ウエーハを載置するステージと、前記ステージ上の前記ウエーハに圧力を加える加圧器とを含む検査部と、前記検査部により検査済みの前記ウエーハを研磨する研磨部と、を有するウエーハ研磨装置。前記加圧器は、前記ステージ上の前記ウエーハを押圧する押圧盤を有することを特徴とする請求項1に記載のウエーハ研磨装置。前記押圧盤の下面には、前記ウエーハを吸着するための吸気口が形成されている請求項2に記載のウエーハ研磨装置。前記加圧器は、前記ステージを回転させる回転機構を有することを請求項1に記載のウエーハ研磨装置。ウエーハステージ上にウエーハを載置する工程と、前記ウエーハに圧力を加える工程と、前記圧力により損傷が生じない前記ウエーハを研磨ヘッドに装着する工程と、前記研磨ヘッドに装着された前記ウエーハを研磨用プラテン上で研磨する工程と、を有することを特徴とするウエーハの研磨方法。半導体ウエーハを研磨装置又は研削装置に取り付けた状態で、半導体ウエーハの欠けや割れを検出する場合には、研磨装置内で研削状態にあるために、研磨中に半導体ウエーハが割れ、研磨装置に破損が生じるおそれがある。また、半導体ウエーハが割れる原因が表面に現れずに内在している場合には、外観検査により割れを検出することができない。本発明の目的は、表面に現れずに内在する研磨時の欠け、割れ等の原因を有するウエーハの研磨を防止するためのウエーハ研磨装置及びウエーハ検査方法を提供することにある。本実施形態の1つの観点によれば、ウエーハを載置するステージと、前記ステージ上の前記ウエーハに圧力を加える加圧器とを含む検査部と、前記検査部により検査済みの前記ウエーハを研磨する研磨部と、を有するウエーハ研磨装置が提供される。発明の目的および利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素および組み合わせによって実現され達成される。前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない、と理解される。本実施形態によれば、ウエーハに圧力を加えることにより、割れや欠けが潜在的に生じ易い半導体ウエーハに割れや欠けを実際に生じさせることができ、異常のあるウエーハを研磨対象から外し、異常の無いウエーハを次の研磨部に搬送することができる。従って、ウエーハの実際の研磨時に、研磨布、研磨ヘッド、目立て器等が損傷されることを防止することができる。以下に、図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。図面において、同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。第1の実施の形態図1は、実施形態に係るウエーハの研磨装置を例示する平面図である。図1において、研磨装置1は、複数の半導体ウエーハWを収容するウエーハ容器2を搬入、搬出するための複数のポート3を有している。各ポート3は、搬送部4を介して、ダメージ検査部5、研磨部6及び後処理部7に接続されている。また、研磨装置1は、搬送部4、ダメージ検査部5、研磨部6及び後処理部7について以下の動作を制御する制御部9を有している。ダメージ検査部5は、図2Aに例示するように、チャンバー50内の底部に取り付けられるウエーハステージ51と、チャンバー50内の上部に取り付けられる駆動支持部52と、ウエーハステージ51の上方で駆動支持部52により上下動可能に支持される押圧盤53とを有している。ウエーハステージ51は、例えばステンレスから形成され、研磨前の半導体ウエーハWを載置できる大きさの上面を有している。ウエーハステージ51の上面は、図2Aでは半導体ウエーハWよりも小さく示されているが、同じ大きさであってもよいし、複数枚の半導体ウエーハWが並べて載置される大きさであってもよい。また、押圧盤53は、加圧器であり、例えばステンレスから形成され、ウエーハステージ51に載置された状態の半導体ウエーハWの全体を押圧できる大きさの下面を有している。ウエーハステージ51の上面上には下側パッド54が貼り付けられ、また、押圧盤53の下面には上側パッド55が貼り付けられている。下側パッド54は、研磨時に使用される研磨布と同等な構造、例えば、ポリウレタン材料をベースにして均一な微小発泡を持つ布から形成される。また、上側パッド65は、ウエーハステージ51上の半導体ウエーハWを押圧盤53により押圧した状態で半導体ウエーハWを保護できる構造、例えば研磨布と同等な構造から形成される。なお、下側パッド54と上側パッド55は、それぞれ積層構造であってもよく、単層構造に限られるものではない。半導体ウエーハWをウエーハステージ51上に載せたりウエーハステージ51から取り出したりする治具として図1Bに例示するウエーハ搬送アーム8が使用される。ウエーハ搬送アーム8は、下面側に複数の吸気口8aを有し、吸気口8aはその内部に形成される空洞の吸気通路8bに接続されている。吸気通路8bは、制御部9により制御される吸引ポンプ不図示に接続されている。吸気口8aの形状や位置は、吸引した半導体ウエーハWに割れや欠けが生じている場合に、バランスの崩れにより半導体ウエーハWを落下させやすくする形状を有し、例えば図1Bに示す孔、或いは直線、螺旋等の溝形状であってもよい。チャンバー50には、半導体ウエーハWをウエーハ容器2から搬入したりウエーハ容器2に搬出したりするための開口部56が形成されている。また、開口部56には、開閉用のシャッター57が取り付けられている。さらに、チャンバー50内には、ウエーハステージ51上に載置される半導体ウエーハWの一方の面の全体を撮像できるカメラ59が取り付けられている。研磨部6は、図1Aに示すように、面方向に回転可能な第1~第3のプラテン61a、61b、61cを有し、それらの上面は同じ高さになるように隣接して配置されている。第1~第3のプラテン61a、61b、61cのそれぞれの上には研磨布65a、65b、65cが貼り付けられている。また、研磨布65a、65b、65cの上には、研磨布65a、65b、65cの目立てを行うドレッサー66a、66b、66cが置かれ、さらに研磨布65a、65b、65cの上方には、スラリーを供給する給液管67a、67b、67cが配置されている。第1~第3のプラテン61a、61b、61cの側方には、ウエーハ交換部62が配置されている。研磨部6は、第1~第3のプラテン61a、61b、61c及びウエーハ交換部62の上方で回転する回転支持部63を有している。回転支持部63には、間隔をおいて第1~第4の研磨ヘッド64a、64b、64c、64dが支持されている。第1~第4の研磨ヘッド64a、64b、64c、64dは、研磨布65a、65b、65cに対向する向きに支持されている。回転支持部63は、制御部9の制御により、第1~第4の研磨ヘッド64a、64b、64c、64dのそれぞれを第1~第3のプラテン61a、61b、61c上の研磨布65a、65b、65c上で回転させる回転機構を有している。即ち、回転支持部63は、第1~第4の研磨ヘッド64a、64b、64c、64dの下面に取り付けられる半導体ウエーハWを第1~第3のプラテン61a、61b、61c上の研磨布65a、65b、65cに1対1で接触、押圧した状態で面方向に回転可能に支持する。回動支持部63は、第1~第4の研磨ヘッド64a、64b、64c、64dのそれぞれをウエーハ交換部62、第1のプラテン61a、第2のプラテン61b、第3のプラテン61cの上に順に巡回させる回転構造を有している。ウエーハ交換部62は、第1~第4の研磨ヘッド64aのそれぞれの下面に半導体ウエーハWを装着、離脱させる領域であり、制御部9の制御に従ってウエーハ搬送アーム8によって半導体ウエーハWの装着離脱操作が行われる。ウエーハ容器2から取り出された半導体ウエーハWは、ウエーハ交換部62で第1~第4の研磨ヘッド64a、64b、64c、64dに順に装着され、さらに順送りで第1~第3のプラテン61a、61b、63の研磨府65に押圧されて化学機械研磨CMPが行われる。さらに、第3のプラテン61c上で研磨終了した半導体ウエーハWは、ウエーハ交換部62で離脱されてウエーハ容器2に戻される。後処理部7は、研磨部6で研磨処理が済んだ半導体ウエーハWを搭載したウエーハ容器2を搬送部4により搬入して半導体ウエーハWを洗浄する洗浄機不図示と、洗浄した半導体ウエーハWを乾燥させる乾燥機不図示を有している。次に、上記の研磨装置1を使用して半導体ウエーハWを検査及び研磨する方法について説明する。まず、図1Aに示す研磨装置1のポート3に格納されているウエーハ容器2は、搬送部4により搬送されてダメージ検査部5の横に置かれる。次に、図2Aに示すダメージ検査部5のシャッター57を開く。続いて、ウエーハ容器2内の半導体ウエーハWをウエーハ搬送アーム8により吸着して取り出す。この場合、半導体ウエーハWの主面とは反対の面を吸着する。さらに、図2Bに示すように、開口部56を通してウエーハ搬送アーム8を先端からチャンバー50内に入れ、半導体ウエーハWの主面をウエーハステージ51上の下側パッド54に対向させる。続いて、図2Cに例示するように、ウエーハ搬送アーム8をウエーハステージ51に近づけて半導体ウエーハWの主面が下側パッド54に乗った状態で、ウエーハ搬送アーム8による吸着を解く。その後に、ウエーハ搬送アーム8をウエーハステージ51から上方に移動させ、半導体ウエーハWを下側パッド54上に残す。さらに、図3Aに例示するように、ウエーハ搬送アーム8をチャンバー50から外に出し、シャッター57により開口部56を閉じる。続いて、図3Bに例示するように、駆動支持部52を操作し、押圧盤53を下げ、上側パッド55を半導体ウエーハWに当てて押圧する。この場合の押圧力は、研磨部6における研磨の押圧力以下の大きさにする。押圧力として、例えば3PSI~7PSI2.1×10-3MPa~4.9×10-3MPaとする。その押圧力により、半導体ウエーハWは、研磨布65と同等の硬さを持つ下側パッド54に押圧されため、半導体ウエーハWの厚さ方向には研磨時とほぼ同じ力が加わる。これにより、半導体ウエーハWに割れや欠けが生じない場合には、その半導体ウエーハWを研磨部6により研磨しても割れや欠けが生じないと判断する。そこで、駆動支持部52により押圧盤53を上に引き上げた後に、図3Cに例示するように、チャンバー50のシャッター57を開いてウエーハ搬送アーム8を開口部56からチャンバー50の中に入れる。さらに、ウエーハ搬送アーム8をウエーハステージ51上の半導体ウエーハWの主面とは反対側の面に接触させ、吸気口8aを通して半導体ウエーハWを吸着した後に上に移動して、図2Bに示したと同じ状態にする。この後に、ウエーハ搬送アーム8をチャンバー50から後退させて半導体ウエーハWをウエーハ容器2内に収納する。さらに別の半導体ウエーハWを検査する場合には、上記と同じ操作により、図4Aに例示するように、半導体ウエーハWを下側パッド54上に載置した状態にし、さらにシャッター57により開口部56を閉じた状態にする。続いて、図4Bに例示するように、制御部9により駆動支持部52を操作し、上記に示した圧力値で押圧盤53を半導体ウエーハWに押圧する。半導体ウエーハWに既にダメージが入っている場合には、押圧盤53による押圧力により、半導体ウエーハWには割れXが生じる。従って、制御部9により駆動支持部52を操作して押圧盤55を引き上げると、図4Cに示すように、割れXが生じた半導体ウエーハWは分離してウエーハステージ51から落下する。なお、ウエーハステージ51が半導体ウエーハWと同じ大きさの場合には、割れた半導体ウエーハWは落下しないが割れた状態に残される。次に、図4Dに例示するように、シャッター57を開いてウエーハ搬送アーム8をチャンバー50内に入れた後に、図4Eに例示するように、ウエーハ搬送アーム8をウエーハステージ51に近づけ吸気口8aから半導体ウエーハWを吸着する動作を行う。その後に、図4Fに例示するように、吸引口8aから吸気しながらウエーハ搬送アーム8を上昇させる。半導体ウエーハWに割れや欠けが生じた場合には、ウエーハ搬送アーム8により半導体ウエーハWを吸着できず割れの発生を検出できる。又は、半導体ウエーハWの一部が吸着されても、バランスを崩して落下し、或いは半導体ウエーハWの一部又は全部が吸着されずに残される。欠けや割れが生じた半導体ウエーハWがウエーハ搬送アーム8により吸着されても、半導体ウエーハWの一部がウエーハステージ51又はその周辺に残る。従って、カメラ59による撮像データを制御部9により分析して欠けや割れの発生が判断され、ウエーハ搬送アーム8の吸着動作を停止させて吸着した半導体ウエーハWを落下させる。ウエーハステージ51上に半導体ウエーハWの一部が残った場合には、残された半導体片を除去した後に、検査を再開する。なお、半導体ウエーハWが割れた場合でも、ウエーハステージ51は回転しないのでその上の下側パッド54が損傷せず、下側パッド54上に残された半導体片を除去することによりダメージ検査部5における検査が可能な状態となる。もとより、下側パッド54が損傷した場合には交換することになる。ウエーハ容器2内の全ての半導体ウエーハWについて検査が終了した後に、ウエーハ容器2は、搬送部4により検査部6の入り口に搬送される。この場合、ウエーハ容器2内には、割れや欠けの無い半導体ウエーハWだけが残されている。続いて、回動支持部63により時間的間隔をおいて第1~第4の研磨ヘッド64a、64b、64c、64dを回動させながら、ウエーハ搬送アーム8により半導体ウエーハWを第1~第4の研磨ヘッド64a、64b、64c、64dの下面に順に装着する。さらに、第1のプラテン61a、第2のプラテン61b、第3のプラテン61cの順で、第1~第4の研磨ヘッド64a、64b、64c、64dにより半導体ウエーハWを研磨布65a、65b、65cの表面で回転、押圧しながら研磨する。研磨時には、第1~第3のプラテン61a、61b、61cも同時に回転させる。研磨を終えた半導体ウエーハWは、ウエーハ搬送アーム8を使用し、第1~第4の研磨ヘッド64a、64b、64c、64dの下面から順に脱離させてウエーハ容器2内に戻す。この場合、離脱された研磨ヘッド64a~61cにはさらに別な半導体ウエーハWが装着されて1~第3のプラテン61a、61b、61c上に順に送られる。そして、ウエーハ容器2内の全ての半導体ウエーハWの研磨を終えた後に、搬送部4を介してウエーハ容器2を後処理装置7内に入れて、その中で半導体ウエーハWを洗浄し、乾燥する。その後に、搬送部4を介してウエーハ容器2をポート3に戻す。これにより、ウエーハ容器2内の半導体ウエーハWの一連の研磨が終了する。上記のように本実施形態によれば、半導体ウエーハWの研磨の前に、研磨時と同等またはそれ以下の圧力を半導体ウエーハWに加えている。これにより、研磨により割れや欠けが生じやすい半導体ウエーハWに予め積極的に割れや欠けを生じさせてウエーハ容器2に戻さないようにしている。これにより、研磨により割れない半導体ウエーハWを研磨部6に供給して研磨処理を滞らせずに進めることができ、研磨処理効率を向上させることができる。第2の実施の形態本実施形態に係る研磨装置1は、図1に例示したと同様に、複数のポート3、搬送部4を介して、ダメージ検査部5、研磨部6及び後処理部7を有している。研磨部6、後処理部7は、例えば、第1実施形態と同様な構造を有している。ダメージ検査部5は、図5Aに例示するように、チャンバー50内の底部に取り付けられるウエーハステージ51と、チャンバー50内の上部に取り付けられる駆動支持部52と、ウエーハステージ51の上方で駆動支持部52により上下動可能に支持される押圧盤53とを有している。ウエーハステージ51は、第1実施形態と同様に、半導体ウエーハWを載置できる大きさの上面を有し、その上面上には下側パッド54が貼り付けられている。押圧盤53は、ウエーハステージ51に載置された半導体ウエーハWの全体を押圧できる大きさの下面を有している。その下面には、溝又は多数の孔の形状を持つ吸気口53aが形成されている。また、押圧盤53の内部には、吸気口53aに接続される空気通路53bが形成され、制御部9により制御される吸引ポンプ不図示に接続されている。押圧盤53の下面には上側パッド55が貼り付けられている。また、上側パッド55には、押圧盤53の吸気口53aに通じる通気口55aが形成されている。上側パッド55は、空気を通し難く半導体ウエーハWに傷を付け難い構造のものが採用される。また、上側パッド55は、ウエーハステージ51上の半導体ウエーハWを押圧盤53により押圧した状態で、半導体ウエーハWを保護できる構造、例えば研磨布65と同等な構造から形成される。チャンバー50には、外部のウエーハ容器2に対して半導体ウエーハWを搬入したり搬出したりするための開口部56が形成され、開口部56には、開閉用のシャッター57が取り付けられている。さらに、チャンバー50内には、ウエーハステージ51上に載置される半導体ウエーハWの一方の面の全体を撮像できるカメラ59が取り付けられている。次に、研磨装置1による半導体ウエーハWの検査、研磨について説明する。まず、図1Aに示す研磨装置1のポート3に格納されているウエーハ容器2を搬送部4によりダメージ検査部5の横に搬送する。そして、研磨部6による半導体ウエーハWの研磨の前に、半導体ウエーハWの割れや欠けの発生についてダメージ検査部5を使用して検査する。次に、図5Aに示すダメージ検査部5のシャッター57を開く。さらに、図5Bに示すように、ウエーハ容器2内の半導体ウエーハWをウエーハ搬送アーム81の上に載せ、開口部56を通してウエーハ搬送アーム81を先端からチャンバー50内に入れ、半導体ウエーハWを押圧盤53の下面に対向して配置する。この場合、半導体ウエーハWの主面は下になる。ウエーハ搬送アーム81には、周囲がウエーハ支持部に囲まれた凹部81aが形成されている。続いて、図5Cに例示するように、ウエーハ搬送アーム81を上昇させて押圧盤53の上側パッド55に半導体ウエーハWを押し当てる。この状態で、押圧盤53の空気通路53bを通してその下面の吸気口53aと上側パッド55の通気口55aを通して半導体ウエーハWを吸着する。その後に、ウエーハ搬送アーム81を降下させた後に、チャンバー50の開口部56を通してウエーハ搬送アーム81を抜き出す。続いて、図5Dに例示するように、開口部56のシャッター57を閉じる。続いて、図5Eに例示するように、制御部9により駆動支持部52を操作し、押圧盤53を下げ、上側パッド55を介して半導体ウエーハWを下側パッド54に当てる。そして、押圧盤53による吸引を解く。これにより、半導体ウエーハWは、押圧盤53により拘束されずにウエーハステージ51上に載置される。続いて、制御部9の操作により押圧盤53により半導体ウエーハWをウエーハステージ51に押圧する。この場合の押圧力は、研磨部6における研磨の押圧力と同じかそれ以下にする。その押圧力により、半導体ウエーハWは、研磨布65と同等の硬さを持つ下側パッド54に押圧されため、半導体ウエーハWの厚さ方向には研磨時とほぼ同じ力が加わる。従って、制御部9により駆動支持部52を操作し、吸引口53aからの吸気により半導体ウエーハWを押圧盤53により吸着操作した後に、押圧盤53を上昇させる。半導体ウエーハWに割れや欠けが生じていない場合には、半導体ウエーハWは押圧盤53により吸着されて上昇する。その後に、チャンバー50のシャッター57を開いてウエーハ搬送アーム81をチャンバー50内に入れ、押圧盤53に吸着されている半導体ウエーハWに当て、その状態で押圧盤53は半導体ウエーハWの吸引を解く。さらに、ウエーハ搬送アーム81の位置を調整した後に開口部56から後退させ、ウエーハ容器2に戻す。さらに別の半導体ウエーハWを検査する場合には、図5A~図5Cに例示したように、上記と同じウエーハ搬送アーム81の操作により押圧盤53の下に半導体ウエーハWを押しつけた状態で、半導体ウエーハWを押圧盤53により吸着する。続いて、図5D、図5Eに示すように、ウエーハ搬送アーム81を外部に出した後に、シャッター57を閉じ、さらに押圧盤53を降下させて下側パッド54上に半導体ウエーハWを載せ、押圧盤53による半導体ウエーハWの吸引を解く。続いて、駆動支持部52を操作し、上記に示した圧力値で押圧盤53を半導体ウエーハWに押圧する。半導体ウエーハWに外観から見えないダメージが入っている場合には、押圧盤53による押圧力により、半導体ウエーハWには割れ又は欠けが生じる。割れ又は欠けが生じる場合には、押圧盤55の吸引口55aから吸気しながら、駆動支持部52を操作して押圧盤55を引き上げる。これにより、図5Fに例示するように、割れが生じた半導体ウエーハWは吸着できず、或いはバランスが崩れて分離してウエーハステージ51から落下し、割れを検出する。なお、ウエーハステージ51が半導体ウエーハWと同じ大きさの場合には、割れた半導体ウエーハWはウエーハステージ51上に残される。カメラ59による撮像データに基づいて、半導体ウエーハWに割れや欠けが生じている場合には、押圧盤55の吸引口55aからの吸気を停止させる。これにより、ウエーハ搬送アーム81により吸着していた半導体ウエーハWの片がチャンバー50内の底部に落下する。半導体ウエーハWが割れた場合でも、ウエーハステージ51は回転してないので、下側パッド54は損傷せず、下側パッド54上に残された半導体片を除去することによりダメージ検査部5における検査が可能な状態となる。なお、下側パッド54が傷ついた場合には交換する。その後に、ウエーハステージ51上に残された半導体ウエーハWの割れ又は欠けた片を除去した後に、検査を再開する。ウエーハ容器2内の全ての半導体ウエーハWについて検査が終了した後に、第1実施形態と同様に、ウエーハ容器2に収められた半導体ウエーハWは研磨部6により研磨され、その後に後処理部7により洗浄、乾燥されてポート3に戻される。上記のように本実施形態によれば、研磨の前に、研磨時と同様の圧力を半導体ウエーハWに加えることにより、研磨により割れや欠けが生じやすい半導体ウエーハWを予め積極的に割れや欠けを生じさせてウエーハ容器2に戻さないようにしている。これにより、損傷が生じにくい半導体ウエーハWを選択して研磨部6により研磨処理すると、研磨を滞らせずに進めることができ、研磨効率を向上することができる。また、本実施形態によれば、半導体ウエーハWに割れや欠けが生じた場合に、ウエーハ搬送アーム81のチャンバー50内への挿入を省略することができ、ウエーハステージ51上に残された半導体ウエーハWの片の除去を早くすることができる。第3の実施の形態本実施形態に係る研磨装置1は、図1に例示したと同様に、複数のポート3、搬送部4を介して、ダメージ検査部5、研磨部6及び後処理部7を有している。研磨部6、後処理部7は、例えば、第1実施形態と同様な構造を有している。ダメージ検査部5は、図6Aに例示するように、チャンバー50内の底部に取り付けられる回転可能なウエーハステージ58を有している。ウエーハステージ58は、上面に半導体ウエーハWよりも厚い凹部58aを有している。また、凹部58aの縁部にはウエーハ支持部58bが上方に突出して形成されている。ウエーハステージ58の裏面の中心には、モータを含む回転機構58cの回転軸58dが接続されている。回転機構58cは、ウエーハステージ58に遠心力、振動等の圧力を加える加圧器である。チャンバー50には、外部のウエーハ容器2に対して半導体ウエーハWを搬入したり搬出したりするための開口部56が形成され、開口部56には、開閉用のシャッター57が取り付けられている。さらに、チャンバー50内には、ウエーハステージ51上に載置される半導体ウエーハWの一方の面の全体を撮像できるカメラ59が取り付けられている。次に、研磨装置1による半導体ウエーハWの検査、研磨について説明する。まず、図1Aに示す研磨装置1のポート3に格納されているウエーハ容器2を搬送部4によりダメージ検査部5の横に搬送する。そして、研磨部6による半導体ウエーハWの研磨の前に、半導体ウエーハWの割れや欠けの発生についてダメージ検査部5を使用して検査する。次に、図6Aに示すダメージ検査部5のシャッター57を開く。続いて、ウエーハ容器2内の半導体ウエーハWをウエーハ搬送アーム8により吸着して取り出す。この場合、半導体ウエーハWの主面を下にする。さらに、図6Bに示すように、開口部56を通してウエーハ搬送アーム8を先端からチャンバー50内に入れ、半導体ウエーハWの主面をウエーハステージ58の凹部58aに対向させる。続いて、図6Cに例示するように、ウエーハ搬送アーム8をウエーハステージ58に近づけて半導体ウエーハWの縁部がウエーハステージ58のウエーハ支持部58bに接触した状態で、ウエーハ搬送アーム8の吸引を解く。その後に、ウエーハ搬送アーム8をウエーハステージ51から上方に移動させ、半導体ウエーハWをウエーハステージ58上に残す。さらに、ウエーハ搬送アーム8をチャンバー50から外に出し、開口部56をシャッター57により閉じる。次に、図6Dに例示するように、回転部58cによりウエーハステージ58を回転することにより半導体ウエーハWに遠心力と回転振動による圧力を加える。その回転数は、研磨部6の第1~第4の研磨ヘッド64a~64dの回転数と同じかそれ以下、例えば約3000rpmとする。半導体ウエーハWが既にダメージを受けている場合には、図6Eに例示するように、応力により半導体ウエーハWには割れ又は欠けが生じ、割れや欠けにより生じた半導体片は、凹部58aに落下する。続いて、図6Fに示すように、シャッター57を明けて開口部56を通してウエーハ搬送アーム8をチャンバー50内に入れ、半導体ウエーハWを吸着する。この場合、ウエーハ搬送アーム8は、割れた半導体ウエーハWがウエーハ支持部58bから凹部58a内に傾いているので、吸着ができない。また、半導体ウエーハWを吸着できたとしても割れや欠けによりバランスが取れないために、半導体ウエーハWはウエーハ支持部58bから直ぐに落下する。これにより、吸着エラーで割れが検出できる。また、半導体ウエーハWに割れや欠けが生じている場合には、カメラ59による撮像に基づいて、制御部9がウエーハ搬送アーム8の吸引を停止させてもよい。半導体ウエーハWに割れや欠けが生じている場合には、ウエーハステージ58上に半導体ウエーハWの半導体片を除去した後に、別の半導体ウエーハWについて検査を再開する。なお、半導体ウエーハWが割た場合でも、ウエーハステージ58の上にはパッドが形成されていないので、その損傷を考慮する必要がなく、ウエーハステージ58上の半導体片を除去することによりダメージ検査部5における次の検査が可能な状態となる。一方、半導体ウエーハWに割れ、欠けが生じていない場合には、チャンバー50内に入れたウエーハ搬送アーム8の吸引口8aにより半導体ウエーハWが吸着され、そのまま、チャンバー50の外のウエーハ容器2内に戻される。ウエーハ容器2内の全ての半導体ウエーハWについて検査が終了した後に、ウエーハ容器2に収められた半導体ウエーハWは第1実施形態と同様に研磨部6により研磨され、その後に後処理部7により洗浄、乾燥されてポート3に戻される。上記のように本実施形態によれば、半導体ウエーハWの研磨の前に、回転による遠心力や振動等の圧力を半導体ウエーハWに与える。これにより、外観から解らない割れや欠けが生じやすい半導体ウエーハWに実際に割れや欠けを生じさせてウエーハ容器2に戻さないようにしている。これにより、損傷が生じにくい半導体ウエーハWだけを研磨部6に供給することができ、研磨処理を滞らせずに進め、使用効率を向上することができる。ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例および条件に限定することなく解釈すべきであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解すべきである。次に、本発明の実施形態について特徴を付記する。付記1ウエーハを載置するステージと、前記ステージ上の前記ウエーハに圧力を加える加圧器とを含む検査部と、前記検査部により検査済みの前記ウエーハを研磨する研磨部と、を有するウエーハ研磨装置。付記2前記加圧器により前記研磨前のウエーハに加える前記圧力は、前記研磨部での研磨時にウエーハに加える圧力以下の大きさである付記1に記載のウエーハ研磨装置。付記3前記加圧器は、前記ステージ上の前記ウエーハを押圧する押圧盤を有することを特徴とする付記1又は付記2に記載のウエーハ研磨装置。付記4前記押圧盤の下面には、前記ウエーハを吸着するための吸気口が形成されている付記3に記載のウエーハ研磨装置。付記5前記ステージ上には、パッドが貼り付けられている付記1乃至付記4のいずれか1つに記載のウエーハ研磨装置。付記6前記パッドは、前記研磨部の研磨用プラテン上に貼り付けられる研磨布と同一材料から形成される付記5に記載のウエーハ研磨装置。付記7前記加圧器は、前記ステージを回転させる回転機構を有する付記1又は付記2に記載のウエーハ研磨装置。付記8前記ステージの上面は、前記ウエーハの周縁を支持するウエーハ支持部と、前記ウエーハ支持部に囲まれる領域に形成される凹部とを有する付記7に記載のウエーハ研磨装置。付記9前記検査部は、前記ウエーハを吸着して搬送する搬送アームを有する付記1乃至付記8に記載のウエーハ研磨装置。付記10ウエーハステージ上にウエーハを載置する工程と、前記ウエーハに圧力を加える工程と、前記圧力により損傷が生じない前記ウエーハを研磨ヘッドに装着する工程と、前記研磨ヘッドに装着された前記ウエーハを研磨用プラテン上で研磨する工程と、を有することを特徴とするウエーハの研磨方法。付記11前記ウエーハへの圧力は、押圧盤により前記ウエーハに押圧力を加えるか、回転により前記ウエーハに遠心力を加えるかのいずれかである付記10に記載の研磨方法。