"インクの液滴を基材に向かって順次吐出して前記基材上にパターンを形成するパターン形成方法であって、前記基材上の所定位置に向かって第1のレーザ光を照射して前記所定位置を加熱する第1の工程と、前記液滴を前記所定位置に向かって吐出する第2の工程と、飛翔中の前記液滴に向かって第2のレーザ光を照射して前記液滴を加熱する第3の工程と、を備えており、前記第1のレーザ光の波長と、前記第2のレーザ光の波長と、が相違していることを特徴とするパターン形成方法。請求項1に記載のパターン形成方法であって、前記第1のレーザ光の波長は、前記インクに対する吸収率よりも前記基材に対する吸収率の方が高い波長であり、前記第2のレーザ光の波長は、前記基材に対する吸収率よりも前記インクに対する吸収率の方が高い波長であることを特徴とするパターン形成方法。請求項1又は2に記載のパターン形成方法であって、前記第2のレーザ光のパワー密度は、前記第1のレーザ光のパワー密度よりも相対的に低いことを特徴とするパターン形成方法。インクの液滴を基材に向かって順次吐出して前記基材上にパターンを形成するパターン形成装置であって、前記基材上の所定位置に向かって第1のレーザ光を照射して前記所定位置を加熱する第1のレーザ照射手段と、前記液滴を前記所定位置に向かって吐出する液滴吐出手段と、飛翔中の前記液滴に向かって第2のレーザ光を照射して前記液滴を加熱する第2のレーザ照射手段と、を備えており、前記第1のレーザ光の波長と、前記第2のレーザ光の波長と、が相違していることを特徴とするパターン形成装置。請求項4に記載のパターン形成装置であって、前記第1のレーザ光の波長は、前記インクに対する吸収率よりも前記基材に対する吸収率の方が高い波長であり、前記第2のレーザ光の波長は、前記基材に対する吸収率よりも前記インクに対する吸収率の方が高い波長であることを特徴とするパターン形成装置。請求項4又は5に記載のパターン形成装置であって、前記第2のレーザ光のパワー密度は、前記第1のレーザ光のパワー密度よりも相対的に低いことを特徴とするパターン形成装置。しかしながら、樹脂材料等の比較的融点の低い材料で基板を構成すると、着弾した液滴が固化する温度まで基板を十分に加熱することができない場合がある。そのため、液滴を迅速に乾燥させることができず、微細なパターンを形成することが困難であるという問題があった。本発明が解決しようとする課題は、微細なパターンを形成することが可能なパターン形成方法およびパターン形成装置を提供することである。[1]本発明に係るパターン形成方法は、インクの液滴を基材に向かって順次吐出して前記基材上にパターンを形成するパターン形成方法であって、前記基材上の所定位置に向かって第1のレーザ光を照射して前記所定位置を加熱する第1の工程と、前記液滴を前記所定位置に向かって吐出する第2の工程と、飛翔中の前記液滴に向かって第2のレーザ光を照射して前記液滴を加熱する第3の工程と、を備えており、前記第1のレーザ光の波長と、前記第2のレーザ光の波長と、が相違していることを特徴とする。[2]上記発明において、前記第1のレーザ光の波長は、前記インクに対する吸収率よりも前記基材に対する吸収率の方が高い波長であり、前記第2のレーザ光の波長は、前記基材に対する吸収率よりも前記インクに対する吸収率の方が高い波長であってもよい。[3]上記発明において、前記第2のレーザ光のパワー密度は、前記第1のレーザ光のパワー密度よりも相対的に低くてもよい。[4]また、本発明に係るパターン形成装置は、インクの液滴を基材に向かって順次吐出して前記基材上にパターンを形成するパターン形成装置であって、前記基材上の所定位置に向かって第1のレーザ光を照射して前記所定位置を加熱する第1のレーザ照射手段と、前記液滴を前記所定位置に向かって吐出する液滴吐出手段と、飛翔中の前記液滴に向かって第2のレーザ光を照射して前記液滴を加熱する第2のレーザ照射手段と、を備えており、前記第1のレーザ光の波長と、前記第2のレーザ光の波長と、が相違していることを特徴とする。[5]上記発明において、前記第1のレーザ光の波長は、前記インクに対する吸収率よりも前記基材に対する吸収率の方が高い波長であり、前記第2のレーザ光の波長は、前記基材に対する吸収率よりも前記インクに対する吸収率の方が高い波長であってもよい。[6]上記発明において、前記第2のレーザ光のパワー密度は、前記第1のレーザ光のパワー密度よりも相対的に低くてもよい。なお、上記発明において、前記パターン形成装置は、前記基材を前記液滴吐出手段に対して相対移動させる移動手段を備えてもよい。本発明によれば、基材上の所定位置を第1のレーザ光によって予め加熱しておくと共に、飛翔中の液滴を第2のレーザ光によって加熱するので、微細なパターンを形成することが可能となる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1は本発明の実施形態におけるパターン形成装置の概要を示す全体構成図、図2は図1のII部の拡大図である。本実施形態におけるパターン形成装置10は、インクの液滴120を基材100に向かって順次吐出して基材100上に配線パターン110を形成する、いわゆるインクジェット方式の印刷装置である。このパターン形成装置10は、図1に示すように、ステージ20と、インクジェットヘッド30と、第1のレーザ照射装置40と、第2のレーザ照射装置50と、温度センサ60と、制御装置70と、を備えている。ステージ20は、配線パターン110が形成される基材100を保持する保持面21を有している。この保持面21には、例えば静電チャックが設けられており、保持面21上に載置された基材100を吸着することが可能となっている。また、このステージ20は、例えば、特に図示しないボールネジ機構によって、図中のXY平面上を移動することが可能となっている。なお、静電吸着に代えて、真空吸着や粘着等によって保持面21が基材100を保持してもよい。基材100が薄くて柔軟性に富む場合には、基材100の全面を固定することが好ましい。また、ステージ20を透明な材料で構成して、後述する第1及び第2のレーザ光L1,L2のどちらか一方または両方を、ステージ20を介して基材100の裏面に向かって照射してもよい。因みに、本実施形態における基材100は、ポリイミドPI樹脂で構成されたフィルムである。なお、基材100を構成する材料は、特にこれに限定されず、例えば、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレートPET樹脂、ポリエチレンナフタレートPEN樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマーLCP等の樹脂材料を用いてもよい。また、金属材料や半導体材料で基材100を構成してもよい。金属材料としては、例えば、アルミニウム、銅、金、半田等を例示することができる。また、半導体材料としては、例えば、シリコン、シリコンカーバイト、ガリウム砒素、ガリウムナイトライド等を例示することができる。また、例えば、アルミナ等のセラミックスや石英ガラス等で、基材100を構成してもよい。インクジェットヘッド30は、ステージ20の保持面21に対向したノズル31を有している。特に図示しないが、このノズル31は、インクが充填された微小な圧力室に連通しており、この圧力室内に大きな圧力を発生させることで、インクの液滴120をノズル31の開口32を介して基材100に向かって吐出することが可能となっている。なお、このインクジェットヘッド30の圧力発生方式としては、ピエゾ方式、バブル方式、或いは静電吸引方式のいずれを用いてもよい。ノズル31から吐出されるインク液滴120の径は、配線パターン110の最小幅に対して0.1~2.0倍程度であり、具体的には、10~150[μm]、好ましくは50~100[μm]である。また、インク液滴120を、当該液滴120の径に対して0.25~5.0倍の間隔で、基材100上に着弾させることで、配線パターン110が途切れてしまうのを防止することができる。因みに、本実施形態におけるインクは、銀ナノ粒子を有機溶媒中に分散させたものである。なお、本発明におけるインクは、導電性材料、半導体材料、絶縁性材料等の機能性材料を含有していれば、特にこれに限定されない。ここで、導電性材料としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、ビスマス、鉛、インジウム、錫、亜鉛、チタン、及びアルミニウムの群からなる金属種群のうちの何れか一種若しくは二種以上の金属、又は、前記金属種群のうちの何れか二種以上の金属からなる合金等を例示することができる。また、前記金属種群のうちの何れか一種若しくは二種以上の金属の酸化物を含む無機物を用いてもよいし、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール等の導電性ポリマーのモノマーやオリゴマーを用いてもよい。また、絶縁性材料としては、例えば、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等を例示することができる。また、半導体材料として、例えば、シリコンSiなどの無機半導体や、ジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェンC8-BTBTなどの有機半導体を用いてもよい。さらに、機能性材料として、例えば、液晶パネルの配向膜やカラーフィルタ材料をインクが含有してもよいし、例えば、DNAやタンパク質等のバイオマテリアル、薬剤等をインクが含有してもよい。なお、導電性材料が金属の場合には、金属無機塩や有機金属錯体を有機溶媒中に分散させてもよい。第1のレーザ照射装置40は、第1のレーザ発振器41と、第1のミラー42と、第1のレンズ43と、を有している。なお、第1のレーザ照射装置40の光学系の構成やレイアウト等は、特にこれに限定されない。第1のレーザ発振器41は、例えば、10.5[μm]の波長の第1のレーザ光L1を発振することが可能な炭酸ガスCO2レーザ発振器である。第1のレーザ発振器41から出射された第1のレーザ光L1は、第1のミラー42で反射された後に、第1のレンズ43で集光されて、図2に示すように、基材100上の所定位置着弾予定位置Pnに照射される。この基材100上の所定位置Pnは、基材100上において、インクジェットヘッド30から吐出されたインク液滴120が着弾する予定の位置であり、配線パターン110の描画方向においてインク液滴120が着弾する最新の着弾位置Pn-1よりも、0.1~2[mm]程度上流側同図における左方向の位置である。基材100上におけるこの着弾予定位置Pnは、第1のレーザ光L1の照射によって、インクの液滴120が着弾する前に予め加熱される。第2のレーザ照射装置50も、第2のレーザ発振器51と、第2のミラー52と、第2のレンズ53と、を有している。なお、第2のレーザ照射装置50の光学系の構成やレイアウト等は、特にこれに限定されない。第2のレーザ発振器51は、例えば、エルビウムEr、イッテルビウムYb、或いはツリウムTm等を光ファイバにドーピングしたファイバレーザ発振器であり、532[nm]の波長の第2のレーザ光L2を発振することが可能となっている。なお、第2のレーザ発振器51として、ファイバレーザ発振器に代えて、355[nm]の波長のレーザ光を発振するYAGレーザ発振器やYVO4レーザ発振器であってもよいし、或いは、300~600[nm]の波長のレーザ光を発振するエキシマレーザ発振器を用いてもよい。第2のレーザ発振器51から出射された第2のレーザ光L2は、第2のミラー52で反射された後に、第2のレンズ53で集光されて、図2に示すように、基材100上におけるインク液滴120の最新着弾位置Pn-1と、描画方向において最新着弾位置Pn-1よりも下流側図2における右方向の部分と、を含む領域に照射される。このため、この第2のレーザ光L2は、同図に示すように、インクジェットヘッド30のノズル31から基材100に向かって飛翔するインク液滴120の経路の一部を照射している。なお、基材100上における第2のレーザ光L2の照射位置は、当該第2のレーザ光L2が飛翔中のインク液滴120を照射可能であれば特に限定されない。例えば、第2のレーザ光L2が、基材100上において、インク液滴120の着弾位置Pn-1のみを照射してもよいし、当該着弾位置Pn-1よりも下流側の部分のみを照射してもよい。なお、この第2のレーザ光L2によるインクの液滴120の加熱は、当該液滴120の溶媒が突沸しない程度に抑制する必要がある。そのため、本実施形態では、第2のレーザ光L2のパワー密度を、第1のレーザ光L1のパワー密度に対して1/1~1/20程度に設定している。ここで、基材100を構成する樹脂材料の多くは、波長が3~20[μm]の帯域に吸収ピークを有している。一方、銀インクの粒子径が5~15[nm]の場合、波長が300~600[nm]の帯域に、局在表面プラズモン共鳴LSPR:LocalizedSurfacePlasmonResonanceに起因する吸収帯が現れる。そのため、本実施形態では、第1のレーザ光L1波長:10.5[μm]は、インクの液滴120よりも基材100に吸収されやすくなっているのに対し、第2のレーザ光L2波長:532[nm]は、基材100よりもインクの液滴120に吸収されやすくなっている。すなわち、本実施形態では、第1のレーザ光L1の波長は、インクに対する吸収率よりも基材100に対する吸収率の方が高い波長となっているのに対し、第2のレーザ光L2の波長は、基材100に対する吸収率よりもインクに対する吸収率の方が高い波長となっており、第1のレーザ光L1の波長が、第2のレーザ光L2の波長に対して相対的に大きくなっている。なお、基材が透明な樹脂基板である場合には、当該透明樹脂基板に多く吸収される380[nm]以下の波長のUVレーザを、第1のレーザ光L1として用いる必要がある。このため、金属ナノ粒子を含有するインクを透明な樹脂基材に印刷する場合には、第1のレーザ光L1の波長が第2のレーザ光L2の波長に対して相対的に小さくなる。温度センサ60は、例えばサーモグラフィ等から構成されており、基材100上の着弾予定位置Pnの温度を非接触で計測することが可能となっている。この温度センサ60は制御装置70に接続されており、制御装置70は、温度センサ60の計測結果に基づいて、基材100上の着弾予定位置Pnの温度が目標温度範囲に内包されるように、ステージ20、インクジェットヘッド30、及びレーザ照射装置40,50を制御する。制御装置70は、例えば、CPU、ROM、RAM、及び各種インタフェース等を備えたコンピュータから構成されており、基材100に形成する配線パターン110の形状座標情報が予め記憶されている。この制御装置70は、所定のプログラムを実行することで、基材100上に配線パターン110を形成するように、ステージ20、インクジェットヘッド30、及びレーザ照射装置40,50を制御する。なお、レーザ照射装置の構成は上記に特に限定されない。図3は本発明の実施形態におけるパターン形成装置の他の構成を示す図である。図3に示す例では、レーザ照射装置80は、レーザ発振器81と、回折格子82と、第1のミラー83と、第1のレンズ84と、第2のミラー85と、減光フィルタ86と、第3のミラー87と、第2のレンズ88と、を有している。レーザ発振器81は、二種類の異なる波長のレーザ光を発振することが可能な2波長レーザ発振器である。この2波長レーザ発振器81は、活性層が異なる発光共振部を隣接してワンチップ内に形成したものであり、活性層の構造を変更することで波長を任意に変更することが可能となっている。本例におけるレーザ発振器81は、波長が785[nm]の近赤外域のレーザ光と、波長が405[nm]の青紫域のレーザ光と、を発振する半導体レーザ発振器であり、前者を第1のレーザ光L1として使用し、後者を第2のレーザ光L2として使用する。このレーザ発振器81によって発振されたレーザ光は、回折格子82によって第1のレーザ光L1と第2のレーザ光L2に分割される。そして、第1のレーザ光L1は、第1のミラー83で反射された後に、第1のレンズ84で集光されて、基材100上の着弾予定位置に照射される。一方、第2のレーザ光L2は、第2のミラー85で反射され、減光フィルタ86を通過し、第3のミラー87で再度反射された後に、第2のレンズ88で集光されて、基材100上におけるインク液滴120の最新の着弾位置と、描画方向における最新着弾位置よりも下流側の部分と、を含む領域に照射される。なお、本例では、第2のレーザ光L2が減光フィルタ86を通過することで、第2のレーザ光L2のパワー密度が、第1のレーザ光L1のパワー密度に対して相対的に低くなる。なお、回折格子82を介在させずに、レーザ発振器81に出射口を2つ設けて、それぞれの出射口から第1のレーザ光L1と第2のレーザ光L2とを別々に出射してもよい。また、レーザ発振器81として、上述の2波長半導体レーザ発振器に代えて、波長が1064[nm]の近赤外域のレーザ光と、波長が532[nm]のグリーン域のレーザ光と、を発振するファイバレーザ発振器を用いてもよい。このファイバレーザ発振器では、先ず、1064[nm]のレーザ光を発振させ、ビームスプリッタによって分割した一方のレーザ光を第1のレーザ光L1として出射すると共に、他方のレーザ光を非線形光学結晶に入射させ第二高調波を発生させて第2のレーザ光L2として出射する。なお、この場合の第2のレーザ光L2は、第二高調波に特に限定されず、第三高調波等のより高次の高調波のレーザ光であってもよい。次に、本実施形態における配線パターンの形成方法について、図4及び図5a~図5dを参照しながら説明する。図4は本発明の実施形態における配線パターンの形成方法のフローチャート、図5a~図5dは図4の各ステップを示す図である。先ず、図4のステップS11において、図5aに示すように、第1のレーザ照射装置40によって基材100に向かって第1のレーザ光L1を照射することで、基材100上の着弾予定位置Pnを加熱する。この際、上述のように、第1のレーザ光L1の波長は、基材100に対する吸収率の高い波長であるので、第1のレーザ光L1が基材100に効率的に吸収され、これにより基材100が加熱される。次いで、図4のステップS12において、図5bに示すように、ステージ20を図中右側に向かって所定量移動させることで、基材100をインクジェットヘッド30に対して相対移動させて、先のステップS11で予熱された着弾予定位置Pnをインクジェットヘッド30のノズル31に対向させる。次いで、図4のステップS13において、図5cに示すように、インクジェットヘッド30が、基材100上の最新着弾位置Pnに向かって、インクの液滴120を吐出する。インクジェットヘッド30のノズル31から吐出されたインク液滴120は、図4のステップS14において、飛翔する間に第2のレーザ光L2内を通過する。この際、上述のように、第2のレーザ光L2の波長は、インクに対する吸収率が高い波長となっているので、第2のレーザ光L2が飛翔中のインク液滴120に効率的に吸収され、これにより当該液滴120が加熱される。インクジェットヘッド30のノズル31から吐出されたインク液滴120は、第2のレーザ光L2内を通過した後、図5dに示すように、基材100上における最新着弾位置Pnに着弾する。この際、第1のレーザ光L1によって基材100が予熱されていると共に、第2のレーザ光L2によってインク液滴120も予熱されているので、基材100上への着弾直後からインクの乾燥が始まる。このため、基材100上でのインクの濡れ広がりが抑制され、所謂コーヒーステイン現象が抑制されるので、微細な配線パターンを形成することが可能となる。なお、図4のステップS12におけるステージ20の移動によって、基材100上における次の着弾予定位置Pn1が第1のレーザ光L1の照射位置に移動するので、ステップS13~S14が行われる間中、第1のレーザ光L1によって当該着弾予定位置Pn1が予熱される。以上に説明したステップS10の描画工程を繰り返すことで配線パターン110を全て描画し終えたら、図4のステップS20において、基材100をオーブンに投入して80°Cでインクを乾燥させる。次いで、図4のステップS30において、当該基材100上の配線パターン110に対して、窒素雰囲気下で250°Cの加熱処理を行うことでインクを焼結させる。このように配線パターン110が形成された基材100は、例えば、フレキシブルプリント配線板等として使用される。以上のように、本実施形態では、第1のレーザ光L1による基材100の予熱に加えて、第2のレーザ光L2によってインク液滴120を予熱するので、基材100を比較的融点の低い樹脂材料で構成した場合に、第1のレーザ光L1による基材100の加熱を弱めても、インク液滴120の予熱によってその不足分を補うことができる。そのため、基材100上でのインクの濡れ広がりが抑制され、微細な配線パターン110を形成することが可能となると共に、第1のレーザ光L1によって基材100が損傷するのを抑制することができる。特に、本実施形態では、第1のレーザ光L1の波長が、インクに対する吸収率よりも基材100に対する吸収率の方が高い波長であるので、第1のレーザ光L1によって基材100を効率的に加熱することができると共に、この第1のレーザ光L1によってインク液滴120を加熱してしまうのを防止することができる。また、本実施形態では、第2のレーザ光L2の波長が、基材100に対する吸収率よりもインクに対する吸収率の方が高い波長であるので、第2のレーザ光L2によってインクの液滴120を効率的に加熱することができると共に、この第2のレーザ光L2によって基材100を加熱してしまうのを防止することができる。また、本実施形態では、第2のレーザ光L2のエネルギ密度が、第1のレーザ光L1のエネルギ密度よりも相対的に低くなっているので、インク液滴120の溶媒の突沸を防止することができる。なお、本実施形態における図4のステップS11が本発明における第1の工程の一例に相当し、本実施形態における図4のステップS13が本発明における第2の工程の一例に相当し、本実施形態における図4のステップS14が本発明における第3の工程の一例に相当する。また、本実施形態における第1のレーザ光L1が本発明における第1のレーザ光の一例に相当し、本実施形態における第2のレーザ光L2が本発明における第2のレーザ光の一例に相当する。また、本実施形態におけるインクジェットヘッド30が本発明における液滴吐出手段の一例に相当し、本実施形態における第1のレーザ照射装置40が本発明における第1のレーザ照射手段の一例に相当し、本実施形態における第2のレーザ照射装置50が本発明における第2のレーザ照射手段の一例に相当する。なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。例えば、本発明の実施形態に係るパターン形成方法は、フレキシブルプリント配線板の配線パターンの形成の他、リジッドプリント配線板やフレックスリジッドプリント基板の配線パターンの形成、多層プリント配線板や部分多層プリント配線板の各層の配線パターンの形成、チップとメイン基板との間に介在するインタポーザの配線パターンの形成、DNAやタンパク質などのバイオマテリアルや薬剤を含むインクによるパターンの形成等に用いることができる。"