"高炉炉内に複数の原料を装入する高炉原料装入装置であって、メイン原料を貯留するメインホッパーと、サブ原料を貯留する複数のサブホッパーと、前記高炉炉内に原料を供給する旋回シュートと、前記メインホッパーから前記旋回シュートにメイン原料を輸送する供給通路と、前記複数のサブホッパーと対応して設けられ各サブホッパーからサブ原料を輸送する原料輸送手段と、を備え、前記複数の原料輸送手段は、前記メインホッパー内又は前記供給通路内において、前記複数のサブホッパーからの各サブ原料とメイン原料とが所定比率を以って流動することが可能な流動速度制御領域に開口されていることを特徴とする高炉原料装入装置。請求項1に記載の高炉原料装入装置であって、前記複数の原料輸送手段は、前記供給通路内に開口していることを特徴とする高炉原料装入装置。請求項1又は請求項2に記載の高炉原料装入装置であって、メイン原料に対する各サブ原料の粒径比及び密度比に基づいて各サブ原料の高炉中心方向の流れ込みの程度を算出し、各サブ原料の前記高炉中心方向の流れ込みの程度に基づいて前記旋回シュートの各サブ原料を装入する際のノッチ角度を算出し、前記旋回シュートが前記ノッチ角度と対応するタイミングで各サブ原料の装入を開始するように構成されていることを特徴とする高炉原料装入装置。請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の高炉原料装入装置であって、サブ原料を前記サブホッパーから前記流動速度制御領域に輸送する際には、前記サブホッパー内を前記高炉炉内と等しい圧力に調整し、サブ原料を前記サブホッパー内に供給する際には、前記サブホッパー内を前記高炉炉内と圧力的に遮断する均排圧手段を備えていることを特徴とする高炉原料装入装置。メイン原料を貯留するメインホッパーと、サブ原料を貯留する複数のサブホッパーと、前記高炉炉内に原料を供給する旋回シュートと、前記メインホッパーから前記旋回シュートにメイン原料を輸送する供給通路とを備えた高炉炉内に、メイン原料及びサブ原料を装入する高炉原料装入方法であって、前記複数のサブホッパーからの各サブ原料を、前記メインホッパー内又は前記供給通路内において、前記複数のサブホッパーからの各サブ原料がメイン原料と所定比率を以って流動することが可能な流動速度制御領域に輸送して流動させることを特徴とする高炉原料装入方法。請求項5に記載の高炉原料装入方法であって、前記複数のサブホッパー内の各サブ原料を、前記供給通路に輸送して流動させることを特徴とする高炉原料装入方法。請求項5又は請求項6に記載の高炉原料装入方法であって、メイン原料に対する各サブ原料の粒径比及び密度比に基づいて各サブ原料の高炉中心方向の流れ込みの程度を算出し、各サブ原料の前記高炉中心方向の流れ込みの程度に基づいて前記旋回シュートの各サブ原料を装入する際のノッチ角度を算出し、前記旋回シュートが前記ノッチ角度と対応するタイミングで各サブ原料の装入を開始することを特徴とする高炉原料装入方法。しかしながら、特許文献1、2に開示された技術を用いても、メインホッパーとサブホッパーに貯留された性状の異なる複数種類の原料を、偏析を生じさせずに混合することは容易ではない。特に、種類が同一であっても性状が異なる原料を用いる場合や、同時1ダンプの間に装入する原料の種類数が増えた場合には、上記従来の技術が、高炉炉内の所定位置に所定量、適正の装入を行うには充分といえない場合がある。本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、複数種類の原料を高炉炉内に供給する場合に、各原料を、平均粒子径や見かけ密度等の性状の差異の影響を抑制して所定の混合比率で混合することができ、ひいては高炉炉内の所定位置に所定量の原料を装入して所望の装入物分布とすることが可能な高炉原料装入装置、高炉原料装入方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。請求項1に記載の発明は、高炉炉内に複数の原料を装入する高炉原料装入装置であって、メイン原料を貯留するメインホッパーと、サブ原料を貯留する複数のサブホッパーと、前記高炉炉内に原料を供給する旋回シュートと、前記メインホッパーから前記旋回シュートにメイン原料を輸送する供給通路と、前記複数のサブホッパーと対応して設けられ各サブホッパーからサブ原料を輸送する原料輸送手段とを備え、前記複数の原料輸送手段は、前記メインホッパー内又は前記供給通路内において、前記複数のサブホッパーからの各サブ原料とメイン原料とが所定比率を以って流動することが可能な流動速度制御領域に開口されていることを特徴とする。請求項5に記載の発明は、メイン原料を貯留するメインホッパーと、サブ原料を貯留する複数のサブホッパーと、前記高炉炉内に原料を供給する旋回シュートと、前記メインホッパーから前記旋回シュートにメイン原料を輸送する供給通路とを備えた高炉炉内に、メイン原料及びサブ原料を装入する高炉原料装入方法であって、前記サブホッパーからのサブ原料を、前記メインホッパー内又は前記供給通路内において、前記サブホッパーからのサブ原料がメイン原料と所定比率を以って流動することが可能な流動速度制御領域に輸送して流動させることを特徴とする。この発明に係る高炉原料装入装置、高炉原料装入方法によれば、メインホッパーと複数のサブホッパーから供給されたメイン原料及びサブ原料が所定比率を以って流動する。その結果、単位容量あたりにメイン原料及びサブ原料が所定の混合比率で混合され、所定の原料混合比率を有する原料を旋回シュートに供給することができる。ここで、サブホッパーからの各サブ原料とメイン原料とが所定の比率を以って流動するとは、サブホッパーからのサブ原料がメイン原料内に移送される際に、サブ原料とメイン原料とが等速度で流動して所定の混合比率となる場合のほか、サブ原料とメイン原料とが、所定の速度比で流動して所定の原料混合比率となることを含む。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の高炉原料装入装置であって、前記複数の原料輸送手段は、前記供給通路内に開口していることを特徴とする。請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の高炉原料装入方法であって、前記複数のサブホッパー内の各サブ原料を、前記供給通路に輸送して流動させることを特徴とする。この発明に係る高炉原料装入装置、高炉原料装入方法によれば、サブ原料を供給通路に輸送するので、サブ原料を、性状による影響を抑制して所定の速度比でメイン原料内に移動させることができる。その結果、複数の原料を所定の混合比率で容易かつ効率的にメイン原料と混合して、旋回シュートに供給することができる。請求項3に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載の高炉原料装入装置であって、各サブ原料の前記高炉中心方向の流れ込みの程度に基づいて前記旋回シュートの各サブ原料を装入する際のノッチ角度を算出し、前記旋回シュートが前記ノッチ角度と対応するタイミングで各サブ原料の装入を開始するように構成されていることを特徴とする。請求項7に記載の発明は、請求項5又は請求項6に記載の高炉原料装入方法であって、各サブ原料の前記高炉中心方向の流れ込みの程度に基づいて前記旋回シュートの各サブ原料を装入する際のノッチ角度を算出し、前記旋回シュートが前記ノッチ角度と対応するタイミングで各サブ原料の装入を開始することを特徴とする。この発明に係る高炉原料装入装置、高炉原料装入方法によれば、各サブ原料を、メイン原料に対する各サブ原料の粒径比及び密度比からその高炉中心方向の流動ズレを推算し、それを考慮して、旋回シュートを介して高炉炉内に装入する。その結果、各サブ原料が、高炉炉内の所定位置に所定量、堆積して所定の装入物分布を得ることができる。請求項4に記載の発明は、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の高炉原料装入装置であって、サブ原料を前記サブホッパーから前記流動速度制御領域に輸送する際には、前記サブホッパー内を前記高炉炉内と等しい圧力に調整し、サブ原料を前記サブホッパー内に供給する際には、前記サブホッパー内を前記高炉炉内と圧力的に遮断する均排圧手段を備えていることを特徴とする。この発明に係る高炉原料装入装置、高炉原料装入方法によれば、サブホッパー内を高炉炉内に対応する圧力に調整してサブホッパーからのサブ原料を高炉炉内に輸送するので、サブ原料を、高炉炉内の圧力に影響をされずにメイン原料内に安定して輸送し、サブ原料とメイン原料とを安定して混合することができる。この発明に係る高炉原料装入装置、高炉原料装入方法によれば、複数種類の原料を高炉炉内に供給する場合に、各原料を、平均粒子径や見かけ密度等の性状の差異の影響を抑制して所定の混合比率で混合することができ、ひいては高炉炉内の所定位置に所定量の原料を装入して所望の装入物分布とすることができる。その結果、銑鉄製造の生産性が向上し、高炉炉壁の消耗や炉壁への付着物発生を抑制して安定した高炉操業を達成できる。以下、図1から図12を参照して、本発明の一実施形態について説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る高炉原料装入装置の概略構成を示す図であり、符号1は高炉原料装入装置を、符号2は高炉本体を示している。また、図2は、高炉炉内における原料の分布状態の一例を示す図である。高炉原料装入装置1は、主原料装入装置10と、例えば、二つ複数のサブ原料装入装置20、30と、旋回シュート40とを備えている。主原料装入装置10は、例えば、原料M1を搬送するメインコンベア11と、炉頂シュート12と、並列ホッパー13と、原料通路14と、メインホッパー15とを備えている。メインコンベア11で搬送された原料M1は、炉頂シュート12で分配されて並列ホッパー13に装入され、並列ホッパー13に貯留されるようになっている。また、例えば、並列ホッパー13とメインホッパー15間の原料通路14には、遮断弁13Sが設けられ、遮断弁13Sが開閉することにより、並列ホッパー13から原料通路14への原料M1の流動を制御するようになっている。また、メインホッパー15の下部には、円筒形状の供給通路16が接続されており、メインホッパー15と供給通路16の間には流量調整弁15Cが設けられ、流量調整弁15Cの開度を調整して、メインホッパー15から供給通路16への原料M1の流量を調整するようになっている。また、供給通路16の下方開口部には遮断弁16Sが設けられるとともに、供給通路16の下方には旋回シュート40が配置されており、遮断弁16Sにより供給通路16から旋回シュート40への原料の移動を制御するようになっている。並列ホッパー13に貯留された原料M1は、原料通路14を通じてメインホッパー15に移動して一旦貯留され、メインホッパー15に貯留された原料M1は、例えば、流量調整弁15Cの開度により流量が調整されて供給通路16に流動し、遮断弁16Sが開かれた際に、重力で旋回シュート40に移動するようになっている。サブ原料装入装置20は、原料M2を搬送するサブ原料装入コンベア21と、シュート22と、サブホッパー23と、サブホッパー23から供給通路16に原料M2を輸送する原料輸送シュート24と、流量調整弁25と、上部遮断弁26と、下部遮断弁27とを備えている。また、上部遮断弁26及び下部遮断弁27は、サブホッパー23の均排圧手段を構成している。サブホッパー23への原料M2の輸送は、サブ原料装入コンベア21により行なわれ、原料M2をサブホッパー23に投入する際には、上部遮断弁26を開くとともに下部遮断弁27を閉じて、サブホッパー23内を高炉内と圧力的に遮断するようになっている。サブホッパー23内の原料M2は、上部遮断弁26を閉じるとともに下部遮断弁27を開いてサブホッパー23内を大気と遮断して高炉炉内と対応する圧力にした状態で、原料輸送シュート24を介して供給通路16に移動し、流量調整弁25により原料M2の移動量を調整するようになっている。サブ原料装入装置30は、原料M3を搬送するサブ原料装入コンベア31と、シュート32と、サブホッパー33と、サブホッパー33から供給通路16に原料M3を輸送する原料輸送シュート34と、流量調整弁35と、上部遮断弁36と、下部遮断弁37とを備えている。また、上部遮断弁36及び下部遮断弁37は、サブホッパー33の均排圧手段を構成している。サブホッパー33への原料M3の輸送は、サブ原料装入コンベア31により行なわれ、原料M3をサブホッパー33に投入する際には、上部遮断弁36を開くとともに下部遮断弁37を閉じて、サブホッパー33内を高炉内と圧力的に遮断するようになっている。サブホッパー33内の原料M3は、上部遮断弁36を閉じるとともに下部遮断弁37を開いてサブホッパー33内を大気と遮断して高炉炉内と対応する圧力にした状態で、原料輸送シュート34を介して供給通路16に移動し、流量調整弁35により原料M3の移動量を調整するようになっている。この実施形態において、流量調整弁15Cと流量調整弁25は、開度を同期して制御可能とされていて、メイン原料M1とサブ原料M2を所定比率を維持して流量調整可能とされている。また、例えば、流量調整弁15Cと流調整弁25の開度を独立して制御することにより、メイン原料M1と、サブ原料M2の混合比率を調整してもよい。また、流量調整弁15Cと流量調整弁35についても、同様にメイン原料M1とサブ原料M3を所定比率を維持して流量調整可能とされている。また、流量調整弁15Cと流調整弁35についても、メイン原料M1と、サブ原料M3の混合比率を調整可能な構成としてもよい。この実施形態において、原料輸送シュート輸送手段24、34は、メインホッパー15下部の供給通路16内に開口している。そして、供給通路16における原料輸送シュート24、34の開口部は、メインホッパー15からの原料M1と、原料輸送シュート23、33を経由してサブホッパー23、33から輸送された原料M2、M3とが、例えばほぼ等しい速度比率1:1で流動する流動速度制御領域とされている。流量を等しく制御するには、各ホッパー15、23および33の重量変化を測定する方法がある。このように、原料M1と、原料M2、M3とがほぼ等しい速度で流動する結果、複数の原料M1、M2、M3を容易かつ効率的に所定の混合比率に混合して混合原料M4とし、旋回シュート40に供給するようになっている。なお、1ダンプの混合原料M4は、メイン原料M1に対してサブ原料M2、M3がそれぞれ所定の混合比率とされる。旋回シュート40は、例えば、断面半円円弧状の樋状である。混合原料M4の1ダンプは、旋回シュートの角度を減じながら通常一工程で行われる。これにより、混合原料M4は高炉の周辺部径方向外方から内周側径方向内方に装入される。このとき、サブ原料M2,M3は、高炉炉内の所定の位置に来るように、図示しないプログラマブルコントローラ制御部により、装入タイミング、が制御される。例えば、プログラマブルコントローラは、メモリに、メイン原料M1に対する各サブ原料M2、M3のメイン原料に対する各サブ原料の粒径比及び密度比以下、偏析指数というに基づいて算出された、例えば各サブ原料M2、M3の高炉中心方向への流動しやすさ等に関する指標と、この流動しやすさ等に基づいて算出された各サブ原料M2、M3を装入する際の、旋回シュート40のノッチ角度θが格納されている。プログラマブルコントローラは、例えば、メモリに格納したこれらデータに基づいて、旋回シュート40が、各サブ原料M2、M3に対応するノッチ角度θになったときに、各サブ原料を高炉炉内に装入するように構成されている。すなわち、プログラマブルコントローラは、旋回ショート40が各サブ原料M2、M3を装入するときのノッチ角度θになった時点で、各サブホッパー23、33の下部遮断弁27、37を開く。このとき、各サブ原料ごとにその流れ込みの程度も考慮される。上記の装入開始ノッチ角度の決定方法について以下に説明する。図2に、高炉炉内おける好適な装入物分布を示す。図2の下側は、装入物の堆積高さの半径方向の分布を示す図であり、図2の上側は、コークスの高さLC焼結鉱の高さLOに対する焼結鉱の高さLOの比率を示す図である。高炉の中心部近傍は、LO/LCLOを低くするとともに堆積高さを低くして通気度を高めることにより、焼結鉱の効率的な還元が促進されるようにすることが好適である。また、中間部は、コークスの高さ/コークス焼結鉱の高さを高くすることが好適である。一方、高炉外周側の炉壁周辺においては、熱負荷が大きくならないようにガスの流れを抑制して、炉壁の消耗、付着物の発生を抑制することが好適である。図3は、高炉に装入する各原料の物性値及び高炉炉内における好適な装入位置及び高炉炉内における挙動の特徴を示す図である。図3の好適な高炉装入位置の欄に各サブ原料の投入目標位置の例を示す。図4は、各原料の平均粒子径mm、見かけ密度t/m3を示す図である。本発明においては、装入する原料が、大きい物あるいは軽い物であれば上層に浮き、小さい物あるいは重い物である場合には下層に沈むことを応用している。図4中の破線は浮沈の境界を示し、上側では原料が沈み、下側では原料が浮く。次に、各サブ原料の混合を開始するノッチ角度を決定する方法を具体的に述べる。図5は、原料のサブ原料の粒子径/焼結粒子径及び密度比と偏析指数の関係を示す図であり、各サブ原料の代表値もプロットしてある。この偏析指数は、主原料である焼結鉱に対する各サブ原料の浮沈の程度を指数化したものである。偏析指数が正の場合には、サブ原料は焼結鉱に浮き、負の場合には焼結鉱に沈む挙動を示す。偏析指数がゼロを超えた原料は、焼結鉱の上層に浮き上がるとともに炉中心方向に移動がはじまり、偏析指数が大きい原料ほど、相対流れ込み指数が漸次増大して炉中心方向に流れ込みやすくなり、偏析指数が1の原料は炉中心まで流れ込む。したがって、偏析指数がゼロ以上の原料を高炉炉内に装入する際には、堆積させたい位置よりも炉の周辺部に装入する必要がある。なお、図5において、サブ原料の各密度比における、粒子径比と偏析指数の関係は、例えば、実験により補正値を求め、シミュレーション値を補正して算出した下記数式を用いている。密度比;0.5:y=-0.23X20.99X-0.56密度比;1.0:y=-0.12X20.65X-0.53密度比;1.25:y=-0.07X20.44X-0.48密度比;1.5:y=-0.03X20.22X-0.43密度比;2.0:y=0.06X20.01X-0.38密度比;2.5:y=0.06X2-0.03X-0.39上記の式の2次、1次、0次の項を密度比との関係で表すと各々下記A,B,C式となるA=-0.21×ρr41.46×ρr3-3.25×ρr22.04×ρr0.61B=-0.04×ρr30.12×ρr20.11×ρr-0.31C=-0.09×ρr30.35×ρr2-0.29×ρr-0.49これから、偏析指数は、下記式で表せる。偏析指数=A×DprB×DprC×Dprρr;相対密度比Dpr;相対粒子径比図6は、各サブ原料の焼結鉱に対する偏析指数から各サブ原料の高炉中心方向への流れ込みの程度以下、相対流れ込み指数というを求める図である。相対流れ込み指数は、各原料の高炉中心方向への流動しやすさを示したものである。偏析指数がゼロ以下では、相対流れ込み指数はゼロであり、装入された各原料は焼結鉱と同じ位置にとどまって層下層に堆積するため高炉中心方向への流れ込みはない。相対流れ込み指数がゼロを超えた原料は、焼結鉱の上層に浮き上がるとともに炉中心方向に移動がはじまる。相対流れ込み指数が1の原料は炉中心まで流れ込む。したがって、相対流れ込み指数がゼロ以上の原料を高炉炉内に装入する際には、堆積させたい位置よりも炉の周辺部に装入する必要がある。以下の実施形態において、サブホッパー23、33から高炉炉内へのサブ原料M2、M3の装入タイミングは、上記の技術思想に基づいて決定される。次に、図7から図11を参照して、高炉原料装入装置1の作用について説明する。図7は、高炉原料装入装置1を適用する高炉の操業に関するベースデータあり、図7Aはベース操業条件を、図7Bは高炉に装入する原燃料のベース条件を示している。図8から図11は、高炉原料装入装置1が1ダンプの装入を行なう場合における旋回シュート40の具体的スケジュールの例を示しており、ノッチNo.はノッチ角度°の制御シーケンス順序であり、ノッチ角度°は図1におけるノッチ角度θに対応する示す数値である。高炉原料装入装置1の制御部は、上記図3、図4、図5、図6により算出した各サブ原料の高炉炉内における挙動に基づいて、メインホッパー15、サブホッパー23、33、旋回シュート40の動作を制御する。なお、メインホッパー15、サブ原料装入装置20、30からの原料の輸送は旋回シュート40と同期させている。すなわち、制御部は、メイン原料M1にサブ原料M2、M3を混合して混合原料M4とする際に、旋回シュート40が、高炉中心方向への流れ込みを考慮したノッチ角度θになったときに、各サブ原料M2、M3が高炉炉内に装入されるように、各サブホッパー23、33の下部遮断弁27、37を制御して、混合原料M4に各サブ原料M2、M3を偏析させている。以下、1ダンプの混合原料M4内に、各サブ原料M2、M3が適切に偏析されているものとして説明する。制御部は、高炉内における各サブ原料の流れ込みを考慮して、偏析指数が1より大きいサブ原料を旋回シュート40のノッチ角度θが大きいときに装入することで各サブ原料の高炉炉内での径方向位置、堆積高さを制御する。図8は、メインホッパー15からは焼結鉱を、サブホッパー23から細粒焼結鉱を装入する場合の旋回シュート40のスケジュールの一例を示す図である。この場合、図8Aに示すように、出銑比2.25ton/D/m3、塊コークス比353kg/ton-p、微粉炭比142kg/ton-p、焼結鉱比1396kg/ton-p、細粒焼結鉱比220kg/ton-pである。このときの運転スケジュールは、図8Bに示すように、メインホッパー15からは、焼結鉱をノッチNo.2~11ノッチ角度48.5~40.5°にて各2旋回の間供給し、サブホッパー23からは、細粒焼結鉱をノッチNo.1~4ノッチ角度48.5~47.3°にて、ノッチNo.1のときは1旋回の間、ノッチNo.2~4の間は各2旋回の間供給するようになっている。かかるスケジュールを実施することにより、細粒焼結鉱を炉壁近傍に多く分布させることができる。図9は、メインホッパー15から焼結鉱を、サブホッパー23から小塊コークスを、サブホッパー33から還元鉄を装入する場合の旋回シュート40のスケジュールの一例を示す図である。この場合、図9Aに示すように、出銑比2.34ton/D/m3、塊コークス比291kg/ton-p、微粉炭比135kg/ton-p、焼結鉱比1531kg/ton-p、小塊コークス比62kg/ton-p、還元鉄比45kg/ton-pである。このときの運転スケジュールは、図9Bに示すように、メインホッパー15からは、焼結鉱をノッチNo.2~11ノッチ角度48.5~40.5°、サブホッパー23からは、小塊コークスをノッチNo.1~6ノッチ角度48.5~45.5°にて、サブホッパー33からは、還元鉄をノッチNo.2~10ノッチ角度48.5~42.3°にて供給し、ノッチNo.1では1旋回、No.3、No.5では各3旋回、その他のノッチNo.では各2旋回の間供給するようになっている。かかるスケジュールを実施することにより、小塊コークスを炉内中間部に多く分布させるとともに、還元鉄を炉内径方向に均一に分布させることができる。図10は、メインホッパー15からは焼結鉱を、サブホッパー23から含炭塊成鉱を、サブホッパー33から還元鉄を装入する場合の旋回シュート40のスケジュールの一例を示す図である。この場合、図10Aに示すように、出銑比2.41ton/D/m3、塊コークス比288kg/ton-p、微粉炭比133kg/ton-p、焼結鉱比1499kg/ton-p、含炭塊成鉱比40kg/ton-p、還元鉄比45kg/ton-pである。このときの運転スケジュールは、図10Bに示すように、メインホッパー15からは、焼結鉱をノッチNo.2~11ノッチ角度48.5~40.5°にて、サブホッパー23からは、含炭塊成鉱をノッチNo.2~7ノッチ角度48.5~44.1°にて、サブホッパー33からは、還元鉄をノッチNo.2~10ノッチ角度48.5~42.3°にて、No.3、No.5では各3旋回、その他のノッチNo.では各2旋回の間供給するようになっている。かかるスケジュールを実施することにより、含炭塊成鉱を炉内中間部に多く分布させるとともに、還元鉄を炉内径方向に均一に分布させることができる。図11は、メインホッパー15から焼結鉱を、サブホッパー23から小塊コークスを、サブホッパー33から含炭塊成鉱を、第3のサブホッパー不図示から還元鉄を装入する場合の旋回シュート40のスケジュールの一例を示す図である。この場合、図11Aに示すように、出銑比2.53ton/D/m3、塊コークス比230kg/ton-p、微粉炭比134kg/ton-p、焼結鉱比1499kg/ton-p、小塊コークス比54kg/ton-p、含炭塊成鉱比40kg/ton-p、還元鉄比45kg/ton-pである。このときの運転スケジュールは、図11Bに示すように、メインホッパー15からは、焼結鉱をノッチNo.2~11ノッチ角度48.5~40.5°にて、サブホッパー23からは、含炭塊成鉱をノッチNo.1~6ノッチ角度48.5~45.5°にて、サブホッパー33からは、含炭塊成鉱をノッチNo.2~7ノッチ角度48.5~44.1°にて、第3のサブホッパーからは還元鉄をノッチNo.2~10ノッチ角度48.5~42.3°にて、ノッチNo.1のときは1旋回、ノッチNo.3、5、7、9のときは各3旋回、その他のノッチNo.では各2旋回の間供給するようになっている。かかるスケジュールを実施することにより、小塊コークス及び含炭塊成鉱を炉内中間部に多く分布させるとともに、還元鉄を炉内径方向に均一に分布させることができる。図12を参照して、高炉原料装入装置1の効果について、シミュレーション結果をもとに説明する。実施例A高炉原料装入装置1によれば、細粒焼結鉱の原料分布に関して、図12Aの○で示すような効果が得られた。すなわち、高炉の径方向0.3までの範囲には細粒焼結鉱の分布はほとんどなく、0.3~0.5の範囲で大幅に増加する。そして、0.6のあたりで約20程度堆積量が減少し、0.6から1.0炉壁に向かって重量比で約0.4から0.8に増加する。このように、従来の装入コンベア上での制御◇や、特許文献1、2に示された制御△における原料分布に比較して炉中心における原料分布が大きく減少し、炉壁側における原料分布が大きく増加する点で大幅に改善できる。実施例B高炉原料装入装置1によれば、小塊コークスに関して、図12Bに○で示すように、小塊コークスは高炉の径方向約0.5から0.9までの範囲に多く分布し、炉中心部での分布は大幅に減少することが判明した。このように、従来の装入コンベア上での制御◇や、特許文献1、2に示された制御△による小塊コークスの原料分布が、炉中間部よりも炉中心部に多く分布していた不都合を根本的に改善できる。実施例C高炉原料装入装置1によれば、小塊コークスに関して、図12Cに○で示すような効果が得られた。すなわち、高炉の高さ方向0.4までの範囲は約0.05から約0.45に増加して小塊コークスの分布はほとんどなく、0.3~0.5の範囲で大幅に増加する。そして、高さ方向0.4以上では質量比0.45から約0.7に漸次増加する。このように、特許文献1、2に示された制御△における原料分布に比較すると大きな変化はないものの、従来の装入コンベア上での制御◇と比較すると上下方向の偏析が大幅に改善できる。実施例D高炉原料装入装置1によれば、還元鉄に関して、図12Dに○で示すような効果が得られた。すなわち、高炉の径方向約0.3までの範囲には還元鉄の分布は比較的小さく、0.3~0.8の範囲で漸次増加し、約0.8から1.0に向かって漸次減少する。このように、従来の装入コンベア上での制御◇や、特許文献1、2に示された制御△における原料分布に比較して炉中間部での原料分布を安定して確保できる。以上説明したように、高炉原料装入装置1によれば、複数種類の原料M1、M2、M3を高炉炉内に装入する際に、各原料M1、M2、M3の平均粒子径や見かけ密度等の性状の差異による影響を抑制して、サブ原料M2、M3をメイン原料M1に所定比率で混合することができる。また、混合された混合原料M4を、高炉炉内の所定位置に所定量、装入する際に、各サブ原料M2、M3の高炉炉内における流れ込みを考慮することにより、各サブ原料M2、M3を、高炉炉内の所定の径方向位置に堆積させて、所定の原料分布をさせることができる。その結果、銑鉄製造の生産性を向上するとともに高炉炉壁の消耗及び付着物発生の抑制を実現することができる。なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変更をすることが可能である。例えば、上記実施形態においては、サブホッパー23、33からサブ原料M2、M3を供給通路16内の流動速度制御領域に輸送する場合について説明したが、例えば、メインホッパー15下部の傾斜部やメインホッパー15に貯留された原料M1内部に形成される流動速度制御領域に、サブ原料M2、M3を輸送する構成としてもよい。また、上記実施の形態においては、二つのサブホッパー23、33が設けられる場合について説明したが、サブホッパーの数は、例えば、対象となる原料の種類に応じて設定できることはいうまでもない。また、各サブ原料M2、M3の偏析指数が異なる場合に、サブホッパー23、33からの原料輸送シュート24、34を、それぞれのサブ原料M2、M3の偏析指数に応じて算出される異なる流動速度制御領域に開口させる構成としてもよい。また、上記実施形態においては、流動速度制御領域として、サブホッパー23、33からの原料M2、M3がメイン原料M1と等速度で流動する供給通路16内に形成される場合について説明したが、例えば、メインホッパー15の壁面や傾斜部等との摩擦抵抗等により、一部の原料が等速度で流動できない場合には、上記流動ロスを考慮したうえで、サブ原料M2、M3がメイン原料M1に対して所定比率を以って流動する領域を流動速度制御領域として設定してもよい。また、上記実施形態において示した運転スケジュールは一例であり、他の運転スケジュールを適用可能であることはいうまでもない。また、上記実施形態においては、均排圧手段を設けて、サブホッパー23、33内を高炉炉内と対応する圧力に調整する場合について説明したが、例えば、均排圧手段に代えて、サブホッパー23、33への原料供給に加圧コンベアや、他の圧力調整機構を用いてもよい。また、サブホッパー23、33からメインホッパー15への原料輸送が高炉炉内の圧力に影響されない場合には、サブホッパー23、33に対する圧力調整機構を設けない構成としてもよい。また、上記実施形態においては、高炉原料装入装置1が、プログラマブルコントローラに格納された各原料の平均粒子径及び見かけ密度に基づく算出結果により制御される場合について説明したが、コンピュータのデータベースに格納された数値データや、サブホッパー23、33に供給される原料の平均粒子径及び見かけ密度に基づいてリアルタイムで算出、制御する構成としてもよい。"