波長190~230nmの紫外光を選択的に吸収して、式2で表わされる塩基を発生させる式1で表わされることを特徴とする光塩基発生剤;式1および2において、R1およびR2はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、シクロヘキシル基、または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基であり、R1またはR2の一方が水素原子またはメチル基の場合、もう一方はシクロヘキシル基または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基である。R1およびR2は互いに結合して環を形成してもよい。。前記式1および2中、R1およびR2の一方が水素原子で、他方がシクロヘキシル基であることを特徴とする請求項1に記載の光塩基発生剤。前記式1で表される光塩基発生剤が、波長300~400nmの領域に有効な紫外線吸収帯を有しないことを特徴とする請求項1または2に記載の光塩基発生剤。前記式1で表される光塩基発生剤を励起する紫外線が、ArFレーザー光波長;193nmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかの項記載の光塩基発生剤。波長190~230nmの紫外光を選択的に吸収して、式2で表わされる塩基を発生させる式1で表わされることを特徴とするレジストパターン形成材料;式1および2において、R1およびR2はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、シクロヘキシル基、または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基であり、R1またはR2の一方が水素原子またはメチル基の場合、もう一方はシクロヘキシル基または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基である。R1およびR2は互いに結合して環を形成してもよい。。前記式1および2中、R1およびR2の一方が水素原子で、他方がシクロヘキシル基であることを特徴とする請求項5に記載のレジストパターン形成材料。前記式1で表される光塩基発生剤が、波長300~400nmの領域に有効な紫外線吸収帯を有しないことを特徴とする請求項5または6に記載のレジストパターン形成材料。前記式1で表される光塩基発生剤を励起する紫外線が、ArFレーザー光波長;193nmであることを特徴とする請求項5乃至7のいずれかの項記載のレジストパターン形成材料。波長190~230nmの紫外光を選択的に吸収して、式2で表わされる塩基を発生させる式1で表わされる光塩基発生剤と、アルカリ可溶性重合体とを含有するレジストパターン形成材料とからなる塗膜を被処理基板上に形成し、該塗膜に波長190~230nmの紫外線をパターン状に照射し、紫外線照射部をアルカリ水溶液に対して可溶化し、次いでアルカリ水溶液にて、塗膜を現像し、紫外線照射部を除去することを特徴とするポジ型レジストの作成方法;式1および2において、R1およびR2はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、シクロヘキシル基、または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基であり、R1またはR2の一方が水素原子またはメチル基の場合、もう一方はシクロヘキシル基または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基である。R1およびR2は互いに結合して環を形成してもよい。。前記式1および2中、R1およびR2の一方が水素原子で、他方がシクロヘキシル基であることを特徴とする請求項9に記載のポジ型レジストの作成方法。前記式1で表される光塩基発生剤が、波長300~400nmの領域に有効な紫外線吸収帯を有しないことを特徴とする請求項9または10に記載のポジ型レジストの作成方法。前記式1で表される光塩基発生剤を励起する紫外線が、ArFレーザー光波長;193nmであることを特徴とする請求項9乃至11のいずれかの項記載のポジ型レジストの作成方法。波長190~230nmの紫外光を選択的に吸収して、式2で表わされる塩基を発生させる式1で表わされる光塩基発生剤と、カルボキシル基含有アルカリ可溶性重合体とを含有するレジストパターン形成材料とからなる塗膜を被処理基板上に形成し、塗膜に波長190~230nmの紫外線をパターン状に照射し、塗膜を100~190°Cに加熱して紫外線照射部をアルカリ水溶液に対して不溶化し、次いでアルカリ水溶液にて、塗膜を現像し、紫外線非照射部を除去することを特徴とするネガ型レジストの作成方法。式1および2において、R1およびR2はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、シクロヘキシル基、または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基であり、R1またはR2の一方が水素原子またはメチル基の場合、もう一方はシクロヘキシル基または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基である。R1およびR2は互いに結合して環を形成してもよい。。前記式1で表される光塩基発生剤が、波長300~400nmの領域に有効な紫外線吸収帯を有しないことを特徴とする請求項13に記載のネガ型レジストの作成方法。前記式1で表される光塩基発生剤を励起する紫外線が、ArFレーザー光波長;193nmであることを特徴とする請求項13または14に記載のネガ型レジストの作成方法。本発明は、i線を含む長波長の光線に対して感応性を有さず、波長190~230nmの紫外光を吸収して塩基を発生する光塩基発生剤、ならびに露光部および非露光部の特性のバランスが良く、解像度に優れ、ネガポジ両用型レジストとして使用可能なパターン形成材料を提供することを目的としている。本発明の光塩基発生剤は、波長190~230nmの紫外光を選択的に吸収して、式2で表わされる塩基を発生させる式1で表わされることを特徴としている。ただし、式1および2において、R1およびR2はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、シクロヘキシル基、または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基であり、R1またはR2の一方が水素原子またはメチル基の場合、もう一方はシクロヘキシル基または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基である。R1およびR2は互いに結合して環を形成してもよい。前記式1および2中、R1およびR2の一方が水素原子で、他方がシクロヘキシル基であることが好ましい。前記式1で表される光塩基発生剤は、波長300~400nmの領域に有効な紫外線吸収帯を有しないことが好ましい。前記式1で表される光塩基発生剤を励起する紫外線は、ArFレーザー光波長;193nmであることが好ましい。本発明のレジストパターン形成材料は、波長190~230nmの紫外光を選択的に吸収して、式2で表わされる塩基を発生させる式1で表わされることを特徴としている。ただし、式1および2において、R1およびR2はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、シクロヘキシル基、または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基であり、R1またはR2の一方が水素原子またはメチル基の場合、もう一方はシクロヘキシル基または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基である。R1およびR2は互いに結合して環を形成してもよい。前記式1および2中、R1およびR2の一方が水素原子で、他方がシクロヘキシル基であることが好ましい。前記式1で表される光塩基発生剤は、波長300~400nmの領域に有効な紫外線吸収帯を有しないことが好ましい。前記式1で表される光塩基発生剤を励起する紫外線は、ArFレーザー光波長;193nmであることが好ましい。本発明のポジ型レジストの作成方法は、波長190~230nmの紫外光を選択的に吸収して、式2で表わされる塩基を発生させる式1で表わされる光塩基発生剤と、アルカリ可溶性重合体とを含有するレジストパターン形成材料とからなる塗膜を被処理基板上に形成し、該塗膜に波長190~230nmの紫外線をパターン状に照射し、紫外線照射部をアルカリ水溶液に対して可溶化し、次いでアルカリ水溶液にて、塗膜を現像し、紫外線照射部を除去することを特徴としている。ただし、式1および2において、R1およびR2はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、シクロヘキシル基、または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基であり、R1またはR2の一方が水素原子またはメチル基の場合、もう一方はシクロヘキシル基または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基である。R1およびR2は互いに結合して環を形成してもよい。前記式1および2中、R1およびR2の一方が水素原子で、他方がシクロヘキシル基であることが好ましい。前記式1で表される光塩基発生剤は、波長300~400nmの領域に有効な紫外線吸収帯を有しないことが好ましい。前記式1で表される光塩基発生剤を励起する紫外線は、ArFレーザー光波長;193nmであることが好ましい。本発明のネガ型レジストの作成方法は、波長190~230nmの紫外光を選択的に吸収して、式2で表わされる塩基を発生させる式1で表わされる光塩基発生剤と、カルボキシル基含有アルカリ可溶性重合体とを含有するレジストパターン形成材料とからなる塗膜を被処理基板上に形成し、塗膜に波長190~230nmの紫外線をパターン状に照射し、塗膜を100~190°Cに加熱して紫外線照射部をアルカリ水溶液に対して不溶化し、次いでアルカリ水溶液にて、塗膜を現像し、紫外線非照射部を除去することを特徴としている。ただし、式1および2において、R1およびR2はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、シクロヘキシル基、または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基であり、R1またはR2の一方が水素原子またはメチル基の場合、もう一方はシクロヘキシル基または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基である。R1およびR2は互いに結合して環を形成してもよい。前記式1で表される光塩基発生剤は、波長300~400nmの領域に有効な紫外線吸収帯を有しないことが好ましい。前記式1で表される光塩基発生剤を励起する紫外線は、ArFレーザー光波長;193nmであることが好ましい。本発明において、波長190~230nmの紫外光を選択的に吸収するとは、波長300~400nmの紫外光を吸収せずに波長190~230nmの短波長の紫外光を特異的に吸収する特性を有することをいう。本発明によれば、波長190~230nmの紫外光を選択的に吸収して塩基を発生する光塩基発生剤、該光塩基発生剤およびアルカリ可溶性重合体を含有するレジストパターン形成材料、ならびに該レジストパターン形成材料を用いたポジ型およびネガ型のレジストの作成方法を提供することができる。以下、本発明の光塩基発生剤、レジストパターン形成材料、およびレジスト作成方法について詳細に説明する。光塩基発生剤本発明の光塩基発生剤は、下記式1で表わされる構造を有し、特定の短波長紫外線を選択的に吸収して下記式2で表される塩基性物質を発生させる化合物である。ただし、上記式1および2において、R1およびR2はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、シクロヘキシル基、または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基であり、R1またはR2の一方が水素原子またはメチル基の場合、もう一方はシクロヘキシル基または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基である。R1およびR2は互いに結合して環を形成してもよい。R1およびR2の一方が水素原子で、他方がシクロヘキシル基である場合、次式のように分解反応が起こると推測される。上記式1で表される塩基発生剤は、波長190~230nmの紫外線を選択的に吸収して分解し、塩基性物質である式2で表される化合物を生成する。ここで式1および2において、R1およびR2の一方は、水素原子またはメチル基であり、特に水素原子が好ましく、他方はシクロヘキシル基または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基であり、特にシクロヘキシル基が好ましい。上記式2において、R1およびR2の一方が水素原子で、他方がシクロヘキシル基であるシクロヘキシルアミンは、沸点が137°Cであるので、分解した塩基性化合物が長期間溶液内に安定に存在することができる。本発明の光塩基発生剤は、式1で表わされる。上記式1中、R1およびR2はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、シクロヘキシル基、または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基であり、R1またはR2の一方が水素原子またはメチル基の場合、もう一方はシクロヘキシル基または炭素原子数1~6のアルキル基で置換されたシクロヘキシル基である。R1およびR2は互いに結合して環を形成してもよい。炭素原子数1~6のアルキル基としては、良好に塩基を発生させるとの点から、エチル基、イソプロピル基またはt-ブチル基が挙げられる。このうち、短波長の紫外線、特にレーザー光に対して優れた吸収性を示すとの点から、エチル基が好ましい。R1およびR2は互いに結合して環を形成してもよく、たとえば、炭素原子数4個のピロリジン環、炭素原子数5個のピペリジン環などを形成してもよい。特にR1およびR2の一方が水素原子で、他方がシクロヘキシル基である2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンは、i線を含む波長300~400nmの範囲内に有効な吸収帯を有していないので、照射する光線中にi線が混在しても、このi線によって2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンが分解して塩基性物質を発生させることがない。従って、照射光に可視光あるいは長波長の紫外光が混在したとしても、得られるレジストパターンの輪郭が不明確になることがない。上記化合物は1種を単独で使用してもよいし、2種以上を組み合わせて使用してもよい。本発明の光塩基発生剤は、2-ニトロベンジルオキシカルボニルクロライドと、アミン類とを、水/ジオキサン、ハロゲン化溶媒または非プロトン性極性溶媒などの溶媒中で、3級アミン、アルカリ金属炭酸塩またはアルカリ金属重炭酸塩などの触媒の存在下、0~60°Cで、3~24時間反応させることにより得られる。また、上記光塩基発生剤は、たとえば下式に示されるように、2-ニトロベンジルアルコールとイソシアネート化合物とを、エーテル類、非プロトン性極性溶媒等の溶媒中で、アルキルリチウム、金属リチウムまたは3級アミンなどの触媒の存在下、30~100°Cにて、5~60時間反応させることによっても得られる。上記光塩基発生剤の合成方法の一例を以下に示す。上記反応は、2-ニトロベンジルアルコールをテトラヒドロフランTHF中、加熱下に窒素気流中で攪拌しながら還流して溶解させる。冷却後、攪拌しながら、イソシアン酸シクロヘキシルをテトラヒドロフラン溶液中に添加する。次いで、反応液を濃縮乾固し、クロロホルムおよび水で分液抽出し、有機層を乾燥乾固し、2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンを淡黄色結晶として得る融点mp;103°C。なお、上記反応例は、本発明の光塩基発生剤の合成の一例を示すものであり、上記合成方法に限らず、種々の公知の方法を使って合成することができる。本発明の光塩基発生剤の構造は、核磁気共鳴分析1H-NMR、紫外UV分光法、赤外IR分光法および質量分析法MSなどの手法により確認することができる。上記光塩基発生剤は、紫外分光法において、波長190~230nmの領域に吸収ピークを有し、この波長領域の紫外線を吸収し、下記に表されるように分解し、式2で表わされる塩基および二酸化炭素を発生する。なお、上記式2中のR1およびR2は、式1中のR1およびR2と同じである。本発明の光塩基発生剤は、エキシマレーザー、特にArFエキシマレーザー波長193nmに対して活性を有する光塩基発生剤である。すなわち、本発明の光塩基発生剤は、i線の波長領域に吸収ピークを有する従来の光塩基発生剤とは異なり、エキシマレーザー、特にArFエキシマレーザー波長193nmのような短波長の紫外レーザー光に対して活性を有している。特に本発明の光塩基発生剤はi線波長365nmを吸収しないので、短波長のエキシマレーザーの特性が充分に発揮される。光塩基発生剤に紫外光を照射して発生した塩基は、以下に述べる方法を用いて確認する。光塩基発生剤の溶液を準備し、室温におけるpH値を測定する。次いで、その溶液に波長250nm以下のエキシマレーザーを強度1~1000μW/cm2照射量1~100J/cm2となるよう照射し、その後のpHを値測定する。具体的にはその溶液に波長193nmのArFエキシマレーザーを強度100~700μW/cm2照射量1~100J/cm2となるよう照射し、その後のpHを測定する。光照射前後でpHの変化がみられ、光照射前後でpH値が増大した場合、好ましくはpH値7.0以下からpH値7.0より高い数値となった場合には塩基が発生したと認められ、また光照射前のpHが値7.0以上であって照射後により高い数値となった場合、塩基が発生したと認められる。本発明の光塩基発生剤は、アルカリ性水溶液に対する溶解阻害剤としての作用を有する。ここで、溶解阻害剤とは、アルカリ可溶性化合物と混合することにより、該アルカリ可溶性化合物のアルカリに対する溶解性を低減する作用を有する物質をいう。そして、たとえば、上記式1においてR1およびR2の一方が水素原子であり、他方がシクロヘキシル基である化合物の場合、波長190~230nmの紫外線を照射することにより上式のように分解し、シクロヘキシルアミンとアルデヒドを生成し、これに伴い溶解阻害性が消失し、かつアルカリ可溶性重合体単独の系よりも溶解性が上昇する。これは生成したシクロヘキシルアミンが溶解促進剤として作用するためと考えられる。レジストパターン形成材料およびレジストの作成方法本発明のレジストパターン形成材料は、式1で表わされる光塩基発生剤と、アルカリ可溶性重合体とからなる。アルカリ可溶性重合体としては、具体的には、ポリp-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、ポリp-ヒドロキシスチレン、ポリp-ビニル安息香酸、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、スチレンマレイン酸共重合体、スチレンアクリル酸共重合体、スチレンメタクリル酸共重合体およびノボラックなどが用いられるが、これらに限定されることはない。ただし、後述するネガ型レジストの作成方法においては、アルカリ可溶性重合体として、特にカルボキシル基含有アルカリ可溶性重合体が用いられる。このようなカルボキシル基含有アルカリ可溶性重合体としては、たとえば、ポリp-ビニル安息香酸、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、スチレンマレイン酸共重合体、スチレンアクリル酸共重合体およびスチレンメタクリル酸共重合体などが用いられる。上記レジストパターン形成材料において、アルカリ可溶性重合体以下、単にAともいう。と、光塩基発生剤以下、単にBともいう。との配合比は、A/B重量比で通常は100/50~100/5、好ましくは100/35~100/5程度である。上記レジストパターン形成材料には、上記式1で表わされる光塩基発生剤およびアルカリ可溶性重合体の他に、本発明の目的を損なわない範囲で、希釈剤、増感剤または染料などを配合してもよい。このような上記レジストパターン形成材料からは、ポジ型またはネガ型の両方のレジストパターンを作成することができる。ポジ型レジストの作成方法においては、上記のレジストパターン形成材料を、Si、GaまたはAsなどからなる被処理基板上に塗布乾燥し、塗膜を作成する。塗膜の厚さは、通常0.5~10μm程度であり、好ましくは0.5~5μm程度であり、特に好ましくは0.5~2μm程度である。次いで、この塗膜に波長190~245nmの紫外線を所望のパターン状に照射する。紫外線の照射は、たとえばマスクなどを介して行われる。紫外線照射量は、好ましくは0.5J/cm2以上、特に好ましくは1~100J/cm2である。紫外線が照射された部分の塗膜以下紫外線照射部という。においては、前述したように光塩基発生剤が分解し、塩基を発生させるとともに溶解阻害性が消失し、かつ、アルカリ水溶液に対する溶解性が上昇する。一方、紫外線が照射されていない部分の塗膜以下紫外線非照射部という。においては、溶解阻害性が残存するため、アルカリに対する溶解性が低下したままである。したがって、この状態で塗膜をアルカリ水溶液で現像すると、紫外線照射部が洗い流され、紫外線非照射部が残存することになり、ポジ型レジストが得られる。ネガ型レジストの作成方法においては、上記ポジ型レジストの作成方法と同様にして、塗膜の作成および露光を行うが、アルカリ可溶性重合体として、特に前述したカルボキシル基含有アルカリ可溶性重合体が用いられ、かつ現像に先立ち、通常は塗膜に熱処理を施す。熱処理は80~180°C、好ましくは110~150°C、特に好ましくは115~140°Cにて、1~30分間程度行われる。熱処理を行うことにより、紫外線照射部において、上記光塩基発生剤の分解により発生した塩基と、カルボキシル基アルカリ可溶性重合体のカルボキシル基とが反応し、カルボキシル基が脱離する。カルボキシル基が脱離する結果、該重合体はアルカリに対する溶解性を喪失する。したがって、紫外線照射部はアルカリに対して不溶化する。一方、紫外線非照射部は、光塩基発生剤のためにアルカリに対する溶解性が低減しているものの、アルカリ溶解性を完全に消失しているわけではないので、現像液、現像時間を適宜に設定することで除去できる。具体的には、現像液として、強アルカリ性のトリメチルアンモニウムハイドロオキサイドの2~4水溶液などを使用するか、あるいは現像時間を、たとえば60秒以上にするなど、長くすることにより、紫外線非照射部を除去することができる。このような処置により紫外線非照射部が洗い流され、紫外線照射部が残存することとなり、ネガ型レジストが得られる。実施例以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。反応生成物の同定および塩基性評価の方法は以下のとおりである。[反応生成物の同定]1融点mp装置:DSC-60株島津製作所製測定方法:DSC2核磁気共鳴法1H-NMR装置:JNM-AL400FT-NMR日本電子株製測定条件内部基準:TMS1H共鳴周波数:400MHz[2]塩基性評価装置:pHメーター東亜ディーケーケー株製、製品名PHM-103測定方法:ガラス電極法国際公開第2008/072651号に記載された方法に従って以下のように確認した。光塩基発生剤の溶液を用意し、室温におけるpHを測定する。次いで、その溶液に紫外線を照射し、その後のpHを1時間ごとに測定する。光照射前後でpHの変化がみられ、光照射前後でpHが増大した場合、好ましくはpH7.0以下からpH7.0より高い数値となった場合には、塩基性が発現したと認められ、光照射前のpHが7.0以上であって照射後により高い数値となった場合には、塩基性が増大したと認められる。実施例1<2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンの合成>還流装置および窒素導入管を有する反応容器に、4.58g46.3ミリモルのシクロヘキシルアミンを10ミリリットルの乾燥テトラヒドロフランTHFに溶解した溶液を入れ、この溶液に30ミリリットルの乾燥テトラヒドロフランに2-ニトロベンジルクロロホルメート4.31g20ミリモルを溶解した溶液を、窒素気流中で0°Cで15分以上かけて滴下した。得られた分散液の温度を室温まで戻した後、還流温度で5時間還流した。反応液の温度を室温にまで戻して減圧下に除去し、残渣をエーテル100ミリリットルと水50ミリリットルとの混合液で分離した。エーテル相を硫酸マグネシウムで脱水し、減圧下に溶媒を除去することにより黄色固形物5.33gを得た。得られた黄色固形分をフラッシュクロマトグラフィ50エタノール/50ヘキサンで精製後、エーテルを用いて再結晶させて3.97g14.4ミリモルの明黄色の結晶を得た。得られた結晶の融点は103~105°Cであった。得られた結晶の1HNMRスペクトルおよびマススペクトルを測定した。得られた1HNMRスペクトルのチャートを図1に示し、マススペクトルのチャートを図2に示す。上記の結果から、得られた淡黄色の結晶が下記式3に示す2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンであることが確認された。収率:71上記の2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンは、図3に示すように、250nm付近に最大吸収ピークを有するが、エキシマレーザーであるArFエキシマレーザー波長:193nmの短波長の紫外領域においても吸収を有する。他方、高圧水銀灯によるi線波長:365nmにおける吸収は極めて低く、露光光源としてi線波長:365nmを使用するのは適切ではない。フォトレジストの解像度は、理論的には使用する露光光源の波長に依存し、短波長の露光光源を用いると、その露光光源の波長の幅の露光線を描くことができることから、上記2ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンの塩基性評価にはより短波長のArFエキシマレーザー波長:193nmを用いた。<2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンの塩基性評価>得られた2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミン4.17g15ミリモルを、蒸留水とメタノールとの1/9v/v混合溶液30ミリリットルに溶解して得られた2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンの0.050モル溶液をUV測定用の石英セルに入れ、遮光大気雰囲気下において、ArFエキシマレーザー波長:193nmを、照射量614μW/cm2の照射量で照射した。上記2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンは、このArFレーザー波長;193nmの照射により下式のように分解しているものと推定される。上記のようにArFエキシマレーザー波長:193nmを照射しながら、石英セル中の溶液のpH値を測定した。結果を下記表1に示す。上記のように2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンにArFエキシマレーザーを照射すると、2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンは、シクロヘキシルアミン、二酸化炭素、2ニトロソベンズアルデヒドに分解すると推定され、分解したシクロヘキシルアミンが塩基性化合物として作用して溶液のpH値を上昇させていると推定される。この実施例1で生成したシクロヘキシルアミンの融点は-17.7°Cであり、沸点は134.5°Cであるから、このシクロヘキシルアミンは常温23°Cにおいて液体として存在する。アミン類が塩基性の化合物として作用するのは、溶液中であるから、常温で液体であるシクロヘキシルアミンの有用性が高いことは明らかである。上記表1の結果から、シクロヘキシルアミンは塩基性化合物としての効果において優れていることがわかる。<ポジパターンの形成>シクロヘキサン:100重量部に、上記のようにして得られた2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミン:10重量部とスチレン-アクリル酸共重合体商品名:Joncryl586、平均分子量:3200、酸価:105mgKOH/g:100重量部を溶解させて、濃度15重量のシクロヘキサン塗布液を調製した。得られたシクロヘキサン塗布液をスピンコート法1200rpm、60秒により塗布し、80°Cで10分間乾燥させて、レジスト膜を形成した。こうして得られたレジスト膜に、ArFエキシマレーザー波長:193nmを所望のパターン状に照射した。次いで、ArFエキシマレーザーを照射したレジスト膜を、濃度3.5のトリメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液に60秒間浸漬して現像してポジ型像を得た。得られたポジ型層は、形成しようとしたポジ型像と細部に至るまで同一であった。また、上記のポリ型像の形成の過程で測定した感度は1.0J/cm2であり、ArFエキシマレーザーを照射することにより、2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンが分解して液状のシクロヘキシルアミンを生成し、このシクロヘキシルアミンによってレジスト膜であるスチレン-アクリル酸共重合体におけるArFエキシマレーザー照射部分を効率よく残存させたポジ型像を得ることができた。しかしながら、この2-ニトロベンジルオキシカルボニルシクロヘキシルアミンにi線を照射しても、i線を吸収することがないので、ポジ型像を得ることはできなかった。<ネガ型パターンの形成>上記ポジ型パターンの形成の際に用いたレジスト膜を同様の方法により形成した。このレジスト膜に1μmのラインアンドスペース幅でArFエキシマレーザー波長193nmを照射した。このようにしてArFエキシマレーザーを照射したレジスト膜を、120°Cで10分間加熱処理した後、濃度6のトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で60秒間現像を行ったところ、1μmのラインアンドスペースの鮮明なネガ型像を得ることができた。このネガ型像は上記ポジ型像よりもさらに鮮明であった。