"素子基板と対向基板との間に液晶層が挟持された液晶装置において、前記素子基板の前記液晶層と対向する側の面には、少なくとも複数の画素電極と、これら複数の画素電極が形成された面上を覆う絶縁膜と、前記液晶層を配向させる配向膜とが設けられ、前記対向基板の前記液晶層と対向する側の面には、少なくとも共通電極と、この共通電極が形成された面上を覆う絶縁膜と、前記液晶層を配向させる配向膜とが設けられ、前記液晶層と前記絶縁膜との抵抗比が面内で均一となるように、前記液晶層の厚みに応じて前記絶縁膜のうち何れか一方又は両方の厚みを部分的に調整してなることを特徴とする液晶装置。前記絶縁膜の厚みは、前記液晶層の厚みが相対的に厚くなる箇所において、その厚みに応じて当該絶縁膜の厚みを厚くする、若しくは、前記液晶層の厚みが相対的に薄くなる箇所において、その厚みに応じて当該絶縁膜の厚みを薄くするように調整されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。前記素子基板と前記対向基板との間の周縁部がシール部材により封止され、このシール部材の一部を開放する注入口から液晶を注入する構成において、前記注入口を取り囲む領域内で前記絶縁膜の厚みが調整されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置。前記素子基板と前記対向基板との何れか一方の対向面の周縁部を取り囲むシール部材の内側に液晶を滴下した後、前記素子基板と前記対向基板とを前記シール部材を介して貼り合わせる構成において、前記シール部材の内側中央部分を取り囲む領域内で前記絶縁膜の厚みが調整されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置。請求項1~4の何れか一項に記載の液晶装置を備える電子機器。しかしながら、従来の液晶装置では、上述したフリッカが最小となるように共通電極電位のレベルを調整した場合であっても、通電時に共通電極電位が変動してしまい、フリッカが発生することがあった。また、この共通電極電位の変動量は、表示領域内の場所によって異なっている。このため、共通電極電位の変動量が面内で均一であれば、その変動量に合わせて共通電極電位のレベルを調整し、フリッカの発生を抑制できるものの、共通電極電位の変動量が面内で不均一となる場合には、共通電極電位のレベルを調整しただけでは、面内の何れかの箇所でフリッカが発生してしまう。本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、フリッカの発生を低減した液晶装置、並びにそのような液晶装置を備えた高品質の電子機器を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明に係る液晶装置は、素子基板と対向基板との間に液晶層が挟持された液晶装置において、素子基板の液晶層と対向する側の面には、少なくとも複数の画素電極と、これら複数の画素電極が形成された面上を覆う絶縁膜と、液晶層を配向させる配向膜とが設けられ、対向基板の液晶層と対向する側の面には、少なくとも共通電極と、この共通電極が形成された面上を覆う絶縁膜と、液晶層を配向させる配向膜とが設けられ、液晶層と絶縁膜との抵抗比が面内で均一となるように、液晶層の厚みに応じて絶縁膜のうち何れか一方又は両方の厚みを部分的に調整してなることを特徴とする。これにより、共通電極電位の変動量を面内で均一とし、フリッカの発生を低減した液晶装置を提供することが可能である。また、絶縁膜の厚みは、液晶層の厚みが相対的に厚くなる箇所において、その厚みに応じて当該絶縁膜の厚みを厚くする、若しくは、液晶層の厚みが相対的に薄くなる箇所において、その厚みに応じて当該絶縁膜の厚みを薄くするように調整することが好ましい。これにより、液晶層と絶縁膜との抵抗比を面内で均一とし、共通電極電位の変動量を面内で均一とすることが可能である。また、素子基板と対向基板との間の周縁部がシール部材により封止され、このシール部材の一部を開放する注入口から液晶を注入する構成において、注入口を取り囲む領域内で絶縁膜の厚みが調整されていることが好ましい。これにより、液晶層と絶縁膜との抵抗比を面内で均一とし、共通電極電位の変動量を面内で均一とすることが可能である。また、素子基板と対向基板との何れか一方の対向面の周縁部を取り囲むシール部材の内側に液晶を滴下した後、素子基板と対向基板とをシール部材を介して貼り合わせる構成において、シール部材の内側中央部分を取り囲む領域内で絶縁膜の厚みが調整されていることが好ましい。これにより、液晶層と絶縁膜との抵抗比を面内で均一とし、共通電極電位の変動量を面内で均一とすることが可能である。また、本発明に係る電子機器は、上記何れかの液晶装置を備えることを特徴とする。これにより、フリッカの発生を低減した液晶装置を備えた高品質の電子機器を提供することが可能である。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。第1の実施形態先ず、第1の実施形態として図1及び図2に示す液晶装置1について説明する。なお、図1は、この液晶表示装置1の構造を模式的に示す平面図であり、図2は、図1中に示す線分H1-H1’による断面図である。図1及び図2に示す液晶装置1は、スイッチング素子としてTFTThinFilmTransistor素子を用いたアクティブマトリクス型の反射型液晶装置であり、初期配向状態が垂直配向となるVAVerticalAlignment型の液晶モードを採用したものを例示している。具体的に、この液晶装置1は、図1及び図2に示すように、矩形平板状の素子基板一方の基板2と、この素子基板2よりも小さい矩形平板状の対向基板他方の基板3と、これら素子基板2と対向基板3との間に挟持された液晶層4とを備えている。この液晶装置1は、互いに対向配置された素子基板2と対向基板3との間の周縁部が平面視で略矩形枠状を為すシール部材5により封止されると共に、このシール部材5を介して素子基板2と対向基板3とが貼り合わされた構造を有している。液晶層4は、シール部材5の一部を開放する注入口6から液晶を注入した後、この注入口6を封止部材7で封止することによって、これらシール部材5及び封止部材7の内側にセルギャップに応じた厚みで形成されている。さらに、これらシール部材5及び封止部材7の内側には、平面視で矩形枠状を為す額縁8が形成されており、この額縁8によって区画された内側の領域が表示領域9となっている。一方、素子基板2の対向基板3よりも外側の領域は、周辺回路領域10となっており、この周辺回路領域10には、データ線駆動回路11及び一対の走査線駆動回路12a,12bと、複数の外部接続用端子13と、これらデータ線駆動回路11及び一対の走査線駆動回路12a,12bと複数の外部接続用端子13との間で引き回された複数の引回し配線14と、一対の走査線駆動回路12a,12bの間で引き回された複数の引回し配線15とが設けられている。また、対向基板3の四隅の角部には、素子基板2側と電気的に接続される導通部材16が設けられている。また、素子基板2の液晶層4と対向する側の面には、複数の画素電極17と、これら複数の画素電極17が形成された面上を覆う絶縁膜18と、液晶層4を配向させる配向膜19とが設けられている。このうち、複数の画素電極17は、AlやAg等の反射性の高い導電性材料からなる反射電極であり、上記表示領域9内にマトリックス状に並んで設けられている。また、素子基板2の液晶層4と対向する側の面には、図示を省略するものの、上記画素電極17と電気的に接続されて、上記画素電極17をスイッチング制御する複数のTFT素子と、TFT素子のソース及び上記データ線駆動回路11と電気的に接続されて、TFT素子を介して上記画素電極17にデータ信号を供給する複数のデータ線と、TFT素子のゲート及び一対の走査線駆動回路12a,12bと電気的に接続されて、TFT素子に走査信号を供給する複数の走査線とが設けられている。一方、絶縁膜18は、パッシベーション膜として機能するものであり、例えば、酸化シリコンSiOxや、窒化シリコンSiNx、酸化アルミニウムAlxOyx、yは正の整数。などからなり、真空蒸着法やスパッタ法DCスパッタなどのPVD法又はCVD法を用いて上記画素電極17を覆うのに十分な厚みで形成されている。一方、配向膜19は、例えば耐光性や耐熱性に優れた無機配向材料からなり、絶縁膜18上に形成されて液晶層4と接しながら、初期配向状態が垂直配向となるように、液晶層4の液晶分子に所定方向へのプレチルト角を付与している。これに対して、対向基板3の液晶層4と対向する側の面には、共通電極20と、この共通電極20が形成された面上を覆う絶縁膜21と、液晶層4を配向させる配向膜22とが設けられている。このうち、共通電極20は、ITO等の透明導電性材料からなり、上記表示領域9内の全面に亘ってベタ電極を形成している。一方、絶縁膜21は、パッシベーション膜として機能するものであり、例えば、酸化シリコンSiOxや、窒化シリコンSiNx、酸化アルミニウムAlxOyx、yは正の整数。などからなり、真空蒸着法やスパッタ法DCスパッタなどのPVD法又はCVD法を用いて上記共通電極20を覆うのに十分な厚みで形成されている。一方、配向膜22は、例えば耐光性や耐熱性に優れた無機配向材料からなり、絶縁膜21上に形成されて液晶層4と接しながら、初期配向状態が垂直配向となるように、液晶層4の液晶分子に所定方向へのプレチルト角を付与している。以上のような構造を有する液晶装置1では、表示すべき画像の画像信号が、この液晶装置1の外部から外部接続用端子13を介してデータ線駆動回路11に供給されると、このデータ線駆動回路11が、画像信号に含まれる画素電極17毎の階調値を示すデータ信号を生成し、このデータ信号に基づいて、液晶層4を駆動する駆動電圧波形を各画素電極17に対応したTFT素子に出力する。また、一対の走査線駆動回路12a,12bは、画像信号に含まれる画素の表示タイミングを示す走査信号を生成し、この走査信号に基づいて、TFT素子のゲートに電圧を印加し、各画素電極17に対応したTFT素子のオン/オフを制御する。そして、TFT素子がオンになった画素電極17には、上記データ信号に基づく駆動電圧が印加される一方、共通電極20には、共通の電位が印加されることで、液晶層4には、これら画素電極17と共通電極20との間の電位差に相当する電圧が印加される。これにより、液晶層4は、配向状態が変化し、対向基板3側から入射した光を、画素電極17で反射されて対向基板3側から出射される間に、画像信号に応じて変調することになる。そして、この液晶装置1では、上述した変調された光を対向基板3の外側に設けられた偏光板図示せず。により選択的に透過しながら、画像信号に応じた画像を表示することが可能となっている。ところで、この液晶装置1では、画面の焼付き等を防ぐため、画像信号の極性をフレーム周期毎に反転させる交流駆動を行っている。また、フリッカの発生を抑制するため、正極性時と負極性時で液晶層4に印加される電圧値が等しくなるように、共通電極20の電位共通電極電位のレベル調整を行っている。しかしながら、従来の液晶装置では、上述したフリッカが最小となるように共通電極電位のレベルを調整した場合であっても、通電時に共通電極電位が変動してしまい、フリッカが発生することがあった。そこで、本発明者らは、このような課題を解決するため鋭意検討を行った結果、共通電極電位の変動量が上記液晶層4と上記絶縁膜18,21との抵抗比によって決まることを見出した。ここで、液晶層の抵抗値が600MΩとなる場合と、液晶層の抵抗値が660MΩとなる場合について、絶縁膜の抵抗値Rpsv[GΩ]を変化させたときのフリッカが最小となる1V当たりの共通電極電位Vcom/Vについて測定した結果を図3に示す。図3に示すように、液晶層の抵抗値が600MΩから660MΩへと10増加したときの共通電極電位は、絶縁膜の抵抗値を10増加させたときの値にほぼ等しく、共通電極電位の変動量が液晶層と絶縁膜との抵抗比によって決まることがわかる。そこで、本発明では、液晶層4と絶縁膜18,21との抵抗比が面内で均一となるように、液晶層4の厚みに応じて絶縁膜18,21のうち何れか一方又は両方の厚みを部分的に調整することで、共通電極電位の変動量を面内で均一とし、フリッカの発生を低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的に、上記液晶装置1では、上述した注入口6から液晶を注入する工程によって上記液晶層4の厚みが不均一となり、特に図1中に示す注入口6を取り囲む領域S1において、液晶層4の厚みが厚くなり易い。そこで、本発明では、この注入口6を取り囲む領域S1内で上記絶縁膜18,21の何れかの厚みを調整する。ここで、上記絶縁膜18,21の抵抗値は膜厚に比例することから、上記液晶層4の厚みが相対的に厚くなる箇所においては、その厚みに応じて上記絶縁膜18,21の何れかの厚みを厚くする。例えば、第1の実施形態では、図4aに示す注入口6を取り囲む領域S1の液晶層4の厚みが、図4bに示す他の部分の液晶層4の厚みよりも厚くなる。このため、図4aに示す注入口6を取り囲む領域S1の絶縁膜18の厚みを図4bに示す他の部分の絶縁膜18の厚みよりも液晶層4の厚みに応じて厚くしている。これにより、上記液晶層4と上記絶縁膜18,21との抵抗比を面内で均一とし、共通電極電位の変動量を面内で均一とすることができる。なお、上記液晶層4の厚みが相対的に薄くなる箇所においては、その厚みに応じて上記絶縁膜18,21の何れかの厚みを薄くすればよい。以上のようにして、本発明では、共通電極電位の変動量を面内で均一とし、フリッカの発生を低減した液晶装置1を得ることが可能である。第2の実施形態次に、第2の実施形態として図5及び図6に示す液晶装置50について説明する。なお、図5は、この液晶表示装置50の構造を模式的に示す平面図であり、図6は、図5中に示す線分H2-H2’による断面図である。また、以下の説明では、上記図1及び図2に示す液晶装置1と同等の部位については、図面において同じ符号を付すものとする。図5及び図6に示す液晶装置50は、スイッチング素子としてTFTThinFilmTransistor素子を用いたアクティブマトリクス型の反射型液晶装置であり、初期配向状態が垂直配向となるVAVerticalAlignment型の液晶モードを採用したものを例示している。具体的に、この液晶装置50は、図3及び図4に示すように、矩形平板状の素子基板一方の基板2と、この素子基板2よりも小さい矩形平板状の対向基板他方の基板3と、これら素子基板2と対向基板3との間に挟持された液晶層4とを備えている。この液晶装置1は、互いに対向配置された素子基板2と対向基板3との間の周縁部が平面視で略矩形枠状を為すシール部材5により封止されると共に、このシール部材5を介して素子基板2と対向基板3とが貼り合わされた構造を有している。液晶層4は、素子基板2と対向基板3との何れか一方の対向面の周縁部を取り囲むシール部材5の内側に液晶を滴下した後、これら素子基板2と対向基板3とをシール部材5を介して貼り合わせることで、このシール部材5の内側にセルギャップに応じた厚みで形成されている。さらに、このシール部材5の内側には、平面視で矩形枠状を為す額縁8が形成されており、この額縁8によって区画された内側の領域が表示領域9となっている。一方、素子基板2の対向基板3よりも外側の領域は、周辺回路領域10となっており、この周辺回路領域10には、データ線駆動回路11及び一対の走査線駆動回路12a,12bと、複数の外部接続用端子13と、これらデータ線駆動回路11及び一対の走査線駆動回路12a,12bと複数の外部接続用端子13との間で引き回された複数の引回し配線14と、一対の走査線駆動回路12a,12bの間で引き回された複数の引回し配線15とが設けられている。また、対向基板3の四隅の角部には、素子基板2側と電気的に接続される導通部材16が設けられている。また、素子基板2の液晶層4と対向する側の面には、複数の画素電極17と、これら複数の画素電極17が形成された面上を覆う絶縁膜18と、液晶層4を配向させる配向膜19とが設けられている。このうち、複数の画素電極17は、AlやAg等の反射性の高い導電性材料からなる反射電極であり、上記表示領域9内にマトリックス状に並んで設けられている。また、素子基板2の液晶層4と対向する側の面には、図示を省略するものの、上記画素電極17と電気的に接続されて、上記画素電極17をスイッチング制御する複数のTFT素子と、TFT素子のソース及び上記データ線駆動回路11と電気的に接続されて、TFT素子を介して上記画素電極17にデータ信号を供給する複数のデータ線と、TFT素子のゲート及び一対の走査線駆動回路12a,12bと電気的に接続されて、TFT素子に走査信号を供給する複数の走査線とが設けられている。一方、絶縁膜18は、パッシベーション膜として機能するものであり、例えば、酸化シリコンSiOxや、窒化シリコンSiNx、酸化アルミニウムAlxOyx、yは正の整数。などからなり、真空蒸着法やスパッタ法DCスパッタなどのPVD法又はCVD法を用いて上記画素電極17を覆うのに十分な厚みで形成されている。一方、配向膜19は、例えば耐光性や耐熱性に優れた無機配向材料からなり、絶縁膜18上に形成されて液晶層4と接しながら、初期配向状態が垂直配向となるように、液晶層4の液晶分子に所定方向へのプレチルト角を付与している。これに対して、対向基板3の液晶層4と対向する側の面には、共通電極20と、この共通電極20が形成された面上を覆う絶縁膜21と、液晶層4を配向させる配向膜22とが設けられている。このうち、共通電極20は、ITO等の透明導電性材料からなり、上記表示領域9内の全面に亘ってベタ電極を形成している。一方、絶縁膜21は、パッシベーション膜として機能するものであり、例えば、酸化シリコンSiOxや、窒化シリコンSiNx、酸化アルミニウムAlxOyx、yは正の整数。などからなり、真空蒸着法やスパッタ法DCスパッタなどのPVD法又はCVD法を用いて上記共通電極20を覆うのに十分な厚みで形成されている。一方、配向膜22は、例えば耐光性や耐熱性に優れた無機配向材料からなり、絶縁膜21上に形成されて液晶層4と接しながら、初期配向状態が垂直配向となるように、液晶層4の液晶分子に所定方向へのプレチルト角を付与している。以上のような構造を有する液晶装置50では、表示すべき画像の画像信号が、この液晶装置1の外部から外部接続用端子13を介してデータ線駆動回路11に供給されると、このデータ線駆動回路11が、画像信号に含まれる画素電極17毎の階調値を示すデータ信号を生成し、このデータ信号に基づいて、液晶層4を駆動する駆動電圧波形を各画素電極17に対応したTFT素子に出力する。また、一対の走査線駆動回路12a,12bは、画像信号に含まれる画素の表示タイミングを示す走査信号を生成し、この走査信号に基づいて、TFT素子のゲートに電圧を印加し、各画素電極17に対応したTFT素子のオン/オフを制御する。そして、TFT素子がオンになった画素電極17には、上記データ信号に基づく駆動電圧が印加される一方、共通電極20には、共通の電位が印加されることで、液晶層4には、これら画素電極17と共通電極20との間の電位差に相当する電圧が印加される。これにより、液晶層4は、配向状態が変化し、対向基板3側から入射した光を、画素電極17で反射されて対向基板3側から出射される間に、画像信号に応じて変調することになる。そして、この液晶装置50では、上述した変調された光を対向基板3の外側に設けられた偏光板図示せず。により選択的に透過しながら、画像信号に応じた画像を表示することが可能となっている。ところで、この液晶装置50では、上述したシール部材5の内側に液晶を滴下した後、素子基板2と対向基板3とをシール部材5を介して貼り合わせる工程によって、上記液晶層4の厚みが不均一となり、特に図3中に示すシール部材5の内側中央部分を取り囲む領域S2において、液晶層4の厚みが厚くなり易い。そこで、本発明では、このシール部材5の内側中央部分を取り囲む領域S2内で上記絶縁膜18,21の何れかの厚みを調整する。ここで、上記絶縁膜18,21の抵抗値は膜厚に比例することから、上記液晶層4の厚みが相対的に厚くなる箇所においては、その厚みに応じて上記絶縁膜18,21の何れかの厚みを厚くする。例えば、第2の実施形態では、図7aに示すシール部材5の内側中央部分を取り囲む領域S2の液晶層4の厚みが、図7bに示す他の部分の液晶層4の厚みよりも厚くなる。このため、図7aに示すシール部材5の内側中央部分を取り囲む領域S2の絶縁膜18の厚みを図7bに示す他の部分の絶縁膜18の厚みよりも液晶層4の厚みに応じて厚くしている。これにより、上記液晶層4と上記絶縁膜18,21との抵抗比を面内で均一とし、共通電極電位の変動量を面内で均一とすることができる。なお、上記液晶層4の厚みが相対的に薄くなる箇所においては、その厚みに応じて上記絶縁膜18,21の何れかの厚みを薄くすればよい。以上のようにして、本発明では、共通電極電位の変動量を面内で均一とし、フリッカの発生を低減した液晶装置50を得ることが可能である。なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。具体的に、上記第1及び第2の実施形態では、上記絶縁膜18,21の何れかの厚みを調整することによって、上記絶縁膜18,21の抵抗値を調整する方法について例示したが、上記絶縁膜18,21の抵抗値を調整する方法としては、それ以外にも上記絶縁膜18,21に不純物をドープすることによって、その抵抗値を調整することも可能である。また、液晶層4と絶縁膜18,21との抵抗比を調整する方法としては、絶縁膜18,21側の厚み抵抗値を調整する以外にも、液晶層4側の厚み抵抗値を調整することも可能である。なお、上記第1及び第2の実施形態では、反射型液晶装置に本発明を適用した場合について例示したが、このような反射型液晶装置に限らず、透過型液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、液晶モードについても、特に限定されるものではなく、上述したVA型以外の液晶モードを採用することが可能である。電子機器次に、本発明を適用した電子機器の一例として、例えば図8に示す本発明の液晶装置を備えたプロジェクター800について説明する。なお、図5は、このプロジェクター800の構成を示す模式図である。このプロジェクター800は、図5に示すように、光源810、ダイクロイックミラー813、814、反射ミラー815、816、817、入射レンズ818、リレーレンズ819、射出レンズ820、光変調部822、823、824、クロスダイクロイックプリズム825、投射レンズ826、を有している。光源810は、メタルハライド等のランプ811とランプの光を反射するリフレクタ812とからなる。なお、光源810としては、メタルハライド以外にも超高圧水銀ランプ、フラッシュ水銀ランプ、高圧水銀ランプ、DeepUVランプ、キセノンランプ、キセノンフラッシュランプ等を用いることも可能である。ダイクロイックミラー813は、光源810からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー817で反射されて、赤色光用の光変調部822に入射される。また、ダイクロイックミラー813で反射された青色光と緑色光のうち、緑色光は、ダイクロイックミラー814によって反射され、緑色光用光変調部823に入射される。青色光は、ダイクロイックミラー814を透過し、長い光路による光損失を防ぐために設けられた入射レンズ818、リレーレンズ819及び射出レンズ820を含むリレー光学系821を介して、青色光が光変調部824に入射される。光変調部822~824は、液晶ライトバルブ830を挟んで両側に、入射側偏光素子840と射出側偏光素子部850と、が配置されている。液晶ライトバルブ830には、上記本発明を適用した液晶装置1,50を用いることができる。入射側偏光素子840と射出側偏光素子部850とは、互いの透過軸が直交してクロスニコル配置配置されている。入射側偏光素子840は反射型の偏光素子であり、透過軸と直交する振動方向の光を反射させる。一方、射出側偏光素子部850は、第1偏光素子プリ偏光板、プリポラライザー852と、第2偏光素子854と、を有している。第1偏光素子852には、耐熱性が高い偏光素子を用いる。また、第2偏光素子854は、有機材料を形成材料とする偏光素子である。射出側偏光素子部850は、いずれも透過軸と直交する偏光方向の光を吸収する吸収型の偏光素子である。各光変調部822~824により変調された3つの色光は、クロスダイクロイックプリズム825に入射する。このクロスダイクロイックプリズム825は4つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがX字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ826によってスクリーン827上に投射され、画像が拡大されて表示される。以上のような構成のプロジェクター800は、液晶ライトバルブ830に、上記本発明を適用した液晶装置1,5を用いることで、表示品質が高く、信頼性に優れたプロジェクター800を提供することが可能である。なお、本発明は、投写画像を観察する側から投写するフロント投写型プロジェクターと、投写画像を観察する側とは反対の側から投写するリア投写型プロジェクターとの何れの場合にも適用可能である。なお、上記本発明を適用した液晶装置1,50は、上記プロジェクター800の液晶ライトバルブ830に好適に用いられるものの、本発明を適用した液晶装置は、上述したプロジェクターに限らず、例えば、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段としても用いることができ、何れにおいても信頼性が高く表示品質に優れた電子機器を提供することが可能である。"