内部導体と該内部導体の外周上に配置される誘電体層とを有する信号線と、前記信号線の外周に少なくとも一部が接するように配置されるシールド層と、を備え、前記シールド層は、絶縁体層と導電層とを有し、前記導電層の厚さは、2.0μm以下である、ことを特徴とするケーブル。前記導電層の厚さは、0.5μm以上である請求項1に記載のケーブル。前記導電層は、前記絶縁体層に蒸着された金属層である請求項1又は2に記載のケーブル。前記導電層は、により演算される表皮深さδに相当する厚さを有し、ここで、ρは、前記導電層を形成する材料の固有抵抗Ωcmであり、fは前記信号線により伝送される信号の周波数MHzであり、μ0は真空の透磁率であり、μrは比透磁率である請求項1~3の何れか一項に記載のケーブル。前記導電層は、前記絶縁体層の外側に配置され、前記導電層に外周の一端が接するように並設されるドレイン線をさらに有する請求項1~4の何れか一項に記載のケーブル。前記導電層を形成する金属は、銀、銅又はアルミニウムである請求項1~5の何れか一項に記載のケーブル。内部導体は、磁性体材料で形成される芯材と該芯材の周囲に配置される被覆層とを有する請求項1~6の何れか一項に記載のケーブル。しかしながら、パルス信号などによりデータを高速伝送するために使用されるケーブルでは、伝送特性のさらなる向上が求められているという課題がある。そこで、本発明は、この課題を解決することが可能なケーブルを提供することを目的とする。上記課題を解決するために、実施形態に開示されるケーブルは、内部導体と内部導体の外周上に配置される誘電体層とを有する信号線と、信号線の外周に少なくとも一部が接するように配置されるシールド層とを備え、シールド層は、絶縁体層と導電層とを有し、導電層の厚さは、2.0μm以下である。開示されるケーブルによれば、シールド層の導電層の厚さは、2.0μm以下であるので、良好な伝送特性を有するケーブルを提供することが可能となった。以下、本発明に係る実施形態に従うケーブルについて、図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明の開示において提供される図は、本発明の説明を意図したものであり、構成素子の大きさの比率を示すことを意図したものではないことを理解されたい。また、それぞれの図面において、同一、又は類似する機能を有する構成要素には、同一、又は類似する符号が付される。したがって、先に説明した構成要素と同一、又は類似する機能を有する構成要素に関しては、改めて説明をしないことがある。以下、図1を参照して、本発明に係る第1実施形態に従うケーブルについて説明する。図1aは、ケーブル1を示す断面図である。図1bは、図1aに示すケーブル2の矢印Aで示される破線で囲まれた部分の部分拡大図である。ケーブル1は、第1信号線10と、第2信号線20と、シールド層30と、ドレイン線40と、ジャケット50とを有する。第1信号線10は、内部導体11と、内部導体11の外周に配置される誘電体層12とを有する。内部導体11は、鉄など固有抵抗が比較的大きい磁性体材料で形成される芯材と、銀、銅、金又はアルミニウムなど固有抵抗が比較的小さい良導電性金属で形成され且つ芯材の周囲に配置される被覆層とを有する。誘電体層12は、多孔質ポリテトラフルオロエチレンexpandedpolytetrafluoroethylene、ePTFE等のフッ素樹脂で形成される。第2信号線20は、第1信号線10の内部導体11及び誘電体層12にそれぞれ対応する内部導体21と、誘電体層22とを有する。シールド層30は、第1信号線10及び第2信号線20の外周に少なくとも一部が接するように螺旋状に巻回される配置される。図1bに示すように、シールド層30は、導電層31と導電層31の内側に配置される絶縁体層32とを有する。導電層31の厚さは、所定の周波数よりも低い周波数を有する信号成分を減衰させる厚さである。すなわち、導電層31の厚さは、伝送される信号の周波数fと、導電層31を形成する材料の固有抵抗ρとに基いて決定される表皮深さδに相当する厚さになるように形成される。式1は、表皮深さδを示す式である。ここで、ρは、導電層31を形成する材料の固有抵抗Ωcmであり、fは第1及び第2信号線10及び20により伝送される信号の周波数MHzであり、μ0は真空の透磁率、すなわち4π×107H/mであり、μrは比透磁率である。表1に種々の金属の20度の温度での固有抵抗、すなわち体積固有抵抗と、比透磁率μrと密度とを示す。式1及び表1を参照することにより、伝送する信号の周波数f及び導電層31を形成する材料の固有抵抗ρと、表皮深さδに相当する導電層31の厚さdとの関係が演算される。例えば、導電層31を形成する材料として銀を使用し、導電層31の厚さdを1μmとする。この場合、式1及び表1から演算される周波数fは、基本周波数4.1GHzとなる。基本周波数が4.1GHzである信号は、ビットレートが8.2Gbpsである信号に相当する。このため、8.2Gbps以上の周波数を有する信号成分の減衰量は、10μm程度の厚さを有する導電層を有する従来のケーブルとほぼ同等にできる一方、8.2Gbps以下のビットレートを有する信号成分の減衰量は比較的大きくできる。これから、シールド層をこのような構成にすることにより、8.2Gbps以下のビットレートを有する信号成分の減衰量は比較的大きくできるので、8.2Gbpsのビットレートで伝送される信号の伝送特性が改善されることになる。同様に、3.0Gbpsのビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層31を形成する材料として銀を使用し、導電層31の厚さdを1.65μm程度とする。また、導電層31を形成する材料として銅を使用する場合は、導電層31の厚さdを1.70μm程度とする。さらに、導電層31を形成する材料としてアルミニウムを使用する場合は、導電層31の厚さdを2.13μm程度とする。また、6.0Gbpsのビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層31を形成する材料として銀を使用し、導電層31の厚さdを1.17μm程度とする。また、導電層31を形成する材料として銅を使用する場合は、導電層31の厚さdを1.20μm程度とする。さらに、導電層31を形成する材料としてアルミニウムを使用する場合は、導電層31の厚さdを1.50μm程度とする。また、10.0Gbpsのビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層31を形成する材料として銀を使用し、導電層31の厚さdを0.91μm程度とする。また、導電層31を形成する材料として銅を使用する場合は、導電層31の厚さdを0.93μm程度とする。さらに、導電層31を形成する材料としてアルミニウムを使用する場合は、導電層31の厚さdを1.16μm程度とする。また、20.0Gbpsのビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層31を形成する材料として銀を使用し、導電層31の厚さdを0.64μm程度とする。また、導電層31を形成する材料として銅を使用する場合は、導電層31の厚さdを0.66μm程度とする。さらに、導電層31を形成する材料としてアルミニウムを使用する場合は、導電層31の厚さdを0.82μm程度とする。このように、導電層31を形成する材料として銀、銅又はアルミニウムのいずれか1つの金属を使用して3.0~20.0Gbpsのビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層31の厚さdを2.00μm程度以下の厚さとすることが好ましい。しかしながら、一方で導電層31の厚さdを薄くすることにより導電層31の電気抵抗が大きくなり、信号の伝送特性が悪化するおそれがある。そこで、0.50μm以上とすることが望ましい。絶縁体層32は、信号線10の誘電体層12及び信号線20の誘電体層22の外周に少なくとも一部が接するように配置される。絶縁体層32は、ポリエチレンテフタレートPolyethyleneterephthalate、PETなどにより形成される。ドレイン線40は、導電層31の外周の一端が接するようにシールド層30に並行して配置される。ドレイン線40は、銀めっき軟銅線で形成される。ケーブル長に基いてドレイン線40の口径を適切に選択することにより、導電層31の厚さを薄い場合でもケーブル1は接地抵抗を低くすることができる。ジャケット50は、第1信号線10及び第2信号線20の外周に巻回されるシールド層30と、ドレイン線40との外側を被覆するように配置される。ジャケット50は、テトラフルオロエチレン-ヘキサフルオロプロピレン共重合体TetrafluoroetyleneHexafluoropropylenCopolymer、FEP、エチレン-テトラフルオロエチレンEthylenetetrafluoroethylene、ETFE、テトラフルオロエチレン-パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体TetrafluoroetylenePerfluoroalkylvinyletherCopolymer、PFA等のフッ素樹脂、ポリエステル又はポリエステルテープ巻きで形成される。次に、ケーブル1の製造方法について説明する。まず、第1信号線10及び第2信号線20の内部導体11及び21の製造方法について説明する。内部導体11及び21は、磁性体材料で形成される芯材の周囲に被覆層をメッキ処理等により形成することにより製造される。次いで、押出機図示せずにおいて誘電体素材が押出されて、内部導体11及び21の外周に誘電体層12及び22がそれぞれ被覆されて、第1信号線10及び第2信号線20がそれぞれ形成される。シールド層30は、絶縁体層32の一方の面に導電層31を形成する金属を蒸着させることにより形成される。5~10μm程度の厚さを有する従来の導電層は、圧延処理により形成された導電層用金属素材が使用される。具体的には、従来のケーブルのシールド層では、圧延処理により形成されたアルミ箔とポリエチレンテフタレートとを、ポリ塩化ビニルpolyvinylchloride、PVCを介して積層してテープ状に形成した金属化テープが使用される。この金属テープは、一般にアルペットALPETとも称される。しかしながら、0.50~2.00μm程度の厚さを有する金属層を圧延処理で形成することは容易でないため、シールド層30は、絶縁体層32に金属を蒸着することにより形成される。シールド層30は、導電層31が絶縁体層32の外側になるように第1信号線10及び第2信号線20の誘電体層12及び22の外周に螺旋状に巻回される。次いで、第1信号線10及び第2信号線の中心軸と、ドレイン線40の中心軸が同一平面上に位置するように、ジャケット50がシールド層30及びドレイン線40の外側に被覆される。ジャケット50の被覆には、押出機図示せずが使用される。次に、図2を参照して、本発明に係る第2実施形態に従うケーブルについて説明する。図2aは、ケーブル2を示す断面図である。図2bは、図2aに示すケーブル2の矢印Aで示される破線で囲まれた部分の部分拡大図である。ケーブル2は、第1信号線10と、第2信号線20と、シールド層30と、ドレイン線40とを有する。シールド層30は、導電層31と導電層31の外側に配置される絶縁体層32とを有する。導電層31は、外周の一端がドレイン線40に接するようにドレイン線40と並列に配置される。導電層31の厚さは、所定の周波数よりも低い周波数を有する信号成分を減衰させる厚さであり、表皮深さδに相当する厚さになるように形成される。絶縁体層32は、信号線10の誘電体層12の外周に少なくとも一部が接するように配置される。図2に示されるケーブル2は、ドレイン線40が第1信号線10及び第2信号線20に隣接して配置されること、及び導電層31が内側に配置されていることが、図1に示されるケーブル1と相違する。ケーブル2では、低周波の信号成分が流れやすいドレイン線40が第1信号線10及び第2信号線20に隣接して配置されるため、ドレイン線40を介して低周波の信号成分がケーブル40を流れやすくなる。このため、ケーブル2では、低周波の信号成分の減衰量は、図1に示されるケーブル1における低周波の信号成分の減衰量よりも小さくなる。したがって、図1に示すケーブル1とケーブル2とを比較すると、図1に示されるケーブル1の方が好ましい高周波パルス信号伝送特性を得られやすい構成である。次に、図3~7を参照して、ケーブル1及び比較される他のケーブルのアイパターン特性試験の結果について説明する。図3は、ケーブル1及び比較される他のケーブルの挿入損失InsertionLoss特性を示す図である。図4~7は、ケーブル1及び比較される他のケーブルのアイパターン特性の他の例を示す図である。この試験では、4つの試料1~4が使用された。試料1~4は全て口径が0.98mmの2本の信号線を有する2芯ケーブルである。試料1~4の信号線の内部導体の口径は全て0.404mmである。また、試料1~4のドレイン線及びジャケットは全て同一口径を有する同一素材で形成された。具体的には、ドレイン線の口径は0.254mmであり、素材は銀めっき軟銅である。また、ジャケットの厚さは0.08mmであり、素材はFEPである。表2に試験に使用された試料1~4の内部導体及びシールド層の構成を示す。試料1では、内部導体は銀めっき軟銅で形成され、シールド層は厚さが10μmであるアルミニウムを含むアルミポリエステルで形成される。試料2では、内部導体は銀めっき軟銅で形成され、シールド層は厚さが1μmである銅を含む銅蒸着ポリエステルで形成される。試料3では、内部導体は厚さが1.5μmである銀でめっきされた銀めっき鉄線で形成され、シールド層は厚さが10μmであるアルミニウムを含むアルミポリエステルで形成される。試料4では、内部導体は厚さが1.5μmである銀でめっきされた銀めっき鉄線で形成され、シールド層は厚さが1μmである銅を含む銅蒸着ポリエステルで形成される。試料1及び3のシールド層を形成するアルミニウム並びに試料2及び4のシールド層を形成する銅はそれぞれ絶縁体層の外側に配置される。表2に示すように、試料1及び3は従来のシールド層が使用され、試料2及び4は銅を蒸着することにより形成されるシールド層が使用される。また、試料1と試料2とは同一構成の信号線が使用され、試料3と試料4とは同一構成の信号線が使用される。表3において、ケーブル長が10mである試料1~4の挿入損失特性を示す。表3の試料1~4はそれぞれ、表2の試料1~4に対応する。図3に、表3に対応するグラフを示す。図3において、一点破線で示す曲線101が試料1の挿入損失特性を示し、破線で示す曲線102が試料2の挿入損失特性を示し、二点破線で示す曲線103が試料3の挿入損失特性を示し、実線で示す曲線104が試料1の挿入損失特性を示す。同一構成の信号線を有する試料1の挿入損失特性と試料2の挿入損失特性とを比較すると、試料2は、低周波数領域で試料1よりも挿入損失が大きくなっている。したがって、試料2は、試料1よりも信号の低周波成分が減衰されている。また、同一構成の信号線を有する試料3の挿入損失特性と試料4の挿入損失特性とを比較すると、試料4は、低周波数領域で試料3よりも挿入損失が大きくなっている。したがって、試料4は、試料3よりも信号の低周波成分が減衰されている。表4及び5において試料1~4のアイパターンのピークツーピークジッタPeaktoPeakJitter、PPJips及びアイハイトEyeHeight、EyeHmVをそれぞれ示す。ピークツーピークジッタは、アイパターンにおける交差点の時間軸方向の幅を示し、ピークツーピークジッタの値が小さいほど良好な損失特性を有することを示す。一方、アイハイトは、アイパターンの開口部の電圧軸方向の幅を示し、アイハイトの値が大きいほど良好な損失特性を有することを示す。表4は、ケーブル長が5mであるケーブルを使用した実験結果であり、表5は、ケーブル長が10mであるケーブルを使用した実験結果である。表4及び5において、測定ができなかった項目は-で示される。表4及び5に示すように、試料1と試料2を比較すると、測定周波数の大きさに関わらず、ピークツーピークジッタは試料1よりも試料2の方が小さく、アイハイトは試料1よりも試料2の方が大きい。また、試料3と試料4を比較すると、測定周波数の大きさに関わらず、ピークツーピークジッタは試料3よりも試料4の方が小さく、アイハイトは試料3よりも試料4の方が大きい。図4~7において、表4及び5にそれぞれ対応するアイパターンを示す。図4A~4Cは、ケーブル長が5mの試料1のパターンであり、図4D~4Fは、ケーブル長が5mの試料2のパターンである。測定信号の周波数は、図4A及び3Dが3.125Gbpsであり、図4B及び3Eが6.250Gbpsであり、図4C及び3Fが12.500Gbpsである。図5A~5Cは、ケーブル長が5mの試料3のパターンであり、図5D~5Fは、ケーブル長が5mの試料4のパターンである。測定信号の周波数は、図5A及び4Dが3.125Gbpsであり、図5B及び4Eが6.250Gbpsであり、図5C及び4Fが12.500Gbpsである。図6A~6Cは、ケーブル長が10mの試料1のパターンであり、図6D~6Fは、ケーブル長が10mの試料2のパターンである。測定信号の周波数は、図6A及び5Dが3.125Gbpsであり、図6B及び5Eが6.250Gbpsであり、図6C及び5Fが12.500Gbpsである。図7A~7Cは、ケーブル長が10mの試料3のパターンであり、図7D~7Fは、ケーブル長が10mの試料4のパターンである。測定信号の周波数は、図7A及び6Dが3.125Gbpsであり、図7B及び6Eが6.250Gbpsであり、図7C及び6Fが12.500Gbpsである。いずれのケーブルの長さ及び測定信号の周波数においても、試料2のアイパターンは、試料1のアイパターンよりもアイが開いており、試料4のアイパターンは、試料3のアイパターンよりもアイが開いている。次に、図8を参照して、本発明に係る第3実施形態に従うケーブルについて説明する。図8は、ケーブル3を示す断面図である。ケーブル3は、信号線10と、シールド層30と、ドレイン線40と、ジャケット50とを有する。シールド層30は、導電層31と導電層31の内側に配置される絶縁体層32とを有する。導電層31は、外周の一端がドレイン線40に接するようにドレイン線40と並列に配置される。導電層31の厚さは、所定の周波数よりも低い周波数を有する信号成分を減衰させる厚さであり、表皮深さδに相当する厚さになるように形成される。絶縁体層32は、信号線10の誘電体層12の外周に少なくとも一部が接するように配置される。以上、図1~8を参照して、本発明に係る実施形態を説明してきた。しかしながら、本発明の精神、及び範囲を逸脱しない範囲内で、様々な変化及び変形を行うことができることが理解されるであろう。例えば、図1に示されるケーブル1は2本の信号線10及び12を有するツインケーブルであり、図8に示されるケーブル1は1本の信号線10及び12を有する同軸ケーブルである。しかしながら、本発明は、4本の信号線を有するクワッドケーブルなど単数又は複数の信号線を有するケーブルにも適用可能である。また、第1信号線10及び20の内部導体11及び12はそれぞれ、磁性体材料で形成される芯材と、芯材の周囲に配置される被覆層とで形成されるが、銀めっき軟銅など他の導体で形成されてもよい。また、図1、2及び8に示されるケーブル1~3は、ドレイン線40をそれぞれ有するが、ケーブル長が短いなど接地抵抗の上昇が考慮されない場合などでは、本発明に係るケーブルは、ドレイン線40は有さなくてもよい。さらに、シールド層30は、縦沿えに設けてもよい。