キャビティを有するキャビティ構造モジュールと、前記キャビティ構造モジュールのキャビティ側と接合するマザー基板と、を備えた半導体装置であって、前記キャビティ構造モジュールは、前記マザー基板と対向する一面に、複数の部品を備え、前記マザー基板は、前記キャビティ構造モジュールと対向する一面のうち、前記キャビティ構造モジュールの前記複数の部品が備えられた面において前記複数の部品が備えられていない部分に、部品を備えた、半導体装置。前記複数の部品が備えられていない部分は、所定の部品からアンダーフィルがはみ出している部分を含む、請求項1記載の半導体装置。前記キャビティは、前記キャビティ構造モジュールと前記マザー基板との接合により密閉されており、前記キャビティ構造モジュールに備えられた部品および前記マザー基板に備えられた部品を除く部分に、第1の封止樹脂が充填されている、請求項1記載の半導体装置。前記キャビティは、前記キャビティ構造モジュールと前記マザー基板との接合により密閉されており、前記キャビティ構造モジュールの前記複数の部品が備えられた面において、前記複数の部品の表面および前記複数の部品が備えられていない部分に、第2の封止樹脂を備え、前記キャビティ構造モジュールに備えられた部品および前記第2の封止樹脂ならびに前記マザー基板に備えられた部品を除く部分に、熱伝導性を有する材料が充填されている、請求項1記載の半導体装置。前記マザー基板に備えられる部品は、チップ部品、熱伝導性を有する金属製の部品、多ピンを有する部品、熱を発する部品、バイパスコンデンサ、前記キャビティ構造モジュールの複数の部品と直接通電されていない部品、のいずれかである、請求項1記載の半導体装置。キャビティを有するキャビティ構造モジュールと、前記キャビティ構造モジュールのキャビティ側と接合するマザー基板と、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記キャビティ構造モジュールのキャビティ側の、前記マザー基板と対向する一面に、複数の部品を実装し、前記マザー基板の、前記キャビティ構造モジュールのキャビティ側と対向する一面のうち、前記キャビティ構造モジュールの前記複数の部品が備えられた面において前記複数の部品が備えられていない部分に、部品を実装し、前記キャビティ構造モジュールのキャビティ側と、前記マザー基板の前記部品が備えられた面とを対向して接合する、半導体装置の製造方法。しかしながら、上述した半導体装置の構成には以下の問題がある。以下、詳細について、図1を参照して説明する。図1は、上述した半導体装置の構成例を示しており、上図が断面図、下図がマザー基板側から見た図である。なお、下図では、縦方向の脚部2a、2bを図示しており、横方向の脚部の図示は省略している。図1では、ベース基板1と脚部2a、2bによりキャビティが形成されたキャビティ構造モジュールにおいて、ベース基板1にIC3およびチップ部品6a、6bが実装されている。ここで、IC3とベース基板1との間にはアンダーフィル5が充填されているが、アンダーフィル5はIC3の周囲にはみ出している。アンダーフィル5がIC3の周囲にはみ出すと、はみ出した部分にはチップ部品を備えることは困難であり、無駄なスペースとなる。これにより、キャビティ構造モジュールが大きくなり、更に、図1ではキャビティ構造モジュールの外側にチップ部品6c、6dを配置する必要がある。このため、半導体装置の大型化が問題となる。本発明の目的は、キャビティ構造モジュールのキャビティに電子部品を備える半導体装置において、大型化を抑制した半導体装置およびその製造方法を提供することである。本発明の半導体装置は、キャビティを有するキャビティ構造モジュールと、前記キャビティ構造モジュールのキャビティ側と接合するマザー基板と、を備えた半導体装置であって、前記キャビティ構造モジュールは、前記マザー基板と対向する一面に、複数の部品を備え、前記マザー基板は、前記キャビティ構造モジュールと対向する一面のうち、前記キャビティ構造モジュールの前記複数の部品が備えられた面において前記複数の部品が備えられていない部分に、部品を備えた構成を採る。本発明の半導体装置の製造方法は、キャビティを有するキャビティ構造モジュールと、前記キャビティ構造モジュールのキャビティ側と接合するマザー基板と、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記キャビティ構造モジュールのキャビティ側の、前記マザー基板と対向する一面に、複数の部品を実装し、前記マザー基板の、前記キャビティ構造モジュールのキャビティ側と対向する一面のうち、前記キャビティ構造モジュールの前記複数の部品が備えられた面において前記複数の部品が備えられていない部分に、部品を実装し、前記キャビティ構造モジュールのキャビティ側と、前記マザー基板の前記部品が備えられた面とを対向して接合する。本発明によれば、キャビティ構造モジュール内に電子部品を備える半導体装置において、大型化を防ぐことができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態1まず、本発明の実施の形態1について説明する。図2は、本実施の形態における半導体装置の製造方法の過程の一例を示す図である。なお、以下では、製造方法の実行主体を製造者と記載するが、ここでいう製造者は、人間に限らず、例えば、装置を含んでもよい。まず、製造者は、2つの基板を接合し、両面基板を作成する。図2fは両面基板の側面図である。図2fでは、両面基板は、ベース基板1と基板2とが接合している。図2aは、両面基板を基板2側から示した図である。図2aでは、両面基板は略正方形である。ベース基板1と基板2の材質としては、例えばガラスエポキシが挙げられる。次に、製造者は、基板2において、キャビティ凹部とする部分をくりぬく。例えば、図2bでは、基板2において、斜線によって示すくりぬき部分が取り除かれる。次に、図2cには、形成された脚部2a、2b、2c、2dを示す。ベース基板1と脚部2a、2b、2c、2dとに囲まれた空間がキャビティとなるキャビティ構造モジュールが作成される。図2gは、図2cに示すA-A’間の断面図である後述する図2h、iも同様。なお、図2gにおいては、脚部2c、2dの図示を省略している後述する図2h、iも同様。次に、製造者は、作成したキャビティ構造モジュールのベース基板1に対し、キャビティの外部と内部を繋ぐ貫通孔を複数形成する。例えば、図2dでは、ベース基板1のキャビティ側の4角には、貫通孔10a、10b、10c、10dがそれぞれ形成される。貫通孔10a、10b、10c、10dは、真空引きまたは封止樹脂の注入に利用される。よって、キャビティに隙間なく封止樹脂を充填するためには、図2dでは、4角に1つずつ貫通孔が形成されることが好ましいが、貫通孔の数又は位置は、これに限定されない。例えば、2つの貫通孔を形成する場合には、ベース基板1のキャビティ側の4角において、対角に形成してもよい。図2dでは、貫通孔10aと貫通孔10d、または、貫通孔10bと貫通孔10cの組合せによって形成してもよい。次に、製造者は、キャビティ構造モジュールのベース基板1のキャビティ側の一面マザー基板9と対向する面に、各種電子部品を半田付けする。例えば、図2eおよび図2iでは、ベース基板1のキャビティ側には、IC3、チップ部品6a、6bが実装される。チップ部品6a、6bは、半田7によりベース基板1に実装される。IC3は、半田ボール4を介してベース基板1に実装され、IC3とベース基板1との間にはアンダーフィル5が充填される。充填されたアンダーフィル5は、IC3の周囲にはみ出す。なお、チップ部品は、図2eでは符号を付していないが、6aおよび6b以外にも実装される。次に、製造者は、別途用意したマザー基板の、キャビティ構造モジュールのキャビティ側と接合する面において、電子部品を半田付けする。例えば、図2iでは、マザー基板9には、チップ部品6c、6dが半田7により実装される。ただし、チップ部品6c、6dは、マザー基板9上の任意の位置に実装されるわけではない。すなわち、チップ部品6c、6dの実装位置は、マザー基板9とキャビティ構造モジュールが接合した場合に、ベース基板1上にてアンダーフィル5がはみ出している部分の全部又は一部に対応対向する、マザー基板9上の位置となる。例えば図2iでは、IC3とチップ部品6aの間のスペースに対応するマザー基板9上の位置がチップ部品6cの実装位置となり、IC3とチップ部品6bの間のスペースに対応するマザー基板9上の位置がチップ部品6dの実装位置となる。次に、製造者は、電子部品を実装したキャビティ構造モジュールと、電子部品を実装したマザー基板9とを接合する。すなわち、製造者は、キャビティ構造モジュールのキャビティ側に対し、マザー基板9の部品実装面チップ部品6cおよび6dが実装された面を対向させて接合する。接合にあたっては、脚部2a、2b、2c、2dとマザー基板9とが半田付けされる後述する図3の上図参照。これにより、キャビティ構造モジュールのキャビティは、マザー基板9により密閉される。次に、製造者は、密閉されたキャビティ例えば、実装された電子部品を除く空間の空気を、例えば貫通孔10a、10cから抜き、更に、封止樹脂を例えば貫通孔10b、10dから注入する。これにより、キャビティに封止樹脂が充填される後述する図3の上図参照。以上の過程により、本実施の形態の半導体装置が完成する。完成した半導体装置の例を図3に示す。図3において、上図は図2cのA-A’間の側断面図であり、下図はマザー基板9側からキャビティ構造モジュールを示した図である。なお、下図では、脚部2c側および脚部2d側の図示を省略している。図3では、キャビティ構造モジュールは、脚部2a、2b、2c、2dの一部に付された半田7を介して、マザー基板9と接合されている。また、マザー基板9により密閉されたキャビティIC3、アンダーフィル5、チップ部品6a、6b、6c、6d、半田7を除いた空間には、封止樹脂8が充填されている。なお、封止樹脂8は、各貫通孔10a、10b、10c、10dにも充填される。図3では、半導体装置100では、従来キャビティ構造モジュールの外側に実装されていた図1参照チップ部品6cおよび6dが、キャビティ構造モジュール内に実装されている。また、それらチップ部品6cおよび6dは、アンダーフィル5のはみだしにより無駄なスペースとなっていた空間隙間に実装されている。なお、図3の下図では、チップ部品6cおよび6dの実装方向は、チップ部品6aおよび6bの横方向に対して、縦方向となっている。なお、図示は省略しているが、図3において、ベース基板1、脚部2a、2b、マザー基板9には、信号線が内蔵されている。これにより、IC3およびチップ部品6a、6b、6c、6dは、半田ボール4または半田7を介して信号線と通電する。本実施の形態によれば、キャビティ構造モジュールの内側キャビティにおいて、従来使用されていなかった、アンダーフィルがはみ出している部分の空間に、電子部品を配置することによって、キャビティ構造モジュール内の空間を有効に利用している。これにより、本実施の形態では、キャビティ構造モジュールの大型化を抑制でき、また、キャビティ構造モジュール外に配置する電子部品の数を減少できる。このため、半導体装置の大型化を抑制できる。なお、本実施の形態では、ベース基板に貫通孔を形成する例について説明したが、本発明は、貫通孔を形成せずに、電子部品を実装したキャビティ構造モジュールと、電子部品を実装したマザー基板とを接合させてもよい。キャビティ構造モジュールの内側に封止樹脂を注入が困難になるが、上述したように、従来使用されていなかったアンダーフィルがはみ出している部分の空間に電子部品を配置することによって、キャビティ構造モジュールの内側の空間を有効に利用できる。ただし、封止樹脂の充填がされないため、ICから発せられる熱がキャビティ構造モジュール内から充分に放熱されないという問題がある。したがって、図2、図3を用いて説明したように、キャビティ構造モジュールに貫通孔を形成し、キャビティ構造モジュールの内側に封止樹脂を充填することが好ましい。また、本実施の形態では、マザー基板に実装する電子部品をチップ部品6c、6dとして説明したが、本発明は、チップ部品の代わりとして以下の部品を実装してもよい。例えば、キャビティ構造モジュールの内側に封止樹脂を充填しない場合、熱伝導性に優れた金属製の部品金属片を実装してもよい。ICからの熱を放熱する効果が得られる。例えば、マザー基板を多層に構成する場合、多ピンの部品を実装してもよい。部品を実装するエリアの縮小が可能である。例えば、マザー基板は、キャビティ構造モジュールよりも放熱性に優れているため、熱を発する部品を、マザー基板側に実装してもよい。例えば、パスコンICの電源ピンに接続するバイパスコンデンサを実装してもよい。パスコンからICまでの配線マザー基板、脚部、ベース基板に内蔵される信号線が長くなるが、配線幅を太くすることで対応できる。例えば、キャビティ構造モジュールの複数の部品と直接通電されていない部品を実装してもよい。実施の形態2次に、本発明の実施の形態2について説明する。本実施の形態では、貫通孔を、ベース基板ではなく、脚部に形成する。製造方法は、実施の形態1において説明した図2a~cまでは同じである。その後、製造者は、キャビティ構造モジュールの脚部2a、2b、2c、2dのいずれかに、複数の貫通孔を形成する。貫通孔の形成例を図4に示す。図4は、キャビティ構造モジュールをキャビティ側から示した図である。図4aおよびbの例では、脚部2aに貫通孔10aが、脚部10bに貫通孔10bがそれぞれ形成されている。貫通孔10a、10bの形成位置は、図4aまたはbのどちらであってもよい。例えば、貫通孔10aが真空引きに使用され、貫通孔10bが封止樹脂の注入に使用される。次に、製造者は、上述したように貫通孔を形成した後、キャビティ構造モジュールのベース基板1のキャビティ側に、各種電子部品を半田付けする。電子部品の実装は、実施の形態1と同じである図2e、i参照。次に、製造者は、キャビティ構造モジュールの電子部品の実装側において、例えば図5では、封止樹脂8を薄く注入する。図5の例では、従来のように、キャビティ全てを封止樹脂で充填する製造方法とは異なり、電子部品例えば、IC3、アンダーフィル5、チップ部品6a、6b、半田7の表面、および、電子部品が実装されていない部分に対して、封止樹脂8が薄く注入されている。次に、製造者は、図5に示すキャビティ構造モジュールと、実施の形態1と同様に、チップ部品6cおよび6dを実装したマザー基板9と、を半田付けにより接合する。これにより、キャビティ構造モジュールのキャビティは、マザー基板9により密閉される。次に、製造者は、実施の形態1と同様に、密閉されたキャビティに対して、貫通孔10aから真空引きし、更に、貫通孔10bから熱伝導性のよい材料を注入する。これにより、キャビティ構造モジュールの内側に熱伝導性のよい材料が充填される。なお、各貫通孔10a、10bにも熱伝導性のよい材料が充填される。以上の過程により、本実施の形態の半導体装置が完成する。これにより、例えば、IC3から発生した熱は、薄く注入した封止樹脂8および熱伝導性のよい材料を介してマザー基板9から放熱される。本実施の形態においても、実施の形態1と同様の効果が得られる。なお、本実施の形態においては、図6に示すように、各チップ部品6を千鳥状に配置してもよい。これにより、半田付けのためのランドのクリアランスを確保し、更に、チップ部品6の実装密度を向上できる。また、本実施の形態においても、マザー基板に実装する電子部品はチップ部品に限定されず、実施の形態1において説明した種々の部品に置き換えてもよい。以上、本発明の実施の形態1、2について説明したが、本発明は各実施の形態の説明に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形は可能である。