"支持部材と、前記支持部材上に、第1導電性半導体層、第2導電性半導体層、及び前記第1導電性半導体層と前記第2導電性半導体層との間に形成される活性層を含む発光構造物と、を含んでなり、前記活性層は、一つ以上の量子井戸層及び障壁層と、前記一つ以上の量子井戸層のうち、前記第1導電性半導体層に最も近接している第1量子井戸層と前記第1導電性半導体層との間に配置される電位障壁層と、前記電位障壁層と前記第1量子井戸層との間に形成され、前記一つ以上の障壁層と異なる厚さを有する非ドープの障壁層と、を含む、発光素子。前記一つ以上の量子井戸層のうち、前記第2導電性半導体層に最も近接している第2量子井戸層と前記第2導電性半導体層との間に配置される電位補償層をさらに含む、請求項1に記載の発光素子。前記電位補償層は、前記電位障壁層より厚く、前記非ドープのバリアー層よりは薄い、請求項2に記載の発光素子。前記電位補償層は、前記障壁層と同一の厚さを有する、請求項2に記載の発光素子。前記非ドープの障壁層は、前記障壁層の厚さの1.5倍~7.5倍の厚さを有する、請求項4に記載の発光素子。前記非ドープの障壁層は、前記電位障壁層の厚さの7.5倍~100倍の厚さを有する、請求項5に記載の発光素子。前記電位障壁層は、InNを含む、請求項1に記載の発光素子。前記電位補償層は、C、Si、Ge、及びSnのうちの少なくとも一つを含む、請求項2に記載の発光素子。前記電位補償層は、30Å~150Åの厚さを有する、請求項2に記載の発光素子。前記電位障壁層は、3.5Å~40Åの厚さを有する、請求項1に記載の発光素子。前記電位障壁層は2つ以上である、請求項1に記載の発光素子。前記InNの含量は80乃至100である、請求項7に記載の発光素子。ボディーと、前記ボディーに形成される第1及び第2リードフレームと、前記ボディーに実装され、前記第1及び第2リードフレームに電気的に連結される発光素子と、を含んでなり、前記発光素子は、支持部材と、前記支持部材上に、第1導電性半導体層、第2導電性半導体層、及び前記第1導電性半導体層と前記第2導電性半導体層との間に形成される活性層を含む発光構造物と、を含み、前記活性層は、一つ以上の量子井戸層及び障壁層と、前記一つ以上の量子井戸層のうち、前記第1導電性半導体層に最も近接している第1量子井戸層と前記第1導電性半導体層との間に配置される電位障壁層と、前記電位障壁層と前記第1量子井戸層との間に形成され、前記一つ以上の障壁層と異なる厚さを有する非ドープの障壁層と、を含む、発光素子パッケージ。ボディーと、前記ボディーに配置され、発光素子が実装される発光素子モジュールと、を含んでなり、前記発光素子は、支持部材と、前記支持部材上に、第1導電性半導体層、第2導電性半導体層、及び前記第1導電性半導体層と前記第2導電性半導体層との間に形成される活性層を含む発光構造物と、を含み、前記活性層は、一つ以上の量子井戸層及び障壁層と、前記一つ以上の量子井戸層のうち、前記第1導電性半導体層と最も近接している第1量子井戸層と前記第1導電性半導体層との間に配置される電位障壁層と、前記電位障壁層と前記第1量子井戸層との間に形成され、前記一つ以上の障壁層と異なる厚さを有する非ドープの障壁層と、を含む、照明装置。したがって、本発明の目的は、パッケージ内にESD素子を別に組み込まずともESDに対する耐性を持たせ、且つESD防止による順方向電圧降下を防止する発光素子を提供することにある。また、本発明の他の目的は、ESDに対する耐性を向上させながらも、光度低下を最小化する発光素子を提供することにある。実施例による発光素子は、支持部材と、支持部材上に第1導電性半導体層、第2導電性半導体層、及び第1導電性半導体層と第2導電性半導体層との間に形成される活性層を含む発光構造物と、を含んでなり、活性層は、一つ以上の量子井戸層及び障壁層と、一つ以上の量子井戸層のうち、第1導電性半導体層に最も近接している第1量子井戸層と第1導電性半導体層との間に配置される電位障壁層と、電位障壁層と第1量子井戸層との間に形成され、一つ以上の障壁層と異なる厚さを有する非ドープの障壁層と、を含む。この発光素子は、一つ以上の量子井戸層のうち、第2導電性半導体層に最も近接している第2量子井戸層と第2導電性半導体層との間に配置される電位補償層をさらに含む。また、電位補償層は、電位障壁層より厚く、非ドープのバリアー層よりは薄く形成される。また、電位補償層は、障壁層と同一の厚さを有する。また、非ドープの障壁層は、障壁層の厚さの1.5倍~7.5倍の厚さを有する。また、非ドープの障壁層は、電位障壁層の厚さの7.5倍~100倍の厚さを有する。また、電位障壁層はInNを含む。また、電位補償層は、C、Si、Ge、及びSnのうちの少なくとも一つを含む。また、電位補償層は、30Å~150Åの厚さを有する。また、電位障壁層は、3.5Å~40Åの厚さを有する。また、電位障壁層は、2以上の個数を有する。また、電位障壁層のInNの含量は、80乃至100である。他の実施例による発光素子は、支持部材と、支持部材上に、第1導電性半導体層、第2導電性半導体層、及び第1導電性半導体層と第2導電性半導体層との間に形成される活性層を含む発光構造物と、を含んでなり、活性層は、複数の量子井戸層及び障壁層が交互に形成される発光層と、発光層と第1導電性半導体層との間に配置され、第1導電性半導体層から発光層に向かうESDElectroStaticDischargeの通電時間を遅延させる電位障壁層と、発光層と電位障壁層との間に配置され、電位障壁層と発光層とを隔離する非ドープの障壁層と、を含む。また、この発光素子は、電位障壁層による順方向電圧降下を補償する電位補償層をさらに含む。また、電位障壁層は、第1導電性半導体層から発光層に向かうキャリアを拡散させる。また、電位補償層は、電位障壁層よりは厚く、非ドープの障壁層よりは薄い厚さを有する。また、電位補償層は、障壁層と同一の厚さを有する。また、この発光素子は、第2非ドープの障壁層をさらに含み、第2非ドープの障壁層は、電位補償層と発光層との間に配置されて、電位補償層と発光層とを隔離する。また、電位障壁層はInNを含む。実施例の説明において、各層膜、領域、パターンまたは構造物が基板、各層膜、領域、パッド、パターンまたは別の構造物の上onに、下underに、上側upperに、または下側lowerに形成されると記載される場合において、上on、下under、上側upper及び下側lowerは、直接directlyまたは別の層または構造物を介在してindirectly形成されるいずれの場合をも含む。また、各層、または構造物間の位置関係についての説明は、本明細書または本明細書に添付される図面を参照されたい。図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張、省略または概略して示している。また、各構成要素の大きさ及び面積は、実際の大きさ及び面積を全的に反映しているとは限らない。以下、添付の図面を参照しつつ、実施例に係る発光素子について説明する。図1は、実施例に係る発光素子の断面を概略的に示す図である。図1を参照すると、実施例に係る発光素子100は、支持部材110と、支持部材110上に形成される非ドープのGaN層120と、非ドープのGaN120層上に形成され、第1半導体層131、活性層132及び第2半導体層133を含む発光構造物130と、を含み、活性層132は、電位障壁層134及び第1非ドープの障壁層135を含むことができる。支持部材110は、光透過性の材質、例えば、サファイアAl2O3、GaN、ZnO、AlOのうちのいずれか一つを含んで形成されることができるが、これに限定されない。また、サファイアAl2O3支持部材に比べて熱伝導性に優れているSiC支持部材にすることもできる。ただし、支持部材110の屈折率は、光抽出効率のために第1半導体層131の屈折率よりも小さいことが好ましい。一方、支持部材110の上側面には、光抽出効率を高めるためにPSSPatternedSubStrate構造を設けることができる。本明細書で言及される支持部材110は、PSS構造を有しても良く、有さなくても良い。発光素子の製造後に、支持部材110は、フリップチップボンディングflipchipbonding方式のような工程により、熱伝導性に優れたシリコン材質に入れ替えても良い。実施例では、サファイアを含む支持部材110を基準に説明する。この場合、支持部材110はサファイア基板とされうる。一方、支持部材110の屈折率は、光抽出効率を増加させるために、第1半導体層131の屈折率よりは小さいことが好ましい。一方、支持部材110上には、支持部材110と第1半導体層131との格子不整合を緩和し、半導体層が容易に成長できるようにするバッファー層112を形成することができる。バッファー層112は、低温雰囲気で形成することができ、GaN、InN、AlN、AlInN、InGaN、AlGaN、及びInAlGaNのような材質から選ばれるいずれかで形成することができる。バッファー層112は、支持部材110上に単結晶として成長でき、単結晶として成長したバッファー層112は、バッファー層112上に成長する第1半導体層131の結晶性を向上させることができる。バッファー層112上には非ドープのGaN層120を形成することができる。非ドープのGaN層120は、第1半導体層131の結晶性を向上させるために形成される層で、n型ドーパントがドープされないことから、第1半導体層131に比べて低い電気伝導性を有する以外は、第1半導体層131と同一のものであって良い。非ドープのGaN層120上には、第1半導体層131の格子不整合を最小限に制御するための挿入層122を形成することができる。すなわち、挿入層122は、クォリティーコントロールqualitycontrol;品質制御層で、AlGaN、または含インジウムInのAlGaNで形成することができる。挿入層122上には、第1半導体層131、活性層132及び第2半導体層133を含む発光構造物130を形成することができる。以下、発光構造物130は、第1半導体層131、第2半導体層133、及びそれらの間に介在されて光を生成する活性層132を含むものとして説明する。挿入層122上には第1半導体層131を形成することができる。例えば、第1半導体層131はn型半導体層を含むことができ、n型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInNなどから選ばれるいずれかとすることができ、Si、Ge、SnSe、Te等のn型ドーパントをドープすることができる。第1半導体層131上には活性層132を形成することができる。活性層132は、第3-5族元素の化合物半導体材料を用いて単一または多重の量子井戸構造、量子線Quantum-Wire構造、または量子点QuantumDot構造などに形成することができる。活性層132の成長のための工程条件として、例えば、780°Cの成長温度で窒素をキャリアcarrierガスとしてNH3、TMGa、及びトリメチルインジウムTMInを供給することで、InGaNからなる活性層132を120Å~1200Åの厚さに成長させることができる。ここで、活性層132は、InGaNの各元素成分のモル比を異ならせて成長させた積層構成とすることができる。活性層132が量子井戸構造に形成された場合、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する井戸層と、InaAlbGa1-a-bN0≦a≦1、0≦b≦1、0≦ab≦1の組成式を有する障壁層とを有する単一または多重の量子井戸構造を有することができる。ここで、井戸層は、障壁層のバンドギャップよりも低いバンドギャップを有する物質で形成することができる。活性層132の上または/及び下には、導電型クラッド層図示せずを形成することができる。導電型クラッド層図示せずは、AlGaN系半導体で形成することができ、活性層132のバンドギャップよりは大きいバンドギャップを有することができる。活性層132が多重量子井戸構造の場合、第1半導体層131と隣接する領域に電位障壁層134を形成することができる。電位障壁層134は、活性層132を構成する複数の障壁層よりも高い電位障壁を有し、第1半導体層131から提供されるキャリア例えば、電子やESDに対して抵抗力を有することができる。例えば、電位障壁層134は、3.5Å~40Åの厚さにすることができ、好ましくは、10Å程度の厚さにすることができる。ここで、電位障壁層134は、700°C~800°Cで3.5Åm~40Åmの速度で形成されることが好ましい。電位障壁層134は、活性層132内において、第1半導体層131に隣接する領域に形成されることができる。特に、電位障壁層134は、第1半導体層131と接するように形成される、第1半導体層131に隣接する量子井戸層に取って代わる、または、第1半導体層131に隣接する量子井戸層にさらに形成されることができる。さらに、電位障壁層134は、活性層内の量子井戸層のうち、第1半導体層131と2番目に近接している量子井戸層の位置に形成されることもできるが、これらに限定されない。したがって、電位障壁層134は、第1半導体層131に最も近接している量子井戸層のInN含量を増やして形成することもでき、量子井戸層とは別個のInNを含む層とすることもできる。また、電位障壁層134は、実施例に係る発光素子が使用される環境または装置で生じうるESDレベル、または静電気要求条件に応じて、2つまたはそれ以上が活性層132に形成されることもできる。電位障壁層134に含まれたInNはその含量が増加するほど、第1半導体層131から活性層132へと向かうキャリアの進行に抵抗する傾向がある。したがって、InNを含む電位障壁層134の厚さを十分に薄くすると、キャリアを電位障壁層134によって適切に拡散して活性層132に均一に供給することができる。電位障壁層134がキャリア進行に抵抗する間に、第1半導体層131から活性層132へと向かうキャリアは、電位障壁層134によって拡散される。したがって、電位障壁層134から活性層132の量子井戸層へと向かうキャリアが量子井戸層に均一に供給される効果を得ることができ、これは活性層132の発光効率を増加させ、実施例に係る発光素子100の発光効率を向上させることができる。一方、電位障壁層134は、第1電極パッド142から第1半導体層131に沿って流入するESDElectrostaticDischargeを遅延及び分散させる。電位障壁層134は、活性層132を構成する量子井戸層及び障壁層よりも高い電位障壁を形成し、高い電位障壁を用いてESDの通電速度を遅らせることで活性層132のESDによる損傷を最小化することができる。ESDが活性層132を短時間で単一ルートを通って通過する時にその破壊力は極大化する。ESDによる活性層132の損傷を最小化するためには、ESDが活性層132を通過する時間をできるだけ遅延させ、かつ、ESDが活性層132に向かうルートを複数に形成することが好ましい。したがって、電位障壁層134は、量子井戸層及び障壁層の電位障壁よりも高い電位障壁を形成する必要がある。このために、電位障壁層134は、InNの含量比を高くすることができ、好ましくは、電位障壁層134におけるInNの含量比は80~100とする。ここで、InNの含量比は、質量、体積またはモルの比率による含量比のいずれかとすればいい。電位障壁層134は、ESDが印加される時、ESDに対して抵抗体として働くことができる。ESDが活性層132を通過しようとする時、ESDは、抵抗体として作用する電位障壁層134による遅延によって単一ルートを通って通過し難くなる。この場合、ESDは、電位障壁層134に単一ルートを形成できず、2またはそれ以上の個数に分けられて分散される。ESDが単一ルートを形成できず、複数のルートを形成すると、ESDによる活性層132の損傷は減少することができる。一方、電位障壁層134と量子井戸層との間には第1非ドープの障壁層135を形成することができる。第1非ドープの障壁層135は、PまたはNタイプにドープされないことから、PまたはNタイプにドープされた量子井戸層や障壁層に比べて電気的に高い抵抗を有することができ、また、GaNまたはInGaNで形成することができる。第1非ドープの障壁層135は、電位障壁層134と量子井戸層との間に配置されることから、電位障壁層134と量子井戸層とが直接接触することを防ぐことができる。第1非ドープの障壁層135の厚さは、電位障壁層134よりも厚くし、好ましくは、50Å~300Å、より好ましくは、150Å~200Åの厚さに形成することで、電位障壁層134と量子井戸層とを十分に離隔させることができる。第1非ドープの障壁層135は、電位障壁層134の7.5倍乃至100倍の厚さを有することができる。第1非ドープの障壁層135が電位障壁層134と量子井戸層との間に配置されて、電位障壁層134と量子井戸層とが直接接触することを防ぐとともに、電位障壁層134と量子井戸層とを十分に離隔させることによって、電位障壁層134に含まれるInN窒化インジウムが隣り合う量子井戸層に侵入して量子井戸層の電位レベルの増加及び光度の低下を誘発することを防止することができる。一方、活性層132内には電位補償層図示せずを形成することができる。電位補償層図示せずは、活性層132を構成する障壁層のうち、第2半導体層133と最も近接している障壁層、またはその次に近接している障壁層の位置に、例えばシリコンSiをドープして形成することができる。活性層132上にはバッファー層図示せずを形成することができ、バッファー層図示せずは、5Å~40Åに形成することができる。第2半導体層133は、活性層132に正孔を注入するようにp型半導体層とすることができる。第2半導体層133は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInNなどから選ばれるいずれかとすることができ、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパントをトープすることができる。上記の第1半導体層131、活性層132、バッファー層図示せず及び第2半導体層133は、例えば、有機金属化学蒸着法MOCVD;MetalOrganicChemicalVaporDeposition、化学蒸着法CVD;ChemicalVaporDeposition、プラズマ化学蒸着法PECVD;Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition、分子線成長法MBE;MolecularBeamEpitaxy、水素化物気相成長法HVPE;HydrideVaporPhaseEpitaxy、スパッタリングSputteringなどの方法を用いて形成することができるが、これに限定されることはない。また、第1半導体層131及び第2半導体層133中の導電型ドーパントのドーピング濃度は、均一または不均一にすることができる。すなわち、複数の半導体層は、様々なドーピング濃度分布を有するように形成することもでき、特に限定されない。第2半導体層133上には、透光性電極層140及び第2電極パッド144を形成することができる。透光性電極層140は、ITO、IZOIn-ZnO、GZOGa-ZnO、AZOAl-ZnO、AGZOAl-GaZnO、IGZOIn-GaZnO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au及びNi/IrOx/Au/ITOのうちの少なくとも一つを含み、活性層132で発生した光を外部に透過させることができる。また、透光性電極層140を、第2半導体層133の上面の一領域または全領域に形成することによって、電流群集現象を防止することができる。第2電極パッド144は、透光性電極層140の上部に形成することもでき、透光性電極層140の一部を除去して開口を形成し、第2電極パッド144と第2半導体層133とが接するようにして形成することもできるが、これに限定されない。発光構造物130の上部には光抽出構造150を形成することができる。光抽出構造150は、発光構造物130の上部に透光性電極層140を形成した後、該透光性電極層140の上部に形成することもでき、第2半導体層133の上面に形成することもできるが、これに限定されない。光抽出構造150は、透光性電極層140または第2半導体層133の上面の一部または全体領域に形成することができる。光抽出構造150は、透光性電極層140または第2半導体層133の上面の少なくとも一領域にエッチングを行うことで形成することができる。このエッチング過程は、湿式または/及び乾式エッチング工程を含み、エッチング過程によって、透光性電極層140の上面または第2半導体層133の上面は、光抽出構造を形成するラフネスroughnessを有し、その高さは0.1μm~3μm程度にすることができる。ラフネスは、ランダムな大きさとして不規則に形成することができ、これに限定されない。ラフネスは、平坦でない上面であって、テクスチャtextureパターン、凹凸パターン、平坦でないパターンunevenpatternのうち少なくとも一つを含むことができる。ラフネスは、円柱、多角柱、円錐、多角錐、円錐台、多角錐台などの様々な側断面状を有するように形成することができ、好ましくは、錐形状とすることができる。一方、光抽出構造150は、PECphotoelectrochemicalなどの方法で形成することができるが、これに限定されない。光抽出構造150を透光性電極層140の上部面または第2半導体層133の上部面に形成することによって、活性層132で生成された光が透光性電極層140または第2半導体層133の上部面から全反射して再吸収されたり散乱したりすることを防止でき、結果として発光素子100の光抽出効率の向上を図ることができる。一方、活性層132及び第2半導体層133の一部を除去して第1半導体層131の一部を露出させ、該露出された第1半導体層131の上面に第1電極パッド142を形成することができる。すなわち、第1半導体層131は、活性層132に向く上面、及び支持部材110に向く下面を有し、上面は露出された領域を含み、この上面の露出された領域に第1電極パッド142を配置することができる。一方、第1半導体層131の一部を露出させる方法には、所定のエッチング方法を用いることができるが、これに限定されない。また、エッチング方法には、湿式エッチング、乾式エッチング方法を用いることができる。一方、第1及び2電極パッド142,144は、伝導性物質、例えば、In、Co、Si、Ge、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Mg、Zn、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Al、Ni、Cu、及びWTiから選ばれた一金属またはそれらの合金を含むことができ、単層または多層に形成することができるが、これに限定されない。図2は、図1に示す活性層の詳細断面図である。図2を参照すると、活性層132は、複数の量子井戸層132a,132c、障壁層132d、電位障壁層134、及び第1非ドープの障壁層135を含む。同図には2個の量子井戸層132a,132cが示されているが、量子井戸層の数はそれ以上にすることもできる。同様に、量子井戸層132a,132cと交互に形成される障壁層132bも、量子井戸層の個数に応じてその個数を決定すればいい。第1半導体層131から活性層132へと向かうキャリアやESDを分散させ、進行速度を減少させるためには、活性層132を第2半導体層133よりは第1半導体層131の近くに形成することが好ましい。もし、電位障壁層134が活性層132にさらに設けられるとすれば、参照符号132cの量子井戸層の位置に電位障壁層134がさらに形成されることができるが、これに限定されない。第1非ドープの障壁層135は、第1半導体層131と最も近接している第1量子井戸層132aと電位障壁層134との間に形成されて、電位障壁層134と量子井戸層132a,132cとを隔離させることができる。電位障壁層134に含まれる高濃度のInNが量子井戸層132a,132cに侵入する場合、量子井戸層132a,132cの電位レベルが障壁層132bの電位レベルと略同一になり、量子井戸層132a,132cで充分の光量を生成できないことがある。このため、第1非ドープの障壁層135は、電位障壁層134のInNが量子井戸層132a,132cに侵入しないような十分な厚さに形成し、好ましくは、50Å~300Åの厚さに形成することができる。第1非ドープの障壁層135は、活性層132を構成する他の障壁層例えば、参照符号132bと同一の材質で形成され、ただし、InNが量子井戸層132a,132cに侵入しないように、その厚さが障壁層132bの1.5倍乃至7.5倍と、より厚く形成されることができ、電位障壁層134の7.5倍乃至100倍の厚さを有することができる。図3は、ESDの移動ルートを説明するための概念図である。図3を参照すると、ESDは、外部電圧が印加される第1電極パッド142を通って流入し、第1電極パッド142から第1半導体層131を経て活性層132に向かうことがある。ESDが第1電極パッド142を通って流入した時、ESDが活性層132の一領域に集中する場合は活性層132の損傷が大きくなり、逆の場合は活性層132の損傷が小さくなることがある。第1半導体層131は、第1電極パッド142を介して印加される駆動電源が流れる通路であるから、ESDに対する抵抗性はほとんどなく、活性層132を構成する障壁層の電位障壁はESDに抵抗するには微弱である。したがって、第1半導体層131とは別個の層図示せずを形成してESDの移動経路を変更することで、ESDが集中せずに拡散して移動するようにすることが好ましい。ESDが発生して活性層に流入する時、ESDを阻止するのに最適の領域は、活性層132と第1半導体層131との間の領域であるが、この領域にESD抵抗のための別途の層を形成する場合、活性層132に流入するキャリア自体が減少し、活性層132の光度が低下する恐れがある。したがって、電位障壁層134は薄く形成するとともに、可能な限り量子井戸層と近接して形成しなければならず、好ましくは、実施例で言及した通り、活性層132自体に内蔵される形態とする。図4及び図5は、実施例によってESDが分散される原理を説明するための参照図である。まず、図4は、活性層132内に一つの電位障壁層134が形成される場合に、ESDが分散される過程を説明するための参照図である。図4を参照すると、ESDが第1半導体層131から活性層132へと向かう時、電位障壁層134はESDに対して抵抗し、ESDの通過速度を減少させることで、ESDの通過ルートが複数に分けられるように誘導することができる。図4で、ESDは電位障壁層134によって2つのルートP1,P2に分岐して進行することができる。2つに分岐されたルートP1,P2は、一つのESDルートに比べて、活性層132に進入する時に破壊力が減少することができる。同図には、ESDが2つのルートP1,P2に進行することを例示している。しかし、2つのルートP1,P2は概念的に分けられたもので、実際にESDが只2つのルートP1,P2で進行するとは限らない。すなわち、ESDのルートは複数個であれば特に限定されない。次に、図5は、活性層132内に2つの電位障壁層134a,134bが形成される場合にESDが分散される過程を説明するための参照図である。図5を参照すると、ESDは、第一の電位障壁層134aにより2つのルートP3,P4に分けられ、第二の電位障壁層134bにより4個のルートP5,P6,P7,P8に再び分岐されることができる。ESDは、2つの電位障壁層134a,134bによって多数のルートP3~P8に分岐され、各ルートを通って流れるESDの破壊力は、単一ルートを通って流れるESDに比べて顕著に弱化することができる。図5では2つの電位障壁層134a,134bを示しているが、電位障壁層の個数はそれ以上の個数にしても良い。しかし、ESDに対するルートを拡張するために電位障壁層134a,134bの個数を増加し続ける場合、第1半導体層131から活性層132中の量子井戸層へ向かうキャリアの移動にも制限が加えられ、活性層132に含まれる量子井戸層を取り替えなければならず、光度が低下することがある。活性層132内の量子井戸層に代えて形成される電位障壁層例えば、134a、134bの個数は、本実施例に係る発光素子に要求される光度、及びESD耐性レベルによって決定されることが好ましい。また、図5では、2つの電位障壁層134a,134bによって4個のルートP5~P8に展開されることを例示しているが、これは概念的にESDのルートの個数が増加していくことを示すもので、単に4個のルートP5~P8に限定されることを意味するわけではない。図5に示すESDのルートP5~P8は、図4に示すESDP1,P2ルートに比べてより多数のルートを形成できるということを意味する。図6は、電位障壁層によってキャリアが拡散される原理を概念的に示す図である。図6を参照すると、電位障壁層134は、ESD、または第1半導体層131を通って活性層132へ向かうキャリアに対して電位障壁を形成することができる。電位障壁層134は、キャリアが活性層132に直接印加されずに、複数のルートを移動するように誘導することができる。電位障壁層134は、キャリアcarrierの移動に対して時間遅延を誘発し、時間遅延によってキャリアは別のルートを通っても均一に拡散されることができる。電位障壁層134によって拡散されたキャリアは、活性層132に均一に拡散され、活性層132を構成する量子井戸層に均一に供給されることによって活性層132の発光効率が増加できる。図7は、活性層の電位障壁を説明するための概念図である。図7を参照すると、電位障壁層QBの電位障壁はEbとし、障壁層B1,B2の電位障壁Ecに比べて高く設定することができる。例えば、青色光を発光する場合、量子井戸層Q1,Q2,Q3はInGaNで形成され、障壁層B1,B2はGaNで形成されることから、障壁層のバンドギャップは量子井戸層よりも高く形成されることができる。障壁層のバンドギャップが量子井戸層のバンドギャップよりも大きくなるような物質を選択すれば良く、具体的な組成物質は、目的とする光の波長によって異なり、これに限定されない。電位障壁層QBは、障壁層B1,B2よりも高いバンドギャップを有する物質で形成することができる。例えば、上記の通り、電位障壁層QBはInNを含むことができ、好ましくは、InNの含量比を80乃至100とすることができる。ここで、InNの含量比は、質量、体積、またはモルの比率による含量比のうちの一つにすればいい。キャリアが正孔である時、キャリアはQ3よりも右側方向から量子井戸層Q1,Q2,Q3に向かうので、電位障壁層QBはキャリア正孔に対しては抵抗性をほとんど有しない。電位障壁層QBは、第1半導体層131の方に形成されるからESDに対して抵抗性を有する。ESDは、電位障壁層QBの電位障壁に阻止されるから、電位障壁層QBを通過する際に時間遅延が発生する。このような時間遅延は、ESDを活性層132に分散して進行させるとともに、ESDが量子井戸層Q1,Q2,Q3に迅速に進入することを防ぎ、量子井戸層Q1,Q2,Q3の損失を低減させることができる。図8は、ESDと発光素子の収率との関係を説明するための参照図である。図8のグラフにおいて、横軸は発光素子に加えられるESDの電圧値を表し、縦軸は発光素子の収率Yieldを表す。通常、同一ラインで一度に生産された発光素子は、同一の物理的特性を有すると見なす。これらの発光素子の一部に対してサンプリングテストを行う時または、全数検査を行う時、各発光素子が耐えるESD電圧が-4560Vであれば、全体発光素子の収率は約80となる。発光素子がESDに耐える電圧が低いほど、全体的な収率は減少する。同グラフから、発光素子が-3000V程度のESD耐性を有する時、収率は60以下になることがわかる。図9Aは、実施例に係る発光素子の断面図であり、図9Bは、図9Aに示す発光素子の活性層の断面図である。図9A及び図9Bを参照すると、実施例に係る発光素子100は、支持部材110と、支持部材110上に形成される非ドープのGaN層120と、非ドープのGaN120層上に形成され、第1半導体層131、活性層132及び第2半導体層133を有する発光構造物130と、を含み、活性層132は、電位障壁層134、第1非ドープの障壁層135、及び電位補償層137を含むことができる。一方、支持部材110上にはバッファー層112を形成することができ、第2半導体層133上には、透光性電極層140、光抽出構造150、及び第2電極パッド144を形成することができ、また、第2半導体層133及び活性層132の一部を除去して第1半導体層131の一部を露出させることができ、第1半導体層131の露出面に第1電極パッド142を形成することができる。支持部材110、バッファー層112、非ドープのGaN層120、第1半導体層131、活性層132、第2半導体層133、電位障壁層134、第1非ドープの障壁層135、透光性電極層140、光抽出構造150、及び第1及び第2電極パッド142,144についての説明は、上述した通りであるので省略する。活性層132は、活性層132内に形成された電位補償層137をさらに含むことができる。電位障壁層134及び第1非ドープの障壁層135は、第1及び第2電極パッド142,144を介して印加される駆動電圧に対して抵抗体として働くことができる。電位障壁層134及び第1非ドープの障壁層135による順方向電圧Vfの損失は、発光素子の全体駆動電圧の増加を要求する。発光素子100の駆動電圧を上昇させずともESDに対して十分に耐性を持ちながら活性層132の発光効率を増加させるために、活性層132は電位補償層137をさらに含むことができる。電位補償層137は、活性層132を構成する障壁層132b,132dのうち、第2半導体層133と最も近接している障壁層、またはその次に近接している障壁層132dの位置にC、SiGe、及びSnのような第4族元素をドープすることで形成することができる。電位補償層137は、障壁層132b,132dの平坦性を改善し、内部電界を下げることができる。一方、実施例では、第4族元素のうちのシリコンを適用した例を中心に説明する。電位補償層137の低い内部電界は、電位障壁層134及び第1非ドープの障壁層135による順方向電圧Vf降下を打ち消しあって、全体的に実施例に係る発光素子の順方向電圧Vfが電位障壁層134及び第1非ドープの障壁層135によって増加することを防止することができる。電位補償層137は、活性層132に形成される障壁層132b,132dの厚さと類似にまたは同一にして形成し、第1非ドープの障壁層135に比べては薄い厚さに形成することができる。好ましくは、電位補償層137は、30Å~150Åの厚さに形成することができる。電位補償層137は、第2半導体層133と隣り合う領域に形成され、シリコンsiをドーブして障壁層132b,132dの原子レベルにおける平坦度を増加させ、障壁層132b,132dで発生する抵抗を下げて内部電界を低減させることができる。一方、電位補償層137は、活性層132の内部、または活性層132と第2半導体層133との間に別個として形成されることもでき、第1非ドープの障壁層135及び電位障壁層134による順方向電圧Vfの損失を補償することができる。一方、電位補償層137中のIn含量を高め、電位補償層137の厚さを増加させることによって、正孔のようなキャリアの注入効率が低下することを補償することができる。図10Aは、実施例に係る発光素子の断面図であり、図10Bは、図10Aに示す発光素子の活性層を示す断面図である。図10A及び図10Bを参照すると、実施例に係る発光素子100は、支持部材110と、支持部材110上に形成される非ドープのGaN層120と、非ドープのGaN120層上に形成され、第1半導体層131、活性層132及び第2半導体層133を有する発光構造物130と、を含み、活性層132は、電位障壁層134、第1非ドープの障壁層135、電位補償層137及び第2非ドープの障壁層138を含むことができる。電位補償層137の下部には、第2非ドープの障壁層138が形成されることができる。第2非ドープの障壁層138は、上述した第1非ドープの障壁層135と同じ材質で形成することができる。すなわち、第2非ドープの障壁層138は、PまたはNタイプにドープされた量子井戸層や障壁層に比べて電気的に高い抵抗を有するように、トープされていないGaNまたはInGaNで形成することができる。第2非ドープの障壁層138は、第2半導体層133と最も近接している第2量子井戸層132cと電位補償層137との間に配置されて、電位補償層137と量子井戸層132a,132cが直接接触することを防止する。第2非ドープの障壁層138が電位補償層137と第2量子井戸層132cとの間に配置されて、電位補償層137と量子井戸層132a,132cとが直接接触しないようにし、電位補償層137と量子井戸層132a,132cとを十分に離隔させることで、電位補償層137中のInNなどが隣り合う量子井戸層132a,132cに侵入して量子井戸層132a,132cの電位レベルを高め、光度低下を誘発することを防止することができる。一方、以上では水平型発光素子を例にして説明したが、垂直型発光素子またはフリップチップflipchip発光素子にも同様の適用が可能である。図11A乃至図11Cは、実施例に係る発光素子の断面図であり、図12A乃至図12Cはそれぞれ、図11A乃至図11Cに示す発光素子の活性層を示す断面図である。図11A乃至図12Cを参照すると、実施例に係る発光素子300は、支持部材310と、支持部材310上に形成される第1電極層320と、第1電極層320上に形成され、第1半導体層331、活性層332及び第2半導体層333を有する発光構造物330と、第2半導体層333上に形成される第2電極層と、を含み、活性層332は、電位障壁層334及び第1非ドープの障壁層335を含むことができる。支持部材310は、熱伝導性に優れた物質で形成することができ、また、伝導性物質で形成することができ、金属物質または伝導性セラミックで形成して支持基板として構成することができる。支持部材310は単一層に形成することもでき、二重構造またはそれ以上の多重構造に形成することもできる。すなわち、支持部材310は、金属、例えば、Au、Ni、W、Mo、Cu、Al、Ta、Ag、Pt、Crから選ばれたいずれか一つまたは2以上の合金で形成することもでき、異なる2以上の物質を積層して形成することもできる。また、支持部材310は、Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、GaN、Ga2O3のようなキャリアウエハーとすることができる。このような支持部材310は、発光素子300で発生する熱の放出を容易にして、発光素子300の熱的安全性を向上させることができる。第1電極層320は、支持基板310上に形成される。第1電極層320は、オーミック層ohmiclayer図示せず、反射層reflectivelayer図示せず、ボンディング層bondinglayer図示せずのうち少なくとも1層を含むことができる。例えば、第1電極層320は、オーミック層/反射層/ボンディング層の構造、オーミック層/反射層の積層構造、または、反射層オーミック接触物質を含む/ボンディング層の構造とすることができるが、これに限定されない。例えば、第1電極層320は、絶縁層上に反射層及びオーミック層が順に積層された形態とすることもできる。反射層図示せずは、オーミック層図示せず及び絶縁層図示せずとの間に配置されることができ、反射特性に優れた物質、例えば、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及びこれらの選択的な組み合あわせで構成された物質のいずれかで形成することもでき、これら金属物質とIZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATOなどの透光性の伝導性物質を用いて多層で形成することもできる。例えば、反射層図示せずは、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Niなどのように積層することができる。また、反射層図示せずを発光構造物例えば、第1半導体層331とオーミック接触する物質で形成する場合、オーミック層図示せずは別に形成しなくて済むが、これに限定されない。オーミック層図示せずは、発光構造物330の下面にオーミック接触され、層または複数のパターンで形成されることができる。オーミック層図示せずは、透光性伝導層と金属を選択的に用いることができ、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITOのうちの一つ以上を用いて単層または多層に形成することができる。オーミック層図示せずは、第1半導体層331へのキャリアの注入を円滑にするためのもので、必須のものではない。また、第1電極層320は、ボンディング層図示せずを含むことができ、このボンディング層図示せずは、障壁金属barriermetal、またはボンディング金属、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、AgまたはTaのうちの少なくとも一つを含むことができるが、これに限定されない。発光構造物330は、第1半導体層331、活性層332及び第2半導体層333を含むことができ、第1半導体層331と第2半導体層333との間に活性層332を形成することができる。一方、第1半導体層331は、p型ドーパントのドープされたp型半導体層にすることができ、第2半導体層333は、n型ドーパントのドープされたn型半導体層にすることができる。それぞれのn型半導体層及びp型半導体層に関する説明は、上述した通りであるので省略する。また、図11A及び図12Aに示すように、活性層332が多重量子井戸構造である場合、第2半導体層333と隣接する領域に電位障壁層334を形成することができる。電位障壁層334は、第2半導体層333に最も近接している活性層332の一領域に形成されることができる。特に、電位障壁層334は、活性層332を構成する複数の量子井戸層のうち、第2半導体層333に最も近接している量子井戸層332cが配置されるべき位置に形成されることもでき、活性層332内の量子井戸層332a,332cの位置のうち、第2半導体層333に2番目に近接している量子井戸層332aの位置に形成されることもできるが、これに限定されない。一方、電位障壁層334と量子井戸層332a,332cとの間には、第1非ドープの障壁層335を形成することができる。第1非ドープの障壁層335は、PまたはNタイプにドープされた量子井戸層332a,332cや障壁層332bに比べて電気的に高い抵抗を有するGaNで形成され、電位障壁層334と量子井戸層332a,332cとの間に配置されて、電位障壁層334と量子井戸層332a,332cとが直接接触することを防止する。一方、図11B及び図12Bに示すように、活性層332内には電位補償層337を形成することができる。電位補償層337は、活性層332を構成する障壁層332b,332dのうち、第1半導体層331と最も近接している障壁層、またはその次に近接している障壁層332dの位置にシリコンSiをドーブして形成することができる。一方、図11C及び図12Cに示すように、電位補償層337の上部には第2非ドープの障壁層338を形成することができる。第2非ドープの障壁層338は、第1非ドープの障壁層335と同じ材質で形成することができ、電位補償層337と電位補償層337の上部の量子井戸層とが直接接触することを防止する。一方、電位障壁層334、第1及び第2非ドープの障壁層335,338、及び電位補償層336に関する説明は、上述した通りであるので省略する。第2半導体層333上には、透光性電極層340、光抽出構造342及び第2電極層344を形成することができる。透光性電極層340は、ITO、IZOIn-ZnO、GZOGa-ZnO、AZOAl-ZnO、AGZOAl-GaZnO、IGZOIn-GaZnO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au及びNi/IrOx/Au/ITOのうち少なくとも一つを含むことができ、第2半導体層336の上部に形成されることによって、電流群集現象を防止することができる。第2電極層344は、少なくとも一つのパッドまたは/及び所定パターンを有する電極を含む。第2電極層344は、第2半導体層336の上面においてセンター領域、外側領域または隅領域に配置されることができるが、これに限定されない。第2電極層344は、伝導性物質、例えばIn、Co、Si、Ge、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Mg、Zn、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Al、Ni、Cu、及びWTiから選ばれる一金属またはこれらの合金を用いて単層または多層に形成することができる。第2電極層344は、透光性電極層340の上部に形成することもでき、透光性電極層340の一部を除去して開口を形成し、第2電極層344と第2半導体層333とが接するようにして形成することもできるが、これに限定されない。発光構造物330の上部には光抽出構造342を形成することができる。光抽出構造362は、第2半導体層333の上面に形成されることもでき、発光構造物330の上部に透光性電極層340を形成した後に、透光性電極層340の上部に形成されることもできるが、これに限定されない。光抽出構造342は、透光性電極層340、または第2半導体層333の上面の一部または全体領域に形成されることができる。光抽出構造342は、透光性電極層340または第2半導体層333の上面の少なくとも一領域にエッチングを行うことによって形成することができる。このエッチング過程は、湿式または/及び乾式エッチング工程を含み、エッチング過程によって、透光性電極層340の上面または第2半導体層333の上面は、光抽出構造342を形成するラフネスを含み、その高さは0.1μm~3μm程度にすることができる。ラフネスは、ランダムな大きさとして不規則に形成することができるが、これに限定されない。ラフネスは、平坦でない上面であって、テクスチャtextureパターン、凹凸パターン、平坦でないパターンunevenpatternのうち少なくとも一つを含むことができる。ラフネスは、円柱、多角柱、円錐、多角錐、円錐台、多角錐台などの様々な側断面状を有するように形成することができ、好ましくは、錐形状とすることができる。一方、光抽出構造342は、PECphotoelectrochemicalなどの方法で形成することができるが、これに限定されない。光抽出構造342を透光性電極層340の上部面または第2半導体層333の上部面に形成することによって、活性層332で生成された光が透光性電極層340または第2半導体層333の上部面から全反射して再吸収されたり散乱したりすることを防止でき、結果として発光素子300の光抽出効率の向上を図ることができる。発光構造物330の側面及び上部領域には、パッシベーション図示せずを形成することができ、パッシベーション図示せずは絶縁性材質で形成することができる。図13A乃至図13Cは、実施例に係る発光素子パッケージを示す斜視図及び断面図である。図13A乃至図13Cを参照すると、発光素子パッケージ500は、キャビティ520が形成されたボディー510、ボディー510に実装される第1及び第2リードフレーム540,550と、第1及び第2リードフレーム540,550と電気的に連結される発光素子530、及び発光素子530を覆うようにキャビティ520に充填される封止材図示せずを含むことができる。ボディー510は、ポリフタルアミドPPA:Polyphthalamideのような樹脂材質、シリコンSi、アルミニウムAl、窒化アルミニウムAlN、液晶ポリマーPSG:photosensitiveglass、ポリアミド9TPA9T、シンジオタクチックポリスチレンSPS、金属材質、サファイアAl2O3、酸化ベリリウムBeO、印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoardのうち少なくとも一つで形成することができる。ボディー510は、射出成形、エッチング工程などにより形成されることができるが、これに限定されない。ボディー510の内側面は、傾斜面とすることができる。このような傾斜面の角度によって、発光素子530から放出される光の反射角が変わり、これによって、外部に放出される光の指向角を調節することができる。光の指向角が減少するほど、発光素子530から外部に放出される光の集中性は増加し、逆に、光の指向角が増加するほど、発光素子530から外部に放出される光の集中性は減少する。一方、ボディー510に形成されるキャビティ520を上から見た形状は、円形、四角形、多角形、楕円形などの形状とすることができ、角部を曲線にした形状とすることもできるが、これに限定されない。発光素子530は、第1リードフレーム540上に実装され、例えば、赤色、緑色、青色、白色などの光を放出する発光素子、または紫外線を放出するUVUltraViolet発光素子とすることができるが、これに限定されない。また、発光素子530は、1個以上実装することができる。また、発光素子530は、電気端子が全て上部面に形成された水平タイプHorizontaltype、上下部面の両面に形成された垂直タイプVerticaltype、またはフリップチップflipchipのいずれにしても良い。一方、実施例に係る発光素子530は、活性層図示せず内に電位障壁層図示せず、及び非ドープの障壁層図示せず、及び/または電位補償層図示せずを含み、発光素子530及び発光素子パッケージ500の発光効率を改善することができる。また、発光素子530はESDに対する耐性を有し、よって、ツェナーダイオード図示せずを発光素子パッケージ500に実装しなくて済む。したがって、ツェナーダイオード図示せずに起因する光度低下が防止され、結果として発光素子パッケージ500の発光効率を改善することができる。なお、発光素子パッケージ500の製造コストを低減することができる。封止材図示せずは、発光素子530を覆うようにキャビティ520に充填されることができる。封止材図示せずは、シリコン、エポキシ、及びその他の樹脂材質で形成することができ、キャビティ520内に充填した後、それを紫外線または熱で硬化する方式で形成することができる。また、封止材図示せずは蛍光体を含むことができ、蛍光体は、発光素子530から放出される光の波長に応じた種類にすることで、発光素子パッケージ500が白色光を具現できるようにする。すなわち、蛍光体は、発光素子530から放出される光の波長に応じて、青色発光蛍光体、青緑色発光蛍光体、緑色発光蛍光体、黄緑色発光蛍光体、黄色発光蛍光体、黄赤色発光蛍光体、オレンジ色発光蛍光体、及び赤色発光蛍光体のうちのいずれか一つを適用することができる。すなわち、蛍光体は、発光素子530から放出される第1色を有する光により励起されて第2色の光を生成することができる。例えば、発光素子530が青色発光ダイオードで、蛍光体が黄色蛍光体である場合、黄色蛍光体は、青色光により励起されて黄色光を放出でき、青色発光ダイオードで発生した青色光と該青色光により励起されて発生した黄色光とが混色されることで、発光素子パッケージ500は白色光を提供可能になる。同様に、発光素子530が緑色発光ダイオードの場合は、マゼンタmagenta蛍光体または青色と赤色の蛍光体を混用する場合を挙げることができ、発光素子530が赤色発光ダイオードの場合はシアンCyan蛍光体または青色と緑色蛍光体を混用する場合を挙げることができる。このような蛍光体は、YAG系、TAG系、硫黄化物系、シリケート系、アルミネート系、窒化物系、カーバイド系、ニトリドシリケート系、ホウ酸塩系、フッ化物系、リン酸塩系などの公知の蛍光体とすることができる。第1及び第2リードフレーム540,550は、金属材質、例えば、チタンTi、銅Cu、ニッケルNi、金Au、クロムCr、タンタルTa、白金Pt、スズSn、銀Ag、リンP、アルミニウムAl、インジウムIn、パラジウムPd、コバルトCo、シリコンSi、ゲルマニウムGe、ハフニウムHf、ルテニウムRu、鉄Feのうち一つ以上の物質またはそれらの合金を含むことができる。また、第1及び第2リードフレーム540,550は、単層または多層構造にすることができるが、これに限定されない。第1及び第2リードフレーム540,550は、互いに離隔して電気的に分離される。発光素子530は、第1及び第2リードフレーム540,550上に実装され、第1及び第2リードフレーム540,550は発光素子530と直接接触したり、または、はんだ付けsoldering部材図示せずのような伝導性を有する材料を介して電気的に連結されることができる。また、発光素子530は、ワイヤーボンディングによって第1及び第2リードフレーム540,550と電気的に連結されることができるが、これに限定されない。これにより、第1及び第2リードフレーム540,550に電源が連結されると発光素子530に電源が印加されることができる。一方、数個のリードフレーム図示せずがボディー510内に実装され、それぞれのリードフレーム図示せずが発光素子530と電気的に連結されることができるが、これに限定されない。一方、図13Cを参照すると、実施例に係る発光素子パッケージ500は、光学シーツ580を含むことができ、光学シーツ580は、ベース部582及びプリズムパターン584を含むことができる。ベース部582は、プリズムパターン584を形成するための支持体で、熱的安全性に優れるとともに透明な材質で形成することができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン、及びポリエポキシからなる群より選ばれるいずれか一つとすることができるが、これに限定されない。また、ベース部582は、蛍光体図示せずを含むことができる。例えば、ベース部582を形成する材質に蛍光体図示せずを均一に分散させた状態でこれを硬化してベース部582を形成することができる。このようにベース部582を形成すると、蛍光体図示せずがベース部582の全体に均一に分布することができる。一方、ベース部582上には、光を屈折し、集光する立体形状のプリズムパターン584を形成することができる。プリズムパターン584を構成する物質はアクリルレジンとすることができるが、これに限定されない。プリズムパターン584は、ベース部582の一面において一方向に沿って相互隣接して平行に配列された複数の線形プリズムを含み、線形プリズムの軸方向に対する垂直断面は三角形にすることができる。プリズムパターン584は、光を集光する効果があるから、図13Cの発光素子パッケージ500に光学シート580を付着する場合は、光の直進性が向上して発光素子パッケージ500の光の輝度を向上させることができる。一方、プリズムパターン584には、蛍光体図示せずを含むことができる。蛍光体図示せずが分散された状態でプリズムパターン584を形成する、例えば、蛍光体をアクリルレジンと混合してペーストまたはスラリー状態にした後、プリズムパターン584を形成することによって、蛍光体がプリズムパターン584内に均一に含まれることができる。このようにプリズムパターン584に蛍光体図示せずが含まれる場合は、発光素子パッケージ500の光の均一度及び分布度が向上する他、プリズムパターン584による光の集光効果及び蛍光体図示せずによる光の分散効果があるから、発光素子パッケージ500の指向角を向上させることができる。実施例に係る発光素子パッケージ500は、複数個が基板上にアレイされ、発光素子パッケージ500の光経路上には、光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置されることができる。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、ライトユニットとして機能することができる。他の実施例として、以上の実施例に記載された発光素子または発光素子パッケージを含む表示装置、指示装置、照明装置を具現することができ、例えば、照明装置はランプ、街灯を含むことができる。図14Aは、実施例に係る発光素子パッケージを含む照明装置を示す斜視図であり、図14Bは、図14Aの照明装置のC-C断面図である。図14A及び図14Bを参照すると、照明装置600は、ボディー610、ボディー610に締め付けられるカバー630、及びボディー610の両端に設けられる仕上げキャップ650を含むことができる。ボディー610の下部面には、発光素子モジュール640が取り付けられ、ボディー610は、発光素子パッケージ644で発生した熱がボディー610の上部面から外部に放出されうるように、伝導性及び熱発散効果に優れた金属材質で形成することができる。発光素子パッケージ644は、PCB642上に多色、多列で実装されてアレイをなすことができ、等間隔で実装することもでき、必要に応じて様々な間隔で実装することで、明るさなどを調節することもできる。このようなPCB642には、MPPCBMetalCorePCBまたはFR4材質のPCBなどを用いることができる。特に、発光素子パッケージ644は発光素子図示せずを含み、実施例に係る発光素子図示せずは、活性層図示せず内に電位障壁層図示せず、及び非ドープの障壁層図示せず、及び/または電位補償層図示せずを含むことで、発光素子パッケージ644及び照明装置600の発光効率を改善することができる。また、発光素子図示せずはESDに対する耐性を有し、よって、ツェナーダイオード図示せずを発光素子パッケージ644に実装しなくて済む。したがって、ツェナーダイオード図示せずに起因する光度低下が防止され、結果として発光素子パッケージ644及び照明装置600の発光効率を改善することができる。なお、発光素子パッケージ644及び照明装置600の製造コストを低減することかできる。カバー630は、ボディー610の下部面を取り囲むように円形に形成することができるが、これに限定されない。カバー630は、内部の発光素子モジュール640を外部の異物などから保護する役割を果たす。また、カバー630は、発光素子パッケージ644で発生した光の眩しさを防止し、外部に光を均一に放出できるように拡散粒子を含むことができ、またカバー630の内面及び外面のうち少なくとも一面には、プリズムパターンなどを形成することができる。また、カバー630の内面及び外面のうち少なくとも一面には、蛍光体を塗布することもできる。一方、発光素子パッケージ644で発生した光は、カバー630から外部に放出されるので、カバー630は、光透過率に優れたものとしなければならない他、発光素子パッケージ644から発生した熱に耐えられるような充分な耐熱性を有するものとしなければならない。したがって、カバー630は、ポリエチレンテレフタレートPolyethylenTerephthalate;PET、ポリカーボネートPolycarbonate;PCまたはポリメチルメタクリレートPolymethylMethacrylate;PMMAなどを含む材質で形成することが好ましい。仕上げキャップ650は、ボディー610の両端に取り付けられて、電源装置図示せずを密閉する機能を果たすことができる。また、仕上げキャップ650には電源ピン652が設けられているから、実施例に係る照明装置600は、既存の蛍光灯を除去した端子に別の装置無しで直ちに使用することができる。図15は、実施例に係る発光素子を含む液晶表示装置の分解斜視図である。図15は、エッジ-ライト方式のもので、液晶表示装置700は、液晶表示パネル710と、液晶表示パネル710に光を提供するためのバックライトユニット770と、を含むことができる。液晶表示パネル710は、バックライトユニット770から提供される光を用いて画像を表示することができる。液晶表示パネル710は、液晶を介在して互いに対向するカラーフィルター基板712及び薄膜トランジスタ基板714を含むことができる。カラーフィルター基板712は、液晶表示パネル710を介してディスプレイされる画像の色を具現することができる。薄膜トランジスタ基板714は、駆動フィルム717を介して多数の回路部品が実装される印刷回路基板718と電気的に接続されている。薄膜トランジスタ基板714は、印刷回路基板718から提供される駆動信号に応答して、印刷回路基板718から提供される駆動電圧を液晶に印加することができる。薄膜トランジスタ基板714は、ガラスやプラスチックなどのような透明な材質の基板上に形成された薄膜トランジスタ及び画素電極を含んでなることができる。バックライトユニット770は、光を出力する発光素子モジュール720、発光素子モジュール720から提供される光を面光源の形態に変更させて液晶表示パネル710に提供する導光板730、導光板730から提供された光の輝度分布を均一にさせ、垂直入射性を向上させる多数のフィルム752,766,764、及び導光板730の後方に放出される光を導光板730に反射させる反射シート747で構成される。発光素子モジュール720は、複数の発光素子パッケージ724と、複数の発光素子パッケージ724が実装されてアレイをなすPCB基板722と、を含むことができる。特に、発光素子パッケージ724は発光素子図示せずを含み、実施例に係る発光素子図示せずは、活性層図示せず内に電位障壁層図示せず、及び非ドープの障壁層図示せず、及び/または電位補償層図示せずを含むことによって、発光素子パッケージ724及びバックライトユニット770の発光効率を改善することができる。また、発光素子図示せずはESDに対する耐性を有し、よって、ツェナーダイオード図示せずを発光素子パッケージ724に実装しなくて済む。したがって、ツェナーダイオード図示せずに起因する光度低下が防止され、結果として発光素子パッケージ724及びバックライトユニット770の発光効率を改善することができる。なお、発光素子パッケージ724及びバックライトユニット770の製造コストを低減することかできる。一方、バックライトユニット770は、導光板730から入射する光を液晶表示パネル710の方に拡散させる拡散フィルム766と、拡散された光を集光して垂直入射性を向上させるプリズムフィルム752と、で構成されることができ、プリズムフィルム752を保護する保護フィルム764を含むことができる。図16は、実施例に係る発光素子を含む液晶表示装置の分解斜視図である。ただし、図15と同一の部分についての詳細は説明を省く。図16は、直下方式のもので、液晶表示装置800は、液晶表示パネル810と、液晶表示パネル810に光を提供するバックライトユニット870と、を含むことができる。液晶表示パネル810は、図15における説明と同一なので、詳細な説明は省略する。バックライトユニット870は、複数の発光素子モジュール823、反射シート824、発光素子モジュール823及び反射シート824が収納される下部シャシー830、発光素子モジュール823の上部に配置される拡散板840、及び多数の光学フィルム860を含むことができる。発光素子モジュール823は、複数の発光素子パッケージ822と、複数の発光素子パッケージ822が実装されてアレイをなすPCB基板821と、を含むことができる。特に、発光素子パッケージ822は発光素子図示せずを含み、この発光素子図示せずは、活性層図示せずよりも上部及び/または下部領域に位置する中間層図示せずを含むことによって、発光素子図示せず、発光素子パッケージ822及び液晶表示装置800の発光効率を改善することができる。また、発光素子図示せずはESDに対する耐性を有し、よって、ツェナーダイオード図示せずを発光素子パッケージ822に実装しなくて済む。したがって、ツェナーダイオード図示せずに起因する光度低下が防止され、結果として発光素子パッケージ822及びバックライトユニット870の発光効率を改善することができる。なお、発光素子パッケージ822及びバックライトユニット870の製造コストを低減することかできる。反射シート824は、発光素子パッケージ822で発生した光を、液晶表示パネル810の位置している方向に反射させて、光の利用効率を向上させる。一方、発光素子モジュール823で発生した光は拡散板840に入射し、拡散板840の上部には光学フィルム860が配置される。光学フィルム860は、拡散フィルム866、プリズムフィルム850及び保護フィルム864を含むことができる。一方、実施例に係る発光素子は、上述した実施例の構成及び方法に限定されず、各実施例の全部または一部を選択的に組み合わせて変形実施することもできる。なお、以上では好適な実施例に挙げて本発明を図示及び説明してきたが、本発明は、以上の特定の実施例に限定されず、請求の範囲で請求する本発明の要旨を逸脱しない限度内で、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者にとっては、様々な変形実施が可能であることは明らかであり、これらの変形実施も本発明の範囲に属するものとして理解すべきである。"