銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆し、且つ、Au、Pt、Pd及びMoからなる群から選択された1種以上を含む被覆層とを備え、前記被覆層におけるAuの付着量が650μg/dm2以下、Ptの付着量が650μg/dm2以下、Pdの付着量が400μg/dm2以下、Moの付着量が1000μg/dm2以下であり、所定幅及び所定ピッチの回路を形成し、塩化第二銅濃度が2.0M、且つ、塩酸濃度が0~4.5Mの塩化第二銅水溶液、又は、塩化第二鉄濃度が3.2M、且つ、塩酸濃度が0~1.0Mの塩化第二銅水溶液を、50°Cで0.2MPaの圧力で噴射してエッチングしたとき、回路のボトム幅が回路ピッチの半分となるまでの時間が、前記被覆層が形成されていない場合よりも1s以上短いプリント配線板用銅箔。前記被覆層が、更にCo、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか一種以上を含む請求項1に記載のプリント配線板用銅箔。前記被覆層の表面または銅箔との間にCo、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む層を備えた請求項1又は2に記載のプリント配線板用銅箔。請求項1~3のいずれかに記載の銅箔と樹脂基板との積層体。銅層と樹脂基板との積層体であって、前記銅層の表面の少なくとも一部を被覆する請求項1~3のいずれかに記載の被覆層を備えた積層体。前記樹脂基板がポリイミド基板である請求項4又は5に記載の積層体。請求項4~6の何れかに記載の積層体を材料としたプリント配線板。請求項1~3のいずれかに記載の銅箔で構成された圧延銅箔又は電解銅箔を準備する工程と、前記銅箔の被覆層をエッチング面として該銅箔と樹脂基板との積層体を作製する工程と、前記積層体を塩化第二鉄水溶液又は塩化第二銅水溶液を用いてエッチングし、銅の不必要部分を除去して銅の回路を形成する工程と、を含む電子回路の形成方法。しかしながら、高密度実装基板に対して近年要求されるレベルの精密な回路を形成するためには、銅箔のエッチング性が単純に良好であるというだけでは足りない。すなわち、近年求められるエッチング性とは、回路間の絶縁部に表面処理由来の金属が残存しないこと、回路の裾引きが小さいことをいう。回路間の絶縁部に金属が残存していれば、回路間で短絡が起こってしまう。また、回路形成のエッチングでは、回路上面から下絶縁基板側に向かって、末広がりにエッチングされ、回路の断面は台形になる。この台形の上底と下底との差以下裾引きと呼ぶが小さければ、回路間のスペースを狭くでき、高密度配線基板が得られる。裾引きが大きければ、回路間のスペースを狭くすると回路が短絡するので、高密度実装基板を製造することができない。これに対し、特許文献1に開示された発明は、貴金属で構成された被覆層を銅箔の粗化面に形成しているため、サイドエッチを抑制するものではなく、裾引きの小さい回路を良好に作製することが難しい可能性がある。また、エッチングは銅基材の厚み方向と平面方向とで進行するが、このとき、エッチング時間が長いと銅基材の平面方向にエッチングが進行することで回路の断面積が減少してしまうという問題がある。このような平面方向のエッチングを抑制するには、厚み方向優先の異方性エッチングを行う方法や、厚みの薄い銅基材を使用して回路を形成することでエッチング時間を短くする方法が考えられる。しかしながら、前者の方法ではエッチング時間が長くなり、後者の方法では回路断面積が減少して導体抵抗が増加するという問題を引き起こす可能性がある。そこで、本発明は、ファインピッチ化に適した、裾引きが小さい断面形状の回路を、良好な製造効率で製造可能なプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層板を提供することを課題とする。本発明者は鋭意検討の結果、微量の貴金属を銅箔のエッチング面に層として付着させた場合に、形成された回路の裾引きが小さくなり、これにより高密度実装基板の形成が可能となることを見出した。このような構成は、特許文献1に記載された貴金属で構成された被覆層を銅箔の粗化面に形成する構成とは全く異なる思想に基づくものであり、その効果も大きく異なるものである。さらに、このように微量の貴金属を銅箔のエッチング面に層として付着させることで、エッチング時間が短くなり、回路の製造効率が良好となることを見出した。以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆し、且つ、Au、Pt、Pd及びMoからなる群から選択された1種以上を含む被覆層とを備え、前記被覆層におけるAuの付着量が650μg/dm2以下、Ptの付着量が650μg/dm2以下、Pdの付着量が400μg/dm2以下、Moの付着量が1000μg/dm2以下であり、所定幅及び所定ピッチの回路を形成し、塩化第二銅濃度が2.0M、且つ、塩酸濃度が0~4.5Mの塩化第二銅水溶液、又は、塩化第二鉄濃度が3.2M、且つ、塩酸濃度が0~1.0Mの塩化第二銅水溶液を、50°Cで0.2MPaの圧力で噴射してエッチングしたとき、回路のボトム幅が回路ピッチの半分となるまでの時間が、前記被覆層が形成されていない場合よりも1s以上短いプリント配線板用銅箔である。本発明に係るプリント配線板用銅箔の一実施形態においては、前記被覆層が、更にCo、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか一種以上を含む。本発明に係るプリント配線板用銅箔の別の実施形態においては、前記被覆層の表面または銅箔との間にCo、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む層を備える。本発明は、別の一側面において、本発明の銅箔と樹脂基板との積層体である。本発明は、更に別の一側面において、銅層と樹脂基板との積層体であって、銅層の表面の少なくとも一部を被覆する本発明の被覆層を備えた積層体である。本発明に係る積層体の一実施形態においては、樹脂基板がポリイミド基板である。本発明は、更に別の一側面において、本発明の積層体を材料としたプリント配線板である。本発明は、更に別の一側面において、本発明の銅箔で構成された圧延銅箔又は電解銅箔を準備する工程と、前記銅箔の被覆層をエッチング面として該銅箔と樹脂基板との積層体を作製する工程と、前記積層体を塩化第二鉄水溶液又は塩化第二銅水溶液を用いてエッチングし、銅の不必要部分を除去して銅の回路を形成する工程とを含む電子回路の形成方法である。本発明によれば、ファインピッチ化に適した、裾引きが小さい断面形状の回路を、良好な製造効率で製造可能なプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層板を提供することができる。銅箔基材本発明に用いることのできる銅箔基材の形態に特に制限はないが、典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で用いることができる。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。屈曲性が要求される用途には圧延銅箔を適用することが多い。銅箔基材の材料としてはプリント配線板の導体パターンとして通常使用されるタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語銅箔を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。本発明に用いることのできる銅箔基材の厚さについても特に制限はなく、プリント配線板用に適した厚さに適宜調節すればよい。例えば、5~100μm程度とすることができる。但し、ファインパターン形成を目的とする場合には30μm以下、好ましくは20μm以下であり、典型的には5~20μm程度である。本発明に使用する銅箔基材は、特に限定されないが、例えば、粗化処理をしないものを用いても良い。従来は特殊めっきで表面にμmオーダーの凹凸を付けて表面粗化処理を施し、物理的なアンカー効果によって樹脂との接着性を持たせるケースが一般的であるが、一方でファインピッチや高周波電気特性は平滑な箔が良いとされ、粗化箔では不利な方向に働くことがある。また、粗化処理をしないものであると、粗化処理工程が省略されるので、経済性生産性向上の効果がある。1被覆層の構成銅箔基材の絶縁基板との接着面の反対側回路形成予定面側の表面の少なくとも一部には、被覆層が形成されている。被覆層は、Au、Pt、Pd及びMoからなる群から選択された1種以上を含んでいる。Au、Pt、Pd及びMo以外の金属としては、Co、Ni、Cr、Sn、V及びZnからなる群から選択された1種以上を挙げることができる。このように貴金属を銅箔のエッチング面に微量付着させると、形成された回路の裾引きが小さくなる。これにより、銅箔の厚みが薄くなくても裾引きが小さい回路を形成することが可能となるため、高密度実装基板の形成が可能となる。被覆層の厚さはAu、Pt、Pdは0.1~3.0nm、好ましくは0.5~2.0nm、Moであれば0.1~10nm、好ましくは0.5~5.0nmである。被覆層の厚さが0.1nm未満では、エッチング促進効果が不十分でブランク材と同程度のエッチング時間を要する。一方、Au、Pt、Pdであれば3.0nm、Moであれば10nmを超えると初期エッチング性が劣化するおそれがあるので、やはりブランク材と同程度以上のエッチング時間を要する。Au、Pt、Pd及びMoを覆う最上層の厚みは3.0nmを超えると初期エッチング性が劣化してブランク材と同程度以上のエッチング時間を要するおそれがあるので、3.0nm以下が好ましい。2被覆層の同定被覆層の同定はXPS、若しくはAES等表面分析装置にて表層からアルゴンスパッタし、深さ方向の化学分析を行い、夫々の検出ピークの存在によって同定することができる。3付着量被覆層がAuを含む場合は、Auの付着量が650μg/dm2以下であり、好ましくは40~650μg/dm2であり、より好ましくは70~420μg/dm2である。被覆層がPtを含む場合は、Ptの付着量が650μg/dm2以下であり、好ましくは40~650μg/dm2であり、より好ましくは70~420μg/dm2である。被覆層がPdを含む場合は、Pdの付着量が400μg/dm2以下であり、好ましくは20~400μg/dm2であり、より好ましくは50~240μg/dm2である。被覆層がMoを含む場合は、Moの付着量が1000μg/dm2以下であり、好ましくは20~1000μg/dm2であり、より好ましくは40~600μg/dm2である。被覆層のAuの付着量が650μg/dm2超、被覆層のPtの付着量が650μg/dm2超、被覆層のPdの付着量が400μg/dm2超、及び、被覆層のMoの付着量が1000μg/dm2超であると、それぞれ初期エッチング性が劣化するので、エッチング促進効果は発現すると推定されるもののエッチングに要する総時間はブランク材と同等以上となる。また、被覆層が、Co及びNiを含む場合、Coの付着量は300μg/dm2以下であり、好ましくは50~250μg/dm2である。また、Niの付着量は300μg/dm2以下であり、好ましくは50~250μg/dm2である。被覆層のCo及びNiの付着量がそれぞれ300μg/dm2超であると、初期エッチング性が劣化するので、エッチング促進効果は発現すると推定されるもののエッチングに要する総時間はブランク材と同等以上となる。4エッチング時間本発明に係るプリント配線板用銅箔は、所定幅及び所定ピッチの回路を形成し、塩化第二銅濃度が2.0M、且つ、塩酸濃度が0~4.5Mの塩化第二銅水溶液、又は、塩化第二鉄濃度が3.2M、且つ、塩酸濃度が0~1.0Mの塩化第二銅水溶液を、50°Cで0.2MPaの圧力で噴射してエッチングしたとき、回路のボトム幅が回路ピッチの半分となるまでの時間が、前記被覆層が形成されていない場合よりも1s以上短い。本発明に係るプリント配線板用銅箔は、上述のように、微量の貴金属を銅箔のエッチング面に層として付着させているため、エッチング時間が短くなり、回路の製造効率が良好となる。さらに、エッチング時間が短いため、平面方向のエッチングの進行が抑制され、回路の断面積が増加するという利点も有する。ここで、微量の貴金属を銅箔のエッチング面に層として付着させることで、エッチング時間が短くなる原理について説明する。レジスト裏側に残存した貴金属がエッチング液を還元するため、銅基材の厚み方向に腐食が進行する。このとき、被覆層と銅基材との間で局部電池効果が発現している被覆層にエッチング液還元用の電子を供給するために、回路ボトム相当位置で銅基材の酸化が起こる。すなわち、回路ボトム相当位置の銅基材の腐食はエッチング液による効果と局部電池効果とで進行するため、上記被覆層を形成していない場合に比べて短時間で回路を形成することができる。また、塩化第二銅エッチングでは、CuCu22Cl→2CuCl↓CuCl↓Cl→CuCl2の2段階の反応が起こる。生じた不溶性の塩CuClにClが配位して、不溶性の塩が溶解する錯体CuCl2が生成ことでエッチングが進行する。塩酸はClの供給源として不溶性塩の溶解を促進するために加えられる。このため、塩酸濃度が低いと、表面処理が施されていないブランク材であればエッチング時間がより長くなるが、本発明に係る表面処理銅箔は、ブランク材よりもエッチング時間が短くて済むこととなる。被覆層上の最表層には、防錆効果を高めるために、またはエッチング中にレジストが銅基材から剥がれることを防止するために、さらに、Co、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む層、及び/又は、シラン処理層で構成された防錆処理層を形成することができる。また、被覆層と銅箔との間に、さらに加熱処理による酸化を抑制するため、耐酸化性を有する下地層としてのCo、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む層を形成してもよい。銅箔の製造方法本発明に係るプリント配線板用銅箔は、スパッタリング法により形成することができる。すなわち、スパッタリング法によって銅箔基材の表面の少なくとも一部を、被覆層により被覆する。具体的には、スパッタリング法によって、銅箔のエッチング面側に銅よりもエッチングレートの低いAu、Pt、Pd及びMoからなる群から選択された1種以上からなる層を形成する。被覆層は、スパッタリング法に限らず、例えば、電気めっき、無電解めっき等の湿式めっき法で形成してもよい。また、このとき、被覆層は、さらにCo、Ni、Cr、Sn、V及びZnからなる群から選択された1種以上を加えて形成してもよい。また、本発明に係るプリント配線板用銅箔は、スパッタリング処理を行う前に、前処理として、銅箔表面に公知の手段により酸化膜の除去等を行うことが好ましい。プリント配線板の製造方法本発明に係る銅箔を用いてプリント配線板PWBを常法に従って製造することができる。以下に、プリント配線板の製造方法の例を示す。まず、銅箔と絶縁基板とを貼り合わせて積層体を製造する。銅箔が積層される絶縁基板はプリント配線板に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドPWB用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、FPC用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム等を使用する事ができる。貼り合わせの方法は、リジッドPWB用の場合、ガラス布などの基材に樹脂を含浸させ、樹脂を半硬化状態まで硬化させたプリプレグを用意する。銅箔を被覆層の反対側の面からプリプレグに重ねて加熱加圧させることにより行うことができる。フレキシブルプリント配線板FPC用の場合、ポリイミドフィルム又はポリエステルフィルムと銅箔とをエポキシ系やアクリル系の接着剤を使って接着することができる3層構造。また、接着剤を使用しない方法2層構造としては、ポリイミドの前駆体であるポリイミドワニスポリアミック酸ワニスを銅箔に塗布し、加熱することでイミド化するキャスティング法や、ポリイミドフィルム上に熱可塑性のポリイミドを塗布し、その上に銅箔を重ね合わせ、加熱加圧するラミネート法が挙げられる。キャスティング法においては、ポリイミドワニスを塗布する前に熱可塑性ポリイミド等のアンカーコート材を予め塗布しておくことも有効である。本発明に係る積層体は各種のプリント配線板PWBに使用可能であり、特に制限されるものではないが、例えば、導体パターンの層数の観点からは片面PWB、両面PWB、多層PWB3層以上に適用可能であり、絶縁基板材料の種類の観点からはリジッドPWB、フレキシブルPWBFPC、リジッドフレックスPWBに適用可能である。また、本発明に係る積層体は、銅箔を樹脂に貼り付けてなる上述のような銅張積層板に限定されず、樹脂上にスパッタリング、めっきで銅層を形成したメタライジング材であってもよい。上述のように作製した積層体の銅箔上に形成された被覆層表面にレジストを塗布し、マスクによりパターンを露光し、現像することによりレジストパターンを形成する。続いて、レジストパターンの開口部に露出した被覆層を、試薬を用いて除去する。当該試薬としては、塩酸、硫酸又は硝酸を主成分とするものを用いるのが、入手しやすさ等の理由から好ましい。貴金属層は非常に薄いため、製造時の熱履歴で銅箔基材の銅と適度に拡散し合っており、この拡散によって最表層近傍にまで達した銅原子が大気又はレジストの乾燥工程の加熱で酸化され、酸化銅が生成する。拡散により形成された貴金属/銅の合金層中におけるこの酸化銅は酸で容易に溶解するため、同時に貴金属も除去される。よって耐腐食性がある貴金属層であっても、レジストパターンの開口部に露出した部分から用意に除去することが可能となる。次に、積層体をエッチング液に浸漬する。このとき、エッチングを抑制する白金、パラジウム、及び、金のいずれか1種以上を含む被覆層は、銅箔上のレジスト部分に近い位置にあり、レジスト側の銅箔のエッチングは、この被覆層近傍がエッチングされていく速度よりも速い速度で、被覆層から離れた部位の銅のエッチングが進行することにより、銅の回路パターンのエッチングがほぼ垂直に進行する。これにより銅の不必要部分を除去されて、次いでエッチングレジストを剥離除去して回路パターンを露出することができる。積層体に回路パターンを形成するために用いるエッチング液に対しては、被覆層のエッチング速度は、銅よりも十分に小さいためエッチングファクターを改善する効果を有する。エッチング液は、塩化第二銅水溶液、又は、塩化第二鉄水溶液等を用いることができる。また、被覆層を形成する前に、あらかじめ銅箔基材表面に耐熱層を形成しておいてもよい。プリント配線板の銅箔表面の回路形状上述のように被覆層側からエッチングされて形成されたプリント配線板の銅箔表面の回路は、その長尺状の2つの側面が絶縁基板上に垂直に形成されるのではなく、通常、銅箔の表面から下に向かって、すなわち樹脂層に向かって、末広がりに形成されるダレの発生。これにより、長尺状の2つの側面はそれぞれ絶縁基板表面に対して傾斜角θを有している。現在要求されている回路パターンの微細化ファインピッチ化のためには、回路のピッチをなるべく狭くすることが重要であるが、この傾斜角θが小さいと、それだけダレが大きくなり、回路のピッチが広くなってしまう。また、傾斜角θは、通常、各回路及び回路内で完全に一定ではない。このような傾斜角θのばらつきが大きいと、回路の品質に悪影響を及ぼすおそれがある。従って、被覆層側からエッチングされて形成されたプリント配線板の銅箔表面の回路は、長尺状の2つの側面がそれぞれ絶縁基板表面に対して65~90°の傾斜角θを有し、且つ、同一回路内のtanθの標準偏差が1.0以下であるのが望ましい。また、エッチングファクターとしては、回路のピッチが50μm以下であるとき、1.5以上であるのが好ましく、2.5以上であるのが更に好ましい。以下、本発明の実施例を示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。例1:実施例1~24被覆層の形成実施例1~24の銅箔基材として厚さ8又は17μm厚の圧延銅箔JX日鉱日石金属社製C1100を用意した。銅箔の表面に付着している薄い酸化膜を逆スパッタにより取り除き、Au、Pt、Pd、Mo、Ni、Co、Cr、Sn、Zn、V、又はこれらの合金のターゲットを以下の装置及び条件でスパッタリングすることにより、メッキ銅層表面に被覆層を形成した。スパッタリングに使用した各種金属の単体は純度が3Nのものを用いた。また、NiVVは7質量、NiZnZnは20質量、NiSnSnは20質量等を具体的な合金ターゲットとして用いた。成膜順はAu、Pd、Pt及びMoのいずれかの層を形成した上に、Co、Ni、Cr、Sn、V、Znのいずれか1種以上からなる層とした。装置:バッチ式スパッタリング装置アルバック社、型式MNS-6000到達真空度:1.0×105Paスパッタリング圧:0.2Pa逆スパッタ電力:50W逆スパッタ時間:300秒スパッタリング電力:50W成膜速度:各ターゲットについて一定時間約0.2μm成膜し、3次元測定器で厚さを測定し、単位時間当たりのスパッタレートを算出した。装置:バッチ式スパッタリング装置アルバック社、型式MNS-6000到達真空度:1.0×105Paスパッタリング圧:0.2Pa上述の被覆層が形成された表面の反対側の銅箔基材表面に対して、以下の条件であらかじめ銅箔基材表面に付着している薄い酸化膜を逆スパッタにより取り除き、Ni及びCr単層のターゲットをスパッタリングすることにより、Ni層及びCr層を順に成膜した。Ni層及びCr層の厚さは成膜時間を調整することにより変化させた。装置:バッチ式スパッタリング装置アルバック社、型式MNS-6000到達真空度:1.0×105Paスパッタリング圧:0.2Pa逆スパッタ電力:100Wターゲット:Ni層用=Ni純度3NCr層用=Cr純度3Nスパッタリング電力:50W成膜速度:各ターゲットについて一定時間約0.2μm成膜し、3次元測定器で厚さを測定し、単位時間当たりのスパッタレートを算出した。<付着量の測定>被覆層の付着量測定は、50mm×50mmの銅層表面の皮膜をHNO32重量とHCl5重量を混合した溶液に銅層の半分程度を溶解し、その溶液中の金属濃度をICP発光分光分析装置エスアイアイナノテクノロジー株式会社製、SFC-3100にて定量し、単位面積当たりの金属量μg/dm2を算出した。銅箔基材のNi層及びCr層形成側表面に接着剤付きポリイミドフィルムニッカン工業性、CISV1215を圧力7kgf/cm2、160°C、40分の条件で接着した。エッチングによる回路形状銅箔の表面処理層が形成された面に感光性レジスト塗布及び露光工程により10本の21μmまたは33μm幅の回路を印刷し、銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を以下の条件で実施した。<エッチング条件>エッチングは、下記の条件でスプレーエッチング装置を用いて行った。液組成下記2系統のエッチング液でそれぞれ評価した。1塩化第二銅2.0M塩酸1.5M、3.0M、4.5M2塩化第二鉄3.2M塩酸0M、1.0Mスプレー圧:0.2MPa液温:50°C30μmピッチ回路形成8μm厚銅箔の場合レジストL/S=21μm/9μm仕上がり回路ボトム底部幅:15μmエッチング終点の確認:時間を変えてエッチングを数水準行い、光学顕微鏡で回路間に銅が残存しなくなるのを確認し、これをエッチング時間とした。エッチング後、45°CのNaOH水溶液100g/Lに1分間浸漬させてレジストを剥離した。40μmピッチ回路形成17μm厚銅箔の場合レジストL/S=33μm/7μm仕上がり回路ボトム底部幅:20μmエッチング終点の確認:時間を変えてエッチングを数水準行い、光学顕微鏡で回路間に銅が残存しなくなるのを確認し、これをエッチング時間とした。エッチング後、45°CのNaOH水溶液100g/Lに1分間浸漬させてレジストを剥離した。<エッチングファクターの測定条件>エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合ダレが発生した場合、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅層からの垂線と樹脂基板との交点からのダレの長さの距離をaとした場合において、このaと銅層の厚さbとの比:b/aを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。図1に、回路パターンの一部の表面写真と、当該部分における回路パターンの幅方向の横断面の模式図と、該模式図を用いたエッチングファクターの計算方法の概略とを示す。このaは回路上方からのSEM観察により測定し、エッチングファクターEF=b/aを算出した。このエッチングファクターを用いることにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。測定範囲は回路長600μmで、12点のエッチングファクター、その標準偏差及び平均値を結果として採用した。例2:実施例25実施例25として、17μm厚の圧延銅箔日鉱金属製C1100を用意した。例1の手順で銅層の酸化物を取り除き、Pd層を形成した後に、NiV層をスパッタリングにより形成した。その後、例1の手順でエッチング性等を評価した。例3:比較例1及び11比較例1及び11として、8又は17μm厚の圧延銅箔日鉱金属製C1100を用意した。次に、銅層に感光性レジスト塗布及び露光工程により10本の回路を印刷し、さらに銅層の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。例4:比較例2~10比較例2~10として、8μm厚の圧延銅箔日鉱金属製C1100を準備し、例1と同じ手順で銅層表面に種々の金属で構成された表面処理層をスパッタリングで形成し、エッチングで回路を形成した。例1~4の各試験条件及び測定結果を表1~3に示す。また、図2及び3に、それぞれ実施例24、比較例11の回路写真を示す。<評価>実施例1~25は、いずれの条件においても、ブランク材比較例1又は11よりもエッチングファクターが大きな値となり、回路のボトム幅が回路ピッチの半分となるまでのエッチング時間が1s以上短かった。比較例2~10はブランク材比較例1と比べるとエッチングファクターが高いものの、回路のボトム幅が回路ピッチの半分となるまでのエッチング時間が同等か又は長かった。また、実施例と比較した場合はこれらのエッチングファクターは低い。また、塩酸濃度が薄くなるほど、実施例に係る表面処理銅箔のエッチング終了までの時間がブランク材よりも短くなっている。例えば、実施例1と比較例1とを対比すると、塩酸濃度が4.5Mのとき、比較例1は33秒、実施例1は30秒となっている差は3秒。一方、塩酸濃度が1.5Mのときは、比較例1は53秒、実施例1は45秒となっている差は8秒。このため、例えば実施例1は比較例1に対して、エッチング液の塩酸濃度がOMの場合でも、エッチング終了までの時間が少なくとも8秒は短くなることがわかる。