少なくともタンタルを含むシード層と、少なくとも鉄を含む自由磁性層であって、前記シード層の上に成長し、垂直方向に磁化される、前記自由磁性層と、を含む、磁性層。少なくともタンタルを含むシード層と、少なくとも鉄を含む自由磁性層であって、前記シード層の上に成長し、垂直方向に磁化される、前記自由磁性層と、を含む、磁気トンネル接合MTJスタック。前記自由磁性層の上に形成された酸化マグネシウムMgOから成るトンネル障壁層を更に含む、請求項2に記載のMTJスタック。前記トンネル障壁層の上に成長した固定ピン留め層を更に含む、請求項3に記載のMTJスタック。鉄を含み、前記シード層及び前記自由磁性層の間に形成された第1のインターフェース層を更に含む、請求項3に記載のMTJスタック。鉄を含み、前記トンネル障壁層の上に形成された第2のインターフェース層を更に含む、請求項3に記載のMTJスタック。前記シード層は少なくとも80のタンタルを含み、前記自由磁性層は少なくとも10の鉄を含む、請求項2に記載のMTJスタック。前記シード層の所定の厚さが約05ナノメートルnmから3ナノメートルnmまでの範囲である、請求項2に記載のMTJスタック。前記自由磁性層はコバルト及びホウ素のうちの少なくとも一方を更に含む、請求項2に記載のMTJスタック。前記自由磁性層の所定の厚さが約05ナノメートルnmから約15ナノメートルnmまでの範囲である、請求項2に記載のMTJスタック。前記シード層はタンタル及びマグネシウムを含み、前記マグネシウムは約0から約50までの範囲のものである、請求項2に記載のMTJスタック。前記シード層及び前記自由磁性層の間に鉄から形成された前記第1のインターフェース層は05ナノメートルよりも小さい所定の厚さを有する、請求項5に記載のMTJスタック。前記コバルトは前記自由磁性層の組成の約90よりも少ない、請求項9に記載のMTJスタック。前記ホウ素は前記自由磁性層の組成の約40よりも少ない、請求項9に記載のMTJスタック。磁気トンネル接合MTJスタックを含むスピントルク磁気ランダムアクセスメモリMRAM装置であって、前記MTJスタックは、少なくともタンタルを含むシード層と、少なくとも鉄を含む自由磁性層と、を含み、前記自由磁性層は前記シード層の上に成長し、垂直方向に磁化される、スピントルク磁気ランダムアクセスメモリMRAM装置。前記MTJスタックは、前記自由磁性層の上に形成された酸化マグネシウムMgOから形成されたトンネル障壁層を更に含む、請求項15に記載のスピントルクMRAM装置。前記MTJスタックは、前記シード層及び前記自由磁性層の間に形成された鉄を含む第1のインターフェース層を更に含む、請求項16に記載のスピントルクMRAM装置。前記MTJスタックは、前記トンネル障壁層の上に形成された鉄を含む第2のインターフェース層を更に含む、請求項16に記載のスピントルクMRAM装置。前記自由磁性層は、コバルト及びホウ素のうちの少なくとも一方を更に含む、請求項15に記載のスピントルクMRAM装置。多重層磁気トンネル接合MTJスタックを含む、スピントルク磁気ランダムアクセスメモリMRAM装置であって、前記多重層磁気トンネル接合MTJスタックは、各々が少なくともタンタルを含む複数個のシード層と、少なくとも鉄を含む複数個の自由磁性層と、を含み、前記複数個の自由磁性層の各自由磁性層は前記複数個のシード層の各シード層の上に成長し、垂直方向に磁化される、スピントルク磁気ランダムアクセスメモリMRAM装置。前記複数個のシード層における各シード層の所定の厚さは約02ナノメートルから約2ナノメートルまでの範囲である、請求項20に記載のスピントルクMRAM装置。前記複数個の自由磁性層の各自由磁性層はコバルト及びホウ素のうちの少なくとも一方を更に含み、約02ナノメートルから約2ナノメートルまでの範囲の所定の厚さのものである、請求項20に記載のスピントルクMRAM装置。本発明は、垂直方向の磁気異方性PMAを持ち、磁気トンネル接合MTJスタックのトンネル障壁層により高い磁気抵抗MRを生じ、室温で成長し得る、最適な素材選択肢のMTJスタックを提供することにある。本発明の実施例によれば、磁性層が提供される。その磁気層は、少なくともタンタルを含むシード層、及び少なくとも鉄を含む自由磁性層を含んでいる。その自由磁性層はシード層の上に成長し、垂直方向に磁化される。本発明の1つの実施例によれば、MTJスタックが提供される。そのMTJスタックは、少なくともタンタルを含むシード層、及び少なくとも鉄を含む自由磁性層を含んでいる。その自由磁性層はシード層の上に成長し、垂直方向に磁化される。本発明の別の実施例によれば、スピントルクベースの磁気ランダムアクセスメモリMRAM装置が提供される。そのスピントルクベースのMRAM装置は、タンタルを含むシード層、及び少なくとも鉄を含む自由磁性層を含んだMTJスタックを含んでいる。その自由磁性層はシード層の上に成長し、垂直方向に磁化される。本発明の更に別の実施例によれば、スピントルクMRAM装置が提供される。そのスピントルクベースのMRAMは、各々がタンタルを含む複数個のシード層、及び少なくとも鉄を含む複数個の自由磁性層を含んだ多重層のMTJスタックを含んでおり、複数個の自由磁性層の各自由磁性層は、複数個のシード層の各シード層の上にスタック状に成長し、垂直方向に磁化される。更なる特徴及び利点が本発明の技術によって実現される。本発明の他の実施例及び実施態様が本明細書において詳細に記述され、特許請求の範囲に記載の発明の一部と考えられる。利点と特徴を備えた本発明をより良く理解するために、説明及び図面を参照されたい。次に図3を参照すると、磁性層が提供される。図3示されるように、磁性層は少なくともタンタルを含むシード層102を含み得る。代替的には、シード層102はタンタル及びマグネシウムMgを含み得る。この場合、Mgは組成の50未満である。磁性層は、更に、少なくとも鉄Feを含む自由磁性層104を含んでいる。本発明の実施例によれば、自由磁性層104はシード層102の上に成長し、垂直方向に磁化される。本発明の実施例によれば、図3に示される磁性層は、例えば、図8に示されるようにMTJスタック内に含まれ得る。本発明の実施例によれば、シード層102は少なくとも80のタンタルを含み、自由磁性層104は少なくとも10の鉄を含む。更に、シード層102は、約05ナノメートルnmから約3ナノメートルnmまでの範囲の所定の厚さのものである。本発明の実施例によれば、自由磁性層104は、更に、コバルトCo及びホウ素Bのうちの少なくとも一方を含み得る。従って、例えば、自由磁性層は、CoFeBを含み得る。CoFeBは種々の組成のものでよい。CoFeBの組成は、例えば、Coを60、Feを20、及びBを20含み得る。本発明の実施例によれば、Coは、自由磁性層104の組成の約90未満である。Feの組成範囲は10及び100の間であり、Bは自由磁性層104の組成の約40未満である。本発明は、CoFeBの使用に限定されないし、他の適切な要素を利用し得る。本発明の実施例によれば、自由磁性層104の所定の厚さは、約05ナノメートルnmから約15ナノメートルnmまでの範囲である。本発明は、スピントルク切替えMTJの集積メモリアプリケーションのために必要な切換特性を提供する最適なMTJスタックの素材選択の例を開示する。例えば、本発明の1つの実施例によれば、自由磁性層104は高い磁気抵抗MRを有する。本発明の別の実施例によれば、自由磁性層104は体心立方BCC構造におけるものである。本発明の別の実施例によれば、自由磁性層104はL10結晶構造即ち、フェーズにおけるものではない。本発明の実施例によれば、トンネル障壁層は、自由磁性層104の上に形成され、次に図4を参照して説明されるであろう。図4に示されるように、トンネル障壁層106は自由磁性層104の上に形成される。トンネル障壁層106は、例えば、酸化マグネシウムMgOから形成される。トンネル障壁層106はMTJスタックに異方性を付加する。本発明の別の実施例によれば、固定ピン留め層107がトンネル障壁層106の上に成長し得る。更に、本発明の最新の実施例によれば、インターフェース層は、図5に示されるように、シード層102及び自由磁性層104の間に成長し得る。図5では、Feの薄い層を含むインターフェース層108が提供される。本発明の実施例によれば、インターフェース層108は、05ナノメートルnm未満の所定の厚さに作られる。本発明の実施例によれば、シード層102は、約2ナノメートルnmのタンタルを含み得るし、インターフェース層108は約03ナノメートルnmの鉄を含み得るし、自由磁性層104は約07ナノメートルのnmのCoFeBを含み得る。本発明の実施例によれば、インターフェース層108が第1のインターフェース層となり得る。更なるインターフェース層例えば、第2のインターフェース層が、図6を参照して後述されるようにMTJスタックに含まれ得る。図6に示されるように、本発明の別の実施例によれば、Feの薄い層から形成された第2のインターフェース層110が、自由層トンネル障壁層インターフェースの異方性に付加するために提供され得る。第2のインターフェース層110は、約05ナノメートルnm以下の所定の厚さのものとなり得る。本発明の実施例によれば、MTJスタック100は、約2ナノメートルnmのTaのシード層102、約03ナノメートルnmのFeの第1のインターフェース層、約07ナノメートルnmのCoFeBの自由磁性層、MgOトンネル障壁層、及び約05ナノメートルnmのFeの第2のインターフェース層110を含み得る。図4に示された層107のような固定ピン留め層が第2のインターフェース層110の上に成長し得る。ピン留め磁性層が、例えば、CoPd又はCoPt多重層から形成され得る。ピン留め磁性層は、Pt又はパラジウムPdの少なくとも一方、及びCoFe又はコバルトCoの少なくとも一方から形成され得る。本発明の実施例によれば、図7を参照して以下で説明されるように、更に厚い垂直方向の磁性層が望ましい場合、多重層のMTJスタックが本発明の実施例において具現化され得る。図7において、例えば、各々がタンタルを含む複数個のシード層102が設けられる。更に、複数個の自由磁性層104も設けられる。複数個の自由磁性層104の各自由磁性層104が、複数個のシード層102の各シード層102の上にスタック状に成長する。複数個の自由磁性層104の各自由磁性層104が垂直方向に磁化される。本発明の実施例によれば、複数個のシード層102の各シード層102は、約02ナノメートルnmから約2ナノメートルnmまでの範囲における所定の厚さである。複数個の自由磁性層104の各自由磁性層104は少なくとも鉄を含む。その層104は、更に、例えば、コバルトおよびホウ素の少なくとも一方を含み得るし、例えば、層104はCoFeBを含み得る。多重層スタックは図示のように2つよりも多くの自由磁性層104を含み得る。シード層102はタンタルマグネシウムを含み得るし、その組み合わせは、約20ナノメートルnmのTaMg06nmのFe03nmのTaMgxN06nmのFeから形成され得る。この場合、Nは正の整数である。図8は、本発明の実施例において具現化され得る複数個のMTJスタックを有するスピントルクベースの磁気ランダムアクセスメモリMRAM装置を示す概略図である。図8に示されたように、スピントルクベースのMRAM装置200は複数個のMTJスタック205を含む。本発明の実施例によれば、MTJスタック205は、図3~図7に示されるようなMTJスタック素材を含む。各MTJスタック205はトランジスタ210に直列に接続される。各MTJスタック205及びトランジスタ210は、ビットライン215及びビットライン補完体220の間に接続される。更に、各トランジスタ210はそれのゲートにおいてワード線225に接続される。書込みオペレーション中、スピン極性化電子が、自由磁性層の極性を切換え得るトルクをMTJスタック205の自由磁性層上に与える。読取りオペレーション中、MTJスタック205の抵抗/論理状態を検知するために電流が使用される。各トランジスタ210は、それぞれのMTJスタック205を通って電流を流れさせるように読取りオペレーション及び書込みオペレーションの両方において切換えられるので、論理状態が読取られ又は書込まれ得る。図9は、自由磁性層の単位面積当たりの磁気モーメント及び自由磁性層の異方性磁界Hkを示すグラフである。異方性磁界Hkは、平面に向けたモーメントを強制するために必要な面内磁場である。実線300は、モーメント及び異方性の積に比例する一定の活性化エネルギを示す。自由磁性層102の厚さは磁気モーメントを変化させ、直接それに影響を及ぼし得る。例えば、各々がMTJスタックを表わす複数個の形状305~325は種々の厚さの自由磁性層を有する。例えば、形状305は、20nmのTaXnmのCoFeB10nmのMgO3nmのFe50nmのTaNを有するMTJスタックを表わす。但し、Xnmは、8、9、又は10nmに等しい。形状310は、20nmのTa2nmのFeXnmのCoFeB10nmのMgO3nmのFe50nmのTaNの組成を有するMTJスタックを表わす。但し、Xnmは、7、8、又は9nmに等しい。形状315は、20nmのTa3nmのFeXnmのCoFeB10nmのMgO3nmのFe50nmのTaNの組成を有するMTJスタックを表わす。但し、Xnmは、6、7又は8nmに等しい。形状320は、20nmのTa3nmのFeXnmのCoFeB3nmのTa3nmのFe6nmのCoFeB10nmのMgO3nmのFe50nmのTaNの組成を有するMTJスタックを表わす。但し、Xnmは、6又は8nmに等しい。形325は、20nmのTa3nmのFe3nmのCoFeB3nmのFe3nmのTa3nmのFe6nmのCoFeB10nmのMgO3nmのFe50nmのTaNの組成を有するMTJスタックを表わす。本発明の実施例によれば、図9に示されるように、自由磁性層104の厚さが増加するので、モーメントが増加する。本発明のこれらの例では、MgOトンネル障壁層106の上の3nmのFe層は非磁性層であり、自由磁性層104それはMgOトンネル障壁層106の酸化条件に依存するの上に正確なPMAを得るために使用される。本発明の別の実施例によれば、3nmのFe層の上にCoPd又はCoPt多重層を有するMTJスタックが提供され得る。本発明の実施例のMTJスタック素材は、垂直の磁気異方性PMAを有し、MTJスタックのトンネル障壁層による高い磁気抵抗MRをもたらし、室温で成長することができる。例えば、そのMTJスタック素材は、タンタルを含むシード層及び少なくとも鉄を含む自由磁性層を含んでいる。本明細書で使用される用語は、特定の実施例だけを説明するためのものであり、本発明の技術的範囲を限定することを意図しない。更に、用語含む又は含みは、本明細書で使用される場合、記載された特徴、整数、ステップ、オペレーション、要素、及び/又は、コンポーネントの存在を含めるが、1つ又は複数個の他の特徴、整数、ステップ、オペレーション、要素、及び/又は、それらのグループの存在又は追加を妨げない。特許請求の範囲の記載におけるすべての手段又はステップ及び機能要素の対応する構造、素材、行為、及びそれらの均等物は、特許請求の範囲において特定的に記載された他の要素と組み合わせてその機能を遂行するための任意の構造、素材、又は行為を含むことを意図するものである。本発明に関する記述は、図解及び説明を目的として与えられたが、包括的であること及び開示された形態の発明に限定されることを意図しない。本発明の技術的範囲及び趣旨から逸脱することのない多くの修正及び変更が当業者には明らかであろう。本実施例は、本発明の原理及び実用的応用例を最良に説明するために、及び期待される特定の用途に適するように種々の修正を用いた種々の実施例に関して当業者が本発明を理解することを可能にするために、選択及び説明された。添付図面に示された流れ図は単なる一例である。本発明の趣旨から逸脱することなく、この流れ図及び本明細書に記述されたステップ又は、オペレーションに対する多くの変更が存在し得る。例えば、それらのステップは異なる順序で遂行され得るし、或いは、ステップが追加、削除、又は修正され得る。これらの変更はすべて特許請求の範囲に記載された発明の一部と考えられる。本発明に対する好ましい実施例を説明したが、現在及び将来の当業者が、特許請求の範囲の技術的範囲内にある種々の改良及び補強を行ない得るということは当然である。これらの特許請求の範囲の記載は、当初記載された発明に対する適切な保護を維持するよう解釈されるべきである。