面直通電型CPP;CurrentPerpendiculartothePlaneの巨大磁気抵抗効果GMR;GiantMagnetoResistiveeffect素子であって、第1のハーフメタル強磁性体層と、第2のハーフメタル強磁性体層と、前記第1のハーフメタル強磁性体層と前記第2のハーフメタル強磁性体層との間に挟まれた非磁性金属体層とを有し、前記第1のハーフメタル強磁性体層および前記第2のハーフメタル強磁性体層のうち少なくとも一方が、Co2FexMn1-xSiホイスラー合金x=0.0~1.0から成ることを、特徴とする磁気抵抗効果素子。前記非磁性金属体層はAgから成ることを、特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。前記第1のハーフメタル強磁性体層および前記第2のハーフメタル強磁性体層が、Co2FexMn1-xSiホイスラー合金x=0.0~1.0から成ることを特徴とする、請求項1または2記載の磁気抵抗効果素子。前記Co2FexMn1-xSiホイスラー合金から成る層は、層厚が2~20nmであることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。前記第1のハーフメタル強磁性体層および前記第2のハーフメタル強磁性体層のうち少なくとも一方は、アニーリング処理が行われていることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子を有することを、特徴とする磁気デバイス。しかしながら、非特許文献2および3に記載のような従来のCPP-GMR素子では、50を超えるような大きなMR比は観測されておらず、数テラビット/インチ2の記録密度を実現することはできないという課題があった。本発明は、このような課題に着目してなされたもので、室温で50以上の高いMR比を示し、数テラビット/インチ2の記録密度を実現可能な磁気抵抗効果素子および磁気デバイスを提供することを目的としている。本発明者らは、上記目的を達成すべく、50を超えるような大きなMR比が得られない原因が、適切なホイスラー合金組成が探索されていないことや、作製条件が適切でないことにあると考え、鋭意検討を行った。その結果、高スピン分極率を備えるホイスラー合金材料を用い、室温で高いMR比を呈する磁気抵抗素子を作製することに成功し、本発明に至った。すなわち、本発明に係る磁気抵抗効果素子は、面直通電型CPP;CurrentPerpendiculartothePlaneの巨大磁気抵抗効果GMR;GiantMagnetoResistiveeffect素子であって、第1のハーフメタル強磁性体層と、第2のハーフメタル強磁性体層と、前記第1のハーフメタル強磁性体層と前記第2のハーフメタル強磁性体層との間に挟まれた非磁性金属体層とを有し、前記第1のハーフメタル強磁性体層および前記第2のハーフメタル強磁性体層のうち少なくとも一方が、Co2FexMn1-xSiホイスラー合金x=0.0~1.0から成ることを、特徴とする。本発明に係る磁気抵抗効果素子は、第1のハーフメタル強磁性体層および第2のハーフメタル強磁性体層のうち少なくとも一方が、Co2FexMn1-xSiホイスラー合金x=0.0~1.0から成ることにより、室温で50以上の高いMR比を得ることができる。このため、ハードディスク等の磁気ヘッドとして使用した場合、数テラビット/インチ2の記録密度を実現することができる。本発明に係る磁気抵抗効果素子で、前記非磁性金属体層はAgから成ることが好ましい。また、本発明に係る磁気抵抗効果素子は、前記第1のハーフメタル強磁性体層および前記第2のハーフメタル強磁性体層が、Co2FexMn1-xSiホイスラー合金x=0.0~1.0から成ることが好ましい。この場合、非磁性金属体層のAgが、Co2FexMn1-xSiホイスラー合金と相性が良いため、より高いMR比を得ることができる。特に、第1のハーフメタル強磁性体層および第2のハーフメタル強磁性体層が、Co2FexMn1-xSiホイスラー合金から成る場合には、室温で最大70以上の高いMR比を得ることができる。本発明に係る磁気抵抗効果素子で、前記Co2FexMn1-xSiホイスラー合金から成る層は、層厚が2~20nmであることが好ましい。この場合にも、より高いMR比を得ることができる。本発明に係る磁気抵抗効果素子で、前記第1のハーフメタル強磁性体層および前記第2のハーフメタル強磁性体層のうち少なくとも一方は、アニーリング処理が行われていてもよい。この場合、アニーリング処理により、ハーフメタル強磁性体層の結晶性を向上させることができ、MR比を高めることができる。良好な特性を得るために、アニーリング処理は、400°C~500°Cの処理であることが好ましい。これは、アニーリング処理の温度が低すぎると結晶性が悪くなり、温度が高すぎるとハーフメタル強磁性体層間で拡散が生じることにより、MR比が低下してしまうためである。本発明に係る磁気抵抗効果素子は、第1のハーフメタル強磁性体層の非磁性金属体層とは反対側に下地層を有していてもよい。この場合、下地層の上に形成される第1のハーフメタル強磁性体層/非磁性金属体層/第2のハーフメタル強磁性体層を良質にすることができ、MR比を高めることができる。また、下地層を磁気抵抗効果素子の電極として使用することもできる。下地層は、第1のハーフメタル強磁性体層/非磁性金属体層/第2のハーフメタル強磁性体層を良質にすることができるものであれば、いかなるものから成っていても良く、例えば、Cr/Ag層から成っていてもよい。本発明に係る磁気抵抗効果素子は、第2のハーフメタル強磁性体層の非磁性金属体層とは反対側に酸化防止層を有していてもよい。この場合、酸化防止層により、第1のハーフメタル強磁性体層/非磁性金属体層/第2のハーフメタル強磁性体層の酸化を防止することができる。酸化防止層は、酸化しにくい材料、または酸化しても電気抵抗が大きくならない材料であれば、いかなるものから成っていてもよく、例えば、Ag/Ru層から成っていてもよい。本発明に係る磁気デバイスは、本発明に係る磁気抵抗効果素子を有することを、特徴とする。本発明に係る磁気デバイスは、室温で50以上の高いMR比を示す本発明に係る磁気抵抗効果素子を有するため、高感度かつ高性能である。本発明に係る磁気デバイスは、例えば、磁気抵抗ヘッド、高感度磁気センサー、高周波発振素子などから成る。特に、ハードディスク等の磁気ヘッドから成る場合、数テラビット/インチ2の記録密度を実現することができる。本発明によれば、室温で50以上の高いMR比を示し、数テラビット/インチ2の記録密度を実現可能な磁気抵抗効果素子および磁気デバイスを提供することができる。以下、図面に基づき、本発明の実施の形態について説明する。図1乃至図3は、本発明の実施の形態の磁気抵抗効果素子を示している。図1に示すように、磁気抵抗効果素子10は、面直通電型の巨大磁気抵抗効果CPP-GMR素子であって、基板11と下地層12と第1のハーフメタル強磁性体層13と非磁性金属体層14と第2のハーフメタル強磁性体層15と酸化防止層16とを有している。基板11は、MgO基板から成っている。下地層12は、基板11上に形成され、基板11の側にCr層12a、その上にAg層12bを有するCr/Ag層から成っている。第1のハーフメタル強磁性体層CFMS13は、下地層12の上に形成され、Co2FexMn1-xSiホイスラー合金x=0.0~1.0から成っている。非磁性金属体層14は、第1のハーフメタル強磁性体層13の上に形成され、Agから成っている。第2のハーフメタル強磁性体層CFMS15は、第1のハーフメタル強磁性体層13との間に非磁性金属体層14を挟むよう、非磁性金属体層14の上に形成され、Co2FexMn1-xSiホイスラー合金x=0.0~1.0から成っている。酸化防止層16は、第2のハーフメタル強磁性体層15の上に形成され、第2のハーフメタル強磁性体層15側にAg層16a、その上にRu層16bを有するAg/Ru層から成っている。磁気抵抗効果素子10は、超高真空スパッタ装置を用いて各層を成膜することにより形成されている。第1のハーフメタル強磁性体層13は、成膜後に500°Cでアニーリング処理を行っている。第2のハーフメタル強磁性体層15は、成膜後に450°Cでアニーリング処理を行っている。磁気抵抗効果素子10は、電子線リソグラフィーおよびArエッチングにより、磁気抵抗特性を評価可能な形状に微細加工されている。なお、図1に示す具体的な一例では、下地層12は、Cr層12aの層厚が20nm、Ag層12bの層厚が50nmである。第1のハーフメタル強磁性体層13は層厚が20nm、非磁性金属体層14は層厚が5nm、第2のハーフメタル強磁性体層15は層厚が2~20nmである。酸化防止層16は、Ag層16aの層厚が3nm、Ru層16bの層厚が3nmである。従って、図1に示す磁気抵抗効果素子10は、MgO基板/Cr20/Ag50/Co2FexMn1-xSi20/Ag5/Co2FexMn1-xSi2~20/Ag3/Ru3と表すことができるカッコ内の数字は膜厚で、単位はnm。図2に、第2のハーフメタル強磁性体層15の層厚を10nmとして形成された磁気抵抗効果素子10の、Co2FexMn1-xSi20/Ag5/Co2FexMn1-xSi5の部分の断面TEM透過型電子顕微鏡像を示す。図2に示すように、磁気抵抗効果素子10は、非常に平滑な界面を有していることが確認された。また、図2に示される3層が明確な格子像を呈しており、001配向してエピタキシャル成長していることが確認された。さらに、第1のハーフメタル強磁性体層13および第2のハーフメタル強磁性体層15ともに、L21規則度を有していることも確認された。図3に、第2のハーフメタル強磁性体層15の層厚が3nmの磁気抵抗効果素子10、および、第2のハーフメタル強磁性体層15の層厚が10nmの磁気抵抗効果素子10の、磁気抵抗MR曲線を示す。図3に示すように、磁気抵抗効果素子10は、第2のハーフメタル強磁性体層15の層厚が10nmの試料で、室温において約70と非常に大きいMR比を有し、高感度であることが確認された。このMR比の値は、現在までに得られている磁気抵抗効果素子の中で最大である。また、第2のハーフメタル強磁性体層15の層厚が3nmの試料においても、MR比は約50と大きくなっていることが確認された。図3に示す結果から、磁気抵抗効果素子10は、MR比が大きい状態で薄膜化が可能であるといえる。磁気抵抗効果素子の膜厚を薄くすることは、大容量のハードディスク用再生ヘッドを実現する上で重要であり、磁気抵抗効果素子10は、数テラビット/インチ2の記録密度を有する大容量のハードディスク用再生ヘッドの実現に寄与することができる。また、一方のハーフメタル強磁性体層を薄膜化した磁気抵抗効果素子10は、高周波発振素子等の磁気デバイスにも応用可能であり、スピンエレクトロニクス分野の発展に大きく貢献する可能性もある。磁気抵抗効果素子10は、Cr/Ag層から成る下地層12により、その上の第1のハーフメタル強磁性体層13/非磁性金属体層14/第2のハーフメタル強磁性体層15を良質に形成することができ、MR比を高めることができる。また、下地層12を磁気抵抗効果素子10の電極として使用することもできる。アニーリング処理により、第1のハーフメタル強磁性体層13および第2のハーフメタル強磁性体層15の結晶性を向上させることができ、MR比を高めることができる。Ag/Ru層から成る酸化防止層16により、第1のハーフメタル強磁性体層13/非磁性金属体層14/第2のハーフメタル強磁性体層15の酸化を防止することができる。