ガスセルと、第1抵抗体及び第2抵抗体を有し前記ガスセルを加熱する第1ヒーターと、を備え、前記第1抵抗体と前記第2抵抗体とが互いに接続され、前記第1抵抗体と前記第2抵抗体が前記ガスセルの表面に重ねられて配置され、前記第1抵抗体に流す電流の方向と前記第2抵抗体に流す電流の方向とを互いに逆方向にしたことを特徴とするガスセルユニット。前記第1ヒーターと同一の構成を有する第2ヒーターを備え、前記ガスセルが前記第1ヒーターと前記第2ヒーターとに挟まれた構成を有する請求項1記載のガスセルユニット。前記第1ヒーターまたは前記第2ヒーターは基板を有し、該基板の一方の面側と他方の面側にそれぞれ前記第1抵抗体と前記第2抵抗体が設けられ、前記第1抵抗体が前記ガスセルの表面に接触している請求項1または2に記載のガスセルユニット。前記第1抵抗体が前記基板の一方の面に接合され、前記第2抵抗体が前記基板の他方の面に接合されている請求項3に記載のガスセルユニット。前記第1抵抗体は前記ガスセルの表面に接合され、前記第2抵抗体は前記基板の他方の面に接合されている請求項3に記載のガスセルユニット。前記第1ヒーターの前記第1抵抗体に流れる電流の方向と、前記第2ヒーターの前記第1抵抗体に流れる電流の方向とが互いに同方向である請求項3ないし6のいずれかに記載のガスセルユニット。前記第1抵抗体および第2抵抗体は、いずれも複数の帯状部を備えた構成を有し、前記帯状部は互いに間隔を隔てて並設されていることを特徴とする請求項3ないし7のいずれかに記載のガスセルユニット。前記複数の帯状部は、互いに隣り合う帯状部に流れる電流の方向が互いに逆方向である請求項7に記載のガスセルユニット。請求項1ないし8のいずれかに記載のガスセルユニットと、前記ガスセル中のアルカリ金属原子を励起する励起光を出射する光出射部と、前記ガスセルを透過した前記励起光の強度を検出する光検出部とを備えることを特徴とする原子発振器。請求項9に記載の原子発振器を備えたことを特徴とする電子装置。本発明の目的は、周波数精度を向上させることができるガスセルユニット、原子発振器および電子装置を提供することにある。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本発明のガスセルユニットは、ガスセルと、第1抵抗体及び第2抵抗体を有し前記ガスセルを加熱する第1ヒーターと、を備え、前記第1抵抗体と前記第2抵抗体とが互いに接続され、前記第1抵抗体と前記第2抵抗体が前記ガスセルの表面に重ねられて配置され、前記第1抵抗体に流す電流の方向と前記第2抵抗体に流す電流の方向とを互いに逆方向にしたことを特徴とする。これにより、ヒーター具体的には第1発熱抵抗体および第2発熱抵抗体への通電量が変動しても、ガスセル内の磁場の変化を抑制または防止することができる。そのため、ガスセル内の磁場の変化を抑えつつ、ガスセル内の温度を所望の温度に維持することができる。その結果、本発明のガスセルユニットは、周波数精度を向上させることができる。[適用例2]本発明のガスセルユニットでは、前記第1ヒーターと同一の構成を有する第2ヒーターを備え、前記ガスセルが前記第1ヒーターと前記第2ヒーターとに挟まれた構成を有することが好ましい。これにより、第1ヒーターおよび第2ヒーター具体的には第1発熱抵抗体および第2発熱抵抗体への通電量がそれぞれ変動しても、ガスセル内の磁場の変化を抑制または防止することができる。そのため、ガスセル内の磁場の変化を抑えつつ、ガスセル内の温度を所望の温度に維持することができる。その結果、本発明のガスセルユニットは、周波数精度を向上させることができる。[適用例3]本発明のガスセルユニットでは、前記第1ヒーターまたは前記第2ヒーターは基板を有し、該基板の一方の面側と他方の面側にそれぞれ前記第1抵抗体と前記第2抵抗体が設けられ、前記第1抵抗体が前記ガスセルの表面に接触していることが好ましい。これにより、第1発熱抵抗体と第2発熱抵抗体との短絡を防止しつつ、第1発熱抵抗体と第2発熱抵抗体との間の距離を小さくすることができる。そのため、第1発熱抵抗体および第2発熱抵抗体から生じた磁場を互いに効率的に相殺させることができる。[適用例4]本発明のガスセルユニットでは、前記第1抵抗体が前記基板の一方の面に接合され、前記第2抵抗体が前記基板の他方の面に接合されていることが好ましい。これにより、第1発熱抵抗体の設置が容易となる。[適用例5]本発明のガスセルユニットでは、前記第1抵抗体は前記ガスセルの表面に接合され、前記第2抵抗体は前記基板の他方の面に接合されていることが好ましい。これにより、第1発熱抵抗体とガスセルとの間に隙間が生じるのを防止することができる。そのため、ガスセルを均一かつ効率的に加熱することができる。また、第2発熱抵抗体の設置が容易となる。また、第1発熱抵抗体と第2発熱抵抗体との間の距離を基板の厚さで高精度に規定することができる。[適用例6]本発明のガスセルユニットでは、前記第1ヒーターの前記第1抵抗体に流れる電流の方向と、前記第2ヒーターの前記第1抵抗体に流れる電流の方向とが互いに同方向であることが好ましい。これにより、ガスセル内における第1ヒーターの第1発熱抵抗体と第2ヒーターの第1発熱抵抗体とから生じた磁場を互いに相殺させることができる。[適用例7]本発明のガスセルユニットは、前記第1抵抗体および第2抵抗体は、いずれも複数の帯状部を備えた構成を有し、前記帯状部は互いに間隔を隔てて並設されていることを特徴とする。これにより、複数の帯状部の幅、ピッチ、長さ等に応じて第1発熱抵抗体および第2発熱抵抗体の発熱量や発熱分布等を設定することができる。[適用例8]本発明のガスセルユニットでは、前記複数の帯状部は、互いに隣り合う帯状部に流れる電流の方向が互いに逆方向であることが好ましい。これにより、互いに隣り合う帯状部から生じた磁場を互いに相殺させることができる。[適用例9]本発明の原子発振器は、本発明のガスセルユニットと、前記ガスセル中のアルカリ金属原子を励起する励起光を出射する光出射部と、前記ガスセルを透過した前記励起光の強度を検出する光検出部とを備えることを特徴とする。これにより、優れた周波数精度を有する原子発振器を提供することができる。[適用例10]本発明の電子装置は、請求項9に記載の原子発振器を備えたことを特徴とする。これにより、優れた信頼性を有する電子装置を提供することができる。以下、本発明のガスセルユニット、原子発振器および電子装置を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。<第1実施形態>図1は、本発明の第1実施形態に係る原子発振器の概略構成を示すブロック図、図2は、図1に示す原子発振器に備えられたガスセル内のアルカリ金属のエネルギー状態を説明するための図、図3は、図1に示す原子発振器に備えられた光出射部および光検出部について、光出射部からの2つの光の周波数差と、光検出部の検出強度との関係を示すグラフ、図4は、図1に示す原子発振器に備えられたガスセルユニットの概略構成を示す斜視図、図5は、図4に示すガスセルユニットを示す断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図4、5中の上側を上、下側を下と言う。また、図4、5では、説明の便宜上、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸およびZ軸を図示しており、X軸に平行な方向をX軸方向、Y軸に平行な方向をY軸方向、Z軸に平行な方向上下方向をZ軸方向と言う。原子発振器まず、図1~図3に基づいて、本実施形態に係る原子発振器の全体構成を簡単に説明する。なお、以下では、量子干渉効果を利用した原子発振器に本発明を適用した場合を一例として説明するが、本発明は、これに限定されるものではなく、二重共鳴効果を利用した原子発振器にも適用可能である。図1に示す原子発振器1は、ガスセルユニット2と、光出射部3と、光検出部4と、制御部5とを有している。また、ガスセルユニット2は、ガス状のアルカリ金属を封入したガスセル21と、ガスセル21を加熱するヒーター22、23と、ガスセル21の温度を検出する温度センサー24、25と、ガスセル21に作用する磁場を発生させるコイル26とを有している。ガスセル21の内部には、ガス状のルビジウム、セシウム、ナトリウム等のアルカリ金属が封入されている。アルカリ金属は、図2に示すように、3準位系のエネルギー準位を有しており、エネルギー準位の異なる2つの基底状態基底状態1、2と、励起状態との3つの状態をとり得る。ここで、基底状態1は、基底状態2よりも低いエネルギー状態である。このようなガス状のアルカリ金属に対して周波数の異なる2種の共鳴光1、2を前述したようなガス状のアルカリ金属に照射すると、共鳴光1の周波数ω1と共鳴光2の周波数ω2との差ω1-ω2に応じて、共鳴光1、2のアルカリ金属における光吸収率光透過率が変化する。そして、共鳴光1の周波数ω1と共鳴光2の周波数ω2との差ω1-ω2が基底状態1と基底状態2とのエネルギー差に相当する周波数に一致したとき、基底状態1、2から励起状態への励起がそれぞれ停止する。このとき、共鳴光1、2は、いずれも、アルカリ金属に吸収されずに透過する。このような現象をCPT現象または電磁誘起透明化現象EIT:ElectromagneticallyInducedTransparencyと呼ぶ。光出射部3は、ガスセル21中のアルカリ金属原子を励起する励起光を出射するものである。より具体的には、光出射部3は、周波数の異なる2種の光共鳴光1および共鳴光2を出射するものである。共鳴光1の周波数ω1は、ガスセル21中のアルカリ金属を前述した基底状態1から励起状態に励起し得るものである。また、共鳴光2の周波数ω2は、ガスセル21中のアルカリ金属を前述した基底状態2から励起状態に励起し得るものである。光検出部4は、ガスセル21を透過した共鳴光1、2の強度を検出するものである。例えば、前述した光出射部3が共鳴光1の周波数ω1を固定し、共鳴光2の周波数ω2を変化させていくと、共鳴光1の周波数ω1と共鳴光2の周波数ω2との差ω1-ω2が基底状態1と基底状態2とのエネルギー差に相当する周波数ω0に一致したとき、光検出部4の検出強度は、図3に示すように、急峻に上昇する。このような急峻な信号をEIT信号として検出する。このEIT信号は、アルカリ金属の種類によって決まった固有値をもっている。したがって、このようなEIT信号を用いることにより、発振器を構成することができる。制御部5は、ヒーター22、23および光出射部3を制御する機能を有する。このような制御部5は、光出射部3の共鳴光1、2の周波数を制御する周波数制御回路51と、ガスセル21中のアルカリ金属の温度を制御する温度制御回路52と、ガスセル21に印加する磁場を制御する磁場用電源回路53とを有する。周波数制御回路51は、前述した光検出部4の検出結果に基づいて、光出射部3から出射される共鳴光1、2の周波数を制御する。より具体的には、周波数制御回路51は、前述した光検出部4によって検出されたω1-ω2が前述したアルカリ金属固有の周波数ω0となるように、光出射部3から出射される共鳴光1、2の周波数を制御する。また、温度制御回路52は、温度センサー24、25の検出結果に基づいて、ヒーター22、23への通電を制御する。また、磁場用電源回路53は、コイル26が発生する磁場が一定となるように、コイル26への通電を制御する。ガスセルユニット次に、ガスセルユニット2について詳述する。ガスセルユニット2は、図4に示すように、ガスセル21と、ガスセル21を挟持するように設けられた1対のヒーター22、23とを有している。[ガスセル]ガスセル21は、1対の板状部211、212と、これらの間に設けられたスペーサー213とを有している。板状部211、212は、それぞれ、前述した光出射部3からの励起光に対する透過性を有している。本実施形態では、板状部212は、ガスセル21内へ入射する励起光が透過するものであり、板状部211は、ガスセル21内から出射した励起光が透過するものである。本実施形態では、板状部211、212は、それぞれ、板状をなしている。また、板状部211、212は、平面視にて四角形をなしている。なお、板状部211、212の形状は、前述したものに限定されず、例えば、平面視にて円形をなしていてもよい。このような板状部211、212を構成する材料は、前述したような励起光に対する透過性を有していれば、特に限定されないが、ガラス材料、水晶等が挙げられる。また、スペーサー213は、前述した1対の板状部211、212間に空間Sを形成するものである。本実施形態では、スペーサー213は、枠状または筒状をなし、平面視にて外周および内周がそれぞれ四角形をなしている。なお、スペーサー213の形状は、前述したものに限定されず、例えば、平面視にて外周および内周がそれぞれ円形をなしていてもよい。また、スペーサー213は、各板状部211、212に対して気密的に接合されている。これにより、1対の板状部211、212間の空間Sを気密空間とすることができる。スペーサー213と各板状部211、212との接合方法としては、スペーサー213や各板状部211、212の構成材料に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、接着剤による接合方法、直接接合法、陽極接合法等を用いることができる。このようなスペーサー213を構成する材料は、特に限定されず、金属材料、樹脂材料等であってもよく、板状部211、212と同様にガラス材料、水晶等であってもよい。[ヒーター]ヒーター22、23は、それぞれ、前述したガスセル21より具体的にはガスセル21中のアルカリ金属を加熱する機能を有する。これにより、ガスセル21中のアルカリ金属の蒸気圧が所定の圧力値以上となるように維持され、アルカリ金属をガス状に保つことができる。本実施形態では、ヒーター22、23は、ガスセル21を挟むように設けられ、ガスセル21を介して対称図5に示す断面においてガスセル21を中心とした回転対称となるように配置されている。なお、ヒーター22、23は、図5に示す断面において、ガスセル21を介して上下対称となるように配置されていてもよい。また、ヒーター22、23は、ガスセル21を介して非対称となるように配置されていてもよい。このようなヒーター22は、基板221と、基板221の一方の面図5にて下側の面上に設けられた発熱抵抗体第1抵抗体222と、基板221の他方の面図5にて上側の面上に設けられた発熱抵抗体第2抵抗体223と、発熱抵抗体222と発熱抵抗体223とを電気的に接続する導体部224と、発熱抵抗体222上に設けられた電極225と、発熱抵抗体223上に設けられた電極226とを有している。同様に、ヒーター23は、基板231と、基板231の一方の面図5にて上側の面上に設けられた発熱抵抗体第1抵抗体232と、基板231の他方の面図5にて下側の面上に設けられた発熱抵抗体第2抵抗体233と、発熱抵抗体232と発熱抵抗体233とを電気的に接続する導体部234と、発熱抵抗体232上に設けられた電極235と、発熱抵抗体233上に設けられた電極236とを有している。以下、ヒーター22の各部を詳細に説明する。なお、ヒーター23の構成については、ヒーター22の構成と同様であるため、その説明を省略する。本実施形態では、基板221は、平面視にて四角形より具体的には長方形をなしている。なお、基板221の平面視形状は、長方形に限定されず、正方形、菱形、台形等の他の四角形であってもよいし、三角形、五角形等の他の多角形であってもよいし、円形、楕円形、異形状等であってもよい。基板221は、発熱抵抗体222と発熱抵抗体223との間に設けられている。この基板221は、絶縁性を有する。これにより、発熱抵抗体222と発熱抵抗体223との短絡を防止しつつ、発熱抵抗体222と発熱抵抗体223との間の距離を小さくすることができる。そのため、後述するように発熱抵抗体222および発熱抵抗体223から生じた磁場を互いに効率的に相殺させることができる。また、基板221は、ガスセル21中のアルカリ金属原子を励起する励起光に対する透過性を有する。これにより、励起光の光路上にヒーター22を設けることができる。そのため、ガスセル21の励起光の出射部をヒーター22により効率的に加熱することができる。なお、本実施形態では、図4に示すように、励起光は、ヒーター23を介してガスセル21内に入射され、ガスセル21内からヒーター22を介して出射される。このような基板221の構成材料としては、前述したような絶縁性および光透過性を有し、発熱抵抗体222、223の発熱に耐え得るものであれば、特に限定されないが、例えば、ガラス材料、水晶等を用いることができる。また、基板221の厚さは、特に限定されないが、例えば、0.01~10mm程度である。このような基板221のガスセル21側には、発熱抵抗体第1抵抗体222が設けられ、一方、基板221のガスセル21とは反対側には、発熱抵抗体第2抵抗体223が設けられている。発熱抵抗体222、223は、それぞれ、通電により発熱するものである。また、本実施形態では、発熱抵抗体222、223は、それぞれ、ガスセル21中のアルカリ金属原子を励起する励起光に対する透過性を有する。これにより、ガスセル21の励起光の出射部をヒーター22により効率的に加熱することができる。特に、発熱抵抗体222、223は、互いに対向して設けられ、通電により発熱するとともに、その通電に伴って生じた磁場を互いに相殺させるものである。これにより、ヒーター22発熱抵抗体222、223への通電量が変動しても、ガスセル21内の磁場の変化を抑制または防止することができる。そのため、ガスセル21内の磁場の変化を抑えつつ、ガスセル21内の温度を所望の温度に維持することができる。その結果、ガスセルユニット2は、周波数精度を向上させることができる。ここで、発熱抵抗体第1抵抗体222と発熱抵抗体第2抵抗体223のうちいずれか一方を抵抗値がゼロに近い抵抗体導体とし、発熱のほとんどない状態としてもよい。例えば、発熱抵抗体第2抵抗体223を抵抗値がゼロに近い抵抗体導体とすれば、この導体への通電に伴って生じた磁場によって、発熱抵抗体第1抵抗体222への通電に伴って生じた磁場を相殺することが可能である。つまり、発熱抵抗体222を磁場相殺のための専用の手段とするのである。なお、これ以降の説明において、発熱抵抗体222または第1抵抗体と発熱抵抗体223または第2抵抗体との関係についても同様である。具体的に説明すると、発熱抵抗体222は、基板221のガスセル21側の面に接合されている。これにより、発熱抵抗体222の設置が容易となる。また、発熱抵抗体223は、基板221のガスセル21とは反対側の面に接合されている。これにより、発熱抵抗体223の設置が容易となる。また、基板221の一方の面に発熱抵抗体222を接合するとともに、基板221の他方の面に発熱抵抗体223を接合することにより、発熱抵抗体222と発熱抵抗体223との間の距離を基板221の厚さで高精度に規定することができる。その結果、後述するように発熱抵抗体222からの磁場と発熱抵抗体223からの磁場とを相殺させる際に、その作用を基板221の面方向に均一に生じさせることができる。また、発熱抵抗体222、223は、それぞれ、薄膜状をなしている。これにより、発熱抵抗体222、223を成膜により簡単かつ高精度に形成することができる。本実施形態では、発熱抵抗体222は、基板221の下面の全域に亘って一様に形成され、発熱抵抗体223は、基板221の上面の全域に亘って一様に形成されている。このような発熱抵抗体222、223の構成材料としては、前述したように通電により発熱するとともに励起光に対する光透過性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、In3O3、SnO2、Sb含有SnO2、Al含有ZnO等の酸化物等の透明電極材料を用いるのが好ましい。このような透明電極材料は、好適な光透過性を有するとともに、通電により効率的に発熱することができる。また、発熱抵抗体222、223がそれぞれ透明電極材料で構成されていると、励起光の光路上にヒーター22を設けることができる。そのため、ガスセル21の励起光の出射部をヒーター22により効率的に加熱することができる。発熱抵抗体222、223の厚さは、特に限定されないが、例えば、0.1μm以上1mm以下程度である。また、発熱抵抗体222、223の形成は、特に限定されないが、例えば、プラズマCVD、熱CVDのような化学蒸着法CVD、真空蒸着等の乾式メッキ法、ゾルゲル法等を用いて形成することができる。このような発熱抵抗体222と発熱抵抗体223とは、導電性を有する導体部224を介して電気的に接続されている。この導体部224は、基板221の側面に設けられている。より具体的には、導体部224は、四角状をなす基板221の1つの辺に沿って設けられている。導体部224は、Y軸方向に沿って延在する帯状をなしている。そして、導体部224は、発熱抵抗体222、223のY軸方向での全域に亘って設けられている。これにより、発熱抵抗体222、223間の導通をY軸方向での全域に亘って均一な電位で行うことができる。また、導体部224は、発熱抵抗体222、223と一体的に形成されている。このような導体部224は、発熱抵抗体222、223と同じ構成材料で構成することができ、また、前述したような成膜方法により発熱抵抗体222、223と一括して形成することができる。このような導体部224により発熱抵抗体222と発熱抵抗体223とが電気的に直列に接続される。また、発熱抵抗体222の基板221とは反対の面上には、電極225が設けられ、また、発熱抵抗体223の基板221とは反対の面上には、電極226が設けられている。電極225、226は、それぞれ、基板221の前述した導体部224が設けられた側図5中右側の辺とは反対側図5中左側の辺に沿って設けられている。電極225、226は、それぞれ、Y軸方向に沿って延在する帯状をなしている。そして、電極225は、発熱抵抗体222のY軸方向での全域に亘って設けられ、電極226は、発熱抵抗体223のY軸方向での全域に亘って設けられている。これにより、発熱抵抗体222、223に対してY軸方向での全域に亘って均一な電位で給電することができる。このような電極225、226の構成材料としては、特に限定されないが、導電性に優れた材料が好適に用いられ、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、金、金合金、クロム、クロム合金、金等の金属材料が挙げられる。また、電極225、226の厚さは、特に限定されないが、例えば、0.1μm以上1mm以下程度である。また、電極225、226の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理成膜法、CVD等の化学蒸着法、インクジェット法等の各種塗布法等が挙げられる。このような電極225、226は、温度制御回路52に電気的に接続され、電極225と電極226との間に電圧が印加される。このような電極225と電極226との間に電圧を印加すると、発熱抵抗体222、223にそれぞれ通電される。このとき、この通電により発熱抵抗体222に流れる電流の方向と発熱抵抗体223に流れる電流の方向とが互いに逆方向となる。具体的には、発熱抵抗体222には、導体部224から電極225へ向けて図5の矢印a1で示す方向に電流が流れ、発熱抵抗体223には、電極226から導体部224へ向けて図5の矢印a2で示す方向に電流が流れる。これにより、発熱抵抗体222から生じた磁場と発熱抵抗体223から生じた磁場とを互いに相殺させることができる。より具体的には、発熱抵抗体222から生じた磁場のZ軸方向成分と、発熱抵抗体223から生じた磁場のZ軸方向成分とを互いに相殺させることができる。また、磁場のY軸方向成分同士についても概ね互いに相殺させることができる。なお、図5では、電極225を陽極、電極226を陰極とした場合を一例として図示しており、矢印a1、a2の方向矢印b1、b2の方向についても同様が図示のものとは逆方向であってもよい。また、ヒーター23についても同様に、通電により発熱抵抗体232に流れる電流の方向と発熱抵抗体233に流れる電流の方向とが互いに逆方向となる。具体的には、発熱抵抗体232には、電極235から導体部234へ向けて図5の矢印b1で示す方向に電流が流れ、発熱抵抗体233には、導体部234から電極236へ向けて図5の矢印b2で示す方向に電流が流れる。また、ヒーター22の発熱抵抗体222に流れる電流の方向は、ヒーター23の発熱抵抗体232に流れる電流の方向と同方向である。これにより、ガスセル21内におけるヒーター22の発熱抵抗体222とヒーター23の発熱抵抗体232とから生じた磁場を互いに相殺させることができる。より具体的には、発熱抵抗体222と発熱抵抗体232との間において、発熱抵抗体222から生じた磁場のY軸方向成分と、発熱抵抗体232から生じた磁場のY軸方向成分とを互いに相殺させることができる。[温度センサー]また、ガスセルユニット2は、温度センサー24、23を有する。前述したようなヒーター22、23の発熱量は、この温度センサー24、25の検出結果に基づいて制御される。これにより、ガスセル21内のアルカリ金属原子を所望の温度に維持することができる。温度センサー24は、ヒーター22またはガスセル21の板状部211の温度を検出するものである。また、温度センサー25は、ヒーター23またはガスセル21の板状部212の温度を検出するものである。このような温度センサー24、25の設置位置は、特に限定されず、図示しないが、例えば、温度センサー24にあっては、ヒーター22上またはガスセル21の外表面の板状部211付近上、温度センサー25にあっては、ヒーター23上またはガスセル21の外表面の板状部212付近上である。温度センサー24、25としては、それぞれ、特に限定されず、サーミスタ、熱電対等の公知の各種温度センサーを用いることができる。このような温度センサー24、25は、図示しない配線を介して、前述した温度制御回路52に電気的に接続されている。そして、温度制御回路52は、温度センサー24の検知結果に基づいて、前述したヒーター22の通電量を制御する。また、温度制御回路52は、温度センサー25の検知結果に基づいて、前述したヒーター23への通電量を制御する。このように2つの温度センサー24、25を用いて、ヒーター22、23への通電量を制御することにより、より高精度な温度制御が可能となる。また、ガスセル21内の温度のバラツキ励起光の入射側と出射側との温度差を防止することができる。[コイル]また、ガスセルユニット2は、コイル26を有する図1参照。このようなコイル26は、通電により、磁場を発生させる。これにより、ガスセル21中のアルカリ金属に磁場を印加することにより、アルカリ金属の縮退している異なるエネルギー状態間のギャップを拡げて、分解能を向上させることができる。その結果、原子発振器1の発振周波数の精度を高めることができる。このコイル26の設置位置は、特に限定されず、図示しないが、例えば、ソレノイド型を構成するようにガスセル21の外周に沿って巻回して設けられていてもよいし、ヘルムホルツ型を構成するように1対のコイルをガスセル21を介して対向させてもよい。このコイル26は、図示しない配線を介して、前述した磁場用電源回路53に電気的に接続されている。これにより、コイル26に通電を行うことができる。このようなコイル26の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、銀、銅、パラジウム、白金、金、または、これらの合金等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。以上説明したような本実施形態のガスセルユニット2によれば、ヒーター22の発熱抵抗体222、223が通電に伴って生じた磁場を互いに相殺させるとともに、ヒーター23の発熱抵抗体232、233が通電に伴って生じた磁場を互いに相殺させるので、ヒーター22、23への通電量が変動しても、ガスセル21内の磁場の変化を抑制または防止することができる。そのため、ガスセル21内の磁場の変化を抑えつつ、ガスセル21内の温度を所望の温度に維持することができる。その結果、ガスセルユニット2は、周波数精度を向上させることができる。また、このようなガスセルユニット2を備える原子発振器1によれば、優れた周波数精度を有する。<第2実施形態>次に、本発明の第2実施形態について説明する。図6は、本発明の第2実施形態に係るガスセルユニットを示す断面図である。本実施形態にかかるガスセルユニットは、ヒーターの数が異なる以外は、前述した第1実施形態にかかるガスセルユニットと同様である。なお、以下の説明では、第2実施形態のガスセルユニットに関し、第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図6において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。図6に示すガスセルユニット2Aは、前述した第1実施形態のガスセルユニット2において、ヒーター22のガスセル21と反対側に基板271を介してもう1つのヒーター22が設けられているとともに、ヒーター23のガスセル21と反対側に基板272を介してもう1つのヒーター23が設けられている。基板271、272は、前述した基板221、231と同様に構成されている。2つのヒーター22は、一方図6にて上側のヒーター22の発熱抵抗体222と、他方図6にて下側のヒーター22の発熱抵抗体223とが基板271を介して対向している。そして、上記一方のヒーター22の発熱抵抗体222に流れる電流の方向と、上記他方のヒーター22の発熱抵抗体223に流れる電流の方向とが互いに逆方向となっている。これにより、2つのヒーター22から漏れる磁場を抑制することができる。同様に、2つのヒーター23は、一方図6にて下側のヒーター23の発熱抵抗体232と、他方図6にて上側のヒーター23の発熱抵抗体233とが基板272を介して対向している。そして、上記一方のヒーター23の発熱抵抗体232に流れる電流の方向と、上記他方のヒーター23の発熱抵抗体233に流れる電流の方向とが互いに逆方向となっている。これにより、2つのヒーター23から漏れる磁場を抑制することができる。以上説明したような第2実施形態に係るガスセルユニット2Aによっても、周波数精度を向上させることができる。<第3実施形態>次に、本発明の第3実施形態について説明する。図7は、本発明の第3実施形態に係るガスセルユニットを示す断面図である。本実施形態にかかるガスセルユニットは、ヒーターの構成が異なる以外は、前述した第1実施形態にかかるガスセルユニットと同様である。なお、以下の説明では、第3実施形態のガスセルユニットに関し、第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図7において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。図7に示すガスセルユニット2Bは、ガスセル21と、ガスセル21を挟持するように設けられた1対のヒーター22B、23Bとを有している。ヒーター22Bは、基板221と、基板221に対してガスセル21側図7にて下側に設けられた発熱抵抗体第1抵抗体222Bと、基板221に対してガスセル21とは反対側図7にて上側に設けられた発熱抵抗体第2抵抗体223Bと、発熱抵抗体222B上に設けられた電極225B、227Bと、発熱抵抗体223B上に設けられた電極226B、228Bとを有している。同様に、ヒーター23Bは、基板231と、基板231に対してガスセル21側図7にて上側に設けられた発熱抵抗体第1抵抗体232Bと、基板231に対してガスセル21とは反対側図7にて下側に設けられた発熱抵抗体第2抵抗体233Bと、発熱抵抗体232B上に設けられた電極235B、237Bと、発熱抵抗体233B上に設けられた電極236B、238Bとを有している。以下、ヒーター22Bについて説明する。なお、ヒーター23Bについては、ヒーター22Bと同様であるため、その説明を省略する。発熱抵抗体222Bは、ガスセル21の外表面に接合されている。より具体的には、発熱抵抗体222Bは、ガスセル21の板状部211の外表面に接合されている。これにより、発熱抵抗体222Bとガスセル21との間に隙間が生じるのを防止することができる。そのため、ガスセル21を均一かつ効率的に加熱することができる。また、発熱抵抗体223Bは、基板221のガスセル21とは反対側の面に接合されている。これにより、発熱抵抗体223Bの設置が容易となる。このような発熱抵抗体222Bのガスセル21とは反対の面上には、電極225B、227Bが設けられ、また、発熱抵抗体223Bの基板221とは反対の面上には、電極226B、228Bが設けられている。電極225B、226Bは、それぞれ、基板221のX軸方向に対向する1対の辺のうち、一方図5中左側の辺に沿って設けられ、電極227B、228Bは、それぞれ、基板221のX軸方向に対向する1対の辺のうち、他方図5中右側の辺に沿って設けられている。電極225B、226B、227B、228Bは、それぞれ、Y軸方向に沿って延在する帯状をなしている。このような電極225Bと電極227Bとの間に電圧を印加することにより、発熱抵抗体222Bに通電させることができる。また、電極226Bと電極228Bとの間に電圧を印加することにより、発熱抵抗体223Bに通電させることができる。このヒーター22Bにおいても、通電により発熱抵抗体222Bに流れる電流の方向と発熱抵抗体223Bに流れる電流の方向とが互いに逆方向となる。具体的には、発熱抵抗体222Bには、電極227Bから電極225Bへ向けて図7の矢印a1で示す方向に電流が流れ、発熱抵抗体223Bには、電極226Bから電極228Bへ向けて図7の矢印a2で示す方向に電流が流れる。これにより、発熱抵抗体222Bから生じた磁場と発熱抵抗体223Bから生じた磁場とを互いに相殺させることができる。なお、矢印a1、a2の方向矢印b1、b2の方向についても同様が図示のものとは逆方向であってもよい。以上説明したような第3実施形態に係るガスセルユニット2Bによっても、周波数精度を向上させることができる。<第4実施形態>次に、本発明の第4実施形態について説明する。図8は、本発明の第4実施形態に係るガスセルユニットを示す断面図である。本実施形態にかかるガスセルユニットは、ヒーターの構成が異なる以外は、前述した第1実施形態にかかるガスセルユニットと同様である。なお、以下の説明では、第4実施形態のガスセルユニットに関し、第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図8において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。図8に示すガスセルユニット2Cは、ガスセル21と、ガスセル21を挟持するように設けられた1対のヒーター22C、23Cとを有している。ヒーター22Cは、基板273と、基板273の一方図8にて上側の面上に設けられた発熱抵抗体第1抵抗体222Cと、基板274と、基板274の一方図8にて上側の面上に設けられた発熱抵抗体第2抵抗体223Cと、発熱抵抗体222C上に設けられた電極225C、227Cと、発熱抵抗体223C上に設けられた電極226C、228Cとを有している。同様に、ヒーター23Cは、基板275と、基板275の一方図8にて下側の面上に設けられた発熱抵抗体第1抵抗体232Cと、基板276と、基板276の一方図8にて下側の面上に設けられた発熱抵抗体第2抵抗体233Cと、発熱抵抗体232C上に設けられた電極235C、237Cと、発熱抵抗体233C上に設けられた電極236C、238Cとを有している。以下、ヒーター22Cについて説明する。なお、ヒーター23Cについては、ヒーター22Cと同様であるため、その説明を省略する。基板273、274は、それぞれ、前述した基板221、231と同様に構成されている。基板273は、その下面がガスセル21の板状部211の上面に接触している。そして、基板273の上面には、発熱抵抗体222Cが接合されている。また、基板274は、その下面が発熱抵抗体222Cの上面に接触している。そして、基板274の上面には、発熱抵抗体223Cが接合されている。このような発熱抵抗体222Cの基板273と反対側の面上には、電極225C、227Cが設けられ、また、発熱抵抗体223Cの基板274とは反対の面上には、電極226C、228Cが設けられている。このような電極225Cと電極227Cとの間に電圧を印加することにより、発熱抵抗体222Cに通電させることができる。また、電極226Cと電極228Cとの間に電圧を印加することにより、発熱抵抗体232Cに通電させることができる。このヒーター22Cにおいても、通電により発熱抵抗体222Cに流れる電流の方向と発熱抵抗体223Cに流れる電流の方向とが互いに逆方向となる。具体的には、発熱抵抗体222Cには、電極227Cから電極225Cへ向けて図8の矢印a1で示す方向に電流が流れ、発熱抵抗体223Cには、電極226Cから電極228Cへ向けて図8の矢印a2で示す方向に電流が流れる。これにより、発熱抵抗体222Cから生じた磁場と発熱抵抗体223Cから生じた磁場とを互いに相殺させることができる。なお、矢印a1、a2の方向矢印b1、b2の方向についても同様が図示のものとは逆方向であってもよい。また、本実施形態では、発熱抵抗体222Cの熱を基板273を介してガスセル21へ伝達するので、発熱抵抗体222Cの熱がガスセル21の空間Sに伝達されるまでに程よく拡散され、加熱を均一化することができる。以上説明したような第4実施形態に係るガスセルユニット2Cによっても、周波数精度を向上させることができる。<第5実施形態>次に、本発明の第5実施形態について説明する。図9は、本発明の第5実施形態に係るガスセルユニットの概略構成を示す斜視図、図10は、図9に示すガスセルユニットを示す断面図、図11aは、図9に示すガスセルユニットに備えられたヒーターの第1抵抗体の形状を示す図、図11bは、図9に示すガスセルユニットに備えられたヒーターの第2抵抗体の形状を示す図である。本実施形態にかかるガスセルユニットは、ヒーターの構成が異なる以外は、前述した第1実施形態にかかるガスセルユニットと同様である。なお、以下の説明では、第5実施形態のガスセルユニットに関し、第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図9~11において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。図9に示すガスセルユニット2Dは、ガスセル21と、ガスセル21を挟持するように設けられた1対のヒーター22D、23Dとを有している。ヒーター22Dは、基板221と、基板221に対してガスセル21側図10にて下側に設けられた発熱抵抗体第1抵抗体222Dと、基板221に対してガスセル21とは反対側図10にて上側に設けられた発熱抵抗体第2抵抗体223Dと、発熱抵抗体222D上に設けられた電極225と、発熱抵抗体223D上に設けられた電極226とを有している。同様に、ヒーター23Dは、基板231と、基板231に対してガスセル21側図10にて上側に設けられた発熱抵抗体第1抵抗体232Dと、基板231に対してガスセル21とは反対側図10にて下側に設けられた発熱抵抗体第2抵抗体233Dと、発熱抵抗体232D上に設けられた電極235と、発熱抵抗体233D上に設けられた電極236とを有している。以下、ヒーター22Dについて説明する。なお、ヒーター23Dについては、ヒーター22Dと同様であるため、その説明を省略する。発熱抵抗体222Dは、基板221の下面に接合され、一方、発熱抵抗体223Dは、基板221の上面に接合されている。発熱抵抗体222Dは、互いに間隔を隔てて並設された複数の帯状部222aを有する。同様に、発熱抵抗体223Dは、互いに間隔を隔てて並設された複数の帯状部223aを有する。各帯状部222aおよび各帯状部223aは、それぞれ、X軸方向に沿って延在している。このような複数の帯状部222aおよび複数の帯状部223aは、互いに対応して対向している。すなわち、複数の帯状部222aおよび複数の帯状部223aは、基板221を介して対称となるように設けられている。このような発熱抵抗体222D、223Dは、複数の帯状部222a、223aの幅、ピッチ、長さ等に応じて発熱量や発熱分布等を設定することができる。このような複数の帯状部222aおよび複数の帯状部223aは、導電性を有する複数の導体部224Dを介して電気的に接続されている。本実施形態では、導体部224Dは、発熱抵抗体222D、223Dと一体的に形成されている。なお、複数の導体部224Dに代えて、前述した第1実施形態の導体部224を用いることもできる。電極225、226は、それぞれ、基板221の前述した導体部224Dが設けられた側図10中右側の辺とは反対側図10中左側の辺に沿って設けられている。このような電極225と電極226との間に電圧を印加することにより、発熱抵抗体222D、223Dにそれぞれ通電させることができる。このヒーター22Dでは、図11にて矢印で示すように、通電により発熱抵抗体222Dの各帯状部222aに流れる電流の方向と発熱抵抗体223Dの各帯状部223aに流れる電流の方向とが互いに逆方向となる。これにより、発熱抵抗体222Dから生じた磁場と発熱抵抗体223Dから生じた磁場とを互いに相殺させることができる。以上説明したような第5実施形態に係るガスセルユニット2Dによっても、周波数精度を向上させることができる。<第6実施形態>次に、本発明の第6実施形態について説明する。図12は、本発明の第6実施形態に係るガスセルユニットを示す断面図、図13aは、図12に示すガスセルユニットに備えられたヒーターの第1抵抗体の形状を示す図、図13bは、図12に示すガスセルユニットに備えられたヒーターの第2抵抗体の形状を示す図である。本実施形態にかかるガスセルユニットは、ヒーターの構成が異なる以外は、前述した第1実施形態にかかるガスセルユニットと同様である。なお、以下の説明では、第6実施形態のガスセルユニットに関し、第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図12、13において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。図12に示すガスセルユニット2Eは、ガスセル21と、ガスセル21を挟持するように設けられた1対のヒーター22E、23Eとを有している。ヒーター22Eは、基板221と、基板221に対してガスセル21側図12にて下側に設けられた発熱抵抗体第1抵抗体222Eと、基板221に対してガスセル21とは反対側図12にて上側に設けられた発熱抵抗体第2抵抗体223Eとを有している。同様に、ヒーター23Eは、基板231と、基板231に対してガスセル21側図12にて上側に設けられた発熱抵抗体第1抵抗体232Eと、基板231に対してガスセル21とは反対側図12にて下側に設けられた発熱抵抗体第2抵抗体233Eとを有している。以下、ヒーター22Eについて説明する。なお、ヒーター23Eについては、ヒーター22Eと同様であるため、その説明を省略する。発熱抵抗体222Eは、基板221の下面に接合され、一方、発熱抵抗体223Eは、基板221の上面に接合されている。発熱抵抗体222Eは、互いに間隔を隔てて並設された複数の帯状部222bを有する。同様に、発熱抵抗体223Eは、互いに間隔を隔てて並設された複数の帯状部223bを有する。各帯状部222bおよび各帯状部223bは、それぞれ、X軸方向に沿って延在している。このような複数の帯状部222bおよび複数の帯状部223bは、互いに対応して対向している。すなわち、複数の帯状部222bおよび複数の帯状部223bは、基板221を介して対称となるように設けられている。このような発熱抵抗体222E、223Eは、複数の帯状部222b、223bの幅、ピッチ、長さ等に応じて発熱量や発熱分布等を設定することができる。このヒーター22Eでは、基板221を介して対向する帯状部222bおよび帯状部223bは、通電により流れる電流の方向が互いに逆方向となる。これにより、発熱抵抗体222Eから生じた磁場と発熱抵抗体223Eから生じた磁場とを互いに相殺させることができる。また、ヒーター22Eは、図13にて矢印で示すように、互いに隣り合う帯状部222bに流れる電流の方向が互いに逆方向となるとともに、互いに隣り合う帯状部223bに流れる電流の方向が互いに逆方向となるように構成されている。これにより、互いに隣り合う帯状部から生じた磁場を互いに相殺させることができる。より具体的には、互いに隣り合う帯状部222bから生じた磁場のY軸方向成分同士を互いに相殺させることができる。また、磁場のZ軸方向成分同士もほぼ互いに相殺させることができる。以上説明したような第6実施形態に係るガスセルユニット2Eによっても、周波数精度を向上させることができる。以上説明したような原子発振器は、各種電子装置に組み込むことができる。以下、本発明の原子発振器を備える電子装置の応用例を説明する。図14は、GPS衛星を利用した測位システムに本発明の原子発振器を用いた場合のシステム構成概要図である。図14に示す測位システム100は、GPS衛星200と、基地局装置300と、GPS受信装置400とで構成されている。GPS衛星200は、測位情報GPS信号を送信する。基地局装置300は、例えば電子基準点GPS連続観測局に設置されたアンテナ301を介してGPS衛星200からの測位情報を高精度に受信する受信装置302と、この受信装置302で受信した測位情報をアンテナ303を介して送信する送信装置304とを備える。ここで、受信装置302は、その基準周波数発振源として前述した本発明の原子発振器1を備える電子装置である。このような受信装置302は、優れた信頼性を有する。また、受信装置302で受信された測位情報は、リアルタイムで送信装置304により送信される。GPS受信装置400は、GPS衛星200からの測位情報をアンテナ401を介して受信する衛星受信部402と、基地局装置300からの測位情報をアンテナ403を介して受信する基地局受信部404とを備える。以上、本発明のガスセルユニット、原子発振器および電子装置について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。また、本発明のガスセルユニットおよび原子発振器では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。また、本発明のガスセルユニットおよび原子発振器は、前述した各実施形態の任意の構成同士を組み合わせるようにしてもよい。例えば、前述した実施形態では、ガスセルユニットに備えられた2つのヒーター第1ヒーター、第2ヒーターは互いに同じ構成である場合を説明したが、ガスセルユニットが2つのヒーターを有する場合、一方のヒーターと他方のヒーターとが異なる構成であってもよい。また、ガスセル21の大きさ、用いるアルカリ金属の種類、ヒーターの発熱量等によっては、ヒーター22、23のいずれか一方を省略してもよい。また、ガスセルユニットが備えるヒーターの数は、3つあるいは5つ以上であってもよい。また、前述した実施形態では、2つの温度センサーを設けた場合を説明したが、温度センサーの数は1つであってもよいし、3つ以上であってもよい。