基板上に成膜された導電性膜にスクライブ加工により溝部を形成することで前記導電性膜の他の部分とは分断された島部を形成する加工手段と、前記加工手段によるスクライブ加工中に、前記島部と前記導電性膜の他の部分との間の電気抵抗値を検出する抵抗値検出手段と、該抵抗値検出手段の検出結果に基づいて前記加工手段によるスクライブ加工の終了時期か否かを判定する判定手段と、を備えることを特徴とするメカニカルスクライブ装置。前記加工手段は、スクライブ加工により前記導電性膜に円環状の溝部を形成することを特徴とする請求項1に記載のメカニカルスクライブ装置。前記判定手段は、前記抵抗値検出手段の検出結果に基づいて前記島部が前記導電性膜の他の部分と分断されているか否かを特定し、当該島部が分断されている場合に、前記加工手段によるスクライブ加工の終了時期であると判定することを特徴とする請求項1又は2に記載のメカニカルスクライブ装置。請求項1~3の何れか一項に記載のメカニカルスクライブ装置と、前記導電性膜に形成された前記溝部の深さを前記導電性膜の厚さとして測定する測定手段と、を備えたことを特徴とする膜厚測定装置。基板上に成膜された導電性膜にスクライブ加工により溝部を形成することで前記導電性膜の他の部分とは分断された島部を形成する際に、前記導電性膜にスクライブ加工を施しながら前記島部と前記導電性膜の他の部分との間の電気抵抗値を検出し、その検出結果に基づいてスクライブ加工の終了時期か否かを判定するようにしたことを特徴とするメカニカルスクライブ方法。このようにメカニカルスクライブによって膜をパターニングする際には、対象となる膜が確実に分割されていることを確認した上でパターニングを終了することが望ましい。しかしながら、メカニカルスクライブの終了時期は、実際に膜が分割されている否かに拘わらず、例えば、刃の移動量等で判断されているのが現状である。ところで、太陽電池素子等において、上述のように基板上に形成される膜は、所定のタイミングでその膜厚測定等の各種検査を行うことで、製品の品質を保持している。基板上の膜の厚さを測定する方法としては、例えば、膜をエッチングし、その際に膜から放出される二次荷電粒子の強度の経時変化等の各種データを測定し、その測定結果に基づいて膜の厚さを判断するものがある例えば、特許文献2参照。しかしながら、このような膜厚の測定方法は、エッチングを膜厚測定とは別工程で行うために検査に長時間を要し、それに伴って製造コストが高くなるという問題がある。このような問題を解決する一つの方法として、上述のようにメカニカルスクライブによって膜を除去した溝部を形成し、この溝部の深さを膜の厚さとして測定することが考えられる。ただし、この場合にも溝部内の膜が確実に除去されていることを確認することが望ましい。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、導電性膜をスクライブ加工する際に、その終了時期を適切に判断することができるメカニカルスクライブ装置及びそれを備えた膜厚測定装置並びにメカニカルスクライブ方法を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の第1の態様は、基板上に形成された導電性膜にスクライブ加工により溝部を形成することで前記導電性膜の他の部分とは分断された島部を形成する加工手段と、前記加工手段によるスクライブ加工中に、前記島部と前記導電性膜の他の部分との間の電気抵抗値を検出する抵抗値検出手段と、該抵抗値検出手段の検出結果に基づいて前記加工手段によるスクライブ加工の終了時期を判定する判定手段と、を備えることを特徴とするメカニカルスクライブ装置にある。本発明の第2の態様は、前記加工手段は、スクライブ加工により前記導電性膜に円環状の溝部を形成することを特徴とする第1の態様のメカニカルスクライブ装置にある。本発明の第3の態様は、前記判定手段は、前記抵抗値検出手段の検出結果に基づいて前記島部が前記導電性膜の他の部分と分断されているか否かを特定し、当該島部が分断されている場合に、前記加工手段によるスクライブ加工の終了時期であると判定することを特徴とする第1又は2の態様のメカニカルスクライブ装置にある。本発明の第4の態様は、第1~3の何れか一つの態様のメカニカルスクライブ装置と、前記導電性膜に形成された前記溝部の深さを前記導電性膜の厚さとして測定する測定手段と、を備えたことを特徴とする膜厚測定装置にある。本発明の第5の態様は、基板上に形成された導電性膜にスクライブ加工により溝部を形成することで前記導電性膜の他の部分とは分断された島部を形成する際に、前記導電性膜にスクライブ加工を施しながら前記島部と前記導電性膜の他の部分との間の電気抵抗値を検出し、その検出結果に基づいてスクライブ加工の終了時期を判定するようにしたことを特徴とするメカニカルスクライブ方法にある。本発明のメカニカルスクライブ装置及びメカニカルスクライブ方法によれば、導電性膜をスクライブ加工して島部を形成する際に、適切なタイミングでスクライブ加工を終了させることができる。すなわちスクライブ加工によって、基板上の導電性膜に良好に溝部を形成することができる。またこのようなメカニカルスクライブ装置を備えた膜厚測定装置によれば、基板上の導電性膜の厚さを比較的容易に且つ正確に測定することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。本願発明に係るメカニカルスクライブ方法は、図1に示すように、基板10上に成膜された導電性を有する材料からなる導電性膜11に、スクライブ加工により溝部12を形成することで導電性膜11の他の部分とは分断された島部13を確実に形成するための方法である。換言すれば、本願発明は、メカニカルスクライブにより、導電性膜11を貫通する溝部12を確実に形成するための方法である。具体的には、図2に示すように、スクライブ加工により導電性膜11に溝部12を形成する際に、導電性膜11の島部13となる部分と、導電性膜11の他の部分との間の電気抵抗値を抵抗計45によって検出する。そして、電気抵抗値の検出結果に基づいて、スクライブ加工の終了時期か否かを判定する。すなわち電気抵抗値の検出結果に基づいて島部13が溝部12によって導電性膜11の他の部分と分断されているか否かを特定し、島部13が分断されている場合に、スクライブ加工の終了時期であると判定して、加工を終了する。なお本実施形態における基板10に成膜された導電性膜11は、例えば太陽電池素子に用いられる電極膜であり、厚さが非常に薄い100nm~140nm。ここで、スクライブ加工により溝部12を形成することで島部13を形成した場合、島部13と導電性膜11の他の部分との間の電気抵抗値は、溝部12の加工の進行状況によって変化する。溝部12が導電性膜11を貫通していない状態では図2参照、島部13と導電性膜11の他の部分とが接続されているため、検出している電気抵抗値に変化は見られない。一方、溝部12が導電性膜11を貫通して島部13が形成されると図1b参照、つまり島部13と導電性膜11の他の部分とが溝部12によって分断されると、島部13が導電性膜11の他の部分から絶縁されるため、電気抵抗値が急激な増加を示す。例えば、図3に示すように、溝部12によって島部13と導電性膜11の他の部分とが分断された時点T1から、電気抵抗値が急増する。したがって、このような電気抵抗値の急増が確認された時点で、島部13が導電性膜11の他の部分と分断されたと判定することができる。つまりスクライブ加工の終了時期であると判定することができる。そして、この判定結果に応じてスクライブ加工を終了する。これにより、スクライブ加工を適切なタイミングで終了することができる。例えば、導電性膜11が透明な材料からなる場合でも、基板10の表面まで削ることなく導電性膜11のみを除去して溝部12を形成することができる。また、このようなメカニカルスクライブ方法を、例えば、基板に成膜された導電性膜の厚さ測定に採用した場合、膜厚を比較的容易に且つ正確に測定することができる。すなわち、上述のように導電性膜11に溝部12を形成することで島部13を形成した後、溝部12の深さを導電性膜11の膜厚として測定することで、比較的容易且つ正確に導電性膜11の厚さを測定することができる。なお本実施形態では、上述のように導電性膜11に円環状の溝部12を形成して円形の島部13を形成している図1参照。このため、導電性膜11の他の部分とは分断された島部13を、基板10の端部だけでなく、基板10の中央部であっても比較的容易に形成することができる。したがって、導電性膜11の膜厚を基板10の複数箇所で容易に測定することができる。すなわち基板10の面内方向における導電性膜11の膜厚分布を比較的容易に測定することができる。以下、このような導電性膜11の膜厚を測定する膜厚測定装置の構成について説明する。図4は、膜厚測定装置を構成する加工部の概略構成を示す図であり、図5は、膜厚測定装置を構成する測定部の概略構成を示す図である。本実施形態に係る膜厚測定装置は、例えば、基板10の全面に所望の厚さの導電性膜11が形成されているか否かを調べるために用いられる。具体的には、膜厚測定装置は、図1に示すように、基板10の複数箇所に溝部12と共に島部13を形成した後、各溝部12の深さを導電性膜11の膜厚として測定する。つまり導電性膜11の厚さを基板10の複数箇所で測定する。本実施形態に係る膜厚測定装置20は、図4に示すメカニカルスクライブ装置からなる加工部30と、図5に示す測定部50とで構成されている。メカニカルスクライブ装置からなる加工部30は、基板10上に成膜された導電性膜11にスクライブ加工により溝部12を形成することで導電性膜11の他の部分とは分断された島部13を形成する加工手段としてのスクライブ刃刃部31を備える。なおスクライブ刃31は、例えば、柱状、本実施形態では円柱状を有する。このようにスクライブ刃31が柱状であることで、スクライブ刃31が削れても、スクライブ刃31と導電性膜11との接触面積が大きく変化することがなく、安定して溝部12を形成することができる。またスクライブ刃31は、基板10よりも硬度が低く、且つ導電性膜11よりも硬度が高い材料で形成されていることが好ましい。ただし導電性膜11の厚さが極めて薄いため、スクライブ刃31が導電性膜11よりも硬度が多少低い材料で形成されていても、スクライブ刃31によって導電性膜11を除去して溝部12を形成することはできる。ちなみに、基板10の材料としては、例えば、SUS基板、ガラス基板が挙げられる。導電性膜11としては、例えば、ITO、アルミ、銅、モリブデンなどが挙げられる。スクライブ刃31は、回転可能に保持された固定部材32に複数固定されている。本実施形態では、2つのスクライブ刃31が固定部材32に固定されている。なおスクライブ刃31は固定部材32に対して着脱可能に固定されていてもよい。これにより導電性膜11や基板10の材料に合わせてスクライブ刃31を適宜取り替えることができる。固定部材32の駆動源であるモーター33は、装置本体から略水平方向に延設される接続部材34の一端側に固定されている。また接続部材34の上部に固定されたモーター33の回転軸35は、接続部材34に設けられた第1の貫通孔34aを介して接続部材34の下方側まで延設されている。そしてこの回転軸35の先端部には、第1のプーリ36が固定されている。また回転軸35は、第1の貫通孔34aに配されたベアリング等の軸受け部材37aを含む支持部材37によって回転可能に支持されている。一方、接続部材34の他端側には、スクライブ刃31が固定された固定部材32と共に、スクライブ刃31によるスクライブ加工中に、島部13と導電性膜11の他の部分との間の電気抵抗値を検出する抵抗値検出手段の一部を構成する端子部材38が設けられている。この端子部材38は筐体部材39内に収容されている。すなわち筐体部材39には、端子部材38が層通される貫通孔39aが形成されており、端子部材38は、その先端部が筐体部材39の外側まで突出した状態で、筐体部材39の貫通孔39a内に保持されている。なお筐体部材39は、接続部材34に設けられた第2の貫通孔34bに係合保持されている。そして、この筐体部材39の外周部に、スクライブ刃31が固定された固定部材32がベアリング等の軸受け部材40を介して回転可能に固定されている。さらに固定部材32の外周部には第2のプーリ41が設けられ、この第2のプーリ41と第1のプーリ36とには、ベルト42が巻き掛けられている。このような構成では、モーター33が駆動されると、その回転力が、回転軸35、第1のプーリ36、ベルト42及び第2のプーリ41を介して固定部材32に伝達されて、固定部材32が回転する。なお図示は省略するが、接続部材34はエアシリンダ等からなる駆動装置に接続されて上下方向に移動可能に構成されている。基板10上に成膜された導電性膜11をスクライブ加工する際には、この駆動装置によって接続部材34を下降させることで、スクライブ刃31を導電性膜11の表面に当接させる。ところで、筐体部材39内に収容された端子部材38の先端部は、導電性膜11の表面に接触していない状態においては、スクライブ刃31の先端面よりも下方に突出するように配されている。また筐体部材39の貫通孔39a内には、コイルスプリング等からなり端子部材38を下方に向かって導電性膜11に向かって付勢する付勢部材43が設けられている。このため、スクライブ刃31を導電性膜11の表面に当接させてスクライブ加工を開始する際には、端子部材38は付勢部材43によって下方に向かって付勢された状態で、その先端部が導電性膜11の表面に当接する。すなわち接続部材34を下降させて、スクライブ刃31と共に端子部材38の先端部を導電性膜11の表面に当接させると、端子部材38が若干上方に移動する。これにより付勢部材43による付勢力が端子部材38に作用することになる。このように付勢部材43によって端子部材38を付勢することで、スクライブ加工中に略一定の圧力で導電性膜11に対して端子部材38を接触させることができ、電気抵抗値の測定精度が向上する。なお付勢部材43が収容された筐体部材39の貫通孔39aの上端側の開口部には蓋部材44が設けられている。この蓋部材44は、コイルバネからなる付勢部材43のバネ座として機能する。この蓋部材44は、貫通孔39aに対して螺合されており、その締め込み量を調整することで、付勢部材43による端子部材38の付勢力を適宜調整することができる。勿論、付勢部材43は、コイルバネに限定されず、例えば、エア圧によって端子部材38を付勢する構成であってもよい。また端子部材38の基端部上端部側は、導電性膜11の他の部分と電気的に接続されており、導電性膜11と端子部材38との間には、その間の電気抵抗値を測定する抵抗計45が設けられている。さらにこの抵抗計45は制御部46に接続されている。制御部46は、制御手段47と、判定手段48とを備える。制御手段47は、モーター33の駆動等、メカニカルスクライブ装置の各種制御を実行する。判定手段48は、抵抗計45によって検出された電気抵抗値に基づいてスクライブ加工の終了時期を判定する。すなわち、抵抗計45からの情報に基づいて判定手段48によって島部13が導電性膜11の他の部分と分断されたと判定されると、その判定結果に応じて、制御手段47がモーターの駆動を停止すると共に、図示しない駆動装置を駆動させて接続部材34を上昇させて、スクライブ加工を終了する。次に、図5に示す測定部50について説明する。測定部50は触針式段差計で構成されている。測定部50は、図5aに示すように固定支持台51を有する。固定支持台51の上には、支点52を介して揺動支持棒53が設けられている。この揺動支持棒53の一端には探針54が垂直下向きに取り付けられている。探針54はその先端が、例えばダイヤモンドで構成されている。また揺動支持棒53の他端には探針54を垂直下方の力で押圧する針押圧手段55が設けられている。この針押圧手段55は、揺動支持棒53の他端から上方へ延びる磁性体コアからなる作動子55aと作動子55aを受ける穴を備えるコイル55bとで構成されている。揺動支持棒53の一端における探針54より支点52側には、探針54の垂直方向の変位を検出する変位センサ56が設けられている。この変位センサ56は、揺動支持棒53に一端が固定された磁性体コアからなる測定子56aと、測定子56aの他端自由端を受けるコイル56bとを備え、いわゆる差動トランスとして構成されている。また試料ホルダー57は、その上に走査ステージ58が探針54に対して予定の走査速度で移動できるように設けられ、この走査ステージ58上に被測定試料である基板10が載置される。針押圧手段55及び探針54の垂直方向の変位を検出する変位センサ56は測定制御部60に接続され、この測定制御部60には段差を検出する検出手段である変位センサ56からの出力信号が入力される。なお本実施形態では、変位センサ56は、溝部12の深さ、つまり導電性膜11の表面と溝部12の底面との段差を検出する図1参照。また本実施形態の装置において試料である基板10を固定して探針側を走査するように構成することも可能である。また図5bに示すように、測定制御部60は、低域通過フィルタである検出回路61を備える。検出回路61には、変位センサ56で測定した出力電圧が入力され、所定の測定データに変換される。また測定制御部60は、処理手段62を備える。処理手段62は、低域通過フィルタの機能をもつソフトウエアがインストールされている。この処理手段62は、変位センサ56で測定した出力電圧に基づいて、検出回路61により計測した測定データにおける試料表面形状の段差部溝部及び平坦部膜面に相当する領域データ部分の切り分け処理を行う。具体的には、検出回路61には、探針54を試料に対して予定のx方向に一定の速度で掃引する際に変位センサ56で得られた測定電圧が入力される。検出回路61では、低域通過フィルタのカットオフ周波数を高く設定して例えば70Hzあるので、入力された測定電圧データは、横軸x方向の距離と縦軸z方向の変位量とから成る応答性の良いデータとなる。そして、得られた応答性の良いデータを処理手段62に送出する。処理手段62は、得られた横軸x方向の距離と縦軸z方向の変位量とから成るデータを、横軸方向の距離x又は時間tで微分してdz/dx又はdz/dtの値を得る。そして、dz/dx又はdz/dtが一定の部分と変位する部分とから、横軸x方向の距離と縦軸z方向の変位量とから成るデータを立上り領域データ部分と、平坦部領域データ部分と、立下り領域データ部分とに分ける。次いで、処理手段62は、平坦部領域データ部分をさらに検出回路の低域通過フィルタのカットオフ周波数より低い1~13Hz程度のソフトの低域通過フィルタで処理し、雑音を除去する。こうして処理した平坦部領域データ部分を立上り領域データ部分及び立下り領域データ部分とに結合すると、段差形状データを得る。このようにして、段差部での応答が速く、平坦部での雑音が小さい段差形状測定結果が得られる。そして、段差形状データの時間軸をx方向への距離に換算すれば、段差形状、即ち膜厚を得ることができる。このようにして、本実施形態の測定部50によれば、加工部30によりスクライブ加工された導電性膜11の膜厚を正確に測定することが可能である。このように、本実施形態の膜厚測定装置20においては、加工部30において基板10に成膜された導電性膜11を短時間で除去し、測定部50において導電性膜11の膜厚を測定することができる。つまり本実施形態の膜厚測定装置20によれば、簡易に、かつ正確に導電性膜11の膜厚を測定することが可能である。以上本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能なものである。例えば、上述の実施形態では、基板10上に成膜された導電性膜11に円環状の溝部12を形成することで、導電性膜11の他の部分とは分断された島部13を形成するようにしたが、溝部12の形状は特に限定されるものではない。すなわち溝部12によって島部13が導電性膜11の他の部分と分断することができれば、その形状は特に限定されるものではない。例えば、溝部12は直線状に形成されていてもよい。また上述の実施形態では、メカニカルスクライブ装置を膜厚測定装置20に適用した例を説明したが、本発明に係るメカニカルスクライブ装置は、勿論、膜厚測定装置に限られず、あらゆる用途に適用可能なものである。