"陽極および陰極からなる1対の電極と、該1対の電極間に配置された発光層と、該発光層に接するホール輸送層と、該発光層に接する電子輸送層の少なくとも3層から構成される青色有機発光素子において、前記発光層に少なくとも、ホスト材料と、発光性ドーパント材料が含有され、前記ホスト材料の最低空軌道エネルギーELHと前記発光性ドーパント材料の最低空軌道エネルギーELDが、ELH-ELD≧0.15eVであり、前記ホスト材料の最高被占軌道エネルギーEHHと前記発光性ドーパント材料の最高被占軌道エネルギーEHDが、EHH-EHD>0eVであり、前記ホスト材料の電子移動度が、前記ホスト材料のホール移動度よりも大きく、前記電子輸送層を構成する電子輸送材料のエネルギーギャップが3.00eVより大きく、前記ホール輸送層を構成するホール輸送材料のエネルギーギャップが3.15eVより大きいことを特徴とする有機発光素子。前記ホスト材料のエネルギーギャップが、前記発光性ドーパント材料のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。前記ホスト材料の電子移動度μHが1×10-4cm2/Vs以上であることを特徴とする請求項1乃至2のいずれか一項に記載の有機発光素子。前記発光層の電子移動度μEと、前記ホスト材料の電子移動度μHが、μE/μH≦0.1であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機発光素子。前記発光性ドーパント材料がフルオランテン骨格を有する化合物であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機発光素子。前記ホスト材料がピレン骨格を有する化合物であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の有機発光素子。本発明は、高発光効率かつ連続駆動寿命の長い、青色発光素子を得ることを目的とする。本発明者等は、上述の課題を解決するために鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、陽極および陰極からなる1対の電極と、該1対の電極間に配置された発光層と、該発光層に接するホール輸送層と、該発光層に接する電子輸送層の少なくとも3層から構成される青色有機発光素子において、前記発光層に少なくとも、ホスト材料と、発光性ドーパント材料が含有され、前記ホスト材料の最低空軌道エネルギーELHと前記発光性ドーパント材料の最低空軌道エネルギーELDが、ELH-ELD≧0.15eVであり、前記ホスト材料の最高被占軌道エネルギーEHHと前記発光性ドーパント材料の最高被占軌道エネルギーEHDが、EHH-EHD>0eVであり、前記ホスト材料の電子移動度が、前記ホスト材料のホール移動度よりも大きく、前記電子輸送層を構成する電子輸送材料のエネルギーギャップが3.00eVより大きく、前記ホール輸送層を構成するホール輸送材料のエネルギーギャップが3.15eVより大きいことを特徴とする有機発光素子を提供する。本発明によれば、高発光効率かつ連続駆動寿命の長い、青色発光素子を得ることができる。図1から図4に本発明の有機発光素子の構成例を示す。図1は、基板1上に、陽極2、ホール輸送層5、電子輸送層6及び陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、ホール輸送層か電子輸送層のいずれかが発光層を兼ねている。図2は、基板1上に、陽極2、ホール輸送層5、発光層3,電子輸送層6及び陰極4を順次設けた構成のものである。これは、キャリヤ輸送と発光の機能を分離したものであり、ホールと電子の再結合領域は発光層内にある。ホール輸送性、電子輸送性、発光性の各特性を有した化合物と適時組み合わせて用いられ、極めて材料選択の自由度が増すとともに、発光波長を異にする種々の化合物が使用できるため、発光色相の多様化が可能になる。さらに、中央の発光層3に各キャリアまたは励起子を有効に閉じこめて、発光効率の向上を図ることも可能になる。図3は、図2に対して、ホール輸送層の一種であるホール注入層7を、陽極2側に挿入した構成であり、陽極2とホール輸送層5の密着性改善あるいはホールの注入性改善に効果があり、低電圧化に効果的である。図4は、図2に対して、電子輸送層の一種であるホールブロック層8を、発光層3-電子輸送層6間に挿入した構成である。イオン化ポテンシャルの大きなすなわちHOMOエネルギーの低い化合物をホールブロック層8として用いる事により、発光層から陰極側へのホール漏れを改善し、発光効率の向上に効果的な構成である。本発明においては、発光領域に、ホスト材料としてピレン骨格を有する化合物を含むことを特徴とする。ピレン骨格を有する化合物としては、例えば以下のような材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明者らの検討によれば、一般に、ピレン骨格材料は、特に電子輸送性に優れることすなわち電子移動度が大きく、ホール移動度はそれに比べ小さいことが分かった。特に1×10-4cm2/Vs以上の高い電子移動度をもつ材料が容易に得られる。従って、発光層をこの材料で形成した場合、素子を低い電圧で駆動することができ、電力効率を高めることが可能である。しかし反面、発光層内の電子/ホールのキャリアバランスが崩れたり、発光領域が発光層の陽極側界面に極端に偏る傾向があった。そのため、素子の発光効率の低下や、連続駆動による劣化が問題となることがあった。また、ピレン骨格材料は、青色領域の発光材料としても使用可能であるが、一般に、分子会合による発光スペクトルのブロード化が大きい傾向があり、純青色発光を得るには不利であった。上記の諸問題を改善するために、本発明では、発光性ドーパントとしてフルオランテン骨格を有する化合物をドープする。さらに、この発光性ドーパント材料の最低空軌道LUMOエネルギーEL1は、ホスト材料の最低空軌道エネルギーEL2と、EL2-EL1≧0.15eVであることを特徴とする。ここで、最低空軌道エネルギーは通常の分子の場合、負の値である。電子輸送に関わる最低空軌道が、上記の関係になっていることにより、発光性ドーパントは電子トラップとして機能し、発光層の電子輸送性能はホスト材料単体よりも低下する。すなわち、発光層の電子移動度がホスト材料単体の電子移動度よりも小さくなる。これにより、キャリアバランスの崩れや、発光領域の極端な偏りが解消される。この電子トラップによって、電子移動度が一桁以上低下することが望ましい。すなわち、発光層の電子移動度をμEとし、ホスト材料単体の電子移動度をμHとすれば、μE/μH≦0.1であることが望ましい。なお、本発明者等のキャリア移動度測定による検討によれば、EL2-EL1<0.15eVの場合には、十分な電子トラップ効果が得られない。また、ホスト材料の最高被占軌道HOMOのエネルギーEHHと発光性ドーパント材料の最高被占軌道のエネルギーEHDが、EHH-EHD>0eVであることが望ましい。ここで、最高被占軌道エネルギーは通常の分子の場合、負の値である。発光層中のホールは発光性ドーパントにはトラップされず、発光層のホール輸送性能はホスト単体のホール輸送能と大きくは変わらない。逆に発光性ドーパントにホールがトラップされると、発光層のホール輸送性能は、ホスト単体のホール輸送能よりも低下するため、さらに、電子とホールのバランスが崩れることになる。本発明によれば、以上のような原理で発光層内の発光領域の偏りが解消され、発光領域が発光層中に広がることになる。このことは、発光層中に注入された電子の一部は、発光層の陽極側界面まで達し、逆に、ホールの一部は発光層の陰極側界面まで達することを意味する。従って本発明の有機発光素子では特に、発光層の陽極側にはホール輸送層を、陰極側に電子輸送層を配置し、各々、発光層中に電子とホールを閉じ込める構成が好ましい。青色発光発光層の場合でも、電子とホールを有効に閉じ込めるためには、発光層に接するホール輸送層を構成するホール輸送材料のエネルギーギャップが3.15eVよりも大きいことが好ましい。また、発光層に接する電子輸送層を構成する電子輸送材料のエネルギーギャップが3.00eVよりも大きいことが好ましい。また、発光性ドーパントに関しては、フルオランテン骨格を有する材料によれば、ピレン骨格を有するホスト材料よりもスペクトル幅の狭い青色発光を得ることが容易である。フルオランテン骨格を有する発光性ドーパントとしては、例えば以下のような材料があげられるが、これらに限定されるものではない。ホスト材料は、さらに、ピレン骨格に加えフルオレン骨格を有することが好ましい。特に、次の一般式[1]乃至[3]の構造を有することが好ましい。式中、R1およびR2は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基,置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表わす。異なるフルオレンジイル基に結合するR1同士、R2同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレンジイル基に結合するR1同士、R2同士、R1とR2は、同じであっても異なっていてもよい。R3およびR4は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の複素環基を表わし、異なるフルオレンジイル基に結合するR3同士、R4同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレンジイル基に結合するR3とR4は、同じであっても異なっていてもよい。R5およびR6は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基,置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表わし、R5同士、R6同士、R5とR6は、同じであっても異なっていてもよい。a,bは1乃至3の整数を表し、同一でも異なっていても良く、c、dは1乃至9の整数を表し、同一でも異なっていても良く、nは1乃至10の整数を表す。式中、R7およびR8は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の複素環基を表わし、R7およびR8は、同じであっても異なっていてもよい。R9は、水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基該アルキル基の1つ以上のメチレン基は-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-CH=CH-、-C≡C-、置換基を有していてもよいアリーレン基または置換基を有していてもよい複素環基で置き換えられていてもよく、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。、2環以下の置換あるいは無置換のアリール基該アリール基の1つ以上のCHはN原子に置き換えられていてもよい。を表わす。R10は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基またはハロゲン原子を表わす。eは1乃至9の整数を表し、R10が複数存在する場合は、同じであっても異なっていてもよい。mは、2乃至10の整数を表し、複数存在するフルオレンジイル基は同じであっても異なっていてもよい。式中、R11およびR12、R14からR21は水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の複素環基を表わし、R11およびR12は、同じであっても異なっていてもよい。Y1は水素原子もしくは置換あるいは無置換の炭化水素からなる縮環構造からなる。qは1乃至10の整数を表し、qが2以上の場合には、複数存在するフルオレンジイル基は同じであっても異なっていてもよい。pは、置換あるいは無置換のフェニル基の繰り返し構造で、0あるいは1乃至20の整数である。rは、置換あるいは無置換のフェニル基の繰り返し構造で、1から20の整数である。R13は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基またはハロゲン原子を表わす。fは1乃至9の整数を表し、R13が複数存在する場合は、同じであっても異なっていてもよい。一般式[1]乃至[3]において、アルキル基としては、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、ターシャリブチル基、セカンダリブチル基、オクチル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基などが挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基などが挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アズレニル基、アントリル基、ピレニル基、インダセニル基、アセナフテニル基、フェナントリル基、フェナレニル基、フルオランテニル基、アセフェナントリル基、アセアントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ペリレニル基、ペンタセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ターチエニル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナントロリル基などが挙げられる。置換アミノ基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジアニソリルアミノ基などが挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などが挙げられる。上記置換基が有してもよい置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基、フェニル基、ビフェニル基などのアリール基、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基などの複素環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジアニソリルアミノ基などのアミノ基、メトキシル基、エトキシル基、プロポキシル基、フェノキシル基などのアルコキシル基、シアノ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子などが挙げられる。一般式[1]の具体例としては、下記のような構造があげられるが、これらに限定されるものではない。一般式[2]の具体例としては、下記のような構造があげられるが、これらに限定されるものではない。一般式[3]の具体例としては、下記のような構造があげられるが、これらに限定されるものではない。本発明の一般式[1]乃至[3]で示されるホスト材料は、その分子構造から、1極めてアモルファス性に優れ、耐熱性が高い。2電子およびホールの両者とも、好適なキャリア注入レベルを得ることが容易である。3青色発光のために、ホスト材料として最適なエネルギーギャップ、すなわち、2.7eV以上3.4eV以下を得ることが容易である。といった優れた特性を得ることができる。さらに、フルオランテン骨格を有する発光性ドーパントとの組み合わせは、以下の優れた特性を容易に得ることが出来る。4ホストからドーパントへ良好にエネルギー移動する。発光性ドーパントのエネルギーギャップE1と、ホスト材料のエネルギーギャップE2が、E1<E2であることが重要である。5ピレン骨格ホストとフルオランテン骨格発光性ドーパントの相溶性が高く、発光性ドーパントが膜中で良好に分散する。そのため、発光性ドーパントの会合に起因する効率低下や寿命低下を改善できる。特に、ホスト材料および発光性ドーパントが炭化水素化合物であると良好である。上述のホスト材料のうち、優れた電子移動度とアモルファス性、蒸着成膜性を兼ね備えるために、一分子内のピレン骨格数とフルオレン骨格数の和が3つまたは4つの材料が特に好ましい。また、特にフルオランテン骨格とフルオレン骨格を有する発光性ドーパントが良好であり、一般式[1]から[3]に示されるホスト材料との組み合わせが好ましい。発光性ドーパントとホストの両者に、同一のフルオレン骨格が含まれるためである。フルオランテン骨格およびフルオレン骨格を有する発光性ドーパントとしては、例えば以下のような材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明では、フルオランテン骨格を含む発光性ドーパントに電子がトラップされるため、発光性ドーパントが還元に対して化学的に安定であることが望ましい。さらに、電子をトラップした状態で、中性状態からの構造変形が少ないことが好ましく、そのためには、LUMOが分子内の比較的広い領域に非局在化することが好ましいと考えられる。発光層内の発光性ドーパントの混合濃度は、前述した電子トラップ機構や、ホストから発光性ドーパントへのエネルギー移動を考慮すると、0.1wt以上35wt以下が好ましく、さらには、1wt以上15wt以下が好ましい。エネルギーギャップの測定は、可視光-紫外吸収スペクトルから求めることができる。本発明においては、ガラス基板上に成膜した薄膜の吸収端から求めた。装置は日立製分光光度計U-3010を用いた。イオン化ポテンシャルおよび最高被占軌道HOMOエネルギーは、大気下光電子分光法測定器名AC-1理研機器製を用いて測定した。電子親和力および最低空軌道LUMOエネルギーはエネルギーギャップ測定値と上記HOMOエネルギーから算出することができる。本発明においては、HOMOエネルギーの値とエネルギーギャップから算出する方法を用いた。すなわち、LUMOエネルギー=HOMOエネルギーエネルギーギャップ、である。また、キャリア移動度は、TOFTimeofFlight法による過渡電流測定によって測定することが可能である。本発明ではITO付きガラス基板上に、約2μmの薄膜を真空蒸着法によって作成し、さらに対向電極としてアルミニウムを蒸着した。このサンプルをTOF測定装置TOF-301株オプテル社製を用いて、4×105V/cmの電界強度での値を測定した。ホール正孔輸送性材料としては、陽極からのホールの注入を容易にし、また注入されたホールを発光層に輸送する優れたモビリティを有することが好ましい。ホール注入輸送性能を有する低分子および高分子系材料としては、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、オキサゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシリレン、ポリチオフェン、その他導電性高分子が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。電子注入輸送性材料としては、陰極からの電子の注入を容易にし、注入された電子を発光層に輸送する機能を有するものから任意に選ぶことができ、ホール輸送材料のキャリア移動度とのバランス等を考慮し選択される。電子注入輸送性能を有する材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フルオレノン誘導体、アントロン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機金属錯体等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。また、イオン化ポテンシャルの大きい材料は、ホールブロック材料としても使用できる。本発明の有機発光素子の有機化合物からなる層は、種々の方法により得られる。一般には真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマCVDにより薄膜を形成する。あるいは、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、LB法、インクジェット法等により薄膜を形成する。特に塗布法で成膜する場合は、適当な結着樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。上記結着樹脂としては、広範囲な結着性樹脂より選択でき、例えば、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、ABS樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリスルホン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらは単独または共重合体ポリマーとして1種または2種以上混合してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。陽極材料としては、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン等の金属単体あるいはこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウムITO,酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフェニレンスルフィド等の導電性ポリマーも使用できる。これらの電極物質は単独で用いるか、あるいは複数併用することもできる。また、陽極は一層構成でもよく、多層構成をとることもできる。一方、陰極材料としては、仕事関数の小さなものがよく、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、銀、鉛、錫、クロム等の金属単体あるいはリチウム-インジウム、ナトリウム-カリウム、マグネシウム-銀、アルミニウム-リチウム、アルミニウム-マグネシウム、マグネシウム-インジウム等、複数の合金として用いることができる。酸化錫インジウムITO等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は単独で用いるか、あるいは複数併用することもできる。また、陰極は一層構成でもよく、多層構成をとることもできる。また陽極および陰極は、少なくともいずれか一方が透明または半透明であることが望ましい。本発明で用いる基板としては、特に限定するものではないが、金属製基板、セラミックス製基板等の不透明性基板、ガラス、石英、プラスチックシート等の透明性基板が用いられる。また、基板にカラーフィルター膜、蛍光色変換フィルター膜、誘電体反射膜などを用いて発色光をコントロールする事も可能である。また、基板上に薄膜トランジスタTFTを作成し、それに接続して素子を作成することも可能である。さらに、TFTを2次元的に配列し画素とすることにより、ディスプレイとして使用できる。例えば、赤、緑、青の3色の発光画素を配列することにより、フルカラーディスプレイとしても使用できる。また、素子の光取り出し方向に関しては、ボトムエミッション構成基板側から光を取り出す構成および、トップエミッション基板の反対側から光を取り出す構成のいずれも可能である。なお、作成した素子に対して、酸素や水分等との接触を防止する目的で保護層あるいは封止層を設けることもできる。保護層としては、ダイヤモンド薄膜、金属酸化物、金属窒化物等の無機材料膜、フッ素樹脂、ポリパラキシレン、ポリエチレン、シリコーン樹脂、ポリスチレン樹脂等の高分子膜、さらには、光硬化性樹脂等が挙げられる。また、ガラス、気体不透過性フィルム、金属などをカバーし、適当な封止樹脂により素子自体をパッケージングすることもできる。以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1基板としてのガラス基板上に、陽極としての酸化錫インジウムITOをスパッタ法にて130nmの膜厚で成膜したものを透明導電性支持基板として用いた。これをアセトン、イソプロピルアルコールIPAで順次超音波洗浄し、次いでIPAで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、UV/オゾン洗浄した。ホール輸送材料として下記化合物1を用いて、濃度が0.1wtとなるようにクロロホルム溶液を調整した。この溶液を上記のITO電極上に滴下し、最初に500RPMの回転で10秒、次に1000RPMの回転で1分間スピンコートを行い膜形成した。この後10分間、80°Cの真空オーブンで乾燥し、薄膜中の溶剤を完全に除去した。形成されたホール輸送層の厚みは15nmであった。次に発光層として、ホスト材料として下記の化合物2と、発光性ドーパントとして下記の化合物3を、それぞれ別のボートから同時蒸着して形成した。化合物3の濃度は8wtで、膜厚は30nmであった。更に電子輸送層として、下記のBPhenを真空蒸着した。電子輸送層の膜厚は30nmであった。上記有機物層の蒸着時の真空度は1.0×10-4Pa、成膜速度は0.1nm/sec以上0.3nm/sec以下程度の条件であった。次に、フッ化リチウムLiFを先ほどの有機層の上に、真空蒸着法により厚さ0.5nm形成し、更に真空蒸着法により厚さ150nmのアルミニウム膜を設け電子注入電極陰極とする有機発光素子を作成した。蒸着時の真空度は1.0×10-4Pa、成膜速度は、フッ化リチウムは0.05nm/sec、アルミニウムは1.0nm/sec以上1.2nm/sec以下の条件で成膜した。得られた有機発光素子は、水分の吸着によって素子劣化が起こらないように、乾燥空気雰囲気中で保護用ガラス板をかぶせ、アクリル樹脂系接着材で封止した。この様にして得られた素子に、ITO電極陽極を正極、アルミニウム電極陰極を負極にして、4.5Vの電圧を印加した。その結果発光輝度3800cd/m2、発光効率5.3lm/W、最大発光波長463nmの、化合物3に由来する青色の発光が観測された。さらに、この素子に窒素雰囲気下で電流密度を30mA/cm2に保ち電圧を印加したところ、輝度半減時間が約700時間と長かった。発光層のホスト材料と発光性ドーパントの薄膜を各々真空蒸着により作成し、大気下光電子分光装置装置名AC-1でHOMOエネルギー測定した。またさらに、紫外-可視光吸収スペクトルの測定装置名U-3010から、エネルギーギャップおよびLUMOエネルギーを算出した。この結果、ホスト材料のエネルギーギャップは、発光性ドーパントのエネルギーギャップよりも、0.16eV大きいことが分かった。また、ホスト材料のLUMOエネルギーEL2は-2.72eV、発光性ドーパントのLUMOエネルギーEL1は-3.06eVであり、EL2-EL1=0.34eVであることが分かった。ホール輸送材料化合物1と電子輸送材料BPhenのエネルギーギャップも同様に測定した。ホール輸送材料のエネルギーギャップは3.25eVであり、3.15eVよりも大きかった。また、電子輸送材料のエネルギーギャップは3.57eVであり、3.00eVよりも大きかった。発光層のホスト材料単体のキャリア移動度を測定するために、ITO付ガラス基板上に、ホスト材料化合物2を2μm蒸着した。続けて厚さ150nmのアルミニウム膜を真空蒸着法により成膜し、移動度測定用素子を得た。得られた素子の成膜面に水分が吸着して素子劣化が起こらないように、乾燥空気雰囲気中で保護用ガラス板をかぶせ、UV系接着材を充填硬化させた。この素子をタイムオブフライト測定装置TOF-301株オプテル社製を用い、4×105V/cmの電界強度での電子移動度とホール移動度を測定した。ホスト材料の電子移動度は1×10-3cm2/Vs、ホール移動度は2×10-4cm2/Vsであり、電子移動度の方がホール移動度よりも大きいことが分かった。また、ホスト材料の電子移動度は1×10-4cm2/Vsよりも大きいことが分かった。次に、発光層のキャリア移動度を測定するために、ITO付ガラス基板上に、ホスト材料化合物2と発光性ドーパント材料化合物3を有機発光素子の発光層と同様な方法で2μm共蒸着した。続けて厚さ150nmのアルミニウム膜を真空蒸着法により成膜し、移動度測定用素子を得た。得られた素子の成膜面に水分が吸着して素子劣化が起こらないように、乾燥空気雰囲気中で保護用ガラス板をかぶせ、UV系接着材を充填硬化させた。この素子をタイムオブフライト測定装置TOF-301株オプテル社製を用い、4×105V/cmの電界強度での電子移動度を測定した。発光層の電子移動度は4×10-7cm2/Vsであり、ホスト材料単体の場合よりも一桁以上小さくなっていることが分かった。実施例2発光層のホスト材料を下記化合物4で、構成した以外は、実施例1と同様の素子を作成した。この様にして得られた素子に、ITO電極陽極を正極、アルミニウム電極陰極を負極にして、4.5Vの電圧を印加した。その結果発光輝度2500cd/m2、発光効率5.5lm/W、最大発光波長460nmの、化合物3に由来する青色の発光が観測された。さらに、この素子に窒素雰囲気下で電流密度を30mA/cm2に保ち電圧を印加したところ、輝度半減時間が約1400時間と長かった。発光層のホスト材料と発光性ドーパントの薄膜を各々真空蒸着により作成し、大気下光電子分光装置装置名AC-1でHOMOエネルギー測定した。またさらに、紫外-可視光吸収スペクトルの測定装置名U-3010から、エネルギーギャップおよびLUMOエネルギーを算出した。この結果、ホスト材料のエネルギーギャップは、発光性ドーパントのエネルギーギャップよりも、0.18eV大きいことが分かった。また、ホスト材料のLUMOエネルギーEL2は-2.64eV、発光性ドーパントのLUMOエネルギーEL1は-3.06eVであり、EL2-EL1=0.42eVであることが分かった。発光層のホスト材料化合物4単体のキャリア移動度を、実施例1と同様に測定した。ホスト材料の電子移動度は7×10-4cm2/Vs、ホール移動度は2×10-4cm2/Vsであり、電子移動度の方がホール移動度よりも大きいことが分かった。また、ホスト材料の電子移動度は1×10-4cm2/Vsよりも大きいことが分かった。次に、発光層化合物4をホスト材料とし、化合物3を発光性ドーパントとして8wtドープした混合膜の電子移動度を、実施例1と同様に測定した。発光層の電子移動度は2×10-7cm2/Vsであり、ホスト材料単体の場合よりも一桁以上小さくなっていることが分かった。比較例1発光層をホスト材料のみで構成した以外は、実施例1と同様に素子を作成した。この素子に、ITO電極陽極を正極、アルミニウム電極陰極を負極にして、4.5Vの印加電圧で、発光輝度2000cd/m2、発光効率3.4lm/W、最大発光波長460nmの、化合物2に由来する青色の発光が観測された。さらに、この素子に窒素雰囲気下で電流密度を30mA/cm2に保ち電圧を印加したところ、輝度半減時間が約100時間と実施例1と比較して短かった。実施例3電子輸送層を2,9-ビス[2-9,9-ジメチルフルオレニル]フェナントロリンに変更した以外は、実施例2と同様に素子を作成した。この素子に、ITO電極陽極を正極、アルミニウム電極陰極を負極にして、4.5Vの印加電圧で、発光輝度2400cd/m2、発光効率5.1lm/W、最大発光波長462nmの、化合物3に由来する青色の発光が観測された。さらに、この素子に窒素雰囲気下で電流密度を30mA/cm2に保ち電圧を印加したところ、輝度半減時間が約1600時間と長かった。電子輸送材料のエネルギーギャップを測定したところ、3.08eVであり、3.00eVよりも大きかった。比較例2電子輸送材料を下記式で表されるAlqに変えた以外は、実施例3と同様に素子を作成した。この素子に、ITO電極陽極を正極、アルミニウム電極陰極を負極にして駆動した。4.5Vの印加電圧で、化合物3および電子輸送材料に由来する青緑色の発光が観測され、純青発光が得られなかった。電子輸送材料Alqのエネルギーギャップを測定したところ、2.69eVであり、3.00eVよりも小さかった。比較例3ホール輸送材料を下記式で表されるDFLDPBiに変えた以外は、実施例3と同様に素子を作成した。この様にして得られた素子に、ITO電極陽極を正極、アルミニウム電極陰極を負極にして、4.5Vの電圧を印加した。その結果発光輝度660cd/m2、最大発光波長460nmの、化合物3に由来する青色の発光が観測されたが、発光効率1.9lm/Wと実施例3よりも低かった。ホール輸送材料DFLDPBiのエネルギーギャップを測定したところ、2.97eVであり、3.15eVよりも小さかった。比較例4ホール輸送材料を下記式で表されるαNPDに変えた以外は、実施例3と同様に素子を作成した。この様にして得られた素子に、ITO電極陽極を正極、アルミニウム電極陰極を負極にして、4.5Vの電圧を印加した。その結果発光輝度570cd/m2、最大発光波長463nmの、化合物3に由来する青色の発光が観測されたが、発光効率2.4lm/Wと実施例3よりも低かった。さらに、この素子に窒素雰囲気下で電流密度を30mA/cm2に保ち電圧を印加したところ、輝度半減時間が約200時間と実施例3よりも短かった。ホール輸送材料αNPDのエネルギーギャップを測定したところ、3.10eVであり、3.15eVよりも小さかった。実施例4実施例1と同様に準備したITO付きガラス基板に、ホール注入材料としてDFLDPBiを用いて、濃度が0.13wtとなるようにクロロホルム溶液を調整した。この溶液を上記のITO電極上に滴下し、最初に500RPMの回転で10秒、次に1000RPMの回転で1分間スピンコートを行い膜形成した。この後10分間、80°Cの真空オーブンで乾燥し、薄膜中の溶剤を完全に除去した。形成されたホール輸送層の厚みは18nmであった。次にホール輸送層として下記化合物5を15nm蒸着した。次に発光層として、ホスト材料として下記の化合物6と、発光性ドーパントとして化合物3を、それぞれ別のボートから同時蒸着して形成した。化合物3の濃度は5wtで、膜厚は30nmであった。更に電子輸送層成膜以降の工程を、実施例3と同様に作成した。この素子に、ITO電極陽極を正極、アルミニウム電極陰極を負極にして、4.5Vの印加電圧で、発光輝度1100cd/m2、発光効率6.9lm/W、CIExy色度0.15,0.19の青色の発光が観測された。さらに、この素子に窒素雰囲気下で電流密度を30mA/cm2に保ち電圧を印加したところ、輝度半減時間が約1200時間と長かった。ホール輸送材料化合物5のエネルギーギャップを測定したところ、3.25eVであり、3.15eVよりも大きかった。また、発光層のホスト材料化合物6のエネルギーギャップを測定したところ、ドーパント材料よりも0.27eV、エネルギーギャップが大きいことが分かった。また、ホスト材料のLUMOエネルギーEL2は-2.62eV、発光性ドーパントのLUMOエネルギーEL1は-3.06eVであり、EL2-EL1=0.44eVであることが分かった。実施例5発光層のドーパント材料を下記式で表される化合物7に変え、混合濃度を5に変えた以外は、実施例3と同様に素子を作成した。この素子に、ITO電極陽極を正極、アルミニウム電極陰極を負極にして、4.5Vの印加電圧で、発光輝度2100cd/m2、発光効率4.5lm/W、CIExy色度0.15,0.17の青色の発光が観測された。さらに、この素子に窒素雰囲気下で電流密度を30mA/cm2に保ち電圧を印加したところ、輝度半減時間が約1500時間と長かった。また、発光層のドーパント材料化合物7のエネルギーギャップを測定したところ、ホスト材料よりも0.09eV、エネルギーギャップが小さいことが分かった。また、ホスト材料のLUMOエネルギーEL2は-2.64eV、発光性ドーパントのLUMOエネルギーEL1は-3.17eVであり、EL2-EL1=0.53eVであることが分かった。実施例6発光層のドーパント材料を下記式で表される化合物8に変え、混合濃度を5に変えた以外は、実施例3と同様に素子を作成した。この素子に、ITO電極陽極を正極、アルミニウム電極陰極を負極にして、4.5Vの印加電圧で、発光輝度2300cd/m2、発光効率5.0lm/W、CIExy色度0.15,0.18の青色の発光が観測された。さらに、この素子に窒素雰囲気下で電流密度を30mA/cm2に保ち電圧を印加したところ、輝度半減時間が約1300時間と長かった。また、発光層のドーパント材料化合物8のエネルギーギャップを測定したところ、ホスト材料よりも0.12eV、エネルギーギャップが小さいことが分かった。また、ホスト材料のLUMOエネルギーEL2は-2.64eV、発光性ドーパントのLUMOエネルギーEL1は-3.15eVであり、EL2-EL1=0.51eVであることが分かった。実施例7発光層のホスト材料を下記式で表される化合物9、ドーパント材料の濃度を12とし、さらに、発光層の膜厚を40nmとした以外は、実施例3と同様に素子を作成した。この素子に、ITO電極陽極を正極、アルミニウム電極陰極を負極にして、4.5Vの印加電圧で、発光輝度4500cd/m2、発光効率6.8lm/W、CIExy色度0.15,0.19の青色の発光が観測された。さらに、この素子に窒素雰囲気下で電流密度を10mA/cm2に保ち電圧を印加したところ、輝度半減時間が約1000時間と長かった。また、発光層のホスト材料化合物9のエネルギーギャップを測定したところ、ドーパント材料よりも0.15eV、エネルギーギャップが大きいことが分かった。また、ホスト材料のLUMOエネルギーEL2は-2.78eV、発光性ドーパントのLUMOエネルギーEL1は-3.06eVであり、EL2-EL1=0.28eVであることが分かった。比較例5発光層のドーパント材料を下記式で表される化合物10に変えた以外は、実施例3と同様に素子を作成した。この素子に、ITO電極陽極を正極、アルミニウム電極陰極を負極にして、4.5Vの印加電圧で、発光輝度4800cd/m2、発光効率5.6lm/W、CIExy色度0.15,0.16の青色の発光が観測された。さらに、この素子に窒素雰囲気下で電流密度を10mA/cm2に保ち電圧を印加したところ、輝度半減時間が約150時間と実施例7と比較して寿命は短かった。また、発光層のドーパント材料化合物10のエネルギーギャップを測定したところ、0.04eV、ホスト材料よりもエネルギーギャップが小さいことが分かった。また、ホスト材料のLUMOエネルギーEL2は-2.78eV、発光性ドーパントのLUMOエネルギーEL1は-2.91eVであり、EL2-EL1=0.13eVであり、0.15eVよりも小さいことが分かった。"