"物理特性の変化に基づき発生される電荷を検出する電荷検出部が一定の方向に配された素子部と、電荷検出部に対応して転送レジスタが配列され、電荷を転送レジスタにより転送する電荷転送部と、電荷転送部により転送された電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部、とを備え、電荷転送部は、電荷の転送方向である第1の方向において、電荷を出力する電荷出力部を有し、電荷電気信号変換部は、電荷出力部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有し、電荷入力部は、第1の方向に対して交差した第2の方向における電荷出力部の中央部からずれた位置に配置されている固体撮像装置。小信号転送時に電荷を集める役割を果たす障壁が電荷転送部に設けられており、障壁の電荷出力部側の出口は、電荷入力部と対向する位置に配置されている請求項1に記載の固体撮像装置。素子部は、電荷検出部が、直列的に配されており、電荷転送部は、電荷検出部の列ごとに設けられており、電荷電気信号変換部は、各列の電荷転送部により転送された電荷の量に対応する電気信号を生成する請求項1又は請求項2に記載の固体撮像装置。素子部は、電荷検出部がマトリクス状に配されており、電荷転送部は、電荷検出部の垂直列ごとに設けられるとともに、電荷検出部から出力された電荷を垂直方向に転送する垂直転送部と、垂直転送部から電荷が転送され、転送された電荷を水平方向に転送する水平転送部とで成り、電荷電気信号変換部は、水平転送部により転送された電荷の量に対応する電気信号を生成する請求項1又は請求項2に記載の固体撮像装置。物理特性の変化に基づき発生される電荷を検出する電荷検出部が配された素子部と、電荷検出部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有し、受け取った電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部、とを備え、素子部は、電荷の転送方向である第1の方向において、電荷検出部が検出した電荷を出力する電荷出力部を有し、電荷電気信号変換部は、電荷出力部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有し、電荷入力部は、電荷検出部から電荷入力部へ電荷が入力される第1の方向に対して交差した第2の方向における電荷検出部の中央部からずれた位置に配置されている固体撮像装置。素子部は、電荷検出部が、直列的又はマトリクス状に配されており、電荷電気信号変換部は、電荷入力部が各電荷検出部と対応した電荷出力部からの電荷を各別に受け取るように構成されており、又は、電荷入力部が各電荷検出部と対応した電荷出力部からの電荷を時分割で受け取るように構成されており、各電荷入力部が受け取った電荷の量に対応する電気信号を生成する請求項5に記載の固体撮像装置。電荷出力部の不要な電荷を第2の方向に掃捨て可能な余剰電荷掃捨部が電荷出力部に並設されており、電荷入力部は、第2の方向における電荷出力部の中央部よりも余剰電荷掃捨部側にずれた位置に配置されている請求項1乃至請求項6の何れか1項に記載の固体撮像装置。余剰電荷掃捨部は、電荷出力部の素子部とは反対側に配設されている請求項7に記載の固体撮像装置。余剰電荷掃捨部は、電荷出力部の素子部側に配設されている請求項7又は請求項8に記載の固体撮像装置。素子部は、電荷検出部に対して配線層が配される側と反対側から電磁波を取り込む裏面入射型の構造となっている請求項7乃至請求項9の何れか1項に記載の固体撮像装置。電荷出力部の第2の方向における幅を2Wとし、第2の方向における電荷出力部の中央部から電荷入力部までの距離をPとしたとき、距離PはW/5よりも長い請求項1乃至請求項10の何れか1項に記載の固体撮像装置。距離Pは3W/4よりも長い請求項11に記載の固体撮像装置。電荷出力部から電荷入力部までの第1の方向における距離と、電荷入力部を電荷出力部に射影した位置から余剰電荷掃捨部までの第2の方向における距離とが、同程度に設定されている請求項7乃至請求項10の何れか1項に記載の固体撮像装置。物理特性の変化に基づき発生される電荷を検出する電荷検出部により検出された電荷を出力する電荷出力部と、電荷出力部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有し、受け取った電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部、とを備え、電荷入力部は、電荷出力部から電荷入力部へ電荷が入力される第1の方向に対して交差した第2の方向における電荷出力部の中央部からずれた位置に配置されている電荷検出装置。電荷出力部の不要な電荷を第2の方向に掃捨て可能な余剰電荷掃捨部、を更に備え、電荷入力部は、第2の方向における電荷出力部の中央部よりも余剰電荷掃捨部側にずれた位置に配置されている請求項14に記載の電荷検出装置。複数の転送レジスタが配列され、電荷を転送レジスタにより転送する電荷転送部と、電荷転送部により転送された電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部、とを備え、電荷転送部は、電荷の転送方向である第1の方向において、電荷を出力する電荷出力部を有し、電荷電気信号変換部は、電荷出力部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有し、電荷入力部は、第1の方向に対して交差した第2の方向における電荷出力部の中央部からずれた位置に配置されている電荷転送装置。電荷出力部の不要な電荷を第2の方向に掃捨て可能な余剰電荷掃捨部が、複数の転送レジスタ及び電荷出力部に並設されており、電荷入力部は、第2の方向における電荷出力部の中央部よりも余剰電荷掃捨部側にずれた位置に配置されている請求項16に記載の電荷転送装置。小信号転送時に電荷を集める役割を果たす障壁が電荷転送部に設けられており、障壁の電荷出力部側の出口は、電荷入力部と対向する位置に配置されている請求項16又は請求項17に記載の電荷転送装置。物理特性の変化に基づき発生される電荷を検出する電荷検出部が一定の方向に配された素子部と、電荷検出部に対応して転送レジスタが配列され、電荷を転送レジスタにより転送する電荷転送部と、電荷転送部により転送された電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部と、電荷検出部に電磁波を導く入射系、とを備え、電荷転送部は、電荷の転送方向である第1の方向において、電荷を出力する電荷出力部を有し、電荷電気信号変換部は、電荷出力部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有し、電荷入力部は、第1の方向に対して交差した第2の方向における電荷出力部の中央部からずれた位置に配置されている撮像装置。物理特性の変化に基づき発生される電荷を検出する電荷検出部が一定の方向に配された素子部と、電荷検出部に対応して転送レジスタが配列され、電荷を転送レジスタにより転送する電荷転送部と、電荷転送部により転送された電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部と、とを有する固体撮像装置を備えた電子機器であって、電荷転送部は、電荷の転送方向である第1の方向において、電荷を出力する電荷出力部を有し、電荷電気信号変換部は、電荷出力部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有し、電荷入力部は、第1の方向に対して交差した第2の方向における電荷出力部の中央部からずれた位置に配置されている電子機器。当該技術分野では、電荷出力部で扱うことが可能な電荷量を超過して電荷電気信号変換部に設けた電荷入力部に余剰電荷が溢れる現象を抑制することのできる新たな技術が求められている。本開示は、電荷出力部で扱うことが可能な電荷量を超過して電荷電気信号変換部に設けた電荷入力部に余剰電荷が溢れる現象を抑制することのできる新たな技術を提供することを目的とする。第1の態様に係る固体撮像装置は、物理特性の変化に基づき発生される電荷を検出する電荷検出部が一定の方向に配された素子部と、電荷検出部に対応して転送レジスタが配列され、電荷を転送レジスタにより転送する電荷転送部と、電荷転送部により転送された電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部、とを備える。電荷転送部は、電荷の転送方向である第1の方向において、電荷を出力する電荷出力部を有する。電荷電気信号変換部は、電荷出力部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有する。電荷入力部は、第1の方向に対して交差した第2の方向における電荷出力部の中央部からずれた位置に配置されている。第2の態様に係る固体撮像装置は、物理特性の変化に基づき発生される電荷を検出する電荷検出部が配された素子部と、電荷検出部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有し、受け取った電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部、とを備える。素子部は、電荷の転送方向である第1の方向において、電荷検出部が検出した電荷を出力する電荷出力部を有する。電荷電気信号変換部は、電荷出力部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有する。電荷入力部は、電荷検出部から電荷入力部へ電荷が入力される第1の方向に対して交差した第2の方向における電荷検出部の中央部からずれた位置に配置されている。第1或いは第2の態様に係る固体撮像装置の従属項に記載された各固体撮像装置は、第1或いは第2の態様に係る固体撮像装置のさらなる有利な具体例を規定する。第3の態様に係る電荷検出装置は、物理特性の変化に基づき発生される電荷を検出する電荷検出部により検出された電荷を出力する電荷出力部と、電荷出力部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有し、受け取った電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部、とを備える。電荷入力部は、電荷出力部から電荷入力部へ電荷が入力される第1の方向に対して交差した第2の方向における電荷出力部の中央部からずれた位置に配置されている。第3の態様に係る電荷検出装置は、第1或いは第2の態様に係る固体撮像装置の従属項に記載された各技術手法が同様に適用可能であり、それが適用された構成は、第3の態様に係る電荷検出装置のさらなる有利な具体例を規定する。第4の態様に係る電荷転送装置は、複数の転送レジスタが配列され、電荷を転送レジスタにより転送する電荷転送部と、電荷転送部により転送された電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部、とを備える。電荷転送部は、電荷の転送方向である第1の方向において、電荷を出力する電荷出力部を有する。電荷電気信号変換部は、電荷出力部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有する。電荷入力部は、第1の方向に対して交差した第2の方向における電荷出力部の中央部からずれた位置に配置されている。第4の態様に係る電荷転送装置は、第1或いは第2の態様に係る固体撮像装置の従属項に記載された各技術手法が同様に適用可能であり、それが適用された構成は、第4の態様に係る電荷転送装置のさらなる有利な具体例を規定する。第5の態様に係る撮像装置は、物理特性の変化に基づき発生される電荷を検出する電荷検出部が一定の方向に配された素子部と、電荷検出部に対応して転送レジスタが配列され、電荷を転送レジスタにより転送する電荷転送部と、電荷転送部により転送された電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部と、電荷検出部に電磁波を導く入射系、とを備える。電荷転送部は、電荷の転送方向である第1の方向において、電荷を出力する電荷出力部を有し、電荷電気信号変換部は、電荷出力部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有し、電荷入力部は、第1の方向に対して交差した第2の方向における電荷出力部の中央部からずれた位置に配置されている。第5の態様に係る撮像装置は、第1或いは第2の態様に係る固体撮像装置の従属項に記載された各技術手法が同様に適用可能であり、それが適用された構成は、第5の態様に係る撮像装置のさらなる有利な具体例を規定する。第6の態様に係る電子機器は物理特性の変化に基づき発生される電荷を検出する電荷検出部が一定の方向に配された素子部と、電荷検出部に対応して転送レジスタが配列され、電荷を転送レジスタにより転送する電荷転送部と、電荷転送部により転送された電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部と、とを有する固体撮像装置を備える。電荷転送部は、電荷の転送方向である第1の方向において、電荷を出力する電荷出力部を有する。電荷電気信号変換部は、電荷出力部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有する。電荷入力部は、第1の方向に対して交差した第2の方向における電荷出力部の中央部からずれた位置に配置されている。第6の態様に係る電子機器は、第1或いは第2の態様に係る固体撮像装置の従属項に記載された各技術手法が同様に適用可能であり、それが適用された構成は、第6の態様に係る電子機器のさらなる有利な具体例を規定する。要するに、第1の態様に係る固体撮像装置、第2の態様に係る固体撮像装置、第3の態様に係る電荷検出装置、第4の態様に係る電荷転送装置、第5の態様に係る撮像装置、及び、第6の態様に係る電子機器においては何れも、電荷出力部の中央部からずれた位置に電荷入力部を配置している。電荷出力部の中央部に電荷入力部を配置している場合と対比した場合、余剰電荷は外側に溢れ易くなるので、余剰電荷が電荷入力部に溢れる現象が緩和される。第1の態様に係る固体撮像装置、第2の態様に係る固体撮像装置、第3の態様に係る電荷検出装置、第4の態様に係る電荷転送装置、第5の態様に係る撮像装置、及び、第6の態様に係る電子機器によれば、電荷入力部に余剰電荷が溢れる現象を、電荷出力部の中央部からずれた位置に電荷入力部を配置すると云った簡単な構造で抑制することができる。余剰電荷の電荷入力部への漏込みを抑制することができるので、高性能の各種の装置機器例えば高画質の固体撮像装置や撮像画像を扱う電子機器を提供することができる。以下、図面を参照して、本明細書で開示する技術の実施形態について詳細に説明する。各機能要素について形態別に区別する際には、A,B,C,...等のようにアルファベットの参照子を付して記載し、特に区別しないで説明する際にはこの参照子を割愛して記載する。図面においても同様である。説明は以下の順序で行なう。1.全体概要2.撮像装置の全体構成3.CCD型の固体撮像装置と周辺部の概要エリアセンサ4.電荷入力部との接続構造実施例1:撮像エリアと反対側のオーバーフロードレイン側に片寄って配置実施例2:撮像エリア側のオーバーフロードレイン側に片寄って配置実施例3:実施例1実施例2実施例4:実施例3から小信号障壁を取外し5.変形例第1変形例:CCD型の固体撮像装置リニアセンサ第2変形例:電荷検出装置単独の構成への適用第3変形例:電荷転送装置単独の構成への適用第4変形例:CMOS型の固体撮像装置の画素への適用その他の電子機器への適用例<全体概要>[固体撮像装置、電荷検出装置、電荷転送装置、撮像装置、電子機器]先ず、基本的な事項について以下に説明する。第1及び第2の態様に係る固体撮像装置、第3の態様に係る電荷検出装置、第4の態様に係る電荷転送装置、第5の態様に係る撮像装置、並びに、第6の態様に係る電子機器と対応する本実施形態の構成においては、電荷出力部の中央部からずれた位置に電荷入力部を配置する。このような簡単な構造により、電荷入力部に余剰電荷が溢れる現象を抑制することができる。因みに、電荷電気信号変換部には、電荷入力部の他に、例えばトランジスタ等で構成された電荷電気信号変換機能を持つ増幅回路を備える。電荷入力部としては、フローティングディフュージョンやフローティングゲート等が代表的であるが、これらには限定されない。本実施形態の構成における第1の固体撮像装置では、電荷検出部に対応して転送レジスタが配列され、電荷を転送レジスタにより転送する電荷転送部を備えるし、又、電荷転送部により転送された電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部も備える。そして、電荷出力部は、電荷転送部における電荷の転送方向である第1の方向において電荷を出力するように設けられる。電荷転送部としては、例えばCCD型が代表的であるが、これに限らず、電荷を順次転送する構造のものであればよく、例えばCPTChargePrimingTransfer型やBBDBucketBrigadeDelay型等でもよい。このような電荷転送部を備える構成にあっては、小信号転送時に電荷を集める役割を果たす障壁が電荷転送部に設けられているのが好ましく、更には、障壁の電荷出力部側の出口を電荷入力部と対向する位置に配置するとよい。この構成では、特に小信号時における電荷電気信号の変換効率が良好になる。本実施形態の構成における第1の固体撮像装置においては、電荷検出部が直列的に配されている素子部を備えた、いわゆるリニアセンサでもよい。直列的とは、全体して長尺状であることを意味し、例えば、電荷検出部が1例に直線状に配置されることが典型例であるが、これに限らず、2列或いは3列等複数列に亘って電荷検出部が直線状に設けられていてもよいし、列数に拘わらず千鳥状に電荷検出部が配されていてもよい。本実施形態の構成における第1の固体撮像装置においては、電荷検出部がマトリクス状に配されている素子部を備えた、いわゆるエリアセンサでもよい。マトリクス状とは、電荷検出部が全体して2次元状に配されることを意味し、例えば、縦方向と横方向にそれぞれ1列に配される形態が典型例であるが、これに限らず、斜め格子状やハニカム状等でもよい。これらの場合、電荷転送部は、電荷検出部の垂直列ごとに設けられるとともに、電荷検出部から出力された電荷を垂直方向に転送する垂直転送部と、垂直転送部から電荷が転送され、転送された電荷を水平方向に転送する水平転送部とで成る。そして、電荷電気信号変換部は、水平転送部により転送された電荷の量に対応する電気信号を生成する。つまり、エリアセンサである点で後述の第2の固体撮像装置におけるエリアセンサと同様であるが、電荷出力部及び電荷電気信号変換部電荷入力部もが素子部の外部に設けられる点で異なる。例えば、CCD型のエリアセンサが代表的であるが、これには限らない。因みに、CCD型の転送部は、CCD自身が電磁波に対しての検知機能を持つので、信号転送路としても使用する場合、電磁波が当たっている素子で信号の転送が行なわれると、いわゆるスミア現象と称されるノイズが発生する。これを避けるために、例えば、IT-CCDInterlineTransferCCD、FIT-CCDFrameInterlineTransferCCD、FT-CCDFrameTransferCCDや、デジタルスチルカメラでは機械的シャッタを併用したFFT-CCDFullFrameTransferCCD等があるが、本実施形態の構成における第1の固体撮像装置は、これらの何れにも適用される。本実施形態の構成における第2の固体撮像装置では、素子部における電荷検出部の配列形態は、直列的又はマトリクス状の何れでもよい。直列的やマトリクス状に関しては、第1の固体撮像装置の場合と同様である。電荷電気信号変換部は、電荷入力部が各電荷検出部と対応した電荷出力部からの電荷を各別に受け取るように構成する。或いは、電荷入力部が各電荷検出部と対応した電荷出力部からの電荷を時分割で受け取るように構成された、いわゆる画素共有構造にしてもよい。電荷電気信号変換部が何れの場合であっても、各電荷入力部が受け取った電荷の量に対応する電気信号を電荷電気信号変換部が生成する。直列的に電荷検出部を配すればいわゆるリニアセンサとなるし、マトリクス状に電荷検出部を配すればいわゆるエリアセンサとなる。但し、第1の固体撮像装置とは異なり、垂直転送部や水平転送部は備えられず、電荷検出部から入力された電荷を受け取る電荷入力部を有し、受け取った電荷の量に対応する電気信号を生成する電荷電気信号変換部を備える。即ち、第2の固体撮像装置と前述の第1の固体撮像装置におけるリニアセンサやエリアセンサとの関係では、電荷出力部及び電荷電気信号変換部電荷入力部もが素子部内に設けられる点で異なる。例えば、近年、低消費電力化やシステムの小型化の点でCCD型イメージセンサよりも有利な増幅型の固体撮像装置、例えばCMOS型イメージセンサが広く用いられるようになってきている。このような増幅型の固体撮像装置において画素信号を外部に読み出すには、複数の単位画素が配列されている画素部に対してアドレス制御をし、個々の単位画素からの信号を決められたアドレスの順または任意に選択して読み出す。つまり、増幅型の固体撮像装置は、アドレス制御型の固体撮像装置の一例である。或いは、単位画素がマトリクス状に配された形態では、画素そのものに増幅機能を持たせるために、MOS構造等の能動素子MOSトランジスタを用いて画素を構成している。例えば、光電変換素子であるフォトダイオードに蓄積された信号電荷光電子やホールを能動素子で増幅し、画像情報として読み出す。この種のアドレス制御型の固体撮像装置では、例えば、画素トランジスタが2次元行列状に多数配列されて画素部が構成され、ライン行ごとあるいは画素ごとに入射光に対応する信号電荷の蓄積が開始され、その蓄積された信号電荷に基づく電流または電圧の信号がアドレス指定によって各画素から順に読み出される。ここで、MOSCMOSを含む型においては、アドレス制御の一例として、1行分を同時にアクセスして行単位で画素信号を画素部から読み出す方式いわゆるカラム読出し方式が多く用いられている。本実施形態の構成における第2の固体撮像装置は、このような増幅型或いはアドレス制御型の固体撮像装置に適用される。本実施形態の構成においては、好ましくは、電荷出力部の不要な電荷を第2の方向に掃捨て可能な余剰電荷掃捨部を更に備える積極的に設けるとよい。いわゆる横型オーバーフロードレイン構造を設けるのが好ましい。この場合、電荷入力部は、第2の方向における電荷出力部の中央部よりも余剰電荷掃捨部側にずれた位置に配置されているのがよい。余剰電荷掃捨部を積極的に設けずに電荷出力部の中央部からずれた位置に電荷入力部を配置しただけでは、第2の方向への不要電荷の掃捨て先が十分に確保されず、十分な効果が得られ難いが、余剰電荷掃捨部を備え、その近傍に電荷入力部を配置することで、不要電荷の電荷入力部への漏れ込みを抑制し易くなる。因みに、電荷出力部と電荷入力部との間に設けられる第1の障壁バリア、ゲート部のポテンシャルと、電荷出力部と余剰電荷掃捨部特にオーバーフロードレインとの間に設けられる第2の障壁のポテンシャルとには差を付け、第1の障壁よりも第2の障壁を低くするとよい。電荷検出部が複数列に亘って設けられていている場合に、余剰電荷掃捨部を設ける場合には、各列について余剰電荷掃捨部を設けてもよいし、1列の余剰電荷掃捨部が複数列に共用される構成にしてもよい。例えば、2列に亘って電荷検出部が配されている場合に、その2列の中間で列を成すように余剰電荷掃捨部を配置してもよい。本実施形態の構成においては、余剰電荷掃捨部は、電荷出力部の素子部とは反対側に配設されていてもよい。或いは、電荷出力部の素子部とは反対側に配設されていてもよい。詳しくは、転送レジスタが素子部を超える超過領域まで配設されている場合、余剰電荷掃捨部は、超過領域における素子部側に配設されていてもよい。これらの双方を併用して、素子部とは反対側及び素子部側に余剰電荷掃捨部が配設されていてもよく、この場合、電荷入力部は、それら余剰電荷掃捨部の何れか一方側にのみ配置してもよいし、両方の余剰電荷掃捨部側に配置してもよい、つまり、電荷入力部を複数箇所に配置してもよい。この場合、電荷入力部ごとに増幅回路を設けてもよいし、1つの増幅回路が複数箇所の電荷入力部に共用される構成にしてもよい。因みに、ここでで説明した構成は、素子部との関係で規定しており、第1の固体撮像装置にのみ適用可能である。固体撮像装置は、大きくは、配線層が配される側を表面側としたとき、表面側から入射光を取り込む表面入射型表面照射型とも称されると配線層が配される側と反対側の裏面側から入射光を取り込む裏面入射型裏面照射型とも称されるとに大別される。本実施形態の構成においては、好ましくは、裏面入射型の構造となっているとよい。この構成は、余剰電荷掃捨部を備える構成と組み合わせると利点が大きい。本実施形態の構成においては、電荷出力部の第2の方向における幅を2Wとし、第2の方向における電荷出力部の中央部から電荷入力部までの距離をPとしたとき、距離PはW/5よりも長いとよくP>W/5、好ましくは距離PはW/2よりも長いとよくP>W/2、更に好ましくは距離Pは3W/4よりも長いとよいP>3W/4。或いは、電荷出力部から電荷入力部までの第1の方向における距離と、電荷入力部を電荷出力部に射影した位置から余剰電荷掃捨部までの第2の方向における距離とが、同程度に概ね等しく設定されているとよい。同程度に概ね等しくであり、厳密に等しいことは要せず、常識の範囲内で多少の距離差があってもよい。固体撮像装置は、電磁波に対して感応性をする電荷検出部典型的には光電変換部を備えており、電荷検出部を利用して画像を取り込む画像取込部に適用可能であり、当該固体撮像装置を用いる撮像装置や電子機器全般に搭載して用いられる。例えば、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置カメラシステムに使用されるし、電子機器としては、携帯電話機等の撮像機能を有する携帯端末装置、画像読取部に固体撮像装置或いは撮像装置を用いる複写装置等が挙げられる。前述のように、固体撮像装置及び撮像装置はリニアセンサ及びエリアセンサを含む。即ち、固体撮像装置は、光や放射線等の外部から入力される電磁波に対して感応性をする単位構成要素例えば画素をライン状もしくはマトリクス状に複数個配列してなる物理量分布検知半導体装置の一態様と捉えることもできるし、撮像装置は物理量分布検知半導体装置を利用した物理情報取得装置物理量分布検知装置の一態様と捉えることもできる。本実施形態の構成は、光や放射線等の外部から入力される電磁波に対して感応性をする電荷検出部を備えた固体撮像装置に限らず、各種の物理量の変化を電荷量の変化として検知するあらゆるものに適用できる。例えば指紋に関する情報を圧力に基づく電気的特性の変化や光学的特性の変化に基づき指紋の像を検知する指紋認証装置等、その他の物理的な変化を検知する装置に適用可能である。例えば、タッチパネルにおける検出部に本開示の技術を適用できる。或いは、コンピュータ機器の分野では、指紋に関する情報を圧力に基づく電気的特性の変化や光学的特性の変化に基づき指紋の像を検知する指紋認証装置等が使われているが、これらは、単位構成要素固体撮像装置にあっては画素によって電気信号に変換された物理量分布を電気信号として読み出すものであり、本開示の技術を適用できる。電子機器に搭載されるカメラモジュールを撮像装置と称する場合もある。以下で説明する構成は、固体撮像装置及びこれを搭載した撮像装置で代表的に説明するが、これに限らず、撮像機能を有する各種の電子機器にも適用可能である。このことから理解されるように、請求項に記載の技術に限らず、電荷検出装置、電荷転送装置、或いは、固体撮像装置等と同様の機能部を備えた物理量分布検知半導体装置や物理情報取得装置を本開示が提案する技術として抽出することもできる。因みに、本明細書では、特段の断り例えば、この項で区別して説明した点のない限り、物理量分布検知半導体装置は固体撮像装置で代表して記述し換言すると物理量分布検知半導体装置は固体撮像装置を含み、物理情報取得装置は撮像装置で代表して記述する換言すると物理情報取得装置は撮像装置を含む。<撮像装置の全体構成>図1は、デジタルスチルカメラ等として適用される撮像装置1の一実施形態を示す概略構成図である。撮像装置1は、静止画撮像動作時にカラー画像を撮像し得るカメラとして適用される。撮像装置1は、固体撮像装置10、撮像レンズ50、及び、駆動制御部96を有する撮像装置モジュール3と、本体ユニット4とを備えている。駆動制御部96は、固体撮像装置10を駆動制御する駆動装置の一例である。本体ユニット4は、撮像装置モジュール3により得られる撮像信号に基づいて映像信号を生成しモニター出力したり所定の記憶メディアに画像を格納したりする機能部分を有する。固体撮像装置10としては例えば、CCD型あるいはMOSMetalOxideSemiconductorやCMOSComplementaryMetaloxideSemiconductor型の固体撮像装置が使用されるが、これらに限定されない。以下では、CCD型で説明する。駆動制御部96は、タイミング信号生成部40TGと、垂直ドライバ42VVDr及び水平ドライバ42HHDrを具備するドライバ42と、駆動電源46とを有する。タイミング信号生成部40は、固体撮像装置10を駆動するための各種のパルス信号を生成する。ドライバ42は、タイミング信号生成部40からのパルス信号を受けて、固体撮像装置10を駆動するためのドライブパルスに変換する。駆動電源46は、固体撮像装置10やドライバ42等に電源供給する。本例では、撮像装置モジュール3内の固体撮像装置10と駆動制御部96とにより固体撮像装置2が構成される。固体撮像装置10のみで固体撮像装置2として取り扱ってもよい。固体撮像装置2は、固体撮像装置10と駆動制御部96とが、1枚の回路基板上に配されたものとして提供されるものであるのがよい。撮像装置1の処理系統は、大別して、光学系5、信号処理系6、記録系7、表示系8、及び制御系9を備える。図示しないが、動作電源となる各種の電源を、これら各系統の供給対象に対して適宜供給する電源系も設けられる。撮像装置モジュール3及び本体ユニット4が、図示しない外装ケースに収容されて、実際の製品完成品が仕上がる。光学系5は、固体撮像装置10と撮像レンズ50とを備える。撮像レンズ50は、電荷検出部この例では固体撮像装置10のセンサ部に電磁波この例では光を導く入射系の一例であり、メカシャッタ52、被写体の光画像を集光するレンズ54、及び、光画像の光量を調整する絞り56を有する。光学系5は、被写体からの入射光像光を取り込んで固体撮像装置10の撮像面上に結像する。固体撮像装置10は、レンズ54で集光された光画像を光電変換して電気信号に変換する。メカシャッタ52は、固体撮像装置10のセンサ部電荷生成部における電荷の蓄積を停止させる機能を持つ機構的なシャッタである。被写体Zからの光Lは、シャッタ52及びレンズ54を透過し、絞り56により調整されて適度な明るさで固体撮像装置10に入射する。このとき、レンズ54は、被写体Zからの光Lからなる映像が、固体撮像装置10上で結像されるように焦点位置を調整する。信号処理系6は、バッファ部60CCDBUFFと、プリアンプ部62及びAD変換部64AnalogDigitalConverterを具備するアナログフロントエンド61AFEと、画像処理部66とを備える。バッファ部60は、固体撮像装置10から出力されたCCD出力信号を、劣化することなく、アナログフロントエンド61に供給するための受渡し機能を持つ部分であり、固体撮像装置10とは別の集積回路ICとされる。プリアンプ部62は、例えば、固体撮像装置10からの撮像信号をサンプリングすることによってノイズを低減させるCDSCorrelatedDoubleSampling:相関2重サンプリング回路や、撮像信号を増幅する増幅アンプや、撮像信号をクランプCLAMPするクランプ回路等を有する。AD変換部64は、プリアンプ部62が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換する。画像処理部66は、AD変換部64から入力されるデジタル信号に所定の画像処理を施す。画像処理部66は、例えば信号分離部、色信号処理部Cproc、輝度信号処理部Yproc等を有する。信号分離部は、色フィルタとして原色フィルタ以外のものが使用されているときにAD変換部64から供給されるデジタル撮像信号をR赤信号、G緑信号、B青信号纏めて原色信号RGBとも記すに分離する原色分離機能を具備する。色信号処理部は、信号分離部によって分離されたて原色信号RGBに基づいて色信号Cに関しての信号処理を行なう。例えば、ホワイトバランス補正、ガンマ補正、色差マトリクス処理等を行なう。輝度信号処理部は、信号分離部によって分離された原色信号RGBに基づいて輝度信号Yに関しての信号処理を行なう。例えば、高周波輝度信号生成処理と、低周波輝度信号生成処理と、輝度信号生成処理等を行なう。高周波輝度信号生成処理では、信号分離部から供給される原色信号RGBに基づいて比較的周波数が高い成分までをも含む輝度信号YHを生成する。低周波輝度信号生成処理では、ホワイトバランスが調整された原色信号RGBに基づいて比較的周波数が低い成分のみを含む輝度信号YLを生成する。輝度信号生成処理では、2種類の輝度信号YH及び輝度信号YLに基づいて輝度信号Yを生成する。輝度信号YLは露光制御にも利用される。記録系7は、メモリ72と、CODEC74CODEC:CodeDecode或いはCompressionDecompressionの略を備え、固体撮像装置10で撮像された動画又は静止画を、メモリ72に記録する。メモリ72は、画像信号を記憶するフラッシュメモリ等の記録媒体で構成されている。メモリ72に代えて、ビデオテープやDVD等の記録媒体を使用する構成にしてもよい。CODEC74は、画像処理部66が処理した画像信号を符号化してメモリ72に記録し、又、読み出して復号し画像処理部66に供給する。表示系8は、DA変換部82と、ビデオエンコーダ84と、ビデオモニター86とを備える。画像処理部66とDA変換部82は、一例として、纏めて、DSPDigitalSignalProcessorで構成される。DA変換部82は、画像処理部66が処理した画像データYデータ及びCデータをアナログ信号にする。ビデオエンコーダ84は、DA変換部82によりアナログ化された画像信号を後段のビデオモニター86に適合する形式のビデオ信号にエンコードする。例えば、色信号副搬送波に対応する色差信号R-Y及び色差信号B-Yを輝度信号Yと合成して、映像信号V=YSC:Sは同期信号、Cはクロマ信号に変換する。この際、必要に応じて、電荷転送装置の一例であるCCDディレイラインCCD-DLを信号遅延素子として使用して信号の同時化処理等を行なってもよい。ビデオモニター86は、液晶表示装置LCD;LiquidCrystalDisplayや有機ELElectroLuminescence表示装置等のパネル型表示装置を有し、入力される映像信号Vに対応する固体撮像装置10で撮像された動画又は静止画を表示する。制御系9は、カメラ制御部92と、露出コントローラ94露出制御部と、駆動制御部96と、操作部98とを備える。カメラ制御部92は、CPUCentralProcessingUnitやマイクロプロセッサmicroprocessorで構成された中央制御部92aと、読出専用の記憶部であるROMReadOnlyMemory、或いは随時読出し書込みが可能なメモリであるRAMRandomAccessMemory等を具備する記憶部92bや、図示を割愛したその他の周辺部材を有している。中央制御部92aは、コンピュータが行なう演算と制御の機能を超小型の集積回路に集約させたCPUを代表例とする電子計算機の中枢をなすものと同様である。カメラ制御部92は、システム全体を制御するものであり、例えば、撮像装置1のバス99に接続された画像処理部66、CODEC74、メモリ72、露出コントローラ94、及びタイミング信号生成部40を制御する。ROMにはカメラ制御部92の制御プログラム等が格納されている。RAMにはカメラ制御部92が各種処理を行なうためのデータ等が格納される。カメラ制御部92は、メモリカード等の記録媒体を挿脱可能に構成し、或いは又、インターネット等の通信網との接続が可能に構成するとよい。このためには、図示しないが例えば、カメラ制御部92は、中央制御部92aや記憶部92bの他に、メモリ読出部や通信I/Fインタフェースを備えるようにする。露出コントローラ94は、画像処理部66に送られた画像の明るさが適度な明るさを保つようにシャッタ52や絞り56を制御する。駆動制御部96は、固体撮像装置10から画像処理部66までの各機能部の動作タイミングを制御するタイミング信号生成部40タイミングジェネレータ;TG、ドライバ42、及び駆動電源46を有する。アナログフロントエンド61、タイミング信号生成部40、及びドライバ42を纏めて、CCDカメラフロントエンドとも称する。操作部98は、ユーザがシャッタタイミングやその他のコマンドを入力するためのユーザインタフェースであり、ユーザによる操作の下に撮像装置1が持つ様々な機能について操作指令を発する。ビデオモニター86は、撮像装置1のファインダの役割も担っている。ユーザが操作部98に含まれるシャッタボタンを押下した場合、カメラ制御部92は、タイミング信号生成部40に対し、シャッタボタンが押下された直後の画像信号を取り込み、その後は画像処理部66の図示しない画像メモリに画像信号が上書きされないように信号処理系6を制御させる。その後、画像処理部66の画像メモリに書き込まれた画像データは、CODEC74によって符号化されてメモリ72に記録される。以上のような撮像装置1の動作によって、1枚の画像データの取り込みが完了する。撮像装置1では、オートフォーカスAF、オートホワイトバランスAWB、自動露光AE等の自動制御装置を備えている。これらの制御は、固体撮像装置10から得られる出力信号を使用して処理する。例えば、露出コントローラ94は、画像処理部66に送られた画像の明るさが適度な明るさを保つようにその制御値がカメラ制御部92により設定され、その制御値に従って絞り56を制御する。例えば、カメラ制御部92が画像処理部66に保持されている画像から適当な個数の輝度値のサンプルを獲得し、平均値が予め定められた適当とされる輝度の範囲に収まるように絞り56の制御値を設定する。タイミング信号生成部40は、カメラ制御部92により制御され、固体撮像装置10、プリアンプ部62、AD変換部64、画像処理部66等の動作に必要とされるタイミングパルスを発生し、各部に供給する。操作部98は、ユーザが、撮像装置1を動作させるとき操作される。図示した例は、信号処理系6のプリアンプ部62及びAD変換部64を撮像装置モジュール3に内蔵しているが、このような構成に限らず、プリアンプ部62やAD変換部64を本体ユニット4内に設ける構成を採ることもできる。タイミング信号生成部40を撮像装置モジュール3に内蔵しているが、このような構成に限らず、タイミング信号生成部40を本体ユニット4内に設ける構成を採ることもできる。タイミング信号生成部40とドライバ42とが別体のものとしているが、このような構成に限らず、両者を一体化させたものドライバ内蔵のタイミングジェネレータとしてもよい。こうすることにより、よりコンパクトな小型の撮像装置1を構成できる。タイミング信号生成部40やドライバ42は、それぞれ個別のディスクリート部材で回路構成されたものでもよいが、1つの半導体基板上に回路形成されたICIntegratedCircuitとして提供されるものであるのがよい。こうすることにより、コンパクトにできるだけなく、部材の取扱いが容易になるし、両者を低コストで実現できる。撮像装置1の製造が容易になる。使用する固体撮像装置10との関わりの強い部分であるタイミング信号生成部40やドライバ42を固体撮像装置10と共通の基板に搭載することにより一体化させる、或いは撮像装置モジュール3内に搭載することにより一体化させると、部材の取扱いや管理が簡易になる。これらがモジュールとして一体となっているので、撮像装置1の完成品の製造も容易になる。撮像装置モジュール3は、光学系5からのみ構成されていてもよい。<固体撮像装置と周辺部の概要>図2は、固体撮像装置10と、固体撮像装置10を駆動する駆動制御部96の一実施形態とから構成された固体撮像装置2の概略構成図である。固体撮像装置2は、一例として、センサ部の配列垂直方向の配列の間に垂直電荷転送部が配列されたインターライン方式のCCD型の固体撮像装置10IT-CCDを4相で駆動する場合を例に採って説明する。図2において、固体撮像装置10には、駆動電源46から、ドレイン電圧Vdd及びリセットドレイン電圧Vrdが印加され、ドライバ42にも所定の電圧が供給される。固体撮像装置2を構成するCCD型の固体撮像装置10は、半導体基板21上に、画素ユニットセルに対応して受光素子の一例であるフォトダイオード等からなる電荷センサ部11感光部;フォトセルが多数、垂直列方向及び水平行方向において2次元マトリクス状に配列されている。これらセンサ部11は、電荷検出部の一例であり、受光面から入射した入射光を検知し、その光量強度に応じた電荷量の電荷を取得一般的に光電変換といわれるし、この取得した電荷を当該センサ部11に蓄積する。固体撮像装置10は、センサ部11の垂直列ごとにN相駆動に対応する複数本の垂直転送電極24が設けられる垂直転送部13垂直CCD、Vレジスタ部、或いは垂直電荷転送部とも称されるが配列されている。本例では、4相駆動に対応するべく、2ユニットセル当たり4本の垂直転送電極24それぞれに参照子1、2、3、4を付して示すが電荷転送部の一例である垂直転送部13上に配列されている。例えば、垂直転送部13上受光面側には、各列の同垂直位置の垂直転送部13に共通となるように、4種類の垂直転送電極24が、垂直方向に所定の順序で、センサ部11の受光面に開口部を形成するように配置されている。垂直転送電極24は、水平方向に延在するように、即ち、センサ部11の受光面側に開口部を形成するようにしつつ、水平方向に横切るように配線される。4種類の垂直転送電極24は、1つのセンサ部11に2つの垂直転送電極24が対応するように形成され、駆動制御部96のドライバ42から供給される4種類の垂直ドライブパルスΦV1、ΦV2、ΦV3、ΦV4で電荷を垂直方向に転送駆動するように構成されている。即ち、2つのセンサ部11を1組にして、4つの垂直転送電極24にそれぞれ垂直ドライブパルスΦV1、ΦV2、ΦV3、ΦV4が駆動制御部96のドライバ42から印加される。固体撮像装置10には、複数本の垂直転送部13の各転送先側端部即ち、最後の行の垂直転送部13に隣接して、電荷の主たる転送方向図の右から左の方向に複数の水平転送レジスタ212が延在する水平転送部15が設けられている。図示した例では、水平転送レジスタ212は、撮像エリア14素子部を超える領域まで配設されている。水平転送部15は、複数の水平転送レジスタ212が転送方向に配列された水平転送路210水平CCD、Hレジスタ部、或いは水平電荷転送部とも称されると、水平転送路210の垂直転送部13撮像エリア14とは反対側に並設された余剰電荷掃捨部270とを備える。水平転送路210は1ライン分に限らず複数ライン分設けてもよいが、その場合、余剰電荷掃捨部270は水平転送路210の数に適合するように配置される。水平転送路210は、例えば2相の水平転送クロックH1、H2に基づく水平ドライブパルスΦH1、ΦH2によって転送駆動され、複数本の垂直転送部13から移された1ライン分の電荷を、水平ブランキング期間後の水平走査期間において順次水平方向に転送する。このため2相駆動に対応する複数本2本の水平転送電極291及び水平転送電極292纏めて水平転送電極29が設けられる。因みに、転送方向の端部である最終段の水平転送レジスタ212を最終段水平転送レジスタ214LHregと記す。ここで、図示した例では、垂直方向の4つの電極によって規定される垂直転送部13の一組1パケットに対応して、組ごとに4つの垂直転送電極24が設けられ、その中で、垂直方向の最上部に位置するセンサ部11は、垂直ドライブパルスΦV1が印加される垂直転送電極241に対応している。更に1段前より水平転送部15側の垂直転送電極242には垂直ドライブパルスΦV2が印加され、更に1段前より水平転送部15側の垂直転送電極243には垂直ドライブパルスΦV3が印加され、最も水平転送部15側の垂直転送電極244には垂直ドライブパルスΦV4が印加される。垂直転送部13の転送方向は図中縦列方向であり、この方向に垂直転送部13が設けられ、この方向に直交する方向水平方向、行方向に垂直転送電極24が複数本並べられる。更に、これら垂直転送部13と各センサ部11との間には読出ゲート12ROGが介在している。各画素の読出ゲート12上には、4つの垂直転送電極241~垂直転送電極244のうちの垂直転送電極241及び垂直転送電極243の対応する方が読出電極を兼ねるように設けられている。各ユニットセルの境界部分にはチャネルストップCSが設けられている。これらセンサ部11の垂直列ごとに設けられ、各センサ部11から読出ゲート部12によって読み出された電荷を垂直転送する複数本の垂直転送部13によって撮像エリア14撮像部が構成されている。センサ部11に蓄積された電荷は、読出ゲート部12に読出パルスRGに対応する読出ドライブパルスΦRGが印加されることにより垂直転送部13に読み出される。センサ部11から垂直転送部13への電荷の読出しをフィールドシフトともいう。垂直転送部13は、4相の垂直転送クロックV1~垂直転送クロックV4に基づく垂直ドライブパルスΦV1~垂直ドライブパルスΦV4よって転送駆動され、読み出された電荷を水平ブランキング期間の一部にて1走査線1ラインに相当する部分ずつ順に垂直方向に転送する。この1ラインずつの電荷の垂直転送をラインシフトともいう。水平転送部15の転送先の端部最終段水平転送レジスタ214には、水平転送部15により水平転送された電荷を電気信号に変換してアナログの撮像信号として出力する電荷電気信号変換部16が設けられている。電荷電気信号変換部16の最終段水平転送レジスタ214との接続箇所を電荷入力部17と称する。最終段水平転送レジスタ214は、電荷電気信号変換部16に電荷を出力する電荷出力部の一例である。電荷電気信号変換部16で取得された電気信号は、被写体からの光の入射量に応じたCCD出力Voとして導出される。以上により、インターライン方式の固体撮像装置10が構成されている。電荷電気信号変換部16は、電荷入力部17の電荷量に応じた電気信号の変動を検出できればよく、種々の構成を採り得る。例えば、寄生容量を持った拡散層であるフローティングディフュージョンFloatingDiffusion:FD部を電荷入力部17この例では電荷蓄積部に利用したフローティングディフュージョンアンプFDA;FloatingDiffusionAmp構成の増幅回路が典型的に使用される。但し、これに限らず、電荷入力部17にフローティングゲートを利用した構成等、電荷電気信号変換機能を持つ限り、種々の構成を採り得る。電荷電気信号変換部16は、電荷電気信号変換機能を成すべく、電荷入力部17に接続されたトランジスタを有し、例えば、電荷入力部17の電荷の変化量ΔQと対応する電圧変化ΔVを出力端に発生させる。例えば、電荷入力部17にフローティングディフュージョンを使用する場合、フローティングディフュージョンの静電容量をCとすると、電圧変化ΔVVoはΔV=ΔQ/Cで表される。余剰電荷掃捨部270は、電荷が不要な箇所へ漏れ込まないようにするもので、本例では水平転送路210の撮像エリア14とは反対側において水平転送路210の転送方向に沿って並設隣接した横型ラテラル型、横方向のものが使用されている。因みに、余剰電荷掃捨部の他の構成としては、半導体の深さ方向において、ポテンシャル障壁を転送ゲート下のポテンシャル障壁よりも低く設定し、溢れる電荷を基板側へ捨てる縦型構造のものもある。縦型は表面入射型への適用が容易であるが裏面入射型への適用は困難である一方、横型は表面入射型及び裏面入射型の何れにも適用が容易である。裏面入射型は基板が存在しないことがその理由である。固体撮像装置2は、固体撮像装置10を駆動するための種々のパルス信号LレベルとHレベルの2値を生成するタイミング信号生成部40と、タイミング信号生成部40から供給された種々のパルスを所定レベルのドライブパルスにして固体撮像装置10に供給するドライバ42とを備えている。例えば、タイミング信号生成部40は、水平同期信号HDや垂直同期信号VDに基づいて、固体撮像装置10のセンサ部11に蓄積された電荷を読み出すための読出パルスRG、読み出した電荷を垂直方向に転送駆動し水平転送部15に渡すための垂直転送クロックV1~垂直転送クロックVnnは駆動時の相数を示す;例えば4相駆動時にはV4、垂直転送部13から渡された電荷を水平方向に転送駆動し電荷電気信号変換部16に渡すための水平転送クロックH1及び水平転送クロックH2、リセットパルスRG等を生成し、ドライバ42に供給する。固体撮像装置10が電子シャッタに対応するものである場合には、タイミング信号生成部40は、電子シャッタパルスXSGもドライバ42に供給する。ドライバ42は、タイミング信号生成部40から供給された種々のクロックパルスを所定レベルの電圧信号ドライブパルスに変換し、或いは別の信号に変換し固体撮像装置10に供給する。例えば、タイミング信号生成部40から発せられた4相の垂直転送クロックV1~垂直転送クロックV4は、ドライバ42を介して垂直ドライブパルスΦV1~垂直ドライブパルスΦV4とされ、固体撮像装置10内の対応する所定の垂直転送電極241~244に印加される。読出パルスRGはドライバ42を介して垂直転送クロックV1及び垂直転送クロックV3と組み合わされて、読出電圧を含む3値レベルの垂直ドライブパルスΦV1及び垂直ドライブパルスΦV3とされ、対応する垂直転送電極241及び垂直転送電極243に印加される。水平転送クロックH1及び水平転送クロックH2は、ドライバ42を介してドライブパルスΦH1及びドライブパルスΦH2とされ、固体撮像装置10内の対応する水平転送電極291及び水平転送電極292に印加される。ここで、ドライバ42は、上述のように、読出パルスRGについては、4相の垂直転送クロックV1~垂直転送クロックV4のうちの垂直転送クロックV1及び垂直転送クロックV3と組み合わせることにより、3値レベルをとる垂直ドライブパルスΦV1及び垂直ドライブパルスΦV3として、固体撮像装置10に供給する。つまり、垂直ドライブパルスΦV1及び垂直ドライブパルスΦV3は、本来の垂直転送動作だけでなく、電荷の読出しにも兼用する。このような構成の固体撮像装置10の一連の動作を概説すれば以下の通りである。先ず、タイミング信号生成部40は、垂直転送クロックV1~垂直転送クロックV4や読出パルスRG等の種々のパルス信号を生成する。これらのパルス信号は、ドライバ42により所定電圧レベルのドライブパルスに変換された後に、固体撮像装置10の所定端子に入力される。センサ部11の各々に蓄積された電荷は、タイミング信号生成部40から発せられた読出パルスRGが読出ゲート部12の転送チャネル端子電極に印加され、転送チャネル端子電極下のポテンシャルが深くなることにより、当該読出ゲート部12を通して垂直転送部13に読み出される。そして、4相の垂直ドライブパルスΦV1~垂直ドライブパルスΦV4に基づいて垂直転送部13が駆動されることにより、順次水平転送部15へ転送される。水平転送部15は、タイミング信号生成部40から発せられた2相の水平転送クロックH1及び水平転送クロックH2がドライバ42により所定電圧レベルに変換された2相の水平ドライブパルスΦH1及び水平ドライブパルスΦH2に基づいて、複数本の垂直転送部13の各々から垂直転送された1ラインに相当する電荷を順次電荷電気信号変換部16側に水平転送する。図では、水平転送部15を1系統で示しているが、素子構成によっては水平転送部15を複数系統備えることもある。この場合、電荷電気信号変換部16は水平転送部15ごとに設けられ、バッファ部60は各電荷電気信号変換部16とインタフェース可能な構成にする。電荷電気信号変換部16は、水平転送部15詳しくは最終段のチャージパケット或いはレジスタ、以下最終段パケットと記すから順に注入される電荷を図示しないフローティングディフュージョンに蓄積し、蓄積した電荷を信号電圧に変換して、例えば図示しないソースフォロア構成の出力回路を介して、撮像信号VoCCD出力信号として出力する。電荷電気信号変換部16の出力段のソースフォロアは、十分な駆動能力が無い。このため、ソースフォロワで増幅したCCD出力信号が劣化しないように、電荷電気信号変換部16から出力された撮像信号Voは先ず、バッファ部60に入力され、バッファ部60を介してアナログフロントエンド61に送られる。即ち上記固体撮像装置10においては、センサ部11を縦横に2次元状に配置してなる撮像エリア14で検出した電荷を、各センサ部11の垂直列に対応して設けられた垂直転送部13により水平転送部15まで垂直転送し、この後、2相の水平ドライブパルスH1及び水平ドライブパルスH2に基づいて、電荷を水平転送部15により水平方向に転送する。そして、電荷電気信号変換部16にて水平転送部15からの電荷に対応した電位に変換してから出力するという動作を繰り返す。<電荷入力部との接続構造>以下に、水平転送部15とFDアンプ構造を持つCCD出力段電荷電気信号変換部16との接続構造の具体的な態様について説明する。図3~図4は、実施例1の接続構造を説明する図である。ここで、図3は、実施例1に対する比較例の接続構造を説明する図であって、図3Aは比較例の接続構造を説明する平面模式図であり、図3Bは図3Aのポテンシャル図である。図4は、実施例1の接続構造を説明する図であって、図4Aは実施例1の接続構造を説明する平面模式図であり、図4Bは図4Aのポテンシャル図である。図3Aに示す比較例及び図4Aに示す実施例1の何れも、水平転送部15は、複数の水平転送レジスタ212Hregが転送方向最終段の水平転送レジスタ212を最終段水平転送レジスタ214と記すに配列された水平転送路210を備える。水平転送路210は、撮像エリア14を超える超過領域まで配設されており、撮像エリア14の垂直転送部13と接続される分よりも多くの水平転送レジスタ212を備える。超過領域の水平転送レジスタ212が配設されている部分を、ダミー水平転送路211と称する。ダミー水平転送路211側の水平転送レジスタ212には、最終段水平転送レジスタ214側に向けて漸次狭小となる幅が狭くなるように小信号障壁220HSB:HregSmallsignalBarrierが形成されている。水平転送レジスタ212上の小信号障壁220は、小信号転送時に電荷を集める役割を果たす転送路であって、水平転送レジスタ212におけるポテンシャルの深い部分の幅が、最終段水平転送レジスタ214側になるほど狭くなっており、その狭小部分を出口222として、小信号転送時に電荷を出口222側に集める役割を果たす。水平転送部15は、最終段の水平転送レジスタ212以下、最終段水平転送レジスタ214と記すの電荷電気信号変換部16側には水平出力ゲート230HOG:HregOutputGateが配置され、電荷電気信号変換部16と水平出力ゲート230との接続箇所にはフローティングディフージョン部250FD:FloatingDiffusionが配置されている。フローティングディフージョン部250と対向する位置に小信号障壁220の出口222が配置されている。小信号障壁220の出口222は例えば2マイクロメートル程度に設定される。フローティングディフージョン部250は図示しない電荷電気信号変換部16を成すトランジスタのゲートに接続される。水平転送部15は更に、水平オーバーフローバリア272HOB:HregOverflowBarrierと水平オーバーフロードレイン276HOD:HregOverflowDrain/とを備える。水平オーバーフローバリア272は、余剰電荷障壁の一例であり、水平オーバーフロードレイン276は余剰電荷井戸の一例であり、水平オーバーフロードレイン276余剰電荷障壁と水平オーバーフロードレイン276余剰電荷井戸とで、余剰電荷掃捨部が構成される。撮像エリア14垂直転送部13と反対側において水平転送路210と並設して水平転送レジスタ212の転送方向と並行に配置されている。水平オーバーフロードレイン276は、更にHOG272の外側に水平オーバーフローバリア272と並設して水平転送レジスタ212の転送方向と並行に配置されている。水平オーバーフローバリア272及び水平オーバーフロードレイン276は、水平転送路水平転送路210で飽和した余剰電荷を吐き捨てるための機能をなす。ここで、図3Aに示す比較例の水平転送部15Zは、電荷入力部17この例ではフローティングディフージョン部250が水平転送路210の幅方向の中央部に配置されている。このような比較例の接続構造の場合、大信号時例えば大光量が入射したとき、水平転送路210で蓄積できる電荷量を超過してしまうことがある。通常、水平転送路で蓄積可能な信号量を超過してしまった電荷は水平オーバーフロードレイン276へ吐き捨てるが、例えば、水平転送路210の最終段水平転送レジスタ214で電荷が溢れる場合、水平オーバーフローバリア272を越えて水平オーバーフロードレイン276に捨てられずに、水平出力ゲート230を越えてフローティングディフージョン部250へ電荷を溢してしまうことがある。電荷電気信号変換部16にて電荷に基づく電気信号を取得する際には、水平出力ゲート230を開けて最終段水平転送レジスタ214に蓄積された電荷をフローティングディフージョン部250側へ吐き出すのであるが、その前に前記の水平出力ゲート230を越えてフローティングディフージョン部250へ溢した電荷以下余剰電荷とも記すがあると、その余剰電荷の分も電荷電気信号変換部16で電気信号に変換され得る。過剰な電荷が水平転送路210を転送するとき、水平オーバーフロードレイン276へ必ず吐き捨てられるとの前提の元に信号処理を行なうので、このようなフローティングディフージョン部250側へ余剰電荷が溢れ出る現象があると、これに起因した信号漏込みにより画質が低下し、画像としても問題となってしまう。この現象を抑制するために、例えば、水平オーバーフローバリア272を水平出力ゲート230より低くすることが考えられる。しかしながら、水平出力ゲート230を低くすると、最終段水平転送レジスタ214に蓄積可能な電荷量飽和電荷量と記すが少なくなり、いわゆるダイナミックレンジが狭くなってしまう。又、水平出力ゲート230を低くしたからと云って、フローティングディフージョン部250側へ電荷が溢れ出る現象を必ず抑制できるとは限らないことが分かった。このため、最終段水平転送レジスタ214の飽和電荷量を一定程度確保することと、フローティングディフージョン部250側へ電荷が溢れ出る現象を抑制することとの両立が難しく、そのための試作検討が必要となる。例えば、図3Bには、図3Aに示したA点フローティングディフージョン部250側~B点最終段水平転送レジスタ214の幅方向及び長手方向の何れもの中央部~C点水平オーバーフロードレイン276側の部分のポテンシャル図を示している。前述のように、水平転送時図3B1参照には、水平オーバーフローバリア272を水平出力ゲート230より低くしている。フローティングディフージョン部250が水平転送路210の幅方向の中央部に配置されているため、A点からB点までの距離ABに対して、B点からC点までの距離BCが長くなる。一例としては、距離ABに対して距離BCは数倍以上となり、飽和電荷量を大きくするときには10倍以上となることも多い。例えば、距離ABは2マイクロメートル程度に設定され、距離BCは10~30マイクロメートル程度に設定される。このような場合において、光量の少ない小信号時は、図3B2に示すように、電荷がフローティングディフージョン部250に溢れることはない。因みに、小信号障壁220が設けられており、その出口222がフローティングディフージョン部250と対向する位置に配置されているので、電荷は最終段水平転送レジスタ214全体ではなく、フローティングディフージョン部250近傍に集められる。一方、例えば光量の多い大信号時等には、最終段水平転送レジスタ214全体に電荷が蓄積される。水平オーバーフローバリア272のポテンシャルを水平出力ゲート230のポテンシャルよりも低くしていれば、大信号時の電荷量が最終段水平転送レジスタ214の飽和電荷量を越えるとき、理想的には、図3B3に示すように、全ての余剰電荷は水平オーバーフロードレイン276へ捨てられるはずである。しかしながら、転送路等の電荷出力部に隣接して余剰電荷掃捨部オーバーフローバリア及びオーバーフロードレインを設けた場合でも、余剰電荷が電荷電気信号変換部に設けた電荷入力部に溢れ、その影響が画像に現れることがあることが分かった。比較例の場合であれば、水平オーバーフローバリア272を水平出力ゲート230よりも低くしていても、水平オーバーフロードレイン276へ捨てる前にフローティングディフージョン部250へ溢してしまうことがある。水平オーバーフローバリア272を水平出力ゲート230よりも低くしていてもフローティングディフージョン部250へ溢してしまう現象の理由としては、フローティングディフージョン部250が水平転送路210の幅方向の中央部B点に配置されていることが要因と考えられる。これは、フローティングディフージョン部250より水平オーバーフロードレイン276とは反対側の最終段水平転送レジスタ214aは、水平オーバーフロードレイン276よりもフローティングディフージョン部250の方が近いためと考えられる。詳しくは、フローティングディフージョン部250より水平オーバーフロードレイン276側の最終段水平転送レジスタ214bにおける余剰電荷は概ね水平オーバーフロードレイン276に吐き出すことができても、フローティングディフージョン部250より水平オーバーフロードレイン276とは反対側の最終段水平転送レジスタ214aにおける余剰電荷を水平オーバーフロードレイン276に吐き出すにはフローティングディフージョン部250近傍を経由することになるため電荷がフローティングディフージョン部250に集中し、フローティングディフージョン部250近傍での蓄積電荷量が局所的に増え、図3B4に示すように、水平出力ゲート230を越えてしまうためと考えられる。そこで、本実施形態では実施例1に限らず他の実施例でも、電荷出力部で扱うことが可能な電荷量を超過して電荷電気信号変換部に設けた電荷入力部に余剰電荷が溢れる現象を、簡単な構造で抑制することのできる技術を提案する。例えば、図4Aに示す実施例1の水平転送部15Aは、電荷入力部17この例ではフローティングディフージョン部250を水平転送路の幅方向の中央付近ではなく、上側撮像エリア14側もしくは下側撮像エリア14と反対側に配置する点に特徴がある。具体的には、実施例1の水平転送部15Aは、水平転送路210の幅方向の中央部から外れたずれた位置で、かつ、水平オーバーフロードレイン276側にフローティングディフージョン部250が配置されている。水平転送路の中央付近ではなくとは云っても、余剰電荷掃捨部270が設けられている場合には、水平オーバーフロードレイン276とは反対側つまり撮像エリア14側に電荷入力部17フローティングディフージョン部250を配置したのでは後述する理由から意味がない。換言すると、余剰電荷掃捨部270が設けられている実施例1の水平転送部15Aの場合には、電荷出力部最終段水平転送レジスタ214から電荷入力部フローティングディフージョン部250へ電荷が入力される第1の方向に対して交差した直角な第2の方向である幅方向における最終段水平転送レジスタ214つまり水平転送路210の水平転送レジスタ212の中央部からずれた位置分かり易く云えば外側:以下同様であって、撮像エリア14の反対側に配置されている水平オーバーフロードレイン276に近い側に片寄って、フローティングディフージョン部250が配置されている点に特徴がある。フローティングディフージョン部250の位置を水平オーバーフロードレイン276側に移動し、好ましくは、水平オーバーフローバリア272のポテンシャルを調整し、水平出力ゲート230よりもバリアを深く設定する。好ましくは、最終段水平転送レジスタ214の中央部図中のB点からフローティングディフージョン部250詳しくは最終段水平転送レジスタ214とフローティングディフージョン部250との境界までの距離ABが、最終段水平転送レジスタ214の図中のB点から水平オーバーフロードレイン276詳しくは水平オーバーフローバリア272と水平オーバーフロードレイン276との境界までの距離BC大凡小信号障壁220の出口222の距離と同程度となるように、フローティングディフージョン部250の配置位置を設定する。同程度であればよく、多少長くても、或いは短くてもよい。例えば、水平オーバーフローバリア272と小信号障壁220との距離つまり小信号障壁220の出口222は2マイクロメートル程度に設定される。ここで、図4A1に示す第1例の水平転送部15A1は、小信号障壁220の出口222が比較例と同様に水平転送路の幅方向の中央付近に配置されている。これに対して、図4A2に示す第2例は、小信号障壁220の出口222がフローティングディフージョン部250と対向する位置に配置されている。つまり、第2例の水平転送部15A2は、比較例に対してフローティングディフージョン部250の位置を変更したことに合わせて、小信号転送時に電荷を集める役割を果たす小信号障壁220の形状を変更している。第2例の水平転送部15A2の方が第1例の水平転送部15A1よりもフローティングディフージョン部250近傍に電荷を集めることが容易であるから特に小信号時、QV変換の効率が良好である。例えば、図4Bには、図4Aに示したA点フローティングディフージョン部250側~B点最終段水平転送レジスタ214の幅方向の中央部及び長手方向の水平オーバーフロードレイン276側~C点水平オーバーフロードレイン276側の部分のポテンシャル図を示している。第1例及び第2例の何れの場合でも、水平出力ゲート230よりも水平オーバーフローバリア272の方がバリアが深くなるように、水平オーバーフローバリア272のポテンシャルが調整されている。水平転送路210最終段水平転送レジスタ214の幅方向の中央付近よりも水平オーバーフロードレイン276に近い側にフローティングディフージョン部250が配置されているので、大信号時に溢れた信号を水平オーバーフロードレイン276側へ捨てることが容易になり、フローティングディフージョン部250へ溢す現象を抑制できる。フローティングディフージョン部250より水平オーバーフロードレイン276とは反対側の最終段水平転送レジスタ214aにおける余剰電荷を水平オーバーフロードレイン276に吐き出す際に、フローティングディフージョン部250近傍を経由するためフローティングディフージョン部250近傍に電荷が集中する。しかしながら、比較例よりもフローティングディフージョン部250に近い側に水平オーバーフロードレイン276が配置されているので、蓄積電荷量がフローティングディフージョン部250近傍で局所的に増えても、比較例よりも水平オーバーフロードレイン276側へ吐き出し易い。例えば大信号を転送していて飽和電荷量が足りない場合、フローティングディフージョン部250に溢れる前に水平オーバーフロードレイン276側に余剰電荷を溢れさせることにより、フローティングディフージョン部250側に余剰電荷が漏れこまないようにすることができる。大信号転送時に発生する余剰電荷のフローティングディフージョン部250側への溢れ及びこれを起因とする信号漏込みを防止することができる。この利点により、水平転送路最終段に蓄積可能な電荷量の確保が容易となり、試作の回数を減らすことができる。因みに、実施例1の電荷転送長L1は比較例の電荷転送長L0よりも長くなるが、問題はない。以上の点を踏まえれば、特に図示のように、最終段水平転送レジスタ214の中央部図中のB点からフローティングディフージョン部250詳しくは最終段水平転送レジスタ214とフローティングディフージョン部250との境界までの距離ABが、最終段水平転送レジスタ214の図中のB点から水平オーバーフロードレイン276詳しくは水平オーバーフローバリア272と水平オーバーフロードレイン276との境界までの距離BCと同程度とすれば、大信号時に溢れた信号をより確実に水平オーバーフロードレイン276側へ捨てることができフローティングディフージョン部250へ溢す現象をより確実に抑制することができる。因みに、実施例1等で提案する技術においては、横型の余剰電荷掃捨部270が水平転送路210に隣接して設けられていることは必須ではないが、本開示で得ようとする効果を大きくするには、余剰電荷掃捨部270が設けられていた方がよい。[電荷入力部の配置位置]図5は、電荷入力部17の配置位置の設定手法を説明する図である。この図により、水平転送路210最終段水平転送レジスタ214の幅方向の中央付近よりも余剰電荷掃捨部270に近い側に電荷入力部17この例ではフローティングディフージョン部250を配置する際の考え方が示されている。前述の説明から理解されるように、電荷入力部17この例ではフローティングディフージョン部250の配置位置は、電荷の主たる流れ方向この例では水平転送路210の長手方向である転送方向と直角な方向この例では水平転送レジスタ212の最終段水平転送レジスタ214の幅方向の中央付近よりも余剰電荷掃捨部270に近い側中央部よりも外側に片寄った位置である限り、何れの箇所に配置してもよい。例えば、水平転送路210最終段水平転送レジスタ214の幅を2Wとし、幅方向の中央部CL1から幅方向における電荷入力部17の配置位置までの距離換言すると、中央部よりも外側への片寄りの程度をPとする。中央部CL1から幅方向における余剰電荷掃捨部270までの距離はWである。又、比較例の水平転送部15Zにおける電荷入力部17の配置位置の余剰電荷掃捨部270側における製造バラツキ範囲をΔPとする。製造バラツキ範囲ΔPは、例えば、標準偏差をσとしたとき、σ或いは3σ等とすればよい。この場合において、水平転送部15Vにおける距離Pは、図5Aに示す第1例のように、製造バラツキ範囲ΔPよりも大きければよいΔP<P≦W、或いは、ΔP≦P≦W。本明細書においてよりも大きいとは、等号=を含んでもよい。こうすることにより、大信号時に溢れた信号を比較例よりも確実に余剰電荷掃捨部270へ捨てることができ、電荷入力部17側へ溢す現象を確実に抑制することができる。又、図5Bに示す第2例のように、製造バラツキ範囲ΔPにとらわれずに、余剰電荷掃捨部270までの距離Wに対しての比で距離Pを規定してもよい。例えば、1/5よりも大きくするW/5<P≦W、或いは、W/5≦P≦W:図中のその1、好ましくは1/2よりも大きくするW/2<P≦W、或いは、W/2≦P≦W:図中のその2、更に好ましくは3/4よりも大きくする3W/4<P≦W、或いは、3W/4≦P≦W:図中のその3。通常であれば、比較例の場合、製造バラツキ範囲ΔPはW/5以下になると考えてよく、大信号時に溢れた信号を比較例よりも確実に余剰電荷掃捨部270へ捨てることができ、電荷入力部17側へ溢す現象を確実に抑制することができる。因みに、1/2よりも大きくするW/2<P≦W、或いは、4W/5<P≦Wということは、幅方向の中央部CL1から余剰電荷掃捨部270までの中間点をCL2としたとき、中間点CL2よりも中央部CL1側ではなく、中間点CL2よりも余剰電荷掃捨部270側に、電荷入力部17を配置することを意味する。図5A及び図5Bの何れにおいても、電荷入力部17と余剰電荷掃捨部270との距離Pの取り方は、理解し易いように、次のように設定すればよい。先ず、図4において、電荷入力部17フローティングディフージョン部250の中点Aを最終段水平転送レジスタ214の中間線転送方向の中点を通る幅方向の線上に射影した点をB点とする。そして、第1の方向電荷転送方向における電荷出力部最終段水平転送レジスタ214から電荷入力部17までの距離に関しては、電荷入力部17の中点から最終段水平転送レジスタ214の中点までの距離図4のA点からB点までの距離、電荷入力部17の中点から水平出力ゲート230と最終段水平転送レジスタ214との境界までの距離、最終段水平転送レジスタ214の中点から水平出力ゲート230と電荷入力部17との境界までの距離、或いは、水平出力ゲート230の転送方向の長さゲート長を使用するとよい。電荷入力部17を電荷出力部最終段水平転送レジスタ214に射影した位置から余剰電荷掃捨部270までの距離については、B点から余剰電荷掃捨部270特に水平オーバーフロードレイン276の中点までの距離、B点から余剰電荷掃捨部270特に水平オーバーフロードレイン276の中点までの距離、或いは、B点から水平オーバーフローバリア272と水平オーバーフロードレイン276との境界までの距離を使用するとよい。最も好ましい距離の取り方としては、電荷入力部17側については、最終段水平転送レジスタ214の中点図4のB点から水平出力ゲート230と電荷入力部17との境界までの距離、余剰電荷掃捨部270側については、最終段水平転送レジスタ214の中点図4のB点から水平オーバーフローバリア272と水平オーバーフロードレイン276との境界までの距離である。図6は、実施例2の接続構造を説明する図である。ここで、図6Aは実施例2の接続構造を説明する平面模式図であり、図6Bは図6Aのポテンシャル図である。実施例2の水平転送部15Bは、水平オーバーフローバリア272及び水平オーバーフロードレイン276の他に、水平オーバーフローバリア274と水平オーバーフロードレイン278とを備える。水平オーバーフローバリア274は、垂直転送部13と接続される分よりも後段側の水平転送レジスタ212つまりダミー水平転送路211について、撮像エリア14垂直転送部13側においてダミー水平転送路211と並設して水平転送レジスタ212の転送方向と並行に配置されている。水平オーバーフロードレイン278は、更に水平オーバーフローバリア274の外側に水平オーバーフローバリア274と並設して水平転送レジスタ212の転送方向と並行に配置されている。水平オーバーフローバリア274及び水平オーバーフロードレイン278は、水平オーバーフローバリア272及び水平オーバーフロードレイン276と同様に、水平転送路210で飽和した余剰電荷を吐き捨てるための機能をなす。そして、実施例1の水平転送部15Bは、水平転送路210の幅方向の中央部から外れた位置で、かつ、水平オーバーフロードレイン278側に、フローティングディフージョン部252が配置されている点に特徴がある。フローティングディフージョン部252は図示しない電荷電気信号変換部16を成すトランジスタのゲートに接続される。水平転送路の中央付近よりもHODに近い側にフローティングディフージョン部252が配置されている点では実施例1と共通する。好ましくは、最終段水平転送レジスタ214の中央部図中のB点からフローティングディフージョン部252詳しくは最終段水平転送レジスタ214とフローティングディフージョン部252との境界までの距離が、最終段水平転送レジスタ214の中央部図中のB点から水平オーバーフロードレイン278詳しくは水平オーバーフローバリア274と水平オーバーフロードレイン278との境界までの距離と同程度或いはそれ以下となるように、フローティングディフージョン部252の配置位置を設定する。ここで、図6A1に示す第1例の水平転送部15B1は、小信号障壁220の出口222が比較例と同様に水平転送路の幅方向の中央付近に配置されている。これに対して、図6A2に示す第2例の水平転送部15B2は、小信号障壁220の出口222がフローティングディフージョン部252と対向する位置に配置されるようにしている。つまり、第2例は、比較例に対してフローティングディフージョン部252の位置を変更したことに合わせて、小信号転送時に電荷を集める役割を果たす小信号障壁220の形状を変更している。第2例の水平転送部15B2の方が第1例の水平転送部15B1よりもフローティングディフージョン部252近傍に電荷を集めることが容易であるから特に小信号時、QV変換の効率が良好である。実施例2も実施例1と同様に、大信号時に溢れた余剰電荷をフローティングディフージョン部252へ溢すことなく水平オーバーフロードレイン278側へ捨てることができ、大信号転送時に発生する余剰電荷のフローティングディフージョン部252側への溢れやこれを起因とする信号漏込みを防止することができる。因みに、実施例2の電荷転送長L2の方が実施例1の電荷転送長L1よりも短くなるため、転送効率が実施例1よりも良好である。図7は、実施例3の接続構造を説明する図平面模式図である。ポテンシャル図は割愛する。図から分かるように、実施例3の水平転送部15Cは、実施例1と実施例2とを併用した構成であり、水平転送路210の幅方向の中央部から外れた位置で、かつ、水平オーバーフロードレイン276側に、フローティングディフージョン部250が配置され、更に、水平オーバーフロードレイン278側にもフローティングディフージョン部252が配置されている。フローティングディフージョン部250は図示しない第1の電荷電気信号変換部16を成すトランジスタのゲートに接続され、フローティングディフージョン部252は図示しない第2の電荷電気信号変換部16を成すトランジスタのゲートに接続される。好ましくは、最終段水平転送レジスタ214の第1の中央部図中のB1点からフローティングディフージョン部250詳しくは最終段水平転送レジスタ214とフローティングディフージョン部250との境界までの距離が、最終段水平転送レジスタ214の第1の中央部図中のB点1から水平オーバーフロードレイン276詳しくは水平オーバーフローバリア272と水平オーバーフロードレイン276との境界までの距離と同程度或いはそれ以下となるように、フローティングディフージョン部250の配置位置を設定する。更に、最終段水平転送レジスタ214の第2の中央部図中のB2点からフローティングディフージョン部252詳しくは最終段水平転送レジスタ214とフローティングディフージョン部252との境界までの距離が、最終段水平転送レジスタ214の第2の中央部図中のB点2から水平オーバーフロードレイン278詳しくは水平オーバーフローバリア274と水平オーバーフロードレイン278との境界までの距離と同程度或いはそれ以下となるように、フローティングディフージョン部252の配置位置を設定する。図7Aに示す第1例の水平転送部15C1は、小信号障壁220の出口222が比較例と同様に水平転送路の幅方向の中央付近に配置されている。これに対して、図6Bに示す第2例水平転送部15C2は、小信号障壁220に2つの出口2221及び出口2222が設けられ、出口2221がフローティングディフージョン部250と対向する位置に配置され、出口2222がフローティングディフージョン部252と対向する位置に配置されている。つまり、第2例は、比較例に対してフローティングディフージョン部250及びフローティングディフージョン部252の位置を変更したことに合わせて、小信号転送時に電荷を集める役割を果たす小信号障壁220の形状を変更している。実施例3の水平転送部15Cは、フローティングディフュージョンを、水平オーバーフロードレイン276側のフローティングディフージョン部250と水平オーバーフロードレイン278側のフローティングディフージョン部252の2箇所に備えるので、大信号転送時に発生する余剰電荷のフローティングディフュージョン側への溢れやこれを起因とする信号漏込みを、実施例1及び実施例2よりも確実に防止することができる。図8は、実施例4の接続構造を説明する図平面模式図である。ポテンシャル図は割愛する。図から分かるように、実施例4の水平転送部15Dは、実施例1、実施例2、或いは、実施例3に対して小信号障壁220を取り外した構成である。図8Aに示す第1例の水平転送部15D1は、実施例1に対する変形例であり、水平転送路210の幅方向の中央部から外れた位置で、かつ、水平オーバーフロードレイン276側に、フローティングディフージョン部250が配置されている。図8Bに示す第2例の水平転送部15D2は、実施例2に対する変形例であり、水平転送路210の幅方向の中央部から外れた位置で、かつ、水平オーバーフロードレイン278側に、フローティングディフージョン部252が配置されている。図8Cに示す第3例の水平転送部15D3は、実施例3に対する変形例であり、水平転送路210の幅方向の中央部から外れた位置で、かつ、水平オーバーフロードレイン276側にフローティングディフージョン部250が配置され、水平オーバーフロードレイン278側にフローティングディフージョン部252が配置されている。実施例4の水平転送部15Dは、水平転送路210に小信号障壁220が設けられていないので、小信号転送時に電荷を出口222側に集める効果は得られないが、実施例1~実施例3と同様に、大信号転送時に発生する余剰電荷のフローティングディフュージョン側への溢れやこれを起因とする信号漏込みを防止することはできる。以上、本開示について実施形態或いは実施例:以下同様を用いて説明したが、本開示の技術的範囲は前記実施形態に記載の範囲には限定されない。要旨を逸脱しない範囲で前記実施形態に多様な変更または改良を加えることができ、そのような変更または改良を加えた形態も本開示の技術的範囲に含まれる。又、前記実施形態は、クレーム請求項に係る技術を限定するものではなく、更には、実施形態の中で説明されている特徴の組合せの全てが本開示で提案する技術の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施形態には種々の段階の技術が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組合せにより種々の変形された技術を抽出できる。実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、本開示で得ようとする効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成も本開示で提案する技術として抽出され得る。[第1変形例]例えば、前記実施形態では、いわゆるエリアセンサの一例としてCCD型の固体撮像装置における水平転送部とその最終段と接続される電荷電気信号変換部とに着目して説明したが、本開示で提案する技術の適用範囲はこれに限定されない。例えば、図9に示す第1変形例のように、CCD型の固体撮像装置は、リニアセンサであってもよい。この例では、電荷検出部が直線状に2列配置されている、換言すると素子部が2列設けられている。列ごとに電荷転送部が設けられ、各列の電荷転送部の各電荷検出部に対応して転送レジスタRegが設けられている。最終段の転送レジスタRegを最終段レジスタLRegと称する。最終段レジスタLRegは、読出しゲートROGを介して電荷電気信号変換部のフローティングディフージョン部250と接続される。又、電荷転送部と並設して1列の余剰電荷掃捨部が設けられ、この1列の余剰電荷掃捨部が2列の電荷転送部に共用される構成となっている。詳しくは、オーバーフローバリアが素子部ごとに設けられ、2列分のオーバーフローバリアがオーバーフロードレインを挟む状態になっている。このような構造において、リニアセンサに設けられる電荷転送路と電荷電気信号変換部の電荷入力部との接続構造に関して、前記実施形態で提案した技術を同様に適用できる。例えば、必要に応じて、小信号転送時に電荷を集める役割を果たす小信号障壁220を電荷転送部の最終段側の数段分に設け、小信号障壁220の電荷出力部側の出口を電荷入力部と対向する位置に配置してもよい。[第2変形例]固体撮像装置或いは撮像装置を構成する部材としての電荷検出装置或いは電荷転送装置に限らず、例えば、図10に示す第2変形例のように、電荷検出装置単独のものにも、前記実施形態で提案した技術を同様に適用できる。因みに、第2変形例の電荷転送装置は、例えばリニアセンサに類似した構成になっている。即ち、図示した構成では、電荷検出部が直線状に1列配置されている、換言すると素子部が1列設けられている。電荷転送部の各電荷検出部に対応して転送レジスタRegが設けられている。最終段の転送レジスタRegを最終段レジスタLRegと称する。最終段レジスタLRegは、読出しゲートROGを介して電荷電気信号変換部のフローティングディフージョン部250と接続される。電荷転送部と並設して余剰電荷掃捨部が設けられている。このような構造において、リニアセンサに設けられる電荷転送路と電荷電気信号変換部の電荷入力部との接続構造に関して、前記実施形態で提案した技術を同様に適用できる。例えば、必要に応じて、小信号転送時に電荷を集める役割を果たす小信号障壁220を電荷転送部の最終段側の数段分に設け、小信号障壁220の電荷出力部側の出口を電荷入力部と対向する位置に配置してもよい。[第3変形例]或いは、図11に示す第3変形例のように、電荷転送装置単独のものにも、前記実施形態で提案した技術を同様に適用できる。例えば図11Aに示す第1例は、電荷生成部電荷検出部の一例は電荷出力部を兼ねる構成と捉えてもよいし、或いは、読出しゲート及びリセットゲート図示しない電荷電気信号変換部16に設けられるを電荷出力部として捉えてもよい。図示した構成では、1つの電荷生成部が読出しゲートROGを介して電荷電気信号変換部のフローティングディフージョン部250と接続されている。電荷生成部及び読出しゲートROGと並設して余剰電荷掃捨部が設けられている。このような構造において、リニアセンサに設けられる電荷転送路と電荷電気信号変換部の電荷入力部との接続構造に関して、前記実施形態で提案した技術を同様に適用できる。例えば、必要に応じて、小信号転送時に電荷を集める役割を果たす小信号障壁220を電荷転送部の最終段側の数段分に設け、小信号障壁220の電荷出力部側の出口を電荷入力部と対向する位置に配置してもよい。一方、図11Bに示す第2例は、電荷転送部をアナログ信号の遅延に利用する形態アナログ量を扱うシフトレジスタであり、例えばCCDディレイラインとして適用される。電荷転送部における転送レジスタRegの配列方向の一端図中の右側には電気信号を電荷に変換する電気信号電荷変換部と、変換された電荷を電荷転送部に注入する注入ゲートとが設けられている。電荷転送部における転送レジスタRegの配列方向の他端図中の左側は、読出しゲートROGを介して電荷電気信号変換部のフローティングディフージョン部250と接続されている。必要に応じて、小信号転送時に電荷を集める役割を果たす小信号障壁を電荷転送部の最終段側の数段分に設け、小信号障壁の電荷出力部側の出口を電荷入力部と対向する位置に配置してもよい。注入ゲートを介して入力した電荷を転送レジスタの素子数分の転送回数に相当する遅延を持たせて反対側の端から取り出すことにより遅延線ディレイラインとして動作させる。[第4変形例]図12に示す第4変形例のように、CMOS型のリニアセンサ或いはエリアセンサCMOSイメージセンサ等のように、電荷検出部が配列された素子部或いは素子エリア部の各画素に電荷電気信号変換部を配置する構成においても、前記実施形態で提案した技術を同様に適用できる。例えば、CMOSイメージセンサは、光電変換部電荷検出部の一例を含む画素が二次元アレイ状に複数配置されている。個々の画素は、光電変換部の他に、転送ゲート部、リセットゲート部、及び、増幅部電荷電気信号変換部の一例等を構成する多くの構成要素例えば、トランジスタを一画素領域内に有する。このような構造において、光電変換部と増幅部との間の接続構造に関して、前記実施形態で提案した技術を同様に適用できる。因みに、この場合、光電変換部は電荷出力部を兼ねる構成と捉えてもよいし、或いは、転送ゲート部及びリセットゲート部を電荷出力部として捉えてもよい。例えば、図12は、AD変換AnalogtoDigitalConversion処理とCDSCorrelatedDoubleSampling;相関2重サンプリング処理に着目したCMOSイメージセンサ1001の簡易的な回路構成図である。AD変換方式としては、回路規模や処理速度高速化や分解能等の観点から様々な方式が考えられているが、一例として、参照信号比較型、スロープ積分型、或いはランプ信号比較型等とも称されるAD変換方式を採用する。この手法は、簡単な構成でAD変換器が実現できるため、並列に設けても回路規模が大きくならないという特徴を有している。参照信号比較型のAD変換に当たっては、変換開始比較処理の開始から変換終了比較処理の終了までの時間に基づいてカウント動作有効期間Tenを決定しここではその期間を示すカウントイネーブル信号ENとする、その期間のクロック数に基づき処理対象信号をデジタルデータに変換する。以下具体的に説明する。単位画素1003は、電荷生成部1032の他に、4個のトランジスタ読出選択用トランジスタ1034、リセットトランジスタ1036、垂直選択用トランジスタ1040、増幅用トランジスタ1042を、電荷電気信号変換部の一例である画素信号生成部1005を構成する基本素子として備える。読出選択用トランジスタ1034は、転送信号TRGで駆動される。初期化部を構成するリセットトランジスタ1036は、リセット信号RSTで駆動される。垂直選択用トランジスタ1040は、垂直選択信号VSELで駆動される。電荷生成部1032は、フォトダイオード等の受光素子で構成される検知部の一例である。電荷生成部1032は、受光素子のアノードが低電位側の基準電位Vssに接続され、カソード側が読出選択用トランジスタ1034のソースに接続されている。基準電位Vssは接地電位GNDとしてもよい。読出選択用トランジスタ1034転送ゲートは、ドレインがリセットトランジスタ1036とフローティングディフュージョン1038と増幅用トランジスタ1042とが接続される接続ノードに接続される。リセットトランジスタ1036は、ソースがフローティングディフュージョン1038に、ドレインがリセット電源Vrd通常は電源Vddと共通にするにそれぞれ接続される。垂直選択用トランジスタ1040は、一例として、ドレインが増幅用トランジスタ1042のソースに、ソースが画素線1051にそれぞれ接続され、ゲート特に垂直選択ゲートSELVというが垂直選択線1052に接続される。増幅用トランジスタ1042は、ゲートがフローティングディフュージョン1038に接続され、ドレインが電源Vddに接続され、ソースは垂直選択用トランジスタ1040を介して画素線1051に接続され、更に画素線1051が垂直信号線1019に接続される。他の接続例として、垂直選択用トランジスタ1040は、ドレインを電源Vddに接続し、ソースを増幅用トランジスタ1042のドレインに接続し、増幅用トランジスタ1042のソースを画素線1051に接続してもよい。垂直信号線1019は、一端がカラム部1026側に延在するとともに、その経路において、読出電流源部1024が接続されている。動作電流供給部1024の各列の電流源1240は、垂直列に対して負荷MOSトランジスタを有し、各列共通に使用される基準電流源部1248と負荷MOSトランジスタとの間でゲート同士が接続されカレントミラー回路を構成し、垂直信号線1019に対し定電流源1242として機能するようになっている。そして、増幅用トランジスタ1042との間で、略一定の動作電流読出電流が供給されるソースフォロワ構成が採られる。参照信号生成部1027は、DA変換部1270と抵抗部1340とを有する。図示しないが、DA変換部1270は、定電流源の組合せで構成されている電流源部、カウンタ部、オフセット生成部、電流源制御部、規定電流I0を設定する基準電流源部を備え、電流出力型のDA変換回路となっている。電流源部の電流出力端には、抵抗値R1340の抵抗部1340が電流電圧変換部として接続されている。電流源部、電流源制御部、抵抗部1340で、電流電圧変換部が構成され、電流源部と抵抗部1340との接続点の発生する電圧が参照信号SLPADCとして利用される。各カラムの垂直信号線1019は、比較処理部1322の一方の端子この例では反転入力端に接続されている。これによって、垂直信号線1019を介して、画素信号電圧Vxがカラム部1026のAD変換部1250に供給される。AD変換部1250では、単位画素1003から垂直信号線1019に読み出した画素信号電圧Vxを、AD変換部1250の比較処理部1322で参照信号SLPADCと比較する。そして、図示を割愛したカウンタ制御信号生成部が計数処理部1351をカウントイネーブル信号ENに基づき動作させ、そのカウント動作と1対1の対応をとりながらを参照信号電位を変化させ、垂直信号線1019の画素信号電圧Vxをデジタルデータに変換する。このような構造のCMOSイメージセンサ1001において、単位画素1003に設けられる電荷生成部1032と画素信号生成部1005電荷電気信号変換部のフローティングディフュージョン1038電荷入力部との接続構造に関して、前記実施形態で提案した技術を同様に適用できる。[その他の電子機器への適用例]図13は、本開示で提案する技術前記実施形態で提案した技術が適用される電子機器の一例を説明する図である。前記実施形態で提案した電荷検出装置、電荷転送装置、固体撮像装置、或いは撮像装置の技術は、ゲーム機、電子ブック、電子辞書、携帯電話機等の各種の電子機器において、電荷電気信号変換部に設けた電荷入力部に余剰電荷が溢れる現象を抑制する場合に適用することができる。例えば、図13Aは、電子機器600が、画像表示装置の一例である表示モジュール604液晶表示装置や有機EL表示装置を利用したテレビジョン受像機602の場合の外観例を示す図である。テレビジョン受像機602は、台座606に支持されたフロントパネル603の正面に表示モジュール604を配置した構造となっており、表示面にはフィルターガラス605が設けられている。このテレビジョン受像機602には、図示しないCCDディレイライン電荷転送装置の一例が使用されており、CCDディレイラインを利用した信号遅延処理において、前記実施形態で提案した技術がそのまま適用可能である。図13Bは、電子機器600がデジタルカメラ612の場合の外観例を示す図である。デジタルカメラ612は、表示モジュール614、コントロールスイッチ616、シャッターボタン617、その他を含んでいる。デジタルカメラ612には図示しない固体撮像装置が搭載されており、前記実施形態で提案した固体撮像装置或いは撮像装置の技術がそのまま適用可能である。図13Cは、電子機器600がビデオカメラ622の場合の外観例を示す図である。ビデオカメラ622は、本体623の前方に被写体を撮像する撮像レンズ625が設けられ、さらに、表示モジュール624や撮影のスタート/ストップスイッチ626等が配置されている。ビデオカメラ622には図示しない固体撮像装置が搭載されており、前記実施形態で提案した固体撮像装置或いは撮像装置の技術がそのまま適用可能である。図13Dは、電子機器600が携帯電話機632の場合の外観例を示す図である。携帯電話機632は、折り畳み式であり、上側筐体633a、下側筐体633b、表示モジュール634a、サブディスプレイ634b、カメラ635、連結部636この例ではヒンジ部、ピクチャーライト637等を含んでいる。そして、携帯電話機632のカメラ635に関して、前記実施形態で提案した固体撮像装置或いは撮像装置の技術がそのまま適用可能である。図13Eは、電子機器600がコンピュータ642の場合の外観例を示す図である。コンピュータ642は、下型筐体643a、上側筐体643b、表示モジュール644、Webカメラ645、キーボード646等を含んでいる。そして、コンピュータ642のWebカメラ645に関して、前記実施形態で提案した固体撮像装置或いは撮像装置の技術がそのまま適用可能である。"