"アノードAと、前記アノードからダイオード内に注入される正孔hを輸送するための有機の正孔輸送層HTLと、発光量子ドット層BQと、電子輸送層ETLと、電子eを前記電子輸送層内に注入するためのカソードCとを備えたハイブリッドLEDであって、前記量子ドットの吸収スペクトルの少なくとも一部分を含む発光スペクトルを有する燐光発光層PHによって、及び、前記燐光層を前記量子ドット層から分離するバッファー層Tによって形成された少なくとも1つのアセンブリを、前記正孔輸送層と前記電子輸送層との間にさらに備え、前記バッファー層の材料が、前記燐光層の燐光元素の禁制帯よりも大きい禁制帯を有し、それによって、励起子が前記量子ドット層へ拡散するのを防止する、ことを特徴とする、ハイブリッドLED。前記バッファー層が3nmよりも大きい厚さを有する、請求項1に記載のハイブリッドLED。前記バッファー層が10nm~30nmの範囲に存在する厚さを有する、請求項2に記載のハイブリッドLED。前記アノード及び前記カソードの少なくとも一方が、前記燐光層によって放射される光を反射するように適合され、かつ、前記アノード及び前記カソードの少なくとも一方が、前記量子ドットによって放射される光に対して実質的に透明である、請求項1から3のいずれか一項に記載のハイブリッドLED。前記量子ドット層と、前記燐光層によって放射される光に対してより良く反射する前記アノード及び前記カソードの一方との間に配置された単一の燐光層を有する、請求項4に記載のハイブリッドLED。前記発光量子ドット層BQを挟んで両側に配置された燐光発光層PH1、PH2及びそれらに対応するそれぞれのバッファー層T1、T2によって構成された2つの前記アセンブリを有する、請求項1から4のいずれか一項に記載のハイブリッドLED。前記燐光層、前記バッファー層、及び前記量子ドット層1つ又は複数が、前記燐光層によって放射された光は捕捉するが前記発光量子ドットによって放射された光は捕捉しないように適合された、光共振器の内側に配置された、請求項1から6のいずれか一項に記載のハイブリッドLED。前記アノード及び前記カソードの一方が、前記燐光層によって放射された光および前記量子ドットによって放射された光の両方とも効率的に反射するように適合され、前記アノード及び前記カソードの他方が、前記燐光層によって放射された光および前記量子ドットによって放射された光の両方ともに対して実質的に透明であり、前記燐光層によって放射された光を選択的に反射するように適合された多層誘電体ミラーRBが、前記光共振器を完成するために提供された、請求項6に記載のハイブリッドLED。前記量子ドット層が、前記燐光層によって放射されかつ前記光共振器によって捕捉される光によって形成された定在波の腹に配置された、請求項7又は8のいずれか一項に記載のハイブリッドLED。前記燐光発光層、前記バッファー層および量子ドット層によって構成されたアセンブリが、前記アノードのそばの電子ブロッキング層と前記カソードのそばの正孔ブロッキング層との間に閉じ込められた、請求項1から9のいずれか一項に記載のハイブリッドLED。前記量子ドットが、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe/CdSe/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS、CdxHg1-xTe、PbS、InAs/ZnSe、PbSeから選択された少なくとも1つの種類である、請求項1から10のいずれか一項に記載のハイブリッドLED。前記バッファー層が、TMM060、TAZ、BCP、Bphen、TCTA、NPB、CBP、及び、これらの材料の2つ又はそれ以上の混合物から選択された材料から作られた、請求項1から11のいずれか一項に記載のハイブリッドLED。前記バッファー層が、少なくとも、電子を伝導する第1の材料と正孔を伝導する第2の材料との混合物によって構成された、請求項1から12のいずれか一項に記載のハイブリッドLED。前記発光量子ドット層BQが、赤外線を放射するように適合された、請求項1から13のいずれか一項に記載のハイブリッドLED。本発明は、ハイブリッド有機量子ドットLEDの放射量を改善することを目的とするものである。本発明によれば、この目的は、アノードと、アノードからダイオード内に注入される正孔を輸送するための有機正孔輸送層と、発光量子ドット層と、電子輸送層と、電子を輸送層内に注入するためのカソードとを備えたハイブリッドLEDによって達成することができ、このハイブリッドLEDは、量子ドットの吸収スペクトルの少なくとも一部分を含む発光スペクトルを有する燐光発光層と燐光層を量子ドット層から分離するバッファー層とによって形成された少なくとも1つのアセンブリを、正孔輸送層と電子輸送層との間にさらに備え、バッファー層の材料は、燐光層の燐光元素の禁制帯よりも大きい禁制帯を有し、それによって、励起子が量子ドット層へ拡散するのを防止することを特徴とする。従来の方法においては、発光層は、一般的に、透明マトリックスによって構成され、燐光元素がドーパントの形でこの透明マトリックス内に加えられる。それにもかかわらず、ある特定の環境下では、均一な発光層が使用されてもよい。このとき、燐光元素は層全体を形成する。本発明のLEDにおいては、いくつかの電子及び正孔だけが、25の一重項及び75の三重項で励起子を量子ドット内に形成するために、量子ドット内に注入される。キャリアのその他の対は、燐光発光層内に励起子を形成し、これらの励起子は、それらが一重項状態又は三重項状態かどうかに関係なく、きわめて高い効率で発光する形で再結合し、量子ドットによって吸収することのできるフォトンを放射する。この結果として、量子ドットは光学的に励起される。光学的励起によって量子ドットに生成された励起子は、必然的に、一重項型であり、したがって、発光する形で再結合する。それにもかかわらず、燐光層が量子ドットに直接に接触していれば、この方式は機能することができない。燐光アクセプターが燐光ドナーに直接に接触している場合、ドナーの三重項励起子からアクセプターの一般的には三重項型励起子への、デクスターDexter型の非発光エネルギー転移が起こる。換言すれば、燐光発光は除去され、エネルギーは燐光アクセプターにおける三重項励起子の形で失われ、これらの励起子は発光しない形で再結合する。よって、本発明の欠くことのできない構成要素は、燐光層を量子ドット層から分離し、かつ励起フォトンpumpingphotonが通過するのを可能にするバッファー層である。量子ドットは、きわめて広い吸収スペクトルを有し、実際には、それらの量子ドットの発光波長よりも短いすべての波長を含む。したがって、燐光発光体を選択する際には大きな自由度が存在し、燐光発光体は、量子ドットの発光エネルギーよりも大きいエネルギーを有するフォトンを放射すれば十分である。本発明の特定の実施形態においては、Dexter型のエネルギー転移を効果的に防止するために、バッファー層は、3ナノメートルnmよりも大きい厚さを有する。それと同時に、ダイオードの導電率に悪影響を与えるのを回避するためには、バッファー層は、厚すぎてはならない。例として、バッファー層の厚さは、10nm~30nmの範囲に存在してもよい。アノード及びカソードの少なくとも一方は、燐光層によって放射される光を反射するように適合され光学的励起の効率を改善するために、かつ、アノード及びカソードの少なくとも一方は、量子ドットによって放射される光に対して実質的に透明である光が取り出されるのを可能にするために。より詳細には、LEDは、量子ドット層と、燐光層によって放射される光に対してより良く反射するアノード及びカソードの一方との間に配置された、単一の燐光層を形成してもよい。この配置は、光学的励起の効率を向上させる。変形においては、LEDは、発光量子ドット層を挟んで両側に配置された燐光発光層及びそれらに対応するそれぞれのバッファー層によって構成された2つのアセンブリを備えてもよい。燐光層、バッファー層、及び量子ドット層1つ又は複数は、燐光層によって放射された光は捕捉するが発光量子ドットによって放射された光は捕捉しないように適合された、光共振器の内側に配置されてもよい。この配置は、量子ドットの光学的励起の効率を最大化する。とりわけ有利には、アノード及びカソードの一方は、燐光層によって放射された光および量子ドットによって放射された光の両方とも効率的に反射するように適合され、アノード及びカソードの他方は、燐光層によって放射された光および量子ドットによって放射された光の両方ともに対して実質的に透明であり、燐光層によって放射された光を選択的に反射するように適合された多層誘電体ミラーブラッグ格子が、光共振器を完成するために提供される。光共振器が形成される場合、量子ドット層が、燐光層によって放射されかつ光共振器によって捕捉される光によって形成される定在波の腹に配置されることは、有利なことである。一般的に、燐光層が共振器の節平面nodeplaneに配置される場合、バッファー層の厚さは、好ましくは、量子ドット層が良好に配置されるのを可能にすべきである。燐光発光層、バッファー層、及び量子ドット層によって構成されたアセンブリは、アノードのそばの電子ブロッキング層とカソードのそばの正孔ブロッキング層との間に閉じ込められてもよい。これは、量子ドット層及び燐光層の両方の近くにキャリア電子及び正孔を集めるのを可能にし、それによって、電気的及び光学的な励起の効率を改善する。これは、また、LEDのその他の層による寄生発光を制限する。量子ドットは、少なくとも、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe/CdSe/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS、CdxHg1-xTe、PbS、InAs/ZnSe、PbSeから選択された種類であってもよい。バッファー層は、TMM060商標、TAZ3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール、BCPバソクプロイン、Bphenバトフェナントロリン又は4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、TCTA4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミン、NPBN,N’-ビスナフタレン-1-イル-N,N’-ビスフェニルベンジジン、CBP4,4’-ビスカルバゾール-9-イルビフェニル、及び、これらの材料の2つ又はそれ以上の混合物から選択された材料から作られてもよい。TMM060、TAZ、BCP及びBphenは、電子伝導体であるが、TCTA、NPB及びCBPは、正孔伝導体である。放射量を最大化するために、バッファー層が、少なくとも、電子を伝導する第1の材料と正孔を伝導する第2の材料との混合物によって構成されることは好ましいことである。発光量子ドット層BQは、赤外線を放射するように適合され得、とりわけ、5マイクロメートルμmに達する又はそれよりも長い波長を備えた赤外線を放射するように適合され得る。本発明のその他の特徴、細部、及び、利点が、例として添付された図面を参照して、以下の説明を理解することによって明らかとなる。図面において、様々な層の厚さは、正確な縮尺率で描写されていない。図3に断面図で示されるLEDは、ガラス又はその他の透明材料から作られた基板S上に存在するスタック状の層である。下から上へ進むと、以下のものが存在することがわかる。すなわち、異なる屈折率を有する交互に配置された誘電体層によって形成されたブラッグ格子RB。このブラッグ格子は、燐光層によって放射された光を反射し、かつ量子ドットによって放射された光を通過させるような寸法を有する。ITOからなり、あるいは、量子ドットによって放射された光に対しては実質的に透明であるように十分に薄い金属層例えば、30nm又はそれよりも薄いAgからなるアノードA。F4TCNQ7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン又は2,3,5,6-テトラフルオロ-2,5-シクロヘキサジエン-1,4-ジイリデンジマロノニトリルとして知られている又はMoO3典型的には、20nm~200nmの厚さを有するをドーピングされた、SpiroTTB2,2’,7,7’-テトラN,N-ジ-トリルアミノ-スピロ-ビフルオレンからなる正孔輸送層HTL。SpiroTAD2,2’,7,7’-テトラキスN,N-ジフェニルアミノ-9’,9’-スピロビフルオレン又はNPB典型的には、3nm~20nmの厚さを有するからなる電子ブロッキング層EBL。可視領域において放射する量子ドットの単分子層BQ。TCTAを典型的には25重量でドーピングされたTMM060からなるバッファー層T典型的には、3nm~30nmの厚さ。その薄い厚さのために、このバッファー層は、燐光層によって放射された光に対して実質的に透明である。これは、また、この光の吸収を最小化するように選択されてもよい。Irppyトリス2-フェニルピリジンイリジウムIIIをドーピングされたTMM004からなる燐光発光層であり、例えば、緑色領域において、また、いずれにしても、量子ドットの吸収スペクトル内に存在する波長において放射する典型的には、3nm~20nmの厚さを有する。量子ドットが有する吸収スペクトル帯の幅のために、燐光発光体の選択は、重要なことではない。中心重金属centralheavymetalとりわけ、ランタノイド元素を備えた多くの有機金属化合物は、本発明を実施するのに適切なものである。Bphen又はBCP又はAlq3トリス-8-ヒドロキシキノリンアルミニウム又はTPBi2,2’,2’’-1,3,5-ベンジントリイル-トリス1-フェニル-1-H-ベンズイミダゾール又はBAlq3ビス-2-メチル-8-キノリノラート-4-フェニルフェノラートアルミニウムからなる正孔障壁層HBL典型的には、20nm~200nmの厚さを有する。CaをドーピングされたBphen又はCsCO3をドーピングされたBphenからなる電子輸送層ETL。例えば、Ag、Al、Ca/Ag、Ca/Al、又は、Ba/Alから作られた反射カソードC。一般的には、下にある層が湿式プロセスを用いて成膜されるならば、量子ドット層BQは、同様に湿式プロセスを用いて、とりわけ、スピンコーティング又はインクジェット印刷を用いて成膜される。さもなければとりわけ、下にある層が、熱蒸着によって成膜された小さな分子によって構成されるならば、下にある層の溶解を防止するために、ミクロ接触印刷microcontactprintingによって層BQを成膜することが好ましい。量子ドットの層BQは、燐光層PHによって放射されたフォトンによって光学的に励起される。例として、符号10は、量子ドットによって直接に吸収される励起フォトンを示し、符号11は、量子ドットの方向とは反対の方向に放射され、そして、金属カソードによって反射された後に、吸収されたフォトンを示し、符号12は、最初に、層BQを通過し、そして、ブラッグ格子RBによって反射された後に、吸収されたフォトンを示す。このようにして、電極からもたらされる電子eおよび正孔hを注入することによって、量子ドットは電気的に励起される。符号21は、量子ドットによってアノード及び基板の方向へ放射されたフォトンを示す。これらの構成要素は、透明であるので、フォトンは、それらの構成要素を通過することができる下向き放射。符号22は、反対方向へ放射されたフォトンを示し、このフォトンは、基板を通ってデバイスから出る前に、カソードによって反射される。図4は、上向きすなわち基板とは反対側の表面を通る可視光線を放射するLEDを示す。この実施形態においては、アノードは、反射するものであり、例えばAl/TiN、Al/W、Al/Mo、W、又はMoから作られ、基板上に直接に成膜される。カソードは、透明でなければならず、Ag、Al、Ca/Ag、Ca/Al、又はBa/Alからなる薄層典型的には、厚さが30nmよりも薄いによって構成されてもよい。基板は、もはや透明でなくてもよいので、ガラス又はその他の何らかの適切な材料から構成されてもよい。ブラッグ格子RBは、カソード上に成膜される。この格子によって、SiO、MoO3、ZnSe、TeO2、又はSb2O3からなるいわゆるキャッピング層を有することができ、このキャッピング層は、例えば、ダイオードから取り出される光束を増加させるのに役立つ。変形においては、ブラッグ格子は、この役割をもなすように設計されてもよい。当然ながら、層の順序は、様々であることがわかる。なぜなら、このデバイスにおいては、燐光層PHは、アノード自体とブラッグ格子とによって形成される光共振器のより良く反射するミラーを構成するアノードのそばに配置されるからである。この配置これは、欠くことのできないものではなく、強く推奨されるものであるは、量子ドットの光学的励起の効率を最適化する。図5のLEDは、赤外線を下向きに、すなわち、このLEDの基板から放射するように適合されたものである。この基板は、シリコンから作られてもよく、約8μmまでの波長スペクトル領域において透明な材料から作られてもよい。層の配置は、図3に示されるものと同じである。すなわち、前述同様に、ブラッグ格子RBは、燐光層によって放射された光を反射しかつ量子ドットによって放射された光を通過させるような寸法を有する。アノードAは、薄い金属層、例えば、20nm又はそれよりも薄いAg、W、又は、Moによって構成される。変形においては、アノードAは、より多くのフォトンを取り出すために、金属グリッドによって、同じように構成されてもよい。F4TCNQ又はMoO3をドーピングされたSpiroTTBから作られた正孔輸送層HTLは、10nm~100nmの範囲に存在する厚さを有する。SpiroTAD又はNPBから作られた電子ブロッキング層EBLは、3nm~20nmの範囲に存在する厚さを有する。単分子層BQは、赤外線を放射しかつ燐光層によって放射された可視光線を吸収する量子ドットによって構成される。TCTAをドーピングされたTMM060からなるバッファー層Tは、3nm~30nmの範囲に存在する厚さを有する。IrppyをドーピングされたTMM004からなる燐光発光層は、10nm~20nmの範囲に存在する厚さを有し、例えば、緑色の光を放射する。Bphen又はBCP又はAlq3又はTPBi又はBAq3から作られた正孔ブロッキング層HBLは、3nm~20nmの範囲に存在する厚さを有する。CaをドーピングされたBphen又はCsCO3をドーピングされたBphenから作られた電子輸送層ETLは、10nm~100nmの範囲に存在する厚さを有する。反射カソードCは、Ag又はAlから作られてもよく、また、十分に反射するものであるために、100nmよりも大きい厚さを有してもよい。変形においては、燐光層及びバッファー層は、アノードのそばに配置されてもよい。いずれにしても、バッファー層は、燐光層を量子ドットから分離しなければならない。図6のダイオードは、上向きに放射する。このダイオードは、層の順序だけが図5のダイオードと異なる。2つの燐光層PH1及びPH2場合によっては、異なる材料から作られるを使用することを考えることもでき、それらの燐光層PH1及びPH2は、量子ドット層を挟んで両側に配置され、かつ、それぞれのバッファー層T1及びT2によって量子ドット層から分離される。当然ながら、本明細書で説明された例は限定的なものではないことがわかるはずである。ここで列挙された材料以外の材料が、使用されてもよく、また、層の厚さは、ただ単に目安として提供されたものである。さらにまた、電子ブロッキング層及び正孔ブロッキング層は、省略されてもよく、あるいは、輸送層が、それらの役割を果たしてもよい。ブラッグ格子は、波長選択ミラーのとりわけ有益な実施形態にすぎない。さらにまた、光共振器の使用は、たとえそれがとりわけ有益なものであっても、欠かすことのできないものではない。"