第1の化合物半導体層を含む第1のサブセルと、前記第1のサブセル上に設けられた、第2の化合物半導体層を含む第2のサブセルと、前記第2のサブセル上に設けられた、第3の化合物半導体層を含む第3のサブセルと、前記第1のサブセルと前記第2のサブセルとの間に設けられた、第4の化合物半導体層を含むグレーディングバッファ層と、を備え、前記第2の化合物半導体層の格子定数は、前記第1の化合物半導体層の格子定数および前記第4の化合物半導体層の格子定数よりも小さく、前記第2の化合物半導体層の前記格子定数に対する前記第1の化合物半導体層の前記格子定数の格子不整合率は0.1以上であり、前記第2の化合物半導体層の前記格子定数に対する前記第4の化合物半導体層の前記格子定数の格子不整合率は0.1以上であって、前記第2のサブセルと前記グレーディングバッファ層との間に設けられた第1の格子不整合層と、前記第2のサブセルと前記第3のサブセルとの間に設けられた第2の格子不整合層とをさらに備え、前記第2の化合物半導体層の前記格子定数に対する前記第1の格子不整合層の格子定数の格子不整合率が0.1以上であって、前記第2の化合物半導体層の前記格子定数に対する前記第2の格子不整合層の格子定数の格子不整合率が0.1以上である、化合物半導体太陽電池。前記第2の化合物半導体層の前記格子定数に対する前記第1の格子不整合層の前記格子定数の格子不整合率および前記第2の化合物半導体層の前記格子定数に対する前記第2の格子不整合層の前記格子定数の格子不整合率がそれぞれ0.22以上1以下である、請求項1に記載の化合物半導体太陽電池。前記第1の格子不整合層および前記第2の格子不整合層は、それぞれ、p型化合物半導体層である、請求項1または2に記載の化合物半導体太陽電池。前記第1の格子不整合層および前記第2の格子不整合層は、それぞれ、炭素ドープAlGaAs層である、請求項3に記載の化合物半導体太陽電池。前記第1の化合物半導体層は、InxGa1xAs0.25≦x≦0.3の式で表わされる化合物半導体層である、請求項1から4のいずれかに記載の化合物半導体太陽電池。前記第4の化合物半導体層は、InyGa1yP0.48≦y≦0.8の式で表わされる化合物半導体層である、請求項1から5のいずれかに記載の化合物半導体太陽電池。特許文献1および非特許文献1に示されるようなグレーディングバッファ層は、サブセルを構成する化合物半導体層の格子定数の違いに起因して発生する応力や、それにより生じる転移や欠陥を低減するために設けられている。しかしながら、グレーディングバッファ層の設置のみでは、サブセルを構成する化合物半導体層の格子定数の違いに起因して発生する応力や、それにより生じる転移や欠陥を十分に低減することができなかったため、改善の余地が残されている。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、高い特性を有する化合物半導体太陽電池を提供することにある。本発明は、第1の化合物半導体層を含む第1のサブセルと、第1のサブセル上に設けられた第2の化合物半導体層を含む第2のサブセルと、第2のサブセル上に設けられた第3の化合物半導体層を含む第3のサブセルと、第1のサブセルと第2のサブセルとの間に設けられた第4の化合物半導体層を含むグレーディングバッファ層と、を備え、第2の化合物半導体層の格子定数は第1の化合物半導体層の格子定数および第4の化合物半導体層の格子定数よりも小さく、第2の化合物半導体層の格子定数に対する第3の化合物半導体層の格子定数の格子不整合率は0.1以上であり、第2の化合物半導体層の格子定数に対する第4の化合物半導体層の格子定数の格子不整合率は0.1以上であって、第2のサブセルとグレーディングバッファ層との間に設けられた第1の格子不整合層と、第2のサブセルと第3のサブセルとの間に設けられた第2の格子不整合層とをさらに備え、第2の化合物半導体層の格子定数に対する第1の格子不整合層の格子定数の格子不整合率が0.1以上であって、第2の化合物半導体層の格子定数に対する第2の格子不整合層の格子定数の格子不整合率が0.1以上である化合物半導体太陽電池である。ここで、本発明の化合物半導体太陽電池においては、第2の化合物半導体層の格子定数に対する第1の格子不整合層の格子定数の格子不整合率および第2の化合物半導体層の格子定数に対する第2の格子不整合層の格子定数の格子不整合率がそれぞれ0.22以上1以下であることが好ましい。また、本発明の化合物半導体太陽電池において、第1の格子不整合層および第2の格子不整合層は、それぞれ、p型化合物半導体層であることが好ましい。また、本発明の化合物半導体太陽電池において、第1の格子不整合層および第2の格子不整合層は、それぞれ、炭素ドープAlGaAs層であることが好ましい。また、本発明の化合物半導体太陽電池において、第1の化合物半導体層は、InxGa1xAs0.25≦x≦0.3の式で表わされる化合物半導体層であることが好ましい。さらに、本発明の化合物半導体太陽電池において、第4の化合物半導体層は、InyGa1yP0.48≦y≦0.8の式で表わされる化合物半導体層であることが好ましい。本発明によれば、高い特性を有する化合物半導体太陽電池を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。<構成>図1に、本発明の化合物半導体太陽電池の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図1に示す化合物半導体太陽電池においては、支持基板51たとえば厚さ400μm上に、接着層52、金属層50、p型InGaAsからなるコンタクト層43たとえば厚さ0.5μm、p型InGaPからなるBSF層42たとえば厚さ0.1μm、p型InGaAsからなるベース層41たとえば厚さ3μm、n型InGaAsからなるエミッタ層40たとえば厚さ0.1μmおよびn型InGaPからなる窓層39たとえば厚さ0.1μmがこの順序で積層されている。なお、n型InGaPからなる窓層39の格子定数およびn型InGaAsからなるエミッタ層40の格子定数は、それぞれ、p型InGaAsからなるベース層41の格子定数と同等程度とされる。ここで、p型InGaAsからなるベース層41とn型InGaAsからなるエミッタ層40との接合体から第1のサブセル201が構成されている。また、n型InGaPからなる窓層39上には、n型In078Ga022P層38たとえば厚さ1μm、n型In075Ga025P層37たとえば厚さ0.25μm、n型In071Ga029P層36たとえば厚さ0.25μm、n型In068Ga032P層35たとえば厚さ0.25μm、n型In065Ga035P層34たとえば厚さ0.25μm、n型In061Ga039P層33たとえば厚さ0.25μm、n型In058Ga042P層32たとえば厚さ0.25μm、n型In055Ga045P層31たとえば厚さ0.25μm、n型In051Ga049P層30たとえば厚さ0.25μmおよびn型In048Ga052P層29たとえば厚さ0.25μmがこの順序で積層されている。ここで、n型In078Ga022P層38、n型In075Ga025P層37、n型In071Ga029P層36、n型In068Ga032P層35、n型In065Ga035P層34、n型In061Ga039P層33、n型In058Ga042P層32、n型In055Ga045P層31、n型In051Ga049P層30およびn型In048Ga052P層29からグレーディングバッファ層202が構成されている。グレーディングバッファ層202は、後述する第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23から、第1のサブセル201のp型InGaAsからなるベース層41に格子定数が近づくように格子定数を段階的に変化させた層である。また、グレーディングバッファ層202上には、n型AlInP層28たとえば厚さ0.05μm、n型In048Ga052P層27たとえば厚さ0.02μm、p型AlGaAs層26たとえば厚さ0.02μmおよびp型AlInP層25たとえば厚さ0.05μmがこの順に積層されている。ここで、n型In048Ga052P層27とp型AlGaAs層26から後述する第2のサブセル204と第1のサブセル201とを接続する回路素子である第1のトンネルダイオード203が構成されている。また、p型AlInP層25上には、p型In048Ga052PからなるBSF層24たとえば厚さ0.1μm、p型GaAsからなるベース層23たとえば厚さ3μm、n型GaAsからなるエミッタ層22たとえば厚さ0.1μmおよびn型In048Ga052Pからなる窓層21たとえば厚さ0.05μmがこの順序で積層されている。ここで、p型GaAsからなるベース層23とn型GaAsからなるエミッタ層22から第2のサブセル204が構成されている。また、n型In048Ga052Pからなる窓層21上には、n型AlInP層20たとえば厚さ0.05μm、n型In048Ga052P層19たとえば厚さ0.02μm、p型AlGaAs層18たとえば厚さ0.02μmおよびp型AlInP層17たとえば厚さ0.05μmがこの順に積層されている。ここで、n型In048Ga052P層19とp型AlGaAs層18から、後述する第3のサブセル206と第2のサブセル204とを接続する回路素子である第2のトンネルダイオード205が構成されている。また、p型AlInP層17上には、p型AlInPからなるBSF層16たとえば厚さ0.05μm、p型In048Ga052Pからなるベース層15たとえば厚さ0.7μm、n型In048Ga052Pからなるエミッタ層14たとえば厚さ0.05μmおよびn型AlInPからなる窓層13たとえば厚さ0.05μmがこの順に積層されている。ここで、p型In048Ga052Pからなるベース層15とn型In048Ga052Pからなるエミッタ層14から第3のサブセル206が構成されている。また、n型AlInPからなる窓層13上にn型GaAsからなるコンタクト層12たとえば厚さ0.5μmおよび反射防止膜61が形成され、コンタクト層12上に電極層62が形成されている。<製造方法>以下、図2~図4の模式的断面図を参照して、図1に示す化合物半導体太陽電池の製造方法の一例について説明する。まず、図2に示すように、GaAs基板101上に、n型In048Ga052Pエッチング停止層11、n型GaAsからなるコンタクト層12、窓層13、エミッタ層14、ベース層15、BSF層16、p型AlInP層17、p型AlGaAs層18、n型In048Ga052P層19、n型AlInP層20、窓層21、エミッタ層22、ベース層23、BSF層24、p型AlInP層25、p型AlGaAs層26、n型In048Ga052P層27、n型AlInP層28、n型In048Ga052P層29、n型In051Ga049P層30、n型In055Ga045P層31、n型In058Ga042P層32、n型In061Ga039P層33、n型In065Ga035P層34、n型In068Ga032P層35、n型In071Ga029P層36、n型In075Ga025P層37、n型In078Ga022P層38、窓層39、エミッタ層40、ベース層41、BSF層42、およびコンタクト層43をこの順にたとえばMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法により作製する。次に、図3に示すように、コンタクト層43の表面上に金属層50を堆積させ、その後接着層52により支持基板51を貼り付ける。次に、図4に示すように、GaAs基板101およびn型In048Ga052Pエッチング停止層11をエッチングにより除去し、コンタクト層12の表面を露出させる。その後、図1に示すように、コンタクト層12の一部をエッチングして窓層13の表面を露出させ、窓層13の表面に反射防止膜61を形成するとともに、コンタクト層12の表面に電極62を形成する。以上により、図1に示す化合物半導体太陽電池が作製される。なお、図1に示す化合物半導体太陽電池においては、第3のサブセル206のp型In048Ga052Pからなるベース層15のバンドギャップ>第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23のバンドギャップ>第1のサブセル201のp型InGaAsからなるベース層41のバンドギャップの関係が満たされている。すなわち、第3のサブセル206のp型In048Ga052Pからなるベース層15の格子定数<第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数<第1のサブセル201のp型InGaAsからなるベース層41の格子定数の関係が満たされている。また、グレーディングバッファ層202を構成するそれぞれの層の格子定数は、第3のサブセル206のp型In048Ga052Pからなるベース層15の格子定数以上となっている。また、グレーディングバッファ層202には、第1のサブセル201のp型InGaAsからなるベース層41の格子定数未満の大きさの格子定数を有する層が含まれている。また、第1のサブセル201のp型InGaAsからなるベース層41のバンドギャップエネルギは0.9eV以上1.1eV以下であることが好ましい。この場合には、上記の第3のサブセル206、第2のサブセル204および第1のサブセル201からなる3接合構造の化合物半導体太陽電池の理論変換効率が45以上となる傾向にある。図1に示す化合物半導体太陽電池においては、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数は、第1のサブセル201のp型InGaAsからなるベース層41の格子定数およびグレーディングバッファ層202を構成するそれぞれの層の格子定数よりも小さくなっている。そして、第1のサブセル201のp型InGaAsからなるベース層41は、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23に対して格子不整合となっている。ここで、格子不整合は、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数a1に対する第1のサブセル201のp型InGaAsからなるベース層41の格子定数a2の格子不整合率が0.1以上となっていることを意味する。a1に対するa2の格子不整合率は、以下の式Iにより算出される。格子不整合率={100×a2-a1}/a1...Iまた、グレーディングバッファ層202を構成するそれぞれの層は、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23に対して格子不整合となっている。ここで、格子不整合は、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数a1に対するグレーディングバッファ層202を構成するいずれか1層の格子定数a3の格子不整合率が0.1以上となっていることを意味する。a1に対するa3の格子不整合率は、以下の式IIにより算出される。格子不整合率={100×a3-a1}/a1...II図1に示す化合物半導体太陽電池においては、第2のサブセル204と第3のサブセル206との間に格子不整合層であるp型AlGaAs層18が配置されている。p型AlGaAs層18の格子定数は、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数よりも小さく、第3のサブセル206のp型In048Ga052Pからなるベース層15の格子定数よりも小さくなっている。また、図1に示す化合物半導体太陽電池においては、第2のサブセル204とグレーディングバッファ層202との間には、格子不整合層であるp型AlGaAs層26が配置されている。p型AlGaAs層26の格子定数は、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数よりも小さく、グレーディングバッファ層202のそれぞれの層の格子定数よりも小さくなっている。格子不整合層であるp型AlGaAs層18は、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23に対して格子不整合となっている。ここで、格子不整合は、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数a1に対するp型AlGaAs層18の格子定数a4の格子不整合率が0.1以上となっていることを意味する。a1に対するa4の格子不整合率は、以下の式IIIにより算出される。格子不整合率={100×a1-a4}/a1...III格子不整合層であるp型AlGaAs層26は、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23に対して格子不整合となっている。ここで、格子不整合は、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数a1に対するp型AlGaAs層26の格子定数a5の格子不整合率が0.1以上となっていることを意味する。a1に対するa5の格子不整合率は、以下の式IVにより算出される。格子不整合率={100×a1-a5}/a1...IV<格子不整合層の作用>図5は、図1に示す化合物半導体太陽電池の第2のサブセル204と第3のサブセル206と格子不整合層であるp型AlGaAs層18との関係を模式的に示す断面図である。図6は、図5に示す構造において、格子不整合層であるp型AlGaAs層18を形成しないときの関係を模式的に示す断面図である。図6に示すように、第3のサブセル206のp型In048Ga052Pからなるベース層15および第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23は、グレーディングバッファ層202を構成するそれぞれの層に比べて格子定数が小さいため、第2のサブセル204と第3のサブセル206とを接合した場合には、第2のサブセル204と第3のサブセル206との界面18aには、ベース層15およびベース層23と、グレーディングバッファ層202との間の格子定数差に起因した応力が生じる。すなわち、図6に示すように、グレーディングバッファ層202を構成する層よりも格子定数の小さいベース層を有する第2のサブセル204および第3のサブセル206には引張応力が生じ、第2のサブセル204と第3のサブセル206との界面18aには、第2のサブセル204と第3のサブセル206の引張応力に起因した応力が生じることになる。このように、第2のサブセル204と第3のサブセル206における応力が緩和されなかった場合には、第3のサブセル206および第2のサブセル204に結晶欠陥が発生し、化合物半導体太陽電池の特性が低下する原因となる。一方、図5に示すように、第2のサブセル204と第3のサブセル206との間に格子不整合層であるp型AlGaAs層18を配置した場合には、格子不整合層であるp型AlGaAs層18により、第2のサブセル204および第3のサブセル206と、グレーディングバッファ層202との格子定数差との間の格子定数差に起因して発生した応力を低減することができる。すなわち、p型AlGaAs層18の格子定数<第3のサブセル206のp型In048Ga052Pからなるベース層15の格子定数、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数<グレーディングバッファ層202を構成するそれぞれの層の格子定数の関係が満たされているため、第2のサブセル204に生じる引張応力をp型AlGaAs層18により生じる圧縮応力である程度相殺できるため、p型AlGaAs層18の形成後に形成される第2のサブセル204に生じる応力を緩和することができる。またp型AlGaAs層18は格子不整合層であるため、上記引張応力がその後に形成される第2のサブセル204に与える影響を小さくすることが出来る。このように、第2のサブセル204と第3のサブセル206との間に格子不整合層であるp型AlGaAs層18を配置することにより、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23および第3のサブセル206のp型In048Ga052Pからなるベース層15と、グレーディングバッファ層202を構成する層との格子定数差に起因して発生する応力が緩和されるため、格子不整合であっても、結晶欠陥の少ない化合物半導体太陽電池を得ることができる。図7は、図1に示す化合物半導体太陽電池の第2のサブセル204とグレーディングバッファ層202と格子不整合層であるp型AlGaAs層26との関係を模式的に示す断面図である。図8は、図7に示す構造において、格子不整合層であるp型AlGaAs層26を形成しないときの関係を模式的に示す断面図である。図8に示すように、グレーディングバッファ層202を構成するすべての層は、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23に比べて格子定数が大きいため、グレーディングバッファ層202と第2のサブセル204とを接合した場合には、グレーディングバッファ層202と第2のサブセル204との界面26aにこれらの格子定数差に起因した応力が生じる。すなわち、図8に示すように、グレーディングバッファ層202を構成する層に比べて格子定数の小さいベース層23を有する第2のサブセル204には引張応力が生じ、格子定数の大きいグレーディングバッファ層202には圧縮応力が生じ、第2のサブセル204とグレーディングバッファ層202との界面26aには第2のサブセル204の引張応力とグレーディングバッファ層202の圧縮応力とに起因した応力が生じることになる。このように、グレーディングバッファ層202と第2のサブセル204との界面26aにおいて応力が緩和されなかった場合には、グレーディングバッファ層202の成長後に形成される第1のサブセル201に結晶欠陥が発生し、化合物半導体太陽電池の特性が低下する原因となる。一方、図7に示すように、グレーディングバッファ層202と第2のサブセル204との間に格子不整合層であるp型AlGaAs層26を配置した場合には、格子不整合層であるp型AlGaAs層26により、第2のサブセル204にかかるグレーディングバッファ層202と第2のサブセル204との間の格子定数の差に起因して発生した応力を低減することができる。すなわち、p型AlGaAs層26の格子定数<第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数<グレーディングバッファ層202を構成するそれぞれの層の格子定数の関係が満たされているため、第2のサブセル204に生じる引張応力をp型AlGaAs層26に生じる圧縮応力である程度相殺できるため、p型AlGaAs層26の形成後に形成されるグレーディングバッファ層202に生じる応力を緩和することができる。またp型AlGaAs層26は格子不整合層であるため、上記応力がその後に形成されるグレーディングバッファ層202に与える影響を小さくすることが出来る。このように、グレーディングバッファ層202と第2のサブセル204との間に格子不整合層であるp型AlGaAs層26を配置することにより、グレーディングバッファ層202と第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23との格子定数差に起因して発生する応力が緩和され、格子不整合であっても、結晶欠陥の少ない化合物半導体太陽電池を得ることができる。図1に示す化合物半導体太陽電池によれば、グレーディングバッファ層202で十分に緩和できない、第1のサブセル201のp型InGaAsからなるベース層41と第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23との格子定数差に起因した応力を緩和することができる。これにより、格子不整合系の化合物半導体太陽電池であっても結晶欠陥の少ないサブセルを形成することができるため、特性をさらに高めることができる。したがって、本発明によれば、特に直径4インチの表面を有するGaAs基板101などの大面積ウエハの表面全域にわたって結晶欠陥の少ない化合物半導体太陽電池を形成することができる。なお、上記の式IIIにより算出される、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数a1に対する格子不整合層であるp型AlGaAs層18の格子定数a4の格子不整合率は0.22以上1以下であることが好ましく、0.45以上1以下であることがより好ましい。格子定数a1に対する格子定数a4の格子不整合率が0.22以上1以下である場合、特に0.45以上1以下である場合には、化合物半導体太陽電池の特性がさらに向上する傾向にある。また、上記の式IVにより算出される、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数a1に対する格子不整合層であるp型AlGaAs層26の格子定数a5の格子不整合率は0.22以上1以下であることが好ましく、0.45以上1以下であることがより好ましい。格子定数a1に対する格子定数a5の格子不整合率が0.22以上1以下である場合、特に0.45以上1以下である場合には、化合物半導体太陽電池の特性がさらに向上する傾向にある。また、上記においては、第1の格子不整合層としてp型AlGaAs層26を用い、第2の格子不整合層としてp型AlGaAs層18を用いたが、第1の格子不整合層および/または第2の格子不整合層としてはp型化合物半導体層を用いることが好ましい。この場合には、第1の格子不整合層を第2のサブセルにより近い位置に配置することができるとともに、第2の格子不整合層を第3のサブセルにより近い位置に配置することができるため、結晶欠陥のより少ない化合物半導体太陽電池を作製することができる。なお、格子不整合層を薄膜化して高濃度のドーピングを行なうことにより、トンネルダイオードとしての機能を持たせることもできる。また、第1の格子不整合層および/または第2の格子不整合層は、炭素ドープAlGaAs層であることが好ましい。この場合には、第1の格子不整合層および/または第2の格子不整合層として、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数a1に対する格子不整合率が0.22以上1以下であって、炭素が高濃度にドープされたp型化合物半導体層を形成することができる。また、上記においては、第1のサブセル201のベース層としてp型InGaAsからなるベース層41を用いたが、第1のサブセル201のベース層としてはInxGa1xAs0.25≦x≦0.3の式で表わされる化合物半導体層を用いることが好ましい。この場合には、第1のサブセル201のベース層のバンドギャップを1eV程度とすることができる。また、上記においては、グレーディングバッファ層202としてn型InGaP層を用いたが、グレーディングバッファ層202としてはInyGa1yP0.48≦y≦0.8の式で表わされる化合物半導体層を用いることが好ましい。この場合には、結晶性に優れた第1のサブセル201を形成することができる。<サンプルの作製>まず、図2に示すように、直径100mmのGaAs基板101をMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition装置内に設置し、このGaAs基板101上に、GaAsと選択エッチングが可能なn型In048Ga052Pからなるエッチング停止層11、厚さ0.5μmのn型GaAsからなるコンタクト層12、厚さ0.05μmのn型AlInPからなる窓層13、厚さ0.05μmのn型In048Ga052Pからなるエミッタ層14、厚さ0.7μmのp型In048Ga052Pからなるベース層15および厚さ0.05μmのp型AlInPからなるBSF層16をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。次に、厚さ0.05μmのp型AlInPからなるBSF層16上に、厚さ0.05μmのp型AlInP層17、厚さ0.02μmのp型AlGaAs層18、厚さ0.02μmのn型In048Ga052P層19および厚さ0.05μmのn型AlInP層20をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。次に、n型AlInP層20上に、厚さ0.1μmのn型In048Ga052Pからなる窓層21、厚さ0.05μmのn型GaAsからなるエミッタ層22、厚さ3μmのp型GaAsからなるベース層23、および厚さ0.1μmのp型In048Ga052PからなるBSF層24をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。次に、p型In048Ga052PからなるBSF層24上に、厚さ0.05μmのp型AlInP層25、厚さ0.02μmのp型AlGaAs層26、厚さ0.02μmのn型In048Ga052P層27および厚さ0.05μmのn型AlInP層28をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。次に、n型AlInP層28上に、厚さ0.25μmのn型In048Ga052P層29、厚さ0.25μmのn型In051Ga049P層30、厚さ0.25μmのn型In055Ga045P層31、厚さ0.25μmのn型In058Ga042P層32、n型In061Ga039P層33、厚さ0.25μmのn型In065Ga035P層34、厚さ0.25μmのn型In068Ga032P層35、厚さ0.25μmのn型In071Ga029P層36、厚さ0.25μmのn型In075Ga025P層37および厚さ1μmのn型In078Ga022P層38をMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。次に、n型In078Ga022P層38上に、厚さ0.1μmのn型InGaP層39、厚さ0.1μmのn型InGaAsからなるエミッタ層40、厚さ3μmのp型InGaAsからなるベース層41、厚さ0.1μmのp型InGaPからなるBSF層42および厚さ0.5μmのp型InGaAsからなるコンタクト層43をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。ここで、GaAsの形成にはAsH3アルシンおよびTMGトリメチルガリウムを用い、InGaPの形成にはTMIトリメチルインジウム、TMGおよびPH3ホスフィンを用い、InGaAsの形成にはTMI、TMGおよびAsH3を用い、AlInPの形成にはTMAトリメチルアルミニウム、TMIおよびPH3を用い、AlGaAsの形成には、TMA、TMGおよびAsH3を用い、AlInGaAsの形成には、TMA、TMI、TMGおよびAsH3を用いた。次に、図3に示すように、p型InGaAsからなるコンタクト層43の表面上に、たとえばAu/Agの積層体からなる金属層50を形成し、その後、接着層52により支持基板51を貼り付けた。次に、図4に示すように、GaAs基板101をアルカリ水溶液にてエッチングした後に、n型In048Ga052Pからなるエッチング停止層11を酸水溶液にてエッチングした。次に、n型GaAsからなるコンタクト層12上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成した後、コンタクト層12の一部をアルカリ水溶液によりエッチングした。そして、図1に示すように、コンタクト層12の表面上に再度フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、真空蒸着装置を用いて、たとえばAuGe/Ni/Au/Agの積層体からなる電極62を形成した。次に、窓層13の表面上に、真空蒸着法により、TiO2とAl2O3の積層体を形成して反射防止膜61を形成した。これにより、化合物半導体太陽電池の受光面が化合物半導体の成長方向と反対側に位置する図1に示す化合物半導体太陽電池を得た。上記の化合物半導体太陽電池としては、サンプルNo.1~No.3の3種類を作製した。なお、サンプルNo.1~No.3の3種類の化合物半導体太陽電池は、それぞれ、p型AlGaAs層18およびp型AlGaAs層26の組成を変更したこと以外は他のすべての条件を一定にして作製した。すなわち、下記の表1に示すように、サンプルNo.1~No.3の3種類の化合物半導体太陽電池は、それぞれ、p型GaAsからなるベース層23の格子定数に対するp型AlGaAs層18およびp型AlGaAs層26のそれぞれの格子定数の格子不整合率は、0.02サンプルNo.1、0.22サンプルNo.2および0.45サンプルNo.3であった。なお、本実施例において、第2のサブセル204のベース層23の格子定数a1、p型AlGaAs層18の格子定数a4およびp型AlGaAs層26の格子定数a5はそれぞれ、サンプルNo.1~No.3の3種類の化合物半導体太陽電池の金属層50による支持基板101の貼り付け前の状態のものをそれぞれX線回折装置に設置し、受光面とは反対側p型InGaAsからなるコンタクト層43側からX線を照射することによって、X線回折法により求めた。そして、上記の式IIIおよびIVにより表1に示す格子不整合率が求められた。<実験>サンプルNo.1~No.3の3種類の化合物半導体太陽電池のそれぞれの作製の途中において最表面に露出したp型InGaAsからなるコンタクト層43の表面状態を金属顕微鏡で観察した。その結果を表1に示す。表1における表面状態の評価Aおよび評価Bは、それぞれ、以下の表面状態を表わしている。A...p型InGaAsからなるコンタクト層43の表面状態が良好。B...p型InGaAsからなるコンタクト層43の表面状態が不良。また、表1におけるGaAs基板101の反り量については、p型InGaAsからなるベース層41の成長終了後に、MOCVD装置の内部の天井部上側に設置されたモジュール反りモニターから照射されるレーザ光を用いてGaAs基板101の反りの曲率半径km1を測定し、その曲率半径を反り量とした。その結果を表1に示す。また、上記のサンプルNo.1~No.3の3種類の化合物半導体太陽電池のそれぞれに1kW/m2の強度の光AM1.5ソーラーシミュレータを照射して電流-電圧特性を測定した。その結果を図9に示す。図9の縦軸が電流密度A/cm2を示し、横軸が電圧Vを示す。<評価>表1に示すように、サンプルNo.2およびNo.3の化合物半導体太陽電池は、サンプルNo.1の化合物半導体太陽電池と比べて、p型InGaAsからなるコンタクト層43の表面状態が良好であった。また、図9に示すように、サンプルNo.2およびNo.3の化合物半導体太陽電池はサンプルNo.1の化合物半導体太陽電池と比べて、開放電圧などの特性に優れることが確認された。これは、サンプルNo.2およびNo.3の化合物半導体太陽電池においては、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数に対するp型AlGaAs層18およびp型AlGaAs層26のそれぞれの格子定数の格子不整合率が0.22以上1以下であるためと考えられる。また、サンプルNo.3の化合物半導体太陽電池においては、当該格子不整合率が0.45以上1以下であるため、さらに特性が優れたものになると考えられる。なお、当該格子不整合率が1を超えた場合には、その上に積層する層の結晶状態が悪化することが実験的に確認されている。また、表1に示すように、第2のサブセル204のp型GaAsからなるベース層23の格子定数に対するp型AlGaAs層18およびp型AlGaAs層26のそれぞれの格子定数の格子不整合率が小さいほど、GaAs基板101の反り量が大きくなることが確認された。p型InGaAsからなるベース層41の成長終了後にGaAs基板101に反りが残るということは、エピタキシャル成長により成長された化合物半導体層中で応力の緩和が十分になされず、残留応力が残っていることを示しており、それが結晶性の低下を招いているものと考えられる。一方、サンプルNo.3の化合物半導体太陽電池においては、p型InGaAsからなるベース層41の成長終了後に残っているGaAs基板101の反りが小さいため、格子不整合層であるp型AlGaAs層18およびp型AlGaAs層26がそれぞれ化合物半導体層中での応力の緩和を促進していることを示唆している。以上より、本実施例によれば、三接合型化合物半導体太陽電池の第2のサブセル204と第3のサブセル206との間に格子不整合層であるp型AlGaAs層18を配置するとともに、第2のサブセル204とグレーディングバッファ層202との間に格子不整合層であるp型AlGaAs層26を配置することによって、グレーディングバッファ層202で十分に緩和できなかったサブセル間の格子定数の差に起因した応力を緩和することができるため、サブセル間に格子不整合が生じている場合であっても結晶欠陥の少ない化合物半導体太陽電池を作製することができ、変換効率をさらに高めることができる。なお本明細書ではp型AlGaAs層18と26の両方が格子不整合層である場合について言及したが、その一方のみが格子不整合、他方が整合であっても一定の効果を期待できる。本願は決して制限的なものでなく、この例のように本願から示唆される内容、一部だけ変更した内容もまた本願に含まれることは言うまでもない。