"マスクに形成されたパターンを物体上に転写する露光装置の異なる2方向に関する転写特性を計測する転写特性計測方法であって、前記露光装置を用いて、前記2方向の転写特性の計測に用いられる第1及び第2要素を含むマークを物体上に形成する転写工程と、前記物体を計測装置内で基準方向に設定して前記第1及び第2要素の一方を含む前記マークの少なくとも一部の第1画像を取り込むとともに、前記第1画像の取込時と回転角が実質的に前記2方向の交差角と同一角度α0°<α<180°だけ異なる前記第1及び第2要素の他方を含む前記マークの少なくとも一部の第2画像を取り込む画像取込工程と、前記第1及び第2画像をそれぞれ処理して、前記マークの前記2方向に関する第1及び第2サイズをそれぞれ計測する計測工程と、を含む転写特性計測方法。請求項1に記載の転写特性計測方法において、前記計測装置による前記第1画像の取込後に前記物体をほぼ前記角度αだけ回転して前記第2画像の取込を行うことを特徴とする転写特性計測方法。請求項1に記載の転写特性計測方法において、前記転写工程では、前記露光装置による少なくとも1回の第1露光と、前記第1露光と前記物体の回転角が実質的に前記角度αだけ異なる少なくとも1回の第2露光とによって、前記物体上の異なる領域に前記マークがそれぞれ形成され、前記画像取込工程では、前記第1露光によって形成される第1マークの少なくとも前記第1及び第2要素の一方を前記第1画像として取り込んだ後、前記物体を実質的に回転させることなく、前記第2露光によって形成される第2マークの少なくとも前記第1及び第2要素の他方を前記第2画像として取り込むことを特徴とする転写特性計測方法。請求項3に記載の転写特性計測方法において、前記第1及び第2露光では所定の計測用マークを含む前記露光装置による転写条件が同一に設定されるとともに、前記第1及び第2マークのいずれでも前記第1及び第2要素はその構成が実質的に同一であることを特徴とする転写特性計測方法。請求項3又は4に記載の転写特性計測方法において、前記第1及び第2露光はそれぞれ複数回ずつ行われ、前記複数の第1マークの画像処理から得られる前記一方のマークのサイズを前記2方向の一方に関する第1サイズとし、前記複数の第2マークの画像処理から得られる前記他方のマークのサイズを前記2方向の他方に関する第2サイズとして決定することを特徴とする転写特性計測方法。マスクに形成されたパターンを物体上に転写する露光装置によるパターンの転写特性を計測する転写特性計測方法であって、所定の計測用マークが少なくとも1つ形成されたパターン領域を有する計測マスクを前記露光装置に搭載して露光を行い、前記パターン領域を前記物体上に転写する第1転写工程と、前記計測マスク及び前記物体の少なくとも一方を回転して、前記計測マスクに対する前記物体の角度が、前記第1転写工程から所定角度α0°<α<180°変化した状態で、前記パターン領域を前記物体上に転写する第2転写工程と、前記物体が基準方向に設定された状態で、前記第1転写工程で前記物体上に形成された前記計測用マークの第1の転写像と、前記第2転写工程で前記物体上に形成された前記計測用マークの第2の転写像との画像を、計測装置によりそれぞれ取り込む画像取り込み工程と、取り込まれた前記第1の転写像の画像と第2の転写像の画像に対してエッジ検出処理を伴う画像処理をそれぞれ施して、前記計測用マークの第1の転写像及び第2の転写像それぞれの前記基準方向に対応する方向に直交する計測方向に関するサイズを、少なくとも計測する計測工程と、を含む転写特性計測方法。請求項6に記載の転写特性計測方法において、前記計測工程では、前記第1転写工程で形成される前記計測用マークの転写像の一部を前記第1の転写像とし、かつ前記第2転写工程で形成される前記計測用マークの転写像で前記第1の転写像と異なるその一部を前記第2の転写像として前記計測方向に関するサイズをそれぞれ計測することを特徴とする転写特性計測方法。請求項6又は7に記載の転写特性計測方法において、前記計測用マークは、互いに異なる第1及び第2マーク要素を含み、前記第1及び第2転写工程の一方で形成される前記第1及び第2マーク要素の転写像の一方と、他方の転写工程で形成される前記第1及び第2マーク要素の転写像の他方とが前記物体上で重ならないように、前記第1転写工程と前記第2転写工程とで前記物体上での前記計測用マークの転写領域の少なくとも一部を異ならせることを特徴とする転写特性計測方法。請求項6~8のいずれか一項に記載の転写特性計測方法において、前記計測用マークは、互いに異なる第1及び第2マーク要素を含み、前記計測工程では、前記第1転写工程で形成される前記第1及び第2マーク要素の一方の転写像を前記第1の転写像とし、かつ前記第2転写工程で形成される前記第1及び第2マーク要素の他方の転写像を前記第2の転写像として前記計測方向に関するサイズをそれぞれ計測することを特徴とする転写特性計測方法。請求項6~9のいずれか一項に記載の転写特性計測方法において、前記計測結果に基づいて、前記露光装置の互いに交差する第1及び第2方向に関する前記計測用マークの転写像のサイズをそれぞれ決定することを特徴とする転写特性計測方法。請求項6~10のいずれか一項に記載の転写特性計測方法において、前記第1転写工程、第2転写工程では、前記パターン領域が前記物体上の異なる複数箇所にそれぞれ転写され、前記画像取り込み工程では、前記第1転写工程で前記物体上の異なる複数箇所にそれぞれ転写された前記計測用マークの複数の第1の転写像と、前記第2転写工程で前記物体上の異なる複数箇所にそれぞれ転写された前記計測用マークの複数の第2の転写像との画像の取り込みが行われ、前記計測工程では、前記複数の第1の転写像及び前記複数の第2の転写像のそれぞれで前記画像処理を行って、前記第1及び第2の転写像それぞれで前記計測方向に関するサイズを決定することを特徴とする転写特性計測方法。請求項6に記載の転写特性計測方法において、前記計測用マークは、互いに異なる第1及び第2マーク要素を含み、前記計測工程では、前記第1転写工程で形成される前記第1及び第2マーク要素の一方の転写像を前記第1の転写像とし、かつ前記第2転写工程で形成される前記第1及び第2マーク要素の他方の転写像を前記第2の転写像として前記計測方向に関するサイズをそれぞれ計測し、その計測結果に基づいて前記サイズのばらつきを求めることを特徴とする転写特性計測方法。請求項6~12のいずれか一項に記載の転写特性計測方法において、前記計測マスク上には、前記計測用マークが、前記パターン領域内の異なる位置に複数形成され、前記画像取り込み工程では、前記第1転写工程で前記物体上に形成された前記計測用マークの第1の転写像と、前記第2転写工程で前記物体上に形成された前記計測用マークの第2の転写像との画像の取り込みが、前記複数の計測用マークの各々について行われ、前記計測工程では、前記複数の計測用マークの第1の転写像及び第2の転写像それぞれの前記計測方向に関するサイズに基づいて、前記第1の転写像、第2の転写像それぞれの前記計測方向に関するサイズの面内均一性を、更に計測することを特徴とする転写特性計測方法。請求項6~13のいずれか一項に記載の転写特性計測方法において、前記第1及び第2転写工程では、前記計測用マークを含む前記露光装置による転写条件が同一に設定されるとともに、前記計測用マークは、前記露光装置の互いに交差する第1及び第2方向に関する転写特性をそれぞれ計測するために、その構成が実質的に同一である第1及び第2マーク要素を含むことを特徴とする転写特性計測方法。請求項6に記載の転写特性計測方法において、前記計測用マークは、前記パターン領域内の異なる複数位置にそれぞれ形成され、前記第1及び第2転写工程では、前記パターン領域の転写が複数回ずつ行われるとともに、前記計測工程では、前記物体上で前記パターン領域が転写される複数の領域それぞれで前記計測方向に関する前記各計測用マークの第1及び第2の転写像のサイズがそれぞれ計測されることを特徴とする転写特性計測方法。請求項6に記載の転写特性計測方法において、前記計測用マークは、前記基準方向に延びる第1ラインパターン要素と、前記基準方向に対して前記角度α回転した方向に延びる第2ラインパターン要素とを含み、前記計測用マークの第1の転写像の前記計測方向に関するサイズは、前記第1ラインパターン要素の転写像の幅方向のサイズであり、前記計測用マークの第2の転写像の前記計測方向に関するサイズは、前記第2ラインパターン要素の転写像の幅方向のサイズであることを特徴とする転写特性計測方法。請求項6~16のいずれか一項に記載の転写特性計測方法において、前記角度αは、90°であることを特徴とする転写特性計測方法。請求項6~17のいずれか一項に記載の転写特性計測方法において、前記計測装置は、荷電粒子線走査型の計測装置であることを特徴とする転写特性計測方法。マスクに形成されたパターンを物体上に転写する露光装置の互いに交差する第1及び第2方向に関する転写特性を計測する転写特性計測方法であって、前記露光装置を用いて、前記第1及び第2方向とそれぞれ計測方向が実質的に一致する第1及び第2要素を含むマークを物体上に形成する工程と、前記物体上に形成されたマークの第1及び第2要素をそれぞれ前記計測方向が計測装置内でほぼ同一方向となるように検出して前記計測方向に関するサイズを計測する工程と、を含む転写特性計測方法。マスクに形成されたパターンを物体上に転写する露光装置の互いに交差する第1及び第2方向に関する転写特性を計測する転写特性計測方法であって、前記露光装置を用いて、前記第1及び第2方向とそれぞれ計測方向が実質的に一致する第1及び第2要素を含むマークを、その回転角が前記第1及び第2方向の交差角とほぼ同一角度だけ異なる第1及び第2マークとして物体上に形成する工程と、前記物体上に形成された第1マークの第1及び第2要素の一方と、前記第1マークの一方の要素と計測方向が実質的に一致する前記物体上に形成された第2マークの第1及び第2要素の他方とを検出して、前記計測方向に関する前記マークの第1及び第2要素のサイズをそれぞれ計測する工程と、を含む転写特性計測方法。請求項1~20のいずれか一項に記載の転写特性計測方法を用いて、マスクに形成されたパターンを物体上に転写する露光装置によるパターンの転写特性を計測する工程と、前記計測結果に基づいて、前記露光装置の調整を行う調整工程と、を含む露光装置の調整方法。請求項21に記載の露光装置の調整方法において、前記露光装置は、前記パターンの像を前記物体上に投影する投影光学系を有し、前記転写特性は、前記投影光学系の結像特性を含む露光装置の調整方法。請求項21に記載の調整方法によりパターンの転写特性が調整される露光装置を用いて、マスクに形成されたパターンを感光物体上に転写する工程を含む、デバイス製造方法。本発明者は、上記の縦線パターンのレジスト像と横線パターンのレジスト像との線幅差の要因を正確に知るため、種々の実験を繰り返し行った結果、投影光学系を収差が殆どない状態まで調整しても、上述した測長用のSEMによる計測の結果に上記の線幅差が含まれることを確認した。このことより、本発明者は、上記の線幅差は、何らかの要因による計測誤差が大部分を占めるとの結論に達し、線幅計測の一連の処理を分析した。その結果、SEMによるレジスト像の画像取り込み、及びその後に行われるその画像に対するエッジ検出処理を含む画像処理の組み合わせに、上記の計測誤差の発生要因があること、特に、画像処理の過程で、横線パターンのレジスト像の画像のみ回転した画像に対してエッジ検出処理が行われることが、上記誤差発生の主要因であるとほぼ確信した。本発明は、本発明者の上記誤差の発生要因の究明結果に基づいてなされたもので、第1の観点からすると、マスクに形成されたパターンを物体上に転写する露光装置の異なる2方向に関する転写特性を計測する転写特性計測方法であって、前記露光装置を用いて、前記2方向の転写特性の計測に用いられる第1及び第2要素を含むマークを物体上に形成する工程と、前記物体を計測装置内で基準方向に設定して前記第1及び第2要素の一方を含む前記マークの少なくとも一部の第1画像を取り込むとともに、前記第1画像の取込時と回転角が実質的に前記2方向の交差角と同一角度α0°<α<180°だけ異なる前記第1及び第2要素の他方を含む前記マークの少なくとも一部の第2画像を取り込む画像取込工程と、前記第1及び第2画像をそれぞれ処理して、前記マークの前記2方向に関する第1及び第2サイズをそれぞれ計測する計測工程と、を含む第1の転写特性計測方法である。これによれば、露光装置を用いて、2方向の転写特性の計測に用いられる第1及び第2要素を含むマークが物体上に形成される。次に、このマークが形成された物体が計測装置内で基準方向に設定され、前記第1及び第2要素の一方を含む前記マークの少なくとも一部の第1画像が取り込まれるとともに、第1画像の取込時と回転角が実質的に前記2方向の交差角と同一角度α0°<α<180°だけ異なる前記第1及び第2要素の他方を含む前記マークの少なくとも一部の第2画像が取り込まれる。そして、前記第1及び第2画像をそれぞれ処理して、前記マークの前記2方向に関する第1及び第2サイズがそれぞれ計測される。すなわち、第1及び第2画像は、例えば物体上でのマーク配置などに応じて計測装置による取込が実質的に同一条件で行われて、画像処理が施されるので、画像の取り込みと画像処理との組み合わせに起因するマークのサイズ計測精度の低下を防止することができ、結果的に露光装置の異なる2方向に関する転写特性を正確に計測評価することが可能となる。本発明は、第2の観点からすると、マスクに形成されたパターンを物体上に転写する露光装置によるパターンの転写特性を計測する転写特性計測方法であって、所定の計測用マークが少なくとも1つ形成されたパターン領域を有する計測マスクを前記露光装置に搭載して露光を行い、前記パターン領域を前記物体上に転写する第1転写工程と、前記計測マスク及び前記物体の少なくとも一方を回転して、前記計測マスクに対する前記物体の角度が、前記第1転写工程から所定角度α0°<α<180°変化した状態で、前記パターン領域を前記物体上に転写する第2転写工程と、前記物体が基準方向に設定された状態で、前記第1転写工程で前記物体上に形成された前記計測用マークの第1の転写像と、前記第2転写工程で前記物体上に形成された前記計測用マークの第2の転写像との画像を、計測装置によりそれぞれ取り込む画像取り込み工程と、取り込まれた前記第1の転写像の画像と第2の転写像の画像に対してエッジ検出処理を伴う画像処理をそれぞれ施して、前記計測用マークの第1の転写像及び第2の転写像それぞれの前記基準方向に対応する方向に直交する計測方向に関するサイズを、少なくとも計測する計測工程と、を含む第2の転写特性計測方法である。これによれば、所定の計測用マークが少なくとも1つ形成されたパターン領域を有する計測マスクを露光装置に搭載して露光を行い、前記パターン領域を物体上に転写し、前記計測用マークの第1の転写像を前記物体上に形成する。また、前記計測マスク及び前記物体の少なくとも一方を回転して、前記計測マスクに対する前記物体の角度が、第1の転写像の形成時の状態から所定角度α0°<α<180°変化した状態で、前記パターン領域を前記物体上に転写し、前記計測用マークの第2の転写像を物体上に形成する。そして、前記物体が基準方向に設定された状態で、物体上に形成された計測用マークの第1の転写像の画像と、物体上に形成された計測用マークの第2の転写像の画像が、計測装置により取り込まれる。そして、取り込まれた第1の転写像の画像と第2の転写像の画像に対してエッジ検出処理を伴う画像処理がそれぞれ施され、計測用マークの第1の転写像及び第2の転写像それぞれの前記基準方向に対応する方向に直交する計測方向に関するサイズが、少なくとも計測される。すなわち、第1及び第2の転写像は、例えば計測装置による画像取込が実質的に同一条件で行われるように物体上にそれぞれ形成されるので、計測装置によりそれぞれ取り込まれた第1及び第2の転写像の画像に対して、いずれにも回転を加えることなくエッジ検出処理を伴う画像処理が施され、計測用マークの第1の転写像及び第2の転写像それぞれの計測方向のサイズが計測される。これにより、画像の取り込みと画像処理との組み合わせに起因する計測用マークの像のサイズ計測精度の低下を防止することができ、結果的に露光装置によるパターンの転写特性を正確に計測評価することが可能となる。本発明は、第3の観点からすると、マスクに形成されたパターンを物体上に転写する露光装置の互いに交差する第1及び第2方向に関する転写特性を計測する転写特性計測方法であって、前記露光装置を用いて、前記第1及び第2方向とそれぞれ計測方向が実質的に一致する第1及び第2要素を含むマークを物体上に形成する工程と、前記物体上に形成されたマークの第1及び第2要素をそれぞれ前記計測方向が計測装置内でほぼ同一方向となるように検出して前記計測方向に関するサイズを計測する工程と、を含む第3の転写特性計測方法である。ここで、検出とは、画像の取り込み及び画像処理などを含む総合的な検出処理を意味する。これによれば、露光装置を用いて、第1及び第2方向とそれぞれ計測方向が実質的に一致する第1及び第2要素を含むマークが物体上に形成される。次いで、前記物体上に形成されたマークの第1及び第2要素がそれぞれ計測方向が計測装置内でほぼ同一方向となるように検出され前記計測方向に関するサイズが計測される。すなわち、第1及び第2の要素は、計測装置により計測方向を同一方向としてサイズ計測が行われるので、計測対象の画像の回転に起因するマークのサイズ計測精度の低下を防止することができ、結果的に露光装置の異なる2方向に関する転写特性を正確に計測評価することが可能となる。本発明は、第4の観点からすると、マスクに形成されたパターンを物体上に転写する露光装置の互いに交差する第1及び第2方向に関する転写特性を計測する転写特性計測方法であって、前記露光装置を用いて、前記第1及び第2方向とそれぞれ計測方向が実質的に一致する第1及び第2要素を含むマークを、その回転角が前記第1及び第2方向の交差角とほぼ同一角度だけ異なる第1及び第2マークとして物体上に形成する工程と、前記物体上に形成された第1マークの第1及び第2要素の一方と、前記第1マークの一方の要素と計測方向が実質時に一致する前記物体上に形成された第2マークの第1及び第2要素の他方とを検出して、前記計測方向に関する前記マークの第1及び第2要素のサイズをそれぞれ計測する工程と、を含む第4の転写特性計測方法である。ここで、検出とは、画像の取り込み及び画像処理などを含む総合的な検出処理を意味する。これによれば、露光装置を用いて、第1及び第2方向とそれぞれ計測方向が実質的に一致する第1及び第2要素を含むマークが、その回転角が前記第1及び第2方向の交差角とほぼ同一角度だけ異なる第1及び第2マークとして物体上に形成される。次に、その物体上に形成された第1マークの第1及び第2要素の一方と、前記第1マークの一方の要素と計測方向が実質的に一致する前記物体上に形成された第2マークの第1及び第2要素の他方とを検出して、前記計測方向に関する前記マークの第1及び第2要素のサイズがそれぞれ計測される。すなわち、第1マークの第1及び第2要素の一方と、第2マークの第1及び第2要素の他方とは、例えば計測装置により実質的に同一条件で検出が行われるように物体上にそれぞれ形成されるので、いずれにも回転を加えることなく検出処理が施され、前記計測方向に関する前記マークの第1及び第2要素のサイズが計測される。これにより、マークのサイズ計測精度の低下を防止することができ、結果的に露光装置の異なる2方向に関する転写特性を正確に計測評価することが可能となる。本発明は、第5の観点からすると、本発明の第1~第4の転写特性計測方法のいずれかを用いて、マスクに形成されたパターンを物体上に転写する露光装置によるパターンの転写特性を計測する工程と、前記計測結果に基づいて、前記露光装置の調整を行う調整工程と、を含む露光装置の調整方法である。これによれば、本発明の第1~第4の転写特性計測方法のいずれかを用いて露光装置によるパターンの転写特性が正確に計測評価され、この計測結果に基づいて露光装置の調整が行われる。従って、露光装置によるパターンの転写特性を精度良く調整することが可能となる。また、リソグラフィ工程において、本発明の調整方法によりパターンの転写特性が調整される露光装置で、マスクに形成されたパターンを感光物体上に転写することにより、高集積度のデバイスを歩留り良く製造することができる。従って、本発明は、更に別の観点からすると、本発明の調整方法により調整された露光装置を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法であるとも言える。以下、本発明の一実施形態を図1~図7に基づいて説明する。図1には、本発明の露光装置の調整方法が適用される一実施形態に係る露光装置100の概略構成が示されている。この露光装置100は、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置いわゆるスキャナである。露光装置100は、光源及び照明光学系から成る照明系10、この照明系10からのエネルギビームとしての露光用照明光以下、照明光と略述するILにより照明されるマスクとしてのレチクルRを保持するレチクルステージRST、レチクルRから射出された照明光ILを物体としてのウエハW上像面上に投射する投影光学系PL、ウエハWを保持するウエハステージWST、及びこれらの制御系等を備えている。前記照明系10は、例えば特開2001-313250号公報及びこれに対応する米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、リレーレンズ、可変NDフィルタ、レチクルブラインド等いずれも不図示を含んで構成されている。この照明系10では、レチクルブラインドで規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域IARを照明光ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとしては、一例としてArFエキシマレーザ光波長193nmが用いられている。また、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッドインテグレータ内面反射型インテグレータあるいは回折光学素子などを用いることができる。この他、照明系10として、例えば特開平6-349701号公報及びこれに対応する米国特許第5,534,970号明細書などに開示される構成を採用しても良い。前記レチクルステージRST上にはレチクルRが装填され、不図示の静電チャック又はバキュームチャック等を介して吸着保持されている。レチクルステージRSTは、不図示の駆動系により水平面XY平面内で微小駆動回転を含むが可能な構成となっている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含む不図示のレチクルステージ駆動部によって、照明系の光軸後述する投影光学系PLの光軸AXに一致に垂直なXY平面内で微少駆動可能Z軸回りの回転を含むであるとともに、所定の走査方向ここではY軸方向とするに指定された走査速度で駆動可能となっている。レチクルステージRSTのXY平面内の位置は、レチクルステージRSTに設けられた又は形成された反射面を介してレチクルレーザ干渉計以下、レチクル干渉計という54Rによって、例えば0.5~1nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計54RからのレチクルステージRSTの位置情報は、照明光学系光源を除く照明系10の構成部分及び投影光学系等を内部に収容する不図示の本体チャンバの外部に設置された主制御装置50に供給される。主制御装置50は、レチクルステージRSTの位置情報に基づいてレチクルステージ駆動部不図示を介してレチクルステージRSTを駆動制御する。前記投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックな縮小系が用いられている。この投影光学系PLの投影倍率は例えば1/4、1/5あるいは1/6等である。このため、前記の如くして、照明光ILによりレチクルR上の照明領域IARが照明されると、投影光学系PLを介してその照明領域IAR内のレチクルRの回路パターン等の縮小像がその照明領域IARと共役なウエハW上の照明光ILの照射領域露光領域IAに形成される。投影光学系PLとしては、複数枚、例えば10~20枚程度の屈折光学素子レンズ素子13のみから成る屈折系が用いられている。この投影光学系PLを構成する複数枚のレンズ素子13のうち、物体面側レチクルR側の複数枚ここでは、説明を簡略化するために4枚とするのレンズ素子131,132,133,134は、結像特性補正コントローラ48によって外部から駆動可能な可動レンズとなっている。レンズ素子131~134は、不図示の二重構造のレンズホルダをそれぞれ介して鏡筒に保持されている。これらレンズ素子131~134は、内側レンズホルダにそれぞれ保持され、これらの内側レンズホルダが不図示の駆動素子アクチュエータ、例えばピエゾ素子などにより重力方向に関して3点で外側レンズホルダに対して支持されている。そして、これらの駆動素子に対する印加電圧を独立して調整することにより、レンズ素子131~134のそれぞれを投影光学系PLの光軸方向であるZ軸方向にシフト駆動、及びXY面に対する傾斜方向すなわちX軸回りの回転方向θx方向及びY軸回りの回転方向θy方向に駆動可能チルト可能な構成となっている。その他のレンズ素子13は、通常のレンズホルダを介して鏡筒に保持されている。なお、レンズ素子131~134に限らず、投影光学系PLの瞳面近傍、又は像面側に配置されるレンズ素子、あるいは投影光学系PLの収差、特にその非回転対称成分を補正する収差補正板光学プレートなどを駆動可能に構成しても良い。更に、それらの駆動可能な光学素子の自由度移動可能な方向は3つに限られるものではなく1つ、2つあるいは4つ以上でも良い。前記ウエハステージWST上にはウエハホルダ25を介してウエハWが真空吸着あるいは静電吸着等により保持されている。本実施形態では、ウエハホルダ25として、特開2002-050560号公報及びこれに対応する米国特許出願公開2003/0020889号明細書などに開示されるような、不図示の駆動装置例えば回転モータにより、ウエハを保持した状態でZ軸回りにほぼ180°の角度範囲内で回転が可能とされたホルダが採用されている。ウエハステージWSTは、投影光学系PLの下方に配置され、リニアモータ、ボイスコイルモータVCM等から成るウエハステージ駆動部56により、XY平面内方向及びZ軸方向に移動可能であり、XY面に対する傾斜方向X軸回りの回転方向θx方向及びY軸回りの回転方向θy方向にも微小駆動可能となっている。ウエハステージWSTのXY平面内での位置Z軸回りの回転θz回転を含むは、ウエハステージWSTに設けられた又は形成された反射面を介してウエハレーザ干渉計以下、ウエハ干渉計と略述する54Wによって、例えば0.5~1nm程度の分解能で常時検出されている。ウエハ干渉計54Wは、測長軸を複数有する多軸干渉計を複数含み、これらの干渉計によって、ウエハステージWSTの回転θz回転、Y軸回りの回転であるθy回転ローリング、及びX軸回りの回転であるθx回転ピッチングが計測可能となっている。ウエハ干渉計54Wによって検出されたウエハステージWSTの位置情報又は速度情報は主制御装置50に供給される。主制御装置50は、ウエハステージWSTの上記位置情報又は速度情報に基づいて、ウエハステージ駆動部56を介してウエハステージWSTの位置を制御する。また、ウエハステージWST上には、後述するレチクルアライメント用の複数対の第1基準マーク、後述するアライメント系ALGのベースライン計測用の基準マーク等が形成された基準マーク板FMが、その表面がウエハWの表面とほぼ同一高さとなるように固定されている。本実施形態の露光装置100には、主制御装置50によってオンオフが制御される光源を有し、投影光学系PLの結像面に向けて多数のピンホール又はスリットの像を形成するための結像光束を光軸AXに対して斜め方向より照射する照射系60aと、それらの結像光束のウエハW表面での反射光束を受光する受光系60bとからなる射入射方式の多点焦点位置検出系以下、単に焦点位置検出系と呼ぶが設けられている。なお、本実施形態の焦点位置検出系60a、60bと同様の多点焦点位置検出系の詳細な構成は、例えば特開平6-283403号公報及びこれに対応する米国特許第5,448,332号明細書等に開示されている。なお、上記公報等に記載の多点焦点位置検出系は、ウエハW上の露光領域IAの内部だけでなく、その外側にも結像光束を照射することで、ウエハWの起伏段差情報を先読みする機能等を有しているが、それらの機能は有していなくても良いすなわち、露光領域IAの内部のみに結像光束を照射するだけでも良い。また、照射系60aによって照射される光束の形状は、平行四辺形その他の形状であっても良い。主制御装置50では、走査露光時等に、受光系60bからの焦点ずれ信号デフォーカス信号、例えばSカーブ信号に基づいて焦点ずれが零あるいは焦点深度内となるように、ウエハWのZ位置及びXY面に対する傾斜を、ウエハステージ駆動部56を介して制御することにより、オートフォーカス自動焦点合わせ及びオートレベリングを実行する。さらに、露光装置100は、ウエハステージWST上に保持されたウエハW上のアライメントマーク及び基準マーク板FM上に形成された基準マークの位置計測等に用いられるオフアクシスoffaxis方式のアライメント系ALGを備えている。このアライメント系ALGとしては、例えばウエハ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標の像とを撮像素子CCD等を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のFIAFieldImageAlignment系のセンサが用いられる。なお、FIA系に限らず、コヒーレントな検出光を対象マークに照射し、その対象マークから発生する散乱光又は回折光を検出したり、その対象マークから発生する2つの回折光例えば同次数を干渉させて検出したりするアライメントセンサを単独であるいは適宜組み合わせて用いることは勿論可能である。さらに、本実施形態の露光装置100では、図示は省略されているが、レチクルRの上方に、投影光学系PLを介してレチクルR上の一対のレチクルマークと対応する基準マーク板上の一対の第1基準マークとを同時に観察するための露光波長の光を用いたTTRThroughTheReticleアライメント系から成る一対のレチクルアライメント系が設けられている。これらのレチクルアライメント系としては、例えば特開平7-176468号公報及びこれに対応する米国特許第5,646,413号明細書などに開示されるものと同様の構成のものが用いられる。前記制御系は、図1中、前記主制御装置50によって主に構成される。主制御装置50は、CPU中央演算処理装置、ROMリードオンリメモリ、RAMランダムアクセスメモリ等からなるいわゆるワークステーション又はマイクロコンピュータ等から構成され、前述した種々の制御動作を行う他、装置全体を統括して制御する。なお、本実施形態の露光装置100には、不図示のコータデベロッパ以下、C/Dと言うがインラインにて接続されている。このC/Dは、ウエハに対するレジストの塗布を行うコータレジスト塗布部、露光後のウエハを現像するデベロッパ現像部、及び塗布制御装置、現像制御装置を含んで構成され、塗布制御装置及び現像制御装置により、ウエハに対するレジスト塗布動作及び現像動作が制御される。また、露光装置100の主制御装置50は、荷電粒子線走査型の計測装置の一種である測長SEMを含んで構成されるSEMシステム80に通信路を介して接続されている。このSEMシステム80は、簡単に説明すると、例えば105Pa以上に保たれた電子ビーム鏡筒内で電磁界レンズにより一次ビームを収束して測長パターン上を照射し、照射面から放出される2次電子及び反射電子を捕集して、そのラインプロファイルから測長パターンエッジを検出してパターン寸法を計測するシステムである。SEMシステム80は、一例としてaSEM部、bTFEThermalFieldEmission高圧電源、集束レンズ及び対物レンズ電源、走査用偏向電源、Zセンサ制御系、2次電子検出器を統合するSEM制御系、cウエハ搬送、レーザ干渉計を搭載して高速ステージ駆動を管理するステージ制御系、d2次電子信号と偏向信号を同期させて画像信号に転送する信号変換器、e画像処理系表示装置を含む、fシステム全体を統括的に制御するメインコンピュータなどを含んで構成される。本実施形態では、SEMシステム80のメインコンピュータが、通信路を介して露光装置100の主制御装置50に接続されている。次に、本実施形態の調整方法でその像レジスト像などが線幅の計測対象となる計測用マークが形成された計測マスクとしての計測用レチクルRTについて、図2に基づいて説明する。この図2は、計測用レチクルRTを、パターン面側から見た平面図である。この図2に示されるように、計測用レチクルRTは、矩形のガラス基板から成り、そのパターン面の中央部に、遮光帯SBで囲まれる長方形のパターン領域PAが形成されている。パターン領域PAの内部には、合計13個の計測用マークMP1~MP13が形成されている。これらの計測用マークは、Y軸方向に関して、3行に配置され、その中央の行に7つの計測用マークMP4~MP10が等間隔で配置され、その他の行にそれぞれ3つの計測用マークMP1~MP3、MP11~MP13が等間隔で配置されている。各計測用マークMPjj=1~13は、図2に示されるように、計測用レチクルRT上でY軸方向に延びる設計上の線幅が例えば400nmの第1ラインパターン要素又は第1マーク要素、以下では縦線パターン要素とも呼ぶPVと、Y軸方向に対して角度ααは、ここでは90°又は270°図2における時計回りに回転した方向であるX軸方向に延びる設計上の線幅が例えば400nmの第2ラインパターン要素又は第2マーク要素、以下では横線パターン要素とも呼ぶPHとを含む。投影光学系PLの投影倍率を1/4として、これら第1ラインパターン要素PVと第2ラインパターン要素PHとをウエハ上に転写すると、投影光学系PLに球面収差、非点収差などの諸収差が存在しない理想的な状態では、第1ラインパターン要素PVと第2ラインパターン要素PHの像として、線幅100nmのラインパターン像がそれぞれ得られることとなる。また、パターン領域PAの中心レチクルセンタに一致するものとするを通るX軸上のパターン領域PAの両外側には、レチクルアライメントマークRM1、RM2が形成されている。レチクルアライメントマークRM1を中心としてY軸方向の一側と他側に同一距離だけ離れて、レチクルアライメントマークRM3、RM5がそれぞれ形成されている。また、レチクルアライメントマークRM2を中心としてY軸方向の一側と他側に同一距離だけ離れて、レチクルアライメントマークRM4、RM6がそれぞれ形成されている。レチクルアライメントマークRM3とRM4、RM5とRM6とは、レチクルセンタを通るY軸に関して対称の配置となっている。この計測用レチクルRTは、レチクルステージRST上にロードされた状態では、パターン面図2における紙面手前側の面が、投影光学系PLに対向する側の面となる。次に、本実施形態に係る露光装置の調整方法のうちの、露光装置100の主制御装置50により制御される動作、すなわち、露光装置100及び露光装置100にインラインにて接続されているC/Dにおいて行われる動作について、主制御装置50内のCPUの処理アルゴリズムを簡略化して示す図3、図4のフローチャートに沿って、かつ適宜他の図面を参照しつつ説明する。この動作の前提として、レチクルステージRST上にはレチクルが載置されておらず、ウエハステージWST上にはウエハが載置されていないものとする。図3のステップ102では、計測用レチクルRTのパターン転写のサブルーチンの処理を行う。このサブルーチンでは、まず、図4のステップ202において、不図示のレチクルローダを介してレチクルステージRST上に計測用レチクルRTをロードする。次いで、ステップ204において、レチクルアライメント等の所定の準備作業を行う。具体的には、まず、ウエハステージWST上に設けられた基準マーク板FMの表面に形成されている特定の一対の第1基準マークの中心が投影光学系PLの光軸AXとほぼ一致する基準位置にウエハステージWSTを移動させるとともに、計測用レチクルRT上の一対のレチクルアライメントマークRM1、RM2の中心レチクルセンタが投影光学系PLの光軸とほぼ一致する基準位置にレチクルステージRSTを移動させる。ここで、ウエハステージWSTの移動は、主制御装置50が、ウエハ干渉計54Wの計測値をモニタしつつ、ウエハステージ駆動部56を制御することで行われ、レチクルステージRSTの移動は、主制御装置50が、レチクル干渉計54Rの計測値をモニタしつつ不図示のレチクルステージ駆動部を制御することで行われる。以下においても同様である。次いで、前述の一対のレチクルアライメント系により照明光ILを用いて基準マーク板FM上の特定の一対の第1基準マークとそれに対応する計測用レチクルRT上のレチクルアライメントマークRM1、RM2の投影像の相対位置検出を行なう。次いで、レチクルステージRST、ウエハステージWSTを相互に逆向きにY軸方向にステップ移動し、前述の一対のレチクルアライメント系により照明光ILを用いて基準マーク板FM上の別の一対の第1基準マークとそれに対応する計測用レチクルRT上のレチクルアライメントマークRM3、RM4の投影像の相対位置検出を行なう。すなわち、このようにして、基準マーク板FM上の少なくとも2対の第1基準マークと対応する計測用レチクルRT上のレチクルアライメントマークとの相対位置を、レチクルステージRST、ウエハステージWSTをY軸方向にステップ移動しつつ、レチクルアライメント系を用いて計測することで、ウエハ干渉計の測長軸で規定されるウエハステージ座標系とレチクル干渉計の測長軸で規定されるレチクルステージ座標系との位置関係の検出、すなわちレチクルアライメントが行われる。なお、このレチクルアライメントではウエハステージWSTを移動させることなくレチクルステージRSTを移動するだけでも良い。また、例えば照明光ILの照射領域照明領域IARの非走査方向の幅が計測用レチクルRTのパターン領域PAの非走査方向の幅にほぼ一致するように、照明系10内の可動レチクルブラインドの非走査方向の開口幅を調整する。このようにして、所定の準備作業が終了すると、次のステップ206に移行し、前述のC/Dから不図示のウエハローダを介して、ウエハステージWST上に計測用のウエハ以下、計測用ウエハとも呼ぶWTをロードする。この場合、例えば、図5Aに示されるように、表面にレジストが塗布された計測用ウエハWTは、その外周部の一部に形成されたノッチNが-Y方向を向いた状態以下、0°の状態とも呼ぶでウエハステージWST上にウエハホルダ25を介して載置されるものとする。次のステップ208では、計測用ウエハWTに対する第n回目の露光であることを示す不図示のカウンタのカウント値nを1に初期化する。次のステップ210では、第n回目ここでは第1回目の露光のための加速開始位置にウエハステージWSTを移動するとともに、計測用レチクルRTの位置が加速開始位置となるように、レチクルステージRSTを移動する。次のステップ212では、レチクルステージRSTとウエハステージWSTのY軸方向に関する相対走査を開始する。そして、両ステージがそれぞれ目標走査速度に達し、等速同期状態に達すると、照明系10からの照明光ILによって計測用レチクルRTのパターン領域PAが照明され始め、走査露光が開始される。そして、計測用レチクルRTのパターン領域PAの異なる領域が照明光ILで逐次照明され、パターン領域全面に対する照明が完了することにより走査露光が終了する。これにより、計測用レチクルRTに形成されたパターン領域PAが投影光学系PLを介して計測用ウエハWT上の露光対象領域に縮小転写される。次のステップ214では、前述のカウンタのカウント値nを参照し、n=Kか否か、すなわち予定されているK個のパターン領域の転写像をウエハWT上に形成するための露光が終了したか否かを判断する。ここでは、n=1、すなわち、最初第1回目の露光によってパターン領域PAすなわち、本例では13個の計測用マークMPjの転写像が1つだけウエハWT上に形成されたのみであるので、ステップ214での判断は否定され、ステップ216に移行する。次いで、ステップ216では、前述のカウンタのカウント値nを1インクリメントしてn←n1、ステップ210に戻る。以降、ステップ214での判断が肯定されるまで、ステップ210→212→214→216のループの処理判断を含むを繰り返す。なお、図5Aには、n=4の状態でステップ212が終了したときの計測用ウエハWTの状態が示されている。そして、K回目の走査露光によって計測用ウエハWT上に予定されているK個ここでは、K=24とするのパターン領域PA13個の計測用マークMPjの転写像が形成されると、ステップ218に移行する。なお、図5Bには、ステップ218の処理が開始される直前の計測用ウエハWTの状態が示されている。また、図5A、図5Bでは1回の走査露光によるウエハWT上での照明光ILの照射範囲パターン領域PAの転写像の形成領域がショット領域SAnとして表されており、本実施形態ではウエハWT上で互いに分離して設定される異なる24個のショット領域例えば26×33mmのフィールドサイズにそれぞれパターン領域PAの転写像が形成される。ステップ218では、不図示の駆動装置例えば回転モータを介して、ウエハホルダ25を計測用ウエハWTを保持した状態で、Z軸回りに90°例えば時計回りに90°回転駆動する。これにより、計測用ウエハWTは、図6Aに示されるようにノッチNが-X方向を向いた状態以下、90°の状態とも呼ぶに設定される。次に、ステップ220ではカウント値nを1インクリメントしn←n1、次のステップ222に移行する。ステップ222では、第n回目の露光ここでは、図6Aに示される第25番目のショット領域SA25パターン領域PAの25個目の転写像を形成するための露光のための加速開始位置に、ウエハステージWSTを移動するとともに、計測用レチクルRTの位置が加速開始位置となるように、レチクルステージRSTを移動する。次のステップ224では、前述のステップ212と同様にして走査露光を行い、計測用レチクルRTのパターン領域PAの転写像をウエハWT上に形成する。ここでは、図6Aに示されるショット領域SA25にパターン領域PAの転写像が形成される。このショット領域SA25は、先に形成されたショット領域SA1~SA24に対して90°回転した向きのショット領域である。次のステップ226では、カウンタnを参照し、n=Mか否か、すなわち予定されている全てのショット数Mここでは、M=48とするの露光が行われたか否かを判断する。ここでは、n=25であるから、このステップ226での判断は否定され、ステップ220に戻る。その後、ステップ226における判断が肯定されるまで、ステップ220→222→224→226のループの処理断を含むを繰り返す。なお、図6Aには、n=28の状態でステップ224の処理が終了したときの計測用ウエハWTの状態が示されている。そして、計測用ウエハWT上に予定されている全てのショット数M=48のパターン領域PAの転写が終了すると、このサブルーチンの処理を終了して、図3のメインルーチンのステップ104にリターンする。なお、図6Bには、ステップ102の計測用レチクルRTのパターン転写のサブルーチンの処理が全て終了したときの、計測用ウエハWTの状態が示されている。この状態では、ウエハ中心を挟む左右の領域に、長手方向が90°異なるショット領域が24個ずつ形成されている。図3に戻り、次のステップ104では、上記ステップ102のサブルーチンで露光処理済みの計測用ウエハWTを、露光装置100にインラインにて接続されたC/Dに搬送する。この場合、計測用ウエハWTは、不図示のウエハアンローダを介してウエハステージWST上からアンロードされるとともに、ウエハ搬送系を介してC/D内に搬送されるようになっている。次のステップ106では、C/Dを構成するデベロッパ部を制御する現像制御装置に対して、計測用ウエハWTの現像処理を指示した後、ステップ108に進んで、計測用ウエハWTの現像が終了するのを待つ。この待ち時間の間に、C/D側で計測用ウエハWTの現像が行われ、この現像の終了により、計測用ウエハWT上には、図6Bに示されるようなショット領域SA1~SA48にそれぞれパターン領域PAが形成される。この場合、ショット領域SA1には、図7に示されるように、13個の計測用マークMP1~MP13のレジスト像M1~M13以下、便宜上マークMjとも呼ぶが形成される。その他のショット領域SA2~SA48についても同様である。このようなレジスト像マークMjが形成された計測用ウエハWTが露光装置100のパターンの転写特性を計測するための試料となる。現像が終了し、現像制御装置からその旨の通知を受けることで、現像の終了を確認すると、ステップ110に進み、不図示のウエハ搬送系を介して、現像済みの計測用ウエハWTをSEMシステム80近傍の所定の場所に搬送し、本ルーチンの一連の処理を終了する。ここで、所定の場所とは、オペレータが現像済みのウエハを容易に取り出すことができ、かつその取り出したウエハをSEMシステム80の大気側のウエハ搬送系に搬入するのに適した場所であって、予め定められた場所を指す。その後、オペレータは、現像済みの計測用ウエハWTを、上記所定の場所から取り出してSEMシステム80の大気側のウエハ搬送系に搬入する。その後、オペレータの指示に従い、SEMシステム80によって、通常と同様の手順で、計測用ウエハWTを試料として、レジスト像中のパターンのサイズ寸法計測が行われる。この場合、オペレータの指示に従い、計測用ウエハWTが、SEMシステム80を構成する大気側の搬送系、ロードロック室、真空側の搬送系を順次経て、試料室内に搬入される。試料室内では、計測用ウエハWTは0°の方向これを基準方向とするを向いている。ここで、基準方向とは、計測用ウエハWT上のショット領域SA1~SA24の長手方向及びこれに直交する方向ショット領域SA25~SA48の長手方向に一致が、SEMシステム80の試料室内のステージの移動座標である直交座標系XY座標系の座標軸にそれぞれ一致したときの計測用ウエハWTの向きを指し、ここでは、計測用ウエハWTの中心とノッチNとを結ぶ線分がY軸に一致する方向であるものとする。このとき、オペレータは、SEMシステム80に対して、0°の方向の計測用ウエハWT上の全てのショット領域SA1~SA48内の全てのマークM1~M13の基準方向に直交する計測方向に関するサイズの計測を指示する。ここで、計測方向とは、図6BにおけるY軸方向に相当する。また、この場合におけるマークレジスト像の計測方向に関するサイズとは、ショット領域SA1~SA24内部のマークM1~M13については、前述の計測用マークMP1~MP13の第1ラインパターン要素縦線パターン要素PVの像の線幅であり、ショット領域SA25~SA48内部のマークM1~M13については、前述の計測用マークMP1~MP13の第2ラインパターン要素横線パターン要素PHの像の線幅である。従って、上記のオペレータの指示に従い、SEMシステム80により計測用ウエハWT上の全てのショット領域SA1~SA48内の全てのマークM1~M13の画像SEM画像が、それぞれ取り込まれる。なお、48個のショット領域それぞれで13個のマークのレジスト像についてその全体の画像を取り込まなくても良く、例えばショット領域SA1~SA24ではマーク毎にその縦線パターン要素PVの像のみ、ショット領域SA25~SA48ではマーク毎にその横線パターン要素PHの像のみについてその画像を取り込むだけでも良い。次いで、SEMシステム80の画像処理系により、その取り込まれた計測用ウエハWT上の全てのショット領域SA1~SA48内の全てのマークM1~M13の画像それぞれに対して、エッジ検出処理を伴う画像処理がそれぞれ施され、ショット領域SA1~SA24内部のマークM1~M13については、前述の第1ラインパターン要素縦線パターン要素PVの像第1要素、第1部分、第1ライン要素の線幅、及びショット領域SA25~SA48内部のマークM1~M13については、前述の第2ラインパターン要素横線パターン要素PHの像第2要素、第2部分、第2ライン要素の線幅が、それぞれ計測され、その計測結果がSEMシステム80のメインコンピュータの内部メモリに記憶されるとともに、表示装置の画面上に表示される。このとき、表示装置の画面上には、第1ラインパターン要素縦線パターン要素PVの像の24×13=312個の線幅の計測値以下、線幅値と記す及び第2ラインパターン要素横線パターン要素PHの像の312個の線幅値が、一度に、又は画面表示の切り換えにより表示される。その後、オペレータは、SEMシステム80による計測結果の表示画面を見て、必要な演算処理、例えばマークMjj=1~13それぞれの第1ラインパターン要素PVの像の線幅値LWVの24ショットでの平均値AVELWVjj=1~13、及びAVELWVjj=1~13のうちの最大値と最小値との差ΔAVELWVなどの算出を、SEMシステム80のメインコンピュータに指示する。同様に、オペレータは、SEMシステム80による計測結果の表示画面を見て、例えばマークMjj=1~13それぞれの第2ラインパターン要素PHの像の線幅値LWHの24ショットでの平均値AVELWHjj=1~13、及びAVELWHjj=1~13のうちの最大値と最小値との差ΔAVELWHなどの算出を、SEMシステム80のメインコンピュータに指示する。さらにオペレータは、先の平均値AVELWVjと平均値AVELWHjとの差ΔLWVHjj=1~13の算出も、SEMシステム80のメインコンピュータに指示する。ここで、ΔLWVHjはマークMjの第1ラインパターン要素PVの像と第2ラインパターン要素PHの像との差V/H差、すなわち線幅ばらつきサイズのばらつきであり、ΔAVELWV、ΔAVELWHは、第1ラインパターン要素、第2ラインパターン要素の像の線幅サイズの面内均一性の指標値である。上記のオペレータの指示に応じ、SEMシステム80のメインコンピュータにより、AVELWVjj=1~13、ΔAVELWV、AVELWHjj=1~13、ΔAVELWH、ΔLWVHjj=1~13が算出され、これらの算出結果が表示装置の画面上に表示される。この計測結果の表示がなされると、オペレータは、その表示画面を見て、その計測結果の情報を、露光装置100の主制御装置50に送信するように、SEMシステム80のメインコンピュータに指示する。これにより、SEMシステム80のメインコンピュータから上記の計測結果の情報が露光装置100に送られ、露光装置100の主制御装置50は、上記の計測結果の情報を受信し、メモリ内に記憶する。本実施形態では、デバイスパターンの転写の際には、レチクルアライメント及びアライメント系ALGのベースライン計測などの準備作業の後、ステップアンドスキャン方式で、レチクルR上に形成されたデバイスパターンが投影光学系PLを介してウエハW上の複数のショット領域にそれぞれ転写される。なお、このような一連の動作は、通常のスキャナと同様であるから、詳細説明については省略する。但し、露光装置100の主制御装置50は、先にメモリ内に記憶した上記の計測結果の情報AVELWVjj=1~13、ΔAVELWV、AVELWHjj=1~13、ΔAVELWH、及びΔLWVHjj=1~13のうち、例えばその対応する許容範囲を超える少なくとも1つの情報に基づいて、所定の演算プログラムに従って計算を行い、この計算結果に基づいて結像特性調整装置48を介して投影光学系PLを構成するレンズ131~134の少なくとも1つを駆動して、投影光学系PLの結像特性を調整する。また、走査露光中には、必要に応じてウエハステージWST、レチクルステージRSTの速度比を微調整する。このような調整により、露光装置100によるパターンの転写特性が要求される仕様を満足するレベルに調整される。すなわち、露光フィールドウエハWT上での1回の走査露光範囲であり、前述のショット領域SAnに対応内の異なる位置マークM1~M13それぞれに対応するその形成位置における、縦横線の各線幅、縦横線の線幅差ΔLWVHj=AVELWVj-AVELWHj及び縦横線の各線幅の面内均一性などが、全て仕様を満足するような露光装置の調整が行われる。以上詳細に説明したように、本実施形態に係る露光装置のパターン転写特性の計測方法によると、計測用レチクルRTを露光装置100に搭載して露光を行い図4のステップ212参照、計測用レチクルRTに形成されたパターン領域PAを計測用ウエハWT上に転写した際に計測用ウエハWT上に形成された計測用マークMP1~MP13の第1の転写像図6Bのショット領域SA1~SA24のマークM1~M13の画像がSEMシステム80により取り込まれる。また、計測用レチクルRTに対するウエハWTの角度が、上記第1の転写像が形成された際から所定角度90°変化した状態で露光を行いステップ224参照、前記パターン領域PAをウエハWT上に転写した際に計測用ウエハWT上に形成された計測用マークMP1~MP13の第2の転写像図6Bのショット領域SA25~SA48のマークM1~M13の画像がSEMシステム80により取り込まれる。そして、SEMシステム80により、取り込まれた前記第1の転写像の画像と前記第2の転写像の画像に対してエッジ検出処理を伴う画像処理がそれぞれ施され、計測用マークの第1の転写像及び第2の転写像それぞれの基準方向に直交する計測方向図6BにおけるY方向に関するサイズ、より具体的には、ショット領域SA1~SA24内部のマークM1~M13についての前述の第1ラインパターン要素縦線パターン要素PVの像第1要素、第1部分、第1ライン要素の線幅値、及びショット領域SA25~SA48内部のマークM1~M13についての前述の第2ラインパターン要素横線パターン要素PHの像第2要素、第2部分、第2ライン要素の線幅値が計測される。すなわち、本実施形態によると、計測用マークの第1及び第2の転写像は、例えばSEMシステム80による画像取込が実質的に同一条件で行われるようにウエハWT上にそれぞれ形成されるので、SEMシステム80によりそれぞれ取り込まれた第1及び第2の転写像の画像に対して、いずれにも回転を加えることなくエッジ検出処理を伴う画像処理が施され、計測用マークの第1の転写像及び第2の転写像それぞれの計測方向のサイズが計測される。そして、この結果として、画像の取り込みと画像処理との組み合わせに起因する計測用マークの像のサイズ計測精度の低下を防止することができ、結果的に露光装置100によるパターンの転写特性を正確に計測評価することが可能となる。また、本実施形態では、SEMシステム80により、オペレータの指示に応じ、マークMjj=1~13それぞれの第1ラインパターン要素PVの像の線幅値LWVの24ショットでの平均値AVELWVjj=1~13、AVELWVjj=1~13のうちの最大値と最小値との差ΔAVELWV、マークMjj=1~13それぞれの第2ラインパターン要素PHの像の線幅値LWHの24ショットでの平均値AVELWHjj=1~13、AVELWHjj=1~13のうちの最大値と最小値との差ΔAVELWH、及びマークMjの第1ラインパターン要素PVの像と第2ラインパターン要素PHの像との差V/H差ΔLWVHjj=1~13なども計算され、この計算結果が、露光装置100の主制御装置50に送られる。そして、上記の計測結果に基づいて前述の如くして露光装置100の調整が行われる。従って、露光装置100によるパターンの転写特性を精度良く調整することが可能となっている。なお、上記実施形態では、転写の途中では、ウエハを回転させることなく、所定ショット数分だけ、計測用レチクルRTの計測マークMPjをウエハ上に転写し、そのウエハを現像後に、SEMシステム80を用いてその現像後のウエハ上のレジスト像マークMjのサイズ計測を行う際に、その計測を2回に分けて行っても良い。この場合、一例として次のような手順で、計測が行われる。1例えば、ウエハが基準方向に向いた第1の状態で、SEMシステム80によりマークM1~M13の第1の画像を取り込む。2次に、一旦ウエハを試料室から取り出し、上記第1の状態からウエハを所定角度α=90°回転した状態で、試料室内に搬入する。その状態第2の状態で、SEMシステム80によりマークM1~M13の第2の画像を取り込む。3そして、SEMシステム80に指示を与え、第1の画像に対してエッジ検出処理を伴う画像処理を施して、マークMjの前記基準方向に直交する第1方向に関する第1のサイズすなわち、マークMjの第1要素第1ライン要素、第1部分の線幅を計測する。4次に、SEMシステム80に指示を与え、第2の画像に対してエッジ検出処理を伴う画像処理を施して、マークMjの第1方向に対して角度α=90°回転した第2方向に関する第2のサイズすなわち、マークMjの第2要素第2ライン要素、第2部分の線幅を計測する。このようにすると、ウエハが基準方向に向いた第1の状態で、SEMシステム80により取り込まれたマークMjの第1の画像に対しては、エッジ検出処理を伴う画像処理が施されて、マークMjの前記基準方向に直交する第1方向に関する第1のサイズが計測され、また、前記第1の状態からウエハを所定角度α=90°回転した第2の状態で、SEMシステム80により取り込まれたマークMjの第2の画像に対しては、エッジ検出処理を伴う画像処理が施され、マークMjの第2方向に関する第2のサイズが計測される。すなわち、SEMシステム80による画像取り込み時のウエハの向きに応じて、エッジ検出処理を伴う画像処理が施されるので、画像の取り込みと画像処理との組み合わせに起因するマークのサイズ計測精度の低下を防止することができる。なお、SEMシステム80において、試料室内に入れたウエハを計測の途中で取り出すことには、例えば計測時間などを考慮すると、現実には困難を伴う場合が殆どである。従って、この計測の途中でウエハを回転させる方法は、特に光学顕微鏡などの他の計測装置を用いた計測の場合に有効である。但し、SEMシステム80に、ウエハを回転させる機構を、取り付けることができるのであれば、上記方法は、適用が可能である。また、上記実施形態では、計測用レチクルRT上の計測用マークMPjを構成する第1ラインパターン要素の延びる向きに対して角度α=90°回転した向きに第2ラインパターン要素が延びる場合について説明したが、上記角度αは、0°<α<180°の範囲の角度であれば、いかなる角度であっても良い。すなわち、第1ラインパターン要素と第2ラインパターン要素を含んで計測用マークを構成する場合には、第1ラインパターン要素と第2ラインパターン要素とは、異なる向きに延びていれば良い。但し、角度αを90°以外の角度にする場合には、前述したステップ218に代えて、ウエハホルダを角度α回転するステップの処理を行い、回転後の計測用ウエハWTの中心とノッチとを結ぶ線分の方向を、計測用レチクル上の第2ラインパターン要素の延びる方向に一致させる必要がある。このとき、回転前のウエハWTはその中心とノッチとを結ぶ線分の方向が、第1ラインパターン要素が延びる方向と一致するように設定されている。なお、前述のショット領域SA1~SA24では少なくともマークMjの第1及び第2要素の一方は計測方向又は延設方向、周期方向などが転写特性を計測すべき異なる2方向第1及び第2方向、通常はX、Y方向の一方と実質的に一致し、前述のショット領域SA25~SA48では少なくとも第1及び第2要素の他方は計測方向がその異なる2方向の他方と実質的に一致するように、ショット領域SA1~SA24に対する第1露光と、ショット領域SA25~SA48に対する第2露光とによってウエハWT上にマークMjが形成される。このとき、レチクルRT上で計測用マークMPjの第1及び第2マーク要素縦線パターン要素PV及び横線パターン要素PHはその計測方向又は延設方向、周期方向などの交差角が前述の異なる2方向の交差角とほぼ等しくなるように形成されることが好ましい。この場合、計測用マークMPjの第1及び第2マーク要素の計測方向をそれぞれ異なる2方向とほぼ一致させて第1及び第2露光を行なうことによって、第1露光と第2露光とでウエハWTの回転方向の位置回転角を除き、計測用マークMPjを含む露光装置によるその転写条件を同一に設定することができ、計測用マークMPjの転写像であるウエハWT上のマークMjの異なる2方向に関する線幅サイズをそれぞれ精度良く計測することが可能となる。なお、レチクルRT上の計測用マークMPjの第1及び第2マーク要素は必ずしもその計測方向の交差角が異なる2方向の交差角と一致していなくても良い。この場合、前述の第1露光では第1及び第2マーク要素の一方のみでその計測方向を異なる2方向の一方とほぼ一致させ、前述の第2露光では第1及び第2マーク要素の他方のみでその計測方向を異なる2方向の他方とほぼ一致させれば良い。また、上記実施形態では、前述の第1露光によって形成されるマーク第1マークMjの第1及び第2要素の一方と、前述の第2露光によって形成されるマーク第2マークMjの第1及び第2要素の他方とでその計測方向がほぼ一致する、すなわちウエハWT上で第1マークMjと第2マークMjとが転写特性を計測すべき異なる2方向の交差角とほぼ同一角度だけ回転するように、ウエハWTを異なる2方向の交差角とほぼ同一角度だけ回転させることとしている。しかしながら、前述の第1露光で計測用マークMPjの第1及び第2マーク要素の一方が異なる2方向の一方、及び前述の第2露光でその第1及び第2マーク要素の他方が異なる2方向の他方とほぼ一致していれば、ウエハWTの回転角を異なる2方向の交差角と一致させなくても良い。このとき、第1マークMjの第1及び第2要素の一方の計測方向と、第2マークMjの第1及び第2要素の他方の計測方向との回転角回転誤差が、SEMシステム80で回転方向に関する許容値を超えている場合には、SEMシステム80にてウエハWTを回転させることが好ましい。また、上記実施形態では、計測用レチクルRT上の計測用マークMPjが第1ラインパターン要素と第2ラインパターン要素とから成り、その計測用マークMPjのウエハWT上の転写像であるマークMjが第1ラインパターン要素の像である第1要素第1部分、第1ライン要素と第2ラインパターン要素の像である第2要素第2部分、第2ライン要素とから成る場合について説明したが、サイズ計測の対象となるマークは、ラインパターンの組み合わせに限らず、枠状マークや多角形状マーク例えばともに四角形状などでも良いし、マークMjの第1要素と第2要素とが接続、交差、あるいは部分的に重畳していても良い。また、そのマークは孤立パターンに限られるものでなく、密集パターン例えばラインアンドスペースパターンなどの周期パターンなどでも良い。要は、交差する2方向に関するサイズの計測が可能な形状であれば良い。なお、ウエハWT上のマークMjレチクルRTの計測用マークMPjの要素として、例えば矩形方形状マークを用いるとき、マークMjが1つの矩形状マークのみからなるものであっても、前述の異なる2方向に関するマークMjの線幅サイズをそれぞれ計測可能であるため、マークMjの第1及び第2要素計測用マークMPjの第1及び第2マーク要素は同一の要素矩形状マークなどとなる。また、上記実施形態ではX、Y方向に関するマークMjの線幅サイズを計測するものとしたが、線幅の計測方向はX、Y方向と少なくとも一方が異なる2方向でも良いし、2つではなく3つ以上、例えばX、Y方向を45°回転させた2方向との計4方向でも構わない。このとき、線幅計測に用いられるウエハWT上のマークMjレチクルRTの計測用マークMPjの要素数は2つでなく4つただし、矩形状マークなどでは2つとなる。また、上記実施形態では、計測装置として、SEMシステムを用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものでないことは勿論である。本発明は、電子線以外の荷電粒子線を測定対象に対して走査して計測を行う、荷電粒子線走査型の計測装置は勿論、光学顕微鏡などの他の計測装置などであっても良い。また、計測装置は画像処理方式に限定されるものでなく他の方式でも構わない。さらに、例えばX、Y方向でそれぞれ独立に線幅などを計測可能、特にX方向とY方向とで計測方式や構成などが異なる計測装置を使用する場合に本発明は特に有効である。なお、上記実施形態では、計測用マークMPjの第1の転写像をウエハWT上に形成するための第1転写工程ステップ212の後に、ウエハホルダを回転しステップ218、その後に計測用マークMPjの第2の転写像をそのウエハWT上の異なる位置に形成する第2転写工程ステップ224を行い、その後にその計測用ウエハ上の転写像をSEMにて計測するものとしたが、本発明がこれに限定されるものではない。すなわち、ウエハホルダを回転する代わり、レチクルステージRST上に回転可能なレチクルホルダを設けて、これを回転させるようにしても良いし、ウエハホルダ、レチクルホルダの双方を回転させるようにしても良い。また、ホルダそのものを回転させる代わりに、ウエハなどを保持して上下動可能な支持部材例えば搬送系ローダとホルダとの間でウエハなどの受け渡しを行うセンターアップピンなどを回転可能としても良いし、支持部材を回転させる代わりに、あるいはそれと組み合わせて、ローダあるいは専用機構などを利用した載せ替えによりウエハなどを回転させるようにしても良い。また、上記実施形態では第1露光によって形成されるショット領域SA1~SA24と第2露光によって形成されるショット領域SA25~SA48とを図6Bでは、ウエハWT上で左右の領域に分けて配置するものとしたが、ウエハWTの表面に塗布されるレジストの塗りむらレジスト膜厚の不均一性などに起因して線幅計測精度が低下することが考えられる。そこで、例えば第1露光によって形成されるショット領域と、第2露光によって形成されるショット領域とをウエハ上で交互に配置することで、塗りむらなどに起因する計測精度の低下を低減することが好ましい。さらに、上記実施形態ではレチクルRTの計測用マークMPjが転写される複数のショット領域をウエハWT上で互いに重ならないように配置するものとしたが、線幅計測の対象となる前述の第1露光によって形成される第1マークMjの第1及び第2要素の一方と、前述の第2露光によって形成される第2マークMjの第1及び第2要素の他方とが重ならなければ、ウエハ上で複数のショット領域を部分的に重なるように配置しても良い。また、上記実施形態では第1及び第2露光でそれぞれ複数のショット領域にレチクルRTの計測用マークMPjの転写像を形成するものとしたが、そのショット数は複数でなく1つでも良いし、第1露光と第2露光とで同数としなくても良い。なお、前述した転写特性の計測に用いるレチクルRTの計測用マークMPjの第1マーク要素と第2マーク要素とは、その配置方向計測方向を除いて同一構成、かつその転写条件も同一としたが、その構成と転写条件の少なくとも一方を異ならせても良い。また、計測専用のレチクルRTを用いる代わりに、デバイス製造で使用されるレチクルに前述の計測用マークMPjを形成して用いても良い。さらに、前述のショット領域SAn毎に複数の計測用マークMPjの転写像を形成するものとしたが、その配置ショット領域内での位置はこれに限られるものでなく任意で良いし、その数も複数でなく1つでも良い。また、計測専用又はデバイス製造用のレチクルだけではなく、例えばレチクルステージRSTに設けられる基準マークを計測用マークMPjとして用いるようにしても良い。また、上記実施形態では露光装置の転写特性としてV/H差や面内均一性を求めるものとしたが、転写特性はこれらに限られるものでなく、例えば投影光学系PLの結像特性コマ収差、非点収差などの諸収差や走査露光における同期精度同期誤差などでも良い。さらに、レチクルRTの計測用マークMPjのマーク要素としてラインアンドスペースパターンなどの周期パターンを用い、その転写像の複数の像それぞれで線幅を計測することで、例えばその線幅の最大値と最小値との差を線幅ばらつきとして求めても良い。また、ウエハ上に既に形成されているマークに対してレチクルRTの計測用マークMPjを重ね合わせて転写し、例えばその2つのマークの相対位置間隔などを計測することで、重ね合せ精度トータルオーバーレイを転写特性として求めても良い。また、上記実施形態では走査露光によって計測用マークMPjの転写像をウエハ上に形成し、その転写像のサイズを計測することでその転写像の形成に用いた走査型露光装置露光装置100の諸特性ダイナミックな結像特性などを求めるものとしたが、露光装置100において計測用マークMPjが形成された計測用レチクルRT及びこれを保持するレチクルステージRSTとウエハ及びこれを保持するウエハステージWSTとをほぼ静止させた状態で露光を行い、計測用マークMPjの転写像をウエハ上に形成し、その転写像のサイズを計測することで上記実施形態と同様にして露光装置100の諸特性スタティックな結像特性などを求めるようにしても良い。さらに上記実施形態では、前述の転写特性に基づいて投影光学系PLの少なくとも1つの光学素子レンズエレメントを移動してその結像特性を調整するものとしたが、前述の結像特性調整装置48としては光学素子を移動させるものに限られるものではなく、光学素子を移動させる代わりに、あるいはそれと組み合わせて、例えば照明光の中心波長や光学素子の温度を変化させる、あるいは複数の光学素子の間の気密空間内の気体の圧力などを変化させることで投影光学系の屈折率を変化させても良い。さらに、投影光学系の結像特性を調整するために、例えば投影光学系の全体又はその一部光学素子単位、鏡筒単位などの交換を行う、あるいは投影光学系の少なくとも1つの光学素子を取り出してその再加工を行うようにしても良い。また、投影光学系の調整では光学素子の位置他の光学素子との間隔を含むや傾斜などを変更するだけでも良いし、特に光学素子がレンズエレメントである時はその偏芯を変更したり、あるいは光軸を中心として回転させても良い。さらに、前述の転写特性として投影光学系の結像特性を求める時は、例えば国際公開第03/065428号などに開示されるように、その結像特性と、既知の投影光学系PL単体の波面収差単体は面収差とに基づいて、投影光学系の波面収差を推定し、この波面収差及びツェルニケ感度表、並びに波面収差変化表各光学素子の単位駆動量当たりの波面収差を展開したフリンジツェルニケ多項式の各項の係数の変化量との関係を示す変化表などを用いて、所定のメリット関数を解くことで、結像特性を最適化する光学素子の駆動量を求め、結像特性の調整を行なうようにしても良い。なお、結像特性の計測結果から波面収差を推定する場合には、例えば上記国際公開に開示されるように、基準となる露光条件下での結像特性と計測した結像特性との差が、ツェルニケ感度表と波面収差変化表と調整量の補正量単体波面収差とonbodyの波面収差のずれが調整用光学素子の調整量のずれに対応すると仮定した場合の調整量のずれとの積に一致するとの関係式を用いて、波面収差の補正量を求め、その補正量と単体波面収差とに基づいて、波面収差を算出するのである。なお、上記実施形態における転写特性の計測及び露光装置の調整は、露光装置のメンテナンス時に行なっても良いし、クリーンルームに露光装置を搬入してその立ち上げを行なうときでもよく、その実施時期タイミングは任意で構わない。なお、上記実施形態では、ウエハに対するパターンの転写以後の処理は、オペレータによるマニュアル作業を含む場合について説明したが、露光装置100とSEMシステム80とを、内部にウエハ搬送系を内蔵したインラインインタフェース部を介して接続し、これら露光装置100、SEMシステム80及びインラインインタフェース部の全てを統括的に制御するホストコンピュータを設けることとしても良い。この場合には、該ホストコンピュータによって実行されるプログラムにより、前述した計測用レチクルRTのパターンの計測用ウエハへの転写、その転写後の計測用ウエハの現像、インラインインタフェース部を介してのその現像済みの計測用ウエハのSEMシステム80への搬送、SEMシステム80による計測、その計測結果に基づく、露光装置100のパターン転写特性の調整の全てを、全自動にて行うようにしても良い。あるいは、この反対に、全てをオペレータによるマニュアル作業としても良い。また、上記実施形態では露光装置100の主制御装置50がC/Dを制御するものとしたが、これに限らず、例えばデバイス製造工程を管理するホストコンピュータなどによって露光装置100、C/D、及びSEMシステムを統括制御しても良いし、露光装置100とSEMシステムとが通信路有線又は無線を介して接続されていなくても良い。すなわち、露光装置100、C/D、及びSEMシステムそれぞれの構成通信路を含むは上記実施形態に限られるものではない。なお、上記実施形態では、パターンの転写特性が計測される露光装置が、スキャナである場合を説明したが、本発明の転写特性計測方法は、スキャナに限らず、ステッパなどの静止型露光装置にも同様に適用できる。また、露光装置の露光対象である物体は、上記の実施形態のように半導体製造用のウエハに限定されることなく、例えば、液晶表示素子、プラズマディスプレイや有機ELなどのディスプレイ装置の製造用の角型のガラスプレートや、薄膜磁気へッド、撮像素子CCDなど、マスク又はレチクルなどを製造するための基板であっても良い。また、上記実施形態の露光装置における投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでも良いし、投影光学系PLは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。また、照明光ILは、ArFエキシマレーザ光波長193nm、KrFエキシマレーザ光波長248nmや、F2レーザ光波長157nmなどであっても良い。投影光学系としては、KrFエキシマレーザ光、ArFエキシマレーザ光などの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英やホタル石などの遠紫外線を透過する材料を用い、F2レーザ光などを用いる場合はホタル石その他のフッ化物結晶を用いる必要がある。また、上記実施形態では、露光装置の照明光ILとしては波長100nm以上の光に限らず、波長100nm未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、近年、70nm以下のパターンを露光するために、SORやプラズマレーザを光源として、軟X線領域例えば5~15nmの波長域のEUVExtremeUltraviolet光を発生させるとともに、その露光波長例えば13.5nmの下で設計されたオール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたEUV露光装置の開発が行われている。この装置においては、円弧照明を用いてマスクとウエハを同期走査してスキャン露光する構成が考えられるので、かかる装置も本発明の転写特性計測方法により、パターンの転写特性を計測することができる。さらに、例えば国際公開第99/49504号などに開示される、投影光学系PLとウエハとの間に液体例えば純水などが満たされる液浸型露光装置、あるいはステップアンドスティッチ方式の露光装置、又はプロキシミティ方式の露光装置なども、本発明の転写特性計測方法により、パターンの転写特性を計測することができる。また、例えば投影光学系PLの物体面上での照明光の強度分布を可変とする可変成形マスクを用いるマスクレス露光装置などにも本発明を適用して同様にその特性を求めることができる。また、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置も、本発明の転写特性計測方法により、パターンの転写特性を計測することができる。なお、電子線露光装置は、ペンシルビーム方式、可変成形ビーム方式、セルプロジェクション方式、ブランキングアパーチャアレイ方式、及びマスク投影方式のいずれであっても良い。なお、半導体デバイスは、デバイスの機能性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した調整方法によりパターンの転写特性が調整される上記実施形態の露光装置で、マスクに形成されたパターンを感光物体上に転写するリソグラフィステップ、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、パターンの転写特性が調整される上記実施形態の露光装置が用いられるので、高集積度のデバイスを歩留り良く製造することができる。"