第1の直流電圧源と第2の直流電圧源を直列接続してなる第1の直列回路と、ダイオードを逆並列に接続した第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子を直列接続してなる第2の直列回路と、ダイオードを逆並列に接続した第5のスイッチング素子と第6のスイッチング素子を直列接続してなる第3の直列回路と、をそれぞれ並列に接続し、第1の直流電圧源と第2の直流電圧源との接続点及び、第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との接続点との間に、第3のスイッチング素子と第4のスイッチング素子とを逆並列に接続してなる双方向スイッチング素子を接続し、第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との接続点と、第5のスイッチング素子と第6のスイッチング素子との接続点と、をそれぞれ出力端子としたことを特徴とする電力変換装置。第1の直流電圧源と第2の直流電圧源を直列接続してなる第1の直列回路と、ダイオードを逆並列に接続した第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子を直列接続してなる第2の直列回路と、ダイオードを逆並列に接続した第5のスイッチング素子と第6のスイッチング素子を直列接続してなる第3の直列回路と、をそれぞれ並列に接続し、第1の直流電圧源と第2の直流電圧源との接続点及び、第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との接続点との間に、ダイオードを逆並列に接続した第3のスイッチング素子と第4のスイッチング素子とを対向して直列接続してなる双方向スイッチング素子を接続し、第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との接続点と、第5のスイッチング素子と第6のスイッチング素子との接続点と、をそれぞれ出力端子としたことを特徴とする電力変換装置。しかしながら、図3に示すように、従来回路においては、半導体素子が自己消弧型スイッチング素子で8素子、ダイオードが12素子、計20素子が必要になる。更に、これら8つの自己消弧型スイッチング素子は、それぞれにPWMパターンを持ち、制御も複雑となっていた。また上記したような素子の多さによって、電流通過素子数が多くなり、導通損失やスイッチング損失が大きくなるという問題があった。本発明は、上記課題を解決する多レベル出力型の電力変換回路を提供するものである。上記目的を達成するため、本発明では、第1の直流電圧源と第2の直流電圧源を直列接続してなる第1の直列回路と、ダイオードを逆並列に接続した第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子を直列接続してなる第2の直列回路と、ダイオードを逆並列に接続した第5のスイッチング素子と第6のスイッチング素子を直列接続してなる第3の直列回路と、をそれぞれ並列に接続し、第1の直流電圧源と第2の直流電圧源との接続点と、第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との接続点と、の間に、第3のスイッチング素子と第4のスイッチング素子とを逆並列に接続してなる双方向スイッチング素子を接続し、第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との接続点と、第5のスイッチング素子と第6のスイッチング素子との接続点と、をそれぞれ出力端子とする。また、第1の直流電圧源と第2の直流電圧源を直列接続してなる第1の直列回路と、ダイオードを逆並列に接続した第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子を直列接続してなる第2の直列回路と、ダイオードを逆並列に接続した第5のスイッチング素子と第6のスイッチング素子を直列接続してなる第3の直列回路と、をそれぞれ並列に接続し、第1の直流電圧源と第2の直流電圧源との接続点と、第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との接続点と、の間に、ダイオードを逆並列に接続した第3のスイッチング素子と第4のスイッチング素子とを対向して直列接続してなる双方向スイッチング素子を接続し、第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との接続点と、第5のスイッチング素子と第6のスイッチング素子との接続点と、をそれぞれ出力端子としてもよい。この発明によれば、従来技術に比べて、より少ない素子数により変換回路を構成することが可能となる。第1の発明においては、従来回路に比較して自己消弧型スイッチング素子が8個から6個に減少する。また、ダイオードが12個から4個に減少し、より少ない半導体素子数で従来回路と同一の効果を達成することができる。また、第2の発明によれば、従来回路に比較して自己消弧型スイッチング素子が8個から6個に減少し、ダイオードが12個から6個に減少する。こちらもより少ない半導体素子数で従来回路と同一の効果を達成することができる。さらに、いずれの電圧の出力時においても、駆動させる素子数が従来技術と比べて少なくて済むため、電流通流損失及びスイッチング損失がその分減少し、高効率化が可能である。図1に本発明の第1の実施形態を示す。図1において、直流電圧源E1、E2からなる第1の直列回路1に対し、スイッチング素子Q1、Q2からなりU相を出力する第2の直列回路2、スイッチング素子Q5、Q6からなりV相を出力する第3の直列回路3、がそれぞれ並列に接続され、第1の直列回路の接続点と第2の直列回路の接続点との間には、スイッチング素子Q3とQ4が逆並列に接続された双方向スイッチング素子4が接続されている。ここで、直流電圧源E1及びE2は、図3及び図4に示した従来技術と同じように、同じ電圧Eを持つものとする。ここで、図1の動作パターンは以下表2のようになる。本実施形態では、以下表2のモードを適宜組み合わせ、従来技術と同様に5レベルの電圧を出力させる。従来技術に比較して自己消弧型スイッチング素子は8個から6個に、また、ダイオードが12個から4個に減少している。表2から、UV間電圧2Eを出力するモード1では、2つの素子をオンさせる。上記従来技術では、同じモードにおいて4つの素子をオンさせているから、2つの素子の分だけ電流通流による損失と、スイッチング損失が低減できる。各モードにおける、従来技術との駆動素子数の比較を以下に整理する。つまり、いずれのモードにおいても、駆動素子数は低減できることが分かる。次に、図2に本発明の第2の実施形態を示す。図1との相違点は、双方向スイッチング素子7の構成である。図2において、スイッチング素子Q3とQ4からなる双方向スイッチング素子7は、逆導通ダイオードD3及びD4がそれぞれ並列接続された通常のIGBTスイッチを、互いに対向して接続したものである。図2に示した回路では、以下表4の動作にて各素子をオンさせる。以下スイッチングのパターンを適宜組み合わせて、従来技術と同様に5レベルの電圧を出力させる。この実施形態では、従来技術に比較して自己消弧型スイッチング素子が8個から6個に、また、ダイオードは12個から6個に減少している。本実施形態においても、従来技術と比べ、いずれのモードにおいても駆動素子数を少なくすることができ、この結果、通流損失及びスイッチング損失を低減することが可能となる。