CPUチップと回路ボードとの間の電気的接続のためのインターポーザであって、ガラスで製作されたボード形状ベース基板1が第1のボード表面と第2のボード表面とを有し、前記ベース基板1が3.1×10-6/Kから3.4×10-6/Kの範囲の熱膨張係数を有し、前記ベース基板が前記ボード表面に対して横断的に多数の孔12を有し、孔の数が10cm-2から10000cm-2の範囲にわたり、20μmから200μmの範囲にわたることができる直径を有する孔12があり、前記孔の中心間を測定したときの前記孔12の距離が50μmから700μmの範囲にあり、前記CPUチップのための接続点を形成するために、前記第1のボード表面を進み、前記孔12の中に、およびそこを通って14前記第2のボード表面まで延びる導電性経路13があることを特徴とするインターポーザ。前記ベース基板の前記ガラスのアルカリ含有量が700ppm未満である、請求項1に記載のインターポーザ。前記ベース基板の前記ガラスのヒ素またはアンチモンの含有量が50ppm未満である、請求項1または2に記載のインターポーザ。3.2×10-6/Kの熱膨張係数を有する、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のインターポーザ。前記基板1のボード厚が30μmから1000μmの範囲にわたる、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のインターポーザ。孔の数が1000cm-2から3000cm-2の範囲にわたる、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のインターポーザ。前記孔12の前記直径が100μmを超えない、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のインターポーザ。前記孔1212の中心間間隔が150μmから400μmの範囲にわたる、請求項1乃至7のいずれか1項に記載のインターポーザ。前記孔12の縁部間距離が少なくとも30μmである、請求項1乃至8のいずれか1項に記載のインターポーザ。前記ボード形状ベース基板1が異なる直径の孔12を有する、請求項1乃至9のいずれか1項に記載のインターポーザ。以下の寸法比、すなわち、1から10の範囲にわたる、孔直径に対する前記孔の中心間距離、1から9の範囲にわたる、孔直径に対する前記孔の縁部間距離、0.1から25の範囲にわたる、孔直径に対する前記基板のボード厚が満たされる、請求項1乃至10のいずれか1項に記載のインターポーザ。前記ベース基板の前記ボード表面と前記孔の内壁との間の前記孔の前記縁部が不完全円形である、請求項1乃至11のいずれか1項に記載のインターポーザ。請求項1乃至12のいずれか1項に記載のインターポーザに孔を生成する方法であって、a穿孔されるべきガラスのベース基板1を用意するステップと、b前記ベース基板1の所定の穿孔点10に多数のレーザビームアレイ4を位置合わせするステップと、c前記ガラスが少なくとも部分的に透明である1600nmと200nmとの間の波長範囲にあり、それぞれの繊維状チャネル11に沿って前記ガラスの局所非熱破壊を引き起こす放射強度をもつ集束レーザパルス41を発射するステップと、d前記孔12の所望の直径まで前記繊維状チャネル11を広げるステップとを含む、方法。前記繊維状チャネル11の前記拡大が、誘電破壊による穿孔材料の電熱加熱と蒸発とによって達成される、請求項13に記載の方法。前記繊維状チャネル11の前記拡大が反応性ガスによって達成される、請求項13に記載の方法。請求項1乃至12のいずれか1項に記載のインターポーザに孔を生成する方法であって、aガラスで製作されたベース基板1に、RF結合材料でドットの形態で所期の穿孔点10に両側印刷するステップと、b板形状RF電極2、3が両側に配置された処理空間に前記印刷済みベース基板1を導入するステップと、cドットの形態で付けられた前記RF結合材料を、ベース基板材料がそこで軟化するまで主として加熱するRFエネルギーに前記ベース基板1をさらすステップと、d前記電極2、3間に高電圧を発生させて、前記RF結合点から発出する誘電破壊の結果として狭いチャネル11を生成するステップとを含む、方法。孔12への誘電破壊に由来する前記狭いチャネル11の拡大が深掘り反応性イオンエッチングによって達成される、請求項16に記載の方法。本発明の目的はCPUチップと回路ボードとの間の電気的接続のための以下のようなインターポーザを提供することであり、そのインターポーザは生成するのに経済的であり、そのインターポーザにより20μmおよび200μmの程度の孔直径をもつ微小孔を生成できるようになり、そのインターポーザ本体はCPUチップ材料の熱膨張とほぼ同等の熱膨張を示す。新規なインターポーザは以下の要求事項を満たすことができるべきである。多数の小さい孔10個から10000個が、孔の許容差が互いに近い状態で各インターポーザに収容されるべきである。孔間隔を30μmまで確実に減らすことが可能でなければならない。20μmのサイズまで縮小された孔直径が可能であるべきである。1から10の孔直径に対するインターポーザの厚さの比、いわゆるアスペクト比が可能であるべきである。120μmから400μmの範囲の孔の中心間距離が可能であるべきである。孔は、孔への円錐形またはクレータ形入口および出口を有するべきであるが、孔の内壁は中央において円柱形状であるべきである。孔は滑らかな壁ファイアポリッシュされたを有するべきである。適宜、5mm以下の高さのビードを孔の縁部のまわりに生成することができる。本発明によるインターポーザは、ボード形状ベース基板が3.1×10-6/Kから3.4×10-6/Kの範囲の熱膨張係数を有するガラスで製作されることを特徴とする。シリコンベースチップボードは3.2×10-6/Kと3.3×10-6/Kとの間の膨張係数を示す。したがって、異なる熱膨張挙動に起因するインターポーザとCPUチップとの間の大きい機械的応力は当然生じない。インターポーザの孔の数は特定の要求条件に従って選択され、cm2当たり10000個の孔まで達することがある。通常の孔の数は1000個から3000個の範囲にわたる。孔の中心間間隔は50μmから700μmの範囲にわたる。構成要素の小型化の要求条件を満たすために、20μmから200μmの範囲の直径を有する孔が設けられる。CPUチップと回路ボードとの間に電気的接続を確立するために、導電性経路は、インターポーザボードの表面の一方で孔までおよび孔の中におよび孔を通って延び、CPUチップのための接続点を形成する。ベース基板のガラスのアルカリ含有量は700ppm未満であるべきである。そのようなガラスは要求事項としての低い熱膨張係数を有し、高い誘電値により非常に良好な信号絶縁特性を示す。さらに、アルカリによるシリコンプロセッサの汚染の危険がほとんど回避される。環境保全の理由で、ガラス組成物のヒ素またはアンチモンの含有量は50ppm未満である。インターポーザボードの厚さは1mm未満であるが、30μmを下回らない。インターポーザの孔の数はニーズに応じて選ばれ、cm2当たり1000個から3000個の程度である。本発明は、100μmよりも小さい微小孔を有する市販のインターポーザを提供することを目標とする。したがって、孔は密に詰め込まれており、孔の中心間距離は150μmから400μmの範囲とすることができる。しかし、孔の縁部間距離は30μm未満にするべきでない。孔は必ずしもすべてが同じ直径である必要はなく、異なる直径の孔をボード形状ベース基板に設けることが可能である。孔直径に対するガラスボードの厚さの比、いわゆるアスペクト比は0.1から25までの広い範囲で選択することができるが、1から10までのアスペクト比が好ましい。孔は、一般に、薄い円筒形状を有するが、孔の入口および出口で不完全円形縁部rounded-brokenedgeを有することができる。20μmから200μmの範囲の直径を有することができる孔を正確に位置決めするために、集束レーザパルスがガラスの透過波長範囲で使用され、その結果、レーザビームはガラスに侵入し、その前にガラスの表面層で吸収されることはない。使用されるレーザ放射は非常に高い放射強度を有し、繊維状チャネルに沿ってガラスの局所非熱破壊をもたらす。その後、繊維状チャネルは孔の所望の直径に広げられ、そのために、孔縁部の材料の電熱加熱と蒸発とを引き起こす誘電破壊を使用することができ、かつ/または繊維状チャネルは反応性ガスを供給することによって広げられる。さらに、ドットの形態でベース基板に印刷されたRF結合材料を使用して所期の穿孔点に正確に印をつけることが可能である。印をつけたそのような点をRFエネルギーで加熱し、所期の孔の領域の電気高電圧に対する破壊強度を低下させて、最終的にこの点で誘電破壊を引き起こす。その穿孔は供給したエッチングガスで広げることができる。ボード形状ガラス基板上の導電性経路と、孔を通る導電性経路との製造は、既知の方法パターンで達成され、ここではこれ以上説明する必要はない。本発明の例示的な実施形態が図面を参照しながら説明される。第1の方法ステップにおいて、ボード形状ガラス基板1上の穿孔点10が、レーザ40のアレイ4から発出される集束レーザパルス41により印をつけられる。これらのレーザの放射強度は非常に強いので、繊維状チャネル11に沿ってガラスに局所非熱破壊を引き起こす。第2の方法ステップにおいて、繊維状チャネル11は孔12へと広げられる。このために、対向電極6および7を使用し、それに高電圧エネルギーを印加し、その結果、繊維状チャネル11に沿ってガラス基板を横切る誘電破壊がもたらされる。これらの突破口は、所望の孔直径が達成されたときに電力供給をオフにすることによってプロセスを停止するまで穿孔材料の電熱加熱と蒸発とによって広げられる。代替としてまたは追加として、繊維状チャネル11は、穿孔点10にガスを誘導するノズル20、30によって示されるように反応性ガスを使用して広げることができる。次の方法ステップにおいて、穿孔点10への導電性経路13がガラスボード1の上部表面に付けられ、孔12が導電性材料14で充填されて、ボードの底面でCPUチップなどの接点への接続が完了する。マザーボードに取り付けるために、ガラスボード1は回転される。図2は、微小孔を生成する別の方法を示す。穿孔点10は、正確にインプリントされたRF結合材料によって印をつけられる。これらの点10に、高周波エネルギーが電極2、3によって印加され、その結果、結合点自体と、上部表面結合点と下部表面結合点との間のガラス材料とが加熱され、それにより、材料の誘電強度が低下する。高電圧が印加されると、誘電破壊が狭いチャネル11に沿って生じることになる。高電圧エネルギーの供給を続けることによって、この狭いチャネル11は孔12のサイズまで広げることができる。しかし、誘電破壊に由来する狭いチャネル11を広げるために、ノズル20、30を通して供給される反応性ガスを使用することも可能である。最後に、孔12への導電性経路13がガラス基板の上部表面に付けられ、孔が導電性材料14で充填されて、ガラスボード1が回転された状態でCPUチップへの接続が確立される。インターポーザは別々に生成する必要がなく、むしろ、複数のインターポーザのためのガラス基板ボードを処理することができ、大きいサイズのガラス基板ボードを切断して個別のインターポーザを得ることができることに留意すべきである。0.2m×3mまたはそれ未満の縁部長をもつサイズのガラス基板ボードを処理することができる。円形ボード形態は1mまでの寸法を有することができる。例示的な実施形態ガラスは、1620°Cで、Pt/Irるつぼ中で、不可避の不純物は別として従来の実質的にアルカリを含まない原料から溶融された。溶融物はこの温度で1.5時間の間清澄され、次に、誘導加熱白金るつぼに注がれ、均質化のために1550°Cで30分間撹拌された。表は、好適なガラスの15の実施例と、それらの組成酸化物に基づいた重量と、それらの主な特徴とを示す。0.3重量の割合をもつ清澄剤SnO2実施例1~8、11、12、14、15およびAs2O3実施例9、10、13は記載されていない。以下の性質が明記される。熱膨張係数α20/30010-6/K密度ρg/cm3DIN52324に従った膨張計によるガラス転移温度Tg°C104dPasの粘性での温度T4°Cと呼ばれるVogel-Fulcher-Tammann式から計算された102dPasの粘性での温度T2°Cと呼ばれる50mm×50mm×2mmの寸法であり、すべての側面が研磨されたガラスボードの95°Cで24時間の間5塩酸で処理した後の重量損失材料除去値としてのHCl耐酸性mg/cm250mm×50mm×2mmの寸法であり、すべての側面が研磨されたガラスボードの23°Cで20分間10NH4FHFで処理した後の重量損失材料除去値としての緩衝フッ化水素酸へのBHF耐性mg/cm2屈折率nd実施例本発明によるガラスの組成酸化物に基づいた重量および基本的性質例示的な実施形態が示すように、ガラスは以下の有利な性質を有する。2.8×10-6/Kと3.8×10-6/Kとの間、好ましい実施形態では、≦3.6×10-6/K、特に好ましい実施形態では、<3.2×10-6/Kの熱膨張係数α20/300であり、したがって、アモルファスシリコンの膨張挙動およびさらに一層多結晶シリコンの膨張挙動と一致する。Tg>700°Cであり、高いガラス転移温度、すなわち、高温耐性である。これは、生産関連収縮圧縮をできるだけ低くするのに、およびアモルファスSi層を被覆し、続いてそれをアニーリングするための基板としてガラスを使用するのに必須である。ρ<2.600g/cm3であり、低密度である。1350°C以下の104dPasの粘性での温度作業点VA、ならびに熱成形および溶解性に関して好適な粘性特性である1720°C以下の102dPasの粘性での温度である。nd≦1.526であり、低い屈折率である。緩衝フッ化水素酸溶液に対する良好な耐性からとりわけ明白であるように、高い耐化学性である。ガラスは高い耐熱衝撃性および良好な失透安定性を示す。ガラスは、様々なドローイング法、例えば、微小シートダウンドロー、アップドロー、またはオーバーフロー溶融法によって、および好ましい実施形態では、ガラスがAs2O3およびSb2O3を含まない場合、さらにフロートプロセスによって板ガラスとして生成することができる。これらの性質により、これらのガラスはインターポーザを生成するための基板ガラスとして使用するのに極めて好適である。低アルカリガラスであり、シリコン材料のチップの熱膨張係数に非常に近い熱膨張係数をもつベース基板を使用することによって、インターポーザとCPUチップとの熱膨張の差に起因する障害は大部分回避される。隣接する接合材料層またはボードがわずかしか異ならない加熱挙動とわずかしか異ならない熱膨張係数とを有する場合、これらの接合層またはボード間には機械的応力がほとんどないことになり、層またはボード間に反りまたは亀裂がないことになる。以前のインターポーザと比較して孔によってより稠密に占められるインターポーザではより小さい基板サイズが採用され、それによって、含まれる層またはボードの膨張および収縮の差の量が、したがって、含まれる層またはボード間の反り、故に亀裂の危険性がより一層低減される。最後に、インターポーザサイズおよび孔サイズの縮減により使用しなければならないガラス材料が少なく、孔を充填するための導電性材料が少ないので、コスト削減も期待することができる。