水晶の原石を、当該原石のX軸に直交するX面に沿って分割して第1の分割片及び第2の分割片を形成する工程と、次いで第1の分割片と、第2の分割片とをX軸の正負が互いに反対向きになるように接合して接合体を形成する工程と、次いで前記接合体をX軸方向に切断し、その面内に第1の分割片から形成される第1の領域と、第2の分割片から形成される第2の領域とを含む水晶片を形成する工程と、を含むことを特徴とする水晶片の製造方法。1つの接合体を形成する第1の分割片及び第2の分割片は、互いに同じ人工水晶の原石から形成されることを特徴とする請求項1記載の水晶片の製造方法。第1の領域、第2の領域のいずれか一方がATカットであるようにX軸方向の切断が行われることを特徴とする請求項1または2記載の水晶片の製造方法。第1の分割片及び第2の分割片が形成されたときの前記第1の分割片から見て、第2の分割片をZ軸回りに180°回転する接合位置に位置させる工程を含み、前記接合体を形成する工程は、前記接合位置に位置した第2の分割片と第1の分割片とを接合する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の水晶片の製造方法。請求項1ないし4のいずれか一つに記載の製造方法により製造されることを特徴とする水晶片。請求項5記載の水晶片を含むことを特徴とする水晶振動子。請求項6記載の水晶振動子を含むことを特徴とする水晶発振器。本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、X軸の正負が互いに反転した複数の領域を有する水晶片を形成するにあたり、各領域の大きさや形状を精度高く制御することができる水晶片の製造方法を提供し、さらにこの水晶片を用いた水晶振動子及び水晶発振器を提供することである。本発明の水晶片の製造方法は、水晶の原石を、当該原石のX軸に直交するX面に沿って分割して第1の分割片及び第2の分割片を形成する工程と、次いで第1の分割片と、第2の分割片とをX軸の正負が互いに反対向きになるように接合して接合体を形成する工程と、次いで前記接合体をX軸方向に切断し、その面内に第1の分割片から形成される第1の領域と、第2の分割片から形成される第2の領域とを含む水晶片を形成する工程と、を含むことを特徴とする。この水晶片の製造方法の具体的な態様としては、例えば下記の通りである。a1つの接合体を形成する第1の分割片及び第2の分割片は、互いに同じ人工水晶の原石から形成される。b第1の領域、第2の領域のいずれか一方がATカットであるようにX軸方向の切断が行われる。c第1の分割片及び第2の分割片が形成されたときの前記第1の分割片から見て、第2の分割片をZ軸回りに180°回転する接合位置に位置させる工程を含み、前記接合体を形成する工程は、前記接合位置に位置した第2の分割片と第1の分割片とを接合する工程を含む。本発明の水晶片は上記の製造方法により製造されることを特徴とし、本発明の水晶振動子は前記水晶片により製造されることを特徴とする。本発明の水晶発振器は前記水晶振動子を含むことを特徴とする。本発明によれば、人工水晶の原石をX軸に直交する平面に沿って分割し、形成された分割片をX軸の正負が反転するように接合して、この接合体から水晶片を形成している。従って、水晶片を構成する第1の領域及び当該第1の領域に対してX軸の正負が反転した第2の領域の大きさや形状を精度高く制御することができる。第1の実施形態本発明の実施形態について説明する。図1はこの実施の形態で用いる人工水晶の原石1であり、図中の矢印は、この原石1の水晶の結晶軸を示している。この原石1はランバード原石とも呼ばれており、水熱合成法により種子水晶から育成した人工水晶の原石アズグロウン原石のX面及びZ面を研磨し、平坦化して得られた原石である。X面は、水晶の電気軸X軸に直交するように形成された面であり、Z面は水晶の光学軸Z軸に直交するように形成された面である。後述の各図で原石1を分割した分割片の位置関係の理解を容易にするために、原石1の各面に符号を付す。X軸において図中の下側を-側とし、-X側に形成されたX面-X面を11、X側に形成されたX面X面を12とする。前記Z面には符号13、14を付しており、各Z面13、14は機械軸であるY軸方向に伸びるように形成されている。また、原石1の長さ方向の一端側に形成された面を15とし、この面15は-X面11、X面12と直交している。また、面15の端からZ面13の端に向かう面を16とし、原石1の長さ方向の他端側に形成され、Z面13、14に連なる面を17とする。面16、17は後述するようにATカットを行うための基準面になる。また、Y軸において、前記面15が形成される側を-側、面17が形成される側を側として示している。この実施形態では、原石1からATカットされた領域とこの領域に対して電気的双晶をなす領域とを含む水晶片を形成する。先ず図2に示すように原石1をX軸に直交する平面に沿って2つに分割Xカットして、2つの分割片を形成する。-X面11を含む分割片を2A、X面を含む分割片を2Bとする。なお、この分割により面13~17は2つに分割される。分割されたこれらの各面の符号の後に分割片2Aを構成する面についてはAを、分割片2Bを構成するこれらの各面の符号の後にはBを図中に付している。そしてこの分割により、分割片2Aに-X面11と対向するように形成されるX面を11A、分割片2BにX面12と対向するように形成される-X面を12Bとする。続いて図3aに示すように分割片2Aについて、研磨機における水平なステージ18に-X面11を載置して不図示の冶具を介して固定する。砥石19に研削水を供給すると共に砥石19を回転させ、X面11Aに上側から押し当ててステージ18に向けて押圧する。これによってX面11Aを研磨して平坦化すると共に-X面11に平行にする。また、平坦化したX面11Aをステージ18に載置し、-X面11をX面11Aと同様に研磨して当該-X面11の平滑性を高めてもよい。分割片2Bについても、前記研磨機により研削を行う。図3bに示すようにステージ18にX面12を載置して、前記分割片2AのX面11Aと同様に-X面12Bを砥石19により研磨して平坦化すると共にX面12に平行にする。その後、平坦化した-X面12Bをステージ18に載置し、X面12を-X面12Bと同様に研磨して、当該X面12の平滑性を高める。この分割片2BのX面12と、分割片2AのX面11Aとは後述するように互いに接合するため、この接合に支障が無いような平滑度になるように例えば鏡面研磨される。このように分割片2A、2Bを研磨後、分割片2A、2Bを図4に示すような位置関係に置いて、互いに重ね合わせる。この位置関係について図2で説明した分割片を形成したときの状態と比較して説明すると、分割片2Bを分割片2Aに対してZ軸回りに180°回転させ、分割片2AのX面11Aと分割片2BのX面12とが互いに対向した状態になっている。つまり、分割片2A、2Bは、そのZ軸の向きが一致し、そのX軸の正負の向き及びY軸の正負の向きが互いに反対になる位置関係に置かれて重ね合わされる。続いて、重ね合わせた分割片2A及び分割片2Bを例えば熱圧着による分子間結合例えばシロキサン結合により接合して、図5に示す接合体20を形成する。この接合体20において分割片2Aの面13と分割片2Bの面13Bとは互いに平行し、分割片2Aの面16Aと分割片2Bの面17Bとは互いに平行している。これら面16A及び面17BはX軸の方向から見てX-Z平面を反時計回りに約35°傾いて構成されている。なお、図6中のZ’で示した矢印は、これら面16A及び17Bに平行する軸を示している。これらの面16A、17Bに平行するように接合体20をX軸方向に切断する。そして、切断する箇所をY軸方向にずらしてこのような切断を繰り返し行うことで、所望の厚さの多数の水晶板21を得る。この水晶板21は分割片2Aから得られた領域22と、分割片2Bから得られた領域23とを備えている。図7は領域22と、領域23との方位関係を示している。図7に示すように領域22は、Z軸に対して約35°傾くように形成されている、つまりATカットされていることになる。領域23はZ軸に対して約-55°傾くように形成されており、従って概ねDTカットされた領域として構成されている。そして、X軸及びY軸の正負の向きは互いに異なるように形成されており、従って水晶板21は双晶として構成されている。この水晶板21を研磨してその厚さを所望の厚さに調整し、その後、例えば図8に示す鎖線24に沿ってウエットエッチングを行うことによりその外形を形成し、所望の大きさのATカット領域22及び領域23を含む水晶片25を得る。領域23は便宜上DTカット領域と称する。この例では、同じ原石1から得られた分割片2A、2Bから得られた接合体20を形成している。このように同じ原石1の分割片2A、2Bを用いることで、接合体20の各結晶軸の方向のずれが抑えられるので接合体20のX面、-X面の接合を強固に行うことができ、その後に行う接合体20の切断及び水晶板21の研磨の影響を受けることが抑えられるため好ましいが、一の原石から得られた分割片2Aと、他の原石から組み合わせた分割片2Bとを接合して、上記の接合体20を形成してもよい。この水晶片25のATカット領域22とDTカット領域23との境界部に凹部をウエットエッチングにより形成し、一方の領域の振動が他方の領域の振動に与える影響を低下させてもよい。このようにウエットエッチングで凹部を形成する場合、水晶の異方性によりこの境界部においてはエッチングの進行速度が速いので前記凹部を速やかに形成することができる。分割片2BがZ’軸に沿ってX軸方向に切断されるように接合体20の切断方向を設定することで、分割片2BからATカット領域22が形成され、分割片2AからDTカット領域23が形成されるようにしてもよい。また、上記の例では分割片2A、2BのX面11A、12を接合しているが、図9に示すように分割片2Aを分割片2Bに対してZ軸回りに180°回転させ、分割片2Aの-X面11と分割片2Bの-X面12Bとを互いに接合し、図10に示すように接合体28を形成する。そして、接合体28を、分割片2BがATカットされ、分割片2AがDTカットされるようにX軸方向に沿って切断して、双晶である水晶板29を形成する。ただし、分割片2AからATカット領域22が形成され、分割片2BからDTカット領域23が形成されるように接合体28の切断を行ってもよい。第2の実施形態第2の実施形態について、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。この第2の実施形態では、第1の実施形態の各例において分割片2A、2Bのうち一方の分割片を他方の分割片に対してZ軸回りに180°回転させる代わりに、他方の分割片に対して180°Y軸回りに回転させて、X軸の正負が反転するように接合を行う。図11は分割片2A、2Bの研磨を行った後に分割片2A、2Bを形成した状態から見て、分割片2Bを分割片2Aに対してY軸回りに180°回転させ、分割片2AのX面11Aと、分割片2BのX面12とを対向させた状態を示している。このように分割片2A、2Bを対向させた後は第1の実施形態と同様に対向したX面11AとX面12とを接合して、接合体30を形成する。そして、図12に示すように例えば分割片2AがATカットされるようにX軸に並行に接合体30を切断する。それによって、ATカット領域22とこのATカット領域22とはX軸の正負の符号が反転した領域31とからなる水晶板32を形成する。この第2の実施形態においても第1の実施形態と同様の効果を有する。また、この第2の実施形態においても第1の実施形態と同様に、分割片2BからATカットされた領域22が形成されるように接合体30を切断して、水晶板32を形成してもよい。また、分割片2A、2Bを形成した状態から、図11に示したように分割片2Bを分割片2Aに対してY軸周りに180°回転させる代わりに分割片2Aを分割片2Bに対してY軸回りに180°回転させ、分割片2Aの-X面11と、分割片2Bの-X面12Bとを対向させて接合して接合体30を形成してもよい。その後は、分割片2A、2BのいずれかがATカットされるようにX軸に並行に前記接合体を切断して水晶板32を形成する。また、上記の各例において、分割片2A、2Bのいずれか一方からATカットされた領域を形成する代わりにBTカットされた領域を形成するように接合体20、30の切断を行ってもよい。BTカットはX軸の方向から見てX-Z平面を時計回りに約49°傾けた平面に沿ったカットである。続いて、上記の水晶片25を用いて構成される温度補償水晶発振器TCXO:TemperatureCompensatedcrystalOscillator4について図13の回路構成図を参照しながら説明する。このTCXO4は外部に設定周波数f0の信号を出力するための主発振部51と、温度補償用の信号を発振させるための補助発振部61と、補助発振部61から出力される温度補償用の信号に基づいて主発振部51に入力する制御電圧Vcを算出するために、これらの主発振部51及び補助発振部61の間に設けられた制御電圧供給部71と、を備えている。この図13中50は、補助発振部61の制御電圧V10の入力端であり、40はTCXO3の出力端である。主発振部51は、水晶振動子41Aとこの水晶振動子41Aに接続された主発振回路52と、を備えている。補助発振部61は水晶振動子41Bとこの水晶振動子41Bに接続された補助発振回路62と、を備えている。図14a、図14bはこの水晶振動子41A、41Bの平面図、側面図を夫々示している。この水晶振動子41A、41Bは既述の水晶片25に励振電極を形成して構成される。励振電極は、ATカット領域22の表裏面に夫々形成された主電極43B、43Bと、DTカット領域23の表裏面に夫々形成された補助電極43B、43Bとからなり、主電極43A同士、補助電極43B同士はこの例では夫々互いに同じ形状に形成され、互いに対向している。このようにATカット領域22、DTカット領域23に各々設けられた励振電極によりこれら領域22、領域23が互いに独立して発振する。図14a中44A、44Bは励振電極を発振回路に接続するための引き出し電極であり、図14bでは図示を省略している。上記の主発振部51の前段側入力側には、既述の制御電圧供給部71が接続されており、この制御電圧供給部71からバリキャップダイオード53を介して、主発振部51に制御電圧Vcが印加されるように構成されている。この制御電圧供給部71は、2式に示すように、主発振部51の基準電圧V0から温度補償電圧ΔVを減算ΔVの符号の取り方によっては加算とも言えるすることにより、上記の制御電圧Vcが生成されるように構成されている。Vc=V0-ΔV2この基準電圧V0とは、基準温度T0例えば29°Cにおいて、主発振部51から設定周波数f0が出力される時の制御電圧である。また、温度補償電圧ΔVは、次のように表される。即ち、制御電圧Vと発振周波数fとが比例関係にあることから、ΔVは3式のように表され、4式が成り立つことからΔVは5式として表される。尚、Tは温度推定部において検出された温度、Δf=f-f0である。α1、β1及びγ1はこの主発振部51に固有の定数である。ΔV=V0Δf/f03Δf/f0=α13β1γ14ΔV=V0{α13β1γ1}5V10は、入力端50からバリキャップダイオード63を介してDTカット領域23に印加される制御電圧である。制御電圧供給部71は、補助発振部61から入力される周波数信号から周波数fを計測するための例えば周波数カウンターなどからなる周波数検出部72と、この周波数検出部72において計測した周波数fに基づいて温度Tを推定する温度推定部73と、温度推定部73において推定した温度Tに基づいて既述の補償電圧ΔVを演算するための補償電圧演算部74と、補償電圧演算部74にて演算された補償電圧ΔVを基準電圧V0から減算した制御電圧Vcを主発振部51に出力するための加算部75と、を備えている。尚、補償電圧ΔVの符号を正、負のいずれに決めるかによって、加算部75における演算は、V0-ΔV、V0ΔVのいずれかに決まってくるが、この実施の形態では先の5式で求めたΔVを補償電圧として取り扱っているので、V0-ΔVとして表現している。要は、周波数温度特性に応じて周波数fが設定周波数f0から変動する分だけ、ΔVによりV0を補償する演算を行えば良い。温度推定部73には、補助発振部61の周波数温度特性が記憶されており、この温度特性と補助発振部61の発振周波数fとに基づいてf0とT0とは予め設定されている、TCXO4の周囲の温度Tが求められる。また、補償電圧演算部74は、例えば主発振部51の温度特性である3次関数発生器を備え、既述の5式及び温度Tにより、補償電圧ΔVが求められる。次に、TCXO4の作用について説明する。主発振部51において基準温度T0例えば29°Cで設定周波数f0が出力される基準電圧V0から、後述する温度補償電圧ΔVを減算した電圧Vcをバリキャップダイオード53を介して主発振回路52に供給し、主発振回路52が周波数fで発振する。この時、水晶振動子41Aが例えば温度T1T1>T0であり、制御電圧Vが基準電圧V0であるとした場合には、図15に示すようにこの主発振部51にて発振する周波数fは、基準温度T0に対応する設定周波数f0から温度特性曲線である3次曲線に沿って、温度T1に対応する周波数f1にずれようとする。しかし、上記のように主発振部11に供給される制御電圧Vcは、基準電圧V0を温度補償電圧ΔVにより補償した値となっているので、出力端40からは設定周波数f0が出力されることになる。このような温度補償電圧ΔVは、次のようにして制御電圧供給部71において計算される。既述のように、主発振部51における発振周波数fは、図16に示すように、制御電圧Vに比例する。従って、制御電圧供給部71において、周波数f1と設定周波数f0との差分であるΔfを補償するために、Δfに相当する補償電圧ΔVだけ制御電圧Vを高くするようにコントロールされる。補償電圧ΔVは、上記の5式の温度Tに温度T1を代入することにより求められる。温度T1は、次のようにして補助発振部61の発振周波数fに基づいて算出される。即ち、入力端50に制御電圧V10を入力することにより、補助発振部61が発振する。以下、T10は基準温度例えば29°Cであり、f10は基準電圧V10を制御電圧として補助発振回路62に供給した時に得られる周波数である。この補助発振部61における発振は上記のDTカット領域23の発振である。ここで、DTカットされた水晶片において、温度Tと周波数偏差f/f10との関係は2次関数に近似されることが知られているが、通常TCXO4を用いる範囲例えば0°C~30°Cの範囲では図17に示すように概ね比例関係となり、温度Tと補助発振部61からの出力周波数fとの間には6式の関係が成り立つ。f=f10α2T-T10β26周波数検出部62は、前記出力周波数fとこの6式を用いて温度Tを推定する。このように温度Tと出力周波数fとが比例関係となり、温度Tに対して周波数fが明確に変化する。さらに温度Tの変化に対して出力周波数fが比較的急峻に変化することから、このTCXO4では感度高く温度変化を検出することができる。なお、α2、β2は予め設定した補助発振部61に固有の定数であり、様々な値の制御電圧Vにおいて異なるので、上記の入力端50に入力される制御電圧Vは、これらの常数を求めた時と同じ電圧例えばV10となる。補償電圧演算部74は、こうして求められた温度T及び既述の5式に基づいて、補償電圧ΔVを算出する。これにより、主発振部51の発振周波数fがΔfだけ高くなろうとし、温度Tになっていることにより発振周波数fがΔfだけ低くなろうとする作用を打ち消すため、出力端40から出力される周波数fが設定周波数f0に維持されることになる。なお、第1の実施形態の水晶板21以外にも上記の実施形態で示した他の双晶から製造された水晶片を用いて上記のTCXO4を構成しても同様の効果が得られる。