"圧電材料層を含む懸架された膜を備えた、弾性波共振器を製作するための方法であって、―第一の基板表面上にある第一圧電材料CPiezoの少なくとも1つの層を含む第一の堆積を作るステップと、―少なくとも1つの第二の基板を含む第二の堆積を作るステップと、―次の接合ステップの前に、前記堆積のうちの一つの表面を、突き出たナノ構造物が局部的に与えられたままにしている、抑制された大きさの粒子の堆積又は生成により、少なくとも1つの非接合の開始領域を作るステップと、―非接合の開始領域の存在に起因する、前記堆積同士の間に気泡CAVを作り出す、前記2つの堆積をダイレクトボンディングするステップと、―少なくとも前記第一の基板を除去するための、前記第一の堆積の薄層化ステップとを含むことを特徴とする方法。前記ダイレクトボンディングが、前記2つの堆積を直接接触するように又は熱圧着、或いは陽極接合、もしくは溶融接合によって置くことにより、行なわれることを特徴とする、請求項1に記載の弾性波共振器を製作するための方法。気泡の生成及び/又は成長を促進するように、前記ダイレクトボンディングのステップの間又は後に行なわれる熱処理ステップを更に含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の弾性波共振器を製作するための方法。非接合の開始領域が、ミクロンオーダーの寸法の前記堆積の表面に対して局部的な突起に相当する、突き出たナノ構造であることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記突き出たナノ構造を生成するステップが、リソグラフィー及びエッチングによって行なわれることを特徴とする、請求項4に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記突き出たナノ構造を生成するステップが、局部的なやり方で、制御された大きさの粒子を堆積することにより行なわれることを特徴とする、請求項4に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記突き出たナノ構造が数十nm~数百nmのオーダーの高さを示し、前記気泡が1000μmのオーダーの直径範囲を示すことを特徴とする、請求項4~6のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。接合に先立って、熱処理の間に気泡の拡張を容易にするか、あるいは適応させるように、前記突き出たナノ構造を囲む表面、又は前記ナノ構造に対向している表面を準備するステップを更に含み、前記準備するステップが前記表面の親水性を低減し、及び/又は粗さを変えることにあることを特徴とする、請求項4~7のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記親水性を低減するための前記準備するステップが、プラズマ処理又は紫外線UV/オゾン処理によって行なわれることを特徴とする、請求項8に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記粗さを変えることにある、前記準備するステップが、化学エッチング、湿式又は乾式エッチングにより行なわれることを特徴とする、請求項8に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記非接合の開始領域が、気体の副産物を生成可能な、炭化水素又は液体或いは固体の生成物の局部的な堆積によって得られることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記炭化水素の局部的な堆積が、原子間力顕微鏡の焦点を用いて行なわれることを特徴とする、請求項11に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記第一の堆積及び/又は前記第二の堆積が表面に接合層を含み、そのレベルにおいて次に続く接合ステップが行なわれることを特徴とする、請求項1~12のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記第一の堆積が、第一の圧電材料の層と、場合により存在する接合層又は表面との間に、電極として役立つことを目的とする金属層を含むことを特徴とする、請求項1~13のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記第一の圧電材料が単結晶であることを特徴とする、請求項1~14のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記第一の堆積内に、前記第一の圧電材料の層を少なくとも部分的に備えた領域の境界を前記堆積の表面と共に定める、埋め込まれた脆い領域を作り出すために、イオン注入ステップを更に含むことを特徴とする、請求項1~15のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。薄層化が、前記埋め込まれた脆い領域のレベルにおける破壊によって得られることを特徴とする、請求項16に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記薄層化が、メカノケミカルタイプであり得る研磨によって得られることを特徴とする、請求項1~17のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記圧電材料がLiTaxNb1-xO3であることを特徴とする、請求項1~18のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。AIN又はPZTの圧電材料層の堆積を含むことを特徴とする、請求項1~15のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。前記第二の基板がシリコン又は水晶或いはダイヤモンドもしくはサファイヤ、又は前記材料の1つを含む複合材料で作られることを特徴とする、請求項1~20のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。少なくとも1つの接合層が、SiO2であり得る誘電材料で作られることを特徴とする、請求項1~21のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。金属層において電極を定義するステップを更に含むことを特徴とする、請求項1~22のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。薄膜化ステップの後で、前記第一及び第二の堆積の最終堆積の表面に上部電極を作るステップを更に含むことを特徴とする、請求項1~23のいずれか一項に記載の弾性波共振器を製作するための方法。このような状況において、本発明の主題は圧電材料の薄い層を含む膜を備えた、バルク弾性波共振器を製作するための革新的方法である。より正確には、本発明は圧電材料層を含む懸架された膜を備えた、弾性波共振器を製作するための方法に関し、方法が次のステップ:―第一の基板表面上にある第一圧電材料の少なくとも1つの層を含む第一の堆積を作るステップと、―少なくとも1つの第二の基板を含む第二の堆積を作るステップと、―次の接合ステップの前に、前記堆積のうちの一つの表面を、突き出たナノ構造物が局部的に与えられたままにしている、抑制された大きさの粒子の堆積又は生成により、少なくとも1つの非接合の開始領域を作るステップと、―非接合の開始領域の存在に起因する、堆積同士の間に気泡を作り出す、前記2つの堆積をダイレクトボンディングするステップと、―少なくとも第一の基板を除去するための、第一の堆積の薄層化ステップとを含むことを特徴とする。ダイレクトボンディングの表現は、接着性物質の存在を必要としない、任意のタイプの接合を意味すると理解される。それは有利なことに直接接触による接合を含み得るが、それは熱圧着又は陽極接合、あるいは溶融接合による接合もまた含み得る。非接合の開始領域の目的は、従ってその位置又はその近辺における、2つの堆積間の接合を局部的に防ぐことであり、こうして第一の圧電材料と第二の堆積間に気泡を発生させ、これら2つの素子の局部的な音響の非干渉化を可能にする。ナノ構造は基板の平面内で1μm未満の、そして有利には10~100nmの間にある横方向寸法を有する。本発明は従って、100μm~1mmに及ぶ横方向寸法を有するウェーハ上に、懸架された膜を集合的に製作出来るようにする。有利なことに、気泡の生成及び/又は成長を促進させるように、熱処理ステップはダイレクトボンディング段階の間又は後に行われ得る。一般的に、この熱処理は100°C~500°Cの間にある温度において行われ得る。このステップはまた、より大きな寸法の気泡を形成するために、一緒になる2つ以上の隣接する気泡を許容できる。非接合の開始領域は突き出たナノ構造、即ち1ミクロン未満の寸法の、表面に対する局部的な突起であり得る。生成された気泡は、次にこのナノ構造の両側に広がる。本発明の1つの変形において、この突き出たナノ構造を生成するステップは、リソグラフィー及びエッチングによって行なわれる。本発明の1つの変形において、この突き出たナノ構造を生成するステップは、局部的なやり方で制御された大きさの粒子の堆積により行なわれる。本発明の1つの変形において、突き出たナノ構造は数十nm~数百nmのオーダーの高さを示し、気泡は1000μmのオーダーの直径範囲を示す。接合段階の間又は後に行なわれる熱処理は、突き出たナノ構造の表面を、それに対向している堆積の表面から、局部的に剥離させるのも又可能にすることに注意されたい。同じように、突き出たナノ構造を囲む表面、又はそのナノ構造に対向している表面が、例えば熱処理の間に気泡の拡張を容易にするか、あるいは適応させるように、接合に先立って用意され得る。この用意は、気泡の横の拡張を促進したい場合、とりわけ表面の親水性を低減し、及び/又は粗さを増すことにあり得るが、逆もまた正しい。親水性を変えるため、例えばプラズマ処理又は紫外線UV/オゾン処理に頼ることができる。粗さを変えるため、例えば化学エッチング、湿式又は乾式エッチングに頼ることができる。本発明の1つの変形によれば、非接合の開始領域は、例えば原子間力顕微鏡AFMの焦点の助けにより、炭化水素の局部的堆積又は、気体の副生成物を発生し得る液体あるいは固体の生成物の、局部的堆積により得られる。この領域は熱処理の後で、非接合領域内の圧力の影響を通じて寸法的に成長させられ得る、非接合領域又は気泡を作り出す。有利なことに、第一の堆積及び/又は第二の堆積は表面に、そのレベルにおいてダイレクトボンディングが行なわれる接合層を含むことができる。有利なことに第一の堆積は、第一の圧電材料の層と、場合により存在する接合層又は表面との間に、電極として役立つことを目的とする金属層を含み得る。有利なことに、第一の圧電材料は単結晶である。そのような層は適切な基板上のエピタキシーによって得ることができるか、或いは第一の基板の表層部分を構成し得る。この場合、第一の基板は第一の圧電材料の固体基板であり得る。その層はまた第一の基板上に堆積されることができる。本発明の1つの変形によれば、本方法は第一の堆積内に、第一の圧電材料の層を少なくとも部分的に備えた領域の境界を、前記堆積の表面と共に定める、埋め込まれた脆い領域を作り出すために、イオン注入ステップを更に含む。本発明のこの変形によれば、薄層化は次に、埋め込まれた脆い領域のレベルにおける破壊によって得られる。本発明の別の変形によれば、薄層化は研削及び研磨によって得られる。有利なことに、研磨ステップは頭字語CMPchemicalandmechanicalpolishing=化学的及び機械的研磨によって、より広く知られているメカノケミカル研磨ステップである。この研磨は、例えばコロイド状シリカに基づく、スラリーslurryとして知られる研磨材を含む溶液の助けによって行なわれる。本発明の1つの変形によれば、圧電材料はLiNbO3又はLiTaO3、或いは更に一般的にはLiTaxNb1-xO3である。層が堆積された場合、圧電材料は特にAIN又はPZTであり得る。本発明の1つの変形によれば、第二の基板はシリコン又は水晶或いはダイヤモンド、もしくはサファイヤで作られる。それは単純、又は複合であり得る。本発明の1つの変形によれば、少なくとも1つの接合層は、SiO2であり得る誘電材料で作られる。本発明の1つの変形によれば、本方法は前記金属層において、電極の定義のステップをさらに含む。本発明の1つの変形によれば、本方法は薄層化ステップの後に、第一と第二の堆積の最終堆積の表面上に上部電極を作るステップをさらに含む。本発明は以下に続く記述を読むことにより、そして添付図のおかげで、より良く理解され、その他の利点が明らかになるであろう。一般に、本発明の方法は、例えばバルク弾性波の伝搬を生じるために、下部電極及び上部電極を有する圧電材料の懸架された膜を備える、バルク弾性波素子及び特にFBAR共振器タイプの素子である、バルク弾性波に基づく素子の製作を可能にし、前記膜はその1つが表面上に少なくとも1つの非接合の開始領域、例えば突き出たナノ構造を含む、2つの支持体の接合による組立てに基づいて生成される気泡の表面上に作られる。懸架された金属膜は薄い圧電材料層を含む。そのような膜を作る方法は、圧電材料の固体基板内に、前記薄い層をこの基板の中で境界を定める、埋め込まれた脆い領域を作り出すためにその固体基板の注入を含み、そして次に前記薄い圧電層を、例えば場合により機械的な力で補助される熱処理による、この脆い領域のレベルでの破壊によって全体的に圧電基板から分離することを含む、既知の熟達した方法に基づき得る。例示的実施形態固体の圧電基板SPiezo例えばLiNbO3、LiTaO3タイプ等が、方向性、材料の性質等の観点からBAW用途のために選定される。1つの変形として、それは圧電材料の表層のみを示す例えばシリコンの支持基板であり得る。それは有利なことに、最終的な共振器用の埋め込まれた電極を目的とする、少なくとも1つの金属層CM1の堆積を含む。この金属層は、銅Cu、銅アルミニウムAlCu、ケイ酸アルミニウムAlSi、タングステンW、モリブデンMo、プラチナPt、クロムCr等に基づき得る。全体としての堆積は、その後に場合によっては接合層CC1で覆われる。これは図3aに例証されるように、次に続くダイレクトボンディング作業を容易にすることが目的の、表面において数百nm例えば200nmの、例えば酸化ケイ素SiO2である、例えば誘電層であってもよい。イオン注入作業は、圧電固体基板内において移されるべき圧電材料の薄い層の境界を定める、埋め込まれた脆い領域Zfrを作り出すため、この基板内で金属層及び接合層の堆積前又は後に行なわれる。この注入は、図3bに例証されているように、例えば1016~1017at/cm2の間の量を有し、そして選ばれる圧電層の厚さに応じて、50keV~250keVの間のエネルギーを有する、水素又はヘリウム、或いはこれら2種類の混合物に基づいて行われ得る。接合作業を目的とする、表面における例えば酸化ケイ素SiO2である、例えば誘電体の接合層の堆積は、図3cに例証されるように、例えばシリコン、サファイヤ、水晶等の圧電材料又は非圧電材料で作られ得る、第二の基板S2に対して平行に行なわれる。この層は選択的であってもよく、前記第二の基板の性質に依存し得ることに注意されたい。基板は、次に続くダイレクトボンディングステップに適合できるように、その後、例えばメカノケミカル研磨によって準備される。この準備は次に続くダイレクトボンディングに対して要望される平坦度及び粗さを得ることを可能にできる。このステップの間/後に、抑制された大きさの粒子が2つの接合界面の1つの上に堆積/生成される。これらの粒子又はμ-パッドは、例えばその後にエッチング、或いは局部的なやり方による抑制された大きさの粒子の堆積が続く、リソグラフィーによって生成され得る。図3dはμ-パッド、μPが層CC1の表面上に作られる構成を例証している。これらの粒子は、非接合の開始領域である。それらは局部的に、これらの領域及び/又はこれらの領域の周りのレベルにおける、2つの基板の接合を防止する。他のタイプの非接合の開始領域はこの後で説明されるであろう。図3eは、接合段階の前に接触している2つの堆積の配置を例証する。2つの基板はその後、論文:TongGosele1999,Q.-Y.Tong,U.Gosele,SemiconductorWaferBonding:ScienceandTechnology[半導体ウェーハ接合:科学と技術],Wiley,NewYork,1999,297pp.に例証されているように、ダイレクトボンディングにより接合される。この論文はとりわけ接合界面における粒子の挙動を記述している。粒子の大きさ特にその高さに応じて、粒子のものと同じ特定の半径及び高さの気泡が形成される。材料に対応する変形係数及び表面エネルギーに関してニオブ酸リチウムの場合に応用すると、理論計算により見出される気泡の半径と、実験的に見出されるその半径の大きさのオーダーは一致している。本発明の場合、出願者は気泡の高さが明らかに粒子の高さよりも大きいことを観察した。気泡の直径及び高さは、加えられる熱収支によって制御される。本発明の方法によれば、埋め込まれた脆い領域のレベルにおける破壊により圧電材料の薄膜の移動を開始するため、熱処理100°C~500°Cの間、望ましくは250°Cが加えられる。この熱処理はまた、突き出たナノ構造の周りに最初に形成される気泡を成長させることができる。粒子の無い領域及び誘発された気泡領域の外側に対しては、その面のダイレクトボンディングが行なわれる。一旦破壊が得られたとき例えば100~500°Cの間望ましくは約250°Cにおける、追加の熱収支の適用は、所望される気泡の横方向寸法の制御を可能にする。図4bに例証されるようにそれはまた突き出たナノ構造から、膜を剥離させることを可能にし得る。この熱収支はまた、大きな寸法の気泡を形成するために、2つ以上の隣接する気泡が一緒になることを可能にし得る。追加の封入層が、本構造を固定するために堆積され得る。図4a及び4bは、従って前記気泡の拡張をもたらす熱処理の前後に、ナノ構造μPの上方の気泡CAVの形成を図式的に示す圧電材料層のみが表わされている。一般的に、100nmオーダーの高さの粒子に対して、達成される最大の気泡は直径1000μmのオーダーである。経験に基づいて、素子の製作に適合する粗さを得るための熱処理及び/又は研磨のような仕上げプロセスが行われ得る。ホストの基板上の追加的な層と共に、圧電材料CPiezoの薄い層がそれゆえ得られる。最終のFBAR共振器は、バルク弾性波の伝搬の領域ZBAWをさらに際立たせている、図5に例証されるように、気泡として形成されたCAVのレベルにおいて、上部の金属電極CM2の堆積により作られる。電気的試験が、懸架された膜の共振圧電特性を示す、そのような構造に対して行なわれた。図6の曲線は、本発明の方法に従って得られる、懸架された膜の電気的応答を例証している。曲線6aは、基板から剥離していない圧電層の応答に対応し、曲線6bは前記剥離した膜に関し、従ってFBAR共振器の最終構造に関する。前述のように、非接合の開始領域は、接合される2つの基板のダイレクトボンディングを局部的に妨げるため、及びそれゆえ界面において局部的に、これら2つの基板を音響的に分離する気泡を生成するために、接合される一方又は双方の基板の表面上に作られ得る。これは、とりわけ表面に存在する炭化水素種又は、液体種或いは固体種を含み得る。これらの種は気体の副産物を生成し得る。適切な熱処理を用いて、この領域は横方向に保持されている懸架された膜の領域を生じるように、非接合領域における圧力の影響を通じて、寸法的に成長させられる。寸法決めの影響に関して、TongandGoeselebook1999p.42の論文が言及され得る。ガス抜きの場合、F.RieutordECS2010の論文は、例えば所与の温度において利用可能な分子又は原子の数Nを示す圧力の関数として、気泡の限界半径寸法Rc非接合の領域を与える。Rcは所与の温度Tにおいて気泡が安定する値である。熱処理の間、圧力はPV=NRTのように増加する。接合エネルギーは、この熱処理の間に増加するが、しかしながらそれは、非接合領域の横方向寸法r及びその高さhの増加のために、その領域が開くことを防ぐには十分でない。さらに、F.RieutordECS2010の論文あるいはTongandGoeselebook1999p.42の論文において定義されているように、rが限界半径よりも大きい場合、非接合領域は吸収されない。これらの制御された汚染は、限界寸法よりも大きい非接合領域の誘発を可能にする。製作において、ガス抜きをし得る汚染物質を、例えばAFMの焦点により接合領域の表面上に堆積させることが可能である。"