"対象物の被処理面に所望のパターンを形成するパターン形成方法であって、前記被処理面に、一般式1:式中、R1は光照射により脱離する光反応性保護基を表し、R2はR1が脱離することによりR1とは異なる親撥液性を有する官能基を生じる有機基を表し、X1はアルコキシ基またはハロゲン原子を表し、X2,X3は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子から選ばれる置換基を表す。X1,X2,X3は同一でも異なっても良いで示されるシランカップリング剤を配置し、前記被処理面上で前記シランカップリング剤に対して光触媒を存在させる工程;及び前記シランカップリング剤および前記光触媒に対して、前記シランカップリング剤および前記光触媒の吸収波長の光を含む光を照射する工程;を含む、パターン形成方法。一般式1におけるR1が、フッ素置換アルキル基を有するものである、請求項1に記載のパターン形成方法。前記光を照射する工程の後に、一般式1におけるR1の脱離により一般式1におけるR2に生じる官能基を、R1とは異なる親撥液性を有する置換基で修飾する工程;を含む、請求項1または2に記載のパターン形成方法。前記シランカップリング剤に対して光触媒を存在させる工程は、前記対象物上に前記シランカップリング剤を配置する工程;及び前記シランカップリング剤上に前記光触媒の分散液を塗布する工程;を含む、請求項1から3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記シランカップリング剤に対して光触媒を存在させる工程は、前記対象物上に前記光触媒を形成材料とする光触媒層を形成する工程;及び前記光触媒層の上に前記シランカップリング剤を配置する工程;を含む、請求項1から3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記シランカップリング剤を塗布することにより、前記シランカップリング剤を配置する、請求項1から5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記シランカップリング剤および前記光触媒の吸収波長が、同じ波長帯域にある、請求項1から6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記光を照射する工程の後に、前記パターンにおいて相対的に親液性を発現する領域に、パターン形成材料の溶液または分散液を塗布する工程を含む、請求項1から7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。しかしながら、従来の光照射による分解反応一部の置換基の脱離反応や、光触媒を用いた分解反応は、いずれも反応速度が遅く、実用的な反応を得るためには、非常に高出力の光源から高エネルギーの光照射を行う必要があった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、作業時間を短縮することができるパターン形成方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明の態様のパターン形成方法は、対象物の被処理面に所望のパターンを形成するパターン形成方法であって、前記被処理面に、一般式1で示されるシランカップリング剤を配置し、前記被処理面上で前記シランカップリング剤に対して光触媒を存在させる工程;及び、前記シランカップリング剤および前記光触媒に対して、前記シランカップリング剤および前記光触媒の吸収波長の光を含む光を照射する工程;を有することを特徴とする。式中、R1は光照射により脱離する光反応性保護基を表し、R2はR1が脱離することによりR1とは異なる親撥液性を有する官能基を生じる有機基を表し、X1はアルコキシ基またはハロゲン原子を表し、X2,X3は水素原子またはアルキル基またはアルケニル基を表す。X1,X2,X3は同一でも異なっても良い本発明の態様においては、一般式1におけるR1が、フッ素置換アルキル基を有するものであることが望ましい。本発明の態様においては、前記光を照射する工程の後に、一般式1におけるR1の脱離により一般式1におけるR2に生じる官能基を、R1とは異なる親撥液性を有する置換基で修飾する工程を有することが望ましい。本発明の態様において、前記シランカップリング剤に対して光触媒を存在させる工程は、次の2種の方法を選択することができる。まず第1に、前記シランカップリング剤に対して光触媒を存在させる工程は、前記対象物上に前記シランカップリング剤を配置する工程と、前記シランカップリング剤上に前記光触媒の分散液を塗布する工程と、を有することが望ましい。または、本発明の態様において、前記シランカップリング剤に対して光触媒を存在させる工程は、前記対象物上に前記光触媒を形成材料とする光触媒層を形成する工程と、前記光触媒層の上に前記シランカップリング剤を配置する工程と、を有することが望ましい。本発明の態様においては、前記シランカップリング剤を塗布することにより、前記シランカップリング剤を配置することが望ましい。本発明の態様においては、前記シランカップリング剤および前記光触媒の吸収波長が、同じ波長同じ帯域にあることが望ましい。本発明の態様においては、前記光を照射する工程の後に、前記パターンにおいて相対的に親液性を発現する領域に、パターン形成材料の溶液または分散液を塗布する工程を含むことが望ましい。本発明の態様のパターン形成方法によれば、光触媒を併用することにより、光反応性保護基の脱離反応を促進し、作業時間を短縮することができる。[第1実施形態]図1は、第1実施形態に係るパターン形成方法について説明する説明図である。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。本実施形態のパターン形成方法では、対象物基板1の表面を改質して、親撥液性が異なる領域表面エネルギーが異なる領域の親撥液パターンを形成する。親撥液パターンの形成には光照射を用い、光照射を行った領域を親液性の領域としている。さらに、上述の親撥液パターン形成方法で形成した親液性が高い領域に対して、材料パターンの形成材料の溶液または分散液を塗布し、親撥液パターンに応じた材料パターンを形成する。以下、順に説明する。親撥液パターンの形成まず、図1のAに示すように、パターンを形成する基板1の表面被処理面に光反応性保護基を有するシランカップリング剤2を塗布し、シランカップリング剤2の薄膜2Aを形成する。シランカップリング剤2を塗布して薄膜2Aを形成する場合、気相反応を利用して薄膜2Aを形成する場合と比べ、減圧設備やチャンバーなどの特別な設備が不要であり、シランカップリング剤の配置を容易に行うことができる。基板1は、PETやPMMAのようなプラスチック、金属、ガラスなどの形成材料を必要に応じて選択することができる。プラスチックを形成材料とする場合には、表面にバリア層としてSiO2層を形成することとしても良い。親撥液パターンを形成する基板表面は、水酸基-OHを多く有することが好ましく、必要に応じて、シランカップリング剤の塗布前に、親撥液パターンを形成する面を酸素プラズマ処理や薬剤処理によって洗浄し、基板表面の不純物を除き、水酸基を増やす処理をしておくことができる。本発明で用いることができるシランカップリング剤2は、下記の一般式2で表すことができる。式中、R1は光照射により脱離する光反応性保護基を表し、R2はR1が脱離することによりR1とは異なる親撥液性を有する官能基を生じる有機基を表し、X1はアルコキシ基またはハロゲン原子を表し、X2,X3は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子から選ばれる置換基を表す。X1,X2,X3は同一でも異なっても良い式2中R1で示される光反応性保護基としては、例えば、2-ニトロベンジル誘導体骨格を有する置換基、ジメトキシベンゾイン基、2-ニトロピペロニルオキシカルボニルNPOC基、2-ニトロベラトリルオキシカルボニルNVOC基、α-メチル-2-ニトロピペロニルオキシカルボニルMeNPOC基、α-メチル-2-ニトロベラトリルオキシカルボニルMeNVOC基、2,6-ジニトロベンジルオキシカルボニルDNBOC基、α-メチル-2,6-ジニトロベンジルオキシカルボニルMeDNBOC基、1-2-ニトロフェニルエチルオキシカルボニルNPEOC基、1-メチル-1-2-ニトロフェニルエチルオキシカルボニルMeNPEOC基、9-アントラセニルメチルオキシカルボニルANMOC基、1-ピレニルメチルオキシカルボニルPYMOC基、3′-メトキシベンゾイニルオキシカルボニルMBOC基、3′,5′-ジメトキシベンゾイルオキシカルボニルDMBOC基、7-ニトロインドリニルオキシカルボニルNIOC基、5,7-ジニトロインドリニルオキシカルボニルDNIOC基、2-アントラキノニルメチルオキシカルボニルAQMOC基、α,α-ジメチル-3,5-ジメトキシベンジルオキシカルボニル基、5-ブロモ-7-ニトロインドリニルオシキカルボニルBNIOC基、2,2-ジメチル-1,3-ジオキシン基、2-ニトロベンジルカルバモイル基、等を挙げることができる。他にも、下記の式3~6で示される保護基を用いることもできる。これらの中では、2-ニトロベンジル誘導体骨格を有する置換基が好ましい。さらに、R1は一部がフルオロアルキル基や炭素数8以上の直鎖アルキル基に置換され、高い撥液性を示すこととしても良い。式2中R2で示される有機基は、R1と結合する、R1とは異なる親撥液性を有する官能基と、該官能基とケイ素原子とを連結する2価の連結基と、を含んでいる。R1とは異なる親撥液性を有する官能基としては、例えばアミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホ基、リン酸基を例示することができ、連結基としては、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケン-1,2-ジイル基、アルキン-1,2-ジイル基、アリーレン基を例示することができる。連結基としては、炭素数1~22のものが好ましい。これらの連結基は、側鎖の一部がアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルキルシリル基、ハロゲン原子で置換されていても良い。式2中X1,X2,X3で示されるアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等を挙げることができる。アルコキシ基の炭素数は、脱離するアルコールの分子量が比較的小さく、除去が容易であるという観点から、1から4の範囲であることが好ましい。このようなシランカップリング剤は、通常知られた合成方法を用いて適宜合成することが可能である。図1のAでは、基板表面に結合するケイ素Si部を符号21、R2で示される有機基のうち連結基を符号22、R1で示される光反応性保護基と結合する親水性の官能基を符号23、R1を符号24、R1が有するフルオロアルキル基を符号25、を付した図形を用い、模式的に示している。このようなシランカップリング剤2を、スリット状ノズルから基板上1に適量射出して塗布することにより、基板1表面の水酸基と、シランカップリング剤が有するアルコキシ基またはハロゲン原子とが反応し、薄膜2Aを形成する。形成された薄膜2Aの表面は、シランカップリング剤の物性に応じて表面エネルギーが下がり、基板1の表面よりも高い撥液性を示すようになる。次いで、図1のBに示すように、シランカップリング剤の薄膜2Aの上に、光触媒3の塗膜3Aを形成し、シランカップリング剤2と光触媒3とを接触させる。光触媒3としては、光触媒効果を有するものであれば使用可能である。例えば、酸化チタンTiO2、酸化亜鉛ZnO、酸化錫SnO2、酸化タングステンWO3、酸化ビスマスBi2O3、酸化鉄Fe2O3、酸化カドミウムCdO、酸化インジウムIn2O3、酸化銀Ag2O、酸化マンガンMnO2、酸化銅Cu2O、酸化バナジウムV2O5、酸化ニオブNb2O3、チタン酸ストロンチウムSrTiO3などの金属酸化物半導体、硫化カドミウムCdS、硫化亜鉛ZnS、硫化インジウムIn2S3、硫化鉛PbS、硫化銅Cu2S、硫化モリブデンMoS2、硫化タングステンWS2、硫化アンチモンSb2S3、硫化ビスマスBi2S3などの金属硫化物半導体をあげることができる。他にも、異なる種類の光触媒微粒子同士を混合した混合微粒子を用いることもできる。例えば、CdS/TiO2、CdS/ヨウ化銀AgI、CdS/ZnO、CdS/PbS、CdS/硫化水銀HgS、ZnO/ZnS、ZnO/セレン化亜鉛ZnSeなどを例示することができる。これらの中では、安定性や経済性、または取り扱いの容易さの観点から酸化チタンが好ましい。酸化チタンは、通常知られるように、バンドギャップが小さく光照射により触媒作用を発現しやすいアナターゼ型の結晶構造のものを用いると良い。また、酸化チタンの表面積を増やし反応効率を高める目的で、ナノオーダーの微粒子の酸化チタンを用いることが好ましい。このような光触媒を、水やアルコール、飽和炭化水素などの分散媒に分散させた分散液を、シランカップリング剤の薄膜2Aの上に塗布し、光触媒3の塗膜を形成する。塗布方法としては、スピンコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法などの印刷方法を用いることができる。次いで、図1のCに示すように、マスクMの開口部Maを介して、親液性の領域を形成する位置に光Lを照射する。光Lとしては、用いるシランカップリング剤2の光反応性保護基を脱保護させるための吸収波長、および光触媒3が光触媒活性を生じるための吸収波長、を含む帯域の光であれば良い。例えば、光反応性保護基として2-ニトロベンジル誘導体骨格を有する置換基を用い、光触媒3として酸化チタンを用いる場合、少なくともi線365nmを照射可能である光源を用い、光Lとして紫外線を照射する。このような光源には、例えば通常の高圧水銀灯が該当する。このように、シランカップリング剤の光反応性保護基の吸収波長と、光触媒の吸収波長と、が同じ波長帯域にある場合、同じ波長帯域の光を照射することにより、容易に光反応性保護基の脱保護を促進させることができるため好ましい。光反応性保護基と光触媒との吸収波長が異なる場合には、それぞれの吸収波長に対応する光を射出する2つの光源を用い、同時に照射すると良い。光Lを照射すると、開口部Maと重なる位置の薄膜2Aでは、光反応性保護基が脱離し、親水性の官能基を端部薄膜の表面側に有するシランカップリング剤4からなる薄膜2Bを生じる。薄膜2Bの表面は、シランカップリング剤4の端部の官能基23に起因して、高い親液性を示す。また、シランカップリング剤2のみならず、シランカップリング剤2に接する光触媒3にも光Lが照射されるため、光触媒3は光励起された活性化状態となる。すると、光触媒3に接触するシランカップリング剤2へ光触媒3の励起エネルギーが遷移し、光反応性保護基の脱離反応が促進される。さらには、光触媒3の高い酸化力に起因してシランカップリング剤2の分解が一部に生じる。これらの反応が合わせて起こることにより、光照射された領域では、シランカップリング剤2に起因する撥液性が低下する。一方で、マスクMの遮光部Mbに覆われて光Lが当たらなかった領域では、保護基の脱離反応が起こらないため、高い撥液性を維持する。そのため、光照射の有無によって親撥液パターンを良好に形成することができる。本実施形態では、光反応性保護基であるR1がフルオロアルキル基を有し、高い撥液性を具備することとしている。そのため、R1がフルオロアルキル基を有さない場合と比べ、R1が脱離した後に生じる官能基との親撥液性のコントラストが大きくなり、明瞭な親撥液パターンを形成することができる。親撥液性は液体の接触角により評価することができる。光照射の後に、薄膜2A,2Bの表面を洗浄し光触媒を洗い流す。パターンを形成した対象物に更に光照射がされたとしても、光触媒反応が起こらず、無用の光触媒反応による対象物の劣化を抑制することができる。表面洗浄により、塗布した光触媒3および脱離した光反応性保護基の残渣を取り除くことで、基板1上に所望の親撥液パターンが完成する。材料パターンの形成次いで、図1のDに示すように、材料パターンの形成材料の溶液または分散液を、印刷法を用いて親液性の高い薄膜2B上に塗布し、乾燥させてパターン形成材料5を選択的に配置することで材料パターンを形成する。乾燥の後には、必要に応じて加熱処理を行うこととしても良い。形成材料として導電性材料を用いると、配線パターンは回路パターンを形成することが可能となる。このような導電性材料としては、有機導電性材料や、銅や銀などの金属微粒子を用いることができ、これらを適切な溶媒に溶解、または分散媒に分散させることにより、材料パターンの形成材料の溶液または分散液を調整する。これらの溶液または分散液が、薄膜2Bからはみ出し薄膜2Aと重なる領域に配置されるとしても、薄膜2Aの撥液性によって弾かれるため、乾燥後に表面を洗浄することにより容易に取り除くことができる。このようにして、本実施形態の材料パターン形成方法を用い、所望の材料パターンを形成することができる。以上のような親撥液パターン形成方法によれば、光触媒を併用することにより、光反応性保護基の脱離反応を促進し、作業時間を短縮することができる。また、パターン材料例えば導電性材料の無駄を抑制し、強酸性やアルカリ性の廃液を多量に生じさせる事なく、材料パターンを短時間で形成することができる。なお、本実施形態においては、シランカップリング剤を塗布することにより、基板1上に配置することとしたが、配置の方法はこれに限らない。例えば、減圧環境下においてシランカップリング剤を蒸発させることで、該減圧環境下に配置した基板の表面に気相反応にてシランカップリング剤を付着させることもできる。[第2実施形態]図2は、本発明の第2実施形態に係るパターン形成方法の説明図である。本実施形態は、第1実施形態と一部共通しており、光照射を行った領域を撥液性とする点が異なっている。したがって、本実施形態において第1実施形態と共通する要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。親撥液パターンの形成まず、図2のAに示すように、親撥液パターンを形成する基板1の表面に光触媒6を塗布し、光触媒層6Aを形成する。光触媒としては、第1実施形態に示したものを用いることができる。そして、光触媒層6Aの上に光反応性保護基を有するシランカップリング剤7を塗布して、シランカップリング剤7の薄膜7Aを形成し、シランカップリング剤7と光触媒6とを接触させる。層上に形成した光触媒6の上にシランカップリング剤7の薄膜7Aを形成することで、確実に光触媒とシランカップリング剤とを接触させることができる。シランカップリング剤7としては、第1実施形態に示したものを用いることができる。ここで用いるシランカップリング剤には、一般式2で示されるR1の一部がフルオロアルキル基や炭素数8以上の直鎖アルキル基に置換されていないものを使用することができる。図2では、基板表面に結合するケイ素Si部を符号71、R2で示される有機基のうち連結基を符号72、R1で示される光反応性保護基と結合する親水性の官能基を符号73、R1を符号74で示している。次いで、図2のBに示すように、マスクMの開口部Maを介して、撥液性の領域を形成する位置に光Lを選択的に照射する。光Lを照射すると、開口部Maと重なる位置の薄膜7Aでは、光反応性保護基が脱離し、親水性の官能基を端部薄膜の表面側に有するシランカップリング剤8からなる薄膜7Bを生じる。光照射の後に、薄膜7A,7Bの表面を洗浄することにより、脱離した光反応性保護基の残渣を取り除くこととしても良い。次いで、図2のCに示すように、シランカップリング剤8が有する官能基と、脱離した光反応性保護基よりも高い撥液性を示す置換基を備えた試薬とを反応させ、末端に高い撥液性を示す置換基を導入したシランカップリング剤9とすることで、薄膜7Cを得る。光反応性保護基よりも高い撥液性を示す置換基としては、例として、フルオロアルキル基や炭素数8以上の直鎖アルキル基を挙げることができ、光反応性保護基R1と比べて高い撥液性を示すならば、これに限らない。このような置換基をシランカップリング剤の末端に導入するための試薬としては、シランカップリング剤8が有する官能基符号73と反応出来る官能基と、上述の高い撥液性を示す置換基とを有する試薬であれば用いることができる。代表的には、シランカップリング剤8が有する官能基とエステル結合を生じる置換基を有する試薬が選ばれる。例えば、シランカップリング剤8が有する官能基がカルボキシル基である場合には、フルオロアルキル基を有するアミンを反応させることによってシランカップリング剤9とする。図2のCでは、シランカップリング剤8と結合する官能基を符号91、導入される高い撥液性を示す置換基を符号92で示している。このような試薬が、薄膜7Bからはみ出し薄膜7Aと重なる領域に配置されるとしても、薄膜7Aの表面では、試薬と反応できる官能基が光反応性保護基によって保護されているため結合を生じず、反応後に表面を洗浄することにより取り除くことができる。このようにすることで、光照射を行った領域では、新たに導入する置換基によって高い撥液性を示し、光照射を行っていない領域では、新たに導入される置換基よりも相対的に低い撥液性高い親液性を示すような親撥液パターンを形成することができる。また、新たに導入する置換基の親撥液性によって、光照射をした領域の親撥液性を自在に設計することができ、設計自由度が高まる。材料パターンの形成次いで、図2のDに示すように、材料パターンの形成材料の溶液または分散液を、印刷法を用いて相対的に親液性の高い薄膜7A上に塗布し、乾燥させることでパターン形成材料5を選択的に配置し、材料パターンを形成する。乾燥の後には、必要に応じて加熱処理を行うこととしても良い。このようにして、本実施形態の材料パターン形成方法を用い、所望の材料パターンを形成することができる。以上のようなパターン形成方法であっても、光触媒を併用することにより、光反応性保護基の脱離反応を促進して、作業時間を短縮することができる。なお、本実施形態では、光反応性保護基上にはフルオロアルキル基や直鎖アルキル基などの撥液性を発現する置換基が存在しないこととしたが、これにかぎらず、新たに導入する置換基が相対的により高い撥液性を生じさせるならば、目的とする親撥液パターンを形成することができ、該親撥液パターンを利用して材料パターンを形成することができる。また、本実施形態では、シランカップリング剤の末端に高い撥液性を実現する置換基を導入することで、光照射を行った領域を撥液性の領域としたが、これに限らず、導入する置換基として高い親液性を実現する置換基を選択し、光照射を行った領域を相対的に親液性の領域とすることとしても良い。以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、薄く形成された基板を用いることで、基板1をフレキシブル基板とすることもでき、このようなフレキシブル基板を用いる場合には、所謂ロールトゥロール工程にて上述のパターン形成方法を実施することができる。この場合、上述のシランカップリング剤の塗布、光触媒の塗布、マスクを介した光照射、材料パターンの形成材料の塗布、の各処理のうち、一部または全部をロールトゥロール工程の工程内で行うことができる。ロールトゥロール工程において、これらの処理は、フレキシブル基板を動かしながら行っても良く、フレキシブル基板を止めて行っても良い。以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。[試料の作成]本実施例においては、下記の式7に示される化合物A3O3’NmethylcarbonylNcarboxymethylamino3aza2propenyl6Ofluorescein、株式会社同仁化学研究所製を用いて、下記の実施例1、2および比較例1に示す試料を作成し、各試料に光照射を行って、光反応性保護基の脱離反応が光触媒によって促進されることを確認した。化合物Aは、光反応性保護基である2-ニトロベンジル基を有するCaged蛍光色素化合物である。この化合物Aは、光照射によって2-ニトロベンジル基が脱離するとともに構造変化して、蛍光性を有さない化合物Aから、下記の式7に示される蛍光性化合物B化合物Bに変化することが知られている。実施例1クロロホルム3mlに化合物A0.006g、およびシアノアクリレート系接着剤アロンアルファ登録商標、東亞合成株式会社数滴を溶解して、化合物Aを含有するコーティング液以下、コーティング液を調整した。次に、石英ガラス基板上に、スパッタリング法を用いて酸化チタン薄膜を形成し、該酸化チタン薄膜の上に、スピンコート法を用いてコーティング液を塗布して、化合物Aの薄膜としたものを、実施例1の試料1とした。試料1において、酸化チタン薄膜の膜厚は300nm、化合物Aの薄膜の膜厚は150nmであった。実施例2酸化チタン微粒子平均粒径21nm、比表面積50m2/g、商品名スーパーナノトロンDX、有限会社ネットイン製を5g秤量し、純水20mlに分散させて分散液を調整した。次に、石英ガラス基板上に、スピンコート法を用いてコーティング液を塗布して、化合物Aの薄膜を形成し、該化合物Aの薄膜の上に、スプレー法を用いて分散液を塗布して、酸化チタン微粒子の薄膜としたものを、実施例2の試料2とした。試料2において、化合物Aの薄膜の膜厚は150nmであった。比較例1石英ガラス基板上に、スピンコート法を用いてコーティング液を塗布して、化合物Aの薄膜を形成したものを、比較例1の試料3とした。試料3において、化合物Aの薄膜の膜厚は150nmであった。[光照射]上記、作成した試料1~3に対し、L/SLineandSpace=20μm/20μmのフォトマスクを介して、コンタクト露光により波長365nmの光を20秒間照射した。このときの照度は45mW/cm2、露光量は900mJ/cm2であった。実施例2の試料2については、露光後に水洗し、表面の酸化チタン微粒子を除去した。[蛍光計測]露光後の各試料を蛍光顕微鏡により観察し、高感度カメラを用いて取得した蛍光顕微鏡像から蛍光強度のプロファイルを求めた。蛍光強度のプロファイルは一つの試料について4ヶ所ずつ測定した。蛍光顕微鏡のフィルターセットには、ChromaTechnologyCorp社製の41017EndowGFPBandpassEmissionフィルターを用いた。このフィルターセットによれば、試料に対して470nm付近の励起光を照射し、試料から発せられた520nm付近の蛍光を観察することが可能である。図3~図6は、上記実施例および比較例についての結果を示す図である。図3は、試料1~3についての蛍光顕微鏡像を示す写真であり、図3のAが試料1、図3のBが試料2、図3のCが試料3の写真である。図4~6は、試料1~3に形成された縞状のL/Sパターンに略直交する方向の蛍光強度プロファイルを示す図であり、図4が試料1、図5が試料2、図6が試料3を示す。各々平均前述のとおり、化合物Aは光照射を受けると無蛍光性から蛍光性に変化することが知られている。したがって露光後における蛍光強度の大小は、光反応性保護基である2-ニトロベンジル基の脱離反応速度の大小に対応する。すなわち、図3に現れているL/Sパターンのうち、蛍光強度が大きい部分が光照射を受けた部分に相当する。ここで試料1図3のA、図4と、試料3図3のC、図6の蛍光強度を比較すると、酸化チタンが共存する試料1の蛍光強度は、4ヶ所の測定点のいずれにおいても試料3の蛍光強度より大きく、光触媒である酸化チタンの共存によって2-ニトロベンジル基の脱離反応が促進されることが確認できる。また、試料2図3のB、図5の蛍光強度は測定点によってばらつきがあるものの、特定の測定点では試料1を超える蛍光強度を示している。これは試料2における酸化チタン微粒子の分散状態が均一でなかったことに起因するものと考えられる。すなわち、試料2は化合物Aを成膜した上に酸化チタン微粒子を塗布したものであるが、この形態であっても保護基の脱離反応が光触媒によって促進されることは試料1と同様である。しかし、試料2はスプレー法を用いて酸化チタン微粒子を塗布しているため、塗布された酸化チタン粒子の量にムラがあり、局所的に付着した酸化チタン微粒子の周囲で、特に著しい光反応性保護基の脱離反応が進行したものと推定される。このことは、図3のBの蛍光像において、明るい部分が不均一に分散していることによっても裏付けられる。以上の結果より、光触媒を併用することにより、光反応性保護基の脱離反応が促進されることが確認され、本発明の有用性が確かめられた。"