第1の金属元素を含む集電体と、前記集電体上に形成され、前記第1の金属元素とは異なる第2の金属元素を含む複数の金属層と、前記集電体および前記金属層上に設けられた活物質層と、を有し、前記活物質層は、前記金属層と接する領域において選択的にウィスカー群を含み、前記金属層の一と、隣接する他の金属層の一との距離は、前記金属層の有する幅の2倍以上4倍以下である、蓄電装置。前記第1の金属元素として、タングステン、または鉄を含み、前記第2の金属元素として、ニッケル、またはチタンを含む、請求項1に記載の蓄電装置。第1の金属元素を含む集電体と、前記集電体上に形成され、前記第1の金属元素とは異なる第2の金属元素を含む複数の金属層と、前記集電体および前記金属層上に設けられた活物質層と、を有し、前記活物質層は、前記集電体と接する領域において選択的にウィスカー群を含み、前記金属層の有する幅の最大値は、前記金属層の一と、隣接する他の金属層の一との距離の2倍以上4倍以下である、蓄電装置。前記第1の金属元素として、ニッケル、またはチタンを含み、前記第2の金属元素として、タングステン、または鉄を含む、請求項3に記載の蓄電装置。前記金属層は、矩形状、または円錐状である請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の蓄電装置。前記ウィスカー群は、シリコンを含むウィスカー群である、請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の蓄電装置。前記活物質層と前記集電体との界面に、シリコンと前記第1の金属元素を含む第1の混合領域を有し、前記活物質層と前記金属層との界面に、シリコンと前記第2の金属元素を含む第2の混合領域を有する請求項5に記載の蓄電装置。本発明の一態様では、充放電による劣化の少ない蓄電装置用電極、およびそれを用いた蓄電装置を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様では、容量が大きく、且つ耐久性の高い蓄電装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、第1の金属元素を含む集電体と、集電体上に形成され、第1の金属元素とは異なる第2の金属元素を含む複数の金属層と、集電体および金属層上に設けられた活物質層と、を有し、活物質層は、金属層と接する領域において選択的にウィスカー群を含み、金属層の一と、隣接する他の金属層の一との距離は、金属層の有する幅の2倍以上4倍以下である、蓄電装置である。また、上記の蓄電装置において、第1の金属元素として、タングステン、または鉄を含み、第2の金属元素として、ニッケル、またはチタンを含むのが好ましい。また、本発明の別の一態様は、第1の金属元素を含む集電体と、集電体上に形成され、第1の金属元素とは異なる第2の金属元素を含む複数の金属層と、集電体および金属層上に設けられた活物質層と、を有し、活物質層は、集電体と接する領域において選択的にウィスカー群を含み、金属層の有する幅の最大値は、金属層の一と、隣接する他の金属層の一との距離の2倍以上4倍以下である、蓄電装置である。また、上記の蓄電装置において、第1の金属元素として、ニッケル、またはチタンを含み、第2の金属元素として、タングステン、または鉄を含むのが好ましい。また、上記の蓄電装置のいずれかにおいて、金属層は、矩形状、または円錐状であるのが好ましい。また、上記の蓄電装置のいずれかにおいて、ウィスカー群は、シリコンを含むウィスカー群であるのが好ましい。本明細書等において、ウィスカーとは突起髭状の結晶性シリコンであり、複数のウィスカーにおいて、各々の突起の伸長方向すなわち、軸の方向は、不揃いであってもよい。または、複数のウィスカーにおける突起の伸長方向すなわち、軸の方向は、集電体の法線方向であってもよい。また、本明細書等においてウィスカーとの表記には、ウィスカー群複数のウィスカーを含むことがある。活物質層に、ウィスカー群を含むことで、表面積が増大し、放電容量を高めることができる。また、集電体における活物質層との界面およびその近傍、または、金属層における活物質層との界面およびその近傍には、金属元素とシリコンとの混合領域が形成されることがある。金属元素とシリコンとの混合領域を有することで、集電体と活物質層との間、または、金属層と活物質層との間に低密度な領域粗な領域が形成されず、活物質層と活物質層に接する層との界面特性を向上させることができる。また、集電体または金属層において、混合領域と活物質層の間に、金属酸化物領域を有してもよい。金属酸化物領域は、集電体または金属層を形成する金属元素の金属酸化物で形成される。金属酸化物領域を酸化物半導体または酸化物導電体で形成することで、金属酸化物領域が絶縁物の場合と比較して、集電体と活物質層との間、または、金属層と活物質層との間の抵抗を低減することが可能であり、放電容量をさらに高めることができる。本発明の一態様により、充放電による劣化の少ない蓄電装置用電極を提供することができる。また、本発明の一態様により、容量が大きく、且つ耐久性の高い蓄電装置を作製することができる。本発明の実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではないとする。なお、説明中に図面を参照するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる場合がある。また、同様のものを指す際には同じハッチパターンを使用し、特に符号を付さない場合がある。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である蓄電装置の電極及びその作製方法について、図1乃至図4を用いて説明する。<構成例1>図1Aは、蓄電装置の電極の上面図の一例を示し、図1Bは、図1Aの線分A-Bにおける断面図である。なお、図1Aにおいては、活物質層103を省略して図示している。図1で示す蓄電装置の電極は、集電体101上に金属層を形成し、該金属層を選択的にエッチングして、複数の金属層102を形成した後、集電体101および金属層102上に熱化学的気相成長法熱CVDCVD:ChemicalVaporDeposition法、好ましくは低圧化学的気相成長法LPCVDLPCVD:LowPressureChemicalVaporDeposition法により、結晶性シリコン層を活物質層103として形成することで作製される。図1に示す電極は、金属層102の一と、隣接する他の金属層102の一との距離LIが、金属層102の有する幅LMLIと平行な方向における金属層102の幅の2倍以上4倍以下となるように、各々の金属層102が配置されている。金属層の幅は、例えば1μm以上7μm以下とするのが好ましく、3μm以上5μm以下とするのがより好ましい。図1において、金属層102は、活物質層の結晶成長を促進する金属元素を含む層である。金属層102に用いる金属元素としては、活物質層103の結晶成長を促進する触媒として機能する金属元素を用いることができ、例えば、ニッケル、チタン等を用いることができる。金属層102は、100nm乃至1000nmの膜厚で形成するのが好ましい。また、結晶核の発生領域を増加させるために、金属層102は、互いに離間させて複数配置するのがより好ましい。なお、図1Aに示すように、集電体101上に複数の金属層102が設けられている場合、そのそれぞれにおいて、互いの距離が金属層102の幅金属層の一と、隣接する金属層の一と、を結ぶ線分と平行な方向における金属層102の幅の2倍以上4倍以下となるように配置されている。例えば、図1Aにおいて左上に位置する金属層102以下、金属層102Hと、x軸方向において金属層102Hと隣接する金属層102以下、金属層102Iと、の距離LI1は、金属層102Hの幅LM1の2倍以上4倍以下である。また、金属層102Hと、y軸方向において金属層102Hと隣接する金属層102以下、金属層102Jとの距離LI2は、金属層102Hの幅LM2の2倍以上4倍以下である。さらには、金属層102Hの対角線方向において金属層102Hと隣接する金属層以下、金属層102Kと、金属層102Hと、の距離LI3は、金属層102Hの対角線方向の幅図示しないの2倍以上4倍以下である。なお、図1に示すように、金属層102の配置を効率的に行うために、金属層102は矩形状とするのが好ましい。また、金属層102を、x軸方向の幅とy軸方向の幅が概略同じとなる形状例えば、底面が正方形の柱状などとすると、互いの離間距離を維持しつつ、集電体101上において高密度に配置することが可能となるためより好ましい。集電体101は、電極の集電体として機能する。このため、箔状、板状、または網状の導電性部材を用いる。集電体101は、導電性の高い金属元素を用いることができる。なお、集電体101として、活物質層の結晶成長を促進する効果のない金属元素すなわち、触媒として機能しない金属元素を用いると、活物質層103における結晶の成長領域を、金属層102と接する領域に制御することができるため、好ましい。このような金属元素として、タングステンまたは鉄等を用いることができる。集電体101上に金属層を形成後、該金属層をエッチングによりパターン形成することで、集電体101上における活物質層103の結晶核の発生領域を制御することができる。このとき、集電体101と金属層とを積層した状態で金属層のエッチングを行うため、集電体101と金属層とは、エッチングの選択比がとれる金属元素を用いることが望ましい。金属層102は、異なる金属元素を含む薄膜の積層を用いてもよい。この場合、少なくとも集電体101と接する層に含まれる金属元素は、集電体101に含まれる金属元素とエッチングの選択比がとれる金属元素を含むものとする。本実施の形態において、活物質層103は、結晶性シリコン層である。当該結晶性シリコン層は、例えば、LPCVD法により形成することができる。結晶性シリコン層は、例えば、550°Cより高い温度で、且つ、LPCVD装置及び集電体101が耐えうる温度以下、好ましくは580°C以上650°C未満の加熱をしつつ、原料ガスとしてシリコンを含む堆積性ガスを用いることで形成することができる。シリコンを含む堆積性ガスとしては、水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンがあり、代表的には、SiH4、Si2H6、SiF4、SiCl4、Si2Cl6等がある。なお、原料ガスに、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガス、窒素または水素の一以上を混合させてもよい。なお、活物質層103には、不純物として、LPCVD装置のチャンバーに起因する酸素などが含まれている場合がある。活物質層103として設けられる結晶性シリコン層には、リン、ボロン等の一導電型を付与する不純物元素が添加されていてもよい。リン、ボロン等の一導電型を付与する不純物元素が添加された結晶性シリコン層は、導電性が高くなるため、電極の導電率を高めることができる。このため、放電容量をさらに高めることができる。活物質層103として、LPCVD法を用いて結晶性シリコン層を形成すると、集電体101と活物質層103の間、および/または、金属層102と活物質層103との間に低密度な領域が形成されず、活物質層103及びそれに接する層との界面における電子の移動が容易となると共に、集電体101と活物質層103、および/または、金属層102と活物質層103の密着性を高めることができる。これは、結晶性シリコン層の堆積工程において、常に原料ガスの活性種が堆積中の結晶性シリコン層に供給されるため、結晶性シリコン層から集電体101及び金属層102にシリコンが拡散し、シリコン不足領域粗な領域が一時的に形成されても、当該領域に原料ガスの活性種が常に供給され、結晶性シリコン層中に低密度領域が形成されにくくなるためである。また、気相成長により集電体101上及び金属層102上に結晶性シリコン層を形成するため、スループットを向上させることができる。図1Bに示すように、集電体101の活物質層103形成表面近傍には、集電体101に含まれる金属元素とシリコンとの第1の混合領域107aが形成されることがある。また、金属層102の活物質層103形成表面近傍には、金属層102に含まれる金属元素とシリコンとの第2の混合領域107bが形成されることがある。シリコンと金属元素との第1の混合領域107aまたは第2の混合領域107bは、活物質層103としてLPCVD法で結晶性シリコン層を形成する際の加熱により、結晶性シリコン層に含まれるシリコンが集電体101または金属層102に拡散することで形成される。なお、第1の混合領域107aと第2の混合領域107bとの界面は明確ではない。そのため、第1の混合領域107aまたは第2の混合領域107bは、集電体101に含まれる金属元素と、金属層102に含まれる金属元素と、シリコンとの混合領域となる場合がある。集電体101がタングステンまたは鉄を含む場合、第1の混合領域107aには、該金属元素のシリサイド、具体的には、タングステンシリサイドまたは鉄シリサイドが形成されることがある。また、金属層102がニッケルまたはチタンを含む場合、第2の混合領域107bには、該金属元素のシリサイド、具体的には、ニッケルシリサイドまたはチタンシリサイドが形成されることがある。なお、第1の混合領域107aまたは第2の混合領域107bには、LPCVD装置のチャンバーに起因する酸素などが不純物として含まれる場合がある。集電体101または金属層102と、活物質層103との間に、金属元素とシリコンとの混合領域を有することで、集電体101または金属層102と、活物質層103との界面における抵抗を低減させることができるため、電極の導電率を高めることができる。また、集電体101または金属層102と、活物質層103との密着性を高めることが可能であり、蓄電装置の劣化を低減することができる。活物質層103は、集電体101及び金属層102を覆うように設けられている。また、活物質層103は、結晶性シリコン領域103aと、当該領域上に形成されるウィスカー群を含む結晶性シリコン領域103bとを有する。なお、結晶性シリコン領域103aと結晶性シリコン領域103bとの界面は明確ではない。結晶性シリコン領域103bは、ウィスカー群を含み、金属層102と接する領域において選択的に形成される。これは、金属層102に含まれる金属元素が、活物質層の結晶成長を促進する機能を有するためである。なお、ウィスカーの形状は、髭状に限られず、円柱状、角柱状等の柱状、円錐状または角錐状の針状でもよい。また、ウィスカーは、頂部が湾曲していてもよい。ウィスカーの径は、50nm以上10μm以下、好ましくは500nm以上3μm以下である。また、ウィスカーの長さは、0.5μm以上1000μm以下、好ましくは1μm以上100μm以下である。ここで、ウィスカーの長さとは、ウィスカーの成長方向長手方向の大きさをいう。例えば、ウィスカーを柱状と仮定する場合には、底面と底面との距離をいい、錐状と仮定する場合には、頭頂点と底面との距離をいうものとする。複数のウィスカーにおいて、各々の長さは、必ずしも同一ではない。図1Bには、ウィスカーの長手方向が一方向、例えば、集電体101表面に対する法線方向に伸張している場合を示す。なお、ウィスカーの長手方向が一方向とは、各々のウィスカーにおける長手方向が集電体101表面に対する法線方向と、略一致していればよく、各々の方向の差は代表的には5度以内であることが好ましい。なお、ウィスカーの長手方向は、必ずしも一方向でなく、不揃いであってもよい。例えば、長手方向が、集電体101表面に対する法線方向と、該法線方向とは異なる第2の方向と、に伸張することもある。図1において、ウィスカーは金属層102に含まれる金属元素を触媒として成長するため、図1Bに示すように、金属層102と接する領域において選択的に形成される。このように、触媒として機能する金属層102を選択的に設けることで、集電体101上においてウィスカーの発生領域結晶性シリコンの核発生領域と言い換えることもできるを効果的に制御することができる。また、集電体101に、触媒の機能を有しない金属元素を適用することで、その効果をより高めることができる。リチウムイオン電池の電極としてシリコンを用いた場合、シリコンはリチウムのドープ、脱ドープ反応によって体積が4倍程度膨張する事により、膨張したシリコン同士が相互干渉することで、シリコンが集電体から脱離するなどの問題が起こることがある。しかしながら、図1Bに示すように、触媒として機能する金属層102を選択的に配置してウィスカー群の発生領域を制御することで、活物質層103の全面においてウィスカーが形成されることがなく、活物質層103として機能する結晶性シリコン層の体積膨張を緩和することが可能となる。また、金属層102の一と他の金属層102との間の距離を、金属層102の幅の2倍以上4倍以下とすることで、金属層102に接して形成されたウィスカーが4倍に膨張した場合にも、隣接する他の金属層102に接して形成されたウィスカーへの影響を低減することができる。よって、膨張したウィスカー同士の接触等によるウィスカーの破損、脱離を抑制することができる。以上によって、蓄電装置のサイクル特性を向上させることができる。<変形例1>本実施の形態に係る電極の構成は、図1に限定されるものではない。例えば、図2に図1の変形例を示す。なお、図2の構成は、図1の構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。図2Aは、蓄電装置の電極の上面図の一例を示し、図2Bは、図2Aの線分C-Dにおける断面図である。なお、図2Aにおいては、活物質層103を省略して図示している。図2に示す電極と、図1に示す電極との相違の一は、金属層102のパターン形状である。図2において、金属層102は、円錐状に形成されている。金属層102を円錐状等の錘状とすることで、活物質層103におけるウィスカーの成長が金属層102の側面に集中するため、ウィスカーの成長方向の制御が容易となるため好ましい。なお、金属層102の配置および材料等は、先に示した記載を参酌することが可能であるため、詳細な説明は省略する。また、図2に示す電極において、集電体101の一部であって、第1の混合領域107aと活物質層103の間の領域には、集電体101を形成する金属元素の酸化物で形成される第1の金属酸化物領域109aが形成されてもよい。また、金属層102の一部であって第2の混合領域107bと活物質層103との間の領域には、金属層102を形成する金属元素の酸化物で形成される第2の金属酸化物領域109bが形成されていても良い。これらの金属酸化物領域は、活物質層103として、LPCVD法で結晶性シリコン層を形成する際の加熱により、LPCVD装置のチャンバーに起因する酸素によって、集電体101または金属層102が酸化されるために形成される場合がある。なお、第1の金属酸化物領域109a及び第2の金属酸化物領域109bが形成される場合、第1の金属酸化物領域109aと第2の金属酸化物領域109bの界面は明確ではなく、集電体101に含まれる第1の金属元素と、金属層102に含まれる第2の金属元素の酸化物の双方を含有する金属酸化物領域が形成されることがある。また、LPCVD法で結晶性シリコン層を形成する際、チャンバー内に、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガスまたは窒素ガスを充填することで、当該金属酸化物領域の形成を抑制することができる。集電体101が鉄またはタングステンを含む場合、第1の金属酸化物領域109aとして、酸化鉄領域または酸化タングステン領域が形成される。また、金属層102がニッケルまたはチタンを含む場合、第2の金属酸化物領域109bとして、酸化ニッケル領域または酸化チタン領域が形成される。第1の金属酸化物領域109aまたは第2の金属酸化物領域109bとして、酸化チタン、酸化タングステン等の酸化物導電体が形成されると、集電体101と活物質層103との間、または、金属層102と活物質層103との間の抵抗を低減することが可能であり、電極の導電率を高めることができる。このため、放電容量をさらに高めることができる。<変形例2>本実施の形態に係る電極の構成の他の変形例を図3に示す。なお、図3の構成は、図1または図2の構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。図3Aは、蓄電装置の電極の上面図の一例を示し、図3Bは、図3Aの線分E-Fにおける断面図である。なお、図3Aにおいては、活物質層103を省略して図示している。図3に示す電極と、図1に示す電極との相違の一は、集電体および金属層の材料である。具体的には、図3において集電体201は電極の集電体として機能し、活物質層の結晶成長を促進する金属元素を含む層である。集電体201に用いる金属元素としては、導電性が高く、且つ、活物質層203の結晶成長を促進する触媒として機能する金属元素を用いることができ、例えば、ニッケル、チタン等を用いることができる。活物質層203は、集電体201及び金属層202を覆うように設けられている。また、活物質層203は、結晶性シリコン領域203aと、当該領域上に形成されるウィスカー群を含む結晶性シリコン領域203bとを有する。なお、結晶性シリコン領域203aと結晶性シリコン領域203bとの界面は明確ではない。また、図3において金属層202として、活物質層の結晶成長を促進する効果のない金属元素すなわち、触媒として機能しない金属元素を用いるのが好ましい。このような金属元素を含んで金属層202を構成することで、活物質層203における結晶の成長領域を、集電体201と接する領域に制御することができる。このような金属元素として、タングステンまたは鉄等を用いることができる。図3Bに示す電極は、金属層202の有する幅LMLIと平行な方向における金属層202の幅が、金属層202の一と隣接する他の金属層202の一との距離LIの、2倍以上4倍以下となるように、各々の金属層202が配置されている。金属層202の幅は、例えば6μm以上10μm以下とするのが好ましく、3μm以上5μm以下とするのがより好ましい。なお、集電体201がニッケルまたはチタンを含む場合、第1の混合領域207aには、該金属元素のシリサイド、具体的には、ニッケルシリサイドまたはチタンシリサイドが形成される。また、金属層202がタングステンまたは鉄を含む場合、第2の混合領域207bには、該金属元素のシリサイド、具体的には、タングステンシリサイドまたは鉄シリサイドが形成される。また、図3Aに示すように、金属層202は、集電体201上に格子状に配置してもよい。金属層202を集電体201上に格子状に配置することで、金属層202の互いの離間距離を維持しつつ、高密度に配置することが可能となる。図3において、ウィスカーは集電体201に含まれる金属元素を触媒として成長するため、図3Bに示すように、集電体201と接する領域において選択的に形成される。このように、触媒としての機能を有しない金属層202を、触媒として機能する集電体201上に選択的に設けることで、集電体201上においてウィスカーの発生領域結晶性シリコンの核発生領域と言い換えることもできるを効果的に制御することができる。また、金属層202の幅を、金属層202の一と他の金属層202との間の距離の2倍以上4倍以下とすることで、集電体201に接して形成されたウィスカーが4倍に膨張した場合にも、膨張したウィスカー同士の接触等によるウィスカーの破損、脱離を防止することができる。以上によって、蓄電装置のサイクル特性を向上させることができる。なお、集電体として活物質層の結晶成長を促進する金属元素を用いる場合、図9に示すように、集電体301上に、活物質層の結晶成長を促進する効果のない金属元素を含む金属層を全面に形成した後、該金属層を適宜エッチングして、複数の開口部を設けた金属層302としてもよい。この場合、金属層302の有する開口部金属層のエッチング後に集電体301が露出した領域の幅L1が、開口部の一と隣接する他の開口部の一との距離L2の、2倍以上4倍以下となるように、開口部を配置すればよい。開口部の幅は、例えば6μm以上10μm以下とするのが好ましく、3μm以上5μm以下とするのがより好ましい。本実施の形態に示す蓄電装置の電極は、集電体上に金属層を選択的に配置することで、活物質層においてウィスカーを効果的に発生させることができ、また、その発生領域を制御することが可能となる。これによって、電極の放電容量を高めつつ、サイクル特性を向上させることができる。また、集電体または金属層と、活物質層として機能する結晶性シリコン層との間に、混合領域を有するのが好ましい。混合領域を有することで、集電体または金属層と、結晶性シリコン層との間の界面抵抗を低減し、且つ、密着性を高めることが可能であるため、蓄電装置の劣化を低減することができる。なお、図1乃至図3においては、集電体101または集電体201は、箔状、板状、または網状の導電性部材で形成される形態を示したが、図4に示すように、基板115上に、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、インクジェット法、CVD法等を適宜用いて、集電体111を形成することができる。なお、上述のように、活物質層103に含まれるウィスカーの径は、好ましくは500nm以上3μm以下である。そのため、触媒として機能する金属元素を含んで金属層102を形成し、その幅を、例えば1μm以上3μm以下とした場合には、図4に図示するように、金属層102の一に対して、一本のウィスカーが形成される場合もあることを付記する。以上、本実施の形態により、放電容量の高い蓄電装置の電極が実現される。本実施の形態は、他の実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、蓄電装置の構造について、図5を用いて説明する。はじめに、蓄電装置の一例である二次電池の構造について説明する。二次電池の中でも、LiCoO2等のリチウム含有金属酸化物を用いたリチウムイオン電池は、放電容量が高く、安全性が高い。よって、ここでは、二次電池の代表例であるリチウムイオン電池の構造について説明する。図5Aは、蓄電装置151の平面図であり、図5Aの線分G-Hの断面図を図5Bに示す。図5Aに示す蓄電装置151は、外装部材153の内部に蓄電セル155を有する。また、蓄電セル155に接続する端子部157、端子部159を有する。外装部材153には、ラミネートフィルム、高分子フィルム、金属フィルム、金属ケース、プラスチックケース等を用いることができる。図5Bに示すように、蓄電セル155は、負極163と、正極165と、負極163及び正極165の間に設けられるセパレータ167と、外装部材153中に満たされる電解質169とで構成される。負極163は、負極集電体171及び負極活物質層173を含んで構成される。正極165は、正極集電体175及び正極活物質層177を含んで構成される。負極活物質層173は、負極集電体171の一方または両方の面に形成される。正極活物質層177は、正極集電体175の一方または両方の面に形成される。また、負極集電体171は、端子部159と接続する。また、正極集電体175は、端子部157と接続する。また、端子部157、端子部159は、それぞれ一部が外装部材153の外側に導出されている。なお、本実施の形態では、蓄電装置151として、パウチされた薄型蓄電装置を示したが、ボタン型蓄電装置、円筒型蓄電装置、角型蓄電装置等、様々な構造の蓄電装置を実現しうる。また、本実施の形態では、正極、負極、及びセパレータが積層された構造を示したが、正極、負極、及びセパレータが捲回された構造であってもよい。負極集電体171には、実施の形態1に示す集電体のいずれかを用いることができる。負極活物質層173には、実施の形態1に示す結晶性シリコン層で形成される活物質層103を用いることができる。なお、結晶シリコン層にリチウムをプリドープしてもよい。また、LPCVD装置において、負極集電体171を枠状のサセプターで保持しながら結晶性シリコン層で形成される活物質層103を形成することで、負極集電体171の両面に同時に活物質層103を形成することが可能であるため、工程数を削減することができる。正極集電体175には、アルミニウム、ステンレス等を用いる。正極集電体175には、箔状、板状、網状等の形状を適用することができる。正極活物質層177には、LiFeO2、LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、LiFePO4、LiCoPO4、LiNiPO4、LiMn2PO4、V2O5、Cr2O5、MnO2、その他のリチウム化合物を材料として用いることができる。なお、キャリアイオンを、リチウム以外のアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンとする場合には、正極活物質層177の上記リチウム化合物において、リチウムの代わりに、アルカリ金属例えば、ナトリウムやカリウム等、アルカリ土類金属例えば、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等、ベリリウムやマグネシウムを用いることもできる。電解質169の溶質は、キャリアイオンであるリチウムイオンを移送可能で、且つリチウムイオンが安定に存在する材料を用いる。電解質の溶質の代表例としては、LiClO4、LiAsF6、LiBF4、LiPF6、LiC2F5SO22N等のリチウム塩がある。なお、キャリアイオンを、リチウム以外のアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンとする場合には、電解質169の溶質として、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩や、カルシウム塩、ストロンチウム塩、バリウム塩等のアルカリ土類金属塩、ベリリウム塩、マグネシウム塩、等を適宜用いることができる。また、電解質169の溶媒としては、キャリアイオンであるリチウムイオンの移送が可能な材料を用いる。電解質169の溶媒としては、非プロトン性有機溶媒が好ましい。非プロトン性有機溶媒の代表例としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、γーブチロラクトン、アセトニトリル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等があり、これらの一つまたは複数を用いることができる。また、電解質169の溶媒としてゲル化される高分子材料を用いることで、漏液性を含めた安全性が高まる。また、蓄電装置151の薄型化及び軽量化が可能である。ゲル化される高分子材料の代表例としては、シリコンゲル、アクリルゲル、アクリロニトリルゲル、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、フッ素系ポリマー等がある。また、電解質169として、Li3PO4等の固体電解質を用いることができる。セパレータ167には、絶縁性の多孔体を用いる。セパレータ167の代表例としては、セルロース紙、ポリエチレン、ポリプロピレン等がある。リチウムイオン電池は、メモリー効果が小さく、エネルギー密度が高く、放電容量が大きい。また、動作電圧が高い。そして、これらによって、小型化及び軽量化が可能である。また、充放電の繰り返しによる劣化が少なく、長期間の使用が可能であり、コスト削減が可能である。次に、蓄電装置の別の例であるキャパシタの構造について説明する。キャパシタの代表例としては、二重層キャパシタ、リチウムイオンキャパシタ等がある。キャパシタの場合は、図5Bに示す二次電池の正極活物質層177の代わりに、リチウムイオン及び/またはアニオンを可逆的に吸蔵できる材料を用いればよい。正極活物質層177の代表例としては、活性炭、導電性高分子、ポリアセン有機半導体PASがある。リチウムイオンキャパシタは、充放電の効率が高く、急速充放電が可能であり、繰り返し利用による寿命も長い。これらのキャパシタにおいても、負極として実施の形態1に示す集電体及び活物質層を含む電極を用いることで、放電容量の高い蓄電装置を作製することができる。なお、開示する発明の一形態である電極を用いる蓄電装置は、上述のものに限られない。例えば、蓄電装置の別の一形態である空気電池の負極として実施の形態1に示す集電体及び活物質層を含む電極を用いることも可能である。この場合にも、放電容量の高い蓄電装置を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態2で説明した蓄電装置の応用形態について図6を用いて説明する。実施の形態2で説明した蓄電装置は、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置等の電子機器に用いることができる。また、電気自動車、ハイブリッド自動車、鉄道用電気車両、作業車、カート、車椅子等の電気推進車両に用いることができる。ここでは、電気推進車両の代表例として車椅子を用いて説明する。図6は電動式の車椅子501の斜視図である。電動式の車椅子501は、使用者が座る座部503、座部503の後方に設けられた背もたれ505、座部503の前下方に設けられたフットレスト507、座部503の左右に設けられたアームレスト509、背もたれ505の上部後方に設けられたハンドル511を有する。アームレスト509の一方には、車椅子の動作を制御するコントローラ513が設けられる。座部503の下方のフレーム515を介して、座部503前下方には一対の前輪517が設けられ、座部503の後下方には一対の後輪519が設けられる。後輪519は、モータ、ブレーキ、ギア等を有する駆動部521に接続される。座部503の下方には、バッテリー、電力制御部、制御手段等を有する制御部523が設けられる。制御部523は、コントローラ513及び駆動部521と接続しており、使用者によるコントローラ513の操作により、制御部523を介して駆動部521が駆動し、電動式の車椅子501の前進、後進、旋回等の動作及び速度を制御する。実施の形態2で説明した蓄電装置を制御部523の電源として用いることができる。制御部523の電源は、プラグイン技術や非接触給電による外部からの電力供給により充電をすることができる。なお、電気推進車両が鉄道用電気車両の場合、架線や導電軌条からの電力供給により充電をすることもできる。本実施の形態は、他の実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。実施の形態4本実施の形態では、本発明の一態様に係る二次電池を、無線給電システム以下、RF給電システムと呼ぶ。に用いた場合の一例を、図7及び図8のブロック図を用いて説明する。なお、各ブロック図では、受電装置および給電装置内の構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとして示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが困難であり、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。はじめに、図7を用いてRF給電システムについて説明する。受電装置600は、給電装置700から供給された電力で駆動する電子機器または電気推進車両等に含まれているが、この他電力で駆動する装置に適宜適用することができる。電子機器の代表例としては、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、表示装置、コンピュータ等がある。また、電気推進車両の代表例としては、電気自動車、ハイブリッド自動車、鉄道用電気車両、作業車、カート、車椅子等がある。また、給電装置700は、受電装置600に電力を供給する機能を有する。図7において、受電装置600は、受電装置部601と、電源負荷部610とを有する。受電装置部601は、受電装置用アンテナ回路602と、信号処理回路603と、二次電池604とを少なくとも有する。また、給電装置700は、給電装置用アンテナ回路701と、信号処理回路702とを少なくとも有する。受電装置用アンテナ回路602は、給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る、あるいは、給電装置用アンテナ回路701に信号を発信する役割を有する。信号処理回路603は、受電装置用アンテナ回路602が受信した信号を処理し、二次電池604の充電、二次電池604から電源負荷部610への電力の供給を制御する。また、信号処理回路603は、受電装置用アンテナ回路602の動作を制御する。すなわち、受電装置用アンテナ回路602から発信する信号の強度、周波数などを制御することができる。電源負荷部610は、二次電池604から電力を受け取り、受電装置600を駆動する駆動部である。電源負荷部610の代表例としては、モータ、駆動回路等があるが、その他の電力を受け取って受電装置を駆動する装置を適宜用いることができる。また、給電装置用アンテナ回路701は、受電装置用アンテナ回路602に信号を送る、あるいは、受電装置用アンテナ回路602からの信号を受け取る役割を有する。信号処理回路702は、給電装置用アンテナ回路701が受信した信号を処理する。また、信号処理回路702は、給電装置用アンテナ回路701の動作を制御する。すなわち、給電装置用アンテナ回路701から発信する信号の強度、周波数などを制御することができる。本発明の一態様に係る二次電池は、図7で説明したRF給電システムにおける受電装置600が有する二次電池604として利用される。RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、従来の二次電池に比べて蓄電量を増やすことができる。よって、無線給電の時間間隔を延ばすことができる何度も給電する手間を省くことができる。また、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、電源負荷部610を駆動することができる蓄電量が従来と同じであれば、受電装置600の小型化及び軽量化が可能である。従って、トータルコストを減らすことができる。次に、RF給電システムの他の例について図8を用いて説明する。図8において、受電装置600は、受電装置部601と、電源負荷部610とを有する。受電装置部601は、受電装置用アンテナ回路602と、信号処理回路603と、二次電池604と、整流回路605と、変調回路606と、電源回路607とを、少なくとも有する。また、給電装置700は、給電装置用アンテナ回路701と、信号処理回路702と、整流回路703と、変調回路704と、復調回路705と、発振回路706とを、少なくとも有する。受電装置用アンテナ回路602は、給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る、あるいは、給電装置用アンテナ回路701に信号を発信する役割を有する。給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る場合、整流回路605は受電装置用アンテナ回路602が受信した信号から直流電圧を生成する役割を有する。信号処理回路603は受電装置用アンテナ回路602が受信した信号を処理し、二次電池604の充電、二次電池604から電源回路607への電力の供給を制御する役割を有する。電源回路607は、二次電池604が蓄電している電圧を電源負荷部610に必要な電圧に変換する役割を有する。変調回路606は受電装置600から給電装置700へ何らかの応答信号を送信する場合に使用される。電源回路607を有することで、電源負荷部610に供給する電力を制御することができる。このため、電源負荷部610に過電圧が印加されることを低減することが可能であり、受電装置600の劣化や破壊を低減することができる。また、変調回路606を有することで、受電装置600から給電装置700へ信号を送信することが可能である。このため、受電装置600の充電量を判断し、一定量の充電が行われた場合に、受電装置600から給電装置700に信号を送信し、給電装置700から受電装置600への給電を停止させることができる。この結果、二次電池604の充電量を100としないことで、二次電池604の充電回数を増加させることが可能である。また、給電装置用アンテナ回路701は、受電装置用アンテナ回路602に信号を送る、あるいは、受電装置用アンテナ回路602から信号を受け取る役割を有する。受電装置用アンテナ回路602に信号を送る場合、信号処理回路702は、受電装置600に送信する信号を生成する。発振回路706は一定の周波数の信号を生成する。変調回路704は、信号処理回路702が生成した信号と発振回路706で生成された一定の周波数の信号に従って、給電装置用アンテナ回路701に電圧を印加する役割を有する。このようにすることで、給電装置用アンテナ回路701から信号が出力される。一方、受電装置用アンテナ回路602から信号を受け取る場合、整流回路703は受け取った信号を整流する役割を有する。復調回路705は、整流回路703が整流した信号から受電装置600が給電装置700に送った信号を抽出する。信号処理回路702は復調回路705によって抽出された信号を解析する役割を有する。なお、RF給電を行うことができれば、各回路の間に他のどのような回路を設けてもよい。例えば、受電装置600が信号を受信し整流回路605で直流電圧を生成したあとに、後段に設けられたDC-DCコンバータやレギュレータといった回路によって、定電圧を生成してもよい。このようにすることで、受電装置600内部に過電圧が印加されることを抑制することができる。本発明の一態様に係る二次電池は、図8で説明したRF給電システムにおける受電装置600が有する二次電池604として利用される。RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、従来の二次電池に比べて蓄電量を増やすことができるので、無線給電の間隔を延ばすことができる何度も給電する手間を省くことができる。また、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、電源負荷部610を駆動することができる蓄電量が従来と同じであれば、受電装置600の小型化及び軽量化が可能である。従って、トータルコストを減らすことができる。なお、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用し、受電装置用アンテナ回路602と二次電池604を重ねる場合は、二次電池604の充放電による二次電池604の形状の変化と、当該変形に伴うアンテナの形状の変化によって、受電装置用アンテナ回路602のインピーダンスが変化しないようにすることが好ましい。アンテナのインピーダンスが変化してしまうと、十分な電力供給がなされない可能性があるためである。例えば、二次電池604を金属製あるいはセラミックス製の電池パックに装填するようにすればよい。なお、その際、受電装置用アンテナ回路602と電池パックは数十μm以上離れていることが望ましい。また、充電用の信号の周波数に特に限定はなく、電力が伝送できる周波数であればどの帯域であっても構わない。充電用の信号は、例えば、135kHzのLF帯長波でも良いし、13.56MHzのHF帯でも良いし、900MHz~1GHzのUHF帯でも良いし、2.45GHzのマイクロ波帯でもよい。また、信号の伝送方式として電磁結合方式、電磁誘導方式、共鳴方式、マイクロ波方式など様々な種類があるが、適宜選択すればよい。ただし、雨や泥などの、水分を含んだ異物によるエネルギーの損失を抑えるためには、周波数が低い帯域、具体的には、短波である3MHz~30MHz、中波である300kHz~3MHz、長波である30kHz~300kHz、及び超長波である3kHz~30kHzの周波数を利用した電磁誘導方式や共鳴方式を用いることが望ましい。本実施の形態は、他の実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。