半導体チップと、前記半導体チップが実装された絶縁基板と、前記絶縁基板が実装され、貫通孔を有するベース板と、前記ベース板に設置された状態で、前記貫通孔と連通するねじ穴を有し、前記絶縁基板を囲む空間を有するケースと、前記貫通孔と前記ねじ穴とに挿入されて前記ケースと前記ベース板とを固定するねじと、前記ねじ穴に設けられ、空気より大きい比誘電率を有する充填材とを備え、前記ケースと前記ベース板とが前記ねじで固定された状態で、前記充填材は、前記ねじ穴の底面から所定高さで、前記ねじの軸の先端より前記底面側を埋め込み、かつ前記ねじの前記軸の側面を覆わないように設けられている、半導体装置。前記充填材の材質は、加熱硬化型シリコーンを含む、請求項1に記載の半導体装置。半導体チップと、前記半導体チップが実装された絶縁基板と、前記絶縁基板が実装され、貫通孔を有するベース板と、前記ベース板に設置された状態で、前記貫通孔と連通するねじ穴を有し、前記絶縁基板を囲む空間を有するケースと、前記貫通孔と前記ねじ穴とに挿入されて前記ケースと前記ベース板とを固定するねじと、前記ねじ穴に設けられ、空気より大きい比誘電率を有する充填材とを有する半導体装置の製造方法であって、前記ねじ穴の底面に硬化した前記充填材を設ける工程と、前記ねじ穴の底面に硬化した前記充填材が設けられた状態で、前記ねじを締めこむ工程とを備えた、半導体装置の製造方法。前記充填材は、前記ねじ穴の底面に設けられた後に硬化する、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記充填材は、硬化した状態で前記ねじ穴の底面に設けられる、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記充填材の材質は、加熱硬化型シリコーンを含む、請求項3~5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。上記の公報に記載された半導体装置では、充填材である高耐電圧樹脂が硬化する前に金属製タッピングねじが締め付けられるため、高耐電圧樹脂が未硬化の状態で金属製タッピングねじのねじ山とねじ孔との間に侵入することがある。この高耐電圧樹脂の侵入する量は各金属製タッピングねじおよびねじ孔でそれぞれ異なるため、高耐電圧樹脂の形状が不安定となる。そのため、部分放電特性がばらつくという問題がある。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、絶縁耐性を向上させることができ、かつ部分放電特性のばらつきを抑制することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することである。本発明の半導体装置は、半導体チップと、半導体チップが実装された絶縁基板と、絶縁基板が実装され、貫通孔を有するベース板と、ベース板に設置された状態で、貫通孔と連通するねじ穴を有し、絶縁基板を囲む空間を有するケースと、貫通孔とねじ穴とに挿入されてケースとベース板とを固定するねじと、ねじ穴に設けられ、空気より大きい比誘電率を有する充填材とを備えている。ケースとベース板とがねじで固定された状態で、充填材は、ねじ穴の底面から所定高さで、ねじの軸の先端より底面側を埋め込み、かつねじの軸の側面を覆わないように設けられている。本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップと、半導体チップが実装された絶縁基板と、絶縁基板が実装され、貫通孔を有するベース板と、ベース板に設置された状態で、貫通孔と連通するねじ穴を有し、絶縁基板を囲む空間を有するケースと、貫通孔とねじ穴とに挿入されてケースとベース板とを固定するねじと、ねじ穴に設けられ、空気より大きい比誘電率を有する充填材とを有する半導体装置の製造方法である。本発明の半導体装置の製造方法は、ねじ穴の底面に硬化した充填材を設ける工程と、ねじ穴の底面に充填材が設けられた状態で、ねじを締めこむ工程とを備えている。本発明の半導体装置によれば、空気より大きい比誘電率を有する充填材がねじ穴に設けられているため、ねじの軸の先端とねじ穴の底面との間の空間に空気が充たされている場合に比べて電界を弱くすることができる。これにより、部分放電の発生を抑制することによって絶縁耐性を向上させることができる。また、ケースとベース板とがねじで固定された状態で、充填材は、ねじ穴の底面から所定高さで、ねじの軸の先端より底面側を埋め込み、かつねじの軸の側面を覆わないように設けられているため、充填材の形状が安定する。これにより、部分放電特性のばらつきを抑制することができる。本発明の半導体装置の製造方法によれば、空気より大きい比誘電率を有する充填材がねじ穴に設けられているため、ねじの軸の先端とねじ穴の底面との間の空間に空気が充たされている場合に比べて電界を弱くすることができる。これにより、部分放電の発生を抑制することによって絶縁耐性を向上させることができる。また、ねじ穴の底面に硬化した充填材が設けられた状態で、ねじを締めこむため、ねじ穴とねじとの間に充填材が侵入することを抑制することができる。したがって、充填材の形状が安定する。これにより、部分放電特性のばらつきを抑制することができる。以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。最初に本発明の一実施の形態の半導体装置の構成について説明する。本実施の形態では、半導体装置について、半導体パワーモジュールを一例として説明する。図1~図3を参照して、本実施の形態の半導体装置は、半導体チップ1と、絶縁基板2と、ベース板3と、ケース4と、ねじ5と、充填材6と、ワイヤ7とを主に有している。なお、図1では見やすくするためケース4の蓋部分は図示されておらず、側壁部分は簡略化して図示されている。半導体チップ1は、たとえばIGBTなどを搭載したパワーチップである。絶縁基板2は、上面および下面に電極パターンを有している。電極パターンはたとえば銅、アルミニウムなどの金属で形成されている。絶縁基板2の上面の電極パターン上に半田を介して半導体チップ1が実装されている。ベース板3には半田を介して絶縁基板2が実装されている。ベース板3は、たとえば良好な熱伝導性を有する銅などの金属で形成されている。ベース板3は、上面及び下面を貫通する貫通孔3aを有している。貫通孔3aは上面側から下面側に向かって径が大きくなるように形成されていてもよい。ケース4はベース板3に取り付けられている。ケース4は、たとえば樹脂などの絶縁材料で形成されている。ケース4は絶縁基板2を囲む空間を有している。この空間内に半導体チップ1、絶縁基板2およびワイヤ7が配置されている。ケース4は、ベース板3に設置された状態で、貫通孔3aと連通するねじ穴4aを有している。ねじ5は、貫通孔3aとねじ穴4aとに挿入されている。ねじ5はベース板3の下面から上面に向かって締めこまれている。これにより、ねじ5は、ケース4とベース板3とを固定している。充填材6は、ねじ穴4aに設けられている。充填材6は、空気より大きい比誘電率を有している。ケース4とベース板3とがねじ5で固定された状態で、充填材6は、ねじ穴4aの底面4bから所定高さで、ねじ5の軸5aの先端5bより底面4b側を埋め込んでいる。充填材6は、ねじ5の軸5aの先端5bに接するまで底面4b側から埋め込まれていることが好ましい。充填材6は、ねじ5の軸5aの側面5cを覆わないように設けられている。充填材6は、ねじ5のねじ山とケース4のねじ穴4aとの間には侵入しないように設けられている。ただし、寸法公差は製造上不可避であるため、寸法公差の範囲ではねじ5の軸5aの側面5cが充填材6で覆われていてもよい。たとえば、ねじ5の軸5aの先端5bから0.5mm程度の範囲で側面5cが充填材6によって覆われていてもよい。充填材6はたとえばシリコーンゲルである。シリコーンゲルは硬化した状態でも弾力性に富むため、シリコーンゲルがねじ5の軸5aの先端5bに接した状態で弾性変形することでシリコーンゲルとねじ5の軸5aの先端5bとを密着させることができる。充填材6の材質は、加熱硬化型シリコーンを含んでいることが好ましい。ワイヤ7は、半導体チップ1および絶縁基板2などを電気的に接続している。ワイヤ7は、たとえば半導体チップ1の上面に形成されたエミッタ端子と絶縁基板2の上面の電極パターンとを電気的に接続している。ワイヤ7はたとえばアルミニウムで形成されている。ケース4の空間内において、ワイヤ7、半導体チップ1および絶縁基板2は、図示しないシリコーンなどの絶縁性を有する封止材によって覆われている。半導体装置の動作時には、半導体チップ1、絶縁基板2およびワイヤ7が高電圧部となり、ベース板3およびねじ5が低電圧部となる。ねじ5の軸5aの先端5bに、空気より大きい比誘電率を有する充填材6が設けられることで、ねじ5の軸5aの先端5bの電界が弱くなる。これにより、ねじ5とワイヤ7との間で部分放電が発生しにくくなるため、絶縁耐性を高くすることができる。次に本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。図4を参照して、上記の半導体装置の製造方法では、半導体チップ1が実装された絶縁基板2がベース板3に実装される。ベース板3にケース4の側壁部分が載置される。ねじ穴4aの底面4bに硬化した充填材6が設けられる。続いて、ねじ穴4aの底面4bに硬化した充填材6が設けられた状態で、ねじ穴4aにねじ5が締めこまれる。ケース4の空間に半導体チップ1、絶縁基板2およびワイヤ7を覆うように図示しない封止材が充填される。ケース4の側壁部分にケース4の蓋部分が取り付けられる。図5を参照して、充填材6は、ねじ穴4aの底面4bに設けられた後に硬化する。また、硬化した状態の充填材6がねじ穴4aに挿入されてもよい。図6を参照して、本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法の変形例では、充填材6は硬化した状態でねじ穴4aの底面4bに設けられる。これにより、あらかじめ必要な大きさに作った充填材6をねじ穴4aの底面4bに設けることができるので、作業性を向上することができる。したがって、作業時間を短縮することができる。充填材6の材質は、加熱硬化型シリコーンを含んでいることが好ましい。加熱硬化型シリコーンは加熱時に一旦粘度が下がって流動性が良くなるため、充填材6に気泡が残留しにくい。これにより、充填材6の内部の隙間を少なくすることで充填材6の良好な充填を実現することができる。次に本発明の一実施の形態の作用効果について比較例と対比して説明する。図7を参照して、比較例の半導体装置では、ねじ穴4aの底面4bに充填材6が設けられていない。そのため、ねじ5の軸5aの先端5bとねじ穴4aの底面4bとの間の空間には空気が充たされている。このため、半導体装置の動作時に高電圧部であるワイヤ7と低電圧部であるねじ5の軸5aの先端5bとの間の電界が強くなる。したがって、ねじ5の軸5aの先端5bとねじ穴4aの底面4bとの間の空間で部分放電が発生しやすい。本発明の一実施の形態の半導体装置によれば、空気より大きい比誘電率を有する充填材6がねじ穴4aに設けられているため、ねじ5の軸5aの先端5bとねじ穴4aの底面4bとの間の空間に空気が充たされている場合に比べて電界を弱くすることができる。これにより、部分放電の発生を抑制することによって絶縁耐性を向上させることができる。また、ケース4とベース板3とがねじ5で固定された状態で、充填材6は、ねじ穴4aの底面4bから所定高さで、ねじ5の軸5aの先端5bより底面4b側を埋め込み、かつねじ5の軸5aの側面5cを覆わないように設けられているため、充填材6の形状が安定する。これにより、部分放電特性のばらつきを抑制することができる。本発明の一実施の形態の半導体装置によれば、充填材6の材質は、加熱硬化型シリコーンを含んでいる。これにより、充填材6に気泡が残留することを抑制することができるので、気泡に起因する部分放電の発生を抑制することができる。したがって、部分放電の発生を抑制することによって絶縁耐性を向上させることができる。本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、空気より大きい比誘電率を有する充填材6がねじ穴4aに設けられているため、ねじ5の軸5aの先端5bとねじ穴4aの底面4bとの間の空間に空気が充たされている場合に比べて電界を弱くすることができる。これにより、部分放電の発生を抑制することによって絶縁耐性を向上させることができる。また、ねじ穴4aの底面4bに硬化した充填材6が設けられた状態で、ねじ5を締めこむため、ねじ穴4aとねじ5との間に充填材6が侵入することを抑制することができる。したがって、充填材6の形状が安定する。これにより、部分放電特性のばらつきを抑制することができる。本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、充填材6は、ねじ穴4aの底面4bに設けられた後に硬化する。これにより、容易に充填材6をねじ穴4aの底面4bに隙間なく充填することができる。本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、充填材6は硬化した状態でねじ穴4aの底面4bに設けられる。これにより、あらかじめ必要な大きさに作った充填材6をねじ穴4aの底面4bに設けることができるので、作業性を向上することができる。したがって、作業時間を短縮することができる。以下、本発明の実施例について説明する。本発明の実施例として図3に示す構成を備えた半導体装置を準備した。また比較例として図7に示す構成を備えた半導体装置を準備した。実施例は、比較例と対比してねじ穴に充填材が設けられている点で異なっている。空気の比誘電率は1.00である。充填材の材料は1成分加熱硬化型シリコーンであり、充填材の比誘電率は3.1である。また、ケースの材料はPETポリエチレンテレフタレートおよびPBTポリブチレンテレフタレートであり、ケースの比誘電率は4.0である。封止材の材料は二液型シリコーンゲルであり、比誘電率は3.0である。図8および図9を参照して、比較例では、部分放電開始電圧は5.2kVとなった。一方、図10および図11を参照して、実施例では、部分放電開始電圧は11.8kVとなった。なお、部分放電開始電圧は放電電荷閾値が10pCとなる電圧である。実施例では、比較例と対比して部分放電開始電圧が高くなった。したがって、ねじ穴に充填材が設けられていることによって部分放電開始電圧が高くなることがわかった。部分放電開始電圧が高いほど部分放電の発生が抑制されるため、実施例では比較例と対比して部分放電の発生が抑制されることがわかった。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。