少なくとも酸化亜鉛と、酸化ビスマスと、酸化マンガンを含むバリスタ層と、前記バリスタ層を挟み込むように形成された一対の内部導体と前記バリスタ層の片面もしくは両面に設けられた第一のセラミック基板とを有するバリスタ内蔵セラミック基板において、前記第一のセラミック基板は副成分として酸化マンガン、酸化ビスマス及び酸化ニオブを含むことを特徴としたバリスタ内蔵セラミック基板。前記第一のセラミック基板を構成する前記副成分の含有率が、前記副成分の全体を100重量としたときそれぞれ下記の範囲であることを特徴とした請求項1に記載のバリスタ内蔵セラミック基板。50重量≦酸化ビスマス≦70重量15重量≦酸化マンガン≦25重量15重量≦酸化ニオブ≦25重量前記第一のセラミック基板の主成分は酸化アルミニウムであることを特徴とした請求項1に記載のバリスタ内蔵セラミック基板。前記第一のセラミック基板全体に占める前記酸化アルミニウムの含有率が88重量以上96重量以下である請求項3に記載のバリスタ内蔵セラミック基板。前記バリスタ層の片面に前記第一のセラミック基板を配置し、もう一方の面に酸化アルミニウム基板、窒化アルミニウム基板、窒化ケイ素基板のいずれかを設けたことを特徴とする請求項1に記載のバリスタ内蔵セラミック基板。本発明は、上記課題を解決するものであり、バリスタ特性に優れたバリスタ内蔵セラミック基板を提供することを目的とする。上記課題を解決するために本発明のバリスタ内蔵基板は、少なくとも酸化亜鉛と、酸化ビスマスと、酸化マンガンを含むバリスタ層と、前記バリスタ層を挟み込むように形成された一対の内部導体と前記バリスタ層の片面もしくは両面に設けられた第一のセラミック基板とを有するバリスタ内蔵セラミック基板において、前記第一のセラミック基板は副成分として酸化マンガン、酸化ビスマス及び酸化ニオブを含むことを特徴としたバリスタ内蔵セラミック基板とした。以上のように本発明のバリスタ内蔵セラミック基板は、バリスタ層に含まれる酸化ビスマスおよび酸化マンガンと同一材料を構成成分として含む第一のセラミック基板を、バリスタ層の片面もしくは両面に用いたことにより、バリスタ層に含まれる酸化ビスマスおよび酸化マンガンが焼成工程時に蒸発、もしくは上下に設けられるセラミック基板に拡散することを抑制することができる。以下、本発明のバリスタ内蔵セラミック基板について説明する。図1は本発明の一実施例におけるバリスタ内蔵セラミック基板8を示した断面図である。図1に示すバリスタ内蔵セラミック基板は、バリスタ層2の上下面を第一のセラミック基板1と第二のセラミック基板3で挟み込んだ構成とした。このバリスタ層2の内部には対向する1対の内部導体4が設けられており、この内部導体4は、第一のセラミック基板1とバリスタ層2と第二のセラミック基板3とを貫通するビア電極5と導通した構成となる。主面電極6は第二のセラミック基板3の上面に配置され、この主面電極6の上面にLED等の半導体デバイスが実装される。また端子電極7は第一のセラミック基板1の上面に配置されバリスタ内蔵セラミック基板8そのものを実装するための電極となり、主面電極6および端子電極7はビア電極5を介して導通する構成となる。なお、第一のセラミック基板1の上面に主面電極6を形成し、第二のセラミック基板3の上面に端子電極7を形成して、前述した構成と上下逆さまにしても良い。バリスタ層2の材料組成は、主成分の酸化亜鉛を80重量以上と、酸化ビスマス、酸化マンガン、酸化アンチモン、酸化コバルト等の副成分を0重量から20重量とすることが好ましく、この材料組成により優れたバリスタ特性を得ることができる。第一のセラミック基板1は酸化アルミニウムを主成分とし、副成分として酸化ビスマス、酸化マンガンおよび酸化ニオブを含む。副成分はバリスタ層2と共通の構成成分を含有することにより、焼成時にバリスタ層2から酸化ビスマスや酸化マンガンなどの低融点の副成分が蒸発またはバリスタ層2の上下に配置される基板への拡散を抑制することができるものと推測される。これによりバリスタ層2に含まれる酸化ビスマスや酸化マンガン等の副成分は、焼成後もバリスタ層2に均一に分散された状態を維持するため、静電気吸収効果にバラツキが少なく、信頼性の高いバリスタ内蔵セラミック基板を得ることができる。第二のセラミック基板3は酸化アルミニウム基板、窒化アルミニウム基板、窒化ケイ素基板等が使用できるが熱伝導性が良好であるとともに耐熱性と絶縁性を有する材料よりなる事が好ましい。以上のように本発明のバリスタ内蔵セラミック基板は、バリスタ層に含まれる酸化ビスマスおよび酸化マンガンと同一材料を構成成分として含む第一のセラミック基板を、バリスタ層の片面もしくは両面に用いたことにより、バリスタ層に含まれる酸化ビスマスおよび酸化マンガンが焼成工程時に蒸発、もしくは上下に設けられるセラミック基板に拡散することを抑制することができるためバリスタ特性に優れたバリスタ内蔵セラミック基板とすることができる。図2は本発明の一実施例におけるバリスタ内蔵セラミック基板9を示した断面図である。図2は図1に記載のバリスタ内蔵セラミック基板8における、第二のセラミック基板3を第一のセラミック基板1で置き換えたものである。すなわち、バリスタ層2を第一のセラミック基板1で挟み込む構成とすることによって、よりバリスタ層2からの酸化ビスマスや酸化マンガンの蒸発および上下のセラミック基板への拡散を抑制することができるものである。また、特許文献1に記載の静電気対策部品はバリスタ層2の上下面に配置されるセラミック基板をガラス成分を含むセラミック基板とすることにより、基板の焼結性を向上させているが、このガラス成分は熱抵抗が高いため、セラミック基板自体の熱抵抗も高くなってしまい、半導体チップ動作時に発生する熱を十分に放熱することは困難である。本発明はバリスタ層2の成分と同一の成分である酸化ビスマスおよび酸化マンガンを含有させることによって第一のセラミック基板1の焼結性を向上させることができる発明であるとともに、従来のセラミック基板よりも熱抵抗が低く半導体デバイス動作時の発熱を効果的に放熱することができるものである。次に、図1に示すバリスタ内蔵セラミック基板8の製造方法について説明する。まず第二のセラミック基板3としては焼成済みの酸化アルミニウム基板を用いた。この酸化アルミニウム基板は一般的に用いられる、酸化アルミニウム基板であり、酸化アルミニウムの含有量が約96であり、副成分として酸化シリコン等が約4含有される。ビア電極5を形成するための孔を作製する方法としては、レーザーを用いて孔あけ加工する方法がある。なお、後述するように第一のセラミック基板1と同様にシートから積層してバリスタ層2と一体焼成して作製することもできる。次に、バリスタ層2となるバリスタ層シートを以下のように作製する。まず、バリスタ粉末の全体を100重量としたとき、酸化亜鉛を80重量以上と、酸化ビスマス、酸化マンガン、酸化アンチモン、酸化コバルト等の副成分を20重量以下と、バインダ樹脂、可塑剤、および溶剤とを配合した後、これらを混合および分散することによりスラリーを作製する。次いで、ドクターブレード法によって、PETフィルム上に前記スラリーを塗布、乾燥してバリスタ層シートを作製する。次に、第一のセラミック基板1となる第一のセラミックシートを以下のように作製する。まず、主成分となる酸化アルミニウム粉末と、副成分の酸化ビスマス、酸化マンガンおよび酸化ニオブの含有量全体を100重量としたとき、酸化ビスマスが50重量以上70重量以下、酸化マンガンが15重量以上25重量以下、酸化ニオブが15重量以上25重量以下と、バインダ樹脂、可塑剤、および溶剤とを配合した後、混合および分散してスラリーを作製する。次いで、ドクターブレード法によって、PETフィルム上に前記スラリーを塗布、乾燥して第一のセラミックシートを作製する。次に、上記のように作製されたバリスタ層シートおよび第一のセラミックシートに、ビア電極5を形成するための孔を形成する。この方法としては、例えばメカニカルパンチャー法を用いて孔あけ加工する方法がある。孔をあけた各シートに、第二のセラミック基板3、バリスタ層シートおよび第一のセラミックシートにビア電極5を形成するためのビア電極5用の導体ペーストを充填する。充填方法としてはスクリーン印刷法で各シートの孔にビア電極5用の導体ペーストを埋め込む方法がある。次に、ビア電極5用の導体ペーストを埋め込んだバリスタ層シートに、内部導体4用の導体ペーストをスクリーン印刷することにより印刷するものと、導電ペーストを印刷しないものを作製する。この内部導体4用の導体ペーストを形成したバリスタ層シートおよび、内部導体4用の導体ペーストを形成していないバリスタ層シートをそれぞれ所望の枚数を加熱しながら積層してバリスタ層シート積層体を形成する。次に、このバリスタ層シート積層体の片面に、ビア電極5用の導体ペーストを充填した第一のセラミックシートをもう一方の面に上記ビア電極5用の導体ペーストを充填した第二のセラミック基板3を加熱しながら積層し、複合積層体を形成する。次いで、ビア電極の端部と接続するように、第一のセラミックシートおよび第二のセラミック基板3の主面に主面電極6および端子電極7をスクリーン印刷法にて形成する。これら主面電極6、端子電極7は複合積層体を積層する前のシート段階、または複合積層体の段階どちらで形成してもよい。なお、ビア電極5、内部導体4、主面電極6、端子電極7はいずれもAgが80、Pdが20となる電極を使用した。このようにして得られた複合積層体を400~600°C程度の温度で脱バインダを行い、最後に950~1050°Cの温度で焼成することでバリスタ内蔵セラミック基板が得られる。以下、前述した製造方法で作製された本発明のバリスタ内蔵セラミック基板を具体的に説明する。実施例1においてはバリスタ層2の焼成後の厚みを、バリスタ特性を発現するための有効層有効層:一対の対向する内部導体4間に介在するバリスタ層2の厚みは10μm、一対の対向する内部電極を経て有効層の上下に形成するバリスタ外層の厚みは35μmとして検討を行った。第一のセラミック基板1の焼成後の厚みは30μmである。バリスタ層2に対し、第一のセラミック基板1と反対の面に配置される第二のセラミック基板3の厚みは0.25mmとした。なお、脱バインダは600°Cにて2時間、その後1000°Cにて2時間の焼成を行うことにより、バリスタ内蔵セラミック基板8を得た。焼成後のバリスタ内蔵セラミック基板8の縦横の寸法は2.0mm×2.0mmとした。このようにして得られたバリスタ内蔵セラミック基板8について、バリスタ特性および熱伝導率の評価を行った。バリスタ特性は、試料に1μA~1mAの範囲で電流を流したときの電圧値を測定して電圧電流特性を評価し、この電圧電流特性からバリスタ電圧V1mAと非直線性αを求めた。バリスタ電圧V1mAは、電流値を1mA流した時の電圧値と定義し、評価方法は前述した有効層の厚みから、単位厚み当たりのバリスタ電圧V1mA/mmVを求めた。また、非直線性αは電流値を1mA流した時の電圧値V1mAと、電流値を10μA流したときの電圧値V10μAとの比V1mA/V10μAで評価した。したがって、非直線性αが1に近いほど理想的で非直線性に優れている。なお、本評価においては非直線性αが1.3未満を本発明の範囲内、非直線性αが1.3以上を本発明の範囲外とした。熱伝導率は縦横の寸法が3.5mm×3.5mm、厚み寸法を0.4mmとし、温度波熱分析法にて評価を行った。なお、本評価においては熱伝導率が19.0W/mk以上を本発明の範囲内とし、熱伝導率が19.0未満を本発明の範囲外とした。表1には、第一のセラミック基板1の材料組成比率を検討した評価結果を示す。試料番号1~試料番号3は、第一のセラミック基板1の組成比率を変更した。試料番号6は、第一のセラミック基板1がなく、バリスタ層2の一方の面が露出した構成とした。試料番号1~試料番号3の非直線性αは、いずれも1.30未満で良好な結果が得られた。試料番号4、試料番号5のサンプルは1.5以上となった。この結果から第一のセラミック基板1中の副成分を構成する酸化マンガン、酸化ビスマスおよび酸化ニオブの比率が、副成分合計量全体を100重量としたとき、酸化マンガン15.0重量~25.0重量、酸化ビスマス50.0重量~70.0重量、酸化ニオブ15.0重量~25.0重量の範囲の場合、良好な非直線性αを得られることが分った。また、第一のセラミック基板1を用いていない試料番号6は、バリスタ電圧が著しく高くなり、非直線性αも1.64と高い値になった。これは焼成過程において、酸化ビスマス、酸化マンガンなどの低融点成分が蒸発することで、バリスタ層2の焼結が著しく低下し、バリスタ電圧の異常上昇および非直線性αが悪化するものと推測される。実施例2では実施例1と同様の製造方法を用いて、得られたバリスタ内蔵セラミック基板8において、第一のセラミック基板1に含まれる酸化アルミニウム含有比率を変更して評価を行った。ここで、第一のセラミック基板1中の副成分を構成する酸化マンガン、酸化ビスマスおよび酸化ニオブの比率が、副成分合計量全体を100重量としたとき、酸化マンガン、酸化ビスマス、酸化ニオブの比率はそれぞれ20.0重量、60.0重量、20.0重量に固定した。第一のセラミック基板1中の酸化アルミニウム含有量が86.0重量~96.0重量の試料番号7~試料番号11では、バリスタの非直線性αは1.30未満と良好な結果が得られた。試料番号12の酸化アルミニウム含有量が97.0重量の場合、非直線性αが1.37と悪化した、これは酸化アルミニウムの比率が増加して相対的に副成分である酸化ビスマス、酸化マンガンの比率が少なくなったことにより、バリスタ層2の焼結性が低下したためと推測される。また、熱伝導性については、第一のセラミック基板1中に含まれる酸化アルミニウム含有率が88.0重量~96.0重量の範囲の試料番号7~試料番号10では、熱伝導率19W/mk以上と良好な結果が得られた。第一のセラミック基板1中に含まれる酸化アルミニウム含有率が86.0重量の試料番号11は、熱伝導率が17.9W/mkと低い値を示した。これは熱伝導性の低い副成分の比率が増大したことにより、酸化アルミニウム自体の熱伝導率が低くなるためである。第一のセラミック基板1中に含まれる酸化アルミニウム含有率が97.0重量の試料番号12は、熱伝導率が16.1W/mkと低い値を示した。これは相対的に副成分の比率が低く、焼結過程に生成する液相が減少したため、焼結緻密性が低下し、熱伝導率が低くなったと考えられる。