成に寄与する部分以外即ち、非回路部を低密度領域とするので、その部分を介して基材成形品の成形時のガス抜き処理を行うことができる図7参照。つまり、金型の型割れ部分を介してガス抜きを行わずに、成形時のガス抜きを好適に実施できる。これは、本発明では型割りに起因したバリの立ち面に金属薄膜が形成されないことに起因して、本来的に金属薄膜を必要とする箇所に金属薄膜が存在せず、よって、電気めっきによる回路部の肉厚形成などが好適に実施できないといった不都合が回避されることを意味している。本発明においては、非回路部を形成する金型部分を低密度領域とするものの、回路部を形成する金型部分は高密度領域とするので、基材の回路部分には悪影響を及ぼすことなく例えばその部分の表面が荒れたりせず、回路板製造を実施することができる。更にいえば、本発明では低密度領域の固化密度や厚さなどを適宜調整することによって、ガス通過時の流体抵抗を変えることができるので、それによって、加圧時の圧力や、ガス抜き部の抵抗を好適に調整することができるといえる例えばガス加圧についていえば、大きく加圧したい場合に固化密度を小さくする一方、あまり加圧したくない場合には固化密度を大きくすればよい。以下では、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。図面に示す各種の要素は、本発明の理解のために模式的に示したにすぎず、寸法比や外観などは実物と異なり得ることに留意されたい。まず、本発明の回路板の製造方法に際しては、工程iを実施する。即ち、回路板の絶縁基材となる基材成形品を金型を用いた成形によって得る。基材成形品は、金型を用いた射出成形によって得られるものである。例えば、基材成形品は、ポリイミド、ABS、ポリエーテルイミド、液晶ポリマーなどの電気絶縁材料によって成形されたものであってよい。基材成形品の形状は、平面状であってよく、あるいは、図8aに示すような所望の表面形状を備えた三次元立体状であってもよい。この基材成形品に用いる金型としては、後述するように、金属光造形で造形されたもの、即ち、粉末焼結積層法で製造されたものを用いることが好ましい。工程iに引き続いて工程iiを実施する。即ち、基材成形品に対してメタライジングを行い、それによって、基材成形品の表面に金属膜を形成する。金属膜の形成に先立っては、図8bに示すように、基材成形品の表面に対して活性化処理を施してよい。例えば、金属膜形成の直前にて、基材成形品にプラズマ処理を施すことによって表面改質を行ってよい。このようなプラズマ処理によって、基材成形品の表面に微細な凹凸を付与することができ、回路密着力基材成形品と金属膜との密着性を好適に確保できる。金属膜自体は、基材成形品に触媒を付与した後に無電解めっきを行ったり、CVDやスパッタリングなどを行ったりすることによって形成できる図8c参照。形成される金属膜は、Cu、Ni、Pd、CrおよびAgから成る群から選択される少なくとも1種以上の材質から成るものであってよい。また、金属膜の厚さは、特に限定されるわけではないが、0.1~15μm程度、好ましくは0.1~8μm程度、より好ましくは0.1~2μm程度であってよい。工程iiに引き続いて工程iiiを実施する。即ち、図8dに示すように、基材成形品の回路部と非回路部との境界に相当する回路輪郭部分に対してレーザを照射して金属膜を部分的に除去する。用いるレーザは、特に制限されるわけではないが、QスイッチYAGレーザを用いることができる。このようなレーザは、例えばガルバノミラー等で走査することができ、それゆえ、金属膜が形成された基材成形品の表面に対してレーザビーム光を走らせつつ照射できる。ガルバノミラーは、ガルバノメータを用いて角度可変に設けられたミラーである。また、ガルバノミラーは、高速でビーム移動が可能であると共に、レーザスポット径も数十μm程度を得ることが可能である。レーザ照射は、金属膜が形成された基材成形品の表面のうち、回路形成領域以外の部分、例えば回路部間の絶縁スペースとなる非回路部に対して行われるものである。より具体的には、非回路部と回路部との境界領域における非回路部のパターンに沿ってレーザを走査させる。このようなレーザ照射によって、非回路部と回路部との境界領域の金属膜が除去される。具体的には、非回路部の金属膜のうち、レーザ照射された回路部との境界領域の局所的な金属膜部分が除去される一方、非回路部の金属膜のうち、レーザ非照射部分は、そのまま除去されずに残されることになる。レーザの照射エネルギーは、例えば10~300μJ/pulse程度であることが好ましい。金属膜と共に基材成形品の表面部を同時に部分的に除去するようにしてもよい。ここで、非回路部の幅が照射レーザのスポット径と同様の場合においては、非回路部に沿ってレーザを1回照射するようにしてよい。工程iiiに引き続いて工程ivを実施する。即ち、上記レーザ照射を施した基板成形品に対して電気めっき処理を施して回路部に相当する金属膜部分を厚くした後、ソフトエッチングを施して非回路部に相当する金属膜部分を除去する。電気めっき処理に際しては、例えば、回路部の金属膜に給電電極の陰極を接続して通電しつつ、電気めっき浴に工程iiiから得られた基材成形品を浸漬させる。これにより、図8eに示すように、回路部の金属膜に対して銅などの電気めっき層を析出させる。例えば、金属膜の厚さが0.1~2μm程度の場合、約8~11μm程度の厚みの電気めっき層を肉厚に形成する。そして、電気めっき処理後に行うソフトエッチングライトエッチングでは、電気めっき層が形成された基材成形品に対して短時間浸漬させ、それによって、非回路部に残留する金属膜を除去する図8f参照。この際、回路部においては、電気めっき層が厚く設けられているので、ソフトエッチングで回路部が消えてしまうことはない。このように、回路部の金属膜に電気めっきをすると共に、ソフトエッチングして非回路部の金属膜を除去することにより、回路板において所望の回路が形成される。その後、必要に応じて、ソルダーレジスト、Niめっき、Auめっきを施すことによって回路板として仕上げる図8g参照。例えば、ソルダーレジストを塗布パターニングしてNiめっき必要部やAuめっき必要部を露出させ、次いで、無電解めっきでNiめっきやあるいはAuめっきを行ってよい。以上のような工程i~ivにおいては、レーザ照射は、基材成形品の表面の非回路部と回路部との境界線に沿って行っているだけなので、非回路部の全面にレーザを走査させて照射する必要はない。それゆえ、レーザ照射時間を短縮することができる。また、回路形成のためのめっきは、回路を作成するために必要な回路部においてのみ行われ、それゆえ、不要な非回路部にまでめっきは行われない。これは、めっき金属などのめっき材料の無駄が少なくて経済的に有利である。更には、非回路部に残留する金属膜はソフトエッチングで除去されるので、回路板の回路絶縁性を向上させることもできる。本発明は、工程iに用いる金型として、回路部を形成する金型部分が高密度領域を成している一方、非回路部を形成する金型部分が低密度領域を成している金型を用いることを特徴としている。特に好ましくは、非回路部を形成する金型部分の低密度領域は、離型処理やガス抜き処理に用いる。具体的には、低密度領域を介してガスを金型内部へと供給することによって、ガス加圧により基材成形品の離型処理を行うことができる。また、逆に低密度領域を介してガスを金型内部から排出させることによって、成形時のガス抜きを行うこともできる。ここで、非回路部を形成する金型部分は低密度領域となっているものの、回路部を形成する金型部分は高密度領域となっているので、基材成形品の回路部分に対しては低密度領域を用いたことによる悪影響はない。具体的には、回路部を形成する金型部分が高密度領域であるので、回路部分に相当する基材成形品の表面領域では荒れ微小な凹凸は回避されている低密度領域の金型表面と接する樹脂成型品の表面は、一般的には、低密度に起因した隙間形態が転写され、微小な凹凸が生じ得る。このような低密度領域と高密度領域とを備えた金型は、以下で説明する金属光造形、即ち、粉末焼結積層法でもって好適に得ることができる。つまり、下記で説明する粉末焼結積層法により得られる三次元形状造形物を、本発明の工程iの金型として好適に用いることができる。[粉末焼結積層法]説明の便宜上、材料粉末タンクから材料粉末を供給し、均し板を用いて材料粉末を均して粉末層を形成する態様を前提として粉末焼結積層法を説明する。また、粉末焼結積層法に際しては造形物の切削加工をも併せて行う複合加工の態様を例に挙げて説明するつまり、図9bではなく図9aに表す態様を前提として説明する。しかしながら、本発明は、切削機構を具備しない図9bに示す態様であっても実現可能であることを付言しておく。。図10,11および12には、粉末焼結積層法と切削加工とを実施できる光造形複合加工機の機能および構成が示されている。光造形複合加工機1は、金属粉末を所定の厚みで敷くことによって粉末層を形成する粉末層形成手段2と外周が壁27で囲まれた造形タンク29内において上下に昇降する造形テーブル20と造形テーブル20上に配され造形物の土台となる造形プレート21と光ビームLを任意の位置に照射する光ビーム照射手段3と造形物の周囲を削る切削手段4とを主として備えている。粉末層形成手段2は、図10に示すように、外周が壁26で囲まれた材料粉末タンク28内において上下に昇降する粉末テーブル25と造形プレート上に粉末層22を形成するための均し板23とを主として有して成る。光ビーム照射手段3は、図11および図12に示すように、光ビームLを発する光ビーム発振器30と光ビームLを粉末層22の上にスキャニング走査するガルバノミラー31スキャン光学系とを主として有して成る。必要に応じて、光ビーム照射手段3には、光ビームスポットの形状を補正するビーム形状補正手段例えば一対のシリンドリカルレンズと、かかるレンズを光ビームの軸線回りに回転させる回転駆動機構とを有して成る手段やfθレンズなどが具備されている。切削手段4は、造形物の周囲を削るミーリングヘッド40とミーリングヘッド40を切削箇所へと移動させるXY駆動機構4141a,41bとを主として有して成る図11および図12参照。光造形複合加工機1の動作を図10、図13および図14を参照して詳述する。図13は、光造形複合加工機の一般的な動作フローを示しており、図14は、光造形複合加工プロセスを模式的に簡易に示している。光造形複合加工機の動作は、粉末層22を形成する粉末層形成ステップS1と、粉末層22に光ビームLを照射して固化層24を形成する固化層形成ステップS2と、造形物の表面を切削する切削ステップS3とから主に構成されている。粉末層形成ステップS1では、最初に造形テーブル20をΔt1下げるS11。次いで、粉末テーブル25をΔt1上げた後、図10aに示すように、均し板23を、矢印A方向に移動させ、粉末テーブル25に配されていた粉末例えば平均粒径5μm~100μm程度の鉄粉を造形プレート21上へと移送させつつS12、所定厚みΔt1に均して粉末層22を形成するS13。次に、固化層形成ステップS2に移行し、光ビーム発振器30から光ビームL例えば炭酸ガスレーザ500W程度、Nd:YAGレーザ500W程度、ファイバレーザ500W程度または紫外線などを発しS21、光ビームLをガルバノミラー31によって粉末層22上の任意の位置にスキャニングしS22、粉末を溶融させ、固化させて造形プレート21と一体化した固化層24を形成するS23。光ビームは、空気中を伝達させることに限定されず、光ファイバーなどで伝送させてもよい。固化層24の厚みがミーリングヘッド40の工具長さ等から求めた所定厚みになるまで粉末層形成ステップS1と固化層形成ステップS2とを繰り返し、固化層24を積層する図10b参照。尚、新たに積層される固化層は、焼結又は溶融固化に際して、既に形成された下層を成す固化層と一体化することになる。積層した固化層24の厚みが所定の厚みになると、切削ステップS3へと移行する。図10および図14に示すような態様ではミーリングヘッド40を駆動させることによって切削ステップの実施を開始しているS31。例えば、ミーリングヘッド40の工具ボールエンドミルが直径1mm、有効刃長さ3mmである場合、深さ3mmの切削加工ができるので、Δt1が0.05mmであれば、60層の固化層を形成した時点でミーリングヘッド40を駆動させる。XY駆動機構4141a,41bによってミーリングヘッド40を矢印X及び矢印Y方向に移動させ、積層した固化層24から成る造形物の表面を切削加工するS32。そして、三次元形状造形物の製造が依然終了していない場合では、粉末層形成ステップS1へ戻ることになる。以後、S1乃至S3を繰り返して更なる固化層24を積層することによって、三次元形状造形物の製造を行う図14参照。固化層形成ステップS2における光ビームLの照射経路と、切削ステップS3における切削加工経路とは、予め三次元CADデータから作成しておく。この時、等高線加工を適用して加工経路を決定する。例えば、固化層形成ステップS2では、三次元CADモデルから生成したSTLデータを等ピッチ例えばΔt1を0.05mmとした場合では0.05mmピッチでスライスした各断面の輪郭形状データを用いる。[本発明の特徴]このような粉末焼結積層法金属光造形では、高密度領域と低密度領域とが一体的に隣接するような形態で三次元形状造形物を得ることができ、かかる三次元形状造形物を本発明の工程iの金型として用いることができる。具体的には、図6aおよび図7aに示すように、造形物100の一部にポーラス状の低密度領域24b低密度固化領域を形成する。特に本発明では低密度領域24bを通過するガスによって加圧即ち、ガス加圧による離型処理が行えるように図6b参照、低密度領域の固化密度が50~90となっており、好ましくは60~85となっている。より効率的なガス供給のためにガスを低密度領域へと導くための流路を造形物に適宜設けておいてもよい。例えば低密度領域24bの上流側ガス供給流れの上流に中空領域空洞部を形成し、かかる中空領域を造形物外部と連通するように形成しておいてもよい。これにより、外部から中空領域に対してガス供給を行うことによって、低密度領域24bへと効果的にガスを送ることができ、低密度領域24bを介したガス加圧を容易に行うことができる。同様に、本発明では低密度領域24bを介したガス抜き又はガス吸引が行えるように図7走査速度mm/s×走査ピッチmmである製造条件は例えば、粉末の積層厚さ:0.05mm、レーザの種類:CO2炭酸ガスレーザ、スポット径:0.5mmである。高密度領域24aの固化密度焼結密度は9090を含まず~100程度であるが、好ましくは95~100、より好ましくは98~100、更に好ましくは実質的に略100である。高密度領域は回路部を形造る金型部分となるので、高密度領域の固化密度が高いほど、回路部分への悪影響例えば表面荒れを減じることができる。高密度領域24aの形成には、照射する光ビームの出力エネルギーを高くして粉末の完全溶融が生じるようにすればよい。このように、a光ビームの出力エネルギーを高くすることの他に、b光ビームの走査速度を下げる、c光ビームの走査ピッチを狭める、d光ビームの集光径を小さくすることよっても、高密度領域24aを形成できる。上記a~dは、単独で行ってもよいものの、それを種々に組み合わせて行ってもよい。尚、上記aについていえば、例えば光ビームの照射エネルギー密度Eを4J/mm2~15J/mm2程度例えば5J/mm2~15J/mm2とすることによって、焼結密度固化密度が95~100の高密度領域を形成できる。ここで、本明細書にいう固化密度即ち焼結密度とは、造形物の断面写真を画像処理することによって求めた焼結断面密度金属材料の占有率を実質的に意味している。使用する画像処理ソフトはScionImagever402フリーウェアであって、断面画像を焼結部白と空孔部黒とに二値化した後、画像の全画素数Pxallおよび焼結部白の画素数Pxwhiteをカウントすることで、以下の式1により焼結断面密度ρSを求めることができる。尚、未焼結の粉末が造形物壁面などに付着している場合には、切削加工を施して未焼結の粉末を適宜除去してもよい。用いる切削加工手段は、表面切削を施せるものであればいずれのものであってもよい。例えば、上述した光造形複合加工機の切削加工手段を用いることができる図9a参照。あくまでも一例であるが、かかる切削加工手段は、汎用の数値制御NC:NumericalControl工作機械またはそれに準ずるものであり得る。エンドミルなどの切削工具を自動交換可能なマシニングセンタMCであることが好ましい。エンドミルは、例えば超硬素材の二枚刃ボールエンドミルが主に用いられる。必要に応じて、スクエアエンドミル、ラジアスエンドミル、ドリルなどを用いてもよい。ガス通過による加圧や吸引が好適なものとなるように、低密度焼結領域は比較的薄くしてもよい。つまり、必要な強度を保ちつつもガスが低密度焼結領域を通過する際の圧力損失ができるだけ小さくなるように、低密度焼結領域の厚さを小さくしてもよい。例えば、低密度焼結領域24bの厚さは、好ましくは0.5mm~10mm、より好ましくは1mm~5mm程度にしてよい。本発明で用いる金型三次元形状造形物は、高密度領域と低密度領域とが相互に一体化された形態に限らず、それぞれが別個に分けられている形態であってもよい。つまり、図15に示すように、金型の高密度領域と低密度領域とをそれぞれ別個のサブ金型として分け、高密度領域を成すサブ金型Aおよび低密度領域を成すサブ金型Bをそれぞれ金属光造形によって製造してもよい。[本発明の金型]次に、本発明の金型について説明する。本発明に係る金型は、回路板の絶縁基材となる基材成形品を得るために用いられるものであり、回路板の回路部を形成する部分が高密度領域となっている一方、回路板の非回路部を形成する部分が低密度領域となっていることを特徴とする。上記の製造方法で説明したことではあるが、本発明の金型の低密度領域は、その密度固化密度が例えば50~90となっていてよい。一方、本発明の金型の高密度領域は、その密度固化密度が例えば9090を含まず~100となっていてよい。上述したように、本発明の金型は、金属光造形粉末焼結積層法で得ることができる。かかる効果およびその内容等については、上記で既に説明した事項と同様のことが当てはまるので、重複を避けるために説明は省略する。以上、本発明の実施形態について説明してきたが、あくまでも典型例を例示したに過ぎない。従って、本発明はこれに限定されず、種々の態様が考えられることを当業者は容易に理解されよう。例えば、本発明の方法の工程iiiでは、金属膜の部分的除去にレーザを用いる態様について説明したが、本発明は必ずしもそれに限定されるわけではない。X線や紫外線などの電磁波を用いてもよく、そのような電磁波を回路輪郭部分に照射して金属膜の部分的除去を行ってもよい。"