電気銅めっき被膜を希土類系永久磁石の表面に形成する方法であって、磁石をめっき液に浸漬した後、電気銅めっき処理を行うための陰極電流密度として0.05A/dm2~4.0A/dm2を10秒~180秒かけて印加し、処理を開始することを特徴とする方法。電気銅めっき処理の時間を2分間~450分間とすることを特徴とする請求項1記載の方法。めっき液がアルカリ性であることを特徴とする請求項1記載の方法。電気銅めっき被膜が表面に形成された希土類系永久磁石であって、磁石と被膜の界面に存在する酸素含有層の厚みが最大で10nmであり、被膜の平均結晶粒径が0.5μm~3.0μmであることを特徴とする磁石。被膜の膜厚が2μm~20μmであることを特徴とする請求項4記載の磁石。請求項1記載の方法によって電気銅めっき被膜が形成されてなることを特徴とする請求項4記載の磁石。希土類系永久磁石の表面に形成する電気銅めっき被膜の密着性を向上する方法であって、磁石をめっき液に浸漬した後、電気銅めっき処理を行うための陰極電流密度として0.05A/dm2~4.0A/dm2を10秒~180秒かけて印加し、処理を開始することを特徴とする方法。そこで本発明は、密着性に優れる電気銅めっき被膜を希土類系永久磁石の表面に形成するための新規な方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記の目的を達成するため、まず、これまでに提案されている電気銅めっき被膜を希土類系永久磁石の表面に形成する方法では、理想とする密着性を有する電気銅めっき被膜を形成することが困難である原因としてどのようなことが考えられるかについて検討を行うこととした。その結果、希土類系永久磁石に対して電気銅めっき処理を行うためにめっき液に浸漬された磁石の表面近傍の環境が、磁石の表面に形成される電気銅めっき被膜の密着性の良し悪しに関連するのではないかと考えた。具体的には、通常、希土類系永久磁石に対して電気銅めっき処理を行う場合、その前工程として磁石の表面を洗浄するための水洗工程が存在し、磁石はその表面が水洗工程において使用された水で多少なりとも覆われた状態でめっき液に浸漬される。そして、磁石がめっき液に浸漬されると直ちに電気銅めっき処理を行うための所定の陰極電流密度例えば0.05A/dm2~4.0A/dm2が印加され、処理が開始される。この場合、磁石の表面を覆う水の存在によってめっき液に含まれるCu2イオンが磁石の表面近傍に行き渡っていない状態で上記のような高い数値の陰極電流密度が直ちに印加されて処理が開始されると、磁石の表面近傍において水が電気分解されることによる水素の発生などが契機となり、磁石の表面を構成する鉄などの電気化学的に卑な金属と電気化学的に貴な金属である銅との間で置換めっき反応が起こることによって磁石の表面に銅が置換析出することや、磁石の構成元素である鉄の水酸化物などからなる酸素含有層が磁石の表面に過度に形成されることを十分に阻止できず、その結果、これらの被膜の密着性に悪影響を及ぼす要因が顕在化することによって所定の密着性を有さない電気銅めっき被膜が磁石の表面に形成されてしまうのではないかと考えた。そこで、本発明者らは、このような仮説に基づいて希土類系永久磁石に対して電気銅めっき処理を開始する際のめっき液に浸漬された磁石の表面近傍の環境の改善を図ることができる方法について鋭意検討を重ねた結果、電気銅めっき処理の開始に当たって処理を行うための所定の陰極電流密度の印加のために要する時間を制御することが、問題の解消に有効であることを見出した。上記の知見に基づいてなされた本発明の電気銅めっき被膜を希土類系永久磁石の表面に形成する方法は、請求項1記載の通り、磁石をめっき液に浸漬した後、電気銅めっき処理を行うための陰極電流密度として0.05A/dm2~4.0A/dm2を10秒~180秒かけて印加し、処理を開始することを特徴とする。また、請求項2記載の方法は、請求項1記載の方法において、電気銅めっき処理の時間を2分間~450分間とすることを特徴とする。また、請求項3記載の方法は、請求項1記載の方法において、めっき液がアルカリ性であることを特徴とする。また、本発明の電気銅めっき被膜が表面に形成された希土類系永久磁石は、請求項4記載の通り、磁石と被膜の界面に存在する酸素含有層の厚みが最大で10nmであり、被膜の平均結晶粒径が0.5μm~3.0μmであることを特徴とする。また、請求項5記載の磁石は、請求項4記載の磁石において、被膜の膜厚が2μm~20μmであることを特徴とする。また、請求項6記載の磁石は、請求項4記載の磁石において、請求項1記載の方法によって電気銅めっき被膜が形成されてなることを特徴とする。また、本発明の希土類系永久磁石の表面に形成する電気銅めっき被膜の密着性を向上する方法は、請求項7記載の通り、磁石をめっき液に浸漬した後、電気銅めっき処理を行うための陰極電流密度として0.05A/dm2~4.0A/dm2を10秒~180秒かけて印加し、処理を開始することを特徴とする。本発明によれば、密着性に優れる電気銅めっき被膜を希土類系永久磁石の表面に形成するための新規な方法を提供することができる。本発明の電気銅めっき被膜を希土類系永久磁石の表面に形成する方法は、磁石をめっき液に浸漬した後、電気銅めっき処理を行うための陰極電流密度として0.05A/dm2~4.0A/dm2を10秒~180秒かけて印加し、処理を開始することを特徴とするものである。磁石をめっき液に浸漬した後、直ちに電気銅めっき処理を行うための高い数値の陰極電流密度を印加して処理を開始するのではなく、一定の時間をかけて所定の数値まで陰極電流密度を印加して処理を開始することにより、前工程として行った水洗工程において使用された水が磁石の表面に存在することによって磁石の表面近傍に存在するCu2イオンが少ない場合であっても、陰極電流密度が徐々に印加されることでその電析反応が適正に行われることにより、磁石の表面に銅が置換析出することや酸素含有層が過度に形成されることが効果的に阻止されると考えられ、その結果、密着性に優れる電気銅めっき被膜を磁石の表面に形成することができる。本発明において、電気銅めっき処理を行うための陰極電流密度を0.05A/dm2~4.0A/dm2と規定するのは、0.05A/dm2を下回ると、被膜の形成効率が悪く、場合によってはめっき析出電位に到達せずに被膜が形成されない恐れがある一方、4.0A/dm2を上回ると、水素発生が激しく起こり、形成された電気銅めっき被膜の表面にピットや焼けが発生する恐れがあるからである。なお、陰極電流密度は0.1A/dm2~3.0A/dm2が望ましく、0.2A/dm2~1.0A/dm2がより望ましい。本発明において、電気銅めっき処理を行うための陰極電流密度を印加するために要する時間を10秒~180秒と規定するのは、10秒よりも短いと、時間をかけて印加する効果が発揮されず、磁石の表面に銅が置換析出したり、酸素含有層が過度に形成されたりする恐れがあるからである。一方、180秒よりも長いと、めっき液に含まれるCu2イオンの電析反応が円滑に行われず、この場合もまた、磁石の表面に銅が置換析出したり、酸素含有層が過度に形成されたりする恐れがあるからである。なお、電気銅めっき処理を行うための陰極電流密度の印加に要する時間は20秒~100秒とすることが望ましい。陰極電流密度の印加は、例えば、所定の時間で所定の陰極電流密度になるように電流供給量を直線的に増やすことで行ってもよいし、段階的に増やすことで行ってもよい。これらの場合、陰極電流密度の増加速度は0.002A/dm2秒~0.4A/dm2秒が望ましく、0.01A/dm2秒~0.1A/dm2秒がより望ましい。電気銅めっき処理の開始に当たっては、磁石をめっき液に浸漬した時点において陰極電流密度がまったく印加されていないことが望ましいが、0.01A/dm2未満の微弱な陰極電流密度が印加されていてもよい。上記のようにして電気銅めっき処理を行うための陰極電流密度を一定の時間をかけて印加することで、電気銅めっき処理を開始する際の磁石の表面変質に起因して形成される酸素含有層磁石の表面に電気銅めっき被膜を形成した後に磁石と被膜の界面に存在するもの。非晶質であってめっき液がアルカリ性の場合には鉄の水酸化物が主成分であるの厚みを最大で10nmとすることが可能となり、厚みが10nmを超える酸素含有層が形成されることによって密着性に劣る電気銅めっき被膜が磁石の表面に形成されることを阻止することができる。なお、酸素含有層の厚みは5nm未満が望ましく、3nm未満がより望ましく、酸素含有層が存在しないことが最も望ましい。また、上記のようにして電気銅めっき処理を行うための陰極電流密度を一定の時間をかけて印加することで、驚くべきことに、電気銅めっき被膜の結晶粒径が粗大化することがわかった。この現象も、磁石の表面に対する被膜の密着性の向上に寄与していると考えられる。被膜の結晶粒径の粗大化がどのようにして起こるのかは必ずしも明らかではないが、磁石の表面に銅が置換析出した場合、結晶粒径の微細な置換銅めっき被膜が形成され、その表面に成長する電気銅めっき被膜の結晶粒径も置換銅めっき被膜の結晶粒径の影響を受けて微細なものになると考えられる。しかしながら、電気銅めっき処理を行うための陰極電流密度の印加を一定の時間をかけて徐々に行うことで、めっき液に含まれるCu2イオンの電析反応が円滑に行われ、その結果、磁石の表面に結晶粒径の微細な置換銅めっき被膜が形成されることが効果的に阻止される一方で、結晶が成長して粗大化するための足がかりとなる電気銅めっき被膜が効果的に形成されるからであると考えられる。従って、本発明によれば、密着性に優れる電気銅めっき被膜が表面に形成された希土類系永久磁石であって、磁石と被膜の界面に存在する酸素含有層の厚みが最大で10nmであり、被膜の平均結晶粒径が大きい例えば0.5μm~3.0μm磁石を製造することができる。なお、電気銅めっき処理のその他の条件は、基本的に、通常行われる電気銅めっき処理の条件と同じであってよいが、めっき液の浴温は10°C~70°Cとすることが望ましい。10°Cを下回ると、限界電流が著しく低下する恐れがある一方、70°Cを上回ると、陽極との遊離銅の不均化反応が生じやすく、浴管理が困難になる恐れがあるからである。めっき様式は、ラックめっきでもバレルめっきでもいずれの様式であってもよい。電気銅めっき処理の時間は2分間~450分間とすることが望ましい。処理の時間をこのように設定することで、密着性に優れる膜厚が2μm~20μmの電気銅めっき被膜を磁石の表面に形成することが容易になる。本発明を適用することができる電気銅めっき処理用めっき液は、希土類系永久磁石の表面に電気銅めっき被膜を形成するために使用することができるものであれば特段の制限はなく、例えば希土類系永久磁石の酸性条件下での強い腐食性に鑑みてアルカリ性例えばpH8~14に調整された自体公知のめっき液に対して適用することができる。具体的には特許文献1に記載の、pHが9.0~11.5に調整され、1Cu2イオンを0.02mol/L~0.15mol/L、2リン原子数が2以上の有機リン酸および/またはその塩を0.1mol/L~0.5mol/L、3グルコン酸および/またはその塩を0.005mol/L~0.5mol/L、4硫酸塩および/または硝酸塩を0.01mol/L~5.0mol/L、5シュウ酸、酒石酸、クエン酸、マロン酸、リンゴ酸から選ばれる少なくとも1つの有機カルボン酸および/またはその塩を0.01mol/L~0.5mol/L少なくとも含有してなる電気銅めっき処理用めっき液や、特許文献2に記載の、pHが9.0~11.5に調整され、1Cu2イオンを0.03mol/L~0.15mol/L、2pHが9.0~11.5の時にCu2イオンとのキレート安定度定数が10.0以上のキレート剤HEDPやその塩などを0.1mol/L~0.5mol/L、3pHが9.0~11.5の時にFe3イオンとのキレート安定度定数が16.0以上のキレート剤ピロリン酸やその塩などを0.01mol/L~0.5mol/L少なくとも含有してなる電気銅めっき処理用めっき液の他、市販の電気銅めっき処理用めっき液例えば奥野製薬工業社の商品名:ソフトカッパーなどが例示される。なお、本発明の方法によって希土類系永久磁石の表面に形成した電気銅めっき被膜の表面に、さらに金属めっき被膜に例示される耐食性被膜などを積層形成してもよい。本発明の方法の適用対象となる希土類系永久磁石としては、例えばR-Fe-B系永久磁石が挙げられる。以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明は以下の記載に限定して解釈されるものではない。なお、以下の実施例と比較例は、出発原料として、電解鉄、フェロボロン、RとしてのNdを所要の磁石組成に配合し、溶解鋳造後、機械的粉砕法にて粗粉砕してから微粉砕することで粒度が3μm~10μmの微粉末を得、これを10kOeの磁界中で成形してからアルゴン雰囲気中で1100°C×1時間の焼結を行った後、得られた焼結体に対して600°C×2時間の時効処理を行うことによって製造した、15Nd-78Fe-7B組成atの焼結磁石体から切り出した、1.0mm磁化方向×6.0mm×34mm寸法の試験片以下磁石体試験片と称するを使用して行った。実施例1:市販の電気銅めっき処理用めっき液として奥野製薬工業社の商品名:ソフトカッパーを使用し、水酸化カリウムを用いてpHを11.5に調整した上で、めっき液の浴温が42°C、陰極電流密度が0.3A/dm2で、バレル様式により電気銅めっき処理を30分間行った。なお、処理対象物とする磁石体試験片は、0.1mol/Lの硝酸溶液にて表面活性化を行った後、水洗し、表面に水が残存する状態で実験に供した。陰極電流密度の印加は、磁石体試験片を収容したバレルをめっき液に浸漬した後、整流器によって電流供給量を直線的に増加させ、30秒で設定した数値となるようにした陰極電流密度の増加速度:0.01A/dm2秒。以上の条件で磁石体試験片の表面に形成された電気銅めっき被膜の膜厚は約4.0μmであった。この電気銅めっき被膜は、JISK5400に準拠したクロスカット剥離試験を行っても被膜剥離を起こすことがない、密着性に優れたものであった図1参照。電気銅めっき被膜を表面に形成した磁石体試験片の断面分析を透過型電子顕微鏡TEM:日立ハイテクノロジー社のHF-2100。以下同じによって行った結果を図2と図3に示す。図2から明らかなように、電気銅めっき被膜の結晶粒径結晶粒の粒径は非常に大きく、ほとんどが0.5μm~2.0μmであった平均結晶粒径は約1.2μm:膜厚中央部付近の任意の観察視野において磁石体試験片の表面に略平行な直線と交わる結晶粒の粒径の測定値の平均値。以下同じ。また、図3から明らかなように、磁石体試験片と被膜の界面には非晶質の酸素含有層TEMの電子線像とエネルギ分散型X線分析装置EDX:NORAN社のVOYAGERIIIによる別途の分析によって鉄の水酸化物を主成分とするものであることを確認。以下同じが存在したが、その厚みは非常に薄く、2nm~3nm程度であった。実施例2:陰極電流密度の印加を、磁石体試験片を収容したバレルをめっき液に浸漬した後、整流器によって電流供給量を直線的に増加させ、10秒で設定した数値となるようにしたこと以外は実施例1と同じ条件で磁石体試験片の表面に電気銅めっき被膜を形成した陰極電流密度の増加速度:0.03A/dm2秒。形成された電気銅めっき被膜の膜厚は約4.2μmであった。この電気銅めっき被膜は、JISK5400に準拠したクロスカット剥離試験を行っても被膜剥離を起こすことがない、密着性に優れたものであった。電気銅めっき被膜を表面に形成した磁石体試験片の断面分析をTEMによって行った結果、電気銅めっき被膜の結晶粒径は非常に大きく、ほとんどが0.4μm~1.8μmであった平均結晶粒径は約1.1μm。また、磁石体試験片と被膜の界面には非晶質の酸素含有層が存在したが、その厚みは非常に薄く、2nm~3nm程度であった。実施例3:陰極電流密度の印加を、磁石体試験片を収容したバレルをめっき液に浸漬した後、整流器によって電流供給量を直線的に増加させ、180秒で設定した数値となるようにしたこと以外は実施例1と同じ条件で磁石体試験片の表面に電気銅めっき被膜を形成した陰極電流密度の増加速度:0.002A/dm2秒。形成された電気銅めっき被膜の膜厚は約4.1μmであった。この電気銅めっき被膜は、JISK5400に準拠したクロスカット剥離試験を行っても被膜剥離を起こすことがない、密着性に優れたものであった。電気銅めっき被膜を表面に形成した磁石体試験片の断面分析をTEMによって行った結果、電気銅めっき被膜の結晶粒径は非常に大きく、ほとんどが0.6μm~2.3μmであった平均結晶粒径は約1.3μm。また、磁石体試験片と被膜の界面には非晶質の酸素含有層が存在したが、その厚みは非常に薄く、3nm~4nm程度であった。実施例4:陰極電流密度が0.1A/dm2で、電気銅めっき処理を90分間行ったこと以外は実施例1と同じ条件で磁石体試験片の表面に電気銅めっき被膜を形成した陰極電流密度の増加速度:0.003A/dm2秒。形成された電気銅めっき被膜の膜厚は約4.0μmであった。この電気銅めっき被膜は、JISK5400に準拠したクロスカット剥離試験を行っても被膜剥離を起こすことがない、密着性に優れたものであった。電気銅めっき被膜を表面に形成した磁石体試験片の断面分析をTEMによって行った結果、電気銅めっき被膜の結晶粒径は非常に大きく、ほとんどが0.5μm~2.2μmであった平均結晶粒径は約1.4μm。また、磁石体試験片と被膜の界面には非晶質の酸素含有層が存在したが、その厚みは非常に薄く、3nm~4nm程度であった。実施例5:陰極電流密度が3.0A/dm2で、電気銅めっき処理を5分間行ったこと以外は実施例1と同じ条件で磁石体試験片の表面に電気銅めっき被膜を形成した陰極電流密度の増加速度:0.1A/dm2秒。形成された電気銅めっき被膜の膜厚は約6.1μmであった。この電気銅めっき被膜は、JISK5400に準拠したクロスカット剥離試験を行っても被膜剥離を起こすことがない、密着性に優れたものであった。電気銅めっき被膜を表面に形成した磁石体試験片の断面分析をTEMによって行った結果、電気銅めっき被膜の結晶粒径は非常に大きく、ほとんどが0.7μm~2.5μmであった平均結晶粒径は約1.5μm。また、磁石体試験片と被膜の界面には非晶質の酸素含有層が存在したが、その厚みは非常に薄く、2nm~4nm程度であった。比較例1:陰極電流密度の印加を、磁石体試験片を収容したバレルをめっき液に浸漬した後、直ちに設定した数値となるように整流器によって電流を瞬時に供給することで行ったこと以外は実施例1と同じ条件で磁石体試験片の表面に電気銅めっき被膜を形成した。形成された電気銅めっき被膜の膜厚は約4.0μmであった。この電気銅めっき被膜は、JISK5400に準拠したクロスカット剥離試験を行うと被膜剥離を起こす、密着性に劣るものであった図4参照。電気銅めっき被膜を表面に形成した磁石体試験片の断面分析をTEMによって行った結果、図5から明らかなように、電気銅めっき被膜の結晶粒径は非常に小さく、ほとんどが0.5μm未満であった平均結晶粒径は約0.3μm。また、図6から明らかなように、磁石体試験片と被膜の界面に存在する非晶質の酸素含有層の厚みは非常に厚く、10nmを超えるものであった。さらに、図7から明らかなように、磁石体試験片と被膜の界面には磁石体試験片の表面を構成する鉄などと銅との間での置換めっき反応に起因すると考えられる脱粒が認められた。比較例2:陰極電流密度の印加を、磁石体試験片を収容したバレルをめっき液に浸漬した後、整流器によって電流供給量を直線的に増加させ、300秒で設定した数値となるようにしたこと以外は実施例1と同じ条件で磁石体試験片の表面に電気銅めっき被膜を形成したところ陰極電流密度の増加速度:0.001A/dm2秒、形成された電気銅めっき被膜はめっき処理終了時点で既に顕著な変色を生じており、実用上の問題があった膜厚は未測定。この電気銅めっき被膜は、JISK5400に準拠したクロスカット剥離試験を行うと被膜剥離を起こす、密着性に劣るものであった。電気銅めっき被膜を表面に形成した磁石体試験片の断面分析をTEMによって行った結果、図8から明らかなように、電気銅めっき被膜の結晶粒径は非常に小さく、ほとんどが0.5μm未満であった平均結晶粒径は約0.3μm。また、図9から明らかなように、磁石体試験片と被膜の界面に存在する非晶質の酸素含有層の厚みは非常に厚く、10nmを超えるものであった。さらに、図10から明らかなように、磁石体試験片と被膜の界面には磁石体試験片の表面を構成する鉄などと銅との間での置換めっき反応に起因すると考えられる脱粒が認められた。実施例6:特許文献1に記載の、1硫酸銅5水和物を0.06mol/L、2HEDPを0.15mol/L、3グルコン酸ナトリウムを0.01mol/L、4硫酸ナトリウムを0.1mol/L、5酒石酸ナトリウムを0.1mol/L含有し、水酸化ナトリウムでpHを11.0に調整した電気銅めっき処理用めっき液を使用し、めっき液の浴温が60°Cで、電気銅めっき処理を行ったこと以外は実施例1と同じ条件で磁石体試験片の表面に電気銅めっき被膜を形成した。形成された電気銅めっき被膜の膜厚は約4.2μmであった。この電気銅めっき被膜は、JISK5400に準拠したクロスカット剥離試験において実用上問題にならない程度の密着性を有していた。実施例7:特許文献2に記載の、1硫酸銅5水和物を0.06mol/L、2HEDPを0.15mol/L、3ピロリン酸カリウムを0.2mol/L含有し、水酸化ナトリウムでpHを10.0に調整した電気銅めっき処理用めっき液を使用し、めっき液の浴温が60°Cで、電気銅めっき処理を行ったこと以外は実施例1と同じ条件で磁石体試験片の表面に電気銅めっき被膜を形成した。形成された電気銅めっき被膜の膜厚は約4.1μmであった。この電気銅めっき被膜は、JISK5400に準拠したクロスカット剥離試験において実用上問題にならない程度の密着性を有していた。