下記の一般式:式中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示し;R3は置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアルキル基を示し;R4及びR5はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示し;YはY1Y2を示し、Y1はCR6及びR7はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示し、R7はR3が示すアリール基と結合して環を形成していてもよい又は置換基を有していてもよいoアリールジイル基該アリールジイル基のアリール環はR3が示すアリール基と結合して環を形成していてもよいを示し、Y2は単結合又はCR8及びR9はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示すを示すで表される化合物又はその塩。R1及びR2が水素原子又はアルキル基であり、R3がフェニル基であり、R4及びR5が水素原子又はアルキル基であり、YがCR6及びR7はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基であり、R7がアルキル基を示す場合にはR7はR3が示すフェニル基と結合して環を形成していてもよい、oフェニレン基、又はナフタレン12ジイル基である請求項1に記載の化合物又はその塩。下記の構造式で表される請求項1に記載の化合物又はその塩。下記の一般式:式中の定義は上記と同義であるで表される不斉補助基がリン原子上に結合した核酸誘導体。下記の一般式:式中、R1、R2、R3、R4、R5、及びYは上記と同義であり;R11は水素原子又は水酸基の保護基を示し;R12、R13、及びR14はそれぞれ独立に水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;R15は水素原子、水酸基の保護基、又は必要に応じてリンカーを介して結合した固相担体を示し;Bsは核酸塩基を示すを示し;nは0又は1以上の整数を示すで表される核酸誘導体。下記の一般式:式中、R1、R2、R3、R4、R5、及びYは上記と同義であり;R21は水酸基の保護基を示し;R22は水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;Bsは核酸塩基を示すで表されるヌクレオチド誘導体。核酸誘導体の製造方法であって、下記の工程:下記一般式式中、R13、R14、R15、及びnは上記と同義であるで表される核酸誘導体と、上記一般式で表されるヌクレオチド誘導体ただし、R1、R2、R3、R4、R5、及びYは上記と同義であり;R21は水酸基の保護基を示し;R22は水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;Bsは核酸塩基を示すとを反応させて、上記一般式ただし、R1、R2、R3、R4、R5、Y、及びnは上記と同義であり;R11は水酸基の保護基を示し;R12、R13、及びR14はそれぞれ独立に水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;R15は必要に応じてリンカーを介して結合した固相担体を示し;Bsは核酸塩基を示すで表される核酸誘導体を製造する工程;上記工程により得られた一般式で表される核酸誘導体からR11で表される水酸基の保護基を除去し、必要に応じて、得られた核酸誘導体と一般式で表されるヌクレオチド誘導体とを反応させる工程を繰り返す工程;酸性条件下において一般式で表される不斉補助基を除去して下記一般式:式中、R13、R14、R15、及びnは上記と同義であるで表される核酸誘導体を製造する工程;及び上記工程で得られた核酸誘導体のリン原子を修飾した後、必要に応じて保護基を脱離する工程を含む方法。工程における酸性条件として3ジクロロ酢酸ジクロロメタンを用いる請求項7に記載の方法。リン原子の修飾として、Xで表される基で表される基を示すをリン原子上に導入する請求項7又は8に記載の方法。下記の一般式:式中、R101及びR102はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示し;R103はシアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいハロゲン化アルカノイル基、スルホニル基、置換基を有していてもよいハロゲン化アルキルスルホニル基、又はニトロ基を示し;ZはZ1Z2を示し、Z1はCR104びR105はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示すを示し、Z2は単結合又はCR106びR107はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示すを示すで表される化合物又はその塩が提供される。R101及びR102が水素原子又はアルキル基であり、R103がシアノ基であり、ZがCである請求項10に記載の化合物又はその塩。R101及びR102が水素原子であり、R103がシアノ基であり、ZがCR104及びR105は水素原子であるである請求項10に記載の化合物又はその塩。下記の一般式:式中の定義は上記と同義であるで表される不斉補助基がリン原子上に結合した核酸誘導体。下記の一般式:式中、R101、R102、R103、及びZは上記と同義であり;R111は水素原子又は水酸基の保護基を示し;R112及びR114はそれぞれ独立に水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;R113は水素原子、水酸基の保護基、又は必要に応じてリンカーを介して結合した固相担体を示し;Bsは核酸塩基を示し;mは1以上の整数を示すで表される核酸誘導体。下記の一般式:式中、R101、R102、R103、及びZは上記と同義であり;R121は水酸基の保護基を示し;R122は水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;Bsは核酸塩基を示すで表されるヌクレオチド誘導体。核酸誘導体の製造方法であって、下記の工程:下記一般式式中、R101、R102、R103、及びZは上記と同義であり、R112及びR114はそれぞれ独立に水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;R113は必要に応じてリンカーを介して結合した固相担体を示し;pは0又は1以上の整数を示し;Bsは核酸塩基を示すで表される核酸誘導体と、上記一般式で表されるヌクレオチド誘導体ただし、R121は水酸基の保護基を示し;R122は水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示すとを反応させた後に、求電子剤を用いてXXはチオール基、BH3、Seを示すを導入し、R121が示す水酸基の保護基を除去することにより下記一般式:式中、R101、R102、R103、及びZは上記と同義であり、R112及びR114はそれぞれ独立に水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;R113は必要に応じてリンカーを介して結合した固相担体を示し;pは0又は1以上の整数を示し;Bsは核酸塩基を示すで表される核酸誘導体を製造し、必要に応じて上記反応を繰り返して一般式で表される核酸誘導体を製造し;上記工程により得られた上記一般式で表される核酸誘導体から塩基性条件下において一般式で表される不斉補助基を除去して下記一般式:式中、R112、R113、R114、及びpは上記と同義であるで表される核酸誘導体を製造する工程を含む方法。本発明の課題は、立体規則性の高いリン原子修飾核酸誘導体を効率的に製造するための手段を提供することにある。より具体的には、本発明の課題は、立体規則性の高いリン原子修飾核酸誘導体を効率的に製造するために有用な不斉補助基、及び該不斉補助基を導入するための化合物を提供することにある。本発明者らは上記の課題を解決すべく鋭意研究を行ったところ、国際公開WO2010064146に開示された4種の化合物を用いて導入された不斉補助基はリン原子と化学的に安定な結合を形成しており、次工程において不斉補助基を除去するためには強い条件での処理が必要になることから、分解反応が進行して副生物が生成するなど長鎖の核酸誘導体を効率的に合成することが困難になる場合があることを認識した。より具体的には、上記の4種の化合物のうちFormulaQ及びFormulaRで表される化合物を用いて導入された不斉補助基は、強い酸性条件、例えば1トリフルオロ酢酸ジクロロメタンを用いてカチオンを発生させることにより下記のSN1機構で脱離させることができる。しかしながら、この酸性条件はアシル型の保護基で塩基部位を保護したアデニン塩基の脱離が生じる条件であることから、この不斉補助基を用いる場合にはアデニン塩基をアミジン型、トリチル型、又はジアシル型などの保護基で保護しなければならないという問題が生じる下記のスキーム中、Bsは核酸塩基、Meはメチル基、Phはフェニル基を示す。本発明者らはさらに研究を行った結果、上記国際公開WO2010064146には具体的に開示されていない下記の一般式で表される化合物を用いて不斉補助基を導入すると、高い不斉収率で反応が進行するとともに、不斉補助基の除去をより緩和な酸性条件下、例えば核酸合成サイクルにおいて5末端のジメトキシトリチル基を除去して鎖長延長を行う際に用いられる3ジクロロ酢酸ジクロロメタンの条件下においてSN1機構により行うことができること、及びこの不斉補助基を用いることにより長鎖の核酸誘導体を極めて効率的に製造できることを見出した。また、上記国際公開WO2010064146に具体的に開示された4種の化合物のうちFormulaO及びFormulaPで表される化合物を用いて導入された不斉補助基は、塩基性条件、例えばアンモニア水を用いて55°Cで12時間処理してアジリジン化合物として脱離させることができる。しかしながら、この塩基性条件による不斉保護基の除去は比較的短いDNA鎖の合成に際しては問題を生じないが、長鎖DNAの合成や化学的に不安定なRNA鎖の合成では鎖の分解などの副反応や完全な脱離が困難になるなどの問題が生じる下記のスキーム中、Bsは核酸塩基、Phはフェニル基、Nuは求核剤、DMTrはジメトキシトリチル基を示す。本発明者らはさらに研究を行った結果、上記国際公開WO2010064146には具体的に開示されていない下記の一般式で表される化合物を用いて不斉補助基を導入すると、高い不斉収率で反応が進行するとともに、不斉補助基をより緩和な塩基性条件下にβ脱離機構で除去できること、及びこの不斉補助基を用いることにより長鎖の核酸誘導体を極めて効率的に製造できることを見出した。本発明はこれらの知見を基にして完成されたものである。すなわち、本発明により、下記の一般式:式中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示し;R3は置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアルキル基を示し;R4及びR5はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示し;YはY1Y2を示し、Y1はCR6及びR7はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示し、R7はR3が示すアリール基と結合して環を形成していてもよい又は置換基を有していてもよいoアリールジイル基該アリールジイル基のアリール環はR3が示すアリール基と結合して環を形成していてもよいを示し、Y2は単結合又はCR8及びR9はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示すを示すで表される化合物又はその塩が提供される。上記発明の好ましい態様によれば、R1及びR2が水素原子又はアルキル基であり、R3がフェニル基であり、R4及びR5が水素原子又はアルキル基であり、YがCR6及びR7はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基であり、R7がアルキル基を示す場合にはR7はR3が示すフェニル基と結合して環を形成していてもよい、oフェニレン基、又はナフタレン12ジイル基である上記の化合物又はその塩が提供される。さらに好ましい態様によれば、下記の化合物が提供される。別の観点からは、本発明により、下記の一般式:式中の定義は上記と同義であるで表される不斉補助基がリン原子上に結合した核酸誘導体が提供される。この発明の好ましい態様によれば、下記の一般式:式中、R1、R2、R3、R4、R5、及びYは上記と同義であり;R11は水素原子又は水酸基の保護基を示し;R12、R13、及びR14はそれぞれ独立に水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;R15は水素原子、水酸基の保護基、又は必要に応じてリンカーを介して結合した固相担体を示し;Bsは核酸塩基を示すを示し;nは0又は1以上の整数を示すで表される核酸誘導体が提供される。また、本発明により、下記の一般式:式中、R1、R2、R3、R4、R5、及びYは上記と同義であり;R21は水酸基の保護基を示し;R22は水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;Bsは核酸塩基を示すで表されるヌクレオチド誘導体が提供される。さらに本発明により、核酸誘導体の製造方法であって、下記の工程:下記一般式式中、R13、R14、R15、及びnは上記と同義であるで表される核酸誘導体と、上記一般式で表されるヌクレオチド誘導体ただし、R1、R2、R3、R4、R5、及びYは上記と同義であり;R21は水酸基の保護基を示し;R22は水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;Bsは核酸塩基を示すとを反応させて、上記一般式ただし、R1、R2、R3、R4、R5、Y、及びnは上記と同義であり;R11は水酸基の保護基を示し;R12、R13、及びR14はそれぞれ独立に水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;R15は必要に応じてリンカーを介して結合した固相担体を示し;Bsは核酸塩基を示すで表される核酸誘導体を製造する工程;上記工程により得られた一般式で表される核酸誘導体からR11で表される水酸基の保護基を除去し、必要に応じて、得られた核酸誘導体と一般式で表されるヌクレオチド誘導体とを反応させる工程を繰り返す工程;酸性条件下において一般式で表される不斉補助基を除去して下記一般式:式中、R13、R14、R15、及びnは上記と同義であるで表される核酸誘導体を製造する工程;及び上記工程で得られた核酸誘導体のリン原子を修飾した後、必要に応じて保護基を脱離する工程を含む方法が提供される。上記の方法において、工程において一般式で表される不斉補助基を除去する酸性条件としては、例えば3ジクロロ酢酸ジクロロメタンを用いることができる。また、工程におけるリン原子の修飾としては、Xで表される基で表される基を示すをリン原子上に導入することができる。別の観点からは、すなわち、本発明により、下記の一般式:式中、R101及びR102はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示し;R103はシアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいハロゲン化アルカノイル基、スルホニル基、置換基を有していてもよいハロゲン化アルキルスルホニル基、又はニトロ基を示し;ZはZ1Z2を示し、Z1はCR104及びR105はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示すを示し、Z2は単結合又はCR106及びR107はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示すを示すで表される化合物又はその塩が提供される。上記発明の好ましい態様によれば、R101及びR102が水素原子又はアルキル基であり、R103がシアノ基であり、ZがCである上記の化合物又はその塩が提供され、さらに好ましい態様によれば、R101及びR102が水素原子であり、R103がシアノ基であり、ZがCR104及びR105は水素原子であるである上記の化合物又はその塩が提供される。また、本発明により、下記の一般式:式中の定義は上記と同義であるで表される不斉補助基がリン原子上に結合した核酸誘導体が提供される。この発明の好ましい態様によれば、下記の一般式:式中、R101、R102、R103、及びZは上記と同義であり;R111は水素原子又は水酸基の保護基を示し;R112及びR114はそれぞれ独立に水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;R113は水素原子、水酸基の保護基、又は必要に応じてリンカーを介して結合した固相担体を示し;Bsは核酸塩基を示し;mは1以上の整数を示すで表される核酸誘導体が提供される。また、本発明により、下記の一般式:式中、R101、R102、R103、及びZは上記と同義であり;R121は水酸基の保護基を示し;R122は水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;Bsは核酸塩基を示すで表されるヌクレオチド誘導体が提供される。さらに別の観点からは、核酸誘導体の製造方法であって、下記の工程:下記一般式式中、R101、R102、R103、及びZは上記と同義であり、R112及びR114はそれぞれ独立に水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;R113は必要に応じてリンカーを介して結合した固相担体を示し;pは0又は1以上の整数を示し;Bsは核酸塩基を示すで表される核酸誘導体と、上記一般式で表されるヌクレオチド誘導体ただし、R121は水酸基の保護基を示し;R122は水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示すとを反応させた後に、求電子剤を用いてXXはチオール基、BH3、Seを示すを導入し、R121が示す水酸基の保護基を除去することにより下記一般式:式中、R101、R102、R103、及びZは上記と同義であり、R112及びR114はそれぞれ独立に水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示し;R113は必要に応じてリンカーを介して結合した固相担体を示し;pは0又は1以上の整数を示し;Bsは核酸塩基を示すで表される核酸誘導体を製造し、必要に応じて上記反応を繰り返して一般式で表される核酸誘導体を製造し;上記工程により得られた上記一般式で表される核酸誘導体から塩基性条件下において一般式で表される不斉補助基を除去して下記一般式:式中、R112、R113、R114、及びpは上記と同義であるで表される核酸誘導体を製造する工程を含む方法が提供される。アルキル基としては、直鎖状、分枝鎖状、環状、又はそれらの組合せからなるアルキル基を用いることができ、例えば、C1~C15アルキル基が好ましく、C1~C10アルキル基がより好ましく、C1~C6アルキル基がさらに好ましい。アルキル部分を有する他の置換基例えばアルコキシ基、ハロゲン化アルキル基などのアルキル部分についても同様である。例えば、メチル基、エチル基、nプロピル基、イソプロピル基、nブチル基、イソブチル基、secブチル基、tertブチル基、nペンチル基、イソペンチル基、2メチルブチル基、1メチルブチル基、ネオペンチル基、12ジメチルプロピル基、1エチルプロピル基、nヘキシル基、4メチルペンチル基、3メチルペンチル基、2メチルペンチル基、1メチルペンチル基、33ジメチルブチル基、22ジメチルブチル基、11ジメチルブチル基、12ジメチルブチル基、13ジメチルブチル基、23ジメチルブチル基、2エチルブチル基、1エチルブチル基、1エチル1メチルプロピル基、nヘプチル基、nオクチル基、nノニル基、nデシル基、nウンデシル基、nドデシル基、nトリデシル基、nテトラデシル基、nペンタデシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロプロピルメチル基、1シクロプロピルエチル基、2シクロプロピルエチル基、3シクロプロピルプロピル基、4シクロプロピルブチル基、5シクロプロピルペンチル基、6シクロプロピルヘキシル基、シクロブチルメチル基、シクロペンチルメチル基、シクロブチルメチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルプロピル基、シクロヘキシルブチル基、シクロヘプチルメチル基、シクロオクチルメチル基、又は6シクロオクチルヘキシル等を挙げることができるが、これらに限定されることはない。また、環状アルキル基には、ヘテロアリール基の二重結合の全てを単結合に置き換えた飽和ヘテロ環基も包含される。アルケニル基としては、直鎖状、分枝鎖状、環状、又はそれらの組合せからなるアルケニル基を用いることができ、例えば、C2~C15アルケニル基が好ましく、C2~C10アルケニル基がより好ましく、C2~C6アルケニル基がさらに好ましい。アルケニル基に含まれる二重結合の数は特に限定されないが、例えば、1~数個であり、1又は2個程度が好ましい。例えば、ビニル基、プロパ1エン1イル基、アリール基、イソプロペニル基、ブタ1エン1イル基、ブタ2エン1イル基、ブタ3エン1イル基、2メチルプロパ2エン1イル基、1メチルプロパ2エン1イル基、ペンタ1エン1イル基、ペンタ2エン1イル基、ペンタ3エン1イル基、ペンタ4エン1イル基、3メチルブタ2エン1イル基、3メチルブタ3エン1イル基、ヘキサ1エン1イル基、ヘキサ2エン1イル基、ヘキサ3エン1イル基、ヘキサ4エン1イル基、ヘキサ5エン1イル基、4メチルペンタ3エン1イル基、4メチルペンタ3エン1イル基、ヘプタ1エン1イル基、ヘプタ6エン1イル基、オクタ1エン1イル基、オクタ7エン1イル基、ノナ1エン1イル基、ノナ8エン1イル基、デカ1エン1イル基、デカ9エン1イル基、ウンデカ1エン1イル基、ウンデカ10エン1イル基、ドデカ1エン1イル基、ドデカ11エン1イル基、トリデカ1エン1イル基、トリデカ12エン1イル基、テトラデカ1エン1イル基、テトラデカ13エン1イル基、ペンタデカ1エン1イル基、ペンタデカ14エン1イル基、2シクロプロペン1イル基、2シクロブテン1イル基、2シクロペンテン1イル基、3シクロペンテン1イル基、2シクロヘキセン1イル基、3シクロヘキセン1イル基、1シクロブテン1イル基、1シクロペンテン1イル基、2シクロヘキセン1イルメチル基、2シクロヘキセン1イルメチル基等を挙げることができるが、これらに限定されることはない。また、環状アルケニル基には、アリール基の二重結合のうち少なくとも1個の二重結合を除く任意の個数の二重結合を単結合に置き換えた部分飽和炭素環基、あるいはヘテロアリール基の二重結合のうち少なくとも1個の二重結合を除く任意の個数の二重結合を単結合に置き換えた部分飽和ヘテロ環基等も包含される。アルキニル基としては、直鎖状又は分枝鎖状のアルキニル基を用いることができ、例えば、C2~C15アルキニル基が好ましく、C2~C10アルキニル基がより好ましく、C2~C6アルキニル基がさらに好ましい。アルキニル基に含まれる三重結合の数は特に限定されないが、例えば、1~数個であり、1又は2個程度が好ましい。アルキニル基は1個~数個の二重結合を含んでいてもよい。また、アルキニル基は環状アルキル基又は環状アルケニル基と組み合わされていてもよい。例えば、エチニル基、プロパ1イン1イルプロパ2イン1イルブタ1イン1イル基、ブタ3イン1イル基、1メチルプロパ2イン1イルペンタ1イン1イル基、ペンタ4イン1イル基、ヘキサ1イン1イル基、ヘキサ5イン1イル基、ヘプタ1イン1イル基、ヘプタ6イン1イル基、オクタ1イン1イル基、オクタ7イン1イル基、ノナ1イン1イル基、ノナ8イン1イル基、デカ1イン1イル基、デカ9イン1イル基、ウンデカ1イン1イル基、ウンデカ10イン1イル基、ドデカ1イン1イル基、ドデカ11イン1イル基、トリデカ1イン1イル基、トリデカ12イン1イル基、テトラデカ1イン1イル基、テトラデカ13イン1イル基、ペンタデカ1イン1イル基、ペンタデカ14イン1イル基等を挙げることができる。アリール基としては単環式又は縮合多環式の芳香族炭化水素基を用いることができ、例えば、フェニル基、1ナフチル基、2ナフチル基、アントラニル基、又はフェナンスリル基等が挙げられるが、フェニル基が好ましい。本明細書において用いられるアリール基の用語にはヘテロアリール基も包含される。ヘテロアリール基としては、単環式又は縮合多環式の芳香族ヘテロ環基を用いることができる。環構成ヘテロ原子の個数は特に限定されないが、1個ないし数個、好ましくは1個ないし5個程度である。2個以上の環構成ヘテロ原子を含む場合にはそれらは同一でも異なっていてもよい。ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、窒素原子、又はイオウ原子等を挙げることができるが、これらに限定されることはない。単環式ヘテロアリール基としては、例えば、2フリル基、3フリル基、2チエニル基、3チエニル基、1ピロリル基、2ピロリル基、3ピロリル基、2オキサゾリル基、4オキサゾリル基、5オキサゾリル基、3イソオキサゾリル基、4イソオキサゾリル基、5イソオキサゾリル基、2チアゾリル基、4チアゾリル基、5チアゾリル基、3イソチアゾリル基、4イソチアゾリル基、5イソチアゾリル基、1イミダゾリル基、2イミダゾリル基、4イミダゾリル基、5イミダゾリル基、1ピラゾリル基、3ピラゾリル基、4ピラゾリル基、5ピラゾリル基、4イル基、5イル基、3イル基、5イル基、3イル基、4イル基、2イル基、5イル基、フラザニル基、4イル基、5イル基、3イル基、5イル基、3イル基、4イル基、2イル基、5イル基、1イル基、4イル基、5イル基、2イル基、4イル基、1イル基、3イル基、5イル基、3イル基、4イル基、1イル基、5イル基、2イル基、5イル基、2ピリジル基、3ピリジル基、4ピリジル基、3ピリダジニル基、4ピリダジニル基、2ピリミジニル基、4ピリミジニル基、5ピリミジニル基、2ピラジニル基、4イル基、5イル基、3イル基、5イル基、6イル基、2イル基、1アゼピニル基、1アゼピニル基、2アゼピニル基、3アゼピニル基、4アゼピニル基、2イル基、3イル基、5イル基、6イル基、7イル基、2イル基、3イル基、5イル基、6イル基、7イル基等の5ないし7員の単環式ヘテロアリール基が挙げられるが、これらに限定されることはない。縮合多環式ヘテロアリール基としては、例えば、2ベンゾフラニル基、3ベンゾフラニル基、4ベンゾフラニル基、5ベンゾフラニル基、6ベンゾフラニル基、7ベンゾフラニル基、1イソベンゾフラニル基、4イソベンゾフラニル基、5イソベンゾフラニル基、2ベンゾbチエニル基、3ベンゾbチエニル基、4ベンゾbチエニル基、5ベンゾbチエニル基、6ベンゾbチエニル基、7ベンゾbチエニル基、1ベンゾcチエニル基、4ベンゾcチエニル基、5ベンゾcチエニル基、1インドリル基、1インドリル基、2インドリル基、3インドリル基、4インドリル基、5インドリル基、6インドリル基、7インドリル基、1イル基、2イル基、4イル基、5イル基、1イル基、3イル基、4イル基、5イル基、6イル基、7イル基、1イル基、2イル基、4イル基、5イル基、2ベンゾオキサゾリル基、2ベンゾオキサゾリル基、4ベンゾオキサゾリル基、5ベンゾオキサゾリル基、6ベンゾオキサゾリル基、7ベンゾオキサゾリル基、3イル基、4イル基、5イル基、6イル基、7イル基、3イル基、4イル基、5イル基、6イル基、7イル基、2ベンゾチアゾリル基、4ベンゾチアゾリル基、5ベンゾチアゾリル基、6ベンゾチアゾリル基、7ベンゾチアゾリル基、3イル基、4イル基、5イル基、6イル基、7イル基、3イル基、4イル基、5イル基、6イル基、7イル基、4イル基、5イル基、6イル基、7イル基、4イル基、5イル基、4イル基、5イル基、6イル基、7イル基、4イル基、5イル基、1イル基、4イル基、5イル基、6イル基、7イル基、2イル基、4イル基、5イル基、2キノリル基、3キノリル基、4キノリル基、5キノリル基、6キノリル基、7キノリル基、8キノリル基、1イソキノリル基、3イソキノリル基、4イソキノリル基、5イソキノリル基、6イソキノリル基、7イソキノリル基、8イソキノリル基、3シンノリニル基、4シンノリニル基、5シンノリニル基、6シンノリニル基、7シンノリニル基、8シンノリニル基、2キナゾリニル基、4キナゾリニル基、5キナゾリニル基、6キナゾリニル基、7キナゾリニル基、8キナゾリニル基、2キノキサリニル基、5キノキサリニル基、6キノキサリニル基、1フタラジニル基、5フタラジニル基、6フタラジニル基、2ナフチリジニル基、3ナフチリジニル基、4ナフチリジニル基、2プリニル基、6プリニル基、7プリニル基、8プリニル基、2プテリジニル基、4プテリジニル基、6プテリジニル基、7プテリジニル基、1カルバゾリル基、2カルバゾリル基、3カルバゾリル基、4カルバゾリル基、9カルバゾリル基、2基、3基、4基、5基、6基、7基、8基、9基、1基、3基、4基、5基、6基、7基、8基、9基、1基、2基、4基、5基、6基、7基、8基、9基、1アクリジニル基、2アクリジニル基、3アクリジニル基、4アクリジニル基、9アクリジニル基、1フェノキサジニル基、2フェノキサジニル基、3フェノキサジニル基、4フェノキサジニル基、10フェノキサジニル基、1フェノチアジニル基、2フェノチアジニル基、3フェノチアジニル基、4フェノチアジニル基、10フェノチアジニル基、1フェナジニル基、2フェナジニル基、1フェナントリジニル基、2フェナントリジニル基、3フェナントリジニル基、4フェナントリジニル基、6フェナントリジニル基、7フェナントリジニル基、8フェナントリジニル基、9フェナントリジニル基、10フェナントリジニル基、2フェナントロリニル基、3フェナントロリニル基、4フェナントロリニル基、5フェナントロリニル基、6フェナントロリニル基、7フェナントロリニル基、8フェナントロリニル基、9フェナントロリニル基、10フェナントロリニル基、1チアントレニル基、2チアントレニル基、1インドリジニル基、2インドリジニル基、3インドリジニル基、5インドリジニル基、6インドリジニル基、7インドリジニル基、8インドリジニル基、1フェノキサチイニル基、2フェノキサチイニル基、3フェノキサチイニル基、4フェノキサチイニル基、チエノ23bフリル基、ピロロ12bピリダジニル基、ピラゾロ15aピリジル基、イミダゾ112aピリジル基、イミダゾ15aピリジル基、イミダゾ12bピリダジニル基、イミダゾ12aピリミジニル基、124トリアゾロ43aピリジル基、124トリアゾロ43aピリダジニル基等の8ないし14員の縮合多環式ヘテロアリール基が挙げられるが、これらに限定されることはない。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、nプロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、secブトキシ基、tertブトキシ基、nペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、2メチルブトキシ基、1メチルブトキシ基、ネオペンチルオキシ基、12ジメチルプロポキシ基、1エチルプロポキシ基、nヘキシルオキシ基、4メチルペンチルオキシ基、3メチルペンチルオキシ基、2メチルペンチルオキシ基、1メチルペンチルオキシ基、33ジメチルブトキシ基、22ジメチルブトキシ基、11ジメチルブトキシ基、12ジメチルブトキシ基、13ジメチルブトキシ基、23ジメチルブトキシ基、2エチルブトキシ基、1エチルブトキシ基、1エチル1メチルプロポキシ基、dnヘプチルオキシ基、nオクチルオキシ基、nノニルオキシ基、nデシルオキシ基、nウンデシルオキシ基、nドデシルオキシ基、nトリデシルオキシ基、nテトラデシルオキシ基、nペンタデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などを挙げることができるが、これらに限定されることはない。本明細書において用いられるアルコキシ基の用語には、アルキルオキシ基のほか、アルケニルオキシ基及びアルキニルオキシ基も包含される。アルケニルオキシ基のアルケニル部分、及びアルキニルオキシ基におけるアルキニル部分は上記に説明したアルケニル基及びアルキニル基を用いることができる。アラルキル基は上記のアルキル基に1個又は2個以上の上記のアリール基が置換した基を意味しており、2個以上のアリール基が置換する場合にはそれらは同一でも異なっていてもよい。例えば、ベンジル基、ピリジルメチル基、1ナフチルメチル基、2ナフチルメチル基、アントラセニルメチル基、フェナントレニルメチル基、アセナフチレニルメチル基、ジフェニルメチル基、1フェネチル基、2フェネチル基、1エチル基などを挙げることができるが、これらに限定されることはない。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子を挙げることができる。アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アルキニルチオ基、及びアリールチオ基のアルキル部分、アルケニル部分、アルキニル部分、及びアリール部分としては上記に説明したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、及びアリール基を用いることができる。ハロゲン化アルキル基は、上記のアルキル基に1個又は2個以上のハロゲン原子が置換した基を意味しており、2個以上のハロゲン原子が置換する場合にはそれらは同一でも異なっていてもよい。例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、トリブロモメチル基、ヨードメチル基、ジヨードメチル基、トリヨードメチル基、222トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、333トリフルオロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、パ-フルオロヘキシル基などを挙げることができるが、これらに限定されることはない。本明細書において、ある官能基について置換基を有していてもよいという場合には、該官能基上の化学的に可能な位置に1個又は2個以上の置換基が存在する場合があることを意味する。官能基に存在する置換基の種類、置換基の個数、及び置換位置は特に限定されず、2個以上の置換基が存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。官能基に存在する置換基としては、例えば、ハロゲン原子、オキソ基、チオキソ基、ニトロ基、ニトロソ基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、チオシアナト基、イソシアナト基、イソチオシアナト基、ヒドロキシ基、スルファニル基、カルボキシ基、スルファニルカルボニル基、オキサロ基、メソオキサロ基、チオカルボキシ基、ジチオカルボキシ基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、スルホ基、スルファモイル基、スルフィノ基、スルフィナモイル基、スルフェノ基、スルフェナモイル基、ホスホノ基、ヒドロキシホスホニル基、C1~C6のアルキル基、C2~C6のアルケニル基、C2~C6のアルキニル基、C1~C6のアルキリデン基、C6~C10のアリール基、C7~C12のアラルキル基、C7~C12のアラルキリデン基、C1~C6のアルコキシ基、C6~C10のアリールオキシ基、C7~C12のアラルキルオキシ基オキシ基、オキシ基等、C1~C6のアルキルスルファニル基、C6~C10のアリールスルファニル基、C7~C12のアラルキルオキシスルファニル基スルファニル基、スルファニル基等、C1~C6のアルカノイル基、C6~C10のアロイル基、C1~C6のアルキルスルホニル基、C6~C10のアリールスルホニル基、C1~C6のアルコキシカルボニル基、アミノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、ジアゼニル基、ウレイド基、チオウレイド基、グアニジノ基、カルバモイミドイル基、アジド基、イミノ基、ヒドロキシアミノ基、ヒドロキシイミノ基、アミノオキシ基、ジアゾ基、セミカルバジノ基、セミカルバゾノ基、アロファニル基、ヒダントイル基、ホスファノ基、ホスホロソ基、ホスホ基、ボリル基、シリル基、スタニル基、セラニル基、オキシド基、ヘテロアリール基、又はヘテロアリール基の二重結合の一部又は全てを単結合に置き換えた部分飽和若しくは完全飽和ヘテロ環基等を挙げることができるが、これらに限定されることはない。これらの置換基は、さらに1種又は2種以上の他の置換基により置換されていてもよい。そのような例として、例えば、C1~C6のハロゲン化アルキル基、C1~C6のハロゲン化アルコキシ基、カルボキシ置換C1~C6アルキル基、C1~C6アルキル置換アミノ基等を挙げることができるが、これらに限定されることはない。本発明の第一の態様は一般式で表される化合物を酸除去型の不斉補助基として用いる態様である。一般式において、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示す。好ましくはR1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を示し、R1及びR2がともに水素原子であることがさらに好ましい。R3は置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアルキル基を示すが、好ましくはアリール基を示し、フェニル基であることがさらに好ましい。R4及びR5はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示す。好ましくはR4及びR5はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を示し、R4及びR5がともに水素原子であることがさらに好ましい。YはY1Y2を示し、Y1はCを示すか、又は置換基を有していてもよいoアリールジイル基を示す。R6及びR7はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示すが、R7はR3が示すアリール基と結合して環を形成していてもよい。好ましくはR6及びR7はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を示し、R7がアルキル基を示す場合にはR7はR3が示すアリール基、好ましくはフェニル基と結合して環を形成していてもよい。Yが示すoアリールジイル基としては、例えば、oフェニレン基又はナフタレン12ジイル基などを挙げることができるが、これらに限定されることはない。アリールジイル基のアリール環はR3が示すアリール基と結合して環を形成していてもよい。Y2は単結合又はCを示す。R8及びR9はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示す。Y2は単結合であることが好ましく、この場合、YはCを示すか、又は置換基を有していてもよいoアリールジイル基を示す。一般式に包含される好ましい化合物を以下に例示するが、これらに限定されることはない。さらに好ましい化合物として以下の化合物を挙げることができるが、これらに限定されることはない。一般式で表される化合物は酸付加塩を形成する場合があるが、本発明の範囲には任意の酸付加塩が包含される。例えば、塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩などの鉱酸塩、酢酸塩、pトルエンスルホン酸塩、メタンスルホン酸塩、マレイン酸塩、シュウ酸塩などの有機酸塩を用いることができるが、これらに限定されることはない。また、一般式で表される化合物の純粋な形態の任意の立体異性体、立体異性体の任意の混合物、ラセミ体、ジアステレオマー混合物なども本発明の範囲に包含されるが、光学的に純粋な形態の化合物を用いることが好ましい。さらに、一般式で表される化合物又はその塩の任意の水和物又は溶媒和物も本発明の範囲に包含される。これらについては一般式で表される核酸誘導体についても同様である。上記の一般式で表される化合物を不斉補助基として使用する場合には、上記一般式で表される基を不斉補助基として核酸誘導体のリン原子上に導入することができる。一般式において、核酸誘導体としては、例えば、ホスホロチオエート、ボラノホスフェート、アルキルホスホネート、アルケニルホスホネート、アルキニルホスホネート、アリールホスホネート、ホスホロセレノエート、又はホスホロアミデートなどを挙げることができるが、これらに限定されることはない。不斉補助基を用いた核酸誘導体の合成方法については、国際公開WO2010064146に不斉補助基の導入方法及び不斉補助基の存在下で核酸を合成する方法について詳細な説明があるので、この特許文献を参照することにより本発明を容易に実施することができる。上記国際公開の開示の全てを参照により本明細書の開示として含める。一般式で表される不斉補助基が結合した核酸誘導体の好ましい例として、例えば一般式で表される核酸誘導体を挙げることができる。一般式において、水酸基の保護基としては、例えばジメトキシトリチル基、アセチル基、ベンゾイル基、メトキシベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、トリメチルシリル基などを挙げることができるが、これらに限定されることはない。水酸基の保護基については、例えば、Greenら、ProtectiveGroupsinOrganicSynthesis3rdEdition1999JohnWileySonsIncなどの成書を参照することができる。核酸塩基としては保護基を有していてもよい天然又は非天然の核酸塩基を用いることができ、例えば、シトシン、チミン、ウラシル等のピリミジン塩基、アデニン、グアニン等のプリン塩基を用いることができる。また、塩基として、例えば、5メチルシトシン、5ヒドロキシメチルシトシン、5フルオロウラシル、5メチルウラシル、2チオウラシル、6アザウラシル、5ヒドロキシウラシル、26ジアミノプリン、8アザアデニン、8アザグアニン、又はイソグアニン等の修飾塩基を用いることもできるがこれらに限定されることはない。本明細書においてリンカーとは固相担体と核酸誘導体との結合に介在する一般的には直鎖状の2価の基を意味するが、例えば、置換基を有していてもよい直鎖状のアルキレン基のほか、分枝鎖を有するアルキレン基、ペプチドリンカーなどを用いることができる。例えば、3アミノプロピル基、スクシニル基、22ジエタノールスルホニル基、ロングチェーンアルキルアミノ基などを用いることができが、これらに限定されることはない。固相担体の種類も特に限定されないが、例えば、定孔ガラス、オキサリル化-定孔ガラス、TentaGel支持体アミノポリエチレングリコール誘導体化支持体、Porosポリスチレン/ジビニルベンゼンのコポリマーなどを挙げることができるが、これらに限定されることはない。上記の不斉補助基を用いた本発明の核酸誘導体の製造方法は、典型的には、下記の工程:一般式で表される核酸誘導体と一般式で表されるヌクレオチド誘導体とを反応させて、一般式で表される核酸誘導体を製造する工程;上記工程により得られた一般式で表される核酸誘導体からR11で表される水酸基の保護基を除去し、得られた核酸誘導体と一般式で表されるヌクレオチド誘導体とを反応させる工程を必要に応じて繰り返す工程:酸性条件下において一般式で表される不斉補助基を除去して一般式で表される核酸誘導体を製造する工程;及び上記工程で得られた核酸誘導体のリン原子にXを導入した後、必要に応じて保護基を脱離する工程を含んでいる。この方法は、背景技術において国際公開WO2010064146の反応工程を説明したスキーム中のRouteBで示したサイクルと同様に行うことができる。上記の方法で用いられる一般式の化合物は、例えば国際公開WO2010064146に記載された方法に従って、アキラルなモノヌクレチドモノマーを必要に応じて活性化した後に一般式で表される化合物を反応させることにより製造することができる。一般式で表される化合物は3環性の活性中間体であり、国際公開WO2010064146に開示されているFormulaQ及びFormulaRで表される化合物から製造される反応中間体よりも高い反応性を有している。上記の方法において、工程において一般式で表される不斉補助基を除去する酸性条件としては、例えば3ジクロロ酢酸ジクロロメタンを用いることができる。この酸性条件は、国際公開WO2010064146に開示されているFormulaQ及びFormulaRで表される化合物を用いて導入された不斉補助基の除去条件ジクロロメタンよりも緩和な酸性条件であり、アシル型の保護基で塩基部位を保護したアデニン塩基の脱離を生じることがない。いかなる特定の理論に拘泥するわけではないが、酸性条件により一般式で表される不斉補助基が脱離する反応機構は下記のSN1機構であると推定される。下記の反応スキームには一般式で表される不斉補助基の好ましい一態様を示した。本発明の第二の態様は一般式で表される化合物を塩基除去型の不斉補助基として用いる態様である。一般式において、R101及びR102はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示す。R101及びR102は水素原子又はアルキル基であることが好ましく、R101及びR102がともに水素原子であることがより好ましい。R103はシアノ基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいハロゲン化アルカノイル基、スルホニル基、置換基を有していてもよいハロゲン化アルキルスルホニル基、又はニトロ基を示す。R103はシアノ基であることが好ましい。ZはZ1Z2を示し、Z1はCを示す。R104及びR105はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示す。R104及びR105は水素原子又はアルキル基であることが好ましく、R104及びR105がともに水素原子であることがより好ましい。Z2は単結合又はCを示す。R106及びR107はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示す。Z2が単結合又はCR106及びR107は水素原子を示すであることが好ましく、Z2が単結合であることがより好ましい。一般式において、R101及びR102が水素原子又はアルキル基であり、R103がシアノ基であり、ZがC又はCCH2である化合物が好ましく、R101及びR102が水素原子であり、R103がシアノ基であり、ZがCR104及びR105は水素原子であるである化合物がより好ましい。さらに好ましい化合物として以下の化合物を挙げることができるが、これらに限定されることはない。一般式で表される化合物は酸付加塩を形成する場合があるが、本発明の範囲には任意の酸付加塩が包含される。例えば、塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩などの鉱酸塩、酢酸塩、pトルエンスルホン酸塩、メタンスルホン酸塩、マレイン酸塩、シュウ酸塩などの有機酸塩を用いることができるが、これらに限定されることはない。また、一般式で表される化合物の純粋な形態の任意の立体異性体、立体異性体の任意の混合物、ラセミ体、ジアステレオマー混合物なども本発明の範囲に包含されるが、光学的に純粋な形態の化合物を用いることが好ましい。さらに、一般式で表される化合物又はその塩の任意の水和物又は溶媒和物も本発明の範囲に包含される。これらについては一般式で表される核酸誘導体についても同様である。上記の一般式で表される化合物を不斉補助基として使用する場合には、上記一般式で表される基を不斉補助基として核酸誘導体のリン原子上に導入することができる。一般式において、核酸誘導体としては、例えば、ホスホロチオエート、ボラノホスフェート、又はホスホロセレノエートなどを挙げることができるが、これらに限定されることはない。上記の一般式で表される化合物を不斉補助基として使用する場合には、上記一般式で表される基を不斉補助基として核酸誘導体のリン原子上に導入することができる。一般式において、核酸誘導体としては、例えば、ホスホロチオエート、ボラノホスフェート、又はホスホロセレノエートなどを挙げることができるが、これらに限定されることはない。一般式で表される不斉補助基が結合した核酸誘導体の好ましい例として、例えば一般式で表される核酸誘導体を挙げることができる。水酸基の保護基、核酸塩基、リンカー、及び固相担体については上記一般式において説明したものと同様である。上記の不斉補助基を用いた本発明の核酸誘導体の製造方法は、典型的には、下記の工程:一般式で表される核酸誘導体と一般式で表されるヌクレオチド誘導体ただしR121は水酸基の保護基を示し;R122は水素原子、アルコキシ基、フッ素原子、又は保護された水酸基を示すとを反応させた後に、求電子剤を用いてXを導入し、R121が示す水酸基の保護基を除去することにより一般式で表される核酸誘導体を製造し、必要に応じて上記反応を繰り返して一般式で表される核酸誘導体を製造し;上記工程により得られた一般式で表される核酸誘導体から塩基性条件下において一般式で表される不斉補助基を除去して一般式で表される核酸誘導体を製造する工程を含む。この方法は、背景技術において国際公開WO2010064146の反応工程を説明したスキーム中のRouteAで示したサイクルと同様に行うことができる。上記の方法で用いられる一般式の化合物は、例えば国際公開WO2010064146に記載された方法に従って、アキラルなモノヌクレチドモノマーを必要に応じて活性化した後に一般式で表される化合物を反応させることにより製造することができる。一般式で表される化合物は3環性の活性中間体であり、国際公開WO2010064146に開示されているFormulaO及びFormulaPで表される化合物から製造される反応中間体よりも高い反応性を有している。上記の方法において、工程において一般式で表される不斉補助基を除去する塩基性条件としては、10DBUアセトニトリル室温15分、10ピペリジンアセトニトリル室温15分、またはアンモニア水室温12時間など挙げることができ、この条件は国際公開WO2010064146に開示されているFormulaO及びFormulaPで表される化合物を用いて導入された不斉補助基を除去するための塩基性条件よりも緩和な塩基性条件である。一般式で表される不斉補助基はこのような緩和な条件下で下記に示すβ脱離機構で除去することができるので、長鎖の核酸誘導体を極めて効率的に製造できるという特徴がある。以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲は下記の実施例に限定されることはない。例13シアノ3フェニルイソベンゾフラン1オンジエチルアルミニウムクロリド087Mヘキサン溶液345mL、30mmolとトリメチルシアニド37mL、30mmolを室温で30分攪拌し、この混合液を、脱水トルエンで共沸乾燥した2ベンゾイル安息香酸メチル6g、30mmolのジクロロメタン溶液125mLに0°Cでカヌラーを用いて加えた。1時間攪拌した後、氷で冷やした3モル濃度の水酸化ナトリウム水溶液250mLでクエンチし、ジクロロメタン200mLで3回で抽出した。有機層を飽和食塩水300mLで洗い、ジクロロメタン200mLで2回で逆抽出した。有機層を集め、硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製しシリカゲル:150g、溶出液:酢酸エチルヘキサン1:4、化合物1を白色固体として得た568g、97。1HNMRδ80178177175675274013CNMRδ1673146613581336131413071293126312571239123211587964フェニル1234テトラヒドロイソキノリン4オール脱水トルエンで共沸乾燥した化合物1の脱水ジエチルエーテル溶液35mLを、リチウムアルミニウムヒドリドの脱水ジエチルエーテル溶液40mLにカヌラーを使って-78°Cで加え、1時間半攪拌した。反応液を室温まで上げて12時間攪拌し、10の水酸化ナトリウム水溶液20mLでクエンチし、さらに10分間攪拌した。残渣を水20mL60mLで希釈し、セライトろ過を行なった。ろ液をクロロホルム100mLで3回で抽出し、集めた有機層を食塩水200mLで洗浄した。有機層を集め、硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過し、減圧下、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製しシリカゲル:150g、溶出液:1のトリエチルアミン含有のジクロロメタン中、メタノールを04の濃度勾配をかけた、化合物2を含むフラクションを集め減圧下濃縮することで、化合物2を白色固体として得た189g、99。1HNMRδ72271844240935332316413CNMRδ1454143114081330128212811275127012571256773644517ESITOFMSmzCalcdforC15H16NOMH22612found22615NBoc3フェニルピペリジン3オール脱水トルエンで共沸乾燥したNBoc3ピペリドンを脱水テトラヒドロフラン10mLに溶解した。108Mのフェニルマグネシウムブロミドのテトラヒドロフラン溶液69mL、75mmolを30°Cでゆっくりと加え、反応液を30分間30°Cで攪拌した。反応液を徐々に室温まで上げ、さらに12時間攪拌した。反応液に対し、濃アンモニア水と飽和塩化アンモニウム水溶液の混合液体積比12、30mLを0°Cで加え、ジクロロメタン15mLで3回で抽出し、集めた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過し、減圧下濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製しシリカゲル:90g、溶出液:ジクロロメタン中、メタノールを02の濃度勾配をかけた、化合物3を薄黄色オイルとして得た469mg、34。1HNMRδ75373472542038838837134231830829321317715814714613CNMRδ157214751292128112638107957243782872233フェニルピペリジン3オール化合物3469mg17mmolとパラトルエンスルホン酸一水和物675mg35mmolをジクロロメタン85mLに溶解させ、室温で2時間攪拌した。反応液に3規定の水酸化カリウム水溶液10mLを加え、ジクロロメタン10mLで4回で抽出した。有機層を集め、飽和食塩水50mLで洗浄し、水層をジクロロメタン30mLで4回で逆抽出した。有機層を集め硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過し、減圧下濃縮し、化合物4を淡黄色固体として得た291mg、97。1HNMRδ75374673772972671830829929328528127226825621318016115113CNMRδ1487129212791258718574463372234ESITOFMSmzCalcdforC11H16NOMH17812found17814NBoc3フェニルピロリジン3オールNBoc3ピペリドンの代わりにNBoc3ピロリドンを用いて化合物3と同様の手法を用いることで、化合物5を茶色固体として得た41。1HNMRδ7527283803542422101931483フェニルピロリジン3オール化合物3の代わりに化合物5を用いて化合物4と同様の手法を用いることで、化合物6を茶色固体として得た84。1HNMRδ75274674172433432030930322721820619513CNMRδ1460129212801264831619468429ESITOFMSmzCalcdforC10H14NOMH16411found16413トランスNBoc4シアノピロリジン3オールジエチルアルミニウムクロリド087Mヘキサン溶液162mL、14mmolとトリメチルシアニド18mL、14mmolを室温で30分攪拌し、この混合液を、脱水トルエンで共沸乾燥したNBoc6オキサ3アザビシクロ310ヘキサン22g、12mmolに0°Cでカヌラーを用いて加えた。1時間半攪拌した後、氷で冷やした3モル濃度の水酸化ナトリウム水溶液100mLでクエンチし、ジクロロメタン50mLで4回で抽出した。有機層を飽和食塩水300mLで洗い、ジクロロメタン200mLで2回で逆抽出した。有機層を集め、硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製しシリカゲル:150g、溶出液:酢酸エチルヘキサン1:4、化合物7を薄黄色オイルとして得た138g、55。1HNMRδ464387362347331315299246147ESITOFMSmzCalcdforC10H14NOMH16411found16413トランス4シアノピロリジン3オール化合物7212mg100μmolをジクロロメタン1mLに溶解させた。活性化したAmberlyst15樹脂150mgを加え、反応液を穏やかに2時間攪拌した。樹脂をろ別し、樹脂をヘキサン、テトラヒドロフラン、エタノールの順に洗浄した。樹脂を2モル濃度のエタノール溶液1mLに移し、穏やかに1時間攪拌した。樹脂をろ別し、メタノールで樹脂を洗浄し、ろ液を減圧下留去し、化合物8を薄黄色固体として得た102mg、91。1HNMRδ44933930830029228528013CNMRδ1217775555508391ESITOFMSmzCalcdforC5H9N2OMH11307found113074フェニル1234テトラヒドロイソキノリン4オール、及び、4フェニル1234テトラヒドロイソキノリン4オール化合物2をキラルカラムで光学分割することで、化合物2a及び2bを得た。3フェニルピペリジン3オール、及び、3フェニルピペリジン3オール化合物4をキラルカラムで光学分割することで、化合物4a及び4bを得た。3フェニルピロリジン3オール、及び、3ピロリジン3オール化合物6をキラルカラムで光学分割することで、化合物6a及び6bを得た。4シアノピロリジン3オール、及び、4シアノピロリジン3オール化合物8をキラルカラムで光学分割することで、化合物8a及び8bを得た。トランス4シアノピペリジン3オール文献に従い、1-ベンジルピペリジン-4-オンより化合物12を合成した。4シアノピペリジン3オール、及び4シアノピペリジン3オール化合物12をキラルカラムで光学分割することで、化合物12a及び12bを得た。例2酸除去型不斉補助基を用いるXホスホネートDNAの固相合成の基本手順一般式IHCP若しくはCPGにサクシニルリンカー若しくはオキザリルリンカーを介して結合した5Oヌクレオシド05μmolを3ジクロロ酢酸/ジクロロメタン溶液で処理し、5DMTr基を除去し、ジクロロメタンで洗浄し、真空下で乾燥する。鎖長延長反応は以下の、の工程を繰り返し行なうことで達成する。縮合反応5分は、事前に活性化した対応するモノマー溶液をアルゴン雰囲気下で行なう。縮合後、固相担体を脱水アセトニトリルと脱水ジクロロメタンで洗浄する。5ODMTrと不斉補助基の除去は3ジクロロメタン/ジクロロメタン-トリエチルシラン体積比で1:1溶液で処理することで同時に行い、続いてジクロロメタン及び脱水アセトニトリルで洗浄する。鎖長延長後、樹脂上にできたオリゴヌクレオシドHホスホネートはXホスホネートDNAに下に示す方法で変換する。事前に活性化した及びモノマー溶液の調製は以下の方法で行う。8ジアザビシクロ540ウンデク7エニウム5O2デオキシヌクレオシド3イルホスホネート25μmolを脱水トルエンで共沸乾燥し、脱水アセトニトリル-Nシアノメチルピロリジン溶液体積比9:1に溶解させる。反応液に対し、トリフェニルホスフィンジクロリド625μmolを加え、10分間攪拌する。化合物2a、4a、若しくは6aを加え、さらに10分間攪拌することで事前に活性化したモノマー溶液を得る。ホスホロチオエートXS上記の方法で得られた、HCP若しくはCPGにサクシニルリンカーを介して結合したオリゴヌクレオシドHホスホネートを、10重量S8/二琉化炭素-ピリジン-トリエチルアミン溶液体積比35351に室温で3時間処理し、続いて二硫化炭素、ピリジン、アセトニトリルで洗浄する。樹脂を25アンモニア水で室温12時間処理し、水で洗浄する。水溶液を集め、減圧下濃縮し、残渣を逆相HPLCで精製し、立体を制御したホスホロチオエートDNAを得る。ボラノホスフェートXBH3上記の方法で得られた、HCP若しくはCPGにオキザリルリンカーを介して結合したオリゴヌクレオシドHホスホネートに対し、脱水ジメチルホルムアミド、NOビストリメチルシリルアセトアミド、ボランジメチルスルフィドを加える。15分後、樹脂をジメチルホルムアミド、アセトニトリル、メタノールの順に洗浄する。樹脂をアンモニア/メタノール溶液で室温12時間処理し、メタノールで洗浄する。メタノール溶液を集め、減圧下濃縮し、残渣を逆相HPLCで精製し、立体を制御したボラノホスフェートDNAを得る。ヒドロキシメチルホスホネートXCH2OH上記の方法で得られた、HCP若しくはCPGにオキザリルリンカーを介して結合したオリゴヌクレオシドHホスホネートを、01Mトリメチルシリルクロリド/ピリジン:1-メチル-2-ピロリドン体積比19溶液で室温10分間、ガス状のホルムアルデヒドで室温30分間処理し、次に1-メチル-2-ピロリドン、アセトニトリルで洗浄する。樹脂を25アンモニア水で室温12時間処理し、水で洗浄する。水溶液を集め、減圧下濃縮し、残渣を逆相HPLCで精製し、立体を制御したヒドロキシメチルホスホネートDNAを得る。ホスホロアミデートXNH2上記の方法で得られた、HCP若しくはCPGにオキザリルリンカーを介して結合したオリゴヌクレオシドHホスホネートを、四塩化炭素1、4ジオキサン体積比41の飽和アンモニア溶液に0°Cで30分間処理し、1、4ジオキサンで洗浄する。有機溶媒を集め、減圧下濃縮乾燥し、25アンモニア水で室温12時間処理し、水で洗浄する。水溶液を集め、減圧下濃縮し、残渣を逆相HPLCで精製し、立体を制御したホスホロアミデートDNAを得る。NプロピルホスホロアミデートXNHPr上記の方法で得られた、HCP若しくはCPGにオキザリルリンカーを介して結合したオリゴヌクレオシドHホスホネートを、四塩化炭素-プロピルアミン体積比91溶液に室温で1時間処理し、メタノールで洗浄する。有機溶媒を集め、減圧下濃縮乾燥し、25アンモニア水で室温12時間処理し、水で洗浄する。水溶液を集め、減圧下濃縮し、残渣を逆相HPLCで精製し、立体を制御したN-プロピルホスホロアミデートDNAを得る。NエチルホスホロアミデートXNH2NMe2上記の方法で得られた、HCP若しくはCPGにオキザリルリンカーを介して結合したオリゴヌクレオシドHホスホネートを、四塩化炭素2ジメチルアニモエチルアミン体積比9:1溶液に室温で1時間処理し、アセトニトリルで洗浄する。有機溶媒を集め、減圧下濃縮乾燥し、25アンモニア水で室温12時間処理し、水で洗浄する。水溶液を集め、減圧下濃縮し、残渣を逆相HPLCで精製し、立体を制御したNエチルホスホロアミデートDNAを得る。例3酸除去型不斉補助基を用いるXホスホネートRNAの固相合成の基本手順一般式IHCP若しくはCPGにサクシニルリンカー若しくはオキザリルリンカーを介して結合した5Oヌクレオシド05μmolを3ジクロロ酢酸/ジクロロメタン溶液で処理し、5DMTr基を除去し、ジクロロメタンで洗浄し、真空下で乾燥する。鎖長延長反応は以下の、の工程を繰り返し行なうことで達成する。縮合反応15分は、事前に活性化した対応するモノマー溶液をアルゴン雰囲気下で行なう。縮合後、固相担体を脱水アセトニトリルと脱水ジクロロメタンで洗浄する。5ODMTrと不斉補助基の除去は3ジクロロメタン/ジクロロメタン-トリエチルシラン体積比で11溶液で処理することで同時に行い、続いてジクロロメタン及び脱水アセトニトリルで洗浄する。鎖長延長後、樹脂上にできたオリゴヌクレオシドHホスホネートはXホスホネートRNAに下に示す方法で変換する。事前に活性化した及びモノマー溶液の調製は以下の方法で行う。8ジアザビシクロ540ウンデク7エニウム5O2Oリボヌクレオシド3イルホスホネート25μmolを脱水トルエンで共沸乾燥し、脱水アセトニトリル-Nシアノメチルピロリジン溶液体積比91に溶解させる。反応液に対し、トリフェニルホスフィンジクロリド625μmolを加え、10分間攪拌する。化合物2a、4a、若しくは6aを加え、さらに10分間攪拌することで事前に活性化したモノマー溶液を得る。ホスホロチオエートXS上記の方法で得られた、HCP若しくはCPGにサクシニルリンカーを介して結合したオリゴヌクレオシドHホスホネートを、10重量S8/二琉化炭素-ピリジン-トリエチルアミン溶液体積比35351に室温で3時間処理し、続いて二硫化炭素、ピリジン、エタノールで洗浄する。次に樹脂を25アンモニア水-エタノール溶液体積比31で室温2時間処理し、樹脂をフィルターでろ別する。ろ液を25アンモニア水-エタノール溶液体積比3:1で希釈し、フラスコ内に密閉し、室温で12時間処理する。溶液を減圧下濃縮し、残渣を逆相HPLCで精製する。目的とする2位がTBS基で保護されたホスホロチオエートRNAを含むフラクションを集め、凍結乾燥する。残渣を1モル濃度テトラブチルアンモニウムフルオリドの脱水テトラヒドロフラン溶液で24時間処理する。005モル濃度のトリエチルアンモニウムアセテートバッファーpH69を加え、テトラヒドロフランを濃縮除去する。残渣をSepPakPLUStC18で脱塩し、逆相HPLCで精製し、立体を制御したホスホロチオエートRNAを得る。ボラノホスフェートXBH3上記の方法で得られた、HCP若しくはCPGにオキザリルリンカーを介して結合したオリゴヌクレオシドHホスホネートに対し、脱水ジメチルホルムアミド、NOビストリメチルシリルアセトアミド、ボランジメチルスルフィドを加える。15分後、樹脂をジメチルホルムアミド、アセトニトリル、エタノールの順に洗浄する。次に樹脂を25アンモニア水-エタノール溶液体積比31で室温2時間処理し、樹脂をフィルターでろ別する。ろ液を25アンモニア水-エタノール溶液体積比31で希釈し、フラスコ内に密閉し、室温で12時間処理する。溶液を減圧下濃縮し、残渣を逆相HPLCで精製する。目的とする2位がTBS基で保護されたボラノホスフェートRNAを含むフラクションを集め、凍結乾燥する。残渣を1モル濃度テトラブチルアンモニウムフルオリドの脱水テトラヒドロフラン溶液で24時間処理する。005モル濃度のトリエチルアンモニウムアセテートバッファーpH69を加え、テトラヒドロフランを濃縮除去する。残渣をSepPakPLUStC18で脱塩し、逆相HPLCで精製し、立体を制御したボラノホスフェートRNAを得る。ヒドロキシメチルホスホネートXCH2OH上記の方法で得られた、HCP若しくはCPGにオキザリルリンカーを介して結合したオリゴヌクレオシドHホスホネートを、01Mトリメチルシリルクロリド/ピリジン:1-メチル-2-ピロリドン体積比19溶液で室温10分間、ガス状のホルムアルデヒドで室温30分間処理し、次に1-メチル-2-ピロリドン、エタノールで洗浄する。次に樹脂を25アンモニア水-エタノール溶液体積比31で室温2時間処理し、樹脂をフィルターでろ別する。ろ液を25アンモニア水-エタノール溶液体積比31で希釈し、フラスコ内に密閉し、室温で12時間処理する。溶液を減圧下濃縮し、残渣を逆相HPLCで精製する。目的とする2位がTBS基で保護されたヒドロキシメチルホスホネートRNAを含むフラクションを集め、凍結乾燥する。残渣を1モル濃度テトラブチルアンモニウムフルオリドの脱水テトラヒドロフラン溶液で24時間処理する。005モル濃度のトリエチルアンモニウムアセテートバッファーpH69を加え、テトラヒドロフランを濃縮除去する。残渣をSepPakPLUStC18で脱塩し、逆相HPLCで精製し、立体を制御したヒドロキシメチルホスホネートRNAを得る。ホスホロアミデートXNH2上記の方法で得られた、HCP若しくはCPGにオキザリルリンカーを介して結合したオリゴヌクレオシドHホスホネートを、四塩化炭素1、4ジオキサン体積比41の飽和アンモニア溶液に0°Cで30分間処理し、1、4ジオキサンで洗浄する。有機溶媒を集め、減圧下濃縮乾燥する。25アンモニア水-エタノール溶液体積比31で希釈し、フラスコ内に密閉し、室温で12時間処理する。溶液を減圧下濃縮し、残渣を逆相HPLCで精製する。目的とする2位がTBS基で保護されたホスホロアミデートRNAを含むフラクションを集め、凍結乾燥する。残渣を1モル濃度テトラブチルアンモニウムフルオリドの脱水テトラヒドロフラン溶液で24時間処理する。005モル濃度のトリエチルアンモニウムアセテートバッファーpH69を加え、テトラヒドロフランを濃縮除去する。残渣をSepPakPLUStC18で脱塩し、逆相HPLCで精製し、立体を制御したホスホロアミデートRNAを得る。NプロピルホスホロアミデートXNHPr上記の方法で得られた、HCP若しくはCPGにオキザリルリンカーを介して結合したオリゴヌクレオシドHホスホネートを、四塩化炭素-プロピルアミン体積比91溶液に室温で1時間処理し、メタノールで洗浄する。有機溶媒を集め、減圧下濃縮乾燥する。25アンモニア水-エタノール溶液体積比31で希釈し、フラスコ内に密閉し、室温で12時間処理する。溶液を減圧下濃縮し、残渣を逆相HPLCで精製する。目的とする2位がTBS基で保護されたN-プロピルホスホロアミデートRNAを含むフラクションを集め、凍結乾燥する。残渣を1モル濃度テトラブチルアンモニウムフルオリドの脱水テトラヒドロフラン溶液で24時間処理する。005モル濃度のトリエチルアンモニウムアセテートバッファーpH69を加え、テトラヒドロフランを濃縮除去する。残渣をSepPakPLUStC18で脱塩し、逆相HPLCで精製し、立体を制御したN-プロピルホスホロアミデートRNAを得る。NエチルホスホロアミデートXNH2NMe2上記の方法で得られた、HCP若しくはCPGにオキザリルリンカーを介して結合したオリゴヌクレオシドHホスホネートを、四塩化炭素2ジメチルアニモエチルアミン体積比9:1溶液に室温で1時間処理し、アセトニトリルで洗浄する。有機溶媒を集め、減圧下濃縮乾燥する。25アンモニア水-エタノール溶液体積比31で希釈し、フラスコ内に密閉し、室温で12時間処理する。溶液を減圧下濃縮し、残渣を逆相HPLCで精製する。目的とする2位がTBS基で保護されたNエチルホスホロアミデートRNAを含むフラクションを集め、凍結乾燥する。残渣を1モル濃度テトラブチルアンモニウムフルオリドの脱水テトラヒドロフラン溶液で24時間処理する。005モル濃度のトリエチルアンモニウムアセテートバッファーpH69を加え、テトラヒドロフランを濃縮除去する。残渣をSepPakPLUStC18で脱塩し、逆相HPLCで精製し、立体を制御したNエチルホスホロアミデートRNAを得る。例4塩基除去型不斉補助基を用いるXホスホネートDNAの固相合成の基本手順一般式XIHCP若しくはCPGにサクシニルリンカー若しくはオキザリルリンカーを介して結合した5Oヌクレオシド05μmolを合成に用いる。鎖長延長反応はTable1に記す工程を繰返し行なうことで達成する。鎖長延長後、不斉補助基は無水10DBU/アセトニトリル溶液を用い室温15分で除去し、アセトニトリルで洗浄する。次に5ODMTr基を3ジクロロ酢酸/ジクロロメタン溶液で除去し、ジクロロメタンで洗浄する。HCP若しくはCPG上のオリゴマーをOリングの付いたスクリューキャップ式のエッペンドルフチューブに移す。05マイクロモルのオリゴヌクレオチドを含む固相担体を25のアンモニア水1mLに懸濁させ、55°Cで12時間処理し、核酸塩基部位の保護基を除去し、同時にHCP若しくはCPGからオリゴマーを遊離させる。遠心分離後、上清を丸底フラスコへ移し、固相担体を水05mLで2回で洗浄する。遠心分離後、集めた上清を減圧下乾燥する。残渣を水1mLで希釈し、SepPakPLUStC18にロードし、水で平衡化する。まず塩を除くために水20mLを流し、次に脱塩済みの立体を制御したXホスホネートDNAを50アセトニトリル水溶液10mLで溶出させ、逆相UPLCとMALDITOFMSで分析する。活性化した及びモノマー溶液は以下の方法により調製する。8ジアザビシクロ540ウンデク7エニウム5O2デオキシヌクレオシド3イルホスホネート25μmolを脱水トルエンで共沸乾燥し、脱水アセトニトリル-Nシアノメチルピロリジン溶液体積比9:1に溶解させる。反応液に対し、トリフェニルホスフィンジクロリド625μmolを加え、10分間攪拌する。化合物8a若しくは12aを加え、さらに10分間攪拌することで事前に活性化したモノマー溶液を得る。例5酸除去型不斉補助基を用いるXホスホネートRNAの固相合成の基本手順一般式XIHCP若しくはCPGにサクシニルリンカー若しくはオキザリルリンカーを介して結合した5Oリボヌクレオシド05μmolを合成に用いる。鎖長延長反応はTable2に記す工程を繰返し行なうことで達成する。鎖長延長後、不斉補助基は無水10DBU/アセトニトリル溶液を用い室温15分で除去し、アセトニトリルで洗浄する。次に5ODMTr基を3ジクロロ酢酸/ジクロロメタン溶液で除去し、ジクロロメタンで洗浄する。HCP若しくはCPG上のオリゴマーをOリングの付いたスクリューキャップ式のエッペンドルフチューブに移す。05マイクロモルのオリゴヌクレオチドを含む固相担体を25のアンモニア水-エタノール混合液体積比31、1mLに懸濁させ、室温で48時間処理し、核酸塩基部位の保護基を除去し、同時にHCP若しくはCPGからオリゴマーを遊離させる。遠心分離後、上清を丸底フラスコへ移し、固相担体を水05mLで2回で洗浄する。遠心分離後、集めた上清を減圧下乾燥し、残渣を逆相HPLCで精製する。2位をTBS基で保護したXホスホネートRNAを含むフラクションを集め、凍結乾燥する。残渣を1モル濃度テトラブチルアンモニウムフルオリドの脱水テトラヒドロフラン溶液を用い室温で24時間処理する。005モル濃度のトリエチルアンモニウムアセテートバッファーpH69を加え、テトラヒドロフランを濃縮除去する。残渣をSepPakPLUStC18で脱塩し、逆相HPLCで精製し、立体を制御したXホスホネートRNAを得る。活性化した及びモノマー溶液は以下の方法により調製する。8ジアザビシクロ540ウンデク7エニウム5O2Oリボヌクレオシド3イルホスホネート25μmolを脱水トルエンで共沸乾燥し、脱水アセトニトリル-Nシアノメチルピロリジン溶液体積比91に溶解させる。反応液に対し、トリフェニルホスフィンジクロリド625μmolを加え、10分間攪拌する。化合物8a、11a、12a若しくは15aを加え、さらに10分間攪拌することで事前に活性化したモノマー溶液を得る。