"撮像領域内に行列状に配置され、各々が受光した光を信号電荷に変換して蓄積する複数の光電変換素子と、隣り合う光電変換素子列の間に配列され、前記光電変換素子に蓄積された電荷を、ゲート電極に印加される制御信号に応じて読み出し、垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、前記撮像領域の一側外方に垂直方向に延在する状態で設けられた電圧供給用配線と、前記光電変換素子の行毎に、対応する前記ゲート電極を接続する状態で水平方向一方向に、撮像領域の外方に至るまで延長形成され、延長端において前記電圧供給用配線と接続されている金属配線とを備え、前記金属配線の他端は、延長されることなく撮像領域内に残っていることを特徴とする固体撮像装置。前記電圧供給用配線は、前記撮像領域外の水平方向における両側のいずれか一方に配置されてなることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。前記ゲート電極と前記金属配線とは、コンタクトホールを介して電気的に接続されてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の固体撮像装置。前記金属配線と前記電圧供給用配線とは、コンタクトホールを介して電気的に接続されてなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記撮像領域内の両端部のうち、前記電圧供給用配線に近い側の端部とは反対側の端部にオプティカルブラック領域が設けられてなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記金属配線は、高融点金属により形成されてなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記電圧供給用配線は、アルミニウムにより形成されてなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記撮像領域外の垂直方向における下側に水平方向に延びる形で配置され、前記垂直電荷転送部により転送された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部と、前記水平電荷転送部の水平方向における片側に配置され、前記水平電荷転送部により転送された信号電荷を信号電圧に変換して出力する信号出力部とを備え、前記電圧供給用配線は、水平方向における、前記信号出力部が配置される側に配置されてなることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。しかしながら、この固体撮像装置100では、配線64a,64b,65a,65b自体による電圧降下の影響による垂直電荷転送部112の転送性能の劣化を抑制するために、電圧供給用配線66a,66b,67a,67bを撮像領域ARの両側に配置して、配線64a,64b,65a,65bと電圧供給用配線66a,66b,67a,67bとが撮像領域ARの水平方向における両側で接続されてなる構成とする必要があるため、その分、固体撮像装置が大型化してしまう。本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、小型化を図ることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。本発明に係る固体撮像装置は、撮像領域内に行列状に配置され、各々が受光した光を信号電荷に変換して蓄積する複数の光電変換素子と、隣り合う光電変換素子列の間に配列され、光電変換素子に蓄積された電荷を、ゲート電極に印加される制御信号に応じて読み出し、垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、撮像領域の一側外方に垂直方向に延在する状態で設けられた電圧供給用配線と、光電変換素子の行毎に、対応するゲート電極を接続する状態で水平方向一方向に、撮像領域の外方に至るまで延長形成され、延長端において電圧供給用配線と接続されている金属配線とを備え、金属配線の他端が、延長されることなく撮像領域内に残っている。本構成によれば、ゲート電極が接続された金属配線が、撮像領域内に水平方向に延びる形で配置され且つ水平方向一方向における外方のみで電圧供給用配線に接続されてなることにより、撮像領域の水平方向一方向側のみに電圧供給用配線を配置すればよい。従って、ゲート電極が共通に接続されてなる配線が、撮像領域の両側に配置された電圧供給用配線に接続されてなる固体撮像装置に比べて、水平方向の長さを短縮することができるから、固体撮像装置の小型化を図ることができる。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記電圧供給用配線が、上記撮像領域外の水平方向における両側のいずれか一方に配置されてなるものであってもよい。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記ゲート電極と上記金属配線とが、コンタクトホールを介して電気的に接続されてなるものであってもよい。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記金属配線と上記電圧供給用配線とが、コンタクトホールを介して電気的に接続されてなるものであってもよい。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記撮像領域内の両端部のうち、上記電圧供給用配線に近い側の端部とは反対側の端部にオプティカルブラック領域が設けられてなるものであってもよい。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記金属配線が、高融点金属により形成されてなるものであってもよい。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記電圧供給用配線が、アルミニウムにより形成されてなる。また、本発明に係る固体撮像装置は、上記撮像領域外の垂直方向における下側に水平方向に延びる形で配置され、上記垂直電荷転送部により転送された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部と、水平電荷転送部の水平方向における片側に配置され、水平電荷転送部により転送された信号電荷を信号電圧に変換して出力する信号出力部とを備え、上記電圧供給用配線が、水平方向における、信号出力部が配置される側に配置されてなるものであってもよい。<実施の形態1><1>構成本実施の形態に係る固体撮像装置1の概略構成を図1および図2に示す。図1に示すように、固体撮像装置1は、受光した光を信号電荷に変換して蓄積する複数の光電変換部光電変換素子11と、光電変換部11に蓄積された信号電荷を読み出して垂直方向矢印a’方向に転送する垂直電荷転送部12と、垂直方向に転送されてきた信号電荷を水平方向矢印b’方向に転送する水平電荷転送部13と、水平転送されてきた信号電荷を信号電圧に変換して外部に出力する信号出力部10とを備える。また、固体撮像装置1は、各垂直電荷転送部12に沿って設けられた複数のゲート電極18a,18b,19a,19bと、撮像領域ARの片側で垂直方向に延びる4本の電圧供給用配線16a,16b,17a,17bと、撮像領域AR内において複数の光電変換部11からなる行毎に水平方向に延びる形で配置され且つ行を構成する複数の光電変換部11それぞれに対応するゲート電極18a,18b19a,19bが共通に接続されてなる金属配線14a,14b15a,15bとを備える。更に、固体撮像装置1は、撮像領域ARの外周部に配置された内部電圧発生回路9a,9bと、電圧供給用配線16a,16b,17a,17bに接続された電極パッド図示せずが形成された電極パッド形成部9cと、外部出力回路9dとを備える。光電変換部11は、撮像領域AR内で行列状に配置されている。この撮像領域ARは、光電変換部11が光を受光できる受光可能領域AR1と、光電変換部11が遮光されているオプティカルブラック領域AR2とから構成されている。そして、受光可能領域AR1に配置された光電変換部11に蓄積された信号電荷に対応する信号電圧に対して、オプティカルブラック領域AR2に配置された光電変換部11に蓄積された信号電荷に対応する信号電圧を基準レベルとして信号処理を行う。垂直電荷転送部12は、互いに隣接する、複数の光電変換部11からなる列間に配置されている。この垂直電荷転送部12は、ポリシリコンにより島状に形成された複数のゲート電極18a,18b,19a,19bを有している。図2aに図1におけるA-A’線で破断した断面図を示す。図2aに示すように、ゲート電極18a,18b,19a,19bは、表面にゲート絶縁膜21が形成されたシリコン基板20上に形成され、ゲート絶縁膜21上には、ゲート電極18a,18b,19a,19bの周囲を覆うように絶縁層22が形成されている。なお、ゲート電極18a,18b,19a,19bは、膜厚が約100nmである。そして、ゲート電極18a,18b,19a,19bにパルス電圧が印加されると、光電変換部11に蓄積された信号電荷は、垂直電荷転送部12に読み出された後、垂直電荷転送部12内を順次水平方向に転送されていく。具体的には、ゲート電極18aにHighレベルの電圧が印加されると、光電変換部11から垂直電荷転送部12に信号電荷が転送される。その後、MiddleレベルおよびLowレベルの電圧をゲート電極18a,19aとゲート電極18b,19bとに交互に印加することにより、垂直電荷転送部12内におけるゲート電極18a,19aの下側に対応する部位に蓄積された信号電荷が、水平電荷転送部13に向けて順次転送される。水平電荷転送部13は、撮像領域ARの垂直方向における片側図1では矢印a’側に水平方向に延びる形で配置され、垂直電荷転送部12により転送された信号電荷を水平方向に転送する。信号出力部10は、水平電荷転送部13の最終段に隣接して形成されたフローティングディフュージョンと、フローティングディフュージョンの電圧変化を読み取るためのソースフォロア回路とから構成される。このソースフォロア回路は、複数のMOSトランジスタを用いて構成されている。金属配線14a,14b,15a,15bは、高融点の金属により形成され、撮像領域AR内で水平方向に延びる形で配置されている。また、金属配線14a,14b,15a,15bは、水平方向における片側のみでパルス電圧発生部に電気的に接続されるとともに、水平方向における複数箇所でゲート電極18a,18b,19a,19bと電気的に接続されてなる。これにより、撮像領域AR内で水平方向に一列に配列する複数のゲート電極18aまたは、ゲート電極18b,19a,19bに同位相の電圧パルスが印加される。この高融点の金属により形成された金属配線14a,14b,15a,15bは、図9および10に示す構成のポリシリコンにより形成された配線64a,64b,65a,65bに比べて、そのシート抵抗が1/100以下と低抵抗であるため、金属配線14a,14b,15a,15b自体の抵抗成分に起因したパルス波形の劣化は抑制されている。また、図2aに示すように、金属配線14a,15aは、絶縁層22上に形成され、絶縁層22上には、金属配線14a,15aの周囲を覆うように絶縁層23が形成されている。この絶縁膜22は、金属配線14a,15aに電圧が印加されたときに金属配線14a,15aの下側に対応する領域にフィールド反転層が形成されず、且つ、金属配線14a,15aとシリコン基板20との間で要求される耐圧例えば、12Vを確保できる膜厚を有する。そして、金属配線14a,15aは、絶縁層22に形成されたコンタクトホール22aを介してゲート電極18a,19aに接続されている。また、金属配線14b,15bは、絶縁層23上に形成され、絶縁層23上には、金属配線14b,15bの周囲を覆うように絶縁層24が形成されている。また、絶縁層24上には、保護層25が形成されている。この絶縁膜23は、金属配線14a,15aと金属配線14b,15bとの間で要求される耐圧例えば、20Vを確保できる膜厚を有する。そして、金属配線14a,15aは、絶縁層22に形成されたコンタクトホール22bおよび絶縁層23に形成されたコンタクトホール23bを介してゲート電極18b,19bに接続されている。金属配線14a,15aは、膜厚が約80nmであり、金属配線14b,15bは、膜厚が約100nmである。また、コンタクトホール22a,22b,23bは、いずれも内径が350nmである。また、金属配線14a,14b,15a,15bは、オプティカルブラック領域AR2に対応する部位が幅広に形成されている。図2cに図1のC-C’線で破断した断面図を示す、図2cに示すように、絶縁層23に形成された金属配線14a,15aと絶縁層24に形成された金属配線14b,15bとが、厚み方向で互いに重なっている。これにより、オプティカルブラック領域AR2では、ゲート電極18a,18b,19a,19bに光が入射するのを防止している。このように、ゲート電極18a,18b,19a,19bを遮光することにより、固体撮像装置1へ入射する光の一部が、ゲート電極18a,18b,19a,19bに入射する光に起因して発生するスミアを抑制している。電圧供給用配線16a,16b,17a,17bは、アルミニウムにより形成され、撮像領域ARの水平方向における片側図1では、矢印b側で垂直方向に延出している。そして、この電圧供給用配線16a,16b,17a,17bは、撮像領域ARの片側の領域まで電圧を供給する。ここで、垂直電荷転送部12が、4相駆動であるため、各相に対応する4本の電圧供給配線16a,16b,17a,17bが設けられている。図2bに図1におけるB-B’線で破断した断面図を示す。図2bに示すように、電圧供給用配線16aは、絶縁層23に形成されたコンタクトホール23aおよび絶縁層24に形成されたコンタクトホール24aを介して金属配線14aに接続されている。また、電圧供給用配線17aも、絶縁層23に形成されたコンタクトホール23aおよび絶縁層24に形成されたコンタクトホール24aを介して金属配線15aに接続されている。電圧供給用配線16b,17bは、絶縁層24に形成されたコンタクトホール24bを介して金属配線14b,15bそれぞれに接続されている。これにより、電圧供給用配線16a,16b,17a,17bから、金属配線14a,14b,15a,15bを介してゲート電極18a,18b,19a,19bにパルス電圧を印加することができる。また、電圧供給用配線16a,16b,17a,17bが形成された領域では、シリコン基板20上に、電圧供給用配線16a,16b,17a,17bに電圧を印加したときに電圧供給用配線16a,16b,17a,17bの下側にフィールド反転層が形成されない程度の膜厚の酸化膜層26例えば、膜厚約300nmの酸化膜層26が形成されている。この酸化膜層26は、例えば、熱酸化処理により形成される。内部電圧発生回路9a,9bは、ブルーミングの発生を抑制するためにシリコン基板20に印加する電圧を発生する。図2dに図1のD-D’線で破断した断面図を示す。図2dに示すように、この内部電圧発生回路9a,9bは、ポリシリコンにより形成された抵抗体19cを介してシリコン基板20に電圧を印加する。ここで、特に、内部電圧発生回路9aは、撮像領域ARに近接して配置されていることから、内部電圧発生回路9aと撮像領域ARとの間での電圧降下の影響を抑制することができるので、撮像領域AR内における基板バイアスをより精度よく制御することが可能となる。電極パッド形成部9cには、外部のパルス電圧発生回路図示せずに接続された4つの電極パッド図示せずが形成されており、パルス電圧発生回路から供給される4相のパルス電圧それぞれを4本の電圧供給用配線16a,16b,17a,17bに出力する。外部出力回路9dは、信号出力部10に含まれるソースフォロア回路の電流源となる電流源回路図示せずと、信号出力部10から出力される信号を増幅する増幅回路図示せずとを備える。<2>特性試験結果本実施の形態に係る固体撮像装置1の転送特性と暗電流特性とについて試験を行った結果を比較例とともに示す。<2-1>転送特性図1に示す本実施の形態に係る固体撮像装置1と、図9に示す従来例に係る固体撮像装置100とで、転送特性の比較を行った結果を図3に示す。垂直転送効率とは、垂直電荷転送部12内の最終転送段における取り残し電荷量を垂直転送効率として算出している。この垂直転送効率が低下すると、スミアが発生しやすくなり、撮像画像の劣化に繋がる。従って、この垂直転送効率の低下のない固体撮像装置ほど、優れた特性を有していると言える。図3では、複数の垂直電荷転送部12の中で最終転送段の垂直転送効率が最小の垂直電荷転送部12の垂直転送効率を示している。図9に示す固体撮像装置100では、撮像領域ARの水平方向における両端の領域に比べて中央の領域に近づくほど垂直転送効率が低くなっている。図3に示すように、この固体撮像装置100では、転送周波数250kHz以上で撮像領域ARの中央の領域に配置された垂直電荷転送部12最終転送段の垂直転送効率が最小の垂直電荷転送部12の最終転送段で垂直転送効率の低下が確認された。特に、転送周波数250kHz近傍は、一般に固体撮像装置の転送周波数として採用されている。一方、図1に示す固体撮像装置1では、撮像領域ARの一端図1では、矢印b側の端側の領域即ち、信号出力部10が配置される側とは反対側の領域、電圧供給用配線が配置される側の領域から水平方向における他端図1では、矢印b’側の端側の領域即ち、信号出力部10が配置される側の領域に近づくほど垂直転送効率が低くなっている。図3に示すように、この固体撮像装置1では、転送周波数350kHz以上で撮像領域ARの上記他端図1では、矢印b’側の端側の領域に配置された垂直電荷転送部12最終転送段の垂直転送効率が最小の垂直電荷転送部12の最終転送段で垂直転送効率の低下が確認された。ところが、この固体撮像装置1では、一般に固体撮像装置で採用されている転送周波数である250kHz近傍では、垂直転送効率の低下は確認されなかった。以上のように、本実施の形態に係る固体撮像装置1は、従来例に係る固体撮像装置100に比べて、転送周波数の大きい領域例えば、転送周波数250kHz以上の領域でも垂直転送効率の低下が生じにくい。従って、垂直電荷転送部12の転送特性の観点からすれば、本実施の形態に係る固体撮像装置1は、従来例に係る固体撮像装置100に比べて優れていると言える。<2-2>暗電流特性図1に示す本実施の形態に係る固体撮像装置1と、図9に示す従来例に係る固体撮像装置100とで、オプティカルブラック領域AR2における暗電流値を測定した結果を図4に示す。ここで、各構成の固体撮像装置のサンプルを4つずつ準備し、それらについてオプティカルブラック領域AR2における暗電流値を測定した。図9に示す固体撮像装置100は、オプティカルブラック領域AR2が信号出力部60とは反対側に配置されている。そして、オプティカルブラック領域AR2では、当該オプティカルブラック領域AR2全体を覆うように遮光膜71が形成されている。図4に示すように、この固体撮像装置100では、オプティカルブラック領域AR2における暗電流値が約0.48mV乃至0.58mV程度であった。一方、図1に示す固体撮像装置1は、オプティカルブラック領域AR2が信号出力部10側に配置されている。そして、オプティカルブラック領域AR2では、図2cに示すように、金属配線14a,14b,15a,15bの一部を光電変換部11を覆うように配置し、当該金属配線14a,14b,15a,15bの一部を遮光膜として機能させている。図4に示すように、この固体撮像装置1では、オプティカルブラック領域AR2における暗電流値が約0.42mV乃至0.52mV程度であった。以上のように、本実施の形態に係る、オプティカルブラック領域AR2が信号出力部10側に配置され且つ金属配線14a,14b,15a,15bの一部を遮光膜として機能させてなる固体撮像装置1と、従来例に係る、オプティカルブラック領域AR2が信号出力部60とは反対側に配置され且つオプティカルブラック領域AR2全体を覆うように遮光膜71が形成されてなる固体撮像装置100とで、オプティカルブラック領域AR2における暗電流値の大きさおよびサンプル間のばらつきにほとんど差異は認められなかった。このことから、撮像領域AR内におけるオプティカルブラック領域AR2の配置を変更してもオプティカルブラック領域AR2における暗電流値はほとんど変化しないと言える。また、金属配線14a,14b,15a,15bの一部を遮光膜として機能させた場合でも、遮光膜71を形成した場合と比べて暗電流特性にほとんど差異は生じないことも言える。結局、本実施の形態に係る固体撮像装置1は、従来例に係る固体撮像装置100と比べて、オプティカルブラック領域AR2における暗電流特性を維持しながらも、転送特性を向上させることができるという利点がある。<3>固体撮像装置の大きさについて固体撮像装置は、シリコンにより形成された矩形板状の半導体基板上に保護ガラスが取着されてなるチップである。ここでは、本実施の形態の固体撮像装置1の大きさについて、従来例に係る固体撮像装置100と比較しながら説明する。<3-1>従来例に係る固体撮像装置の各構成のレイアウトと当該固体撮像装置の大きさとの関係について図9に示すように、従来例に係る固体撮像装置100の各構成のレイアウトは、平面視矩形状の撮像領域ARの外周部に、撮像領域ARの一辺図9では、矢印a’側の一辺を除く3辺に沿って、4本の電圧供給用配線66a,66b,67a,67bが略コ字状に配置されており、電圧供給用配線66a,66b,67a,67bの両側に内部電圧発生回路9a,9bが配置されている。そして、撮像領域ARの片側図9では、矢印a’側には、撮像領域ARの一辺図9では、矢印a’側の一辺に沿って水平方向に延びる細長の水平電荷転送部13が配置され、当該水平電荷転送部63の一端図9では、矢印b’側の端側には、信号出力部60が配置されている。そして、水平電荷転送部63および信号出力部60の撮像領域AR側とは反対側には、水平方向で隣接するドライバ回路9cおよび外部出力回路9dが配置されている。そして、固体撮像装置100を構成するチップのチップ端マージンが、これら全ての構成を含む矩形状の領域に基づいて設定される。具体的には、撮像領域AR内における受光可能領域AR1の水平方向の長さが800μm、オプティカルブラック領域AR2の水平方向の長さが60μm、撮像領域ARの両側の電圧供給用配線66a,66b,67a,67bが設けられた領域の水平方向の長さが50μm、内部電圧発生回路9a,9bが形成された領域の水平方向の長さがそれぞれ30μm、40μm、チップ端マージンが20μmである。また、固体撮像装置100は、撮像領域ARが配置される面側を覆うように平面視で固体撮像装置100と同じ大きさの保護ガラス図示せずが設けられている。すると、保護ガラスの端部と、受光可能領域AR1の端部との間は、保護ガラスの端部で発生するフレア等の影響を考慮して、110μmよりも大きくする必要がある。ここで、固体撮像装置100の各構成の大きさから固体撮像装置100の水平方向の長さを算出する。受光可能領域AR1の一端図9の矢印b’側の端側は、チップ端マージン、並びに、内部電圧発生回路9bが形成された領域および電圧供給用配線66a,66b,67a,67bが設けられた領域の水平方向の長さから110μm必要となる。ここで、保護ガラスの上記一端部図9の矢印b’側の端部で発生するフレア等の影響を考慮すれば、受光可能領域AR1の上記一端側の水平方向の長さは、更に10μm程度長くして120μm程度にする必要がある。受光可能領域AR1の他端図9の矢印b側の端側は、オプティカルブラック領域AR2、電圧供給用配線66a,66b,67a,67bが設けられた領域および内部電圧発生回路9aが形成された領域の水平方向の長さ、並びに、チップ端マージンから160μm必要となる。従って、固体撮像装置100の水平方向の長さは、受光可能領域AR1の上記一端側の領域の水平方向の長さ120μmと、受光可能領域AR1の水平方向の長さ800μmと、受光可能領域AR1の上記他端側の領域の水平方向の長さ160μmとの和、即ち、1080μmとなる。<3-2>本実施の形態に係る固体撮像装置の各構成のレイアウトと当該固体撮像装置の大きさとの関係について一方、図1に示すように、本実施の形態に係る固体撮像装置1の各構成のレイアウトは、平面視矩形状の撮像領域ARの外周部に、撮像領域ARの一辺図1の矢印b側の一辺に沿って、4本の電圧供給用配線16a,16b,17a,17bが直線状に配置されており、撮像領域ARの一端図1の矢印b’側の端側と電圧供給用配線16a,16b,17a,17bの撮像領域AR側とは反対側とに内部電圧発生回路9a,9bが配置されている。そして、撮像領域ARの片側図1の矢印a’側には、撮像領域ARの一辺図1の矢印a’側の一辺に沿って水平方向に延びる細長の水平電荷転送部13が配置され、当該水平電荷転送部13の上記一端図1の矢印b’側の端側には、信号出力部10が配置されている。そして、水平電荷転送部13および信号出力部10の撮像領域AR側とは反対側には、水平方向で隣接する電極パッド形成部9cおよび外部出力回路9dが配置されている。なお、各構成の水平方向の長さは、従来例に係る固体撮像装置100と同じであるので説明を省略する。ここで、固体撮像装置1の各構成の大きさから固体撮像装置1の水平方向の長さを算出する。受光可能領域AR1の一端図1の矢印b’側の端側は、チップ端マージン、並びに、内部電圧発生回路9bが形成された領域およびオプティカルブラック領域ARの水平方向の長さから120μm必要となる。受光可能領域AR1の他端図1の矢印b側の端側は、電圧供給用配線66a,66b,67a,67bが設けられた領域および内部電圧発生回路9aが形成された領域の水平方向の長さ、並びに、チップ端マージンから100μm必要となる。そして、固体撮像装置1も、固体撮像装置100と同様に撮像領域ARが配置される面側を覆うように保護ガラス図示せずが設けられている。すると、保護ガラスの上記他端部で発生するフレア等の影響を考慮すれば、受光可能領域AR1の上記他端側の領域の水平方向の長さは、120μm程度にする必要がある。従って、固体撮像装置1の水平方向の長さは、受光可能領域AR1の上記一端側の領域の水平方向の長さ120μmと、受光可能領域AR1の水平方向の長さ800μmと、受光可能領域AR1の上記他端側の領域の水平方向の長さ120μmとの和、即ち、1040μmとなる。つまり、固体撮像装置1は、従来例に係る固体撮像装置100に比べて、水平方向の長さが40μm縮小できている。ここで、固体撮像装置1の単位画素サイズが、例えば、2.0μm×2.0μmとすると、水平方向の長さが20画素分縮小できていることになる。これは、受光可能領域AR1内の画素数有効画素数の5分に相当する。従って、チップの外形サイズに制限がある場合、水平方向の長さを縮小できれば、固体撮像装置1の高解像度化に大きな影響を与えることになる。また、従来例に係る固体撮像装置100の場合、受光可能領域AR1の中心から一端図9の矢印b’側の端部までの水平方向の長さが520μm、受光可能領域AR1の中心から他端図9の矢印b側の端部まで水平方向の長さが560μmであり、受光可能領域AR1の中心に対して上記一端側と上記他端側とで水平方向の長さが相違する。一方、本実施の形態に係る固体撮像装置1の場合、受光可能領域AR1の中心から両端部までの水平方向の長さが520μmであり、受光可能領域AR1の中心に対して水平方向で対称となっている。従って、本実施の形態に係る固体撮像装置1では、水平方向における中心位置と受光可能領域AR1の水平方向における中心位置とが一致しているので、固体撮像装置1を撮像システムに組み込む際の受光可能領域AR1の中心位置合わせ作業が容易になるという利点がある。ところで、水平電荷転送部13は、撮像領域ARの片側図1では、矢印a’側に隣接して配置する必要があり、信号出力部10は、水平電荷転送部13の両側のいずれかに隣接して配置するのが最適である。一方、電圧供給用配線16a,16b,17a,17bは、水平電荷転送部13および信号出力部10が形成された領域の撮像領域AR側とは反対側に配置された電極パッド形成部9cに延出させる必要がある。そこで、本実施の形態に係る固体撮像装置1では、電圧供給用配線16a,16b,17a,17bを信号出力部10とは反対側に配置することにより、信号出力部10の撮像領域AR側図1の矢印a側にデッドスペースが生じることを防止している。<実施の形態2><1>構成本実施の形態に係る固体撮像装置2の概略構成を図5に示す。図5に示すように、本実施の形態に係る固体撮像装置2は、実施の形態1図1参照と略同様であり、撮像領域AR内にオプティカルブラック領域が存在しない点が相違する。なお、実施の形態1と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。<2>動作本実施の形態に係る固体撮像装置2の動作について図6に基づいて説明する。なお、図6では、水平方向の画素数がN画素の固体撮像装置2の例について説明する。まず、図6aに示すように、N個の垂直電荷転送部12それぞれから水平電荷転送部13に信号電荷1,2,,Nが読み出される。次に、図6bおよびcに示すように、水平電荷転送部13に読み出された信号電荷が、信号出力部10のフローティングディフュージョンFDに順次転送され、ソースフォロア回路からなる増幅器10aにより信号電圧V1,,VNに変換されて外部に出力される。その後、図6dに示すように、水平電荷転送部13が信号電荷NをフローティングディフュージョンFDに転送した後、更に、水平電荷転送部13に転送動作をさせることにより、フローティングティフュージョンFDに信号電荷が存在しない状態いわゆる信号電荷が空の状態とし、このときに増幅器10aから出力される信号電圧VREFを基準電圧として取得する。そして、受光可能領域AR1に対応する信号電圧V1,V2,,VNに対して、この基準電圧VREFを基準レベルとして信号処理を行う。<3>固体撮像装置の大きさについて本実施の形態の固体撮像装置2の大きさについて説明する。図5に示すように、本実施の形態に係る固体撮像装置2の各構成のレイアウトは、実施の形態1に係る固体撮像装置1図1参照の各構成のレイアウトと略同様であり、撮像領域AR内にオプティカルブラック領域が存在しない。このように、オプティカルブラック領域が存在しない分、撮像領域ARの水平方向の長さを短縮することができるので、水平方向の長さを縮小することができる。<変形例>1実施の形態1では、電圧供給用配線16a,16b,17a,17bが撮像領域ARの水平方向における片側図1では、矢印b側に配置されている固体撮像装置1の例について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図7に示すように、電圧供給用配線16a,16bが、撮像領域ARの一端側図1の矢印b側に配置され、電圧供給用配線17a,17bが、撮像領域ARの他端側図1の矢印b’側に配置されている固体撮像装置3であってもよい。或いは、4本の電圧供給用配線16a,16b,17a,17bのうち、1本を撮像領域ARの両側の一方に配置し、残り3本を撮像領域ARの他方に配置してなるものであってもよい。2実施の形態1では、金属配線14a,15aと金属配線14b,15bとが平面視において互いに重ならないように配置されてなる固体撮像装置1の例について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図8に示すように、金属配線14a,15aと金属配線14b,15bとが平面視において互いに重なるように配置されてなる固体撮像装置4であってもよい。本変形例によれば、金属配線14a,14b,15a,15bの幅を広げることができるので、金属配線14a,14b,15a,15bの抵抗を下げることができる。従って、特に、転送周波数が高い場合における転送特性の向上を図ることができる。"