ベース部とそのベース部の周囲に複数の貫通孔が形成されたベースウエハを使って、圧電振動片と前記ベース部とを有する圧電デバイスを製造する製造方法において、前記ベースウエハはガラス又は圧電材からなり、前記ベースウエハの第1面とその第1面の反対側の第2面とに耐蝕膜を形成する耐蝕膜形成工程と、前記耐蝕膜上にフォトレジストを形成し露光した後、前記貫通孔に対応する前記耐蝕膜を金属エッチングする金属エッチング工程と、前記金属エッチング工程後に、前記ガラス又は圧電材をエッチング液につけて前記ベースウエハの前記第1面と前記第2面とからウェットエッチングし、前記ガラス又は圧電材が貫通する手前までエッチングするウェットエッチング工程と、前記第2面に耐蝕膜が形成された状態で、前記第2面側から研磨材を吹き付けるサンドブラスト工程と、を備える圧電デバイスを製造する製造方法。前記サンドブラスト工程では、前記第1面に耐蝕膜が形成された状態で、前記第1面側から研磨剤を吹き付ける請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法。前記サンドブラスト工程後、前記耐蝕膜を除去する除去工程と、前記除去工程後に、前記第2面に実装用の外部電極と前記貫通孔に側面電極とを形成する工程と、を備える請求項1又は請求項2に記載の圧電デバイスの製造方法。前記ベース部は前記第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、前記貫通孔は前記ベース部の向かい合う角に形成される丸孔である請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。前記ベース部は前記第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、前記貫通孔は前記ベース部の向かい合う辺に形成される辺に沿った長孔である請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。リッド部とベース部とで形成されるキャビティ内に配置された圧電振動片を有する圧電デバイスであって、前記ベース部は、一対の外部電極が形成される第1面とその第1面の反対側の第2面と、前記第1接合面から前記第1面と第2面とを結ぶ側面を介して前記外部電極と接続する一対の接続電極と、を備え、前記第1面と前記第2面とを結ぶ側面の断面は、前記第1面から中央までの第1領域と前記第2面から前記中央への第2領域と前記中央で前記第1領域及び第2領域から外側に突き出ている突出領域とからなる圧電デバイス。前記第2面がサンドブラストにより粗面化される請求項6に記載の圧電デバイス。前記第1面がサンドブラストにより粗面化される請求項7に記載の圧電デバイス。しかしながら、特許文献1の圧電デバイスの製造方法は、レーザー、ウェットエッチング又はサンドブラスト等によって貫通孔を形成するとしか開示しておらず、どのように形成すれば効果的である等は開示していない。圧電デバイスの小型化が進むにつれ、貫通孔の正確な大きさとその貫通孔に形成される電極形成により高い要求が求められるようになっている。そこで、本発明は、貫通孔が適正に形成されるベースウエハを使って圧電デバイスの製造方法を提供する。第1観点の圧電デバイスの製造方法は、ベース部とそのベース部の周囲に複数の貫通孔が形成されたベースウエハを使って、圧電振動片とベース部とを有する圧電デバイスを製造する製造方法である。圧電デバイスの製造方法は、ベースウエハはガラス又は圧電材からなりベースウエハの第1面とその第1面の反対側の第2面とに耐蝕膜を形成する耐蝕膜形成工程と、耐蝕膜上にフォトレジストを形成し露光した後貫通孔に対応する耐蝕膜を金属エッチングする金属エッチング工程と、金属エッチング工程後にガラス又は圧電材をエッチング液につけてベースウエハの第1面と第2面とからウェットエッチングしガラス又は圧電材が貫通する手前までエッチングするウェットエッチング工程と、第2面に耐蝕膜が形成された状態で第2面側から研磨材を吹き付けるサンドブラスト工程と、を備える。第2観点の圧電デバイスの製造方法において、サンドブラスト工程では第1面に耐蝕膜が形成された状態で、第1面側から研磨剤を吹き付ける。第3観点の圧電デバイスの製造方法は、サンドブラスト工程後、耐蝕膜を除去する除去工程と、除去工程後に第2面に実装用の外部電極と貫通孔に側面電極とを形成する工程と、を備える。第4観点の圧電デバイスの製造方法において、ベース部は第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、貫通孔はベース部の向かい合う角に形成される丸孔である。第5観点の圧電デバイスの製造方法において、ベース部は第2面側からみて4辺を有する矩形形状であり、貫通孔はベース部の向かい合う辺に形成される辺に沿った長孔である。第6観点の圧電デバイスは、リッド部とベース部とで形成されるキャビティ内に配置された圧電振動片を有する。ベース部は一対の外部電極が形成される第1面とその第1面の反対側の第2面と、第1接合面から第1面と第2面とを結ぶ側面を介して外部電極と接続する一対の接続電極と、を備える。また、第1面と第2面とを結ぶ側面の断面は、第1面から中央までの第1領域と第2面から中央への第2領域と中央で第1領域及び第2領域から外側に突き出ている突出領域とからなる。第7観点の圧電デバイスは、第2面がサンドブラストにより粗面化される。第8観点の圧電デバイスは、第1面がサンドブラストにより粗面化される。本発明の製造方法によれば、ベースウエハ単位でコストを低減させて圧電デバイスを製造でき、また耐久性に優れた圧電デバイスを製造することができる。第1実施形態及び第2実施形態では、圧電振動片としてATカットの水晶振動片が使われている。つまり、ATカットの水晶振動片は、主面YZ面が結晶軸XYZのY軸に対して、X軸を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜されている。このため、ATカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をY’軸及びZ’軸として用いる。すなわち、第1実施形態及び第2実施形態において水晶振動子の長手方向をX軸方向、水晶振動子の高さ方向をY’軸方向、X及びY’軸方向に垂直な方向をZ’として説明する。第1実施形態<第1水晶振動子100の全体構成>第1水晶振動子100の全体構成について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は第1水晶振動子100の分解斜視図で、図2は図1のA-A断面図である。なお、図1では接続電極124a、124b全体が見えるように、封止材である低融点ガラスLGが透明に描かれている。図1及び図2に示されたように、第1水晶振動子100はリッド凹部111を有するリッド部11と、ベース凹部121を有するベース部12と、ベース部12に載置される平板状の水晶振動片10とを備える。水晶振動片10は、ATカットされた水晶片101により構成され、その水晶片101の中央付近の両主面に一対の励振電極102a、102bが対向して配置されている。また、励振電極102aには水晶片101の底面-Y’側の-X側まで伸びた引出電極103aが接続され、励振電極102bには水晶片101の底面-Y’側のX側まで伸びた引出電極103bが接続されている。水晶振動片10はメサ型又は逆メサ型であってもよい。水晶振動片10の励振電極102a、102bの周囲に図10に示されるような一対のL字型の間隙部が形成されていてもよい。ここで、励振電極102a、102b及び引出電極103a、103bは例えば下地としてのクロム層が用いられ、クロム層の上面に金層が用いられる。また、クロム層の厚さは例えば0.05μm~0.1μmで、金層の厚さは例えば0.2μm~2μmである。ベース部12は、表面Y’側の面にベース凹部121の周囲に形成された第2端面M2を有している。また、ベース部12はX軸方向の両側にベース貫通孔BH1図7を参照を形成した際のZ’軸方向に伸びたベースキャスタレーション122a、122bが形成されている。ベースキャスタレーション122a、122bはY’軸方向のほぼ中央位置に外側に突起した突起部126a、126bがそれぞれ形成されている。つまり、ベースキャスタレーション122a、122bは突起部126a、126bから第2端面M2までの曲面からなる第1領域127Aと、突起部126a、126bから実装面M3までの曲面からなる第2領域127Bとを含んでいる。突起部126a、126bはベース加工の際に形成される凸部GB図6を参照である。なお、実装面M3は水晶振動子の実装面であり、微小な凸凹が形成されている。また、ベースキャスタレーション122a、122bにはベース側面電極123a、123bがそれぞれ形成されている。また、ベース側面電極123aと電気的に接続された接続電極124aがベース部12の第2端面M2の-X側に形成されている。同様に、ベース側面電極123bと電気的に接続された接続電極124bがベース部12の第2端面M2のX側に形成されている。さらに、ベース部12は実装面M3にベース側面電極123a、123bとそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極125a、125bを有している。なお、ベース側面電極、接続電極及び外部電極は水晶振動片10の励振電極及び引出電極と同じ構成である。第1水晶振動子100において、水晶振動片10のX軸方向の長さがベース凹部121のX軸方向の長さより大きい。このため、水晶振動片10を導電性接着剤13でベース部12に載置すると、図2に示されたように水晶振動片10のX軸方向の両端がベース部12の第2端面M2に載置される。このとき、水晶振動片10の引出電極103a、103bがベース部12の接続電極124a、124bにそれぞれ電気的に接続される。これにより、外部電極125a、125bがベース側面電極123a、123b、接続電極124a、124b、導電性接着剤13及び引出電極103a、103bを介して励振電極102a、102bにそれぞれ電気的に接続される。つまり、外部電極125a、125bに交番電圧正負を交番する電位を印加したときに、水晶振動片10は厚みすべり振動する。リッド部11は、ベース部12のベース凹部121よりXZ’平面で面積が大きいリッド凹部111と、その周囲に形成された第1端面M1とを有している。なお、リッド部11の第1端面M1とベース部12の第2端面M2とが接合されてリッド凹部111及びベース凹部121により水晶振動片10を収納するキャビティCTが形成される。また、キャビティCTは不活性ガスで満たされたり又は真空状態に気密されたりする。ここで、リッド部11の第1端面M1とベース部12の第2端面M2とは例えば封止材非導電性接着剤である低融点ガラスLGによって接合される。低融点ガラスLGは、350°C~400°Cで溶融する鉛フリーのバナジウム系ガラスを含む。バナジウム系ガラスはバインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。また、このバナジウム系ガラスは接着時の気密性と耐水性耐湿性などの信頼性が高い。さらに、バナジウム系ガラスはガラス構造を制御することにより熱膨張係数も柔軟に制御できる。リッド部11において、リッド凹部111のX軸方向の長さが水晶振動片10のX軸方向の長さ及びベース凹部121のX軸方向の長さより大きい。また、低融点ガラスLGは図1及び図2に示されたように、ベース部12の第2端面M2の外側幅は300μm程度でリッド部11とベース部12とを接合する。また、第1実施形態では水晶振動片10がベース部12の第2断面M2に載置されているが、ベース凹部121の内部に収納されてもよい。このとき、接続電極がベースキャスタレーション122a、122bから第2端面M2を介してベース凹部121の底面まで伸びて形成される必要がある。また、この場合にリッド部はリッド凹部が形成されていない平板状となってもよい。さらに、第1実施形態では接続電極と電気的に接続される引出電極が水晶振動片10の底面-Y’側の面のX軸方向の両側に形成されているが、X軸方向において同側に形成されてもよい。このとき、一方例えばX側の接続電極が第2端面M2又はベース凹部121を介して他方例えば-X側まで伸びて形成される必要がある。<第1水晶振動子100の製造方法>図3は、第1水晶振動子100の製造を示したフローチャートである。図3において、水晶振動片10の製造ステップS10と、リッド部11の製造ステップS11と、ベース部12の製造ステップS12とは並行して製造することができる。また、図4は水晶ウエハ10Wの平面図で、図5はリッドウエハ11Wの平面図である。図6はベース部12の製造ステップS12を示した説明図で、図7はベースウエハ12Wの平面図である。図6において、右側は左側のフローチャートの各ステップに対応する図1のA-A断面におけるベースウエハ12Wの部分断面図である。ステップS10では、水晶振動片10が製造される。ステップS10はステップS101~S103を含んでいる。ステップS101において、図4に示されたように、均一の水晶ウエハ10Wにエッチングにより複数の水晶振動片10の外形が形成される。ここで、各水晶振動片10は連結部104により水晶ウエハ10Wに連接されている。ステップS102において、まずスパッタリングまたは真空蒸着によって水晶ウエハ10Wの両面及び側面にクロム層及び金層が順に形成される。そして、金属層の全面にフォトレジストが均一に塗布される。その後、露光装置図示しないを用いて、フォトマスクに描かれた励振電極、引出電極のパターンが水晶ウエハ10Wに露光される。次に、フォトレジストから露出した金属層がエッチングされる。これにより、図4に示されたように水晶ウエハ10W両面及び側面には励振電極102a、102b及び引出電極103a、103bが形成される図1を参照。ステップS103において、水晶振動片10が個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図4に示された一点鎖線のカットラインCLに沿って切断する。ステップS10では、1枚の水晶ウエハ10Wに複数の水晶振動片10が同時に形成されているが、個々の水晶片に対して研磨、エッチング及び電極形成が行われてもよい。ステップS11では、リッド部11が製造される。ステップS11はステップS111及びS112を含んでいる。ステップS111において、図5に示されたように、均一厚さの水晶平板のリッドウエハ11Wにリッド凹部111が数百から数千個形成される。リッドウエハ11Wには、エッチング又は機械加工によりリッド凹部111が形成され、リッド凹部111の周囲には第1端面M1が形成される。ステップS112において、スクリーン印刷でリッドウエハ11Wの第1端面M1に低融点ガラスLGが印刷される。その後、低融点ガラスLGを仮硬化することで、低融点ガラスLG膜がリッドウエハ11Wの第1端面M1に形成される。本実施形態では、低融点ガラスLGがリッド部11に形成されているが、ベース部12に形成されてもよい。ステップS12では、ベース部12が製造される。ベースウエハ12Wの厚さは300μm~700μm程度である。図6に示されたように、ステップS12はステップS121~S126を含んでいる。ステップS121において、図6aに示されたように均一厚さの水晶平板のベースウエハ12Wの両面に耐蝕膜TMとフォトレジストPRとを順に形成する。スパッタリングもしくは蒸着などの手法により耐蝕膜TMとしての金属膜を形成する。例えば単結晶のベースウエハ12Wに、下地としてニッケルNi、クロムCr、チタンTi又はニッケルタングステンNiW等を使用し、下地の上に金Auや銀Ag等を成膜する。第1実施形態では、耐蝕膜TMとしてクロム層の上に金層を重ねた金属膜を使用する。たとえば、クロム層の厚みは100オングストローム、金層の厚みも1000オングストローム程度とする。次に、耐蝕膜TMの上にフォトレジストPRをスピンコートなどの手法で均一に塗布する。ステップS122において、図6bに示されたように、まず露光装置図示しないを用いて、フォトマスク図示しないに描かれたベース部12の外形パターンをフォトレジストPRが塗布されたベースウエハ12Wの両面に露光する。また、露光されたフォトレジストPRは、現像することで除去される。次に、フォトレジストPRから露出した耐蝕膜TMの金層を、たとえばヨウ素とヨウ化カリウムの水溶液を用いてエッチングする。そして、金層が除去されて露出したクロム層を、たとえば硝酸第二セリウムアンモニウムと酢酸との水溶液でエッチングする。これらの処理によりフォトレジストPRから露出した耐蝕膜TMを除去することができる。ステップS123において、図6cに示されたように耐蝕膜TM及びフォトレジストPRが除去されて露出したベースウエハ12Wの両面をフッ化水素酸などの水溶液でウェットエッチングする。これにより、深さ100μm~300μm程度の数百から数千個のベース凹部121が形成される。また、ベース凹部121の周囲には第2端面M2が形成される。同時に、各ベース凹部121のX軸方向の両側には第2端面M2及び実装面M3からベースウエハ12Wの厚さの100μm~300μm程度に窪んだ底部UMを有する第1窪みH1及び第2窪みH2が形成される。ベース凹部121と第1窪みH1とは同時に形成されるので、その深さは同じである。第1窪みH1及び第2窪みH2のX軸方向の幅Dは200μm~400μm程度である。第1窪みH1及び第2窪みH2の深さ及び幅Dは、ウェットエッチング時間、およびフッ化水素酸などの水溶液の濃度、温度を調整して余分な箇所が侵食されないようにする。第1窪みH1と第2窪みH2とが貫通して底部UMの一部に小さな穴が形成されてもよい。しかし底部UMがまったくなくなるほどウェットエッチングしてしまうと、幅Dが大きくなってしまい第2端面M2の幅が狭くなってしまう。このため、底部UMが完全に残っているか、又は底部UMの一部に小さな穴ができる程度までウェットエッチングする。ガラスを底部がなくなるまでウェットエッチングすると、ガラスは等方的なエッチングをされるために、シールパス幅が取れない。そこで、ウェットエッチングをサンドブラスト加工が可能な必要最低限の加工で留めておく。その状態からサンドブラスト加工をすることで、シールパスを確保し貫通孔の形状を整えることが両立でき、そこに形成された電極の導通を確実なものとする。ステップS124において、図6dに示されたようにフォトレジストPRを剥離した状態で実装面M3全面に研磨材を吹き付けるサンドブラスト工程が行われる。これにより、第1窪みH1及び第2窪みH2の底部UMがサンドブラストされベースウエハ12Wの第2端面M2から実装面M3まで貫通された角丸長方形のベース貫通孔BH1が形成される図7を参照。ウェットエッチングした後にサンドブラストをすることで、ベース貫通孔BH1が適正な大きさで且つ加工時間を短縮することができる。ベース貫通孔BH1が半分割されると1つのベースキャスタレーション122a、122b図1及び図2を参照になる。また、ベースウエハ12Wの厚さ方向のほぼ中央位置にはベース貫通孔BH1の内側に向かって突起した凸部GBが形成されている図7を参照。この凸部GBが半分に割されると、1つの突起部126a、126b図1及び図2を参照になる。さらに、耐蝕膜TMが形成されている状態で実装面M3全面がサンドブラストされると、耐蝕膜TM及びベースウエハ12Wの表面に微小な凸凹が生じ、ベースウエハ12Wの実装面M3が粗面となる。サンドブラスト工程でベースウエハ12Wの表面に研磨材が直接吹き付けられると、ベースウエハ12Wの表面には微小な凸凹が生じるが、その微小な凸凹は鋭利な凹凸で且つマイクロクラックも生じやすい。マイクロクラックはベース部12の強度を弱めてしまう。一方、耐蝕膜TMが形成されている状態で研磨材が吹き付けられると、ベースウエハ12Wの表面にはなめらかな凸凹が生じ、マイクロクラックは生じない。ステップS125において、図6eに示されたように耐蝕膜TMがエッチングなどで除去される。ステップS126において、図6fに示されたようにステップS102で説明されたスパッタ及びエッチング方法によってベース部12の実装面M3のX軸方向の両側に外部電極125a、125bが形成される。ここで、ベースウエハ12Wの表面が微小な凸凹の粗面となっているので、外部電極125a、125bを形成する際、ベースウエハ12Wに対するクロムの密着性を向上することができる。同時に、ベース貫通孔BH1にはベース側面電極123a、123bが形成され、第2端面M2には接続電極124a、124bが形成される図1、図2及び図7を参照。ステップS13では、ステップS10で製造された水晶振動片10が導電性接着剤13でベース部12の第2端面M2に載置される。このとき、水晶振動片10の引出電極103a、103bとベース部12の第2端面M2に形成された接続電極124a、124bとの位置が合うように水晶振動片10がベース部12の第2端面M2に載置される図2を参照。ステップS14では、低融点ガラスLGが加熱され、リッドウエハ11Wとベースウエハ12Wとが加圧される。これによりリッドウエハ11Wとベースウエハ12Wとが低融点ガラスLGにより接合される。ステップS15では、接合されたリッドウエハ11Wとベースウエハ12Wとが個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図5及び図7に示された一点鎖線のスクライブラインSLに沿って第1水晶振動子100を単位として個片化される。これにより、数百から数千の第1水晶振動子100が製造される。第1実施形態の変形例<第1水晶振動子100’の全体構成>第1水晶振動子100’の全体構成について、図8を参照しながら説明する。図8は、図1のA-A断面に対応する第1水晶振動子100’の断面図である。図8に示されたように、第1水晶振動子100’は、水晶振動片10、リッド部11及びベース部12’で構成される。ここで、ベース部12’は第2端面M2、実装面M3及びベース凹部121の底面に微小な凸凹が形成されている。このような構成によれば、ベース部12に外部電極125a、125b及び接続電極124a’、124b’を形成する際にベース部12に対するクロムの密着性を向上することができる。さらに、リッド部11とベース部12’とが低融点ガラスLGにより接合される際に低融点ガラスLGとベース部12’との密着力を向上することができる。<第1水晶振動子100’の製造方法>第1水晶振動子100’の製造方法は、第1実施形態の図3及び図6で説明された製造方法とほぼ同じであるので、図6における異なるステップのみについて詳しく説明する。図9は、ベース部12’の製造ステップS12’の詳細を示した部分説明図である。すなわち、図9はステップS121~S123までは図6同じであるので、ステップS124’~S126’について詳しく説明する。ステップS124’において、図9aに示されたようにフォトレジストPRを剥離した状態で第2端面M2及び実装面M3全面に研磨材を吹き付けるサンドブラスト工程が行われる。これにより、ベースウエハ12Wが第2端面M2から実装面M3まで貫通されて角丸長方形のベース貫通孔BH1が形成される図7を参照。さらに、耐蝕膜TMが形成されている状態で第2端面M2及び実装面M3全面がサンドブラストされると、耐蝕膜TM及びベースウエハ12Wの表面に微小な凸凹が生じ、ベースウエハ12Wの第2端面M2及び実装面M3が粗面となる。ステップS125’において、図9bに示されたように耐蝕膜TMがエッチングなどで除去される。ステップS126’において、図9cに示されたようにスパッタ及びエッチング方法によってベース部12’の実装面M3に外部電極125a、125bが形成され、第2端面M2に接続電極124a’、124b’が形成される。ここで、ベースウエハ12Wの表面が微小な凸凹の粗面となっているので、外部電極125a、125b及び接続電極124a’、124b’を形成する際、ベースウエハ12Wに対するクロムの密着性を向上することができる。同時に、ベース貫通孔BH1にはベース側面電極123a、123bが形成される。また、図示しないが、ベースウエハ12Wの第2端面M2が粗面化されているので、図3のステップS14でリッドウエハ11Wとベースウエハ12Wとが低融点ガラスLGにより接合される際に低融点ガラスLGとベースウエハ12Wとの密着力を向上することができる。第2実施形態<第2水晶振動子200の全体構成>第2水晶振動子200の全体構成について、図10及び図11を参照しながら説明する。図10は第2実施形態の第2水晶振動子200の分解斜視図で、図11は図10のB-B断面図である。図10では、リッド部21と水晶フレーム20との間、及び水晶フレーム20とベース部22との間に形成された低融点ガラスLGが省略されて描かれている。図10及び図11に示されたように、第2水晶振動子200はリッド凹部211を有するリッド部21と、ベース凹部221を有するベース部22と、リッド部21とベース部22とに挟まれる水晶フレーム20とを備える。ベース部22はガラス又は水晶材料で形成され、その表面Y’側の面にベース凹部221の周囲に形成された第2端面M2を有している。ベース部22の四隅には、ベース貫通孔BH2図14を参照を形成した際のXZ’平面で1/4円弧に窪んだベースキャスタレーション222a~222dが形成されている。ベースキャスタレーション222a~222dはY’軸方向のほぼ中央位置に凸部GB図14を参照を形成した際の外側に突起した突起部226がそれぞれ形成される。つまり、ベースキャスタレーション222a~222dは突起部226から第2端面M2までの曲面からなる第1領域227Aと、突起部226から実装面までの曲面からなる第2領域227Bとをそれぞれ含んでいる。ベース部22において、ベースキャスタレーション222a~222dにはベース側面電極223a~223dがそれぞれ形成されている。実装面のX軸方向の両側には一対の外部電極225a、225bがそれぞれ形成されている。ベース側面電極223a、223dの一端は外部電極225aに接続され、ベース側面電極223b、223cの一端は外部電極225bに接続される。また、ベース側面電極223a~223dの他端はベース部22の第2端面M2にまで伸びて接続パッド223Mが形成されることが好ましい。接続パッド223Mは、後述する水晶側面電極205a~205dの接続パッド205Mにそれぞれ確実に電気的に接続される。水晶フレーム20はATカットされた水晶材料で形成され、ベース部22の第2端面M2に接合され、Y’側の表面Meと-Y’側の裏面Miとを有している。水晶フレーム20は水晶振動部201と水晶振動部201を囲む外枠208とで構成されている。また、水晶振動部201と外枠208との間には、表面Meから裏面Miまで貫通した一対のL字型の間隙部207が形成される。間隙部207が形成されていない部分が水晶振動部201と外枠208との連結部209a、209bとなっている。水晶振動部201の表面Me及び裏面Miには励振電極202a、202bがそれぞれ形成され、連結部209a、209b及び外枠208の両面には励振電極202a、202bとそれぞれ導電された引出電極203a、203bが形成されている。さらに、水晶フレーム20の四隅には、水晶貫通孔CH図13を参照を形成した際の水晶キャスタレーション204a~204dがそれぞれ形成されている。水晶キャスタレーション204a~204dはY’軸方向のほぼ中央位置に凸部GB図13を参照を形成した際の外側に突起した突起部206がそれぞれ形成される。つまり、水晶キャスタレーション204a~204dは突起部206から表面Meまでの曲面からなる第3領域207Aと、突起部206から裏面Miまでの曲面からなる第4領域207Bとを含んでいる。水晶フレーム20の裏面Miに形成された引出電極203bはベース側面電極223bに電気的に接続されている。また、水晶キャスタレーション204a、204dには水晶側面電極205a、205dが形成され、水晶側面電極205a、205dは引出電極203aとベース側面電極223a、223dとに電気的に接続されている。ここで、水晶側面電極205a、205dは水晶フレーム20の裏面Miまで伸びて接続パッド205Mが形成されることが好ましい。接続パッド205Mは、ベース側面電極223a、223dの接続パッド223Mと確実に電気的に接続される。第2水晶振動子200は、水晶フレーム20の表面Meに接合されるガラス又は水晶材料である水晶からなるリッド部21をさらに備えている。リッド部21はリッド凹部211の周囲に形成された第1端面M1を有している。図11に示されたように、リッド部21、水晶フレーム20の外枠208及びベース部22により水晶振動部201を収納するキャビティCTが形成される。キャビティCTは窒素ガスで満たされたり又は真空状態にされたりする。また、リッド部21と、水晶フレーム20と、ベース部22とは例えば低融点ガラスLGなどの封止材により接合される。第2水晶振動子200の一対の外部電極225a、225bに交番電圧正負を交番する電位が印加される。このとき、外部電極225a、ベース側面電極223a、水晶側面電極205a、引出電極203a及び励振電極202aが同じ極性となり、外部電極225b、ベース側面電極223b、引出電極203b及び励振電極202bが同じ極性となる。したがって、水晶振動部201は厚みすべり振動する。第2実施形態において、第2水晶振動子200は、ベースキャスタレーション222a~222d及び水晶キャスタレーション204a~204dの外側に連結電極図示しないが形成されてもよい。これにより、ベース側面電極223a~223dと水晶側面電極205a~205dとが確実に電気的に接続される。また、第2実施形態において水晶フレームが逆メサ型となってもよいし、この場合にリッド部及びベース部は凹部が形成されていない平板状となってもよい。<第2水晶振動子200の製造方法>まず、水晶フレーム20の製造ステップT20について、図12及び図13を参照しながら説明する。図12は水晶フレーム20の製造ステップT20を示した説明図で、図13は水晶ウエハ20Wの平面図である。なお、図12において右側が左側のステップに対応する図10のB-B断面における水晶ウエハ20Wの部分断面図である。図12に示されたように、水晶フレーム20の製造ステップT20はステップT201~T206を含んでいる。ステップT201において、図12aに示されたように均一厚さの水晶平板の水晶ウエハ20Wの両面に耐蝕膜TMとフォトレジストPRとを順に形成する。まず、スパッタリングもしくは蒸着などの手法により耐蝕膜TMとして金属膜を形成する。第2実施形態では、耐蝕膜TMとしてクロム層の上に金層を重ねた金属膜を使用する。次に、耐蝕膜TMの上にフォトレジストPRをスピンコートなどの手法で均一に塗布する。ステップT202において、図12bに示されたように、まず露光装置図示しないを用いて、フォトマスク図示しないに描かれた水晶フレーム20の外形パターンをフォトレジストPRが塗布された水晶ウエハ20Wの両面に露光する。ここで、水晶フレーム20の外形パターンとは、間隙部207及び水晶キャスタレーション204a~204dの形状パターンを示している。また、露光されたフォトレジストPRは、現像することで除去される。次に、フォトレジストPRから露出した耐蝕膜TMがエッチングして除去される。ステップT203において、図12cに示されたように耐蝕膜TM及びフォトレジストPRが除去されて露出した水晶ウエハ20Wの両面をウェットエッチングする。これにより、各水晶フレーム20の四隅には表面Me及び裏面Miから水晶ウエハ20Wの厚さの半分程度に窪んだ底部UMを有する第3窪みH3及び第4窪みH4が形成される。また、図示しないが、水晶フレーム20の間隙部207に対応する部分にも表面Me及び裏面Miから窪んだ窪みが形成される。ステップT204において、図12dに示されたようにフォトレジストPRを剥離した状態で表面Me又は裏面Miから砂などの研磨材を吹き付けるサンドブラスト工程が行われる。これにより、第3窪みH3及び第4窪みH4の底部UMがサンドブラストされ水晶ウエハ20Wの表面Meから裏面Miまで貫通された円形の水晶貫通孔CHが形成される図13を参照。このとき、水晶ウエハ20Wの両面のバランスが崩れないように、マスクを用いてサンドブラストすることが好ましい。水晶貫通孔CHが14に分割されると1つの水晶キャスタレーション204a~204d図10及び図11を参照になる。また、水晶ウエハ20Wの厚さ方向のほぼ中央位置には水晶貫通孔CHの内側に向かって突起した凸部GBが形成されている図13を参照。この凸部GBが14に分割されると、1つの突起部206a~206d図10及び図11を参照になる。また、図示しないが、水晶貫通孔CHと同時に水晶フレーム20の間隙部207も形成される。ステップT205において、図12eに示されたように耐蝕膜TMが除去される。なお、耐蝕膜TMがエッチングなどで除去されればよい。ステップT206において、図12fに示されたように第1実施形態の図3のステップS102で説明されたスパッタ及びエッチング方法によって水晶ウエハ20Wの水晶貫通孔CH、表面Me及び裏面Miに各電極が形成される。すなわち、水晶貫通孔CHに水晶側面電極205a~205dが形成される。同時に、水晶ウエハ20Wの表面Me及び裏面Miに励振電極202a、202b、引出電極203a、203b及び接続パッド205Mが形成される図10、図11及び図13を参照。次に、第2水晶振動子200のリッド部21は、第1実施形態の図3で説明された製造ステップS11と同じ方法で製造される。その後、第2水晶振動子200のベース部22は、第1実施形態の図3で説明された製造ステップS12と同じ方法で製造される。ここで、図14はベースウエハ22Wの平面図である。但し、図14に示されたベースウエハ22Wにはベース部22の四隅に円形のベース貫通孔BH2が形成される。このベース貫通孔BH2が14に分割されると1つのベースキャスタレーション222a~222d図10及び図11を参照になる。また、ベースウエハ22Wの第2端面M2には封止材として低融点ガラスLGが形成されている。第2実施形態では、水晶フレーム20の製造、リッド部21の製造及びベース部22の製造は別々に並行して行うことができる。また、別々に製造されたリッドウエハ21W、水晶ウエハ20W及びベースウエハ22Wは、低融点ガラスLGによって接合される。最後、接合されたリッドウエハ21Wと、水晶ウエハ20Wと、ベースウエハ22Wとが個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図13及び図14に示された一点鎖線のスクライブラインSLに沿って第2水晶振動子200を単位として個片化する。これにより、数百から数千の第2水晶振動子200が製造される。第2水晶振動子200の製造方法では、接合する前に低融点ガラスLGがリッドウエハ図5を参照及びベースウエハ22Wに形成されているが、水晶ウエハ20Wの表面Me及び裏面Miに形成されてもよい。