"スリット状の開口部を備えた誘電体製の筒状チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させるコイルと、前記コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台と、を備えたプラズマ処理装置であって、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備え、前記コイルは、前記チャンバの周囲に設けられた弧状の導体からなり、前記弧状の導体の弧が途切れた部分に前記開口部を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。前記弧状の導体を複数備え、かつ、前記複数の弧状の導体が平行に配置されていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。前記複数の弧状の導体が、互いに隣り合う複数の弧状の導体に逆位相の高周波電流が流れるように蛇行配置されていることを特徴とする請求項2記載のプラズマ処理装置。前記弧状の導体の両端が、導体からなる高周波印加棒及び接地棒に接続され、前記高周波印加棒及び前記接地棒の長手方向と前記開口部の長手方向とが平行に配置されていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。前記筒状チャンバの長手方向の両側に2つの冷媒マニホールドを備え、前記筒状チャンバに、前記2つの冷媒マニホールドを連通する冷媒流路を備えたことを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。前記筒状チャンバの長手方向の両側に2つの冷媒マニホールドを備え、前記筒状チャンバに、前記2つの冷媒マニホールドを連通する冷媒流路を備え、前記高周波印加棒及び前記接地棒が中空の管からなり、前記高周波印加棒または前記接地棒のうち一方が、前記2つの冷媒マニホールドのうちの一方と連通し、前記高周波印加棒または前記接地棒のうち他の一方が、前記2つの冷媒マニホールドのうちの他の一方と連通していることを特徴とする請求項3記載のプラズマ処理装置。前記複数の弧状の導体の間に、前記ガス導入口に連通する複数のガス配管が設けられていることを特徴とする請求項2記載のプラズマ処理装置。前記筒状チャンバ、前記コイル、前記高周波印加棒及び前記接地棒が、接地電位の導体カバー内に収納され、前記高周波印加棒と前記導体カバーとの間に、絶縁棒が配置されていることを特徴とする請求項3記載のプラズマ処理装置。前記筒状チャンバの内部空間が、前記筒状チャンバに設けられたスリットであることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。前記筒状チャンバに設けられたスリットの幅が、前記開口部に向けて一定であることを特徴とする請求項8記載のプラズマ処理装置。前記筒状チャンバに設けられたスリットの幅が、前記開口部に向けて徐々に広くなることを特徴とする請求項8記載のプラズマ処理装置。前記筒状チャンバに設けられたスリットの幅が、前記開口部に向けて徐々に狭くなることを特徴とする請求項8記載のプラズマ処理装置。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法において、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理するに際して、前記コイルは、前記チャンバの周囲に設けられた弧状の導体からなり、前記弧状の導体の弧が途切れた部分に前記開口部が配置された状態で前記基材の表面を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。しかしながら、半導体の結晶化など、ごく短時間だけ基材の表面近傍を高温処理する用途に対して、従来の熱プラズマを大面積に発生させる技術は有効ではなかった。従来例に示した特許文献2に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、広幅化はされるものの、広幅化された領域における温度分布は100°C以上となっており、均一な熱処理の実現は不可能である。また、従来例に示した特許文献3、4に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、本質的には熱プラズマを揺動させるものであるから、実質的に熱処理されている時間は、回転させずに走査した場合と比べて短くなるので、大面積を処理する時間が特段短くなるものではない。また、均一処理のためには回転速度を走査速度に比べて十分に大きくする必要があり、ノズルの構成が複雑化することは避けられない。また、従来例に示した特許文献5に記載の技術は溶接技術であり、大面積を均一に処理するための構成ではない。仮にこれを大面積処理用途に適用しようとしても、この構成においては点状のアークが帯状電極に沿って振動するので、時間平均すると均一にプラズマが発生するものの、瞬間的には不均一なプラズマが生じている。したがって、大面積の均一処理には適用できない。また、従来例に示した特許文献6に記載の技術は、非特許文献1や特許文献1に開示されているDCアーク放電を用いたものと異なり、誘導結合型の高周波プラズマトーチであることが特徴である。無電極放電であることから、熱プラズマの安定性に優れ時間変化が小さい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが少ないという利点がある。さて、誘導結合型プラズマトーチにおいては、高温プラズマから絶縁体材料を保護するために、絶縁体材料を二重管構成としてその間に冷媒を流す方法が一般的に採用されている。しかしながら、従来例に示した特許文献6に記載の技術においては、絶縁体材料が扁平な直方体状をなしていることから、これを単純に二重管構成としただけでは、十分な流量の冷媒を流すことができない。なぜなら、絶縁体材料は一般に金属に比べて機械的強度に劣るため、絶縁体材料を長尺方向に余りに長くすると、二重管の内圧を高くできなくなるからである。このため、大面積を均一に処理するのに限界がある。また、仮に絶縁体材料の冷却の問題がないと仮定しても、従来例に示した特許文献6に記載の技術においては、絶縁体材料の内部空間に形成した高温プラズマは、その最下部から噴出するごく一部のみが基材に直接作用する構成であるため、電力効率が悪いという問題点がある。また、絶縁体材料の内部空間においては、中心付近のプラズマ密度が高くなるので、長尺方向にプラズマが不均一となり、基材を均一に処理することができないという問題点がある。なお、点状の熱プラズマであっても、その直径が大きければ大面積処理の際の走査回数を減らせるため、用途によっては短時間で処理できる。しかし、熱プラズマの直径が大きいと、走査時に熱プラズマが基材上を通過する時間が実質的に長くなるため、ごく短時間だけ基材の表面近傍のみを高温処理することはできず、基材のかなり深い領域までが高温になり、例えばガラス基板の割れや膜剥がれなどの不具合を生じることがある。また、従来例に示した特許文献8に記載の技術では、先に述べた誘導結合型の高周波プラズマトーチと比較して、熱プラズマの安定性に劣り時間変化が大きい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが多いという欠点がある。本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。本願の第1発明のプラズマ処理装置は、スリット状の開口部を備えた誘電体製の筒状チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させるコイルと、前記コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台と、を備えたプラズマ処理装置であって、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備え、前記コイルは、前記チャンバの周囲に設けられた弧状の導体からなり、前記弧状の導体の弧が途切れた部分に前記開口部を設けたことを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本願の第1発明のプラズマ処理装置において、好適には、前記弧状の導体を複数備え、かつ、前記複数の弧状の導体が平行に配置されていることが望ましい。このような構成により、チャンバの長手方向に均一なプラズマを発生させることができる。また、この場合、前記複数の弧状の導体が、互いに隣り合う複数の弧状の導体に逆位相の高周波電流が流れるように蛇行配置されていてもよい。このような構成により、互いに隣り合う弧状の導体どうしが形成する誘導電磁界が強められるため、効率のよいプラズマ生成が可能となる。また、好適には、前記弧状の導体の両端が、導体からなる高周波印加棒及び接地棒に接続され、前記高周波印加棒及び前記接地棒の長手方向と前記開口部の長手方向とが平行に配置されていることが望ましい。このような構成により、コイルへの高周波印加が簡単に行える。また、好適には、前記筒状チャンバの長手方向の両側に2つの冷媒マニホールドを備え、前記筒状チャンバに、前記2つの冷媒マニホールドを連通する冷媒流路を備えることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置の効率的な冷却が簡単に行える。また、好適には、前記筒状チャンバの長手方向の両側に2つの冷媒マニホールドを備え、前記筒状チャンバに、前記2つの冷媒マニホールドを連通する冷媒流路を備え、前記高周波印加棒及び前記接地棒が中空の管からなり、前記高周波印加棒または前記接地棒のうち一方が、前記2つの冷媒マニホールドのうちの一方と連通し、前記高周波印加棒または前記接地棒のうち他の一方が、前記2つの冷媒マニホールドのうちの他の一方と連通していることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置の効率的な冷却に加え、コイル、高周波印加棒及び接地棒の冷却が簡単に行える。また、好適には、前記複数の弧状の導体の間に、前記ガス導入口に連通する複数のガス配管が設けられていることが望ましい。このような構成により、長手方向に均一なガス流れの形成を簡単に行える。また、好適には、前記筒状チャンバ、前記コイル、前記高周波印加棒及び前記接地棒が、接地電位の導体カバー内に収納され、前記高周波印加棒と前記導体カバーとの間に、絶縁棒が配置されていることが望ましい。このような構成により、高周波の漏洩が効果的に防止できるとともに、好ましくない異常放電などを効果的に防止できる。また、好適には、前記筒状チャンバの内部空間が、前記筒状チャンバに設けられたスリットであることが望ましい。このような構成により、筒状チャンバを簡単に形成できる。また、前記筒状チャンバに設けられたスリットの幅が、前記開口部に向けて一定であってもよいし、前記開口部に向けて徐々に広くなってもよいし、あるいは、前記開口部に向けて徐々に狭くなってもよい。本願の第2発明のプラズマ処理方法は、筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法において、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理するに際して、前記コイルは、前記チャンバの周囲に設けられた弧状の導体からなり、前記弧状の導体の弧が途切れた部分に前記開口部が配置された状態で前記基材の表面を処理することを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本発明によれば、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。以下、本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置について図面を用いて説明する。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1について、図1~図3を参照して説明する。図1Aa及びbは、本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図1Bc及びdは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。図1Bcは図1Abの破線A~A‘で切った断面図、図1Bdは図1Abの破線B~B‘で切った断面図、図1Aaは図1Bcの破線C~C’で切った断面図、図1Abは図1Bcの破線D~D’で切った断面図である。また、図2は、図1A及び図1Bに示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品の斜視図を並べたものである。また、図3は、図1BdのE部の拡大図である。図1~図3において、基材載置台1上に基材2が載置されている。誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、コイルをなす弧状の導体としての銅管3が、誘電体製の筒状チャンバを構成する石英ブロック4の周囲に配置される。石英ブロック4の下方に設けられた真鍮ブロック5と、金属製のカバー6の内部に、銅管3及び石英ブロック4が収納されている。真鍮ブロック5及びカバー6は接地されるので、高周波の漏洩が効果的に防止できるとともに、好ましくない異常放電などを効果的に防止できる。筒状チャンバ内部の空間7は、石英ブロック4に設けられたスリットである。筒状チャンバ内部の空間7に発生したプラズマは、筒状チャンバにおけるスリット状の開口部としてのプラズマ噴出口8より基材2に向けて噴出する。銅管3からなる弧状の導体の弧が途切れた部分が図の下方に相当し、そこに開口部としてのプラズマ噴出口8が設けられている構成である。また、チャンバの長手方向とプラズマ噴出口8の長手方向とは平行に配置されている。カバー6の上方に、プラズマガスマニホールド9が設けられる。プラズマガスマニホールドに供給されたガスは、導体製のプラズマガス供給配管10を介して、石英ブロック4に設けられ、下方にガス導入口としての開口部を備えたプラズマガス供給穴11より筒状チャンバ内部の空間7に導入される。銅管3とプラズマガス供給配管10は、これらの間の空間での放電を抑制するために、樹脂ブロック12により埋められている。このように、複数の弧状の銅管3の間に、ガス導入口に連通する複数のプラズマガス供給配管10が設けられているので、長手方向に均一なガス流れを簡単に形成できる。また、基材載置台1に近い部分に、シールドガスノズル13が配置され、その内部にはシールドガスマニホールド14が設けられる。このように、2系統のガス導入が準備されており、プラズマ生成に適したプラズマガスとは別にシールドガスを供給して、大気中の酸素、二酸化炭素など、処理に不要、あるいは悪影響を及ぼすガスのプラズマ照射面への混入を低減することが可能となる。銅管3の内部には、高周波印加棒としての上流側銅管15及び接地棒としての下流側銅管16の内部を介して、絶縁性冷媒としての水が流れる。すなわち、銅管3の内部の空間と、中空の上流側銅管15及び下流側銅管16の内部の空間は連通するよう構成されている。また、石英ブロック4及び真鍮ブロック5には、これらを貫通する冷却水配管17が設けられている。これらの水路冷媒流路は、真鍮ブロック18の外側に設けられた樹脂ケース19と真鍮ブロック18との間の空間がなす冷媒マニホールドとしての冷却水マニホールド20に連通している。樹脂ケース19には、冷媒導入口冷媒排出口としての冷却水出入口21が各1箇所ずつ設けられ、トーチユニットTへの水冷配管の引き回しが非常に簡潔なものとなっており、小型のトーチを構成しうる。すなわち、筒状チャンバの長手方向の両側に2つの冷媒マニホールド20を備え、各部材に2つの冷媒マニホールド20を連通する冷媒流路を備えた構成である。なお、上流側銅管15及び下流側銅管16への給排水は、逆方向に延びた銅管延長部22に設けられた冷却水出入口23円筒状の銅管の側面に設けられた穴から行われる。つまり、冷却水出入口23は冷却水マニホールド20内に配置され、上流側銅管15及び下流側銅管16のうち一方が、2つの冷媒マニホールドのうちの一方と連通し、上流側銅管15及び下流側銅管16のうち他の一方が、2つの冷媒マニホールドのうちの他の一方と連通している。上流側銅管15及び下流側銅管16は、真鍮ブロック18を貫通する樹脂ブッシュ24の内部を通り、樹脂ケース19に設けられた高周波導入端子穴25及び接地端子穴26を介して銅ブロック27に接続され、銅板28を通じて図示しない高周波整合回路に接続される。また、上流側銅管15及び下流側銅管16は、絶縁棒としての樹脂ブロック29により、接地電位となる真鍮ブロック5及びカバー6との絶縁が図られ、樹脂ブロック30により接地電位となる真鍮ブロック18との絶縁が図られている。このように、本実施の形態においては、石英ブロック4を貫通する、断面が円形の冷却水配管17が複数設けられているので、従来例に示した特許文献6に記載の技術において二重管構成として水冷した場合に比べて、はるかに大量の冷媒を流すことができる。長方形のスリット状のプラズマ噴出口8が設けられ、基材載置台1或いは、基材載置台1上の基材2は、プラズマ噴出口8と対向して配置されている。この状態で、筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源よりコイルをなす銅管3に高周波電力を供給することにより、筒状チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射することにより、基材2上の薄膜31をプラズマ処理することができる。本構成においては、コイルとしての銅管3が、チャンバの周囲に設けられた弧状の導体からなり、弧状の導体の弧が途切れた部分に開口部としてのプラズマ噴出口8を設けたことが特徴で、プラズマ噴出口8の長手方向に対して垂直な向きに、チャンバと基材載置台1とを相対的に移動させることで、基材2を処理する。つまり、図1Aa,bの左右方向へ、図1Bc,dの紙面に垂直な方向へ、誘導結合型プラズマトーチユニットTまたは基材載置台1を動かす。複数の銅管3は平行に配置され、それらの両端部が上流側銅管15及び下流側銅管16に接続されている。上流側銅管15には高周波電力が供給され、下流側銅管16は接地される。したがって、複数の銅管3には同位相の高周波電流が流れる。また、弧状の銅管3が筒状チャンバ内部の空間7を取り囲むように配置されているので、筒状チャンバ内部の空間7において、銅管3に流れる高周波電流によって励起される誘導電磁界が強めあい、効率的にプラズマを生成できる。また、このような構成とすることにより、コイルのインダクタンスが極めて小さくなり、電力効率の改善を図ることもできる。これは、処理したい基材2の幅が大きい場合、すなわち、誘導結合型プラズマトーチユニットTが長尺方向に長くなる場合にとくに有効である。なお、上流側銅管15及び下流側銅管16の長手方向とプラズマ噴出口8の長手方向とは平行に配置されている。このような構成により、コイルへの高周波印加が簡単に行える。筒状チャンバ内に供給するガスとして種々のものが使用可能だが、プラズマの安定性、着火性、プラズマに暴露される部材の寿命などを考えると、不活性ガス主体であることが望ましい。なかでも、Arガスが典型的に用いられる。Arのみでプラズマを生成させた場合、プラズマは相当高温となる10,000K以上。真鍮ブロック5のプラズマ噴出口8の下流にあたる部分は、基材2に向かって徐々に広くなる空間を形成している。このような構成により、真鍮ブロック5へのプラズマの接触によるプラズマ密度の低下を抑制できると同時に、プラズマと接触する部位に近い位置に冷却水配管17を設けることができる。なお、本構成においては、プラズマ噴射口8の長手方向の長さが、基材2の幅以上となっているので、一度の走査トーチユニットTと基材載置台1とを相対的に移動することで基材2の表面近傍の薄膜31の全体を処理することができる。このようなプラズマ処理装置において、筒状チャンバ内にガス噴出口よりArまたはArH2ガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源より13.56MHzの高周波電力を、コイルをなす銅管3に供給することにより、筒状チャンバ内部の空間7に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射するとともに走査することで、半導体膜の結晶化などの熱処理を行うことができる。このように、プラズマ噴出口8の長手方向と、基材載置台1とが平行に配置されたまま、プラズマ噴出口8の長手方向とは垂直な向きに、筒状チャンバと基材載置台1とを相対的に移動するので、生成すべきプラズマの長さと、基材2の処理長さがほぼ等しくなるように構成することが可能となる。また、筒状チャンバをその中心軸に垂直な面で切った断面の幅図1Bcにおける、チャンバ内部空間7の幅は、プラズマ噴出口8の幅図1Bcにおける隙間の長さより少しでも大きければよい。つまり、生成すべきプラズマの体積を、従来と比較して極めて小さくすることができる。その結果、電力効率が飛躍的に高まる。また、筒状チャンバの内部空間においては、長尺方向に比較的均一なプラズマが生成できるので、特許文献6に開示されている従来例などと比べて、基材を均一に処理することができる。実施の形態2以下、本発明の実施の形態2について、図4~図5を参照して説明する。図4は本発明の実施の形態2におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行な面で切った断面図であり、図1Bcに相当する。また、図5は、図4に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図一部であり、各部品の斜視図を並べたものである。本発明の実施の形態2においては、実施の形態1とは、樹脂ブロック12の形状が異なり、かつ、樹脂ブロック33を追加しただけであるから、それ以外の説明は省略する。樹脂ブロック12と樹脂ブロック33には、銅管3との間に隙間ができないように、半円柱状の溝が形成されている。このような構成により、銅管3の周囲銅管3と石英ブロック4やカバー6との間の空間での異常放電を効果的に抑制できる。実施の形態3以下、本発明の実施の形態3について、図6~図7を参照して説明する。図6は本発明の実施の形態3におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1Aa及びbに相当する。また、図7は、図6に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図一部であり、各部品の斜視図を並べたものである。本発明の実施の形態3においては、実施の形態1とは、樹脂ブロック12と樹脂ブロック29の形状が異なり、かつ、樹脂ブロック33及び樹脂ブロック34を追加しただけであるから、それ以外の説明は省略する。樹脂ブロック12と樹脂ブロック33には、銅管3との間に隙間ができないように、半円柱状の溝が形成されている。このような構成により、銅管3の周囲銅管3と石英ブロック4やカバー6との間の空間での異常放電を効果的に抑制できる。同様に、樹脂ブロック34にも半円柱状の溝が形成されており、銅管3の周囲銅管3と石英ブロック4との間の空間での異常放電を効果的に抑制できる。樹脂ブロック34が銅管3と石英ブロック4の間に挿入されているため、上流側銅管15及び下流側銅管16の間の幅は、石英ブロック4の幅よりも大きくなる。これにより、樹脂ブロック29の形状をコの字型として、上流側銅管15及び下流側銅管16と、石英ブロック4との間に隙間ができないように構成している。実施の形態4以下、本発明の実施の形態4について、図8~図9を参照して説明する。図8は本発明の実施の形態4におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行な面で切った断面図であり、図1Bcに相当する。また、図9は、図8に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図一部であり、各部品の斜視図を並べたものである。本発明の実施の形態4においては、実施の形態1とは、銅管3と樹脂ブロック12の形状が異なるだけであるから、それ以外の説明は省略する。銅管3は帯状の1本のコイルを構成しており、プラズマガス供給配管10を配置するための2箇所の貫通穴を備える。このような構成により、コイルとしての銅管の断面積が増すため、損失が少ない高周波駆動が可能となる。実施の形態5以下、本発明の実施の形態5について、図10を参照して説明する。図10は本発明の実施の形態5におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1bに相当する。本発明の実施の形態1においては、筒状チャンバは直方体形状の石英ブロックにより構成されていたが、本発明の実施の形態5においては、複数の円筒状の石英管35を門型に並べることにより、スリット状の筒状チャンバを構成している。実施の形態6以下、本発明の実施の形態6について、図11を参照して説明する。図11は本発明の実施の形態6におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1Aaに相当する。本発明の実施の形態1においては、筒状チャンバに設けられたスリット筒状チャンバ内部の空間7の幅が、開口部としてのプラズマ噴出口8に向けて一定である場合を例示したが、本発明の実施の形態6においては、筒状チャンバに設けられたスリット筒状チャンバ内部の空間7の幅が、開口部としてのプラズマ噴出口8に向けて徐々に狭くなっている。このような構成により、プラズマの発生を確実にしながら、より狭い範囲にプラズマを照射することができる。実施の形態7以下、本発明の実施の形態7について、図12を参照して説明する。図12は本発明の実施の形態7におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1Aaに相当する。本発明の実施の形態1においては、筒状チャンバに設けられたスリット筒状チャンバ内部の空間7の幅が、開口部としてのプラズマ噴出口8に向けて一定である場合を例示したが、本発明の実施の形態7においては、筒状チャンバに設けられたスリット筒状チャンバ内部の空間7の幅が、開口部としてのプラズマ噴出口8に向けて徐々に広くなっている。このような構成により、プラズマの発生効率を高く保ちながら、より広い範囲にプラズマを照射することができる。実施の形態8以下、本発明の実施の形態8について、図13を参照して説明する。図13は本発明の実施の形態8におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図一部であり、各部品の斜視図を並べたものである。本発明の実施の形態8においては、実施の形態1とは、コイルの形状が異なるだけであるから、それ以外の説明は省略する。コイルは、複数の弧状の導体が平行に配置され、かつ、互いに隣り合う複数の弧状の導体に逆位相の高周波電流が流れるように蛇行配置されている銅管3からなる。つまり、コイルは一筆書き可能な形状で、ジグザグ状に石英ブロック4を取り囲むように配置される。このような構成により、互いに隣り合う銅管どうしがスリット筒状チャンバ内部の空間7に形成する誘導電磁界が強められるため、効率のよいプラズマ生成が可能となる。以上述べたプラズマ処理装置及び方法は、本発明の適用範囲のうちの典型例を例示したに過ぎない。例えば、誘導結合型プラズマトーチユニットTを、固定された基材載置台1に対して走査してもよいが、固定された誘導結合型プラズマトーチユニットTに対して、基材載置台1を走査してもよい。本発明の種々の構成によって、基材2の表面近傍を高温処理することが可能となるが、従来例で詳しく述べたTFT用半導体膜の結晶化や太陽電池用半導体膜の改質に適用可能であることは勿論、プラズマディスプレイパネルの保護層の清浄化や脱ガス低減、シリカ微粒子の集合体からなる誘電体層の表面平坦化や脱ガス低減、種々の電子デバイスのリフロー、固体不純物源を用いたプラズマドーピングなど、さまざまな表面処理に適用できる。また、太陽電池の製造方法としては、シリコンインゴットを粉砕して得られる粉末を基材上に塗布し、これにプラズマを照射して溶融させ多結晶シリコン膜を得る方法にも適用可能である。また、プラズマガス供給配管10が石英ブロック4を貫通して筒状チャンバ内部の空間7に露出するまで延長されていてもよい。プラズマガス供給配管10が誘電体製である場合は、配管内部に高周波電磁界が照射され、配管内部で望ましくない放電を生じることがある。本発明の各実施の形態において、プラズマガス供給配管10を金属製とする場合を例示したが、これは、上記のような望ましくない放電を抑制するためである。その効果をより高めるためには、放電させたくない部位を導体で囲うことが有効であり、プラズマガス供給配管10を、石英ブロック4を貫通して筒状チャンバ内部の空間7に露出するまで延長することが好ましいといえる。また、プラズマの着火を容易にするために、着火源を用いることも可能である。着火源としては、ガス給湯器などに用いられる点火用スパーク装置などを利用できる。また、説明においては簡単のため熱プラズマという言葉を用いているが、熱プラズマと低温プラズマの区分けは厳密には難しく、また、例えば、田中康規熱プラズマにおける非平衡性プラズマ核融合学会誌、Vol.82、No.82006pp.479-483において解説されているように、熱的平衡性のみでプラズマの種類を区分することも困難である。本発明は、基材を熱処理することを一つの目的としており、熱プラズマ、熱平衡プラズマ、高温プラズマなどの用語にとらわれず、高温のプラズマを照射する技術に関するものに適用可能である。また、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理する場合について詳しく例示したが、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理する場合においても、本発明は適用できる。プラズマガスに反応ガスを混ぜることにより、反応ガスによるプラズマを基材へ照射し、エッチングやCVDが実現できる。あるいは、プラズマガスとしては希ガスまたは希ガスに少量のH2ガスを加えたガスを用いつつ、シールドガスとして反応ガスを含むガスを供給することによって、プラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射し、エッチング、CVD、ドーピングなどのプラズマ処理を実現することもできる。プラズマガスとしてアルゴンを主成分とするガスを用いると、実施例で詳しく例示したように、熱プラズマが発生する。一方、プラズマガスとしてヘリウムを主成分とするガスを用いると、比較的低温のプラズマを発生させることができる。このような方法で、基材をあまり加熱することなく、エッチングや成膜などの処理が可能となる。エッチングに用いる反応ガスとしては、ハロゲン含有ガス、例えば、CxFyx、yは自然数、SF6などがあり、シリコンやシリコン化合物などをエッチングすることができる。反応ガスとしてO2を用いれば、有機物の除去、レジストアッシングなどが可能となる。CVDに用いる反応ガスとしては、モノシラン、ジシランなどがあり、シリコンやシリコン化合物の成膜が可能となる。あるいは、TEOSTetraethoxysilaneに代表されるシリコンを含有した有機ガスとO2の混合ガスを用いれば、シリコン酸化膜を成膜することができる。その他、撥水性親水性を改質する表面処理など、種々の低温プラズマ処理が可能である。従来技術例えば、特許文献7に記載のものに比較すると、誘導結合型であるため、単位体積あたり高いパワー密度を投入してもアーク放電に移行しにくいため、より高密度なプラズマが発生可能であり、その結果、速い反応速度が得られ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することが可能となる。"