内部にマイクロ流路が設けられたマイクロ流路本体を備えたマイクロ流路基板であって、前記マイクロ流路の天井部と前記マイクロ流路の内側壁が交わる第1の角部、および前記マイクロ流路の底部と前記内側壁が交わる第2の角部が曲面をなしていることを特徴とするマイクロ流路基板。前記マイクロ流路本体は、前記マイクロ流路となる凹部が形成された第1のガラス基板と、前記凹部を覆うように、前記第1のガラス基板に接合された第2のガラス基板とを備えてなり、前記第1のガラス基板に形成された凹部の内側壁と、前記第2のガラス基板の前記第1のガラス基板と接する面とが交わる第1の角部、および前記凹部の底部と前記内側壁が交わる第2の角部が曲面をなしていることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ流路基板。マイクロ流路となる凹部が形成された第1のガラス基板と、前記凹部を覆うように、前記第1のガラス基板に接合された第2のガラス基板とを備えてなり、前記第1のガラス基板に形成された凹部の内側壁と、前記第2のガラス基板の前記第1のガラス基板と接する面とが交わる第1の角部、および前記凹部の底部と前記内側壁が交わる第2の角部が曲面をなしているマイクロ流路基板の製造方法であって、前記第1のガラス基板に、等方性エッチング技術を用いて凹部を形成する工程Aと、前記第2のガラス基板に、前記凹部を覆うように、前記第1のガラス基板を接合する工程Bと、を備えたことを特徴とするマイクロ流路基板の製造方法。前記工程Aよりも前に、前記第1のガラス基板として、硼珪酸ガラスからなる基板を用い、該硼珪酸ガラスからなる基板の表面にホウ素をイオン注入する工程Cと、前記ホウ素がイオン注入された第1のガラス基板を熱処理してホウ素を酸化ホウ素にする工程Dと、を備えたことを特徴とする請求項3に記載のマイクロ流路基板の製造方法。前記工程Aよりも前に、前記第1のガラス基板として、硼珪酸ガラスからなる基板を用い、該硼珪酸ガラスからなる基板を熱処理する工程Eを備えたことを特徴とする請求項3に記載のマイクロ流路基板の製造方法。前記工程Aよりも前に、前記第1のガラス基板として、ナトリウムを含有するガラス基板を用い、該ガラス基板の表面に、シリコン酸化膜を形成する工程Fと、前記シリコン酸化膜が形成された第1のガラス基板を熱処理する工程Gと、を備えたことを特徴とする請求項3に記載のマイクロ流路基板の製造方法。このような断面形状が逆かまぼこ型や長方形をなすマイクロ流路基板に、液体または気体以下、液体および気体を流体と言うこともある。を流入し、これらの流体に圧力を印加すると、凹部の内側壁に発生する応力が、逆かまぼこ型や長方形の角部に集中する。ここで、角部とは、第1のガラス基板の凹部の内側壁と、第2のガラス基板の一方の面とが交わる接する部分のことである。このとき、マイクロ流路基板内の流体に対して、平坦なガラス基板に印加しても破損しない程度の圧力を印加した場合でも、逆かまぼこ型や長方形の角部に応力が集中するため、角部を起点として、凹部が形成された第1のガラス基板と第2のガラス基板が破壊されたり、接合部において第1のガラス基板と第2のガラス基板が剥離したりすることがあった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、応力が過度に集中する鋭角な部分や直角な部分が形成されていない断面形状を有するマイクロ流路基板およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明のマイクロ流路基板は、内部にマイクロ流路が設けられたマイクロ流路本体を備えたマイクロ流路基板であって、前記マイクロ流路の天井部と前記マイクロ流路の内側壁が交わる第1の角部、および前記マイクロ流路の底部と前記内側壁が交わる第2の角部が曲面をなしていることを特徴とするマイクロ流路基板である。本発明のマイクロ流路基板において、前記マイクロ流路本体は、前記マイクロ流路となる凹部が形成された第1のガラス基板と、前記凹部を覆うように、前記第1のガラス基板に接合された第2のガラス基板とを備えてなり、前記第1のガラス基板に形成された凹部の内側壁と、前記第2のガラス基板の前記第1のガラス基板と接する面とが交わる第1の角部、および前記凹部の底部と前記内側壁が交わる第2の角部が曲面をなしていることが好ましい。本発明のマイクロ流路基板の製造方法は、マイクロ流路となる凹部が形成された第1のガラス基板と、前記凹部を覆うように、前記第1のガラス基板に接合された第2のガラス基板とを備えてなり、前記第1のガラス基板に形成された凹部の内側壁と、前記第2のガラス基板の前記第1のガラス基板と接する面とが交わる第1の角部、および前記凹部の底部と前記内側壁が交わる第2の角部が曲面をなしているマイクロ流路基板の製造方法であって、前記第1のガラス基板に、等方性エッチング技術を用いて凹部を形成する工程Aと、前記第2のガラス基板に、前記凹部を覆うように、前記第1のガラス基板を接合する工程Bと、を備えたことを特徴とする。本発明のマイクロ流路基板の製造方法において、前記工程Aよりも前に、前記第1のガラス基板として、硼珪酸ガラスからなる基板を用い、該硼珪酸ガラスからなる基板の表面にホウ素をイオン注入する工程Cと、前記ホウ素がイオン注入された第1のガラス基板を熱処理してホウ素を酸化ホウ素にする工程Dと、を備えたことが好ましい。本発明のマイクロ流路基板の製造方法において、前記工程Aよりも前に、前記第1のガラス基板として、硼珪酸ガラスからなる基板を用い、該硼珪酸ガラスからなる基板を熱処理する工程Eを備えたことが好ましい。本発明のマイクロ流路基板の製造方法において、前記工程Aよりも前に、前記第1のガラス基板として、ナトリウムを含有するガラス基板を用い、該ガラス基板の表面に、シリコン酸化膜を形成する工程Fと、前記シリコン酸化膜が形成された第1のガラス基板を熱処理する工程Gと、を備えたことが好ましい。本実施形態のマイクロ流路基板によれば、マイクロ流路の天井部とマイクロ流路の内側壁が交わる第1の角部、およびマイクロ流路の底部と内側壁が交わる第2の角部が曲面をなしているので、マイクロ流路には、その内部に流体を導入した際に、流体の圧力によって応力が集中する90度以下の鋭角をなすような角部が存在しない。したがって、マイクロ流路本体を構成するガラス基板本来の破壊耐圧以下の低い圧力を印加することによる、マイクロ流路の破損を防止することができる。本実施形態のマイクロ流路基板の製造方法によれば、第1のガラス基板に、等方性エッチング技術を用いて凹部を形成する工程Aと、第2のガラス基板に、第1のガラス基板に形成された凹部を覆うように、第1のガラス基板を接合する工程Bと、を備えたので、第1のガラス基板に形成された凹部の内側壁を、その開口部側において、凹部の内側に湾曲する曲面とすることができる。本発明のマイクロ流路基板およびその製造方法の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。マイクロ流路基板図1は、本発明に係るマイクロ流路基板の第1の実施形態を示す概略断面図である。図2は、本発明のマイクロ流路基板の第1の実施形態を示す概略断面図であり、図1の一部を拡大した図である。本実施形態のマイクロ流路基板10は、マイクロ流路11となる凹部12が形成された第1のガラス基板13と、凹部12を覆うように、第1のガラス基板13に接合された第2のガラス基板14とを具備してなるマイクロ流路本体15を備えてなるものである。すなわち、マイクロ流路基板10は、内部に、第1のガラス基板13の凹部12と、これを覆う第2のガラス基板14とから構成されるマイクロ流路11が設けられたマイクロ流路本体15を備えてなるものである。第1のガラス基板13に形成された凹部12は、第2のガラス基板14と対向し、マイクロ流路11の底面をなす底面12aと、第2のガラス基板14の第1のガラス基板13と接合された面以下、一方の面と言う。14aと交わる内側壁12bとから構成されている。そして、凹部12の内側壁12bと、第2のガラス基板14の一方の面14aとが交わる第1の角部16が、凹部12の内側に湾曲する曲面をなしている。言い換えれば、凹部12の内側壁12bの上部開口部、すなわち、凹部12における第2のガラス基板14に隣接する側の内側壁12b第1の角部16がマイクロ流路11の内側に向かって曲面をなしている。また、凹部12における第2のガラス基板14に隣接する側の内側壁12bと、第2のガラス基板14の一方の面14aとが交わる第1の角部16の角度α1は鈍角90度以上である。さらに、凹部12の底面12aと内側壁12bが交わる第2の角部17が曲面をなしている。この第2の角部17の角度α2も鈍角90度以上である。第1のガラス基板13としては、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスなどからなる基板が用いられる。第2のガラス基板14としては、第1のガラス基板13と同じ材質の基板を用いることが好ましい。マイクロ流路基板10によれば、第1のガラス基板12に形成された凹部12の内側壁12bと、第2のガラス基板14の一方の面14aとが交わる第1の角部16が曲面をなし、かつ、第1のガラス基板12に形成された凹部12の底面12aと内側壁12bが交わる第2の角部17が曲面をなしているので、マイクロ流路11には、第1のガラス基板13の凹部12と、これを覆う第2のガラス基板14とから構成されるマイクロ流路11内に流体を導入した際に、流体の圧力によって応力が集中する90度以下の鋭角をなすような角部が存在しない。したがって、ガラス基板本来の破壊耐圧以下の低い圧力を印加しても、マイクロ流路11内に破壊耐圧を超えるような応力が集中する角部が存在しないため、マイクロ流路11、第1のガラス基板13および第2のガラス基板14が破損することを防止できる。また、マイクロ流路11には、流体の渦や停滞の原因となる90度以下の鋭角をなすような角部が存在しないため、流体の渦や停滞の発生を抑制することができる。マイクロ流路基板の製造方法1第1の実施形態図3~5を参照して、本発明に係るマイクロ流路基板の製造方法の第1の実施形態を説明する。なお、図3~5において、図1で示した構成と同一の構成には同一符号を付して説明を省略する。まず、図3aに示すように、第1のガラス基板13として、硼珪酸ガラスからなる基板以下、硼珪酸ガラス基板と言う。を用意する。ここで、第1のガラス基板13としては、例えば、厚さ0.5mm~5mm程度のものが用いられる。次いで、第1のガラス基板13の一方の面13a側から、その一方の面13aから内部に向かってホウ素Bの濃度が次第に低減するように、ホウ素イオンを注入する。これにより、図3bに示すように、第1のガラス基板13の一方の面13a近傍に、第1のガラス基板13の内部よりもホウ素濃度が高い層以下、ホウ素含有層と言う。21を形成する。ホウ素含有層21の厚さは、0.1μm~5μmであることが好ましい。ホウ素含有層21の厚さがこの範囲内であれば、ホウ素を酸化する工程熱処理工程において、所定の厚さの酸化ホウ素濃度が高い層を形成することができ、結果として、第1のガラス基板13に凹部12を形成する工程において、第1の角部16をなす部分の角度α1を鈍角90度以上にすることができる。次いで、ホウ素含有層21が形成された第1のガラス基板13を、酸素を含む雰囲気中で熱処理し、ホウ素含有層21に含まれるホウ素を酸化して、酸化ホウ素B2O3にする。これにより、図3cに示すように、第1のガラス基板13の一方の面13aに、第1のガラス基板13の内部よりも酸化ホウ素濃度が高い層以下、酸化ホウ素含有層と言う。22を形成する。この酸化ホウ素含有層22は、第1のガラス基板13の一方の面13aと接する面とは反対の面側から内部に向かって、酸化ホウ素濃度が次第に低減するようになっている。酸化ホウ素含有層22の厚さは、0.1μm~5μmであることが好ましい。酸化ホウ素含有層22の厚さがこの範囲内であれば、第1のガラス基板13に凹部12を形成する工程において、第1の角部16をなす部分の角度α1を鈍角90度以上にすることができる。次いで、必要に応じて、酸化ホウ素含有層22が形成された第1のガラス基板13を洗浄した後、図3dに示すように、酸化ホウ素含有層22の第1のガラス基板13と接する面とは反対側の面以下、一方の面と言う。22aに、ウェットエッチング工程でマスクとして使用するクロムCr膜23を成膜する。クロム膜23の成膜方法としては、DCマグネトロンスパッタリング技術、電子ビームEB蒸着技術などが用いられる。次いで、スピンコーティング技術などを用いて、図4aに示すように、クロム膜23の酸化ホウ素含有層22と接する面とは反対側の面以下、一方の面と言う。23aに、フォトレジスト膜24を塗布する。フォトレジスト膜24の形成方法としては、スプレーコーティング技術、クロム膜23の一方の面23aにフィルムレジストを直接、貼付する方法などが用いられる。次いで、露光装置を用いて、フォトレジスト膜24に、第1のガラス基板13に凹部12を形成するためのフォトレジストパターン形状を露光した後、現像液でフォトレジスト膜24を現像することによって、図4bに示すように、フォトレジスト膜24に、フォトレジストパターン25を形成する。次いで、硝酸セリウムアンモニウムなどのクロムエッチング液を用いて、クロム膜23をエッチングし、図4cに示すように、クロムマスクパターン26を形成する。次いで、希釈フッ酸、緩衝フッ酸や、これらを含むガラスエッチング液を用いて、酸化ホウ素含有層22および第1のガラス基板13をエッチングし、図4dに示すように、第1のガラス基板13に凹部12を形成する。第1のガラス基板13の一方の面13aに形成された酸化ホウ素含有層22は、第1のガラス基板13の内部よりも酸化ホウ素の濃度が高くなっている。そのため、第1のガラス基板13の一方の面13a側におけるガラスエッチング液によるエッチング速度は、第1のガラス基板13の内部におけるエッチング速度よりも遅くなる。また、酸化ホウ素含有層22は、その一方の面22a側において、より酸化ホウ素の濃度が高くなっている。そのため、酸化ホウ素含有層22は、その一方の面22aに近い程、エッチング速度が遅くなる。したがって、酸化ホウ素含有層22におけるサイドエッチング量も、その一方の面22aに近い程少ない。これにより、第1のガラス基板13に形成された凹部12の内側壁12bは、酸化ホウ素含有層22の一方の面22a側において、凹部12の内側に湾曲する曲面をなす。また、この酸化ホウ素含有層22および第1のガラス基板13をエッチングする工程により、第1のガラス基板12に形成された凹部12の底面12aと内側壁12bが交わる第2の角部17は、曲面をなすように形成される。次いで、図5aに示すように、フォトレジストパターン25が形成されたフォトレジスト膜24を除去する。フォトレジスト膜24を除去する方法としては、プラズマアッシング技術、熱硫酸やアルカリ性水溶液などのフォトレジストを溶解する液でフォトレジスト膜24を除去する方法、これらの技術を組み合わせた方法などが用いられる。次いで、硝酸セリウムアンモニウムなどのクロムエッチング液を用いて、クロムマスクパターン26が形成されたクロム膜23をエッチングし、図5bに示すように、クロム膜23を除去する。次いで、ブラスト技術、ドリル、ウェットエッチング技術などを用いて、流体に流入口となる貫通穴を第1のガラス基板13、または別途用意した第2のガラス基板14に形成する。次いで、必要に応じて、第1のガラス基板13と第2のガラス基板14を洗浄した後、凹部12を覆うように、第1のガラス基板13に第2のガラス基板14を接合し、図5cに示すように、内部に、第1のガラス基板13の凹部12と、これを覆う第2のガラス基板14とから構成されるマイクロ流路11が設けられたマイクロ流路本体15を備えたマイクロ流路基板10を得る。本実施形態のマイクロ流路基板の製造方法によれば、第1のガラス基板13の一方の面13aに、第1のガラス基板13の内部よりも酸化ホウ素の濃度が高い酸化ホウ素含有層22を形成しているので、第1のガラス基板13の一方の面13a側におけるガラスエッチング液によるエッチング速度を、第1のガラス基板13の内部におけるエッチング速度よりも遅くすることができる。また、酸化ホウ素含有層22の一方の面22a側において、酸化ホウ素の濃度を高くしているので、酸化ホウ素含有層22の一方の面22aに近い程、エッチング速度を遅くすることができる。従って、第1のガラス基板13に形成された凹部12の内側壁12bを、酸化ホウ素含有層22の一方の面22a側において、凹部12の内側に湾曲する曲面とすることができる。2第2の実施形態図6~8を参照して、本発明に係るマイクロ流路基板の製造方法の第2の実施形態を説明する。なお、図6~8において、図1で示した構成と同一の構成には同一符号を付して説明を省略する。まず、図6aに示すように、第1のガラス基板13として、硼珪酸ガラス基板を用意する。ここで、第1のガラス基板13としては、例えば、厚さ0.5mm~5mm程度のものが用いられる。次いで、第1のガラス基板13を、酸素を含む雰囲気中で熱処理する。これにより、第1のガラス基板13の一方の面13a近傍を酸化して、図6bに示すように、第1のガラス基板13の一方の面13a近傍に、第1のガラス基板13の内部よりも酸化度が高い層31を形成する。この酸化度が高い層31は、第1のガラス基板13を構成するケイ素、ホウ素などの第1のガラス基板13の成分のうち酸素と未結合の成分を酸化してなるシリコン酸化膜である。以下、酸化度が高い層31を、シリコン酸化膜31と言う。この熱処理工程により、酸素が第1のガラス基板13の一方の面13aから拡散して、第1のガラス基板13の内部に浸透するので、第1のガラス基板13の一方の面13a側における酸化度は、第1のガラス基板13の内部における酸化度よりも高くなる。シリコン酸化膜31の厚さは、0.1μm~5μmであることが好ましい。シリコン酸化膜31の厚さがこの範囲内であれば、第1のガラス基板13に凹部12を形成する工程において、第1の角部16をなす部分の角度α1を鈍角90度以上にすることができる。次いで、必要に応じて、シリコン酸化膜31が形成された第1のガラス基板13を洗浄した後、図6cに示すように、シリコン酸化膜31の第1のガラス基板13と接する面とは反対側の面以下、一方の面と言う。31aに、ウェットエッチング工程でマスクとして使用するクロムCr膜32を成膜する。クロム膜32の成膜方法としては、DCマグネトロンスパッタリング技術、電子ビームEB蒸着技術などが用いられる。次いで、スピンコーティング技術などを用いて、図6dに示すように、クロム膜32のシリコン酸化膜31と接する面とは反対側の面以下、一方の面と言う。32aに、フォトレジスト膜33を塗布する。フォトレジスト膜33の形成方法としては、スプレーコーティング技術、クロム膜32の一方の面32aにフィルムレジストを直接、貼付する方法などが用いられる。次いで、露光装置を用いて、フォトレジスト膜33に、第1のガラス基板13に凹部12を形成するためのフォトレジストパターン形状を露光した後、現像液でフォトレジスト膜33を現像することによって、図7aに示すように、フォトレジスト膜33に、フォトレジストパターン34を形成する。次いで、硝酸セリウムアンモニウムなどのクロムエッチング液を用いて、クロム膜32をエッチングし、図7bに示すように、クロムマスクパターン35を形成する。次いで、希釈フッ酸、緩衝フッ酸や、これらを含むガラスエッチング液を用いて、シリコン酸化膜31および第1のガラス基板13をエッチングし、図7cに示すように、第1のガラス基板13に凹部12を形成する。第1のガラス基板13の一方の面13aに形成されたシリコン酸化膜31は、第1のガラス基板13の内部よりも酸化度が高くなっている。そのため、第1のガラス基板13の一方の面13a側におけるガラスエッチング液によるエッチング速度は、第1のガラス基板13の内部におけるエッチング速度よりも遅くなる。また、シリコン酸化膜31は、その一方の面31a側において、より酸化度が高くなっている。そのため、シリコン酸化膜31は、その一方の面31aに近い程、エッチング速度が遅くなる。これにより、第1のガラス基板13に形成された凹部12の内側壁12bは、シリコン酸化膜31の一方の面31a側において、凹部12の内側に湾曲する曲面をなす。また、このシリコン酸化膜31および第1のガラス基板13をエッチングする工程により、第1のガラス基板12に形成された凹部12の底面12aと内側壁12bが交わる第2の角部17は、曲面をなすように形成される。次いで、図7dに示すように、フォトレジストパターン34が形成されたフォトレジスト膜33を除去する。フォトレジスト膜33を除去する方法としては、プラズマアッシング技術、熱硫酸やアルカリ性水溶液などのフォトレジストを溶解する液でフォトレジスト膜33を除去する方法、これらの技術を組み合わせた方法などが用いられる。次いで、硝酸セリウムアンモニウムなどのクロムエッチング液を用いて、クロムマスクパターン35が形成されたクロム膜32をエッチングし、図8aに示すように、クロム膜32を除去する。次いで、ブラスト技術、ドリル、ウェットエッチング技術などを用いて、流体に流入口となる貫通穴を第1のガラス基板13、または別途用意した第2のガラス基板14に形成する。次いで、必要に応じて、第1のガラス基板13と第2のガラス基板14を洗浄した後、凹部12を覆うように、第1のガラス基板13に第2のガラス基板14を接合し、図8bに示すように、内部に、第1のガラス基板13の凹部12と、これを覆う第2のガラス基板14とから構成されるマイクロ流路11が設けられたマイクロ流路本体15を備えたマイクロ流路基板10を得る。本実施形態のマイクロ流路基板の製造方法によれば、第1のガラス基板13の一方の面13aに、第1のガラス基板13の内部よりも酸化度が高いシリコン酸化膜31を形成しているので、第1のガラス基板13の一方の面13a側におけるガラスエッチング液によるエッチング速度を、第1のガラス基板13の内部におけるエッチング速度よりも遅くすることができる。また、シリコン酸化膜31の一方の面31a側において、第1のガラス基板13に含まれる成分の酸化度を高くしているので、シリコン酸化膜31の一方の面31aに近い程、エッチング速度を遅くすることができる。従って、第1のガラス基板13に形成された凹部12の内側壁12bを、シリコン酸化膜31の一方の面31a側において、凹部12の内側に湾曲する曲面とすることができる。3第3の実施形態図9~11を参照して、本発明に係るマイクロ流路基板の製造方法の第3の実施形態を説明する。なお、図9~11において、図1で示した構成と同一の構成には同一符号を付して説明を省略する。まず、図9aに示すように、第1のガラス基板13として、ソーダライムガラスからなる基板以下、ソーダライムガラス基板と言う。を用意する。ここで、第1のガラス基板13としては、例えば、厚さ0.5mm~5mm程度のものが用いられる。次いで、図9bに示すように、第1のガラス基板13の一方の面13aにシリコン酸化膜41を成膜する。シリコン酸化膜41の成膜方法としては、CVD技術、スパッタリング技術などが用いられる。次いで、シリコン酸化膜41が形成された第1のガラス基板13を熱処理し、第1のガラス基板13に含まれるナトリウムを、シリコン酸化膜41に拡散させる。これにより得られたナトリウムを含有するシリコン酸化膜42以下、ナトリウム含有シリコン酸化膜42と言う。のナトリウム濃度は、ナトリウムが第1のガラス基板13から供給されるため、シリコン酸化膜41と第1のガラス基板13の界面近傍のナトリウム濃度よりも、シリコン酸化膜42の第1のガラス基板13と反対側の面におけるナトリウム濃度の方が低くなっている図9c参照。ナトリウム含有シリコン酸化膜42の厚さは、0.1μm~5μmであることが好ましい。ナトリウム含有シリコン酸化膜42の厚さがこの範囲内であれば、第1のガラス基板13に凹部12を形成する工程において、第1の角部16をなす部分の角度α1を鈍角90度以上にすることができる。次いで、必要に応じて、ナトリウム含有シリコン酸化膜42が形成された第1のガラス基板13を洗浄した後、図9dに示すように、ナトリウム含有シリコン酸化膜42の第1のガラス基板13と接する面とは反対側の面以下、一方の面と言う。42aに、ウェットエッチング工程でマスクとして使用するクロムCr膜43を成膜する。クロム膜43の成膜方法としては、DCマグネトロンスパッタリング技術、電子ビームEB蒸着技術などが用いられる。次いで、スピンコーティング技術などを用いて、図10aに示すように、クロム膜43のナトリウム含有シリコン酸化膜42と接する面とは反対側の面以下、一方の面と言う。43aに、フォトレジスト膜44を塗布する。フォトレジスト膜44の形成方法としては、スプレーコーティング技術、クロム膜43の一方の面43aにフィルムレジストを直接、貼付する方法などが用いられる。次いで、露光装置を用いて、フォトレジスト膜44に、第1のガラス基板13に凹部12を形成するためのフォトレジストパターン形状を露光した後、現像液でフォトレジスト膜44を現像することによって、図10bに示すように、フォトレジスト膜44に、フォトレジストパターン45を形成する。次いで、硝酸セリウムアンモニウムなどのクロムエッチング液を用いて、クロム膜43をエッチングし、図10cに示すように、クロムマスクパターン46を形成する。次いで、希釈フッ酸、緩衝フッ酸や、これらを含むガラスエッチング液を用いて、ナトリウム含有シリコン酸化膜42および第1のガラス基板13をエッチングし、図10dに示すように、第1のガラス基板13に凹部12を形成する。第1のガラス基板13の一方の面13aに形成されたナトリウム含有シリコン酸化膜42は、第1のガラス基板13の内部よりもナトリウム濃度が低くなっている。また、ナトリウム含有シリコン酸化膜42にナトリウムを供給したため、第1のガラス基板13の一方の面13a側におけるナトリウム濃度は、第1のガラス基板13の内部におけるナトリウム濃度よりも低くなっている。そのため、第1のガラス基板13の一方の面13a側におけるガラスエッチング液によるエッチング速度は、第1のガラス基板13の内部におけるエッチング速度よりも遅くなる。また、ナトリウム含有シリコン酸化膜42は、その一方の面42a側において、よりナトリウム濃度が低くなっている。そのため、ナトリウム含有シリコン酸化膜42は、その一方の面42aに近い程、エッチング速度が遅くなる。これにより、第1のガラス基板13に形成された凹部12の内側壁12bは、ナトリウム含有シリコン酸化膜42の一方の面42a側において、凹部12の内側に湾曲する曲面をなす。また、このシリコン酸化膜42および第1のガラス基板13をエッチングする工程により、第1のガラス基板13に形成された凹部12の底面12aと内側壁12bが交わる第2の角部17は、曲面をなすように形成される。次いで、図11aに示すように、フォトレジストパターン45が形成されたフォトレジスト膜44を除去する。フォトレジスト膜44を除去する方法としては、プラズマアッシング技術、熱硫酸やアルカリ性水溶液などのフォトレジストを溶解する液でフォトレジスト膜44を除去する方法、これらの技術を組み合わせた方法などが用いられる。次いで、硝酸セリウムアンモニウムなどのクロムエッチング液を用いて、クロムマスクパターン46が形成されたクロム膜43をエッチングし、図11bに示すように、クロム膜43を除去する。次いで、ブラスト技術、ドリル、ウェットエッチング技術などを用いて、流体に流入口となる貫通穴を第1のガラス基板13、または別途用意した第2のガラス基板14に形成する。次いで、必要に応じて、第1のガラス基板13と第2のガラス基板14を洗浄した後、凹部12を覆うように、第1のガラス基板13に第2のガラス基板14を接合し、図11cに示すように、内部に、第1のガラス基板13の凹部12と、これを覆う第2のガラス基板14とから構成されるマイクロ流路11が設けられたマイクロ流路本体15を備えたマイクロ流路基板10を得る。本実施形態のマイクロ流路基板の製造方法によれば、第1のガラス基板13の一方の面13aに、第1のガラス基板13の内部よりもナトリウム濃度が低いナトリウム含有シリコン酸化膜42を形成しているので、第1のガラス基板13の一方の面13a側におけるガラスエッチング液によるエッチング速度を、第1のガラス基板13の内部におけるエッチング速度よりも遅くすることができる。また、ナトリウム含有シリコン酸化膜42の一方の面42a側において、ナトリウム濃度を低くしているので、ナトリウム含有シリコン酸化膜42の一方の面42aに近い程、エッチング速度を遅くすることができる。従って、第1のガラス基板13に形成された凹部12の内側壁12bを、ナトリウム含有シリコン酸化膜42の一方の面42a側において、凹部12の内側に湾曲する曲面とすることができる。