"酢酸イソプロピルを主成分とする有機溶媒でスルホニウム化合物を抽出する工程を含む化1で表されるスルホニウム化合物の製造方法。ただし、式中、R1は水素,メトキシカルボニル基,アセチル基,ベンゾイル基のいずれかを、R2は水素,ハロゲン,C1~C4のアルキル基のいずれかを、R3はC1~C4のアルキル基,C1~C4のアルキル基で置換されていてもよいベンジル基,α-ナフチルメチル基のいずれかを、R4はC1~C4のアルキル基を示す。XはSbF6,PF6,AsF6,BF4,CF3SO3,2N,B4のいずれかを示す。化2で表されるスルホニウム化合物とMXで表される塩を、酢酸イソプロピルを主成分とする有機溶媒と水の2相系で反応させ、生成した化1で表されるスルホニウム化合物を有機溶媒層に抽出してなる請求項1に記載の化1で表されるスルホニウム化合物の製造方法。ただし、式中、R1は水素,メトキシカルボニル基,アセチル基,ベンゾイル基のいずれかを、R2は水素,ハロゲン,C1~C4のアルキル基のいずれかを、R3はC1~C4のアルキル基,C1~C4のアルキル基で置換されていてもよいベンジル基,α-ナフチルメチル基のいずれかを、R4はC1~C4のアルキル基を示す。Yはハロゲンまたはアルキル硫酸イオンを、Mはアルカリ金属,NH4を、XはSbF6,PF6,AsF6,BF4,CF3SO3,2N,B4のいずれかを示す。請求項2に記載の化2で表されるスルホニウム化合物とMYで表される塩を水溶媒で反応させ、生成した化1で表されるスルホニウム化合物を、酢酸イソプロピルを主成分とする有機溶媒で有機溶媒層に抽出してなる請求項1に記載の化1で表されるスルホニウム化合物の製造方法。請求項2または3に記載の製造方法において、抽出後の有機溶媒層に酢酸イソプロピル1容量に対して、トルエン、ヘキサン、ヘプタンから選ばれた一種または二種以上を0.5容量以下になるように混合してなる請求項1のスルホニウム化合物の製造方法。酢酸イソプロピルを主成分とする有機溶媒が酢酸イソプロピル1容量に対して、トルエン、ヘキサン、ヘプタンから選ばれた一種または二種以上を0~0.5容量混合したものである請求項1~3のいずれかに記載のスルホニウム化合物の製造方法。請求項2または3に記載の製造方法において、抽出後の有機溶媒層に酢酸イソプロピル1容量に対して、トルエン、ヘキサン、ヘプタンから選ばれた一種または二種以上を脱水のための溶媒として混合してなる請求項4のスルホニウム化合物の製造方法。請求項1に記載の化1で表されるスルホニウム化合物の酢酸イソプロピル溶液。酢酸イソプロピル1容量に対して、トルエン、ヘキサン、ヘプタンから選ばれた一種または二種以上を0~0.5容量混合した有機溶媒に、請求項1に記載の化1で表されるスルホニウム化合物を溶解した溶液。この発明は化1で表される、重合開始剤として有用なスルホニウム化合物を安定して製造する方法であって、酢酸イソプロピルを主成分とする有機溶媒で化1の化合物を抽出する工程を含む化1で表されるスルホニウム化合物の製造方法である。この工程の原料としては、MXで表される塩と化2で表されるスルホニウム化合物が例示される。ただし、化1、化2において、R1は水素,メトキシカルボニル基,アセチル基,ベンゾイル基のいずれかを、R2は水素,ハロゲン,C1~C4のアルキル基のいずれかを、R3はC1~C4のアルキル基,C1~C4のアルキル基で置換されていてもよいベンジル基,α-ナフチルメチル基のいずれかを、R4はC1~C4のアルキル基を示す。XはSbF6,PF6,AsF6,BF4,CF3SO3,2N,B4のいずれかを、Mはアルカリ金属,NH4を、Yはハロゲンまたはアルキル硫酸イオンを示す。この発明は、先行技術文献とは異なり、化1で表される、重合開始剤として有用なスルホニウム塩の効率的な製造方法であり、各種の方法で合成した化1のスルホニウム化合物を、酢酸イソプロピルを主成分として、酢酸イソプロピル1容量と、トルエン、ヘキサン、ヘプタンから選ばれた一種または二種以上を0~0.5容量の混合からなる有機溶媒で抽出する製造方法である。そして具体的には以下の態様が例示される。まず、第一に、化2で表される原料のスルホニウム化合物とMXで表される塩を、酢酸イソプロピルを主成分とする有機溶媒と水の2相系で塩交換反応させ、生成した化1で表されるスルホニウム化合物を生成と同時に有機溶媒層に抽出する方法である。この場合の水と有機溶媒の量は、攪拌可能な2相系を形成していればよい。また、酢酸イソプロピルを主成分とする有機溶媒は化1で表されるスルホニウム化合物を溶解せしめる量であればよい。水と有機溶媒の比は任意であるものの、水1容量に対して溶媒01~3容量が好ましい。第二に、化2で表される原料のスルホニウム化合物とMXで表される塩を、水系で塩交換反応させ、生成した化1で表されるスルホニウム化合物を、酢酸イソプロピルを主成分とする有機溶媒で有機溶媒層に抽出する方法である。この方法は、特許文献1に記載の製造方法に準じてスルフィド化合物とハライド化合物を水中で反応させる方法で製造した化2の化合物を、単離することなく水系で塩交換反応させ、生成した化1で表されるスルホニウム化合物を、酢酸イソプロピルを主成分とする有機溶媒で抽出する方法を含む。以上の2つの態様は、溶媒として使用する酢酸イソプロピル、ならびにこれを主成分とする上記の混合溶媒が、生成した化1で表されるスルホニウム化合物を選択的に溶解させるとともに、有機層の疎水性をあげることで水洗工程の分液を早め、水洗時間を短縮するとともに塩素イオンなどのイオン性不純物を水層に押し出し、同時に、重合開始剤に使用するスルホニウム化合物と水の接触時間を短縮することで加水分解を防止して反応を安定させ、生成物の純度、収率を向上させたものである。また、第三の態様として、酢酸イソプロピル中での塩交換反応後、酢酸イソプロピル層にトルエン、ヘキサン、ヘプタンから選ばれた一種または二種以上の溶媒を添加することでさらに有機層の疎水性をあげ、上記以上に脱水を容易にすることで水洗時間を短縮し、塩素イオンなどのイオン性不純物を水層に押し出し、また、スルホニウム化合物と水の接触時間を短縮することで加水分解を防止する製造方法も含まれる。なおまた、第一、第二の態様で塩交換反応の抽出溶媒にトルエン等を配合した実施系は、そのままあるいは溶媒を加減することで第三の態様を実施できるものである。特に工業的に製造する場合のスケールアップにおいては、工程上さまざまな水分混入が予想されるが、この方法を適用することで、各工程ならびに重合開始剤への水分混入が防止されるものである。この発明で溶媒の主成分として使用される酢酸イソプロピルは、沸点89°Cの水に微溶の安定な溶媒であり、従来特許文献1などで使用されていた酢酸エチルと異なり、毒劇物取締法の劇物でなく、安全に取り扱うことができる。なお、トルエン、ヘキサン、ヘプタンを酢酸イソプロピルの0.5容量を超えて添加すると、溶媒の疎水性が上がりすぎて、化1のスルホニウム化合物の溶解性を落として収率の低下を招くので、好ましくない。以上の態様によって抽出、製造された重合開始剤を溶解した溶液は溶媒を除去することによって簡単に固体の製品とすることができる。また、溶液型の重合開始剤はこの溶液を濃度調整することで製品にすることもできる。ここで態様1と2において、原料とされるスルフィド化合物は、4-ヒドロキシフェニルメチルスルフィド、4-アセトキシフェニルメチルスルフィド、4-メトキシカルボニルオキシフェニルメチルスルフィド等がある。また、ハライド化合物としては、ベンジルクロライド、クロルベンジルクロライド、メチルベンジルクロライド、α-ナフチルメチルクロライド、ベンジルブロマイド、メチルベンジルブロマイド、メチルブロマイド、α-ナフチルメチルブロマイド等がある。これらの組み合わせで化2は製造される。本発明によって製造されるスルホニウム化合物は、4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-ヒドロキシフェニルo-メチルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-ヒドロキシフェニルα-ナフチルメチルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-メトキシカルボニルオキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートなどの、ヘキサフルオロアンチモネート塩、4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-ヒドロキシフェニルα-ナフチルメチルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-ヒドロキシフェニルo-メチルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートなどの、ヘキサフルオロホスフェート塩、4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4-ヒドロキシフェニルo-メチルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネートなどの、ヘキサフルオロアルセネート塩、4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムテトラフルオロボレート、4-ヒドロキシフェニルo-メチルベンジルメチルスルホニウムテトラフルオロボレートなどの、テトラフルオロボレート塩、4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩、4-ヒドロキシフェニルo-メチルベンジルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩などの、トリフルオロメタンスルホン酸塩、4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムビスイミト ゙、4-ヒドロキシフェニルα-ナフチルメチルメチルスルホニウムビスイミト ゙などのビスイミト ゙塩、4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、4-ヒドロキシフェニルα-ナフチルメチルメチルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、4-ヒドロキシフェニルo-メチルベンジルメチルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートなどの、テトラキスペンタフルオロフェニルボレート塩等が挙げられる。この発明において、化2から化1へのスルホニウム化合物のイオン交換反応は、水もしくは水と酢酸イソプロピルの存在下で実施され、塩交換反応に使用される非求核性陰イオンを有するアルカリ金属塩としては、NaSbF6,KSbF6,NaPF6,KPF6,NaAsF6,KAsF6,NaBF4,LiBF4,LiB4,NaB4等がある。反応温度は、アニオンがB4の場合は25~40°C、好ましくは30~35°C、これ以外のアニオンでは20°C以下、好ましくは5~10°Cである。これを越えると化1の重合開始剤として使用されるスルホニウム化合物が熱によって劣化を生じるために好ましくない。イオン交換反応に要する時間はおおむね1時間以内である。このとき、反応に供する非求核性陰イオンを有するアルカリ金属塩の添加量は、化2で表されるスルホニウム化合物1モルに対して、08~12モルが好ましく、より好ましくは09~10モルである。トルエン、ヘキサン、ヘプタンから選ばれた一種または二種以上の溶媒の添加量については、酢酸イソプロピル1容量に対して、トルエン、ヘキサン、ヘプタンから選ばれた一種または二種以上を0~05容量の混合となるように添加することが好ましい。ここで添加するトルエンなどは、水を溶解させないので、酢酸イソプロピルに残っているわずかの水分をも、水側に押し出す作用をなす。なお、05容量を超えると先にも記載のとおり、系内に共存している製品のスルホニウム化合物の溶解度が下がり、製品が析出してくるので、好ましくない。いわゆる抽出溶媒として使用される類似のエステル類は多種あるが、この発明においては、酢酸イソプロピルに対するスルホニウム化合物の溶解性が、化1、化2共存下では、化1を選択的に溶解させるので、イオン交換反応が定量的に進行していることが理解され、スルホニウム化合物の塩交換反応が安定し、収率が向上し、純度も高いものが安定して得られる。よって、酢酸イソプロピルが化1の重合開始剤製造時における抽出溶媒として有効であることを見出したものである。また、酢酸イソプロピル単独、あるいは酢酸イソプロピルとトルエン/ヘプタン/ヘキサンの系は、水を溶解させ難いので、スルホニウム化合物を溶解したあとの酢酸イソプロピル相を脱水する必要がない。従来は無機系の脱水剤である無水硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウムで処理しており、これら脱水剤由来の無機イオンが不純物となる恐れがあったところ、この問題から回避することができる。以上、溶媒を特定のものに変更することによる効果は大きく、本発明の方法は、特定のスルホニウム化合物の効率的な合成に寄与することができる。なおまた、本発明で製造した溶液は、濃度を調整することで、そのまま溶液タイプの重合開始剤として使用することもできる。このことで、工程の簡略化をはかることが可能となる利点も存在する。以下に本発明の実施例を示すが、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。なお、この実施例においてイオン分析法は、ナトリウムイオンやカリウムイオン、リチウムイオンなどの陽イオンについては原子吸光分析原子吸光分光光度計:島津製作所AA6800法で、塩素イオンなどのハロゲンイオンについては、イオンクロマトグラフ日本ダイオネクスICS2100で測定した。実施例14-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスファートの合成四ツ口コルベンに攪拌機、温度計、コンデンサーをそれぞれ設置する。なお、以下の実施例、比較例においても同様の装置を使用した。4-ヒドロキシフェニルメチルスルフィド145g、ベンジルクロライド138g、水300mlを35°Cで20時間反応させた。反応終了後、未反応物を除去するため、酢酸イソプロピル100mlで洗浄して4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムクロライド276gの水溶液を得た。これに酢酸イソプロピル200mlを加え、次いで、ヘキサフルオロリン酸カリウム189g0103モルを投入し、10°Cで30分間反応する。反応後、分液して生成物が抽出された酢酸イソプロピル層を取り出し、水200mlで有機溶媒相を洗浄した。水分を脱水し、有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。得量は367gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は94.8、また、融点は1480~1500°Cであった。なお、Kイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。実施例24-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートの合成実施例1の前半と同様に合成した4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムクロライド276gの水溶液に酢酸イソプロピル200mlを加え、次いで、テトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸ナトリウム10水溶液7230g0103モルを滴下し、30°Cで1時間反応した。反応後、実施例1と同様に処理して、白色結晶を得た。得量は891gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は950、融点は865~880°Cであった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。実施例34-ヒドロキシフェニルαナフチルメチルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートの合成4-ヒドロキシフェニルメチルスルフィド145g0103モル、αナフチルメチルクロライド182g0103モル、水180mlを35°Cで20時間反応させ、4-ヒドロキシフェニルαナフチルメチルメチルスルホニウムクロライド327gの水溶液を得た。これに酢酸イソプロピル200mLを加え、次いで、ヘキサフルオロアンチモン酸ナトリウム266g0103モルを投入し、5°Cで1時間反応した。反応後、実施例1と同様に処理して白色結晶を得た。得量は495gであった。NMR分析、IR分析及び元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は930、融点は1250~1270°Cであった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。実施例44-ヒドロキシフェニルαナフチルメチルメチルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートの合成実施例3の前半と同様に合成した4-ヒドロキシフェニルαナフチルメチルメチルスルホニウムクロライド327gの水溶液に、酢酸イソプロピル400mlを加え、次いで、テトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸ナトリウム10水溶液7245g0103モルを滴下し、35°Cで1時間反応した。反応後、実施例1と同様に処理して白色結晶を得た。得量は862gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は870、融点は1300~1320°Cであった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。実施例54-ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートの合成4-ヒドロキシフェニルメチルスルフィド635g0453モル、硫酸ジメチル600g0468モルを水中で反応させ、4-ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムメチル硫酸塩1206gの水溶液を得た。これに酢酸イソプロピル375mLを加え、次いでヘキサフルオロアンチモン酸ナトリウム1172g0453モルを投入し、10°Cで30分間反応した。反応後、実施例1と同様に処理して白色結晶を得た。得量は1718gであった。NMR分析、IR分析及び元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は970、融点は1710~1720°Cであった。なお、Naイオンの含有濃度は、検出限界の1ppm未満であった。実施例64-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートの合成実施例1の前半で合成した4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムクロライド276g0103モルの水溶液にテトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸ナトリウム10水溶液7230g0103モルを滴下し、30°Cで1時間反応した。反応後、酢酸イソプロピル200mlを加え、表記物を抽出した。抽出した酢酸イソプロピル層を実施例1と同様に処理して白色結晶を得た。得量は900gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は960、融点は860~880°Cであった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。実施例74-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩の合成実施例1の前半で合成した4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムクロライド276g0103モルの水溶液に酢酸イソプロピル200mlを加え、次いでトリフルオロメタンスルホン酸リチウム160g0103モルを投入し、20°Cで30分間反応した。反応後、実施例1と同様に処理して、白色結晶を得た。得量は366gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は930、また、融点は1310~1325°Cであった。なお、リチウムイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。実施例84-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムビスイミト ゙の合成実施例1の前半で合成した4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムクロライド27.6g0103モルの水溶液に、酢酸イソプロピル200mlを加え、次いでリチウム=ビスイミド296g0103モルを投入し、20°Cで30分間反応した。反応後、実施例1と同様に処理して、白色結晶を得た。得量は498gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は941、また、融点は775~790°Cであった。なお、リチウムイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。実施例94-ヒドロキシフェニルO-メチルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートの合成4-ヒドロキシフェニルメチルスルフィド27.5g、O-メチルベンジルクロライド290g、水400mlを35°Cで20時間反応させ、4-ヒドロキシフェニルO-メチルベンジルメチルスルホニウムクロライド550g0196モルの水溶液を得た。これに酢酸イソプロピル450mlを加え、次いでヘキサフルオロアンチモン酸ナトリウム507g0196モルを投入し、10°Cで30分間反応した。反応後、分液により酢酸イソプロピル層を取り出し、トルエン150mlを加え、水200mlで有機溶媒相を洗浄した。水分を分液、脱水し、有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。得量は887gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は940、また、融点は1380~1395°Cであった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。実施例104-ヒドロキシフェニルαナフチルメチルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートの合成実施例3の前半で合成した4-ヒドロキシフェニルαナフチルメチルメチルスルホニウムクロライド327gの水溶液に、酢酸イソプロピル200mLを加え、次いでヘキサフルオロアンチモン酸ナトリウム266g0103モルを投入し、5°Cで1時間反応した。反応後、分液により酢酸イソプロピル層を取り出し、トルエン75mlを加え、水50mlで有機溶媒相を洗浄した。水分を分液、脱水し、有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。得量は514gであった。NMR分析、IR分析及び元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は966、融点は1250~1270°Cであった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。実施例114-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートの合成実施例1の前半で合成した4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムクロライド267g0100モルの水溶液に、酢酸イソプロピル450mLを加え、次いでヘキサフルオロアンチモン酸ナトリウム259g0100モルを投入し、10°Cで30分間反応した。反応後、実施例9と同様に処理して白色結晶を得た。得量は435gであった。NMR分析、IR分析及び元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は930、融点は1140~1155°Cであった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。実施例124-アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートの合成4-アセトキシフェニルジメチルスルホニウムメチル硫酸塩309g0100モルに、酢酸イソプロピル300mLを加え、次いでヘキサフルオロアンチモン酸カリウム259g0100モルの水100ml溶液を滴下し、5°Cで30分間反応した。反応後、分液により酢酸イソプロピル層を取り出し、酢酸イソプロピル150ml、トルエン150mlを加え、水200mlで有機溶媒相を洗浄した。水分を分液、脱水し、有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。得量は40.4gであった。NMR分析、IR分析及び元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は933、融点は1545~1560°Cであった。なお、Kイオンの含有濃度は、検出限界の1ppm未満であった。実施例134-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートの合成実施例1の前半で合成した4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムクロライド276g0103モルの水溶液に、酢酸イソプロピル200mlを加え、次いでテトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸ナトリウム10水溶液7230g0103モルを滴下し、30°Cで1時間反応した。反応後、分液により酢酸イソプロピル層を取り出し、酢酸イソプロピル250ml、ヘキサン150mlを加え、水200mlで有機溶媒相を洗浄した。水分を分液、脱水し、有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。得量は891gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は950、融点は865~880°Cであった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。実施例144-ヒドロキシフェニルαナフチルメチルメチルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートの合成実施例3の前半で合成した4-ヒドロキシフェニルαナフチルメチルメチルスルホニウムクロライド327gの水溶液に、酢酸イソプロピル400mlを加え、次いでテトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸ナトリウム10水溶液7230g0103モルを滴下し、35°Cで1時間反応した。反応後、分液により酢酸イソプロピル層を取り出し、酢酸イソプロピル50ml、トルエン180mlを加え、水250mlで有機溶媒相を洗浄した。水分を分液、脱水し、有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。得量は89.2gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は900、融点は1300~1315°Cであった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。実施例15実施例14のトルエンをヘプタンに変えた以外は実施例14に従って実施した。収率は898、融点は1295~1315°Cであった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。実施例164-ヒドロキシフェニルαナフチルメチルメチルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートの合成実施例3の前半で合成した4-ヒドロキシフェニルαナフチルメチルメチルスルホニウムクロライド327gの水溶液にテトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸ナトリウム10水溶液7230g0103モルを滴下し、35°Cで1時間反応した。反応後、酢酸イソプロピル450ml、トルエン180mlを加え、表記物を抽出して、水250mlで有機溶媒相を洗浄し、分液、脱水した。有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。得量は90.0gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は90.8、融点は130.0~131.5°Cであった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。比較例1実施例1の酢酸イソプロピルを酢酸エチルに変更した以外は実施例1に従って合成した。得られた結晶はNMR分析、IR分析及び元素分析の結果、4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスファートであることを確認した。収率は916、融点は1400~1430°Cで、実施例に比べて収率、融点ともに低下し、塩素イオンの含有濃度は10ppmであった。比較例2実施例11の酢酸イソプロピルを酢酸エチルに変更した以外は実施例11に従って合成した。得られた結晶はNMR分析、IR分析及び元素分析の結果、4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートであることを確認した。収率は898、融点は1120~1150°Cで、Naイオンの含有量は20ppm、塩素イオンの含有濃度は10ppmであった。比較例3実施例11の酢酸イソプロピルを酢酸nブチルに変更した以外は実施例11に従って合成した。酢酸n-ブチルの沸点は126°Cであるので、最終的に減圧蒸留によって除去したが、実施例8よりも蒸留工程時間が1時間と、2倍以上となり、溶媒が微量に残留して結晶化にも6時間を要した。Naイオンの含有量は8ppm、塩素イオンの含有濃度は4ppmであったが、生成した4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートの収率は753に低下し、融点も1030~1100°Cと低下し、かつ融点に幅があった。比較例4実施例3の酢酸イソプロピルをヘプタンに変更した以外は実施例3に従って合成した。生成物の4-ヒドロキシフェニルαナフチルメチルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートの収率は53で、生成物には未反応の原料と無機物が混在していた。比較例5実施例7の酢酸イソプロピルを酢酸エチルに変更した以外は実施例7に従って合成した。得られた結晶はNMR分析、IR分析及び元素分析の結果、4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩であることを確認した。収率は853、融点は1290~1330°Cで実施例7に比べて収率が低下した。なお、リチウムイオンの含有量は20ppm、塩素イオンの含有濃度は15ppmであった。比較例6実施例8の酢酸イソプロピルを酢酸エチルに変更した以外は実施例8に従って合成した。得られた結晶はNMR分析、IR分析及び元素分析の結果、4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムビスイミドであることを確認した。収率は875、融点は750~790°Cであった。なお、リチウムイオンの含有量は18ppm、塩素イオンの含有濃度は13ppmであった。重合試験例1減圧濃縮の前まで実施例3に従って合成し、熱カチオン重合開始剤である4-ヒドロキシフェニルαナフチルメチルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートの221酢酸イソプロピル溶液を得た。これを酢酸イソプロピルで濃度が20になるように希釈した。この溶液05gを、JER828ジャパンエポキシレジン株式会社製ビスフェノールA型エポキシ樹脂の商品名10gと混合して、JISK70711988の手法に準じて90°Cにおけるゲル化時間を測定したところ、1分20秒でゲル化した。重合試験例2エポキシ樹脂JER828をセロキサイド2021ダイセル化学工業株式会社製エポキシ樹脂の商品名に変更した以外は重合試験例1に記載の方法と同様にして80°Cでゲル化時間を測定したところ、1分30秒でゲル化した。重合試験例3減圧濃縮の前まで実施例11に従って合成し、熱カチオン重合開始剤である4-ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートの10酢酸イソプロピル溶液を得た。この溶液1gを、JER828ジャパンエポキシレジン株式会社製ビスフェノールA型エポキシ樹脂の商品名10gと混合して、JISK70711988の手法に準じて120°Cにおけるゲル化時間を測定したところ、1分36秒でゲル化した。重合試験例4エポキシ樹脂JER828をセロキサイド2021ダイセル化学工業株式会社製エポキシ樹脂の商品名に変更した以外は重合試験例3に記載の方法と同様にして80°Cでゲル化時間を測定したところ、4分32秒でゲル化した。"