"第1半導体ウェハ層を第2半導体ウェハ層に接続する接着層を含む半導体構造であって、前記接着層が、導電性炭素成分及びバインダ成分を含む、半導体構造。前記接着層は、少なくとも800ナノメートルの波長において少なくとも85パーセントの光透過率を有する、請求項1に記載の半導体構造。前記導電性炭素成分は、カーボンナノチューブ群を含む、請求項1に記載の半導体構造。前記カーボンナノチューブ群は、約1~約2ナノメートルの範囲の断面平均厚さを有する、請求項3に記載の半導体構造。前記バインダ成分は、金属酸化物、金属窒化物、半導体酸化物、半導体窒化物、ポリマー、及びシリコーンのうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の半導体構造。前記バインダ成分は、アルミナ、チタニア、ハフニア、シリカ、窒化珪素、酸化亜鉛、インジウム錫酸化物、及びこれらの組み合わせから成るグループから選択される、請求項1に記載の半導体構造。前記接着層は、約10ナノメートル~約100ナノメートルの範囲の厚さを有する、請求項1に記載の半導体構造。前記接着層は、少なくとも800ナノメートルの波長において少なくとも95パーセントの光透過率を有する、請求項1に記載の半導体構造。前記第2半導体ウェハ層は、1つのスペクトル域の光を吸収し、そして前記接着層は、前記スペクトル域全体に渡って少なくとも85パーセントの光透過率を有する、請求項1に記載の半導体構造。前記接着層は、最大1Ω-cm2の垂直電気抵抗を有する、請求項1に記載の半導体構造。少なくとも1つの下部サブセルに接着層によって接続される少なくとも1つの上部サブセルを含む太陽電池セル構造であって、前記接着層が、カーボンナノチューブ群及びバインダ成分を含み、前記下部サブセルが1つのスペクトル域で動作し、そして前記接着層が、前記スペクトル域全体に渡って少なくとも85パーセントの光透過率を有する、太陽電池セル構造。前記カーボンナノチューブ群は、約1~約2ナノメートルの範囲の断面平均厚さを有する、請求項11に記載の太陽電池セル構造。前記バインダ成分は、金属酸化物、金属窒化物、半導体酸化物、半導体窒化物、ポリマー、及びシリコーンのうちの少なくとも1つを含む、請求項11に記載の半導体構造。前記バインダ成分は、アルミナ、チタニア、ハフニア、シリカ、窒化珪素、酸化亜鉛、インジウム錫酸化物、及びこれらの組み合わせから成るグループから選択される、請求項1に記載の半導体構造。太陽電池セル構造を、下部基板及び上部基板を使用して組み立てる方法であって、前記方法は:少なくとも1つの下部サブセルを前記下部基板に成長させる工程であって、前記下部サブセルが、1つのスペクトル域の光を吸収するように構成される、前記成長させる工程と、少なくとも1つの上部サブセルを前記上部基板に成長させる工程と、接着層を、前記下部サブセル及び前記上部サブセルのうちの少なくとも1つのサブセルに塗布する工程であって、前記接着層が、導電性炭素成分及びバインダ成分を含み、前記接着層が、前記スペクトル域全体に渡って少なくとも85パーセントの光透過率を有する、前記塗布する工程と、前記上部サブセルを前記下部サブセルに、前記接着層が前記上部サブセルと前記下部サブセルとの間に挟まれるように接続する工程と、任意であるが、前記上部基板を取り外す工程と、を含む、方法。前記導電性炭素成分は、カーボンナノチューブ群を含む、請求項15に記載の方法。前記バインダ成分は、アルミナ、チタニア、ハフニア、シリカ、窒化珪素、酸化亜鉛、インジウム錫酸化物、及びこれらの組み合わせから成るグループから選択される、請求項15に記載の方法。前記下部サブセルを、前記下部基板に格子整合または略格子整合するように成長させ、そして前記上部サブセルを、前記上部基板に格子整合または略格子整合するように成長させ、前記上部基板は、前記下部基板とは異なる導電型である、請求項15に記載の方法。前記上部サブセルを成長させる前記工程では、少なくとも2つの上部サブセルを前記上部基板に逆構成となるように成長させる、請求項15に記載の方法。更に、上部コンタクトを前記上部サブセルに、そして下部コンタクトを前記下部基板に取り付ける工程を含む、請求項15に記載の方法。図1を参照するに、参照番号10で一括指示される開示の太陽電池セル構造の1つの態様は、少なくとも1つの上部サブセル12と、接着層14と、少なくとも1つの下部サブセル16と、そして下部基板18と、を含むことができる。太陽電池セル構造10は更に、下部コンタクト層20と、上部コンタクト層例えば、コンタクト群22と、そして反射防止コーティング層24と、を含むことができる。他の構成要素群を太陽電池セル構造10に、本開示の範囲から逸脱しない範囲で含めてもよい。少なくとも1つの上部サブセル12は、前面26及び後面28を有する半導体材料層または、複数の半導体材料層を含むことができる。上部コンタクト群22及び反射防止コーティング層24は、少なくとも1つの上部サブセル12の前面26に隣接配置することができる。少なくとも1つの上部サブセル12の後面28は、接着層14に隣接させることができる。少なくとも1つの下部サブセル16は、前面30及び後面32を有する半導体材料層または、複数の半導体材料層を含むことができる。少なくとも1つの下部サブセル16の前面30は、接着層14に隣接させることができる。下部基板18は、少なくとも1つの下部サブセル16の後面32に隣接配置することができる。下部基板18は、前面34及び後面36を含むことができる。少なくとも1つの下部サブセル16は、下部基板18の前面34に隣接配置することができ、そして下部コンタクト層20は、下部基板18の後面36に隣接配置することができる。接着層14は、導電成分及びバインダ成分を含むことができる。接着層14の導電成分によって、少なくとも1つの上部サブセル12と少なくとも1つの下部サブセル16との間の垂直方向の電気伝導が可能になる。接着層14のバインダ成分によって、少なくとも1つの上部サブセル12を少なくとも1つの下部サブセル16に接着させることができる。接着層14の組成物は、十分高い光透過性、垂直方向電気伝導率、及び十分高い接着強度を実現するように選択することができる。例えば、5接合太陽電池セルを設計する場合、接着層14の組成物は、1少なくとも1つの下部サブセル16に関連するスペクトル域の光波長例えば、800ナノメートル超の波長について95パーセント超の光透過率、2最大1Ω-cm2の合計電気抵抗注記:この合計抵抗は、接着層14に隣接する半導体層群とのコンタクト抵抗だけでなく、接着層14自体の垂直方向抵抗を含む、及び3処理工程だけでなく最終用途における作動状態例えば、地上状態または宇宙状態に耐える十分強固な接着強度を実現するように選択することができる。接着層14の導電成分は、接着層14に必要な電気伝導率を、接着層14の光透過性を大幅に低下させることなく付与するように選択することができる。従って、接着層14中の導電成分の量は、導電成分の配合により決定することができる。第1発現形態では、接着層14の導電成分は、導電性炭素質材料または導電性炭素質材料群の組み合わせを含むことができる。第2発現形態では、接着層14の導電成分は、導電性炭素質材料及び導電性無機材料の組み合わせを含むことができる。第1発現形態の第1の実施形態では、導電性炭素質材料はカーボンナノチューブ群を含むことができる。例えば、これらのカーボンナノチューブは、約1~2ナノメートルの平均直径、及び少なくとも1ミクロンの長さを有する単壁ナノチューブとすることができる。これらのカーボンナノチューブは、束にすることができ、そしてバインダ成分を収容することができる間隙空間例えば、50パーセントの間隙空間を、これらのナノチューブの間に画定することができる。バインダを浸透させた適切なカーボンナノチューブ膜以下に更に詳細に説明されるは、マサチューセッツ州のフランクリン市にあるEikosエイコス社がブランド商品化した商品名INVISICON登録商標で販売されている。接着層14のバインダ成分は、接着層14に強固な接着性を、接着層14の光透過性を大幅に低下させることなく付与するように選択することができる。従って、接着層14中の導電成分の量は、バインダ成分の配合により決定することができる。1つの特定の発現形態では、接着層14のバインダ成分は、金属酸化物、金属窒化物、ポリマー、無機-有機ハイブリッド材料、またはこれらの材料の組み合わせとすることができる、または金属酸化物、金属窒化物、ポリマー、無機-有機ハイブリッド材料、またはこれらの材料の組み合わせを含むことができる。適切なバインダ成分の例として、Al2O3アルミナ,TiO2チタニア,HfO2ハフニア,SiO2シリカ,Si3N4窒化珪素,ZnO酸化亜鉛,In2O3/SnO2インジウム錫酸化物を挙げることができる。他の適切なバインダ成分の例として、Dow-Corningダウ-コーニング93-500のようなシリコーン類、及びPDMSポリジメチルシロキサンのようなポリマー類を挙げることができる。上に説明したように、接着層14の導電成分はカーボンナノチューブ群を含むことができ、これらのカーボンナノチューブは間隙群を画定し、かつ接着層14を導電性にする。接着層14のバインダ成分は、導電成分によって画定される間隙群に浸透して膜を形成することができる。バインダ成分は、膜に強固性及び光調整機能を付与することができる。接着層14は、以下に説明するように、種々の方法を使用して形成することができる。接着層14に関して結果的に得られる厚さは、例えば約10ナノメートル~約100ナノメートルの範囲とすることができる。更に開示されるのは、図1に示す太陽電池セル構造10のような半導体構造を形成する方法である。図5を参照するに、参照番号100で一括指示される開示の方法の1つの態様は、下部サブセルアセンブリ38図2Aをブロック102及び104において形成し、そして上部サブセルアセンブリ40図2Bをブロック106及び108において形成することから始まる。図5のブロック102を参照するに、下部サブセルアセンブリ38図2Aの形成は、少なくとも1つの下部サブセル16を下部基板18に形成することから始めることができる。例えば、少なくとも1つの下部サブセル16は、少なくとも1つの下部サブセル16を下部基板18にエピタキシャル成長させることにより形成することができる。少なくとも1つの下部サブセル16は、真っ直ぐに成長させ、そして下部基板18に格子整合または、略格子整合させることができる。例えば、下部基板18はInP基板とすることができ、そして少なくとも1つの下部サブセル16は、GaInPAsサブセル42及びGaInAsサブセル44を含むことができる。図5のブロック104を参照するに、第1接着層48は、少なくとも1つの下部サブセル16の前面30に塗布することができる。この技術分野の当業者であれば、種々の方法を用いて、開示の接着組成物を塗布して第1接着層48を形成することができることを理解できるであろう。1つの実施形態では、接着層48は、導電成分及びバインダ成分を含む混合物として調製される接着組成物を塗布することにより形成することができる。別の実施形態では、接着層48は、最初に導電成分を塗布し、そして次に、バインダ成分を別途塗布することにより形成することができる。1つの特定の例として、接着層48は、2つの工程で形成することができ、これらの工程は:1カーボンナノチューブ膜を形成する工程、及び2カーボンナノチューブ膜にバインダを浸透させる工程である。任意であるが、硬化させる工程を用いることもできる。カーボンナノチューブ膜は、カーボンナノチューブインクを少なくとも1つの下部サブセル16の前面30に印刷する、またはスプレー塗布することにより形成することができる。カーボンナノチューブインクは、精製カーボンナノチューブを水溶性担体例えば、水のような担体に分散させることで予め調製しておくことができる。印刷工程またはスプレー塗布工程は、低い周囲温度で行なうことにより、担体の早期蒸発を最小限に抑えることができる。一旦、カーボンナノチューブインクが乾燥してしまうと、前面30に残留するカーボンナノチューブにバインダを浸透させることができる。例えば、バインダは、バインダ溶液またはゾルゲルバインダのような溶液として予め調製しておくことができる。特定の例として、バインダ溶液は、アルコールに溶解させたSiO2を含むことができる。次に、カーボンナノチューブ膜を、バインダ溶液を用いて当該溶液に浸漬塗布して、カーボンナノチューブ膜にバインダ成分を浸透させることにより、導電成分及びバインダ成分を含む接着層48を形成することができる。図5のブロック106を参照するに、上部サブセルアセンブリ40図2Bの形成は、少なくとも1つの上部サブセル12を上部基板50に形成することにより始めることができる。例えば、少なくとも1つの上部サブセル12は、少なくとも1つの上部サブセル12を上部基板50にエピタキシャル成長させることにより形成することができる。少なくとも1つの上部サブセル12は、上部基板50に逆構成となるように成長させることができ、そして上部基板50に格子整合または、略格子整合させることができる。例えば、上部基板50は、GaAs基板とすることができ、そして少なくとも1つの上部サブセル12は、GaAsサブセル52、AlGaInAsサブセル54、及びGaInPサブセル56を含むことができる。図5のブロック108を参照するに、第2接着層58は、少なくとも1つの上部サブセル12の後面28に塗布することができる。第2接着層58は、上に説明した種々の方法を用いて塗布することができる。この時点において、この技術分野の当業者であれば、サブセルアセンブリ38,40の両方に、接着層48,58が必要である訳ではないことを理解できるであろう。そうではなく、別の態様では、下部サブセルアセンブリ38及び上部サブセルアセンブリ40のうちの一方のサブセルアセンブリにのみ接着層48,58を設ければよい。図5のブロック110を参照するに、上部サブセルアセンブリ40を下部サブセルアセンブリ38に、第1接着層48を第2接着層58と接合させて、図3に示す接着層14を形成することにより接続することができる。接着層14は必要に応じて硬化させることができる。ブロック112図5では、上部基板50は、図4に示すように、必要に応じて例えば、光透過性ではない、または導電性ではない場合に取り外すことができるので、少なくとも1つの上部サブセル12の前面26を露出させることができる。最後に、ブロック114図5では、図1に示すように、上部コンタクト群22を少なくとも1つの上部サブセル12の前面26に取り付けることができ、そして下部コンタクト20を下部基板18の後面36に取り付けることができる。従って、開示の接着組成物を用いて、第1半導体ウェハを第2半導体ウェハに接着させることができる。具体的には、開示の接着組成物の光特性、導電特性、及び接着特性によって、上部サブセル積層体を下部サブセル積層体に接着させて太陽電池セル構造を形成するための当該組成物の使用が容易になる。従って、上部サブセル積層体は、上部基板上に格子整合または略格子整合すなわち、ほぼ格子整合するように成長させることができ、そして下部サブセル積層体は、下部異なる導電型基板上に格子整合または略格子整合すなわち、ほぼ格子整合するように成長させることができ、そして開示の接着組成物を用いて、特にカーボンナノチューブ群が接着組成物の導電成分として使用される場合に、上部サブセル積層体を下部サブセル積層体に、光特性の低下を最小限に抑えながら物理的かつ電気的に接続することができる。開示の太陽電池セル構造及び組成物、及び太陽電池セル構造及び組成物を形成する方法の種々の態様を示し、そして説明してきたが、種々変形をこの技術分野の当業者であれば本明細書を一読することにより想到することができる。本出願は、このような変形を包含し、そして請求項の範囲によってのみ制限される。"