半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に、溝及び該半導体領域または導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかを形成し、前記溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに第一の導電膜を形成し、前記第一の導電膜を、酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露して前記第一の導電膜に含まれる金属材料の酸化物を形成し、前記金属材料の酸化物が形成された前記第一の導電膜を、水を含む雰囲気に暴露して、前記第一の導電膜を流動化させた後、前記第一の導電膜上に、第二の導電膜を形成することを特徴とした半導体装置の作製方法。請求項1において、前記第一の導電膜を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンから選ばれた一種以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1または請求項2において、前記第二の導電膜は、アルミニウム膜、銅膜、銀膜、アルミニウムを主成分とする合金膜、銅を主成分とする合金膜または銀を主成分とする合金膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記酸化性ガスは、酸素、水、オゾン及び亜酸化窒素の少なくともいずれかを含むガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項4において、前記絶縁膜は酸素または水を含む絶縁膜であり、前記酸化性ガスは、前記絶縁膜から供給されることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項5において、前記プラズマを生成するチャンバーは酸素を含むチャンバーであり、前記酸化性ガスは、前記チャンバーに含まれる酸素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項6のいずれか一において、前記ハロゲン系ガスは、四フッ化炭素、フッ化硫黄、フッ化窒素、トリフルオロメタン、オクタフルオロシクロブタン、塩素、三塩化ホウ素、塩化シリコン及び四塩化炭素の少なくともいずれかを含むガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項7において、前記金属材料の酸化物が酸化チタンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に形成される、溝及び前記半導体領域または前記導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかと、前記溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに形成される配線とを有し、前記配線は、第一の導電膜と第二の導電膜とを有し、前記第一の導電膜は、金属材料の酸化物を含み、前記金属材料の酸化物と前記第二の導電膜とが接することを特徴とする半導体装置。請求項9において、前記金属材料の酸化物を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンから選ばれた一種以上であることを特徴とする半導体装置。請求項9または請求項10において、前記金属材料の酸化物は、フッ素または塩素を1×1019atoms/cm3以上含むことを特徴とする半導体装置。請求項9乃至請求項11のいずれか一において、前記金属材料の酸化物が酸化チタンであることを特徴とする半導体装置。請求項9乃至請求項12のいずれか一において、前記第二の導電膜は、アルミニウム膜、銅膜、銀膜、アルミニウムを主成分とする合金膜、銅を主成分とする合金膜または銀を主成分とする合金膜であることを特徴とする半導体装置。薄膜トランジスタを作製する場合、配線遅延を起こさないために低抵抗配線材料が用いられている。低抵抗配線材料の代表例は、銅、アルミニウムまたは銀を含む金属、合金及び金属化合物材料がある。このとき、半導体膜への低抵抗配線材料の拡散が問題となるため、半導体膜と配線との間に導電性を有する拡散防止膜を形成する必要がある。前述の低抵抗配線材料が半導体膜中に拡散すると、薄膜トランジスタのオフ電流が増大する。なお、半導体膜としては、非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜、多結晶シリコン膜、単結晶シリコン膜、非晶質ゲルマニウム膜、微結晶ゲルマニウム膜、多結晶ゲルマニウム膜、単結晶ゲルマニウム膜及びこれらの混合物膜などがある。さらに、生産性の向上及び半導体装置の省サイズ化などのために薄膜トランジスタの微細化を進めていくと、溝及びコンタクトホールの側壁や底部に拡散防止膜を均一に形成することが困難となる。例えば、導電性を有する拡散防止膜の形成にはスパッタリング法やALDAtomicLayerDeposition法などが用いられる。スパッタリング法は、堆積速度が大きく、装置構成が比較的単純で安価かつ大面積へも応用が利くことから、導電膜の形成に広く用いられている。スパッタリング法で形成した膜の問題点として、溝及びコンタクトホールにおいて、オーバーハング形状となることや側面及び底面への堆積が均一にならないことがある。拡散防止膜の被覆が十分でない箇所がある場合、低抵抗配線材料の半導体膜への拡散が起こり、薄膜トランジスタのオフ電流の増大へと繋がる。一方、ALD法では、微細な溝及びコンタクトホールにおいて、オーバーハング形状になることが無く、かつ側面及び底面への堆積の均一な膜を形成することができる。しかしながら、ALD法は、スパッタリング法と比較して、装置が高価であり、大面積化が困難であり、かつ堆積速度が小さい。そこで、本発明の一態様は、溝及びコンタクトホールの側面及び底面への堆積が均一な拡散防止膜を形成することを課題とする。また、本発明の一態様は、電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する方法を提供することを課題とする。本発明の一態様は、半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に、溝及び該半導体領域または導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかを形成し、溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに第一の導電膜を形成し、第一の導電膜を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露して該第一の導電膜に含まれる金属材料の酸化物を形成し、金属材料の酸化物が形成された第一の導電膜を、水を含む雰囲気に暴露して、第一の導電膜を流動化させた後、第一の導電膜上に、第二の導電膜を形成する。本発明の一態様は、基板上に半導体膜を形成し、半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、半導体膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜を覆う絶縁膜を形成し、絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングすることで溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかを設け、絶縁膜上に前記溝及び前記コンタクトホールの少なくともいずれかを介して半導体膜と接する第一の導電膜を形成し、該第一の導電膜の表面を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露して第一の導電膜に含まれる金属材料の酸化物を形成し、次に酸化物が形成された第一の導電膜を水を含む雰囲気に暴露して該第一の導電膜を流動化し、流動化した第一の導電膜を固化した後、第一の導電膜上に第二の導電膜を形成する。第二の導電膜は、アルミニウム膜、銅膜、銀膜、アルミニウムを主成分とする合金膜、銅を主成分とする合金膜または銀を主成分とする合金膜である。なお、ゲート電極をマスクに前記ゲート絶縁膜を介して半導体膜に不純物を注入することで該半導体膜内にソース領域及びドレイン領域となる不純物半導体領域を設けてもよい。なお、第一の導電膜を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンから選ばれた一種以上である。好ましくはチタン膜または窒化チタン膜を用いる。また、第一の導電膜は、第二の導電膜の材料が半導体膜に拡散することを防ぐ機能を有する拡散防止膜である。また、第一の導電膜は、酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混成ガスから生成するプラズマと反応して酸化物を形成する。本発明の一態様において、酸化性ガスは、酸素、水、オゾン及び亜酸化窒素の少なくともいずれかを含むガスである。絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂及びシロキサン系樹脂の少なくともいずれかを含む。酸化窒化シリコンとは、その組成において、窒素よりも酸素の含有量が多いものを示し、例えば、酸素が50原子以上70原子以下、窒素が0.5原子以上15原子以下、シリコンが25原子以上35原子以下、水素が0.1原子以上10原子以下の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成において、酸素よりも窒素の含有量が多いものを示し、例えば、酸素が5原子以上30原子以下、窒素が20原子以上55原子以下、シリコンが25原子以上35原子以下、水素が10原子以上25原子以下の範囲で含まれるものをいう。但し、上記範囲は、ラザフォード後方散乱法RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometryや、水素前方散乱法HFS:HydrogenForwardScatteringSpectrometryを用いて測定した場合のものである。また、構成元素の含有比率は、その合計が100原子を超えない値をとる。なお、絶縁膜が酸素または水を含む絶縁膜であるとき、絶縁膜から第一の導電膜に酸化性ガスを供給することができる。また、酸化性ガスとして、プラズマを生成するチャンバー内部に残留する酸化性ガスを利用してもよい。本発明の一態様において、ハロゲン系ガスとは、ハロゲンを含むガスのことをいう。代表的には、四フッ化炭素、フッ化硫黄、フッ化窒素、トリフルオロメタン、オクタフルオロシクロブタン、塩素、三塩化ホウ素、塩化シリコン及び四塩化炭素の少なくともいずれかを含むガスである。好ましくは四フッ化炭素ガスを用いる。第二の導電膜は、アルミニウム膜、銅膜、銀膜、アルミニウムを主成分とする合金膜、銅を主成分とする合金膜または銀を主成分とする合金膜である。本発明の一態様は、第一の導電膜の酸化物中に1×1019atoms/cm3以上のフッ素または塩素を含有する。本発明の一態様を用いると、第一の導電膜が、流動化してから固化することリフローともいう。で、溝及びコンタクトホールの側面及び底面への堆積が均一な拡散防止膜を形成することができる。本発明の一態様により、基板の歪み点を超える高融点材料によるリフローが可能である。本発明の一態様を用いると、溝及びコンタクトホールの側面及び底面へ堆積が均一な拡散防止膜を形成することができるため、低抵抗配線材料を用いても、低抵抗配線材料が半導体膜またはその近傍へ拡散することによるオフ電流の増大を抑制することができ、電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一形態である半導体装置の断面形状について、図1を用いて説明する。図1は、基板100と、絶縁膜124と、絶縁膜124に形成される溝またはコンタクトホールと、導電膜118と、導電膜128とを有する半導体装置の断面図である。なお、絶縁膜124と導電膜118との間、基板100と導電膜118との間のいずれか、または両方に導電膜108を有してもよい。基板100は、ガラス基板上、セラミック基板上またはプラスチック基板上に、半導体領域または導電領域を設けたものを用いることができる。また、シリコンウェハ、SOISilicononInsulator基板、ガリウムヒ素基板などの半導体基板を用いることができる。また、ステンレス合金等の金属の基板を用いてもよい。ガラス基板としては、例えば、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスもしくはアルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板を用いるとよい。なお、基板100のサイズに限定はなく、例えばフラットパネルディスプレイの分野でよく使われる第3世代乃至第10世代のガラス基板を用いることができる。絶縁膜124には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムなどの無機物膜、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂などの有機物膜を単層で、または積層で用いることができる。導電膜108を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンから選ばれた一種以上である。好ましくはチタン膜または窒化チタン膜を用いる。導電膜118を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンから選ばれた一種以上である。導電膜118は、導電膜108の材料の酸化物膜である。例えば、導電膜108がチタン膜または窒化チタン膜であるとき、導電膜118は酸化チタン膜となる。導電膜128は、アルミニウム膜、銅膜、銀膜及びこれらの合金膜を用いることができる。このとき、導電膜108及び導電膜118の少なくともいずれかが導電膜128の材料の拡散防止膜として機能する。次に、図2A乃至図2Eを用いて、前述の半導体装置の作製方法について説明する。図2Aに示すように、半導体領域または導電領域を有する基板100を用意する。次に、基板100上に絶縁膜124を50nm以上3μm以下、好ましくは300nm以上1μm以下の厚さで形成する。絶縁膜124の形成は、CVD法またはスパッタリング法を用いることができる。次に、絶縁膜124上にフォトリソグラフィ法またはインクジェット法などを用いてレジストでマスクを形成し、該マスクを用いて絶縁膜124をエッチングし、溝及びコンタクトホールを形成することができる。レジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレーザ光などを用いるとよい。なお、溝の幅またはコンタクトホール径が25nm未満となるように露光を行う場合には、例えば、数nm~数10nmと極めて波長が短い超紫外線ExtremeUltravioletを用いて、レジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。したがって、後に形成される溝の幅及びコンタクトホール径を小さくすることが可能である。溝及びコンタクトホールの形成には、絶縁膜124をドライエッチングすることが好ましい。ドライエッチングを用いることで、溝及びコンタクトホールの加工時の形状を制御しやすい。また、マスクであるレジストの側壁を後退させながらエッチングすることで、溝及びコンタクトホールをテーパー形状にすることができる図2B参照。。なお、溝は、埋め込み配線の引き回し部分に用いることができる。例えば、溝にアルミニウム、銅または銀などを含む低抵抗材料をリフローして埋め込み、溝の上部まで化学的機械的研磨CMP:ChemicalMechanicalPolishing法でエッチングし、溝部のみに低抵抗材料を形成するダマシン構造とすることができる。また、コンタクトホールとは、半導体領域または導電領域と、配線とを接続するための開口部である。次に、導電膜108を20nm以上600nm以下、好ましくは40nm以上200nm以下の厚さで形成する。後に説明するが、導電膜108は、リフローを行う材料として用いるため、ある程度の厚さが必要とされる。ただし、厚すぎると形成及び加工のための時間が掛かるため、リフロー後に膜が形成可能な最低限の厚さとする。導電膜108は、スパッタリング法などで形成することができる。スパッタリング法で形成された導電膜108は、微細な溝及びコンタクトホールに対し、オーバーハング形状となってしまう。そのため側面及び底面の堆積が均一でなく、配線の被覆が十分でない箇所ができる。そのため、配線の極端に薄い箇所が生じ、配線が切れてしまう図2C参照。。次に、導電膜108の表面を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露すると、導電膜108の一部または全部が酸化、及びフッ化または塩化する。酸化性ガスには、例えば酸素、水、オゾン及び亜酸化窒素などを用いることができる。また、ハロゲン系ガスには、例えば四フッ化炭素、フッ化硫黄、フッ化窒素、トリフルオロメタン、オクタフルオロシクロブタン、塩素、三塩化ホウ素、塩化シリコン及び四塩化炭素などを用いることができる。なお、絶縁膜124として、酸素または水を含む絶縁膜を用いる場合、酸化性ガスは絶縁膜124から供給することができる。また、プラズマを生成するチャンバー内部に残留する酸化性ガスを利用してもよい。プラズマを生成するチャンバー内部に残留する酸化性ガスを利用する場合、プラズマを生成するチャンバー内の酸素クリーニングを行う。酸素クリーニングの条件は、例えば、酸素ガス流量100sccm以上500sccm以下、ICP電力1000W以上6000W以下、RFバイアス電力を0W以上300W以下、圧力0.4Pa以上5Pa以下、処理時間を10秒以上600秒以下とし、処理の繰り返しを1回以上25回以下で行うことができる。プラズマの生成には、ドライエッチング装置やCVD装置などを用いることができる。プラズマの生成方法としては、例えば、平行平板型RIEReactiveIonEtching方式や、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマ方式、電子サイクロトン共鳴プラズマECR:ElectronCyclotronResonance方式などを用いることができる。次に、導電膜108の表面を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露した後、水を含む雰囲気に暴露すると、酸化、及びフッ化または塩化した導電膜108の一部または全部が流動化し、溝内またはコンタクトホール内に流れ込む。その後、フッ素または塩素の一部が脱離し、固化することで導電膜118を、1nm以上600nm以下、好ましくは5nm以上100nm以下の厚さで形成する図2D参照。。圧力や不純物が制御された雰囲気に水を含むガスを導入することで、水を含む雰囲気を作ることができる。圧力や不純物が制御された雰囲気を利用することにより、ばらつきの少ない導電膜118を形成することができる。圧力や不純物が制御された雰囲気としては、例えば真空チャンバーを有する装置、デシケータ及びクリーンルームなどの中の雰囲気が挙げられる。水を含む雰囲気として、大気を利用してもよい。なお、図2Eにおいて、導電膜108が存在しなくても構わないが、好ましくは、基板100及び導電膜118の間に未反応の導電膜108があるとよい。未反応の導電膜108は、金属酸化物である導電膜118と比べて基板100とのコンタクト抵抗を小さくできるためである。本実施の形態で示したように、導電膜108が流動化し、再び固化することリフローともいう。で導電膜118を形成するため、溝及びコンタクトホールの側面及び底面へ導電膜118を均一に形成することができる。次に、導電膜118上に導電膜128を50nm以上1μm以下の厚さで形成する。好ましくは、100nm以上700nm以下の厚さで形成する図2E参照。。導電膜128は、引き回し配線にも用いることができ、厚いほどシート抵抗値が小さくなる。なお、導電膜128は、リフローにより微細な溝及びコンタクトホールへ埋め込んで形成してもよい。拡散防止膜である導電膜108及び導電膜118を溝及びコンタクトホールの側面及び底面へ均一に形成することができるため、導電膜128のリフローによる拡散を抑制できる。このように、従来はアルミニウム、銅、銀などを含む低融点材料でのみ利用されてきたリフローの技術を、導電膜108の材料として示した高融点材料を用いた場合においても利用することができる。本発明の一態様を用いることで、金属、合金、金属化合物が酸化した材料をコンタクトホールの側面及び底面へ均一に形成することができる。そのため、電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製することができる。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置に用いることが可能な薄膜トランジスタ151の平面構造及び断面構造について、図3を用いて説明する。図3Aは平面図であり、図3Bは図3AのA-B断面における断面図である。なお、図3Aでは、煩雑になることを避けるため、薄膜トランジスタ151の構成要素の一部例えば、ゲート絶縁膜112などを省略している。図3に示す薄膜トランジスタ151は、基板101と、基板101上の下地絶縁膜102と、下地絶縁膜102上の半導体膜106と、半導体膜106を覆うゲート絶縁膜112と、ゲート絶縁膜112を介して半導体膜106上のゲート電極114と、ゲート絶縁膜112及びゲート電極114を覆う絶縁膜124と、絶縁膜124及びゲート絶縁膜112に設けられたコンタクトホール130と、絶縁膜124上にコンタクトホール130を介して半導体膜106と接続する配線138とを有する。配線138は、導電膜118と、導電膜128とを積層した構造を有する。導電膜118を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンから選ばれた一種以上である。導電膜118が、半導体膜と第二の導電膜との間に形成されることにより、第二の導電膜の材料が半導体膜に拡散することを抑制できる。なお、半導体膜106と導電膜118との間に、導電膜を有してもよい。該導電膜を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンから選ばれた一種以上である。基板101としては、ガラス基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。また、基板に透光性を要しない場合には、ステンレス合金等の金属の基板の表面に絶縁膜を設けたものを用いてもよい。ガラス基板としては、例えば、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスもしくはアルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板を用いるとよい。なお、基板101のサイズに限定はなく、例えばフラットパネルディスプレイの分野でよく使われる第3世代乃至第10世代のガラス基板を用いることができる。下地絶縁膜102には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜などを、単層で、または積層で用いることができる。例えば、下地絶縁膜102を窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層構造とすると、基板から薄膜トランジスタ151への水分や金属不純物の混入を防ぐことができる。半導体膜106には、非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜、多結晶シリコン膜、単結晶シリコン膜、非晶質ゲルマニウム膜、微結晶ゲルマニウム膜、多結晶ゲルマニウム膜、単結晶ゲルマニウム膜及びこれらの混合物膜などを用いることができる。なお、半導体膜106中に、ソース領域またはドレイン領域となる不純物半導体領域106bと、その間に設けられるチャネル領域106aを有してもよい。ゲート絶縁膜112は、下地絶縁膜102と同様の構成とすることができる。また、ゲート絶縁膜112には、酸化シリコンと比べて誘電率の高い材料High-k材料を用いることができる。ゲート絶縁膜をスケーリング則に従い薄膜化していくと、膜厚が5nm以下でトンネル電流の影響により、薄膜トランジスタのリーク電流が大きくなることが知られている。High-k材料をゲート絶縁膜に用いることで、等価酸化膜厚EOT:EquivalentOxideThickness換算で5nm以下でもリーク電流を低減することができる。High-k材料としては、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ハフニウム、酸化タンタルを含む材料が知られている。好ましくは窒素及びシリコンを含む酸化ハフニウムまたは窒素及びアルミニウムを含む酸化ハフニウムを用いる。ゲート電極114は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム、ニッケル等の金属膜またはこれらを主成分とする合金膜により、単層で、または積層で用いることができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体、銀-パラジウム-銅合金、アルミニウム-ネオジム合金、アルミニウム-ニッケル合金などを用いてもよい。絶縁膜124は、下地絶縁膜102と同様の構成とすることができる。また、絶縁膜124には、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂またはシロキサン系樹脂などの有機物膜を用いることができる。また、絶縁膜124及びゲート絶縁膜112は、半導体膜106に達するコンタクトホールを有する。本実施の形態を用いることで、コンタクトホールの側面及び底面へ堆積が均一な拡散防止膜を形成することができるため、低抵抗配線材料を用いても、低抵抗配線材料が半導体膜またはその近傍へ拡散することによるオフ電流の増大を抑制することができ、電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製することができる。実施の形態3実施の形態2で示した薄膜トランジスタ151の作製方法について、図4及び図5を用いて説明する。まずは、基板101を準備する。基板101として、可撓性基板上に薄膜トランジスタを設ける場合、可撓性基板上に直接的に薄膜トランジスタを作製してもよいし、他の基板に薄膜トランジスタを形成した後、これを剥離し、可撓性基板に転置してもよい。なお、薄膜トランジスタを剥離し、可撓性基板に転置するためには、上記他の基板と薄膜トランジスタとの間に剥離層を形成するとよい。次に、基板101上に下地絶縁膜102を形成する図4A参照。。下地絶縁膜102は、基板101から薄膜トランジスタ151へのアルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物の拡散を低減できるものが好ましい。例えば、基板101側に窒化酸化シリコン膜を形成し、その上に酸化窒化シリコン膜を形成することができる。下地絶縁膜102の厚さは、50nm以上1μm以下とする。好ましくは100nm以上300nm以下とする。下地絶縁膜102の形成には、CVD法またはスパッタリング法を用いることができる。次に、下地絶縁膜102上に半導体膜106を形成する図4B参照。。半導体膜106の厚さは、5nm以上300nm以下とする。好ましくは30nm以上100nm以下とする。半導体膜106の形成には、CVD法またはスパッタリング法を用いることができる。なお、SOI基板を用いて基板101、下地絶縁膜102及び半導体膜106としても構わない。その場合、下地絶縁膜102には、熱酸化膜を用いてもよい。また、半導体膜106の結晶化率を向上させるため、レーザ光を照射してもよい。ここでは、エキシマレーザ光XeCl:波長308nmを照射する。レーザ光は波長400nm以下のビームが好ましい。このようなレーザ光には、例えば、XeClエキシマレーザ光などのエキシマレーザ光、YAGレーザの第2高調波又は第3高調波などがある。レーザ光を照射する前に、半導体膜106の表面に形成されている酸化膜を希フッ酸などで除去することが好ましい。次に、半導体膜106を覆うようにゲート絶縁膜112を形成する。ゲート絶縁膜112の形成は、CVD法またはスパッタリング法を用いることができる。次に、半導体膜106上にゲート絶縁膜112を介して、ゲート電極114を形成する図4C参照。。ゲート電極114の形成には、スパッタリング法を用いることができる。次に、ゲート電極114をマスクとし、ゲート絶縁膜112を介して半導体膜106中に不純物を導入することで、ソース領域またはドレイン領域となる不純物半導体領域106bを形成することができる。同時に、半導体膜106において、ゲート電極114の下にはチャネル領域106aが形成される図4D参照。。なお、半導体膜106に導入する不純物がホウ素、アルミニウムまたはガリウムなどの場合、薄膜トランジスタ151はp型薄膜トランジスタとなる。また、半導体膜106に導入する不純物がリンまたはヒ素などの場合、薄膜トランジスタ151はn型薄膜トランジスタとなる。次に、絶縁膜124を形成する。絶縁膜124は、CVD法、スパッタリング法または塗布法を用いて形成することができる。例えば、絶縁膜124は、一層目に酸化窒化シリコン膜を10nm以上200nm以下で形成し、二層目に窒化酸化シリコン膜を20nm以上200nm以下で形成し、三層目に酸化窒化シリコン膜を100nm以上1μm以下で形成することができる。また、絶縁膜124の形成において、一層目の酸化窒化シリコン膜の形成後、半導体膜106に導入した不純物の活性化処理を行ってもよい。活性化処理は、例えば、400°C以上基板の歪み点未満での熱処理によって行うことができる。このとき、ゲート電極114上に酸化窒化シリコン膜を有するため、ゲート電極114の酸化を抑制でき、配線抵抗の増大による薄膜トランジスタ動作速度の低下を防ぐことができる。また、絶縁膜124の形成において、二層目の窒化酸化シリコン膜は、膜中の水素濃度が1×1021atoms/cm3以上含まれることが好ましい。二層目の窒化酸化シリコン膜に水素が1×1021atoms/cm3以上含まれることで、窒化酸化シリコン膜の形成後、半導体膜106の水素化処理を行うことができる。例えば、窒化酸化シリコン膜がある状態で、300°C以上550°C以下の熱処理を行うことで、窒化酸化シリコン膜中の水素を半導体膜106中及び半導体膜106とゲート絶縁膜112の界面に拡散させることができる。なお、水素化処理は、二層目の窒化酸化シリコン膜を形成後であれば、どのタイミングで行っても構わない。また、半導体膜106に導入した不純物の活性化処理と兼ねることができる。また、絶縁膜124の形成において、三層目の酸化窒化シリコン膜は、応力緩和や密着性の向上などのために設ける。次に、絶縁膜124及びゲート絶縁膜112を貫通するコンタクトホール130を形成する。コンタクトホール130は、絶縁膜124上にフォトリソグラフィ法によりレジストで形成するマスクを用いて、絶縁膜124及びゲート絶縁膜112をエッチングして設ける。レジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレーザ光などを用いるとよい。なお、コンタクトホール径が25nm未満となるように露光を行う場合には、例えば、数nm~数十nmと極めて波長が短い超紫外線ExtremeUltravioletを用いて、レジストマスク形成時の露光を行うとよい。絶縁膜124及びゲート絶縁膜112のエッチングには、ウェットエッチング法またはドライエッチング法を用いることができる。好ましくは、ドライエッチング法を用いる。ドライエッチング法を用いることで、微細な溝及びコンタクトホールの加工時の形状を制御しやすい。また、マスクであるレジストの側壁を後退させながらエッチングすることで、微細な溝及びコンタクトホールをテーパー形状に仕上げることができる。図4E参照。。なお、コンタクトホール130の最大直径は、薄膜トランジスタの省サイズ化のためにも微細化することが好ましい。例えば、コンタクトホール130の最大直径が大きくなると、その分薄膜トランジスタのサイズも大きくなってしまう。コンタクトホール130の最大直径は小さいほど好ましいが、小さすぎると配線が細くなることによる抵抗の増大を招くため、20nm以上1μm以下、好ましくは50nm以上300nm以下とする。次に、絶縁膜124上に、コンタクトホール130を介して半導体膜106に接続される導電膜108を形成する。本実施の形態において、導電膜108は20nm以上600nm以下とする。好ましくは40nm以上200nm以下とする。後に説明するが、導電膜108は、リフローを行う材料として用いるため、ある程度の厚さが必要とされる。ただし、厚すぎると形成及び加工のための時間が掛かるため、リフロー後に膜が形成可能な最低限の厚さとする。導電膜108は、スパッタリング法などにより形成することができる。スパッタリング法は、膜の材料であるターゲットから基板まで、膜を形成する粒子がほとんど直線的な動きをする。そのため、微細なコンタクトホール130上部では、オーバーハング形状となり、コンタクトホール内では膜の被覆の十分でない箇所が生じる図5A参照。。このような状態で、導電膜108を薄膜トランジスタ151の配線として利用すると、膜の堆積が不十分な箇所で配線抵抗が高まり、薄膜トランジスタ151の動作速度を低下させる。また、場合によっては薄膜トランジスタ151が動作しないことがある。そこで、導電膜108に対し、以下に示す処理を行うことでコンタクトホールの側面及び底面へ堆積が均一な導電膜を形成する。導電膜108の表面を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露すると、導電膜108の一部または全部が酸化、及びフッ化または塩化する。なお、予めプラズマを生成するチャンバー内を酸素クリーニングしておくことで、プラズマを生成するチャンバー内部に酸素を残留させ、該酸素を酸化性ガスとして利用することができる。次に、導電膜108の表面を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露した後、水を含む雰囲気に暴露すると、酸化、及びフッ化または塩化した導電膜108の一部または全部が流動化し、コンタクトホール130内に流れ込む。その後、フッ素または塩素の一部が脱離し、固化することリフローともいう。で導電膜118を形成する図5B参照。。導電膜118は、導電膜108の厚さ及びプラズマ処理の条件にもよるが、導電膜118と導電膜108の膜厚の合計が、最も薄い箇所で1nm以上600nm以下、好ましくは5nm以上100nm以下となるように形成する。次に、導電膜118上に導電膜128を形成する。導電膜128の代表例としては、アルミニウム膜、銅膜、銀膜及びこれらの合金膜が挙げられる。導電膜128は、50nm以上1μm以下とする。好ましくは、100nm以上700nm以下とする。導電膜128は、引き回し配線にも用いることができ、厚いほどシート抵抗値が小さくなるため、配線抵抗による薄膜トランジスタの動作速度の低下を抑制できる。導電膜128は、スパッタリング法などを用いて形成することができる。次に、導電膜128上にフォトリソグラフィ法またはインクジェット法などを用いてレジストでマスクを形成し、該マスクを用いて導電膜128及び導電膜118をエッチングし、配線138を形成することができる図5C参照。。なお、半導体膜106と、導電膜118との間に、未反応の導電膜108を有してもよい。導電膜108が、半導体膜106及び導電膜118の間に形成されることにより、半導体膜106と導電膜118のコンタクト抵抗を低減することができる。本実施の形態において、導電膜108及び導電膜118の少なくともいずれかが拡散防止膜である。導電膜128の半導体膜106中への拡散を抑制でき、薄膜トランジスタのオフ電流の増大を低減できるため好ましい。本実施の形態を用いることで、コンタクトホールの側面及び底面へ堆積が均一な拡散防止膜を形成することができるため、低抵抗である導電膜128を用いても、導電膜128の材料が半導体膜106またはその近傍へ拡散することによる薄膜トランジスタのオフ電流の増大を抑制することができ、電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製することができる。なお、本実施の形態では一つの極性で構成する薄膜トランジスタの作製方法についてのみ説明を行っているが、二つの異なる極性の薄膜トランジスタを組み合わせて用いる相補型金属酸化物半導体CMOS:ComplementaryMetalOxideSemiconductor構造の半導体装置に本実施の形態を用いることで、電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製することができる。実施の形態4また、上記実施の形態で示す半導体装置の一形態について図6を用いて説明する。半導体装置の一形態として、マイクロプロセッサ、RFIDタグ、IDタグ、ICタグ、ICチップ、RFタグ、無線タグ、電子タグまたは無線チップとも呼ばれる非接触でデータの送受信を行うことのできる演算機能を備えた半導体装置などにも本発明を適用することができる。また、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ヘッドマウントディスプレイゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等などの電子機器が半導体装置の例として挙げられる。それらの一例を図6に示す。図6Aに示すRFIDタグは、フィルム9004、アンテナ9006、機能回路9002等を含んでいる。実施の形態3の半導体装置を適用することによって、高性能でかつ信頼性の高いRFIDタグを提供することができる。図6Bに示す携帯情報端末機器は、本体9201、表示部9202等を含んでいる。実施の形態3の半導体装置を適用することによって、高性能でかつ信頼性の高い携帯情報端末機器を提供することができる。図6Cに示すデジタルビデオカメラは、表示部9701、表示部9702等を含んでいる。実施の形態3の半導体装置を適用することによって、高性能でかつ信頼性の高いデジタルビデオカメラを提供することができる。図6Dに示す携帯電話機は、本体9101、表示部9102等を含んでいる。実施の形態3の半導体装置を適用することによって、高性能でかつ信頼性の高い携帯電話機を提供することができる。図6Eに示す携帯型のテレビジョン装置は、本体9301、表示部9302等を含んでいる。実施の形態3の半導体装置を適用することによって、高性能でかつ信頼性の高い携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの例えば40インチ以上まで、幅広いものに、本発明の半導体装置を適用することができる。図6Fに示す携帯型のコンピュータは、本体9401、表示部9402等を含んでいる。実施の形態3の半導体装置を適用することによって、高性能でかつ信頼性の高い携帯型のコンピュータを提供することができる。