"電力変換用モジュールであって、基板と第1トランジスタと第2トランジスタと第1ダイオードと第2ダイオードと中間接続部を備えており、前記第1トランジスタは、前記基板の表面に設けられており、一方の入出力電極が正極側配線に接続可能に構成されており、他方の入出力電極が前記中間接続部に接続可能に構成されており、前記第2トランジスタは、前記基板の表面に設けられており、一方の入出力電極が負極側配線に接続可能に構成されており、他方の入出力電極が前記中間接続部に接続可能に構成されており、第1ダイオードは、前記基板の表面に設けられており、一方の入出力電極が前記正極側配線に接続可能に構成されており、他方の入出力電極が前記中間接続部に接続可能に構成されており、前記第2ダイオードは、前記基板の表面に設けられており、一方の入出力電極が前記負極側配線に接続可能に構成されており、他方の入出力電極が前記中間接続部に接続可能に構成されており、平面視したときに、前記第2トランジスタは、前記第1トランジスタと前記第1ダイオードの間に配置されており、平面視したときに、前記第1ダイオードは、前記第2トランジスタと前記第2ダイオードの間に配置されている電力変換用モジュール。前記中間接続部は、前記基板の表面に設けられている中間電極板を有しており、前記中間電極板は、第1方向に沿って伸びているメイン部と、前記第1方向に直交する第2方向に向けて前記メイン部から突出する第1突出部及び第2突出部を有しており、前記第2トランジスタは、前記第1突出部上に設けられており、前記第2ダイオードは、前記第2突出部上に設けられている請求項1に記載の電力変換用モジュール。前記中間接続部は、リアクトルが接続可能に構成されている請求項1又は2に記載の電力変換用モジュール。前記第1トランジスタと前記第2トランジスタと前記第1ダイオードと前記第2ダイオードの半導体材料が、炭化珪素である請求項1~3のいずれか一項に記載の電力変換用モジュール。この種の電力変換用モジュールでは、リンギング現象の発生が問題となっている。リンギング現象は、トランジスタQ10,Q20がスイッチングするときに電力変換用モジュール内を流れる変位電流が原因である。例えば、下側トランジスタQ20がターンオンすると、上側ダイオードD10に流れていた電流が減少し、上側ダイオードD10の電流がゼロになる瞬間に上側ダイオードD10の接合容量が顕在化する。このとき、上側トランジスタQ10の端子間容量及び上側ダイオードD10の接合容量を介して変位電流が流れる。この変位電流は、上側トランジスタQ10及び上側ダイオードD10から下側トランジスタQ20に向けて流れる。この変位電流は、電流経路に依存する自己インダクタンスによってLC直列共振し、リンギング現象を発生させる。また、下側トランジスタQ20がターンオフすると、リアクトルL10から上側ダイオードD10を介して電流が流れる。このとき、回路経路内に寄生するインダクタンス成分によりサージ電圧が発生する。このサージ電圧によって中間電極板111Mの電圧が上昇する。このとき、下側トランジスタQ20の端子間容量及び下側ダイオードD20の接合容量を介して変位電流が流れる。この変位電流は、上側ダイオードD10から下側トランジスタQ20及び下側ダイオードD20に向けて流れる。この変位電流は、電流経路に依存する自己インダクタンスによってLC直列共振し、リンギング現象を発生させる。下側トランジスタQ20がターンオン又はターンオフする場合のいずれにおいても、電力変換モジュールには、図12の矢印に示されるような変位電流が流れる。図12に示されるように、変位電流は大きなループを描くように流れることから、自己インダクタンスが大きい。このため、図10に示すような電力変換用モジュールのレイアウトでは、過大なリンギング現象が問題となる。なかでも、トランジスタ及びダイオードの半導体材料に炭化珪素又は窒化ガリウム等の化合物半導体を用いた場合、トランジスタの端子間容量やダイオードの接合容量が大きく、またシリコンを用いた場合に比して少数キャリアの蓄積が少ないことから、電流変化が急峻となり、リンギング現象が問題となり易い。本明細書で開示される技術では、ハーフブリッジ回路を構成する一対のトランジスタと一対のダイオードの配置を工夫し、電力変換用モジュールを流れる変位電流の電流経路に依存する自己インダクタンスを低減することを目的としている。本明細書で開示される電力変換用モジュールでは、変位電流が分流するように、一対のトランジスタと一対のダイオードが配置されていることを特徴としている。さらに、分流した変位電流のそれぞれが、隣り合う素子間を流れるように、一対のトランジスタと一対のダイオードが配置されていることを特徴としている。これにより、変位電流のそれぞれの電流経路が小さくなり、電流経路に依存する自己インダクタンスも小さくなる。さらに、合成インダクタンスがそれぞれの自己インダクタンスの並列回路と等価となることから、変位電流の電流経路に依存する自己インダクタンスが全体として小さくなる。この結果、本明細書で開示される電力変換用モジュールでは、リンギング現象が改善される。本願明細書で開示される電力変換用モジュールは、基板と第1トランジスタと第2トランジスタと第1ダイオードと第2ダイオードと中間接続部を備えている。第1トランジスタは、基板の表面に設けられており、一方の入出力電極が正極側配線に接続可能に構成されており、他方の入出力電極が中間接続部に接続可能に構成されている。第2トランジスタは、基板の表面に設けられており、一方の入出力電極が負極側配線に接続可能に構成されており、他方の入出力電極が中間接続部に接続可能に構成されている。第1ダイオードは、基板の表面に設けられており、一方の入出力電極が正極側配線に接続可能に構成されており、他方の入出力電極が中間接続部に接続可能に構成されている。第2ダイオードは、基板の表面に設けられており、一方の入出力電極が負極側配線に接続可能に構成されており、他方の入出力電極が中間接続部に接続可能に構成されている。平面視したときに、第2トランジスタは、第1トランジスタと第1ダイオードの間に配置されている。さらに、平面視したときに、第1ダイオードは、第2トランジスタと第2ダイオードの間に配置されている。上記の電力変換用モジュールでは、第2トランジスタがターンオンすると、第1トランジスタの端子間容量及び第1ダイオードの接合容量を介して変位電流が流れる。この変位電流は、第1トランジスタから第2トランジスタに流れる電流と、第1ダイオードから第2トランジスタに流れる電流とに分流する。平面パターンでは、第2トランジスタが第1トランジスタと第1ダイオードの間に配置されている。したがって、分流した変位電流のそれぞれが隣り合う素子間を流れるので、それぞれの電流経路に依存する自己インダクタンスが小さくなる。さらに、変位電流が分流することで、合成インダクタンスがそれぞれの自己インダクタンスの並列回路と等価となることから、変位電流の電流経路に依存する自己インダクタンスが全体として小さくなる。また、第2トランジスタがターンオフすると、第2トランジスタの端子間容量及び第2ダイオードの接合容量を介して変位電流が流れる。この変位電流は、第1ダイオードから第2トランジスタに流れる電流と、第1ダイオードから第2ダイオードに流れる電流とに分流する。平面パターンでは、第1ダイオードが第2トランジスタと第2ダイオードの間に配置されている。したがって、分流した変位電流のそれぞれが隣り合う素子間を流れるので、それぞれの電流経路に依存する自己インダクタンスが小さくなる。さらに、変位電流が分流することで、合成インダクタンスがそれぞれの自己インダクタンスの並列回路と等価となることから、変位電流の電流経路に依存するインダクタンスが全体として小さくなる。本明細書で開示される電力変換用モジュールでは、中間接続部が、基板の表面に設けられている中間電極板を有しているのが望ましい。この場合、中間電極板は、第1方向に沿って伸びているメイン部と、メイン部から突出する第1突出部と第2突出部を有しているのが望ましい。第1突出部と第2突出部は、第1方向に直交する第2方向に向けてメイン部から突出している。また、第2トランジスタが第1突出部上に設けられており、第2ダイオードが第2突出部上に設けられている。この形態の電力変換用モジュールでは、平面視したときに、第1トランジスタと第2トランジスタと第1ダイオードと第2ダイオードが、第1方向に沿ってこの順で配置されている。本明細書で開示される電力変換用モジュールは、様々な種類の電力変換装置に用いることができる。特に、本明細書で開示される電力変換用モジュールは、直流電圧を変圧昇圧及び/又は降圧して出力するDC/DCコンバータに用いるのが望ましい。この場合、中間接続部にリアクトルが接続可能に構成されている。リンギング現象は、トランジスタ及びダイオードの半導体材料に炭化珪素が用いられる場合に特に問題となる。したがって、第1トランジスタと第2トランジスタと第1ダイオードと第2ダイオードの半導体材料が炭化珪素である場合に、本明細書で開示される技術は特に有用である。本明細書で開示される電力変換用モジュールでは、変位電流を分流させることによってそれぞれの電流経路の自己インダクタンスが小さくなり、合成インダクタンスも減少する。本明細書で開示される技術の特徴を整理しておく。第1特徴電力変換用モジュールは、基板と第1トランジスタと第2トランジスタと第1ダイオードと第2ダイオードと中間接続部を備えている。第1トランジスタと第2トランジスタは、基板の表面に設けられており、中間接続部を介して直列に接続可能に構成されている。第1ダイオードは、基板の表面に設けられており、第1トランジスタに対して並列に接続されている。第2ダイオードは、基板の表面に設けられており、第2トランジスタに対して並列に接続されている。平面視したときに、第2トランジスタは、第1トランジスタと第1ダイオードの間に配置されている。さらに、平面視したときに、第1ダイオードは、第2トランジスタと第2ダイオードの間に配置されている。第2特徴第1特徴において、第1トランジスタと第2トランジスタと第1ダイオードと第2ダイオードは、平面視したときに、一方向に沿ってこの順で並んでいる。第3特徴第2特徴において、第1トランジスタと第2トランジスタと第1ダイオードと第2ダイオードのそれぞれの素子間が略等しい間隔である。以下、モータの出力を利用して走行する電動車両エンジンを併用するハイブリッド車両も含まれるに搭載される電力変換装置を説明する。図1に示されるように、電力変換装置10は、バッテリ11とモータ14の間に設けられており、DC/DCコンバータ12とDC/ACインバータ13を備えている。バッテリ11は、充放電可能な二次電池であり、例えばニッケル水素二次電池又はリチウムイオン二次電池が用いられる。バッテリ11は、複数のセルを直列に接続して構成されるモジュールを複数有しており、これらのモジュールがさらに直列接続されている。これにより、バッテリ11は、車両を駆動するのに必要な高電圧を確保することができる。なお、バッテリ11は、大容量コンデンサとしてもよい。DC/DCコンバータ12は、リアクトルL1とハーフブリッジ回路12Aを有している。ハーフブリッジ回路12Aは、一対のトランジスタQ1,Q2と一対のダイオードD1,D2を有している。DC/DCコンバータ12は、トランジスタQ1,Q2のスイッチング動作によりリアクトルL1におけるエネルギの蓄積と放出とを繰り返し、直流入力電圧を変圧して直流出力電圧を得る装置である。この例のDC/DCコンバータ12は、昇圧および降圧を行う双方向DC/DCコンバータである。DC/DCコンバータ12では、ハーフブリッジ回路12AのトランジスタQ1,Q2がインバータ13の正極側配線10Pと負極側配線10Nこの例では、アース側配線であるとの間に直列に接続されている。具体的には、上側トランジスタQ1のコレクタ電極及び上側ダイオードD1のカソード電極が正極側配線10Pに接続されており、上側トランジスタQ1のエミッタ電極及び上側ダイオードD1のアノード電極がリアクトルL1の一端に接続されている。上側ダイオードD1は、上側トランジスタQ1に対して逆並列に接続されている。下側トランジスタQ2のエミッタ電極及び下側ダイオードD2のアノード電極が負極側配線10Nに接続されており、下側トランジスタQ2のコレクタ電極及び下側ダイオードD2のカソード電極がリアクトルL1の一端に接続されている。下側ダイオードD2は、下側トランジスタQ2に対して逆並列に接続されている。リアクトルL1の他端は、バッテリ11の正極に接続されている。トランジスタQ1,Q2には、縦型のIGBTInsulatedGateBipolarTransistorが用いられている。この例に代えて、トランジスタQ1,Q2には、縦型のMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor又は縦型のサイリスタ等が用いられてもよい。ダイオードD1,D2には、縦型のPINダイオードが用いられている。この例に代えて、ダイオードD1,D2には、縦型のショットキーバリアダイオード、縦型のジャンクションショットキーバリアダイオード等が用いられてもよい。図2及び図3を参照して、DC/DCコンバータ12のハーフブリッジ回路12Aの構成を詳細に説明する。図3に示されるように、ハーフブリッジ回路12Aは、モジュール以下、電力変換用モジュール12Aという化されている。この電力変換用モジュール12Aは、絶縁基板1と、第1及び第2正電極板11Pa,11Pbと、第1及び第2負電極板11Na,11Nbと、中間電極板11Mと、及び第1及び第2制御電極板1a,2aを備えている。絶縁基板1の材料には、窒化アルミニウム又は窒化シリコン等が用いられる。各電極板の材料には、アルミニウム又は銅等が用いられる。各電極板は、はんだ接合技術を利用して絶縁基板1上に固定されている。第1及び第2正電極板11Pa,11Pbと第1及び第2負電極板11Na,11Nbは、略矩形状の形態を有している。第1正電極板11Paと第1負電極板11Naと第2正電極板11Pbと第2負電極板11Nbは、x軸方向に沿ってこの順で配置されている。中間電極板11Mは、x軸方向に沿って伸びているメイン部11Maと、そのメイン部11Maからy軸方向に沿って伸びている第1及び第2突出部11Mb,11Mcを備えている。第1突出部11Mbと第1負電極板11Naは、y軸方向に沿って対向するように配置されている。第2突出部11Mcと第2負電極板11Nbは、y軸方向に沿って対向するように配置されている。第1突出部11Mbと第2突出部11Mcの間には、第2正電極板11Pbが配置されている。第1及び第2制御電極板1a,2aは、略矩形状の形態を有している。第1及び第2制御電極板1a,2aは、y軸方向において、中間電極板11Mのメイン部11Maを間に置いた状態で、上側トランジスタQ1と下側トランジスタQ2が配置されている側とは反対側に配置されている。電力変換用モジュール12Aはさらに、上側トランジスタQ1と下側トランジスタQ2と上側ダイオードD1と下側ダイオードD2を備えている。上側トランジスタQ1と下側トランジスタQ2と上側ダイオードD1と下側ダイオードD2は、x軸方向に沿ってこの順で配置されている。また、それぞれの素子間の間隔は、略等しい間隔に調整されている。上側トランジスタQ1は、第1正電極板11Paの表面に固定されている。具体的には、上側トランジスタQ1のコレクタ電極が第1正電極板11Paの表面にはんだ接合されており、上側トランジスタQ1のエミッタ電極がy軸方向に伸びるワイヤを介して中間電極板11Mのメイン部11Maに電気的に接続されている。下側トランジスタQ2は、中間電極板11Mの第1突出部11Mbの表面に固定されている。具体的には、下側トランジスタQ2のコレクタ電極が第1突出部11Mbの表面にはんだ接合されており、下側トランジスタQ2のエミッタ電極がy軸方向に伸びるワイヤを介して第1負電極板11Naに電気的に接続されている。上側ダイオードD1は、第2正電極板11Pbの表面に固定されている。具体的には、上側ダイオードD1のカソード電極が第2正電極板11Pbの表面にはんだ接合されており、上側ダイオードD1のアノード電極がy軸方向に伸びるワイヤを介して中間電極板11Mのメイン部11Maに電気的に接続されている。下側ダイオードD2は、中間電極板11Mの第2突出部11Mcの表面に固定されている。具体的には、下側ダイオードD2のカソード電極が第2突出部11Mcの表面にはんだ接合されており、下側ダイオードD2のアノード電極がy軸方向に伸びるワイヤを介して第2負電極板11Nbに電気的に接続されている。第1制御電極板1aは、y軸方向に伸びるワイヤを介して上側トランジスタQ1のゲートに電気的に接続されている。第2制御電極板2aは、y軸方向に伸びるワイヤを介して下側トランジスタQ2のゲートに電気的に接続されている。なお、制御電極板1a,2aは、図4に示すように、x軸方向において、上側トランジスタQ1と下側トランジスタQ2に隣接して配置されていてもよい。図1に示すように、DC/ACインバータ13は、正極側配線10Pと負極側配線10Nの間に並列に接続されるU相アーム13U、V相アーム13V、及びW相アーム13Wを備えている。U相アーム13はトランジスタQ3,Q4を有するハーフブリッジ回路で構成されており、V相アーム13VはトランジスタQ5,Q6を有するハーフブリッジ回路で構成されており、W相アーム13WはトランジスタQ7,Q8を有するハーフブリッジ回路で構成されている。各トランジスタQ3-Q8には、ダイオードD3-D8が逆並列に接続されている。各相アームの中間点は、モータ14の各相コイルの各相端に接続されている。トランジスタQ3-Q8には、縦型のIGBTが用いられている。この例に代えて、トランジスタQ3-Q8には、縦型のMOSFET又は縦型のサイリスタ等が用いられてもよい。ダイオードD3-D8には、縦型のPINダイオードが用いられている。この例に代えて、ダイオードD1,D2には、縦型のショットキーバリアダイオード、縦型のジャンクションショットキーバリアダイオード等が用いられてもよい。なお、U相アーム13U、V相アーム13V、及びW相アーム13Wには、DC/DCコンバータ12の電力変換用モジュール12Aを用いてもよい。バッテリ11とDC/DCコンバータ12の間には、平滑用コンデンサC1が接続されている。また、DC/DCコンバータ12とDC/ACインバータの間にも平滑用コンデンサC2が接続されている。これらのコンデンサC1,C2には、電解コンデンサまたはフィルムコンデンサが用いられる。コンデンサC1は、バッテリ11から供給された直流電圧を平滑化し、その平滑化した直流電圧をDC/DCコンバータ12へ供給する。コンデンサC2は、DC/DCコンバータ12からの直流電圧を平滑化し、その平滑化した直流電圧をDC/ACインバータ13へ供給する。次に、電力変換装置10の動作を説明する。モータ14の駆動時には、DC/DCコンバータ12は、バッテリ11からの直流電圧を昇圧してインバータ13に供給する。具体的には、DC/DCコンバータ12の上側トランジスタQ1と下側トランジスタQ2とを交互にオンオフさせる制御が行われる。下側トランジスタQ2がオンすると、下側トランジスタQ2を介してリアクトルL1に電流が流れ、バッテリ11からの直流電力がリアクトルL1に蓄積される。そして、下側トランジスタQ2がオフになると、リアクトルL1に蓄積された直流電力が上側ダイオードD1を介してインバータ13に出力される。インバータ13は、トランジスタQ3-Q8のスイッチング動作により、DC/DCコンバータ12からの直流電力を交流電力に変換し、得られた交流電力をモータ14に供給する。これにより、モータ14が回転駆動される。一方、モータ14の回生時には、DC/DCコンバータ12は、インバータ13からの直流電圧を降圧してバッテリ11で充電する。モータ14で発電された交流電力は、インバータ13のトランジスタQ3-Q8のスイッチング動作により、直流電力に変換される。DC/DCコンバータ12では、上側トランジスタQ1と下側トランジスタQ2とを交互にオンオフさせる制御が行われる。上側トランジスタQ1がオンになると、上側トランジスタQ1を介してリアクトルL1に電流が流れ、インバータ13からの直流電力がリアクトルL1に蓄積される。そして、上側トランジスタQ1がオフになると、リアクトルL1の起電力により下側ダイオードD2を介して電流が還流し、これによりリアクトルL1に蓄積された直流電力がバッテリ11に供給され、バッテリ11が充電される。例えば、モータ14の駆動時には、DC/DCコンバータ12に変位電流が流れる。下側トランジスタQ2がターンオンすると、上側ダイオードD1に流れていた電流が減少し、上側ダイオードD1の電流がゼロになる瞬間に上側ダイオードD1の接合容量に起因した容量成分が顕在化する。このとき、上側トランジスタQ1の端子間容量及び上側ダイオードD1の接合容量を介して変位電流が流れる。この変位電流は、上側トランジスタQ1及び上側ダイオードD1から下側トランジスタQ2に向けて流れる。また、下側トランジスタQ2がターンオフすると、リアクトルL1から上側ダイオードD1を介して電流が流れる。このとき、回路経路内に寄生するインダクタンス成分によりサージ電圧が発生する。このサージ電圧によって中間電極板11Mの電圧が上昇する。このとき、下側トランジスタQ2の端子間容量及び下側ダイオードD2の接合容量を介して変位電流が流れる。この変位電流は、上側ダイオードD1から下側トランジスタQ2及び下側ダイオードD2に向けて流れる。図5に、下側トランジスタQ2がターンオンしたときの変位電流を示す。下側トランジスタQ2がターンオンすると、変位電流は、上側トランジスタQ1から下側トランジスタQ2に流れる電流と、上側ダイオードD1から下側トランジスタQ2に流れる電流とに分流する。平面パターンでは、下側トランジスタQ2が上側トランジスタQ1と上側ダイオードD1の間に配置されている。このため、それぞれの変位電流は、隣り合う素子間を流れるので、それぞれの電流経路のループの面積が小さくなり、それぞれの電流経路に依存する自己インダクタンスが小さくなる。また、上側トランジスタQ1から下側トランジスタQ2に流れる電流経路の多くは、y方向に沿って逆向きとなる成分で構成されており、その対向する電流によって磁束が打ち消しあうことにより自己インダクタンスが減少する。同様に、上側ダイオードD1から下側トランジスタQ2に流れる電流経路の多くも、y方向に沿って逆向きとなる成分で構成されており、その対向する電流によって磁束が打ち消しあうことにより自己インダクタンスが減少する。さらに、変位電流が分流することで、合成インダクタンスがそれぞれの自己インダクタンスの並列回路と等価となることから、変位電流の電流経路に依存する自己インダクタンスが全体として小さくなる。この結果、電力変換用モジュール12Aでは、下側トランジスタQ2がターンオンするときのリンギング現象が改善される。図6に、下側トランジスタQ2がターンオフしたときの変位電流を示す。下側トランジスタQ2がターンオフすると、変位電流は、上側ダイオードD1から下側トランジスタQ2に流れる電流と、上側ダイオードD1から下側ダイオードD2に流れる電流とに分流する。平面パターンでは、上側ダイオードD1が下側トランジスタQ2と下側ダイオードD2の間に配置されている。このため、それぞれの変位電流は、隣り合う素子間を流れるので、それぞれの電流経路のループの面積が小さくなり、それぞれの電流経路に依存する自己インダクタンスが小さくなる。また、上側ダイオードD1から下側トランジスタQ2に流れる電流経路の多くは、y方向に沿って逆向きとなる成分で構成されており、その対向する電流によって磁束が打ち消しあうことにより自己インダクタンスが減少する。同様に、上側ダイオードD1から下側ダイオードD2に流れる電流経路の多くも、y方向に沿って逆向きとなる成分で構成されており、その対向する電流によって磁束が打ち消しあうことにより自己インダクタンスが減少する。さらに、変位電流が分流することで、合成インダクタンスがそれぞれの自己インダクタンスの並列回路と等価となることから、変位電流の電流経路に依存する自己インダクタンスが全体として小さくなる。この結果、電力変換用モジュール12Aでは、下側トランジスタQ2がターンオフするときのリンギング現象が改善される。図7に、第2実施例の電力変換用モジュール12Aを示す。この例では、各電極板に対して金属バスバーを接続するための接続部20が設けられていることを特徴としている。接続部20は、各電極板に設けられている。なお、第1実施例と共通する構成要素に関しては共通の符号を付し、その説明を省略する。図8に、接続部20の詳細を示す。なお、図8には、下側ダイオードD2近傍の接続部20が示されているが、各電極板に設けられている他の接続部20も共通形状である。接続部20は、スペーサー電極21と固定部23を備えている。スペーサー電極21は、導体であり、はんだ接合技術を利用して中間電極板11Mの表面に固定されている。固定部23は、一端がスペーサー電極21に固定されているボルト22と、そのボルト22に着脱可能に構成されているナット25を有している。図8に示されるように、金属バスバー24は、固定部23を用いてスペーサー電極21上に保持される。このような接続部20を利用すると、中間電極板11Mと金属バスバー24の間に、スペーサー電極21に応じた距離が確保される。このため、金属バスバー24との接続が容易であり、スペーサー電極21を正電極板11Pa,11Pb及び負電極板11Na,11Nbの真上まで並走させることができ、金属バスバー24と電力変換用モジュール12Aの接続部において寄生インダクタンスの増加を抑制することができる。なお、図9に示されるように、固定部23は、ボルト22の一端が固ナット25に固定されていてもよい。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"