表面に半導体素子が形成された半導体ウエハ裏面の外縁部を第1の砥石で研削して環状の溝を形成する工程と、前記溝の内側の凸部を第2の砥石で研削して前記半導体ウエハの裏面に前記溝と一体に凹部を形成する工程と、前記第2の砥石による研削面を含む前記凹部の底面を第3の砥石でさらに研削する工程とを有することを特徴とする半導体ウエハの加工方法。前記第2の砥石の粒度が、前記第1の砥石及び前記第3の砥石の各粒度より粗であることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハの加工方法。前記第1の砥石による研削面の表面粗さRyが0.1μm~2.5μm、前記第2の砥石による研削面の表面粗さRyが3.0μm以上、前記第3の砥石による研削面の表面粗さRyが0.5μm以下あることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハの加工方法。表面に半導体素子が形成された半導体ウエハ裏面の外縁部を研削して環状の溝を形成する第1の砥石と、前記第1の砥石により形成された前記溝の内側の凸部を研削して前記半導体ウエハの裏面に前記環状の溝と一体に凹部を形成する第2の砥石と、前記凹部の底面を研削する第3の砥石とを備えることを特徴とする半導体ウエハの加工装置。表面に半導体素子が形成され、裏面に凹部が形成された半導体ウエハであって、前記凹部は、前記半導体ウエハ裏面の外縁部を研削して形成された環状の溝の内側を前記溝より深く研削することにより形成されたものであり、前記溝で形成された前記凹部内側面の表面粗さRyが0.1μm~2.5μmで、それ以外の凹部内側面の表面粗さRyが0.5μm以下であることを特徴とする半導体ウエハ。本発明の目的は、厚みを薄くしても割れの生じるおそれの少ない半導体ウエハ、また、そのような半導体ウエハの加工方法及び加工装置を提供することにある。実施形態の半導体ウエハの加工方法は、表面に半導体素子が形成された半導体ウエハ裏面の外縁部を第1の砥石で研削して環状の溝を形成する工程と、前記溝の内側の凸部を第2の砥石で研削して前記半導体ウエハの裏面に前記溝と一体に凹部を形成する工程と、前記第2の砥石による研削面を含む前記凹部の底面を、第3の砥石でさらに研削する工程とを具備する。実施形態の半導体ウエハの加工装置は、表面に半導体素子が形成された半導体ウエハ裏面の外縁部を研削して環状の溝を形成する第1の砥石と、前記第1の砥石により形成された前記溝の内側の凸部を研削して前記半導体ウエハの裏面に前記環状の溝と一体に凹部を形成する第2の砥石と、前記凹部の底面を研削する第3の砥石とを具備する。実施形態の半導体ウエハは、表面に半導体素子が形成され、裏面に凹部が形成された半導体ウエハである。前記凹部は、前記半導体ウエハ裏面の外縁部を研削して形成された環状の溝の内側を前記溝より深く研削することにより形成されたものであり、前記溝で形成された前記凹部内側面の表面粗さRyが0.1μm~2.5μmで、それ以外の凹部内側面の表面粗さRyが0.5μm以下である。以下、図面を参照して、実施形態を説明する。図1は、本実施形態の半導体ウエハの加工方法を工程順に示す概略断面図である。本実施形態においては、まず、第1の研削工程として、表面に半導体素子が形成されたシリコン等からなる半導体ウエハ10の裏面の外縁部を研削して環状の溝12を形成する図1a。この環状の溝12の形成には、後述する2回の研削工程で用いる第2の砥石及び第3の砥石のうち、少なくとも最初の研削工程第2の研削工程で用いる砥石第2の砥石より粒度の細かい砥石、例えば、研削面G1の表面粗さRy:最大高さが0.1μm~2.5μm、好ましくは0.1μm~2.0μmの範囲となる砥石第1の砥石を備えた切削ブレード22が用いられる。本実施形態では、環状の溝12は、表面粗さRy1.0μmに研削されている。上記切削ブレード22を用いて半導体ウエハ10の裏面に形成する溝12の位置は、溝12の外周が、半導体ウエハ10表面の半導体素子形成領域の外側で、かつ半導体の外周部に結晶方位を示すためのノッチが設けられている場合にそのノッチの内側になるようであればよいが、通常は、半導体ウエハ10の外縁から溝12の外周までの距離D1が2.0mm~2.5mmとなる範囲である。本実施形態では、外径300mm、厚さ775μmの半導体ウエハ対し、距離D1が2.1mmとなる位置に溝12が設けられている。また、溝12の深さ及び幅は、半導体ウエハ10の外径や、目的とする研削後の半導体ウエハ10の厚み等にもよるが、通常、深さは、溝12の底面から半導体ウエハの表面までの距離以下、残し量ともいうT1が25μm~600μm程度となる範囲であり、幅Wは100μm~1.0mm程度である。深さがあまり浅いと、半導体ウエハ10を薄化するために第3の砥石による研削量を多くしなければならず、加工効率が低下する。また、幅があまり狭いと、後の加工工程第2の研削工程及び第3の研削工程における技術的制約例えば、研削領域に高い寸法精度が要求される等が多くなり、幅が広すぎると、所望の表面粗さを有する溝12の形成が困難になる。本実施形態では、溝部における残し量T1100μm、溝幅W500μmに形成されている。なお、第1の研削工程では、図示を省略したが、半導体ウエハ10は、それ自身回転しながら半導体ウエハ10を保持する保持テーブル上に、裏面を上に向けて保持され、保持テーブルで半導体ウエハ10を回転させながら、その裏面の外縁部に切削ブレード22を当接させ、溝12が形成される。保持テーブルには、例えば、上面に真空チャックを備えたチャックテーブル構造のものが使用される。保持テーブルは、後述する第2及び第3の砥石を用いる第2及び第3の研削工程でも使用される。半導体ウエハ10を保持テーブルに保持させる際、半導体ウエハ10の表面には、半導体素子を保護するため、テープ等の保護部材が貼着される。次に、第2の研削工程として、第1の研削工程で形成された環状の溝12の内側の凸部14を、第2の砥石24aを備えた研削装置24を用いて研削して、溝12と一体の凹部20を形成する図1b。この第2の研削工程は、いわゆる粗研削工程である。したがって、この工程に用いられる第2の砥石24aは、粗研削用の砥石であり、前述したように、上記第1の砥石より粗い粒度の砥石、例えば、研削面G2の表面粗さRyが3.0μm以上、好ましくは3.1μm~4.0μmの範囲となるような砥石が用いられる。本実施例では、研削面G2の表面粗さRyが3.2μmとなる砥石が用いられている。研削装置24は、このような第2の砥石24aを下面に固着した研削ホイール24bと、研削ホイール24bを保持するホイールマウント24cが一端に設けられ、他端にモータ図示なしが取り付けられたスピンドル24dとを備えており、モータの駆動によりスピンドル24dが回転し、それに伴いホイールマウント24cに装着された研削ホイール24bも一体に回転する構成となっている。さらに、研削装置24は、研削ホイール24bが回転しながら下降するようにもなっており、この研削ホイール24bの下降によって、その下面に固着した第2の砥石24aが半導体ウエハ10の裏面に接触し、研削が行われる。この第2の研削工程も、第1の研削工程と同様、半導体ウエハ10を、それ自身回転しながら半導体ウエハ10を保持する保持テーブル上に、裏面を上に向けて保持し、保持テーブルで半導体ウエハ10を回転させながら研削する。研削の深さは、特に限定されないものの、深さがあまり浅いと、半導体ウエハを薄化するために、後の第3の砥石による研削量を多くしなければならず、加工効率が低下する。また、溝12よりさらに深く研削すると、第2の砥石24aによる粗い研削面が第3の砥石による研削後も残り、本発明による効果が得られなくなるおそれがある。したがって、第2の研削工程では、溝12の深さを超えない範囲で、できるだけ深く研削することが好ましい。本実施形態では、第2の砥石24aにより研削した部分の底面から半導体ウエハの表面までの距離、すなわち第2の砥石24aによる研削部における残し量T2が110μmに形成されている。次に、第3の研削工程として、第1及び第2の研削工程で形成された凹部20を、第3の砥石26aを備えた研削装置26を用いてさらに深く、第2の砥石24aによる研削面G2がなくなり、かつ半導体ウエハ10の凹部20における厚みが所望の厚みになるまで研削する図1c。この第3の研削工程は、いわゆる仕上げ研削工程である。したがって、この工程に用いられる第3の砥石26aは、仕上げ研削用の砥石であり、上記第2の砥石24aより細かい粒度の砥石、例えば、研削面G3の表面粗さRyが0.5μm以下、好ましくは0.1μm~0.4μmの範囲となるような砥石が用いられる。本実施例では、研削面G3の表面粗さRyが0.3μmとなる砥石が用いられている。研削装置26は、第3の砥石26aが用いられるとともに、砥石26aの回転軌道の再外周の直径が、研削装置24のものより大きく形成されている以外は、第2の砥石24aを備えた研削装置24と基本的に同様に構成されている。すなわち、第3の砥石26aを下面に固着した研削ホイール26bと、研削ホイール26bを保持するホイールマウント26cが一端に設けられ、他端にモータ図示なしが取り付けられたスピンドル26dとを備えており、モータの駆動によりスピンドル26dが回転し、それに伴いホイールマウント26cに装着された研削ホイール26bも一体に回転する構成となっている。また、研削ホイール26bが回転しながら下降するようになっており、この研削ホイール26bの下降によって、その下面に固着した第2の砥石26aが凹部20の底面に接触し、研削が行われる。第3の研削工程も、第1及び第2の研削工程と同様、半導体ウエハ10を、それ自身回転しながら半導体ウエハ10を保持する保持テーブル上に、裏面を上に向けて保持し、保持テーブルで半導体ウエハ10を回転させながら研削する。研削の深さは、前述したように、第2の砥石24aによる研削面G2がなくなり、かつ半導体ウエハ10の凹部20における厚みが所望の厚みになるまでであり、例えば、凹部20における残し量T3が20~100μm程度となる範囲である。本実施形態では、凹部20における残し量T3が30μmに形成されている。また、本実施形態では、この第3の研削工程で研削される研削部外周から半導体ウエハ10の外縁までの距離D3が2.6mmとなるように研削されている。図1dは、以上の第1~第3の研削工程を経て薄化された半導体ウエハ10を示しており、表面には半導体素子図示なしが形成され、裏面には凹部20が形成されている。凹部20は、半導体ウエハ10裏面の外縁部を第1の砥石を備えた切削ブレード22を用いて研削して形成された環状の溝12の内側を、まず、第2の砥石24aを備えた研削装置24で研削し、さらに第3の砥石26aを備えた研削装置26で溝12より深く研削して形成されたものである。したがって、凹部20は、第1の砥石による研削面G1、例えば表面粗さRyが0.1μm~2.5μmの研削面と、第3の砥石26aによる研削面G3、例えば表面粗さRyが0.5μm以下の研削面のみで構成されている。このため、この薄化後の半導体ウエハは、凹部20における厚みが薄くても割れるおそれが極めて少なく、その後の取り扱いが容易となる。なお、図2は、本実施形態により薄化された半導体ウエハ10の外縁部及びその近傍を拡大して示した図であり、Z1~Z3は、それぞれ第1~第3の研削工程における研削部乃至研削量を示している。以上説明したように、本実施形態においては、半導体ウエハ裏面の外縁部を第1の砥石を備えた切削ブレードを用いて研削して環状の溝を形成し、次いで、粗研削用の第2の砥石で環状の溝の内側の凸部を研削して溝と一体の凹部を形成し、その後、凹部の底面を仕上げ研削用の第3の砥石で研削するので、半導体ウエハの裏面には、内側面が第1の砥石および第3の砥石による研削面のみからなる凹部が形成される。したがって、半導体ウエハの凹部における厚みを薄くしても割れを十分に抑制することができ、その後の加工時や搬送時の取り扱いを容易なものすることができる。ここで、本実施形態との比較のため、粗研削用の砥石による研削と仕上げ研削用の砥石による研削のみで半導体ウエハの裏面に凹部を形成する場合の加工方法と、この加工方法により得られる半導体ウエハについて記載する。図3は、この加工方法を工程順に示したものである。なお、図3においては、図1に記載のものと同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を付しており、重複する説明を省略する。図3に示すように、この方法は、まず、半導体ウエハ10の裏面を、粗研削用の第2の砥石24aを備えた研削装置24を用いて研削して凹部20Aを形成し図3a、次いで、仕上げ研削用の第3の砥石26aを備えた研削装置26を用いて凹部20Aの底面を、半導体ウエハ10の凹部20Aにおける厚みが所望の厚みになるまで研削する図3bものである。図3cは、この方法で薄化された半導体ウエハ10を示しており、また、図4は、その外縁部及びその近傍を拡大して示した図である。図3cに示すように、半導体ウエハ10の裏面には、本実施形態の凹部20と類似した形状の凹部20Aが形成されている。しかし、この凹部20Aは、半導体ウエハ10裏面を、粗研削用の第2の砥石24aを備えた研削装置24で研削し、次いで、仕上げ研削用の第3の砥石26aを備えた研削装置26で研削して形成されたものである。したがって、凹部30の内側面は、図4にも示すように、第2の砥石24aによる粗研削面G2、例えば表面粗さRyが3.0μm以上の研削面と、第3の砥石26aによる研削面G3、例えば表面粗さRyが0.5μm以下の研削面で構成されている。このような半導体ウエハ10は、第2の砥石24aによる粗い研削面G2が起点になって、割れが発生しやすいものである。これに対し、本実施形態では、図1d及び図2に示したように、半導体ウエハ10裏面の凹部20の内側には粗研削面が残らないので、半導体ウエハ10の凹部20における厚みを薄くしても割れは極めて生じにくい。以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。