モールドを押し付けてパターニングした未硬化のレジスト上に、再度モールドを押し付けることによってパターニングを行うことを特徴とするナノインプリント方法。上記のモールドは電子ビーム描画法によって作製し、最初のパターニングに使用したモールドを、位置を変えて再度のパターニングに使用することを特徴とする請求項1に記載のナノインプリント方法。上記のモールドは、インプリント面における凸部の寸法が同面における凹部の寸法の2分の1以下であることを特徴とする請求項2に記載のナノインプリント方法。上記のレジストとして、硬化前に2度以上のパターニングが可能なものを使用することを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のナノインプリント方法。1対1パターンが必要なナノインプリントリソグラフィーの場合、転写パターンの微細化に伴い、モールド作製時における作製時間やコストが増大する。モールド作製は主にEBリソグラフィー電子ビーム描画法によって行われているが、このような問題をEBリソグラフィー技術の発展のみで解決することは難しく、ナノインプリント技術による新たなアプローチで解決を試みなければならない。本発明は、EBリソグラフィー技術のみによることなくモールド作製に関する負担を軽減して、ナノインプリント技術の高スループット化および低コスト化を可能にしようとするものである。本発明では、転写したいパターンに対して等倍のパターンを有するモールドではなく、概念的には2倍以上の大きさのパターンを有するモールドを用い、同一レジスト上に2度またはそれ以上のインプリントを行うダブルパターニング法により、モールド作製時の負担軽減および高スループット化低コスト化をはかる。本発明のナノインプリント方法は、モールドを押し付けてパターニングした未硬化のレジスト上に、再度1回または複数回モールド最初のモールドと同一のモールド、または他のモールドを押し付けることによってパターニングを行うことを特徴とする。つまり、同一レジスト上でいわばダブルパターニングを行うのである。そしてレジストの硬化は、最後のパターニングのためにレジストにモールドを押し付けた際にのみ行う。たとえば光ナノインプリントのためにレジストとしてUV硬化レジストを使用する場合、レジストへのUV照射は、最後にモールドを押し付けた際にのみ行う。上記のようにレジスト上にダブルパターニングを行うことし、再度のパターニングはそれまでにパターニングを施した範囲と少なくとも一部が重複するように行うなら、モールドに求められる微細パターンの密度は、レジスト上に形成されるべき微細パターンの密度に比べて概ね半分またはそれ以下で足りる。そのため、電子ビーム描画法等の精密度を格別に向上させなくとも、従来と同様の精密度で作製したモールドを使用して、従来の2倍程度またはそれ以上に微細高密度のパターンを有するレジストを形成することができる。そして同時に、モールドの作製時間が短縮され、その作製に要するコストも低下するため、ナノインプリントによるパターニングを効率的に実施することが可能になる。上記発明において、モールドは電子ビーム描画法によって作製し、最初のパターニングに使用したモールドを、位置を変えてそれまでにパターニングを施した範囲から完全には逸脱しない範囲で位置を変えて再度のパターニングに使用するのがよい。そうすると、電子ビーム描画法を採用することからモールドのインプリント面に微細なパターンを形成しやすいうえ、複数回のパターニングに同一のモールドを使用することからモールドの所要作製数を最小限にすることができるため、精度とコストの両面において有利な効果がもたらされる。上記のモールドについては、インプリント面における凸部レジスト表面に凹部を形成するための部分の寸法線幅等が、同面における凹部レジスト表面に凸部を形成するスペース部分の寸法溝幅等の2分の1以下であるのが好ましい。各部がそのような寸法関係にあれば、最初のパターニングの後、レジストとモールドとの相対位置を適切にずらして再度のパターニングを行うことにより、最初のパターニングで形成されたレジスト表面の凸部に、再度のパターニングによって新たな凹部を形成することができる。モールドのインプリント面における凸部の寸法線幅等が凹部の寸法溝幅等の2分の1以下であるため、再度のパターニングによって、レジスト上に独立した新たな凹部を形成できるのである。上記のレジストとしては、硬化前に2度以上のパターニングが可能なもの、つまり複数回のパターニングを行っても最初のパターニングで形成されたパターンが保たれ、その後にすべてのパターンを硬化させ得るレジスト、を選択して使用するとよい。そのようなレジストを使用すれば、上記したダブルパターニングを円滑に実施することができる。たとえば、光ナノインプリントに用いるUV硬化レジストとして、ダイセル化学工業のNICT110等が適切であり、室温ナノインプリントレジストとしては、東京応化工業の有機spinonglassであるOCNL540等が好ましい。ダブルパターニングを行う本発明のナノインプリント方法によれば、モールド作製の困難さを緩和でき、なおかつ、プロセス全体の高スループット化、低コスト化が可能である。UV光ナノインプリントと室温ナノインプリントとの各方法におけるダブルパターニングの実験について以下に示す。図1にナノインプリントにおけるダブルパターニングのコンセプト図を示す。まず、基板上にレジストをスピンコートし図1、1回目のナノインプリントを行う同。そして、モールドをレジストから引き離し同、レジストを置いているステージ、もしくはモールドを移動させる。その移動の後、2回目のナノインプリントを行う同。UVナノインプリントの場合は2回目のインプリントの際にUV照射を行うこととして、レジストを硬化させる同。そしてモールドを引き離し、ダブルパターニングは完了する同。このコンセプトに示すように、レジストは硬化する前に2回以上インプリントでき、かつ1回目にインプリントされた形状を保つようなレジストでなければならない。そこで本実験ではUV硬化レジストとしてダイセル化学工業のNICT110を、室温ナノインプリントレジストとして東京応化工業の有機spinonglassであるOCNL540を用いた。NICT110は、モールドを押し付けたうえ引き離してもパターン形状が維持されるという特徴を有しており、今回のUVナノインプリントによるダブルパターニング法を実施するために最適なレジストである。ただし、UV照射を行わなければレジストは硬化しないため、最後にモールドを引き離した後のUV照射は必須である。また、OCNL540は溶媒が蒸発するまでに繰り返しインプリントが可能である事を見出した。そのため、OCNL540は、今回の室温ナノインプリントによるダブルパターニング法に適用可能である。まず、NICT110を用いたUVナノインプリントによるダブルパターニングについて述べる。モールドはライン幅凸部の線幅が1μm、スペース幅凹部の溝幅が2μm、ライン高さが300nmの石英モールドを用いた。また、OPTOOLHD1100THダイキン工業を用いてモールド表面に離型膜を成膜した。NICT110は1methoxypropylacetateを用いて約13wtに希釈し、スピンコート時の膜厚が約250nmになるよう調整した。ナノインプリント圧力は1回目が3MPa、2回目が5MPaで行った。UV波長は365nm、照度50mWcm2、照射時間は120秒である。図2に、一回目のインプリントを行ったNICT110の走査型電子顕微鏡写真を示す。そして、図2に、1回目のインプリントパターン後、同一パターン上に2回目のインプリントを行った際のNICT110のSEM写真を示す。図2に示すように1回目に形成されたインプリントパターン図中、右向き矢印が指す部分上に2回目のインプリントパターン図中、左向き矢印が指す部分が形成されていることが確認できる。この結果、UVナノインプリントを用いたダブルパターニングが実施可能である事が証明された。次にOCNL540を用いた室温ナノインプリントによるダブルパターニングについて述べる。モールドはUVナノインプリント時と同じモールドを使用した。OCNL540のスピンコート膜厚は170nmであった。OCNL540は低圧用室温ナノインプリントとして開発された物であるため、1回目、2回目ともに室温ナノインプリントとしては低圧の5MPaでインプリントを行った。図3は、室温ナノインプリントによるダブルパターニングを行ったOCNL540のである。UVナノインプリントによるダブルパターニングの時と同様に、この場合も1回目の転写パターン上に2回目のパターンが形成された各回のインプリントパターンを矢印で指し示している。ただ、2回目にインプリントを行った後ではラインが少しずれている。しかしながら、これはOCNL540の粘性が問題と考えられ、レジストの粘性を改善することでラインがずれることなく、ダブルパターニング可能だと考えられる。図5には、室温ナノインプリントによって他のダブルパターニングを行った例につきSEM写真を示している。この例では、レジストとしてOCNL540を用い、2回目には1回目と異なるモールドを使用した。1回目2回目ともライン状のモールドを用いたが、双方のラインの方向を90度異ならせて、ライン同士がクロスするように使用した。1回目のパターニングのライン幅は400nmで、2回目はそのライン上に幅200nmの溝を形成した。なおこの例において、OCNL540のスピンコート膜厚およびインプリント圧力は、図3の例と同じである。以上の結果から、UVナノインプリント及び室温ナノインプリントによりダブルパターニング法が可能である事が分かった。