"LiTaO3製の圧電基板にSi製の支持基板が、接着剤を介して接合された弾性表面波素子であって、前記圧電基板の厚さが、40~50μmに設定され、前記接着剤の厚さが、20μm以上に設定されている、ことを特徴とする弾性表面波素子。ところで、圧電基板と支持基板とを接合した弾性表面波素子の温度特性は、圧電基板の厚さに依存し、薄い程温度特性が良好である。しかしながら、圧電基板が薄すぎると、製造時や実使用時に、圧電基板にクラック亀裂や割れなどが発生してしまう。同様に、接着剤の厚さを適正にしないと、圧電基板に作用する応力やたわみが大きくなり、圧電基板にクラックや割れなどが発生してしまう。そこでこの発明は、圧電基板と支持基板とが接合されていても、クラックや割れなどが発生せず、しかも周波数温度特性が良好な弾性表面波素子を提供することを目的とする。上記目的を達成するために請求項1に記載の発明は、LiTaO3製の圧電基板にSi製の支持基板が、接着剤を介して接合された弾性表面波素子であって、前記圧電基板の厚さが、40~50μmに設定され、前記接着剤の厚さが、20μm以上に設定されている、ことを特徴とする。すなわち、本願発明者は、シミュレーションや実験、その考察などの結果、弾性表面波素子としての周波数温度特性が良好で、しかも、クラックや割れなどが発生しない条件として、圧電基板の厚さが40~50μmで、接着剤の厚さが20μm以上であることが必要である、という結論に至った。請求項1に記載の発明によれば、圧電基板と接着剤との厚さが、適正値に設定されているため、弾性表面波素子としての周波数温度特性が良好で、つまり、温度に対する周波数特性が安定し、しかも、クラックや割れなどが発生しない。以下、この発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。図1は、この発明の実施の形態に係る弾性表面波素子1の断面をモデル化した図である。この弾性表面波素子1は、LiTaO3製の圧電基板2にSi製の支持基板3が、接着剤接合層4を介して接合された素子であり、圧電基板2の上面に、図示されていない櫛型IDT:InterDigitalTransducer電極が配置されている。この弾性表面波素子1では、次のような理由により、圧電基板2の厚さHuが、40~50μmに設定され、接着剤4の厚さhが、20μm以上に設定されている。すなわち、温度変化によって弾性表面波素子1接合体には、図2に示すようなたわみωmaxが生じ、このたわみωmaxは、次式によって表される。ここで、接着剤4は、後述するようなエポキシ剤とする。eU,eL[m]:接着剤4の中央Z=0から上下部材中央までの距離Z座標の絶対値ωmax[m]:たわみω0[m]:たわみの上限値f1:被接合部材の剛性を表すωの影響を表すものf2:接着剤4の剛性比λの影響を表すものαU,αL[/°C]:熱膨張係数Δθ[°C]:温度変化BU,BL[Pam]:伸び剛性、BU=EUHU、BL=ELHLEU,EL[Pa]:ヤング率HU,HL[m]:厚さλ:接着剤4の剛性比、λ=√{SUSL/SB}SU[/Pam]:SU=1/BUeUeUeL/DUDLSL[/Pam]:SL=1/BLeLeUeL/DUDLSB[/Pam]:SB=4h/{1-βGL2}β:ボイド面積率G[Pa]:横弾性係数、G=E/2v1v:ポアソン比L[m]:長さh[m]:接着剤4の厚さDU[Pam3]:圧電基板2の曲げ剛性、DU=EUHU^3/12DL[Pam3]:支持基板3の曲げ剛性、DL=ELHL^3/12LiTaO3BYLTの熱膨張係数αU=1.61×10-05[/°C]Z方向Siの熱膨張係数αL=4.20×10-06[/°C]接着剤4の熱膨張係数=1.00×10-04[/°C]LiTaO3BYLTのヤング率EU=230[GPa]Siのヤング率EL=170[GPa]接着剤4のヤング率=1.50[GPa]LiTaO3BYLTのポアソン比=0.3Siのポアソン比=0.17接着剤4として使用されるエポキシ剤は、例えば、概略次のようなものである。主成分:エポキシメタクリレート粘度:130±30[mPasec]回転粘度計25±1°C硬化前の屈折率:1.503±0.005[nD589.3nm]アッベ屈折計25±1°C硬化前の比重:1.10比重計25±1°C硬化後の比重:1.20アルキメデス法硬化収縮率:8~9引張弾性率:1000~1300[MPa]表面硬度:13±2[Hv]微小硬度計熱膨張係数:1.0~1.1×10-04[/°C]硬化後の屈折率:nD1.534、nF1.543、nC1.531アッベ屈折計接着強度:10[N/mm2]上記の式から、Si製の支持基板3の方が、LiTaO3製の圧電基板2よりも熱膨張係数が小さいため、常温から温度上昇した場合には、図3aに示すように、弾性表面波素子1全体が凸状に変形し、圧電基板2には圧縮応力が発生する。また、常温から温度下降した場合には、図3bに示すように、弾性表面波素子1全体が凹状に変形し、圧電基板2には引張り応力が発生する。ところで、LiTaO3もセラミックスの一種であり、セラミックスは、原子が共有結合で結びついているため、金属なような延性、展性がなく、圧縮応力よりも引張り応力に弱い。つまり、LiTaO3製である圧電基板2は、温度上昇時高温時よりも、温度下降時低温時の方が弱く、クラックや割れなどが発生しやすい。一方、上記の式から、次のようなことがわかる。すなわち、上記の数1から、たわみωmaxを小さくするには、ω0、f1およびf2を小さくすればよく、上記の数2から、被接合部材である圧電基板2および支持基板3の厚さeU,eLを厚くすることで、たわみωmaxを小さくすることができる。また、f1は、被接合部材の剛性を表すパラメータωの影響を表すものであり、ωを大きくすると、たわみωmaxを小さくすることができる。さらに、f2は、接着剤4の剛性比λの影響を表すものであり、剛性比λを小さくすると、たわみωmaxを小さくすることができる。つまり、柔らかい接着剤4を用いることや、接着剤4を厚くすることなどによって、たわみωmaxを小さくすることができる。図4は、上記の式に基づいて、厚さが異なる複数の圧電基板2における、温度変化Δθとたわみ上限値ω0との関係を示す図である。この図から、たわみ上限値ω0は、圧電基板2の厚さに対して反比例状に変化し、圧電基板2が薄いほど、たわみ上限値ω0が大きくなることが明らかである。また、図5は、上記の式に基づいて、厚さが異なる複数の接着剤4における、圧電基板2の厚さとたわみωmaxとの関係を示す図である。この図から、圧電基板2の厚さが40μm未満では、たわみωmaxが急激に大きくなることが確認される。また、図6は、上記の式に基づいて、厚さが異なる複数の圧電基板2における、接着剤4の厚さとたわみωmaxとの関係を示す図である。この図から、接着剤4の厚さが20μm未満では、たわみωmaxが急激に大きくなることが確認される。次に、厚さ方向の垂直応力について検討すると、接着剤4の端部で生じる最大垂直応力σzmaxは、次式によって表される。σZ:接着剤4の厚さ方向の垂直応力Xe:接着剤4の端部からの距離X0:垂直応力の作用範囲寸法Tmax:接着剤4に生じる最大せん断応力K:接着剤4の厚さ方向の変形に対するバネ定数β:ボイド面積率h:接着剤4の厚さE:厚さ方向のヤング率上記の数16から、最大垂直応力σzmaxを小さくするには、接着剤4のヤング率を小さくすること柔らかい接着剤4を用いることや、接着剤4を厚くすることなどが有効である、ことがわかる。また、数12から、同式中のeU/DU-eL/DLの項がゼロとなるように、圧電基板2と支持基板3との剛性比を選択すれば、最大垂直応力σzmaxがゼロになることがわかる。次に、圧電基板2に生じるx方向の応力σuについて検討すると、この応力σuは、次式によって表される。σuo:接着剤4を剛体とした場合のσuの上限値Y:接着剤4のせん断ひずみYmax:最大せん断ひずみY0:境界条件dy/dξ上記の数21から、応力σuを低減するには、接着剤4の剛性比λを小さくすること、すなわち、柔らかい接着剤4を用いることや、接着剤4を厚くすることなどが、有効であることがわかる。また、上記の式から、せん断ひずみを低減するには、圧電基板2と支持基板3との熱膨張係数の差αL-αUや接合寸法Lを小さくすること、あるいは、接着剤4を厚くすることが有効であることがわかる。図7は、上記の式に基づいて、厚さが異なる複数の接着剤4における、圧電基板2の厚さと圧電基板2に作用する応力σuとの関係を示す図である。この図から、圧電基板2の厚さを厚くすると、圧電基板2に作用する応力σuが低減緩和されることが明らかである。このようなシミュレーション計算による検討に基づいて、接着剤4の厚さを20μmとし、圧電基板2の厚さを変化させて、圧電基板2の割れの有無および弾性表面波素子1の周波数温度特性を確認した実験結果を、図8、9に示す。ここで、上記のように、支持基板3の厚さを厚くするほど、たわみωmaxを小さくすることができ、また、弾性表面波素子1全体の強度剛性、厚さなどを考慮して、支持基板3の厚さは、約360μmに設定されている。この実験結果から、少なくとも圧電基板2の厚さが32μm以下では、製造時などに圧電基板2に割れが発生することが確認された。また、圧電基板2の厚さを薄くするに従って、周波数温度特性が向上良化し、圧電基板2の厚さが50μmの場合には-18ppm/°Cで、従来の-36ppm/°Cに比べて半減することが確認された。以上のようなシミュレーションや実験、およびその考察により、圧電基板2の厚さが40μm以上であれば、たわみωmaxを抑制可能で、実際実験においても割れが発生しないことが判明した。一方、圧電基板2の厚さを50μm以下にすることで、周波数温度特性を良好にすることができることが判明した。さらに、接着剤4の厚さについては、20μm以上であれば、たわみωmaxを抑制可能で、実際実験においても圧電基板2の厚さを適正40μm以上にすれば、割れが発生しないことが判明した。すなわち、圧電基板2の厚さHuを40~50μmに設定し、接着剤4の厚さhを20μm以上に設定することで、弾性表面波素子1としての周波数温度特性を良好にした上で、製造時や実使用時におけるクラックや割れなどの発生を防止抑制することができるものである。以上、この発明の実施の形態について説明したが、具体的な構成は、上記の実施の形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても、この発明に含まれる。例えば、上記の実施の形態では、接着剤4の厚さの上限値については規定していないが、この上限値は、弾性表面波素子1全体の厚さや接合性などを考慮して設定され、例えば、50μmとしてもよい。また、接着剤4は、上記のようなエポキシ剤に限らない。"