"表面と前記表面の反対に設けられる裏面とを有するサファイア基板と、前記表面上に積層される半導体層と、前記裏面上に形成され、アルミナによって構成される密着層と、前記密着層上に形成され、Ag又はAg合金によって構成される光反射層と、前記光反射層上に形成される保護層と、を備える発光素子。前記密着層の厚みは、50nm~200nmである、請求項1に記載の発光素子。前記密着層は、アルミナをスパッタリングすることによって形成されている、請求項2に記載の発光素子。表面と前記表面の反対に設けられる裏面とを有するサファイア基板の前記表面上に半導体層を積層する工程と、前記サファイア基板の前記裏面上にアルミナをスパッタリングすることによって密着層を形成する工程と、前記密着層上にAg又はAg合金によって構成される光反射層を形成する工程と、を備える発光素子の製造方法。しかしながら、物性的な要因によって透光性基板と光反射層とが剥がれやすい場合がある。この場合、発光素子の光取り出し効率が低下することによって、発光素子の出力が低減してしまうという問題がある。このような問題は、透光性基板としてサファイア基板を用いるとともに光反射層としてAg層を用いた場合に顕著である。本発明は、上述の状況に鑑みてなされたものであり、透光性基板と光反射層との密着性を向上可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る発光素子は、表面と前記表面の反対に設けられる裏面とを有するサファイア基板と、前記表面上に積層される半導体層と、前記裏面上に形成され、アルミナによって構成される密着層と、前記密着層上に形成され、Ag又はAg合金によって構成される光反射層と、前記光反射層上に形成される保護層と、を備える。本発明に係る発光素子の製造方法は、表面と前記表面の反対に設けられる裏面とを有するサファイア基板の前記表面上に半導体層を積層する工程と、前記サファイア基板の前記裏面上にアルミナをスパッタリングすることによって密着層を形成する工程と、前記密着層上にAg又はAg合金によって構成される光反射層を形成する工程と、を備える。本発明によれば、透光性基板と光反射層との密着性を向上可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供することができる。次に、図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なっている場合がある。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。発光素子の構成発光素子の構成について、図面を参照しながら説明する。図1は、実施形態に係る発光素子100の構成を示す断面図である。発光素子100は、サファイア基板10と、素子本体20と、裏面側積層体30と、を備える。発光素子100は、実装基板200上に実装されている。1サファイア基板10の構成サファイア基板10は、単結晶サファイアによって構成される透光性基板である。サファイア基板10は、表面10Aと、表面10Aの反対側に設けられる裏面10Bと、を有する。表面10A上には素子本体20が配置され、裏面10B上には裏面側積層体30が配置される。2素子本体20の構成素子本体20は、図1および図2に示すように、n型半導体層21、発光層22、p型半導体層23、透明電極24、p側パッド電極25およびn側パッド電極26を備える。n型半導体層21、発光層22およびp型半導体層23は、サファイア基板10の表面10A上に順次積層される。n型半導体層21、発光層22およびp型半導体層23は、例えばMOVPE法によって形成される窒化物半導体層例えば、AlやGaを含む窒化物半導体や、InやGaを含むInXAlYGa1XYN0≦X≦1、0≦Y≦1、XY≦1などである。透明電極24は、p型半導体層23上に積層される。透明電極24は、p型半導体層23の略全面を覆うように形成される。透明電極24は、例えばスパッタ法によって形成されるITO膜である。p側パッド電極25は、透明電極24上に形成される。n側パッド電極26は、n型半導体層21上に形成される。p側パッド電極25およびn側パッド電極26は、例えばスパッタによって積層されるTiRhPtAu電極である。p側パッド電極25およびn側パッド電極26は、ワイヤボンディング用ワイヤやフリップチップ用バンプなどの外部電極不図示に接続される。3裏面側積層体30裏面側積層体30は、密着層31、反射層32、第1保護層33、第2保護層34、緩衝層35および接着層36を備える。密着層31は、サファイア基板10の裏面10B上に形成される。密着層31は、裏面10Bの略全面を覆うように形成される。密着層31は、アルミナAl2O3によって構成されており、透光性を有している。密着層31の厚みαは、例えば50nm~200nm程度であればよいが、これに限られるものではない。密着層31は、サファイア基板10と反射層32とに密着することによって、反射層32がサファイア基板10から剥がれることを抑制している。ここで、密着層31は、後述するように、アルミナをスパッタリングすることによって形成される。そのため、反射層32をサファイア基板10から剥がした場合には、反射層32に付着するアルミナ密着層31の構成材料を観察することができる。一方で、サファイア基板10は密着層31と同様にアルミナを主成分としているが、発光素子100が密着層31を備えていなければ、反射層32をサファイア基板10から剥がした場合に、反射層32に付着するアルミナを観察することはできない。従って、発光素子100が密着層31を備えているか否かは、反射層32にアルミナが付着しているか否かによって判断することができる。反射層32は、密着層31上に形成される。反射層32は、密着層31の略全面を覆うように、すなわち、裏面10Bの略全面を覆うように形成される。反射層32は、AgまたはAg合金によって構成されている。反射層32の厚みβは、例えば100nm~1000nm程度であればよいが、これに限られるものではない。反射層32は、素子本体20具体的には発光層22から出射されサファイア基板10および密着層31を通過した光を反射することによって、光が実装基板200に吸収されることを抑制している。なお、反射層32に用いられるAg合金としては、Pt、Co、Au、Pd、Ti、Mn、V、Cr、Zr、Rh、Cu、Al、Mg、Bi、Sn、Ir、Ga、Nd及びReから選択される1種以上と、銀と、の合金を用いることができる。第1保護層33は、反射層32上に形成される。第1保護層33は、白金族元素から構成されることが好ましいが、白金族元素以外の金属元素を用いることもできる。また、第1保護層33は、2層以上が好ましいが、1層のみとすることもできる。第1保護層33は、反射層32上に形成される。第1保護層33は、白金族元素Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Ptとその同族元素Fe,Co,Niから選択される元素を含む材料によって構成される。第2保護層34は、第1保護層33上に形成される。第2保護層34は、白金族元素Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Ptとその同族元素Fe,Co,Niから選択される元素を含む材料であって、第1保護層33とは異なる材料によって構成される。なお、第1保護層33の材料と第2保護層34の材料とは、互いに周期律表の異なる列の元素を含むことが好ましい。また、第1保護層33は、ニッケルを含む材料によって構成されるとともに、第2保護層34は、例えば白金族元素、高融点金属W,Mo,Taを含む材料によって構成される場合には、ニッケルと銀との積層構造を第2保護層34で保持できるため好ましい。緩衝層35は、第2保護層34上に形成される。緩衝層35は、例えばAuによって構成されている。緩衝層35は、発光素子100のダイボンディング時にサファイア基板10および素子本体20に伝わる衝撃を緩和する。接着層36は、緩衝層35上に形成される。接着層36は、ダイボンド材料として機能する材料によって構成されていればよい。このような材料としては、In、Pb-Pd系、Au-Ga系、Au-Ge系、Au-Si系、Al-Zn系、Al-Ge系、Al-Mg系、Au-In系、Ag-Mg系、Al-Cu系、Al-Si系、Al-Si-Mg系、Al-Si-Zn系、Al-Pd系、Al-In系、Cu-Ge系、Ag-Ge系、Cu-In系、Au-Zn系、Au-Sn系の合金のほか、ダイボンドに耐えられる機械的強度、応力性、耐熱性、耐湿性、熱伝導性などを有する樹脂例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等やAgペーストなどを用いることができる。発光素子の製造方法発光素子の製造方法について説明する。まず、サファイア基板10の表面10A上に半導体層をパターニングしながら積層した後に電極材料を配置することによって素子本体20を形成する。次に、サファイア基板10裏面10B上にアルミナをスパッタリングすることによって、50nm~200nm程度の厚みαを有する密着層31を形成する。次に、密着層31上にAgまたはAg合金を蒸着やスパッタリングすることによって、100nm~1000nm程度の厚みβを有する反射層32を形成する。次に、白金族元素Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Ptとその同族元素Fe,Co,Niから適宜選択される2種類の材料を反射層32上に順次積層することによって、第1保護層33および第2保護層34を形成する。次に、第2保護層34上にAuを積層することによって緩衝層35を形成した後に、上述のダイボンド材料を緩衝層35上に積層することによって接着層36を形成する。作用および効果1本実施形態に係る発光素子100において、サファイア基板10とAgまたはAg合金によって構成される反射層32との間には、アルミナによって構成される密着層31が介挿されている。このように、アルミナによって構成される密着層31により、サファイア基板10とAgを含む反射層32との密着性を向上させることができる。このことは、物性的な要因によって単結晶サファイアとAgとの密着性が特に悪いため極めて効果的である。また、アルミナによって構成される密着層31は透光性を有するので、密着層31によって光が吸収されることを抑制できる。そのため、光取り出し効率が低下することを抑制できる。2本実施形態に係る密着層31はアルミナのスパッタリングによって形成されており、厚みαは50nm~200nm程度である。そのため、例えば原子層積層法などによって緻密にアルミナ結晶を形成する場合に比べて、サファイア基板10と反射層32とをより効果的に密着させることができる。その他の実施形態本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。A上記実施形態では、裏面側積層体30は、密着層31、反射層32、第1保護層33、第2保護層34、緩衝層35および接着層36を備えることとしたが、これに限られるものではない。裏面側積層体30は、密着層31、反射層32を備えていればよい。B上記実施形態では、密着層31は、アルミナのスパッタリングによって形成されることとしたが、これに限られるものではない。密着層31は、例えばアルミナの蒸着などによって形成されていてもよい。C上記実施形態において、素子本体20は、n型半導体層21、発光層22及びp型半導体層23を備えることとしたが、素子本体20の半導体構造はこれに限られるものではない。素子本体20の半導体構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合等を有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものを適用することができる。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。[サンプルの作製]以下のようにして、実施例1~8および比較例1~6に係る発光素子を作製した。実施例1~8および比較例1~6に係る発光素子は、縦500μm×横290μmの大きさのものを用いた。実施例1まず、サファイア基板の表面上に半導体層をパターニングしながら積層することによって素子本体を形成した。次に、サファイア基板の裏面にアルミナをスパッタリングすることによって50nm厚のアルミナ層密着層を形成した。次に、アルミナ層上にAg層反射層を積層した。次に、Ag層上にNi層第1保護層、Rh層第2保護層、Au層緩衝層、AuSn層接着層を順次積層した。実施例2実施例2に係る発光素子の製造工程では、75nm厚のアルミナ層を形成した。これ以外の工程は、実施例1と同じとした。実施例3実施例3に係る発光素子の製造工程では、100nm厚のアルミナ層を形成した。これ以外の工程は、実施例1と同じとした。実施例4実施例4に係る発光素子の製造工程では、200nm厚のアルミナ層を形成した。これ以外の工程は、実施例1と同じとした。比較例1比較例1に係る発光素子の製造工程では、アルミナ層を形成せずに、サファイア基板の裏面上にAg層を直接積層した。これ以外の工程は、実施例1と同じとした。比較例2比較例2に係る発光素子の製造工程では、10nm厚のアルミナ層を形成した。これ以外の工程は、実施例1と同じとした。[ダイシェア強度試験]実施例1~4および比較例1、2の発光素子を実装基板にダイボンディングした後に、ダイシェア強度試験機Dage社製、型式SERIES4000を用いてダイシェア強度サファイア基板がAg層から剥離した時点での強度を測定した。試験の結果、実施例1~4のダイシェア強度は、比較例1,2のダイシェア強度に比べて約40程度向上していた。このことから、50nm~200nm厚のアルミナ層を介挿することによって、サファイア基板とAg層との密着性を向上させられることが確認された。また、実施例1~4の出力は、比較例1,2の出力とほぼ同等であった。従って、50nm~200nm厚のアルミナ層を介挿したとしても、アルミナ層が透光性を有するので、発光素子の出力に影響をほとんど与えないことが確認された。[液相熱衝撃試験後のダイシェア強度試験]実施例1~4および比較例1,2の発光素子に液相熱衝撃試験LHSを行った後に、上述のダイシェア強度試験を行った。液相熱衝撃試験は、-40°Cと100°Cとを複数回本試験では1000回、3000回繰り返す。表1は実施例1~4、比較例1、2の発光素子のLHS試験結果を示す。図2は、LHS試験前のダイシェア強度の試験の結果を示すn数=18個。図3は、LHS試験1000cyc後のダイシェア強度の試験の結果を示すn数=14個。図4は、LHS試験3000cyc後のダイシェア強度の試験の結果を示すn数=14個。図5は、LHS試験3000cycの前後のダイシェア強度試験の結果を示す。比較例1、2では1000回、3000回のLHS後にダイシェア強度の低下が確認されたが、実施例1~4では試験後にダイシェア強度の大幅な低下は確認されなかった。このことから、50nm~200nm厚のアルミナ層は、熱サイクルにも耐性を有することが確認された。[サンプルの作製]実施例5~8、比較例3~6以下のようにして、実施例5~8、比較例3~6に係る発光素子を作製した異なるロットで各10個作製。実施例5、6、比較例3、4はロット1で、実施例7、8、比較例5、6はロット2である。実施例5、6、比較例3、4はメタライズの構造が異なり、比較例3は発光素子の裏面の一部がパターニングされてメタライズAg下地されており、実施例5は発光素子の裏面の一部がパターニングされてメタライズAl2O3/Ag下地されており、比較例4は発光素子の裏面の全部がメタライズAg下地されており、実施例6は発光素子の裏面の全部がメタライズAl2O3/Ag下地されている。実施例7、8、比較例5、6はメタライズの構造が異なり、比較例5は発光素子の裏面の一部がパターニングされてメタライズAg下地されており、実施例7は発光素子の裏面の一部がパターニングされてメタライズAl2O3/Ag下地されており、比較例6は発光素子の裏面の全部がメタライズAg下地されており、実施例8は発光素子の裏面の全部がメタライズAl2O3/Ag下地されている。まず、実施例5~8は、サファイア基板の表面上に半導体層をパターニングしながら積層することによって素子本体を形成した。次に、サファイア基板の裏面にアルミナをスパッタリングすることによって50nm厚のアルミナ層密着層を形成した。実施例5、7は、アルミナ層はサファイア基板の外周30μmを除き、中央部に長方形に形成した。実施例6,8は、アルミナ層はサファイア基板の全体を覆うように形成した。次に、アルミナ層上にAg層反射層を積層した。次に、Ag層上にNi層第1保護層、Rh層第2保護層、Au層緩衝層、AuSn層接着層を順次積層した。一方、比較例3~6に係る発光素子の製造工程では、アルミナ層を形成せずに、サファイア基板の裏面上にAg層を直接積層した。比較例3、5は、Ag層はサファイア基板の外周30μmを除き、中央部に長方形に形成した。比較例4、6は、Ag層はサファイア基板の全体を覆うように形成した。これ以外の工程は、実施例5~8と同じとした。[ダイシェア強度試験]実施例1~4と同様に、実施例5~8および比較例3~6のダイシェア強度を測定した。表2は、実施例5~8、比較例3~6の発光素子のダイシェア強度試験の結果を示す。図6は、500μm×290μmの発光素子のダイシェア強度試験の結果を示す。試験の結果、実施例5のダイシェア強度は、比較例3のダイシェア強度に比べて平均して約40程度向上していた10個の平均。また、実施例6のダイシェア強度は、比較例4のダイシェア強度に比べて平均して約50程度向上していた10個の平均。実施例7のダイシェア強度は、比較例5のダイシェア強度に比べて平均して約30程度向上していた10個の平均。また、実施例8のダイシェア強度は、比較例6のダイシェア強度に比べて平均して約60程度向上していた10個の平均。このことから、アルミナ層を介挿することによって、サファイア基板とAg層との密着性を向上させられることが確認された。また、実施例5、7に比べて実施例6、8の方が、ダイシェア強度が高くなる傾向が見られた。[サンプルの作製]実施例9、10、比較例7、8以下のようにして、実施例9、10、比較例7、8に係る発光素子を作製した各10個作製。実施例9、10、比較例7、8はメタライズの構造が異なり、比較例7は発光素子の裏面の一部がパターニングされてメタライズAg下地されており、実施例9は発光素子の裏面の一部がパターニングされてメタライズAl2O3/Ag下地されており、比較例8は発光素子の裏面の全部がメタライズAg下地されており、実施例10は発光素子の裏面の全部がメタライズAl2O3/Ag下地されている。実施例9、10、比較例7、8に係る発光素子は、800μm×800μmの大きさのものを用いた。まず、実施例9、10は、サファイア基板の表面上に半導体層をパターニングしながら積層することによって素子本体を形成した。次に、サファイア基板の裏面にアルミナをスパッタリングすることによって50nm厚のアルミナ層密着層を形成した。実施例9は、アルミナ層はサファイア基板の外周30μmを除き、中央部に正方形に形成した。実施例10は、アルミナ層はサファイア基板の全体を覆うように形成した。次に、アルミナ層上にAg層反射層を積層した。次に、Ag層上にNi層第1保護層、Rh層第2保護層、Au層緩衝層、AuSn層接着層を順次積層した。一方、比較例7、8に係る発光素子の製造工程では、アルミナ層を形成せずに、サファイア基板の裏面上にAg層を直接積層した。比較例7は、Ag層はサファイア基板の外周30μmを除き、中央部に正方形に形成した。比較例8は、Ag層はサファイア基板の全体を覆うように形成した。これ以外の工程は、実施例9、10と同じとした。[ダイシェア強度試験]実施例1~4と同様に、実施例9、10および比較例7、8のダイシェア強度を測定した。表3は、実施例9、10、比較例7、8の発光素子のダイシェア強度試験の結果を示す。図7は、800μm×800μmの発光素子のダイシェア強度試験の結果を示す。試験の結果、実施例9のダイシェア強度は、比較例7のダイシェア強度に比べて平均して約30程度向上していた10個の平均。また、実施例10のダイシェア強度は、比較例8のダイシェア強度に比べて平均して約40程度向上していた10個の平均。このことから、アルミナ層を介挿することによって、サファイア基板とAg層との密着性を向上させられることが確認された。"