入力端子と出力端子との間に接続された多重モード結合型弾性波フィルタと、前記多重モード結合型弾性波フィルタと接地端子との間に接続された第1インダクタと、前記入力端子又は前記出力端子と前記多重モード結合型弾性波フィルタとの間に一端が接続された弾性波共振器と、前記弾性波共振器の他端と前記接地端子との間に接続された第2インダクタと、を具備することを特徴とするフィルタ。複数の誘電体層及び複数の導体層を含む積層基板を具備し、前記多重モード結合型弾性波フィルタ及び前記弾性波共振器は前記積層基板上にフリップチップ実装され、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタは前記導体層により形成されることを特徴とする請求項1記載のフィルタ。前記接地端子は、前記複数の導体層のうち、前記多重モード結合型弾性波フィルタ及び前記弾性波共振器が搭載される導体層以外の導体層に設けられていることを特徴とする請求項2記載のフィルタ。前記多重モード結合型弾性波フィルタは多重モード結合型弾性表面波フィルタであることを特徴とする請求項1から3いずれか一項記載のフィルタ。前記多重モード結合型弾性波フィルタは結合型圧電薄膜共振器フィルタであることを特徴とする請求項1から3いずれか一項記載のフィルタ。前記多重モード結合型弾性波フィルタは、前記入力端子と前記出力端子との間において並列接続された複数の弾性波フィルタを含むことを特徴とする請求項1から5いずれか一項記載のフィルタ。共通端子と受信端子との間に接続された受信フィルタと、前記共通端子と送信端子との間に接続された送信フィルタと、を具備し、前記受信フィルタは請求項1から6いずれか一項記載のフィルタであることを特徴とする分波器。しかし、従来の技術は主に通過帯域近傍における抑圧度の向上を図るための技術であり、広帯域、特に高周波数帯域において抑圧度を高めることは困難である。また特許文献3記載の、インダクタンスの低減による抑圧度改善は不十分である。本発明は上記課題に鑑み、高周波数帯域における抑圧度を高めることが可能なフィルタ及び分波器を提供することを目的とする。本発明は、入力端子と出力端子との間に接続された多重モード結合型弾性波フィルタと、前記多重モード結合型弾性波フィルタと接地端子との間に接続された第1インダクタと、前記入力端子又は前記出力端子と前記多重モード結合型弾性波フィルタとの間に一端が接続された弾性波共振器と、前記弾性波共振器の他端と前記接地端子との間に接続された第2インダクタと、を具備するフィルタである。上記構成において、複数の誘電体層及び複数の導体層を含む積層基板を具備し、前記多重モード結合型弾性波フィルタ及び前記弾性波共振器は前記積層基板上にフリップチップ実装され、前記第1インダクタ及び前記第2インダクタは前記導体層により形成される構成とすることができる。上記構成において、前記接地端子は、前記複数の導体層のうち、前記多重モード結合型弾性波フィルタ及び前記弾性波共振器が搭載される導体層以外の導体層に設けられている構成とすることができる。上記構成において、前記多重モード結合型弾性波フィルタは多重モード結合型弾性表面波フィルタである構成とすることができる。上記構成において、前記多重モード結合型弾性波フィルタは結合型圧電薄膜共振器フィルタである構成とすることができる。上記構成において、前記多重モード結合型弾性波フィルタは、前記入力端子と前記出力端子との間において並列接続された複数の弾性波フィルタである構成とすることができる。本発明は、共通端子と受信端子との間に接続された受信フィルタと、前記共通端子と送信端子との間に接続された送信フィルタと、を具備し、前記受信フィルタは上記のフィルタである分波器である。本発明によれば、高周波数帯域における抑圧度を高めることが可能なフィルタ及び分波器を提供することができる。まず実施例が解決する課題を明確にするため、DMSフィルタ及び比較例について説明する。図1aはDMSフィルタを例示する上面図である。図1bはDMSフィルタの等価回路を例示する回路図である。図1aの電極指の本数は例として示したものであり、変更可能である。図1aに示すように、圧電基板10上に、2つの反射器12、IDTInterdigtalTransducer14及びIDT16が、弾性波の伝搬方向に沿って設けられている。IDT14とIDT16とは隣接し、反射器12はIDT14及びIDT16を挟む。IDT14の一方の櫛型電極には入力端子Inが接続され、他方の櫛型電極は接地されている。IDT16の一方の櫛型電極には出力端子Outが接続され、他方の櫛型電極は接地されている。入力端子Inから高周波信号が入力される。IDT14は電極指のピッチに応じた周波数の弾性波を励振する。IDT16は、伝搬した弾性波を電気信号に変換し、出力端子Outに出力する。反射器12は横方向に漏れた弾性波をIDT方向に反射させる。図1bに示すように、DMSフィルタFの等価回路はキャパシタC1及びC2、インダクタL1及びL2、アドミタンスY1及びY2により形成される。アドミタンスY1は入力端子Inと出力端子Outとの間に直列接続されている。アドミタンスY2の一端は入力端子InとアドミタンスY1との間のノードに接続され、他端はインダクタL1の一端に接続されている。インダクタL2の一端は出力端子OutとアドミタンスY1との間のノードに接続されている。入力端子InとアドミタンスY1との間のノードにはキャパシタC1の一端が並列接続されている。出力端子OutとアドミタンスY1との間のノードにはキャパシタC2の一端及びインダクタL2の一端が接続されている。インダクタL1及びL2、キャパシタC1及びC2の他端は接地されている。アドミタンスY1及びY2は、フィルタ内の弾性波の2つの共振特性を表す。キャパシタC1はIDT14の容量、キャパシタC2はIDT16の容量に相当する。インダクタL1及びL2は負の相互インダクタンスを有するように結合されている。DMSフィルタFに入力された信号の周波数が通過帯域から大きく離れている場合、アドミタンスY1及びY2はゼロに近くなる。このため、信号はアドミタンスY1及びY2をほとんど流れない。比較例1は、上記のようなDMSフィルタが、共通インダクタを介して接地される例である。図1cは比較例1に係るフィルタ100Rの等価回路を例示する回路図である。図1cに示すように、フィルタ100Rにおいては、インダクタL3の一端がインダクタL1及びL2、キャパシタC1及びC2の他端に接続され、他端は接地されている。インダクタL3は例えば配線等の寄生インダクタである。高周波数において、キャパシタC1及びC2のアドミタンスは増大し、インダクタL3のアドミタンスは低下する。このため、入力端子Inから入力された高周波信号はキャパシタC1及びC2を流れ、出力端子Outから出力される。この結果、高周波数帯域において抑圧度が劣化する。例えば図1bのように、入力端子In側と出力端子Out側とで独立した接地端子を設けることで、通過帯域外の信号は入力端子Inから出力端子Outに流れにくくなる。しかし、フィルタの小型化のためには、独立した接地端子を設けることは難しく、一般的には接地端子は共通化されている。また、インダクタL3のインダクタンスL3を小さくすることで、高周波信号はインダクタL3に流れやすくなる。高周波信号がインダクタL3を通じて接地端子に流れ込むため、フィルタの抑圧度は向上する。インダクタL3が積層基板内の配線により形成されている場合、積層基板の導体層を接続するビア配線を多くし、接地端子を大型化することでインダクタンスを低減することができる。しかし、これらの対策は、フィルタの小型化の妨げとなり得る。次に実施例1について説明する。実施例1はDMSフィルタと端子との間に、共振器及びインダクタを並列接続した例である。図2aは実施例1に係るフィルタ100を例示する上面図である。図2bは実施例1に係るフィルタ100の等価回路を例示する回路図である。図2aに示すように、フィルタ100は、DMSフィルタF1と入力端子Inとの間に並列接続された一端子対共振器R、DMSフィルタF1と接地端子不図示との間に接続されたインダクタL3第1インダクタ、及び共振器Rと接地端子との間に接続されたインダクタL4第2インダクタを備える。共振器Rは2つの反射器22及びIDT24を含む弾性表面波共振器である。DMSフィルタF1のIDT14の一方の櫛型電極に入力端子Inが接続されている。IDT16の一方の櫛型電極には出力端子Outが接続されている。IDT14の他方の櫛型電極とIDT16の他方の櫛型電極との間にはインダクタL3の一端が接続されている。入力端子InとIDT14との間には共振器RのIDT24の一方の櫛型電極が接続されている。IDT24の他方の櫛型電極にはL4の一端が接続されている。インダクタL3及びL4の他端は接地されている。圧電基板10は、例えば42°回転カット角のタンタル酸リチウムLiTaO3又はニオブ酸リチウムLNbO3等の圧電体からなる。IDT及び反射器は、例えばアルミニウムAl等の金属からなる。図2bに示すように、共振器Rは、直列接続されたインダクタL5及びキャパシタC3と、キャパシタC4とを並列接続して形成される回路に相当し、入力端子InとアドミタンスY1との間に接続されている。キャパシタC4とインダクタL4とは、フィルタ100の周波数特性の高周波数帯域に減衰極を形成する。このため、高周波数帯域において抑圧度が向上する。また共振器Rが接続されているため、通過帯域近傍の抑圧度が高まる。共振器R及びインダクタL4は入力端子InとIDT14との間、又は出力端子OutとIDT16との間のどちらに接続してもよい。また実施例1によれば、入力端子In側と出力端子Out側とで独立した接地端子を設けなくてよく、インダクタンスL3を小さくしなくてもよい。このため、フィルタの小型化が可能となる。実施例2はDMSフィルタの数を変更した例である。まず比較例2として、DMSフィルタを2つ用いたフィルタについて説明する。図3aは比較例2に係るフィルタ200Rを例示する上面図である。図3aに示すように、フィルタ200Rは、In~Out間に並列接続された2つのDMSフィルタF1R及びF2Rを備える。IDT116及びIDT136の一方の櫛型電極は入力端子Inに接続されている。IDT114、118、134及び138の一方の櫛型電極は出力端子Outに接続されている。インダクタL3の一端は各IDTの他方の櫛型電極に接続され、他端は接地されている。反射器112はIDT114、116及び118の両側に設けられ、反射器132はIDT134、136及び138の両側に設けられている。インダクタンスL3を0、2、4、6、8及び10pHと変更し、フィルタ200Rの周波数特性を計算した。モード結合理論を用いてDMSフィルタF1R及びF2Rの周波数特性を計算し、インダクタL3の付加は回路シミュレータ上で行った。圧電基板110はLiTaO3からなるとした。フィルタの通過帯域はWCDMAWidebandCodeDivisionMultipleAccessBand1方式の受信帯域2110~2170MHzに位置する。図3bは比較例2に係るフィルタの周波数特性を示すグラフである。横軸は周波数、縦軸は減衰量を示す。点線、実線、二点鎖線、破線、三点鎖線、及び一点鎖線は、それぞれL3=0pHの例、L3=2pHの例、L3=4pHの例、L3=6pHの例、L3=8pHの例、及びL3=10pHの例を表す。図3bに示すように、L3=0pHにおいては通過帯域より高周波数側に減衰極は生成されない。インダクタンスL3が0以上の場合、3000~8000MHzの範囲に減衰極が生成され、インダクタンスL3が小さいほど減衰極は高周波数側にシフトする。減衰極では抑圧度が向上するが、減衰極よりも高周波数帯域において抑圧度が劣化する。例えばインダクタンスL3が2pHのように小さな値でも、10GHz以上の帯域において抑圧度の劣化が見られる。次に比較例3について説明する。比較例3は、インダクタL3を用いず、共振器及びインダクタL4を用いる例である。図4aは比較例3に係るフィルタ300Rを例示する上面図である。図4aに示すように、フィルタ300Rは、共振器R及びL4を含む。共振器Rは2つの反射器122、IDT124を含む。IDT124の一方の櫛型電極は入力端子InとDMSフィルタF1R及びF2Rとの間に接続され、他方の櫛型電極はインダクタL4の一端に接続されている。インダクタL4の他端は接地されている。比較例3においてインダクタL4のインダクタンスL4を変更し、周波数特性の計算を行った。図4bは比較例3に係るフィルタの周波数特性を例示するグラフである。破線及び実線はそれぞれL4=0nHの例、及びL4=0.2nHの例を表す。図4bに実線で示すように、L4=0.2nHの場合、13GHz付近に減衰極が生成される。このため、L4=0nHの場合と比較して、10GHz以上の高周波数帯域において抑圧度が向上する。次に実施例2について説明する。図5aは実施例2に係るフィルタ200を例示する上面図である。図5aに示すように、フィルタ200は、圧電基板10上に設けられたDMSフィルタF1及びF2、共振器R、インダクタL3及びL4を含む。DMSフィルタF1は反射器12、IDT14、16及び18を含む。DMSフィルタF2は反射器32、IDT34、36及び38を含む。比較例2と同様に、インダクタL3はDMSフィルタF1及びF2と接地端子との間に接続されている。比較例3と同様に、インダクタL4は共振器Rと接地端子との間に接続されている。実施例2に係るフィルタの周波数特性を計算し、L4=0nHとしたフィルタの周波数特性との比較をした。L3=6pHとした。図5bは実施例2に係るフィルタの周波数特性を例示するグラフである。破線及び実線はそれぞれL4=0nHの例、L4=0.2nHの例を表す。図5bに示すように、インダクタL3により5500MHz付近に減衰極が生成される。またL4=0.2nHの場合、共振器RとインダクタL4とにより13GHz付近にも減衰極が生成されるため、L4=0nHの場合と比較して高周波数帯域における抑圧度が改善する。In~Out間に接続されるDMSフィルタの数は3つ以上でもよい。DMSフィルタ以外に、例えばSAWフィルタを縦続接続したフィルタ等、他の多重モード結合型弾性表面波フィルタを用いてもよい。また、例えば弾性境界波フィルタを結合した多重モード結合型弾性境界波フィルタ等、他の多重モード結合型弾性波フィルタを用いてもよい。共振器Rは弾性境界波共振器等、他の弾性波共振器でもよい。実施例3は、分波器の例である。図6aは分波器を例示するブロック図である。図6aに示すように、分波器300において、アンテナ端子Ant共通端子と受信端子Rxとの間に受信フィルタF3が直列接続され、アンテナ端子Antと送信端子Txとの間に送信フィルタF4が直列接続されている。分波器は、フィルタチップを基板に実装することで形成される。図6bは積層基板を備える分波器を例示する断面図である。図6bに示すように、分波器300は、積層基板40と、積層基板40にフリップチップ実装された受信フィルタチップ300a及び送信フィルタチップ300bとを備える。受信フィルタチップ300aは、例えば図5aに示したDMSフィルタF1及びF2、並びに共振器Rを含むチップである。積層基板40は、例えば樹脂又はセラミック等の誘電体層と、銅Cu等の金属からなる導体層とを積層した基板である。上から順に第1誘電体層42、第2誘電体層44、及び第3誘電体層46が設けられている。第1誘電体層42の上面ダイアタッチ面には第1導体層50が設けられている。第1誘電体層42と第2誘電体層44との間には第2導体層52が設けられている。第2誘電体層44と第3誘電体層46フットパッド層との間には第3導体層54が設けられている。第3誘電体層46の下面には第4導体層56が設けられている。各フィルタチップは、バンプ60を介して第1導体層50に搭載されている。導体層間は、誘電体層を貫通するビア配線62により接続されている。図7aは第1誘電体層42を例示する上面図である。図7bは第2誘電体層44を例示する上面図である。図8aは第3誘電体層46を例示する上面図である。図8bは第3誘電体層46を透視した図である。図中の格子斜線は、紙面の奥行き方向に延びるビア配線62を表す。各導体層において、送信フィルタチップ300bが実装される領域における端子及び配線等は省略している。図7aにおいて破線の領域には受信フィルタチップ300aが実装され、点線の領域には送信フィルタチップ300bが実装される。第1導体層50は、アンテナ端子Ant1、受信端子Rx1、接地端子GND1及びGND2、環状電極64を含む。アンテナ端子Ant1は図5aの入力端子Inに対応し、受信端子Rx1は出力端子Outに対応する。接地端子GND1は受信フィルタチップ300aのDMSフィルタF1及びF2と接続される。接地端子GND2は共振器Rと接続される。図7bに示すように、第2導体層52は、アンテナ端子Ant2、受信端子Rx2、接地端子GND3及びGND4を含む。アンテナ端子Ant2は第1導体層50のアンテナ端子Ant1と接続されている。受信端子Rx2は受信端子Rx1と接続されている。接地端子GND3は接地端子GND1及びGND2と接続されている。接地端子GND4は環状電極64と接続されている。図8aに示すように、第3導体層54は、アンテナ端子Ant3、受信端子Rx3、接地端子GND5及びGND6を含む。アンテナ端子Ant3は第2導体層52のアンテナ端子Ant2に接続されている。受信端子Rx3は受信端子Rx2に接続されている。接地端子GND5は接地端子GND3に接続されている。接地端子GND6は接地端子GND4に接続されている。図8bに示すように、第4導体層56は、アンテナ端子Ant4、受信端子Rx4、送信端子Tx、接地端子GND7~GND12を含む。アンテナ端子Ant4は、第3導体層54のアンテナ端子Ant3と接続されている。受信端子Rx4は受信端子Rx3に接続されている。送信端子Tx、接地端子GND11及びGND12は送信フィルタチップ300bと接続されている。接地端子GND7~GND9は接地端子GND5と接続されている。接地端子GND10は接地端子GND6と接続されている。DMSフィルタF1及びF2と接地端子GND3との間を接続する接地端子GND1及びビア配線62が、インダクタL3を形成する。共振器Rと接地端子GND3との間を接続する接地端子GND2及びビア配線62が、インダクタL4を形成する。このため、受信フィルタの高周波数帯域における抑圧度が改善する。また積層基板40中の導体層がインダクタL3及びL4として機能するため、分波器の小型化が可能である。実施例3に係る分波器の受信フィルタの周波数特性を計算し、比較例4の計算結果と比較した。比較例4に係る分波器は、図6bに示したもの同様にフィルタチップと積層基板からなる。比較例4における受信フィルタチップは2つのDMSフィルタ及び共振器Rを含む。図9は比較例4に係る分波器が備える積層基板の第1誘電体層を例示する上面図である。図9に示すように、第1誘電体層142上に設けられた第1導体層150は、2つのDMSフィルタ及び共振器に共通して接続される接地端子GND1を含む。このため、DMSフィルタと接地端子GND1との間、及び共振器と接地端子GND1との間において、独立したインダクタの生成は抑制される。第2導体層~第4導体層は図7b~図8bに示したものと同じである。図10は実施例3に係る分波器300が備える受信フィルタF3の周波数特性を示すグラフである。実線及び破線はそれぞれ実施例3及び比較例4における計算結果を表す。図10に示すように、比較例4及び実施例3において、4000MHz付近に減衰極が生成される。比較例4においては、6000MHz以上の高周波数帯域において抑圧度が劣化し、周波数が高くなるほど大きく劣化する。実施例3においては、共振器とインダクタL4とにより12GHz付近に減衰極が生成される。また6700MHz付近に減衰極が生成される。この結果、実施例3によれば、7000MHz以上の高周波数帯域においても高い抑圧度を得ることができる。特に10GHz付近の抑圧度が大きく改善する。インダクタL3及びL4を生成するためには、DMSフィルタと共振器とが共通して接続される接地端子が、第1導体層50以外の導体層に設けられていることが好ましい。実施例3では第2導体層52の接地端子GND3が共通化されているが、第3導体層54又は第4導体層56の接地端子が共通化されてもよい。また積層基板40の層の数は変更可能である。DMSフィルタと共振器とは別のチップとしてもよい。実施例4は圧電薄膜共振器を用いる例である。図11aは圧電薄膜共振器を例示する上面図である。図11bは圧電薄膜共振器を例示する断面図である。図11a及び図11bに示すように、基板71上に下部電極73が設けられている。下部電極73上に圧電薄膜75が設けられている。圧電薄膜75上に上部電極77が設けられている。下部電極73、圧電薄膜75及び上部電極77は、基板71に設けられた空隙79上において重なる。共振器Rとして、上記のような圧電薄膜共振器を用いることができる。下部電極73は空隙79に露出してもよいし、例えば絶縁膜等が下部電極73と空隙79との間に設けられてもよい。下部電極73と基板90との間に空隙が設けられてもよい。基板90に空隙92を設けず、音響反射膜を設けてもよい。図12a及び図12bはCRFを例示する断面図である。DMSフィルタとしてCRFCoupledResonatorFilter、結合型圧電薄膜共振器フィルタを用いることができる。基板90上に、圧電薄膜共振器FilmBulkAcousticResonator:FBARである第1共振器70及び第2共振器80が、デカプラ膜78を挟んで重ねられている。第1共振器70は、下部電極72、圧電薄膜74、及び上部電極76を含む。第2共振器80は、下部電極82、圧電薄膜84、及び上部電極86を含む。また、第1共振器70の下部電極72と基板90との間に空隙92が形成されている。第1共振器70の下部電極72は入力端子Inに接続され、第2共振器80の上部電極86は出力端子Outに接続されている。第1共振器70の上部電極76及び第2共振器80の下部電極82は、共に接地されている。圧電薄膜74及び84には、例えば、窒化アルミニウムAlNに圧電定数を高める元素例えば、アルカリ土類金属スカンジウムSc等または希土類金属エルピウムEr等を添加した材料を用いることができる。また、上記の材料の代わりに、AlNよりも圧電性の大きいPZTLeadZirconateTitanateまたはBSTBariumStrontiumTitanateを用いることもできる。これらの材料を用いることにより、圧電定数を高める元素が添加されていないAlN圧電膜を用いる場合に比べ、十分な帯域幅を有し、かつ低損失な特性を有するバンドパスフィルタを実現することができる。なお、通常のAlN圧電膜の圧電定数圧電歪定数は1.55C/m2であるが、本実施例では圧電定数を高める元素を添加することにより、圧電定数が3.0C/m2まで高められている。基板90には、例えばシリコンSiを用いることができる。下部電極72及び82並びに上部電極76及び86を形成する電極膜には、例えばタングステンWを用いることができる。デカプラ膜78には、例えば酸化シリコンSiO2を用いることができる。図12bに示すように、基板90に空隙92を設けず、音響反射膜94を設けてもよい。共振器RにCRFと同じ材料を用いることができる。バランス型フィルタは、通過帯域から離れた周波数帯域において平衡端子間の信号が同位相となるため抑圧度が高い。これに対し、シングルエンドのフィルタでは高周波数帯域における抑圧度が劣化しやすいが、実施例により抑圧度を効率的に改善することができる。またバランス型フィルタに実施例を適用してもよい。高周波数帯域における高抑圧が要求される受信フィルタに実施例を適用することが好ましい。また送信フィルタに実施例を適用してもよい。フィルタの対応する通信方式は、WCDMABand1方式以外でもよい。実施例は分波器に含まれる受信フィルタ及び送信フィルタの一方又は両方に適用可能であるが、分波器の周波数特性を効果的に改善するためには受信フィルタに適用することが好ましい。また実施例はフィルタ、分波器以外に、フィルタ又は分波器等を備えるモジュールに適用してもよい。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。