ベース板及び該ベース板上に形成された下層絶縁膜を準備する下層絶縁膜準備工程と、前記下層絶縁膜上に、半導体基板および該半導体基板下に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を、前記複数の外部接続用電極が前記下層絶縁膜によって覆われるように配置して、固着する半導体構成体固着工程と、前記半導体構成体の周囲における前記下層絶縁膜上に絶縁層を形成し、且つ、前記絶縁層の上面側に枠状の絶縁基板を埋め込む絶縁基板埋込工程と、前記ベース板を除去するベース板除去工程と、該ベース板除去工程の後に、前記下層絶縁膜下に下層配線を該下層絶縁膜に形成された開口部を介して前記半導体構成体の外部接続用電極に接続させて形成する下層配線形成工程と、前記半導体構成体間における前記下層絶縁膜、前記絶縁層および前記絶縁基板を切断して半導体装置を複数個得る半導体装置個片化工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の発明において、前記下層絶縁膜準備工程は、前記ベース板上に形成された既硬化の前記下層絶縁膜を準備することを含み、前記絶縁基板埋込工程は、前記半導体構成体の周囲における前記下層絶縁膜上に半硬化の前記絶縁層を形成し、且つ、前記絶縁層を加熱加圧することによって該絶縁層が前記絶縁基板と前記半導体構成体との間の隙間に充填されて、該絶縁層の上面側に枠状の前記絶縁基板を埋め込むことを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1又は2に記載の発明において、前記絶縁基板上には上層配線が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項3に記載の発明において、前記絶縁基板埋込工程は、一方の面に別の下層配線、他方の面に前記上層配線、および、該別の下層配線と該上層配線とを接続する導通部が予め形成されている前記絶縁基板を準備する絶縁基板準備工程を含み、該一方の面を前記絶縁層に向けるようにして該絶縁層の上面側に前記絶縁基板を埋め込むことを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項4に記載の発明において、前記下層配線形成工程は、前記下層配線の形成と同時に、前記下層絶縁膜下に前記下層配線を該下層絶縁膜に形成された別の開口部を介して前記別の下層配線に接続させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項3乃至5の何れか一項に記載の発明において、前記下層配線形成工程は、前記下層絶縁膜にレーザビームの照射により前記開口部を形成する開口部形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項5に記載の発明において、前記下層配線形成工程は、前記下層絶縁膜にレーザビームの照射により前記開口部及び前記別の開口部を同時に形成することを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項3乃至7の何れか一項に記載の発明において、前記ベース板除去工程の前に、前記上層配線上及び前記絶縁基板上に保護フィルムを貼り付ける保護フィルム貼付工程を含み、前記下層配線形成工程の後に、前記保護フィルムを剥離する保護フィルム剥離工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項3乃至7の何れか一項に記載の発明において、前記絶縁基板準備工程は、前記上層配線上及び前記絶縁基板上に、前記上層配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有する上層オーバーコート膜が予め形成されている前記絶縁基板を準備することを含み、前記ベース板除去工程の前に、前記上層オーバーコート膜上に保護フィルムを貼り付ける保護フィルム貼付工程を含み、前記下層配線形成工程の後に、前記保護フィルムを剥離する保護フィルム剥離工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項9に記載の発明において、前記下層絶縁膜準備工程は、金属からなる前記ベース板、該ベース板上に形成された保護金属層、該保護金属層上に形成された下地金属層および該下地金属層上に形成された前記下層絶縁膜を準備することを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項10に記載の発明において、前記ベース板を除去する工程は、前記保護金属層を除去することを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項11に記載の発明において、前記ベース板、前記下地金属層は銅からなり、前記保護金属層はニッケルからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項10乃至12の何れか一項に記載の発明において、前記下層絶縁膜準備工程は、前記下地金属層のうちの前記下層絶縁膜に接触する面に予め表面粗化処理を施す表面粗化処理工程を含み、樹脂を含む材料によって前記下層絶縁膜を形成することを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項10乃至13の何れか一項に記載の発明において、前記下層配線形成工程は、前記下地金属層下に別の下地金属層を形成し、前記別の下地金属層下に電解メッキにより上部金属層を形成する金属層形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項14に記載の発明において、前記ベース板、前記下地金属層、前記別の下地金属層および前記上部金属層は銅からなり、前記保護金属層はニッケルからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項4に記載の発明において、前記ベース板除去工程の後に、前記下層絶縁膜、前記絶縁層および前記絶縁基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程を含み、前記下層配線形成工程は、前記下層配線の形成と同時に、前記絶縁基板上に前記上層配線を形成し、且つ、前記貫通孔内に前記下層配線および前記上層配線に接続するように導通部を形成することを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項16に記載の発明において、前記貫通孔形成工程は、前記絶縁層および前記絶縁基板に機械的に前記貫通孔を形成することを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1乃至17の何れか一項に記載の発明において、前記ベース板を除去する工程は、エッチングによる方法であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1乃至18の何れか一項に記載の発明において、前記ベース板は金属箔からなり、前記ベース板を除去する工程は、エッチング液を用いたウエットエッチングによる方法であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1乃至19の何れか一項に記載の発明において、前記下層絶縁膜上に前記半導体構成体を固着する工程は、前記下層絶縁膜上に接着材を予め供給し、前記半導体構成体を前記下層絶縁膜上に加熱加圧する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1乃至20の何れか一項に記載の発明において、前記下層絶縁膜上に前記半導体構成体を固着する工程は、前記下層絶縁膜上に接着シートを予め供給し、前記半導体構成体を前記下層絶縁膜上に加熱加圧する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。しかしながら、上記従来の半導体装置では、ベース板を用いているため、装置全体が厚くなってしまうという問題があった。そこで、この発明は、外部接続用電極の配置領域が半導体構成体の平面サイズよりも大きいFan-outものにおいて、薄型化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。この発明に係る半導体装置の製造方法は、ベース板及び該ベース板上に形成された下層絶縁膜を準備する下層絶縁膜準備工程と、前記下層絶縁膜上に、半導体基板および該半導体基板下に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を、前記複数の外部接続用電極が前記下層絶縁膜によって覆われるように配置して、固着する半導体構成体固着工程と、前記半導体構成体の周囲における前記下層絶縁膜上に絶縁層を形成し、且つ、前記絶縁層の上面側に枠状の絶縁基板を埋め込む絶縁基板埋込工程と、前記ベース板を除去するベース板除去工程と、該ベース板除去工程の後に、前記下層絶縁膜下に下層配線を該下層絶縁膜に形成された開口部を介して前記半導体構成体の外部接続用電極に接続させて形成する下層配線形成工程と、前記半導体構成体間における前記下層絶縁膜、前記絶縁層および前記絶縁基板を切断して半導体装置を複数個得る半導体装置個片化工程とを備えることを特徴とする。好ましくは、前記下層絶縁膜準備工程は、前記ベース板上に形成された既硬化の前記下層絶縁膜を準備することを含み、前記絶縁基板埋込工程は、前記半導体構成体の周囲における前記下層絶縁膜上に半硬化の前記絶縁層を形成し、且つ、前記絶縁層を加熱加圧することによって該絶縁層が前記絶縁基板と前記半導体構成体との間の隙間に充填されて、該絶縁層の上面側に枠状の前記絶縁基板を埋め込むことを含む。好ましくは、前記絶縁基板上には上層配線が形成されている。好ましくは、前記絶縁基板埋込工程は、一方の面に別の下層配線、他方の面に前記上層配線、および、該別の下層配線と該上層配線とを接続する導通部が予め形成されている前記絶縁基板を準備する絶縁基板準備工程を含み、該一方の面を前記絶縁層に向けるようにして該絶縁層の上面側に前記絶縁基板を埋め込むことを含む。好ましくは、前記下層配線形成工程は、前記下層配線の形成と同時に、前記下層絶縁膜下に前記下層配線を該下層絶縁膜に形成された別の開口部を介して前記別の下層配線に接続させて形成する。好ましくは、前記下層配線形成工程は、前記下層絶縁膜にレーザビームの照射により前記開口部を形成する開口部形成工程を含む。好ましくは、前記下層配線形成工程は、前記下層絶縁膜にレーザビームの照射により前記開口部及び前記別の開口部を同時に形成することを含む。好ましくは、前記ベース板除去工程の前に、前記上層配線上及び前記絶縁基板上に保護フィルムを貼り付ける保護フィルム貼付工程を含み、前記下層配線形成工程の後に、前記保護フィルムを剥離する保護フィルム剥離工程を含む。好ましくは、前記絶縁基板準備工程は、前記上層配線上及び前記絶縁基板上に、前記上層配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有する上層オーバーコート膜が予め形成されている前記絶縁基板を準備することを含み、前記ベース板除去工程の前に、前記上層オーバーコート膜上に保護フィルムを貼り付ける保護フィルム貼付工程を含み、前記下層配線形成工程の後に、前記保護フィルムを剥離する保護フィルム剥離工程を含む。好ましくは、前記下層絶縁膜準備工程は、金属からなる前記ベース板、該ベース板上に形成された保護金属層、該保護金属層上に形成された下地金属層および該下地金属層上に形成された前記下層絶縁膜を準備することを含む。好ましくは、前記ベース板を除去する工程は、前記保護金属層を除去することを含む。好ましくは、前記ベース板、前記下地金属層は銅からなり、前記保護金属層はニッケルからなる。好ましくは、前記下層絶縁膜準備工程は、前記下地金属層のうちの前記下層絶縁膜に接触する面に予め表面粗化処理を施す表面粗化処理工程を含み、樹脂を含む材料によって前記下層絶縁膜を形成することを含む。好ましくは、前記下層配線形成工程は、前記下地金属層下に別の下地金属層を形成し、前記別の下地金属層下に電解メッキにより上部金属層を形成する金属層形成工程を含む。好ましくは、前記ベース板、前記下地金属層、前記別の下地金属層および前記上部金属層は銅からなり、前記保護金属層はニッケルからなる。好ましくは、前記ベース板除去工程の後に、前記下層絶縁膜、前記絶縁層および前記絶縁基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程を含み、前記下層配線形成工程は、前記下層配線の形成と同時に、前記絶縁基板上に前記上層配線を形成し、且つ、前記貫通孔内に前記下層配線および前記上層配線に接続するように導通部を形成することを含む。好ましくは、前記貫通孔形成工程は、前記絶縁層および前記絶縁基板に機械的に前記貫通孔を形成することを含む。好ましくは、前記ベース板を除去する工程は、エッチングによる方法である。好ましくは、前記ベース板は金属箔からなり、前記ベース板を除去する工程は、エッチング液を用いたウエットエッチングによる方法である。好ましくは、前記下層絶縁膜上に前記半導体構成体を固着する工程は、前記下層絶縁膜上に接着材を予め供給し、前記半導体構成体を前記下層絶縁膜上に加熱加圧する工程を含む。好ましくは、前記下層絶縁膜上に前記半導体構成体を固着する工程は、前記下層絶縁膜上に接着シートを予め供給し、前記半導体構成体を前記下層絶縁膜上に加熱加圧する工程を含む。この発明によれば、半導体構成体下およびその周囲に設けられた下層絶縁膜下に下層配線を半導体構成体の外部接続用電極に接続させて設けているので、ファンアウト端子構造とすることができ、しかもベース板を備えていないので、薄型化することができる。第1実施形態図1はこの発明の第1実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置はエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなる平面方形状の下層絶縁膜1を備えている。下層絶縁膜1の上面中央部には半導体構成体2がエポキシ系樹脂等からなる接着層3を介して搭載されている。この場合、下層絶縁膜1の平面サイズは半導体構成体2の平面サイズよりも大きくなっている。半導体構成体2は平面方形状のシリコン基板半導体基板4を備えている。シリコン基板4の下面4aには所定の機能の集積回路図示せずが設けられ、下面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド5が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド5の中央部を除くシリコン基板4の下面には酸化シリコン等からなる絶縁膜6が設けられ、接続パッド5の中央部は絶縁膜6に設けられた開口部7を介して露出されている。絶縁膜6の下面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜8が設けられている。絶縁膜6の開口部7に対応する部分における保護膜8には開口部9が設けられている。保護膜8の下面には配線10が設けられている。配線10は、保護膜8の下面に設けられた銅からなる下地金属層11と、下地金属層11の下面に設けられた銅からなる上部金属層12との2層構造となっている。配線10の一端部は、絶縁膜6および保護膜8の開口部7、9を介して接続パッド5に接続されている。配線10の接続パッド部下面には銅からなる柱状電極外部接続用電極13が設けられている。配線10を含む保護膜8の下面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜14がその下面が柱状電極13の下面と面一となるように設けられている。そして、半導体構成体2は、その柱状電極13および封止膜14の下面がエポキシ系樹脂等からなる接着層3を介して下層絶縁膜1の上面中央部に接着されていることにより、下層絶縁膜1の上面中央部に搭載されている。半導体構成体2の柱状電極13の下面中央部に対応する部分における下層絶縁膜1および接着層3には開口部21が設けられている。下層絶縁膜1の下面には下層配線22が設けられている。下層配線22は、下層絶縁膜1の下面に設けられた銅からなる下地金属層23と、下地金属層23の下面に設けられた銅からなる下部金属層24との2層構造となっている。下層配線22の一端部は、下層絶縁膜1および接着層3の開口部21を介して半導体構成体2の柱状電極13に接続されている。下層配線22を含む下層絶縁膜1の下面にはソルダーレジスト等からなる下層オーバーコート膜25が設けられている。下層配線22の接続パッド部に対応する部分における下層オーバーコート膜25には開口部26が設けられている。下層オーバーコート膜25の開口部26内およびその下方には半田ボール27が下層配線22の接続パッド部に接続されて設けられている。接着層3を含む半導体構成体2の周囲における下層絶縁膜1の上面には絶縁層31が設けられている。絶縁層31は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなっている。絶縁層31の上面側にはガラス布基材エポキシ樹脂等からなる方形枠状の絶縁基板32が埋め込まれている。換言すれば、半導体構成体2の周囲には方形枠状の絶縁基板32が間隔をおいて配置され、接着層3を含む半導体構成体2と絶縁基板32との間および絶縁基板32と下層絶縁膜1との間には絶縁層31が設けられている。絶縁基板32の下面には銅箔からなる中間下層配線33が設けられ、上面には銅箔からなる上層配線34が設けられている。中間下層配線33と上層配線34とは、絶縁基板32に設けられた貫通孔35内に充填された導電性ペースト等からなる上下導通部36を介して接続されている。下層配線22の所定の箇所は、下層絶縁膜1および絶縁層31に設けられた開口部37を介して中間下層配線33の接続パッド部に接続されている。上層配線33を含む絶縁基板32の上面にはソルダーレジスト等からなる上層オーバーコート膜38が設けられている。上層配線33の接続パッド部に対応する部分における上層オーバーコート膜38には開口部39が設けられている。この場合、半導体構成体2のシリコン基板4の上面および半導体構成体2と絶縁基板32との間に設けられた絶縁層31の上面には上層オーバーコート膜38は設けられていない。次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図2に示すように、銅箔金属箔からなるベース板41の上面にエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなる下層絶縁膜1が形成されたものを用意する。この場合、この用意したもののサイズは、図1に示す完成された半導体装置を複数個形成することが可能なサイズとなっている。また、下層絶縁膜1中のエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂は既に硬化されている。また、半導体構成体2を用意する。この半導体構成体2は、ウエハ状態のシリコン基板4下に集積回路図示せず、アルミニウム系金属等からなる接続パッド5、酸化シリコン等からなる絶縁膜6、ポリイミド系樹脂等からなる保護膜8、配線10銅からなる下地金属層11および銅からなる上部金属層12、銅からなる柱状電極13およびエポキシ系樹脂等からなる封止膜14を形成した後、ダイシングにより個片化することにより得られる。次に、下層絶縁膜1の上面の半導体構成体搭載領域に、半導体構成体2の柱状電極13および封止膜14の下面をエポキシ系樹脂等からなる接着層3を介して接着することにより、半導体構成体2を搭載する。この場合、下層絶縁膜1の上面の半導体構成体搭載領域に、NCPといわれる接着材を印刷法やディスペンサ等を用いて、またはNCFといわれる接着シートを予め供給しておき、加熱圧着により半導体構成体2を下層絶縁膜1に固着する。次に、図3に示すように、銅箔からなる中間下層配線33、銅箔からなる上層配線34、導電性ペースト等からなる上下導通部36およびソルダーレジスト等からなる上層オーバーコート膜38を備えたガラス布基材エポキシ樹脂等からなる格子状の絶縁基板32を用意する。この場合、格子状の絶縁基板32には複数の方形状の開口部42が形成されている。絶縁基板32中のエポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂は既に硬化されている。上層配線34の接続パッド部に対応する部分における上層オーバーコート膜38には開口部39が形成されている。そして、接着層3を含む半導体構成体2の周囲における下層絶縁膜1の上面に格子状の絶縁層形成用シート31aおよび格子状の絶縁基板32をピン等で位置決めしながら配置する。絶縁層形成用シート31aは、ガラス布等からなる基材にエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしてシート状となし、パンチング等により複数の方形状の開口部43を形成したものである。絶縁基板32および絶縁層形成用シート31aの開口部42、43のサイズは半導体構成体2のサイズよりもやや大きくなっている。このため、絶縁基板32および絶縁層形成用シート31aと半導体構成体2との間には隙間44が形成されている。次に、図4に示すように、一対の加熱加圧板45、46を用いて上下から絶縁層形成用シート31aを加熱加圧する。この加熱加圧により、絶縁層形成用シート31a中の熱硬化性樹脂が流動して隙間44に充填され、その後の冷却により固化して、接着層3を含む半導体構成体2の周囲における下層絶縁膜1の上面に絶縁層31が形成され、且つ、絶縁層31の上面側に格子状の絶縁基板32が埋め込まれる。この場合、下層絶縁膜1および絶縁基板32は、そのうちの熱硬化性樹脂が予め硬化されているため、加熱加圧されてもほとんど変形しない。ソルダーレジスト等からなる上層オーバーコート膜38もほとんど変形しない。ここで、半導体構成体2と絶縁基板32との間に形成された絶縁層31の上面は、半導体構成体2のシリコン基板4の上面と同じかそれよりもやや下側に位置するようにすることが望ましい。すなわち、半導体構成体2のシリコン基板4の上面に絶縁層31が形成されないようにすることが望ましい。また、絶縁基板32は、必ずしもその上面が半導体構成体2のシリコン基板4の上面と面一となるように埋め込む必要はない。次に、図5に示すように、上層オーバーコート膜38の開口部39を介して露出された上層配線34の接続パッド部を保護するため、上層オーバーコート膜38の上面に保護フィルム47をその下面に設けられた粘着層48を介して貼り付ける。次に、ベース板41をエッチング液を用いたウエットエッチングにより除去すると、図6に示すように、下層絶縁膜1の下面が露出される。この場合、上層オーバーコート膜38の開口部39を介して露出された上層配線34の接続パッド部は、保護フィルム47によって覆われているので、エッチングされない。そして、この状態では、ベース板41を除去しても、下層絶縁膜1、絶縁層31および絶縁基板32の存在により、強度を十分に確保することができる。次に、図7に示すように、半導体構成体2の柱状電極13の下面中央部に対応する部分における下層絶縁膜1および接着層3に、レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部21を形成する。また、中間下層配線33の接続パッド部に対応する部分における下層絶縁膜1および絶縁層31に、レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部37を形成する。次に、図8に示すように、下層絶縁膜1および接着層3の開口部21を介して露出された半導体構成体2の柱状電極13の下面と下層絶縁膜1および絶縁層31の開口部37を介して露出された中間下層配線33の接続パッド部下面とを含む下層絶縁膜1の下面全体に、銅の無電解メッキにより、下地金属層23を形成する。次に、下地金属層23をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、下地金属層23の下面に下部金属層24を形成する。次に、フォトリソグラフィ法により、下部金属層24および下地金属層23をパターニングすると、図9に示すようになる。すなわち、下層絶縁膜1の下面に、下地金属層23および下部金属層24からなる2層構造の下層配線22が形成される。この場合、上層オーバーコート膜38の開口部39を介して露出された上層配線34の接続パッド部は、保護フィルム47によって覆われているので、エッチングされない。次に、粘着層48を含む保護フィルム47を剥離する。次に、図10に示すように、下層配線22を含む下層絶縁膜1の下面に、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、ソルダーレジスト等からなる下層オーバーコート膜25を形成する。次に、下層配線22の接続パッド部に対応する部分における下層オーバーコート膜25に、レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部26を形成する。次に、下層オーバーコート膜25の開口部26内およびその下方に半田ボール27を下層配線22の接続パッド部に接続させて形成する。次に、互いに隣接する半導体構成体2間において、下層オーバーコート膜25、下層絶縁膜1、絶縁層31、絶縁基板32および上層オーバーコート膜38を切断すると、図1に示す半導体装置が複数個得られる。このようにして得られた半導体装置では、半導体構成体2下およびその周囲に設けられた下層絶縁膜1下に下層配線22を半導体構成体2の柱状電極13に接続させて設けているので、半田ボール外部接続用電極27の配置領域が半導体構成体2の平面サイズよりも大きいFan-outとすることができ、しかもベース板41を備えていないので、薄型化することができる。なお、ベース板41はアルミニウム等の他の金属によって形成してもよい。また、この半導体装置では、半導体構成体2の周囲に配置された方形枠状の絶縁基板32の上面に上層配線34を設けているので、半導体構成体2の上面側に上層絶縁膜を設け、この上層絶縁膜の上面に上層配線を設ける場合と比較して、上層絶縁膜を備えていない分だけ、より一層薄型化することができる。ところで、図8に示す工程において、下地金属層23を形成した後に、図11に示すようにしてもよい。すなわち、下地金属層23の下面にメッキレジスト膜49をパターン形成する。この場合、下部金属層24形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜49には開口部50が形成されている。次に、下地金属層23をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜49の開口部50内の下地金属層23の下面に下部金属層24を形成する。次に、メッキレジスト膜49を剥離し、次いで、下部金属層24をマスクとして下地金属層23の不要な部分をエッチングして除去すると、図9に示すように、下部金属層24上にのみ下地金属層23が残存される。第2実施形態図12はこの発明の第2実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体2のシリコン基板4の上面、上層配線34を含む絶縁基板32の上面およびその間に設けられた絶縁層31の上面にソルダーレジスト等からなる上層オーバーコート膜38を設けた点である。この場合も、上層配線34の接続パッド部に対応する部分における上層オーバーコート膜38には開口部39が設けられている。次に、この半導体装置の製造方法の一例について簡単に説明する。まず、図4に示すような工程において、絶縁基板32の上面に上層オーバーコート膜38は形成されていない。そして、図5に示すような工程において、上層配線34を含む絶縁基板32の上面に保護フィルム47をその下面に設けられた粘着層48を介して貼り付ける。次に、図9に示すような工程において、配線22を形成した後に、粘着層48を含む保護フィルム47を剥離する。次に、図10に示すような工程において、下層オーバーコート膜25を形成し、且つ、図12に示す上層オーバーコート膜38を形成する。このように、この半導体装置の製造方法では、上層オーバーコート膜38は、半田ボール27を形成する直前において、下層オーバーコート膜25の形成とほぼ同時に形成される。したがって、上層オーバーコート膜38は、図12に示すように形成することも、図1に示すように形成することもできる。上層オーバーコート膜38を図12に示すように形成した場合には、半導体構成体2のシリコン基板4の上面を外部雰囲気からの破損や汚染等から保護することができる。第3実施形態図13はこの発明の第3実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、下層配線22を、銅からなる第1の下地金属層23a、銅からなる第2の下地金属層23bおよび銅からなる下部金属層24の3層構造とした点である。この場合、半導体構成体2の柱状電極13の下面中央部に対応する部分における第1の下地金属層23a、下層絶縁膜1および接着層3には開口部21が設けられている。次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図14に示すように、銅箔からなるベース板41の上面に無電解ニッケルメッキからなる保護金属層51、無電解銅メッキからなる第1の下地金属層23aおよびエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなる下層絶縁膜1が形成されたものを用意する。この場合も、この用意したもののサイズは、図13に示す完成された半導体装置を複数個形成することが可能なサイズとなっている。また、下層絶縁膜1中のエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂は既に硬化されている。ここで、第1の下地金属層23aの上面は、該上面に形成される樹脂を含む材料からなる下層絶縁膜1との密着性を良くするため、予め表面粗化処理を施すことにより粗化面となっている。この点が上記第1実施形態の場合と大きく異なる点である。ここで、表面疎化処理の一例として、第1の下地金属層23aの上面を、適宜なエッチング液に浸漬する方法が挙げられるが、この方法に限定されるものではない。次に、下層絶縁膜1の上面の半導体構成体搭載領域に、半導体構成体2の柱状電極13および封止膜14の下面をエポキシ系樹脂等からなる接着層3を介して接着することにより、半導体構成体2を搭載する。この場合も、NCPといわれる接着材、またはNCFといわれる接着シートを、下層絶縁膜1の上面の半導体構成体搭載領域に予め供給しておき、加熱圧着により半導体構成体2を下層絶縁膜1に固着する。次に、図15に示すように、接着層3を含む半導体構成体2の周囲における下層絶縁膜1の上面に格子状の絶縁層形成用シート31aおよび格子状の絶縁基板32をピン等で位置決めしながら配置する。この場合も、絶縁層形成用シート31aは、ガラス布等からなる基材にエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしてシート状となし、パンチング等により複数の方形状の開口部43を形成したものである。絶縁基板32には、中間下層配線33、上層配線34、上下導通部36および上層オーバーコート膜38が形成されている。絶縁基板32および絶縁層形成用シート31aの開口部42、43のサイズは半導体構成体2のサイズよりもやや大きくなっている。このため、絶縁基板32および絶縁層形成用シート31aと半導体構成体2との間には隙間44が形成されている。次に、図16に示すように、一対の加熱加圧板45、46を用いて上下から絶縁層形成用シート31aを加熱加圧する。この加熱加圧により、絶縁層形成用シート31a中の熱硬化性樹脂が流動して隙間44に充填され、その後の冷却により固化して、接着層3を含む半導体構成体2の周囲における下層絶縁膜1の上面に絶縁層31が形成され、且つ、絶縁層31の上面側に絶縁基板32が埋め込まれる。次に、図17に示すように、上層オーバーコート膜38の上面に保護フィルム47をその下面に設けられた粘着層48を介して貼り付ける。次に、ベース板41および保護金属層51をエッチングにより連続して除去すると、図18に示すように、第1の下地金属層23aの下面が露出される。この場合、上層オーバーコート膜38の開口部39を介して露出された上層配線34の接続パッド部は、保護フィルム47によって覆われているので、エッチングされない。また、ニッケルからなる保護金属層51は、銅からなるベース板41をエッチングにより除去するとき、同じく銅からなる第1の下地金属層23aがエッチングされないように保護するためのものである。そして、この状態では、ベース板41および保護金属層51を除去しても、下層絶縁膜1、絶縁層31および絶縁基板32の存在により、強度を十分に確保することができる。次に、図19に示すように、半導体構成体2の柱状電極13の下面中央部に対応する部分における第1の下地金属層23a、下層絶縁膜1および接着層3に、レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部21を形成する。また、中間下層配線33の接続パッド部に対応する部分における第1の下地金属層23a、下層絶縁膜1および絶縁層31に、レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部37を形成する。次に、図20に示すように、第1の下地金属層23a、下層絶縁膜1および接着層3の開口部21を介して露出された半導体構成体2の柱状電極13の下面と第1の下地金属層23a、下層絶縁膜1および絶縁層31の開口部37を介して露出された中間下層配線33の接続パッド部下面とを含む第1の下地金属層23aの下面全体に、銅の無電解メッキにより、第2の下地金属層23bを形成する。次に、第1、第2の下地金属層23a、23bをメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、第2の下地金属層23bの下面に下部金属層24を形成する。次に、フォトリソグラフィ法により、下部金属層24および第1、第2の下地金属層23a、23bをパターニングすると、図21に示すようになる。すなわち、下層絶縁膜1の下面に、第1、第2の下地金属層23a、23bおよび下部金属層24からなる3層構造の下層配線22が形成される。この場合、上層オーバーコート膜38の開口部39を介して露出された上層配線34の接続パッド部は、保護フィルム47によって覆われているので、エッチングされない。次に、粘着層48を含む保護フィルム47を剥離する。以下、上記第1実施形態の場合と同様の工程を経ると、図13に示す半導体装置が複数個得られる。第4実施形態図22はこの発明の第4実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と大きく異なる点は、絶縁基板32の部分をいわゆる両面配線構造とせずに、下層絶縁膜1の下面に設けられた下層配線22と絶縁基板32の上面に設けられた上層配線61とを、下層絶縁膜1、絶縁層31および絶縁基板32に設けられた貫通孔64の内壁面に設けられた上下導通部65を介して接続した点である。次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図23に示すように、銅箔からなるベース板51の上面にエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなる下層絶縁膜1が形成されたものを用意する。この場合も、この用意したもののサイズは、図22に示す完成された半導体装置を複数個形成することが可能なサイズとなっている。また、下層絶縁膜1中のエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂は既に硬化されている。次に、下層絶縁膜1の上面の半導体構成体搭載領域に、半導体構成体2の柱状電極13および封止膜14の下面をエポキシ系樹脂等からなる接着層3を介して接着することにより、半導体構成体2を搭載する。この場合も、下層絶縁膜1の上面の半導体構成体搭載領域に、NCPといわれる接着材を印刷法やディスペンサ等を用いて、またはNCFといわれる接着シートを予め供給しておき、加熱圧着により半導体構成体2を下層絶縁膜1に固着する。次に、接着層3を含む半導体構成体2の周囲における下層絶縁膜1の上面に格子状の絶縁層形成用シート31aおよび格子状の絶縁基板32をピン等で位置決めしながら配置する。この場合も、絶縁層形成用シート31aは、ガラス布等からなる基材にエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしてシート状となし、パンチング等により複数の方形状の開口部43を形成したものである。絶縁基板32および絶縁層形成用シート31aの開口部42、43のサイズは半導体構成体2のサイズよりもやや大きくなっている。このため、絶縁基板32および絶縁層形成用シート31aと半導体構成体2との間には隙間44が形成されている。ここで、絶縁基板32の上面全体には銅箔からなるサブベース板71が設けられている。次に、図24に示すように、一対の加熱加圧板45、46を用いて上下から絶縁層形成用シート31aを加熱加圧する。この加熱加圧により、絶縁層形成用シート31a中の熱硬化性樹脂が流動して隙間44に充填され、その後の冷却により固化して、接着層3を含む半導体構成体2の周囲における下層絶縁膜1の上面に絶縁層31が形成され、且つ、絶縁層31の上面側に絶縁基板32が埋め込まれる。ここで、絶縁層形成用シート31aの上下に既硬化の熱硬化性樹脂を含む絶縁基板32および下層絶縁膜1を配置し、その上下に銅箔からなるサブベース板71およびベース板41を配置しているので、その厚さ方向の材料構成が対称的となり、絶縁層形成用シート31a中の熱硬化性樹脂の熱収縮に起因して発生する反りが低減される。この結果、それ以後の工程への搬送やそれ以後の工程での加工精度に支障を来しにくいようにすることができる。次に、ベース板51およびサブベース板54をエッチングにより除去すると、図25に示すように、下層絶縁膜1の下面が露出され、また絶縁基板32の上面が露出される。この状態では、ベース板51およびサブベース板54を除去しても、下層絶縁膜1、絶縁層31および絶縁基板32の存在により、強度を十分に確保することができる。次に、図26に示すように、半導体構成体2の柱状電極13の下面中央部に対応する部分における下層絶縁膜1および接着層3に、レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部21を形成する。また、下層絶縁膜1、絶縁層31および絶縁基板32の所定の箇所に、メカニカルドリルを用いて、貫通孔64を形成する。次に、図27に示すように、下層絶縁膜1および接着層3の開口部21を介して露出された半導体構成体2の柱状電極13の下面を含む下層絶縁膜1の下面全体、絶縁基板32の上面全体、半導体構成体2のシリコン基板4の上面、その間の絶縁層31の上面および貫通孔64の内壁面に、銅の無電解メッキにより、下地金属層23、62、66を形成する。次に、下地金属層23、62、66をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、下地金属層23、62、66の表面に下部金属層24、63、67を形成する。次に、フォトリソグラフィ法により、下部金属層24、63および下地金属層23、62をパターニングすると、図28に示すようになる。すなわち、下層絶縁膜1の下面に、下地金属層23および下部金属層24からなる2層構造の下層配線22が形成される。また、絶縁基板32の上面に、下地金属層62および上部金属層63からなる2層構造の上層配線61が形成される。さらに、貫通孔64の内壁面に、下地金属層66および上部金属層67からなる2層構造の上下導通部65が形成される。次に、図29に示すように、下層配線22を含む下層絶縁膜1の下面に、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、ソルダーレジスト等からなる下層オーバーコート膜25を形成する。また、上層配線61を含む絶縁基板32の上面、半導体構成体2のシリコン基板4の上面およびその間の絶縁層31の上面に、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、ソルダーレジスト等からなる上層オーバーコート膜38を形成する。この状態では、上下導通部65内にソルダーレジスト等からなる充填材68が充填されている。次に、下層配線22の接続パッド部に対応する部分における下層オーバーコート膜25に、レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部26を形成する。また、上層配線61の接続パッド部に対応する部分における上層オーバーコート膜38に、レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部37を形成する。次に、下層オーバーコート膜25の開口部26内およびその下方に半田ボール27を下層配線22の接続パッド部に接続させて形成する。次に、互いに隣接する半導体構成体2間において、下層オーバーコート膜25、下層絶縁膜1、絶縁層31、絶縁基板32および上層オーバーコート膜38を切断すると、図22に示す半導体装置が複数個得られる。このようにして得られた半導体装置でも、半導体構成体2下およびその周囲に設けられた下層絶縁膜1下に下層配線22を半導体構成体2の柱状電極13に接続させて設けているので、半田ボール外部接続用電極27の配置領域が半導体構成体2の平面サイズよりも大きいFan-outとすることができ、しかもベース板51を備えていないので、薄型化することができる。第5実施形態図30はこの発明の第5実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、絶縁基板32の上面に内周部に上層配線34の一部からなるグランド端子34aを露出させて設け、半導体構成体2のシリコン基板4の上面、その周囲における絶縁層31の上面および露出されたグランド端子34aの上面に導電性ペースト等からなる導電層72を設けた点である。このようにした場合には、半導体構成体2のシリコン基板4の上面をグランド電位とすることができ、且つ、半導体構成体2のシリコン基板4の上面側をシールド構造とすることができる。第6実施形態図31はこの発明の第6実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体2のシリコン基板4の上面、その周囲における絶縁層31の上面およびその周囲における上層オーバーコート膜38の上面に導電性ペースト等からなる熱伝導層73を設け、熱伝導層73の上面に多数のフィン74aを有する放熱部材74を設けた点である。このようにした場合には、半導体構成体2のシリコン基板4の下面に設けられた集積回路で発生する熱を熱伝導層73および放熱部材74を介して速やかに放熱することができる。この場合、上層配線34の接続パッドに対応する部分における上層オーバーコート膜38には開口部39は設けられていない。第7実施形態図32はこの発明の第7実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と大きく異なる点は、下層配線および上層配線を2層配線構造とした点である。すなわち、第1の下層絶縁膜1Aの下面に設けられた第1の下層配線22Aの一端部は、第1の下層絶縁膜1Aおよび接着層3に設けられた開口部21Aを介して半導体構成体2の柱状電極13に接続されている。また、第1の下層配線22Aは、第1の下層絶縁膜1Aおよび絶縁層31に設けられた開口部37を介して中間下層配線33の接続パッド部に接続されている。半導体構成体2の第1の下層配線22Aを含む第1の下層絶縁膜1Aの下面には、第1の下層絶縁膜1Aと同一の材料からなる第2の下層絶縁膜1Bが設けられている。第2の下層絶縁膜1Bの下面に設けられた中間下層配線33の一端部は、第2の下層絶縁膜1Bに設けられた開口部21Bを介して第1の下層配線22Aの接続パッド部に接続されている。中間下層配線33を含む第2の下層絶縁膜1Bの下面には下層オーバーコート膜25が設けられている。下層オーバーコート膜25の開口部26内およびその下方には半田ボール27が中間下層配線33の接続パッド部に接続されて設けられている。半導体構成体2のシリコン基板4の上面、その周囲における絶縁層31の上面および第1の上層配線34Aを含む絶縁基板32の上面には、第1の下層絶縁膜1Aと同一の材料からなる上層絶縁膜75が設けられている。上層絶縁膜75の上面には2層構造の第2の上層配線34Bが設けられている。第2の上層配線34Bの一端部は、上層絶縁膜75に設けられた開口部76を介して第1の上層配線34Aの接続パッド部に接続されている。第2の上層配線34Bを含む上層絶縁膜75の上面には上層オーバーコート膜38が設けられている。第2の上層配線34Bの接続パッド部に対応する部分における上層オーバーコート膜38には開口部39が設けられている。なお、下層配線および上層配線は3層以上の配線構造としてもよい。第8実施形態図33はこの発明の第8実施形態としての半導体装置の要部の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と大きく異なる点は、半導体構成体2の周囲における下層絶縁膜1の上面に抵抗やコンデンサ等からなるチップ部品81を接着層82を介して接着した点である。チップ部品81は、絶縁基板32に設けられた開口部32a内に挿通され、下層絶縁膜1上に配置される。この場合、2本の下層配線22の各一端部は、下層絶縁膜1および接着層82に形成された開口部83を介してチップ部品51の両電極84に接続されている。第9実施形態図34はこの発明の第9実施形態としての半導体装置の要部の断面図を示す。この半導体装置において、図33に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体2の周囲における下層絶縁膜1の上面に予め形成された2層構造の2つの接続パッド85上にチップ部品81を搭載した点である。この場合、チップ部品81の両電極84は2つの接続パッド85に半田86を介して接続されている。また、下層配線22は、下層絶縁膜1に形成された開口部87を介して接続パッド85に接続されている。第10実施形態図35はこの発明の第10実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体2が非接着材料からなる封止膜14を備えていない点である。すなわち、半導体構成体2の配線10および柱状電極13を含む保護膜8の下面は、直接、接着層3により覆われ、該接着層3を介して下層絶縁膜1の上面中央部に接着されている。そして、下層配線22の一端部は、下層絶縁膜22および接着層3の開口部21を介して半導体構成体2の柱状電極13に接続されている。第11実施形態図36はこの発明の第11実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図35に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体2がさらに柱状電極13を備えていない点である。したがって、この場合、半導体構成体2の配線10を含む保護膜8の下面は接着層3を介して下層絶縁膜1の上面中央部に接着されている。そして、下層配線22の一端部は、下層絶縁膜22および接着層3の開口部21を介して半導体構成体2の配線10の接続パッド部外部接続用電極に接続されている。第12実施形態図37はこの発明の第12実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図36に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体2の配線10を含む保護膜8の下面にポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂等の絶縁材からなる静電気防止用の保護膜91を設けた点である。したがって、この場合、半導体構成体2の静電気用保護膜91の下面は接着層3を介して下層絶縁膜1の上面中央部に接着されている。そして、下層配線22の一端部は、下層絶縁膜22、接着層3および保護膜91の開口部21を介して半導体構成体2の配線10の接続パッド部に接続されている。ところで、半導体構成体2を下層絶縁膜1上に搭載する前においては、保護膜91には開口部21は形成されていない。そして、開口部21を有しない保護膜91は、それ自体がウエハ状態のシリコン基板4下に形成された時点から半導体構成体2が下層絶縁膜1上に搭載される時点までにおいて、シリコン基板4下に形成された集積回路を静電気から保護するものである。