複数の交差する分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ半導体デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有する半導体ウエーハの加工方法であって、半導体ウエーハの該表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、該保護テープ貼着ステップを実施した後、半導体ウエーハの該デバイス領域に対応した裏面を研削して円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する該外周余剰領域を含む環状凸部を形成する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、該保護テープを半導体ウエーハの該表面から除去する保護テープ除去ステップと、該保護テープ除去ステップを実施した後、半導体ウエーハの外周部のみを接着して半導体ウエーハの該表面にサブストレートを配設するサブストレート配設ステップと、該サブストレートが該表面に配設された半導体ウエーハに後処理を施す後処理ステップと、を具備したことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。該後処理ステップ実施後、半導体ウエーハを円形に切削して該デバイス領域を該外周余剰領域から切り離す円形切削ステップを更に具備した請求項1記載の半導体ウエーハの加工方法。サブストレートは半導体ウエーハの表面に接着剤を介して配設されるが、ウエーハのデバイス領域は微小構造から形成されるため、サブストレートをウエーハから剥離した後、この微小構造凹凸構造に入り込んだ接着剤の除去が難しいという問題がある。更に、研削に使用するサブストレートは高い平坦度が必要であり、そのように高い平坦度を有するサブストレートは非常に高価であるため、研削にサブストレートを使用しない手法が要望されている。一方、貫通電極を利用した三次元実装技術では、貫通電極付き半導体ウエーハを製造する必要がある。貫通電極付き半導体ウエーハを製造するためには、貫通電極の形成、表面にバンプの形成や裏面に成膜する等、各種処理を施す必要があり、以下のような課題がある。一般に、三次元実装に用いる半導体ウエーハは厚みが50μm以下と薄いため、研削時のシャープエッジ対策として一度エッジトリミングを実施した後研削する必要があり、工程が煩雑となる。貫通電極付き半導体ウエーハの製造プロセスには、例えば約450°Cにもなる金属膜形成工程や200°C前後で加熱するリフロー工程のような熱処理が必要であり、接着剤を介してウエーハをサブストレートに貼着すると、高温処理後半導体ウエーハのデバイス面に接着剤の糊残りが生じる。また、このような高温に耐えられる接着剤は高価である。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、上述した従来の問題点を解決する半導体ウエーハの加工方法を提供することである。本発明によると、複数の交差する分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ半導体デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有する半導体ウエーハの加工方法であって、半導体ウエーハの該表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、該保護テープ貼着ステップを実施した後、半導体ウエーハの該デバイス領域に対応した裏面を研削して円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する該外周余剰領域を含む環状凸部を形成する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、該保護テープを半導体ウエーハの該表面から除去する保護テープ除去ステップと、該保護テープ除去ステップを実施した後、半導体ウエーハの外周部のみを接着して半導体ウエーハの該表面にサブストレートを配設するサブストレート配設ステップと、該サブストレートが該表面に配設された半導体ウエーハに後処理を施す後処理ステップと、を具備したことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法が提供される。好ましくは、本発明の半導体ウエーハの加工方法は、後処理ステップ実施後、半導体ウエーハを円形に切削してデバイス領域を外周余剰領域から切り離す円形切削ステップを更に具備している。本発明の半導体ウエーハの加工方法では、ウエーハの研削時にはサブストレートを使用せずにウエーハの表面に保護テープを貼着して、デバイス領域に対応したウエーハの裏面に円形凹部を形成するため、高価なサブストレートが不要な上、研削後のシャープエッジの問題が発生しない。また、半導体ウエーハをサブストレートに配設する際、ウエーハの外周部分のみに接着剤を適用してウエーハの表面にサブストレートを配設するようにしたため、熱処理が行われてもデバイス領域に接着剤の糊が残存することがない上、使用する接着材料を少量に押さえることができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1及び図2を参照すると、本発明実施形態に係る半導体ウエーハの加工方法のフローチャートが示されている。図3に示すように、半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面に備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。本発明の加工方法では、まず図1に示すフローチャートのステップS10で半導体ウエーハ11の表面に保護テープを貼着する。例えば、図4に示すように、半導体ウエーハ11は複数の貫通電極12を有しており、その表面11aに保護テープ14を貼着する。そして、必要に応じてステップS11へ進んで、裏面11bの全面を矢印Aで示す位置まで研削して半導体ウエーハ11を厚さ400μmに加工する。しかし、この研削ステップは本発明の加工方法では必ずしも必須ではない。次いで、ステップS12へ進んで、半導体ウエーハ11のデバイス領域17に対応する裏面11bを研削して円形凹部を形成するとともに、円形凹部を囲繞する環状凸部を形成する研削ステップを実施する。この研削ステップについて図5及び図6を参照して説明する。図5に示すように、研削装置のチャックテーブル16で表面11aに保護テープ14が貼着されたウエーハ11を保護テープ14を下にして吸引保持する。図5において、研削ユニット18のハウジング20中に回転可能に収容されたスピンドル22の先端にはホイールマウント24が固定されており、このホイールマウント24に研削ホイール26が着脱可能に装着されている。研削ホイール26は、環状に形成された基台28と、基台28の下端部外周に固着された複数の研削砥石30とから構成される。ステップS12の研削ステップでは、図5及び図6に示すように、チャックテーブル16を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール26を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構を駆動して研削ホイール26の研削砥石30をウエーハ11の裏面11bに接触させる。そして、研削ホイール26を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。その結果、半導体ウエーハ11の裏面11bには、図7Aに示すように、デバイス領域17に対応する裏面の領域が研削除去されて所定厚さ例えば50μmの円形凹部32が形成されるとともに、外周余剰領域19に対応する領域が残存されて環状凸部34が形成される。ここで、チャックテーブル16に保持されたウエーハ11と研削ホイール26を構成する研削砥石36との関係について図6を参照して説明する。チャックテーブル16の回転中心P1と研削砥石30の回転中心P2は偏心しており、研削砥石30の外径はウエーハ11のデバイス領域17と外周余剰領域19との境界線35の直径より小さく、境界線35の半径より大きい寸法に設定され、環状に配置された研削砥石30がチャックテーブル16の回転中心P1を通過するようになっている。研削ステップ終了後、ステップS13へ進んでウエーハ11の表面11aから保護テープ14を剥離除去する。この剥離ステップを示す断面図が図7Bに示されている。次いで、ステップS14へ進んで、半導体ウエーハ11の外周部のみに接着剤を適用して半導体ウエーハ11の表面11a側にサブストレートを配設する。即ち、図7A及び図7Bに示すように、半導体ウエーハ11の表面11aの外周部のみに接着剤38を適用して、ウエーハ11の表面11a側にサブストレート36を配設する。接着剤38は耐熱性接着剤が好ましい。本実施形態では、サブストレート36はシリコンウエーハから形成されている。シリコンウエーハに替えて、サブストレート36をガラスから形成するようにしてもよい。接着剤38の適用方法は、図8Bに示すように、ウエーハ11の全外周に適用する場合のみでなく、図8Cに示すように、ウエーハ11の外周に飛び飛びに接着剤38を適用して、サブストレート36をウエーハ11に接着するようにしてもよい。或いは、図9に示すように、サブストレート36をウエーハ11の表面11aに密着させてから、この密着部分の外周に接着剤38を適用してサブストレート36をウエーハ11の表面11a側に配設するようにしてもよい。この場合にも、接着剤38は密着部分の外周の全周に適用してもよいし、或いは飛び飛びに適用するようにしてもよい。次いで、ステップS15へ進んで半導体ウエーハの種類によっては貫通電極を形成する貫通電極形成ステップを実施する。例えば、図11Aに示すように、サブストレート36が配設された半導体ウエーハ11Aが貫通電極を有していない場合には、表面11aにサブストレート38が配設された状態で、図11Bに示すように、半導体ウエーハ11Aに複数の貫通電極12を形成する。次いで、ステップS16へ進んで、プラズマエッチング等のドライエッチング、又は化学機械研磨CMP等のウエットエッチングで円形凹部32の底面をエッチングして、図10及び図11Bに示すように、貫通電極12を円形凹部32の底面から突出させる。次いで、ステップS17へ進んで、円形凹部32の底面に熱処理及び化学処理を含む追加加工を施す凹部追加加工ステップを実施する。この凹部追加加工は、例えば凹部32の底面に金属膜を形成する金属膜形成処理を含む。次いで、ステップS18へ進んで、半導体ウエーハ11の環状凸部34を研削除去する環状凸部除去ステップを実施する。この環状凸部除去ステップでは、研削装置のチャックテーブルでサブストレート36を吸引保持して、図12Aに示すように、環状凸部34を研削砥石で矢印H1に示す位置まで研削して環状凸部34を除去する。環状凸部34を除去した状態が図12Bに示されている。次いで、ステップS19へ進んで、保護部材配設ステップを実施する。即ち、この保護部材配設ステップは、図13Aに示すように、半導体ウエーハ11の裏面外周部に接着剤42を適用して、半導体ウエーハ11の裏面11b側に保護部材第2サブストレート40を配設する。接着剤42は、接着剤38と同様に耐熱性接着剤が好ましい。接着剤42は外周部全周に適用しても良いし、外周部に飛び飛びに適用するようにしてもよい。次いで、図13Aに示した状態を反転し、更に図13Bに示すように、半導体ウエーハ11の表面11aからサブストレート36を除去するステップS20。この状態でステップS21へ進んで、半導体ウエーハ11の表面11aに追加加工を施す表面追加加工ステップを実施する。この表面追加加工ステップは、バンプの形成、リフロー半田付け等を含んでいる。次いで、図13Cに示すように、矢印R1で示す部分で半導体ウエーハ11を切削ブレードやレーザビームで円形にカットして、デバイス領域17に対応する領域の半導体ウエーハを取り出す。図14を参照すると、ステップS17の凹部追加加工ステップ後の第2実施形態の加工プロセスが示されている。図14Aは図12Aと同様な環状凸部研削ステップであり、図14Bは図12Bと同様な環状凸部研削ステップ後の断面図を示している。本実施形態では、図14Cに示すように、ウエーハ11の裏面11bの外周部に接着剤46を適用して、保護部材保護シート44をウエーハ11の裏面11b側に配設する。次いで、図14Cに示す状態を反転した後、切削装置やレーザ加工装置のチャックテーブルで保護部材44を介してウエーハ11を吸引保持し、図14Dに示すように、切削ブレード又はレーザビームで矢印R2に示す位置を円形にカットして、サブストレート36を矢印Aで示すように除去する。更に、図14Eに示すように、ウエーハ11の裏面11bから保護部材44を除去した状態でバンプの形成、リフロー半田付け等の表面追加加工ステップを実施する。次いで、後述する第3実施形態の図15Dと同様に、ウエーハ11を矢印R3で示す位置で切削ブレード又はレーザビームを使用して円形にカットし、ウエーハ11にリング状のサブストレート36が配設された状態からデバイス領域17に対応する領域の半導体ウエーハ11を取り出す。図15を参照すると、ステップS17の凹部追加加工ステップ後の本発明第3実施形態の加工プロセスが示されている。図15Aに示した状態で、金属膜の形成等の凹部追加加工ステップを実施する。本実施形態の加工プロセスでは、図15Aに示した状態を反転した後、環状凸部研削ステップを実施せずに、図15Bに示すように、切削ブレード又はレーザビームで矢印R2で示す位置を円形にカットして、サブストレート36を矢印Aで示すように除去する。サブストレート36を除去した状態が図15Cに示されており、この状態でバンプの形成、リフロー半田付け等の表面追加加工ステップを実施する。次いで、図15Dに示すように、ウエーハ11を矢印R3で示す位置で切削ブレード又はレーザビームを使用して円形にカットし、ウエーハ11にリング状のサブストレート36が配設された状態からデバイス領域17に対応する領域の半導体ウエーハ11を取り出す。上述した第1乃至第3実施形態の加工方法で取り出されたデバイス領域17に対応する領域の半導体ウエーハ11は、切削ブレード又はレーザビームを使用して分割予定ラインに沿って分割されることで個々の半導体デバイス15が形成される。