"半導体ナノ結晶粒子を含む層を複数備えた量子ドット太陽光LED用積層体であって、前記量子ドット太陽光LED用積層体は、II-VI族半導体ナノ結晶粒子及びIV-VI族半導体ナノ結晶粒子から選ばれる半導体ナノ結晶粒子の種類ごとに形成される半導体ナノ結晶粒子を含む各層から構成され、前記半導体ナノ結晶粒子を含む層は、LEDの光出力方向に向かって、当該層に含まれる半導体ナノ結晶粒子のバンドギャップが小さいものから大きいものとなるように順次積層されており、前記半導体ナノ結晶粒子を含む各層の中では、粒径の異なる半導体ナノ結晶粒子がLEDの光出力方向に向かって、当該半導体ナノ結晶粒子の粒径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されており、前記量子ドット太陽光LED用積層体の隣接する半導体ナノ結晶粒子を含む層間において、前記半導体ナノ結晶粒子に起因する発光スペクトルのピーク波長の差が各半導体ナノ結晶粒子を含む層に含まれる半導体ナノ結晶粒子の発光スペクトルのピークの半値幅以下であることを特徴とする量子ドット太陽光LED用積層体。前記II-VI族半導体ナノ結晶粒子がテルル化カドミウムCdTe、セレン化カドミウムCdSe、硫化カドミウムCdSから選ばれるいずれかであることを特徴とする請求項1記載の量子ドット太陽光LED用積層体。前記IV-VI族半導体ナノ結晶粒子が硫化鉛PbSであることを特徴とする請求項1又は2記載の量子ドット太陽光LED用積層体。前記IV-VI族半導体ナノ結晶粒子が硫化鉛PbSであり、前記II-VI族半導体ナノ結晶粒子がテルル化カドミウムCdTe、セレン化カドミウムCdSe、硫化カドミウムCdSであり、LEDの光出力方向に向かって、硫化鉛PbS、テルル化カドミウムCdTe、セレン化カドミウムCdSe、硫化カドミウムCdSの順に積層することを特徴とする請求項1~3いずれか記載の量子ドット太陽光LED用積層体。前記発光スペクトルのピーク波長の差が10~200nmであり、前記発光スペクトルのピーク波長の半値幅が10~200nmであることを特徴とする請求項1~4いずれか記載の量子ドット太陽光LED用積層体。請求項1~5いずれか記載の量子ドット太陽光LED用積層体を備えたことを特徴とする量子ドット太陽光LED。前記量子ドット太陽光LEDは、電流注入型であることを特徴とする請求項6記載の量子ドット太陽光LED。前記量子ドット太陽光LEDは、光励起型であることを特徴とする請求項6記載の量子ドット太陽光LED。請求項6~8いずれか記載の量子ドット太陽光LEDを備えたことを特徴とするソーラーシミュレータ。しかしながら、特許文献3に開示されたソーラーシミュレータにおいては、異なる発光スペクトルのLEDを並べて使用するために、合成する光の数に必要なLEDが必要となるため、LEDの大きさに比例して面内均一性が低下してしまうという問題点を有する。また、特許文献3に開示されたソーラーシミュレータは、各LEDから発光された光を混合する光混合部を設ける必要があり、また、多品種かつ多数のLEDが必要となってしまうという不都合を有する。さらに、上記ソーラーシミュレータは、LEDの設置面積が大きいために照射強度のムラが生じ易いという問題を有するため、各LEDから発光された光をさらに集光させる光集光部を設けせざるを得ず、結局大掛かりなソーラーシミュレータとなってしまうという問題点を有する。本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、太陽光スペクトルとほぼ同一のプロファイルを有し、発熱量が小さく、照射面内の放射照度のむらが少ない、コンパクトなソーラーシミュレータ及び量子ドット太陽光LED用積層体を提供することを目的とする。本発明者らは、以上の状況に鑑み、半導体ナノ結晶粒子を含む複数の各層からなり、各層の積層順序及び隣接する各層に含まれる半導体ナノ結晶の発光スペクトルのピーク間の波長差が制御された量子ドット太陽光LED用積層体を備えた量子ドット太陽光LEDを用いることによって、太陽光スペクトルとほぼ同一のプロファイルを有し、発熱量が小さく、照射面内の放射照度のむらが少ない、コンパクトなソーラーシミュレータが得られることを見出し、本発明を完成するに至った。より具体的には本発明は以下のものを提供する。1半導体ナノ結晶粒子を含む層を複数備えた量子ドット太陽光LED用積層体であって、上記量子ドット太陽光LED積層体は、II-VI族半導体ナノ結晶粒子及びIV-VI族半導体ナノ結晶粒子から選ばれる半導体ナノ結晶粒子の種類ごとに形成される半導体ナノ結晶粒子を含む各層から構成され、上記半導体ナノ結晶粒子を含む層は、LEDの光出力方向に向かって、当該層に含まれる半導体ナノ結晶粒子のバンドギャップが小さいものから大きいものとなるように順次積層されており、上記半導体ナノ結晶粒子を含む層の中では、粒径の異なる半導体ナノ結晶粒子がLEDの光出力方向に向かって、当該半導体ナノ結晶粒子の粒径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されており、上記量子ドット太陽光LED用積層体の隣接する半導体ナノ結晶粒子を含む層間において、上記半導体ナノ結晶粒子に起因する発光スペクトルのピーク波長の差が各半導体ナノ結晶粒子を含む層に含まれる半導体ナノ結晶粒子の発光スペクトルのピークの半値幅以下であることを特徴とする量子ドット太陽光LED用積層体。2上記II-VI族半導体ナノ結晶粒子がテルル化カドミウムCdTe、セレン化カドミウムCdSe、硫化カドミウムCdSから選ばれるいずれかであることを特徴とする1記載の量子ドット太陽光LED用積層体。3上記IV-VI族半導体ナノ結晶粒子が硫化鉛PbSであることを特徴とする1又は2記載の量子ドット太陽光LED用積層体。4上記IV-VI族半導体ナノ結晶粒子が硫化鉛PbSであり、上記II-VI族半導体ナノ結晶粒子がテルル化カドミウムCdTe、セレン化カドミウムCdSe、硫化カドミウムCdSであり、LEDの光出力方向に向かって、硫化鉛PbS、テルル化カドミウムCdTe、セレン化カドミウムCdSe、硫化カドミウムCdSの順に積層することを特徴とする1~3いずれか記載の量子ドット太陽光LED用積層体。5上記発光スペクトルのピーク波長の差が10~200nmであり、上記発光スペクトルのピーク波長の半値幅が10~200nmであることを特徴とする1~4いずれか記載の量子ドット太陽光LED用積層体。61~5いずれか記載の量子ドット太陽光LED用積層体を備えたことを特徴とする量子ドット太陽光LED。7上記量子ドット太陽光LEDは、電流注入型であることを特徴とする6記載の量子ドット太陽光LED。8上記量子ドット太陽光LEDは、光励起型であることを特徴とする6記載の量子ドット太陽光LED。96~8いずれか記載の量子ドット太陽光LEDを備えたことを特徴とするソーラーシミュレータ。本発明によれば、太陽光スペクトルとほぼ同一のプロファイルを有し、発熱量が小さく、照射面内の放射照度のむらが少ないコンパクトなソーラーシミュレータ及び量子ドット太陽光LED用積層体を提供することができる。本発明に係るソーラーシミュレータは、量子ドット太陽光LEDを備えており、この量子ドット太陽光LEDは、半導体ナノ結晶粒子を含有する層が積層された量子ドット太陽光LED用積層体を備えている。ここで、本発明に係るソーラーシミュレータの技術的特徴は、量子ドット太陽光LEDを構成する量子ドット太陽光LED用積層体にあるので、まず、量子ドット太陽光LED用積層体について説明し、量子ドット太陽光LED及びこの量子ドット太陽光LEDを備えたソーラーシミュレータについて説明する。<量子ドット太陽光LED用積層体>本発明の量子ドット太陽光LED用積層体は、半導体ナノ結晶粒子を含む層を複数備えた量子ドット太陽光LED用積層体であって、上記量子ドット太陽光LED積層体は、II-VI族半導体ナノ結晶粒子及びIV-VI族半導体ナノ結晶粒子から選ばれる半導体ナノ結晶粒子の種類ごとに形成される半導体ナノ結晶粒子を含む各層から構成され、上記半導体ナノ結晶粒子を含む層は、LEDの光出力方向に向かって、当該層に含まれる半導体ナノ結晶粒子のバンドギャップが小さいものから大きいものとなるように順次積層されており、上記半導体ナノ結晶粒子を含む各層の中では、粒径の異なる半導体ナノ結晶粒子がLEDの光出力方向に向かって、当該半導体ナノ結晶粒子の粒径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されており、上記量子ドット太陽光LED用積層体の隣接する半導体ナノ結晶粒子を含む層間において、上記半導体ナノ結晶粒子に起因する発光スペクトルのピーク波長の差が各半導体ナノ結晶粒子を含む層に含まれる半導体ナノ結晶粒子の発光スペクトルのピークの半値幅以下であることを特徴とする。以下、詳細に説明する。半導体ナノ結晶粒子を含む層以下、半導体ナノ結晶粒子層の半導体ナノ結晶粒子は、いわゆる半導体結晶から構成される粒子である。半導体には、単元素半導体及び化合物半導体が含まれる。単元素半導体としては、シリコンSi、ゲルマニウムGeを使用することができる。化合物半導体としては、II-VI族の元素の組み合わせからなる化合物、III-V族の元素の組み合わせからなる化合物、IV-VI族の元素の組み合わせからなる化合物、I-III-VI族の元素の組み合せからなる化合物を化合物半導体として使用することができる。半導体結晶としては、具体的にシリコンSi、ゲルマニウムGe、酸化亜鉛ZnO、硫化亜鉛ZnS、セレン化亜鉛ZnSe、テルル化亜鉛ZnTe、酸化カドミウムCdO、硫化カドミウムCdS、セレン化カドミウムCdSe、テルル化カドミウムCdTe、酸化マグネシウムMgO、硫化マグネシウムMgS、セレンマグネシウムMgSe、テルルマグネシウムMgTe、酸化水銀HgO硫化水銀HgS、セレン化水銀HgSe、テルル化水銀HgTe、窒化アルミニウムAlN、リン化アルミニウムAlP、砒素化アルミニウムAlAs、アンチモンアルミニウムAlSb、窒化ガリウムGaN、リン化ガリウムGaP、砒素化ガリウムGaAs、アンチモンガリウムGaSb、窒化インジウムInN、リン化インジウムInP、砒素化インジウムInAs、アンチモンインジウムInSb、窒化タリウムTlN、リン化タリウムTlP、砒素化タリウムTlAs、アンチモンタリウムTlSb、硫化鉛PbS、セレン化鉛PbSe、テルル化鉛PbTe、銅インジウムセレンCuInSe2、硫化銅インジウムCuInS2、銅インジウムガリウムセレンCuInXGa1-XSe2を例示することができる。これらの半導体結晶のうち、10nm以下の粒子サイズにした際の発光スペクトルの波長の観点から、硫化鉛、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムを用いることが好ましい。半導体ナノ結晶は、粒子サイズが10nm程度になると、量子サイズ効果が発現する。このようなナノ粒子は量子ドットと呼ばれ、主に半導体において、原子が数百個から数千個集まった10nm程度以下の小さな結晶である。電子は閉じこめられる領域が小さくなると電子の状態密度は離散化するという量子効果により禁制帯幅バンドギャップが大きくなる。言い換えると、組成が同じ半導体でも粒子径が小さくなると半導体のバンドギャップが大きくなる。量子ドットは、構成元素、組成が同一な材料について粒子径を10nm以下で変化させることによりバンドギャップを制御することができる。光学特性では粒子径が小さくなれば吸収波長、発光波長とも短波長化する。すなわち、粒子径を小さくすればバンドギャップは大きくなり、吸収波長、発光波長とも短波長化する。これは、発光デバイス作製にとって、有効な制御手段となる。すなわち、粒子径を変えるだけで発光波長が連続的に異なる量子ドットを作製することが可能となる。また、量子ドットの発光は半導体のバンド間遷移に基づいているため発光ピークが急峻であることも特長である。上記2つの事実から、発光波長が連続的に異なることと発光ピークが急峻であることの2つの特長を持った複数の半導体ナノ結晶を発光させることにより、可視光線の全域に渡って、自然光太陽光と同一の連続したスペクトルを実現できる。波長が異なる急峻な発光ピークからブロードな太陽光プロファイルが実現できる状況のシミュレーション結果は以下のようになる。まず、可視光領域の300nmから1100nmでの複数の発光スペクトルの和である混合発光スペクトルについて、発光スペクトルはガウス分布に従うものとし、また、各発光スペクトルの半値幅を40nm、ピーク波長の間隔を25nm、40nm、50nmとした。間隔25nmの結果を図1、間隔40nmの結果を図2、間隔50nmの結果を図3に示す。図1よりピーク波長間隔が発光ピークの半値幅40nmより小さい25nmでは太陽光スペクトルのプロファイルと同等のプロファイルを得ることが可能である。図2よりピーク波長間隔が発光ピークの半値幅40nmと同じ40nmでは太陽光スペクトルのプロファイルとほぼ同等のプロファイルを得ることが可能である。図3よりピーク波長間隔が発光ピークの半値幅40nmより大きな50nmでは太陽光スペクトルのプロファイルを大まかに反映しているが、異なるプロファイルになることが分かる。キセノンランプを用いたスペクトル合致度が等級Aのソーラーシミュレータのスペクトルを図4に示す。図1、図2の状況は、キセノンランプの図4に比較して、太陽光のスペクトルにより合致している。量子ドットである半導体ナノ結晶粒子は、原料物質の加熱や冷却等の時間に対応するいわゆる反応時間を調整することによって得ることができる。反応時間は、半導体ナノ結晶粒子の粒径との関係から適宜決定することができる。半導体ナノ結晶粒子は、その粒径によって、発光スペクトルのピーク波長が異なるので、反応時間を調整することによって、異なる光学的特性を有する複数の半導体ナノ結晶粒子を得ることができる。例えば、半導体ナノ結晶がセレン化カドミウム結晶である場合は、反応時間を調整することにより、その粒径が1~8nmの範囲であるセレン化カドミウム結晶粒子を得ることができる。セレン化カドミウム結晶粒子の発光スペクトルのピーク波長は、その粒径に依存するので、セレン化カドミウム結晶粒子の粒径を変化させることにより、発光スペクトルのピーク波長が異なるセレン化カドミウム結晶粒子を得ることができる。なお、上記量子ドットである半導体ナノ結晶粒子は、市販されているので、所望の粒径を有する半導体ナノ結晶粒子を購入することにより容易に入手することができる。量子ドット太陽光LED用積層体は、上記半導体ナノ結晶層から構成されている。各半導体ナノ結晶粒子層の膜厚は、量子ドットである半導体ナノ結晶粒子の発光スペクトルに影響を及ぼすものでなければ、特に制限されるものではない。しかしながら、電流注入型量子ドット太陽光LEDの場合は量子ドット太陽光LED用積層体に電流を流すため薄い方が望ましい。量子ドット太陽光LED用積層体の厚みは50~100nmが望ましく、各半導体ナノ結晶粒子層の膜厚を5.0~10.0nmとすることが好ましい。量子ドット太陽光LED用積層体の厚みは100~200nm、好ましくは120~160nmが望ましく、各半導体ナノ結晶粒子層の膜厚を1~10nmとすることが好ましい。一方、光励起型量子ドット太陽光LEDの場合は電流を流さないため特に制限されるものではない。各半導体ナノ結晶粒子層の膜厚が、上記範囲にあることにより各層から発生する発光スペクトルに影響を与えることなく、量子ドット太陽光LED用積層体を使用用途に応じた厚みとすることができるため好ましい。各半導体ナノ結晶粒子層における半導体ナノ結晶粒子の含有量は、量子ドット太陽光LED用積層体の発光スペクトルプロファイルが、太陽光の有するプロファイルと一致するように決定されるものである。半導体ナノ結晶粒子層の形成方法は、後述する溶液に半導体ナノ結晶を混合し、この混合液からなる塗布液を塗布することにより行うことが望ましい。上記塗布液の塗布方法は、特に限定されないが、例えばスピンコーターを用いる方法が挙げられる。上記塗布方法により、形成された皮膜は、乾燥手段により乾燥され半導体ナノ結晶粒子層となる。複数積層された半導体ナノ結晶粒子層の各層において量子サイズ効果が発揮され、各層より発生する発光スペクトルが重なり合うことにより、ブロード化された発光スペクトルプロファイルを得ることができる。量子ドット太陽光LED用積層体は、半導体ナノ結晶粒子を含む層を複数備えた量子ドット太陽光LED用積層体であって、上記量子ドット太陽光LED積層体は、II-VI族半導体ナノ結晶粒子及びIV-VI族半導体ナノ結晶粒子から選ばれる半導体ナノ結晶粒子の種類ごとに形成される半導体ナノ結晶粒子を含む各層から構成され、上記半導体ナノ結晶粒子を含む層は、LEDの光出力方向に向かって、当該層に含まれる半導体ナノ結晶粒子のバンドギャップが小さいものから大きいものとなるように順次積層されており、上記半導体ナノ結晶粒子を含む各層の中では、粒径の異なる半導体ナノ結晶粒子がLEDの光出力方向に向かって、当該半導体ナノ結晶粒子の粒径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されており、上記量子ドット太陽光LED用積層体の隣接する半導体ナノ結晶粒子を含む層間において、上記半導体ナノ結晶粒子に起因する発光スペクトルのピーク波長の差が各半導体ナノ結晶粒子を含む層に含まれる半導体ナノ結晶粒子の発光スペクトルのピークの半値幅以下である。上記II-VI族半導体ナノ結晶粒子としては、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムから選ばれるいずれかであることが好ましい。また、上記IV-VI族半導体ナノ結晶粒子としては、硫化鉛であることが好ましい。さらに、上記IV-VI族半導体ナノ結晶粒子が硫化鉛であり、上記II-VI族半導体ナノ結晶粒子がテルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムであり、LEDの光出力方向に向かって、硫化鉛、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムの順に積層することがより好ましい。量子ドット太陽光LED用積層体を構成する各半導体ナノ結晶粒子層を上記のように順次積層することにより、硫化鉛、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムから発生する波長は、硫化鉛、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムの順に短波長となることから、硫化鉛の層からの発光はテルル化カドミウムの層、セレン化カドミウムの層、硫化カドミウムの層には吸収されないため、発光効率が低下することが防止される。同じように、テルル化カドミウムの層からの発光はセレン化カドミウムの層、硫化カドミウムの層には吸収されないため、発光効率が低下することが防止される。さらには、セレン化カドミウムの層からの発光は硫化カドミウムの層には吸収されないため、発光効率が低下することが防止される。また、同じ化合物の層においては粒径の小さい半導体ナノ結晶から発生する短波長の発光が粒径の大きい半導体ナノ結晶に吸収されないため、発光効率が低下することが防止される。つまり、本発明の量子ドット太陽光LED用積層体においては、量子ドット太陽光LED用積層体を構成する各半導体ナノ結晶粒子層とその積層順を緻密に制御し、量子ドット太陽光LED用積層体の発光効率が低下することを防止し、さらには発熱量を小さくしているものである。さらに、本発明の量子ドット太陽光LED用積層体は、量子ドット太陽光LED用積層体の隣接する各層間において、上記半導体ナノ結晶粒子に起因する発光スペクトルのピーク波長の差が各層に含まれる半導体ナノ結晶粒子の発光スペクトルのピークの半値幅以下となって積層されていることを特徴としている。隣接する各半導体ナノ結晶粒子層間において、これらの発光スペクトルピーク波長の差を各半導体ナノ結晶粒子層の発光ピークの半値幅以下となるように調整することによって、各半導体ナノ結晶粒子層が発生する発光スペクトルのピークが近づき、重なり合うことになる。このように本発明の量子ドット太陽光LED用積層体においては、隣接する各半導体ナノ結晶粒子層間の発光スペクトルのピーク波長とその半値幅を制御することにより、量子ドット太陽光LED用積層体が発生する発光スペクトルを滑らかにブロード化することができる。その結果、本発明の量子ドット太陽光LED用積層体は、太陽光が発生する発光スペクトルにほぼ一致した発光スペクトルプロファイルを発生することができる。一方、隣接する各半導体ナノ結晶粒子層間において、これらの発光スペクトルのピーク波長の差を各半導体ナノ結晶粒子層の発光スペクトルのピークの半値幅を超えるように調整した場合には、各半導体ナノ結晶粒子層が発生する発光スペクトルのピークが近づくことができず、隣接する各半導体ナノ結晶粒子層から発生される発光スペクトルは十分な重なりにはならない。このため、量子ドット太陽光LED用積層体が発生する発光スペクトルは、ブロード化することができない。このように本発明の量子ドット太陽光LED用積層体においては、各層より発生する波長が合成されることにより、可視光線の全域に亘ってブロード化され、太陽光が有するプロファイルに一致した発光スペクトルプロファイルを形成することができる。例えば、硫化カドミウム結晶粒子を使用し、その粒径がおよそ1.0~6.0nmの範囲にあり、このなかで特定の粒径を有する硫化カドミウム結晶粒子の粒径を変えて複数作製し、これらの粒径の異なる硫化カドミウム結晶粒子を含有する層を順次積層することにより、325~425nmの発光スペクトルを有する半導体ナノ結晶粒子層を得ることができる。この硫化カドミウム結晶粒子層においては、隣接する各層における発光ピーク波長の間隔を25nmに設定し、かつ各硫化カドミウム結晶の発光ピーク波長の半値幅が40nmとなるように設定している。発光スペクトルピーク波長の間隔を発光ピーク波長の半値幅より小さくなるように設定することにより、各硫化カドミウム結晶粒子層から発光される発光スペクトルが重なりあって、滑らかにブロード化した発光スペクトルプロファイルを得ることができる。また、セレン化カドミウム結晶粒子を使用し、その粒径がおよそ1.0~8.0nmの範囲にあり、このなかで特定の粒径を有するセレン化カドミウム結晶粒子の粒径を変えて複数作製し、これらの粒径の異なるセレン化カドミウム結晶粒子を含有する層を順次積層することにより、450~650nmの発光スペクトルを有する半導体ナノ結晶粒子層を得ることができる。このセレン化カドミウム結晶粒子層においては、隣接する各層における発光ピーク波長の間隔を25nmに設定し、かつ各セレン化カドミウム結晶の発光ピーク波長の半値幅が40nmとなるように設定している。発光ピーク波長の間隔を発光ピーク波長の半値幅より小さくなるように設定することにより、各セレン化カドミウム結晶粒子層から発光される発光スペクトルが重なりあって、滑らかにブロード化した発光スペクトルプロファイルを得ることができる。さらに、テルル化カドミウム結晶粒子を使用し、その粒径がおよそ3.0~9.0nmの範囲にあり、このなかで特定の粒径を有するテルル化カドミウム結晶粒子の粒径を変えて複数作製し、これらの粒径の異なるテルル化カドミウム結晶粒子を含有する層を順次積層することにより、675~750nmの発光スペクトルを有する半導体ナノ結晶粒子層を得ることができる。このテルル化カドミウム結晶粒子層においては、隣接する各層における発光ピーク波長の間隔を25nmに設定し、かつ各テルル化カドミウム結晶の発光ピーク波長の半値幅が40nmとなるように設定している。発光ピーク波長の間隔を発光ピーク波長の半値幅より小さくなるように設定することにより、各テルル化カドミウム結晶粒子層から発光される発光スペクトルが重なりあって、滑らかにブロード化した発光スペクトルプロファイルを得ることができる。同様にして、半導体ナノ結晶粒子層に硫化鉛結晶を使用した場合には、800~1100nmの発光スペクトルを有する半導体ナノ結晶粒子層を得ることができる。そして、上記の各半導体ナノ結晶粒子層を積層することによって、300~1100nmの広範囲に亘って滑らかにブロード化しており、太陽光が有するプロファイルにほぼ一致した発光スペクトルプロファイルを得ることができる。<量子ドット太陽光LED用積層体>本発明に係る量子ドット太陽光LED用積層体について、図面を参照しながら、具体的に説明する。図5は、量子ドット太陽光LED用積層体の実施形態を具体的に示した断面図である。図5に示すように、量子ドット太陽光LED用積層体は、半導体ナノ結晶化合物の種類ごとに複数積層されており、これらの化合物は、具体的に硫化鉛、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムのうち少なくとも2種類であり、その積層順は、LEDの光出力方向に向かって、硫化鉛、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムの前後関係を維持している。また、同じ化合物の層内では、LEDの光出力方向に向かって半導体ナノ結晶粒子の粒径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されている。<量子ドット太陽光LED>本発明に係る量子ドット太陽光LEDは、上記量子ドット太陽光LED用積層体を備えたことを特徴としている。太陽光LEDには、電流注入型と光励起型のタイプがある。以下に説明する。電流注入型量子ドット太陽光LED電流注入型量子ドット太陽光LED2の構成について図6を用いて説明する。透明導電膜28を有する基板29の上に、正孔注入層27、正孔輸送層26、量子ドット太陽光LED用積層体25、正孔阻止層24、電子輸送層23、電子注入層22、電極21を積層した構造になっている。透明導電膜はITOSnドープIn2O3、SnO2、AZOAlZnO、GZOGaZnO、IZOInZnOのいずれか一種類もしくはそれらの組み合わせでよい。作製方法はスパッタ法や塗布法でよい。基板29は、透明であればガラス基板、樹脂基板でよい。正孔注入層27は、ポリアニリン、ポリピロール、銅フタロシアニン、PEDOT:PSSのいずれか一種類もしくはそれらの組み合わせでよい。作製方法は真空蒸着法、スピンコーター等による塗布法が望ましい。正孔輸送層26は、TPD、トリフェニル四重体、α-NPD、TACPのいずれか一種類もしくはそれらの組み合わせでよい。作製方法は真空蒸着法、スピンコーター等による塗布法が望ましい。量子ドット太陽光LED用積層体25を構成する半導体ナノ結晶層は、化合物の種類ごとに複数積層されており、これらの化合物は、硫化鉛、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムのうち少なくとも2種類であり、その積層順は、LEDの光出力方向に向かって、硫化鉛、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムの前後関係を維持している。また、同じ化合物の層内では、半導体ナノ結晶を粒子径の大きなものから小さなものに光出力方向に順次積層すればよい。各半導体ナノ結晶群はpolyisobutylene、1,7-diaminoheptane、カルバゾール等の架橋分子の混合液であればよい。作製方法はスピンコーターによる塗布が望ましい。各半導体ナノ結晶の発光ピークの半値幅が10nmから200nmの間で望ましくは20nmから100nmであればよい。各半導体ナノ結晶の発光ピークの波長差が5nmから200nmの間で望ましくは10nmから100nmであればよい。正孔阻止層24は、TAZ、バンクプロインBCP、Bphen、PCBIのいずれか一種類もしくはそれらの組み合わせでよい。作製方法は真空蒸着法、スピンコーター等による塗布法が望ましい。電子輸送層23は、トリアゾール誘導体、シロール誘導体、オキサゾール誘導体PBO、オキサゾール誘導体OXO-7、ボロン誘導体、Alq3のいずれか一種類もしくはそれらの組み合わせでよい。作製方法は真空蒸着法、スピンコーター等による塗布法が望ましい。電子注入層22はAlq3でよい。作製方法は真空蒸着法、スピンコーター等による塗布法が望ましい。電極21は、仕事関数の小さなCs、Rb、K、Na、Ba、Ca、Li等のアルカリ金属やアルカリ土類金属、それらの合金であるAl:Li、Mg:Agのいずれか一種類もしくはそれらの組み合わせでよい。作製方法はスパッタ法、蒸着法、塗布法等でよい。上記構成で作製した量子ドット太陽光LEDの透明導電膜側に、電極側に-の電圧を印加して、電流を流すことにより半導体ナノ結晶層に電子輸送層側から電子が注入され、正孔輸送層側から正孔が注入される。半導体ナノ結晶層に注入された電子と正孔は架橋分子を経由して拡散し、半導体ナノ結晶中で電子と正孔が再結合して半導体ナノ結晶のバンドギャップエネルギーに相当する波長の発光が起こる。光励起型量子ドット太陽光LED光励起型量子ドット太陽光LED3の構成について図7を用いて説明する。短波長発光デバイスチップ33を搭載したリフレクター34の中でIn添加GaN発光デバイスチップ33を包含して樹脂層32があり、樹脂層32の上に半導体ナノ結晶を粒子径の大きなものから小さなものに光出力方向に順次積層した量子ドット太陽光LED積層体31を積層した構造になっている。短波長発光デバイスチップ33は200nmから500nmの間に発光ピークを持つZnO、AlN、Al添加GaN、GaN、In添加GaNでよい。リフレクター34は可視光の反射率が大きく、耐環境性に優れたものであればよい。樹脂32は絶縁性で光劣化に強く、可視光領域の透過率が高く、熱安定性がよいエポキシ樹脂、シリコーン樹脂でよい。量子ドット太陽光LED積層体31を構成する半導体ナノ結晶層は、化合物の種類ごとに複数積層されており、これらの化合物は、硫化鉛、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムのうち少なくとも2種類であり、その積層順は、LEDの光出力方向に向かって、硫化鉛、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムの順に積層されている。また、同じ化合物の層内では、半導体ナノ結晶を粒子径の大きなものから小さなものに光出力方向に順次積層すればよい。各半導体ナノ結晶群はシリコーン樹脂との混合体であればよい。作製方法はスピンコーターによる塗布が望ましい。上記構成で作製した量子ドット太陽光LEDの短波長LEDチップに電圧を印加して、電流を流すことにより短波長LEDチップが発光し、短波長光の一部は樹脂層、半導体ナノ結晶粒子層を通過して量子ドット太陽光LED外に放出される。残りの短波長光の多くは半導体ナノ結晶粒子層内の半導体ナノ結晶粒子に吸収される。短波長光を吸収した半導体ナノ結晶粒子中では電子と正孔が光励起され再び再結合して半導体ナノ結晶粒子のバンドギャップエネルギーに相当する波長の発光が起こる。<ソーラーシミュレータ>本発明のソーラーシミュレータは、上記量子ドット太陽光LEDを備えたことを特徴とするものである。電流注入型量子ドット太陽光LEDを備えたソーラーシミュレータは、電流注入型ソーラーシミュレータとなり、光励起型量子ドット太陽光LEDを備えたソーラーシミュレータは、光励起型ソーラーシミュレータとなる。図7にソーラーシミュレータの概略図を示した。図8に示すように、ソーラーシミュレータ4は、量子ドット太陽光LEDを二次元に配置した量子ドット太陽光LEDアレイ41の前面に拡散板42が配置され、量子ドット太陽光LEDアレイ41に対向して試料台43が配置されて構成されている。試料台43の上に試料44を置く構造を採用している。従来のソーラーシミュレータには発光効率が非常に悪いハロゲンランプやキセノンランプが使用されているため、投入されたエネルギーの大部分が熱エネルギーとなって放出されるため、冷却が必要になるが、本発明のソーラーシミュレータはLEDを使用しているため発熱量が小さく電力使用量も少ない。さらに、従来のソーラーシミュレータには必要な、光源からの光をレンズによる集光や平行光線化するための光学系が不要なため装置が非常にコンパクトになる。以下、実施例によって、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。<実施例1>[電流注入型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータの製造]CdSナノ結晶の合成Trioctylphosphne-oxideTOPOとHexadecylamineHDAを混合した配位溶媒をフラスコ中で300°Cに加熱した後、CdSナノ結晶の原料であるDimethyl-CadmiumとTrimethylsiiySulfideの混合希釈溶液を注射器で素早く注入し、一度200°Cに冷却後、240°Cに保持した。保持時間を変えて取り出し、保持時間の短い方から、順次合成液CdS1、合成液CdS2のように名称を付け計5個の液を得た。これらの計5個の合成液のうち合成液CdS1はCdSの粒子径がおよそ1.7nmであり、合成液CdS5はおよそ4.5nmとなっている。CdSeナノ結晶の合成Trioctylphosphne-oxideTOPOとHexadecylamineHDAを混合した配位溶媒をフラスコ中で300°Cに加熱した後、CdSeナノ結晶の原料であるDimethyl-CadmiumとTrioctylphosphine-Selenideの混合希釈溶液を注射器で素早く注入し、一度200°Cに冷却後、240°Cに保持した。保持時間を変えて取り出し、保持時間の短い方から、順次合成液CdSe1、合成液CdSe2のように名称を付け計9個の液を得た。これらの計9個の合成液のうち合成液CdSe1はCdSeの粒子径がおよそ1.8nmであり、合成液の付番が上がるにつれて粒子径が大きくなり、合成液9はおよそ7.0nmとなっている。CdTeナノ結晶の合成Trioctylphosphne-oxideTOPOとHexadecylamineHDAを混合した配位溶媒をフラスコ中で300°Cに加熱した後、CdTeナノ結晶の原料であるDimethyl-CadmiumとTrioctylphosphine-Tellurideの混合希釈溶液を注射器で素早く注入し、一度200°Cに冷却後、240°Cに保持した。保持時間を変えて取り出し、保持時間の短い方から、順次合成液CdTe1、合成液CdTe2のように名称を付け計4個の液を得た。これらの計4個の合成液のうち合成液CdTe1はCdTeの粒子径がおよそ5.0nmであり、合成液の付番が上がるにつれて粒子径が大きくなり、合成液CdTe4はおよそ9.0nmとなっている。PbSナノ結晶の合成酢酸鉛PbAcをオレイン酸OAと1-octadeceneODEを混合した配位溶媒を含むフラスコ中で100°Cに加熱した後、150°Cに昇温してTrimethylsiiySulfideと1-octadeceneODEの混合希釈溶液を注射器で素早く注入した。保持時間を変えて取り出し、保持時間の短い方から、順次合成液PbS1、合成液PbS2のように名称を付け計4個の液を得た。これらの計4個の合成液のうち合成液PbS1はPbSの粒子径がおよそ2.0nmであり、合成液の付番が上がるにつれて粒子径が大きくなり、合成液PbS4はおよそ3.2nmとなっている。ナノ結晶の精製CdS/TOPO系分散液の合成液CdS1に、脱水メタノールを加えて遠心分離後、上澄み液を除去し、沈殿成分にトルエンを加えて遠心分離後、上澄み成分を精製液CdS1とした。合成液CdS2~合成液CdS5についても同じ操作を行い、精製液CdS2~精製液CdS5を得た。CdSe/TOPO系分散液の合成液CdSe1~合成液CdSe9についても同じ操作を行い、精製液CdSe1~精製液CdSe9を得た。CdTe/TOPO系分散液の合成液CdTe1~合成液CdTe4についても同じ操作を行い、精製液CdTe1~精製液CdTe4を得た。PbS/TOPO系分散液の合成液PbS1~合成液PbS4についても同じ操作を行い、精製液PbS1~精製液PbS4を得た。なお、本実施例で製造されるCdS半導体ナノ結晶トルエン分散液、CdSe半導体ナノ結晶トルエン分散液、PbS半導体ナノ結晶トルエン分散液はエヴィデントテクノロジー社米国、NN-ラボズ社米国、NANOCO社英国より購入することができる。このようにして作製した精製液を表1に例示する。電流注入型量子ドット太陽光LEDの作製ITO透明導電膜を有するガラス基板の上に、正孔注入層であるPEDOT:PSSをスピンコーターで塗布し、加熱乾燥した。つぎに、正孔輸送層であるTPDを真空蒸着法で作製した。半導体ナノ結晶層は、光取り出し方向がITO透明導電膜方向であるため、次のように作製した。精製液CdS1~精製液CdS5、精製液CdSe1~精製液CdSe9、精製液CdTe1~精製液CdTe4、精製液PbS1~精製液PbS4のそれぞれの精製液について1,7-diaminoheptaneの架橋分子の混合液を作製した。この混合液は精製液と同じ付番とした。すなわち精製液CdS1から混合液CdS1のような対応となっている。続いて、正孔輸送層の上に混合液CdS1~混合液CdS5の塗布を行った。まず、正孔輸送層の上に混合液CdS1をスピンコーターで塗布し、加熱乾燥後、混合液CdS2をCdS1塗布乾燥膜上にスピンコーターで塗布し、順次付番の大きい混合液をスピンコーターで塗布した。次に、混合液CdSe1~混合液CdSe9の塗布を行った。まず、塗布済みのCdS5塗布乾燥膜上にスピンコーターで混合液CdSe1を塗布乾燥した。次ぎにCdSe1塗布乾燥膜上に混合液CdSe2を塗布乾燥した。このように順次付番の大きい混合液をスピンコーターで塗布した。次に、混合液CdTe1~混合液CdTe4の塗布を行った。まず、塗布済みのCdSe9塗布乾燥膜上にスピンコーターで混合液CdTe1を塗布乾燥した。次ぎにCdTe1塗布乾燥膜の上に混合液CdTe2を塗布乾燥した。このように順次付番の大きい混合液をスピンコーターで塗布した。次に、混合液PbS1~混合液PbS4の塗布を行った。まず、塗布済みのCdTe4塗布乾燥膜上にスピンコーターで混合液PbS1を塗布乾燥した。次ぎにPbS1塗布乾燥膜上に混合液PbS2を塗布乾燥した。最後にPbS3塗布乾燥膜上に混合液PbS4をスピンコーターで塗布乾燥した。各混合液における発光ピーク波長は以下のような対応となっており、各波長の間隔は25nmである。混合液CdS1~混合液CdS5については、付番が上がるに従って325nm、350nm、375nm、400nm、425nm、となっている。混合液CdSe1~混合液CdSe9については、付番が上がるに従って450nm、475nm、500nm、525nm、550nm、575nm、600nm、625nm、650nmとなっている。混合液CdTe1~混合液CdTe4については、付番が上がるに従って675nm、700nm、725nm、750nmとなっている。混合液PbS1~混合液PbS4については、付番が上がるに従って800nm、900nm、1000nm、1100nmとなっている。また、各発光ピークの半値幅が40nmになるように遠心分離操作を行った。PbSの発光ピークの半値幅は150nmになるように遠心分離操作を行った。正孔阻止層と電子輸送層は、トリアゾール誘導体であるTAZを真空蒸着法で作製した。つぎに、電子注入層であるAlq3を真空蒸着法で作製した。最後に、Mg:Ag/Ag電極を真空蒸着法で作製した。上記構成で作製した量子ドット太陽光LEDの透明導電膜側に、電極側に-の電圧を印加して、電流を流すことによりITO透明導電膜方向に発光させた。発光スペクトルは分光放射計相馬光学製太陽分光放射計S-2440でスペクトルのプロファイルを確認した。CdS、SdSe、CdTeの発光スペクトルの半値幅を40nm、ピーク波長の間隔を25nm、PbSの発光スペクトルの半値幅を150nm、ピーク波長の間隔を100nmとした場合、太陽光スペクトルのプロファイルと同等のプロファイルが得られた。ソーラーシミュレータの作製量子ドット太陽光LEDを2次元面に配置して2次元LEDアレイを作製した。次に2次元LEDアレイを照射面に対向して設置した。市販のソーラーシミュレータ高さ110cm、幅40cm、奥行き45cmに比べてコンパクト高さ20cm、幅20cm、奥行き20cmで、発熱が少ないため冷却装置は不要であった。ソーラーシミュレータの照射面に分光放射計相馬光学製太陽分光放射計S-2440をおいてスペクトルを観察しながら電流を調整して300nm~1100nmの標準太陽光強度である75mW/cm2にあわせた。そのとき、ソーラーシミュレータのプロファイルは太陽光スペクトルのプロファイルと同等のプロファイルを得ることができた。<実施例2>[光励起型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータ]量子ドット太陽光LEDの作製リフレクターの中に発光ピーク波長が365nmのIn添加GaN発光ダイオードチップを接着させた後、リフレクター内の電極とIn添加GaN発光ダイオードチップの電極をワイヤーボンディングで接続した。つぎに、シリコーン樹脂をリフレクター内でIn添加GaN発光ダイオードチップを包含する程度に注入する。また、樹脂面をできるだけ平坦にしておいた。実施例1で作製した精製液CdS4~CdS5、精製液CdSe1~CdSe9、精製液CdTe1~精製液CdTe4、精製液PbS1~精製液PbS4のそれぞれについて、シリコーン樹脂との混合液を作製した。この混合液は精製液と同じ付番とした。すなわち精製液CdS1から混合液CdS1のような対応となっている。続いて、In添加GaN発光ダイオードチップを包含したシリコーン樹脂の上に、実施例1と逆の順番に混合液をスピンコートして塗布し、加熱乾燥した。このようにして形成した各層における発光ピーク波長、各波長の間隔、各発光ピークの半値幅は実施例1と同じである。上記構成で作製した量子ドット太陽光LEDに電圧を印加して、電流を流すことにより発光させた。発光スペクトルは分光放射計相馬光学製太陽分光放射計S-2440でスペクトルのプロファイルを確認した。CdS、CdSe、CdTeの発光スペクトルの半値幅を40nm、ピーク波長の間隔を25nm、PbSの発光スペクトルの半値幅を150nm、ピーク波長の間隔を100nmとした場合、太陽光スペクトルのプロファイルと同等のプロファイルが得られた。ソーラーシミュレータの作製量子ドット太陽光LEDを2次元面に配置して2次元LEDアレイを作製した。次に2次元LEDアレイを照射面に対向して設置した。実施例1と同様に市販のソーラーシミュレータに比べて発熱量が小さくコンパクトであった。ソーラーシミュレータの照射面に分光放射計相馬光学製太陽分光放射計S-2440をおいてスペクトルを観察しながら電流を調整して300nm~1100nmの標準太陽光強度である75mW/cm2にあわせた。そのとき、ソーラーシミュレータのプロファイルは太陽光スペクトルのプロファイルと同等のプロファイルを得ることができた。<比較例1>実施例1で作製した22個の混合液をすべて混合し、この混合液をスピンコーターで正孔輸送層の上に塗布した以外は、実施例1と同じ操作で電流注入型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータを作製した。作製した電流注入型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータの発光スペクトルを分光放射計相馬光学製太陽分光放射計S-2440で測定した結果、実施例1に比較し強度がおよそ20低下した。<比較例2>実施例2で作製したCdS1~3を除く19個の混合液をすべて混合し、この混合液をスピンコーターで塗布した以外は、実施例2と同じ操作で光励起型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータを作製した。作製した光励起型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータの発光スペクトルを分光放射計相馬光学製太陽分光放射計S-2440で測定した結果、実施例2に比較し強度がおよそ20低下した。<比較例3>実施例1で作製した22個の混合液の塗布の順番を逆にして、スピンコーターで塗布した以外は、実施例1と同じ操作で電流注入型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータを作製した。作製した電流注入型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータの発光スペクトルを分光放射計相馬光学製太陽分光放射計S-2440で測定した結果、実施例に比較し強度がおよそ40低下した。<比較例4>実施例2で作製したCdS1~3を除く20個の混合液の塗布の順番を逆にして、スピンコーターで塗布した以外は、実施例2と同じ操作で光励起型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータを作製した。作製した光励起型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータの発光スペクトルを分光放射計相馬光学製太陽分光放射計S-2440で測定した結果、実施例2に比較し強度がおよそ40低下した。<比較例5>量子ドット太陽光LED用積層体を構成する各半導体ナノ粒子樹脂層に含まれる硫化鉛の発光スペクトルのピーク波長の間隔を200nm、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウム結晶の発光スペクトルのピーク波長の間隔を50nmとした以外は、実施例1と同様にして電流注入型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータを作製した。電流注入型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータの照射面に分光放射計相馬光学製太陽分光放射計S-2440をおいてスペクトルを観察しながら電流を調整して300nm~1100nmの標準太陽光強度である75mW/cm2にあわせた。そのとき、ソーラーシミュレータのプロファイルは太陽光スペクトルのプロファイルに対して±20の周期的変動があり、太陽光スペクトルのプロファイルを大まかに反映しているが、異なるプロファイルになった。<比較例6>量子ドット太陽光LED用積層体を構成する各半導体ナノ粒子樹脂層に含まれる硫化鉛の発光スペクトルのピーク波長の間隔を200nm、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウム結晶の発光スペクトルのピーク波長の間隔を50nmとした以外は、実施例2と同様にして光励起型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータを作製した。光励起型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータの照射面に分光放射計相馬光学製太陽分光放射計S-2440をおいてスペクトルを観察しながら電流を調整して300nm~1100nmの標準太陽光強度である75mW/cm2にあわせた。そのとき、ソーラーシミュレータのプロファイルは太陽光スペクトルのプロファイルに対して±20の周期的変動があり、太陽光スペクトルのプロファイルを大まかに反映しているが、異なるプロファイルになった。<比較例7>市販のソーラーシミュレータセリック製の特性を評価した。ソーラーシミュレータの照射面に分光放射計相馬光学製太陽分光放射計S-2440をおいてスペクトルを観察しながら電流を調整して300nm~1100nmの標準太陽光強度である75mW/cm2にあわせた。そのとき、800nmより長波長領域でキセノンランプによる鋭い輝線スペクトルがみられ、太陽光スペクトルのプロファイルを大まかに反映しているが、異なるプロファイルになった。"