"互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、前記信号線に並行して配設されているとともに前記放射線検出素子に接続され、バイアス電源から前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給する複数のバイアス線と、を備え、前記各バイアス線は、当該バイアス線の一端部側と他端部側との両側から、前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給可能に構成されており、前記放射線検出素子には、前記バイアス線の一端部側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線の他端部側からバイアス電圧が供給されることを特徴とする放射線検出パネル。互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、前記信号線に並行して配設されているとともに前記放射線検出素子に接続され、バイアス電源から前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給する複数のバイアス線と、を備え、前記各バイアス線は、当該バイアス線の一端部が、前記バイアス電源に接続されており、当該バイアス線の他端部が、当該バイアス線以外のバイアス線に接続されていることを特徴とする放射線検出パネル。前記各バイアス線を所定の本数毎に結束する複数の結線を備え、前記各バイアス線は、当該バイアス線の一端部が、当該バイアス線に接続する前記結線を介して前記バイアス電源に接続されており、当該バイアス線の他端部が、当該バイアス線に接続する結線とは異なる他の結線に接続するバイアス線に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の放射線検出パネル。前記各バイアス線は、当該バイアス線の他端部が、当該バイアス線以外のバイアス線の他端部に接続されていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の放射線検出パネル。前記複数の走査線および前記複数の信号線と、前記複数の放射線検出素子と、前記複数のバイアス線とを備える検出部を備え、前記検出部は、複数のブロック領域から構成され、前記各ブロック領域には、前記バイアス線がそれぞれ配置され、前記複数のブロック領域のうち一のブロック領域に配置されたバイアス線と、前記複数のブロック領域のうち他の一のブロック領域に配置されたバイアス線とは、前記他端部が互いに対向するように線対称に配置され、前記各バイアス線は、互いに対向する前記他端部同士が接続されていることを特徴とする請求項4に記載の放射線検出パネル。前記各バイアス線は、当該バイアス線の前記他端部が、当該バイアス線以外の複数のバイアス線の他端部に接続線を介して接続され、前記接続線は、前記各走査線および前記各信号線に交差しないように配設されていることを特徴とする請求項4に記載の放射線検出パネル。請求項1から請求項6の何れか一項に記載の放射線検出パネルを備えることを特徴とする放射線画像撮影装置。しかしながら、図19に示す場合も、図20に示す場合も、バイアス線9の一端部9aのみが入出力端子11に接続されている。すなわち、バイアス線9の一端部9aのみが、入出力端子11を介して、バイアス電源に接続されている。したがって、バイアス線9が断線すると、図19や図20に示したように、並んで配設された複数の放射線検出素子7毎に1本ずつバイアス線9が配線されている場合には、断線部分から先の放射線検出素子7にバイアス電圧が供給されなくなる。そのため、それらの放射線検出素子7では、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生されなくなり、放射線画像上に異常な画像データが線状に並ぶ、いわゆる線欠陥が発生してしまう。本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、バイアス線が断線しても、線欠陥の発生率を低減させることが可能な放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。前記の問題を解決するために、本発明の放射線検出パネルは、互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、前記信号線に並行して配設されているとともに前記放射線検出素子に接続され、バイアス電源から前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給する複数のバイアス線と、を備え、前記各バイアス線は、当該バイアス線の一端部側と他端部側との両側から、前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給可能に構成されており、前記放射線検出素子には、前記バイアス線の一端部側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線の他端部側からバイアス電圧が供給されることを特徴とする。また、本発明の放射線検出パネルは、互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、前記信号線に並行して配設されているとともに前記放射線検出素子に接続され、バイアス電源から前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給する複数のバイアス線と、を備え、前記各バイアス線は、当該バイアス線の一端部が、前記バイアス電源に接続されており、当該バイアス線の他端部が、当該バイアス線以外のバイアス線に接続されていることを特徴とする。また、本発明の放射線画像撮影装置は、本発明の放射線検出パネルを備えることを特徴とする。本発明のような方式によれば、バイアス線が断線して放射線検出素子に対する当該バイアス線の一端部側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該放射線検出素子には、当該バイアス線の他端部側からバイアス電圧が供給される。したがって、バイアス線が断線しても、バイアス線の断線で放射線検出素子にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。また、その結果、放射線検出パネルの不良率が抑制されるので、放射線検出パネルの歩留まりを向上させることが可能となる。以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。ただし、本発明を適用可能な実施形態はこれに限定されるものではない。また、本発明は図示例に限定されるものでもない。なお、以下では、放射線画像撮影装置として、シンチレータ等を備え、放射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得る、いわゆる間接型の放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレータ等を介さずに放射線を放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。また、放射線画像撮影装置が可搬型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、支持台等と一体的に形成された固定型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。<第1実施形態>まず、第1実施形態に係る放射線画像撮影装置について説明する。図1は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。また、図2は、図1のX-X線に沿う断面図である。本実施形態に係る放射線画像撮影装置1は、いわゆるフラットパネルディテクタ以下FPDという。を可搬型に構成したカセッテ型FPDであり、放射線画像撮影に用いられ、放射線を検出して当該放射線の線量に応じた画像データを生成して取得するものである。放射線画像撮影装置1は、図1や図2に示すように、筐体2内にシンチレータ3や基板4などで構成される放射線検出パネルとしてのセンサパネルSPが収納されて構成されている。本実施形態において、筐体2のうち、放射線入射面Rを有する中空の角筒状のハウジング本体部2Aは、放射線を透過するカーボン板やプラスチックなどの材料で形成されている。ハウジング本体部2Aの両側の開口部を蓋部材2B、2Cで閉塞することで筐体2が形成されている。なお、筐体2をこのようないわゆるモノコック型として形成する代わりに、例えば、フロント板とバック板とで形成された、いわゆる弁当箱型とすることも可能である。また、筐体2の一方側の蓋部材2Bには、電源スイッチ37や切替スイッチ38などが配置されている。また、蓋部材2Bには、バッテリ状態や放射線画像撮影装置1の稼働状態などを表示するLED等で構成されたインジケータ40が配置されている。また、本実施形態において、蓋部材2Bには、例えば図3に示すように、ケーブルCaの先端に設けられたコネクタCが接続され、ケーブルCaを介して外部装置との間で有線通信を行うための有線通信手段であるコネクタ39が設けられている。また、図示を省略するが、筐体2の他方側の蓋部材2Cには、外部装置との間で無線通信を行うための無線通信手段であるアンテナ装置41後述する図7参照が、例えば蓋部材2Cに埋め込まれる等して設けられている。図2に示すように、筐体2の内部には、基板4の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台31が配置されている。この基台31には、電子部品32等が配設されたPCB基板33やバッテリ24などが取り付けられている。また、基板4やシンチレータ3の放射線入射面R側の面には、それらを保護するためのガラス基板34が配設されている。また、本実施形態においては、センサパネルSPと筐体2の側面との間に、それらがぶつかり合うことを防止するための緩衝材35が設けられている。シンチレータ3は、基板4の検出部P後述に対向する位置に設けられている。本実施形態において、シンチレータ3は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると300~800nmの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。本実施形態において、基板4は、ガラス基板で構成されている。この基板4のシンチレータ3に対向する側の面4a上には、図4に示すように、複数の走査線5と複数の信号線6とが互いに交差するように配設されている。そして、基板4の面4a上の複数の走査線5と複数の信号線6とにより区画された各小領域rには、放射線検出素子7がそれぞれ設けられている。このように、走査線5と信号線6とで区画された各小領域rに二次元状に配列された複数の放射線検出素子7が設けられた領域全体、すなわち図4に一点鎖線で示される領域が検出部Pとされている。本実施形態においては、放射線検出素子7としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子7は、図4の拡大図である図5に示すように、スイッチ手段であるTFT8のソース電極8sに接続されている。また、TFT8のドレイン電極8dは信号線6に接続されている。放射線検出素子7は、放射線画像撮影装置1の筐体2の放射線入射面Rから放射線が入射し、シンチレータ3で放射線から変換された可視光等の電磁波が照射されると、その内部で電子正孔対を発生させる。放射線検出素子7は、このようにして、照射された放射線本実施形態ではシンチレータ3で放射線から変換された電磁波を電荷に変換するようになっている。そして、TFT8は、走査駆動手段15後述から、接続された走査線5を介してゲート電極8gにオン電圧が印加されるとオン状態となり、ソース電極8sやドレイン電極8dを介して放射線検出素子7内に蓄積されている電荷を信号線6に放出させるように構成されている。また、TFT8は、走査駆動手段15後述から、接続された走査線5を介してゲート電極8gにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子7から信号線6への電荷の放出を停止して、放射線検出素子7内に電荷を蓄積させるように構成されている。本実施形態においては、図4や図5に示すように、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子7に1本のバイアス線9が接続されており、各バイアス線9はそれぞれ信号線6に並行して配設されている。また、図4に示すように、各バイアス線9は、基板4の検出部Pの外側の位置で結線10に結束されている。また、本実施形態において、各走査線5や各信号線6、バイアス線9の結線10は、図4に示すように、それぞれ基板4の端縁部付近に設けられた入出力端子パッドともいう。11に接続されている。各入出力端子11には、図6に示すように、走査駆動手段15のゲートドライバ15b後述を構成するゲートIC15c等のチップがフィルム上に組み込まれたフレキシブル回路基板ChipOnFilm等ともいう。12が異方性導電接着フィルムAnisotropicConductiveFilmや異方性導電ペーストAnisotropicConductivePasteなどの異方性導電性接着材料13を介して接続されている。そして、フレキシブル回路基板12は、基板4の裏面4b側に引き回され、裏面4b側でPCB基板33に接続されている。このようにして、放射線画像撮影装置1のセンサパネルSPが形成されている。なお、図6では、電子部品32等の図示が省略されている。ここで、本実施形態のセンサパネルSPが特徴とするバイアス線9について説明する。以下、説明の便宜上、上、下、左、右を用いて説明するが、この上、下、左、右に特に意味はない。図4等において図示した状態を便宜的に上、下、左、右と呼ぶだけである。まず、放射線検出パネルとしてのセンサパネルSPが備える検出部P、走査線5、信号線6の構成について説明する。図4に示すように、本実施形態において、検出部Pは、当該検出部Pにおける上下方向略中央よりも上側の上側ブロック領域P1と、当該検出部Pにおける上下方向略中央よりも下側の下側ブロック領域P2とから構成されている。すなわち、検出部Pは、上側ブロック領域P1と下側ブロック領域P2との上下2つのブロック領域から構成されている。また、本実施形態において、信号線6は、上下方向に沿って延在しており、検出部Pにおける上下方向略中央の位置で、上側ブロック領域P1に配置される信号線6と、下側ブロック領域P2に配置される信号線6とに分断されている。そして、上側ブロック領域P1に配置されている信号線6は、図4に一点鎖線で示される検出部Pよりも上側に延設されて、検出部Pよりも上側の位置でそれぞれ入出力端子11に接続されている。また、下側ブロック領域P2に配置されている信号線6は、図4に一点鎖線で示される検出部Pよりも下側に延設されて、検出部Pよりも下側の位置でそれぞれ入出力端子11に接続されている。また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数の信号線6は、所定の本数毎図示では8本毎に組になっている。同じ組に属する複数の信号線6に接続された各入出力端子11は、互いに近接して配置されている。そして、同じ組に属する複数の信号線6に接続された各入出力端子11は、1つのフレキシブル回路基板12に接続されるようになっている。なお、図示では、便宜上、走査線5や信号線6、バイアス線9を、8本毎にそれぞれ1つの組としたが、実際には、走査線5や信号線6、バイアス線9は、例えば64本や128本毎にそれぞれ1つの組とされている。なお、本実施形態では、1つのブロック領域に2組の複数の信号線6が配置されていることとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、1つのブロック領域には、1組の複数の信号線6が配置されていてもよいし、3組以上の複数の信号線6が配置されていてもよい。また、複数のブロック領域のうち一のブロック領域に配置された信号線6と、複数のブロック領域のうち他の一のブロック領域に配置された信号線6とが、信号線6の他端部入出力端子11側とは反対側の端部が互いに対向するように線対称に配置されているのであれば、各組に属する信号線6の本数や、各ブロック領域に配置される信号線6の組の個数は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。すなわち、例えば、ある組には8本の信号線6が属するとともに、他の組には16本の信号線6が属するように構成することも可能である。また、例えば、上側ブロック領域P1に1組の複数の信号線6が配置されるとともに、下側ブロック領域P2に3組の複数の信号線6が配置されるように構成することも可能である。また、本実施形態において、走査線5は、左右方向に沿って延在している。走査線5のうち、検出部Pにおける上下方向略中央よりも上側に配設されている走査線5は、上側ブロック領域P1に配置されており、検出部Pにおける上下方向略中央よりも下側に配設されている走査線5は、下側ブロック領域P2に配置されている。そして、上側ブロック領域P1に配置されている走査線5と、下側ブロック領域P2に配置されている走査線5とはともに、図4に一点鎖線で示される検出部Pよりも左側に延設されて、検出部Pよりも左側の位置でそれぞれ入出力端子11に接続されている。また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数の走査線5は、所定の本数毎図示では8本毎に組になっている。同じ組に属する複数の走査線5に接続された各入出力端子11は、互いに近接して配置されている。そして、同じ組に属する複数の走査線5に接続された各入出力端子11は、1つのフレキシブル回路基板12に接続されるようになっている。なお、本実施形態では、1つのブロック領域に1組の複数の走査線5が配置されていることとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、1つのブロック領域には、2組以上の複数の走査線5が配置されていてもよい。また、各組に属する走査線5の本数は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。すなわち、例えば、ある組には8本の走査線5が属するとともに、他の組には16本の走査線5が属するように構成することも可能である。また、各ブロック領域に配置される複数の走査線5の組の個数は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。すなわち、例えば、上側ブロック領域P1に1組の複数の走査線5が配置されるとともに、下側ブロック領域P2に3組の複数の走査線5が配置されるように構成することも可能である。次に、放射線検出パネルとしてのセンサパネルSPが備えるバイアス線9の構成について説明する。本実施形態において、バイアス線9は、上下方向に沿って延在しており、検出部Pにおける上下方向略中央の位置で、上側ブロック領域P1に配置されるバイアス線9と、下側ブロック領域P2に配置されるバイアス線9とに分断されている。そして、上側ブロック領域P1に配置されている各バイアス線9は、図4に一点鎖線で示される検出部Pよりも上側に延設されて、検出部Pよりも上側の位置でそれぞれ結線10に結束されている。また、下側ブロック領域P2に配置されている各バイアス線9は、図4に一点鎖線で示される検出部Pよりも下側に延設されて、検出部Pよりも下側の位置でそれぞれ結線10に結束されている。また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数のバイアス線9は、所定の本数毎図示では8本毎に組になっている。具体的には、バイアス線9は、同じ組に属する複数の信号線6に接続されている各放射線検出素子7と接続するバイアス線9毎に組になっている。すなわち、同じ組に属する複数の信号線6に接続されている各放射線検出素子7は、同じ組に属する複数のバイアス線9と接続している。また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数のバイアス線9は、所定の本数毎図示では4本毎に1本の結線10で結束されている。具体的には、図4に示すように、同じ組に属する複数のバイアス線9のうち、左側の所定本数分図示では4本分が、1本の結線10に結束されている。当該1本の結線10は、対応する組に属する複数の信号線6に接続された各入出力端子11のうち最も左側に位置する入出力端子11の左側に近接して配置された入出力端子11に接続されている。そして、この入出力端子11、すなわち当該1本の結線10に接続する入出力端子11は、例えば、対応する組に属する複数の信号線6に接続された各入出力端子11と同一のフレキシブル回路基板12に接続されるようになっている。また、図4に示すように、同じ組に属する複数のバイアス線9のうち、右側の所定本数分図示では4本分が、1本の結線10に結束されている。当該1本の結線10は、対応する組に属する複数の信号線6に接続された各入出力端子11のうち最も右側に位置する入出力端子11の右側に近接して配置された入出力端子11に接続されている。そして、この入出力端子11、すなわち当該1本の結線10に接続する入出力端子11は、例えば、対応する組に属する複数の信号線6に接続された各入出力端子11と同一のフレキシブル回路基板12に接続されるようになっている。なお、本実施形態では、1つのブロック領域に2組の複数のバイアス線9が配置されていることとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、1つのブロック領域には、1組の複数のバイアス線9が配置されていてもよいし、3組以上の複数のバイアス線9が配置されていてもよい。また、複数のブロック領域のうち一のブロック領域に配置されたバイアス線9と、複数のブロック領域のうち他の一のブロック領域に配置されたバイアス線9とが、バイアス線9の他端部9b入出力端子11側とは反対側の端部が互いに対向するように線対称に配置されているのであれば、各組に属するバイアス線9の本数や、各ブロック領域に配置されるバイアス線9の組の個数は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。すなわち、例えば、ある組には8本のバイアス線9が属するとともに、他の組には16本のバイアス線9が属するように構成することも可能である。また、例えば、上側ブロック領域P1に1組の複数のバイアス線9が配置されるとともに、下側ブロック領域P2に3組の複数のバイアス線9が配置されるように構成することも可能である。ここで、各バイアス線9は、図4に示すように、当該バイアス線9の一端部9aが、結線10や入出力端子11を介してバイアス電源14後述する図7参照に接続されているとともに、当該バイアス線9の他端部9bが、接続線30を介して当該バイアス線9以外のバイアス線9の他端部9bに接続されている。具体的には、本実施形態において、上側ブロック領域P1に配置されている各バイアス線9と、下側ブロック領域P2に配置されている各バイアス線9とは、他端部9bが互いに対向するように線対称に配置されている。そして、各バイアス線9は、互いに対向する他端部9b,9b同士が接続線30を介して接続されている。より具体的に、上側ブロック領域P1に配置されているバイアス線9のうち任意の1本をバイアス線Aと称して説明する。バイアス線Aと、下側ブロック領域P2に配置されている複数のバイアス線9のうちバイアス線Aと線対称の位置にあるバイアス線9すなわち、バイアス線Aの延長線上にあるバイアス線9とは、他端部9bが互いに対向している。そして、バイアス線Aの他端部9bと、バイアス線Aと線対称の位置にあるバイアス線9の他端部9bとが、接続線30を介して接続されている。なお、本実施形態では、検出部Pを上下2つのブロック領域から構成することとしたが、これに限定されるものではない。検出部Pが、複数のブロック領域から構成されており、複数のブロック領域のうち一のブロック領域に配置されたバイアス線9と、複数のブロック領域のうち他の一のブロック領域に配置されたバイアス線9とが、他端部9bが互いに対向するように線対称に配置されているのであれば、各ブロック領域の位置やサイズは任意である。すなわち、例えば、検出部Pは、左右2つのブロック領域から構成されていてもよいし、上下左右4つのブロック領域から構成されていてもよい。また、各ブロック領域のサイズは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。次に、放射線画像撮影装置1の回路構成について説明する。図7は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の等価回路を表すブロック図である。各放射線検出素子7の基板4に近い側には下部電極7bが設けられ、基板4から遠い側には上部電極7aが設けられている。そして、各放射線検出素子7の上部電極7aにはそれぞれバイアス線9が接続されており、各バイアス線9は結線10に結束されてバイアス電源14に接続されている。バイアス電源14は、各結線10および各バイアス線9を介して各放射線検出素子7の上部電極7aにそれぞれバイアス電圧を印加するように構成されている。なお、図7では、同じ組に属する各バイアス線9を1本の結線10に結束しているが、本実施形態では、前述したように、同じ組に属する複数のバイアス線9のうち、一部図4の場合、図4における左側の4本数分が1本の結線10に結束され、残りの全部図4の場合、図4における右側の4本数分が他の1本の結線10に結束されている。また、バイアス電源14は、制御手段22後述に接続されており、制御手段22によって、バイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧が制御されるように構成されている。図7に示すように、本実施形態においては、バイアス電源14から、放射線検出素子7の上部電極7aにバイアス線9を介してバイアス電圧として放射線検出素子7の下部電極7b側にかかる電圧以下の電圧すなわちいわゆる逆バイアス電圧が印加されるように構成されている。各放射線検出素子7の下部電極7bはTFT8のソース電極8s図7中ではSと表記されている。に接続されている。また、各TFT8のゲート電極8g図7中ではGと表記されている。は、走査駆動手段15のゲートドライバ15bから延びる走査線5の各ラインL1~Lxにそれぞれ接続されている。また、各TFT8のドレイン電極8d図7中ではDと表記されている。は、各信号線6にそれぞれ接続されている。走査駆動手段15は、ゲートドライバ15bにオン電圧やオフ電圧を供給する電源回路15aと、走査線5の各ラインL1~Lxに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて各TFT8のオン状態とオフ状態とを切り替えるゲートドライバ15bとを備えている。ゲートドライバ15bは、走査線5の各ラインL1~Lxを介してTFT8のゲート電極8gに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて、各TFT8のオン状態とオフ状態とを制御するように構成されている。また、本実施形態において、ゲートドライバ15bは、複数のゲートIC15c図6参照が並設されて構成されている。図7に示すように、各信号線6は、読み出しIC16内に内蔵された各読み出し回路17にそれぞれ接続されている。なお、1個の読み出しIC16には、同じ組に属する各信号線6に接続されている読み出し回路17が設けられている。すなわち、本実施形態の場合、各組に属する信号線6の本数が8本であるので、1個の読み出しIC16には、8個の読み出し回路17が設けられている。読み出しIC16内には、主に、増幅回路18や相関二重サンプリング回路19などで構成される読み出し回路17と、アナログマルチプレクサ21と、A/D変換器20とが設けられている。なお、図7中では、相関二重サンプリング回路19はCDSと表記されている。例えば、放射線画像撮影で被写体を介して放射線画像撮影装置1に放射線が照射されると、シンチレータ3で放射線が他の波長の電磁波に変換されて、その直下の放射線検出素子7に照射される。そして、放射線検出素子7で照射された放射線の線量電磁波の光量に応じて電荷が発生する。各放射線検出素子7からの電荷の読み出し処理の際には、走査駆動手段15のゲートドライバ15bから走査線5の各ラインL1~Lxを介してゲート電極8gにオン電圧が印加されたTFT8がオン状態となり、オン状態とされた各TFT8を介して各放射線検出素子7から信号線6に電荷が放出される。そして、放射線検出素子7から放出された電荷量に応じて読み出し回路17の増幅回路18から電圧値が出力され、それを読み出し回路17の相関二重サンプリング回路19で相関二重サンプリングしてアナログ値の画像データがアナログマルチプレクサ21に出力される。そして、相関二重サンプリング回路19から出力された各放射線検出素子7の画像データは、アナログマルチプレクサ21を介して順次A/D変換器20に送信され、A/D変換器20で順次デジタル値の画像データに変換され、記憶手段23に出力されて順次保存される。すなわち、読み出し回路17は、放射線検出素子7から電荷を読み出し、放射線検出素子7毎に当該電荷を電気信号に変換し画像データとして出力するように構成されている。制御手段22は、放射線画像撮影装置1の各機能部の動作等を制御する。具体的には、制御手段22は、CPUCentralProcessingUnitやROMReadOnlyMemory、RAMRandomAccessMemory、入出力インターフェースなどがバスに接続されたコンピュータ、FPGAFieldProgrammableGateArray等により構成されている。なお、制御手段22は、専用の制御回路で構成されていてもよい。また、図7に示すように、制御手段22には、SRAMStaticRAMやSDRAMSynchronousDRAMなどで構成される記憶手段23が接続されている。また、本実施形態において、制御手段22には、アンテナ装置41が接続されている。さらに、本実施形態において、制御手段22には、検出部Pや走査駆動手段15、読み出し回路17、記憶手段23、バイアス電源14などの各機能部に電力を供給するためのバッテリ24が接続されている。そして、このバッテリ24には、図示しない充電装置からバッテリ24に電力を供給してバッテリ24を充電する際の接続端子25が取り付けられている。前述したように、制御手段22は、バイアス電源14を制御してバイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧を設定したり可変させたりするなど、放射線画像撮影装置1の各機能部の動作を制御するように構成されている。次に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の作用について説明する。ここで、まず、バイアス線9の断線について図8~図10を参照して説明する。図8は、図5におけるY-Y線に沿う断面図の一部を示す図であるが、図8はあくまでも例示であり、図5におけるY-Y線に沿う断面図を限定するものではない。図8~図10において、7は放射線検出素子を表し、7a、7bおよび7cはそれぞれ放射線検出素子7の上部電極、下部電極および変換層を表す。また、101は絶縁層を表し、101aおよび101bはそれぞれ絶縁層101の無機層および有機層を表す。また、102は無機層を表す。基板4上に二次元状マトリクス状に設けられた放射線検出素子7の表面を保護したり、複数の放射線検出素子7や信号線6等の各配線、TFT8等のスイッチ手段などが設けられた基板4の面4a側を平坦化する等の目的で、放射線検出素子7の表面にアクリル等を積層して平坦化層が形成される場合がある。また、放射線検出素子7は、一般的に、放射線のエネルギーや放射線が照射されたシンチレータ3で変換された電磁波のエネルギーに応じて電荷を発生させる変換層7cを2枚の電極上部電極7aおよび下部電極7bで挟むように形成されている。そして、放射線検出素子7は、電極間にバイアス電圧逆バイアス電圧の場合を含む。が印加されるように構成されている。その際、放射線検出素子7やTFT8が基板4上に積層されて形成される関係で、放射線検出素子7の基板4側の電極下部電極7bがTFT8のソース電極8sに接続され、それと反対側すなわち放射線検出素子7の表面側の電極上部電極7aにバイアス電圧が印加されるように構成される場合が多い。そして、放射線検出素子7の表面側の電極上部電極7aを各放射線検出素子7で共通とし、この共通電極を各放射線検出素子7の表面を被覆するように形成される場合がある。その際、共通電極が、光を遮らないようにするために、酸化インジウム錫等の光透過性の導電材料で形成される。しかし、放射線や放射線から変換された電磁波が入射される側の放射線検出素子7の表面に平坦化層や共通電極が設けられていると、それらを光透過性の材料で形成し、膜厚調整により使用範囲での電磁波等の反射吸収を抑えたとしても、平坦化層や共通電極による層数の増加に伴って、放射線検出素子7に入射する電磁波等が微小ではあるが低下する。そこで、例えば図8に示すように、少なくとも放射線検出素子7の表面側すなわち上部電極7a側には平坦化層等を形成せず、また、表面を被覆する絶縁層101も取り払って、放射線検出素子7の表面をいわば剥き出しの状態とする場合がある。そして、放射線検出素子7にバイアス電圧を供給するバイアス線9が、放射線検出素子7の上部電極7aや絶縁層101のさらに上側に積層され、バイアス線9等の上層には、さらに、バイアス線9等の腐食を防止するために無機層102が形成されている。しかし、このような構成にすると、図8の拡大図である図9に示すように、バイアス線9が、放射線検出素子7の上部電極7aの周縁の、図中矢印で示される絶縁層101の段差部分等で断線し易くなる。特に、図10Aに示すように、無機層101aの上方に有機層101bを積層する場合のように複数の層を積層して絶縁層101を形成する場合、上側の層図の場合は有機層101bが下側の層無機層101aよりも内側に突出するように積層されてしまうことがある。このような絶縁層101にバイアス線9を積層して形成すると、図10Bに示すように、上側の層が突出した部分の下側の、図中矢印で示される絶縁層101の段差部分でバイアス線9が断線し易くなる。このようにバイアス線9は、例えばセンサパネルSPの生産工程中で基板4とシンチレータ3とを貼り合わせる際の荷重等によって、絶縁層101の段差部分で断線いわゆる断切れが生じてしまうことがある。バイアス線9に断切れ等の断線が生じると、図20に示すような従来の場合、すなわち各バイアス線9において当該バイアス線9の他端部9bが当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続されていない場合には、断線部分から先の放射線検出素子7にバイアス電圧が供給されなくなる。そのため、断線部分から先の放射線検出素子7では、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生されなくなり、放射線画像上に異常な画像データが線状に並ぶ、いわゆる線欠陥が発生してしまう。これに対し、本実施形態では、各バイアス線9において当該バイアス線9の他端部9bが当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続線30を介して接続されている。そのため、例えば図11に示すように、バイアス線9に断線部分D1が生じたとしても、断線部分D1から先の放射線検出素子7、すなわち断線部分D1から当該バイアス線9の他端部9bまでに配置された放射線検出素子7には、当該バイアス線9の他端部9b側から、当該バイアス線9と線対称の位置にあるバイアス線9および接続線30を介して、バイアス電圧が供給される。すなわち、本実施形態において、各バイアス線9は、当該バイアス線9の一端部9a側と他端部9b側との両側から、各放射線検出素子7にバイアス電圧を供給可能に構成されている。これにより、放射線検出素子7には、バイアス線9の一端部9a側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線9の他端部9b側からバイアス電圧が供給されるようになっている。そのため、断線部分から先の放射線検出素子7でも、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生するので、バイアス線9の断線で放射線検出素子7にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。ここで、本実施形態のように、各バイアス線9において当該バイアス線9の他端部9bが当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続されていたとしても、線欠陥が発生してしまう場合がある。例えば図12に示すように、1本のバイアス線9に、第1断線部分D11と、当該第1断線部分D11よりも他端部9b側の第2断線部分D12との2つの断線部分が生じた場合、第1断線部分D11から第2断線部分D12までに配置された放射線検出素子7には、当該バイアス線9の一端部9a側からも当該バイアス線9の他端部9b側からもバイアス電圧が供給されない。そのため、第1断線部分D11から第2断線部分D12までに配置された放射線検出素子7では、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生されなくなり、線欠陥が発生してしまう。しかしながら、本実施形態の場合、発生する線欠陥の長さを短くすることが可能となる。すなわち、図20に示すような従来の場合、すなわち各バイアス線9において当該バイアス線9の他端部9bが当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続されていない場合には、1本のバイアス線9に第1断線部分D11と当該第1断線部分D11よりも他端部9b側の第2断線部分D12との2つの断線部分が生じると、第1断線部分D11から当該バイアス線9の他端部9bまでに対応する部分が線欠陥となる。一方、本実施形態のように、各バイアス線9において当該バイアス線9の他端部9bが当該バイアス線9以外のバイアス線に接続されている場合には、1本のバイアス線9に第1断線部分D11と当該第1断線部分D11よりも他端部9b側の第2断線部分D12との2つの断線部分が生じたとしても、第1断線部分D11から第2断線部分D12までに対応する部分のみが欠陥となる。したがって、第2断線部分D12から当該バイアス線9の他端部9bまでに対応する部分が欠陥にならない分、図20に示すような従来の場合、すなわち各バイアス線9において当該バイアス線9の他端部9bが当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続されていない場合と比較して、発生する線欠陥の長さを短くすることが可能となる。バイアス線9は、断線する場合、前述したように、絶縁層101の段差部分で断線いわゆる断切れすることが多い。絶縁層101の各段差部分にはばらつきがあり、断切れは、上側の層図の場合は有機層101bが下側の層無機層101aよりも突出している段差部分や、無機層101aが逆テーパ形状となり当該無機層101aの上側部分が下側部分よりも突出している段差部分、有機層101bが逆テーパ形状となり当該有機層101bの上側部分が下側部分よりも突出している段差部分などで生じ易い。基板4の面4aに各層放射線検出素子7やバイアス線9、絶縁層101、無機層102などを構成する層を積層して、放射線検出素子7やバイアス線9、絶縁層101、無機層102など形成する等の都合上、積層ムラ等が発生する場合がある。積層ムラ等が発生すると、一の放射線検出素子7上における突出量、すなわち、絶縁層101の下側の層図の場合は無機層101aに対する当該絶縁層101の上側の層有機層101bの突出量や、絶縁層101の無機層101a等が逆テーパ形状となった場合に生じる無機層101a等の下側部分に対する当該無機層101a等の上側部分の突出量が、他の放射線検出素子7上における突出量に比べて特に大きくなる場合が多く、このような場合に、当該一の放射線検出素子7上で断線部分が生じてしまう。このように、1本のバイアス線に2つの断線部分が生じる場合、当該2つの断線部分が1つの放射線検出素子7上で生じることが多い。図20に示すような従来の場合、すなわち各バイアス線9において当該バイアス線9の他端部9bが当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続されていない場合には、1つの放射線検出素子7上で2つの断線部分が生じると、当該2つの断線部分にうち一端部9a側の断線部分から当該バイアス線9の他端部9bまでに対応する部分が線欠陥となる。一方、本実施形態のように、各バイアス線9において当該バイアス線9の他端部9bが当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続されている場合には、1つの放射線検出素子7上で2つの断線部分が生じると、当該1つの放射線検出素子7に対応する部分のみが欠陥となり、いわゆる点欠陥が生じることとなる。したがって、1つの放射線検出素子7上で2つの断線部分が生じ欠陥が発生したとしても、点欠陥でとどめておくことができるので、線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。また、図20に示すような従来の場合、すなわち各バイアス線9において当該バイアス線9の他端部9bが当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続されていない場合には、結線10に断線部分が生じると、当該結線10のうち断線部分から先の結線10部分に接続されたバイアス線9に接続されている放射線検出素子7にバイアス電圧が供給されなくなる。そのため、当該結線10のうち断線部分から先の結線10部分に接続されたバイアス線9に接続されている放射線検出素子7では、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生されなくなり、線欠陥が発生してしまう。また、断線部分から先の結線10部分に接続されたバイアス線9が複数である場合には、複数の線欠陥が集合して発生し、いわゆる面欠陥を生じてしまう。これに対し、本実施形態では、各バイアス線9において当該バイアス線9の他端部9bが当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続線30を介して接続されている。そのため、例えば図13に示すように、結線10に断線部分D21や断線部分D22が生じたとしても、当該結線10のうち断線部分D21や断線部分D22から先の結線10部分に接続されたバイアス線9に接続されている放射線検出素子7には、当該バイアス線9の他端部9b側から、当該バイアス線9と線対称の位置にあるバイアス線9および接続線30を介して、バイアス電圧が供給される。そのため、当該結線10断線部分が生じた結線10のうち断線部分から先の結線10部分に接続されたバイアス線9に接続されている放射線検出素子7でも、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生するので、バイアス線9バイアス線9を結束する結線10を含むの断線で放射線検出素子7にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を低下させることが可能となる。また、断線部分から先の結線10部分に接続されたバイアス線9が複数であっても、複数の線欠陥が集合して発生する面欠陥が生じ難くなる。なお、本実施形態では、各バイアス線9において、当該バイアス線9の他端部9bが、当該バイアス線9に接続する結線10とは異なる他の結線10に接続するバイアス線9に接続されるように構成したが、これに限定されるものではない。すなわち、各バイアス線9において、当該バイアス線9の他端部9bが、当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続されているのであれば、異なる結線10に接続されたバイアス線9,9同士を接続する場合だけでなく、同一の結線10に接続されたバイアス線9,9同士を接続する場合も、線欠陥の発生率を的確に低下させることは可能である。具体的には、例えば図14に示すように、同一の結線10に接続されているバイアス線9の他端部9b,9b同士を接続するように構成することも可能である。しかしながら、この場合、他端部9b,9b同士が接続されたバイアス線9が、結線10断線部分が生じた結線10のうち断線部分から先の結線10部分に接続されていると、これらのバイアス線9に接続されている放射線検出素子7では、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生されなくなり、線欠陥が発生してしまう。そのため、本実施形態のように、異なる結線10に接続されたバイアス線9,9同士を接続することで、バイアス線9バイアス線9を結束する結線10を含むの断線で放射線検出素子7にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。なお、本実施形態では、異なる結線10に接続されたバイアス線9,9同士を接続するために、上側ブロック領域P1に配置されているバイアス線9と、下側ブロック領域P2に配置されているバイアス線9とを接続するように構成したが、これに限定されるものではない。異なる結線10に接続されたバイアス線9,9同士の接続の仕方は任意であり、例えば、同じブロック領域に配置されているバイアス線9のうち異なる結線10に接続されたバイアス線9,9同士を接続するように構成することも可能であるし、同じ組に属するバイアス線9のうち異なる結線10に接続されたバイアス線9,9同士を接続するように構成することも可能である。また、本実施形態では、各バイアス線9において、互いに対向する他端部9b,9b同士を接続するように構成したが、これに限定されるものではない。すなわち、各バイアス線9において、当該バイアス線9の他端部9bが、当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続されているのであれば、互いに対向する他端部9b,9b同士を接続する場合だけでなく、互いに対向しない他端部9b,9b同士を接続する場合や、バイアス線9の他端部9bとバイアス線9の途中部分とを接続する場合なども、線欠陥の発生率を的確に低下させることは可能である。しかしながら、互いに対向しない他端部9b,9b同士を接続する場合や、バイアス線9の他端部9bとバイアス線9の途中部分とを接続線30で接続する場合には、走査線5や信号線6と、接続線30とが交差してしまうことがある。走査線5や信号線6とバイアス線9バイアス線9,9同士を接続する接続線30を含むとが交差すると、その交差点等でノイズが発生し易くなる。ノイズが発生すると、その発生したノイズがバイアス線9接続線30を含むを介して各放射線検出素子7に伝わり、放射線検出素子7から読み出される画像データにノイズとして重畳されて、放射線画像にノイズが発生してしまう虞がある。したがって、互いに対向しない他端部9b,9b同士を接続したり、バイアス線9の他端部9bとバイアス線9の途中部分とを接続線30で接続したりして、走査線5や信号線6と接続線30とが交差するような構成の場合、放射線画像にノイズが発生して、高品質な画質の放射線画像を得ることができないことがある。これに対し、本実施形態では、各バイアス線9において互いに対向する他端部9b,9b同士が接続線30を介して接続されている。そのため、各接続線30が上側ブロック領域P1と下側ブロック領域P2との境界部分、すなわち走査線5が配置されていない部分に配設されるとともに、各接続線30が信号線6に並行して配設されるので、走査線5や信号線6と接続線30とが交差することがない。そのため、走査線5や信号線6とバイアス線9バイアス線9,9同士を接続する接続線30を含むとが交差することにより生じるノイズの発生を的確に防止することが可能となる。以上説明した第1実施形態におけるセンサパネルSP放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置1によれば、センサパネルSPにおいて、各バイアス線9は、当該バイアス線9の一端部9a側と他端部9b側との両側から、各放射線検出素子7にバイアス電圧を供給可能に構成されており、放射線検出素子7には、バイアス線9の一端部9a側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線9の他端部9b側からバイアス電圧が供給されるようになっている。具体的には、各バイアス線9は、当該バイアス線9の一端部9aが、バイアス電源14に接続されており、当該バイアス線9の他端部9bが、当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続されている。すなわち、バイアス線9が断線して放射線検出素子7に対する当該バイアス線9の一端部9a側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該放射線検出素子7には、当該バイアス線9の他端部9b側からバイアス電圧が供給される。したがって、バイアス線9が断線しても、バイアス線9の断線で放射線検出素子7にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。また、バイアス線9は、断線する場合、絶縁層101の段差部分で断線いわゆる断切れすることが多い。この断切れは、例えばセンサパネルSPの生産工程中で基板4とシンチレータ3とを貼り合わせる際の荷重等によって生じることが多い。しかし、バイアス線9に断切れが生じたとしても、当該断切れにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることができるので、センサパネルSPの不良率が抑制され、センサパネルSPの歩留まりを向上させることが可能となる。また、以上説明した第1実施形態におけるセンサパネルSP放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置1によれば、センサパネルSPは、各バイアス線9を所定の本数毎に結束する複数の結線10を備え、各バイアス線9は、当該バイアス線9の一端部9aが、当該バイアス線9に接続する結線10を介してバイアス電源14に接続されており、当該バイアス線9の他端部9bが、当該バイアス線9に接続する結線10とは異なる他の結線10に接続するバイアス線9に接続されている。すなわち、結線10が断線して放射線検出素子7に対するバイアス線9の一端部9a側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該放射線検出素子7には、当該バイアス線9の他端部9b側からバイアス電圧が供給される。したがって、バイアス線9バイアス線9を結束する結線10を含むが断線しても、バイアス線9結線10を含むの断線で放射線検出素子7にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。また、以上説明した第1実施形態におけるセンサパネルSP放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置1によれば、各バイアス線9は、当該バイアス線9の他端部9bが、当該バイアス線9以外のバイアス線9の他端部9bに接続されている。したがってバイアス線9の他端部9bとバイアス線9の途中部分とが接続している場合等、すなわちバイアス線9の他端部9b,9b同士が接続されていない場合と比較して、バイアス線9,9同士を接続する接続線30を、走査線5や信号線6と交差しないように配設し易い。したがって、走査線5や信号線6とバイアス線9バイアス線9,9同士を接続する接続線30を含むとが交差することにより生じるノイズの発生を的確に抑制することが可能となる。また、以上説明した第1実施形態におけるセンサパネルSP放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置1によれば、検出部Pは、複数のブロック領域本実施形態の場合は上側ブロック領域P1および下側ブロック領域P2から構成され、各ブロック領域には、バイアス線9がそれぞれ配置され、複数のブロック領域のうち一のブロック領域に配置されたバイアス線9と、複数のブロック領域のうち他の一のブロック領域に配置されたバイアス線9とは、他端部9bが互いに対向するように線対称に配置され、各バイアス線9は、互いに対向する他端部9b,9b同士が接続されている。したがって、各バイアス線9において互いに対向する他端部9b,9b同士が接続されているおり、各接続線30がブロック領域同士の境界部分、すなわち走査線5が配置されていない部分に配設されるとともに、各接続線30が信号線6に並行して配設されるので、走査線5や信号線6と接続線30とが交差することがない。そのため、走査線5や信号線6とバイアス線9バイアス線9,9同士を接続する接続線30を含むとが交差することにより生じるノイズの発生を的確に防止することが可能となる。その結果、高品質な画質の放射線画像を取得することが可能となる。<第2実施形態>次に、第2実施形態に係る放射線画像撮影装置1について説明する。なお、第2実施形態においては、バイアス線9,9同士の接続の仕方が、第1実施形態と異なる。したがって、第1実施形態と同様の構成を有する部分については同じ符号を付して説明を省略し、主に異なる部分について説明する。本実施形態の各バイアス線9は、当該バイアス線9の他端部9bが、当該バイアス線9以外の複数のバイアス線9の他端部9bに接続線30Aを介して接続されている。具体的には、例えば図15に示すように、上側ブロック領域P1に配置されている各バイアス線9と、下側ブロック領域P2に配置されている各バイアス線9とを、互いに対向する他端部9b,9b同士が一致するよう延長して、線対称の位置関係にある一対のバイアス線9,9で1本のバイアス線ラインを形成する。そして、互いに対向する他端部9b,9b同士の各一致点を1本の接続線30Aで接続することによって、各バイアス線9の他端部9bを当該1本の接続線30Aに接続するように構成する。この場合、走査線5や信号線6とバイアス線9バイアス線9,9同士を接続する接続線30Aを含むとが交差することにより生じるノイズの発生を的確に防止する等の観点から、例えば図15に示すように、走査線5や信号線6に交差しないように接続線30Aを配設することが好ましい。なお、第1実施形態では、互いに対向する他端部9b,9b同士を、接続線30を介して接続することとして説明した。この互いに対向する他端部9b,9b同士を、接続線30を介して接続すると、互いに対向する他端部9b,9b同士が一致するよう延長して、線対称の位置関係にある一対のバイアス線9,9で1本のバイアス線ラインを形成するとには違いはない。すなわち、第1実施形態の図4に示す構成は、互いに対向する他端部9b,9b同士が一致するよう延長して、線対称の位置関係にある一対のバイアス線9,9で1本のバイアス線ラインを形成することにより達成可能である。また、第2実施形態の図15に示す構成は、互いに対向する他端部9b,9b同士を、接続線30を介して接続するとともに、各接続線30に直交するように1本の接続線30Aを配設して、これら各接続線30を当該1本の接続線30Aで接続することで達成可能である。次に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の作用について説明する。バイアス線9に断切れ等の断線が生じると、図19に示すような従来の場合、すなわち各バイアス線9において当該バイアス線9の他端部9bが当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続されていない場合には、断線部分から先の放射線検出素子7にバイアス電圧が供給されなくなる。そのため、断線部分から先の放射線検出素子7では、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生されなくなり、放射線画像上に異常な画像データが線状に並ぶ、いわゆる線欠陥が発生してしまう。これに対し、本実施形態では、各バイアス線9において当該バイアス線9の他端部9bが当該バイアス線9以外の複数のバイアス線9に接続線30Aを介して接続されている。そのため、バイアス線9に断線部分が生じたとしても、断線部分から先の放射線検出素子7、すなわち断線部分から当該バイアス線9の他端部9bまでに配置された放射線検出素子7には、当該バイアス線9の他端部9b側から、当該バイアス線9以外の複数のバイアス線9および接続線30Aを介して、バイアス電圧が供給される。すなわち、本実施形態において、各バイアス線9は、当該バイアス線9の一端部9a側と他端部9b側との両側から、各放射線検出素子7にバイアス電圧を供給可能に構成されている。これにより、放射線検出素子7には、バイアス線9の一端部9a側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線9の他端部9b側からバイアス電圧が供給されるようになっている。そのため、断線部分から先の放射線検出素子7でも、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生するので、バイアス線9の断線で放射線検出素子7にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。なお、本実施形態では、各バイアス線9において、当該バイアス線9の他端部9bを、当該バイアス線9以外の全部のバイアス線9の他端部9bに接続するように構成したが、これに限定されるものではない。すなわち、各バイアス線9において、当該バイアス線9の他端部9bが、当該バイアス線9以外の複数のバイアス線9に接続されているのであれば、当該バイアス線9以外の全部のバイアス線9に接続する場合だけでなく、当該バイアス線9以外の一部のバイアス線9に接続する場合も、線欠陥の発生率を的確に低下させることは可能である。具体的には、例えば図16に示すように、上側ブロック領域P1に配置されている各バイアス線9の他端部9bを1本の接続線30Aに接続するとともに、下側ブロック領域P2に配置されている各バイアス線9の他端部9bを1本の接続線30Aに接続するように構成することが可能である。この場合、走査線5や信号線6とバイアス線9バイアス線9,9同士を接続する接続線30Aを含むとが交差することにより生じるノイズの発生を的確に防止する等の観点から、図16に示すように、走査線5や信号線6に交差しないように接続線30Aを配設することが好ましい。また、例えば図17に示すように、上側ブロック領域P1に配置されている各バイアス線9の他端部9bを同じ組に属するバイアス線9毎に1本の接続線30Aにそれぞれ接続するとともに、下側ブロック領域P2に配置されている各バイアス線9の他端部9bを同じ組に属するバイアス線9毎に1本の接続線30Aにそれぞれ接続するように構成することが可能である。この場合、走査線5や信号線6とバイアス線9バイアス線9,9同士を接続する接続線30Aを含むとが交差することにより生じるノイズの発生を的確に防止する等の観点から、図17に示すように、走査線5や信号線6に交差しないように接続線30Aを配設することが好ましい。なお、この他の点は第1実施形態で示した作用と同様であるので、その説明は省略する。すなわち、各バイアス線9において、当該バイアス線9の他端部9bが、当該バイアス線9以外の複数のバイアス線9に接続されているのであれば、例えば、同一の結線10に接続されたバイアス線9,9同士のみを1本の接続線30Aで接続するように構成することも可能であるし、当該バイアス線9の他端部9bと当該バイアス線9以外の複数のバイアス線9の途中部分とを接続するように構成することも可能である。以上説明した第2実施形態におけるセンサパネルSP放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置1によれば、各バイアス線9は、当該バイアス線9の他端部9bが、当該バイアス線9以外の複数のバイアス線9の他端部9bに接続線30Aを介して接続され、接続線30Aは、各走査線5および各信号線6に交差しないように配設されている。したがって、接続線30Aが走査線5や信号線6が交差しないように配設されているので、走査線5や信号線6とバイアス線9バイアス線9,9同士を接続する接続線30Aを含むとが交差することにより生じるノイズの発生を的確に防止することが可能となる。その結果、高品質な画質の放射線画像を取得することが可能となる。なお、この他の点は第1実施形態で示した効果と同様であるので、その説明は省略する。なお、本発明は上記の実施形態に限定されず、本発明の趣旨から逸脱しない限り、適宜変更可能であることはいうまでもない。<変形例1>放射線検出パネルとしてのセンサパネルSPが備える検出部Pは、例えば図18に示すように、複数のブロック領域で構成されていなくてもよい。この場合、各バイアス線9を、当該バイアス線9の一端部9aがバイアス電源14に接続されるとともに、当該バイアス線9の他端部9bが当該バイアス線9以外のバイアス線9に接続されるように構成し、当該バイアス線9の一端部9a側と他端部9b側との両側から、各放射線検出素子7にバイアス電圧を供給可能に構成されているのであれば、バイアス線9,9同士の接続の仕方は任意である。具体的には、この場合、例えば図18に示すように、第2実施形態と同様の構成にすることが可能である。すなわち、各バイアス線9において、当該バイアス線9の他端部9bを、当該バイアス線9以外の複数のバイアス線9の他端部9bに接続線30Aを介して接続し、接続線30Aを、各走査線5および各信号線6に交差しないように配設するように構成することが可能である。なお、上記の実施形態および変形例では、1本の結線10に結束されているバイアス線9の本数を同一にしたが、これに限定されるものではない、各結線10に結束されているバイアス線9の本数は同一であってもよいし、異なっていてもよい。"