"基板上に一定形状の薄膜パターンを形成するためのマスクであって、可視光を透過する樹脂製のフィルムと、前記基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部を形成した板体で構成され、前記フィルムを保持する保持部材と、を備え、前記フィルムは、前記基板上の前記薄膜パターン形成領域に対応して前記保持部材の前記開口部内に前記薄膜パターンと同形状の開口パターンを備えていることを特徴とするマスク。前記保持部材は、金属材料を含んで構成されていることを特徴とする請求項1記載のマスク。前記フィルムは、その一部に金属膜をコーティングして備え、該金属膜と前記保持部材とをノンフラックス半田付けして前記保持部材に保持されることを特徴とする請求項2記載のマスク。前記フィルムは、ポリイミドから成ることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のマスク。前記保持部材は、磁性材料を含んで構成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のマスク。基板上に一定形状の薄膜パターンを形成するマスクを作製するためのマスク用部材であって、可視光を透過する樹脂製のフィルムと、前記基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部を形成した板体で構成され、前記フィルムを保持する保持部材と、を備えたことを特徴とするマスク用部材。前記フィルムは、前記基板上の前記薄膜パターン形成領域に対応して前記保持部材の前記開口部内に前記薄膜パターンと同形状の凹部を備えていることを特徴とする請求項6記載のマスク用部材。前記保持部材は、金属材料を含んで構成されていることを特徴とする請求項6又は7記載のマスク用部材。しかし、このような従来のマスクにおいて、上記特許文献1に記載のマスクは、一般に、薄い金属板に薄膜パターンに対応した開口を例えばエッチング等により形成して作られるので、開口を高精度に形成することが困難であり、又金属板の熱膨張による位置ずれや反り等の影響で例えば300dpi以上の高精細な薄膜パターンの形成が困難であった。また、上記特許文献2に記載のマスクは、上記特許文献1に記載のマスクよりも基板との密着性は改善されるものの、特許文献1に記載のマスクと同様に、薄い金属板に薄膜パターンに対応した開口を例えばエッチング等により形成して作られるので、開口を高精度に形成することが困難であり、例えば300dpi以上の高精細な薄膜パターンの形成が困難であった。そこで、本発明は、このような問題点に対処し、高精細な薄膜パターンの形成を可能にするマスク及びそれに使用するマスク用部材を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明によるマスクは、基板上に一定形状の薄膜パターンを形成するためのマスクであって、可視光を透過する樹脂製のフィルムと、前記基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部を形成した板体で構成され、前記フィルムを保持する保持部材と、を備え、前記フィルムは、前記基板上の前記薄膜パターン形成領域に対応して前記保持部材の前記開口部内に前記薄膜パターンと同形状の開口パターンを備えている。このような構成により、基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部を形成した板体で構成された保持部材に保持されており、上記基板上の薄膜パターン形成領域に対応して保持部材の開口部内に、薄膜パターンと同形状の開口パターンを備えた可視光を透過する樹脂製のフィルムの上記開口パターンを介して成膜し、基板上に薄膜パターンを形成する。好ましくは、前記保持部材は、金属材料を含んで構成されているのが望ましい。さらに好ましくは、前記フィルムは、その一部に金属膜をコーティングして備え、該金属膜と前記保持部材とをノンフラックス半田付けして前記保持部材に保持されるのが望ましい。好ましくは、前記保持部材は、磁性材料を含んで構成されているとよい。より好ましくは、前記フィルムは、ポリイミドから成るのが望ましい。また、本発明によるマスク用部材は、基板上に一定形状の薄膜パターンを形成するマスクを作製するためのマスク用部材であって、可視光を透過する樹脂製のフィルムと、前記基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部を形成した板体で構成され、前記フィルムを保持する保持部材と、を備えたものである。このような構成により、基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部を形成した板体で構成された保持部材に可視光を透過する樹脂製のフィルムを保持し、該フィルムの保持部材の開口部内に位置する部分に上記基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して開口パターンを形成してマスクを作製し、該マスクを使用して基板上に一定形状の薄膜パターンを形成する。好ましくは、前記フィルムは、前記基板上の前記薄膜パターン形成領域に対応して前記保持部材の前記開口部内に前記薄膜パターンと同形状の凹部を備えているとよい。より好ましくは、前記保持部材は、金属材料を含んで構成されているのが望ましい。本発明によれば、薄いフィルムに開口パターンを形成するので、開口パターンの形成精度を向上することができる。また、開口パターンを形成したフィルムを基板上に設置するのでフィルムと基板との密着性が増し、薄膜パターンの形成精度を向上することができる。したがって、高精細な薄膜パターンの形成を容易に行なうことができる。さらに、フィルムを板体の保持部材に保持しているので、取り扱いが容易である。以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明によるマスクの実施形態を示す図であり、aは平面図、bはaのO-O線断面矢視図である。このマスク1は、基板上に一定形状の薄膜パターンを形成するためのものであり、フィルム2と、保持部材3とを備えて構成されている。上記フィルム2は、可視光を透過する一定面積の樹脂製シートであり、基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して後述の保持部材3の開口部5内に上記薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターン4を備えている。この開口パターン4は、図1に示すように、基板上に予め設定された複数の基準パターン例えば、有機EL表示装置の同色の複数のアノード電極に跨るストライプ状のものであってもよく、図2に示すように上記各基準パターンに対応して夫々個別に設けられたものであってもよい。上記フィルム2は、例えば厚みが10μm~30μm程度のポリイミドやポリエチレンテレフタレートPET等の樹脂製であり、特にポリイミドは耐熱性が高く、且つウェットエッチングやドライエッチングにより開口パターン4を精度よく形成することができる点で好ましい。上記保持部材3は、上記フィルム2の一面に面接触して該フィルム2を保持するものであり、例えばエッチングや、レーザ加工等の公知の技術を使用して、基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して上記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部5を形成した板体であり、金属材料を含んで構成されている。なお、図1において、符号6は、基板に予め形成された基板側アライメントマークに対して位置合わせするためのマスク側アライメントマークである。保持部材3は、非金属材料で構成されていてもよい。この場合、一定電圧を印加可能に構成された静電チャックステージ上に基板を載置した状態でステージに電圧を印加することにより、保持部材3を基板側に静電吸着させて上記フィルム2を基板面に密着させることができる。したがって、開口パターン4の形成精度を向上することができ、また薄膜パターンの形成精度も向上することができる。又は、保持部材3は、磁性材料を含んで構成されてもよい。これにより、永久磁石や電磁石を内蔵した磁気チャックステージ上に載置された基板に上記磁石の静磁界の作用により保持部材3を吸着して、上記フィルム2を基板面に密着させることができる。したがって、この場合も、開口パターン4の形成精度を向上することができ、また薄膜パターンの形成精度も向上することができる。なお、保持部材3には、図3に示すように、薄膜パターンの形成に影響を及ぼさない予め定められた部分に開口部5を複数単位に分割するブリッジ7を設けるとよい。これにより、保持部材3の剛性が増し、撓みを抑えることができる。したがって、マスク1と基板との位置合わせ精度をより向上して薄膜パターンの形成精度をより向上することができる。次に、このように構成されたマスク1の製造について図4を参照して説明する。先ず、同図aに示すように、可視光を透過する厚みが10μm~30μm程度の例えばポリイミドのフィルム2と、基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部5を形成した例えば金属板からなる保持部材3とを、同図に矢印で示すように面接合し、同図bに示すマスク用部材8を形成する。上記面接合は、好ましくは、図5に示すように、一部例えば周縁領域に金属膜9をコーティングしたフィルム2を使用して、該金属膜9上に塗布されたノンフラックス半田10によりフィルム2を保持部材3にノンフラックス半田付けするとよい。また、大面積の基板上の複数領域に薄膜パターン群を形成する場合には、図6に示すように、基板上の上記複数領域に対応したフィルム2の複数領域11の周縁部に金属膜9をコーティングし、該金属膜9上に上記各領域11を囲んでノンフラックス半田10を塗布したフィルム2を使用するとよい。このようなフィルム2と保持部材3とをノンフラックス半田付けして形成したマスク1を使用すれば、例えば薄膜パターンを真空蒸着して形成する際に半田からアウトガスが発生せず、例えば有機EL表示用基板の製造時に、アウトガスの不純物により有機EL層がダメージを受けるおそれがない。なお、図5及び図6に示す符号12は、保持部材3に形成されたマスク側アライメントマークに対応して形成された開口であり、フィルム2を通して基板上の基板側アライメントマークを観察可能にするためのものである。上記面接合には、保持部材3にフィルム状の樹脂を圧着させる方法、保持部材3にフィルム状の樹脂を接着させる方法、半乾燥状態の樹脂溶液に保持部材3を圧着する方法、又は保持部材3に溶液状の樹脂をコーティングする方法等が含まれる。詳細には、上記フィルム状の樹脂を圧着させる方法には、熱可塑性のフィルム2や表面に融着性処理が施されたフィルム2に保持部材3を熱圧着する方法や、フィルム2の表面を改質処理して保持部材3を熱圧着する方法がある。この場合、フィルム2の表面にカルボキシル基-COOHやカルボニル基-COO等を形成して表面の改質を行えば、金属製の保持部材3との界面における化学結合により接着が可能となる。又は、フィルム2の表面を大気圧プラズマ又は減圧プラズマ中でプラズマ処理したり、アルカリ溶液でフィルム2の表面をウェットエッチングしたりしてフィルム2の表面を改質してもよい。また、保持部材3にフィルム状の樹脂を接着させる方法には、溶剤を含まない、又は溶剤を極めて少ない量だけ含む硬化性樹脂により接着する方法があり、前述のノンフラックス半田による接着方法もこれに含まれる。次いで、図4cに示すように、マスク用部材8を基準パターン12を形成した基板13例えば、有機EL表示用TFT基板のダミー基板上に載置した後、マスク側アライメントマーク6と図示省略の基板側アライメントマークとを例えば顕微鏡により観察しながら、各マークが一定の位置関係を成すように調整してマスク用部材8と基板13との位置合わせを行う。続いて、波長が400nm以下の、例えばKrF248nmのエキシマレーザを使用して、図4dに示すように、保持部材3の開口部5内に位置するフィルム2の部分で、上記基板13の基準パターン12上の薄膜パターン形成領域に対応したフィルム2の部分にエネルギー密度が1J/cm2~20J/cm2のレーザ光Lを照射し、図7に拡大して示すように当該部分に2μm程度の薄い層を残して一定深さの凹部14を形成する。このような紫外線のレーザ光Lを使用すれば、レーザ光Lの光エネルギーによりフィルム2の炭素結合が一瞬のうちに破壊されて除去されるため、残渣の無いクリーンな穴あけ加工を行うことができる。その後、図4eに示すように、公知の技術を使用してフィルム2面をウェットエッチング又はドライエッチングし、上記凹部14を貫通させて開口パターン4を形成する。これにより、本発明のマスク1が完成する。なお、上記実施形態においては、フィルム2の開口パターン4の形成をレーザ光Lを使用して行う場合について説明したが、本発明はこれに限られず、公知のフォトリソグラフィー技術を使用して行ってもよい。即ち、フィルム2面にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを使用してこのフォトレジストを露光することによりレジストマスクを形成し、該レジストマスクを使用して上記フィルム2をウェットエッチング又はドライエッチングして開口パターン4を形成してもよい。次に、本発明のマスク1を使用して行う有機EL表示用基板の製造について、図8を参照して説明する。ここでは、R赤色有機EL層を形成する場合について説明する。先ず、第1ステップにおいては、図8aに示すようにTFT基板15上にマスク1を載置し、マスク1に形成されたマスク側アライメントマーク6とTFT基板15に予め形成された図示省略の基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが予め定められた位置関係となるように調整してマスク1とTFT基板15とを位置合わせする。これにより、同図aに示すように、マスク1の開口パターン4がTFT基板15のR対応のアノード電極16R上に合致することになる。第2ステップにおいては、マスク1とTFT基板15とを密着させた状態で例えば真空蒸着装置の真空槽内に設置し、図8bに示すように、TFT基板15のR対応のアノード電極16R上にマスク1の開口パターン4を介して正孔注入層、正孔輸送層、R発光層、電子輸送層等の積層構造となるように順次成膜してR有機EL層17を蒸着形成する。このとき、G対応及びB対応のアノード電極16G,16Bに通電して各アノード電極16G,16Bに一定電圧を印加した状態で真空蒸着を行えば、マスク1のフィルム2がG対応及びB対応のアノード電極16G,16Bに静電吸着されて固定されるため、マスク1が動いてマスク1の開口パターン4とTFT基板15のR対応のアノード電極16Rとの位置ずれが生ずるおそれが無い。また、マスク1のフィルム2がTFT基板15面に密着してフィルム2の下面とTFT基板15の上面との間に隙間が生じるおそれが無いため、該隙間に蒸着分子が回り込んで付着し薄膜パターンの形成精度を悪くするという問題も回避することができる。第3ステップにおいては、図8cに示すように、マスク1の縁部を同図に矢印で示すように上方に持ち上げてマスク1をTFT基板15面から機械的に剥離する。これにより、R対応のアノード電極16R上にR有機EL層17が残りR有機EL層17の形成工程が終了する。この場合、フィルム2の厚みが約10μm~30μmであるのに対してR有機EL層17の厚みは100nm程度であるので、フィルム2の開口パターン4の側壁に付着するR有機EL層17の厚みは極薄いため、マスク1を剥離する際にフィルム2とR対応のアノード電極16R上のR有機EL層17とが容易に分離する。したがって、マスク1を剥離する際にR対応のアノード電極16R上のR有機EL層17が剥離するおそれがない。なお、G対応及びB対応のアノード電極16G,16Bに電圧を印加させてマスク1をTFT基板15面に静電吸着させた場合には、マスク1を剥離する際に、各アノード電極16G,16Bの印加電圧をオフするか、又は逆極性の電圧を印加してやるとよい。これにより、マスク1の剥離を容易に行うことができる。以降、上述と同様にして、G対応及びB対応のアノード電極16G,16B上に対応色の有機EL層17を夫々形成する。その後、TFT基板15上にITOIndiumTinOxideの透明導電膜を形成し、さらにその上に透明な保護基板を接着して有機EL表示装置が形成される。なお、本発明のマスク1は、有機EL層17の形成に限られず、高精細な薄膜パターンを形成しようとするものであれば、液晶表示装置のカラーフィルターの形成、又は半導体基板の配線パターンの形成等、如何なるものにも適用することができる。"