中央部が上方に突出した凸部を有する基板と、前記凸部上に実装された発光素子と、前記基板上に前記凸部の周囲を取り囲むように前記発光素子の下端よりも低い位置まで設けられた透光性シートと、前記基板の周辺部に沿って前記発光素子を取り囲むように設けられた枠体と、前記枠体内に設けられた、前記発光素子の発する光を波長変換する蛍光体を含有する、前記透光性シートの屈折率よりも屈折率が小さい波長変換部材とを備えたことを特徴とする発光装置。請求項1に記載の発光装置であって、前記基板上から前記凸部上にかけて連続して設けられた、前記発光素子に電気的に接続される反射電極が設けられていることを特徴とする発光装置。請求項1または請求項2に記載の発光装置であって、前記凸部は、平面透視して前記発光素子よりも小さいことを特徴とする発光装置。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の発光装置であって、前記凸部は、下部が上部よりも幅広に形成され、側面が傾斜した傾斜面に形成されていることを特徴とする発光装置。発光素子の開発において、発光素子の発する光が波長変換部材の特定の個所に集中させずに、発光素子の発する光が波長変換部材の全体にわたって照射され、波長変換部材全体で波長変換することによって輝度を向上させる技術が求められている。本発明は、発光素子の発する光が波長変換部材の全体に照射することが可能な発光装置を提供することを目的とする。本発明の実施形態に係る発光装置は、中央部が上方に突出した凸部を有する基板と、前記凸部上に実装された発光素子と、前記基板上に前記凸部の周囲を取り囲むように前記発光素子の下端よりも低い位置まで設けられた透光性シートと、前記基板の周辺部に沿って前記発光素子を取り囲むように設けられた枠体と、前記枠体内に設けられた、前記発光素子の発する光を波長変換する蛍光体を含有する、前記透光性シートの屈折率よりも屈折率が小さい波長変換部材とを備えたことを特徴とする。本発明によれば、発光素子の発する光を波長変換部材の全体に照射することが可能な発光装置を提供することができる。以下に添付図面を参照して、本発明にかかる発光装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。<発光装置の概略構成>図1は、本発明の実施形態に係る発光装置の概観斜視図であって、その一部を断面視している。図2は、図1に示す発光装置の断面図である。図3は、発光装置の透過平面図であって、波長変換部材および発光素子を取り除いた状態を示している。図4は、図2に示す発光装置の一部Aを拡大した拡大断面図である。なお、図4に示した矢印は、光の進行方向を示している。発光装置1は、中央部Cが上方に突出した凸部2を有する基板3と、凸部2上に実装された発光素子4と、基板3上に凸部2の周囲を取り囲むように、発光素子4の下端よりも低い位置まで設けられた透光性シート5と、基板3の周辺部Pに沿って発光素子4を取り囲むように設けられた枠体6と、枠体6内に充填され、発光素子4の発する光を波長変換する蛍光体7を含有する、透光性シート5の屈折率よりも屈折率が小さい波長変換部材8を備えている。なお、発光素子4は、例えば、発光ダイオードであって、半導体を用いたpn接合中の電子と正孔が再結合することによって、外部に向かって光を放出する。基板3は、絶縁性の基板であって、例えば、アルミナまたはムライト等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。また、基板3は、基板3の熱膨張を調整することが可能な金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。基板3の中央部Cに設けられた凸部2は、基板3と一体に設けられている。凸部3は、下部が上部よりも幅広に形成され側面が傾斜した傾斜面に形成されている。凸部3の上面は平坦に形成されており、凸部3が基板3から、例えば、0.05mm以上1mm以下突出している。また、凸部3は、台形状に形成されており、凸部3の上部の横方向の幅の長さは、例えば、0.1mm以上1mm以下に設定されている。また、凸部3の下部の横方向の幅の長さは、例えば、0.5mm以上5mm以下に設定されている。なお、凸部3の側面の傾斜角度は、基板3の上面に対して、例えば、10度以上80度以下傾斜している。基板3は、基板3の内外を電気的に導通する反射電極9が形成されている。反射電極9は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、アルミニウム、銀、金またはプラチナ等の導電材料からなる。反射電極9は、例えば、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、基板3となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、焼成することにより得られる。反射電極9は、基板3上から凸部3上にかけて連続して設けられている。そして、凸部3上に実装される発光素子4と電気的に接続される。反射電極9は、発光素子4の発する光のうち、下方に向かって進行する光を反射して、上方に向かって取り出すものである。反射電極9は、枠体6で囲まれる領域に幅広く設けられる。枠体6で囲まれる領域が円形の場合は、図3に示すように、半円状に形成された一対の反射電極9が設けられ、一対の反射電極9のそれぞれが間を空けて配置されている。発光素子4は、一対の反射電極9の両方と重なるように配置される。そして、一対の反射電極9は、一方が発光素子4の陽極となる第1電極に接続され、他方が発光素子4の陰極となる第2電極に接続される。発光素子4は、基板3の凸部2上に実装される。発光素子4は、凸部2上にまで形成される反射電極9上に、例えば、ろう材または半田を介して電気的に接続される。発光素子4は、透光性基体と、透光性基体上に形成される光半導体層とを有している。透光性基体は、有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、光半導体層を成長させることが可能なものであればよい。透光性基体に用いられる材料としては、例えば、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等を用いることができる。なお、透光性基体の厚みは、例えば50μm以上1000μm以下である。光半導体層は、透光性基体上に形成された第1半導体層と、第1半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第2半導体層とから構成されている。第1半導体層、発光層および第2半導体層は、例えば、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等のIII-V族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第1半導体層の厚みは、例えば1μm以上5μm以下であって、発光層の厚みは、例えば25nm以上150nm以下であって、第2半導体層の厚みは、例えば50nm以上600nm以下である。また、このように構成された発光素子4では、例えば370nm以上420nm以下の波長範囲の励起光を発する素子を用いることができる。透光性シート5は、基板3上の反射電極9上に、凸部3の周囲を取り囲むようにして凸部3の上部を露出するように設けられている。透光性シート5は、一対の反射電極9同士の間から露出する基板3の上面の一部にも設けられている。そして、一対の反射電極9の一方の上面から他方の上面にかけて連続して設けられている。透光性シート5は、硬化した反射電極9上に、例えばスパッタリング法または印刷塗布法を用いて設けられる。透光性シート5は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂またはガラス等の透光性材料からなる。また、透光性シート5の屈折率は、波長変換部材8の屈折率よりも大きく、例えば、1.4以上1.6以下に設定されている。透光性シート5の上下方向の厚みは、例えば、0.05mm以上0.5mm以下に設定されている。枠体6は、基板3上の周返部Pに発光素子4を取り囲むように設けられている。また、枠体6は、透光性シート5上に設けられている。そして、枠体6は、基板3とは別体に設けられる。枠体6は、平面視して、枠体6の内壁面の形状を円形とすると、発光素子4が発光する光を全方向に反射させて外部に放出することができる。枠体6は、例えば、アルミナまたはムライト等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。また、枠体6は、例えば、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料を所望の形状に形成して焼結された多孔質材料から構成されてもよい。枠体6を多孔質材料から構成した場合は、発光素子4からの光が、多孔質材料から成る枠体6の表面で拡散して反射される。そして、発光素子4から発せられる光が、波長変換部材8の一部に集中することなく、波長変換部材8に入射される。その結果、波長変換部材8は、波長変換部材8の一部が温度上昇することによる波長変換効率の低下や、波長変換部材8の一部が温度上昇することによる透過率や機械的強度の劣化が抑制される。また、枠体6で囲まれる領域は、下部から上部に向かって幅広に大きくなるように設定されている。また、枠体6の傾斜する内壁面には、例えば、タングステン、モリブデン、銅または銀等から成る金属層と、金属層を被覆するニッケルまたは金等から成る鍍金金属層が形成されてもよい。この鍍金金属層は、発光素子4の発する光を反射させる機能を有する。また、枠体6の内壁面の傾斜角度は、基板3の上面に対して例えば55度以上70度以下の角度に設定されている。また、鍍金金属層の表面は、算術平均粗さRaが例えば、1μm以上3μm以下に設定されている。枠体6で囲まれる領域に、蛍光体7を含有する光透過性の波長変換部材8が充填されている。波長変換部材8は、発光素子4を封止するとともに、発光素子4の発する光の波長を変換する機能を有している。波長変換部材8は、発光素子4から発せられる光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体7が励起されて、発光素子4の発する光を波長変換することができる。波長変換部材8は、例えば、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等からなり、その樹脂中に、例えば430nm以上490nm以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば500nm以上560nm以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば540nm以上600nm以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば590nm以上700nm以下の蛍光を発する赤色蛍光体が含有されている。また、蛍光体7は、波長変換部材8中に均一に分散するようにしている。なお、波長変換部材8の熱伝導率は、例えば、0.1W/mK以上0.3W/mK以下に設定されている。また、波長変換部材8の屈折率は、例えば、1.3以上1.5以下に設定されている。そして、波長変換部材8の屈折率が、透光性シート5の屈折率よりも小さく設定されている。波長変換部材8は、発光素子4の上面および側面に被着して設けられている。発光素子4の側面を波長変換部材8で覆うことで、発光素子4の側面から進行する光を効果的に波長変換することができる。また、透光性シート5には蛍光体7が含有されていないため、温度が上昇しにくくなっている。また、枠体6は、透光性シート5上に設けられており、透光性シート5の端部が外部に露出している。発光素子4、波長変換材8または反射電極9から透光性シート5に伝わった熱は、透光性シート5の端部から外部に向かって放熱することができる。そして、透光性シート5が基板3から剥離しにくくすることができ、枠体6が発光素子4に対して位置ずれするのを抑制することができる。発光素子4の上面から上方に向かって進行する光は、波長変換部材8内で蛍光体7によって波長変換されて、外部に向かって取り出される。また、発光素子4の側面から横方向に進行する光は、波長変換部材8内で蛍光体によって波長変換されて、枠体6にて反射されて外部に取り出される。また、発光素子4の側面から斜め下方向に進行する光は、図4に示すように、透光性シート5内に進入する。そして、反射電極9の上面にて反射されて、斜め上方に進行するが、光の進行する角度によっては、波長変換部材8の屈折率が透光性シート5の屈折率よりも小さいために、波長変換部材8と透光性シート5の界面にて反射されて、再び透光性シート5内を進行する。その結果、発光素子4の側面から斜め下方向に進行した光が、透光性シート5内を進行する角度によっては、繰り返し波長変換部材8と透光性シート5の界面にて反射されて、発光素子4から離れた位置まで到達し、透光性シート5から波長変換部材8内に進入することができる。その結果、基板3上の周辺部Pに位置する波長変換部材8内で蛍光体7によって波長変換されて、外部に波長変換された光が取り出される。このように、波長変換部材8全体で効率よく蛍光体7によって発光素子4の発する光が波長変換されるため、波長変換部材8の特定個所に熱が集中しにくくなり、波長変換部材8が熱変形して透光性シート5から剥離しにくくすることができ、長期間にわたって駆動することが可能な発光装置1を実現することができる。このように、発光素子4の発する光のうち、透光性シート5に進入した光を基板3上の周辺部Pに位置する波長変換部材8内で波長変換することができ、発光素子4の発する光が波長変換部材8の全体に照射することが可能な発光装置1を提供することができる。また、透光性シート5内には、蛍光体7が含有されていないため、透光性シート5内を進行する波長変換前の光は、発光素子4から離れた位置にまで到達しやすくすることができ、波長変換部材8の全体を用いて波長変換するようにすることで、発光装置1の発光輝度を向上させることができる。なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上述した実施形態によれば、凸部2の側面を傾斜面としたが、これに限られない。例えば、図5に示すように、凸部2の側面を基板3の上面に対して垂直となるように形成してもよい。そして、凸部2は、平面透視して発光素子4よりも小さく形成する。凸部2の側面を垂直に形成して、さらに、平面透視して発光素子4の外周内に位置するように凸部2の側面を位置させた場合は、発光素子4の下面から下方に進行する光についても、一部透光性シート5内に進行させることができ、その光を発光素子4から離れた位置にある基板3の周辺部P上に位置する透光性シート5内にまで到達させることができる。その結果、基板3の周辺部P上に位置する波長変換部材8にて波長変換する光を多くすることができ、波長変換部材8に含有された蛍光体7を全体的に励起させ、励起させる蛍光量を増加させることにより、発光装置1の光出力を増加させることができる。また、上述した実施形態では、波長変換部材8を枠体6内に充填させたが、これに限られない。例えば、図6に示すように、波長変換部材8をシートにして、枠体6の上部に段差6aを設け、段差6aにて波長変換部材8を支持するようにしてもよい。枠体6の上部に波長変換部材8を設けることで、枠体6の内壁面にて散乱させた光を波長変換部材8の全体に効果的に当てることができ、波長変換部材8全体で発光素子4の発する光を蛍光体7にて波長変換することができ、発光装置1の光出力を向上させることができる。また、反射電極9は上面が拡散面であり、透光性シート5の上面が平坦面であってもよい。その結果、発光素子4から透光性シート5に入射された光は、一部は反射電極9の上面で拡散反射されて透光性シート5の上側に配置された波長変換部材8内の蛍光体7を一様に励起させるとともに、一部は透光性シート5と波長変換部材8との界面で全反射されながら基板3の周辺部に伝達される。このように、発光素子4から透光性シートに入射された光は、反射電極9および透光性シート5と波長変換部材8との界面で拡散反射と全反射を繰り返しながら、基板3上に配置された蛍光体7を、透光性シート5を介して基板3周囲に向かって一様に励起させることがきることから、発光装置1の光出力を向上させることができる。<発光装置の製造方法>ここで、図1に示す発光装置1の製造方法を説明する。まず、基板3を準備する。基板3が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、混合物から複数のグリーンシートを作製する。また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、基板3となるセラミックグリーンシートに反射電極9となるメタライズパターンを所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層した状態で焼成することで、基板3を準備することができる。次に、基板3上に凸部3を露出した状態で、例えば、ガラスを塗布して、屈折率が1.4となる透光性シート5を形成する。さらに、枠体6を準備する。枠体6は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料を準備する。そして、枠体6の型枠内に、セラミック材料を充填して乾燥させた後に、焼成することで枠体6を準備することができる。次に、基板3上の透光性シート5上に、枠体6を、接着樹脂を介して接合することによって設ける。そして、基板3上の凸部2の上面であって枠体6で囲まれた領域に発光素子4を実装する。そして、基板3上の枠体6で囲まれた領域に、例えば蛍光体7を含有する波長変換部材8としてのシリコーン樹脂を充填する。その後、例えば150°C以上の温度にシリコーン樹脂を熱して、シリコーン樹脂を硬化させることで、屈折率が1.3となる波長変換部材8を形成して発光素子4を封止する。このようにして、発光装置1を製造することができる。