"基材上に、下記a~cの各成分を含むポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、a下記一般式1で示される少なくとも1種のシラノール化合物、及び下記一般式2で示される少なくとも1種のアルコキシシラン化合物を混合し、触媒の存在下、積極的に水を添加することなく重合させる方法で得られる、ポリオルガノシロキサン100質量部R1は、少なくとも芳香族基を1つ含む炭素数6~20の基である。R2はエポキシ基及び炭素-炭素二重結合を有する基からなる群より選ばれる少なくとも一種の基を含む炭素数2~17の有機基であり、R3はメチル基またはエチル基である。b光重合開始剤0.2~20質量部cスルファニル基を少なくとも2つ以上含む多価チオール化合物1~50質量部、パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程、該基材ごと加熱する工程からなる方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを含む半導体装置。集積回路が形成された結晶基板上に形成されたミクロ構造体と、該ミクロ構造体を被覆するためのパッケージ材と、該パッケージ材を該ミクロ構造体上に支持するためのスペーサー材とを有する半導体装置において、該スペーサー材が、基材上に、下記a~cの各成分を含むポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、a下記一般式1で示される少なくとも1種のシラノール化合物、及び下記一般式2で示される少なくとも1種のアルコキシシラン化合物を混合し、触媒の存在下、積極的に水を添加することなく重合させる方法で得られる、ポリオルガノシロキサン100質量部R1は、少なくとも芳香族基を1つ含む炭素数6~20の基である。R2はエポキシ基及び炭素-炭素二重結合を有する基からなる群より選ばれる少なくとも一種の基を含む炭素数2~17の有機基であり、R3はメチル基またはエチル基である。b光重合開始剤0.2~20質量部cスルファニル基を少なくとも2つ以上含む多価チオール化合物1~50質量部、パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程、該基材ごと加熱する工程からなる方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを用いてなることを特徴とする半導体装置。上記集積回路がフォトダイオードを含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。上記ミクロ構造体がマイクロレンズであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。集積回路が形成された結晶基板上に形成されたミクロ構造体上に直接または薄膜層を介して下記a~cの各成分を含むポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を形成する工程、a下記一般式1で示される少なくとも1種のシラノール化合物、及び下記一般式2で示される少なくとも1種のアルコキシシラン化合物を混合し、触媒の存在下、積極的に水を添加することなく重合させる方法で得られる、ポリオルガノシロキサン100質量部R1は、少なくとも芳香族基を1つ含む炭素数6~20の基である。R2はエポキシ基及び炭素-炭素二重結合を有する基からなる群より選ばれる少なくとも一種の基を含む炭素数2~17の有機基であり、R3はメチル基またはエチル基である。b光重合開始剤0.2~20質量部cスルファニル基を少なくとも2つ以上含む多価チオール化合物1~50質量部、パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程、該基材ごと加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記記載の触媒が下記一般式3及び下記一般式4で示される金属アルコキシドからなる群より選択される少なくとも1種の金属アルコキシド、アルカリ金属水酸化物並びにアルカリ土類金属水酸化物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物である請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置。M2はホウ素またはアルミニウムを示し、R7は炭素数1~4のアルキル基である。前記触媒として、前記一般式3及び前記一般式4で示される金属アルコキシドからなる群より選択される少なくとも1つの金属アルコキシドを用いることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。前記触媒として、更に、アルカリ金属水酸化物及びアルカリ土類金属水酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物を用いることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。前記記載の触媒が下記一般式3及び下記一般式4で示される金属アルコキシドからなる群より選択される少なくとも1種の金属アルコキシド、アルカリ金属水酸化物並びにアルカリ土類金属水酸化物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物である請求項5に記載の半導体装置の製造方法。M2はホウ素またはアルミニウムを示し、R7は炭素数1~4のアルキル基である。前記触媒として、前記一般式3及び前記一般式4で示される金属アルコキシドからなる群より選択される少なくとも1つの金属アルコキシドを用いることを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。前記触媒として、更に、アルカリ金属水酸化物及びアルカリ土類金属水酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物を用いることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。本発明の課題は、近年の電子部品の絶縁材料や半導体装置における表面保護膜、層間絶縁膜、α線遮蔽膜などの形成、およびイメージセンサーやマイクロマシン、あるいはマイクロアクチュエーターを搭載した半導体装置等に使用される樹脂組成物への要求、すなわちUV-i線での感光特性及び有機薄膜に対する接着性に優れ、250°C以下での低温硬化が可能であり、この加熱硬化の過程での体積収縮が極めて小さく、加熱硬化後の接着性に優れた感光性ポリオルガノシロキサン組成物を実現することにある。本発明は以下の通りである。1下記a~cの各成分を含むポリオルガノシロキサン組成物。a下記一般式1で示される少なくとも1種のシラノール化合物、及び下記一般式2で示される少なくとも1種のアルコキシシラン化合物を混合し、触媒の存在下、積極的に水を添加することなく重合させる方法で得られる、ポリオルガノシロキサン100質量部R1は、少なくとも芳香族基を1つ含む炭素数6~20の基である。R2はエポキシ基及び炭素-炭素二重結合を有する基からなる群より選ばれる少なくとも一種の基を含む炭素数2~17の有機基であり。R3はメチル基またはエチル基である。b光重合開始剤0.2~20質量部cスルファニル基を少なくとも2つ以上含む多価チオール化合物1~50質量部2前記触媒が下記一般式3及び下記一般式4で示される金属アルコキシドからなる群より選択される少なくとも1つの金属アルコキシド、アルカリ金属水酸化物並びにアルカリ土類金属水酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物である1記載のポリオルガノシロキサン組成物。M2はホウ素またはアルミニウムを示し、R7は炭素数1~4のアルキル基である。3前記触媒として、前記一般式3及び前記一般式4で示される金属アルコキシドからなる群より選択される少なくとも1つの金属アルコキシドを用いることを特徴とする2記載のポリオルガノシロキサン組成物。4前記触媒として、更に、アルカリ金属水酸化物及びアルカリ土類金属水酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物を用いることを特徴とする3記載のポリオルガノシロキサン組成物。5基材上に1~4のいずれか一つに記載のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程、該基材ごと加熱する工程からなる、ポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンの形成方法。65に記載の方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターン。76に記載のポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを含む半導体装置。8集積回路が形成された結晶基板上に形成されたミクロ構造体と、該ミクロ構造体を被覆するためのパッケージ材と、該パッケージ材を該ミクロ構造体上に支持するためのスペーサー材とを有する半導体装置において、該スペーサー材が6に記載のポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを用いてなることを特徴とする半導体装置。9上記集積回路がフォトダイオードを含むことを特徴とする8に記載の半導体装置。10上記ミクロ構造体がマイクロレンズであることを特徴とする8に記載の半導体装置。11集積回路が形成された結晶基板上に形成されたミクロ構造体上に直接または薄膜層を介して1~4のいずれか一つに記載のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を形成する工程、パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程、該基材ごと加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明の組成物は、UV-i線での感光特性及び有機薄膜に対する接着性に優れ、250°C以下での低温硬化が可能であり、この加熱硬化の過程での体積収縮が極めて小さい。また、本発明の硬化レリーフパターンは、低デガス性に優れる。さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、低デガス性に優れる硬化レリーフパターンを有する半導体装置の製造を可能とする。本発明の組成物を構成する各成分について、以下具体的に説明する。<ポリオルガノシロキサン組成物>aポリオルガノシロキサン本発明の組成物に用いられるポリオルガノシロキサンは、下記一般式1で示される少なくとも1種のシラノール化合物、及び下記一般式2で示される少なくとも1種のアルコキシシラン化合物を混合し、触媒の存在下、積極的に水を添加することなく重合させる方法で得られるものである。R1は、少なくとも芳香族基を1つ含む炭素数6~20の基である。R2はエポキシ基及び炭素-炭素二重結合を有する基からなる群より選ばれる少なくとも一種の基を含む炭素数2~17の有機基である。R3はメチル基またはエチル基である。この際、触媒としては、下記一般式3及び4で示される金属アルコキシドからなる群より選択される少なくとも1つの金属アルコキシド、アルカリ金属水酸化物並びにアルカリ土類金属水酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物が好ましく用いられる。M2はホウ素またはアルミニウムを示し、R7は炭素数1~4のアルキル基である。上記一般式1で示される少なくとも1種のシラノール化合物以下、シラノール化合物、と略称する場合もあるにおいて、R1は少なくとも芳香族基をひとつ含む炭素数6~20の基である。具体的には、以下の構造で表される基の中から選ばれる少なくとも1つの基であることが好ましい。Aは炭素原子数1~4のアルキル基、-CH=CH2、-CH=CH-CH3または-CH2-CH=CH2のいずれかであり、yは0、1または2の整数である。好適なシラノール化合物としては、例えば、ジフェニルシランジオール、ジ-p-トルイルシランジオール、ジ-p-スチリルシランジオール、ジナフチルシランジオールが挙げられる。価格、入手性、性能などを考慮すると、ジフェニルシランジオールが特に好適である。上記一般式2で示される少なくとも1種のアルコキシシラン化合物以下、アルコキシシラン化合物、と略称する場合もあるにおいて、R2はエポキシ基及び炭素-炭素二重結合を有する基からなる群より選ばれる少なくとも一種の基を含む炭素数2~17の有機基である。R3はメチル基またはエチル基である。R2の具体例としては、以下の構造で表される基の中から選ばれる少なくとも1つの基であることが好ましい。Bは炭素原子数1~4のアルキル基であり、zは0、1または2の整数である。好適なアルコキシシラン化合物としては、例えば、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、1-プロペニルトリメトキシシラン、1-プロペニルトリエトキシシラン、2-プロペニルトリメトキシシラン、2-プロペニルトリエトキシシラン、3-メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-アクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシラン、p-スチリルトリエトキシシラン、p-1-プロペニルフェニルトリメトキシシラン、p-1-プロペニルフェニルトリエトキシシラン、p-2-プロペニルフェニルトリメトキシシラン、p-2-プロペニルフェニルトリエトキシシランなどが挙げられる。優れた感光特性を得るためには、光重合性の炭素-炭素二重結合を有する、3-メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-アクリロイルオキシプロピルトリエトキシシランがより好ましく、価格や有害性、性能などを考慮すると、3-メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシランが特に好適である。本発明における触媒とは、上記一般式1で示されるシラノール化合物のシラノール基と上記一般式2で示されるアルコキシシラン化合物のアルコキシシリル基との脱アルコール縮合反応を促進する化合物であり、本発明に好適な触媒としては上記一般式3及び一般式4からなる群より選択される少なくとも1つの金属アルコキシド以下、金属アルコキシド、と略称する場合もある並びにアルカリ金属水酸化物及びアルカリ土類金属水酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物が挙げられる。上記一般式3及び上記一般式4で示される金属アルコキシドは、上記一般式1で示されるシラノール化合物のシラノール基と上記一般式2で示されるアルコキシシラン化合物のアルコキシシリル基の脱アルコール縮合反応を触媒しつつ、自身もアルコキシ基含有化合物として振る舞って脱アルコール縮合反応に関与し、ポリオルガノシロキサン分子内に取り込まれる。その混合比率は、シラノール化合物とアルコキシシラン化合物を1:1で混合するのを基本とし、ここに本発明の金属アルコキシドを混合するに際して、アルコキシシラン化合物の一部を置き換えるアルコキシシラン化合物混合量を一定の比率で減じる形で全体の混合比を調整するのが好ましい。具体的には、金属アルコキシドとして、上記一般式3で示される4価の金属アルコキシドを用いる場合には、4価の金属アルコキシドとアルコキシシラン化合物を、それぞれ1:2のモル比で換算し、置き換える4価の金属アルコキシド混合量を1モル増やす毎に、アルコキシシラン化合物を2モル減じるのが好ましい。また、上記一般式4で示される3価の金属アルコキシドを用いる場合には、3価の金属アルコキシドとアルコキシシラン化合物を、それぞれ2:3のモル比で換算し、置き換えるのが好ましい。また、好適な3価もしくは4価の金属アルコキシドとしては、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリ-n-プロポキシアルミニウム、トリ-iso-プロポキシアルミニウム、トリ-n-ブトキシアルミニウム、トリ-iso-ブトキシアルミニウム、トリ-sec-ブトキシアルミニウム、トリ-tert-ブトキシアルミニウム、トリメトキシボロン、トリエトキシボロン、トリ-n-プロポキシボロン、トリ-iso-プロポキシボロン、トリ-n-ブトキシボロン、トリ-iso-ブトキシボロン、トリ-sec-ブトキシボロン、トリ-tert-ブトキシボロンテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ-n-プロポキシシラン、テトラ-iso-プロポキシシラン、テトラ-n-ブトキシシラン、テトラ-iso-ブトキシシラン、テトラ-sec-ブトキシシラン、テトラ-tert-ブトキシシラン、テトラメトキシゲルマニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テトラ-n-プロポキシゲルマニウム、テトラ-iso-プロポキシゲルマニウム、テトラ-n-ブトキシゲルマニウム、テトラ-iso-ブトキシゲルマニウム、テトラ-sec-ブトキシゲルマニウム、テトラ-tert-ブトキシゲルマニウム、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラ-n-プロポキシチタン、テトラ-iso-プロポキシチタン、テトラ-n-ブトキシチタン、テトラ-iso-ブトキシチタン、テトラ-sec-ブトキシチタン、テトラ-tert-ブトキシチタン、テトラメトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトラ-n-プロポキシジルコニウム、テトラ-iso-プロポキシジルコニウム、テトラ-nブトキシジルコニウム、テトラ-iso-ブトキシジルコニウム、テトラ-sec-ブトキシジルコニウム、テトラ-tert-ブトキシジルコニウム等が挙げられる。迅速かつ均一な重合反応を達成するには反応温度領域で液状であることが好ましく、また触媒としての活性の高さや入手性等を考慮すると、テトラ-iso-プロポキシチタンが特に好適である。本発明のポリオルガノシロキサンを重合生成する際の加熱温度は、生成するポリオルガノシロキサンの重合度を制御する上で重要なパラメーターである。目的の重合度にもよるが、上記原料混合物を概略70°C~150°C程度に加熱し、重合させるのが好ましい。上記一般式1で示されるシラノール化合物に対して、金属アルコキシドの重合時の添加量が2モルを下回ると、上記好適温度範囲以上に加熱したとしても、ポリオルガノシロキサンの重合度を思うように上げることができない。このような場合、アルカリ金属水酸化物またはアルカリ土類金属水酸化物を触媒として適量添加すると、金属アルコキシドの不足分を補って、生成するポリオルガノシロキサンの重合度を適度に制御することが可能となる。好適なアルカリ金属水酸化物としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが挙げられる。また、好適なアルカリ土類金属水酸化物としては、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム、水酸化バリウムなどのアルカリ土類金属水酸化物およびその水和物などが挙げられる。金属アルコキシドの重合添加量の上限は、目的とするポリオルガノシロキサンの性能に依存する。優れた感光特性を達成するには、前述の光重合性の炭素-炭素二重結合を有するアルコキシシラン化合物は必須であり、その最低必要量から計算して、金属アルコキシドの重合添加量の上限は、aシラノール化合物に対して、好ましくは40モル以下、より好ましくは30モル以下である。b光重合開始剤本発明の組成物には、感光性を付与する目的で、光重合開始剤を添加することが重要である。好ましいものとしては以下の化合物が挙げられる。1ベンゾフェノン誘導体:例えば、ベンゾフェノン、o-ベンゾイル安息香酸メチル、4-ベンゾイル-4-メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン2アセトフェノン誘導体:例えば、2,2-ジエトキシアセトフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2-メチル-1-4-メチルチオフェニル-2-モルフォリノプロパン-1-オン、2-ヒドロキシ-1-{4-4-2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオニル-ベンジル-フェニル}-2-メチルプロパン-1-オン、フェニルグリオキシル酸メチル3チオキサントン誘導体:例えば、チオキサントン、2-メチルチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン4ベンジル誘導体:例えば、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル-β-メトキシエチルアセタール5ベンゾイン誘導体:例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、2-ヒドロキシ-2-メチル-1フェニルプロパン-1-オン6オキシム系化合物:例えば、1-フェニル-1,2-ブタンジオン-2-Oメトキシカルボニルオキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-O-メトキシカルボニルオキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-O-エトキシカルボニルオキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-O-ベンゾイルオキシム、1,3-ジフェニルプロパントリオン-2-O-エトキシカルボニルオキシム、1-フェニル-3-エトキシプロパントリオン-2-O-ベンゾイルオキシム、1,2-オクタンジオン,1-4-フェニルチオ-2-O-ベンゾイルオキシム、エタノン,1-9-エチル-6-2-メチルベンゾイル-9H-カルバゾール-3-イル-,1-O-アセチルオキシム7α-ヒドロキシケトン系化合物:例えば、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オン、1-4-2-ヒドロキシエトキシフェニル-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン、2-ヒドロキシ-1-{4-4-2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオニル-ベンジルフェニル}-2-メチルプロパン8α-アミノアルキルフェノン系化合物:例えば、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニル-ブタノン-1、2-ジメチルアミノ-2-4-メチルベンジル-1-4-モルフォリン-4-イル-フェニルブタン-1-オン9フォスフィンオキサイド系化合物:例えば、ビス2,4,6-トリメチルベンゾイル-フェニルフォスフィンオキサイド、ビス2,6-ジメトキシベンゾイル-2,4,4-トリメチル-ペンチルフォスフィンオキサイド、2,4,6-トリメチルベンゾイル-ジフェニル-フォスフィンオキサイド10チタノセン化合物:例えば、ビスη5-2,4-シクロペンタジエン-1-イル-ビス2,6-ジフルオロ-3-1H-ピロール-1-イルフェニルチタニウムまた、これらの使用にあたっては、単独でも2種以上の混合物でもかまわない。上記した光重合開始剤の中では、特に光感度の点で、8のα-アミノアルキルフェノン系化合物がより好ましい。その添加量は、本発明のaポリオルガノシロキサン成分100質量部に対して、0.2~20質量部とするのが好ましく、1~10質量部とするのがより好ましい。添加量が0.2質量部を上回ると、露光に際して、光ラジカル重合が充分に進行するだけのラジカルが供給されるため、露光部の硬化が進行し、実用的なレリ-フパターンを得ることができる。また、逆に添加量が20質量部を下回ると、塗膜表面付近での露光吸収が大きくなりすぎることを防ぐため、基板面付近まで露光光線が到達し、よって光ラジカル重合が膜厚方向で均一に起り、実用的なレリ-フパターンを得ることができる。c多価チオール化合物本発明の組成物には、有機薄膜への接着性を改善する目的で、スルファニル基-SH基、メルカプト基を少なくとも2つ以上含む多価チオール化合物を添加することが重要である。チオール基を1つ含む1価チオール化合物の添加では有機薄膜への接着性の改善効果は得られない。好ましいものとしては以下の化合物が挙げられる。12価チオール化合物1,2―エタンジチオール、1,2-プロパンジチオール、1,3-プロパンジチオール、1,4-ブタンジチオール、2,3-ブタンジチオール、1,5-ペンタンジチオール、1,6-ヘキサンジチオール、1,10-デカンジチオール、2,3-ジヒドロキシ-1,4-ブタンジチオール、3,6-ジオキサー1,8-オクタンジチオール、3,7-ジチアー1,9-ノナンジチオール、1,2-ベンゼンジチオール、1,3-ベンゼンジチオール、1,4-ベンゼンジチオール、2,3-ジアミノー1,4-ベンゼンジチオール、4,5-ジメチル-O-キシレンジチオール、トルエンー3,4-ジチオール、4,4-ビフェニルジチオール、1,5-ナフタレンジチオール、6-ジブチルアミノ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジチオール、2-アミノ-1,3,5-トリアジン-4,6-ジチオール、6-アニリノ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジチオール、6-4-アニリノフェニルiso-プロピルアミノ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジチオール、6-3,5-tert-ブチル-4-ヒドロキシアニリノ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジチオール、キノキサリンー2,3-ジチオール、プリン-2,6-ジチオール、1,3,4-チアジアゾールー2,5-ジチオール、1,4-ビス3-メルカプトブチリルオキシブタン昭和電工株製カレンズMTBD123価チオール化合物1,3,5-ベンゼントリチオール、s-トリアジン-2,4,6-トリチオール、1,3,5-トリス3-メルカプトブチルオキシエチル-1,3,5-トリアジン-2,4,61H,3H,5H-トリオン昭和電工株製カレンズMTNR134価チオール化合物ペンタエリスリトールテトラキス3-メルカプトブチレート昭和電工株製カレンズMTPE1また、これらの使用にあたっては、単独でも2種以上の混合物でもかまわない。これらの多価チオール化合物のなかで有機薄膜への接着性について23価チオールである1,3,5-トリス3-メルカプトブチルオキシエチル-1,3,5-トリアジン-2,4,61H,3H,5H-トリオン昭和電工株製カレンズMTNR1が特に好適である。その添加量は、本発明のa成分100質量部に対して、1~50質量部であることが好ましく、10~30質量部であることがより好ましい。添加量が1質量部を上回ると、有機薄膜への接着性は改善される。添加量が50質量部を下回ると、加熱硬化の過程での体積収縮が小さく好ましい。本発明の組成物には、製膜特性や感光特性並びに硬化後の力学特性を改善する目的で、a成分以外の光重合性の不飽和結合基を有する化合物を添加することが出来る。このものとしては、光重合開始剤の作用により重合可能な多官能メタアクリル化合物が好ましく、例えば、ポリエチレングリコールジアクリレートエチレングリコールユニットの数2~20、ポリエチレングリコールジメタクリレートエチレングリコールユニットの数2~20、ポリ1,2-プロピレングリコールジアクリレート1,2-プロピレングリコールユニット数2~20、ポリ1,2プロピレングリコールジメタクリレート1,2-プロピレングリコールユニット数2~20、ポリテトラメチレングリコールジアクリレートテトラメチレングリコールユニット数2~10、ポリテトラメチレングリコールジメタクリレートテトラメチレングリコールユニット数2~10、1,4-シクロヘキサンジアクリレート、1,4-シクロヘキサンジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレートエチレングリコールユニットの数2~20、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリ-2-ヒドロキシエチルイソシアヌレートトリアクリレート、トリ-2-ヒドロキシエチルイソシアヌレートトリメタクリレート、グリセロールジアクリレート、グリセロールジメタクリレート、ジトリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、メチレンビスアクリルアミド、エチレングリコールジグリシジルエーテルメタクリル酸付加物、グリセロールジグリシジルエーテル-アクリル酸付加物、ビスフェノールAジグリシジルエーテル-アクリル酸付加物、ビスフェノールAジグリシジルエーテル-メタクリル酸付加物、エトキシ化ビスフェノールAジアクリレートエチレングリコールユニットの数2~30、エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレートエチレングリコールユニットの数2~30、N,N-ビス2-メタクリロイルオキシエチル尿素などが挙げられる。また、これらの使用にあたっては、必要に応じて、単独でも2種以上を混合して用いてもかまわない。添加する場合の添加量は、本発明のa成分100質量部に対して、1~100質量部であることが好ましく、5~50質量部であることがより好ましい。本発明の組成物には、ソフトベーク後のコーティング膜のタック性や流動性を改善する目的で、シリコーンレジンを添加することができる。ここでいうシリコーンレジンとは、例えば、日刊工業新聞社刊シリコーンハンドブック1990に記されている、アルコキシシリル基やクロロシリル基などの加水分解性基を2~4個有するオルガノシラン化合物を共加水分解し重合して得られる三次元網目構造をとったポリマーのことを指す。本発明の目的においては、その中でも、メチル系、フェニル系、フェニルメチル系、フェニルエチル系、フェニルプロピル系などの、いわゆるストレートシリコーンレジンを添加することが好ましい。これらの例としては、KR220L、KR242A、KC89、KR400、KR500以上信越化学工業製などのメチルシリコーンレジン、217フレーク東レダウコーニング製、SR-20、SR-21以上小西化学工業製などのフェニル系シリコーンレジン、KR213、KR9218以上信越化学工業製、220フレーク、223フレーク、249フレーク以上東レダウコーニング製などのフェニルメチル系シリコーンレジン、SR-23小西化学工業製などのフェニルエチル系シリコーンレジン、Z-6018東レダウコーニング製などのフェニルプロピル系シリコーンレジン等が挙げられる。タック性や流動性の改善という目的では、より架橋密度が高く、常用温度域で固体であるシリコーンレジンの添加が好ましく、その意味では上記好適例の中でも、フェニル系もしくはフェニルプロピル系のシリコーンレジンを選択することが特に好ましい。更に、その構造中にシラノール残基を一部有するものを選択した方が、タック性や流動性の改善効果が更に高まる傾向が、本発明者らの検討で明らかになっており、好ましい。これら本発明に好適なシリコーンレジンの添加量は、本発明のa成分100質量部に対して50~200質量部であることが好ましい。タック性や流動性の改善効果を得るには最低でも50質量部以上は必要であり、また200質量部以下であれば、i線感光性などのリソグラフィー特性を維持することが可能である。本発明の組成物には、溶媒を添加して粘度を調整することもできる。好適な溶媒としては、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチル-2-ピロリドン、N-エチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、ピリジン、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、α-アセチル-γ-ブチロラクトン、テトラメチル尿素、1,3-ジメチル-2-イミダゾリノン、N-シクロヘキシル-2-ピロリドン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アニソール、酢酸エチル、乳酸エチル、乳酸ブチルなどが挙げられ、これらは単独または二種以上の組み合わせで用いることができる。これらの中でも、N-メチル-2-ピロリドンやγ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが、特に好ましい。これらの溶媒は、塗布膜厚、粘度に応じて、本発明の組成物に適宜加えることができるが、本発明のa成分100質量部に対し、5~100質量部の範囲で用いることが好ましい。本発明の組成物には、所望に応じ、光感度向上のための増感剤を添加することができる。このような増感剤としては、例えば、ミヒラーズケトン、4,4-ビスジエチルアミノベンゾフェノン、2,5-ビス4-ジエチルアミノベンジリデンシクロペンタノン、2,6-ビス4-ジエチルアミノベンジリデンシクロヘキサノン、2,6-ビス4-ジメチルアミノベンジリデン-4-メチルシクロヘキサノン、2,6-ビス4-ジエチルアミノベンジリデン-4-メチルシクロヘキサノン、4,4-ビスジメチルアミノカルコン、4,4-ビスジエチルアミノカルコン、2-4-ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、2-4-ジメチルアミノベンジリデンインダノン、2-p-4-ジメチルアミノビフェニルベンゾチアゾール、1,3-ビス4-ジメチルアミノベンジリデンアセトン、1,3-ビス4-ジエチルアミノベンジリデンアセトン、3,3-カルボニル-ビス7-ジエチルアミノクマリン、3-アセチル-7-ジメチルアミノクマリン、3-エトキシカルボニル-7-ジメチルアミノクマリン、3-ベンジロキシカルボニル-7-ジメチルアミノクマリン、3-メトキシカルボニル-7-ジエチルアミノクマリン、3-エトキシカルボニル-7-ジエチルアミノクマリン、N-フェニル-N-エチルエタノールアミン、N-フェニルジエタノールアミン、N-p-トリルジエタノールアミン、N-フェニルエタノールアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチルアニリン、4-モルホリノベンゾフェノン、4-ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、4-ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、ベンズトリアゾール、2-メルカプトベンズイミダゾール、1-フェニル-5-メルカプト-1,2,3,4-テトラゾール、1-シクロヘキシル-5-メルカプト-1,2,3,4-テトラゾール、1-tert--ブチル-5-メルカプト-1,2,3,4-テトラゾール、2-メルカプトベンゾチアゾール、2-p-ジメチルアミノスチリルベンズオキサゾール、2-p-ジメチルアミノスチリルベンズチアゾール、2-p-ジメチルアミノスチリルナフト1,2-pチアゾール、2-p-ジメチルアミノベンゾイルスチレンなどが挙げられる。また、使用にあたっては、単独でも2種以上の混合物でもかまわない。添加する場合の添加量は、他の添加剤成分量との兼ね合いもあるが、本発明のa成分100質量部に対して0.1~10質量部であることが好ましく、0.5~5質量部であることがより好ましい。本発明の組成物には、所望に応じ、保存時の粘度や光感度の安定性を向上させる目的で、重合禁止剤を添加することができる。このような重合禁止剤としては、例えば、ヒドロキノン、N-ニトロソジフェニルアミン、p-tert-ブチルカテコール、フェノチアジン、N-フェニルナフチルアミン、エチレンジアミン四酢酸、1,2-シクロヘキサンジアミン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、2,6-ジ-tert-ブチル-p-メチルフェノール、5-ニトロソ-8-ヒドロキシキノリン、1-ニトロソ-2-ナフトール、2-ニトロソ-1-ナフトール、2-ニトロソ-5-N-エチル-N-スルフォプロピルアミノフェノール、N-ニトロソ-N-フェニルヒドロキシアミンアンモニウム塩、N-ニトロソ-N-フェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、N-ニトロソ-N-1-ナフチルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニルメタンなどを用いることができる。添加する場合の添加量は、本発明のa成分100質量部に対して、0.01~5質量部であることが好ましく、0.01~1質量部であることがより好ましい。本発明の組成物には、さらに密着性を向上させる目的で、シランカップリング剤を添加することが出来る。シランカップリング剤の例としては以下のようなものが挙げられる。以下、アルコキシの表記はメトキシ基又はエトキシ基のことを指す。ビニルトリアルコキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリアルコキシシラン、3-グリシドキプロピルトリアルコキシシラン、3-グリシドキプロピルメチルジアルコキシシラン、p-スチリルトリアルコキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリアルコキシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジアルコキシラン、3-アクリロキシプロピルトリアルコキシラン、3-アクリロキシプロピルメチルジアルコキシラン、N-2アミノエチル-3-アミノプロピルトリアルコキシシラン、N-2アミノエチル-3-アミノプロピルメチルジアルコキシシラン、3-アミノプロピルトリアルコキシシラン、3-トリアルコキシシリル-N-1.3-ジメチル-ブチリデンプロピルアミン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリアルコキシシラン、3-ウレイドプロピルトリアルコキシシラン、3-ウレイドプロピルメチルジアルコキシシラン、3-メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジアルコキシシラン、ビストリアルコキシシリルプロピルテトラスルフィド、3-イソシアナトプロピルトリアルコキシシランなどを用いることができる。添加する場合の添加量は、本発明のa成分100質量部に対して、0.1~50質量部であることが好ましく、2~35質量部であることがより好ましい。以上の他にも、本発明の組成物には紫外線吸収剤、塗膜平滑性付与剤などをはじめ、本発明の組成物の諸特性を阻害するものでない限り、必要に応じて、種々の添加剤を適宜配合することができる。<ポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンの形成方法>次に、本発明の組成物を用いてポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを形成する方法の好適例を以下に示す。[ポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程]該組成物をシリコンウェハー、セラミック基板、アルミ基板など及びこれらに有機薄膜を形成した基板の他、所望の各種基材上に塗布する。塗布装置または塗布方法としては、スピンコーター、ダイコータ-、スプレーコーター、浸漬、印刷、ブレードコーター、ロールコーティング等が利用できる。塗布後、80~200°Cでソフトベークしても良い。[パターニングマスクを介して塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程]コンタクトアライナー、ミラープロジェクション、ステッパー等の露光投影装置を用いて、所望のフォトマスクを介して活性光線を照射する。活性光線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線などが利用できるが、本発明においては、200~500nmの波長のものを用いるのが好ましい。パターンの解像度及び取扱い性の点で、その光源波長は、特にUVのi線365nmが好ましく、露光投影装置としてはステッパーが特に好ましい。露光後、光感度の向上などの目的で、必要に応じて、任意の温度、時間の組み合わせ好ましくは温度40°C~200°C、時間10秒~360秒による露光後ベークPEBや、現像前ベークを施しても良い。[現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程]現像方法としては、浸漬法、パドル法、及び回転スプレー法等の方法から選択して行うことが出来る。これにより、現像後レリーフパターンが得られる。現像液としては、本発明の組成物の良溶媒を単独で、もしくは良溶媒と貧溶媒を適宜混合して用いることが出来る。良溶媒としては、N-メチル-2-ピロリドン、N-アセチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γブチロラクトン、α-アセチル-ガンマブチロラクトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、などが、貧溶媒としてはメタノール、エタノール、iso--プロパノール、及び水などが用いられる。現像終了後、リンス液により洗浄を行い、現像液を除去することにより、レリーフパターン付き塗膜が得られる。リンス液としては、蒸留水、メタノール、エタノール、iso-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、iso-ブチルアルコール、及び4-メチルーペンタノール等を単独または適宜混合して用いたり、また段階的に組み合わせて用いたりすることもできる。[基材ごと加熱する工程]得られた現像後レリーフパターンは、150~250°Cという、従来よりも遙かに低い硬化温度でポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターン以下、硬化レリーフパターン、と略称する場合もある。に変換される。この加熱硬化は、ホットプレート、イナートオーブン、温度プログラムを設定できる昇温式オーブンなどを用いて行うことが出来る。加熱硬化させる際の雰囲気気体としては空気を用いてもよく、必要に応じて窒素、アルゴン等の不活性ガスを用いてもよい。上述した硬化レリーフパターンを、シリコンウェハー等の基材上に形成された半導体装置の表面保護膜、層間絶縁膜、α線遮蔽膜、またはマイクロレンズアレイなどのミクロ構造体とそのパッケージ材との間の支持体隔壁からなる群から選択されるいずれかとして使用し、他の工程は周知の半導体装置の製造方法を適用することで、CMOSイメージセンサなどの光学素子を含む、各種の半導体装置を製造することができる。また、上述した組成物を硬化させた樹脂からなる塗膜を有する電子部品や半導体装置を得ることができる。集積回路が形成された結晶基板上に形成されたミクロ構造体と、前記ミクロ構造体を被覆するためのパッケージ材と、前記パッケージ材を前記ミクロ構造体上に支持するためのスペーサー材とを有する半導体装置において、前記スペーサー材として本発明のポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを用いて半導体装置とすることもできる。ここで、集積回路の具体例としては、シリコン、ニオブ酸リチウム、酒石酸リチウム又は水晶を含んでいる結晶基板やフォトダイオードが挙げられる。ミクロ構造体とは、ミクロンサイズの機械的、光機械的、電子機械的なデバイスを意味する。具体的には、マイクロレンズが挙げられる。パッケージ材は、好ましくは透明であって、ガラスで形成されていても良い。上記半導体装置の製造方法としては、ミクロ構造体上に直接または薄膜層を介して本発明のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を形成する工程、スペーサー材を形成したい部分のみ開口部を有しているパターニングマスクを介して該膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該膜の未硬化の部分を除去する工程、基材ごと加熱する工程を含む製造方法が挙げられる。各工程は上述の方法により行うことが出来る。次に、実施例および比較例によって、本発明を説明する。[合成例1]ポリオルガノシロキサンP-1の合成水冷コンデンサーおよびバキュームシール付き撹拌羽根を装着した容量2リットルの丸底フラスコに、ジフェニルシランジオール以下DPD540.78g2.5mol、3-メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン以下MEMO577.41g2.325mol、テトラ-iso-プロポキシチタン以下TIP24.87g0.0875molを仕込み、撹拌を開始した。これをオイルバスに浸け、加熱温度を120°Cに設定し、室温より加熱を開始した。途中、重合反応の進行に伴って発生するメタノールを水冷コンデンサーで還留させつつ、反応溶液温度が一定となるまで反応させ、その後更に30分間、加熱撹拌を継続した。その後、コールドトラップと真空ポンプとに接続されたホースを装着し、オイルバスを用いて80°Cで加熱しつつ強撹拌し、メタノールが突沸しない程度に徐々に真空度を上げていくことによりメタノールを留去し、ポリオルガノシロキサンP-123°Cにおける粘度100ポイズを得た。[合成例2]ポリオルガノシロキサンP-2の合成水冷コンデンサーおよびバキュームシール付き撹拌羽根を装着した容量2リットルの丸底フラスコに、DPDを432.62g2.0mol、MEMOを495.71g1.996mol、TIPを0.568g0.002mol、水酸化ナトリウムを0.16g0.004molを仕込み、撹拌を開始した。これをオイルバスに浸け、加熱温度を80°Cに設定し、室温より加熱を開始した。途中、重合反応の進行に伴って発生するメタノールを水冷コンデンサーで還流させつつ、反応溶液温度が一定となるまで反応させ、その後更に30分間、加熱撹拌を継続した。その後、反応溶液を室温まで冷却し、イオン交換樹脂オルガノ株製アンバーリスト15、乾燥重量40gをメタノールで膨潤洗浄したものを充填したガラスカラムに通液させ、ナトリウムイオンを除去した。これをバキュームシール付き撹拌羽根、およびコールドトラップと真空ポンプとに接続されたホースを装着した丸底フラスコに移し、80°Cに加熱したオイルバスに浸け、強撹拌しつつ、メタノールが突沸しない程度に徐々に真空度を上げていくことによりメタノールを留去し、ポリオルガノシロキサンP-223°Cにおける粘度50ポイズを得た。ICP-MSイオン分析の結果、P-2中のナトリウムイオン濃度は1ppm未満であった。[合成例3]ポリオルガノシロキサンP-3の合成合成例1におけるTIPをテトラ-iso-プロポキシジルコニウムとした以外は合成例1と同様にして、ポリオルガノシロキサンP-323°Cにおける粘度78ポイズを得た。[実施例1]ポリオルガノシロキサン組成物C-1の調製合成例1で得られたポリオルガノシロキサンP-1を100質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニル-ブタノン-1チバスペシャリティケミカルズ製IRGACURE369を4質量部、4,4-ビスジエチルアミノベンゾフェノンを0.5質量部、1,4-ビス3-メルカプトブチリルオキシブタン昭和電工株製カレンズMTBD1を25質量部、ポリテトラメチレングリコールジメタクリレートテトラメチレングリコールユニット数8日本油脂製PDT-650を30質量部、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを30質量部、シリコーンレジン東レダウコーニング製217フレークを150質量部、N-メチル-2-ピロリドンを40質量部、それぞれ計量混合し、孔径0.2ミクロンのテフロン登録商標製フィルターでろ過し、ワニス状のポリオルガノシロキサン組成物C-1を得た。リソグラフィー特性評価:有機薄膜上への接着性ポリメタクリル酸グリシジルの10メチルエチルケトン溶液和光純薬工業株製をスピンコーター東京エレクトロン製型式名クリーントラックマーク7を用いて5インチシリコンウエハー上に塗布し、160°Cで10分間ソフトベークし、膜厚0.8ミクロンのポリメタクリル酸グリシジルからなる有機薄膜が形成されたシリコンウエハーを得た。次にワニス状のポリオルガノシロキサン組成物C-1を、スピンコーター東京エレクトロン製型式名クリーントラックマーク7を用いて5インチシリコンウエハー上に塗布し、125°Cで12分間ソフトベークし、初期膜厚45ミクロンの塗膜を得た。この塗膜をi線ステッパー露光機ニコン製型式名NSR2005i8Aにより、CMOSイメージセンサーのレンズアレイ保護用スペーサー構造を模した格子状パターンをデザインした評価用フォトマスクを通して、露光量を100~900mJ/cm2の範囲で横方向に100mJ/cm2ずつ、フォーカスを16ミクロン~32ミクロンの範囲で縦方向に2ミクロンずつ、それぞれ段階的に変化させて露光した。露光から30分後、現像液としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて、未露光部が完全に溶解消失するまでの時間に1.4を乗じた時間の回転スプレー現像を施し、引き続きiso-ブチルアルコールで10秒間回転スプレーリンス処理を施して格子状のレリ-フパターンを得た。得られたレリーフパターンを光学顕微鏡下で目視観察し、現像部分の残滓の有無○:残滓なし、△:局所的に僅かに残滓あり、×:残滓多し、パターンの膨潤の有無○:膨潤なくシャープ、△:局所的に僅かに膨潤、×:明らかに膨潤、基材からの浮き上がりやはがれなどの有無○:浮き上がりやはがれなし、△:局所的に僅かに浮き上がりやはがれあり、×:全面かもしくは明確な浮き上がりやはがれありを評価した。結果を表1に示す。低温硬化特性:硬化フィルムの引張り伸度の評価上記組成物を、上述のリソグラフィー特性評価と同様にして、5インチシリコンウェハー上にアルミニウムを真空蒸着した基材上に塗布、ソフトベークした後、縦型キュア炉光洋サーモシステム製、形式名VF-2000Bを用いて、窒素雰囲気下、180°Cで2時間の加熱硬化処理を施し、硬化後膜厚15μmの樹脂膜を作製した。この樹脂膜を、ダイシングソーディスコ製、型式名DAD-2H/6Tを用いて3.0mm幅にカットし、10塩酸水溶液に浸漬してシリコンウェハー上から剥離し、短冊状のフィルムサンプルとした。このフィルムサンプルを23°C、相対湿度55の雰囲気に24時間放置した後、ASTMD-882-88に準拠したテンシロンによる引張り試験を行い、伸度を評価した。結果を表2に示す。デガス性評価15重量減少温度熱重量減少測定装置島津製、形式名TGA-50を用い、5の重量減少を指し示す温度を測定した。測定条件は、測定温度範囲25°C~450°C、昇温速度10°C/min、窒素雰囲気である。2150°C均熱重量減少率同じくTGA-50を用い、150°C均熱処理時における重量減少率単位を測定した。測定条件は、150°Cまでの昇温速度10°C/min、150°Cでの均熱処理時間22時間、窒素雰囲気である。加熱硬化後の体積収縮率の評価上記引張り伸度評価用のサンプルを作成するに際して行った、縦型キュア炉を用いた180°Cで2時間の加熱硬化処理キュアの前後での塗膜の厚みを触針段差計KLAテンコール製、型式名P-15で測定し、その変化率残膜率、単位を算出し、体積収縮率の指標とした。結果を表2に示す。[実施例2]ポリオルガノシロキサン組成物C-2の調製合成例1で得られたポリオルガノシロキサンP-1を100質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニル-ブタノン-1チバスペシャリティケミカルズ製IRGACURE369を4質量部、4,4-ビスジエチルアミノベンゾフェノンを0.5質量部、1,3,5-トリス3-メルカプトブチルオキシエチル-1,3,5-トリアジン-2,4,61H,3H,5H-トリオン昭和電工株製カレンズMTNR1を10質量部、ポリテトラメチレングリコールジメタクリレートテトラメチレングリコールユニット数8日本油脂製PDT-650を30質量部、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを30質量部、シリコーンレジン東レダウコーニング製217フレークを150質量部、N-メチル-2-ピロリドンを40質量部、それぞれ計量混合し、孔径0.2ミクロンのテフロン登録商標製フィルターでろ過し、ワニス状のポリオルガノシロキサン組成物C-2を得た。上述した実施例1におけるポリオルガノシロキサン組成物C-1をポリオルガノシロキサン組成物C-2に変更しリソグラフィー特性、低温硬化特性、デガス性、及び加熱硬化時の体積収縮率の評価を同様に行った。結果を表1及び表2に示す。[実施例3]ポリオルガノシロキサン組成物C-3の調製1,3,5-トリス3-メルカプトブチルオキシエチル-1,3,5-トリアジン-2,4,61H,3H,5H-トリオン昭和電工株製カレンズMTNR1を25質量部に変更した以外は実施例2と同様にして、ポリオルガノシロキサン組成物C-3を得た。上述した実施例1におけるポリオルガノシロキサン組成物C-1をポリオルガノシロキサン組成物C-3に変更しリソグラフィー特性、低温硬化特性、デガス性、及び加熱硬化時の体積収縮率の評価を同様に行った。結果を表1及び表2に示す。[実施例4]ポリオルガノシロキサン組成物C-4の調製合成例1で得られたポリオルガノシロキサンP-1を100質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニル-ブタノン-1チバスペシャリティケミカルズ製IRGACURE369を4質量部、4,4-ビスジエチルアミノベンゾフェノンを0.5質量部、ペンタエリスリトールテトラキス3-メルカプトブチレート昭和電工株製カレンズMTPE1を25質量部、ポリテトラメチレングリコールジメタクリレートテトラメチレングリコールユニット数8日本油脂製PDT-650を30質量部、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを30質量部、シリコーンレジン東レダウコーニング製217フレークを150質量部、N-メチル-2-ピロリドンを40質量部、それぞれ計量混合し、孔径0.2ミクロンのテフロン登録商標製フィルターでろ過し、ワニス状のポリオルガノシロキサン組成物C-4を得た。上述した実施例1におけるポリオルガノシロキサン組成物C-1をポリオルガノシロキサン組成物C-4に変更しリソグラフィー特性、低温硬化特性、デガス性、及び加熱硬化時の体積収縮率の評価を同様に行った。結果を表1及び表2に示す。[実施例5]ポリオルガノシロキサン組成物C-5の調製ポリオルガノシロキサンとして合成例2のP-2を用いた以外は実施例3と同様にして、ポリオルガノシロキサン組成物C-5を得た。上述した実施例1におけるポリオルガノシロキサン組成物C-1をポリオルガノシロキサン組成物C-5に変更しリソグラフィー特性、低温硬化特性、デガス性、及び加熱硬化時の体積収縮率の評価を同様に行った。結果を表1及び表2に示す。[実施例6]ポリオルガノシロキサン組成物C-6の調製ポリオルガノシロキサンとして合成例3のP-3を用いた以外は実施例3と同様にして、ポリオルガノシロキサン組成物C-6を得た。上述した実施例1におけるポリオルガノシロキサン組成物C-1組成物をポリオルガノシロキサン組成物C-6に変更しリソグラフィー特性、低温硬化特性、デガス性、及び加熱硬化時の体積収縮率の評価を同様に行った。結果を表1及び表2に示す。[比較例1]ポリオルガノシロキサン組成物C-7の調製合成例3で得られたポリオルガノシロキサンP-3を100質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニル-ブタノン-1チバスペシャリティケミカルズ製IRGACURE369を4質量部、4,4-ビスジエチルアミノベンゾフェノンを0.5質量部、ポリテトラメチレングリコールジメタクリレートテトラメチレングリコールユニット数8日本油脂製PDT-650を30質量部、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを30質量部、シリコーンレジン東レダウコーニング製217フレークを150質量部、N-メチル-2-ピロリドンを40質量部、それぞれ計量混合し、孔径0.2ミクロンのテフロン登録商標製フィルターでろ過し、ワニス状のポリオルガノシロキサン組成物C-7を得た。上述した実施例1におけるポリオルガノシロキサン組成物C-1をポリオルガノシロキサン組成物C-7に変更しリソグラフィー特性、低温硬化特性、デガス性、及び加熱硬化時の体積収縮率の評価を同様に行った。結果を表1及び表2に示す。[比較例2]ポリオルガノシロキサン組成物C-8の調製合成例3で得られたポリオルガノシロキサンP-3を100質量部、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニル-ブタノン-1チバスペシャリティケミカルズ製IRGACURE369を4質量部、4,4-ビスジエチルアミノベンゾフェノンを0.5質量部、2-エチルヘキシル-3-メルカプトプロピオン酸を20質量部、ポリテトラメチレングリコールジメタクリレートテトラメチレングリコールユニット数8日本油脂製PDT-650を30質量部、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを30質量部、シリコーンレジン東レダウコーニング製217フレークを150質量部、N-メチル-2-ピロリドンを40質量部、それぞれ計量混合し、孔径0.2ミクロンのテフロン登録商標製フィルターでろ過し、ワニス状のポリオルガノシロキサン組成物C-8を得た。上述した実施例1におけるポリオルガノシロキサン組成物C-1組成物をポリオルガノシロキサン組成物C-8に変更しリソグラフィー特性、低温硬化特性、デガス性、及び加熱硬化時の体積収縮率の評価を同様に行った。結果を表1及び表2に示す。本発明の実施例は、優れたリソグラフィー特性と低温硬化特性を示し、加熱硬化時の体積収縮が極めて小さく、また加熱硬化後も優れた耐熱性と低デガス性を高レベルで達成している。比較例1は本発明の必須成分である多価チオール化合物を適用しない場合であるが、有機薄膜への接着性はもとより、低温硬化性も本発明に劣る。比較例2は本発明の必須成分である多価チオール化合物ではなく1価チオール化合物を適用した場合であるがこれも有機薄膜への接着性及び低温硬化性が本発明に劣る。"