"ディスプレイデバイスであって、a表示エリアを有する透明基板と、b前記表示エリアにおいて前記透明基板の上に形成された複数の透明電極、該透明電極の上に形成された1つ又は複数の発光層、及び該1つ又は複数の発光層の上に形成された1つ又は複数の反射電極であって、前記複数の透明電極と前記1つ又は複数の反射電極との重なりが、対応する複数の発光ピクセルを画定する、複数の透明電極、1つ又は複数の発光層及び1つ又は複数の反射電極と、cピクセル接続パッドに接続されたピクセル駆動回路を含む1つ又は複数のチップレットであって、各ピクセル接続パッドは、導電性不透明電極コネクターによって透明電極に電気的に接続され、前記ピクセル駆動回路は、前記接続パッド及び前記導電性不透明電極コネクターを介して前記透明電極に電流を提供して、前記ピクセルを発光させる、1つ又は複数のチップレットと、を具備し、d前記不透明電極コネクターは、前記表示エリアにおいて前記透明基板の上に形成され、前記透明電極は、前記不透明電極コネクターの上に形成されかつ透明絶縁体によりそこから分離され、1つの不透明電極コネクターの少なくとも一部は、該不透明電極コネクターが電気的に接続されていない透明電極の少なくとも一部に重なる、ディスプレイデバイス。1つのチップレットは、5つ以上のピクセルを駆動する、請求項1に記載のディスプレイデバイス。前記チップレットは、前記表示エリアにおいて前記透明電極と前記基板との間に位置し、前記透明電極は、前記チップレットと同じ表示エリアの一部において前記基板の上に延在している、請求項1に記載のディスプレイデバイス。前記不透明電極コネクターの前記透明電極に面している面は反射性である、請求項1に記載のディスプレイデバイス。前記不透明電極コネクターの前記透明電極に面している面は光散乱性である、請求項1に記載のディスプレイデバイス。前記不透明電極コネクターの前記透明電極とは反対側の面は光吸収性である、請求項1に記載のディスプレイデバイス。前記接続パッドは、前記チップレットの長軸に沿って1つ又は複数の行で配置されている、請求項1に記載のディスプレイデバイス。前記長軸の方向における前記接続パッドの広がりは、前記チップレットが前記軸方向に接続されている前記ピクセルの広がりよりも小さい、請求項7に記載のディスプレイデバイス。前記透明電極は、列方向において列で形成された列電極であり、前記反射電極は、前記列方向とは異なる行方向において行で形成された複数の行電極を含み、前記ピクセルは、前記列電極及び前記行電極の重なりによって画定される、請求項1に記載のディスプレイデバイス。少なくとも1つのチップレットが、第1の不透明電極コネクターによって該少なくとも1つのチップレット上の第1の接続パッドに接続された第1の列電極の下に又はそれに隣接して位置し、第2の不透明電極が、前記少なくとも1つのチップレット上の第2の接続パッドに、かつ前記第1の列電極とは異なる第2の列電極に接続される、請求項9に記載のディスプレイデバイス。前記第2の不透明電極コネクターは、前記第1の列電極の下を通過する、請求項10に記載のディスプレイデバイス。前記第2の不透明電極コネクターは、前記第1の列電極の下、第1の行電極の下、及び前記第1の行電極に隣接する第2の行電極の少なくとも一部の下を通過する、請求項11に記載のディスプレイデバイス。前記第2の不透明電極コネクターは、前記第2の行電極の下で前記第2の列電極に接続される、請求項12に記載のディスプレイデバイス。前記少なくとも1つのチップレット上の第3の接続パッドに、かつ前記第1の列電極及び前記第2の列電極とは異なる第3の列電極に接続された第3の不透明電極を更に具備する、請求項10に記載のディスプレイデバイス。前記第3の不透明電極コネクターは、前記第1の列電極の下及び前記第2の列電極の下を通過する、請求項14に記載のディスプレイデバイス。前記第3の不透明電極コネクターは、第1の行電極の下、及び該第1の行電極に隣接する第2の行電極の下を通過する、請求項15に記載のディスプレイデバイス。少なくとも2つの透明電極が異なる面積を有している、請求項1に記載のディスプレイデバイス。少なくとも2つの行電極又は2つの列電極は異なる面積を有している、請求項9に記載のディスプレイデバイス。少なくとも1つのピクセルは、前記不透明電極によって覆い隠されかつ同じ行に位置する他のピクセルのいずれとも面積が異なり、又は少なくとも1つのピクセルは、前記不透明電極によって覆い隠されかつ同じ列に位置する他のピクセルのいずれとも面積が異なる、請求項9に記載のディスプレイデバイス。少なくとも1つのピクセル及び前記不透明電極によって覆い隠された前記ピクセルの寿命又は輝度のいずれかが等価である、請求項19に記載のディスプレイデバイス。したがって、発光面積が増大したより高性能のピクセルドライバーを有するディスプレイデバイスが必要とされている。ディスプレイデバイスが、a表示エリアを有する透明基板と、b前記表示エリアにおいて前記透明基板の上に形成された複数の透明電極、該透明電極の上に形成された1つ又は複数の発光層、及び該1つ又は複数の発光層の上に形成された1つ又は複数の反射電極であって、前記複数の透明電極と前記1つ又は複数の反射電極との重なりが、対応する複数の発光ピクセルを画定する、複数の透明電極、1つ又は複数の発光層及び1つ又は複数の反射電極と、cピクセル接続パッドに接続されたピクセル駆動回路を含む1つ又は複数のチップレットであって、各ピクセル接続パッドは、導電性不透明電極コネクターによって透明電極に電気的に接続され、前記ピクセル駆動回路は、前記接続パッド及び前記導電性不透明電極コネクターを介して前記透明電極に電流を提供して、前記ピクセルを発光させる、1つ又は複数のチップレットと、を具備し、d前記不透明電極コネクターは、前記表示エリアにおいて前記透明基板の上に形成され、前記透明電極は、前記不透明電極コネクターの上に形成されかつ透明絶縁体によりそこから分離され、1つの不透明電極コネクターの少なくとも一部は、該不透明電極コネクターが電気的に接続されていない透明電極の少なくとも一部に重なる。本発明は、ピクセル駆動性能が向上し発光面積が増大したディスプレイを提供する。本発明は、発光面積が増大した放射ディスプレイでピクセルを駆動する、より高性能のピクセル駆動回路を提供する。より高性能のピクセル駆動回路は、ディスプレイ基板とは別個の結晶シリコン基板を有するチップレットに形成される。結晶シリコン基板に形成されたトランジスタは、従来技術によるアクティブマトリックスディスプレイで見られる従来の薄膜トランジスタより小さく、かつ高性能である。トランジスタがより小さくかつチップレット内に位置するため、ピクセル駆動回路部からピクセル電極への電気的接続が必要であり、それら電気的接続は通常TFTアクティブマトリックス回路で使用されるビアよりも小さいエリアに、より集中する。図1A及び図9を参照すると、従来技術によって提案される配線解決法を用いるチップレット設計を示す一例では、チップレットへの電気的接続に対する従来の配線方式では、電気的接続に対して著しいディスプレイ基板面積と、実際的な製造プロセスにおける短絡を回避するために必要な電気的接続間の分離とが必要である。図1Aに示すように、ピクセル30及び30Aは、接続パッド24及び電気的接続34及びビア80を介してチップレット20に接続されている。信号バス32が、外部コントローラー図示せずをチップレット20に接続する。電気的接続をピクセル30に配線するための空間を提供するために必要な距離Dが、チップレット20からピクセル30Aを分離している。図9に示すように、距離Dにより、電極12A、12B及び12Cがチップレット20から分離している。距離Dは、電気的接続34を8つの接続パッド24から、ビア80を介して接続されている透明電極12A、12B、12Cまで、かつ残りの透明電極図示せずまで配線するために、表示エリアに適切な空間を提供するために必要であり、基板上の発光面積を縮小する。チップレット20を制御するのに必要な他のバス信号32は、接続パッド24を介してチップレット20に接続し、かつ発光に利用可能な基板上の面積を縮小する。概略的な図1及び断面図の図4を参照すると、本発明の一実施形態では、ディスプレイデバイスは、表示エリア11図1を有する透明基板10を備えている。表示エリア11において透明基板10上には複数の透明電極12が形成され、透明電極12の上には1つ又は複数の発光層14が形成され、1つ又は複数の発光層14の上には1つ又は複数の反射電極16が形成されている図4。複数の透明電極12と1つ又は複数の反射電極16との重なりにより、対応する複数の発光ピクセル30が画定される。ピクセル駆動回路22を含む1つ又は複数のチップレット20は、ピクセル接続パッド24に接続され、各ピクセル接続パッド24は、導電性不透明電極コネクター34によって透明電極12に電気的に接続されており、ピクセル駆動回路22は、接続パッド24及び導電性不透明電極コネクター34を介して透明電極12に電流を提供し、ピクセル30を発光させる。不透明電極コネクター34は、表示エリア11において透明基板10の上に形成され、透明電極12は、不透明電気コネクターの上に形成されかつ透明絶縁体18Cによってそこから分離されている。図1を参照すると、1つの不透明電極コネクター34Aの少なくとも一部が、ビア80Aを介してピクセル30Bに対応する透明電極に電気的に接続されている。不透明電極コネクター34Aは、不透明電極コネクター34Aが電気的に接続されていない透明電極、例えばピクセル30Aに対応する透明電極の少なくとも一部に重なっている。発光ピクセルエリアの一部に重なることにより、不透明電極コネクター34は重なったエリアにおける発光ピクセルを覆い隠し、例えば暗線を形成するが、ピクセルの総発光面積を増大させることもできる。ピクセル電極コネクター34を、金属、例えばアルミニウム、銀、マグネシウム又はこれらの金属若しくは他の金属の合金から作製し、従来のフォトリソグラフィプロセスを使用して形成することができる。より詳細に図4を参照すると、ディスプレイ基板10と別個のチップレット基板28を有するチップレット20が、接着層18Aによって基板10に付着し、接着層18Bにより埋め込まれている。チップレット20は、1つ又は複数のピクセル30を駆動する回路部22を含む。透明電極12が、平坦化、接着及び絶縁層18Cにおけるビア80を介して、チップレット20上に形成された不透明電極コネクター34及び接続パッド24に電気的に接続されている。透明電極12は、層18Cによって不透明電気コネクター34から分離されかつ電気的に絶縁されている。透明電極12の上に、1つ又は複数の発光材料層14が位置し、発光材料層14の上に反射電極16が形成されている。発光材料層14複数の場合もあるは、有機発光ダイオード及び無機発光ダイオードの技術分野において既知であるように様々な電荷制御層とともに、複数の発光材料層を含むことができる。電極12、16及び発光材料層14複数の場合もあるは、発光ダイオード15を形成している。別個の発光ダイオード15は、絶縁体40によって分離されている。チップレット20を、表示エリアにおいて透明電極12と基板10との間に配置することができる。さらに、透明電極12は、チップレット20と同じ表示エリアの一部において基板10の上に延在することができ、それにより、透明電極12はチップレット20の上に重なり、チップレット20はピクセル30によって放射される光を遮る。本発明は、チップレット上の接続パッドをピクセルの透明電極に電気的に接続する電気コネクターの上にピクセルを延在させることにより、ピクセルによる発光に利用可能な面積を増大させる。これは、チップレット接続パッドが小さいエリアに集中し、それにより接続パッドへの電気的接続が従来の配線設計によって著しい表示エリアを占有する場合に最も有用であるため、本発明は、チップレットが多数のピクセルを駆動し、したがって多数の接続パッドを有する場合に、著しい利点を提供する。したがって、本発明の一実施形態によれば、チップレットは、5つ以上のピクセル例えば図1に示すように8つのピクセルを駆動することができる。図1Aを参照すると、本発明と同様であるが、従来技術によるディスプレイ設計によって提案されるような従来のレイアウトを備えたチップレットを採用する代替レイアウトは、発光エリア内で不透明電極コネクター34の上に重ならない。図1Aを図1の対応する部分と注意深く比較すると、図1の本発明におけるピクセル30Aの実際の発光面積は、図1Aのピクセル30Aの発光面積よりほぼ20大きいことが分かる。さらに、図11A及び図11Bを参照すると、本出願人による研究により、不透明電極コネクター34に向かって放射される光を、まず、不透明電極コネクターから反射電極16に向かって、次いでデバイスから出るように反射させることができることが分かる。図11Aにおいて、OLEDデバイスは、金属マスクの後方に位置し、金属マスクは、光吸収面とは反対側にOLEDデバイスに向けられた反射面を有し、マスクには0.5mmの穴がある。穴の周辺にわたって光のハローが見られ、マスクの後方から放射される光の幾分かを、穴を通して放射することができることを視覚的に論証する。図11Bは、図11AにおいてYが記されている線に沿って穴を横切って取り出された輝度のグラフであり、穴の周囲にわたって輝度が上昇することを示す。このため、これは、覆い隠された発光エリアの少なくとも幾分かの光がデバイスから放射されることを論証する。したがって、本発明の更なる実施形態では、透明電極に面している不透明電極コネクターの面を反射性とすることができる。OLED技術分野において既知であるように、比較的光学指数の高い発光層14から放射された光を、その層において又は隣接する層例えば接着層18において閉じ込めることができる。デバイスから閉じ込められた光を抽出するために、図5に示すように、透明電極に面している不透明電極コネクターの面を光散乱性とすることができる。ディスプレイが周囲光を吸収することもまた有用であり、それにより、例えば図11Aにおいて論証するようにディスプレイの周囲コントラストが向上する。したがって、ディスプレイ周囲コントラストを向上させるために、本発明の一実施形態では、不透明電極コネクターの透明電極とは反対側の面を光吸収性とすることができる。例えば、不透明電極コネクターを、本技術分野において既知であるように表面が黒色であるように処理された金属から作製することができる。本発明の別の実施形態では、チップレット接続パッドは、チップレットの長軸に沿って1つ又は複数の列で配置されている。この構成は、チップレット内の回路部に対してチップレット内の接続パッドの数を増大させるという有用な特徴を有している。結晶シリコン内の回路を、接続パッドに対して非常に小さくすることができるため、チップレットのサイズは、回路の品質ではなくパッドのサイズ及び数によって制限されこととなる可能性があり、したがって、チップレットの面積に対してチップレットの周辺長を増大させることを有用とすることができる。図7を参照すると、長軸60及び短軸62を備えたチップレット20は接続パッド24の2つの列を有している。こうした構成により、図6に示すように、チップレット20の接続性が向上するが、従来技術による配線設計例えば図1A、図9の問題も増大させる。図6に示すように、信号バス32は、チップレット20の両端においてかつ中心において接続パッド24に接続されている。信号バスを、ディスプレイを操作するためのクロック信号、データ信号、選択信号、電力信号、接地信号又は他の所望の信号とすることができる。電極接続34は、端部と中心接続パッドとの間で接続パッド24に接続されている。このため、本発明の有用な実施形態では、長軸の方向における接続パッド24の広がりは、同じ接続パッド24が長軸方向において接続されているピクセルの広がりより小さい。再び図1を参照すると、長さL1は、チップレット20の長軸方向においてピクセル30A及び30Bを駆動する接続パッド24の広がりである。長さL2は、ピクセル30A及び30Bの広がりである。L1はL2よりも小さい。図1に示す本発明の実施形態は、従来のアクティブマトリックス制御回路を採用することができ、そこでは、透明電極の各々は別個の回路によって制御される。本発明の代替的なパッシブマトリックス実施形態では、透明電極は列になるように形成され、反射電極は行になるように形成され又はその逆も可、列電極及び行電極の重なりがピクセルを形成する。図2に示すように、透明電極12A、12B、12C、12Dは、電気的接続34によってチップレット20上の接続パッド24に接続された列になるように形成される。この図では、電気的接続34A~34Dは、不透明電極コネクターが電気的に接続されていない透明電極の少なくとも一部に重なる。例えば、電気コネクター34Bは、透明電極12Aの一部に重なり、ビア80を介して透明電極12Bに電気的に接続されるが透明電極12Aには接続されない。電気コネクター34Cは、透明電極12Aの一部及び電極12Bの一部に重なり、ビア80を介して透明電極12Cに電気的に接続されるが、透明電極12A、12Bには接続されない。同様に、電気コネクター34Dは、透明電極12A、12B及び12Cの一部に重なり、ビア80を介して透明電極12Dに電気的に接続されるが、透明電極12A、12B、12Cには接続されない。この実施形態では、長さL4は、透明列電極をチップレット20の長軸の方向に駆動する接続パッド24の広がりである。長さL3は、透明列電極透明列電極12A~12Dのみを示すの広がりである。L4はL3より小さい。チップレット20の接続パッドに接続された信号バス32は、制御信号、電力信号及び接地信号を提供する。明確にするために、図2には行電極16は示していない。図3を参照すると、行電極16A及び16Bが上面図で示されている。この実施形態では、反射行電極16は、透明列電極12に対して直交している。ビア80が、電気的接続34をチップレット20上の接続パッド24に接続する。第1のチップレット20が独立した列信号を提供して列電極12を駆動することができ、一方で、第2のチップレット20図示せずが行信号を提供して行電極16を駆動することができる。代替的に、単一のチップレットが、反射行電極16及び透明列電極12の両方を駆動する信号を提供することができる。行及び列という指定は任意であり、入れ替えることができる。同様に、透明電極12が反射電極16と電気的接続34との間にある限り、透明電極又は反射電極の選択を入れ替えることができる。本発明は、チップレットベースのディスプレイデバイスにおける基板の上の表示エリアにわたる電気的接続及び透明電極の相対位置を対象とする。図2及び図8に示す、行電極及び列電極を有する本発明の更なる実施形態では、少なくとも1つのチップレット20を、第1の不透明電極コネクター34によって少なくとも1つのチップレット20上の第1の接続パッド24に接続された第1の列電極12Aの下に基板により近く又は第1の列電極12Aに隣接して配置することができ、第2の不透明電極34Bを、少なくとも1つのチップレット20上の第2の接続パッド24に、かつ第1の列電極12Aとは異なる第2の列電極12Bに接続することができる。この実施形態では、第2の不透明電極コネクター34Bは、第1の列電極12Aの下を通過する。図3に示す更なる実施形態では、第2の不透明電極コネクター34Bは、第1の列電極12Aの下、第1の行電極16Aの下、及び第1の行電極16Aに隣接する第2の行電極16Bの少なくとも一部の下を通過する。この位置では、第2の不透明電極コネクター34Bを、第2の行電極16Bの下で第2の列電極12Bに接続することができる。図3に示すように、この構造を、他の電極コネクターまで拡張することができ、例えば、第3の不透明電極34Cを、少なくとも1つのチップレット20上の第3の接続パッド24に、かつ第1の列電極12A及び第2の列電極12Bとは異なる第3の列電極12Cに接続することができる。さらに、第3の不透明電極コネクター34Cは、第1の列電極12Aの下及び第2の列電極12Bの下を通過する。第3の不透明電極コネクター34Cはまた、第1の行電極16Aの下及び第1の行電極16Aに隣接する第2の行電極16Bの下を通過する。本発明は、ディスプレイデバイスに利用可能な発光面積を増大させることができる。しかしながら、発光エリアの下で電極コネクターを配線することにより、ピクセルの発光エリアの一部が覆い隠される。一般に、覆い隠されるエリアは、人間の眼が解像することができないほど小さくなり、それは、ピクセル自体が特にピクセルが多色ピクセル群の一部である場合通常、所望の視認距離で見る人によって解像されないためである。それにも関らず、ピクセル内の覆い隠されたエリアは、ピクセル間の間隔、例えばチップレットを配置するか又は信号バスを配線するために必要な空間と組み合わされると、見る人が集合的なより暗いエリアを知覚する可能性があるように、暗くなったエリア全体を増大させる可能性がある。このため、本発明の一実施形態によれば、図8に示すように、図2に比較してより大きい距離が電極接続34を分離することができる。図8の例では、接続パッド24に接続された電極接続34B~34Dは、列電極12A~12Dの長さに沿ってより長い距離を延在し、それにより、チップレット20により近くにより多くの放射するエリアを提供し、チップレット20及び信号バス32の近くに覆い隠されたピクセルエリアが集中するのを低減する。図2、図3及び図8に示す本発明の実施形態では、透明列電極が異なる量の覆い隠されたエリアを有するということは依然として事実である。通常、チップレットの端部から最も遠い電極は、電極接続によって覆い隠される最大量のエリアを有することになる。このため、これらの透明電極を採用するピクセルは、比較的薄暗くなるように見える可能性がある。補償するために、相対的に薄暗いピクセルを、より多くの電流で駆動することができるが、この解決法によって相対的に薄暗いピクセルの寿命が短縮する。本発明の代替実施形態では、少なくとも2つの透明電極が異なる面積を有することができる。電極エリアを、同じ信号によって駆動された場合に、発光面積が同じであるように、又はピクセルから放射される光の量が同じであるように調整することができる。例えば、図10は、信号バス32を備えたチップレット20上の接続パッド24から電極コネクター34によって駆動されるピクセル30及び30Aの覆い隠されていない発光面積は等しいが、透明電極面積は異なる、本発明の一実施形態を示す。この構造を、行電極及び列電極の配置において、覆い隠される面積が相対的に広い列電極若しくは行電極又は両方をより大きくすることにより、採用することもでき、それにより、同じ行の他のピクセルのいずれとも面積が異なる少なくとも1つのピクセルか、又は同じ列の他のピクセルのいずれとも面積が異なる少なくとも1つのピクセルを生成する。少なくとも1つのピクセルの面積を、ピクセルの寿命又は輝度のいずれかを一致させるために、不透明電極によって覆い隠されるピクセルのうちのいずれの面積に対しても調整することができ、そのためそれらピクセルの寿命及び輝度は等価である。本発明の利点は、信号バスをより単純に配線し、単一の共通層に形成することができる、ということである。こうした共通層により製造ステップが減少する。本発明の様々な実施形態によれば、表示エリアに他のバスを形成することができる。貫通バスは、チップレット上の第1の接続パッドに接続し、チップレットを通って第2の接続パッドに至り、その後、基板の上に形成されたバスラインに再度接続される、基板の上に形成されたバスである。このため、貫通バスは、一連のバスセグメントと、接続パッドと、異なるセグメントを有する電気的に連続したバスを形成するチップレット接続とを含む。貫通バスにより、バスは、他のバスに対して直交する方向において表示エリアを横切って延在することができる。貫通バスはまた、チップレットの全てに対する電気的接続も可能にし、すなわち、貫通バスは、全てのチップレットを共通信号に電気的に接続することができる。外部コントローラー図示せずが、チップレットへの信号バスに信号を提供する。チップレットは、透明電極に電流を提供する回路部を含み、望ましい場合は例えば行/列電極構成において反射電極複数の場合もあるに電流を提供することができる。電流は、行電極と列電極との間に形成された発光材料を通って流れ、発光材料を発光させる。本発明の一実施形態では、行電極及び列電極を別個の層に形成することができ、ピクセルは、行ドライバーチップレット及び列ドライバーチップレットによって制御されるパッシブマトリックス制御を有することができる。行電極及び列電極の重なりによって形成されるピクセルを、別個の列ドライバーチップレットによって制御されるピクセル群に分割することができる。行電極で可能であるように、行ドライバーチップレットをピクセル群の間で共有することができる。代替的に、各ピクセルを、透明電極への電気的接続を備えた単一のチップレットによって制御することができ、一方で、反射電極は、ピクセルの全てに共通して電気的に接続されている。チップレットは、単数又は複数のバスを通じて外部コントローラーに接続することができる。バスは、シリアルバス、パラレルバス、又はポイントツーポイントバスとすることができ、デジタル又はアナログとすることができる。バスは、チップレットに接続されて、電力信号、接地信号、クロック信号、データ信号、又は選択信号等の信号を提供する。1つ又は複数のコントローラーに別個に接続された2つ以上のバスを用いることができる。バスは、タイミング例えば、クロック信号、データ信号、選択信号、電力接続、又は接地接続を含む様々な信号を供給することができる。信号は、アナログ又はデジタルとすることができ、例えば、デジタルアドレス又はデータ値とすることができる。アナログデータ値は、電荷として供給することができる。記憶レジスタは、デジタル例えば、フリップフロップを含む又はアナログ例えば、電荷を蓄積するキャパシタを含むとすることができる。動作時、コントローラーは、ディスプレイデバイスの必要に従って情報信号を受信しかつ処理し、処理済み信号及び制御情報を、1つ又は複数のバスを介してデバイスの各チップレットに送信する。処理済み信号は、ピクセルごとの関連するチップレットに対応する発光ピクセル素子ごとの輝度情報を含む。輝度情報を、各発光ピクセル素子に対応するアナログ又はデジタル記憶素子に格納することができる。そして、チップレットは、輝度情報に対応する電流を、ピクセルを通して駆動して発光する。コントローラーは、チップレットとして実装し、基板に固定することができる。コントローラーは、基板の周辺に配置することができるか、又は基板の外部にあることができ、従来の集積回路を含むことができる。本発明の様々な実施形態によれば、チップレットは様々な方法で構成することができ、例えば、チップレットの長い寸法に沿って1行又は2行の接続パッドを用いて構成することができる。相互接続バス及びワイヤは、様々な材料から形成することができ、様々な方法を用いてデバイス基板上に堆積することができる。例えば、相互接続バス及びワイヤは、蒸着又はスパッタリングされる金属、例えば、アルミニウム又はアルミニウム合金とすることができる。代替的には、相互接続バス及びワイヤは、硬化した導電性インク又は金属酸化物から作製することができる。コストに関して有利な1つの実施形態では、相互接続バス及びワイヤは、単層内に形成される。本発明は、大きなデバイス基板、例えば、ガラス、プラスチック又はフォイルを用い、デバイス基板上に複数のチップレットが規則的な配列で配置されるマルチピクセルデバイスの実施形態に特に有用である。各チップレットは、そのチップレット内の回路部に従って、かつ外部コントローラーからの制御信号に応答して、デバイス基板上に形成された複数のピクセルを制御することができる。個々のピクセルグループ又は複数のピクセルグループをタイル状の素子上に配置することができ、それらの素子を組み立てて、ディスプレイ全体を形成することができる。本発明によれば、チップレットは、基板上に分散配置されるピクセル制御素子を提供する。チップレットは、デバイス基板に比べて相対的に小さな集積回路であり、独立した基板上に形成される、ワイヤ、接続パッド、抵抗器若しくはキャパシタ等の受動構成要素、又はトランジスタ若しくはダイオード等の能動構成要素を含む回路を備える。チップレットは、ディスプレイ基板とは別に製造され、その後、ディスプレイ基板に付着される。これらのプロセスの詳細は、例えば米国特許第6,879,098号、同第7,557,367号、同第7,622,367号、米国特許出願公開第2007/0032089号、同第2009/0199960号、同第2010/0123268号において見いだせる。チップレットは、半導体デバイスを製造する既知のプロセスを用いて、シリコン又はシリコンオンインシュレーターSOIウェハーを用いて製造されることが好ましい。各チップレットは、その後、デバイス基板に取り付けられる前に分離される。それゆえ、各チップレットの結晶性基部は、デバイス基板とは別の基板とみなすことができ、チップレットの回路部がその上に配置される。それゆえ、複数のチップレットは、デバイス基板とは別であり、かつ互いに別である対応する複数の基板を有する。詳細には、独立した基板は、その上にピクセルが形成される基板とは別であり、独立したチップレット基板の面積は、合わせても、デバイス基板の面積よりも小さい。チップレットは、例えば、薄膜アモルファスシリコンデバイス又は多結晶シリコンデバイスにおいて見られる能動構成要素よりも、高い性能の能動構成要素を提供する結晶基板を有することができる。チップレットは100μm以下の厚みを有することができることが好ましく、20μm以下であることがより好ましい。これは、チップレット上に接着剤及び平坦化材料を形成するのを容易にし、その際、それらの材料は、従来のスピンコーティング技法を用いて付着することができる。本発明の一実施形態によれば、結晶シリコン基板上に形成されるチップレットは、幾何学的なアレイに配列され、接着剤又は平坦化材料を用いてデバイス基板に接着される。チップレットの表面上の接続パッドを用いて、各チップレットを信号ワイヤ、電力バス及び行電極又は列電極に接続し、ピクセルを駆動する。チップレットは少なくとも4つのピクセルを制御することができる。チップレットは半導体基板内に形成されるので、チップレットの回路部は、最新のリソグラフィツールを用いて形成することができる。そのようなツールによれば、0.5ミクロン以下の機構サイズを容易に手に入れることができる。例えば、最新の半導体製造ラインは、90nm又は45nmの線幅を達成することができ、本発明のチップレットを作製する際に用いることができる。しかしながら、チップレットは、ディスプレイ基板上に組み付けられると、チップレット上に設けられた配線層への電気的接続を作製するための接続パッドも必要とする。接続パッドのサイズは、ディスプレイ基板上で用いられるリソグラフィツールの機構サイズ例えば、5μm、及び配線層に対するチップレットの位置合わせ例えば、±5μmに基づいて決められなくてはならない。それゆえ、接続パッドは、例えば、15μm幅にすることができ、パッド間に5μmの間隔をあけることができる。これは、パッドが一般的には、チップレット内に形成されるトランジスタ回路部よりも著しく大きいことを示す。接続パッドは一般的に、トランジスタを覆う、チップレット上のメタライゼーション層内に形成することができる。製造コストを下げることができるように、できる限り小さな表面積を有するチップレットを作製することが望ましい。基板例えば、アモルファスシリコン又は多結晶シリコン上に直接形成される回路よりも高い性能を持った回路部を有する独立した基板例えば、結晶シリコンを含むを備えるチップレットを用いることによって、より高い性能を有するデバイスが提供される。結晶シリコンは、より高い性能を有するだけでなく、はるかに小さな能動素子例えば、トランジスタも有するので、回路部サイズは非常に小さくなる。例えば、Yoon、Lee、Yang及びJang著AnoveluseofMEMSswitchesindrivingAMOLEDDigestofTechnicalPapersoftheSocietyforInformationDisplay200834p13に記述されているように、微小電気機械MEMS構造を用いて有用なチップレットを形成することもできる。デバイス基板はガラスを含むことができ、蒸着又はスパッタリングされる金属又は金属合金、例えば、アルミニウム又は銀から作製される配線層が、平坦化層例えば、樹脂上に形成され、当該技術分野において知られているフォトリソグラフィ技法を用いてパターニングされる。チップレットは、集積回路業界において十分に確立されている従来の技法を用いて形成することができる。本発明はマルチピクセルインフラストラクチャを有するデバイスにおいて用いることができる。詳細には、本発明は、有機又は無機のいずれかのLEDデバイスで実施することができ、情報表示デバイスにおいて特に有用である。好ましい実施形態では、本発明は、限定はしないが、米国特許第4,769,292号及び米国特許第5,061,569号に開示されるような小分子OLED又はポリマーOLEDから構成されるフラットパネルOLEDデバイスにおいて用いられる。例えば、多結晶半導体マトリックス内に形成される量子ドットを用い例えば、米国特許出願公開第2007/0057263号において教示される、有機電荷制御層若しくは無機電荷制御層を用いる無機デバイス、又はハイブリッド有機/無機デバイスを用いることができる。有機発光ディスプレイ又は無機発光ディスプレイの数多くの組み合わせ及び変形を用いて、トップエミッターアーキテクチャを有するか又はボトムエミッターアーキテクチャを有するアクティブマトリックスディスプレイを含む、そのようなデバイスを製造することができる。本発明は、或る特定の好ましい実施形態を特に参照しながら詳細に説明されてきたが、本発明の趣旨及び範囲内で変形及び変更を実施できることが理解されるべきである。"