"格子構造が周期的に配置され、放射線源から射出された放射線を通過させて第1の周期パターン像を形成する第1の格子と、該第1の格子により形成された周期パターン像を透過する部分と遮蔽する部分とからなる格子構造が周期的に配置され、第2の周期パターン像を形成する第2の格子と、該第2の格子により形成された第2の周期パターン像を検出する画素部が2次元状に配列された放射線画像検出器と、前記放射線画像検出器において検出された前記第2の周期パターン像を表す画像信号に基づいて位相コントラスト画像を生成する画像生成部とを備えた放射線画像撮影装置であって、前記第1の格子および前記第2の格子のいずれか一方の前記格子が、前記画素部に対応する単位で構成された単位格子を複数配列したものであるとともに、前記位相コントラスト画像を構成する1つの画素に対応する所定の範囲内における複数の前記単位格子が、他方の前記格子の延伸方向に直交する方向について該他方の格子に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、前記画像生成部が、前記所定の範囲内に配置された各単位格子に対応する前記画素部から読み出された読出信号に基づいて、前記位相コントラスト画像を構成する1つの画素の画素信号を生成するものであるとともに、前記位相コントラスト画像を構成する隣接する画素の画素信号を生成する際に用いる前記読出信号を前記隣接する画素で一部共有するものであることを特徴とする放射線画像撮影装置。前記画像生成部が、1つの前記画素信号を生成するのに用いる前記読出信号の数よりも少ない数の前記画素信号を表示用画素信号として生成するものであることを特徴とする請求項1記載の放射線画像撮影装置。前記所定の範囲内における前記単位格子が、複数列をなして配置されるものであることを特徴とする請求項1または2記載の放射線画像撮影装置。前記一部共有される読出信号が複数であって、該複数の読出信号が読み出される前記画素部に対応する複数の前記単位格子の前記他方の格子に対する距離が同じとなるように、前記単位格子が配置されたものであることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記一部共有される読出信号が複数であって、該複数の読出信号が読み出される前記画素部に対応する複数の前記単位格子の前記他方の格子に対する距離が互いに異なるように、前記単位格子が配置されたものであることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記位相コントラスト画像を構成する所定の画素の画素信号を生成する際、該所定の画素の左右に両隣の画素の画素信号を生成する際に用いられる前記読出信号が共有されるように前記単位格子が配置されたものであることを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記位相コントラスト画像を構成する所定の画素の画素信号を生成する際、該所定の画素の上下に両隣の画素の画素信号を生成する際に用いられる前記読出信号が共有されるように前記単位格子が配置されたものであることを特徴とする請求項1から6いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記所定の範囲内の複数の前記単位格子の像が、前記他方の格子に対してP/Mずつ平行にシフトして配列されたものであることを特徴とする請求項1から7いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。ただし、Pは前記他方の格子のピッチ、Mは前記位相コントラスト画像を構成する1つの画素を生成するために用いられる予め設定された位相情報の数前記単位格子が、矩形で形成されたものであることを特徴とする請求項1から8いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記第2の格子が、前記第1の格子からタルボ干渉距離の位置に配置され、前記第1の格子のタルボ干渉効果によって形成される前記第1の周期パターン像に強度変調を与えるものであることを特徴とする請求項1から9いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記第1の格子が、前記放射線を投影像として通過させて前記第1の周期パターン像を形成する吸収型格子であり、前記第2の格子が、前記第1の格子を通過した前記投影像としての前記第1の周期パターン像に強度変調を与えるものであることを特徴とする請求項1から9いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記第2の格子が、前記第1の格子から最小のタルボ干渉距離より短い距離に配置されていることを特徴とする請求項11記載の放射線画像撮影装置。格子構造が周期的に配置され、放射線源から射出された放射線を通過させて周期パターン像を形成する格子と、該格子によって形成された周期パターン像を透過する第1の電極層と、該第1の電極層を透過した前記周期パターン像の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、該光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、前記読取光によって走査されることによって前記各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される放射線画像検出器と、該放射線画像検出器において検出された前記周期パターン像を表す画像信号に基づいて位相コントラスト画像を生成する画像生成部とを備えた放射線画像撮影装置であって、前記電荷蓄積層が、前記画素部に対応する単位で構成された単位格子パターンを複数配列したものであるとともに、前記位相コントラスト画像を構成する1つの画素に対応する所定の範囲内における複数の前記単位格子パターンが、前記格子の延伸方向に直交する方向について該格子に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、前記画像生成部が、前記所定の範囲内に配置された各単位格子パターンに対応する前記画素部から読み出された読出信号に基づいて、前記位相コントラスト画像を構成する1つの画素の画素信号を生成するものであるとともに、前記位相コントラスト画像を構成する隣接する画素の画素信号を生成する際に用いる前記読出信号を前記隣接する画素で一部共有するものであることを特徴とする放射線画像撮影装置。前記画像生成部が、1つの前記画素信号を生成するのに用いる前記読出信号の数よりも少ない数の前記画素信号を表示用画素信号として生成するものであることを特徴とする請求項13記載の放射線画像撮影装置。前記所定の範囲内における前記単位格子パターンが、複数列をなして配置されるものであることを特徴とする請求項13または14記載の放射線画像撮影装置。前記一部共有される読出信号が複数であって、該複数の読出信号が読み出される前記画素部に対応する複数の前記単位格子パターンの前記格子に対する距離が同じとなるように、前記単位格子パターンが配置されたものであることを特徴とする請求項13から15いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記一部共有される読出信号が複数であって、該複数の読出信号が読み出される前記画素部に対応する複数の前記単位格子パターンの前記格子に対する距離が互いに異なるように、前記単位格子パターンが配置されたものであることを特徴とする請求項13から15いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記位相コントラスト画像を構成する所定の画素の画素信号を生成する際、該所定の画素の左右に両隣の画素の画素信号を生成する際に用いられる前記読出信号が共有されるように前記単位格子パターンが配置されたものであることを特徴とする請求項13から17いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記位相コントラスト画像を構成する所定の画素の画素信号を生成する際、該所定の画素の上下に両隣の画素の画素信号を生成する際に用いられる前記読出信号が共有されるように前記単位格子パターンが配置されたものであることを特徴とする請求項13から18いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記所定の範囲内の複数の前記単位格子パターンが、前記格子の像に対してP/Mずつ平行にシフトして配列されたものであることを特徴とする請求項13から19いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。ただし、Pは前記格子の像のピッチ、Mは前記位相コントラスト画像を構成する1つの画素を生成するために用いられる予め設定された位相情報の数前記単位格子パターンが、矩形で形成されたものであることを特徴とする請求項13から20いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記放射線画像検出器が、前記格子からタルボ干渉距離の位置に配置され、前記格子のタルボ干渉効果によって形成される前記周期パターン像に強度変調を与えるものであることを特徴とする請求項13から21いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記格子が、前記放射線を投影像として通過させて前記周期パターン像を形成する吸収型格子であり、前記放射線画像検出器が、前記格子を通過した前記投影像としての前記周期パターン像に強度変調を与えるものであることを特徴とする請求項13から21いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記放射線画像検出器が、前記格子から最小のタルボ干渉距離より短い距離に配置されていることを特徴とする請求項23記載の放射線画像撮影装置。格子構造が周期的に配置され、放射線源から射出された放射線を通過させて周期パターン像を形成する格子と、該格子によって形成された周期パターン像を透過する第1の電極層と、該第1の電極層を透過した前記周期パターン像の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、該光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、前記読取光によって走査されることによって前記各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される放射線画像検出器と、該放射線画像検出器において検出された前記周期パターン像を表す画像信号に基づいて位相コントラスト画像を生成する画像生成部とを備えた放射線画像撮影装置であって、前記電荷蓄積層が、前記線状電極の配列ピッチよりも細かいピッチで格子状に形成されたものであり、前記格子が、前記画素部に対応する単位で構成された単位格子を複数配列したものであるとともに、前記位相コントラスト画像を構成する1つの画素に対応する所定の範囲内における複数の前記単位格子が、他方の前記格子の延伸方向に直交する方向について該他方の格子に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、前記画像生成部が、前記所定の範囲内に配置された各単位格子に対応する前記画素部から読み出された読出信号に基づいて、前記位相コントラスト画像を構成する1つの画素の画素信号を生成するものであるとともに、前記位相コントラスト画像を構成する隣接する画素の画素信号を生成する際に用いる前記読出信号を前記隣接する画素で一部共有するものであることを特徴とする放射線画像撮影装置。前記画像生成部が、1つの前記画素信号を生成するのに用いる前記読出信号の数よりも少ない数の前記画素信号を表示用画素信号として生成するものであることを特徴とする請求項25記載の放射線画像撮影装置。前記所定の範囲内における前記単位格子が、複数列をなして配置されるものであることを特徴とする請求項25または26記載の放射線画像撮影装置。前記一部共有される読出信号が複数であって、該複数の読出信号が読み出される前記画素部に対応する複数の前記単位格子の前記電荷蓄積層の格子パターンに対する距離が同じとなるように、前記単位格子が配置されたものであることを特徴とする請求項25から27いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記一部共有される読出信号が複数であって、該複数の読出信号が読み出される前記画素部に対応する複数の前記単位格子の前記電荷蓄積層の格子パターンに対する距離が互いに異なるように、前記単位格子が配置されたものであることを特徴とする請求項25から28いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記位相コントラスト画像を構成する所定の画素の画素信号を生成する際、該所定の画素の左右に両隣の画素の画素信号を生成する際に用いられる前記読出信号が共有されるように前記単位格子が配置されたものであることを特徴とする請求項25から29いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記位相コントラスト画像を構成する所定の画素の画素信号を生成する際、該所定の画素の上下に両隣の画素の画素信号を生成する際に用いられる前記読出信号が共有されるように前記単位格子が配置されたものであることを特徴とする請求項25から30いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記所定の範囲内の複数の前記単位格子の像が、前記電荷蓄積層の格子パターンに対してP/Mずつ平行にシフトして配列されたものであることを特徴とする請求項25から31いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。ただし、Pは前記電荷蓄積層の格子パターンのピッチ、Mは前記位相コントラスト画像を構成する1つの画素を生成するために用いられる予め設定された位相情報の数前記単位格子が、矩形で形成されたものであることを特徴とする請求項25から32いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記放射線画像検出器が、前記格子からタルボ干渉距離の位置に配置され、前記格子のタルボ干渉効果によって形成される前記周期パターン像に強度変調を与えるものであることを特徴とする請求項25から33いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記格子が、前記放射線を投影像として通過させて前記周期パターン像を形成する吸収型格子であり、前記放射線画像検出器が、前記格子を通過した前記投影像としての前記周期パターン像に強度変調を与えるものであることを特徴とする請求項25から33いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記放射線画像検出器が、前記格子から最小のタルボ干渉距離より短い距離に配置されていることを特徴とする請求項35記載の放射線画像撮影装置。前記電荷蓄積層の格子パターンの配列ピッチP2が、下式を満たすように前記電荷蓄積層が形成されたものであることを特徴とする請求項25から36いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。ただし、P1は前記単位格子の格子ピッチ、Z1は前記放射線源の焦点から前記格子までの距離、Z2は前記格子から前記放射線画像検出器の検出面までの距離前記格子の前記放射線を遮蔽する部分の延伸方向と平行となるように前記放射線を遮蔽する放射線遮蔽部材が所定のピッチで複数延設されるとともに、前記放射線源と前記格子との間に配置され、前記放射線源から照射された放射線を領域選択的に遮蔽して多数の点光源とする吸収型格子からなるマルチスリットをさらに備え、前記マルチスリットの前記所定のピッチP3が、下式を満たす大きさであり、かつ、前記電荷蓄積層の格子パターンの配列ピッチP2が、下式の関係を満たすように前記電荷蓄積層が形成されたものであることを特徴とする請求項25から36いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。ただし、Z3は前記マルチスリットから前記格子までの距離、Z2は前記格子から前記放射線画像検出器の検出面までの距離、P1は前記単位格子の格子ピッチ、前記電荷蓄積層の前記積層方向の厚さが2μm以下であることを特徴とする請求項25から38いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。前記電荷蓄積層の誘電率が、前記光導電層の誘電率の2倍以内かつ1/2倍以上であることを特徴とする請求項25から39いずれか1項記載の放射線画像撮影装置。放射線を透過する第1の電極層と、該第1の電極層を透過した放射線の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、該光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、読取光によって走査されることによって前記各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される放射線画像検出器であって、前記電荷蓄積層が、前記画素部に対応する単位で構成された単位格子パターンを複数配列したものであるとともに、所定の範囲内における複数の前記単位格子パターンが、前記格子の延伸方向に直交する方向について該格子に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、前記所定の範囲内に配置された各単位格子パターンに対応する前記画素部から読み出された読出信号に基づいて位相コントラスト画像を構成する1つの画素の画素信号を生成する際に、前記位相コントラスト画像を構成する隣接する画素の画素信号を生成するために用いる前記読出信号が前記隣接する画素で一部共有されるように前記単位格子パターンが配置されたものであることを特徴とする放射線画像検出器。しかしながら、特許文献1および特許文献2に記載の放射線位相画像撮影装置においては、上述したように第1または第2の格子を、その格子ピッチよりも細かいピッチで精度よく移動させる必要がある。格子ピッチは典型的には数μmであり、格子の送り精度はさらに高い精度が要求されるため、非常に高精度な移動機構が必要となる結果、機構の複雑化とコストの増大をもたらす。また、格子の移動毎に撮影を行う場合、位相コントラスト画像を取得するための一連の撮影間で、被検体の動きや装置振動などの要因で被検体と撮影系の位置関係がズレることにより、被検体との相互作用で発生したX線の位相変化を正しく導くことができず、結果として、良好な位相コントラスト画像を得ることができないといった問題がある。本発明は、上記の事情に鑑み、高精度な移動機構を必要とすることなく、1回の撮影によって位相コントラスト画像を取得することができ、さらにその位相コントラスト画像の連続性を向上することができる放射線画像撮影装置およびその放射線画像撮影装置において用いられる放射線画像検出器を提供することを目的とする。本発明の放射線画像撮影装置は、格子構造が周期的に配置され、放射線源から射出された放射線を通過させて第1の周期パターン像を形成する第1の格子と、第1の格子により形成された周期パターン像を透過する部分と遮蔽する部分とからなる格子構造が周期的に配置され、第2の周期パターン像を形成する第2の格子と、第2の格子により形成された第2の周期パターン像を検出する画素部が2次元状に配列された放射線画像検出器と、放射線画像検出器において検出された第2の周期パターン像を表す画像信号に基づいて位相コントラスト画像を生成する画像生成部とを備えた放射線画像撮影装置であって、第1の格子および第2の格子のいずれか一方の格子が、画素部に対応する単位で構成された単位格子を複数配列したものであるとともに、位相コントラスト画像を構成する1つの画素に対応する所定の範囲内における複数の単位格子が、他方の格子の延伸方向に直交する方向についてその他方の格子に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、画像生成部が、所定の範囲内に配置された各単位格子に対応する画素部から読み出された読出信号に基づいて、位相コントラスト画像を構成する1つの画素の画素信号を生成するものであるとともに、位相コントラスト画像を構成する隣接する画素の画素信号を生成する際に用いる読出信号を隣接する画素で一部共有するものであることを特徴とする。また、上記本発明の放射線画像撮影装置においては、画像生成部を、1つの画素信号を生成するのに用いる読出信号の数よりも少ない数の画素信号を表示用画素信号として生成するものとできる。また、所定の範囲内における単位格子を複数列をなして配置することができる。また、一部共有される読出信号が複数であって、その複数の読出信号が読み出される画素部に対応する複数の単位格子の他方の格子に対する距離が同じとなるように単位格子を配置することができる。また、一部共有される読出信号が複数であって、その複数の読出信号が読み出される画素部に対応する複数の単位格子の他方の格子に対する距離が互いに異なるように、単位格子を配置することができる。また、位相コントラスト画像を構成する所定の画素の画素信号を生成する際、所定の画素の左右に両隣の画素の画素信号を生成する際に用いられる読出信号が共有されるように単位格子を配置することができる。また、位相コントラスト画像を構成する所定の画素の画素信号を生成する際、所定の画素の上下に両隣の画素の画素信号を生成する際に用いられる読出信号が共有されるように単位格子を配置することができる。また、所定の範囲内の複数の単位格子の像を、他方の格子に対してP/Mずつ平行にシフトして配列することができる。ただし、Pは他方の格子のピッチ、Mは位相コントラスト画像を構成する1つの画素を生成するために用いられる予め設定された位相情報の数また、単位格子を矩形で形成することができる。また、第2の格子を第1の格子からタルボ干渉距離の位置に配置し、第1の格子のタルボ干渉効果によって形成される第1の周期パターン像に強度変調を与えるものとできる。また、第1の格子を、放射線を投影像として通過させて第1の周期パターン像を形成する吸収型格子とし、第2の格子を、第1の格子を通過した投影像としての第1の周期パターン像に強度変調を与えるものとできる。また、第2の格子を、第1の格子から最小のタルボ干渉距離より短い距離に配置することができる。本発明の放射線画像撮影装置は、格子構造が周期的に配置され、放射線源から射出された放射線を通過させて周期パターン像を形成する格子と、格子によって形成された周期パターン像を透過する第1の電極層と、第1の電極層を透過した周期パターン像の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、読取光によって走査されることによって各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される放射線画像検出器と、放射線画像検出器において検出された周期パターン像を表す画像信号に基づいて位相コントラスト画像を生成する画像生成部とを備えた放射線画像撮影装置であって、電荷蓄積層が、画素部に対応する単位で構成された単位格子パターンを複数配列したものであるとともに、位相コントラスト画像を構成する1つの画素に対応する所定の範囲内における複数の単位格子パターンが、格子の延伸方向に直交する方向についてその格子に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、画像生成部が、所定の範囲内に配置された各単位格子パターンに対応する画素部から読み出された読出信号に基づいて、位相コントラスト画像を構成する1つの画素の画素信号を生成するものであるとともに、位相コントラスト画像を構成する隣接する画素の画素信号を生成する際に用いる読出信号を隣接する画素で一部共有するものであることを特徴とする。また、上記本発明の放射線画像撮影装置においては、画像生成部を、1つの画素信号を生成するのに用いる読出信号の数よりも少ない数の画素信号を表示用画素信号として生成するものとできる。また、所定の範囲内における単位格子パターンを複数列をなして配置することができる。また、一部共有される読出信号が複数であって、その複数の読出信号が読み出される画素部に対応する複数の単位格子パターンの格子に対する距離が同じとなるように、単位格子パターンを配置することができる。また、一部共有される読出信号が複数であって、その複数の読出信号が読み出される画素部に対応する複数の単位格子パターンの格子に対する距離が互いに異なるように、単位格子パターンを配置することができる。また、位相コントラスト画像を構成する所定の画素の画素信号を生成する際、所定の画素の左右に両隣の画素の画素信号を生成する際に用いられる読出信号が共有されるように単位格子パターンを配置することができる。また、位相コントラスト画像を構成する所定の画素の画素信号を生成する際、所定の画素の上下に両隣の画素の画素信号を生成する際に用いられる読出信号が共有されるように単位格子パターンを配置することができる。また、所定の範囲内の複数の単位格子パターンを、格子の像に対してP/Mずつ平行にシフトして配列することができる。ただし、Pは格子の像のピッチ、Mは位相コントラスト画像を構成する1つの画素を生成するために用いられる予め設定された位相情報の数また、単位格子パターンを矩形で形成することができる。また、放射線画像検出器を、格子からタルボ干渉距離の位置に配置し、格子のタルボ干渉効果によって形成される周期パターン像に強度変調を与えるものとできる。また、格子を、放射線を投影像として通過させて周期パターン像を形成する吸収型格子とし、放射線画像検出器を、格子を通過した投影像としての周期パターン像に強度変調を与えるものとできる。また、放射線画像検出器を、格子から最小のタルボ干渉距離より短い距離に配置することができる。本発明の放射線画像撮影装置は、格子構造が周期的に配置され、放射線源から射出された放射線を通過させて周期パターン像を形成する格子と、格子によって形成された周期パターン像を透過する第1の電極層と、第1の電極層を透過した周期パターン像の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、読取光によって走査されることによって各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される放射線画像検出器と、放射線画像検出器において検出された周期パターン像を表す画像信号に基づいて位相コントラスト画像を生成する画像生成部とを備えた放射線画像撮影装置であって、電荷蓄積層が、線状電極の配列ピッチよりも細かいピッチで格子状に形成されたものであり、格子が、画素部に対応する単位で構成された単位格子を複数配列したものであるとともに、位相コントラスト画像を構成する1つの画素に対応する所定の範囲内における複数の単位格子が、他方の格子の延伸方向に直交する方向についてその他方の格子に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、画像生成部が、所定の範囲内に配置された各単位格子に対応する画素部から読み出された読出信号に基づいて、位相コントラスト画像を構成する1つの画素の画素信号を生成するものであるとともに、位相コントラスト画像を構成する隣接する画素の画素信号を生成する際に用いる読出信号を隣接する画素で一部共有するものであることを特徴とする。また、上記本発明の放射線画像撮影装置においては、画像生成部を、1つの画素信号を生成するのに用いる読出信号の数よりも少ない数の画素信号を表示用画素信号として生成するものとできる。また、所定の範囲内における単位格子を複数列をなして配置することができる。また、一部共有される読出信号が複数であって、その複数の読出信号が読み出される画素部に対応する複数の単位格子の電荷蓄積層の格子パターンに対する距離が同じとなるように、単位格子を配置することができる。また、一部共有される読出信号が複数であって、その複数の読出信号が読み出される画素部に対応する複数の単位格子の電荷蓄積層の格子パターンに対する距離が互いに異なるように、単位格子を配置することができる。また、位相コントラスト画像を構成する所定の画素の画素信号を生成する際、所定の画素の左右に両隣の画素の画素信号を生成する際に用いられる読出信号が共有されるように単位格子を配置することができる。また、位相コントラスト画像を構成する所定の画素の画素信号を生成する際、所定の画素の上下に両隣の画素の画素信号を生成する際に用いられる読出信号が共有されるように単位格子を配置することができる。また、所定の範囲内の複数の単位格子の像を、電荷蓄積層の格子パターンに対してP/Mずつ平行にシフトして配列することができる。ただし、Pは電荷蓄積層の格子パターンのピッチ、Mは位相コントラスト画像を構成する1つの画素を生成するために用いられる予め設定された位相情報の数また、単位格子を矩形で形成することができる。また、放射線画像検出器を格子からタルボ干渉距離の位置に配置し、格子のタルボ干渉効果によって形成される周期パターン像に強度変調を与えるものとできる。また、格子を、放射線を投影像として通過させて周期パターン像を形成する吸収型格子とし、放射線画像検出器を、格子を通過した投影像としての周期パターン像に強度変調を与えるものとできる。また、放射線画像検出器を、格子から最小のタルボ干渉距離より短い距離に配置することができる。また、電荷蓄積層の格子パターンの配列ピッチP2を、下式を満たすように電荷蓄積層を形成することができる。ただし、P1は単位格子の格子ピッチ、Z1は放射線源の焦点から格子までの距離、Z2は格子から放射線画像検出器の検出面までの距離また、格子の放射線を遮蔽する部分の延伸方向と平行となるように放射線を遮蔽する放射線遮蔽部材が所定のピッチで複数延設されるとともに、放射線源と格子との間に配置され、放射線源から照射された放射線を領域選択的に遮蔽して多数の点光源とする吸収型格子からなるマルチスリットをさらに設け、マルチスリットの所定のピッチP3が、下式を満たす大きさとし、かつ、電荷蓄積層の格子パターンの配列ピッチP2が、下式の関係を満たすように電荷蓄積層を形成することができる。ただし、Z3はマルチスリットから格子までの距離、Z2は格子から放射線画像検出器の検出面までの距離、P1は単位格子の格子ピッチ、また、電荷蓄積層の積層方向の厚さを2μm以下とすることができる。また、電荷蓄積層の誘電率を、光導電層の誘電率の2倍以内かつ1/2倍以上とすることができる。本発明の放射線画像検出器は、放射線を透過する第1の電極層と、第1の電極層を透過した放射線の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、読取光によって走査されることによって各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される放射線画像検出器であって、電荷蓄積層が、画素部に対応する単位で構成された単位格子パターンを複数配列したものであるとともに、所定の範囲内における複数の単位格子パターンが、格子の延伸方向に直交する方向について格子に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置されたものであり、所定の範囲内に配置された各単位格子パターンに対応する画素部から読み出された読出信号に基づいて位相コントラスト画像を構成する1つの画素の画素信号を生成する際に、位相コントラスト画像を構成する隣接する画素の画素信号を生成するために用いる読出信号が隣接する画素で一部共有されるように単位格子パターンが配置されたものであることを特徴とする。本発明の放射線画像撮影装置によれば、第1の格子および第2の格子のいずれか一方の格子を画素部に対応する単位格子を複数配列したものとし、位相コントラスト画像を構成する1つの画素に対応する所定の範囲内における複数の単位格子を、他方の格子の延伸方向に直交する方向についてその他方の格子に対して互いに異なる距離だけ平行にシフトして配置し、その所定の範囲内に配置された各単位格子に対応する画素部から読み出された読出信号に基づいて、位相コントラスト画像を構成する1つの画素の画素信号を生成するようにしたので、従来のように第2の格子を移動させる高精度な移動機構を必要とすることなく、1回の撮影によって位相コントラスト画像を取得するための複数の縞画像を取得することができる。そして、さらに位相コントラスト画像を構成する隣接する画素の画素信号を生成する際に用いる読出信号を隣接する画素で一部共有するようにしたので、2つの画素間で一部の位相情報を共有することができるので、位相コントラスト画像の連続性を向上することができ、画質の向上を図ることができる。また、放射線画像検出器の電荷蓄積層を格子状に形成することによって放射線画像検出器に第2の格子の機能を持たせるようにしてもよく、そのようにした場合、高アスペクト比で形成する必要があり製造が困難な格子を設けなくてもよく、より製造し易いものとなる。さらに、放射線画像検出器の格子状に形成された電荷蓄積層を、上述した格子と同様に、画素単位の単位格子パターンを複数配列したものとし、位相コントラスト画像を構成する1つの画素に対応する所定の範囲内における複数の単位格子パターンを、上記格子の単位格子と同様に配置するようにした場合には、上述した格子より単位格子パターンを容易に製造することができる。以下、図面を参照して本発明の放射線画像撮影装置の第1の実施形態を用いた放射線位相画像撮影装置について説明する。図1に第1の実施形態の放射線位相画像撮影装置の概略構成を示す。図2に図1に示す放射線位相画像撮影装置の上面図X-Z断面図を示す。図2の紙面厚さ方向が図1のY方向である。放射線位相画像撮影装置は、図1に示すように、放射線を被検体10に向かって照射する放射線源1と、放射線源1から射出された放射線を通過させて第1の周期パターン像を形成する第1の格子2と、第1の格子2により形成された第1の周期パターン像を強度変調して第2の周期パターン像を形成する第2の格子3と、第2の格子3により形成された第2の周期パターン像を検出する放射線画像検出器4と、放射線画像検出器4により検出された第2の周期パターン像に基づいて縞画像を取得し、その取得した縞画像に基づいて位相コントラスト画像を生成する画像生成部5とを備えている。放射線源1は、被検体10に向けて放射線を射出するものであり、第1の格子2に放射線を照射したとき、タルボ干渉効果を発生させうるだけの空間的干渉性を有するものである。たとえば、放射線の発光点のサイズが小さいマイクロフォーカスX線管やプラズマX線源を利用することができる。また、通常の医療現場で用いられるような比較的放射線の発光点いわゆる焦点サイズの大きな放射線源を用いる場合は、所定のピッチを有するマルチスリットを放射線の射出側に設置して使用することができる。この場合の詳細な構成は、たとえば、FranzPfeifferTimmWeikampOliverBunkChristianDavidNaturePhysics2258261LettersPhaseretrievalanddifferentialphasecontrastimagingwithlowbrillianceXraysourcesに記されているが、そのスリットのピッチP0は以下の式を満たすような大きさとする必要がある。なお、P2は第2の格子3のピッチ、Z1は放射線源1の焦点マルチスリットを用いる場合はマルチスリットの位置から第1の格子2までの距離、Z2は第1の格子2から第2の格子3までの距離である図2参照。第1の格子2は、図3に示すように、放射線を主として透過する基板21と、基板21上に設けられた格子部材22とを備えている。そして、格子部材22は、矩形で形成された複数の単位格子部材22aから構成され、この複数の単位格子部材22aは、Y方向に配列されるとともに、X方向について所定のピッチずらされて配列されている。本実施形態においては、X方向は後述する放射線画像検出器4の画素行方向であり、Y方向は画素列方向である。なお、図3は、各単位格子部材22aを模式的に示したものであり、そのX方向についてのずらし量は正確ではないものとする。各単位格子部材22aのずらし量については後で詳述する。格子部材22を構成する単位格子部材22aは、いずれも放射線の光軸に直交する面内の一方向X方向およびZ方向に直交するY方向に延伸した矩形の部材である。そして、各単位格子部材22aの素材としては、たとえば、金、白金などの金属を用いることができる。また、第1の格子2としては、照射される放射線に対して約90°または約180°の位相変調を与える、いわゆる位相変調型格子であることが望ましく、たとえば、単位格子部材22aを金とした場合、通常の医療診断用のX線エネルギー領域において必要なZ方向についての厚さは1μm~数μm程度になる。また、振幅変調型格子を用いることもできる。この場合、単位格子部材22aは放射線を十分に吸収する厚さが必要である。たとえば、単位格子部材22aを金とした場合、通常の医療診断用のX線エネルギー領域において必要な厚さは10μm~数10μm程度になる。第2の格子3は、図4に示すように、第1の格子2と同様に、放射線を主として透過する基板31と、基板31に設けられた複数の格子部材32とを備えている。複数の格子部材32は放射線を遮蔽するものであり、いずれも放射線の光軸に直交する面内の一方向X方向およびZ方向に直交するY方向に延伸した線状の部材である。図5は、図4に示す第2の格子3の5-5線断面図である。複数の格子部材32は、図5に示すように、X方向に一定の周期P2で、互いに所定の間隔d2を空けて配列されている。複数の格子部材32の素材としては、たとえば、金、白金などの金属を用いることができる。第2の格子3は、振幅変調型格子であることが望ましい。このとき、格子部材32は放射線を十分に吸収する厚さが必要である。たとえば、格子部材32を金とした場合、通常の医療診断用のX線エネルギー領域において必要な厚さは10μm~数10μm程度になる。ここで、本実施形態においては、放射線画像検出器4によって検出された第2の周期パターン像に基づいて互いに異なる複数の位相情報を取得し、その複数の位相情報に基づいて位相コントラスト画像を生成するが、ここでは第2の周期パターン像に基づいて5つの位相情報を生成し、その5つの位相情報に基づいて位相コントラスト画像を生成するものとする。そして、このように5つの位相情報を生成するための第1の格子2の詳細な構成について、以下に説明する。図6は、第1の格子2の一部を示したものである。本実施形態の第1の格子2は、上述した単位格子部材22aから構成された5種類の単位格子UG11~UG52を備えている。そして、この5種類の単位格子UG11~UG52は互いに異なる位相情報を有するものであり、位相コントラスト画像を構成する1つの画素の画素信号を生成するために各種類の単位格子がそれぞれ2つ用いられる。図6は、位相コントラスト画像の2つの画素の画素信号を生成するために用いられる単位格子を示したものである。そして、図6の上側の実線太線で囲まれる範囲が2つの画素信号のうちの一方の画素信号以下、第1画素信号というを生成するために用いられる10個の単位格子UG11~UG52であり、図6の下側の点線で囲まれる範囲が2つの画素信号のうちの他方の画素信号以下、第2画素信号というを生成するために用いられる10個の単位格子UG11~UG52である。すなわち、本実施形態の第1の格子2は、第1画素信号を生成するために用いられる単位格子と第2画素信号を生成するために用いられる単位格子との一部が重複するように構成されている。具体的には単位格子UG51,UG52を共有するように構成されている。次に、5種類の単位格子UG11~UG52について説明する。図7は、放射線が5種類の単位格子UG11~UG52を透過して第2の格子3の位置に形成された自己像と、第2の格子3の各格子部材32との位置関係を示している。図7に示す自己像G11が単位格子UG11によって形成された自己像であり、自己像G12が単位格子UG12によって形成された自己像であり、自己像G21が単位格子UG21によって形成された自己像であり、自己像G22が単位格子UG22によって形成された自己像であり、自己像G31が単位格子UG31によって形成された自己像であり、自己像G32が単位格子UG32によって形成された自己像であり、自己像G41が単位格子UG41によって形成された自己像であり、自己像G42が単位格子UG42によって形成された自己像であり、自己像G51が単位格子UG51によって形成された自己像であり、自己像G52が単位格子UG52によって形成された自己像である。図7に示すように、5種類の自己像G11~G52は、それぞれ第2の格子3の格子部材32からX方向について互いに異なる距離で配置されている。具体的には、自己像G11,G12は、第2の格子3の格子部材32からの距離をゼロとして配置され、自己像G21,G22は格子部材32からの距離をP25として配置され、自己像G31,G32は格子部材32からの距離を2×P25として配置され、自己像G41,G42は格子部材32からの距離を3×P25として配置され、自己像G51,G52は格子部材32からの距離を4×P25として配置されている。なお、P2は、第2の格子3の格子部材32の配列方向X方向の周期である。そして、自己像G51と自己像G52とが上下に隣接して配置されており、この自己像5が第1および第2画素信号を生成するために共有される。第1の格子2の各単位格子UG11~UG52は、上述したような自己像G11~G52を形成するようなパターンで形成されており、具体的には、図6に示すように各単位格子について、P1のピッチで、かつ単位格子間で互いに位相が異なるように多数の単位格子部材22aがX方向に配列されている。なお、図6においては、図面を見やすくするために数本の単位格子部材22aのみ示しているが、実際は多数の単位格子部材22aが配列されているものとする。そして、図7に示すように配置された5種類の自己像G11~G52を放射線画像検出器4の後述する各画素回路40によってそれぞれ検出することによって5つの位相情報の画素信号をそれぞれ検出することができる。なお、上記説明では、位相コントラスト画像の2つの画素の画素信号を生成するために用いられる単位格子UG11~UG52とその自己像G11~G52との配置について説明したが、実際には、この単位格子UG11~UG52とその自己像G11~G52との配置がX方向およびY方向について多数繰り返される。ここで、放射線源1から照射される放射線が、平行ビームではなく、コーンビームである場合には、第1の格子2を通過して形成される第1の格子2の自己像は、放射線源1からの距離に比例して拡大される。したがって、図2に示すように、放射線源1の焦点から第1の格子2までの距離をZ1、第1の格子2から第2の格子3までの距離をZ2とした場合、図6に示す第1の格子2の各単位格子UG11~UG52のピッチP1および間隔d1と、図5および図7に示す第2の格子ピッチP2および間隔d2は、次式2および次式3の関係を満たすように決定される。なお、放射線源1から照射される放射線が平行ビームである場合には、P2=P1,d2=d1を満たすように決定される。そして、上述したような放射線源1、第1の格子2、第2の格子3および放射線画像検出器4によって位相コントラスト画像を取得可能な放射線位相画像撮影装置が構成されるが、本構成をタルボ干渉計として機能させるためには、さらにいくつかの条件をほぼ満たさねばならない。その条件について以下に説明する。まず、第1の格子2と第2の格子3とのグリッド面が、図1に示すX-Y平面に平行であることが必要である。そして、さらに、第1の格子2と第2の格子3との距離Z2は、第1の格子2が90°の位相変調を与える位相変調型格子である場合、次の条件をほぼ満たさなければならない。ただし、λは放射線の波長通常はピーク波長、mは0か正の整数、P1は上述した第1の格子2の単位格子部材22aのX方向のピッチ、P2は上述した第2の格子3の格子ピッチである。また、第1の格子2が180°の位相変調を与える位相変調型格子である場合には、次の条件をほぼ満たさなければならない。ただし、λは放射線の波長通常はピーク波長、mは0か正の整数、P1は上述した第1の格子2の単位格子部材22aのX方向のピッチ、P2は上述した第2の格子3の格子ピッチである。さらに、第1の格子2が振幅変調型格子である場合には、次の条件をほぼ満たさなければならない。ただし、λは放射線の波長通常はピーク波長、mは正の整数、P1は上述した第1の格子2の単位格子部材22aのX方向のピッチ、P2は上述した第2の格子3の格子ピッチである。なお、上式4,5,6は、放射線源1により照射される放射線がコーンビームである場合であり、放射線が平行ビームである場合には、上式4に代えて下式7、上式5に代えて下式8、上式6に代えて下式9となる。放射線画像検出器4は、第1の格子2に入射した放射線が形成する第1の格子2の各単位格子UG11~UG52の自己像G11~G52が第2の格子3によって強度変調された像を画像信号として検出するものである。このような放射線画像検出器4として、本実施形態においては、図8に示すような、TFTthinfilmtransistorスイッチ41を備えた画素回路40が2次元上に多数配列された、いわゆるTFT読取方式の放射線画像検出器を用いる。放射線画像検出器4は、各画素回路40のTFTスイッチ41をオンオフするための走査信号が出力される多数のゲート走査線43と、各画素回路40からTFTスイッチ41を介して読み出された画素信号が出力される多数のデータ線44とが直交して設けられている。そして、ゲート走査線43は画素回路行毎に設けられており、データ線44は画素回路列毎に設けられている。多数のゲート走査線43には各画素回路40のTFTスイッチ41をオンオフするための走査信号を出力する走査駆動回路45が接続されており、多数のデータ線44には信号検出部46が接続されている。信号検出部46はデータ線44に出力された画素信号を検出して画像生成部5に出力するものである。そして、上述したように、図7に示す18個の単位格子UG11~UG52の自己像G11~G52が、図8において点線四角で示す9つの画素回路40によってそれぞれ検出されるように配置されている。すなわち、図7の実線太線内の10個の自己像G11~G52に対応する図8に示す上側の10個の画素回路40によってそれぞれ検出された画素信号に基づいて、位相コントラスト画像の1つの画素の第1画素信号が生成され、図7の点線内の10個の自己像G11~G52に対応する図8に示す下側の10個の画素回路40によってそれぞれ検出された画素信号に基づいて、位相コントラスト画像のもう一つの画素の第2画素信号が生成される。なお、図8においては、位相コントラスト画像の2つの画素に対応する18個の画素回路40の組を1つだけ点線四角で示しているが、この組がX方向およびY方向に繰り返されるものとする。画素回路40は、それぞれ光電変換素子と、光電変換素子によって変換された電荷を蓄積する蓄電部と、蓄電部に蓄積された電荷信号を読み出すために用いられるTFTスイッチ41とを備えている。なお、図8においては図示省略したが、図8に示す画素回路40上には、放射線の照射を可視光に変換する波長変換層が設けられており、上述した光電変換素子は、この波長変換層から発せられた光を光電変換して電荷を発生するものである。画像生成部5は、放射線画像検出器4の10個の画素回路40によってそれぞれ検出された5つの位相情報の画素信号に基づいて、位相コントラスト画像を構成する1つの画素の画素信号を生成するものである。位相コントラスト画像の生成方法については、後で詳述する。次に、本実施形態の放射線位相画像撮影装置の作用について説明する。まず、図1に示すように、放射線源1と第1の格子2との間に、被検体10が配置された後、放射線源1から放射線が射出される。そして、その放射線は被検体10を透過した後、第1の格子2に照射される。第1の格子2に照射された放射線は、第1の格子2で回折されることにより、第1の格子2から放射線の光軸方向において所定の距離において、タルボ干渉像を形成する。これをタルボ効果と呼び、光波が第1の格子2を通過したとき、第1の格子2から所定の距離において、第1の格子2の自己像を形成する。たとえば、第1の格子2が、90°の位相変調を与える位相変調型格子の場合、上式4または上式7180°の位相変調型格子の場合は上式5または上式8、強度変調型格子の場合は上式6または上式9で与えられる距離において第1の格子2の自己像を形成する一方、被検体10によって、第1の格子2に入射する放射線の波面は歪むため、第1の格子2の自己像はそれに従って変形している。すなわち、上述した第1の格子2の各単位格子UG11~UG52の自己像G11~G52が被検体10によって変形する。続いて、各単位格子UG11~UG52の自己像G11~G52が第2の格子3を通過する。その結果、上記の変形した第1の格子2の各単位格子UG11~UG52の自己像G11~G52は第2の格子3との重ね合わせにより、強度変調を受け、上記波面の歪みを反映した画像信号として放射線画像検出器4により検出される。ここで、放射線画像検出器4における画像検出と読出しの作用について説明する。上記のようにして第2の格子3による強度変調によって変形した第1の格子2の各単位格子UG11~UG52の自己像G11~G52は、その自己像に対応する放射線画像検出器4の各画素回路40によってそれぞれ検出され、各画素回路の光電変換素子によって光電変換された後、その電荷が蓄電部に蓄積される。次に、走査駆動回路45からY方向に配列されたゲート走査線43に走査信号が順次出力され、画素回路行がY方向に順次走査されて各画素回路からその対応する自己像に応じた画素信号が読み出され、信号検出部46によって検出された後、画像生成部5に出力される。なお、各画素回路40から読み出された画素信号と位相コントラスト画像の1つの画素の画素信号とを区別するため、以下、各画素回路40から読み出された画素信号については読出信号という。そして、画像生成部5は、10個の画素回路40から読み出された読出信号に基づいて位相コントラスト画像の1つの画素の画素信号を生成する。次に、画像生成部5において位相コントラスト画像を生成する方法について説明するが、まず、本実施形態における位相コントラスト画像の生成方法の原理について説明する。図9は、被検体10のX方向に関する位相シフト分布Φxに応じて屈折される1つの放射線の経路を例示している。符号X1は、被検体10が存在しない場合に直進する放射線の経路を示しており、この経路X1を進む放射線は、第1および第2の格子2,3を通過して放射線画像検出器4に入射する。符号X2は、被検体10が存在する場合に、被検体10により屈折されて偏向した放射線の経路を示している。この経路X2を進む放射線は、第1の格子2を通過した後、第2の格子3により遮蔽される。被検体10の位相シフト分布Φxは、被検体10の屈折率分布をnx,z、放射線の進む方向をzとして、次式10で表される。ここで、説明の簡略化のため、y座標は省略している。第1の格子2から第3の格子3の位置に形成された自己像は、被検体10での放射線の屈折により、その屈折角ψに応じた量だけx方向に変位する。この変位量Δxは、放射線の屈折角ψが微小であることに基づいて、近似的に次式11で表される。ここで、屈折角ψは、放射線の波長λと被検体10の位相シフト分布Φxを用いて、次式12で表される。このように、被検体10での放射線の屈折による自己像G1の変位量Δxは、被検体10の位相シフト分布Φxに関連している。そして、この変位量Δxは、放射線画像検出器4で検出される各画素の強度変調信号の位相ズレ量Ψ被検体10がある場合とない場合とでの各画素の強度変調信号の位相ズレ量に、次式13のように関連している。したがって、各画素の強度変調信号の位相ズレ量Ψを求めることにより、上式13から屈折角ψが求まり、上式12を用いて位相シフト分布Φxの微分量が求まる。この微分量をxについて積分することにより、被検体10の位相シフト分布Φx、すなわち被検体10の位相コントラスト画像を生成することができる。本実施形態においては、位相コントラスト画像の各画素について、5種類の読出信号がそれぞれ2つずつ取得されている。以下に、この10個の読出信号から位相コントラスト画像の各画素の強度変調信号の位相ズレ量Ψを算出する方法を説明する。なお、ここでは5種類の読出信号に限定せず、M種類の読出信号に基づいて位相ズレ量Ψを算出する方法を説明する。まず、M種類の縞画像信号を取得するには、第2の格子3の格子部材32に対するX方向についての距離が互いに異なるM種類の単位格子の自己像を形成する必要があるが、このM種類の各単位格子の格子部材32に対する位置をk=0~M-1とすると、第k位置における放射線画像検出器4の各画素回路40の読出信号Ikxは、次式14で表される。ここで、xは、画素回路のx方向に関する座標であり、A0は入射放射線の強度であり、Anは強度変調信号のコントラストに対応する値であるここで、nは正の整数である。また、ψxは、上記屈折角ψを放射線画像検出器4の画素回路の座標xの関数として表したものである。次いで、次式15の関係式を用いると、上記屈折角ψxは、式16のように表される。ここで、argは、偏角の抽出を意味しており、位相コントラスト画像の各画素の位相ズレ量Ψに対応する。したがって、位相コントラスト画像の各画素について取得されたM種類の読出信号から、式16に基づいて位相コントラスト画像の各画素の強度変調信号の位相ズレ量Ψを算出することにより、屈折角ψxが求められる。位相コントラスト画像の各画素を構成するM個の画素回路40についてそれぞれ取得されたM個の読出信号は、図10に示すように、M種類の各単位格子の格子部材32に対する位置kに対して、第2の格子3の格子部材32のピッチP2の周期で周期的に変化する。したがって、このM個の読出信号列を、たとえば正弦波でフィッティングし、被検体があるときと被検体なしのときのフィッティングカーブの位相ズレ量Ψを取得し、上式12、13により位相シフト分布Φxの微分量を算出し、この微分量をxについて積分することにより被検体10の位相シフト分布Φx、すなわち被検体10の位相コントラスト画像を生成する。より具体的には、上述した屈折角ψxを表す式16は、下式17で表すことができる。ここで、δkは、下式18で表すことができるので、本実施形態のようにk=5とし、図7に示す自己像G11に対応する読出信号をI1A、自己像G12に対応する読出信号をI1B、自己像G21に対応する読出信号をI2A、自己像G22に対応する読出信号をI2B、自己像G31に対応する読出信号をI3A、自己像G32に対応する読出信号をI3B、自己像G41に対応する読出信号をI4A、自己像G42に対応する読出信号をI4B、自己像G51に対応する読出信号をI5A、自己像G52に対応するI5Bとすると、上式17の括弧内は、下式19のように算出することができ、これにより屈折角ψxを算出することができる。なお、上記のようにして位相コントラスト画像を生成する際、各画素回路40によって検出される読出信号がどの自己像に対応するものであるか、すなわち、その読出信号に対応する単位格子の格子部材32に対する位置kの情報が必要となるが、この対応関係については各画素回路40について予め設定しておくようにすればよい。もしくは、このような対応関係を予め設定しておくのではなく、位相コントラスト画像の1つの画素を構成する複数の画素回路40の範囲を予め設定しておき、その範囲内の画素回路40によって検出された読出信号のうちの最大値と最小値を求め、この最大値と最小値とを上述したフィッティングカーブの最大値と最小値とに設定するとともに、それ以外の読出信号を上記フィッティングカーブの最大値と最小値との間の値に設定することによって位相コントラスト画像を生成するようにしてもよい。そして、画像生成部5は、上述したようにして生成された位相コントラスト画像の画素信号を用いてモニタなどの表示部において位相コントラスト画像を表示するための表示用画素信号を生成する。具体的には、上述したとおり、本実施形態においては、位相コントラスト画像の1つの画素の画素信号を取得するために10個の自己像に応じた読出信号を用いるようにしたが、表示用画素信号については、読出信号と同じ数の10個生成するのではなく、9個の表示画素信号を生成する。すなわち、図7の実線太線内の10個の自己像G11~G52に対応する読出信号に基づいて第1画素信号が生成され、この第1画素信号に基づいて9個の表示用画素信号S1が生成される。また、図7の点線内の10個の自己像G11~G52に対応する読出信号に基づいて第2画素信号S2が生成され、この第2画素信号に基づいて9個の表示用画素信号S2が生成される。このようにすることで、画素形状が略点対称になり画像の均等性なめらかさ、見えやすさを高めることができ、さらに各単位画素の面積を同じにすることでSNのレベルを均一にできSNは面積の12乗に比例、隣接する画素の情報を一部含むことで画像の連続性を高められることができるという効果がある。そして、図11に示すように9個の表示用画素信号S1が3行×3列に配置されて1つの表示画素Jが構成され、9個の表示用画素信号S2が3行×3列に配置されて1つの表示画素Kが構成される。また、上記説明では、位相コントラスト画像の画素のy方向に関するy座標を考慮していないが、各y座標についても同様の演算を行うことにより、屈折角の2次元分布ψx,yが得られ、これをx軸に沿って積分することにより、2次元的な位相シフト分布Φx,yを得ることができる。また、屈折角の2次元分布ψx,yに代えて、位相ズレ量の2次元分布Ψx,yをx軸に沿って積分することにより位相コントラスト画像を生成するようにしてもよい。屈折角の2次元分布ψx,yや位相ズレ量Ψx,yは、位相シフト分布Φx,yの微分値に対応するものであるため位相微分像と呼ばれるが、この位相微分像を位相コントラスト画像として生成するようにしてもよい。また、上記実施形態においては、位相コントラスト画像の第1および第2画素信号を生成する際、図7に示すように同じ位相情報を有する自己像G51と自己像G52とを共有するようにしたが、必ずしも同じ位相情報を有する自己像を共有させるようにする必要はなく、たとえば、図12に示すように、自己像G11~G52を配置することによって、互いに異なる位相情報を有する自己像G42と自己像G52とを共有するとともに図12の左側の2つの画素、互いに異なる位相情報を有する自己像G22と自己像G22とを共有する図12の右側の2つの画素ようにしてもよい。この場合においても、位相コントラスト画像の画素信号の演算方法や表示用画素信号の演算方法は上記と同様である。また、上記実施形態においては、位相コントラスト画像の1つの画素の画素信号を生成するために、5種類の位相情報の自己像をそれぞれ2つずつ用いるようにしたが、これに限らず、5種類の位相情報の自己像を1つずつ用いて上記画素信号を生成するようにしてもよい。その場合には、たとえば、図13に示すように自己像G1~G5が形成されるように単位格子を配置するようにすればよい。なお、自己像G1は、上述した自己像G11,G12と同じ位相情報を有するものであり、自己像G2は、上述した自己像G21,G22と同じ位相情報を有するものであり、自己像G3は、上述した自己像G31,G32と同じ位相情報を有するものであり、自己像G4は、上述した自己像G41,G42と同じ位相情報を有するものであり、自己像G5は、上述した自己像G51,G52と同じ位相情報を有するものである。そして、図13に示す実線太線内の5つの自己像G1~G5に応じた読出信号に基づいて位相コントラスト画像の1つの画素の第1画素信号を生成するとともに、図13に示す点線内の5つの自己像G1~G5に応じた読出信号に基づいて位相コントラスト画像のもう一つの画素の第2画素信号を生成することによって、自己像G3に応じた読出信号を共有するようにしてもよい。なお、5つの自己像G1~G5に応じた読出信号に基づいて画素信号を算出する方法としては、上式19において、自己像G1に応じた読出信号をI1AとI1Bとの両方に代入し、自己像G2に応じた読出信号をI2AとI2Bとの両方に代入し、自己像G3に応じた読出信号をI3AとI3Bとの両方に代入し、自己像G4に応じた読出信号をI4AとI4Bとの両方に代入し、自己像G5に応じた読出信号をI5AとI5Bとの両方に代入するようにすればよい。そして、画像生成部5において表示用画素信号を生成する際には、位相コントラスト画像の1つの画素信号を生成するのに用いた読出信号と同じ数の5個生成するのではなく、4個の表示画素信号を生成するようにすればよい。すなわち、図13の実線太線内の5個の自己像G1~G5に対応する読出信号に基づいて第1画素信号を生成し、この第1画素信号に基づいて4個の表示用画素信号S1を生成する。また、図13の点線内の5個の自己像G1~G5に対応する読出信号に基づいて第2画素信号S2を生成し、この第2画素信号に基づいて4個の表示用画素信号S2を生成する。そして、図14に示すように4個の表示用画素信号S1を2行×2列に配置して1つの表示画素Jを構成し、4個の表示用画素信号S2を2行×2列に配置して1つの表示画素Kを構成するようにしてもよい。また、位相コントラスト画像の隣接する画素の画素信号を生成する際に、一部の自己像に応じた読出信号を隣接する画素信号で共有する方法としては、上記の場合に限らず、たとえば、図15に示すように自己像G11~G5が形成されるように単位格子を配置し、所定の画素Wの画素信号を生成する際に、その画素Wの左右の両隣に隣接する画素Vと画素Xの画素信号を生成する際に用いる読出信号を用いるようにしてもよい。すなわち、画素V、画素Wおよび画素Xのそれぞれの画素信号を生成する際、自己像G31,自己像G42および自己像12に応じた読出信号を画素Vと画素Wとで共有し、自己像G21,自己像G5および自己像22に応じた読出信号を画素Wと画素Xで共有するようにしてもよい。また、図15に示す自己像の配置の場合、画素Xおよび画素Yのそれぞれの画素信号を生成する際、自己像G11,自己像G41および自己像32に応じた読出信号が画素Vと画素Wとで共有される。なお、9つの自己像G11~G5に応じた読出信号に基づいて画素信号を算出する場合、自己像G5の位相情報の読出信号が1つしかないが、この場合、上式19において、自己像G5に応じた読出信号をI5AまたはI5Bのどちらかに代入するようにすればよい。また、図15に示す自己像の配置方法では、所定の画素と、その画素の左右方向に隣接する画素とで一部の自己像の読出信号を共有するようにしたが、これに限らず、たとえば、図16に示すように、所定の画素と、その画素の上下方向と左右方向に隣接する画素とで一部の自己像の読出信号を共有するようにしてもよい。具体的には、画素V、画素W、画素X、画素Sおよび画素Tのそれぞれの画素信号を生成する際、自己像G42および自己像G12に応じた読出信号を画素Wと画素Vとで共有し、自己像G31に応じた読出信号を画素Wと画素Sとで共有し、自己像G5および自己像G22に応じた読出信号を画素Wと画素Xとで共有し、自己像G21に応じた読出信号を画素Wと画素Tとで共有する。また、図15に示す自己像の配置の場合、画素X、画素Yおよび画素Tのそれぞれの画素信号を生成する際、自己像G41および自己像32に応じた読出信号が画素Xと画素Yとで共有され、自己像11に応じた読出信号が画素Yと画素Tとで共有される。次に、本発明の放射線画像撮影装置の第2の実施形態を用いた放射線位相画像撮影装置について説明する。上記第1の実施形態の放射線位相画像撮影装置は、第1の格子2から第2の格子3までの距離Z2がタルボ干渉距離となるように、上式4~上式9を満たすようにしたが、第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置は、第1の格子2が入射放射線を回折せずに投影させる構成としたものである。これにより第1の格子2を通過して射影される投影像が、第1の格子2の後方の全ての位置で相似的に得られるため、第1の格子2から第2の格子3までの距離Z2を、タルボ干渉距離を無関係に設定することができる。具体的には、第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置においては、第1の格子2と第2の格子3とが、ともに吸収型振幅変調型格子として構成されるとともに、タルボ干渉効果の有無に関わらず、スリット部を通過した放射線を幾何学的に投影するように構成されている。より詳細には、第1の格子2の間隔d1と第2の格子3の間隔d2とを、放射線源1から照射される放射線のピーク波長より十分大きな値とすることで、照射放射線に含まれる大部分をスリット部で回折せずに、直進性を保ったまま通過するように構成する。たとえば、放射線源のターゲットとしてタングステンを用い、管電圧を50kVとした場合には、放射線のピーク波長は約0.4Åである。この場合には、第1の格子2の間隔d1と第2の格子3の間隔d2を、1μm~10μm程度とすればスリット部で大部分の放射線が回折されずに幾何学的に投影される。なお、第1の格子2の格子ピッチP1と第2の格子3の格子ピッチP2との関係と、第1の格子2の間隔d1と第2の格子3の間隔d2との関係とについては、上記第1の実施形態と同様である。また、第2の格子3に対する第1の格子2を構成する単位格子部材22aの配置についても、上記第1の実施形態と同様である。そして、第2の実施形態においては、第1の格子2と第2の格子3との距離Z2を、上式6においてm=1とした場合の最小のタルボ干渉距離より短い値に設定することができる。すなわち、上記距離Z2が、次式20を満たす範囲の値に設定する。なお、第1の格子2の単位格子部材22aと第2の格子3の格子部材32とは、コントラストの高い周期パターン像を生成するためには、放射線を完全に遮蔽吸収することが好ましいが、上述した放射線吸収に優れる材料金、白金等を用いたとしても、吸収されずに透過する放射線が少なからず存在する。このため、放射線の遮蔽性を高めるためには、単位格子部材22aおよび格子部材32のそれぞれの厚みを、可能な限り厚くすることが好ましい。単位格子部材22aおよび格子部材32による遮蔽は、照射放射線の90以上であることが好ましく、たとえば、放射線源1の管電圧が50kVの場合には、厚みは、金Au換算で30μm以上であることが好ましい。そして、第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置においても、図1に示すように、放射線源1と第1の格子2との間に、被検体10が配置された後、放射線源1から放射線が射出される。そして、その放射線は被検体10を透過した後、第1の格子2に照射される。そして、第1の格子2を通過して射影された投影像が第2の格子3を通過し、その結果、上記投影像は、第2の格子3との重ね合わせにより強度変調を受け、画像信号として放射線画像検出器4により検出される。そして、放射線画像検出器4により検出された画像信号は、上記第1の実施形態と同様にして読み出され、複数の自己像に応じた読出信号が画像生成部5において取得された後、画像生成部5は、その複数の読出信号に基づいて、上記第1の実施形態と同様にして、位相コントラスト画像を生成する。第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置によれば、第1の格子2と第2の格子3との距離Z2をタルボ干渉距離よりも短くすることができるので、一定のタルボ干渉距離を確保しなければならない第1の実施形態の放射線位相画像撮影装置と比較すると、撮影装置をより薄型化することができる。また、上記第1の実施形態および第2の実施形態においては、放射線源1から放射線画像検出器4までの距離を、一般的な病院の撮影室で設定されるような距離1m~2mとした場合に、放射線源1の焦点サイズが、たとえば、一般的な0.1mm~1mm程度である場合には、第1の格子2のタルボ干渉効果による自己像や第1の格子2の投影像にボケが生じ、位相コントラスト画像の画質の低下をもたらす恐れがある。そこで、放射線源1として上述したような焦点サイズのものを用いる場合には、放射線源1の焦点の直後にピンホールを設置して実効的に焦点サイズを小さくすることが考えられるが、実効的な焦点サイズを縮小するためにピンホールの開口面積を小さくすると放射線強度が低下してしまう。したがって、上述したようなピンホールを設けるのではなく、放射線源1の焦点の直後にマルチスリットを配置するようにしてもよい。この場合、マルチスリットは、第2の実施形態の第1および第2の格子2,3と同様な構成の吸収型格子であり、Y方向に延伸した複数の放射線遮蔽部が、第1の格子2の単位格子部材22aと第2の格子3の格子部材32と同一方向X方向に周期的に配置されている。このマルチスリットは、放射線源1の焦点から放射される放射線を部分的に遮蔽することにより、X方向に関する実効的な焦点サイズを縮小することができるとともに、X方向に多数の点光源分散光源を形成することができる。このマルチスリットの格子ピッチP3は、マルチスリットから第1の格子2までの距離をZ3として、次式21を満たすように設定する必要がある。また、実質的にマルチスリットの位置が放射線の焦点位置となるため、第2の格子3の格子ピッチP2および間隔d2は、次式22および次式23の関係を満たすように決定される。また、上記第1および第2の実施形態においては、TFT読取方式の放射線画像検出器を用いるようにしたが、CMOSスイッチを用いた放射線画像検出器や光読取方式の放射線画像検出器を用いるようにしてもよい。以下、光読取方式の放射線画像検出器について説明する。図17Aは、光読取方式の放射線画像検出器50の斜視図、図17Bは図17Aに示す放射線画像検出器のXZ面断面図、図17Cは図17Aに示す放射線画像検出器のYZ面断面図である。光読取方式の放射線画像検出器50は、図17A~Cに示すように、放射線を透過する第1の電極層51、第1の電極層51を透過した放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層52、記録用光導電層52において発生した電荷のうち一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用し、且つ他方の極性の電荷に対しては導電体として作用する電荷蓄積層53、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層54、および第2の電極層55をこの順に積層してなるものである。なお、上記各層は、ガラス基板56上に第2の電極層55から順に形成されている。第1の電極層51としては、放射線を透過するものであればよく、たとえば、ネサ皮膜SnO2、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、アモルファス状光透過性酸化膜であるIDIXOIdemitsuIndiumXmetalOxide;出光興産株などを50~200nm厚にして用いることができ、また、100nm厚のAlやAuなども用いることもできる。記録用光導電層52は、放射線の照射を受けることにより電荷を発生するものであればよく、放射線に対して比較的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点で優れているa-Seを主成分とするものを使用する。厚さは10μm以上1500μm以下が適切である。また、特にマンモグラフィ用途である場合には、150μm以上250μm以下であることが好ましく、一般撮影用途である場合には、500μm以上1200μm以下であることが好ましい。電荷蓄積層53は、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性の膜であれば良く、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、BCB、PVA、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーやAs2S3、Sb2S3、ZnS等の硫化物、その他に酸化物、フッ化物より構成される。更には、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性であり、それと逆の極性の電荷に対しては導電性を有する方がより好ましく、移動度×寿命の積が、電荷の極性により3桁以上差がある物質が好ましい。好ましい化合物としては、As2Se3、As2Se3にCl、Br、Iを500ppmから20000ppmまでドープしたもの、As2Se3のSeをTeで50程度まで置換したAs2SexTe1-x30.5<x<1、As2Se3のSeをSで50程度まで置換したもの、As2Se3からAs濃度を±15程度変化させたAsxSeyxy=100、34≦x≦46、アモルファスSe-Te系でTeを5-30wtのもの等が挙げられる。なお、電荷蓄積層53の材料としては、第1の電極層51と第2の電極層55との間に形成される電気力線が曲がらないようにするため、その誘電率が、記録用光導電層52と読取用光導電層54の誘電率の1/2倍以上2倍以下のものを用いることが望ましい。読取用光導電層54としては、読取光の照射を受けることにより導電性を呈するものであればよく、たとえば、a-Se、Se-Te、Se-As-Te、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、MgPcMagnesiumphtalocyanine,VoPcphaseIIofVanadylphthalocyanine、CuPcCupperphtalocyanineなどのうち少なくとも1つを主成分とする光導電性物質が好適である。厚さは5~20μm程度が適切である。第2の電極層55は、読取光を透過する複数の透明線状電極55aと読取光を遮光する複数の遮光線状電極55bとを有するものである。透明線状電極55aと遮光線状電極55bとは、放射線画像検出器50の画像形成領域の一方の端部から他方の端部まで連続して直線状に延びるものである。そして、透明線状電極55aと遮光線状電極55bとは、図17A,Bに示すように、所定の間隔を空けて交互に平行に配列されている。透明線状電極55aは読取光を透過するとともに、導電性を有する材料から形成されている。たとえば、第1の電極層51と同様に、ITO、IZOやIDIXOを用いることができる。そして、その厚さは100~200nm程度である。遮光線状電極55bは読取光を遮光するとともに、導電性を有する材料から形成されている。たとえば、上記の透明導電材料とカラーフィルターを組み合せて用いることができる。透明導電材料の厚さは100~200nm程度である。そして、上述した光読取方式の放射線画像検出器50においては、後で詳述するが、隣接する透明線状電極55aと遮光線状電極55bとの1組を用いて画像信号が読み出される。すなわち、図17Bに示すように、1組の透明線状電極55aと遮光線状電極55bとによって1画素の画像信号が読み出されることになる。すなわち、1組の透明線状電極55aと遮光線状電極55bが、上記第1の実施形態の放射線画像検出器4における画素回路40の列に相当することになる。ここでは、1画素が略50μmとなるように透明線状電極55aと遮光線状電極55bとが配置されているものとする。そして、本実施形態の放射線位相画像撮影装置は、図17Aに示すように、透明線状電極55aと遮光線状電極55bの延伸方向に直交する方向X方向に延設された線状読取光源60を備えている。本実施形態の線状読取光源60は、LEDLightEmittingDiodeやLDLaserDiodeなどの光源と所定の光学系とから構成され、略10μmの幅の線状の読取光を放射線画像検出器50に照射するように構成されている。そして、この線状読取光源60は、所定の移動機構図示省略によって透明線状電極55aおよび遮光線状電極55bの延伸方向Y方向について移動するものであり、この移動により線状読取光源60から発せられた線状の読取光によって放射線画像検出器50が走査されて画像信号が読み出される。したがって、この線状の読取光による読取ラインが、上記第1の実施形態の放射線画像検出器4の画素回路40の行に相当することになる。そして、上述したように1組の透明線状電極55aと遮光線状電極55bとが上記第1の実施形態の放射線画像検出器4の画素回路40の列に相当するので、上記光読取方式の放射線画像検出器50においては、読取ラインと1組の透明線状電極55aと遮光線状電極55bとによって画素が形成され、第1の格子2の単位格子はこの画素の単位で形成されるものとする。次に、上記光読取方式の放射線画像検出器50における画像検出と読出しの作用について説明する。まず、図18Aに示すように高圧電源100によって放射線画像検出器50の第1の電極層51に負の電圧を印加した状態において、第1の格子2の自己像と第2の格子3との重ね合わせによって強度変調された放射線が、放射線画像検出器50の第1の電極層51側から照射される。そして、放射線画像検出器50に照射された放射線は、第1の電極層51を透過し、記録用光導電層52に照射される。そして、その放射線の照射によって記録用光導電層52において電荷対が発生し、そのうち正の電荷は第1の電極層51に帯電した負の電荷と結合して消滅し、負の電荷は潜像電荷として電荷蓄積層53に蓄積される図18B参照。次に、図19に示すように、第1の電極層51が接地された状態において、線状読取光源60から発せられた線状の読取光L1が第2の電極層55側から照射される。読取光L1は透明線状電極55aを透過して読取用光導電層54に照射され、その読取光L1の照射により読取用光導電層54において発生した正の電荷が電荷蓄積層53に蓄積された潜像電荷と結合するとともに、負の電荷が、透明線状電極55aに接続されたチャージアンプ200を介して遮光線状電極55bに帯電した正の電荷と結合する。そして、読取用光導電層54において発生した負の電荷と遮光線状電極55bに帯電した正の電荷との結合によって、チャージアンプ200に電流が流れ、この電流が積分されて画像信号として検出される。そして、線状読取光源60が、Y方向に移動することによって線状の読取光L1によって放射線画像検出器50が走査され、線状の読取光L1の照射された読取ライン毎に上述した作用によって読み出された読出信号が順次検出され、その検出された読取ライン毎の読出信号が画像生成部5に順次入力されて記憶される。そして、画像生成部5において、上記第1の実施形態の同様にして複数の自己像に応じた読出信号に基づいて位相コントラスト画像が生成される。また、上記実施形態においては、位相コントラスト画像を取得することによりこれまで描出が難しかった画像を得ることができるが、従来のX線画像診断学は吸収画像に基づいているため、位相コントラスト画像と対応して吸収画像が参照できると読影の助けになる。たとえば、吸収画像と位相コントラスト画像を重み付けや階調、周波数処理などの適当な処理によって重ね合わせることにより吸収画像が表現できなかった部分を位相コントラスト画像の情報で補うことは有効である。しかし、位相コントラスト画像とは別に吸収画像を撮影することは、位相コントラスト画像の撮影と吸収画像の撮影との間の撮影肢体のズレによって良好な重ね合わせを困難にするのに加え、撮影回数が増えることにより被検体の負担となる。また、近年、位相コントラスト画像や吸収画像の他に、小角散乱画像が注目されている。小角散乱画像は、被検体組織内部の微細構造に起因する組織性状を表現可能であり、たとえば、ガンや循環器疾患といった分野での新しい画像診断のための表現方法として期待されている。そこで、画像生成部5において、位相コントラスト画像を生成するために取得した複数枚の縞画像に基づいて吸収画像や小角散乱画像を生成するようにしてもよい。具体的には、画素毎に得られる画素信号Ikx,yを、図20に示すようにkについて平均化して平均値を算出して画像化することにより吸収画像を生成することができる。なお、平均値の算出は、画素信号Ikx,yをkについて単純に平均化することにより行ってもよいが、Mが小さい場合には誤差が大きくなるため、画素信号Ikx,yを正弦波でフィッティングした後、フィッティングした正弦波の平均値を求めるようにしてもよい。また、正弦波に限らず、矩形波や三角波形状を用いるようにしてもよい。また、吸収画像の生成には、平均値に限られず、平均値に対応する量であれば、画素信号Ikx,yをkについて加算した加算値等を用いることが可能である。また、画素毎に得られる画素信号Ikx,yの振幅値を算出して画像化することにより小角散乱画像を生成することができる。なお、振幅値の算出は、画素信号Ikx,yの最大値と最小値との差を求めることによって行ってもよいが、Mが小さい場合には誤差が大きくなるため、画素信号Ikx,yを正弦波でフィッティングした後、フィッティングした正弦波の振幅値を求めるようにしてもよい。また、小角散乱画像の生成には、振幅値に限られず、平均値を中心としたばらつきに対応する量として、分散値や標準偏差などを用いることができる。また、位相コントラスト画像は、第1および第2の格子2,3の格子部材22,32の周期配列方向X方向のX線の屈折成分に基づくものとなり、格子部材22,32の延伸方向Y方向の屈折成分は反映されない。すなわち、XY面である格子面を介して、X方向に交差する方向直交する場合はY方向に沿った部位輪郭がX方向の屈折成分に基づく位相コントラスト画像として描出されるのであり、X方向に交差せずにX方向に沿っている部位輪郭はX方向の位相コントラスト画像として描出されない。すなわち、被検体とする部位の形状と向きによっては描出できない部位が存在する。例えば、膝等の関節軟骨の荷重面の方向を格子の面内方向であるXY方向のうちY方向に合わせると、Y方向にほぼ沿った荷重面YZ面近傍の部位輪郭は十分に描出されるが、荷重面に交差しX方向にほぼ沿って延びる軟骨周辺組織腱や靭帯などについては描出が不十分になると考えられる。被検体を動かすことにより、描出が不十分な部位を再度撮影することは可能ではあるが、被検体及び術者の負担が増えることに加え、再度撮影した画像との位置再現性を担保することが難しいといった問題がある。そこで、他の例として、図21に示すように、第1および第2の格子2,3の格子面の中心に直交する仮想線X線の光軸Aを中心として、第1および第2の格子2,3を、図21aに示すような第1の向きから任意の角度で回転させて、図21bに示すような第2の向きとする回転機構180を設け、第1の向きと第2の向きとのそれぞれにおいて位相コントラスト画像を生成するように構成することも好適である。なお、図21a,bにおいては、図面を見やすくするために第1の格子2の格子部材22については直線状に表しているが、実際には、上記実施形態のように複数の単位格子部材22aがX方向にずらされて配置されているものとする。こうすることで、上述した位置再現性の問題をなくせる。なお、図21aには、第2の格子3の格子部材32の延伸方向がY方向に沿う方向となるような第1および第2の格子2,3の第1の向きを示し、図21bには、図21aの状態から90度回転させ、第2の格子3の格子部材32の延伸方向がX方向に沿う方向となるような第1および第2の格子2,3の第2の向きを示したが、第1の格子2と第2の格子3との間の傾き関係を維持した状態であれば、第1および第2の格子2,3の回転角度は任意である。また、第1の向きおよび第2の向きに加えて、第3の向き、第4の向きなど、2回以上の回転操作を行って、それぞれの向きでの位相コントラスト画像を生成するように構成してもよい。また、上記実施形態の放射線位相画像撮影装置においては、第1の格子2と第2の格子3との2つの格子を用いるようにしたが、第2の格子3の機能を放射線画像検出器にもたせることによって第2の格子3を用いないようにすることができる。以下、第2の格子3の機能を有する放射線画像検出器の構成について説明する。第2の格子3の機能を有する放射線画像検出器は、放射線が第1の格子2を通過することによって第1の格子2によって形成された第1の格子2の自己像を検出するとともに、その自己像に応じた電荷信号を後述する格子状に分割された電荷蓄積層に蓄積することによって自己像に強度変調を施すものである。図22Aは、第2の格子3の機能を有する放射線画像検出器400の斜視図、図22Bは図22Aに示す放射線画像検出器のXZ面断面図、図22Cは図22Aに示す放射線画像検出器のYZ面断面図である。放射線画像検出器400は、図22A~Cに示すように、放射線を透過する第1の電極層410、第1の電極層410を透過した放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層420、記録用光導電層420において発生した電荷のうち一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用し、且つ他方の極性の電荷に対しては導電体として作用する電荷蓄積層430、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層440、および第2の電極層450をこの順に積層してなるものである。なお、上記各層は、ガラス基板460上に第2の電極層450から順に形成されている。そして、第2の格子3の機能を有する放射線画像検出器400は、第1の電極層410、記録用光導電層420、電荷蓄積層430、読取用光導電層440および第2の電極層450の材料については、上記光読取方式の放射線画像検出器50の第1の電極層51、記録用光導電層52、電荷蓄積層53、読取用光導電層54および第2の電極層55と同様である。そして、第2の格子3の機能を有する放射線画像検出器400は、上記光読取方式の放射線画像検出器4と電荷蓄積層430の形状が異なる。放射線画像検出器400の電荷蓄積層430は、図22A~Cに示すように、第2の電極層450の透明線状電極450aおよび遮光線状電極450bの延伸方向に平行となるように線状に分割されている。また、電荷蓄積層430は、透明線状電極450aもしくは遮光線状電極450bの配列ピッチよりも細かいピッチで分割されるが、その配列ピッチP2と間隔d2は、上記実施形態の第2の格子3の条件と同様である。また、電荷蓄積層430は、積層方向Z方向について2μm以下の厚さで形成される。そして、電荷蓄積層430は、たとえば、上述したような材料と金属板に穴を空けたメタルマスクやファイバーなどによって形成されたマスクとを用いて抵抗加熱蒸着によって形成することができる。また、フォトリソグラフィを用いて形成するようにしてもよい。なお、タルボ干渉計として機能させるための第1の格子2と放射線画像検出器400との距離の条件については、放射線画像検出器400が第2の格子3として機能するものであるので、第1の格子2と第2の格子3との距離の条件と同様である。また、上記第2の実施形態のように第1の格子2が入射放射線を回折せずに投影させる構成とし、第1の格子2から放射線画像検出器400までの距離Z2を、タルボ干渉距離を無関係に設定するようにしてもよく、上式20を満たすような距離としてもよい。次に、上記のように構成された放射線画像検出器400の作用について説明する。まず、図23Aに示すように高圧電源100によって放射線画像検出器400の第1の電極層410に負の電圧を印加した状態において、タルボ効果によって形成された第1の格子2の自己像を担持した放射線が、放射線画像検出器400の第1の電極層410側から照射される。そして、放射線画像検出器400に照射された放射線は、第1の電極層410を透過し、記録用光導電層420に照射される。そして、その放射線の照射によって記録用光導電層420において電荷対が発生し、そのうち正の電荷は第1の電極層410に帯電した負の電荷と結合して消滅し、負の電荷は潜像電荷として電荷蓄積層430に蓄積される図23B参照。ここで、電荷蓄積層430は、上述したような配列ピッチで線状に分割されているので、記録用光導電層420において第1の格子2の自己像に応じて発生した電荷のうちその直下に電荷蓄積層430が存在する電荷のみが電荷蓄積層430によってトラップされて蓄積され、それ以外の電荷については線状の電荷蓄積層430の間を通過し、読取用光導電層440を通過した後、透明線状電極450aと遮光線状電極450bとに流れ出してしまう。このように記録用光導電層420において発生した電荷のうち、その直下に線状の電荷蓄積層430が存在する電荷のみを蓄積することによって、第1の格子2の各単位格子の自己像は電荷蓄積層430の線状のパターンとの重ね合わせにより強度変調を受け、被検体による自己像の波面の歪みを反映した縞画像の画像信号が電荷蓄積層430に蓄積されることになる。すなわち、電荷蓄積層430は、上記実施形態の第2の格子3と同等の機能を果たすことになる。そして、次に、図24に示すように、第1の電極層410が接地された状態において、線状読取光源60から発せられた線状の読取光L1が第2の電極層450側から照射される。読取光L1は透明線状電極450aを透過して読取用光導電層440に照射され、その読取光L1の照射により読取用光導電層440において発生した正の電荷が電荷蓄積層430における潜像電荷と結合するとともに、負の電荷が、透明線状電極450aに接続されたチャージアンプ200を介して遮光線状電極450bに帯電した正の電荷と結合する。そして、読取用光導電層440において発生した負の電荷と遮光線状電極450bに帯電した正の電荷との結合によって、チャージアンプ200に電流が流れ、この電流が積分されて画像信号として検出される。そして、線状読取光源60が、副走査方向Y方向に移動することによって線状の読取光L1によって放射線画像検出器400が走査され、線状の読取光L1の照射された読取ライン毎に上述した作用によって読み出された読出信号が順次検出され、その検出された読取ライン毎の読出信号が画像生成部5に順次入力されて記憶される。そして、放射線画像検出器400の全面が読取光L1に走査されて1フレーム全体の読出信号が画像生成部5に出力され、画像生成部5は、その入力された複数の自己像に応じた読出信号に基づいて、上記実施形態と同様にして位相コントラスト画像を生成する。また、上述した第2の格子3の機能を有する放射線画像検出器400おいては、電極間に、記録用光導電層420、電荷蓄積層430および読取用光導電層440の3層を設ける構成としたが、必ずしもこの層構成である必要はなく、たとえば、図25に示すように、読取用光導電層440を設けることなく、第2の電極層の透明線状電極450aおよび遮光線状電極450b上に直接接触するように線状の電荷蓄積層430を設け、その電荷蓄積層430の上に記録用光導電層420を設けるようにしてもよい。なお、この記録用光導電層420は、読取用光導電層としても機能するものである。この放射線画像検出器401の構造は、読取用光導電層440なしに第2の電極層450に直接電荷蓄積層430を設ける構造であり、線状の電荷蓄積層430の形成を容易にする。すなわち、この線状の電荷蓄積層430は、蒸着で形成することができる。この蒸着工程において、選択的に線状パターンを形成するためにメタルマスクなどを用いるが、読取用光導電層440の上に線状の電荷蓄積層430を設ける構成では、読取用光導電層440の蒸着後のメタルマスクをセットする工程のため、読取用光導電層440の蒸着工程と記録用光導電層420の蒸着工程の間で大気中操作により、読取用光導電層440に劣化や、光導電層間に異物が混入して品質の劣化をもたらす虞がある。上述した読取用光導電層440を設けない構造とすることで、光導電層の蒸着後の大気中操作を減らすことができるため、上述の品質劣化の懸念を低減することができる。記録用光導電層420および電荷蓄積層430の材料については、上述した放射線画像検出器400と同様である。また、電荷蓄積層430の線状構成についても、上述した放射線画像検出器と同様である。以下に、この放射線画像検出器401の放射線画像の記録と読み出しの作用について説明する。まず、図26Aに示すように高圧電源100によって放射線画像検出器401の第1の電極層410に負の電圧を印加した状態において、第1の格子2の自己像を担持した放射線が、放射線画像検出器401の第1の電極層410側から照射される。そして、放射線画像検出器401に照射された放射線は、第1の電極層410を透過し、記録用光導電層420に照射される。そして、その放射線の照射によって記録用光導電層420において電荷対が発生し、そのうち正の電荷は第1の電極層410に帯電した負の電荷と結合して消滅し、負の電荷は潜像電荷として電荷蓄積層430に蓄積される図26B参照。なお、第2の電極層450に接した線状の電荷蓄積層430は絶縁性の膜であるから、この電荷蓄積層430に到達した電荷はそこに捕えられ、第2の電極層450へ行くことができず、蓄積されて留まる。ここでも、上述した放射線画像検出器400と同様に、記録用光導電層420において発生した電荷のうち、その直下に線状の電荷蓄積層430が存在する電荷のみを蓄積することによって、第1の格子2の自己像は電荷蓄積層430の線状のパターンとの重ね合わせにより強度変調を受け、被検体による自己像の波面の歪みを反映した縞画像の画像信号が電荷蓄積層430に蓄積されることになる。そして、図27に示すように、第1の電極層410が接地された状態において、線状読取光源60から発せられた線状の読取光L1が第2の電極層450側から照射される。読取光L1は、透明線状電極450aを透過して電荷蓄積層430近傍の記録用光導電層420に照射され、その読取光L1の照射により発生した正の電荷が線状の電荷蓄積層430へ引き寄せられて再結合する。そして、もう一方の負の電荷は、透明線状電極450aへ引き寄せられ、透明線状電極450aに帯電した正の電荷および透明線状電極450aに接続されたチャージアンプ200を介して遮光線状電極450bに帯電した正の電荷と結合する。これによりチャージアンプ200に電流が流れ、この電流が積分されて画像信号として検出される。また、上述した放射線画像検出器400,401においては、電荷蓄積層430を、完全に線状に分離して形成するようにしたが、これに限らず、たとえば、図28に示す放射線画像検出器402のように、平板形状の上に線状のパターンを形成することによって格子状の電荷蓄積層430を形成するようにしてもよい。また、上述した放射線画像検出器400~402においては、電荷蓄積層430を、上記実施形態における第2の格子3と同様に直線状の格子状に形成するようにしたが、これに限らず、上記実施形態における第1の格子2の構成を電荷蓄積層430に採用し、図29に示すように複数の単位格子パターンP11~P52の電荷蓄積層430を形成するようにしてもよい。そして、電荷蓄積層430をこのような構成とした場合には、第1の格子2については、図4に示す第2の格子3のように、直線状の格子部材22から形成することになる。なお、単位格子パターンP11,P12が図6に示す単位格子UG11,UG12に対応する形状であり、単位格子パターンP21,P22が図6に示す単位格子UG21,UG22に対応する形状であり、単位格子パターンP31,P32が図6に示す単位格子UG31,UG32に対応する形状であり、単位格子パターンP41,P42が図6に示す単位格子UG41,UG42に対応する形状であり、単位格子パターンP51,P52が図6に示す単位格子UG51,UG52に対応する形状である。また、電荷蓄積層430の単位格子パターンについても、上記実施形態の第1の格子2と同様に、図12、図13、図15および図16に示すような自己像を形成する単位格子と同様のパターンとすることができる。また、上記実施形態の放射線画像撮影装置においては、1回の撮影で複数種類の位相情報の画像信号を取得することができるので、上述したような即座に繰り返し使用可能な半導体の検出器に限らず、蓄積性蛍光体シートや銀塩フイルムなども利用することができる。なお、この場合、蓄積性蛍光体シートや現像された銀塩フイルムなどを読み取る際の読取画素が請求項における画素部に相当するものとする。また、上記実施形態の放射線画像撮影装置については、乳房画像を撮影する乳房画像撮影表示システムや、被検者を立位状態で撮影する放射線画像撮影システムや、被検者を臥位状態で撮影する放射線画像撮影システムや、被検者を立位状態および臥位状態で撮影可能な放射線画像撮影システムや、長尺撮影を行う放射線画像システムなどに適用可能である。さらに、上記実施形態の放射線画像撮影装置については、3次元画像を取得する放射線位相CT装置や、立体視が可能なステレオ画像を取得するステレオ撮影装置や、断層画像を取得するトモシンセシス撮影装置などにも適用することも可能である。"