"相対する両面に電子部品を実装されたメタルコア配線基板と、前記電子部品の発熱を放熱するためのヒートシンクと、前記メタルコア配線基板を外部と接続する配線用リードとを有し、前記メタルコア配線基板及び前記電子部品が封止樹脂により封止された電子装置であって、前記ヒートシンクは、前記メタルコア配線基板のコアメタルの一部であり、一体的に形成されていることを特徴とする電子装置。請求項1記載の電子装置において、前記配線リードは、前記ヒートシンクは、前記メタルコア配線基板のコアメタルの一部であり、前記コアメタルから切り離されて形成されていることを特徴とする電子装置。請求項1記載の電子装置において、前記メタルコア配線基板の電子部品を実装する面に設けられた電子部品搭載用の座繰り部を備え、前記座繰り部では、前記コアメタルが露出しており、当該露出したコアメタルの部分に電子部品が接合剤により直接実装されることを特徴とする電子装置。請求項1記載の電子装置において、前記メタルコア配線基板の層間配線を形成する貫通ホールを備え、該貫通ホールには、前記封止樹脂が充填されることを特徴とする電子装置。請求項1記載の電子装置において、前記ヒートシンクに形成された貫通ホールを備え、該貫通ホールには、前記樹脂封止に用いる樹脂が充填されていることを特徴とする電子装置。しかしながら、特許文献1記載のものでは、片面実装の配線基板とヒートシンクが別体となっている。このため、配線基板にはヒートシンク接合のための領域を確保しなければならず、小型化が困難である。また、特許文献2記載のものでは、両面実装の配線基板であるため片面実装と比較して実装部品点数は拡大するが、配線基板にヒートシンクの機能を持つベース部材を接合する領域を確保する必要があり、小型化は困難である。また、特許文献3記載のものでは、半導体チップはメタルコア基板のコアメタルにダイレクトに接合するため、配線基板の樹脂材の熱伝導特性の影響を考慮する必要がない。しかし、配線基板の裏面にはんだボールを搭載した片面実装であるため、電子部品のサイズは実装部品点数を拡大するには難があり、小型化は困難である。また、特許文献4記載のものでは、メタルコア基板を用いているが、外部との接続にははんだボールを用いた片面実装であるため、実装部品点数を拡大するには難があり、小型化は困難である。本発明の目的は、電子部品を配線基板に実装し樹脂封止した電子装置において、小型化が可能な電子装置を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明は、メタルコア配線基板及び電子部品が封止樹脂により封止された電子装置であって、ヒートシンクは、メタルコア配線基板のコアメタルの一部であり、一体的に形成されているようにしたものである。かかる構成により、電子部品を配線基板に実装し樹脂封止した電子装置において、小型化が可能となる。本発明によれば、電子部品を配線基板に実装し樹脂封止した電子装置において、小型化が可能となる。以下、図1~図3を用いて、本発明の一実施形態による電子装置の構成について説明する。図1は、本発明の一実施形態による電子装置の構成を示す外観斜視図である。図2は、本発明の一実施形態による電子装置の構成を示す断面図であり、図1のX-X’断面図である。図3は、本発明の一実施形態による電子装置の構成を示す断面図であり、図1のY-Y’断面図である。なお、図1~図3において、同一符号は同一部分を示している。図1に示すように、本実施形態の電子装置は、封止樹脂1によって全体を封止されている。封止樹脂1は平面形状が四角形となっている。その四角形の互いに平行な第1と第2の辺からは、複数の接続用リード5が封止樹脂1の外部に突出している。また、他の互いに平行な第3と第4の辺からは、2つのヒートシンク14が封止樹脂1の外部に突出している。なお、図3を用いて後述するように、ヒートシンク14は、封止樹脂1により封止されたメタルコア配線基板のコアメタルと一体的に構成されている。次に、図2を用いて、図1のX-X’断面の構成について説明する。メタルコア配線基板2は、その中心部にコアメタル3が配置されている。コアメタル3の両面には、絶縁層と金属の配線パターンを有する配線層が交互に形成されている。各配線層の層間配線は、複数の貫通ホール13により行われている。コアメタル2としては、例えば、銅板を用いている。なお、コアメタル2としては、アルミ板を用いることもできる。メタルコア配線基板2の一方の面には、座繰り部4が形成されている。座繰り部4の底面には、コアメタル3が露出している。半導体チップ9は、メタルコア配線基板2に設けた座繰り部4のコアメタル3の上に実装される。半導体チップ9の底面には、接地電極が形成されている。座繰り部4と半導体チップ9の間は、導電接合剤10により接合され、半導体チップ9が固定される。これにより、半導体チップ9の接地電極は、コアメタル3に電気的に接続される。また、メタルコア配線基板2の両面の配線層には、チップ部品11が導電接合剤12により接続固定されている。これにより、両面実装構成としている。メタルコア配線基板2の対向する両側端部の側には、それぞれ、外部装置とを接続するための接続用リード5が配置されている。メタルコア配線基板2の一方の面であって、接続用リード5に近接する位置には、ボンディングパット16が配線層に形成されている。接続用リード5とボンディングパット16は、金属ワイヤ6によりワイヤボンディングされている。なお、メタルコア配線基板2のコアメタル3と接続用リード5とは同じ材料からなり、後述するように、一枚の金属板からプレス打ち抜きにより加工されたものである。半導体チップ9およびチップ部品11などの電子部品が実装されたメタルコア配線基板2と、このメタルコア配線基板2とワイヤボンディングにより接続された接続用リード5の一部は、封止樹脂1により封止され、外部環境から保護されている。接続用リード5の一部は、封止樹脂1の外部に露出している。このとき、メタルコア配線基板2の層間配線に用いる貫通ホール13には、封止樹脂1が充填されている。ここで、配線用リード5とメタルコア配線基板2を配線している金属ワイヤ6は、封止樹脂1により封止されているため、この接続部の強度を向上することができる。次に、図3を用いて、図1のY-Y’断面の構成について説明する。メタルコア配線基板2及び、メタルコア配線基板2に実装された半導体チップ9およびチップ部品11などの電子部品などの構成は、図2にて説明したものと同様である。メタルコア配線基板2の対向する両側端部の側には、それぞれ、ヒートシンク14が備えられている。図示に左側の部分に示すように、メタルコア配線基板2のコアメタル3とヒートシンク14とは一体的に形成されている。半導体チップ9およびチップ部品11などの電子部品が実装されたメタルコア配線基板2と、このメタルコア配線基板2と接続されたヒートシンク14の一部は、封止樹脂1により封止され、外部環境から保護されている。ヒートシンク14の一部は、封止樹脂1の外部に露出している。従って、半導体チップ9から発せられた熱は、コアメタル3からヒートシンク14に伝達され、封止樹脂1の外部に露出しているヒートシンク14から外部に放出される。また、ヒートシンク14には複数の貫通ホール18を設け、その内部には封止樹脂1を充填している。なお、図2に示した貫通ホール13及び図3の貫通ホール18の直径は、φ0.2mm以上としている。これのより小さいと、封止樹脂1を貫通ホール13,18の内部に充填できないからからである。また、封止樹脂の外部に露出したヒートシンク14図3および外部装置との配線用リード5図2は、メタルコア配線基板2の電子部品実装面に対して水平方向に露出している。次に、図4を用いて、本発明の一実施形態による電子装置の変形例の構成について説明する。図4は、本発明の一実施形態による電子装置の変形例の構成を示す断面図であり、図1のX-X’断面図である。なお、図4において、図2と同一符号は同一部分を示している。本変形例の基本的な構成は、図2に示したものと同様である。本例では、メタルコア配線基板の内層配線は、図2に示した貫通ホール13に代えて、IVHInterstitialViaHole7、層間ビア8によって形成している。以上説明した本実施形態では、ヒートシンクはメタルコア配線基板のコアメタルの一部であり、両者は一体的に形成されており、また、メタルコア配線基板には電子部品が両面実装されているので、電子装置の小型化が可能である。すなわち、前述の特許文献1記載のものでは、片面実装の配線基板とヒートシンクが別体となっているため、配線基板にはヒートシンク接合のための領域を確保しなければならず、小型化が困難であったが、本実施形態ではかかる問題が解決される。また、特許文献2記載のものでは、配線基板にヒートシンクの機能を持つベース部材を接合する領域を確保する必要があり、小型化は困難であったが、本実施形態ではかかる問題が解決される。また、特許文献3記載のものでは、配線基板の裏面にはんだボールを搭載した片面実装であるため、電子部品のサイズは実装部品点数を拡大するには難があり、小型化は困難であったが、本実施形態ではかかる問題が解決される。また、特許文献4記載のものでは、外部との接続にははんだボールを用いた片面実装であるため、実装部品点数を拡大するには難があり、小型化は困難であったが、本実施形態ではかかる問題が解決される。また、本実施形態では、半導体チップ9はメタルコア配線基板2のコアメタル3に直接接続していることにより、半導体チップの発熱はコアメタル3のみを介してヒートシンク14により外部へ放熱されるため、放熱性を向上することができる。すなわち、前述の特許文献1記載のものでは、半導体チップの発熱は配線基板を介してヒートシンクへと伝わるため、放熱性は配線基板材料の熱伝導性の影響を受けるが、本実施形態ではかかる問題が解決される。また、特許文献2記載のものでは、半導体チップとベース部材との間に配線基板が存在するため、半導体チップの発熱は配線基板を介してベース部材へ伝わるため、放熱性は配線基板の樹脂基材の熱伝導性の影響を受けるが、本実施形態ではかかる問題が解決される。また、特許文献4記載のものでは、半導体チップはメタルコアにダイレクトに接続されてはおらず樹脂基材を介しているため、樹脂材の熱伝導性の影響を受けるが、本実施形態ではかかる問題が解決される。また、本実施形態では、メタルコア配線基板2の貫通ホール13およびヒートシンク14に設けた貫通ホール18に封止樹脂を充填している。これにより、封止樹脂材のクリープ変形を抑制し、また、部材間の線膨張係数差に起因した熱応力変形を抑制することが可能となり、温度変化などの使用環境の変化にも耐えうる信頼性を向上することができる。すなわち、前述の特許文献1記載のものでは、配線基板と封止樹脂の線膨脹係数差による熱応力変形が大きくなる可能性があり信頼性に課題が生じるが、本実施形態ではかかる問題が解決される。さらに、本実施形態では、メタルコア配線基板のコアメタルを外部との配線用リードとして用いているため、配線用リードを個別に取り付けるための製造工程および製造装置を導入する必要がない。これによって量産性を向上でき、コスト低減を図ることができる。また、配線基板に配線用リードを個別に取り付ける位置を確保する必要がないため、電子装置の小型化を実現する。すなわち、前述の特許文献1記載のものでは、片面実装の配線基板とヒートシンクが別体となっているため、ヒートシンク接合のための製造プロセスが必要となり、量産性に優れないものであるが、本実施形態ではかかる問題が解決される。また、特許文献3記載のものでは、配線基板の裏面にはんだボールを搭載した実装構造であり、はんだボール搭載の製造プロセスが必要となり、量産性には優れないが、本実施形態ではかかる問題が解決される。また、特許文献4記載のものでは、外部との接続にははんだボールを用いた実装構造であり、はんだボール搭載の製造プロセスが必要となり、量産性には優れないが、本実施形態ではかかる問題が解決される。次に、図5~図8を用いて、本発明の一実施形態による電子装置の製造プロセスについて説明する。図5~図8は、本発明の一実施形態による電子装置の製造プロセスの説明図である。なお、図5~図8において、図1~図3と同一符号は同一部分を示している。最初に、本実施形態で用いるメタルコア配線基板2について説明する。図5は、本実施形態による電子装置に用いるメタルコア配線基板2の上面図である。メタルコア配線基板2は、電子部品を実装する電子部品実装面15と、その内層から電子部品実装面よりも水平方向へのサイズが大きいコアメタル3を備えている。電子部品実装面15には、図2にて説明したように、内層のコアメタル3とその両面に交互に形成された絶縁層と配線層とが設けられている。電子部品実装面15の中央には、図2に示した半導体チップ9が配置される座繰り部4が形成されている。また、電子部品実装面15の2つの対向する辺の近傍には、複数のボンディングパット16が形成されている。また、ボンディングパット16の形成された位置よりも内周側には、複数の貫通ホール13が形成されている。図6は、図3のメタルコア配線基板2からフランジ部17を形成した後のメタルコア配線基板の上面図である。図6に示すように、メタルコア配線基板2は、電子部品実装面15とフランジ部14を備える。フランジ部17は、電子部品実装面15の内層のコアメタル3から繋がっているヒートシンク14と、コアメタル3からは切り離された配線用リード5とを連結している部分である。なお、ヒートシンク14には、複数の貫通ホール18が形成されている。このフランジ部17の形状は、例えば、メタルコア配線基板2のコアメタル3をプレス加工によって打ち抜く等の加工により形成する。このメタルコア配線基板2に対して、電子部品が実装される。図7は、電子部品実装後のメタルコア配線基板2を示している。電子部品実装面15には、チップコンデンサやチップ抵抗などのチップ部品11が第1の導電性接着剤により実装される。第1の導電性接着剤としては、例えば鉛フリーはんだペーストを用い、リフローによって接合する。はんだリフロー後、電子部品実装面15にはんだペーストのフラックスが付着するため、リフロー後にフラックスを除去するための洗浄を行う。これにより、ボンディングパッドにフラックスが付着してもワイヤボンディング工程前にこれらのフラックスを除去でき、ワイヤボンディング性に影響を与えることを防ぐ。次に、電子部品実装面15に設けた座繰り部4から露出しているコアメタル3の上面に、半導体チップ9を第2の導電性接着剤を用いて実装する。ここで、第2の導電性接着剤は、接合温度が第1の導電性接着剤である鉛フリーはんだの融点よりも低い材料、例えばAgペーストを用いる。Agペーストの硬化温度は、約150°Cであり鉛フリーはんだの融点約200°Cよりも低いために、Agペースト接合によって先に接合した鉛フリーはんだが溶融する心配がない。Agペースト硬化後、半導体チップ9とメタルコア配線基板の電子部品実装面15とは、ボンディングワイヤによって配線を形成する。さらに、電子部品実装面15のボンディングパッド16とコアメタルの配線用リード5とをボンディングワイヤ6によって結線することにより配線を形成する。次に、図7までの電子部品実装工程の後、すべての電子部品と配線を外部環境から保護するため、封止樹脂1によりモールド成形を行う。図8は、モールド成形後を示した図である。モールド成形では、信頼性確保のため、基板の上面および下面を貫通する貫通ホール13,18に封止樹脂材が隙間無く充填することが望ましい。貫通ホール13,18に封止樹脂材を隙間無く充填させるため、例えば、モールド成形時の樹脂を注入するタイミングを、基板上面と下面とでずらして注入する。これにより、貫通ホールには基板上面および下面の両開口部に一度に樹脂が流入するのではなく、一方の開口部から徐々に注入されることになり、貫通ホールには樹脂が隙間無く充填される。次に、フランジ部17のダイシングを行う。図8に点線で示す箇所が、フランジ部のダイシング箇所19である。これらの箇所19をダイシングし、コアメタルのフランジ部から切り離すことによって、本実施形態の電子装置が得られる。以上説明したように、本実施形態によれば、ヒートシンクはメタルコア配線基板のコアメタルの一部であり、両者は一体的に形成されており、また、メタルコア配線基板には電子部品が両面実装されているので、電子装置の小型化が可能である。すなわち、配線基板内部にヒートシンクが内蔵されているため、配線基板に別体でヒートシンクを接合する必要がなく、電子装置の大幅な小型化を実現する。また、配線基板にメタルコア基板を用い、メタルコア基板のコアメタルを配線用リードとして用いるため、配線基板の両面にリード接続用の領域を形成する必要がなく、大幅な小型化を実現することが可能となる。また、半導体チップは、基板の表面に設けた座繰り内部のコアメタル上に直接搭載しコアメタルをヒートシンクとして放熱がなされるので、半導体チップの発熱は配線基板を介することなく直接ヒートシンクへ放熱されるため、優れた放熱性を得ることができる。さらに、配線基板の貫通ホールには、封止樹脂を充填することにより、封止樹脂と配線基板との線膨脹係数差による熱応力変形を緩和することが可能であり、使用環境温度の変化にも耐えうる信頼性に優れた電子装置を実現する。また、配線基板にメタルコア基板を用い、メタルコア基板のコアメタルを配線用リードとして用いるため、配線基板の両面にリード接続用の領域を形成する必要がなく、配線用リードを接続するプロセスが不要であるため、製造プロセスの低減が可能となる。"