"Xカット型のニオブ酸リチウム結晶で形成された厚みが20μm以下の薄板と、該薄板の表面又は裏面に形成された光導波路と、該薄板の表面に形成され、該光導波路内を通過する光を変調するための変調電極とを含む光変調器において、該光導波路が複数の光導波路部分が合波する合波部を有し、該合波部から該端部までの出射導波路の少なくとも片側面に該薄板より屈折率の高い高屈折率領域を配置すると共に、該合波部から該薄板端部までの出射導波路の長さが2000~4000μmであり、かつ、該高屈折率領域と出射導波路中央からの距離は、出射導波路の伝搬光モード径の0.5から3倍に設定されていることを特徴とする光変調器。本発明が解決しようとする課題は、上述した問題を解決し、光変調器における放射光と伝搬光とを効果的に分離又は放射光を除去し、光変調器のロス、消光比の劣化を抑制可能とした光変調器を提供することである。上述した課題を解決するため、請求項1に係る発明では、Xカット型のニオブ酸リチウム結晶で形成された厚みが20μm以下の薄板と、該薄板の表面又は裏面に形成された光導波路と、該薄板の表面に形成され、該光導波路内を通過する光を変調するための変調電極とを含む光変調器において、該光導波路が複数の光導波路部分が合波する合波部を有し、該合波部から該端部までの出射導波路の少なくとも片側面に該薄板より屈折率の高い高屈折率領域を配置すると共に、該合波部から該薄板端部までの出射導波路の長さが2000~4000μmであり、かつ、該高屈折率領域と出射導波路中央からの距離は、出射導波路の伝搬光モード径の0.5から3倍に設定されていることを特徴とする。請求項1に係る発明では、光導波路が複数の光導波路部分が合波する合波部から端部までの出射導波路の側面に高屈折領域を有し、該合波部から光導波路の外に放射される放射光を速やかに、伝搬光と分離する構造をもっている。従来の厚板型の光変調器の場合、放射光が、基板内部に放射されるため、基板表面の細工の効果は合波部近傍のみである。そのため、放射光の調整の効果は微々たるものである。一方、薄板の場合、後述する図4に示すように、伝搬と共に導波路近傍の放射光が大きな角度で徐々に放射される。この構成により、薄板端面における伝搬光と放射光を空間的に分離する事ができ、伝搬光を導入する光ファイバに放射光が入射する不具合を避け、光変調器の消光比劣化の抑制、ファイバ結合時のミスアライメントを抑制することが可能になる。また、高屈折率領域を不純物Ti,Zn等のドープにより形成することで、光導波路と同様に熱拡散、プロトン交換法などを利用して、光導波路と高屈折率領域を同時に作製可能となる。このため、導波路と高屈折領域を別途作製する必要が無く、製造工程が複雑化することがないため、生産性が劣化しない。さらに、合波部から薄板端部までの出射導波路の長さが2000~4000μmである場合に、高屈折率領域と光導波路の中央部からの距離を伝搬光モード径の0.5~3倍とすることにより、伝搬光が高屈折率領域へ漏れることが無く、伝搬光と放射光の分離を微少領域で行うことが可能になる。そのため、光変調器モジュールの小型化が実現可能となる。また、参考例に係る発明により、合波部では、マッハツェンダー型光導波路を構成する2つの分岐導波路と2つの放射光用導波路は、出射導波路の光伝搬方向に対して各々線対称となるように構成されているため、伝搬光の出射導波路への導入及び放射光の放射光用導波路への導入を可能とし、さらには伝搬光が放射光用導波路に混入、あるいは放射光が出射導波路に混入するなどの不具合を抑制し、伝搬光と放射光との空間的分離を効率よく行うことが可能となる。また、合波部では、放射光用導波路の幅は、出射導波路の幅より狭いため、伝搬光の出射導波路への導入及び放射光の放射光用導波路への導入を可能とし、さらには伝搬光が放射光用導波路に混入、あるいは放射光が出射導波路に混入するなどの不具合を抑制し、伝搬光と放射光との空間的分離を効率よく行うことが可能となる。さらに、合波部では、放射光用導波路と出射導波路とが成す角度が、1°以下であるため、伝搬光の出射導波路への導入及び放射光の放射光用導波路への導入を可能とし、さらには伝搬光が放射光用導波路に混入、あるいは放射光が出射導波路に混入するなどの不具合を抑制し、伝搬光と放射光との空間的分離を効率よく行うことが可能となる。以下、本発明を好適例を用いて詳細に説明する。図3は、本発明に係る光変調器の一例である。電気光学効果を有する材料で形成された薄板1には、図2のように薄板の表面に光導波路4が形成され、併せて、該光導波路4を通過する光波を変調するため、不図示の変調電極信号電極や接地電極等が薄板表面に形成されている。なお、光導波路は、薄板の裏面に形成することも可能である。光導波路の形成方法としては、Tiなどを熱拡散法やプロトン交換法などで基板表面に拡散させることにより形成することができる。信号電極や接地電極などの変調電極は、TiAuの電極パターンの形成及び金メッキ方法などにより形成することが可能である。さらに、必要に応じて光導波路形成後の基板表面に誘電体SiO2等のバッファ層不図示を設け、バッファ層の上に変調電極を形成することも可能である。電気光学効果を有する材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、PLZTジルコン酸チタン酸鉛ランタン、及び石英系の材料及びこれらの組み合わせが利用可能である。特に、電気光学効果の高いニオブ酸リチウムLN結晶が好適に利用される。光変調素子を含む薄板の製造方法は、数百μmの厚さを有する基板に上述した光導波路や変調電極を作り込み、基板の裏面を研磨し、例えば、20μm以下の厚みに仕上げる。光導波路や変調電極などの作り込みは、薄板を作成した後に行うことも可能であるが、光導波路形成時の熱的衝撃や各種処理時の薄膜の取り扱いによる機械的衝撃が加わり、薄板が破損する危険性もあるため、光導波路や変調電極を作り込んだ後に基板の裏面を研磨することが好ましい。補強板に使用される材料としては、種々のものが利用可能であり、例えば、薄板と同様の材料を使用する他に、石英、ガラス、アルミナなどのように薄板より低誘電率の材料を使用したり、薄板と異なる結晶方位を有する材料を使用することも可能である。ただし、線膨張係数が薄板と同等である材料を選定することが、温度変化に対する光変調器の変調特性を安定させる上で好ましい。仮に、同等の材料の選定が困難である場合には、特許文献2のように薄板と補強板とを接合する接着剤に、薄板と同等な線膨張係数を有する材料を選定する。薄板1と補強板3との接合には、接着層2として、エポキシ系接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化性接着剤、半田ガラス、熱硬化性、光硬化性あるいは光増粘性の樹脂接着剤シートなど、種々の接着材料を使用することが可能である。また、直接接合法により、接着剤を使用せず、薄板と補強板とを直接貼り合わせることも可能である。図4の光変調器では、出射導波路5の側面に貫通孔9又は凹部を形成し、この貫通孔の内部に光吸収物質が充填されている。この構成により、図5に示すように、放射光8が遮光されるために、放射光8と導波光7との分離が可能になる。このため、光変調器の出射部の端面に光ファイバを接続した際に、導波光伝搬光のみを導入すべき光ファイバに、放射光8が入射するという不具合を避けることが可能となり、光変調器の消光比の劣化を抑制することができる。なお、図5は、図4に記載の光変調器の出射側端部での光強度分布を示す。また、光吸収物質として、Al,Au,Ti,アモルファスSi等の金属膜を蒸着、スパッタリング等の方法でコーティングすることが可能であり、光吸収領域の形成場所も、図8aの一点鎖線B-B’での断面図である図8bに示すように、薄板1の表面、裏面及び側面を覆うように構成するだけでなく、表面又は裏面の一部のみ配置することも可能である。また、出射導波路端面における出射導波路近傍以外の部分に光吸収領域を設けることも効果的である。図6は、本発明に係る光変調器の他の実施例である。図6aに示す光変調器では、放射光と伝搬光を分離させる高屈折率領域10を配置している。この構成により、放射光8が屈折するため、伝搬光と放射光の分離を明確にすることができる。そのため、基板厚が500μm程度の素子と同等程度に伝搬光と放射光とが分離でき、その取り扱いも容易となる。高屈折率領域を形成するには、不純物Ti,Znなどを熱拡散法やプロトン交換法などにより、基板中にドープすることで形成することが可能である。これらの方法は、光導波路の形成と同じプロセスで行うことが可能であるため、光導波路形成と同時に実施しても良い。しかし、伝搬光と放射光の分離作用領域を小さくするために、高屈折率領域と出射導波路の間隔を狭めると、伝搬光が漏れ出してしまう。一方、伝搬光の漏れを抑制するために、分離領域を大きくすると、出射導波路を長くしなければならない。そのため、出射導波路中央から高屈折率領域までの最短距離gを指定する必要がある。出射導波路長合波部から基板端部までの出射導波路の長さが2000~7000μmの場合、最短距離gを出射導波路モード径に対し0.5~3倍の間にすることによって、放射光と伝搬光の距離をファイバ径以上に分離することが可能となり、更に出射導波路長が3000~4000μmの場合、最短距離gを出射導波路モード径に対し1~2倍の間にすることによって、放射光と伝搬光の距離をファイバ径以上に分離することがより可能となる。図6bは、図6aの光変調器における出射側端部での伝搬光スポット7や放射光スポット8などを模式的に示した図であり、2は接着層、3は補強板を示す。また、図7は、図6aに記載の光変調器の出射側端部での光強度分布を示す。図8は、本発明に係る光変調器の他の実施例である。図8に示す光変調器では、放射光を吸収させる吸収領域11を配置している。この構成により、放射光不図示が吸収されるため、放射光による消光比劣化が起きない。この場合も、放射光の吸収領域を小さくするために、吸収領域と出射導波路の間隔を狭めると、伝搬光が吸収されてしまう。一方、伝搬光の吸収を抑制するために、吸収領域を大きくすると、出射導波路を長くしなければならない。そのため、出射導波路中央から吸収領域までの最短距離dを指定する必要がある。この場合も、出射導波路長が3500μmの場合、最短距離dを出射導波路モード径に対し0.5~3倍の間にすることによって伝搬光が吸収されずに放射光のみ吸収可能となる。なお、導波路と吸収領域を構成する金属との間隔を調整することによって、偏波消光比を大きくする事も可能である。さらに、放射光をフォトディテクタPDでモニタする場合には、図4の貫通孔9又は凹部で放射光8を屈折又は反射させ基板外に放出させることにより、PDで検出することが可能となる。また、図6のように、伝搬光から遠ざかった放射光8を同様に検出することも可能である。さらに、合波部の光導波路を、Y字型導波路から方向性結合器又はX交差導波路に変更することにより、出射端に二つの導波路を形成し、片方から出射光をモニタすることも可能である。図9は、本発明に係る光変調器の参考例である。図9の光変調器の特徴は、合波部20において、入射側に2本の光導波路23,24、出射側に3本の光導波路5,21,22を配置した2×3分岐導波路を有しているものである。特に、光導波路23,24はマッハツェンダー形光導波路の2つの分岐導波路であり、光導波路5はマッハツェンダー型光導波路の出射導波路を構成している。光導波路21,22は、出射導波路5を挟む2つの放射光用導波路である。図9の合波部20では、マッハツェンダー型光導波路で変調された出力光である伝搬光は、出射導波路5により出射され、他方、合波部から放出される放射光については、放射光用導波路21,22へ導入され、該放射光用導波路を伝搬し薄板外へ出射される。このため、合波部の特性としては、伝搬光の出射導波路への導入及び放射光の放射光用導波路への導入を可能とするだけでなく、さらには伝搬光が放射光用導波路に混入、あるいは放射光が出射導波路に混入するなどの不具合を抑制することが不可欠である。上記特性を有する合波部としては、次の条件を満足することが必要である。なお、図10は、図9の合波部20の一部を拡大した図であり、分岐導波路23,24は、合波点の直前では互いに平行になるように調整されている。1マッハツェンダー型光導波路を構成する2つの分岐導波路23,24と2つの放射光用導波路21,22は、該出射導波路5の光伝搬方向一点鎖線C-C’に対して、各々が線対称となるように構成されていること。2放射光用導波路21,23の幅w2は、出射導波路5の幅w1より狭いこと。3放射光用導波路21,22と出射導波路5とが成す角度θが、1°以下であること。なお、図10の一点鎖線Xと一点鎖線Yとの間に描かれた点線は出射導波路5及び放射光用導波路21,22の仮想延長線を示したものである。図10では、分岐導波路23,24が結合した一点鎖線Xの位置から放射光用導波路の分岐が始まっているが、必要に応じて、分岐導波路の結合状態をしばらく維持し、その後放射光用導波路の分岐が始まるように構成することも可能である。一例として、分岐導波路の幅w3を3.5μm、出射導波路5の幅w1を4μm、そして放射光用導波路の幅w2を2μm程度に設定し、角度θを0.5°、一点鎖線XとYとの間隔を115μm程度に設定した場合に、伝搬光と放射光との分離が効率よく行えることが確認されている。図9の参考例において、放射光をPDでモニタする方法について説明する。図9に示すように、放射光用導波路21の終端に、光ファイバ31を接続し、該光ファイバの他端にPD32を配置することで、放射光の一部をPDでモニタすることが可能となる。放射光用導波路から出射する光波の収束性が高い場合や、PDを放射光用導波路の端部に近接させることが可能な場合には、光ファイバ31を省略することもできる。また、当然、放射光用導波路22の終端にPD33を直接配置することも可能である。なお、30は、出射導波路5からの伝搬光を導入するための光ファイバである。次に、本発明の光変調器に係る具体的な実施例及びその試験について説明する。実施例1薄板の光変調素子は、基板に厚み500μmのXカット型のLN基板を使用し、Ti拡散プロセスなどにより、基板表面に光導波路を形成する。光導波路の形状としては、図4のようなマッハツェンダー型光導波路を形成し、合波部から基板端部までの距離が3500μmである。基板の裏面を、研磨機で基板の厚さが10μmとなるまで研磨し、紫外線硬化性接着剤を接着層として、補強板に貼り付けた。次に、メッキプロセスで変調電極を形成し、その後、遮蔽手段として、合波部から出射端部の途中に深さ10μmの貫通孔をレーザカッタで形成し、その後、凹部にAlを付着させた。その後、所定の大きさに切断して、光変調素子を組み込んだ薄板を製作した。実施例2薄板の光変調素子は、基板に厚み500μmのXカット型のLN基板を使用し、Ti拡散プロセスなどにより、基板表面に光導波路を形成すると共に、出射導波路の両脇に高屈折率領域Ti拡散、出射導波路中心と高屈折率領域の最短距離:15μmを形成した。光導波路の形状としては、図6のようなマッハツェンダー型光導波路を形成し、合波部から基板端部までの距離が3500μmである。基板の裏面を、研磨機で基板の厚さが10μmとなるまで研磨し、紫外線硬化性接着剤を接着層として、補強板に貼り付けた。次に、メッキプロセスで変調電極を形成し、その後、所定の大きさに切断して、光変調素子を組み込んだ薄板を製作した。実施例3薄板の光変調素子は、基板に厚み500μmのXカット型のLN基板を使用し、Ti拡散プロセスなどにより、基板表面に光導波路を形成した。光導波路の形状としては、図8のようなマッハツェンダー型光導波路を形成し、合波部から基板端部までの距離が3500μmである。基板の裏面を、研磨機で基板の厚さが10μmとなるまで研磨し、紫外線硬化性接着剤を接着層として、補強板に貼り付けた。そして、出射導波路の両脇に光吸収物質領域材質:Al、出射導波路中心と光吸収物質領域の最短距離:15μmを形成した。次に、メッキプロセスで変調電極を形成し、その後、所定の大きさに切断して、光変調素子を組み込んだ薄板を製作した。比較例薄板の光変調素子は、基板に厚み500μmのXカット型のLN基板を使用し、Ti拡散プロセスなどにより、基板表面に光導波路を形成した。光導波路の形状としては、図8のようなマッハツェンダー型光導波路を形成し、合波部から基板端部までの距離が3500μmである。基板の裏面を、研磨機で基板の厚さが10μmとなるまで研磨し、紫外線硬化性接着剤を接着層として、補強板に貼り付けた。次に、メッキプロセスで変調電極を形成し、その後、所定の大きさに切断して、光変調素子を組み込んだ薄板を製作した。試験方法実施例1、2、3及び比較例の各光変調器に、光ファイバを接続した。次に、光変調器の消光比を、光パワーメータにより計測した。計測結果を、表1に示す。表1の結果から、比較例と比較し、実施例1、2及び3のいずれにおいても、光変調器の消光比が改善されていることが理解される。また、図5及び図7は、実施例1及び2の出射端面での近視野像であり、図3に示す比較例の場合と比べると、明確に伝搬光と放射光の分離が起きていることが理解できる。さらに、実施例1、2及び3のいずれにおいても、ロスと消光比の標準偏差σが改善されており、放射光によるファイバ接続時のミスアライメントが軽減されている。"