"第1厚さの励振電極が中央領域に形成された振動部と、前記振動部を囲み前記振動部と空隙を介して形成された外枠部と、前記振動部と前記外枠部とを連結する連結部と、前記振動部、前記連結部及び前記外枠部に形成され、前記励振電極から引き出された引出電極と、を備え、前記引出電極は、前記振動部ですべてが前記第1厚さを有し前記外枠部では前記第1厚さよりも厚い第2厚さを有する圧電振動片。前記引出電極は、前記連結部の少なくとも一部が前記第1厚さである請求項1に記載の圧電振動片。前記引出電極は、前記外枠部の少なくとも一部が前記第1厚さである請求項1に記載の圧電振動片。前記第1厚さの励振電極は前記振動部の一方の片面に形成され、前記振動部の他方の片面には、前記第1厚さの励振電極と対応するように前記第2厚さの励振電極が形成されている請求項1請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電振動片。前記圧電振動片は、メサ型、プラノメサ型、逆メサ型、プラノ逆メサ型のいずれかである請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の圧電振動片。請求項1から請求項4のいずれか一項の圧電振動片を備える圧電デバイスであって、前記外枠部の一方の片面に接合する第1板と、前記外枠部の他方の片面に接合する第2板と、を備える圧電デバイス。振動部と、前記振動部を囲み前記振動部と空隙を介して形成された外枠部と、前記振動部と前記外枠部とを連結する連結部とを含み圧電振動片を複数有する圧電ウエハを用意する工程と、前記振動部の中央領域に励振電極を形成し、前記振動部、連結部及び前記外枠部に前記励振電極から引き出された引出電極を形成する電極形成工程と、前記圧電振動片の各々の振動周波数を測定する測定工程と、前記励振電極及び前記振動部の前記引出電極のすべての電極の厚さを薄くする工程と、を備える圧電デバイスの製造方法。前記電極を薄くする工程は、前記連結部の前記引出電極の少なくとも一部の電極を薄くする請求項7に記載の圧電デバイスの製造方法。前記電極を薄くする工程は、イオンを前記励振電極及び前記引出電極に照射するイオンミリングを含み、前記イオンを照射するマスク開口の一部が前記連結部と重なり合う請求項7又は請求項8に記載の圧電デバイスの周波数調整方法。前記圧電ウエハを用意する工程及び前記電極形成工程において、前記振動部及び前記励振電極は所定周波数よりも低くなるように形成される請求項7から請求項9のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。しかしながら、特許文献1の圧電デバイスは、マスクの開口部が一方の励振電極より小さく形成されるので、振動領域における励振電極から引き出された引出電極には段差部が形成される。そのため、引出電極の段差部により境界条件ができて、不要な振動が発生し、振動特性が劣化してしまう。そこで、本発明は、振動領域における励振電極及び引出電極が均一の厚さで形成され、不要な振動の発生及び振動特性の劣化が防止できる圧電振動片を提供することを目的とする。第1観点の圧電振動片は、第1厚さの励振電極が中央領域に形成された振動部と、振動部を囲み振動部と空隙を介して形成された外枠部と、振動部と外枠部とを連結する連結部と、振動部、連結部及び外枠部に形成され励振電極から引き出された引出電極と、を備える。引出電極は、振動部ですべてが第1厚さを有し外枠部では第1厚さよりも厚い第2厚さを有する。第2観点の圧電振動片において、引出電極は連結部の少なくとも一部が第1厚さである。第3観点の圧電振動片において、引出電極は外枠部の少なくとも一部が第1厚さである。第4観点の圧電振動片において、第1厚さの励振電極は振動部の一方の片面に形成され、振動部の他方の片面には第1厚さの励振電極と対応するように第2厚さの励振電極が形成されている。第5観点の圧電振動片は、メサ型、プラノメサ型、逆メサ型、プラノ逆メサ型のいずれかである。第6観点の圧電デバイスは、第1観点から第4観点のいずれか一項の圧電振動片を備える。さらに、圧電デバイスは外枠部の一方の片面に接合する第1板と、外枠部の他方の片面に接合する第2板とを備える。第7観点の圧電デバイスの製造方法は振動部と振動部を囲み振動部と空隙を介して形成された外枠部と振動部と外枠部とを連結する連結部とを含み圧電振動片を複数有する圧電ウエハを用意する工程と、振動部の中央領域に励振電極を形成し振動部、連結部及び外枠部に励振電極から引き出された引出電極を形成する電極形成工程と、圧電振動片の各々の振動周波数を測定する測定工程と、励振電極及び振動部の引出電極のすべての電極の厚さを薄くする工程と、を備える。第8観点の圧電デバイスの製造方法において、電極を薄くする工程は、連結部の引出電極の少なくとも一部の電極を薄くする。第9観点の圧電デバイスの製造方法において、電極を薄くする工程は、イオンを励振電極及び引出電極に照射するイオンミリングを含み、イオンを照射するマスク開口の一部が連結部と重なり合う。第10観点の圧電デバイスの製造方法の圧電ウエハを用意する工程及び電極形成工程において、振動部及び励振電極は所定周波数よりも低くなるように形成される。本発明の製造方法によれば、振動領域における励振電極及び引出電極が同じ厚さで形成され、不要な振動の発生及び振動特性の劣化が防止できる圧電振動片が得られる。本実施形態では、圧電振動片としてATカットの水晶振動片が使われている。つまり、ATカットの水晶振動片は、主面YZ面が結晶軸XYZのY軸に対して、X軸を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜されている。このため、ATカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をY’軸及びZ’軸として用いる。すなわち、圧電デバイスとしての水晶振動子の長手方向をX軸方向、水晶振動子の高さ方向をY’軸方向、X及びY’軸方向に垂直な方向をZ’軸方向として説明する。<水晶振動子100の全体構成>図1は水晶振動子100の分解斜視図である。なお、図1では封止材である低融点ガラスLGを省略して描かれている。図1に示されたように、水晶振動子100は、リッド凹部111を有するリッド部11と、ベース凹部121を有するベース部12と、リッド部11及びベース部12に挟まれる矩形の水晶振動片10とを備える。<<水晶振動片10の構成>>水晶振動片10の構成について、図1及び図2を参照しながら説明する。図2aはY’軸側から見た水晶振動片10の平面図で、図2bはY’軸側から見た水晶振動片10の透明図で、図2cはZ’軸側から見た水晶振動片10の側面図である。図1及び図2に示されたように、水晶振動片10は矩形の振動部101と、振動部101を囲む外枠部108とで構成されている。また、振動部101と外枠部108との間には、振動部101から-X軸方向に沿って伸びるように外枠部108と連結した一対の連結部104a、104bを有している。このため、振動部101と外枠部108との間には水晶振動片10を貫通した貫通開口部105が形成される。水晶振動片10のX軸方向の両側に配置されたZ’軸方向に伸びる両辺には、角丸長方形の貫通孔CH図6及び図7を参照を形成した際のキャスタレーション106a~106dが2つずつ形成されている。具体的には、-X軸方向に一対のキャスタレーション106a、106bが形成され、X軸方向に一対のキャスタレーション106c、106dが形成されている。キャスタレーション106a~106dには側面電極107a~107dがそれぞれ形成されている。図2aに示されたように、振動部101の表面Meにおける中央領域には矩形の励振電極102aが形成されている。また、振動部101の縁部、連結部104a及び外枠部108には、励振電極102aと水晶振動片10の-X軸方向の一辺のZ側に形成された側面電極107aとを接続する引出電極103aが形成されている。ここで、側面電極107aは水晶振動片10の裏面Miにまで伸びて接続パッド107Mが形成されることが好ましい図2bを参照。図2bに示されたように、振動部101の裏面Miにおける中央領域には矩形の励振電極102bが形成されている。また、振動部101の縁部、連結部104b及び外枠部108には、励振電極102bと水晶振動片10のX軸方向の他辺の-Z側に形成された側面電極107cとを接続する引出電極103bが形成されている。ここで、側面電極107cは水晶振動片10の表面Meにまで伸びて接続パッド107Mが形成されることが好ましい図2aを参照。なお、励振電極102a、102b及び引出電極103a、103bは例えば下地としてのクロム層が用いられ、クロム層の上面に金層が用いられる。図2cに示されたように、表面Meに形成される励振電極102aは、第1厚さd1で構成される。振動部101の縁部に形成される引出電極103a及び連結部104aに形成される引出電極103aの一部振動部101側は、第1厚さd1で構成される。また、水晶振動片10におけるそのほかの各電極例えば、励振電極102b、引出電極103aの一部及び引出電極103bは第2厚さd2で構成される。なお、第1厚さd1及び第2厚さd2において、下地としてのクロム層は同じ厚さであるが、クロム層の上面に形成される金層の厚さが異なる。すなわち、第1厚さd1の金層は第2厚さd2の金層より薄い。このため、第1厚さd1が第2厚さd2より薄く形成される。ここで、水晶振動片10はメサ型、プラノメサ型、逆メサ型、プラノ逆メサ型でもよい。また、本実施形態の水晶振動片10は引出電極103aが連結部14aで第1厚さd1から第2厚さd2に厚くなるが、振動部101のみで第1厚さd1に構成され、そのほかの箇所で第2厚さd2に構成されてもよい。さらに、引出電極103aが振動部101の縁部及び連結部104a全体で第1厚さd1に構成され、外枠部108で第2厚さd2に構成されてよい。また、引出電極103aが振動部101の縁部、連結部104a全体及び外枠108の一部連結部104a側で第1厚さd1に構成され、外枠部108の別の箇所外周で第2厚さd2に構成されてよい。<<ベース部12の構成>>ベース部12の構成について、図1及び図3を参照しながら説明する。図3aはY’軸側から見たベース部12の平面図で、図3bはY’軸側から見たベース部12の透明図である。図3aに示されたように、ベース部12はガラス又は水晶材料より構成され、表面Y’側の面にベース凹部121図1を参照の周囲に形成された第2端面M2を有している。また、ベース部12はX軸方向の両辺に貫通孔BH図9及び図10を参照を形成した際のキャスタレーション122a~122dが2つずつ形成されている。具体的には、-X軸側に一対のキャスタレーション122a、122bが形成され、X軸側に一対のキャスタレーション122c、122dが形成されている。さらに、キャスタレーション122a~122dには側面電極123a~123dがそれぞれ形成されている図1を参照。ここで、少なくとも対角線に配置される側面電極123a、123cは、ベース部12の第2端面M2にまで伸びて接続パッド123Mが形成されることが好ましい。図3bに示されたように、ベース部12はその実装面M3にキャスタレーション122a~122dに接続される実装端子125a~125dがそれぞれ形成される。実装端子125a~125dにおいて、対角線に形成される一対の実装端子125a、125c以下は外部電極125a、125cと称するは外部電極の役割をしている。すなわち、外部電極125a、125cは図示しない外部電源に接続されて水晶振動片10を振動させる。また、対角線に形成される別の一対の実装端子125b、125d以下はアース電極125b、125dと称するはアース電極の役割をしている。すなわち、アース電極125b、125dには外部電源図示しないから電圧が印加されない。なお、一対の外部電極125a、125c及び一対のアース電極125b、125dは、それぞれに離れて形成されている。また、外部電極125a及びアース電極125dはベース部12のZ’側の一辺と離れ、アース電極125b及び外部電極125cはベース部12の-Z’側の他辺と離れて形成されている。<<リッド部11の構成>>図1に示されたように、リッド部11はガラス又は水晶材料で形成され、その-Y’側の面の外周に第2端面M2を有している。また、第2端面M2の全周の内側にはY’軸方向で第2端面M2から凹んだリッド凹部111が形成されている。<<水晶振動子100の組み立て>>水晶振動子100の組み立てについて、図1~図4を参照しながら説明する。図4は、図1のA-A断面図である。図1及び図4に示されたように、リッド部11が封止材である低融点ガラスLGにより水晶振動片10のY’軸側に接合され、ベース部12が封止材である低融点ガラスLGにより水晶振動片10の-Y’軸側に接合される。これにより、リッド部11、水晶振動片10の外枠部108及びベース部12で水晶振動片10の振動部101を収納するキャビティCTが形成される。キャビティCTは、窒素ガスで満たされたり又は真空状態にされたりする。ここで、低融点ガラスLGは、350°C~410°Cで溶融する鉛フリーのバナジウム系ガラスを含む。バナジウム系ガラスはバインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。また、このバナジウム系ガラスは接着時の気密性と耐水性耐湿性などの信頼性が高い。さらに、バナジウム系ガラスはガラス構造を制御することにより熱膨張係数も柔軟に制御できる。ベース部12において、外部電極125aは側面電極123a接続パッド123Mと導電され、外部電極125cは側面電極123c接続パッド123Mと導電されている。水晶振動片10において、励振電極102aは引出電極103aを介して側面電極107a接続パッド107Mに導電され、励振電極102bは引出電極103bを介して側面電極107c接続パッド107Mに導電されている。図4に示されたように、水晶振動片10とベース部12とは、側面電極107a、107cの接続パッド107Mと側面電極123a、123cの接続パッド123Mとが導電されるように低融点ガラスLGにより接合される。つまり、ベース部12の実装面M3に形成される外部電極125aと水晶振動片10の励振電極102aとが導電され、ベース部12の実装面M3に形成される外部電極125cと水晶振動片10の励振電極102bとが導電される。これにより、図示しない外部電源により外部電極125a、125cに交番電圧正負を交番する電位が印加されると、振動部101が厚みすべり振動することができる。<水晶振動子100の製造方法>図5は、水晶振動子100の製造を示したフローチャートである。図5において、水晶振動片10の製造ステップS10と、リッド部11の製造ステップS11と、ベース部12の製造ステップS12とは並行して製造することができる。また、図6はY’軸側から見た水晶ウエハ10Wの平面図で、図7はY’軸側から見た水晶ウエハ10Wの透明図である。図8は、-Y’軸側から見たリッドウエハ11Wの平面図である。図9はY’軸側から見たベースウエハ12Wの平面図で、図10はY’軸側から見たベースウエハ12Wの透明図である。ステップS10では、水晶振動片10が製造される。ステップS10はステップS101及びS102を含んでいる。ステップS101において、図6及び図7に示されたように、均一の水晶ウエハ10Wにエッチングにより複数の水晶振動片10の外形が形成される。具体的には、各水晶振動片10に振動部101、連結部104a、104b及び外枠部108が形成するように、水晶ウエハ10Wを貫通した貫通開口部105が形成される。同時に、各水晶振動片10のX軸方向の両辺に水晶ウエハ10Wを貫通した角丸長方形の貫通孔CHが2つずつ形成される。ここで、貫通孔CHが半分に分割されると1つのキャスタレーション106a~106d図1を参照になる。ステップS102において、まずスパッタリングまたは真空蒸着によって水晶ウエハ10Wの両面及び側面にクロムCr層及び金Au層が順に形成される。そして、金属層の全面にフォトレジストが均一に塗布される。その後、露光装置図示しないを用いて、フォトマスクに描かれた励振電極、引出電極のパターンが水晶ウエハ10Wに露光される。次に、フォトレジストから露出した金属層がエッチングされる。これにより、図6及び図7に示されたように水晶ウエハ10Wにおける振動部101の中央領域の両面に励振電極102a、102bが形成され、振動部101の縁部、連結部104a、104b及び外枠部108に引出電極103a、103b及び電極パッド107Mが形成される。同時に、貫通孔CHに側面電極107a、107bが形成される。ここで、水晶ウエハ10Wの表面Meに形成される励振電極102a及び引出電極103aの金Au層は、各水晶振動片10の周波数が希望する所定の周波数より低くなるように、厚めに形成される。また、各水晶振動子10において、励振電極102aと励振電極102bとはそれぞれに対角線に配置した貫通孔CHの側面電極107a、107cに導電されている。つまり、励振電極102aと励振電極102bとはそれぞれに絶縁されている。ステップS11では、リッド部11が製造される。ステップS11はステップS111及びS112を含んでいる。ステップS111において、図8に示されたように、均一厚さの水晶平板のリッドウエハ11Wに複数のリッド部11の外形が形成される。具体的には、リッド凹部111が数百から数千個形成される。リッドウエハ11Wには、エッチング又は機械加工によりリッド凹部111が形成され、リッド凹部111の周囲には第1端面M1が形成される。ステップS112において、スクリーン印刷でリッドウエハ11Wの第1端面M1に低融点ガラスLGが印刷される。その後、低融点ガラスLGを仮硬化することで、低融点ガラスLG膜がリッドウエハ11Wの第1端面M1に形成される。低融点ガラス膜は水晶ウエハ10Wの貫通孔CH図6及び図7を参照に対応する箇所112には形成されていない。ステップS12では、ベース部12が製造される。ステップS12はステップS121~S123を含んでいる。ステップS121において、図9及び図10に示されたように、均一厚さの水晶平板のベースウエハ12Wに複数のベース部12の外形が形成される。具体的には、エッチング又は機械加工により各ベース部12の中央にベース凹部121が形成され、各ベース部12のX軸方向の両辺にベースウエハ12Wを貫通した角丸長方形の貫通孔BHが2つずつ形成される。ここで、貫通孔BHが半分に分割されると1つのキャスタレーション122a~122d図1を参照になる。ステップS122において、スパッタリングまたは真空蒸着によってベースウエハ12Wの両面にクロムCr層を下地としてその表面に金Au層が形成される。その後、エッチングされることで、図9及び図10に示されたように実装面M3に外部電極125a、125c及びアース電極125b、125dが形成され、貫通孔BHに側面電極123a~123dが形成され、第2端面M2に接続パッド123Mが形成される。ここで、図10に示されたようにX軸方向に隣り合うベース部12に形成された外部電極125aとアース電極125dとが一体となり、外部電極125cとアース電極125bとが一体となっている。また、Z’軸方向に隣り合う外部電極125a、125cとアース電極125b、125dとは所定の距離離れて形成されている。つまり、例えば外部電極125aはX軸方向に隣り合うアース電極125dのみに導電され、外部電極125cはX軸方向に隣り合うアース電極125bのみに導電されている。換言すれば、外部電極125aと外部電極125cとはそれぞれに絶縁されている。ステップS123において、スクリーン印刷でベースウエハ12Wの第2端面M2に低融点ガラスLGが印刷される。その後、低融点ガラスLGを仮硬化することで、低融点ガラスLG膜がベースウエハ12Wの第2端面M2に形成される。ここで、低融点ガラス膜は第2端面M2の接続パッド123Mに対応する箇所には形成されないことが好ましい。ステップS13では、低融点ガラスLGを加熱することで、ステップS10で製造された水晶ウエハ10WとステップS12で製造されたベースウエハ12Wとが接合される。このとき、水晶ウエハ10Wの接続パッド107Mとベースウエハ12Wの接続パッド123Mとが接するように、水晶ウエハ10Wとベースウエハ12Wとが接合される図4を参照。ステップS14では、一対の周波数測定用のプローブPB1,PB2図6を参照を同じ水晶振動片10の励振電極102aに接続される引出電極103aと励振電極102bに接続される電極パッド107M引出電極103bに導電されるとにそれぞれ当接し、1つ1つの水晶振動片10の振動周波数が測定される。ここで、ステップS102で説明したように、水晶ウエハ10Wにおいては引出電極102a、102b同士、及び引出電極103a、103b同士がそれぞれに絶縁されている。また、ステップS122で説明したように、ベースウエハ12Wにおいては外部電極125a、125b同士がそれぞれに絶縁されている。そのため、隣り合う水晶振動片からの影響を受けずにより確実に水晶振動片の周波数を測定することができる。ステップS15では、振動部101における励振電極102a及び引出電極103aの厚さを薄くすることで、水晶振動片10の周波数が高く調整される。具体的には、周波数の調整方法において開口部MO図6を参照を有するマスク図示しないを用いて励振電極102a及び引出電極103aにイオンを照射するイオンミリングが含まれる。本実施形態では、図6の点線に示されたように矩形の開口部MOを有するマスクが用いられる。ここで、開口部MOのX軸側及び±Z’軸側は振動部101の外周とほぼ一致している。また、開口部MOの-X軸側が連結部104a、104bの領域まで伸びで形成される。これにより、図2c及び図4に示されたように開口部MO内振動部101領域の励振電極102a及び引出電極103aがイオンミリングにより薄く形成される。なお、振動部101における励振電極102a及び引出電極103aが均一の厚さで形成されるので、不要な振動及び特性の劣化などの発生を防止することができる。また、本実施形態では開口部MOの-X軸側が連結部104a、104bと一致しているが、振動部101と一致するようにしてもよい。マスクの開口部MOの範囲について、図11aを参照しながら説明する。図11aは、図6の点線Cで囲まれた部分の拡大図で、マスクの開口部MOの形状の範囲を説明する図である。図11aに示されたように、開口部MOのX軸方向での最小長さLminは励振電極102aのX軸方向の端部から振動部101の-X軸側の端部までの長さである。開口部MOのZ’軸方向での最小幅Wminは励振電極102aの-Z’軸側の端部から振動部101における引出電極103aのZ’軸側の端部までの幅である。つまり、この最小長さLmin及び最小幅Wminを確保すれば、水晶振動片101における励振電極102a及び引出電極103aが均一の厚さに薄くできる。したがって、マスクの開口部MOは様々な形状及び寸法が可能である。図11bは、図6の点線Cで囲まれた部分の拡大図で、マスクの開口部MOの一例を示した図である。図11bに示されたように、矩形の開口部MOのX軸側及び±Z’軸側の辺は振動部101の外周とほぼ一致している。また、開口部MOの-X軸側の辺が外枠部108の領域まで伸びて形成される。これにより、開口部MO内振動部101及び連結部104aの領域の励振電極102a及び引出電極103aがイオンミリングにより薄く形成される。特に図示しないが、開口部MOの-X軸側の辺が外枠部108のキャスタレーションの領域まで伸びて形成されてもよい。振動部101における励振電極102a及び引出電極103aが均一の厚さで形成されるので、不要な振動及び特性の劣化などの発生を防止することができる。そのほか、マスクの開口部MOは矩形でなく、別の形状となってもよい。図11cは、図6の点線Cで囲まれた部分の拡大図で、マスクの開口部MO別の一例を示した図である。図11cに示されたように、開口部MOのX軸側の一部は励振電極102aのX軸側及び±Z’軸側の辺とほぼ一致で少し大きく形成される。また、開口部MOの-X軸側の一部は振動部101の両主面に形成された引出電極103a、103bの形状と一致している。すなわち、開口部MOは-X軸方向に沿ってZ’軸方向の幅が次第に広くなる台形となっている。さらに、開口部MOの-X軸側の端部が連結部104a、104bの領域まで伸びで形成される。これにより、開口部MO内の励振電極102a及び引出電極103aがイオンミリングにより薄く形成される。なお、振動部101における励振電極102a及び引出電極103aが均一の厚さで形成されるので、不要な振動及び特性の劣化などの発生を防止することができる。図5に戻り、ステップS16では、低融点ガラスLGを加熱させリッドウエハ11Wとベースウエハ12Wとが加圧される。これによりリッドウエハ11Wとベースウエハ12Wとが低融点ガラスLGにより接合されて水晶振動片10の振動部101がキャビティCT図4を参照内に封止される。ステップS17では、接合されたリッドウエハ11Wと、ベースウエハ12Wとが個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図6~図10に示された一点鎖線のスクライブラインSLに沿って水晶振動子100を単位として個片化する。これにより、数百から数千の水晶振動子100が製造される。"