負荷に流れる電流を検出する電流センサと、前記電流センサのオフセットを補償するオフセット補償部と、前記電流センサの残留磁界を減少させる消磁電流を生成する回路部とを備え、前記オフセット補償部は、前記電流センサにより測定される前記消磁電流の測定値と、前記測定値に対応する前記消磁電流の電流値とを用いて前記電流センサのオフセット値を演算し、前記オフセット値に基づいて前記オフセットを補償することを特徴とする電流センサ制御装置。前記オフセット補償部は、前記測定値と前記電流値とを用いた直線回帰演算により前記オフセット値を演算することを特徴とする請求項1記載の電流センサ制御装置。前記オフセット補償部は、前記消磁電流が前記電流センサに入力された時から所定期間経過後の前記消磁電流の前記測定値を用いて前記オフセット値を演算することを特徴とする請求項1又は2記載の電流センサ制御装置。前記回路部は、抵抗、インダクタ及びコンデンサを有することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の電流センサ制御装置。前記回路部はスイッチング手段を有し、前記オフセット補償部は前記スイッチング手段をオン及びオフを切り替えることで前記消磁電流を生成させることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の電流センサ制御装置。前記オフセット補償部は、前記消磁電流を生成させる指令値を前記回路部に送信し、前記指令値をサンプリングすることにより前記電流値を得ることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の電流センサ制御装置。しかしながら、従来の電動機の制御装置において、時間的変動要素によって生じる電流検出器の検出誤差を補償することができない、という問題があった。本発明が解決しようとする課題は、電流センサの残留磁界による誤差と時間的変動による誤差とにより生じる、電流センサのオフセットを補償することである。本発明は、回路部を制御することにより消磁電流を電流センサに入力し、当該電流センサにより測定される消磁電流の測定値と、当該測定値に対応する消磁電流の電流値とを用いて電流センサのオフセット値を演算し、オフセットを補償することによって上記課題を解決する。本発明によれば、電流センサに消磁電流を流すことにより、電流センサの残留磁界による誤差を抑制しつつ、時間的変動要素による誤差を消磁電流の測定値から検出するため、電流センサのオフセットを精度よく補償することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。《第1実施形態》図1は、発明の実施形態に係る電流センサ制御装置を示す回路図である。詳細な図示は省略するが、本例の電流センサ制御装置は、例えば、電気自動車やハイブリッド自動車HEV等に搭載されるバッテリに接続され、当該バッテリからの直流電流を検出するセンサの制御装置として用いられる。なお本例のインバータ制御装置は、例えばハイブリッド自動車HEV等の電気自動車以外の車両にも適用可能である。図1に示すように、本例の電流センサ制御装置1は、バッテリ2と、スイッチS1~S3と、抵抗Rと、インダクタLと、コンデンサCと、電流センサ6と、オフセット補償部7とを備える。バッテリ2は、例えばリチウムイオン電池等の二次電池又は一次電池を複数接続することで構成される直流電源である。バッテリ2は、図示しないモータなどの負荷に対して電力を供給する電力源である。スイッチS1~S3は、バッテリ2と電流センサ6との間に接続され、オフセット補償部7の制御信号に基づきオン及びオフを切り替える。バッテリ2のプラス端子側には、スイッチS1及びスイッチS2の並列回路が接続され、バッテリ2のマイナス端子側にはスイッチS3が接続されている。またバッテリ2の端子間には、スイッチS1及びスイッチS3を介して、抵抗R、インダクタL及びコンデンサCによるRLC直列回路が接続されている。オフセット補償部7は、電流センサ制御装置1の制御部であって、バッテリ1、スイッチS1~S3及び電流センサ6を制御する。オフセット補償部7は、バッテリ2の電圧及び電流を管理する。なおバッテリ2は、必ずしもオフセット補償部7で管理する必要はなく、別途バッテリコントローラ図示しないを設けて管理してもよい。その際、オフセット補償部7は、当該バッテリコントローラからバッテリ2の出力値を把握すればよい。また、オフセット補償部7は、後述するように、電流センサ6の測定値から電流センサ6のオフセットを補償する。電流センサ6は、バッテリ2から出力されて負荷図示しないに流れる電流を検出するセンサであり、スイッチS1~S3を介して、バッテリ2に接続されている。また、電流センサ6を構成するコアはヒステリシス特性を有している。そのため、本例のバッテリ2から図示しない負荷に対して電力を供給し、電流センサ6により電流を検出する場合には、電流センサ6に残留磁界が残る。本例では、後述するように、図1に示す回路を用いて、当該残留磁界を減少させるための消磁電流交番電流を電流センサ6に流し、残留磁界の消磁を行う。次に、図1~図3を用いて、電流センサ制御装置1の制御について説明する。図2は消磁電流の波形を示す特性図であって、時間に対する電流特性を示すグラフである。図3は消磁電流の電流値Iに対する電流センサ6の出力電圧Vの特性を示すグラフである。オフセット補償部7は、スイッチS1、S2、S3に制御信号を送信し、消磁電流を流す際にはスイッチS1及びS3のオン及びオフを所定の周期で切り替え、バッテリ4の直流電力を負荷図示しないに出力する際にはスイッチS2及びS3をオンにする。スイッチS1及びスイッチS3を制御する場合には、図1に示すように、バッテリ2と電流センサ6との間に、RLC直列回路が導通される。かかる状態で、スイッチS1及びS3のオン及びオフが周期的に切り替えられると、図2に示すように、時間の経過に伴い減衰しつつ収束する振動波形の電流が流れる。本例では、図2の電流を消磁電流として、電流センサ6に流すことにより、電流センサ6の残留磁界を減少させる。すなわち、本例では、DC電源のような消磁電流交番電流を発生させることが困難な電源であっても、RLC回路を用い、オフセット補償部7により、スイッチS1及びS3を周期的にオン及びオフを切り替えることで、消磁電流を発生させる。そして、オフセット補償部7は、消磁電流を電流センサ6に流している間に、所定の周期Taで電流センサ6の測定値をサンプリングする。またオフセット補償部7は、サンプリングされた測定値に対応する消磁電流の電流値を、スイッチS1及びS3に入力される、消磁電流を発生させるための制御信号に基づいて算出する。バッテリ2の状態は、オフセット補償部7により管理され、RLC回路を形成する抵抗R、インダクタL及びコンデンサCのそれぞれのパラメータは、回路設計の段階で予め決まっているため、当該RLC回路に流れる電流波形も予め設定される。そのため、消磁電流を流した時からのサンプリングのタイミングが分かれば、消磁電流の電流値を導き出すことができる。すなわち、オフセット補償部7は、消磁電流を流し始めた時を基準として、電流センサ6の測定値のサンプリング時間と消磁電流の電流値のサンプリング時間とを対応させて、電流センサ6の測定値を電流センサ6の出力電圧から測定し、消磁電流の電流値を予め設定される電流波形の値から算出する。また電流センサ6の測定値を計測する際に、サンプリングの開示時間は時間tcに設定されている図2を参照。消磁電流を流し始めてから時間tcが経過するまでの間は、残留磁界の影響が大きいため、オフセット補償部7は、消磁電流を流し始めてから時間tcの時点から、サンプリング周期Taで、電圧センサ7の出力電圧をサンプリングする。時間tcは、オフセット補償部7に予め設定されている時間であり、好ましくは消磁電流を流し始めてから、消磁電流の最初の1周期が経過した後の時間に設定するとよい。図2に示すように、消磁電流を流し始めてから、最初の1周期の電流の値は、2周期以降の電流の値と比較して大きい。そのため、時間tcを設定する際に、最初の1周期分の電流波形をサンプリングから除外することで、サンプリング値が残留磁界に大きく影響されることを防ぐことができる。そして、サンプリング補償部7は、残留電流がゼロに収束するまで、電流センサ6により、消磁電流を計測する。なお、図2において、黒丸が消磁電流上でサンプリングされるタイミングを示している次に、オフセット補償部7は、電流センサ6の測定値出力電圧と消磁電流の電流値とを、それぞれのサンプリングのタイミングを対応させつつ、電流-電圧特性図にプロットする。そして、プロットしたデータの近似関数をとるべく、直線回帰演算を行い、図3に示すようなI-V特性直線Lを求める。図3に示すように、切片に相当する電圧値が、消磁電流の電流値に対する電流センサ6の検出値の誤差に相当し、オフセット値Voffとなる。すなわち、電流センサ6に実際に流れる消磁電流の電流値と、電流センサ6の検出電圧との間に、誤差が生じていなければ、オフセット補償部7により求められたI-V特性において、電流値ゼロに対する出力電圧はゼロになる。しかし、当該ズレが生じている場合は、電流センサ6の各出力電圧はオフセットの分だけ、それぞれずれてしまうため、求められたI-V特性直線Lは理想I-V特性図3の点線のグラフを参照に対して、オフセット値の分、ずらした特性となる。そして、オフセット補償部7は、I-V特性の切片からオフセット値Voffを演算し、電流センサ6の測定値からオフセット値に相当する値を減ずることで、オフセット補償を行い、補償した後の電流センサ7の検出電流Icをバッテリ1の出力電流値とする。これにより、オフセット補償部7は、オフセット値Voffに基づいて、電流センサ7のオフセットを補償する。次に、図4を用いて、本例の電流センサ制御装置1の制御手順を説明する。図4は、本例の電流センサ制御装置1の制御手順を示すフローチャートである。ステップS1にて、オフセット補償部7は、電流センサ6の残留磁界を減少するために、消磁電流を流すことを示す制御信号をスイッチS1及びS3に送信し、スイッチS1及びスイッチS3のオン及びオフを切り替えて、消磁電流を電流センサ6に流す。ステップS2にて、オフセット補償部7は、消磁電流を電流センサ6に流し始めてからの時間を把握し、当該時間が時間tcを経過したか否かを判断する。そして時間tcが経過すると、ステップS3に遷る。ステップS3にて、電流センサ6は、時間tcの時点から、所定のサンプリング周期Taで、消磁電流を計測し、計測値を電圧によりオフセット補償部7に出力する。ステップS4にて、オフセット補償部7は、消磁電流がゼロに収束したか否かを判断する。消磁電流がゼロに収束していない場合には、ステップS3に戻り、消磁電流がゼロに収束した場合には、ステップS5に遷る。ステップS5にて、オフセット補償部7は、予め設定される消磁電流の電流波形から、ステップS3で測定された測定値に対応する電流値を算出し、算出された消磁電流の電流値と電流センサ6の測定値から、近似関数であるI-V特性を演算する。ステップS6にて、オフセット補償部7は、ステップS5により演算されたI-V特性の切片に相当する、オフセット値Voffを演算する。そして、ステップS7にて、オフセット補償部7は、電流センサ6の測定値から当該オフセット値Voffを減算することで、電流センサ6のオフセットを補償する。上記のように、本例は、オフセット補償部7により、電流センサ6に流れる消磁電流の電流値と電流センサ6の測定値とを用いて電流センサ6のオフセット値を演算し、オフセット値に基づいて電流センサ7のオフセットを補償する。これにより、本例は、消磁電流を電流センサ6に流し電流センサ6の残留磁界を減少させることで、電流センサ6のヒステリシスによる誤差を低減し、また消磁電流の電流値と電流センサ6の測定値とを用いてオフセット値を演算することで、時間的要素により生じる、電流センサ6の検出誤差を低減させることができる。ところで、従来のように、インバータの稼働を停止し消磁電流がゼロに収束した後に、電流センサにより測定される、一点の測定値を用いてオフセットを補償する場合について詳述する。消磁電流がゼロである時の実際の電流センサの測定値は、温度特性又は劣化特性などの時間的に変動する要因によって、本来のオフセット以上の誤差を含む可能性がある。この時、従来は、当該誤差に基づいてオフセット補償するため、補償後の測定値は理想値とずれたままであり、オフセット補償が精度よく行われていない。本例は、消磁電流がゼロである時の測定値に限られることはなく、消磁電流を流している時の電流センサ6の測定値を用いることにより、測定値のサンプル数を増やすことができる。そして、サンプルの近似関数とることで、時間的要因による誤差を平均化させてオフセット値に適切に反映させることができ、その結果として、オフセット補償の精度を高めることができる。また、電流センサ7の測定レンジに対して、広い範囲でオフセット補償を行うことができる。また本例は、消磁電流の電流値と電流センサ6の計測値とを用いて直線回帰演算によりオフセット値を演算する。これにより、本例は、直線回帰演算により演算されたI-V特性の直線Lの傾きが理想直線と異なる場合を検出することができ、負荷に供給するための電流を電流センサ6により検出する前に、オフセットを補償することができる。なお、本例において、I-V特性の直線Lの傾きが理想直線と異なる場合に、電流センサ6の測定レンジ毎にオフセットを補償してもよく、I-V特性の直線Lと理想直線との差に応じて、電流センサ6の測定値に対応するオフセット値を演算し、オフセット補償をしてもよい。すなわち、例えば、図3を参照し、直線Lの傾きが理想直線図4の点線で示すの傾きより大きい場合には、電流値が大きいほど、直線Lと理想直線との乖離が大きくなる。そのため、電流値が大きいほどオフセット値を大きくして、測定値から減ずることで、補償後の測定値を理想直線に近づけることができ、その結果として、オフセットの補償の精度を高めることができる。また、本例の電流センサ制御装置1を車両に搭載し、車両駆動用のスイッチ図示しないに連動させて、図4に示すステップを行う場合に、当該スイッチをオンにする時に、前回の走行により発生した残留磁界による誤差が電流センサ6の測定値に含まれる場合がある。しかし、本例では残留磁界を減少させつつオフセット補償するため、前回の走行による残留磁界の影響を抑制しつつ、オフセットを補償することができる。また本例において、オフセット補償部7は、消磁電流が電流センサ6に入力された時から時間tsを経過した後の測定値を用いてオフセット値を演算する。図2に示すように、消磁電流が電流センサ6に入力された時から時間tsの間は、残留磁界の影響が大きいため、時間tsまでの消磁電流の測定値を用いず、時間ts以降の測定値を用いてオフセット値を演算する。これにより、残留磁界の影響を抑制しつつ、オフセット値を演算するためのサンプルを抽出し、オフセットを補償することができる。また本例は、消磁電流を発生させるための回路として、RLC回路を用いる。これにより、バッテリ4である直流電源のような消磁電流を発生させることの困難な電源を用いても、消磁電流を発生することができる。また本例は、消磁電流を発生させるための回路に、スイッチS1及びS3を設け、スイッチS1及びS3のオン及びオフを周期的に切り替えることで、消磁電流を発生させる。これにより、バッテリ4である直流電源のような消磁電流を発生させることが困難な電源を用いても、消磁電流を発生することができる。なお、本例は、負荷の一例としてモータを用いたが他の負荷であってもよく、また本例の電流センサ制御装置1は、インバータ以外の他の装置に用いてもよい。また本例は、オフセット値を演算する際に、直線回帰演算より直線I-V特性を用いたが、近似曲線等の他の近似関数を用いてもよい。他の近似関数を用いる場合には、近似関数上において、消磁電流がゼロの時の測定値をオフセット値とすればよい。上記スイッチS1及びS3と、抵抗R、インダクタL及びコンデンサCとにより構成される回路が本発明に係る回路部に相当する。