"真空容器内で対向して設置された電極対の間に高周波電力を印加することで発生させたプラズマ放電によって基板上に薄膜を成膜するプラズマCVD装置において、前記真空容器内に堆積した堆積物を除去するプラズマCVD装置のクリーニング方法であって、クリーニングガス流量Qを所定値Qnへ増加させ、高周波電力Pを所定値Pnへ増加させ、キャリアガス流量Rを所定値Rnへ減少させ、その際に、Q,R,Pの内一つが変化するとき他の二つを一定にしておく期間を含んでプラズマ放電を行う放電工程と、Q、R、Pがそれぞれ所定値Qn,Rn,Pnの状態でクリーニングを行うクリーニング工程とを含むプラズマCVD装置のクリーニング方法。前記放電工程において、Qが変化し、次にRが変化することを特徴とする請求項1に記載のプラズマCVD装置のクリーニング方法。前記放電工程において、QまたはRが変化した後にPが変化することを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマCVD装置のクリーニング方法。前記放電工程において、Q,R,Pをそれぞれ初期値Q1,R1,P1から所定値Qn,Rn,Pnまで段階的に変化させることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載のプラズマCVD装置のクリーニング方法。初期値Q1が所定値Qnの0.3~0.7倍、初期値R1が所定値Rnの1.1~1.5倍、初期値P1が所定値Pnの0.3~0.7倍である請求項4に記載のプラズマCVD装置のクリーニング方法。前記真空容器内に堆積した堆積物がシリコン系堆積物からなり、前記クリーニングガスが弗素を含有するガスからなり、前記キャリアガスが不活性ガスからなる請求項1~5のいずれか1つに記載のプラズマCVD装置のクリーニング方法。前記放電工程と前記クリーニング工程の少なくとも一方において、前記真空容器内の圧力が一定に保持される請求項1~6のいずれか1つに記載のプラズマCVD装置のクリーニング方法。しかしながら、従来の方法では、真空室内の全圧が増加することでプラズマ放電が収縮する影響を受けるため、プラズマ放電が不安定になりやすいという課題がある。そこで、初期にプラズマ点火した後、エッチングガスを増加しつつ、キャリアガスを減少させ、かつ、高周波電力を増加させて実クリーニング条件に移行する方法が検討されている。しかし、この方法では、ガス流量と高周波電力を変化させるタイミングがプラズマ放電に大きく影響し、プラズマ放電が想定以上に収縮してクリーニングが不完全になったり、逆に想定以上に拡大して異常放電による装置内部材へのダメージが発生するという問題がある。この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、安定したプラズマ放電により効率よくクリーニングすることが可能なプラズマCVD装置のクリーニング方法を提供するものである。この発明は、真空容器内で対向して設置された電極対の間に高周波電力を印加することで発生させたプラズマ放電によって基板上に薄膜を成膜するプラズマCVD装置において、前記真空容器内に堆積した堆積物を除去するプラズマCVD装置のクリーニング方法であって、クリーニングガス流量Qを所定値Qnへ増加させ、高周波電力Pを所定値Pnへ増加させ、キャリアガス流量Rを所定値Rnへ減少させ、その際に、Q,R,Pの内一つが変化するとき他の二つを一定にしておく期間を含んでプラズマ放電を行う放電工程と、Q、R、Pがそれぞれ所定値Qn,Rn,Pnの状態でクリーニングを行うクリーニング工程とを含むプラズマCVD装置のクリーニング方法を提供するものである。この発明によれば、放電工程において、プラズマ放電を安定させた状態で、クリーニングガス流量、キャリアガス流量および高周波電力を第2のクリーニング工程の条件へ円滑に移行させることができ、安全で効率よくプラズマCVD装置のクリーニングを実施できる。本実施形態において、放電工程の開始時にQ、R、Pがそれぞれゼロの状態から最初に導入される値である初期値をQ1、R1、P1で示し、クリーニング工程にてQ、R、Pそれぞれが一定とされる値である所定値をQn、Rn、Pnで示す。所定値はクリーニングの条件に応じてあらかじめ設定された一定値である。所定値は、例えばクリーニングを行う間隔やクリーニングで除去する堆積膜の組成など、様々な条件に応じて決定される。この発明のプラズマCVD装置のクリーニング方法は、真空容器内で対向して設置された電極対の間に高周波電力を印加することで発生させたプラズマ放電によって基板上に薄膜を成膜するプラズマCVD装置において、前記真空容器内に堆積した堆積物を除去するプラズマCVD装置のクリーニング方法であって、クリーニングガス流量QをQ1からQnへ増加させ、高周波電力PをP1からPnへ増加させ、キャリアガス流量RをR1からRnへ減少させる際に、Q,R,Pの内一つが変化するとき他の二つを一定にしておく期間を含んでプラズマ放電を行う放電工程と、クリーニングガス流量Q=Qn、キャリアガス流量R=Rn、高周波電力P=Pnの条件でクリーニングを行うクリーニング工程とを含む。なお、放電工程において、Q、R、Pを変化させる順番は特に限定されないが、好ましくはQを変化させた後にRを変化させる。さらに好ましくは、まずQが変化し、次にRが変化し、次にPが変化する。本実施形態では、Q1=0.6Qn,R1=1.2Rn,P1=0.6Pnの場合を例示するが、Q1=0.3Qn~0.7Qn、R1=1.1Rn~1.5Rn、P1=0.3Pn~0.7Pnの範囲で各流量や電力以下、各パラメータというが設定されることが好ましい。なお、クリーニングで除去する堆積物がシリコン系堆積物であるとき、一般的にクリーニングガスが弗素を含有するシリコン系半導体膜をエッチングできるガスからなり、キャリアガスが窒素や希ガスなどの不活性ガスからなる。なお、クリーニングガスはエッチングガスと呼ばれることもある。放電工程とクリーニング工程の少なくとも一方において、真空容器内の圧力が一定に保持されることが好ましく、さらにはいずれの工程においても真空容器内の圧力が一定に保持されることがより好ましい。以下、図面に示す実施形態を用いてこの発明を詳述する。図1は本発明のクリーニング方法が適用されるプラズマCVD装置の一例を示した構成説明図である。このプラズマCVD装置においては、給電ケーブル30を介して高周波電源Eに接続されたカソード電極11と、接地ケーブル40を介して接地されたアノード電極12とが、電極支持部材13に支持されて平行に対向した電極対が、真空容器であるチャンバー10内に設けられる。プラズマ放電による成膜時には、電極間でプロセスガス原料ガスを介してプラズマ放電させることにより、アノード電極12にて支持される基板図示省略上に成膜可能である。カソード電極11とアノード電極12との電極間距離は、所望の成膜条件に従って決定されている。カソード電極11は、長方形であり、ステンレス鋼やアルミニウム合金などから作製される。カソード電極11の寸法は、成膜を行う基板の寸法に合わせて適当な値に設定される。例えば、基板の寸法900mm×400mmのとき、カソード電極11の寸法を1000mm×600mmに決定する。カソード電極11は、内部に空洞が設けられていると共に、対となるアノード電極12に面するプラズマ放電面には空洞とつながった多数の貫通穴が形成されている。本実施形態において当該貫通穴は、直径0.1mm~2mmの大きさで形成され、カソード電極11の面に数mm~数cmピッチで配置されている。また、カソード電極11の一端は、ガス供給管50を介してガス供給源部G1に接続されている。そして、所定のガスがガス供給源部G1からカソード電極11の内部に供給され、多数の貫通穴からアノード電極12上に載置した基板の表面に向かって噴出するように構成されている。アノード電極12は、長方形であり、内部に図示しないヒータを有する。基板への成膜時には、アノード電極12の上面に基板が設置され、そのヒータが基板を加熱する。なお、基板は、シリコン基板やガラス基板などが一般的であるが、特にこれらに限定されるものではない。また、アノード電極12は、ステンレス鋼、アルミニウム合金、カーボンなどの、導電性および耐熱性を備えた材料で製作される。アノード電極12の寸法は、薄膜を形成するための基板の寸法に合わせて適当な値に決定されている。例えば、基板の寸法900mm×400mmのとき、アノード電極12の寸法を1000mm×600mmに決定する。アノード電極12に内蔵されたヒータは、処理基板を室温~300°Cに加熱制御するものであり、例えば、アルミニウム合金中にシースヒータなどの密閉型加熱装置と熱電対などの密閉型温度センサとを内蔵したものを用いることができる。このように構成されたカソード電極11とアノード電極12の間の電極間距離としては、例えば、5~50mm程度である。ガス供給源部G1は、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給源g1と、キャリアガスを供給するキャリアガス供給源g2と、成膜する薄膜の原材料となるプロセスガスを供給するプロセスガス供給源g3を備える。そして、カソード電極11と接続されたガス供給管50の下流端とは反対側の上流端は分岐してガス供給源g1,g2,g3とそれぞれ接続され、それら分岐配管にはそれぞれバルブ51,52,53が設けられている。また、真空ポンプ22が圧力調整器21を介してチャンバー10に接続され、チャンバー10内の圧力が真空ポンプ22と圧力調整器21によって調整されるようになっている。本実施形態では、プロセスガスとしてシランを含むガスが用いられ、シリコン系の薄膜が真空容器内に堆積する。堆積したシリコン系の薄膜を除去できるクリーニングガスとしては、例えば本実施形態においてはNF3が使用される。また、本実施形態におけるプラズマを励起させるキャリアガスとしては、アルゴンガスが使用される。図1における制御部100は、基板上への成膜工程CVDプロセスおよび後述する放電工程およびクリーニング工程において、バルブ51,52と、真空ポンプ22と、圧力調整器21と、高周波電源Eとをそれぞれ制御する。基板への成膜時には制御部100によってバルブ52とバルブ53が開放され、チャンバー10内にキャリアガスとプロセスガスが供給される。高周波電源Eにてカソード電極11に印加された高周波電力によって生じたプラズマ放電によって、プロセスガスが反応し、薄膜として基板上に堆積することができる。また、クリーニング時には制御部100によってバルブ51とバルブ52が開放され、チャンバー10内にクリーニングガスとキャリアガスが供給される。高周波電源Eにてカソード電極11に印加された高周波電力によって生じたプラズマ放電によって、クリーニングガスが反応してラジカルエッチャントとなり、チャンバー10の側壁、カソード電極11やアノード電極12上に堆積した薄膜と反応してエッチングすることによって、堆積膜を除去することができる。このプラズマCVD装置を用いて基板上に膜を形成するCVDプロセスでは、チャンバー10内のカソード電極11の放電面やアノード電極12上、チャンバー10の側壁や排気配管などに、本来不要な膜状あるいは粉体状の堆積物が付着してしまう。それによって、カソード電極11から基板上に粉体が落下して異物欠陥となったり、排気配管が閉塞することによってチャンバー内の圧力が変動し成膜に影響するなどの問題が発生する。したがって、上述したエッチングによるクリーニングを定期的に実施することで堆積物を除去することが重要である。上述の堆積物を除去する本実施形態のクリーニング方法では、図2のタイムチャートに示すように、放電工程とおよびそれに続くクリーニング工程が行われる。以下、図1および図2を参照しながらこのクリーニング方法を説明する。この発明のクリーニング方法は放電工程と、クリーニング工程からなる。放電工程では、図2に示すように、高周波電源Eから高周波電力Pが供給されるまでに、真空ポンプ22により真空とされたチャンバー10内に、クリーニングガス供給源g1からクリーニングガスであるNF3ガスが流量Q=6リットル/分を初期値として導入される。この際、NF3ガスはガス供給管50を通ってカソード電極11内に供給され、カソード電極11の放電面に設けられた複数個の孔から電極間に噴出する。一方、キャリアガス供給源g2からキャリアガスであるArガスがチャンバー10内に流量R=48リットル/分を初期値として導入される。次に、同図に示すように、高周波電源Eからカソード電極11とアノード電極12との間に高周波電力P=3.0kWが初期値として供給され、プラズマ放電が開始され、放電工程が開始される。放電工程開始後200秒が経過すると、クリーニングガスの流量Qが増加し始め、期間ΔT100秒間の間に6リットル/分から7リットル/分まで徐々に増加する。予備工程開始後300秒が経過するとキャリアガスの流量Rが減少し始め、期間ΔT100秒間の間に48リットル/分から46リットル/分まで徐々に減少する。そして、予備工程開始後400秒が経過すると高周波電力Pが3.0kWから3.5kWまで増大する。放電工程開始後500秒が経過すると、クリーニングガスの流量Qが増加し始め、期間ΔT100秒間の間に7リットル/分から8リットル/分まで徐々に増加する。予備工程開始後600秒が経過するとキャリアガスの流量Rが減少し始め、期間ΔT100秒間の間に46リットル/分から44リットル/分まで徐々に減少する。放電工程開始後700秒が経過すると高周波電力Pが3.5kWから4.0kWまで増大する。放電工程開始後800秒が経過すると、クリーニングガスの流量Qが再び増加し始め、期間ΔT100秒間の間に8リットル/分から9リットル/分まで徐々に増加する。予備工程開始後900秒が経過するとキャリアガスの流量Rが減少し始め、期間ΔT100秒間の間に44リットル/分から42リットル/分まで徐々に減少する。放電工程開始後1000秒が経過すると高周波電力Pが4.0kWから4.5kWまで増大する。放電工程開始後1000秒が経過すると、クリーニングガスの流量Qが増加し始め、期間ΔT100秒間の間に9リットル/分から10リットル/分まで徐々に増加する。放電工程開始後1200秒が経過するとキャリアガスの流量Rが減少し始め、期間ΔT100秒間の間に42リットル/分から40リットル/分まで徐々に減少する。放電工程開始後1300秒が経過すると高周波電力Pが4.5kWから5.0kWまで増大する。この状態で放電工程からクリーニング工程に引き継がれ、Q=10リットル/分、R=40リットル/分、P=5.0kWの条件がそれぞれ定められた所定値として維持される。そして、放電工程開始後4900秒、つまりクリーニング工程開始後3600秒1時間が経過すると、高周波電力の供給が停止されると共にクリーニングガス、キャリアガスの供給が停止され、クリーニングの全工程が終了する。なお、放電工程およびクリーニング工程の少なくとも一方の工程を通じてチャンバー10内の圧力全圧は、真空ポンプ22と圧力調整器21により、常に一定に保持される。さらに好ましくは、放電工程とクリーニング工程を通じてチャンバー10内の圧力全圧が一定に保持される。このようにして、プラズマ放電が圧力全圧の変動により不安定になることを抑制でき、プラズマCVD装置にダメージを与えることなく、効率よくクリーニングすることができる。図2の放電工程において、Q,R,Pは、4段階の変化でそれぞれ目標値としての所定値に達しているが段階数は1以上であればよく、急激な変化を避けるために好ましくは3~10段階程度である。段階が多すぎても放電工程とクリーニング工程を含む全体としてのクリーニング処理時間が長くなり、プラズマCVD装置の生産効率が悪くなるので10回以内に収めておくのが好ましい。なお、クリーニングガス流量の上昇およびキャリアガス流量の低減は、プラズマ放電が弱くなる方向に働き、高周波電力の上昇は、プラズマ放電が強くなる方向に働く。本実施形態のクリーニング方法においては、チャンバー10内の圧力全圧はほぼ一定としている。全圧が変動するとプラズマ放電への影響が大きいため、プラズマ放電が不安定となるからである。よって、クリーニングガスとキャリアガスの流量の変化度合いは大体同じにするか、排気の量を調整することで全圧を一定に維持することが好ましい。図2において、Q,R,Pを変化させる順番については、クリーニングガス流量Q上昇→キャリアガス流量R低減→高周波電力P上昇の順が特に好ましい。Qの上昇とRの低減との順番は入れ替え可能であるが、プラズマをより安定させるためには、急峻にプラズマの状態が変化しない方を先に変化させた方がより安定し易くなる。即ち、キャリアガスを低減させる方がプラズマ放電が発生しにくくなる方向へより大きく変化するので、先に変化が緩やかなクリーニングガスを上昇させ、その次にキャリアガスを低減した後、高周波電力を上昇させてプラズマ放電を強くした方が安定する。また、プラズマ放電が発生しやすい状態で高周波電力Pを上昇させると、平行平板電極間にプラズマ放電を閉じ込め難くなり、電極の外部への異常放電など放電方向の変化が大きくなる。従って、プラズマ放電をより安定させつつ各パラメータをクリーニング工程の目標値である所定値まで変化させるときは、クリーニングガス流量とキャリアガス流量とを先に変化させて一旦プラズマ放電を抑える方向に変化させた後、高周波電力を上昇させる方が放電工程でのプラズマ放電が安定する。よって、クリーニングガス流量とキャリアガス流量を変化させた後に、電力を上昇させる順番であることがより好ましい。なお、図2の放電工程では、Q,R,Pは変化時期タイミングが重ならないように制御されているが、プラズマ放電を不安定にしない範囲で変化時期がごく短時間で部分的に重なってもよい。また、図2ではQ,R,Pの内、一つの変化が完了した直後に次の変化が開始されているが、例えば一つのパラメータの変化が完了した後に、Q,R,Pを一定に保つインターバル時間を有していてもよい。それによって、よりQ,R,Pの変動のばらつきを抑えることができ、よりプラズマ放電を安定化することができる。なお、上記の実施形態の説明においては特に触れていないが、放電工程ではクリーニングが行われてもよいし、行われていなくともよい。"