発光層を含む窒化物半導体の積層体を有する半導体発光装置の製造方法であって、前記発光層から放射される発光に対して透光性の基板の表面に形成された炭素を含むマスクを用い、塩素および窒素を含む雰囲気中で前記基板を選択的にエッチングする工程と、前記基板のエッチングされた表面に、前記基板よりも屈折率が大きい窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層を含む前記積層体を前記基板上に形成する工程と、を備え、前記塩素は、BCl3を含むエッチングガスから供給されることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。発光層を含む窒化物半導体の積層体を有する半導体発光装置の製造方法であって、前記発光層から放射される発光に対して透光性の基板の表面に形成された炭素を含むマスクを用い、塩素および窒素を含む雰囲気中で前記基板を選択的にエッチングする工程と、前記基板のエッチングされた表面に、前記基板よりも屈折率が大きい窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層を含む前記積層体を前記基板上に形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。前記基板を収容した反応室に、前記塩素および前記窒素を含むエッチングガスを供給することを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。前記基板を載置するプレートが窒化物を含み、前記窒素は前記プレートから供給されることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。前記基板を載置するプレートの上に窒化物を配置し、前記窒素は前記窒化物から供給されることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。本発明の実施形態は、基板に設けられる凹凸の形状を改善し光出力を向上させることが可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。実施形態は、発光層を含む窒化物半導体の積層体を有する半導体発光装置の製造方法であって、前記発光層から放射される発光に対して透光性の基板の表面に形成された炭素を含むマスクを用い、塩素および窒素を含む雰囲気中で前記基板を選択的にエッチングする工程と、前記基板のエッチングされた表面に、前記基板よりも屈折率が大きい窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層を含む前記積層体を前記基板上に形成する工程と、を備える。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。図1は、本実施形態に係る半導体発光装置100を例示する模式図である。図1aは、半導体発光装置100の断面構造を示す模式図である。図1bは、サファイア基板の表面に設けられた凸部を示し、図1cは、凸部が設けられたサファイア基板の表面を示している。半導体発光装置100は、窒化物半導体を材料とする所謂白色LEDである。図1に示すように、例えば、パッケージのベース2の上にLEDチップ10がボンディングされ、LEDチップ10を覆う透明樹脂3が設けられる。LEDチップ10は、例えば、LEDチップ10の発光を反射する白樹脂を材料としたベース2の上に、透明樹脂5を用いて接着する。また、LEDチップ10の裏面に反射金属電極を形成し、ハンダ材を用いてボンディングしても良い。透明樹脂3は、LEDチップ10より屈折率が小さく、LEDチップ10内の発光を外部に取り出す特性を有している。また、LEDチップ10及びLEDチップ10の電極に接続する金属ワイヤ図示しないの封止剤の機能を有している。LEDチップ10は、例えば、GaNバッファ層11と、n型GaN層13と、発光層15と、p型GaN層と、が順に積層された積層体を含む。これらの窒化物半導体層は、発光に対して透光性のサファイア基板20の上に設けられる。サファイア基板20に代えて、例えば、GaNやSiCなどを用いることができる。p型GaN層17の上には、発光層15から放射される発光を透過する透明電極19と、p電極21とが設けられる。さらに、p型GaN層17および発光層15を選択的にエッチングし、露出したn型GaN層の表面にn電極23が設けられる。p電極21およびn電極23には、図示しない金属ワイヤがボンディングされパッケージの電流供給端子と接続される。そして、p電極からホール、n電極から電子を供給することにより、発光層15で電子とホールが再結合し発光する。発光層15は、例えば、InGaN井戸層とGaN障壁層で形成される量子井戸を含み、青色の発光を放射する。発光層15から放射された発光は、透明電極19を透過して上方に伝播し、LEDチップ10の外に放出される。さらに、横方向に伝播し、LEDチップの側面に設けられた保護膜25を透過して外部に放出される成分もある。一方、GaNバッファ層11、n型GaN層13およびp型GaN層17を含む積層体の屈折率は、LEDチップ10を覆う透明樹脂3およびサファイア基板20の屈折率よりも大きい。このため、発光層15から放出された発光は、積層体の内部で反射を繰り返して減衰し、外部に放出されない成分を含む。そこで、サファイア基板20よりも屈折率が大きいGaNバッファ層11とサファイア基板20との間に凹凸を設け、その界面において発光層15から放出された発光を散乱させ、その伝播方向を変える。さらに、GaNバッファ層11からサファイア基板20に向かう光の反射を低減させる。そして、サファイア基板20の中を伝播し、サファイア基板20とベース2との間の界面において反射された光を外部に取り出す。これにより、積層体内部における光の多重反射を抑制し、発光層15から放出された発光の取り出し効率を向上させることができる。図1bは、サファイア基板20の表面に設けられた凸部20aの断面を示すSEMScanningElectronMicroscope像である。一方、図1cは、凸部20aが設けられたサファイア基板を斜め上方から写したSEM像である。図1aおよびbに示すように、サファイア基板20の表面に複数の凸部20aからなる凹凸を形成することができる。さらに、図1aに示すように、凸部20aの側面を傾斜させて形成することができる。図2aは、凸部20aの断面を示す模式図であり、その形状を定量化するパラメータである厚さH、ピッチL、側面の傾斜角θを示している。そして、厚さH、ピッチLおよび傾斜角θを、それぞれ最適化することにより、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、凸部20aの厚さHは、サファイア基板のエッチング時間、そして、ピッチLは、フォトリソグラフィにより制御することができる。したがって、厚さHおよびピッチLの最適化は容易であった。これに対し、側面の傾斜角θの制御は十分とは言えず改良の余地を残している。図2bは、凸部20aの側面の傾斜角θと、光取り出し効率と、の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。横軸に傾斜角θ、縦軸に光取り出し効率を示す。同図中に示すグラフAは、凸部20aの高さHを1.5μmとし、ピッチLを5μmとした場合の光取り出し効率の変化を示している。一方、グラフBは、高さHを0.5μm、ピッチLを5μmとした場合の光取り出し効率の変化を示している。グラフAおよびBのいずれも、傾斜角θが大きくなるほど光取り出し効率が小さくなることを示している。そして、光取り出し効率は、凸部20aが高いAの方が大きいことがわかる。次に、図3および図4を参照して、本実施形態に係る半導体発光装置100の製造過程を説明する。図3および図4は、それぞれの製造工程におけるウェーハの断面を示す模式図である。まず、図3aに示すように、サファイア基板20の表面に、凸部20aを形成するためのエッチングマスク31を形成する。エッチングマスク31には、例えば、レジスト膜を用いることができる。続いて、図3bに示すように、サファイア基板20をエッチングし、凸部20aを形成する。例えば、塩素Cl2と窒素N2を含むエッチングガスを使用するRIEReactiveIonEtching装置を用いることができる。サファイア基板20のエッチング時には、エッチングマスク31も同時にエッチングされるため、凸部20aは、側面が傾斜した形状に形成される。そして、サファイア基板のエッチング終了後、例えば、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いてレジストマスクエッチングマスク31を除去することにより、図3cに示すように、サファイア基板に凸部20aを形成することができる。次に、図4aに示すように、エッチングされたサファイア基板20の表面に、GaNバッファ層11、n型GaN層13、発光層15およびp型GaN層を順に形成する。これらの窒化物半導体を含む積層体30は、例えば、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法を用いて形成することができる。続いて、図4bに示すように、p型GaN層17の表面に透明電極19を形成する。透明電極19には、例えば、ITOIndiumTinOxide膜を用いることができる。そして、透明電極19の上に、p電極21を形成する。p電極21には、例えば、チタンTiおよび金Auを順に積層した金属膜を用いることができる。さらに、p型GaN層17および発光層15を選択的にエッチングし、n型GaN層13の表面を露出させる。p型GaN層17および発光層15のエッチングには、例えば、RIE法を用いることができる。そして、n型GaN層13の表面にn電極23を形成する。n電極23には、例えば、TiおよびアルミニウムAlを順に積層した金属膜を用いることができる。次に、GaNバッファ層11およびn型GaN層13、発光層15およびp型GaN層17の側面を覆う保護膜25を形成し、LEDチップ10を完成する図1a参照。保護膜25には、例えば、二酸化シリコンSiO2膜を用いることができる。続いて、サファイア基板20を切断し、個別のLEDチップ10に分離した後、パッケージにボンディングする。さらに、透明樹脂3をモールドして半導体発光装置100を完成する。次に、図5および図6を参照して、サファイア基板20の凹凸の形成方法について、詳細に説明する。図5は、エッチング装置40を示す模式図である。サファイア基板20のエッチングには、例えば、ICPInductiveCouplingPlasmaタイプのドライエッチング装置を使用することができる。エッチング装置40では、反応室41の内部に下部電極43が設けられ、その上にウェーハホルダ44がセットされる。ウェーハホルダ44の表面には、エッチング処理されるサファイア基板20が載置される。そして、反応室41の内部は、図示しない真空ポンプにより減圧され、ガス配管48から、例えば、BCl3およびN2を含むエッチングガスが供給される。これにより、反応室41の内部は、エッチングガス雰囲気に置換される。さらに、エッチングガスは、排気口49から真空ポンプにより排気され、反応室41の内部は、一定の圧力に維持される。ここで、N2に代えて、例えば、アンモニアガスNH3、二酸化窒素ガスN2Oなどを用いても良い。続いて、下部電極43に対向して設けられたアンテナ電極45に高周波電源47から高周波電力を供給し、下部電極43とアンテナ電極45との間にプラズマを発生させる。そして、プラズマ中で分解されたエッチングガスから活性な塩素ラジカルが発生し、サファイア基板をエッチングする。この際、下部電極43に接続されたバイアス電源46から高周波電力を加え下部電極43をバイアスすることにより、プラズマ中のイオンを引き付け、サファイア基板20のエッチングを促進することができる。図6は、サファイア基板に設けられる凹凸の形状とドライエッチング条件の関係を示す断面SEM像である。図6aは、サファイア基板20の上に形成されたレジストマスクエッチングマスク31の断面を示している。図6a~cは、ドライエッチングされたサファイア基板20の断面を示し、それぞれN2の供給量が異なる。ドライエッチングの条件として、例えば、反応室41の内部の圧力を1.0Pa、アンテナ電極45に供給する高周波電力を750W、下部電極43をバイアスする高周波電力を150W、そして、下部電極43の温度を15°Cとした。そして、図6aに示すサンプルの処理では、N2を供給せずBCl3のみでエッチングした。同図中に示すように、サファイア基板20に形成された凸部20aの側面の傾斜角θは、62°である。さらに、凸部20aの上に残るレジストマスク31もエッチングされドーム状に変形していることが分かる。図6bに示すサンプルの処理では、エッチングガスにN2を加え、BCl3とN2の流量比を87.5:12.5とした。同図に示すように、凸部20aの側面の傾斜角θは、45°となり、図6aに示すサンプルよりも小さくなる。さらに、凸部20aの高さHは、図6aのサンプルよりも低くなっており、サファイア基板のエッチング速度が遅くなることがわかる。一方、レジストマスク31は、台形上にエッチングされており、図6bのサンプルよりもエッチングが進んでいる。すなわち、エッチングガスにN2を加えることにより、レジストマスク31のエッチング速度を相対的に早くして、側面の傾斜角θを小さくすることができる。図6cに示すサンプルの処理では、さらにN2の供給量を増やし、BCl3とN2の流量比を75:25とした。その結果、側面の傾斜角θは27°となり、凸部20aの高さHもさらに低くなる。そして、レジストマスク31のエッチングは、さらに進行している。図7は、BCl3/N2混合ガス中のN2比率と、サファイア基板およびレジストマスクのエッチングレートを示すグラフである。N2流量が増えるほど、サファイア基板のエッチングレートは遅くなり、レジストマスクのエッチングレートは、速くなることがわかる。例えば、図6aに示すN2を加えない処理では、他のエッチング条件を変化させても、凸部20aの側面の傾斜角θを60°よりも小さくすることはできない。すなわち、本実施形態に示すように、塩素を含むエッチングガスに窒素を加えることにより、サファイア基板のエッチングレートが抑制され、レジストマスク31のエッチングを促進させる。これにより、凸部20aの側面の傾斜角θを小さくすることができる。そして、図2bに示したように、光の取り出し効率を向上させることが可能となる。上記の通り、エッチングガスに窒素を加えることにより、サファイア基板のエッチングレートが抑制され、レジストマスク31のエッチングが促進される。その原因は、例えば、反応中にAlNやBNが形成され、再付着することによりサファイア基板20のエッチング速度が遅くなること、そして、窒素を添加することにより、プラズマ中に炭素を含むレジストをエッチングする活性種が増え、レジストマスク31のエッチングが促進されることが考えられる。したがって、エッチングマスクには、レジスト膜だけでなく、炭素を含む他の材料、例えば、有機物を含む膜を使用することができる。さらに、窒素の供給源は、窒素原子を含有するガスに限られず、アンテナ電極45と下部電極43との間に誘起されるプラズマの中に窒素ラジカルを供給するものであれば良い。例えば、図8は、本実施形態の変形例に係るドライエッチング装置のウェーハホルダ44を模式的に示す平面図である。図8aに示すように、ウェーハホルダ44は、例えば、プレート状に設けられ、その表面にサファイア基板20を載置する。そして、ウェーハホルダ44が、例えば、窒化ボロンBNもしくは窒化シリコンSiNなどの窒化物を含めば、プラズマ中の高エネルギーイオンにスパッタされた窒素が放出され、窒素ラジカルを生成することが可能である。また、図8bに示すように、ウェーハホルダ44に載置されたサファイア基板20の間に窒化物を配置しても良い。例えば、GaN、BN、SiNおよびTiNのうちの少なくとも1つの窒化物からなる小片を、ウェーハホルダ44の上に載置することができる。上記の実施形態では、凸部20aを設けることにより、サファイア基板20の表面に凹凸を形成する例について説明したが、これに限られる訳ではない。例えば、サファイア基板20の表面に凹部を設け、その側壁の傾斜を制御することにより、光取り出し効率の向上を図ることが可能である。なお、本願明細書において、窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦xyz≦1のIII-V族化合物半導体を含み、さらに、V族元素としては、N窒素に加えてリンPや砒素Asなどを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。