ビーム放射デバイスであって、当該ビーム放射デバイスは、半導体ボディ1とデバイスケーシング5と光学素子8を有しており、前記半導体ボディ1は動作中に電磁ビームをビーム出射面2から送出し、前記デバイスケーシング5は前記半導体ボディ1を包囲しており、前記光学素子8は、接合層9によって前記デバイスケーシング5と材料接続によって接続されており、前記接合層9は、30MPa以下の弾性率を有している、ことを特徴とする、ビーム放射デバイス。前記接合層9の弾性率は10MPa以下である、請求項1記載のビーム放射デバイス。前記接合層9は、A90以下のショア硬さを有している、請求項1または2記載のビーム放射デバイス。前記接合層9は、シリコーン、エポキシド、シリコーンとエポキシドの混成物、ポリウレタンのうちの1つの材料を有している、請求項1から3までのいずれか一項記載のビーム放射デバイス。前記接合層9は、少なくとも30μm、有利には少なくとも50μmの厚さを有している、請求項1から4までのいずれか一項記載のビーム放射デバイス。前記光学素子8は、3500MPa以上の弾性率および/またはD80以上のショア硬さを有している、請求項1から5までのいずれか一項記載のビーム放射デバイス。前記光学素子8は、エポキシド、シリコーン、シリコーンとエポキシドの混成物、ガラス、熱可塑性物質のうちの1つの材料を有している、請求項1から6までのいずれか一項記載のビーム放射デバイス。前記半導体ボディ1は、前記デバイスケーシング5の陥入部4内に配置されており、前記デバイスケーシング5の陥入部4は注封コンパウンド10で充填されている、請求項1から7までのいずれか一項記載のビーム放射デバイス。前記注封コンパウンド10は、エポキシド、シリコーン、シリコーンとエポキシドの混成物、ポリウレタンのうちの1つの材料を有している、請求項8記載のビーム放射デバイス。前記注封コンパウンド10は、3000MPa以上の弾性率および/またはD80以上のショア硬さを有している、請求項8または9記載のビーム放射デバイス。前記接合層9と前記光学素子8の間の屈折率変化は、0.3以下である、請求項1から10までのいずれか一項記載のビーム放射デバイス。前記接合層9と前記光学素子8の間の屈折率変化は、0.1以下である、請求項11記載のビーム放射デバイス。前記注封コンパウンド10と前記接合層9との間の屈折率変化は、0.3以下である、請求項8から12までのいずれか一項記載のビーム放射デバイス。前記注封コンパウンド10と前記接合層9との間の屈折率変化は、0.1以下である、請求項8から13までのいずれか一項記載のビーム放射デバイス。前記接合層9の主表面は、前記半導体ボディ1のビーム出射面に対して平行に延在している、請求項1から14までのいずれか一項記載のビーム放射デバイス。同一の、同様の、または同じ作用を有する素子には、図面において同じ参照番号を付与している。これらの図面および図示された部材相互の大きさの比は、縮尺通りではない。むしろ個々の部材、殊に層の厚さは、見やすくするためにおよび/または分かりやすくするために、誇張して大きく示されている。図1に示された実施例に即したビーム放射デバイスは、半導体ボディ1を有している。この半導体ボディは動作中に、電磁ビーム、有利には可視光を自身のビーム出射面2から送出するのに適している。ビーム形成のために、半導体ボディ1はアクティブゾーン3を有している。このアクティブゾーンは有利にはpn接合部、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造または特に有利には多重量子井戸構造MQWを含んでいる。用語量子井戸構造は、ここで、量子化の次元に関する情報を含んでいない。従ってこれは殊に、量子桶、量子線および量子点およびこれらの構造の各組み合わせを含んでいる。半導体ボディ1は、デバイスケーシング5の陥入部4内に取り付けられている。例えば、半導体ボディ1はデバイスケーシング5内に接着されている。デバイスケーシング5の陥入部4は、傾斜した側面6を有している。この側面は、半導体ボディ1のビームを、デバイスの取り出し面7へと偏向するのに適している。陥入部4を介して、デバイスケーシング5上に、光学素子8、ここではレンズが取り付けられている。このレンズは、ビーム成形のために設けられている。光学素子8は次のように配置されている。すなわち、半導体ボディ1から送出されたビームが実質的に、この光学素子8を通るように配置されている。レンズ8とデバイスケーシング5との間に接合層9が配置されている。この接合層は、光学素子8をデバイスケーシング5と機械的に安定して接続する。接合層9は、30MPa以下、特に有利には10MPa以下の弾性率を有している。さらに、接合層9のショア硬さは有利にはA90以下、特に有利にはA45以下である。接合層9の厚さは、有利には30μm以上であり、特に有利には50μm以上である。接合層9は例えば、以下の材料のうちの1つを有している、または以下の材料のうちの1つから成る:シリコーン、エポキシド、シリコーンとエポキシドの混成物、ポリウレタン。特に有利には、接合層はシリコーンを有している、またはシリコーンから成る。図1の実施例に示されたデバイスの光学素子8は、有利には、3500MPa以上の弾性率および/またはD80以上のショア硬さを有している。光学素子8は、例えば以下の材料のうちの1つを有している、または以下の材料のうちの1つから成る:エポキシド、シリコーン、シリコーンとエポキシドの混成物、ガラス、熱可塑性物質。特に有利には、接合層9と光学素子8との間の屈折率変化は0.1以下であり、特に有利には0.3以下である。さらに、デバイスケーシング5の陥入部4は完全に、ビーム透過性の注封材料10によって充填され、この中に半導体ボディ1が埋設される。注封コンパウンド10はこれによって、接合層9と共通の境界面を形成する。半導体ボディ1を保護するために、注封コンパウンド10は比較的硬く構成される。特に有利には、注封コンパウンド10は、3000MPa以上の弾性率および/またはD80以上のショア硬さを有している。注封コンパウンド10は、例えば、以下の材料のうちの1つを有することができる、または以下の材料のうちの1つから成る:エポキシド、シリコーン、シリコーンとエポキシドの混成物、ポリウレタン。有利には、接合層9と注封コンパウンド10との間の屈折率変化は0.3以下、特に有利には0.1以下である。さらに、デバイスケーシング5は電気的な接続ストリップ11を有している。これは、デバイスケーシング5の側方から突出している。電気的な接続ストリップ11は、取り出し面7に対向して位置する、デバイスの下面12へと湾曲されている。この電気的な接続ストリップ11によって、ビーム放射デバイスは、担体13と導電性に、はんだ付け層図示されていないを介して接続されている。はんだ付け層は、例えば、SnAgCuをベースとしている。柔らかい接合層9を介した機械的なデカップリングに基づいて、図1に示されたデバイスは、損傷を受けずに約260°Cのはんだ付け温度を有するのに適している。図2は、デバイスケーシング5を備えたデバイスを示している。このデバイスケーシング5の陥入部4内には注封コンパウンド10が配置されている。この図に基づいて以下で、注封コンパウンド10が熱膨張した際に、その上に半導体ボディ1が取り付けられるべきデバイスケーシング5の底面に作用する力に関する論理的な予測を示す。室温T≒25°Cでは、注封コンパウンド10は、内部に向かって、陥入部内へと湾曲されている、空気に対する境界面14を有している。温度T=260°Cで、注封材料10は膨張する。従って、注封コンパウンドと空気との間の境界面14’は、今度は外側へ湾曲する。この状態では、注封コンパウンド10は、体積重心MVを有する。この体積重心MVとデバイスケーシング5の底面との間の間隔は、L1である。デバイスケーシング5の底面に、注封コンパウンド10の熱膨張によって作用する力は、ばね力Fferder=C×Lに対する式を用いて見積もられる。力F1=C×L1が生じる。図3のデバイスでは、注封コンパウンド10は、図3のデバイスとは異なり、レンズ状に形成されている。レンズ状の注封コンパウンド10は、室温T=25°Cの場合には、外側へ湾曲した、空気に対する境界面14を有している。レンズ状の注封コンパウンド10の体積は、温度T=260°Cで拡張し、注封コンパウンド10と空気との間の境界面14’外側へ伸びる。温度T=260°Cでの注封コンパウンド10の体積重心が、再び、MVで表されている。この体積重心MVとデバイスケーシング5の底面との間の間隔は、L2である。注封材料の熱膨張によって、デバイスケーシング5の底面に作用する力F2は、F2=C×L2である。L2>L1であるので、F2>F1も当てはまる。注封材料10の体積が大きくなるほど、デバイスの熱負荷時に、陥入部4の底面に配置されている半導体ボディ1への層剥離力が大きくなる。注封コンパウンド10自体が、例えば、図3に示されているように、光学素子の形態で形成されている場合には、この層剥離力は特に大きくなる。これに対して、例えば図1に示されているように、光学素子8が機械的に、例えば柔らかい接合層9を介してデバイスケーシング5の陥入部4内の注封材料10からデカップリングされる場合には、格段に小さい層間剥離力が作用する。本出願は、ドイツ特許出願DE102010045316.1の優先権を主張する。この文献の開示内容は本願に参照として取り入れられている。本発明は、実施例に基づく記載によって制限されない。むしろ、本発明は各特徴並びに各特徴の組み合わせを含んでいる。これは殊に、特許請求の範囲における特徴の各組み合わせを含んでいる。これは、この特徴またはこの組み合わせ自体が明確に、特許請求の範囲または実施例に示されていない場合にも当てはまる。