"基板表面にアンダークラッド層を形成する工程と、このアンダークラッド層表面にコアをパターン形成する工程と、上記アンダークラッド層上の所定位置にアライメントマークを形成する工程と、上記アライメントマークが露呈した状態で上記コアを被覆するようオーバークラッド層を形成する工程と、上記アンダークラッド層の裏面側からアライメントマークを基準として切断位置を位置決めして、上記アンダークラッド層およびオーバークラッド層を所定位置にて切断する工程とを備えたことを特徴とする光導波路の製法。上記切断位置の位置決めが、アライメントカメラを用いて行なうものである請求項1記載の光導波路の製法。上記アンダークラッド層の所定位置にアライメントマークを形成する工程が、アンダークラッド層表面にコアをパターン形成する工程と、フォトマスクを介しての照射線の照射による露光および現像でのフォトリソグラフ法により同時に行なわれ、かつコア形成材料とアライメントマーク形成材料が同じものである請求項1または2記載の光導波路の製法。上記光半導体装置の製法において、上記切断工程の前に、基板を剥離して光導波路体を作製し、切断工程ではこの光導波路体のみを切断する請求項1~3のいずれか一項に記載の光導波路の製法。請求項4記載の光導波路の製法に用いられる光導波路体であって、アンダークラッド層と、上記アンダークラッド層上に形成されたコアと、上記コアを被覆するよう形成されたオーバークラッド層と、オーバークラッド層に被覆されずにその表面が露呈するよう、上記アンダークラッド層上に形成されたアライメントマークとを備えたことを特徴とする光導波路体。しかしながら、上記特許文献1の方法では、位置設定用マークを光導波路本体面上に形成固定することから、固定する際に位置ずれが生じるという問題があった。この位置ずれは切断時の誤差として累積されるため、マークの視認性は向上したとしても、結果的に充分満足のいくような切断するための位置精度を確保することは困難であった。本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、光導波路を切断して外形加工を行なう際に、アライメントマークの視認性の向上による切断位置の精度が向上してなる光導波路の製法およびそれに用いられる光導波路体の提供をその目的とする。上記の目的を達成するため、本発明は、基板表面にアンダークラッド層を形成する工程と、このアンダークラッド層表面にコアをパターン形成する工程と、上記アンダークラッド層上の所定位置にアライメントマークを形成する工程と、上記アライメントマークが露呈した状態で上記コアを被覆するようオーバークラッド層を形成する工程と、上記アンダークラッド層の裏面側からアライメントマークを基準として切断位置を位置決めして、上記アンダークラッド層およびオーバークラッド層を所定位置にて切断する工程とを備えた光導波路の製法を第1の要旨とする。そして、本発明は、上記光導波路の製法に用いられる光導波路体であって、アンダークラッド層と、上記アンダークラッド層上に形成されたコアと、上記コアを被覆するよう形成されたオーバークラッド層と、オーバークラッド層に被覆されずにその表面が露呈するよう、上記アンダークラッド層上に形成されたアライメントマークとを備えた光導波路体を第2の要旨とする。すなわち、本発明者らは、アライメントマークを用いた光導波路の切断位置の位置精度を向上させるために、アライメントマークの視認性を向上させるべく、アライメントマークの配設状態を中心に鋭意検討を重ねた。その結果、従来のように、アライメントマークをクラッド層内にコアとともに形成して内蔵させてしまうのではなく、アンダークラッド層上にコアおよびアライメントマークを形成した後、アライメントマークを露呈した状態でコアを被覆するようオーバークラッド層を形成することを想起した。そして、このようにアライメントマークを露呈した状態で形成したアンダークラッド層の裏面側から、アライメントマークを基準として切断位置を位置決めすると、オーバークラッド層に被覆されずにアライメントマークが露呈していることから、アライメントマークとその周囲エアーとの屈折率差が大きくなるため、さらにアライメントマーク上部の丸みを帯びた部分ではなく、境界が明確であるアライメントマーク下部を観察するため、視認性が向上し、充分な切断の位置精度を確保できるようになり、精度良く上記アンダークラッド層およびオーバークラッド層を所定位置にて切断できることを見出し、本発明に到達した。このように、本発明は、アンダークラッド層上に、アライメントマークが露呈した状態でコアパターンを被覆するようオーバークラッド層を形成した後、上記アンダークラッド層の裏面側からアライメントマークを基準として切断位置を位置決めして、上記アンダークラッド層およびオーバークラッド層を所定位置にて切断することにより光導波路を作製する方法である。そして、本発明は、アンダークラッド層と、上記アンダークラッド層上に形成されたコアと、上記コアを被覆するよう形成されたオーバークラッド層と、オーバークラッド層に被覆されずにその表面が露呈するよう、上記アンダークラッド層上に形成されたアライメントマークとを備えた、上記光導波路の製法に用いられる光導波路体である。このため、アライメントマークの視認性が向上して、このアライメントマークを基準に切断位置を位置決めする際の位置精度が大幅に向上する。したがって、光導波路の生産時の歩留りが向上して、生産性および信頼性に優れた光導波路が得られることになる。つぎに、本発明の実施の形態を詳しく説明する。《光導波路の製法》本発明の光導波路の製法について詳しく説明する。まず、アンダークラッド層1を形成する際に用いる基板10図1参照を準備する。この基板10の形成材料としては、例えば、ガラス材料、Siウェハ、ポリエチレンテレフタレートPETやポリエチレンナフタレートPEN等の各種高分子材料、SUS等の各種金属材料があげられる。中でも、熱に対する伸縮耐性に優れ、光導波路の製造過程において、様々な寸法が設計値に略維持されるという観点から、ガラス製基板、SUS製基板が好ましい。また、基板10の厚みは、例えば、20μmフィルム状~5mm板状の範囲内で適宜設定される。アンダークラッド層の形成ついで、図1に示すように、上記基板10の表面に、アンダークラッド層1を形成する。このアンダークラッド層1の形成材料としては、熱硬化性樹脂または感光性樹脂があげられる。上記熱硬化性樹脂を用いる場合は、その熱硬化性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布した後、それを加熱することにより、アンダークラッド層1に形成する。一方、上記感光性樹脂を用いる場合は、その感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布した後、それを紫外線等の照射線で露光することにより、アンダークラッド層1に形成する。アンダークラッド層1の厚みは、例えば、5~50μmの範囲内に設定され、好ましくは10~30μmである。コアの形成およびアライメントマークの形成つぎに、図2に示すように、上記アンダークラッド層1の表面に、フォトリソグラフィ法により所定パターンのコア2およびアライメントマーク2aを形成する。上記コア2およびアライメントマーク2aの形成は、例えば、上記アンダークラッド層1の表面にコア形成材料アライメントマーク形成材料を塗工し、乾燥させることにより塗膜層を形成する。つぎに、所定のフォトマスクコアパターンおよびアライメントマーク形成用を介して露光を行ない、続いて加熱処理を行なう。ついで、現像液を用いて未露光部分を現像,除去した後、水洗して乾燥することによりコア2パターンを形成するとともにアライメントマーク2aを形成する。上記形成されるコア2の幅は、例えば、10~500μmの範囲内に設定される。また、コア2の厚み高さは、例えば、20~100μmの範囲内、好ましくは30~70μmに設定される。上記コア2およびアライメントマーク2aの形成に関して詳しく述べると、前述のように、上記コア形成材料アライメントマーク形成材料である感光性材料を、スピンコーターやアプリケーター等塗工機を用いてアンダークラッド層1上に塗工し、所定の条件にて乾燥させ塗膜層を形成する。塗膜層形成後、所定形状のフォトマスクコア形成用およびアライメントマーク形成用を介して紫外線等の照射線を照射して露光を行なった後、加熱処理を行なうことにより露光部を硬化させる。つぎに、現像液γ-ブチロラクトン溶液等を用いて未露光部を現像,水洗して除去し、乾燥することにより所定形状のコア2パターンとともにアライメントマーク2aを形成する。このようにして、上記コア2の形成とともに、上記アンダークラッド層1の所定位置となる両端近傍部分にアライメントマーク2aが形成される図2参照。このとき、露光,現像後に形成されてなるアライメントマーク2aの形状としては、アライメントカメラ等によりアライメントマーク2aとして視認することが可能な形状であればよい。具体的には、図3に示すように、略円柱状であって、その頭頂面周縁部がR曲面を有するテーパー状に形成されたもの、略角柱状等があげられる。上記アライメントマーク2aの大きさとしては、例えば、略円柱状の場合は、直径50~300μmであることが好ましく、より好ましくは直径100~250μmである。また、略角柱状の場合は、一辺が50~300μmであることが好ましく、より好ましくは一辺が100~250μmである。オーバークラッド層の形成つぎに、図4に示すように、上記コア2およびアライメントマーク2aを被覆するように、上記アンダークラッド層1表面に、オーバークラッド層形成材料ワニスを塗布し、オーバークラッド層形成用の感光性樹脂層3′を形成する。そして、加熱処理を行なった後、アライメントマーク2aに照射線が照射されないようパターン形成されたフォトマスクを準備し、これを上記感光性樹脂層3′上に設置して、照射線を照射して露光する。続いて、任意に加熱処理を行なうことにより、硬化を完了させた後、現像液γ-ブチロラクトン等を用いて未露光部を現像,水洗して未露光部分を除去し、加熱乾燥することにより、図5aおよびbに示すように、アライメントマーク2aが露呈した状態でオーバークラッド層3が形成される。このオーバークラッド層3の厚みは、例えば、5~50μmの範囲内に設定され、好ましくは10~30μmである。ついで、アンダークラッド層1から基板10を剥離することにより、アンダークラッド層1上に所定パターンのコア2およびアライメントマーク2aが形成され、さらに上記アライメントマーク2aが露呈した状態で上記コア2を包含するようアンダークラッド層1上にオーバークラッド層3が積層形成されてなる光導波路体が製造される。光導波路体の切断つぎに、図6に示すように、上記光導波路体のアンダークラッド層1側から、矢印L方向に光を照射してアライメントカメラ図示せずを用い、アンダークラッド層1を通してアライメントマーク2aを視認し切断位置を確認する。上記アライメントカメラの光には、一般に、可視光領域の波長400~700nmの光が用いられる。上記視認手段としては、例えば、目視、光学センサやカメラを用いた画像処理等があげられる。上記アライメントマーク2aを視認して切断位置を確認した後、これに沿って例えば、アライメントマーク2aの中心部分を通過するよう所定の方法により光導波路体のアンダークラッド層1,コア2およびオーバークラッド層3を切断する。これにより光導波路を製造する。上記切断方法としては、例えば、ダイシングソーやダイシングブレードを用いたダイシング、レーザー等による切断方法があげられる。なお、光導波路の作製に用いられる基板10が透明性を有する材質例えば、ガラス製、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN等であれば、切断工程後に基板10から光導波路を剥離する方法も可能である。各形成材料上記コア2形成材料アライメントマーク2a形成材料も同じおよびクラッド層形成材料アンダークラッド層1形成材料およびオーバークラッド層3形成材料としては、両者ともに、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂,アクリル樹脂,メタクリル樹脂の他、オキセタン,シリコーン樹脂等の感光性樹脂光重合性樹脂があげられる。これらの樹脂のなかでも、コスト,膜厚制御性,損失等の観点から、カチオン重合性エポキシ樹脂が好ましい。特に、クラッド層形成材料としては、上記固形エポキシ樹脂を用いることが好ましい。また、コア2形成材料としては、上記o-クレゾールノボラック型グリシジルエーテル等を用いることが好ましい。上記光重合性樹脂は、光酸発生剤,光塩基剤,光ラジカル重合開始剤などの光触媒とともに光重合性樹脂組成物を構成し、他の成分として、反応性オリゴマー,希釈剤,カップリング剤等を含んでいてもよい。上記光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩やメタロセン錯体などの化合物を用いることができる。オニウム塩としては、ジアゾニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩およびセレニウム塩等が用いられ、これらの対イオンとしては、CF3SO3、BF4、PF6、AsF6およびSbF6等のアニオンが用いられる。具体例としては、トリフェニルスルホニウムトリフレート、4-クロロベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス4-ジフェニルスルホニオフェニルスルフィド-ビス-ヘキサフルオロアンチモネート、ビス4-ジフェニルスルホニオフェニルスルフィド-ビス-ヘキサフルオロホスフェート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ベンジルトリフェニルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルセレニウムヘキサフルオロホスフェート等があげられる。これらの化合物は、単独でもしくは2種以上併せて用いられる。上記反応性オリゴマーとしては、例えば、フルオレン誘導体型エポキシや、その他多くのエポキシ、エポキシメタアクリレート、ウレタンアクリレート、ブタジエンアクリレート、オキセタン等が用いられる。特に、オキセタン類は、少量添加するだけで重合性混合物の硬化を促進させる効果を有するため、好ましい。例として、3-エチル-3-ヒドロキシメチルオキセタン、3-エチル-3-フェノキシメチルオキセタン、ジ1-エチル3-オキセタニルメチルエーテル、3-エチル-3-2-エチルヘキシロメチルオキセタン等あげられる。これら反応性オリゴマーは、単独でもしくは2種以上併せて用いられる。上記希釈剤としては、例えば、ブチルグリシジルエーテル、2-エチルヘキシルグリシジルエーテル等の炭素数2から25のアルキルモノグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,6-ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ドデカンジオールジグリシジルエーテル、ペンタエチトリトールポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、レゾルシングリシジルエーテル、p-tert-ブチルフェニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、テトラフルオロプロピルグリシジルエーテル、オクタフルオロプロピルグリシジルエーテル、ドデカフルオロペンチルグリシジルエーテル、スチレンオキシド、1,7-オクタジエンジエポキシド、リモネンジエポキシド、リモネンモノオキシド、α―ピネンエポキシド、β-ピネンエポキシド、シクロヘキセンエポキシド、シクロオクテンエポキシド、ビニルシクロヘキセンオキシド等をあげることができる。さらに、耐熱性,透明性の観点から、好ましい希釈剤として、分子内に脂環式構造を有するエポキシである3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3′,4′-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、3,4-エポキシシクロヘキセニルエチル-8,4-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ビニルシクロヘキセンジオキシド、アリルシクロヘキセンジオキシド、8,4-エポキシ-4-メチルシクロヘキシル-2-プロピレンオキシド、ビス3,4-エポキシシクロヘキシルエーテル等をあげることができる。主剤となるエポキシ樹脂に、これらの希釈剤を適量混合することにより、エポキシ基の反応率を上昇させ、結果として、得られる硬化物の耐熱性やフィルムとしての柔軟性を向上させることができる。上記カップリング剤としては、エポキシ系のカップリング剤を使用することができる。例えば、2-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等をあげることができる。また、アミノ系の3-アミノプロピルトリメトキシシランや、3-アミノプロピルトリエトキシシラン等も使用できる。《光導波路の用途》上記光導波路は、例えば、電子機器内のボード間ボード上の光配線の信号線として用いることができる。すなわち、前述のPMTフェルールに代表されるような位置合わせ機能を有するフェルール形成物に、本発明の光導波路の製法によって所定の大きさ形状に加工した光導波路を挿入し、光コネクタを形成する。そして、この光コネクタは、それと嵌合性のある光ファイバーを用いたコネクタ、もしくは光導波路を用いたコネクタ同士を接続する手段として用いることができる。つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、実施例に限定されるものではない。まず、クラッド層アンダークラッド層オーバークラッド層形成材料およびコアアライメントマーク形成材料をそれぞれ調製した。クラッド層形成材料ワニスの調製成分A固形エポキシ樹脂:芳香環骨格を含むエポキシ樹脂三菱化学社製、エピコート100270重量部成分B固形エポキシ樹脂:脂環骨格を含むエポキシ樹脂ダイセル化学社製、EHPE315030重量部成分C光酸発生剤:トリアリールスルホニウム塩の50プロピオンカーボネート溶液サンアプロ社製、CPI-200K2重量部上記成分A~Cを乳酸エチル武蔵野化学研究所社製55重量部に撹拌溶解温度80°C、撹拌250rpm×3時間させ、アンダークラッド層およびオーバークラッド層形成材料感光性樹脂組成物を調製した。この感光性樹脂組成物の粘度を、デジタル粘度計ブルックフィールド社製、HBDV-1CPを用いて測定したところ、1320mPasであった。コアアライメントマーク形成材料ワニスの調製成分D:o-クレゾールノボラックグリシジルエーテル新日鐵化学社製、YDCN-700-10100重量部成分E光酸発生剤:トリアリールスルホニウム塩の50プロピオンカーボネート溶液サンアプロ社製、CPI-200K1重量部上記成分D,Eを乳酸エチル武蔵野化学研究所社製60重量部に撹拌溶解温度80°C、撹拌250rpm×3時間させ、コアアライメントマーク形成材料感光性樹脂組成物を調製した。この感光性樹脂組成物の粘度を、上記と同じデジタル粘度計を用いて測定したところ、1900mPasであった。実施例1アンダークラッド層の形成ガラス製基板セントラルガラス社製、140mm×140mm×厚み1.1mm表面に、スピンコーターミカサ社製、1X-DX2を用いて上記アンダークラッド層形成材料ワニスを塗布した後、乾燥炉内にて130°C×10分間の乾燥処理を行ない、塗布層未硬化のアンダークラッド層を形成した。ついで、露光機ミカサ社製、MA-60Aおよび超高圧水銀灯ウシオ電機社製、USH-250Dを用いて、上記未硬化のアンダークラッド層全面に、紫外線波長365nmを照射し、積算光量2000mJ/cm2の露光を行なった。続いて、130°C×10分間の加熱処理を行なうことによりアンダークラッド層膜厚25μmを作製した図1参照。コアおよびアライメントマークの形成つぎに、上記アンダークラッド層表面に、コアアライメントマーク形成材料を、上記スピンコーターを用いて塗布した後、乾燥炉内にて130°C×10分間の乾燥処理を行ない、塗布層未硬化層を形成した。ついで、所定のコアパターンおよびアライメントマーク形成用のフォトマスクを介して、上記露光機および上記超高圧水銀灯を用いて、紫外線波長365nmを照射し、積算光量4000mJ/cm2の露光を行なった。続いて、130°C×10分間の加熱処理を行なった後、γ-ブチロラクトン三菱化学社製の現像液に3分間浸漬して現像ディップ現像することにより、未露光部分を溶解除去した。その後、120°C×10分間の加熱乾燥処理を行なうことによりアンダークラッド層上に、光伝搬用の直線状コアパターンと切断位置決め用のアライメントマークを形成した図2参照。得られたコアパターンは、高さ50μmで幅50μmであった。また、アライメントマークは、略円柱状で、その頭頂面周縁部がテーパー状に形成されていることが確認され、直径200μmで高さ50μmであった図3参照。オーバークラッド層の形成つぎに、上記コアパターンおよびアライメントマークを被覆するよう、上記アンダークラッド層表面に、上記オーバークラッド層形成材料を、上記スピンコーターを用いて塗布した後、乾燥炉内にて70°C×10分間の乾燥処理を行ない、塗布層未硬化層を形成した図4参照。ついで、上記アライメントマークに紫外線が照射されないようにパターン形成されたフォトマスクを準備し、このフォトマスクを介して、上記露光機および上記超高圧水銀灯を用いて、紫外線波長365nmを照射し、積算光量2000mJ/cm2の露光を行なった。続いて、130°C×10分間の加熱処理を行なった後、γ-ブチロラクトン三菱化学社製の現像液に3分間浸漬して現像ディップ現像することにより、未露光部分を溶解除去した。その後、130°C×10分間の加熱乾燥処理を行なうことによりアンダークラッド層上に、アライメントマークが露呈した状態でコアを被覆するようにオーバークラッド層最大厚み25μmを形成した図5参照。切断工程その後、アンダークラッド層からガラス製基板を剥離することにより、アンダークラッド層上に所定パターンのコアおよび切断位置決め用のアライメントマークが形成され、さらに上記アライメントマークが露呈した状態で上記コア上にオーバークラッド層が形成されてなる光導波路体全体厚み100μmを作製した。この光導波路体を、ダイシングテープ日東電工社製、UE-111AJにオーバークラッド層がテープ粘着面と接触するように貼り付け、ダイシングソーディスコ社製、DAD322にセットし、オートアライメントにより、アンダークラッド層側から光を照射してアライメントカメラを用いてアライメントマークを視認して切断位置を確認した後図6参照、ダイシングブレードディスコ社製、ZH05SD2000N170BBを用いて、カット速度1.0mm/秒にて位置決め用のアライメントマークの中心を通過するように光導波路体を切断し光導波路を作製した。切断して得られた光導波路の外形寸法に関して、測長顕微鏡STM5-LM、オリンパス社製を用いて、カットした光導波路フィルムの幅を測定した。10サンプル測定した結果、フィルム幅の標準偏差σは5.9μmであった。比較例1上記実施例1と同様にして作製した光導波路体を準備し、この光導波路体のアンダークラッド層が上記ダイシングテープのテープ粘着面と接触するように光導波路体を貼り付けた。そして、オートアライメントにより、オーバークラッド層側から光を照射してアライメントカメラを用いアライメントマークを視認して切断位置を確認した後、上記ダイシングソーおよびダイシングブレードを用いて、カット速度1.0mm/秒にて位置決め用のアライメントマークの中心を通過するように光導波路体を切断し光導波路を作製した。切断して得られた光導波路の外形寸法に関して、測長顕微鏡STM5-LM、オリンパス社製を用いて、カットした光導波路フィルムの幅を測定した。10サンプル測定した結果、フィルム幅の標準偏差σは10.0μmであった。この結果から、比較例1は、実施例1に比べてアライメントマークの視認性に劣るため、外形寸法に関して上記値標準偏差σとなったといえる。比較例2実施例1のオーバークラッド層の形成工程において、フォトマスクを用いず、コアおよびアライメントマークを全て被覆するよう、アンダークラッド層表面全体にオーバークラッド層を形成した。それ以外は実施例1と同様にして光導波路体を作製した。このようにして得られた光導波路体の、オーバークラッド層側から光を照射してアライメントカメラを用いアライメントマークを視認して切断位置の確認を試みた。しかしながら、上記アライメントマークを視認することが困難であったため、アライメントマークの中心を通過するよう精度良く光導波路体を切断することができなかった。"