"測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、第1の絶縁基板の一方の面に形成された凹状の第1の測定室と、前記第1の絶縁基板に設けられ前記第1の測定室に連通する第1の導圧孔と、前記第1の絶縁基板の一方の面に一方の面が接合され前記測定ダイアフラムを形成する半導体基板と、この半導体基板の他方の面に前記第1の測定室に対応した位置に設けられた半導体歪ゲージと、前記半導体基板の他方の面に一方の面が接合された第2の絶縁基板と、この第2の絶縁基板の前記一方の面に前記第1の測定室に対向して対称形状をなして設けられた凹状の第2の測定室と、前記第2の絶縁基板に設けられ前記第2の測定室に連通する第2の導圧孔と、を具備したことを特徴とする圧力センサ。前記測定ダイアフラムと前記第1の測定室との隙間と前記測定ダイアフラムと前記第2の測定室との隙間とが前記測定ダイアフラムに過大圧が印加された場合に前記測定ダイアフラムが前記測定室に当たり保護されるような隙間に調節されたことを特徴とする請求項1記載の圧力センサ。前記半導体基板の他方の面に設けられ前記歪ゲージに一端がそれぞれ接続された第1,第2の半導体電気配線と、前記第2の絶縁基板に設けられ一端が前記第1,第2の半導体電気配線に電気的に接続され他方端が外部に取り出される第1,第2の電極とを具備したことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の圧力センサ。前記第1,第2の絶縁基板は、セラミックスあるいはサファイア材が使用されたことを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の圧力センサ。このような装置においては、以下の問題点がある。このような半導体圧力センサを使った伝送器では、高圧側と低圧側のオイルが封入されている伝導穴構造、特に,圧力センサ周辺部の構造が違うため配管抵抗や封入されているオイル量が異なる。温度変化によるオイルの膨張、収縮で圧力が変化するが、オイル量が若干違うと圧力も異なるため、センサ特性へ影響を与える。過大圧保護をするためのセンターダイアフラムが必要で部品数が多くなるためにコストがかかる。更に、圧力、特に、静圧下でプロセスラインでの水衝撃等によって急激に圧力が変化する場合がある。この際に,高圧側及び低圧側の配管抵抗とオイル量が異なるため,オイル収縮の影響で高圧側と低圧側の圧力に時間のズレが発生するため,過大圧保護の動作点がずれてしまう場合がある。その時に,センサ部に大きな差圧が発生して圧力センサのダイアフラムに大きな差圧が加わりダイアフラムが破壊してしまう場合がある。本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、水衝撃のような急激な圧力変動に対して信頼性が高く、温度特性が安定で、ローコスト化が可能な、圧力センサを提供することにある。このような課題を達成するために、本発明では、請求項1の圧力センサにおいては、測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、第1の絶縁基板の一方の面に形成された凹状の第1の測定室と、前記第1の絶縁基板に設けられ前記第1の測定室に連通する第1の導圧孔と、前記第1の絶縁基板の一方の面に一方の面が接合され前記測定ダイアフラムを形成する半導体基板と、この半導体基板の他方の面に前記第1の測定室に対応した位置に設けられた半導体歪ゲージと、前記半導体基板の他方の面に一方の面が接合された第2の絶縁基板と、この第2の絶縁基板の前記一方の面に前記第1の測定室に対向して対称形状をなして設けられた凹状の第2の測定室と、前記第2の絶縁基板に設けられ前記第2の測定室に連通する第2の導圧孔と、を具備したことを特徴とする。本発明の請求項2の圧力センサにおいては、請求項1記載の圧力センサにおいて、前記測定ダイアフラムと前記第1の測定室との隙間と前記測定ダイアフラムと前記第2の測定室との隙間とが前記測定ダイアフラムに過大圧が印加された場合に前記測定ダイアフラムが前記測定室に当たり保護されるような隙間に調節されたことを特徴とする。本発明の請求項3の圧力センサにおいては、請求項1又は請求項2記載の圧力センサにおいて、前記半導体基板の他方の面に設けられ前記歪ゲージに一端がそれぞれ接続された第1,第2の半導体電気配線と、前記第2の絶縁基板に設けられ一端が前記第1,第2の半導体電気配線に電気的に接続され他方端が外部に取り出される第1,第2の電極とを具備したことを特徴とする。本発明の請求項4の圧力センサにおいては、請求項1乃至請求項3の何れかに記載の圧力センサにおいて、前記第1,第2の絶縁基板は、セラミックスあるいはサファイア材が使用されたことを特徴とする。本発明の請求項1によれば、次のような効果がある。圧力センサの低圧側、高圧側の構造を対称にすることで、圧力,特に静圧化で急激に圧力が変化した場合でも,高圧側及び低圧側の配管抵抗とオイル量が同じであるため,オイルが収縮しても高圧側と低圧側の圧力も同じになる。そのため、プロセスラインでの水衝撃による急激な圧力変化でも差圧が発生しないため、ダイアフラムに過大な差圧が加わることがない。そのためセンサは破壊しない。また、温度変化によるオイルの膨張、収縮で発生する圧力も等しくなるため、温度特性が安定になる圧力センサが得られる。本発明の請求項2によれば、次のような効果がある。請求項1の効果以外にギャップを調整することで過大圧が加わった場合にダイアフラムが対面にぶつかることでダイアフラム破壊を防止する設計が可能になる。そのため、過大圧保護構造であるセンタダイアフラムも不要にすることができ、低コストな圧力センサが得られる。本発明の請求項3によれば、次のような効果がある。半導体基板の他方の面に設けられ、歪ゲージに一端がそれぞれ接続された第1,第2の半導体電気配線と、第2の絶縁基板に設けられ一端が第1,第2の半導体電気配線に電気的に接続され他方端が外部に取り出される第1,第2の電極とが設けられた。従って、歪ゲージの形成と同時に、第1,第2の半導体電気配線は形成出来、第2の絶縁基板に設けられた、第1,第2の電極により、電気信号が取り出せるので、電極を片面に集中することで、電気信号の取出しの実装上の取扱いが容易に出来るので、構成が簡潔に出来、更に、低コストな圧力センサが得られる。本発明の請求項4によれば、次のような効果がある。ガラスなど比べて破壊しにくいサファイアを採用するため、更に、高い信頼性を実現できる圧力センサが得られる。以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明の一実施例の要部構成説明図、図2から図6は図1の製作工程説明図である。図において、図7と同一記号の構成は同一機能を表す。以下、図7との相違部分のみ説明する。図1において、第1の測定室22は、第1の絶縁基板21の一方の面に形成され凹状をなす。第1の導圧孔23は、第1の絶縁基板21に設けられ、第1の測定室22に連通する。半導体基板24は、第1の絶縁基板21の一方の面に一方の面が接合され、測定ダイアフラム25を形成する。半導体歪ゲージ26は、半導体基板24の他方の面に、第1の測定室22に対応した位置に設けられている。第2の絶縁基板27は、半導体基板24の他方の面に、一方の面が接合されている。第2の測定室28は、第2の絶縁基板27の一方の面に、第1の測定室22に対向して対称形状をなして設けられ、凹状をなす。第2の導圧孔29は、第2の絶縁基板27に設けられ、第2の測定室28に連通する。なお、この場合は測定ダイアフラム25と第1の測定室22との第1の隙間31と、測定ダイアフラム25と第2の測定室28との第2の隙間32とが、測定ダイアフラム25に過大圧が印加された場合に、測定ダイアフラム25が測定室22,28に当たり保護されるような隙間31,32に調節されている。第1,第2の半導体電気配線33,34は、半導体基板24の他方の面に設けられ、歪ゲージ26に一端がそれぞれ接続されている。第1,第2の電極35,36は、第2の絶縁基板27に設けられ、一端が前記第1,第2の半導体電気配線33,34に電気的に接続され、他方端が外部に取り出される。第1の金属のパイプ41は、第1の絶縁基板21に接着剤43により一端が接続されている第2の金属のパイプ42は、第2の絶縁基板27に接着剤43により一端が接続されている。なお、この場合は、第1,第2の絶縁基板は、セラミックスあるいは、サファイア材が使用されている。以上の構成において、図2に示す如く、シリコン基板101に拡散抵抗などの歪ゲージ102と歪ゲージ102に一端が接続された第1,第2の半導体電気配線103,104を形成する。図3に示す如く、シリコン基板101を所望の厚さに研削、研磨する。図4に示す如く、2枚のサファイアの板105,106に凹部107,108と凹部107,108にそれぞれ連通する導圧孔109,111の加工を行なう。そして、サファイアの板105,106に、第1,第2の半導体電気配線103,104の他端に接する貫通孔112,113の加工を行なう。貫通孔112,113にそれぞれ電極114,115を形成する。図5に示す如く、シリコン基板101とサファイアの板105,106を常温直接接合などで貼り合わせる。図6に示す如く、サファイアの板105,106に、ステンレスなどの金属パイプ116,117を接着材118を使って接合する。この結果、圧力センサの低圧側、高圧側の構造が対称にすることで、圧力,特に静圧化で急激に圧力が変化した場合でも,高圧側及び低圧側の配管抵抗とオイル量が同じになるため,オイルが収縮しても高圧側と低圧側の圧力も同じになる。そのため、センサは破壊しない。また、温度変化によるオイルの膨張、収縮で発生する圧力も等しくなるため、温度特性が安定になる圧力センサが得られる。ギャップを調整することで過大圧が加わっても圧力センサが破壊しない設計が可能になる。そのため、過大圧保護構造であるセンタダイアフラム7も不要にすることができる。更に、急激に圧力が変化した場合に、圧力センサ自体に過大圧保護構造があるため圧力センサの破壊を防止できる圧力センサが得られる。半導体基板24の他方の面に設けられ、歪ゲージ26に一端がそれぞれ接続された第1,第2の半導体電気配線31,32と、第2の絶縁基板27に設けられ、一端が第1,第2の半導体電気配線31,32に電気的に接続され、他方端が外部に取り出される第1,第2の電極33,34とが設けられた。従って、歪ゲージ26の形成と同時に、第1,第2の半導体電気配線31,32は形成出来、第2の絶縁基板27に設けられた、第1,第2の電極33,34により、電気信号が取り出せるので、電極を片面に集中することで、電気信号の取出しの実装上の取扱いが容易に出来るので、構成が簡潔に出来、更に、低コストな圧力センサが得られる。ガラスなど比べて破壊しにくいセラミックスあるいはサファイアが採用されたため、更に、高い耐圧の信頼性が実現できる圧力センサが得られる。なお、前述の実施例においては、ステンレスなどの金属パイプ116,117に付いて、サファイアの板105,106に、接着材を使って接合すると説明したが、これに限ることはなく、例えば、金属パイプ116,117はコバール材をであっても良く、要するに、金属材であれば良い。なお、前述の実施例においては、金属パイプ116,117に付いて、サファイアの板105,106に接着材を使って接合すると説明したが、これに限ることはなく、例えば低融点ガラス、ろう付けであっても良く、要するに、金属パイプ116,117を板105,106に接合出来れば良い。なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。"