"電圧を印加されるセプタム部と、前記セプタム部と対向し、接地されるグランド部とからなるセルの内側に電磁界を発生させるステップと、ケーブルを前記セルの内側に配置するステップと、前記ケーブルの両端側とそれぞれ接続される第1及び第2終端抵抗に生じる誘導電圧をそれぞれ入力し、電界及び磁界に対する誘導量を演算するステップとを含むことを特徴とするシールド性能評価方法。前記第1及び第2終端抵抗は、それぞれ前記セルの外側に配置されることを特徴とする請求項1に記載のシールド性能評価方法。前記セプタム部及び前記グランド部の間隙は、側面視、菱形状に形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のシールド性能評価方法。前記演算部は、0°/180°ハイブリッドバランからなることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のシールド性能評価方法。前記第1及び第2終端抵抗は、それぞれ抵抗値が変更可能であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のシールド性能評価方法。電圧を印加されるセプタム部と、前記セプタム部と対向し、接地されるグランド部とからなり、内側に電磁界を発生させるセルと、前記セルの内側に配置されたケーブルと、前記ケーブルの両端側とそれぞれ接続される第1及び第2終端抵抗と、前記第1及び第2終端抵抗に生じる誘導電圧をそれぞれ入力し、電界及び磁界に対する誘導量を演算する演算部とを含むことを特徴とするシールド性能評価装置。電圧を印加されるセプタム部と、前記セプタム部と対向し、接地されるグランド部とからなるセルの内側に電磁界を発生させるステップと、ケーブルを前記セルの内側に配置するステップと、前記ケーブルの両端側とそれぞれ接続される第1及び第2終端抵抗に生じる誘導電圧をそれぞれ入力し、電界及び磁界に対する誘導量を演算するステップと前記演算された誘導量に基づいて、前記ケーブルのシールド性能を評価するステップとを含むことを特徴とするケーブル製造方法。電界及び磁界両方に対するシールド性能を評価する場合、複数の方法で測定を行う必要があり、評価に時間を要していた。また、吸収クランプや銅パイプは、ケーブルの形状、配置に制限があり、評価の再現性が低下する可能性がある。本発明は、上記問題点を鑑み、様々なケーブルの電界及び磁界に対するシールド性能を再現性よく評価できるシールド性能評価方法、シールド性能評価装置及びケーブル製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために本発明の第1の態様は、電圧を印加されるセプタム部と、前記セプタム部と対向し、接地されるグランド部とからなるセルの内側に電磁界を発生させるステップと、ケーブルを前記セルの内側に配置するステップと、前記ケーブルの両端側とそれぞれ接続される第1及び第2終端抵抗に生じる誘導電圧をそれぞれ入力し、電界及び磁界に対する誘導量を演算するステップとを含むシールド性能評価方法であることを要旨とする。また、本発明の第1の態様に係るシールド性能評価方法においては、前記第1及び第2終端抵抗は、それぞれ前記セルの外側に配置されることができる。また、本発明の第1の態様に係るシールド性能評価方法においては、前記セプタム部及び前記グランド部の間隙は、側面視、菱形状に形成されることができる。また、本発明の第1の態様に係るシールド性能評価方法においては、前記演算部は、0°/180°ハイブリッドバランからなることができる。また、本発明の第1の態様に係るシールド性能評価方法においては、前記第1及び第2終端抵抗は、それぞれ抵抗値が変更可能であることができる。本発明の第2の態様は、電圧を印加されるセプタム部と、前記セプタム部と対向し、接地されるグランド部とからなり、内側に電磁界を発生させるセルと、前記セルの内側に配置されたケーブルと、前記ケーブルの両端側とそれぞれ接続される第1及び第2終端抵抗と、前記第1及び第2終端抵抗に生じる誘導電圧をそれぞれ入力し、電界及び磁界に対する誘導量を演算する演算部とを含むシールド性能評価装置であることを要旨とする。本発明の第3の態様は、電圧を印加されるセプタム部と、前記セプタム部と対向し、接地されるグランド部とからなるセルの内側に電磁界を発生させるステップと、ケーブルを前記セルの内側に配置するステップと、前記ケーブルの両端側とそれぞれ接続される第1及び第2終端抵抗に生じる誘導電圧をそれぞれ入力し、電界及び磁界に対する誘導量を演算するステップと前記演算された誘導量に基づいて、前記ケーブルのシールド性能を評価するステップとを含むケーブル製造方法であることを要旨とする。本発明によれば、様々なケーブルの電界及び磁界に対するシールド性能を再現性よく評価できるシールド性能評価方法、シールド性能評価装置及びケーブル製造方法を提供することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、断面図と平面寸法の関係、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。また、以下に示す実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。本発明の実施の形態に係るシールド性能評価装置は、図1に示すように、内側に電磁界を発生させるセル1と、評価対象であるケーブル2と、ネットワークアナライザ5と、演算部6とを備える。ケーブル2の両端は、それぞれ、セル1の外側に配置された終端抵抗22a,22bと接続される。セル1は、ネットワークアナライザ5の出力ポートP1から電圧を印加され、内部に電磁界を発生させる。終端抵抗22a,22bは、セル1の内側に配置されたケーブル2を介して、セル1により発生された電磁界による誘導電圧が誘導される。演算部6は、終端抵抗22a,22bに生じた誘導電圧をそれぞれ入力ポートP5,P6から入力し、ケーブル2の電界及び磁界に対する誘導量を演算し、出力ポートP7,P8から出力する。終端抵抗22aと入力ポートP5、終端抵抗22bと入力ポートP6を接続するケーブルは同軸ケーブルであり、互いに同一の種類、同一の長さとなっている。ネットワークアナライザ5は、演算部6によって演算された電界及び磁界に対する誘導量を入力ポートP2,P3から入力し、計測する。セル1は、図2に示すように、ネットワークアナライザ5から交流電圧を印加されるセプタム部11と、セプタム部11と対向し、接地されるグランド部12とから構成される。セル1は、内側、すなわちセプタム部11とグランド部12との間隙に電磁界を発生させる。セプタム部11及びグランド部12は、それぞれ、概略として、対角線上で屈曲された菱形状の平板からなる。セル1は、セプタム部11及びグランド部12の頂角を両端部として、それぞれ両端部を互いに固定することで、側面視、菱形状の間隙を有する。セル1は、必要に応じて樹脂等からなる補強具15図3参照により補強される。セル1は、セプタム部11、グランド部12及び内側の間隙が菱形状となっているため、入力信号の反射を最小にすることができる。また、反射を抑制することによりインピーダンスの不整合を抑え、高周波までの評価を行うことができる。セプタム部11とグランド部12との固定部は、一端側がネットワークアナライザ5から信号を入力される近端側ポート13aとなっており、他端側がは、入力信号の反射を防止する終端抵抗が接続される遠端側ポート13bとなっている。遠端側ポート13bは、セル1の特性インピーダンスで終端されている。近端側ポート13a及び遠端側ポート13bは、固定具14a,14bによってそれぞれ固定される。ケーブル2は、セプタム部11とグランド部12との間隙に、近端側ポート13aと遠端側ポート13bとを結ぶ線上に配置される。ケーブル2の外被シールドは、導電性の固定具21によってグランド部に電気的に接続される。ケーブル2の近端側の端部には、終端抵抗22aが接続され、遠端側の端部には、終端抵抗22bが接続される。終端抵抗22a,22bは、ケーブル2のインピーダンスを管理する。終端抵抗22a,22bは、グランド部12に設けられた貫通孔を介してケーブル2の両端と接続される。終端抵抗22a,22bは、それぞれセル1の外側に配置されるので、セル1の内側に発生する電磁界の影響を低減し、測定のダイナミックレンジを向上することができる。終端抵抗22a,22bは、図3に示すように、それぞれ、絶縁型コネクタであるノーマルモード終端ポート221,222と、非絶縁型コネクタであるコモンモード終端ポート223とから構成される図3において終端抵抗22a側のみを図示している。例えば、ノーマルモード終端ポート221,222の抵抗値は50Ω、コモンモード終端ポート223の抵抗値は25Ωとすることができる。ノーマルモード終端ポート221,222、コモンモード終端ポート223は、例えば同軸のレセプタクルを用いることにより、それぞれ抵抗値を変更可能とすることができる。この為、終端抵抗22a,22bは、終端インピーダンスや平衡度の変更が容易に可能である。図4に示すように、ケーブル2の導線は、それぞれ、ノーマルモード終端ポート221,222の芯線41,42に接続された後、グランド44,45を介してコモンモード終端ポート223の芯線43に接続される。コモンモード終端ポート223のグランド46は、グランド部12に接続され、接地される。これによりケーブル2は、図5に示すように、終端抵抗22a,22bのノーマルモード終端ポート221,222、コモンモード終端ポート223により終端される。セル1は、ネットワークアナライザ5からの入力に応じて、セルの内側にTEMモードの均一な電磁界を発生させる。ケーブル2は、セル内の均一な電磁界に配置されるため、通信ケーブル、送電ケーブル、配線ダクト等、様々な形状のケーブルを再現性よく測定することができる。演算部6は、終端抵抗22a,22bに誘導された誘導電圧から、ケーブル2の電界及び磁界に対する誘導量を演算する。図6に示すように、近端側の終端抵抗22aRNEには、電界E磁界H、遠端側の終端抵抗22bRFEには、電界E-磁界Hの成分が誘導される。よって、式1に示すように、終端抵抗22aの誘導電圧VNEと22bの誘導電圧VFEを加算することで電界の誘導量AEが求められる。また、式2に示すように、終端抵抗22aの誘導電圧VNEと22bの誘導電圧VFEを減算することで磁界の誘導量AHが求められる。AE=VNEVFE/2...1AH=VNE-VFE/2...2演算部6は、0°/180°ハイブリッドバランからなる。演算部6を、0°/180°ハイブリッドバランとすることで、終端抵抗22a,22bの誘導電圧の演算を簡単にできる。入力ポートP5,P6から終端抵抗22a,22bの誘導電圧入力すると、ISOポートとなる出力ポートP7から電界の誘導量AEが、SUMポートとなる出力ポートP8から磁界の誘導量AHが出力される。また、本発明の実施の形態に係るシールド性能評価装置によれば、様々な形状のケーブルの、電界及び磁界に対するシールド性能を、再現性よく高精度に評価することができる。上記のように、本発明を実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。本発明の実施の形態に係るシールド性能評価方法は、ケーブルの製造時において製品の評価に用いることが可能である。ケーブルの製造において本発明の実施の形態に係るシールド性能評価方法を適用することにより、簡単に、様々な形状のケーブルの、電界及び磁界に対するシールド性能を、再現性よく高精度に評価することができる。よって、ケーブルの製造におけるコストを低減することができ、また、ケーブルの性能を向上させることができる。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"