コア/シェルナノ粒子が分散している透明の半導体または絶縁材料から作られたマトリックスを備え、コアが共有結合半導体SiGeおよびSiGe、並びにIIVI族またはIIIV族イオン半導体から選択された半導体から作られ、シェルが酸化物TiO2および/またはCeO2から選択された材料から作られた材料。マトリックスが、ドープされているかされていない、SiO2SiCSiNxIn2O3ITOおよびZnOから選択された材料から作られた請求項1に記載の材料。ナノ粒子が、サイズが1と30nmの間にある請求項1および2のいずれかに記載の材料。各ナノ粒子が、サイズが1と25nmの間のコアを有する請求項1から3までのいずれか一つに記載の材料。各ナノ粒子が、1つのコアを有し、これらのコアが、全て実質的に同一のサイズである請求項1から4までのいずれか一つに記載の材料。コアが、SiGeおよびxを01≦x≦09を満たす数としてSiGexから選択される半導体から作られる請求項1から5までのいずれか一つに記載の材料マトリックス中のナノ粒子の濃度が、1×1016cm3と1×1019cm3の間である請求項1から6までのいずれか一つに記載の材料。請求項1から7までのいずれか一つに記載の材料の膜を重ね合わせることによって形成される材料。請求項1から7までに記載の材料の1から10の膜を備えた請求項8に記載の材料。材料の重ね合わされた膜が、全て同一の材料から作られたマトリックスを備える請求項8および9のいずれかに記載の材料。材料の重ね合わされた膜が、全て同一の材料から作られたナノ粒子をベースとする請求項8から10までのいずれか一つに記載の材料。ナノ粒子ソースにおいて、コア原子と、シェルの構成原子、すなわちTiおよび/またはCe原子と、からなる2成分蒸気を生成し;蒸気を冷却して気相原子を液化することによりナノ粒子を形成し;その結果形成されたナノ粒子を蒸着チャンバまで移動させ;基板上に噴霧して;100°Cから700°Cまでの範囲の温度でアニールし;そして同一の真空蒸着チャンバ内においてナノ粒子と同時または交互にマトリックスを形成する絶縁体または半導体を蒸着するステップを有する請求項1から7までのいずれか一つに記載の材料の製造方法。マトリックス材料/シェル材料/コア材料/シェル材料/マトリックス材料の順で非常に薄い02から5nmまでの厚みの材料の膜を交互に蒸着し、望ましい厚みを有する材料が得られるまで、上記の順による交互の蒸着を10から100回繰り返し;そして800°Cから1000°Cまでの範囲の温度でアニールするステップを有する請求項1から7までのいずれか一つに記載の材料の製造方法。ナノ粒子ソースにおいて、コア原子からなる2成分蒸気を生成し、蒸気を冷却して気相原子を液化することによりナノ粒子を形成し、その結果形成されたナノ粒子を蒸着チャンバに移動させて、マトリックス材料/シェル材料/コアナノ粒子/シェル材料/マトリックス材料の順で非常に薄い02から5nmまでの厚みの材料の膜を交互に蒸着し;そして100°Cから700°Cまでの範囲の温度でアニールするステップを有する請求項1から7までのいずれか一つに記載の材料の製造方法。材料の膜が、化学蒸着工程によって蒸着される、請求項13および14のいずれかに記載の方法。太陽電池を製造し;光電子検出器または撮像装置を製造し;そしてデータ記憶用の光学および/または磁性基板を製造する:以上の利用の一つにおいて、請求項1から7までのいずれか一つに記載の材料または請求項8から11までのいずれか一つに記載の材料の使用。動作モード1:100700°Cでのアニール後の機能性シリコンナノ結晶の直接合成。この動作モードの原理は、シリコン原子とより少量のTiおよび/またはCe原子からなる2成分蒸気をナノ粒子ソースにおいて生成することにある。この蒸気は、2つのソース、シリコンソースおよびTiおよび/またはCeソースの同時蒸着または同時スパッタリングによって、または単にシリコンソースおよび2つまたは3つの元素SiTiSiCeおよびSiTiCeから作られたソースの蒸着またはスパッタリングによって生成してもよい。原子は、その後蒸気を冷却することによって気相から液化され、その結果形成されたナノ粒子は、処理すべき基板上に噴霧するため、隣接した蒸着チャンバに移される。スパッタリングによって動作するナノ粒子ソースの一例は、図6に例示される。図6において、ナノ粒子の流れは、基板上に蒸着される。ソースは、プラズマガスが導入される真空チャンバを備える。このガスは、従来のマグネトロンカソードについては、DC電圧がとの間に印加されるとターゲットの表面でイオン化する。その結果形成されたイオンは、ターゲットに向かって加速され、ターゲットをスパッタして代わりに蒸気を生成し、蒸気はターゲットと同一の組成を有する。チャンバの壁が流水によって冷却されるため、この蒸気は液化して外チャンバをポンプすることによって作り出された真空の影響下でソースの出口に向かって移動するにつれて次第に大きくなるナノ粒子を形成する。チャンバ内の、圧力は通常約1×104mbarであり、チャンバ内の圧力は約1×101mbarである。このタイプのソースの動作は、EQuesnelらによる記事、JournalofAppliedPhysics1074p054309に詳細に述べられている。蒸着チャンバ内の雰囲気がわずかに酸化している場合、ナノ粒子が酸化する傾向がある。チタニウムまたはセリウムは、シリコンよりも酸素と強く反応し、TiまたはCe酸化物の表面層が形成される。この技術によって、通常1と10nmの間の直径を有する非常に小さい粒子が蒸着される。使用される合成条件下でナノ粒子は大抵アモルファスだが、その小さいサイズゆえに、700°C以下の温度でアニールすることによってナノ粒子を再結晶化できる。半導体または絶縁マトリックス内に埋め込まれたシリコンナノ結晶を備えた最終ナノ複合材料を形成すべく、両方とも同時にまたは交互に同一の真空蒸着チャンバ内で蒸着される。この独創的な技術的解決法は、ナノ粒子のサイズのより優れた制御を実現する。実施例1a:400500°Cでアニールされた機能性ゲルマニウムナノ結晶の直接合成。この工程は、SiをGeで置換した以外は、実施例1において上述した工程と同じである。実施例2:800と1000°Cの間でアニールされたZnOTiSiTiZnO多層図7。これは、今回、非常に薄い膜:30回繰り返されたZnOTiSiTiZnOの交互の蒸着を有する、より従来型の方法である。便宜上、4つの膜のみを交互にしたものが図7に示されている。Ti膜は、蒸着チャンバ内の雰囲気を低減する効果を有する。基礎となる多層が30回繰り返され、それによって厚さが約330nmの吸収体を生成する。アニールによってSiが細長い粒子形状に沈殿し、その高さは完全に制御される。シリコンは、チタニウムの酸化によって保護されて半導体の状態を保つ。実施例2a:800と1000°Cとの間でアニールされたZnOTiGeTiZnO多層。この工程は、SiをGeで置換した以外は、実施例2において上述したものと同じである。実施例3:実施例1のように、ナノ粒子ソースにおいてシリコン原子からなる2成分蒸気が生成される。この蒸気は、Siを蒸発evaporatingまたはスパッタすることによって生成される。原子は、その後蒸気を冷却することによって気相から液化され、その結果形成されたナノ粒子は、隣接した蒸着チャンバに移され、処理すべき基板上に噴霧される。これらのシリコンナノ粒子によって、交互に蒸着した非常に薄い膜:ZnOTiSiTiZnOが得られる。この工程は、100と700°Cの間の温度のアニールによって完成する。実施例2の工程と比べて、ナノ粒子のサイズがより良く制御される。