TFT基板上に少なくとも着色層、ブラックマトリックスが形成されたカラーフィルタの欠陥修正方法において、予め前記カラーフィルタの欠陥修正部分を炭化着色させる段階と、その後前記欠陥修正部分にレーザー光を照射して前記欠陥修正部分をレーザーアブレーションにより除去する段階と、を具備することを特徴とするカラーフィルタの欠陥修正方法。下地である前記TFT基板上の保護膜層に損傷を与えない低いエネルギーのレーザー光を照射して、前記修正部分を選択的にレーザーアブレーションにより除去することを特徴とする請求項1に記載するカラーフィルタの欠陥修正方法。予め前記カラーフィルタの前記欠陥修正部分を炭化着色させることで、該当欠陥修正部分のレーザーエネルギーの吸収率を高めることを特徴とする請求項1に記載するカラーフィルタの欠陥修正方法。TFT基板上に少なくとも着色層、ブラックマトリックスが形成されたカラーフィルタを有する液晶表示装置用カラーフィルタ基板であって、上記請求項1~3のいずれか1項に記載するカラーフィルタの欠陥修正方法によって、欠陥部分が修正されたことを特徴とするカラーフィルタ基板。上述したように、従来のカラ-フィルタの欠陥修正方法を用いた場合には、対向基板としてガラス基板上に形成されたカラーフィルタに比べ、アレイ基板としてTFT基板上に形成されたカラーフィルタCOABOAの場合、異物等によりNGとなった際、TFT基板も破棄されることとなり損失が非常に大きい。この為、TFT基板上に形成されたカラーフィルタの選択的な欠陥修正技術の確立は必須となっている。本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造工程において、TFT基板上に着色層RGB他およびブラックマトリックスBMなどのカラーフィルタが形成されたカラーフィルタオンアレイCOABOAにおけるレーザー修正において、修正箇所のレーザーアブレーションに伴う下地であるTFT基板上の保護膜の損傷を発生させることなく、選択的にカラーフィルタ層のみを修正することができるカラーフィルタの欠陥修正方法、及び、その欠陥修正方法によって欠陥部分が修正されたカラーフィルタ基板を提供することを課題としている。そこで、本発明の請求項1に係る発明は、TFT基板上に少なくとも着色層、ブラックマトリックスが形成されたカラーフィルタの欠陥修正方法において、予め前記カラーフィルタの欠陥修正部分を炭化着色させる段階と、その後前記欠陥修正部分にレーザー光を照射して前記欠陥修正部分をレーザーアブレーションにより除去する段階と、を具備することを特徴とするカラーフィルタの欠陥修正方法である。また、本発明の請求項2に係る発明は、下地である前記TFT基板上の保護膜層に損傷を与えない低いエネルギーのレーザー光を照射して、前記修正部分を選択的にレーザーアブレーションにより除去することを特徴とする請求項1に記載するカラーフィルタの欠陥修正方法である。また、本発明の請求項3に係る発明は、予め前記カラーフィルタの前記欠陥修正部分を炭化着色させることで、該当欠陥修正部分のレーザーエネルギーの吸収率を高めることを特徴とする請求項1に記載するカラーフィルタの欠陥修正方法である。次に、本発明の請求項4に係る発明は、TFT基板上に少なくとも着色層、ブラックマトリックスが形成されたカラーフィルタを有する液晶表示装置用カラーフィルタ基板であって、上記請求項1~3のいずれか1項に記載するカラーフィルタの欠陥修正方法によって、欠陥部分が修正されたことを特徴とするカラーフィルタ基板である。本発明のカラーフィルタの欠陥修正方法では、予めカラーフィルタの欠陥修正部分を炭化着色させることで、TFT基板上に形成された着色層RGB他およびブラックマトリックスBMなどのカラーフィルタ層カラーフィルタオンアレイCOABOAにおける、修正箇所のレーザーアブレーションに伴う下地の損傷を発生させることなく、選択的にカラーフィルタ層のみを修正することが可能となった。また、本発明のカラーフィルタの欠陥修正方法によれば、修正箇所のレーザーエネルギー吸収率を上げることが可能となり、従来のアブレーション除去に必要なレーザーエネルギー強度に比べ、低いレーザーエネルギー強度で修正箇所をアブレーション除去することが可能となった。本発明のカラーフィルタの欠陥修正方法を、一実施形態例に基づいて以下に詳細に説明する。図1は、本発明の欠陥修正方法が適用される、アレイ基板側にカラーフィルタを構成するBMおよび着色層を形成した、一例の液晶表示素子の部分断面を模式的に示したものである。また、図2は、そのアレイ基板の部分平面模式図である。アレイ基板側に着色層及びBMを形成することにより、画素の開口率を向上させるだけでなく、TNTwistedNematic方式やPSAPolymerSustainedAlignment方式といった対向基板1側に配向分割用のスリット14や図示しない突起を必要としない液晶駆動方式を用いた液晶表示装置においては、対向基板1は、ガラス基板11に共通電極13及び配向膜15のベタ膜を形成すればよいため、液晶パネル製造時における、対向基板1とアレイ基板2を貼り合せる工程においてアライメントを必要としないためにタクトタイムを向上させることが可能となる。図1に示すように、この液晶表示素子は、少なくとも画素電極24、および前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタ3と、前記薄膜トランジスタを覆って設けられた複数色の着色画素23R、23G、23Bを備えたアレイ基板2と、前記アレイ基板に所定の隙間を保持して対向配置された対向基板1と、を備えており、当該複数色の画素は少なくとも着色層から構成されている。複数色には赤、緑、青RGBの組み合わせやそれらにイエロー、マゼンダ、シアンを追加した組み合わせが挙げられるが、ここではアレイ基板にRGB系を適用したものを示す。図1、図2に示すように、アレイ基板2は透明基板21上に、モリブデンやタングステンもしくはその合金等の金属からなるゲート線38およびゲート電極31を配置し、これらを覆うように酸化ケイ素窒化ケイ素等からなるゲート絶縁膜32が配置されている。また、ゲート絶縁膜上にはアモルファスシリコンなどの半導体層34が配置され、更にモリブデンやアルミニウムからなるソース線37、ソース電極35、ドレイン電極36が配置されスイッチング素子を形成している。スイッチング素子の上には、酸化ケイ素窒化ケイ素等からなる保護層33が配置される。アレイ基板上への着色層および遮光層の作製方法は、公知のインクジェット法、印刷法、フォトリソグラフィ法、エッチング法など何れかの方法で作製できる。高精細、分光特性の制御性及び再現性等を考慮すれば、透明な樹脂中に顔料を、光開始剤、重合性モノマーと共に適当な溶剤に分散させた着色樹脂組成物をアレイ基板上に塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜にパターン露光、現像することで一色の着色層を形成する工程を各色毎に繰り返し行って着色画素を形成するフォトリソグラフィ法が好ましい。本発明のカラーフィルタの欠陥修正方法を適用する場合、まず、上記したアレイ基板上への着色層および遮光層の作製工程において、欠陥を検出する。上記したカラーフィルタ付アレイ基板2基板を、図示しない検査機で検査し、欠陥を検出した場合、欠陥の位置を座標データとして記録し、図示しない修正装置へ転送する。以下、欠陥修正装置における作業となる。対象となる欠陥は、着色層の白欠陥、ブラックマトリックスの白欠陥及び黒欠陥などがある。上記位置データに基づき、TFT基板上に形成された着色層RGB他およびブラックマトリックスBMなどのカラーフィルタ層の任意の修正箇所に赤外線を集光させ、カラーフィルタ層の任意の修正箇所を炭化させる。ここで、着色層およびブラックマトリックス層はアクリル樹脂を骨格としている為、350~700°C付近の熱エネルギーをかけることで、炭化処理により着色茶褐色~黒色を呈する。この為、レーザーエネルギーの吸収率が上がる。また、下地にあたるTFT基板の保護膜は、通常窒化珪素Si3N4シリコンナイトライド:SiliconNitrideなどのナイトライドにより形成されており、共有結合による強固で安定した構造であり、高硬度、耐摩耗性に優れ、高温環境で機械的強度を失わず、高い耐熱性を持つ。なお、窒化珪素Si3N4は約1400°Cまで安定しているが、約1400°C~1500°Cにおいてα型と呼ばれる低温安定相からβ型と呼ばれる高温安定相へと相転移が起こる。このナイトライドの耐熱性により、任意の修正箇所のカラーフィルタ層を炭化処理することにおける保護膜の損傷はない。次に、炭化させた任意の修正箇所をYAGレーザー355nmにてレーザーアブレーションを行い除去する。ここで、レーザー光源は、強度可変のレーザー光源が選定される。昇華時に必要な光強度を確保するためにYAGレーザーを用いることが好ましい。また、レーザー波長としては、355nmの他、532nm等を用いても良い。レーザーは、特にこのタイプに限定されず、炭化処理されたカラーフィルタ層が除去されるエネルギーを持つレーザーであればよい。表1に、修正対象である着色層の炭化処理した炭化処理部と、未処理部とのアブレーションに必要なレーザーエネルギー強度の値を示す。このときのレーザー条件は、波長355nm、周波数20Hz、レーザーショット数20Shotである。表1に示すように、修正箇所の炭化処理を行うことにより、該当カラーフィルタ層のレーザーエネルギーの吸収率が高まるため、未処理部に比べより低エネルギーでのレーザーアブレーションが可能となることがわかる。ここで、レーザーエネルギー強度の単位として、発振出力2mJを0.5単位で100分割した値をエネルギー強度1と規定している。すなわち、レーザーエネルギー強度1=1.0×10-2[mJ/強度]である。表2に、修正対象である着色層の下地となるTFT基板上の保護膜のアブレーションに必要なレーザー強度の値を示す。このときのレーザー条件は、波長355nm、周波数20Hz、レーザーショット数20Shotである。ここで、レーザーエネルギー強度1=1.0×10-2[mJ/強度]である。この結果、TFT基板上の保護膜のアブレーションに必要なレーザーエネルギー強度の値に対して、炭化処理を施すことによりカラーフィルタ層のアブレーションに必要なレーザーエネルギー強度が十分に低くなるため、TFT基板上の保護膜を損傷させることなく、選択的にTFT基板上に形成されたカラーフィルタ層の任意修正箇所をレーザーアブレーションにより選択的に除去することが可能となった。図3に、未処理部のカラーフィルタ層のレーザーアブレーションによる下地TFT基板上の保護膜の損傷例を、図4に、TFT基板上に形成したカラーフィルタ層BLUE画素の本発明による選択的修正例を示す。以上の如く、選択的に欠陥修正を実施した後、次に、公知の方法により着色層を再形成することで着色画素を再生させる。以上説明したように、本発明のカラーフィルタの欠陥修正方法を用いることによって、今まで廃棄せざるをえなかったCOABOAの不良品の良品化が図れるため、歩留まりが向上し、生産性向上への寄与が期待できる。