約60重量~約92重量の第1はんだ合金パウダーと、0重量よりも多いが約12重量よりも少ない第2はんだ合金パウダーと、フラックスと、を含み、前記第1はんだ合金パウダーが、約260°Cを超える固相温度を有する第1はんだ合金を含み、前記第2はんだ合金パウダーが、約250°Cよりも小さい固相温度を有する第2はんだ合金を含むことを特徴とする、はんだペースト。前記第2はんだ合金は、約230°C~約250°Cの固相温度を有することを特徴とする請求項1に記載のはんだペースト。前記第2はんだ合金は、Sn合金、Sn-Sb合金、又は、Sn-Sb-XX=Ag、Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt又はZn合金を含むことを特徴とする請求項2に記載のはんだペースト。前記第2はんだ合金は、約200°C~約230°Cの固相温度を有することを特徴とする請求項1に記載のはんだペースト。前記第2はんだは、Sn-Ag合金、Sn-Cu合金、Sn-Ag-XX=Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt、Sb又はZn合金又はSn-Zn合金を含むことを特徴とする請求項1に記載のはんだペースト。前記第2はんだ合金は約200°C以下の固相温度を有することを特徴とする請求項1に記載のはんだペースト。前記第2はんだは、Sn-Bi合金、Sn-In合金又はBi-In合金を含むことを特徴とする請求項6に記載のはんだペースト。前記第2はんだ合金パウダーの量は約2重量~10重量であることを特徴とする請求項1に記載のはんだペースト。前記第1はんだ合金は、Bi-Ag、Bi-Cu又はBi-Ag-Cu合金を含むことを特徴とする請求項1に記載のはんだペースト。前記第1はんだ合金は、0~20重量のAg及び残りのBi、0~5重量のCu及び残りのBi、あるいは、0~20重量のAg、0~5重量のCu及び残りのBiを含むことを特徴とする請求項1に記載のはんだペースト。前記第1はんだ合金は、2.6~15重量のAg及び残りのBi、0.2~1.5重量のCu及び残りのBi、あるいは、2.6~15重量のAg、0.2~1.5重量のCu及び残りのBiを含むことを特徴とする請求項1に記載のはんだペースト。約60重量~約92重量の第1はんだ合金パウダーと、0重量よりも多いが約12重量よりも少ない第2はんだ合金パウダーと、フラックスと、を組み合わせることを含み、前記第1はんだ合金パウダーが、約260°Cを超える固相温度を有する第1はんだ合金を含み、前記第2はんだ合金パウダーが、約250°Cよりも小さい固相温度を有する第2はんだ合金を含むことを特徴とする、はんだペーストを作成する方法。前記第2はんだ合金は、Sn合金、Sn-Sb合金、Sn-Sb-XX=Ag、Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt又はZn合金、Sn-Ag合金、Sn-Cu合金、Sn-Ag-XX=Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt、Sb又はZn合金、Sn-Zn合金、Sn-Bi合金、Sn-In合金又はBi-In合金を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第2はんだ合金パウダーの量は、約2重量~10重量であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1はんだ合金は、Bi-Ag、Bi-Cu又はBi-Ag-Cu合金を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1はんだ合金は、0~20重量のAg及び残りのBi、0~5重量のCu及び残りのBi、あるいは、0~20重量のAg、0~5重量のCu及び残りのBiを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1はんだ合金は、2.6~15重量のAg及び残りのBi、0.2~1.5重量のCu及び残りのBi、あるいは、2.6~15重量のAg、0.2~1.5重量のCu及び残りのBiを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。基板と装置との間にはんだペーストを適用してアセンブリを形成するステップと、リフロープロファイルを使用して前記アセンブリをリフローはんだ付けして、はんだ接合を形成するステップと、含み、前記はんだペーストは、約60重量~約92重量の第1はんだ合金パウダーと、0重量よりも多いが約12重量よりも少ない第2はんだ合金パウダーと、フラックスと、を含み、前記第1はんだ合金パウダーが、約260°Cを超える固相温度を有する第1はんだ合金を含み、前記第2はんだ合金パウダーが、約250°Cよりも小さい固相温度を有する第2はんだ合金を含むことを特徴とする、はんだ付けの方法。前記第2はんだ合金は、Sn合金、Sn-Sb合金、Sn-Sb-XX=Ag、Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt又はZn合金、Sn-Ag合金、Sn-Cu合金、Sn-Ag-XX=Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt、Sb又はZn合金、Sn-Zn合金、Sn-Bi合金、Sn-In合金又はBi-In合金を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第2はんだ合金パウダーの量は、約2重量~10重量であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1はんだ合金は、Bi-Ag、Bi-Cu又はBi-Ag-Cu合金を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1はんだ合金は、0~20重量のAg及び残りのBi、0~5重量のCu及び残りのBi、あるいは、0~20重量のAg、0~5重量のCu及び残りのBiを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1はんだ合金は、2.6~15重量のAg及び残りのBi、0.2~1.5重量のCu及び残りのBi、あるいは、2.6~15重量のAg、0.2~1.5重量のCu及び残りのBiを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。基板と装置との間にはんだペーストを適用してアセンブリを形成するステップと、リフロープロファイルを使用して前記アセンブリをリフローはんだ付けして、はんだ接合を形成するステップと、含むプロセスによって形成されたはんだ接合であって、前記はんだペーストは、約60重量~約92重量の第1はんだ合金パウダーと、0重量よりも多いが約12重量よりも少ない第2はんだ合金パウダーと、フラックスと、を含み、前記第1はんだ合金パウダーが、約260°Cを超える固相温度を有する第1はんだ合金を含み、前記第2はんだ合金パウダーが、約250°Cよりも小さい固相温度を有する第2はんだ合金を含むことを特徴とする、はんだ接合。前記第2はんだ合金は、Sn合金、Sn-Sb合金、Sn-Sb-XX=Ag、Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt又はZn合金、Sn-Ag合金、Sn-Cu合金、Sn-Ag-XX=Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt、Sb又はZn合金、Sn-Zn合金、Sn-Bi合金、Sn-In合金又はBi-In合金を含むことを特徴とする請求項1に記載のはんだ接合。前記第2はんだ合金パウダーの量は、約2重量~10重量であることを特徴とする請求項1に記載のはんだ接合。前記第1はんだ合金は、Bi-Ag、Bi-Cu又はBi-Ag-Cu合金を含むことを特徴とする請求項1に記載のはんだ接合。前記第1はんだ合金は、0~20重量のAg及び残りのBi、0~5重量のCu及び残りのBi、あるいは、0~20重量のAg、0~5重量のCu及び残りのBiを含むことを特徴とする請求項1に記載のはんだ接合。前記第1はんだ合金は、2.6~15重量のAg及び残りのBi、0.2~1.5重量のCu及び残りのBi、あるいは、2.6~15重量のAg、0.2~1.5重量のCu及び残りのBiを含むことを特徴とする請求項1に記載のはんだ接合。本発明は、混合合金はんだペーストを設計及び準備するための新規技術を請求し、合成合金パウダーの組み合わされた利点を提供する。いくつかの実施形態では、混合合金はんだペーストは、ダイ接着のような高温はんだ適用に適切である。なぜなら、合成物が、第2合金による改善した反応化学、よく制御されたIMC層厚及び強化された信頼性、第1合金による高い溶融温度及び良好な熱/電気伝導性を含む所望の利点をを提供するからである。また、本発明は、混合合金はんだペーストを準備する方法と、電子コンポーネント又は機械部品を混合合金はんだペーストで接合する方法論を提供する。発明された技術は、混合合金パウダーペーストを設計する方法を提供し、そこでは、添加パウダーがペースト内に存在して、第1合金はんだパウダーの溶融と同じかそれより比較的低温での反応化学を改善する。いくつかの実施形態では、混合合金パウダーペーストは、2以上の合金パウダー及びフラックス流動体を含む。ペースト中の合金パウダーは、主要部としての一方のはんだ合金と、少数部としての添加合金パウダーとから構成される。添加物は、優れた化学を提供して、基板の様々な金属化表面仕上げつまり、一般的にはCu及びNi表面仕上げ等上でぬれる。いくつかの実施形態では、添加物が、主要なはんだの溶解の前又は一緒に溶解する。溶融添加物は、部分的な又は完全な溶融第1合金の前又は一緒にぬれて接着する。添加物は、基板金属化表面仕上げに沿ってIMCの形成を支配し、リフロープロセス中にIMC内に完全に変換されるように設計される。すなわち、IMC形成における添加物の主要な役割のおかげで、IMC層の厚みは、ペースト中の添加物の量によってよく制御される。いくつかの実施形態では、第1合金はんだが、添加物及び基板間で形成されたIMC層への強い親和性を有する。この強い親和性は、はんだ本体及びIMC間の結合強度を強化する。すなわち、所望の反応化学及びよく制御されたIMC層厚は、ぬれ特性を改善するだけでなく、ぬれ特性に関連する結合強度をも強化する。本発明の他の特徴及び形態は、図面を伴う以下の詳細な説明から明らかになるであろう。そして、例示によって本発明の実施形態に従った特徴を説明する。当該サマリーは本発明の範囲を限定することを意図しておらず、ここに添付されたクレームによってのみ定められる。1又は複数の様々な実施形態に従う本発明は、以下の図面を参照して詳細に説明される。図面は、説明だけの目的で提供され、本発明の典型的又は例示の実施形態をただ単に描写するものである。これら図面は、読者の本発明の理解を容易にするために提供され、本発明の範囲又は応用性を限定するものではない。注意すべきであるが、明確化及び簡易化のために、これら図面は、スケール通りに必ずしも形成されていない。本発明は、流動的な種々のはんだ合金の混合体を備えるはんだペーストに関する。2以上のはんだ合金又は金属は、フラックス流動物質内に組み込まれる。第1はんだ合金又は金属第1合金は、リフロー中、はんだ接合の主要本体を形成する。残りの第2はんだ合金又は金属、あるいは、さらなる追加のはんだ合金第2合金が、金属基板との反応化学又は第1合金への親和性に従って選択される。第2合金の溶融温度TmBは、第1合金溶融温度TmAよりも小さい。リフロー中、第2合金は、最初に溶融し、基板上に拡散する。第1合金が溶融したとき、第2合金の存在が、基板上の溶融した第1合金の凝結を促進させる。第2合金は、完全にIMCに変換されるように設計されることにより、結果として、最終接合において、低溶融相が最小限になるか又は存在しない。ペースト内の添加物が、リフロー中の反応化学を修正し、ぬれ性を改善し、IMCの厚みを制御し、且つ、結合強度を強化する。所望のぬれ性及び信頼性を有する高温鉛フリーのはんだ付け用のはんだに加えて、乏しいぬれ性のはんだが使用されるところでは、設計プロセスは、多くの他のはんだ付け用途に拡張可能である。例えば、Pb-Cu合金は、高い溶融温度を有するが、様々な金属基板上で乏しいぬれ性を有する。すなわち、それらは、はんだ付けに使用するのに困難である。本発明では、Sn又はSn含有合金のような僅かな添加物がPb-Cuが様々な金属表面上でぬれることを助ける。しかしながら、Snが単にPb-Cu内に合金化された場合、Cu6Sn5IMCの形成がSnから反応化学を減少させる。はんだ内により多い量のSnを合金化することは、Pb-Cuの溶融温度を明らかに減少させ、これは望ましくない。図1は、本発明の一実施形態に従った混合はんだペーストを使用したリフロープロセスを示す。混合はんだペーストは、フラックス内に懸濁した第1合金はんだ粒子118及び第2合金はんだ粒子115を備える。いくつかの実施形態では、第2合金は、基板もしくは様々な一般的な基板へのより優れた反応化学に従って選択される。混合はんだペーストは、基板124に適用塗布される説明のためにフラックスが図から省略されている。リフロー中、アセンブリの温度が、第2合金の溶融温度TmB以上に上昇する。第2合金は、基板112上及びまだ固体の第1合金粒子118の周りで溶融し、拡散する112。第2合金の良好な表面反応化学は、基板124上の溶融はんだ合金112のぬれ性を促進する。これは、溶融第2合金112と基板124との間のIMC層109の形成につながる。したがって、IMC層は、当初のペースト内の第2合金115の量で主に制御される。さらに、第2合金は、第1合金への良好な親和性を有するように設計される。この親和性は、1第1合金及び第2合金間の負の混合エンタルピー、又は2第1及び第2合金からの構成元素からなる共晶相の形成によって決定され得る。いくつかの実施形態では、この親和性は、溶融第2合金112内に溶解する幾分かの第1合金118を生じ、第1及び第2合金の混合体106を形成する。温度が第1合金の溶融温度TmAを超えて上昇すると、第1合金は溶融を終了し、第1及び第2合金の溶液103を形成し、これはIMC相109にぬれ性を有する。アセンブリがTmAを超えて維持されると、第2合金が溶液103から除去され、IMC層109を増加し、そして、溶融第1合金100を残す。実施形態によっては、IMC層109を形成することに加えて、第2合金からの余剰成分が、第1合金からの成分を有するIMC内に組み込まれ得る。第1合金及び第2合金間の親和性は、IMC層109への第1合金100のぬれ性を改善することを助け、それにより、結合強度を強化する。アセンブリが冷却されると、はんだバンプ131又は接合部が、固化した第1合金に結合したIMC109に結合された基板124を形成する。凝固の後、改善した結合界面を有する均質はんだ接合が達成される。単一のはんだ合金が第1及び第2合金の元素からなるときであっても、混合はんだペーストの使用から生成したはんだ接合は、単一のはんだ合金を含有するはんだペーストの使用の大きな改善を表す。図2は、Cu基板200及びアロイ42基板205上の90重量Bi10.02Ag3.74Sn10重量フラックスからなるはんだペーストを使用して形成されたはんだバンプ201及び207をされぞれ示す。これらの結果が示すとおり、明らかなディウェッティングdewetting202及び206が、単一のはんだ合金の使用で起こる。対照的な図3では、Cu基板210及びアロイ42基板215上の84重量Bi11Ag6重量Bi42Sn10重量フラックスからなる混合はんだペーストを使用して形成されたはんだバンプ211及び216をそれぞれ示している。これらの結果が示すとおり、混合はんだペーストの使用は、ディウェッティングをほとんど示さない。一実施形態では、混合はんだペーストは、第1合金としてのBiAgと、第2合金としてのSnSbとを含む。第2合金では、Snが様々な基板でBi上の良好な反応化学のためにに選択された。SnSbは、BiAgよりも低い溶融温度を有する。Sn及びBiは、負の混合エンタルピーを示し、且つ、二元相図に従って、広い組成範囲内の共晶相を形成する。また、Sb及びBiは、負の混合エンタルピーを示し、且つ、互いへの無限の溶解度を有する。リフロー中、SnSbが最初に溶融し、基板表面上にSn含有IMC層を形成する。温度がBiAgの溶融温度を超えたとき、ペースト中の全合金パウダーが溶融する。Bi及びSn/Sb間の良好な親和性が、Sn含有IMC層上の溶融Biの良好な接着を保証する。さらに、第1合金中のAgの存在は、はんだ本体に存在するAg3SnIMC内に全ての余剰Snを変換可能である。したがって、1はんだ及び金属基板間のIMC層、及び、2BiAgはんだバンプ内のAg3Snを形成することにより、Snが完全に消費されたので、残った低い溶融BiSn相が最小限であるか、あるいは、存在しない。図5は、84重量Bi11Ag6重量Sn15Sb10重量フラックスの使用から生成された接合のDSCを示している。上部曲線が、セラミック試片上のリフロー後の熱流量プロファイルを示す。約138°Cでのスパイク急下降形状が第2合金の存在を示す。下部曲線は、Cu試片上のリフロー後のペーストの熱流量プロファイルを示す。下部曲線におけるスパイクの不存在が、BiAgSnSbシステム内の低溶融相の不存在を証明する。図6は、BiAgSnAgシステム内の低溶融相の不存在を示す。図5のように、図6の実験は、セラミック及びCu試片上の84重量Bi11Ag6重量Sn3.5Ag10重量フラックスを使用した。図7は、BiAgBiSnシステム内の不存在を示す。図5及び6のように、図7の実験は、セラミック及びCu試片上の84重量Bi11Ag6重量Bi42Sn10重量フラックスを使用した。図7では、セラミック上のはんだリフロー後の熱流量プロファイルを表す上部曲線が、低溶融相の欠如を示す。これは、おそらく、混合はんだペースト内の少量の反応エージェントSn、及び、SnとAgとの間の高親和性によるものである。その結果、最終的なバンプのIMC内に、第2合金のSnが第1合金の幾分かのAgと合わさる。図8は、84重量Bi11Ag6重量Sn3.5Ag10重量フラックスを構成する混合はんだペーストの使用から生成したはんだ接合の顕微鏡写真である。この例では、混合はんだペーストがCu試片300に適用された。IMC301がCu300及び第2合金間で形成する。このIMC301のサイズは、ペースト中の第2合金の量に主に依存する。この示した例では、6重量の第2合金Sn3.5Agがたった数ミクロンの厚みのIMCを生成する。はんだ接合のバルクは、Biリッチ相302内のAg303から形成される。150°Cで2週間のエイジングは、IMC厚をほとんど増加させない。対照的に、Bi及びCuが金属間化合物を形成しないので、Bi11Ag単独で弱い結合を形成する。なぜなら、IMC層がはんだ及び基板間に存在しないからである。本発明の一実施形態では、混合はんだペーストを設計する方法は、最終はんだ接合の所望の特徴に従って第1合金を選択すること、及び、適用可能な基板及び選択した第1合金との親和性に従って第2合金を選択すること、を含む。第1合金、第2合金及びフラックスの相対量は、所望のIMC層厚、必要な応用条件、及び、リフロープロセスのような要因に従って決定される。IMC層厚は、はんだペースト中の第2合金の、リフロープロファイル及び適用に続くエージング条件に関連する。IMC層の許容される厚みは、異なる応用条件及び異なるIMC成分と共に変化してもよい。例えば、Cu6SnIMC層にとって、10ミクロンが許容可能な厚みとなることができる。ペースト中の第2合金の量が増加すると、最終接合内に低溶融相が残り得る。第2合金の量がはんだペースト中で減少した場合、所望のぬれ特性が実現することが困難となり得る。第2合金が減少すると、良好なぬれ性は、基板に印刷又は供給されるより多い総量のペーストの使用を必要とする。しかしながら、ペーストの総量を増加させることは、はんだ付けパッケージからの形状制限に干渉する虞がある。高温はんだ用途のため、第1合金は、様々な高溶融はんだ合金から選択される必要がある。いくつかの実施形態では、その固相温度が約258°Cを超えるBiリッチ合金、すなわち、Bi-Ag、Bi-Cu及びBi-Ag-Cuが使用される。第2合金又は添加物は、様々な金属化表面仕上げ上にぬれて接着する優れた化学特性を有し、且つ、溶融Biへの良好な親和性を示す合金から選択される。これら実施形態では、第2合金は、Biリッチ合金の前又は一緒に溶融して、簡単に基板上にぬれて接着する。一方、Bi及び第2合金間の良好な親和性が良好なぬれ性を提供する。したがって、Sn、Sn合金、In及びIn合金が第2合金として選択される。選択された第2合金の溶融温度に基づいて、3つのグループに分類される。グループAは、約230°Cから250°Cの間の固相温度を有する添加合金、すなわち、Sn、Sn-Sb、Sn-Sb-XX=Ag、Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt及びZn合金等を含む。グループBは、約200°Cから230°Cの間の固相温度を有するはんだ合金を含み、Sn-Ag、Sn-Cu、Sn-Ag-XX=Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt、Sb及びZn及びSn-Zn合金等を含む。グループCは、200°C未満の固相温度を有するはんだ合金、すなわち、Sn-Bi、Sn-In、Bi-In、In-Cu、In-Ag及びIn-Ag-XX=Al、Au、Bi、Co、Cu、Ga、Ge、Mn、Ni、P、Pd、Pt、Sb、Sn及びZn合金等を有する。これらの合金では、Snはシステム内の反応エージェントである。本発明の一実施形態では、第1合金は、BiAgシステムからの合金であり、約260°Cを超える固相温度を有する。特定の実施形態では、第1合金は、0~20重量のAgと、残りのBiとからなる。さらなる実施形態では、第1合金は、2.6~15重量のAgと、残りのBiとからなる。本発明の第2の実施形態では、第1合金がBi-Cuシステムから選択され、約270°C以上の固相温度を有する。特定の実施形態では、第1合金は、0~5重量のCuと、残りのBiとからなる。さらなる実施形態では、第1合金は、0.2~1.5重量のCuと、残りのBiとからなる。本発明の第3の実施形態では、第1合金がBi-Ag-Cuシステムから選択され、約258°C以上の固相温度を有する。特定の実施形態では、第1合金は、0~20重量のAgと、0~5重量のCuと、残りのBiとからなる。さらなる実施形態では、第1合金は、2.6~15重量のAgと、0.2~1.5重量のCuと、残りのBiとからなる。本発明の第4の実施形態では、第2合金がSn-Sbシステムから選択され、約231°C~約250°Cの固相温度を有する。特定の実施形態では、第2合金は、0~20重量のSbと、残りのSnとからなる。さらなる実施形態では、第2合金は、0~15重量のSbと、残りのSnとからなる。本発明の第5の実施形態では、第2合金がSn-Sb-XX=Ag、Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt及びZnを含み、約230°C~約250°Cの固相温度を有する。特定の実施形態では、第2合金は、0~20重量のSbと、0~20重量のXと、残りのSnとからなる。さらなる実施形態では、第2合金は、0~10重量のSbと、0~5重量のXと、残りのSnとからなる。本発明の第6の実施形態では、第2合金がSn-Agを含み、約221°C以上の固相温度を有する。特定の実施形態では、第2合金は、0~10重量のAgと、残りのSnとからなる。さらなる実施形態では、第2合金は、0~5重量のAgと、残りのSnとからなる。本発明の第7の実施形態では、第2合金がSn-Cuを含み、約227°C以上の固相温度を有する。特定の実施形態では、第2合金は、0~5重量のCuと、残りのSnとからなる。さらなる実施形態では、第2合金は、0~2重量のCuと、残りのSnとからなる。本発明の第8の実施形態では、第2合金がSn-Ag-XX=Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt、Sb及びZnを含み、約216°C以上の固相温度を有する。特定の実施形態では、第2合金は、0~10重量のAgと、0~20重量のXと、残りのSnとからなる。さらなる実施形態では、第2合金は、0~5重量のAgと、0~5重量のXと、残りのSnとからなる。本発明の第9の実施形態では、第2合金がSn-Znを含み、約200°C以上の固相温度を有する。特定の実施形態では、第2合金は、0~20重量のZnと、残りのSnとからなる。さらなる実施形態では、第2合金は、0~9重量のZnと、残りのSnとからなる。本発明の第10の実施形態では、第2合金がBi-Sn合金を含み、約139°C以上の固相温度を有する。特定の実施形態では、第2合金は、8~80重量のSnと、残りのBiとからなる。さらなる実施形態では、第2合金は、30~60重量のSnと、残りのBiとからなる。本発明の第11の実施形態では、第2合金がSn-In合金を含み、約120°C以上の固相温度を有する。特定の実施形態では、第2合金は、0~80重量のInと、残りのSnとからなる。さらなる実施形態では、第2合金は、30~50重量のInと、残りのSnとからなる。本発明の第12の実施形態では、第2合金がBi-In合金を含み、約100°C~約200°Cの固相温度を有する。特定の実施形態では、第2合金は、0~50重量のInと、残りのBiとからなる。さらなる実施形態では、第2合金は、20~40重量のInと、残りのBiとからなる。本発明の第13の実施形態では、第2合金がIn-Cu合金を含み、約100°C~約200°Cの固相温度を有する。特定の実施形態では、第2合金は、0~10重量のCuと、残りのInとからなる。さらなる実施形態では、第2合金は、0~5重量のCuと、残りのInとからなる。本発明の第14の実施形態では、第2合金がIn-Ag合金を含み、約100°C~約200°Cの固相温度を有する。特定の実施形態では、第2合金は、0~30重量のAgと、残りのInとからなる。さらなる実施形態では、第2合金は、0~10重量のAgと、残りのInとからなる。本発明の第15の実施形態では、第2合金がIn-Ag-XX=Al、Au、Bi、Co、Cu、Ga、Ge、Mn、Ni、P、Pd、Pt、Sb、Sn及びZn合金を含み、約100°C~約200°Cの固相温度を有する。特定の実施形態では、第2合金は、0~20重量のAgと、0~20重量のXと、残りのInとからなる。さらなる実施形態では、第2合金は、0~10重量のAgと、0~5重量のXと、残りのInとからなる。本発明のさらなる実施形態では、混合はんだペーストを作成する方法を提供する。いくつかの実施形態では、第1合金の粒子が形成され、第2合金の粒子が形成される。そして、第1及び第2合金の粒子がフラックスに混合されてはんだペーストを形成する。最終ペーストは、第1合金パウダーと第2合金パウダーと残りのフラックスとを含む。いくつかの実施形態では、第1合金の粒子は、少なくとも約260°Cの固相温度を有する合金からなる。さらなる実施形態では、第2合金は、約230°C~250°Cの固相温度を有する合金、約200°C~230°Cの固相温度を有する合金、又は、約200°C以下の固相温度を有する合金を含む。いくつかの実施形態では、ペーストは、約60~92重量の第1合金パウダーと、0よりも多いが12重量以下の量の第2合金パウダーと、残りのフラックスとから構成される。さらなる実施形態では、第2合金パウダーは、混合はんだペーストの2~10重量である。特定の実施形態では、第1合金は、Bi-Ag合金、Bi-Cu合金又はBi-Ag-Cu合金を含む。さらなる実施形態では、約230°C~約250°Cの固相温度を有する合金は、Sn合金、Sn-Sb合金又はSn-Sb-XX=Ag、Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt及びZn合金を含む。別の実施形態では、約200°C~約230°Cの固相温度を有する合金は、Sn-Ag合金、Sn-Cu合金、Sn-Ag-XX=Al、Au、Co、Cu、Ga、Ge、In、Mn、Ni、P、Pd、Pt、Sb及びZn合金、又は、Sn-Zn合金を含む。さらなる実施形態では、約200°C以下の固相温度を有する合金は、Sn-Bi合金、Sn-In合金又はBi-In合金を含む。さらなる実施形態では、第2合金パウダーは複数の合金パウダーからなるパウダーを含む。例えば、第2合金パウダーは、ここに説明した合金から選択された異なる合金の混合を含んでもよい。いくつかの実施形態では、混合はんだペースト中の第1及び第2合金の相対量は、はんだの適用に従って決定される。場合によっては、ペースト中の第2はんだ合金の量が所定のしきい値を超えて増加したとき、最終はんだ接合中で低溶融相が残る可能性が増加する虞がある。場合によっては、ペースト中の第2はんだ合金の量が所定のしきい値を下回ったとき、基板へのぬれ性が低下する虞がある。一実施形態では、リフロー後に低溶融相が完全に高溶融IMCに変換されるように、ペースト中の第2はんだ合金の量が決定される。さらなる実施形態では、ペースト中の第2合金が0重量より多いが約12重量よりも少ない量の間で変化する。特定の実施形態では、ペースト中の第2合金が約2重量より多いが約10重量よりも少ない。様々な通常の不純物又は少量の異なる元素に加えて、Snの反応特性が維持される限り、他の元素をこれら合金内に付加又は組み込んでもよい。いくつかの実施形態では、混合はんだペーストではんだ付けに使用されたリフロープロファイルは、第1合金の溶融温度を超えて迅速に温度上昇するように設計される。これらの場合では、低温でのより短い浸漬時間が、Snのような反応エージェントが素早く基板に対して流れ、半固形の溶融プールでなく完全な溶融プールにおいて基板と反応することを可能とする。第1及び第2合金の両方の溶融が、溶融はんだから基板及び部分への第2合金元素の拡散を促進し、表面へ沈降sinkしてIMC層を形成する。実施例ここに説明した範囲に亘る様々な混合合金パウダーペーストでは、はんだ性能の試験された。表1は、Bi11Ag又はBi2.6Agを含む第1合金と、Sn10Ag25Sb又はSn10Ag10Sbを含む第2合金と、フラックスとを使用して形成された混合はんだペーストの実施例の処方を示している。表1:グループAの第2合金を使用した混合はんだ合金の重量パーセント表2は、Bi11Agを含む第1合金と、Sn3.8Ag0.7Cu、Sn3.5Ag、Sn0.7Cu又はSn9Znを含む第2合金と、フラックスとを使用して形成された混合はんだペーストの実施例の処方を示している。表2:グループBの第2合金を使用した混合はんだ合金の重量パーセント表3は、Bi11Agを含む第1合金と、Bi42Sn、Bi33In又はIn48Snを含む第2合金と、フラックスとを使用して形成された混合はんだペーストの実施例の処方を示している。表3:グループCの第2合金を使用した混合はんだ合金の重量パーセント表1、2及び3に示された各ペーストは、3孔のステンレス鋼ステンシルを使用して、準備され、且つ、試片上に印刷される。Cu、Ni、アロイ42Alloy42及びアルミナ試片が使用された。各ペーストが各試片上に印刷された。孔は1/4インチ径であった。印刷試片が、混合合金パウダーはんだペースト用に設計されたプロファイルでリフローオーブンを通してリフローされた。リフローは、3領域リフローオーブン内で380°C、400°C及び420°CでN2雰囲気中でベルト速度毎分13で実行された。Cu及びNi試片上のぬれ特性は、視覚的に検査された。全ての混合はんだ合金は、単一のBiAgはんだペーストと比較したとき、改善したぬれ性を示した。図3及び図4は、典型的な結果を表す写真である。図3は、84重量Bi11Ag6重量Bi42Sn10重量フラックスからなる混合合金パウダーはんだペーストの実施例のぬれ特性を示している。左の写真は、Cu試片上でリフローされたペーストを示し、右の写真は、アロイ42試片上でリフローされたペーストを示している。図4は、84重量Bi11Ag6重量52In48Sn10重量フラックスからなる混合合金パウダーはんだペーストの実施例のぬれ特性を示している。左の写真は、Cu試片上でリフローされたペーストを示し、右の写真は、アロイ42試片上でリフローされたペーストを示している。リフローされたはんだボールは、DSC試験のためにアルミナ試片から剥離された。また、Cu試片及びNi試片上に形成されたはんだバンプは、DSC試験のために打ち抜かれた。DSC測定は、10°C/分の加熱速度で示差走査熱量計を使用して実行された。代表的なDSC曲線が図5~7に示されている。図5は、84重量Bi11Ag6重量Sn15Sb10重量フラックスの使用の結果である接合のDSC曲線を示す。上部曲線は、セラミック試片上のリフロー後の熱流量プロファイルを表す。約138°Cでのスパイクは、第2合金の存在を示す。下部曲線は、Cu試片上のリフロー後の熱流量プロファイルを表す。下部曲線内のこのスパイクの不存在は、BiAgSnSbシステム内の低溶融相の不存在を確証する。図6は、BiAgSnAgシステム内の低溶融相の不存在を示す。図6の実験は、図5のような、セラミック及びCu試片上で84重量Bi11Ag6重量Sn3.5Ag10重量フラックスを使用した。図7は、BiAgBiSnシステム内の不存在を示す。図7の実験は、図5及び6のような、セラミック及びCu試片上で84重量Bi11Ag6重量Bi42Sn10重量フラックスを使用した。図7では、セラミック上のはんだリフロー後の熱流量プロファイルを表す上部曲線は、低溶融相の欠如を示す。これは、Sn及びAg間の高い親和性におそらく起因し、その結果、第2合金のSnが最終はんだバンプ中のIMC内に組み込まれる。サンプルの断面が画像化されて、はんだバンプとCu又はNi試片との間の界面でのIMC厚を測定決定した。代表的な画像が図8に示された。図8aは、Cu試片上の84重量Bi11Ag6重量Sn3.5Ag10重量フラックスを使用したはんだバンプの断面である。図8bは、Ni試片上の同じはんだペースト使用したはんだバンプの断面である。結果が示すように、IMC層厚は、両方の試片上で数μmに制限された。本発明の様々な実施形態を上に説明したが、これらは例示の方法としてのみ存在し、限定の目的ではない。同様に、本発明に含有可能な特徴及び機能性を理解することを助けるため、様々な図面が本発明の例示のアーキテクチャ又は構成を示した。本発明は、説明した例示のアーキテクチャ又は構成に限定されることはないが、様々なアーキテクチャ及び構成を使用して所望の特徴を実施可能である。実際、代替の機能的、論理的又は物理的な分割及び構成を本発明の所望の特徴を実施するためにどのように実行可能であるかは、当業者にとって明らかである。また、ここに記載された以外の多数の異なる構成要素のモジュールを様々な区分に適用可能である。さらに、フロー図、操作記述及び方法クレームに関して、複数のステップがここに提供された順番は、文脈がそうでないと定める以外、列挙された機能性を実行するために様々な実施形態を同じ順番で実施することを要求するものではない。様々な例示の実施形態及び実施について本発明を説明したが、個々の実施形態のうちの1又は複数に説明した様々な特徴、側面及び機能性が、それらの応用性において説明した特定の実施形態に限定されるものではない。しかし、代わりに、このような実施形態が説明されたか否かに拘わらず、及び、このような特徴が説明した実施形態の一部であるように表されたか否かに拘わらず、単独で又は様々な組み合わせにおいて、本発明の他の実施形態のうちの1又は複数に適用可能である。すなわち、本発明の範囲は、上述の例示の実施形態のいずれによっても限定されるべきではない。この書類で使用された用語及びフレーズ、及びその変形は、宣言されなければ、限定を拒絶するように無制限に解釈されるべきである。前述の例として、用語含むincludingは、意味限定なしに含むなどとして読まれるべきである。用語例exampleは、網羅的又は限定的なリストでなく、説明のアイテムの例示を提供することに使用される。用語a又はan不定冠詞は、意味少なくとも1つ、1又は複数のなどとして読まれるべきである。また、従来のconventional、伝統的なtraditional、通常のnormal、標準的なstandard、公知のknown及び類似の意味の用語のような形容詞は、所定期間に説明されたアイテム又は所定時間について利用可能なアイテムを限定するものと解釈されるべきではなく、現在又は未来で利用可能又は公知となる従来、伝統的、通常の、標準的な技術を包含するように読まれるべきである。同様に、この書類が当業者にとって明らかな又は公知な技術を示すところでは、このような技術が現在又は未来における当業者にとって明らか又は公知である。1又は複数のoneormore、少なくともatleast、限定されないがbutnotlimitedなどのフレーズのような広範囲な言葉及びフレーズは、このような広範囲のフレーズが存在する場合、より狭いケースが意図され又は必要とされることを意味していると読まれるべきではない。用語モジュールmoduleの使用は、モジュール部分が共通のパッケージ内で全て構成されるようにコンポーネント又は機能性が説明又は要求されることを意味するものではない。実際、モジュールの様々なコンポーネントの全てが、制御論理又は他のコンポーネントのいずれにせよ、1つのパッケージに組み合わされ、又は、別々に維持され、且つ、複数の分類もしくはパッケージ内に複数の場所に亘ってさらに分配可能である。さらに、ここに説明した様々な実施形態は、例示のブロック図、フローチャート及び他の図面において記述された。この書面を読んだ後に当業者に明らかになるが、説明した実施形態及びそれらの変形を、説明した例に限定されることなく実施可能である。例えば、ブロック図及びそれらに付随する説明は、特定のアーキテクチャ又は構成を定めるものとして解釈されるべきではない