ワークピースへのイオン注入の際のグリッチに対処するための方法であって、イオンビームを供給する工程と、イオンビームに対する上記ワークピースの平行移動の回数、平行移動の速度、イオンビームのサイズの内の1以上に少なくとも部分的に基づくイオンビームグリッチ継続期間閾値を決定する工程と、少なくとも低速走査路に沿って上記イオンビームに対して上記ワークピースを平行移動させ、上記ワークピースへイオンを注入する工程と、上記ワークピースの平行移動の間、複数の所定の間隔で反復的に上記イオンビームの電流を決定する工程と、上記決定されたイオンビームの電流が所定の値より大きい場合にカウンターをゼロにセットする工程と、上記カウンターがゼロであり上記決定されたイオンビームの電流が上記所定の値未満である場合に上記ワークピースの位置を記憶し、グリッチの開始を規定する工程と、上記決定されたイオンビームの電流が上記所定の値未満であり上記ワークピースの位置を記憶する毎に上記カウンターをインクリメントする工程と、上記カウンターが上記イオンビームグリッチ継続期間閾値を超えた場合に上記イオンビームを抑制する工程と、上記記憶した位置に上記ワークピースを再配置し、上記イオンビームを再開し、少なくとも上記低速走査路に沿って上記イオンビームに対して上記ワークピースを再度平行移動することにより、上記ワークピースの上記グリッチに関連付けられた部分に注入を行う工程と、を含むことを特徴とする方法。上記イオンビームを抑制後、上記イオンビームグリッチ継続期間閾値を再計算する工程をさらに含み、上記再計算は上記低速走査路に沿った上記イオンビームに対する上記ワークピースの1回少ない平行移動に少なくとも部分的に基づいていることを特徴とする請求項1に記載の方法。上記イオンビームグリッチ継続期間が上記所定の最小値未満である場合に上記イオン注入を停止する工程をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。上記イオンビームの電流の所定の値は通常のイオン注入動作電流の約10であることを特徴とする請求項1に記載の方法。上記イオンビームを供給する工程は、上記低速走査路に略垂直な高速走査路に沿ってペンシルビームを走査することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。上記反復的に上記イオンビームの電流を決定する工程は、上記イオンビームが高速走査路に沿って上記ワークピースに交わらない時に上記イオンビームの電流を測定することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。上記イオンビームの電流を決定する工程は、ファラデーカップを介し上記イオンビームの電流を測定することを含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。上記イオンビームの電流を決定する工程は、イオンビーム源に関連する1以上の特性を測定することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。イオン注入異常に対処するための方法であって、所定のグリッチ継続期間閾値を設ける工程と、イオンビームを供給する工程と、上記イオンビームに対してワークピースを平行移動する工程と、上記平行移動と同時に上記イオンビームの電流を反復的に測定する工程と、上記イオンビームの測定した電流が所定のイオンビーム異常電流未満である場合に上記ワークピースの位置を記録しグリッチの開始を規定する工程と、上記所定のグリッチ継続期間閾値よりも長い時間、上記イオンビームの測定した電流が上記所定のイオンビーム異常電流より低い場合にのみイオン注入を停止しグリッチに関連付けられたイオン注入を修復する工程と、を含むことを特徴とする方法。上記イオン注入が停止された後上記ワークピースを再配置する工程をさらに含み、上記ワークピースは上記イオン注入の修復が開始したときに上記記憶された位置にあることを特徴とする請求項9に記載の方法。上記イオンビームに対してワークピースを平行移動する工程は、高速走査路に沿って上記ワークピースを往復運動させることと低速走査路に沿って上記ワークピースを平行移動させることを含み、上記低速走査路は上記高速走査路に略垂直であることを特徴とする請求項9に記載の方法。上記イオンビームの電流を反復的に測定する工程は、上記高速走査路に沿った上記ワークピースの方向の反転に関連付けられる変曲位置において上記電流を測定することを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。上記イオンビームに対してワークピースを平行移動する工程は、高速走査路に沿って上記イオンビームを往復運動させることと低速走査路に沿って上記ワークピースを平行移動させることとを含み、上記低速走査路は上記高速走査路に略垂直であることを特徴とする請求項9に記載の方法。上記イオンビームの電流を反復的に測定する工程は、上記高速走査路に沿った上記イオンビームの方向の反転に関連付けられる変曲位置において上記電流を測定することを含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。上記イオン注入が停止され修復される毎に上記所定のグリッチ継続期間閾値を所定の量だけ低減する工程をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。上記所定の量は、上記イオン注入の間、低速走査路に沿って上記ワークピースを平行移動するのにかかる時間に関連していることを特徴とする請求項15に記載の方法。上記所定のグリッチ継続期間閾値が所定の最小値未満になると上記イオン注入を修復しないことを特徴とする請求項15に記載の方法。上記イオンビーム異常電流は通常のイオン注入動作電流の約10であることを特徴とする請求項9に記載の方法。上記グリッチ継続期間閾値は、上記イオンビームに対する低速走査路に沿った上記ワークピースの平行移動の回数、上記低速走査路に沿った平行移動の速度、上記イオンビームのサイズの内の1以上に少なくとも部分的に基づくことを特徴とする請求項9に記載の方法。本発明は概してイオン注入システム及び断続的イオンビームに対処するための方法に関し、適切な修復作業に関する決定をその場で行う。本発明を以下に図面を参照して説明する。なお同様の構成要素には同様の符号が用いられる。これらの側面の記載は単に例示的なものであり、これらに限定して解釈されるものではない。以下の記載では、説明のため本発明の完全な理解を提供するため多数の具体的な詳細が述べられているが、本発明がこれらの具体的な詳細なしでも実施できることは当業者には明らかである。半導体ウエハーや基板等のワークピースへのイオン注入においては、該ワークピースの上流の様々な構成部材間で一時的なアーク放電が起こり、イオンビームパワーまたはビーム電流の損失のような一時的な損失が起こることが一般的である。従来の連続イオン注入器では、そのようなイオンビームパワーまたは電流の損失グリッチとも呼ばれるが起こると通常、加工中のワークピースを修復することになる。しかしながらそのような修復はワークピースにより重大な問題を引き起こす可能性があり、さらに貴重な時間をその処理に費やすことになる。今までほぼすべてのグリッチが修復を必要とするものと見なされていたため、修復の必要性についての決定は従来なされてこなかった。本発明は例えば顧客や統計データによって提供される品質閾値を利用し、グリッチに対する修復がなされるべきか否かを決定するという利点がある。図1に、ターミナル12、ビームラインアセンブリ14およびエンドステーション16を備える例示的なイオン注入システム10を示す。ターミナル12は、例えば、高電圧源20によって駆動されるイオン源18を備え、該イオン源はイオンビーム22を生成し、ビームラインアセンブリ14を介し最終的にエンドステーション16までイオンビーム22を出射する。イオンビーム22は、例えば、スポットビーム、ペンシルビーム、リボンビーム等どのような形態のビームであってよい。ビームラインアセンブリ14はさらにビームガイド24及び質量分析器26を備え、適切な電荷‐質量比のイオンのみビームガイド24の出口端の開口部28を通って、エンドステーション16に位置するワークピース30例えば、半導体ウエハー、表示パネル等まで供給されるように双極子磁場が形成される。一例に従い、静電走査器や電磁走査器等のイオンビーム走査機構32が、ワークピース30に対して少なくとも第1方向33例えば、/-y方向第1走査路または高速走査軸、路、方向とも呼ばれるにイオンビーム22を走査するよう構成され、それにより走査イオンビーム34を規定する。さらに本例においては、ワークピース走査機構36が設けられ、該ワークピース走査機構は、少なくとも第2方向35例えば、/-x方向第2走査路または低速走査軸、路、方向とも呼ばれるにおいて、イオンビーム22にワークピース30を選択的に走査するように構成される。イオンビーム走査システム32及びワークピース走査システム36は、例えば、イオンビーム22に対するワークピースの所望の走査を行うため、別々に設けられてもよいし、一体的に設けられてもよい。例えば、イオンビーム22をおおむね固定し例えば、イオンビーム走査機構32によって静電的に走査されないようにし、ワークピース走査機構36を第1方向33および第2方向35の両方においてイオンビームに対してワークピース30を走査するよう構成し、それによりイオンビームに対するワークピースの2次元機械的走査をもたらす。別の例においては、イオンビーム22を第1方向33に静電的に走査し、それにより走査イオンビーム34を生成する。そして、ワークピース30を走査イオンビーム34に対して第2方向35に機械的に走査する。このようなイオンビーム22の静電的走査とワークピース30の機械的走査の組み合わせは、ハイブリッド走査と呼ばれる。本発明は、イオンビーム22に対するワークピース30の走査またはその逆のあらゆる組み合わせに適用可能である。別の例によれば、1以上のファラデーカップ等の1以上のセンサ38が、イオンビームの1以上の特性例えば、イオンビーム電流を計測するためにイオンビーム22の経路に沿ってさらに設けられる。上記1以上のセンサ38はワークピース30の上流、下流のどちらに設けられてもよく、イオンビームがワークピースと交わっていない時にイオンビーム22の1以上の特性を検知するように構成される。別の例においては、上記1以上のセンサ38は電源20と関連しており、電源に関連する電流または電圧を決定する。コントローラ40がさらに設けられ、該コントローラは上記イオン源18、高電圧源20、ビームガイド24、質量分析器26、イオンビーム走査機構32、ワークピース走査機構36および1以上のセンサ38の内の少なくとも1つ以上を制御するように構成される。上記イオン注入システム10の様々な構成部材中に利用される高電圧に少なくとも部分的にはより、予期しないタイミングで高電圧アークやスパークが発生する。そのようなアークやスパークは多くの場合、一般的にイオンビームグリッチと呼ばれるイオンビーム電流の損失を短期間引き起こす。イオンビームグリッチの継続期間は、例えば、高電圧スパークを引き起こす特定の構成部材、特定の高電圧の状態、電圧負荷および電流負荷の内の1つ以上に応じて、数十マイクロ秒から数十ミリ秒の範囲であることが多い。イオンビームグリッチが発生すると、ワークピース30はグリッチの継続期間の間、イオンビーム22の所望の注入量を受け取らず、結果としてイオンビームグリッチはワークピースにおける最終ドーズ均一性に影響を与える。一般的にワークピース30はイオンビーム22の断面サイズよりはるかに大きい。本発明はワークピース30の表面全体に均一な量のイオンを供給するための様々な方式を考える。ある方式では、図2に示すように、第2方向35例えば、/-x方向におけるワークピース30のイオンビーム22に対する1次元走査が採用される。このイオンビームはブロードリボンビーム42を含む。1次元走査では、図1のワークピース走査機構36が、ほぼ均一なリボンビームに対してワークピースを機械的に走査する。ここでリボンビームの幅44はワークピースより広いが、リボンビームの厚さ46は該幅よりも略小さい。図3Aに、2つの方向におけるワークピース30及びイオンビーム22の互いに対する走査が採用される2次元走査方式を示す。例えば、図3Aに示す2次元走査は、上述したハイブリッド走査により実現でき、比較的高速の周波数例えば、約1KHzで第1方向33例えば、/-y方向におけるペンシルまたはスポットイオンビーム22の高速走査により一般的に図1の走査イオンビーム34が規定され、第2方向35例えば、走査イオンビームの第1方向33にほぼ直交する方向におけるワークピース30の比較的低速な機械的走査例えば、1Hz未満によりワークピース全体がスポットイオンビームに露出する。このような図3Aに示すハイブリッド走査では、例えば、図3Bに示すように、ワークピース30にラスター走査パターン48が一般的に形成され、走査ピッチ50例えば、約0.1mmまたは2つの高速走査跡間の距離はスポットイオンビーム22例えば、約10mmより大きいのサイズよりはるかに小さい。図4を参照すると、図3Bのワークピース30の中央線54に沿ったドーズ蓄積または分布52が示されており、ドーズ蓄積は図1のイオンビーム22へのワークピース30の露出量に通常関連している。図3Aの第2方向35例えば、低速走査またはx方向へのワークピース30の機械的走査により、例えば、第1方向33へのワークピースに対するイオンビーム22の走査毎に、イオンビーム中心位置は第2方向例えば図3Bの走査ピッチ50に関連に短い距離シフトする。図4に示すように、結果としてドーズ分布52は、全ビームプロファイルパス55の重ね合わせとなる。十分なドーズ均一性を実現し、図1のワークピース30への十分な最終イオン注入量を確立するため、例えば、低速走査例えば、第2方向35への低速機械的走査を一回以上繰り返す。通常は、ワークピースをイオンビーム22に対し最低二回通過させる例えば、x軸に沿った前方及び後方への通過。イオンビームグリッチ例えば、イオンビーム22の異常が発生すると、最終的なドーズ分布に対するグリッチの影響は、イオンビームに対するワークピース30の通過の総数を含むいくつかに要因によって決定される。本発明者らは、例えば注入が走査イオンビーム34に対するワークピース30の第2方向35への通過が100回あり、その100回の通過の内1回だけがグリッチを含んでいる場合、そのグリッチの最終的なドーズへの最大影響はワークピース全体の1以下であり、これは注入の均一性に関して容認できるレベルのものであると考える。しかし、ある注入に関して第2方向35への通過の総数が少ない例えば、低速走査路に沿った前後の通過丸々一回場合、グリッチからのドーズ分布は非常に重要となり得る。例えば、グリッチからのドーズ分布はイオンビームドロップアウトの単純な形のものではなく、むしろシフトしたイオンビームプロファイルとビームドロップアウト長さの重ね合わせまたは、畳み込みとして与えられ、ビームドロップアウト長さはビームドロップアウト期間と低速走査速度によって与えられる。図5Aは、例えば、イオンビームの電流が短期間ドロップアウトするグリッチ56として示すシナリオを示す。図5Bは、図4と同様のビームプロファイル57の重なりを示すが、図5Bにおいては、グリッチ56のドロップアウトの間いくつかのビームプロファイルが欠けている。図5Cは一般的に図5Bのビームプロファイル57の重なりとしての最終ドーズ分布58を示し、グリッチ56またはビームドロップアウトの間の最終ドーズ分布への総影響がずっと少ないことを示す。ドーズ分布58へのグリッチの影響、すなわち低減されたドーズの深さ及び幅は通常3つの要因に依存する。すなわち、ビームドロップアウトグリッチ継続期間の長さ、図3Aの第2方向35例えば低速走査方向におけるビームサイズ、第2方向におけるワークピースの移動速度例えば低速走査速度である。本発明は、イオンビーム22の電流が短期間完全にゼロに落ちたとしても、例えば図5Cに示すような結果的に通過による最終ドーズが完全に消滅することはほとんどない。例えば、図3Aの第2方向35において幅広ビームサイズで比較的低速な走査速度で短いビームドロップアウト例えば短いグリッチ継続期間が起こる場合、上記影響は最小限である。しかし、例えば、図6A~図6Cに裏付けられるように、図3Aの第2方向35において幅狭ビームサイズで比較的高速な走査速度で長いビームドロップアウト例えば比較的長いグリッチ継続期間が起こる場合、図6Cに示すように全体の最終ドーズはワークピースの一部ではゼロになり得る。しかし、図7に示すように、グリッチなしの通過がより多く行われれば、ドーズ分布58におけるグリッチの影響は弱まる。ある注入では、イオンビーム22のサイズ及び形だけでなく図3Aの第2方向35における通過の総数、第1方向33及び第2方向における走査速度に関しても推定を行う。よって、本発明によると、グリッチによるドーズ均一性の低下の度合いはグリッチの継続期間によって推測され得る。図8は、図3Aの第2方向35における1回の走査通過に関する異なる2つの走査速度におけるグリッチ継続期間に対するグリッチ間の損失注入量の深さの一例をさらに示すグラフ60である。第2方向35において2回以上の通過を行う注入では、均一性の総低下量は、第2方向における通過の総数で割ることによって得られる。図8のグラフ60は、例えば、第2方向における秒速10cmの速さの単一通過の注入singlepassimplantに関して最大許容損失ドーズが2であれば、グリッチは5ミリ秒より短くなければならないことを示す。同じ基準で5ミリ秒よりもグリッチが長くなれば、ドーズ均一性が許容できないレベルになる例えば図6Cのドーズ分布58。2回通過の注入twopassimplantでは、図8のグラフ60から分かるように、追加の通過によりグリッチの影響が弱まるまたはおよそ半分になるため、グリッチ継続期間は最大で10ミリ秒にすることができる。例えば、グラフ60によると、単一通過の注入における10ミリ秒のグリッチ継続期間は4の不均一を引き起こす。第2の通過を行うことにより、図7と同様に不均一性はおよそ半分、約2になる。従来の連続イオン注入器のほとんどでは、グリッチが記録されると、グリッチの発生時における低速走査の位置を記録し、ビームドロップアウトを人工的に一定の長さまたは低速走査の終了まで引き延ばしすなわちビームを意図的に抑制し、欠損部分を後で正確に埋められるようにするリペインティングともいう。一般的には、このリペインティングは、グリッチの継続期間が短くても長くてもグリッチが記録されれば行われていた。リペインティングは、通例、あるグリッチによって形成されたギャップを埋める特別な非日常的な処理である。一般的に、この非日常的な処理は、短いグリッチが多い場合には特に、処理に余分な時間を費やしてしまうという問題がある。しかし本発明では、上記で明らかにしたように、グリッチにより引き起こされるダメージは、グリッチの継続期間、総走査数、走査速度、イオンビームのサイズ等の要因に一般的に依存していることが認められている。イオンビームへのワークピースの通過の総数、走査速度、ビームのサイズ形は特定の注入では一般的に知られている。本発明は、以下にさらに述べるように、グリッチを通常無視することができるグリッチ継続期間閾値を設けている。例えば、本発明によると、経験したグリッチ継続期間がグリッチ継続期間閾値よりも長ければ、均一性に対するダメージは無視できないほど大きいと判断され、修復処理が開始される。一方、本発明によると、経験したグリッチ継続期間がグリッチ継続期間閾値よりも短ければ、均一性へのダメージは許容範囲と見なされ、修復またはワークピースのリペインティングは行われず、従来の方法に比較して、貴重な処理時間を節約することができる。よって本発明は、ワークピースへのイオン注入の間グリッチが発生した際、どのように処理が進行するのか決定する方法を提供する。実施例1最大許容ドーズ量下落は、秒速10cmの低速走査速度の2回通過の注入で2であり、イオンビームサイズは、2cmFWHMガウスと推定される。この場合、図8のグラフ60によると、2回通過の注入であるため、通過からの4の注入量の落ち込みは許容範囲であり、10ミリ秒より長いグリッチはリペインティングが必要になる。実施例2最大許容ドーズ量下落は、秒速10cmの低速走査速度2cmFWHMガウスビームを用いた10回通過の注入で2である。10回通過の注入であるため、1回の通過において最大20までの落ち込みを引き起こすグリッチは許容される。グラフ60から最大グリッチ継続期間は約50ミリ秒である。すなわち、この特定の注入では、最大50ミリ秒までのグリッチは、均一性の要件を満たすためにリペインティングすることなく許容される。しかし、一般的に経験されるグリッチのほとんどは50ミリ秒より短いため、そのような注入ではリペインティングが必要とされることはほとんどない。本発明によると、ワークピースの修復またはリペインティングが必要かを判定するため、グリッチが所定のグリッチ継続期間閾値より長いかを判定する。上記所定のグリッチ継続期間閾値は、注入の均一性要件、イオンビームへの通過の総数、走査速度、イオンビームのサイズから算出される。しかし、グリッチの継続期間はグリッチの発生時には予想できないため、グリッチの発生時の第2方向における例えば低速走査方向35における機械的走査に沿ってワークピースの位置をグリッチが検出されると記録する。ただし、ワークピースの走査は継続し、十分なイオンビームの存在を短い間隔で例えば1ミリ秒毎にチェックする。イオンビームが上記所定の継続期間内に十分に回復しない場合にのみ、グリッチは要修復グリッチとして扱われ、修復処置を行うかが決定され、グリッチを経験したワークピースの領域をリペインティングまたは再度注入を行う。上記修復処置は人工的にイオンビームの欠損を所定の位置例えば上記第2または低速走査方向35における通過または走査の終わりまで引き延ばすものである自動ビーム回復の抑制とも呼ばれる。本発明では、イオンビームが上記所定のグリッチ継続期間閾値内に十分に回復する場合、ドーズ均一性への上記グリッチの影響は無視され、特別な処理は行われない。さらに、別の例では、本開示にグリッチ割当量が導入される。例えば、第2方向における通過の数が多い注入例えば第2方向に10回以上通過を行うような注入では、第2方向における通過が5回以下の注入よりもグリッチ割当量が大きい。これは通過の回数が多い注入ほど少数のグリッチに対してより耐性があるためである。しかし、グリッチの継続期間が短くそれ単独でリペインティングを必要としないとしても、残りのグリッチフリー注入による希釈を考慮すると、あるワークピースが経験する各グリッチにより、グリッチ割当量全体から特定の量だけ差し引かれ、その後生じるグリッチ毎に注入のグリッチへの耐性は弱くなる。例えば、すでにいくつかのグリッチを無視した後でさらにグリッチを経験すると、これ以上のグリッチはワークピースの修復またはリペインティングを必要とするポイントにまでグリッチ割当量が到達する可能性がある。なお本発明は図2及び図3A~図3Bにそれぞれ示すブロードビームリボン型及びハイブリッド走査注入の両方に適用できる。よって、本開示の別の側面によると、図9はワークピースへのイオン注入の際の不均一に対処するための例示的な方法100を示す。なお、ここで一連の行為または事象として例示的な方法が示され記載されているが、本発明はそのような行為または事象の順序に限定されるものではなく、ここで示され記載されているものとは異なり、いくつかのステップが異なる順序で、及び/または他のステップと同時に行われてもよい。また示されたステップのすべてが本発明に係る方法論を実行するために必要とされるわけではない。さらに上記方法はここで示され記載されたシステムだけでなく、示されていない他のシステムと関連して実行されてもよい。図9の方法100はアクト102から始まり、アクト102ではイオンビームグリッチ継続期間閾値が決定される。上記イオンビームグリッチ継続期間閾値の決定は、少なくとも部分的には、ワークピース上の所望の最終注入ドーズ均一性、イオンビームへのワークピースの平行移動または通過の数、平行移動の速度、イオンビームのサイズのうち1つ以上に基づいている。例えばイオンビームのサイズは、直接測定、所定のシステム入力に基づくビームサイズの知識、以前のイオンビームサイズのガウス分布及び既知のシステム入力に基づくビームサイズの推定のうち1つ以上に基づいて決定される。アクト104では、注入ルーチンが行われ、イオンをワークピースに注入する。例えば注入ルーチンは、イオンビームに対してワークピースを平行移動する工程を含む。イオンビームは、例えば、図1の走査イオンビーム34を含み、イオンビーム22を高速走査軸例えば第1方向33に沿って走査する。これによりワークピースは低速走査軸例えば第2方向に沿ってイオンビーム中を平行移動し、ワークピースにイオンが注入される。イオンビームの電流が決定され例えば、測定され、アクト106において上記電流が十分なまたは満足できる注入のための所定の値イオンビーム異常電流とも呼ばれるよりも大きいかについての判定が行われる。例えば、所定のノイズレベル例えば通常の動作電流の10を超えたイオンビームの電流は、ワークピースにイオンを注入するのに十分なものである。アクト106において十分なイオンビーム電流があると判定された場合、アクト110においてカウンターがゼロに設定され、同時にワークピースにイオンを注入する。アクト106におけるイオンビーム電流の判定は、例えば、イオンビームがワークピースに交わらない時にファラデーカップを介してイオンビームの電流を決定する工程を含む。別の例においては、アクト106のイオンビーム電流の判定は、高電圧源等のイオンビーム源に関連する1以上の特性を測定する工程を含む。ビーム電流が十分でない場合例えば、イオンビーム電流が上記所定のノイズレベルより低い、例えば通常の動作電流の10未満の場合、アクト112においてカウンターがゼロであるかの判定が行われる。アクト112においてカウンターがゼロであると判定された場合、グリッチが初めて発生したと判断され、第2方向におけるワークピースの位置をアクト114において記録する。その後、アクト116においてカウンターをインクリメントする。アクト112における判定が、カウンターがゼロでないことを示す場合例えばグリッチが既に発生している場合、アクト118においてカウンターとグリッチ継続期間閾値とを比較する。カウンターがグリッチ継続期間閾値未満である場合、注入ルーチンを続行し、イオンビーム電流をアクト116において再度チェックする。本開示の一例によると、アクト106~118は所定の間隔例えば、1ミリ秒の間隔で行われ、アクト106は、その所定の間隔毎に繰り返される。よってカウンターはアクト110においてゼロにセットされるかアクト116においてインクリメントされ、所定の間隔例えば、1ミリ秒の間隔毎に再度アクト106が行われる。よって、本例においては、注入の間に発生するグリッチの継続期間のタイミングはカウンターのインクリメントと関連付けられている。アクト118においてカウンターがグリッチ継続期間閾値より大きいと判定された場合、注入ルーチンは中断され、アクト120において修復またはリペインティングルーチンが行われる。ある例では、修復ルーチンはアクト122においてイオンビームグリッチ継続期間閾値を再計算することを含み、該再計算は、少なくとも部分的に、ワークピースのイオンビームに対する1回少ない平行移動に基づく。例えば、ワークピースはアクト114において以前記録した第2方向における位置に戻され、再びアクト104におけるイオンビームの供給から注入ルーチンを再度行う。本例では、アクト118においてカウンターはグリッチ継続期間閾値未満と判定されたが、イオンビーム電流がアクト106を再度行う前に許容できるレベルにまで回復した場合、アクト110においてカウンターはゼロにリセットされ、アクト104において開始した注入を続行する。よって、グリッチは大抵無視される。よって、本発明によると処理の効率化が実現でき、従来のグリッチが発生する度に修復を行っていたのに比べ、上記の方法論に基づいて選択的にグリッチを無視、及び/または修復することにより時間、材料等の節約を実現することができる。いくつかの好ましい実施形態に関連して本発明を示し、説明してきたが、本明細書および添付図面を読み、理解すると、均等な変更および修正が当業者に生ずることが明白である。特に、上述のコンポーネントアセンブリ、デバイス、回路などによって実行されるさまざまな機能に関して、そのようなコンポーネントを説明するために使用される手段に対する参照を含む用語は、特に示さない限り、ここで説明した本発明の例示的な実施形態において機能を実行する開示した構造に実質的に同等でなくても、記述したコンポーネントの特定の機能を実行する何らかの要素すなわち、それは機能的に同等であるに対応するように向けられている。さらに、説明したいくつかの実施形態のうちの1つ以上だけに関して、本発明の特定の特徴を上述しているが、任意の所定の、または特定のアプリケーションに対して望まれるように、および有利であるように、そのような特徴を、他の実施形態の1つ以上の他の特徴と組み合わせてもよい。