容器1内に、炭化珪素原料2と種結晶となる炭化珪素単結晶基板3を配置し、前記炭化珪素原料2を加熱昇華させて前記炭化珪素単結晶基板3上に炭化珪素単結晶4を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、前記容器1は、一面が開口しており内部に前記炭化珪素原料2が配置される中空形状の本体1aと、前記本体1aの前記開口する一面側に配置される蓋材1bと、前記炭化珪素単結晶基板3が配置される台座5とを備え、前記蓋材1bと前記台座5とが別部材で構成され、前記台座5が接合部材6、8、9を介して前記蓋材1bに貼り合わされた構成とされ、さらに、前記蓋材1bと前記台座5との間に薄板状の緩衝材7が配置されており、該緩衝材7の両面に前記接合部材8、9が配置されることで、前記緩衝材7および前記接合部材8、9を介して前記蓋材1bに前記台座5が貼り合わされていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。前記蓋材1bには凹部1cが形成されており、該凹部1c内に前記緩衝材7および前記接合部材8、9が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。前記凹部1cの深さよりも前記緩衝材7および前記接合部材8、9の厚みの方が厚くなっていることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。しかしながら、特許文献1に示すように、従来のSiC単結晶の製造装置は蓋材に台座を一体形成した構成となっているため、SiC単結晶基板の表面上にSiC単結晶が成長するのと同時に、SiC単結晶基板が設置してある以外の蓋材の他の部分にはSiC多結晶が成長してしまい、結晶成長が終了後の冷却過程において、SiC多結晶と蓋材の熱膨張係数が異なり、なおかつ蓋部の下側にだけSiC多結晶が付着するため、蓋材がそったり、ひびが入ったりという変形を生じ、その応力の影響を受け、成長させるSiC単結晶の品質を劣化させるという問題がある。特許文献2では、SiC単結晶基板を接着する台座部分緩衝部材を薄くすることで、SiC単結晶基板とSiC単結晶に応力がかからないようにしている。SiC単結晶の成長長さが小さいうちは、この方法でも効果を発揮していたが、SiC単結晶を長く成長させればさせるほど、SiC単結晶の重みにより台座部分が薄いことで台座部分の変形量が多くなりすぎてしまい、その影響でSiC単結晶基板も変形して、成長させるSiC単結晶の品質を劣化させるという問題がある。本発明は上記点に鑑みて、蓋材の変形によりSiC単結晶の品質が劣化してしまうことを抑制することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明では、容器1内に、SiC原料2と種結晶となるSiC単結晶基板3を配置し、SiC原料2を加熱昇華させてSiC単結晶基板3上にSiC単結晶4を成長させるSiC単結晶の製造装置において、容器1を、一面が開口しており内部にSiC原料2が配置される中空形状の本体1aと、本体1aの開口する一面側に配置される蓋材1bと、SiC単結晶基板3が配置される台座5とを備えた構成とし、蓋材1bと台座5とが別部材で構成され、台座5が接合部材6、8、9を介して蓋材1bに貼り合わされた構成とすることを特徴としている。このように、台座5を蓋材1bと別部材で構成している。このため、SiC単結晶基板3の表面上にSiC単結晶4が成長するのと同時に、SiC単結晶基板3が設置してある以外の蓋材1bの他の部分にはSiC多結晶11が成長してしまい、SiC多結晶11と蓋材1bの熱膨張係数が異なり、なおかつ蓋部1bの下側にだけSiC多結晶11が付着するため、SiC単結晶4の結晶成長後の冷却過程において、蓋材1bがそったり、ひびが入ったりという変形が生じたとしても、接合部材6を介して蓋材1bに貼り合わされた台座5にはその影響がほとんど伝わらない。台座5の周囲にもSiC多結晶11は成長するが、ほぼ均等に台座5はSiC多結晶11により圧縮されるか、もしくは引っ張られるだけなので、台座部分の変形には至らない。したがって、SiC単結晶基板3に成長するSiC単結晶4を高品質で長尺に成長させることが可能となる。また、蓋材1bと台座5との間に薄板状の緩衝材7を配置し、該緩衝材7の両面に接合部材8、9を配置することで、緩衝材7および接合部材8、9を介して蓋材1bに台座5が貼り合わされた構造としている。このように、緩衝材7を介して台座5を蓋材1bに貼り合わせることもでき、緩衝材7によってより結晶成長後の蓋材1bの変形による影響が台座5に伝わり難くなるようにできる。したがって、SiC単結晶基板3に成長するSiC単結晶4をより高品質で長尺に成長させることが可能となる。この場合にも、蓋材1bに凹部1cを形成し、該凹部1c内に緩衝材7および接合部材8、9を配置することができる。また、この場合、凹部1cの深さよりも緩衝材7および接合部材8、9の厚みの方が厚くなるようにすれば、蓋材1bと台座5とが接触しないようにできるため、より結晶成長後の蓋材1bの変形による影響を抑制することが可能となる。また、台座5の外周部に接合部材10を介して緩衝材7を配置することにより、蓋材1bの下側に成長するSiC多結晶11の影響をより抑制することが可能となる。なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。参考形態本発明の参考形態について説明する。図1は、本参考形態にかかるSiC単結晶の製造装置を用いてSiC単結晶を成長させている様子を示した断面図である。図1に示すように、SiC単結晶の製造装置の容器として円筒状の黒鉛製るつぼ1が用いられている。黒鉛製るつぼ1は、黒鉛製るつぼ1の底部に備えられたSiC原料粉末SiC原料2を加熱することによって昇華させ、相対的に低温な種結晶である厚さ1mmのSiC単結晶基板3上にSiC単結晶4を結晶成長させるものである。この黒鉛製るつぼ1は、上面が開口している有底円筒状のるつぼ本体1aと、るつぼ本体1aの開口部を塞ぐ蓋材1bとを備えて構成されている。この黒鉛製るつぼ1を構成する蓋材1bの中央部には、円形状に凹まされた凹部1cが形成され、この凹部1c内にカーボン接着剤等で構成される接合部材6を介して円柱形状を為した台座5が貼りあわされている。凹部1cの径寸法よりも台座5の径寸法が若干小さくされており、台座5が凹部1c内に所定量嵌め込まれる構造になっている。台座5は、SiCと熱膨張係数がほぼ同等な材料にて構成されており、例えば等方性黒鉛材料にて構成されている。台座5をこのような材質とすることにより、結晶成長時に台座5と種結晶となるSiC単結晶基板3との間の熱膨張係数差に起因する応力の発生を抑制することが可能となる。また台座5の形状は円柱形状であり、厚さは30mmである。台座5をこのような強固な形状とすることにより、SiC単結晶4の結晶成長時の重みによる台座5の変形を抑制することが可能となる。また台座5は剛体であり、SiC単結晶4の結晶成長時の重みにより、さらに台座5の変形を抑制することが可能となる。このように、蓋材1bと台座5とを異なる部材として構成して接合部材6を介しているため、結晶成長後の冷却過程において蓋材1bの変形による影響が台座5に伝わり難くなるようにできる。なお、台座5と黒鉛製の蓋材1bとは同一の材質でも異なる材質でも、どちらにしても、結晶成長後の冷却過程において黒鉛製の蓋材1bはSiC多結晶の成長により変形してしまうため、応力が発生し得るが、接合部材6によりその応力を緩和することが可能となる。すなわち、接合部材6は、カーボン接着剤等で構成されるが蓋材1bを構成する黒鉛引張強度:25~40MPaと比べて若干柔らかい材質引張強度:5~20MPa。液体状のカーボン接着剤は数100°Cで加熱処理をすることで硬化して接着剤としての機能を果たすが、その加熱処理の際、有機溶剤が蒸発し、有機溶剤が蒸発する過程で生じた通り道が空隙となるため、固化した接着剤は原子同士の結合が通常の黒鉛より弱くなるであるため、結晶成長後の蓋材1bが大きく反ったとしても、その反りの影響を接合部材6の緩衝により緩和できる。このような接合部材6の厚みは任意である。一方、黒鉛製るつぼ1の外部には、黒鉛製るつぼ1の外周を囲むように誘導コイル等の図示しない加熱装置が備えられており、この加熱装置のパワーを制御することにより、黒鉛製るつぼ1内の温度を制御できるように構成されている。例えば、SiC単結晶4を結晶成長させる際には、この加熱装置のパワーを調節することによって種結晶であるSiC単結晶基板3の温度がSiC原料粉末2の温度よりも100°C程度低温に保たれるようにすることができる。なお、図示しないが、黒鉛製るつぼ1は、アルゴンガスが導入できる真空容器の中に収容されており、この真空容器内で加熱できるようになっている。このように構成されたSiC単結晶の製造装置を用いたSiC単結晶の製造工程について説明する。まず、SiC原料粉末2を黒鉛製るつぼ1の本体1aの底面側に配置すると共に、蓋材1bに接合部材6を介して貼りあわされた台座1cに種結晶であるSiC単結晶基板3を貼り付ける。そして、蓋材1bを本体1aに取付け、黒鉛製るつぼ1を図示しない真空容器内に収容し、真空容器内をアルゴンガス雰囲気にする。その後、図示しない加熱装置にて、SiC原料粉末2の温度を2000~2500°Cに加熱し、加熱装置の調節等により、SiC単結晶基板3の温度がSiC原料粉末2の温度よりも低くなるように、黒鉛製るつぼ1内に温度勾配を設ける。次に、真空容器の真空度を調整することで黒鉛製るつぼ1内の圧力を13.3Pa~26.7kPaとして、昇華法成長を開始すると、SiC原料粉末2が昇華して昇華ガスとなり、SiC単結晶4に到達し、SiC原料粉末2側よりも相対的に低温となるSiC単結晶基板3の表面上にSiC単結晶4が成長する。この後は、SiC原料粉末2の減少量が一定となるようにさせつつ、SiC単結晶4を結晶成長させる。例えば、加熱装置のパワーを調整することにより黒鉛製るつぼ1内の温度分布を調整することができる。このようにすることで、るつぼ1内の珪素/炭素比を安定化させることができる。このSiC単結晶4の成長中に、結晶成長後の冷却過程において蓋材1bが変形したとしても、蓋材1bと台座5とを別部材にて構成しているため、接合部材6を介して蓋材1bに貼り合わされた台座5にはその影響があまり伝わらない。さらに、台座5も加熱により熱膨張することになるが、台座5の熱膨張係数がSiCの熱膨張係数とほぼ同じになるように台座5の材料を選択しているため、SiC単結晶基板3は台座5の熱膨張係数の影響を殆ど受けないで済む。したがって、SiC単結晶基板3に成長するSiC単結晶4を高品質で30mmの長さに長尺に成長させることが可能となる。以上説明したように、本参考形態では、台座5を蓋材1bと別部材で構成することにより、SiC単結晶基板3に成長するSiC単結晶4を高品質で長尺に成長させることができる。そして、さらに台座5の材料として熱膨張係数がSiCの熱膨張係数とほぼ同じになるものを選択することにより、よりSiC単結晶4を高品質で長尺に成長させることが可能となる。第1実施形態本発明の第1実施形態について説明する。本実施形態は、参考形態に対してSiC単結晶の製造装置の構成を変更したものであり、その他に関しては参考形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。図2は、本実施形態にかかるSiC単結晶の製造装置を用いてSiC単結晶を成長させている様子を示した断面図である。蓋材1bの中央部に形成された円形状の凹部1c内に緩衝材7が配置されている。そして、この緩衝材7に台座5が貼り合わされている。緩衝材2は、例えばカーボンシート引張強度:約5MPaにより構成されており、黒鉛製の蓋材1bの熱膨張による影響が台座5に伝わることを緩和する機能を果たす。緩衝材7は、凹部1cの形状と対応する円形薄板状とされており、その両側にカーボン接着剤等で構成される接合部材8、9が配置されることで、接合部材8、9を介して蓋材1bに貼り合わされていると共に、接合部材8、9を介して台座5に貼り合わされている。この緩衝材7の径寸法は、凹部1cの径寸法よりも若干小さくされており、台座5の径寸法とほぼ同等にされている。このように、台座5が緩衝材2および両接合部4、5を介して蓋材1bに固定され、台座5が蓋材1bから突き出した構造とされている。なお、緩衝材7の厚みに特に制限は無いが、厚めにすれば弾性変形量を大きくできるため、より蓋材1bの変形による影響が台座5に伝わり難くなるようにできる。緩衝材7および接合部材8、9の厚みが凹部1cの深さよりも大きくなるようにすることで、緩衝材7および接合部材8、9を介して蓋材1bに台座5を貼り合せたときに、蓋材1bと台座5とが接触しない程度の厚みにすると好ましい。蓋材1bと台座5とが異なる部材として構成されているため、蓋材1bの熱膨張による影響が台座5に伝わり難くなっているが、このように蓋材1bと台座5とが接触しないようにしてあれば、よりその影響を抑制することが可能となる。このように、緩衝材7を介して台座5を蓋材1bに貼り合わせることもでき、緩衝材7によってより蓋材1bの熱膨張による影響が台座5に伝わり難くなるようにできる。したがって、SiC単結晶基板3に成長するSiC単結晶4をより高品質で30mmの長さに長尺に成長させることが可能となる。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してSiC単結晶の製造装置の構成を変更したものであり、その他に関しては参考形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。図3は、本実施形態にかかるSiC単結晶の製造装置を用いてSiC単結晶を成長させている様子を示した断面図である。図3に示すように、緩衝材7を、さらに、台座5の外周側面にカーボン接着剤等で構成される接合部材10を介して配置される。そうすることで、SiC単結晶4が成長するとともに、蓋部1bの下側に成長してきたSiC多結晶11は、緩衝材7の外周に成長することになるので、より蓋材1bの変形による影響が台座5に伝わり難くなるようにできる。したがって、SiC単結晶基板3に成長するSiC単結晶4をより高品質で30mmの長さに長尺に成長させることが可能となる。他の実施形態上記第1~第2実施形態では、SiC単結晶の製造装置の容器の一例として円筒状の黒鉛製るつぼ1を例に挙げたが、これは単なる一例であり、黒鉛製るつぼ1の形状は必ずしも円筒状でなくても良いし、すべてが黒鉛製でなくても構わない。例えば、容器の外形が正多角柱形状であっても良いし、Taタンタル等で内壁面がコーティングされていても良い。また、第1~第2実施形態では、蓋材1bに凹部1cを形成した例を示したが、凹部1cが形成されていない構造であっても構わない。また、第1~第2実施形態では、台座5は剛体であり、その形状を厚みは30mmの円柱形状にした例を挙げたが、たとえ剛体でなくとも、上記形状ならば十分効果がある。また、SiC単結晶基板3が多角形ならそれにあわせた、多角柱形状であってもかまわない。厚みはSiC単結晶基板3の厚みの5倍以上、SiC単結晶の0.5倍以上ならばどんな厚みであっても構わない。