"フッ素を含まない光酸発生剤であって、オニウムカチオン性成分、および下記の2つの構造のうちの1つを有するアニオン性成分であり、式中、Xは、S、OおよびNRからなる群から選択され、Rは、H、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルキル、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルコキシル、非置換および置換芳香族基、ならびに非置換および置換芳香族複素環基からなる群から選択され、Yは、CおよびNからなる群から選択され、G1~G5は各々、Rおよび電子吸引性部分からなる群から選択され、ただし、YがNである場合、G1は前記構造内に存在せず、G1~G5の少なくとも1つは電子吸引性部分であるアニオン性成分を含む、光酸発生剤。G1~G5の少なくとも1つは、CN、NO、NO2、Cl、Br、I、SO2MeおよびCHOからなる群から選択される電子吸引性部分である、請求項1に記載の光酸発生剤。G1~G5の少なくとも1つはCNおよびNO2からなる群から選択される、請求項2に記載の光酸発生剤。G1~G5の少なくとも2つは電子吸引性部分である、請求項2に記載の光酸発生剤。前記オニウムカチオン性成分はスルホニウムカチオンおよびヨードニウムカチオンからなる群から選択される、請求項1に記載の光酸発生剤。前記オニウムカチオン性成分は芳香族部分を含む、請求項5に記載の光酸発生剤。前記オニウムカチオン性成分は、下記からなる群から選択される構造を有するものであり、式中、R1、R2、R3、R4およびR5は各々独立に、H、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルキル、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルコキシル、非置換および置換芳香族基;ならびに非置換および置換芳香族複素環基からなる群から選択される請求項6に記載の光酸発生剤。フォトレジスト組成物であって、a酸感応性イメージングポリマー、ならびにbフッ素を含まない光酸発生剤を含み、前記光酸発生剤は、オニウムカチオン性成分、および下記の2つの構造のうちの1つを有するアニオン性成分であり、式中、Xは、S、OおよびNRからなる群から選択され、Rは、H、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルキル、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルコキシル、非置換および置換芳香族基、ならびに非置換および置換芳香族複素環基からなる群から選択され、Yは、CおよびNからなる群から選択され、G1~G5は各々、Rおよび電子吸引性部分からなる群から選択され、ただし、YがNである場合、G1は前記構造内に存在せず、G1~G5の少なくとも1つは電子吸引性部分であるアニオン性成分を含む、フォトレジスト組成物。G1~G5の少なくとも1つは、CN、NO、NO2、Cl、Br、I、SO2MeおよびCHOからなる群から選択される電子吸引性部分である、請求項8に記載のフォトレジスト組成物。G1~G5の少なくとも1つは、CNおよびNO2からなる群から選択される、請求項9に記載のフォトレジスト組成物。G1~G5の少なくとも2つは電子吸引性部分である、請求項9に記載のフォトレジスト組成物。前記オニウムカチオン性成分は、スルホニウムカチオンおよびヨードニウムカチオンからなる群から選択される、請求項8に記載のフォトレジスト組成物。前記オニウムカチオン性成分は芳香族部分を含む、請求項12に記載のフォトレジスト組成物。前記オニウムカチオン性成分は下記からなる群から選択される構造を有するものであり、式中、R1、R2、R3、R4およびR5は各々独立に、H、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルキル、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルコキシル、非置換および置換芳香族基、ならびに非置換および置換芳香族複素環基からなる群から選択される請求項13に記載のフォトレジスト組成物。前記イメージングポリマーはラクトン部分を含む、請求項8に記載のフォトレジスト組成物。前記イメージングポリマーの重量濃度は、前記フォトレジスト組成物の総重量の約5~約20の範囲である、請求項8に記載のフォトレジスト組成物。前記フッ素を含まない光酸発生剤の重量濃度は、前記イメージングポリマーの総重量に対して約0.5~15の範囲である、請求項8に記載のフォトレジスト組成物。基板上にパターン化された材料表面を形成する方法であって、a基板上に材料層を設けるステップ、bフォトレジストの層を前記材料層の上に形成するステップであって、前記フォトレジストは、i酸感応性イメージングポリマー、およびiiフッ素を含まない光酸発生剤を含み、前記光酸発生剤は、オニウムカチオン性成分、および下記の2つの構造のうちの1つを有するアニオン性成分であり、式中、Xは、S、OおよびNRからなる群から選択され、Rは、H、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルキル、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルコキシル、非置換および置換芳香族基、ならびに非置換および置換芳香族複素環基からなる群から選択され、Yは、CおよびNからなる群から選択され、G1~G5は各々、Rおよび電子吸引性部分からなる群から選択され、ただし、YがNである場合、G1は前記構造内に存在せず、G1~G5の少なくとも1つは、電子吸引性部分であるアニオン性成分を含み、c前記フォトレジストの層を放射線でパターン露光し、それにより前記フォトレジストの層の放射線による露光領域にパターンを作製するステップ、d前記フォトレジストの層の一部を選択的に除去して前記材料層の一部を露光するステップ、ならびにe前記材料層の前記露光された部分をエッチングまたはイオン注入し、それにより前記パターン化された材料表面を形成するステップを含む方法。前記放射線はArFレーザにより与えられる、請求項18に記載の方法。前記G1~G3部分の少なくとも1つは、CN、NO、NO2、Cl、Br、I、SO2MeおよびCHOからなる群から選択される電子吸引性部分である、請求項18に記載の方法。G1~G5の少なくとも1つはCNおよびNO2からなる群から選択される、請求項20に記載の方法。G1~G5の少なくとも2つは電子吸引性部分である、請求項20に記載の方法。前記オニウムカチオン性成分は、スルホニウムカチオンおよびヨードニウムカチオンからなる群から選択される、請求項18に記載の方法。前記オニウムカチオン性成分は芳香族部分を含む、請求項23に記載の方法。前記オニウムカチオン性成分は、下記からなる群から選択される構造を持つものであり、式中、R1、R2、R3、R4およびR5は各々独立に、H、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルキル、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルコキシル、非置換および置換芳香族基、ならびに非置換および置換芳香族複素環基からなる群から選択される請求項24に記載の方法。前記イメージングポリマーはラクトン部分を含む、請求項18に記載の方法。前記イメージングポリマーの重量濃度は、前記フォトレジスト組成物の総重量の約5~約20の範囲である、請求項18に記載の方法。前記フッ素を含まない光酸発生剤の重量濃度は、前記イメージングポリマーの総重量に対して約0.5~10の範囲である、請求項18に記載の方法。以上より、フォトレジスト組成物中のフッ素量の大幅な削減または回避を可能にする新規かつ改良された、フッ素を含まないPAGおよび化学増幅型フォトレジスト組成物が求められている。本発明は、当該産業で現在使用されているPFCを含む光酸発生剤に代わる実行可能な選択肢であるフッ素を含まない光酸発生剤を提供する。本発明はまた、優れた光学的透明性および熱安定性を示し、PFCを含む光酸発生剤を含むフォトレジストと同等またはそれ以上のリソグラフィ性能を有する、フッ素を含まない光酸発生剤を含むそうしたフォトレジスト組成物を提供する。一態様では、本発明は、オニウムカチオン性成分、および下記の2つの構造のうちの1つを有するアニオン性成分を含むフッ素を含まない光酸発生剤に関する。式中、Xは、S、OおよびNRからなる群から選択され、Rは、H、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルキル、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルコキシル、非置換および置換芳香族基、ならびに非置換および置換芳香族複素環基からなる群から選択され、Yは、CおよびNからなる群から選択され、G1~G5は各々、Rおよび電子吸引性部分からなる群から選択され、ただし、YがNである場合、G1は構造内に存在せず、G1~G5の少なくとも1つは電子吸引性部分である。フッ素を含まない光酸発生剤のオニウムカチオン性成分は、好ましくはスルホニウムカチオンおよびヨードニウムカチオンからなる群から選択される。オニウムカチオン性成分は、好ましくは芳香族部分を含む。別の態様では、本発明は、酸感応性イメージングポリマー、およびオニウムカチオン性成分、および下記の2つの構造のうちの1つを有するアニオン性成分を含む、フッ素を含まない光酸発生剤を含むフォトレジスト組成物に関する。式中、Xは、S、OおよびNRからなる群から選択され、Rは、H、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルキル、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルコキシル、非置換および置換芳香族基、ならびに非置換および置換芳香族複素環基からなる群から選択され、Yは、CおよびNからなる群から選択され、G1~G5は各々、Rおよび電子吸引性部分からなる群から選択され、ただし、YがNである場合、G1は構造内に存在せず、G1~G5の少なくとも1つは電子吸引性部分である。フォトレジスト組成物のイメージングポリマーは、好ましくはラクトン部分を有する。イメージングポリマーは、好ましくは重量濃度がフォトレジスト組成物の総重量の約1~約30の範囲である。フッ素を含まない光酸発生剤は、好ましくは重量濃度が前記イメージングポリマーの総重量に対して約0.5~20の範囲である。さらに別の態様では、本発明は、基板上にパターン化された材料表面を形成する方法であって、a基板上に材料層を設けるステップ、bフォトレジスト層を材料層の上に形成するステップであり、フォトレジストは、i酸感応性イメージングポリマー、およびiiオニウムカチオン性成分、および下記の2つの構造のうちの1つを有するアニオン性成分であり、式中、Xは、S、OおよびNRからなる群から選択され、Rは、H、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルキル、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルコキシル、非置換および置換芳香族基、ならびに非置換および置換芳香族複素環基からなる群から選択され、Yは、CおよびNからなる群から選択され、G1~G5は各々、Rおよび電子吸引性部分からなる群から選択され、ただし、YがNである場合、G1は構造内に存在せず、G1~G5の少なくとも1つは、電子吸引性部分であるアニオン性成分を含む、フッ素を含まない光酸発生剤を含むステップ、cフォトレジスト層を放射線でパターン露光し、それによりフォトレジスト層の放射線による露光領域にパターンを作製するステップ、dフォトレジスト層の一部を選択的に除去して材料層の一部を露光するステップ、ならびにe材料層の露光された部分をエッチングまたはイオン注入し、それによりパターン化された材料表面を形成するステップを含む方法に関する。本方法の放射線は、好ましくはArFレーザにより与えられる。層などの要素が別の要素の上onまたは上overにあるという場合、その要素は、別の要素の直接上にあってもよいし、または介在する要素が存在していてもよいことが理解されよう。これに対し、要素が直接上directlyonまたは直接上directlyoverにあるという場合、介在する要素は、存在しない。本発明は、当該産業で現在使用されているPFCを含む光酸発生剤に代わる実行可能な選択肢であるフッ素を含まない光酸発生剤PAGを提供する。フッ素を含まないPAGは一般に、オニウムカチオン性成分、および下記の2つの構造のうちの1つを有するアニオン性成分が存在することを特徴とする。式中、Xは、S、OおよびNRからなる群から選択され、Rは、H、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルキル、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルコキシル、非置換および置換芳香族基、ならびに非置換および置換芳香族複素環基からなる群から選択され、Yは、CおよびNからなる群から選択され、G1~G5は各々、Rおよび電子吸引性部分からなる群から選択され、ただし、YがNである場合、G1は構造内に存在せず、G1~G5の少なくとも1つは電子吸引性部分である。本発明の一実施形態では、G1~G5の1つは電子吸引性部分である。本発明の別の実施形態では、G1~G5の少なくとも2つは電子吸引性部分である。本発明に好適な電子吸引性部分の例として、CN、NO、NO2、Cl、Br、I、SO2Me,およびCHOがあるが、これに限定されるものではない。好ましくは、G1~G5の少なくとも1つは、CNまたはNO2である。フッ素を含まないPAGのオニウムカチオン性成分は、好ましくはスルホニウムカチオンまたはヨードニウムカチオンである。好ましくは、オニウムカチオン性成分は、芳香族部分を有する。カチオン性成分の芳香族構造は一般に、得られるフッ素を含まないPAGの熱安定性を向上させる。本発明に好ましい2つのカチオン性成分は、下記である。式中、R1、R2、R3、R4およびR5は各々独立に、H、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルキル、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルコキシル、非置換および置換芳香族基、ならびに非置換および置換芳香族複素環基からなる群から選択される。構造IIIのスルホニウムカチオンの例として、下記がある。構造IVのヨードニウムカチオンの例として、下記がある。構造IおよびIIのアニオン性成分の例として、下記がある。本発明は、本発明のフッ素を含まないPAGを合成する任意の特定の方法に限定されない。考えられる1つの合成経路を下記スキーム1に示す。スキーム1。フッ素を含まない縮合環複素環式芳香族化合物PAGの合成。スキーム1に示すように、一実施形態では、フッ素を含まない縮合環複素環式芳香族化合物PAGの合成は、縮合環複素環式芳香族化合物スルホニルクロリドのニトロ置換反応から開始し、続いてワンポット反応によりニトロ置換縮合環複素環式芳香族化合物スルホニルクロリドをその対応するスルホン酸銀に変換する。ニトロ置換縮合環複素環式芳香族化合物スルホニルクロリドは、炭酸銀と反応してほぼ定量的収率で固相の銀塩を与える。次いで得られた銀塩は、対応するスルホニウムまたはヨードニウム源と反応して所望のフッ素を含まない縮合環複素環式芳香族化合物PAGを与える。得られるフッ素を含まない縮合環複素環式芳香族化合物PAGの化学構造は、そのNMRスペクトルにより確認することができる。スキーム1に示すように、トリフェニルスルホニウムモノニトロ-ベンゾ[b]チオフェン-2-スルホネートTPSTBNOの合成例では、得られるPAGは、モル比65:35の2つの異性体AおよびBの混合物である。本発明はまた、本発明のフッ素を含まないPAGを含むフォトレジスト組成物を包含する。フォトレジスト組成物は、酸感応性イメージングポリマー、およびオニウムカチオン性成分、および下記の2つの構造のうちの1つを有するアニオン性成分を有するフッ素を含まないPAGを含む。式中、Xは、S、OおよびNRからなる群から選択され、Rは、H、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルキル、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルコキシル、非置換および置換芳香族基、ならびに非置換および置換芳香族複素環基からなる群から選択され、Yは、CおよびNからなる群から選択され、G1~G5は各々、Rおよび電子吸引性部分からなる群から選択され、ただし、YがNである場合、G1は構造内に存在せず、G1~G5の少なくとも1つは電子吸引性部分である。イメージングポリマーは、好ましくはフォトレジスト組成物への紫外線の露光時に化学的変質が可能であり、それにより露光領域あるいは非露光領域でのポリマーの溶解性に差が生じる。イメージングポリマーは、ポジ型イメージングポリマーあるいはネガ型イメージングポリマーのどちらでもよい。イメージングポリマーがポジ型イメージングポリマーである場合、好ましくは本発明のPAGにより生成される酸の存在下で触媒的切断を受け得る酸感応性側鎖を含む。こうしたポリマーには、ポリマー骨格に結合する酸感応性側鎖が存在するため、酸感応性が存在する。酸感応性側鎖を含むこうした酸感応性ポリマーは、従来型のものであり、当該技術分野において周知である。好ましくは、イメージングポリマーは、193nmArFリソグラフィに使用するのに好適なものである。いくつかの実施形態では、当業者によく知られている様々な酸に不安定な保護基で、酸感応性ポリマーの酸感応性側鎖を保護する。たとえば、酸感応性側鎖は、t-ブチルエステル基またはt-ブチルカルボニル基など活性化エネルギが高い保護基、アセタール、ケタールまたはシリエーテルなど活性化エネルギが低い保護基で保護してもよいし、あるいは活性化エネルギが低い保護基と活性化エネルギが高い保護基との組み合わせを使用してもよい。本発明のイメージングポリマーは、好ましくはラクトン部分、一層好ましくはペンダントラクトン部分を含む。ラクトン部分を含むイメージングポリマーの例については、米国特許出願公開第2006/0216643A1号、ならびに米国特許第7087356号、同第7063931号、同第6902874号、同第6730452号、同第6627391号、同第6635401号および同第6756180号に開示されている。本発明に好適ないくつかの好ましいラクトン含有単量体単位として、下記が挙げられる。好ましいイメージングポリマーは、イメージングポリマーの全単量体単位に対して少なくとも約5モル、一層好ましくは約10~50モル、最も好ましくは約15~35モルのラクトン含有単量体単位を含む。本発明のフォトレジスト組成物は、好ましくは酸感応性イメージングポリマーを溶解し得る溶媒を含む。こうした溶媒の例として、エーテル、グリコールエーテル、芳香族炭化水素、ケトン、エステルおよび同種のものがあるが、これに限定されるものではない。また、本明細書では、前述の溶媒の混合物を含む溶媒系も意図している。好適なグリコールエーテルとして、2-メトキシエチルエーテルジグリム、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA:propyleneglycolmonomethyletheracetateおよび同種のものがある。好適な芳香族炭化水素溶媒として、トルエン、キシレンおよびベンゼンがある。ケトンの例として、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン、シクロヘプタノンおよびシクロヘキサノンがある。エーテル溶媒の例として、テトラヒドロフランがあり、一方、本明細書に利用してもよいエステル溶媒の例には、乳酸エチルおよびエトキシエチルプロピオネートがある。フォトレジスト組成物は、上記の成分に加えて、光増感剤、塩基、界面活性剤または他の添加剤など他の成分をさらに含んでもよい。必要に応じて、これらの他の成分の組み合わせまたは混合物を使用してもよいたとえば、光増感剤および塩基。任意の光増感剤は、好ましくは193nmArFのリソグラフィにおける放射線を吸収できる発色団を含むものである。こうした化合物の説明例として、9-アントラセンメタノール、クマリン、9,10-ビストリメトキシシリエチニルアントラセン、およびこれらの発色団を含むポリマーがあるが、これに限定されるものではない。本発明に利用してもよい任意の塩基として、脂肪族アミン、芳香族アミン、カルボキシレート、水酸化物、またはこれらの組み合わせおよび同種のものがあるが、これに限定されるものではない。フォトレジスト組成物に利用してもよい任意の界面活性剤として、本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物の膜の均一性を改善できる任意の界面活性剤を挙げることができる。説明例として、3M社のFC-430Rなどのフッ素含有界面活性剤、およびUnionCarbide社のSilwetRシリーズなどのシロキサン含有界面活性剤がある。本発明のフォトレジスト組成物は、好ましくは約1~約30重量のイメージングポリマー、約50~約95重量の溶媒、および約0.1~約20重量のフッ素を含まないPAGを含むフッ素を含まないPAGの重量は、組成物中に存在するイメージングポリマーの総重量に基づく。光増感剤を利用する場合、光増感剤は、好ましくはイメージングポリマーの総重量に対して約0.001~約8重量の量で存在する。塩基を利用する場合、その任意の塩基は、好ましくはイメージングポリマーの総重量に対して約0.1~約5重量の量で存在する。界面活性剤を利用する場合、界面活性剤は、好ましくはイメージングポリマーの総重量に対して約0.001~約0.1重量の量で存在する。一層好ましくは、フォトレジスト組成物は、約5~約20重量のイメージングポリマー、約80~約95重量の溶媒、ならびに組成物中に存在するイメージングポリマーの総重量に対して約0.5~約15重量のフッ素を含まない光酸発生剤、任意に、イメージングポリマーの総重量に対して約0.01~約5重量の光増感剤、任意に、イメージングポリマーの総重量に対して約0.1~約3重量の塩基、および任意に、イメージングポリマーの総重量に対して約0.001~約0.01重量の界面活性剤を含む。上記の量は例示であり、本明細書では、フォトリソグラフィ業界で通常利用される、上記の各成分の他の量を利用してもよい点に留意されたい。本発明はまた、本発明のフォトレジスト組成物を使用して基板上にパターン化された材料表面を形成する方法を包含する。こうした方法は、a基板上に材料層を設けるステップ、bフォトレジストの層を材料層の上に形成するステップであり、前記フォトレジストは、i酸感応性イメージングポリマー、およびiiフッ素を含まない光酸発生剤であって、前記光酸発生剤は、オニウムカチオン性成分、および下記の2つの構造のうちの1つを有するアニオン性成分であり、式中、Xは、S、OおよびNRからなる群から選択され、Rは、H、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルキル、直鎖、分岐、第三級もしくは環状アルコキシル、非置換および置換芳香族基、ならびに非置換および置換芳香族複素環基からなる群から選択され、Yは、CおよびNからなる群から選択され、G1~G5は各々、Rおよび電子吸引性部分からなる群から選択され、ただし、YがNである場合、G1は構造内に存在せず、G1~G5の少なくとも1つは、電子吸引性部分であるアニオン性成分を含む、光酸発生剤を含み、cフォトレジストの層を放射線でパターン露光し、それによりフォトレジストの層の放射線による露光領域にパターンを作製するステップ、dフォトレジストの層の一部を選択的に除去して材料層の一部を露光するステップ、ならびにe材料層の露光された部分をエッチングまたはイオン注入し、それによりパターン化された材料表面を形成するステップを含む。本発明の基板は、好適には、フォトレジストに関するプロセスで従来から使用される任意の基板である。たとえば、基板は、シリコン、酸化ケイ素、アルミニウム-酸化アルミニウム、ガリウムヒ素、セラミック、石英、銅、または多層を含むこれらの任意の組み合わせでもよい。基板は、1つまたは複数の半導体層または構造体を含んでいてもよく、半導体装置の作用または作動部分を含んでいてもよい。材料層は、製造プロセスの段階、および最終製品に望ましい材料セットに応じて金属導体層、セラミック絶縁体層、半導体層、または他の材料でもよい。本発明のフォトレジスト組成物は、半導体基板上の集積回路の製造に使用されるリソグラフィプロセスに特に有用である。本発明のフォトレジスト組成物をリソグラフィプロセスに使用して、集積回路装置に使用され得る金属配線ライン、接続穴またはビア、絶縁部たとえば、ダマシン溝またはシャロートレンチアイソレーション、キャパシタ構造体の溝、トランジスタ用のイオン注入半導体構造体などのパターン化された材料層構造体を作製してもよい。場合によっては、フォトレジスト層と材料層との間に裏面反射防止膜もしくは下層膜たとえば、平坦化下層またはその両方を塗布してもよい。他の場合には、フォトレジスト層上に上面反射防止膜層を塗布してもよい。本発明は、反射防止膜もしくは下層材料またはその両方の使用にも、これらの膜または材料の特定の組成物の使用にも限定されない。フォトレジスト層は、スピンコーティングを含むほぼどのような標準的な手段によって形成してもよい。フォトレジスト層は、ベーク塗布後ベークPAB:postapplyingbakeしてフォトレジストから任意の溶媒を除去し、フォトレジスト層の粘着性を改良してもよい。フォトレジスト層のPAB温度の好ましい範囲は、約70°C~約150°C、一層好ましくは約90°C~約130°Cである。第1の層の厚さの好ましい範囲は、約20nm~約400nm、一層好ましくは約50nm~約300nmである。フォトレジスト層は、その後所望の放射線でパターン露光する。本発明に利用される放射線は、可視光でも、紫外線UVでも、極紫外線EUV:extremeultravioletでも、電子ビームE-beam:electronbeamでもよい。放射線のイメージング波長は、約248nm、193nmまたは13nmであることが好ましい。放射線のイメージング波長は、約193nmArFレーザであることがより好ましい。パターン露光は、フォトレジスト層の上に配置されるマスクを通して行われる。所望のパターン露光後、フォトレジスト層は、通常ベーク露光後ベークPEB:postapplyingbakeして酸触媒反応を十分に終了させ、露光パターンのコントラストを高める。PEB温度の好ましい範囲は、約70°C~約120°C、一層好ましくは約90°C~約110°Cである。場合によっては、化学物質アセタールおよびケタールなどある種の化学物質の場合、レジストポリマーの脱保護が室温で進行するため、PEBステップを省くことも可能である。露光後ベークは、好ましくは約30秒から5分間行う。PEBを行った場合、その後、ポジティブフォトレジストの場合、放射線で露光したフォトレジストの領域またはネガティブフォトレジストの場合、非露光領域を選択的に溶解するアルカリ水溶液とフォトレジスト層を接触させることにより、所望のパターンを持つフォトレジスト構造体が得られる現像される。好ましいアルカリ水溶液現像液は、テトラメチル水酸化アンモニウムTMAH:tetramethylammoniumhydroxideの水溶液である。基板上に得られるリソグラフィ構造体は、その後乾燥させて残存する任意の現像液を除去するのが通常である。上面反射防止膜を使用している場合、好ましくはこのステップで現像液により溶解する。その後、フォトレジスト構造体のパターンは、当該技術分野において公知の技術を用いて好適なエッチング液でエッチングすることにより、基板の下にある材料層の露光部分に転写することができる。好ましくは、転写は、リアクティブイオンエッチングまたはウエットエッチングにより行う。所望のパターン転写が行われたら、従来のストリッピング技術を用いて残存する任意のフォトレジストを除去してもよい。あるいは、パターンは、イオン注入により転写してイオン注入材料のパターンを形成してもよい。本発明の組成物が有用であり得る一般的なリソグラフィプロセスの例は、米国特許第4,855,017号、同第5,362,663号、同第5,429,710号、同第5,562,801号、同第5,618,751号、同第5,744,376号、同第5,801,094号、同第5,821,469号および同第5,948,570号に開示されている。パターン転写プロセスの他の例は、半導体フォトリソグラフィ、原理、実践および材料SemiconductorLithography,Principles,Practices,andMaterials、ウェインモローWayneMoreau著、PlenumPress、1988年の12章および13章に記載されている。本発明は、いかなる特定のリソグラフィ手法または装置の構造にも限定されないことを理解すべきである。本発明について、下記の実施例によりさらに説明する。本発明は、実施例の特定の細部に限定されない。モノニトロ-ベンゾ[b]チオフェン-2-スルホニルクロリドの合成。ベンゾ[b]チオフェン-2-スルホニルクロリド1.165g、5mmolを25mLのジクロロメタンに溶かした溶液に、3.6mLの濃硝酸≧22.05mol/Lを滴下して加え、得られた混合物を一晩還流させ、室温まで冷却してから、20グラムの砕氷に注いだ。有機層を分離し、水層を220mLの2ジクロロメタンで抽出した。有機層を合わせて、MgSO4で乾燥させた。次いで溶媒をロータリエバポレータで除去した。粗生成物を、ヘキサンの溶離液、続いてヘキサン/酢酸エチル6/1~3/1のグラジエント溶離液を用いてフラッシュカラムクロマトグラフィーで精製して、0.58gの生成物4-ニトロ-ベンゾ[b]チオフェン-2-スルホニルクロリド65と7-ニトロ-ベンゾ[b]チオフェン-2-スルホニルクロリド35との混合物を得た。銀モノニトロ-ベンゾ[b]チオフェン-2-スルホネートの合成。モノニトロ-ベンゾチオフェン-2-スルホネート0.5177g、1.86mmolを50mLのアセトニトリルおよび1mLの水に溶かした溶液に、炭酸銀0.6169g、2.24mmolを暗所で数回に分けて加えた。得られた懸濁液を、ヘキサン/酢酸エチル1:4の溶離液を用いた薄層クロマトグラフィーで出発材料が検出されなくなるまで9日間終夜撹拌した。混合物を半インチ1.27cmのCeliteRで濾過し、この固体をアセトニトリル3×40mLで洗浄した。有機濾液を合わせて、有機溶媒をロータリエバポレータで除去して乾固させ、こうして0.668gの粘性の固体を98.2の収率で得た。得られた化合物は、次の反応に向けて精製を行わなかった。トリフェニルスルホニウムモノニトロ-ベンゾ[b]チオフェン-2-スルホネートTPSTBNOの合成銀モノニトロ-ベンゾ[b]チオフェン-2-スルホネート0.668g、0.1.83mmolを80mLのアセトニトリルおよび4mLの水に溶かした溶液に、トリフェニルスルホニウムブロミド0.6271g、1.83mmolを35mLのアセトニトリルおよび1mLの水に溶かした溶液を加えた。得られた混合物を3日間終夜撹拌してから、濾過した。得られた溶液を1インチ2.54cmのCeliteR/酸化アルミニウム塩基性/CeliteR層で濾過し、25mLのアセトニトリルおよび25mLのアセトンで洗浄した。有機溶媒をロータリエバポレータで除去し、残渣を50mLの2-ブタノンに再溶解させ、硫酸マグネシウムで一晩乾燥させ、1インチ2.54cmのCeliteRで濾過した。溶媒をロータリエバポレータで除去し、真空オーブンで乾燥乾固させて、0.71gの生成物を70の収率で得た。TPSTBNOを用いたDSC測定10°C/min、窒素5mL/minにより243°Cの融点を得た。DSC測定では、250°Cまで明らかな分解は観察されなかった。フォトレジスト配合物1。15molの2-トリフルオロメタンスルホニルアミノメタクリレート、45molの2-メチル-2-アダマンチルメタクリレートおよび40molの5-メタクリロイルオキシ-2,6-ノルボルナンカルボ-γ-ラクトンS120wtPGMEA溶液からなる4.9967gのフォトレジストポリマー、0.2541gのトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートTPSPFBuS19.6wtPGMEA溶液、0.3092gのN-Boc-ピロリジン1wtPGMEA溶液、5.9311gのPGMEAおよび4.4975gのシクロヘキサノンを混合し、一晩回転させ、0.2μmのPTFEディスクで濾過して配合物1を得た。フォトレジスト配合物2。5.0508gのフォトレジストポリマーS120wtPGMEA溶液、0.0467gのTPSTBNO、0.3057gのN-Boc-ピロリジン1wtPGMEA溶液、6.0932gのPGMEAおよび4.4515gのシクロヘキサノンを混合し、一晩回転させ、0.2μmのPTFEディスクで濾過して配合物2を得た。フォトレジスト配合物3。3.1826gのフォトレジストポリマーS126.75wtPGMEA溶液、0.2190gのTPSPFBuS19.6wtPGMEA溶液、0.2572gのN-Boc-ピロリジン1wtPGMEA溶液および14.2645gのPGMEAを混合し、一晩回転させ、0.2μmのPTFEディスクで濾過して配合物3を得た。フォトレジスト配合物4。7.4842gのフォトレジストポリマーS126.75wtPGMEA溶液、0.0932gのTPSTBNO、1.0484gのN-Boc-2-フェニルベンゾイミダゾール1wtPGMEA溶液、30.4721gのPGMEAおよび0.5974gの-ブチロラクトンを混合し、一晩回転させ、0.2μmのPTFEディスクで濾過して配合物4を得た。物理的性質フォトレジスト配合物を5インチ12.7cmのシリコンウエハ上に1500rpmのスピン速度で30秒間スピンコートして、固体薄膜を調製した。得られた膜を110°Cで60秒間ソフトベークした。VASEによるエリプソメトリにより厚さ、n屈折率およびk消衰係数を測定し、kからODOpticalDensity値を算出した。リソグラフィの評価リソグラフィ評価では、調製したフォトレジスト配合物を、シリコンウエハ上に塗布した反射防止膜材料層に30秒間スピンコートした。193nmの液浸リソグラフィの場合、フォトレジスト層の上にトップコート層を塗布した。レジスト膜を、60秒間ホットプレート上で110°Cで60秒間ベークした。次いでウエハを193nmの放射線で露光したそれぞれASML、スキャナ0.75NA、およびASML、液浸スキャナ1.35NA。露光パターンは、50nmまでの様々な寸法の一連のラインアンドスペースであった。次いで露光されたウエハを、ホットプレート上で120°Cにて60秒間露光後ベークした。ウエハを、0.263NのTMAH現像液で60秒間パドル現像した。得られたフォトレジストイメージング層のパターンを、走査型電子顕微鏡SEM:scanningelectronmicroscopyにより検討した。フォトスピードの結果はそれぞれ、150nmライン/150nmスペース、および50nmライン/50nmスペースのイメージから得た。本発明の好ましい実施形態について詳細に図示し、記載してきたが、当業者であれば、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲で、前述および他の形態および細部に関して変更が可能であることが理解されよう。したがって、本発明は、記載および図示されている正確な形態および細部に限定されるものではなく、むしろ添付の特許請求の範囲の範囲に包含されることを意図している。"