半導体モジュールと、前記半導体モジュールの表面に設けられ、前記半導体モジュールを冷却する冷却器と、前記半導体モジュールと前記冷却器との間に設けられ、熱伝導性を有する伝熱部材とを備え、前記伝熱部材が設けられた領域の外側で、前記冷却器と対向する前記半導体モジュールの表面、又は、前記半導体モジュールと対向する前記冷却器の表面の少なくとも一方の表面に、凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。前記凹部は、前記伝熱部材が設けられた領域の外周に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記半導体モジュールは、半導体素子と、前記半導体素子の表面に設けられた金属体と、前記金属体の外周に、かつ、前記冷却器の表面と対向する位置に設けられた樹脂部とを有し、前記凹部は、前記冷却器と対向する前記樹脂部の表面に形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。前記半導体モジュールは、半導体素子と、前記半導体素子の表面に設けられた金属体と、前記金属体の外周に、かつ、前記冷却器の表面と対向する位置に設けられた樹脂部とを有し、前記凹部は、前記冷却器の表面のうち前記樹脂部と対向する部分に形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置。前記凹部は、前記伝熱部材が設けられた領域の外周を囲う、少なくとも一本の溝により形成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置。しかしながら、接合面に充填されるグリースが膨張及び収縮を繰り返し、グリースが金属板と冷却器との間の隙間に掃き出されてしまい、冷却性能が下がるという問題があった。本発明が解決しようとする課題は、冷却性能を維持する半導体装置を提供することである。本発明は、伝熱部材が設けられた領域の外側で、冷却器と対向する半導体モジュールの表面、又は、半導体モジュールと対向する冷却器の表面の少なくとも一方の表面に、凹部を形成することによって上記課題を解決する。本発明によれば、凹部によって、半導体モジュールと冷却器との間の隙間が拡張されているため、伝熱部材が半導体モジュールと冷却器との間の冷却領域の外側に掃き出されにくくなり、その結果として、冷却性能を維持することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。《第1実施形態》図1は本発明の実施形態に係る半導体装置100に含まれる半導体モジュール1の断面図である。本実施形態における半導体装置100は、例えば、自動車に搭載される三相電圧型PMWPulseWidthModulationインバータ等の電力変換装置電力制御装置に組み込まれる装置である。図1に示すように、半導体モジュール1は、半導体素子11と、第1のはんだ接続部12と、第2のはんだ接続部13と、第1の導電板14と、第2の導電板15と、モールド部16と、を備えている。半導体素子11には、整流ダイオード、サイリスタ、バイポーラトランジスタ、MOSFETMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor等のパワーデバイスが用いられ、以下、IGBTを例として、説明する。半導体素子11の上面にはコレクタ電極が形成され、下面にはエミッタ電極が形成されている。また半導体素子11のベース電極は、図示しないボンディングワイヤを介して駆動基板図示しないに接続されている。半導体素子11の上面には、板状の第1の導電板14が設けられ、半導体素子11の上面と第1の導電板14は、第1のはんだ接続部12を介して接続されている。第1の導電板14は、第1の接続部141と第1の導出部142とを有しており、第1の接続部141及び第1の導出部142は一体に形成されている。第1の接続部141は、後述するモールド部16に収容され、第1のはんだ接続部12を介して、半導体素子11の上面に接続されている。第1の導出部142は第1の接続部141から外方に導出し、第1の導出部142の一部はモールド部16から露出している。当該露出部分が半導体モジュール1の端子部となる。第2の導電板15は、第2の接続部151と第2の導出部152とを有しており、第2の接続部151及び第2の導出部152は一体に形成されている。第2の接続部151は、後述するモールド部16に収容され、第2のはんだ接続部13を介して、半導体素子11の下面に接続されている。第2の導出部152は第2の接続部151から外方に導出し、第2の導出部152の一部はモールド部16から露出している。当該露出部分が半導体モジュール1の端子部となる。第1の導電板14及び第2の導電板15は、例えば銅により形成される。第1のはんだ接続部12及び第2のはんだ接続部13は、半導体素子11の表面と第1の導電板14との間、及び、半導体素子11の表面と第2の導電板15との間にそれぞれ介在して、半導体素子11と第1の導電板14及び第2の導電板15との間を、それぞれ電気的に接続しつつ熱伝達するよう設けられている。モールド部16は、エポキシ系樹脂やPPC樹脂等の塑性変形可能な絶縁体で構成されており、半導体素子11と、第1のはんだ接続部12及び第2のはんだ接続部13と、第1の導電板14及び第2の導電板15とを封止している。第1の接続部141の上面は、モールド部16により覆われているが、第2の接続部151の下面は、モールド部16に覆われておらず、露出している。第2の接続部151の下面は、冷却器2の冷却面と対向し、半導体素子11の熱を冷却器2に放熱するための放熱面となる。モールド部16の底面は、第2の接続部151の下面と面一になるよう形成されており、当該底面において、第2の接続部151の下面の外側の位置に、凹部161が形成されている。凹部161は、第2の接続部151の下面に沿った方向において、第2の接続部151を狭持する位置に形成されている。凹部161は、モールド部16の底面から、モールド部16の上面、言い換えると、モールド部16の内側に向けて凹んだ形状であり、複数の凹んだ部分を有している。これにより、モールド部16の底面及び凹部161の表面により覆われる空間内には、隙間が形成される。次に、図2を用いて、本例の半導体装置100を説明する。図2は半導体装置100の断面図である。なお、図2は、半導体モジュール1のうち、第2の接続部151及びモールド部16を図示しており、他の構成の図示は省略されている。図2に示すように、冷却器2は、アルミニウム等の材料により形成され、半導体モジュール1と当接する当接面21と、収容部22とを備えている。当接面21は、半導体モジュール1の下面と対向し、放熱グリース3及び図示しない絶縁シートを介して、半導体モジュール1に押圧され、接続されている。収容部22内には、水などの冷却冷媒を通すための流路が設けられている。そして、流路内を水が循環することで、半導体モジュール1の熱を奪い、半導体モジュール1を冷却する。なお、収容部22に冷却ファンを設けてもよい。放熱グリース3は、第2の導電板15と冷却器2との間に介在し、第2の導電板15の熱を冷却器2に熱伝導させていている。放熱グリース3は、第2導電板15の下面と当接面21との間に形成される隙間を充填するための充填材であり、シリコングリース等により形成されている。放熱グリース3は、熱伝導により、半導体素子11の熱を逃がす部分に設けられ、半導体モジュール1の放熱面と冷却器2の冷却面との間に設けられる。また、放熱グリース3は、第2の接続部151の底面に設けられるため、凹部161は、放熱グリース3が設けられた領域の外側で、当該領域の外周に形成され、放熱グリース3と当接しない領域に設けられることになる。当接面21、及び、半導体モジュール1の底面である、第2の接続部151の下面及びモールド部16の底面は平行になっており、第2の接続部151の下面と当接面21との間には、絶縁シート図示しない及び放熱グリース3が介在しているため、第2の接続部151の外側の、モールド部16の底面と当接面21との間に隙間が形成される。また、第2の接続部151の外側の、モールド部16の底面には、凹部161が形成される。凹部161との表面と当接面21との距離は、凹部161を有さない半導体モジュール1の底面と当接部21との距離より長くなっている。言い換えると、半導体モジュール1の底面と当接面21により形成される隙間は、凹部161の部分で、凹部161を有さない部分より大きくなっている。半導体モジュール1が駆動すると、半導体素子11で熱が発生する。当該熱は、第2の導電板15を伝わり、半導体モジュール1の放熱面から、放熱グリース3を伝わって、冷却器2の冷却面に伝わる。これにより、半導体モジュール1が冷却される。すなわち、導体モジュール1の放熱面と冷却器2の冷却面とで形成される空間が、半導体モジュール1を冷却するための冷却領域となる。ここで、図3を用いて、放熱グリース3のポンプアウトについて説明する。図3aは、本例とは異なり、凹部161を設けていない、比較例に係る半導体装置の断面図である。図3bはポンプアウトする前の状態の半導体装置であり、図3aのX部分の拡大図である。図3cはポンプアウトした後の状態の半導体装置であり、図3aのX部分に相当する拡大図である。図3a及び図3bに示すように、初期状態半導体装置の製造後、半導体モジュール1を通電していない状態では、放熱グリース3が、第2の接続部151と冷却器2との間の隙間を埋めるように充填されている。図3aの半導体モジュール1を備えたインバータを駆動させると、インバータの使用環境に応じて、放熱グリース3は熱により膨張したり、収縮したりする。そのため、放熱グリース3は経時的に変化し、図3cの矢印に示すように、冷却器2の表面に沿って外側に掃き出されてしまう。そして、このような放熱グリース3が掃き出される現象をポンプアウトという。またポンプアウトは、熱によるものだけではなく、機械的な力が放熱グリース3に加わることによっても発生する。ポンプアウトが発生すると、第2の導電板15の下面と冷却器2の表面との間の隙間体積が大きくなるため、半導体モジュール1の放熱面と冷却器2の冷却面との間の熱伝導性が悪くなり、冷却器2による冷却効果が落ちてしまう。図2に戻り、本例の半導体装置100に設けられる凹部161の作用について、説明する。本例では、放熱グリース3が設けられる領域の外側で、半導体モジュール1の底面に、凹部161を設けている。半導体モジュール1の底面と冷却器2の当接面21との間の断面積について、凹部161を有する部分における当該断面積は、凹部161を有さない部分における当該断面積より拡張されている。そのため、放熱グリース3が熱膨張及び収縮を繰り返した場合でも、放熱グリース3を、第2の接続部151の底面と冷却器2の当接面21との間の領域内に留めることができ、ポンプアウト現象を抑制することができる。また、凹部161を形成することで、半導体モジュール1の底面と冷却器2の当接面21との間の隙間の間隔が、凹部161の部分で大きくなっているため、放熱グリース3の表面張力により、放熱グリース3が、第2の接続部151の底面と冷却器2の当接面21との間の領域内に引き戻されるように作用する。そのため、本例は、ポンプアウト現象を抑制することができる。上記のように、本例は、放熱グリース3が設けられた領域の外側で、冷却器2と対向する半導体モジュール1の表面に凹部161を有する。これにより、凹部161の部分において、半導体モジュール1の表面と冷却器2の表面との間の隙間断面積が拡張されるため、放熱グリース3を、半導体モジュール1の放熱面と冷却器2の冷却面との間の空間に留めることができ、ポンプアウトを抑制することができる。また、凹部161の部分において、放熱グリース3の表面張力により、放熱グリース3を当該空間に引き戻すことができる。また放熱グリース3中のオイル成分が冷却器2の表面に染み出ることオイル成分のブリードアウト現象を防ぐことができる。その結果として、本例の半導体装置100は冷却性能を維持することができる。また本例は、凹部161において、凹みを複数形成しているため、隙間の断面積が連続的に変化させ、隙間断面積の変化量を確保することができる。そのため、半導体モジュール1の表面に深い凹みを設けなくてもよく、半導体モジュール1の薄型化を図ることができる。なお、本例は、片面冷却方式の半導体装置100において、半導体モジュール1の底面に凹部161を形成したが、図4及び図5に示すように、半導体モジュール1の上面に凹部161を形成し、両面冷却式の半導体装置100としてもよい。図4は本例の変形に係る半導体装置100に含まれる半導体モジュール1の断面図であり、図5は本例の変形に係る半導体装置100の断面図である。図4に示すように、第1の接続部141の上面は、モールド部16に覆われておらず、露出している。第1の接続部141の上面は、冷却器2aの冷却面と対向し、半導体素子11の熱を冷却器2aに放熱するための放熱面となる。モールド部16の上面は、第1の接続部141の上面と面一になるよう形成されており、当該上面において、第1の接続部141の上面の外側の位置に、凹部162が形成されている。凹部162は、第1の接続部141の上面に沿った方向において、第1の接続部141を狭持する位置に形成されている。凹部162は、モールド部16の上面から、モールド部16の底面、言い換えると、モールド部16の内側に向けて凹んだ形状であり、複数の凹んだ部分を有している。これにより、モールド部16の上面及び凹部162の表面により覆われる空間内には、隙間が形成される。図5に示すように、冷却器2は、上側の冷却器2aと下側の冷却器2bとを備えている。冷却器2aの下面は、半導体モジュール1の上面と対向し、放熱グリース3及び図示しない絶縁シートを介して、半導体モジュール1に押圧し、接続されている。放熱グリース3aは、第1の接続部141と冷却器2aとの間に介在し、第1の導電板14の熱を冷却器2に熱伝導させている。放熱グリース3aは、第1の接続部141の上面に設けられるため、凹部162は、放熱グリース3aが設けられた領域の外側で、放熱グリース3aと当接しない領域に設けられることになる。なお、冷却器2b、放熱グリース3b及び半導体モジュール1のうち下側の構成は、片面冷却方式の半導体装置100の構成と同様であるため、説明を省略する。これにより、本例は、両面冷却方式の半導体装置100において、片面冷却方式の半導体装置100と同様に、放熱グリース3a、3bのポンプアウトを抑制することができ、冷却性能を維持することができる。また放熱グリース3a、3b中のオイル成分が冷却器2a、2bの表面に染み出ることオイル成分のブリードアウト現象を防ぐことができる。なお、本例において、凹部161、162は必ずしも複数設ける必要はなく、1つであってもよい。また凹部161、162は、必ずしも、放熱グリース3が設けられた領域の外周を一周に渡って形成する必要はない。上記の放電グリース3、3a、3bが本発明の伝熱部材に相当する。《第2実施形態》図6は、発明の他の実施形態に係る半導体装置100の断面図である。本例では上述した第1実施形態に対して、冷却器2の表面に凹部201、202を設ける点が異なる。これ以外の構成は上述した第1実施形態と同じであるため、その記載を適宜、援用する。図6に示すように、半導体モジュール1の表面である、上面及び下面には、第1の接続部141及び第2の接続部151がそれぞれ露出している。放熱グリース3a及び放熱グリース3bは、冷却器2aの表面と半導体モジュール1の上面との間、冷却器2aの表面と半導体モジュール1の下面との間に設けられている。また放熱グリース3a及び放熱グリース3bは、第1の接続部141及び第2の接続部151の表面のうち、一部の表面に設けられている。凹部201及び凹部202は、冷却器2aの底面及び冷却器2bの上面に、それぞれ形成されている。また凹部201及び凹部202は、放熱グリース3a、放熱グリース3bが設けられる領域の外側で、放熱グリース3a、放熱グリース3bと当接しない位置に形成されている。冷却器2a、2bは、放熱グリース3a及び放熱グリース3bと、図示しない絶縁シートとを介して、半導体モジュール1に押圧され、半導体モジュール1に接続される。冷却器2aの表面と第1の接続部141の上面との間において、凹部201が形成されている部分には、放熱グリース3aが充填されない。そのため、冷却器2aの当接面21と、半導体モジュール1の放熱面となる、第1の接続部141の表面とにより形成される隙間は、凹部201の部分で、凹部201を有さない部分より大きくなっている。また、冷却器2bの表面と第2の接続部151の下面との間において、凹部202が形成されている部分には、放熱グリース3bが充填されない。そのため、冷却器2bの当接面22と、半導体モジュール1の放熱面となる、第2の接続部151の表面とにより形成される隙間は、凹部202の部分で、凹部202を有さない部分より大きくなっている。上記のように、本例は、放熱グリース3が設けられた領域の外側で、半導体モジュール1と対向する冷却器2a、2bの表面に凹部201、202を有する。これにより、凹部201、202の部分において、半導体モジュール1の表面と冷却器2a、2bの表面との間の隙間断面積が拡張されるため、放熱グリース3a、3bを、半導体モジュール1の放熱面と冷却器2の冷却面との間の空間に留めることができ、ポンプアウトを抑制することができる。また、凹部201、202の部分において、放熱グリース3a、3bの表面張力により、放熱グリース3a、3bを当該空間に引き戻すことができる。その結果として、本例の半導体装置100は冷却性能を維持することができる。また本例は、凹部201、202において、凹みを複数形成しているため、隙間の断面積が連続的に変化し、隙間断面積の変化量を確保することができる。そのため、冷却器2a、2bの表面に深い凹みを設けなくてもよく、冷却器2a、2bの薄型化を図ることができる。なお、本例は、図7に示すように、半導体モジュール1の表面に凹部161、162を形成し、冷却器2a、2bの表面に凹部201、202を形成してもよい。図7は、本例の変形例に係る両面冷却方式の半導体装置100の断面図である。また本例は、両面冷却方式の半導体装置100に限らず、片面冷却方式の半導体装置100に適用してもよい。《第3実施形態》図8は、発明の他の実施形態に係る半導体装置100の断面図である。本例では上述した第1実施形態に対して、樹脂部17に凹部171を設ける点が異なる。これ以外の構成は上述した第1実施形態と同じであるため、その記載を適宜、援用する。図8に示すように、半導体モジュール1の表面には、第2の接続部151と樹脂部17とが形成されている。樹脂部17は、絶縁性の樹脂材料により形成され、第2の接続部151の外周に設けられ、第2の接続部151を側面から覆うように形成されている。また樹脂部17は、冷却器2の表面と対向する位置に形成されている。そして、樹脂部17の下面及び第2の接続部151の下面が、冷却器2の表面との当接面となる。凹部171は、樹脂部17の下面に形成され、冷却器2の表面と対向している。凹部171は、放熱グリース3が設けられた領域の外側で、放熱グリース3と当接しない領域に設けられる。放熱グリース3は、第2の接続部151の下面に充填され、樹脂部17の表面には充填されていない。半導体モジュール1が、放熱グリース3及び絶縁シート図示しないを介して、冷却器2に押圧されると、第2の接続部151の下面と冷却器2の表面との間には、放熱グリース3が充填されるが、凹部171の表面と冷却器2の表面との間には、隙間が形成される。そのため、半導体モジュール1の表面と、冷却器2の表面21とにより形成される隙間は、凹部171の部分で、凹部171を有さない部分より大きくなっている。上記のように、本例は、第2の接続部151の外周で、冷却器2の表面と対向する位置に樹脂部17を有し、冷却器2の表面と対向する、樹脂部17の表面に凹部171を形成する。凹部171の部分において、半導体モジュール1の表面と冷却器2の表面との間の隙間断面積が拡張されるため、放熱グリース3を、半導体モジュール1の放熱面と冷却器2の冷却面との間の空間に留めることができ、ポンプアウトを抑制することができる。また、凹部171の部分において、放熱グリース3の表面張力により、放熱グリース3を当該空間に引き戻すことができる。その結果として、本例の半導体装置100は冷却性能を維持することができる。なお、本例は、片面冷却方式の半導体装置100に限らず、両面冷却方式の半導体装置100に適用してもよい。《第4実施形態》図9は、発明の他の実施形態に係る半導体装置100の断面図である。本例では上述した第3実施形態に対して、樹脂部17と対向する、冷却器2の表面に凹部202を設ける点が異なる。これ以外の構成は上述した第3実施形態と同じであるため、その記載を適宜、援用する。図9に示すように、凹部202は、冷却器2の表面に形成され、樹脂部17と対向している。凹部202は、放熱グリース3が設けられた領域の外側で、放熱グリース3と当接しない領域に設けられる。放熱グリース3は、第2の接続部151の下面に充填され、樹脂部17の表面及び凹部202の表面には充填されていない。半導体モジュール1が、放熱グリース3及び絶縁シート図示しないを介して、冷却器2に押圧されると、第2の接続部151の下面と冷却器2の表面との間には、放熱グリース3が充填されるが、凹部202と樹脂部17の表面との間には、隙間が形成される。そのため、半導体モジュール1の表面と、冷却器2の表面21とにより形成される隙間は、凹部202の部分で、凹部202を有さない部分より大きくなっている。上記のように、本例は、第2の接続部151の外周で、冷却器2の表面と対向する位置に樹脂部17を有し、樹脂部17と対向する、冷却器2の表面に凹部202を形成する。凹部202の部分において、半導体モジュール1の表面と冷却器2の表面との間の隙間断面積が拡張されるため、放熱グリース3を、半導体モジュール1の放熱面と冷却器2の冷却面との間の空間に留めることができ、ポンプアウトを抑制することができる。また、凹部202の部分において、放熱グリース3の表面張力により、放熱グリース3を当該空間に引き戻すことができる。その結果として、本例の半導体装置100は冷却性能を維持することができる。なお、本例は、片面冷却方式の半導体装置100に限らず、両面冷却方式の半導体装置100に適用してもよい。また、図10に示すように、樹脂部17に凹部171を設けてもよい。図10は、本発明の変形例に係る半導体装置100の断面図である。《第5実施形態》図11は、発明の他の実施形態に係る半導体装置100の断面図である。本例では上述した第2実施形態に対して、第1の接続部141及び第2の接続部151に、凹部143及び凹部153をそれぞれ設ける点が異なる。これ以外の構成は上述した第2実施形態と同じであるため、その記載を適宜、援用する。図11に示すように、凹部143は、冷却器2aの表面と対向する、第1の接続部141の表面に形成され、凹部153は、冷却器2bの表面と対向する、第2の接続部151の表面に形成されている。また、凹部143及び凹部153は、放熱グリース3a及び放熱グリース3bが設けられる領域の外側で、放熱グリース3a及び放熱グリース3bと当接しない位置に形成されている。冷却器2a、2bは、放熱グリース3a及び放熱グリース3bと、図示しない絶縁シートとを介して、半導体モジュール1に押圧され、半導体モジュール1に接続される。冷却器2aの表面と第1の接続部141の上面との間において、凹部143が形成されている部分には、放熱グリース3aが充填されない。そのため、冷却器2aの当接面21と、半導体モジュール1の放熱面となる、第1の接続部141の表面とにより形成される隙間は、凹部143の部分で、凹部143を有さない部分より大きくなっている。また、冷却器2bの表面と第2の接続部151の下面との間において、凹部153が形成されている部分には、放熱グリース3bが充填されない。そのため、冷却器2bの当接面22と、半導体モジュール1の放熱面となる、第2の接続部151の表面とにより形成される隙間は、凹部153の部分で、凹部153を有さない部分より大きくなっている。上記のように、本例は、放熱グリース3が設けられた領域の外側で、冷却器2a、2bと対向する第1の接続部141及び第2の接続部151の表面に凹部143及び凹部153をそれぞれ有する。これにより、凹部143、153の部分において、半導体モジュール1の表面と冷却器2a、2bの表面との間の隙間断面積が拡張されるため、放熱グリース3a、3bを、半導体モジュール1の放熱面と冷却器2の冷却面との間の空間に留めることができ、ポンプアウトを抑制することができる。また、凹部143、153の部分において、放熱グリース3a、3bの表面張力により、放熱グリース3a、3bを当該空間に引き戻すことができる。なお本例は、両面冷却方式の半導体装置100に限らず、片面冷却方式の半導体装置100に適用してもよい。《第6実施形態》図12a~図12cは、発明の他の実施形態に係る半導体装置100に含まれる半導体モジュール1を示す図である。本例では上述した第1実施形態に対して、凹部161を、一本の溝により形成している点が異なる。これ以外の構成は上述した第1実施形態と同じであるため、その記載を適宜、援用する。図12aは半導体モジュールの斜視図を、図12bは図12aのA-A線に沿う断面図を、図12cは半導体モジュールの平面図である。図12a~図12cに示すように、第2の接続部151は直方体形状に形成され、第2の接続部151の側面方向において、第2の接続部151の外周を囲うよう、凹部161が形成されている。凹部161は一本の溝で形成され、当該一本の溝は、第2の接続部151の外周に沿って繋がっている。これにより、第2の接続部151の外周は、凹部161で囲まれている。また第1の実施形態と同様に、第2の接続部151の表面には、放熱グリース3が形成されるため、凹部161は、放熱グリース3が設けられる領域の外周を囲うように形成される。上記のように、本例において、凹部161は、放熱グリース3が設けられる領域の外周を囲った一本の溝により形成される。これにより、凹部161の部分において、半導体モジュール1の表面と冷却器2の表面との間の隙間断面積が拡張されるため、放熱グリース3を、半導体モジュール1の放熱面と冷却器2の冷却面との間の空間に留めることができ、ポンプアウトを抑制することができる。また、凹部161の部分において、放熱グリース3の表面張力により、放熱グリース3を当該空間に引き戻すことができる。また放熱グリース3中のオイル成分が冷却器2の表面に染み出ることオイル成分のブリードアウト現象を防ぐことができる。その結果として、本例の半導体装置100は冷却性能を維持することができる。なお、本例は、一本の溝により形成される凹部202を、図13a~13cに示すように、冷却器2の表面に形成してもよい。図13aは本発明の変形例に係る半導体装置100に含まれる冷却器2の斜視図を、図13bは図13aのB-B線に沿う断面図を、図13cは冷却器2の平面図である。図13a~図13cに示すように、放熱モジュール3が設けられる部分の外周に沿って、凹部202が形成されている。凹部202は一本の溝で、冷却器2の表面に形成され、当該一本の溝は、放熱グリース3が設けられる部分の外周に沿うよう繋がっている。凹部161で囲まれている部分には、第2の接続部151が、放熱グリース3及び図示しない絶縁シートを介して、押圧される。凹部161で囲まれている部分が、放熱モジュール3が設けられる部分となる。なお、本例は、凹部161、凹部202を一本の溝により形成したが、必ずしも一本である必要はなく、複数の溝であってもよい。また、本例は、片面冷却方式の半導体装置100に限らず、両面冷却方式の半導体装置100に適用してもよい。