基板と、前記基板に配設され、特性インピーダンスZ0を有する第1の配線と、前記第1の配線に接続される電極パッドと、前記電極バッドに配設され、インピーダンスZ1を有する接合部と、前記第1の配線に接触して配置され、前記第1の配線を介して前記接合部に向けて電圧のパルス波を発振可能な発振器と、前記第1の配線に接触して配置され、前記接合部から前記パルス波の出力波を検出可能な検出器と、を有する半導体モジュールであって、前記特性インピーダンスZ0と前記インピーダンスZ1が下記式1の関係を有する半導体モジュール。前記検出部に解析部が更に接続され、前記解析部は、前記検出器から得られた前記インピーダンスZ1に係る信号について所定の演算を行う演算部と、前記演算部にて得られた演算の結果から前記接合部の状態を判定する判定部と、を有する請求項1に記載の半導体モジュール。基板と、前記基板に配設され、特性インピーダンスZ0を有する第1の配線と、前記第1の配線に接続される電極パッドと、前記電極バッドに配設され、インピーダンスZ1を有する接合部と、前記第1の配線に接触して配置され、前記第1の配線を介して前記接合部に向けて電圧のパルス波を発振可能な発振器と、前記第1の配線に接触して配置され、前記接合部から前記パルス波の出力波を検出可能な検出器と、前記検出部に接続され、前記検出器から得られたインピーダンスZ1に係る信号について所定の演算を行う演算部、前記演算部にて得られた演算の結果から前記接合部の亀裂の有無または前記亀裂の進行状況を判定する判定部、及び亀裂領域と前記信号の電圧範囲の関係値に関するテーブルを記憶している記憶部、を有する解析部と、を有する半導体モジュール。前記演算部は前記接合部の亀裂発生前の面積S1に対する亀裂の面積S2の比S2/S1を前記亀裂の程度に応じて複数に区分した亀裂発生領域比、前記亀裂発生領域比に応じて前記検出器で検出される電圧値を区分した電圧範囲、前記電圧範囲に含まれる前記検出器で検出される電圧値のカウント数が所定のカウント数以上となった場合に前記接合部に亀裂有りと判定するためのサンプリングカウント値Nc、を有するテーブルを作成し、前記発振器が発振するパルス波の電圧の立ち上がり時間、立ち下がり時間、周期または周波数、デューティ値、セットリング時間、パルス発生時間を決定し、前記パルス波を所定のパルス発生時間の間、発生させ、前記パルス発生時間の間に、前記検出器により検出される出力波をカウントしてカウント数を求め、前記判定部は、前記カウント数が前記テーブルにおける各電圧範囲に対応するサンプリングカウント値Ncを超えた場合に前記電圧範囲に対応する亀裂発生領域比の亀裂が発生したと判定する、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体モジュール。前記検出器は、前記発振器が発振するパルス波に対する出力波において前記接合部の亀裂の影響が現れるまでの時間をt1、影響が現れる時間範囲をt2、次のパルス波が到着までの時間をt3としたときに、t2nnは整数がt1の公約数でも、t3の公約数でもないようにt1、t2、t3、nを決定し、前記検出器のサンプリング間隔がt1t2t3の公倍数にならないようにt1t2t3t2nと設定して前記パルス波の出力波を検出する、請求項4に記載の半導体モジュール。前記第1の配線がマイクロストリップライン、ストリップラインまたはコプレーナ導波路のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体モジュール。前記第1の配線と前記電極パッドとの間にキャパシタまたはコイルが介挿されている請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体モジュール。電子機器や半導体モジュールの接合部に亀裂が発生し、これが進展して疲労破損やマイグレーションが生じるために、電気的特性や熱伝導特性が故障状態となる前に、故障の予兆を検出できれば、事前にワーニングを出し、電子機器データのバックアップや、運転モードの切り替え、およびタイムリーな保守サービスにより、アベイラビリティを向上することが可能となる。以下に示す実施形態では、故障予兆を監視する半導体モジュールを提供することを目的とする。本実施形態によれば、基板と、前記基板に配設され、特性インピーダンスZ0を有する第1の配線と、前記第1の配線に接続される電極パッドと、前記電極バッドに配設され、インピーダンスZ1を有する接合部と、前記第1の配線に接触して配置され、前記第1の配線を介して前記接合部に向けて電圧のパルス波を発振可能な発振器と、前記第1の配線に接触して配置され、前記接合部から前記パルス波の出力波を検出可能な検出器と、を有する半導体モジュールであって、前記特性インピーダンスZ0と前記インピーダンスZ1が下記式1の関係を有する半導体モジュールが提供される。他の実施形態によれば、基板と、前記基板に配設され、特性インピーダンスZ0を有する第1の配線と、前記第1の配線に接続される電極パッドと、前記電極バッドに配設され、インピーダンスZ1を有する接合部と、前記第1の配線に接触して配置され、前記第1の配線を介して前記接合部に向けて電圧のパルス波を発振可能な発振器と、前記第1の配線に接触して配置され、前記接合部から前記パルス波の出力波を検出可能な検出器と、前記検出部に接続され、前記検出器から得られたインピーダンスZ1に係る信号について所定の演算を行う演算部、前記演算部にて得られた演算の結果から前記接合部の亀裂の有無または前記亀裂の進行状況を判定する判定部、及び亀裂領域と前記信号の電圧範囲の関係値に関するテーブルを記憶している記憶部、を有する解析部と、を有する半導体モジュールが提供される。以下、実施形態について、図面を参照して説明する。第1実施形態第1実施形態に係る半導体モジュールを図1~11を用いて説明する。図1は第1実施形態に係る半導体モジュール100を示す構成図である。第1実施形態に係る半導体モジュール100は、基板1と、この基板1に配設される第1の配線2と、この第1の配線2に接続される電極パッド3と、この電極バッド3に配設され、インピーダンスZ1を有する接合部4と、この第1の配線2に接触して配置され、第1の配線2を介して接合部4に向けて電気的電圧パルス波以下、入力パルス波を発振可能な発振器5と、第1の配線2に接触して配置され、接合部4からの入力パルス波の出力波を検出可能な検出器6と、を有する。第1の配線の特性インピーダンスをZ0、接合部4のインピーダンスZ1とした時、Z0とZ1とは以下の式1の関係を有する。すなわち、第1の配線2の特性インピーダンスZ0を基準とした時に、接合部4のインピーダンスZ1は95~105の範囲内にある。この範囲を外れると入力パルス波の出力波を適切に捕らえることが難しく、その結果、故障の予兆の検出が困難となるためである。基板基板1は、例えば一般のプリント基板やセラミック基板等を用いることができる。具体的には、ガラスエポキシ樹脂やセラミック材料などの絶縁層と銅配線などの導体箔を有する板状誘電体基板であって良い。第1の配線基板1の表面には第1の配線2が配設されている。第1の配線2は銅配線を用いることが出来る。電極パッド、接合部この第1の配線2には電極パッド3が接続されており、さらにこの電極パッド3には接合部4が接続されている。電極パッド3には例えば銅やアルミニウムを用いることが出来る。接合部4には、例えば、はんだ材料や金属ナノ粒子焼結材料、導電性ペースト、導電性樹脂、金属系ろう材料などを用いることが出来る。接合部4は更に別の電極パッド3を介して他の基板や電子部品と接続させることが出来る。接合部4は、チップ電極と基板電極を結ぶチップボンディング用の薄膜接合層や微細接合部の場合、半導体パッケージ電極と基板電極を結ぶ接合部の場合、及び半導体モジュール電極とヒートスプレッダのような冷却構造を結ぶ接合層の場合、が有り得る。発振器第1の配線2には、この第1の配線2を介して接合部4に向けて電気的な入力パルス波を発振可能な発振器5が配設されている。発振器としてはトランジスタ回路を含むICのドライバによるパルス波や、PZTチタン酸ジルコン酸鉛などの圧電セラミックスを用いることが出来る。パルス波は、例えば、ローレベルの電圧からハイレベルの電圧へ変化するようなパルス波形である。パルス波はローレベルからハイレベル、またはハイレベルからローレベルに変化した後で、オーバーシュートやアンダーシュート、またはリンギングを起こす場合があってもよく、また、台形波、sin波、cos波、方形波などであって良い。検出器第1の配線2には、接合部4から入力パルス波の出力波を検出可能な検出器6が配設されている。検出器としては、トランジスタ回路を含むICのレシーバなどを用いることが出来る。また、故障予兆監視対象の接合部が複数ある場合には、検出器のレシーバが複数必要になるが、配線の分岐による出力波を避けるために、検出器のレシーバが複数存在するデイジーチェイン配線で接続してもよい。デイジーチェイン配線で接続した例を図2に示す。レシーバICからのノイズを防ぐために、終端処理ターミネーションを施しても良い。終端処理としては、レシーバICに並列に特性インピーダンスに等しい値の抵抗を挿入する並列抵抗、消費電力を低減する効果のあるテブナン終端、AC並列終端、ドライバの直後に抵抗を直列に挿入する直列終端、ダイオードをレシーバに接続することでノイズをダイオードで吸収するダイオード終端、などの方法がある。ドライバICのドライバピンから、故障予兆監視対象の接合部→レシーバICのレシーバピン→ICの内部回路→レシーバICのグランドピン→グランドパターン→ドライバICのグランドピン→ICの内部回路というループの中で電流が流れる。この構成例を図3に示す。マイクロストリップライン、ストリップライン、コプレーナ導波路本実施形態の第1の配線2はマイクロストリップライン、ストリップライン、またはコプレーナ導波路とすることができる。マイクロストリップラインMicrostripとは、裏面に導体箔を形成した板状誘電体基板の表面に線状の導体箔を形成した構造を有し、電磁波を伝達する伝送路のことをいう。本実施形態においては、前記基板が裏面に導体箔を形成した板状誘電体基板である場合に、第1の配線2が前記基板の表面に線状の導体箔を形成した構造を有しており、電磁波を伝達する伝送路となっている場合をいう。ストリップラインStriplineとは、表裏面に導体箔を形成した板状誘電体基板の内部に線状の導体箔を形成した構造を有し、電磁波を伝達する伝送路のことをいう。本実施形態においては、前記基板が表裏面に導体箔を形成した板状誘電体基板である場合に、第1の配線2が前記基板の内部に線状の導体箔を形成した構造を有しており、電磁波を伝達する伝送路となっている場合をいう。コプレーナ導波路とは、中心導体と接地導体が誘電体基板の同じ面に構成された伝送線路である。本実施形態においては、第1の配線2が前記中心導体であり、電磁波を伝達する伝送路となっている場合をいう。例えば、マイクロストリップラインの場合、特性インピーダンスZ0は以下の式2を満たすように適宜設計、製造することが出来る。ストリップラインやコプレーナ導波路でも同様に設計、製造することができる。ここでεrは基板1の絶縁材料1aの誘電率、hは基板1に配設され第1の配線2に最も近接する導体箔1b第2の配線と第1の配線2との間の絶縁材料1aの厚さ、wは第1の配線2の幅、tは配線の厚さである。この構成の例を図4に示す。このように第1の配線2としてマイクロストリップラインまたはストリップラインを用いた場合には、簡便に式2の関係を満たすことができる。また、第1の配線2、電極パッド3、接合部4が機械的に直接接続されているため、入力パルス波の入力、出力の損失が少ないため、接合部4に生じた亀裂Xの有無またはその進行状況を正確に把握することが出来る。キャパシタ、コイル第1の配線2として普通の銅配線を用いる場合には、第1の配線2と電極パッド3との間にキャパシタまたはコイルを介挿することが出来る。キャパシタの場合にはキャパシタンス効果により、コイルの場合にはインダクタンス効果により、特性インピーダンスZ0を調整することが可能となる。このように第1の配線2と電極パッド3との間にキャパシタまたはコイルを介挿した場合には、キャパシタの容量や、コイルのインダクタンスを変化させることにより、特性インピーダンスZ0を調整することが出来る。解析部解析部7について図5~図6を用いて説明する。検出器6には解析部7が接続される。図5に示すように、解析部7は検出部6から得られたインピーダンスZ1に係る信号について所定の演算を行う演算部7aと、演算部7aにて得られた演算の結果から接合部4の亀裂Xの有無あるいはその進行状況を判定する判定部7bと、亀裂発生領域比と前記信号の電圧範囲に関するテーブルを記憶するための記憶部7cを有する。さらに解析部7は検出部6からの信号、演算部7aの演算結果、判定部7bの判定結果を記憶しても良い。解析部7は図6に示すように、演算部7a、判定部7bは中央演算装置CPU8、記憶部7cはメモリー、HDDなどの記憶装置9にて構成することが出来る。なお、発振器がICのドライバではなく、アナログ信号により発振し、信号の演算、判定をデジタル信号を用いて行う場合には、検出部6からの信号をアナログ信号からデジタル信号に変換するAD変換器図示せずが検出部6と解析部7との間に介挿されても良い。解析方法解析部7は、以下の信号処理及び演算等を行う。これにより、接合部4の亀裂Xの有無あるいはその進行状況を適宜把握し、故障の予兆を行うことが出来る。以下に、図7を参照しながら故障の予兆方法の例を示す。準備ステップ:S00接合部の亀裂発生領域比、電圧範囲、亀裂発生有りと判定するサンプリングカウント数Ncに対応してテーブルを作成する。テーブルの例を図8に示す。接合部の亀裂発生領域比とは、亀裂が発生する前の接合部4の断面積をS1、発生した亀裂の面積をS2としたとき、S2/S1のことである。ここで接合部4の断面積S1、亀裂の面積S2はいずれも投影面積を用いることができる。図8のテーブルでは、亀裂発生領域比が0、0~10、10~20、20~30に区分されている。ここで亀裂発生領域比が0とは亀裂が発生していないことを意味する。電圧範囲とは、上記の接合部の亀裂発生領域比に応じて検出器6で検出される電圧値の範囲を区分したものをいう。これにより、検出器6により検出される電圧値から亀裂Xの有無あるいはその進行状況を求めることが出来る。図8のテーブルにおいては前述の亀裂発生領域比に応じて電圧範囲が予め求められている。すなわち、亀裂発生領域比が0に対応する電圧範囲はV0未満である。同様に、0~10に対応する電圧範囲はV0~V1、10~20に対応する電圧範囲はV1~V2、20~30に対応する電圧範囲はV2~V3と予め求められている。亀裂発生有りと判定するサンプリングカウント数Ncとは、検出器6で検出された電圧値Vが、ある電圧範囲に対応するカウント数Nc以上の回数検出された場合に、この電圧範囲に対応する亀裂発生領域比の亀裂が少なくとも発生していると判断するための閾値である。例えば、図8に示すテーブルでは、V0~V1のカウント数Ncは30となっている。これは1回のパルス発生時間において、検出器6で検出された電圧値VがV0≦Vである場合、検出器6で検出された電圧値Vが30回以上、V0以上であることが検出された場合に0~10の亀裂発生領域比に相当する亀裂が少なくとも発生している、ということである。このカウント数Ncはノイズや検出誤差に起因する判定の誤りを防止するために設けられている。なお、サンプリングカウント数Ncの代わりに発生確率を用いることもできる。図8に示すテーブルを準備し、図7に示す記憶部7cに予め格納しておくことが出来る。第1ステップ:S01発生させるパルス電圧の立ち上がり時間、立ち下がり時間、周期あるいは周波数、デューティ値パルス波のハイレベル時間/周期、セットリング時間信号過渡時間であり、パルス電圧変化直後、立ち下がり、立ち上がり、リンギングなどの不安定な電圧変動の期間、パルス発生時間を決定する。第2ステップ:S02第1ステップS01で決定した条件で、発振器5からパルス波をパルス発生時間の間、発生させる。発振器5から発振するパルス波の例を図9に示す。このパルス電圧は、ICのドライバによるクロック信号であってもよい。第3ステップ:S03検出器6は出力波の電圧値Vを検出する。図10に出力波の例を示す。解析部7はパルス発生時間セットリング時間を除いてもよいの間に、準備ステップS00で作成したテーブルの電圧範囲についてカウントされる電圧値Vのサンプリングデータ所定の電圧範囲に入る電圧値の信号データの回数検出カウント数を求める。第4ステップ:S04解析部7は、カウントされた回数がサンプリングカウント値Ncを超えると、接合部4において、電圧範囲に対応した亀裂発生面積比を有する亀裂が少なくとも発生している、と判定する。これを図11を参照して説明する。図11では、電圧範囲V1~V2に対応する検出カウント数はサンプリングカウント数Ncを超えているが、電圧範囲V2~V3に対応する検出カウント数はサンプリングカウント数Ncよりも小さい。この場合、図8のテーブルを参照することにより、亀裂発生領域比が0.1~0.2である亀裂が発生している、と判定される。なお、検出器6において、別途、温度を測定することにより、亀裂発生有無の電圧範囲を、温度に応じて変化させ、温度変化に応じて出力波を校正してもよい。第1の実施形態によれば、接合部4に亀裂Xが発生し進展すると、接合部4の電気的負荷が変化する。すなわち、接合部4で一部反射した波がパルス波に重畳して接合部4を通過ることで電気的信号の波形が変形する。その結果、亀裂Xが存在しない場合と比べて、亀裂Xの出力波が重畳するので、特徴的な信号波形となる。亀裂Xが進展する様子を図10を参照して説明する。亀裂Xが進展するにしたがって、出力波は図10A、図10B、図10C、図10Dのように変化する。すなわち、亀裂Xが進展するに従って、亀裂Xの存在による出力波の影響が出る時間において観測される電圧値が、図10AではV0、図10BではV1、図10CではV2、図10DではV3と、次第に大きくなっている。この現象に着目し、亀裂Xの有無からくる電気的波形の変化を検出、監視することで接合部4の故障予兆を評価可能な構造および仕組みを内蔵した半導体モジュールを提供することができる。第1の実施形態の第1の変形例検出器6のサンプリング周波数が発振パルス信号の周波数より低い場合における、亀裂発生の有無を判定するための方法について、図12を参照しながら説明する。第11ステップ:S11発振器5からのパルス波に、接合部4の亀裂の影響が現れるまでの時間t1、影響が現れる時間範囲t2、次のパルス到着までの時間t3とする。このとき、検出器6のサンプリング間隔がt1t2t3の公倍数にならないように、t1t2t3t2nと設定しただしnは整数、t2nがt1の公約数でも、t3の公約数でもないようにt1、t2、t3、nを決定する。この様子を図13に示す。第12ステップ:S12このような条件の下において、発振器5は繰返しパルスを発振する。第13ステップ:S13検出器6により出力波の電圧値を検出する。検出器6のサンプリング周波数が発振パルス信号の周波数より低い場合、検出器6で検出される電圧値は図13の黒丸に示すように離散的に検出される。ここで、第11ステップS11の条件下においては、パルス発生時間の間に亘って出力波の電圧値を複数集計することにより、検出サンプリング点のタイミングが少しずつずれることになるので、最終的に実際の出力波の波形に近似したデータを取得することが可能となる。第14ステップ:S14解析部7は、テーブルを参照しながら、パルス発生時間の間における電圧範囲に入るカウント数が亀裂有りと判定するサンプリング数を超えるかどうかを判定する。このようなプロセスを採用することにより、検出器のサンプリング周波数が発振パルス信号の周波数より低い場合においても、繰返し発振されるパルス信号を、繰返し検出することで電圧範囲のサンプリングデータを検出でき、t2の領域の電圧をカウントできる。第1の実施形態の第2の変形例図14は、第1の実施形態に係る第1の変形例である。第1の実施形態では第1の配線が基板1Aに配設される第1の配線2を活用し、2個の電極パッドに挟まれた2個の接合部4が発振器5から検出器6の間に電気的に直列に介挿した実施形態である。第1の変形例では、第1の配線が2枚の基板1A及び1Bに配設される第1の配線2を活用し、2個の電極パッドに挟まれた接合部4が1個の場合の半導体モジュールの実施形態を示したものである。第1の変形例では、1個の接合部4について亀裂Xの発生の有無およびその進展を推定することができる。これら実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、様々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同時に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。