複数のパッドを有し、前記パッドのうちの一部にコンデンサ専用パッドを有する半導体集積回路と、前記半導体集積回路の前記コンデンサ専用パッドに直付けするコンデンサ素子と、を備える半導体集積装置。請求項1に記載の半導体集積装置において、前記半導体集積回路の複数の前記コンデンサ専用パッドに、前記コンデンサ素子の少なくとも一つの端子を半田接続する半導体集積装置。請求項1または請求項2に記載の半導体集積装置において、前記半導体集積回路の前記コンデンサ専用パッドは、LSIパッケージの外形の外側に位置する半導体集積装置。半導体集積回路における複数のパッドのうちの一部に有するコンデンサ専用パッドにコンデンサ素子を直付けする半導体集積装置の実装方法。請求項4に記載の半導体集積装置の実装方法において、前記コンデンサ素子の少なくとも一つの端子を、前記半導体集積回路の複数の前記コンデンサ専用パッドに半田接続する半導体集積装置の実装方法。請求項4または請求項5に記載の半導体集積装置の実装方法において、前記コンデンサ素子を、前記半導体集積回路においてLSIパッケージの外形の外側に位置する前記コンデンサ専用パッドに半田接続する半導体集積装置の実装方法。半導体集積回路LSIの誤動作を引き起こす動的な電源変動ノイズを抑制するために、プリント基板PCB上にコンデンサを搭載し、電源供給部品から半導体集積回路までの電源供給経路のインピーダンスを低減する方法がある。一般に、容量値の大きなコンデンサを搭載すれば、電源供給経路のインピーダンスはより小さくなるので、プリント基板上に、様々な種類のコンデンサを搭載し、インピーダンスを低減できる。しかし、半導体集積回路からプリント基板上に搭載したコンデンサまでの電源供給経路の寄生インダクタンスが存在するために、周波数に依存したインピーダンスの下限ができてしまうことになる。そのため、コンデンサの搭載数を増やしてコンデンサ自身のインピーダンス特性を低減しても、電源供給経路全体として所望のインピーダンスを実現できなくなる。但し、プリント基板の場合には、半導体集積回路から見て、より低インピーダンスの位置にLSIパッケージが存在する。そのため、LSIパッケージ上に搭載されるコンデンサの容量特性を考慮すれば、プリント基板中の電源供給経路の寄生インダクタンスによるインピーダンスの下限は実質的に問題ではなくなる。ところで、図6に示すように、特許文献1及び特許文献2と同様に、プリント基板101上にパッド102を介してLSIパッケージ103を搭載した半導体集積装置100が提案されている。このような半導体集積装置100は、パッド104を介してLSIパッケージ103上に半導体集積回路105を搭載し、パッド106を介してLSIパッケージ103上にコンデンサ107を実装している。ところが、半導体集積装置100において、LSIパッケージ103の寄生インダクタンスにより生じるインピーダンスは、半導体集積回路105に内蔵された容量によって抑えることが困難である。そこで、図7に示すように、プリント基板201上にパッド202を介して搭載したLSIパッケージ203上に、パッド204を介して半導体集積回路205を搭載した半導体集積装置200が提案されている。半導体集積装置200は、半導体集積回路205と同様にパッド204を介してLSIパッケージ203の内部にコンデンサ206を埋め込むことにより、LSIパッケージ203の寄生インダクタンスを低減できる。ここで、半導体集積回路105、205から見た、LSIパッケージ103、203のコンデンサ107、206で抑制できるインピーダンスは、LSIパッケージ103、203自身の寄生インピーダンスの影響が残存する。そのため、半導体集積装置100、200において、コンデンサ107、206で抑制できるインピーダンスは、寄生インピーダンス特性よりも小さくできない。また、半導体集積回路205内に搭載する容量値は、半導体集積回路205のサイズの制約を受けるために、数100nF程度しか実装できない。そのため、LSIパッケージ103上のコンデンサ107によるインピーダンス特性と、半導体集積回路205の内容量によるインピーダンス特性との間に、インピーダンスの高い帯域が生じてしまう。本発明は、前述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、電源供給経路のインピーダンスを削減できる半導体集積装置及び半導体集積装置の実装方法を提供することにある。本発明に係る半導体集積装置は、複数のパッドを有し、前記パッドのうちの一部にコンデンサ専用パッドを有する半導体集積回路と、前記半導体集積回路の前記コンデンサ専用パッドに直付けするコンデンサ素子と、を備える。本発明に係る半導体集積装置の実装方法は、半導体集積回路における複数のパッドのうちの一部に有するコンデンサ専用パッドにコンデンサ素子を直付けする。本発明に係る半導体集積装置及び半導体集積装置の実装方法によれば、電源供給経路のインピーダンスを削減できるという効果を奏する。以下、本発明に係る一実施形態の半導体集積装置及び半導体集積装置の実装方法について図面を参照して説明する。図1に示すように、本発明に係る一実施形態の半導体集積装置10は、プリント基板PCB11と、LSIパッケージ12と、LSIである半導体集積回路13と、チップコンデンサであるコンデンサ素子14、15と、から構成している。半導体集積装置10は、セラミックス製のプリント基板11の実装面に複数の整列されたプリント基板接続用パッド16を有し、これらプリント基板接続用パッド16を介してLSIパッケージ12を実装している。半導体集積回路13は、その実装面に、複数の電源供給用パッド17および複数の入出力信号用パッド18と、同じく複数のコンデンサ専用パッド19とを有する。複数のコンデンサ専用パッド19は、一方のコンデンサ素子14を直付けするために複数個を配列している。他方のコンデンサ素子15は、LSIパッケージ接続用パッド20を介してLSIパッケージ12の実装面に実装している。各パッド16、17、18、19、20は、例えば、タングステンWもしくは、モリブデンMoをメタライズした表面にNiメッキを施し、次にAuメッキを施して形成する。各パッド16、17、18、19、20は、例えば、上面に低残渣フラックスを塗布し、その上に半田板を載せ、さらに、その上に低残渣フラックスを塗布してリフロー処理を行う。図2に示すように、半導体集積回路13は、複数の電源供給用パッド17および複数の入出力信号用パッド18を有するLSIパッケージ接続用パッド領域21と、複数のコンデンサ専用パッド19を有するコンデンサ専用パッド領域22とを有する。LSIパッケージ接続用パッド領域21は、図2中の一方側に広い領域を有し、これとは異なり、コンデンサ専用パッド領域22は、図2中の他方側にLSIパッケージ接続用パッド領域21よりも狭い領域を独立して有する。このとき、コンデンサ専用パッド19を除く、電源供給用パッド17および入出力信号用パッド18は、LSIパッケージ接続用パッド領域21内に配置する。ここで、コンデンサ専用パッド領域22は、半導体集積回路13のパッド面において端部に配置している。電源供給用パッド17は、LSIパッケージ接続用パッド領域21において所定の位置に配置しており、入出力信号用パッド18は、LSIパッケージ接続用パッド領域21において電源供給用パッド17を除いた所定の位置に配置している。複数の電源供給用パッド17と、複数の入出力信号用パッド18と、複数のコンデンサ専用パッド19とは、それぞれ同じ間隔であって、それぞれ同じサイズのパッドからなる。従って、電源供給用パッド17、入出力信号用パッド18、及びコンデンサ専用パッド19は、既知の開発プロセスと同じ開発プロセスを使用することができる。図3に示すように、コンデンサ専用パッド19は、コンデンサ素子14の外形よりも小さい。そのため、一つのコンデンサ素子14の1つの端子23に対して、複数個のコンデンサ専用パッド19を割り当てる。従って、コンデンサ素子14として、様々なサイズのものを実装することが可能となるので、製造後にコンデンサ素子14を選択する自由度を上げることができる。次に、半導体集積装置の実装方法について説明する。まず、プリント基板11の実装面に複数のプリント基板接続用パッド16を載置し、これらプリント基板接続用パッド16上にLSIパッケージ12を載置する。次に、LSIパッケージ12において、LSIパッケージ接続用パッド領域21に複数の電源供給用パッド17および複数の入出力信号用パッド18を載置し、コンデンサ専用パッド領域22に複数のコンデンサ専用パッド19を載置する。続いて、コンデンサ専用パッド領域22がLSIパッケージ12の外形に重ならないようにLSIパッケージ接続用パッド領域21をLSIパッケージ12上に載置する。そして、プリント基板接続用パッド16を介してプリント基板11にLSIパッケージ12を実装し、電源供給用パッド17および入出力信号用パッド18を介してLSIパッケージ12に半導体集積回路13のLSIパッケージ接続用パッド領域21を実装する。さらに、LSIパッケージ12の外形に重ならないように配置されているコンデンサ専用パッド領域22のコンデンサ専用パッド19を介してコンデンサ素子14を実装する。そのため、半導体集積回路13にコンデンサ素子14を直付けすることにより、LSIパッケージ12を通らない経路で接続することができる。従って、LSIパッケージ12の寄生インダクタンスに依存せずに電源供給経路のインピーダンスを低減することが可能となる。以上、説明したように、一実施形態の半導体集積装置10によれば、半導体集積回路13にコンデンサ素子14を直付けすることにより、LSIパッケージ12を通らない経路で接続することができる。従って、半導体集積装置10によれば、LSIパッケージ12の寄生インダクタンスに依存せずに電源供給経路のインピーダンスを低減することが可能となる。また、半導体集積装置10によれば、半導体集積回路13に直付けするコンデンサ素子14は特殊なコンデンサ素子ではなく、一般的に利用されている微細なチップコンデンサ等を採用できる。従って、半導体集積装置10によれば、部品原価を安価に抑えてコスト面で有利にできる。そして、半導体集積装置10によれば、半導体集積回路13の複数のコンデンサ専用パッド19に、コンデンサ素子14の一つの端子23を半田接続するために、コンデンサ素子14として、様々なサイズのものを実装することが可能となる。従って、半導体集積装置10によれば、製造後にコンデンサ素子14を選択する自由度を上げることができる。さらに、半導体集積装置10によれば、半導体集積回路13のコンデンサ専用パッド19がLSIパッケージ12の外形の外側に位置する。そのため、半導体集積装置10によれば、LSIパッケージ12を通らない経路でコンデンサ素子14を接続することができる。従って、LSIパッケージ12の寄生インダクタンスに依存せずに電源供給経路のインピーダンスを低減することが可能となる。そしてまた、半導体集積装置10によれば、複数の電源供給用パッド17と、複数の入出力信号用パッド18と、複数のコンデンサ専用パッド19とが、それぞれ同じ間隔であって、それぞれ同じサイズのパッドからなる。従って、半導体集積装置10によれば、既知の開発プロセスと同じ開発プロセスを使用することにより、低コストで電源供給用パッド17、入出力信号用パッド18、及びコンデンサ専用パッド19を製造することができる。そしてさらに、半導体集積装置の実装方法によれば、LSIパッケージ12を通らない経路で接続することができる。従って、半導体集積装置の実装方法によれば、LSIパッケージ12の寄生インダクタンスに依存せずに電源供給経路のインピーダンスを低減することが可能となる。またさらに、半導体集積装置の実装方法によれば、半導体集積回路13の複数のコンデンサ専用パッド19に、コンデンサ素子14の一つの端子23を半田接続する。従って、コンデンサ素子14として、様々なサイズのものを実装することが可能となり、製造後にコンデンサ素子14を選択する自由度を上げることができる。加えて、半導体集積装置の実装方法によれば、LSIパッケージ12を通らない経路でコンデンサ素子14を接続することができるために、LSIパッケージ12の寄生インダクタンスに依存せずに電源供給経路のインピーダンスを低減することが可能となる。以下、本発明の半導体集積装置及び半導体集積装置の実装方法の作用効果を確認するために行った実施例について説明する。実施例には、LSIパッケージ103上にコンデンサ107を搭載した半導体集積装置100及びLSIパッケージ203の内部にコンデンサ206を埋め込んだ半導体集積装置200の既知のものを適用した。図4に既知のものの電源供給経路のインピーダンス特性を示す。図4に示すように、半導体集積回路105、205から見た、LSIパッケージ103、203のコンデンサ107、206で抑制できるインピーダンスは、LSIパッケージ103、203自身の寄生インピーダンスの影響が残存する。そのため、コンデンサ107、206で抑制できるインピーダンスは、図中に破線で示す寄生インピーダンス特性よりも小さくできない。また、半導体集積回路205内に搭載する容量値は、半導体集積回路205のサイズの制約を受けるために、数100nF程度しか実装できない。そのため、LSIパッケージ103上のコンデンサ107によるインピーダンス特性と、半導体集積回路205の内容量によるインピーダンス特性との間に、インピーダンスの高い帯域が生ずるのがわかる。図5に本発明の半導体集積装置10の電源供給経路のインピーダンス特性を示す。図5に示すように、本発明の半導体集積装置10の電源供給経路のインピーダンス特性は、半導体集積回路13に直付けしたコンデンサ素子14が、LSIパッケージ12の寄生インピーダンスの影響を受けない。そのため、既知のもののようにLSIパッケージ103上のコンデンサ107よりも低インピーダンスを実現可能である。また、コンデンサ素子14を半導体集積回路13の外部へ実装したために、半導体集積回路13に直付けしたコンデンサ素子14のインピーダンス特性は、半導体集積回路13の内部容量のインピーダンスよりも低周波側に位置することになる。そして、コンデンサ素子14の特性を調整してコンデンサ素子14を半導体集積回路13に直付けした。これにより、LSIパッケージ12上のコンデンサ素子14によるインピーダンス特性と、半導体集積回路13の内部容量によるインピーダンス特性との間に、インピーダンスの高い周波数帯域を生じることがない。以上の結果、本発明の半導体集積装置10及び半導体集積装置の実装方法が、ノイズ耐性の強い電源供給経路を構成することが可能になるのがわかる。なお、本発明の半導体集積装置及び半導体集積装置の実装方法は、前述した一実施形態に限定するものでなく、適宜な変形や改良等が可能である。以上述べたように、本発明の半導体集積装置及び半導体集積装置の実装方法によれば、電源供給経路のインピーダンスを削減できる。以上の結果として、製品の品質の向上を図り、本発明の産業上の利用可能性は大といえる。