回路内部のMOS型半導体装置のゲート酸化膜を保護するための保護素子を含む半導体装置であって、該保護素子は、該MOS型半導体装置とその前段回路との間に接続される横型バイポーラトランジスタであり、該横型バイポーラトランジスタのパンチスルー耐圧をクランプ電圧として利用することを特徴とする、半導体装置。前記横型バイポーラトランジスタは、コレクタとベースをショートさせて前記MOS型半導体装置のゲート及び前記前段回路に接続し、エミッタを該MOS型半導体装置のソースに接続することを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記横型バイポーラトランジスタは、エミッタとベースをショートさせて前記MOS型半導体装置のゲート及び前記前段回路に接続し、コレクタを該MOS型半導体装置のソースに接続することを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記横型バイポーラトランジスタのエミッタ-コレクタ間パンチスルー耐圧は、前記MOS型半導体装置のゲート-ソース間推奨最大動作電圧よりも高く、絶対最大定格よりも低く設定されていることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一に記載の半導体装置。前記横型バイポーラトランジスタのパンチスルー耐圧の大きさは、該横型バイポーラトランジスタのベース幅により調整されていることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一に記載の半導体装置。前記MOS型半導体装置は、高耐圧アナログICに用いられる出力回路用MOS型半導体装置であることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一に記載の半導体装置。特許文献1では、クランプ電圧がベース領域P-型拡散層、図8の5の濃度と幅で決まるため、複数の異なったクランプ電圧の保護素子を形成する場合、動作電圧毎にこの層を形成する注入エネルギーやドーズを変える必要があり、コスト増加につながる。また、あえて低い電圧でパンチスルーするように設計された専用の濃度プロファイルとなるので、通常の回路で使用するバイポーラトランジスタとの構造共通化は難しいという問題点がある。本発明の目的は、保護素子の異なるクランプ電圧を容易に設定して形成できる構造の保護素子を含む半導体装置を提供することである。第1の視点において、本発明に係る半導体装置は、回路内部のMOS型半導体装置のゲート酸化膜を保護するための保護素子を含む半導体装置であって、該保護素子は、該MOS型半導体装置とその前段回路との間に接続される横型バイポーラトランジスタであり、該横型バイポーラトランジスタのパンチスルー耐圧をクランプ電圧として利用することを特徴とする。従来技術では、所望のクランプ電圧に合わせてベース幅注入深さまたはベース濃度注入量を変える必要があるが、本発明ではベース幅を決定しているSTIまたはLOCOSのマスク寸法を変えるだけでその調整が可能である。第1の視点において、前記横型バイポーラトランジスタは、コレクタとベースをショートさせて前記MOS型半導体装置のゲート及び前記前段回路に接続し、エミッタを該MOS型半導体装置のソースに接続することが好ましい。または、前記横型バイポーラトランジスタは、エミッタとベースをショートさせて前記MOS型半導体装置のゲート及び前記前段回路に接続し、コレクタを該MOS型半導体装置のソースに接続することが好ましい。また、前記横型バイポーラトランジスタのエミッタ-コレクタ間パンチスルー耐圧は、前記MOS型半導体装置のゲート-ソース間推奨最大動作電圧よりも高く、絶対最大定格よりも低く設定されていることが好ましい。また、前記横型バイポーラトランジスタのパンチスルー耐圧の大きさは、該横型バイポーラトランジスタのベース幅により調整されていることが好ましい。また、前記MOS型半導体装置は、高耐圧アナログICに用いられる出力回路用MOS型半導体装置であることが好ましい。以下に本発明に係る半導体装置の実施例を、添付図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施例1に係る半導体装置の、保護素子を含む回路構成図である。図1に示すように、本発明の典型的な実施例1は、出力回路であるMOS型半導体装置と、その前段回路の間にゲート保護素子を接続した回路構成で、そのゲート保護素子の構造は図2に示すような横型のバイポーラトランジスタを用いる。図2で示した横型バイポーラトランジスタのコレクタとベースを、図1に示すように配線でショートさせ、その端子を出力回路の入力へ、エミッタは出力回路のソースに接続する。図3は、実施例1に係る保護素子横型バイポーラトランジスタの動作を示す断面模式図である。横型バイポーラトランジスタは逆バイアスされ、図3に示すように、エミッタからコレクタへ向かって空乏層が広がり、パンチスルーによるブレイクダウンでクランプが動作する。横型バイポーラトランジスタのクランプ電圧はベース幅を決定しているSTIまたはLOCOSのマスク寸法を変えるだけで容易に変更できるため、図4A、Bにそれぞれ示すように、同一の半導体濃度プロファイルで、複数の異なるクランプ電圧を持った保護素子を形成できる。図4に示した例では、図4Aに示す保護素子のベース幅aのほうが、図4Bに示す保護素子のベース幅bよりも小さい。ベース幅がa<bなので、クランプ電圧もAの装置<Bの装置となる。即ち、マスク寸法以外の製造装置や製造条件を変えることなく、異なるクランプ電圧を持つ保護素子を形成でき、コスト低減を図ることができる。実施例1の構造ではベース層の濃度は薄くしたままでよいため、エミッタ-ベース間ジャンクション耐圧が大きく設定でき、先にパンチスルー耐圧でクランプ動作電圧が決まるようにできる。また、ベース濃度が薄いことで、通常電圧動作時のリーク電流を低減できるという効果もある。実施例1の構造ではコレクタ、エミッタの両方を高濃度拡散層で形成しているため、ベースとコレクタを同電位としているが、他の実施例として、ベースとエミッタを配線でショートし、この端子を出力回路の入力と接続し、コレクタを出力回路のソースに接続することも可能である図示せず。さらに、本保護素子と同一の構造を有する横型バイポーラトランジスタは、そのベース幅を広げることで耐圧を上げることができるので、一般的な小信号回路用の能動素子としても使用することが可能である。即ち、通常の回路で使用するバイポーラトランジスタとの構造共通化を図ることができる。以上、本発明を上記実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態の構成にのみ制限されるものではなく、本発明の全開示請求の範囲を含むの枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。即ち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正及び開示した要素ないし組成の、目的に応じた任意の選択、組み合わせを含むことは勿論である。