"貫通孔を有する絶縁性基材中に、前記貫通孔に充填された導電性材料からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において露出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において露出した状態で設けられる異方導電性部材であって、前記絶縁性基材がアルミニウム基板の陽極酸化皮膜であり、前記アルミニウム基板に含有される金属間化合物の平均円相当直径が2μm以下であり、その密度が100個/mm2以下である、異方導電性部材。前記導通路の密度が1000万個/mm2以上である、請求項1に記載の異方導電性部材。前記導通路の直径が5~500nmである、請求項1または2に記載の異方導電性部材。前記絶縁性基材の厚みが1~1000μmである、請求項1~3のいずれかに記載の異方導電性部材。前記アルミニウム基板の算術平均粗さRaが0.1μm以下である、請求項1~4のいずれかに記載の異方導電性部材。請求項1~5のいずれかに記載の異方導電性部材を製造する異方導電性部材の製造方法であって、少なくとも、前記アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理工程、前記陽極酸化処理工程の後に、前記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して前記絶縁性基材を得る貫通化処理工程、および、前記貫通化処理工程の後に、得られた前記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電性部材を充填して前記異方導電性部材を得る充填工程、を具備する異方導電性部材の製造方法。更に、前記充填工程の後に、化学機械研磨処理によって表面および裏面を平滑化する表面平滑処理工程を具備する、請求項6に記載の異方導電性部材の製造方法。更に、前記充填工程の後に、トリミング処理工程を具備する、請求項6または7に記載の異方導電性部材の製造方法。一方、近年の電子機器の小型化、高機能化の要求に伴い、電子部品や回路基板などの高密度化、薄型化が進んでおり、具体的には、ライン/スペースの間隔が5μm/5μm以下であるような微細回路が使用されるに至っている。そのため、このような電子部品や回路基板などに対応できるよう、異方導電性部材における導通路もその外径太さをより小さくし、かつ、狭ピッチで均一に、欠陥なく配列させる必要が生じている。しかしながら、本発明者らが、上記特許文献1に記載されている異方導電性部材について検討を行ったところ、絶縁性基材中の一部に導通路がない領域欠損領域が生じてしまう場合があることを見出した。このような欠損領域が一部でもあると、例えば、昨今のような微細化された配線を有する回路基板と異方導電性部材を接触させた場合に、回路基板上の配線と異方導電性部材の導通路との接触が形成されない領域が生じて、抵抗率の上昇を招くことになり、いわゆる配線不良が発生する。その結果、電気的接続部材や検査用コネクタなど所望の用途への異方導電性部材の応用が制限されてしまう、といった問題があった。そこで、本発明は、導通路の設置密度を飛躍的に向上させると共に、導通路の欠損領域の発生が抑制された、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品の電気的接続部材や検査用コネクタ等として使用することができる異方導電性部材を提供することを目的とする。本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、所定の大きさおよび密度の金属間化合物を含むアルミニウム基板を使用して製造された異方導電性部材を用いることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、以下の1~8を提供する。1貫通孔を有する絶縁性基材中に、前記貫通孔に充填された導電性材料からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において露出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において露出した状態で設けられる異方導電性部材であって、前記絶縁性基材がアルミニウム基板の陽極酸化皮膜であり、前記アルミニウム基板に含有される金属間化合物の平均円相当直径が2μm以下であり、その密度が100個/mm2以下である、異方導電性部材。2前記導通路の密度が1000万個/mm2以上である、1に記載の異方導電性部材。3前記導通路の直径が5~500nmである、1または2に記載の異方導電性部材。4前記絶縁性基材の厚みが1~1000μmである、1~3のいずれかに記載の異方導電性部材。5前記アルミニウム基板の算術平均粗さRaが0.1μm以下である、1~4のいずれかに記載の異方導電性部材。61~5のいずれかに記載の異方導電性部材を製造する異方導電性部材の製造方法であって、少なくとも、前記アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理工程、前記陽極酸化処理工程の後に、前記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して前記絶縁性基材を得る貫通化処理工程、および、前記貫通化処理工程の後に、得られた前記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電性部材を充填して前記異方導電性部材を得る充填工程、を具備する異方導電性部材の製造方法。7更に、前記充填工程の後に、化学機械研磨処理によって表面および裏面を平滑化する表面平滑処理工程を具備する、6に記載の異方導電性部材の製造方法。8更に、前記充填工程の後に、トリミング処理工程を具備する、6または7に記載の異方導電性部材の製造方法。本発明によれば、導通路の設置密度を飛躍的に向上させると共に、導通路の欠損領域の発生が抑制された、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品の電気的接続部材や検査用コネクタ等として使用することができる異方導電性部材を提供することができる。以下に本発明の異方導電性部材について説明する。本発明の異方導電性部材は、所定の大きさの金属間化合物を所定量含有するアルミニウム基板を使用して得られる絶縁性基材中の貫通孔に、導電路が充填されている。上記のような性質のアルミニウム基板を使用することにより、絶縁性基材中の貫通孔の形状がより直管状となる共に貫通孔の欠損領域の発生が抑えられる。結果として、導通路の欠損領域の少ない、低い抵抗率を示す異方導電性部材を得ることができる。それに対して、アルミニウム基板中の金属間化合物の大きさまたは密度が所定の範囲外の場合、該金属間化合物が含まれる部分において貫通孔の形成が阻害される、または、孔が形成されても導通路の充填が進行しない、といった問題が生じる。次に、本発明の異方導電性部材について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の異方導電性部材の好適な実施態様の一例を示す簡略図であり、図1Aは正面図、図1Bは図1Aの切断面線IB-IBからみた断面図である。本発明の異方導電性部材1は、絶縁性基材2および導電性材料からなる複数の導通路3を具備するものである。この導通路3は、軸線方向の長さが絶縁性基材2の厚み方向Zの長さ厚み以上で、かつ、互いに絶縁された状態で絶縁性基材2を貫通して設けられる。また、この導通路3は、各導通路3の一端が絶縁性基材2の一方の面において露出し、各導通路3の他端が絶縁性基材2の他方の面において露出した状態で設けられるが、図1Bに示すように、各導通路3の一端が絶縁性基材2の一方の面2aから突出し、各導通路3の他端が絶縁性基材2の他方の面2bから突出した状態で設けられるのが好ましい。即ち、各導通路3の両端は、絶縁性基材の主面である2aおよび2bから突出する各突出部4aおよび4bを有するのが好ましい。更に、この導通路3は、少なくとも絶縁性基材2内の部分以下、基材内導通部5ともいう。が、該絶縁性基材2の厚み方向Zと略平行図1においては平行となるように設けられるのが好ましい。具体的には、上記絶縁性基材の厚みに対する上記導通路の中心線の長さ長さ/厚みが、1.0~1.2であるのが好ましく、1.0~1.05であるのがより好ましい。次に、絶縁性基材および導通路の材料、寸法、形成方法等について説明する。<絶縁性基材>本発明の異方導電性部材を構成する上記絶縁性基材は貫通孔を有し、アルミニウム基板の陽極酸化皮膜から構成される。つまり、絶縁性基材は、アルミニウム基板を陽極酸化して得られるアルミナ皮膜から構成される。本発明においては、平面方向の導電部の絶縁性をより確実に担保する観点から、上記貫通孔について下記式iにより定義される規則化度が50以上であるのが好ましく、70以上であるのがより好ましく、80以上であるのが更に好ましい。規則化度=B/A×100i上記式i中、Aは、測定範囲における貫通孔の全数を表す。Bは、一の貫通孔の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一の貫通孔以外の貫通孔の重心を6個含むことになる上記一の貫通孔の測定範囲における数を表す。図2は、貫通孔の規則化度を算出する方法の説明図である。図2を用いて、上記式iをより具体的に説明する。図2Aに示される貫通孔101は、貫通孔101の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円103貫通孔102に内接している。を描いた場合に、円103の内部に貫通孔101以外の貫通孔の重心を6個含んでいる。したがって、貫通孔101は、Bに算入される。図2Bに示される貫通孔104は、貫通孔104の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円106貫通孔105に内接している。を描いた場合に、円106の内部に貫通孔104以外の貫通孔の重心を5個含んでいる。したがって、貫通孔104は、Bに算入されない。また、図2Bに示される貫通孔107は、貫通孔107の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円109貫通孔108に内接している。を描いた場合に、円109の内部に貫通孔107以外の貫通孔の重心を7個含んでいる。したがって、貫通孔107は、Bに算入されない。また、後述する導通路を直管構造とする観点から、上記貫通孔が分岐構造を有しないこと、即ち、陽極酸化皮膜の一方の表面の単位面積あたりの貫通孔数Aと、別表面の単位面積あたりの貫通孔数Bの比率が、A/B=0.90~1.10であるのが好ましく、A/B=0.95~1.05であるのがより好ましく、A/B=0.98~1.02であるのが特に好ましい。本発明においては、上記絶縁性基材の厚み図1Bにおいては符号6で表される部分は、1~1000μmであるのが好ましく、5~500μmであるのがより好ましく、10~300μmであるのが更に好ましい。絶縁性基材の厚みがこの範囲であると、絶縁性基材の取り扱い性が良好となる。また、本発明においては、上記絶縁性基材における上記導通路間の幅図1Bにおいては符号7で表される部分は、10nm以上であるのが好ましく、20~200nmであるのがより好ましい。絶縁性基材における導通路間の幅がこの範囲であると、絶縁性基材が絶縁性の隔壁として十分に機能する。本発明において、絶縁性基材中の貫通孔の導通路による封孔率は95以上であることが、導通抵抗や不純物の混入抑制の点から好ましい。なかでも、98以上がより好ましい。なお、上限は特に制限されないが、100であることが好ましい。封孔率は、絶縁性基材中の貫通孔が導通路で充填されている割合を示し、具体的には、絶縁性基材中の導通路で充填された貫通孔の数/導通路が充填される前の貫通孔の全数により表される。ここで、封孔率は、異方導電性部材の表面および裏面のそれぞれをFE-SEMで観察し、視野内における貫通孔の全数に対する、導通路で封孔されている貫通孔の数の比率封孔貫通孔/全貫通孔から算出した平均値である。<アルミニウム基板の陽極酸化皮膜>本発明においては、上記絶縁性基材は、アルミニウム基板の陽極酸化皮膜であり、アルミニウム基板を陽極酸化し、陽極酸化により生じたマイクロポアを貫通化することにより製造することができる。ここで、陽極酸化および貫通化の処理工程については、後述する本発明の異方導電性部材の製造方法において詳述する。なお、マイクロポアはアルミニウム板の陽極酸化処理時の形成される皮膜中の貫通していない孔を意味し、該マイクロポアを後述する貫通化処理により貫通させた孔を貫通孔と呼ぶ。アルミニウム基板本発明で使用されるアルミニウム基板に含有される金属間化合物の密度は、100個/mm2以下である。上述したように、該性質のアルミニウム基板を使用することにより、絶縁性基材中の貫通孔中への導電路の充填率が高い異方導電性材料を得ることができる。なお、金属間化合物とは、アルミニウム中の合金成分の中で、アルミニウム中に固溶しないものが化合物例えば、FeAl3、FeAl6、α-AlFeSi、TiAl3、CuAl2等として、アルミニウム合金中に共晶の形で晶出したものをいうアルミニウム材料の基礎と工業技術,社団法人軽金属協会発行、32頁等より。また、通常、2種以上の金属元素から形成される化合物であって、成分原子比は必ずしも化学量論比にはならないことが知られている。金属元素の2種以上からなる金属間化合物としては、例えば、Al3Fe、Al6Fe、Mg2Si、MnAl6、TiAl3、CuAl2等の2種の元素からなる金属間化合物;α-AlFeSi、β-AlFeSi等の3種の元素からなる金属間化合物;α-AlFeMnSi、β-AlFeMnSi等の4種の元素からなる金属間化合物が挙げられる。なかでも、導通路の貫通孔への充填率がより向上する点から、CuAl2、Al3Feが好ましい。本発明においては、アルミニウム基板中に含有される金属間化合物の平均円相当直径は2μm以下である。導電路の貫通孔への充填率がより向上する点から、1μm以下であることが好ましく、0.5μm以下であることが好ましい。なお、下限については特に制限されず、小さければ小さいほど好ましいが、工業的な製造条件の下では0.1μm以上であることが好ましい。平均円相当直径が上記範囲外2μm超であると、絶縁性基材上に貫通孔が形成されない領域や、孔が形成されても導通路で充填されない領域が生じ、所定の用途狭ピッチ配線への応用が制限されてしまう。円相当直径とは、SEM写真における金属間化合物の面積と同じ面積を有する円の直径として換算した値である。上記平均円相当直径は次のようにして測定する。まず、アルミニウム基板の表面と断面とを、加速電圧12kV、反射電子像モード、観察倍率10000倍で、測定面積が0.01mm2となるように、SEMJEOL、7400Fで複数視野を観察する。この観察結果から、100個以上の金属間化合物の円相当直径を算出し、その平均をとり、平均円相当直径を得る。金属間化合物の密度は100個/mm2以下であり、80個/mm2以下が好ましく、50個/mm2以下がさらに好ましい。なお、下限は特に限定されず、小さければ小さいほど好ましく、0個/mm3が好ましい。金属間化合物の密度が上記範囲外100個/mm2超であると、絶縁性基材上に貫通孔が形成されない領域や、孔が形成されても導通路で充填されない領域が生じてしまい、結果として得られる異方導電性部材の抵抗率が上昇し、所定の用途への応用が制限されてしまう。なお、金属間化合物の密度は、次のように測定する。まず、アルミニウム基板の表面と断面を、反射電子像モード、観察倍率1000倍で、測定面積が0.1mm2となるように、複数視野をSEMJEOL、7400Fで観察する。この観察結果から、金属間化合物の数をカウントし、その密度を得る。アルミニウム基板の算術平均粗さRaは特に制限されないが、枝分かれしないマイクロポアが形成できることにより、導電路の貫通孔への充填率がより向上し、得られる異方導電性部材の抵抗率がより低下する点から、0.1μm以下であることが好ましく、005μm以下であることがより好ましい。算術平均粗さRaの下限は特に限定されないが、小さければ小さいほど好ましく、0が好ましい。なお、アルミニウム基板の算術平均粗さRaの測定は、例えば、東京精密製サーフコムにより行うことができる。本発明で使用されるアルミニウム基板は、市販品を使用してもよいし、所定の方法で製造してもよい。<アルミニウム基板の製造方法>アルミニウム基板を製造する場合、その製造方法は特に制限されないが、以下の工程を経て製造されることが好ましい。鋳造工程アルミニウム合金溶湯からアルミニウム基板を形成する工程冷間圧延工程上記鋳造工程で得られたアルミニウム基板の厚さを減じさせる工程中間焼鈍工程上記冷間圧延工程で得られたアルミニウム基板に熱処理を行う工程仕上げ冷間圧延工程上記中間焼鈍後のアルミニウム基板の厚さを減じさせる工程以下、それぞれの工程で使用される材料、および、手順について詳述する。<アルミニウム合金溶湯>上記製造方法で製造されるアルミニウム基板は、少なくともFeおよびSiを含有し、不純物としてCuを含有してもよいアルミニウム合金溶湯以下Al溶湯ともいう。から調製されることが好ましい。Siは、原材料であるAl地金に不可避不純物として含有される元素であり、原材料差によるばらつきを防ぐため、意図的に微量添加されることが多い。また、Siは、アルミニウム中に固溶した状態で、または、金属間化合物もしくは単独の析出物として存在する。本発明においては、Al溶湯中のSi量は、0.01質量以下であるのが好ましく、0.008質量以下であることがより好ましく、0.002質量以下であることがさらに好ましい。Feは、アルミニウム合金の機械的強度を高める作用があり、強度に大きな影響を与えるが、アルミニウム中に固溶する量は少なく、ほとんどが金属間化合物として存在する。本発明においては、Al溶湯中のFe量は、0.01~0.03質量であるのが好ましい。Cuは、非常に固溶しやすい元素であり、極一部は金属間化合物として存在する。本発明においては、Al溶湯中のCu量は、0.001~0.004質量が好ましい。Al溶湯は、鋳造時の割れ発生防止のために、結晶粒を微細化する元素例えば、Ti、Bを含有することができるが、一方で微細化剤粒子の残存は陽極酸化皮膜の均一成長を妨げる場合がある。本発明においては、例えば、Tiを0.001~0.003質量の範囲で含有することができる。また、Bを0.001~0.002質量の範囲で含有することができる。また、Al溶湯の残部は、Alおよび不可避不純物からなる。不可避不純物としては、例えば、Mg、Mn、Zn、Cr、Zr,V,Be等が挙げられる。これらはそれぞれ0.001質量以下の範囲で含有することができる。不可避不純物の大部分は、Al地金中に含有される。不可避不純物は、例えば、Al純度99.999質量の地金に含有されるものであれば、本発明の効果を損なわない。不可避不純物については、例えば、L.F.Mondolfo著AluminumAlloys:Structurandproperties1976年等に記載されている量の不純物が含有されていてもよい。<鋳造工程>鋳造工程は、アルミニウム合金溶湯からアルミニウム基板を形成する工程である。該工程の方法は特に制限されず、半連続鋳造DC法:ダイレクトキャスティング法や連続鋳造圧延法CC法:コンティニュアスキャスティング法を用いることができる。DC鋳造の場合は、溶湯を受ける下型で冷却固化され、下型が下部に降下し、側面から水冷されることで、更に冷却され、中心部まで凝固が進む。この場合の冷却速度は0.5~10°C/秒と言われている。本発明における金属間化合物状態をDC鋳造で達成する方法としては、鋳造のサイズを厚さ10cm以下と小さくして、冷却速度を10°C/秒以上にすることが望ましい。なお、DC鋳造を行う場合は、以下の3つの工程を行い、アルミニウム基板を形成することが好ましい。1アルミニウム合金溶湯から鋳塊を形成する半連続鋳造工程2上記半連続鋳造工程で形成される上記鋳塊に面削を施す面削工程3上記面削工程後の上記鋳塊に圧延を施して圧延板を得る熱間圧延工程上記の工程1~3の手順は、特開2010-058315号の段落[0040]~[0046]に記載される。また、連続鋳造圧延法は、上述したAl溶湯を凝固させつつ圧延を行ってアルミニウム基板を形成させる工程であり、双ロール法、ベルトキャスター法などが知られている。具体的には、上述したAl溶湯を、溶湯供給ノズルを介して一対の冷却ローラの間に供給し、該一対の冷却ローラによって該Al溶湯を凝固させつつ圧延を行ってアルミニウム基板を形成させる双ロール法が好適に例示される。連続鋳造圧延法は、Al溶湯を凝固させる際の、Al溶湯の冷却速度凝固速度が高いことが特徴であり、アルミニウム基板中の金属間化合物の大きさがより小さくなる点で、100~800°C/秒であることが好ましく、400~600°C/秒であることがより好ましい。上記を満たすために、鋳造による仕上げ板厚は0.4~1.2mmであることが望ましい。後段において、連続鋳造法の場合の処理方法について詳細に記載する。溶解工程Al溶湯の調製の際には、まず、好ましくは95質量以上のAl地金を溶解炉で溶解し、好ましくは0.03~0.50質量のFeと、好ましくは0.03~0.20質量のSiと、好ましくは1~400ppmのCuと、その他所望の元素を含むように溶解炉に添加し、調整する。フィルタリング処理溶湯のフィルタリングは、通常、セラミックチューブフィルタ、セラミックフォームフィルタ等のフィルタに溶湯を通過させることで行われる。フィルタリングに関しては、特開平6-57432号、特開平3-162530号、特開平5-140659号、特開平4-231425号、特開平4-276031号、特開平5-311261号、特開平6-136466号の各公報等に記載されている。清浄化処理工程Al溶湯は、所望の組成に調製された後、必要に応じて、清浄化処理を施すことができる。清浄化処理としては、例えば、Al溶湯中の水素等の不要ガスを除去するために、フラックス処理、アルゴンガス、塩素ガス等を用いる脱ガス処理が挙げられる。清浄化処理は、常法に従って行うことができる。清浄化処理は、必須ではないが、Al溶湯中の非金属介在物、酸化物等の異物による欠陥や、Al溶湯に溶け込んだガスによる欠陥を防ぐために実施されることが好ましい。通常、回転式のローター等で、溶湯中にAr等の不活性ガスを吹き込み、溶湯中にとけ込んでいる水素ガスをAr気泡内に取り込んで浮上させる浮遊選鉱に類似した方法で行われるか、あるいはフラックス処理によって行われる。脱ガスに関しては、特開平5-51659号公報、実開平5-49148号公報等に記載されている。結晶微細化工程Al溶湯は、結晶粒を微細化する元素を含有していてもよく、具体的には、結晶微細化材としてTiB2を含む母合金をAl溶湯中に添加するのが好ましい。これは、結晶微細化材の添加により、連続鋳造時の結晶粒が微細になりやすいためである。TiB2を含む母合金としては、具体的には、例えば、Ti5、B1、残部がAlと不可避不純物からなるワイヤー状の母合金を使用することができる。ただし、TiB2は、単独では、通常、1~2μmの極めて小さい粒子であるが、凝集して100μm以上の粗大粒子になる場合があり、その場合には、その粗大粒子が表面処理ムラの原因になるので、流路において、かくはん手段を設けるのが好ましい。ろ過工程Al溶湯は、溶湯中に混入した不純物、溶解炉、溶湯流路中に残っていたコンタミ等を除去するためにフィルタでろ過するのが好ましい。また、所望により添加することができるTiB2凝集粒子の流出を抑制する上でも必要であり、結晶微細化材であるTiB2の添加位置より下流にフィルタ槽を配置することが望ましい。ろ過工程およびそれに用いられるフィルタ槽については、特許第3549080号公報に記載されているものが好ましい。供給工程本製造方法においては、上記ろ過工程後のAl溶湯を、上記フィルタ槽から流路を経由して溶湯供給ノズルに供給するのが好ましい。ここで、上記流路の底面に形成された凹部に設けられたかくはん手段が、Al溶湯をかくはんするのが好ましい。これは、TiB2の粗大粒子が、ろ過工程を通過した後、溶湯のよどみ部で再度凝集するのが防止されためである。溶湯供給ノズル溶湯供給ノズルから吐出されたAl溶湯は、冷却ロール表面に接し、凝固を開始する。ここで、溶湯供給ノズルの先端から冷却ロール表面にAl溶湯が移動する際に溶湯メニスカスが形成される。この溶湯メニスカスが振動すると、冷却ロールへの着地点が振動することになり、その結果、凝固履歴が異なる部分が表面に生じ、結晶組織の不均一、微量元素の偏析が起こりやすくなる。このような故障はリップルマークとも呼ばれ、冷間圧延、中間焼鈍、仕上げ冷間圧延を受けた後、表面処理ムラの原因になりやすい。そのため、リップルマークを軽減する観点から、Al溶湯の離脱ポイントを一箇所に安定させるため、溶湯供給ノズルの先端部を、少なくとも先端部下側の外側面の角度がAl溶湯の吐出方向に対して鋭角になるように傾斜させるのが好ましい。例えば、特開平10-58094号公報に記載されている方法を好適に使用することができる。また、メニスカスが振動した際の振幅を小さくするため、ノズルの先端部と冷却ローラ表面との距離を小さくするのが好ましい。具体的には、例えば、溶湯供給ノズルを構成する部材のうち、Al溶湯に上面から接触する上板部材と、Al溶湯に下面から接触する下板部材とが、それぞれ上下方向に可動であり、該上板部材および該下板部材が、それぞれ、Al溶湯の圧力によって加圧され、隣接する冷却ローラの表面に押しつけられる態様が好適に挙げられる。例えば、特開2000-117402号公報に記載されている態様を好適に使用することができる。冷却ローラ冷却ローラは、特に限定されず、例えば、鉄製のコアシェル構造の冷却ローラ等の従来公知のものを使用することができる。コアシェル構造の冷却ローラを用いる場合、コアシェル間に設けた流路中に冷却水を通水することで、冷却ローラ表面の冷却能を高めることができる。また、凝固させたアルミニウムに更に圧力を加えることでアルミニウム基板の厚さを所望の厚さに精度よく揃えることができる。冷却ローラ表面で凝固したアルミニウムはそのままでは、冷却ローラに固着しやすく、連続的に安定して鋳造することが容易でない場合があり、更に付着したAlにより圧延されたAl表面の冷却が遅れることがある。そこで、本発明においては、冷却ローラが、その表面に、離型剤を塗布されるのが好ましい。離型剤としては、耐熱性に優れるものが好ましく、例えば、カーボングラファイトを含有するものが好適に挙げられる。塗布の方法は、特に限定されないが、例えば、カーボングラファイト粒子の懸濁液好ましくは水懸濁液をスプレー塗布する方法が好適に挙げられる。スプレー塗布は、冷却ローラに非接触で離型剤を供給することが可能な点で好ましい。また、離型剤は、ワイパ等の均一化手段に捕捉されたり、連続鋳造されたアルミニウム基板の表面に移動したりするため、定期的に冷却ローラ表面に供給するのが好ましい。DC鋳造の場合は、鋳塊サイズが厚み数十cmになるため、次の冷間圧延工程の前に均熱処理工程、熱間圧延工程を行い、薄板化することが好ましい。均熱処理工程、熱間圧延工程の手順としては、特開2010-058315号の段落[0044]~[0046]に記載される。<冷間圧延工程>鋳造工程後、冷間圧延工程を行う。冷間圧延工程は、鋳造工程で得られたアルミニウム基板の厚さを減じさせる工程である。これにより、アルミニウム基板を所望の厚さにする。冷間圧延工程は、従来公知の方法により行うことができ、具体的には、特開平6-220593号、特開平6-210308号、特開平7-54111号、特開平8-92709号の各公報等に記載されている方法を使用することができる。<中間焼鈍工程>冷間圧延工程後、中間焼鈍工程を行う。上述した冷間圧延工程で蓄えられた加工歪みが、中間焼鈍工程を行うことで、転位が解放されて、再結晶が起こり、結晶粒を更に微細化することができるようになる。具体的には、冷間圧延工程の加工率および中間焼鈍工程の熱処理条件中でも、温度、時間および昇温速度の条件によって、結晶粒を制御することができる。例えば、連続式の焼鈍を行う場合、通常は、300~600°Cで10分間以下加熱するが、400~600°Cで6分間以下加熱するのが好ましく、450~550°Cで2分間以下加熱するのがより好ましい。また、通常は、昇温速度を0.5~500°C/分程度とするが、昇温速度を10~200°C/秒とし、かつ、昇温後の保持時間を短時間10分以内、好ましくは2分以内とすることにより、結晶粒の微細化を促進することができる。バッチ式の焼鈍を用いることも出来るが、昇温→冷却の間に不純物Fe,Siなどが結晶粒界に吐き出され、析出物粒子を形成する可能性が高いため連続焼鈍が望ましい。中間焼鈍工程は、従来公知の方法により行うことができ、具体的には、特開平6-220593号、特開平6-210308号、特開平7-54111号、特開平8-92709号の各公報等に記載されている方法を使用することができる。<仕上げ冷間圧延工程>中間焼鈍工程後、仕上げ冷間圧延工程を行う。仕上げ冷間圧延工程は、中間焼鈍後のアルミニウム基板の厚さを減じさせる工程である。仕上げ冷間圧延工程後の厚さは、0.1~0.5mmであるのが好ましい。冷間圧延工程は、従来公知の方法により行うことができる。例えば、上述した中間焼鈍工程前に行われる冷間圧延工程と同様の方法により行うことができる。平面性矯正工程仕上げ冷間圧延工程後に、平面性矯正工程を行うのが好ましい。平面性矯正工程は、アルミニウム基板の平面性を矯正する工程である。平面性矯正工程は、従来公知の方法により行うことができる。例えば、ローラレベラ、テンションレベラ等の矯正装置を用いて行うことができる。また、この平面性矯正工程は、アルミニウム基板をシート状にカットした後に行ってもよいが、生産性を向上させる観点から、連続したコイルの状態で行うことが好ましい。最終圧延板表面は平滑であることが望ましく、算術表面粗さ:Ra≦0.3μmであることが好ましく、Ra≦0.2μmであることが更に好ましい。強度はハンドリングの観点から60MPa以上であることが好ましい。<導通路>本発明の異方導電性部材を構成する上記導通路は、上記絶縁性基材の中の貫通孔に充填され、導電性材料からなるものである。上記導電性材料は導電性を示す材料であれば特に制限されず、例えば、電気抵抗率が103Ωcm以下の材料であることが好ましく、その具体例としては、金Au、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAl、マグネシウムMg、ニッケルNi、インジウムがドープされたスズ酸化物ITO等の金属が好適に例示される。中でも、電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケルが好ましく、ニッケル、銅、金がより好ましい。また、コストの観点から、導通路の上記絶縁性基材の両面から露出した面や突出した面以下、端面ともいう。の表面だけが金で形成されるのがより好ましい。本発明においては、上記導通路は柱状であり、その直径図1Bにおいては符号8で表される部分は5~500nmであるのが好ましく、20~400nmであるのがより好ましく、30~200nmであるのが特に好ましい。導通路の直径がこの範囲であると、電気信号を流した際に十分な応答を得ることができるため、本発明の異方導電性部材を電子部品の電気的接続部材や検査用コネクタとして、より好適に用いることができる。また、上述したように、上記絶縁性基材の厚みに対する上記導通路の中心線の長さ長さ/厚みは1.0~1.2であるのが好ましく、1.0~1.05であるのがより好ましい。上記絶縁性基材の厚みに対する上記導通路の中心線の長さがこの範囲であると、上記導通路が直管構造であると評価でき、電気信号を流した際に1対1の応答を確実に得ることができるため、本発明の異方導電性部材を電子部品の検査用コネクタや電気的接続部材として、より好適に用いることができる。また、本発明においては、上記導通路の両端が上記絶縁性基材の両面から突出している場合、その突出した部分図1Bにおいては符号4aおよび4bで表される部分。以下、バンプともいう。の高さは、10~100nmであるのが好ましく、10~50nmであるのがより好ましい。バンブの高さがこの範囲であると、電子部品の電極中に浸漬させることにより、図6AおよびBに示すように異方導電性部材1の裏表面に金属電極部60厚み20μmを設けた。金属接続部の大きさは、5μm×5μmであった。次に、異方導電性部材の表裏面に設けられた金属接続部を介して、日置電機株式会社のRM3542を使用して、4端子法にて、異方導電性部材の厚み方向の抵抗率を算出した。なお、実用上の観点からは、抵抗率が1×104Ωm以下であることが必要である。表1中の金属間化合物の密度金属間化合物の平均円相当直径は、使用されるアルミニウム基板中の金属間化合物のそれぞれの数値を意味している。アルミニウム基板のRaは、陽極酸化処理が施されるアルミニウム基板の表面粗さを表す。なお、アルミニウム基板中の金属間化合物の種類としては、CuAl2、Al3Feなどが挙げられる。表1に示すように、所定の金属間化合物の密度を有するアルミニウム板を使用した実施例1~8においては、優れた抵抗率を示し、半導体素子等の電子部品の電気的接続部材や検査用コネクタ等として有用であることが確認された。一方、金属間化合物の密度が所定量以上のアルミニウム板を使用した比較例1においては、得られた異方導電性部材の表面において導通路の欠損領域が多く生じており、結果として抵抗率が大きくなった。このような抵抗率では、異方導電性部材を電気的接続部材などに使用することが困難である。"