熱アシストスイッチング書き込み操作に適した磁気メモリ素子であって、磁気トンネル接合の一端と電気的に連絡した電流線を備え、前記磁気トンネル接合が、固定磁化を有する第1の強磁性層と、所定の高温しきい値で自由に整列させることができる磁化を有する第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層の間に提供されたトンネル障壁とを備え、前記電流線が、前記書き込み操作中に前記磁気トンネル接合を通して加熱電流を流すように適合された磁気メモリ素子において、前記磁気トンネル接合が、前記加熱電流が前記磁気トンネル接合を通して流されるときに熱を発生するように適合された少なくとも1つの加熱要素と、前記少なくとも1つの加熱要素と直列の熱障壁とをさらに備え、前記熱障壁が、前記磁気トンネル接合内部で前記少なくとも1つの加熱要素によって発生する熱を閉じ込めるように適合されることを特徴とする磁気メモリ素子。前記第2の強磁性層が、所定の低温しきい値では反強磁性層と交換ピン止めされ、前記所定の高温しきい値では自由に整列させることができる磁化を有する請求項1に記載の磁気メモリ素子。前記少なくとも1つの加熱要素は、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層の少なくとも一方が前記トンネル障壁と前記少なくとも1つの加熱要素の間にあるようなものである請求項1に記載の磁気メモリ素子。前記少なくとも1つの加熱要素が、MgO又はCoSiNからなる請求項1に記載の磁気メモリ素子。前記少なくとも1つの加熱要素が、前記トンネル障壁の抵抗面積積の0~1.5倍の抵抗面積積を有する請求項1に記載の磁気メモリ素子。前記熱障壁が、前記反強磁性記憶層及び基準層の表面と接触する表面と反対側の前記少なくとも1つの加熱要素の表面と接触する請求項1に記載の磁気メモリ素子。前記少なくとも1つの加熱要素が、第1の加熱要素及び第2の加熱要素を備える請求項1に記載の磁気メモリ素子。前記第1の加熱要素は、前記第2の強磁性層が前記トンネル障壁と前記第1の加熱要素の間にあるようなものであり、前記第2の加熱要素は、前記第1の強磁性層が前記トンネル障壁と前記第2の加熱要素の間にあるようなものである請求項7に記載の磁気メモリ素子。前記熱障壁の導電率が、前記トンネル障壁の導電率の約10倍である請求項1に記載の磁気メモリ素子。複数の磁気メモリ素子を備える磁気メモリデバイスにおいて、各磁気メモリ素子が、固定磁化を有する第1の強磁性層と、高温しきい値で自由に整列させることができる磁化を有する第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層の間に提供されたトンネル障壁と、少なくとも1つの加熱要素と、前記少なくとも1つの加熱要素と直列の熱障壁とを備える磁気トンネル接合を備え、前記磁気メモリデバイスが、磁気トンネル接合の一端と電気的に連絡した電流線をさらに備え、前記少なくとも1つの加熱要素が、加熱電流が電流線を介して前記磁気トンネル接合内に流されるときに熱を発生するように適合され、前記熱障壁が、前記磁気トンネル接合内部で前記少なくとも1つの加熱要素によって発生した熱を閉じ込めるように適合された磁気メモリデバイス。本発明では、熱アシストスイッチング書き込み操作を用いる磁気ランダムアクセスメモリ素子又は磁気メモリ素子が、磁気トンネル接合の一端と電気的に連絡した電流線を備えることができ、磁気トンネル接合が、固定方向磁化を有する第1の強磁性層と、所定の高温しきい値で自由に整列させることができる磁化を有する第2の強磁性層と、第1の強磁性層と第2の強磁性層の間に提供されたトンネル障壁とを備え、電流線が、書き込み操作中に磁気トンネル接合を通して加熱電流を流すように適合され、前記磁気トンネル接合が、加熱電流が磁気トンネル接合を通して流されるときに熱を発生するように適合された少なくとも1つの加熱要素と、前記少なくとも1つの加熱要素と直列の熱障壁とをさらに備え、前記熱障壁が、磁気トンネル接合内部で書き込み操作中に前記少なくとも1つの加熱要素によって発生する熱を閉じ込めるように適合される。一実施形態では、前記第2の強磁性層が、所定の低温しきい値では反強磁性層と交換ピン止めされ、所定の高温しきい値では自由に整列させることができる磁化を有する。別の実施形態では、前記少なくとも1つの加熱要素は、第1の強磁性層と第2の強磁性層の少なくとも一方がトンネル障壁と加熱要素の間にあるように配設される。さらに別の実施形態では、前記少なくとも1つの加熱要素がMgO又はCoSiNを含むことがある。さらに別の実施形態では、前記少なくとも1つの加熱要素が、トンネル障壁の抵抗面積積の0~1.5倍の抵抗面積積を有する。さらに別の実施形態では、前記少なくとも1つの加熱要素が、1~10nmの厚さを有する。さらに別の実施形態では、熱障壁が、反強磁性層の1つの表面と接触する表面と反対側の前記少なくとも1つの加熱要素の表面と接触する。さらに別の実施形態では、前記少なくとも1つの加熱要素が、第1の加熱要素及び第2の加熱要素を備える。さらに別の実施形態では、前記第1の加熱要素は、第2の強磁性層がトンネル障壁と第1の加熱要素の間にあるように配設され、第2の加熱要素は、第1の強磁性層がトンネル障壁と第2の加熱要素の間にあるように配設される。さらに別の実施形態では、熱障壁の導電率が、トンネル障壁の導電率の約10倍である。また、本発明は、複数の磁気メモリ素子を備える磁気メモリデバイスにも関する。加熱要素が磁気トンネル接合に含まれているとき、トンネル障壁に印加される電圧が低くなると、本明細書で開示する磁気トンネル接合の、書き込み操作中に誘発される応力は減少し、受ける老化作用は小さくなる。本発明の磁気トンネル接合は、トンネル障壁にかかる電圧を低い値に保ちながら、大きな電流を磁気トンネル接合を通して流すことができるようにする。したがって、磁気トンネル接合を加熱して、起こり得るトンネル障壁の破壊及び老化の恐れを効果的に最小限にすることができる。トンネル障壁にかかる電圧が低くなると、酸化物に対する応力が減少し、様々な書き込み操作中の磁気トンネル接合の耐久性が高まる。本発明は、例として提示する一実施形態の説明からより良く理解されよう。図1は、一実施形態による磁気トンネル接合2を示す。磁気トンネル接合2は、固定磁化を有する第1の強磁性層又は基準層21と、所定の高温しきい値で自由に整列させることができる磁化を有する第2の強磁性層又は記憶磁性層23と、基準層21と記憶層23の間に提供されたトンネル障壁22とを備える。図1の例では、磁気トンネル接合2は反強磁性記憶層24を備え、反強磁性記憶層24は、記憶層23に隣接し、所定の低温しきい値で記憶層23をピン止めする。所定の高温しきい値では、反強磁性記憶層24と記憶層23の間の交換結合はゼロに減少され、記憶層23の磁化を自由に整列させることができる。また、基準層21に反強磁性基準層20を結合させることもでき、反強磁性基準層20は、基準層21の磁化を、所定の高温しきい値よりも高い第2の所定の高温しきい値でピン止めする。図2に示される一実施形態では、熱アシストスイッチングTAS書き込み操作に適した磁気メモリ素子1が、磁気トンネル接合2を備え、磁気トンネル接合2の一端と電気的に連絡した少なくとも1つの電流線4と、磁気トンネル接合2の他端と電気的に連絡した選択トランジスタ3とを含む。磁気メモリ素子1の磁気トンネル接合2にデータを書き込むための書き込み操作は、電流線4で加熱電流31を磁気トンネル接合2に流すことによって、磁気トンネル接合2を加熱するステップと、磁気トンネル接合2が所定の高温しきい値に達した後、記憶層23の磁化を整列させるステップと、整列された方向で記憶層の磁化を凍結させるために、加熱電流31をオフすることによって磁気トンネル接合2を冷却するステップと、を含むことができる。磁気トンネル接合2に加熱電流31を流すステップは、選択トランジスタ3を導通モードに設定することによって行われる。記憶層23の磁化を整列させるステップは、典型的には、電流線4に磁場電流41を流すことによって発生する磁場42を印加することによって行われる。あるいは、記憶層23の磁化を整列させるステップは、選択トランジスタ3が導通モードであるときに、磁気トンネル接合2を通してスピン偏極電流を流すことによって実現することができる。磁気トンネル接合2の加熱はRI2に比例し、ここでRは、磁気トンネル接合2の抵抗であり、Iは、磁気トンネル接合2を通って流れる加熱電流31である。好ましくは、トンネル障壁22は、典型的にはナノメートル範囲内の薄層であり、例えば、アルミナや酸化マグネシウムなど任意の好適な絶縁材料から形成される。トンネル障壁22は、典型的には50Ωμm2未満の抵抗面積積RAMTJを有する。抵抗面積積RAMTJが高い値であるので、抵抗Rは、トンネル障壁22の抵抗によって主に決定され、トンネル障壁22が第1の加熱要素の役割を果たす。本発明の1つの狙いは、好ましくはトンネル障壁22の特性抵抗に大きな影響を及ぼすことなく、磁気トンネル接合2、より詳細には記憶層23及び/又は基準層21の加熱を高めるために磁気トンネル接合2の抵抗を増加させることである。このために、本実施形態によれば、磁気トンネル接合2はさらに第1の加熱要素25を備える。第1の加熱要素25は、好ましくは、書き込み操作中に加熱する必要がある第1及び/又は第2の強磁性層21、23及び/又は反強磁性層20、24の近傍に配設される。図1の例では、第1の加熱要素25は、反強磁性記憶層24の表面に接触するように配設され、それにより反強磁性記憶層24及び記憶層23がトンネル障壁22と第1の加熱要素25の間に存在する。あるいは、第1の加熱要素25は、反強磁性基準層20の表面に接触するように配設することができ、それにより反強磁性基準層20及び基準層21がトンネル障壁22と第1の加熱要素25の間に配設される。第1の加熱要素25は、金属酸化物又は窒化物からなることがあり、典型的には、限定されない方法により、MgOやCoSiN又は無定形炭素など電気抵抗の高い材料から構成される。第1の加熱要素25は、金属層の陰極スパッタリングによって堆積することができ、この金属層は、その後自然酸化又はプラズマによって酸化されるか、又は反応性プラズマ中でのスパッタリングによって直接酸化される。あるいは、金属層は、部分窒素雰囲気中での金属層の堆積によって窒化することができる。第1の加熱要素25は、ナノメートル以下の範囲又は数ナノメートルの厚さを有することができる。好ましくは、第1の加熱要素25は、1~10nmの厚さを有する。第1の加熱要素25は、その厚さ、その組成、及び生成条件に応じて、RAMTJの0~1.5倍の抵抗面積積RAHEを有することができる。好ましくは、第1の加熱要素25の抵抗面積積RAHEは、0とRAMTJ値の間にある。磁気トンネル接合2への第1の加熱要素25の追加により、より低い加熱電流又は電圧を使用することができるので、書き込み操作中の電力消費を減少させることができる。実際、加熱電流を流すときに磁気トンネル接合2にかかる電圧は、式1によって決定される係数f分の1になる。第1の加熱要素25の抵抗面積積RAHEが20Ωμm2であり、トンネル障壁22の抵抗面積積RAMTJが20Ωμm2である場合、係数fは0.7である。RAMTJと直列のRAHEの高い抵抗値は、実効の磁気抵抗TMRを減少させることによって読み出しマージンを減少させる。書き込み操作中の電力消費も減少する。トンネル障壁22にかかるより電圧がより低いと、トンネル障壁22の酸化物に対する応力が減少し、様々な書き込み操作中の磁気トンネル接合2の耐久性が高まる。提示する別の実施形態では、磁気トンネル接合2はさらに第2の加熱要素26を備える。第2の加熱要素26は、強磁性層21又は反強磁性層20もしくは24に隣接して配置させることができ、第1の加熱要素25とは接触しない。例えば、第1の加熱要素25が、図1及び図2の例と同様に反強磁性記憶層24に隣接して配設される場合、第3の加熱要素26は、基準層21と接触する表面とは反対側の反強磁性基準層20の表面と接触するように配置することができる図2参照。さらに別の実施形態では、磁気トンネル接合2はさらに熱障壁30を備え、熱障壁30は、磁気トンネル接合2内部で書き込み操作中に発生する熱を閉じ込め、それにより、発生した熱の漏れを減少させるように適合される。熱障壁30は、好ましくは、第1及び/又は第2の加熱要素25、26の近傍に配設される。図1及び図2の例では、熱障壁30は、反強磁性記憶層24と接触する表面と反対側の第1の加熱要素25の表面に接触して、第1の加熱要素25に隣接するように配設される。書き込み操作中、第1の加熱要素25を通して加熱電流31を流すことによって発生する熱が、熱障壁30によって記憶層23の内部に閉じ込められる。したがって、加熱はより効率的になり、書き込み操作中の電流消費を減少させることができる。熱障壁30は、好ましくは、電気抵抗の非常に高い材料からなる薄層である。熱障壁30はトンネル障壁22と直列に接続されるので、熱障壁30の導電率は、電流が一意に磁気トンネル接合2を通って流れることを保証するように、トンネル障壁22の導電率に比べて十分に高くなければならない。好ましくは、熱障壁30の導電率は、トンネル障壁22の導電率の約10倍である。典型的には、そのような熱障壁は、BiTeなどビスマスBiとテルルTeを含む合金からなり、これは、約1.75mΩcmの導電率と、約1.5Wm-1°C-1の熱伝導率を示す。図2に示されるさらに別の実施形態では、磁気トンネル接合2はさらに、別の熱障壁30を備える。別の熱障壁は、磁気トンネル接合2の他端に配置することができ、例えば、基準層21に接触する表面と反対側の反強磁性基準層20の表面と接触する。図2の例では、別の熱障壁30は、反強磁性基準層20と接触する表面と反対側の第2の加熱要素26の表面に、第2の加熱要素26と接触させて配置される。第1及び/又は第2の加熱要素25、26が磁気トンネル接合2に含まれているとき、トンネル障壁22に印加される電圧はより低くなるので、本明細書で開示する磁気トンネル接合2の、書き込み操作中に誘発される応力は減少し、受ける老化作用は小さくなる。磁気トンネル接合2により、トンネル障壁22にかかる電圧を低い値に保ちながら、大きな加熱電流31などの電流を磁気トンネル接合2を通して流すことができるようになる。これにより、書き込み操作中の磁気トンネル接合2の効率的な加熱を実現できるようになり、しかも、起こり得るトンネル障壁22の破壊及び老化の恐れが最小限になる。書き込み操作中に誘発される応力がかなり低減されており、読み出し段階中に磁気トンネル接合に印加される電圧が典型的には200mV未満と低い限り、そのようにして得られた磁気メモリ素子1は耐久性が非常に改良されている。また、本発明は、複数の磁気メモリ素子1を備える磁気メモリデバイスにも関する。複数の磁気メモリ素子1は、対応する磁気トンネル接合2と電気的に連絡した電流線4を介して結合され、場合により、対応する選択トランジスタ3に結合されたワード線図示せずを介しても結合される。