少なくとも第1半導体層と、受光面より入射した光信号を吸収する光吸収半導体層と、第2半導体層と、が積層された、メサ形状のメサ部と、前記メサ部の上部に配置された電極部と、前記メサ部の側面の一部を覆い、かつ、前記電極部の外周の一部から前記メサ部の外部へ向かって延伸するように配置された配線部と、を含む、入射した光信号を電気信号に変換する少なくとも1の受光素子と、光ファイバからの光信号を、前記少なくとも1の受光素子の前記受光面に集光するレンズと、を含む光モジュールであって、前記配線部は、前記受光面における光信号の強度分布に基づいた位置に配置されることを特徴とする光モジュール。請求項1に記載の光モジュールであって、前記配線部は、前記強度分布の長手方向に沿って配置されることを特徴とする光モジュール。請求項2に記載の光モジュールであって、前記強度分布は、楕円形状であり、前記配線部は、当該楕円形状の長軸方向に沿って配置されることを特徴とする光モジュール。請求項1から3のいずれか一項に記載の光モジュールであって、前記受光素子の前記受光面の中心は、前記レンズの光軸に対して垂直な第1の方向にずらして配置されるとともに、前記配線部は、前記第1の方向とは逆の方向である第2の方向に沿った位置に配置されることを特徴とする光モジュール。請求項4に記載の光モジュールであって、前記受光素子は、裏面入射型受光素子であることを特徴とする光モジュール。請求項1から3のいずれか一項に記載の光モジュールであって、前記受光素子は、前記受光面の法線方向が前記レンズの光軸に対して傾斜するように配置され、前記配線部は、前記傾斜方向に沿った位置に配置されることを特徴とする光モジュール。請求項6に記載の光モジュールであって、前記受光素子は、裏面入射型受光素子もしくは表面入射型受光素子であることを特徴とする光モジュール。請求項1から4のいずれか一項に記載の光モジュールであって、前記光モジュールは、更に、前記光ファイバからの光信号が入射する、一列に並んだ複数のバンドパスフィルタと、前記複数のバンドパスフィルタの表面において反射した光信号を反射するとともに、前記バンドバスフィルタに対向して配置された全反射ミラーと、を含み、前記少なくとも1の受光素子は、所定の間隔で並んだ複数の受光素子であって、前記集光レンズは、前記バンドパスフィルタから出射した各光信号を、対応する前記各受光素子の各受光面に集光することを特徴とする光モジュール。請求項1から3のいずれか一項に記載の光モジュールであって、前記メサ部は、更に、前記吸収層と前記第1半導体層との間に反射層を含み、前記電極部は、リング形状であって、前記光ファイバからの光信号は、前記レンズを介して、前記メサ部に入射し、前記吸収層で吸収された後、更に、前記光信号の少なくとも一部が前記反射層で反射されることを特徴とする光モジュール。少なくとも第1半導体層と、受光面より入射した光信号を電気信号に変換する吸収する光吸収半導体層と、前記第2半導体層と、が積層された、メサ形状のメサ部と、前記メサ部の上部に形成された電極部と、前記メサ部の側面の一部を覆うように、前記電極部の外周の一部から、前記メサ部の外部へ向かって延伸して形成された配線部と、を含む、入射した光信号を電気信号に変換する受光素子と、光ファイバからの光信号を、前記受光素子の受光面に集光するレンズと、を含む光モジュールであって、前記受光素子の前記受光面の中心軸は、前記レンズの光軸に対して該光軸に垂直な第1の方向にずらして配置されるとともに、前記配線部は、前記第1の方向とは逆の方向である第2の方向に沿った位置に配置されることを特徴とする光モジュール。請求項10に記載の光モジュールであって、前記受光素子は、裏面入射型受光素子であることを特徴とする光モジュール。上記のようにレンズの光軸の中心に対して受光素子をずらして配置する場合、光ファイバからの入射光がレンズの中心を通過しないことから、収差が生じ、受光素子における受光面での結像歪が生じる。また、受光素子の受光面の法線方向をレンズの光軸に対して傾斜するように受光素子を配置する場合、レンズを通過した光線は、当該受光面において、円形状ではなく楕円形状となり、同様に、結像歪が生じる。ここで、高速伝送方式に用いられる受光素子は、その高速応答のために受光素子の受光径を小さくして接合容量を抑え、受光素子の容量成分及び抵抗からなるCR時定数を下げる必要がある。特に、例えば、10Gbit/s以上の性能が要求される場合、受光素子の受光径が10μm程度と、シングルモードファイバのモードフィールド径とほぼ同じサイズまで小さくする必要がある。よって、当該受光径内に入射光を適切に結合させることが困難となる。この場合において、上記のように受光素子における受光面において結合歪が生じる構成を用いた場合、当該受光系内に入射光を有効に結合させることがより困難となり、結果として、受光素子の受光感度が低下する場合がある。より具体的には、上記のように受光素子をオフセット配置した場合を例として、図13を用いて、下記に説明する。図13は、本発明の課題を説明するための図である。具体的には、図13は、例えば、直径1.5mmの球レンズを、集光レンズとして用い、15μmの受光径を持つ受光素子をオフセット配置した場合におけるシミュレーション結果を示す。図13に示した円は、受光素子の受光径に相当する。また、図13に示す点は、光強度に相当し、点の密度が高い場所ほど光強度が強いことを表す。図13に示すように、受光素子をオフセット配置した場合には、収差により、結像歪が生じ、図13下方に結像が伸びる。また、図13に示すように、受光径の外部にも光が到達する。当該外部に到達する光は、後述する受光素子内部の吸収層まで到達できず、受光素子の受光感度に寄与することができない。図13に示した例においては、約98の光は受光径内に分布するが、残りの約2の光線は、受光径の外部に分布する。なお、受光素子の受光径が小さくなるにつれて、受光径の外部に分布する光が増加する。本発明は、上記課題に鑑みて、受光素子の受光面における反射に起因するノイズの発生を抑制するとともに、当該受光素子の受光感度の低下を抑制する光モジュールを実現することを目的とする。1本発明の光モジュールは、少なくとも第1半導体層と、受光面より入射した光信号を吸収する光吸収半導体層と、第2半導体層と、が積層された、メサ形状のメサ部と、前記メサ部の上部に配置された電極部と、前記メサ部の側面の一部を覆い、かつ、前記電極部の外周の一部から前記メサ部の外部へ向かって延伸するように配置された配線部と、を含む、入射した光信号を電気信号に変換する少なくとも1の受光素子と、光ファイバからの光信号を、前記少なくとも1の受光素子の前記受光面に集光するレンズと、を含む光モジュールであって、前記配線部は、前記受光面における光信号の強度分布に基づいた位置に配置されることを特徴とする。2上記1に記載の光モジュールにおいて、前記配線部は、前記強度分布の長手方向に沿って配置されることを特徴とする。3上記2に記載の光モジュールにおいて、前記強度分布は、楕円形状であり、前記配線部は、当該楕円形状の長軸方向に沿って配置されることを特徴とする。4上記1乃至3のいずれかに記載の光モジュールにおいて、前記受光素子の前記受光面の中心は、前記レンズの光軸に対して垂直な第1の方向にずらして配置されるとともに、前記配線部は、前記第1の方向とは逆の方向である第2の方向に沿った位置に配置されることを特徴とする。5上記4に記載の光モジュールにおいて、前記受光素子は、裏面入射型受光素子であることを特徴とする。6上記1乃至3のいずれかに記載の光モジュールにおいて、前記受光素子は、前記受光面の法線方向が前記レンズの光軸に対して傾斜するように配置され、前記配線部は、前記傾斜方向に沿った位置に配置されることを特徴とする。7上記6に記載の光モジュールにおいて、前記受光素子は、裏面入射型受光素子もしくは表面入射型受光素子であることを特徴とする。8上記1乃至4のいずれかに記載光モジュールは、更に、前記光ファイバからの光信号が入射する、一列に並んだ複数のバンドパスフィルタと、前記複数のバンドパスフィルタの表面において反射した光信号を反射するとともに、前記バンドバスフィルタに対向して配置された全反射ミラーと、を含み、前記少なくとも1の受光素子は、所定の間隔で並んだ複数の受光素子であって、前記集光レンズは、前記バンドパスフィルタから出射した各光信号を、対応する前記各受光素子の各受光面に集光することを特徴とする。9上記1乃至4のいずれかに記載光モジュールにおいて、前記メサ部は、更に、前記吸収層と前記第1半導体層との間に反射層を含み、前記電極部は、リング形状であって、前記光ファイバからの光信号は、前記レンズを介して、前記メサ部に入射し、前記吸収層で吸収された後、更に、前記光信号の少なくとも一部が前記反射層で反射されることを特徴とする。10本発明の他の側面における光モジュールは、少なくとも第1半導体層と、受光面より入射した光信号を電気信号に変換する吸収する光吸収半導体層と、前記第2半導体層と、が積層された、メサ形状のメサ部と、前記メサ部の上部に形成された電極部と、前記メサ部の側面の一部を覆うように、前記電極部の外周の一部から、前記メサ部の外部へ向かって延伸して形成された配線部と、を含む、入射した光信号を電気信号に変換する受光素子と、光ファイバからの光信号を、前記受光素子の受光面に集光するレンズと、を含む光モジュールであって、前記受光素子の前記受光面の中心軸は、前記レンズの光軸に対して該光軸に垂直な第1の方向にずらして配置されるとともに、前記配線部は、前記第1の方向とは逆の方向である第2の方向に沿った位置に配置されることを特徴とする。11上記10に記載の光モジュールにおいて、前記受光素子は、裏面入射型受光素子であることを特徴とする。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。[第1の実施形態]図1は、本発明の第1の実施形態に係る光モジュールの構成について説明するための図である。本実施形態に係る光モジュール100は、図1に示すように、主に、受光素子101と、受光素子支持部材102と、プリアンプなどの搭載素子103と、レンズ104を含む。なお、当該受光素子101、支持部材102、搭載素子103、レンズ104等は、例えば、同軸型のパッケージである収容部106内に設けられる。収容部106は、レンズ収容後部106aと、レンズ収容前部106bと、を含む。レンズ収容部106は、例えば、一体的に形成された金属製の部材であり、円柱形状の外形を有するレンズ収容後部106aと、当該レンズ収容後部106aの外径より小さな外径の円柱形状の外形を有するレンズ収容前部106bと、を含む。また、レンズ収容後部106aとレンズ収容前部106bとの間にレンズ104が配置される。光ファイバ収容部107は、レンズ収容前部106bの上部に設けられた孔に配置される。光ファイバ収容部107は、例えば、円筒形状の金属で形成される。当該光ファイバ収容部107には、コネクタ108若しくはフェルールで覆われた光ファイバ109が配置される。レンズ収容部106bの下部に配置されたステム111上には、支持部材102と、搭載素子103が配置される。また、支持部材102上には、受光素子101が配置される。具体的には、例えば、受光素子101は、後述するように、レンズ104の光軸113からずらして配置オフセット配置される。ここで、受光素子101は、光に対応する光信号を電気信号に変換するフォトダイオードPDを含む。受光素子101や搭載素子103は、例えば、金属で形成されるリードピン110を介して、光モジュール100の外部に配置されるフレキシブル基板と電気的に接続される。つまり、受光素子101や搭載素子103から出力される電気信号は、リードピン110を介して、フレキシブル基板112に伝送される。次に、光ファイバ109から出射される光信号の経路について説明する。光ファイバ109は、光信号をレンズ104に出射する。ここで、図1に示すように、光ファイバの中心軸113はレンズ104の光軸より少し左側にずれて配置される。逆に、受光素子101はレンズ104の光軸より少し右側にずれて配置される。これにより、光ファイバ109からの出射光は、レンズ104の中心軸からずれてレンズ104に入射し、当該レンズ104からの出射光は、受光素子101の受光面に対して、斜めに入射する。したがって、受光素子101の受光面における反射光も受光面に対して斜めに反射する。これにより、当該反射光が、再びレンズ104を介して、光ファイバ109に戻ることを抑制することができる。なお、ここで、出射光の光軸とは、進行する光束の中心となる仮想的な光線に相当する。図2は、図1に示したステム上部に配置された受光素子の配置について説明するための図である。図2に示すように、ステム111の上面には支持部材102上に設けられた受光素子101及び搭載素子103が配置される。具体的には、受光素子101の受光部が、ステム111の中心よりプラスy軸方向にわずかにずらして配置オフセット配置される。なお、当該プラスy軸方向が図3のオフセット方向に相当する。また、上記においてはステム111の中心がレンズの光軸113に略一致するものとする。図3は、図2に示した受光素子101の上面を拡大した概略図である。図3に示すように、受光素子101は、半導体基板301と当該半導体基板301上に形成された受光部302、当該受光部302と配線部303を介して接続されるp電極パッド304、n電極パッド305を含む。具体的には、受光部302は、当該受光部302の外周から延伸する配線部303を介して、p電極パッド304に接続される。なお、p電極パッド304やn電極パッド305は、例えば、ハンダ付けを用いて支持部材102等に接続することから、受光部302と比較して、大きな面積を有するように形成される。図4は、図3におけるIV-IV断面の概略を示す図である。図5は、図4のV-V方向からみた上面の概略を示す図である。なお、図5において、501はメサ部410の直径に相当する。図4に示すように、受光素子101周辺においては、図4の下方から順に、低反射膜401、半導体基板402、n型半導体コンタクト層403が形成される。また、当該n型半導体コンタクト層403上には、n型半導体層405、吸収層406、p型半導体層407、p型半導体コンタクト層409が積層され、メサ形状のメサ部410を形成する。また、当該メサ部410の上部や側面部及びn型半導体コンタクト層403の上部を覆うように、パッシベーション膜404が形成される。そして、当該パッシベーション膜404で覆われたメサ部410の上部にp電極408が形成される。当該p電極408は、p電極408の外周の一部から延伸するようにして形成された配線部412を介して、p電極パッド304に接続される。当該配線部412は、図5に示すように、メサ部410の側面の一部のみを覆うように必要最小限の幅で形成される。これは、当該配線部412を、メサ部410の側面全部に形成すると、当該メサ部410側面の配線部412が寄生容量成分となることから、必要最小限の幅とするものである。また、当該配線部412及びp電極408は、例えば、Auを蒸着して形成する。また、当該配線部412やp電極408は、入射した光の高反射材として機能する。更に、メサ部410からみてp電極408と反対側にはn電極411が形成される。次に、図4下方から入射する光の経路について説明する。図4からわかるように本実施の形態における受光素子は、裏面入射メサ型PINPDに相当する。なお、当該入射光は、図1に示したレンズ104から入射する光に相当することはいうまでもない。当該入射光は、吸収層406を通過する際に吸収され、電気信号に変換される。このとき、吸収層406は当該入射した光を100吸収することができない。よって、吸収層406で吸収されなかった光は、p型半導体層407及びp型半導体コンタクト層409を通過し、p電極408や配線部412で反射され、再び吸収層406へ入射する。一方、配線部412が形成されていないメサ部410の側面では、光を反射する配線部412が形成されていないことから、光の反射は低減する。ここで、図1を用いて説明したように、本実施の形態においては、レンズ104の光軸112の中心から、受光素子101の受光面をプラスy方向にオフセット配置する。よって、レンズ104の収差による結像ボケが生じる方向は、マイナスy方向となる。したがって、配線部412を当該結像ボケが生じる方向に沿って設ける。これにより、配線部412をメサ部410側面の他の方向に設けた場合と比べて、マイナスy方向における受光面の位置の許容範囲を広げることができる。また、図13に示したように、本実施の形態においては、受光径の外部にも光が分布するが、当該受光径外部に分布した光のうちの一部が少なくとも配線部412で反射させることができ、結果として、受光感度を向上させることができる。具体的には、図6を用いて説明する。図6は、本実施の形態における受光素子を用いた場合におけるx軸方向、y軸方向のトレランスカーブを示す図である。なお、図6において、縦軸が結合効率を示し、横軸が受光面の中心からの距離を示す。図6に示すように、結合損-3dBを基準にした場合の結合範囲を受光径と定義すると、受光径は、x軸方向に16μm、y軸方向に18μmである。つまり、上記のように配線部412を設けることにより、y軸方向の受光径がx軸方向の受光径よりも13程度大きくすることができることがわかる。また、図6に示すように、y軸方向の受光径の中心もずれ、受光径が配線部412を配置した方向に広がる。なお、受光径の定義は、上記の他その他の結合損を基準としてもよい。ここで、例えば、光ファイバ109としてシングルモードファイバを用いた場合、当該光ファイバ109のモードフィールド径は、約10μm程度であり、集光レンズ104の像倍率を1とした場合、受光素子101の受光面でもモードフィールド径は、約10μmとなる。この場合、x軸方向における受光径との差は、約6μmとなる。一方、y軸方向における受光径は約8μmとなる。つまり、本実施の形態によれば、製造過程における位置決めの許容範囲をy軸方向に約2μm広げることができる。本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。具体的には、例えば、上記においては受光素子101として裏面入射メサ型PIN-PDを用いる場合について説明したが、裏面入射メサ型APDを用いてもよい。また、配線部412をp電極408としたがn電極411で構成してもよい。さらに、上記においては光モジュール100のパッケージとして同軸型を用いる場合いついて説明したが、例えば、箱型のバタフライパッケージを用いても、同様のオフセット配置は可能であるため、箱型のパッケージを用いてもよい。また、上記においては、配線部412をレンズ104の収差による結像ボケが生じる方向に沿って配置したが、完全に沿わなくても一定の効果を得ることができる。具体的には、結像ボケが生じる方向に対して、±45°、好ましくは±30°の範囲内に配線部412を配置することが望ましい。[第2の実施形態]次に、本発明の第2の実施形態について説明する。本実施の形態における光モジュール200は、波長の異なる複数の光信号を受信する波長多重受信モジュールであることが、主に、第1の実施形態と異なる。なお、下記において第1の実施形態と同様である点については説明を省略する。図7は、本実施の形態における光モジュールの全体構成について説明するための図である。図7に示すように、本実施の形態における光モジュール200は、主に、分波フィルタ702、レンズ703、サブマウント704上に設けられた複数の受光素子101を含む。なお、分波フィルタ702、レンズ703、サブマウント704等は、例えば、箱型のパッケージ701内に設けられる。光ファイバ109は、光モジュール200のパッケージ701の一端に配置され、後述する分派フィルタ702に光ファイバ109からの光信号を出射する。図7に示すように当該パッケージ701は、例えば、いわゆる箱型のパッケージに相当する。光ファイバ109は、波長の異なる複数の光信号が多重された波長多重信号を分波フィルタ702に出射する。なお、本実施の形態においては、一例として、当該波長多重信号が波長の異なる4の光信号を含むものとして説明する。分波フィルタ702は、当該光ファイバ109からの波長多重信号705を各信号波長に分波する。具体的には、分波フィルタ702は、図8に示すように、光ファイバ109から入射した光を全反射する全反射ミラー802、第1乃至第4のバンドパスフィルタ803a乃至dを含むフィルタ部803を含む。また、各バンドバスフィルタ803a乃至dから出射する光を対応する各受光素子101に集光するように、分波フィルタ702の出射側にレンズ703を配置する。各受光素子101は、レンズ703に対向する位置にサブマウント704上に並んで設けられる。具体的には、図9に示すように、各受光素子101は、例えば、サブマウント704のレンズ703側の表面に、所定の間隔で並んで設けられる。また、各受光素子101は、レンズ703からの対応する光信号を受光する。また、第1の実施形態と同様に、各受光素子101は、p電極パッド901やn電極パッド902を介して、搭載素子103に電気的に接続される。次に、本実施の形態における光ファイバ109から入射した光の経路について説明する。図8に示すように、光ファイバ109からの光信号は、z軸に対して所定の角度で第1のバンドパスフィルタ803aに入射する。第1のバンドバスフィルタ803aは、予め設定された波長のみ透過し、その他の波長の光は当該第1のバンドバスフィルタ803aの表面で入射各に対応する反射角度で反射する。当該第1のバンドパスフィルタ803aの表面で反射した反射光は、全反射ミラー802で反射し、第2のバンドパスフィルタ803bに、光ファイバ109からの光信号と同じ角度で入射する。同様に、第2のバンドバスフィルタ803bは、予め設定された波長のみ透過し、その他の波長の光は、当該第2のバンドバスフィルタ803bの表面で入射角に対応する反射角度で反射する。以下同様に、第1乃至第4のバンドパスフィルタ803a乃至dが、各所定の波長の光を透過することにより、光ファイバ109からの光信号が分波される。具体的には、例えば、図9の例の場合、z軸に対して光ファイバ109からの入射光の角度はz軸に対して10°とする。上記のように、当該入射光は、当該入射角を保ったままジグザグに分波フィルタ702内を進行するとともに、各バンドパスフィルタ803a乃至dからの出射光も当該角度を維持しつつ、レンズ703へ出射する。バンドパスフィルタ803からの出射光は、レンズ703を通過し、各受光素子101に入射する。このとき、レンズ703が、各受光素子101表面に垂直になるように出射光を曲げるように構成すると、上記いわゆる戻り光の問題が生じる。したがって、本実施の形態においては、受光素子101の表面に光が垂直に入射しないようにする必要があり、この場合、レンズ703からの出射光がレンズ703の中心を通る経路にできない。よって、上記と同様に、レンズ703の収差が問題となる。具体的には、本実施の形態においては、図8に示すように、レンズ703から各受光素子101に入射する光は、受光素子101の法線方向に対して、プラスy方向に向かって角度を有する。この場合、上記第1の実施形態と同様に、レンズ703の収差による結像歪が生じる方向はマイナスy方向となる。したがって、本実施の形態においては、上記第1の実施形態と同様に、配線部412を当該結像歪が生じる方向に沿って設ける。これにより、配線部412を他の方向に設けた場合と比べて、マイナスy方向における受光面の位置の許容範囲を広げることができる。また、受光径の外部に分布する光のうちの一部を少なくとも配線部412で反射させることができ、結果として、各受光素子101の受光感度を向上させることができる。なお、上記のように、各バンドパスフィルタ803a乃至dを透過する光の出射角は同じであるため、各受光素子101の配置は、レンズ703からの各入射光について同じ向きにすればよい。本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。例えば、上記においては、光ファイバ109から4の異なる波長を有する光信号が入力される場合について説明したが、その他の数の波長成分を有する光信号が入力される場合であってもよい。この場合、バンドパスフィルタ803の数や受光素子101の数は、光ファイバ109から出射される波長成分の数に応じて異なることはいうまでもない。また、第1の実施形態と同様に、受光素子101として裏面入射メサ型PIN-PDを用いてもよいし、裏面入射メサ型APDを用いてもよい。また、例えば、配線部412は、p電極408を延伸して形成してもよいし、またはn電極411を延伸して形成してもよい。さらに、上記においては、箱型のパッケージ701を用いる場合を例として説明したが、同軸型のパッケージを用いてもよい。また、上記においては、配線部412をレンズ104の収差による結像ボケが生じる方向に沿って配置したが、完全に沿わなくても一定の効果を得ることができる。具体的には、結像ボケが生じる方向に対して、±45°、好ましくは±30°の範囲内に配線部412を配置することが望ましい。[第3の実施形態]次に、本発明の第3の実施形態を説明する。本実施の形態においては、上記のような受光素子101のオフセット配置に代えて、レンズ104からの光の光軸112に対して、受光素子101の受光面の法線方向を傾けて受光素子101を配置する点が、主に、第1の実施形態と異なる。図10は、本発明の第3の実施形態における光モジュール200の全体構成について説明するための図である。図10に示すように、本実施の形態における光モジュール300は、第1の実施の形態と同様に、光ファイバ109、レンズ104、受光素子101を含む。しかしながら、第1の実施の形態と異なり、光ファイバ109の先端は、光ファイバ109の中心軸131に対して略垂直であり、光ファイバ109からの出射光の光軸は、光ファイバ109の中心軸131に略同一とする。光ファイバ109からの出射光は、レンズ104を介して、受光素子101の受光面に集光する。ここで、図10に示すように、受光素子101は、図10のx-y平面に対して傾けて配置する。なお、図10においては、当該傾斜角度をθとして示す。具体的には、例えば、図10に示すように、断面からみて台形形状のサブマウント132上に受光素子101を配置することにより、x-y平面に対して受光素子101を傾けて配置する。これにより、受光素子101の受光面上での結像は円形状ではではなく楕円形状となり、また、当該楕円形状の長軸は傾斜角に依存する。このときの様子の概略を図11に示す。図11に示すように、受光素子101の受光面における結像502についての楕円形状の長軸に沿って、配線部412を設ける。これにより、配線部412を他の方向に設けた場合と比べて、y方向における受光素子101の位置決めの許容範囲をマイナスy方向に広げることができる。本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。具体的には、例えば、受光素子101としては、裏面入射メサ型PIN-PDを用いてもよいし、裏面入射メサ型APDを用いてもよい。また、上記においては、配線部412を受光素子101における結像502の長軸方向に沿って配置したが、完全に沿わなくても一定の効果を得ることができる。具体的には、受光素子101における結像502の長軸方向に対して、±45°、好ましくは±30°の範囲内に配線部412を配置することが望ましい。[第4の実施形態]次に、本発明の第4の実施形態を説明する。本実施の形態においては、受光素子101として表面入射メサ型PIN-PDを用いる点が、主に、第3の実施形態と異なる。なお、下記において、第3の実施形態と同様である点については説明を省略する。図12は、本実施の形態における受光素子の断面の概略を示す図である。図12に示すように、半導体基板402上にn型半導体コンタクト層403を積層し、当該n型半導体コンタクト層403層上にメサ状に形成されたn型半導体層405、反射層141、吸収層406、p型半導体層407、p型半導体コンタクト層409を積層する。また、メサ部410の上面及び側面にはパッシベーション膜404を形成するとともに、メサ部410上面には図12上方からみてリング状のp電極408を形成する。また、第1の実施形態と同様にメサ部410の側面の一部に配線部412を形成するとともに、半導体基板402のメサ部410と反対側の表面には低反射膜401を形成する。なお、吸収層406の下に反射層141を形成する方法としては、例えば、特開2001-308367号公報に開示の方法や、いわゆるDBR層を形成する方法を用いればよい。ここで、図12に示すように、上記第3の実施形態と同様に、受光素子101を、図12のx-y平面に対して傾けて配置する。したがって、受光素子101の受光面上での結像は円形状ではなく楕円形状となる。また、当該楕円形状の長軸の長さは、傾斜角に依存する。よって、第3の実施形態と同様に、本実施の形態においては、当該楕円形状の長軸に沿って、配線部412を設ける。また、当該配線部412は、受光素子101での反射層141での反射光の方向を配線部412の方向と略一致させる。具体的には、レンズ104の光軸112と、配線部412へ向かう方向133の間の角度図10の角度Φに相当を90°以上となるように配置する。これにより、配線部412を他の方向に設けた場合と比べて、y方向における受光面の位置の許容範囲を広げることができるとともに、吸収層406における光信号の吸収効率を向上させることができる。次に、レンズ104からの光信号の経路について説明する。上記のように、本実施の形態における受光素子101は、いわゆる表面入射型PDであるため、メサ部410上方からレンズ104を通過した光信号が入射する。当該光信号のうち吸収層406で吸収されない光は、吸収層406下の反射層141で反射されて再度吸収層406に入射する。再度吸収層406に入射した光のうち吸収されなかった光は、吸収層406を通過して、配線部412で反射し、再度吸収層406で吸収される。これにより、吸収層406における光信号の吸収効率を向上させることができる。本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。具体的には、例えば、上記においては受光素子101として表面入射メサ型PIN-PDを用いる場合について説明したが、表面入射メサ型APDを用いてもよい。また、配線部412を、p電極408を延伸して形成する場合について説明したが、n電極411を延伸して形成するように構成してもよい。さらに、光モジュール300のパッケージは、上記箱型または同軸型のいずれのパッケージを用いてもよい。なお、特許請求の範囲における第1の半導体層及び第2の半導体層はそれぞれ、例えば、上記第1乃至第4の実施形態におけるn型半導体層403及びp型半導体層407に相当する。また、上記においては、配線部412を受光素子101における結像502の長軸方向に沿って配置したが、完全に沿わなくても一定の効果を得ることができる。具体的には、受光素子101における結像502の長軸方向に対して、±45°、好ましくは±30°の範囲内に配線部412を配置することが望ましい。さらに、受光素子を入射光に対して傾けて配置することで反射光を抑制しつつ、光信号の吸収効率を向上させる形態を示したが、受光素子に対して、入射光を斜めに入射する構成においても同様の効果が得られる。