"ウェハーを回転可能に支持するように構成された支持体と、ウェハーのエッジ上の第1の領域、前記ウェハーの前記エッジの近傍にある前記ウェハーの第1の側面上の第2の領域、および前記ウェハーの前記エッジの近傍にある前記ウェハーの第2の側面上の第3の領域をスキャンすることにより画像を生成するための撮像装置であって、前記画像が第1の参照座標を含む、撮像装置と、少なくとも名目上照準を合わせた光を前記ウェハーの前記第1の側面および前記ウェハーの前記第2の側面と少なくとも実質的に平行な方向に投影することにより、プロファイルを生成するためのプロファイラであって、前記少なくとも名目上照準を合わせた光が、前記ウェハーの前記エッジを通り越して投影され、前記プロファイルが第2の参照座標を含む、プロファイラと、前記第1の参照座標が前記第2の参照座標にマッピングできるようにするため、前記撮像装置および前記プロファイラの両方によって認識可能な前記ウェハーの前記エッジの少なくとも1つの構造的特徴の位置を見つけるための制御プログラミングとを含むシステム。前記撮像装置によって生成された前記画像が第1の座標系を含み、前記プロファイラによって生成された前記プロファイルが第2の座標系を含み、かつ、前記第1の座標系および前記第2の座標系が照準規正される、請求項1に記載のシステム。前記ウェハーの前記エッジが、複数の切子面、矩形エッジ、ノッチ、または平面のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載のシステム。前記ウェハーが、回転の外見上の偏心軸を提供するために、オフセットウェハー中心軸を含む、請求項1に記載のシステム。前記プロファイラが、回転の外見上の偏心軸を提供するために、前記ウェハーに関して平行移動するように構成されている、請求項1に記載のシステム。前記ウェハーの前記エッジが、前記撮像装置および前記プロファイラの両方によって視認可能な3次元の目標を含む、請求項1に記載のシステム。前記撮像装置および前記プロファイラの両方の視野内に拡がる、非ウェハーベースの目標をさらに含み、前記制御プログラミングが非ウェハーベースの目標を見つけるために構成され、前記非ウェハーベースの目標に対して前記撮像装置および前記プロファイラによって生成された追加の参照座標が、互いにマッピングできるにする、請求項1に記載のシステム。ウェハーを回転可能に支持することと、前記ウェハーのエッジ上の第1の領域、前記ウェハーの前記エッジの近傍にある前記ウェハーの第1の側面上の第2の領域、および前記ウェハーの前記エッジの近傍にある前記ウェハーの第2の側面上の第3の領域をスキャンすることにより前記ウェハーの画像を生成することであって、前記画像が第1の参照座標を含む、画像を生成することと、少なくとも名目上照準を合わせた光を、前記ウェハーの前記第1の側面および前記ウェハーの前記第2の側面と少なくとも実質的に平行な方向に投影することにより、前記ウェハーのプロファイルを生成することであって、前記少なくとも名目上照準を合わせた光が、前記ウェハーの前記エッジを通り越して投影され、前記プロファイルが、第2の参照座標を含む、プロファイルを生成することと、前記ウェハーの前記エッジの少なくとも1つの構造的特徴を、前記画像および前記プロファイルの両方上で見つけることと、前記ウェハーの前記エッジの前記少なくとも1つの構造的特徴を利用して、前記第1の参照座標を前記第2の参照座標にマッピングすることとを含む方法。前記画像の第1の座標系および前記プロファイルの第2の座標系を照準規正することをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記ウェハーの前記エッジが、複数の切子面、矩形エッジ、ノッチ、または平面のうちの少なくとも1つを含む、請求項8に記載の方法。前記ウェハーが、回転の外見上の偏心軸を提供するために、オフセットウェハー中心軸を含む、請求項8に記載の方法。回転の外見上の偏心軸を提供するために、前記プロファイラを前記ウェハーに関して平行移動させることをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記ウェハーの前記エッジが、前記撮像装置および前記プロファイラの両方によって視認可能な3次元の目標を含む、請求項8に記載の方法。非ウェハーベースの目標を前記撮像装置および前記プロファイラの両方の視野内に設けることと、追加の参照座標を生成するために、前記非ウェハーベースの目標を前記画像および前記プロファイルの両方上で見つけることと、前記撮像装置および前記プロファイラによって生成された追加の参照座標を、互いにマッピングすることとをさらに含む、請求項8に記載の方法。不連続エッジを有するウェハーと、前記ウェハーのエッジ上の第1の領域、前記ウェハーの前記エッジの近傍にある前記ウェハーの第1の側面上の第2の領域、および前記ウェハーの前記エッジの近傍にある前記ウェハーの第2の側面上の第3の領域をスキャンすることにより、前記ウェハーの画像を生成するための撮像装置であって、前記撮像装置によって生成された前記画像が第1の参照座標を含む、撮像装置と、少なくとも名目上照準を合わせた光を前記ウェハーの前記第1の側面および前記ウェハーの前記第2の側面と少なくとも実質的に平行な方向に投影することにより、前記ウェハーのプロファイルを生成するためのプロファイラであって、前記少なくとも名目上照準を合わせた光が、前記ウェハーの前記エッジを通り越して投影され、前記プロファイラによって生成された前記プロファイルが第2の参照座標を含む、プロファイラと、前記第1の参照座標が前記第2の参照座標にマッピングできるようにするため、前記撮像装置および前記プロファイラの両方によって認識可能な前記ウェハーの前記不連続エッジの少なくとも1つの構造的特徴の位置を見つけるための制御プログラミングとを含む装置。前記第1の座標系および前記第2の座標系が照準規正される、請求項1に記載のシステム。前記ウェハーの前記不連続エッジが、複数の切子面、矩形エッジ、ノッチ、または平面のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載のシステム。前記ウェハーが、回転の外見上の偏心軸を提供するために、オフセットウェハー中心軸を含む、請求項1に記載のシステム。前記プロファイラが、回転の外見上の偏心軸を提供するために、前記ウェハーに関して平行移動するように構成されている、請求項1に記載のシステム。前記ウェハーの前記不連続エッジが、前記撮像装置および前記プロファイラの両方によって視認可能な3次元の目標を含む、請求項1に記載のシステム。本発明に係るシステムは、ウェハーを回転可能に支持するように構成された支持体を含み得る。システムは、ウェハーのエッジ上の第1の領域、ウェハーのエッジの近傍にあるウェハーの第1の側面上の第2の領域、およびウェハーのエッジの近傍にあるウェハーの第2の側面上の第3の領域をスキャンすることにより、ウェハーの画像を生成するための撮像装置も含み得る。画像は、第1のを含む。システムは、少なくとも名目上照準を合わせたcollimated光を、ウェハーの第1の側面およびウェハーの第2の側面と少なくとも実質的に平行なparallel方向に投影することにより、プロファイル輪郭形状を生成するためのプロファイラも含み得る。その少なくとも名目上照準を合わせた光は、ウェハーのエッジを通り越して投影され得る。プロファイルは、第2のを含む。本発明に係るシステムは、第1のが第2のにマッピングできるようにするため、撮像装置およびプロファイラの両方によって認識可能なウェハーのエッジの少なくとも1つの構造的特徴の位置を見つけるための制御プログラミングをさらに含み得る。本発明に係る方法は、ウェハーを回転可能に支持することを含み得る。方法は、ウェハーのエッジ上の第1の領域、ウェハーのエッジの近傍にあるウェハーの第1の側面上の第2の領域、およびウェハーのエッジの近傍にあるウェハーの第2の側面上の第3の領域をスキャンすることにより画像を生成することも含む。画像は、第1のを含む。方法は、少なくとも名目上照準を合わせた光を、ウェハーの第1の側面およびウェハーの第2の側面と少なくとも実質的に平行な方向に投影することにより、ウェハーのプロファイルを生成することも含み得る。その少なくとも名目上照準を合わせた光は、ウェハーのエッジを通り越して投影され得る。プロファイルは、第2のを含む。本発明に係る方法は、ウェハーのエッジの少なくとも1つの構造的特徴を画像およびプロファイルの両方上で見つけることをさらに含む。方法は、ウェハーのエッジの少なくとも1つの構造的特徴を利用して、第1のを第2のにマッピングすることも含み得る。本発明に係るシステムは、不連続なエッジを有するウェハーを回転可能に支持するための支持体を含み得る。このシステムは、ウェハーのエッジ上の第1の領域、ウェハーのエッジの近傍にあるウェハーの第1の側面上の第2の領域、およびウェハーのエッジの近傍にあるウェハーの第2の側面上の第3の領域をスキャンすることにより、ウェハーの画像を生成するための撮像装置も含み得る。その撮像装置によって生成された画像は、第1の座標系を含む。本発明に係るシステムは、少なくとも名目上照準を合わせた光を、ウェハーの第1の側面およびウェハーの第2の側面と少なくとも実質的に平行な方向に投影することにより、ウェハーのプロファイルを生成するためのプロファイラも含み得る。その少なくとも名目上照準を合わせた光は、ウェハーのエッジを通り越して投影され得、そのプロファイラによって生成されたプロファイルは、第2の座標系を含む。システムは、第1の座標系が第2の座標系にマッピングできるようにするため、撮像装置およびプロファイラの両方によって認識可能なウェハーの不連続エッジの少なくとも1つの構造的特徴の位置を見つけるための制御プログラミングをさらに含み得る。前述の概要および後述する詳細な説明は、例示的かつ説明のためのみであり、必ずしも本開示を制限するものではないことが理解される。添付の図は、本明細書に組み込まれ、その一部を構成するが、本開示の主題を示す。説明および図は、全体で、本開示の本質を説明する働きをする。当業者により添付の図を参照することによって、本開示の多数の利点がより良く理解され得る。ここで、添付の図に示す、開示する主題に対する説明を詳細に行う。図1~図49を大まかに参照すると、ウェハーの画像生成およびウェハーのプロファイル生成のためのシステム100が、本開示に従って説明されている。画像は少なくとも第1の参照座標を含み、プロファイルは少なくとも第2の参照座標を含む。実施形態では、システム100は、第1の参照座標を第2の参照座標にマッピングするように構成される。システム100は、エッジ撮像システム102および影/エッジプロファイラシステム104を含む。エッジ撮像システム102は、ウェハー例えば、半導体材料または別の材料から構成され得る、較正ウェハー106のエッジの周辺の画像をスキャンするために、レーザスボットを利用し得る。実施形態では、スキャンされる領域は、上面および底面上の区域を含み得る。エッジ撮像システム102によって生成された画像は、次いで、欠陥よごれ、フィルムの気泡、および/またはフィルムの穴を含み得るが、それらに限定されないを識別するために利用され得る。エッジ撮像システム102は、エッジビード除去EBR:EdgeBeadRemovalのプロセスにおいて半導体メーカーによって開発されているような、層膜のへりfilmbeadにあるエッジを見つけるためにも利用され得る。いくつかの状況では、半導体ウェハーの上端と比較して、EBRを行う物理的な位置を例えば、垂直、またはZ方向に関して判断することは好ましくあり得る。これは、Zカットの高さZcutheightと呼ばれ得る。エッジ撮像システム102は、ウェハーのエッジに対して垂直に撮像するので、ウェハーエッジのプロファイルを作成するために、追加の深さ情報を必要とし得る。そのプロファイルは、正確なZカットの高さを報告するために必要であり得る。従って、正確なZ次元情報を収集するために、ウェハーに亘る撮像を行うことは、多くの場合望ましい。そこで、エッジ撮像システム102に加えて、影/エッジプロファイラシステム104が含まれ得る。実施形態では、影/エッジプロファイラシステム104は、名目上照準を合わせた光をウェハーの上面および底面に平行な方向に、ウェハーのエッジを通り越して投影する。ウェハーエッジの先端が、カメラに再撮像reimageされ得る。影/エッジプロファイラシステム104を利用すると、ウェハーベベルwaferbevelのサブマイクロメータ位置が獲得され得る。エッジ撮像システム102によって生成された画像は、1つまたは複数の参照座標例えば、Z次元の測定値を含み得る。さらに、影/エッジプロファイラシステム104によって生成されたプロファイルは、他の参照座標例えば、Z次元の測定値を含み得る。2つの測定装置例えば、エッジ撮像システム102と影/エッジプロファイラシステム104間で参照座標をマッピングするために、両方のシステムは、同様の構造を測定するように使用され得る。例えば、エッジ撮像システム102および影/エッジプロファイラシステム104の両方によって認識可能な少なくとも1つの構造的特徴を有する構造が選択されるとともに、エッジ撮像システム102に対する第1の参照座標が、影/エッジプロファイラシステム104に対する第2の参照座標にマッピング可能にする。いくつかの実施形態では、EBRのZカットの高さを取得するために、エッジ撮像システム102および影/エッジプロファイラシステム104によって利用された2つの座標系が照準規正boresightされる必要があり得る。影/エッジプロファイラシステム104は、影を作成するか、かつ/または再撮像するので、ウェハーから突き出ている特徴のみが影/エッジプロファイラシステム104によって認識可能であり得ることに留意すべきである。対照的に、エッジ撮像システム102は、突出部分または切り込まれた部分の微動perturbationを含め、様々な微動を認識することが可能であり得る。加えて、エッジ撮像システム102は、ウェハーの表面上にプリントされたコントラストを認識することが可能であり得る。図2~図24を大まかに参照すると、本開示に従って、較正ウェハー106が説明される。実施形態では、較正ウェハー106は、単結晶シリコン材料、金属材料例えば、アルミニウム、またはそれと同様のものなど、半導体/基板材料から構成され得る。いくつかの実施形態では、シリコンは、ホウ素、リン、ヒ素、またはアンチモンなどの物質でドーピングされ得る。他の実施形態では、ドーピングは利用されない。実施形態では、較正ウェハー106の単純なウェハー構造は、較正中に、通常の搭載および搬送loadandhandling技術を可能にし得る。さらに、較正ウェハー106は、クリーニング可能であって、較正中に破壊されることがなく、そして、わずかな誤差範囲で収まる安定したエッジを含み得る。さらに、ウェハーの周囲の多数の点が、大量のデータチェックを提供し得る。例えば、較正ウェハー106は、ウェハーベベル上に形成され、高精度で視認可能な不連続エッジ108を含み得る例えば、較正ウェハー106のプロファイルは、エッジ撮像システム102および影/エッジプロファイラシステム104の両方によって正確に視認され得る。実施形態では、較正ウェハー106は、複数の不連続エッジを含み得る。一実施形態では、較正ウェハー106の不連続エッジ108は、エッジ撮像システム102および/または影/エッジプロファイラシステム104のカメラに対する較正目標を作成するため、切子面facetcutを含み得る。別の実施形態では、較正ウェハー106は、エッジ撮像システム102および/または影/エッジプロファイラシステム104に対する較正目標を作成するため、単一の切子面を含み得る。別の実施形態では、切子面は、一定の長さの特徴を得るためにウェハーの中央から同心円状にカットされ得るか、またはそれぞれの切子面の長さを変化させるために偏心的にカットされ得る。図3~図5を参照すると、いくつかの実施形態では、較正ウェハー106の不連続エッジ108の切子面は、角度が互い違いになった研削条痕を有するように設計される。これら互い違いになった研削条痕は、エッジ撮像システム102によって撮られる画像内で、エッジの切れ目edgebreaksの容易な位置決めを可能にする。別の実施形態では、研削条痕は、利用されない。エッジの切れ目は、第1の参照座標を示し得る。加えて、各切子面の長さは、影/エッジプロファイラシステム104によって容易に検出できるような十分な大きさであり得一実施形態では、9ピクセルを上回る、複数の点が適合できるようにする。実施形態では、これは、1μm未満の二乗平均平方根RMS位置誤差を許容し得る。例えば、影/エッジプロファイラシステム10は、図4に示すように、線の部分に合わせることができ、また、その交差部分を見つけ得る。特定の一実施形態では、単一画像のRMSエッジ位置は、0.2ピクセル0.5μmであり得る。次いで、名目上100ピクセルの長さでは、交差誤差は、単一画像から0.12ピクセルRMSまたは0.3μm未満であり得る。エッジ撮像システム102のスキャンを用いて、最も近いピクセルデータを用いてエッジを生成する場合、測定の粒状度は、スキャンステップ特定の実施形態では、最大1μmおよび各ピクセルの小片同士の重なりに応じて制限されることが理解されるであろう。ここで図2を参照すると、較正ウェハー106の不連続エッジ108の切子面は、較正ウェハー106のプロファイルに対して重ね合わされた座標系に基づく半径に沿った半円の周囲に設けた、1箇所または複数個所の接線に応じて研削され得る。他の実施形態では、切子面は、レーザースキャン画像のピンぼけを回避するためなどの目的で、研削して丸められる。半円の中心は、回転110の設計中心と呼ばれ得る。図2に示す座標系では、回転110の設計中心は、座標系625,0μmに位置付けられる。ここで、図6~図12を参照すると、較正ウェハー106の不連続エッジ108が、影/エッジプロファイラシステム104に対して図9、図11、および図12に示すように滑らかな正弦曲線でシフトするように図10に示すように、較正ウェハー106が、外見上の偏心軸の周りをすなわち、影/エッジプロファイラシステム104に対して回転する。いくつかの実施形態では、較正ウェハー106の外見上の偏心軸は、オフセットウェハー中心軸を利用することにより取得されるが、他の実施形態では、影/エッジプロファイラシステム104および/またはエッジ撮像システム102は、較正ウェハー106に関して前後に平行移動され得る。較正ウェハー106が回転している間、回転の設計中心110から第1の点112すなわち、第2の参照座標および第2の点114すなわち、別の参照座標への角度を測定することにより、較正ウェハー106の特徴がより正確に判断され得る。説明した非破壊の較正手法で複数のデータ点を利用して、較正ウェハー106に対して正確な垂直座標融合を作成できるので、較正ウェハー106の特徴がマイクロメータレベルの精度で位置を見つけられ得る。例えば、以前の説明を参照すると、エッジ撮像システム102によって判断されたエッジの切れ目における第1の参照座標は、第1の点112/影/エッジプロファイラシステム104を利用して決定された第2の参照座標に相間し得る/マッピングされ得る。ここで、図13~図17を参照すると、半導体ウェハーの画像およびプロファイルを生成するための方法1700が示されており、そこでは、画像が第1の参照座標を含み、プロファイルが第2の参照座標を含み、また、その方法は、第1の参照座標の第2の参照座標へのマッピングを含む。第1に、不連続エッジを有する半導体ウェハーが、回転可能に支持される1710。次いで、半導体ウェハーの画像が、半導体ウェハーのエッジ上の第1の領域、半導体ウェハーのエッジの近傍にある半導体ウェハーの第1の側面上の第2の領域、および半導体ウェハーのエッジの近傍にある半導体ウェハーの第2の側面上の第3の領域をスキャンすることにより生成され、そこで、画像は、第1の参照座標を含む1720。次に、半導体ウェハーのプロファイルが、少なくとも名目上照準を合わせた光を、半導体ウェハーの第1の側面および半導体ウェハーの第2の側面と少なくとも実質的に平行な方向に投影することにより生成され、その少なくとも名目上照準を合わせた光は半導体ウェハーのエッジを通り越して投影され、そこで、プロファイルは、第2の参照座標を含む1730。座標変換が、画像およびプロファイルの両方にある半導体ウェハーの不連続エッジの少なくとも1つの構造的特徴を見つけることにより決定される1740。最後に、検査中のウェハーの特徴の位置を判断するために、半導体ウェハーの不連続エッジの少なくとも1つの構造的特徴の位置を利用して、第1の参照座標が第2の参照座標にマッピングされる1750。実施形態では、較正ウェハー106は、エッジ撮像システム102を影/エッジプロファイラシステム104に対して較正するために、スキャンされ得る。第1に、回転のスキャン光学軸Y軸が、既知の基準ウェハーに対して利用され得る。次いで、エッジプロファイルに関する基準エッジの決定および光学画像への相間が実行され得る。最後に、スキャンからの理想的なエッジ形状がウェハーの底平面に位置合わせされ得る。その後、実行時runtimeに、エッジプロファイルから求められる、コーナー先端の末端位置に基づいて、スキャン光学ヘッドの作動距離補正X軸が行われ得る。このステップは、ウェハー毎に実行され得る。次に、ウェハー毎にウェハーの厚さ補正上端からのZ高さが実行され得る。最後に、スキャン用光学系の走査に対する、エッジプロファイルの軌跡の位置合わせが実行され得る。実施形態では、エッジ撮像システム102が曲がって進む段階ウェハーのエッジ周りのスキャニングにおいて、影/エッジプロファイラシステム104の視野内にある、単一位置に対応するような、回転中心点を有し得る。矩形エッジウェハー図15および図16に見られるようには、エッジ撮像システム102の画像および影/エッジプロファイラシステム104のプロファイルの両方において、見やすい特徴を提供し得ることに留意すべきである。さらに、放射状に進む段階では、エッジ撮像システム102をウェハー中心により近接するように移動させるために利用され得る。ここでは、影/エッジプロファイラシステム104の水平方向に亘る視野内に、様々なエッジ位置を設ける機会を作る。エッジ撮像システム102のスキャンの中心位置は、従って、影/エッジプロファイラシステム104のプロファイル上に位置付けられ得る。エッジ撮像システム102のスキャンで観測された特徴角度は、プロファイル画像と交差し得る。較正ウェハー106の不連続エッジ108は、ウェハーからベベルを取って四角にするための単一のフラットカットを含み得る。それは、ウェハーを偏心的に回転させてカットできることに留意すべきである。また、較正のために視認可能な、角度の連続するセットを作成し得る。さらに、較正ウェハー106は、調整を必要とすることも、通常の搭載時のセンタリング機構のずれを生じることもなく、最も焦点が合うようにエッジ撮像システム102に搭載するために、平面でもカットされ得る。これは、1つまたは複数の変化する特徴位置をエッジ撮像システム102およびエッジプロファイラシステム104に提供するために、平坦なエッジがウェハー上で同心円状にカットできるようにし得る。ここで、図18~図29を参照すると、本開示に従って、較正ウェハーに対する様々な構成が説明されている。実施形態では、180度のシータthetaにおける平面ノッチの反対を用いて、エッジ撮像システム102のツールが、名目上の中心軸から外れた較正ウェハー106を中心に置き直すことを可能にし得る。これは、視野内におけるエッジの移動を可能にし得る。また、エッジ撮像システム102に広範なファイphi角度にわたって目標を視認させ得る。さらに、実施形態では、エッジのファイ位置が、測定可能な角度範囲の半分以上に亘ってエッジのファイ位置が分布するようになっても、較正ウェハー上に同心円状に形成された、少なくとも5つの切子面および/または6つの特定の角度点が視認されるような範囲に収まれば、偏心された状態での搭載decenteredloadingが許容される。これは、より容易なウェハー製造および検査を可能にし得る。実施形態では、較正ウェハー106上の平面を追加することで、点の1つが平面に接触する3点接触センタリング機構を含め、様々なセンタリング機構で偏心化を可能にし得る。さらに、平面は、搭載時の偏心度の変更を可能にするため、センタリング機構の接触点に沿って回転され得る。実施形態では、ウェハーは、較正に利用可能ないくつかの変性することのないnondegenerateデータ点を増やすために、偏心的に搭載され得る。いくつかの特定のウェハー形状および/または構成が本明細書で説明され、添付の図に示されているが、これらの異なる形状および構成は、ほんの一例として提供されており、本開示を制限することは意図されていないことが理解されるであろう。従って、多数の代替手段で構成されたウェハーが本開示で利用され得ることに留意すべきである。ここで、図30~図38を参照すると、本開示に従って、較正モデルテストが説明されている。特定の実施形態では、側面スキャン光軸が回転軸から、ウェハー表面から1250μmのところで125μmだけずれており、それは、ファイ回転の中心から1625μmである。また、側面スキャン光軸の0.10度の角度誤差が説明されている。1000分の1単位でのファイのスケール誤差が説明されている。0.10度のファイにおけるオフセットが説明されている。最後に、ウェハー半径での25μmおよびウェハー高さでの-50μmの回転のファイ中心における誤差が示されている。実施形態では、較正出力を計算するために、測定された角度を実際の角度プロファイラによって見られるようにおよび凝視点staringpointに変換するための測定可能なファイの範囲に関して、テーブルまたは公式が作成され得る。実際の角度は、プロファイラ空間内における線の角度を、測定された側面スキャンのファイ角度を表す点で表し得る。凝視点は、線をプロファイラ空間に固定する線上の点を表し得る。この点は、局所的な回転中心である必要がないことに留意すべきである。実施形態では、較正を適用するために、測定された角度から凝視角および点が決定され得る例えば、検索および/または計算で。次いで、凝視線がプロファイルのエッジ上に重ね合わされ得る。次に、プロファイルとの交差が計算され得る。そして、最後に、位置が報告され得る。図39~図45を大まかに参照すると、本開示に従って、オフセットウェハーに対する較正試験calibrationexerciseが説明されている。この試験は、収集されたデータおよび誤差原因の結果との関係を明示することを目的とすることが理解されるべきである。実施形態では、ウェハー中心オフセットが、拡張された範囲にわたる収集点の連続体を生成するために利用され得る。モデル化された例で示すように、この手法は、継続的に変化するデータを提供しながら、広範な測定範囲にわたる補償の直接測定を可能にし得る。これは、180度における過剰な複数のポイントを含む、所定のレンジにおけるポイントのシータthetaを直接測定できるように、アクセスできるようにし得る。さらに、プロファイル収集を越えた側面スキャンヘッドの移動は必要とされ得ない。第1に、一連の画像が収集される。例えば、オフセット中心をもつウェハーが搭載され、側面スキャン画像が収集される。次いで、エッジの特徴を示す軌跡エッジ特徴トレースが側面スキャン画像内で検出される。次に、側面スキャン画像内のエッジ特徴トレースが、プロファイルサンプル角度を決定するために利用され得る。プロファイルが、次いで収集される。最後に、サンプル点を追加し、ランダム誤差の寄与を最小限にするために、プロセスが繰り返される。次に、画像が処理される。例えば、測定された点が、凝視点円を求めるために利用され得る。十分なデータ点があれば、変数が直接例えば、連立方程式を利用して解決され得る。この手法は、データセットを満足し、最良適合を判断して最良適合の解に収束させるために、追加の点を利用することにより、拡張され得る。実施形態では、このプロセスは、未決定のunder-determinedおよびわずかに決定されたmarginally-determinedすなわち、雑音利得データに対するテストを含み得る。データは、十分な分離を達成するために、ファイおよびファイ半径すなわち、回転のファイ中心からの距離の両方において、十分な範囲にわたって収集され得ることが理解されるであろう。さらに、凝視角誤差および回転誤差のY中心が決定され得る。次いで、十分なデータセットが決定され得る。例えば、エッジプロファイルは、多くの場合、ファイとファイ半径その結果、ファイとY次元との間の単純な関係に適合し得る。しかし、この関係は、必ずしも一般的な場合に対する解決ではなく、利用したプロファイルによって過度に制約される解決策をもたらし得る。同様に、データの生成は、同様の効果を持ち得る。現在、説明している例を参照すると、Y=375およびY=175でのデータセット間での十分な重なり合いすなわち、数学的な重なり合いであるが必ずしも文字通りの重なり合いではないなしで、ファイとファイ半径との間に一定の関係があり得、潜在的に不正確な解をもたらす。次に、凝視角誤差コンポーネントが説明される。実施形態では、凝視角誤差は、距離における変更が生じる場合に、特徴の検出された位置と設計された側面スキャン角度ファイにおける任意の変動を含み得る。さらに、焦点または光学距離を伴う任意の決定論的シフトが、この補償に結合され得る。較正が非線形モデルを必要とすることが分かると、較正要件が増やされ得ることが理解されるであろう。しかし、いくつかの実施形態では、較正は、利用した範囲を越えて、ほぼ線形であり得るという予想が存在し得る。回転の中心および光軸誤差について、以下が留意され得る:回転の中心円上の90°および270°近くのデータ点を用いると、側面スキャン回転中心X変数SSCoRxおよび光軸誤差が、直接決定され得るおそらく、以下のように小さな誤差で。点の数の増加、点の位置の変動、および測定の繰返しは、測定誤差を削減し得ることに留意すべきである。この時点で、光軸誤差のコンポーネントは分離可能でない可能性があることが理解されるであろう。さらに、角度誤差はオフセットから分離されない可能性がある。凝視角誤差は、SSCoRxにおける誤差をファイ半径における差に反比例して追加することにより生成され得るこの誤差は、側面スキャン回転中心Y変数SSCoRyの誤差×角度誤差の正接に等しくあり得る。いくつかの実施形態では、SSCoRxへの寄与は、凝視角誤差およびSSCoRyが決定された後、削減されて取るに足らなくなり得るか、または取るに足らないと判断され得る。角度誤差が小さく、かつ/またはプロファイル半径がほぼ一定である場合、これは、問題ではない可能性があるが、予期される測定エンベロープmeasurementenvelopeにわたって決定される必要があり得ることに留意すべきである。作用するSSCoRyが決定され得るが、角度誤差凝視角誤差に起因して同様の不確実性を被り得る。180°の近くで、かつSSCoRxに対して使用した点と同じファイ半径に近い点を利用することは、この初期の誤差を削減し得ることが理解されるであろう。実施形態では、処理手順は、十分な測定点を利用して、SSCoRおよび光軸誤差を計算すること、ならびにこれをセット内で繰り返して最良適合に収束することを含み得る。従って、目的は、90度および270度近くのデータ、ならびにほぼ同じファイ半径で、これらの角度から十分に離れた点を含むことであり得る。ここで、図44を参照すると、以下が留意され得る:実施形態では、凝視角誤差の影響は比較的小さいようであり、分離される必要があり得る。作用するSSCoRでは、線対の交差を伴い得る、局所の回転の中心の利用から、各線に対する凝視点の計算に移行する必要があり得る。凝視点は、SSCoRからの最小距離におけるデータ線上にあり得ることが理解されるであろう。次いで、凝視点半径が検査され、ファイ半径に関連付けられ得、それは、凝視角誤差をもたらし得る。ここで、図45を参照すると、以下が留意され得る:0.10度では、角度誤差信号は、ありそうもない大きなセットの較正データからでも、小さい可能性があるかかる範囲のファイ半径を得そうにない可能性がある。それに応じて、Z高さ測定における、この小さい角度誤差からほとんど寄与はない可能性がある例えば、プロファイルの垂直断面上のファイ半径における100μmの変化に基づき。データ収集における不確実性を追加すると、より少ない点で誤差を0.1度に決定することは取るに足らない可能性がある。例えば、0.13度と0.18度との間で、誤差は重要になり得る例えば、総誤差集合errorbudgetの1/3に達する;これは、前述したように、プロファイルの垂直断面上のファイ半径における100μmの変化に基づき得る。影響は、ベベルの先端部および端部の近くで最大であり得ることが理解されるであろう。これらの点において、サンプルプロファイル上では、ファイ半径は、ファイに関してさらに変化し得る。角度誤差の寄与を測定するか、または退けるために、任意の適したファイ半径を越える収集範囲およびかなりの数の測定反復が要求され得る。ここで、図46~図48を参照すると、本開示に従って、測定誤差の寄与が説明されている。実施形態では、測定誤差の寄与は、モンテカルロシミュレーションまたは同様のものによって導出され得る。座標誤差のZカットへの変換は、特定のプロファイルタイプ添付の図にいくつかのプロファイルタイプが示されているによって決まり得ることに留意すべきである。1つの特定例では、以下の条件が存在し得る:光軸オフセットは、少なくともほぼゼロの範囲不確実性で、少なくとも約15μmの名目値を有し得る。凝視角誤差は、少なくともほぼゼロの範囲不確実性で、少なくとも約0.1度の名目値を有し得る。回転の中心X値主にRは、少なくとも約または-3の範囲不確実性で、少なくとも約15μmの名目値を有し得る。回転の中心Y値は、少なくとも約または-1.5の範囲不確実性で、少なくとも約10μmの名目値を有し得る。最後に、ファイ不確実性は、少なくとも約0.045度特定の一実施形態では、1/4ピクセルの範囲を有し得る。ファイエンコーダオフセットおよびスケールが、較正と測定との間で共通のものとして扱われ得るすなわち、これらからの寄与がないことが理解されるであろう。現在説明している実施形態では、最大のZ誤差は、90度と155度の間で決定され得る。例えば、最大シグマZ高さμmで測定は、半径モデル図46を参照に対して0.559で決定され得るが、図47に示すモデルに対しては0.692で決定され、図48に示すモデルに対しては0.916で決定される。さらに、最大シグマの角度度で測定は、図46に示す半径モデルに対して152で決定され得るが、図47に示すモデルに対しては152で決定され、図48に示すモデルに対しては141で決定される。システム100を効果的に較正するためには、座標変換を正確に解決するため、ファイに対して、およびファイ半径に対して、X次元、Y次元において十分な範囲を表すデータを収集すべきであることに留意すべきである。さらに、データ収集は、計算された結果にわたって直交するように設計され得る。例えば、サンプル点は、90度および270度例えば、同じ半径での近くで取得され得、追加のサンプル点が、180度のさらに近く90度のサンプル点および270度のサンプル点と同じ半径の近くで取得され得、そして、独立した測定値を提供するために、著しく異なる半径でサンプル点が取得され得る。従って、データセットが例えば、全体として、半径がファイ、X、またはYに関連し得る数列に近似する可能性がないことを確実にすることは望ましくあり得る。また、収集されたデータは、充足性、および結合が過度の雑音利得を含み得る場合について検査され得る。実施形態例では、較正ウェハーが、プロファイルにおいて明確に検出可能な特徴および/または変化で形成され得る。プロファイルは、R動作なしで変化する半径から恩恵を受け得、そこでは、R動作は、半径方向におけるウェハー撮像装置102の平行移動として定義され得る。しかし、十分なデータを得るためにR動作平行移動意図的またはそうでない場合もあり得るを提供することはなお望ましくあり得る。影/エッジプロファイラシステム104が較正ウェハー106に関して前後に平行移動される実施形態では、影/エッジプロファイラシステム104は、較正ウェハー106に対して回転の中心を較正するために、名目上の半径位置に戻され得ることに留意すべきである。さらに、影/エッジプロファイラシステム104は、予期されるファイ半径範囲を越えてカバーするのに十分な範囲にわたって移動され得ることが理解されるであろう。さらなる実施形態では、EBRフィルムがプリントされたウェハーが、エッジ撮像システム102によってスキャンされ得る。フィルム情報が、エッジ撮像システムのスキャン内に収集され得、また、プロファイルが、影/エッジプロファイラシステム104を利用して収集され得る。EBRフィルムがプリントされたウェハーは、次いで、影/エッジプロファイラシステム104の画像内で特徴の位置を判断するために、電子線装置EBeammachineまたは他の適切な座標測定装置で、ダイスカットされ、測定され得る。他の実施形態では、3次元の目標5マイクロメータのボールまたはポリスチレンラテックスPSL球などは、ウェハー上に噴霧されるか、かつ/または配置され得る。目標は、その結果、エッジ撮像システム102および影/エッジプロファイラシステム104の両方で視認可能であり得る。さらに別の実施形態では、非ウェハーベースの目標システムが利用され得る。例えば、非ウェハーベースの目標には、例えば、PSLまたはニッケルから構築された5マイクロメータのボールを含み得、それは、エッジ撮像システム102および影/エッジプロファイラシステム104からのデータ収集を可能にする構造上に吊るされ得る。本開示では、開示する方法は、装置によって可読な命令のセットまたはソフトウェアとして実装され得る。さらに、開示する方法におけるステップの特定の順序または階層は例示的アプローチの例であることが理解される。設計の好みに基づいて、方法におけるステップの特定の順序または階層が、開示する主題内にとどまりながら、再配置できることが理解される。付随する方法は、様々なステップの本要素をサンプル順序で請求し、提示した特定の順序または階層に制限することを必ずしも意味しない。本開示およびその付随する利点の多くは、前述の説明によって理解され、開示する主題から逸脱することなく、またはその材料の優位性のすべてを犠牲にすることなく、様々な変更が、コンポーネントの形状、構造、および配置においてなされ得ることが明らかであると考えられる。説明した形状は例示にすぎず、かかる変更を包含し、含むことは、以下の特許請求の範囲の目的である。"