二酸化ハフニウムの粉末または焼結体からなる中性子吸収材で構成したことを特徴とするハフニウム酸化物中性子吸収体。制御棒ブレードに中性子吸収材充填孔を形成し、この中性子吸収材充填孔に二酸化ハフニウムの粉末または焼結体からなるハフニウム酸化物中性子吸収体を充填させたことを特徴とする原子炉用制御棒。請求項2記載のハフニウム酸化物中性子吸収体を原子炉出力制御手段の構成要素として備えたことを特徴とする沸騰水型原子炉の原子炉用制御棒。二酸化ハフニウムの粉末または焼結体からなるハフニウム酸化物中性子吸収体を制御棒ブレードを構成するシース内に収容して制御棒要素とし、この制御棒要素により原子炉出力制御を行う原子炉出力制御手段を構成したことを特徴とする沸騰水型原子炉の原子炉用制御棒。前記制御棒ブレードの制御棒構造材をジルコニウム合金とした請求項2から4のいずれか1項記載の沸騰水型原子炉の原子炉用制御棒。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、沸騰水型原子炉の制御棒において、中性子吸収材のスウェリングおよびそれに伴う制御棒構造物の破損や、炉水汚染の可能性を抑制し、安全で寿命の長いハフニウム酸化物中性子吸収体および原子炉用制御棒を提供することにある。本発明は、上述した課題を考慮し、二酸化ハフニウムの粉末または焼結体からなる中性子吸収材で構成したことを特徴とするハフニウム酸化物中性子吸収体を提供するものである。また、本発明は、上述した課題を考慮し、制御棒ブレードに中性子吸収材充填孔を形成し、この中性子吸収材充填孔に二酸化ハフニウムの粉末または焼結体からなるハフニウム酸化物中性子吸収体を充填させたことを特徴とする原子炉用制御棒を提供する。また、本発明では、前記のハフニウム酸化物中性子吸収体を原子炉出力制御手段の構成要素として備えた沸騰水型原子炉の原子炉用制御棒を提供する。本発明によれば、ハフニウム酸化物を中性子吸収材とし、この中性子吸収材をジルコニウム合金による制御棒構造物へ充填することにより、材料の化学組成やミクロ組織が中性子照射の影響により変化することにより発生する応力腐食割れである照射誘起応力腐食割れIASCCに対する感受性の低減が可能となる。また、ハフニウム酸化物中性子吸収体のスウェリング、それに伴う制御棒構造物の破損や炉水汚染の可能性を抑制することができる。以下、ハフニウム酸化物中性子吸収体およびそれを用いた原子炉用制御棒の一実施形態について、図面を参照して説明する。図1は、沸騰水型原子炉における原子炉用制御棒構成の一例として、中性子吸収材充填孔を横向きに形成した横孔充填式の原子炉用制御棒を示す部分断面図であり、この制御棒の上部構造の一部を縦断面として示している。本実施形態の原子炉用制御棒100は、炉心への挿入および引抜き等の操作が、図示しない制御棒駆動機構で行なわれるもので、4枚のブレード2と結合部材3および上部構造物支持体4を主要な構成要素とする。上部構造物支持体4の下端部には、横断面十字形の縦長な4枚の短冊状をなすブレード2...が連結されており、これらのブレード2...は内側ウィング内側を結合部材3で結合保持している。各ブレード2は、中心部の結合部材3を介して対向する対をなす矩形の板状の制御棒構造物を構成している。ブレード2を構成する制御棒構造物の材質については、一例としてジルコニウム合金材料が適用されている。ブレード2を構成する具体的なジルコニウム合金材料としては、例えば沸騰水型原子炉BWRの燃料被覆管材料として用いられるジルカロイII、または燃料集合体のチャンネルボックス材料として用いられるジルカロイIV等の合金があり、これらのジルカロイII、ジルカロイIV等の合金を適用することが望ましい。原子炉用制御棒100の各ブレード2は、矩形の長手方向に沿って多数の横孔5が列状に配列され、各横孔5は短手方向ウイング幅方向に延びてウイング外側端側に開口し、中性子吸収材充填孔を構成している。横孔の中性子吸収材充填孔5に反応度を制御するハフニウム酸化物中性子吸収体6が充填される。中性子吸収体6は、二酸化ハフニウムHfO2の粉末または焼結体からなる中性子吸収材で構成される。二酸化ハフニウムの粉末または焼結体からなる中性子吸収材を中性子吸収材充填孔5に供給することにより、中性子吸収材充填孔5にハフニウム酸化物中性子吸収体6が充填される。このハフニウム酸化物中性子吸収体6は原子炉用制御棒100において、原子炉出力制御手段の構成要素として備えられる。そして、ブレード2は、各横孔5に二酸化ハフニウムのハフニウム酸化物中性子吸収体6を装填し、ハフニウム酸化物中性子吸収体6が充填された後、各横孔5の外側端は閉塞棒としてのプラグ7で閉止される。プラグ7は各ブレード2の外側端部ウイング外側端にそれぞれ一体に設けられて原子炉用制御棒100が構成される。図2は、図1に示した原子炉用制御棒100の各ブレード2の中性子吸収材充填孔5に、二酸化ハフニウムのハフニウム酸化物中性子吸収体6を充填した例を示す水平断面図である。この図2に示す例では、原子炉用制御棒100の中心部を構成する横断面十字形の結合部材3に各ブレード2が連結され、連結された各ブレードウイング2の各中性子吸収材充填孔横孔5に二酸化ハフニウムのハフニウム酸化物中性子吸収体材6が収容される。各ブレード2の先端部はプラグ7によってそれぞれ閉止されている。なお、中性子吸収体6は二酸化ハフニウムの焼結体に代えて同じ二酸化ハフニウムの粉末体を用いることが可能である。本実施形態では、ジルコニウム合金製制御棒構造物のブレード2の横孔空孔部分に、水には不溶な二酸化ハフニウムHfO2が充填される。このように、ジルコニウム合金による制御棒構造物に水に不溶な二酸化ハフニウムの中性子吸収体6が充填されることにより、何らかの要因で制御棒構造物が炉水に暴露された場合においても、二酸化ハフニウムの中性子吸収体6は水と反応することが避けられる。すなわち、制御棒構造物が炉水に暴露された場合においても二酸化ハフニウムの中性子吸収体6は水とハフニウム反応することが避けられ、材料の化学組成やミクロ組織が中性子照射の影響により変化することで、発生する応力腐食割れとしての照射誘起応力腐食割れIASCCに対する感受性の低減が可能となる。以上の構成を備えた本実施形態の原子炉用制御棒100によれば、各ブレード2に二酸化ハフニウムを用いてハフニウム酸化物中性子吸収体6とすることにより、下記の具体的な種々の効果が奏することができる。まず、二酸化ハフニウムは水に不溶であるため、何らかの要因で炉水に暴露された場合にも水と反応することがなく、固形物発生を伴うノジュラ腐食や水素スウェリングを要因とする制御棒構造物の破損を抑制することができる。また、ハフニウムは元来、炭化ホウ素B4Cと異なり、核変換によるヘリウム生成がないことから、ガス生成によるスウェリングや中性子吸収材充填孔5の破損の可能性から開放される。同様に、ハフニウムHfを粉末または焼結体として用いることにより、中性子照射成長による中性子吸収材充填孔5の内壁破損を抑制することができる。なお、ハフニウムHfは金属粉末状態においては自然発火や粉塵爆発等の可能性があり、不安定で取扱いが難しいが、二酸化ハフニウムHfO2については安定であるため、取扱いも容易である。また、二酸化ハフニウムの融点は2758°Cと高温であり、ハフニウム金属の2233°Cおよび炭化ホウ素の2076°C等よりも融点が高いため、冷却水の喪失時においても溶融しにくく、原子炉用制御棒100としての安全性を向上させることができる。なお、中性子吸収材充填孔5に装荷される二酸化ハフニウムHfO2には、粉末もしくは焼結体を用いることが望ましい。また、二酸化ハフニウムの総体積は中性子吸収材充填孔5の容積よりも小さくし、初期装荷状態で中性子吸収材充填孔5の内壁に自重以外の応力を付加しない量に設定して装荷することが望ましい。二酸化ハフニウムの中性子吸収体を焼結体にする場合には、微量の炭素を混入してもよく、これにより焼結性の向上が図れる。また、本実施形態においては、4枚のブレード2...同士の連結については結合部材3を介して連結する構造としたが、これらのブレード2...については各ブレード2を直接連結した一体形の構造とすることが可能である。なお、照射誘起応力腐食割れIASCCの影響を無視することが可能な位置に配設される制御棒構造部材については、ジルコニウム合金に限られることはなく他の材質、例えば各種ステンレス鋼からなる構造部材を適用することが可能である。図1および図2に示す原子炉用制御棒100では、ブレード2の各横孔5に二酸化ハフニウムのハフニウム酸化物中性子吸収体6を充填させた横孔充填式の制御棒100に適用した例を示したが、横孔充填式に代えて縦孔充填式の原子炉用制御棒に適用してもよい。図3は、原子炉用制御棒の他の実施形態を示すものである。この実施形態に示された原子炉用制御棒100Aは、二酸化ハフニウムのハフニウム酸化物中性子吸収体6を縦型のシース8に充填させた縦孔充填式の制御棒である。図1および図2に示された原子炉用制御棒100と同じ構成には同一符号を付し、説明を省略する。この原子炉用制御棒100Aは図3に示すように、縦型のシース8が平断面形状において、深いU字状に形成され、このU字状シース8内に縦孔9の中性子吸収材充填孔を形成し、この縦孔9内に二酸化ハフニウムのハフニウム酸化物中性子吸収体6が収容される。ハフニウム酸化物中性子吸収体6を収容したU字状シース8により制御棒ブレードウイング10が構成される。ウイング10を構成する4枚のシース8同士は、結合部材3で結合される。U字状シース8内にハフニウム酸化物中性子吸収体6を直接収容する代りに、ジルコニウム合金製の中空被覆管をウイング幅方向に沿って列状に配列し、各中空被覆管内の中性子吸収材充填孔を形成する。この中性子吸収材充填孔にハフニウム酸化物である二酸化ハフニウムの粉末または焼結体からなる中性子吸収材を充填し、ハフニウム酸化物中性子吸収体6を充填させてもよい。さらに、U字状シース8内に図1および図2に示される矩形のブレード2を収容させてもよい。U字状シース8はジルコニウム合金あるいはステアリング鋼等で構成してもよい。図3に示す原子炉用制御棒100Aにおいても、一実施形態に示された原子炉用制御棒100と同等の効果を奏することができる。以上の構成を備える制御棒構造によれば、ハフニウム酸化物である二酸化ハフニウムを中性子吸収材として備え、この中性子吸収材をジルコニウム合金等の制御棒構造物に充填することで、材料の化学組成やミクロ組織が中性子照射の影響によって変化する照射誘起応力腐食割れIASCCに対する感受性の低減が可能となる。また、二酸化ハフニウムは水に対する不溶性により、水との反応が起こることはなく、ノジュラ腐食や水素スウェリングを要因とする制御棒構造物の破損を抑制することができる。また、ヘリウム生成がないことから、スウェリングやガス生成による中性子吸収材充填孔の破損への対処が確実に行なえるものとなる。さらに、制御棒をハフニウム酸化物の粉末または焼結体として用いることで、中性子照射成長による中性子吸収材充填孔の内壁破損を抑制することができる。また、安定な二酸化ハフニウムの適用によって加工時等の取扱いが容易となり、高融点の二酸化ハフニウムの適用により、冷却材喪失事故時に対する安全性を向上させることができる。本発明の実施形態では、沸騰水型原子炉に適用される原子炉用制御棒について説明したが、この原子炉用制御棒は加圧水型原子炉に適用することができる。加圧水型原子炉では、制御棒構造材にブレードではなくロッド状機材が用いられる。