"半導体シリサイドからなる熱電変換層の両側に一対の電極層が形成された熱電変換素子において、前記一対の電極層の少なくとも一方が、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドと金属材料との混合体からなる熱電変換素子。前記半導体シリサイドが多結晶構造のマグネシウムシリサイドである請求項1記載の熱電変換素子。前記遷移金属シリサイドが、ニッケルシリサイド、クロムシリサイド、コバルトシリサイド、及びチタンシリサイドからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、前記金属材料がニッケルである請求項1又は2記載の熱電変換素子。請求項1から3のいずれか1項記載の熱電変換素子を備えた熱電変換モジュール。前記熱電変換素子の一対の電極層のうち少なくとも高温側に配置される電極層が、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドと金属材料との混合体からなる請求項4記載の熱電変換モジュール。ところで、熱電変換材料としてマグネシウムシリサイドを用いた熱電変換素子においては、マグネシウムシリサイドとの相互拡散が少なく、高温耐久性にも優れていることから、電極材料としてニッケルが汎用されている。しかし、電極材料としてニッケルを用いた場合、熱電変換層と電極層との間の接触抵抗が比較的高くなるという問題があった。本発明は、以上の課題に鑑みてなされたものであり、熱電変換層と電極層との間の接触抵抗が低減された熱電変換素子、及び該熱電変換素子を備えた熱電変換モジュールを提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた。その結果、半導体シリサイドからなる熱電変換層の両側に形成される電極層の材料として、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドと金属材料との混合体を用いることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のとおりである。1半導体シリサイドからなる熱電変換層の両側に一対の電極層が形成された熱電変換素子において、上記一対の電極層の少なくとも一方が、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドと金属材料との混合体からなる熱電変換素子。2上記半導体シリサイドがマグネシウムシリサイドである上記1記載の熱電変換素子。3上記遷移金属シリサイドが、ニッケルシリサイド、クロムシリサイド、コバルトシリサイド、及びチタンシリサイドからなる群より選ばれる少なくとも1種である上記1又は2記載の熱電変換素子。4上記金属材料がニッケルである上記1から3のいずれか1項記載の熱電変換素子。5上記1から4のいずれか1項記載の熱電変換素子を備えた熱電変換モジュール。6上記熱電変換素子の一対の電極層のうち少なくとも高温側に配置される電極層が、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドと金属材料との混合体からなる上記5記載の熱電変換モジュール。本発明によれば、熱電変換層と電極層との間の接触抵抗が低減された熱電変換素子、及び該熱電変換素子を備えた熱電変換モジュールを提供することができる。≪熱電変換素子≫本発明に係る熱電変換素子は、半導体シリサイドからなる熱電変換層の両側に一対の電極層が形成された熱電変換素子において、上記一対の電極層の少なくとも一方が、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドと金属材料との混合体からなるものである。本発明に係る熱電変換素子の一態様を図1に示す。図1に示す熱電変換素子1は、角柱状の熱電変換層11の両側に一対の電極層12a,12bが形成されている。熱電変換層11を構成する熱電変換材料としては、マグネシウムシリサイドMg2Si、鉄シリサイドFeSi2等の半導体シリサイドが用いられ、これらは、アンチモン、アルミニウム、ビスマス、銀、銅等のドーパントを含んでいてもよい。この中でも、熱的に安定であり、熱電変換効率が高く、しかも高い剛性を有する点から、マグネシウムシリサイドが好ましい。なお、マグネシウムシリサイドの合成方法の一例については、後で詳述する。この半導体シリサイドの平均粒径は、特に制限はないが、例えば75μm以下のものを使用することが好ましい。電極層12a,12bの少なくとも一方を構成する電極材料としては、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドと金属材料との混合体が用いられる。このように、電極材料として、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドと金属材料との混合体を用いることにより、ニッケル等の金属材料を用いた場合と比較して、熱電変換層と電極層との間の接触抵抗を低減することができる。なお、熱電変換層と電極層との間の接触抵抗を低減する観点からは、電極層12a,12bの両方が、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドと金属材料との混合体からなることが好ましいが、コスト等を考慮し、いずれか一方のみに遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドと金属材料との混合体を用い、他方にはニッケル等の金属材料を用いるようにしても構わない。この場合、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドと金属材料との混合体を用いた電極層を、熱電変換モジュールの高温側に配置することが好ましい。この理由としては、下記の2つが挙げられる。1つ目の理由は、高温側においては、動作時の高温状態時に電極における抵抗の増大が見込まれるため、相対的に抵抗値が低い電極材料を使用することが好ましいためである。2つ目の理由は、ニッケルは高温環境下において酸化物を形成しやすく、それにより熱電変換層と電極層との界面の劣化による抵抗の増大を招いてしまうが、遷移金属シリサイドは高温において比較的安定であり、このような劣化による抵抗の増大を防ぐことができるためである。上記遷移金属シリサイドとしては、ニッケルシリサイドNiSi,NiSi2、クロムシリサイドCrSi2、コバルトシリサイドCoSi2、チタンシリサイドTiSi2、モリブデンシリサイドMoSi2、タングステンシリサイドWSi2等が挙げられる。この中でも、ニッケルシリサイド、クロムシリサイド、及びコバルトシリサイドからなる群より選ばれる少なくとも1種が好ましく、コバルトシリサイドが特に好ましい。この遷移金属シリサイドの平均粒径は、特に制限はないが、例えば2~15μmのものを使用することが好ましい。また、上記遷移金属シリサイドと必要に応じて混合される金属材料としては、ニッケル、チタン、銅、アルミニウム、鉄等が挙げられる。この中でも、耐熱性に優れることから、ニッケルが特に好ましい。この金属材料の平均粒径は、特に制限はないが、例えば2~3μmのものを使用することが好ましい。金属材料を混合するか否かは任意であるが、上記遷移金属シリサイドとして特にクロムシリサイド、コバルトシリサイド、又はチタンシリサイドを用いる場合には、金属材料を混合することが好ましい。遷移金属シリサイドと金属材料との混合比は、遷移金属シリサイド/金属材料=30/70~90/10質量基準であることが好ましい。より好ましい上記混合比は、使用する遷移金属シリサイドの種類によって異なる。例えば、遷移金属シリサイドとしてコバルトシリサイド、クロムシリサイドを用いる場合には、混合比遷移金属シリサイド/金属材料が30/70~70/30質量基準であることが好ましい。また、遷移金属シリサイドとしてチタンシリサイドを用いる場合には、混合比遷移金属シリサイド/金属材料が30/70~50/50質量基準であることが好ましい。なお、遷移金属シリサイドとしてニッケルシリサイドを用いる場合には、金属材料を混合してもしなくても好ましく、混合比遷移金属シリサイド/金属材料として30/70~100/0質量基準を好ましく例示することができる。上記熱電変換素子1を得るには、例えば、熱電変換素子1の形状例えば、断面が円形状、多角形状等である棒状、柱状、板状等の部材等に対応した空間が形成された成形型等に、図1に示した熱電変換素子1の構成に倣って、使用する材料をそれぞれ所望の厚さになるように投入堆積させ、焼結処理を施すことにより簡便に製造することができる。熱電変換素子1を製造する手段の一例を、図2及び図3に示した構成の製造装置2を用いて説明するなお、図2及び図3は、カーボンダイ21内部の状態が分かりやすくなるように、カーボンダイ21の一部を省略している。。図2は、製造装置2に熱電変換素子1の構成材料を充填する前の状態を示し、図3は、熱電変換素子1の構成材料を充填した後の状態を示す。図2及び図3に示すように、製造装置2は、円柱状の空間部23が形成されたカーボンダイ21と、空間部23図3では熱電変換素子1の構成材料等が充填されている部分のことの上方及び下方に配設される2つのカーボンパンチ22a,22bとから構成される。なお、図2に示した製造装置2にあっては、2つのカーボンパンチ22a,22bのうち、空間部23の下方に配設されるカーボンパンチ22bは、カーボンダイ21に対して固定されている一方、図2に示すように、空間部23の上方に配設されるカーボンパンチ22aは、取り外し可能となっており、当該空間部23の上方より、半導体シリサイド等の焼結対象の材料が空間部23に投入可能とされる。図2及び図3の製造装置2を用いて熱電変換素子1を製造するには、空間部23の上方に配設されるカーボンパンチ22aを取り外し図2の状態、空間部23に図1に示した熱電変換素子1の構成に倣って、電極材料、熱電変換材料、電極材料の順で、それぞれ所望の厚さになるように投入堆積させ、電極材料層、熱電変換材料層、電極材料層を形成する。各層の材料を投入する際には、カーボンパンチ22a等で押圧して、押し固めるようにすることが好ましい。材料の投入堆積が終了したら、空間部23の上方からカーボンパンチ22aを入れて材料をカーボンパンチ22a,22bで挟み込み、図3に示した状態とする。そして、図3の状態で焼結処理を施すことにより焼結体を得る。得られた焼結体をワイヤーソーやブレードソーのような切断機で所定の大きさにカットすることにより、図1に示した構成の熱電変換素子1を得ることができる。焼結方法としては、ホットプレス焼結法HP、熱間等方圧焼結法HIP、放電プラズマ焼結法SPS等を採用することができるが、放電プラズマ焼結法が好ましい。放電プラズマ焼結法は、直流パルス通電法を用いた加圧圧縮焼結法の一種で、パルス大電流を種々の材料に通電することによって加熱焼結する方法であり、原理的には金属グラファイト等の導電性材料に電流を流し、ジュール加熱により材料を加工処理する方法である。具体的な焼結条件としては、焼結圧力5~60MPa、焼結温度800~870°C、焼結時間保持時間2~10分間とすることが好ましい。この際、焼結温度までは段階的に例えば、室温→600°C→800°C→840°Cといったように昇温することが好ましい。また、焼結処理は、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。なお、焼結方法として放電プラズマ焼結法を採用する場合、電極材料の溶融を防ぐため、電極材料層とカーボンパンチ22a,22bとの間にSiO2のような絶縁性材料を投入堆積させ、絶縁性材料層を形成しておくことが好ましい。あるいは、電極材料と接するカーボンパンチ22a,22bの表面にボロンナイトライドを塗布することによっても、同様の効果を奏することができる。また、半導体シリサイドが製造装置2に固着してしまうことを防ぐため、半導体シリサイドとの接触部分には、カーボンペーパーを挟んでおくことが好ましい。上記のようにして製造した熱電変換素子に対して、熱電変換層と電極層との間の接触抵抗を小さくする目的で、アニール処理を施してもよい。アニール処理の具体的な方法は特に限定されず、高温の炉に熱電変換素子を入れて炉内に設けられたヒーターからの熱で熱電変換素子にアニーリング処理を施す方法でもよいし、ラピッドサーマルアニールやフラッシュランプアニールのような光エネルギーを用いて熱電変換素子にアニーリング処理を施す方法であってもよい。<マグネシウムシリサイドの合成方法>半導体シリサイドとしてのマグネシウムシリサイドは、マグネシウム、シリコン、及び必要に応じてドーパントを用いて常法により合成することができるが、合成する際の温度をマグネシウムシリサイドの融点1085°C以上の温度とし、系全体を融液とした状態で合成する溶融合成法によれば、均一なマグネシウムシリサイドを得ることができるため好ましい。この溶融合成法は、マグネシウム、シリコン、及び必要に応じてドーパントを混合して組成原料を得る混合工程と、この組成原料を加熱溶融する加熱溶融工程と、を含む。[混合工程]混合工程では、マグネシウムとシリコンとを約2:1の原子量比で混合し、必要に応じてさらにドーパントを混合して組成原料を得る。ドーパントを混合する場合、ドーパントの原子量比は0.10~2.00atであることが好ましい。マグネシウムとしては、例えば純度99.5以上のマグネシウム粉末を用いることができる。シリコンとしては、純度99.9999以上の高純度シリコン粉末を用いることができる。また、シリコンインゴットやシリコンウェーハを研削、研磨する際に排出されるシリコンスラッジを純化精製して得た純化精製シリコン粉末を用いることもできる国際公開第2008/75789号を参照。ドーパントとしては、アンチモン、アルミニウム、ビスマス、銀、銅等が挙げられる。[加熱溶融工程]加熱溶融工程では、混合工程にて得た組成原料をマグネシウムシリサイドの融点1085°C以上かつシリコンの融点1410°C未満の温度条件下で熱処理して、マグネシウムシリサイドを溶融合成する。圧力条件としては、大気圧でもよいが、1.33×10-3Pa~大気圧が好ましい。また、加熱条件としては、1085°C以上1410°C未満で、例えば2~10時間とすることができる。この際、150°Cに達するまでは150~250°C/hの昇温条件、1100°Cに達するまでは350~450°C/hの昇温条件とすることが好ましい。また、雰囲気条件としては、酸化マグネシウムや酸化シリコンの生成を極力避けるため、還元雰囲気下が好ましい。還元雰囲気ガスとしては、100体積の水素ガスや、水素ガスを含む、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスを挙げることができる。還元雰囲気ガスとして水素ガスを含む不活性ガスを使用する場合、不活性ガス中の水素ガスは、5体積以上であることが好ましい。なお、この加熱溶融工程は、開口部とこの開口部を覆う蓋部とを備え、上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面とが共に研磨処理された耐熱容器中で行うことが好ましい。このように研磨処理することで、組成原料の組成比率に近い組成比率を有するマグネシウムシリサイドを得ることができる。これは、上記蓋部と上記開口部の辺縁との接触面において隙間が形成されず、耐熱容器が密閉されるため、蒸発したマグネシウムの耐熱容器外への飛散を抑制することができるためと考えられる。上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面との研磨処理については特に限定されず、研磨処理されたものでありさえすればよい。しかし、特に、当該接触面の表面粗さRaを0.2~1.0μmにすると密着状態を形成するのに好ましく、0.2~0.5μmにするとより好ましい。このような耐熱容器としては、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、白金、イリジウム、シリコンカーバイト、ボロンナイトライド、パイロライティックボロンナイトライド、パイロライティックグラファイト、石英等からなる密閉容器を挙げることができる。また、上記耐熱容器の寸法としては、容器本体が内径12~300mm、外径15~320mm、高さ50~250mmで、蓋部の直径が15~320mmのものを挙げることができる。さらに、上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面とを密着させるため、必要に応じて、上記蓋部の上面を直接又は間接におもりにて加圧することができる。当該加圧の際の圧力は、例えば1~10kg/cm2である。このようにして合成されたマグネシウムシリサイドは、微細で、狭い粒度分布を有する粒子に粉砕することが好ましい。なお、マグネシウムシリサイドとしては、特に限定されないが、例えば国際公開第2008/075789号や、国際出願番号PCT/JP2010/061185、国際出願番号PCT/JP2010/062509等の明細書に開示されたものを好ましく用いることができる。本発明においては、国際公開第2008/075789号等に記載されるような多結晶構造を有するマグネシウムシリサイドを用いることが特に好ましい。≪熱電変換モジュール≫本発明に係る熱電変換モジュールは、本発明に係る熱電変換素子を備えたものである。上述した熱電変換素子1を備えた熱電変換モジュールの一態様を図4に示す。熱電変換素子1は、熱電変換材料として半導体シリサイドを使用しており、主としてn型半導体素子として使用することができる。図4に示す熱電変換モジュール3において電極層12a側を加熱すると、温度差により電極層12a側が電極層12b側よりも高電位となる。このとき、電極層12aと電極層12bとの間に負荷31を接続することで、電極層12a側から電極層12b側へと電流が流れることになる。なお、上述したとおり、電極層12a,12bのうち少なくとも高温側に配置される電極層12aは、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドと金属材料との混合体からなることが好ましい。熱電変換素子1を備えた熱電変換モジュールの他の態様を図5に示す。図5に示す熱電変換モジュール4は、n型半導体素子としての熱電変換素子1が、電極32を介して複数並列に並べられたものである。かかる熱電変換モジュール4にあっては、熱電変換素子1を複数にすることにより、得られる起電力及び電力を大きなものとすることができる。熱電変換素子1を備えた熱電変換モジュールのさらに他の態様を図6に示す。図6に示す熱電変換モジュール5は、n型半導体素子としての熱電変換素子1と、p型半導体素子としての熱電変換素子40とが、電極33を介してπ形に並べられたものである。図6に示す熱電変換モジュール5において電極33側を加熱すると、温度差により熱電変換素子40側が熱電変換素子1側よりも高電位となる。このとき、熱電変換素子40と熱電変換素子1との間に負荷31を接続することで、熱電変換素子40から熱電変換素子1へと電流が流れることになる。以下、本発明について、実施例を挙げて詳細に説明する。なお、本発明は以下に示す実施例に何ら限定されるものではない。<実施例1>実施例1では、半導体シリサイドとして、溶融合成法にて合成したドーパントを含まないマグネシウムシリサイドユニオンマテリアル製、TYPE:MSGI-SG-UN、LOT:10A233を、平均粒径75μmとなるように自動乳鉢にて粉砕したものを用いた。なお、上記マグネシウムシリサイドは未反応のシリコンやマグネシウム等の未反応物を含まない。また、電極材料として、ニッケルシリサイドNiSi粉末豊島製作所製;純度99.9、平均粒径16.78μmを用いた。また、絶縁性材料としてSiO2粉末高純度化学研究所製;純度99.9、平均粒径63μmを用いた。まず、図2に示すように、カーボンダイ21φ15mm×30mmの空間部23の上方からカーボンパンチ22aφ15mm×20mmを外して製造装置2の上方を開放状態として、マグネシウムシリサイド粉末を空間部23に投入堆積させ、熱電変換材料層を形成した。次いで、ニッケルシリサイド粉末、SiO2粉末をこの順で投入堆積させて電極層、絶縁性材料層を形成した後、空間部23の上方からカーボンパンチ22aを入れて材料を挟み込むようにして、図3の状態とした。なお、マグネシウムシリサイドが製造装置2に固着してしまうことを防ぐため、マグネシウムシリサイドとの接触部分には、カーボンペーパーを挟んだ。また、冷却時の降温速度を下げるため、カーボンダイ21の周囲にはカーボンフェルトを巻き付けた。そして、放電プラズマ焼結装置ELENIX製、PAS-III-Esを用いて真空雰囲気下で焼結を行い、焼結体を得た。焼結条件は下記のとおりである。焼結温度:840°C焼結圧力:30.0MPa昇温速度:300°C/min×2min~600°C100°C/min×2min600~800°C10°C/min×4min800~840°C0°C/min×5min840°C冷却条件:真空放冷雰囲気:Ar60Pa冷却時は真空その後、得られた焼結体をワイヤーソームサシノ電子製、CS-203を用いて切り出し、アルミナ粉を用いて研磨することにより、縦1.9mm×横15mm×高さ2.1mm電極層の厚さ0.2~0.25mmの熱電変換素子を得た。さらに、電極層を3分割した中央部分を除去し、図7に示すような形状の熱電変換素子6を得た。図7に示す熱電変換素子6においては、熱電変換層13の上面の両端に電極層14a,14bが形成されている。<実施例2>電極材料として、クロムシリサイドCrSi2粉末豊島製作所製;純度99.9、平均粒径6.0μmとニッケル粉末高純度化学研究所製;純度99.9、粒径2~3μmとを1:1質量基準で混合した混合体を用いたほかは、実施例1と同様にして図7に示すような形状の熱電変換素子6を得た。<実施例3>電極材料として、コバルトシリサイドCoSi2粉末フルウチ化学製;純度99、平均粒径3.91μmとニッケル粉末高純度化学研究所製;純度99.9、粒径2~3μmとを1:1質量基準で混合した混合体を用いたほかは、実施例1と同様にして図7に示すような形状の熱電変換素子6を得た。<実施例4>電極材料として、チタンシリサイドTiSi2粉末豊島製作所製;純度99.9、平均粒径6.3μmとニッケル粉末高純度化学研究所製;純度99.9、粒径2~3μmとを1:1質量基準で混合した混合体を用いたほかは、実施例1と同様にして図7に示すような形状の熱電変換素子6を得た。<比較例1>電極材料としてニッケル粉末高純度化学研究所製;純度99.9、粒径2~3μmを用いたほかは、実施例1と同様にして図7に示すような形状の熱電変換素子6を得た。<評価>[光学顕微鏡による表面観察]自動研磨機ムサシノ電子製、MA-150を用いて、実施例1~4、比較例1で得られた焼結体の表面を鏡面加工し、熱電変換層と電極層との界面を光学顕微鏡により観察した。実施例1~4、比較例1における観察結果をそれぞれ図8a~eに示す。図8a~eに示すように、電極材料として遷移金属シリサイドニッケルシリサイドを用いた場合も、遷移金属シリサイドクロムシリサイド、コバルトシリサイド、チタンシリサイドとニッケルとの混合体を用いた場合も、電極材料としてニッケルを用いた場合と同様に、熱電変換層との良好な接着が観察された。[I-V測定オーミック接触の確認]概略構成を図9に示したカーブトレーサ52を備えた測定装置7ソニーテクトリニクス製、Tektronix370Aを用いて、実施例1~4、比較例1で得られた熱電変換素子6のI-V特性を測定した。試験方法としては、図9に示すように、測定装置7のタングステン電極51a,51bを熱電変換素子6の電極層14a,14bに接触させ、バイアス電圧を印加して、得られた線形の結果をオーミック接触とした。結果を図10に示す。図10に示すように、評価した熱電変換素子6の全てについて、V=IRの関係が具備する直線関係が得られ、オーミック接触が取れていることが確認できた。[抵抗値の測定]実施例1~3、比較例1で得られた熱電変換素子6のI-V測定の結果等から抵抗値を算出した。結果を下記表1に示す。表1に示すように、電極材料として遷移金属シリサイドニッケルシリサイド、又は遷移金属シリサイドクロムシリサイド、コバルトシリサイドとニッケルとの混合体を用いた実施例1~3の熱電変換素子は、電極材料としてニッケルを用いた比較例1の熱電変換素子と比較して抵抗値が低かった。このことから、電極材料として遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドと金属材料との混合体を用いることにより、接触抵抗を低下できることが確認できた。<実施例5>図7に示す形状にする工程を行わない以外は実施例1と同様の方法で、図1に示すような角柱状の熱電変換素子縦1.9mm×横15mm×高さ2.1mm電極層の厚さ0.2~0.25mmを製造した。なお、図1における電極層12a及び12bの両方に、所定の電極材料ニッケルシリサイドを使用した。<実施例6>電極材料としてクロムシリサイドCrSi2粉末豊島製作所製;純度99.9、平均粒径6.0μmとニッケル粉末高純度化学研究所製;純度99.9、粒径2~3μmとを1:1質量基準で混合した混合体を用いた以外は実施例5と同様の方法で角柱状の熱電変換素子を製造した。<実施例7>電極材料としてコバルトシリサイドCoSi2粉末フルウチ化学製;純度99、平均粒径3.91μmとニッケル粉末高純度化学研究所製;純度99.9、粒径2~3μmとを1:1質量基準で混合した混合体を用いた以外は実施例5と同様の方法で角柱状の熱電変換素子を製造した。<比較例2>電極材料としてニッケル粉末高純度化学研究所製;純度99.9、粒径2~3μmを用いた以外は実施例5と同様の方法で角柱状の熱電変換素子を製造した。[熱電変換素子の最大出力の測定]先ず、実施例5~7、比較例2の熱電変換素子の抵抗値を、電極層12a,12b図1参照に測定装置のタングステン電極を接触させたこと以外は上記の方法と同様の方法で測定した。測定結果を表2に示した。次いで、実施例5~7、比較例2の熱電変換素子の熱起電力を、熱起電力熱伝導率測定装置アルバック理工社製、ZEM2を用いて、低温側を373Kに設定し高温側を873Kに設定して、最大出力値mWとして測定した。測定結果を表2に示した。表2から、実施例5~7の熱電変換素子は、比較例2の熱電変換素子と比べて、抵抗値が小さく、最大出力値が大きいことが確認された。<実施例8>電極材料として、コバルトシリサイドCoSi2粉末豊島製作所製;純度99.9、平均粒径6.0μmとニッケル粉末高純度化学研究所製;純度99.9、粒径2~3μmとを33:67質量基準で混合した混合体を用いたほかは、実施例1と同様にして図7に示すような形状の熱電変換素子6を得た。<実施例9>電極材料として、コバルトシリサイドCoSi2粉末豊島製作所製;純度99.9、平均粒径6.0μmとニッケル粉末高純度化学研究所製;純度99.9、粒径2~3μmとを66:34質量基準で混合した混合体を用いたほかは、実施例1と同様にして図7に示すような形状の熱電変換素子6を得た。<実施例10>電極材料として、クロムシリサイドCrSi2粉末豊島製作所製;純度99.9、平均粒径6.0μmとニッケル粉末高純度化学研究所製;純度99.9、粒径2~3μmとを33:67質量基準で混合した混合体を用いたほかは、実施例1と同様にして図7に示すような形状の熱電変換素子6を得た。<実施例11>電極材料として、クロムシリサイドCrSi2粉末豊島製作所製;純度99.9、平均粒径6.0μmとニッケル粉末高純度化学研究所製;純度99.9、粒径2~3μmとを66:34質量基準で混合した混合体を用いたほかは、実施例1と同様にして図7に示すような形状の熱電変換素子6を得た。<実施例12>電極材料として、ニッケルシリサイドNiSi粉末豊島製作所製;純度99.9、平均粒径6.0μmとニッケル粉末高純度化学研究所製;純度99.9、粒径2~3μmとを66:34質量基準で混合した混合体を用いたほかは、実施例1と同様にして図7に示すような形状の熱電変換素子6を得た。<実施例13>電極材料として、チタンシリサイドTiSi2粉末豊島製作所製;純度99.9、平均粒径6.0μmとニッケル粉末高純度化学研究所製;純度99.9、粒径2~3μmとを33:67質量基準で混合した混合体を用いたほかは、実施例1と同様にして図7に示すような形状の熱電変換素子6を得た。[抵抗値の測定]実施例8~13で得られた熱電変換素子6のI-V測定を上述の方法で行い、その結果等から抵抗値を算出した。これらの結果を用いて、遷移金属シリサイドと金属材料との混合比と抵抗値mΩとの関係を表3に示した。なお、表3には、上記表1に示した実施例1~3の抵抗値も含めて示した。表3から、遷移金属シリサイドと金属材料との混合比の好ましい範囲は、使用する遷移金属シリサイドの種類によって異なることが確認された。"