ジッタを有する光パルスパターン信号を出力する光信号出力装置であって、周波数制御信号に応じた光周波数の光信号を出力する光源部と、前記光源部が出力した光信号を、指定されたパルスパターンに応じて変調する光変調部と、前記光変調部を通過した光信号を前記光周波数に応じて遅延させて、光信号にジッタを印加する光ジッタ発生部と、を備える光信号出力装置。前記光源部は、前記周波数制御信号に応じて変更された駆動電流が入力される半導体レーザを有する請求項1に記載の光信号出力装置。前記光源部からの光信号の光強度変化を補償して、前記光周波数の変化に伴う強度変化を抑えた光信号を出力する光強度調整部を更に備える請求項1または2に記載の光信号出力装置。前記光強度調整部は、入力光の光強度変化に応じた増幅率で前記入力光を増幅して、前記光源部が出力する光信号の光強度変化を抑えて出力する請求項3に記載の光信号出力装置。前記光強度調整部は、前記光源部からの入力光の増幅率を前記周波数制御信号に基づいて調整して、前記周波数制御信号に応じた前記光源部の光強度変化を抑えて出力する請求項3または4に記載の光信号出力装置。前記光強度調整部は、注入する電流に応じた増幅率で増幅する半導体光増幅器を含む請求項5に記載の光信号出力装置。前記光強度調整部は、入力される光の強度の増加に伴って出力する光の増幅率を減少させる光ファイバ増幅器を含む請求項3から6のいずれか1項に記載の光信号出力装置。前記光ジッタ発生部は、光の進行方向に対して周期的に屈折率を変化させた回折格子を有する請求項1から7のいずれか1項に記載の光信号出力装置。前記光ジッタ発生部は、ファイバブラッググレーティングを有する請求項8に記載の光信号出力装置。前記光ジッタ発生部は、周波数分散値が連続的に変化する分散媒質を有する請求項1から7のいずれか1項に記載の光信号出力装置。ジッタを有するパルスパターン信号を出力する電気信号出力装置であって、ジッタを有する光パルスパターン信号を出力する請求項1から10のいずれか1項に記載の光信号出力装置と、前記光信号出力装置が出力する光信号を、電気信号に変換する光電変換部と、を備える電気信号出力装置。被試験デバイスを試験する試験装置であって、前記被試験デバイスを試験する光試験信号を出力する請求項1から10のいずれか1項に記載の光信号出力装置と、前記光信号出力装置が出力する光試験信号を前記被試験デバイスの光入力部に伝送すると共に、前記被試験デバイスが出力する光応答信号を受け取って出力する光インターフェース部と、前記光インターフェース部が出力する光応答信号を電気信号の応答信号に変換して送信する光電変換部と、前記光電変換部が送信する応答信号を受信する信号受信部と、を備える試験装置。入力した光信号を、指定されたパルスパターンに応じて変調する光変調部を有する被試験デバイスを試験する試験装置であって、周波数制御信号に応じた光周波数の光信号を前記被試験デバイスの前記光変調部へと出力する光源部と、前記光変調部を通過した光試験信号を前記光周波数に応じて遅延させて、前記光周波数に応じたジッタを前記光試験信号に印加する光ジッタ発生部と、前記光源部および前記光ジッタ発生部がそれぞれ出力する光信号を前記被試験デバイスの光入力部にそれぞれ伝送すると共に、前記被試験デバイスが出力する光信号を受け取って出力する光インターフェース部と、を備える試験装置。デバイス光源と、入力した光信号を指定されたパルスパターンに応じて変調する光変調部と、を有する被試験デバイスを試験する試験装置であって、周波数制御信号に応じた光周波数の光信号を前記デバイス光源から出力させるように、変調した駆動電流を前記デバイス光源に印加する光源駆動部と、前記デバイス光源からの光信号を前記光変調部が変調して出力した光試験信号を、前記光周波数に応じて遅延させて、前記光周波数に応じたジッタを前記光試験信号に印加する光ジッタ発生部と、前記光ジッタ発生部が出力する光試験信号を前記被試験デバイスの光入力部にそれぞれ伝送すると共に、前記被試験デバイスが出力する光試験信号を受け取って出力する光インターフェース部と、を備える試験装置。しかしながら、このような波長変換素子を用いる方法は、波長変換素子の変換効率が10以下程度なので効率が悪い。また、可変波長光源の出力光の波長を高速に変調させる場合は、可変波長光源として注入電流を変調させた半導体レーザを用いてもよいが、この場合、強度も同時に変調されてしまう欠点があった。上記課題を解決するために、本発明の第1の態様においては、ジッタを有する光パルスパターン信号を出力する光信号出力装置であって、周波数制御信号に応じた光周波数の光信号を出力する光源部と、光源部が出力した光信号を、指定されたパルスパターンに応じて変調する光変調部と、光変調部を通過した光信号を光周波数に応じて遅延させて、光信号にジッタを印加する光ジッタ発生部と、を備える光信号出力装置を提供する。なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。図1は、本実施形態に係る光信号出力装置100の構成例を示す。光信号出力装置100は、光周波数を変化させた光を発生させ、光周波数に応じたジッタを有する光パルスパターン信号を出力する。そして、光信号出力装置100は、光周波数の変化に伴う強度変化を抑えた光信号を変調して、光パルスパターン信号を出力する。光信号出力装置100は、光源部200と、光強度調整部210と、光変調部220と、光ジッタ発生部230とを備える。光源部200は、周波数制御信号に応じた光周波数の光信号を出力する。また、光源部200は、周波数制御信号を光強度調整部210に送信してよい。光強度調整部210は、光源部200からの光信号の光強度変化を補償して、光周波数の変化に伴う強度変化を抑えた光信号を光変調部220に出力する。光変調部220は、光源部が出力した光信号を、指定されたパルスパターンに応じて変調する。光変調部220は、外部からの制御信号を受信して、制御信号に応じて光源部200から出力されるレーザ光を変調してよい。光変調部220は、光変調器222と、パターン発生器224とを有する。光変調器222は、パターン発生器224からのパルスパターン信号を受信して、レーザ光を変調させる。光変調器222は、光パルスパターン信号を出力してよい。光変調器222は、LiNbO3ニオブ酸リチウム、PbLaZrTiO系チタン酸ジルコン酸ランタン鉛:PLZT等の強誘電体結晶に電界を印加して、屈折率を変化させることで当該強誘電体結晶を通過する光を変調する光変調器であってよい。パターン発生器224は、外部からの制御信号に基づき、パルスパターン信号を光変調器222に出力する。パターン発生器224は、制御信号に応じて、予め定められたパターン信号を発生させてよい。これに代えて、パターン発生器224は、振幅値、立ち上がり/立ち下がり時間、パルス幅、およびデューティー等といったパターン信号のパラメータを受信して、受信したパラメータに応じたパターン信号を発生させてよい。光ジッタ発生部230は、光変調部220を通過した光信号を光周波数に応じて遅延させて、当該光信号にジッタを印加する。光ジッタ発生部230は、グレーティング部232と、光サーキュレータ234とを有する。グレーティング部232は、光の進行方向に対して周期的に屈折率を変化させた回折格子を含む。グレーティング部232は、ファイバブラッググレーティングでよい。グレーティング部232は、入力端から入力される入力光の光周波数に応じて、異なる量の遅延を当該入力光に与えて、遅延光として再び入力端に戻す。グレーティング部232は、長さ方向に異なる位置に形成された複数のファイバグレーティングを有してよい。グレーティング部232は、一定の間隔で形成された複数のグレーティングを有して、ブラッグ格子を形成する。ブラッグ格子は、光ファイバの屈折率とグレーティングの周期との積を2倍にして得られる波長ブラッグ波長を中心とする狭帯域の光を反射する。即ち、グレーティング部232が有する複数のファイバグレーティングの各々では、それぞれ固有の波長光周波数の光が反射される。グレーティング部232の入力端から複数のファイバグレーティングの各々までの距離は互いに異なるので、入力端から入力されてから再び入力端に至るまでの光の経路長は入力光の光周波数に応じて異なる。したがって、グレーティング部232は、入力された光信号の光周波数に応じて遅延させて、光周波数に応じたジッタを当該光信号に印加することができる。これに代えて、グレーティング部232は、グレーティングの周期を変化させたチャープファイバーブラッググレーティングCFBG:ChirpedFiberBraggGratingであってよい。チャープファイバーブラッググレーティングは、光の周波数に応じてファイバ中の反射位置を変えて出力するので、入力された光信号の光周波数に応じて遅延させて、光周波数に応じたジッタを当該光信号に印加することができる。光サーキュレータ234は、光変調部220から出力された光パルスパターン信号を、グレーティング部232の入力端に入力させ、グレーティング部232の入力端から出力されるジッタが印加された光パルスパターン信号を受け取って出力光として外部に出力する。以上のように、光信号出力装置100は、光源部200が印加すべきジッタに応じた光周波数のレーザ光を出力して光強度調整部210に出力する。光強度調整部210は、入力されるレーザ光の光周波数の変化に伴う強度変化を抑えたレーザ光を光変調部220に出力する。光変調部220は、入力されるレーザ光を変調して光パルスパターン信号を光ジッタ発生部230に出力する。光ジッタ発生部230は、入力される光パルスパターン信号の光周波数に応じたジッタを当該光パルスパターン信号に印加して外部に出力する。これにより、光信号出力装置100は、光周波数の変化させることによって光周波数に伴うジッタを印加しつつ、強度変化を抑えた光パルスパターン信号を出力できる。光信号出力装置100は、光ジッタ発生部230がファイバグレーティングを含む例を説明した。これに代えて、光ジッタ発生部230は、周波数分散値が連続的に変化する分散媒質を含んでよい。光ジッタ発生部230は、周波数分散値が連続的に変化する光ファイバであってよい。このような光ファイバは、入力端から入力される光信号の光周波数に応じた遅延を生じさせて、出力端から出力する。したがって、この場合、光信号出力装置100は、光サーキュレータ234を用いずに光ファイバの出力端から出力光を外部に出力する。これに代えて、光ジッタ発生部230は、長さの異なる複数の導波路を有し、入力光の光周波数に応じて、入力光を伝送させる導波路を変えるAWGアレイドウェーブガイドを含んでもよい。光ジッタ発生部230は、入力される光周波数に応じて、異なる長さの導波路を伝送させることにより、光周波数に応じたジッタを印加して出力することができる。図2は、本実施形態に係る光信号出力装置100に備えられる、光源部200と、光強度調整部210の構成例を示す。光源部200は、レーザ光源部120と、光源駆動部202とを有する。レーザ光源部120は、周波数制御信号に応じた光周波数のレーザ光を出力する。レーザ光源部120は、周波数制御信号に応じて変更された駆動電流が入力される半導体レーザを有してよい。レーザ光源部120は、注入される電流に応じた光周波数のレーザ光を出力する。レーザ光源部120は、発振モードが単一の半導体レーザを有してよい。例えば、レーザ光源部120は、共振器の反射面として回折格子を素子内に作り込み、回折格子で選択された波長を効率よく放出して単一縦モードで発振するDFBDistributedFeedBack:分布帰還型レーザまたはDBRDistributedBraggReflector:分布反射型レーザを有する。光源駆動部202は、レーザ光源部120を駆動する駆動電流を供給する。光源駆動部202は、制御信号発生部110と、電源部140と、スイッチ部150とを有する。制御信号発生部110は、レーザ光源部120を駆動する駆動電流を変更する周波数制御信号を出力する。制御信号発生部110は、周波数制御信号を出力して、レーザ光源部120が出力する光出力の光周波数を制御する。制御信号発生部110は、周期信号の周波数制御信号を出力してよい。一例として、制御信号発生部110は、正弦波信号を周波数制御信号として出力する。電源部140は、レーザ光源部120を駆動する駆動電流を出力する。電源部140は、直流電流を出力してよい。スイッチ部150は、周波数制御信号を出力する制御信号発生部110とレーザ光源部120との間に備わり、周波数制御信号をレーザ光源部120に供給するか否かを切り換える。スイッチ部150がオン状態の場合、光信号出力装置100は、光周波数の変化に伴う強度変化を抑えて光信号を出力する。この場合、レーザ光源部120は、電源部140が出力する駆動電流に、制御信号発生部110が出力する周波数制御信号が重畳された駆動信号が入力され、駆動信号に応じたレーザ光を出力する。スイッチ部150がオフ状態の場合、光源部200は、周波数制御信号に応じて光強度が変更されたレーザ光を出力する。この場合、制御信号発生部110が周波数制御信号を発生させないことで、光源部200は、一定強度のCW光源として機能することができる。また、制御信号発生部110が周波数制御信号を周期的な変調信号として出力することで、光源部200は、強度変調光源として機能することができる。光強度調整部210は、入力光の光強度変化に応じた増幅率で入力光を増幅して、光源部200が出力する光信号の光強度変化を抑えて出力してよい。また、光強度調整部210は、光源部200からの入力光の増幅率を周波数制御信号に基づいて調整して、周波数制御信号に応じた光源部200の光強度変化を抑えて出力してもよい。光強度調整部210は、位相反転部132と、光増幅部134と、制御信号増幅部136と、ドライバ部138とを有する。位相反転部132は、周波数制御信号と逆相の強度制御信号を生成する。位相反転部132は、入力される周波数制御信号の位相をシフトして、周波数制御信号の位相を反転させる位相シフト装置を含んでよい。制御信号発生部110が発生する周波数制御信号が周期信号の場合、位相反転部132は、例えば周波数制御信号の位相を略1/2周期シフトすることで、周波数制御信号の逆相の強度制御信号を生成することができる。位相シフト装置は、電気信号を伝送する伝送ラインの電気長を変えて、出力する電気信号の位相を調整する位相調整器でよい。また、位相シフト装置は、遅延回路であってよい。位相反転部132は、入力される周波数制御信号の正負を反転させるインバータ回路を含んでよい。位相反転部132は、周波数制御信号が周期信号でなくても、インバータ回路によって、周波数制御信号の逆送の強度制御信号を生成することができる。この場合においても、位相反転部132は、位相シフト装置を有してよく、位相シフト装置は、光増幅部134に到達する強度制御信号の位相を微調整してよい。光増幅部134は、レーザ光源部120からのレーザ光の増幅率を周波数制御信号に基づき調整して、周波数制御信号に応じたレーザ光の強度の変化を抑えて出力する。光増幅部134は、入力レーザ光の強度の増加に伴って出力光の増幅率を減少させてよい。光増幅部134は、レーザ光源部から受け取ったレーザ光を、位相反転部132が出力する強度制御信号に応じた増幅率で増幅して出力する光増幅器を含む。光増幅器は、注入する電流に応じた増幅率で増幅する半導体光増幅器でよい。制御信号増幅部136は、制御信号発生部110が発生させた周波数制御信号を増幅する。制御信号増幅部136は、光強度調整部210がレーザ光源部120からのレーザ光の強度変化を抑えるべく、位相反転部132が光増幅部134に入力すべき信号強度の強度制御信号を出力するように、周波数制御信号を増幅して位相反転部132に出力する。ここで、制御信号増幅部136は、1以下の増幅率で周波数制御信号を増幅してもよい。制御信号増幅部136は、電気信号を増幅する増幅器を有してよく、また、電気信号を減衰させる減衰器を有してもよい。ドライバ部138は、光増幅部134のドライブ電流を出力する。ドライバ部138は、直流電流を出力してよい。光増幅部134は、ドライバ部138が出力する直流電流に、制御信号増幅部136が出力する増幅された周波数制御信号が重畳され、位相反転部132で逆相となった強度制御信号が入力される。図3は、本実施形態に係る光信号出力装置100に備えられる、レーザ光源部120の注入電流Iに対する出力光強度Lの特性の例を示す。図中の横軸は、レーザ光源部120へ注入する電流Iを示し、縦軸は、レーザ光源部120が出力する出力光強度Lを示す。本例のレーザ光源部120は、注入される電流Iが閾値電流Itを超えるとレーザ発振してレーザ光を出力する。レーザ光源部120は、注入される電流Iに比例した光強度Lのレーザ光を出力する。一例として、電源部140は、予め定められた一定強度の駆動電流IAをレーザ光源部120に供給して、A点で示されるように光強度LAのレーザ光を出力する。ここで、制御信号発生部110は、光周波数を制御する周波数制御信号として駆動電流IAを変更する電流信号を出力する。例えば、制御信号発生部110は、正弦波の変調電流IMを出力して駆動電流IAに重畳する。これによって、レーザ光源部120は、光周波数を正弦波で変調したレーザ光を出力する。しかしながら、レーザ光源部120は、駆動電流IAを変調電流IMで変調することで、出力光強度もLMに示すような強度変調信号として出力する。本実施形態に係る光信号出力装置100は、このようなレーザ光の強度変化を、光強度調整部210で補償して、光周波数の変化に伴う強度変化を抑える。図4は、本実施形態に係る光信号出力装置100に備えられる、光増幅部134の入力光強度に対する出力光強度の特性の例を示す。図中の横軸は、光増幅部134に入力する入力光強度を示し、縦軸は、光増幅部134が出力する出力光強度を示す。このように、光増幅部134は、入力光強度の増加に伴って出力光の増幅率を減少させ、増幅率が飽和する傾向を有する低飽和型の半導体光増幅器を含んでよい。これによって、光増幅部134は、強度変調信号LMが入力されると、光強度の振幅に応じた増幅率で増幅する。即ち、光増幅部134は、振幅光強度が小さくなることに応じて増幅率が高くなり、また、振幅光強度が大きくなることに応じて増幅率を低くする。これによって、光増幅部134は、入力された強度変調信号LMの強度変化を抑えることができる。ここで、図中に示す低飽和型光増幅器の増幅率の特性は、光増幅部134に注入する電流に応じて、縦軸および横軸を平行移動させる傾向を有する。例えば、光増幅部134は、注入電流の増加に応じて増幅率を飽和させる入力光強度を増加させるので、増幅率の特性を横軸のプラス方向に移動させる。この場合、光増幅部134は、注入電流の増加に応じて飽和する出力光強度も増加させるので、増幅率の特性を縦軸のプラス方向に移動させる。また、光増幅部134は、注入電流の減少に応じて増幅率を飽和させる入力光強度を減少させるので、増幅率の特性を横軸のマイナス方向に移動させる。この場合、光増幅部134は、注入電流の減少に応じて飽和する出力光強度も減少させるので、増幅率の特性を縦軸のマイナス方向に移動させる。したがって、ドライバ部138は、入力される強度変調信号LMに対して、光増幅部134が低飽和型増幅器として機能する注入電流を、光増幅部134に供給する。光信号出力装置100は、光増幅部134がこのような低飽和型の光増幅器としての機能を充分に持たない場合、あるいは、光増幅部134を飽和の傾向にさせるほど入力光強度が大きくなく、強度変化の抑制が不十分な場合等は、入力光の強度変化を打ち消すように光増幅部134の注入電流を制御してよい。図3で説明したように、光増幅部134の入力光の強度変化は、周波数制御信号に応じて生じる。したがって、光増幅部134は、周波数制御信号に応じて光強度が変化する入力光に対して、周波数制御信号とは逆相のタイミングで増幅率を変化させることで、光周波数の変化に伴う強度変化を抑えることができる。そこで光信号出力装置100は、制御信号発生部110から出力される周波数制御信号を、位相反転部132にて逆相にして、ドライバ部138から出力される光増幅部134の駆動電流に重畳させ、強度制御信号として光増幅部134に供給する。ここで、位相反転部132は、周波数制御信号に応じて入力光の光強度が減少する場合に光増幅部134の増幅率を上げ、入力光の光強度が増加する場合に光増幅部134の増幅率を下げるように、強度制御信号が光増幅部134に到達するタイミングを調節して光増幅部134に供給する。また、制御信号増幅部136は、光増幅部134の出力光が略一定の光強度になるように、光増幅部134の増幅率を制御する強度制御信号の振幅強度を位相反転部132に出力させる。一例として、光信号出力装置100は、光増幅部134が出力する出力光を予め測定して、制御信号増幅部136が光増幅部134の出力光を一定にさせる周波数制御信号の増幅率を予め調節してよい。以上の本実施例において、光増幅部134は、低飽和型の半導体光増幅器を含むことを説明した。光増幅部134は、入力される光の強度の増加に伴って出力する光の増幅率を減少させる光ファイバ増幅器を更に含んでよい。例えば、希土類元素等を添加した光ファイバを備えた光ファイバ増幅器は、図4で説明したような入力光の増加に伴って増幅率が減少して飽和の傾向を示す特性を有する。また、光ファイバ増幅器は、希土類添加光ファイバの長さ、または希土類添加ファイバを励起する励起光の光強度を調節することで、図4の飽和特性の縦軸および横軸を平行移動させる傾向を有する。例えば、光ファイバ増幅器は、希土類添加ファイバの長さを短くするか、または入力光を増幅させた増幅光を自身が吸収して減衰させる程度に長くすることによって、増幅率を飽和させる入力光強度を減少させるので、増幅率の特性を横軸のマイナス方向に移動させる。この場合、光ファイバ増幅部は、飽和する出力光強度も減少させるので、増幅率の特性を縦軸のマイナス方向に移動させる。また、光ファイバ増幅器は、励起光強度の減少に応じて、増幅率を飽和させる入力光強度を減少させるので、増幅率の特性を横軸のマイナス方向に移動させる。この場合、光ファイバ増幅部は、飽和する出力光強度も減少させるので、増幅率の特性を縦軸のマイナス方向に移動させる。また、光ファイバ増幅器は、励起光強度の増加に応じて、増幅率を飽和させる入力光強度を増加させるので、増幅率の特性を横軸のプラス方向に移動させる。この場合、光ファイバ増幅器は、飽和する出力光強度も増加させるので、増幅率の特性を縦軸のプラス方向に移動させる。したがって、光信号出力装置100は、入力される強度変調信号LMに対して、光増幅部134が低飽和型増幅器として機能する希土類添加光ファイバの長さおよび希土類添加ファイバを励起する励起光の光強度を予め設定してよい。これによって、光増幅部134は、半導体光増幅器において光周波数の変化に伴う強度変化を抑えきれない場合に、半導体光増幅器が出力するレーザ光の強度変化を光ファイバ増幅器によって抑えることができる。以上のように、光信号出力装置100は、複数の光増幅器を含むことで、光周波数の変化に伴う強度変化を抑えたレーザ光を出力してよい。また、光信号出力装置100は、複数の光ファイバ増幅器を含んでよい。このように、光信号出力装置100は、光周波数の変調幅を増大させて光強度変化が増大した場合においても、複数の光増幅器の低飽和特性を用いることで、光周波数の変化に伴う強度変化を抑えたレーザ光を出力することができる。また、光増幅部134は、半導体光増幅器を含まずに、複数の光ファイバ増幅器を含んで光周波数の変化に伴う強度変化を抑えてもよい。以上の本実施形態に係る光信号出力装置100によれば、光増幅部134を低飽和型増幅器としての機能させること、および/または光増幅部134の増幅率を入力光の強度変化に応じて変化させることで、光周波数の変化に伴う強度変化を抑えたレーザ光を光変調部220に出力することができる。これによって、光信号出力装置100は、光周波数を周波数制御信号に応じて変化させつつ、光周波数の変化に応じた光強度の変化を抑えた光信号を、光パルスパターン信号として光ジッタ発生部230に出力することができる。また、光信号出力装置100は、光パルスパターン信号の光周波数に応じたジッタを、当該光パルスパターン信号に印加して外部に出力することができる。即ち、光信号出力装置100は、周波数制御信号に応じたジッタを印加した光パルスパターン信号を発生させることができる。このように、光信号出力装置100は、複雑なフィードバック回路を用いずに、ジッタを印加した光パルスパターン信号を発生させることができる。したがって、光信号出力装置100は、印加するジッタにはフィードバック回路の制限がないので、例えば、光パルスパターン信号の1周期に相当する程度のジッタを発生させて光信号に印加することもできる。また、光源部200は、スイッチ部150をオフにすることで、CW光源として機能させることもできる。また、光信号出力装置100は、スイッチ部150をオフにして、制御信号発生部110の周波数制御信号を周期的な変調信号として出力することで、強度変調光源として機能することができる。また、光信号出力装置100は、制御信号発生部110からの周波数制御信号の発生を停止することで、光源部200から光周波数が一定のCW光源を発生させ、ジッタを印加しない状態の光パルスパターン信号を出力させてもよい。以上の本実施形態に係る光信号出力装置100は、ジッタを印加した光パルスパターン信号を発生させることを説明した。ここで、このような光信号出力装置100が発生する光ジッタが印加された光信号を電気信号に変換する光電変換部を更に備えることで、ジッタを含む電気信号を出力する電気信号発生装置としての機能を有してよい。これによって、フィードバック回路等による帯域制限を受けずにジッタを印加したパルスパターン信号を発生させることができる。図5は、本実施形態に係る試験装置1000の構成例を被試験デバイス10と共に示す。本例の試験装置1000は、図1および図2に示された光信号出力装置100と略同一のものには同一の符号を付け、説明を省略する。試験装置1000は、アナログ回路、デジタル回路、メモリ、およびシステムオンチップSOC等であって、光インターフェースを持つ被試験デバイス10を試験する。被試験デバイス10は、アナログ回路、デジタル回路、メモリ、およびシステムオンチップSOC等のうちのすくなくとも1つと、光インターフェースとを組み合わせた回路であってもよい。被試験デバイス10は、光信号を授受する1以上の光入出力部12を備える。また、被試験デバイス10は、電気信号を授受する1以上の入出力端子14を備えてよい。ここで入出力端子14は、半田バンプ、ランド、またはコネクタ等であってよい。試験装置1000は、光試験信号を被試験デバイス10の光入出力部12に供給すると共に、被試験デバイス10の光入出力部12から出力される光応答信号を受け取って光電変換した電気の応答信号を受信して、期待値と比較することで被試験デバイス10の良否を判定する。また、試験装置1000は、被試験デバイス10への電源の供給、試験の開始/終了等の制御信号を、被試験デバイス10の入出力端子14に供給してもよい。試験装置1000は、光信号出力装置100と、試験部500と、光インターフェース部530と、光電変換部540とを備える。光信号出力装置100は、被試験デバイス10を試験する光試験信号を出力する。光信号出力装置100は、光周波数の変化に伴う強度変化を抑えつつ、光周波数の変化に応じたジッタを印加した光パルスパターン信号を出力する。光信号出力装置100は、試験部500の試験開始信号に応じて光信号を出力してよく、また、試験部500の試験終了信号に応じて光信号の出力を停止してよい。光信号出力装置100が有する光変調部220は、試験部500から試験信号を受信して、試験信号に応じて光強度調整部210から出力される光周波数の変化に伴う強度変化を抑えたレーザ光を変調してよい。光信号出力装置100は、ジッタを印加した光パルスパターン信号を光インターフェース部530に出力する。光インターフェース部530は、光信号出力装置100が出力する光試験信号を被試験デバイス10の光入力部に伝送すると共に、被試験デバイス10が出力する光応答信号を受け取って出力する。光インターフェース部530は、被試験デバイス10を搭載する。光インターフェース部530は、一例として、被試験デバイス10を吸着して固定する。光インターフェース部530は、光試験信号として受信した光パルスパターン信号を被試験デバイス10の光入出力部12に伝送すると共に、被試験デバイス10が光入出力部12から出力する光応答信号を受け取って出力する。光インターフェース部530は、被試験デバイス10が備える光入出力部12の数以上の光入出力部532を有してよい。また、光インターフェース部530は、電気信号を被試験デバイス10と授受して試験を実行する場合は、被試験デバイス10が備える入出力端子14の数以上の入出力端子534をさらに有してよい。光入出力部532は、被試験デバイス10と光信号を授受する。光入出力部532は、例えば、レンズ、プリズム、および/またはミラー等によって、空間を伝搬する光ビームとして光信号を出力する。これに代えて光入出力部532は、光伝送路の出力端を被試験デバイス10の光入出力部12の近傍または光入出力部12に接触する位置に配置して、光信号を渡してよい。ここで光入出力部532は、光伝送路の出力端にコリメートレンズを備えて被試験デバイス10の光入出力部12と光信号を授受してもよい。また、光入出力部532は、光入出力部12がコネクタである場合、光入出力部12と勘合するコネクタであってよい。入出力端子534は、被試験デバイス10の入出力端子14と電気的に接続して電気信号を授受する。入出力端子534は、光試験信号に比べて周波数の低いクロック信号、試験の開始、停止、中断等を指示する制御信号、および/または電源等を被試験デバイス10に供給してよい。入出力端子534は、被試験デバイス10の入出力端子14と直接接触する端子、プローブ、カンチレバー、またはメンブレンバンプ等であってよい。また、入出力端子534は、入出力端子14がコネクタである場合、入出力端子14と勘合するコネクタであってよい。光電変換部540は、光インターフェース部530が出力する光応答信号を電気信号の応答信号に変換して試験部500に送信する。光電変換部540は、一例として、フォトダイオードによって光応答信号を応答信号に変換する。これに代えて、光電変換部540は、CCD等のイメージセンサでよく、この場合、光電変換部540は、複数の光伝送路によって複数の光応答信号を受光して複数の応答信号に変換してよい。試験部500は、試験信号を出力すると共に、試験信号に応じた応答信号を受け取って期待値と比較する。試験部500は、一例として、ワークステーション等の外部のコンピュータまたは記憶装置等から試験に用いる試験プログラムを取得して、もしくは、ユーザからの入力により試験プログラムを取得して、当該プログラムを実行することにより、試験信号を出力する。試験部500は、制御部502と、試験信号発生部504と、信号受信部506と、期待値比較部508とを有する。制御部502は、試験装置1000が備える複数の装置の動作タイミング等を指示する制御信号を送信して試験プログラムを実行する。また、制御部502は、試験結果を受信してユーザに表示してよく、外部のコンピュータまたは記憶装置等に転送および記録してよい。試験信号発生部504は、被試験デバイス10を試験する試験信号を発生する。試験信号発生部504は、試験プログラムにより指定された試験パターンデータ、試験シーケンス等に基づいて、光信号の試験に用いられる試験信号を発生させる。試験信号発生部504は、一例として、光変調部220にパルスパターン信号のパラメータを送信する。試験信号発生部504は、試験信号に応じて被試験デバイス10が出力する応答信号の期待値を生成して期待値比較部508に送信してよい。信号受信部506は、光電変換部540が送信する応答信号を受信する。信号受信部506は、受信信号を期待値比較部508に送信する。期待値比較部508は、信号受信部506が受信した受信信号を期待値と比較する。期待値比較部508は、期待値を試験信号発生部504から受信する。制御部502は、期待値比較部508の比較結果に基づき、被試験デバイス10の良否を判定してよい。以上の本実施形態の試験装置1000によれば、光入出力部12を有する被試験デバイスに、ジッタを印加した光試験信号を送信して、光試験信号に応じた光応答信号を受信する光試験を実行することができる。また、試験装置1000は、電気信号の試験を実行する試験部500に、光信号出力装置100と、光インターフェース部530と、光電変換部540とを組み合わせることで、このような光試験を実行することができる。図6は、本実施形態に係る試験装置1000の第1の変形例を被試験デバイス10と共に示す。本例の試験装置1000は、図5に示された試験装置1000と略同一のものには同一の符号を付け、説明を省略する。試験装置1000は、入力した光信号を、指定されたパルスパターンに応じて変調する光変調器222を有する被試験デバイス10を試験する。試験装置1000は、光源部200と、光強度調整部210と、光ジッタ発生部230と、試験部500と、光インターフェース部530とを備える。光源部200は、周波数制御信号に応じた光周波数の光信号を被試験デバイス10の光変調器222へと出力する。光源部200は、試験部500から受信する制御信号に応じて、周波数制御信号に応じた光周波数のレーザ光を光強度調整部210に出力する。光強度調整部210は、光源部200が出力するレーザ光の周波数制御信号に応じた強度変化を抑えて光インターフェース部530に出力する。光インターフェース部530は、光源部200が出力する光信号を被試験デバイス10の光入力部に伝送する。即ち、光インターフェース部530は、光強度調整部210が出力する光信号を受け取って、光入出力部532を介して被試験デバイス10の光入出力部12へと送信する。被試験デバイス10は、受信した光信号を、自身が有する光変調器222で変調して、光入出力部12から出力する。光変調器222は、外部から入力される制御信号に応じて光信号を変調して良い。光変調器222は、入力される光信号を変調した光パルスパターン信号を、光試験信号として出力してよい。光インターフェース部530は、被試験デバイス10が出力する光信号を受け取って光ジッタ発生部230に出力する。光ジッタ発生部230は、光変調器222を通過した光試験信号を光周波数に応じて遅延させて、光周波数に応じたジッタを光試験信号に印加する。光ジッタ発生部230は、ジッタを印加した光試験信号を、光インターフェース部530に送信する。光インターフェース部530は、光ジッタ発生部230が出力する光信号を被試験デバイス10の光入力部に伝送する。即ち、光インターフェース部530は、光ジッタ発生部230が出力する光試験信号を受け取って、光入出力部532を介して被試験デバイス10の光入出力部12へと送信する。試験部500が有する試験信号発生部504は、光インターフェース部530を介して被試験デバイス10に電気信号の試験信号を送信する。試験信号発生部504は、パルスパターン発生器を含み、パルスパターン信号を被試験デバイス10に送信してよい。被試験デバイス10は、受信したパルスパターン信号を光変調器222に送信する。光変調器222は、受信したパルスパターン信号に応じて、入力される光信号を変調する。以上の本変形例の試験装置1000は、被試験デバイス10が有する光変調部220で生成された光試験信号に、ジッタを印加してから被試験デバイス10に戻す光ループバック試験を実行することができる。試験部500は、このような光ループバック試験の結果を、光インターフェース部530を介して電気信号として受信してよい。試験装置1000は、電気信号の試験を実行する試験部500に、光源部200と、光強度調整部210と、光ジッタ発生部230と、光インターフェース部530とを組み合わせることで、このような光試験を実行することができる。図7は、本実施形態に係る試験装置1000の第2の変形例を被試験デバイス10と共に示す。本例の試験装置1000は、図1および図2の光信号出力装置と、図5および図6に示された試験装置1000と略同一のものには同一の符号を付け、説明を省略する。試験装置1000は、デバイス光源16と、入力した光信号を指定されたパルスパターンに応じて変調する光変調器222とを有する被試験デバイス10を試験する。被試験デバイス10は、レーザ光源部120と略同一のデバイス光源16を有してよい。試験装置1000は、光源駆動部202と、光強度調整部210と、光ジッタ発生部230と、試験部500と、光インターフェース部530とを備える。光源駆動部202は、周波数制御信号に応じた光周波数の光信号をデバイス光源16から出力させるように、変調した駆動電流をデバイス光源16に印加する。光源駆動部202は、直流電流に周波数制御信号を重畳した駆動信号を、光インターフェース部530を介してデバイス光源16に供給してよい。また、光源駆動部202は、周波数制御信号を光強度調整部210に送信してよい。デバイス光源16は、周波数制御信号に応じた光周波数の光信号を被試験デバイス10の光変調器222へと出力する。光変調器222は、外部から入力される制御信号に応じて光信号を変調して良い。光変調器222は、入力される光信号を変調した光パルスパターン信号を、光試験信号として光インターフェース部530に送信する。光インターフェース部530は、被試験デバイス10が出力する光試験信号を受け取って光強度調整部210に出力する。光強度調整部210は、被試験デバイス10から出力される光パルスパターン信号の光周波数に応じた強度変化を抑えて光ジッタ発生部230に送信する。光強度調整部210は、光源駆動部202から受信する周波数制御信号に基づいて、光パルスパターン信号の光周波数に応じた強度変化を抑えてよい。光ジッタ発生部230は、デバイス光源16からの光信号を光変調器222が変調して出力した光試験信号を、光周波数に応じて遅延させて、光周波数に応じたジッタを当該光試験信号に印加する。光ジッタ発生部230は、ジッタを印加した光試験信号を、光インターフェース部530に送信する。光インターフェース部530は、光ジッタ発生部230が出力する光試験信号を被試験デバイス10の光入力部にそれぞれ伝送する。以上の本変形例の試験装置1000は、被試験デバイス10が有するデバイス光源16および光変調部220で生成された光試験信号に、ジッタを印加してから被試験デバイス10に戻す光ループバック試験を実行することができる。試験部500は、このような光ループバック試験の結果を、光インターフェース部530を介して電気信号として受信してよい。試験装置1000は、電気信号の試験を実行する試験部500に、光源駆動部202と、光強度調整部210と、光ジッタ発生部230と、光インターフェース部530とを組み合わせることで、このような光試験を実行することができる。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段より前に、先立って等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上まず、、次に、等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。