"第1の導電型をもつシリコン結晶基板の光入射面側に、真性なシリコン薄膜を介して第2の導電型をもつ非晶質シリコン膜を有するセルを用い、前記セルとガラス板との間に透光性樹脂を充填した太陽電池であって、前記セルは、前記非晶質系シリコン膜上に製膜された透明導電層と、前記透明導電層上に製膜された反射防止層と、前記透明導電層に電気的に接続された集電極とを備え、前記透明導電層は前記非晶質シリコン膜上に製膜された酸化インジウムを主成分とする第1導電膜と、前記第1導電膜上に製膜された酸化亜鉛を主成分とする第2導電膜とを含んで構成される太陽電池。反射防止層の屈折率は第2導電膜の屈折率より小さく、透光性樹脂の屈折率より大きい、請求項1に記載の太陽電池。反射防止層は窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜である、請求項1または2に記載の太陽電池。集電極は反射防止層に形成された開口溝に配置されている、請求項1から3のいずれか1項に記載の太陽電池。開口溝の底部には第2導電膜の少なくとも一部が残留して集電極と接している、請求項4に記載の太陽電池。集電極は下地電極を介して第2導電膜に接続されている、請求項5に記載の太陽電池。反射防止層がプラズマCVD法で製膜されていることを特徴とする、請求項3から請求項6のいずれか1項に記載の太陽電池。しかしながら、従来のヘテロ接合構造を用いたハイブリッド系の太陽電池では、太陽電池セルをモジュール化した後に、透明導電層上に配されたガラス板から透光性樹脂を通過したナトリウムNaイオンなどの不純物が徐々に太陽電池セル内へ拡散し、透明導電層のみならず、非晶質シリコン膜や単結晶シリコン基板に到達して、長期間を経た太陽電池の特性を劣化させることがあった。この発明は、上記のような問題を解消するためになされたもので、透明導電層を介してガラス板から拡散する不純物の影響を受けることが少ない太陽電池を得ることを目的としている。本発明の太陽電池は、n型シリコン結晶基板の光入射面側に、実質的に真性なi型のシリコン薄膜を介してp型非晶質シリコン膜を有するセルを用い、セルとガラス板との間に透光性樹脂が充填されており、セルは、非晶質系シリコン膜上に製膜された透明導電層と、透明導電層上に製膜された反射防止層と、透明導電層に電気的に接続された集電極とを備え、透明導電層は非晶質シリコン膜上に製膜された酸化インジウムを主成分とする導電膜と、その上に製膜された酸化亜鉛を主成分とする導電膜を含んで構成されるものである。本発明において、非晶質系シリコン膜上の透明導電層を、酸化インジウムを主成分とする導電膜と酸化亜鉛を主成分とする導電膜を含んで構成し、その上に反射防止層を製膜したので、モジュール化された太陽電池セル内部へのNaイオンの拡散を防いで、光電変換効率が高く、長期間使用しても経年変化の小さいハイブリッド系太陽電池を実現することが出来る。実施の形態1.図1は本発明の太陽電池セルCを光の入射面受光面側から見た平面図であり、ほぼ等間隔で平行に配列された集電極Sと、集電極Sに接続されたバス電極Bを有している。集電極Sの配列ピッチは例えば、1mm~3mmである。セルのサイズは使用する単結晶シリコン基板で決まり、例えば一辺の長さが125mm、156mmなどの角型正方形ないし正方形に近い形状のものが使用される。図2は、実施の形態1の太陽電池100の構造を模式的に示す断面図であり、直列接続された複数の太陽電池セルCが、ガラス基板Gと保護フィルムFの間に配置され、透光性樹脂R内に封止されて、動作可能なモジュールが構成されている。図3は、実施の形態1の太陽電池セルCの構造を示す断面図であり、図1のa-a’線に沿って切断した構造を模式的に示している。n型の導電型をもつ単結晶シリコン基板1の、受光面となる主面側に、i型非晶質シリコン系薄膜層2、p型非晶質シリコン系薄膜層3が製膜されてヘテロ構造を成しており、光起電力を発生させる部分を形成している。p型非晶質シリコン系薄膜層3の上には、ITOなどの酸化インジウムを主成分とする光学的にほぼ透明な第1の導電膜6と、さらにその上に光学的にほぼ透明なAZOまたはGZOからなる第2の導電膜8が製膜されている。第1の導電膜6と第2の導電膜8を重ねた層を透明導電層を呼ぶことにする。酸化亜鉛の導電膜8はITOの導電膜6より導電率が低いものの、通電を行うのに十分な導電性を有しており、太陽電池セルの電極として機能する。透明導電層上、すなわち導電膜8の上には、反射防止層10が形成されている。反射防止層10の材料は、緻密な膜質を有することから、水分やその他の不純物を透過し難い性質を持ち、Naイオンのバリア効果を期待できる窒化珪素Si3N4ないしSiNxが好ましい。その他、反射防止層10に、窒化珪素に酸素が含まれる窒化酸化珪素SiONからなる薄膜を用いることもできる。透明導電層6には、複数の集電極S1が接続され、光起電力により生じた電流を通電する経路となる。図3においては、反射防止層10と導電膜8に溝状の開口部が形成され、その溝中に集電極S1が1本ずつ配置されており、集電極S1と導電膜6が接して電気的に接続されている。ここで、透光性樹脂RにEVA樹脂を用いると、入射光の波長500nm近辺での透光性樹脂Rの屈折率が約1.5であり、導電膜8のAZO膜の屈折率は1.8~2.0である。AZO膜は、例えば添加するAlの割合を調整することで2.0以下の屈折率を実現することができる。太陽電池セルCの反射率を低減するため、反射防止層10の屈折率は、透光性樹脂Rと導電膜8の間の値を取ることが望ましい。反射防止層10に窒化珪素を用いる場合は、プラズマCVDによる製膜時に例えばSiH4ガスとNH3ガスの流量比を調整することで屈折率を2.0以下に調整可能である。窒化酸化珪素の場合は、さらに酸素ガスを併用して製膜を行えばよく、一般的な屈折率は1.6前後である。導電膜6に、酸化錫SnO2を10wt前後添加して製膜したITOを用いると、屈折率は2.1~2.2程度となる。各層の製膜条件を調整することによって、p型非晶質シリコン系薄膜層3から、導電膜6、導電膜8、反射防止層10、透光性樹脂Rの順に屈折率が低下するようにすることができる。屈折率が段階的に変化することによって、各層の界面における屈折率差を小さくすることが出来ることから、太陽電池セルCの反射率を低減することができる。上記の例に留まらず、各層の材料を屈折率が階段状に変化するように選択すれば、各層の境界における屈折率差が小さくなるため、太陽電池セルCの主面側における反射率を低減し、表面反射による太陽光エネルギーの損失を小さくすることができる。また、階段状ではなく、連続的に屈折率が変化する傾斜材料を用いても良い。反射防止層10の形成方法は、窒化珪素の場合、一般的にSiH4やNH3ガスによるプラズマCVD法が用いられるため、製膜時に発生する水素プラズマにより、被製膜部材は強い還元作用を受ける。そのため、ITOからなる導電膜6が露出した状態で窒化珪素を製膜した場合、ITO中のインジウムが還元され、光透過率が低下して光吸収損失が増加してしまう。しかしながら、導電膜6がAZOからなる導電膜8によって被覆されていると、ITOがプラズマから遮断されて、反射防止層10の製膜中に還元されることを抑制する効果がある。すなわち、導電膜8は電極として機能するだけでなく、導電膜6の還元防止層としても機能する。反射防止層10に窒化酸化珪素を用いる場合も、窒化酸化珪素膜製膜時にSiH4が使用されるため同様の効果が得られる。結果的に、これらの反射防止層10は内部に水素を含有するものである。したがって、ITO/AZOの二層膜を用いた透明導電層は、反射防止層10の製膜プロセスに対する耐久性が高く、光吸収損失の小さい太陽電池セルCを実現する。ITO/GZOの透明導電層の場合も、これに準ずる効果を有する。以上に述べたように、実施の形態1の太陽電池セルCを用いることにより、光反射損失が小さいのみならず、光吸収損失も小さいことから、光電変換効率の高いハイブリッド型の太陽電池100を実現することが出来る。なお、図3の太陽電池セルCの裏面側受光面の反対側には、i型非晶質シリコン系薄膜層4、n型非晶質シリコン系薄膜層5、ITOからなる導電膜7、AZOもしくはGZOからなる導電膜9、反射防止層11、集電極S2が形成されている。この裏面構造により、単結晶シリコン基板1を透過した光により生じたホールが導電膜7側に拡散するのを防止するとともに、表裏対称構造によって応力を対称化して太陽電池セルCの反りを抑えている。また、裏面側から入射光がある場合には、同様に反射を抑制して変換効率を高める効果を有する。なお、n型単結晶シリコン基板1の両面には、テクスチャーが形成されていても良く、その場合、各導電膜と反射防止層のミクロな構造は、ランダムに配置されたテクスチャー構造上に形成される。以下、図3に示す実施の形態1のハイブリッド型シリコン太陽電池セルCの製造方法について説明する。まず、入射面の面方位が100で、厚みが200μm程度のn型単結晶シリコン基板1を有機溶剤、酸、アルカリ等で洗浄した後、70~90°Cに加熱した水酸化ナトリウム水溶液に浸漬して、スライス時に生じたダメージ層を除去し、純水による洗浄を行う。また、プラズマ、UV、オゾン等のドライクリーニング法や熱処理等の基板表面状態に応じた洗浄方法を用いても良い。次に、結晶シリコン基板1両面にテクスチャー構造を形成する方法として、70~90°Cに保持した水酸化カリウムKOHとイソプロピルアルコールIPAの水溶液に浸漬し、純水によるリンス洗浄を行う。その結果、基板表面がエッチングされて、凹凸の平均的な周期と高さが数μm~十数μmのテクスチャーが形成される。形成されたテクスチャー構造は、111面が露出したピラミッド型の突起がランダム配列した形状である。テクスチャー形成のためのエッチング条件は、エッチング速度が100>110及び100>111の関係になるように調整されている。アルカリ水溶液中にIPAを添加したエッチング液は、100面と110面及び111面のエッチチング速度比を増大させる作用を有する。エッチング液は、水酸化カリウムに限定されることなく、水酸化ナトリウムなど、他のアルカリ溶剤を用いてもよく、IPA以外の添加剤を用いてもよい。エッチングが終了した単結晶シリコン基板1をCVD装置へ導入し、入射面にi型非晶質シリコン層2を約5nmの厚みに製膜した後、i型非晶質シリコン層2の上にp型非晶質シリコン層3を例えば約5nm製膜する。また、裏面側にはi型非晶質シリコン層4を約5nm製膜し、i型非晶質シリコン層4上にn型非晶質シリコン層5を約15nm製膜する。これらの非晶質シリコンを製膜する前には、酸やアルカリなどを用いるウエット洗浄やプラズマ等を用いるドライ洗浄で製膜面を清浄にする処理を実施することが望ましい。続いて、主面側のp型非晶質シリコン層3上に、導電膜6としてスパッタリング法によりITO膜を50~150nmの厚みで製膜する。スパッタリングターゲットは、例えばIn2O3中にSnO2を0.5~5添加したものを用いることができる。導電膜6上に導電膜6を保護する導電膜8として、20~50nmの厚みのAZO膜をスパッタリング法により形成する。スパッタリングターゲットには、ZnOにAlを0.5wt~4wt添加したものを用いることができる。なお、ITO膜の厚みを低減し、AZO膜の厚みをITO膜と同等程度かそれ以上に厚くすることにより、希少なInを含むITOの使用量を低減することもできる。同様に、裏面側のn型非晶質シリコン層5上に、導電膜7としてスパッタリング法により酸化インジウム層を50~100nm製膜する。本実施形態の透明導電層の製膜方法として、スパッタリング法を用いたが、蒸着法、イオンプレーティング法、熱CVD法、MOCVD法、ゾルゲル法、あるいは液状にした原料を噴霧加熱する方法やインクジェット法などを用いて形成することができる。導電膜7上に、導電膜8と同様の方法で導電膜9を製膜する。次に、導電膜8上の反射防止層10として、SiNx膜ないしSiON膜を、高周波放電をプラズマ源とするプラズマCVD法を用いて製膜する。原料ガスとしては、SiH4ガスを含む混合ガス系が用いられ、例えばSiH4-N2系、SiH4-NH3系、SiH4-N2-NH3系が使用可能であり、適宜H2ガスなどで希釈されて使用される。一般に膜中の窒素含有量が減少すると屈折率が低下する。したがって、SiH4ガスに対するN2ガス、NH3ガスの供給量を調整することで屈折率を制御できる。SiON膜を製膜する際には、上記の混合ガス系にO2ガスが混合される。反射防止層10は、膜厚が数~数十nm、好ましくは40~50nmとなるように製膜される。製膜時の被製膜基板温度は300°C以下であれば良いが、より好ましくは200°C以下で製膜することが望ましい。導電膜9上の反射防止層11の製膜も同様である。次に、導電膜6と集電極S1のコンタクト部分となる複数の開口部Kを形成する。図4参照。開口部Kにおける窒化珪素/酸化亜鉛層を除去する工程としては、XeFエキシマレーザ波長353nmによるレーザ加工、レジストマスクを用いたドライエッチング、塩酸と硝酸の混合水溶液によるウエットエッチングなどを用いることが出来る。開口部Kは、50~300μm程度の幅を有するとともに所定の間隔で略平行に配置される。また、反射防止層10を形成する場合、上記開口部をマスク等で製膜されないようにする方法を用いて良い。導電膜7と集電極S2のコンタクト部分についても、同様の開口部Kを形成する。開口部Kを形成後、導電膜6、7の上に、導電ペーストをスクリーン印刷法によって櫛形電極を形成し、集電極S1、S2とした。導電ペーストは、銀などの金属粒子と樹脂バインダーなどを混練して分散させたペーストである。印刷後、シリコンのパシベーションが劣化しない範囲で200°C程度のアニールを行って、導電ペーストを固化させる。なお、集電極のアニールの温度、雰囲気によって、導電膜6、7の透過率と抵抗率は変化する。これは、アニール雰囲気やペースト中からの水分、酸素等により、膜質が変化することによるものと考えられる。図5は、実施の形態1の太陽電池セルの集電極周辺の構造例を示す断面拡大図である。この構造例では、集電極S1の幅が開口部Kより細く形成されており、集電極S1の端部周辺でわずかに導電膜6の表面が露出している。集電極S1の全幅が導電膜6に接触していることから、遮光を最小限にするため細く設計された集電極S1を用いても、電気抵抗の小さい、導通損失の少ない太陽電池セルを実現することが出来る。なお、導電膜6の露出面積は、許容されるNaイオンの拡散量と集電極S1のアライメント精度から決定される。なお、図5ではテクスチャー構造の図示は省略している。図6は、実施の形態1の太陽電池セルの集電極周辺の他の構造例を示す断面拡大図である。図6に示すように、集電極S1、S2の幅は、開口部Kより広く形成されている。開口部Kの全幅が集電極S1で被覆されていることから、集電極S1と開口部Kのアライメントに多少のずれが生じても、集電極S1が導電膜に接触する面積が低減しにくい構造である。そのため、セル内および個体間の電気抵抗のばらつきが少ない太陽電池セルを得ることが出来る。なお、集電極S1、S2は、スクリーン印刷法の他、インクジェット法、導線接着法、スプレー法等の公知技術によっても作製できる。作製した太陽電池セルCは、複数個接続した後、保護基板としてのガラス板上でEVA樹脂が充填され、裏面保護フィルムのPETフィルムを減圧下でラミネートし、太陽電池モジュールとする。実施の形態2.図7は実施の形態2の太陽電池セルの集電極周辺の構造を示す断面拡大図である。図7の太陽電池セルCは、反射防止層10の開口部の底部に導電膜8の一部が残留しているもので、例えばドライエッチング工程でエッチング時間を調整することで作製することができる。その他の構造は、実施の形態1と同様であり、基本的な構成と機能に違いはないことから、説明は省略する。導電膜8は通電を行うのに十分な導電性を有しているため、集電極S1とコンタクトすることにより、ほぼ問題なく集電極S1への導通を確保できる。また、集電極S1が開口部幅より狭い場合でも、残留する導電膜8によって、直下の導電膜6が保護されることから、高い信頼性を確保することができる。なお、図7は、集電極S1が開口部Kの全体を被覆している構成をとっているが、集電極S1の全幅が開口部K内にある構成を用いても良い。後者の場合は、露出している開口部Kから拡散するNaイオンなどの不純物を最小限にすることができる。実施の形態3.図8は、実施の形態3の太陽電池セルの反射防止層12形成後の構造を示す断面図である。単結晶シリコン基板1、i型非晶質シリコン系薄膜層2、p型非晶質シリコン系薄膜層3、透明な第1の導電膜6、透明な第2の導電膜8は実施の形態1と同様である。太陽電池セルの外観は図1と同様であり、モジュール化された太陽電池の構造は図2と同様である。実施の形態3では、導電膜8上に下地電極Tが形成されており、下地電極T形成後に反射防止層12が製膜される。反射防止層12は、実施の形態1の反射防止層10と同様の材料から成るが、製膜直後は下地電極T上にも存在する。下地電極Tは、金属微粒子を含有するペーストないしスラリーをインクとしてスクリーン印刷法やインクジェット法で形成された金属電極である。ただし、該インクは高分子バインダーや、熱硬化性樹脂などは含有しておらず、有機物のコーティングが施された金属の超微粒子が溶剤中に分散されたものである。超微粒子の直径は100nm未満で、好ましくは10nm前後であり、材料はAg、Au、Cu、Ni、Mn等である。下地電極Tは、パターン形成後、200°C程度でアニールされて金属超微粒子が焼結して完成される。したがって、下地電極Tはアニール後に有機成分をほとんど含んでおらず、反射防止層12の製膜プロセスにおいても劣化することがない。図9は、実施の形態3の太陽電池セルの集電極周辺の構造を示す断面拡大図である。図8の段階から、下地電極T直上の反射防止層12が除去され、下地電極T上に集電極S1が形成されている。下地電極Tと集電極S1は電気的に接続されて、導通路を形成している。下地電極Tの電気抵抗が十分に低い場合は、集電極S1を下地電極Tの一部分上に形成してもよい。下地電極T上の反射防止層12の除去は、例えば波長1064nmのNd:YAGレーザを用いて下地電極T上をレーザエッチングすることによって行う。その結果、下地電極T上が実施の形態1の開口部Kに相当する領域となる。図9の太陽電池セルは導電膜6が導電膜8によって保護されていることから、実施の形態1と同様に、モジュール化された後のセル内部にNaイオンが拡散することを防止し、長期間使用しても経年変化の小さいハイブリッド系太陽電池を実現するものである。なお、上記の説明では、反射防止層10、11はプラズマCVD法により製膜されることを前提として説明したが、スパッタリング法で製膜される場合においても類似の効果を期待することが出来る。すなわち、AZOないしGZOを主成分とする導電膜8によって、プラズマ中の励起された分子および加速されて被製膜基板に入射するイオンなどによるITO膜の損傷を防ぎ、モジュール化された太陽電池内部へのNaイオン等の不純物拡散を抑制することができる。以下、上記実施の形態に基づく具体的な実施例について説明する。実施例1.上記の実施の形態の構成を用いた太陽電池セルとして、集電極S1周辺が図5の構造をもつセルを作製した。集電極S1の幅が開口部Kより細く形成され、開口部Kの幅は150±5μm、集電極S1の幅は100±10μmであった。導電膜6のITOの膜厚みは50nm、導電膜8のAZO膜は30nm、合計の膜厚みは80nmとし、いずれもスパッタリング法で形成した。反射防止層10は膜厚み40nmの窒化珪素膜をプラズマCVD法で形成した。集電極S1のピッチは2mmとした。裏面の集電極S2周辺構造も同様とした。評価用モジュールは、ガラス板上でEVA樹脂を充填し、裏面にPETフィルムをラミネーターでラミネートして封止した。実施例2.さらに、図6に示された、集電極S1、S2の幅が開口部Kより広くなる構造のセルを作製した。具体的には、開口部Kの幅は実施例1と同じで、集電極S1、S2の幅を200±10μmとした。それ以外は実施例1と同様にして太陽電池モジュールを作製した。集電極S1、S2の幅が広いため、開口部Kの全幅が集電極S1、S2で被覆された構造となった。比較例.セルに反射防止層と酸化亜鉛層を形成せず、導電膜6と集電極S1および導電膜7と集電極S2のコンタクト部分となる複数の開口部Kを作製しない以外は実施例1と同様にして、太陽電池モジュールを作製した。上記の実施例の太陽電池モジュールについて、ソーラーシミュレータにより初期の出力特性を測定したところ、比較例の太陽電池モジュールに比べ、実施例1では、短絡電流が2増加し、実施例2では1増加した。この結果から、実施例1の反射防止層10の効果により、光利用効率が高まったと推考できる。また、実施例2は集電極S1が広いため、実施例1に比べて光利用率が低下した影響が現れたと推考できる。さらに、比較例では、集電極S1に用いられる導電ペーストを固化するためのアニール工程において、導電膜6が高温雰囲気下で酸素や水蒸気に暴露されることから、導電膜6の導電率が低下することがあり、その影響が重畳されていると考えられる。次に、太陽電池モジュールの温湿度環境試験による信頼性の評価を行った。信頼性の評価に用いた試料は、ソーダライムガラス上でセルをEVA樹脂で封止しただけの簡易構造を用い、温湿度サイクル試験を行った。耐湿試験の条件はJISC8917に従い、恒温恒湿漕を温度85°C、湿度85の条件とし、漕中に一定時間保管してからそれぞれ試料の出力を測定し、測定後、漕中に再投入することを繰り返す試験を行った。図10は、上記の太陽電池セルの1,000時間の環境試験の結果を示すグラフである。図10から、実施例1、2の太陽電池モジュールは、比較例の太陽電池モジュールに比べ、曲線因子の変化が少なく、耐温湿度環境の信頼性が向上していることがわかった。この結果から、実施の形態1の太陽電池セルCは、ガラス板Gに含まれるNaイオンなどの不純物がセル内部に侵入することによる特性劣化が小さいと推考され、実施例2の構造が最も信頼性に優れていると考えられる。このように、実施例1、2の構造により、短絡電流増加による変換効率の向上や信頼性向上に対して有効であることが分かった。したがって、実施の形態1の太陽電池セルCは、モジュール化された後のセル内部にNaイオンが拡散することを防止し、セルの特性劣化を防いで、光電変換効率が高いのみならず、長期間使用しても経年変化の小さいハイブリッド系太陽電池100を実現するものである。"