"一方の面に集積回路を有する半導体ウエハの他方の面に接着フィルムを貼り付け、ダイシングブレードを前記半導体ウエハの前記一方の面から前記接着フィルムまで切り込んで、前記半導体ウエハと共に前記接着フィルムを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記半導体ウエハと共に前記接着フィルムを切断する工程は、チップ領域毎に区分けされた前記半導体ウエハの前記一方の面に形成された境界線に沿って行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記接着フィルムを冷却して前記接着フィルムの切断を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記接着フィルムを貼り付ける前に、前記半導体ウエハの前記一方の面に配線をパターニングすると共に、前記配線のランド上に外部接続用電極を形成し、前記配線を封止層で覆うようにして前記封止層を前記半導体ウエハの前記一方の面上に形成して、前記封止層の表面で前記外部接続用電極を露出させ、前記封止層の表面を保護フィルムで覆った状態で前記半導体ウエハの前記他方の面を研削し、研削した前記半導体ウエハの前記他方の面に前記接着剤を貼り付けて、前記保護フィルムを剥離した後に前記封止層を前記境界線に沿って切断することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。特許文献1に記載の技術では、接着フィルムが引張により破断するから、破断部が細かい刻み目となってしまう。そのような、刻み目が半導体チップの縁からはみ出てしまい、ばりburrが発生する。半導体チップは接着フィルムが貼り付けられた状態で使用するため、ばりburrが残った状態だと問題になる。そこで、本発明が解決しようとする課題は、半導体チップの縁に沿って分断した接着フィルムの縁にばりburrが形成されないようにすることである。以上の課題を解決するための本発明に係る半導体装置の製造方法は、一方の面に集積回路を有する半導体ウエハの他方の面に接着フィルムを貼り付け、ダイシングブレードを前記半導体ウエハの前記一方の面から前記接着フィルムまで切り込んで、前記半導体ウエハと共に前記接着フィルムを切断する方法である。本発明によれば、接着フィルムの縁のばりburrの発生を抑えることができる。以下に、本発明を実施するための形態について、図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。第1実施形態図1に示された半導体ウエハ101から半導体装置を製造する。半導体ウエハ101の表側の面101aは、分割予定線としての格子状の境界線ダイシングストリート102によって複数のチップ領域103に区分けされている。これらチップ領域103がマトリクス状に配列されている。半導体ウエハ101の表側の面101aには、集積回路層104が形成されている。集積回路層104には、チップ領域103ごとに集積回路が形成されている。集積回路層104上には、複数の接続パッド109が形成されている。接続パッド109は、集積回路層104に含まれる集積回路の配線の一部であったり、その集積回路の構成要素である各種電気素子例えば、ダイオード、トランジスタ、抵抗、コンデンサ等の電極であったりする。集積回路層104の上にパッシベーション膜105が成膜され、パッシベーション膜105の上に絶縁膜107が成膜されている。パッシベーション膜105及び絶縁膜107には、境界線102に沿った格子状の溝が形成され、パッシベーション膜105及び絶縁膜107がチップ領域103ごとに区分けされている。パッシベーション膜105のうち接続パッド109に重なる位置には、開口106が形成されている。絶縁膜107のうち接続パッド109に重なる位置には、開口108が形成されている。先に述べた格子状の境界線102は、文字通り線が引かれている訳ではなく、パッシベーション膜105及び絶縁膜107が形成されていないため、層が少ないので、格子状のラインのように見える。パッシベーション膜105は、無機材料例えば、酸化シリコン若しくは窒化シリコン又はこれらの両方を含有する。絶縁膜107は、例えばポリイミド、エポキシ、フェノール、ビスマレイミド、アクリル、合成ゴム若しくはポリベンゾオキサイド又はこれらのうち2以上の組合せを主成分とした有機材料を含有する。なお、絶縁膜107は、無くてもよいし、チップ領域103ごとに分割されるように格子状にパターニングされていてもよい。図2に示すように、無電解メッキ法若しくは気相成長法例えば、スパッタ法又はこれらの組合せによって、絶縁膜107絶縁膜107が無い場合には、パッシベーション膜105の上全体や開口106,108内にシード層110を成長させる。シード層110は、銅その他の金属からなる。また、シード層110は単層例えば、銅からなるであってもよいし、積層体例えば、チタン層の上に銅層を積層したものであってもよい。次に、図3に示すように、感光材であるレジスト111をシード層110の上全体に成膜した後、そのレジスト111を露光することによってレジスト111に潜像を形成する。そして、その露光済みレジスト111を現像することによって、潜像に従った開口112をレジスト111に形成する。現像後、半導体ウエハ101をリンス液で洗浄し、半導体ウエハ101を乾燥させる。次に、シード層110を電極として電解メッキを行う。これにより、開口112内であってシード層110の上に所定形状の導体パターン導体層113を成長させる。導体パターン113は、シード層110よりも厚く成長させる。導体パターン113は、銅その他の金属からなる。導体パターン113の形成後、レジスト111を剥離する。次に、図4に示すように、シード層110及び導体パターン113の上全体にドライフィルムレジスト115を貼り付けた後、ドライフィルムレジスト115の露光によってドライフィルムレジスト115に潜像を形成する。その後、ドライフィルムレジスト115を現像することによって、円形又は多角形の開口116をドライフィルムレジスト115に形成する。開口116が形成される位置は導体パターン113の一部114の上である。その部分114はランドである。ドライフィルムレジスト115は、導体パターン113よりも厚い。なお、ドライフィルムレジスト115の代わりに、厚膜のレジストを形成してもよい。次に、シード層110及び導体パターン113を電極として電解メッキを行う。これにより、開口116内であって導体パターン113の上に外部接続用電極117を成長させる。外部接続用電極117の厚さ高さは、導体パターン113の厚さよりも充分に厚くする。外部接続用電極117は、銅その他の金属からなる。外部接続用電極117の形成後、ドライフィルムレジスト115を剥離する。その後、シード層110を形状加工することによって、シード層110から下地パターン118図5参照を形成する。具体的には、シード層110のうち導体パターン113及び外部接続用電極117に重なっていない部分をエッチングにより除去することにより、シード層110から下地パターン118を加工する。このとき、導体パターン113及び外部接続用電極117の表面が一部エッチングされるが、導体パターン113及び外部接続用電極117がシード層110と比較して充分に厚いため、導体パターン113及び外部接続用電極117は残留する。残留した下地パターン118の形状は、導体パターン113の形状とほぼ同じである。シード層110と導体パターン113の積層体が配線である。次に、図5に示すように、印刷法、液滴吐出法インクジェット法、スピンコート法、滴下法その他の塗布法によって封止樹脂を絶縁膜107絶縁膜107が無い場合には、パッシベーション膜105上に塗布し、その封止樹脂によって導体パターン113、外部接続用電極117及び絶縁膜107を覆って、その封止樹脂を硬化させる。これにより、絶縁膜107絶縁膜107が無い場合には、パッシベーション膜105上に封止層119を形成する。封止層119の形成に際しては、封止層119の厚さを外部接続用電極117の厚さ高さよりも厚くして、外部接続用電極117全体を封止層119に埋め込む。封止層119は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の絶縁性樹脂を含有し、好ましくは、絶縁性樹脂例えば、エポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂にフィラー例えば、ガラスフィラー又はシリカフィラー又は繊維例えば、ガラス繊維又は炭素繊維を配合した強化樹脂からなる。なお、プリプレグを絶縁膜107絶縁膜107が無い場合には、パッシベーション膜105に貼り付けて、そのプリプレグを硬化させて、そのプリプレグから封止層119を形成してもよい。次に、図6に示すように、封止層119を研削し、封止層119の表面119aにおいて外部接続用電極117の頭頂面を露出させる。この際、外部接続用電極117の頭頂面も研削される。必要に応じて、露出した外部接続用電極117の頭頂面を軽くエッチングする。次に、図7に示すように、半田バンプ120を外部接続用電極117の頭頂面に形成する。なお、半田バンプ120を形成しなくてもよい。次に、図8に示すように、バックグラインドテープ等の保護フィルム121を半田バンプ120の上から被せて、保護フィルム121を封止層119に貼着する。半田バンプ120を形成しなかった場合には、外部接続用電極117の頭頂面が保護フィルム121によって覆われる。次に、図9に示すように、半導体ウエハ101の裏側の面を研削する。このような研削工程を省略してもよい。研削工程を省略する場合には、保護フィルム121を封止層119に貼着しなくてもよい。次に、図10に示すように、保護フィルム121が紫外線剥離型である場合には、保護フィルム121に紫外線を照射して、保護フィルム121の粘着性を低下させる。なお、保護フィルム121が紫外線剥離型でない場合には、紫外線照射工程を省略する。次に、ダイアタッチメントフィルム等の接着フィルム122図11、図12参照が貼り付けられたダイシングテープ123を準備する。接着フィルム122のサイズは半導体ウエハ101のサイズよりも大きい。また、接着フィルム122はダイシングテープ123よりも薄く、接着フィルム122の厚さが20~25μmである。そして、図11、図12に示すように、接着フィルム122の予加熱例えば、80°Cの加熱によって接着フィルム122の粘着力を向上させた後、半導体ウエハ101の裏側の面を接着フィルム122に貼着する。接着フィルム122の貼り付け前に、半導体ウエハ101の裏面の研削を行ったので、接着フィルム122が半導体ウエハ101の裏面に貼り付きやすい。その後、枠状のダイシングフレーム124をダイシングテープ123の周縁部に貼り付けて、ダイシングフレーム124の内側に半導体ウエハ101を配置する。その後、図13に示すように、保護フィルム121を剥離する。なお、ダイシングテープ123及びダイシングフレーム124をセッティングする前に保護フィルム121に紫外線を照射したが図10参照、ダイシングテープ123及びダイシングフレーム124をセッティングした後に保護フィルム121に紫外線を照射して、保護フィルム121を剥離してもよい。次に、図14に示すように、樹脂切断用のダイシングブレード125によって封止層119の表面から封止層119に切り込みを入れて、境界線102に沿って封止層119をダイシングブレード125によって切断する。これにより、格子状の切り込み溝が封止層119に形成される。この時、封止層119と一緒に絶縁膜107を切断してもよい特に、絶縁膜107が格子状に区分けされていない場合。更に、封止層119及び絶縁膜107と一緒にパッシベーション膜105を切断してもよい特に、絶縁膜107及びパッシベーション膜105の両方が格子状に区分けされていない場合。次に、図15に示すように、ダイシングブレード125よりも薄いシリコン切断用のダイシングブレード126を封止層119の切り込みに入れて、境界線102に沿って半導体ウエハ101をダイシングブレード126によって切断する。この時、ダイシングブレード126を半導体ウエハ101の表面101aからダイシングテープ123に到達させて、半導体ウエハ101と一緒に接着フィルム122も切断する。ダイシングブレード126をダイシングテープ123の裏面までは到達させず、ダイシングテープ123の切断は行わない。なお、図14に示す工程までの間で絶縁膜107とパッシベーション膜105の両方が格子状に切断されていない場合には、半導体ウエハ101と一緒に絶縁膜107及びパッシベーション膜105もダイシングブレード126によって切断する。図14に示す工程までの間でパッシベーション膜105が格子状に切断されていない場合には、半導体ウエハ101と一緒にパッシベーション膜105もダイシングブレード126によって切断する。以上の工程により複数の半導体装置半導体パッケージ100が完成する。半導体装置100の完成後、半田バンプ120を真空吸着して各半導体装置100を一つずつピックアップすることにより、半導体装置100を接着フィルム122ごとダイシングテープ123から引き離し、半導体装置100を接着フィルム122によって基材にダイボンディングする。第1の実施の形態によれば、以下のような効果が得られる。製造された半導体装置100のサイズは、半導体ウエハ101を分割して得られるチップのサイズにほぼ等しい。つまり、切断された封止層119が、半導体ウエハ101を分割して得られるチップの縁からはみ出ていない。そのため、半導体装置100の小型化を図ることができる。半導体ウエハ101を切断する前に封止層119を形成したから、チップごとに封止層を形成する手間がない。そのため、製造コストや製造工程の削減を図ることができる。ダイシングブレード126によって接着フィルム122を切断したから、分割された接着フィルム122の周囲にばりburrが発生することを抑えることができる。また、半導体ウエハ101を分割して得られるチップと、分割された接着フィルム122の縁を揃えることができる。よって、半導体装置100が綺麗に仕上がる。切断前の半導体ウエハ101に接着フィルム122を貼り付けて、ダイシングブレード126によって接着フィルム122を切断したから、チップごとに接着フィルムを貼り付ける手間がない。そのため、製造コストや製造工程の削減を図ることができる。半導体ウエハ101と一緒に接着フィルム122を切断したので、製造工程や手間の削減を図ることができる。仮に接着フィルム122の切断をせずに半導体ウエハ101の切断をしたら、ダイシングテープ123及び接着フィルム122が少し変形しただけで、チップの位置がずれてしまって、その後に接着フィルム122を切断する際に、各チップの位置のアライメントを取る必要があるので、手間時間がかかってしまう。しかし、本実施形態では、半導体ウエハ101と一緒に接着フィルム122を切断したので、そのような手間時間がかからない。ダイシングブレード126によって接着フィルム122を切断したから、封止層119から剥離した保護フィルム121の粘着剤の残渣が封止層119の表面に残留していたものとしても、残渣によって接着フィルム122の切断不良が生じることがない。仮に接着フィルム122をレーザー光によって切断するものとしたら、レーザー光が残渣によって遮られて、接着フィルム122の切断不良が生じる虞がある。そのため、ダイシングブレード126による接着フィルム122の切断が有効である。新規の設備を開発することなく、既存の設備ダイサー等を用いて半導体装置100の製造プロセスが完結するので、開発期間が短い。また、既存のダイサーを用いて接着フィルム122を切断し、それ以外の副資材等を必要としないので、コスト削減を図ることができる。第2実施形態シード層110の形成工程から紫外線照射工程までは、上記第1実施形態と同様である図1~図10参照。その後、図16に示すように、半導体ウエハ101のサイズとほぼ同じサイズの接着フィルム122を半導体ウエハ101の裏側の面に貼着する。そして、図17に示すように、接着フィルム122をヒータ加熱板128によって80°Cに予加熱することで、接着フィルム122の粘着力を向上させる。次に、図18に示すように、ダイシングテープ123を接着フィルム122に貼り付ける。そして、枠状のダイシングフレーム図示略をダイシングテープ123の周縁部に貼り付けて、ダイシングフレーム124の内側に半導体ウエハ101を配置する。その後、保護フィルム121を剥離する。そして、第1実施形態の場合と同様に、ダイシングブレード125とダイシングブレード126を順次使って、2回のダイシング工程によって個片化処理をする図14、図15参照。第2実施形態によれば、第1実施形態によって得られた効果と同様の効果が得られる。変形例本発明を適用可能な実施形態は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。以下、幾つかの変形例を挙げる。以下に挙げる変形例は、可能な限り組み合わせてもよい。変形例1半導体ウエハ101と一緒に接着フィルム122をダイシングする前に、接着フィルム122を冷却してもよい。冷却温度は約0°Cとするが、それ以下でもよい。接着フィルム122の冷却後すぐに、又は、接着フィルム122を冷却した状態で、接着フィルム122を半導体ウエハ101と一緒に切断することが好ましい。接着フィルム122を冷却すると、接着フィルム122が脆化するので、接着フィルム122の切断がより容易になる。また、接着フィルム122の切削片がダイシングブレード等に目詰まりすることも防止することができる。変形例2上記各実施形態では、二種類のダイシングブレード125,126を用いて、2段階で個片化した。それに対して、一種類のダイシングブレードを用いて、封止層119、半導体ウエハ101及び接着フィルム122必要に応じて、絶縁膜107及びパッシベーション膜105もをまとめて切断してもよい。変形例3上記各実施形態では、ダイシングブレード125を用いて封止層119を境界線102に沿って切断していた。それに対して、封止層119の表面にレーザー光を照射して、レーザー光の照射位置を境界線102に沿って移動させることによって、封止層119を境界線102に沿って切断してもよい。その後、上記各実施形態のように、ダイシングブレード126を用いて半導体ウエハ101及び接着フィルム122をまとめて切断する。変形例4配線下地パターン118と導体パターン113の積層体のパターニング法はアディティブ法例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクト法その他のパターニング法でもよい。また、配線が単層であってもよいし、積層体であってもよい。変形例5配線、外部接続用電極117、封止層119及び半田バンプ120の形成を省略し、保護フィルム121を絶縁膜107絶縁膜107が無い場合には、パッシベーション膜105上に貼り付けて、その後の工程図9~図13、図15、図16~図18参照を行ってもよい。封止層119の形成をしていないので、封止層119の切断工程図14参照も行わない。この場合、製造された半導体装置は、いわゆるベアチップである。変形例6外部接続用電極117の形成図4参照を行なわなくてもよい。外部接続用電極117を形成しない場合、封止層119の形成研削を行った後、封止層119にレーザー光を照射することによって封止層119にビアを形成して、配線のランド114をビア内で露出させる。その後、そのランド114上に半田バンプ120を形成する。この場合、封止層119の厚さは上記各実施形態の場合よりも薄くする。本発明のいくつかの実施形態及び変形例を説明したが、本発明の範囲は、上述の実施の形態及び変形例に限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲とその均等の範囲を含む。以下に、この出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲に記載した発明を付記する。付記に記載した請求項の項番は、この出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の通りである。付記<請求項1>一方の面に集積回路を有する半導体ウエハの他方の面に接着フィルムを貼り付け、ダイシングブレードを前記半導体ウエハの前記一方の面から前記接着フィルムまで切り込んで、前記半導体ウエハと共に前記接着フィルムを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。<請求項2>前記半導体ウエハと共に前記接着フィルムを切断する工程は、チップ領域毎に区分けされた前記半導体ウエハの前記一方の面に形成された境界線に沿って行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。<請求項3>前記接着フィルムを冷却して前記接着フィルムの切断を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。<請求項4>前記接着フィルムを貼り付ける前に、前記半導体ウエハの前記一方の面に配線をパターニングすると共に、前記配線のランド上に外部接続用電極を形成し、前記配線を封止層で覆うようにして前記封止層を前記半導体ウエハの前記一方の面上に形成して、前記封止層の表面で前記外部接続用電極を露出させ、前記封止層の表面を保護フィルムで覆った状態で前記半導体ウエハの前記他方の面を研削し、研削した前記半導体ウエハの前記他方の面に前記接着剤を貼り付けて、前記保護フィルムを剥離した後に前記封止層を前記境界線に沿って切断することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。"