"真空容器14と、その内部に配置された複数のカソード16A,16B,16C,16Dと、またHIPIMS電源18とを備え、前記HIPIMS電源によって操作される少なくとも1つのコーティングカソード16と、前記コーティングカソードに比較してより小さな面積の複数のエッチングカソード16A,16B,16C,16Dとを備え、前記エッチングカソードが前記HIPIMS電源18に対して所定のまたは予め決定可能なシーケンスで接続されることを特徴とする、コーティング装置10。前記エッチングカソード16A,16B,16C,16Dは、スイッチングデバイス80,80A,80B,80C,80Dを介してそれぞれ個別的にHIPIMS電源18に接続可能であることを特徴とする、請求項1に記載のコーティング装置。前記エッチングカソード16A,16B,16C,16Dは、またコーティングカソードとしても使用可能であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載のコーティング装置。前記エッチングカソード16A,16B,16C,16Dは、コーティングプロセスに共同して接続されるか、または前記HIPIMS電源18に並列に接続されることを特徴とする、請求項3に記載のコーティング装置。前記HIPIMS電源18は、DC部84と、前記コーティングカソード16のための所定の周波数の電力インパルスを生成するスイッチング部86とから成り、前記コーティング装置がエッチングモードで運転されている場合には前記所定の周波数の前記電力パルスが個別的な前記エッチングカソード16A,16B,16C,16Dに所定のまたは予め決定可能なシーケンスで印加されて、前記HIPIMS電源18の個別的な前記電力パルスが前記エッチングカソードに連続的に供給されることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載のコーティング装置。前記HIPIMS電源18は、DC部84と、前記コーティングカソードのための所定の周波数の電力インパルスを生成するスイッチング部86とから成り、前記HIPIMS電源18は、前記エッチングモードでは少なくとも前記電力パルスの間に所定の周波数の余剰のパルスを少なくとも供給し、前記供給されたインパルス全部が前記エッチングカソード16A,16B,16C,16Dに次々に印加されて、前記HIPIMS電源18の個別的な前記パルスが前記エッチングカソード16A,16B,16C,16Dに連続して供給されることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載のコーティング装置。前記HIPIMS電源18は、DC部84と、前記コーティングカソード16のための所定の周波数の電力パルスを生成するスイッチング部86とから成り、前記HIPIMS電源18は、エッチングモードで、前記電力パルスの間に所定の周波数で少なくとも余剰の電力パルスを供給し、前記パルスは全体が前記エッチングカソード16A,16B,16C,16Dに対して群として連続的に供給されており、前記エッチングカソードには個別的なパルスの群が連続的に供給される、請求項1~4のいずれか1項に記載のコーティング装置。本発明の目的は、エッチングプロセスのためにより良く設計され、かつより効率よく稼働する主題種類のコーティング装置を設計することにある。上記の目的を達成するために、主題種類のコーティング装置は、HIPIMS電源により動作できる少なくとも1つのコーティングカソードに加えて、コーティングカソードよりも小面積とされ、HIPIMS電源に所定のまたは予め設定可能なシーケンスで接続させることができる複数のカソードが提供される。この方法において、本発明に従い、より小面積の各エッチングカソードで実質的により高いピーク電流密度または電力密度が達成され、それによりエッチングプロセスは、より良好に、より効率的に稼働される。これを達成するに際し、HIPIMS電源のインパルスを、それぞれのエッチングカソードに対して交互に印加して、どのような時間ポイントでも1つのエッチングカソードに最大電力を供給するスイッチングデバイスを追加することが必要とされるにすぎない。この関係において電気的スイッチングデバイスは、例えば、個別的なHIPIMSインパルスの分布をそれぞれのカソードに向かわせるようにすることができる。本発明に従う配置を通じて、コーティングカソードに使用すると同じHIPIMS電源が、より大型のHIPIMS電源を使用することなく、またコーティングカソードについても使用可能となり、これによって大きくコストおよび煩雑さが改善できる。規格的には、一般的なPVDプラントおよびスパッタプラント、またはとりわけアークコーティングプラントにおいては、個別の基板またはワークピースが回転可能なテーブル上に配置され、これによって個別的なワークピースは、また、コーティングの間、多くの場合それ自体がそれら自身の軸の周りに回転される。ワークピーステーブルまたはワークピースのホルダは、真空処理容器の長手軸を中心として回転し、そして個々のワークピースもまた真空容器の長手軸に平行とされたそれら自身の軸を中心として回転するので、コーティングカソードからのコーティングフラックスまたはエッチングプロセスの間のエッチングイオンのフラックスのいかなる乱れでも補償され、基板が均一に処理される、すなわちそれらの表面が均一にコーティングされる。この結果、互いにいくらか空間的に隔てて配置されることが必要で、それぞれがワークピースの全体ではなく一部が処理される個々のエッチングカソードへとHIPIMS電源がシーケンシャルに接続され、全体の時間的平均とした見た場合に、基板またはワークピースの均一な処理が達成されることが妨げられることはない。エッチングカソードは、またコーティングカソードとしても使用することができる。この目的のため、エッチングカソードは、また共に接続され、HIPIMS電源の電力パルスが供給される。しかしながらこれらにはまた、HIPIMS電源からシーケンシャルな供給を受けることができ、その際にはコーティングプロセスに適合させるように電力を低減させるのが普通である。この結果として、エッチングカソードは、エッチング処理のために専用して使用されることはなく、エッチングカソードは、またコーティングのためにも使用することができるので、エッチングカソードを空間的に分離して配置しても、処理容器内で基板またはワークピースが運動するが故に、不均一なコーティングを与えてしまうことをなくすることができるという利点をもたらす。HIPIMS電源がDC部と、コーティングカソードについて所定の周波数の電力パルスを生成させるスイッチング部とを備え、エッチングモードでのコーティング装置の運転中に、電力インパルスが所定の周波数で、かつ所定のまたは予め決定できるシーケンスで個々のエッチングカソードに印加され、これによってエッチングカソードに対して連続してHIPIMS電源の個々の電力インパルスが供給されるコーティング装置が特に好ましい。この態様は、HIPIMS電源に対する技術的な変更が不要なので特に簡潔でありながら、所定の仕方、すなわち予め設定可能なシーケンスでエッチングカソードにHIPIMS電源の個別的な電力インパルスを印加するため、追加のスイッチングデバイスを提供する必要があるだけである。このスイッチングデバイスは、HIPIMS電源とは別に実現することもできるし、またはHIPIMS電源の部品として実現することができる。代替的なコーティング装置は、HIPIMS電源がDC部と、コーティングカソードに対して所定の周波数の電力インパルスを生成するスイッチング部とからなり、エッチングモードではHIPIMS電源が、予め決定可能な周波数の電力インパルスの間に少なくとも余剰のインパルスを供給し、そしてエッチングカソードへと供給される全体のインパルスが、エッチングカソードに次々に連続して印加され、これによってエッチングカソードに連続したHIPIMS電源の個別的なインパルスを供給することを特徴とする。このとき、HIPIMS電源のスイッチング部は、さらなる電力インパルスを生成するため、明らかながら、わずかに変更されなければならない。このことは、HIPIMS電源の特定の設計に応じて、スイッチング部に対して追加の複雑さをもたらし、またHIPIMS電源またはDC部のDC部の電力能力を幾分か増加させる必要が生じる可能性がある。全体としては、より効率的でより高速なエッチングプロセスがわずかなコストおよび複雑さで提供される。しかしながら、HIPIMS電源のDC部は、コスト増加の主な部分である。スイッチング部は、比較的コスト的に好ましく、また直接設計でき、さらにまたより高い所定の周波数で動作または稼働されるので、さらなるインパルスを、大きなコストを要することなく利用可能である。さらなるコーティング装置は、IPIMS電源がDC部と、コーティングカソードに対して所定の周波数の電力インパルスを生成するスイッチング部とからなる。このため、エッチングモードでHIPIMS電源は、電力インパルスの間に所定の周波数で余剰のインパルスを供給し、かつインパルスが全体が群としてエッチングカソード連続して供給されるように稼働させることができ、これによってエッチングカソードには、連続してインパルスの個別的な群が供給される。この変形例は、エッチングカソードに対して単一の電力インパルスを供給し、その直後に次のエッチングカソードへとスイッチングするのではなく、複数のインパルス、すなわちインパルス群を第1のエッチングカソードに印加し、その後、インパルス群を対応して供給可能な次のエッチングカソードへとスイッチさせるものである。この手法がワークピーステーブル上またはワークピースホルダ上の基板の回転と共に使用される場合であって、ワークピーステーブルまたはワークピースホルダを容器の長手軸を中心として運動させる場合、均一のエッチング処理がまた本変形例によって達成できる。続いて、本発明をより詳細に実施形態および下記の図面を参照して説明する。図1を参照すると、図1には、複数の基板12を処理およびコーティングするための真空コーティング装置10が示されている。この装置は、金属製の真空容器14を備えており、この実施例では対向して配置された2つのカソード16を備え、これらのカソードには、それぞれ、それらのためのHIPIMS電源18その1つが図示されている。が、容器中に気相として存在する材料イオンおよび/またはそれぞれのカソードまたは複数のカソードを形成する材料のイオンを生成する目的で取り付けられている。基板ワークピース12は、テーブルの形状の基板キャリア20上にマウントされており、基板キャリア20は、電気モータ24によって矢線22の方向に回転することができる。電気モータ24は、基板キャリアに連結されたシャフト26を駆動する。シャフト26は、容器14の基部でそれ自体はよく知られているシールおよび絶縁方法でリード通孔28を通されている。このことが基板バイアスサプライ32の端子30を、ライン27を通して基板キャリア20に接続することを可能としている。基板バイアスサプライ32は、文字BPSによって指定されており、BPSは、BiasPowerSupplyを略したものである。基板12は、垂直な柱体29にマウントされており、これによりスイッチ34が閉じられた場合にバイアスパワーサプライ32が印加される端子30の電位を保持させている。この実施例において、装置10の金属ハウジング14および同時に装置の正側端子は、グランド36に接続されている。HIPIMS電源の正側端子は、同様にハウジング14、従ってグランド36に接続され、また基板バイアスサプライ32の正側端子38も同様である。その上部この位置は重大なものではないがにおいて、真空容器は、バルブ42およびさらなるライン44を介して処理容器14を排気する目的の真空システムに接続される接続スタブ40を備えている。真空システムは、図示していないが本技術分野においては周知である。さらなるライン50は、1つ以上の好適な気体を真空容器に供給可能としており、このライン50は、同様にバルブ48および接続スタブ46を介して真空容器の上部に連結されている。反応性スパッタリングによって、例えば、窒化物や炭素コーティングまたは炭化物-窒化物コーティングを堆積させるため、アルゴンといった不活性ガス、または窒素、またはアセチレンといった気体が真空容器に導入可能とされている。連結46,48,50に類似する分離された連結が、必要に応じて異なる気体のために提供されても良い。概略的に記載された種類の真空コーティング装置は、従来技術において知られており、多くの場合、2つ以上のカソード16を搭載する。例えば、ハウザーテクノコーティングBV社から利用できる真空コーティング装置は、容器10が、概ね八角形の断面とされ、外側に向かって開く4つのドアを備えており、それぞれがマグネトロンカソード16を保持している。これらのカソードは、同一の材料からなるが、これらは、多くの場合、基板または物体12上に層状に異なる材料のコーティングの積層を可能とするため、異なる材料からなる。典型的な真空コーティング装置は、また複数のさらなるデバイス、例えばダークフィールドスクリーン、基板12を予備加熱するための加熱デバイス、および場合によっては種々のエレクトロンビームソースまたはプラズマソースを備えており、これらのデバイスは、図1の概略図には示されてはいない。これに加えて、当該真空コーティング装置にはマグネトロンスパッタリングカソードに加えてアークカソードを提供することもできる。装置を使用する場合、真空容器14内に最初に存在する空気を、ライン44、バルブ42、およびライン40を介して真空排気システムにより排気し、アルゴンおよび/または活性気体を、ライン50、バルブ48および連結スタブ46を介して容器内に流入させる。この連結において、最初に容器内に存在する空気は、容器から除去され、真空容器14は、不活性ガスおよび/または反応性ガスでフラッシュされる。同時に、またはこれに続いて加熱デバイス不図示を、基板予熱のために動作させ、物体12に存在するいかなる揮発性ガスまたは化合物をも脱出させる。容器内に導入される不活性ガスは、例えば宇宙線により電子と例えばアルゴンイオンなどの不活性ガスイオンへとある程度が電離される必要がある。アルゴンイオンは、カソードに引きつけられてターゲット、すなわちカソード材料を含むカソードに衝突し、これによってイオンがカソード材料を衝撃して2次電子を生成させる。マグネトロンシステム図示しないものの、それ自体は周知である。がそれぞれのカソードに伴われていて、通常閉ループの形状の磁気的トンネルを生成しており、この磁気的トンネルは、カソードの表面を覆うように延びる。閉ループとして存在するこの磁気的トンネルは、電子を閉ループの周りに周回的に運動させて衝突によりさらなる電子を生成させる。これらの2次電子は、かくして容器の気体雰囲気のさらなるイオン化を生じさせ、また不活性ガスイオンおよびカソード16の材料のイオンのさらなる生成を促進する。これらのイオンは、例えば-700~-1200Vの適切なレベルの基板バイアスにより物体12に引き寄せられて、適切なエネルギーで物体を打撃し、物体表面をエッチングする。エッチング処理が完了すると直ちにスイッチをコーティングモードとし、このコーティングモードでは、カソードへの好適な電源を使用してカソード材料の原子およびイオンのフラックスを、基板キャリア上で回転するワークピース12によって占有される空間へと移動させる。基板は、その後カソード材料によってコーティングされる。アセチレンといった反応ガスが真空容器内に存在している場合、その後に対応するコーティングが基板上に形成される。例えば、カソードがTiとして存在し、アセチレンC2H2がC原子およびH原子に分離されると、ワークピース上には、TiCコーティングが生じる。水素は、部分的にコーティング内に堆積し、また部分的に真空容器から真空システムにより除去される。基板キャリア20上の基板12の方向におけるイオンの運動は、基板ホルダ、すなわち基板に印加されるネガティブバイアスによってもたらされる。カソード16の他のイオン化されていない材料原子は、適切な運動エネルギーを受け取ってこれらはまたカソード16の正面の空間へと移動して物体12上にコーティングを形成する。基板バイアスの結果、不活性ガスのイオンは、同様に基板へと、すなわちワークピースへと引きつけられてコーティング密度を増加させる。基板に印加されるこのバイアスが、カソードで表面衝撃され、カソード16の前面にあるプラズマ内のカソード材料のイオンを引きつけるように印加されることは理解されるであろう。異なる態様のスパッタリングプロセスが知られている。この態様ではカソード16を一定の負電圧とし、基板ホルダを一定の負バイアスとする。これはDCマグネトロンスパッタリングを説明するものである。パルス化DCスパッタリングもまた知られており、そこでは少なくとも1つのカソードがパルスモードで運転される。加えて基板キャリアへのバイアス電源は、同様にパルスモードで駆動されることができる。これは、特に半導体材料のカソードに対して効果的である。このようなDCマグネトロンスパッタリングプロセスにおいては、それぞれのカソード16によって消費される電力が例えば16~20kWとなる。しかしながら、より最近のカソードにおいては、一定のDC電流を供給することはなく、むしろより高い電力が、比較的短時間のインパルスとして供給されるだけである。例えば、図2に示す電力インパルスは、HIPIMS電源18によって生成され、10μsの時間幅で200μsのパルス繰り返し時間間隔を有しており、5000Hzのパルス繰り返し周波数、すなわち連続するパルスの間の間隔が190μmに対応する。引用したこれらの値は、純粋に例示するためのものであり、広い限界の中で変更することができるものとして理解されるべきである。例えば、10μs~30msの範囲のインパルス間隔および200μs~100msのパルス繰り返し時間で直接的に動作させることができる。きわめて高い電力をカソードに印加することが制限される場合、平均電力は、DCモードでの通常のマグネトロンスパッタリングの期間における電力水準に相当する中程度の水準に維持することができる。しかしながら、カソードまたは複数のカソードに対して高い電力インパルスを印加することにより、カソードまたは複数のカソードから脱離する金属蒸気のイオン化が非常に高い程度、イオン化程度が直接的に40~実に100の範囲で生じる、異なる操作モードで動作することが見出された。このような高い程度のイオン化の結果、大変多くのイオンが基板に引きつけられ、より高速で基板に到着する結果としてより密なコーティングおよびより高速なコーティングプロセスが提供される。電力が電力ピークに集中されるという事実は、しかしながらまた、基板へのバイアス電圧電源における電流が相対的に高くなることであるが、これらの電力ピークが流されるとすると電流の増加は、通常のバイアス電源によっては、直接的に供給することができない。図1に示したWO2007/115819号に示された解決法に従ってこの問題を解決するため、追加的な電圧源60を提供する。この電圧源60は、最も単純には、市販の電源によって所望する出力電圧に対応する電圧まで充電されるキャパシタによって実現することができる。電力インパルスがHIPIMS電源16からカソード10に印加される場合、上述したように、本質的にカソード16に由来するイオンからなる材料フラックスは、基板12に向けられる。イオンフラックスのこのような増加は、ライン27を流れる基板ホルダ20における例えば40アンペアという電流の増加により示される。HIPIMS運転のためにではなくDC運転のために設計されている場合、通常のバイアス電源32は、このような高いピーク電流を供給することができない。しかしながら、カソード電源18の個別的な高電力インパルスの間の休止にバイアス電圧電源により充電されるキャパシタ62は、基板ホルダでの所望するバイアス電圧を狭い範囲内で保持することを可能とし、かつ要求される電流を供給することを可能としており、これは、キャパシタにわずかな放電を生じさせるだけである。この方法において基板バイアス電圧は、少なくとも実質的に一定に維持される。例示的な目的で、放電は、例えば-50Vで与えられるバイアス電圧が、コーティングプロセスの間に、例えば-40Vに低下するように発生させることができる。例えば略-700V~-1200Vのより高いで基板キャリアおよび基板のバイアスで案圧でのエッチングプロセスの間には、さらなる所望しない電圧低下がまた発生することを指摘するべきである。図1に示す形態のバイアス電源32は、従って基本的にはHIPIMSマグネトロンスパッタリングプロセスを可能とするものである。完全を期す目的で、バイアス電源32はまた、アーク保護機能を備えることができる。例示の目的では、64のような、ライン32に流れる電流を検出する検出器を提供することができ、この検出器は、アークが発生する場合に半導体スイッチ34を起動してスイッチ34を開成し、基板ホルダ20またはキャリアにおけるバイアス電圧を遮断するために使用することができ、これによってアークを消滅させることができる。検出器66′における破線は、電圧検出器として実現される検出器66の代替的な位置を示す。さらなる変更および態様は、WO2007/115819号に記載されている。本出願は、エッチングプロセスを改善することにも関する。図3は、図1の態様の本発明に従った変更バージョンを示す。これに関連し、図1と同一の参照数字が図3において使用されており、これらの参照数字はまた、装置またはプラントの同一の部材を参照する。さらに、図1の説明で与えられた参照のための参照数字は、特に断らない限りにおいて、正しく同一の仕方で図3に適用する。簡潔化するだけの目的で、異なる構成のみを以下に説明する。図1の態様における、図示した装置の例えば右手側カソード16は、例えばエッチングプロセスに使用され、図2と同一のパルスシーケンスで運転されるが、バイアス電圧バイアスポテンシャルは、エッチングプロセスのためにより高い値、例えば-700~-1200Vに選択されている。図3の態様では、カソード16A、16B、16C、16Dは、カソード16の代わりに使用されている。これらは、例えば円形とされ、それぞれが置き換えたカソード16よりも著しく小さな表面を備えている。カソードまたは複数のカソード16が矩形この場合に必須というわけではないとされているところ、エッチングカソード16A,16B,16C,16Dについては単純化の目的から円形が選択されているが、これについてもまた、本質的というわけではない。その代わりにエッチングカソード16A,16B,16C,16Dは、また、方形または矩形又は他の形状を有することができる。円形のマグネトロンカソードは、それ自体は、それぞれのカソードの前面に閉ループの形状を有する所望する磁気トンネルを誘導するマグネットシステムとして知られている。本教示に従い、コーティング装置10には、真空容器14と、その内部に配置された、複数のエッチングカソード16およびエッチングカソード16A,16B,16C,16Dと、HIPIMS電源18とを備える。HIPIMS電源18は、正しく従来技術として知られているように設計されている。図3に従うこのコーティング装置は、従って、HIPIMS電源で運転される少なくとも1つのコーティングカソード16図中装置の左手側に示されるに加えて複数のエッチングカソード16A,16B,6C,16Dを備え、これらはコーティングカソード16に比較してより小さな面積とされ、かつ所定のまたは予め決定可能なシーケンスでス電気イッチ80の手段によりHIPIMS電源18へと接続可能とされている。参照数字82は、さらなるスイッチを指し示しており、このスイッチは、スイッチ80のように電気スイッチとして形成することができるが、また、例えば機械的または電磁気的に動作されるスイッチといった異なる設計とされていても良い。スイッチ80は、この態様では4つの個別的なスイッチ80A、80B,80C,80Dからなり、これらのスイッチは、HIPIMS電源18のパルスシーケンスのクロック周波数で図2に従い開閉され、HIPIMS電源18に同期されているので、図4から明らかなように、例えば第1のシーケンスのインパルスがカソード16Aに、シーケンスの第2のインパルスがカソード16Bに印加され、シーケンスの第3のインパルスがエッチングカソード16Cに印加され、シーケンスの第4のインパルスがエッチングカソード16Dに印加され、シーケンスの第5のインパルスが再度エッチングカソード16Aなどに印加される。個別的なエッチングカソード16A~16Dがコーティングカソード16よりも実質的により小さな面積を有しているので、実質的により高いピーク電流密度をエッチングカソード16A~16Dで達成することができる。これらのカソードは、好ましくは順々に電気スイッチ80、80A~80Dを介してスイッチされて、特定の時間ポイントではただ一つのカソードが運転されているようにすることが好ましい。個別的なエッチングカソード16A~16DがHIPIMS電源18のインパルスのシーケンスの周波数でクロックされていたとしても、これらは、電力インパルスがまた立ち上がって減衰するように、実質的により長い時間的期間に渡って個々の場合についてスイッチオンさせることができる。上述したように、図3の左手側に示すように正しく1つのコーティングカソード16を提供することは必須ではなく、複数のコーティングカソード16をまた真空容器内に提供することができ、これらのコーティングカソード16は、複数のスイッチ82を介して次々と、または同時的に、または所望する組み合わせでHIPIMS電源18に接続されてもよい。さらにHIPIMS電源は、また、複数の個別的なコーティングカソード、またはコーティングカソードの複数の群として提供することができる。本明細書において少なくとも1つのコーティングカソード16に加えて、コーティングカソード16に比較してより小さな面積の複数のエッチングカソードを提供するとは、複数のエッチングカソードが、個別的なコーティングカソードよりもより小さな面積とされること、個別的なコーティングカソードの最大のものよりも少なくともより小さな面積とされること、いかなる根拠によってもまた、例えばコーティングにおいて追加されることになる特定の元素のより小さなパーセンテージだけを見た場合にでも小さなコーティングカソードが提供されること、を意味するものである。コーティングカソードは、コーティングカソードの1つがより少ない元素のパーセンテージで提供される場合であっても多くの場合、いつも同一のサイズで提供される。この理由は、このカソードは、その他のコーティングカソードよりもより長く残る、すなわち頻繁には交換される必要がないからである。より小さなコーティングカソードについては、コーティングプロセスにおける最大電流密度がコーティングプロセスについての理想値に収まるように、また多くの場合低い電力で稼働される。コーティングカソードおよびエッチングカソードは、所望する材料から構成することができる。純粋に例示の目的で、コーティングカソードは、チタニウム、ジルコニウム、アルミニウム、タングステン、クロム、タンタルまたはこれらの合金、任意により少量のニオブまたは炭素といった添加物、およびまた少量のSc、Y、La、Ceといった希土類元素の添加物から構成することができる。また、炭素カソード例えば、グラファイトも考慮することができる。反応性気体については、必要に応じて他の物の中でも窒素またはアセチレンといったガスを考慮することができる。ネオン、アルゴン、クリプトンまたはキセノンといった不活性ガスをエッチングプロセスに使用し、かつクロム、バナジウム、チタニウム、ジルコニウム、モリブデン、タングステン、ニオブまたはタンタルのカソード、すなわち、これらの元素すなわち、Cr,V,Ti,Zr,Mo,W,Nb,Taまたは他の元素または所望される限りの合金からなるエッチングカソード16A~16Dをエッチングプロセスのために提供することが特に好ましい。エッチングプロセスは、通常10-5~10-1mbar、好ましくは約10-2mbarの範囲のアルゴン圧で行われる。エッチングカソード16A~16Dは、しかしながらまたコーティングカソードとしても使用される。この目的のため、スイッチ80A~80Dは、同時に閉じることができ、これによりエッチングカソード16A~16Dは、並列にHIPIMS電源18に接続される。この点に関して見れば、スイッチ82閉じられていてもよいし、開かれていてもよい。図5から明らかなように、HIPIMS電源は、通常、DC部84と、スイッチング部86とを備え、スイッチング部86は、図2に示すようにコーティングカソードのため、DC部84の出力からの所望するまたは所定の周波数の電力インパルスを生成する。上述したように、図3に示すようにエッチングモードでコーティング装置を運転する場合、所定の周波数の電力インパルスが個別的なエッチングカソード16A,16B,16C,16Dに対して所定のまたは予め設定可能なシーケンスで印加される。ここで、シーケンス16A,16B,16D,16Dにおいてはエッチングカソードに対し、HIPIMS電源からの個別的な電力インパルスが連続して供給される。例えば16A,16B,16C,16Dについて他のシーケンスをまた考慮することができ、4つだけのエッチングカソードが使用される場合が必須的、というわけではない。原理的にエッチングカソードのいかなる所望する数でも使用することができ、また全部が同一のサイズを有する必要はない。本願の教示を以下、同一のサイズを有する4つのエッチングカソードおよび1つのコーティングカソードを備える態様を参照して数値的に表現する。本発明の実施例に従い、コーティングカソード16は、長さおよび幅が100cm×17cm、すなわち、1700cm2の面積を有する矩形とされている。この種類のコーティングカソードは、通常、360kWおよびピーク電流600AのHIPIMSモードで運転される。これは、約1700cm2の面に約212W/cm2の電力密度および約0.35A/cm2の電流密度を生じさせる。エッチングカソードが直径17cmである場合を考えると、各エッチングカソードの面積は345cm2となり、これは、同一の電源についていえば単位面積あたりの電力、すなわち電力密度が約5倍以上、すなわち、1.04kW/cm2であり、電流密度が1.7A/cm2となることを示す。HIPIMS電源のコーティング装置は、また異なる設計とすることができる。例えばスイッチング部84については、HIPIMS電源18が少なくとも所定の周波数、すなわちより高い周波数で追加の余剰インパルスを電力パルスに供給するようにエッチングモードにおいて運転することができる。これらの電力インパルスは、その後例えば図6に従いエッチングカソードにシーケンス的に供給される。図6は、これをここでは、エッチングカソード16A16B16C16Dへのパルスシーケンス16A16B16C16D16Aにおいて最初の5インパルスについて示している。他の観点においては、図3のパルスシーケンスを説明の目的で示しているが、実際上、3つの追加的な電力インパルスがスイッチング部86によってより広い間隔の2つの連続するそれぞれの電力インパルスの間に供給され、これが図7に実際的に示されている。図6の実施例においては、エッチングカソード16A16B16C16Dはまた、HIPIMS電源の個別的なパルスと共に連続的に供給される。しかしながらこのことは、必須的な事項ではない。図7は、どのようにしてエッチングカソードに対する電力インパルスの別の対応付けが適用されるかについての他の態様を示しており、そこでは実に最初の4つのインパルスがエッチングカソード16Aに供給され、次の4つの電力インパルスがエッチングカソード16Bに供給され、次の4つの電力パルスがエッチングカソード16Cに供給され、次の4つの電力インパルスが、エッチングカソード16Dなどに供給される。すなわち、言い換えると、HIPIMS電源はエッチングモードでは、所定の周波数の電力インパルスの間に少なくとも余剰のインパルスを供給し、これらの電力インパルスが全体として連続的にエッチングカソードに対して群として供給され、これによってエッチングカソードに連続してインパルスの個別低な群を供給することができる。個別的な群における電力インパルスの数は、4つに限定されるものではなく、エネルギーを与えられたエッチングカソードについて所望するいかなる群およびシーケンスでも選択することができる。より高周波数のスイッチング部の運転は、またDC部84の電力の増加を生じさせる。しかしながら、このことは範囲内のものである。エッチングプロセスは、より高いインパルス周波数の結果として効果的に短縮することができる。"