"セラミック基材の表面に、間隔をおいて対向するように形成された一方側対向電極と他方側対向電極とを備えてなる対向電極と、前記対向電極を構成する前記一方側対向電極と前記他方側対向電極のそれぞれと接し、前記一方側対向電極から前記他方側対向電極にわたるように配設された放電補助電極とを具備し、前記放電補助電極は、金属粒子と、半導体粒子と、ガラス質とを含み、かつ、前記金属粒子間、前記半導体粒子間、および前記金属粒子と前記半導体粒子の間が、前記ガラス質を介して結合しているとともに、前記金属粒子の平均粒子径Xが1.0μm以上であり、前記放電補助電極の厚みYと、前記金属粒子の平均粒子径Xとの関係が、0.5≦Y/X≦3の要件を満たすことを特徴とするESD保護デバイス。前記セラミック基材がガラス成分を含有するものであり、かつ、前記放電補助電極と前記セラミック基材との間に、前記セラミック基材から前記放電補助電極にガラス成分が浸入することを防止するためのシール層を備えていることを特徴とする請求項1記載のESD保護デバイス。前記放電補助電極の露出面を被覆する保護層を備えていることを特徴とする請求項1または2記載のESD保護デバイス。前記金属粒子がCu粒子であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のESD保護デバイス。前記半導体粒子が炭化ケイ素粒子であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のESD保護デバイス。前記ガラス質は、前記金属粒子と前記半導体粒子との反応により生じるものであることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のESD保護デバイス。第1のセラミックグリーンシートの一方主面上に、平均粒子径が1.0μm以上の金属粒子と、半導体粒子と、有機ビヒクルとを含むとともに、前記金属粒子と前記半導体粒子の少なくとも一方が表面にガラスの網目形成成分を有し、かつ、前記金属粒子と前記半導体粒子とを合わせたものが占める割合が7体積~25体積である放電補助電極ペ-ストを印刷することにより、未焼成の放電補助電極を形成する工程と、前記第1のセラミックグリーンシートの一方主面上に、対向電極ペーストを印刷することにより、それぞれが、前記放電補助電極の一部を覆うとともに、互いに間隔をおいて配設された一方側対向電極と他方側対向電極とを備える未焼成の対向電極を形成する工程と、前記第1のセラミックグリーンシートの他方主面上に、第2のセラミックグリーンシートを積層して未焼成の積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成し、前記放電補助電極の前記金属粒子の表面と前記半導体粒子の表面とを反応させることにより、ガラス質を生成させる工程とを備えることを特徴とするESD保護デバイスの製造方法。前記放電補助電極に含まれる金属粒子がアルミナコートCu粒子であり、前記半導体粒子が炭化ケイ素粒子であることを特徴とする、請求項7記載のESD保護デバイスの製造方法。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、安定した特性を備え、繰り返して静電気を印加しても特性の劣化を生じないESD保護デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明のESD保護デバイスは、セラミック基材の表面に、間隔をおいて対向するように形成された一方側対向電極と他方側対向電極とを備えてなる対向電極と、前記対向電極を構成する前記一方側対向電極と前記他方側対向電極のそれぞれと接し、前記一方側対向電極から前記他方側対向電極にわたるように配設された放電補助電極とを具備し、前記放電補助電極は、金属粒子と、半導体粒子と、ガラス質とを含み、かつ、前記金属粒子間、前記半導体粒子間、および前記金属粒子と前記半導体粒子の間が、前記ガラス質を介して結合しているとともに、前記金属粒子の平均粒子径Xが1.0μm以上であり、前記放電補助電極の厚みYと、前記金属粒子の平均粒子径Xとの関係が、0.5≦Y/X≦3の要件を満たすことを特徴としている。また、本発明のESD保護デバイスは、前記セラミック基材としてガラス成分を含有するものを用いた場合において、前記放電補助電極と前記セラミック基材との間に、前記セラミック基材から前記放電補助電極にガラス成分が浸入することを防止するためのシール層を備えた構成とすることが好ましい。本発明のESD保護デバイスにおいては、前記放電補助電極の露出面を被覆する保護層を備えていることが好ましい。前記金属粒子はCu粒子であることが好ましく、また、前記半導体粒子は炭化ケイ素粒子であることが好ましい。また、前記ガラス質は、前記金属粒子と前記半導体粒子との反応により生じるものであることが望ましい。また、本発明のESD保護デバイスの製造方法は、第1のセラミックグリーンシートの一方主面上に、平均粒子径が1.0μm以上の金属粒子と、半導体粒子と、有機ビヒクルとを含むとともに、前記金属粒子と前記半導体粒子の少なくとも一方が、表面にガラスの網目形成成分を有し、かつ、前記金属粒子と前記半導体粒子とを合わせたものが占める割合が7体積~25体積である放電補助電極ペ-ストを印刷することにより、未焼成の放電補助電極を形成する工程と、前記第1のセラミックグリーンシートの一方主面上に、対向電極ペーストを印刷することにより、それぞれが、前記放電補助電極の一部を覆うとともに、互いに間隔をおいて配設された一方側対向電極と他方側対向電極とを備える未焼成の対向電極を形成する工程と、前記第1のセラミックグリーンシートの他方主面上に、第2のセラミックグリーンシートを積層して未焼成の積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成し、前記放電補助電極の前記金属粒子の表面と前記半導体粒子の表面とを反応させることにより、ガラス質を生成させる工程とを備えている。また、前記放電補助電極に含まれる金属粒子がアルミナコートCu粒子であり、前記半導体粒子が炭化ケイ素粒子であることを特徴としている。本発明のESD保護デバイスは、セラミック基材の表面に、互いに対向する一方側対向電極と他方側対向電極とを備えた対向電極と、一方側対向電極と他方側対向電極の一部と接し、一方側対向電極から他方側対向電極にわたるように配設された放電補助電極とを具備しており、放電補助電極は、少なくとも、金属粒子および半導体粒子およびガラス質を含み、かつ、金属粒子間、半導体粒子間、金属粒子と半導体粒子の間が、ガラス質を介して結合しているとともに、金属粒子の平均粒子径Xが1.0μm以上、放電補助電極の厚みYと、金属粒子の平均粒子径Xとの関係が、0.5≦Y/X≦3の要件を満たしているので、安定した特性を備え、繰り返して静電気を印加しても特性の劣化を生じないESD保護デバイスを提供することが可能になる。なお、本発明において、金属粒子間、半導体粒子間、および金属粒子と半導体粒子間が、ガラス質を介して結合しているとは、各粒子間に充満するガラス質により各粒子が結びつけられている場合、各粒子の全体がガラス質により覆われ、かつ、該ガラス質により各粒子が結合している場合、ガラス質が各粒子の全体を覆ったり、各粒子間に充満したりしておらず、例えば、各粒子の表面に点在するガラス質により各粒子が結合している場合、などを含む広い概念である。また、セラミック基材としてガラス成分を含有するものを用いるとともに、放電補助電極とセラミック基材との間に、セラミック基材から放電補助電極にガラス成分が浸入することを防止するためのシール層を備えた構成とすることにより、低温焼結が可能で、かつ、焼成工程で、セラミック基材からのガラス成分の流入を抑制、防止して、放電補助電極部が過焼結になることによるショート不良の発生を抑制することが可能なESD保護デバイスを提供することが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。また、本発明のESD保護デバイスにおいて、放電補助電極の露出面を被覆する保護層を備えた構成とすることにより、耐熱性や耐水性に優れ、ショート耐性の高いESD保護デバイスを得ることが可能になる。なお、対向電極の露出面も覆うように保護層を形成することにより、さらに信頼性を向上させることができる。本発明のESD保護デバイスにおいては、金属粒子はCu粒子であることが好ましいが、これは、金属粒子としてCu粒子を用いることにより、放電開始電圧やピーク電圧を低くすることが可能なESD保護デバイスを構成することができることによる。また、半導体粒子としては炭化ケイ素粒子を用いることが好ましいが、これは、半導体粒子として炭化ケイ素粒子を用いることにより、クランプ電圧を低くすることが可能になることによる。また、本発明のESD保護デバイスにおいて、ガラス質が、金属粒子と半導体粒子との反応により生成するものの場合、原料に別途ガラス成分を添加することを必要とせずに、ガラス質が均一に分散された放電補助電極を効率よくしかも確実に形成することができる。なお、本発明は、ガラス成分が別途添加されたものである場合を排除するものではない。また、本発明のESD保護デバイスの製造方法は、第1のセラミックグリーンシートの一方主面上に、平均粒子径が1.0μm以上の金属粒子と、半導体粒子と、有機ビヒクルとを含むとともに、金属粒子と半導体粒子の少なくとも一方が表面にガラスの網目形成成分を有し、かつ、前記金属粒子と前記半導体粒子とを合わせたものが占める割合が7体積~25体積である放電補助電極ペ-ストを印刷することにより未焼成の放電補助電極を形成する工程と、放電補助電極の一部を覆うとともに、互いに間隔をおいて、対向電極ペーストを印刷することにより、互いに間隔をおいて配設された一方側対向電極と他方側対向電極とを備える未焼成の対向電極を形成する工程と、第1のセラミックグリーンシートの他方主面上に第2のセラミックグリーンシートを積層して未焼成の積層体を形成する工程と、積層体を焼成し、放電補助電極の金属粒子の表面と半導体粒子の表面とを反応させることによりガラス質を生成させる工程とを備えているので、本発明の構成を備えたESD保護デバイスを効率よく、しかも確実に製造することが可能になる。なお、上記積層体を焼成する工程の前に、未焼成の積層体の表面に、対向電極と接続するように外部電極ペーストを印刷し、その後に焼成することにより外部電極を備えたESD保護デバイスを得るようにすることも可能であり、また、上記積層体の焼成後に、積層体の表面に外部電極ペーストを印刷し、焼き付けることにより外部電極を形成することも可能である。なお、本発明のESD保護デバイスの製造方法において、金属粒子と半導体粒子の少なくとも一方が表面に有しているガラスの網目形成成分とは、その成分単独でもガラスになるものであり、例えば、SiO2、B2O3、Al2O3、P2O5、ZrO2、V2O5、TiO2、ZnO、GeO2、As2O5、Sb2O5、PbO、BeO等が挙げられる。また、放電補助電極に含まれる金属粒子としてアルミナコートCu粒子を用い、半導体粒子用の原料として炭化ケイ素粒子を用いた場合、アルミナAl2O3や、炭化ケイ素の表面に通常存在することになる微量の酸化ケイ素などがガラスの網目形成成分として機能し、放電補助電極を構成する金属粒子間、半導体粒子間、あるいは金属粒子と半導体粒子の間が、ガラス質を介して結合した、安定した特性を備え、繰り返して静電気を印加しても特性の劣化を生じないESD保護デバイスを効率よく製造することが可能になる。以下、本発明の実施例を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。[実施例にかかるESD保護デバイスの構成]図1は、本発明の一実施例にかかるESD保護デバイスの構造を模式的に示す断面図であり、図2は、本発明の一実施例にかかるESD保護デバイスの平面図である。このESD保護デバイスは、図1および2に示すように、セラミック基材1と、セラミック基材1内の同一平面に形成された、先端部が互いに対向する一方側対向電極2aと他方側対向電極2bからなる対向電極2と、一方側対向電極2aと他方側対向電極2bの一部と接し、一方側対向電極2aから他方側対向電極2bにわたるように形成された放電補助電極3と、セラミック基材1の両端部に、対向電極2を構成する一方側対向電極2aおよび他方側対向電極2bと導通するように配設された、外部との電気的な接続のための外部電極5a,5bを備えている。なお、一方側対向電極2aと他方側対向電極2bとは、必ずしも先端部が対応している必要はなく、両者の間に放電ギャップが存在すればよい。放電補助電極3は、金属粒子、半導体粒子およびガラス質を含んでおり、金属粒子間、半導体粒子間、および金属粒子と半導体粒子の間が、ガラス質を介して結合している。なお、このガラス質は、金属粒子と半導体粒子との反応により生じた反応生成物である。また、金属粒子としてはCu粒子が用いられており、半導体粒子としては炭化ケイ素粒子が用いられている。そして、本発明のESD保護デバイスにおいては、放電補助電極3の厚みYと、金属粒子の平均粒子径Xとの関係が、0.5≦Y/X≦3の要件を満たすように構成されている。さらに、この実施例のESD保護デバイスにおいては、セラミック基材1として、平面形状が方形で、長さ1.0mm、幅0.5mm、厚み0.3mmのBa、Al、Siの酸化物を主成分とするガラスセラミック基板が用いられている。ただし、セラミック基材1の構成材料に制約はなく、場合によってはアルミナ基板やシリコン基板など他の種類のものを用いることも可能である。なお、セラミック基材1としては比誘電率が50以下、好ましくは10以下のものを用いることが望ましい。以下に、上述のような構造を有するESD保護デバイスの製造方法について説明する。ESD保護デバイスの製造セラミックグリーンシートの作製セラミック基材1の材料となるセラミック材料として、Ba、Al、Siを主たる成分とする材料を用意する。そして、各材料を所定の組成になるよう調合し、800~1000°Cで仮焼する。得られた仮焼粉末をジルコニアボールミルで12時間粉砕し、セラミック粉末を得る。このセラミック粉末に、トルエンエキネンなどの有機溶媒を加え混合した後、さらにバインダー、可塑剤を加え、混合することによりスラリーを作製する。このスラリーをドクターブレード法により成形し、厚さ50μmのセラミックグリーンシートを作製した。対向電極ペーストの作製また、一対の対向電極2a,2bを形成するための対向電極ペーストとして、平均粒径約2μmのCu粉80重量と、エチルセルロースなどからなるバインダー樹脂を調合し、溶剤を添加して3本ロールにより撹拌、混合することにより対向電極ペーストを作製した。なお、上記のCu粉の平均粒径とは、マイクロトラックによる粒度分布測定から求めた中心粒径D50をいう。放電補助電極ペーストの作製さらに、放電補助電極3を形成するための放電補助電極ペーストとして、金属粒子と、半導体粒子半導体粉末を所定の割合で配合し、ビヒクルを添加して3本ロールにより撹拌、混合することにより放電補助電極ペーストを作製した。なお、放電補助電極ペーストは、ビヒクルの体積分率が75~95vol、金属粒子、半導体粒子の体積分率が残りの5~25volとなるようにした。なお、評価に用いた金属粒子金属導体粉末種を表1に示す。表1中のAl2O3コート量重量,およびZrO2コート量重量は、コートCu粒子全体に占めるコート種の重量割合であり、残部は金属粒子である。さらに、評価に用いた半導体粒子半導体粉末種を表2に示す。また、比較評価に用いた絶縁体粒子絶縁体粉末種も併せて示す。さらに、ビヒクルの組成、すなわち、バインダーの種類、溶剤種、分散剤種、およびそれらの配合割合を表3に示す。また、金属粒子、および半導体粒子、絶縁体粒子、ビヒクルを使用して作製した放電補助電極ペーストの組成volを表4および5に示す。各ペーストの印刷まず、第1のセラミックグリーンシートに、上述のようにして作製した放電補助電極ペーストを所定のパターンとなるように、スクリーン印刷法により印刷し、乾燥させることにより、未焼成の放電補助電極を形成する。本発明では、得られるESD保護デバイスにおいて、放電補助電極を構成する金属粒子の平均粒子径Xが1.0μm以上であり、前記放電補助電極の厚みYと、前記金属粒子の平均粒子径Xとの関係が、0.5≦Y/X≦3の要件を満たすようにする。さらに、対向電極ペーストを塗布して、対向電極を構成する未焼成の一方側対向電極、他方側対向電極を形成する。これにより、一方側対向電極2aと他方側対向電極2bの互いに対向する先端部どうしの間には、放電ギャップ10が形成される。なお、この実施例では、焼成後の段階において、対向電極2を構成する一方側対向電極2a,他方側対向電極2bの幅W図2が100μm、放電ギャップ10の寸法G積層、圧着上述のようにして、放電補助電極ペースト、対向電極ペーストの順で各ペーストを塗布した第1のセラミックグリーンシートの非印刷面側下面側に、ペーストの塗布されていない第2のセラミックグリーンシートを積層し、圧着する。ここでは焼成後の厚みが0.3mmになる積層体を形成した。カット、外部電極ペーストの塗布積層体をマイクロカッタでカットして、各チップに分割する。ここでは、焼成後に、長さ1.0mm、幅0.5mmになるようにカットした。その後、端面に外部電極ペーストを塗布して未焼成の外部電極を形成した。焼成次いで、外部電極ペーストを塗布したチップをN2雰囲気中で焼成する。なお、酸化しない電極材料を用いる場合には、大気雰囲気で焼成することも可能である。めっき上記の焼成工程で形成された外部電極上に電解めっきによりNiおよびSnめっきの順でめっきを施す。これにより、Niめっき膜およびSnめっき膜を備え、はんだ付け性などの特性に優れた外部電極が形成される。これにより、図1および2に示すような構造を有するESD保護デバイスが得られる。また、この実施例1では、ESD保護デバイスの他の例として、図3に示すように、一方側対向電極2aと他方側対向電極2bの対向部分放電ギャップ部10、対向電極2と放電補助電極3との接続部などとセラミック基材1との間に介在するようにシール層11が配設された構成を有するESD保護デバイスを作製した。このシール層11は、アルミナなどのセラミック粒子からなるポーラスな層で、セラミック基材1に含まれているガラス成分や焼成工程でセラミック基材1において生成するガラス成分を吸収保持トラップして、ガラス成分が放電補助電極3に流れ込んで、焼結が過度に進み、放電補助電極3の導電性が高くなりすぎてショート不良を引き起こすことを防止する機能を果たすものである。また、この実施例1では、ESD保護デバイスのさらに他の例として、図1に示すESD保護デバイスに、図4に示すように、対向電極2と放電補助電極3の露出面を被覆するように保護層12が配設されたESD保護デバイスを作製した。なお、保護層12は耐熱性や耐水性を向上させ、ショート耐性を高める機能を果たすものである。また、この実施例1では、さらに他の例として、図5に示すように、シール層11と保護層12の両方を備えたESD保護デバイスを作製した。なお、シール層の形成には、下記のシール層ペーストを用い、保護層の形成には、下記の樹脂材料を用いた。シール層を形成するために用いられるシール層ペースト上述のシール層を形成するためのペーストとして、平均粒径0.5μmのアルミナ粉50重量と、有機ビヒクルを含むシール層ペーストを用意した。なお、上記のアルミナ粉の平均粒径とは、マイクロトラックによる粒度分布測定から求めた中心粒径D50をいう。保護層形成用の樹脂材料上述の保護層を形成するための樹脂材料として、熱硬化性のシリコーン樹脂を用意した。シリコーン樹脂は、絶縁性、耐薬品性、耐水性、耐熱性に優れている。なお、保護層には、シリコ―ン樹脂以外に、エポキシ樹脂を用いることも可能であるが、シリコーン樹脂のほうが耐熱性に優れている。保護層が絶縁破壊されると、IRが劣化する可能性があるため、エポキシ樹脂よりも、シリコーン樹脂のほうが保護層に適している。なお、図3に示すような、シール層11を備えたESD保護デバイスを製造するにあたっては、まず、第1のセラミックグリーンシートにシール層ペーストを塗布した後、塗布されたシール層ペースト上に放電補助電極ペーストを所定のパターンとなるように印刷し、その後、上記実施例1の場合と同様の工程を実施することにより、図3に示すような構造を有するESD保護デバイスが得られる。また、図4に示すような、保護層12を備えたESD保護デバイスを製造するにあたっては、上記実施例1のの焼成工程で形成された積層体の表面に露出した対向電極および放電補助電極の露出面を被覆するように、保護層形成用のシリコーン樹脂を塗布し、熱硬化させることにより保護層を形成し、その後、上記実施例の場合と同様の工程を実施することにより、図4に示すような構造を有するESD保護デバイスが得られる。また、図5に示すような、シール層11と保護層12とを備えたESD保護デバイスを製造するにあたっては、まず、第1のセラミックグリーンシートにシール層ペーストを塗布し、塗布されたシール層ペースト上に放電補助電極ペーストを所定のパターンとなるように印刷し、上記実施例の場合と同様の工程を経て積層体の焼成を行い、得られた焼成済みの積層体の表面に露出した対向電極および放電補助電極の露出面を被覆するように、保護層形成用のシリコーン樹脂を塗布し、熱硬化せることにより保護層12を形成し、その後、上記実施例の場合と同様の工程を実施することにより、図5に示すような構造を有するESD保護デバイスが得られる。特性の評価次に、上述のようにして作製したESD保護デバイスについて、以下の方法で各特性を調べた。ショート耐性ショート耐性は、接触放電にて8kV印加を50回、4kV印加を10回、2kV印加を10回、1kV印加を10回、0.5kV印加を10回、0.2kV印加を10回行った後のIRを調べることにより評価した。IRが106Ω未満のものについてはESD印加によるショート耐性が不良×印であると判定し、106Ω以上のものについてはショート耐性が良好○印と判定した。ESD放電応答性繰り返しESDに対する応答性であるESD放電応答性ESD繰返し耐性の評価を行うにあたっては、まず、それぞれ100個の試料について、IECの規格、IEC61000-4-2に規定されている静電気放電イミュニティ試験を行い、その平均値を求めた。それから、各試料について、上記の場合と同様に、接触放電にて8kV印加を50回、4kV印加を10回、2kV印加を10回、1kV印加を10回、0.5kV印加を10回、0.2kV印加を10回行った後、静電気放電イミュニティ試験を行い、ESD放電応答性ESD繰返し耐性を調べた。繰り返して静電気を印加した後の静電気放電イミュニティ試験において、保護回路側で検出されたピーク電圧が900Vを超えるものについてはESD放電応答性が不良×印である判定し、ピーク電圧が900V以下のものについてはESD放電応答性が良好○印であると判定した。なお、焼成後の積層体10個について、対向電極のW=1/2の地点で積層方向にカットし、放電補助電極を露出させ、その断面を研磨した。次に、断面に露出させた放電補助電極を金属顕微鏡を用いて観察し、観察された個々の金属粒子の円相当径を画像処理ソフトを用いて測長し、その平均値を放電補助電極を構成する金属粒子の平均粒子径Xと定義した。また、同様にして個々の放電補助電極の厚みを画像処理ソフトにて測長し、その平均値を放電補助電極の厚みYと定義した。そして、この平均粒子径Xと放電補助電極の厚みYの値から、両者の関係YXを求めた。PCT試験PCT試験プレッシャークッカー試験として、それぞれ100個の試料を、温度120°C、湿度85RHの試験槽に192時間保管した後、直流電圧で50kV印加時のIRを測定した。IRが106Ω未満のものについては初期ショートが不良×印であると判定し、106Ω以上であり、かつ1011Ω未満のものについては初期ショートが良好○印であると判定し、1011Ω以上のものについては初期ショートが優良◎印であると判定した。初期ショート耐性の判定ESD保護デバイスの製造後に、それぞれ100個の試料について、直流電圧で50kV印加時のIRを測定した。IRが106Ω未満のものについては初期ショート耐性が不良×印であると判定し、106Ω以上であり、かつ1011Ω未満のものについては初期ショート耐性が良好○印であると判定し、1011Ω以上のものについては初期ショート耐性が優良◎印であると判定した。総合判定上記の初期ショート耐性とESD放電応答性の2つの特性評価結果の両方が良好であるものを総合判定良好○印と評価し、どちらか一方または両方が不良であるものを総合判定不良×印と評価した。さらに、上記の初期ショート耐性とESD放電応答性の2つの特性評価結果の両方が良好であり、かつ、PCT試験と初期ショートの2つの特性評価結果の両方が優良であるものを総合判定優良◎印と評価した。表6および7に、放電補助電極ペーストの条件、平均粒子径Xと放電補助電極の厚みYの関係、特性評価結果などを示す。表6および7において、試料番号にを付したものは、本発明の要件を備えていない試料である。表6および7より、放電補助電極に含まれる金属粒子の平均粒子径Xが1.0μm未満で、本発明の要件を備えていない試料番号1~10のESD保護デバイスでは、ショート耐性およびESD放電応答性が繰り返しESD印加により、劣化することが確認された。また、放電補助電極の厚みYと金属の平均粒子径Xとの関係が、0.5>Y/Xと、本発明の要件を満たさない試料番号11,16,21,25,29,33,34および38のESD保護デバイスでは、ショート耐性が劣化することが確認された。一方、放電補助電極に含まれる金属粒子の平均粒子径Xが、1.0μm以上であり、かつ放電補助電極の厚みYと金属の平均粒子径Xとの関係が、0.5≦Y/X≦3と本発明の要件を備えた試料番号12~15、17~20、22~24、26~28、30~32、35~37および39~49のESD保護デバイスの場合、ショート耐性が良好であり、かつESD放電応答性が良好であった。また、半導体粒子SiCの替わりに、絶縁体粒子Al2O3を使用した試料番号50~52のESD保護デバイスでは、ショート耐性が劣化することが確認された。これは、放電補助電極中のCu密度が局所的に高くなったことが原因と考えられる。すなわち、放電補助電極中に局所的に存在する微粒のAl2O3によって過剰な液相成分が形成され、局所的にCu粒子が過焼結状態になったことによるものと推察される。また、シール層を備えた試料番号53のESD保護デバイス図3に示す構造を有するESD保護デバイスの場合、上述の各試料と同様に、ショート耐性およびESD放電応答性が良好であるという効果が得られることに加えて、シール層によって、焼成過程で生成するセラミック基材の液相成分が放電補助電極に拡散することが阻止されるため、初期ショート評価におけるIR特性が向上することが確認された。また、保護層を備えた試料番号54のESD保護デバイス図4に示す構造を有するESD保護デバイスの場合、上述の各試料と同様に、ショート耐性およびESD放電応答性が良好であるという効果が得られることに加えて、放電補助電極が保護層で覆われていることから、PCT試験評価におけるIR特性が向上することが確認された。さらに、シール層と保護層の両方を備えた試料番号55のESD保護デバイス図5に示す構造を有するESD保護デバイスでは、PCT特性および初期ショート耐性が特に優れており、総合判定でも優良であることが確認された。上記実施例の結果から、放電補助電極を構成する金属粒子の平均粒子径Xが1.0μm以上で、放電補助電極の厚みYと金属粒子の平均粒子径Xとの関係が0.5≦Y/X≦3の要件を満たす場合には、繰り返しESD印加によるショート耐性が良好であること、ガラスを添加しなくても、焼成工程で放電補助電極を構成する金属粒子の表面と半導体粒子の表面とが反応してガラス質が生成し、金属粒子間、半導体粒子間、および金属粒子と半導体粒子の間がこのガラス質により結合した放電補助電極が形成されるため、繰り返して静電気を印加した場合にもショート耐性が良好に保たれることが確認された。また、シール層および/または保護層を備えた構成とすることにより、さらに特性が向上し、高い信頼性を備えたESD保護デバイスが得られることが確認された。なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、対向電極の構成材料、その具体的な形状、放電補助電極の具体的な形状、放電補助電極を構成する金属粒子、半導体粒子の種類、さらには、金属粒子間、半導体粒子間、および金属粒子と半導体粒子の間を結合させる機能を果たすガラス質の種類などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。"