入射した光によって信号電荷を生じさせるフォトダイオードと、該信号電荷を転送するための転送ゲートと、該信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、該フローティングディフュージョン領域に転送された信号電荷に基づいて増幅された信号を出力するための増幅手段と、を備えた単位画素を複数配列して構成される固体撮像装置において、前記転送ゲートの下に設けられた前記信号電荷を保持する信号電荷保持領域と、該信号電荷保持領域と前記フローティングディフュージョン領域との間にポテンシャル障壁を提供するポテンシャル障壁部とを備えており、前記フォトダイオードから前記信号電荷保持領域へ信号電荷を転送する第1の転送動作、前記信号電荷保持領域において信号電荷を保持する保持動作、および、前記信号電荷保持領域から前記フローティングディフュージョンへ信号電荷を転送する第2の転送動作を行うように構成され、前記第1の転送動作、前記保持動作および前記第2の転送動作のいずれを行うかが前記転送ゲートに供給される電圧によって決定される、ことを特徴とする固体撮像装置。しかしながら上記従来例においては、読み出しのための行を順次選択する。画素のフォトダイオードの蓄積開始、終了のタイミングは信号電荷転送時で決まるため、行毎にフォトダイオードの蓄積開始、終了のタイミングがずれることになる。二次元固体撮像装置においては、1画面すなわち1フィールドの信号は全行の画素信号によって形成されるので、行毎の蓄積タイミングがずれると、高速度で動く被写体の形状がゆがんでとらえられるという問題があった。そこで本発明は、信号蓄積動作の開始、終了タイミングを全画素同時に可能とすることにより、動く被写体でもゆがみのない画像を得ることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。上述の従来のCMOSセンサの課題を解決するため、本発明は、入射した光によって信号電荷を生じさせるフォトダイオードと、該信号電荷を転送するための転送ゲートと、該信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、該フローティングディフュージョン領域に転送された信号電荷に基づいて増幅された信号を出力するための増幅手段と、を備えた単位画素を複数配列して構成される固体撮像装置において、前記転送ゲートの下に設けられた前記信号電荷を保持する信号電荷保持領域と、該信号電荷保持領域と前記フローティングディフュージョン領域との間にポテンシャル障壁を提供するポテンシャル障壁部とを備えており、前記フォトダイオードから前記信号電荷保持領域へ信号電荷を転送する第1の転送動作、前記信号電荷保持領域において信号電荷を保持する保持動作、および、前記信号電荷保持領域から前記フローティングディフュージョンへ信号電荷を転送する第2の転送動作を行うように構成され、前記第1の転送動作、前記保持動作および前記第2の転送動作のいずれを行うかが前記転送ゲートに供給される電圧によって決定されることを特徴とする。以下の発明を実施するための形態の欄には、上記の発明のほか、入射した光によって発生した信号電荷を蓄積するフォトダイオードと、該信号電荷を転送するための転送手段と、該信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、該フローティングディフュージョン領域に転送された信号電荷に基づいて増幅された信号を出力するための増幅手段とを備えた単位画素を複数配列して構成される固体撮像装置において、前記転送手段の転送ゲートの下のチャネルの一部に設けられた前記信号電荷を保持する信号電荷保持領域と、該信号電荷保持領域と前記フローティングディフュージョン領域との間にポテンシャル障壁を提供するポテンシャル障壁部とを備えていることを特徴とする発明が記載されている。信号増幅を行うアクティブ画素型のCMOSセンサの画素構成において、信号電荷転送用のゲート下のチャネル部の一部にフォトダイオードで蓄積した信号電荷を保持するためのポテンシャルの低い信号電荷保持領域を設け、フローティングディフュージョン領域と前記保持領域との間に、ポテンシャル障壁を提供し完全空乏化する半導体領域からなるポテンシャル障壁部を設ける。そして、信号電荷保持領域は転送ゲート電位制御によってフォトダイオードからの信号電荷転送、信号電荷保持、フローティングディフュージョン領域への信号電荷転送という動作をおこなうことが可能となる。上記構成において、フォトダイオードから前記電荷保持領域への信号電荷転送は全画素同時におこない、前記電荷保持領域からフローティングディフュージョン部への電荷転送は従来どおり線順次におこなえば、フォトダイオードの蓄積タイミングは全画素について同じとなるので、高速で動く被写体を撮像してもゆがみのない像を得ることができる。また前記保持領域への光入射をさえぎるための遮光手段を設けることも好ましいものである。以上説明したように、本発明によれば、信号蓄積動作の開始、終了タイミングを全画素同時とする動作が可能なため、動く被写体でもゆがみのない画像を得ることができる。またフローティングディフュージョン部の寄生容量が小さいため高い感度を得ることができる。さらに、第1のウエル中にフォトダイオード、第2のウエル中に信号電荷保持領域を形成し、第1のウエルを第2のウエルよりも、不純物濃度が低く、かつ深さが深く形成すれば、上記効果に加えて、感度がさらに高く、偽信号発生の小さいセンサを実現することができる。次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。第1の実施の形態図1は本発明の特徴を最も良く表す画素の一部の断面図であってフォトダイオード、転送手段としての電荷転送MOSトランジスタ、増幅手段不図示の入力ノードに接続されるフローティングディフュージョンの部分の構造を示すものであり、図4と同一の部材には同一の番号を付して説明を省略する。図1において21は転送ゲート19の直下のチャネル部に形成された信号電荷保持部となるN型の半導体領域、22は前記電荷保持領域21とフローティングディフュージョン領域18との間に形成され、フローティングディフュージョン領域18の電位がP型ウエル16に対して十分逆バイアスされる時には完全に空乏化されるようにその不純物濃度が制御されたN型半導体領域、23は電荷保持領域21への光入射をさえぎるように形成された遮光層である。またabcは、領域17から電荷転送チャネル部、領域21、領域22を経てフローティングディフュージョン領域18にいたる部分の電子に対するポテンシャルが、ゲート電極19の電位によってどのように変わるかを示したものである。なお電子は負電荷を帯びているため、電位が低いほど、電子に対するポテンシャルが高くなっている。次に本実施の形態の動作を説明する。ひとつの画素の動作は、1フォトダイオードでの信号電荷蓄積、2フォトダイオードに蓄積された信号電荷を電荷保持領域21に転送、3電荷保持領域21における信号電荷の保持、4電荷保持領域21からフローティングディフュージョン領域18への信号電荷転送、を基本としている。上記1の動作は従来と同じであるから説明を省く。2フォトダイオードに蓄積された信号電荷を電荷保持領域21に転送、という動作時のポテンシャルは図1aに示されており、この時、転送ゲート電極19には高い電位VHが印加されている。領域17と領域21とを隔てる転送ゲート下のチャネル電位は、領域17の電位よりも十分高くなるようにVHの値が決められ、フォトダイオードに蓄積していた信号電荷は電荷保持領域21に転送される。この時、フローティングディフュージョン領域18の電位は領域22が完全に空乏化するよう高い電位に設定されており、電荷保持領域21に転送された電荷は、領域22におけるポテンシャル障壁のために、フローティングディフュージョン領域18へ流れ出すことはない。3電荷保持領域21における信号電荷の保持、という動作に移る。この動作においては転送ゲート電極19の電位はVHよりも低いVMに設定され、その時のポテンシャルが図1bに示されている。この時、領域17と領域21とを隔てる転送ゲート下のチャネル電位は領域17の電位よりも低く、しかし電荷保持領域21の電位は領域22の電位よりも高くなるようにVMの値が決められる。電荷保持領域21における信号電荷は、その両端に存在するポテンシャル障壁によって孤立し、また遮光層23のために、光励起によって発生する電子が領域21に入り込むこともおさえられているため、信号電荷の保持動作ができる。4電荷保持領域21からフローティングディフュージョン領域18への信号電荷転送、という動作に移る。この動作においては転送ゲート電極19の電位はVMよりもさらに低いVLに設定され、その時のポテンシャルが図1cに示されている。この時、電荷保持領域21の電位は領域22の電位よりも低くなるようにVLの値が決められる。この状態では電荷保持領域21とフローティングディフュージョン領域18との間のポテンシャル障壁はなく、電荷保持領域21の信号電荷はフローティングディフュージョン領域18へと転送される。上記の構成、動作を持つ画素によって二次元センサが形成されるならば、フォトダイオードに蓄積された信号電荷を電荷保持領域21に転送するという動作は全画素同時に行うことができ、したがって信号蓄積動作の開始、終了タイミングは全画素同時となるため、ゆがみのない画像を得ることができる。また、図1からわかるように、フローティングディフュージョン領域18は転送ゲート19と接していないので、フローティングディフュージョン部4の全寄生容量は、従来構成のように転送ゲートとの容量を含まない。その分従来よりもフローティングディフュージョン部の全寄生容量が小さくでき、電荷変換係数が大きくしたがって感度が高くなるという効果がある。第2の実施の形態図2は本発明の第2の実施の形態を表す画素の一部の断面図であってフォトダイオード、転送手段としての電荷転送MOSトランジスタ、増幅手段不図示の入力ノードに接続されるフローティングディフュージョンの部分の構造を示すものであり、図1と同一の部材には同一の番号を付して説明を省略する。図2において、24は第1のP型ウエル、25は第2のP型ウエルであり、24中にはフォトダイオード17が形成され、25中には電荷保持領域21が形成される。保持動作中、電荷保持領域21に、フォトダイオード付近で入射光によって発生した電荷が入ってくると、それは偽信号となる。よって電荷保持領域が形成されるP型ウエル25は不純物濃度が高い構成にすると、電子に対する高いポテンシャル障壁が形成されて偽信号を抑制することができる。一方、P型ウエル24は、入射光によって発生した電荷をできるだけフォトダイオード17に集めたいのであるから、深くまた不純物濃度が低い構成にするのが良い。このように第2の実施の形態ではフォトダイオードと電荷保持領域という別々の目的を持つ部位の特性に応じて異なる構成の2つのP型ウエルが形成されている。これによって、信号蓄積動作の開始、終了タイミングが全画素同時にでき、なおかつ感度が高くまた電荷保持領域における偽信号発生の小さいセンサ画素が実現できる。なお上記第1および第2の実施の形態において、フォトダイオード17、およびポテンシャル障壁領域22のように完全空乏化する領域は、埋め込み型すなわちウエルと同じ導電型の表面層を持つ構成のダイオードであってもよい。また、電荷保持領域21はバルクチャネル型、すなわち保持動作時には電荷保持領域が界面から少し離れた半導体バルク中に形成されるものであってもよい。第3の実施の形態次に上記第1及び第2の実施の形態の固体撮像装置を用いた撮像システムについて説明する。図3は本発明による固体撮像素子をスチルビデオカメラに適用した例を示すブロック図である。101はレンズのプロテクトとメインスイッチを兼ねるバリア、102は被写体の光学像を固体撮像素子104に結像させるレンズ、103はレンズ102を通った光量を可変するための絞り、104はレンズ102で結像された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像素子、106は固体撮像素子104から撮像信号処理回路105を介して出力される画像信号のアナログ-ディジタル変換を行うA/D変換器、107はA/D変換器106より出力された画像データに各種の補正を行うと共にデータを圧縮する信号処理部である。また、108は固体撮像素子104、撮像信号処理回路105、A/D変換器106、信号処理部107に、各種タイミング信号を出力するタイミング発生部、109は各種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御演算部、110は画像データを一時的に記憶するためのメモリ部、111は記録媒体に記録または読み出しを行うためのインターフェース部、112は画像データの記録または読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体、113は外部コンピュータ等と通信するためのインターフェース部である。次に、前述の構成における撮影時のスチルビデオカメラの動作について、説明する。バリア101がオープンされるとメイン電源がオンされ、次にコントロール系の電源がオンし、さらに、A/D変換器106などの撮像系回路の電源がオンされる。それから、露光量を制御するために、全体制御演算部109は絞り103を開放にし、固体撮像素子104から出力された信号はA/D変換器106で変換された後、信号処理部107に入力される。そのデータを基に露出の演算を全体制御演算部109で行う。この測光を行った結果により明るさを判断し、その結果に応じて全体制御演算部109は絞りを制御する。次に、固体撮像素子104から出力された信号をもとに、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を全体制御演算部109で行う。その後、レンズを駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判断したときは、再びレンズを駆動し測距を行う。そして、合焦が確認された後に本露光が始まる。露光が終了すると、固体撮像素子104から出力された画像信号はA/D変換器106でA-D変換され、信号処理部107を通り全体制御演算109によりメモリ部に書き込まれる。その後、メモリ部110に蓄積されたデータは、全体制御演算部109の制御により記録媒体制御I/F部を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体112に記録される。又外部I/F部113を通り直接コンピュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。