炭化珪素層上に導電層を形成する導電層形成工程と、前記炭化珪素層と前記導電層とを反応させて、前記炭化珪素層に接する反応層及び前記反応層上に存在するシリサイド層を形成する熱処理工程と、前記シリサイド層が含有する炭素成分を除去するための第1プラズマアッシング工程と、塩酸、硝酸及びフッ酸を用いて前記シリサイド層の少なくとも一部を除去することにより、前記反応層の表面の少なくとも一部を露出させるエッチング工程と、露出させた前記反応層の上方に電極層を形成する電極層形成工程とをこの順で含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、塩酸、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液を用いて前記エッチング工程を実施することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記エッチング液が含有する塩酸、硝酸及びフッ酸の含有比率は、硝酸を100molとしたとき、塩酸が300mol~500molの範囲内にあり、フッ酸が0.1mol~5molの範囲内にあることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記エッチング工程は、塩酸を含有するエッチング液Aを用いるエッチング工程と、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液Bを用いるエッチング工程とを含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記エッチング液Bが含有する硝酸及びフッ酸の含有比率は、硝酸を100molとしたとき、フッ酸が0.1mol~5molの範囲内にあることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項1~5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、酸素ガス、水素ガス又はこれらの混合ガスのいずれかを用いて前記第1プラズマアッシング工程を実施することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項1~6のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記エッチング工程と前記電極層形成工程との間に、前記反応層上に残存することがある炭素成分を除去するための第2プラズマアッシング工程をさらに含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項7に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、酸素ガス、水素ガス又はこれらの混合ガスのいずれかを用いて前記第2プラズマアッシング工程を実施することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項7又は8に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記第2プラズマアッシング工程と前記電極層形成工程との間に、前記第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層を除去する第2エッチング工程をさらに含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。しかしながら、本発明の発明者の研究によれば、従来の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、上記したエッチング工程でシリサイド層のうちニッケル成分が選択的にエッチングされることに起因して反応層上にシリコン成分が残存し、その結果、デバイス特性にばらつきが生じるという問題があることがわかった。なお、エッチング工程に代えてCMP工程を用いてシリサイド層を除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法が知られている従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法、例えば、特許文献2参照。。従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、CMP工程によりシリサイド層を除去するため、反応層上にシリコン成分が残存することがなくなり、その結果、デバイス特性のばらつきが生じるという問題を解決することができる。しかしながら、従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、CMP工程を用いてシリサイド層を除去するため、生産性が低いという問題がある。そこで、本発明は、上記した問題を解決するためになされたものであり、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題を改善することが可能で、かつ、高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。[1]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素層上に導電層を形成する導電層形成工程と、前記炭化珪素層と前記導電層とを反応させて、前記炭化珪素層に接する反応層及び前記反応層上に存在するシリサイド層を形成する熱処理工程と、前記シリサイド層が含有する炭素成分を除去するための第1プラズマアッシング工程と、塩酸、硝酸及びフッ酸を用いて前記シリサイド層の少なくとも一部を除去することにより、前記反応層の表面の少なくとも一部を露出させるエッチング工程と、露出させた前記反応層の上方に電極層を形成する電極層形成工程とをこの順で含むことを特徴とする。[2]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、塩酸、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液を用いて前記エッチング工程を実施することが好ましい。[3]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記エッチング液が含有する塩酸、硝酸及びフッ酸の含有比率は、硝酸を100molとしたとき、塩酸が300mol~500molの範囲内にあり、フッ酸が0.1mol~5molの範囲内にあることが好ましい。[4]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記エッチング工程は、塩酸を含有するエッチング液Aを用いるエッチング工程と、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液Bを用いるエッチング工程とを含むことが好ましい。[5]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記エッチング液Bが含有する硝酸及びフッ酸の含有比率は、硝酸を100molとしたとき、フッ酸が0.1mol~5molの範囲内にあることが好ましい。[6]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、酸素ガス、水素ガス又はこれらの混合ガスのいずれかを用いて前記第1プラズマアッシング工程を実施することが好ましい。[7]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記エッチング工程と前記電極層形成工程との間に、前記反応層上に残存することがある炭素成分を除去するための第2プラズマアッシング工程をさらに含むことが好ましい。[8]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、酸素ガス、水素ガス又はこれらの混合ガスのいずれかを用いて前記第2プラズマアッシング工程を実施することが好ましい。[9]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記第2プラズマアッシング工程と前記電極層形成工程との間に、前記第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層を除去する第2エッチング工程をさらに含むことが好ましい。本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、塩酸、硝酸及びフッ酸を用いてエッチング工程を実施することとしているため、当該エッチング工程によりニッケル成分及びシリコン成分の両方の成分を除去することが可能となる。その結果、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題を改善することが可能となる。また、本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、CMP工程ではなくエッチング工程を用いてシリサイド層を除去することとしているため、従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法の場合よりも高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能となる。その結果、本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題を改善することが可能で、かつ、高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。以下、本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。[実施形態1]図1は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法により製造する炭化珪素半導体装置100の断面図である。炭化珪素半導体装置100は、図1に示すように、炭化珪素層110と、炭化珪素層100の第1主面側に形成された反応層120及びカソード電極層130本発明の電極層と、炭化珪素層100の第2主面側に形成されたバリアメタル層140及びアノード電極層142並びに保護絶縁層144とを備えるショットキーダイオードである。炭化珪素層110は、n型炭化珪素基板112と、n型炭化珪素基板112よりも低濃度のn型不純物を含有するn-型エピタキシャル層114とを有する。n型炭化珪素基板112の厚さは、例えば300μmであり、n型炭化珪素基板112のn型不純物濃度は、例えば1×1019cm-3である。n-型エピタキシャル層114の厚さは、例えば10μmであり、n型不純物濃度は、例えば1×1016cm-3である。n-型エピタキシャル層114における第2主面側の表面には、p型のガードリング116が形成されている。ガードリング116のp型不純物濃度は、例えば1×1018cm-3~1×1019cm-3の範囲内にある。反応層120は、n型炭化珪素基板112にニッケル成分が拡散した層である。反応層120におけるニッケルの濃度は、例えば1.0×103cm-3~1.0×104cm-3の範囲内であり、反応層120とカソード電極層130との接合面からの距離に応じて薄くなっている。反応層120の厚さは、例えば10nm~200nmの範囲内にある。カソード電極層130は、カソード電極材料である金属例えば、ニッケル。を反応層120の表面に蒸着して形成されたものである。カソード電極層130の厚さは、例えば2μmである。バリアメタル層140は、炭化珪素層110n-型エピタキシャル層114との間でショットキー接合を形成する金属例えばニッケル、チタンなど。からなる。バリアメタル層140の厚さは、例えば2μmである。アノード電極層142は、バリアメタル層140の表面に形成されている。アノード電極層142の厚さは、例えば5μmである。アノード電極層142は、例えばアルミニウムからなる。バリアメタル層140及びアノード電極層142を取り囲むように保護絶縁層144が形成されている。以上のような構成を有する係る炭化珪素半導体装置100は、以下に示す方法実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法により製造することができる。以下、工程に沿って実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明する。図2及び図3は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図2a~図2e及び図3a~図3eは各工程図である。1.炭化珪素層準備工程まず、n型炭化珪素基板112とn-型エピタキシャル層114とが積層された構造を有する炭化珪素層110を準備する図2a参照。。n-型エピタキシャル層114の表面には、p型のガードリング116が形成されている。2.導電層形成工程次に、炭化珪素層110n型炭化珪素基板112の第1主面側の表面上に、例えばEB蒸着により、ニッケルからなる導電層122を形成する図2b参照。。導電層122の厚さは、例えば50nm~500nmとする。導電層122の材料としては、ニッケル以外の金属材料例えば、アルミニウム、チタン、コバルトなど。を用いることもできる。3.熱処理工程次に、炭化珪素層110n型炭化珪素基板112と導電層122とを反応させて、炭化珪素層110n型炭化珪素基板112に接する反応層120及び当該反応層120上に存在するシリサイド層124からなる合金層を形成する熱処理を行う。熱処理は、水分や酸素を除いた高純度のアルゴンAr等の不活性雰囲気中で1000°C、2分間の条件で行う。これにより、導電層122に含まれるニッケル成分がn型炭化珪素基板112中に拡散して反応層120を形成するとともに、n型炭化珪素基板112に含まれるシリコン成分及び炭素成分が導電層122中に拡散してシリサイド層124を形成する図2c及び図2d参照。。4.第1プラズマアッシング工程次に、シリサイド層124に含まれる炭素成分を第1プラズマアッシングにより除去する図2e参照。。第1プラズマアッシングは、酸素ガスを用いて実施する。当該第1プラズマアッシング工程を行うことにより、シリサイド層124の表面付近の炭素成分が除去されるため、後述するエッチング工程を効率よく行うことができる。なお、このとき、第1プラズマアッシング工程により、シリサイド層124の表面に酸化ニッケル層126が形成される。5.エッチング工程次に、塩酸、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液エッチング液によりシリサイド層124を除去することにより、反応層120の表面を露出させる図3a参照。。当該エッチング工程中、塩酸によりシリサイド層124のうちニッケル成分が除去され、また、硝酸及びフッ酸によりシリコン成分が除去される。また、当該エッチング工程においては、第1プラズマアッシング工程により形成された酸化ニッケル層126も除去される。エッチング液が含有する塩酸、硝酸及びフッ酸の含有比率は、硝酸を100molとしたとき、塩酸が300mol~500molの範囲内にあり、フッ酸が0.1mol~5molの範囲内にある。6.第2プラズマアッシング工程次に、反応層120の表面の炭素成分を第2プラズマアッシングにより除去する。第2プラズマアッシングは、酸素ガスを用いて実施する。これにより、反応層120の表面から炭素成分を除去することが可能となる。第2プラズマアッシング工程中に、反応層120の表面に酸化層128が形成される図3b参照。。なお、第2プラズマアッシング工程は、酸素ガスを用いる代わりに水素ガス又は酸素ガス及び水素ガスの混合ガスを用いて実施することもできる。7.第2エッチング工程次に、フッ酸を含有するエッチング液を用いて、第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層128を除去する。当該第2エッチング工程においては、第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層128が完全に除去される条件エッチング時間:3分で第2エッチング工程を実施する図3c参照。。当該第2エッチング工程によって、後に形成するカソード電極層130と炭化珪素層110とを反応層120を介して良好に接合できるようになる。8.カソード電極層形成工程次に、反応層120の表面を洗浄酸洗浄した後、反応層120の表面上に、例えばスパッタリングなどの物理気相成長法PVDにより、ニッケルからなるカソード電極層130を形成する図3d参照。。次に、n-型エピタキシャル層114の表面上に、保護絶縁層144、バリアメタル層140及びアノード電極層142を形成する図3e参照。。以上の工程を順次実施することにより、炭化珪素半導体装置100を製造することができる。実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、塩酸、硝酸及びフッ酸を用いてエッチング工程を実施することとしているため、当該エッチング工程によりニッケル成分及びシリコン成分の両方の成分を除去することが可能となる。その結果、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題を改善することが可能となる。また、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、CMP工程ではなくエッチング工程を用いてシリサイド層を除去することとしているため、従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法の場合よりも高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能となる。その結果、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題を改善することが可能で、かつ、高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。また、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、エッチング工程と電極層形成工程との間に、反応層上に残存することがある炭素成分を除去するための第2プラズマアッシング工程をさらに含むため、反応層と電極層との密着性をさらに高くすることが可能となる。また、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、第2プラズマアッシング工程と電極層形成工程との間に、第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層を除去する第2エッチング工程をさらに含み、当該第2エッチング工程を、第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層が完全に除去される条件で実施するため、反応層と電極層との間の抵抗をより一層低減することが可能となる。[実施形態2]図4は、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図4a~図4dは各工程図である。実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合における図2e、図3a及び図3bに対応する工程以外の工程は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と同様の工程を含むため、図2a~図2dに対応する工程及び図3c~図3eに対応する工程は図示を省略する。実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、基本的には実施形態1に係る炭化珪素半導体装置100の製造方法と同様の工程を有するが、エッチング工程の内容が実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と異なる。すなわち、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法においては、塩酸を含有するエッチング液Aを用いるエッチング工程と、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液Bを用いるエッチング工程とをこの順序で実施する。最初のエッチング工程においては、塩酸を含有するエッチング液Aにより、第1プラズマアッシング工程によって形成された酸化ニッケル層126と、シリサイド層124におけるニッケル成分とを除去する図4a及び図4b参照。。次のエッチング工程においては、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液Bにより、シリサイド層124におけるシリコン成分を除去する図4b及び図4c参照。。エッチング液Bとしては、硝酸及びフッ酸の含有比率が、硝酸を100molとしたとき、フッ酸が0.1mol~5molの範囲内にあるものを用いる。上記した最初のエッチング工程及び次のエッチング工程を実施することにより反応層120の表面の少なくとも一部が露出する。その後、第2プラズマアッシング工程図4d参照。及び電極層形成工程図3c~図3d参照。を順次実施することにより、炭化珪素半導体装置100を製造することができる。このように、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、エッチング工程の内容が実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と異なるが、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と同様に、塩酸、硝酸及びフッ酸を用いてエッチング工程を実施することとしているため、当該エッチング工程によりニッケル成分及びシリコン成分の両方の成分を除去することが可能となる。その結果、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じることがなくなる。また、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、CMP工程ではなくエッチング工程を用いてシリサイド層を除去することとしているため、従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法の場合よりも高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能となる。その結果、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と同様に、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題を改善することが可能で、かつ、高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。なお、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、エッチング工程以外は実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と同様の工程を含むため、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法が有する効果のうち該当する効果をそのまま有する。[実施形態3]図5は、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図5a~図5dは各工程図である。図6は、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法により製造された炭化珪素半導体装置102の断面図である。実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合における図2a~図2e及び図3aに対応する工程は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と同様の工程を含むため、図2a~図2e及び図3aに対応する工程は図示を省略する。実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、基本的には実施形態1に係る炭化珪素半導体装置100の製造方法と同様の工程を有するが、第2エッチング工程の内容が実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と異なる。すなわち、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法においては、第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層128が一部残存する条件で第2エッチング工程を実施することとしている。具体的には、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法におけるよりも短い時間エッチング時間:3分→2分第2エッチング工程を実施することとしている。すなわち、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法においては、図5a及び図5bに示すように、第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層が一部残存する条件で第2エッチング工程を実施する。このため、第2エッチング工程終了後には、反応層120の表面上には酸化層128にうち極く薄い導電性酸化層129例えば、層厚0.3nm~2.25nm程度。が残存する。従って、爾後の工程においては、図5c及び図5dに示すように、反応層120と電極層130との間には極薄い導電性酸化層129が存在することとなる。その結果、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によって製造される炭化珪素半導体装置102においては、電極層130は、反応層120の表面上に直接形成されているのではなく、反応層120の上方に、極く薄い導電性酸化層129を介して形成されている。このように、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、第2エッチング工程の内容が実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合とは異なるが、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と同様に、塩酸、硝酸及びフッ酸を用いてエッチング工程を実施することとしているため、当該エッチング工程によりニッケル成分及びシリコン成分の両方の成分を除去することが可能となる。その結果、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じることがなくなる。また、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、CMP工程ではなくエッチング工程を用いてシリサイド層を除去することとしているため、従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法の場合よりも高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能となる。その結果、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と同様に、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題を改善することが可能で、かつ、高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。また、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、電極層130が、反応層120の上方に、極く薄い導電性酸化層129を介して形成された構造を有する炭化珪素半導体装置102を製造することができるため、電極層130が反応層120の表面上に直接形成された構造を有する炭化珪素半導体装置炭化珪素半導体装置100の場合と比較して、反応層と電極層との間の抵抗をより一層低減することが可能となる。なお、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、第2エッチング工程以外は実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と同様の工程を含むため、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法が有する効果のうち該当する効果をそのまま有する。[実施例]本実施例は、本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題を改善することが可能である。ことを説明するための実施例である。デバイス特性としては順方向降下電圧VFを用いた。1.試料実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法により製造した炭化珪素半導体装置を実施例とした。一方、塩酸及び過酸化水素水を含有するエッチング液塩酸:過酸化水素水=5:1を用いてエッチング工程を実施したこと以外は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と同様の方法により製造した炭化珪素半導体装置を比較例とした。2.評価方法実施例に係る炭化珪素半導体装置及び比較例に係る炭化珪素半導体装置の評価は、実施例に係る炭化珪素半導体装置及び比較例に係る炭化珪素半導体装置をそれぞれ60個準備し、これらの順方向降下電圧VFを測定し、得られた順方向降下電圧VFを正規確率分布グラフにプロットすることにより行った。この場合、正規確率分布グラフにおいて右上がりの傾きが大きいほどばらつきが小さいことを示す。3.評価結果図7は、実施例に係る炭化珪素半導体装置及び比較例に係る炭化珪素半導体装置の評価結果を示す正規確率分布グラフである。図7からも明らかなように、実施例に係る炭化珪素半導体装置は、比較例に係る炭化珪素半導体装置よりも、デバイス特性順方向降下電圧VFのばらつきが小さいことが分かった。すなわち、本実施例により、本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題を改善することが可能である。ことが明らかとなった。以上、本発明を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。1上記実施形態2においては、塩酸を含有するエッチング液Aを用いるエッチング工程と硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液Bを用いるエッチング工程とをこの順序で実施しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液Bを用いるエッチング工程と塩酸を含有するエッチング液Aを用いるエッチング工程とをこの順序で実施してもよい。2上記各実施形態においては、酸素ガスを用いて第1プラズマアッシング工程及び第2プラズマアッシング工程を実施しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、酸素ガスの代わりに、水素ガス又は酸素ガスと水素ガスとの混合ガスを用いて第1プラズマアッシング工程及び第2プラズマアッシング工程を実施することもできる。3上記各実施形態においては、反応層120上からシリサイド層124をすべて除去することにより反応層120の表面をすべて露出させた後、反応層120の表面上に電極層130を形成しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、反応層上からシリサイド層の一部を除去することにより反応層の表面の一部を露出させた後、反応層の表面上に電極層を形成することとしてもよい。4上記実施形態3においては、第2エッチング工程の時間を短くすることにより、第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層を一部残存させることとしているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第2エッチング工程に用いるエッチング液に含まれるフッ酸の濃度を低くすることにより、第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層を一部残存させることとしてもよい。5上記実施形態3においては、第2エッチング工程の時間を短くすることにより、第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層導電性酸化層を一部残存させることとしているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第2エッチング工程を省略することともに、カソード電極層形成工程を実施する前に反応層120の表面を単に洗浄酸洗浄及び希釈フッ酸洗浄することにより、第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層導電性酸化層を一部残存させつつ除去することとしてもよい。6上記各実施形態においては、反応層120上に単一の電極層カソード電極層130形成した場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。反応層上に複数の電極層を形成する場合にも本発明を適用できる。7上記各実施形態においては、ショットキーダイオードを例にとって本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、パワーMOSFET、IGBT、pnダイオード、サイリスターなど、炭化珪素層に反応層を介して電極層を形成する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法に本発明を適用することが可能である。8上記各実施形態においては、n型の炭化珪素層の場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、p型の炭化珪素層を用いた場合に本発明を適用することもできる。