"固体原料を溶媒に溶解した原料溶液を気化させる気化器と、前記気化器によって気化された原料ガスを基材表面に供給して化学反応させることにより薄膜を形成する反応室と、前記気化器に前記原料溶液を供給する原料溶液供給部と、を備えたCVD装置であって、前記原料溶液供給部が、前記原料溶液を収容する原料タンクを有する原料溶液部と、前記原料溶液部から送出された前記原料溶液を前記気化器に輸送する原料溶液供給ラインと、前記原料溶液部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ラインと、前記原料溶液部に溶媒を供給する溶媒供給ラインと、前記原料溶液部に残存する液体又は気体を排出する排出ラインとを有し、前記原料溶液部が、前記原料タンクに接続されるタンク出口バルブと、前記原料タンクの入口と出口を接続するバイパスラインバルブと、前記不活性ガス供給ラインに接続される不活性ガス供給ラインバルブと、前記排出ラインに接続される排出ラインバルブと、前記原料溶液供給ラインに接続される原料溶液供給ラインバルブと、前記溶媒供給ラインに接続される溶媒供給ラインバルブとを有し、前記タンク出口バルブ、前記バイパスラインバルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、前記原料溶液供給ラインバルブを三方バルブとし、下方より、前記溶媒供給ラインバルブ、前記タンク出口バルブ、前記バイパスラインバルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、前記原料溶液供給ラインバルブ、前記排出ラインバルブの順に接続し、前記溶媒供給ラインバルブ、前記タンク出口バルブ、前記バイパスラインバルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、前記原料溶液供給ラインバルブ、前記排出ラインバルブで囲まれた特定領域に残留する液体が、前記溶媒供給ラインバルブ側に自然流下するように、前記溶媒供給ラインバルブから前記排出ラインバルブに向けて鉛直上方に延びる直線状の主配管に、前記タンク出口バルブ、前記バイパスラインバルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、前記原料溶液供給ラインバルブ、が接続されていることを特徴とするCVD装置。前記原料溶液供給部が、前記排出ラインを流下してきた液体を貯留するドレインタンクと、このドレインタンクを介して前記排出ラインに接続される排気ポンプを有する排出部を備え、前記排出ラインが、当該排出ラインを液体が自然流下するように、前記排出部に対して傾斜して接続されていることを特徴とする請求項1に記載のCVD装置。前記原料溶液供給部が、前記溶媒供給ラインを介して前記原料溶液部に前記溶媒を供給する溶媒供給部を備え、前記溶媒供給部が、前記原料溶液部よりも上流側で前記排出ラインに接続されていることを特徴とする請求項2に記載のCVD装置。前記溶媒供給ラインバルブの直上に、前記排出ラインに接続され前記特定領域に残留する液体を排出する、三方バルブからなる補助排出ラインバルブが接続されていることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載のCVD装置。請求項1から3に記載のCVD装置における前記原料タンクの交換方法であって、前記特定領域に残留する原料溶液を、前記溶媒供給ラインバルブから前記排出ラインバルブへの溶媒流により排出するとともに溶媒で置換し、前記溶媒を除去した後、前記原料タンクを交換することを特徴とする原料タンクの交換方法。請求項4に記載のCVD装置における前記原料タンクの交換方法であって、前記特定領域に残留する原料溶液を、前記補助排出ラインバルブを介して減圧することにより排出し、その後に残留する原料溶液を、前記溶媒供給ラインバルブから前記排出ラインバルブへの溶媒流により排出するとともに溶媒で置換し、前記溶媒を除去した後、原料タンクを交換することを特徴とする原料タンクの交換方法。しかしながら、図9に示す配管構造では、原料タンク111を交換する際に、原料タンク111の継ぎ手112に固体原料の付着物が散見された。このように、原料タンク111の継ぎ手112に付着物が生じると、原料供給時にマスフローコントローラMFCに目詰まりが生じて原料溶液の流量を制御することが不能となったり、気化器の噴出ノズルに目詰まりが生じて原料溶液を噴出することが不能となったりしてしまう。この場合、気化器の噴出ノズルを交換するとともに、溶媒供給ラインバルブVX7、第1原料溶液供給ラインバルブVX6、第2原料溶液供給ラインバルブVX10、及び第2切替バルブVA2を開状態として、配管に長時間溶媒を流通させて洗浄する必要がある。また、原料タンク111の交換時に、タンク出口バルブVX2側の継ぎ手112の部分で液漏れが生じることもあった。この場合、液体の受け皿や局所排気等の安全装置を設置する措置が必要となる。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、原料溶液供給部における原料タンクの交換を効率よく安全に実行できるCVD装置及び原料タンクの交換方法を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明は、固体原料を溶媒に溶解した原料溶液を気化させる気化器と、前記気化器によって気化された原料ガスを基材表面に供給して化学反応させることにより薄膜を形成する反応室と、前記気化器に前記原料溶液を供給する原料溶液供給部と、を備えたCVD装置であって、前記原料溶液供給部が、前記原料溶液を収容する原料タンクを有する原料溶液部と、前記原料溶液部から送出された前記原料溶液を前記気化器に輸送する原料溶液供給ラインと、前記原料溶液部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ラインと、前記原料溶液部に溶媒を供給する溶媒供給ラインと、前記原料溶液部に残存する液体又は気体を排出する排出ラインとを有し、前記原料溶液部が、前記原料タンクに接続されるタンク出口バルブと、前記原料タンクの入口と出口を接続するバイパスラインバルブと、前記不活性ガス供給ラインに接続される不活性ガス供給ラインバルブと、前記排出ラインに接続される排出ラインバルブと、前記原料溶液供給ラインに接続される原料溶液供給ラインバルブと、前記溶媒供給ラインに接続される溶媒供給ラインバルブとを有し、前記タンク出口バルブ、前記バイパスラインバルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、前記原料溶液供給ラインバルブを三方バルブとし、下方より、前記溶媒供給ラインバルブ、前記タンク出口バルブ、前記バイパスラインバルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、前記原料溶液供給ラインバルブ、前記排出ラインバルブの順に接続し、前記溶媒供給ラインバルブ、前記タンク出口バルブ、前記バイパスラインバルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、前記原料溶液供給ラインバルブ、前記排出ラインバルブで囲まれた特定領域に残留する液体が、前記溶媒供給ラインバルブ側に自然流下するように、前記溶媒供給ラインバルブから前記排出ラインバルブに向けて鉛直上方に延びる直線状の主配管に、前記タンク出口バルブ、前記バイパスラインバルブ、前記不活性ガス供給ラインバルブ、前記原料溶液供給ラインバルブ、が接続されていることを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のCVD装置において、前記原料溶液供給部が、前記排出ラインを流下してきた液体を貯留するドレインタンクと、このドレインタンクを介して前記排出ラインに接続される排気ポンプを有する排出部を備え、前記排出ラインが、当該排出ラインを液体が自然流下するように、前記排出部に対して傾斜して接続されていることを特徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のCVD装置において、前記原料溶液供給部が、前記溶媒供給ラインを介して前記原料溶液部に前記溶媒を供給する溶媒供給部を備え、前記溶媒供給部が、前記原料溶液部よりも上流側で前記排出ラインに接続されていることを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項1から3の何れか一項に記載のCVD装置において、前記溶媒供給ラインバルブの直上に、前記排出ラインに接続され前記特定領域に残留する液体を排出する、三方バルブからなる補助排出ラインバルブが接続されていることを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項1から3に記載のCVD装置における前記原料タンクの交換方法であって、前記特定領域に残留する原料溶液を、前記溶媒供給ラインバルブから前記排出ラインバルブへの溶媒流により排出するとともに溶媒で置換し、前記溶媒を除去した後、前記原料タンクを交換することを特徴とする。請求項6に記載の発明は、請求項4に記載のCVD装置における前記原料タンクの交換方法であって、前記特定領域に残留する原料溶液を、前記補助排出ラインバルブを介して減圧することにより排出し、その後に残留する原料溶液を、前記溶媒供給ラインバルブから前記排出ラインバルブへの溶媒流により排出するとともに溶媒で置換し、前記溶媒を除去した後、原料タンクを交換することを特徴とする。本発明者等は、上述した問題が生じた原因を以下のように推測した。すなわち、図9に示す配管構造では、タンク出口バルブVX2と第1不活性ガス供給ラインバルブVX4が、鉛直方向に延びる直線状の配管で連結されている。この配管には、タンク出口バルブVX2より上方に向かって、原料タンク111の継ぎ手112、バイパスラインバルブVX3が接続された水平配管バイパスラインとの接合部α、第1排出ラインバルブVX5、第1原料溶液供給ラインバルブVX6、及び溶媒供給ラインバルブVX7が接続された水平配管との接合部βがある。特定領域Rに残留する原料溶液は、第1排出ラインバルブVX5を開状態とすることにより排出されるが、接合部βより下方の領域では重力との関係で液体が排出されにくいので、完全には排出されない。また、原料溶液を排出した後、溶媒供給ラインバルブVX7を介して特定領域Rに溶媒を充填するが、液体の相互拡散は大きくないので短時間で原料溶液は希釈されない。つまり、接合部βより下方の領域には、原料溶液が溶媒と完全に置換されずに残存している可能性が高い。そのため、接合部βより下方の領域では、真空引き工程で溶媒を蒸発させたときに固体原料が析出して、付着物が生じるのではないかと推測した。また、減圧に伴う溶媒の蒸発で冷却されるので、接合部βより下方の領域は、溶媒が蒸発しにくく液体が残留し、液漏れが生じるのではないかと推測した。このような推測の下、本発明者等は、重力との関係で原料溶液が排出されにくくなる部分を排除すべく配管構造を改良し、本発明に想到した。本発明によれば、原料溶液供給部における原料タンクの交換時に、溶媒供給ラインバルブから排出ラインバルブまでの配管が直線状でかつ枝管部分がないので、溶媒供給ラインバルブから排出ラインバルブに向かう溶媒流により原料溶液を排出することで、原料溶液を溶媒で容易に置換できるとともに、配管内に液体が残留するのを防止できる。したがって、真空引きして溶媒を蒸発させたときに固体原料が析出することはなく、タンク交換時に液漏れも生じないので、原料タンクの交換を効率よく安全に実行することが可能となる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は、原料溶液を気化して反応室に供給する気化器を備えた溶液気化型のCVD装置の概略構成を示す図である。ここでは、YBCO層を成膜する場合に用いられるCVD装置の一例について示している。なお、図1では、原料溶液供給部10の配管構造を簡略化して示している。図1に示すように、CVD装置1は、固体原料を溶媒溶解した原料溶液を気化させる気化器20、気化器20によって気化された原料ガスを基材表面に供給して化学反応させることにより薄膜を形成する反応室30、気化器20に原料溶液を供給する原料溶液供給部10を備えて構成されている。原料溶液供給部10は、イットリウムY原料溶液を供給するためのY原料溶液部11、バリウムBa原料溶液を供給するためのBa原料溶液部12、銅Cu原料溶液を供給するためのCu原料溶液部13、溶媒を供給するための溶媒供給部14を備えている。Y原料溶液部11の原料タンク111には、溶媒であるテトラヒドロフランTHFにYのDPM錯体を溶解させたYDPM3/THFが収容されている。Ba原料溶液部12の原料タンク121には、THFにBaのDPM錯体を溶解させたBaDPM2/THFが収容されている。Cu原料溶液部13の原料タンク131には、THFにCuのDPM錯体を溶解させたCuDPM2/THFが収容されている。また、溶媒供給部14の溶媒タンク141にはTHFが収容されている。なお、溶媒としては、THFの他、キシレン、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミン類等、沸点100°C以下、かつ炭化水素類の有機溶剤を用いることができる。具体的には、ジエチルエーテル、ジエチルケトン、エタノール、テトラグリムテトラグライム、2,5,8,11,14-ペンタオキサペンタデカン等を適用できる。原料溶液供給部10において、原料タンク111、121、131に収容されている原料溶液又は溶媒タンク141に収容されているTHFは、He、Ar、N2などの不活性ガスによりタンク内の圧力を上昇させることでタンク外へ圧送される。そして、原料溶液供給ラインL1において、原料溶液YDPM3/THF、BaDPM2/THF、CuDPM2/THFが混合される。混合された原料溶液は、He、Ar、N2などの噴霧用ガスと合流して気化器20に導入され、噴霧ノズルから噴霧される。そして、噴霧された原料溶液は気化器20の内面に衝突して瞬時に気化され、この気化ガスが図示しないO2ガスとともに原料ガスとして反応室30に供給される。反応室30に導入された原料ガスが基材表面に供給され化学反応することでYBCO薄膜が形成される。実施形態のCVD装置1では、原料溶液供給部10の原料溶液部11~13が特徴的な配管構造を有している。具体的には、以下の第1、第2実施形態で示す配管構造を有している。[第1実施形態]図2は、第1実施形態に係る原料溶液供給部の配管構造を示す図である。図2には、YBCO薄膜を形成する際の原料溶液供給部10について、上下を鉛直方向、左右を水平方向として、実際の配管構造バルブと配管の位置関係をほぼ忠実に表している。図2に示すように、原料溶液供給部10は、原料溶液部11~13、溶媒供給部14、不活性ガス供給部15、排出部16、及び原料溶液部11~13又は溶媒供給部14に所定の配管を介して接続される原料溶液供給ラインL1、不活性ガス供給ラインL2、溶媒供給ラインL3、排出ラインL4を備えて構成される。原料溶液供給ラインL1は、原料溶液部11~13から送出された原料溶液を気化器20に輸送するための配管である。不活性ガス供給ラインL2は、不活性ガス供給部15から送出された不活性ガスを原料溶液部11~13又は溶媒供給部14に供給するための配管である。溶媒供給ラインL3は、溶媒供給部14から送出された溶媒を原料溶液部11~13に供給するための配管である。溶媒供給ラインL3には溶媒の流量を制御する為のマスフローコントローラMFCが設けられている。排出ラインL4は、原料溶液部11~13に残留する液体又は気体を排出部16に排出するための配管である。原料溶液供給ラインL1の原料溶液輸送方向下流側には、気化器20に接続される第1切替バルブVA1、排出ラインL4に接続される第2切替バルブVA2が接続されている。運転時原料供給時には第1切替バルブVA1だけが開状態とされ、運転停止時原料溶液供給ラインL1の洗浄時などには第2切替バルブVA2だけが開状態とされる。原料溶液供給ラインL1から分岐された枝管L11には、第2原料溶液供給ラインバルブVX10、マスフローコントローラMFCが配設されており、後述する第1原料溶液供給ラインバルブVX6を介して供給される原料溶液の流量を制御可能となっている。Y原料溶液部11において、原料タンク111には、タンク加圧バルブVX1とタンク出口バルブVX2が接続されている。そして、タンク加圧バルブVX1は、第2排出ラインバルブVX9を介して排出ラインL4に接続され、第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を介して不活性ガス供給ラインL2に接続されている。一方、タンク出口バルブVX2は、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4を介して不活性ガス供給ラインL2に接続され、第1原料溶液供給ラインバルブVX6を介して原料溶液供給ラインL1に接続され、第1排出ラインバルブVX5を介して排出ラインL4に接続され、溶媒供給ラインバルブVX7を介して溶媒供給ラインL3に接続されている。また、タンク加圧バルブVX1から第2不活性ガス供給ラインバルブVX8又は第2排出ラインバルブVX9に向かう配管と、タンク出口バルブVX2から第1原料溶液供給ラインバルブVX6等に向かう配管は、バイパスラインバルブVX3が配置されたバイパスラインで接続されている。バイパスラインバルブVX3を開状態とすることで、原料タンク111の入口側と出口側の圧力が同じになる。また、タンク出口バルブVX2、バイパスラインバルブVX3、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4、第1原料溶液供給ラインバルブVX6が、主配管MPに直接接続されている。すなわち、タンク出口バルブVX2は、主配管MPに接続される第1連通口、第2連通口と、原料タンク111に向かう配管に接続される第3連通口を有し、主配管MPの上流側例えば鉛直上方側と下流側を連通させた状態で、原料タンク111からの原料溶液の供給を切替可能な三方バルブで構成されている。同様に、バイパスラインバルブVX3、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4は、主配管MPに接続される第1連通口、第2連通口と、不活性ガス供給ラインL2に向かう配管に接続される第3連通口を有し、主配管MPの上流側と下流側を連通させた状態で、不活性ガス供給ラインL2からの不活性ガスの供給を切替可能な三方バルブで構成されている。また、第1原料溶液供給ラインバルブVX6は、主配管MPに接続される第1連通口、第2連通口と、原料溶液供給ラインL1に向かう配管に接続される第3連通口を有し、主配管MPの上流側と下流側を連通させた状態で、原料溶液供給ラインL1への原料溶液の供給を切替可能な三方バルブで構成されている。第1実施形態では、溶媒供給ラインバルブVX7と第1排出ラインバルブVX5が、第1排出ラインバルブVX5を上方、溶媒供給ラインバルブVX7を下方に位置させた状態で、鉛直方向に延びる直線状の主配管MPにより連結されている。また、主配管MPに枝管部分がないので、主配管MP内の液体は、最下方の溶媒供給ラインバルブVX7から最上方の第1排出ラインバルブVX5に向かう溶媒流で置換されることとなる。なお、Ba原料溶液部12、Cu原料溶液部13の配管構造は、Y原料溶液部11と同様なので図示及び説明を省略する。また、溶媒供給部14の配管構造は特に限定されないが、設計構築を簡単化するため、通常は原料溶液部11~13と同様の配管構造とされる。溶媒供給部14に配置される各バルブについては、Y原料溶液部11の各バルブと同一名称とし、符合VSnn=1~10とする。溶媒供給部14では、タンク出口バルブVS2、溶媒供給ラインバルブVS7を介して溶媒が原料溶媒部11~13に送出される。この点が、溶媒供給ラインバルブVX7を介して溶媒が供給される原料溶液部11~13と相違する。排出部16は、図3に示すように、排出ラインL4を流下してきた液体を貯留するドレインタンク161と、ドレインタンク161を介して排出ラインL4に接続される排気ポンプ162を有している。ドレインタンク161は、ドレインバルブVD1、VD4を介して排出ラインL4に接続され、ドレインバルブVD2、VD5を介して排気ポンプ162に接続されている。また、ドレインバルブVD4とドレインバルブVD5は、ドレインバルブVD3を介して接続されている。ドレインバルブVD1、VD2は直接ドレインタンク161に接続されており、ドレインバルブVD1、VD2直上に排出ラインL4から排気ポンプ162に繋がるラインに接続される継ぎ手が位置している。したがって、ドレインタンク161を取り外す場合には、ドレインタンク161に接続されているドレインバルブVD1、VD2を閉じ、該バルブ直上の継ぎ手の接続を開放する。このとき、継ぎ手部分から原料ガスの残留蒸気が流出しないように、ドレインバルブVD1、VD2、VD4が閉状態、ドレインバルブVD3、VD5が開状態とされ、真空引きが行われる。また、排出ラインL4を介してY原料溶液部11等を排気する場合には、ドレインバルブVD1、VD2、VD4、VD5が開状態とされる。ここで、排出ラインL4は、排出部16に対して角度θ例えば5~15°で上方に傾斜して接続されている。これにより、原料溶液部11~13から排出された液体は、排出ラインL4を自然流下してドレインタンク161に貯留されるので、排出ラインL4は常時清浄な状態で保持される。例えば、排出ラインL4に原料溶液等が長期間滞留することにより、固体原料が析出して排出ラインL4が汚損されるのを防止できる。また、排出ラインL4には、原料溶液部11~13よりも上流側で溶媒供給部14が接続されている。これにより、原料溶液部11~13の原料タンクを交換した後に、排出ラインL4を容易に洗浄することができる。具体的には、溶媒供給部14のタンク加圧バルブVS1、第2不活性ガス供給ラインバルブVS8、タンク出口バルブVS2、及び第1排出ラインバルブVS5を開状態とすることにより、溶媒供給部14から排出ラインL4に溶媒が送出され、排出ラインL4が洗浄される。以下に、CVD装置1を用いて基材表面にYBCO薄膜を形成する工程と、原料溶液部11~13の原料タンクを交換する工程について説明する。説明を簡略化するため、Y原料溶液部11について説明するが、Ba原料溶液部12、Cu原料溶液部13でも同様に行われる。CVD装置1を用いてYBCO薄膜を形成する際には、Y原料溶液部11において、タンク加圧バルブVX1、第2不活性ガス供給ラインバルブVX8、タンク出口バルブVX2、第1原料溶液供給ラインバルブVX6、及び第2原料溶液供給ラインバルブVX10を開状態とし、他のバルブを閉状態とする。不活性ガス供給ラインL2から第2不活性ガス供給ラインバルブVX8、タンク加圧バルブVX1を介して不活性ガスが供給されて原料タンク111内が加圧される。加圧された原料溶液YDPM3/THFは、原料タンク111内のディップチューブを介してタンク外に圧送される。圧送された原料溶液は、タンク出口バルブVX2、第1原料溶液供給ラインバルブVX6を介して輸送され、マスフローコントローラMFCで流量を制御されながら、第2原料溶液供給ラインバルブVX10を介して原料溶液供給ラインL1に輸送される。そして、原料溶液供給ラインL1で他の原料溶液及び溶媒と合流した後、第1切替バルブVA1を介して気化器20に供給される。原料タンクの交換は、図4のフローチャートに従って行われる。図5には、図4の各ステップにおけるバルブの開閉状態○:バルブ開状態、×:バルブ閉状態を示している。なお、タンク出口バルブVX2、バイパスラインバルブVX3、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4、第1原料溶液供給ラインバルブVX6は、常時主配管MPと連通する状態になっているものとする。つまり、図5に示すバルブの開閉によって、各バルブVX2~VX4、VX6における原料タンク111、不活性ガス供給ラインL2又は原料溶液供給ラインL1との連通状態が切り替わる。図4、5に示すように、まず、ステップS101では、Y原料溶液部11のすべてのバルブを閉状態として、Y原料溶液部11と原料溶液供給ラインL1、不活性ガス供給ラインL2、溶媒供給ラインL3、及び排出ラインL4との接続を遮断する。溶媒供給部14のタンク加圧バルブVS1とタンク出口バルブVS2は、Y原料溶液部11の原料タンク111の交換工程においては、常時開状態としておく。ステップS102では、溶媒供給部14の溶媒供給ラインバルブVS7、第2不活性ガス供給ラインバルブVS8を開状態とし、溶媒供給ラインL3を介してY原料溶液部11に溶媒を供給する。一方、Y原料溶液部11では、第1排出ラインバルブVX5、溶媒供給ラインバルブVX7を開状態とし、バルブVX2~VX7で囲まれる特定領域Rに溶媒を流通させ、残留する原料溶液を溶媒流で押し上げて第1排出ラインバルブVX5から排出する。このときの溶媒の流量は溶媒供給ラインL3に設けられたマスフローコントローラMFCによって行われる。そして、所定時間経過後、Y原料溶液部11の第1排出ラインバルブVX5、溶媒供給ラインバルブVX7を閉状態とし、溶媒流による原料溶液の排出を停止するステップS103。ステップS104以降の工程では、Y原料溶液部11に溶媒を供給する必要はないので、溶媒供給部14の溶媒供給ラインバルブVS7及び第2不活性ガス供給ラインバルブVS8を閉状態とするが、開状態のままでも構わない。溶媒供給ラインバルブVX7は、特定領域Rの最下部に配置されているので、特定領域Rには上方に向けて溶媒が充填されていく。そして、溶媒流によって原料溶液は順次第1排出ラインバルブVX5から排出される。したがって、特定領域Rに残留付着する原料溶液は容易に希釈され、最終的に完全に溶媒と置換される。具体的には、溶媒を1g/minの流量で10分間流通させることにより、原料溶液は完全に溶媒と置換された。ステップS104では、Y原料溶液部11の第1排出ラインバルブVX5を開状態とし、特定領域Rを減圧して、残留する溶媒を重力に逆らって引き上げることにより、ある程度排出する。そして、所定時間経過後、Y原料溶液部11の第1排出ラインバルブVX5を閉状態とし、溶媒の排出を停止するステップS105。ステップS106では、Y原料溶液部11のバイパスラインバルブVX3、第2排出ラインバルブVX9を開状態とし、特定領域Rを減圧真空引きすることにより、特定領域Rの残留ガスを排気する。特定領域Rに残留している溶媒は、真空引きにより蒸発して排気される。そして、特定領域Rの圧力が例えば1kPa以下になったことを確認した後、Y原料溶液部11の第2排出ラインバルブVX9を閉状態とし、真空引きを停止するステップS107。ステップS102~S105により特定領域Rは完全に溶媒で置換されているので、真空引きにより溶媒が蒸発したときに、固体原料が析出することはない。ステップS108では、Y原料溶液部11の第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を開状態とし、特定領域Rを不活性ガスで充填する。そして、特定領域Rの圧力が例えば200kPaになったことを確認した後、Y原料溶液部11の第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を閉状態とし、不活性ガスの充填を停止するステップS109。例えば、ステップS106で特定領域R内を200kPaから1kPaに減圧し、ステップS108で不活性ガスを充填して特定領域R内を200kPaに戻すと、特定領域R内の残留ガスは1/200に希釈される。ステップS106~S109を所定回数例えば6回繰り返すことにより、特定領域Rは完全に不活性ガスで置換される。次いで、ステップS110では、バイパスラインバルブVX3を閉状態とし、原料タンクの交換準備を完了する。ステップS111では、継ぎ手112から原料タンク111を切り離して、新たな原料タンク111に交換する。このとき、特定領域R特に継ぎ手112の部分には原料溶液又は溶媒が残留していないので、原料タンク111の交換時に液漏れが生じることはない。ステップS112では、Y原料溶液部11のバイパスラインバルブVX3、第2排出ラインバルブVX9を開状態とし、特定領域Rを減圧真空引きすることにより、特定領域Rの残留ガスを排気する。そして、特定領域Rの圧力が例えば1kPa以下になったことを確認した後、Y原料溶液部11の第2排出ラインバルブVX9を閉状態とし、真空引きを停止するステップS113。ステップS114では、Y原料溶液部11の第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を開状態とし、特定領域Rを不活性ガスで充填する。そして、特定領域Rの圧力が例えば200kPaになったことを確認した後、Y原料溶液部11の第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を閉状態とし、不活性ガスの充填を停止するステップS115。ステップS112~S115を所定回数例えば5回繰り返すことにより、特定領域Rは完全に不活性ガスで置換される。次いで、ステップS116では、この状態で一定時間保持し、原料タンク111が気密に接続されているか確認する加圧テスト。特定領域Rの圧力が低下した場合は、原料タンク111が気密に接続されていないことになるので、接続しなおして再度ステップS112~S116の処理を行う。ステップS117では、Y原料溶液部11のバイパスラインバルブVX3、第2排出ラインバルブVX9を開状態とし、特定領域Rを減圧真空引きすることにより、特定領域Rの残留ガス不活性ガスを排気する。そして、特定領域Rの圧力が例えば1kPa以下になったことを確認した後、Y原料溶液部11の第2排出ラインバルブVX9を閉状態とし、真空引きを停止するステップS118。ステップS119では、Y原料溶液部11のバイパスラインバルブVX3を閉状態とし、原料充填の準備を完了する。ステップS120では、Y原料溶液部11のタンク加圧バルブVX1、タンク出口バルブVX2、及び第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を開状態とし、不活性ガスによって原料タンク111から原料溶液を圧送し、特定領域Rに原料溶液を充填する。ステップS121では、Y原料溶液部11の第2不活性ガス供給ラインバルブVX8を閉状態とし、原料充填を完了する。このように、図4のフローチャートに従う原料タンク111の交換工程では、特定領域Rに残留する原料溶液を、溶媒供給ラインバルブVX7から第1排出ラインバルブVX5に向かう溶媒流により排出するとともに、溶媒で置換する第1工程、ステップS102、S103。そして、溶媒を除去ステップS104~S109した後、原料タンク111を交換するステップS110、S111。特定領域Rに残留している原料溶液を溶媒で置換した後、置換された溶媒を蒸発させて除去するので、特定領域Rに残留する原料溶液を効率よく排出することができる。また、真空引きして溶媒を蒸発させたときに固体原料が析出することはないので、原料タンク111の交換を効率よく安全に実行することができる。[第2実施形態]図6は、第2実施形態に係る原料溶液供給部の配管構造を示す図である。図6では、Y原料溶液部11の配管構造だけを抜粋して示しており、原料溶液供給部10のその余の構成は第1実施形態と同様であるので省略している。第2実施形態では、溶媒供給ラインバルブVX7と第1排出ラインバルブVX5が、第1排出ラインバルブVX5を上方、溶媒供給ラインバルブVX7を下方に位置させた状態で、鉛直方向に延びる直線状の主配管MPにより連結されている。そして、タンク出口バルブVX2、バイパスラインバルブVX3、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4、第1原料溶液供給ラインバルブVX6が、主配管MPに直接接続されている。この点は第1実施形態と同様である。第2実施形態では、溶媒供給ラインL3の直上に、排出ラインL4に接続される補助排出ラインバルブVX11を配置している点で第1実施形態と相違する。この補助排出ラインバルブVX11も、タンク出口バルブVX2等と同様に、三方バルブで構成される。第2実施形態における原料タンクの交換は、図7のフローチャートに従って行われる。図8には、図7の各ステップにおけるバルブの開閉状態○:バルブ開状態、×:バルブ閉状態を示している。なお、タンク出口バルブVX2、バイパスラインバルブVX3、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4、第1原料溶液供給ラインバルブVX6、補助排出ラインバルブVX11は、常時主配管MPと連通する状態になっているものとする。つまり、図8に示すバルブの開閉によって、各バルブVX2~VX4、VX6、VX11における原料タンク111、不活性ガス供給ラインL2又は原料溶液供給ラインL1との連通状態が切り替わる。図7、8に示すように、まず、ステップS201では、Y原料溶液部11のすべてのバルブを閉状態として、Y原料溶液部11と原料溶液供給ラインL1、不活性ガス供給ラインL2、溶媒供給ラインL3、及び排出ラインL4との接続を遮断する。溶媒供給部14のタンク加圧バルブVS1とタンク出口バルブVS2は、Y原料溶液部11の原料タンク111の交換工程においては、常時開状態としておく。ステップS202では、Y原料溶液部11の補助排出ラインバルブVX11を開状態とし、バルブVX2~VX7、VX11で囲まれる特定領域Rを減圧することにより、特定領域Rに残留する原料溶液を排出する。そして、所定時間経過後、Y原料溶液部11の補助排出ラインバルブVX11を閉状態とし、原料溶液の排出を停止するステップS203。特定領域Rに残留する原料溶液は、主配管MPを自然流下するので、ある程度の原料溶液は容易に排出される。ステップS204では、溶媒供給部14の溶媒供給ラインバルブVS7、第2不活性ガス供給ラインバルブVS8を開状態とし、溶媒供給ラインL3を介してY原料溶液部11に溶媒を供給する。一方、Y原料溶液部11では、第1排出ラインバルブVX5、溶媒供給ラインバルブVX7を開状態とし、特定領域Rに溶媒を流通させ、残留する原料溶液を溶媒流で押し上げて第1排出ラインバルブVX5から排出する。このときの溶媒の流量は溶媒供給ラインL3に設けられたマスフローコントローラMFCによって行われる。そして、所定時間経過後、Y原料溶液部11の第1排出ラインバルブVX5、溶媒供給ラインバルブVX7を閉状態とし、溶媒流による原料溶液の排出を停止するステップS205。ステップS206以降の工程では、Y原料溶液部11に溶媒を供給する必要はないので、溶媒供給部14の溶媒供給ラインバルブVS7及び第2不活性ガス供給ラインバルブVS8を閉状態とするが、開状態のままでも構わない。特定領域Rには、主配管MPに付着する極僅かな原料溶液が残留しているだけなので、原料溶液は短時間で排出され、完全に溶媒と置換される。具体的には、溶媒を1g/minの流量で6分間流通させることにより、原料溶液は完全に溶媒と置換された。ステップS206では、Y原料溶液部11の補助排出ラインバルブVX11を開状態とし、特定領域Rを減圧することにより、特定領域Rに残留する溶媒を排出する。そして、所定時間経過後、Y原料溶液部11の補助排出ラインバルブVX11を閉状態とし、溶媒の排出を停止するステップS207。特定領域Rに残留する溶媒は、主配管MPを自然流下するので、ある程度の溶媒は短時間で容易に排出される。ステップS208以降の工程は、図4のステップS106以降の工程と同様であるので説明を省略する。このように、図8のフローチャートに従う原料タンク111の交換工程では、特定領域Rに残留する原料溶液を、補助排出ラインバルブVX11を介して減圧することにより排出ステップS201、202した後、溶媒供給ラインバルブVX7から第1排出ラインバルブVX5への溶媒流により原料溶液を溶媒で置換するステップS204、S205。そして、溶媒を除去ステップS206~S211した後、原料タンク111を交換するステップS212、S213。第1実施形態では、特定領域Rに残留する原料溶液を、すべて溶媒流で押し上げて最上部に位置する第1排出ラインバルブVX5から排出する。また、原料溶液を溶媒で置換した後、この溶媒を減圧により第1排出ラインバルブVX5から排出する。そのため、原料溶液の排出溶媒での置換や溶媒の排出に比較的長時間を要する。これに対して、第2実施形態では、溶媒供給ラインL3の直上に、補助排出ラインバルブVX11を配置することにより、自然流下を利用してある原料溶液を程度排出した後ステップS202、溶媒流でパージするステップS204。また、自然流下を利用して溶媒を排出した後ステップS206、減圧により蒸発させて排気するステップS208。したがって、特定領域Rに残留する原料溶液を短時間で排出して溶媒で置換できるとともに、溶媒を短時間で蒸発させて排気することができる。実際、特定領域Rに残留する原料溶液を溶媒で置換するのに、第1実施形態では流量1g/minで10分間、溶媒を流通させる必要があったのに対し、第2実施形態では流量1g/minで6分間、溶媒を流通させるだけで十分であった。上述したように、第1実施形態及び第2実施形態では、Y原料溶液部11が、原料タンク111に接続されるタンク出口バルブVX2と、原料タンク111の入口と出口を接続するバイパスラインバルブVX3と、不活性ガス供給ラインL2に接続される第1不活性ガス供給ラインバルブVX4と、排出ラインL4に接続される第1排出ラインバルブVX5と、原料溶液供給ラインL1に接続される第1原料溶液供給ラインバルブVX6と、溶媒供給ラインL3に接続される溶媒供給ラインバルブVX7とを有している。そして、タンク出口バルブVX2、バイパスラインバルブVX3、第1不活性ガス供給ラインバルブVX4、及び原料供給ラインバルブVX6から溶媒供給ラインバルブVX7側に液体が自然流下するように、溶媒供給ラインバルブVX7から第1排出ラインバルブVX5に向けて鉛直上方に延びる直線状の主配管MPに、これらのバルブが接続されている。なお、Ba原料溶液部12、Cu原料溶液部13も、Y原料溶液部11と同様の配管構造を有している。CVD装置1によれば、原料溶液供給部10の原料溶液部11~13において、原料タンク111、121、131を交換する際に、原料溶液が溶媒供給ラインバルブVX7側に自然流下するので、溶媒供給ラインバルブVX7から第1排出ラインバルブVX5に向かう溶媒流により原料溶液を排出することで、原料溶液を溶媒で容易に置換できるとともに、配管内に液体が残留するのを防止できる。したがって、真空引きして溶媒を蒸発させたときに固体原料が析出することはなく、タンク交換時に液漏れも生じないので、原料タンクの交換を効率よく安全に実行することが可能となる。以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。上記実施形態では、基材表面にYBCO薄膜を形成する場合について説明したが、本発明は、蒸気圧が低く常温固体である原料を使用してMOCVD法により薄膜を形成する場合に共通して適用できる技術である。例えば、固体原料として、酸素原子を介して金属原子と有機基とが結合した有機金属原料を使用する場合に適用できる。ここで、有機基は、アセチルアセトネート、ジピバロイルメタネート、アルコキシド、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、ペンタフルオロプロパノイルピバロイルメタネートのいずれかであればよい。また、チタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムのような強誘電体の薄膜を形成する際の原料としては、バリウムジピバロイルメタネートBaDPM2、ストロンチウムジピバロイルメタネートSrDPM2、ビスジピバロイルメタネートジイソプロポキシチタニウムTiiPrO2DPM2等が挙げられる。また、チタニウムテトライソプロポキシドTiOC3H74等をTHFに溶解させた原料でもよい。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"