"電子線で基板にパターンを描画する電子線描画装置であって、基板を保持するステージと、電子線を放出する電子源と、前記電子線を前記基板の表面に結像する電子光学系と、前記基板に形成されたマークに光を照射し、照射された光の反射光を検出して前記マークの位置を計測する第1計測器と、前記電子源から前記電子光学系を介して前記マークに照射された電子線から発生する二次電子を検出して前記マークの位置を計測する第2計測器と、制御器と、を備え、前記制御器は、前記マークの前記第1計測器による計測と前記第2計測器による計測とを電子線による前記基板へのパターンの描画を介在させることなく行い、前記マークについての前記第1計測器による計測結果と前記第2計測器による計測結果との差分に基づいて電子線の照射位置のずれを算出し、前記算出された電子線の照射位置のずれを補正するように前記ステージおよび前記電子光学系の少なくともいずれかを制御する、ことを特徴とする電子線描画装置。前記マークとして、前記ステージに基板が置かれた後に電子線が照射されていないマークが選択される、ことを特徴とする請求項1に記載の電子線描画装置。前記制御器は、前記基板の上における電子線の照射位置のずれの算出結果を評価し、該算出結果が適正でないと判断するならば、前記基板に形成された別のマークを新たに選択し、前記別のマークについて前記第1計測器による計測および前記第2計測器による計測を行い、前記別のマークについての前記第1計測器による計測結果と前記第2計測器による計測結果との差分に基づいて電子線の照射位置のずれを新たに算出し、前記新たに算出された電子線の照射位置のずれを補正するように前記ステージおよび前記電子光学系の少なくともいずれかを制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の電子線描画装置。前記マークは、前記基板の周辺部に形成された第1マークと前記基板の中央部に形成された第2マークとを含み、前記第1計測器は、前記第1マークおよび前記第2マークのそれぞれに照射された光の反射光を検出して前記第1マークおよび前記第2マークの位置をそれぞれ計測し、前記第2計測器は、前記第1マークおよび前記第2マークのそれぞれに照射された電子線から発生する二次電子を検出して前記第1マークおよび前記第2マークの位置をそれぞれ計測し、前記制御器は、前記第1マークおよび前記第2マークのそれぞれについての前記第1計測器による計測と前記第2計測器による計測とを電子線による前記基板へのパターンの描画を介在させることなく行い、前記第1マークおよび前記第2マークのそれぞれについての前記第1計測器による計測結果と前記第2計測器による計測結果との差分を算出し、前記算出された差分から電子線の照射位置のずれの前記照射位置に依存する第1成分と前記照射位置に依存しない第2成分とを決定し、前記決定された第1成分および第2成分に基づいてパターンを描画すべき前記基板の上における電子線の照射位置のずれを算出し、前記算出された電子線の照射位置のずれを補正するように前記ステージおよび前記電子光学系の少なくともいずれかを制御し、前記第2成分は、前記電子光学系のチャージアップに起因する電子線の照射位置のずれであって、前記第2マークについての前記第1計測器による計測結果と前記第2計測器による計測結果との差分として表され、前記第1成分は、前記基板のチャージアップに起因する電子線の照射位置のずれであって、前記第1マークの前記第1計測器による計測結果と前記第2計測器による計測結果との差分から前記第2マークについての前記第1計測器による計測結果と前記第2計測器による計測結果との差分を減じた値として表される、ことを特徴とする請求項1に記載の電子線描画装置。前記ステージには、基準マークが形成されており、前記マークは、前記基板の周辺部に形成されており、前記第1計測器は、前記マークおよび前記基準マークのそれぞれに照射された光の反射光を検出して第1基準を基準として前記マークおよび前記基準マークの位置をそれぞれ計測し、前記第2計測器は、前記マークおよび前記基準マークのそれぞれに照射された電子線から発生する二次電子を検出して第2基準を基準として前記第1マークおよび前記基準マークの位置をそれぞれ計測し、前記制御器は、前記基準マークについての前記第1計測器による計測と前記第2計測器による計測とを行って前記第1基準と前記第2基準との間のベースラインを計測し、次いで、電子線によるパターンの前記基板への描画を介在させることなく前記マークについての前記第1計測器による計測を行い、前記計測されたベースラインを用いて前記マークを前記第2基準に位置合わせした状態で前記マークについての前記第2計測器による計測を行い、前記マークの前記第1計測器による計測結果と前記第2計測器による計測結果との差分を算出し、前記算出された差分と前記計測されたベースラインとから電子線の照射位置のずれの前記照射位置に依存する第1成分と前記照射位置に依存しない第2成分とを決定し、前記決定された第1成分および第2成分に基づいてパターンの描画を行う前記基板の上における電子線の照射位置のずれを算出し、前記算出された電子線の照射位置のずれを補正するように前記ステージおよび前記電子光学系の少なくともいずれかを制御し、前記第2成分は、前記電子光学系のチャージアップに起因する電子線の照射位置のずれであって、前記基準マークについての前記第1計測器による計測結果と前記第2計測器による計測結果との差分として表され、前記第1成分は、前記基板のチャージアップに起因する電子線の照射位置のずれであって、前記マークについての前記第1計測器による計測結果と前記第2計測器による計測結果との差分から前記基準マークについての前記第1計測器による計測結果と前記第2計測器による計測結果との差分を減じた値として表される、ことを特徴とする請求項1に記載の電子線描画装置。請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電子線描画装置を用いて基板にパターンを描画する工程と、前記パターンが描画された基板を現像する工程と、を含む、ことを特徴とするデバイス製造方法。しかし、描画開始前と描画開始後に行ったアライメントマークの位置計測結果の比較から電子線のドリフトを算出する方法では、算出に用いる2回の位置計測の間に描画が介在し、かつそれに伴う時間差が存在する。その結果、算出された電子線のドリフト量には、間に介在する描画、温度変化などに起因した基板の変形や伸縮による誤差が生じる。このため、特許文献1、2のように光や電子線を用いて以前の位置計測結果との差に基づいて電子線のドリフト量を算出する方法では、電子線のドリフト量を正確に求めることが難しい。そこで、本発明は、基板の上に電子線をずれなく照射して基板にパターンを正確に描画しうる電子線描画装置を提供することを目的とする。本発明は、電子線で基板にパターンを描画する電子線描画装置であって、基板を保持するステージと、電子線を放出する電子源と、前記電子線を前記基板の表面に結像する電子光学系と、前記基板に形成されたマークに光を照射し、照射された光の反射光を検出して前記マークの位置を計測する第1計測器と、前記電子源から前記電子光学系を介して前記マークに照射された電子線から発生する二次電子を検出して前記マークの位置を計測する第2計測器と、制御器と、を備え、前記制御器は、前記マークの前記第1計測器による計測と前記第2計測器による計測とを電子線による前記基板へのパターンの描画を介在させることなく行い、前記マークについての前記第1計測器による計測結果と前記第2計測器による計測結果との差分に基づいて電子線の照射位置のずれを算出し、前記算出された電子線の照射位置のずれを補正するように前記ステージおよび前記電子光学系の少なくともいずれかを制御する、ことを特徴とする。本発明によれば、基板の上に電子線をずれなく照射して基板にパターンを正確に描画しうる電子線描画装置を提供することが可能となる。以下に、本発明の実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の実施形態では、1本の電子線を用いてパターンを描画する電子線描画装置についてのみ説明するが、電子線の本数は必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、複数の電子線を用いてパターンを描画するマルチビーム方式の電子線描画装置にも本発明を適用できることは言うまでもない。[第1実施形態]図1は、本発明の電子線で基板にパターンを描画する電子線描画装置100の構成を示す図である。電子線描画装置100は、大別して、電子源電子銃21、電子光学系1、電子検出器24、基板6を保持するステージウエハステージ2、干渉計3、アライメント光学系4、真空チャンバ50から構成されている。電子源21は、基板6に電子線を放出する。電子光学系1は、電子線を基板6の表面に結像する。アライメント光学系4は、ウエハ6上のマークやウエハステージ2に形成された基準マークに光を照射し、照射された光の反射光を検出して光軸第1基準を基準として前記マークの位置を計測する第1計測器を構成する。電子検出器24は、電子源21から電子光学系1を介してウエハ6上のマーク、基準マークに照射された電子線から発生する二次電子を検出して基準軸第2基準を基準として前記マークの位置を計測する第2計測器を構成する。真空チャンバ50は不図示の真空ポンプによって真空排気されている。真空チャンバ50内に電子銃21、電子光学系1、電子検出器24、ウエハステージ2、干渉計3、アライメント光学系4が配置されている。電子光学系1は、電子銃21からの電子線を収束させる電子レンズ系22、電子線を偏向させる偏向器23を含む。電子銃21、電子光学系1、検出器24は、電子光学系制御部7によって制御される。電子光学系制御部7は、電子線により基板ウエハ6にパターンを描画する際に、電子線を偏向器23により走査するとともに、描画するパターンに応じて電子線の照射を制御する。電子光学系制御部7は、電子線によりウエハ6の位置を計測する際には、偏向器23によりウエハ6に対して電子線を走査させるとともに、電子検出器24によってウエハ6からの二次電子を検出してウエハ6の位置を求める。ウエハステージ2は、Yステージ41にXステージ42が載置された構成で、Xステージ42上に感光材が塗布されたウエハ6が保持されている。Xステージ42上のウエハ6とは異なる位置には、基準マークSMが形成された基準板5が設けられ、Xステージ42上のX方向の一端にはX軸用移動鏡13が設けられている。Yステージ41は、電子レンズ系22の第2基準AX1に垂直な平面内の図1の紙面に垂直なY方向にウエハ6の位置決めを行う。Xステージ42は、電子レンズ系22の第2基準AX1に垂直な平面内でY軸に垂直なX方向にウエハ6の位置決めを行う。Xステージ42上には、電子レンズ系22の第2基準AX1に平行なZ方向にウエハの位置決めを行うZステージ等不図示も載置されている。Yステージ41、Xステージ42は、ウエハステージ制御部10によって制御される。干渉計3は、内部に設けられたレーザ光源から射出されたレーザビームを測定光と参照光に分割する。干渉計3は、測定光をウエハステージ2上に設置されたX軸用移動鏡13に、参照光を測長用干渉計3の内部に設けられた参照鏡にそれぞれ入射させて、反射した測定光と参照光を重ね合わせて干渉させ、検出器を用いて干渉光の強度を検出する。射出段階で測定光と参照光とは互いに周波数が微小量Δfだけ異なる為、検出器からは、X軸用移動鏡13のX方向の移動速度に応じて周波数がΔfから変化しているビート信号が出力される。このビート信号をステージ位置検出部9が処理することにより、参照光の光路長を基準とした測定光の光路長の変化量、すなわち参照鏡を基準にした場合のX軸用移動鏡13のX座標が高い分解能でかつ高精度に計測される。同様に、ウエハステージ2のY方向の位置を検出する干渉計不図示によって、ウエハステージ2に設置された移動鏡のY方向の座標が、参照鏡を基準にして、高分解能かつ高精度に計測される。アライメント光学系4は、非露光光をウエハ6やウエハステージ2に形成されたアライメントマークに導き、反射光をセンサに結像させることで、アライメントマークの像を検出する。そして、アライメント光学系制御部8により、アライメント光学系4の光軸AX2に対するアライメントマークの位置が求められる。主制御部11は、電子光学系制御部7、アライメント光学系制御部8、ステージ位置検出部9、ウエハステージ制御部10からのデータを処理し、各制御部への指令等を行う。また、メモリ12は主制御部11にとって必要な情報を記憶する。主制御部11、電子光学系制御部7、アライメント光学系制御部8、ウエハステージ制御部10は制御器を構成している。電子線描画装置100は、基本的にステップアンドリピート動作により、ウエハ6上の複数のショット位置にパターンを並べて描画するが、ウエハ6のスキャンと電子線の偏向によりパターンを描画しても良い。電子線を偏向してウエハステージ2に搭載されたウエハ6にパターンを描画する際、ウエハステージ2の移動に応じて、電子線を偏向する偏向器23の制御やウエハステージ2の位置制御によってウエハ6に対する電子線の基準位置が補正される。第1実施形態の電子線描画装置100は、アライメント光学系4と電子検出器24を用いて、間に電子線による描画を介在させることなく、設定されたアライメントマークの位置を順次計測する。そして、電子線描画装置100は、アライメント光学系4および電子検出器24それぞれの計測結果に基づいて、ウエハ6上の座標位置に応じた電子線のドリフト量を算出する。これにより、ウエハ6の変形や伸縮に起因した計測値のずれを低減させることができる。この理由について、後で詳細に説明する。図2を用いて、電子線描画装置100における電子光学系1とウエハ6のチャージアップに起因した電子線のドリフトについて説明する。電子線描画装置100における電子光学系1のチャージアップおよびウエハ6のチャージアップに起因した電子線の描画位置の変化を図2A及び図2Bにそれぞれ示す。図2Aに示されるように、電子光学系1のチャージアップが生じる場合には、電子線とZ軸との間に傾き角θが生じ、XY平面上で描画位置のシフトが発生する。電子光学系1のチャージアップに起因して生じる描画位置のシフトは、電子線のずれの照射位置に依存しないドリフトの第2成分を構成する。一方、図2Bに示されるように、ウエハ6のチャージアップが生じる場合には、Z軸と等電位面60は、ウエハ6の中心部では垂直となり、ウエハ6の外縁部では傾きが生じる。この理由として、通常はウエハの周辺部が金属で接地されることが挙げられる。これにより、図2Bに示すように、ウエハ6のチャージアップに起因した電子線のドリフト量はウエハ6の外縁部で大きくなる。ウエハ6のチャージアップに起因して生じる描画位置のずれは、電子線のずれの照射位置に依存するドリフトの第1成分を構成する。電子光学系1のチャージアップとウエハ6のチャージアップは描画開始からの時間の経過に伴って大きくなるため、図2A、図2Bに示す電子線のドリフト量も時間の経過とともに大きくなる。このため、仮に電子線のドリフトを無視して描画を行えば、ドリフト量の分だけ電子線の照射位置描画位置にずれが生じ、電子線とウエハ6との位置合わせ精度が低下する。また、電子線とウエハ6との位置合わせ精度を低下させる別の要因として、温度変化などに起因したウエハ6の変形や伸縮が挙げられる。一般に、電子線描画装置においては、描画動作の際の温度変化などの影響でウエハ6の変形や伸縮が生じる。このため、描画動作に伴って時間経過が生じると、電子線とウエハ6との相対位置が変化する。描画動作を挟んでアライメントマークのアライメント光学系4および電子検出器24による位置計測を行い、2つの計測結果の比較から電子線のドリフト量を算出する従来の方法では、算出に用いる2回の位置計測の間に描画動作に伴う時間経過が生じる。従って、算出された電子線のドリフト量には、温度変化などに起因したウエハの変形や伸縮による計測値のずれが含まれるため、電子線のドリフト補正における精度の低下に伴って、電子線とウエハとの位置合わせ精度が低下する。次に、第1実施形態における電子線描画装置100の描画動作について説明する。温度変化などに起因したウエハ6の変形や伸縮により、電子線のドリフト量の算出において計測値にずれが生じ、電子線とウエハ6の位置合わせ精度が低下することは、これまでに説明した通りである。第1実施形態の電子線描画装置100は、描画開始後に所定のタイミングでアライメント光学系4と電子検出器24とにより、複数のアライメントマークの位置計測を行い、計測結果に基づいてウエハ6上の座標位置に応じた電子線のドリフト量を算出する。詳細な説明の前に、図3を用いて第1実施形態の座標系について述べる。Xステージ42上に載置されるウエハ6上には、図3Aに示すように複数の矩形のパターン領域CPが配列座標系αβに沿ってマトリックス状に形成されている。各パターン領域CPのそれぞれは、電子線により描画されるパターンと重なり合うように定められ、各パターン領域CPにはX方向及びY方向の位置合わせに用いるアライメントマークAMが付随して形成されている。ここで、配列座標系αβの原点を、ウエハ6上の中央付近に位置するパターン領域CP0の中心点と一致するように定める。配列座標系αβにおける各パターン領域CPの設計上の座標値は、図1のメモリ12内に予め記憶されている。図3Bは、ウエハ6上のアライメントマークAMの配列例を示す図である。アライメントマークAM1~AM8は、パターン領域CPの配列の規則性を決定するために用いられるアライメントマークである。アライメントマークAM11、AM12は、電子線のドリフト量を決定するために用いられる複数のアライメントマークである。アライメントマークAM11は、基板の周辺部に形成された第1マークを、アライメントマークAM12は、基板の中央部に形成された第2マークをそれぞれ構成する。電子線描画装置100は、描画処理の開始により、図4に示す描画処理フローチャートに従って、以下のステップを実行する。S101で、ウエハステージ制御部10は、ステージ座標系における基準マークSMの設計上の座標位置に基づいて、基準マークSMがアライメント光学系4の光軸AX2上に位置するようにウエハステージ2を移動させる。そして、アライメント光学系制御部8は、光軸AX2に対する基準マークSMの位置ずれを検出する。その位置ずれに基づいて、主制御部11は、ステージ座標系XYの原点が光軸AX2と一致するように、ステージ位置検出部9が定めるステージ座標系を再設定する。次いで、ウエハステージ制御部10は、電子レンズ系22の計測の基準軸第2基準AX1とアライメント光学系4の光軸AX2との設計上の位置関係に基づいて、基準マークSMが電子レンズ系22の基準軸AX1上に位置するようにウエハステージ2を移動させる。そして、電子光学系制御部7は、電子線で基準マークSMを走査して、基準軸AX1に対する基準マークSMの位置ずれを検出し、主制御部11は、基準軸AX1と光軸AX2とのベースラインを決定する。S102で、ウエハ6上のアライメントマークAMの中から選択されたアライメントマークAM1~AM8が、設計上の座標位置に基づいて、アライメント光学系4の光軸AX2上に位置するように、ウエハステージ制御部10はウエハステージ2を移動させる。アライメント光学系制御部8は、光軸AX2に対するアライメントマークAM1~AM8の位置ずれを検出し、位置ずれ量と設計上の座標位置から、アライメントマークAM1~AM8の実測値が得られる。S103で、主制御部11は、S102の計測結果を用いて、グローバルアライメント法によりウエハ6内のパターン領域CPの配列に関して、シフト、倍率、回転を計算して、パターン領域CPの配列の規則性を決定する。主制御部11は、その後、ベースラインと決定された配列の規則性から補正係数を求め、その結果に基づいて位置合わせを行う。ここで求めた補正係数は、主制御部11によってメモリ12に保存される。S104で、主制御部11は、ウエハ6上のアライメントマークAMの中から、電子線のドリフト補正を行う為に計測する複数のアライメントマークAM11,AM12を選択し、設定する。S105で、主制御部11は、各パターン領域CP内の位置に電子線を位置合わせさせるように偏向器23及びウエハステージ2の少なくとも一方を動作させて、パターン領域CPの設計値に対応したパターンの描画を開始する。S106で、主制御部11は、所定時間が経過したか否かを判定し、所定時間が経過するまでパターンの描画を継続して行う。S107で、主制御部11は、描画動作を開始してから所定時間が経過後に、描画を停止する。S108で、ウエハ6の全ての描画領域への描画が完了した場合には、主制御部11は、ウエハ6の描画を終了する。一方、ウエハ6の全ての描画領域への描画が完了していない場合には、S109へ進む。S109で、ウエハステージ制御部10は、S104で設定されたアライメントマークAM11,AM12が、S103で決定した配列の規則性に基づいて、アライメント光学系4の光軸AX2上に位置するようにウエハステージ2を移動させる。そして、アライメント光学系制御部8は、光軸AX2に対するアライメントマークAM11、AM12の位置ずれを検出する。S110で、S101で算出したベースラインに基づいて、アライメントマークAM11、AM12が電子レンズ系22の基準軸AX1上に位置するように、ウエハステージ制御部10はウエハステージ2を移動させる。そして、電子検出器24は、電子線を用いてアライメントマークAM11、AM12の位置を計測し、電子光学系制御部7は、基準軸AX1に対するアライメントマークAM11、AM12の位置ずれを検出する。S111で、主制御部11は、電子光学系制御部7とアライメント光学系制御部8の計測結果の差分から、アライメントマークAM11、AM12について電子線のドリフト量をそれぞれ算出する。そして、主制御部11は、アライメントマークAM11、AM12の座標位置とドリフト量に基づき、ウエハ6上の座標系の関数を用いてウエハ6の座標位置に応じた電子線のドリフト量を求める。その後、主制御部11は、電子光学系制御部7やウエハステージ制御部10に指令を出し、算出したドリフト量に基づいて電子線の偏向位置またはウエハステージ2の位置を調整することにより、電子線のドリフトを補正する。S111で電子線のドリフト量の算出および補正を終了した後に、S105に戻り、パターンの描画を再開する。また、これらの描画処理は、S108でウエハ6の全てのチップに対する描画が完了するまで続けられ、S108で描画が完了した場合に、全ての処理が終了する。第1実施形態においては、描画を開始する前に、主制御部11が複数のアライメントマークAMの中からドリフト量を決定するために使用する複数のアライメントマークAM11とAM12を選択し設定するS104。そして、描画の開始から所定時間が経過した後に描画動作を停止し、アライメント光学系4と電子検出器24とは、描画動作を介在させることなく、設定されたアライメントマークAM11,AM12の位置を順次計測する。その後、主制御部11は、電子光学系制御部7とアライメント光学系制御部8の計測結果に基づいて電子線のドリフト量を算出する。すなわち、主制御部11は、電子光学系1やウエハ6のチャージアップによりドリフトが生じた電子線による位置計測結果と、チャージアップの影響を受けない光による位置計測結果との差分から、電子線のドリフト量を求める。これにより、第1実施形態の電子線描画装置100においては、従来の電子線描画装置に比べて、アライメント光学系4と電子検出器24を用いた位置計測の間の描画動作に伴う時間経過が極めて短い。例えば、算出に用いる2回の位置計測の時間間隔は、従来の電子線描画装置は10分程度であったのに対し、本実施形態においては10秒以下に短縮させることが出来る。このため、従来の電子線描画装置に比べて、ウエハ6の変形や伸縮に起因した計測値のずれを低減させることができる。これにより、電子光学系1やウエハ6のチャージアップに起因した電子線のドリフト量を精度良く決定して補正することにより、電子線とウエハ6を高精度に位置合わせすることができる。図4のS104で設定すべきアライメントマークの設定方法について説明する。電子線描画装置100においては、電子線の照射に伴ってウエハ6の表面に塗布されたレジストの屈折率が変化するため、電子線の照射の前後でのアライメント光学系制御部8の計測結果に違いが生じる場合がある。このため、一度でも電子線が照射されたアライメントマークを用いて電子線のドリフトを補正する場合には、アライメント光学系4の位置計測結果のずれにより、電子線のドリフト補正における精度が低下する可能性がある。電子線の照射には、パターンを描画するときの照射と電子検出器24によってアライメントマークの位置計測を行うときの照射が含まれる。従って、S104においてドリフト量を決定するためのアライメントマークを設定するとき、主制御部11は、ウエハステージにウエハ6が置かれた後に電子線が照射されていないアライメントマークを選んでいる。そこで本実施形態においては、S105~S110の動作に伴って電子線が照射される領域や順序などを考慮して、主制御部11は、パターンの描画を開始する前にアライメントマークの設定を行う。電子線が照射されていないアライメントマークを用いて、S109とS110で位置計測を行うことより、主制御部11が電子線のドリフト量を求める。電子線が照射されていないアライメントマークを選んで設定する別の方法として、ストライプ毎にパターンを描画する電子線描画方式がある。図5に示すように、ウエハ6上には矩形のパターン領域CPが形成されており、ストライプ領域70を矢印の向きに沿って、電子線を用いたパターンの描画を行う。このため、例えば、アライメントマークを含まないストライプを描画した後にアライメントマークを含むストライプを描画することで、描画時のアライメントマークへの電子線の照射を回避することができる。これにより、アライメントマークの設定における制約を緩め、電子検出器24とアライメント光学系4の位置計測結果に基づいて電子線のドリフト量を精度良く求めることが出来る。S109、S110における設定された複数のアライメントマークの計測について説明する。S109とS110では、アライメント光学系4と電子検出器24を用いて複数のアライメントマークAM1,AM2の位置計測を行う。本実施形態において、アライメントマークAM1,AM2の位置を計測する際には、アライメント光学系4を用いた位置計測の後に、電子検出器24を用いた位置計測を行う。仮に、電子検出器24を用いた位置計測を先に行うと、先述のように電子線の照射に伴ってウエハ6の表面に塗布されたレジストの屈折率が変化し、アライメント光学系制御部8の計測結果にずれが生じて、電子線のドリフトの測定精度が劣化する場合がある。従って、設定されたアライメントマークAM1,AM2の位置計測に際しては、電子検出器24を用いた位置計測の前に、アライメント光学系4を用いて位置計測を行い、電子線のドリフト量を高精度に測定することができる。本実施形態においては、設定された複数のアライメントマークの位置を、アライメント光学系4を用いて計測した後で電子検出器24を用いて計測する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、1つのアライメントマークに対してアライメント光学系4と電子検出器24を用いて位置計測を行う。次いで、他の1つのアライメントマークに対してアライメント光学系4と電子検出器24を用いて位置計測を行うことにより、複数のアライメントマークの位置計測を行ってもよい。S111における電子線のドリフト量の算出について説明する。S111においては、電子光学系制御部7とアライメント光学系制御部8とのS109及びS110での計測結果に基づき、主制御部11は、電子光学系1のチャージアップとウエハ6のチャージアップとに起因した電子線のドリフトをそれぞれ算出して決定する。本実施形態においては、S104で設定した複数のアライメントマークのうち、一方のアライメントマークAM12は、ウエハ6の中央部に位置するため、図2Bに示すようにウエハ6のチャージアップによる影響が小さい。このため、アライメントマークAM12における電子光学系制御部7とアライメント光学系制御部8の計測結果の差分から、電子光学系1のチャージアップに起因した電子線のドリフト量を算出し、決定することができる。この電子光学系1のチャージアップに起因した電子線のドリフト量は、電子線の照射位置のずれの照射位置に依存しない第2成分である。一方、ウエハ6の周辺に位置するアライメントマークAM11における電子光学系制御部7とアライメント光学系制御部8の計測結果の差分には、電子光学系1とウエハ6の両方のチャージアップによる影響が含まれる。このため、アライメントマークAM11において算出した電子線のドリフト量から、先に求めた電子光学系1のチャージアップに起因した電子線のドリフト量を減じた値は、ウエハ6のチャージアップに起因した電子線のドリフト量を表す。このウエハ6のチャージアップに起因した電子線のドリフト量は、電子線の照射位置のずれの照射位置に依存する第1成分である。ウエハ6のチャージアップはウエハ平面上の位置に依存するため、アライメントマークAM11の座標位置を基に、ウエハ6上の座標系の関数を用いてウエハ6の座標位置に応じた電子線のドリフト量を算出する。その後、算出したドリフト量に基づいて、電子線のドリフト補正を実施する。主制御部11は、電子光学系制御部7やウエハステージ制御部10に指令を出し、算出したドリフト量に基づいて電子線の偏向位置またはウエハステージ2の位置を調整する。このとき、電子光学系1とウエハ6のチャージアップに起因した電子線のドリフトをそれぞれ区別して、電子線の偏向位置またはウエハステージ2の位置の調整を行うことにより、電子線のドリフトを補正しても良い。本実施形態では、図3Bに示されるように、X軸方向に沿った2つのアライメントマークAM11、AM12を設定した場合について説明したが、設定されるアライメントマークの数や位置、ドリフト量の算出方法はこれに限定されるものではない。このため、例えば、3以上のアライメントマークを設定して、計測されたそれぞれのドリフト量に基づいて、多項式近似により電子線のドリフト量を算出しても良い。また、S102で配列の規則性を決定するために位置計測を行ったアライメントマークAM1~AM8の中からアライメントマークを選んで設定しても構わない。ただし、この場合、電子線の照射に伴うレジストの屈折率変化によって光計測の精度が低下する恐れがあるため、再度描画を行う際には、設定されたアライメントマークを除いた残りのアライメントマークを用いて配列の規則性を決定することが望ましい。続いて、アライメント光学系4と電子検出器24によるアライメントマークの計測点数の関係について述べる。本実施形態においては、アライメント光学系4を用いたアライメントマークの位置計測結果からチップ配列の規則性を決定するとともに、アライメント光学系4と電子検出器24のアライメントマークの位置計測結果から、電子線のドリフト量を求めている。すなわち、アライメント光学系4によるアライメントマークの位置計測結果を電子線とウエハの位置合わせの基準としている。このため、アライメント光学系4によるアライメントマークの計測点数は、電子検出器24によるアライメントマークの計測点数に比べて多い。仮に電子検出器24によるアライメントマークの位置計測結果を位置合わせの際の基準とした場合には、電子検出器24によるアライメントマークの計測点数が、アライメント光学系4によるアライメントマークの計測点数よりも多くなる。一般に、電子線を用いたウエハ上のアライメントマークの位置計測においては、現像後に電子線が照射された部分がパターニングされて、次の行程の描画を行う際に同じアライメントマークを用いて位置合わせを行うと十分な精度が得られないという課題がある。このため、高精度な位置合わせを行うためには、各行程毎に異なるアライメントマークを用いて位置計測を行う必要がある。従って、ウエハ上に形成されるアライメントマークの数が増える。しかし、ウエハのスクライブラインにおけるスペースの制約上、ウエハ上に形成できるアライメントマークの数には限りがあるため、これを超える数のアライメントマークを形成する場合には、ウエハ上のチップの集積度が低下する。以上より、電子線を用いて位置計測を行うアライメントマークの数が増えると、アライメントマークを形成する手間が増えるとともに、チップの集積度の低下を招く恐れがある。このため、本実施形態の電子線描画装置100においては、アライメント光学系4によるアライメントマークの位置計測結果を電子線とウエハ6の位置合わせの基準とすることにより、ウエハ6上に形成するアライメントマークの数の増加を抑制している。本実施形態によれば、描画動作を開始した後に、ウエハ6上に形成されたアライメントマークAMの中から設定された複数のアライメントマークの位置を、アライメント光学系4と電子検出器24を用いて、順次計測する。そして、主制御部11は、アライメント光学系制御部8と電子光学系制御部7の計測結果の差に基づいて電子線のドリフト量を算出し、電子線の偏向位置またはウエハステージ2の位置を補正する。これにより、本実施形態の電子線描画装置は、特許文献1、2に記載の従来の電子線描画装置に比べて、ドリフト量の算出に用いる2回の位置計測の間の時間経過を短縮することができる。このため、温度変化などに起因したウエハ6の変形や伸縮による影響を低減させることにより、時間経過とともに変化する電子線のドリフト量を高い精度で測定し、補正することが可能となる。従って、本実施形態によれば、電子線とウエハ6を高精度に位置合わせ可能な電子線描画装置を提供することができる。本実施形態では、電子線のドリフト量を測定するタイミングを一定時間毎としたが、これに限定されるものではなく、チップ単位の描画終了のタイミング、列毎の描画終了のタイミング、ストライプ毎の描画終了のタイミングなどにしても良い。また、電子線のドリフト量を測定するタイミングを検出に応じて変更しても良い。[第2実施形態]図6に基づいて第2実施形態の電子線描画方法について説明する。図6は、第2実施形態の電子線描画方法のフローチャートである。図1に示す電子線描画装置100は、描画処理の開始により、図6に示す描画処理フローチャートに従って、以下のステップを実行する。なお、S201~S208については、図4のS101~S108と内容が重複するため、ここでは説明を省略する。S209で、2回目以降のアライメントマークの位置計測に際して、主制御部11は、S204で設定した複数のアライメントマークに基づいた電子線の照射位置のずれの算出結果を評価する。そして、主制御部11は、前記算出結果が適正でない判断した場合にはアライメントマークAMの中からドリフト量を算出するための別のアライメントマークを新たに選択して再設定する。S210で、ウエハステージ制御部10は、別の複数のアライメントマークが、S203で決定した配列の規則性に基づいてアライメント光学系4の光軸AX2上に位置するように、ウエハステージ2を移動させる。そして、アライメント光学系制御部8は、光軸AX2に対する再設定された別のアライメントマークの位置ずれを検出する。S211で、S201で算出したベースラインに基づいて、再設定された別のアライメントマークが電子レンズ系22の基準軸AX1上に位置するように、ウエハステージ制御部10はウエハステージ2を移動させる。そして、電子光学系制御部7は、再設定された別のアライメントマークの位置を、電子線を用いて計測して、基準軸AX1に対する設定されたアライメントマークの位置ずれを検出する。S212で、主制御部11は、電子光学系制御部7とアライメント光学系制御部8の計測結果の差分から、再設定された別のアライメントマークについて電子線のドリフト量をそれぞれ算出する。そして、主制御部11は、アライメントマークの座標位置とドリフト量に基づき、ウエハ6上の座標系の関数を用いてウエハ6の座標位置に応じた電子線のドリフト量を求める。その後、主制御部11は、電子光学系制御部7やウエハステージ制御部10に指令を出し、算出したドリフト量に基づいて電子線の偏向位置またはウエハステージ2の位置を調整することで、電子線のドリフトを補正する。電子線のドリフト量の算出および補正を終了した後に、S205に戻り、パターンの描画が再開される。これらの描画処理は、S208でウエハ6の全てのチップに対する描画が完了するまで続けられ、S208で描画が完了した場合に、全ての処理が終了する。本実施形態においては、主制御部11は、描画を開始する前に、アライメントマークAMの中から複数のアライメントマークを選んで設定するS204。そして、主制御部11は、描画の開始から所定時間が経過後に描画動作を停止し、2回目以降のアライメントマークの位置計測を行う場合に、S204で行ったアライメントマークの設定の妥当性について判断する。主制御部11は、S204で設定したアライメントマークを用いたドリフト補正結果の妥当性を判断し、電子線のドリフト補正が不十分な場合にはアライメントマークAMの中から別のアライメントマークを選び直して再設定する。その後、主制御部11は、アライメント光学系4と電子検出器24を用いて再設定されたアライメントマークの位置を順次計測し、電子光学系制御部7とアライメント光学系制御部8の計測結果に基づいて電子線のドリフト量を算出する。従って、第1実施形態との違いは、描画開始後に所定のタイミングでアライメントマークの設定の妥当性についての判断を実施し、電子線のドリフト補正が不十分な場合には使用するアライメントマークを選び直して再設定する点である。以下では、この効果について説明する。電子線描画装置100における電子光学系1やウエハ6のチャージアップに起因した電子線のドリフトには、ウエハ6上の座標位置に応じた高次成分が生じる場合がある。このため、電子線のドリフトを高精度に補正するためには、高次成分のドリフトをいかに正確に求められるかがポイントとなる。ここで、高次成分のドリフトを求めるためには、位置計測に用いるアライメントマークの数を増やすことや、設定するアライメントマークの位置を調整することが必要となる。第1実施形態においては、図4に示すS104において、主制御部11は、パターンの描画を開始する前に、電子線のドリフトを補正するために位置計測に用いるアライメントマークの設定を実施する。このため、描画開始後にアライメントマークの数や位置を変更することは出来ない。従って、描画開始後に高次成分のドリフトが生じた際に、位置計測に用いるアライメントマークの数や位置が不適当な場合には、電子線のドリフトを精度良く補正できない可能性がある。一方で、本実施形態においては、描画開始後に所定のタイミングでアライメントマークの設定の妥当性の判断を行う。このため、高次成分のドリフトの発生により電子線のドリフト補正が不十分な場合においても、位置計測の行程毎にアライメントマークの数や位置を見直すことにより、電子線のドリフトを高精度に補正することができる。アライメントマークの設定方法や計測方法、電子線のドリフト量の算出方法や補正方法については、第1実施形態に記載の内容をそのまま適用できるので、説明は省略する。本実施形態のドリフト補正方法においても、特許文献1、2に記載の従来の方法に比べて、ドリフト量の算出に用いる2回の位置計測の間の時間経過を短縮させることができる。このため、温度変化などに起因したウエハ6の変形や伸縮による影響を低減させることにより、時間経過とともに変化する電子線のドリフト量を高い精度で測定し、補正することが可能となる。従って、本実施形態によれば、電子線とウエハ6を高精度に位置合わせ可能な電子線描画装置を提供することができる。[第3実施形態]図7に基づいて第3実施形態の電子線描画方法について説明する。図1に示す電子線描画装置100は、描画処理動作の開始により、図7に示す描画処理フローチャートに従って、以下のステップを実行する。S301~S303とS305~308については、図4のS101~S103とS105~S108に記載の内容と重複するため、ここでは説明を省略する。S304で、主制御部11は、ウエハ6上のアライメントマークAMの中からウエハ6の周辺部に位置するアライメントマークAM11第1マークを選んで設定する図3B。アライメントマークの設定方法については、後で詳細に説明する。S309で、ステージ座標系における基準マークSMの座標位置に基づいて、基準マークSMがアライメント光学系4の光軸AX2上に位置するように、ウエハステージ制御部10はウエハステージ2を移動させる。そして、アライメント光学系制御部8が、光軸AX2に対する基準マークSMの位置ずれを検出する。その後、S301で決定したベースラインに基づいて基準マークSMが電子レンズ系22の基準軸AX1上に位置するように、ウエハステージ制御部10はウエハステージ2を移動させる。次いで、電子光学系制御部7は、基準マークSMを電子線で走査して、基準軸AX1に対する基準マークSMの位置ずれを検出し、基準軸AX1と光軸AX2とのベースラインを再度計測する。S310で、アライメントマークAM11が、S303で決定した配列の規則性に基づいて、アライメント光学系4の光軸AX2上に位置するようにウエハステージ制御部10はウエハステージ2を移動させる。そして、アライメント光学系制御部8は、光軸AX2に対するアライメントマークAM11の位置ずれを検出する。S311で、S309で再度計測したベースラインに基づいて、アライメントマークAM11が電子光学系1の基準軸AX1上に位置するように、ウエハステージ制御部10はウエハステージ2を移動させる。そして、電子光学系制御部7は、再度計測されたベースラインを用いて電子光学系1の基準軸AX1に位置合わせされた状態でアライメントマークAM11の位置を電子線で計測して、基準軸AX1に対するアライメントマークAM11の位置ずれを検出する。S312で、主制御部11は、S309におけるベースライン計測結果と、S310~S311の計測結果の差分とから、アライメントマークAM11について電子線のドリフト量をそれぞれ算出する。そして、主制御部11は、アライメントマークAM11の座標位置とドリフト量に基づき、ウエハ上の座標系の関数を用いてウエハ6の座標位置に応じた電子線のドリフト量を求める。その後、主制御部11は、電子光学系制御部7やウエハステージ制御部10に指令を出し、求めたドリフト量に基づいて電子線の偏向位置またはウエハステージの位置を調整することで、電子線のドリフトを補正する。電子線のドリフト量の算出および補正を終了した後に、S305に戻り、パターンの描画を再開する。これらの描画処理は、S308でウエハ6の全てのチップに対する描画が終了するまで続けられ、S308で描画が終了した場合に、全ての処理が終了する。本実施形態においては、描画開始前に、複数のアライメントマークAMの中からアライメントマークAM11を選んで設定する。そして、描画開始から所定時間が経過後に描画動作を停止し、アライメント光学系4と電子検出器24を用いて、基準マークSMと設定されたアライメントマークAM11の位置を順次計測する。その後、基準マークSMとアライメントマークAM11の位置計測結果に基づいて、電子線のドリフト量を算出する。従って、第1実施形態との大きな違いは、描画開始後に所定のタイミングでベースライン計測を再度行い、主制御部11により、再度行ったベースライン計測結果を考慮して電子線のドリフト量を算出する点である。これにより、電子光学系1とウエハ6のチャージアップに起因した電子線のドリフト量を正確に求め、電子線とウエハ6を高精度に位置合わせすることができる。この理由について、以下で詳細に説明する。本実施形態においては、S312により、主制御部11は、アライメント光学系4と電子検出器24を用いて計測した基準マークSMとアライメントマークAM11の位置計測結果に基づいて、電子線のドリフト量を算出する。Xステージ42上でウエハ6とは異なる位置に形成される基準マークSMにおいては、電荷の帯電や温度変化に起因した変形や伸縮などの影響を受けにくい。このため、主制御部11は、S301とS309におけるベースラインの計測結果の差を求めることで、電子光学系1のチャージアップに起因した電子線のドリフト量を算出する。一方で、ウエハ6の外縁部に位置するアライメントマークAM11における電子光学系制御部7とアライメント光学系制御部8の計測結果の差には、電子光学系1とウエハ6の両方のチャージアップによる影響が含まれる。このため、アライメントマークAM11において算出した電子線のドリフト量と、先に求めた電子光学系1のチャージアップに起因した電子線のドリフト量の差から、ウエハ6のチャージアップに起因した電子線のドリフト量が算出される。ウエハ6のチャージアップはウエハ平面上の位置に依存するため、主制御部11は、アライメントマークAM11の座標位置を基に、ウエハ6上の座標系の関数を用いてウエハ6の座標位置に応じた電子線のドリフト量を算出する。本実施形態の電子線描画装置100においては、設定したアライメントマークのウエハ6上での位置に応じて、ウエハ6のチャージアップによる影響が異なるため、計測精度が変化する場合がある。例えば、ウエハ6の中心付近のアライメントマークを選んで設定した場合には、ウエハ6のチャージアップによる影響が小さいため、基準マークSMとアライメントマークに基づき、ウエハ6のチャージアップによるドリフトを精度良く補正することが出来ない。従って、本実施形態のアライメントマークの設定S304においては、第1実施形態や第2実施形態とは異なり、ウエハ外縁部に位置するアライメントマークを選んで設定する必要がある。なお、電子線描画装置100における電子線のドリフト補正方法については、第1実施形態に記載の内容をそのまま適用できるので、説明は省略する。本実施形態のドリフト補正方法においても、特許文献1、2に記載の従来の方法に比べて、ドリフト量の算出に用いる2回の位置計測の間の時間経過を短縮することができる。このため、温度変化などに起因したウエハ6の変形や伸縮による影響を低減させることにより、時間経過とともに変化する電子線のドリフト量を高い精度で測定し、補正することが可能となる。従って、本実施形態によれば、電子線とウエハ6を高精度に位置合わせ可能な電子線描画装置を提供することができる。また、本実施形態においては、電荷の帯電や温度変化に起因した変形や伸縮などの影響を受けにくい基準マークSMの計測結果から、電子光学系1のチャージアップに起因した電子線のドリフト量を算出する。このため、ウエハ6のチャージアップによる影響が小さいウエハ6の中心付近のアライメントマークを用いる第1実施形態や第2実施形態に比べて、精度良く電子線のドリフトを補正することができる。なお、本実施形態においては、パターンの描画を開始する前にアライメントマークを設定する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、描画開始後に所定のタイミングでアライメントマークの設定判断を行い、電子線のドリフトを補正しても良い。[デバイス製造方法]本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、FPDのデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板を、上記の電子線描画装置を用いて描画する工程と、前記パターンが描画された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含みうる。"