"圧力スイング吸着処理による精製水素ガスの製造装置であって、未精製水素ガスに不活性ガスを添加するガス供給部と、吸着剤が充填され、供給されてきた未精製水素ガスを精製する吸着塔と、前記吸着塔から排出される精製水素ガス中の不活性ガスを測定する検出器とを備えることを特徴とする精製水素ガス製造装置。多結晶シリコンを製造する多結晶シリコンの析出反応から排出された水素ガスを精製し、前記水素ガスを前記反応に戻す多結晶シリコンの製造装置であって、トリクロロシランを水素ガスと反応させることにより、多結晶シリコンをシリコンシードロッド上に析出させる反応器と、前記反応器から排出された未精製水素ガスを分離する凝縮器と、不活性ガスを前記未精製水素ガスに添加するガス供給部と、吸着剤が充填され、供給されてきた未精製水素ガスを精製する吸着塔と、前記吸着塔から排出される精製水素ガス中の不活性ガスを測定する検出器とを備えることを特徴とする装置。前記吸着塔の再生のために、前記排出された精製水素ガスの一部を前記吸着塔に戻す戻りラインをさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の装置。圧力スイング吸着処理による精製水素ガスの製造方法であって、未精製水素ガスに不活性ガスを添加するステップと、前記未精製水素ガスを吸着塔に供給し、圧力スイング吸着により精製するステップと、前記吸着塔から排出される精製水素ガス中の不活性ガスを検出するステップとを備えることを特徴とする精製水素ガス製造方法。多結晶シリコンの析出反応から排出された水素ガスを精製し、前記水素ガスを前記反応に戻す多結晶シリコンの製造方法であって、反応器においてトリクロロシランを水素ガスと反応させることにより、多結晶シリコンをシリコンシードロッド上に析出させるステップと、前記反応器から排出されたガスを凝縮することにより未精製水素ガスを分離するステップと、不活性ガスを前記未精製水素ガスに添加するステップと、吸着塔に前記未精製水素ガスを供給し、圧力スイング吸着により精製するステップと、前記吸着塔から排出される精製水素ガス中の不活性ガスを検出するステップとを備えることを特徴とする多結晶シリコン製造方法。前記吸着塔の再生のために、前記排出された精製水素ガスの一部を前記吸着塔に戻すステップをさらに備えることを特徴とする請求項5に記載の方法。前記不活性ガスはArガスであることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記不活性ガスはArガスであることを特徴とする請求項2に記載の装置。前記不活性ガスはArガスであることを特徴とする請求項4に記載の方法。前記不活性ガスはArガスであることを特徴とする請求項5に記載の方法。前記検出器は、約0.15から0.3重量の範囲内のArガスを測定することを特徴とする請求項7に記載の装置。前記検出器は、約0.15から0.3重量の範囲内のArガスを測定することを特徴とする請求項8に記載の装置。Arガスは0.15から0.3重量の範囲内で検出されることを特徴とする請求項9に記載の方法。Arガスは0.15から0.3重量の範囲内で検出されることを特徴とする請求項10に記載の方法。前記検出器は約0.59から0.76MPaGの範囲の吸着塔の圧力下において、Arガスを測定することを特徴とする請求項7に記載の装置。前記検出器は約0.59から0.76MPaGの範囲の吸着塔の圧力下において、Arガスを測定することを特徴とする請求項8に記載の装置。Arガスは、約0.59から0.76MPaGの範囲の吸着塔の圧力下において検出されることを特徴とする請求項9に記載の方法。Arガスは、約0.59から0.76MPaGの範囲の吸着塔の圧力下において検出されることを特徴とする請求項10に記載の方法。しなしながら、最近では、不純物によるブリーチと吸着剤の動作寿命とをより正確に検出する方法が必要となっている。本発明の目的の1つは、吸着剤の動作寿命を検出する装置および方法を提供することである。本発明の他の目的としては、多結晶シリコン製造工程に際して水素ガスを精製する装置および方法を提供することである。本発明の第1の観点は、圧力スイング吸着処理による精製水素ガスの製造装置に関し、上記装置は、A未精製水素ガスに不活性ガスを添加するガス供給部と、B吸着剤が充填され、供給された未精製水素ガスを精製する吸着塔と、C上記吸着塔から排出される精製水素ガス中の不活性ガスを測定する検出器とを備える。本発明の第2の観点は、多結晶シリコンの製造に際して、多結晶シリコンの析出反応から排出された水素ガスを精製し、上記水素ガスを前記反応に戻す装置に関し、上記装置は、Aトリクロロシランを水素ガスと反応させることにより、多結晶シリコンをシリコンシードロッド上に析出させる反応器と、B上記反応器から排出された未精製水素ガスを分離する凝縮器と、C不活性ガスを前記未精製水素ガスに添加するガス供給部と、D吸着剤が充填され、供給されてきた未精製水素ガスを精製する吸着塔と、E上記吸着塔から排出される精製水素ガス中の不活性ガスを測定する検出器とを備える。本発明の第4の観点は、圧力スイング吸着処理による精製水素ガスの製造方法に関し、上記方法は、A未精製水素ガスに不活性ガスを添加するステップと、B上記未精製水素ガスを吸着塔に供給し、圧力スイング吸着により精製するステップと、C上記吸着塔から排出される精製水素ガス中の不活性ガスを検出するステップとを備える。本発明の第5の観点は、多結晶シリコンの析出反応から排出された水素ガスを精製し、上記水素ガスを前記反応に戻す多結晶シリコンの製造方法に関し、上記方法は、A反応器においてトリクロロシランを水素ガスと反応させることにより、多結晶シリコンをシリコンシードロッド上に析出させるステップと、B上記反応器から排出されたガスを凝縮することにより未精製水素ガスを分離するステップと、C不活性ガスを上記未精製水素ガスに添加するステップと、D吸着塔に前記未精製水素ガスを供給し、圧力スイング吸着により精製するステップと、E上記吸着塔から排出される精製水素ガス中の不活性ガスを検出するステップとを備える。本発明により、たとえばArガスのような不活性ガスもしくは希ガスを用いることにより、吸着剤の動作寿命を検出する。不活性Arガスは微弱な吸着元素である。吸着剤がその吸着能力限界に近づくと、Arガスが吸着剤を通過してArガス検出器によって検出が可能となる。例えばArガスのような不活性ガスの含有量のパターン変化から、精製H2を全く汚染することなく、いつ吸着剤を新しいものと交換すべきであるかを正確に判定することができる。本発明は特に、多結晶シリコン製造工程にも適している。多結晶シリコン製造工程では、不純物汚染を厳密に防止することが求められている。多結晶シリコンの製造工程において、反応器内でクロロシランを水素ガスと反応させることにより、多結晶シリコンがシリコンシードロッド上に析出され、未反応の水素ガスが分離されて反応器に戻される。未反応の水素ガスは、反応器へ戻される前に精製される必要がある。本発明では、例えばArガスのような不活性ガスを用いることにより、吸着剤の動作寿命を検出する装置および方法を提供する。Arガスは、クロロシランもしくは水素ガスと反応せず、多結晶シリコンのシリコンシードロッド上への析出に影響を及ばすことがない。さらにArガスは、その精製H2中での容量がごく少量であれば、多結晶シリコン製造の操業に影響しない。次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明の精製水素ガス製造装置以下、PSA装置という。の概略を示したものである。このPSA装置は、ガス供給部3と、吸着剤もしくは吸着剤およびArガスのような不活性ガスが充填された吸着塔1と、検出器5とを備える。ガス供給部3は、例えばArガスのような不活性ガスが充填された圧縮不活性ガス用シリンダー3aと、流量調整弁3bとからなる。不活性ガスもしくはArガスを添加するガス供給部3は、不純物を含有する精製前の水素を供給するH2供給ライン2に接続される。吸着塔1は、通常4、10、もしくは12といった複数の吸着床を有する。ゼオライト、活性炭、カーボンモレキュラーシープ等が吸着剤として用いられる。吸着塔1は、その底部にてH2供給ライン2および再生ガス排出ライン7と接続され、その塔頂部にて精製H2排出ライン4および再生ガス供給ライン6と接続される。吸着床は通常、異なる重量の不純物を吸着するために、3つの領域に分割される。下部領域では通常、STCもしくはTCSのような重い分子量の不純物を吸着する。中間領域では、SiH3Cl、SiH4、PH3、もしくはAsH3のような中間の分子量の不純物を吸着する。上部領域ではN2もしくはArのような軽い分子量の不純物を吸着する。不活性ガス検出器、本例では例えばAr検出器5が、精製H2排出ライン4内に設けられる。GC-TCD、ガス密度計、もしくは熱伝導度ガス分析器等がAr検出器5として用いられる。本発明のPSA装置は、以下のように動作する。水素ガスが精製される間、H2供給ラインの弁2aと精製H2排出ラインの弁4aとが開放され、再生ガス供給弁6aと再生ガス排出ラインの弁7aとが閉鎖されて、絶対圧で、例えば約0.69MPaの高圧下で約2.41MPam3/sにて、吸着塔1に未精製水素ガスが継続的に供給され、吸着床図示せずを透過するようにする。不純化合物は吸着床に吸着され、精製水素ガスが精製H2排出ライン4を介して吸着塔1から排出される。水素ガスが精製されている間、流量調整弁3bが開放され、例えばArガスが圧縮不活性ガス用シリンダー3aから未精製水素ガスに添加される。Arガスは、例えば約11.50MPam3/s200ppmvolで、より好ましくは約8.63MPam3/s150ppmvolで提供される。水素ガス精製の早期段階では、Arガスの一部が吸着床に吸着される。しかしながらArガスは微弱な吸着元素であるため、Arガスは吸着床を透過することができ、Ar検出器5によって検出される。時間に対する吸着塔のArガス含有量は、図3に示すとおりである。精製ステップの最後に、吸着剤はその吸着能力限界に近づく。所定時間経過後、H2供給ラインの弁2aが閉鎖され、Arガスの吸着塔1への供給を停止する。次に精製H2排出ラインの弁4aが閉鎖され、再生ガス排出ラインの弁7aが開放される。その後、再生ガス排出ライン7から、絶対圧で例えば0.19MPaまで吸着塔1内の圧力が減圧される。このようにして吸着塔1内の圧力は、再生ガス排出ライン7から、例えば0.69MPaから0.19MPaまで減圧される。再生ステップにおいては、再生ガス供給弁6aが開放され、パージガスが吸着塔1内へ供給される。本発明において、水素ガスはパージガスとして使用される。その後、再生ガス排出ラインの弁7aが閉鎖されて、吸着塔1内の圧力が絶対圧で、例えば0.69MPaまで加圧される。これらの吸着、減圧、再生ステップが繰り返され、精製水素ガスが継続的にPSA処理ステップにおいて生成される。PSA処理ステップの繰り返しにより、吸着剤がその動作寿命の終わりに近づくと、吸着塔の圧力に対するArガスの含有量チャートの挙動が変化する。特に吸着の早期段階において、Ar含有量が増加すると、吸着剤がその吸着能力限界に近いという兆候である。精製水素ガスが不純物によって汚染される前に、吸着剤を交換することができる。図2は、PSA処理を精製水素の生成ステップに対応させた、多結晶シリコンの製造工程を説明するものである。この多結晶シリコン製造方法では、流動床塩化反応器11、複数の蒸留塔を備えた蒸留系12、気化器16、多結晶シリコン反応器10、凝縮器14、および蒸留塔13を備える。ライン40を介して供給された純度約98の冶金級シリコン粉略称Me-Siを、ライン41を介して供給された塩化水素ガスHClと反応させることにより、TCSが流動床塩化反応器11内で生成される。TCSが蒸留系12内で精製され、精製TCSとしての、蒸留物の蒸気留分が供給ライン30を介して気化器16に供給される。気化器16では、精製TCSが気化されてH2と混合され、混合ガスが原材料ガスとして多結晶シリコン反応器10へと供給される。多結晶シリコン反応器10は、複数の多結晶シリコンシードロッド図示せずを有する。シリコンシードロッドは加熱され、精製TCSおよびH2が反応器10へと供給される。多結晶シリコンがシリコンシードロッド上に析出される。この反応による排出ガスは、未反応TCS、未反応H2、HCl、STCSiCl4、DCSSiH2Cl2、およびその他のクロロシランを含有する。排出ガスは凝縮器14に供給され、TCS、STC、DCS、およびその他のクロロシランのようなクロロシラン類が凝縮され、凝縮器14内でH2およびHClを含有するガスから分離される。凝縮されたクロロシラン類は、蒸留塔13に供給され、蒸留塔13内でTCSが分離されて精製される。蒸留塔13内の精製TCSは、供給ライン31を介して気化器16に供給され、原材料として再利用される。凝縮器14内で分離されたH2およびHClを含有するガスは、HCl吸着塔15に供給される。HCl吸着塔15において、HClの大部分が吸着され、残余ガスが吸着塔17a、17b、17c、および17d以下、これらを総称して吸着塔17という。に供給される。Arガスのような不活性ガスを添加するガス供給部23は、HCl吸着塔15と吸着塔17との間に配置される。しかしながら、ガス供給部23はHCl吸着塔15の上流に位置付けられてもよい。ガス供給部23は、圧縮不活性ガス用シリンダー23aと流量調整弁23bとからなる。HCl吸着塔15から排出されるガスは、例えば約83.59重量のH2と、0.16重量のHClと、12.95重量のTCSと、0.07重量のSTCと、3.23重量のDCSとを含有する。ガス供給部23は、上記HCl吸着塔から排出される混合ガス中に、例えば0.05重量以上0.50重量以下の割合でArガスを供給するようになっている。より好ましくは、Arガスは、例えば約0.25重量から約0.35重量の間の割合で混合ガス中に供給される。吸着塔17には、例えば活性炭図示せずのような吸着剤が充填される。本実施形態においては、4つの吸着塔17a、17b、17c、および17dが一列に配列される。各吸着塔17a、17b、17c、および17dには、弁19a、19b、19c、19d以下、これを総称して弁19という。を介して排気口が接続され、弁20a、20b、20c、20d以下、これを総称して弁20という。を介して吸気口が接続され、弁21a、21b、21c、21d以下、これを総称して弁21という。を介して排気口が接続され、弁22a、22b、22c、22d以下、これを総称して弁22という。を介して吸気口が接続される。各吸着塔は、弁19、20、21、および22を制御することにより、各々異なる吸着ステップで操作される。例えば、吸着塔17aが吸着ステップ中であれば、HCl吸着塔15からのガスは、弁20aおよび21aを開放して弁19aおよび22aを閉鎖することにより、吸着塔17aを透過する。ガスが吸着塔17aを透過する間、HCl、TCS、STC、DCS、およびその他のクロロシランといった不純物は、底部床付近の活性炭によって捕えられ、吸着塔17a内で水素が精製される。吸着塔17aの吸着ステップの間、吸着塔17bは、弁19bを開放して弁22b、20b、および21bを閉鎖することにより減圧された後、弁22bを開放することにより、再生のために吸着塔17b内のH2によってパージが開始される。弁19bを介して吸着塔17bから排出される再生ガスは、他の吸着塔によって精製された後に再循環され、HCl吸着塔15の吸気口へと戻される図示せず。同時に、吸着塔17cは、弁22cを開放して弁19c、21c、および20cを閉鎖することにより加圧され、吸着塔17dは、弁21dを開放して弁19d、20d、および22dを閉鎖することによって待機ステップスタンバイにてオフラインとされる。このような4つの吸着塔からなるシステムの例が図2に示されている。以上に説明したように、弁19、20、21、および22は制御が可能であり、図3に示すようなガス流量、サイクルタイミング、およびAr含有量を生じさせる。吸着塔17を透過した精製水素は、供給ライン32を介して気化器16に供給され、原材料として再利用される。精製水素の一部は、吸着塔17での再生のために、供給ライン32から戻りライン33を介して吸着塔17に戻される。例えば、精製水素の純度は99.7であり、Ar含有量は0.3重量である。吸着塔17から排出されたArガスを検出するための、不活性ガス検出器、本例ではArガス検出器18が吸着塔17の下流に設けられる。本実施形態では、GC-TCDがAr検出器18として用いられる。以上のシステムの実施例を図3に示す。図3では、4つの吸着塔を吸着塔A、吸着塔B、吸着塔C及び吸着塔Dとして示す。図3は、吸着塔Bがオフラインでスタンバイモードである際の4つの連続的な塔動作における、3つの吸着塔以下、TWRという。A,C,Dの塔圧力MPaGと、時間分に対するAr含有量重量とを示すグラフである。各塔は、異なるサイクルで異なるときに吸着、減圧、再生の動作を行う。図3は時系列であり、各塔においてArガス含有量は時間の経過につれて変化する。たとえばTWR-Cにおいて、吸着サイクルの開始時には、0.2重量までの低下により他の塔よりも少ないAr吸着が観察され、その後0.3重量を超えるAr重量にてピークとなるように、他の塔よりも多いArガスブリーチが観察される。次の塔TWR-DにおけるArの最大重量は、TWR-Cより小さく、最終塔のTWR-Aより大きい。TWR-Cで観察されるArガスブリーチが最大となるとき、TWR-Cは吸着サイクル中であり、TWR-AはH2のパージサイクル中である。TWR-Dで観察される次にArガスブリーチが最大重量時には、TWR-Dは吸着サイクル中であり、TWR-CがH2のパージサイクル中である。TWR-Aで観察される最終的にArガスブリーチの重量が最小量となるとき、TWR-Aが吸着サイクル中であり、TWR-DがH2のパージサイクル中である。図3のデータは、以下の表1に示される。吸着サイクルは、TWR-C、TWR-D、TWR-Aの順で繰り返される。より少量のArガスが吸着され、より多量のArガスブリーチが見られると、活性炭の劣化を意味する。グラフにおいてAr含有量は、図3のAr曲線中、塔ごとに2度の変曲と2度の横ばい状態で示されるような変化をする。リサイクルされた再生ガスはより多量のArガスを含有するため、最初の横ばい状態は安定している。ブリーチされたArガスの飽和により、2度目の横ばい状態は安定している。吸着剤の吸着能力限界付近では、TWR-CのArガス含有量は、より多いArガスブリーチ量を示す。図3は、0.32重量の多量のArガスブリーチを示している。これは、吸着剤を新しいものに取り替えるべき兆候である。圧力スイング吸着システムを動作させるには、少なくとも2つの吸着塔が必要である。実施形態および実施例は説明のために述べられており、それに限定されるものではない。当業者により、添付の請求項に定義されるように、関連の保護範囲から逸脱することなく、変更および/もしくは修正がなされてよいことが理解されなければならない。"