処理空間を画成する処理容器と、前記処理空間内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理空間の下方に設けられた下部電極と、前記処理空間の上方に設けられた上部電極であって、耐プラズマ性を有する被覆層が形成された該上部電極と、を備え、前記被覆層の表面が研磨されている、プラズマ処理装置。前記被覆層はY2O3層である、請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記被覆層の表面は、20000μm2以上30000μm2以下の表面積を有する、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。上述したようなプラズマ処理装置では、装置製造直後や上部電極といった部品の交換後に、シーズニング処理が行われる。このシーズニングに要する時間は比較的長いものである。したがって、当技術分野においては、シーズニングの時間を短縮できるプラズマ処理装置が要請されている。本発明の一側面に係るプラズマ処理装置は、処理容器、ガス供給部、下部電極、及び、上部電極を備えている。処理容器は、処理空間を画成している。ガス供給部は、処理空間内に処理ガスを供給する。下部電極は、処理空間の下方に設けられている。上部電極は、処理空間の上方に設けられており、当該上部電極には耐プラズマ性を有する被覆層が形成されている。当該被覆層の表面は研磨されている。一実施形態においては、この被覆層は、Y2O3層であってもよい。形成直後の被覆層を有する上部電極を備えたプラズマ処理装置において処理ガスによりプラズマエッチングを行うと、エッチング速度が、所定のシーズニングを経た被覆層を有する上部電極を用いた場合のエッチング速度よりも低くなる傾向がある。これは、被覆層を構成する元素との結合に消費されるラジカルの量が多くなるからであると推測される。なお、所定のシーズニングとは、例えば、所望のエッチング速度が安定して得られるように設定された条件で行われるシーズニングである。被覆層がY2O3の溶射により形成されている場合には、溶射直後においては、炭素及びフッ素を含むガスCF系ガスを用いたプラズマエッチングを行うと、Y2O3層のYとの結合に消費されるフッ素原子のラジカルの量が多くなるために、エッチング速度が低くなるものと推測される。本発明の一側面に係るプラズマ処理装置では、上部電極の被覆層の表面が研磨されている。したがって、被覆層の表面積は、形成直後の被覆層の表面より小さくなっている。即ち、被覆層の構成元素との結合に消費されるラジカルの量が低減されるよう、ラジカルと接触する被覆層の表面積が低減されている。その結果、所望のエッチング速度に近いエッチング速度を提供し得る上部電極が得られる。故に、シーズニングに要する時間が短縮され得る。一実施形態においては、被覆層の表面積は30000μm2以下であってもよい。また、被覆層の表面積は20000μm2以上であってもよい。このような表面積をもつ被覆層を有する上部電極によれば、所望のエッチング速度により近いエッチング速度が得られる。以上説明したように、本発明の一側面によれば、シーズニングの時間を短縮できるプラズマ処理装置が提供される。以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図1では、一実施形態に係るプラズマ処理装置の断面が示されている。図1に示すプラズマ処理装置10は、平行平板型のプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置10は、処理容器12を備えている。処理容器12は、略円筒形状を有しており、その内部空間として処理空間Sを画成している。プラズマ処理装置10は、処理容器12内に、略円板形状の台14を備えている。台14は、処理空間Sの下方に設けられている。台14は、例えばアルミニウム製であり、下部電極を構成している。一実施形態においては、プラズマ処理装置10は、筒状保持部16及び筒状支持部17を更に備えている。筒状保持部16は、台14の側面及び底面の縁部に接して、台14を保持している。筒状支持部17は、処理容器12の底部から垂直方向に延在し、筒状保持部16を介して台14を支持している。プラズマ処理装置10は、この筒状保持部16の上面に載置されるフォーカスリング18を更に備えている。フォーカスリング18は、例えば、シリコン又は石英から構成され得る。一実施形態においては、処理容器12の側壁と筒状支持部17との間には、排気路20が形成されている。排気路20の入口又はその途中には、バッフル板22が取り付けられている。また、排気路20の底部には、排気口24が設けられている。排気口24は、処理容器12の底部に嵌め込まれた排気管28によって画成されている。この排気管28には、排気装置26が接続されている。排気装置26は、真空ポンプを有しており、処理容器12内の処理空間Sを所定の真空度まで減圧することができる。処理容器12の側壁には、被処理基体Wの搬入出口を開閉するゲートバルブ30が取り付けられている。台14には、プラズマ生成用の高周波電源32が整合器34を介して電気的に接続されている。高周波電源32は、所定の高周波数例えば27MHz以上の高周波電力を下部電極、即ち、台14に印加する。プラズマ処理装置10は、更に、処理容器12内にシャワーヘッド38を備えている。シャワーヘッド38は、処理空間Sの上方に設けられている。シャワーヘッド38は、電極板40及び電極支持体42を含んでいる。電極板40は、略円板形状を有する導電性の板であり、上部電極を構成している。電極板40には、プラズマ生成用の高周波電源35が整合器36を介して電気的に接続されている。高周波電源35は、所定の高周波数例えば27MHz以上の高周波電力を電極板40に印加する。高周波電源32及び高周波電源35によって台14及び電極板40に高周波電力がそれぞれ与えられると、台14と電極板40との間の空間、即ち、処理空間Sには高周波電界が形成される。電極板40には、複数のガス通気孔40hが形成されている。電極板40は、電極支持体42によって着脱可能に支持されている。電極支持体42の内部には、バッファ室42aが設けられている。プラズマ処理装置10は、ガス供給部44を更に備えており、バッファ室42aのガス導入口25にはガス供給導管46を介してガス供給部44が接続されている。ガス供給部44は、処理空間Sに処理ガスを供給する。ガス供給部44は、例えば、CF系のエッチングガス等を供給し得る。電極支持体42には、複数のガス通気孔40hにそれぞれ連続する複数の孔が形成されており、当該複数の孔はバッファ室42aに連通している。したがって、ガス供給部44から供給されるガスは、バッファ室42a、ガス通気孔40hを経由して、処理空間Sに供給される。一実施形態においては、処理容器12の天井部に、環状又は同心状に延在する磁場形成機構48が設けられている。この磁場形成機構48は、処理空間Sにおける高周波放電の開始プラズマ着火を容易にして放電を安定に維持するよう機能する。一実施形態においては、台14の上面に静電チャック50が設けられている。静電チャック50は、電極52、並びに、一対の絶縁膜54a及び54bを含んでいる。電極52は、導電膜であり、絶縁膜54aと絶縁膜54bの間に設けられている。この電極52には、スイッチSWを介して直流電源56が接続されている。直流電源56から電極52に直流電圧が与えられると、クーロン力が発生し、当該クーロン力によって被処理基体Wが静電チャック50上に吸着保持される。一実施形態においては、プラズマ処理装置10は、ガス供給ライン58及び60、並びに、伝熱ガス供給部62及び64を更に備えている。伝熱ガス供給部62は、ガス供給ライン58に接続されている。このガス供給ライン58は、静電チャック50の上面まで延びて、当該上面の中央部分において環状に延在している。伝熱ガス供給部62は、例えばHeガスといった伝熱ガスを、静電チャック50の上面と被処理基体Wとの間に供給する。また、伝熱ガス供給部64はガス供給ライン60に接続されている。ガス供給ライン60は、静電チャック50の上面まで延びて、当該上面においてガス供給ライン58を囲むように環状に延在している。伝熱ガス供給部64は、例えばHeガスといった伝熱ガスを、静電チャック50の上面と被処理基体Wとの間に供給する。一実施形態においては、プラズマ処理装置10は、制御部66を更に備えている。この制御部66は、排気装置26、スイッチSW、高周波電源32、整合器34、高周波電源35、整合器36、ガス供給部44、並びに、伝熱ガス供給部62及び64に接続されている。制御部66は、排気装置26、スイッチSW、高周波電源32、整合器34、高周波電源35、整合器36、ガス供給部44、並びに、伝熱ガス供給部62及び64のそれぞれに制御信号を送出する。制御部66からの制御信号により、排気装置26による排気、スイッチSWの開閉、高周波電源32からの電力供給、整合器34のインピーダンス調整、高周波電源35からの電力供給、整合器36のインピーダンス調整、ガス供給部44による処理ガスの供給、伝熱ガス供給部62及び64それぞれによる伝熱ガスの供給が制御される。このプラズマ処理装置10では、ガス供給部44から処理空間Sに処理ガスが供給される。また、電極板40と台14との間、即ち処理空間Sにおいて高周波電界が形成される。これにより、処理空間Sにおいてプラズマが発生し、処理ガスに含まれる元素のラジカル等により、被処理基体Wのエッチングが行われる。以下、上部電極を構成する電極板40の構成について説明する。図2は、図1に示すプラズマ処理装置の上部電極を示す断面図である。図2に示すように、電極板40は、本体部40a、及び、被覆層40bを含んでいる。本体部40aは、略円板形状を有しており、例えば、アルミニウム製の表面を有する基材から構成されている。本体部40aは、ガス通気孔40hを画成する内面を有している。当該内面にはアルマイト処理が施されている。本体部40aの処理空間S側の面40sには、被覆層40bが形成されている。この被腹膜40bは、耐プラズマ性を有している。被覆層40bは、Y2O3の溶射により形成され得る。なお、被覆層40bの形成方法及び構成材料は限定されるものではない。被覆層40bは、溶射等による形成後に研磨されている。即ち、被覆層40bは、処理空間S側の表面として、研磨された表面40dを有している。このように研磨された表面40dの表面積は、形成直後の被覆層の表面積よりも、小さくなっている。したがって、被覆層40bの構成元素と結合するラジカルの量が低減される。その結果、電極板40の製造直後においても、所望のエッチング速度に近いエッチング速度を得ることが可能である。故に、プラズマ処理装置10によれば、シーズニングに要する時間が低減され得る。なお、被覆層40bの表面には、当該表面の研磨後に別の表面処理が施されていてもよい。当該表面処理には、例えば、ブラスト処理が含まれる。ブラスト処理に用いるセラミック粒子は、SiO2、Al2O3、Y2O3、又はSiCから構成され得る。一実施形態においては、被覆層40bの研磨された表面40dの表面積は、30000μm2以下であってもよい。また、表面40dの表面積は、20000μm2以上であってもよい。かかる表面積を有する被覆層40bによれば、電極板40の製造直後におけるエッチング速度が、所望のエッチング速度により近付けられ得る。以下、図3を参照する。図3は、被覆層40bの表面の研磨に用いられる研磨装置の一例を示している。図3に示すように、一例の研磨装置100では、回転軸104によって支持されたステージ102の上面に研磨パッド106が載置されている。この研磨パッド106上には、スラリー供給機構108からスラリーSrが供給される。スラリーSrとしては、ダイアモンド砥粒を含むスラリーが例示される。また、研磨パッド106の上方には、保持部110が設けられている。保持部110は、その下面に電極板40を保持することができる。保持部110は、支持部112によって支持されている。支持部112は、回転軸104の回転軸線X1に対して垂直な方向水平方向から保持部110を支持している。また、支持部112は、回転軸線X1と平行な軸線X2中心に回転可能なように、保持部110を支持している。この軸線X2は、軸線X1に対して水平方向に偏位している。電極板40が研磨パッド106に押し付けられると、電極板40及び保持部110は、軸線X2中心に回転するための力を研磨パッド106から受ける。研磨装置100では、研磨パッド106上にスラリーSrが供給され、当該研磨パッド106が回転される。そして、保持部110によって保持された電極板40被覆層40bが、研磨パッド106に押し付けられる。これにより、電極板40の被覆層40bを研磨することができる。なお、被覆層40bの表面積は、スラリーの砥粒径、回転軸104の回転速度、被覆層40bの研磨量研磨される厚みを調整することによって、変更可能である。以下、実施例を挙げて本発明について更に詳しく説明をするが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1~3において、被覆層40bとして異なる表面積を有する被覆層を用い、シーズニングを行い、その後、被処理基体Wの酸化膜、即ち、SiO2膜をエッチングして、エッチング速度を評価した。実施例1及び2の表面40dは、溶射によって形成したY2O3層を図3に示した研磨装置を用いて研磨することにより得た。実施例3の表面40dは、溶射によって形成した電極板Y2O3層を図3に示した研磨装置を用いて研磨した後、セラミック粒子SiO2を用いたブラスト処理を行うことにより得た。実施例1~3の表面40dの表面積はそれぞれ、22785μm2、27325μm2、25421μm2であった。なお、表面40dの表面積は、オリンパス株式会社製レーザ顕微鏡OLS3100を用い、当該レーザ顕微鏡の表面積測定モードを利用して測定した。また、比較例として、溶射によって形成したY2O3層を有する電極板を用いて、Y2O3層の表面に対してセラミック粒子SiO2を用いたブラスト処理を行い、実施例1~3と同様のシーズニングを行った後、SiO2膜をエッチングして、エッチング速度を評価した。比較例におけるY2O3層の表面の表面積は、39753μm2であった。なお、比較例では、Y2O3層の表面の研磨は行わなかった。実施例1~3及び比較例でのシーズニングの条件は以下の通りであった。処理空間Sの圧力:20mT下部電極への供給電力:0W上部電極への供給電力:2000W処理ガス:流量80sccmのC4F6、流量500sccmのCOの混合ガス伝熱ガス供給部62からのHeガスの圧力:15T伝熱ガス供給部64からのHeガスの圧力:40Tエッチング時間:120秒被処理基体Wのサイズ:300mmφまた、実施例1~3及び比較例でのエッチング条件は以下の通りであった。処理空間Sの圧力:20mT下部電極への供給電力:200W上部電極への供給電力:1800W処理ガス:流量135sccmのCHF3、流量465sccmのCO、流量18sccmのO2の混合ガス伝熱ガス供給部62からのHeガスの圧力:15T伝熱ガス供給部64からのHeガスの圧力:40Tエッチング時間:30秒被処理基体Wのサイズ:300mmφエッチング速度は、被処理基体Wのエッチング前後の厚みを、被処理基体Wの中心、及び中心から径方向に±30mm、±60mm、±90mm、±120mm、±130mm、±145mmの各点において計測し、得られた計測値の平均値を求め、当該平均値を1分あたりのエッチング速度に換算して、当該換算により得た値として求めた。実施例1~3のエッチング速度はそれぞれ、129.6nm/min、131.2mm/min、133.2mm/minであった。一方、比較例のエッチング速度は、127.4mm/minであった。実施例1~3によれば、比較例のエッチング速度よりも、所望のエッチング速度である132nm/minに近いエッチング速度が得られることが確認された。