裏面に第1の電極を有する第1の誘電体基板と、この第1の誘電体基板の上に設けられ、裏面に第2の電極を有すると共に表面に切欠部を有し、前記第1の誘電体基板よりも誘電率の低い材料により構成される第2の誘電体基板と、前記第1の誘電体基板の上に形成され、前記第1の電極及び前記第1の誘電体基板により分布定数回路による所定の第1の回路を構成する第1の導電体と、前記第2の誘電体基板の上に形成され、前記第2の電極と前記第2の誘電体基板により前記第1の回路よりも大きく形成可能な第2の回路を構成する第2の導電体と、この第2の導電体と前記第1の導電体を接続する導電部材と、を備えてなることを特徴とする高周波デバイス。裏面に第1の電極を有する第1の誘電体基板と、この第1の誘電体基板の上に設けられ、裏面に第2の電極を有すると共に表面に切欠部を有し、前記第1の誘電体基板よりも誘電率の低い材料により構成される第2の誘電体基板と、前記第1の誘電体基板の上であって前記切欠部の位置に形成され、前記第1の電極及び前記第1の誘電体基板により分布定数回路によるオープンスタブを形成する表面電極と、前記第2の誘電体基板の上に形成される伝送線路と、この伝送線路と前記表面電極を接続する導電部材と、を備えてなることを特徴とする高周波デバイス。前記伝送線路の途中に整合回路部を有することを特徴とする請求項2記載の高周波デバイス。裏面に第1の電極を有する第1の誘電体基板と、この第1の誘電体基板の上に設けられ、裏面に第2の電極を有すると共に表面に切欠部を有し、前記第1の誘電体基板よりも誘電率の低い材料により構成される第2の誘電体基板と、前記第1の誘電体基板の上であって前記切欠部の位置に形成され、渦巻状線路と、前記第1の誘電体基板の上であって前記切欠部の位置に形成され、前記渦巻状線路と接続され、前記第1の電極及び前記第1の誘電体基板により分布定数回路によるコンデンサを形成する表面電極と、前記第2の誘電体基板の上に形成される伝送線路と、この伝送線路と前記渦巻状線路を接続する導電部材と、を備えてなることを特徴とする高周波デバイス。前記伝送線路の途中に整合回路部を有することを特徴とする請求項4記載の高周波デバイス。この発明は、回路が比較的大きく構成できて製造、調整が容易でありしかも、小型化が望ましい回路は小型に形成することが可能な高周波デバイスを提供する。一実施形態の高周波デバイスは、裏面に第1の電極を有する第1の誘電体基板と、この第1の誘電体基板の上に設けられ、裏面に第2の電極を有すると共に表面に切欠部を有し、前記第1の誘電体基板よりも誘電率の低い材料により構成される第2の誘電体基板と、前記第1の誘電体基板の上に形成され、前記第1の電極及び前記第1の誘電体基板により分布定数回路による所定の第1の回路を構成する第1の導電体と、前記第2の誘電体基板の上に形成され、前記第2の電極と前記第2の誘電体基板により前記第1の回路よりも大きく形成可能な第2の回路を構成する第2の導電体と、この第2の導電体と前記第1の導電体を接続する導電部材と、を備えてなる。以下、実施形態について図面を用いて説明する。<第1の実施形態>第1の実施形態の高周波デバイスの斜視図を図1に示す。この実施形態は、分布定数回路によりオープンスタブを形成した整合デバイスの例である。図1において、11は方形板状であって高い誘電率を有する第1の誘電体基板であり、その裏面には、裏面電極12が一面に形成されている。第1の誘電体基板11の上には、裏面に裏面電極13が形成された同様形状の第2の誘電体基板14が設けられる。この第2の誘電体基板14の誘電率は、第1の誘電体基板11の誘電率よりも低い。第2の誘電体基板14上には所定幅の伝送線路15が形成され、その一部が幅広になっており、この部分が整合回路部16を形成する。伝送線路15と第2の誘電体基板14及びその裏面電極13によりマイクロストリップ線路を形成している。第2の誘電体基板14の一部はコの字状に切り欠かれて切欠部17となっており、この部分では第1の誘電体基板11が露出する。この切欠部17に対応する第1の誘電体基板11の上に、表面電極18が設けられている。伝送線路15はその途中の突起部で表面電極18と導電部材例えば金ワイヤであるリード線19により接続されている。表面電極18と、第1の誘電体基板11及びこの裏面電極12により分布定数回路によるオープンスタブが形成される。第1の誘電体基板11の厚さは例えば0.5mm~1mm程度、第2の誘電体基板14の厚さは例えば、0.2mm~0.6mm程度である。第1の誘電体基板11の比誘電率は、例えば20~10000程度であり、第2の誘電体基板14の比誘電率は、例えば2~10程度である。第2の誘電体基板としては例えばアルミナを用い、第1の誘電体基板11の材料は、混合物の混合比を変えることにより誘電率を変えることができる。第1の誘電体基板11はこの上に形成する表面電極18の形状を考慮して高い誘電率を有する誘電体材料により構成することが好ましい。なぜならこのような誘電体基板を用いることによりその波長短縮の効果によって、オープンスタブを形成する表面電極18の形状を小さくすることができるからである。また、第2の誘電体基板14は、この上に形成する伝送線路15や整合回路部16の大きさを考慮して、低い誘電率を有する誘電体材料により構成することが好ましい。この誘電体基板としてあまり高い誘電体材料により構成すると、この上に形成する伝送線路15や整合回路部の大きさが小さくなってしまい、製造が難しくなるからである。誘電率が低い誘電体材料を用いることにより、伝送線路15のインピーダンスを低下させ、あるいは所望のインピーダンスを有する伝送線路15の幅を比較的広くすることができる。上述の構成の整合回路は、FETチップの入力整合回路や出力整合回路として用いることができる。このような場合には、第1の誘電体基板11の上に形成する表面電極18の寸法や第2の誘電体基板14の上に形成する伝送線路15の幅や、整合回路部16を調整して、FETチップの特性インピーダンスに整合するように構成される。次に、この実施形態の整合デバイスの製造方法について説明する。図2に示すように、方形板状の第1の誘電体基板11の表面に表面電極18を形成すると共に、この誘電体基板11の裏面に裏面電極12を形成する。表面電極18及び裏面電極12は、例えば蒸着、スパッタリング等の方法により形成される。一方、方形板状の第2の誘電体基板14は、その裏面に裏面電極13を例えば蒸着、スパッタリング等の方法により形成される。そして、この誘電体基板14は、表面電極18に位置する一方の角付近をコの字状に切欠いて切欠部17が形成される。また第2の誘電体基板14の表面には、伝送線路15と、整合回路部16が、例えば蒸着、スパッタリング等の方法により形成される。次に、第1の誘電体基板11上に第2の誘電体基板14を積層し、固定する。この際、第2の誘電体基板14は、その切欠部17から第1の誘電体11上に形成された表面電極18が露出するように積層され、固定される。なお、第1の誘電体基板と第2の誘電体基板14とは、例えば半田、接着剤、焼結等により固定される。最後に、伝送線路15の突起部と表面電極18は、リード線19により接続される。このようにして第1の実施形態の整合デバイスが製造される。この実施形態によれば、回路が比較的大きく構成できて製造、調整が容易でありしかも、小型化が必要な回路は小さく形成することが可能な高周波デバイスが得られる。この実施形態によれば、オープンスタブを分布定数回路により形成した小型な整合デバイスが得られる。<第2の実施形態>次に、第2の実施形態について図3に基づいて説明する。この実施形態が図1に示した実施形態の整合デバイスと異なる点は、高誘電体基板上には、分布定数回路によりインダクタンスと集中定数回路によるコンデンサを構成する表面電極が形成されている点である。他の点は上記第1の実施形態と同様の構成を有し、同様の方法で製造される。図3において、第1の誘電体基板21の裏面に裏面電極22が設けられ、その上に裏面に裏面電極23を設けた第2の誘電体基板24が固定される。第1の誘電体基板は、誘電率が高い誘電体材料により構成され、第2の誘電体24は誘電率の低い誘電体材料により構成される。第2の誘電体基板24上には、図1の実施形態の場合と同じように、伝送線路25と、これに連結する整合回路部26が形成されている。第1の誘電体基板21の比誘電率は、例えば20~10000程度であり、第2の誘電体基板24の比誘電率は、例えば2~10程度である。第2の誘電体基板24としては例えばアルミナを用い、第1の誘電体基板11の材料は、混合物の混合比を変えることにより誘電率を変えることができる。第2の誘電体基板24には、コの字状の切欠部27を有する。この切欠部27に対応する、第1の誘電体基板21上には、インダクタンスを構成する渦巻状の線路28aと、表面電極29が設けられている。渦巻状の線路28aは伝送線路25の突起部と、例えば金ワイヤであるリード線29aと接続され、この渦巻状線路28aと、表面電極28は、例えば金ワイヤであるリード線29bにより接続される。渦巻状線路28aと第1の誘電体基板21及び裏面電極22により、分布定数によるインダクタンスが形成され、表面電極28と第1の誘電体基板21及び裏面電極22により、集中定数回路によるコンデンサが形成されている。この第2の実施形態によれば、高誘電率の第1の誘電体基板21上に渦巻状線路28aと表面電極28が形成されるので、所定のインダクタンスとキャパシタンスを得る回路を小型化した整合デバイスが得られる。ところで、上記実施形態の説明では、整合デバイスについて述べた。しかし、本発明は整合デバイスに限られない。例えば図3に示す実施形態で、表面電極18を直流的にある電圧が保持されるようにすれば、バイアスデバイスとして用いることも可能であり一般的には高周波デバイスに適用できる。以上述べたように、寸法的に小さく構成したい部品小さく形成可能な部品は誘電率の高い第1の誘電体上に構成し、寸法的に比較的大きく構成したい部品大きく形成可能な部品は、誘電率の低い第2の誘電体基板に、適宜形成することにより、比較的製造が容易であり、全体として小型の高周波デバイスが得られる。本発明のいくつかの実施形態を説明したがこれらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。