"セラミックス及びマトリックス金属からなる多孔質焼結体に金属を含浸させてなり、前記セラミックスがSiC、Al2O3、Si3N4の何れかであり、前記マトリックス金属及び前記金属が同種でSi、Al、Cuの何れかであり、前記セラミックスの充填率が20~50体積である金属-セラミックス複合材料からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。前記セラミックスの充填率が20~35体積であることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット。しかしながら、SiC充填率が50体積以上のSiC/Si複合材料からなるスパッタリングターゲットを用いた場合、高抵抗となりスパッタ中の放電が不安定となるという問題がある。そして、SiC充填率、さらに一般化して述べれば金属-セラミックス複合材料のセラミックス充填率が低く尚且つ均質な組織を有する金属基複合材料の製造方法は確立されていなかった。SiC充填率を50体積未満とするには、金属溶湯中にSiCを添加すればよい。しかし、時間経過によりSiC粒子が沈降するため、素材の上下でSiC充填率に差が生じて、熱膨張差による変形が生じやすくなる。成形体を保形可能な下限まで有機バインダの添加量を減らしてSiCの反応生成量を抑えても、SiC/Si複合材料のSiC充填率を50体積未満にすることはできない。また、SiCからなる多孔質焼結体の気孔率を増加させると、弱体化して多孔質焼結体自体を得ることができない。本発明は、これらの問題に鑑みてなされたものであり、セラミックス充填率が低く尚且つ均質な金属-セラミックス複合材料からなるスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。本発明のスパッタリングターゲットは、セラミックス及びマトリックス金属からなる多孔質焼結体に金属を含浸させてなり、前記セラミックスがSiC、Al2O3、Si3N4の何れかであり、前記マトリックス金属及び前記金属が同種でSi、Al、Cuの何れかであり、前記セラミックスの充填率が20~50体積である金属-セラミックス複合材料からなることを特徴とする。本発明における金属-セラミックス複合材料では、セラミックス粉末及び有機バインダの他に成形材料に予め金属粉末を添加しておくことにより、成形体におけるセラミックスの初期充填率が低下する。これに伴い、成形体を焼結して得られる多孔質焼結体は、セラミックス充填率が低くなると共に空孔が大きくならず強度的に優れたものとなる。そして、この多孔質焼結体に金属を含浸させることにより、セラミックス充填率が低く尚且つ均質な金属-セラミックス複合材料を得ることができる。なお、焼成後に残存する有機バインダの炭素成分は、その後浸透させる金属と反応し炭化物となる。金属粉末の添加量に応じてセラミックス充填率が調整され、金属粉末の添加量を増やすことによって、セラミックス充填率を20~50体積とすることも可能である。セラミックスの充填率が20体積未満の金属-セラミックス複合材料からなるスパッタリングターゲットでは、熱伝導率が低く、局所的に高温になる部分が生じ、クラックなどの損傷の原因となる。一方、セラミックス充填率が50体積を超える金属-セラミックス複合材料からなるスパッタリングターゲットでは、高抵抗となるためスパッタ中の放電が安定せず、基板面上に良好に成膜することができない。本発明において、前記セラミックスの充填率が20~35体積であることが特に好ましい。これは、セラミックスの充填率が35体積以下の金属-セラミックス複合材料からなるスパッタリングターゲットは、スパッタ中の放電がより安定するためである。本発明のスパッタリングターゲットは、セラミックス及びマトリックス金属からなる多孔質焼結体に金属を含浸させてなり、セラミックスがSiC炭化珪素、Al2O3アルミナ、Si3N4窒化珪素の何れかであり、マトリックス金属及び金属が同種でSi珪素、Alアルミニウム、Cu銅の何れかであり、前記セラミックスの充填率が20~50体積である金属-セラミックス複合材料からなるものである。そして、この金属-セラミックス複合材料は、SiC、Al2O3、Si3N4の何れからなるセラミックス粉末と有機バインダとにSi、Al、Cuの何れからなる金属粉末を添加した混合物を成形した成形体を焼成して多孔質焼結体を得て、該多孔質焼結体に前記金属粉末と同種の金属を含浸させることによって製造することができる。以下、本発明の実施形態に係るスパッタリングターゲットを形成する金属-セラミックス複合材料がSiC/Si複合材料である場合を例に挙げて説明する。SiC/Si複合材料は、マトリックス金属をSi、強化材をSiCとした金属-セラミックス複合材料である。SiC/Si複合材料の製造方法は、SiC粉末及び金属Si粉末に有機バインダを添加し混合して混合粉末を得る混合工程の他に、成型工程、脱バインダ工程、焼結工程、含浸工程を含むものであり、SiC充填率が50体積以下と低いSiC/Si複合材料を製造することができる。なお、成型工程、脱バインダ工程、焼結工程、含浸工程は、以下に説明する方法に限定されず、任意の既知の方法を用いることができる。まず、混合工程において、原料粉末であるSiC粉末と金属Si粉末に、有機バインダを添加し混合して、成形原料を作製する。混合方法は、湿式、乾式の何れであってもよく、例えばボールミル、振動ミルなどの混合器を用いることができる。なお、焼結助剤などの添加剤を少量添加してもよい。SiC粉末は、高純度であることが好ましく、その純度は、好ましくは96以上、より好ましくは98以上である。金属Si粉末は、高純度であることが好ましく、その純度は、好ましくは96以上、より好ましくは98以上である。金属Si粉末の添加量は、SiC/Si複合材料のSiC充填率に応じて適宜調整すればよいが、好ましくはSiC粉末100重量部に対して30~130重量部である。そして、SiC粉末に対する金属Si粉末の平均粒径比は、好ましくは1/2以上2以下である。有機バインダとして、特に好ましくはフェノール樹脂であるが、ポリビニルアルコールPVA、メチルセルロースMC、イソバン、ポリエチレンイミン等の樹脂も好ましい。有機バインダは、成形体を保形可能な下限値から前記セラミックス粉末及び前記金属粉末を成形型にタップ充填した際に生じる空隙の容積の100体積の量まで添加することができる。より好ましくは、空隙の容積の20~30体積である。混合工程で得られた成形原料を、成形工程において、適宜な形状にプレス成型する。その方法は、特に限定されず、一軸プレス成形、冷間静水圧プレスCIP、加圧鋳込などの既知の成形方法を用いることができる。成形圧力は、2.0~5.0MPaであることが好ましい。成形工程で得られた成形体を、脱バインダ工程において、添加された有機バインダを完全に炭化させる。脱バインダ処理は、真空雰囲気中で、例えば、250~1000°Cの温度範囲を昇温速度30°C/hr以下で行うことが好ましい。ただし、温度範囲や昇温速度は、生産効率等を考慮して適宜定めればよい。炭化して生じた微量の炭素成分は、成形体中に残留する。なお、有機バインダの添加量は、SiC粉末及び金属Si粉末を成形型にタップ充填した際に生じる空隙の容積の100体積以下とすることが好ましい。空隙の容積の100体積を超える有機バインダを添加した場合、多孔質焼結体の気孔率が低下し、有機バインダが熱硬化の縮重合反応により発生する縮重合水の抜け道が少なくなる。そのため、脱バインダ処理の際に成形体中の縮重合水が急激に体積膨張して、クラックが発生するおそれが生じる。また、SiCの反応生成量も増加するので、SiC/Si複合材料のSiC充填率が増加することになる。脱バインダ処理した成形体を、脱酸素工程において、脱酸素処理を行い、多孔質焼結体を得る。脱酸素処理は、真空雰囲気中で、例えば、1300~1410°Cの温度範囲で、5~20時間保持する。より好ましくは、真空雰囲気中で、1350~1410°Cの温度範囲で、15~20時間焼成する。なお、焼結雰囲気の圧力は限定されず、減圧、常圧から数気圧の加圧まで任意であるが、コスト面からは常圧が好ましい。焼成して得られた多孔質焼結体は、5~20μmの多数の気孔を有し、気孔率は、好ましくは40~50である。なお、多孔質焼結体を、必要に応じて、機械的手段によって研削してもよい。予め多孔質焼結体を所定形状に形成すれば、得られるSiC/Si複合材料がニアネットとなり、最終形状とする際に必要な加工を削減することができる。そして、得られた多孔質焼結体を、含浸工程において、溶解された金属Siを含浸させる。含浸処理は、非加圧浸透法で行うことが好ましいが、加圧浸透法などの他の方法で行ってもよい。非加圧浸透で行う場合、例えば、真空雰囲気で1550°Cまで加熱し、さらに、それ以降は不活性ガス雰囲気で1645°Cまで加熱して、10時間、より好ましくは20~30時間保持する。金属Siの一部は多孔質焼結体に残留した炭素成分と反応してSiCが生成されるが、大部分の金属Siは気孔に含浸する。これにより、SiC充填率が20~50体積と低いSiC/Si複合材料を得ることができる。そして、得られたSiC/Si複合材料を、スパッタリングターゲットに適した形状になるよう、機械的手段によって研削する。以上説明したように、SiC粉末及び有機バインダを含む成形材料に予め金属Si粉末を添加しておくことにより、成形体におけるSiCの初期充填率が低下する。これに伴い、成形体を焼結して得られる多孔質焼結体は、SiC充填率が低くなると共に空孔が大きくならず強度的に優れたものとなる。そして、この多孔質焼結体に金属Siを含浸させることにより、SiC充填率が低いSiC/Si複合材料を得ることができる。金属Si粉末の添加量を増やすことによって、SiC充填率を20~50体積とすることも可能となる。なお、成形材料に金属Si粉末を添加せず有機バインダの添加量を増加させた場合、多孔質焼結体の気孔率が大き過ぎて強度的に問題があり、最終製品であるSiC/Si複合材料のSiC充填率は50体積が実質的な限界であった。本発明では成形材料に金属Si粉末を予め混入することにより、多孔質焼結体の気孔率が過度に高くなることを防止して、この問題を解決した。そして、スパッタリングターゲットは、以上にようにして得られたSiC充填率が20~50体積のSiC/Si複合材料からなり、電気抵抗率が0.7×10-1~1.7×10-1Ωcmと低抵抗であり、25°Cでの熱伝導率が90~120W/mKと高い。よって、スパッタリングターゲットは、スパッタ中の放電が安定的となるため良好なSiO2膜を安定して成膜することができ、且つ、局所的に高温になる部分が少ないため損傷のおそれが小さい。SiC充填率が20体積未満のSiC/Si複合材料からなるスパッタリングターゲットでは、熱伝導率が低く、局所的に高温になる部分が生じ、クラックなどの損傷の原因となる。そこで、熱伝導率は90W/mK以上であることが好ましい。一方、SiC充填率が50体積を超えるSiC/Si複合材料からなるスパッタリングターゲットでは、高抵抗となるため放電が安定せず、基板面上に良好にSiO2膜を成膜することができない。そこで、電気抵抗率は1.7×10-1Ωcm以下であることが好ましい。以下、本発明の実施例及び比較例を具体的に挙げ、本発明を詳細に説明する。実施例1~8及び比較例1~3では、まず、原料粉末として、SiC粉末♯800、平均粒径17μm、信濃電気製錬株式会社製のGP800と金属Si粉末平均粒径10μm、福田金属箔粉工業株式会社製のSi-S-10μmを準備した。また、有機バインダとして、フェノール樹脂大日本インキ化学工業株式会社製のOI-305Aを準備した。SiC粉末に対する金属Si粉末の平均粒径比は10/17である。そして、SiC粉末の添加量を100重量部、金属Si粉末の添加量を表1に示した重量部とし、SiC粉末及び金属Si粉末をタップ充填した際に成形型に生じた空隙の容積に対するフェノール樹脂の添加量を表1に示した体積として、これらを混合して成形型に入れ、2.94MPaの成形圧力で、一辺200mm厚さ10mmの正方形板状の成形体を作製した。そして、得られた成形体を、真空雰囲気中で250~1000°Cの温度範囲を昇温速度28°C/hrで加熱して、脱バインダ処理を行った。その後、真空雰囲気中で1300~1410°Cの温度範囲を昇温速度22°C/hrで加熱して、焼結処理を行い、多孔質焼結体を得た。そして、得られた多孔質焼結体と融点以上に加熱されたSi日本電工株式会社製を接触させ、不活性ガス雰囲気中で1645°Cの温度で24時間保持して、溶融したSiと多孔質焼結体中に含まれている炭素とを反応させてSiCにすると同時にSiを気孔に含浸させることにより、SiC/Si複合材料を作製した。そして、得られたSiC/Si複合材料の中央部及び4つの角部の嵩密度をそれぞれ測定して、測定結果からSiC充填率とその標準偏差を求めた。結果を表1にまとめ、金属Si添加量とSiC充填率との関係を図1に表した。比較例1のように金属Si粉末の添加量を0重量部とした場合、得られたSiC/Si複合材料のSiC充填率は59.1体積となり、50体積を大きく超えた。SiC充填率の標準偏差は0.61体積であった。比較例2,3のように金属Si粉末の添加量を10重量部、20重量部とした場合、得られたSiC/Si複合材料のSiC充填率はそれぞれ54.4体積、52.1体積となり、50体積を超えた。SiC充填率の標準偏差はそれぞれ0.21体積、0.28体積であり、SiC充填率のばらつきは比較例1より小さかった。実施例1,2,3,4,5,6,7,8のように金属Si粉末の添加量を30重量部、35重量部、40重量部、44重量部、52重量部、66重量部、80重量部、94重量部とした場合、得られたSiC/Si複合材料のSiC充填率はそれぞれ47.1体積、46.4体積、44.5体積、41.9体積、39.5体積、35.7体積、33.2体積、29.9体積となり、50体積以下となった。SiC充填率の標準偏差は0.29~0.57体積であり、SiC充填率のばらつきは比較例1と同等以下であった。そして、図1に示すように、金属Si粉末の添加量が増加するほど、SiC/Si複合材料のSiC充填率は低下することが分かった。これより、SiC粉末100重量部に対し金属Si粉末を130重量部添加すれば、SiC/Si複合材料中のSiC充填率は20体積程度になると推定される。さらに、比較例4として、金属Si粉末の代わりにカーボンビーズ平均粒径6μm、オリエンタル産業株式会社製のATNo.40-Cを使用したこと以外は、実施例3と同様にしてSiC/Si複合材料を作製した。得られたSiC/Si複合材料の嵩密度の測定結果から求めたSiC充填率は、70.9体積であり、50体積を大きく超えた。比較例5として、フェノール樹脂の添加量を、SiC粉末をタップした際に金型に生じた空隙の容積の120体積としたこと以外は、実施例3と同様にしてSiC/Si複合材料を作製した。しかし、プレス成形の際に成形体にクラックが発生した。さらに、比較例6として、SiC粉末としてESKCeramicsGmbHCo.ドイツ製のGC180♯180、平均粒径88μmを使用したこと以外は、実施例3と同様にしてSiC/Si複合材料を作製した。このとき、SiC粉末に対する金属Si粉末の平均粒径比は、10/88であり1/2以下であった。得られたSiC/Si複合材料の嵩密度の測定結果から求めたSiC充填率は、59.1体積であり、50体積を超えた。比較例7として、金属Si粉末として山石金属株式会社製のM.SiNo.600平均粒径3μmを使用したこと以外は、実施例3と同様にしてSiC/Si複合材料を作製した。このとき、これより、SiC粉末に対する金属Si粉末の平均粒径比が3/17であり1/2以下であった。得られたSiC/Si複合材料の嵩密度の測定結果から求めたSiC充填率は、55.1体積であり、50体積を超えた。実施例3、比較例6,7の結果を表2にまとめた。実施例9~11及び比較例8,9では、原料粉末として、SiC粉末♯800、平均粒径17μm、信濃電気製錬株式会社製のGP800と金属Si粉末平均粒径10μm、福田金属箔粉工業株式会社製のSi-S-10μmを準備した。また、有機バインダとして、フェノール樹脂大日本インキ化学工業株式会社製のOI-305Aを準備した。SiC粉末に対する金属Si粉末の平均粒径比は10/17である。そして、得られるSiC/Si複合材料のSiC充填率が表3に示す値になるように金属Si粉末の添加量を適宜調整した上で、実施例1~8と同様にしてSiC/Si複合材料を得た。実施例9,10,11及び比較例8のようにSiC/Si複合材料のSiC充填率をそれぞれ20体積、30体積、50体積、80体積とした場合、得られたSiC/Si複合材料の電気抵抗率はそれぞれ0.7×10-3Ωcm、1.0×10-3Ωcm、1.7×10-3Ωcm、1×10-1Ωcmとなった。さらに、実施例9~11及び比較例8,9では、得られたSiC/Si複合材料から、直径100mm、厚さ10mmの円板形状からなるスパッタリングターゲットを作成した。そして、このスパッタリングターゲットを用いて、アルゴンArと酸素O2との混合ガス混合比率50:50をスパッタガスとして、プラスチックフィルム基板上に成膜を行うべく、投入電力2kWでスパッタリングを行った。実施例9~11では、スパッタ中の放電は安定しており、基板上に良好にSiO2膜を成膜することができた。また、均熱性は良好であり、局所的に高温となる部分は発生しなかった。これは、熱伝導性の高いSiCが適度に添加されているためであると考えられる。また、スパッタリングターゲットに反り、クラック等の損傷は認められなかった。比較例8では、スパッタ中の放電は不安定となり、基板上にSiO2膜を成膜することはできなかった。なお、比較例9では、SiC/Si複合材料のSiC充填率をそれぞれ10体積としたが、熱伝導率が低く、局所的に高温となる部分が生じ、スパッタリングターゲットにクラックが発生した。実施例9~11及び比較例8,9の結果を表3にまとめた。"