"自身内に基板を配置するための窪みを含む基板テーブルと、低圧源に接続可能な出口を含む液体除去デバイスであって、前記出口が所定の幾何形状の細長い抽出部を形成する、液体除去デバイスと、前記抽出部が全ての前記窪みを通り越すように、且つ、実質的に、任意の時間に、最初に前記抽出部が通り越している前記窪みの縁部の任意の局所的部分が、平面にて、その局所的正接を、その任意の時間にて前記縁部の前記局所的部分の上方に位置した前記抽出部の局所的部分の局所的正接に対して約20°と約90°の間の角度に持つように、前記基板テーブルおよび前記液体除去デバイスとを相対的に動かすコントローラと、を備える、液浸リソグラフィ装置。平面にて、前記抽出部の最大寸法が、前記窪みの最大寸法より大きい、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。前記基板テーブルと前記液体除去デバイスとが、1方向にのみ相対的に移動する、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。前記抽出部の第一部分が、該第一部分から前記窪みの最大寸法だけ離間された前記抽出部の第二部分と実質的に同一直線上にある、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。前記第一部分と第二部分の間に位置する前記抽出部のさらなる部分が、前記第一および第二部分と同一直線上にない、請求項4に記載の液浸リソグラフィ装置。前記第一部分と第二部分との間の前記抽出部の部分が波形である、請求項5に記載の液浸リソグラフィ装置。前記第一部分と第二部分の前記抽出部が三角波形を有する、請求項5に記載の液浸リソグラフィ装置。前記第一および第二部分から等距離の位置で、前記抽出部が、前記第一および第二部分と同一直線上にある線から最大距離にある、請求項5に記載の液浸リソグラフィ装置。前記液体除去デバイスが、前記抽出部のそれぞれの横側で、前記抽出部から所定の距離で延在する実質的に平行な表面を備える、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。使用時に、前記平行な表面が、前記基板テーブルの上面と実質的に同一平面上にある、請求項9に記載の液浸リソグラフィ装置。使用時に、前記出口に対して前記平行な表面の外側にある前記液体抽出部の部分が、前記平行な表面より前記基板テーブルからさらに遠い、請求項10に記載の液浸リソグラフィ装置。前記平行な表面が実質的に同一平面上にある、請求項9に記載の液浸リソグラフィ装置。前記角度が約35°と90°の間である、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。前記角度が約50°と90°の間である、請求項13に記載の液浸リソグラフィ装置。前記角度が約70°と90°の間である、請求項14に記載の液浸リソグラフィ装置。基板を支持する基板テーブルであって、基板と自身がその間にギャップを規定する、基板テーブルと、液体除去デバイスであって、低圧源に接続可能で、細長い抽出部を形成する出口、および前記抽出部のいずれかの側に延在し、前記基板テーブルの上面および前記基板と実質的に平行である流れ制限表面を含む液体除去デバイスと、使用時には、前記基板の前記上面および/または前記基板テーブルおよびギャップから液体を抽出する間に、前記ギャップに沿って前記出口に向かうガスの流れを生成するように、前記抽出部が前記ギャップ上に位置する場合に、前記流れ制限表面と前記基板および/または前記基板テーブルとの間の前記抽出部の周囲雰囲気からの気体流抵抗が、前記ギャップ沿いより大きくなるように、前記基板テーブルと前記液体除去デバイスとを相対的に動かすコントローラと、を含む、液浸リソグラフィ装置。前記流れ制限表面と前記基板および/または基板テーブルの間の前記気体流抵抗が、前記ギャップ沿いより少なくとも25大きい、請求項16に記載の液浸リソグラフィ装置。前記流れ制限表面と前記基板および/または基板テーブルの間の前記気体流抵抗が、前記ギャップ沿いより少なくとも50大きい、請求項17に記載の液浸リソグラフィ装置。前記流れ制限表面と前記基板および/または基板テーブルの間の前記気体流抵抗が、前記ギャップ沿いより少なくとも75大きい、請求項18に記載の液浸リソグラフィ装置。前記コントローラは、前記抽出部が全ての前記基板を通り越すように、且つ、実質的に、任意の時間に、前記抽出部が最初に通り越している前記ギャップの任意の局所的部分が、平面にて、その局所的正接を、その任意の時間にて前記縁部の前記局所的部分の上方に位置した前記抽出部の局所的部分の局所的正接に対して約35°と約90°の間の角度に持つように、前記基板テーブルおよび前記液体除去デバイスとを相対的に動かす、請求項16に記載の液浸リソグラフィ装置。基板テーブル上に支持された基板から、および前記基板と前記基板テーブルの間に規定されたギャップから、液体を除去する方法であって、低圧源に接続された出口を持つ液体除去デバイスであって、前記出口が所定の幾何形状の細長い抽出部を形成する、液体除去デバイスを提供し、前記抽出部が前記基板および前記ギャップの全てを通り越すように、且つ、実質的に、任意の時間に、前記ギャップの非乾燥部分の縁部で、前記抽出部の局所的部分が、平面にて、その局所的正接を前記ギャップの局所的正接に対して約35°と90°の間の角度に持つように、前記基板テーブルと前記液体除去デバイスを相対的に動かすことを含む、方法。基板と基板テーブルの間のギャップから液体を除去する方法であって、低圧源と連絡する出口を持つ液体除去デバイスを提供し、前記ギャップに沿って前記出口へ、および前記出口に隣接する前記ギャップ内の液体へのガス流を生成するように、前記ギャップに対して前記液体除去デバイスを配向し、動かすことを含む、方法。放射ビームを調整する照明システムと、前記放射ビームにパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するパターンサポートと、基板を保持する基板テーブルであって、前記基板と自身がその間にギャップを規定する、基板テーブルと、前記パターン付き放射ビームを前記基板に投影する投影システムと、前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間に流体を提供する流体供給システムと、低圧源に接続可能な出口を含む液体除去デバイスであって、前記出口が細長い抽出部を形成し、前記液体除去デバイスと前記基板テーブルが、前記抽出部が前記基板テーブルと前記基板の間に規定された前記ギャップのいずれかの部分上に位置する場合に、前記ギャップの前記部分の正接が前記細長い抽出部の正接に対して約20°と90°の間の角度を規定するように、相互に対して動作可能である、液体除去デバイスと、を含む、リソグラフィ装置。0011基板テーブルから、特に基板テーブルと基板の間のギャップから液体を除去するシステムを提供することが望ましい。0012本発明の実施形態によれば、自身内に基板を配置するための窪みを含む基板テーブルと、低圧源に接続可能で、所定の幾何形状の細長い抽出部を形成する少なくとも1つの出口を持つ液体除去デバイスと、抽出部が全ての窪みを通り越すように、且つ、実質的に、任意の時間に、最初に抽出部が通り越した窪みの縁部の任意の局所的部分が、平面にて、その局所的正接を、その任意の時点で縁の局所的部分の上方に位置した抽出部の局所的部分の局所的正接に対して約20°と約90°の間の角度に持つように、基板テーブルおよび液体除去デバイスを相対的に動かすコントローラと、を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。0013本発明の実施形態によれば、窪み内の基板を支持し、基板と自身の間にギャップが存在する基板テーブルと、低圧源に接続可能で、細長い抽出部を形成する少なくとも1つの出口、および抽出部のいずれかの側に延在し、基板テーブルの上面および基板と実質的に平行である流れ制限表面を含む液体除去デバイスと、使用時には、基板の上面および/または基板テーブルおよびギャップから液体を抽出する間に、ギャップに沿って出口に向かう気体の流れを生成するように、抽出部がギャップ上に位置する場合に、流れ制限表面と基板および/または基板テーブルとの間の抽出部の周囲雰囲気からの気体流抵抗が、ギャップ沿いより大きくなるように、基板テーブルと液体除去デバイスとを相対的に動かすコントローラとを含む液浸リソグラフィ装置が提供される。0014本発明の実施形態によれば、基板テーブル上に支持された基板から、および基板と基板テーブルの間のギャップから、液体を除去する方法であって、低圧源に接続され、所定の幾何形状の細長い抽出部を形成する少なくとも1つの出口を持つ液体除去デバイスを提供し、抽出部が基板およびギャップの全てを通り越すように、且つ、実質的に、任意の時間に、ギャップの非乾燥部分の縁部で、抽出部の局所的部分が、平面にて、その局所的正接をギャップの局所的正接に対して約20°と90°の間の角度に持つように、基板テーブルと液体除去デバイスを相対的に動かすことを含む方法が提供される。0015本発明の実施形態によれば、基板と基板テーブルの間のギャップから液体を除去する方法であって、低圧源に取り付けられた少なくとも1つの出口を持つ液体除去デバイスを提供し、ギャップに沿って出口へ、および出口に隣接するギャップ内の液体へのガス流を生成するように、ギャップに対して液体除去デバイスを配向し、動かすことを含む方法が提供される。0016本発明の実施形態では、放射ビームを調整する照明システムと、放射ビームにパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するパターンサポートと、基板を保持する基板テーブルであって、基板と自身がその間にギャップを規定する、基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板に投影する投影システムと、投影システムの最終要素と基板の間の空間に流体を提供する流体供給システムと、低圧源に接続可能な出口を含む液体除去デバイスであって、出口が細長い抽出部を形成し、液体除去デバイスと基板テーブルが、抽出部が基板テーブルと基板の間に規定されたギャップのいずれかの部分上に位置する場合に、ギャップの部分の正接が細長い抽出部の正接に対して約20°と90°の間の角度を規定するように、相互に対して動作可能である、液体除去デバイスとを含むリソグラフィ装置。0017次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。0026図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射ビームB例えばUV放射またはDUV放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナPMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMTと、基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つまたは複数のダイを含むに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSとを含む。0027照明システムILは、放射の誘導、整形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、またはその任意の組合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。0028支持構造MTは、パターニングデバイスMAを支持、つまりその重量を支えている。これは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスMAを保持する。支持構造MT例えばマスクテーブルは、パターニングデバイスMAを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造MTは、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。支持構造MTは、パターニングデバイスMAが例えば投影システムPSなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクルまたはマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0029本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。0030パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。0031本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なされる。0032ここに示している本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する。0033リソグラフィ装置は2つデュアルステージまたはそれ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つまたは複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つまたは複数のテーブルで予備工程を実行することができる。0034図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0035イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタAMを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側および/または内側半径範囲一般にそれぞれ、σouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。0036放射ビームBは、支持構造MT例えばマスクテーブル上に保持されたパターニングデバイスMA例えばマスクに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームBはマスクMAを通り抜けて、基板Wのターゲット部分C上にビームを集束する投影システムPSを通過する。以下でさらに説明する液浸フードIHが、投影システムPSの最終要素と基板Wの間の空間に液浸液を供給する。0037第二ポジショナPWおよび位置センサIF例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサの助けにより、基板テーブルWTを、例えば放射ビームBの経路において様々なターゲット部分Cに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナPMおよび別の位置センサ図1には明示されていないを使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルMTの移動は、第一位置決めデバイスPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを用いて実現できる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第二ポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、マスクアラインメントマークM1、M2および基板アラインメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよいスクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる。同様に、パターニングデバイスMA例えばマスク上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。0038図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。00391.ステップモードにおいては、支持構造MTおよび基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち1回の静止露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向および/またはY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。00402.スキャンモードにおいては、支持構造MTおよび基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影するつまり1回の動的露光。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大縮小および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分のスキャン方向における高さが決まる。00413.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。0042上述した使用モードの組合せおよび/または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。0043本発明の実施形態は、基板Wの上面全体を液浸液中で覆うことができる液体液浸システム例えば国際特許公開WO2005/064405号参照に特に有用である。しかし、本発明の実施形態は、乾燥が必要な他のタイプの液浸システム、特に液体が、例えば基板と基板テーブルWTの間のギャップに捕捉される任意のタイプにも適用可能である。0044図6aは、本発明の実施形態による液体除去デバイス200の上面図を示す。基板サイズの変動を考慮して、基板Wと基板テーブルWTの間にギャップ100が存在する。基板Wの上面と基板テーブルWTが実質的に同一平面上になるように、基板Wが基板テーブルWTの窪み内に配置される。液体除去デバイス200は、基板Wと基板テーブルWTの間のギャップ100からなど、基板テーブルWTの上面および/または基板Wから液体を除去するように構成される。0045液体除去デバイス200は、低圧源図6には図示せずに接続された出口または抽出部210を含む。出口または抽出部210は、液体除去デバイス200の底面に形成される。液体除去デバイス200の底面は、出口210のいずれかの側に、液体除去デバイス200と基板Wおよび基板テーブルWTとの相互運動205の方向で基板テーブルWの上面および基板テーブルWTと実質的に平行である表面を含む。これらの平行な表面は、同一平面上にあることが好ましく、液体除去デバイス200の下側にある2つの突起250と見なすことができる。これらの平行な表面の目的については、以下でさらに詳細に説明する。低圧源は真空ポンプとできる。0046図6aには、細長い形状の1つの出口であるように、出口または抽出部210が図示されている。しかし、出口は列を形成するように相互に並んで形成された複数の出口例えば複数の穴の形態でもよい。図8および図9に関して説明するように、出口または抽出部210は、必ずしも直線である必要はなく、したがって穴の列は必ずしも直線である必要はなく、湾曲するか、角張っていてもよい。出口または抽出部210は、2006年12月7日に出願され、乾燥ユニットに関連して参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願第11/635,082号で開示されているように、一連の出口の形態とすることができる。少なくとも1つの出口が、低圧源に接続された抽出部を形成する。0047本発明の発明者は、ギャップ100に沿ってギャップに残っている液体に向かい方向105でガスの流れを生成できれば、これはギャップから液体を除去する際に液体除去デバイスの効率を大幅に改善することを発見した。したがって、抽出部210または抽出部210の出口は、ギャップに沿って出口へ、および出口に隣接するギャップ100内のギャップ100への流れを生成するように、ギャップに対して移動する。0048本発明の発明者は、このガスの流れ105を生成する1つの方法が、抽出部210を、ギャップ100上の局所的位置にてギャップ100に対して直角に配置することであるのを発見した。直角の方向が最も望ましいが、これが常に実際的とは限らない。しかし、本発明の発明者は、抽出部210の局所的部分に対する正接211の方向が、ギャップ100の局所的正接101に対して約20°と90°の間の角度δである場合に、十分なガス流105を達成できることを発見した。この相対的方向が図6bに図示されている。本発明の実施形態では、角度δは約35または50°と90°の間であることが好ましく、本発明の実施形態では、約70°と90°の間であることが、さらに好ましい。角度δは、2つの正接101、211間の鋭角である。0049これを達成する1つの構成が、図6aおよび図7に図示されている。つまり、液体除去デバイス200の幾何形状は、抽出部210の局所的細長い方向つまり横方向図7の矢印255で図示に直角の方向に高い流れ抵抗があるように構成される。したがって、抽出部210が、図6に図示するようにつまり20°と90°の間の角度δでギャップ100の局所的方向に対して配向されると、矢印105で示すようなギャップ100に沿って、図7に図示された路255よりも流れ抵抗が低い路が存在する。ギャップ100に沿った流れ抵抗の方が低いので、抽出部210の外側で、それを囲む雰囲気からのガスは、図示のように抽出部210に向かってこの方向105に沿って優先的に移動する。0050図6に示す実施形態では、抽出部210は実質的に直線である。したがって、流れ105を獲得し、それによってギャップ100から液体を効率的に抽出するために、抽出プロセスの任意の時間に、最初に抽出部210が通り越している基板Wが位置するおよびギャップ100の一方の縁部を形成する窪みの縁部の任意の局所的部分が、その任意の時間に縁部の局所的部分上に位置する抽出部の局所的部分の局所的正接に対して、約20°と90°の間の角度δに配向された局所的正接を、平面にて有することを保証するために、コントローラを提供することが望ましい。0051抽出部の幾何形状、およびその位置特に方向および基板からの高さは、突起250と基板の上面または基板テーブルWTとの間を流れるガスの流れ抵抗が、ギャップ100に沿った方向よりも少なくとも25、好ましくは50、さらに好ましくは75、さらに好ましくは100大きくなるように選択することが好ましい。0052基板Wの上面は、ギャップから液体を除去するのと同じ時間に乾燥できることが望ましい。実施形態では、基板テーブルWTに対して1つの相対方向のみで基板テーブルWT上で相対運動することによって、これを達成することができる液体除去デバイス200が提供される。これは、動きの複雑さを最小限に抑え、基板の上面および/または基板テーブルを乾燥する最速の方法でもある。図8aから図8bおよび図9は、抽出部210の形状が、その目的を達成するように設計された1つのこのような実施形態を示す。0053図8aから図8bでは、抽出部210は2つの抽出部210a、210bを含み、その一方は抽出部200が通り越す基板Wの第一半分から液体を除去するために使用され、その他方210bは、液体除去デバイス200が通り越す基板Wの第二半分から液体を除去するために使用される。0054溝210a、210bは、通り越されるギャップ100の部分上で抽出部210a、210bの局所的部分の正接が、常にギャップの局所的正接に対して約90°に近いような形状である。図8aに見られるように、これは、平面で抽出部210a、210bの形状が、基板の中心で無限に近い周波数で、基板の縁部ではゼロの周波数まで減少する波形である幾何形状の抽出部210a、210bを提供することによって達成される。0055幅方向で基板の最大寸法では、図示のように、抽出部210aがほぼ直線であり、実際に先端では、最も外側の部分212が実質的に平行であり、実際に同一直線上にさえなることが分かる。これらの最も外側の部分212間で、抽出部210a、210bは湾曲しており、それが同一直線上の外側部分212から最大で偏向するのは、曲線形態の周波数も最大となる中心部分216である。0056この実施形態では、抽出部の中心部分216は、基板Wの中心と並んでいる。0057中心部分216と2つの外側部分212との間には、曲線の形状が、中心部分216に存在する曲線のタイプから端部分212に存在する曲線のタイプまで漸進的に変化する中央部分214がある。0058この方法で、ギャップ100と接触する抽出部210aの第一部分は、鋭角での中心部分216である。したがって、鋭角のいずれかの側で、抽出部210aは、基板Wの底部にある水平ギャップ100に対してほぼ直角である。液体除去デバイス200が上昇すると、基板Wおよびギャップ100内の液体のメニスカスが、中心部分から外側へ移動し、ギャップ100内で中心部分216の下からギャップ内のメニスカスに向かって、中心部分から外側へと空気の流れが生成される。したがって、抽出部210a、210bが最初に通り越すギャップ100の局所的部分は全て、平面にて、その局所的正接を、その任意の時間にギャップの局所的部分上に位置する抽出部の局所的部分の局所的正接に対して20°と90°の間の角度に配向する。0059図8bを参照すると、抽出部210a、210bの両方が、ギャップ100と交差する場所で90°であることが分かる。図8の実施形態では、液体除去デバイス200が基板W上を約半分通過すると、第一抽出部210aが停止され、第二抽出部210bが起動される。この方法で、ギャップの局所的正接に対する抽出部の局所的正接の方向を維持することができる。他の実施形態は、2つの抽出部210a、210bより多くを含んでもよい。0060図8aから図8bの抽出部210a、210bの形状によって、ギャップ内の液体を効率的に除去することができる。図9は、本発明の実施形態に従ってさらに容易に製造することができる、さらに単純な幾何形状の抽出部を示す。図9の抽出部は、図8aから図8bのそれと同じであるが、形状がさらに単純である。図9の抽出部では、2つの端部分212が同一平面上にあり、抽出部210の中心部分215に対して中心に配置される。00612つの端部分212の間にある抽出部210の中心部分215は、三角波の形態を有する。端部分212から等距離の位置で、抽出部210は、端部分212と同一直線上にある線から最大距離にある三角形の頂部。抽出部のこの形状は、単純な構成で、1つの抽出部210しか使用せずに、所望の角度δを達成する。0062本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハまたはダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板またはターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジツールおよび/またはインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。0063本明細書で使用する放射およびビームという用語は、紫外線UV放射例えば、365nm、248nm、193nm、157nmもしくは126nm、またはその近辺の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。0064レンズという用語は、状況が許せば、屈折および反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか、またはその組合せを指す。0065以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気または光ディスクの形態をとることができる。0066本発明は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。0067上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。"