"キャビティ層並びに前記キャビティ層を介して対向する第1及び第2のミラー層を有し、所定の波長範囲の光を入射位置に応じて選択的に透過させる干渉フィルタ部と、前記第1のミラー層側に配置され、前記干渉フィルタ部に入射する光を透過させる光透過基板と、前記第2のミラー層側に配置され、前記干渉フィルタ部を透過した光を検出する光検出基板と、を備え、前記キャビティ層は、前記第1及び前記第2のミラー層によって挟まれたフィルタ領域と、前記光透過基板と前記光検出基板とが対向する方向から見た場合に、前記フィルタ領域から所定の距離をとって前記フィルタ領域を包囲する環状の包囲領域と、前記フィルタ領域の前記光検出基板側の端部と前記包囲領域の前記光検出基板側の端部とを接続する環状の接続領域と、を有する、分光センサ。前記包囲領域の前記光透過基板側の端面は、前記フィルタ領域における前記第1のミラー層の形成面のうち前記光透過基板に最も近い部分と略同じ高さ、又は当該部分よりも前記光透過基板側に位置している、請求項1記載の分光センサ。前記接続領域の前記光透過基板側の端面は、前記フィルタ領域における前記第1のミラー層の形成面のうち前記光検出基板に最も近い部分と略同じ高さ、又は当該部分よりも前記光検出基板側に位置している、請求項1又は2記載の分光センサ。前記第1のミラー層と対向するように前記光透過基板上に形成され、前記所定の波長範囲の光を透過させる光学フィルタ層を更に備える、請求項1~3のいずれか一項記載の分光センサ。しかしながら、上述したような分光センサにおいては、キャビティ層が極めてデリケートな層例えば、樹脂材料からなる数百nm以下の層であるため、キャビティ層に外力が作用すると、干渉フィルタ部の特性が劣化するおそれがある。そこで、本発明は、信頼性の高い分光センサを提供することを目的とする。本発明の分光センサは、キャビティ層並びにキャビティ層を介して対向する第1及び第2のミラー層を有し、所定の波長範囲の光を入射位置に応じて選択的に透過させる干渉フィルタ部と、第1のミラー層側に配置され、干渉フィルタ部に入射する光を透過させる光透過基板と、第2のミラー層側に配置され、干渉フィルタ部を透過した光を検出する光検出基板と、を備え、キャビティ層は、第1及び第2のミラー層によって挟まれたフィルタ領域と、光透過基板と光検出基板とが対向する方向から見た場合に、フィルタ領域から所定の距離をとってフィルタ領域を包囲する環状の包囲領域と、フィルタ領域の光検出基板側の端部と包囲領域の光検出基板側の端部とを接続する環状の接続領域と、を有する。この分光センサでは、キャビティ層において、フィルタ領域が所定の距離をとって環状の包囲領域によって包囲されており、フィルタ領域の光検出基板側の端部と包囲領域の光検出基板側の端部とが環状の接続領域によって接続されている。これにより、光透過基板と光検出基板とが対向する方向に垂直な方向に何らかの外力が作用しても、当該外力が包囲領域及び接続領域によって緩衝されて、フィルタ領域にダメージが与えられるのを防止することができる。よって、この分光センサは、信頼性の高いものとなる。ここで、包囲領域の光透過基板側の端面は、フィルタ領域における第1のミラー層の形成面のうち光透過基板に最も近い部分と略同じ高さ、又は当該部分よりも光透過基板側に位置していてもよい。これによれば、光透過基板と光検出基板とが対向する方向に平行な方向に何らかの外力が作用しても、当該外力が包囲領域によって受け止められて、フィルタ領域にダメージが与えられるのを防止することができる。また、接続領域の光透過基板側の端面は、フィルタ領域における第1のミラー層の形成面のうち光検出基板に最も近い部分と略同じ高さ、又は当該部分よりも光検出基板側に位置していてもよい。これによれば、光透過基板と光検出基板とが対向する方向に垂直な方向に何らかの外力が作用しても、当該外力がフィルタ領域における第1のミラー層の形成面に直接的に作用するのを防止することができる。また、第1のミラー層と対向するように光透過基板上に形成され、所定の波長範囲の光を透過させる光学フィルタ層を更に備えてもよい。これによれば、所定の波長範囲の光を効率良く干渉フィルタ部に入射させることができる。本発明によれば、信頼性の高い分光センサを提供することができる。以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図1に示されるように、分光センサ1は、所定の波長範囲の光を入射位置に応じて選択的に透過させる干渉フィルタ部20と、干渉フィルタ部20に入射する光を透過させる光透過基板3と、干渉フィルタ部20を透過した光を検出する光検出基板4と、を備えている。分光センサ1は、一辺の長さが数百μm~数十mm程度の直方体状のCSPChipSizePackageとして構成されている。光透過基板3は、ガラス等からなり、厚さ0.2mm~2mm程度の矩形板状に形成されている。光透過基板3の裏面3bには、干渉フィルタ部20と対向するように光学フィルタ層5が形成されている。光学フィルタ層5は、誘電体多層膜や有機カラーフィルタカラーレジストであり、厚さ0.1μm~10μm程度の矩形膜状に形成されている。光学フィルタ層5は、対向する干渉フィルタ部20に入射させるべき所定の波長範囲の光を透過させるバンドパスフィルタとして機能する。光検出基板4は、フォトダイオードアレイであり、厚さ10μm~150μm程度の矩形板状に形成されている。光検出基板4の表面4aには、干渉フィルタ部20を透過した光を受光する受光部6が形成されている。受光部6は、光検出基板4の長手方向に略垂直な方向に沿って延在する長尺状のフォトダイオードが光検出基板4の長手方向に沿って一次元に配列されて構成されている。更に、光検出基板4には、受光部6で光電変換された電気信号を外部に取り出すための配線7表面配線、裏面配線、貫通配線等が形成されている。光検出基板4の裏面4bには、配線7と電気的に接続された表面実装用のバンプ8が設けられている。なお、光検出基板4は、フォトダイオードアレイに限定されず、他の半導体光検出素子C-MOSイメージセンサ、CCDイメージセンサ等であってもよい。干渉フィルタ部20は、キャビティ層21及びDBRDistributedBraggReflector層22,23を有している。干渉フィルタ部20において、DBR層第1のミラー層22とDBR層第2のミラー層23とは、キャビティ層21を介して対向している。つまり、キャビティ層21は、対向するDBR層22,23間の距離を保持している。各DBR層22,23は、SiO2、TIO2、Ta2O5、Nb2O5、Al2O3、MgF2等からなる誘電体多層膜であり、厚さ0.1μm~10μm程度の矩形膜状に形成されている。キャビティ層21は、シリコンの熱酸化処理によって形成されたシリコン酸化膜SiO2膜であり、厚さ100nm~数μm程度に形成されている。図1及び図2に示されるように、キャビティ層21は、一体的に形成されたフィルタ領域24、包囲領域25及び接続領域26を有している。フィルタ領域24は、一辺の長さが数mm程度の矩形膜状に形成されており、DBR層22,23によって挟まれている。より具体的には、フィルタ領域24の表面24aには、DBR層22が形成されており、フィルタ領域24の裏面24bには、DBR層23が形成されている。フィルタ領域24の裏面24bは、光の入射方向光透過基板3と光検出基板4とが対向する方向に垂直な面に略平行となっているのに対し、フィルタ領域24の表面24aは、当該面に対して傾斜している。これにより、フィルタ領域24の厚さは、分光センサ1の長手方向における一方の側に向かって100nm~数μm程度の範囲で漸増している。包囲領域25は、外側の一辺の長さが数mm程度の矩形環状に形成されており、光の入射方向から見た場合に、フィルタ領域24から所定の距離d例えば数μm~1mm程度をとってフィルタ領域24を包囲している。接続領域26は、フィルタ領域24と包囲領域25との間に配置されるように矩形環状に形成されており、フィルタ領域24の光検出基板4側の端部24eと包囲領域25の光検出基板4側の端部25eとを接続している。キャビティ層21には、フィルタ領域24、包囲領域25及び接続領域26によって、フィルタ領域24を包囲するように矩形環状に延在する幅dの溝Gが形成されている。図1に示されるように、包囲領域25の表面光透過基板側の端面25aは、フィルタ領域24の表面第1のミラー層の形成面24aのうち光透過基板3に最も近い部分24hと略同じ高さ、又は当該部分24hよりも光透過基板3側に位置している。また、接続領域26の表面光透過基板側の端面26aは、フィルタ領域24の表面24aのうち光検出基板4に最も近い部分24lと略同じ高さ、又は当該部分24lよりも光検出基板4側に位置している。一方、フィルタ領域24の裏面24b、包囲領域25の裏面25b及び接続領域26の裏面26bは、略面一になっている。なお、包囲領域25の側面25cは、光透過基板3の側面3c及び光検出基板4の側面4cと略面一になっている。ただし、光透過基板3の側面3cと光検出基板4の側面4cとの間に、例えば0~100μm程度の範囲で段差が生じる場合もある。光透過基板3は、キャビティ層21に対してDBR層22側に配置されており、カップリング層第1のカップリング層11を介してキャビティ層21及びDBR層22に接合されている。光検出基板4は、キャビティ層21に対してDBR層23側に配置されており、カップリング層第2のカップリング層12を介してキャビティ層21及びDBR層23に接合されている。干渉フィルタ部20と光透過基板3との間に配置されたカップリング層11、及び干渉フィルタ部20と光検出基板4との間に配置されたカップリング層12は、原料ガスとしてTEOSTetraethylOrthosilicate,Tetraethoxysilaneを用いた成膜処理によって形成されたシリコン酸化膜であり、厚さ数百nm~10μm程度に形成されている。以上のように構成された分光センサ1では、光透過基板3の表面3aから光透過基板3に入射した光が、光透過基板3を透過して光透過基板3の裏面3bに到達すると、干渉フィルタ部20に入射させるべき所定の波長範囲の光のみが、光学フィルタ層5によって透過させられる。そして、光学フィルタ層5を透過した光が、干渉フィルタ部20に入射すると、干渉フィルタ部20においては、所定の波長範囲の光が、入射位置に応じて選択的に透過させられる。つまり、入射位置でのDBR層22,23の種類と厚さ及びキャビティ層21の厚さによって、光検出基板4の受光部6の各チャネルに入射する光の波長が一意に決定される。これにより、光検出基板4では、受光部6のチャネルごとに異なる波長の光が検出される。以上説明したように、分光センサ1では、キャビティ層21において、フィルタ領域24が所定の距離dをとって包囲領域25によって包囲されており、フィルタ領域24の端部24eと包囲領域25の端部25eとが接続領域26によって接続されている。これにより、光透過基板3と光検出基板4とが対向する方向に垂直な方向に何らかの外力が作用しても、当該外力が包囲領域25及び接続領域26によって緩衝されて、フィルタ領域24にダメージが与えられるのを防止することができる。よって、分光センサ1は、極めて信頼性の高いものとなる。また、包囲領域25の表面25aが、フィルタ領域24の表面24aのうち光透過基板3に最も近い部分24hと略同じ高さ、又は当該部分24hよりも光透過基板3側に位置している。これにより、光透過基板3と光検出基板4とが対向する方向に平行な方向に何らかの外力例えば、後述するカップリング層11a,11b間やカップリング層12a,12b間のダイレクトボンディングの際に印加される外力が作用しても、当該外力が包囲領域25によって受け止められて、フィルタ領域24にダメージが与えられるのを防止することができる。また、接続領域26の表面26aが、フィルタ領域24の表面24aのうち光検出基板4に最も近い部分24lと略同じ高さ、又は当該部分24lよりも光検出基板4側に位置している。これにより、光透過基板3と光検出基板4とが対向する方向に垂直な方向に何らかの外力が作用しても、当該外力が、DBR層22の形成面であるフィルタ領域24の表面24aに直接的に作用するのを防止することができる。また、DBR層22と対向するように光透過基板3上に光学フィルタ層5が形成されている。これにより、所定の波長範囲の光を効率良く干渉フィルタ部20に入射させることができる。加えて、分光センサ1では、キャビティ層21がシリコン酸化膜であるため、キャビティ層21が樹脂材料からなる場合に比べ、キャビティ層21の形状、光透過率、光屈折率等を安定化させることができる。また、カップリング層11,12がシリコン酸化膜であるため、カップリング層11,12が樹脂材料からなる場合に比べ、光透過基板3から干渉フィルタ部20に進行する光の透過特性、及び干渉フィルタ部20から光検出基板4に進行する光の透過特性を安定化させることができる。更に、キャビティ層21及びカップリング層11,12がシリコン酸化膜であるため、使用環境の温度変化や湿度の高さ等に起因する品質の劣化を防止することができる。具体的には、キャビティ層21及びカップリング層11,12が樹脂材料からなる場合に起こり得る水分の吸収を防止することができ、また、それらが樹脂材料からなる場合に比べ、熱膨張及び熱収縮を抑えて熱的に安定化させることができる。また、キャビティ層21が、シリコンの熱酸化処理によって形成されたシリコン酸化膜となっている。これにより、低コストで高品質のキャビティ層21が安定して得られている。また、カップリング層11,12が、原料ガスとしてTEOSを用いた成膜処理によって形成されたシリコン酸化膜となっている。これにより、低温、高速、低ストレスでのカップリング層11,12の形成が可能であるため、キャビティ層21及びDBR層22,23にダメージが与えられるのが防止されて、高品質のキャビティ層21及びDBR層22,23が得られている。次に、上述した分光センサ1の製造方法について説明する。まず、図3に示されるように、シリコン基板50の一方の主面50a及び他方の主面50bに熱酸化処理を施すことにより、シリコンからなるハンドル基板51の一方の主面51a及び他方の主面51bにシリコン酸化膜52を形成し、ハンドル基板51の一方の主面51a又は他方の主面51bに形成されたシリコン酸化膜52を表面層53とする。ここでは、ハンドル基板51の一方の主面51aに形成されたシリコン酸化膜52を表面層53とする。表面層53の厚さは、1000nm程度である。続いて、図4及び図5に示されるように、マトリックス状に配列された複数のキャビティ層21をエッチングにより形成するためのレジスト層54を表面層53上に形成する。そして、レジスト層54をマスクとして、ハンドル基板51上に設けられた表面層53をエッチングエッチバックすることにより、マトリックス状に配列された複数のキャビティ層21を形成する第1の工程。続いて、図6に示されるように、1つの分光センサ1に対応する部分ごとに、キャビティ層21上にDBR層22を形成する第2の工程。DBR層22を形成するに際しては、イオンプレーティング法、蒸着法、スパッタ法等による成膜、並びに、ホトエッチ及びリフトオフ、或いはエッチングによるパターニングを行う。なお、ここでは、1つの分光センサ1が1つのキャビティ層21を備えることになるので、DBR層22を形成するに際しては、1つの分光センサ1に対応する部分ごとにパターニングを行わずに、全てのキャビティ層21を覆うように全面成膜を行ってもよい。続いて、図7に示されるように、原料ガスとしてTEOSを用いた成膜処理を施すことにより、DBR層22を覆うようにキャビティ層21上にシリコン酸化膜を形成し、その表面をCMPChemicalMechanicalPolishingにより平坦化してカップリング層11aを形成する。なお、原料ガスとしてTEOSを用いた成膜処理は、プラズマCVD法、LP-CVD法、AP-CVD法等によって、低温例えば成膜温度200°C以下、高速、低ストレスの成膜を可能とする。プラズマCVD法の場合には、Heガスによるバブリング法或いはヒータによる加熱等によりTEOSを供給し、チャンバ内でプラズマアシストによる分解反応を発生させてO2ガスと反応させることで、シリコン酸化膜を形成する。その一方で、図8に示されるように、マトリックス状に配列された複数の光透過基板3を含む光透過ウェハ30を準備し、光透過基板3に対応する部分ごとに光透過ウェハ30上にすなわち、光透過基板3上に、光学フィルタ層5を形成する。光学フィルタ層5を誘電体多層膜で形成する場合には、イオンプレーティング法、蒸着法、スパッタ法等による成膜、並びに、ホトエッチ及びリフトオフ、或いはエッチングによるパターニングを行う。また、光学フィルタ層5を有機カラーフィルタで形成する場合には、ホトレジストのように露光現像等でパターニングする。なお、ここでは、1つの分光センサ1が1つの光学フィルタ層5を備えることになるので、光学フィルタ層5を形成するに際しては、1つの分光センサ1に対応する部分ごとにパターニングを行わずに、光透過ウェハ30の全面を覆うように全面成膜を行ってもよい。続いて、図9に示されるように、原料ガスとしてTEOSを用いた成膜処理を施すことにより、光学フィルタ層5を覆うように光透過ウェハ30上にシリコン酸化膜を形成し、その表面をCMPにより平坦化してカップリング層11bを形成する。続いて、図10及び図11に示されるように、1つの分光センサ1に対応する部分ごとにDBR層22と光学フィルタ層5とを対向させて、カップリング層11aの表面とカップリング層11bの表面とをダイレクトボンディング表面活性化接合等し、ハンドル基板51と光透過ウェハ30とを接合する第3の工程。つまり、カップリング層11を介してDBR層22と光学フィルタ層5とが対向するように、DBR層22上に光透過基板3を接合する。なお、光透過ウェハ30上に光学フィルタ層5を形成しない場合には、平坦化層としてのカップリング層11bは不要である。続いて、図12に示されるように、ハンドル基板51の他方の主面51bに形成されたシリコン酸化膜52、及びハンドル基板51の他方の主面51b側の部分を研削して、ハンドル基板51を薄型化する。そして、図13に示されるように、ハンドル基板51に対してウェットエッチング或いはドライエッチングを施すことにより、キャビティ層21からハンドル基板51を除去する第4の工程。なお、ハンドル基板51の他方の主面51bに形成されたシリコン酸化膜52、及びハンドル基板51を、研削なしで、ウェットエッチング或いはドライエッチングによって除去してもよい。続いて、図14に示されるように、ハンドル基板51が除去されることにより露出したキャビティ層21上に、DBR層22と同様の方法でDBR層23を形成する第5の工程。これにより、1つの分光センサ1に対応する部分ごとに、DBR層22とDBR層23とがキャビティ層21を介して対向し、干渉フィルタ部20が形成される。そして、1つの分光センサ1に対応する部分が分光フィルタ基板9となって、マトリックス状に配列された複数の分光フィルタ基板9を含む分光フィルタウェハ90が製造される。なお、ここでは、1つの分光センサ1が1つのキャビティ層21を備えることになるので、DBR層23を形成するに際しては、1つの分光センサ1に対応する部分ごとにパターニングを行わずに、全てのキャビティ層21を覆うように全面成膜を行ってもよい。続いて、図15に示されるように、原料ガスとしてTEOSを用いた成膜処理を施すことにより、DBR層23を覆うようにキャビティ層21上にシリコン酸化膜を形成し、その表面をCMPにより平坦化してカップリング層12aを形成する。その一方で、図16に示されるように、マトリックス状に配列された複数の光検出基板4を含む光検出ウェハ40を準備する。そして、原料ガスとしてTEOSを用いた成膜処理を施すことにより、受光部6を覆うように光検出ウェハ40上にシリコン酸化膜を形成し、その表面を平坦化してCMPによりカップリング層12bを形成する。続いて、図16及び図17に示されるように、1つの分光センサ1に対応する部分ごとにDBR層23と受光部6とを対向させて、カップリング層12aの表面とカップリング層12bの表面とをダイレクトボンディングし、分光フィルタウェハ90と光検出ウェハ40とを接合する第6の工程。つまり、カップリング層12を介してDBR層23と受光部6とが対向するように、DBR層23上に光検出基板4を接合する。続いて、図18に示されるように、光検出ウェハ40の裏面に対して研削、研磨、エッチング等を施すことにより、光検出ウェハ40を厚さ10μm~150μm程度に薄型化する。そして、表面配線に対応する部分にエッチングで貫通孔を形成して、貫通配線、裏面配線等を形成することにより、1つの分光センサ1に対応する部分ごとに配線7を形成する。更に、光検出ウェハ40の裏面に、1つの分光センサ1に対応する部分ごとにバンプ8を形成する。最後に、互いに接合された分光フィルタウェハ90及び光検出ウェハ40を、1つの分光センサ1に対応する部分ごとにダイシングし、複数の分光センサ1を得る。なお、配線7を構成する表面配線や裏面配線等のパッド部は、光検出ウェハ40すなわち、光検出基板4の表面や裏面に埋設される場合だけでなく、例えばその厚さ分だけ突出するように、光検出ウェハ40すなわち、光検出基板4の表面上や裏面上に設けられる場合もある。以上説明したように、分光センサ1の製造方法では、ハンドル基板51上に設けられた表面層53をエッチングすることによりキャビティ層21を形成する。このように、ハンドル基板51を用いてエッチングによりキャビティ層21を形成することで、高精度のキャビティ層21を安定して得ることができる。更に、光透過基板3側にキャビティ層21及びDBR層22,23を形成した後に、光検出基板4を接合する。これにより、キャビティ層21やDBR層22,23を形成するための各プロセスにおいて光検出基板4にダメージが与えられるのを防止することができる。よって、分光センサ1の製造方法によれば、信頼性の高い分光センサ1を得ることが可能となる。また、分光フィルタウェハ90の各分光フィルタ基板9の性能を検査した後に、分光フィルタウェハ90と光検出ウェハ40とを接合するので、分光フィルタウェハ90側の不具合に起因して光検出ウェハ40が無駄になるのを防止することができる。また、シリコンからなるハンドル基板51の一方の主面51aに形成されたシリコン酸化膜52を表面層53とするため、低コストで高品質のキャビティ層21を安定して得ることができる。しかも、シリコン基板50の一方の主面50a及び他方の主面50bに熱酸化処理を施すことにより、シリコンからなるハンドル基板51の一方の主面51a及び他方の主面51bにシリコン酸化膜52を形成するため、ハンドル基板51の反りが抑制される。従って、高精度のキャビティ層21を安定して得ることができる。また、光学フィルタ層5を光透過基板3上に形成しておき、DBR層22と光学フィルタ層5とが対向するように、DBR層22上に光透過基板3を接合する。これにより、所定の波長範囲の光を効率良く干渉フィルタ部20に入射させることができる。加えて、レジスト層54をマスクとして、ハンドル基板51上に設けられた表面層53をエッチングする際には、レジスト層54において溝Gに対応する部分が先行して除去されて、表面層53において溝Gに対応する部分が最初に露出することになる。表面層53において溝Gに対応する部分が露出すると、SiO2からなる表面層53から酸素が離脱して、レジスト層54のエッチャントとして働くことになる。ここで、表面層53において溝Gに対応する部分は、表面層53においてフィルタ領域24に対応する部分を包囲している。そのため、ハンドル基板51上では、表面層53においてフィルタ領域24に対応する部分の全てに酸素が安定して供給され、その結果、表面層53においてフィルタ領域24に対応する部分の全てが安定してエッチングされることになる。このような酸素の供給がないと、ローディング効果等に起因してエッチャントの密度分布に偏りが生じてしまい例えば、ハンドル基板51の周縁部で供給過多となる一方で、ハンドル基板51の中央部で供給不足となる、エッチングによって形成されたフィルタ領域24の形状がハンドル基板51の場所によって変化してしまうことになる。特に、レジスト層54が有機材料からなる場合には、エッチャントとしての酸素の供給状態によってエッチングレートが大きく変化するため、上述したような酸素の供給は極めて重要である。また、互いに接合された分光フィルタウェハ90及び光検出ウェハ40を、1つの分光センサ1に対応する部分ごとにダイシングする際には、カップリング層11a,11b間やカップリング層12a,12b間のダイレクトボンディングによって、分光フィルタウェハ90及び光検出ウェハ40の全体が硬く一体化されているため、チッピング等が生じるのを防止することができる。次に、レジスト層54とキャビティ層21との関係について説明する。図19に示されるように、エッチング前のキャビティ層21すなわち、表面層53の平坦な表面図19の実線参照に、レジスト層54を形成する。レジスト層54は、形成すべきキャビティ層21すなわち、エッチング後のキャビティ層21の形状に対応した三次元形状を有している。このようなレジスト層54の形成は、場所に応じて透過率を調整したホトマスクの利用、場所に応じてドーズ量を調整した光リソグラフィやEBリソグラフィの利用、ナノインプリンティングの利用等によって、実現することができる。そして、レジスト層54の形状に基づいたエッチバック全面エッチングを行うに際しては、エッチング条件によってレジスト層54及びキャビティ層21のエッチングレートを調整することができる。これにより、一種類の形状のレジスト層54から、様々な形状のキャビティ層21を形成することが可能となる。図19に示される場合には、レジスト層54のエッチングレートがキャビティ層21のエッチングレートよりも2倍程度程速いため、エッチング後のキャビティ層21の表面図19の一点鎖線参照の傾斜は、レジスト層54の表面図19の破線参照の傾斜よりも緩やかになっている。次に、ハンドル基板51に設けられるモニタパターンについて説明する。図4に示されるように、ハンドル基板51上には、表面層53が略一定の厚さで形成されるが、その表面層53上には、図20に示されるように、複数のキャビティ層21をエッチングにより形成するためのレジスト層54の他に、モニタパターンとしてのレジスト層55が形成される。これらのレジスト層54,55は、上述したようなホトマスクの利用、光リソグラフィやEBリソグラフィの利用、ナノインプリンティングの利用等によって、一体的に形成される。モニタパターンとしてのレジスト層55は、複数ここでは9パターンずつ纏められて、ハンドル基板51上の複数箇所ここでは、周縁部4個所及び中央部1箇所に配置されている。纏められたレジスト層55のそれぞれは、1つのレジスト層54の複数部分のそれぞれに対応する略一定の厚さで形成されている。例えば、纏められたレジスト層55のそれぞれは、フィルタ領域24の所定の部分に対応するレジスト層54の所定の部分の厚さ、包囲領域25の所定の部分に対応するレジスト層54の所定の部分の厚さ、及び接続領域26の所定の部分すなわち、溝Gの底面に対応するレジスト層54の所定の部分の厚さを有している。これにより、表面層53のエッチングの途中や完了後といった所定のタイミングで、モニタパターンとしてのレジスト層55が除去された部分の表面層53の厚さを光学式の膜厚計にて測定することで、対応するキャビティ層21の所定の部分の厚さを知得することができる。なお、測定のタイミングが表面層53のエッチングの途中であって、キャビティ層21の所定の部分にレジスト層54が残存している場合には、同様の方法により、当該部分に残存するレジスト層54の厚さを知得することができる。このようなモニタパターンとしてのレジスト層55の利用は、個々のキャビティ層21が小さく、しかも、フィルタ領域24の表面24aが傾斜していて、キャビティ層21の厚さを光学式の膜厚計にて直接的に測定することが困難であることから、極めて有効である。更に、モニタパターンとしてのレジスト層55がハンドル基板51上の複数箇所に配置されているので、ハンドル基板51上の表面層53全体でのエッチングの進行度合進行分布を評価することができる。また、次のように、フィルタ領域24の所定の部分に対応するキャビティ層21の厚さを知得することもできる。すなわち、表面層53のエッチングの途中や完了後といった所定のタイミングで、フィルタ領域24の所定の部分に対応するキャビティ層21の表面と溝Gの底面との段差をAFMAtomicForceMicroscope,原子間力顕微鏡や触針式の段差計等にて測定する。その一方で、溝Gの底面に対応するモニタパターンとしてのレジスト層55が除去された部分において、表面層53の厚さを光学式の膜厚計にて測定する。そして、測定したキャビティ層21の表面と溝Gの底面との段差と表面層53の厚さとを足し合わせることで、フィルタ領域24の所定の部分に対応するキャビティ層21の厚さを算出する。なお、測定のタイミングが表面層53のエッチングの途中であって、フィルタ領域24の所定の部分に対応する部分にレジスト層54が残存している場合には、同様の方法により、当該部分に残存するレジスト層54の厚さを知得することができる。以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、分光センサの各構成部材の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を適用することができる。また、分光センサは、所定の波長範囲の光を入射位置に応じて選択的に透過させる干渉フィルタ部を複数備えていてもよい。ここで、複数の干渉フィルタ部を備える分光センサについて説明する。図21に示されるように、分光センサ1は、複数の干渉フィルタ部20A,20Bを備えている。干渉フィルタ部20A,20Bは、光透過基板3と光検出基板4との間において分光センサ1の長手方向に沿って配列されている。図21及び図22に示されるように、キャビティ層21においては、干渉フィルタ部20A,20Bごとに形成されたフィルタ領域24が並設されており、各フィルタ領域24は、DBR層22,23によって挟まれている。包囲領域25は、光の入射方向から見た場合に、並設されたフィルタ領域24,24から所定の距離dをとって、並設されたフィルタ領域24,24を包囲している。接続領域26は、並設されたフィルタ領域24,24の光検出基板4側の端部と包囲領域25の光検出基板4側の端部とを接続している。なお、干渉フィルタ部20AのDBR層22と干渉フィルタ部20BのDBR層22とは、互いに異なる種類となっており、その境界は、互いに一部が重なっている場合、間隔が0で接触している場合、間隔が例えば5μm程度で離間している場合がある。また、干渉フィルタ部20AのDBR層23と干渉フィルタ部20BのDBR層23とは、互いに異なる種類となっており、その境界は、互いに一部が重なっている場合、間隔が0で接触している場合、間隔が例えば5μm程度で離間している場合がある。また、干渉フィルタ部20Aの光学フィルタ層5と干渉フィルタ部20Bの光学フィルタ層5とは、互いに異なる種類となっており、その境界は、互いに一部が重なっている場合、間隔が0で接触している場合、間隔が例えば5μm程度で離間している場合がある。以上のように構成された分光センサ1では、光透過基板3の表面3aから光透過基板3に入射した光が、光透過基板3を透過して光透過基板3の裏面3bに到達すると、各干渉フィルタ部20A,20Bに入射させるべき所定の波長範囲の光のみが、光学フィルタ層5によって透過させられる。そして、光学フィルタ層5を透過した光が、各干渉フィルタ部20A,20Bに入射すると、各干渉フィルタ部20A,20Bにおいては、所定の波長範囲の光が、入射位置に応じて選択的に透過させられる。つまり、入射位置でのDBR層22,23の種類と厚さ及びキャビティ層21の厚さによって、光検出基板4の受光部6の各チャネルに入射する光の波長が一意に決定される。これにより、光検出基板4では、受光部6のチャネルごとに異なる波長の光が検出される。また、光透過基板3の材料として、所定の波長範囲の光を透過させる色ガラスやフィルタガラスを用いてもよい。また、光学フィルタ層5と共に、或いは光学フィルタ層5に代えて、光透過基板3の表面3aに別の光学フィルタ層を形成してもよい。また、光検出基板4は、一次元センサに限定されず、二次元センサであってもよい。また、キャビティ層21の厚さは、二次元的に変化していてもよいし、或いはステップ状に変化していてもよい。また、DBR層22,23に代えて、ミラー層として、AL、Au、Ag等の単層の金属反射膜を適用してもよい。また、分光センサは、CSPとして構成されたものに限定されず、SMDSurfaceMountDeviceとして構成されたものであってもよい。また、キャビティ層21の材料すなわち、エッチングの対象となる表面層53の材料として、エポキシ、シリコーン、アクリル等の光学樹脂、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、Al2O3、MgF2等の誘電体、SiやGe等の半導体等を用いてもよい。また、カップリング層11,12は、シランガスを用いたプラズマCVD法、塗布式のSOGSpinOnGlass法、蒸着法、スパッタ法等によって形成されたシリコン酸化膜であってもよい。また、カップリング層11,12による接合すなわち、ダイレクトボンディングに代えて、光学樹脂層による接合や分光センサ1の外縁部における接合を適用してもよい。光学樹脂層による接合においては、光学樹脂層の材料として、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系の有機材料、或いは有機無機からなるハイブリッド材料等の光学樹脂を用いることができる。また、分光センサ1の外縁部における接合においては、スペーサによってギャップを保持しつつ、低融点ガラスや半田等によって接合することができる。この場合、接合部に包囲された領域はエアギャップとしてもよいし、或いは当該領域に光学樹脂を充填してもよい。また、原料ガスとしてTEOSを用いた成膜処理、シランガスを用いたプラズマCVD法、塗布式のSOG法、蒸着法、スパッタ法、LP-CVD法等によって、シリコンからなるハンドル基板の一方の主面にシリコン酸化膜を形成し、当該シリコン酸化膜を表面層としてもよい。また、熱酸化処理に代えて、LP-CVD法によって、シリコンからなるハンドル基板の一方の主面及び他方の主面にシリコン酸化膜を形成し、ハンドル基板の一方の主面又は他方の主面に形成されたシリコン酸化膜を表面層としてもよい。つまり、シリコン酸化膜であるキャビティ層は、シリコンの熱酸化処理によって形成されたものには限定されない。ただし、熱酸化処理によってシリコン酸化膜を形成すれば、上述した他の方法に比べ、キャビティ層について、比較的に緻密な膜になり、膜厚の均一性が向上し、不純物が少なくなり、光透過性や光屈折率等の光学特性が比較的安定するといったメリットがある。"