"誘電体で囲まれた長尺チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記チャンバに平行に設けられ、かつ、誘電体で囲まれた長尺の穴と、前記長尺の穴内に設けられた導体棒と、前記導体棒に接続された高周波電源と、前記チャンバに設けられたスリット状の開口部と、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台と、を有するプラズマ処理装置において、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。前記チャンバを含む長尺方向に垂直な面で切った任意の断面において、前記導体棒と前記導体棒以外の導体との距離が、前記導体棒と前記チャンバの距離よりも大きいことを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。前記チャンバが誘電体ブロックに設けられたスリットからなり、前記誘電体ブロックに、前記長尺の穴が設けられていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。前記導体棒を複数備え、前記複数の導体棒を端部で電気的に接続することによって、導体棒全体としてコイルを構成するよう構成されていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。前記複数の導体棒のうち、前記チャンバを挟んで対向する導体棒に逆位相の高周波電流が流れるよう構成されていることを特徴とする請求項4記載のプラズマ処理装置。前記複数の導体棒のうち、前記チャンバを挟んで対向する導体棒に同位相の高周波電流が流れるよう構成されていることを特徴とする請求項4記載のプラズマ処理装置。前記長尺の穴に冷媒が流れるよう構成されていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。前記長尺の穴とは別に、前記誘電体ブロックに前記長尺の穴と平行な長尺の冷媒流路が設けられていることを特徴とする請求項3記載のプラズマ処理装置。前記長尺の穴及び前記長尺の冷媒流路が、前記長尺チャンバの長手方向の両側に設けられた2つの冷媒マニホールドと連通することを特徴とする請求項8記載のプラズマ処理装置。前記誘電体ブロックが、空気層を介して接地された導体ケース内に収納されていることを特徴とする請求項3記載のプラズマ処理装置。前記長尺の穴が誘電体製の円柱管からなることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。前記長尺チャンバが、束ねられた複数の誘電体製の円柱管の隙間からなることを特徴とする請求項11記載のプラズマ処理装置。前記長尺チャンバの長手方向とは垂直な方向の幅が、前記開口部の長手方向とは垂直な方向の幅よりも広いことを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。誘電体で囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記長尺チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記長尺チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法において、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、前記コイルは、前記長尺チャンバに平行に設けられ、かつ、誘電体で囲まれた長尺の穴内に設けられた導体棒からなることを特徴とするプラズマ処理方法。しかしながら、半導体の結晶化など、ごく短時間だけ基材の表面近傍を高温処理する用途に対して、従来の熱プラズマを大面積に発生させる技術は有効ではなかった。従来例に示した特許文献2に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、広幅化はされるものの、広幅化された領域における温度分布は100°C以上となっており、均一な熱処理の実現は不可能である。また、従来例に示した特許文献3、4に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、本質的には熱プラズマを揺動させるものであるから、実質的に熱処理されている時間は、回転させずに走査した場合と比べて短くなるので、大面積を処理する時間が特段短くなるものではない。また、均一処理のためには回転速度を走査速度に比べて十分に大きくする必要があり、ノズルの構成が複雑化することは避けられない。また、従来例に示した特許文献5に記載の技術は溶接技術であり、大面積を均一に処理するための構成ではない。仮にこれを大面積処理用途に適用しようとしても、この構成においては点状のアークが帯状電極に沿って振動するので、時間平均すると均一にプラズマが発生するものの、瞬間的には不均一なプラズマが生じている。したがって、大面積の均一処理には適用できない。また、従来例に示した特許文献6に記載の技術は、非特許文献1や特許文献1に開示されているDCアーク放電を用いたものと異なり、誘導結合型の高周波プラズマトーチであることが特徴である。無電極放電であることから、熱プラズマの安定性に優れ時間変化が小さい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが少ないという利点がある。さて、誘導結合型プラズマトーチにおいては、高温プラズマから絶縁体材料を保護するために、絶縁体材料を二重管構成としてその間に冷媒を流す方法が一般的に採用されている。しかしながら、従来例に示した特許文献6に記載の技術においては、絶縁体材料が扁平な直方体状をなしていることから、これを単純に二重管構成としただけでは、十分な流量の冷媒を流すことができない。なぜなら、絶縁体材料は一般に金属に比べて機械的強度に劣るため、絶縁体材料を長尺方向に余りに長くすると、二重管の内圧を高くできなくなるからである。このため、大面積を均一に処理するのに限界がある。また、仮に絶縁体材料の冷却の問題がないと仮定しても、従来例に示した特許文献6に記載の技術においては、絶縁体材料の内部空間に形成した高温プラズマは、その最下部から噴出するごく一部のみが基材に直接作用する構成であるため、電力効率が悪いという問題点がある。また、絶縁体材料の内部空間においては、中心付近のプラズマ密度が高くなるので、長尺方向にプラズマが不均一となり、基材を均一に処理することができないという問題点がある。なお、点状の熱プラズマであっても、その直径が大きければ大面積処理の際の走査回数を減らせるため、用途によっては短時間で処理できる。しかし、熱プラズマの直径が大きいと、走査時に熱プラズマが基材上を通過する時間が実質的に長くなるため、ごく短時間だけ基材の表面近傍のみを高温処理することはできず、基材のかなり深い領域までが高温になり、例えばガラス基板の割れや膜剥がれなどの不具合を生じることがある。また、従来例に示した特許文献8に記載の技術では、先に述べた誘導結合型の高周波プラズマトーチと比較して、熱プラズマの安定性に劣り時間変化が大きい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが多いという欠点がある。本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。本願の第1発明のプラズマ処理装置は、誘電体で囲まれた長尺チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記チャンバに平行に設けられ、かつ、誘電体で囲まれた長尺の穴と、前記長尺の穴内に設けられた導体棒と、前記導体棒に接続された高周波電源と、前記チャンバに設けられたスリット状の開口部と、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台と、を有するプラズマ処理装置において、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたことを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本願の第1発明のプラズマ処理装置において、好適には、前記チャンバを含む長尺方向に垂直な面で切った任意の断面において、前記導体棒と前記導体棒以外の導体との距離が、前記導体棒と前記チャンバの距離よりも大きいことが望ましい。このような構成により、より高い効率でプラズマを発生させることが可能となる。また、好適には、前記チャンバが誘電体ブロックに設けられたスリットからなり、前記誘電体ブロックに、前記長尺の穴が設けられていることが望ましい。このような構成により、少ない部品点数でプラズマ処理装置を構成できる。また、好適には、前記導体棒を複数備え、前記複数の導体棒を端部で電気的に接続することによって、導体棒全体としてコイルを構成するよう構成されていることが望ましい。このような構成により、より高い効率でプラズマを発生させることが可能となる。また、この場合、好適には、前記複数の導体棒のうち、前記チャンバを挟んで対向する導体棒に逆位相の高周波電流が流れるよう構成されていてもよいし、同位相の高周波電流が流れるよう構成されていてもよい。また、好適には、前記長尺の穴に冷媒が流れるよう構成されていることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置の効果的な冷却が実現できる。また、好適には、前記長尺の穴とは別に、前記誘電体ブロックに前記長尺の穴と平行な長尺の冷媒流路が設けられていることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置の効果的な冷却が実現できる。また、この場合、好適には、前記長尺の穴及び前記長尺の冷媒流路が、前記長尺チャンバの長手方向の両側に設けられた2つの冷媒マニホールドと連通することが望ましい。このような構成により、より小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置が実現できる。また、好適には、前記誘電体ブロックが、空気層を介して接地された導体ケース内に収納されていることが望ましい。このような構成により、異常放電を抑制することができる。また、プラズマ処理装置の軽量化を図ることができる。また、前記長尺の穴が誘電体製の円柱管からなる構成であってもよい。このような構成により、より安価なプラズマ処理装置を実現できる。また、この場合、好適には、前記長尺チャンバが、束ねられた複数の誘電体製の円柱管の隙間からなることが望ましい。このような構成により、さらに安価なプラズマ処理装置を実現できる。また、前記長尺チャンバの長手方向とは垂直な方向の幅が、前記開口部の長手方向とは垂直な方向の幅よりも広い構成であってもよい。このような構成により、安定したプラズマ処理を実現できる。本願の第2発明のプラズマ処理方法は、誘電体で囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記長尺チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記長尺チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法において、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、前記コイルは、前記長尺チャンバに平行に設けられ、かつ、誘電体で囲まれた長尺の穴内に設けられた導体棒からなることを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本発明によれば、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。以下、本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置について図面を用いて説明する。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1について、図1及び図2を参照して説明する。図1aは、本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図1b及びcは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。図1bは図1aの破線A~A‘で切った断面図、図1cは図1aの破線B~B‘で切った断面図である。また、図1aは図1bの破線で切った断面図である。また、図2は、図1に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図1及び図2において、基材載置台1上に基材2が載置されている。誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、コイルをなす導体棒としての銅棒3が、誘電体製の長尺チャンバを構成する石英ブロック4の内部に配置される。石英ブロック4の周囲に設けられた真鍮ブロック5及び真鍮蓋6で囲まれた部分に、石英ブロック4が収納されている。真鍮ブロック5及び真鍮蓋6は接地されるので、高周波の漏洩ノイズが効果的に防止できるとともに、好ましくない異常放電などを効果的に防止できる。長尺チャンバ内部の空間7は、石英ブロック4に設けられたスリットである。つまり、長尺チャンバが誘電体で囲まれている構成である。長尺チャンバ内部の空間7に発生したプラズマは、長尺チャンバにおけるスリット状の開口部としてのプラズマ噴出口8より基材2に向けて噴出する。また、長尺チャンバの長手方向とプラズマ噴出口8の長手方向とは平行に配置されている。真鍮蓋6の上方に、プラズマガスマニホールド9が設けられる。プラズマガスマニホールドに供給されたガスは、石英ブロック4に設けられた穴からなるプラズマガス供給配管10を介して、石英ブロック4に設けられたガス導入口としてのプラズマガス供給穴11より長尺チャンバ内部の空間7に導入される。プラズマガス供給配管10は長手方向に複数設けられているので、長手方向に均一なガス流れを簡単に形成できる。銅棒3は4本設けられており、これらは端部で電気的に接続され、全体としてコイルを構成するよう構成されている。各銅棒3は、長尺チャンバに平行に設けられ、かつ、誘電体である石英に囲まれた長尺の穴である銅棒挿入穴12内に設けられている。また、基材載置台1に近い部分に、シールドガスノズル13が配置され、その内部にはシールドガスマニホールド14が設けられる。このように、2系統のガス導入が準備されており、プラズマ生成に適したプラズマガスとは別にシールドガスを供給して、大気中の酸素、二酸化炭素など、処理に不要、あるいは悪影響を及ぼすガスのプラズマ照射面への混入を低減することが可能となる。石英ブロック4及び真鍮ブロック5には、これらを貫通する冷却水配管15が設けられている。銅棒挿入穴12と冷却水配管15は互いに平行に配置された水路冷媒流路であり、真鍮ブロック16の外側に設けられた樹脂ケース17と真鍮ブロック16との間の空間がなす冷媒マニホールドとしての冷却水マニホールド18に連通している。樹脂ケース17には、図示しない冷媒導入口冷媒排出口としての冷却水出入口が各1箇所ずつ設けられ、トーチユニットTへの水冷配管の引き回しが非常に簡潔なものとなっており、小型のトーチを構成しうる。すなわち、長尺チャンバの長手方向の両側に2つの冷媒マニホールド18を備え、各部材に2つの冷媒マニホールド18を連通する冷媒流路を備えた構成である。銅棒3は冷却水マニホールド18内でカプラ19により電気的に接続され、4本の銅棒3全体として螺旋形で巻き数2のソレノイドコイルを形成する。銅棒3のうち2本は、真鍮ブロック16を貫通し、樹脂ケース17に設けられた高周波導入端子穴または接地端子穴を介して銅板20に接続され、銅板20を通じて図示しない高周波整合回路に接続される。このように、本実施の形態においては、石英ブロック4を貫通する、断面が円形の銅棒挿入穴12及び冷却水配管15が設けられているので、従来例に示した特許文献6に記載の技術において二重管構成として水冷した場合に比べて、はるかに大量の冷媒を流すことができる。なお、プラズマガスマニホールド9へのガス導入は、その上流にマスフローコントローラなどの流量制御装置を備えたプラズマガス供給配管21を介して実現される。長方形のスリット状のプラズマ噴出口8が設けられ、基材載置台1或いは、基材載置台1上の基材2は、プラズマ噴出口8と対向して配置されている。この状態で、長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源よりコイルをなす銅棒3に高周波電力を供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射することにより、基材2上の薄膜22をプラズマ処理することができる。プラズマ噴出口8の長手方向に対して垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動させることで、基材2を処理する。つまり、図1aの左右方向へ、図1bcの紙面に垂直な方向へ、誘導結合型プラズマトーチユニットTまたは基材載置台1を動かす。複数の銅棒3は平行に配置され、4本の銅棒3全体として螺旋形で巻き数2のソレノイドコイルを形成する。すなわち、複数の導体棒のうち、長尺チャンバを挟んで対向する導体棒に逆位相の高周波電流が流れるよう構成されている。この場合、トーチユニットTの長尺方向に垂直な面で切った断面において、長尺チャンバを挟んで対向する導体棒の中心を結ぶ線分の中点付近の誘導電磁界が強くなり、効率的なプラズマ発生を実現しうる。これに対して、4本の銅棒3の全てを冷却水マニホールド18内で束ね、長手方向の片側に高周波電力を供給し、他の片側を接地することにより、4本の銅棒3全てに同位相の高周波電流を流すこともできる。すなわち、複数の導体棒のうち、長尺チャンバを挟んで対向する導体棒に同位相の高周波電流が流れるよう構成することも可能である。この場合、トーチユニットTの長尺方向に垂直な面で切った断面において、長尺チャンバを挟んで対向する導体棒の中心を結ぶ線分の中点付近の誘導電磁界はほぼゼロになるが、長尺チャンバの上下端付近に強い誘導電磁界が発生するので、効率的なプラズマ発生を実現しうる。また、この場合、4本の銅棒に高周波電流が分岐するので、1本当たりの電流が小さくなる。言い換えると、同じ太さの銅棒を使用した場合、コイル全体の直流抵抗及びインダクタンスが小さくなる。したがって、コイルにおける銅損が小さくなり、電力効率が高まる。長尺チャンバを挟んで同じ側に配置された2本の導体棒を冷却水マニホールド18内で束ねることで、巻き数1のコイルを2段に並列配置することも可能である。この場合も、複数の導体棒のうち、長尺チャンバを挟んで対向する導体棒に逆位相の高周波電流が流れるが、2系統の銅棒に高周波電流が分岐するので、1本当たりの電流が小さくなる。言い換えると、同じ太さの銅棒を使用した場合、コイル全体の直流抵抗及びインダクタンスが小さくなる。したがって、コイルにおける銅損が小さくなり、電力効率が高まる。このような配線構成上の工夫によって銅損を低減する方法は、処理したい基材2の幅が大きい場合、すなわち、誘導結合型プラズマトーチユニットTが長尺方向に長くなる場合にとくに有効である。また、本構成では、長尺チャンバを含む長尺方向に垂直な面で切った任意の断面において、銅棒3と銅棒3以外の導体真鍮ブロック5及び真鍮蓋6との距離が、銅棒3と長尺チャンバの距離よりも大きくなっている。なお、ここでは、銅棒3と長尺チャンバの距離とは、銅棒3と長尺チャンバ内部の空間7が構成する直方体との距離を意味する。一般に、高周波電流源が形成する誘導電磁界は、高周波電流源からの距離の二乗に反比例するので、銅棒3と銅棒3以外の導体との距離が銅棒3と長尺チャンバの距離よりも近いと、プラズマ生成に有効な電磁界よりも銅棒3以外の導体内に渦電流を誘導する電磁界の方が大きくなり、銅損渦電流損が大きくなってしまう。これを避けるために、銅棒3と銅棒3以外の導体との距離が、銅棒3と長尺チャンバの距離よりも大きくなるように構成している。このような構成においては、銅棒3とプラズマ噴出口8の間にある程度の距離を保つ必要があるので、最もプラズマ噴出口8に近い銅棒3よりもプラズマ噴出口8に近い部位に、石英ブロック4を冷却するための冷却水配管15を配している。同様に、最も真鍮蓋6に近い銅棒3よりも真鍮蓋6に近い部位にも、石英ブロック4を冷却するための冷却水配管15を配している。また、真鍮ブロック5及び真鍮蓋6には、銅棒3からの距離を保ったとしても、銅損渦電流損が生じるので、これによる問題を防ぐために冷却水配管15を銅棒3に近い部位に設けている。長尺チャンバ内に供給するガスとして種々のものが使用可能だが、プラズマの安定性、着火性、プラズマに暴露される部材の寿命などを考えると、不活性ガス主体であることが望ましい。なかでも、Arガスが典型的に用いられる。Arのみでプラズマを生成させた場合、プラズマは相当高温となる10,000K以上。真鍮ブロック5のプラズマ噴出口8の下流にあたる部分は、基材2に向かって徐々に広くなる空間を形成している。このような構成により、真鍮ブロック5へのプラズマの接触によるプラズマ密度の低下を抑制できると同時に、プラズマと接触する部位に近い位置に冷却水配管15を設けることができる。なお、本構成においては、プラズマ噴射口8の長手方向の長さが、基材2の幅以上となっているので、一度の走査トーチユニットTと基材載置台1とを相対的に移動することで基材2の表面近傍の薄膜22の全体を処理することができる。このようなプラズマ処理装置において、長尺チャンバ内にガス噴出口よりArまたはArH2ガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源より13.56MHzの高周波電力を、コイルをなす銅棒3に供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射するとともに走査することで、半導体膜の結晶化などの熱処理を行うことができる。このように、プラズマ噴出口8の長手方向と、基材載置台1とが平行に配置されたまま、プラズマ噴出口8の長手方向とは垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動するので、生成すべきプラズマの長さと、基材2の処理長さがほぼ等しくなるように構成することが可能となる。また、長尺チャンバをその中心軸に垂直な面で切った断面の幅図1aにおける、チャンバ内部空間7の幅は、プラズマ噴出口8の幅図1aにおける隙間の幅と同じか、少し大きく程度でよい。つまり、生成すべきプラズマの体積を、従来と比較して極めて小さくすることができる。その結果、電力効率が飛躍的に高まる。また、長尺チャンバの内部空間7においては、長尺方向に比較的均一なプラズマが生成できるので、特許文献6に開示されている従来例などと比べて、基材を均一に処理することができる。実施の形態2以下、本発明の実施の形態2について、図3を参照して説明する。図3は本発明の実施の形態2におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。本発明の実施の形態2においては、実施の形態1とは、石英ブロック4の形状が異なるだけであるから、それ以外の説明は省略する。図3において、石英ブロック4が、空気層を介して、接地された導体ケースとしての真鍮ブロック5及び真鍮蓋6内に収納されている。実施の形態1においては、長時間トーチユニットを運転すると、石英ブロック4と真鍮ブロック5または真鍮蓋6の間の隙間に、Arなどの不活性ガスが侵入し、この隙間での異常放電が起きる場合がある。これを避けるために、本実施の形態では空気層を設けている。より確実にArなどの不活性ガスの滞留を抑制するには、空気層をトーチユニット外部の空間と連通させる穴を設けたり、ファンなどを使って、空気層の気体とトーチユニット外部の空間にある気体との交換を促進したりすることも有効である。なお、ここではトーチユニット外部の空間の雰囲気が空気であることを前提に説明したが、トーチユニット外部の空間の雰囲気がN2などの不活性かつ大気圧での放電開始電圧が高いガスである場合も、同様の効果がある。あるいは、この空気層に空気やN2などを流量制御機器を用いて供給し、Arなどの不活性ガスの滞留を避けることも有効である。また、本実施の形態においては、石英ブロック4、ひいてはトーチユニットTの軽量化を図ることができるという利点もある。実施の形態3以下、本発明の実施の形態3について、図4を参照して説明する。図4は本発明の実施の形態3におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図4において、実施の形態1における石英ブロック4の代わりに、多数の石英管23が設けられている。すなわち、銅棒3を収納する長尺の穴としての銅棒挿入穴12及び冷却水配管15が、誘電体製の円柱管たる石英管23の内部空間として構成されている。そして、長尺チャンバ内部の空間7は、束ねられた複数の石英管23の隙間から構成されている。実施の形態1における石英ブロック4は、長尺方向に細長い穴を多数形成する必要があるため、比較的高価な部品となってしまうが、円柱状の石英管23は既製品が大量生産されているため安価であり、これを束ねて長尺チャンバを構成することで、安価なプラズマ処理装置を実現できる。実施の形態4以下、本発明の実施の形態4について、図5を参照して説明する。図5は本発明の実施の形態4におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図5において、長尺チャンバの長手方向とは垂直な方向の幅が、プラズマ噴出口8の長手方向とは垂直な方向の幅よりも広い構成となっている。このような構成により、十分な放電空間を確保することで、安定したプラズマ処理を実現できる。実施の形態5以下、本発明の実施の形態5について、図6を参照して説明する。図6は本発明の実施の形態5におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図6において、真鍮ブロック5の最下部に設けられた開口部の幅が、プラズマ噴出口8を構成する石英ブロック4の開口部の幅よりも広く構成されている。このような構成においては、銅棒3が発生する高周波電磁界がより下方にまでプラズマ励起を促すので、プラズマの噴出強度が高まり、より高温のプラズマを基材に作用させることが可能となる。実施の形態6以下、本発明の実施の形態6について、図7を参照して説明する。図7は本発明の実施の形態6におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図7において、真鍮ブロック5の最下部に設けられた開口部の幅が、プラズマ噴出口8を構成する石英ブロック4の開口部の幅よりも広く構成されている。実施の形態1においては、これらはほぼ等しい幅であった。Arなどの不活性ガスの濃度は、トーチユニットと基材との間の空間で高まるので、実施の形態1の構成は、真鍮ブロック5の最下部が高周波電磁界を遮蔽するため、この空間でのプラズマ励起を抑制するのに効果的であった。一方、本実施の形態においては、この空間でのプラズマ励起を抑制するため、真鍮ブロック5に設けたシールドガス供給配管からシールドガスをプラズマ噴出口8の近傍に噴出させる構成としている。すなわち、長尺チャンバ内部の空間7にArなどの不活性ガスを供給してプラズマを発生させる一方で、シールドガスとしてN2などの不活性かつ大気圧での放電開始電圧が高いガスをプラズマ噴出口8の近傍に、噴出する長尺のプラズマを、長尺方向に垂直な向きから挟み込むように供給し、プラズマを長尺形状に整形する。シールドガスの噴出口は、プラズマ噴出口8と平行なスリット状のガス出口であってもよいし、プラズマ噴出口8と平行に配置された多数の穴状のガス出口であってもよい。実施の形態7以下、本発明の実施の形態7について、図8を参照して説明する。図8は本発明の実施の形態7におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図8において、銅棒挿入穴12は他の冷却水配管15を構成する穴よりもその断面をなす円の直径が大きく、一つの銅棒挿入穴12の内部に複数の銅棒3を収納している。このような構成は、石英ブロック4に形成する長尺の穴の数を少なくするのに有効である。以上述べたプラズマ処理装置及び方法は、本発明の適用範囲のうちの典型例を例示したに過ぎない。例えば、誘導結合型プラズマトーチユニットTを、固定された基材載置台1に対して走査してもよいが、固定された誘導結合型プラズマトーチユニットTに対して、基材載置台1を走査してもよい。本発明の種々の構成によって、基材2の表面近傍を高温処理することが可能となるが、従来例で詳しく述べたTFT用半導体膜の結晶化や太陽電池用半導体膜の改質に適用可能であることは勿論、プラズマディスプレイパネルの保護層の清浄化や脱ガス低減、シリカ微粒子の集合体からなる誘電体層の表面平坦化や脱ガス低減、種々の電子デバイスのリフロー、固体不純物源を用いたプラズマドーピングなど、さまざまな表面処理に適用できる。また、太陽電池の製造方法としては、シリコンインゴットを粉砕して得られる粉末を基材上に塗布し、これにプラズマを照射して溶融させ多結晶シリコン膜を得る方法にも適用可能である。また、プラズマガス供給配管10が接地された導体に囲まれる構成としてもよい。プラズマガス供給配管10が誘電体製である場合は、配管内部に高周波電磁界が照射され、配管内部で望ましくない放電を生じることがある。プラズマガス供給配管10が接地された導体に囲まれる構成とすることにより、このような望ましくない放電を効果的に抑制できる。また、プラズマの着火を容易にするために、着火源を用いることも可能である。着火源としては、ガス給湯器などに用いられる点火用スパーク装置などを利用できる。また、説明においては簡単のため熱プラズマという言葉を用いているが、熱プラズマと低温プラズマの区分けは厳密には難しく、また、例えば、田中康規熱プラズマにおける非平衡性プラズマ核融合学会誌、Vol.82、No.82006pp.479-483において解説されているように、熱的平衡性のみでプラズマの種類を区分することも困難である。本発明は、基材を熱処理することを一つの目的としており、熱プラズマ、熱平衡プラズマ、高温プラズマなどの用語にとらわれず、高温のプラズマを照射する技術に関するものに適用可能である。また、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理する場合について詳しく例示したが、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理する場合においても、本発明は適用できる。プラズマガスに反応ガスを混ぜることにより、反応ガスによるプラズマを基材へ照射し、エッチングやCVDが実現できる。あるいは、プラズマガスとしては希ガスまたは希ガスに少量のH2ガスを加えたガスを用いつつ、シールドガスとして反応ガスを含むガスを供給することによって、プラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射し、エッチング、CVD、ドーピングなどのプラズマ処理を実現することもできる。プラズマガスとしてアルゴンを主成分とするガスを用いると、実施例で詳しく例示したように、熱プラズマが発生する。一方、プラズマガスとしてヘリウムを主成分とするガスを用いると、比較的低温のプラズマを発生させることができる。このような方法で、基材をあまり加熱することなく、エッチングや成膜などの処理が可能となる。エッチングに用いる反応ガスとしては、ハロゲン含有ガス、例えば、CxFyx、yは自然数、SF6などがあり、シリコンやシリコン化合物などをエッチングすることができる。反応ガスとしてO2を用いれば、有機物の除去、レジストアッシングなどが可能となる。CVDに用いる反応ガスとしては、モノシラン、ジシランなどがあり、シリコンやシリコン化合物の成膜が可能となる。あるいは、TEOSTetraethoxysilaneに代表されるシリコンを含有した有機ガスとO2の混合ガスを用いれば、シリコン酸化膜を成膜することができる。その他、撥水性親水性を改質する表面処理など、種々の低温プラズマ処理が可能である。従来技術例えば、特許文献7に記載のものに比較すると、誘導結合型であるため、単位体積あたり高いパワー密度を投入してもアーク放電に移行しにくいため、より高密度なプラズマが発生可能であり、その結果、速い反応速度が得られ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することが可能となる。"