"反応容器と、前記反応容器内に収容された放電用の電極体と、前記電極体上に設けられたプラズマ生成領域と、前記電極体上の前記プラズマ生成領域に第1のガスを導入する第1のガス導入部と、前記反応容器内の前記プラズマ生成領域と異なる箇所に前記第1の種類のガスとは異種の第2のガスを導入する第2のガス導入部とを設け、前記反応容器中に入れた部材を処理するプラズマプロセス装置。前記第1のガスは、前記プラズマ生成領域中で分解して分解種を生成するガスであり、前記第2のガスは、前記分解種の少なくとも一部と気相反応するガスである、請求項1に記載のプラズマプロセス装置。前記第1のガス導入部は前記第1のガスを輸送する少なくとも1本の第1のガス導入管路と、前記第1のガス導入管路に連通して前記第1のガスを前記プラズマ生成領域に導入する少なくとも1つの第1の導入孔とを有し、前記第2のガス導入部は前記第2のガスを輸送する少なくとも1本の第2のガス導入管路と、前記第2のガス導入管路に連通して前記第2のガスを前記反応容器内に導入する少なくとも1つの第2の導入孔とを有する請求項1又は2に記載のプラズマプロセス装置。複数の前記第1の導入孔を前記電極体表面に所定パターンで設けた、請求項3に記載のプラズマプロセス装置。前記第1の導入孔は前記電極体に設けられた凹部内に開口する、請求項3又は4に記載のプラズマプロセス装置。前記第2の導入孔は前記電極体上であって前記凹部内以外の箇所に開口する、請求項5に記載のプラズマプロセス装置。前記電極体は第1電極と第2電極とを有する平行電極であり、前記第1の導入孔は前記第1電極の前記第2電極側の表面に開口する、請求項3から6の何れかに記載のプラズマプロセス装置。前記凹部は複数のスポット型凹部と前記スポット型凹部間を接続する溝型凹部とを含む、請求項7に記載のプラズマプロセス装置。前記第1の導入孔は前記スポット型凹部内に開口する、請求項8に記載のプラズマプロセス装置。前記第2の導入孔を前記第1電極の前記第2電極側の表面に開口する、請求項7から9の何れかに記載のプラズマプロセス装置。前記第2の導入孔を前記第1電極の前記第2電極側の表面上の前記溝型凹部内に開口する、請求項9に記載のプラズマプロセス装置。前記第2の導入孔を前記第1電極の前記第2電極側の表面上であって前記凹部が設けられていない箇所に開口する、請求項10に記載のプラズマプロセス装置。前記電極体は前記第2電極の前記第1電極側でない側に第3電極を更に有し、前記第2電極は前記第1電極側から前記第3電極側に貫通する複数の貫通孔を有し、前記第2電極は更に前記第2の導入孔を開口し、前記第3の電極の前記第2の電極に対向する表面に置かれた部材を処理する、請求項7から12の何れかに記載のプラズマプロセス装置。前記電極体は前記第2電極の前記第1電極側でない側に第3電極を更に有し、前記第2電極は前記第1電極側から前記第3電極側に貫通するとともに前記第1電極上の前記スポット型凹部に整列した複数の貫通孔を有し、前記第2電極は更に前記第2の導入孔を開口し、前記第3の電極の前記第2の電極に対向する表面に置かれた部材を処理する、請求項8または9に記載のプラズマプロセス装置。本発明の課題は、プラズマプロセス装置において、気相中に含まれるところのプロセス上有害な成分例えば、アモルファスシリコン膜について言えば、その光劣化と関連する高次シラン系ラジカルを低減させる等の、プラズマ生成部を通過したガスの気相反応支援を行い、プラズマプロセス装置による製膜性能、その他の表面処理性能を更に向上させることにある。本発明の一側面によれば、反応容器と、前記反応容器内に収容された放電用の電極体と、前記電極体上に設けられたプラズマ生成領域と、前記電極体上の前記プラズマ生成領域に第1のガスを導入する第1のガス導入部と、前記反応容器内の前記プラズマ生成領域と異なる箇所に前記第1の種類のガスとは異種の第2のガスを導入する第2のガス導入部とを設け、前記反応容器中に入れた部材を処理するプラズマプロセス装置が与えられる。ここにおいて、前記第1のガスは、前記プラズマ生成領域中で分解して分解種を生成するガスであり、前記第2のガスは、前記分解種の少なくとも一部と気相反応するガスであってよい。また、前記第1のガス導入部は前記第1のガスを輸送する少なくとも1本の第1のガス導入管路と、前記第1のガス導入管路に連通して前記第1のガスを前記プラズマ生成領域に導入する少なくとも1つの第1の導入孔とを有し、前記第2のガス導入部は前記第2のガスを輸送する少なくとも1本の第2のガス導入管路と、前記第2のガス導入管路に連通して前記第2のガスを前記反応容器内に導入する少なくとも1つの第2の導入孔とを有してよい。また、複数の前記第1の導入孔を前記電極体表面に所定パターンで設けてよい。また、前記第1の導入孔は前記電極体に設けられた凹部内に開口してよい。また、前記第2の導入孔は前記電極体上であって前記凹部内以外の箇所に開口してよい。また、前記電極体は第1電極と第2電極とを有する平行電極であり、前記第1の導入孔は前記第1電極の前記第2電極側の表面に開口してよい。また、前記凹部は複数のスポット型凹部と前記スポット型凹部間を接続する溝型凹部とを含んでよい。また、前記第1の導入孔は前記スポット型凹部内に開口してよい。また、前記第2の導入孔を前記第1電極の前記第2電極側の表面に開口してよい。また、前記第2の導入孔を前記第1電極の前記第2電極側の表面上の前記溝型凹部内に開口してよい。また、前記第2の導入孔を前記第1電極の前記第2電極側の表面上であって前記凹部が設けられていない箇所に開口してよい。また、前記電極体は前記第2電極の前記第1電極側でない側に第3電極を更に有し、前記第2電極は前記第1電極側から前記第3電極側に貫通する複数の貫通孔を有し、前記第2電極は更に前記第2の導入孔を開口し、前記第3の電極の前記第2の電極に対向する表面に置かれた部材を処理してよい。また、前記電極体は前記第2電極の前記第1電極側でない側に第3電極を更に有し、前記第2電極は前記第1電極側から前記第3電極側に貫通するとともに前記第1電極上の前記スポット型凹部に整列した複数の貫通孔を有し、前記第2電極は更に前記第2の導入孔を開口し、前記第3の電極の前記第2の電極に対向する表面に置かれた部材を処理してよい。本発明によれば、分解種の生成を目的としたプラズマ生成部へのガス導入の他に、分解種との気相反応を目的としたガスを独立に導入することで、分解種の所望の気相反応を促進し、製膜等の処理対象となる基板におけるプロセス反応種の選択性制御性を向上させることができる。本発明のプラズマプロセス装置によれば、プラズマ生成部へガス分解を用途とするガスを、それ以外の空間へ気相反応を用途とするガスを別々に供給することにより、分解種の所望の気相反応を促進し、基板におけるプロセス反応種の選択性制御性の向上が可能となる。なお、これらのガスは通常は互いに異種のものを使用するが、ここで言う異種のガスとは、種類の異なるガス又は混合比を異にする混合ガスを意味する。これにより、例えばアモルファスシリコン製膜を目的とするSiH4又はSiH4/H2プラズマにおいては、ガス分解による膜堆積種の生成を目的としたプラズマ生成部へのSiH4ガス又はSiH4/H2混合ガスの導入とは別に、分解種との気相反応を目的としたH2ガスをそれ以外の空間へ独立に導入し、反応性の高い分解種SiHxx≦2とH2との反応を促進して、SiHxx≦2とSiH4親分子との反応を抑制することができる。かくして、SiH4へのSiH2の挿入反応が引き金となる高次シラン種の生成が抑制可能となり、水素化アモルファスシリコンの光劣化率と相関関係が認められている高次シラン系ラジカルSi4H9等の膜成長への寄与率をより一層低減して、光安定性に優れたアモルファスシリコンの製膜が可能となる効果が得られる。SiH4との反応による分解種SiH2の消失:SiH2SiH4→Si2H6の反応速度定数は、H2との反応による分解種SiH2の消失SiH2H2→SiH4の反応速度定数よりも大きく、SiH4との反応は起こりやすいが、H2密度増加によってH2との反応を促進することにより、抑制が可能と考えられる。SiH4/H2プラズマを用いた微結晶シリコン製膜の場合は、欠陥密度の増大に繋がるSiHxx≦2短寿命種の膜成長への寄与率の低減が必要である。このため、SiH4親分子との反応によりSiHxx≦2種の消失が図られることが多いが、微結晶の形成に重要な水素原子がSiH4との反応SiH4H→SiH3H2により消失してしまうため、SiH4との反応によるSiHxx≦2種の消失促進には限界がある。本発明のプラズマプロセス装置によれば、分解種との気相反応を目的としたH2ガスの単独導入により、SiH4ガス流量の増加によるH原子の消失を伴うことなく、H2との反応によってSiHxx≦2種の消失促進が可能であり、結晶性の低下を防ぎながら高品質膜を作製することができる。さらに、パウダー生成を抑制して、製膜等のプロセス装置の稼働率を向上する効果も得られる。また、電極表面からの面内均一なガス導入により、大面積上への均一なガス供給が可能である。そのため、シリコン系薄膜、特に太陽電池用アモルファスシリコンの生産設備として工業的価値が大きい。また、本発明はアモルファスシリコンや微結晶シリコンの製膜用途に限定されるものではなく、プラズマ生成部を通過したガスの改質が有効である分野であれば、他の半導体薄膜,絶縁体薄膜,金属又は導体薄膜の製造、エッチング,表面処理などのプラズマプロセスへも適用可能である。本発明のプラズマプロセス装置に、先に本発明者らが提案した特許文献1に記載のプラズマCVD装置発明を適用し、電極表面に所定パターンで形成された凹部にプラズマ分解用ガスを導入すれば、当該凹部の内部及び/又はその近傍に、多数の高密度なプラズマスポットが生成されるプラズマ生成部;凹部の形状やプロセス条件により、凸部つまり、電極表面上で凹部が掘り込まれていない台地状部分近傍に生成される場合もある。これにより、電極表面においてプラズマ生成部とそれ以外の部分とが区別され、分解種の生成を用途とするガスをプラズマ生成部から、分解種との気相反応を用途とするガスをそれ以外の電極表面から、反応器内に別々に導入することが可能になる。なお、気相反応用ガスの導入孔の配置は、プラズマ生成部を通過したガスが処理対象の部材上で製膜などに使用される前に当該導入口を出た気相反応用ガスと混合されて所望の気相反応が起こる限り、電極表面に限られることなく、反応容器内の他の適切な箇所に設けてよいことに注意されたい。また、電極を第1電極と第2電極とを有する平行電極構成とし、第1電極表面上にプラズマによる分解用ガスの導入口とプラズマ生成部を設けることができる。これにより、分解種の所望の気相反応を促進し、基板表面におけるプロセス反応種の選択性や制御性の向上が可能となる。さらに、スポット状高密度プラズマ生成部へガス分解を用途とするガスを導入することにより、原料ガスを高い効率で分解利用しながら薄膜製造などの高速プロセスが可能となる。また、電極表面にパターン状に均一にガス導入を行なう構成は、均一製膜に有効である。例えば薄膜シリコン製膜の場合、SiH4ガス又はSiH4/H2混合ガスを高密度プラズマ生成部通常は凹部に導入し、また電極表面上のそれ以外の箇所からH2ガス単体を導入すると、高密度プラズマ生成部でSiH4の分解種と水素原子が高密度に生成され、分解種が基板へ輸送される過程で、反応性の高いSiHxx≦2はプラズマ生成部以外の電極表面から単体で導入されるH2ガス分子との二次反応により消失する。これより、長寿命なSiH3ラジカルの基板への選択輸送が可能になり、高品質膜成長が達成される。本構成によれば、本発明者らが先に提案した特開2004-296526号に記載のプラズマCVD装置と同様に、電極表面の各凹部付近でのスポット状高密度プラズマの生成により、局所的な高効率ガス分解が可能になる。この構成では、高周波プラズマのシースの振動による電子の統計的加熱及びホロー効果による電子の閉じ込めが起こり、各凹部入り口付近でスポット状高密度プラズマが安定に生成されると考えられる。また、第1電極カソード電極表面へのイオンの衝突による二次電子の放出γ作用は、広い電極表面積によって効果的に起こると考えられる。なお、凹部の形状プロセス条件により、凸部近傍にスポット状高密度プラズマが生成される場合もある。これによれば、ガス分解に有効な高密度プラズマが基板から離れた位置で生成されることにより、ガス分解により生成した分解種が基板へ輸送される過程で反応性の高い短寿命種が気相反応により消失し、長寿命ラジカルが選択的に基板表面へ輸送されるラジカル分離効果が得られる。本構成をSiH4/H2プラズマによる薄膜シリコン作製に適用した場合、欠陥密度の高い膜成長の原因となるSiHxx≦2及びアモルファスシリコンの光劣化率と相関性を有するSi-H2結合含有量の多い膜成長の原因となるSi4H9等の高次シランラジカル等の短寿命種が、基板への輸送過程において気相反応により消失し、製膜種として好ましい長寿命なSiH3ラジカルが基板へ選択的に輸送され、高品質膜の作製が達成される。さらに、高密度プラズマ生成により高効率ガス分解が行われ、且つ電極間に網状グリッドの挿入が無い条件下で、上記ラジカル分離効果を有することは、高品質薄膜シリコンの高速製膜に有効である。また、スポット型凹部間を溝型凹部で相互接続する構成とした場合、スポット型凹部に生成するスポット状プラズマが孤立せずに溝型凹部によって相互に連結可能となるため、特に大面積プロセスにおいて、条件によっては問題となるスポット状プラズマが電極面上を動き回るなどの不安定なプラズマ生成状態を防止できる。また、更に第2電極に貫通孔を開設するとともに、第2電極の裏面第1電極と反対側の面に第3電極を設置した構成では、第1と第2電極間にプラズマが生成され、上述の貫通孔から第3電極へは、分解種が主に拡散により輸送される。第1電極と第2電極間のプラズマ生成領域にガス分解を用途とするガスを、第2と第3電極間に分解種との気相反応を用途とするガスを、別々に供給して分解種の所望の気相反応を促進すれば、第3電極の第2電極側に置かれた基板の表面に与えられるプロセス反応種の選択性や制御性が向上する。また、第2電極の表裏を貫通する孔が、第1電極へ配置されたスポット型凹部と同じパターンで配置されるようにするつまり、第2電極の貫通孔が第1電極のスポット型凹部と整列、すなわち位置合わせされたように配置されているようにすることにより、第1電極表面に所定パターンで形成された凹部の内部及び/又はその近傍に生成された多数の高密度なプラズマスポットからのガス分解種が高効率で第3電極へ輸送される。以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための最良の形態をさらに具体的に説明する。[実施例1]本実施例では、第1電極の表面のうちの第2電極に対向する側に、多数の凹部、及び異種のガスを独立に導入する多数のガス導入孔を、夫々所定パターンで設ける。製膜などの処理対象の部材である基板は、通常は第2電極の表面のうちの第1電極に対向する側に置く。図1は本発明の実施例1に係るプラズマプロセス装置を正面から見た概観図である。このプラズマプロセス装置は、反応容器1と、この反応容器内に反応ガスを導入する導入管4、5と、図示しない真空ポンプにより排気する排気管7と、上記反応器内に収容された放電用平行電極第1電極カソード電極2と第2電極アノード電極3と、第1電極2及び第2電極3に電力を供給する電源9とを有する。第2電極3上に基板8などの処理対象部材を設置することで、その表面に薄膜を形成するなどの処理を行う。なお、図1では、ガス導入は電極表面に開口した多数のガス導入孔から行なっているが、反応容器1の側方などに設けたガス導入管6に連通するガス導入口からも補助的なガス導入特に、軽くて拡散しやすいガス分子の場合を行うことができる。電源9は、通常、高周波又は超高周波を用いるが、直流とすることも可能である。ここに示した放電用平行電極、つまり第1電極2及び第2電極3、のうち、特に第1電極2の構造に特徴がある。以下、図2及び図3も参照しながら第1電極2を中心に説明する。図2は、本実施例中の放電用平行電極の第1電極カソード電極2を示し、具体的には第2電極アノード電極3に対向する面の凹凸パターンを示している。図3は図2のA-A縦断面図である。第1電極2の表面形状は、図2及び図3に示すように長円筒状のスポット型凹部13を格子状に並べ、このスポット型凹部13の隣接するもの同士を溝型凹部14で連通することにより所定パターンの凹凸を形成したものである。スポット型凹部13の奥端面図3ではスポット側凹部13の最下部底にある面にはガス導入用小孔12aが形成されている。凸部、すなわち電極表面のうちの凹状部を掘り込んでいない台地状部分には、ガス導入用小孔12bが形成されている。スポット型凹部13の奥つまり底よりも下にある部分にはガス導入管4に連通するガス通路16が設けられていて、ガス導入用小孔12aはガス通路16を介してガス導入管4に連通している。上述した凸部にはガス導入管5に連通するガス空間が設けてあり、ガス導入用小孔12bはこのガス空間を介してガス導入管5に連通している。なお、ガス導入用小孔12bは凸部上ではなく溝型凹部14内に開口するようにしても良い。実施例1と実施例2の細部の構造や動作その他は共通するところが多いので、実施例の項の末尾付近でまとめて説明する。[実施例2]本発明を特許文献2に開示された電極構成第2電極の第1電極と対向しない側に第3電極を設ける構成と組み合わせることも可能である。実施例2はそのような組合せの一例を示す。本実施例においては、第2電極内部に気相反応用のガスを供給する空間を設けるとともに、このガス空間には連通せず、第1電極側から第3電極側へ貫通する複数の孔を設ける。また、第2電極の第3電極と対向する表面に複数のガス導入孔を設け、これらのガス導入孔を上述のガス空間に連通させる。第1電極側から第3電極側へ貫通する複数の孔は、第1電極側で供給されたガスの分解種が輸送される経路となり、他方、第2電極表面に開口した複数のガス導入孔からは、上記経路を通して輸送されてきた分解種と気相反応するガスを第2電極内に配設されたガス空間を通して導入する。第2電極の厚みは、第1電極側から第3電極側への分解種の輸送効率を高くするために厚すぎないことが必要で、好ましくは5mm以下とする。第2電極のガス導入孔は、通常は第3電極と対向する表面上へ設けることが好ましいが、圧力、投入電力、第1電極から導入するガスの条件混合比等により、第1電極と対向する表面上に設けることが好ましい場合もある。第2電極の両面第1電極への対向面と第3電極への対向面の両方へガス導入孔を設ける構成も可能である。図4は本発明の実施例2に係るプラズマプロセス装置の放電用平行電極の第1電極カソード電極2、及び第2電極3の断面構造を示す概観図である。図5は、第1電極2の表面のうちの第2電極3に対向する側図4では第1電極2の下向きの表面の凹凸パターンを示す平面図である。図6は第2電極3の面のうちの第1電極2とは反対側の面図4では第2電極3の下向きの表面の平面図である。第1電極2の表面形状は、図5に示すように長円筒状のスポット型凹部13を格子状に並べ、このスポット型凹部13の隣接するもの同士を溝型凹部14で連通して所定パターンの凹凸を形成したものである。スポット型凹部13の奥端面図4で言えばスポット型凹部13の天井となっている面には、ガス導入用小孔12aが形成されている。スポット型凹部13の奥端面と第1電極2の反対側の表面の間にはガス導入管4に連通するガス空間が設けてあり、ガス導入用小孔12aはこのガス空間を介してガス導入管4に連通している。第1電極2に対向する第2電極3は、第1電極2からプラズマのシース厚以下の距離に設置され、接地又は直流電圧が印加されている。この条件では、第1電極表面の凹部以外の部分では、第1と第2電極間にプラズマは生成しない。これにより、第1電極表面でガスのプラズマ分解によって生成された分解種の利用効率が高くなり、製膜速度が向上する。第2電極3には、第1電極2の長円筒状スポット型凹部13と同パターンで且つ同径の円形の孔15が第1電極2側からその反対側へと貫通している。図4からわかるように、これら貫通孔15は夫々スポット型凹部13と整列して設けられている。これにより、スポット型凹部13付近のプラズマ生成部からの分解種が第2電極3の裏面側へ拡散するのを妨げないようにしている。第2電極3の第1電極2と対向しない面には所定パターンでガス導入用小孔12bが設けられている。ガス導入用小孔12bは、第2電極3の内部に設けられているガス空間を介してガス導入管5に連通している。基板は通常、第2電極3の第1電極2とは反対側図4で言えば下側の面に対向する第3電極表面上に設置される。第3電極は通常接地されている。その他の点は前記実施例1と同様なので説明を省略する。[実施例の細部及び使い方]本発明の放電用平行電極における第1電極2の表面のうちの第2電極3に対向する側には、個々のスポット型凹部13の集まりを含む所定パターンの凹部を設ける。個々のスポット型凹部13の形状は、円筒状窪み、三角形、四角形、六角形など多角形筒状窪み多角錐状窪み、円錐状窪みなどであってよい、好ましくは円筒状窪みとし、これら個々のスポット型凹部13の大きさは好ましくは均一又は概ね均一とする。また、個々のスポット型凹部13の配置凹部の所定の全体パターンは平面視で好ましくは格子状配置格子を形成する交点に個々の凹部を設けた形状、又は、最密充填状配置とする。隣接するスポット型凹部13を溝型凹部で連結する場合は、格子状配置が好ましい。第1電極2及び第2電極対向電極3の材料としては、融点の高いステンレスを用いることが好ましいが、アルミニウム、銅などの金属合金も可能である。また、第1電極通常は、カソード電極2及び第2電極対向電極3の大きさ面積は、通常は4m22m平方程度、好ましくは0.005m27cm平方~4m22m平方程度、更に好ましくは0.04m220cm平方~4m22m平方程度の範囲が可能である。電極の厚みは、スポット型凹部及び溝型凹部の深さより厚いものとする。個々のスポット型凹部13の大きさ凹部の径又は幅は、シース厚さの2倍以上であることが必要である。この大きさの具体的な値はプロセス条件に依存するが、1~40mm程度が好ましく、より好ましくは2~20mm程度とする。スポット型凹部13の深さは、径の1~3倍程度又は2~80mm程度が好ましい。スポット型凹部13の間隔ピッチは、スポット型凹部13の大きさ凹部の径又は幅の1~4倍程度が可能であるが、好ましくは1~1.5倍程度とする。凹部13の間隔ピッチが大きすぎると、製膜などプロセスの面内均一性のために好ましくない。ガス導入用小孔ガス導入孔12a、12bの径は、スポット型凹部13の径又は幅よりも小さいものとし、0.1~1.5mm程度の範囲内が好ましく、より好ましくは0.5mm以下とする。スポット型凹部13の最適な大きさは圧力やプラズマ励起電源周波数などのプロセス条件に依存するが、凹部径又は幅が上記範囲にあって十分に小さいと、凹部ホローによる電子の閉じ込め効果が得られるので好ましい。凹部パターンのサイズ、ピッチ、深さなどは、プロセス条件によって、最適な値を選択することができる。また、第1電極2の表面に高密度プラズマが滞在しやすい環境を作るため、第1電極2の四周端部では凸部表面と同等の高さの土手帯状物で囲むようにして、原料ガスを閉じ込めるようにすることが好ましい。第1電極2と第2電極対向電極3の間の距離は、プロセスガス圧力などによって最適な値を選択することができる。上記電極間距離が十分に大きいと、長寿命ラジカルの選択的輸送や面内均一プロセスのためには有利であるが、高速プロセスのためには不利である。また、プロセス温度基板温度はヒーター等で制御され、通常は室温以上であり、好ましくは100~400°C、より好ましくは150~350°Cである。プラズマ励起周波数は電源9が直流でない場合、100kHz~140MHzの範囲が可能であり、好ましくは10~100MHz、更に好ましくは13.56MHzRFとその整数倍2~10倍。好ましくは2~6倍である。上記個々のスポット型凹部13は、溝型凹部14で相互に連結されていない独立したものとすることもできるが、好ましくは、隣接するスポット型凹部同士を溝型凹部14で連結して、全体として網目状パターンを形成する。このときの溝型凹部14の深さは、個々のスポット型凹部13と同程度が好ましいが、ガス通路16の構造にもよるが、それより浅いものであっても、あるいは深いものであってもよい。また、溝型凹部14の幅は、スポット型凹部13の径又は幅よりも小さいものとし、好ましくはその0.7倍よりも小さいものとし、更に好ましくはその1/5~3/5程度とする。なお、隣接するスポット型凹部13同士を溝型凹部14で連結した場合、スポット型凹部13と溝型凹部14とをあわせたものを所定パターンの凹部等と総称する。程度にもよるが、所定パターンの凹部の一部を欠落させたり、所定パターン状に配置したガス導入用小孔の一部を欠落させても本発明の効果を損なうことはない。凹部内のガス導入孔の設置位置は凹部の底面又は壁面とすることができる。本発明の装置を使用して薄膜シリコン製膜を行う例では、プラズマ生成部プラズマ生成領域へ導入するSiH4又はSiH4/H2混合ガスの流量及びSiH4/H2ガス混合比と、それ以外の空間へ導入するH2ガス単体の流量との流量比には最適値が存在する。当該最適値は、気相反応、パウダー生成、膜成長表面における堆積種の表面反応に関係する堆積膜特性結晶性その他その他の要因で決まる。これ以外の応用についても当然同様な条件が存在する。また、気相反応を目的として導入するガス分子も、電子衝突による分解解離に要するエネルギー等にも依るが、ある割合で分解される場合が多い。薄膜シリコン製膜の場合を例に取れば、膜成長表面に飛来する製膜種と水素原子の数密度比が、微結晶の形成等、膜質に大きく影響するため、この観点からも流量比には最適値が存在する。一方、SiH4/H2プラズマ中の支配的なイオンが軽量なHになると、両極性拡散により電子の消失係数が増加し、プラズマの電子温度が高くなるので、注意が必要である。つまり、プラズマの電子温度が高くなると、反応性の高いSiHxx≦2短寿命種の生成率が製膜種として望ましいSiH3の生成率に対して高くなり、好ましくない。しかし、プロセス圧力を高め0.8Torr程度以上に設定する場合には、気相反応による高次シラン及びパウダーの生成が活発になりやすいので、反応器内に導入するSiH4ガスのH2ガス希釈率が高い条件が好ましい。例えばプロセスガス圧力が高い条件の場合、純SiH4ガスをプラズマ生成部へ導入すると、プラズマ生成部で局所的にSiH4密度が高くなりすぎ、高次シラン種及びパウダーの生成が活発になる。このため、条件にもよるが、ガス圧力が0.8Torr程度以上の場合は、プラズマ生成部へのガス導入は、純SiH4ガスではなく、SiH4/H2混合ガスとすることが好ましい。プラズマ生成部にSiH4又はSiH4/H2ガスを導入する薄膜シリコン作製の場合、導入するSiH4が枯渇条件大部分が分解され、SiH4分子として残っているものが少ない状態となっていることが好ましい。特許文献3に開示された電極構成第1電極が複数の排気孔を有するへの適用も可能である。アモルファスシリコン製膜の場合、本発明の気相反応用途のガス独立導入による気相反応による高次シラン種の生成抑制効果、及びラジカル分離効果による高次シラン種の消失促進効果に、特許文献3のガス流による高次シラン種消失促進効果が組み合わされ、光安定性に優れた膜のより高速での成長が可能となる。"