"弾性表面波を伝播する圧電素子基板と、電気信号と前記弾性表面波との変換を行う電極と、前記弾性表面波の伝播路に配置され、検体である液体が導入される検出領域と、前記検出領域に接触し、液体が毛細管現象により浸潤する多孔性基材と、を備えることを特徴とする弾性表面波センサ。前記多孔性基材は、前記弾性表面波の伝播方向に、液体が毛細管現象により浸潤することを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波センサ。前記多孔性基材は、目的物と反応する異なる反応物を溶液の浸潤する方向にそれぞれ分散して形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の弾性表面波センサ。前記多孔性基材は、第1領域と、第2領域と、を有し、前記第1領域と前記第2領域とが、前記弾性表面波の伝播方向に交互に形成され、前記第1領域の浸潤速度が、前記第2領域の浸潤速度より速いことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の弾性表面波センサ。前記多孔性基材は、複数の前記第1領域における前記弾性表面波の伝播方向の長さが各々異なることを特徴とする請求項4に記載の弾性表面波センサ。前記多孔性基材は、複数の前記第2領域における前記弾性表面波の伝播方向の長さが各々異なることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の弾性表面波センサ。特許文献1に記載の弾性表面波センサにおいて、送信電極と受信電極間の幅、及び検出領域の幅が長い場合、検体の濃度が高い液体試料を検出領域に滴下すると、センサ面と検体との反応が飽和する。反応が飽和した場合、表面弾性波伝播損失が大きくなるため、表面弾性波の振幅が小さくなり、あるいは0になる。表面弾性波の振幅が0になった場合、弾性表面波センサは、液体試料中の検体を検出が困難になるという課題があった。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、検体の検出が容易な弾性表面波センサを提供することを目的としている。1本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、本発明の一態様に係る弾性表面波センサは、弾性表面波を伝播する圧電素子基板と、電気信号と前記弾性表面波との変換を行う電極と、前記弾性表面波の伝播路に配置され、検体である液体が導入される検出領域と、前記検出領域に接触し、液体が毛細管現象により浸潤する多孔性基材と、を備えることを特徴としている。2また、本発明の一態様に係る弾性表面波センサであって、前記多孔性基材は、前記弾性表面波の伝播方向に、液体が毛細管現象により浸潤するようにしてもよい。3また、本発明の一態様に係る弾性表面波センサであって、前記多孔性基材は、目的物と反応する異なる反応物を溶液の浸潤する方向にそれぞれ分散して形成されるようにしてもよい。4また、本発明の一態様に係る弾性表面波センサであって、前記多孔性基材は、第1領域と、第2領域と、を有し、前記第1領域と前記第2領域とが、前記弾性表面波の伝播方向に交互に形成され、前記第1領域の浸潤速度が、前記第2領域の浸潤速度より早いようにしてもよい。5また、本発明の一態様に係る弾性表面波センサであって、前記多孔性基材は、複数の前記第1領域における前記弾性表面波の伝播方向の長さが各々異なるようにしてもよい。6また、本発明の一態様に係る弾性表面波センサであって、前記多孔性基材は、複数の前記第2領域における前記弾性表面波の伝播方向の長さが各々異なるようにしてもよい。本発明によれば、毛細管現象を有する多孔性基材を、検査領域に設けたため、検査領域全体を一時に濡らさない。このため、溶液中の検体の濃度が濃い場合においても、検出信号が飽和せず、検体の検出が容易となる。第1実施形態以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳しく説明する。図1は、本発明で用いるSAWセンサ1を示す模式図である。図1aは、SAWセンサ1の概略的な上面図であり、図1bはSAWセンサ1を切断面Aから見た概略的な断面図である。図示する例では、SAWセンサ1は、圧電素子基板10、送信電極11-1a、送信電極11-1b、受信電極11-2a、受信電極11-2b、反応領域薄膜12、多孔性基材13、封止構造14-1、及び封止構造14-2を含んで構成される。また、図1aにおいて、SAWセンサ1の長手方向SAWの伝播方向をx軸方向で表し、短手方向をy軸方向で表す。図1bにおいて、SAWセンサ1の長手方向をx軸方向で表し、厚み方向をz軸方向で表す。圧電素子基板10は、SAWSurfaceAcousticWave;弾性表面波を伝播する基板である。圧電素子基板10は、例えば、水晶基板である。送信電極11-1a、及び送信電極11-1bは、送信側電極部を構成する櫛歯状のパターンにより形成された金属電極である。以下、送信電極11-1a、及び送信電極11-1bを総称してIDT11-1と称する。また、受信電極11-2a、及び受信電極11-2bは、受信側電極部を構成する櫛歯状のパターンにより形成された金属電極である。以下、受信電極11-2a、及び受信電極11-2bを総称してIDT11-2と称する。IDT11-1、及びIDT11-2総称してIDT11と呼ぶは、圧電素子基板10上に構成される電極である。IDT11は、対向した一対の電極である。IDT11は、例えばアルミニウム薄膜によって構成される。IDT11-1には、後述するセンス回路のバースト回路から、送信信号であるバースト信号が入力される。IDT11-1は、入力されたバースト信号に対応するSAWを圧電素子基板10の表面に励起する。IDT11-2は、圧電素子基板10の表面を伝播してきたSAWを受信し、受信した電気信号に変換する。IDT11-2は、変換した電気信号検出信号と呼ぶを、センス回路の位相振幅検出回路に出力する。反応領域薄膜12は、金を蒸着して生成した薄膜である。反応領域薄膜12は、表面に抗体を担持した薄膜である。なお、抗体を担持は、周知の技術を用いて行う例えば、非特許文献POCT用SH-SAWバイオセンサ、谷津田、小貝、他、第40回EMシンポジウム、pp.29~32、2011.5.19参照。反応領域薄膜12は、圧電素子基板10上であって、圧電素子基板10上に対向して設けられた一対のIDT11の間の領域に形成される。圧電素子基板10と反応領域薄膜12との重なる部分が、検体である液体が導入される検出領域センサ表面となる領域となる。多孔性基材13は、反応領域薄膜12に接して設けられる基材である。多孔性基材13は、例えばニトロセルロースなどの物質から構成される。多孔性基材13は、反応領域薄膜12を覆うように固定される。多孔性基材13は、例えば、反応領域薄膜12の外側四隅に接着して固定される。多孔性基材13は、滴下された溶液を保持し、その内部、及び表面に溶液を浸潤させる。多孔性基材13は、滴下された溶液を、毛細管現象により多孔性基材13内及び反応領域薄膜12の表面に移送し、保持する。つまり、SAWセンサ1は、滴下された溶液を多孔性基材13内部及び反応領域薄膜12の表面に保持する。また、図1aに示したように、多孔性基材13は、x軸方向の位置x1からx2の間に配置されている。SAWセンサ1では、多孔性基材13内を移送された溶液が、反応領域薄膜12の特定の領域を濡らす。ここで、特定の領域とは、多孔性基材13と反応領域薄膜12との重なる部分によって面積が定められる領域である。例えば、反応領域薄膜12の全面を多孔性基材13で覆う場合、反応領域薄膜12の全領域となる。溶液中の抗原は、反応領域薄膜12上に担持された抗体と反応し、反応領域薄膜12上の特定領域に抗原抗体結合物を生成する。すなわち、反応領域薄膜12では、その表面に抗原を含んだ液体試料を滴下することにより、反応領域薄膜12上に担持された抗体と、液体試料中の抗原との間で抗原抗体反応が起こる。その結果、反応領域薄膜12上には、反応領域薄膜12上に担持した抗体と抗原が結合した抗原抗体結合物が生成する。なお、反応領域薄膜12は、金以外であっても抗体を担持できるものであればいかなるものでもよい。なお、図1a及び図1bに示す例では、多孔性基材13は、反応領域薄膜12と平面視において同じ面積になるように重ねても、或いは平面視において反応領域薄膜12の内側となるように面積を小さく配置してもよい。多孔性基材13が、反応領域薄膜12の特定領域を覆うように配置されていればよい。送信電極部側の封止構造14-1は、封止壁15-1と封止天井16-1とを備えている。封止壁15-1は、IDT11-1を覆う壁であり、圧電素子基板10上に矩形状に形成される。封止壁15-1は、例えば感光性樹脂により構成される。また、封止天井16-1は、封止壁15-1の上側を塞ぎ、IDT11-1を外部から密閉するための天井である。封止天井16-1は、封止天井16-1の平面領域内に封止壁15-1が収まるように封止壁15-1の上側に配置される。封止天井16-1は、例えばガラス基板で構成される。なお、封止壁15-1と封止天井16-1との間には、不図示の接着層が設けられ、封止壁15-1と封止天井16-1との間を密封して接着する。封止構造14-1は、IDT11-1を外部から密閉してIDT11-1上に空間を形成するように覆い、IDT11-1が液体と接触することを防ぐ封止構造である。また、受信電極部側の封止構造14-2は、封止構造14-1と同様に、封止壁15-2と封止天井16-2とを備え、IDT11-2を外部から密閉してIDT11-2上に空間を形成するように覆い、IDT11-2が液体と接触することを防ぐ封止構造である。これら封止構造14-1、及び封止構造14-2により、検出領域における雰囲気例えば湿度の変化があったとしても、IDT11-1、及びIDT11-2は、その影響を受けにくくなる。また、図1a及び図1bでは、多孔性基材13を封止構造14-1、及び封止構造14-2の封止天井と重なるように配置する例を示しているが、多孔性基材13は、反応領域薄膜12が配置されるセンサの検出領域を覆うように配置されていれば、封止天井と重なるように配置する必要はない。もっとも、多孔性基材13を封止天井と重ならないように配置する場合であって、多孔性基材13が表面弾性波の進む方向に大きくずれた目ズレしたとしても、封止構造14-1、及び封止構造14-2が、それぞれIDT11-1、及びIDT11-2を保護するので、IDTが溶液で濡れることはなく、IDTの弾性波送信動作または弾性波受信動作に影響を与えることはない。図2は、SAWセンサ1を用いた溶液測定に使用するセンス回路20を示す概略ブロック図である。図示する例では、センス回路20は、SAWセンサ1、交流信号源21、バースト回路22、位相振幅検出回路23、PC24PersonalComputerを含んで構成される。交流信号源21は、例えば、250MHzの正弦波交流信号を発生する。交流信号源21は、生成した交流信号をバースト回路22に出力する。バースト回路22は、交流信号源21から入力された交流信号を、周期的なバースト信号に変換する。ここで、バースト信号の周期は、SAWが圧電素子基板10の表面のIDT11-1からIDT11-2までの間を進行するのに要する時間より大きくなるようにする。バースト回路22は、生成したバースト信号をSAWセンサ1のIDT11-1及び位相振幅検出回路23に出力する。なお、バースト回路22はSAWセンサ1から出力される信号に含まれる主とする信号以外の直達波や他のバルク波などを含むノイズ等の妨害信号が十分に小さい場合には必要なく、連続波を用いてよい。位相振幅検出回路23は、SAWセンサ1のIDT11-2から入力された検出信号、及びバースト回路22から入力されたバースト信号に基づいて、SAWが圧電素子基板10を伝播するのに要した時間である伝播時間による位相変化と振幅変化を算出する。具体的には、位相振幅検出回路23は、バースト信号の入力から、検出信号の入力までに要した伝播時間による位相変化と振幅の減衰量を検出する。位相振幅検出回路23は、検出した位相変化と振幅の減衰量をPC24に出力する。PC24は、位相振幅検出回路23から入力された位相変化と振幅の減衰量に基づいて、表面の抗体と特異的に反応した溶液中の抗原の量と種類を判定し、判定結果を表示する。次に、溶液に含まれる抗体を測定するときの多孔性基材13上の溶液の浸潤状態について説明する。図3は、本実施形態に係る多孔性基材13上の溶液の浸潤状態を説明する図である。図3aは、時刻t1における多孔性基材13上の溶液の浸潤状態を示す図である。図3bは、時刻t2t2は、t1より大における多孔性基材13上の溶液の浸潤状態を示す図である。図3cは、時刻t3t3は、t2より大における多孔性基材13上の溶液の浸潤状態を示す図である。図3a~図3cにおいて、多孔性基材13の長手方向をx軸方向で表し、短手方向をy軸方向で表す。図3a~図3cにおいて、多孔性基材13の位置x1及びx2は、図1aと同様の位置である。図3a~図3cに示したように、SAWセンサ1の測定者が、例えば、図示しないマイクロピペットを用いて、位置x3、y3に溶液aを滴下する。多孔性基材13は、滴下された溶液aを、多孔性基材13内及び反応領域薄膜12の表面を毛細管現象によりx軸の正方向に移送し、保持する。多孔性基材13に滴下された溶液aは、多孔性基材13の内部、及び多孔性基材13の表面をx軸の正方向に向けて徐々浸潤してゆく。このため、時刻t1において、図3aに示したように、添加された溶液aが浸潤した領域以下、浸潤領域というb1の先端は、x軸方向の位置x4まで浸潤する。また、時刻t2において、図3bに示したように、浸潤領域b2の先端は、x軸方向の位置x5x5は、x4より大まで浸潤する。さらに、時刻t3において、図3cに示したように、浸潤領域b3の先端は、x軸方向の位置x6x6は、x5より大まで浸潤する。そして、溶液中の抗原は、溶液の浸潤に従って、反応領域薄膜12上に担持された抗体と徐々に反応し、反応領域薄膜12上に抗原抗体結合物を生成する。次に、仮に、SAWセンサ1の反応領域薄膜12に、溶液を直接、滴下した場合について説明する。仮に、図1に示したようなSAWセンサ1の反応領域薄膜12に、直接、溶液を滴下した場合、溶液は、反応領域薄膜12全体に浸潤する。SAWは、圧電素子基板10の表面近傍に集中して伝播する音響波である。圧電素子基板10の表面に物質が吸着すると、その表面の単位体積当たりの質量と粘性が変化する。質量と粘性の変化に応じて、SAWの伝播時間が変化し、SAWの振幅の減衰量が変化する。センス回路20の位相振幅検出回路23は、位相の変化量と振幅の減衰量の変化量を利用して溶液中に含まれる抗原を測定する。溶液に含まれる抗原の濃度が低い場合、反応領域薄膜12の一部で抗原抗体反応が起きるため、検出信号は飽和しない。このため、センス回路20の位相振幅検出回路23は、SAWが圧電素子基板10を伝播するのに要した時間である伝播時間による位相変化と振幅変化を検出できる。一方、溶液に含まれる抗原の濃度が高い場合、反応領域薄膜12の全体で抗原抗体反応が起きるため、検出信号は飽和する。したがって、センス回路20の位相振幅検出回路23は、伝播時間による位相変化と振幅変化を検出できない。このため、本実施形態では、反応領域薄膜12に、直接、溶液を滴下するのではなく、溶液が反応領域薄膜12上に直接、滴下した場合より長い時間をかけて浸潤する多孔性基材13に溶液を滴下する。多孔性基材13に滴下した溶液は、図3a~図3bに示したように、時刻毎にx軸方向の正方向へ浸潤していく。このため、溶液は、反応領域薄膜12上に一度に浸潤しないため、溶液中の抗原の濃度が高い場合でも、位相振幅検出回路23は、時刻毎に伝播時間による位相変化と振幅変化を検出することができる。次に、センス回路20による測定について説明する。測定者は、まず、抗原を含まない溶媒を図3に示す位置x3,y3に滴下し、反応領域薄膜12上を溶媒で浸潤させ、SAWの伝播時間による位相変化を測定するブランクテスト。次に、測定者は、SAWセンサ1を他のサンプルSAWセンサ1に取り替えて、抗原を含んだ溶液を、そのサンプルの図2に示す位置x3,y3に滴下し、その伝播時間による位相変化を測定する。溶媒に対応する位相変化と溶液に対応する位相変化との差が、抗原抗体反応によって反応領域薄膜12に生成した抗原抗体結合物に起因する位相の変化量となる。PC24は、ブランクテストをした時の位相変化をメモリ内に記憶しておき、この位相変化と、溶液を滴下して得られる位相変化との差を算出することで、位相の変化量を算出する。PC24は、位相の変化量に基づいて、溶液に含まれる抗原を特定する。振幅の減衰量についても同様であり、振幅の減衰量の変化量に基づいて、溶液に含まれる抗原を特定する。また、利用する溶媒でのSAWの伝播時間が予め判明していない場合でも、抗原を含んだ溶液の滴下直後の位相と振幅とを基準として、それ以降の変化の差を取ることで溶液中の抗原の量と種類とを判定し、判定結果を表示することも可能である。以上のように、本実施形態において、SAWセンサ1は、表面弾性波から電気信号、または電気信号から表面弾性波へ変換する時間に比べて長い浸潤時間を要する多孔性基材13を反応領域薄膜12上に備えるようにした。従って、SAWセンサ1は、検出信号を、長時間にわたって出力できる。また、SAWセンサ1は、一時に反応領域薄膜12に溶液が接触する場合に比べて、検出信号の強度が小さくなる。その結果、濃度の濃い溶液を測定する場合でもSAWセンサ1は飽和することなく検出信号を出力するため、正確な測定をすることができる。なお、本実施形態では、反応領域薄膜12が抗体を保持している例を説明したが、反応領域薄膜12は抗体を保持していなくてもよい。この場合においても、溶液の濃度が高いか低いか、溶液に抗原が含まれているかいないか、等の溶液の特性の比較等を行うことができる。第2実施形態以下、図面を参照しながら本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態では、多孔性基材が、それぞれ異なる抗体を分散させた場合について説明をする。なお、センス回路20は、第1実施形態で示した図2においてSAWセンサ1が、本実施形態のSAWセンサ1aに置き換えた構成である。図4は、本実施形態に係るSAWセンサ1aの構成を示す模式図である。図4aは、SAWセンサ1aの概略的な上面図であり、図4bはSAWセンサ1aを切断面Bから見た概略的な断面図である。図4aにおいて、SAWセンサ1aの長手方向をx軸方向で表し、短手方向をy軸方向で表す。図4bにおいて、SAWセンサ1aの長手方向をx軸方向で表し、厚み方向をz軸方向で表す。図示する例では、SAWセンサ1aは、圧電素子基板10、送信電極11-1a、送信電極11-1b、受信電極11-2a、受信電極11-2b、反応領域薄膜12、多孔性基材41、封止構造14-1、及び封止構造14-2を含んで構成される。多孔性基材41は、符合AAを付した第1抗体AAを分散させた多孔性基材41-1、符合ABを付した第1抗体ABを分散させた多孔性基材41-2、及び符合ACを付した第1抗体ACを分散させた多孔性基材41-3を含んで構成される。また、抗体AA、抗体AB、及び抗体ACは、各々異なる第1抗体である。多孔性基材41の表面の位置x3,y3に溶液が滴下されると、滴下された溶液は、多孔性基材41の内部を浸潤すると共に、多孔性基材41を、正方向のx軸方向に浸潤する。ここで、例えば、時刻t0において、多孔性基材41上の位置x3,y3に溶液を滴下した場合を説明する。時刻t1において、溶液は、x軸の位置x4まで浸潤する。溶液は、多孔性基材41-1の領域に浸潤するため、多孔性基材41-1において第1抗体AAと反応する。反応により生成された抗原抗体複合体は、反応領域薄膜12上に担持された第2抗体と反応する。次に、時刻t2において、溶液は、x軸の位置x5まで浸潤する。溶液は、多孔性基材41-2の領域に浸潤するため、多孔性基材41-2において第1抗体ABと反応する。反応により生成された抗原抗体複合体は、反応領域薄膜12上に担持された第2抗体と反応する。次に、時刻t3において、溶液は、x軸の位置x2まで浸潤する。溶液は、多孔性基材41-3の領域に浸潤するため、多孔性基材41-3において第1抗体ACと反応する。反応により生成された抗原抗体複合体は、反応領域薄膜12上に担持された第2抗体と反応する。位相振幅検出回路23は、多孔性基材41-1で起こった反応により検出された検出信号、多孔性基材41-2で起こった反応により検出された検出信号、多孔性基材41-3で起こった反応により検出された検出信号を、溶液が浸潤する速度に対応する遅れをもって順次、観測する。これにより、本実施形態では、弾性表面波を伝播する圧電素子基板10と、電気信号と表面弾性波との変換を行うIDT11と、前記圧電素子基板10に接触し、異なる目的物と反応する反応物を溶液の浸潤する方向にそれぞれ分散させた液体が浸潤する多孔性基材41と、を有する。これにより、異なる抗体による反応を異なる時刻に検出することが可能となり、1つのSAWセンサ1a、及び1つの多孔性基材41を用いて、複数の試料を検出することができる。なお、多孔性基材41-1、41-2、及び41-3は、共通の多孔性基材41の一部であってもよいし、共通の多孔性基材41上に新たに設けられた基材であってもよい。多孔性基材41-1、41-2、及び41-3では、滴下された溶液に含まれる抗原の種類が複数あった場合、それぞれの抗原に対応する抗体が分散された部分で抗原抗体結合体が生成される。なお、本実施形態では、3種類の異なる抗体を分散させた多孔性基材41の例を示したが、抗体の種類は、複数であればいくつでもよい。第3実施形態以下、図面を参照しながら本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態では、多孔性基材が、溶液の浸潤速度が異なる領域を持つ場合について説明をする。図5は、本実施形態に係るSAWセンサ1bの構成を示す模式図である。図5aは、SAWセンサ1bの概略的な上面図であり、図5bはSAWセンサ1bを切断面Cから見た概略的な断面図である。図5aにおいて、SAWセンサ1bの長手方向をx軸方向で表し、短手方向をy軸方向で表す。図5bにおいて、SAWセンサ1bの長手方向をx軸方向で表し、厚み方向をz軸方向で表す。図示する例では、SAWセンサ1bは、圧電素子基板10、IDT11、反応領域薄膜12、及び多孔性基材51を含んで構成される。多孔性基材51は、第1浸潤速度を有する多孔性基材第1領域51-1、51-2、51-3、及び第2浸潤速度を有する多孔性基材第2領域51-4及び51-5含んで構成される。例えば、多孔性基材51-4及び51-5の溶液が一定距離を浸潤する浸潤速度は、多孔性基材51-1、51-2、51-3の浸潤速度の1/10である。図5aに示すように、多孔性基材51-1のx軸方向の長さはx4-x1であり、多孔性基材51-2のx軸方向の長さはx6-x5であり、多孔性基材51-3のx軸方向の長さはx2-x7である。また、多孔性基材51-4のx軸方向の長さはx5-x4であり、多孔性基材51-5のx軸方向の長さはx7-x6である。多孔性基材51-4及び51-5のx軸方向の長さは、多孔性基材51-1、51-2、51-3のx軸方向の長さより短くてもよい。次に、時刻t1において、多孔性基材51-1のx軸の位置x3,y3に溶液を滴下した場合を説明する。多孔性基材51-1内で溶液の浸潤が速やかに起こり、多孔性基材51-1の面積に相当する反応領域薄膜12が浸潤する。時刻t1おいて、溶液は、多孔性基材51-1のx軸の位置x4を超えて、多孔性基材51-4にも浸潤するが、その浸潤する速度は、多孔性基材51-1に比べて遥かに遅い。従って、SAWセンサ1bは、溶液が多孔性基材51-2に到達するまでの時刻t1から時刻t2の時間、専ら多孔性基材51-1内で生成した抗原抗体結合体又は多孔性基材51-1と接する反応領域薄膜12に担持された抗体との反応のみを検出する。時刻t2において、溶液は、多孔性基材51-2のx軸の位置x5に到達すると、速やかに多孔性基材51-2を浸潤する。従って、SAWセンサ1bは、多孔性基材51-1及び多孔性基材51-2で起こった反応を同時に検出する。センス回路20は、多孔性基材51-1の検出信号と、多孔性基材51-2の検出信号との差分を計算することにより、多孔性基材51-2で起こった反応に起因する信号を検出する。以下、時刻t2において、溶液は、多孔性基材51-2のx軸の位置x6を超えて、多孔性基材51-5に浸潤する。そして、時刻t3において、溶液は、多孔性基材51-3のx軸の位置x7に到達すると、速やかに多孔性基材51-3を浸潤する。時刻t3においては、SAWセンサ1bは、多孔性基材51-1、多孔性基材51-2、及び多孔性基材51-2で起こった反応を同時に検出する。センス回路20は、多孔性基材51-1の検出信号、多孔性基材51-2、及び多孔性基材51-3の検出信号の差分を計算することにより、多孔性基材51-3で起こった反応に起因する信号を検出する。センス回路20は、滴下された溶液のx軸方向における進行度合いを検出する必要がある。進行度合いの検出は、例えば、図5a及び図5bに示したSAWセンサ1bを2つ用いる。この場合、一方のSAWセンサ1b-1の多孔性基材51-1、51-2、及び51-3に第1抗体を保持させる。もう一方のSAWセンサ1b-2の多孔性基材51-1、51-2、及び51-3に第1抗体を保持させない。このように構成することで、SAWセンサ1b-1は、滴下された溶液中の抗原を検出し、SAWセンサ1b-2は、滴下された溶液中の抗原を検出しない。このため、SAWセンサ1b-2では、溶液の粘性粘弾性を検出できる。測定者は、2つのSAWセンサ1b-1及び1b-2の各位置x3,y3に同量の溶液を同時に滴下する。センス回路20は、2つのSAWセンサ1b-1及び1b-2を計測することで、溶液の進行度合いを検出するようにしてもよい。以上のように、本実施形態では、多孔性基材51は、浸潤速度が速い多孔性基材51-1、51-2、51-3と、浸潤速度が遅い多孔性基材51-4、51-5とを交互に繰り返す構造を有する。これにより、溶液に含まれる検体を時間的に分離して検出することが可能となる。なお、上記の各実施形態では、送信電極11-1a、11-1b及び受信電極11-2a、11-2bを用いた例を示したが、受信電極11-2a、11-2bの代わりにSAWの反射体を設け、送信電極11-1a、11-1bが受信電極の機能を兼ねるようにしてもよい。反射体には、例えば、グレーティング反射器を用いるようにしてもよい。第3実施形態において、受信電極11-2a、11-2bの代わりにSAWの反射体を設け、送信電極11-1a、11-1bが受信電極の機能を兼ねるようにした場合、浸潤速度が遅い多孔性基材51-4及び51-5も反射体の働きをする。このため、送信電極11-1a、11-1bに戻ってくる表面弾性波は、受信電極11-2a、11-2bの代わりにSAWの反射体による反射波、多孔性基材51-4による反射波、及び多孔性基材51-5による反射波が含まれる。このため、これらの反射波を識別する必要があるため、各領域の反射波が重ならないように多孔性基材51-1、51-2、及び51-3のx軸方向の長さを異なるようにしてもよい。または、多孔性基材51-4、及び51-5のx軸方向の長さを異なるようにしてもよい。なお、上記の各実施形態では、圧電素子基板10は、圧電効果を示す素材、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四ホウ酸リチウムなどから構成されている基板でもよい。なお、上記の各実施形態では、IDT11は、アルミニウム以外であっても導電性の高い金属であればいかなるものでもよい。なお、上記の各実施形態では、反応領域薄膜12は抗体を担持し、抗原を測定する例を示したが、抗原を測定するのでなければ、反応領域薄膜12を設ける必要は無い。以上、図面を参照してこの発明の一実施形態について詳しく説明してきたが、具体的な構成は上述のものに限られることはなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲内において様々な設計変更等をすることが可能である。"