"半導体チップと、この半導体チップの素子形成面に接合された第1導体部材と、上記素子形成面に対向する半導体チップの対向面に接合された第2導体部材と、上記半導体チップ、並びに、上記第1導体部材及び上記第2導体部材の一部を封止する封止部材と、を備え、上記第1導体部材及び上記第2導体部材は、上記半導体チップ、上記第1導体部材、及び上記第2導体部材を積層した積層方向において上記封止部材の各主面に露出する露出面を有する、半導体装置において、上記第1導体部材は、板状の部材であり、互いに屈曲して配置される接合部、変形部、及び自由端部を有し、接合部は、当該第1導体部材の一端側に位置し上記素子形成面と接合する部分であり、自由端部は、当該第1導体部材の他端側に位置し上記露出面を形成する部分であり、変形部は、接合部と自由端部との間に位置し、接合部に対して鈍角又は鋭角な角度で屈曲して配置され、かつ自由端部に対して鋭角な角度で屈曲して配置される、ことを特徴とする半導体装置。上記半導体チップは複数個設けられ、上記第1導体部材及び上記第2導体部材は、少なくとも2つの半導体チップを連結して接合される、請求項1記載の半導体装置。上記封止部材と接する上記第1導体部材及び上記第2導体部材の表面は、粗化された粗面である、請求項1又は2記載の半導体装置。上記第1導体部材の自由端部は、半導体チップ側へ凸となる突起を有する、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。特許文献3及び特許文献4に開示されるモジュールのように、半導体素子に電気的に接続された導体部材を樹脂封止部の主面に露出させるためには、モールド金型にて樹脂封止を行う際に、露出面になるべき導体部材の側面とモールド金型内面との間に、モールド樹脂が流れ込むような隙間が発生しないように、導体部材の側面とモールド金型内面とを密着させておく必要がある。しかしながら、導体部材と半導体素子とをはんだを介して積層した構造では、積層方向におけるモジュールの寸法をモールド金型の型締め寸法に一致させる精度にて、モジュールを製造することは非常に困難である、ということは容易に推察できる。また、導体部材及びはんだは、剛性の高い金属部材であり、また、半導体素子も含めて容易に変形できる形状ではない。よって、積層方向におけるモジュールの寸法と型締め寸法との不一致を、いずれかの部材の変形によって吸収させることは、やはり困難であると推察できる。本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、電極となる導体部材がモジュールの主面に容易に露出可能となる構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。即ち、本発明の一態様における半導体装置は、半導体チップと、この半導体チップの素子形成面に接合された第1導体部材と、上記素子形成面に対向する半導体チップの対向面に接合された第2導体部材と、上記半導体チップ、並びに、上記第1導体部材及び上記第2導体部材の一部を封止する封止部材と、を備え、上記第1導体部材及び上記第2導体部材は、上記半導体チップ、上記第1導体部材、及び上記第2導体部材を積層した積層方向において上記封止部材の各主面に露出する露出面を有する、半導体装置において、上記第1導体部材は、板状の部材であり、互いに屈曲して配置される接合部、変形部、及び自由端部を有し、接合部は、当該第1導体部材の一端側に位置し上記素子形成面と接合する部分であり、自由端部は、当該第1導体部材の他端側に位置し上記露出面を形成する部分であり、変形部は、接合部と自由端部との間に位置し、接合部に対して鈍角又は鋭角な角度で屈曲して配置され、かつ自由端部に対して鋭角な角度で屈曲して配置されることを特徴とする。本発明の一態様における半導体装置によれば、第1導体部材を構成する接合部、変形部、及び自由端部は互いに屈曲して配置され、接合部と自由端部との間に配置される変形部は、接合部に対して鈍角又は鋭角な角度で屈曲して配置され、かつ自由端部に対して鋭角な角度で屈曲して配置した。このように構成したことで、モールド金型にて積層方向に型締めされるとき、固定されている接合部に対して変形部が変位し、これに伴い自由端部は、反半導体チップ側へ移動しようとする。したがって、自由端部は、常にモールド金型に密接した状態を維持することができる。よって、第1導体部材及び第2導体部材の各露出面となる側面は、常にモールド金型に密接することから、半導体装置における封止部材の主面に第1導体部材及び第2導体部材を容易に露出させることが可能となる。本発明の実施形態である半導体装置について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。実施の形態1.図1及び図2を参照して、本発明の実施の形態1における半導体装置100について説明する。図1は、半導体装置100の概略断面図である。半導体装置100は、基本的構成部分として、半導体チップ1、第1導体部材3、第2導体部材5、及び封止部材9を備える。半導体チップ1は、本実施形態では、主としてSi又はSiCからなる、厚み0.1~0.2mm程度の半導体チップであり、エミッタ電極が形成された素子形成面1aと、この素子形成面1aに対向する面でコレクタ電極が形成された裏面1bとを有する。第1導体部材3は、電極となる帯状の板材にてなる導電性の部材であり、その延在方向において接合部31、変形部33、及び自由端部32から構成され、接合部31、変形部33、及び自由端部32は、以下に説明する角度関係で互いに屈曲して配置される。即ち、接合部31は、第1導体部材3の一端側に位置し半導体チップ1の素子形成面1aに平行又はほぼ平行に延在する部分であり、電気伝導性を有する接合部材第1の接合部材の一例としてのはんだ4で、素子形成面1aのエミッタ電極に接合される部分である。自由端部32は、第1導体部材3の他端側に位置する部分であり、固定された接合部31に対して自由端となる。また、自由端部32は、露出面3aを形成する。変形部33は、接合部31と自由端部32との間に位置し、接合部31に対して本実施形態では鈍角な角度θ1で屈曲して配置され、かつ自由端部32に対して鋭角な角度θ2で屈曲して配置される。このような変形部33を介して、接合部31と自由端部32とは、ほぼ平行に配置され、第1導体部材3は、図示するように変形したコ字形形状となる。また、半導体チップ1の素子形成面1aには、ガードリング等の、エミッタ電極と同電位にすると不具合を生じる部位が存在し、この部位が第1導体部材3と接触すると第1導体部材3を介してエミッタ電極と同電位になってしまう。従って、第1導体部材3の接合部31は、半導体チップ1のエミッタ電極のみと接合する構成としている。第2導体部材5は、電極となるブロック状の導電性部材であり、半導体チップ1の裏面1bにおけるコレクタ電極と、第2の接合部材の一例であるはんだ4を介して電気的に接続される。尚、第2導体部材5において、コレクタ電極と接続された面に対向する面が露出面5aとなる。また、第1導体部材3及び第2導体部材5として、本実施形態ではCu又はCu合金を用いている。封止部材9は、例えばエポキシ系モールド樹脂を用いることができ、後述のモールド金型内へ注入され、半導体チップ1、露出面3aを除いた第1導体部材3、及び露出面5aを除いた第2導体部材5、さらに、図示を省略しているが、ボンディングワイヤ、制御用端子の一部も含めて、一括してこれらを封止する。半導体チップ1等を封止した封止部材9において、対向する2つの主面9a、9bには、第1導体部材3の露出面3aが、及び第2導体部材5の露出面5aがそれぞれ露出する。このようにして、本実施形態の半導体装置100が構成される。この半導体装置100では、半導体チップ1からの発熱を熱伝導性にも優れたはんだ4を介して主に第2導体部材5に伝え、第2導体部材5の露出面5aから放熱を行うことができるようになっている。また、第2導体部材5の露出面5aに冷却部材等を当接させて、更に放熱を促すようにすることもできる。また、第1及び第2の導体部材3、5は、半導体チップ1との電気的な経路となっている。つまり、第2導体部材5を介して半導体チップ1のコレクタ電極との導通を図り、第1導体部材3を介して半導体チップ1のエミッタ電極との導通を図るようになっている。次に、上述した半導体装置100の製造方法について、図2を参照して説明する。まず、半導体チップ1の素子形成面1aに平行又はほぼ平行に第1導体部材3の接合部31を配置し、かつ素子形成面1aのエミッタ電極に接合部31を板状のはんだ4を挟んで配置する。さらに、半導体チップ1の裏面1bのコレクタ電極に板状のはんだ4を挟み第2導体部材5を配置する。このように、半導体チップ1、第1導体部材3、及び第2導体部材5を積層して配置した状態で、これらを還元雰囲気中で一括加熱することによりはんだ4を溶融させ、その後、冷却することで、半導体チップ1に第1導体部材3及び第2導体部材5が接合された半製品を作製する。次に、上述の半製品を、図2のaに示すように、モールド金型11を開いた状態で、下モールド金型11bの内面に第2導体部材5の露出面5aを接した状態で配置する。次に、型開閉方向12に沿ってモールド金型11を閉じていくと、図2のbに示すように、上モールド金型11aの内面が第1導体部材3の自由端部32の露出面3aに接触する。この時点ではモールド金型11は、完全には閉じておらず、わずかに隙間がある状態になっている。さらにモールド金型11を閉じていくと、上モールド金型11aが自由端部32の露出面3aを押圧する。これにより第1導体部材3の変形部33は、片持ち梁のように撓んで変形し、変形部33の上端33aが半導体チップ1へ近づく方向に変位する。この際、変形部33と自由端部32とのなす角度θ2が変化しなければ、自由端部32は、半導体チップ1から離れる例えば矢印Aで示すような方向に変位するはずである。しかし実際には、矢印A方向には上モールド金型11aが存在することから、自由端部32は変位できない。この結果、自由端部32における露出面3aは,その全面にわたって上モールド金型11aの内壁面へ押圧されることになる。したがって、図2のcに示すように、モールド金型11が完全に閉じたときには、第1導体部材3の変形部33の反発力により、第1導体部材3の露出面3a、及び第2導体部材5の露出面5aは、それぞれ上モールド金型11a及び下モールド金型11bの各内壁面へ押圧され密接する。このような状態において、モールド金型11内に封止部材9を注入することで、第1導体部材3の露出面3aと上モールド金型11aの内壁面との間に、及び、第2導体部材5の露出面5aと下モールド金型11bの内壁面との間に封止部材9が入り込むことはない。よって、第1導体部材3の露出面3a及び第2導体部材5の露出面5aが露出する状態で、半導体チップ1等の各部材が封止部材9により封止され、半導体装置100が完成する。このように、本実施の形態1の半導体装置100では、第1導体部材3が、半導体チップ1の素子形成面1aにはんだ4を介して接合される接合部31と、封止部材9の外部に露出する露出面3aを有し固定された接合部31に対して自由端となる自由端部32と、接合部31の一方の端部及び自由端部32の一方の端部を中継するとともに外力によって変形可能な変形部33とを有する。さらに、変形部33の上端33aが半導体チップ1に近づく方向へ変位するときには、自由端部32における他方の端部32aが半導体チップ1から離れる例えば矢印Aで示すような方向に変位するように構成した。つまり変形部33は、接合部31に対して本実施形態では鈍角な角度θ1で屈曲して配置され、かつ自由端部32に対して鋭角な角度θ2で屈曲して配置されるように構成した。このように構成したことで、半導体チップ1、第1導体部材3、第2導体部材5をはんだ4で接合した状態の上記半製品について、モールド金型11の型開閉方向12、つまり上記半製品の積層方向における寸法のバラツキを吸収し、かつ、半導体チップ1の損傷及び破壊、並びに、第1導体部材3の露出面3a及び第2導体部材5の露出面5aが封止部材9に覆われることを抑制しつつ、低コストで品質の安定した生産が可能となる。尚、本実施の形態1では、半導体チップ1が1個だけの場合について説明したが、半導体装置100内に複数個の半導体チップ1が設けられてもよい。この場合、半導体チップ1毎に、第1導体部材3及び第2導体部材5を配置してもよいし、さらに、図3に示すように、第1導体部材3及び第2導体部材5が、複数個あるいは複数種類の半導体チップ1を連結する形で接合されていてもよい。このような構成とすることで、複数個の半導体チップ1を使用する場合でも、部品点数の増加を最小限に抑制できる。また、2種類の半導体チップ1を用いる場合で、半導体チップ1としてIGBTを、半導体チップ2としてFWDを適用すると、図4に示すようなインバータ回路20の一部を構成するIGBTとFWDの逆並列回路21を容易に構成することが可能となる。また、IGBTとFWDとでは、その素子構成が異なり、一般的にIGBTの方が外力に対する破壊耐量が低い。上述のようなモールド金型11による樹脂封止の際に、第1導体部材3が変形するときには、変形部33に近接する半導体チップ1にも変形の力が作用する。したがって、図3に示す構成を採る場合には、変形部33に近接する半導体チップ1をFWDとし、変形部33から比較的遠い半導体チップ2をIGBTとして構成することが望ましい。また、第1導体部材3及び第2導体部材5と、封止部材9とが剥離すると、その剥離界面から水分等が浸入し腐食等により半導体装置100の信頼性が維持できないという問題が生じることもある。よって、第1導体部材3及び第2導体部材5と、封止部材9との密着性を向上させるために、第1導体部材3及び第2導体部材5の表面を粗化してもよい。また、自由端部32の露出面3aに外部配線を接続する手法として、はんだ接合又は超音波接合を採ることができるが、超音波接合を行う場合には、接合面は平滑であることが望ましい。したがって、上述のように第1導体部材3の表面は粗面化するのが好ましいが、第1導体部材3への配線接続方法として超音波接合を用いる場合には、自由端部32の少なくとも露出面3aは、粗面化しないのが好ましい。このように構成することで、半導体装置100の信頼性、及び超音波接合の安定性の両者を確保することが可能となる。また、第1導体部材3への配線接続方法として超音波接合を用いる場合、自由端部32には超音波振動が印加されることから、上記粗面化を行ったとしても、自由端部32と封止部材9との界面の剥離が助長されることも懸念される。よってこのような弊害の発生を防止するため、図5に示すように、半導体チップ1側へ凸とした突起32bを第1導体部材3に形成してもよい。図5では、突起32bの形成例として、第1導体部材3の他方の端部32aを半導体チップ1側へ折り曲げることで突起32bを形成した構成を図示している。このような突起32bを第1導体部材3に設けることで、封止部材9によるアンカー効果により、自由端部32と封止部材9との界面剥離を抑制することができる。実施の形態2.実施の形態1では、第1導体部材3は、図1に示すようなコ字の変形形状として説明した。しかしながら、第1導体部材3は、このような形状に限定されず、例えば図6に示すような、Z形状の第1導体部材3-2であっても、上述と同様の効果が得られることは容易に推察できる。即ち、実施の形態2における半導体装置102でも、第1導体部材3-2が上モールド金型11aによって押圧され、変形する。その際に、自由端部32が上モールド金型11aに押し付けられるように、第1導体部材3-2は構成されていればよい。第1導体部材が、例えば図6に示すような形状を有する場合、つまり変形部33が接合部31に対して鈍角で屈曲し、自由端部32に対しても鈍角で屈曲して配置される構成では、モールド金型11の型締めによって変形部33が変位すると、自由端部32は、点線で示すように、上モールド金型11aから離れる方向に変位する。よって、第1導体部材が図6に示す形状を有する場合には、上述した効果が得られないことは明白である。よって、第1導体部材3-2が上モールド金型11aによって押圧され変形する際に、自由端部32が上モールド金型11aに押し付けられるように、第1導体部材3-2では、変形部33は、上記角度θ1に対応する、接合部31に対して本実施形態2では鋭角な角度θ3で屈曲して配置され、かつ自由端部32に対して鋭角な角度θ2で屈曲して配置されるように構成した。このように、実施の形態1、2から、第1導体部材における変形部33は、接合部31に対して鈍角又は鋭角な角度で屈曲して配置され、かつ自由端部32に対して鋭角な角度で屈曲して配置されるように構成することで、第1導体部材が上モールド金型11aによって押圧、変形される際に、自由端部32が上モールド金型11aに押し付け可能となる。尚、実施の形態1にて説明した、半導体装置100に対する種々の変形形態は、本実施の形態2の半導体装置102に対しても適用可能である。"