ドレイン電極と、前記ドレイン電極に電気的に接続された第1導電型のドレイン層と、前記ドレイン層上に設けられ、前記ドレイン層の表面に対して垂直方向に延びると共に前記ドレイン層の表面に平行な第1方向に交互に配置された第1導電型の第1半導体層、及び第2導電型の第2半導体層を有する周期構造層と、前記ドレイン層上に設けられ、前記周期構造層の終端に位置する第1半導体層に隣接し且つ前記ドレイン層の表面に対して垂直方向に延びる第1導電型の第3半導体層と、前記第1半導体層上に形成された第1導電型のドリフト層と、前記第2半導体層上に形成された第2導電型のベース層と、前記ベース層上に形成された第1導電型のソース層と、前記ベース層上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極と、前記ソース層に電気的に接続されたソース電極とを備え、前記第1半導体層は、一定の第1高さを持って前記垂直方向に配列した複数の第1拡散層を有し、前記第1半導体層に挟まれる第2半導体層は、前記第1高さをもって前記垂直方向に配列した複数の第2拡散層を有し、前記第3半導体層は、前記第1高さを持って前記垂直方向に配列した複数の第3拡散層を有し、1つの前記第1半導体層中の複数の前記第1拡散層の前記第1方向の幅は、互いに同一であり、1つの前記第1半導体層中の複数の前記第1拡散層内の不純物量は、前記第1半導体層の下端から上端へ向かうに従って次第に大きくなり、1つの前記第2半導体層中の複数の前記第2拡散層の前記第1方向の幅は、互いに同一であり、1つの前記第2半導体層中の複数の前記第2拡散層内の不純物量は、互いに同一、或いは、複数の前記第1拡散層内の不純物量の変化と異なるように前記第2半導体層の下端から上端に向かうに従って変化し、1つの前記第3半導体層中の複数の前記第3拡散層の前記第1方向の幅は、同一層にある前記第1拡散層の前記第1方向の幅及び前記第2拡散層の前記第1方向の幅よりも狭く、且つ前記第3半導体層の下端から上端に向かうに従って次第に狭くなり、1つの前記第3半導体層中の複数の前記第3拡散層内の不純物量は、互いに同一であることを特徴とする半導体装置。前記第3半導体層に隣接する第2半導体層は、前記第1高さをもって前記垂直方向に配列した複数の第4拡散層を有し、1つの前記第2半導体層中の複数の前記第4拡散層の前記第1方向の幅は、前記第2半導体層の下端から上端に向かうに従って次第に狭くなり、1つの前記第2半導体層中の複数の前記第4拡散層内の不純物量は、前記第2半導体層の下端から上端に向かうに従って次第に小さくなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記第3半導体層の最下端に位置する前記第3拡散層の前記第1方向の幅は、前記第1拡散層の前記第1方向の幅の1/2であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体装置。第1半導体層を堆積させる工程と、前記第1半導体層に第1導電型の不純物イオンを注入し、これにより素子部において前記第1半導体層の上面と平行な第1方向に所定ピッチで複数の第1拡散層を形成すると共に、前記素子部の終端に第2拡散層を形成する工程と、前記第1半導体層に第2導電型の不純物イオンを注入し、これにより前記第1拡散層に挟まれる前記第1半導体層に第3拡散層を形成する工程と、前記第1半導体層上に第2半導体層を堆積させる工程と、前記第2半導体層に第1導電型の不純物イオンを注入し、これにより複数の前記第1拡散層に整合する位置に複数の第4拡散層を形成すると共に、前記第2拡散層に整合する位置に第5拡散層を形成する工程と、前記第2半導体層に第2導電型の不純物イオンを注入し、これにより前記第3拡散層に整合する位置に第6拡散層を形成する工程と、前記第1乃至第6拡散層中の不純物イオンを熱拡散させる工程とを備え、前記第1半導体層を堆積させる工程、前記第1拡散層乃至前記第3拡散層を形成する工程、前記第2半導体層を堆積させる工程、及び前記第4拡散層乃至前記第6拡散層を形成する工程は、繰り返し行なわれ、前記第1拡散層、第3拡散層、前記第4拡散層、及び前記第6拡散層を形成する際の不純物イオンの照射面積は、第1の面積とし、前記第2拡散層を形成する際の不純物イオンの照射面積は、前記第1の面積よりも小さい第2の面積とし、前記第5拡散層を形成する際の不純物イオンの照射面積は、前記第2の面積よりも小さい第3の面積とし、前記第2半導体層への第1導電型の不純物イオンのドーズ量は、前記第1半導体層への第1導電型の不純物イオンのドーズ量よりも大きくし、前記第2半導体層への第2導電型の不純物イオンのドーズ量は、前記第1半導体層への第2導電型の不純物イオンのドーズ量と等しくすることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1半導体層に第2導電型の不純物イオンを注入し、これにより前記第1拡散層と前記第2拡散層とに挟まれる前記第1半導体層に第7拡散層を形成する工程と、前記第2半導体層に第2導電型の不純物イオンを注入し、これにより前記第7拡散層に整合する位置に第8拡散層を形成する工程とを更に備え、前記第8拡散層を形成する際の不純物イオンの照射面積は、前記第7拡散層を形成する際の不純物イオンの照射面積よりも小さくすることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。前記第1乃至第6拡散層中の不純物イオンを熱拡散させる前、前記第2拡散層及び前記第5拡散層は、前記第2方向に所定ピッチをもってドット状に形成されることを特徴とする請求項4又は請求項5記載の半導体装置の製造方法。本発明は、耐圧を向上させた半導体装置、及びその製造方法を提供する。一態様に係る半導体装置は、ドレイン電極、第1導電型のドレイン層、周期構造層、第1導電型の第3半導体層、第1導電型のドリフト層、第2導電型のベース層、第1導電型のソース層、ゲート電極、及びソース電極を有する。ドレイン層は、ドレイン電極に電気的に接続される。周期構造層は、ドレイン層上に設けられ、ドレイン層の表面に対して垂直方向に延びると共にドレイン層の表面に平行な第1方向に交互に配置された第1導電型の第1半導体層、及び第2導電型の第2半導体層を有する。第3半導体層は、ドレイン層上に設けられ、周期構造層の終端に位置する第1半導体層に隣接し且つドレイン層の表面に対して垂直方向に延びる。ドリフト層は、第1半導体層上に形成される。ベース層は、第2半導体層上に形成される。ソース層は、ベース層上に形成される。ゲート電極は、ベース層上にゲート絶縁層を介して形成される。ソース電極は、ソース層に電気的に接続される。第1半導体層は、一定の第1高さを持って垂直方向に配列した複数の第1拡散層を有する。第1半導体層に挟まれる第2半導体層は、第1高さをもって垂直方向に配列した複数の第2拡散層を有する。第3半導体層は、第1高さを持って垂直方向に配列した複数の第3拡散層を有する。1つの第1半導体層中の複数の第1拡散層の第1方向の幅は、互いに同一である。1つの第1半導体層中の複数の第1拡散層内の不純物量は、第1半導体層の下端から上端へ向かうに従って次第に大きくなる。1つの第2半導体層中の複数の第2拡散層の第1方向の幅は、互いに同一である。1つの第2半導体層中の複数の第2拡散層内の不純物量は、互いに同一、或いは、複数の第1拡散層内の不純物量の変化と異なるように第2半導体層の下端から上端に向かうに従って変化する。1つの第3半導体層中の複数の第3拡散層の第1方向の幅は、同一層にある第1拡散層の第1方向の幅及び第2拡散層の第1方向の幅よりも狭く、且つ第3半導体層の下端から上端に向かうに従って次第に狭くなる。1つの第3半導体層中の複数の第3拡散層内の不純物量は、互いに同一である。以下、図面を参照して、実施の形態に係る半導体装置について説明する。[第1の実施の形態]図1及び図2を参照して、第1の実施の形態に係る半導体装置を説明する。図1は第1の実施の形態に係る半導体装置の上面図であり、図2は図1のA-A’断面図である。図1に示すように、第1の実施の形態に係る半導体装置は、MOSFETとして機能する素子部100、及びその素子部100に隣接し且つ素子部100を取り囲む終端部200を有する。先ず、素子部100について説明する。図2に示すように、素子部100は、ドレイン電極11、n型ドレイン層12、及び半導体層13を有する。n型ドレイン層12は、ドレイン電極11上に設けられ、ドレイン電極11と電気的に接続される。半導体層13はn型ドレイン層12上に形成される。半導体層13は、素子部100において、所謂スーパージャンクション構造を有する。半導体層13は、高抵抗半導体層13A、高抵抗半導体層13A中に設けられた周期構造層13B及び終端p型ピラー層13Cを有する。高抵抗半導体層13Aは、素子部200だけではなく、終端部200にも連続して形成される。高抵抗半導体層13Aは、例えば不純物イオンを注入されていない真性半導体にて構成される。周期構造層13Bは、Z方向n型ドレイン層12の表面に対して垂直方向に延びるp型ピラー層131、及びn型ピラー層132、132’を有する。p型ピラー層131及びn型ピラー層132、132’は、X方向ドレイン層12の表面に平行な方向に交互に配置される。すなわち、p型ピラー層131はn型ピラー層132に挟まれ、n型ピラー層132はp型ピラー層131に挟まれる。p型ピラー層131及びn型ピラー層132の具体的な構造については後述する。終端p型ピラー層13Cは、周期構造層13BのX方向の終端に位置するn型ピラー層132’に隣接する。終端p型ピラー層13Cは、Z方向に延びる。なお、終端p型ピラー層13Cの具体的な構造については後述する。素子部100は、n型ドリフト層14、p型ベース層15、n型ソース層16、ゲート電極17、ゲート絶縁層18、及びソース電極19を有する。n型ドリフト層14はn型ピラー層132上に形成される。p型ベース層15はp型ピラー層131上に形成される。p型ベース層15はMOSFETのチャネルとして機能する。n型ソース層16は、図2に示す断面では、1つのp型ベース層15上に選択的に2つ形成される。ただし、素子部100の終端に位置するp型ベース層15Fは、他のp型ベース層15と比較してX方向に長く形成され、終端部200まで延びる。また、素子部100の終端に位置するn型ソース層16Fは、1つのp型ベース層15F上に1つだけ設けられる。n型ソース層16Fは、他のn型ソース層16と比較してX方向に長く形成され、終端部200まで延びる。ゲート電極17は、n型ドリフト層14及びp型ベース層15上にゲート絶縁層18を介して形成される。ゲート電極17は、一対のp型ベース層15を跨ぐように形成される。ゲート電極17は、例えばポリシリコンにて構成され、ゲート絶縁層18は、例えば酸化シリコンにて構成される。ソース電極19は、n型ソース層16に電気的に接続される。次に、終端部200について説明する。図2に示すように、終端部200は、素子部100から延びるドレイン電極11、n型ドレイン層12、及び半導体層13を有する。ただし、終端部200において、半導体層13は、高抵抗半導体層13Aを有するが、周期構造層13B及び終端p型ピラー層13Cを有していない。終端部200は、p型ガードリング層21、p型コンタクト層22、及びフィールドストップ層23を有する。p型ガードリング層21は高抵抗半導体層13A上に形成される。p型ガードリング層21は、それぞれ所定ピッチをおいて素子部100を取り囲む閉ループ状に形成される。p型ガードリング層21は、終端部200における電界集中を緩和させるために設けられる。p型コンタクト層22は、p型ガードリング層21上に形成される。フィールドストップ層23は、終端部200の終端に位置する。フィールドストップ層23は、終端部200における空乏層の伸びを遮断させるために設けられる。終端部200は、絶縁層24、フィールドプレート電極25、及びフィールドストップ電極26を有する。絶縁層24は、半導体層13高抵抗半導体層13A上に形成される。1つの絶縁層24は、p型ベース層15Fとp型ガードリング層21とを跨ぐ。また、1つの絶縁層24は、隣り合うp型ガードリング層21とを跨ぐ。また、1つの絶縁層24は、p型ガードリング層21とフィールドストップ層23を跨ぐ。フィールドプレート電極25は、p型コンタクト層22上に接する。フィールドストップ電極26は、フィールドストップ層23上に接する。次に、図3を参照して、周期構造層13Bp型ピラー層131、及びn型ピラー層132、及び終端p型ピラー層13Cの構造を詳しく説明する。図3は、周期構造層13B、及び終端p型ピラー層13Cの上面図である。図3に示すように、p型ピラー層131及びn型ピラー層132は、X方向に交互に隣接して配列され、Y方向X、Z方向に直交する方向を長手方向として延びる。周期構造層13Bの終端に位置するn型ピラー層132’を除いて、n型ピラー層132及びp型ピラー層131は、下端から上端に亘ってX方向に一定の幅Laを有する。n型ピラー層132’の下端の幅はLaであり、n型ピラー層132’の上端の幅はLeLe<Laである。n型ピラー層132’の幅は、下端から上端へと次第に狭くなる。終端p型ピラー層13CはY方向を長手方向として延びる。終端p型ピラー層13Cの下端の幅はLa’であり、終端p型ピラー層13Cの上端の幅はLe’Le’<La’である。終端p型ピラー層13Cの幅は、下端から上端へと次第に狭くなる。幅La’は、幅Laの半分であるLa’=La/2。図4を参照して、より具体的に周期構造層13Bp型ピラー層131及びn型ピラー層132、及び終端p型ピラー層13Cを説明する。図4は、周期構造層13B、及び終端p型ピラー層13Cの拡大断面図を示す。p型ピラー層131は、高さHを持ってZ方向ドレイン層12の表面に対して垂直方向に配列したp型拡散層131a~eを有する。n型ピラー層132、132’は、高さHを持ってZ方向に配列したn型拡散層132a~e、132’a~eを有する。終端p型ピラー層13Cは、高さHを持ってZ方向に配列したp型拡散層13Ca~eを有する。この図4では5つの拡散層131a~e、132a~e、132’a~e、13Ca~eのみを示すが、それら拡散層は5つに限定されるものではない。1つのp型ピラー層131中のp型拡散層131a~eのX方向の幅は、互いに同一の幅Laとされる。なお、本明細書において、同一とは、完全に同一である場合の他、例えば10の誤差がある場合も含む。1つのp型ピラー層131中のp型拡散層131a~e内の不純物量ions/拡散層は、p型ピラー層131の下端Bから上端Tへ向かうに従って次第に大きくなる。本実施の形態において、不純物量ions/拡散層は、拡散層131a~e、132a~e、132’a~e、13Ca~eの各々に含まれる不純物イオンの量と定義される。製造工程において、p型拡散層131a~eのためのドーズ量ionscm2は、p型ピラー層131の下端Bから上端Tへ向かうに従って次第に大きくされる。ドーズ量ionscm2は、1cm2当たりに照射される不純物イオンの量と定義される。そして、製造工程において、同一の幅Laとするため、p型拡散層131a~eのための不純物イオンの照射面積は、互いに同一とされる。したがって、上記ドーズ量及び照射面積で不純物イオンが照射されると、p型拡散層131a~e内の不純物量ions/拡散層は、p型ピラー層131の下端Bから上端Tへ向かうに従って次第に大きくなる。1つのn型ピラー層132中のn型拡散層132a~eのX方向の幅は、互いに同一の幅Laとされる。1つのn型ピラー層132中のn型拡散層132a~e内の不純物量ions/拡散層は、互いに同一とされている。なお、n型拡散層132a~e内の不純物量ions/拡散層は、p型拡散層131a~eの不純物量ions/拡散層の変化と異なるように、n型ピラー層132の下端Bから上端Tに向かうに従って変化するものであってもよい。製造工程において、n型拡散層132a~eのためのドーズ量ionscm2は、互いに同一とされる。そして、製造工程において、同一の幅Laとするため、n型拡散層132a~eのための不純物イオンの照射面積は、互いに同一とされる。したがって、上記ドーズ量及び照射面積で不純物イオンが照射されると、n型拡散層132a~e内の不純物量ions/拡散層は、互いに同一となる。1つのn型ピラー層132’中のn型拡散層132’a~eのX方向の幅La~Leは、n型ピラー層132’の下端Bから上端Tに向かうに従って次第に狭くなる。La>Lb>Lc>Ld>Le。1つのn型ピラー層132’中のn型拡散層132’a~e内の不純物量ions/拡散層は、n型ピラー層132’の下端Bから上端Tへ向かうに従って次第に小さくなる。製造工程において、n型拡散層132’a~eのためのドーズ量ionscm2は、互いに同一とされる。そして、製造工程において、幅La~Leとするため、n型拡散層132’a~eのための不純物イオンの照射面積は、n型ピラー層132’の下端Bから上端Tに向かうに従って次第に小さくされる。したがって、上記ドーズ量及び照射面積で不純物イオンが照射されると、n型拡散層132’a~e内の不純物量ions/拡散層は、n型ピラー層132’の下端Bから上端Tへ向かうに従って次第に小さくなる。1つの終端p型ピラー層13C中のp型拡散層13Ca~eのX方向の幅La’~Le’は、同一層にあるp型拡散層131a~e、132a~e、132’a~eの幅よりも狭く、終端p型ピラー層13Cの下端Bから上端Tに向かうに従って次第に狭くなるLa’>Lb’>Lc’>Ld’>Le’。1つの終端p型ピラー層13C中のp型拡散層13Ca~e内の不純物量ions/拡散層は、互いに同一となる。製造工程において、p型拡散層13Ca~eのためのドーズ量ionscm2は、終端p型ピラー層13Cの下端Bから上端Tへ向かうに従って次第に大きくされる。そして、製造工程において、幅La’~Le’とするため、p型拡散層13Ca~eのための不純物イオンの照射面積は、終端p型ピラー層13Cの下端Bから上端Tに向かうに従って次第に小さくされる。したがって、上記ドーズ量及び照射面積で不純物イオンが照射されると、p型拡散層13Ca~e内の不純物量ions/拡散層は、互いに同一となる。上記のように周期構造層13Bにおいては、n型ピラー層132の両隣にp型ピラー層131、終端p型ピラー層13Cがpn接合することで、それらのチャージバランスが保たれる。一方、周期構造層13Bとは異なり、終端p型ピラー層13Cの一端側にのみn型ピラー層131’が設けられ、終端p型ピラー層13Cの他端側にはn型ピラー層が設けられていない。そこで、本実施の形態においては、終端p型ピラー層13CのX方向の幅La’~Le’を、n型ピラー層131のX方向の幅Laの半分以下とする。また、終端p型ピラー層13CのX方向の幅La’~Le’に対応して、n型ピラー層132’のX方向の幅La~Leを設定する。これにより、素子部100のチャージバランスは保たれる。次に、図5aを参照して、第1の実施の形態の効果を説明する。図5は、周期構造層13B、終端p型ピラー層13Cにおける深さ方向に対する電界分布を示す図である。図5aに示すように、上記のように不純物量ions/拡散層を設定することで、周期構造層13Bにおける深さ方向の中央位置付近で、p型とn型の不純物濃度は一致する。したがって、周期構造層13Bにおいて、電界分布は深さ方向の中央位置付近でピークを持つ凸型を描く。この電界分布により、本実施の形態は、周期構造層13Bにおいて耐圧を維持しつつアバランシェ耐量の低下を抑制できる。また、本実施の形態は製造工程のバラツキによるマージンを増やすことができる。一方、終端p型ピラー層13C上には素子が形成されないため、終端p型ピラー層13Cはアバランシェ耐量を持つ構造は必要ない。そこで、終端p型ピラー層13Cにおいては、上記のように不純物量ions/拡散層が設定される。これにより、図5aに示すように、終端p型ピラー層13Cにおける電界分布は深さ方向に一定となり、終端p型ピラー層13Cは高い耐圧を持つ。図5bは、比較例の電界分布を示す。比較例においては、本実施の形態と異なり、1つの終端p型ピラー層13C中のp型拡散層13Ca~eのX方向の幅は互いに同一である。また、比較例の製造工程において、本実施の形態と同様のドーズ量ions/拡散層で不純物イオンが照射される。このような比較例においては、終端p型ピラー層13C中のp型拡散層13Ca~e内の不純物量ions/拡散層は、終端p型ピラー層13Cの下端Bから上端Tに向かうに従って次第に大きくなる。このため、比較例では、図5bに示すように、終端p型ピラー層13Cにおいて、電界分布は深さ方向の中央位置付近でピークを持つ凸型を描き、比較例の耐圧は本実施の形態の耐圧よりも低くなる。[製造工程]次に、図6、及び図7を参照して、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明する。先ず、図6aに示すように、n型ドレイン層12上に、例えばCVDによって高抵抗半導体層13A1が堆積される。そして、高抵抗半導体層13A1上にマスク311が形成される。マスク311には、素子部100においてX方向に所定ピッチをもって形成されたホールH1、及び素子部100の終端に位置するホールH2が設けられる。ホールH1、H2は、Y方向に延びるストライプ状に形成される図示略。ホールH2のX方向の幅Wa’は、ホールH1のX方向の幅Waの半分とされるWa’=1/2Wa。以上のようなマスク311を介して、高抵抗半導体層13A1にp型の不純物イオンが注入される。これにより、高抵抗半導体層13A1の表面に、Y方向にストライプ状に延びるp型拡散層411、421が形成される。p型拡散層411は、X方向に幅Waを有し、ホールH1に整合する位置に形成される。p型拡散層421は、X方向に幅Wa’を有し、ホールH2に整合する位置に形成される。次に、マスク311を除去した後、図6bに示すように、高抵抗半導体層13A1上にマスク312が形成される。マスク312には、ホールH3が設けられる。ホールH3は、Y方向に延びるストライプ状に形成される図示略。ホールH3は、p型拡散層411の間、及びp型拡散層411、421の間に位置し、X方向に幅Waを持つ。以上のようなマスク312を介して、高抵抗半導体層13A1にn型の不純物イオンが注入される。これにより、高抵抗半導体層13A1の表面に、Y方向にストライプ状に延びるn型拡散層431、431’が形成される。n型拡散層431、431’は、X方向に幅Waを有し、ホールH3に整合する位置に形成される。続いて、図6cに示すように、マスク312を除去した後、高抵抗半導体層13A1の上に、CVDによって高抵抗半導体層13A2が形成される。そして、上記図6a、bと同様の工程を実行する。これにより、高抵抗半導体層13A2上に、p型拡散層412、422、n型拡散層432、43’2が形成される。ただし、図6cに示す工程において、高抵抗半導体層13A2に対するp型の不純物イオンのドーズ量ionscm2は、高抵抗半導体層13A1に対するドーズ量よりも大きくする。対して、高抵抗半導体層13A2に対するn型の不純物イオンのドーズ量ionscm2は、高抵抗半導体層13A1に対するドーズ量と等しくする。また、p型拡散層412はX方向に幅Waを持つように形成し、p型拡散層422はX方向に幅Wb’Wb’<Wa’を持つように形成する。n型拡散層432はX方向に幅Waを持つように形成し、n型拡散層43’2はX方向に幅WbWb<Waを持つように形成する。次に、上記図6cの工程を繰り返し実行し、図7aに示す積層構造を形成する。すなわち、高抵抗半導体層13A2上に高抵抗半導体層13A3を堆積させ、その上に、p型拡散層413、423、n型拡散層433、43’3が形成される。続いて、高抵抗半導体層13A3上に高抵抗半導体層13A4を堆積させ、その上に、p型拡散層414、424、n型拡散層434、43’4が形成される。次に、高抵抗半導体層13A4上に高抵抗半導体層13A5を堆積させ、その上に、p型拡散層415、425、n型拡散層435、43’5が形成される。そして、高抵抗半導体層13A5上に高抵抗半導体層13A6が堆積される。図7aに示す工程においては、p型の不純物イオンのドーズ量ionscm2は上層ほど大きく設定し、n型の不純物イオンのドーズ量ionscm2は一定とする。また、図7aに示す工程においては、p型拡散層413~5は、X方向に一定の幅Waを持つように形成される。p型拡散層423~5は上層ほど狭い幅を持つように形成される。n型拡散層433~5はX方向に一定の幅Waを持つように形成され、n型拡散層43’3~5は上層ほどX方向に狭い幅を持つように形成される。すなわち、p型拡散層411~5のための不純物イオンの照射面積は、互いに同一とする。p型拡散層421~5のための不純物イオンの照射面積は、p型拡散層411~5のための不純物イオンの照射面積よりも小さい面積とする。p型拡散層421~5のための不純物イオンの照射面積は、上層ほど小さくする。n型拡散層431~5のための不純物イオンの照射面積は、互いに同一とする。n型拡散層43’1~5を形成する際の不純物イオンの照射面積は、上層ほど小さくする。次に、熱処理が行なわれ、図7bに示すように、p型拡散層411~5、421~5、及びn型拡散層431~5、43’1~5は、高抵抗半導体層131~6中に熱拡散する。これにより、p型拡散層411~5は、p型ピラー層131p型拡散層131a~eを形成する。p型拡散層421~5は、終端p型ピラー層13Cp型拡散層13Ca~eを形成する。n型拡散層431~5は、n型ピラー層132n型拡散層132a~eを形成する。n型拡散層43’1~5は、n型ピラー層132’n型拡散層132’a~eを形成する。次に、図8を参照して、p型拡散層411、421、及びn型拡散層431、43’1のパターンの他の一例を説明する。図8に示す例では、図6に示す製造工程と同様にp型拡散層411、及びn型拡散層431、43’1は、X方向に所定ピッチをもってY方向に延びるストライプ状に形成される。一方、図8に示す例では、p型拡散層421は、Y方向に所定ピッチをもって一列に並ぶドット状に形成される。p型拡散層421の形成面積は、p型拡散層411の形成面積の半分とする。以上のような一列に並ぶドット状のp型拡散層421のパターンであっても、それらを熱拡散させることによって、X方向に幅La’La’=La/2を持つ終端p型ピラー層13Cを形成することは可能である。なお、その他のp型拡散層422~5についても、図8に示すp型拡散層421と同様のパターンに形成してもよい。[第2の実施の形態]次に、図9を参照して、第2の実施の形態に係る半導体装置を説明する。第2の実施の形態においては、p型ピラー層131’が周期構造層13BのX方向の終端に位置する。p型ピラー層131’に隣接する位置には、第1の実施の形態の終端p型ピラー層13Cの代わりに、終端n型ピラー層13Dが設けられる。第2の実施の形態においては、1つのn型ピラー層132中のn型拡散層132a~eの幅は、互いに同一の幅Laとされる。1つのn型ピラー層132中のn型拡散層132a~e内の不純物量ions/拡散層は、n型ピラー層1321~3の下端Bから上端Tに向かうに従って大きくなる。一方、1つのp型ピラー層131’中のp型拡散層131’a~eの幅La~Leは、p型ピラー層131の下端Bから上端Tに向かうに従って狭くなる。1つのp型ピラー層131’中のp型拡散層131’a~e内の不純物量ions/拡散層は、p型ピラー層131’の下端Bから上端Tに向かうに従って次第に小さくなる。1つのp型ピラー層131中のp型拡散層131a~eの幅は、互いに同一のLaとされる。1つのp型ピラー層131中のp型拡散層131a~e内の不純物量ions/拡散層は、互いに同一とされる。また、1つの終端n型ピラー層13D中のn型拡散層13Da~13Deの幅La’~Le’は、終端n型ピラー層13Dの下端Bから上端Tに向かうに従って次第に狭くなる。1つの終端n型ピラー層13D中のn型拡散層13Da~13De内の不純物量ions/拡散層は、終端n型ピラー層13Dの下端Bから上端Tに向かうに従って大きくなる。また、第2の実施の形態に係る製造工程において、終端n型ピラー層13D及びn型ピラー層132を形成する際、上層ほどドーズ量ionscm2を増やしてn型の不純物イオンが注入される。一方、p型ピラー層131を形成する際、下端Bから上端Tに亘って一定のドーズ量ionscm2でp型の不純物イオンが注入される。以上により、第2の実施の形態は第1の実施の形態と同様の効果を奏する。[その他]本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、第1の実施の形態において、終端p型ピラー層13Cの幅を調整することにより、n型ピラー層132’のX方向の幅を下端Bから上端Tに亘って一定にすることも可能である。