表面に粗面が形成されたアルミニウム箔が設けられ、前記アルミニウム箔の表面に炭素原子が侵入し、前記炭素原子が連続して堆積されて結合し、炭素膜が形成されることを特徴とする固体アルミニウム電解コンデンサの陰極炭素含有アルミニウム箔構造。Aアルミニウム箔の設置:真空チャンバ内にアルミニウム箔を設置する工程と、Bアルミニウム箔の粗化処理:前記真空チャンバ内にガスを導入して電界を発生させ、前記真空チャンバ内のガスをプラズマ化し、陰極の前記アルミニウム箔へ正に帯電したプラズマを高速で衝突させ、前記アルミニウム箔の上を向いている側の表面にプラズマボンバードを施し、凹凸の粗面を形成する工程と、C炭素原子の堆積:炭素原子が混合された混合ガスを前記真空チャンバ内に導入してから、電界を発生させ、前記混合ガスの中の前記炭素原子を正に帯電させ、陰極の前記アルミニウム箔へ正に帯電した前記炭素原子を高速で衝突させ、前記アルミニウム箔の表面に前記炭素原子を侵入させて強固に付着させる工程と、D反転成形:未だ工程を施していない側の表面を上に向けてから、上述のB及びCの工程を繰り返して行い、前記アルミニウム箔の反対側の表面に粗面を形成し、前記アルミニウム箔の反対側の表面に前記炭素原子を均一に付着させ、連続的に堆積し、炭素膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする固体アルミニウム電解コンデンサの陰極炭素含有アルミニウム箔構造の成形方法。Aアルミニウム箔の設置:真空チャンバ内にアルミニウム箔を設置する工程と、Bアルミニウム箔の粗化処理:前記真空チャンバ内にガスを導入して電界を発生させ、前記真空チャンバ内のガスをプラズマ化し、陰極の前記アルミニウム箔の両側表面へ、正に帯電したプラズマを高速で衝突させ、前記アルミニウム箔の両側の表面に、同期でプラズマボンバードを施し、前記アルミニウム箔の両側の表面に凹凸の粗面を同時に形成する工程と、C炭素原子の堆積:前記真空チャンバ内に炭素原子が混合された混合ガスを導入してから、電界を発生させ、前記混合ガスの前記炭素原子を正に帯電させ、陰極の前記アルミニウム箔の両側表面に、正に帯電した前記炭素原子を高速で衝突させ、前記アルミニウム箔の表面に前記炭素原子を侵入させて強固に付着させ、前記アルミニウム箔の両側の表面に、前記炭素原子がそれぞれ同期に均一に付着され、前記アルミニウム箔の両側の表面に連続して堆積し、炭素膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする固体アルミニウム電解コンデンサの陰極炭素含有アルミニウム箔構造の成形方法。本発明の目的は、機械強度及び導電性能に優れた炭素含有アルミニウム箔の製品を製造する固体アルミニウム電解コンデンサの陰極炭素含有アルミニウム箔構造及びその成形方法を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明の第1の形態によれば、表面に粗面が形成されたアルミニウム箔が設けられ、前記アルミニウム箔の表面に炭素原子が侵入し、前記炭素原子が連続して堆積されて結合し、炭素膜が形成されることを特徴とする固体アルミニウム電解コンデンサの陰極炭素含有アルミニウム箔構造が提供される。上記課題を解決するために、本発明の第2の形態によれば、Aアルミニウム箔の設置:真空チャンバ内にアルミニウム箔を設置する工程と、Bアルミニウム箔の粗化処理:前記真空チャンバ内にガスを導入して電界を発生させ、前記真空チャンバ内のガスをプラズマ化し、陰極の前記アルミニウム箔へ正に帯電したプラズマを高速で衝突させ、前記アルミニウム箔の上を向いている側の表面にプラズマボンバードを施し、凹凸の粗面を形成する工程と、C炭素原子の堆積:炭素原子が混合された混合ガスを前記真空チャンバ内に導入してから、電界を発生させ、前記混合ガスの中の前記炭素原子を正に帯電させ、陰極の前記アルミニウム箔へ正に帯電した前記炭素原子を高速で衝突させ、前記アルミニウム箔の表面に前記炭素原子を侵入させて強固に付着させる工程と、D反転成形:未だ工程を施していない側の表面を上に向けてから、上述のB及びCの工程を繰り返して行い、前記アルミニウム箔の反対側の表面に粗面を形成し、前記アルミニウム箔の反対側の表面に前記炭素原子を均一に付着させ、連続的に堆積し、炭素膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする固体アルミニウム電解コンデンサの陰極炭素含有アルミニウム箔構造の成形方法が提供される。上記課題を解決するために、本発明の第3の形態によれば、Aアルミニウム箔の設置:真空チャンバ内にアルミニウム箔を設置する工程と、Bアルミニウム箔の粗化処理:前記真空チャンバ内にガスを導入して電界を発生させ、前記真空チャンバ内のガスをプラズマ化し、陰極の前記アルミニウム箔の両側表面へ、正に帯電したプラズマを高速で衝突させ、前記アルミニウム箔の両側の表面に、同期でプラズマボンバードを施し、前記アルミニウム箔の両側の表面に凹凸の粗面を同時に形成する工程と、C炭素原子の堆積:前記真空チャンバ内に炭素原子が混合された混合ガスを導入してから、電界を発生させ、前記混合ガスの前記炭素原子を正に帯電させ、陰極の前記アルミニウム箔の両側表面に、正に帯電した前記炭素原子を高速で衝突させ、前記アルミニウム箔の表面に前記炭素原子を侵入させて強固に付着させ、前記アルミニウム箔の両側の表面に、前記炭素原子がそれぞれ同期に均一に付着され、前記アルミニウム箔の両側の表面に連続して堆積し、炭素膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする固体アルミニウム電解コンデンサの陰極炭素含有アルミニウム箔構造の成形方法が提供される。本発明の固体アルミニウム電解コンデンサの陰極炭素含有アルミニウム箔構造及びその成形方法は、以下1及び2の効果を有する。1アルミニウム箔の凹凸表面を利用することにより、アルミニウム箔の表面に炭素原子を侵入させて強固に付着させ、炭素原子の結合により炭素膜を形成し、密着度及び導電性を向上させることができる。そのため、アルミニウム箔の機械強度を大幅に高めることができるだけでなく、コンデンサの導電性、容量比、パワー密度、使用寿命などを向上させることができる。2炭素含有アルミニウムを成形する際、アルミニウム箔の両側に同期で工程を施し、粗面を形成し、炭素原子の堆積などの工程を行うため、炭素含有アルミニウムの成形効率が向上し、炭素含有アルミニウムのスループットを高めて産業競争力を実質的に向上させることができる。第1実施形態図1及び図2を参照する。図1及び図2に示すように、本発明の第1実施形態による固体アルミニウム電解コンデンサの陰極炭素含有アルミニウム箔構造及びその成形方法は、以下A~Dの工程を含む。Aアルミニウム箔の設置:真空チャンバ内にアルミニウム箔1を設置する。Bアルミニウム箔の粗化処理:真空チャンバ内にガスを導入して電界を発生させ、真空チャンバ内のガスをプラズマ化し、正に帯電したプラズマが、磁場による拘束を受けて案内され、陰極のアルミニウム箔1へ高速で衝突され、アルミニウム箔1の上を向いている側の表面11にプラズマボンバードplasmabombardを施し、凹凸の粗面を形成する。C炭素原子の堆積:続いて、炭素原子2が混合された混合ガスを真空チャンバ内に導入してから、電界を発生させ、混合ガスの中の炭素原子2を正に帯電させ、磁場による拘束を受けて案内され、陰極のアルミニウム箔1へ正に帯電した炭素原子2を高速で衝突させ、アルミニウム箔1の表面11に炭素原子2を侵入させて強固に付着させ、磁場により案内し、アルミニウム箔1の一表面11に炭素原子2が均一に付着し、アルミニウム箔1の一表面11に連続して堆積し、2次元層状構造又は3次元立体状構造の炭素クラスター薄膜が結合されて形成される。D反転成形:続いて、未だ工程を施していない側の表面11を上に向けてから、上述のB及びCの工程を繰り返して行い、アルミニウム箔1の反対側の表面11に粗面を形成し、アルミニウム箔1の反対側の表面に炭素原子2を均一に付着させ、連続的に堆積し、炭素クラスター薄膜を形成することにより、高純度の炭素を表面に設け、抵抗が小さい炭素含有アルミニウム3を成形する。この炭素含有アルミニウム3の成形方式は、炭素膜とアルミニウム箔1との間を強固に結合し、炭素幕が炭素原子2により結合されて形成されるため、炭素膜自体が非常に好ましい密着性を有し、互いに外れることがない。また、純粋に炭素原子からなる炭素膜の場合、伝導率及び導電性を向上させることができる。そのため、本実施形態の炭素含有アルミニウム3は、アルミニウム箔1の機械強度を大幅に高めることができるだけでなく、実施上、良好な導電性を得て、コンデンサなどの電気製品、電子製品の導電性、容量比、パワー密度、使用寿命などを向上させることができる。第2実施形態図3及び図4を参照する。図3及び図4に示すように、本発明の第2実施形態による固体アルミニウム電解コンデンサの陰極炭素含有アルミニウム箔構造及びその成形方法は、以下A~Cの工程を含む。Aアルミニウム箔の設置:真空チャンバ内にアルミニウム箔1を設置する。Bアルミニウム箔の粗化処理:真空チャンバ内にガスを導入して電界を発生させ、真空チャンバ内のガスをプラズマ化し、正に帯電したプラズマが、磁場による拘束を受けて案内され、陰極のアルミニウム箔1の両側表面11へ高速で衝突し、アルミニウム箔1の両側の表面11に、同期でプラズマボンバードplasmabombardを施し、アルミニウム箔1の両側の表面11に凹凸の粗面を同時に形成する。C炭素原子の堆積:続いて、真空チャンバ内に炭素原子2が混合された混合ガスを導入してから、電界を発生させ、混合ガスの炭素原子2を正に帯電させ、磁場による拘束を受けて案内され、陰極のアルミニウム箔1の両側表面に、正に帯電した炭素原子2を高速で衝突させ、アルミニウム箔1の表面11内に炭素原子2を侵入させて強固に付着させ、磁場による拘束を受けて案内され、アルミニウム箔1の両側の表面11に炭素原子2がそれぞれ同期に均一に付着され、アルミニウム箔1の両側の表面11に連続して堆積し、炭素クラスター薄膜が結合されて形成される。このように、アルミニウム箔1の両側に同期で工程を施す方式は、炭素含有アルミニウム3の成形効率を高めるとともに、炭素含有アルミニウム3のスループットを高めて産業競争力を実質的に向上させることができる。当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と領域を逸脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。