n伝導型の半導体からなる半導体層と、該半導体層に設けられNi、Alから選ばれる金属を含む下地層と、該下地層の上面および側面を覆うように設けられAuからなる電極層と、を備えてなる半導体発光素子。n伝導型の半導体からなる半導体層を形成するステップと、該半導体層の電極形成部にNi、Alから選ばれる金属を含む下地層を形成するステップと、該下地層の上面および側面にAuからなる電極層を形成するステップと、を含む半導体発光素子の製造方法。しかし、このように半導体発光素子は半導体層の上に下地層と電極層を立体的に層を積んでいくため、下地層の側面がむき出しになっており、この下地層はNiやAl等の金属から構成されているため、下地層および下地層と半導体層の界面が腐食を受け易い。本発明の目的は、上記のような事情を鑑みてなされたものであり、半導体層と電極層との間に設けられた下地層および下地層と半導体層の界面の腐食の発生を防止した半導体発光素子を提供することを目的としている。本発明は、半導体発光素子において、n伝導型の半導体からなる半導体層と、該半導体層に設けられNi、Alから選ばれる金属を含む下地層と、該下地層の上面および側面を覆うように設けられAuからなる電極層と、を備えてなるようにしたものである。本発明によれば、腐食を受け易いNiやAl等の金属から構成される下地層が腐食を受け難いAu等から構成される電極層により覆われており、下地層がむき出しにならず腐食の発生を防止可能となる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1に示すように、半導体発光素子10はサファイア基板1の上にGaN系半導体からなるn伝導型の半導体層2を形成する。そして、発光領域を形成するため、当該n伝導型の半導体層2の上にp伝導型の半導体層3を形成する。このp伝導型の半導体層3はn伝導型の半導体層と同じGaN系半導体で形成されることが好ましいが、素子を構成できるものであればこれに限定されるものではない。これらのn伝導型の半導体層2及びp伝導型の半導体層3の形成方法は特に限定されない。そして、図2のaに示すように、n伝導型の半導体層2において電極を形成する面を第1マスク6で覆い、Ni、Alを含む合金からなる下地層4を真空蒸着法やスパッタ法により形成する。次に、図2のbに示すように、下地層4の周囲に間隔が設けられた第2マスク7にてn伝導型の半導体層2を覆い、Auからなる電極層5を同様に真空蒸着法やスパッタ法により形成する。その結果、腐食を受け易いNiやAlからなる下地層の側面が腐食を受け難いAuからなる電極層により覆われ、下地層の腐食の発生が防止される。以上、本発明の半導体発光素子を実施例に沿って説明したが、本発明はこれらの実施例に限られるものではなく、種々の変更、改良、組み合わせ、利用形態等が考えられることは言うまでもない。