式ILu3-x-zAxAl5-y-zScyO12:MnzCazI式中、Aは、Y、GdまたはTbを表し、xは、0~2.90の範囲からの値を表し、yは、0~0.50の範囲からの値を表し、zは、0.005~0.05の範囲からの値を表す、で表される化合物。xが、0~2.0の範囲、好ましくは0.10~0.90の範囲からの値を表すことを特徴とする、請求項1に記載の化合物。yが、0.10~0.45の範囲、好ましくは0.20~0.40の範囲からの値を表すことを特徴とする、請求項1または2に記載の化合物。請求項1~3のいずれか一項に記載の化合物の製造方法であって、以下の方法ステップ:aルテチウム、スカンジウム、カルシウム、アルミニウム、マンガン、イットリウム、テルビウムおよびまたはガドリニウム含有材料の混合、b少なくとも1つのさらなる無機および/または有機物質の添加、c混合物の熱処理、を含む、前記方法。無機または有機物質方法ステップbが、アンモニウムハロゲン化物、アルカリ土類金属フッ化物、例えばフッ化カルシウム、フッ化ストロンチウムもしくはフッ化バリウムなど、アルカリ土類もしくはアルカリ金属ホウ酸塩、ホウ酸、アルカリ土類もしくはアルカリ金属炭酸塩もしくは炭酸水素アンモニウム、クエン酸、アルコラート、ならびに、シュウ酸塩および/またはケイ酸塩例えば例としてTEOSなど、の群から選択されることを特徴とする、請求項4に記載の方法。混合物の熱処理が、複数のステップで、好ましくは2ステップで実行されることを特徴とする、請求項4または5に記載の製造方法。半導体および請求項1~3のいずれか一項に記載の式Iで表される少なくとも1つの化合物を含むことを特徴とする、光源。半導体が、とくに式IniGajAlkNで表され、式中0≦i、0≦j、0≦kおよびijk=1である発光窒化インジウムアルミニウムガリウムであることを特徴とする、請求項7に記載の光源。請求項7または8に記載の少なくとも1つの光源を含むことを特徴とする、照明ユニット。蛍光物質と半導体との間の光結合を、光伝導配置によって達成することを特徴とする、請求項9に記載の照明ユニット。ディスプレイデバイス、とくに液晶ディスプレイデバイスLCディスプレイであって、請求項9または10に記載の少なくとも1つの照明ユニットを含むことを特徴とする、前記ディスプレイデバイス。請求項1~3のいずれか一項に記載の少なくとも1つの化合物の、発光ダイオードからの青色または近UV放射の部分的な、または完全な変換のための変換蛍光物質としての使用。