"パターン形成放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系であって、パターン形成放射ビームが、パターン形成放射ビームの少なくとも一部のパターンの像を形成する0次ビームおよび関連する1次ビームを有する投影系と、位相調整器であって、該位相調整器を横断するパターン形成放射ビームの放射の光位相を調整するよう構成および配置された位相調整器と、前記位相調整器を制御して、前記0次ビームに対する相対的な光位相の変化を前記1次ビームに選択的に与えるように構成および配置された制御部と、を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。照明極から出射し且つ光軸に対して傾斜したオフアクシス放射ビームを含む照明モードを備える放射ビームを調整するよう構成された照明系を備えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記照明モードは、第1および第2ビームを含む多極照明モードであり、第1および第2ビームはそれぞれ第1極および隣接した第2極から出射しており、両者は光軸に対してある角度をなして傾斜しており、第2ビームは、前記0次ビームおよび関連する前記1次ビームを形成するために用いられ、パターン形成放射ビームは、第1ビームから形成された0次ビームおよび関連する1次ビームをさらに備え、第1ビームの0次ビームおよび関連する1次ビームは、光軸に対して逆向き且つ対称に傾斜している、ことを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィ装置。前記制御部は、位相調整器を制御して位相調整器の光学素子に熱を印加または光学素子から熱を除去させ、光位相の変化に従ってその屈折率を変化させるよう構成されることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記制御部は、パターンの像の像特性に変化をもたらすために、光位相の変化値を計算するよう構成されることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記像特性は、焦点深度であることを特徴とする請求項5に記載のリソグラフィ装置。使用の際、前記0次ビームおよび関連する前記1次ビームは、パターン形成放射ビームの光軸に対して逆向き且つ非対称に傾斜していることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。パターニングデバイスを支持するよう構成された支持体であって、前記パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを付与して0次ビームおよび関連する1次ビームを有するパターン形成放射ビームを形成するよう構成されており、前記1次ビームが、放射ビーム光軸に対して前記0次ビームとは異なる角度をなして傾斜している、支持体と、パターン形成放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系と、位相調整器であって、該位相調整器の光学素子を横断する放射の光位相を調整するよう構成および配置された位相調整器と、使用の際に前記1次ビームが横断する光学素子の領域を特定し、前記0次ビームに対する相対的な光位相の変化を前記1次ビームに与えるために該領域の光学素子の特性を変化させるよう構成および配置された制御部と、を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。照明極から出射し且つ光軸に対してある角度をなして傾斜したオフアクシス放射ビームを含む照明モードを備える放射ビームを調整するよう構成された照明系を備えることを特徴とする請求項8に記載のリソグラフィ装置。前記照明モードは、第1および第2ビームを含む多極照明モードであり、第1および第2ビームはそれぞれ第1極および隣接した第2極から出射しており、両者は光軸に対してある角度をなして傾斜しており、第2ビームは、前記0次ビームおよび関連する前記1次ビームを形成するために用いられ、パターン形成放射ビームは、第1ビームから形成された0次ビームおよび関連する1次ビームをさらに備え、第1ビームの0次ビームおよび関連する1次ビームは、光軸に対して逆向き且つ対称に傾斜している、ことを特徴とする請求項9に記載のリソグラフィ装置。前記光学素子の特性は、光学素子の屈折率であり、前記制御部は、前記位相調整器を制御して前記光学素子に熱を印加または前記光学素子から熱を除去させ、光位相の変化に従って前記光学素子の前記領域の屈折率を変化させるよう構成されることを特徴とする請求項8に記載のリソグラフィ装置。前記制御部は、パターンの像の像特性に変化をもたらすために、光位相の変化値を計算するよう構成されることを特徴とする請求項8に記載のリソグラフィ装置。前記像特性は、焦点深度であることを特徴とする請求項12に記載のリソグラフィ装置。パターニングデバイスからパターンを基板に転写するステップを含むデバイス製造方法であって、パターン形成放射ビームを基板の目標部分に投影するステップであって、パターン形成放射ビームが、パターン形成放射ビームの少なくとも一部のパターンの像を形成する0次ビームおよび関連する1次ビームを有するステップと、位相調整器を用いてパターン形成放射ビームの放射の光位相を調整するステップであって、前記0次ビームに対する相対的な光位相の変化を前記位相調整器を横断する前記1次ビームに選択的に与えるよう前記位相調整器を制御するステップを備えるステップと、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。照明極から出射し且つ光軸に対して傾斜したオフアクシス放射ビームを含む照明モードを備える放射ビームを提供するステップを備えることを特徴とする請求項14に記載のデバイス製造方法。前記照明モードは、第1および第2ビームを含む多極照明モードであり、第1および第2ビームはそれぞれ第1極および隣接した第2極から出射しており、両者は光軸に対してある角度をなして傾斜しており、第2ビームは、前記0次ビームおよび関連する前記1次ビームを形成するために用いられ、パターン形成放射ビームは、第1ビームから形成された0次ビームおよび関連する1次ビームをさらに備え、第1ビームの0次ビームおよび関連する1次ビームは、光軸に対して逆向き且つ対称に傾斜している、ことを特徴とする請求項15に記載のデバイス製造方法。放射の光位相を調整するステップは、位相調整器を制御して位相調整器の光学素子に熱を印加または光学素子から熱を除去させ、光位相の変化に従ってその屈折率を変化させるステップを備えることを特徴とする請求項14に記載のデバイス製造方法。パターンの像の像特性に変化をもたらすために、光位相の変化値を計算するステップを備えることを特徴とする請求項14に記載のデバイス製造方法。前記像特性は、焦点深度であることを特徴とする請求項18に記載のデバイス製造方法。前記0次ビームおよび関連する前記1次ビームは、パターン形成放射ビームの光軸に対して逆向き且つ非対称に傾斜していることを特徴とする請求項14に記載のデバイス製造方法。しかしながら、このような従来の解像度を高める技術の適用は、例えば解像限界での所望パターンの結像を実行可能な焦点深度の低下をもたらす可能性がある。焦点深度の低下は、例えば露光の間に残りの基板の非平坦度を補償できないとき、許容範囲を超えた印刷パターン誤差をもたらす可能性がある。本発明の実施形態を用いることにより、使用可能な焦点深度の制限範囲に関する問題を多少とも、少なくとも部分的に解決することが望ましい。本発明のある態様によれば、照明極から出射し且つ光軸に対して傾斜したオフアクシス放射ビームを含む照明モードを備える放射ビームを調整するよう構成された照明系と、パターニングデバイスを支持するよう構成された支持体であって、パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン形成放射ビームを形成可能であり、さらにオフアクシス放射ビームを光軸に対して逆向き且つ非対称に傾斜した0次回折ビームおよび1次回折ビームに回折可能である、支持体と、瞳面を有し、パターン形成放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系と、位相調整器であって、瞳面に配置された該位相調整器の光学素子を横断する放射ビームの電界の位相を調整するよう構成および配置された位相調整器と、パターンおよび照明モードを表すデータを取り込み、1次回折ビームが瞳面を横断する領域を特定し、0次回折ビームの光位相に関して1次回折ビームの望ましい光位相を計算することにより、パターンの像の像特性を最適化し、光学素子の部分に領域をマップし、望ましい光位相に従って光学素子の部分の屈折率を変化させるために、部分に熱を印加または部分から熱を除去するよう構成および配置された制御部とを備えるリソグラフィ装置が提供される。本発明の態様によれば、第1および第2ビームを含む四極照明モードを有する放射ビームを調整するよう構成された照明系であって、第1および第2ビームがそれぞれ第1極および隣接した第2極から出射しており、両者は光軸に対して傾斜している照明系と、パターニングデバイスを支持するよう構成された支持体であって、パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン形成放射ビームを形成可能であり、さらに第1ビームを、光軸に対して逆向き且つ対称に傾斜した第1の0次ビームおよび第1の1次ビームに回折可能であり、且つ第2ビームを、光軸に対して逆向き且つ非対称に傾斜した第2の0次ビームおよび第2の1次ビームに回折可能である、支持体と、瞳面を有し、パターン形成放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系と、位相調整器であって、瞳面に配置された該位相調整器の光学素子を横断する放射ビームの電界の位相を調整するよう構成および配置された位相調整器と、パターンおよび四極照明モードを表すデータを取り込み、第2の1次ビームが瞳面を横断する領域を特定し、望ましい第2の1次ビームの光位相を計算することにより、パターンの像の焦点深度を最適化し、光学素子の部分に領域をマップし、望ましい光位相に従って光学素子の部分の屈折率を変化させるために、部分に熱を印加または部分から熱を除去するよう構成および配置された制御部とを備えるリソグラフィ装置が提供される。本発明の態様によれば、パターニングデバイスからパターンを基板に転写するステップを含むデバイス製造方法が提供される。この方法は、照明極から出射し且つ光軸に対して傾斜したオフアクシス放射ビームを含む照明モードを有する放射ビームでパターニングデバイスを照明するステップであって、パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン形成放射ビームを形成し、さらにオフアクシス放射ビームを光軸に対して逆向き且つ非対称に傾斜した0次回折ビームおよび1次回折ビームに回折する、ステップと、パターン形成放射ビームを瞳面を介して基板の目標部分に投影するステップと、瞳面に配置された光学素子を横断する放射ビームの電界の位相を調整するステップとを備える。位相調整ステップは、パターンおよび照明モードを表すデータを取り込むステップと、1次回折ビームが瞳面を横断する領域を特定するステップと、0次回折ビームの光位相に関して、1次回折ビームの望ましい光位相を計算することにより、パターンの像の像特性を最適化するステップと、光学素子の部分に領域をマップするステップと、望ましい光位相に従って光学素子の部分の屈折率を変化させるために、部分に熱を印加または部分から熱を除去するステップとを備える。本発明の態様によれば、パターニングデバイスからパターンを基板に転写するステップを含むデバイス製造方法が提供される。この方法は、第1および第2ビームを含む四極照明モードを有する放射ビームでパターニングデバイスを照明するステップであって、第1および第2ビームがそれぞれ第1極および隣接した第2極から出射しており、両者は光軸に対して傾斜しており、パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン形成放射ビームを形成し、さらに第1ビームを光軸に対して逆向き且つ対称に傾斜した第1の0次回折ビームおよび第1の1次回折ビームに回折し、且つ第2ビームを光軸に対して逆向き且つ非対称に傾斜した第2の0次ビームおよび第2の1次ビームに回折する、ステップと、パターン形成放射ビームを瞳面を介して基板の目標部分に投影するステップと、瞳面に配置された光学素子を横断する放射ビームの電界の位相を調整するステップとを備える。位相調整ステップは、パターンおよび四極照明モードを表すデータを取り込むステップと、第2の1次ビームが瞳面を横断する領域を特定するステップと、望ましい第2の1次ビームの光位相を計算することにより、パターンの焦点深度を最適化するステップと、光学素子の部分に領域をマップするステップと、望ましい光位相に従って光学素子の部分の屈折率を変化させるために、部分に熱を印加または部分から熱を除去するステップとを備える。図1は、本発明の実施形態に係るリソグラフィ装置100を模式的に示す。この装置100は、以下の要素を含む。-放射ビームB例えば、例えば248nmまたは193nmの波長で動作するエキシマレーザにより生成されたUV放射、または、例えば約13.6nmの波長で動作するレーザ発火プラズマ源により生成されたEUV放射を調整する照明系照明器IL。-パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持し、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成された第1位置決め装置PMに接続される支持構造例えば、マスクテーブルMT。-基板例えば、レジストコートされたウェハWを保持するための基板テーブル例えば、ウェハテーブルWT。基板テーブルWTは、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成された第2位置決め装置PWに接続される。-基板Wの目標部分C例えば、一つまたは複数のダイからなるに、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを投影するよう構成された投影系例えば、屈折投影レンズ系PS。照明系は、放射を導き、成形し、または制御するために、屈折光学素子、反射光学素子、磁気光学素子、電磁気光学素子、静電光学素子などの様々なタイプの光学素子、またはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。支持構造MTは、パターニングデバイスを保持する。支持構造MTは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、例えばパターニングデバイスが真空環境に保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。支持構造MTは、パターニングデバイスを保持するために、機械的クランプ、バキュームクランプ、またはその他のクランプ技術を使用することができる。支持構造MTは、フレーム状またはテーブル状であってもよく、例えば、必要に応じて固定されていても移動可能でもよい。支持構造MTにより、例えば投影系に対してパターニングデバイスを確実に所望の位置に配置することができる。本明細書におけるレチクルまたはマスクという用語のいかなる使用も、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義であるとみなしてよい。本明細書で使用されるパターニングデバイスという用語は、放射ビームの断面にパターンを与え、基板の目標部分にパターンを形成するために使用可能であるデバイスを参照するものとして、広く解釈されるべきである。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆる補助フィーチャを含む場合には、放射ビームに与えられるパターンが基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応していなくてもよいことに注意されたい。通常、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、目標部分に形成されるデバイス内の特定の機能層と対応している。パターニングデバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラム可能なミラーアレイ、プログラム可能なLCDパネルがある。マスクはリソグラフィ分野では周知であり、バイナリマスク、交互位相シフトalternatingphaseshiftマスク、ハーフトーン型位相シフトattenuatedphaseshiftマスク、および様々なハイブリッド型マスクタイプなどのマスクタイプがある。プログラム可能なミラーアレイの例では、小型ミラーがそれぞれ個別に傾斜して入射する放射ビームを異なる方向に反射させることが可能な、小型ミラーのマトリックス配列を使用する。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスにより反射された放射ビームにパターンを付与する。本明細書で使用される投影系という用語は、例えば、使用中の露光照射に適した、あるいは液浸の使用または真空の使用といった他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気光学系、電磁気光学系、および静電光学系、またはそれらの任意の組み合わせを含む様々なタイプの投影系を包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書における投影レンズという用語のいかなる使用も、より一般的な用語である投影系と同義であるとみなしてよい。図示するように、装置100は透過型例えば、透過型マスクを使用である。代替的に、装置は反射型例えば、上述したタイプのプログラム可能なミラーアレイを使用、または反射型マスクを使用であってもよい。リソグラフィ装置100は、二つの基板テーブルを有するタイプデュアルステージであっても、より多数の基板テーブルおよび/または二つ以上のパターニングデバイステーブルを有するタイプであってもよい。このようなマルチステージの装置では、追加のテーブルを並列して使用してもよいし、または、一以上のテーブルに対して準備ステップを実行する一方、一以上の他のテーブルを露光用として使用してもよい。リソグラフィ装置100は、投影系と基板の間の空間を満たすように、例えば水などの比較的屈折率の高い液体により基板の少なくとも一部が覆われるタイプの装置であってもよい。液浸露光用の液体は、例えばマスクと投影系との間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用されるものであってもよい。液浸技術は投影系の開口数を増大させる技術として周知である。本明細書では液浸という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投影系と基板との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。図1に示されるように、照明器ILは放射源SOから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は別個のものであってもよい。この場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、例えば適切な配向ミラーdirectingmirrorおよび/またはビームエキスパンダを備えるビーム伝送系BDを用いて、放射源SOから照明器ILに放射ビームが渡される。他の場合、例えば放射源が水銀灯である場合、放射源はリソグラフィ装置と一体的な部品であってもよい。放射源SOと照明器IL、必要であればビーム伝送系BDを合わせて、放射系と称してもよい。照明器ILは、放射ビームの角度強度分布を調節するよう構成された調節器ADを備えてもよい。一般に、照明器の瞳面における強度分布の外径範囲および/または内径範囲一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれるを少なくとも調節することができる。加えて、照明器ILは、インテグレータINおよび集光器CO等の様々な他の構成要素を通常備えてもよい。照明器は、その断面において所望の均一性および強度分布を有するよう放射ビームを調整するために用いられてもよい。放射ビームBは、支持構造例えばマスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスによりパターン形成される。パターニングデバイスMAを横切ると、放射ビームBは投影系PSを通過し、そこでビームが基板Wの目標部分Cに合焦される。第2位置決め装置PWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサを用いて、基板テーブルWTを正確に移動して、例えば異なる目標部分Cを放射ビームBの経路に配置することができる。同様に、第1位置決め装置PMおよび別の位置センサ図1には明示せずを使用して、例えばマスクライブラリからの機械的復帰の後にまたは走査中に、放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に配置することができる。一般に、パターニングデバイステーブルMTの移動は、位置決め装置PMおよびPWの一部を形成する長ストロークモジュール粗い位置決めと短ストロークモジュール微細な位置決めを用いて達成することができる。これらは、第1位置決め装置PMの一部を形成する。同じように、基板テーブルWTの移動は、長ストロークモジュールおよび短ストロークモジュールを用いて達成することができる。これらは、第2位置決め装置PWの一部を形成する。ステッパの場合には、スキャナとは対照的に、パターニングデバイステーブルMTが短ストロークのアクチュエータにのみ接続されていてもよいし、または固定されていてもよい。パターニングデバイスアライメントマークM1、M2と基板アライメントマークP1、P2とを用いて、パターニングデバイスMAと基板Wを位置合わせしてもよい。図示されるように、基板アライメントマークは専用の目標部分を占有しているが、これらは目標部分の間のスペースに配置されてもよいこれらはスクライブレーンアライメントマークとして知られる。同じように、二つ以上のダイがパターニングデバイスMA上に設けられる場合には、パターニングデバイスのアライメントマークはダイの間に配置されてもよい。図示する装置100は、以下のモードのうち少なくとも1つで使用することができる。ステップモードでは、支持構造MTと、基板テーブルWTとが本質的に静止状態を保つ一方、放射ビームBに与えられたパターン全体が目標部分C上に一度に投影されるつまり、単一の静的露光。続いて、基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動して、異なる目標部分Cを露光することができる。ステップモードでは、露光領域の最大サイズにより、単一の静的露光で像が与えられる目標部分Cのサイズが制限される。走査モードでは、支持構造MTと基板テーブルWTとが同期して走査される一方、放射ビームBに与えられたパターンが目標部分C上に投影されるすなわち、単一の動的露光。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影系PSの拡大縮小および像反転特性によって決定されてもよい。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一の動的露光における目標部分の非走査方向における幅を制限するのに対して、走査移動の長さが目標部分の走査方向における高さを決定する。別のモードでは、支持構造MTは、プログラム可能なパターニングデバイスを基本的に静止状態で保持し続け、基板テーブルWTは移動または走査される一方、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、プログラム可能なパターニングデバイスは、基板テーブルWTの各移動の後に、または走査中の連続放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述したようなプログラム可能なミラーアレイのタイプなどのプログラム可能なパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。上述の使用モードの組み合わせおよび/または変形や、または全く異なる使用モードも利用することができる。図1の装置の光学的構成は、ケーラー照明を用いている。ケーラー照明では、照明系IL内の瞳面PPiは投影系PSの瞳面PPpと共役である。瞳面PPpは、パターニングデバイスMAが位置している対物面のフーリエ変換面である。従来のように、この装置の照明モードは、照明系の瞳面PPiにおける放射ビームBの強度分布を参照することにより説明することができる。投影系PSの瞳面PPpにおける強度分布は、照明系の瞳面PPiにおける強度分布と実質的に同じであり、パターニングデバイスMAのパターンの回折効果の影響を受けやすい。投影系PSは、投影系を横切る光学放射ビームの電界の位相を調整するよう構成および配置された位相調整器110を備える。図2に模式的に示されるように、位相調整器110は、放射ビームBを実質的に透過する材料の光学素子310を備えてもよい。実施形態において、光学素子310は、放射ビームBを反射してもよい。位相調整器110は、さらに制御部340を備えてもよい。素子310を横断する波の光路長は、制御部340により供給される信号に応じて調整可能である。光学素子310は、例えば、実質的に瞳PPp等のフーリエ変換面に配置されてもよい、または配置可能である。その結果、使用中において、光学素子310はパターニングデバイスから生じる回折ビームにより横断される。図3は、より詳細に位相調整器110を示している。図3は、光学素子310のZ軸に沿った平面図である。素子310を横切る光波の位相の調整は、光学素子310の部分320に熱を印加することにより、または部分320から熱を除去することにより行うことができる。それによって、部分320に隣接した材料の屈折率と比較した、素子の材料の屈折率の局所的な変化がもたらされる。熱の印加は、例えばオーミック抵抗を有するワイヤ330を介して電流を流すことにより実現することができる。ワイヤ330は、素子の部分320と、電流をワイヤ330に提供するよう構成された制御部340とに接触するよう配置されている。光学素子における複数の隣接部分には、他の部分とは独立して部分を加熱するために、対応する複数のワイヤが設けられてもよい。例えば、図4に模式的に示されるように、隣接部分320-1から320-44は、左から右までおよび最上部から最下部まで隣接した列を成して配置されており、番号付けされている。部分320-1から320-44の各部分320は、対応するように番号付けられたヒーティングワイヤ330-1から330-44が設けられている図4は単に明確にするために部分320-4と320-37のみヒーティングワイヤを図示している。制御部340は、各ワイヤに独立して通電できるように構成され且つ配置されている。これにより、素子310のXY平面にわたる温度の空間分布に応じて、素子310を横切る光波に対して空間的な位相分布を与えることが可能となる。加えてまたは代えて、光学素子310は、冷却液を収容するよう構成されたチャネルを含んでもよい。位相調整器110は、冷却液の供給および回収システムを含んでもよい。該システムは、チャネルに接続されており、チャネルを介して制御された温度で冷却液を循環させるよう構成される。ワイヤ330と同じように、冷却チャネルは、各部分320と関係していてもよい。しかしながら、その代わりに、単一の冷却チャネルが全ての部分320のために構成されてもよい。素子310の冷却は、素子310の部分320の加熱と組み合わせて、部分320の温度を公称温度の上限および下限までの温度範囲内において調整できるようにしてもよい。公称温度は、例えば、装置100または投影系PSの光学素子の材料の特定の望ましい動作温度であってよい。位相調整器110の実施形態は、米国特許出願番号第11/593,648号から収集することができる。部分320の総数は、44に限られない。その代わりとして、部分320の総数は、一般に、温度分布の所望の空間分解能に依存してもよい。例えば、投影系PSの瞳面PPiにおける透明領域の大きさに対する各部分320の領域の比は、100から1000の間であってよい。本発明は、上述の位相調整器110の特定の実施形態に限定されないことを留意されたい。このような実施形態は、本明細書において説明のためにのみ示されている。本明細書に含まれている技術に基づくことにより、追加の実施形態は当業者にとって明らかであろう。例えば、代わりとなる位相調整器110は、レンズの瞳PPpの近傍に配置された光学素子310の部分320を選択的に加熱するよう構成された赤外線レーザを含んでもよい。赤外線放射は、例えば中空光ファイバを用いて光学素子の選択された部分に導かれてもよい。この実施形態の詳細は、特開2007-317847号公報から収集することができる。冷却手段を欠く場合、異なる部分320の温度は、対応する互いに異なる赤外線放射エネルギー量を対応する異なる部分に供給することにより、互いに異ならせることができる。その場合、公称温度は、例えば互いに異なる温度の平均温度として規定されてもよい。本実施形態において、パターニングデバイスMAにより提供されたパターニングデバイスパターンは、図5に示されるように、従来の四極照明モードを用いて照明される。ビームBは、第1入射面PI1においてパターニングデバイスMAに対して実質的に垂直なZ軸に対して角度α1傾斜した第1放射ビームB1と、第2入射面PI2においてパターニングデバイスに対して同様に角度α1傾斜した第2放射ビームB2とを含む。第2入射面PI2は、第1入射面PI1に対して角度φで配置されている。ビームBはさらに、それぞれビームB1およびビームB2と対称に向かい合って配置されたビームB1’およびビームB2’を含む。本実施形態においては角度φは90度であるが、この値に限定されない。本実施形態において、面PI1およびPI2はそれぞれX-Z平面およびY-Z平面であるが、Z軸に関して別の回転配置rotationalorientationが選択されてもよい。パターニングデバイスパターン600は、図6に示されるような、煉瓦壁型のDRAMパターンで構成されてもよい。ラインセグメント610の軸煉瓦の長軸は、Y方向に対して実質的に平行である。ラインセグメント610は、煉瓦の長軸に垂直なX方向に沿ってピッチPxで配置されている。ギャップ620は、単一ラインに沿った2つの隣接するラインセグメント間の距離により規定される。ギャップ620の配置は、Y方向に沿ったピッチPyを規定している。本実施形態において、ピッチPxの値は100nmであり、ラインセグメント610の幅は50nmである。ギャップ620の幅は65nmである。パターン600をプリントする投影プロセスは、NAが1.2で波長が193nmの放射ビームを有する投影系PSを特徴としている。図7に示されるように、パターニングデバイスパターン600は、ビームB1を0次回折ビームビームDB10および1次回折ビームビームDB11に回折する。ビームDB10およびDB11は、投影系PSにおけるフーリエ変換面、例えば瞳面PPpを横切る。角度α1は、瞳面PPpの横断がZ軸に平行な光軸OAに対して対称に配置されたそれぞれ向かい合う領域AE10およびAE11で発生するように設定される。領域AE10およびAE11は、光軸OAからそれぞれ等しい距離d10およびd11d10=d11に配置されている。図8に示されるように、パターニングデバイスパターンはさらに、ビームB2を0次回折ビームビームDB20および1次回折ビームDB21に回折する。ビームDB20およびDB21は、投影系PSのフーリエ変換面、例えば瞳面PPpを、それぞれ異なる領域AE20およびAE21において横切る。領域AE10およびAE11とは異なり、領域AE20およびAE21は光軸OAに対して非対称に配置されている。領域AE20およびAE21は、光軸OAからそれぞれ異なる距離d20およびd21に配置されている。B1およびB2から発生した回折ビーム間の違いは、ラインセグメント610およびギャップ620のピッチPxおよびPy間の違いに関係する。特に、短ピッチで配置されたフィーチャと比較して、長ピッチで配置されたフィーチャは、パターニングデバイスの照明ビームの0次回折ビームの方向から離れるよう放射を回折する効果が弱い。図5に示されるような四極照明の場合、ラインセグメント610およびギャップ620の像は、4つの像の和として表される。4つの像は、照明系の瞳面PPiにおける四極照明の強度分布の4つの各極から発生する放射によりそれぞれ形成される。第1像im1は、図7に示すように、基板Wの真上においてB1から回折されたビームDB10およびDB11が再結合することにより形成される。この像は、主に煉瓦パターン600の像におけるX方向に沿ったコントラストおよび解像度に貢献し、X方向に沿った煉瓦610間の線形スペースを煉瓦610間のギャップ620よりも良好に解像する。同じように、ビームB1’の回折により発生した回折ビームは、類似の第1追加像im1’をもたらす。第2像im2は、図8に示すように、基板の真上においてB2から回折されたビームDB20およびDB21が再結合することにより形成される。この第2像は、主にパターン600の像におけるY方向に沿ったコントラストおよび解像度に貢献し、煉瓦610間のギャップ620をX方向に沿った煉瓦610間の線形スペースよりも良好に解像する。同じように、第2追加像im2’は、パターニングデバイスパターン600においてビームB2’の回折により生成された回折ビームを源とする。像面の近傍において、ビームDB10およびDB11のZ軸に対する傾斜は、瞳面PPpにおける距離d10およびd11にそれぞれ比例している。従って、像面の近傍において、ビームDB10およびDB11は、基板Wに対して実質的に垂直なZ軸に関して逆向き且つ実質的に等しい傾斜角で再結合し、第1像が形成される。2つのビームが等しいが逆向きの傾斜角で再結合する結像のタイプは、対称2ビーム結像symmetrictwobeamimagingと称される。第1追加像im1’の形成は、このような対称2ビーム結像と同様な特徴を有する。結合された2つの像im1とim1’に関して、本明細書においてDoFxで表される関連した焦点深度が存在する。これは、露光中における基板Wの焦点ズレがラインセグメント610の幅のトレランスを超えた誤差を生じさせない範囲内のZ軸に沿った距離である。この幅は限界寸法CDであり、パターンの最小のプリント可能寸法である。本実施形態において、焦点深度DoFxは300nmである。同じように、焦点深度を、ギャップ620の結像、すなわち結合像im2およびim2’と結びつけて考えることができる。ビームB1およびB1’から生じる放射と関係する結像とは異なり、ビームB2から生じたビームDB20およびDB21により像im2の像形成は、対称2ビーム結像ではない。なぜなら、Z軸に対するビームDB20およびDB21の傾斜角度が像面の近傍において異なるからである。このような非対称2ビーム結像は、対称性の欠如が焦点深度の低下を引き起こす可能性があるため、望ましくない。本実施形態において、結論は、結合像im1およびim1’の焦点深度は、結合像im2およびim2’の焦点深度よりも大きいということになる。後者の焦点深度は、DoFyと称される。本実施形態において、このような焦点深度DoFxとDoFyの違いを実質的に回避するために、光位相の第1の変化がビームDB21に与えられ、光位相の第2の変化がビームDB21’に与えられる。これらの光位相の変化は、0次ビームDB20およびDB20’のそれぞれの位相と比較した変化である。さらに、このような相対的な位相変化は、他の0次および1次の回折ビームDB10、DB11、DB10’およびDB11’には与えられない。位相調整器110は、所望の位相変化をビームDB21およびDB21’に与えるために用いられる。まず始めに、パターニングデバイスのデータファイルおよび照明モードの設定データを含むファイルから、パターニングデバイスパターン600および照明モードを表すデータが制御部340により読み出される。次に、投影系の瞳面PPpにおける強度分布が、パターンを含むデータおよび照明データに基づいて予測される。領域AE21およびAE21’後者は図8には図示せずは、ビームDB21およびビームDB21’が位相調整期110の光学素子310を横切る場所で特定される。例えば焦点深度を最適化するといったリソグラフィプロセスの最適化は、制御部340により実行される。最適化に用いられる最適化変数は、上述の光位相の第1および第2の変化を含む。望ましい第1および第2の光位相が計算され、記憶される。特定された領域AE21およびAE21’は、光学素子310の部分320上にマップされ、各ビームDB21およびDB21’により実質的に横断された部分320が特定され、対応するヒーティングワイヤおよび/または冷却チャネルに関連するそれらのアドレスが記憶される。実施形態において、領域AE21は、図9に示されるように、部分320-12および320-19に対応すると考えられる。同様に、領域AE21’は部分320-26および320-33に対応すると考えられる。本実施形態において、ビームDB21に対する望ましい位相変化は、2πの90/193であり、ビームDB21’に対する望ましい位相変化は、大きさは等しいが、第1の位相変化と比較して符号は逆である。制御部は、この望ましい位相変化を、部分320-12および320-19に対する望ましい第1の温度と、部分320-26および320-33に対する望ましい第2の温度とにそれぞれ変換する。第1の温度と第2の温度は、その他の部分320-1から320-44のいずれかに対する所望の公称温度から逆向きの温度間隔である。制御部は、対応する電流をヒーティングワイヤに印加するおよび/または冷却液温度をチャネルに供給する。上述したように、本発明は位相調整期110の特定の実施形態に限定されない。代わりとなる位相調整期110は、レンズの瞳PPpの近傍に配置された光学素子310の部分320を選択的に加熱するよう構成された赤外線レーザを含んでもよい。シミュレーションは、上述したような第1および第2の位相変化の適用が、像im2およびim2’に対する焦点深度の増加をもたらす可能性があることを予測する。図10Aは、第1および第2の位相変化が適用された状態でX方向におけるラインセグメント610の幅をプリントした場合の露光許容範囲exposurelatitude対焦点深度DoFxのシミュレーションを示す。縦軸にそって露光許容範囲がパーセンテージでプロットされている。横軸に沿って焦点深度がマイクロメートルμmでプロットされている。図10Bは、第1および第2の位相変化が適用された状態でラインセグメント610間のギャップ620をプリントした場合の露光許容範囲対焦点深度DoFyのシミュレーションを示す。縦軸にそって露光許容範囲がパーセンテージでプロットされている。横軸に沿って焦点深度がマイクロメートルμmでプロットされている。図10Cは、第1および第2の位相変化を適用しない状態でX方向におけるラインセグメント610の幅をプリントした場合の露光許容範囲対焦点深度DoFxのシミュレーションを示す。縦軸にそって露光許容範囲がパーセンテージでプロットされている。横軸に沿って焦点深度がマイクロメートルμmでプロットされている。図10Dは、第1および第2の位相変化を適用しない状態でラインセグメント610間のギャップ620をプリントした場合の露光許容範囲対焦点深度DoFyのシミュレーションを示す。縦軸にそって露光許容範囲がパーセンテージでプロットされている。横軸に沿って焦点深度がマイクロメートルμmでプロットされている。これらの図10A~Dに示されるように、第1および第2の位相変化を適用することにより、1の露光許容範囲において、ギャップの像に対する焦点深度DoFyは約125nmから180nmに増加している。焦点深度の増加は、オーバーレイ性能に実質的に影響を与えることなく、すなわち、基板WのX-Y平面においてギャップ620の像の位置が関連してシフトすることなく、得られる。さらに、焦点深度DoFyの増加は、パターン600の像におけるX方向に沿ったコントラストに関係する焦点深度DoFyを実質的に低下させることなく得られる。このコントラストは、トレランス内の位置に煉瓦610の長軸に沿ったラインセグメント610のエッジをプリントするために必要とされる。IC製造時におけるリソグラフィ装置の使用について本文で特定した言及がなされるかもしれないが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の誘導および検出パターンguidanceanddetectionpattern、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の応用形態も有していることを理解すべきである。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、ウェハまたはダイという用語のあらゆる使用が、より一般的な用語である基板または目標部分とそれぞれ同義であるとみなしうることを認められよう。本明細書で参照される基板を、例えばトラック通常、基板にレジスト層を塗布し露光されたレジストを現像する工具または計測工具または検査工具で、露光の前後に処理することができる。可能であれば、本明細書の開示をこれらのおよび他の基板処理工具に適用することができる。さらに、例えば多層ICを作製するために基板を二回以上処理してもよく、したがって、本明細書で使用される基板という用語は、複数回処理された層を既に有している基板のことも指す場合がある。本明細書で使用される放射およびビームという用語は、あらゆるタイプの電磁放射を包含しており、紫外線UV放射例えば、365、355、248、193、157または126nmの波長を有する、極紫外線EUV放射例えば、5~20nmの範囲の波長を有するを含む。文脈が許す場合、レンズという用語は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気光学素子、電磁気光学素子、静電気光学素子を含む様々なタイプの光学素子のいずれか1つまたは組み合わせを参照してもよい。本発明の具体的な実施形態を上述したが、本発明は説明したのとは別の方法で実行されてもよいことを理解されたい。例えば、本発明は、上述の方法を記載したコンピュータ読取可能な指示の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはこのようなコンピュータプログラムを格納したデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気または光ディスクの形をとってもよい。上述の記載は、説明を意図しており、限定するものではない。従って、下記の請求項の精神から逸脱することなしに、上述の本発明に対して修正が施されてもよいことは当業者には明らかである。"