窒化アルミニウム焼結体からなるセラミックス基板の表面に回路層となる金属板を接合してパワーモジュールを構成するためのパワーモジュール用セラミックス基板において、前記窒化アルミニウム焼結体は、JISZ8721に規定する明度がN4以下の黒色化窒化アルミニウム焼結体であることを特徴とするパワーモジュール用セラミックス基板。窒化アルミニウム焼結体に対して、高エネルギー線を照射することによって、JISZ8721に規定される明度がN4以下となるように黒色化することを特徴とする黒色化窒化アルミニウム焼結体からなるパワーモジュール用セラミックス基板の製造方法。しかしながら、パワーモジュール用基板の生産効率および接合信頼性の観点からは、余剰ろう材の流れ出し、乗り上げ等の問題を生じることなく、より短時間でかつ均質に、セラミックス基板と回路層となる金属板との接合を行うことが望まれる。そこで、本発明は、セラミックス基板と回路層となる金属板との接合に際し、ろう材の流れ出し、乗り上げ等の問題を生じることなく、より短時間で、しかも、接合温度のバラツキの少ない均熱条件下で接合を行い得る、パワーモジュール用セラミックス基板およびその製造方法を提供することを目的とする。前記課題を達成するために、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、以下の知見を得た。すなわち、従来からパワーモジュール用基板のセラミックス基板として用いられている各種セラミックス例えば、窒化アルミニウム以下、AlNで示す、酸化アルミニウム以下、Al2O3で示す、窒化珪素以下、Si3N4で示すについて、熱伝導性、曲げ強度、製造コストおよび接合性等の観点から特性比較を行うと、それぞれ一長一短があるものの、卓抜した熱伝導性の点からAlNがセラミックス基板として有望視されている。ところで、AlNは、通常褐色あるいは肌色の色調を呈しているが、セラミックス基板を構成するAlN焼結体の製造にあたり、AlNをより一層黒色化し、黒色化AlN基板をセラミックス基板として用いた場合には、回路層となる金属板とのろう接に際し、接合時の輻射による熱吸収効率を高めることができるため、ろう接による接合時間を短縮化することができ、しかも、接合温度のバラツキの少ない均熱条件下例えば、設定温度±1°C以内で接合を行うことができることから、接合に際し、余分なろう材を必要とせず、かつ、ろう材余剰分の流れ出し、乗り上げ等の問題発生を大幅に低減し得ることを見出したのである。本発明は、上記知見に基づいてなされたものであって、1窒化アルミニウム焼結体からなるセラミックス基板の表面に回路層となる金属板を接合してパワーモジュールを構成するためのパワーモジュール用セラミックス基板において、前記窒化アルミニウム焼結体は、JISZ8721に規定する明度がN4以下の黒色化窒化アルミニウム焼結体であることを特徴とするパワーモジュール用セラミックス基板。2窒化アルミニウム焼結体に対して、高エネルギー線を照射することによって、JISZ8721に規定される明度がN4以下となるように黒色化することを特徴とする黒色化窒化アルミニウム焼結体からなるパワーモジュール用セラミックス基板の製造方法。を特徴とするものである。本発明について、以下に詳細に説明する。図1に、本発明のセラミックス基板を用いたパワーモジュール用基板の概略斜視図を示す。図1において、パワーモジュール用基板1は、本発明のセラミックス基板2を有しており、このセラミックス基板2のパワーモジュール用基板の表側に回路層となる金属板、即ち、回路層用金属板3が積層されるとともに、裏面側に放熱のための熱伝導層となる熱伝導層用金属板4が積層された構成である。これら回路層用金属板3および熱伝導層用金属板4は、例えば、純Alにより形成されている。セラミックス基板2は、後述する黒色化AlN焼結体によって構成されている。ここで、セラミックス基板2の厚さは、例えば0.5~1.0mmであることが望ましい。そして、セラミックス基板2の下面には、例えば、Alのような高熱伝導率を有する金属により形成された熱伝導層用金属板4が、ろう材層図示せずによってセラミックス基板2に接合されている。ここで、熱伝導層用金属板4の厚さは、例えば0.1~5.0mmである。また、ろう材層は、例えばAl-Si系ろう材例えばAl:93重量、Si:7重量、厚さ10μm以上15μmまたはAl-Ge系のろう材により形成されていることが望ましい。また、セラミックス基板2の上面には、熱伝導層用金属板4と同様に、例えばAlのような高熱伝導率を有する金属により形成された回路層用金属板3が、間隔を適宜あけて配置されることで回路を構成する。そして、回路層用金属板3は、ろう材層図示せずによってセラミックス基板2に接合されている。ここで、回路層用金属板3の厚さは、例えば0.1~5.0mmである。また、ろう材層は、例えばAl-Si系またはAl-Ge系のろう材により形成されていることが望ましい。また、回路層用金属板3の上面には、電子部品図示せずがハンダ層によって固着される。ここで、電子部品としては、例えば半導体チップが適用可能であり、半導体チップとしてIGBTInsulatedGateBipolarTransistorなどのパワーデバイスが挙げられる。パワーモジュール用基板1に用いられる本発明のセラミックス基板2としては、例えば、以下に示す方法で製造される、JISZ8721に規定する明度がN4以下の黒色化AlN焼結体を用いる。そして、本発明のパワーモジュール用セラミックス基板2においては、上記黒色化AlN焼結体からなるセラミックス基板2を用いることによって、セラミックス基板2と回路層用金属板3との接合に際し、接合時の輻射による熱吸収効率を高めることができるため、接合時間を短縮化することができ、しかも、接合温度のバラツキの少ない均熱条件下で接合を行うことが可能となる。さらに、その結果として、余分なろう材を必要とせず、ろう材余剰分の流れ出し、乗り上げ等の問題発生を大幅に低減することができる。黒色化窒化アルミニウム黒色化AlN焼結体:通常、AlN焼結体は、褐色または肌色の色調を呈するが、これを黒色化するための手段としては、AlN粒子からなる原料粉末中に焼結助剤、添加物等を添加し、これを焼成することにより、黒色化AlN焼結体を得ることが既に知られている例えば、特公平5-64697号公報参照。しかし、焼結助剤、添加物等を使用して黒色化AlN焼結体を得た場合には、AlN焼結体の黒色化による輻射熱吸収効率の向上は図られるものの、その反面、不純物成分の増加により熱伝導性、強度、接合性等が低下するため、パワーモジュール用基板のセラミックス基板としては好ましくない。そこで、本発明では、焼結助剤、添加物等を添加することなく、AlN焼結体の製造工程において、高エネルギー線例えば、紫外線、X線の照射処理を行うことにより、AlN焼結体の黒色化を図ることとした。高エネルギー線の照射条件を適切に選択することによって、AlN焼結体の明度を調製し、黒色化AlN焼結体を得ることが可能となる。ここで、明度とは、物体表面の反射率が大きいか、小さいかを判定する視覚の属性を示す尺度であって、この表示方法は、JISZ8721に規定されている。上記明度がN4よりも大きい場合には、AlN焼結体の輻射熱吸収効率が高まらず、その結果として、接合時間の短縮化を図ることができず、また、均熱条件下例えば、設定温度に対する最大バラつき1.2°C以内でろう接を行うこともできないので、本発明では、AlN焼結体の黒色化の程度を、JISZ8721に規定される明度でN4以下とすることが必要である。黒色化AlN焼結体の製造方法:まず、還元窒化法によって得られた高純度純度97以上のAlN粉末を原料粉末として用意し、この高純度AlN粉末を、例えば、一軸加圧成形法やコールドアイソスタティックプレスCIP法によって成形して成形体を得た後、この成形体を、ホットプレス法やホットアイソスタティックプレスHIP法により、焼成圧力:300kgf/cm2以上、焼成温度:1750~1850°Cの還元性雰囲気中で焼成する。ついで、焼成後のAlN焼結体に対して、高エネルギー線を所定時間例えば、365nmの波長の紫外線を0.5~30分間照射することによって、JISZ8721に規定する明度がN4以下の黒色化AlN焼結体を得ることができる。上記の黒色化AlN焼結体を、パワーモジュール用基板におけるセラミックス基板として用いることにより、短時間で、かつ、基板内部での接合温度の最大バラツキが設定温度の1.2°C以内の均熱条件下で、ろう接を行うことができる。本発明のパワーモジュール用セラミックス基板によれば、セラミックス基板が黒色化AlN基板で構成されているため、セラミックス基板と回路層となる金属板とのろう接を行った際に、接合時の輻射による熱吸収効率を高めることができることから、短時間で、しかも、接合温度のバラツキの少ない均熱条件下でろう接を行うことができるとともに、余分なろう材を必要としないばかりか、ろう材の流れ出し、乗り上げ等の不具合のないすぐれたパワーモジュール用基板を提供し得るのである。以下に、本発明を実施例により説明する。まず、黒色化AlN焼結体からなる本発明のセラミックス基板を、以下のa~dの工程により作製した。すなわち、a還元窒化法によって得られた高純度純度97質量以上のAlN粉末を原料粉末として用意した。bこの高純度AlN粉末を、コールドアイソスタティックプレスCIP法によって成形し、成形体を得た。cこの成形体を、ホットアイソスタティックプレスHIP法により、焼成圧力:300kgf/cm2以上、焼成温度:1750~1850°Cの還元性雰囲気中で焼成した。d焼成後のAlN焼結体に対して、表1に示す条件で、高エネルギー線としての波長365nmの紫外線を照射し、厚さ約0.65mmの黒色化AlN焼結体からなる本発明セラミックス基板1~10を作製した。比較のために、a還元窒化法によって得られた高純度純度97質量以上のAlN粉末を原料粉末として用意し、bこの高純度AlN粉末を、コールドアイソスタティックプレスCIP法によって成形し、成形体を得て、cこの成形体を、ホットアイソスタティックプレスHIP法により、焼成圧力:300kgf/cm2以上、焼成温度:1750~1850°Cの還元性雰囲気中で焼成するd焼成後のAlN焼結体に対して、高エネルギー線照射を行わずに、あるいは、本発明範囲外の明度が得られる表1に示す条件で高エネルギー線照射を行うことにより、厚さ約0.65mmのAlN焼結体からなる比較例セラミックス基板11、12を作製した。ついで、本発明セラミックス基板1~10と比較例セラミックス基板11、12の黒色化の程度を測定し、明度を求めた。まず、黒色化の程度については、JournaloftheCeramicSocietyofJapan10110p.1189~1191DiscolorationofAluminaCeramicswithUltravioletRadiationandElucidationofItsMechanismにも紹介されているように、500Wのキセノンアークランプ波長範囲:230~1000nmを光源として用い、1~3分間、上記各セラミックス基板に照射し、300~700nmのDRS拡散反射スペクトルを、HitachiU-3200記録計で測定した。次いで、該測定値を、JISZ8721の規定にしたがって定量化した。即ち、JISZ8721では、理想的な黒の明度を0とし、理想的な白の明度を10とし、理想的な黒と理想的な白との間で、その色の明るさの知覚が等歩度となるように各色を10分割し、N0~N10の記号で表示しているので、本発明セラミックス基板1~10と比較例セラミックス基板11、12を構成するAlN焼結体の明度を求めるにあたり、N0~N10に対応する各標準色票と、AlN焼結体の表面色とを比較し、AlN焼結体の明度を決定した。この際、原則として小数点一位まで明度を決定し、かつ小数点一位の値は0または5とした。測定した明度を、表1に示す。次いで、図1、図2に示すように、回路層用金属板3および熱伝導層用金属板4を純度99.98の純Alで構成し、Al-Si系Alが93wt、Siが7wtのろう材を用いて、上記本発明セラミックス基板21~10、あるいは、比較例セラミックス基板211、12と、回路層用金属板3、熱伝導層用金属板4とをろう材層を介して仮固定した。ここで、熱伝導層用金属板4および回路層用金属板3の厚さは、約0.4mm、ろう材層の厚さは約13μmである。また、仮固定は、揮発性有機媒体オクタンジオールを用いて行った。次いで、熱伝導層用金属板4/ろう材層/本発明セラミックス基板21~10/ろう材層/回路層用金属板3、あるいは、熱伝導層用金属板4/ろう材層/比較例セラミックス基板211~13/ろう材層/回路層用金属板3という仮固定した積層構造体からなる試験片13を、図2に示す均熱性試験装置11に挿入した。図2の均熱性試験装置11は、黒鉛製支柱12と、試験片13を載置する黒鉛製基台14と、試験片13の上面を覆う黒鉛製上板15を備えた枠体で構成される。次いで、図2に示すように、黒鉛製上板15の4箇所に貫通穴16-1~16-4を形成し、該貫通穴16-1~16-4を通して、試験片13の温度測定点に対応する位置に接触させて熱電対17-1~17-4を挿入する。なお、本発明では、均熱性評価のための温度測定は、回路層用金属板3の4箇所、即ち、回路層用金属板3の短辺中央、長辺中央、中央、隅の4箇所とし、熱電対17-1~17-4を挿入する貫通穴16-1~16-4は、それぞれに対応する位置に形成した。ついで、上記均熱性試験装置11全体を加熱炉図示せずに装入し、真空雰囲気で、室温からろう接設定温度まで加熱昇温し、該ろう接設定温度に所定時間保持することにより、本発明パワーモジュール用基板2以下、本発明1~10というおよび比較例パワーモジュール用基板2以下、比較例11、12というを作製した。表2、表3に、上記で作製した本発明1~10および比較例11、12の、ろう接設定温度、該設定温度にまで加熱昇温するのに要した加熱時間を示し、また、ろう接設定温度に57分間保持した後で測定した試験片13の温度即ち、回路層用金属板3の短辺中央、長辺中央、中央、隅の4箇所の温度の最大のバラツキ温度を示した。さらに、表2、表3に、接合後のろう接部近傍のろう材の流れ出し、ろう材の乗り上げ状況を観察した観察結果を示す。なお、ろう材の流れ出しの有無の評価については、接合界面に必要なろう材が残っているか否かを超音波検査で測定し、超音波検査で接合界面の接合率が97.0以上である場合を流れ出し無とし、接合率が97.0未満である場合を流れ出し有と判定した。また、ろう材の乗り上げの有無の評価については、回路層用金属板3の表面に、該表面の10面積以上にろう材の乗り上げがある場合を乗り上げ有とし、乗り上げ面積が10面積未満である場合を乗り上げ無と判定した。表1~3に示す結果から、本発明1~10においては、そのセラミックス基板1~10がいずれもJISZ8721に規定する明度がN4以下の黒色化AlN焼結体で構成されており、このため、パワーモジュール用基板を作製する際の回路層用金属板、熱伝導層用金属板とのろう接を、短時間で、しかも、接合温度のバラツキの少ない均熱条件下で行う事ができ、さらにその結果として、ろう材の流れ出し、乗り上げ等の問題を生じることはない。しかるに、比較例11、12のセラミックス基板11、12は、いずれも、JISZ8721に規定する明度がいずれもN4を超えているために、接合に長時間を有し、接合温度のバラツキも見られ、さらに、ろう材の流れ出し、乗り上げ等の問題も発生した。