"外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第1及び第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に位置するスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子であって、前記第1の磁性層は、前記磁気抵抗効果素子が形成される基板に対し、前記第2の磁性層よりも近い側に位置し、前記スペーサ層は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層と、前記主スペーサ層と前記第1の磁性層との間に位置し、銅とガリウムとを含む第1の非磁性層と、を有している、磁気抵抗効果素子。前記第1の非磁性層における銅とガリウムの合計含有量に対するガリウムの含有量の比は、30原子分率以上65原子分率以下である、請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。前記第1の非磁性層の膜厚は、0.4nm以上1.0nm以下である、請求項2に記載の磁気抵抗効果素子。前記スペーサ層は、前記主スペーサ層と前記第2の磁性層との間に位置し、銅とガリウムとを含む非磁性層、Cu層またはZn層のいずれかからなる第2の非磁性層を有している、請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。請求項1から4のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド。前記第1の磁性層と前記第2の磁性層の一方が、外部磁界に対して磁化方向が変化する磁化自由層であり、他方が、外部磁界に対して磁化方向が固定された磁化固定層であり、前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向両側に設けられ、前記磁化自由層に前記トラック幅方向のバイアス磁界を印加する一対のバイアス磁界印加層を有する、請求項5に記載の磁気ヘッド。前記第1の磁性層と前記第2の磁性層が共に、外部磁界に対して磁化方向が変化する磁化自由層であり、媒体対向面から見て前記磁気抵抗効果素子の裏面側に設けられ、前記第1及び第2の磁性層に前記媒体対向面と直交する方向のバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層を有する、請求項5に記載の磁気ヘッド。請求項5に記載の磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダ。請求項5に記載の磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリ。請求項5に記載の磁気ヘッドを有するハードディスクドライブ装置。スペーサ層と隣接する強磁性層は、一般にCo,Ni,Fe等を主成分としており、これらの元素が酸化物半導体層と接触して配置されていると酸化物半導体層に含まれる酸素の酸化作用によって強磁性層が酸化し分極率が低下し、MR変化率が低下するという問題がある。特許文献1に記載の技術では、銅、金、銀などの非磁性金属層が強磁性層の酸化を防止することが期待される。しかし、銅、金、銀などの単体金属は膜厚が小さいと島状に形成されやすいため、酸化防止膜として機能させるためにはある程度の膜厚が必要となる。一方、膜厚を大きくしすぎると電子が散乱されやすくなり、MR変化率が低下する。本発明は、スペーサ層に隣接する磁性層の酸化を防止し、かつ大きなMR変化率を実現することのできる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。本発明の磁気抵抗効果素子は、外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第1及び第2の磁性層と、第1の磁性層と第2の磁性層との間に位置するスペーサ層と、を有している。第1の磁性層は、磁気抵抗効果素子が形成される基板に対し、第2の磁性層よりも近い側に位置し、スペーサ層は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層と、主スペーサ層と第1の磁性層との間に位置し、銅とガリウムとを含む第1の非磁性層と、を有している。酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層を備えるスペーサ層は、銅などの金属層で形成された従来のスペーサ層よりも高抵抗であるため、大きなMR変化率を実現することができる。酸化ガリウムは薄膜状態では通常アモルファス状態で存在するが、アモルファス状態であっても大きなバンドギャップを持つことができ、また、スペーサ層と隣接する強磁性層との格子整合隣接する2つの材料の格子定数が一致することが不要であるという利点も持っている。一方、上述のようにスペーサ層と隣接する強磁性層は、一般にCo,Ni,Fe等を主成分としており、これらの元素が酸化ガリウムと接触して配置されていると酸化ガリウムに含まれる酸素の酸化作用によって強磁性層が酸化し、MR変化率が低下するという問題がある。具体的には、酸化ガリウムは、酸素が第1の磁性層を構成する元素を酸化させ、分極率を低下させて、MR変化率を低下させる可能性がある。特にFeの酸化は、大きなMR変化率の低下につながる可能性がある。また、磁気抵抗効果素子は積層膜の成膜後に加熱される工程を経る場合があり、その場合には磁性層の酸化によるMR変化率の低下がより顕著になる可能性がある。しかし、主スペーサ層と第1の磁性層との間に位置する、銅とガリウムとを含む第1の非磁性層は、酸素の第1の磁性層への移動を防止し、第1の非磁性層を構成する元素の酸化を防止する。しかも単体金属と比べて、膜厚を小さくしても島状に形成されにくくMR変化率への影響が少ない。このような理由によって、第1の磁性層の酸化を防止し、かつMR変化率の低下を抑制することができる。このように、本発明によれば、スペーサ層に隣接する磁性層の酸化を防止し、かつ大きなMR変化率を実現することのできる磁気抵抗効果素子を提供することができる。本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果素子と、その磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドのいくつかの実施形態を、図面を用いて説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド1の要部断面図を示している。薄膜磁気ヘッド1は基板W上に形成され、再生ヘッド2と記録ヘッド3とを有している。図2は、図1のA-A方向から見た再生ヘッド2の側面図、すなわち媒体対向面Sにおける再生ヘッド2の層構成を示している。媒体対向面Sとは、薄膜磁気ヘッド1の、記録媒体Mと対向する面である。まず、図2を参照して、再生ヘッド2の構成について説明する。再生ヘッド2は、スピンバルブタイプの磁気抵抗効果素子4と、磁気抵抗効果素子4を膜面直交方向積層方向Pに挟むように設けられた上部及び下部シールド層6,5と、磁気抵抗効果素子4のトラック幅方向T図1においては紙面直交方向両側に設けられたバイアス磁界印加層22と、を有している。磁気抵抗効果素子4の先端部は図1に示すように、媒体対向面Sに配置されている。磁気抵抗効果素子4は、上部シールド層6と下部シールド層5との間にかかる電圧によって、センス電流Sが膜面直交方向Pに流れるようにされている。磁気抵抗効果素子4と対向する位置における記録媒体Mからの磁場は、記録媒体Mの回転につれて変化する。磁界の変化は磁気抵抗効果に基づくセンス電流Sの電気抵抗変化として検出される。磁気抵抗効果素子4は、この原理を利用して、記録媒体Mに書き込まれた磁気情報を読み出す。表1には、磁気抵抗効果素子4の層構成の一例を示す。表1は、下部シールド層5から上部シールド層6まで、積層順に下から上に記載している。磁気抵抗効果素子4は、NiFe層からなる下部シールド層5の上に、下地層11、反強磁性層12、外側磁化固定層13、交換結合伝達層14、内側磁化固定層15第1の磁性層L1、スペーサ層16、磁化自由層17第2の磁性層L2、保護層18がこの順に積層された層構成を有している。保護層18はNiFe層からなる上部シールド層6に覆われている。下地層11は、その上に積層される反強磁性層12と外側磁化固定層13との良好な交換結合を得るために設けられている。外側磁化固定層13はIrMnからなる反強磁性層12と交換結合している。外側磁化固定層13はRuからなる交換結合伝達層14を介して、内側磁化固定層15と交換結合している。この結果、内側磁化固定層15の磁化方向は強固に固定されている。内側磁化固定層15は膜面内で、媒体対向面Sと直交する方向に磁化されていることが望ましい。内側磁化固定層15と外側磁化固定層13は互いに反平行の向きに磁化方向が固定されているため、これらを合わせた部分の全体的な磁化が抑制される。内側磁化固定層15の上には、スペーサ層16を挟んで、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層17が設けられている。保護層18は、積層された各層が劣化することを防止するために設けられている。外側及び内側磁化固定層13,15並びに磁化自由層17は典型的にはCoFeからなるが、Niを含んでいてもよい。磁気抵抗効果素子4のトラック幅方向T両側には、絶縁膜21を介してバイアス磁界印加層22が形成されている。バイアス磁界印加層22は磁化自由層17を単磁区化するための磁区制御膜であり、磁化自由層17にトラック幅方向Tのバイアス磁界を印加する。絶縁膜21はAl2O3、バイアス磁界印加層22はCoPt,CoCrPtなどで形成される。センス電流Sは、磁気抵抗効果素子4に、膜面直交方向Pに流れるようにされている。センス電流Sは、電極を兼ねる上部及び下部シールド層6,5から供給される。磁化自由層17の磁化方向は、外部磁界が印加されていない状態では、バイアス磁界印加層22からのバイアス磁界によって、トラック幅方向T、すなわち内側磁化固定層15の磁化方向と直交する向きに制御されている。記録媒体Mからの外部磁界が磁化自由層17に印加されると、磁化自由層17の磁化方向は外部磁界の向き及び強さに応じて、膜面内を所定の方向に所定の角度だけ回転する。磁化自由層17の磁化方向は内側磁化固定層15の磁化方向に対して、外部磁界の向き及び強さに応じた相対角度をなし、相対角度に応じて伝導電子のスピン依存散乱が変化して磁気抵抗変化が生じる。磁気抵抗効果素子4は、この磁気抵抗変化を検出して、記録媒体Mの磁気情報を読み取る。磁化自由層17と外側及び内側磁化固定層13,15とはスペーサ層16に関して上下逆に設けられてもよい。換言すれば、磁化自由層17が外側及び内側磁化固定層13,15よりも基板Wに近い側に位置していてもよい。具体的には、内側磁化固定層15から反強磁性層12までの各層が保護層18とスペーサ層16の間に内側磁化固定層15が最も下側に、反強磁性層12が最も上側になるように配置される、磁化自由層17が下地層11とスペーサ層16の間に配置される。本明細書では、磁化自由層17と内側磁化固定層15のうち、磁気抵抗効果素子4が形成される基板Wに近い側、すなわち積層方向に見てスペーサ層16の下側に位置する層を第1の磁性層L1と呼び、基板Wから見て第1の磁性層L1より遠い側、すなわち積層方向に見てスペーサ層16の上側に位置する層を第2の磁性層L2と呼ぶ。表1に示す層構成では、内側磁化固定層15が第1の磁性層L1、磁化自由層17が第2の磁性層L2であり、逆の位置関係の層構成では、磁化自由層17が第1の磁性層L1、内側磁化固定層15が第2の磁性層L2となる。スペーサ層16は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層16bを含んでいる。主スペーサ層16bは酸化ガリウム以外の添加物、例えば金属酸化物を含んでいてもよいが、主スペーサ層16b中の酸化ガリウムはモル分率で50以上であることが好ましい。酸化ガリウムの組成は一般式GaOxで表わされ、xの範囲は1.45≦x≦1.55である。主スペーサ層16bは、通常はアモルファスの状態で形成される。GaOxは、従来スペーサ層に用いられていたCuと比べて抵抗値が大きく、抵抗変化も大きい。このため、Cuをスペーサ層として用いた従来の磁気抵抗効果素子と比べて大きなMR変化率を得ることができる。酸化ガリウムは高いMR変化率を実現するために有望な材料であるが、酸素を含んでいるため、第1及び第2の磁性層L1,L2が主スペーサ層16bに隣接していると、第1及び第2の磁性層L1,L2に含まれるFe,Co,Ni等の元素、特にFeを酸化する傾向がある。これらの元素が酸化するとMR変化率は低下する傾向にある。そのため、主スペーサ層16bと第1の磁性層L1とが直接接触するのを避け、第1の磁性層L1の酸化を効果的に防止する目的で、スペーサ層16は、銅とガリウムとを含む第1の非磁性層16aCuGa層を有している。第1の非磁性層16aは好ましくは実質的にCuとGaとからなり、若干の添加物を含んでいてよい。第1の非磁性層16aは一部が酸化していてもよい。つまり、第1の非磁性層16aは実質的にCuとGaとOとからなっていてもよい。第1の非磁性層16aは主スペーサ層16bと第1の磁性層L1との間に、双方に接して位置している。図3にはGa-Cuの状態図を示している。Cuの比率が大きい場合は、CuとGaはCu相の固溶体solidsolutionの状態で存在する。Cu相の固溶体は、Cuの結晶構造を有し、Cu原子の一部がGa原子に置換されたものである。Gaの比率原子分率が増えると、金属間化合物intermetalliccompoundであるγ相とθ相が現われる。Cu相の固溶体とγ相の間はこれらの混合相図中にはCuγと表記となっており、γ相とθ相の間はこれらの混合相図中にはθγと表記となっている。Gaの比率がさらに増えるとθ相とGa相の混合相が現われる。本願発明者は、後述するように第1の非磁性層16a中のGaとCuの比率を様々に変え、状態図上の様々な組成についてMR変化率を測定した。この結果、第1の非磁性層16aにおける銅とガリウムの合計含有量に対するガリウムの原子分率が30以上、65以下の範囲で特に大きなMR変化率が安定して得られることを見出した。この原子分率の範囲はほぼ、金属間化合物であるγ相及びθ相並びに混合相θγが形成される範囲と一致している。これらのγ相及びθ相並びに混合相θγは酸素の進入、拡散を防止する高い効果があると考えられる。つまり、CuGa合金は、銅とガリウムの合計含有量に対するガリウムの原子分率が30以上65以下の範囲では金属間化合物として存在しており、または存在しやすいために、第1の磁性層L1の酸化を防止することが容易であると考えられる。同様の目的で、スペーサ層16は、主スペーサ層16bと第2の磁性層L2との間に双方に接して位置する、銅とガリウムとを含む第2の非磁性層16cを有している。同様の原理により、第2の非磁性層16cは第2の磁性層L2の酸化を防止することができる。第2の非磁性層16cは好ましくは実質的にCuとGaとからなり、若干の添加物を含んでいてよい。第2の非磁性層16cは一部が酸化していてもよい。つまり、第2の非磁性層16cは実質的にCuとGaとOとからなっていてもよい。第1の非磁性層16aだけを設け、第2の非磁性層16cを省略することもできる。スペーサ層16の層構成は、CuGa層16aと主スペーサ層16bの2層構成となる。つまり、CuGa層は、第1の磁性層L1と主スペーサ層16bとの間に設ける方が、第2の磁性層L2と主スペーサ層16bとの間に設けるよりも、MR変化率を向上させる上で効果的である。その理由は明らかではないが、発明者は磁気抵抗効果素子4を成膜する際の酸素の挙動が影響を及ぼしていると推測している。すなわち、磁気抵抗効果素子4を形成する各層は例えばスパッタリングで成膜することができ、酸化ガリウムを成膜する際には、酸化ガリウムのターゲット材を用いる手法や、更に成膜雰囲気中に酸素を含ませる手法が利用できる。いずれの方法の場合も、酸化ガリウムから隣接する層への酸素の移動はスパッタリング中またはその直後に多く生じていると考えられ、そのため第1の磁性層L1への酸素の移動の方が生じ易いものと考えられる。換言すれば、第2の磁性層L2は酸化される傾向が相対的に低いため、第2の非磁性層16cの必要性ないし効果が相対的に小さいと推察される。このため、以下に述べるように酸化防止効果において多少劣るCu層またはZn層を、第2の非磁性層16cとして利用することもできる。第2の非磁性層16cとしてのCu層またはZn層は一部が酸化していてもよい。再び図1を参照すると、再生ヘッド2の上には、スパッタリング等によって形成された素子間シールド層8を介して記録ヘッド3が設けられている。記録ヘッド3はいわゆる垂直磁気記録用の構成を有している。書込のための磁極層は主磁極層21と補助磁極層22とからなる。これらの磁極層は、フレームめっき法等によって形成される。主磁極層21は、FeCoから形成され、媒体対向面Sにおいて、媒体対向面Sとほぼ直交する向きでに配置されている。主磁極層21の周囲には、絶縁材料からなるギャップ層24の上を延びるコイル層23が巻回しており、コイル層23によって主磁極層21に磁束が誘導される。コイル層23は、フレームめっき法等によって形成される。この磁束は主磁極層21の内部を導かれ、媒体対向面Sから記録媒体Mに向けて放出される。主磁極層21は、媒体対向面S付近で、膜面直交方向Pだけでなく、トラック幅方向Tにも絞られており、高記録密度化に対応した微細で強い書込磁場を発生する。補助磁極層22は主磁極層21と磁気的に結合した磁性層である。補助磁極層22はNi,Fe,Coのいずれか2つまたは3つからなる合金などで形成された、膜厚約0.01μm~約0.5μmの磁極層である。補助磁極層22は主磁極層21から分岐して設けられ、媒体対向面S側ではギャップ層24及びコイル絶縁層25を介して主磁極層21と対向している。補助磁極層22の媒体対向面S側の端部は、補助磁極層22の他の部分より層断面が広いトレーリングシールド部を形成している。このような補助磁極層22を設けることによって、媒体対向面S近傍において、補助磁極層22と主磁極層21との間の磁場勾配がより急峻になる。この結果、信号出力のジッタが小さくなり、読み出し時のエラーレートを小さくすることができる。第2の実施形態本実施形態の薄膜磁気ヘッド1は、再生ヘッド2の構成を除いて、図1に示す第1の実施形態と同一である。図4及び表2には、このような磁気抵抗効果素子の層構成を示している。再生ヘッド102は、第1の実施形態と同様に多数の層が積層された磁気抵抗効果素子104と、磁気抵抗効果素子104を膜面直交方向P積層方向に挟むように設けられた上部及び下部シールド層106,105と、を有している。上部及び下部シールド層106,105はセンス電流Sの電極としても用いられ、センス電流Sを磁気抵抗効果素子104の膜面直交方向Pに流す。本実施形態では、第1の磁性層L1と第2の磁性層L2は共に、外部磁界に対して磁化方向が変化する磁化自由層115,117である。バイアス磁界印加層122は媒体対向面Sから見て磁気抵抗効果素子104の裏面側に、絶縁層121を介して設けられ、第1及び第2の磁化自由層115,117第1及び第2の磁性層L1,L2に媒体対向面Sと直交する方向のバイアス磁界を印加する。第1、第2の磁化自由層115,117の間にはスペーサ層116が設けられている。第1の磁化自由層115と下部シールド層105の間には、第1の磁気的連結層111が、第2の磁化自由層117と上部シールド層106の間には、第2の磁気的連結層118がそれぞれ設けられている。下部シールド層105は、第1の主シールド層105aと、第1の主シールド層105a上に積層された第1の反強磁性層105b及び第1の交換結合磁界印加層105cと、を有している。第1の交換結合磁界印加層105cは第1の反強磁性層105bとの反強磁性結合によって、トラック幅方向Tに磁化方向が固定されている。同様に、上部シールド層106は、第2の主シールド層106aと、第2の主シールド層106aの下方に積層された第2の反強磁性層106b及び第2の交換結合磁界印加層106cと、を有している。第2の交換結合磁界印加層106cは第2の反強磁性層106bとの反強磁性結合によって、トラック幅方向Tに磁化方向が固定されている。第1及び第2の交換結合磁界印加層105c,106cは、共に同じ方向に磁化されている。他の実施形態では、第1及び第2の反強磁性層105b,106bと第1及び第2の交換結合磁界印加層105c,106cを設ける代わりに、第1及び第2の主シールド層105a,106aをトラック幅方向Tに細長い形状として、形状異方性効果を用いて単磁区化し、磁化方向が同じ方向を向くようにすることもできる。第1の磁気的連結層111は、CoFeからなるギャップ調整層111b,111dとRuからなる交換結合伝達層111a,111c,111eとが交互に積層された構造を有し、交換結合伝達層111a,111eが両側端面に位置している。第2の磁気的連結層118も第1の磁気的連結層111と同様、CoFeからなるギャップ調整層118bとRuからなる交換結合伝達層118a,118cとが交互に積層された構造を有し、交換結合伝達層118a,118cが両側端面に位置している。交換結合伝達層111a,111c,111eを挟む一対の磁性層105c,111b,111d,115、及び交換結合伝達層118a,118cを挟む一対の磁性層106c,118b,117は交換結合をし、図4に示すように、磁化方向が交互に反転しているバイアス磁界は印加されていないとしている。ギャップ調整層111b,111d,118bの膜厚を調整することで、磁気抵抗効果素子104の総膜厚をシールドギャップに合わせて調整することができる。高記録密度を実現するためにはシールドギャップは小さいほど有利であるが、シールドギャップはバイアス磁界印加層122の必要膜厚によって決定される場合がある。そのような場合、ギャップ調整層111b,111d,118bの膜厚を変えることで、磁気抵抗効果素子104の総膜厚、すなわちシールドギャップを調整することが好ましい。以上説明した磁気抵抗効果素子104は以下のように作動する。まず、バイアス磁界印加層122がない仮想的な状態を考える。図5は、第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化を示す模式図である。第1及び第2の交換結合磁界印加層105c,106cの磁化方向は交換結合伝達層111a,111c,111e,118a,118cを介してギャップ調整層111b,111d,118bで反転しながら、第1及び第2の磁化自由層115,117まで伝達される。従って、第1の磁化自由層115はトラック幅方向Tに、第1の交換結合磁界印加層105cの磁化方向と反平行の向きy1に磁化される。第2の磁化自由層117はトラック幅方向Tに、第2の交換結合磁界印加層106cの磁化方向と同じ向きy2に磁化される。次に、バイアス磁界が印加された状態を考える。バイアス磁界はトラック幅方向Tを向いた第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向を媒体対向面Sと直交する方向に向けて回転させる。図5の実線矢印x1,x2で示すように、破線矢印y1,y2から互いに逆回りの方向に所定の角度θだけ回転し、理想的には互いに直交する。これが、外部磁界の掛っていない場合の第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化状態である。この状態で、図中白抜き矢印で示すように外部磁界が印加されると、第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向は、外部磁界の向きに応じて、互いに逆回りの方向に回転する。図中A方向に外部磁界が印加されると、第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向実線矢印x1,x2は図中a方向に回転し、図中B方向に外部磁界が印加されると、第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向は図中b方向に回転する。このようにして、外部磁界に応じて第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向のなす相対角度が変化し、磁気抵抗効果に基づき、センス電流Sの抵抗値が変動する。この原理を利用して、磁気抵抗効果素子104は外部磁界の向き及び強度を検出することができる。このように、本実施形態の磁気抵抗効果素子104は、外部磁界に応じて磁化方向が変化する一対の磁化自由層115,117と、これらに挟まれたスペーサ層116と、を有している。磁気抵抗効果素子104は、一対の磁化自由層115,117の磁化方向がともに外部磁界に応じて回転する点で第1の実施形態と異なるが、スペーサ層116としては第1の実施形態におけるスペーサ層16と同じ構成を利用することができる。第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向は、第1及び第2の磁気的連結層111,118に含まれるRu層およびギャップ調整層の総数を調整することによって反転させることができる。例えば、上部シールド層106と下部シールド層105の磁化方向が反平行である場合、表3に示すように、第1の磁気的連結層111を2層のRu層111a,111cとその間に挿入される1層のギャップ調整層111bとで構成することによって、第1の磁化自由層115の磁化方向を反転させることができる。同様に、図示は省略するが、表2に示す構成において、第2の磁気的連結層118を第1の磁気的連結層111と同様の5層構成とすることによっても同様の効果を得ることができる。実施例表2に示す層構成の磁気抵抗効果膜を、RFスパッタリング装置を用いて、Al2O3-TiCALTICからなる基板W上に成膜した。成膜後、250°Cで3時間熱処理を行った。第1及び第2の磁化自由層115,117は外部磁界がない状態では互いに直交する方向を向いているが、外部磁界が印加すると自由に回転し、磁気抵抗効果を生じる。この多層膜における第1の非磁性層116aの材料及び膜厚を変化させて、MR変化率を求めた。第2の非磁性層116cはCuを用いた。第1の非磁性層116aとしてGa40Cu60合金膜厚0.6nmを用いたときのMR変化率を1として規格化したMR変化率を表4に示す。GaxCu但し、xは0以上100以下の整数の表記は、CuGa合金におけるGaの原子分率がxであることを示す。また、比較例として、第1の非磁性層にCuとAuを用いた場合のMR変化率を求めた。膜厚0.6nmの場合で規格化MR変化率を比較すると、第1の非磁性層116aとしてCuを用いた場合は0.85であり、Auを用いた場合は0.80であった。これに対してCuGaを用いた場合、0.87~1の間となった。図6は、CuGa合金を第1の非磁性層116aとして用いたときの、CuGa合金のGaの原子分率を横軸に、規格化MR変化率を縦軸に示したグラフである。Gaを全く含まない場合と比較すると、Gaを含む場合はGaの原子分率にかかわらずMR変化率が増加している。特に30~65の間では規格化MR変化率が0.94以上となり、特にMR変化率が大きくなっている。CuGa層におけるGaの含有量が30原子分率以上65原子分率以下の範囲は、図3からも明らかなように、金属間化合物相が生成しうる範囲30~67と概ね一致する。これにより、CuGa合金におけるGaの原子分率を、理論上金属間化合物相が生成し得る30~67とほぼ同等の30~65とすることが好ましいことが、実施例からも確認された。次に、Ga40Cu60とCuを用いた第1の非磁性層116aについて、膜厚を変化させてMR変化率を調べた。Cuの場合、膜厚が大きくなるにつれMR変化率が低下する傾向が見られた。Ga40Cu60の場合も膜厚が大きくなると同様の傾向となるが、0.4~1.0nmでもMR変化率は比較的良好であった。Cuの場合、0.4nm付近の膜厚では島状に形成されると考えられ、さらに膜厚を小さくすると、主スペーサ層116bと第1の磁性層115とが直接接触する範囲が拡大し、第1の磁性体115の酸化が進む。このため、規格化MR変化率は0.89程度が上限と考えられる。従って、CuGa層の膜厚を0.4~1.0nm、好ましくは0.4~0.8nmとすることで、Cuよりも大きなMR変化率が得られると考えられる。次に、薄膜磁気ヘッド1を搭載した磁気ヘッドスライダについて説明する。図7を参照すると、磁気ヘッドスライダ210は、ほぼ六面体形状をなしており、そのうちの一面はハードディスクと対向する記録媒体対向面Sとなっている。磁気ヘッドスライダ210は、回転駆動される円盤状の記録媒体Mであるハードディスクに対向するように、ハードディスク装置内に配置されている。ハードディスクが図8におけるz方向に回転すると、ハードディスクと磁気ヘッドスライダ210との間を通過する空気流によって、磁気ヘッドスライダ210に、y方向下向きに揚力が生じる。磁気ヘッドスライダ210は、この揚力によってハードディスクの表面から浮上するようになっている。磁気ヘッドスライダ210の空気流出側の端部図8における左下の端部の近傍には、薄膜磁気ヘッド1が形成されている。図8を参照すると、ヘッドジンバルアセンブリ220は、磁気ヘッドスライダ210と、磁気ヘッドスライダ210を弾性的に支持するサスペンション221と、を備えている。サスペンション221は、ステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム222と、ロードビーム222の一端部に設けられたフレクシャ223と、ロードビーム222の他端部に設けられたベースプレート224と、を有している。フレクシャ223には磁気ヘッドスライダ210が接合され、磁気ヘッドスライダ210に適度な自由度を与える。フレクシャ223の、磁気ヘッドスライダ210が取り付けられる部分には、磁気ヘッドスライダ210の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。ヘッドジンバルアセンブリ220をアーム230に取り付けたものはヘッドアームアセンブリ221と呼ばれる。アーム230は、磁気ヘッドスライダ210をハードディスク262のトラック横断方向xに移動させる。アーム230の一端はベースプレート224に取り付けられている。アーム230の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル231が取り付けられている。アーム230の中間部には軸受け部233が設けられている。アーム230は、軸受け部233に取り付けられた軸234によって回動自在に支持されている。アーム230及び、アーム230を駆動するボイスコイルモータは、アクチュエータを構成する。次に、図9及び図10を参照して、上述した磁気ヘッドスライダが組込まれたヘッドスタックアセンブリとハードディスク装置について説明する。ヘッドスタックアセンブリとは、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ220を取り付けたものである。図9はヘッドスタックアセンブリの側面図、図10はハードディスク装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ250は、複数のアーム230を有するキャリッジ251を有している。各アーム230には、ヘッドジンバルアセンブリ220が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ251の、アーム230の反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル253が取り付けられている。ボイスコイルモータは、コイル253を挟んで対向する位置に配置された永久磁石263を有している。図10を参照すると、ヘッドスタックアセンブリ250は、ハードディスク装置に組込まれている。ハードディスク装置は、スピンドルモータ261に取り付けられた複数枚のハードディスク262を有している。ハードディスク262毎に、ハードディスク262を挟んで対向するように2つの磁気ヘッドスライダ210が配置されている。磁気ヘッドスライダ210を除くヘッドスタックアセンブリ250及びアクチュエータは、位置決め装置に対応し、磁気ヘッドスライダ210を支持すると共に、磁気ヘッドスライダ210をハードディスク262に対して位置決めする。磁気ヘッドスライダ210はアクチュエータによって、ハードディスク262のトラック横断方向に動かされ、ハードディスク262に対して位置決めされる。磁気ヘッドスライダ210に含まれる薄膜磁気ヘッド11は、記録ヘッド3によってハードディスク262に情報を記録し、再生ヘッド2,102によってハードディスク262に記録されている情報を再生する。"