成長基板上にIII族窒化物層を成長させるステップと、前記III族窒化物層をホスト基板に接続するステップと、前記成長基板を除去するステップとを有し、前記成長基板は、非III族窒化物材料であり、前記成長基板は、面内格子定数asubstrateを持ち、前記III族窒化物層は、バルク格子定数alayerを持ち、[|asubstrate-alayer|/asubstrate]100が、わずか1である、方法。前記成長基板が、ScAlMgO4であり、前記III族窒化物層が、InGaNである、請求項1記載の方法。前記成長基板が、RAO3MOnであり、ここで、Rは、Sc、In、Y及びランタノイドから選択され、Aは、FeIII、Ga及びAlから選択され、Mは、Mg、Mn、FeII、Co、Cu、Zn及びCdから選択され、nは、1以上の整数である、請求項1記載の方法。前記III族窒化物が、InGaN及びAlInGaNのうちの1つである、請求項1記載の方法。前記III族窒化物層が、InxGa1-xNであり、ここで、0.06≦x≦0.48である、請求項1記載の方法。前記接続するステップが、前記III族窒化物層と前記ホスト基板との間に配置されたボンディング層を通じて接合するステップを有する、請求項1記載の方法。前記ボンディング層が、非III族窒化物材料、SiOx、及び、SiNxのうちの1つである、請求項6記載の方法。前記III族窒化物層が、InGaNであり、前記ボンディング層が、SiOxであり、前記ホスト基板が、サファイアである、請求項6記載の方法。前記成長させるステップが、前記III族窒化物層の上面が前記III族窒化物層のV族面であり、且つ、前記成長基板に隣接した前記III族窒化物層の底面が前記III族窒化物層のIII族面であるように、成長させるステップを有する、請求項1記載の方法。前記III族窒化物層上に、n型領域とp型領域との間に配置されたIII族窒化物発光層を有する構造体を成長させるステップを更に有する、請求項1記載の方法。n型領域とp型領域との間に配置されたIII族窒化物発光層を有する前記構造体を成長させた後、前記ホスト基板を除去するステップを更に有する、請求項10記載の方法。前記成長基板と前記III族窒化物層との間の接合部分、又は、前記成長基板に、脆弱領域を形成するステップを更に有し、前記成長基板を除去するステップが、前記脆弱領域において前記成長基板から前記III族窒化物層を分離するステップを有する、請求項1記載の方法。前記脆弱領域が、水素原子及び窒素原子のうちの1つを注入された領域を有する、請求項12記載の方法。前記脆弱領域が、集光レーザビームの照射によって作られた、複数のミクロン規模の結晶欠陥又はボイドを有する、請求項12記載の方法。前記ホスト基板がサファイアである、請求項1記載の方法。前記III族窒化物層が、前記成長基板の0001面から-10度乃至10度の間でずれた前記成長基板の表面上に成長する、請求項1記載の方法。前記除去するステップが、機械的方法によって除去するステップを有する、請求項1記載の方法。前記除去するステップが、前記成長基板と前記III族窒化物層との間の接合部分を刃で分断するステップを有する、請求項1記載の方法。前記除去するステップが、機械的研磨、前記成長基板と前記III族窒化物層との間への回転力の付与、第1の粘着被覆されたプラスチックフィルムを前記成長基板に取り付けるとともに第2の粘着被覆されたプラスチックフィルムを前記III族窒化物層を含む半導体構造体に取り付けて前記成長基板と前記III族窒化物層とを引き離すこと、前記成長基板と前記III族窒化物層との間の接合部分を分断するために音響エネルギーのパルス又は不均一な温度分布の1つを使用すること、並びに、前記III族窒化物層と前記成長基板との接合部分の面内における熱誘起応力が当該接合部分の破壊を生じさせるのに十分であるように前記III族窒化物層及び前記成長基板の面法線に亘って温度勾配を付与すること、のうちの1つを有する、請求項1記載の方法。III族窒化物シード層材料は、所望の配向でIII族窒化物シード層を具備する複合基板を形成するために、追加的な接合ステップを必要とし得る。c面サファイア又はc面SiC成長基板上に成長したウルツ鉱型III族窒化物層は、一般的に、c面配向を有して成長するので、例えば、III族窒化物層のいわゆるc面と基板とは互いに平行である。かかるc面ウルツ鉱型III族窒化物構造体は、ガリウム面及び窒素面を持つ。III族窒化物は、成長層の上面が、ガリウムを含んでいる必要はないが、言葉の倹約のためにガリウム面又はGa面としばしば称される、III族面である場合、ルミネセンス効率によって測定されるように最も高い結晶品質を有して成長することがよく知られている。底面成長基板に隣接する表面は、窒素面又はN面である。例えば、増井等は、LuminescenceCharacteristicsofNPolarGaNandInGaNFilmsGrownbyMetalOrganicChemicalVaporDepositionJapaneseJournalofAppliedPhysics48071003で、有機金属化学気相成長法MOCVDにより成長したN面InGaN薄膜のルミネセンス効率は、MOCVDにより成長したGa面InGaN薄膜のルミネセンス効率よりも小さいことを説明している。従来のようにサファイア又はSiC上にシード層材料を単に成長させ、シード層材料をホストに接続し、成長基板を除去することは、窒素面が露出されたIII族窒化物シード層を有する複合基板をもたらすであろう。III族窒化物は、好ましくは、ガリウム面、即ち、上面としてガリウム面上に成長し、このため、窒素面での成長は、結晶内に欠陥を不必要に取り込んだり、結果的に、結晶配向が、上面として窒素面を有する配向から上面としてガリウム面を有する配向へ切り替わるので、低品質材料をもたらしたりする可能性がある。上面としてガリウム面を有するIII族窒化物シード層を具備する複合基板を形成するため、成長基板の除去によって露出された窒素面を残して、シード層材料がガリウム面を通じて中間基板に接合されるように、シード層材料は、従来、成長基板上に成長し、任意の適切な中間基板に接合され、成長基板から分離される。シード層材料の窒素面は、複合基板のホスト基板12に接合される。ホスト基板への接合後、中間基板は、成長基板に適した技術によって除去される。完成した複合基板において、シード層材料16の窒素面は、III族窒化物シード層16のガリウム面がエピタキシャルデバイス層の成長のために露出されるように、予備的なボンディング層14を通じてホスト基板12に接合される。本発明の目的は、III族窒化物シード層を具備する複合基板を提供することである。本発明の実施形態に従った方法では、III族窒化物層は、成長基板上に成長する。III族窒化物層は、ホスト基板に接続される。成長基板が除去される。成長基板は、非III族窒化物材料である。成長基板は、面内格子定数asubstrateを持つ。III族窒化物層は、バルク格子定数alayerを持つ。ある実施形態では、[|asubstrate-alayer|/asubstrate]100が、わずか1である。ある実施形態では、シード層が成長基板とほぼ格子整合しているので、緩和されたシード層を形成するために、溝を必要としない。さらに、ある実施形態では、シード層は、上面として窒素面を有して成長され得るので、デバイス構造が成長される上面としてガリウム面を有する複合基板を形成するために、2つの接合ステップが必要とされない。ここで説明される複合基板は、III族窒化物発光デバイスのための成長基板として用いられてもよい。本発明の実施形態に従って形成された複合基板上に成長したIII族窒化物発光デバイスは、従来通りに成長したIII族窒化物発光デバイスよりも、発光領域においてより小さな張力を有し、従って、従来通りに成長したIII族窒化物発光デバイスよりも、よりよい性能を示し得る。図1に示された複合基板において、歪んだIII族窒化物シード層が成長基板から解放されて緩和された場合、一般的に、平面のシード層が曲がるほど大きな歪みがシード層に存在する。シード層をバックリング波長bucklingwavelengthより小さい島に分けるために、溝が、シード層において形成されてもよい。島は、バックリングなしに緩和するが、溝の形成は追加的な処理ステップを必要とする。さらに、シード層の島上にIII族窒化物構造体を成長させるステップは、複数の島の上にIII族窒化物フィルムを一体化させること、又は、III族窒化物材料の個別の島を成長させることを必要とし、前者は時間がかかるし、後者はデバイス設計の自由度を減らす。さらに、シード層のガリウム面上にIII族窒化物材料が成長した複合基板を形成するために、まず、中間基板にシード層を接合し、次に、ホスト基板にシード層を接合するように、シード層を2回接合することは、追加的な処理ステップを必要とし、且つ、シード層の汚染の可能性を大きくし、これは、生産量を減少させ、又は、デバイス故障を引き起こし得る。本発明の実施形態では、複合基板が、予備的なボンディング層を通じてホストに取り付けられたIII族窒化物シード層を含む。シード層は、所望のIII族窒化物シード層に格子整合した又は、おおよそ格子整合した、且つ、III族窒化物シード層と同じ六方対称の、基板上に成長する。基板が格子整合しているので、シード層における歪みは、減少されるか又は取り除かれ、これにより、シード層及びシード層上にエピタキシャル配置された任意の層の結晶品質が改善される。ある実施形態では、III族窒化物構造体がシード層のガリウム面上に成長し得る複合基板を形成するために、たった1回の接合ステップで済むように、シード層は、窒素面を晒して基板上に成長する。図2は、本発明の実施形態に従って成長基板30上に成長したシード層32を示している。半導体層は、バルク格子定数及び面内格子定数によって特徴付けられ得る。バルク格子定数は、理論上の格子定数であり、半導体層と同じ組成の完全に緩和した層である。面内格子定数は、成長した半導体層の格子定数である。半導体層が歪んでいれば、バルク格子定数は、面内格子定数と異なる。成長基板30は、ある実施形態では、面内格子定数が、堆積されたシード層32のバルク格子定数の1以内である、非III族窒化物材料であってもよく、ある実施形態では、面内格子定数が、堆積されたシード層32のバルク格子定数の0.5以内である、非III族窒化物材料であってもよい。換言すれば、[|asubstrate-aseed|/asubstrate]100が、ある実施形態では、わずか1であり、ある実施形態では、わずか0.5である。本発明の実施形態の目的のため、三元又は四元AlInGaN層のバルク格子定数は、ヴェガード則に従って見積もられてもよく、AlxInyGazNは、aAlInGaN=xaAlNyaInNzaGaNとして表されることができ、ここで、変数aは、各二元材料のバルク格子定数を表しており、xyz=1である。AlNは、3.111Åのバルク格子定数を持ち、InNは、3.544Åのバルク格子定数を持ち、GaNは、3.1885Åのバルク格子定数を持つ。ある実施形態では、成長基板30は、シード層32と同様又は同一の六方基底面対称を持つ。ある実施形態では、成長基板30は、シード層32の堆積中に受けた化学的及び熱的環境による攻撃に対して略影響を受けない。ある実施形態では、成長基板30は、堆積されたシード層32の面内熱膨張係数の30以内の面内熱膨張係数を持つ。ある実施形態では、成長基板30は、近紫外放射線に対して透明又は非透明であってもよい。ある実施形態では、成長基板30は、単結晶又は実質的な単結晶材料である。ある実施形態では、成長基板30は、RAO3MOnの一般組成の材料であり、ここで、Rは、三価の陽イオンであって、しばしば、Sc、In、Y、及び、ランタノイド原子数57~71から選択され、Aも、三価の陽イオンであって、しばしば、FeIII、Ga、及び、Alから選択され、Mは、二価の陽イオンであって、しばしば、Mg、Mn、FeII、Co、Cu、Zn、及び、Cdから選択され、nは1以上の整数である。ある実施形態では、nは9以下であり、ある実施形態では、nは3以下である。ある実施形態では、RAMO4即ち、n=1組成は、YbFe2O4構造タイプであり、ある実施形態では、RAO3MOnn≧2組成は、InFeO3ZnOn構造タイプである。成長基板30及び格子整合したInGaNシード層32に適した材料の例が、以下に記載されている。これらの、及び、関連する基板材料は、参照により本願に組み込まれる、KimizukaandMohriinStructuralClassificationofRAO3nCompoundsGaCrorAlMDivalentCationn111JournalofSolidStateChemistry7898において公開に詳細に説明されている。ある実施形態では、シード層32は、基板の主結晶面に対してずらして切断されたmiscut又は角度付けられた、成長基板30の表面上に成長する。ある実施形態では、シード層32が成長した成長基板30の表面は、基底0001面から-10度~10度の間で方向付けられている。ある実施形態では、0001面から-0.15度~0.15度の間で傾けて切断することは、テラス端に形成された欠陥の数を好適に減少させる、基板表面上に大きな原子テラスをもたらす。シード層32は、例えば、MOCVD、ハイドライド気相成長法HVPE、又は、分子線エピタキシー法MBEを含む、当該技術分野において既知の任意の手段によって、成長基板30上に堆積されてもよい。0.1以内の格子整合は、少なくとも50μmの厚さで高品質なシード層32の堆積を可能とするが、シード層32と成長基板30との間の完全な格子整合は不要である。シード層32は、ある実施形態では、100nm~5μmの厚みを持つことができ、ある実施形態では、100nm~500nmの厚みを持つことができる。シード層32は、シード層の窒素面が成長面であり、シード層のガリウム面が基板30の表面に隣接するように、成長基板30上に成長する。基板30の表面は、例えば、表面を改善するため、又は、任意の他の目的のため、例えば、基板を、900°Cの温度及び200mbarの圧力下で、アンモニアと窒素とを2:1の比率で有するガス状混合物に2分間晒すことによって、シード層の堆積の前に処理されてもよい。シード層32は、III族窒化物デバイス構造体が成長できる任意の材料であってもよい。シード層32は、しばしば、InGaN又はAlGaNなどの三価の、又は、AlInGaNなどの四価の、III族窒化物又は他のIII-V族材料の合金である。InGaNシード層32におけるInNの割合は、ある実施形態では、6と48との間であってもよい。xがほぼ0であるAlxInyGazN合金は、全ての可視放射スペクトルに亘る光を生成するエネルギーギャップの範囲を持つ。結果、全ての可能な合金の組成は、LEDなどの発光デバイスにおいて有用である。ある実施形態では、脆弱領域34が、成長基板30内又は基板とシード層との接合部分に配置される。脆弱領域は、シード層の成長の前又は後に設けられてもよい。ある実施形態では、脆弱領域34は、H又はNを、単独で、又は、他のイオンとともに組み合わせて、加熱した際、イオンが成長基板30内に微小空洞を形成するのに十分な濃度で注入することによって形成される。例えば、Hは、1017cm-2の線量及び120keVの加速電圧で注入されてもよい。ある実施形態では、脆弱領域34は、複数のミクロン規模の結晶欠陥又はボイドを結晶構造内に作るのに十分な強度及び光子エネルギーの、強く集束された、パルスレーザビームのパターンにウェハを晒すことによって、形成される。結晶欠陥のパターンは、1又は複数のレーザビームをウェハ上で走査することによって、あるいは、エキシマレーザなどの高出力単一レーザから多数のスポットを生成するための回折光学素子の使用によって、生成されてもよい。レーザビームは、短いサブマイクロ秒パルスで強く集中されてもよく、極めて局所化された欠陥を作ってもよい。図3に示されているように、ボンディング層36は、プラズマCVDPECVD又は減圧CVDLPCVDなどの当該技術分野において任意の知られた手段で、SiOx、SiO2、又は、SiNxの薄膜をシード層32上に堆積させることによって与えられ得る。SiO2薄膜は、ある実施形態では、10nm~10μmの厚さを持っていてもよく、ある実施形態では、200nm~1μmの厚さを持っていてもよい。SiO2薄膜は、オプションで、例えば、コロイドシリカの懸濁液を用いた化学機械研磨によって平坦化されてもよい。シード層32は、例えば、成長基板30とホスト基板38とを高温及び/又は高圧下で押し付けることによって、ボンディング層36を通じてホスト基板38に接合される。ホスト基板38は、任意の適切な材料であってもよい。単結晶又は多結晶サファイア、焼結されたAlN、Si、SiC、GaAs、波長変換するように、Ceなどの活性ドーパントでドープされた、又は、されていない、単結晶又はセラミックY3Al5O12、並びに、Moなどの金属を含むが、これらに限定されない。図4に示されるように、基板は、任意の適切な方法によって、シード層32から除去される。脆弱領域を含む構造体では、成長基板30は、例えば、上記注入層を活性化するために加熱することによって、当該脆弱領域において除去されてもよい。ある実施形態では、注入された水素原子の脆弱領域を含む構造体は、600°Cの温度この温度は、注入種及び添加量に依存して、高くてもよいし、又は、低くてもよいまで加熱され、水素原子は、脆弱領域を機械的に壊すマイクロキャビティ内に集められる。シード層32から成長基板30を除去するために脆弱領域34を与える利点は、基板の残りの部分が、研磨可能であり、成長基板として再利用可能であることである。成長基板30を除去する他の方法は、機械的研磨、基板とシード層との間への回転力の付与、粘着被覆されたプラスチックフィルムを基板に取り付けるとともに第2の粘着被覆されたプラスチックフィルムを構造体に取り付けて基板とシード層とを引き離すこと、基板とシード層との間の接合部分を分断するための鋭い刃を用いること、基板とシード層との間の接合部分を分断するために音響エネルギーのパルス又は不均一な温度分布を使用すること、接合面における極小部位<1mm2に集中された1又は複数のレーザパルスを与えて破壊を起因する衝撃波を作ること、並びに、シード層と基板との接合部分の面内における熱誘起応力が当該接合部分の破壊を生じさせるのに十分であるようにシード層及び基板の面法線に亘って温度勾配を付与する例えば、より高い温度がシード層の一方の面に付与され、より低い温度が基板の他方の面に付与されること、などの機械的方法を含む。ある実施形態では、基板を通じて向けられるレーザビームにより、シード層32がレーザリフトオフによって除去可能であるように、成長基板30は、透明である。成長基板30上に成長したIII族窒化物の層は、レーザ光を吸収して溶け、基板からシード層32を解放する。レーザリフトオフは、シード層32と成長基板30との間に介在するオプションの狭いエネルギーギャップの合金半導体によって促進されてもよい。狭いエネルギーギャップの層の組成は、当該層がシード層32よりも多くの入射レーザ光を吸収するように、選択されてもよく、これは、必要とされる入射光束を減らし、シード層32を通じてより少なく分散されたダメージを生成する。ある実施形態では、全て又は一部の成長基板30、例えば、シード層から基板を分離するために注入された層を活性化した後に残っている成長基板30の一部が、ウェットケミカルエッチングなどのエッチングによって除去される。例えば、参照により本願に組み込まれるCDBrandleらのDryandWetEtchingofScMgAlO4SolidStateElectronics42467で公開によって報告されているように、ScMgAlO4は、H3PO4、H2O2、H2SO4:H2O2:H2Oの水性混合物、及び、HFの水性混合物によって容易に攻撃される。ある実施形態では、全て又は一部の成長基板30が、800ワットの印加パワーにおけるCl2及びArガス状混合物を用いた反応性イオンエッチングによって除去される。ある実施形態では、シード層32は、III族又はウルツ鉱型結晶のガリウム面がシード層32の上面32aとなり、III族窒化物又は他の半導体材料が成長可能となるように、ボンディング層36を通じてホスト基板38に接合される。V族又はウルツ鉱型結晶の窒素面は、ボンディング36に隣接する表面である、シード層の底面32bとなる。半導体デバイス構造体22は、図5に示されるように、複合基板のシード層32上に成長することができる。下記の例において、半導体デバイス構造体は、可視光又は紫外線光を放射するIII族窒化物LEDであるが、レーザダイオード高電子移動度トランジスタ、及び、ヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子及び光電子デバイスなどの他のデバイスが、上記基板上に形成されてもよい。図5に示されるように、半導体構造体22は、シード層32の上に成長する。半導体構造体22は、n型領域21とp型領域25との間に挟まれた発光領域又は活性領域23を含む。n型領域21は、一般的に、最初に成長し、例えば、n型の又は意図的にドープされない、バッファ層又は核形成層などの準備層、即ち、発光領域が効率的に発光するために望ましい特定の光学的又は電気的特性のために設計されたn型あるいはp型のデバイス層といった、異なる組成及びドーパント濃度の複数の層を含んでいてもよい。n型領域21は、ある実施形態では、1nm~20μmの厚みを持ち、ある実施形態では、1nm~5μmの厚みを持つ。発光領域又は活性領域23は、n型領域21の上に成長する。適切な発光領域23の例は、単一の厚い又は薄い発光層、あるいは、バリア層によって分離された多重の薄い又は厚い発光層を含む多重量子井戸発光領域を含む。活性領域23は、ある実施形態では、1nm~5μmの厚みであり、ある実施形態では、2nm~1μmの厚みであり、ある実施形態では、5nm~100nmの厚みである。p型領域25は、発光領域23の上に成長する。n型領域21と同様に、p型領域25は、意図的にドープされない層、又は、n型層を含む、異なる組成、厚み、及び、ドーパント濃度の複数の層を含んでいてもよい。p型領域25は、ある実施形態では、100nm~2μmの厚みを持ち、ある実施形態では、20nm~400nmの厚みを持つ。ある実施形態では、発光領域23における1又は複数の発光層は、シード層にほぼ格子整合したつまり、成長基板30に格子整合した組成を持つ。発光層における歪みは、[|abulk-ain-plane|/abulk]100で規定され、ここで、abulkは、完全に緩和した場合の発光層と同じ組成の層の格子定数であり、ヴェガード則に従って推定され、また、ain-planeは、デバイス中に成長した発光層の格子定数である。少なくとも1つの発光層における歪みは、ある実施形態では、1よりも小さく、ある実施形態では、0.5よりも小さく、ある実施形態では、0.1よりも小さい。ある実施形態では、ScMgAlO4が成長基板30であり、n型層、発光層、p型層は、それぞれ、In0.13Ga0.87N、In0.16Ga0.84N、In0.12Ga0.88Nで形成される。シード層は、n型領域と同じ組成In0.13Ga0.87Nである。図5に示された構造体は、図6に示される薄膜フリップチップデバイス、及び、図7に示される垂直デバイスを含むがこれらに限定されない、任意の適切なデバイス設計へ処理されてもよい。図6に示されたデバイスでは、pコンタクト金属26がp型領域25上に堆積され、p型領域25の一部と活性領域23の一部とが金属化のためのn型層を晒すために除去されている。pコンタクト26及びnコンタクト24は、デバイスの同じ側にある。pコンタクト26は、ギャップ27によってnコンタクト24から電気的に絶縁されており、ギャップ27は、誘電体などの電気的絶縁材料で満たされていてもよい。図6に示されるように、pコンタクト26は、複数のnコンタクト領域24の間に堆積されていてもよいが、これは必須ではない。ある実施形態では、nコンタクト24とpコンタクト26の一方又は両方が、反射性であり、デバイスは、図6に示された向きのデバイスの上部を通じて光が抽出されるように、マウントされる。ある実施形態では、コンタクトは、ある程度制限されてもよく、又は、透明に作られてもよく、デバイスは、コンタクトが形成された表面を通じて光が抽出されるようにマウントされてもよい。半導体構造体は、マウント28に取り付けられる。半導体構造体22が成長する複合基板の全て又は一部は、図3に示されるように、除去されてもよい、あるいは、デバイスの一部に残っていてもよい。例えば、ホスト基板38及びボンディング層36は、除去されてもよく、シード層32は、デバイスの一部に残っていてもよい。ある実施形態では、複合基板の全て又は一部の除去によって露出した半導体層は、パターン化又は粗面化されてもく、これは、デバイスからの光抽出を改善可能とする。図7に示される垂直射出LEDでは、nコンタクトが、半導体構造体22の一方の側に形成され、pコンタクトが、半導体構造体の他方の側に形成される。例えば、pコンタクト26が、p型領域25上に形成され、デバイスが、pコンタクト26を通じてマウント28に取り付けられてもよい。複合基板の全て又は一部は、除去されてもよく、nコンタクト24は、複合基板の全て又は一部の除去によって露出したn型領域21の表面上に形成されてもよい。nコンタクトへの電気的コンタクトは、図7に示されるように、ワイヤボンドで作られてもよいし、又は、金属ブリッジで作られてもよい。LEDは、白色光又は他の色の単色光を作るための蛍光体、量子ドット、又は、染料などの1又は複数の波長変換材料と組み合わせられてもよい。LEDによって放たれた光の全て又は一部のみが、波長変換材料によって変換されてもよい。LEDによって放たれた未変換の光が、光の最終的なスペクトルの一部であってもよいが、これは必須ではない。通常の組み合わせの例は、黄色放射蛍光体と組み合わせられた青色発光LED、緑色放射蛍光体及び赤色放射蛍光体と組み合わせられた青色発光LED、青色放射蛍光体及び黄色放射蛍光体と組み合わせられた紫外線放射LED、並びに、青色放射蛍光体、緑色放射蛍光体、及び、赤色放射蛍光体と組み合わせられた紫外線放射LEDを含む。他の色の光を放射する波長変換材料が、デバイスから放射された光のスペクトルを調整するために加えられてもよい。例えば、波長変換素子は、LEDに接着又は接合された、あるいは、LEDから離れた形成済みのセラミック蛍光体層、あるいは、ステンシル印刷、スクリーン印刷、スプレー、堆積、蒸着、スパッタ、又は、LEDに他の方法で施された有機的カプセル化材料内に配置された粉末状の蛍光体又は量子ドットを含む。本発明について詳細に説明してきたが、当該技術分野における当業者は、ここで説明された発明の概念を逸脱しない範囲で、当該開示から、本発明を変形することができることを理解するであろう。従って、本発明の範囲は、図示及び説明された特定の実施形態に限定されないと解されるべきである。