"ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、チャネル層およびゲート絶縁層を有して成る電界効果トランジスタの製造方法であって、金属塩、-CCOOH=CCOOH-シス型構造を有する多価カルボン酸、有機溶媒、および水を含んで成り、前記金属塩に対する前記多価カルボン酸のモル比が0.5以上かつ4.0以下となった金属塩含有組成物を用いて前記チャネル層を形成することを特徴とする、電界効果トランジスタの製造方法。前記多価カルボン酸が、マレイン酸、シトラコン酸、フタル酸およびトリメリット酸から成る群から選択される1種以上であることを特徴とする、請求項1に記載の電界効果トランジスタの製造方法。前記水が前記金属塩の水和物に起因していることを特徴とする、請求項1に記載の電界効果トランジスタの製造方法。前記金属塩含有組成物に含まれる前記金属塩が、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr、W、Fe、Ni、Cu、Ag、Zn、Al、Ga、In、SnおよびSbから成る群から選択される1種以上の塩であることを特徴とする、請求項1に記載の電界効果トランジスタの製造方法。前記金属塩含有組成物に含まれる前記金属塩が、Znを少なくとも含んで成る金属の塩であることを特徴とする、請求項1に記載の電界効果トランジスタの製造方法。前記金属塩含有組成物に含まれる前記金属塩が、InおよびGaから成る群から選択される1種以上の金属の塩を更に含んで成ることを特徴とする、請求項5に記載の電界効果トランジスタの製造方法。前記金属塩が、硝酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩、ハロゲン化物、アルコキシドおよびアセチルアセトン塩から成る群から選択される1種以上であることを特徴とする、請求項1に記載の電界効果トランジスタの製造方法。i基板上にゲート電極を形成する工程、ii前記ゲート電極を覆うように前記基板上に前記ゲート絶縁層を形成する工程、iii前記ゲート絶縁層の上に前記金属塩含有組成物を供してチャネル前駆体層を形成し、該チャネル前駆体層を加熱処理して前記チャネル層を形成する工程、ならびにiv前記チャネル層と接するように前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程を含んで成ることを特徴とする、請求項1に記載の電界効果トランジスタの製造方法。i’金属箔を用意する工程、ii’前記金属箔上に前記ゲート絶縁層を形成する工程、iii’前記ゲート絶縁層上に前記金属塩含有組成物を供してチャネル前駆体層を形成し、該チャネル前駆体層を加熱処理して前記チャネル層を形成する工程、iv’前記チャネル層と接するように前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程、v’前記チャネル層、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うように封止層を形成する工程、ならびにvi’前記金属箔をエッチングして前記ゲート電極を形成する工程を含んで成ることを特徴とする、請求項1に記載の電界効果トランジスタの製造方法。前記ゲート絶縁層の形成に対しても前記金属塩含有組成物を用いており、前記ゲート絶縁層の形成に用いる前記金属塩含有組成物に含まれる前記金属塩がBa、Y、Zr、Hf、TaおよびAlから成る群から選択される1種以上の金属の塩であることを特徴とする、請求項1に記載の電界効果トランジスタの製造方法。前記ソース電極および/または前記ドレイン電極の形成に対しても前記金属塩含有組成物を用いており、前記ソース電極および/または前記ドレイン電極の形成に用いる前記金属塩含有組成物に含まれる前記金属塩が導電性金属の塩であることを特徴とする、請求項1に記載の電界効果トランジスタの製造方法。請求項1に記載の製造方法で得られる電界効果トランジスタであって、チャネル層、ゲート電極、前記チャネル層と前記ゲート電極との間に少なくとも位置するゲート絶縁層、および前記チャネル層に接して配置されたソース電極およびドレイン電極を有して成り、前記チャネル層が金属酸化物を含んで成り、該金属酸化物が、前記金属塩含有組成物から形成された酸化物であることを特徴とする、電界効果トランジスタ。前記チャネル層における表面の算術平均粗さRaが10nm以下となっていることを特徴とする、請求項12に記載の電界効果トランジスタ。請求項5に記載の製造方法で得られる電界効果トランジスタであって、チャネル層、ゲート電極、前記チャネル層と前記ゲート電極との間に少なくとも位置するゲート絶縁層、および前記チャネル層に接して配置されたソース電極およびドレイン電極を有して成り、前記チャネル層が金属酸化物を含んで成り、該金属酸化物が前記金属塩含有組成物から形成された酸化物であってZnを含んで成ることを特徴とする、電界効果トランジスタ。請求項6に記載の製造方法で得られる電界効果トランジスタであって、チャネル層、ゲート電極、前記チャネル層と前記ゲート電極との間に少なくとも位置するゲート絶縁層、および前記チャネル層に接して配置されたソース電極およびドレイン電極を有して成り、前記チャネル層が金属酸化物を含んで成り、該金属酸化物は、前記金属塩含有組成物から形成された酸化物であってZnを含んで成り、更にはInおよびGaから成る群から選択される1種以上の金属をも含んで成ることを特徴とする、電界効果トランジスタ。前記金属酸化物が4.0~5.5g/cm3の密度を有していることを特徴とする、請求項14に記載の電界効果トランジスタ。前記金属酸化物がアモルファス酸化物であることを特徴とする、請求項12に記載の電界効果トランジスタ。請求項10に記載の製造方法で得られる電界効果トランジスタであって、チャネル層、ゲート電極、前記チャネル層と前記ゲート電極との間に少なくとも位置するゲート絶縁層、および前記チャネル層に接して配置されたソース電極およびドレイン電極を有して成り、前記チャネル層が金属酸化物を含んで成り、該チャネル層の該金属酸化物が前記金属塩含有組成物から形成された酸化物であり、また前記ゲート絶縁層が金属酸化物を含んで成り、該ゲート絶縁層の該金属酸化物が前記ゲート絶縁層形成用の前記金属塩含有組成物から形成された酸化物であって、Ba、Y、Zr、Hf、Ta、AlおよびSiから成る群から選択される1種以上の金属の酸化物であることを特徴とする、電界効果トランジスタ。請求項11に記載の製造方法で得られる電界効果トランジスタであって、チャネル層、ゲート電極、前記チャネル層と前記ゲート電極との間に少なくとも位置するゲート絶縁層、および前記チャネル層に接して配置されたソース電極およびドレイン電極を有して成り、前記チャネル層が金属酸化物を含んで成り、該チャネル層の該金属酸化物が、前記金属塩含有組成物から形成された酸化物であり、また前記ソース電極および/または前記ドレイン電極が導電性金属酸化物を含んで成り、該導電性金属酸化物が前記ソース電極および/または前記ドレイン電極形成用の前記金属塩含有組成物から形成された酸化物であることを特徴とする、電界効果トランジスタ。前記電界効果トランジスタが薄膜トランジスタTFTであることを特徴とする、請求項12に記載の電界効果トランジスタ。金属酸化物膜の製造についていえば、前駆体溶液の塗布印刷などによって薄膜を形成することができれば、スパッタやPECVDプラズマCVDのような高価な真空装置を用いる必要がなくなり、簡易なプロセスを実現できる。つまり、大面積な薄膜トランジスタを低コストで作製できる。この点、比較的簡易とされる溶液法が存在するものの、アルコキシドや酢酸塩等の特定の金属塩でのみ実現可能となっているにすぎない。また、このような溶液法は、緻密で均一かつ平坦な膜を形成することができず、それゆえ、高特性な薄膜トランジスタの形成に対して適しているといえない。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものである。つまり、本願発明の主たる課題は、薄膜トランジスタなどの電界効果トランジスタにおける膜形成層形成の点で好適となった製造方法を提供することであり、また、それに伴って高性能な電界効果トランジスタを提供することでもある。上記課題を解決するため、本発明では、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、チャネル層およびゲート絶縁層を有して成る電界効果トランジスタの製造方法であって、金属塩、-CCOOH=CCOOH-シス型構造を有する多価カルボン酸、有機溶媒、および水を含んで成り、金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5以上かつ4.0以下となった金属塩含有組成物を用いてチャネル層を形成することを特徴とする、電界効果トランジスタの製造方法が提供される。本発明は、電界効果トランジスタのチャネル層形成において金属塩、-CCOOH=CCOOH-シス型構造を有する多価カルボン酸金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5~4.0、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物を用いることを特徴の1つとしている。本明細書において電界効果トランジスタとは、電流通路チャネルのコンダクタンスをゲート電極からの電界によって制御するトランジスタのことを意味している。かかる電界効果トランジスタの1つを例示すれば、薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistorを挙げることができる。ある好適な態様では、金属塩含有組成物に含まれる金属塩が、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr、W、Fe、Ni、Cu、Ag、Zn、Al、Ga、In、SnおよびSbから成る群から選択される少なくとも1種類以上の塩となっている。かかる金属塩の形態は、硝酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩、ハロゲン化物、アルコキシドおよびアセチルアセトン塩から成る群から選択される少なくとも1種類以上の塩形態であってよい。好ましくは、金属塩含有組成物に含まれる金属塩はZnを少なくとも含んで成る塩である。かかる場合、金属塩含有組成物に含まれる金属塩がInおよびGaから成る群から選択される少なくも1種類以上の金属の塩を更に含んで成ることが好ましい。別のある好適な態様では、金属塩含有組成物に含まれる多価カルボン酸が、マレイン酸、シトラコン酸、フタル酸およびトリメリット酸から成る群から選択される少なくとも1種類以上となっている。水は、金属塩含有組成物中にどのような形態で含まれていてもよく、例えば有機溶剤が水を含むものであってよく、あるいは、金属塩の水和物として水が含まれていてもよい。このような水成分は組成物全体基準で0.05重量以上の割合で含まれていることが好ましい。本発明の製造方法は、以下の工程i~ivを有し得る:i基板上にゲート電極を形成する工程、iiゲート電極を覆うように基板上にゲート絶縁層を形成する工程、iiiゲート絶縁層の上に金属塩含有組成物を供してチャネル前駆体層を形成し、かかるチャネル前駆体層を加熱処理してチャネル層を形成する工程、ならびにivチャネル層と接するようにソース電極およびドレイン電極を形成する工程また、別の好適な形態では本発明の製造方法は、以下の工程i’~vi’を有し得る:i’金属箔を用意する工程、ii’金属箔上にゲート絶縁層を形成する工程、iii’ゲート絶縁層上に金属塩含有組成物を供してチャネル前駆体層を形成し、チャネル前駆体層を加熱処理してチャネル層を形成する工程、iv’チャネル層と接するようにソース電極およびドレイン電極を形成する工程、v’チャネル層、ソース電極およびドレイン電極を覆うように封止層を形成する工程、ならびにvi’金属箔をエッチングしてゲート電極を形成する工程本発明の製造方法では、ゲート絶縁層の形成に対しても金属塩含有組成物を用いてよい。かかる場合、ゲート絶縁層形成に用いる金属塩含有組成物に含まれている金属塩はBa、Y、Zr、Hf、Ta、AlおよびSiから成る群から選択される少なくとも1種類以上の金属の塩であることが好ましい。また、本発明の製造方法では、ソース電極および/またはドレイン電極の形成に対しても金属塩含有組成物を用いてよい。かかる場合、ソースドレイン電極形成に用いる金属塩含有組成物に含まれている金属塩は導電性金属の塩であることが好ましい。本発明では、上記製造方法によって得ることができる電界効果トランジスタも提供される。かかる本発明の電界効果トランジスタは、チャネル層、ゲート電極、チャネル層とゲート電極との間に少なくとも位置するゲート絶縁層、およびチャネル層に接して配置されたソース電極およびドレイン電極を有して成り、チャネル層が金属酸化物を含んで成り、かかる金属酸化物が、上記の金属塩含有組成物から形成された酸化物であることを特徴としている。本発明の電界効果トランジスタは、チャネル層が金属塩、-CCOOH=CCOOH-シス型構造を有する多価カルボン酸金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5~4.0、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物に起因した金属酸化物から形成されていることを特徴の1つとしている。本発明の電界効果トランジスタは薄膜トランジスタであってよい。本明細書においてチャネル層とゲート電極との間に少なくとも位置するゲート絶縁層とは、ゲート絶縁膜の少なくも一部がチャネル層とゲート電極との間に存在している態様を実質的に意味している図1参照。ある好適な態様では、チャネル層における表面の算術平均粗さRaが10nm以下、好ましくは0.5nm以下、更に好ましくは0.15nm以下となっている。即ち、チャネル層における表面図面における上側表面の算術平均粗さRaは00を除く~10nm、好ましくは00を除く~0.5nm、更に好ましくは00を除く~0.15nmとなっており、それゆえ、チャネル層が実質的に平坦となっている。ここで、本明細書でいう算術平均粗さRaとは、図26に示すような粗さ曲線本発明でいうとチャネル層の表面の断面形状プロファイルから、その平均線の方向に基準長さLだけ抜き取り、この抜き取り部分における平均線から測定曲線までの偏差の絶対値を合計して得られる値を平均化したものを実質的に意味している。別のある好適な態様では、チャネル層の金属酸化物がアモルファス酸化物となっている。また、あくまでも原料組成物の金属塩に依存することになるが、チャネル層の金属酸化物はZnを含んで成る金属酸化物となっている。金属酸化物がZnを含んで成る場合、好ましくは、金属酸化物がInおよびGaから成る群から選択される少なくも1種類以上の金属を更に含んで成る。また、かかる場合、金属酸化物膜たるチャネル層は好ましくは4.0~5.5g/cm3の密度を有しており、それゆえ、チャネル層は緻密な膜を構成している。更に別のある好適な態様では、ゲート絶縁層が金属酸化物を含んで成り、かかる金属酸化物がゲート絶縁層形成用の金属塩含有組成物から形成された酸化物となっている。つまり、ゲート絶縁層が金属塩、-CCOOH=CCOOH-シス型構造を有する多価カルボン酸金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5~4.0、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物に起因した金属酸化物から成っている。かかる場合、ゲート絶縁層の金属酸化物はBa、Y、Zr、Hf、TaおよびAlから成る群から選択される少なくとも1種類以上の金属の酸化物であることが好ましい。更に別のある好適な態様では、ソース電極および/またはドレイン電極が導電性金属酸化物を含んで成る。この導電性金属酸化物はソースドレイン電極形成用の金属塩含有組成物から形成された酸化物である。つまり、ソース電極および/またはドレイン電極が金属塩、-CCOOH=CCOOH-シス型構造を有する多価カルボン酸金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5~4.0、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物に起因した導電性金属酸化物から成っている。本発明に係る電界効果トランジスタの製造方法に従えば、原料を塗布印刷して加熱処理することによって薄膜状のチャネル層を得ることができる。それゆえ、電界効果トランジスタを簡便なプロセスによって作製できるので特に大面積なトランジスタをより簡易なプロセスで作製できるので、生産性が向上して低コスト化につながる。特に本発明においては、用いられる金属塩含有組成物に起因して、実質的に緻密で均一かつ平坦なチャネル層を得ることができる。これによって、電界効果トランジスタでは広い面積にわたって形成された複数のトランジスタ間のばらつきが小さくなり、安定で高特性なTFTが得られるといった効果が奏される。また、同様に金属塩含有組成物を用いれば、実質的に緻密で均一かつ平坦なゲート絶縁層も得ることもできる。これによって、電界効果トランジスタでは高い移動度と動作耐圧、信頼性を持つ素子を広い面積にわたって得ることが出来るといった効果が奏される。更に同様に金属塩含有組成物を用いれば、実質的に緻密で均一かつ平坦なソース電極および/またはドレイン電極も得ることもできる。これによって、電界効果トランジスタでは電極との接触抵抗が低くなり、高い移動度を持つ素子を広い面積にわたって得ることが出来るといった効果が奏される。次に、図面を参照しながら、本発明の電界効果トランジスタの製造方法について説明する。また、かかる製造方法の説明に付随させる形で電界効果トランジスタについても説明を行う。《金属塩含有組成物》本発明の製造方法は、ゲート電極20、ソース電極40、ドレイン電極50、チャネル層10およびゲート絶縁層30を有して成る電界効果トランジスタ100の製造方法である図1参照。かかる本発明の製造方法では、電界効果トランジスタのチャネル層形成に際して金属塩、-CCOOH=CCOOH-シス型構造を有する多価カルボン酸金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5~4.0、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物を用いることを特徴の1つとしている。本発明の製造方法では、チャネル層の形成のみならず、電界効果トランジスタのゲート絶縁層やソース電極ドレイン電極の形成にも、そのような金属塩含有組成物を用いてもよい。いずれにせよ、本発明の製造方法は、電界効果トランジスタを構成する層や膜を形成するために金属塩、-CCOOH=CCOOH-シス型構造を有する多価カルボン酸金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5~4.0、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物を用いる。以下の説明では主としてチャネル層形成用の金属塩含有組成物について説明するが、特段の説明を付さない限り、かかる説明内容は、ゲート絶縁層用およびソースドレイン電極形成用の金属塩含有組成物についても同様に当てはまる。本願発明者らは、シス型構造部位を持たない多価カルボン酸を用いた場合、得られた金属酸化物薄膜の均一性や平坦性などが低下したことから、シス型構造部位が必要であることを見出した。金属塩に対する多価カルボン酸の添加量が少なすぎると金属酸化物薄膜の均一性が低下し、逆に多すぎると焼成時に膜中の有機分が多くなりすぎるために、膜の均一性が低下することなる。それゆえ、金属塩に対する多価カルボン酸のモル比は0.5以上かつ4.0以下とすることが好ましく、更に好ましくは0.8以上かつ2.0以下である。多価カルボン酸は、シス型構造部位を有する限りいずれのカルボン酸を用いてもよい。例えば、多価カルボン酸は、マレイン酸、シトラコン酸、フタル酸およびトリメリット酸から成る群から選択される少なくとも1種類以上のカルボン酸であってよい。分解温度が低く、より緻密で均一かつ平坦な金属酸化物薄膜を形成できるといった点でいえば、多価カルボン酸としてマレイン酸が好ましい。尚、多価カルボン酸におけるC=C結合は芳香族を構成する炭素-炭素二重結合であってもよい。多価カルボン酸は、どのような形態で用いてもよい。例えば、上記例示した多価カルボン酸の無水物と、水を含む溶媒とを併せて使用して、溶媒中で多価カルボン酸を発生させてもよい。金属塩含有組成物に含まれる金属塩の種類は、対象となる層や膜に応じて適宜変更してよい。例えば、チャネル層の形成に用いる金属塩含有組成物に含まれる金属塩は、Mgマグネシウム、Caカルシウム、Srストロンチウム、Baバリウム、Yイットリウム、Tiチタン、Zrジルコニウム、Hfハフニウム、Nbニオブ、Taタンタル、Crクロム、Wタングステン、Fe鉄、Niニッケル、Cu銅、Ag銀、Zn亜鉛、Alアルミニウム、Gaガリウム、Inインジウム、SnスズおよびSbアンチモンから成る群から選択される少なくとも1種類以上の金属の塩となっていることが好ましい。これらの金属塩の酸化物は、単体あるいは複合酸化物となることで半導体になり得るからである。特にチャネル層形成についていえば、金属塩含有組成物に含まれる金属塩がZn亜鉛を少なくとも含んで成る塩であることが好ましい。かかる場合、組成物はInインジウムおよびGaガリウムから成る群から選択される少なくも1種類以上の金属の塩を更に含んで成ることが好ましい。これらの金属塩の酸化物は移動度や安定性の点で電界効果トランジスタ例えば薄膜トランジスタにとって好適となるからである。金属塩の塩形態としては、特に制限はなく、例えば、硝酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩、ハロゲン化物、アルコキシドおよびアセチルアセトン塩から成る群から選択される少なくとも1種類以上の塩形態であってよい。金属塩含有組成物中の金属塩の含有量濃度は、金属塩自体が溶媒中に溶解するのであれば特に制限はなく、形成される金属酸化物薄膜即ち、チャネル層、ゲート絶縁層および/またはソース電極ドレイン電極の厚さなどに応じて適宜調整することができる。例えば、金属塩含有組成物中の金属塩の含有量濃度は約0.005mol/L以上かつ約1mol/L以下の範囲であってよい室温下の組成物全体基準。特にチャネル層形成についていえば、Znを含む塩、Inを含む塩およびGaを含む塩を含んで成る組成物を用いる場合、それぞれ等モルずつ用いてよく、例えば各0.01~0.5mol/L程度、好ましくは各0.05~0.15mol/L程度一例を挙げれば約0.1mol/Lの濃度であってよい室温下の組成物全体基準。ゲート絶縁層の形成についていえば、金属塩含有組成物に含まれる金属塩が、Baバリウム、Yイットリウム、Zrジルコニウム、Hfハフニウム、TaタンタルおよびAlアルミニウムから成る群から選択される少なくとも1種類以上の金属の塩であることが好ましい。あくまでも例示にすぎないが、これらいずれかの金属の塩を含んだ組成物を用いる場合、金属塩濃度は例えば0.05~1mol/L、好ましくは0.2~0.8mol/L程度であってよい室温下の組成物全体基準。また、ソース電極ドレイン電極の形成についていえば、金属塩含有組成物に含まれる金属塩が導電性金属の塩であることが好ましい。例えば、Zn亜鉛、Alアルミニウム、Inインジウム、Snスズ、Moモリブデン、IrイリジウムおよびRuルテニウムから成る群から選択される少なくとも1種類以上の金属の塩であることが好ましい。これらいずれかの金属の塩を含んだ組成物を用いる場合、金属塩濃度は例えば0.05~1mol/L、好ましくは0.2~0.8mol/L程度であってよい室温下の組成物全体基準。金属塩含有組成物に含まれる有機溶媒は、金属塩および多価カルボン酸を安定に溶解できるものであれば特に制限はない。例えば、有機溶剤としては、メタノール、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,3-プロパンジオール、1,3-ブタンジオール、3-メトキシメチルブタノール例えば3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノール、N-メチルピロリドンおよびテルピネオールなどから成る群から選択される少なくとも1種類以上の有機溶剤であってよい。このような有機溶媒の含有量は、特に制限されるわけではないが、例えば60~90重量程度、好ましくは68~85重量程度であってよい組成物全体基準。金属塩含有組成物には水が含まれている。ここで、金属塩と、多価カルボン酸と、有機溶媒とを含有する溶液は、かかる溶液としての水分含有量が約0.05重量以上であることが好ましい。このような水分含有量は、組成物全体を基準にして、より好ましくは1重量~50重量、更に好ましくは5重量~20重量である。金属塩含有組成物に含まれている水の形態は、特に制限はなく、いずれの形態であってもかまわない。例えば、水が、当該組成物に含まれる金属塩の水和物に起因するものであってよい。あるいは、金属塩含有組成物に含まれる有機溶媒自体が水を含有していてもよい。いずれの形態であるにせよ、組成物全体を基準にした水分含有量が約0.05重量以上であることが好ましい。《製造プロセス》第1実施形態次に、図2a~eを参照しながら、図1に示す薄膜トランジスタTFT100の製造工程について例示する。薄膜トランジスタ100の製造に際しては、まず、工程iを実施する。つまり、図2aに示すように、基板60上にゲート電極20を形成する。基板60の材質としては、ガラス、アルミナ、ガラス-アルミナ複合材、シリコン、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはステンレス鋼などを挙げることができる。本実施形態は基板60としてガラス基板を用いる。基板60の厚さは、好ましくは約50μm~約1800μmの範囲、より好ましくは約200μm~約800μmの範囲例えば約700μmである。ゲート電極20は基板上の所定の位置に形成される。ゲート電極20の材質としては、金Au、銀Ag、銅Cu、ニッケルNi、クロムCr、コバルトCo、マグネシウムMg、カルシウムCa、白金Pt、モリブデンMo、鉄Feおよび/または亜鉛Zn等の金属材料、あるいは、酸化スズSnO2、酸化インジウムスズITO、フッ素含有酸化スズFTO、酸化ルテニウムRuO2、酸化イリジウムIrO2、酸化白金PtO2などの導電性酸化物などを挙げることができる。ゲート電極の形成方法は、特に制限されるものではなく、常套の電極形成法を採用してよい。例えば、ゲート電極を印刷法印刷プロセスによって形成してよいし、あるいは、真空蒸着法やスパッタ法などによって形成してもよい。本実施形態としては、マスクを用いたスパッタ法でITOを成膜することによってゲート電極を形成する。ゲート電極20の厚さは、好ましくは約10nm~約100nmの範囲、より好ましくは約15nm~約50nmの範囲例えば約30nmである。工程iに引き続いて工程iiを実施する。つまり、図2bに示すように、ゲート電極20を覆うように基板60上にゲート絶縁層30を形成する。ゲート絶縁層30は樹脂系または無機絶縁物系の絶縁膜であり得る。樹脂系の絶縁膜としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミドPI樹脂、ポリフェニレンエーテルPPE樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂PPO、ポリビニルピロリドンPVP樹脂などから成る膜を挙げることができる。一方、無機絶縁物系の絶縁膜としては、例えば、タンタル酸化物Ta2O5等、アルミニウム酸化物Al2O3等、シリコン酸化物SiO2等、ゼオライト酸化物ZrO2等、チタン酸化物TiO2等、イットリウム酸化物Y2O3等、ランタン酸化物La2O3等、ハフニウム酸化物HfO2等などの金属酸化物や、それらの金属の窒化物などから成る膜を挙げることができる。チタン酸バリウムBaTiO3、チタン酸ストロンチウムSrTiO3、チタン酸カルシウムCaTiO3などの誘電体から成る膜を挙げることができる。ゲート絶縁層30の形成も印刷法印刷プロセスによって行ってもよいし、あるいは、真空蒸着法やスパッタ法などを使用してもよい。樹脂系絶縁膜の形成の場合では特に、樹脂材料を媒体に混合させたコーティング剤感光剤を含むレジストであってもよいを被形成位置に対して塗布した後で乾燥に付し、熱処理を施して硬化させることによって、ゲート絶縁層30を形成することができる。一方、無機絶縁物系の場合では、マスクを用いた薄膜形成法スパッタ法などなどによってゲート絶縁層30を形成することができる。本実施形態としては、タンタル酸化物膜Ta2O5をスパッタ法で形成してゲート絶縁層30とする。ゲート絶縁層30の厚さは、好ましくは約0.1μm~約2μmの範囲、より好ましくは約0.2μm~約1μmの範囲例えば約0.3μmである。工程iiに引き続いて工程iiiを実施する。つまり、図2cに示すようにゲート絶縁層30の上に金属塩含有組成物を塗布してチャネル前駆体層11を形成した後、チャネル前駆体層11を加熱処理してチャネル層10を得る図2d参照。金属塩含有組成物の塗布方法は、特に制限されない。例えば、スプレーコート、スピンコート、スクリーン印刷、グラビアコート、バーコート、ロールコート、ダイコートまたはインクジェットなどの手法を金属塩含有組成物の塗布方法として用いてよい。これら塗布方法は、金属塩含有組成物の粘度に応じて適宜選択すればよく、それによって、均一な前駆体層厚さ即ち均一な膜厚を形成することができる。チャネル前駆体層11の厚さは、好ましくは約30μm~約300μmの範囲、より好ましくは約50μm~約150μmの範囲例えば約70μmである。チャネル前駆体層11の加熱処理で前駆体層が焼成に付されることによって、その前駆体層11からチャネル層10が形成されることになる。かかる加熱処理は、一次加熱工程と二次加熱工程との2段階で行うことが好ましい。具体的には、一次加熱工程として100°C以上かつ250°C以下の温度条件下でチャネル前駆体11の乾燥処理を1~15分程度行った後、二次加熱工程として400°C以上かつ600°C以下より好ましくは400°C以上かつ500°C以下の実質的な焼成処理を10~60分程度行うことが好ましい。一次加熱工程を経ずに400°C以上の加熱処理を行うと、得られる金属酸化物膜即ちチャネル層が不均一になり易く、斑状痕などが発生し易くなるからである。このような不均一が生じると、薄膜トランジスタの特性が安定し得ず、実用価値が損なわれてしまう。一次加熱工程の温度は、金属塩含有組成物に含まれる有機溶媒の種類に応じて適宜選択すればよい。しかしながら、金属塩含有組成物には水分が含まれるので、その観点から100°C以上であることが好ましく、それゆえ一次加熱工程の下限温度は100°Cであることが好ましい。一方、一次加熱工程の温度が必要以上に高くなると一次加熱工程後に形成される中間酸化物膜が均一になりにくいので、その観点から一次加熱工程の上限温度は250°Cであることが好ましい。二次加熱工程の温度は、金属酸化物膜の形成を促進させるものである。しかしながら、必要以上に二次加熱工程の温度が低くなると金属酸化物膜中にて残渣が多くなり、チャネル層の半導体特性が低下し易くなるので、その観点から400°C以上であることが好ましい。つまり、二次加熱工程の下限温度は400°Cであることが好ましい。一方、二次加熱工程の上限温度については、基板60の耐熱温度や金属酸化物膜の性質によって適宜決定すればよい。例えば基板としてガラス基板を用いた場合では500°C程度が二次加熱工程の上限温度となり得る。また、耐熱性の高い基板を用いた場合であっても、600°Cを超えると金属酸化物膜例えばIn-Ga-Zn系アモルファス金属酸化物膜などが結晶化して信頼性を低下させ得るので、その観点から二次加熱工程の上限温度は600°Cであることが好ましい。工程iiiの加熱処理時の圧力条件は特に制限されない。例えば、かかる圧力条件は大気圧条件下であってよい。加熱手段としては、例えば加熱炉を用いてよい。加熱炉内にゲート電極20、ゲート絶縁層30およびチャネル前駆体層11を備えた基板60を供すことによって、チャネル前駆体層を全体的に加熱処理することができる。工程iiiの加熱処理によって最終的に得られるチャネル層10の厚さは、好ましくは約8nm~約50nmの範囲、より好ましくは約10nm~約30nmの範囲例えば約15nmとなり得る。尚、工程iiiにおけるチャネル前駆体層の加熱処理は、上述のような焼成以外にも、レーザー照射による焼成も可能である。工程iiiに引き続いて工程ivを実施する。つまり、図2eに示すようにチャネル層10に接するようにソース電極40およびドレイン電極50を形成する。ソース電極ドレイン電極の材料としては、良好な導電性を持つ金属が好ましく、例えば、銅Cu、ニッケルNi、アルミニウムAl、ステンレスSUSなどを使用することができる。ソース電極40およびドレイン電極50の形成も、特に制限されるものではなく、常套の電極形成法を採用してよい。即ち、ソース電極およびドレイン電極の形成を印刷法印刷プロセスによって行ってよいし、あるいは、真空蒸着法やスパッタ法などを使用してもよい。本実施形態としては、真空蒸着法を実施することによってアルミ電極を形成してソース電極ドレイン電極を得る。ソース電極40およびドレイン電極50の各厚さは、好ましくは約0.02μm~約10μmの範囲、より好ましくは約0.03μm~約1μmの範囲例えば約0.1μmである。ソース電極ドレイン電極の形成後、必要に応じてチャネル層の封止工程や配線層の形成などを行う。以上のような工程i~ivを経ることによって、図2eないしは図1に示すような薄膜トランジスタ100を得ることができる。このような製造プロセスでは、チャネル層10を構成する金属酸化物から成る半導体膜を、従来の塗布法よりも均一で緻密かつ平坦に形成することができる。つまり、チャネル形成に高価な真空装置などを用いず低コストで高性能な薄膜トランジスタを得ることができる。得られた薄膜トランジスタ100は、図1に示すように、チャネル層10、ゲート電極20、チャネル層10とゲート電極20との間に少なくとも位置するゲート絶縁層30、および、チャネル層10に接して配置されたソース電極40およびドレイン電極50を有して成っている。薄膜トランジスタ100では、チャネル層10が金属酸化物から成っており、かかる金属酸化物が上述の金属塩含有組成物から形成された酸化物となっている。特に上述の金属塩含有組成物から形成されたことに起因して、チャネル層10は、実質的に均一かつ緻密で表面が平坦な薄膜形態を有している。また、好ましくはチャネル層10の金属酸化物がアモルファス酸化物となっている。更に、好ましくはチャネル層10のキャリア移動度は1018cm-3未満となっているその結果、オフ電流が大きくなく好都合なものとなっている。例えば、Zn亜鉛を少なくとも含んで成る塩を含んだ金属塩含有組成物を用いてチャネル層を形成した場合では、得られたチャネル層10がZnを含んで成る金属酸化物から成る膜形態を有している。また、Znを含んだ塩に加えて、InインジウムおよびGaガリウムから成る群から選択される少なくも1種類以上の金属の塩を更に含んだ金属塩含有組成物を用いてチャネル層を形成した場合、得られたチャネル層10がZnに加えて、Inおよび/またはGaを含んで成る金属酸化物から成る膜形態を有している。ここで特にチャネル層がZn、InおよびGaを含んだ金属酸化物から形成された膜形態を有している場合、チャネル層10の密度が4.0~5.5g/cm3程度、例えば4.3~4.8g/cm3程度となり得る膜厚さ10nm~40nm程度。第1実施形態の変更態様次に、図3a~eを参照して、第1実施形態の薄膜トランジスタの製造方法について変更態様を説明する。尚、上述した製造プロセスと同様の点については説明を省略する。まず、図3aに示すように、基板60上にゲート電極20およびゲート絶縁層30を形成する。次いで、図3bに示すように、ゲート絶縁層30の略全体に及ぶように金属塩含有組成物を塗布してチャネル前駆体層11を形成する。引き続いて、チャネル前駆体層11を加熱処理して、その前駆体層11から金属酸化物膜12を形成する図3c参照。次いで、図3dに示すように、金属酸化物膜12を部分的に除去し、ゲート電極20に対向する位置にチャネル層10を形成する。かかる金属酸化物膜の部分的な除去は、例えば、ドライエッチングまたはウエットエッチングにより実施できる。最後に、図3eに示すように、チャネル層10と接するようにソース電極40およびドレイン電極50を形成することによって薄膜トランジスタ100を完成させる。第2実施形態図4a~eを参照して、第2実施形態の薄膜トランジスタの製造方法について説明する。本実施形態は、チャネル層の形成のみならず、ゲート絶縁層の形成に対しても金属塩含有組成物を用いる形態である。上述した製造プロセスと同様の点については説明を省略する。まず、図4aに示すように、基板60上にゲート電極20を形成した後、ゲート絶縁層用の金属塩含有組成物を塗布してゲート絶縁前駆体層31を形成する。ここで、用いられるゲート絶縁層用の金属塩含有組成物は、金属塩、-CCOOH=CCOOH-シス型構造を有する多価カルボン酸金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5~4.0、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物である。ゲート絶縁層用の金属塩含有組成物に含まれる金属塩は、Ba、Y、Zr、Hf、Ta、AlおよびSiから成る群から選択される少なくとも1種類以上の金属の塩であることが好ましい。そのような金属の酸化物は高い絶縁性および誘電率を有しているので、その点でゲート絶縁膜として好適となるからである。本実施形態としては、Alを含んだ金属塩を使用する。次いで、ゲート絶縁前駆体層31を加熱処理して、かかる前駆体層からゲート絶縁層30を形成する図4b参照。かかる加熱処理も、上述のチャネル層形成と同様、一次加熱工程と二次加熱工程との2段階で行うことが好ましい。即ち、一次加熱工程として100°C以上かつ250°C以下の温度条件下でゲート絶縁前駆体層31の乾燥処理を1~15分程度行った後、その二次加熱工程として400°C以上かつ600°C以下より好ましくは400°C以上かつ500°C以下の焼成処理を10~60分程度行うことが好ましい。ゲート絶縁層の形成後、図4cに示すようにゲート絶縁層30の上に金属塩含有組成物を塗布してチャネル前駆体層11を形成した後、チャネル前駆体層11を加熱処理してチャネル層10を形成する図4d参照。最後に、図4eに示すように、チャネル層10と接するようにソース電極40およびドレイン電極50を形成することによって薄膜トランジスタ100を完成させるソース電極ドレイン電極の形成後においては、必要に応じて、チャネル層の封止工程や配線層の形成などを行ってよい。このような薄膜トランジスタ100では、上記金属塩に起因して、ゲート絶縁膜30がBa、Y、Zr、Hf、Ta、AlおよびSiから成る群から選択される少なくとも1種類以上の金属の酸化物膜から構成されたものとなる。本実施形態では、チャネル層10だけでなく、ゲート絶縁層30も同様に簡便な手法で作製することができるので、大面積な薄膜トランジスタを更に低コストで作製することができる。第3実施形態図5a~eを参照して、第3実施形態の薄膜トランジスタの製造方法について説明する。本実施形態は、チャネル層のみならず、ソース電極ドレイン電極の形成に対しても金属塩含有組成物を用いる形態である。上述した製造プロセスと同様の点については説明を省略する。図5a~cは、図2a~dに相当する態様である。つまり、まず図5aに示すように、基板60上にゲート電極20およびゲート絶縁層30を形成する。次いで、図5bに示すようにゲート絶縁層30の上に金属塩含有組成物を塗布してチャネル前駆体層11を形成した後、チャネル前駆体層11を加熱処理して図5cに示すようなチャネル層10を形成する。引き続いて、チャネル層10と接するように、ソース電極ドレイン電極形成用の金属塩含有組成物を塗布してソース電極ドレイン電極の前駆体層41,51を形成する図5d参照。ここで、用いられるソースドレイン電極形成用の金属塩含有組成物は、金属塩、-CCOOH=CCOOH-シス型構造を有する多価カルボン酸金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5~4.0、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物である。ソースドレイン電極形成用の金属塩含有組成物に含まれる金属塩は、Zn、Al、In、Sn、Mo、IrおよびRuから成る群から選択される少なくとも1種類以上の金属の塩であることが好ましい。そのような金属の単体あるいは複合酸化物は導電体を成し得るので、その点でソース電極ドレイン電極として好適となるからである。本実施形態としては、Inを含んだ金属塩およびSnを含んだ金属塩を使用する。次いで、ソース電極ドレイン電極の前駆体層41,51を加熱処理して、かかる前駆体層からソース電極40およびドレイン電極50を形成する図5e参照。ここでの加熱処理も、上述のチャネル層形成と同様、一次加熱工程と二次加熱工程との2段階で行うことが好ましい。即ち、一次加熱工程として100°C以上かつ250°C以下の温度条件下でソース電極ドレイン電極の前駆体層41,51の乾燥処理を1~15分程度行った後、その二次加熱工程として400°C以上かつ600°C以下より好ましくは400°C以上かつ500°C以下の焼成処理を10~60分程度行うことが好ましい。ソース電極ドレイン電極の形成後においては、必要に応じて、チャネル層の封止工程や配線層の形成などが行われ得る。以上のような工程を経ることによって薄膜トランジスタ100を得ることができる。このような薄膜トランジスタ100では、上記金属塩に起因して、ソース電極ドレイン電極40,50がZn、Al、In、Sn、Mo、IrおよびRuから成る群から選択される少なくとも1種類以上の金属の酸化物膜から構成されたものとなる。本実施形態では、チャネル層のみならず、ソース電極ドレイン電極40,50も簡便な手法で作製することができるので、大面積な薄膜トランジスタを更に低コストで作製することができる。第4実施形態次に、図7a~fを参照しながら、図6に示すような薄膜トランジスタTFT100の製造プロセスについて例示する。かかる製造プロセスは[発明の概要]で説明した工程i’~vi’に相当するものである。上述した製造プロセスと同様の点については説明を省略する。まず、工程i’として金属箔90を用意し、次いで、工程ii’として金属箔90の上にゲート絶縁層30を形成する図7a参照。金属箔90は、ゲート絶縁層30やチャネル層10を支持する部材として機能するものの、最終的には電極材料として利用される。それゆえ、金属箔90を構成する金属としては、導電性を有し且つ融点が比較的高い金属が好ましい。例えば、金属箔90を構成する金属として、銅Cu、融点:1083°C、ニッケルNi、融点:1453°C、アルミニウムAl、融点:660°C、ステンレスSUSを使用することができる。ゲート絶縁層30は、実施形態1または2と同様の手法で形成することができる。つまり、マスクを用いた薄膜形成法スパッタ法などなどによってゲート絶縁層30を形成してよいし、あるいは、ゲート絶縁層用の金属塩含有組成物の塗布加熱処理によってゲート絶縁層30を形成してもよい。工程ii’に引き続いて工程iii’を実施する。つまり、図7bに示すようにゲート絶縁層30の上に金属塩含有組成物を塗布してチャネル前駆体層11を形成した後、チャネル前駆体層11を加熱処理してチャネル層10を形成する図7c参照。より具体的には、金属塩、-CCOOH=CCOOH-シス型構造を有する多価カルボン酸金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5~4.0、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物の塗布および加熱処理を実施してチャネル層10を形成する。引き続いて工程iv’を実施する。つまり、図7dに示すように、ソース電極40およびドレイン電極50をその両端がチャネル層10と金属箔90とに接するように形成する。かかるソース電極40およびドレイン電極50の形成方法としては、実施形態1または3と同様の手法で形成することができる。つまり、真空蒸着法やスパッタ法などによってソース電極ドレイン電極を形成してよいし、あるいは、ソースドレイン電極用の金属塩含有組成物の塗布加熱処理によってソース電極ドレイン電極を形成してもよい。次いで、工程v’を実施する。つまり、チャネル層10、ソース電極40およびドレイン電極50を覆うように封止層70を形成する図7e参照。封止層70を構成する材料としては、硬化後に可撓性を有する樹脂材料が好ましい。このような樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミドPI樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレートPET樹脂、ポリエチレンナフタレートPEN樹脂、ポリフェニレンサルファイドPPS樹脂、ポリフェニレンエーテルPPE樹脂、それらの複合物等が挙げられる。これらの樹脂材料は、可撓性や寸法安定性などの性質に優れており、得られる薄膜トランジスタにフレキシブル性を付与する点で好ましい。封止層70の形成方法は特に限定されないが、例えば未硬化の液状樹脂をスピンコートなどで塗布する方法や、未硬化の樹脂をフィルム状にして金属箔90の上面に貼り合わせる方法や、フィルム状の封止層70の表面に接着性材料を塗布し、該接着性材料を介して金属箔90の上面に貼り合わせる方法などを採用することができる。このような貼り合わせに際しては、ロールラミネート、真空ラミネート、熱プレスなどで加熱しながら加圧する手法などを適宜採用することができる。最後に、工程vi’を実施する。つまり、図7fに示すように、支持体として機能していた金属箔90をエッチングすることによって、ゲート電極20および取出し電極80a,80bを形成する。金属箔90のエッチングは、特に制限されず、常套の方法例えばフォトリソグラフィーを用いたエッチングなどで行ってよい。以上のような工程i’~vi’を経ることによって、図6ないしは図7fに示すような薄膜トランジスタ100を得ることができる。このような製造プロセスであっても、チャネル層10を構成する金属酸化物から成る半導体膜を、従来の塗布法よりも緻密で均一かつ平坦に形成することができ、それゆえ、チャネル形成に高価な真空装置などを用いずに低コストで高性能な薄膜トランジスタを得ることができる。また、本実施形態の製造方法によれば、トランジスタ100の支持体が可撓性を呈する樹脂封止層70となるので、フレキシブル性を具備した薄膜トランジスタを比較的簡易に得ることができる。更には、本実施形態の製造方法によれば、金属箔90を支持体としてその上面にゲート絶縁膜30、チャネル層10、ソース電極40およびドレイン電極50を形成した後で、金属箔90上に封止層70を形成しているので、チャネル層10のみならずゲート絶縁膜30やソース電極40およびドレイン電極50の作製までを封止樹脂の耐熱温度よりも高い焼成プロセスで実行することができる。得られた薄膜トランジスタ100は、図6に示すように、ゲート電極20と、チャネル層10と、ゲート絶縁層30と、ソース電極40と、ドレイン電極50と、封止層70と、取出し電極80a、80bとを有して成る。具体的には、金属箔をエッチングすることによって形成されたゲート電極20および取出し電極80a、80bと、チャネル層10と、それらの間に形成されたゲート絶縁膜30と、チャネル層10および取出し電極80a、80bにそれぞれ接しているソース電極40およびドレイン電極50と、チャネル層10とソース電極40およびドレイン電極50を封止する封止層70とが設けられている。ゲート電極20および取出し電極80a、80bは同一の金属箔から形成されたものであるので、図示するように、互いに同一平面状に位置している。ソース電極40、ドレイン電極50は、その一端がチャネル層10およびゲート絶縁層30の外縁よりも外側まで延びており、チャネル層10と取出し電極80a、80bとを相互に電気的に接続している。なお、図示していないが、チャネル層10の上に、少なくともチャネル層10を封止する別の保護層が形成されていてもよい。このような保護層があれば、封止工程によるチャネル層の損傷を防ぐことができ、バックチャネルの更なる安定化につながるので、トランジスタ特性の向上と安定とをより好適に図ることができる。かかる保護層の材質としては、例えばフッ素樹脂、ポリイミド樹脂のような熱硬化性樹脂、SiO2、Al2O3などの酸化物あるいはSiNなどの窒化物を使用できる。第5実施形態図9a~fを参照しながら、図8に示すような薄膜トランジスタTFT100の製造プロセスについて例示する。上述した製造プロセスと同様の点については説明を省略する。まず、図9aに示すように、金属箔90を用意し、その上にゲート絶縁層30を形成する。マスクを用いた薄膜形成法スパッタ法などなどによってゲート絶縁層30を形成してよいし、あるいは、ゲート絶縁層用の金属塩含有組成物の塗布加熱処理によってゲート絶縁層30を形成してもよい。次いで、図9bに示すように、ソース電極40およびドレイン電極50をその両端がチャネル層10および金属箔90に接するように形成する。真空蒸着法やスパッタ法などによってソース電極ドレイン電極を形成してよいし、あるいは、ソース電極ドレイン電極用の金属塩含有組成物の塗布および加熱処理によってソースドレイン電極を形成してもよい。次いで、図9cに示すように、金属塩、-CCOOH=CCOOH-シス型構造を有する多価カルボン酸金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5~4.0、有機溶媒および水を含んで成る金属塩含有組成物を、ソース電極40およびドレイン電極50と接するようにゲート絶縁層30の上に塗布して、チャネル前駆体層11を形成する。そして、チャネル前駆体層11を加熱処理することによって、かかる前駆体層11からチャネル層10を形成する図9d参照。次いで、図9eに示すように、チャネル層10、ゲート絶縁層30、ソース電極40およびドレイン電極50を覆うように、金属箔90の上面に封止層70を形成する。かかる封止層70は、実施形態4と同様の手法で形成してよい。最後に、図9fに示すように、支持体として機能していた金属箔90をエッチングすることによって、ゲート電極20および取出し電極80a、80bを形成して薄膜トランジスタ100を完成させる。得られた薄膜トランジスタ100は、図8に示すように、ゲート電極20と、チャネル層10と、ゲート絶縁層30と、ソース電極40と、ドレイン電極50と、封止層70と、取出し電極80a、80bとを有して成る。より具体的には、金属箔をエッチングすることによって形成されたゲート電極20および取出し電極80a、80bと、チャネル層10と、それらの間に形成されたゲート絶縁膜30と、チャネル層10および取出し電極80a、80bにそれぞれ接しているソース電極40およびドレイン電極50と、チャネル層10およびソース電極ドレイン電極40,50を封止する封止層70とが設けられている。《画像表示装置》図10に画像表示装置1000の一例を示す。図10では、画像表示装置1000の全体の外観が示されている。画像表示装置1000は、例えば、有機ELディスプレイである。図示するように、画像表示装置1000は、TFT部1100と、ドライバ部1200、1300と、EL部1400とから構成されており、TFT部1100の各画素に上記実施形態1~5に係る薄膜トランジスタ100が含まれている。具体的には、薄膜トランジスタ100は、EL部1400が備える有機EL素子の下に形成されており、薄膜トランジスタ100を備える駆動用TFT素子のドレイン電極50は、有機EL素子に接続されている。なお、有機EL素子の上には、透明電極が形成されている。加えて、その上には、保護フィルム例えば、PET、PENなどの樹脂フィルムが形成されている。以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されず、種々の改変がなされ得ることを当業者は容易に理解されよう。例えば、本発明に係る薄膜トランジスタは、種々の形態で実現することができる。例示すれば、図11~13に示すような形態の薄膜トランジスタ100を挙げることができる。●図11に示す薄膜トランジスタ100では、基板60の上にソース電極40およびドレイン電極50が形成されており、ソース電極40とドレイン電極50との間にチャネル層10がそれぞれに接するように形成されている。ゲート絶縁層30はチャネル層11およびソース電極ドレイン電極40,50を覆うように形成されている。ゲート絶縁層30の上にはチャネル層10と対向する位置にゲート電極20が形成されている。チャネル層10、ゲート絶縁層30、ソース電極40およびドレイン電極50は上記実施形態1~3などで説明した方法で形成することができる。●図12に示す薄膜トランジスタ100では、基板60の上にゲート電極20およびゲート絶縁膜30がこの順で形成されている。ゲート絶縁膜30上にはソース電極40およびドレイン電極50が形成されており、チャネル層10がソース電極40およびドレイン電極50に接するようにしてゲート絶縁膜30上のゲート電極20と対向する位置に形成されている。チャネル層10、ゲート絶縁層30、ソース電極40およびドレイン電極50は上記実施形態1~3などで説明した方法で形成することができる。●図13に示す薄膜トランジスタ100では、基板60の上にチャネル層10が形成されており、その上にソース電極40およびドレイン電極50がチャネル層10に接するようにして形成されている。ゲート絶縁層30はチャネル層11およびソース電極ドレイン電極40,50を覆うように形成されている。ゲート絶縁層30の上のチャネル層10と対向する位置にはゲート電極20が形成されている。チャネル層10、ゲート絶縁層30、ソース電極40およびドレイン電極50は上記実施形態1~3などで説明した方法で形成することができる。最後に、本発明は下記の態様を有するものであることを確認的に述べておく。第1態様:ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、チャネル層およびゲート絶縁層を有して成る電界効果トランジスタの製造方法であって、金属塩、-CCOOH=CCOOH-シス型構造を有する多価カルボン酸、有機溶媒、および水を含んで成り、前記金属塩に対する前記多価カルボン酸のモル比が0.5以上かつ4.0以下となった金属塩含有組成物を用いて前記チャネル層を形成することを特徴とする、電界効果トランジスタの製造方法。第2態様:上記第1態様において、前記多価カルボン酸が、マレイン酸、シトラコン酸、フタル酸およびトリメリット酸から成る群から選択される1種以上であることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。第3態様:上記第1態様または第2態様において、前記水が前記金属塩の水和物に起因していることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。第4態様:上記第1態様~第3態様のいずれかにおいて、前記金属塩含有組成物に含まれる前記金属塩が、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr、W、Fe、Ni、Cu、Ag、Zn、Al、Ga、In、SnおよびSbから成る群から選択される1種以上の塩であることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。第5態様:上記第1態様~第4態様のいずれかにおいて、前記金属塩含有組成物に含まれる前記金属塩が、Znを少なくとも含んで成る金属の塩であることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。第6態様:上記第5態様において、前記金属塩含有組成物に含まれる前記金属塩が、InおよびGaから成る群から選択される1種以上の金属の塩を更に含んで成ることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。第7態様:上記第1態様~第6態様のいずれかにおいて、前記金属塩が、硝酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩、ハロゲン化物、アルコキシドおよびアセチルアセトン塩から成る群から選択される1種以上であることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。第8態様:上記第1態様~第7態様のいずれかにおいて、i基板上にゲート電極を形成する工程、ii前記ゲート電極を覆うように前記基板上に前記ゲート絶縁層を形成する工程、iii前記ゲート絶縁層の上に前記金属塩含有組成物を供してチャネル前駆体層を形成し、該チャネル前駆体層を加熱処理して前記チャネル層を形成する工程、ならびにiv前記チャネル層と接するように前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程を含んで成ることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。第9態様:上記第1態様~第7態様のいずれかにおいて、i’金属箔を用意する工程、ii’前記金属箔上に前記ゲート絶縁層を形成する工程、iii’前記ゲート絶縁層上に前記金属塩含有組成物を供してチャネル前駆体層を形成し、該チャネル前駆体層を加熱処理して前記チャネル層を形成する工程、iv’前記チャネル層と接するように前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程、v’前記チャネル層、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うように封止層を形成する工程、ならびにvi’前記金属箔をエッチングして前記ゲート電極を形成する工程を含んで成ることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。第10態様:上記第1態様~第9態様のいずれかにおいて、前記ゲート絶縁層の形成に対しても前記金属塩含有組成物を用いており、前記ゲート絶縁層の形成に用いる前記金属塩含有組成物に含まれる前記金属塩がBa、Y、Zr、Hf、TaおよびAlから成る群から選択される1種以上の金属の塩であることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。第11態様:上記第1態様~第10態様のいずれかにおいて、前記ソース電極および/または前記ドレイン電極の形成に対しても前記金属塩含有組成物を用いており、前記ソース電極および/または前記ドレイン電極の形成に用いる前記金属塩含有組成物に含まれる前記金属塩が導電性金属の塩であることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。第12態様:上記第1態様~第11態様のいずれかの製造方法で得られる電界効果トランジスタであって、チャネル層、ゲート電極、前記チャネル層と前記ゲート電極との間に少なくとも位置するゲート絶縁層、および前記チャネル層に接して配置されたソース電極およびドレイン電極を有して成り、前記チャネル層が金属酸化物を含んで成り、該金属酸化物が、前記金属塩含有組成物から形成された酸化物であることを特徴とする、電界効果トランジスタ。第13態様:上記第12態様において、前記チャネル層における表面の算術平均粗さRaが10nm以下となっていることを特徴とする電界効果トランジスタ。第14態様:上記第5態様に従属する上記第12態様または第13態様において、前記金属酸化物が、Znを含んで成る金属酸化物であることを特徴とする電界効果トランジスタ。第15態様:上記第6態様に従属する上記第14態様において、前記金属酸化物が、InおよびGaから成る群から選択される1種以上の金属を更に含んで成る金属酸化物であることを特徴とする電界効果トランジスタ。第16態様:上記第14態様または第15態様において、前記金属酸化物が4.0~5.5g/cm3の密度を有していることを特徴とする電界効果トランジスタ。第17態様:上記第12態様~第16態様のいずれかにおいて、前記金属酸化物がアモルファス酸化物であることを特徴とする電界効果トランジスタ。第18態様:上記第10態様に従属する上記第12態様~第17態様のいずれかにおいて、前記ゲート絶縁層が金属酸化物を含んで成り、該金属酸化物が前記ゲート絶縁層形成用の前記金属塩含有組成物から形成された酸化物であって、Ba、Y、Zr、Hf、Ta、AlおよびSiから成る群から選択される1種以上の金属の酸化物であることを特徴とする電界効果トランジスタ。第19態様:上記第11態様に従属する上記第12態様~第18態様のいずれかにおいて、前記ソース電極および/または前記ドレイン電極が導電性金属酸化物を含んで成り、該導電性金属酸化物が前記ソース電極および/または前記ドレイン電極形成用の前記金属塩含有組成物から形成された酸化物であることを特徴とする電界効果トランジスタ。第20態様:上記第12態様~第19態様のいずれかにおいて、前記電界効果トランジスタが薄膜トランジスタTFTであることを特徴とする電界効果トランジスタ。《金属酸化物薄膜の特性確認試験》実施例1硝酸亜鉛六水和物0.8924g0.003mol、マレイン酸0.5221g0.0045mol、3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノールMMB:製品名ソルフィットファイングレード、クラレ株式会社製7.96gを混合し、超音波バスで10分~30分間超音波処理して金属塩の含有量が0.3mol/Lの溶液金属塩含有組成物を調製し、その性状を確認した。次に、調製した溶液をスライドガラスガラス基板上にスピンコート2000rpm×30秒間した後、送風乾燥炉にて150°C×10分間一次加熱した後、基板表面に形成された金属複合体薄膜の外観観察を行った。さらに、電気マッフル炉で500°C×30分間空気中で基板を二次加熱焼成した後、基板表面に形成された金属酸化物薄膜の外観観察を行った。尚、基板表面に形成される金属複合体薄膜及び金属酸化物薄膜の膜厚は0.03μm以上かつ0.05μm以下の範囲であった。実施例2~46金属塩、多価カルボン酸、モル比、有機溶媒および水含量を変えて、実施例1と同様の操作を行った。また、一次加熱後及び二次加熱後に基板表面の外観観察を行った。実施例1~46の組成および観察結果を表1に示す。尚、表1において、モル比とは金属塩に対する多価カルボン酸のモル比を意味する。外観1は一次加熱後の金属複合体薄膜の外観、外観2は二次加熱後の金属酸化物薄膜の外観を意味する。クラックは二次加熱後の金属酸化物薄膜におけるクラックの有無を意味する。また、実施例43~46においては、2種類の金属硝酸塩を等モル混合したものを使用した。また、表1および後述する表2における3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノールMMBは、水を0.05重量程度含有していた。比較例1~13金属塩として硝酸亜鉛を使用し、カルボン酸等の種類や使用量を変え、実施例1と同様の操作を行った。また、実施例1と同様の観察を行った。その結果を、表2に示す。なお、基板表面に形成された金属複合体薄膜および金属酸化物薄膜の膜厚は0.05μm以上かつ1μm以下の範囲であった。実施例1~46では、-CCOOH=CCOOH-のシス型構造を有する多価カルボン酸を、金属塩に対して1.5倍のモル比で混合して有機溶剤に溶解させたが、いずれの実施例においても溶液金属塩含有組成物の性状は、透明な液体であった。このため、スピンコートによってスライドガラス上に均一に塗布することが可能であった。また、一次乾燥後の基板上に形成される金属複合体薄膜は、均一であって白濁やクラックは認められなかった。一方、比較例7~9、11および12では、金属塩とカルボン酸等とを有機溶媒と混合しても、溶解させることができないか、又はすぐにゲル状となってスピンコートによりスライドガラス上に塗布することができなかった。また、これら以外の比較例では、透明な溶液となったが、一次加熱後の基板を観察すると、薄膜が白濁したり、表面にムラやクラックが発生していた。そのような基板は、二次加熱後も同じ状態であった。一次乾燥後に形成される金属複合体硝酸亜鉛六水和物0.8924g0.003mol、マレイン酸0.5221g0.0045mol、メタノール7gおよび水1gを混合し、超音波バスで10分~30分間処理することにより溶解させた。その後、溶媒を蒸発させることで淡白色の粉体が得られた。この粉体を150°Cで10分間加熱すると、粉体の色が黄色~茶色に変色した。この黄色~茶色の粉体をCDCl3溶液に溶かし、1H-NMRスペクトルを測定するとピークは現れなかった。一方、D2O溶液に溶かし、同様に1H-NMRスペクトルを測定するとケミカルシフトの位置にピークが観測され、マレイン酸のみのNMRスペクトルと比較して低磁場シフトしていた。亜鉛と結合していないマレイン酸が残存している場合、CDCl3溶液にマレイン酸が溶解するため、黄色~茶色の上記粉体をCDCl3溶液に溶かしたサンプルでマレイン酸のNMRスペクトルが観測されるはずである。しかしながら、マレイン酸のNMRスペクトルが観察されなかったことからD2O溶液に溶かした場合のスペクトルのケミカルシフトの状況から考えて、上記粉体は亜鉛:マレイン酸=1:1の錯体であると推測された。尚、亜鉛以外の2価の金属塩と、-CCOOH=CCOOH-のシス型構造を有するマレイン酸以外の多価カルボン酸とを有機溶媒に溶解させた溶液についても、上記と同様の検討を行った結果、金属:マレイン酸=1:1の錯体と推測されるNMRスペクトルのケミカルシフトが観測された。よって、一次乾燥工程後、基板表面には下記式で表わされる金属複合体の薄膜が形成されることが推定された。尚、下記式においてMは2価金属である。基板表面の電子顕微鏡写真実施例1で作製した基板の、一次加熱後の基板表面塗布液をスピンコートした面の走査型電子顕微鏡SEM写真を、図14に示す。また、比較例1、4、5で作製した基板の、一次加熱後の基板表面塗布液をスピンコートした面のSEM写真を、それぞれ図15、16および17に示す。実施例1の基板表面は均一であり、緻密な金属複合体薄膜が形成されていることが確認された。一方、比較例1の基板は凝集体の形成および、緻密度の低い膜が形成されていることが確認され、比較例4の基板は凝集体の形成が確認され、比較例5の基板は凝集体の形成が確認され、均一、緻密な膜は形成できなかった。また、実施例1で作製した基板の、二次加熱後の基板表面塗布液をスピンコートした面の走査型電子顕微鏡SEM写真を図18に示す。また、比較例1、4、5で作製した基板の、二次加熱後の基板表面塗布液をスピンコートした面のSEM写真を、それぞれ図19、20および21に示す。実施例1の基板表面は均一であり、緻密な金属酸化物薄膜が形成されていることが確認された。一方、比較例1、4、5の基板は不均一であり、クラックが多く認められ、金属酸化物薄膜を形成させた基板としての実用的価値は認められなかった。二次加熱温度二次加熱は、400°C以上の温度とする必要があり、上記実施例では500°Cとした。二次加熱の上限温度は基板の耐熱温度によって決めることが好ましい。例えば、スライドグラスより耐熱温度が低い基板であれば400°Cに近い温度で二次加熱することが好ましく、逆にスライドグラスよりも耐熱温度が高い基板であれば、基板の耐熱温度に近い温度で二次加熱することが可能である。一次加熱の効果比較例14調製した溶液を、スライドガラス上にスピンコートした後、送風乾燥炉にて150°C×10分間加熱することなく、電気マッフル炉で500°C×30分間空気中で基板を加熱焼成した以外は、すべて実施例1と同様の操作を行い、基板表面に形成された金属酸化物薄膜の外観を観察した。すなわち、実施例1において一次加熱を省略して基板上に金属酸化物薄膜を形成させた。比較例14の基板表面塗布液をスピンコートした面を外観観察した結果、均一性はある程度見られるものの、全体に斑状痕が発生していた。このため、金属酸化物薄膜を形成させた基板としての実用的価値は認められなかった。尚、比較例14の薄膜表面の電子顕微鏡写真を、図22に示す。SEM写真より、細かいクラックが発生していることを確認した。実施例1と比較例14との比較から、同じ塗布液を基板上に塗布しても、所定の温度で一次加熱および二次加熱を順次行わなければ、緻密で均一な金属酸化物薄膜を基板上に形成させることができないことが確認された。水含有量の影響比較例15水含有量を0.03重量とした以外は、すべて実施例1と同様の操作を行った。また、実施例1と同様の外観観察およびSEM写真撮影を行った。外観を観察したところ、ある程度均一であったが、SEM写真を見ると、細かいクラックが全面に発生していることが確認された。なお、比較例15の基板表面塗布液をスピンコートした面のSEM写真を、図23に示す。実施例1と比較例15との比較から、塗布液中に水分を含まなければ、緻密で均一な金属酸化薄膜を基板上に形成させることができないことが確認された。《膜密度の確認試験》本発明に係る金属酸化物膜につき膜密度を確認した。具体的には、以下の示す条件において、金属塩含有組成物の塗布加熱で得られた膜につき密度を調べた測定方法:XRRX線反射率測定法装置:X線回折装置SmartLabRigaku製、Cu-Kα線ソフトウェアGlobalFitによるフィッティングで膜密度を算出原料塗布液:In、ZnおよびGaの金属塩各0.1Mの等モル比:全濃度0.3M、MMB、マレイン酸および水10重量を含んだ混合液金属酸化物膜:Si100ウエハ上に原料塗布液をスピンコート2000rpmし、150°Cにて10分間の乾燥に付した後、550°Cにて30分間の焼成に付して得られた金属酸化物膜。X線反射率測定結果を図24に示す。本確認試験によって以下の事項を確認することができ、本発明に従って得られる金属酸化物膜即ち、チャネル層などが緻密なものであることが分かった。フィッティングで求めた膜の密度:4.392g/cm3フィッティングで求めた膜の厚み:30.9nm数種類の塗布液を用いて検討した金属酸化物膜の密度:約4.3g/cm3~約4.8g/cm3《膜平坦性の確認試験》本発明に係る金属酸化物膜につき膜平坦性を確認した。具体的には、以下の2種類の膜について、AFM原子間力顕微鏡によって膜表面を観察した。装置としてはnano-R2パシフィックナノテクノロジー社製を使用した。実施例47本発明原料塗布液:In、ZnおよびGaの金属塩各0.1Mの等モル比:全濃度0.3M、MMB、マレイン酸および水10重量を含んだ混合液金属酸化物膜:Si100ウエハ上に原料塗布液をスピンコート2000rpmし、150°Cにて10分間の乾燥に付した後、550°Cにて30分間の焼成に付して得られた金属酸化物膜。比較例16多価カルボン酸なし原料塗布液:In、ZnおよびGaの各金属塩各0.1Mの等モル比:濃度0.3M、MMB、水10重量を含んだ混合液金属酸化物膜:Siウエハ100上に原料塗布液をスピンコート2000rpmし、150°Cにて10分間の乾燥に付した後、550°Cにて30分間の焼成に付して得られた金属酸化物膜。AFMによる膜表面観察の結果を図25に示す。図25に示す結果から分かるように、実施例47本発明では金属酸化物膜の膜平坦性が、比較例16多価カルボン酸なしよりも向上していることが分かった。具体的には、実施例47本発明の金属酸化物膜についての表面の算術平均粗さRaが0.11nmとなっている一方、比較例16多価カルボン酸なしの金属酸化物膜についての表面の算術平均粗さRaは11.1nmとなっていた。尚、かかる算術平均粗さRaは、走査プローブイメージプロセッサSPIPイメージメトロロジー社製を用いることによって算出された値であるRaについては図26も参照のこと。《トランジスタ特性の確認試験》本発明で得られるトランジスタの特性を確認するために、以下の手法に基づいて試験を行った図27参照:-厚さ300nmの熱酸化膜付きSi基板上に原料塗布液膜密度の確認試験で使用した原料塗布液をスピンコート法2000rpmで塗布し、150°Cにて10分間の乾燥に付した後で550°Cにて30分間の焼成に付すことによって半導体膜を形成した。-アルミをマスク蒸着することによってソース電極ドレイン電極を形成した。-シリコン基板をゲート電極として半導体特性を測定した。-半導体パラメータアナライザB1500A、アジレントテクノロジー株式会社製を用いて半導体特性を測定した。-ドレイン電圧Vdを1Vおよび10Vに設置して、ゲート電圧Vgを変化させたときのドレイン電流Idを測定した。結果のグラフを図28に示す。図28のグラフから、本発明で得られた半導体膜が薄膜トランジスタのチャネル層として良好な特性を示していることが分かった。"