"極端紫外光EUVリソグラフィシステムの光源集光モジュールであって、パルスレーザ光線を生成するレーザ光源と、光源集光モジュール軸に沿って配置され、前記パルスレーザ光線を受光して前記光源集光モジュール軸の第1方向に前記パルスレーザ光線を反射するように構成される折り返しミラーと、液体キセノンが前記パルスレーザ光線に照射される照射位置に前記液体キセノンを供給するように構成され、前記第1方向とほぼ反対の第2方向にEUVを生成するレーザ生成プラズマLPPを形成する液体キセノン源と、入射端および出射端を有し、前記入射端において前記EUVを受光し、前記出射端に隣接する中間焦点において、受光した前記EUVを集束するように配置される斜入射集光器GICミラーとを備える、光源集光モジュール。ガス流管に測定流量のキセノンガスを供給するように構成されるキセノンマスフローシステムと、前記ガス流管を介して前記キセノンマスフローシステムに流体接続され、前記キセノンガスを液化し、液体キセノンを形成するように構成されるキセノン液化部と、管を介して前記キセノン液化部に流体接続されるキセノン回収部とをさらに備え前記管は、前記キセノン液化部から前記キセノン回収部に液体キセノンが流れることを可能にすると共に、前記レーザ光線を前記照射位置で前記液体キセノンに入射可能にする開口を有する請求項1に記載の光源集光モジュール。前記キセノン液化部を有する冷却格納容器をさらに備える請求項2に記載の光源集光モジュール。前記管は、毛細管を備える請求項2または3に記載の光源集光モジュール。前記キセノン液化部と前記キセノン回収部とは、前記キセノン回収部から前記キセノン液化部にキセノンガスが流れるように流体接続されている請求項2から4のいずれかに記載の光源集光モジュール。前記中間焦点に隣接して配置される放射線集光強化装置RCEDをさらに備え、RCEDは、軸方向において前記中間焦点の少なくとも片側に配置される少なくとも一つの漏斗部を有し、前記少なくとも一つの漏斗部は、前記中間焦点に近接する幅狭端を有する請求項1から5のいずれかに記載の光源集光モジュール。前記RCEDは、前記中間焦点の各側に配置される第1漏斗部と第2漏斗部とを備える請求項6に記載の光源集光モジュール。前記GICミラーは、多層コーティングを含まない第1反射面を有する請求項1から7のいずれかに記載の光源集光モジュール。前記GICミラーは、Ruコーティング及び多層コーティングのいずれかを有する請求項1から7のいずれかに記載の光源集光モジュール。前記GICミラーは、少なくとも一つの区画化GICシェルを有し、前記区画化GICシェルは、多層コーティングを含まない第1反射面と、多層コーティングを含む第2反射面とを有する請求項1から7のいずれかに記載の光源集光モジュール。反射レチクルに光を照射する極端紫外光EUVリソグラフィシステムであって、請求項1から10のいずれかに記載の光源集光モジュールと、前記中間焦点に形成された前記集束EUVを受光して凝縮EUVを形成し、前記凝縮EUVを前記反射レチクルに照射するように構成されるイルミネータとを備える、EUVリソグラフィシステム。前記EUVリソグラフィシステムは、感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するためのEUVリソグラフィシステムであり、前記反射レチクルの下流に配置され、前記反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから前記感光性半導体ウエハ上に前記パターン像を形成するように構成される投影光学システムをさらに備える請求項11に記載のEUVリソグラフィシステム。レーザ生成プラズマLPPから極端紫外光EUVを集光する方法であって、入射端および出射端を有する斜入射集光器GICミラーを軸方向に配置することと、液体キセノンを供給するように構成されるLPPターゲットシステムを前記GICミラーの入射端に隣接して配置し、照射位置を通過するように前記液体キセノンを移動させることと、前記GICミラーの軸方向にパルスレーザ光線を照射し、前記パルスレーザ光を前記GICミラーの前記出射端から前記GICミラーを介して前記入射端まで通過させ、前記照射位置の前記液体キセノンに到達させることにより、EUVを放射する前記LPPを形成することと、前記GICミラーを使用して、前記LPPからのEUVの一部を前記GICミラーの入射端で集光し、集光した前記EUVを前記GICミラーの出射端から出射し、中間焦点に焦点スポットを形成することとを備える方法。前記中間焦点の近傍に放射集光強化装置RCEDを配置することをさらに備え、RCEDは、軸方向において前記中間焦点の少なくとも片側に配置される少なくとも一つの漏斗部を有し、前記少なくとも一つの漏斗部は、前記中間焦点に近接する幅狭端を有する請求項13に記載の方法。前記GICミラーの出射端と前記中間焦点との間に上流漏斗部を設けると共に、前記上流漏斗部を使用して、通常は前記中間焦点に導かれない前記EUVの一部を前記中間焦点に導くことと、前記中間焦点からEUVを集光し、前記集光したEUVを下流位置に導くように、前記GICミラーとは反対側の前記中間焦点に隣接する位置に下流漏斗部を設けることとをさらに備える、請求項13または14に記載の方法。キセノンガスから前記液体キセノンを形成することと、前記照射位置に開口を有する管に前記液体キセノンを流すこととをさらに備える、請求項13から15のいずれかに記載の方法。多層コーティングを含まない第1反射面を有する前記GICミラーを設けることをさらに備える請求項13から16のいずれかに記載の方法。Ruコーティング及び多層コーティングのいずれかを有する前記GICミラーを設けることをさらに備える請求項13から16のいずれかに記載の方法。第1反射面と、前記多層コーティングを有する第2反射面とを有する少なくとも一つの区画化GICシェルを有する前記GICミラーを設けることをさらに備える請求項13から16のいずれかに記載の方法。前記中間焦点においてEUVから凝縮EUVを形成し、前記凝縮EUVを反射レチクルに照射することをさらに備える請求項13から19のいずれかに記載の方法。前記反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから投影光学システムを使用して前記感光性半導体ウエハ上に前記パターン像を形成することをさらに備える請求項20に記載の方法。パルスレーザ光線を生成するレーザ光源と、液体キセノンが前記パルスレーザに照射されて極端紫外光EUVを生成する照射位置を通過するように前記液体キセノンを流すように構成される液体キセノン源とを備える、レーザ生成プラズマLPPターゲットシステム。ガス流管に測定流量のキセノンガスを供給するように構成されるキセノンマスフローシステムと、前記ガス流管を介して前記キセノンマスフローシステムに流体接続され、前記キセノンガスを液化し、液体キセノンを形成するように構成されるキセノン液化部と、管を介して前記キセノン液化部に流体接続されるキセノン回収部とをさらに備え、前記管は、前記キセノン液化部から前記キセノン回収部に液体キセノンが流れることを可能にすると共に、前記レーザ光線を前記照射位置で前記液体キセノンに入射可能にする開口を有する請求項22に記載のLPPターゲットシステム。本発明は、一般に、斜入射集光器GICに関し、特に、EUVリソグラフィシステムで使用される光源集光モジュールSOCOMOを形成するために使用されるGICミラーに関する。ここで、SOCOMOは、EUVを生成するために液体キセノンとレーザ光源とを使用するLPPターゲットシステムを備える。本発明の一態様は、極端紫外光EUVリソグラフィシステムのSOCOMOである。ここで、SOCOMOは、レーザ光源と折り返しミラーとを備える。レーザ光源は、パルスレーザ光線を生成する。折り返しミラーは、光源集光モジュール軸に沿って配置され、パルスレーザ光線を受光して光源集光モジュール軸の第1方向にパルスレーザ光線を反射するように構成されている。また、SOCOMOは、液体キセノン源を備える。液体キセノン源は、液体キセノンがパルスレーザ光線で照射される照射位置に液体キセノンを供給するように構成されている。そして、これにより、第1方向とほぼ反対の第2方向にEUVを放射するLPPが生成される。また、SOCOMOは、GICミラーを備える。GICミラーは、入射端および出射端を有する。そして、GICミラーは、入射端においてEUVを受光し、出射端に隣接する中間焦点において、受光したEUVを集束するように配置されている。上述のSOCOMOは、キセノンマスフローシステム、キセノン液化部およびキセノン回収部をさらに備えることが好ましい。キセノンマスフローシステムは、ガス流管に測定流量のキセノンガスを供給するように構成される。キセノン液化部は、ガス流管を介してキセノンマスフローシステムに流体接続され、キセノンガスを液化し、液体キセノンを形成するように構成される。キセノン回収部は、管を介してキセノン液化部に流体接続されている。管は、キセノン液化部からキセノン回収部に液体キセノンが流れることを可能にする。また、この管は、レーザ光線を照射位置で流体キセノンに入射可能にする開口を有する。上述のSOCOMOは、キセノン液化部を有する冷却格納容器をさらに備えることが好ましい。上述のSOCOMOにおいて、管は毛細管を備えることが好ましい。上述のSOCOMOにおいて、キセノン液化部とキセノン回収部とは、キセノン回収部からキセノン液化部にキセノンガスが流れるように流体接続されていることが好ましい。上述のSOCOMOは、放射線集光強化装置RCEDをさらに備えることが好ましい。RCEDは、中間焦点に隣接して配置される。RCEDは、少なくとも一つの漏斗部を有する。少なくとも一つの漏斗部は、軸方向において中間焦点の少なくとも片側に配置される。また、少なくとも一つの漏斗部は、中間焦点に近接する幅狭端を有する。上述のSOCOMOにおいて、RCEDは、第1漏斗部と第2漏斗部とを備えることが好ましい。第1漏斗部と第2漏斗部とは、中間焦点の各側に配置される。上述のSOCOMOにおいて、GICミラーは、多層コーティングを含まない第1反射面を有することが好ましい。上述のSOCOMOにおいて、GICミラーは、Ruコーティング及び多層コーティングのいずれかを有することが好ましい。上述のSOCOMOにおいて、GICミラーは、少なくとも一つの区分化GICシェルを備えることが好ましい。少なくとも一つの区分化GICシェルは、多層コーティングを含まない第1反射面と、多層コーティングを含む第2反射面とを有する。本発明の他の態様は、反射レチクルに光を照射する極端紫外光EUVリソグラフィシステムである。このEUVリソグラフィシステムは、上述の光源集光モジュールと、イルミネータとを備える。このイルミネータは、中間焦点に形成された集束EUVを受光して凝縮EUVを形成し、その凝縮EUVを反射レチクルに照射するように構成される。上述のEUVリソグラフィシステムは、感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するためのEUVリソグラフィシステムであることが好ましい。このEUVリソグラフィシステムは、投影光学システムをさらに備えることが好ましい。この投影光学システムは、反射レチクルの下流に配置される。また、この投影光学システムは、反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するように構成される。本発明の他の態様は、LPPからEUVを集光する方法である。この方法は、入射端および出射端を有するGICミラーを軸方向に配置することを備える。また、この方法は、液体キセノンを供給するように構成されるLPPターゲットシステムをGICミラーの入射端に隣接して配置し、照射位置を通過するように液体キセノンを移動させることを備える。また、この方法は、GICミラーの軸方向にパルスレーザ光線を照射し、パルスレーザ光をGICミラーの出射端からGICミラーを介して入射端まで通過させ、照射位置の液体キセノンに到達させることにより、EUVを放射するLPPを形成することをさらに備える。また、この方法は、GICミラーを使用して、LPPからのEUVの一部をGICミラーの入射端で集光し、集光したEUVをGICミラーの出射端から出射し、中間焦点に焦点スポットを形成することを備える。上述の方法は、中間焦点に近傍に放射線集光強化装置RCEDを配置することをさらに備えることが好ましい。RCEDは、少なくとも一つの漏斗部を有する。少なくとも一つの漏斗部は、軸方向において中間焦点の少なくとも片側に配置される。また、少なくとも一つの漏斗部は、中間焦点に近接した幅狭端を有する。上述の方法は、GICミラーの出射端と中間焦点との間に上流漏斗部を設けると共に、上流漏斗部を使用して、通常は中間焦点に導かれないEUVの一部を中間焦点に導くことと、中間焦点からEUVを集光し、集光したEUVを下流位置に導くように、GICミラーとは反対側の中間焦点に隣接する位置に下流漏斗部を設けることをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、キセノンガスから液体キセノンを形成することと、照射位置に開口を有する管に液体キセノンを流すことをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、多層コーティングを含まない第1反射面を有するGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、Ruコーティング及び多層コーティングのいずれかを有するGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、第1反射面と第2反射面とを有する少なくとも一つの区画化GICシェルを備えるGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。ここで、第2反射面は多層コーティングを有する。上述の方法は、中間焦点においてEUVから凝縮EUVを形成し、凝縮EUVを反射レチクルに照射することをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから投影光学システムを使用して感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成することをさらに備えることが好ましい。本発明の他の態様は、LPPターゲットシステムである。このLPPターゲットシステムは、レーザ光源と液体キセノン源とを備える。レーザ光源は、パルスレーザ光線を生成する。液体キセノン源は、液体キセノンがパルスレーザに照射されてEUVを生成する照射位置を通過するように液体キセノンを流すように構成される。上述のLPPターゲットシステムは、キセノンマスフローシステム、キセノン液化部およびキセノン回収部をさらに備えることが好ましい。キセノンマスフローシステムは、ガス流管に測定流量のキセノンガスを供給するように構成される。キセノン液化部は、ガス流管を介してキセノンマスフローシステムに流体接続され、キセノンガスを液化し、液体キセノンを形成するように構成される。また、キセノン回収部は、管を介してキセノン液化部に流体接続されている。管は、キセノン液化部からキセノン回収部に液体キセノンが流れることを可能とする。また、この管は、レーザ光線を照射位置で液体キセノンに入射可能にする開口を有する。本発明のさらなる特徴および利点は、下記の詳細な説明発明を実施するための形態に明記されている。また、それらの一部は、詳細な説明の記載内容から当業者にとって直ちに明白となるか、下記の詳細な説明、特許請求の範囲、添付図面を含む、ここに記載された発明を実施することによって認識される。本願では、一般に、GICが開示され、特に、EUVリソグラフィシステムに利用される光源集光モジュールSOCOMOを形成するために使用されるGICミラーが開示される。なお、EUVリソグラフィシステムは、LLP方式のEUV光源を有する。図3A及び図3Bは、LPPGIC型SOCOMO以下、SOCOMOと称す100の一般例の概略図である。本図では、LPP24及び中間焦点IFはGICミラーMGの反対側に位置する。GICミラーMGは、入射端3および出射端5を有する。LPP24を生成するLPPターゲットシステム40についても図示されており、以下、LPPターゲットシステム40の例について詳細に議論する。図3Bにおいて、LPPGIC型SOCOMO100は、さらに放射線集光強化装置RCED110を選択的に備えている。RCED110については米国特許仮出願第61/341,806号発明の名称:EUVの集光を強化したEUV集光システムに記載されており、当該仮出願は本出願に援用される。RCED110は、光学軸A1に沿って、GICミラーMG側で中間焦点IFおよび開口絞りASに隣接して配置される。RCED110は、開口絞りASを通過して中間焦点IFに達し焦点スポットFSを形成するEUV30の光量を増大させるように構成されている。この構成は、RCED110により方向転換され、開口絞りASを通過して中間スポットFSを形成する屈折EUV光線30Sにより図示されている。実施形態の一例では、RCED110は逆漏斗状部下流漏斗部111Dを備える。逆漏斗状部111Dは、中間焦点IFの下流に配置され、EUV30を中間焦点IFから下流位置例えば、後述の図10に示す照明光学系に導くように構成されている。こうした実施形態は、下流のイルミネータで投影されたEUV30をより均一な状態にし、レチクル面で良好に利用する際に有効となる。RCED110は、上流漏斗部111Uと下流漏斗部111Dを備えてもよい。なお、ここに記載する上流および下流は、中間画像IFの位置を基準に定義されている。RCED110は、上流漏斗部111U例えば図4を参照および下流漏斗部111Dのいずれかを備えてもよい。他の例では、RCED110は、別個の構成要素ではなく、連続型一体型の構成要素であり、上流漏斗部111Uと下流漏斗部111Dとを結合して、上流漏斗部と下流漏斗部とを有する一つの漏斗部111を形成する。一つの漏斗部111を使用する場合、漏斗部111を単純にRCED110と称する。図4は、図3Bの一般構成に基づくLPPGIC型SOCOMO100の一例の概略図である。図4のLPPGIC型SOCOMO100は、光源部41およびターゲット部42を備えるLPPターゲットシステム40を利用する。光源部41は、光学軸A1に垂直な軸A2に沿ってレーザ光線13を発するレーザ光源12を備える。また、光源部41は、光学軸A1及び軸A2の交点に光学軸A1に沿って配置される折り返しミラーFMを備える。なお、交点は、GICミラーMGと中間焦点IFとの間例えば、GICミラーMGとRCED110との間に位置する。これにより、マルチシェル型GICミラーMG図4の一例では、2つのGICシェルM1及びM2を有するが、光学軸1に沿ってLPP24と中間焦点IFとの間に配置される構成が実現する。詳細は後述するが、レーザ光線13をターゲット部42の焦点F13に焦点合わせし、LPP24を形成する際に、レーザ光源12に隣接するレンズ17がこれを補助する。一実施形態において、GICシェルM1及びM2は、各反射面にRuコーティング図示せずを有する。ターゲット部42は、光学軸A1に沿って-X方向にGGICミラーMGを進行するレーザ光線13によって照射される。これにより、ほぼX方向に放射されるEUV30が生成される。折り返しミラーFMによる軸方向の広がりは最小となっている。したがって、レーザ光線13はほぼ光学軸A1に沿ってGICミラーMGを一方向即ち、-X方向に進行し、EUV30はほぼ反対方向即ち、X方向にGICミラーMG,RCED110を進行し、中間焦点IFに到達する。LPPターゲットシステム図5Aは、EUV30を生成する液体キセノン源を構成するターゲット部42の一例の概略側面図である。図5Bは、図5Aのターゲット部42のより詳細な概略図である。ターゲット部42は、内部空間122を有する真空チャンバ120を備える。真空システム126は、真空チャンバ120の内部空間122に空気圧接続されており、内部空間122を真空状態にするように動作可能である。図中、ターゲット部42は、キセノンマスフローシステム130を備える。キセノンマスフローシステム130は、典型的には真空チャンバ120の外側に配置される。キセノンマスフローシステム130は、測定流量のキセノンガス116Gをガス流管132に供給するように構成されている。真空チャンバ120の内部空間122には、キセノン液化部140が配置されている。キセノン液化部140は、ガス流管132を介してキセノンマスフローシステム130に流体接続されている。また、真空チャンバ120の内部空間122には、キセノン回収部150が配置されている。キセノン回収部150は、毛細管154を介してキセノン液化部140に流体接続されており、液体キセノン116は、キセノン液化部140から毛細管154を介してキセノン回収部150に流れる。毛細管154は開口158を有し、後述するように、その開口158によって、集束レーザ光線13が流体キセノン116に入射し、EUV30を形成することができる。また、キセノン液化部140とキセノン回収部150とは、戻し管160を介して流体接続されている。その戻し管160によって、キセノンガス116Gがキセノン回収部150からキセノン液化部140に戻り、未使用のキセノンEUV30を生成するホットプラズマに変化していないキセノンがリサイクルされる。加熱部166は、戻し管160に配置され、液体キセノン116Lをキセノンガス116Gに変化させるように動作可能である。これにより、キセノン液化部140とキセノン回収部150との間に熱サイフォンが形成される。実施形態の一例では、キセノン液化部140およびキセノン回収部150はそれぞれ冷却部170を備える。冷却部170は、動作可能に配置され、キセノンガス116Gを凝縮する役割を果たす。一例では、冷却部170は、それぞれ冷却液源174図5Bを参照からの冷却液図示せずの流れを支持する各冷却ライン172を備える。図5Bに示す実施形態の一例では、キセノン液化部140およびキセノン回収部150は、格納容器180の内部182に収容されている。また、格納容器180は、冷却部170を備える。冷却部170は、複数の冷却ライン172および冷却液源174を有する。図では、格納容器180上の冷却ライン172の一部のみを簡略化して示す。図5Bを参照すると、一例では、真空チャンバ120および格納容器180に開口190が形成されている。一例では、開口190は幅狭端192と幅広端194を有する円錐形状であり、幅狭端192が開口158に位置する。一例では、幅広端194は、フランジ図示せずを有し、このフランジを介して、LPPGIC型SOCOMO100の他の構成要素に関連する隣接した真空チャンバ図示せずに接続される。一例において、真空チャンバ120には、少なくとも一つの温度センサTSが設けられており、真空チャンバ120の内部空間122の温度が監視される。ターゲット部42は、制御部200を備えている。制御部200は、真空システム126、キセノンマスフローシステム130、キセノン液化部140、キセノン回収部150例えば、複数の冷却部170、温度センサTS、LPPターゲットシステム40の光源部41のレーザ光源12図4参照に動作可能に接続されている。一例において、制御部200は、コンピュータ読み込み可能な媒体メモリに指示ソフトウェアを保存可能なパーソナルコンピュータを備え、コンピュータに搭載されたプロセッサを介して当該指示を実行させ、LPPターゲットシステム40がLPP24を生成するように動作させる。図5A、5Bを参照すると、ターゲット部42の動作時、制御部200は、真空システム126に信号Sg0を送信する。これにより、真空システム126は、真空チャンバ120の内部空間122を真空状態にする。ここで、真空チャンバ120は、LPPGIC型SOCOMO100を収容するより大型の真空チャンバ図示せずに接続されるか、その一部であることが想定されている。また、制御部200は、キセノンマスフローシステム130に信号Sg1を送信する。これにより、キセノンマスフローシステム130は、ガス流管132を介してキセノン液化部140に測定流量のキセノンガス116Gを供給する。また、制御部200は、キセノン液化部140に信号Sg2を送信し、キセノン回収部150に信号Sg3を送信する。これにより、キセノン液化部140およびキセノン回収部150は、キセノンガス116Gを凝縮させる。そして、液体キセノン116Lがキセノン液化部140からキセノン回収部150に向かって毛細管154内を流れ始める。実施形態の一例では、この処理において、対応する冷却液源174を起動して、対応する冷却ライン172に冷却液を流すことが含まれる。また、制御部200は、戻し管160に配置される加熱部166に信号Sg4を送信する。加熱部166からの熱は、液体キセノン116Lをキセノンガス116Gに変化させる役割を果たす。これにより、キセノン液化部140とキセノン回収部150との間に熱サイフォンが形成される。さらに、制御部200は、光源部41内のレーザ光源12図4に信号Sg5を送信し、レーザ光線13を形成し始める。また、制御部200は、真空チャンバ120の内部空間122の温度情報を含む温度センサTSからの温度信号Sg6を受信する。実施形態の一例では、冷却部170の動作を制御して格納容器180だけでなくキセノン液化部140およびキセノン回収部150のそれぞれの温度を制御するために、この温度情報が使用される。液体キセノン116Lが毛細管154を通過する際、液体キセノン116Lの一部が開口158で露出する。レーザ光線13を開口158に集束することにより、開口158で液体キセノン116Lが、集光されたレーザ光線13に照射され、その結果、ほぼX方向にEUV30を放出するLPP24透過図が形成される。液体キセノン116Lが連続的に開口158を通過して流れることにより、LPP24の繰り返し率が高くなり、生成時間が長くなる。液体キセノン116Lの一部は、レーザ光線13に照射されることなく、毛細管154を通過する。この液体キセノン116Lは、キセノン回収部150に回収され、戻し管160に配置された加熱部166による熱サイフォン作用を通じて、キセノン液化部140にリサイクルされる。上述の通り、制御部200は、温度センサTSから受信される温度信号Sg6により、各冷却部170の動作を通じて、真空チャンバ120の内部空間122の温度と、内部空間122に配置される格納容器180の温度とを制御することができる。本発明のキセノン方式のLPPターゲットシステム40の利点は、液体キセノン116Lから形成される塵埃が最小限であること、また、キセノンを大量に供給することができ、基本的に閉ループ流体流路である点を考慮すると、実行時間が比較的長いことにある。多層第1ミラーのないSOCOMOLPPGIC型SOCOMO100の一構成例では、多層コートが設けられていない第1ミラーが設けられている。即ち、EUV30が最初に入射する最初に反射するミラーまたはミラー部が、多層コーティング18を有していない。LPPGIC型SOCOMO100の他の構成例では、第1ミラーは、実質的に斜入射ミラーである。また、他の実施形態では、第1ミラーが多層コーティング18を有してもよい。LPPGIC型SOCOMO100の主な利点は、その性能が多層被覆反射面の残存に依存しない点にある。一実施形態例に係るGICミラーMGは、例えば、図6に示されるGICシェルM1等のような、少なくとも一つの区画化GICシェルを有している。GICシェルM1は、2つのミラー区画、即ち、第1面Sf1を有するミラー区画M1Aと、第2面Sf2を有するミラー区画M1Bとを有することが示されている。第1面Sf1により第1反射が行われしたがって、第1ミラーであり、第2面Sf2により第2反射が行われる。なお、第2反射はLPP24の目標線上に位置しない。一実施形態例では、第2面Sf2が、多層コーティング18を支持する。これは、EUV30が一旦反射されると、その強度が相当弱められると共に、通常はLPP24が目標線上に位置しないため、多層コーティング18に入射するイオン及び中性原子の量が最小になるからである。GIC型SOCOMO対NIC型SOCOMOLPPNIC型SOCOMO10とLPPGIC型SOCOMO100とには、あるトレードオフの関係が成立する。例えば、LPP24からのEUV30の特定の集光角度に関しては、LPPNIC型SOCOMO10は、LPPGIC型SOCOMO100よりもコンパクトに設計することができる。また、LPPNIC型SOCOMO10は、原則、光学軸A1に対して90°を超える角度で、Sn光源20から放射されたEUV30を集光するように設計することができ、集光効率をより高めることができる。しかし、NICの径が過度に大きくなる、または、EUV30が中間焦点IFにおいて光学軸A1となす角度が過度に大きくなるので、通常、上記の利点が実際に利用されることはない。また、LPPGIC型SOCOMO100により生成される遠隔フィールドの強度分布は、GICシェルM1及びM2の厚みの影と、複数のGICミラーMGを支持する機械的構造体の厚みの影とが原因でさらに広がる。しかし、本発明において以下議論する実施形態では、GICの表面が、表面補正機能を有している。この表面補正機能により、GICの複数のシェルの厚みによる陰影効果が低減され、中間焦点IFにおける中間スポットFSの均一性が向上する。さらに、LPPGIC型SOCOMO100は、LPPNIC型SOCOMO10に比べて、中間焦点IFにおいて一般的により大きな中間スポットFSを形成する。こうした大きさの相違は、主としてGICミラーの形状誤差に関係があり、技術進歩に伴い低減されつつある。全体としては、LPPGIC型SOCOMO100から得られる利益、即ち、より長い動作寿命、費用の低減、簡素であること、維持費用および問題の低減が、上記のトレードオフを上回るものであると一般に考えられている。LPPGIC型SOCOMO用GICミラーの一例図7は、LPPGIC型SOCOMO100用のGICミラーMGの一例の概略部分側面図である。一例として、光学設計上、図7のGICミラーMGは、実際には、図8に示されるように、光学軸A1周りに対称な円筒状の8つの入れ子状GICシェル250から構成されている。この例では、GICシェル250の数を最小化するために、3つの最内部GICシェル250は楕円形を有し、残りの5つの最外部GICシェル250は、楕円形かつ双曲線状の断面を有する軸外し二重反射設計に基づいている。なお、このようなGICミラーMGは、欧州特許出願公報第EP1901126A1発明の名称:コレクタ光学システム等に記載されており、当該公報は本出願に援用される。図7は、2つの最外部GICシェル250を図示している。当該最外部GICシェル250は、それぞれ、楕円形部250Eおよび双曲線部250Hを有する。また、図7には、光源焦点SF、仮想共通焦点CFおよび中間焦点IFに加えて、GICシェル250の楕円形部250Eおよび双曲線部250Hそれぞれの軸AEおよび軸AHが図示されている。仮想共通焦点CFと中間焦点IFとの間の距離は、ΔLである。仮想共通焦点CFは、光学軸A1から距離Δr分だけオフセットされている。光学軸A1周りに楕円形部250Eおよび双曲線部250Hの断面を1回転させることで、光学面全体が得られる。GICミラーMGの一例の設計例が、下記の表1及び表2に掲載されている。当該設計の主な光学パラメータは、aLPP24と中間焦点IFとの間の距離ΔL=2400mm、bLPP側の最大集光角度=70.7°である。一実施形態例では、各GICシェル250はRuコーティングを有し、各EUV波長での反射率が改善される。複数のGICシェル250の光学面がRuで被覆された場合、波長13.5nmのEUV30に対するGICミラーMGの理論上の集光効率は、LPP24からの2πステラジアン放射に対して37.6となる。LPPEUV光源は、放電生成プラズマDPPEUV光源に比べて随分小型典型的には、約10分の1の面積である。このため、LPP24を使用すれば、GICミラーMGの出射とイルミネータ入射との間の面積効率etendueを良好に一致させることができる。特に、LPP24における集光角度は、GICミラーMGとイルミネータの面積効率との不一致による効率損失が無視できる程度の状態または極めて限定的な状態で、極めて大きな値に増加し得る。一実施形態例において、集光半角は約70度または70度を超える。特定の集光器の光学設計に関して、遠隔フィールドにおける強度分布の均一性がDPP源よりも劣る傾向にあるという点で、LPP24の寸法には問題がある。事実、LPP24は、小型であるため、DPP源に比べて、複数のGICシェル250の厚みによる遠隔フィールドの影がよりくっきりとする傾向がある。こうした効果を少なくとも部分的に相殺するために、各GICシェル250に対して表面形状即ち光学プロファイル補正が加えられ、遠隔フィールドにおける強度分布の均一性が改善されている例えば、国際特許出願公報第WO2009-095219A1号発明の名称:EUV及びX線を適用する改良型斜入射集光器光学システムを参照。なお、当該公報は本出願に援用される。。このように、GICミラーMGの一実施形態例では、各GICシェル250は、GICシェルの2つの縁において、ゼロに等しい多項式補正放物線補正が重畳されている。なお、その値は、最大でも0.01mmである。表1および表2には、図10に示されるGICミラーMGの一設計例が示されている。ミラー番号は、特定のGICシェル250の番号であり、最内部GICシェル250から順に最外部GICシェル250まで付与されている。図9Aは、GICシェルのプロファイルを補正しない場合における、中間焦点IFにおける正規化遠隔フィールド位置と、そこに入射する光線の強度任意の単位との関係を表すプロットである。当該プロットは、中間焦点IFにおいて形成されるLPP24の中間画像即ち、中間スポットFSの均一性に関する測定値である。LPP24は、0.2mmの径を有する球体としてモデル化されている。図9Bは、複数のGICシェル250に上記補正を適用したことを除いて、先と同様のプロットである。図9Aのプロットと図9Bのプロットとを比較すると、図9Bの強度においては振幅が相当低減されており、複数のGICシェル250の表面形状を補正した結果、中間焦点IFにおける中間スポットFSでの遠隔フィールド均一性が著しく改善されていることがわかる。LPPGIC型SOCOMOを備えるEUVリソグラフィシステム図10は、本発明に係るEUVリソグラフィシステム以下、リソグラフィシステムと称す300の一例である。リソグラフィシステム300は、例えば、米国特許出願第US2004/0265712A1号、第US2005/0016679A1号、第US2005/0155624A1号に開示されており、当該出願は本出願に援用される。リソグラフィシステム300は、システム軸A3およびEUV光源LSを備えている。EUV光源LSは、LPPGIC型SOCOMOを備えている。LPPGIC型SOCOMOは、光学軸A1を有し、上述の液体キセノン方式のLPPターゲットシステム40を備えている。LPPターゲットシステム40は、λ=13.5nmの作用EUV30を放出するLPP24を生成する。LPPGIC型SOCOMO100は、上述の通り、GICミラーMGを備え、RCED110を選択的に備えている。一実施形態例において、GICミラーMGは、米国特許出願第12/592,735号に記載されるように冷却される。なお、当該米国特許出願は、本出願に援用される。また、一例においては、RCED110が冷却される。GICミラーMGは、EUV光源LSの下流側の近傍に配置されており、光学集光器軸A1がシステム軸A3に沿うようにして配置されている。GICミラーMGは、光源焦点SFに位置するEUV光源LSからの作用EUV30即ち、光線LRを集光する。そして、集光された放射光線は、中間焦点IFに中間光源像IS即ち、焦点スポットを結像する。RCED110は、中間焦点IFに通常は到達しないEUV30を中間焦点IFに到達させることにより、EUV30の集光を強化する。LPPGIC型SOCOMO100は、一例において、LPPターゲットシステム40、GICミラーMG及びRCED110を備えている。図3Bに関連して上述したRCED110の実施形態では、少なくとも一つの漏斗部111が備えられている。一例では、漏斗部111は、下流漏斗部111Dあり、EUV30を中間焦点IFの中間焦点焦点スポットFSから、下流位置例えば、中間焦点IFの下流に位置する照明光学系イルミネータの位置に導くように構成されている。他の例では、漏斗部111は、上流漏斗部111Uであり、中間焦点IFに中間焦点焦点スポットFSを形成するようにEUV30を導く。このとき、通常は中間焦点焦点スポットFSの形成に寄与しない放射線を集光することも含まれる。一例では、RCED110は、上流漏斗部111Uおよび下流漏斗部111Dの両方を備える。RCED110は、イルミネータで投影された放射線をより均一にし、レチクル面で良好に利用する役割を果たす。照明システム316は、入射端317および出射端318を有する。また、照明システム316は、入射端317がGICミラーMG側に配置された状態で、システム軸A3に沿ってGICミラーMGの下流側の近傍に配置されている。照明システム316は、入射端317において中間光源像ISからのEUV30を受け、出射端318において略均一なEUVビーム320即ち、凝縮EUVを出射する。リソグラフィシステムシステム300が走査型システムである場合、EUVビーム320は、典型的には、反射レチクル336を走査する略均一なライン状のEUV30として、反射レチクル336上に形成される。投影光学システム326は、屈折したシステム軸A3に沿って、照明システム316の下流に配置されている。投影光学システム326は、照明システム316の出射端318に対向する入射端327と、反対側の出射端328とを有する。反射レチクル336は投影光学システム326の入射端327に隣接して配置されており、半導体ウエハ340は投影光学システム326の出射端328に隣接して配置されている。反射レチクル336は、半導体ウエハ340に転写されるパターン図示せずを有し、半導体ウエハ340は感光性コーティング例えば、フォトレジスト層342を有する。動作時において、均一化されたEUVビーム320は、反射レチクル336を照射し、レチクル336によって反射される。そして、投影光学システム326によって、半導体ウエハ340の感光性コーティング342の表面上に、レチクル336上のパターンが結像される。走査型リソグラフィシステムシステム300では、反射レチクル像が感光性コーティング342の表面上を走査し、露光フィールド上にパターンが形成される。典型的には、反射レチクル336と半導体ウエハ340とを同期させて移動させることにより、走査が実行される。一旦、レチクルパターンが半導体ウエハ340に結像されて記録されると、パターン化された半導体ウエハ340は、標準的なフォトリソグラフィ技術および半導体プロセス技術を使用して処理される。その結果、複数の集積回路ICチップが形成される。なお、一般的にリソグラフィシステム300の構成要素は、図10に図示されるように、共通の屈折したシステム軸A3に沿って配置される。当業者であれば、例えば、照明システム316や投影光学システム326の様々な構成要素の入口軸および出口軸がオフセットされる場合もあり得ることは、理解される。当業者には明白であるが、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、本発明に対して様々な修正および変更を加えることができる。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲およびその均等範囲内において本発明の修正および変更を包含する。"