"遮光部、半透光部、及び透光部を含む所定の転写パターンを透明基板上に形成する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜、遮光膜、及びレジスト膜が前記透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と前記レジスト膜に描画および現像を施し、前記遮光部の形成領域及び前記半透光部の形成領域を覆い、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さが前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さよりも薄い第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンをマスクとしてエッチングを行う第1エッチング工程と、前記第1レジストパターンを減膜して形成された第2レジストパターンを用いてエッチングを行う第2エッチング工程と、によって、前記透光部、前記半透光部、及び前記遮光部を形成し、かつ、前記第1レジストパターンの減膜は、前記透光部の形成領域に前記半透光膜又は前記レジスト膜が露出した状態で行うことを特徴とする多階調フォトマスクの製造方法。遮光部、半透光部、及び透光部を含む所定の転写パターンを透明基板上に形成する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜、遮光膜、及びレジスト膜が前記透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、前記レジスト膜に描画および現像を施し、前記遮光部の形成領域及び前記半透光部の形成領域を覆い、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さが前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さよりも薄い第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングして前記半透光膜を一部露出させる第1エッチング工程と、前記第1レジストパターンを減膜し、前記半透光部の形成領域における前記遮光膜を露出させ、前記遮光部の形成領域を覆う第2レジストパターンを形成する工程と、前記第2レジストパターン及び露出した前記遮光膜をマスクとして前記半透光膜をエッチングして前記透明基板を一部露出させる第2エッチング工程と、前記第2レジストパターンをマスクとして、露出した前記遮光膜をエッチングして前記半透光膜を一部露出させる第3エッチング工程と、前記第2レジストパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする多階調フォトマスクの製造方法。遮光部、半透光部、及び透光部を含む所定の転写パターンを透明基板上に形成する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜、遮光膜、及びレジスト膜が前記透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、前記レジスト膜に描画および現像を施し、前記遮光部の形成領域及び前記半透光部の形成領域を覆い、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さが前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さよりも薄い第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンをマスクとしてエッチングを行う第1エッチング工程と、前記第1レジストパターンを減膜して形成された第2レジストパターンを用いてエッチングを行う第2エッチング工程と、によって、前記透光部、前記半透光部、及び前記遮光部を形成し、かつ、前記第1レジストパターンを形成する工程では、前記転写パターンに含まれない暫定レジストパターンを前記透光部の形成領域に形成し、前記第1エッチング工程では、前記暫定レジストパターンをマスクとして、暫定遮光膜パターンを形成し、前記第2エッチング工程において、前記暫定レジストパターンと前記暫定遮光膜パターンとを除去することを特徴とする多階調フォトマスクの製造方法。遮光部、半透光部、及び透光部を含む所定の転写パターンを透明基板上に形成する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜、遮光膜、及びレジスト膜が前記透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、前記レジスト膜に描画および現像を施し、前記透光部の形成領域に暫定レジストパターンを形成し、前記遮光部の形成領域及び前記半透光部の形成領域を覆い、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さが前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さよりも薄い第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンと前記暫定レジストパターンとをマスクとして前記遮光膜をエッチングして前記半透光膜を一部露出させる第1エッチング工程と、前記第1レジストパターンを減膜し、前記半透光部の形成領域における前記遮光膜を露出させ、前記遮光部の形成領域を覆う第2レジストパターンを形成する工程と、前記第2レジストパターン及び露出した前記遮光膜をマスクとして前記半透光膜をエッチングして前記暫定レジストパターンを除去するとともに前記透光部の形成領域の前記透明基板を露出させる第2エッチング工程と、前記第2レジストパターンをマスクとして、露出した前記遮光膜をエッチングして前記半透光膜を一部露出させる第3エッチング工程と、前記第2レジストパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする多階調フォトマスクの製造方法。前記暫定レジストパターンの除去は、前記半透光膜のエッチングに伴うリフトオフによることを特徴とする請求項4に記載の多階調フォトマスクの製造方法。前記暫定レジストパターンの寸法は、線幅が1μm以下であることを特徴とする請求項5に記載の多階調フォトマスクの製造方法。前記暫定レジストパターンの膜厚は、前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さと等しいことを特徴とする請求項4~6のいずれか一項に記載の多階調フォトマスクの製造方法。前記暫定レジストパターンの膜厚は、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さと等しいことを特徴とする請求項4~6のいずれか一項に記載の多階調フォトマスクの製造方法。前記半透光膜は、シリコンを含む材料からなることを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の多階調フォトマスクの製造方法。請求項1~9のいずれか一項に記載の製造方法による多階調フォトマスクを介し、被転写体上に形成されている被転写レジスト膜に前記露光光を照射することにより、前記被転写レジスト膜に前記転写パターンを転写する工程を有することを特徴とするパターン転写方法。上述の多階調フォトマスクにおいて、例えば、遮光部は、透明基板上に半透光膜と遮光膜とがこの順に形成されてなり、半透光部は、半透光膜が透明基板上に形成されてなり、透光部は、透明基板が露出してなるものとすることができる。なお、ここでこの順にとは、エッチングを妨げないものであれば、膜間に他の膜が介在していてもよい。このような多階調フォトマスクは、半透光膜と遮光膜とにそれぞれ所定のパターニングを施す必要があることから、描画及び現像を少なくとも2回ずつ行うことで製造されてきた。具体的には、例えば、まず、半透光膜、遮光膜、及び第1レジスト膜が透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する。そして、一回目の描画および現像を第1レジスト膜に施し、遮光部の形成領域及び半透光部の形成領域を覆う第1レジストパターンを形成し、第1レジストパターンをマスクとして遮光膜及び半透光膜をエッチングする。次に、第1レジストパターンを除去して第2レジスト膜を形成し、二回目の描画および現像を第2レジスト膜に施して遮光部の形成領域を覆う第2レジストパターンを形成する。さらに、第2レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、第2レジストパターンを除去する。しかしながら、例えばFPD用のTFT基板の製造等に用いられるフォトマスクは、半導体製造用のフォトマスクに比べて大型であり、例えば一辺が500mm以上の方形、更には1辺が1000mmを超える方形のものも最近は少なくないため、描画に長時間を要する。一方で、こうしたFPD製品の生産効率を向上させて、価格を下げようとする要請も強い。このため、描画及び現像を少なくとも2回ずつ行う上述の方法に対して、生産性を向上させる要望があることに発明者は着目した。また、上述の方法では、1回目の描画と2回目の描画との間で、現像、パターニングエッチング工程が行われるため、描画機からとり外し、上記工程にて処理されたフォトマスク中間体を、再度描画機にセットする必要がある。このような場合、1回目と2回目に描画されたパターン間のズレをなくして描画するには、描画機にてマスク上に形成されたアライメントマークを読み込み、そのアライメントマークを基準として描画機による適切な補正を施して描画を行うこれをアライメント描画というがそれでも位置ズレを完全に防止することは困難である。こうしたアライメント描画の際に生じる位置ズレは、例えば、発明者の検討によると0.1μm~0.5μm程度生じることがあり、この場合、転写パターンの形成精度が低下する。例えば、こうした多階調フォトマスクで液晶表示装置用のTFTを作製しようとするとき、設計値としては本来同一の線幅をもつ遮光パターンが、上記位置ズレに起因して異なる線幅となり、面内では、上記位置ズレ量の生じた分、線幅に分布が生じてしまう。更に、発明者の知見によれば、位置によってレジスト残膜値の異なるレジストパターンを形成し、かつ、このレジストパターンの減膜を利用することで描画及び現像の回数を削減することが可能である。具体的には、まず、半透光膜、遮光膜、及び第1レジスト膜が透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する。そして、第1レジスト膜に描画および現像を施し、遮光部の形成領域及び半透光部の形成領域を覆い、半透光部の形成領域におけるレジスト膜の厚さが遮光部の形成領域におけるレジスト膜の厚さよりも薄い第1レジストパターンを形成する。この第1レジストパターンをマスクとして遮光膜及び半透光膜をエッチングする。次に、第1レジストパターンを減膜して半透光部の形成領域におけるレジストパターンを除去することにより遮光膜を露出させ、遮光部の形成領域を覆う第2レジストパターンを形成する。さらに、第2レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、その後、第2レジストパターンを除去する。このような方法を用いれば、透光部、半透光部、遮光部を有するつまり3階調の多階調フォトマスクを製造するに際して、描画工程を1回のみとすることができる。しかし、これを現実の生産工程に適用するには、いくつかの困難が存在する。その一つは、大型フォトマスクブランクへの描画工程において、位置によって露光量を変化させる技術に関するものである。フォトマスク用の描画露光装置は、一般的には中間調を含んだパターンを描画する必要がないため、描画のためのビーム走査を行いつつ露光量を変化させることは容易ではない。上記に対する解決方法としては、以下のものがある。特許文献1には、フォトマスクブランクに対し、透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、また半透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程が記載されている。また、特許文献2には、半透光部を形成する部分に対しては、電子線描画機又はレーザ描画機を用いて、前記描画機の解像限界以下のパターンの描画データを利用して描画することを含むレジスト膜露光工程が記載されている。しかしながら、発明者の検討によると、描画工程のみでなく、描画、現像によって形成されるレジストパターンの減膜を行う工程にも困難があり、技術課題が存在することが見出された。例えば、レジスト膜を減膜する工程では、フォトマスクブランクのレジスト膜が形成された面内全体に均一な減膜が行われなければならない。面内位置によって不均一な減膜が生じると、レジストの残膜量が不均一となり、次工程のエッチングによって形成される遮光部、又は半透光部の線幅が、設計値に対して変動してしまう。大型マスクは大面積であるから、面内の均一性を維持することは容易ではない。減膜の面内均一性を阻害する要因のひとつとしては、減膜の面内均一性に影響を与える、レジストの減膜量が転写用パターンの形状に依存するということが挙げられる。具体的には、得ようとする転写用パターンには、最終製品であるデバイスに応じて、遮光部と半透光部の疎密の分布があり、又は、遮光部と半透光部の面積比率に分布があることが多い。係る場合、例えば、第1レジストパターンの疎らな領域単位面積あたりの開口面積の割合が大きい領域では減膜速度が比較的増大し、第1レジストパターンの密な領域単位面積あたりの開口面積の割合が小さい領域では減膜速度が比較的減少する場合がある。その結果、減膜による形状制御を正確に行うことが困難となり、転写パターンの形成精度が低下してしまう場合がある。特に、FPD用フォトマスクではレジストパターンの疎密差が比較的大きいことから、減膜速度の不均一性が現れやすい傾向がある。そこで本発明は、レジストパターンの減膜を利用することで描画及び現像の回数を削減させつつ、レジストパターンの減膜速度の面内均一性を向上させ、転写パターンの形成精度を向上させることを目的とする。本発明の第1の態様は、遮光部、半透光部、及び透光部を含む所定の転写パターンを透明基板上に形成する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜、遮光膜、及びレジスト膜が前記透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と前記レジスト膜に描画および現像を施し、前記遮光部の形成領域及び前記半透光部の形成領域を覆い、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さが前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さよりも薄い第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンをマスクとしてエッチングを行う第1エッチング工程と、前記第1レジストパターンを減膜して形成された第2レジストパターンを用いてエッチングを行う第2エッチング工程と、によって、前記透光部、前記半透光部、及び前記遮光部を形成し、かつ、前記第1レジストパターンの減膜は、前記透光部の形成領域に前記半透光膜又は前記レジスト膜が露出した状態で行う多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第2の態様は、遮光部、半透光部、及び透光部を含む所定の転写パターンを透明基板上に形成する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜、遮光膜、及びレジスト膜が前記透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、前記レジスト膜に描画および現像を施し、前記遮光部の形成領域及び前記半透光部の形成領域を覆い、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さが前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さよりも薄い第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングして前記半透光膜を一部露出させる第1エッチング工程と、前記第1レジストパターンを減膜し、前記半透光部の形成領域における前記遮光膜を露出させ、前記遮光部の形成領域を覆う第2レジストパターンを形成する工程と、前記第2レジストパターン及び露出した前記遮光膜をマスクとして前記半透光膜をエッチングして前記透明基板を一部露出させる第2エッチング工程と、前記第2レジストパターンをマスクとして、露出した前記遮光膜をエッチングして前記半透光膜を一部露出させる第3エッチング工程と、前記第2レジストパターンを除去する工程と、を有する多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第3の態様は、遮光部、半透光部、及び透光部を含む所定の転写パターンを透明基板上に形成する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜、遮光膜、及びレジスト膜が前記透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と前記レジスト膜に描画および現像を施し、前記遮光部の形成領域及び前記半透光部の形成領域を覆い、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さが前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さよりも薄い第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンをマスクとしてエッチングを行う第1エッチング工程と、前記第1レジストパターンを減膜して形成された第2レジストパターンを用いてエッチングを行う第2エッチング工程と、によって、前記透光部、前記半透光部、及び前記遮光部を形成し、かつ、前記第1レジストパターンを形成する工程では、前記転写パターンに含まれない暫定レジストパターンを前記透光部の形成領域に形成し、前記第1エッチング工程では、前記暫定レジストパターンをマスクとして、暫定遮光膜パターンを形成し、前記第2エッチング工程において、前記暫定レジストパターンと前記暫定遮光膜パターンとを除去する多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第4の態様は、遮光部、半透光部、及び透光部を含む所定の転写パターンを透明基板上に形成する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜、遮光膜、及びレジスト膜が前記透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、前記レジスト膜に描画および現像を施し、前記透光部の形成領域に暫定レジストパターンを形成し、前記遮光部の形成領域及び前記半透光部の形成領域を覆い、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さが前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さよりも薄い第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンと前記暫定レジストパターンとをマスクとして前記遮光膜をエッチングして前記半透光膜を一部露出させる第1エッチング工程と、前記第1レジストパターンを減膜し、前記半透光部の形成領域における前記遮光膜を露出させ、前記遮光部の形成領域を覆う第2レジストパターンを形成する工程と、前記第2レジストパターン及び露出した前記遮光膜をマスクとして前記半透光膜をエッチングして前記暫定レジストパターンを除去するとともに前記透光部の形成領域の前記透明基板を露出させる第2エッチング工程と、前記第2レジストパターンをマスクとして、露出した前記遮光膜をエッチングして前記半透光膜を一部露出させる第3エッチング工程と、前記第2レジストパターンを除去する工程と、を有する多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第5の態様は、前記暫定レジストパターンの除去は、前記半透光膜のエッチングに伴うリフトオフによる第4の態様に記載の多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第6の態様は、前記暫定レジストパターンの寸法は、線幅が1μm以下である第5の態様に記載の多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第7の態様は、前記暫定レジストパターンの膜厚は、前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さと等しい第4~第6の態様のいずれか一態様に記載の多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第8の態様は、前記暫定レジストパターンの膜厚は、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さと等しい第4~第6の態様のいずれか一態様に記載の多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第9の態様は、前記半透光膜は、シリコンを含む材料からなる第1~第8の態様のいずれか一態様に記載の多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第10の態様は、第1~第9の態様のいずれか一態様に記載の製造方法による多階調フォトマスクを介し、被転写体上に形成されている被転写レジスト膜に前記露光光を照射することにより、前記被転写レジスト膜に前記転写パターンを転写する工程を有するパターン転写方法である。本発明によれば、レジストパターンの減膜を利用することで描画及び現像の回数を削減させつつ、レジストパターンの減膜速度の面内均一性を向上させ、転写パターンの形成精度を向上させることが可能となる。先述のように、多階調フォトマスクの製法方法においては、例えば、3階調透光部、遮光部、半透光部を実現するために、透明基板上に形成した2つの膜にパターニングを施す必要があり、従来の製造方法では少なくとも2回の描画及び現像工程が必要である。更に、4階調以上の多階調フォトマスクにおいては、少なくとも2回、或いはそれより多い回数の描画現像工程が必要となる。従って、生産効率、製造コストの改良が望まれていた。更に、複数回の描画によるパターンの相互の位置ズレによって転写パターンの形成精度の低下を招いていた。そこで発明者は、上述の課題を解決すべく描画及び現像工程の回数の削減に取り組んだ。まず、図7aに例示するように、透明基板100’上に半透光膜101’、遮光膜102’がこの順に形成され、最上層にレジスト膜103’が形成されたフォトマスクブランク10b’を用意する。そして、図7bの103p’に実線で例示するように、フォトマスクブランク10b’が有するレジスト膜103’に対して露光現像を施し、例えば2段階の厚さを有する第1レジストパターン103p’を形成する。第1レジストパターン103p’は、遮光部110’の形成領域及び半透光部115’の形成領域を覆い、半透光部115’の形成領域におけるレジスト膜103’の厚さが、遮光部110’の形成領域におけるレジスト膜103’の厚さよりも薄くなるように形成されている。なお、遮光部110’や半透光部115’の形成領域とは、得ようとする多階調フォトマスクにおいて、遮光部110’や半透光部115’を形成しようとする領域をいう。そして、第1レジストパターン103p’をマスクとして遮光膜102’及び半透光膜101’をエッチングする。次に、図7bの104p’に点線と一部実線で例示するように、第1レジストパターン103p’を減膜し、遮光部110’の形成領域を覆う第2レジストパターン104p’を形成する。そして、図7cには、第2レジストパターン104p’をマスクとして半透光膜101’をエッチングした後、第2レジストパターン104p’を除去し終えたときの態様を例示する。この方法によれば、描画及び現像工程の回数をそれぞれ1回に削減でき、上述の課題を解決できる。ここで減膜とは、例えばレジスト膜103’の露出している上部表面から垂直方向に所望量のレジスト膜103’を消失させ、膜厚を減少させることをいう。上記において、第1レジストパターン103p’の減膜は、例えば、プラズマアッシング法を用いて、プラズマによって発生させた活性物質、例えば活性酸素を第1レジストパターン103p’に供給し、レジスト膜103’を構成する有機物を分解して灰化アッシングすることで行うことができる。しかしながら、発明者の検討によれば、係る方法では第1レジストパターン103p’の減膜速度の面内均一性が十分でないことが分かった。その結果、減膜によるレジストパターンの形状制御を正確に行うことが困難となり、例えば、図7cの符号125に示すように、一部の転写パターンの寸法が予定領域より小さく形成される場合があることが分かった。そこで発明者は、減膜速度の面内均一性を低下させる理由について鋭意検討を行った。以下に、図を参照してその理由を説明する。図6b1~b3は、第1レジストパターン103p’の減膜メカニズムを例示する断面図である。図6のb1は減膜前の第1レジストパターン103p’の構成を、b2は活性酸素により第1レジストパターン103p’が減膜される様子を、b3は減膜により得られた第2レジストパターン104p’をマスクとして転写パターンを形成した様子をそれぞれ示している。図6のb1に示すように、第1レジストパターン103p’は、疎らな領域例えば、単位面積あたりの開口面積の割合が大きい領域と密な領域例えば、単位面積あたりの開口面積の割合が小さい領域と、を有している。具体的には、例えば透光部120’の形成領域は疎らな領域に相当し、遮光部110’や半透光部115’の形成領域が密な領域に相当する。ここで、疎らな領域では、減膜対象となるレジスト材料第1レジストパターン103p’が比較的少ないため、活性酸素の消費はそれほど多くない。したがって、疎らな領域においては、第1レジストパターン103p’に供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量が、第1レジストパターン103p’を減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも多い状態になり易い。すなわち、疎らな領域においては第1レジストパターン103p’の減膜速度が比較的増大し易い。これに対し、密な領域では、減膜対象となるレジスト材料第1レジストパターン103p’が比較的豊富に存在するため、活性酸素の消費量は多くなる。したがって、密な領域においては、第1レジストパターン103p’に供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量が、第1レジストパターン103p’を減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも不十分な状態になり易い。すなわち、密な領域においては第1レジストパターン103p’の減膜速度が比較的減少し易い。このように、減膜対象となる第1レジストパターン103p’の形状に影響を受け、減膜速度の面内均一性が低下する場合があることが分かった。この場合、減膜速度の面内均一性が低下することによって、減膜による形状制御を正確に行うことが困難となり、図6のb3に例示するように転写パターンの形成精度が低下してしまう。特に、FPD用フォトマスクではレジストパターンの疎密差が比較的大きいことから、減膜速度の不均一性が顕著に現れやすい傾向がある。なお、減膜速度の面内均一性の低下は、レジストパターンの疎密差が大きい場合のみでなく、レジストパターンの開口面積自体の差が大きい場合にも顕著に現れる。そこで発明者は、減膜速度の面内均一性を向上させる方法について、更に鋭意研究を行った。その結果、減膜処理工程中において、活性酸素の消費量を、面内で均一化する方法を見出した。すなわち、活性酸素が相対的に過剰になりやすい領域レジスト膜の露出が少ない領域に、活性酸素と反応する材料を露出させておくことで、第1レジストパターン103p’に供給した活性酸素の一部を消費させ、減膜速度の面内均一性を向上できるとの知見を得るに至った。発明者の検討によれば、このような方法を採用することで、多階調フォトマスクに形成される、半透光部と遮光部のパターン線幅すなわち、半透光膜パターンと遮光膜パターンの線幅を、マスクの設計データで与えられる設計値に近づけることができる。また、設計値と実際の線幅とに所定の差異が生じても、その生じた差異を面内で均一にすることができる。本発明は、発明者が見出した上記知見に基づくものである。<本発明の第1実施形態>以下に、本発明の第1実施形態を、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る多階調フォトマスク10の製造工程のフロー図である。図2は、多階調フォトマスク10を用いたパターン転写方法を示す断面図である。1多階調フォトマスクの製造方法フォトマスクブランク準備工程まず、図1aに例示するように、透明基板100上に半透光膜101、遮光膜102がこの順に形成され、最上層にレジスト膜103が形成されたフォトマスクブランク10bを準備する。透明基板100は、例えば石英SiO2ガラスや、SiO2,Al2O3,B2O3,RORはアルカリ土類金属,R2OR2はアルカリ金属等を含む低膨張ガラス等からなる平板として構成されている。透明基板100の主面表面及び裏面は、研磨されるなどして平坦且つ平滑に構成されている。透明基板100は、例えば一辺が2000mm~2400mm程度の方形とすることができる。透明基板100の厚さは例えば3mm~20mm程度とすることができる。半透光膜101は、モリブデンMoやタンタルTa等の金属材料とシリコンSiとを含む材料からなり、例えばMoSi、MoSix、MoSiN、MoSiON、MoSiCON、TaSix等からなる。半透光膜101は、フッ素F系のエッチング液又はエッチングガスを用いてエッチング可能なように構成されている。また、半透光膜101は、硝酸第2セリウムアンモニウムNH42CeNO36及び過塩素酸HClO4を含む純水からなるクロム用エッチング液に対するエッチング耐性を有し、後述するようにクロム用エッチング液を用いて遮光膜102をエッチングする際のエッチングストッパ層として機能する。遮光膜102は、実質的にクロムCrからなる。なお、遮光膜102の表面にCr化合物CrO、CrC,CrN等を積層すれば図示せず、遮光膜102の表面に反射抑制機能を持たせることが出来る。遮光膜102は、上述のクロム用エッチング液を用いてエッチング可能なように構成されている。レジスト膜103は、ポジ型フォトレジスト材料或いはネガ型フォトレジスト材料により構成することが可能である。以下の説明では、レジスト膜103がポジ型フォトレジスト材料より形成されているものとする。レジスト膜103は、例えばスリットコータやスピンコータ等を用いて形成することができる。第1レジストパターン形成工程次に、フォトマスクブランク10bに対してレーザ描画機等により描画露光を行い、レジスト膜103を感光させ、レジスト膜103に現像液を供給して現像を施し、遮光部110の形成領域及び半透光部115の形成領域を覆う第1レジストパターン103pを形成する。第1レジストパターン103pが形成された状態を、図1bに例示する。図1bに示すように第1レジストパターン103pは、半透光部115の形成領域におけるレジスト膜103の厚さが遮光部110の形成領域におけるレジスト膜103の厚さよりも薄くなるよう形成されている。なお、遮光部110や半透光部115の形成領域とは、得ようとする多階調フォトマスク10において、遮光部110や半透光部115を形成しようとする領域をいう。このように厚さの異なる第1レジストパターン103pを形成するには、例えば以下の方法を用いることができる。以下の方法によれば、2つ以上の残膜量を有する第1レジストパターン103pを、1回の描画と現像処理によって形成することができる。具体的には、上記のフォトマスクブランク10bを用意し、描画を行うとき、透光部120を形成する領域には、レジスト膜103を完全に感光させる露光量を適用し、また半透光部115を形成する領域には、レジスト膜103を完全に感光させるより少ない露光量を適用する。係る描画方法の詳細について、以下に2つの例を挙げて詳述する。aハーフドーズ描画による方法遮光部110、透光部120及び半透光部115の全てのパターンデータを組み込んだ、マスクパターンの合成データが、図8aに示すように、遮光部データ110d、透光部データ120d、及び半透光部データ115dで構成された場合を例にとる。この場合、マスクパターンの合成データを、図8bに示す遮光部データ110d及び透光部データ120dと、図8cに示す半透光部データ115dとに分離する。ここで、上記データの分離時に遮光部データ110dは図6cの半透光部データ側に含むこともできる。ポジ型レジストを使用する場合、遮光部データ110dは描画が行われない部分であるので、どちらのデータ分離方法によっても以降の描画工程では同じ結果を示すため問題は生じない。そして、透光部120の形成領域をレジスト膜103が完全に除去できる露光量100で描画した後、半透光部115の形成領域をレジスト膜103が完全に感光される露光量の約半分の露光量で描画することにより図8aに示すパターンの描画を行うことができる。なお、透光部120の形成領域と半透光部115の形成領域との描画の順序については順不同であり、どちらが先でも構わない。上記図8aに示す描画パターンを、レジスト膜103上ポジレジストでの描画例に描画した際の露光量の分布は、図9に示すようになる。つまり、エリアC透光部120の形成領域の露光量は100、エリアA半透光部115の形成領域の露光量は50、エリアB遮光部110の形成領域の露光量は0露光されないとなる。半透光部の露光量は、上記の値に限定されず、例えば30以上70以下とすることができる。この範囲であれば、レジスト残膜量がエッチング時のマスクとして不具合が生じず、レジスト膜の厚い部分と薄い部分の境界を明確に保ったまま精度の高い減膜を行うことができる。続いて、図9のI-I断面図である図10aに示すとおり、図9に示す露光分布で描画を行った場合、エリアBは未露光となり、エリアAは露光現像後の膜厚がエリアBの残膜値の約半分になるように描画の際の露光量を調節する。エリアCにはレジストパターニングしたとき、レジストが完全に除去されるのに不足しないだけの露光量を与える。例えば、この際の描画方法としては、レーザ描画機で、露光量100の光量にてエリアCの描画を行った後、露光量50程度の光量でエリアAの描画を行なう。エリアA、Cの描画順序についてはどちらが先でも構わない。次に、図10bに示すように、膜厚差を有するようにレジスト膜103を現像する。この際、レジスト膜103の膜厚は、エリアAで工リアBの約半分程度となり、エリアCでは完全に除去された状態となる。なお、ここでは半透光部115の形成領域エリアAの露光量を50としたが、所望の残膜値に基づいて、例えば20~80程度の範囲で変更することが可能である。このように露光量を変更することで、エリアAを現像後に所望の残膜値になるよう形成することができる。本実施形態では、このように一工程で連続的に描画を行うことができる。b未解像パターン描画による方法次に、他のレジストパターン形成方法を説明する。この方法においても、上記のフォトマスクブランク10bを用い、レーザ描画機などを用いて描画を行う。描画パターンは、一例としては図12に示されるように、遮光部パターン110a、110bと、透光部パターン120pと、半透光部パターン115pとを有する。ここで、半透光部パターン115pは、使用する描画機の解像限界以下の微細パターンラインアンドスペースからなる遮光パターン115a、及び透過パターン115bを形成した領域である。例えば使用するレーザ描画機の解像限界が、2.0μmであれば、図12で半透光部パターン115pにおける透過パターン115bのスペース幅を2.0μm未満、遮光パターン115aのライン幅を描画機の解像限界以下の2.0μm未満とすることができる。なお、ラインアンドスペースパターンの場合、ライン幅をどのくらいにするかによって、このパターンを介して露光したときの露光量を調節することが出来、最終的には半透光部115を形成する部分でのレジスト膜103の残膜値を制御することができる。例えば、ライン幅は、描画機の解像最小線幅の1/2未満、例えば1/8~1/3とすることができる。このような遮光部パターン110a、110bと、透光部パターン120pと、半透光部パターン115pとを有するパターンの描画データ図12のパターンの場合、例えば透光部パターン120pのデータと半透光部パターン115pのデータを合成した1種類のデータを利用するのが好適であるを用いて一度に描画を行う。この際の露光量は、透光部120を形成する領域のレジスト膜103が十分に感光される露光量とする。すると、透光部120を形成する領域図11に図示するCの領域では、レジスト膜103が十分に感光され、遮光部110を形成する領域図11に図示するBの領域では、レジスト膜103は未露光露光されない状態である。さらに、半透光部115を形成する領域図11に図示するAの領域では、前記遮光パターン115aを描画機では解像できないため、その線幅を描画できないが、全体として露光量が足りなくなる。すなわち、半透光部115の形成領域ではこの形成領域全体の露光量を減らしてレジスト膜103を露光したのと同じような効果が得られる。描画後、これを所定の現像液で現像すると、マスクブランク10b上に、遮光部110B領域と半透光部115A領域とでレジスト膜103の残膜値が異なるような第1レジストパターン103pが形成される図11b参照。半透光部115の形成領域ではレジスト膜103が完全に感光される露光量よりも実際の露光量が少ないため、レジスト膜103を現像すると完全には溶解せず、未露光の遮光部110のレジスト膜103よりも薄い膜厚で残存する。なお、透光部120ではレジスト膜103は完全に除去された状態となる。尚、2つ以上の残膜量を有するレジストパターンの形成方法は、上記に限定されない。描画機のビーム走査を行いつつ、走査領域によってその強度を変更する方法など、上記以外の手法により、レジスト膜103の位置によって異なる露光量の描画を施してもよい。第1エッチング工程次に、図1cに示すように形成した第1レジストパターン103pをマスクとして、遮光膜102をエッチングして遮光膜パターン102pを形成する。遮光膜102のエッチングは、上述のクロム用エッチング液を、スプレー方式等の手法により遮光膜102に供給してウェットエッチングすることが可能である。このとき、下地の半透光膜101がエッチングストッパ層として機能する。このように、遮光膜パターン102pが形成された状態を、図1cに例示する。第2レジストパターン形成工程次に、第1レジストパターン103pを減膜し、半透光部115の形成領域における遮光膜102を露出させる。このとき、レジスト膜103の厚い遮光部110の形成領域ではレジスト膜103が残る。これにより、遮光部110の形成領域を覆う第2レジストパターン104pが形成される。その状態を図1dに例示する。第1レジストパターン103pの減膜は、第1レジストパターン103pをアッシングさせて行うことができる。例えば、酸素O2ガスなどの反応性ガスのプラズマを発生させ、生じる活性酸素により有機物であるレジストをCOxやH2Oなどに分解し、除去することによって減膜することが可能である。このようにして第1レジストパターン103pに活性酸素を供給すると、レジスト膜103を構成する有機物を分解して減膜することができる。反応性ガスとしては、例えばO3ガスやO2ガスを用いることができる。O3ガスは、例えば公知の真空紫外線VacuumUltra-Violet:以下VUVと呼ぶ照射装置や、エキシマUVランプ、低圧水銀ランプ等による光照射や、プラズマ照射により空気中の酸素O2をオゾンO3化させて発生させることができる。ここで活性酸素とは、例えばO3自身のほか、プラズマ化したO3ガスやO2ガスに含まれるヒドロキシラジカルHOや、反応性ガス中に存在する、レジスト膜103と反応するのに充分な活性を持った酸素原子Oを含む化学種全般を指すものとする。但し、上述したように、活性酸素を供給することで第1レジストパターン103pを減膜する場合、第1レジストパターン103pの形状によっては、活性酸素の供給量と消費量のバランスが面内で不均一になり減膜速度の面内均一性が低下してしまう場合がある。すなわち、第1レジストパターン103pが疎らな領域において、減膜速度が相対的に増大してしまう場合がある。これに対して本実施形態では、レジスト膜103の露出が少ない領域において、活性酸素を消費する効果を有する半透光膜101が露出した状態で第1レジストパターン103pを減膜している。これにより第1レジストパターン103pに供給した活性酸素の一部を消費させ、レジストパターンの粗密にかかわらず、活性酸素の供給量と消費量のバランスが面内で均一となり、減膜速度の面内均一性を向上させることができる。図4は、本実施形態に係る第1レジストパターン103pの減膜メカニズムを示す断面図である。図4のb1は減膜前の第1レジストパターン103pの構成を、b2は活性酸素により第1レジストパターン103pが減膜される様子を、b3は減膜により得られた第2レジストパターン104pをマスクとして転写パターンを形成した様子をそれぞれ示している。図4に示すように、本実施形態によれば、疎らな領域に半透光膜101を露出して配置することで、疎らな領域及び密な領域のそれぞれにおいて消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量の差を抑制することができる。すなわち、第1レジストパターン103pに供給した活性酸素の一部を、露出した半透光膜101により消費させる。そして、第1レジストパターン103pを減膜することで消費される、単位面積あたりの活性酸素の消費量の面内の差を、半透光膜101により消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量分で補うことができる。その結果、減膜速度の面内均一性を向上させ、減膜によって形成される第2レジストパターン104pの形状制御をより正確に行うことができる。なお、半透光膜101が有する活性酸素の消費効果は、半透光膜101に含まれるSiが活性酸素と反応し、活性酸素がSiに捕捉されること、あるいは活性酸素と半透光膜101表面との間に生じる相互作用によって活性酸素が失活することにより生じる。第2エッチング工程次に、第2レジストパターン104p及び露出した遮光膜102をマスクとして、半透光膜101をエッチングして半透光膜パターン101pを形成し、透明基板100を部分的に露出させる。半透光膜101のエッチングは、フッ素F系のエッチング液又はエッチングガスを半透光膜101に供給して行うことが可能である。このように、半透光膜パターン101pが形成された状態を、図1eに例示する。第3エッチング工程続いて第2レジストパターン104pをマスクとして、遮光膜102をさらにエッチングして半透光膜101を新たに露出させる。遮光膜102のエッチングは、先述のクロム用エッチング液を、遮光膜102に供給して行うことが可能である。このとき、下地の半透光膜101がエッチングストッパ層として機能する。第3エッチング工程が実施された状態を図1fに例示する。第2レジストパターン除去工程そして、第2レジストパターン104pを除去し、本実施形態に係る多階調フォトマスク10の製造を完了する。第2レジストパターン104pは、第2レジストパターン104pに剥離液等を接触させることで除去できる。第2レジストパターン104pを除去した状態を図1gに例示する。以上により、図1gに例示するような多階調フォトマスク10の製造工程を終了する。図1gに示す多階調フォトマスク10は、例えばフラットパネルディスプレイFPD用の薄膜トランジスタTFT基板の製造等に用いられる。ただし図1gは多階調フォトマスクの積層構造を例示するものであり、実際のパターンはこれと同一とは限らない。多階調フォトマスク10が備える遮光部110、半透光部115、及び透光部120は、例えばi線~g線の範囲内の代表波長を有する露光光に対し、それぞれ所定の範囲内の透過率を有するように構成されている。すなわち、遮光部110は露光光を遮光光透過率が略0させ、透光部120は露光光を略100透過させるように構成されている。そして、半透光部115は、例えば露光光の透過率を20~80十分に広い透光部120の透過率を100としたとき。以下同様、好ましくは30~60程度に低減させるように構成されている。なお、i線365nm、h線405nm、g線436nmとは、水銀Hgの主な発光スペクトルであり、ここでいう代表波長とは、i線、h線、g線のうちいずれかの任意の波長のことである。なお、i線~g線のいずれの波長に対しても上記透過率であることがより好ましい。2被転写体へのパターン転写方法図2に、多階調フォトマスク10を用いたパターン転写工程によって被転写体30に形成されるレジストパターン302p実線部の部分断面図を例示する。レジストパターン302pは、被転写体30に形成された被転写レジスト膜としてのポジ型レジスト膜302点線部と一部実線部に多階調フォトマスク10を介して露光光を照射し、現像することにより形成される。被転写体30は、基板300と、基板300上に順に積層された金属薄膜や絶縁層、半導体層などの任意の被加工層301とを備えており、ポジ型レジスト膜302は被加工層301上に均一な厚さで予め形成されているものとする。なお、被加工層301を構成する各層は、各層の上層のエッチング液又はエッチングガスに対して耐性を有するように構成されていてもよい。多階調フォトマスク10を介してポジ型レジスト膜302に露光光を照射すると、遮光部110では露光光が透過せず、また、半透光部115、透光部120の順に露光光の光量が段階的に増加する。そしてポジ型レジスト膜302は、遮光部110、半透光部115のそれぞれに対応する領域で膜厚が順に薄くなり、透光部120に対応する領域で除去される。このようにして、被転写体30上に膜厚が段階的に異なるレジストパターン302pが形成される。レジストパターン302pが形成されたら、レジストパターン302pに覆われていない領域透光部120に対応する領域に露出している被加工層301を表面側から順次エッチングして除去する。そして、レジストパターン302pをアッシング減膜して膜厚が薄い領域半透光部115に対応する領域を除去し、新たに露出した被加工層301を順次エッチングして除去する。このように、膜厚が段階的に異なるレジストパターン302pを用いることで、従来のフォトマスク2枚分の工程を実施したこととなり、マスク枚数を削減でき、フォトリソグラフィ工程を簡略化できる。3本実施形態に係る効果本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。本実施形態によれば、第1レジストパターン103pの減膜を利用することで、描画及び現像工程の回数を削減できる。これにより、多階調フォトマスク10の生産性を向上させ、製造コストを低減させることができる。また、3階調の転写パターンを形成するに際して、2種類遮光膜パターニングと半透光膜パターニングのパターン間の位置ズレを防止できるので、転写パターンの形成精度の低下を抑制することができる。また本実施形態によれば、レジスト減膜工程の際、面内にわたって活性酸素と反応する物質又は媒体を配置している。すなわち、レジスト膜103の露出が比較的少ない透光部120においては、半透膜101を露出させているため、この半透光膜101にSiなど、活性酸素と反応できるものを含有させれば、面内において消費される活性酸素の多寡に大きな不均一が生じない。換言すれば、第1レジストパターン103pにかわり、発生した活性酸素の一部を、露出した半透光膜101に消費させている。また、半透光膜101は、好ましくはMo等の金属材料とSiとを含む材料からなる。これにより、第1レジストパターン103pを減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量の面内の差を半透光膜101により消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量で補いつつ第1レジストパターン103pを減膜することができる。また、第1レジストパターン103pに供給した活性酸素の一部を消費させるには、活性酸素を半透光膜101に接触させることで行うことができる。これは、半透光膜101に含まれるSiによって活性酸素を捕捉又は失活させることで行うことができるからである。よって、疎らな領域の減膜速度を局所的に抑制して密な領域の減膜速度に近づけることができ、減膜速度の面内均一性を向上させることができる。そして、第2レジストパターン104pの形成精度を向上させ、転写パターンの形成精度を向上させることができる。また本実施形態によれば、上記のパターン間の位置ズレ防止と、転写パターンの形成精度向上との二つの効果が同時に得られることにより、更にパターンの線幅制御が有効に行える。具体的には、パターン線幅が設計値からかい離しないとともに、設計値と実際の線幅の差異ゼロでない場合の面内偏差ができない。換言すれば、設計値に対して、実際の線幅がプラス側にずれたりマイナス側にずれたりすることがなく、さらには差異の傾向が面内で一定である。すなわち、半透光部と遮光部の重ね合わせ精度が向上し、かつ線幅の面内均一性も向上することができる。このため、TFT基板のパターンなど、対称性のあるパターン例えば、透光部、遮光部、半透光部、遮光部、透光部がこの順に一方向に配列し、半透光部に対して、両側にある遮光部の線幅が同一である場合などにおいて、従来の方法では2回の描画による位置ズレによってこの対称性が維持できなかったという問題を解消した。また、パターン疎密差起因や開口率起因による面内の線幅変動の偏差も抑制することができるため、目標線幅に対する製造プロセスにおける制御も容易になった。<本発明の第2実施形態>続いて、本発明の第2実施形態について図3を用いて説明する。第1の実施形態では、前記第1レジストパターン103pの減膜は、透光部120の形成領域に半透光膜101が残存し、この半透光膜101が露出した状態で行われたが、本実施形態では、第1レジストパターン103pの減膜を、透光部120の形成領域に、暫定的なレジストパターンを配置し、このレジストパターンを露出させておくことにより行う。すなわち、本実施形態では、第1レジストパターン103pが形成されるとき、同時に透光部120の形成領域に暫定パターン暫定レジストパターン103dが形成され、暫定パターン103dを構成するレジスト膜103によって活性酸素の一部を消費させつつ第1レジストパターン103pを減膜する点が、上記の実施形態とは異なる。以下、上記の実施形態と異なる点について、図3を参照して詳述する。1多階調フォトマスクの製造方法フォトマスク用ブランク準備工程本実施形態に係る多階調フォトマスク10の製造工程においても、図3aに例示するように、上述の実施形態と同様のフォトマスクブランク10bを用いる。第1レジストパターン形成工程上述の実施形態と同様の手法で、遮光部110の形成領域及び半透光部115の形成領域を覆う第1レジストパターンを形成する。このとき、透光部120の形成領域には暫定パターン103dを形成する。暫定パターン103dは、最終的な構造体、つまり転写パターンとして残るものではない得ようとする多階調フォトマスク10の転写パターンには含まれないが、多階調フォトマスク10の製造工程において、パターン形成精度を高めるために機能するものである。例えば第2レジストパターン形成工程における第1レジストパターン103pの減膜時の減膜速度の面内均一性を向上させるなど、補助的なパターンとしての役割を持つ。尚、暫定パターン103dの線幅は、後述する暫定パターン103dの除去工程において、下層側にある半透光膜101の溶出と同時に、迅速にリフトオフされるように、大きすぎないことが好ましい。すなわち、暫定パターン103dは、例えばレジストパターンの線幅として1μm以下、好ましくは0.5μm以下、より好ましくは0.1μm以下であることが望ましく、隣接するパターンとパターンの隙間の部分としては1μm以上、好ましくは2μm~4μm程度であることが望ましい。すなわち、暫定パターン103dをラインアンドスペースで形成するならば、ライン部線幅を0.01μmから1.0μm、さらには0.01μm~0.5μm、よりさらには0.01μm~0.1μmとすることが好適である。また、スペース部分を1μm~4μm程度とすることができる。但し、暫定パターン103dはラインアンドスペースに制限されず、同様の大きさをもつパターンドットパターンなどを透光部120の形成領域に配置する。なお、本願では、積層された膜のうちの少なくともひとつの膜の除去により、この膜を含みこの膜の上層に形成された膜を除去する態様をリフトオフとすることができる。例えば、透明基板上に、半透光膜、遮光膜、レジスト膜がこの順に形成されていたときに、半透光膜をエッチング除去することで、半透光膜と共に遮光膜とレジスト膜をリフトオフにより除去することができる。また、暫定パターン103dを構成するレジスト膜103は、第1レジストパターン103pを減膜する際の、活性酸素の需給調整を目的とするため、第1レジストパターン103pの減膜の際に、透光部120の形成領域に存在し、表面を露出させている状態であることが必要であるが、膜厚には特に制約が無い。したがって、後述するように、遮光部110の形成領域と同じ相対的に厚い膜厚であってもよいし、半透光部115の形成領域と同じ相対的に薄い膜厚であってもよい。ここでは、例えば遮光部110の形成領域におけるレジスト膜103と同程度の厚さを有しているものとする。暫定パターン103dを備える第1レジストパターン103pが形成された状態を、図3bに例示する。第1エッチング工程次に上述の実施形態と同様の手法で、形成した第1レジストパターン103pをマスクとして遮光膜102をエッチングし、遮光膜パターン102pを形成する。このとき、暫定パターン103dをマスクとして、暫定遮光膜パターンも形成される。遮光膜パターン102pが形成された状態を、図3cに例示する。第2レジストパターン形成工程次に、第1レジストパターン103pを減膜し、半透光部115の形成領域における遮光膜102を露出させて遮光部110の形成領域を覆う第2レジストパターン104pを形成する。このとき、暫定パターン103dにおいてもレジスト膜103が減膜される。その状態を図3dに例示する。第1レジストパターン103pの減膜は、上述の実施形態と同様、第1レジストパターン103pにいずれかの方法で活性酸素を供給して行う。本実施形態においては、活性酸素と反応して消費する効果を有する半透光膜101が露出しているとともに、透光部120の形成領域に暫定パターン103dを配置した状態で第1レジストパターン103pを減膜している。これにより第1レジストパターン103pに供給した活性酸素の一部を消費させ、減膜速度の面内均一性をさらに向上させることができる。図5b1~b3は、本実施形態に係る第1レジストパターン103pの減膜メカニズムを示す断面図である。図5のb1は減膜前の第1レジストパターン103pの構成を、b2は活性酸素により第1レジストパターン103pが減膜される様子を、b3は減膜により得られた第2レジストパターン104pをマスクとして転写パターンを形成した様子をそれぞれ示している。図5に示すように、本実施形態によれば、本来第1レジストパターン103pが疎らな領域に暫定パターン103dを配置することで、疎らな領域及び密な領域のそれぞれにおいて消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量を均一化することができる。すなわち、発生させた活性酸素の一部を、暫定パターン103dを構成するレジスト膜103により消費させる。そして、第1レジストパターン103pを減膜することで消費される、単位面積あたりの活性酸素の消費量の面内の差を、暫定パターン103dのレジスト膜103により消費される、単位面積あたりの活性酸素の消費量で補うことができる。その結果、減膜速度の面内均一性をさらに向上させ、減膜によって形成される第2レジストパターン104pの形状制御をより正確に行うことができる。なお、レジスト膜103による活性酸素の消費とは、レジスト膜103を構成する材料が活性酸素と反応して分解されるとともに、この活性酸素が材料に反応しなくなることを意味する。第2エッチング工程次に上述の実施形態と同様の手法で、第2レジストパターン104p及び露出した遮光膜102をマスクとして、半透光膜101をウェットエッチングして半透光膜パターン101pを形成する。このとき暫定パターン103dは、線幅が小さいパターンであるため、その下層側にある半透光膜101がウェットエッチングされる際にリフトオフにより、半透光膜から上層の膜が基板上から除去される。このとき、暫定パターン103dの下層の暫定遮光膜パターンも含めて除去される。これにより、透明基板100が露出した透光部120が形成される。この状態を、図3eに例示する。上述のように、第2エッチング工程において暫定パターン103dを消失させることができるので、暫定パターン103dを除去するための工程が別途必要となることがない。また、所定の透過率を有する透光部110を形成することができる。第3エッチング工程続いて上述の実施形態と同様、第2レジストパターン104pをマスクとして、遮光膜102をさらにエッチングして半透光膜101を新たに露出させる。第3エッチング工程が実施された状態を図3fに例示する。第2レジストパターン除去工程そして上述の実施形態と同様、第2レジストパターン104pを除去し、本実施形態に係る多階調フォトマスク10の製造を完了する。第2レジストパターン104pを除去した状態を図3gに例示する。以上、図3gに例示される多階調フォトマスク10も、上述の実施形態と同様の形状、光学特性等を有する。2本実施形態に係る効果本実施形態においても、第1の実施形態と同様の効果を奏する。すなわち、パターン形状粗密差、周辺開口率によらず、極めて面内均一性の高い減膜挙動が得られた。また本実施形態によれば、第1レジストパターン103pに供給された活性酸素の一部を、暫定パターン103dを構成するレジスト膜103により消費させている。これにより、第1レジストパターン103pを減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量の面内の差を暫定パターン103dを構成するレジスト膜103により消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量で補いつつ第1レジストパターン103pを減膜することができる。よって、減膜速度の面内均一性をさらに向上させることができ、第2レジストパターン104pの形成精度を向上させることができる。また本実施形態によれば、第2エッチング工程では、暫定パターン103dを、その下層側にある半透光膜101のウェットエッチングにより、リフトオフさせている。これにより、暫定パターン103dを除去するための工程が別途必要となることがない。また本実施形態によれば、上述のように暫定パターン103dを消失させているので、所定の透光部120の透過率に何ら影響を残さず、得ようとする転写パターンを形成することができる。<本発明の他の実施形態>以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。上述の実施形態では、半透光膜101は例えばMoSi等のモリブデンMoより構成されるものとしたが、例えばタングステンシリサイドWSiやニッケルシリサイドNiSi等、他の金属材料とシリコンSiとを含む材料からなっていてもよい。その他、シリコン合金、シリコンの窒化物、酸化物、炭化物等、またはこれらと前述の材料を複合したものによっても構成されることができる。上述の実施形態では、暫定パターン103dを複数の細線からなるものとしたが、暫定パターン103dの形状はこれに限られるものではない。例えば、ドット状の暫定パターン103dを、透光部120の形成領域に複数点在させてもよい。この場合、ドットは、第2エッチング工程における暫定パターン103dの除去に支障をきたさないサイズであることが望ましい。上述の実施形態では、暫定パターン103dが有するレジスト膜103は遮光部110の形成領域におけるレジスト膜103と同程度の厚さを有するものとしたが、暫定パターン103dが有するレジスト膜103の厚さはこれより薄くてもよく、例えば半透光部115の形成領域におけるレジスト膜103と同程度の厚さとしてもよい。この場合、暫定パターン103dのレジスト膜103は第1レジストパターン103pを減膜する間に除去され、その後の第2エッチング工程において暫定パターン103dを消失させる際、例えばフォトマスクブランク10b上へのレジスト材料の再付着等が起きる懸念を低減することができる。本発明は、活性酸素等の活性物質によりレジストパターンの減膜を行う際に、レジストパターンの粗密差によって消費される活性物質の量が異なるために、減膜速度の面内不均一が生じることを妨げるものである。したがって、プラズマアッシングだけではなく、上記課題を有するレジストアッシング方法に対して適用することができる。例えば、オゾンや活性酸素を用いた、レジストパターンにオゾン水を供給するアッシング方法、レジストパターンにオゾンガスを供給するアッシング方法、レジストパターンに紫外線や真空紫外を照射するアッシング方法、またはこれらを組み合わせたアッシング方法にも適用することができる。例えば、オゾン水を用いたアッシング方法では、オゾン水の濃度を2ppm~150ppmの範囲で調整することができ、減膜量の調整が可能となる。より、減膜量を精密に制御するためには2ppm~50ppmの範囲とすることが望ましく、さらには2ppm~30ppmであることが望ましい。オゾンをこのような濃度とすることで、減膜量を制御し易く、線幅が制御されたより精密なレジストパターンの減膜が可能となる。このときのオゾン水供給量を、フォトマスクの単位面積当たりに換算すると、20.0ml/cm2min~0.10ml/cm2min程度となる。より好適には、20.0ml/cm2min~0.50ml/cm2minとすることができる。これの範囲の供給量であれば、オゾン濃度が低い場合でも、活性酸素の供給量を過剰な状態とすることができ好適である。またこの供給量は、例えば供給されるオゾン水量を、処理を行うフォトマスクブランクス基板の面積で除して求めることができる。また、オゾン濃度はオゾン吸光度などを利用した公知の測定装置で測定することができ、レジストパターンに供給される直前の濃度を測定することができる。"