"ベースポリマーと、下記一般式1で示される塩基性化合物と、酸発生剤とを含有することを特徴とする化学増幅レジスト材料。式中、R1は水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~30のアリール基、炭素数7~30のアラルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~10のアルキニル基、又は炭素数4~12の複素環含有基であり、これらの基が複合してもよく、またこれらの基がヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシル基、エーテル基、チオエーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、スルホニル基、ラクトン環、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、アミド基、イミド基、スルホンアミド基、カーボネート基、スルフィド基、-N=CR-O-、-N=CR-S-、=N-O-N=のいずれかを有していてもよく、又はR1が酸不安定基であってもよい。Rは水素原子、メルカプト基、ヒドロキシ基、又は炭素数1~3のアルキル基であり、あるいは式1中の窒素原子と結合して環を形成していてもよい。R2は酸不安定基であり、R3、R4は水素原子、又は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。mは2~4の整数である。更に、有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料であることを特徴とする請求項1に記載の化学増幅レジスト材料。更に、溶解阻止剤を含有するものであることを特徴とする請求項2に記載の化学増幅レジスト材料。更に、有機溶剤を含有する化学増幅ネガ型レジスト材料であることを特徴とする請求項1に記載の化学増幅レジスト材料。更に、架橋剤を含有するものであることを特徴とする請求項4に記載の化学増幅レジスト材料。更に、界面活性剤を配合してなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の化学増幅レジスト材料。請求項1乃至6のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。高エネルギー線で露光する工程が、波長193nmのArFエキシマレーザー又は波長248nmのKrFエキシマレーザーによることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。高エネルギー線で露光する工程が、電子ビーム又は波長3~15nmの真空紫外線によることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。下記一般式Qで示される分子量240以上の塩基性化合物。式中、RQ1は、水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~30のアリール基、炭素数7~30のアラルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~10のアルキニル基、又は炭素数4~12の複素環含有基であり、これらの基が複合してもよく、またこれらの基がヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシル基、エーテル基、チオエーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、スルホニル基、ラクトン環、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、アミド基、イミド基、スルホンアミド基、カーボネート基、スルフィド基、-N=CR-O-、-N=CR-S-、=N-O-N=のいずれかを有していてもよく、又はRQ1が酸不安定基であってもよい。Rは水素原子、メルカプト基、ヒドロキシ基、又は炭素数1~3のアルキル基であり、あるいは式1中の窒素原子と結合して環を形成していてもよい。RQ2は3級アルキル基であり、RQ3、RQ4は水素原子、又は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。mは2~4の整数である。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、従来のポジ型レジスト材料を上回る高コントラストで、特にポジ型レジスト材料ではホールパターンやトレンチパターンの解像マージンが広く、ネガ型レジスト材料では孤立ラインの解像性が高く、特に化学増幅ポジ型及びネガ型レジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法、並びに塩基性化合物を提供することを目的とする。本発明者らは、近年要望される高解像度のレジスト材料を得るべく鋭意検討を重ねた結果、アミンクエンチャーとして酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有するβ-アラニン、γ-アミノ酪酸、5-アミノ吉草酸誘導体と酸発生剤を有する化学増幅ポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料が高コントラストで現像後のパターンの解像度と矩形性が高く、ポジ型レジスト材料としてはトレンチパターンやホールパターンの解像性とフォーカスマージンが広く、ネガ型レジスト材料としては孤立パターンの解像性が良好であることを知見し、本発明を完成させたものである。前述の特開2002-363148号公報では、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する3級アミン化合物、モルホリン化合物が提示されているが、これとは異なり、本発明では酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する1級あるいは2級のアミノ基を有するβ-アラニン、γ-アミノ酪酸、5-アミノ吉草酸誘導体が、酸発生剤が添加される化学増幅レジスト材料中の酸の拡散を抑制し、コントラストを向上させる効果が高いことを見出したものである。本発明の化学増幅ポジ型及びネガ型レジスト材料は、特に、レジスト膜の溶解コントラストが高く、ポジ型レジスト材料ではホールパターンやトレンチパターンの解像マージンが広く、ネガ型レジスト材料では孤立ラインの解像性が高い。従って、これらの優れた特性を有することから実用性が極めて高く、超LSI用レジスト材料及びマスクパターン形成材料として非常に有効である。即ち、本発明は、下記塩基性化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。請求項1:ベースポリマーと、下記一般式1で示される塩基性化合物と、酸発生剤とを含有することを特徴とする化学増幅レジスト材料。式中、R1は水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~30のアリール基、炭素数7~30のアラルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~10のアルキニル基、又は炭素数4~12の複素環含有基であり、これらの基が複合してもよく、またこれらの基がヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシル基、エーテル基、チオエーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、スルホニル基、ラクトン環、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、アミド基、イミド基、スルホンアミド基、カーボネート基、スルフィド基、-N=CR-O-、-N=CR-S-、=N-O-N=のいずれかを有していてもよく、又はR1が酸不安定基であってもよい。Rは水素原子、メルカプト基、ヒドロキシ基、又は炭素数1~3のアルキル基であり、あるいは式1中の窒素原子と結合して環を形成していてもよい。R2は酸不安定基であり、R3、R4は水素原子、又は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。mは2~4の整数である。請求項2:更に、有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料であることを特徴とする請求項1に記載の化学増幅レジスト材料。請求項3:更に、溶解阻止剤を含有するものであることを特徴とする請求項2に記載の化学増幅レジスト材料。請求項4:更に、有機溶剤を含有する化学増幅ネガ型レジスト材料であることを特徴とする請求項1に記載の化学増幅レジスト材料。請求項5:更に、架橋剤を含有するものであることを特徴とする請求項4に記載の化学増幅レジスト材料。請求項6:更に、界面活性剤を配合してなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の化学増幅レジスト材料。請求項7:請求項1乃至6のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。請求項8:高エネルギー線で露光する工程が、波長193nmのArFエキシマレーザー又は波長248nmのKrFエキシマレーザーによることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。請求項9:高エネルギー線で露光する工程が、電子ビーム又は波長3~15nmの真空紫外線によることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。請求項10:下記一般式Qで示される分子量240以上の塩基性化合物。式中、RQ1は、水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~30のアリール基、炭素数7~30のアラルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~10のアルキニル基、又は炭素数4~12の複素環含有基であり、これらの基が複合してもよく、またこれらの基がヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシル基、エーテル基、チオエーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、スルホニル基、ラクトン環、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、アミド基、イミド基、スルホンアミド基、カーボネート基、スルフィド基、-N=CR-O-、-N=CR-S-、=N-O-N=のいずれかを有していてもよく、又はRQ1が酸不安定基であってもよい。Rは水素原子、メルカプト基、ヒドロキシ基、又は炭素数1~3のアルキル基であり、あるいは式1中の窒素原子と結合して環を形成していてもよい。RQ2は3級アルキル基であり、RQ3、RQ4は水素原子、又は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。mは2~4の整数である。以上のような本発明の化学増幅ポジ型及びネガ型レジスト材料の用途としては、例えば、半導体回路形成におけるリソグラフィーだけでなく、マスク回路パターンの形成、あるいはマイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド回路形成にも応用することができる。本発明のレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、ラフネスが小さく、フォーカスマージンDOFが広い特徴を示す。従って、特に超LSI製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、KrF、ArFエキシマレーザー、EB、EUV露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料及び化学増幅ネガ型レジスト材料を得ることができる。本発明に係る酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有するβ-アラニン、γ-アミノ酪酸、5-アミノ吉草酸誘導体は下記一般式1に示される。式中、R1は水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~30のアリール基、炭素数7~30のアラルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~10のアルキニル基、又は炭素数4~12の複素環含有基であり、これらの基が複合してもよく、またこれらの基がヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシル基、エーテル基、チオエーテル基、エステル-COO-基、スルホン酸エステル基、スルホニル基、ラクトン環、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、アミド基、イミド基、スルホンアミド基、カーボネート基、スルフィド基、-N=CR-O-、-N=CR-S-、=N-O-N=のいずれかを有していてもよく、又はR1が酸不安定基であってもよい。Rは水素原子、メルカプト基、ヒドロキシ基、又は炭素数1~3のアルキル基であり、あるいは式1中の窒素原子と結合して環を形成していてもよい。R2は酸不安定基であり、R3、R4は水素原子、又は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。mは2~4の整数である。下記の反応式に示すように、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有するβ-アラニン、γ-アミノ酪酸、5-アミノ吉草酸誘導体は、酸の存在の脱保護によって分子内脱水縮合反応によってラクタムが生じ、5-アミノ吉草酸からはδ-ラクタムが生成する。ラクタムは窒素原子の隣に電子吸引性のカルボニル基が存在しているために塩基性が非常に低く、クエンチャーとしての機能は低い。つまり、露光量が少なく酸の発生が少ない領域では、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有するβ-アラニン、γ-アミノ酪酸、5-アミノ吉草酸誘導体はクエンチャーとして機能し、酸の発生量が多い領域ではクエンチャーとしての機能を失う。酸の発生量が多い領域でのコントラストが向上し、トレンチパターンやホールパターンにおける解像性やDOFマージンが向上する。酸の発生量の多い領域でコントラストが向上する効果は酸増殖剤を添加した場合と同じであるが、酸増殖剤の添加は酸拡散が急激に増大するために解像性が劣化する場合があるのに対して、本方法のアミン化合物を使った場合の酸拡散の増大は僅かである。一般式1で示される化合物のR3、R4、mは、具体的には下記に例示される。式中、R1及びR2は上記の通り。一般式1で示される化合物のR1は、具体的には下記に例示される。上記式中R3、R4は前述の通り、またDは重水素を示す。酸不安定基であるR2についてはフォトレジストベースポリマーの酸不安定基の部分にて例示する。本発明の酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有するβ-アラニン、γ-アミノ酪酸、5-アミノ吉草酸誘導体を含有するレジスト材料は、ポジ型レジスト材料でも、ネガ型レジスト材料でもよいが、どちらも酸発生剤を含有する化学増幅レジスト材料である必要がある。本発明の酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有するβ-アラニン、γ-アミノ酪酸、5-アミノ吉草酸誘導体は、未露光部分は酸を捕捉することによって酸の拡散を抑制し、露光部分は酸による酸不安定基の脱離によるβ-アラニン、γ-アミノ酪酸、5-アミノ吉草酸生成と酸による環化反応でラクタムの生成による塩基性の低下によってコントラストを向上させる効果が高い。それ故、酸を触媒とする化学増幅レジスト材料への適用が好ましい。本発明の化学増幅レジスト材料は、上記式1の塩基性化合物と、後述するベースポリマー及び酸発生剤を含有するが、上記式1の塩基性化合物の配合量は、ベースポリマー100質量部に対し、感度と酸拡散抑制効果の点から0.001~20質量部、特に0.01~10質量部とすることが好ましい。ベースポリマーとしては、化学増幅ポジ型レジスト材料の場合、酸不安定基を有する繰り返し単位を含む。酸不安定基を有する繰り返し単位は、下記一般式2中の繰り返し単位a1で表される酸不安定基で置換されたメタアクリレート、スチレンカルボン酸、ビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位、又はa2で表される酸不安定基で置換されたヒドロキシスチレンである。ここで、R5、R7は同一でも異なっていてもよく、水素原子あるいはメチル基である。Xは単結合、エステル基、ラクトン環を有する炭素数1~12の連結基、フェニレン基、又はナフチレン基である。Yは単結合、エステル基である。また、R6、R8は酸不安定基である。酸不安定基を有する繰り返し単位a1は、好ましくはメタアクリル酸、スチレンカルボン酸、ビニルナフタレンカルボン酸のカルボキシル基の水素原子を置換したものであり、具体的には下記に例示することができる。式中、R5、R6は前述と同様である。本発明の塩基性化合物のR1、R2、繰り返し単位a1及びa2中、R6、R8で示される酸不安定基は種々選定されるが、同一でも異なっていてもよく、特に下記式A-1~A-3で置換された基で示されるものが挙げられる。式A-1において、R30は炭素数4~20、好ましくは4~15の3級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基又は上記一般式A-3で示される基を示し、3級アルキル基として具体的には、tert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基等が挙げられ、トリアルキルシリル基として具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル-tert-ブチルシリル基等が挙げられ、オキソアルキル基として具体的には、3-オキソシクロヘキシル基、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル基、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル基等が挙げられる。aは0~6の整数である。式A-2において、R31、R32は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基等を例示できる。R33は炭素数1~18、好ましくは1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキル基等が例示できる。R31とR32、R31とR33、R32とR33とは結合してこれらが結合する炭素原子又は炭素原子及び酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合には環の形成に関与するR31、R32、R33はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示し、好ましくは環の炭素数は3~10、特に4~10である。上記式A-1の酸不安定基としては、具体的にはtert-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、tert-アミロキシカルボニル基、tert-アミロキシカルボニルメチル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、1-エトキシエトキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。更に、下記式A-1-1~A-1-10で示される置換基を挙げることもできる。ここで、R37は互いに同一又は異種の炭素数1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数6~20のアリール基、R38は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。また、R39は互いに同一又は異種の炭素数2~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数6~20のアリール基である。aは0~6の整数である。上記式A-2で示される酸不安定基のうち、直鎖状又は分岐状のものとしては、下記式A-2-1~A-2-72のものを例示することができる。上記式A-2で示される酸不安定基のうち、環状のものとしては、テトラヒドロフラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロフラン-2-イル基、テトラヒドロピラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロピラン-2-イル基等が挙げられる。また、一般式A-2aあるいはA-2bで表される酸不安定基によってベース樹脂が分子間あるいは分子内架橋されていてもよい。式中、R40、R41は水素原子又は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R40とR41は結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはR40、R41は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R42は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、b1、d1は0又は1~10、好ましくは0又は1~5の整数、c1は1~7の整数である。Aは、c11価の炭素数1~50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又はその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。この場合、好ましくは、Aは2~4価の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテトライル基、炭素数6~30のアリーレン基であり、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、アシル基又はハロゲン原子によって置換されていてもよい。また、c1は好ましくは1~3の整数である。一般式A-2a、A-2bで示される架橋型アセタール基は、具体的には下記式A-2-73~A-2-80のものが挙げられる。次に、式A-3において、R34、R35、R36はそれぞれ独立に、炭素数1~20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、アリール基、アルケニル基等の1価炭化水素基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、R34とR35、R34とR36、R35とR36とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に、炭素数3~20の環を形成してもよい。式A-3に示される3級アルキル基としては、tert-ブチル基、トリエチルカルビル基、1-エチルノルボニル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロペンチル基、2-2-メチルアダマンチル基、2-2-エチルアダマンチル基、tert-アミル基等を挙げることができる。また、3級アルキル基としては、下記に示す式A-3-1~A-3-18を具体的に挙げることもできる。式A-3-1~A-3-18中、R43は同一又は異種の炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数6~20のフェニル基、ナフチル基等のアリール基を示す。R44、R46は水素原子、又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R45は炭素数6~20のフェニル基等のアリール基を示す。更に、下記式A-3-19、A-3-20に示すように、2価以上のアルキレン基、アリーレン基であるR47を含んで、ポリマーの分子内あるいは分子間が架橋されていてもよい。式A-3-19、A-3-20中、R43は前述と同様、R47は炭素数1~20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、又はフェニレン基等のアリーレン基を示し、酸素原子や硫黄原子、窒素原子などのヘテロ原子を含んでいてもよい。e1は1~3の整数である。式A-1、A-2、A-3中のR30、R33、R36は、フェニル基、p-メチルフェニル基、p-エチルフェニル基、p-メトキシフェニル基等のアルコキシ置換フェニル基等の非置換又は置換アリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等や、これらの基に酸素原子を有する、あるいは炭素原子に結合する水素原子が水酸基に置換されたり、2個の水素原子が酸素原子で置換されてカルボニル基を形成する下記式で示されるようなアルキル基、あるいはオキソアルキル基を挙げることができる。特に式A-3の酸不安定基としてメタクリル酸を置換した繰り返し単位としては、下記一般式A-3-21に示されるエキソ体構造を有する繰り返し単位が好ましく挙げられる。式中、Rαは水素原子又はメチル基、Rc3は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示す。Rc4~Rc9及びRc12、Rc13はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示し、Rc10、Rc11は水素原子又は炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示す。Rc4とRc5、Rc6とRc8、Rc6とRc9、Rc7とRc9、Rc7とRc13、Rc8とRc12、Rc10とRc11又はRc11とRc12は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に非芳香環を形成していてもよく、その場合には環の形成に関与する基は炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよいアルキレン基等の2価の炭化水素基を示す。またRc4とRc13、Rc10とRc13又はRc6とRc8は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。また、本式により、鏡像体も表す。ここで、一般式A-3-21に示すエキソ構造を有する繰り返し単位を得るためのエステル体のモノマーとしては特開2000-327633号公報に示されている。具体的には下記に挙げることができるが、これらに限定されることはない。次に、式A-3に示される酸不安定基としては、下記一般式A-3-22に示されるフランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基を有するメタアクリル酸エステルの酸不安定基を挙げることができる。式中、Rαは前述の通りである。Rc14、Rc15はそれぞれ独立に炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。Rc14、Rc15は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3~8の脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Rc16はフランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基から選ばれる2価の基を示す。Rc17は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。フランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基を有する酸不安定基で置換された繰り返し単位を得るためのモノマーは下記に例示される。なお、下記例において、Meはメチル基、Acはアセチル基を示す。更に、酸不安定基を有する繰り返し単位として、2級の酸不安定基を有する繰り返し単位を共重合することもできる。具体的には下記に例示するモノマーを挙げることができる。化学増幅ポジ型レジスト材料のベースポリマーとしては、上述した酸不安定基で置換されたメタアクリレート、スチレンカルボン酸、ビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位a1、又は酸不安定基で置換されたヒドロキシスチレンの繰り返し単位a2に加え、密着性基としてフェノール性水酸基を有する繰り返し単位bを共重合することができる。フェノール性水酸基を有する繰り返し単位bを得るためのモノマーは下記に示すことができる。更には、他の密着性基としてヒドロキシ基、ラクトン環、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はシアノ基を有する密着性基の繰り返し単位cを共重合することができる。具体的には下記に例示することができる。ヒドロキシ基を有するモノマーの場合、重合時にヒドロキシ基をエトキシエトキシ基などの酸によって脱保護し易いアセタール基で置換しておいて重合後に弱酸と水によって脱保護を行ってもよいし、アセチル基、ホルミル基、ピバロイル基等で置換しておいて重合後にアルカリ加水分解を行ってもよい。更には、インデン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、アセナフチレン、クロモン、クマリン、ノルボルナジエン及びこれらの誘導体dを共重合することもでき、具体的には下記に例示することができる。上記繰り返し単位以外に共重合できる繰り返し単位eとしては、スチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルピレン、メチレンインダン、ビニルピリジン、ビニルカルバゾールなどが挙げられる。重合性オレフィンを有するオニウム塩の酸発生剤fを共重合することもできる。特開2005-84365号公報には、特定のスルホン酸が発生する重合性オレフィンを有するスルホニウム塩、ヨードニウム塩が提案されている。特開2006-178317号公報には、スルホン酸が主鎖に直結したスルホニウム塩が提案されている。本発明では、下記一般式3で示されるスルホニウム塩を持つ繰り返し単位f1、f2、f3を共重合することができる。式中、R020、R024、R028は水素原子又はメチル基、R021はフェニレン基、-O-R0-、又は-C=O-Y0-R0-である。Y0は酸素原子又はNH、R0は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基又はフェニレン基であり、カルボニル基-CO-、エステル基-COO-、エーテル基-O-又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R022、R023、R025、R026、R027、R029、R030、R031は同一又は異種の炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6~12のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。Z0は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、-O-R032-、又は-C=O-Z1-R032-である。Z1は酸素原子又はNH、R032は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基又はフェニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。Mは非求核性対向イオンを表す。f1は0≦f1≦0.3、f2は0≦f2≦0.3、f3は0≦f3≦0.3、0≦f1f2f3≦0.3である。Mの非求核性対向イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン、トリフレート、1,1,1-トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等のフルオロアルキルスルホネート、トシレート、ベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、1,2,3,4,5-ペンタフルオロベンゼンスルホネート等のアリールスルホネート、メシレート、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネート、ビストリフルオロメチルスルホニルイミド、ビスパーフルオロエチルスルホニルイミド、ビスパーフルオロブチルスルホニルイミド等のイミド酸、トリストリフルオロメチルスルホニルメチド、トリスパーフルオロエチルスルホニルメチドなどのメチド酸を挙げることができる。更には、下記一般式K-1に示されるα位がフルオロ置換されたスルホネート、下記一般式K-2に示されるα,β位がフルオロ置換されたスルホネートが挙げられる。一般式K-1中、R102は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、又は炭素数6~20のアリール基であり、エーテル基、エステル基、カルボニル基、ラクトン環、又はフッ素原子を有していてもよい。一般式K-2中、R103は水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アシル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数6~20のアリール基、又はアリーロキシ基であり、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はラクトン環を有していてもよい。特開2008-158339号公報に記載されているα位がフッ素化されていないスルホン酸、及びカルボン酸のスルホニウム塩、ヨードニウム塩、アンモニウム塩等のオニウム塩をクエンチャーとして用いることもできる。α位がフッ素化されたスルホン酸、イミド酸、メチド酸はカルボン酸エステルの酸不安定基を脱保護させるために必要であるが、α位がフッ素化されていないオニウム塩との塩交換によってα位がフッ素化されていないスルホン酸、及びカルボン酸が放出される。α位がフッ素化されていないスルホン酸、及びカルボン酸は脱保護反応を起こさないために、クエンチャーとして機能する。特にα位がフッ素化されていないスルホン酸、及びカルボン酸のスルホニウム塩、ヨードニウム塩は光分解性があるために、光強度が強い部分のクエンチ能が低下すると共にα位がフッ素化されたスルホン酸、イミド酸、メチド酸の濃度が増加する。これによって露光部分のコントラストが向上する。有機溶剤によるネガティブトーンの形成において、露光部のコントラストが向上すると、ネガティブパターンの矩形性が向上する。α位がフッ素化されていないスルホン酸、及びカルボン酸のスルホニウム塩、ヨードニウム塩、アンモニウム塩等のオニウム塩はα位がフッ素化されたスルホン酸、イミド酸、メチド酸の拡散を押さえる効果が高い。これは、交換後のオニウム塩の分子量が大きいために、動きにくくなっていることによる。ネガティブ現像でホールパターンを形成する場合は、酸の発生領域が非常に多いために、露光部分から未露光部分に拡散していく酸の制御が非常に重要である。このため、α位がフッ素化されていないスルホン酸、及びカルボン酸のスルホニウム塩、ヨードニウム塩、アンモニウム塩等のオニウム塩や、本発明のアミンクエンチャーの添加は、酸拡散の制御の観点から重要である。ポリマー主鎖に酸発生剤を結合させることによって酸拡散を小さくし、酸拡散のぼけによる解像性の低下を防止できる。また、酸発生剤が均一に分散することによってラインエッジラフネスLER、LWRが改善される。ポジ型レジスト材料用のベースポリマーとしては、酸不安定基を有する繰り返し単位a1及び/又はa2を必須成分とする。この場合、a1、a2、b、c、d、e、f1、f2、f3の共重合比率は、0≦a1<1.0、0≦a2<1.0、0<a1a2<1.0、0≦b≦0.9、0≦c≦0.9、0≦d≦0.8、0≦e≦0.8、0≦f1≦0.5、0≦f2≦0.5、0≦f3≦0.5であり、好ましくは0≦a1≦0.9、0≦a2≦0.9、0.1≦a1a2≦0.9、0≦b≦0.8、0≦c≦0.8、0≦d≦0.7、0≦e≦0.7、0≦f1≦0.4、0≦f2≦0.4、0≦f3≦0.4、更に好ましくは0≦a1≦0.8、0≦a2≦0.8、0.1≦a1a2≦0.8、0≦b≦0.75、0≦c≦0.75、0≦d≦0.6、0≦e≦0.6、0≦f1≦0.3、0≦f2≦0.3、0≦f3≦0.3である。なお、a1a2bcdef1f2f3=1.0である。一方、ネガ型レジスト材料用のベースポリマーとしては、酸不安定基は必ずしも必要ではなく、b、c、d、e、f1、f2、f3の共重合比率は、0<b≦1.0、0≦c≦0.9、0≦d≦0.8、0≦e≦0.8、0≦f1≦0.5、0≦f2≦0.5、0≦f3≦0.5であり、好ましくは、0.2≦b≦1.0、0≦c≦0.8、0≦d≦0.7、0≦e≦0.7、0≦f1≦0.4、0≦f2≦0.4、0≦f3≦0.4、更に好ましくは、0.3≦b≦1.0、0≦c≦0.75、0≦d≦0.6、0≦e≦0.6、0≦f1≦0.3、0≦f2≦0.3、0≦f3≦0.3である。なお、bcdef1f2f3=1.0である。これら高分子化合物を合成するには、1つの方法としては、繰り返し単位a1、a2、b、c、d、e、f1、f2、f3で示されるモノマーを、有機溶剤中、ラジカル重合開始剤を加え加熱重合を行い、共重合体の高分子化合物を得ることができる。重合時に使用する有機溶剤としてはトルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等が例示できる。重合開始剤としては、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等が例示でき、好ましくは50~80°Cに加熱して重合できる。反応時間としては2~100時間、好ましくは5~20時間である。ヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレンを共重合する場合は、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレンの代わりにアセトキシスチレン、アセトキシビニルナフタレンを用い、重合後上記アルカリ加水分解によってアセトキシ基を脱保護してポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシポリビニルナフタレンにする方法もある。アルカリ加水分解時の塩基としては、アンモニア水、トリエチルアミン等が使用できる。また反応温度としては-20~100°C、好ましくは0~60°Cであり、反応時間としては0.2~100時間、好ましくは0.5~20時間である。本発明のレジスト材料に用いられる高分子化合物は、それぞれ溶剤としてテトラヒドロフランTHFを用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量が1,000~500,000、好ましくは2,000~30,000である必要がある。重量平均分子量が小さすぎるとレジスト材料が耐熱性に劣るものとなり、大きすぎるとアルカリ溶解性が低下し、パターン形成後に裾引き現象が生じ易くなってしまう。更に、本発明のレジスト材料に用いられる高分子化合物においては、多成分共重合体の分子量分布Mw/Mnが広い場合は低分子量や高分子量のポリマーが存在するために、露光後、パターン上に異物が見られたり、パターンの形状が悪化したりするおそれがある。それ故、パターンルールが微細化するに従ってこのような分子量、分子量分布の影響が大きくなり易いことから、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト材料を得るには、使用する多成分共重合体の分子量分布は1.0~2.0、特に1.0~1.5と狭分散であることが好ましい。本発明のレジスト材料に用いられる高分子化合物は、組成比率や分子量分布や分子量が異なる2つ以上のポリマーをブレンドすることも可能である。本発明のレジスト材料に用いる式1の塩基性化合物は、酸発生剤を添加してなる化学増幅ポジ型レジスト材料あるいは化学増幅ネガ型レジスト材料として好適で、これにベース樹脂となる前述の高分子化合物、有機溶剤、溶解阻止剤、界面活性剤、架橋剤等を目的に応じて適宜組み合わせて配合してポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料を構成することによって、露光部では前記高分子化合物が触媒反応により現像液に対する溶解速度が加速されるので、極めて高感度のポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料とすることができ、レジスト膜の溶解コントラスト及び解像性が高く、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好でありながら、特に酸拡散を抑制できることから粗密寸法差が小さく、これらのことから実用性が高く、超LSI用レジスト材料として非常に有効なものとすることができる。特に、酸発生剤を含有させ、酸触媒反応を利用した化学増幅ポジ型レジスト材料とすると、より高感度のものとすることができると共に、諸特性が一層優れたものとなり極めて有用なものとなる。即ち、本発明のポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料には、本発明のパターン形成方法に用いる化学増幅ポジ型レジスト材料及び化学増幅ネガ型レジスト材料を機能させるために酸発生剤を含み、例えば、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物光酸発生剤を含有する。光酸発生剤の成分としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでも構わない。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネート型酸発生剤等がある。酸発生剤の具体例としては、特開2008-111103号公報の段落[0122]~[0142]に記載されている。本発明のレジスト材料は、レジスト用ベースポリマー、本発明の塩基性化合物、酸発生剤を必須成分とし、これに加えて、有機溶剤、溶解阻止剤、架橋剤、界面活性剤、アセチレンアルコール類、従来から提案されている塩基性化合物のいずれか1つ以上を含有することができる。有機溶剤の具体例としては、特開2008-111103号公報の段落[0144]~[0145]に記載のシクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル-2-n-アミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類及びその混合溶剤が挙げられる。本発明において、本発明の塩基性化合物と併用して、従来から提案された塩基性化合物を添加することによって、例えばレジスト膜中での酸の拡散速度を更に抑制したり、形状を補正したりすることができるし、界面活性剤を添加することによってレジスト材料の塗布性を一層向上あるいは制御することができる。従来型の塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド類、イミド類、カーバメート類等が挙げられ、特開2008-111103号公報の段落[0146]~[0164]に記載の1級、2級、3級のアミン化合物、特にはヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、ラクトン環、シアノ基、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物あるいは特許第3790649号公報に記載のカーバメート基を有する化合物を挙げることができる。更に、特開2008-239918号公報記載のポリマー型のクエンチャーを添加することもできる。このものは、コート後のレジスト表面に配向することによってパターン後のレジストの矩形性を高める。ポリマー型クエンチャーは、液浸露光用の保護膜を適用したときのパターンの膜減りやパターントップのラウンディングを防止する効果もある。また、界面活性剤としては、特開2008-111103号公報の段落[0165]~[0166]に記載のものが挙げられる。なお、ポジ型レジスト材料の場合、溶解阻止剤を配合することによって、露光部と未露光部との溶解速度の差を一層大きくすることができ、解像度を一層向上させることができる。ネガ型レジスト材料の場合は、架橋剤を添加することによって、露光部の溶解速度を低下させることによりネガパターンを得ることができる。溶解阻止剤としては重量平均分子量が100~1,000、好ましくは150~800で、かつ分子内にフェノール性水酸基を2つ以上有する化合物の該フェノール性水酸基の水素原子を酸不安定基により全体として平均0~100モルの割合で置換した化合物又は分子内にカルボキシル基を有する化合物の該カルボキシル基の水素原子を酸不安定基により全体として平均50~100モルの割合で置換した化合物を配合する。具体的には、ビスフェノールA、トリスフェノール、フェノールフタレイン、クレゾールノボラック、ナフタレンカルボン酸、アダマンタンカルボン酸、コール酸のヒドロキシ基、カルボキシル基の水素原子を酸不安定基で置換した化合物であり、特開2008-122932号公報の段落[0155]~[0178]に記載の材料である。架橋剤としてはメチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基で置換されたメラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物又はウレア化合物、エポキシ化合物、イソシアネート化合物、アジド化合物、アルケニルエーテル基などの2重結合を含む化合物等を挙げることができる。これらは添加剤として用いてもよいが、ポリマー側鎖にペンダント基として導入してもよい。また、ヒドロキシ基を含む化合物も架橋剤として用いることができる。具体的には、エポキシ化合物を例示すると、トリス2,3-エポキシプロピルイソシアヌレート、トリメチロールメタントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリエチロールエタントリグリシジルエーテルなどが例示される。メラミン化合物を具体的に例示すると、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンの1~6個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、ヘキサメトキシエチルメラミン、ヘキサアシロキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンのメチロール基の1~6個がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物が挙げられる。グアナミン化合物としては、テトラメチロールグアナミン、テトラメトキシメチルグアナミン、テトラメチロールグアナミンの1~4個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメトキシエチルグアナミン、テトラアシロキシグアナミン、テトラメチロールグアナミンの1~4個のメチロール基がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物が挙げられる。グリコールウリル化合物としては、テトラメチロールグリコールウリル、テトラメトキシグリコールウリル、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の1~4個がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の1~4個がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物が挙げられる。ウレア化合物としてはテトラメチロールウレア、テトラメトキシメチルウレア、テトラメチロールウレアの1~4個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメトキシエチルウレアなどが挙げられる。イソシアネート化合物としては、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、シクロヘキサンジイソシアネート等が挙げられ、アジド化合物としては、1,1’-ビフェニル-4,4’-ビスアジド、4,4’-メチリデンビスアジド、4,4’-オキシビスアジドが挙げられる。アルケニルエーテル基を含む化合物としては、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、1,2-プロパンジオールジビニルエーテル、1,4-ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、1,4-シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテルなどが挙げられる。なお、アセチレンアルコール類としては、特開2008-111103号公報の段落[0179]~[0182]に記載のものを例示することができる。ここで、光酸発生剤の配合量は、ベースポリマー100質量部に対し0.1~50質量部、特に1~40質量部であることが好ましい。また、有機溶剤の配合量は、ベースポリマー100質量部に対し100~10,000質量部、特に200~8,000質量部であることが好ましい。ポジ型レジスト材料の場合、溶解阻止剤の配合量は、ベースポリマー100質量部に対し0~50質量部、特に5~40質量部であることが好ましい。ネガ型レジスト材料の場合、架橋剤の配合量は、ベースポリマー100質量部に対し0.1~50質量部、特に1~40質量部であることが好ましい。更に、界面活性剤の配合量は、ベースポリマー100質量部に対し0.0001~10質量部、アセチレンアルコール類の配合量は、ベースポリマー100質量部に対し0~5質量部が好ましく、式1の塩基性化合物以外の従来型の塩基性化合物及びポリマー型のクエンチャーの配合量は、ベースポリマー100質量部に対し0~5質量部、特に0~4質量部が好ましい。本発明のポジ型レジスト材料は、例えば有機溶剤と、一般式1で示される塩基性化合物と、ベースポリマー高分子化合物と、酸発生剤を含む化学増幅ポジ型レジスト材料を種々の集積回路製造に用いる場合は、特に限定されないが公知のリソグラフィー技術を適用することができる。例えば、本発明のポジ型レジスト材料を、集積回路製造用の基板Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜等あるいはマスク回路製造用の基板Cr、CrO、CrON、MoSi、SiO2等上にスピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により塗布膜厚が0.1~2.0μmとなるように塗布する。これをホットプレート上で60~150°C、10秒~30分間、好ましくは80~120°C、30秒~20分間プリベークする。次いで、紫外線、遠紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線、真空紫外線軟X線等の高エネルギー線から選ばれる光源で目的とするパターンを所定のマスクを通じてもしくは直接露光を行う。露光量は1~200mJ/cm2程度、特に10~100mJ/cm2、又は0.1~100μC/cm2程度、特に0.5~50μC/cm2となるように露光することが好ましい。次に、ホットプレート上で60~150°C、10秒~30分間、好ましくは80~120°C、30秒~20分間ポストエクスポージャベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは2~10質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドTEAH、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシドTPAH、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドTBAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、3秒~3分間、好ましくは5秒~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像することにより、光を照射した部分は現像液に溶解し、露光されなかった部分は溶解せず、基板上に目的のポジ型のパターンが形成される。なお、本発明のレジスト材料は、特に高エネルギー線の中でも電子線、真空紫外線軟X線、X線、γ線、シンクロトロン放射線による微細パターニングに最適である。また、化学増幅ネガ型レジスト材料の場合も、公知のリソグラフィー技術を採用し得る。ここで、下記一般式Qで示される分子量240以上の塩基性化合物は新規物質であり、本発明のレジスト材料として好適に用いることができる。式中、RQ1は、水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~30のアリール基、炭素数7~30のアラルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、炭素数2~10のアルキニル基、又は炭素数4~12の複素環含有基であり、これらの基が複合してもよく、またこれらの基がヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシル基、エーテル基、チオエーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、スルホニル基、ラクトン環、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、アミド基、イミド基、スルホンアミド基、カーボネート基、スルフィド基、-N=CR-O-、-N=CR-S-、=N-O-N=のいずれかを有していてもよく、又はRQ1が酸不安定基であってもよい。Rは水素原子、メルカプト基、ヒドロキシ基、又は炭素数1~3のアルキル基であり、あるいは式1中の窒素原子と結合して環を形成していてもよい。RQ2は3級アルキル基であり、RQ3、RQ4は水素原子、又は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。mは2~4の整数である。上記一般式Q中の置換基RQ1の具体例は、前述した一般式1中の置換基R1と同様のものを用いることができる。上記一般式Q中の置換基RQ2は3級アルキル基を示すが、前述の一般式1中の酸不安定基R2の定義のうち、一般式A-3で示される3級アルキル基R34、R35及びR36が水素原子でない場合と同様のものを用いることができる。上記一般式Q中の置換基RQ3、RQ4は水素原子、あるいは炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示すが、前述の一般式1中の置換基R3、R4と同様のものを用いることができる。原材料の入手や製造の容易さ等の点から、RQ3、RQ4共に水素原子であることが好ましい。上記一般式Q中のmについては前記と同様2~4の整数を示すが、原材料の入手や製造の容易さ等の点からmは3又は4であることが好ましい。上記一般式Qで示される塩基性化合物は分子量240以上である。分子量が240未満だと、塩基性化合物の揮発性が高いためレジストパターンの形状が劣化する場合があり、好ましくない。本発明の塩基性化合物Qは下記反応式に示す方法により得ることができるが、これに限定されるものではない。{式中、RQ1~RQ4及びmは前記と同様である。X1はハロゲン原子を示す。X2はハロゲン原子又は水酸基を示す。また、式中のCは、一般式Bで示される3級アルコールRQ2OHからH2Oが脱離脱水した三置換又は四置換オレフィンを示す。}上記反応式中ステップ1で示される第一の反応は、ハロアルカンカルボン酸ハライドAと3級アルコールBから、又は、ハロアルカンカルボン酸AとオレフィンCからハロアルカンカルボン酸エステルDを合成する反応である。反応剤としてハロアルカンカルボン酸ハライド{式AにおいてX2がハロゲン原子の場合}を用いる場合、酸クロリド{式AにおいてX2が塩素原子である場合}が好ましい。酸クロリドを用いる場合は、無溶剤あるいは塩化メチレン、アセトニトリル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン等の溶剤中、4-クロロ酪酸クロリド、5-クロロ吉草酸クロリド等の対応するハロアルカンカルボン酸クロリド、3級アルコールB、トリエチルアミン、ピリジン、2,6-ルチジン、N,N-ジメチルアニリン、4-ジメチルアミノピリジン、アルキルリチウム、アルキルマグネシウムハライド、炭酸カリウム等の塩基を順次又は同時に加え、必要に応じ、冷却あるいは加熱するなどして行うのがよい。3級アルコールBの使用量は、原料であるハロアルカンカルボン酸クロリドA1モルに対し1.0~5.0モル、特に1.0~3.0モルとすることが望ましい。使用する塩基の量は条件により種々異なるが、例えば、原料であるハロアルカンカルボン酸クロリドA1モルに対し0~10モル、特に0~5.0モルとすることが望ましい。反応時間はガスクロマトグラフィーGCやシリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCで反応を追跡して反応を完結させることが収率の点で望ましいが、通常0.5~24時間程度である。反応混合物から通常の水系後処理aqueouswork-upにより目的のハロアルカンカルボン酸エステルDを得ることができ、必要があれば蒸留、クロマトグラフィー等常法に従って精製することができる。また、反応剤としてハロアルカンカルボン酸{式AにおいてX2が水酸基の場合}を用いる場合は、トルエン、ヘキサン等の溶剤中、ハロアルカンカルボン酸AとオレフィンCを酸触媒の存在下反応させ、ハロアルカンカルボン酸エステルDを得ることができる。反応は公知の方法により容易に進行するが、用いる酸触媒としては、例えば塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸等の無機酸類、p-トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸等の有機酸等が挙げられ、反応は必要に応じて冷却又は加熱するなどして行うのがよい。上記反応式中ステップ2で示される第二の反応は、1級アミンEとハロアルカンカルボン酸エステルDから本発明の塩基性化合物Qを合成する反応である。反応は公知の方法により容易に進行するが、無溶剤あるいはN-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの溶剤中、1級アミンEとハロエステルD、ピリジン、2,6-ルチジン、トリエチルアミン、N,N-ジメチルアニリン等の塩基、必要に応じて、触媒量のヨウ化ナトリウム、テトラブチルアンモニウムヨージド等を順次又は同時に加え、加熱して行うのがよい。使用する1級アミンEの量は原料であるハロアルカンカルボン酸エステルD1モルに対して1~10モル、特に1~5モルとすることが望ましい。使用する塩基の量は条件により種々異なるが、例えば、原料であるハロアルカンカルボン酸エステルD1モルに対して0~10モル、特に0~5モルとすることが望ましい。反応温度は条件により種々異なるが、通常40°C~溶剤の沸点程度である。反応時間はガスクロマトグラフィーGCやシリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCで反応を追跡して反応を完結させることが収率の点で望ましいが、通常0.5~72時間程度である。反応混合物から通常の水系後処理aqueouswork-upにより目的の塩基性化合物Qを得ることができ、必要があれば蒸留、クロマトグラフィー等常法に従って精製することができる。以下、合成例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記例中Meはメチル基を示す。本発明の塩基性化合物を以下に示す方法で合成した。[合成例1-1]4-クロロ酪酸=1-エチルシクロペンチルの合成窒素雰囲気下、1-シクロペンチルアルコール69g、4-クロロ酪酸クロリド118g、テトラヒドロフラン250gの混合溶液に、ピリジン64gとテトラヒドロフラン60gの混合溶液を氷冷下15°C以下で滴下した。室温で一昼夜撹拌後、反応溶液を氷冷し、水100gを滴下して反応を停止した。通常の水系後処理の後、減圧蒸留93°C/40Paを行い、4-クロロ酪酸=1-エチルシクロペンチル122gを得た収率93。[合成例1-2]4-フェニルアミノ酪酸=1-エチルシクロペンチルアミン1の合成窒素雰囲気下、4-クロロ酪酸=1-エチルシクロペンチル15g、アニリン19g、2,6-ルチジン7.3g、ヨウ化ナトリウム1.5gの混合溶液を80°Cに加熱し、同温度にて36時間撹拌を行った。反応溶液を冷却し、水15gを滴下して反応を停止し、通常の水系後処理の後、減圧蒸留135°C/13Paを行い、4-フェニルアミノ酪酸=1-エチルシクロペンチル14gを得た収率76。IRD-ATR:ν=3403、2966、2876、1724、1603、1507、1449、1435、1380、1322、1261、1164、991、954、842、750、693cm1。1H-NMR300MHzinDMSO-d6:δ=7.042H、m、6.503H、m、5.551H、m、2.982H、m、2.352H、t、2.10-1.854H、m、1.742H、m、1.69-1.456H、m、0.803H、tppm。[合成例2]4-4-メトキシフェニルアミノ酪酸=1-エチルシクロペンチルアミン2の合成アニリンの代わりに4-メトキシアニリンを使用した以外は、[合成例1-2]と同様の方法により4-4-メトキシフェニルアミノ酪酸=1-エチルシクロペンチルを得た収率73。[合成例3-1]4-クロロ吉草酸=1-エチルシクロペンチルの合成4-クロロ酪酸クロリドの代わりに、4-クロロ吉草酸クロリドを使用した以外は、[合成例1-1]と同様の方法により4-クロロ吉草酸=1-エチルシクロペンチルを得た収率89。[合成例3-2]4-フェニルアミノ吉草酸=1-エチルシクロペンチルアミン3の合成4-クロロ酪酸=1-エチルシクロペンチルの代わりに、[合成例3-1]で合成した4-クロロ吉草酸=1-エチルシクロペンチルを使用し、精製にクロマトグラフィーヘキサン-酢酸エチルを行った以外は[合成例1-2]と同様の方法により4-フェニルアミノ吉草酸=1-エチルシクロペンチルアミン3を得た収率69。[合成例4-1~39]アミン4~42の合成上記[合成例1~3]と同様の方法により、各種対応するハロアルカンカルボン酸エステルとアミンとを反応させ、アミン4~42を合成した。下記に本発明のアミン1~42の構造を示す。[合成例5-1~12]高分子化合物ポリマー1~12の合成レジスト材料に添加される高分子化合物として、各々のモノマーを組み合わせてテトラヒドロフラン溶剤下で共重合反応を行い、メタノールに晶出し、更にヘキサンで洗浄を繰り返した後に単離、乾燥して、以下に示す組成の高分子化合物ポリマー1~12を得た。得られた高分子化合物の組成は1H-NMR、分子量及び分散度はゲルパーミエーションクロマトグラフ溶剤:テトラヒドロフランTHFにより確認した。[実施例、比較例]上記で合成した高分子化合物を用いて、界面活性剤として住友スリーエム株製界面活性剤のFC-4430を100ppm溶解させた溶剤に表1~5に示される組成で溶解させた溶液を、0.2μmサイズのフィルターで濾過してポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料を調製した。表1~5中の各組成は次の通りである。ポリマー1~12前記構造式参照有機溶剤:PGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートCyHシクロヘキサノンPGMEプロピレングリコールモノメチルエーテルCyPシクロペンタノン酸発生剤:PAG1,2下記構造式参照塩基性化合物:アミン1~42上記構造式参照比較アミン1~5下記構造式参照スルホニウム塩型クエンチャー下記構造式参照撥水剤ポリマー1下記構造式参照架橋剤1下記構造式参照ArF液浸露光評価表1~3に示すレジスト材料を、シリコンウエハーに信越化学工業株製スピンオンカーボン膜ODL-50カーボンの含有量が80質量を200nm、その上に珪素含有スピンオンハードマスクSHB-A940珪素の含有量が43質量を35nmの膜厚で成膜したトライレイヤープロセス用の基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100°Cで60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを80nmにした。これをArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-S610C,NA1.30、σ0.98/0.78、35度クロスポール照明、Azimuthally偏光照明、6ハーフトーン位相シフトマスクを用いて、ウエハー上寸法が70nmスペース,200nmピッチのマスクを用いて露光し、表1~3に記載の温度で60秒間PEBを行い、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で30秒間現像を行って、寸法が60nmスペース,200nmピッチのトレンチパターンを得た。株日立ハイテクノロジーズ製測長SEMCG-4000を用いて、露光量を変化させて露光した時にトレンチの寸法が60nmになっている時の感度と、フォーカスを変化させて露光した時にトレンチの寸法が55~65nmの範囲内に入っている時のフォーカスマージンDOFを求めた。結果を表1~3に示す。電子ビーム描画評価下記表4,5中に示されるレジスト材料を、ヘキサメチルジシラザンHMDSベーパープライム処理したSi基板上にスピンコートし、ホットプレートを用いて110°Cで60秒間プリベークして80nmのレジスト膜を作製した。これに、株日立製作所製HL-800Dを用いてHV電圧50keVで真空チャンバー内描画を行った。描画後、直ちにホットプレート上90°Cで60秒間PEBを行い、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で30秒間現像を行ってパターンを得た。得られたレジストパターンについて次の評価を行った。ポジ型レジスト膜の場合、120nmのトレンチを寸法通りで解像する露光量における最小のトレンチの寸法を解像力とした。ネガ型レジスト膜の場合、120nmの孤立ラインを寸法通りで解像する露光量における最小の孤立ラインの寸法を解像力とした。なお、実施例2-1~2-17、比較例2-1はポジ型レジスト材料、実施例2-18、比較例2-2はネガ型レジスト材料である。結果を表4,5に示す。表1~5の結果より、本発明のアミン化合物を添加したレジスト材料は、形状が良好で、十分な解像力とDOFマージンであることがわかった。"