"a研磨パッドの研磨表面内に配置された溝を有する前記研磨パッドの厚さを測定するステップと、b前記研磨表面内に配置された前記溝の深さを決定するステップと、c前記研磨表面内に配置された前記溝の前記決定された深さに応じて、前記研磨表面に導入される研磨スラリの流量を調整するステップと、d所定の数の基板を研磨するステップと、ea~dを繰り返すステップとを含む方法。前記所定の数の基板が、約500枚の基板である、請求項1に記載の方法。前記所定の数の基板が、約1000枚の基板である、請求項1に記載の方法。前記研磨パッド表面内に配置された前記溝が、約40milの初期の深さを有する、請求項1に記載の方法。前記流量を前記調整するステップが、前記溝の前記深さが低減するとともに前記研磨スラリの前記流量を減少させるステップを含む、請求項1に記載の方法。研磨パッドの厚さを測定する前記ステップが、誘導センサを使用して前記厚さを測定するステップを含む、請求項5に記載の方法。前記流量を前記調整するステップが、前記溝の前記決定された深さを、コンピュータ可読媒体上に格納されたルックアップテーブル内に位置づけられた所定のスラリ流量と関連づけるステップを含む、請求項6に記載の方法。a研磨パッドの研磨表面内に配置された溝を有する前記研磨パッドの厚さを測定するステップと、b前記研磨パッドの前記測定された厚さを、前記研磨パッドの初期の研磨前の厚さと比較して、研磨パッド厚における減少量を計算するステップと、c前記研磨表面内に配置された前記溝の深さを計算するステップと、d前記研磨表面に導入される研磨スラリの流量を、前記研磨表面内に配置された前記溝の前記決定された深さに応じて、調整するステップと、e所定の数の基板それぞれを前記研磨パッドに接触させるステップと、前記所定の数の基板それぞれに対して前記調整された流量で前記研磨パッドに前記研磨スラリを導入するステップとを含む、前記所定の数の基板を研磨するステップと、fa~eを繰り返すステップとを含む方法。研磨スラリの流量を調整する前記ステップが、実質的に一定の研磨除去速度が維持されるように、前記研磨表面内に配置された前記溝の前記深さが低減するとともに前記研磨スラリの前記流量を減少させるステップを含む、請求項8に記載の方法。流量を調整する前記ステップが、前記溝の前記決定された深さを、コンピュータ可読媒体内に格納されたルックアップテーブル内に位置づけられたスラリ流量と関連づけるステップを含む、請求項9に記載の方法。研磨パッドの厚さを測定する前記ステップが、誘導センサを使用して前記厚さを測定するステップを含む、請求項10に記載の方法。a研磨パッドの研磨表面内に配置された溝を有する前記研磨パッドの厚さを測定するステップと、b前記研磨パッドの前記測定された厚さを、前記研磨パッドの初期の研磨前の厚さと比較して、研磨パッド厚における減少量を決定するステップと、c前記研磨表面内に配置された前記溝の深さを計算するステップと、d前記溝の前記計算された深さを、ルックアップテーブル内に格納された値と比較するステップと、eスラリを、前記溝の前記計算された深さに依存した所定の流量で、前記研磨パッドに導入するステップと、f所定の数の基板を研磨するステップと、ga~fを繰り返すステップとを含む方法。前記溝が約5mil以下の深さを有する場合、前記研磨パッドを交換するステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。前記研磨パッドにスラリを導入する前記ステップが、実質的に一定の研磨除去速度が維持されるように、前記研磨表面内に配置された前記溝の前記深さが低減するとともに、前記研磨スラリの前記流量を減少させるステップを含む、請求項13に記載の方法。前記研磨パッドの厚さを測定する前記ステップが、誘導センサを使用して前記厚さを測定するステップを含み、ならびに前記研磨表面内に配置された前記溝の深さを計算する前記ステップが、前記研磨表面内に配置された前記溝の容積を決定するステップをさらに含む、請求項14に記載の方法。理解を容易にするために、可能な場合は、同一の参照数字を使用して、各図に共通な同一の要素を指定した。一実施形態において開示されている要素は、特別な記述なしに、他の実施形態に関して有益に利用されうることが意図されている。本発明の実施形態は、一般に、基板を化学機械研磨するための方法に関する。本方法は、一般に、研磨表面上に溝または他のスラリ輸送機構を有する研磨パッドの厚さを測定するステップを含む。研磨表面上の溝の深さが決定されると、研磨スラリの流量が、決定された溝の深さに応じて調整される。所定の数の基板が、研磨表面上で研磨される。次いで、任意選択で本方法が繰り返される。本明細書で説明される実施形態が実行されうる具体的な装置は、限定されるものではないが、AppliedMaterials,Inc.ofSantaClara、Californiaから販売されているREFLEXIONGT商標システム、REFLEXION登録商標LKCMPシステム、およびMIRRAMESA登録商標システムで、本実施形態を実行することが特に有益である。さらに、他の製造業者から入手可能なCMPシステムも本明細書で説明する実施形態によって利益を得ることができる。図1は、化学機械研磨システム100の一実施形態を示す上面概略図である。CMPシステム100は、ファクトリインターフェース102、洗浄機104、および研磨モジュール106を含む。湿式ロボット108は、ファクトリインターフェース102と研磨モジュール106との間で基板170を移載するために設けられている。また、湿式ロボット108は、研磨モジュール106と洗浄機104との間で基板を移載するように構成されている。ファクトリインターフェース102は、1つまたは複数のカセット114と1つまたは複数の移載プラットフォーム116との間で、基板170を移載するように構成された乾燥ロボット110を含む。乾燥ロボット110は、4つのカセット114と1つまたは複数の移載プラットフォーム116との間での移載を容易にするように、十分な動き範囲を有する。任意選択で、乾燥ロボット110は、レールまたはトラック112上に取り付けられて、ファクトリインターフェース102の範囲内で長手方向にロボット110を位置決めし、これによって大きいまたは複雑なロボットの連結部を必要とすることなしに、乾燥ロボット110の動き範囲を増大させることができる。さらに、乾燥ロボット110は、洗浄機104から基板を受け取り、この清浄な研磨された基板を基板収納カセット114に戻すように構成されている。図1に示す実施形態では、1つの基板移載プラットフォーム116が示されているが、2つ以上の基板移載プラットフォームが設けられてよく、その結果、少なくとも2つの基板を、同時に、湿式ロボット108によって研磨モジュール106に移載するために列に並ばせることができる。研磨モジュール106は、基板が、1つまたは複数のキャリアヘッド126a、126b内に保持されながら研磨される複数の研磨ステーション124を含む。研磨ステーション124は、2つ以上のキャリアヘッド126a、126bと同時にインターフェースするようにサイズを調整され、その結果2つ以上の基板の研磨を、単一の研磨ステーション124を使用して同時に行うことができる。キャリアヘッド126a、126bは、図1に破線で示すオーバヘッドトラック128に取り付けられているキャリッジ図示せずに結合されている。オーバヘッドトラック128により、キャリッジを研磨モジュール106の周りに選択的に位置決めすることができ、それによりキャリアヘッド126a、126bを研磨ステーション124および積載カップ122の上に選択的に位置決めすることが容易になる。オーバヘッドトラック128は、円形の構成を有し、この構成によってキャリアヘッド126a、126bを保持するキャリッジが、積載カップ122ならびに研磨ステーション124の上を、および/または積載カップ122ならびに研磨ステーション124から離れて選択的に、かつ独立して回転することが可能となる。オーバヘッドトラック128は、楕円形、長円形、直線形または他の適切な配向を含む他の構成を有してよく、キャリアヘッド126a、126bは、他の適切な装置を用いて容易に移動されうる。2つの研磨ステーション124が、研磨モジュール106の対向するコーナに位置して示されている。少なくとも1つの積載カップ122は、湿式ロボット108に最も近い、研磨ステーション124間の、研磨モジュール106のコーナにある。積載カップ122は、湿式ロボット108とキャリアヘッド126a、126bとの間の移載を容易にする。任意選択で、第3の研磨ステーション124破線で示すを、積載カップ122に対向する研磨ステーション124のコーナに位置決めすることができる。あるいは、第2の一対の積載カップ122やはり破線で示すを、湿式ロボットの近くに位置決めされた積載カップ122に対向する、研磨モジュール106のコーナに位置させることができる。追加の研磨ステーション124は、さらに大きな接地面積を有するシステムにおいて、研磨モジュール106内に統合されてもよい。各研磨ステーション124は、少なくとも2つの基板を同時に研磨することができる、研磨表面130を有する研磨パッドを含む。研磨パッドは、ポリウレタンから形成されうる。また、各研磨ステーション124は、パッド調節アセンブリ140を含む。一実施形態では、パッド調節アセンブリ140は、研磨屑を除去し、パッドの孔を開けることによって研磨パッドの研磨表面130を整える調節ヘッド132、および研磨流体送出アーム134を備えることができる。一実施形態では、各研磨ステーション124は、多数のパッド調節アセンブリ140を備える。研磨パッドは、処理中に研磨表面130を回転させるプラテンアセンブリ上に支持されている。研磨表面130は、化学機械研磨、および/または電気化学機械研磨処理のうちの少なくとも1つに対して、好適である。システム100は、電源180に結合されている。研磨システム100の制御および研磨システム上で実施される処理を容易にするために、中央処理ユニットCPU192、メモリ194、および支援回路196を備えるコントローラ190が、研磨システム100に接続されている。CPU192は、様々な駆動および圧力を制御するための産業用装置において使用することができる任意の形態のコンピュータプロセッサのうちの1つであってよい。メモリ194は、CPU192に接続されている。メモリ194、またはコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリRAM、読出し専用メモリROM、フロッピーディスク、ハードディスク、任意の他の形態のディジタルストレージなど、1つまたは複数の容易に入手可能なメモリであってよく、ローカルにあっても遠隔にあってもよい。支援回路196は、従来のやり方でプロセッサを支援するためにCPU192に接続されている。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入出力回路、サブシステムなどを含む。図1に示す研磨システム100のようなCMP研磨システムは、通常、基板から材料を除去するのを助けるために研磨表面130上に1つまたは複数の溝図示せずを有する研磨パッドを使用する。典型的な溝の深さは、約15milまたは約30milであり、パッドは、約80milの厚さを有しうる。研磨パッドが、研磨するために使用されると、研磨表面は摩耗し、溝の深さは低減する。研磨パッドの有効寿命を増大させるために、研磨パッドの厚さは、例えば120milにまで増大されうる。対応して、溝の深さも、例えば約40mil、50mil、または60milにまで増大される。しかし、研磨パッドの溝の深さが増大し、他の全ての処理パラメータが一定に維持されている場合、40milの溝の深さを有するパッドは、30milの溝の深さを有するパッドよりも低い研磨速度を有するようになる。したがって、40milの溝の深さを有する研磨パッドに適用する研磨スラリの量は、等しい研磨速度を生成するために、30milの溝の深さを有する研磨パッドに適用される研磨スラリの量よりも多くするべきである。逆に、研磨パッド上の溝の深さが減少すると、他の全ての処理パラメータが一定に維持されている場合、研磨除去速度は増大する。溝に追加して、または溝に対する代替として、研磨パッドは、穿孔などの他のスラリ輸送機構を利用することもできる。本明細書における実施形態は、全体に溝に言及するが、穿孔などの他のスラリ輸送機構を有するパッドの使用も利用可能であり、本明細書における実施形態により利益が得られることを理解されたい。40milの溝の深さを有する研磨パッドが基板を研磨すると、溝の深さは減少し、研磨速度は増大する。研磨速度はパッドの摩耗によりすでに増大しているので、研磨スラリを一定量供給し続けることは無駄であろう。したがって、本発明の実施形態は、研磨パッドの測定された溝の深さに応じて研磨スラリの流量を閉ループ制御するための方法を提供する。図2は、本明細書で説明する実施形態によるパッド調節アセンブリ240を有する研磨ステーション224の部分透視図である。一実施形態では、パッド調節アセンブリ240は、支持体アセンブリ246と調節ヘッド232との間にある支持アーム244を有する支持体アセンブリ246によって支持される調節ヘッド232を備える。パッド調節アセンブリ240は、支持アーム244に結合する変位センサ260をさらに備える。別の実施形態では、変位センサ260は、調節ヘッド232に結合されうる。キャリアヘッド226aおよび226bは、研磨表面230の上方に配置される。研磨流体送出アーム234は、研磨表面230の上方に位置決めされ、処理中に研磨パッド236に研磨流体またはスラリを供給するようになされている。研磨流体送出アーム234を介して供給される研磨スラリの流量は、コントローラ図示せずによって制御される。さらに、調節ディスク248は、研磨パッド表面230に隣接して位置し、研磨パッド236を調節するようになされている。支持体アセンブリ246は、調節ヘッド232を研磨表面230に接触して位置決めするようになされ、調節ヘッド232と研磨表面230間の相対的な動きをもたらすようにさらになされている。支持アーム244は、調節ヘッド232と結合する遠位端、および基部247と結合する近位端を有する。基部247は回転して、調節ヘッド232を研磨表面230全体にわたって掃引させて、研磨表面230を調節する。研磨パッド236の研磨表面230は、研磨表面230内部に配置された溝201を有する。調節ヘッド232の、研磨パッド236の研磨表面230に対する相対的な動きの結果、変位センサ260は、研磨表面230および研磨パッド236の厚さ測定を行うことができる。調節アームに結合するセンサによって、通常の動作サイクルの一部の期間で、様々な点において研磨パッド236の厚さを測定することができ、付随する論理回路によって測定データを捉え、表示させることができる。いくつかの実施形態において、変位センサ260は、誘導センサを利用しうる。変位センサ260がレーザをベースとしたセンサである実施形態では、研磨パッド236の厚さは、直接測定される。支持アーム244は、プラテンアセンブリ241に対して固定位置にあり、レーザは、このアームに対して固定位置にある。したがって、レーザは、プラテンアセンブリ241に対して固定位置にある。処理パッドまでの距離を測定し、研磨パッド236までの距離とプラテンアセンブリ241までの距離の差を計算することによって、研磨パッド236の残りの厚さが決定されうる。いくつかの実施形態では、レーザをベースとした変位センサ260を使用する厚さ測定の分解能は25μm以内となりうる。変位センサ260が誘導センサである実施形態では、研磨パッド236の厚さは、間接的に測定される。支持アーム244は、調節ヘッド232が処理パッド236に接触するまで枢動点の周りで作動する。電磁場を放射する誘導センサは、枢動ベースの調節支持アーム244の端部に取り付けられる。誘導に関するFaradayの法則に従って、閉ループにおける電圧は、時間変化ごとの磁場の変化に直接比例する。印加される磁場が強ければ強いほど、作り出される渦電流はより大きくなり、反対の磁場がより大きくなる。センサからの信号は、センサの先端から金属製のプラテンアセンブリ241までの距離に直接関係する。プラテンアセンブリ241が回転すると、調節ヘッド232がパッドの表面に乗り、誘導センサが、研磨パッド236の形状に従って調節支持アーム244とともに上下する。誘導センサが金属製のプラテンアセンブリ241により近づくと、処理パッドの摩耗を示す信号電圧が増大する。センサからの信号は、処理され、処理パッド236の厚さにおける変化を捉える。いくつかの実施形態では、誘導センサ260を使用する厚さ測定の分解能は、1μm以内となりうる。図3は、化学機械研磨の一実施形態を示す流れ図である。ステップ380において、研磨パッドの厚さが、上記したセンサのうちの少なくとも1つを用いて測定される。この測定値は、コントローラに引き継がれる。ステップ382において、測定された研磨パッドの厚さが、初期の研磨前の研磨パッドの厚さ、例えば処理の開始時点のパッドの厚さと比較される。通常、初期の研磨前の厚さは、コントローラにも格納される。例えば、研磨パッドが新しいパッドで、初期の厚さがわかっている場合は、この値がコントローラに入力されうる。あるいは、処理パッドの厚さがわかってない場合は、初期の研磨前の研磨パッドの厚さがセンサによって測定され、格納のためにコントローラへ引き継がれうる。測定された研磨パッドの厚さを初期の研磨前のパッドの厚さと比較することによって、パッドの厚さにおける変化がコントローラによって決定されうる。研磨パッドが、研磨表面において摩耗するので、パッドの厚さにおける差は、研磨表面内に配置された溝の深さにおける差にも直接関連する。例えば、研磨パッドの厚さおよび溝の深さは、同じ速度で減少する。したがって、研磨パッドの厚さにおける変化を測定することによって、溝の深さにおける変化も決定されうる。さらに、溝の数および位置またはピッチがパッド作製中に確定され、典型的な研磨パッドがほぼ垂直の側壁を有する溝を備えているので、決定された溝の深さは、溝の容積を計算するためにも使用することができる。ステップ384において、閉ループコントローラは、研磨パッドに供給される研磨スラリの流量を、ステップ382において決定された研磨パッドの溝の深さに応じて調整する。通常、研磨処理を開始する前に、ユーザが入力したルックアップテーブルがコントローラ内に格納されている。ルックアップテーブルは、研磨スラリの所定の流量を、決定されたまたは測定された溝の深さと相互に関連付ける。流量は処理間で変わる可能性があり、パッドの組成物、スラリの組成物、または基板の材料に依存しうる。通常、流量は、実験的に決定される。ステップ386において、研磨スラリは、以降処理される各基板に対して対応する流量で研磨パッドに供給され、続いて所定の数の基板が処理される。例えば、200、300、500、または1000のウェーハは、最後に決定された研磨パッドの溝の深さに対応する研磨スラリの流量を用いて、連続的に研磨されうる。任意選択のステップ388において、ステップ380、382、384、および386が繰り返される。ステップ380、382、384、および386は、数百の基板毎よりももっとしばしば、例えば全ての基板が研磨された後に、繰り返されてよいが、そうすることは、一般に有利ではない。通常、単一の基板のみを研磨した後では、研磨スラリの流量に顕著な変化をもたらすほどの溝の深さにおける十分な変化ない。したがって、少なくとも約500枚の基板が研磨された後に、研磨パッドの溝の深さを決定し、研磨スラリの流量を調整することで十分である。しかし、研磨パッドの厚さが減少し、研磨パッドがその処理寿命末期に近づくと、より頻繁に研磨パッドの厚さを測定し、溝の深さを決定することが望ましいことがある。これは、研磨パッドが、パッドの有効寿命の末期近くで研磨除去速度におけるスパイクに遭遇するという事実のためである。パッドの厚さをよりしばしば測定することによって、パッドの交換を必要とする時期をより容易に特定することができる。さらに、より頻繁にパッドを測定することは、スパイク中の研磨し過ぎによって引き起こされる基板の損傷を回避する助けとなり、また研磨スラリなどの消耗材を過度に無駄にすることを回避する助けとなりうる。図4は、研磨パッドの溝の深さを示す断面概略図である。図4に示す実施形態において、研磨パッド436は、様々な深さの溝401を有しうる。溝は、初めは約40milの研磨前の深さを有する。しかし、研磨後、溝401は、約30mil、15milなどの減少した深さを有しうる。さらに、または代替として、パッドは、研磨前に様々な深さを有する多数の溝を備えることができる。溝401が約5milの深さに近づくか、または5milの深さを超えると、パッドは一般に交換するべきである。図5A~5Cは、研磨パッドの溝の深さを示す断面概略図である。図5Aにおいて、研磨パッド536aは、40milの深さを有する溝501aを備える。研磨パッド536aの厚さは、約80milと120milの間でありうる。図5Bは、溝501bを備える研磨パッド536bを示す。溝501bは、約30milの深さを有する。研磨パッド536bは、約100milの厚さを有しうる。溝の深さが約5milに達すると、パッドは摩耗しきったと考えられ、通常すぐそのあとに交換が必要となる。図5Cは、約15milの深さを有する溝501cを備える研磨パッド536cを示す。研磨パッドの使用可能な寿命を増大させるために、研磨パッドの厚さおよび研磨パッドの溝の深さを増大させることができる。例えば、溝の深さは、従来のパッドの約30milから、図5Aに示すように約40milに増大させることができる。別の実施形態では、溝の深さは、約50milまたは約60milに増大させることができる。上記したように、約40milの溝の深さを有する研磨パッドは、30milの溝の深さを有する研磨パッドよりも、同様の研磨速度を生じさせるために、一般に、より多い研磨スラリの流量を必要とする。したがって、溝の深さが減少すると、研磨スラリの流量も減少するが、研磨速度は実質的に一定に維持されうる。図6は、様々な溝の深さを有する研磨パッドに対する、スラリの流量対シリコン酸化膜除去量を示すグラフである。図6からわかるように、40milの溝の深さを有する研磨パッドは、30milの溝の深さを有する研磨パッドと同じ研磨除去速度を得るために、より多い研磨スラリ流量を必要とする例えば、スラリ流量が右にシフトする。30milの溝の深さを有する研磨パッドに対しては、1分あたり100ミリリットルのスラリ流量で、1分あたり約1200オングストロームを除去することが可能である。スラリの流量が1分あたり200ミリリットルに増大した場合は、30milの溝の深さを有する研磨パッドは、1分あたり約1750オングストロームを除去することが可能である。スラリの流量が1分あたり300ミリリットルに増大した場合は、30milの溝の深さを有する研磨パッドは、1分あたり約1800オングストロームを除去することが可能である。相対的に、40milの溝の深さを有する研磨パッドは、研磨スラリの流量が1分あたり200ミリリットルの場合、1分あたり約1400オングストロームの材料しか除去できない。スラリの流量が1分あたり300ミリリットルに増大した場合は、40milの溝の深さを有する研磨パッドは、1分あたり約1600オングストロームを除去することが可能である。40milの溝の深さを有する研磨パッドが、1分あたり約1750オングストロームの除去速度を生成するためには、1分あたり400ミリリットルのスラリの流量を必要とし、この除去速度は、ほぼ、30milの溝の深さを有するパッドが1分あたり200ミリリットルのスラリの流量で除去する速度である。さらに、本明細書の方法は、初期の深さが40mil未満、例えば約30milの溝を有するパッド用に使用することができる。しかし、溝の深さが30mil未満の場合、溝の深さは、研磨速度に影響を与える2次的な要因にすぎない。溝の深さが30milを超える場合、溝の深さと除去速度との間により強い関係があることがわかり、したがって、30milを超える溝の深さを有するパッドを使用する場合、スラリ流の閉ループ制御を利用することは、より大きな関心事となる。閉ループ制御システムによって、パッドが摩耗するにつれ研磨パッドに送出されるスラリの量を低減しながら、一定の研磨速度を維持することができる。スラリ流を閉ループ制御することによって、より長い有効寿命を有するパッドを使用することが可能となり、これによってパッドの交換を必要とする頻度が減少する。さらに、パッドの厚さに応じてスラリ流を閉ループ制御することによって、スラリ流量をパッドの厚さおよび溝の深さに合わせて調整することができ、このことは、確実に、過剰なスラリがパッドに無駄に供給されないようにするのに役立つ。研磨スラリの閉ループ制御は、消耗材料を無駄に捨てないことによって研磨パッドの寿命全体にわたって著しいコスト削減につながるはずである。本明細書で開示された実施形態により、より長い有効寿命を有する比較的厚い研磨パッドの効率的な使用が可能となり、基板の高いスループットをさらに維持できる。上記したことは、本発明の実施形態を対象としているが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく本発明の他のさらなる実施形態を考案することができ、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって決定される。"