窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板の製造方法であって、Si単結晶基板の111主面上において600°C以上900°C以下の範囲内の基板温度で第1のAlNバッファ層を堆積させ、前記第1のAlNバッファ層上において900°Cを超える基板温度で第2のAlNバッファ層を堆積させることを含むことを特徴とする基板の製造方法。前記第1のAlNバッファ層はその0001面に平行な2分子層以上の厚さに堆積されることを特徴とする請求項1に記載の基板の製造方法。前記第1と第2のAlNバッファ層は80nm以上300nm以下の範囲内の合計厚さに堆積されることを特徴とする請求項1または2に記載の基板の製造方法。前記第2のAlNバッファ層上にAlGaNバッファ層をさらに堆積することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の基板の製造方法。前記AlGaNバッファ層はAl組成比が順次低減された複数のサブ層を含むことを特徴とする請求項4に記載の基板の製造方法。前記AlGaNバッファ層上にAlN層/AlGaN層の繰返しを含む超格子バッファ層構造がさらに堆積されることを特徴とする請求項4または5に記載の基板の製造方法。本発明者達が引用文献3における基板の製造方法を検討したところ、AlNバッファ層の堆積途中で基板温度を1100°Cから1500°Cの範囲内で変化させても、そのバッファ層表面における白濁を十分には低減させることができなかった。上述のような先行技術における課題に鑑み、本願発明は、窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を製造して提供することを主要な目的としている。本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、シリコン基板上に直接に高温AlNバッファ層を形成するのではなくて、低温AlNバッファ層を介在させることによって従来の高温AlNバッファ層に比べて表面平滑性が顕著に改善された新規なバッファ層構造が得られることを見出すに至った。ただし、高温AlNバッファ層の形成前に低温AlNバッファ層を介在させることによる基板表面の平滑性が改善される理由は、現時点において必ずしも明らかではない。本発明によれば、窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板の製造方法は、Si単結晶基板の111主面上において600°C以上900°C以下の範囲内の基板温度で第1のAlNバッファ層を堆積させ、この第1のAlNバッファ層上において900°Cを超える基板温度で第2のAlNバッファ層を堆積させることを含むことを特徴としている。なお、第1のAlNバッファ層は、その0001面に平行な2分子層以上の厚さに堆積されることが好ましい。また、第1と第2のAlNバッファ層は、80nm以上300nm以下の範囲内の合計厚さに堆積されることが好ましい。第2のAlNバッファ層上に、AlGaNバッファ層をさらに堆積することも好ましい。このAlGaNバッファ層は、Al組成比が順次低減された複数のサブ層を含むことができる。さらに、AlGaNバッファ層上に、AlN層/AlGaN層の繰返しを含む超格子バッファ層構造がさらに堆積されてもよい。上記のような本発明によれば、高温AlNバッファ層を成長させる前にSi基板表面に低温AlNバッファ層を均一に形成することによって、高温AlNバッファ層の表面が高い平坦性を有することが可能となる。実施形態図1は、本発明の製造方法による基板を用いて作製し得るヘテロ接合電界効果トランジスタの積層構造の一例を模式的断面図で示している。このようなヘテロ接合電界効果トランジスタ用積層構造の作製方法の一例が、以下において説明される。基板1としては、111主面を有するSi基板が用いられる。まず、フッ酸系のエッチャントでSi基板1の表面酸化膜を除去した後に、MOCVD有機金属気相堆積装置のチャンバ内にその基板がセットされる。MOCVD装置内ではSi基板1が1050°Cに加熱され、チャンバ内圧力13.3kPaの水素雰囲気にて基板表面のクリーニングが300秒間行なわれる。その後、Si基板1上に、低温Alバッファ層2aと高温AlNバッファ層2bが後で詳述される条件下で積層される。その後、基板温度を1150°Cに上昇させ、TMAトリメチルアルミニウム流量=90.0sccm、TMGトリメチルガリウム流量=12.7sccm、およびNH3流量=12.5slmの条件下で、Al0.7Ga0.3N層3が400nmの厚さに堆積される。続いて、TMA流量=50.9sccm、TMG流量=22.1sccm、およびNH3流量=12.5slmの条件下で、Al0.4Ga0.6N層4が400nmの厚さに堆積され、さらにTMA流量=16.4sccm、TMG流量=30.4、およびNH3流量=12.5slmの条件下で、Al0.1Ga0.9N層5が400nmの厚さに堆積される。これによって、組成傾斜バッファ層構造3-5が形成される。Al0.1Ga0.9N層5上には、同じ基板温度の下で、AlN層5nm厚/Al0.1Ga0.9N層20nm厚の50周期の繰返しを含む超格子多層バッファ層構造6が堆積される。このとき、AlN層はTMA流量=102μmol/minおよびNH3流量=12.5slmの条件下で堆積され、Al0.1Ga0.9N層はTMG流量=720μmol/min、TMA流量=80μmol/minおよびNH3流量=12.5slmの条件下で堆積され得る。なお、超格子多層バッファ層構造6は、ヘテロ接合電界効果トランジスタの製造コストや製造時間などの観点から省略されてもよい。その後に基板温度が1100°Cに下げられ、TMG流量=224μmol/minおよびNH3流量=12.5slmの条件下で、GaN層7が13.3kPaの圧力下で1.0μmの厚さに堆積され、GaN層8が90kPaの圧力下で0.5μmの厚さに堆積される。ここで、堆積圧力が低い場合にTMGに含まれるカーボンがGaN層内にドープされやすく、堆積圧力が高い場合にTMGからGaN層内にカーボンがドープされにくい傾向にある。そして、GaN層8上には、13.3kPaの圧力下で、AlN特性改善層91nm厚、Al0.2Ga0.8N障壁層1020nm厚およびGaNキャップ層111nm厚を含む電子供給層が堆積される。このとき、AlN層9はTMA流量=51μmol/minおよびNH3流量=12.5slmの条件下で堆積され、AlGaN層10はTMG流量=46μmol/min、TMA流量=7μmol/minおよび、NH3流量=12.5slmの条件下で堆積され、そしてGaN層11はTMG流量=58μmol/minおよびNH3流量=12.5slmの条件下で堆積され得る。なお、以上の実施形態ではAlGaN層3、4および5のAl組成比が0.7、0.4および0.1の順に変化させられたが、組成傾斜バッファ層構造に含まれるAlGaN層におけるAl組成比の組合せはこの組合せに限定されるものではない。また、組成傾斜バッファ層構造に含まれて異なるAl組成比を有するAlGaN層の数も3層に限定されず、任意の数とすることができる。重要なことは、組成傾斜バッファ層構造の下面から上面に向かうにしたがってAl組成比が徐々に減少していくことである。さらに、超格子多層バッファ層構造6は、AlN層/Al0.1Ga0.9N層の繰返しに限定されず、例えばAl0.1Ga0.9N層は他の組成比を有するAlGaN層に置き換えることも可能である。AlNバッファ層の表面観察まず、従来技術を利用してSi基板の111主面上に形成されたAlNバッファ層の表面状態と本発明の製造方法によってSi基板の111主面上に形成されたAlNバッファ層の表面状態とが、AFM原子間力顕微鏡観察によって比較された。すなわち、図2は従来技術を利用して作製された基板の表面の一例を示すAFM像であり、図3は本発明の製造方法による基板の表面の一例を示すAFM像である。図2の基板においては、Si基板上に厚さ200nmのAlNバッファ層が1100°Cの基板温度でMOCVDにて堆積された。このとき、窒素原子の供給流量に対するAl原子の供給流量の比を表すV/IIIが223に設定され、成長速度は厚さ方向に0.2μm/hであった。他方、図3の基板においては、Si基板上に厚さ20nmの第1のAlNバッファ層2aが800°Cの基板温度でMOCVDにて堆積され、その後に厚さ180nmの第2のバッファ層2bが1100°Cの基板温度で堆積された。図3の場合においても、図2の場合と同様に、窒素原子の供給流量に対するAl原子の供給流量の比を表すV/IIIが223に設定され、成長速度は厚さ方向に0.2μm/hに調整された。図2と図3との比較から明らかなように、従来技術を利用して作製された図2の基板におけるAlNバッファ層の表面には微小な凹凸が多数観察されるのに対して、本発明の製造方法による図3の基板におけるAlNバッファ層2bの表面には微小な凹凸がほとんど存在していないことが分かる。これらの図2と図3との基板におけるAlNバッファ層の表面粗さをAFM観察データから測定したところ、図2に関しては1.1nmのRMS平均二乗根粗さが得られ、図3に関しては0.28nmのRMS粗さが得られた。このことからも、本発明の製造方法による図3の基板におけるAlNバッファ層は、従来技術を利用して作製された図2の基板におけるAlNバッファ層の表面に比べて顕著に改善された平滑性を有していることが分かる。AlNバッファ層の結晶化度に関するX線回折測定図4は、Si基板上に形成されるAlN層の結晶化度に及ぼす堆積温度の影響を調べるためのX線回折測定結果を示すグラフである。すなわち、図4のグラフにおいて、横軸はAlN層の堆積温度を表し、縦軸はAlN層の0002面からのX線回折ピークの半値幅°を表している。また、グラフ中の黒四角印は200nmの厚さに堆積されたAlN層を表し、黒丸印は20nmの厚さに堆積されたAlN層を表している。図4に示されたAlN層上には、図1に示された組成傾斜バッファ層構造3-5が形成され、その後にX線回折測定が行なわれた。すなわち、図4に示されたAlN層は、グラフの横軸に示された温度で堆積された後に、組成傾斜バッファ層構造3-5の堆積温度である1150°Cに昇温されている。図4において、X線回折ピークの半値幅が大きいほどAlN層の結晶化度が低いことを表している。図4から明らかなように、900°Cを超える温度で堆積されたAlN層は、組成傾斜バッファ層構造3-5が1150°Cで堆積された後において約0.5°の小さな半値幅を示しており、高い結晶化度を有していることが分かる。これに対して、900°Cで堆積されたAlN層は、組成傾斜バッファ層構造3-5が1150°Cで堆積された後においても約0.8°以上の大きな半値幅を示しており、比較的低い結晶化度を有していることが分かる。図4においてはまた、900°Cの同じ温度で堆積された2つのAlN層に関して、厚さ200nmのAlN層に比べて厚さ20nmのAlN層がより小さな半値幅を有している。このことは、薄いAlN層が厚いAlN層に比べて結晶化しやすいことを意味していると考えられる。また、900°Cを超える種々の温度で堆積された厚さ20nmと厚さ200nmのAlN層は、いずれも約0.5の一定の小さな半値幅を有している。このことは、900°Cを超える温度で堆積されたAlN層は最大限の結晶化度に達していることを意味していると考えられる。窒化物半導体デバイス用ウエハの表面観察図5は、図2に示されているような従来技術による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面における微小な凸状欠陥の分布を示す光学暗視野顕微鏡写真である。他方、図6は、図3に示されているような本発明の製造方法による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面状態を示す光学暗視野顕微鏡写真である。図5と図6のいずれのウエハにおいても、図1において説明された複数の窒化物半導体層3-11がAlNバッファ層上に堆積されており、これらの光学暗視野顕微鏡写真は窒化物半導体層11における表面状態を示している。なお、図5と図6のそれぞれに示されている白抜きの線分によるスケールは200μmの長さを表している。図5と図6の対比から明らかなように、従来技術による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面に比べて、本発明の製造方法による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面では微細な凸状欠陥が著しく低減していることが分かる。図5と図6に示された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面における凸状欠陥密度を測定したところ、図5のウエハでは8250個/cm2の欠陥密度であり、図6のウエハでは250個/cm2の欠陥密度に激減していた。図7と図8は、それぞれ図5と図6に示された凸状欠陥をさらに拡大して示す光学暗視野顕微鏡写真である。これらの図に示されている白抜きの線分によるスケールは50μmの長さを表している。図7および図8から、凸状の表面欠陥は六方晶の窒化物半導体層における原子配列に対応した六角形状を基礎とした凸状欠陥であることが分かる。ただし、従来技術による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面を示す図7に比べて、本発明の製造方法による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面を示す図8においても、図5と図6の比較の場合と同様に、凸状欠陥の密度が明らかに低減していることが分かる。窒化物半導体デバイス用ウエハの表面粗さ図9Aは従来技術による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面における凸状欠陥を示すAFM像であり、BはAのAFM像中の一走査線に沿った表面の断面凹凸形状を表している。すなわち、図9Bのグラフの横軸は走査線方向の距離μmを表し、縦軸は表面の任意の基準面からの高さnmを表している。そして、図9Bのグラフ中に示された2つの楔印の間は、AのAFM像中に示された2つの楔印の間に対応している。同様に、図10Aは本発明の製造方法による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面における凸状欠陥を示すAFM像であり、BはAのAFM像中の一走査線に沿った表面の断面凹凸形状を表している。図9Bと図10Bとの対比から明らかなように、本発明の製造方法による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面における凸状欠陥は、従来技術による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面における凸状欠陥に比べてその段差が小さいことが分かる。すなわち、本発明の製造方法による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面においては、従来技術による基板を用いて作製された窒化物半導体デバイス用ウエハの表面に比べて、図5と図6との対比で示されているように凸状欠陥密度が激減しているのみならず、凸状欠陥の段差も小さくなっていることが分かる。AlNバッファ層の厚さ本発明の製造方法による基板における低温AlNバッファ層2aは、0001面に平行な2分子層以上の厚さを有することが好ましい。なぜならば、1分子層の厚さでは、Si基板の表面を均一に覆うことが困難だからである。また、低温AlNバッファ層2aと高温AlNバッファ層2bとは、80nm以上の合計厚さに堆積されることが好ましい。なぜらば、AlNバッファ層の合計厚さが80nm未満であれば、高温AlNバッファ層2bの結晶成長による表面平坦性の改善を十分に得ることが困難になるからである。他方、低温AlNバッファ層2aと高温AlNバッファ層2bとは、300nm以下の合計厚さに堆積されることが好ましい。なぜらば、AlNバッファ層の合計厚さが300nmを超えれば、Siとの格子定数差に基づく歪によって基板が反ってクラックを生じる恐れがあるからである。