"磁気記録媒体を相対的に走査する素子デバイスと、前記素子デバイスにマイクロ波を照射するマイクロ波照射部と、前記素子デバイスに印加される磁場および前記素子デバイスに照射される前記マイクロ波によって制御される電子スピン共鳴現象に応じて前記素子デバイスに発生する電流を検出する電流検出部とを備える、磁気読取装置。前記素子デバイスの配置された空間に、磁場を形成する磁場形成部をさらに備える、請求項1に記載の磁気読取装置。前記磁場形成部は、前記素子デバイスが前記磁気記録媒体を相対的に走査する方向に沿って磁場を形成する、請求項2に記載の磁気読取装置。前記素子デバイスは、第1電極と、第2電極と、前記第1電極および前記第2電極の間に配置された半導体層とを有する、請求項1から3のいずれかに記載の磁気読取装置。前記半導体層は有機半導体層を有する、請求項4に記載の磁気読取装置。前記素子デバイスは、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方と前記半導体層との間に設けられた絶縁層を有する。請求項4または5に記載の磁気読取装置。請求項1から6のいずれかに記載の磁気読取装置と、磁気書込装置とを備える磁気記録再生装置。磁気記録媒体に対して素子デバイスを走査させる工程と前記磁気記録媒体を走査する前記素子デバイスにマイクロ波を照射する工程と、前記素子デバイスに印加される磁場および前記素子デバイスに照射される前記マイクロ波によって制御される電子スピン共鳴現象に応じて前記素子デバイスに発生する電流の変化を検出する工程とを包含する、磁気読取方法。前記磁気記録媒体を走査する前記素子デバイスの配置された空間に、磁場を形成する工程をさらに包含する、請求項8に記載の磁気読取方法。特許文献1に記載された磁気読取装置では、磁気抵抗率を利用している。このような磁気読取装置では、一般的に、磁気抵抗率の変化率は10程度にすぎず、磁気記録媒体からの磁気の読取を確実に行えないことがある。本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、磁気記録媒体からの磁気の読取精度を向上させた磁気読取装置、磁気読取方法および磁気記録再生装置を提供することにある。本発明による磁気読取装置は、磁気記録媒体を相対的に走査する素子デバイスと、前記素子デバイスにマイクロ波を照射するマイクロ波照射部と、前記素子デバイスに印加される磁場および前記素子デバイスに照射される前記マイクロ波によって制御される電子スピン共鳴現象に応じて前記素子デバイスに発生する電流を検出する電流検出部とを備える。ある実施形態において、前記磁気読取装置は、前記素子デバイスの配置された空間に、磁場を形成する磁場形成部をさらに備える。ある実施形態において、前記磁場形成部は、前記素子デバイスが前記磁気記録媒体を相対的に走査する方向に沿って磁場を形成する。ある実施形態において、前記素子デバイスは、第1電極と、第2電極と、前記第1電極および前記第2電極の間に配置された半導体層とを有する。ある実施形態において、前記半導体層は有機半導体層を有する。ある実施形態において、前記素子デバイスは、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方と前記半導体層との間に設けられた絶縁層を有する。本発明による磁気記録再生装置は、上記に記載の磁気読取装置と、磁気書込装置とを備える。本発明による磁気読取方法は、磁気記録媒体に対して素子デバイスを走査させる工程と、前記磁気記録媒体を走査する前記素子デバイスにマイクロ波を照射する工程と、前記素子デバイスに印加される磁場および前記素子デバイスに照射される前記マイクロ波によって制御される電子スピン共鳴現象に応じて前記素子デバイスに発生する電流の変化を検出する工程とを包含する。ある実施形態において、前記磁気読取方法は、前記磁気記録媒体を走査する前記素子デバイスの配置された空間に、磁場を形成する工程をさらに包含する。本発明によれば、磁気記録媒体からの磁気の読取精度を向上させることができる。以下、図面を参照して本発明による磁気読取装置、磁気読取方法および磁気記録再生装置の実施形態を説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されない。図1に、本実施形態の磁気読取装置10の模式図を示す。磁気記録媒体Mには磁気が記録されている。例えば、磁気記録媒体Mには、水平磁気記録方式、垂直磁気記録方式等で磁気が記録されている。磁気読取装置10は、磁気記録媒体Mから磁気を読み取る。磁気読取装置10は、素子デバイス20と、マイクロ波照射部30と、電流検出部40とを備える。素子デバイス20は、磁気記録媒体Mを相対的に走査する。走査は、素子デバイス20が固定された状態で磁気記録媒体Mが移動することによって行われてもよく、または、磁気記録媒体Mが固定された状態で素子デバイス20が移動することによって行われてもよい。あるいは、走査は、素子デバイス20および磁気記録媒体Mの両方が移動することによって行われてもよい。マイクロ波照射部30は、磁気記録媒体Mを相対的に走査する素子デバイス20にマイクロ波を照射する。本実施形態の磁気読取装置10では、素子デバイス20において、磁気記録媒体Mの磁場およびマイクロ波照射部30から照射されたマイクロ波によって電子スピン共鳴現象が発生する。電子スピン共鳴現象は、磁気記録媒体Mの磁場強度に応じて制御される。また、電子スピン共鳴現象は、マイクロ波照射部30から照射されるマイクロ波に応じて制御してもよい。電流検出部40は、素子デバイス20に印加される磁場および素子デバイス20に照射されるマイクロ波によって制御される電子スピン共鳴現象に応じて素子デバイス20に発生する電流を検出する。本実施形態の磁気読取装置10では、素子デバイス20の制御される電子スピン共鳴現象を利用して磁気記録媒体Mから磁気を読み取る。以下、図2を参照して本実施形態の磁気読取方法を説明する。まず、S202に示すように、磁気記録媒体Mに対して素子デバイス20を相対的に走査する。次に、S204に示すように、磁気記録媒体Mを相対的に走査する素子デバイス20にマイクロ波を照射する。素子デバイス20において、磁気記録媒体Mの磁場およびマイクロ波照射部30から照射されたマイクロ波によって電子スピン共鳴現象が発生する。例えば、マイクロ波照射部30は、所定の周波数のマイクロ波を継続的に照射する。マイクロ波照射部30は、必要に応じて、マイクロ波の照射を中断してもよく、あるいは、マイクロ波照射部30は、照射するマイクロ波の周波数を変化させてもよい。次に、S206に示すように、素子デバイス20に印加される磁場および素子デバイス20に照射されるマイクロ波によって制御される電子スピン共鳴現象に応じて素子デバイス20に発生する電流を検出する。本実施形態では、磁場とマイクロ波によって発生する電子スピン共鳴現象に関連して、素子デバイス20を流れる電流が変化し、これにより、磁気記録媒体Mから磁気を確実に読み出すことができる。素子デバイス20内の不対電子は、所定の強度の磁場の影響下に置かれると、所定の周波数を有するマイクロ波を吸収し、より高いエネルギー準位に遷移する。このような現象は電子スピン共鳴現象と呼ばれる。多数の不対電子が存在する素子デバイス20に、磁気記録媒体Mから比較的強い磁場が与えられると、不対電子のスピンは磁場方向に向きを変える。なお、厳密には、一部のスピンは磁場に平行になる一方で、一部のスピンは磁場と逆平行になるが、前者のスピンは後者のスピンよりも安定であるため、確率的に若干多く存在する。前者と後者のスピンのエネルギー差は磁場の強さに応じて変化する。この状態で、前者から後者のスピンに向きを変えるのに必要なエネルギーを有するマイクロ波が照射されると、電子スピン共鳴現象が発生し、入射したマイクロ波が吸収される。素子デバイス20にキャリアが発生した状態で、素子デバイス20に電子スピン共鳴現象が発生すると、素子デバイス20を流れる電流が変化し、この電流を検出することにより、磁気記録媒体Mの磁気を読み取ることができる。例えば、素子デバイス20のキャリアは、光照射によって発生させてもよい。あるいは、素子デバイス20のキャリアは、電気的に発生させてもよい。ただし、キャリア発生の効率性および簡便性の観点から、素子デバイス20のキャリアは、光照射によって発生させることが好ましい。例えば、素子デバイス20は光の照射される場所に配置され、一例として、素子デバイス20に太陽光が照射される。例えば、磁場およびマイクロ波の少なくとも一方が、素子デバイス20の電子スピン共鳴現象が発生するように設定された所定の状態から、電子スピン共鳴現象が発生しないように設定された状態に変化する場合、磁気読取装置10において素子デバイス20に比較的大きな電流が流れる。例えば、磁気記録媒体Mから素子デバイス20に印加される磁場強度は所定の値から変化させてもよい。なお、厳密には、磁気記録媒体Mからの磁場強度、および、マイクロ波照射部30によって照射されるマイクロ波の周波数をある程度変化させても素子デバイス20においてある程度の割合で電子スピン共鳴現象が発生することがある。このため、磁気記録媒体Mからの磁場強度は、電子スピン共鳴現象が発生しない程度まで変化させることが好ましい。例えば、電子スピン共鳴現象の発生する磁場の強度が約3370Gである場合、磁場の強度を約10G程度変化させることにより具体的には、3360G未満または3380G以上にすることにより、電子スピン共鳴現象が発生しなくなる。また、例えば、磁場およびマイクロ波の少なくとも一方が、素子デバイス20の電子スピン共鳴現象が発生しないように設定された状態から、電子スピン共鳴現象が発生するように設定された所定の状態に変化する場合、磁気読取装置10において素子デバイス20に比較的大きな電流が流れる。例えば、磁気記録媒体Mから素子デバイス20に印加される磁場強度は、電子スピン共鳴現象を発生させる所定の強度に変化してもよい。また、磁場およびマイクロ波が、電子スピン共鳴現象を発生させるように設定された状態で、素子デバイス20に照射される光の強度または波長を変更してもよい。これにより、素子デバイス20を流れる電流を変化させることができる。なお、磁場とマイクロ波によって発生する電子スピン共鳴現象に関連して、素子デバイス20に印加される磁場、素子デバイス20に供給されるマイクロ波および素子デバイス20に照射される光の少なくとも1つを変化させることにより、素子デバイス20を流れる電流が変化する。例えば、磁気記録媒体Mの磁気が領域ごとに異なる場合、素子デバイス20が磁気記録媒体Mの異なる領域を走査する毎に素子デバイス20に比較的大きな電流が流れる。以上のように、マイクロ波の周波数と磁場強度から決定される電子スピン共鳴条件を利用して交流電流を発生できる。例えば、マイクロ波の周波数を一定に保ちながら磁場の強度が変化することにより、素子デバイス20を流れる電流が変化する。なお、共鳴条件を与える磁場強度とマイクロ波周波数は比例関係にあるため、共鳴条件を満足する限り、磁場強度とマイクロ波周波数は、任意の値に変更することができる。例えば、磁気記録媒体Mの磁場が電子スピン共鳴現象を発生させる条件を満足する状態と満足しない状態ON-OFF状態とで切り替わることにより、電子スピン共鳴現象による素子デバイス20に流れる電流を変化させることができる。このようにして、電子スピン共鳴現象のON-OFF状態を切り替えることにより、素子デバイス20を流れる電流を変化させることができる。なお、電子スピン共鳴現象の制御によって電流が発生する理由として、ポーラロンペアの関与が考えられる。ポーラロンペアとは、ポリマー鎖間において電子と正孔が弱く結合した状態であり、励起子とキャリアの中間体とされている。ポーラロンペアには励起子と同様に、singletPPSとtripletPPTの形態が存在する。定常条件の下では、キャリア、ポーラロンペア、励起子間における解離、再結合において、平衡状態が成立している。電子スピン共鳴によりポーラロンペアの電子あるいは正孔のスピンが反転することで、PPSとPPTの個数の関係が平衡状態から崩れ、キャリアの個数が変化し、電流が変化すると考えられる。本実施形態の磁気読取装置10は電流変化率を室温で100以上にできるため、磁気抵抗率を利用して磁気の読取を行う場合と比べると、読取精度を向上させることができる。なお、発生電流は光に応じて生成されており、発生電流を光量や光の波長に応じて制御することも可能である。なお、図1に示した磁気読取装置10では、磁気記録媒体Mの磁場を利用して電子スピン共鳴現象を発生させたが、本発明はこれに限定されない。電子スピン共鳴現象の発生に、磁気記録媒体M以外の磁気を利用してもよい。図3に、本実施形態の磁気読取装置10の模式図を示す。図3に示した磁気読取装置10は、素子デバイス20、マイクロ波照射部30および電流検出部40に加えて、磁場形成部50をさらに備えている。磁場形成部50は、素子デバイス20の配置された空間に磁場を形成する。磁場形成部50を用いて素子デバイス20に印加される磁場の強度を増大させることにより、マイクロ波照射部30におけるマイクロ波の波長を比較的短くすることができ、磁気読取装置10の小型化を実現することができる。図3に示した磁気読取装置10において、例えば、磁場形成部50として電磁石が用いられる。ただし、磁場を印加することができれば、磁場形成部50として任意のものを用いてもよい。また、例えば、マイクロ波照射部30としてマイクロ波共振器が用いられる。マイクロ波共振回路30は、金属等の導体の壁面で囲まれた空洞共振器であって、共振条件を満たす所定の周波数の電磁波しか存在できないように構成されている。ここでは、素子デバイス20は、磁場形成部50の間で、かつ、マイクロ波共振器30の中央に配置されている。例えば、磁場形成部50は、素子デバイス20が磁気記録媒体Mを相対的に走査する方向に沿って磁場を形成する。例えば、磁気記録媒体Mには、1つの磁気情報が記録されており、素子デバイス20に磁場形成部50からの磁場を印加させた状態で磁気記録媒体Mを近づけることにより、磁気読取装置10をスイッチ素子として用いることができる。このように、磁気記録媒体Mに対する素子デバイス20の走査は瞬間的に行われてもよい。また、磁気読取装置10では、マイクロ波照射部30および磁場形成部50が一体的に構成されてもよい。磁場の強度とマイクロ波の周波数から決定される共鳴条件下で素子デバイス20において電子スピン共鳴現象が発生する。本明細書の以下の説明において、マイクロ波照射部30および磁場形成部50を併せて電子スピン共鳴装置と呼ぶことがある。電子スピン共鳴装置として市販の装置を用いてもよい。上述した説明では、一例として、素子デバイス20に、太陽光などの磁気読取装置10の外部からの光が照射されたが、本発明はこれに限定されない。素子デバイス20には磁気読取装置10内の部材から出射された光が照射されてもよい。図4に、本実施形態の磁気読取装置10の模式図を示す。図4に示した磁気読取装置10は、素子デバイス20、マイクロ波照射部30、電流検出部40および磁場形成部50に加えて、光源60をさらに備えている。図4に示した磁気読取装置10は光源60をさらに備える点を除いて、図3を参照して上述した磁気読取装置と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する説明を省略する。例えば、光源60として半導体レーザを用いてもよい。なお、図4に示した磁気読取装置10は磁場形成部50を備えているが、必要に応じて、磁場形成部50を省略してもよい。また、上述した説明では、磁気読取装置10自体が磁気記録媒体Mを備えていなかったが、本発明はこれに限定されない。磁気読取装置10自体が磁気記録媒体Mを備えてもよい。以下に、磁気読取装置10における素子デバイス20を説明する。図5に、磁気読取装置10における素子デバイス20の一例を示す。素子デバイス20は、電極22と、電極24と、電極22と電極24の間に位置する半導体層26とを有している。電極22は基板図5では図示せずに支持されていてもよい。なお、本明細書の以下の説明において、電極22および電極24をそれぞれ第1電極22および第2電極24と呼ぶことがある。半導体層26には、多数の不対電子が存在しており、半導体層26内の不対電子は、所定の強度の磁場の影響下に置かれると、所定の周波数を有するマイクロ波を吸収し、半導体層26内において電子スピン共鳴現象が発生する。例えば、半導体層26に光が照射されると半導体層26の光の吸収に伴い、キャリアが発生する。例えば、キャリアは、半導体層26が可視光および紫外光を吸収することによって発生する。キャリアが発生する場合、電極22と電極24との間に電圧が印加されていると、発生したキャリアは電極22から電極24に向かって、または、その反対に移動する。移動するキャリアは電極22と電極24との間を流れる電流として取り出すことができ、このような電流は光電流とも呼ばれる。素子デバイス20として積層型有機太陽電池を用いてもよい。例えば、素子デバイス20として、電子受容体としてのフラーレン誘導体と、電子供与体としてのπ型共役ポリマーとを組み合わせた有機薄膜半導体を有する太陽電池を用いてもよい。例えば、有機半導体層26はπ型共役ポリマーを含んでもよい。例えば、有機半導体層26のπ型共役ポリマーとしてpoly2-methoxy-5-ethylhexyloxy-1,4-phenylenevinylene、以下MEH-PPVという。を用いている。MEH-PPVの他にもpoly3-hexylthiopene略称、P3HTやpoly2-methoxy-5―3‘,7’-dimethyloctyloxy―1,4-phenylenevinylene略称、MDMOPPVやC60フラーレンなどを用いてもよい。また、有機半導体層26がπ型共役ポリマーを含む場合、例えば電子受容体としてのフラーレン誘導体と、電子供与体としてのπ型共役ポリマーとを組み合わせた有機薄膜半導体を用いてもよい。なお、P3HTは波長650μm以下の光を吸収し、MDMOPPVは波長600nm以下の光を吸収する。また、C60フラーレンは可視域および紫外領域の光を吸収する。なお、上述したように、素子デバイス20では、半導体層26に光が照射されることにより、電極22と電極24との間に電流が流れてもよい。以下、図6を参照して光の照射によって電極22と電極24との間に電流が流れる素子デバイス20の一例を説明する。図6に示した素子デバイス20では、電極22が正極であり、電極24が負極である。素子デバイス20において半導体層26は、バッファー層26aと、電子供与体層26bと、電子受容体層26cと有している。バッファー層26aは、電極22と電子供与体層26bとの間に位置しており、電子供与体層26bへの電荷正孔注入効率を向上させる。電子供与体層26bは光によって励起された電子を渡す。電子受容体層26cは電子を受け取り、電極24まで転送する。電子供与体層26bおよび電子受容体層26cは併せて光電変換層26oと呼ばれる。ここでは、電極22は透明電極であり、また、電極22は基板Sに支持されている。電極24として金属電極を用いてもよい。光励起により発生したエキシトン励起子は、電子供与体層26bと電子受容体層26cとの界面のpn接合部で電荷分離され、電子は電子受容体層26cへ、正孔は電子供与体層26bへ移動する。その後、正孔は電子供与体層26b中を、電子は電子受容体層26c中をそれぞれ移動し、電流を取り出すことができる。基板Sは、透明なものであってもよく、不透明なものであってもよい。ただし、基板S側が光の受光面となる場合には、基板Sとして透明基板を用いることが好ましい。この場合、特に限定されるものではないが、透明基板Sとして石英ガラス等のガラス基板が用いられる。なお、透明基板Sとして、ガラス基板以外にも、合成石英板等の可撓性のない透明なリジット材、あるいは透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性を有する透明なフレキシブル材を利用してもよい。例えば、透明電極22は、酸化インジウムにスズを添加したITOから構成されてもよい。なお、透明電極22の材料は特にITOに限定されないが、後述するように、電極24の仕事関数等を考慮すると、透明電極22は、仕事関数の高い材料から形成されることが好ましい。電極24は、導電性を有する材料であれば特に限定されない。ただし、透明電極22を仕事関数の比較的高いITOから形成する場合、電極24は、仕事関数の低いアルミニウムから形成されることが好ましい。例えば、半導体層26として有機半導体層が好適に用いられる。なお、ここでは、半導体層26の一例として有機半導体層を説明するが、本発明はこれに限定されない。半導体層26は無機半導体層であってもよい。半導体層26として有機半導体層を用いる場合、例えば、バッファー層26aは、3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルホネートpoly3,4-ethylenedioxythiophene:polystyrenesulfonate、以下PEDOTPSSという。から構成される。PEDOTPSSは、極めて高い導電性を示し、バッファー層26aの材料として好適に用いられる。あるいは、バッファー層26aはスターバーストアミンまたはCuPc銅フタロシアニン等から構成されてもよい。なお、必要に応じてバッファー層26aを省略してもよい。電子供与体層26bはポリマー主鎖に沿った共役π電子を有するπ共役ポリマーから構成されることが好ましい。例えば、電子供与体層26bは、poly2-methoxy-5-ethylhexyloxy-1,4-phenylenevinylene、以下MEH-PPVという。から構成される。あるいは、電子供与体層26bは、poly3-hexylthiopene略称、P3HT、または、poly2-methoxy-5―3‘,7’-dimethyloctyloxy―1,4-phenylenevinylene略称、MDMOPPVなどの他のπ共役ポリマーから構成されてもよい。電子受容体層26cは、フラーレンC60又はフラーレン誘導体から構成されている。フラーレンC60又はフラーレン誘導体は高いエネルギー変換効率を示し得る。ここで、フラーレン誘導体とは、フラーレン、フラーレンの誘導体、ならびに、フラーレンおよびフラーレンの誘導体の混合物をいう。フラーレン誘導体としては、フラーレン骨格を有する化合物であれば特に限定されない。また、フラーレン骨格における炭素原子は、いずれも任意の基で表面修飾されていてもよく、この表面修飾基同士が互いに結合して環を形成していてもよい。また、1分子中に含まれるフラーレン骨格単位は、その表面修飾基を含め、同一であっても異なっていてもよい。このようなフラーレン誘導体としては、例えば高次フラーレン類、表面修飾基を有する表面修飾フラーレン類、バッキーオニオン、フラーレン結合ポリマー類等が挙げられる。高次フラーレン類としては、例えば、C60、C70、C76、C78、C84等がある。本明細書において、高次フラーレン類とは、高次フラーレンだけでなく、高次フラーレンの誘導体も含む。例えば、電子受容体層26cは、フラーレン誘導体として、6,6-フェニル-C61-ブチル酸メチルエステル6,6-phenyl-C61-butyricacidmethylester、以下PCBMという。から構成される。フラーレンそのものは有機溶媒への溶解性が低いことから、真空蒸着法で形成される。これに対して、PCBMは有機溶媒に溶解させた溶液をスピンコーティングなどによって薄膜状に形成することができる。素子デバイス20では、光励起により発生したエキシトン励起子は、フラーレン又はフラーレン誘導体電子受容体層26cとπ共役ポリマー電子供与体層26bの界面のpn接合部で電荷分離され、電子は電子受容体層26cへ、正孔は電子供与体層26bへ移動する。その後、正孔はπ共役ポリマー電子供与体層26bのネットワーク中を、電子はフラーレン電子受容体層26cのネットワーク中をそれぞれ移動し、電流として取り出される。以下、図7を参照して、図6に示した素子デバイス20の一例およびその作製方法を説明する。まず、ガラス基板Sの表面上に、ITOを含む電極22を形成する。その後、電極22の上に、バッファー層26a、電子供与体層26b、電子受容体層26cを形成する。ここでは、バッファー層26aはPEDOTPSSから構成され、電子供与体層26bはMEH-PPVから構成され、電子受容体層26cはPCBMから構成される。例えば、バッファー層26a、電子供与体層26bおよび電子受容体層26cをこの順番にスピンコート法で形成する。これらの材料を塗布する手法として、例えばダイコート法、ディップコート法、ロールコート法、ビードコート法、スプレーコート法、バーコート法、グラビアコート法等を用いることができる。なお、上述したように、電子受容体層26cはフラーレンから構成されてもよく、この場合、電子受容体層26cは真空蒸着で形成される。電極24は、例えば、真空蒸着を用いて形成される。例えば、電極24はアルミニウムから形成される。電極24の形成方法として、真空蒸着法の他に、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法等のPVD法や、CVD法等の乾式塗工法を採用することができる。ここで、図8を参照して、図6に示した素子デバイス20を流れる電流を測定した結果を説明する。図8は、電流検出部40で検出した素子デバイス20からの電流の時間変化を示すグラフである。図8において横軸は時間を示し、縦軸は素子デバイス20において発生する光電流を示している。ここでは、素子デバイス20に照射する光の波長は488nm、光の強度は25mWであり、印加する磁場の強度は3380Gである。また、マイクロ波の周波数は約9.5GHzである。ここでは、素子デバイス20の電子スピン共鳴現象の変化は、マイクロ波の強度を0mWおよび200mWに周波数50Hz周期20msで変調することによって行われる。図8から理解されるように、電子スピン共鳴現象の有無が変化するまで、室温中で約4nAの直流光電流定常光電流が得られているが、電子スピン共鳴現象の有無の変化が起こった直後に、スパイク状の光電流過渡電流の増加11nAおよび減少-4nAが観測される。このスパイク状の光電流過渡電流は、室温中において直流光電流の200以上大きい振幅値を示している。なお、図8では、マイクロ波の強度を周波数50Hz周期20msで変調しているが、これを1kHz以上程度で変調すると、スパイク状の電流がサイン波の交流電流波形に近づく。また、ここでは光の強度は約25mWであるが、照射強度をより強くすると、交流光電流はさらに増加する。なお、上述した説明では、素子デバイス20有機半導体層26に光が照射されると、電極22と電極24との間に電流が流れたが、本発明はこれに限定されない。素子デバイス20有機半導体層26に光が照射されても電極22と電極24との間に電流が流れなくてもよい。図9に、素子デバイス20の構造を示す。図9に示した素子デバイス20は、電極22、24および有機半導体層26に加えて、電極22と有機半導体層26との間に位置する絶縁層23と、電極24と有機半導体層26との間に位置する絶縁層25とをさらに有している。絶縁層23、25は絶縁性樹脂から形成される。絶縁性樹脂として、例えば、日本ゼオン株式会社製のシクロオレフィンポリマー樹脂が用いられる。絶縁層23、25により、電極22と電極24との間を流れる電流が抑制される。例えば、図9に示した素子デバイス20では、絶縁層23、25が形成されているため定常光電流が発生しない。図9に示した素子デバイス20において、有機半導体層26はπ型共役ポリマーを含んでもよい。例えば、有機半導体層26のπ型共役ポリマーとしてpoly2-methoxy-5-ethylhexyloxy-1,4-phenylenevinylene、以下MEH-PPVという。を用いている。MEH-PPVの他にもpoly3-hexylthiopene略称、P3HTやpoly2-methoxy-5―3‘,7’-dimethyloctyloxy―1,4-phenylenevinylene略称、MDMOPPVやC60フラーレンなどを用いてもよい。また、有機半導体層26がπ型共役ポリマーを含む場合、例えば電子受容体としてのフラーレン誘導体と、電子供与体としてのπ型共役ポリマーとを組み合わせた有機薄膜半導体を用いてもよい。なお、P3HTは波長650μm以下の光を吸収し、MDMOPPVは波長600nm以下の光を吸収する。また、C60フラーレンは可視域および紫外領域の光を吸収する。図9に示した素子デバイス20では、透明電極22と有機半導体層26の間に絶縁層23が設けられ、有機半導体層26と金属電極24の間に絶縁層25が設けられている。絶縁層23、25により、素子デバイス20には定常光電流が発生しない一方で、電子スピン共鳴現象の有無の変化によるスパイク状の交流電流を発生させることができる。以下、絶縁層23、25が設けられているにも関わらずスパイク電流が発生する理由について説明する。通常、有機半導体層を異なる電極で挟んだ構造のデバイスをショートさせた場合には、有機半導体層内に内部電場が生じ、光電流の流れる方向は、その電場の向きによって一意的に決まる。そのため、観測された電子スピン共鳴現象によって光電流の向きが反転する現象は、キャリア数の変化等では起こりえない。電子スピン共鳴現象によって起こる電流変化は、デバイス内での電場環境すなわち誘電率が変わることにより誘起された変位電流が原因であると考えられる。電子スピン共鳴現象によって内部電場が変化する機構の詳細は、現在のところ明らかではないが、スピン反転によるポーラロンペアの再結合量や解離量の増減がデバイス内部のキャリア分布を変えることに起因して、電子スピン共鳴現象による内部電場の変化が起こっているのではないかと考えられる。なお、図9に示した素子デバイス20では有機半導体層26の両側に2つの絶縁層23、25が設けられているが、本発明はこれに限定されない。絶縁層23、25のうちの絶縁層23のみが設けられてもよく、または、絶縁層25のみが設けられてもよい。このように、素子デバイス20には絶縁層23、25の少なくとも一方が設けられてもよい。以下、図10に、図9に示した素子デバイス20を流れる電流の検出結果を説明する。図9では、オシロスコープで計測した光電流検出ESR信号のピーク付近すなわち共鳴点における時間変化スペクトルを示している。なお、電子スピン共鳴現象のON-OFFの状態は、マイクロ波のAM変調によって実現している。ここでは、光電流検出ESRはX-バンド用のマイクロ波キャビティ内にセットした素子デバイスを、波長473nmの半導体レーザで光励起し、光電流Iを室温かつ窒素雰囲気中で測定している。図10から、絶縁層23、25の設けられた素子デバイス20を用いた場合、絶縁層23、25によって定常光電流が観測されない一方で、電子スピン共鳴現象によるスパイク電流が観測されることが分かる。このように、有機半導体層26と電極22、24の間に絶縁層23、25を設けることにより、定常光電流を除去するとともに、電子スピン共鳴現象の有無が変化する際にスパイク電流が得られる。絶縁層が形成されていない素子デバイス20に対して同様の条件で行った図8と図10との比較から理解されるように、図9に示した素子デバイス20を用いた場合、磁気読取装置10は、定常光電流を発生させないで、電子スピン共鳴現象の有無の変化に起因する交流電流を十分に得ることができ、素子デバイス20の性能を向上させることができる。なお、上述した説明では、絶縁層23および/または絶縁層25を設けることによって定常光電流を抑制したが、絶縁層23、25を設けなくても、素子デバイス20を長期間大気に曝すことにより、定常光電流を抑制することができる。また、この場合、スパイク電流も増大させることができる。図11に、本実施形態の磁気読取装置10の模式図を示す。例えば、図11に示した磁気読取装置10において、図5に示した素子デバイス20が用いられる。例えば、素子デバイス20における電極22は酸化インジウムスズIndiumTinOxide:ITOを含む透明電極であり、電極24はアルミニウムを含む金属電極であり、半導体層26はC60を含む薄膜である。このような素子デバイス20は、C60を含む半導体層26を空気暴露によって処理した後、ITOを含む電極22およびアルミニウムを含む電極24で挟むことによって形成される。ここでは、磁場形成部50は、一定強度の磁場を素子デバイス20に印加する。マイクロ波照射部30から素子デバイス20に照射されるマイクロ波の周波数、および、磁場形成部50から素子デバイス20に印加される磁場強度は、素子デバイス20において電子スピン共鳴現象が発生するように設定されている。磁気記録媒体Mには、領域ごとに、方向の異なる磁気が記録されている。ここでは、磁気記録媒体Mには、磁場形成部50から印加される磁場方向に平行または反平行な磁場が記録されている。磁気記録媒体Mの領域に応じて、素子デバイス20に印加される磁場の強度が変化し、これにより、電子スピン共鳴現象の有無が変化する。このように、電子スピン共鳴現象の有無が変化する毎に、素子デバイス20に過渡電流が流れ、電流検出部40はこの過度電流を検出することにより、磁気記録媒体Mの各領域に記録される磁気パターンを読み取ることができる。なお、図11に示した磁気読取装置10は磁場形成部50を備えていたが、本発明はこれに限定されない。図1を参照して上述したように磁気読取装置10は磁場形成部50を備えることなく、磁気記録媒体Mからの磁場を利用して電子スピン共鳴現象を制御してもよい。なお、ここでは、磁気記録媒体Mには、向きの異なる磁場が記録されており、各領域に、1ビットの情報が記録されていたが、本発明はこれに限定されない。磁気記録媒体Mには、向きだけでなく大きさの異なる磁場が記録されており、磁気記録媒体Mの各領域に、多ビットの情報が記録されていてもよい。以下、図12に、図11に示した磁気読取装置10における素子デバイス20を流れる電流の測定結果を説明する。なお、ここでは、電子スピン共鳴現象のON-OFFの状態は、マイクロ波のAM変調により実現している。図12から理解されるように、電子スピン共鳴現象の発生条件が変化すると、電流が変化する。一方、発生条件に変化がない場合、電流はほぼ流れない。また、図12から、素子デバイス20がC60を含む半導体層26を有する場合、素子デバイス20に光が照射されても、定常光電流が観測されない一方で、電子スピン共鳴現象の有無が変化すると、スパイク電流過渡電流が発生することが理解される。本実施形態の磁気読取装置10では、磁気記録媒体Mの磁気方向が反転する際に素子デバイス20に過度電流が流れる。電流検出部40が素子デバイス20を流れる電流を検出し、これにより、磁気記録媒体Mの磁場の反転する領域を検出することができる。また、電子スピン共鳴現象が発生していない場合、素子デバイス20は実質的に絶縁体であり、電子スピン共鳴現象の変化に伴う素子デバイス20を流れる電流の変化率は理論的には無限大である。例えば、図12において、過渡電流は5μ秒以下で立ち上がる。なお、典型的には、立ち上がり時間はアンプの性能によって決定されており、過渡電流の厳密な立ち上がり時間はさらに短いと考えられる。このため、磁気記録媒体Mに対する素子デバイス20の走査が比較的速くても、磁気の読取を行うことができる。図13は、本実施形態の磁気記録再生装置100の模式図である。磁気記録再生装置100は、磁気読取装置10と、磁気書込装置110とを備えている。ここでは、磁気書込装置110が記録ヘッドとして用いられ、磁気読取装置10が再生ヘッドとして用いられる。なお、磁気読取装置10の電流検出部40は、再生ヘッドとは異なる場所に配置されてもよい。磁気書込装置110は、磁気読取装置10において電子スピン共鳴現象を制御して読み取り可能な磁場を磁気記録媒体Mに書き込む。磁気書込装置110は、水平磁気記録方式、垂直磁気記録方式等により、磁気記録媒体Mに磁気を記録する。例えば、磁気書込装置110はコイルに流れる電流の向きを変化させることにより、磁気記録媒体Mに記録させる磁場の向きを変化させる。このような磁気記録再生装置100により、情報の記録および再生を行うことができる。"