窒化ガリウム半導体層を作製する方法であって、基板上で間隔を置いて離れた関係にあるポストのアレイを形成して、複数のサイドウォールを規定するアレイ形成ステップと、窒化ガリウム層が融合して窒化ガリウム半導体層を生成するまで、前記間隔を置いて離れたポストの前記サイドウォールから、前記窒化ガリウム層を高温で成長させる成長ステップと、前記高温を低下させる温度低下ステップと、を含むことを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、前記成長ステップは、片持ち梁状の窒化ガリウム層が融合して窒化ガリウム半導体層を生成するまで、前記間隔を置いて離れたポストの前記サイドウォールから、前記基板から片持ち梁状に突き出る窒化ガリウム層を、高温でペンデオエピタキシャル成長させるステップを含むことを特徴とする方法。請求項1又は2記載の方法において、前記アレイ形成ステップは、0.5を超える高さ対幅の比を有する複数の間隔を置いて離れたポストを前記基板上に形成するステップを含むことを特徴とする方法。請求項1~3いずれかに記載の方法において、前記アレイ形成ステップは、前記間隔を置いて離れたポスト中で前記基板に隣接したポスト脆弱化領域を形成するステップを含むことを特徴とする方法。請求項1~4いずれかに記載の方法において、該方法は更に、前記温度低下ステップの後に、前記窒化ガリウム半導体層を前記ポストにおいて前記基板から分離して、自立形窒化ガリウム半導体層を生成させる、分離ステップを備えていることを特徴とする方法。請求項5記載の方法において、該方法は更に、前記分離ステップの後に、前記自立形窒化ガリウム半導体層上に窒化ガリウム層をエピタキシャル成長させるステップを備えていることを特徴とする方法。請求項6記載の方法において、前記窒化ガリウム半導体層上に窒化ガリウム層をエピタキシャル成長させるステップは、前記成長ステップと前記温度低下ステップとの間に実行されることを特徴とする方法。窒化ガリウム半導体層を作製する方法であって、0.5を超える高さ対幅の比を有する複数のポストを基板上に形成して、複数のサイドウォールを規定する形成ステップと、窒化ガリウム層が融合して窒化ガリウム半導体層を生成するまで、前記0.5を超える高さ対幅の比を有するポストの前記サイドウォールから、前記窒化ガリウム層を高温で成長させる成長ステップと、前記高温を低下させる温度低下ステップとを含むことを特徴とする方法。請求項8記載の方法において、前記成長ステップは、片持ち梁状の窒化ガリウム層が融合して窒化ガリウム半導体層を生成するまで、前記0.5を超える高さ対幅の比を有するポストの前記サイドウォールから、前記基板から片持ち梁状に突き出る窒化ガリウム層を、高温でペンデオエピタキシャル成長させるステップを含むことを特徴とする方法。請求項8又は9記載の方法において、前記形成ステップは、前記0.5を超える高さ対幅の比を有するポスト中で前記基板に隣接したポスト脆弱化領域を形成するステップを含むことを特徴とする方法。請求項8~10いずれかに記載の方法において、前記温度低下ステップの後に、前記窒化ガリウム半導体層を前記ポストにおいて前記基板から分離して、自立形窒化ガリウム半導体層を生成する、分離ステップが続くことを特徴とする方法。請求項11記載の方法において、前記分離ステップの後に、前記自立形窒化ガリウム半導体層上に窒化ガリウム層をエピタキシャル成長させるステップが続くことを特徴とする方法。請求項12記載の方法において、前記窒化ガリウム半導体層上に窒化ガリウム層をエピタキシャル成長させるステップは、前記成長ステップと前記温度低下ステップとの間に実行されることを特徴とする方法。各々0.25cm2を超える面積を有する第1及び第2の対向する面を有する自立形単結晶窒化ガリウム基板を備え、該自立形単結晶窒化ガリウム基板は105cm2未満の欠陥密度を有することを特徴とする半導体構造。請求項14記載の半導体構造において、前記面のうちの1つから延在する少なくとも1つのポストをさらに備えることを特徴とする半導体構造。請求項15記載の半導体構造において、前記少なくとも1つのポストはぎざぎざの端部を含むことを特徴とする半導体構造。請求項15又は16記載の半導体構造において、前記少なくとも1つのポストは、間隔を置いて離れたポストのアレイを含むことを特徴とする半導体構造。請求項15~17いずれかに記載の半導体構造において、前記少なくとも1つのポストは気泡をその中に含むことを特徴とする半導体構造。請求項15~18いずれかに記載の半導体構造において、前記少なくとも1つのポストは幅2分の1ミクロン未満であることを特徴とする半導体構造。請求項15~19いずれかに記載の半導体構造において、前記少なくとも1つのポストは、その端部に先端部を含むことを特徴とする半導体構造。請求項14~20記載の半導体構造において、前記自立形窒化ガリウム層の前記第1及び第2の対向する面のうちの1つの上にエピタキシャル窒化ガリウム層をさらに備えることを特徴とする半導体構造。ペンデオエピタキシーは、超小型電子用途のための、比較的に大きな、低欠陥の窒化ガリウム層を提供できる。残念ながら、ペンデオエピタキシーによって作製した窒化ガリウム層は、作製の最中は低欠陥密度を有し得るが、作製後にクラック及び他の欠陥を示し得ることが見い出された。特に、ペンデオエピタキシャル層は一般に非窒化ガリウム基板上に形成されるので、高い成長温度から室温に温度が低下するにつれて、基板とペンデオエピタキシャル窒化ガリウム層との間の熱膨張率の不一致によってペンデオエピタキシャル層中に応力が生じることがある。熱膨張率の不一致によるこの応力は、窒化ガリウム半導体層中にクラック及び/または他の欠陥を引き起こすことがあり、超小型電子装置用途へのこの層の適性を大きく低下させる。その上、ペンデオエピタキシャル窒化ガリウム層は基板上に形成されるので、さらなる窒化ガリウムのバルク成長のための大面積シードとして使用できる自立形窒化ガリウム半導体層freestandinggalliumnitridesemiconductorlayerを提供することが困難となる。基板を除去して自立形窒化ガリウム半導体層を提供できるが、窒化ガリウム半導体層を損傷せずに従来の技術を使用して基板を除去することは困難である可能性がある。従って、ペンデオエピタキシーの最近の進歩にもかかわらず、低欠陥密度を有する窒化ガリウム半導体層を室温で作製する方法及び自立形窒化ガリウム半導体層を作製するための方法が、引き続き要望されている。本発明は、基板上の脆弱なポスト上に窒化ガリウム層をペンデオエピタキシャル成長させるもので、このポストは、基板と脆弱なポスト上の窒化ガリウム層との間の熱膨張率の不一致によってクラックを生じるように設計されている。従って、冷却することで、脆弱なポストの少なくとも幾つかにクラックを生じ、それによって窒化ガリウム半導体層中の応力を除去する。従って、低欠陥密度窒化ガリウム半導体層を作製できる。その上、脆弱なポストは、自立形窒化ガリウム層を提供するための、窒化ガリウム半導体層からの基板の比較的に容易な分離を可能にする。具体的には、窒化ガリウム半導体層は、基板上に複数の脆弱なポストを形成することによって作製してよい。脆弱なポストは、複数のサイドウォールを規定し、基板と脆弱なポスト上のその後に形成される窒化ガリウム半導体層との間の熱膨張率の不一致によってクラックを生じるように設計されている。窒化ガリウム層が融合して窒化ガリウム半導体層を生成するまで、脆弱なポストのサイドウォールから窒化ガリウム層を高温で成長させる。窒化ガリウム層を好ましくはペンデオエピタキシーを使用して成長させて、その結果、窒化ガリウム層が基板から片持ち梁状に突き出るようにする。次に、高温を低下させることで、基板と窒化ガリウム半導体層との間の熱膨張率の不一致によって、脆弱なポストの少なくとも幾つかにクラックを生じる。窒化ガリウム半導体層中の応力をそれによって除去できる。脆弱なポストは、基板上で間隔を置いて離れた千鳥形の関係にあるポストのアレイを形成することによって形成してよい。ポストを千鳥形にすることで、長い非千鳥形ポストと比較して、その後の破断を促進することができる。他に、ポストは0.5を超える高さ対幅の比を有して、その結果、温度を低下させることで、比較的に細いポストがクラックを促進するようにしてよい。別の選択肢においては、クラックを促進するために、ポストは、高さにかかわらず、好ましくは幅1ミクロン未満、より好ましくは幅2分の1ミクロン未満である。さらに別の選択肢においては、ポスト脆弱化領域を、ポスト中で基板に隣接させて形成する。特に、埋込領域を基板中に形成してよく、次に基板を選択エッチングして、埋込領域を含むポスト脆弱化領域を含む複数の脆弱なポストを規定してよい。埋込領域は、打込みイオン、好ましくは水素イオンを含んでよく、これはポスト内部で凝集して水素気泡を形成でき、冷却することで気泡はポストを破断することができる。本発明に従って、千鳥形ポスト、細いポスト、及びポスト脆弱化領域の上記に説明した技術の各々を別々にまたは組み合わせて使用して、基板上に脆弱なポストを作製してよいことは理解できよう。高温を低下させることで、基板と窒化ガリウム半導体層との間の熱膨張率の不一致によって、脆弱なポストの少なくとも幾つかにクラックを生じ、それによって窒化ガリウム半導体層中の応力を除去する。従って、ペンデオエピタキシャル基板は、設計された脆弱なプラットホームの役目をする。窒化ガリウム半導体層全体にわたってクラックを生じる代わりに、クラックは好ましくはポスト中で生じ、実際にポストの幾つかを剪断し、窒化ガリウム半導体層を無傷のままにすることができる。その上、脆弱なポストの全てが、クラックを生じ及び/または剪断され、それによって窒化ガリウム半導体層を基板から分離し、自立形窒化ガリウム半導体層を生成することができる。他に、脆弱なポストは、脆弱化されたポストにおける窒化ガリウム半導体層の基板からの分離を促進して、自立形窒化ガリウム半導体層を生成することができる。次に自立形窒化ガリウム半導体層は、その後に自立形窒化ガリウム半導体層上に窒化ガリウム層をエピタキシャル成長させるための大面積シードの役目をすることができる。本発明による窒化ガリウム半導体構造は、基板と、複数のサイドウォールを含み基板上にある複数のポストと、隣接するポストのサイドウォールの間に延在する窒化ガリウム半導体層とを含む。ポストの少なくとも1つは、基板と窒化ガリウム層との間でクラックを生じる。複数のポストは、基板上で間隔を置いて離れた千鳥形の関係にあってよい。複数のポストは、0.5を超える高さ対幅の比を有してよい。複数のポストは、幅1ミクロン未満、より好ましくは幅2分の1ミクロン未満としてよい。複数のポストは、その中に基板に隣接したポスト脆弱化領域を含んでよく、ポスト脆弱化領域は、気泡、好ましくは水素気泡をその中に含む。その上、本発明は、各々0.25cm2を超える面積を有し、105cm2未満の欠陥密度を有する第1及び第2の対向する面を有する自立形単結晶窒化ガリウム基板を提供できる。本構造は、面のうちの1つから延在する少なくとも1つのポストを含んでよく、ポストはぎざぎざの形状である。幅2分の1ミクロン未満である、間隔を置いて離れた千鳥形ポスト、気泡ポスト及び/またはポストのアレイを提供できる。また、エピタキシャル窒化ガリウム層を、自立形窒化ガリウム層の第1及び第2の対向する面のうちの1つの上に提供できる。従って、作製後のクラックしやすさの低減を示すことができる窒化ガリウム半導体層及び比較的に大面積の自立形窒化ガリウム層を提供できる。本発明の好適な実施例を示す添付図面に関連して、以下に本発明を詳細に説明する。しかしながら、本発明は、多くの様々な形式で実施してよく、本明細書において説明する実施例に限定されると解釈すべきではなく、逆に、こうした実施例は、本開示が十分かつ完全であり、本発明の範囲を当業者に十分に伝えるように提供される。図面中、層及び領域の厚さは、明瞭にするために誇張してある。同様の番号は、全体にわたって同様の要素を指す。層、領域または基板等の要素が別の要素上にあると言及された場合、これは他の要素上に直接に存在することができ、または、介在する要素も存在してよいことは理解できよう。その上、本明細書において説明し、図示する各実施例は、相補形伝導性タイプcomplementaryconductivitytypeの実施例もまた含む。ここから図1~図6を参照して、本発明の実施例による窒化ガリウム半導体構造を作製する方法を説明する。図1に示すように、所望により中間バッファ層103を使用して、下にある窒化ガリウム層104を基板102上に成長させる。基板は炭化ケイ素としてよい。他に、基板はシリコン基板としてよく、例えば、MethodsofFabricatingGalliumNitrideMicroelectronicLayersonSiliconLayersandGalliumNitrideMicroelectronicStructuresFormedTherebyと称する、Linthicumetalによる、本出願の譲受人に譲渡された米国特許出願第号AttorneyDocket5051448に説明されている通りであり、その開示を、本明細書において参考のために引用する。別の選択肢においては、基板はサファイアとしてよく、例えば、PendeoepitaxialMethodsofFabricatingGalliumNitrideSemiconductorLayersonSapphireSubstratesandGalliumNitrideSemiconductorStructuresFabricatedTherebyと称する、Gehrkeetalによる、本出願の譲受人に譲渡された米国特許出願第09441753号に説明されている通りであり、その開示を、本明細書において参考のためにその全体を引用する。他の基板もまた使用してよい。上記に引用した出願に説明されているように、バッファ層103は、窒化アルミニウム、窒化ガリウム及び/または他の材料を含んでよい。所望によりバッファ層103を使用して、下にある窒化ガリウム層104を基板102上に作製することは当業者には周知であり、本明細書において詳細に説明する必要は無い。ここから図2を参照すると、下にある窒化ガリウム層104と、所望によりバッファ層103と、また所望により基板102の一部分とをエッチングして複数のポスト106を作製し、ポストはポスト同士の間に複数のトレンチ107を規定する。交互に並ぶポスト106及びトレンチ107は、ポストの複数のサイドウォール105を規定する。間隔を置いて離れたポスト106はまた、メサ、ペデスタル、またはカラムと呼ばれることがある。トレンチはまた、ウェルと呼ばれることがある。サイドウォール105を規定するポスト106及びトレンチ107を、選択エッチング、選択エピタキシャル成長及び/または他の従来の技術によって作製してよいことは理解できよう。その上、サイドウォールは基板102に対して直交する必要は無く、むしろ基板102に対して斜めでよいことも理解できよう。最後に、サイドウォール105を断面で図1に示すが、ポスト106及びトレンチ107は、直線若しくはV形であるかまたは他の形状を有する細長い領域を規定してよいことも理解できよう。ポスト106を脆弱なポストとして作製する。脆弱なポストは、基板102と脆弱なポスト上のその後に形成される窒化ガリウム半導体層との間の熱膨張率の不一致によってクラックを生じるように設計されている。図2は、脆弱なポストを提供するためのポストの寸法の制御を示す。1実施例においては、ポスト106の高さ対幅の比は0.5を超える。別の実施例においては、ポストは任意の高さを有してよいが、予め定められた幅未満であり、好ましくは1μm未満、より好ましくは0.5μm未満、最も好ましくは0.25μm未満である。さらに別の実施例においては、ポストの幅及び厚さ図2の平面の中の方向には、それぞれ0.25μm以下及び1.0μm以下である。こうした細いポストは、電子線フォトリソグラフィまたは他のリソグラフィ技術を使用して作製してよい。ここから図3を参照すると、窒化ガリウム層108を、脆弱なポスト106のサイドウォール105から高温で成長させる。図3に示すように、窒化ガリウム層108は好ましくは、トレンチ107の底部から間隔を置いて離れるかまたは片持ち梁状に突き出して、ペンデオエピタキシャル成長を提供する。図4に示すように、サイドウォール105からの窒化ガリウム層108の成長を好ましくは、窒化ガリウム層108が融合して窒化ガリウム半導体層110を生成するまで続ける。図4に示すように、成長を、脆弱なポスト106の頂部の上に続けてよい。サイドウォールからの窒化ガリウムのペンデオエピタキシャル成長は、上記に引用した特許出願及び発表に詳細に説明されており、本明細書において詳細に説明する必要は無い。しかしながら、たとえ下にある窒化ガリウム層が108cm2以上の欠陥密度を有したとしても、窒化ガリウム半導体層110は105cm2以下の欠陥密度を有することができることに留意されたい。従って、高品質の窒化ガリウム半導体層110を提供できる。また図4に示すように、第1のエピタキシャル窒化ガリウム層112を窒化ガリウム半導体層上に形成してよい。窒化ガリウム半導体層110は、例えば0.25cm2以上の大面積でかつ低欠陥密度を有する成長プラットホームを提供するので、第1のエピタキシャル窒化ガリウム層112を、水素化物気相エピタキシーHydrideVaporPhaseEpitaxyHVPEを使用して比較的に大きな速度で成長させてよい。第1のエピタキシャル窒化ガリウム層112を好ましくは少なくとも30μmの厚さに成長させて、自立形窒化ガリウム構造に機械的安定性を提供する。窒化ガリウム半導体層110及び第1のエピタキシャル窒化ガリウム層112の成長は好ましくは高温で、例えば1000°C以上で行われる。次に、図5を参照すると、高い成長温度を好ましくは室温に低下させために、例えば、成長チャンバのヒーター温度を低下させ、強制冷却を使用し及び/または本構造を成長チャンバから取り出す。好ましくは、1000°Cから室温への冷却は、少なくとも35分間にわたって、より好ましくは少なくとも15分間にわたって行われる。図5に示すように、温度を低下させることで、脆弱なポストの少なくとも幾つかに、その中のクラック114に示すようにクラックを生じる。例えば、脆弱なポストの少なくとも25、より好ましくは少なくとも50にクラックを生じる。こうしたクラックはそれによって、基板102と脆弱なポスト106上の窒化ガリウム半導体層110との間の熱膨張率の不一致によって引き起こされた応力を除去する。図5に示すように、クラック114は、脆弱なポストの幾つかまたは全てに現れることがある。実際に、脆弱なポストの幾つかまたは全ては、図5の115において示すように事実剪断されることがある。脆弱なポストは好ましくは、窒化ガリウム層108と基板102との間でクラックを生じ及び/または剪断される。しかしながら、脆弱なポストがクラックを生じるかまたは剪断される実際の位置は、脆弱なポスト及び/または他の要因の寸法及び/または組成に依存するかもしれない。従って、脆弱なポストはバッファ層103中でクラックを生じるとして示されているが、これに加えて、またはこの代わりに、脆弱なポストの基板部分中で若しくは脆弱なポストの窒化ガリウム部分中でクラックを生じるかもしれない。このようにして、冷却することで、脆弱なポストは、熱膨張率の不一致から生じた応力を除去する。従って、窒化ガリウム半導体層110全体にわたってクラックを生じる代わりに、クラック114は脆弱なポスト中で生じ、実際に脆弱なポストの幾つかに剪断を生じることがある。窒化ガリウム半導体層及び/または第1の窒化ガリウムエピタキシャル層112は従ってクラックの無いままであり、超小型電子装置の製造のために実用的であり続けることができる。最後に、図6を参照すると、窒化ガリウム半導体層110を脆弱なポストにおいて基板102から分離して、自立形窒化ガリウム半導体構造116を生成する。図6に示すように、窒化ガリウム構造は好ましくは、層110及び/または112によって形成されかつ第1及び第2の対向する面並びに105cm3未満の欠陥密度を有する自立形単結晶窒化ガリウム基板を含む。自立形単結晶窒化ガリウム基板の面は好ましくは、0.25cm2を超える面積及び少なくとも30μmの厚さを有する。図6に示すように、ポスト106の少なくとも1つの残部106aは、面のうちの1つから延在する。クラック及び/または剪断が原因で、ポストの残部106aはぎざぎざの端部を有することがある。基板を、標準的な化学的及び/または機械的処理を使用して除去して、自立形窒化ガリウム構造116を作製してよいことは理解できよう。低欠陥密度を有する窒化ガリウム構造116を次に、低欠陥窒化ガリウムを上にさらに成長させるためのシード基板として使用してよい。従って、第2のエピタキシャル層118を、窒化ガリウム半導体層110上にまたは第1の窒化ガリウムエピタキシャル層112上に形成してよい。自立形低欠陥窒化ガリウム構造116のサイズは、最初の基板プラットホーム102のサイズによってのみ限定される。従って、大面積の自立形窒化ガリウム基板を提供できる。図7は、本発明による、脆弱なポストの他の実施例の平面図である。基板102上に連続ポストの長い列を形成するのではなく、図7に示すように、千鳥形ポスト106のアレイを形成することによってポストを脆弱化してよい。図1~6の細いポストを設ける代わりに、またはこれに加えて、千鳥形にできることは当業者には理解できよう。図8は、さらなる他の実施例の平面図であり、千鳥形ポスト106’は、その端部に先端部802を含む。先端部802は、ここからのペンデオエピタキシャル成長の最中の応力を低減できる。図9~図14は、本発明による他の実施例を示す。全体的に、図9~図14は、ポスト脆弱化領域を、ポスト中で基板に隣接させて、好ましくは水素イオン等のイオンをポスト内に打込むことで形成することを示す。水素は凝集して気泡を形成し、次に冷却することで気泡はポスト脆弱化領域にクラックを生じることができる。ウェーハボンディング及び/またはウェーハ分割を促進するための表面内へのイオンの打込みは、例えば、SOIFabricationMethodと称するKenneyに付与された米国特許第5710057号、及び、MethodfortheTransferofThinLayersofMonocrystallineMaterialtoaDesirableSubstrateと称するGoeseleetalに付与された米国特許第5877070号に説明されている。しかしながら、様々なイオンの打込み、ポストの区域の選択エッチング及び/または他の技術を含むポストを脆弱化する他の方法を使用して、ポスト脆弱化領域をポスト中に形成してよいことは理解できよう。具体的に、ここから図9を参照すると、中間バッファ層103を含め、下にある窒化ガリウム層104を基板102上に形成し、これは図1に関連して上記に説明した通りである。しかしながら、図9においては、イオン902、好ましくは水素イオンを基板102内に打込む。イオンは、従来の技術を使用して基板102内に打込んでよい。また図9に示すように、所望により第1のマスク904を、バッファ層103と反対側の、下にある窒化ガリウム層104上に形成する。下記に説明するように、このマスクは、ペンデオエピタキシーの最中のポストの頂部からの窒化ガリウムの核生成及び成長を低減し、好ましくは防ぐことができる。次に、図10を参照すると、脆弱なポストを形成するために、マスク904を通し、少なくとも部分的に窒化ガリウム層104を通し、所望により少なくとも部分的にバッファ層103を通し、所望により少なくとも部分的に基板102を通してエッチングする。図に示すように、第1のマスク904はポスト106上にキャップ904’を形成する。また図10に示すように、所望により第2のマスク908はトレンチ107の底部を形成してよい。第2のマスク908は、ペンデオエピタキシーの最中のトレンチ底部からの窒化ガリウムの核生成及び成長を低減し、好ましくは防ぐことができる。マスク904’及び908を同時に形成してよく、好ましくは、二酸化ケイ素、窒化ケイ素及び/または金属等の同じ材料を含むことは理解できよう。しかしながら、これらは別々に形成してよく、異なる材料を含んでよい。例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素及び/または金属の例えばタングステン等のマスク材料の熱蒸着または電子ビーム蒸着等のラインオブサイトlineofsight堆積技術を使用してよい。エッチングステップ後にマスク材料を堆積させる場合、これは、垂直な表面、すなわちポスト106の上面及びトレンチ107の底面底部のみを被覆する。窒化ガリウムは好ましくは、マスク904’上及び908上で核生成したとしてもごくわずかにすぎず、その結果、窒化ガリウムは好ましくは、ペンデオエピタキシーの最中にポストのサイドウォール105のみから成長する。他に、マスク904’及び908は異なる材料を含んでよく及び/または異なる厚さを有してよい。マスクの片方または両方は形成する必要は無く、マスクの片方または両方はまた、図1~8の実施例において使用してよいことも理解できよう。図10に示すように、各ポストは、イオン注入ステップによって形成された脆弱化された領域902’を有する。脆弱化された領域902’は基板102中に示されているが、これに加えて、またはこの代わりに、ポスト106を形成するバッファ層103中及び/または窒化ガリウム層104中に存在してよい。図11を参照すると、ペンデオエピタキシーを実行し、これは図3に関連して説明した通りである。窒化ガリウム層を、隙間を残さないようにサイドウォールから直接にマスク908上に成長させてよいことも理解できよう。次に、図12に示すように、窒化ガリウム半導体層110及び所望により第1のエピタキシャル層112を形成し、これは図4に関連して上記に説明した通りである。図13を参照すると、窒化ガリウム半導体層110及び所望によりエピタキシャル窒化ガリウム層112を形成する際に使用した高温を次に低下させる。次いで脆弱なポスト106の脆弱化された区域902’は、その中の気泡の存在によってクラックを生じて、窒化ガリウム半導体層110中の応力を除去する。図13に示すように、好ましくはポスト106の全てが、ポスト脆弱化領域902’においてクラックを生じ及び/または剪断され、というのは、図9において、打込み層902には、基板内に均一に打込んだからである。他に、例えば基板102内へのイオンの選択打込みによって、ポストの幾つかのみを脆弱化するかまたは剪断してよい。最後に、図14を参照すると、基板102を窒化ガリウム層から分離して、自立形窒化ガリウム半導体構造116を生成し、これは図6に関連して説明した通りである。図6の場合と同様に、1つ以上のポスト106aは本構造の面のうちの1つから延在してよい。図14におけるポストは、打込みの結果が原因で、ぎざぎざではなく平滑となるかもしれない。ポスト脆弱化領域902を、図1~6の細いポスト及び/または図7及び図8の千鳥形ポストと組み合わせて、またはこの代わりに使用してよいことも理解できよう。従って、好ましくは0.25cm2を超える大面積でかつ好ましくは表面全体にわたって105cm2未満の低欠陥密度を有する窒化ガリウム半導体基板を作製できる。自立形低欠陥密度窒化ガリウム半導体層の面積は、処理を支持するために使用した最初の基板プラットホームのサイズによってのみ限定される。図面及び明細書において、本発明の代表的な好適な実施例を開示してきた。特定の用語を用いたが、これは、一般的でかつ説明のための意味でのみ使用したものであり、限定のためではなく、本発明の範囲は、請求の範囲において説明される。