透光性部材と、半導体積層部を有する発光素子と、前記半導体積層部に設けられた電極と、を順に有する発光装置であって、前記発光素子は、前記透光性部材側から、第1領域と第2領域とを有し、前記透光性部材は、前記発光素子側から、第3領域と第4領域とを有し、前記第1領域は、前記第2領域と比較して、原子配列が不規則であり、前記第3領域は、前記第4領域と比較して、原子配列が不規則であり、前記第1領域と前記第3領域とが直接接合されていることを特徴とする発光装置。前記発光素子における前記透光性部材と接する部位は、前記透光性部材と同一材料であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。電極が設けられた半導体積層部を有する発光素子を準備する発光素子準備工程と、透光性部材を準備する透光性部材準備工程と、前記電極が設けられた側と反対の側において、前記発光素子と前記透光性部材とを直接接合する接合工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。半導体積層部を有する発光素子を準備する発光素子準備工程と、透光性部材を準備する透光性部材準備工程と、前記発光素子と前記透光性部材とを直接接合する接合工程と、前記透光性部材が接合される側と反対の側において、前記半導体積層部に電極を形成する電極形成工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。前記発光素子における前記透光性部材と接する部位は、前記透光性部材と同一材料であることを特徴とする請求項3又は4に記載の発光装置の製造方法。表面活性化接合法により、前記発光素子と前記透光性部材とを接合する請求項3~5のいずれかに記載の発光装置の製造方法。前記発光素子における透光性部材と接する部位はサファイア又はGaNからなり、透光性部材はサファイア又はGaNからなることを特徴とする請求項6に記載の発光装置の製造方法。しかしながら、例え従来の構造を用いたとしても、光を完全に取り出すことはできなかった。つまり、光の一部は発光素子の上下面で反射を繰り返した後に外部に取り出されるが、反射回数が多いほど光は電極等で吸収され、減衰してしまうという問題があった。そこで、本発明は、素子内部での光の減衰を抑制し、光取出し効率の高い発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る発光装置は、透光性部材と、半導体積層部を有する発光素子と、半導体積層部に設けられた電極と、を順に有する。特に、発光素子は透光性部材側から第1領域と第2領域とを有し、透光性部材は発光素子側から第3領域と第4領域とを有し、第1領域は第2領域と比較して原子配列が不規則であり、第3領域は第4領域と比較して原子配列が不規則であり、第1領域と第3領域とが直接接合されていることを特徴とする。本発明に係る発光装置の製造方法は、電極が設けられた半導体積層部を有する発光素子を準備する発光素子準備工程と、透光性部材を準備する透光性部材準備工程と、電極が設けられた側と反対の側において発光素子と透光性部材とを直接接合する接合工程と、を有することを特徴とする。以上のように構成された本発明によれば、素子内部での光の減衰を抑制し、光取出し効率の高い発光装置及びその製造方法を提供することができる。以下に本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置及びその製造方法を例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。さらに説明を簡略化するために、同一もしくは同質の構成要件については同一の符号を付しており、その都度の説明は省略してある。図1に本実施の形態に係る発光装置の光観測面に垂直をなす方向における断面図を示し、図2に図1の破線部分の拡大図を示す。図1に示すとおり、本発明の一態様に係る発光装置は、透光性部材20と、半導体積層部12を有する発光素子10と、半導体積層部12に設けられた電極13、14と、を順に有する。つまり、発光素子10を介して、透光性部材20と電極13、14とが反対側に位置している。さらに、図2に示すように、発光素子10は透光性部材20側から第1領域11aと第2領域11bとを有し、透光性部材20は発光素子10側から第3領域20aと第4領域20bとを有する。ここで、第1領域11aは第2領域11bと比較して原子配列が不規則であり、第3領域20aは第4領域20bと比較して原子配列が不規則であり、第1領域11aと第3領域20aとが直接接合されている。以上のように構成された実施形態の発光装置では、光が繰り返し反射される部分半導体積層部12と基板11と透光性部材20を合わせた厚さを厚くすることができるので、光が電極13及び14に照射される回数を減らすことができる。これにより、主に電極13及び14での光の吸収を低減することができ、発光装置としての光取出し効率を向上させることができる。以下、詳細に説明する。透光性部材20を備えない場合、半導体積層部12から生じた光の一部は、外部との屈折率差により、発光素子10の内部で反射を繰り返しながら、その一部の光が外部に取り出される。一方、半導体積層部12上に設けられた電極13、14は、どのような材料を用いたとしても光を完全に反射したり透過したりすることはできず、一部の光を吸収してしまう。この電極による光の吸収は、光が半導体積層部12と電極13、14との界面で反射される回数が多ければ多いほど、光の一部は電極で吸収されてしまい、発光装置としての光の取り出し効率は低下する。そこで、発光素子10に透光性部材20を直接接合させて、透光性部材20の厚みだけ発光素子10の厚さを実効的に厚くすることにより、発光装置外部に取り出されるまでの電極界面での光の反射回数を低減させることができる。これにより、電極による光の吸収を抑制することができるので、光の取り出し効率に優れた発光装置とすることができる。発光素子は1枚のウエハを個々の素子に切断することにより得られるが、現在のところ、再現性及び量産性を考慮して、切断時においてウエハの厚みはある程度薄くする必要がある。例えば、エッチング等により半導体積層部を除去しサファイア基板を露出させた状態であっても、サファイア基板の厚みを最大でも400μm程度としなければ個々に切断することは難しい。このような事情により、厚い基板を用いたままで最終的に個々の発光素子を得ることできない。そこで、発光素子10とは別に透光性部材20を設けることにより、発光素子10を実効的に厚くしている。また、本発明では、発光素子10を実効的に厚くしたことに加え、透光性部材20が、略均一な屈折率と透過率とを有しており、半導体積層部20からの光に対して実質的に透明であることが好ましい。尚、屈折率及び透過率が実質的に均一な透光性部材とは、内部に蛍光体、拡散材等以下、単に蛍光体等という。の光を反射するものを含んでおらず、光を内部で反射散乱することなく直進させることができる透光性部材をいう。このように透光性部材20が、略均一な屈折率と透過率とを有していると、より効果的に電極での光の吸収が抑えられ、光の取り出し効率の悪化が防止できる。透光性部材に半導体積層部からの光で発光する蛍光体等が含まれる場合、光の一部は蛍光体等の表面で電極方向に反射されるので、電極での光の吸収が生じてしまうからである。また、本実施の形態の発光装置は、原子配列が不規則な第1領域11aと第3領域20aとが一体となって接合されるので、この接合界面での反射が抑えられる。さらに、第1領域11aと第3領域20aとが一体となって接合されることから、発光素子10と透光性部材20との界面における歪を緩和することができる。これにより、発光素子10と透光性部材20とが直接接し、発光素子10で生じる発熱により両者間に生じる熱ストレスが大きいにも係らず、接合強度の強い発光装置とすることができる。以上のように、本明細書において、第1領域11aは、発光素子10において、波長変換部材20に直接接している領域である。また、第2領域11bは、発光素子10における第1領域11aに隣接する直接接する領域である。同様に、第3領域20aは、波長変換部材20において、発光素子10に直接接している領域である。また、第4領域20bは、波長変換部材20における第3領域20aに隣接する領域である。このように、第2領域11bと比較して原子配列が不規則な第1領域11aと、第4領域20bと比較して原子配列が不規則な第3領域20aとが直接接して接合されて、接合界面Xが形成され、第2領域11bと第4領域20bとがそれぞれ接合界面Xから離れている。本明細書において、第1領域11a及び第2領域11b第3領域20a及び第4領域20bは互いに隣接するが、第1領域及び第2領域が異なる部材間で隣接するような場合は本願発明でいうところの第1領域及び第2領域ではない。例えば、発光素子が表面側からGaN層とAlGaN層を有する場合、GaN層を第1領域としAlGaN層を第2領域とすることはできない。つまり、本明細書における第1領域11a及び第2領域11b第3領域20a及び第4領域20bは、本来1つの部材であるが、その部材の一部を第1領域といい、その部材のうち他の一部を第2領域という。ある部材の一部であるか否かは、例えば、高分解能透過電子顕微鏡による原子レベルでの断面観察や元素分析による組成の対比により判断することができる。第1領域11aと第3領域20aの一方、好ましくは両方とも、非晶質アモルファスであることが好ましい。これにより、発光素子10と透光性部材20との間の歪をより抑制することができると考えられる。第2領域11bと第4領域20bの一方は、多結晶又は単結晶であることが好ましく、より好ましくは両方とも、多結晶又は単結晶とする。この場合、より好ましくは単結晶とする。第2領域11b及び/又は第4領域20bが多結晶又は単結晶特に単結晶である場合、第2領域11bと第4領域20bとを直接接合したとすると両者間に歪が生じやすいので、このような場合に本実施の形態は特に効果的である。歪緩和の観点から、第1領域11a及び第3領域20aは、実質的に接合界面Xの全域に設けられていることが好ましい。しかし、第1領域11a及び第3領域20aが直接接合されている領域が接合界面Xの一部であっても本願発明の範囲内であること言うまでもない。第1領域11a及び第3領域20aの厚さはそれぞれ、好ましくは1nm以上20nm以下、さらに好ましくは2nm以上10nm以下とすることができる。これにより、歪みを緩和する効果を十分に得ることができるので接合強度を強くすることができる。さらに、第1領域11a及び第3領域20aの原子配列を不規則にすると光取出しに悪影響を及ぼす虞もあるが、上記範囲とすることで、光が減衰する部分の厚さを十分に薄くすることができるので、光の損失を軽減することができる。発光素子10における透光性部材と接する部位11は、透光性部材20と同一材料であることが好ましい。例えば、発光素子10の基板11をサファイアとし、この部位とサファイアからなる透光性部材20を接合させることができる。また、発光素子10から基板11を除去してGaN層を露出させ、この部位とGaNからなる透光性部材を接合させることもできる。これにより、屈折率差による界面反射を実質的に無くすことができるので、電極での光の吸収を抑制し、光取出し効率をより向上させることができる。さらに、基板と支持体の構成元素を同一とすることができるので、両者の接合強度がより強くなる効果が期待できる。発光素子10は限定されず、公知のものを用いることができる。例えば図1に示すように、発光素子10は、基板11と、基板11上に設けられた半導体積層部12と、半導体積層部12の同一面側に設けられたn電極13及びp電極14p電極14は電流拡散部14aとパッド部14bから構成されるを有する。基板11としては、サファイア、GaN等を用いることができる。半導体積層部12としては、n層及びp層を含む複数の窒化物半導体層AlXInYGa1-X-YN0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦XY≦1が積層されたもの等を用いることができる。光取出しの観点から、透光性部材20側を観測面側とするフェイスダウンフリップチップ実装とすることが好ましい。半導体積層部12に設けられる電極としては、ITO、Ag、Al等、公知の材料を用いることができる。例えば、比較的大きな面積を占める電流拡散部14aとして、反射率の高いAgを用いたとしても、一部の光はAgで吸収されてしまうので、光を完全に反射させることはできない。一方、電流拡散部14aとして透光性の高いITOを用いたとしても、一部の光はITOで吸収されてしまうので、光を完全に透過させることはできない。そこで、透光性部材20を更に設けることで、発光装置を実際に厚くして光の取り出し効率を向上させることができる。なお、透光性部材20側を観測面側とする場合、Ag等の反射電極を用いると、効果的に光を取り出すことができるので好ましい。透光性部材20側を観測面側とする場合、透光性部材20を凸等とし、レンズとして機能させることもできる。これにより、発光素子10に透光性部材20であるレンズを直接設けることになるので、発光素子10からの光を高効率で取り出すことが可能となる。透光性部材20側を観測面側とする場合、発光素子10と透光性部材20との接合面積よりも透光性部材20の観測面側の面積を大きくし、少なくとも透光性部材20の観測面側に蛍光体層図示せずを設けることもできる。これにより、透光性部材20が無く発光素子10の観測面側に蛍光体層を設ける場合に比較して、蛍光体層に照射される光の密度を小さくすることができるので、蛍光体の寿命を向上させることができる。図3に、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法を示す。図3に示すように、本実施の形態の発光装置の製造方法は、電極13、14が設けられた半導体積層部12を有する発光素子10を準備する発光素子準備工程図3A参照と、透光性部材20、好ましくは蛍光体等を含まない実質的に均一な屈折率及び透過率を有する透光性部材20を準備する透光性部材準備工程図3A参照と、電極13、14が設けられた側と反対の側において発光素子10と透光性部材20とを直接接合する接合工程図3B及び図3C参照と、を有する。これにより、透光性部材10の厚みだけ発光素子10の厚さを実効的に厚くすることができるので、光取出し効率の向上した発光装置を製造することができる。詳細は上記のとおりであるのでここでは説明しない。なお、図3の例では、発光素子準備工程において既に電極13、14が半導体積層部12に設けられているが、他の形態として電極形成工程を別に設けることもできる図示せず。つまり、半導体積層部を有する発光素子を準備する発光素子準備工程と、透光性部材を準備する透光性部材準備工程と、発光素子と透光性部材とを直接接合する接合工程と、透光性部材が接合された側と反対の側において半導体積層部に電極を形成する電極形成工程と、を有することもできる。発光素子準備工程と電極形成工程とを別に設けるか否かに係らず、上記と同様の効果を得ることができる。発光素子10における透光性部材20と接する部位は、透光性部材20と同一材料であることが好ましい。これにより、屈折率差による界面反射を実質的に無くすことができるので、光取出し効率のより向上した発光装置を製造することができる。さらに、基板と支持体の構成元素を同一とすることができるので、両者の接合強度がより強くなる効果が期待できる。発光素子10及び透光性部材20の接合方法は限定されず、熱圧着や表面活性化接合法等を採用することができるが、好ましくは表面活性化接合法を採用する。表面活性化接合法により、発光素子10と透光性部材20とを強固に接合することができる。表面活性化接合法では、スパッタエッチングにより、第1領域11a及び第3領域20aが形成され、両者が一体となって発光素子10と透光性部材20との間の歪みを吸収するためであると考えられる図2参照。詳細は前述のとおりなので、ここでは省略する。ここで、表面活性化接合法とは、発光素子10及び透光性部材20の接合面をイオンビームやプラズマ等でスパッタエッチングを行い、両接合面を活性化させた後に、その接合面にて発光素子10及び透光性部材20を直接接合することをいう図3B及び図3C参照。第1領域及び第3領域は、表面を活性化させるためのスパッタエッチングにより形成される。なお、表面活性化接合法によりサファイア単結晶の酸化アルミニウム表面に非晶質の第1領域又は第3領域を設けた場合、それらの領域は単結晶ではないので正確にはサファイアではなく非晶質の酸化アルミニウムとなるが、本明細書では単結晶ではない、又は非晶質の酸化アルミニウムについても単にサファイアと言う。表面活性化接合法により、発光素子10と透光性部材20とを接合する場合、発光素子10はウエハでなく個々に分断されたものを用いることが好ましい本明細書では、個々に分断されたものだけでなく、ウエハ状態のものも発光素子とする。。つまり、通常、ウエハの発光素子ではウエハの位置によってピーク波長や出力等の特性が異なる。しかし、ウエハを個々に分断した発光素子であれば同一又は類似した特性のものを任意に選択することができるので好ましい。例えば、第1に1枚の粘着シートに任意に選択した個々の発光素子を配置し、第2に粘着シートに配置された個々の発光素子とウエハ状の透光性部材とを表面活性化接合法により接合し本明細書では、個々に分断されたものだけでなく、ウエハ状態のものも透光性部材とする。、第3に粘着シートを除去し、第4に必要に応じて個々の発光装置となるように透光性部材を分断することができる。個々に分断された発光素子をウエハの透光性部材に接合して、さらに透光性部材を個々に分断することにより、より容易に発光装置を厚膜とすることができる。つまり、発光素子及び透光性部材を個々に分断するには一分断工程における分断膜厚をある程度薄くする必要があるが、分断工程を別々にすることにより、発光装置としてより厚膜とすることができる。一方、透光性部材としてサファイアを用い一分断工程でサファイアのみを分断する場合、サファイアの膜厚をある程度まで薄くしないと個々に分断することは難しい。そこで、サファイアの膜厚は200μm以上600μm以下、好ましくは300μm以上500μm以下、より好ましくは350μm以上450μm以下とすることができる。これにより、透光性部材を容易に分断できると共に、光の取り出しを向上させるのに十分な膜厚とすることができる。一方、発光素子を加熱すると電極や発光層が劣化する虞があるが、表面活性化接合法は必ずしも加熱することを要しない。よって、発光素子の特性を損なうことなく発光素子10と透光性部材20とを接合することができる。電極の材料及び構成や半導体積層部の材料及び構成にもよるが、表面活性化接合法の実施温度の範囲としては、好ましくは0°C以上300°C以下、より好ましくは0°C以上200°C以下、さらに好ましくは0°C以上100°C以下、さらに好ましくは0°C以上50°C以下とすることができる。これにより、発光素子の特性を損なうことなく強固に接合することができる。表面活性化接合法を用いる場合、発光素子10及び透光性部材20の接合面はそれぞれ、表面粗さRaを、好ましくは10nm以下、より好ましくは5nm以下、さらに好ましくは1nm以下とすることができる。これにより、発光素子10及び透光性部材20を容易且つ強固に接合することができる。表面活性化接合法を用いる場合、発光素子10における透光性部材20と接する部位はサファイア又はGaNからなり、透光性部材20はサファイア又はGaNからなることが好ましい。両者は表面を平滑にし易いので、より容易に表面活性化接合法を行うことができる。