"非磁性基板上に磁性層を形成し、前記磁性層上にDLC膜を形成し、前記DLC膜の表面にプラズマ処理を施すことにより、前記DLC膜の表面から1nm以下の深さまで削り、前記DLC膜上にフッ化有機膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記プラズマ処理を施した後の前記DLC膜は、水の接触角が50°以下である表面を有し、前記プラズマ処理を施す際に供給される処理用ガスは、窒素ガス、酸素ガス、水素ガス及び不活性ガスの少なくとも一つのガスを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。非磁性基板上に磁性層を形成し、前記磁性層上にDLC膜を形成し、前記DLC膜の表面にプラズマ処理を施すことにより、前記DLC膜の膜厚の減少を0.3nm以下に抑えて前記DLC膜の表面を窒化させ、前記DLC膜上にフッ化有機膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記プラズマ処理を施した後の前記DLC膜は、水の接触角が50°以下である表面を有し、前記プラズマ処理を施す際に供給される処理用ガスは、窒素ガスと不活性ガスの混合ガス及び窒素ガスの少なくとも一方を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項1または2において、前記プラズマ処理を施す際に、誘導結合型プラズマソースを用いた場合の高周波出力は200W以下であり、平行平板型プラズマソースを用いた場合の高周波出力の密度は1×10-2W/cm2以下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項3において、前記高周波電力の周波数は、100kHz以上27MHz以下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記プラズマ処理を施す際の圧力は、0.05Pa以上10Pa以下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記フッ化有機膜は、原料ガスを用いたCVD法により形成されたCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNCOe膜及びCaFbNCOeHd膜のいずれかの膜であり、前記原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。ただし、a,b,c,d,eは、自然数である。請求項6において、前記有機物原料ガスが3個以上の炭素を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項6または7において、前記DLC膜上に前記CaFb膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C3F6、C4F6、C6F6、C6F12、C6F14、C7F8、C7F14、C7F16、C8F16、C8F18、C9F18、C9F20、C10F8、C10F18、C11F20、C12F10、C13F28、C15F32、C20F42、及びC24F50の少なくとも一つを有し、前記DLC膜上に前記CaFbNC膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C3F3N3、C3F9N、C5F5N、C6F4N2、C6F9N3、C6F12N2、C6F15N、C7F5N、C8F4N2、C9F21N、C12F4N4、C12F27N、C14F8N2、C15F33N、C24F45N3、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有し、前記DLC膜上に前記CaFbOd膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C3F6O、C4F6O3、C4F8O、C5F6O3、C6F4O2、C6F10O3、C8F4O3、C8F8O、C8F8O2、C8F14O3、C13F10O、C13F10O3、及びC2F6OC3F6OnCF2Omの少なくとも一つを有し、前記DLC膜上に前記CaFbNCOd膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C7F5NOを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項6乃至8のいずれか一項において、前記有機物原料ガスとしてパーフルオロアミン類を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項6乃至9のいずれか一項において、前記CVD法は、前記DLC膜を保持電極に保持し、前記保持電極に保持された前記DLC膜に対向する対向電極を配置し、前記保持電極および前記対向電極の一方の電極に電力を供給して直流プラズマを形成する際の直流電圧または高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分を150V~-150VとしたプラズマCVD法であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。非磁性基板上に形成された磁性層と、前記磁性層上に形成されたDLC膜と、前記DLC膜上に形成されたフッ化有機膜と、を具備することを特徴とする磁気記録媒体。請求項11において、前記DLC膜の内部の組成はC1-aHaで、かつ、0≦a≦0.3であり、前記DLC膜と前記フッ化有機膜との界面の前記DLC膜はHがNに置換された組成を有することを特徴とする磁気記録媒体。請求項11または12において、前記フッ化有機膜は、CaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNCOe膜及びCaFbNCOeHd膜のいずれかの膜であることを特徴とする磁気記録媒体。ただし、a,b,c,d,eは、自然数である。請求項13において、前記CaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNCOe膜及びCaFbNCOeHd膜それぞれはアモルファス膜であることを特徴とする磁気記録媒体。ただし、a,b,c,d,eは、自然数である。請求項13または14において、前記いずれかの膜の厚さは3nm以下であることを特徴とする磁気記録媒体。基材上に形成されたDLC膜であって、前記DLC膜は、水の接触角が50°以下である表面を有することを特徴とするDLC膜。請求項16において、前記水の接触角が50°以下である表面は、プラズマ処理により前記DLC膜の表面から1nm以下の深さまで削られた後の表面であることを特徴とするDLC膜。請求項16または17において、前記DLC膜の内部の組成はC1-aHaで、かつ、0≦a≦0.3であり、前記DLC膜の表面はHがNに置換された組成を有することを特徴とするDLC膜。本発明の一態様は、DLC膜とフッ化有機膜の密着性を向上させた磁気記録媒体またはその製造方法を提供することを課題とする。本発明の一態様は、膜厚をほとんど減少させることなく、DLC膜の表面に親水性を持たせることを課題とする。本発明の一態様は、非磁性基板上に磁性層を形成し、前記磁性層上にDLC膜を形成し、前記DLC膜の表面にプラズマ処理を施すことにより、前記DLC膜の表面から1nm以下の深さまで削り、前記DLC膜上にフッ化有機膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記プラズマ処理を施した後の前記DLC膜は、水の接触角が50°以下である表面を有し、前記プラズマ処理を施す際に供給される処理用ガスは、窒素ガス、酸素ガス、水素ガス及び不活性ガスの少なくとも一つのガスを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。本発明の一態様は、非磁性基板上に磁性層を形成し、前記磁性層上にDLC膜を形成し、前記DLC膜の表面にプラズマ処理を施すことにより、前記DLC膜の膜厚の減少を0.3nm以下に抑えて前記DLC膜の表面を窒化させ、前記DLC膜上にフッ化有機膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記プラズマ処理を施した後の前記DLC膜は、水の接触角が50°以下である表面を有し、前記プラズマ処理を施す際に供給される処理用ガスは、窒素ガスと不活性ガスの混合ガス及び窒素ガスの少なくとも一方を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。また、本発明の一態様において、前記プラズマ処理を施す際に、誘導結合型プラズマソースを用いた場合の高周波出力は200W以下であり、平行平板型プラズマソースを用いた場合の高周波出力の密度は1×10-2W/cm2以下であることも可能である。また、本発明の一態様において、前記高周波電力の周波数は、100kHz以上27MHz以下であることが好ましい。また、本発明の一態様において、前記プラズマ処理を施す際の圧力は、0.05Pa以上10Pa以下であることも可能である。また、本発明の一態様において、前記フッ化有機膜は、原料ガスを用いたCVD法により形成されたCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNCOe膜及びCaFbNCOeHd膜のいずれかの膜であり、前記原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有することも可能である。ただし、a,b,c,d,eは、自然数である。また、本発明の一態様において、前記有機物原料ガスが3個以上の炭素を含むことも可能である。また、本発明の一態様において、前記DLC膜上に前記CaFb膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C3F6、C4F6、C6F6、C6F12、C6F14、C7F8、C7F14、C7F16、C8F16、C8F18、C9F18、C9F20、C10F8、C10F18、C11F20、C12F10、C13F28、C15F32、C20F42、及びC24F50の少なくとも一つを有し、前記DLC膜上に前記CaFbNC膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C3F3N3、C3F9N、C5F5N、C6F4N2、C6F9N3、C6F12N2、C6F15N、C7F5N、C8F4N2、C9F21N、C12F4N4、C12F27N、C14F8N2、C15F33N、C24F45N3、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有し、前記DLC膜上に前記CaFbOd膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C3F6O、C4F6O3、C4F8O、C5F6O3、C6F4O2、C6F10O3、C8F4O3、C8F8O、C8F8O2、C8F14O3、C13F10O、C13F10O3、及びC2F6OC3F6OnCF2Omの少なくとも一つを有し、前記DLC膜上に前記CaFbNCOd膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、C7F5NOを有することも可能である。また、本発明の一態様において、前記有機物原料ガスとしてパーフルオロアミン類を用いることも可能である。また、本発明の一態様において、前記CVD法は、前記DLC膜を保持電極に保持し、前記保持電極に保持された前記DLC膜に対向する対向電極を配置し、前記保持電極および前記対向電極の一方の電極に電力を供給して直流プラズマを形成する際の直流電圧または高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分を150V~-150VとしたプラズマCVD法であることが好ましい。本発明の一態様は、非磁性基板上に形成された磁性層と、前記磁性層上に形成されたDLC膜と、前記DLC膜上に形成されたフッ化有機膜と、を具備することを特徴とする磁気記録媒体である。また、本発明の一態様において、前記DLC膜の内部の組成はC1-aHaで、かつ、0≦a≦0.3であり、前記DLC膜と前記フッ化有機膜との界面の前記DLC膜はHがNに置換された組成を有することも可能である。また、本発明の一態様において、前記フッ化有機膜は、CaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNCOe膜及びCaFbNCOeHd膜のいずれかの膜であることも可能である。ただし、a,b,c,d,eは、自然数である。また、本発明の一態様において、前記CaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNCOe膜及びCaFbNCOeHd膜それぞれはアモルファス膜であることも可能である。ただし、a,b,c,d,eは、自然数である。また、本発明の一態様において、前記いずれかの膜の厚さは3nm以下であることも可能である。本発明の一態様は、基板上に形成されたDLC膜であって、前記DLC膜は、水の接触角が50°以下である表面を有することを特徴とするDLC膜である。また、本発明の一態様において、前記水の接触角が50°以下である表面は、プラズマ処理により前記DLC膜の表面から1nm以下の深さまで削られた後の表面であることも可能である。また、本発明の一態様において、前記DLC膜の内部の組成はC1-aHaで、かつ、0≦a≦0.3であり、前記DLC膜の表面はHがNに置換された組成を有することも可能である。本発明の一態様によれば、DLC膜とフッ化有機膜の密着性を向上させた磁気記録媒体またはその製造方法を提供することができる。また、本発明の一態様によれば、膜厚をほとんど減少させることなく、DLC膜の表面に親水性を持たせたDLC膜を提供することができる。以下では、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。第1の実施形態図1は、本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。図2は、図1に示すDLC膜13の表面にプラズマ処理を施すための誘導結合型プラズマソースを用いたプラズマ処理装置を模式的に示す断面図である。図3は、図1に示すDLC膜13の表面にプラズマ処理を施すための平行平板型プラズマソースを用いたプラズマ処理装置を模式的に示す断面図である。まず、図1に示すように、非磁性基板11の上に少なくとも磁性層12を形成した被成膜基板2を用意し、この被成膜基板2の上に膜厚3nm程度のDLC膜13をCVD法により成膜する。なお、被成膜基板2は、例えばバードディスク基板、メディアヘッドなどである。次に、DLC膜13の表面に、0.05Pa以上10Pa以下の圧力で、窒素ガス、酸素ガス、水素ガス、不活性ガス及びこれらの混合ガスの少なくとも一の処理ガスを供給し、100kHz以上27MHz以下の周波数で、図2に示すプラズマ処理装置を用いる場合は200W以下の高周波電力を供給し、図3に示すプラズマ処理装置を用いる場合は1×10-2W/cm2以下の高周波電力を供給することにより、DLC膜13の表面にプラズマ処理を施す。これにより、DLC膜13はその表面から1nm以下の深さより好ましくは0.3nm以下の深さ、さらに好ましくは0.1nmまで削られ、DLC膜13の表面の水の接触角が50°以下より好ましくは30°以下となる。この後、DLC膜13をフッ素系のフォンブリン油にディッピングすることにより、DLC膜13の上にはフォンブリン油が塗布される。次に、被成膜基板10を150°Cの温度で1時間アニールすることにより、DLC膜13上には固体潤滑剤として機能する膜厚4nmのフッ化有機膜15が形成される。なお、フッ化有機膜15の作製方法として蒸着法を用いても良く、その場合の蒸着温度は110°Cである。ここで、図2及び図3に示すプラズマ処理装置について説明する。図2に示すプラズマ処理装置は、両面にDLC膜13が成膜された被成膜基板2の両面にプラズマ処理を施すことが可能な装置であり、被成膜基板2に対して左右対称に構成されている。ただし、図2では、被成膜基板2に対して左側のみを示している。図2に示すプラズマ処理装置は、チャンバー21内に被成膜基板2を保持する保持機構図示せずを有しており、この保持機構に保持された基板に直流電圧又は高周波電力を印加するための第1の電源22を有している。チャンバー21内には被成膜基板2に対向して配置された高周波コイル23が配置されており、この高周波コイル23には第2の電源24によって例えば周波数13.56MHzの高周波電力が印加されるようになっている。また、チャンバー21内にはガス導入機構25によって処理ガスが導入されるようになっている。また、チャンバー21には、チャンバー21の内部を真空排気する排気口が設けられている。この排気口は排気ポンプ図示せずに接続されている。図3に示すプラズマ処理装置は、チャンバー1を有しており、チャンバー1内の下方には被成膜基板2を保持する保持電極4が配置されている。保持電極4は例えば周波数13.56MHzの高周波電源6に電気的に接続されており、保持電極4はRF印加電極RFカソードとしても作用する。高周波電源6によって高周波を印加した保持電極4の高周波出力密度は、前述したように1×10-2W/cm2以下である。チャンバー1内の上方には、保持電極4に対向して平行の位置にガスシャワー電極対向電極7が配置されている。これらは一対の平行平板型電極である。ガスシャワー電極は接地電位に接続されている。ガスシャワー電極7の下面には、基板2の圧電体膜が形成された側ガスシャワー電極7と保持電極4との間の空間にシャワー状の処理ガスを供給する複数の供給口図示せずが形成されている。ガスシャワー電極7の内部にはガス導入経路図示せずが設けられている。このガス導入経路の一方側は上記供給口に繋げられており、ガス導入経路の他方側は処理ガスの供給機構3に接続されている。また、チャンバー1には、チャンバー1の内部を真空排気する排気口が設けられている。この排気口は排気ポンプ図示せずに接続されている。本実施形態によれば、DLC膜13の表面にプラズマ処理を施してDLC膜13をその表面から1nm以下削ることにより、DLC膜13の表面の水の接触角を50°以下としているため、DLC膜13上に直接フッ化有機膜15を形成してもフッ化有機膜15とDLC膜13との密着力を十分に確保することができ、フッ化有機膜15がDLC膜13から剥離することを抑制できる。このように膜厚をほとんど減少させることなくDLC膜13の表面に親水性を持たせることができる理由は、DLC膜13の内部の組成はC1-aHaで、かつ、0≦a≦0.3であり、DLC膜13とフッ化有機膜15との界面のDLC膜はHがNなどに置換された組成を有するものとなったと考えられる。なお、本実施形態では、被成膜基板の上に成膜したDLC膜にプラズマ処理を施しているが、被成膜基板の上に成膜したDLC膜以外の有機膜または無機膜にプラズマ処理を施しても良いし、被成膜基板の上に成膜した樹脂膜にプラズマ処理を施しても良い。また、本実施形態では、非磁性基板11の上に少なくとも磁性層12を形成した被成膜基板10を用意し、この被成膜基板10の上に成膜したDLC膜13にプラズマ処理を施しているが、これに限定されず、他の基材の上に成膜したDLC膜13にプラズマ処理を施しても良い。この場合の他の基材は、例えば電子デバイスであっても良く、電子デバイス上にDLC膜を積層させてプラズマ処理を施しても電子デバイスをプラズマで壊すことが少ない。また、他の基材の上に成膜した有機膜または無機膜にプラズマ処理を施しても良い。第2の実施形態本実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、図1に示すDLC膜13の表面にプラズマ処理を施すまでの工程は第1の実施形態と同様であるので説明を省略し、図3に示すプラズマ処理装置をプラズマCVD装置として用いてDLC膜13の上にフッ化有機膜15を形成する工程から説明する。なお、本実施形態は、フッ化有機膜15を形成する工程以外については第1の実施形態と同様である。図3は、本発明の一態様に係るフッ化有機膜を成膜するためのプラズマCVD装置を模式的に示す断面図である。プラズマCVD装置はチャンバー1を有しており、チャンバー1内の下方には圧電体膜を有する基板2を保持する保持電極4が配置されている。圧電体膜は、例えばPZT膜のような強誘電体膜を用いることができる。保持電極4は例えば周波数13.56MHzの高周波電源6に電気的に接続されており、保持電極4はRF印加電極としても作用する。保持電極4の周囲及び下部はアースシールド5によってシールドされている。なお、本実施形態では、高周波電源6を用いているが、他の電源、例えば直流電源又はマイクロ波電源を用いても良い。チャンバー1内の上方には、保持電極4に対向して平行の位置にガスシャワー電極対向電極7が配置されている。これらは一対の平行平板型電極である。ガスシャワー電極は接地電位に接続されている。なお、本実施形態では、保持電極4に電源を接続し、ガスシャワー電極に接地電位を接続しているが、保持電極4に接地電位を接続し、ガスシャワー電極に電源を接続しても良い。ガスシャワー電極7の下面には、基板2の圧電体膜が形成された側ガスシャワー電極7と保持電極4との間の空間にシャワー状の原料ガスを供給する複数の供給口図示せずが形成されている。原料ガスとしては、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するものを用いることができる。この有機物原料ガスは3個以上の炭素を含むことが好ましい。ガスシャワー電極7の内部にはガス導入経路図示せずが設けられている。このガス導入経路の一方側は上記供給口に繋げられており、ガス導入経路の他方側は原料ガスの供給機構3に接続されている。また、チャンバー1には、チャンバー1の内部を真空排気する排気口が設けられている。この排気口は排気ポンプ図示せずに接続されている。また、プラズマCVD装置は、高周波電源6、原料ガスの供給機構3、排気ポンプなどを制御する制御部図示せずを有しており、この制御部は後述するCVD成膜処理を行うようにプラズマCVD装置を制御するものである。次に、図3に示すプラズマCVD装置を用いて図1に示すDLC膜13の上にフッ化有機膜15を形成する工程について説明する。本実施形態では、フッ化有機膜15としてCaFb膜、CaFbNC膜、CaFbOd膜及びCaFbNCOd膜のいずれかの膜を用いる。ただし、a,b,c,dは、自然数である。以下にCaFb膜、CaFbNC膜、CaFbOd膜及びCaFbNCOd膜のいずれかの膜の成膜について詳細に説明する。被成膜基板2を図3に示すチャンバー1内に挿入し、このチャンバー1内の保持電極4上に被成膜基板2を保持する。次に、排気ポンプによってチャンバー1内を真空排気する。次いで、ガスシャワー電極7の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー1内に導入して被成膜基板2の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極4とアースシールド5との間を通ってチャンバー1の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー1内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源6により例えば13.56MHzの高周波RFを印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板2のDLC膜13の上にCaFb膜15を成膜する。この際の成膜条件は、圧力が0.01Pa~大気圧、処理温度が常温で、高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分が150V~-150Vより好ましくは50V~-50Vである条件で行うことが好ましい。このように直流電圧成分を低く抑えることにより、フッ化有機膜15より下層の膜へのプラズマダメージを抑制することができる。次いで、高周波電源6からの電力供給を停止し、ガスシャワー電極7の供給口からの原料ガスの供給を停止し、成膜処理を終了する。上記の原料ガスとしては、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するものを用いることが好ましい。有機物原料ガスの具体例は、以下のとおりである。膜15としてCaFb膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、C3F6、C4F6、C6F6、C6F12、C6F14、C7F8、C7F14、C7F16、C8F16、C8F18、C9F18、C9F20、C10F8、C10F18、C11F20、C12F10、C13F28、C15F32、C20F42、及びC24F50の少なくとも一つを有するものである。膜15としてCaFbNC膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、C3F3N3、C3F9N、C5F5N、C6F4N2、C6F9N3、C6F12N2、C6F15N、C7F5N、C8F4N2、C9F21N、C12F4N4、C12F27N、C14F8N2、C15F33N、C24F45N3、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有するものである。膜15としてCaFbOd膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、C3F6O、C4F6O3、C4F8O、C5F6O3、C6F4O2、C6F10O3、C8F4O3、C8F8O、C8F8O2、C8F14O3、C13F10O、C13F10O3、及びC2F6OC3F6OnCF2Omの少なくとも一つを有するものである。膜15としてCaFbNCOd膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、C7F5NOを有するものである。なお、本実施形態では、高周波電源6を用いているが、直流電源またはマイクロ波電源を用いても良い。このように直流電源を用いることで直流プラズマを形成する際の直流電圧は、150V~-150Vより好ましくは50V~-50Vであることが好ましい。このようにして被成膜基板2のDLC膜13の上に成膜されたCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNCOe膜及びCaFbNCOeHd膜のいずれかの膜15は、その膜厚が3nm以下より好ましくは1nm以下であり、水の接触角が大きく撥水性であり、固体潤滑剤として機能する。この膜15はアモルファス膜であることが好ましい。また、膜15のヤング率は0.1~30GPaであることが好ましい。第3の実施形態図4は、本発明の一態様に係るフッ化有機膜を成膜するためのプラズCVD装置を模式的に示す断面図であり、図3と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。保持電極4は切り替えスイッチ8aを介して高周波電源6a及び接地電位に電気的に接続されており、切り替えスイッチ8aによって保持電極4には高周波電力又は接地電位が印加されるようになっている。また、ガスシャワー電極7は切り替えスイッチ8bを介して高周波電源6b及び接地電位に電気的に接続されており、切り替えスイッチ8bによってガスシャワー電極7には高周波電力又は接地電位が印加されるようになっている。なお、本実施形態では、高周波電源6a,6bを用いているが、他の電源、例えば直流電源又はマイクロ波電源を用いても良い。また、プラズマCVD装置は、切り替えスイッチ8a,8b、高周波電源6a,6b、プラズマ形成用ガスの供給機構3、排気ポンプなどを制御する制御部図示せずを有しており、この制御部はCVD成膜処理を行うようにプラズマCVD装置を制御するものである。次に、図4に示すプラズマCVD装置を用いて図1に示すDLC膜13の上にフッ化有機膜15を形成する工程について説明するが、第2の実施形態と同一部分の説明は省略する。第1の接続状態によって高周波電源6a,6b及び接地電位を保持電極4及びガスシャワー電極7に接続して被成膜基板2のDLC膜13の上にCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNCOe膜及びCaFbNCOeHd膜のいずれかの膜15を成膜する場合第1の接続状態は、切り替えスイッチ8aによって高周波電源6aと保持電極4を接続し、切り替えスイッチ8bによって接地電位とガスシャワー電極7を接続した状態である。この状態によって膜15を成膜する具体的な方法は、第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。第2の接続状態によって高周波電源6a,6b及び接地電位を保持電極4及びガスシャワー電極7に接続して被成膜基板2のDLC膜13の上にCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNCOe膜及びCaFbNCOeHd膜のいずれかの膜15を成膜する場合第2の接続状態は、切り替えスイッチ8aによって接地電位と保持電極4を接続し、切り替えスイッチ8bによって高周波電源6bとガスシャワー電極7を接続した状態である。この状態によって膜15を成膜する具体的な方法は以下のとおりである。排気ポンプによってチャンバー1内を真空排気する。次いで、ガスシャワー電極7の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー1内に導入して被成膜基板2のDLC膜13の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極4とアースシールド5との間を通ってチャンバー1の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー1内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源6bにより例えば13.56MHzの高周波RFをガスシャワー電極7に印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板2のDLC膜13の上にCaFb膜、CaFbNc膜、CaFbHd膜、CaFbOe膜、CaFbOeHd膜、CaFbNCOe膜及びCaFbNCOeHd膜のいずれかの膜15を成膜する。この際の成膜条件は、圧力が0.01Pa~大気圧、処理温度が常温で、高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分が150V~-150Vより好ましくは50V~-50Vである条件で行うことが好ましい。次いで、プラズマ用電源からの電力供給を停止し、ガスシャワー電極7の供給口からの原料ガスの供給を停止し、成膜処理を終了する。本実施形態においても第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。<実施例1>基板上にDLC膜を形成し、このDLC膜の表面の水の接触角を測定し、その後、このDLC膜の表面にプラズマ窒化処理を施し、その後のDLC膜の表面の水の接触角を測定し、プラズマ処理時間特性を確認した。実験条件基板:Si使用プラズマ源:図2に示す誘導結合型プラズマソースICPソース使用ガス:N2ガス流量:5sccm圧力:1PaICP投入電力:200WICP周波数:13.56MHz処理時間:5,10,30,60sec処理前のDLC膜表面の水の接触角:約80°実験結果図5は、ICP投入電力200Wでのプラズマ処理時間特性を示すグラフであって、処理時間と水の接触角との関係を示す図である。表1及び図5に示すように、ICP投入電力を200Wとし、60秒の窒素プラズマ処理をDLC膜の表面に施すことにより、DLC膜の表面の水の接触角を20°以下にすることができる。<実施例2>基板上にDLC膜を形成し、このDLC膜の表面の水の接触角を測定し、その後、このDLC膜の表面にプラズマ窒化処理を施し、その後のDLC膜の表面の水の接触角を測定し、基板バイアス印加特性を確認した。実験条件基板:Si使用プラズマ源:図2に示す誘導結合型プラズマソースICPソース使用ガス:N2ガス流量:5sccm圧力:1PaICP投入電力:200WICP周波数:13.56MHz処理時間:5sec基板バイアス:DCバイアスDCバイアス電圧:0,50,100V処理前のDLC膜表面の水の接触角:約80°実験結果図6は、ICP投入電力200Wでの基板バイアス印加特性を示すグラフであって、DCバイアス電圧と水の接触角との関係を示す図である。表2及び図6に示すように、ICP投入電力が200W、処理時間が5秒の条件下では、基板バイアスを印加することで水の接触角を下げることができ、100Vのバイアス印加で水の接触角を約24°とすることができる。<実施例3>Si基板上にDLC膜を形成し、このDLC膜の表面にプラズマ窒化処理を施し、その後、DLC膜の上に図3に示すプラズマCVD装置を用いて下記の成膜条件によってフッ化有機膜であるCaFb膜を成膜した。成膜条件成膜圧力:2PaRFパワー:50WRF周波数:13.56MHz高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分Vdc:-1~-2VCaFb膜の膜厚:181.2nm成膜速度:18.1nm/min原料ガス:下記の化学式1で示されるパーフルオロアミン類のトリヘプタフルオロプロピルアミン第3級アミン類水の接触角上記のCaFb膜の水の接触角を測定したところ、104.3°であり、十分な撥水性を確保できることが確認された。従って、CaFb膜は、水分をはじきやすく、固体潤滑剤として機能する。Vdcと成膜レートの関係本実施例においてVdcを変化させてCaFb膜の成膜レートを測定したところ、図7に示す関係が得られた。図7は、Si基板上に成膜されたDLC膜上にCaFb膜を成膜する際のVdcとCaFb膜の成膜レートとの関係を示す図である。図7によれば、Vdcを-0V超~-150Vの範囲としてCaFb膜を成膜できることが確認された。また、Vdcが-0V超~-50Vの範囲では、12nm/min以上の実用上十分な成膜レートが得られることが確認された。なお、成膜レートが0nm/min以下になる場合は、Si基板上のDLC膜がエッチングされてしまう場合である。"