"基板を出し入れする仕込/取出室と、前記基板に対して所定の真空処理を行う処理室と、前記仕込/取出室と前記処理室との間における前記基板の受け渡しを行う搬送室と、を備えた基板処理装置であって、前記仕込/取出室は、真空排気可能なチャンバと、前記チャンバ内に配され、前記基板が載置される支持部と、前記支持部上に載置された前記基板の位置ずれ量を検出する測定部と、前記測定部によって検出された前記基板の位置ずれ量に応じて、前記基板の位置を修正するアライメント部と、を有することを特徴とする基板処理装置。前記仕込/取出室は、その内部に前記基板を一枚ずつ収容すること、を特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。前記支持部は、前記基板と接触して熱交換することにより該基板の温度を制御すること、を特徴とする請求項1又は2に記載の基板処理装置。基板を出し入れする仕込/取出室と、前記基板に対して所定の真空処理を行う処理室と、前記仕込/取出室と前記処理室との間における前記基板の受け渡しを行う搬送室と、を備えた基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記仕込/取出室において、真空排気可能なチャンバ内に配された支持部上に前記基板を載置する工程Aと、前記支持部上に載置された前記基板の位置ずれ量を検出する工程Bと、前記測定部によって検出された前記基板の位置ずれ量に応じて、前記基板の位置を修正する工程Cと、を少なくとも順に備えたことを特徴とする基板処理方法。少なくとも前記工程B及び工程Cを、減圧動作中又は昇圧動作中に行うこと、を特徴とする請求項4に記載の基板処理方法。前記支持部と前記基板とが接触して熱交換することにより、前記基板の温度を制御すること、を特徴とする請求項4又は5に記載の基板処理方法。本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、スループットを低下させることなく、時間のロス無しに基板のアライメントを可能とした基板処理装置を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、スループットを低下させることなく、時間のロス無しに基板のアライメントを可能とした基板処理方法を提供することを第二の目的とする。本発明の請求項1に記載の基板処理装置は、基板を出し入れする仕込/取出室と、前記基板に対して所定の真空処理を行う処理室と、前記仕込/取出室と前記処理室との間における前記基板の受け渡しを行う搬送室と、を備えた基板処理装置であって、前記仕込/取出室は、真空排気可能なチャンバと、前記チャンバ内に配され、前記基板が載置される支持部と、前記支持部上に載置された前記基板の位置ずれ量を検出する測定部と、前記測定部によって検出された前記基板の位置ずれ量に応じて、前記基板の位置を修正するアライメント部と、を有すること、を特徴とする。本発明の請求項2に記載の基板処理装置は、請求項1において、前記仕込/取出室は、その内部に前記基板を一枚ずつ収容すること、を特徴とする。本発明の請求項3に記載の基板処理装置は、請求項1又は2において、前記支持部は、前記基板と接触して接触部における伝熱とガスの対流によって熱交換することにより該基板の温度を制御すること、を特徴とする。本発明の請求項4に記載の基板処理方法は、基板を出し入れする仕込/取出室と、前記基板に対して所定の真空処理を行う処理室と、前記仕込/取出室と前記処理室との間における前記基板の受け渡しを行う搬送室と、を備えた基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記仕込/取出室において、真空排気可能なチャンバ内に配された支持部上に前記基板を載置する工程Aと、前記支持部上に載置された前記基板の位置ずれ量を検出する工程Bと、前記測定部によって検出された前記基板の位置ずれ量に応じて、前記基板の位置を修正する工程Cと、を少なくとも順に備えたこと、を特徴とする。本発明の請求項5に記載の基板処理方法は、請求項4において、少なくとも前記工程B及び工程Cを、減圧動作中又は昇圧動作中に行うこと、を特徴とする。本発明の請求項6に記載の基板処理方法は、請求項4又は5において、前記支持部と前記基板とが接触して熱交換することにより、前記基板の温度を制御すること、を特徴とする。本発明の基板処理装置では、仕込/取出室において、基板が載置される支持部上に載置された前記基板の位置ずれ量を検出する測定部と、前記測定部によって検出された前記基板の位置ずれ量に応じて、前記基板の位置を修正するアライメント部と、を有している。本発明では、仕込/取出室にアライメント部を設置することで、従来、大気側搬送室で行っていたアライメントを省略でき、周囲のコンポーネントのスループットを低下させることなく、時間のロス無しにアライメントが可能となる。また、仕込/取出室にアライメント部を設けることにより、大気側搬送ロボットのスループットが向上できる。本発明の基板処理方法は、前記仕込/取出室において、真空排気可能なチャンバ内に配された支持部上に前記基板を載置する工程Aと、前記支持部上に載置された前記基板の位置ずれ量を検出する工程Bと、前記測定部によって検出された前記基板の位置ずれ量に応じて、前記基板の位置を修正する工程Cと、を少なくとも順に備えている。本発明では、仕込/取出室においてアライメントを行うことで、従来、大気側搬送室で行っていたアライメントを省略でき、周囲のコンポーネントのスループットを低下させることなく、時間のロス無しにアライメントが可能となる。また、仕込/取出室でアライメントを行うことにより、大気側搬送ロボットのスループットが向上できる。なお、工程Cの位置ずれ量の補正は必ずしも、大気側搬送ロボット側が全てを行う必要は無く、補正の一部あるいは全部を、真空搬送ロボットが担っても構わない。たとえば、工程Cにおける旋回とノッチ合わせまでは仕込/取出室にて実施し、水平方向の補正は真空搬送ロボットが行う構成としてもよい。具体的には、仕込/取出室のアライナは旋回してノッチ角度を合わせ、位置ずれが許容範囲であれは、そのまま真空搬送ロボットに搬送させる。真空搬送ロボットが水平方向の位置補正機能を搭載しているならば、水平方向については基板を置く際に補正することができる。その結果、仕込/取出室のアライナ機構をよりシンプルな構成とすることが可能となり、たとえば仕込/取出室の小型化が図れるので、より好ましい。以下、本発明に係る基板処理装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態によるマルチチャンバ方式の基板処理装置1の概略構成図である。この基板処理装置1は、被処理基板以下単に基板ともいう。を出し入れする仕込/取出室ロードロック室3A,3B3と、基板に対して所定の真空処理を行う処理室プロセス室4A~4D4と、仕込/取出室3A,3Bと処理室4A~4Dとの間における基板の受け渡しを行うための搬送室コア室5とを備えている。なお、ここで仕込/取出室ロードロック室は、処理室プロセス室に接続され、そこから処理された基板を大気へ取り出す際に使用される装置のことである。そして本発明の基板処理装置1は、前記仕込/取出室3A,3B3は、真空排気可能なチャンバ11と、前記チャンバ11内に配され、前記基板2が載置される支持部12と、前記支持部12上に載置された前記基板2の位置ずれ量を検出する測定部と、前記測定部によって検出された前記基板2の位置ずれ量に応じて、前記基板2の位置を修正するアライメント部と、を有すること、を特徴とする。仕込/取出室3A,3B3では、真空となっている搬送室5に搬送するために排気を行う排気時間がある。よって、本発明の基板処理装置1では、仕込/取出室3A,3B3にアライメント部を設置し、この排気時間にアライメントを行うことで、従来、大気側搬送室で行っていたアライメントを省略でき、周囲のコンポーネントのスループットを低下させることなく、時間のロス無しにアライメントが可能となる。また、仕込/取出室3A,3B3にアライメント部を設けることにより、大気側搬送ロボットのスループットが向上できる。仕込/取出室3A,3B3はそれぞれ同一の構成を有しており、内部に所定枚数の基板を収容できる基板ストッカ図示略が設置されている。本実施形態において、仕込/取出室3A,3B3は、その内部に前記基板2を一枚ずつ収容する。仕込/取出室3A,3Bには排気システムがそれぞれ接続されており、互いに独立して真空排気可能とされている。なお、仕込/取出室3A,3Bは図示の例のように複数設置される場合に限らず、単数であってもよい。また、仕込/取出室3A,3B3の前には、FOUPFrontOpeningUnifiedPod7を保管するストッカ8と、EFEMEquipmentFrontEndModule9とが設置されている。FOUP7は、その内部を高いクリーン度で保ちつつ基板2を処理装置に搬送するための密閉容器である。FOUP7の内部には、複数枚の基板2が収納され、各基板2は上下方向に一定の間隔をおいて配置されている。EFEM9は、仕込/取出室3A,3B3の前面に隣接して設置され、ストッカ8に保管されたFOUP7に収納された基板を仕込/取出室3A,3B3に引き渡すものである。EFEM9は、大気側搬送ロボット10を有している。大気側搬送ロボット10は、基板2をFOUP7から取り出して仕込/取出室3A,3B3に供給し、処理が終わった基板2を仕込/取出室3A,3B3から取り出してFOUP7に収納する。処理室4A~4D4は、エッチング室、加熱室、成膜室スパッタ室、CVD室等で構成され、本実施形態ではいずれも成膜室とされている。処理室4A~4Dには排気システム図示略がそれぞれ接続されており、互いに独立して真空排気可能とされている。また、各処理室4A~4Dには、プロセスに応じた所定の成膜ガス反応ガス、原料ガス、不活性ガス等のガス供給源図示略がそれぞれ接続されている。搬送室5は、内部に真空側基板搬送ロボット6を有しており、仕込/取出室3A,3Bと処理室4A~4Dとの間、あるいは処理室4A~4Dの間において、基板2の受け渡しを行うように構成されている。搬送室5には排気システム図示略が接続されており、独立して真空排気可能とされている。また、搬送室5にはガス源図示略が接続されており、ガス源から導入される調圧ガスによって所定圧に維持可能とされている。そして、図2は、本発明の基板処理装置1において、仕込/取出室3A,3B3の一構成例を模式的に示す断面図である。仕込/取出室3は、真空排気可能なチャンバ11と、前記チャンバ11内に配され、前記基板2が載置される支持部12と、前記支持部12上に載置された前記基板2の位置ずれ量を検出する測定部と、前記測定部によって検出された前記基板2の位置ずれ量に応じて、前記基板2の位置を修正するアライメント部と、を有する。チャンバ11には排気手段16が接続されており、独立して真空排気可能とされている。また、チャンバ11にはガス供給手段15が接続されており、ガス供給手段15から導入されるガスによって所定圧に維持可能とされている。チャンバ11の内部に、基板2の受渡をするための、支持部12が設けられている。支持部12には、貫通孔18が設けられており、この貫通孔18に、基板2を昇降させるための昇降ピン40が、支持部12の表面上面に対して突没可能に挿通されている。昇降ピン40は、棒状の脚部41と、基板2を支持する腕部45を有している。支持部12には貫通孔18が形成されており、脚部41はこの貫通孔18に挿通され、下端が支持部12よりも下方まで導出されている。昇降ピン40は、伸縮可能なベローズ35を介して、エアシリンダ等の昇降装置53に接続されている。そして、昇降装置53により昇降ピン40を昇降させることにより、基板2を受け渡しする場合には、昇降ピン40を支持部12の表面上面から突出させ、基板2を支持部12の表面12a上面に載置する場合には、昇降ピン40を支持部12の表面12a上面から陥没させる。なお、昇降ピン40の形状が基板2の中心に接触する形状の場合、基板2が反っていると、接触面積が少なくなり、昇降ピンを回転した時に空回りしたり、回転が止まらなくなってしまう場合があるので、基板2の中心が基板2に触れない形状の昇降ピン40を採用する必要がある。昇降ピン40の位置は基板2の外周に近い方が基板2のずれを防ぐ効果が高い。しかし、後述するように支持部12にて基板2を冷却するためには、支持部12と基板2が熱交換するための支持部12の接触面積や、支持部12の平坦度が求められたり、支持部12自体を冷却する必要があるため、中央部が、昇降ピン40の回転のために空洞になってしまうと冷却に支障をきたす。チャンバ11の底壁の外部側には、円筒形のベローズ35の上端が気密に取り付けられている。このベローズ35は、支持部12の真下に位置しており、チャンバ11底壁のベローズ35が取り付けられた部分と、支持部12には、連通する孔36が形成されている。チャンバ11底壁の孔36の開口の周囲はベローズ35の壁面で取り囲まれており、ベローズ35の内部とチャンバ11の内部は、チャンバ11底壁の孔36を介して接続されている。ベローズ35の下端には、底板部37が取り付けられている。ベローズ35の内部には、昇降ピン40が配置されている。底板部37の下方位置には回転装置51が配置されており、脚部41の下端は回転装置51に取り付けられている。脚部41は鉛直に配置されており、脚部41の中心軸線は鉛直になっている。腕部45は脚部41の上端に取り付けられている。昇降ピン40は、回転装置51によって脚部41の中心軸線を中心に回転するように構成されている。昇降ピン40の回転によって、腕部45上の基板2は水平面内で回転する。この回転ではベローズ35には力は加わらない。ベローズ35の上端は、チャンバ11の底壁に気密に固定されており、昇降ピン40の脚部41と底板部37の貫通孔の間も気密に構成されており、従って、ベローズ35の内部とチャンバ11の内部には大気が侵入しないように構成されている。また、底板部37の貫通孔と脚部41の間には、たとえば磁性流体が設けられており、ベローズ35内部に大気を侵入させずに、昇降ピン40が回転できるように構成されている。脚部41や腕部45はベローズ35の内径よりも小さく、昇降ピン40は、ベローズ35の内部を鉛直上下方向にも、水平方向にも移動できる。底板部37には、移動装置52とエアシリンダ等の昇降装置53が接続されている。昇降装置53は、回転装置51と、底板部37と、昇降ピン40を一緒に上下移動させるように構成されており、昇降装置53によって底板部37が上下移動する。これにより基板2を受け渡しする場合には、上昇移動させ、腕部45の上端が支持部12の表面上面よりも上方まで移動し、基板2をステージ12の表面12a上面に載置する場合には、下降移動させて、腕部45の上端が支持部12の表面上面よりも下方に移動するように構成されている。移動装置52と、昇降装置53と、回転装置51は、制御装置55にそれぞれ接続されており、底板部37を移動、昇降、回転させる動作は制御装置55によって制御されている。すなわち、本実施形態の基板処理装置1では、仕込/取出室3の支持部12にX軸方向移動装置52,Y軸方向移動装置52,Z軸方向昇降装置53,θ軸方向回転装置51の4つの駆動機構を備えている。昇降装置53Z軸方向は、昇降ピン40上の基板2を支持部12上に載置したり、昇降ピンで取ったりする際に用いられる。移動装置52X軸,Y軸方向は、昇降ピン40上の基板2をXY平面方向、すなわち基板2にとって水平方向に移動させるときに用いられる。回転装置51θ軸方向は、昇降ピン40上の基板2を回転させるときに使う。主にノッチのアライメントの際に用いられる。ベローズ35は、円筒形の中心軸線方向、即ち上下方向に伸縮変形可能に構成されており、底板部37が上方に移動する場合はベローズ35は縮み、下方に移動する場合には伸びる。また、ベローズ35は、図3aに示すように、上端開口の中心軸線Caと下端開口の中心軸線Cbが一致した状態から横方向に変形させると、図3bに示すように、上端開口と下端開口が平行な状態を維持しながら、中心軸線Ca、Cbを不一致の状態にできる。このとき、ベローズ35の上端は底面に取り付けられており、固定されている。移動装置52は軸54を介して底板部37に取り付けられており、移動装置52が底板部37に水平方向の押圧力を印加することでベローズ35は横方向変形し、底板部37が水平面内で移動し、その結果、昇降ピン40は、鉛直状態を維持しながら、水平方向に移動する。従って、腕部45上に基板2が水平に配置されていると、移動装置52によって基板2は水平面内を移動する。その状態から、移動装置52が押圧前の位置方向に底板部37を牽引すると、ベローズ35の横方向変形が解消しながら、底板部37は元の位置に水平移動するように構成されている。また、支持部12は、前記基板2と接触して熱交換することにより該基板2の温度を制御する。仕込/取出室3に戻ってくる基板2が高温の場合、仕込/取出室3にて冷却する必要があるため、温度制御部を備える。支持部12は、面12a上に溝部13が設けられており、この面12a上に微小な隙間部19を有して基板2が載置されるとともに、該基板2と接触して熱交換することにより該基板2を冷却する。支持部12に溝部13を設けることで、ガス供給手段15から導入されたガスが、この溝部13を通じて基板2と支持部12との間の空間に入り込み、熱交換により基板2を冷却する。さらに、支持部12に溝部13を設けることで、50Pa以上の圧力下にある場合、基板12を下げて基板2と支持部12が接触した際に、基板2と支持部12との間の空隙を小さくできる。ゆえに、溝部13は、ガスによって基板2が浮き上がって基板2が横滑りする問題を抑制できる効果をもたらす。また、溝部13は、基板2と支持部12との接触面積を、適切な冷却温度と温度分布になるように調整する機能もある。このような溝部13の形態としては特に限定されるものではなく、たとえば同心円状に設けられていてもよいし、放射状に設けられていてもよい。また、放射状の溝部13と同心円状の溝部13とを組み合わせたものでもよい。また、前記チャンバ11内にあって、前記支持部12上に載置された前記基板2の一面2aよりも上側に位置する第一空間αへ所定のガスを導入するガス供給手段15を備える。ガス供給手段15は、前記チャンバ11内にあって、前記支持部12上に載置された前記基板2の一面2aよりも上側に位置する第一空間αへ所定のガスを導入する。導入されたガスは、支持部12に形成された溝部13を通じて基板2と支持部12との間の空間に入り込み、熱交換により基板2を冷却する。ガス供給手段15が、前記第一空間αに導入するガスは、前記チャンバ11を真空状態から大気開放する際に供給されるガスである。このようなガスとしては、特に限定されるものではないが、たとえば窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム等、が挙げられる。なお、本実施形態において、前記第一空間αの圧力P1が、前記基板2よりも下側に位置し、該支持部12と該基板2の他面2bとの間に設けられた前記隙間部19及び前記溝部13を含む第二空間βの圧力P2よりも大きくなるように、前記圧力P1、P2を制御する制御手段17を有していてもよい。前記基板2と前記支持部12とを接触させて熱交換することにより該基板2を冷却する際に、第一空間αと第二空間βの圧力差により基板2が支持部12上に押し付けられ、上方への凸状の反りを抑制することができる。これにより基板2が支持部12から浮き上がらず、支持部12と基板2との接触面積を確保することができ、面内でのバラツキがなく均一に、かつ迅速に基板2を冷却することができる。このような制御手段17は、たとえば、圧力計17a、流量計17b、バルブ17c等から構成され、チャンバ11内の圧力P1、P2をモニタリングするとともに、ガス供給手段15からチャンバ11内に導入されるガスの量を調整する。なお、前記支持部12内に、冷却水等の冷却媒体を循環させる冷却媒体流路図示略が設けられていてもよい。冷却媒体流路に冷却媒体を流すことで、支持部12上に載置された基板2との熱交換を促進させ、基板2を効率よく冷却することができる。さらに、仕込/取出室3において、基板2に対して加熱処理が必要な場合は、仕込/取出室3に温度制御部として加熱部を設け、該基板2の温度を制御してもよい。このような温度制御部加熱部としては、たとえば支持部12に内蔵されたヒーターや、赤外線ランプヒーターなど図示略が挙げられる。そして、このようなマルチチャンバ方式の基板処理装置1において、仕込/取出室3ロードロック室を用いた基板2の処理室への一般的な搬送工程は以下のようになる。まず基板2が大気側EFEM9から導入された仕込/取出室3が排気され真空になる。続いて、仕込/取出室3に隣接する搬送室5に設置された真空側基板搬送ロボット6によって、基板2は、仕込/取出室3から搬送室5を経由し処理室4へ搬送される。その後、処理室4プロセスチャンバ11内において、基板2に対して処理操作たとえば、エッチング、酸化、化学気相蒸着等が実施される。処理後の基板2は、処理室4への搬送時と同様に、真空側基板搬送ロボット6によって処理室から搬送室5を経由し仕込/取出室3へ戻される。仕込/取出室3は、前述した仕込/取出室3から処理室4への基板搬送以降、ずっと真空に保持されている。基板2が仕込/取出室3に戻った後、窒素N2等のパージガスを供給し、仕込/取出室3の圧力を大気圧に戻す以下大気開放。また、加熱された基板2を冷却する。仕込/取出室3の圧力が大気圧に達した後、処理済みの基板2を基板カセットに移し、次の処理工程にそなえる。そして、本発明の基板処理方法は、前記仕込/取出室3において、真空排気可能なチャンバ11内に配された支持部12上に前記基板2を載置する工程Aと、前記支持部12上に載置された前記基板2の位置ずれ量を検出する工程Bと、前記測定部によって検出された前記基板2の位置ずれ量に応じて、前記基板2の位置を修正する工程Cと、を少なくとも順に備えたこと、を特徴とする。本発明では、仕込/取出室3においてアライメントを行うことで、従来、大気側搬送室EFEM9で行っていたアライメントを省略でき、周囲のコンポーネントのスループットを低下させることなく、時間のロス無しにアライメントが可能となる。以下、工程順に説明する。なお、ここでは、仕込/取出室3において減圧動作中に基板2の位置ずれを補正する場合を例に挙げて説明する。図4は、仕込/取出室3における時間および工程と、圧力との関係を示す図である。1真空排気可能なチャンバ11内に配された支持部12上に前記基板2を載置する工程A。まず、EFEM9から仕込/取出室3へ基板2を搬送し、仕込/取出室3の昇降ピン上に載置する。具体的には、仕込/取出室3の搬出入口ドアを開く図4中Step1。EFEM9の大気側基板搬送ロボット10によって、処理済の基板2をアンロードする図4中Step2。EFEM9の大気側基板搬送ロボット10によって、処理前の基板2をロードする図4中Step3。仕込/取出室3の搬出入口ドアを閉じる図4中Step4。仕込/取出室3のチャンバ11の側壁の、支持部12の両側位置には、第一、第二の搬出入口38、39がそれぞれ設けられている。第一の搬出入口38が開けられ、EFEM9内の大気側基板搬送ロボット10のアーム上に基板2が乗せられた状態で、第一の搬出入口38からチャンバ11内に搬入される。アーム上の基板2は支持部12の鉛直上方位置で静止した後、昇降ピン40が上昇すると、昇降ピン40の上部はアームの隙間から基板2の裏面に接触し、更に上昇すると、基板2はアーム上から昇降ピン40に移載される。移載後、アームが基板2と支持部12の間から抜去されると、基板2は昇降ピン40上に乗せられる。次に、基板搬送ロボット10のアームが仕込/取出室3から抜かれて、安全に仕込/取出室3の第一の搬出入口38のドアバルブが閉められる状態になった時点で、ドアバルブを閉じ、排気バルブを開く。2前記支持部12上に載置された前記基板2の位置ずれ量を検出する工程B。ROUUGHバルブを開け、排気を開始する図4中Step5。ROUGHバルブを閉じ、排気を終了する図4中Step6。本実施形態では、上記Step5における減圧動作中に基板2の位置ずれ量を検出する。排気が開始されたら、昇降ピン40を基板2がずれない速度で回転させ、センサにて昇降ピン40の回転角度に対する基板2の位置ずれ角度とノッチの角度を検出する。たとえばチャンバ11内には、基板2の位置ずれ量を検出する測定部として、制御装置55に接続されたCCDカメラ60が配置されており、昇降ピン40上の基板2の、理想位置からのずれ量とずれ方向がCCDカメラ60と制御装置55で検出される。なお、測定部としてはこれに限定されず、基板2の位置ずれを検出できるものであれば、各種センサを用いることができる。3前記測定部によって検出された前記基板2の位置ずれ量に応じて、前記基板2の位置を修正する工程C。メインバルブを開け、排気を開始する図4中Step7。次に、仕込/取出室と搬送室の間を仕切るために用いるバルブ仕切りバルブ:ISO.V:IsolationValveを開ける図4中Step8。本実施形態では、上記Step7,8における減圧動作中に基板2のアライメントを行う。基板2の位置修正はθ軸、X軸,Z軸にて可能である。以下にその例を示す。まず、θ軸で1回転させて、幅のあるレーザセンサでノッチ位置と基板2の位置ずれを検知する。水平移動軸に基板2の位置ずれ角度が合うように旋回し、位置ずれが最小となるように、水平移動する。基板2の最もずれているθ角度をX軸上に来るように基板2を回転して、ずれがなくなる方向にX軸を移動させる。そして、昇降ピン40を下げて基板2を支持部12に置いてから昇降ピン40を元の位置に戻し、再度昇降ピン40を上げることで位置を補正する。Z軸を下げて基板2を支持部12上に置き、X軸を基準位置に戻してから、Z軸を上げて基板2を昇降ピン40に載せる。これで基板2の位置ずれは解消されたので、最後に、基板2のノッチ位置が規定位置に来るようにθ角度を回転してノッチ角度を合わせる。これにより、基板2の位置修正アライメントが終了する。また、基板2の位置修正だけであれば、X,Y軸だけで可能である。ただし、この場合はX,Yそれぞれの方向に対するずれ量が測定できる必要がある。つまり2ヶ所のレーザセンサまたはCCDカメラが必要となる。装置を制御するコンピュータ図示略は、仕込/取出室3の排気が終了、およびアライメントが終了した情報を受けた時点で、仕込/取出室3は基板搬送可能状態と判断し、搬送室5の真空側搬送ロボット6にて基板2をアンロードする図4中Step9。特に本発明において、少なくとも前記工程B及び工程Cを、減圧動作中又は昇圧動作中に行うことが好ましい。減圧動作中又は昇圧動作中に、基板2の位置ずれ量を検出、位置の修正を行うことで、時間のロスが無くなり、また、スループットを低下させることなく基板2のアライメントを行うことができる。このような基板位置ずれ量の検出や位置の修正は、支持部12と基板2の間の空間βが小さい場合、基板2を支持部12に載置する際に基板2が横滑りスライドして基板位置ずれを招く虞がある。また、センサの付いている天板やセンサ光の透過用ガラス、ステージなどが、排気中に大気圧によってOリングなどを押しつぶして移動することがあるため、高精度の位置ずれ検出のためには、たとえば50Pa以下の圧力で行うことが好ましい。ただし、上述した基板位置ずれ量の検出が、基板を旋回させるだけで、基板を支持部に接触させずに行える場合には、必ずしも50Pa以下の圧力とする必要はなく、たとえば50Pa~大気圧の範囲としても構わない。なお、この間に、支持部12と前記基板2とが接触して熱交換することにより、前記基板2の温度を制御してもよい。ここで、仕込/取出室3において基板2の位置ずれを解消する手順について詳細に説明する。図5~図8は、基板の位置合わせ工程の前半を説明するための図である。図5aと図7aの符号Oは腕部45の上端が位置する水平面と、ベローズ35に横方向変形が無いときの、昇降ピン40の回転軸線との交点である回転中心を示している。基板2が基板搬送ロボット10のアーム上から昇降ピン40上に移載される際には、ベローズ35は横方向変形の無い状態にされており、昇降ピン40の中心軸線は、回転中心Oを通り、昇降ピン40が回転すると、昇降ピン40上に配置された基板2は、この回転中心Oを中心に回転する。また、符号Aは、基板2の表面上の基板中心を示しており、理想位置からのずれがなかった場合は、基板中心Aは、回転中心Oの鉛直上方に位置しているが、ここでは、搬送誤差があり、位置ずれにより、基板中心Aと、回転中心Oとが一致していないものとする。また、昇降ピン40を下降させ、基板2を支持部12上に仮置きした状態で、位置ずれを検出した後、昇降ピン40を上昇させ、支持部12上から持ち上げてもよい。いずれの場合も、基板2を昇降ピン40に乗せた状態で、昇降ピン40を回転中心Oを中心に回転させ、基板2を水平面内で回転させ、基板中心Aと回転中心Oとを結ぶ線分を、基板2の水平移動方向と平行になるようにする図5b、図7b。図7bの符号Hは、底板部37が水平移動したときに、腕部45上の基板2が水平面内で移動する水平移動方向を示している。ベローズ35は金属で形成されており、一般的に、金属が繰り返し変形する場合、同一方向への変形と元の状態への復帰を繰り返す場合に比べ、変形が無い状態を中心として、前後方向や左右方向等、一方向への変形及び復帰と逆方向への変形及び復帰を繰り返す場合の方が、疲労の蓄積が大きく、破壊しやすくなる。本実施形態では、ベローズ35が繰り返し横方向変形しながら移動及び復帰する際に、ずれが増大する場合の移動方向が同じであり、従って、ベローズ35の横方向変形の方向が一方向に定められており、ベローズ35の破壊が防止されている。基板中心Aと回転中心Oを結ぶ線分を、基板2の水平移動方向Hと平行にする際、基板中心Aは、回転中心Oよりも水平移動方向Hの上流側に配置し、移動装置52によって、ベローズ35を横方向変形させて底板部37を移動させると、基板中心Aは、回転中心Oの鉛直上方位置に近づく。基板中心Aが、回転中心Oを通る鉛直線C上に位置したところで、移動を停止する図5c、図7c。ここでは、鉛直線Cはベローズ35の上端開口の中心軸線Caと一致している。次いで、その状態で、昇降ピン40を鉛直に降下させると、基板2は、基板中心Aが回転中心Oの鉛直上に位置した状態で支持部12上に配置される。図5dと図7dは基板2が支持部12上に配置された状態を示しており、図7dと図7cに示すように、支持部12に配置する前と後では平面的な位置関係は変わらない。昇降ピン40上から基板2が支持部12に移載された後、移動装置52を動作させ、底板部37を元の位置に戻すと、ベローズ35は横方向変形のない状態に復帰する。昇降ピン40の回転軸線は、回転中心Oを通る位置に復帰する図6e、図8e。基板2にノッチ2cが形成されている場合、ノッチ2cの向きも決まっており、制御装置5にはノッチ2cと回転中心Oを結ぶ線分と、回転中心Oを通る基準直線Sとの角度が予め入力されており、ベローズ35の横方向変形が無い状態で、昇降ピン40を上昇させ、昇降ピン40上に基板2を乗せ図6f、昇降ピン40を回転させてノッチ2cを設定された方向に向ける。ノッチ2cと回転中心Oを結ぶ線分と、基準直線Sとの角度は、設定された角度になる図8f。ここでは、設定された角度はゼロであり、ノッチ2cは基準直線S上に位置する。その状態で、第二の搬出入口39を開け、基板2が搬入された搬送室とは逆側の搬送室5内の基板搬送ロボット6のアームを第二の搬出入口39からチャンバ11内に挿入し、基板2の下方に位置させた状態で昇降ピン40を下降させると、基板2は位置ずれの無い状態で、アーム上に移載される。なお、上記実施形態では、基板中心Aを回転中心Oの鉛直軸線上に位置させた状態で、一旦支持部12上に基板2を配置し、ベローズ35の横方向変形を解消していたが、基板中心Aが回転中心Oの鉛直軸線上に位置すれば、ベローズ35が横方向変形したまま、昇降ピン40を回転させ、ノッチ2cを所定方向に向けることができる。ベローズ35が横方向変形した状態で、基板2の下方に基板搬送ロボット6のアームを静止させ、昇降ピン40を降下させて基板2を昇降ピン40上からアーム上に移載することもできる。リフトピンの大気側に水平方向に2軸持つ水平移動輪を採用した場合は、基板2を支持部12に置いて補正する必要が無く、ノッチ角度を合わせた後、水平方向X,Yに移動して基板2の位置ずれも補正でき、排気時間よりもアライメント時間が長い場合にアライメント時間が短縮できる。真空側搬送ロボット6に水平方向の基板2の位置ずれを補正する機能がある場合は、仕込/取出室3にて水平方向の位置ずれを修正する必要が無くなる。よって、ノッチ角度だけ合わせてアライメントを終了可能となり、排気時間よりもアライメント時間が長い場合にアライメント時間が短縮できる。基板2の位置ずれ、ノッチ角度以外にもノッチ以外の異常形状たとえばチッピングによる不連続な形状を検出することで、処理前に基板2の処理を停止することができる。このように、本発明では、仕込/取出室3においてアライメントを行うことで、従来、大気側搬送室EFEM9で行っていたアライメントを省略でき、周囲のコンポーネントのスループットを低下させることなく、時間のロス無しに基板のアライメントが可能となる。なお、上述した実施形態では、仕込/取出室3において減圧動作中に基板2位置ずれを補正する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、仕込/取出室3において昇圧動作する際にも、同様に基板2位置ずれを補正することかできる。処理後の基板2に位置ずれやチッピングなどの問題があった場合に、昇圧中に基板2を旋回してセンサにて得られた基板2の位置ずれ量、ノッチ角度、ノッチ以外の不連続な形状などを測定して後の基板処理工程に、異常な基板2を流さないように検査できる。また、基板2の搬送ずれなどが発生している場合に、これを検知することが可能となり、たとえば、3mm以上のずれが発生したらエラーを出力して装置を停止するなど、スループットの低下無しに装置の異常が検知できる。ところで、前述した図5および図6に示した一構成例では、昇降ピン40に基板2が載置された状態において、基板2の裏面下面と接しているのは昇降ピン40の枝部の先端上端、3箇所のみであり、基板2の裏面下面の大部分と、昇降ピン40を構成する腕部45との間は、大きな空間が存在していた。このような空間が存在すると、基板2から熱を逃がすルートが、昇降ピン40の枝部の先端上端、3箇所のみ限定されるため、伝熱効率が芳しくない。図9は、この伝熱効率を向上させる工夫を凝らした他の構成例である。図9に示す構成例によれば、支持部12の中央部を残し、支持部12に設けた周回状の3つの穴12a~12cを通して、昇降ピン40の3本の枝部45a~45cがそれぞれ、昇降可能であり、かつ、各枝部45a~45cの先端が穴に沿って円弧状に移動可能[図9d]とされている点が特長である。このような構成によれば、図9a→図9b→図9c→再度、図9aという状態を、順に保持することが可能となる。すなわち、図9aは、昇降ピン40が最も降下した位置にあり、基板2の裏面全てが支持部12と接触した状態を示しており、基板2の熱が支持部12に直接伝わり、最も冷却効果が高い。図9bは、棒状の脚部41を矢印方向へ上昇させることにより、昇降ピン40の各枝部45a~45cの先端が基板2を持ち上げ、基板2の裏面全てが支持部12と離れた状態を示している。図9cは、棒状の脚部41を矢印方向へ回転させることにより、昇降ピン40の各枝部45a~45cの先端に支持された基板2が回転する状態を示している。その際、図9dに示す矢印方向に、昇降ピン40の各枝部45a~45cの先端は、支持部12に設けた周回状の3つの穴12a~12cに沿って移動する。その後、図9aの状態に戻す。このような工程を繰り返すことにより、図9に示した構成例は、前述した図5および図6の構成例に比べて、優れた伝熱効率を有するので、著しい冷却効果が発揮される。以上、本発明の基板処理装置及び基板処理方法について説明してきたが、本発明は上述した例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。"