"ポリイミド樹脂であって、イソシアネート成分と、テトラカルボン酸二無水物からなる酸成分とを合成反応させて得られる下記化学式1で表わされる酸無水物末端イミド化合物に対して、ジアミン成分を合成反応させて得られる下記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸からなることを特徴とするポリイミド樹脂ただし下記化学式1,2において、R1およびR2は4価の有機基であり互いに同じでも異なっていてもよく、XおよびR3は2価の有機基であり、nは1以上の整数である。請求項1に記載の前記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸と、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物とを合成反応させて得られる下記化学式3で表わされるポリアミック酸と、を共重合させて得られる下記化学式4で表わされる部分イミド化ポリアミック酸からなることを特徴とするポリイミド樹脂ただし下記化学式3,4において、R1,R2,R4およびR5は4価の有機基であり互いに同じでも異なっていてもよく、mは1以上の整数である。請求項1に記載の前記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸または請求項2に記載の前記化学式4で表わされる部分イミド化ポリアミック酸が、熱的手法およびまたは化学的手法によって更に部分的にイミド化された部分イミド化ポリアミック酸からなることを特徴とするポリイミド樹脂。金属導体線の外周に絶縁被膜を有する絶縁電線であって、前記絶縁被膜が、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のポリイミド樹脂からなることを特徴とする絶縁電線。ポリイミド樹脂の製造方法であって、イソシアネート成分と、テトラカルボン酸二無水物からなる酸成分とを合成反応させて下記化学式1で表わされる酸無水物末端イミド化合物を生成させる工程Aと、前記酸無水物末端イミド化合物に対してジアミン成分を合成反応させて下記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸を生成させる工程Bと、を含むことを特徴とするポリイミド樹脂の製造方法ただし下記化学式1,2において、R1およびR2は4価の有機基であり互いに同じでも異なっていてもよく、XおよびR3は2価の有機基であり、nは1以上の整数である。請求項5に記載のポリイミド樹脂の製造方法において、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物とを合成反応させて下記化学式3で表わされるポリアミック酸を生成させる工程Cと、前記ポリアミック酸と前記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸とを共重合させて下記化学式4で表わされる部分イミド化ポリアミック酸を生成させる工程Dと、を更に含むことを特徴とするポリイミド樹脂の製造方法ただし下記化学式3,4において、R1,R2,R4およびR5は4価の有機基であり互いに同じでも異なっていてもよく、mは1以上の整数である。請求項5に記載のポリイミド樹脂の製造方法において、前記工程Bにより得られた前記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸に対して、熱的手法およびまたは化学的手法によって更に部分的にイミド化する工程Eを更に含むことを特徴とするポリイミド樹脂の製造方法。請求項6に記載のポリイミド樹脂の製造方法において、前記工程Dにより得られた前記化学式4で表わされる部分イミド化ポリアミック酸に対して、熱的手法およびまたは化学的手法によって更に部分的にイミド化する工程Eを更に含むことを特徴とするポリイミド樹脂の製造方法。最近では電気電子部品への小型化高性能化の要求がますます高度になってきており、それら電気電子部品に用いるポリイミド樹脂成形体に対する寸法精度や欠陥抑制の要求も厳しくなっている。例えば、モータ等のコイル用電線として、金属導体線の外周に絶縁被膜が形成された絶縁電線一般的に絶縁ワニスを金属導体線上に塗布焼付して製造されるが広く用いられているが、コイルの小型化高性能化の観点から絶縁被膜に対して、高い屈曲特性や高い耐コロナ放電性を維持しながらより薄くより均質に形成することが強く求められている。ポリイミド樹脂成形体へのそのような要求に対応するためには、ポリアミック酸ワニスのイミド化率を正確に制御調整することが大変重要である。しかしながら、特許文献1,2に記載されているような従来の方法により合成された部分イミド化ポリアミック酸は、合成反応段階でイミド化率を正確に制御することが困難であり、サンプリング測定例えば、FTIR:フーリエ変換型赤外分光法などを行いながら調整する必要があった。一方、特許文献3に記載の方法は、調整のしやすさという点では改善されていると思われるが、混合する2種類の部分イミド化ポリアミック酸の合成自体は従前の方法であり、制御の困難さが根本的に解決しているわけではないという課題があった。従って、本発明の目的は、上記要求を満たすために、イミド化率が正確に制御された部分イミド化ポリアミック酸からなるポリイミド樹脂およびその製造方法を提供することにある。また、該ポリイミド樹脂からなる絶縁被膜を有する絶縁電線を提供することにある。I本発明の1つの態様は、上記目的を達成するため、次のような特徴を有する。本発明に係るポリイミド樹脂は、イソシアネート成分と、テトラカルボン酸二無水物からなる酸成分とを合成反応させて得られる下記化学式1で表わされる酸無水物末端イミド化合物に対して、ジアミン成分を合成反応させて得られる下記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸からなることを特徴とするただし下記化学式1,2において、R1およびR2は4価の有機基であり互いに同じでも異なっていてもよく、XおよびR3は2価の有機基であり、nは1以上の整数である。さらに、本発明は、上記目的を達成するため、上記の本発明に係るポリイミド樹脂において、以下のような改良や変更を加えることができる。i前記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸と、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物とを合成反応させて得られる下記化学式3で表わされるポリアミック酸と、を共重合させて得られる下記化学式4で表わされる部分イミド化ポリアミック酸からなることを特徴とするポリイミド樹脂ただし下記化学式3,4において、R1,R2,R4およびR5は4価の有機基であり互いに同じでも異なっていてもよく、mは1以上の整数である。ii前記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸または前記化学式4で表わされる部分イミド化ポリアミック酸が、熱的手法およびまたは化学的手法によって更に部分的にイミド化された部分イミド化ポリアミック酸からなるポリイミド樹脂である。iii金属導体線の外周に絶縁被膜を有する絶縁電線であって、前記絶縁被膜が上記のポリイミド樹脂からなる。IIまた、本発明の他の態様は、上記目的を達成するため、次のような特徴を有する。本発明に係るポリイミド樹脂の製造方法は、イソシアネート成分と、テトラカルボン酸二無水物からなる酸成分とを合成反応させて下記化学式1で表わされる酸無水物末端イミド化合物を生成させる工程Aと、前記酸無水物末端イミド化合物に対してジアミン成分を合成反応させて下記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸を生成させる工程Bと、を含むことを特徴とするただし下記化学式1,2において、R1およびR2は4価の有機基であり互いに同じでも異なっていてもよく、XおよびR3は2価の有機基であり、nは1以上の整数である。さらに、本発明は、上記目的を達成するため、上記の本発明に係るポリイミド樹脂の製造方法において、以下のような改良や変更を加えることができる。ivジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物とを合成反応させて下記化学式3で表わされるポリアミック酸を生成させる工程Cと、前記ポリアミック酸と前記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸とを重合させて下記化学式4で表わされる部分イミド化ポリアミック酸を生成させる工程Dと、を更に含むただし下記化学式3,4において、R1,R2,R4およびR5は4価の有機基であり互いに同じでも異なっていてもよく、mは1以上の整数である。v前記工程Bにより得られた前記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸に対して、熱的手法およびまたは化学的手法によって更に部分的にイミド化する工程Eを更に含む。vi前記工程Dにより得られた前記化学式4で表わされる部分イミド化ポリアミック酸に対して、熱的手法およびまたは化学的手法によって更に部分的にイミド化する工程Eを更に含む。本発明によれば、イミド化率が正確に制御された部分イミド化ポリアミック酸からなるポリイミド樹脂およびその製造方法を提供することができる。また、該ポリイミド樹脂からなる絶縁被膜を有する絶縁電線を提供することができる。以下、本発明に係る実施形態を説明する。ただし、本発明は、ここで取り上げた実施の形態に限定されることはなく、要旨を変更しない範囲で適宜組み合わせや改良が可能である。[第1の実施形態のポリイミド樹脂]本発明の第1の実施形態に係るポリイミド樹脂は、前述したように、イソシアネート成分と、テトラカルボン酸二無水物からなる酸成分とを合成反応させて得られる下記化学式1で表わされる酸無水物末端イミド化合物に対して、ジアミン成分を合成反応させて得られる下記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸からなることを特徴とする。本発明は、ポリアミック酸の合成にあたり、上記化学式1の酸無水物末端イミド化合物を経由していることに最大の特徴がある。化学式1の酸無水物末端イミド化合物は、その構造中に2価の有機基であるXを含み、その両末端には閉環したイミド基が結合している。それぞれのイミド基には4価の有機基であるR1,R2が結合している。化学式1の酸無水物末端イミド化合物中のR1,R2は、テトラカルボン酸二無水物に含まれる有機基を用いることができる。有機基R1やR2を含むテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、芳香族テトラカルボン酸二無水物例えば、ピロメリット酸二無水物PMDA、33’44’ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDA、33’44’ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物DSDA、44’オキシジフタル酸二無水物ODPA、33’44’ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、44’ジフタル酸二無水物、mterフェニル33’44’テトラカルボン酸二無水物、pterフェニル33’44’テトラカルボン酸二無水物などや脂環式化合物例えば、シクロブタン1234テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン1234テトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。なお、有機基R1とR2とは互いに同じでも異なっていてもよい。有機基Xについては後述する。本発明では、化学式1の酸無水物末端イミド化合物に対して、1種または複数種のジアミンを合成反応させることによりポリアミック酸を得る。このとき、化学式1の酸無水物末端イミド化合物は、その分子構造内にイミド基を既に有することから、直接的に部分イミド化ポリアミック酸を得ることができる。上記化学式2の部分イミド化ポリアミック酸は、繰り返し最小単位として、上述した化学式1の酸無水物末端イミド化合物中のR1,R2にそれぞれアミック酸が結合しており、さらに、このアミック酸同士が、2価の有機基であるR3を介して重合した構造になっている。本発明において、イミド化率とは、部分イミド化ポリアミック酸の繰り返し最小単位内におけるイミド基の数Niとアミック酸の数Naとの合計に対するイミド基の数Niの割合100Ni単位:と定義する。例えば、化学式2の構造におけるイミド化率は50となる。なお、nは1以上の整数である。有機基X,R3としては、例えば、下記化学式5~10で表わされるような有機基を用いることができる。上記化学式5~10において、芳香環上の水素原子の一部がハロゲン元素例えば、フッ素、塩素、臭素などやアルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など、ハロゲン置換アルキル基例えば、フェニル基、アルコキシ基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基など、ヒドロキシル基、ニトロ基などの置換基で置換されているものでもよい。また、R6,R7,R8に特段の限定は無いが、例えば、CH2、O、CO、S、SO2、COO、CONH、C2、C2などが好適に選ばれる。さらに、化学式2の部分イミド化ポリアミック酸はR3を含むジアミンを用いて合成することができるため、R3としては、上記以外のジアミン骨格を用いてもよいし、脂肪族基や化学式5~10の芳香環を水添したような脂環式化合物を用いてもよい。化学式2の部分イミド化ポリアミック酸は、有機基Xと結合している結合基だけがイミド化しており、他のアミック酸部位はイミド化していない構造になっている。これにより、イミド化率が50に精度よく制御された部分イミド化ポリアミック酸が得られる。なお、従来の部分イミド化ポリイミド樹脂は、例えば、有機基Xを含むジアミンと、有機基R3を含むジアミンと、有機基R1を含むテトラカルボン酸二無水物と、有機基R2を含むテトラカルボン酸二無水物とから合成されるポリアミック酸に対して、熱的または化学的な部分イミド化処理を施して作製されている。この場合、化学式2のように有機基Xと結合している部分のみがイミド化された構造とはならず、全体がランダムにイミド化されてしまうため、イミド化率の制御が困難であった。[第2の実施形態のポリイミド樹脂]本発明の第2の実施形態に係るポリイミド樹脂は、前記化学式2で表わされる部分イミド化ポリアミック酸と、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物とを合成反応させて得られる下記化学式3で表わされるポリアミック酸と、を共重合させて得られる下記化学式4で表わされる部分イミド化ポリアミック酸からなることを特徴とする。上記化学式3で表わされるポリアミック酸は、繰り返し最小単位中に4価の有機基R4を含むテトラカルボン酸二無水物と4価の有機基R5を含むジアミン化合物とが結合した構造を有している。有機基R4を含むテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、芳香族テトラカルボン酸二無水物例えば、ピロメリット酸二無水物PMDA、33’44’ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDA、33’44’ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物DSDA、44’オキシジフタル酸二無水物ODPA、33’44’ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、44’ジフタル酸二無水物、mterフェニル33’44’テトラカルボン酸二無水物、pterフェニル33’44’テトラカルボン酸二無水物などや脂環式化合物例えば、シクロブタン1234テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン1234テトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。一方、4価の有機基R5を含むジアミン化合物に特段の限定はない。なお、有機基R1,R2,R4およびR5は互いに同じでも異なっていてもよい。また、mは1以上の整数である。化学式4で表わされる部分イミド化ポリアミック酸は、前記化学式2と同様に、有機基Xと結合している結合基だけがイミド化しており、化学式3を含む他のアミック酸部位はイミド化していない構造になっている。また、有機基Xを含有する繰り返し最小単位内でのイミド化率は50である。このことから、化学式2と化学式3との共重合比率を制御することで、化学式4の部分イミド化ポリアミック酸のイミド化率を0超50未満の範囲で、任意にかつ精度よく制御することができる。なお、従来の部分イミド化ポリイミド樹脂は、例えば、有機基Xを含むジアミンと、有機基R3を含むジアミンと、有機基R5を含むジアミンと、有機基R1を含むテトラカルボン酸二無水物と、有機基R2を含むテトラカルボン酸二無水物と、有機基R4を含むテトラカルボン酸二無水物とから合成されるポリアミック酸に対して、熱的または化学的な部分イミド化処理を施して作製されている。この場合、化学式4のように有機基Xと結合している部分のみがイミド化された構造とはならず、全体がランダムにイミド化されてしまうため、イミド化率の制御が困難であった。[絶縁電線]図1は、本発明に係る絶縁電線の1例を示す断面模式図である。図1に示したように、本発明に係る絶縁電線10は、金属導体線1の外周に前述のポリイミド樹脂からなる絶縁被膜2が形成されているものである。絶縁電線10の製造方法に特段の限定は無いが、従前の方法例えば、金属導体線上への絶縁ワニスの塗布焼付を好適に利用することができる。金属導体線1に特段の限定はなく、通常のエナメル線で用いられる銅線、アルミニウム線の他に、金線、銀線や超電導線などを利用することができる。また、銅線の外周にニッケルなどの金属めっきを施した導体でもよい。さらに、本発明に係る絶縁被膜2が被覆される導体形状にも特段の限定はなく、丸形状や四辺形状であってもよい。なお、本発明における四辺形状とは、角部が丸みを有する四角形状や角丸長方形状を含むものとする。本発明に係る絶縁電線は、金属導体線1と絶縁被膜2との密着性を向上させるための被膜を金属導体線1と絶縁被膜2との間に形成してもよい。また、本発明に係る絶縁電線は、絶縁被膜2の外周に潤滑性を付与するための被膜や、耐傷性を付与するための被膜を形成してもよい。これら付加的な被膜に特段の限定は無く、公知の被膜を利用できる。付加的な被膜の形成は、絶縁ワニスを塗布焼付することによってもよいし、押出機を用いた押出成形によってもよい。[ポリイミド樹脂の製造方法]化学式1の酸無水物末端イミド化合物の合成本発明においては、イソシアネート成分と、テトラカルボン酸二無水物からなる酸成分とを合成反応させて化学式1で表わされる酸無水物末端イミド化合物を生成させる。イソシアネート成分としては、例えば、44’ジフェニルメタンジイソシアネートMDI、トリレンジイソシアネートTDI、ナフタレンジイソシアネートNDI、キシリレンジイソシアネートXDI、ビフェニルジイソシアネート、ジフェニルスルホンジイソシアネート、ジフェニルエーテルジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネート類、それらの異性体や多量体が挙げられる。また、それらの芳香環上の水素原子の一部がハロゲン元素例えば、フッ素、塩素、臭素などやアルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など、ハロゲン置換アルキル基例えば、フェニル基、アルコキシ基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基など、ヒドロキシル基、ニトロ基などの置換基で置換されているものでもよい。必要に応じて、脂肪族ジイソシアネート類例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、キシシレンジイソシアネートなどや、上記の芳香族ジイソシアネートを水添した脂環式ジイソシアネート類およびその異性体を使用併用してもよい。なお、テトラカルボン酸二無水物からなる酸成分については、前述した通りである。上記のイソシアネート成分と、4価の有機基R1やR2を含むテトラカルボン酸二無水物とを1:2のモル比で配合する。必要に応じて、15:2程度のモル比までイソシアネート成分を増やして配合してもよい。溶媒中でこれらを撹拌混合し窒素雰囲気中で加熱すると、二酸化炭素CO2を発生しながらイミド化反応が起こり、化学式1の酸無水物末端イミド化合物が合成される。加熱温度としては、60~160°Cが好ましく、80~140°Cがより好ましい。また、加熱時間としては、30分間~6時間が好ましく、1~3時間がより好ましい。上記の合成反応では、縮合により二酸化炭素が発生するのみであるため、得られた酸無水物末端イミド化合物を精製する必要が特にないという利点がある。なお、得られた酸無水物末端イミド化合物中に、ジイソシアネートとテトラカルボン酸二無水物とが重合したオリゴマが含まれている場合があるが、本発明における酸無水物末端イミド化合物は、そのようなオリゴマが含まれていても問題ない。また、本発明において、合成反応後の酸無水物末端イミド化合物溶液は、そのまま次の合成反応ポリアミック酸の合成反応の原料溶液として利用できる。そのため、本発明は、ワンポットで酸無水物末端イミド化合物の合成とポリアミック酸の合成とを行うことができるすなわち、製造が簡便である利点もある。化学式3のポリアミック酸の合成4価の有機基R4を含むテトラカルボン酸二無水物と4価の有機基R5を含むジアミン化合物とを重合反応させて化学式3のポリアミック酸を生成させる。該反応の方法に特段の限定はなく従前の方法を利用できるが、本発明においては、イミド化反応を生じさせないようにポリアミック酸を合成することが肝要である。なお、化学式3のポリアミック酸の合成は、部分イミド化ポリアミック酸の合成する工程と別個に行ってもよいし同時に行ってもよい。化学式2または化学式4の部分イミド化ポリアミック酸の合成上記で得られた化学式1の酸無水物末端イミド化合物に対して、2価の有機基R3を含むジアミンを配合し溶媒中で撹拌混合することにより、重合反応が起こり、化学式2の部分イミド化ポリアミック酸が合成される。また、化学式1の酸無水物末端イミド化合物に対して、2価の有機基R3を含むジアミンと化学式3のポリアミック酸とを配合し溶媒中で撹拌混合することにより、重合反応が起こり、化学式4の部分イミド化ポリアミック酸が合成される。または、化学式1の酸無水物末端イミド化合物に対して、2価の有機基R3を含むジアミンと、4価の有機基R5を含むジアミンと、酸無水物末端イミド化合物以外のテトラカルボン酸二無水物4価の有機基R4を含むテトラカルボン酸二無水物と、を配合し溶媒中で撹拌混合することにより、重合反応が起こり、化学式4の部分イミド化ポリアミック酸が合成される。なお、上記合成反応における溶媒に特段の限定はないが、例えば、Nメチル2ピロリドンNMP、ジメチルアセトアミドDMAC、NNジメチルホルムアミドDMFなどの極性溶媒を好適に用いることができる。上記の重合反応部分イミド化ポリアミック酸の合成は、イミド化反応が生じないように40~40°C程度の低温で行うことが望ましい。より望ましくは10~30°Cである。低温で重合反応を行うことにより、化学式1の酸無水物末端イミド化合物に由来するイミド基以外の部分でのイミド化を抑制し、得られる部分イミド化ポリアミック酸のイミド化率を正確に制御することができる。化学式2の部分イミド化ポリアミック酸のイミド化率は50である。また、化学式4の部分イミド化ポリアミック酸のイミド化率は、共重合させる化学式1の酸無水物末端イミド化合物と化学式3のポリアミック酸との配合比に応じて、0超50未満の範囲で精度よく制御することができる。得られた部分イミド化ポリアミック酸は、再沈澱により粉末として取り出して利用してもよいし、溶液状ワニス状のまま利用してもよい。部分イミド化ポリアミック酸ワニスの使い勝手ポリアミック酸ワニスに要求される性状を考慮すると、不揮発成分を多くし揮発成分を少なくし、粘度が小さいことが好ましい。部分イミド化ポリアミック酸ワニスは、イミド化率0の場合に比較して、イミド化率の増加に伴って粘度が減少するが、ある領域を超えてイミド化率が増加すると粘度も増加し、最終的にポリイミドが不溶化する。そのため、部分イミド化ポリアミック酸のイミド化率としては、10~70が好ましく、25~50がより好ましい。本発明に係る部分イミド化ポリアミック酸は、前述したように、イミド化率を0超50以下の範囲で精度よく制御することができる。50超のイミド化率は、化学式2または化学式4の部分イミド化ポリアミック酸に対して、従前の熱的手法およびまたは化学的手法によって更に部分的にイミド化することで達成可能である。なお、従前の手法による部分イミド化はイミド化率の制御性に弱点を有するが、ベースとなる本発明の部分イミド化ポリアミック酸のイミド化率が正確であることから、従来の部分イミド化ポリアミック酸よりもイミド化率を精度よく調整することができる。部分イミド化ポリアミック酸からなるポリイミド樹脂本発明の部分イミド化ポリアミック酸を利用して所望の形状に成形した後、完全にイミド化することでポリイミド樹脂成形体を製造することができる。例えば、本発明の部分イミド化ポリアミック酸ワニスを、基材フィルム上にスピンコート法やディップコート法などにより塗布したり、丸形状や四辺形状の金属導体線の外周に塗布したり、銅張積層板CCL上に塗布したり、基板形状にキャストしたりすることができる。また、本発明のポリイミド樹脂成形体の用途に特段の限定はなく、従来のポリイミド樹脂と置き換えて利用することができるが、従来よりも形状変形や気泡などの欠陥の発生を抑制することができる効果がある。以下、本発明を実施例に基づいてより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1イソシアネート成分として44’ジフェニルメタンジイソシアネートMDI125gと、テトラカルボン酸二無水物として44’オキシジフタル酸二無水物ODPA312gとを溶媒であるNメチル2ピロリドンNMP100gに溶解させ、窒素雰囲気中120°Cで2時間反応させて酸無水物末端イミド化合物溶液を用意した。この反応させた溶液を30°Cまで冷却した後、ジアミン成分として44’ジアミノジフェニルメタンDDM99gと、NMP溶媒969gを該溶液に投入し、室温窒素雰囲気中で約15時間オーバーナイトの撹拌混合を行い、実施例1の部分イミド化ポリアミック酸ワニスを作製した。得られた実施例1の部分イミド化ポリアミック酸ワニスの性状を調査したところ、不揮発成分が213質量であった。FTIRを用いてイミド基のピークから計測したイミド化率は49であり、これは、配合比から期待される50を十分達成していると言える。実施例2イソシアネート成分としてMDIを50gと、テトラカルボン酸二無水物としてODPAを125gと、をNMP溶媒100gに溶解させ、窒素雰囲気中120°Cで2時間反応させて酸無水物末端イミド化合物溶液を用意した。この反応させた溶液を30°Cまで冷却した後、ジアミン成分としてDDMを119gと、NMP溶媒604gを該溶液に投入し溶解させた。ジアミン成分が十分溶解した後に、追加のテトラカルボン酸二無水物として125gのODPAを更に投入し、室温窒素雰囲気中で約15時間オーバーナイトの撹拌混合を行い、実施例2の部分イミド化ポリアミック酸ワニスを作製した。得られた実施例2の部分イミド化ポリアミック酸ワニスの性状を調査したところ、不揮発成分が20質量であった。FTIRを用いてイミド基のピークから計測したイミド化率は26であり、これは、配合比から期待される25を十分達成していると言える。以上説明したように、本発明によれば、イミド化率が正確に制御された部分イミド化ポリアミック酸を得ることができる。これにより、従来よりも形状変形や気泡などの欠陥の発生が抑制されたポリイミド樹脂およびその成形体例えば、絶縁電線を提供することができる。"