Alめっき鋼板のAlめっき表面に、軟化点が500°C以下のSiO2系ガラスフリット又はP2O5系ガラスフリットを焼成して得られる絶縁層が形成されていることを特徴とするパワー半導体用絶縁基板。前記SiO2系ガラスフリットが、SiO2を30~40質量、Na2OとK2Oとを合計で25~35質量、TiO2を15~25質量、ZnOを2~10質量、及びV2O5を1~10質量含むことを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体用絶縁基板。前記SiO2系ガラスフリットが、25質量以下のP2O5を更に含むことを特徴とする請求項2に記載のパワー半導体用絶縁基板。前記P2O5系ガラスフリットが、P2O5を25~40質量、Al2O3を15~25質量、Na2Oを6~18質量、Sb2O3を5~15質量、及びB2O3を5~15質量含むことを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体用絶縁基板。前記絶縁層の厚さが、10~200μmであることを特徴とする請求項1~4の何れか一項に記載のパワー半導体用絶縁基板。前記絶縁層上に回路層が形成されていることを特徴とする請求項1~5の何れか一項に記載のパワー半導体用絶縁基板。Alめっき鋼板のAlめっき表面に、軟化点が500°C以下のSiO2系ガラスフリット又はP2O5系ガラスフリットを含むスラリーを塗布した後、該軟化点以上700°C未満の温度で焼成してAlめっき表面上に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層上に導電性ペーストを印刷した後、150°C以上該ガラスフリットの軟化点未満の温度で焼成して回路層を形成する工程とを有することを特徴とするパワー半導体用絶縁基板の製造方法。パワー半導体素子の片面に、請求項6に記載のパワー半導体用絶縁基板の回路層が200°C以上該ガラスフリットの軟化点未満の融点を有する金属溶加材料を介して接合されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。パワー半導体素子の両面に、請求項6に記載のパワー半導体用絶縁基板の回路層が200°C以上該ガラスフリットの軟化点未満の融点を有する金属溶加材料を介してそれぞれ接合され、該パワー半導体素子が樹脂で封止されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。従って、本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、高温で動作するパワー半導体装置に使用することのできる絶縁基板を提供することを目的とする。そこで、本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、Alめっき鋼板のAlめっき表面に特定のガラスフリットを焼成してなる絶縁層を形成した絶縁基板が、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、Alめっき鋼板のAlめっき表面に、軟化点が500°C以下のSiO2系ガラスフリット又はP2O5系ガラスフリットを焼成して得られる絶縁層が形成されていることを特徴とするパワー半導体用絶縁基板である。本発明によれば、高温で動作するパワー半導体装置に使用することのできる絶縁基板を提供することができる。本発明のパワー半導体用絶縁基板は、Alめっき鋼板のAlめっき表面に、軟化点が500°C以下のSiO2系ガラスフリット又はP2O5系ガラスフリットを焼成して得られる絶縁層が形成されているものである。本発明で使用するAlめっき鋼板としては、低炭素鋼、高張力鋼、ステンレス鋼、特殊鋼等のめっき原板にAlめっきが形成されているものであれば特に限定されない。より具体的には、例えばJISG3314溶融アルミニウムめっき鋼板及び鋼帯に規定されるAlめっき鋼板、あるいはJISG3141冷間圧延鋼板及び鋼帯、JISG3311みがき特殊鋼帯、JISG4305冷間圧延ステンレス鋼板及び鋼帯等に記載された鋼板に溶融アルミニウムめっきを施したAlめっき鋼板が挙げられる。Alめっき鋼板の厚さは、機械的強度の確保や製造性及び熱伝導性を考慮すると、0.05mm~3.5mmが好ましい。Alめっきの好ましい組成は、Al-0~12Siである。Alめっきの組成が上記範囲内であれば、ガラスフリットとの密着性がより向上する。また、Alめっきの好ましい膜厚は、片面当たり5~100μmである。Alめっきの膜厚が上記範囲内であれば、めっき層が十分に平坦かつ耐熱性を有するものとなる。本発明で使用する軟化点が500°C以下のSiO2系ガラスフリットガラス粉末としては、SiO2を30~40質量、Na2OとK2Oとを合計で25~35質量、TiO2を15~25質量、ZnOを2~10質量、及びV2O5を1~10質量含むものが好ましい。SiO2の含有量が30質量未満であると、絶縁層の形成が難しい場合があるので好ましくなく、また、40質量を超えると、軟化点が500°Cを超える場合があるので好ましくない。Na2OとK2Oとを合計した含有量が25質量未満であると、低軟化点化が不十分な場合があるので好ましくなく、また、35質量を超えると、耐水性に劣る場合があるので好ましくない。TiO2の含有量が15質量未満であると、絶縁性が不十分な場合があるので好ましくなく、また、25質量を超えると、絶縁層の形成が難しくなる場合があるので好ましくない。ZnOの含有量が2質量未満であると、絶縁層の平滑性が損なわれる場合があるので好ましくなく、また、10質量を超えると、絶縁層の形成が難しくなる場合があるので好ましくない。V2O5の含有量が1質量未満であると、絶縁層の均一性が損なわれる場合があるので好ましくなく、また、10質量を超えると、絶縁層の形成が難しくなる場合があるので好ましくない。より好ましくは、SiO2を35~40質量、Na2OとK2Oとを合計で27~32質量、TiO2を18~22質量、ZnOを4~6質量、及びV2O5を4~6質量含むSiO2系ガラスフリットである。また、SiO2系ガラスフリットには、25質量以下のP2O5を更に含有させてもよい。SiO2系ガラスフリットにP2O5を含有させることで、さらに低軟化点にすることができる。P2O5のより好ましい含有量は、15質量以下である。本発明で使用する軟化点が500°C以下のP2O5系ガラスフリットガラス粉末としては、P2O5を25~40質量、Al2O3を15~25質量、Na2Oを6~18質量、Sb2O3を5~15質量、及びB2O3を5~15質量含むものが好ましい。P2O5の含有量が25質量未満であると、絶縁層の形成が難しくなる場合があるので好ましくなく、また、40質量を超えると、耐水性が劣る場合があるので好ましくない。Al2O3の含有量が15質量未満であると、絶縁性が不十分な場合があるので好ましくなく、また、25質量を超えると、500°C以下の軟化点にすることが難しい場合があるので好ましくない。Na2Oの含有量が6質量未満であると、700°C未満の温度で絶縁層を形成することが難しくなる場合があるので好ましくなく、また、18質量を超えると、耐水性が劣る場合があるので好ましくない。Sb2O3の含有量が5質量未満であると、絶縁層の平滑性が損なわれる場合があるので好ましくなく、また、15質量を超えると、絶縁層の形成が難しくなる場合があるので好ましくない。B2O3の含有量が5質量未満であると、絶縁層の均一性が損なわれる場合があるので好ましくなく、また、15質量を超えると、500°C以下の軟化点にするのが難しくなる場合があるので好ましくない。より好ましくは、P2O5を30~35質量、Al2O3を18~23質量、Na2Oを10~15質量、Sb2O3を8~13質量、及びB2O3を8~13質量含むP2O5系ガラスフリットである。ガラスフリットの軟化点を500°C以下に規定した理由は、500°Cを超える軟化点では、焼成時の温度を高くする必要があり、それによりAlめっき中のAl成分とめっき原板中のFe成分とが反応合金化して脆い金属間化合物を生成するためである。このような脆い金属間化合物が生成すると、熱歪などの応力によって界面が剥離するという問題が起こる。金属間化合物の成長を抑制すると共に半導体素子の作動温度で軟化しないという観点から、ガラスフリットの好ましい軟化点は、430~490°Cである。ガラスフリットの軟化点は、各成分の含有量を調節することで変更することができ、例えば、SiO2系ガラスフリットの場合、SiO2の含有量を増減させればよく、P2O5系ガラスフリットの場合、P2O5の含有量を増減させればよい。上記したガラスフリットを構成する各成分の平均粒子径D50は、特に限定されるものではないが、より平滑で均一な絶縁層を形成するという観点から、好ましくは0.5~20μmであり、より好ましくは3~5μmである。なお、平均粒子径は、レーザー式粒度分布計を用いて測定される値である。上記したガラスフリットの焼成により得られる絶縁層は、窒化アルミニウムからなる従来の絶縁層よりも絶縁性が高いので、厚さを薄くしても十分に絶縁性を確保することができる。そのため、絶縁基板を薄型化することができ、結果として、パワー半導体装置の小型化が可能となる。具体的には、厚さが600μmの一般的な窒化アルミニウムからなる絶縁層と同程度の絶縁性を、本発明では30~40μm程度の厚さの絶縁層で達成することができる。例えば、窒化アルミニウムの絶縁破壊電圧は40kV/cm程度であるので、厚さ600μmの窒化アルミニウムによる絶縁層では2.4kV程度の耐電圧が得られる。この耐電圧は、パワー半導体の動作電圧として1kV程度を想定する場合には充分に余裕のある値である。しかし、窒化アルミニウムよりも絶縁破壊電圧が大きい絶縁材料で絶縁層を構成することができれば、より薄い絶縁層でも同等の耐電圧が得られる。本発明に従ったガラスフリットの焼成により得られる絶縁層は、700kV/cm程度の大きな絶縁破壊電圧を呈するので、35μmの絶縁層厚さがあれば2.4kV程度の耐電圧が得られるのである。絶縁層の厚さは、求められる絶縁性に応じて適宜設定すればよいが、好ましくは10~200μmであり、より好ましくは20~100μmである。なお、絶縁層の厚さは、例えば、電磁誘導式膜厚計で測定することができる。また、本発明のパワー半導体用絶縁基板における絶縁層は、ガラスフリットの組成を上記した範囲内で調整することにより、Alめっき鋼板の熱膨張率に近づけたり、パワー半導体素子とAlめっき鋼板との間の熱膨張率にすることができる。このように熱膨張率を調整することで、パワー半導体装置で生じる熱応力を緩和することができるという利点を有する。この絶縁層は、Alめっき鋼板のAlめっき表面に、上記したガラスフリットを含むスラリーを塗布した後、これを、ガラスフリットの軟化点以上700°C未満の温度で焼成することにより形成することができる。ガラスフリットを含むスラリーの塗布は、スプレー法等の琺瑯の技術分野で公知の方法により行うことができる。絶縁層形成時の焼成温度がガラスフリットの軟化点未満であると、Alめっき鋼板に絶縁層を密着させることができず、一方、700°C以上の焼成温度では、Alめっき中のAl成分とめっき原板中のFe成分とが反応合金化して脆い金属間化合物を生成する。好ましい焼成温度は、ガラスフリットの軟化点以上600°C以下である。焼成時間は、特に限定されるものではないが、通常、1~60分である。本発明のパワー半導体用絶縁基板の絶縁層上には、回路層が形成されていてもよい。本発明における回路層は、絶縁層上に導電性ペーストを印刷した後、150°C以上ガラスフリットの軟化点未満の温度で焼成することにより形成することができる。窒化アルミニウム等からなるセラミックス基板にアルミニウム部材が接合された従来の絶縁基板では、金属層を約600°Cでろう付け接合した後、金属層をエッチングして回路層を形成する必要があったが、本発明のパワー半導体用絶縁基板では、絶縁層上に回路層を直接形成することができるので、エッチング工程が不要になるという利点がある。ここで使用する導電性ペーストとしては、Agナノ粒子を含む低温焼成型導電性ペーストが好ましく、より具体的には、Agナノ粒子:酸化Ag粒子が重量比で10~0.01:1である混合粉末とアクリル等の樹脂バインダーとを水や有機溶媒中に添加したものである。導電性ペーストの印刷は、スクリーン印刷等により行うことができる。回路層形成時の焼成温度が150°C未満であると、回路としての導電性が不十分となり、一方、ガラスフリットの軟化点以上の焼成温度では、ガラスフリットの軟化が起きてしまうである。上記のように回路層が形成されたパワー半導体用絶縁基板を用いたパワー半導体モジュールの具体的な構成例としては、図1に示されるように、パワー半導体素子10の片面に、パワー半導体用絶縁基板11の回路層12が金属溶加材料13を介して接合されたものや、図2に示されるように、パワー半導体素子10の両面に、2枚のパワー半導体用絶縁基板11の回路層12が金属溶加材料13を介してそれぞれ接合され、更にパワー半導体素子10が樹脂14で封止されたものが挙げられる。窒化アルミニウム等からなるセラミックス基板にアルミニウム部材が接合された従来の絶縁基板では、パワー半導体素子が搭載される面にNi無電解めっきを施す必要があったが、本発明のパワー半導体用絶縁基板では、Ag焼成層がNiめっき層の代替として作用するので、そのようなNi無電解めっき工程が不要になるという利点がある。本発明のパワー半導体用絶縁基板に搭載されるパワー半導体素子10としては、SiC半導体素子、GaN半導体素子等が挙げられる。パワー半導体素子10と、パワー半導体用絶縁基板11の回路層12とを接合するのに使用される金属溶加材料13としては、200°C以上該ガラスフリットの軟化点未満の融点を有するものであればよい。このような金属溶加材料13の具体例としては、Ag、Zn-Al等を主体とする合金が挙げられる。パワー半導体素子10の封止に使用する樹脂14としては、シリコーン等が挙げられる。また、上記のように構成されたパワー半導体モジュールには、ヒートシンクなどの強制冷却器を設ける必要がないので、装置を小型化することができるという利点がある。38質量のSiO2、30質量のNa2OK2O、20質量のTiO2、6質量のZnO及び6質量のV2O5からなる軟化点480°Cのガラスフリット平均粒子径3~5μmを水と混合してスラリーを作製した。厚さ0.5mmのAlめっき低炭素鋼板Alめっき膜厚30μmのAlめっき表面に、スラリーをスプレー塗布し、530°Cで30分間焼成して厚さ20μmの絶縁層を形成した。<耐電圧の評価>JISC2110に基づいた測定方法により、20μmの厚さの絶縁層を形成したAlめっき鋼板の絶縁破壊電圧を測定したところ、1.5kVであった。この耐電圧は、現在の自動車関連部品において一般的に必要とされる動作電圧700Vの2倍を超える値である。<熱膨張係数の測定>JISR3102に基づいた測定方法により、絶縁層を形成するガラスフリットを単体で棒状に焼成し、焼成後の熱膨張係数を測定したところ、13×10―6/°Cであり、絶縁層の素地である鋼材の熱膨張係数10×10-6/°C~17×10-6/°Cに近い値を示した。<耐冷熱衝撃性の評価>大気雰囲気中で-40°C×30min→250°C×30min1サイクルとサンプルの温度を変化させる冷熱衝撃試験を1000サイクル実施した。試験実施後のAlめっき層と絶縁層との界面や絶縁層には大きな亀裂や欠陥は認められなかった。上記の評価結果から分かるように、実施例で得られた絶縁基板は、ガラスフリット焼成による絶縁破壊電圧が高い絶縁層を備えているため、絶縁層を従来よりも薄くでき、それにより冷熱繰り替えし衝撃試験にも耐え、高温動作可能なパワー半導体装置に好適に使用することができると言える。