"第一の層と、前記第一の層の下部に位置し、前記第一の層とともにキャビティを形成する第二の層と、前記キャビティ内に配置された複数のディスプレイ素子と、前記第一の層及び前記第二の層の間に配置されたダイアフラムと、を備え、前記ダイアフラムが、前記第一の層及び前記第二の層の間の相対的な運動に基づいて移動するように構成され、前記ダイアフラムが、前記キャビティ内の内部圧力及び前記キャビティ外の外部圧力の間の圧力差を測定するように構成された、ディスプレイ。前記ダイアフラム及び前記第二の層の間の静電容量を測定するように構成された処理回路をさらに備える、請求項1に記載のディスプレイ。前記ダイアフラムの第一の面が前記キャビティに露出され、前記ダイアフラムの第二の面が前記キャビティの外部環境に露出された、請求項1に記載のディスプレイ。前記ディスプレイが、音波を検出するように構成された、請求項1に記載のディスプレイ。前記第一の層がガラス層である、請求項1に記載のディスプレイ。前記第二の層がガラス層である、請求項1に記載のディスプレイ。第一の層と、前記第一の層の下部に位置し、前記第一の層とともにキャビティを形成する第二の層と、前記第一の層及び前記第二の層の間に配置されたダイアフラムと、を備え、前記ダイアフラムが、前記第一の層及び前記第二の層の間の相対的な運動に基づいて移動するように構成され、前記ダイアフラムが、前記キャビティ内の内部圧力及び前記キャビティ外の外部圧力の間の圧力差を測定するように構成された、デバイス。前記ダイアフラムと前記第二の層の間の静電容量を測定するように構成された処理回路をさらに備える、請求項7に記載のデバイス。前記ダイアフラムの第一の面が前記キャビティに露出され、前記ダイアフラムの第二の面が前記キャビティの外部環境に露出された、請求項7に記載のデバイス。前記デバイスが、音波を検出するように構成された、請求項7に記載のデバイス。前記第一の層がガラス層である、請求項7に記載のデバイス。前記第二の層がガラス層である、請求項7に記載のデバイス。第一の層と、前記第一の層の下部に位置し、前記第一の層とともにキャビティを形成する第二の層と、前記キャビティ内に配置された複数のディスプレイ素子と、前記第一の層及び前記第二の層の間の相対的な運動を測定するように構成されたセンサと、を備えるディスプレイ。前記センサが、前記第一の層及び前記第二の層の間の静電容量を測定するようにさらに構成された、請求項13に記載のディスプレイ。前記センサが、前記第一の層の中央部および前記第二の層の中央部の間の静電容量を測定するようにさらに構成された、請求項14に記載のディスプレイ。前記ディスプレイが、音波を検出するように構成された、請求項13に記載のディスプレイ。前記第一の層がガラス層である、請求項13に記載のディスプレイ。前記第二の層がガラス層である、請求項13に記載のディスプレイ。第一の層を提供する段階と、前記第一の層の下部に位置し、前記第一の層とともにキャビティを形成する第二の層を提供する段階と、前記キャビティ内に配置された複数のディスプレイ素子を提供する段階と、前記第一の層及び前記第二の層の間に配置されたダイアフラムを提供する段階と、を備え、前記ダイアフラムが、前記第一の層及び前記第二の層の間の相対的な運動に基づいて移動するように構成され、前記ダイアフラムが、前記キャビティ内の内部圧力及び前記キャビティ外の外部圧力の間の圧力差を測定するように構成された、ディスプレイの製造方法。前記ダイアフラム及び前記第二の層の間の静電容量を測定するように構成された処理回路を提供する段階をさらに備える、請求項19に記載の方法。前記ダイアフラムの第一の面が前記キャビティに露出され、前記ダイアフラムの第二の面が前記キャビティの外部環境に露出された、請求項19に記載の方法。前記ディスプレイが、音波を検出するように構成された、請求項19に記載の方法。第一の層を提供する段階と、前記第一の層の下部に位置し、前記第一の層とともにキャビティを形成する第二の層を提供する段階と、前記第一の層及び前記第二の層の間に配置されたダイアフラムを提供する段階と、を備え、前記ダイアフラムが、前記第一の層及び前記第二の層の間の相対的な運動に基づいて移動するように構成され、前記ダイアフラムが、前記キャビティ内の内部圧力及び前記キャビティ外の外部圧力の間の圧力差を測定するように構成された、デバイスの製造方法。前記ダイアフラムと前記第二の層の間の静電容量を測定するように構成された処理回路を提供する段階をさらに備える、請求項23に記載の方法。前記ダイアフラムの第一の面が前記キャビティに露出され、前記ダイアフラムの第二の面が前記キャビティの外部環境に露出された、請求項23に記載の方法。前記デバイスが、音波を検出するように構成された、請求項23に記載の方法。第一の層を提供する段階と、前記第一の層の下部に位置し、前記第一の層とともにキャビティを形成する第二の層を提供する段階と、前記キャビティ内に配置された複数のディスプレイ素子を提供する段階と、前記第一の層及び前記第二の層の間の相対的な運動を測定するように構成されたセンサを提供する段階と、を備えた、ディスプレイの製造方法。前記センサが、前記第一の層及び前記第二の層の間の静電容量を測定するようにさらに構成された、請求項27に記載の方法。前記センサが、前記第一の層の中央部および前記第二の層の中央部の間の静電容量を測定するようにさらに構成された、請求項28に記載の方法。前記ディスプレイが音波を検出するように構成された、請求項27に記載の方法。前記第一の層がガラス層である、請求項27に記載の方法。前記第二の層がガラス層である、請求項27に記載の方法。第一の層と、前記第一の層の下部に位置し、前記第一の層とともにキャビティを形成する第二の層と、前記キャビティ内に配置される表示する手段と、前記第一の層及び前記第二の層の間に配置される移動する手段と、を備え、前記移動する手段が、前記第一の層及び前記第二の層の間の相対的な運動に基づいて移動するように構成され、前記移動する手段が、前記キャビティ内の内部圧力及び前記キャビティ外の外部圧力の間の圧力差を測定するように構成された、ディスプレイ。前記移動する手段及び前記第二の層の間の静電容量を測定する手段をさらに備える、請求項33に記載のディスプレイ。前記移動する手段の第一の面が前記キャビティに露出され、前記移動する手段の第二の面が前記キャビティの外部環境に露出される、請求項33に記載のディスプレイ。前記ディスプレイが音波を検出するように構成された、請求項33に記載のディスプレイ。第一の層と、前記第一の層の下部に位置し、前記第一の層とともにキャビティを形成する第二の層と、前記第一の層及び前記第二の層の間に配置された移動する手段と、を備え、前記移動する手段が、前記第一の層及び前記第二の層の間の相対的な運動に基づいて移動するように構成され、前記移動する手段が、前記キャビティ内の内部圧力及び前記キャビティ外の外部圧力の間の圧力差を測定するように構成された、デバイス。前記移動する手段及び前記第二の層の間の静電容量を測定する手段をさらに備える、請求項37に記載のデバイス。前記移動する手段の第一の面が前記キャビティに露出され、前記移動する手段の第二の面が前記キャビティの外部環境に露出された、請求項37に記載のデバイス。前記デバイスが音波を検出するように構成された、請求項37に記載のデバイス。第一の層と、前記第一の層の下部に位置し、前記第一の層とともにキャビティを形成する第二の層と、前記キャビティ内に配置された表示する手段と、前記第一の層及び前記第二の層の間の相対的な運動を測定する手段と、を備える、ディスプレイ。前記測定する手段が、前記第一の層及び前記第二の層の間の静電容量を測定するようにさらに構成された、請求項41に記載のディスプレイ。前記測定する手段が、前記第一の層の中央部および前記第二の層の中央部の間の静電容量を測定するようにさらに構成された、請求項42に記載のディスプレイ。前記ディスプレイが音波を検出するように構成された、請求項41に記載のディスプレイ。前記第一の層がガラス層である、請求項41に記載のディスプレイ。前記第二の層がガラス層である、請求項41に記載のディスプレイ。本明細書でより詳細に説明するように、一方の平板のもう一方に対する位置関係は、干渉変調器に入射する光の光学的な干渉を変化させることができる。そのようなデバイスは幅広い領域で応用することができ、既存の製品を改良し、これまで開発されていない新しい製品の創出にその特徴が利用できるように、これらのタイプのデバイスの特性を利用可能とし及び/または改良することは、当技術分野にとって有益であろう。以下の詳細な説明は特定の具体的な実施形態に向けられたものである。しかしながら、本明細書で示される内容は多数の異なる方法で応用することができる。この説明において、図面において類似した部品は類似した符号で一貫して参照される。実施形態は動画例えばビデオ、静止画例えば写真画像及び文字または図表のどちらかのような画像を表示するように構成されたどのようなデバイスにも実装されうる。より具体的には、実施形態は様々な電子デバイスの内部にあるいは関連して実装されてもよく、携帯電話、無線デバイス、個人データ端末PDA、携帯型コンピュータ、GPS受信機/ナビゲータ、カメラ、MP3プレイヤー、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、置時計、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータ用モニタ、自動車の表示例えば距離計表示など、コックピット制御デバイス及び/またはディスプレイデバイス、カメラビューディスプレイデバイス例えば自動車における後方視界カメラのディスプレイ、電子写真、電子掲示板または電子看板、プロジェクタ、建築構造物、パッケージ、美的構造物例えば、宝石片上への画像の表示に実装されてもよいが、これに限定されるものではない。本明細書で説明したものに類似した構造のMEMSデバイスを、電子スイッチデバイスのようなディスプレイ以外の応用にも用いることができる。本明細書において、ディスプレイを用いて圧力及び/または運動を検出することに関する方法及びデバイスが説明される。ディスプレイ例えば、フラットパネルモニタは、前面ガラスと背面ガラスとを備え、その間にはディスプレイ素子が配置されている。前面ガラスに印加される力または圧力によって、ガラスは背面ガラスに対して運動しうる。例えば、音波が前面ガラスに接触して、前面ガラスを振動または運動させうる。本明細書において説明される方法及びデバイスは、その相対的な運動を検出し、それを前面ガラスに印加された圧力の変化に対応させるように構成されうる。例えば、本明細書で説明されるように、ディスプレイはマイクまたは加速度計として用いられうる。本明細書において説明される方法及びデバイスは、干渉変調器を用いるディスプレイに関して説明される。しかしながら、当業者であれば類似した方法及びデバイスが他の適切なディスプレイ技術とともに用いられうることを理解するであろう。干渉MEMSディスプレイ素子を備える干渉変調器ディスプレイの一実施形態は、図1に示される。このようなデバイスでは、画素は明状態または暗状態のいずれかにある。明状態緩和状態または開状態では、ディスプレイ素子は使用者に対して入射可視光の大部分を反射する。暗状態作動状態または閉状態では、ディスプレイ素子は使用者に対して入射可視光をほとんど反射しない。実施形態に応じて、オン状態とオフ状態の光の反射率特性は反対でありうる。MEMS画素は黒及び白に加えて、カラーディスプレイが実現できるように選択された色を主に反射するように構成することもできる。図1は視覚ディスプレイの一連の画素のうち二つの隣接した画素を示す等角図であり、それぞれの画素はMEMS干渉変調器を備える。ある実施形態において、干渉変調器ディスプレイは、これらの干渉変調器の行/列アレイを備える。それぞれの干渉変調器は、少なくとも一つの可変な大きさを有する光学共振ギャップを形成するようにたがいに対して可変かつ制御可能な距離に位置させられる一対の反射層を含む。一実施形態において、反射層のうち一つは二つの位置の間を動くものでありうる。本明細書では緩和位置として称される第一の位置において、可動反射層は固定された部分的に反射性の層から相対的に大きな距離を取って位置させられる。本明細書では作動位置として称される第二の位置において、可動反射層は部分的に反射性の層とより近接して位置される。二つの層から反射された入射光は可動反射層の位置によって強めあいまたは弱めあって干渉し、それぞれの画素に対して全反射または非反射のいずれかの状態となる。図1の画素アレイの示された部分は、二つの隣接した干渉変調器12a、12bを含む。左側に位置する干渉変調器12aでは、可動反射層14aが部分的に反射性の層を含む光学積層体16aから所定の距離で緩和位置にある状態が示されている。右側に位置する干渉変調器12bでは、可動反射層14bが光学積層体16bに対して近接した作動位置にある状態が示されている。光学積層体16a、16bまとめて光学積層体16と称するは、本明細書に示すように、典型的にはいくつかの融合した層を備え、融合した層はインジウムスズ酸化物ITOのような電極層と、クロムのような部分的に反射性の層と、透明の誘電体と、を含んでもよい。従って光学積層体16は導電性であり、部分的に透明かつ部分的に反射性である。また光学積層体16は例えば、透明な基板20上に上述の層の一つまたは複数を成膜することにより形成されうる。部分的に反射性の層は、様々な金属や半導体や誘電体のような部分的に反射性である様々な材料から形成することができる。部分的に反射性の層は、一つまたは複数の材料の層から形成することができ、層のそれぞれは単一の材料または複数の材料の組み合わせで形成されてもよい。ある実施形態において、光学積層体16の層は、平行な帯状にパターニングされ、さらに後述するようにディスプレイデバイスにおいて行電極を形成しうる。可動反射層14a、14bは成膜された金属の単一または複数の層の平行な一連の帯状行電極16a、16bと直交するとして形成され、ポスト18の頂部及びポスト18の間に成膜された中間犠牲材料の上に成膜されて列を形成しうる。犠牲材料が除去されると、可動反射層14a、14bは光学積層体16a、16bから所定のギャップ19だけ離隔される。アルミニウムのような導電性及び反射性の高い材料が反射層14として用いられてもよく、このような帯状パターンはディスプレイデバイスの列電極を形成しうる。図1は必ずしも正しいスケールではないことに注意しなければならない。ある実施形態において、ポスト18の間の間隔は10~100μmのオーダーであってよく、一方ギャップ19は1000Åよりも小さなオーダーでありうる。電圧が印加されていない状態では、図1の画素12aに示されるように、ギャップ19は可動反射層14a及び光学積層体16aの間に存在し、可動反射層14aは機械的に緩和状態にある。しかしながら、電位差電圧が選択された行および列に印加されると、対応する画素の行電極と列電極との交差位置に形成されるキャパシタは充電され、静電引力が電極を互いに引き付ける。電圧が十分高いと、可動反射層14は変形し、光学積層体16に押し付けられる。図1の右側に位置する作動した画素12bによって示されるように、光学積層体16に含まれる誘電体層この図には図示されないは、層14と16の間のショートを防ぎ、層の間の離隔距離を制御しうる。印加された電位差の極性に係わらず、動作は同一である。図2から図5は、ディスプレイへの応用における干渉変調器アレイを用いるための例示的な一プロセス及びシステムを示す。図2は、干渉変調器を組み込みうる電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。電子デバイスは、ARM登録商標、Pentium登録商標、8051、MIPS登録商標、PowerPC登録商標またはALPHA登録商標のようなどのような汎用の単一またはマルチチップマイクロプロセッサでもありうるプロセッサ21、またはデジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラやプログラマブルゲートアレイのようなどのような特殊用途のマイクロプロセッサでもありうるプロセッサ21を含む。当技術分野で従来用いられるように、プロセッサ21は一つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成されうる。オペレーティングシステムの実行に加えて、プロセッサはウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、またはその他どのようなソフトウェアアプリケーションであっても含む一つまたは複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成されうる。一実施形態において、プロセッサ21はまたアレイドライバ22と通信するように構成される。一実施形態において、アレイドライバ22はディスプレイアレイまたはパネル30へ信号を提供する行駆動回路24及び列駆動回路26を含む。図1に示されるアレイの断面図は、図2の1-1線で示される。図2は明瞭化のために、干渉変調器の3×3アレイを示しているが、ディスプレイアレイ30は非常に多数の干渉変調器を備えていてもよく、列と比べて行が異なる数の干渉変調器を有しうる例えば、行あたり300画素、列あたり190画素ことに注意しなければならない。図3は、図1の干渉変調器の例示的な一実施形態において、印加される電圧に対する可動鏡の位置の図である。MEMS干渉変調器において、行/列作動プロトコルは、図3に示すようなこれらのデバイスのヒステリシス特性を利用しうる。干渉変調器は例えば、可動層を緩和状態から作動状態に変形させるために10ボルトの電位差を必要としうる。しかしながら、その値から電圧を下げると、電圧が10ボルト以下に落ちても可動層はその状態を保つ。図3の例示的な実施形態においては、可動層は電圧が2ボルト以下に下がるまで完全には緩和しない。従って図3に示された例においては約3Vから7Vの電圧範囲があり、そこではデバイスが緩和状態または作動状態のいずれかで安定であるような印加電圧のウィンドウが存在する。これを本明細書では、ヒステリシスウィンドウまたは安定ウィンドウと呼ぶ。図3のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイにおいて、行/列作動プロトコルは、行のストローブの間、作動させるべきストローブされる行の画素に約10ボルトの電圧が印加され、緩和させるべき画素に0ボルト近い電圧が印加されるように設計することができる。ストローブ後、画素には、画素が行ストローブによって置かれたどのような状態であれ維持するような、安定状態または約5ボルトのバイアス電圧が印加される。書き込み後、画素のそれぞれは、この例では3から7ボルトの安定ウィンドウ内の電位差におかれる。この特徴により、図1に示す画素の設計を、作動または緩和の既存状態のいずれかの状態で、同一の印加電圧状態で安定であるようにする。干渉変調器の画素それぞれは、作動状態であれ緩和状態であれ、本質的には固定反射層及び可動反射層によって形成されるキャパシタなので、この安定な状態はほとんど電力を散逸することなく、ヒステリシスウィンドウの範囲内の電圧において保持することができる。印加された電位が固定されていれば、本質的に画素へ電流が流入することはない。さらに後述するように、典型的な応用例においては、画像のフレームはそれぞれ特定の電圧レベルを有するデータ信号のセットを、第一の行の作動される画素の所定のセットに従って列電極のセットに渡って送信することにより生成されうる。次いで、行パルスが第一の行電極に印加され、データ信号のセットに対応する画素を作動させる。次いで、データ信号のセットは第二の行の作動される画素の所定のセットに対応するように変更される。次いで、パルスが第二の行電極に印加され、データ信号に従って第二の行の適切な画素を作動する。画素の第一の行は第二の行パルスには影響されず、第一の行パルスで設定された状態を保つ。これが順に一連の行全体に対して繰り返され、フレームを生成しうる。一般に、毎秒ある所定のフレーム数についてこのプロセスを連続的に繰り返すことにより、フレームは新しい画像データに更新及び/または上書きされる。画像フレームを生成するために、画素アレイの行および列電極を駆動する幅広い様々なプロトコルが使用されうる。図4及び5は、図2の3×3アレイにおいて表示フレームを生成するための可能な作動プロトコルを示している。図4は、図3のヒステリシス曲線を示す画素に対して用いられうる可能な列電圧及び行電圧レベルの組を示している。図4の実施形態において、画素の作動には、適切な列に-Vbiasを設定し、適切な行に、それぞれ-5ボルトまたは5ボルトに対応しうるΔVを設定することを含む。画素の緩和には、適切な列にVbiasを印加し、適切な行に同じΔVを印加して、画素に0ボルトの電位差を与えることによって達成される。行電圧が0ボルトに保たれた行において、画素はもともとどのような状態であれ、列がVbiasか-Vbiasかにかかわらず安定である。また図4に示されるように、上述したのとは反対の極性の電圧が用いられてもよく、例えば、画素の作動は適切な列にVbiasを印加し、適切な行に-ΔVを印加することを含むことも可能である。本実施形態では、画素の開放は、適切な列を-Vbiasに設定し、適切な行を同じ-ΔVに設定し、画素に0ボルトの電位差を作り出すことによって達成される。図5Bは、図2の3×3アレイに印加される一連の行信号及び列信号を示すタイミング図であり、その結果、図5Aに示される表示状態が得られ、作動した画素は非反射性である。図5Aに示されたフレームを書き込む前には、画素はどのような状態であってもよく、本例では、全ての行が初期状態において0ボルトであり、全ての列が5Vである。この印加電圧で、全ての画素は既存の作動状態または緩和状態で安定となる。図5Aのフレームにおいて、1,1、1,2、2,2、3,2及び3,3の画素が作動状態である。この状態を達成するためには、行1のライン時間の間に、列1及び2が―5Vに設定され、列3は5Vに設定される。すべての画素が3ボルトから7ボルトの安定ウィンドウ内にあるため、この動作によって、どの画素の状態も変化しない。その後、0ボルトから5ボルトに上がり、0ボルトに戻るパルスで行1がストローブされる。これによって1,1及び1,2の画素が作動し、1,3の画素が緩和される。アレイ中のその他の画素はいずれも影響されない。行2を所定の状態に設定するためには、列2は-5ボルトに設定され、列1及び列3は5ボルトに設定される。行2に同様のストローブが印加され、画素2,2が作動し、画素2,1及び画素2,3が緩和される。再び、アレイ中のその他の画素はいずれも影響されない。同様に、列2及び列3が-5ボルトに設定され、列1が5ボルトに設定されて行3が設定される。図5Aに示されるように、行3をストローブし、行3の画素を設定する。フレームを書き込むと、行の電位は0となり、列の電位は5Vまたは-5Vのいずれの状態のままでも良く、このとき表示は図5Aの配置で安定となる。同じ手順が、何ダースの、あるいは何百の行および列のアレイに対しても適用することができる。行および列の作動に用いられる時間、順序、電圧レベルは、上述した一般的な原理内で幅広く変化させることができる。また、上述した例は単に例示的なものにすぎず、本明細書において説明されたシステムや方法とともに、どのような作動電圧の方法が用いられてもよい。図6Aおよび図6Bは、ディスプレイデバイス40の実施形態を示すシステムブロック図である。ディスプレイデバイス40は、例えば、携帯電話であってよい。しかしながら、ディスプレイデバイス40と同じ要素や、そのわずかに変形した例もまた、例えばテレビや携帯メディアプレーヤーのような様々な種類のディスプレイデバイスの例として適用することができる。ディスプレイデバイス40は、筐体41と、ディスプレイ30と、アンテナ43と、スピーカー45と、入力装置48と、マイク46と、を含む。筐体41は、一般にどのような種々の製造方法から形成されてもよく、射出成形や真空成形が含まれる。さらに、筐体41は、どのような種々の材料から形成されてもよく、プラスチックや、金属や、ガラスや、ゴムや、セラミックや、それらを組み合わせた材料を含んでもよいが、それに限定されることはない。一実施形態において、筐体41は、図示されない取り外し可能な部品を含み、その部品は、様々な色を備え、様々なロゴや絵、シンボルなどを含む他の取り外し可能な部品と交換できるものでありうる。例示的なディスプレイデバイス40のディスプレイ30は、本明細書において説明されるような2状態安定ディスプレイを含むどのような種々なディスプレイでもありうる。他の実施形態においては、ディスプレイ30は、上述したようにプラズマディスプレイやELディスプレイ、OLEDディスプレイ、STNLCDディスプレイ、TFTLCDディスプレイのようなフラットパネルディスプレイ、またはCRTディスプレイや他のブラウン管装置のような非平面パネルディスプレイを含む。しかしながら、本実施形態の説明の目的のために、ディスプレイ30は本明細書で説明するように干渉変調ディスプレイを含む。図6Bに、例示的なディスプレイデバイス40の一実施形態の部品の概略図を示す。図示された例示的なディスプレイデバイス40は筐体41を含み、その内部に少なくとも部分的に収容された付加的な部品を含んでもよい。例えば、一実施形態において、例示的なディスプレイデバイス40は送受信部47に接続されるアンテナ43を含むネットワークインターフェース27を含む。送受信部47はプロセッサ21に接続され、プロセッサ21は調整用ハードウェア52に接続される。調整用ハードウェア52は信号を調整する例えば信号のフィルタように構成されうる。調整用ハードウェア52はスピーカー45およびマイク46に接続される。プロセッサ21はまた入力装置48およびドライバコントローラ29に接続される。ドライバコントローラ29はフレームバッファ28およびアレイドライバ22に接続され、アレイドライバ22はディスプレイアレイ30に接続される。電源部50は具体例のディスプレイデバイス40の設計によって要求されるすべての部品に電力を供給する。ネットワークインターフェース27は、例示的なディスプレイデバイス40がネットワークを介して一つまたは複数の装置と通信可能なように、アンテナ43と送受信部47とを含む。一実施形態において、ネットワークインターフェース27はまたプロセッサ21の要求を支援するデータ処理能力を有しうる。アンテナ43は、信号を送受信するどのようなアンテナであってもよい。一実施形態において、アンテナは、IEEE802.11a、b、gを含むIEEE802.11規格に従って、RF信号を送受信する。他の一実施形態においては、アンテナはブルートゥース登録商標規格に従ってRF信号を送受信する。携帯電話の場合には、アンテナはCDMA、GSM登録商標、AMPS、W-CDMAまたは無線携帯電話ネットワーク内で通信するために用いられる他の既知の信号を受信できるように設計される。送受信部47はアンテナ43から受信した信号を事前処理し、プロセッサ21が受け取り、またさらに処理できるようにする。送受信部47はまた、例示的なディスプレイデバイス40からアンテナ43を介して送信されうるように、プロセッサ21から受信した信号を処理する。他の代替的な一実施形態において、送受信部47を受信器に置き換えてもよい。またさらに他の代替的な一実施形態において、ネットワークインターフェース27は画像供給部によって置き換えられてもよい。画像供給部は、プロセッサ21に送られる画像データを蓄積または生成することができる。例えば、画像供給部は画像データを含むデジタルビデオディスクDVDまたはハードディスクドライブ、または画像データを生成するソフトウェアモジュールであってよい。プロセッサ21は、一般に例示的なディスプレイデバイス40のすべての動作を制御する。プロセッサ21はネットワークインターフェース27や画像供給部から圧縮された画像データのようなデータを受信し、データを元画像データまたはすでに元画像データに処理されたフォーマットに処理する。その後、プロセッサ21は処理されたデータをドライバコントローラ29または蓄積のためにフレームバッファ28に送信する。元データは典型的には、画像内の各位置の画像の特性を特定する情報を示す。例えば、そのような画像の特性は、色や、彩度や、階調を含んでもよい。一実施形態において、プロセッサ21は例示的なディスプレイデバイス40の動作を制御するマイクロコントローラ、CPU、またはロジックユニットを含む。調整用ハードウェア52は一般にスピーカー45に信号を送信し、マイク46からの信号を受信するための増幅器やフィルタを含む。調整用ハードウェア52は例示的なディスプレイデバイス40に含まれるディスクリート部品でありえ、またはプロセッサ21や他の部品に組み込まれたものでありうる。ドライバコントローラ29は、プロセッサ21によって生成された元画像データを、直接プロセッサ21またはフレームバッファ28のどちらかから取得し、元画像データをアレイドライバ22に高速転送するのに適するように変換する。具体的には、ドライバコントローラ29は、元画像データを、ディスプレイアレイ30を横切って走査するのに適した時間順を有するような、ラスター状のフォーマットを有するデータフローに変換する。その後、ドライバコントローラ29は変換された情報をアレイドライバ22に送信する。液晶ディスプレイコントローラのようなドライバコントローラ29は、しばしば独立した集積回路ICとしてシステムプロセッサ21と統合されるが、このようなコントローラは様々な方法で実装されうる。コントローラはハードウェアとしてプロセッサ21に埋め込まれてもよく、ソフトウェアとしてプロセッサ21内に埋め込まれうる。またハードウェア内でアレイドライバ22と完全に統合されうる。典型的には、アレイドライバ22は、ドライバコントローラ29からフォーマットされた情報を受信し、動画データを波形の平行したセットに変換する。変換された波形の平行セットは、ディスプレイのxy画素配列から延びる数百、時には数千のリード線へ毎秒何度も適用される。一実施形態においては、ドライバコントローラ29、アレイドライバ22、及びディスプレイアレイ30は本明細書において説明されたどのような型のディスプレイにも適している。例えば、一実施形態において、ドライバコントローラ29は従来のディスプレイコントローラまたは2状態安定ディスプレイコントローラ例えば、干渉変調器コントローラである。他の一実施形態において、アレイドライバ22は従来のドライバまたは2状態安定ディスプレイドライバ例えば、干渉変調ディスプレイである。一実施形態において、ドライバコントローラ29はアレイドライバ22と統合される。このような実施形態は、携帯電話や、時計や、その他の小さな領域を占めるディスプレイのような高度に統合されたシステムでは一般的である。また他の一実施形態においては、ディスプレイアレイ30は典型的なディスプレイアレイまたは2状態安定ディスプレイアレイ例えば、干渉変調器アレイを含むディスプレイである。入力装置48を用いれば、使用者は例示的なディスプレイデバイス40の操作を制御することができる。一実施形態において、入力装置48はQWERTYキーボードや電話のキーパッドのようなキーパッド、ボタン、スイッチ、タッチセンサスクリーン、感圧メンブレンまたは感熱メンブレンを含む。一実施形態において、マイク46は例示的なディスプレイデバイス40の入力装置である。マイク46がデバイスへデータを入力するのに用いられる場合、例示的なディスプレイデバイス40の操作を制御するために声による命令が使用者から供されうる。電源部50は、当業者に周知の様々なエネルギー貯蔵装置を含んでもよい。例えば、一実施形態において、電源部50はニッケルカドミウム電池やリチウムイオン電池のような充電池である。他の一実施形態においては、電源部50は、再生可能エネルギー源、キャパシタ、またはプラスチック太陽電池や塗布型太陽電池を含む太陽電池である。他の一実施形態においては、電源部50はコンセントからの電力を受電するように構成される。ある実装例においては、上述のように、電子表示システム内の幾つかの場所に置かれるドライバコントローラ内に制御プログラム機能が存在する。幾つかの場合、制御プログラム機能はアレイドライバ22内に存在する。上述した最適化はハードウェア及び/またはソフトウェアコンポーネントがどのような数であっても、また様々な構成においても実装されうる。上述した原理に従って動作する干渉変調器の構造の詳細は、幅広く変化させうる。例えば、図7Aから図7Eは、可動反射層14および支持構造の5つの異なる実施形態を示す。図7Aは、図1の実施形態の断面図であり、金属材料14の帯状構造が支持体18に直交した延長上に成膜される。図7Bにおいて、各干渉変調器の可動反射層14は正方形または長方形であり、テザー32によって頂点の部分のみが支持体に取り付けられている。図7Cにおいて、可動反射層14は正方形または長方形であり、変形可能な層34から吊り下げられている。変形可能な層34は、柔軟な金属を備えるものでありうる。変形可能な層34は、変形可能な層34の周辺部において基板20に直接または間接的に接続される。このような接続は本明細書では支持ポストとして示される。図7Dに示される実施形態は、支持ポストプラグ42を備え、その上に変形可能な層34が載せられる。可動反射層14は図7Aから図7Cに示すようにギャップ上に吊られているが、変形可能な層34は、変形可能な層34と光学積層体16の間の穴を埋めることにより支持ポストを形成しない。むしろ、支持ポストは平面状の材料から形成され、支持ポストプラグ42の形成に用いられる。図7Eに示す実施形態は、図7Dに示される実施形態に基づくが、図示されない付加的な実施形態と同様に、図7Aから図7Cに示されたどの実施形態とも共働するように適合されうる。図7Eに示された実施形態においては、金属または他の導電材料からなる付加層がバス構造44の形成に用いられている。このことにより、干渉変調器の背後に沿って信号を通すことができ、そうでなければ基板20上に形成されなければならなかったであろう電極の数を減ずることができる。図7に示されるような実施形態においては、画像は変調器が配置される面と反対側の面である透過性の基板20の前面から見るので、干渉変調器は、直視装置としての機能を果たす。これらの実施形態においては、反射層14は、基板20に対して反対側にある反射層の側の、変形可能な層34を含む干渉変調器の一部分を光学的に遮蔽する。これにより、画質に悪影響を及ぼすことなく構成され動作される遮蔽領域を得ることができる。例えば、このような遮蔽により、図7Eに示されるバス構造44は、アドレス指定やアドレス指定の結果としての動作のような変調器の電気機械的な特性から、変調器の光学特性を分離することができる。この変調器の分離構成により、変調器の構造設計や電気機械的側面および光学的な側面から用いられる材料を互いに独立して選択し、機能させることができるようになる。さらには、図7Cから図7Eに示すような実施形態は、反射層14の光学特性を変形可能な層34によってもたらされる機械的な特性から分離する、という副次的な効果を持つ。このことにより、反射層14のための構造設計及び用いられる材料を光学的な特性について最適化し、変形可能な層34のための構造設計及び用いられる材料を望ましい機械特性となるように最適化することができる。本明細書において説明されるデバイスおよび方法は、圧力及び/または運動の検出に関する。例えば、一実施形態において、本明細書で説明されるデバイスは、デバイスに接触する力からの圧力の変化を検出するのに用いられうる。一実施形態において、接触は、デバイスと相互作用する音波に対応しうる。従って、デバイスは、検出面に衝突する音波の力を感知することにより、マイクとして用いられうる。他の一実施形態において、デバイスは、ディスプレイデバイスに対応しうる。上述した干渉変調器は、そのようなディスプレイデバイス例えば、フラットパネルディスプレイの一部として用いられうる。従って、本明細書で説明される方法及びデバイスは、マイクとして用いられるディスプレイデバイスを可能にしうる。好適には、このことは従来のディスプレイデバイスと比較して、マイクとしての付加的なハードウェアが必要でなくなる。図8は、圧力を検出する例示的なデバイスの等角図である。デバイス800は、第一の層805を備える。一実施形態において、第一の層または前面層805は、ガラス層を備える。デバイス800は、さらに第二の層または背面層815を備える。前面及び背面という語句は、便宜的に用いられているのみであり、それぞれの層の位置を空間的に制限することが意図されるべきでないことに注意すべきである。一実施形態において、背面層815もまた、ガラス層を備える。前面層805は、図示されるように背面層815の上部に積層される。従って、前面層805及び背面層815は、互いにほぼ平行である。前面層805及び背面層815は、前面層805と背面層815の間に配置されたシール820によって離隔されている。一実施形態において、シールは、前面層805と背面層815の外周部に沿って延設されている。外周部は、前面層805及び背面層815の最外縁部でありうる。他の一実施形態において、外周部は、前面層805の中央部と前面層805の最外縁部の間の領域でありうる。他の一実施形態において、外周部は、背面層815の中央部と背面層815の最外縁部の間の領域でありうる。前面層805、背面層815及びシール820は、キャビティ830を形成し、デバイス800の外部環境からキャビティ830を離隔する。従って、キャビティ830は、デバイス800の外部環境から離隔されたデバイス800の内部環境に対応する。一実施形態において、干渉変調器のアレイが、キャビティ830の内部に位置されうる。従って、デバイス800は、ディスプレイとして用いられうる。ここで、干渉変調器は、画像を表示するディスプレイ素子として用いられる。干渉変調器は、図1から7を参照して上述されたシステムおよび方法に従って駆動されうる。干渉変調器を駆動するのに用いられる回路は、キャビティ830の内部、キャビティ830の外部、またはその二つの組み合わせで配置されうる。さらに、回路は、干渉変調器と接続されうる。デバイス800の背面層815は、固定されたものでありうる。従って、背面層815は、デバイス800の他の構成部品に対して相対的に運動しない。前面層805は、背面層815に対して相対的に運動するように構成されうる。前面層805は、デバイス800の外部環境とキャビティ830の内部環境との間の圧力差に応じて運動するように構成されうる。前面層805は、さらに、前面層805に直接印加された圧力に応じて運動するように構成されうる。前面層805が背面層815に対して運動する量または程度は、デバイス800に作用する圧力量に相関しうる。図9は、図8の例示的なデバイス800の平面図である。デバイス800並びにそれぞれ層805及び815の長さは、図9に示されるように、y軸に沿って測定されうる。図示されるようにシール820によって結合された第一の層805の部分の長さは、2bに等しい。さらに、デバイス800並びにそれぞれ層805及び815の幅は、図9に示されるように、x軸に沿って測定されうる。図示されるようにシール820によって結合された第一の層805の部分の幅は、2aに等しい。xy平面における点0,0は、デバイス100の中心に対応しうる。図10A及び図10Bは、図8の例示的なデバイス800の断面図を示す。図10Aにおいて、デバイス800は初期状態にあり、前面層805はいかなる外力によっても移動されていない。図10Bにおいて、前面層805は、初期状態から移動されていることが示されている。初期状態に対する前面層805の移動は、前面層805のどの点でも測定され、前面層805に印加された圧力に関連付けられうる。例えば、点0,0における移動は、図10Bにおいて、距離1005として示されている。下記の数式1は、初期位置からの移動に基づいて印加された圧力を計算するのに用いられうる。ここで、wx,yは、初期位置からの前面層805の移動量、pは前面層805に印加された圧力、νはポアソン比、aはシール820の範囲内における前面層805の部分の幅の半分、bはシール820の範囲内の、前面層805の部分の長さの半分、xは移動量wが測定された位置の、前面層805の中心からのx軸に沿った距離、yは移動量wが測定された位置の、前面層805の中心からのy軸に沿った距離、Eはヤング率、hは前面層805の厚さであるガラスの場合、E=68GPa、ν=0.196。従って、前面層805の移動は、前面層805に印加された圧力を直接計算するのに用いることができる。さらに、前面層805の移動は、前面層805と背面層815の間の静電容量の変化を測定することにより、間接的に計算されうる。例えば、前面層805及び背面層815は、それぞれ、キャビティ830に露出された層の表面に位置する導電体840を備えうる。前面層805及び背面層815のx,y平面の範囲内のどこでも導電体は配置されることができ、静電容量が測定されうる。導電体840は、さらに、導電体840の間の静電容量を測定するように構成された回路に接続されうる。例えば、導電体840は、ANALOGDEVICES登録商標のICであるAD7747や、ANALOGDEVICES登録商標のICであるAD7746のような集積回路ICに接続されうる。静電容量が測定される前面層805のx,y座標は、数式1のx及びyの値として用いられうる。静電容量と、背面層815に対する相対的な前面層805の移動の間の関係は、下記の数式2によって表されうる。これはC-C0/C0=wx,y/w0として近似することができ、ここで、ε0はキャビティ内の空気の誘電率、wx,yは初期位置からの前面層805の移動量、w0は初期位置にあるときの前面層805と背面層815の間隔、aはシール820の範囲内の前面層805の一部の幅の半分、bはシール820の範囲内の前面層805の一部の長さの半分、Cはたわみ後に測定された静電容量、C0はたわみ前に測定された静電容量である。他の一実施形態において、静電容量と、背面層815に対する前面層805の移動との間の関係は、ファイル内に値のセットとして保管されうるか、または図14に関して後述されるプロセスによって生成されうる他の数式に対応しうる。図11は、圧力を測定する他の例示的なデバイスの平面図である。図11において、デバイス800は、図8に示された実施形態に類似した前面層805、背面層815及びシール820を備える。さらに、デバイス800は、キャビティ830内にアレイとして配置された干渉変調器1105を備える。デバイス800はさらに、ダイアフラム1110を備える。ダイアフラム1110は、圧力検出に関するデバイス800の感度を向上させるように構成されうる。一実施形態において、ダイアフラム1110は、シール820の近傍である、デバイス800の外周部に配置されうる。ダイアフラム1110は、前面層805と背面層815の間に配置されうる。一実施形態において、ダイアフラム1110は、前面層805及び背面層815に対してほぼ平行でありうる。さらに、シール820は、ダイアフラム1110の位置において切断されてもよく、ダイアフラム1110の第一の面1115は、キャビティ830に露出され、ダイアフラム1110の第二の面1120は外部環境に露出される。例えば、ダイアフラム1110の位置において、空気の溝1125例えば、穴が、ダイアフラム1110と前面層805及び背面層815のうち一つとの間で、シール820内に形成されうる。さらに、第二のシール1120が、ダイアフラム1110の3つの端部におけるダイアフラム1110の外周部に、シール820及び空気の溝1125が配置されるダイアフラム1110の残りの端部を残して囲んで配置されてもよい。第二のシール1120は、シール820に空気の溝1125が設けられていても、外部環境からキャビティ830を離隔したままでありうる。ダイアフラム1110の一辺をキャビティ830に露出し、他の辺を外部環境に露出することにより、ダイアフラム1110は、キャビティ830と外部環境の間の圧力差に応じて運動することとなる。図12A及び12Bは、図11に示された圧力を測定するための例示的なデバイスの断面図を示す。図8に関して上述したように、デバイス800に印加された圧力は、背面層815に対して前面層805の移動を引き起こす。さらに、前面層805の移動は、ダイアフラム1110の移動を引き起こす。これにより、前面層に印加された圧力はキャビティ830内の圧力を増加させる。この圧力は、キャビティ830に露出した全ての平面に作用する。ダイアフラム1110は、キャビティ830に露出されているので、圧力の変化に従って移動する。従って、前面層805に印加された圧力は、ダイアフラム1110の移動に基づいて計算されうる。例えば、点0,0における移動は、図10Bの距離1205として示される。印加された圧力は、以下に議論するように、初期位置からのダイアフラム1110の移動に基づいて計算されうる。前面層805と背面層815の間の相対的な運動は、ボイルの法則に従って、キャビティ830の内部の圧力を変化させる。ここで、Pinitialは前面層805に圧力が印加される前のキャビティ830の内部の初期圧力、Vinitialは前面層805に圧力が印加される前のキャビティ830の内部の初期体積、Pfinalは前面層805に圧力が印加された後のキャビティ830の内部の最終的な圧力、Vfinalは前面層805に圧力が印加された後のキャビティ830の内部の最終的な体積である。従って、キャビティ830内部の圧力の変化は、前面層805に印加された圧力によるものであり、その圧力に等しい。さらに、前面層に印加された圧力による圧力の変化は、下記の数式4に基づいてダイアフラム1110の移動から計算することができる。wx,yは初期位置からのダイアフラム1110の移動量、pは前面層805に印加された圧力、νはポアソン比、aはシール1120内のダイアフラム1110の部分の幅の半分、bはシール1120内のダイアフラム1110の部分の長さの半分、xは移動量wが測定される位置のダイアフラム1110の中心からのx軸に沿った距離、yは移動量wが測定される位置のダイアフラム1110の中心からのy軸に沿った距離、Eはヤング率、hはダイアフラム1110の厚さである。さらに、ダイアフラム1110の移動は、ダイアフラム1110と背面層805の間の静電容量の変化を決定することにより間接的に測定されうる。一実施形態において、導電体1140はダイアフラム1110上及び背面層815上に適切に位置されうる。導電体1140はさらに、導電体1140の間の静電容量を測定するように構成された回路に接続されうる。例えば、導電体840は、ANALOGDEVICES登録商標のICであるAD7747やANALOGDEVICES登録商標のICであるAD7746のような集積回路ICに接続されうる。静電容量とダイアフラム1110の背面層815に対する移動の間の関係は、下記の数式5で表されうる。wx,yは初期位置からのダイアフラム1110の移動量、w0は初期位置にあるときのダイアフラム1110と背面層815の間隔、Cはたわみ後の測定された静電容量、C0はたわみ前の測定された静電容量である。他の一実施形態において、静電容量と背面層815に対するダイアフラム1110の移動の間の関係は、ファイル内に値のセットとして保管されてもよく、また、図14に従って後述するようなプロセスによって生成されうる他の数式に対応しうる。ダイアフラム1110を備えるデバイス800の実施形態は、より高い感度で圧力を測定することができうる。一実施形態において、ダイアフラムは、前面層805よりも薄い材料からなる。例えば、ダイアフラム1110は、アルミニウム、酸窒化シリコンSiONなどからなりうる。ダイアフラム1110の材料および大きさのために、同じ量の圧力が印加されると前面層805よりもダイアフラム1110の方が大きく運動しうるため、ダイアフラム1110の移動量は、前面層805の移動よりも大きいものでありうる。ダイアフラム1110がより大きく動くことは、前面層805と背面層815の間の静電容量の変化と比較して、ダイアフラム1110と背面層815の間の静電容量の変化が、より大きいことに対応する。さらに、ダイアフラムは、前面層805よりも背面層805に近づけうる。従って、数式5のw0の値が数式2のw0の値よりも小さく、それゆえダイアフラム1110と背面層815の間の静電容量の変化が大きくなる。静電容量を測定するために用いられる回路は、限られた精度の水準を有するものでありうる。例えば、回路は、ただpFの大きさの静電容量変化を測定するように構成されたものでありうる。そのため、印加された圧力の変化は、少なくとも1pFの静電容量の変化が存在するかどうかを検出するだけでよい。従って、ある所定の圧力の変化に対する静電容量の変化を増大することにより、圧力のより小さな変化が検出されうる。例えば、図8に関して説明された実施形態において、Xの圧力の変化は1pFよりも小さな静電容量の変化に対応しうる。従って、図8に関して説明された実施形態は、Xの圧力変化を検出するように構成されていないものでありうる。しかしながら、同じXの圧力の変化が、図12の実施形態では1pFより大きな静電容量の変化を引き起こしうる。従って、図12の実施形態は、Xの圧力変化を検出するように構成されたものでありうる。当業者であれば、前面層805について材料、形状及び大きさの選択が、デバイス800の感度を変更するのに用いられうることを理解するであろう。さらに、ダイアフラムについて材料、形状及び大きさの選択が、デバイス800の感度の変更に用いられうる。加えて、静電容量を測定するための感知回路の選択が、デバイス800の感度を変更するために用いられうる。図13は、圧力を測定する他の例示的なデバイスの断面図を示す。図13において、デバイス800はキャビティ830内にアレイ状に配置された干渉変調器1105を含まない点を除けば、図11及び12のデバイス800に類似している。そのため、当業者に理解されるように、図13のデバイス800は本明細書で説明されたデバイス800の他の実施形態と類似して機能する。図14は、図8から12に示されたデバイス800を校正するプロセスのフロー図である。プロセス1400は、段階1405から始まり、そこでは既知の圧力量がデバイス800の前面層805に印加される。段階1410に進むと、導電体840または1140の間の静電容量変化が、適切な回路を用いて測定される。さらに段階1415において、追加的な圧力で静電容量を測定することが判断される。もし追加的な静電容量レベルが追加的な圧力で測定されるときには、プロセスは段階1405に戻る。追加的な静電容量レベルが追加的な圧力で測定されないときには、プロセス1400は終了する。圧力と静電容量の対に対応する測定されたデータの点は、一実施形態において、ファイルを生成するのに用いられうる。従って、ある所定の時間にデバイス800に印加された圧力は、所定の時間でファイル内においてデバイス800の静電容量に対応する最も近い静電容量値を検索することによって決定されうる。次いで圧力は最も近い静電容量値に関連する圧力として評価されうる。他の一実施形態において、データの点は圧力に静電容量を関連付ける当業界に周知の方法例えば、最適フィット曲線に基づく数式を生成するのに用いられうる。図15は、図8から13に示されたデバイス800を用いる、圧力変化を検出するプロセスのフロー図である。段階1505から始めると、デバイス800の静電容量を測定する回路は、デバイス800の静電容量を測定する。さらに、段階1510において、デバイス800は、デバイス800に印加される圧力を決定する。一実施形態において、デバイス800は、数式1から4のような数式の一つまたは複数を用いて、デバイス800に印加される圧力を計算する。他の一実施形態において、デバイス800は、ファイルの検索を用いて、測定された静電容量に対応する圧力を発見する。次の段階1515において、デバイス800は、印加された圧力を再び測定するか否かを決定する。もしデバイス800が印加された圧力を再び測定すると決定すれば、プロセスは段階1505に戻る。もしデバイス800が印加された圧力を再び測定しないと決定すれば、プロセス1500は終了する。上述したプロセス1400及び1500は、特定の段階を含むものとして詳細に説明され、特定の順序で説明されたが、これらのプロセスは、追加的な段階を含み説明された段階のいくつかを省略しうることが理解されるべきである。さらに、プロセスの段階のそれぞれは、説明された順序で必ずしも実行されなくてもよい。上述の詳細な説明が、様々な実施形態に適用されるものとして本発明の新しい特徴を示し、説明し、指摘したが、示された変調器またはプロセスの形状や詳細に様々な省略、置換及び変更が、本発明の思想を逸脱することなく当業者によってなされうることは理解されるであろう。理解されるように、本発明は、本明細書において示された全ての特徴及び利点を提供しない形態で実施されてもよく、いくつかの特徴は互いに別個に用いられまたは実施されうる。本明細書において開示された実施形態に関連して説明された方法またはアルゴリズムの段階は、ハードウェア内に直接実施されてもよく、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュール内に実施されてもよく、その二つを組み合わせて実施されてもよい。ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CDROM、または当業者に知られたその他どのような形状の記憶媒体にも格納しうる。例示的な記憶媒体は、プロセッサに接続され、プロセッサは記憶媒体から情報を読み込み、記憶媒体に情報を書き込むことができる。代替的には、記憶媒体は、プロセッサに統合されうる。プロセッサ及び記憶媒体は一つのASIC内に格納しうる。ASICは使用者の端末内に格納しうる。代替的には、プロセッサ及び記憶媒体は、使用者の端末内に個別の部品として格納しうる。"