接続パッドと、該接続パッドの所定領域を露出する開口が形成された絶縁膜と、該接続パッドに接続するように該絶縁膜の上方に形成された外部接続用電極とが、一面側に設けられた半導体基板を準備する基板準備工程と、前記半導体基板を加熱すること、及び、該半導体基板の周囲を大気圧よりも低い圧力に設定することのうちの、少なくとも一方を含む前処理工程と、前記外部接続用電極に接触するように封止材料を配置してから該封止材料を焼成する封止層形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記前処理工程は、第一の所定温度範囲及び第一の所定時間、前記半導体基板を加熱することを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記封止層形成工程は、前記第一の所定温度範囲の上限値よりも高い上限値を有する温度範囲である第二の所定温度範囲及び前記第一の所定時間の上限値よりも高い上限値を有する時間である第二の所定時間、前記半導体基板を加熱することを含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記前処理工程は、前記半導体基板の前記一面側を下方に向けた状態で行うことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記封止層形成工程は、前記封止材料を配置後、前記封止材料の焼成前に、前記封止材料が配置された前記半導体基板の周囲を大気圧よりも低い圧力に設定する脱泡工程を含むことを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記前処理工程は、前記脱泡工程におけるよりも長時間、前記半導体基板の周囲を大気圧よりも低い圧力に設定することを含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。処理室内を所定の温度条件で加熱する加熱装置と、複数の半導体ウエハを、所定の間隔を有して収納するウエハ収納装置と、を備え、前記ウエハ収納装置は、少なくとも外部接続用電極が形成された前記半導体ウエハの一面側を下方に向けた状態で、前記半導体ウエハを個別に載置、保持する複数のウエハ支持部を有していることを特徴とする半導体装置の製造装置。上述したような半導体装置においては、半導体素子等や絶縁膜、再配線、柱状電極が形成された半導体基板面上に、エポキシ樹脂等からなる封止層を形成することにより、半導体素子等を外部から絶縁するとともに、水分の侵入や物理的圧力等の外的環境から半導体装置を保護している。すなわち、半導体装置の封止構造や封止層を形成する工程は、半導体装置の信頼性を評価するうえで重要な要素として位置付けられている。この封止層を形成する際に、封止樹脂を加熱によって硬化させる焼成処理を含む場合がある。このような、焼成処理を伴う封止層を形成する工程において、封止層中に微小な空洞や気孔以下、ボイドと記すが形成されたり、封止層の材料特性を設定するための封止材用フィラーの密度が不均一になる場合があることが、本願の発明者の検証により判明した。これにより、パッケージを構成する封止層の均一な形成が妨げられ、半導体装置の信頼性の劣化を招く場合があるという問題を有していた。そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、封止層の焼成処理に際して、封止層中にボイドが形成されたり、封止材用フィラーの密度が不均一になることを抑制することができる半導体装置の製造方法、及び、その製造方法に用いる半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。本発明に係る半導体装置の製造方法は、接続パッドと、該接続パッドの所定領域を露出する開口が形成された絶縁膜と、該接続パッドに接続するように該絶縁膜の上方に形成された外部接続用電極とが、一面側に設けられた半導体基板を準備する基板準備工程と、前記半導体基板を加熱すること、及び、該半導体基板の周囲を大気圧よりも低い圧力に設定することのうちの、少なくとも一方を含む前処理工程と、前記外部接続用電極に接触するように封止材料を配置してから該封止材料を焼成する封止層形成工程と、を含むことを特徴とする。また、本発明に係る半導体装置の製造装置は、処理室内を所定の温度条件で加熱する加熱装置と、複数の半導体ウエハを、所定の間隔を有して収納するウエハ収納装置と、を備え、前記ウエハ収納装置は、少なくとも外部接続用電極が形成された前記半導体ウエハの一面側を下方に向けた状態で、前記半導体ウエハを個別に載置、保持する複数のウエハ支持部を有していることを特徴とする。本発明に係る半導体装置の製造方法、及び、その製造方法に用いる半導体装置の製造装置によれば、封止層の焼成処理に際して、封止層中にボイドが形成されたり、封止材用フィラーの密度が不均一になることを抑制することができる。以下、本発明に係る半導体装置の製造方法、及び、その製造方法に用いる半導体装置の製造装置について、実施形態を示して詳しく説明する。まず、本発明に係る半導体装置の製造方法を適用して製造される半導体装置について説明する。半導体装置図1は、本発明に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の一実施形態を示す概略構成図である。ここで、図1aは、半導体装置の平面図であり、図1bは、図1aに示した半導体装置におけるIB-IB線本明細書においては図1中に示したローマ数字の1に対応する記号として便宜的にIを用いる。に沿った断面を示す図である。本発明に係る製造方法により製造される半導体装置10は、例えば図1a、bに示すように、所定の機能を有する集積回路図示を省略が上面11a側図1aの紙面手前側、及び、図1bの上側;一面側に形成されたシリコン基板11を備えている。ここで、集積回路は、周知のトランジスタやダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子により形成されている。図1a、bに示すように、シリコン基板11の上面11aには、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属などからなる複数の接続パッド12が設けられている。また、シリコン基板11の上面11aには、酸化シリコンや窒化シリコンなどからなるパッシベーション膜13が設けられている。ここで、パッシベーション膜13は、シリコン基板11の上面11aの中央部に矩形状または正方形状に形成されている。また、パッシベーション膜13は、シリコン基板11の上面11aの周縁部の枠状の領域には形成されておらず、該周縁部においてシリコン基板11の上面11aが露出されている。当該パッシベーション膜13には、各接続パッド12の中央部を露出させる複数の開口部13hが設けられている。また、パッシベーション膜13の上面には、ポリイミド系樹脂などからなる保護膜14が、シリコン基板11の上面11aに関する法線の方向から見て、即ち、シリコン基板11を平面視して、パッシベーション膜13と略同一の形状となるように設けられている。パッシベーション膜13の開口部13hに対応する部分の保護膜14には、開口部14hが設けられている。すなわち、各接続パッド12の中央部は、パッシベーション膜13に設けられた開口部13h、及び、保護膜14に設けられた開口部14hを介して露出されている。本実施形態では、複数の接続パッド12が、シリコン基板11の上面11aの外周縁に沿って、複数の接続パッド12が全体として略矩形枠状をなすように配列されているが、各接続パッド12の配列はこれに限られるものではない。また、図1a、bに示すように、保護膜14の上面には、複数の配線15が設けられている。配線15は、例えば、保護膜14の上面に設けられた銅などからなる下地金属層15-1と、下地金属層15-1の上面に設けられた銅などからなる上部金属層15-2との2層構造を有している。各配線15の一端部15aは、パッシベーション膜13及び保護膜14の開口部13h、14hを介して各接続パッド12に接続され、一方、各配線15の他端部にはランド15bが形成されている。そして、各配線15の一端部15aと他端部ランド15bの間は、これらと一体的に形成された引き回し線部15cにより接続されている。各配線15のランド15bの上面には、銅などからなる柱状の外部接続用電極16が設けられている。また、図1bに示すように、配線15、保護膜14及びシリコン基板11の各上面には、シリカフィラーを含むエポキシ系樹脂などからなる封止層17が、その上面を平坦化されて設けられている。ここで、封止層17は、その上面が外部接続用電極16の上面とほぼ面一となるように設けられている。外部接続用電極16の上面には、半田バンプ18が接続されて設けられている。そして、本実施形態に係る半導体装置10においては、特に、保護膜14や配線15などが設けられ、さらに、所定の加熱処理を施した後のシリコン基板11上に、上記の封止層17が設けられていることを特徴としている。以下、本実施形態に係る半導体装置10の製造方法を示して、具体的に説明する。半導体装置の製造方法次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図2~図8は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図1bに示した断面構造を有する半導体装置について製造方法を説明する。上述した半導体装置10の製造方法は、まず、図2aに示すように、ウエハ状態のシリコン基板以下、半導体ウエハ21と記す;半導体基板の上面21aに、アルミニウム軽金属などからなる接続パッド12、酸化シリコンなどからなるパッシベーション膜13、及び、ポリイミド系樹脂などからなる保護膜14が形成され、接続パッド12の中央部がパッシベーション膜13及び保護膜14の各開口部13h、14hを介して露出されたものを予め準備する。ここで、半導体ウエハ21の厚さは、図1bに示したシリコン基板11の厚さよりも厚く設定されている。なお、図2aにおいて、符号22で示す領域は、ダイシングストリートである。ここで、ダイシングストリート22及びその両側の近傍領域におけるパッシベーション膜13及び保護膜14は、予め除去されている。次いで、図2bに示すように、パッシベーション膜13及び保護膜14の各開口部13h、14hを介して露出された接続パッド12の上面、保護膜14の上面、並びに、ダイシングストリート22及びその両側の近傍領域に対応する部分における半導体ウエハ21の上面21aに、下地金属層15-1を形成する。ここで、下地金属層15-1は、例えば、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、また、スパッタ法により形成された銅層のみであってもよく、さらには、スパッタ法により形成されたチタンなどの薄膜層上にスパッタ法により銅層を形成したものであってもよい。次いで、図3aに示すように、下地金属層15-1の上面にポジ型の液状レジストからなる第1のメッキレジスト膜23をパターン形成する。ここで、後述する上部金属層15-2の形成領域に対応する部分における第1のメッキレジスト膜23には、開口部23hが形成されている。次いで、図3bに示すように、下地金属層15-1をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、第1のメッキレジスト膜23の開口部23h内の下地金属層15-1の上面に上部金属層15-2が形成される。その後、下地金属層15-1の上面から第1のメッキレジスト膜23が剥離される。次いで、図4aに示すように、上部金属層15-2及び下地金属層15-1の各上面に、ネガ型のドライフィルムレジストからなる第2のメッキレジスト膜24をパターン形成する。ここで、上部金属層15-2のランド後述する外部接続用電極16の形成領域に対応する部分における第2のメッキレジスト膜24には、開口部24hが形成されている。次いで、図4bに示すように、下地金属層15-1をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、第2のメッキレジスト膜24の開口部24h内の上部金属層15-2のランド上面に外部接続用電極16が形成される。このように形成された外部接続用電極16は、上部金属層15-2及び下地金属層15-1を介して接続パッド12に電気的に接続されている。その後、図5aに示すように、上部金属層15-2及び下地金属層15-1の各上面から第2のメッキレジスト膜24が剥離される。なお、この状態では、外部接続用電極16の高さは、図1bに示した外部接続用電極16の高さよりも高くなるように設定されている。次いで、図5bに示すように、上部金属層15-2をマスクとして、当該上部金属層15-2の形成領域直下の領域以外の下地金属層15-1をエッチングして除去することにより、上部金属層15-2の直下にのみ下地金属層15-1を残存させる。これにより、上部金属層15-2とその直下に残存する下地金属層15-1からなる2層構造の配線15が形成される基板準備工程。この配線15の形成工程においては、さらに、酸素プラズマ法などを用いて、下地金属層15-1がエッチング除去された領域の保護膜14や半導体ウエハ21などに対して、アッシング処理を行うものであってもよい。これによれば、保護膜14や半導体ウエハ21上に残存する下地金属層15-1の残渣を除去することができるとともに、後述する樹脂層形成工程において、保護膜14や半導体ウエハ21と封止層17との密着性を向上させることができる。次いで、図6aに示すように、配線15や外部接続用電極16などが形成された半導体ウエハ21に対して加熱処理を行うことにより前処理工程、半導体ウエハ21や保護膜14などに吸着あるいは含有している水分などのガス成分が除去される。本実施形態に係る半導体装置の製造方法に適用される加熱処理工程においては、例えば、後述する加熱処理装置を用いて、窒素濃度を高くした雰囲気下で、かつ、配線15や外部接続用電極16などが形成された半導体ウエハ21の上面側すなわち、デバイス面側;一面側を下方に向けた状態裏返した状態で加熱処理が実行される。これにより、ガス成分を良好に除去することができるとともに、半導体ウエハ21の上面に不純物の粒子や異物が付着しないようにすることができる。ここで、半導体ウエハ21の加熱処理は、例えば、概ね80°C~150°Cの温度第一の所定温度範囲で、30分~1時間程度第一の所定時間実行される。すなわち、半導体ウエハ21の加熱処理は、後述する封止層17を形成する際に行われる焼成処理における温度よりも低く、かつ、短い時間となるように処理条件が設定される。また、この加熱処理においては、半導体ウエハ21における温度偏差を抑制し、かつ、半導体ウエハ21の上面デバイス面から放出されたガス成分を良好に排出するために、加熱処理装置の処理室内に、ファン等を用いて気流が作られている。なお、本実施形態に用いられる加熱処理装置半導体装置の製造装置の具体的な構造については後述する。次いで、図6bに示すように、配線15、外部接続用電極16及び保護膜14の各上面、並びに、ダイシングストリート22及びその両側の近傍領域における半導体ウエハ21の上面に、スクリーン印刷法やコンプレッションモールドなどによりシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂などからなる液状の封止材料が、外部接続用電極16に接触するように、かつ、外部接続用電極16を覆うようにして、塗布される。その後、半導体ウエハ21の周囲を大気圧よりも低くすることによって、封止材料に含まれるガス成分を減圧雰囲気下で除去脱泡した後、所定の焼成条件焼成温度及び焼成時間で焼成処理を行うことにより、封止層17が形成される封止層形成工程。ここで、封止層17を形成する際の焼成処理は、例えば180°C~250°C程度の温度第二の所定温度範囲で、1~3時間程度第二の所定時間実行される。なお、具体的な焼成条件は、封止材料の種類や特性などにより適宜設定される。また、封止層17は、図6bに示すように、外部接続用電極16に接触するように形成され、かつ、その厚さは、外部接続用電極16の上面を被覆するように、外部接続用電極16の高さよりもやや厚くなるように設定される。次いで、図7aに示すように、封止層17の上面側、及び、外部接続用電極16の上部を機械的に研削して除去することにより、図中の研削面CS1において、外部接続用電極16の上面を露出させるとともに、外部接続用電極16の上面を封止層17の上面とほぼ面一に形成する。これにより、半導体ウエハ21が載置、固定されたステージ図示を省略の基準面半導体ウエハ21の下面に相当するから研削面CS1までの高さ、すなわち、外部接続用電極16の上面までの高さが、任意の寸法に設定される。なお、この機械的な研削により外部接続用電極16の上面にバリが生じた場合には、このバリをウェットエッチングなどにより除去し、さらにこの後の酸化を防止するため、外部接続用電極16の上面に無電解メッキによりニッケル層を形成するなどの表面処理を行うようにしてもよい。次いで、図7bに示すように、半導体ウエハ21の下面側を、図中の研削面CS2まで機械的に研削することにより、半導体ウエハ21の厚さを薄くする。ここでは、半導体ウエハ21の上面側をステージ図示を省略上に載置、固定した状態で、半導体ウエハ21の下面側を機械的に研削することにより、ステージの基準面図7aに示した半導体ウエハ21の上面側の研削面CS1に相当するから研削面CS2までの高さ、すなわち、半導体装置10全体の厚みが、任意の寸法に設定される。なお、半導体ウエハ21の下面側を研削する際には、半導体ウエハ21のうちの半導体素子や集積回路が形成された上面側を、テープで覆った状態で行うことが好ましい。次いで、図8aに示すように、外部接続用電極16の上面に半田バンプ18を形成する。ここでは、半田バンプ18として半田ボールを形成する場合について説明したが、ランドグリッドアレイLandgridarray;LGA型のパッケージに適用されるような、半田印刷による突起状の電極パッドを形成するものであってもよい。なお、図7bに示した、半導体ウエハ21の下面側を研削する工程に先立って、外部接続用電極16の上面に半田バンプ18を形成した後に、半導体ウエハ21の下面側を研削するようにしてもよい。次いで、図8bに示すように、封止層17及び半導体ウエハ21をダイシングストリート22に沿って切断して個片化することにより、図1a、bに示した半導体装置10が複数個得られる。次に、上述した実施形態に係る半導体装置の製造方法の作用効果について、比較例と比較して説明する。図9は、比較例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。ここでは、本実施形態に係る半導体装置の製造方法との対比を簡易にするために、同等の構成については同一の符号を付して示す。比較例に係る半導体装置の製造方法においては、半導体ウエハ上に絶縁膜や配線、外部接続用電極柱状電極を形成した後、加熱処理を行うことなく、封止樹脂を印刷し、焼成処理を行って封止層を形成する樹脂層形成工程を行うものとする。この場合、本願の発明者が種々検証した結果、印刷された封止樹脂を焼成する際に、封止層17との境界付近にボイド25が形成されたり図9参照、封止材用フィラーシリカフィラーの密度が不均一になる場合があることが確認された。そのため、パッケージを構成する封止層17の均一な形成が妨げられ、半導体装置の信頼性の劣化を招く場合があることが判明した。本願の発明者は、上述の焼成処理において封止層中にボイドが形成されたり、封止材用フィラーの密度が不均一になるのは、封止層が形成される下地の半導体ウエハや絶縁膜、配線あるいは、これらの層の界面からガスが発生することが、原因の一つであると考察した。そこで、本実施形態に係る半導体装置10の製造方法においては、半導体装置の製造プロセスにおいて、樹脂層形成工程に先立って、半導体ウエハ21に対して加熱処理を行うことによって、半導体ウエハ21や保護膜14などに吸着あるいは含有している水分などのガス成分を放出させる脱ガス処理ことを特徴としている。このように、樹脂層形成工程前に、所定の温度条件及び時間条件で加熱処理を行うことにより、樹脂層形成工程において塗布された封止材料の焼成処理中に発生するガスが大幅に抑制されることが、発明者の検証により判明した。したがって、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、封止層におけるボイドの形成やフィラー密度の不均一化を抑制して、均一な封止層を形成することができるので、信頼性の高い半導体装置を実現することができる。さらに、本実施形態においては、半導体ウエハの上面デバイス面を下方に向けた状態で加熱処理を行うことを特徴としている。これによれば、加熱処理中に、半導体ウエハの上面への不純物や異物の付着を防止することができるので、より均一な封止層を形成することができ、半導体装置のパッケージとして安定した信頼性を得ることができる。半導体装置の製造装置次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法に適用される、半導体装置の製造装置としての加熱装置前処理装置について説明する。図10は、上述した実施形態に係る半導体装置の製造方法に適用される加熱装置の一実施形態を示す概略構成図である。図10aは、加熱装置の一例を示す概略図であり、図10bは、加熱装置に適用されるウエハ収納装置の一例を示す概略図である。図11は、本実施形態に係る加熱装置に適用されるウエハ支持部の一実施形態を示す概略構成図である。図11aは、ウエハ支持部の一例を示す平面図であり、図11bは、ウエハ支持部の側面図である。また、図11cは、図11aに示したウエハ支持部におけるXIC-XIC線本明細書においては図11中に示したローマ数字の11に対応する記号として便宜的にXIを用いる。に沿った断面を示す図である。図12は、本実施形態に係る加熱装置に適用されるウエハ支持部への半導体ウエハの保持状態の一例を示す概略図である。図12aは、半導体ウエハを保持したウエハ支持部の一例を示す平面図であり、図12bは、図12aに示したウエハ支持部におけるXIIB-XIIB線本明細書においては図12中に示したローマ数字の12に対応する記号として便宜的にXIIを用いる。に沿った断面を示す図である。図10aに示すように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法に適用される加熱装置30は、例えばオーブン加熱装置31と、ウエハ収納装置40と、を備えている。オーブン31は、図示を省略した制御装置により、処理室32内が任意の温度に設定され、任意の時間保持されるように制御される。また、処理室32内には、上述した加熱処理の際に、所望の気流が生じるようにファン等が設けられている。ウエハ収納装置40は、複数枚の半導体ウエハ21を各々所定の間隔を有して収納する。ウエハ収納装置40は、具体的には、例えば図10bに示すように、各々矩形形状を有する天板41と底板42が、四隅に垂直に設けられた支柱44を介して、対向するように組み付けられている。天板41及び底板42は、支柱44の両端部にビス45により平行に固定されている。また、天板41と底板42との間には、半導体ウエハ21を1枚ずつ載置、保持する複数のウエハ支持部50が、所定の間隔を有して、平行に配置されるように組み付けられている。ウエハ支持部50相互の間隔は、例えば支柱44に嵌合するように挿入されたスペーサ43の厚みにより任意に設定され、例えば10mmや20mmに設定される。ウエハ支持部50は、例えば図11a、bに示すように、アルミニウムやその合金、ステンレスなどの熱伝導性の高い金属材料からなる矩形の支持プレート51により構成されている。支持プレート51は、中央部に半導体ウエハ21の外形寸法に対応した開口部52と、該開口部52を支持プレート51の特定の一辺に連通する切り欠き部53と、四隅近傍に配置され、支柱44が貫通する貫通孔54と、を有している。開口部52の平面形状は、例えば図11aに示すように、半導体ウエハ21の外形形状と同様の円形状を有するとともに、その断面形状は、例えば図11cに示すように、一部が曲線的又は直線的なテーパ部52tを有している。より具体的には、図11a、cに示すように、開口部52を形成する円弧の直径D1は、半導体ウエハ21の外形寸法よりも小さく、かつ、テーパ部52tを形成する円弧の最大直径D2は、半導体ウエハ21の外形寸法よりも大きくなるように設定されている。これにより、図12a、bに示すように、ウエハ支持部50に半導体ウエハ21を載置、保持した状態では、開口部52に設けられたテーパ部52tの傾斜面と半導体ウエハ21の外周端部が線接触又は点接触することになるので、相互の接触面積を極力小さくすることができる。特に、本実施形態に係る加熱処理においては、図6aに示したように、半導体ウエハ21のデバイス面を下方に向けた状態で、所定の時間、加熱処理を行うので、半導体ウエハ21とウエハ支持部50との接触面積を極力小さくすることにより、半導体ウエハ21のデバイス面への異物の付着を防止しつつ、良好に加熱処理を行うことができる。また、この加熱処理に際して、半導体ウエハ21や保護膜14などに吸着あるいは含有している水分などのガス成分を十分に放出させることができる。開口部52に設けられるテーパ部52tの断面形状は、図11c、図12bに示したように、支持プレート51の上面に対して下方に凸となる曲線的な形状すなわちテーパ部52tが凹状の曲面を有している。また、ウエハ支持部50に載置される半導体ウエハ21は、開口部52において少なくとも3箇所又は3点以上で支持すれば、ウエハ支持部50に保持することができるが、半導体ウエハ21の載置時の位置精度等により、半導体ウエハ21が落下する事故を防止するため、開口部52の平面形状は、図11a、図12aに示したような円形状又は円弧状であることが好ましい。切り欠き部53は、ウエハ搬送用ロボットアーム図示を省略により、ウエハ収納装置40の各ウエハ支持部50に半導体ウエハ21を搬入して載置、保持させる場合や、各ウエハ支持部50から半導体ウエハ21を搬出する場合に、当該ロボットアームとウエハ支持部50との干渉を回避するために設けられたものである。なお、ロボットアームとウエハ支持部50が干渉しない場合には、切り欠き部53を設ける必要はない。次に、本実施形態に係る加熱装置に適用されるウエハ収納装置の組み付け方法について説明する。図13は、本実施形態に係る加熱装置に適用されるウエハ収納装置の組み付け方法の一例を示す概略図である。図13a、c、e、g、iは、ウエハ収納装置の各組み付け状態における平面図を示し、図13b、d、f、h、jは、ウエハ収納装置の各組み付け状態における側面図を示す。ウエハ収納装置40の組み付け方法は、まず、図13a、bに示すように、底板42の四隅に支柱44の一方の端部をビス45により固定して、底板42の平面に対して垂直に4本の支柱44を組み付ける。次いで、図13c、dに示すように、各支柱44に円筒状のスペーサ43を嵌合するように挿入する。次いで、図13e、fに示すように、ウエハ支持部50の四隅に設けられた各貫通孔54を支柱44に貫通させて、ウエハ支持部50をスペーサ43の上面に密着させる。次いで、図13g、hに示すように、さらに各支柱44に円筒状のスペーサ43を嵌合するように挿入する。以下、ウエハ支持部50とスペーサ43を交互に支柱44に貫通させて積み重ね、最後に、図13i、jに示すように、支柱44の他方の端部を天板41の四隅にビス45により固定して、ウエハ収納装置40が完成する。このようなウエハ収納装置40によれば、複数のウエハ支持部50を多段に重ね合わせた構成を有しているので、オーブン31の処理室32内で、多数の半導体ウエハ21を一時に、かつ、均一に加熱処理を行うことができ、また、この加熱処理に際して、半導体ウエハ21や保護膜14などに吸着あるいは含有している水分などのガス成分を十分に放出させることができるので、処理効率を高めつつ、均一な封止層17を有する半導体装置10を製造することができる。また、このようなウエハ収納装置40によれば、複数のウエハ支持部50をスペーサ43を介して多段に組み付けた構成を有しているので、各ウエハ支持部50をアルミニウム等の平板から加工性良く製造することができる。また、支柱44の長さやスペーサ43の厚み、ウエハ支持部50の開口部52の大きさを任意に設定することにより、ウエハ支持部50の段数すなわち、加熱処理する半導体ウエハ21の枚数を簡易に変更したり、半導体ウエハ21のサイズの変更に適宜対応することができるので、生産性の向上や生産コストの削減に寄与することができる。なお、上述した実施形態に示した半導体装置の製造方法においては、樹脂層形成工程に先立って、半導体ウエハを所定の温度条件及び時間条件で加熱処理することによって、上述した脱ガス処理を行う方法を説明した。この脱ガス処理の手法は、実施形態を説明するための一例を示したものに過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、例えば、減圧装置前処理装置を用いて、半導体ウエハを減圧装置内に搬入後、所定の時間、半導体ウエハの周囲を大気圧よりも低く例えば、1Pa以下することによって、即ち、半導体ウエハを所定の気圧条件及び時間条件で減圧処理することによって、脱ガスを行うものであってもよいし前処理工程、さらには、減圧加熱装置前処理装置を用いて、上述した加熱処理と減圧処理を所定の条件で併用して行うことによって、脱ガス処理を行うものであってよい前処理工程。これらの脱ガス処理を適用した場合であっても、上述した実施形態と同様の作用効果が得られる。なお、上述したように、封止層形成工程においても、半導体ウエハ21の周囲を所定時間だけ大気圧よりも低くするのであるが、前処理工程においては、封止層の焼成処理に際して、封止層中にボイドが形成されたり、封止材用フィラーの密度が不均一になることを確実に抑制するために、この封止層形成工程におけるよりも長い時間、半導体ウエハ21の周囲を大気圧よりも低くすることが好ましい。また、これら変形例に係る脱ガス処理に際しても、上述した実施形態に示したようなウエハ収納装置を備える、半導体装置の製造装置を用いることができる。これによって、これら変形例に係る脱ガス処理に際しても、半導体ウエハ21や保護膜14などに吸着あるいは含有している水分などのガス成分を十分に放出させることができる。また、上述した実施形態に示した半導体装置においては、接続パッド12と外部接続用電極16に接続される配線15として、下地金属層15-1と上部金属層15-2からなる2層構造の配線を有している場合について説明した。この配線構造は、実施形態を説明するための一例を示したものに過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置に適用される配線は、例えば、単層の金属層又は導電層からなるものであってもよいし、3層以上の複数層の金属層又は導電層が積層された配線構造を有するものであってもよい。また、上述した実施形態に示した加熱装置においては、ウエハ支持部50とスペーサ43を別個の部材として構成して、多段に重ね合わせたウエハ収納装置40を適用した場合について説明した。この組み付け構造は、実施形態を説明するための一例を示したものに過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明に係る加熱装置に適用されるウエハ収納装置40は、ウエハ支持部50とスペーサ43が予め一体的に構成されたものであってもよい。また、ウエハ収納装置40の構成についても、多数の半導体ウエハ21を一時に、かつ、均一に加熱処理を行うことができるものであれば、他の構成を有するものであってもよいことはいうまでもない。以上、本発明のいくつかの実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲を含むものである。以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。付記請求項1に記載の発明は、接続パッドと、該接続パッドの所定領域を露出する開口が形成された絶縁膜と、該接続パッドに接続するように該絶縁膜の上方に形成された外部接続用電極とが、一面側に設けられた半導体基板を準備する基板準備工程と、前記半導体基板を加熱すること、及び、該半導体基板の周囲を大気圧よりも低い圧力に設定することのうちの、少なくとも一方を含む前処理工程と、前記外部接続用電極に接触するように封止材料を配置してから該封止材料を焼成する封止層形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。請求項2に記載の発明は、前記前処理工程は、第一の所定温度範囲及び第一の所定時間、前記半導体基板を加熱することを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法である。請求項3に記載の発明は、前記封止層形成工程は、前記第一の所定温度範囲の上限値よりも高い上限値を有する温度範囲である第二の所定温度範囲及び前記第一の所定時間の上限値よりも高い上限値を有する時間である第二の所定時間、前記半導体基板を加熱することを含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法である。請求項4に記載の発明は、前記前処理工程は、前記半導体基板の前記一面側を下方に向けた状態で行うことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法である。請求項5に記載の発明は、前記封止層形成工程は、前記封止材料を配置後、前記封止材料の焼成前に、前記封止材料が配置された前記半導体基板の周囲を大気圧よりも低い圧力に設定する脱泡工程を含むことを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法である。請求項6に記載の発明は、前記前処理工程は、前記脱泡工程におけるよりも長時間、前記半導体基板の周囲を大気圧よりも低い圧力に設定することを含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法である。請求項7に記載の発明は、処理室内を所定の温度条件で加熱する加熱装置と、複数の半導体ウエハを、所定の間隔を有して収納するウエハ収納装置と、を備え、前記ウエハ収納装置は、少なくとも外部接続用電極が形成された前記半導体ウエハの一面側を下方に向けた状態で、前記半導体ウエハを個別に載置、保持する複数のウエハ支持部を有していることを特徴とする半導体装置の製造装置である。