直方体形状の誘電体ブロックの周囲を導体膜で被覆した複数の誘電体導波管共振器を結合して構成する誘電体導波管フィルタにおいて、前記複数の誘電体導波管共振器を直列に結合した誘導性結合および容量性結合を含む主結合路と、前記主結合路の一部を飛び越して結合する少なくとも一つ以上の誘導性結合または容量性結合を含む副結合路とを具え、前記副結合路により飛び越された主結合路には、少なくとも1つ以上の容量性結合を含むことを特徴とする誘電体導波管フィルタ。前記容量性結合は、前記誘電体導波管共振器よりも高い誘電率の誘電体板を用いたことを特徴とする請求項1記載の誘電体導波管フィルタ。前記誘電体板の厚さは、前記誘電体板の厚さ方向の管内波長の4分の1未満であることを特徴とする請求項2記載の誘電体導波管フィルタ。図10において、減衰極fbと中心周波数f0との距離は、減衰極faと中心周波数f0との距離に比べて離れている。これは容量性結合がローパスフィルタのような性質を持っているために生じる。図11は、容量性結合と誘導性結合の透過振幅の周波数特性を示すグラフである。実線は誘導性結合を示し、破線は容量性結合を示す。図11に示すように、誘導性結合は周波数が高くなるにつれて透過振幅が徐々に大きくなり、容量性結合は周波数が高くなるにつれて透過振幅が徐々に小さくなる。このように、誘導性結合はハイパスフィルタ、容量性結合はローパスフィルタのような性質をもっている。従来の誘電体導波管フィルタの主結合路は、ハイパスフィルタのような性質をもつ誘導性結合を副結合路より多く含んでいるので、主結合路の透過振幅は、高域側の減衰傾度が低域側の減衰傾度より緩くなる。そのため、高域側において、主結合路と副結合路の透過振幅が一致する点が、周波数の高い側にシフトする。その結果、高域側の減衰極は、低域側の減衰極と比べて中心周波数からの距離が離れ、誘電体導波管フィルタの高域側の減衰特性が、低域側の減衰特性に比べて緩慢になるという欠点がある。上記の問題を解決するために、本発明の誘電体導波管フィルタは、直方体形状の誘電体ブロックの周囲を導体膜で被覆した複数の誘電体導波管共振器を結合して構成する誘電体導波管フィルタにおいて、前記複数の誘電体導波管共振器を直列に結合した誘導性結合および容量性結合を含む主結合路と、前記主結合路の一部を飛び越して結合する少なくとも一つ以上の誘導性結合または容量性結合を含む副結合路とを具え、前記副結合路により飛び越された主結合路には、少なくとも1つ以上の容量性結合を含むことを特徴とする。さらに本発明の誘電体導波管フィルタは、前記容量性結合に、前記誘電体導波管共振器よりも高い誘電率の誘電体板を用いたことを特徴とする。請求項1に記載の発明によれば、主結合路の一部に容量性結合を用いたので、高域側の減衰極が中心周波数に近づき、高域と低域の両側の減衰特性が急峻な誘電体導波管フィルタを得ることができる。請求項2に記載の発明によれば、前記容量性結合に、誘電体導波管共振器よりも誘電率の高い誘電体板を挟んだので、容量性窓の短手方向の間隔を広げることができ、大電力を入力した場合でも、放電する虞の少ない誘電体導波管フィルタとすることができる。以下、図面を用いて本発明の誘電体導波管フィルタの第1の実施例を説明する。図1は、本発明の誘電体導波管フィルタの第1の実施例を示し、図1aは分解斜視図、図1bは等価回路図を示す。図1に示すように、誘電体導波管フィルタ1は、直方体形状の誘電体ブロックの周囲を導体膜で被覆した誘電体導波管共振器11~16からなる。誘電体導波管共振器11は入力のための誘導性窓L11を具え、誘電体導波管共振器16は出力のための誘導性窓L17を具える。誘電体導波管共振器11~13は誘導性窓L12~L13で結合され、誘電体導波管共振器14~16は誘導性窓L15~L16で結合され、誘電体導波管共振器13、14は容量性窓C14で結合され、誘電体導波管共振器12、15は誘導性窓L10で結合されている。その結果、本発明の誘電体導波管フィルタ1は、誘電体導波管共振器11、12、13、14、15、16を通る主結合路と、誘電体導波管共振器11、12、15、16を通る副結合路とを具えている。すなわち、副結合路は誘電体導波管共振器13、14を飛び越していて、副結合路により飛び越された主結合路は容量性結合C14を含んでいる。図2は、図1の誘電体導波管フィルタのシミュレーション結果であり、図2aは、本発明の第1の実施例における主結合路と副結合路の透過振幅の周波数特性を示し、実線は主結合路を示し、破線は副結合路を示す。図2bは、本発明の誘電体導波管フィルタと従来の誘電体導波管フィルタの透過振幅の周波数特性を示し、実線は本発明の誘電体導波管フィルタの第1の実施例を示し、破線は比較のための従来の誘電体導波管フィルタを示す。図2においてf0はフィルタの中心周波数、faは低域側の減衰極、fbは従来の誘電体導波管フィルタの場合の高域側の減衰極、fb1は本発明の誘電体導波管フィルタの高域側の減衰極を示す。なお、誘電体導波管共振器11~16の比誘電率は21、誘電体導波管共振器11と16は、幅X軸方向18mm、長さY軸方向14.7mm、高さZ軸方向8mm、誘電体導波管共振器12と15は、幅X軸方向18mm、長さY軸方向16.3mm、高さZ軸方向8mm、誘電体導波管共振器13と14は、幅X軸方向18mm、長さY軸方向19mm、高さZ軸方向8mm、誘導性窓L11とL17は、幅X軸方向10.4mm、高さZ軸方向6mm、誘導性窓L12、L16は、幅X軸方向7.3mm、高さZ軸方向6mm、誘導性窓L13、L15は、幅X軸方向6.7mm、高さZ軸方向6mm、誘導性窓L10は、幅Y軸方向3.2mm、高さZ軸方向6mm、容量性窓C14は、幅Y軸方向19mm、高さZ軸方向0.2mmであり、誘電体導波管共振器11~16は底面を揃えて配置され、容量性窓C14は誘電体導波管共振器13、14の底面側に偏って配置されている。図2aに示すように、本発明の誘電体導波管フィルタは、主結合路上のハイパスフィルタのような性質をもつ誘導性結合のうちの一つを、ローパスフィルタのような性質をもつ容量性結合に置き換えたので、図中Aに示すように主結合路の高域側の透過振幅が、従来の誘電体導波管フィルタの透過振幅に比べて、やや急峻になるように移動する。また、副結合路上のローパスフィルタのような性質をもつ容量性結合を、ハイパスフィルタのような性質をもつ誘導性結合に置き変えたので、図中Bに示すように副結合路の高域側の透過振幅が、従来の誘電体導波管フィルタの透過振幅に比べて、緩慢になるように移動する。その結果、図2bに示すように、主結合路と副結合路の透過振幅が一致する点で生じる高域側の減衰極fbは、図中Cで示すように中心周波数f0に近づいて、fb1の位置となり、高域側の減衰特性が緩慢にならない誘電体導波管フィルタを得ることができる。なお、図2bにおいて、実線は本発明の第1の実施例の誘電体導波管フィルタの特性を示し、破線は比較のための従来の誘電体導波管フィルタの特性を示す。図3は、本発明の誘電体導波管フィルタの第2の実施例であり、図3aは分解斜視図を示し、図3bは、図3aの分解斜視図の一部を詳しく説明する図であり、図3cは等価回路図を示す。図3に示すように、誘電体導波管フィルタ3は、直方体形状の誘電体ブロックの周囲を導体膜で被覆した誘電体導波管共振器31~36と、周囲を導体膜で被覆した誘電体板37からなる。誘電体導波管共振器31は入力のための誘導性窓L31を具え、誘電体導波管共振器36は出力のための誘導性窓L37を具える。誘電体導波管共振器31~33は誘導性窓L32~L33で直列に結合され、誘電体導波管共振器34~36は誘導性窓L35~L36で直列に結合され、誘電体導波管共振器33、34は誘電体板37を介して容量性窓C34で結合され、誘電体導波管共振器32と35の間は誘導性窓L30で飛び越し結合されている。なお、誘電体板37には、容量性窓C34と同じ位置に、容量性窓C34と同じ寸法の窓C37が設けられている。図3において、誘電体導波管共振器31~36の比誘電率は21、誘電体導波管共振器31と36は、幅X軸方向18mm、長さY軸方向14.8mm、高さZ軸方向8mm、誘電体導波管共振器32と35は、幅X軸方向19.9mm、長さY軸方向15mm、高さZ軸方向8mm、誘電体導波管共振器33と34は、幅X軸方向18.3mm、長さY軸方向18mm、高さZ軸方向8mm、誘導性窓L31とL37は、幅X軸方向10.4mm、高さZ軸方向6mm、誘導性窓L32、L36は、幅X軸方向7.3mm、高さZ軸方向6mm、誘導性窓L33、L35は、幅X軸方向6.5mm、高さZ軸方向6mm、誘導性窓L30は、幅Y軸方向4.7mm、高さZ軸方向6mm、誘電体板37は、幅Y軸方向18mm、厚さX軸方向2mm、高さZ軸方向5.3mm、容量性窓C34は、幅Y軸方向13mm、高さZ軸方向2.3mmであり、容量性窓C34の中心は誘電体板37の側面YZ面の中心と一致しており、誘電体導波管共振器31~36と誘電体板37は底面を揃えて配置されている。なお、誘電体板37の幅Y37は、隣接する誘電体導波管共振器33の幅Y33または誘電体導波管共振器34の幅Y34とは同じにする必要はなく、誘電体板37の高さZ37は、隣接する誘電体共振器33、37の高さZ3と同じにする必要はない。図4は、図3の本発明の誘電体導波管フィルタの、第2の実施例のシミュレーション結果を示すグラフであり、実線は本発明の誘電体導波管フィルタの第2の実施例を示し、破線は比較のための従来の誘電体導波管フィルタを示す。図4より、容量性結合に誘電体板を挟んだ場合においても、高域側で急峻な減衰特性が得られることがわかる。ところで、容量性窓の短手方向の距離は、同じ大きさの結合係数を持つ誘導性窓の短手方向の距離に比べて極端に近くなる。また、図1に示した誘電体導波管フィルタは、フィルタの通過帯域では、副結合路よりも主結合路の方が透過振幅が大きいので、大電力が入力される場合は、電力の大部分は主結合路を通過する。このため、主結合路上の容量性結合として容量性窓を用いた誘電体導波管フィルタは、容量性窓で電界が集中して放電が生じやすくなり、耐電力特性が劣化してしまう。上記の問題を解決するため、図3に示した誘電体導波管フィルタは、容量性結合に、誘電体導波管共振器の誘電率より高い誘電率をもつ誘電体板を挟んでいる。図5aは、試料として、2つの誘電体導波管共振器間に設けた結合窓の寸法と結合係数の関係を示すグラフである。図5b~dは試料の構成を示す図である。図5aにおいて、縦軸は結合係数を示し、横軸は窓寸法を示す。X印は、図5bの構成に示すように、2つの誘電体導波管共振器51、51を容量性窓C51で結合し、容量性窓C51の窓寸法の高さh51を変化させた場合を示す。三角印は、図5cの構成に示すように、2つの誘電体導波管共振器51、51を誘導性窓L51で結合し、窓L51の窓寸法の幅w51を変化させた場合を示す。丸印は、図5dの2つの誘電体導波管共振器51、51の間に誘電体板52を挟み、誘電体板52を介して容量性窓C51で2つの誘電体導波管共振器51、51を結合し、容量性窓C51の窓寸法の高さh51を変化させた場合を示す。なお、誘電体導波管共振器51、51の比誘電率は21、幅Y51は18mm、高さZ51は8mmであり、基本モードTE101で共振しており、その共振周波数は2.5GHzであることから、長さX51は決まる。また、誘電体板52は、比誘電率は91であり、窓C52に該当する部分を除いて周囲が導体膜で被覆されており、厚さX52は2mm、幅Y52は18mm、高さZ52は容量性窓の高さh51より1mm低く、窓C52の寸法は容量性窓C51と等しい。図5aより、例えば所望の結合係数が0.08である場合、容量性窓の高さは0.2mm程度だが、誘電体板を挟むことにより、容量性窓の高さを4.7mm程度に離すことができる。その結果、容量性窓での放電が生じにくくなり、耐電力特性が向上する。図3に示した第2の実施例において、誘電体板37の誘電率は、誘電体導波管共振器の誘電体ブロックの誘電率より高く、誘電体板37の厚さX37は、誘電体板37の厚さ方向X軸方向の管内波長に対して4分の1未満にする必要がある。理由は、下記の通りである。図6は、図5dの構成において、誘電体板52の比誘電率または厚さを変化させた場合の反射位相と透過位相を示すグラフであり、図6aは誘電体板の比誘電率εrを変化させた場合であり、図6bは誘電体板の厚さX52を変化させた場合であり、丸印は反射位相を示し、三角印は透過位相を示す。図6において、誘電体板の比誘電率が誘電体導波管共振器の比誘電率である21以下の場合と、誘電体板の厚さが誘電体板中の厚さ方向の管内波長の4分の1である3.5mm以上の場合に、透過位相が0°から-90°の範囲から外れるとともに、反射位相の符号が正になっている。これは、誘電体導波管共振器の間の結合が容量性結合ではなくなることを意味する。したがって、誘電体板の誘電率は誘電体導波管共振器の誘電率より高く、誘電体板の厚さは誘電体板中の厚さ方向の管内波長の4分の1未満にしなければならない。図7は、本発明の誘電体導波管フィルタの第3の実施例であり、図7aは分解斜視図を示し、図7bは等価回路図を示す。図7に示すように、誘電体導波管フィルタ7は、誘電体導波管共振器71、72、73、74、75、76を通る主結合路と、誘電体導波管共振器71、72、75、76および、71、76を通る2つの副結合路とを具えている。このように、副結合路の数が複数であっても、副結合路により飛び越される主結合路上に容量性結合が一つ以上あればよく、飛び越し結合は容量性結合であってもよい。また、容量性結合には第2の実施例に示したように誘電体板を挟んでも良い。以上述べたように、本発明の誘電体導波管フィルタは、飛び越し結合により飛び越された主結合路上の、誘電体導波管共振器間の結合の少なくとも1つ以上に、容量性結合を用いることにより、通過帯域の高周波側の減衰特性を急峻にすることができる。さらに、前記容量性結合は、誘電体板を挟むことにより、容量性窓の短手方向の距離を離すことができ、耐電力特性を向上させることができる。