受光面と裏面とを有する第1導電型の半導体基板と、第1導電型を有する第1半導体層と、第2導電型を有する第2半導体層と、前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、絶縁性を有する絶縁層と、を備え、前記第1半導体層及び前記第2半導体層は、前記裏面上に形成される太陽電池であって、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが交互に配列された配列方向において、前記第1半導体層の端部を第1半導体層端部とし、前記第1半導体層と隣り合う前記第2半導体層の端部を第2半導体層端部とし、前記第1半導体層上に形成され、前記第1電極側にある一方の前記絶縁層の端部を第1絶縁層端部とし、前記第2電極側にある他方の前記絶縁層の端部を第2絶縁層端部とすると、前記第2半導体層端部の前記裏面と接する端点から前記第2絶縁層端部までの前記配列方向に沿った長さは、前記端点から前記第1絶縁層端部までの前記配列方向に沿った長さよりも短い太陽電池。前記端点から前記第2絶縁層端部までの前記配列方向に沿った長さは、0.1mm以内である請求項1に記載の太陽電池。前記第2絶縁層端部と前記第1半導体層端部とが並んでいる請求項1に記載の太陽電池。前記第2絶縁層端部と前記第1半導体層端部とは、前記配列方向において、同一位置にある請求項1に記載の太陽電池。前記太陽電池は、短絡を防ぐための分離溝を備えており、前記分離溝は、前記絶縁層上に位置する、請求項1に記載の太陽電池。前記裏面上に形成された前記第1半導体層と前記裏面上に形成された前記第2半導体層とのうち、p型の導電型を有する半導体層をp型半導体層とすると、前記配列方向において、前記分離溝の中心は、前記絶縁層の中心よりも、前記p型半導体層の中心に近い請求項5に記載の太陽電池。前記受光面の全面で受光が可能である、請求項1に記載の太陽電池。前記受光面は、パッシベーション層で覆われている、請求項7に記載の太陽電池。前記パッシベーション層は、実質的に真正な非晶質半導体層を含む、請求項8に記載の太陽電池。前記受光面は、テクスチャ構造を有する、請求項7に記載の太陽電池。前記半導体基板の前記裏面は、前記受光面よりも平坦にされている、請求項10に記載の太陽電池。受光面と裏面とを有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記裏面上に交互に配列された第1導電型を有する第1半導体層および第2導電型を有する第2半導体層と、前記第1半導体層に電気的に接続される第1電極と、前記第2半導体層に電気的に接続される第2電極と、を有する太陽電池であって、前記第1半導体層の表面の端部の上に設けられた絶縁層を有し、前記第2導体層は、前記絶縁層上を含んで前記半導体基板の前記裏面上に設けられ、前記第1電極と前記第2電極とは、前記絶縁層上で電気的に分離されている、太陽電池。前記第1電極と前記第2電極とを電気的に分離する分離溝が、前記絶縁層上に設けられている、請求項12に記載の太陽電池。前記受光面の全面で受光が可能である、請求項12に記載の太陽電池。前記受光面は、パッシベーション層で覆われている、請求項14に記載の太陽電池。前記パッシベーション層は、実質的に真正な非晶質半導体層を含む、請求項15記載の太陽電池。前記受光面は、テクスチャ構造を有する、請求項14に記載の太陽電池。前記半導体基板の前記裏面は、前記受光面よりも平坦にされている、請求項17に記載の太陽電池。光を受ける受光面と前記受光面とは反対側に設けられる裏面とを有する第1導電型の半導体基板の前記裏面上に、第1導電型を有する第1半導体層を形成する第1半導体層形成工程と、前記裏面上に、第2導電型を有する第2半導体層を形成する第2半導体層形成工程と、絶縁性を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有する太陽電池の製造方法であって、各工程は、前記第1半導体層形成工程、前記絶縁層形成工程、前記第2半導体層形成工程の順に行われ、前記第2半導体層形成工程は、前記第1半導体層上に形成された前記絶縁層の一部を除去する工程と、前記絶縁層が除去されることにより露出した前記第1半導体層を除去する工程と、前記第1半導体層が除去されることにより露出した前記半導体基板上に前記第2半導体層を形成する工程とを有する太陽電池の製造方法。前記第1半導体層形成工程は、前記半導体基板の前記裏面の略全面上に、前記第1半導体層を形成する工程を含む、請求項19に記載の太陽電池の製造方法。前記絶縁層形成工程は、前記第1半導体層の表面の略全面上に、前記絶縁層を形成する工程を含む、請求項20に記載の太陽電池の製造方法。前記太陽電池の製造方法は、短絡を防ぐための分離溝を形成する分離溝形成工程を有しており、前記分離溝形成工程では、前記絶縁層上に分離溝が形成される、請求項19に記載の太陽電池の製造方法。前記裏面上に形成された前記第1半導体層と前記裏面上に形成された前記第2半導体層とのうち、p型の導電型を有する半導体層をp型半導体層とすると、前記分離溝形成工程では、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが交互に配列された配列方向において、前記分離溝の中心は、前記絶縁層の中心よりも、前記p型半導体層の中心に近く形成される請求項22に記載の太陽電池の製造方法。前記分離溝は、前記第1半導体層に接続される第1電極と、前記第2半導体層に接続される第2電極との短絡を防ぐ、請求項22に記載の太陽電池の製造方法。前記第1半導体層に接続される第1電極と、前記第2半導体層に接続される第2電極とを形成する電極形成工程をさらに備え、前記電極形成工程は、前記第1半導体層の表面上および前記第2半導体層の表面上に連なる電極層を形成する工程と、前記電極層に、前記絶縁層上で分離溝を形成する工程と、を含む、請求項19に記載の太陽電池の製造方法。前記電極形成工程は、透明電極層を形成する工程と収集電極を形成する工程とを含み、前記透明電極層を形成する工程は、透明電極膜を前記第1半導体層の表面上および前記第2半導体層の表面上に連なるように形成すると共に、前記透明電極膜に前記絶縁層上で分離溝を形成する工程を含み、前記収集電極を形成する工程は、前記分離溝により分離された透明電極層のそれぞれの上に収集電極を形成する工程を含む、請求項25に記載の太陽電池の製造方法。前記透明電極層を形成する工程は、前記透明電極膜の表面上に下地金属膜を形成する工程を含む、請求項26に記載の太陽電池の製造方法。前記収集電極の形成を、スクリーン印刷法またはメッキ法を用いて行う、請求項26に記載の太陽電池の製造方法。太陽電池100は、光を受光することにより半導体基板110内にキャリア電子と正孔が生成する。キャリアは、多数キャリアと少数キャリアとからなる。半導体基板110の導電型がn型である場合は、多数キャリアは電子であり、少数キャリアは正孔である。図1に示すように、n型半導体基板110内のn型半導体層120付近で生成した正孔5は、p側電極150pへと移動する際に、絶縁層140で覆われたp型半導体層130と半導体基板110との接合付近を通過する必要がある。この通過の際に、正孔5は、多数キャリアである電子と再結合を起こしやすい。再結合が起こると、電極150から取り出されるキャリアが減少するため、変換効率の低下が懸念される。また、少数キャリアが電子となるp型の半導体基板でも同様である。本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、少数キャリアの再結合を減少させ、変換効率を向上させた太陽電池及びその太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決するため、本発明は、次のような特徴を有している。本発明によれば、受光面と裏面裏面12とを有する第1導電型の半導体基板半導体基板10nと、第1導電型を有する第1半導体層第1半導体層20nと、第2導電型を有する第2半導体層第2半導体層30pと、前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極第1電極50nと、前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極第2電極50pと、絶縁性を有する絶縁層絶縁層40と、を備え、前記第1半導体層及び前記第2半導体層は、前記裏面上に形成される太陽電池太陽電池1であって、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが交互に配列された配列方向配列方向xにおいて、前記第1半導体層の端部を第1半導体層端部第1半導体層端部27とし、前記第1半導体層と隣り合う前記第2半導体層の端部を第2半導体層端部第2半導体層端部37とし、前記第1半導体層上に形成され、前記第1電極側にある一方の前記絶縁層の端部を第1絶縁層端部第1絶縁層端部45aとし、前記第2電極側にある他方の前記絶縁層の端部を第2絶縁層端部第2絶縁層端部45bとすると、前記第2半導体層端部の前記裏面と接する端点端点39から前記第2絶縁層端部までの前記配列方向に沿った長さは、前記端点から前記第1絶縁層端部までの前記配列方向に沿った長さよりも短いことを要旨とする。本発明によれば、第2半導体層端部の裏面と接する端点から第2絶縁層端部までの配列方向に沿った長さは、端点から第1絶縁層端部までの配列方向に沿った長さよりも短い。これにより、第1半導体層付近で生成した少数キャリアは、第2電極へと移動する際に、絶縁層で覆われた第2半導体層と半導体基板との接合付近を通過する長さが短くなる。従って、配列方向における絶縁層の幅が同一の太陽電池と比べた場合、本発明の太陽電池の方が、第2半導体層下における少数キャリアの再結合を減少させることができる。また、前記端点から前記第2絶縁層端部までの前記配列方向に沿った長さは、0.1mm以内であることを要旨とする。また、前記第2絶縁層端部と前記第1半導体層端部とが並んでいることを要旨とする。また、前記第2絶縁層端部と前記第1半導体層端部とは、前記配列方向において、同一位置にあることを要旨とする。また、前記太陽電池は、短絡を防ぐための分離溝を備えており、前記裏面上に形成された前記第1半導体層と前記裏面上に形成された前記第2半導体層とのうち、p型の導電型を有する半導体層をp型半導体層とすると、前記配列方向において、前記分離溝の中心は、前記絶縁層の中心よりも、前記p型半導体層の中心に近いことを要旨とする。また、光を受ける受光面と前記受光面とは反対側に設けられる裏面とを有する第1導電型の半導体基板の前記裏面上に、第1導電型を有する第1半導体層を形成する第1半導体層形成工程と、前記裏面上に、第2導電型を有する第2半導体層を形成する第2半導体層形成工程と、絶縁性を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有する太陽電池の製造方法であって、各工程は、前記第1半導体層形成工程、前記絶縁層形成工程、前記第2半導体層形成工程の順に行われ、前記第2半導体層形成工程は、前記第1半導体層上に形成された前記絶縁層の一部を除去する工程と、前記絶縁層が除去されることにより露出した前記第1半導体層を除去する工程と、前記第1半導体層が除去されることにより露出した前記半導体基板上に前記第2半導体層を形成する工程とを有することを要旨とする。また、前記太陽電池の製造方法は、短絡を防ぐための分離溝を形成する分離溝形成工程を有しており、前記裏面上に形成された前記第1半導体層と前記裏面上に形成された前記第2半導体層とのうち、p型の導電型を有する半導体層をp型半導体層とすると、前記分離溝形成工程では、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが交互に配列された配列方向において、前記分離溝の中心は、前記絶縁層の中心よりも、前記p型半導体層の中心に近く形成されることを要旨とする。本発明は、少数キャリアの再結合を減少させ、変換効率を向上させる太陽電池及びその太陽電池の製造方法を提供することができる。本発明の実施形態に係る太陽電池1の一例について、図面を参照しながら説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。図面は模式的なのものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることを留意すべきである。従って、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきものである。図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。1太陽電池1Aの概略構成本発明の実施形態に係る太陽電池1Aの概略構成について、図2及び図3を参照しながら説明する。図2は、本発明の実施形態に係る太陽電池1Aの裏面12側から視た平面図である。図3は、図2のA-A’線における断面図である。太陽電池1Aは、図2及び図3に示すように、半導体基板10n、第1半導体層20n、第2半導体層30p、絶縁層40、第1電極50n、第2電極50p、接続電極70n及び、接続電極70pを備える。半導体基板10nは、光を受ける受光面と受光面とは反対側に設けられる裏面12とを有する。半導体基板10nは、受光面における受光によってキャリア電子と正孔を生成する。半導体基板10nは、n型又はp型の導電型を有する単結晶Si、多結晶Siなどの結晶系半導体材料や、GaAs、InPなどの化合物半導体材料を含む一般的な半導体材料によって構成することができる。半導体基板10nの受光面及び裏面12には、微小な凹凸が形成されていてもよい。図示しないが、半導体基板10nの受光面には光の入射を遮る構造体例えば、電極などは形成されていない。半導体基板10nは、受光面全面での受光が可能である。受光面は、パッシベーション層に覆われていても良い。パッシベーション層は、キャリアの再結合を抑制するパッシベーション性を有する。パッシベーション層は、例えば、ドーパントを添加せず、あるいは微量のドーパントを添加することによって形成される実質的に真正な非晶質半導体層を含むことができる。半導体基板10nは、第1導電型である。太陽電池1Aにおいて、半導体基板10nがn型単結晶シリコン基板であるものとして説明する。従って、半導体基板10nの導電型は、n型となる。このため、少数キャリアは、正孔となる。第1半導体層20nは、半導体基板10nの裏面12上に形成される。第1半導体層20nは、長手方向を有するように形成される。この長手方向を長手方向yとする。第1半導体層20nは、半導体基板10nと同一の第1導電型を有する。第1半導体層20nは、n型非晶質半導体層によって構成されている。このような構成いわゆるBSF構造によれば、半導体基板10nの裏面12と第1半導体層20nとの界面におけるキャリアの再結合を抑制することができる。第2半導体層30pは、半導体基板10nの裏面12上に形成される。第2半導体層30pは、長手方向yを有するように形成される。第2半導体層30pは、半導体基板10nと異なる第2導電型を有する。第2半導体層30pは、p型非晶質半導体層によって構成されている。このため、半導体基板10nと第2半導体層30pとの接合は、pn接合となる。第2半導体層30pは、絶縁層40上にも形成される。尚、第1半導体層20nと裏面12との間、第2半導体層20pと裏面12の間に夫々薄い真性非晶質半導体層を介挿しても良い。このようにすることで、接合特性を改善することができる。図3に示されるように、第1半導体層20nと第2半導体層30pとは、交互に配列される。この配列方向を配列方向xとする。太陽電池1Aにおいて、配列方向xと長手方向yとは、直交している。配列方向xにおける第1半導体層20nの端部を第1半導体層端部27とする。配列方向xにおいて、第1半導体層20nと隣り合う第2半導体層30pの配列方向xにおける端部を第2半導体層端部37とする。第2半導体層端部37において、裏面12と接する点を端点39とする。太陽電池1Aにおいて、第1半導体層端部27と第2半導体層端部37とは接している。なお、第2半導体層30pは、絶縁層40上にも形成されるが、第2半導体層端部37とは、裏面12上に形成された第2半導体層30pにおける端部をいう。従って、絶縁層40上に形成された第2半導体層30pの端部は、第2半導体層端部37でない。絶縁層40は、絶縁性を有する。絶縁層40は、少なくとも第1半導体層20n上に形成される。太陽電池1Aにおいて、絶縁層40は、第1半導体層20nと第2半導体層30pとに跨って形成される。絶縁層40としては、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素などを用いることができる。絶縁層40は、配列方向xにおいて端部を有する。第1半導体層20n上に形成され、配列方向xにおいて第1電極50n側にある一方の絶縁層40の端部を第1絶縁層端部45aとする。配列方向xにおいて第2電極50p側にある他方の絶縁層40の端部を第2絶縁層端部45bとする。端点39から第1絶縁層端部45aまでの配列方向xに沿った長さLnは、端点39から第2絶縁層端部45bまでの配列方向xに沿った長さLpよりも長い。すなわち、長さLpは、長さLnよりも短い。言い換えると、絶縁層40は、配列方向xにおいて、第2半導体層30pよりも第1半導体層20nに寄って形成される。端点39から第2絶縁層端部45bまでの配列方向xに沿った長さLpは、0.1mm以内が好ましい。長さLpが、0.1mm以内であれば、再結合する少数キャリアの数も少ないため、変換効率の向上が図られる。第1電極50nは、第1半導体層20nと電気的に接続されている。図2に示されるように、第1電極50nは、長手方向yに沿って形成される。第1電極50nは、透明電極層52nと収集電極55nとを有する。透明電極層52nは、第1半導体層20n上に形成される。また、絶縁層40上に形成された第2半導体層30p上にも形成される。透明電極層52nは、透光性を有する導電性材料によって形成される。透明電極層52nとしては、ITO酸化インジウム錫、酸化錫、酸化亜鉛などを用いることができる。収集電極55nは、透明電極層52n上に形成される。収集電極55nとしては、樹脂材料をバインダーとし、銀粒子等の導電性粒子をフィラーとする樹脂型導電性ペーストや、スパッタリング法による銀などを用いて形成することができる。また、透明電極層52n上に下地金属を形成した後、メッキ法を用いて形成することもできる。第2電極50pは、第2半導体層30pと電気的に接続されている。図2に示されるように、第2電極50pは、長手方向yに沿って形成される。第2電極50pは、透明電極層52pと収集電極55pとを有する。透明電極層52pは、第2半導体層30p上に形成される。収集電極55pは、透明電極層52p上に形成される。透明電極層52p及び収集電極55pは、それぞれ透明電極層52n、収集電極55nと同一の材料を用いることができる。第1電極50n及び第2電極50pは、キャリアを収集する。第1電極50n及び第2電極50pは、短絡を防ぐための分離溝60によって分離されている。分離溝60は、透明電極52に設けられる。分離溝60は、第2半導体層30p上に形成された透明電極52に設けられる。従って、分離溝60の底は、第2半導体層30pとなる。ここでいう第2半導体層30pは、絶縁層40上に形成された第2半導体層30pである。分離溝60は、長手方向yに沿って形成される。なお、第2半導体層30pは、p型であるため、導電性が低い。また、第2半導体層30pの厚みは、分離溝60の幅に対して極めて小さい。このため、第2半導体層30pを介した第1電極50nと第2電極50pとの間のリークは、極めて小さい。接続電極70nは、複数の第1電極50nと電気的に接続される。具体的には、図2に示されるように、接続電極70nは、第1電極50nの端部と接続される。接続電極70pは、複数の第2電極50pと電気的に接続される。具体的には、図2に示されるように、接続電極70pは、第2電極50pの端部と接続される。接続電極70n及び接続電極70pは、複数の第1電極50n及び複数の第2電極50pに収集されたキャリアをさらに収集する。2太陽電池1Bの概略構成本発明の実施形態に係る太陽電池1Bの概略構成について、図4を参照しながら説明する。以下において、太陽電池1Aと同一部分については、説明を省略する。すなわち、太陽電池1Aとの相違点を主に説明する。図4は、本発明の実施形態に係る太陽電池1Bの配列方向x及び長手方向yに垂直な垂直方向zと配列方向xとに沿った断面図である。図4に示されるように、第1半導体層20nは、i型非晶質半導体層22iとn型非晶質半導体層25nとからなる。i型非晶質半導体層22iは、半導体基板10nの裏面12上に形成される。n型非晶質半導体層25nは、i型非晶質半導体層22i上に形成される。このような、n型の半導体基板10n、i型非晶質半導体層22i、n型非晶質半導体層25nという構成いわゆるBSF構造によれば、半導体基板10nの裏面におけるキャリアの再結合を抑制することができる。図4に示されるように、第2半導体層30pは、i型非晶質半導体層32iとp型非晶質半導体層35pとからなる。i型非晶質半導体層32iは、半導体基板10nの裏面12上に形成される。p型非晶質半導体層35pは、i型非晶質半導体層32i上に形成される。このような、n型の半導体基板10n、i型非晶質半導体層32i、p型非晶質半導体層35pという構成いわゆるHIT登録商標構造によれば、pn接合特性を向上することができる。i型非晶質半導体層22i、i型非晶質半導体層32i、n型非晶質半導体層25n及びp型非晶質半導体層35pそれぞれは、水素を含む非晶質半導体によって構成することができる。このような非晶質半導体としては、非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド、或いは非晶質シリコンゲルマニウムなどが挙げられる。非晶質半導体層には、これに限らず他の非晶質半導体を用いてもよい。i型非晶質半導体層22i、i型非晶質半導体層32i、n型非晶質半導体層25n及びp型非晶質半導体層35pは、それぞれ1種の非晶質半導体によって構成されていてもよい。i型非晶質半導体層22i、i型非晶質半導体層32i、n型非晶質半導体層25n及びp型非晶質半導体層35pは、それぞれ2種以上の非晶質半導体が組み合わされていてもよい。図4に示されるように、第2絶縁層端部45bと第1半導体層端部27とが並んでいる。また、第2絶縁層端部45bと第1半導体層端部27とは配列方向xにおいて、同一位置にある。ここで、同一位置とは、略同一位置であり、誤差によるズレを含んでいる。太陽電池1Bにおいて、p型の導電型を有する半導体層は、第2半導体層30pである。本実施形態においても、第1電極50nと第2電極50pとを分離する分離溝60は、第1半導体層20nの表面上に設けられた絶縁層40上に設けられている。また、分離溝60は、絶縁層40上の第2半導体層30p上に設けられている。さらに分離溝60は、絶縁層40上の第2半導体層30p上に設けられた透明電極層52pに設けられている。また、図4に示されるように、配列方向xにおける分離溝60の中心60Mは、配列方向xにおける絶縁層40の中心40Mよりも、配列方向xにおける第2半導体層30pの中心30pMに近い。すなわち、第2半導体層30pの中心30pMから絶縁層40の中心40Mまでの長さL40よりも、第2半導体層30pの中心30pMから分離溝60の中心60Mまでの長さL60の方が短い。配列方向xにおいて、分離溝60は、絶縁層40の中心に位置するのではなく、p型の半導体層に寄って形成される。3太陽電池1Bの製造方法本発明の実施形態に係る太陽電池1Bの製造方法について、図5から図12を参照しながら説明する。図5は、本発明の実施形態に係る太陽電池1Bの製造方法を説明するためのフローチャートである。図6から図12は、本発明の実施形態に係る太陽電池1Bの製造方法を説明するための図である。図5に示されるように、太陽電池1Bの製造方法は、工程S1から工程S4を有する。工程S1は、第1導電型の半導体基板10nの裏面12上に、第1導電型を有する第1半導体層20nを形成する工程である。まず、半導体基板10nが準備される。半導体基板10n表面の汚れを除去するため、半導体基板10nには、酸又はアルカリ溶液でエッチングがなされている。半導体基板10nの受光面には光反射低減用のテクスチャ構造が形成されている。半導体基板10nの裏面は、受光面に比べ平坦にされている。準備された半導体基板10nの裏面12上に、i型非晶質半導体層22iが形成される。形成されたi型非晶質半導体層22i上に、n型非晶質半導体層25nが形成される。i型非晶質半導体層22i及びn型非晶質半導体層25nは、例えば、化学気相蒸着法CVD法によって、形成される。この工程S1によって、裏面12上に第1半導体層20nが形成される。工程S2は、絶縁性を有する絶縁層40を形成する工程である。工程S1により、形成された第1半導体層20n上に、絶縁層40が形成される。具体的には、図6に示されるように、n型非晶質半導体層25n上に、絶縁層40が形成される。絶縁層40は、例えば、CVD法によって、形成される。工程S3は、第1導電型の半導体基板10nの裏面12上に、第2導電型を有する第2半導体層30pを形成する工程である。工程S3は、工程S31から工程S33を有する。工程S31は、第1半導体層20n上に形成された絶縁層40を除去する工程である。フォトリソ法又はスクリーン印刷法を用いて、絶縁層40上にレジストを塗布する。垂直方向zから裏面12を見て、第2半導体層30pが形成される部分に該当する絶縁層40上にレジストを塗布する。その後、エッチング液によって、レジストで覆われていない部分の絶縁層40を溶解及び除去する。これによって、図7に示されるように、第1半導体層20nが露出する。また、第2絶縁層端部45bが現れる。処理条件によっては、第1半導体層20nも一部除去されることもある。レジストによるパターン形成以外の方法としては、例えば、エッチングペーストにより、絶縁層40を部分的に除去する方法がある。これらに限らず、他の方法により、絶縁層40を部分的に除去しても良い。工程S32は、絶縁層40が除去されることにより露出した第1半導体層20nを除去する工程である。露出した第1半導体層20nをアルカリ洗浄する。これにより、図8に示されるように、半導体基板10nが露出する。また、第1半導体層端部27が現れる。処理条件により、第1半導体層端部27の除去される量が変わる。このため、太陽電池1Aのように、絶縁層40が第1半導体層20nと第2半導体層30pとに跨って形成する場合は、例えば、処理時間を長めにする。工程S32では、除去されずに残った絶縁層40が第1半導体層20nを保護する保護層として働く。このため、第2絶縁層端部と第1半導体層端部とが並んで形成される。また、第2絶縁層端部45bと第1半導体層端部27とは配列方向xにおいて、同一位置にある。工程S33は、第1半導体層20nが除去されることにより露出した半導体基板10n上に第2半導体層30pを形成する工程である。半導体基板10nの裏面12上に、i型非晶質半導体層32iが形成される。形成されたi型非晶質半導体層32i上に、p型非晶質半導体層35pが形成される。i型非晶質半導体層32i及びp型非晶質半導体層35pは、例えば、CVD法によって、形成される。この工程S33によって、裏面12上に第2半導体層30pが形成される。図9に示されるように、太陽電池1Bにおいて、第2半導体層30pは、全面に渡って形成される。従って、第2半導体層30pは、裏面12上だけでなく、絶縁層40上にも形成される。また、第2半導体層30pは、第2絶縁層端部45b及び第1半導体層端部27を覆う。第2半導体層端部37は、裏面12上に形成された第2半導体層30pにおける端部であるため、第1半導体層端部27と第2半導体層端部37とは接している。工程S4は、第1電極50n及び第2電極50pを形成する工程である。工程S4は、工程S41から工程S44を有する。工程S41は、第2半導体層30p及び絶縁層40を除去する工程である。絶縁層40上に形成された第2半導体層30p上に、フォトリソ法やスクリーン印刷法を用いて、第2半導体層30pを残したい部分にレジストを塗布する。その後、エッチング液を用いて処理を行うことにより、図10に示されるように、レジストが塗布された第2半導体層30p部分及び絶縁層40部分が残る。レジストが塗布されなかった第2半導体層30p部分及び絶縁層40部分は、除去される。絶縁層40が完全に除去されずに残る場合は、フッ化水素HFを用いて洗浄を行う。これにより、第1半導体層20nが露出する。また、第1絶縁層端部45aが現れる。第2半導体層30p及び絶縁層40を別々に除去しても良い。また、工程S31と同様に、レジストを用いた方法以外の方法によって、第2半導体層30p及び絶縁層40を除去しても良い。工程S42は、透明電極層52を形成する工程である。図11に示されるように、第1半導体層20n上及び第2半導体層30p上に、物理蒸着法PVD法を用いて、透明電極層52を形成する。その後、PVD法を用いて、収集電極55の下地となる下地金属層を形成しても良い。下地金属には、例えば、Ti及びCuが用いられる。工程S43は、短絡を防ぐための分離溝60を形成する工程である。レーザーを用いて、分離溝60を形成する。分離溝60は、第2半導体層30p上に形成された透明電極52に設けられる。ここでいう第2半導体層30pは、絶縁層40上に形成された第2半導体層30pである。レーザーにより、第1半導体層20n又は第2半導体層30pが傷つけられるためである。レーザーを用いる方法以外、例えば、レジストとエッチング液とを用いて分離溝60を形成した場合も同様である。分離溝60が適切な箇所に形成されるように、レーザーの放射口やレジストパターンの位置合わせは行われるものの、微小なずれを生じてしまう。この微小な位置合わせずれを考慮して、太陽電池1Aでは、配列方向xにおける絶縁層40の中心40Mに、分離溝60の中心60Mが一致するようにして、分離溝60が形成されている。一方、太陽電池1Bでは、配列方向xにおいて、分離溝60が、p型の第2半導体層30pに寄って形成される。すなわち、配列方向xにおいて、分離溝60の中心60Mは、絶縁層40の中心40Mよりも、第2半導体層30pの中心30pMに近く形成される。このような位置合わせを行うことにより、配列方向xにおける絶縁層40の幅を短くしても、n型の半導体層である第1半導体層20nにレーザー又はエッチング液による損傷が生じることがない。これにより、絶縁層40の幅を短く設計することができるため、第1半導体層20n下で発生した少数キャリアが、絶縁層40下を経由して第2半導体層30pまで移動する距離を短くできる。従って、少数キャリアの再結合による効率低下を低減させることができる。工程S44は、収集電極55を形成する工程である。スクリーン印刷法により、導電性ペーストを透明電極52上に塗布する。その後、導電性ペーストを焼成することによって収集電極55形成する。メッキ法により、透明電極52上に、収集電極55形成しても良い。これにより、図4に示される太陽電池1Bが形成される。4作用効果本発明の実施形態に係る太陽電池1によれば、端点39から第2絶縁層端部45bまでの配列方向xに沿った長さLpは、端点39から第1絶縁層端部45aまでの配列方向xに沿った長さLnよりも短い。これによって、半導体基板10n内の第1半導体層20n付近で生成した少数キャリアは、第2電極50pへと移動する際に、絶縁層40で覆われた第2半導体層30pと半導体基板10nとの接合付近を通過する長さが短くなる。従って、配列方向xにおける絶縁層40の幅が同一の太陽電池と比べた場合、太陽電池1の方が、第2半導体層30p下での少数キャリアが第2電極50pに到達するまでの距離が短くなり、少数キャリアの再結合を減少させることができる。本発明の実施形態に係る太陽電池1によれば、端点39から第2絶縁層端部45bまでの配列方向xに沿った長さLpは、0.1mm以内である。長さLpが0.1mm以内であれば、再結合する少数キャリアの数も少ないため、変換効率の向上が図られる。本発明の実施形態に係る太陽電池1Bによれば、第2絶縁層端部45bと第1半導体層端部27とが並んでいる。また、第2絶縁層端部45bと第1半導体層端部27とは配列方向xにおいて、同一位置にある。少数キャリアは、絶縁層40で覆われた第2半導体層30pと半導体基板10nとの接合付近を通過せずに、第2電極50pへと移動できる。本発明の実施形態に係る太陽電池1Bによれば、配列方向xにおいて、分離溝60の中心60Mは、絶縁層40の中心40Mよりも、p型半導体である第2半導体層30pの中心30pMに近い。このため、絶縁層40の幅が短くても、n型の半導体層である第1半導体層20nに、分離溝60の形成による損傷が生じることがない。絶縁層40の幅を短くすることにより、第1半導体層20n下で発生した少数キャリアが、第2電極50pに到達するまでの距離が短くなる。従って、少数キャリアの再結合による損失を減少させることができる。本発明の実施形態に係る太陽電池1の製造方法によれば、第1半導体層形成工程S1、絶縁層形成工程S2、第2半導体層形成工程S3の順に行われ、第2半導体層形成工程S3は、第1半導体層20n上に形成された絶縁層40を除去する工程S31と、絶縁層40が除去されることにより露出した第1半導体層20nを除去する工程S32と、第1半導体層20nが除去されることにより露出した半導体基板10n上に第2半導体層30pを形成する工程S33とを有する。これによって、絶縁層40を第1半導体層20nの保護膜として用いることができる。その結果、第2絶縁層端部と第1半導体層端部とが並んで形成される。また、第2絶縁層端部45bと第1半導体層端部27とは配列方向xにおいて、同一位置となるように形成される。本発明の実施形態に係る太陽電池1Bの製造方法によれば、分離溝形成工程S43では、配列方向xにおいて、分離溝60の中心60Mは、絶縁層40の中心40Mよりも、第2半導体層30pの中心30pMに近く形成される。これによって、n型の半導体層である第1半導体層20nが表面に露出することがないため、エッチング液などによる損傷を受けない。また、分離溝60をレーザーで形成する場合も、レーザーによる損傷を生じることはない。従って、絶縁層40の幅を短く設計することができるため、絶縁層40の下の第1半導体層20nと半導体基板10nとの接続部分を小さくできる。従って、少数キャリアが第1半導体層20n下を移動する距離を短くできる。また、絶縁層40の幅が短くなるにつれ、半導体基板10n上に形成された第1半導体層20n上に形成される第1電極50n透明電極層52nの配列方向xにおける幅を長くできる。これによって、電流の抵抗損失を減少できる。5その他の実施形態上述したように、本発明の実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。本発明の実施形態に係る太陽電池1では、半導体基板10nはn型であったが、必ずしもそうである必要はない。図13に示されるように、p型の半導体基板10pを用いても良い。この場合、少数キャリアは電子となる。このため、太陽電池1Cでは、端点39から第2絶縁層端部45aまでの配列方向xに沿った長さLpは、端点39から第1絶縁層端部45bまでの配列方向xに沿った長さLnよりも長い。図13において、第2絶縁層端部45bと第1半導体層端部27とが並んでいる。また、第2絶縁層端部45bと第1半導体層端部27とは配列方向xにおいて、同一位置にある。太陽電池1Cにおいても、配列方向xにおいて、分離溝60の中心60Mは、絶縁層40の中心40Mよりも、p型半導体層である第1半導体層の配列方向xにおける中心20pMに近い。本発明の実施形態に係る太陽電池1では、分離溝60は、絶縁層40上に形成された第2半導体層30p上に形成された透明電極52に設けられていたが、位置合わせのずれにより、図14に示すように、分離溝60の一部が、裏面12上に形成された第2半導体層30p上に形成された透明電極52に設けられていても良い。第2絶縁層端部45b及び第1半導体層端部27を覆う第2半導体層30pの厚さが薄い場合は、透明電極層52pと第1半導体層20nとの距離が近くなるため、短絡を生じる可能性が考えられる。分離溝60の一部である分離溝65が形成されることにより、そのような短絡を生じる可能性が減少する。分離溝65の形成により、裏面12上に形成された第2半導体層30pに損傷を生じるものの、p型の半導体層の損傷によるダメージは、n型の半導体層の損傷によるダメージと比べて、充分小さい。従って、短絡を防ぐため、分離溝65が、裏面12上に形成された第2半導体層30p上に形成された透明電極52に設けられていても良い。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。