基板側に配置された第1面と、前記第1面の反対側に配置された第2面とを有し、前記基板を加熱する加熱ブロックと、前記加熱ブロックの前記第2面の少なくとも一部分に隣接するベースとを備え、互いに隣接する前記ベースおよび前記加熱ブロックは共に、前記加熱ブロックの第1部分と前記ベースとの間に配置された内側間隙と、前記加熱ブロックの第2部分と前記ベースとの間に配置され、前記内側間隙と同心円状である外側間隙とを画定し、前記内側間隙と前記外側間隙とは、前記加熱ブロックの前記第2面と前記ベースとの間に形成された第1シール面によって互いに分離されている、静電クランプ。前記外側間隙は、前記ベースと前記加熱ブロックとの間に形成された第2シール面により、前記静電クランプの外部環境から分離されている、請求項1に記載の静電クランプ。前記第2面と前記ベースとの間に形成された1組のシール面によりそれぞれ分離され、前記内側間隙および前記外側間隙と同心円状である1以上の追加の間隙をさらに備える、請求項1または2に記載の静電クランプ。前記加熱ブロックは加熱部材を有する、請求項1から3のいずれか1項に記載の静電クランプ。前記内側間隙は、インレットを介し、前記加熱ブロックと前記ベースとの間にガスを供給するガスソースへ結合されている、請求項1から4のいずれか1項に記載の静電クランプ。前記ベースは、前記加熱ブロックと前記ベースとが隣接した状態で前記内側間隙および前記外側間隙をそれぞれ確定する第1凹部および第2凹部を含む金属を有する、請求項1から5のいずれか1項に記載の静電クランプ。前記外側間隙と連通し、前記外側間隙からガスを送出する第1ポンプポートをさらに備える、請求項1から6のいずれか1項に記載の静電クランプ。前記内側間隙の第1圧力はおよそ10トル以上であり、前記外側間隙の第2圧力は1桁以上低い、請求項7に記載の静電クランプ。前記加熱ブロックの前記第1面に結合され、第3シール面を有し、内側コンパートメントを画定する第1環状部と、前記加熱ブロックの前記第1面に結合され、第4シール面を有する第2環状部と、前記内側コンパートメントと連通し、前記加熱ブロックの前記第1面と前記基板との間にガスを供給するガスインレットとをさらに備え、前記基板が前記第3シール面および前記第4シール面に載置された状態で前記第1環状部および前記第2環状部は共に、前記内側コンパートメントと同心円状の外側コンパートメントを画定する、請求項2に記載の静電クランプ。前記外側コンパートメントと連通し、前記外側コンパートメントからポンプへガスを送る第2ポンプポートをさらに備える、請求項9に記載の静電クランプ。前記ベースおよび前記加熱ブロックは前記第1シール面および前記第2シール面において摺動可能に隣接する、請求項2に記載の静電クランプ。第1面を有するベース部分と、処理チャンバ内で基板を支持する外側ブロックであり、前記ベース部分の前記第1面の少なくとも一部分と隣接する第2面を有する前記外側ブロックと、前記外側ブロックの外面に結合され、第1シール面を有する第1環状部と、前記外側ブロックの外面に結合され、第2シール面を有する第2環状部とを備え、前記第1環状部は内側コンパートメントを画定し、前記基板が前記第1シール面および前記第2シール面に載置された状態で前記第1環状部および前記第2環状部は共に、前記内側コンパートメントと同心円状の外側コンパートメントを画定する、静電クランプ。前記内側コンパートメントと連通し、前記外側ブロックの前記外面と前記基板との間にガスを供給するガスインレットと、前記外側コンパートメントと連通し、前記外側コンパートメントからポンプへガスを送るポンプポートとをさらに備える、請求項12に記載の静電クランプ。隣接する前記ベース部分と前記外側ブロックは共に、前記外側ブロックの第1部分と前記ベース部分との間に配置される内側間隙であり、前記外側ブロックと前記ベース部分との間にガスを供給するガスソースに結合された前記内側間隙と、前記外側ブロックの第2部分と前記ベース部分との間に配置され、前記内側間隙と同心円状の外側間隙とを画定し、前記内側間隙と前記外側間隙とは、前記外側ブロックの前記外面と前記ベース部分との間に形成された第3シール面によって互いに分離されており、前記外側間隙は、前記ベース部分と前記外側ブロックとの間に形成された第4シール面により、前記静電クランプの外部環境から分離されている、請求項12または13に記載の静電クランプ。前記外側ブロックはセラミック製の本体、および前記基板を加熱する加熱部分を有する、請求項12から14のいずれか1項に記載の静電クランプ。前記ベース部分は、前記外側ブロックと前記ベースとが隣接した状態で前記内側間隙および前記外側間隙をそれぞれ確定する、第1凹部および第2凹部を含む金属を有する、請求項14に記載の静電クランプ。基板へイオンを供給するイオンソースと、前記基板を保持する静電クランプとを備え、前記静電クランプは、前記基板を加熱する加熱ブロックと、前記加熱ブロックと摺動可能に隣接するベースとを有し、摺動可能に隣接する前記ベースと前記加熱ブロックは共に、前記加熱ブロックの第1部分と前記ベースとの間に配置された内側間隙と、前記加熱ブロックの第2部分と前記ベースとの間に配置され、前記内側間隙と同心円状である外側間隙とを画定し、前記内側間隙と前記外側間隙とは、第1シール面によって互いに分離されており、前記外側間隙は、前記ベースと前記加熱ブロックとの間に形成された第2シール面により、前記静電クランプの外部環境から分離されている、イオン注入システム。前記内側間隙および前記内側間隙にガスを供給するガスソースに連通するガスインレットと、前記外側間隙と連通し、前記外側間隙からガスを送出する第1ポンプポートと、をさらに備える、請求項17に記載のイオン注入システム。前記加熱ブロックの外面に結合された第1環状部と、前記加熱ブロックの前記外面に結合された第2環状部とをさらに備え、前記第1環状部は内側コンパートメントを画定し、前記基板が前記第1環状部の第1シール面および前記第2環状部の第2シール面に載置された状態で前記第1環状部および前記第2環状部は共に、前記内側コンパートメントと同心円状の外側コンパートメントを画定する、請求項17または18に記載のイオン注入システム。前記内側コンパートメントと連通し、前記加熱ブロックの前記外面と前記基板との間にガスを供給するガスインレットと、前記外側コンパートメントと連通し、前記外側コンパートメントからポンプへガスを送る第2ポンプポートとをさらに備える、請求項19に記載のイオン注入システム。よって、基板の加熱に用いられる公知の静電クランプ構成の改善が求められていることが明らかである。一実施形態において静電クランプは、基板側に配置された第1面と、第1面の反対側に配置された第2面とを有し、基板を加熱する加熱ブロックを含む。ベースが加熱ブロックの第2面の少なくとも一部分に隣接する。互いに隣接するベースおよび加熱ブロックは共に、加熱ブロックの第1部分とベースとの間に配置された内側間隙を画定する。外側間隙は、加熱ブロックの第2部分とベースとの間に配置され、内側間隙と同心円状である。内側間隙と外側間隙とは、加熱ブロックの第2面とベースとの間に形成された第1シール面によって互いに分離されている。他の実施形態において静電クランプは、第1面を有するベース部分と、処理チャンバ内で基板を支持する外側ブロックであり、ベース部分の第1面の少なくとも一部分と隣接する第2面を有する外側ブロックとを含む。静電クランプはさらに、外側ブロックの外面に結合され、第1シール面を有する第1環状部と、外側ブロックの外面に結合され、第2シール面を有する第2環状部とを含む。第1環状部は内側コンパートメントを画定し、基板が第1シール面および第2シール面に載置された状態で第1環状部および第2環状部は共に、内側コンパートメントと同心円状の外側コンパートメントを画定する。他の実施形態においてイオン注入システムは、基板へイオンを供給するイオンソースと、基板を保持する静電クランプとを含む。静電クランプは、基板を加熱する加熱ブロックと、加熱ブロックと摺動可能に隣接するベースとを有する。摺動可能に隣接するベースと加熱ブロックは共に、加熱ブロックの第1部分とベースとの間に配置された内側間隙と、加熱ブロックの第2部分とベースとの間に配置され、内側間隙と同心円状である外側間隙とを画定する。内側間隙と外側間隙とは、第1シール面によって互いに分離されており、外側間隙は、ベースと加熱ブロックとの間に形成された第2シール面により、静電クランプの外部環境から分離されている。以下、好ましい実施形態を示す添付の図面を参照し、本願発明をより詳細に説明する。しかし本願発明は、多くの異なる形態でも実施することが可能であり、本明細書で説明する実施形態に限定されるものとして見なされるべきではない。むしろこれらの実施形態は、本開示をよりよく理解いただき、かつ、当業者に対し本願発明の態様を完全に伝えるべく説明されている。複数の図面において、同様の参照符号は同様の要素を指す。様々な実施形態において、加熱された静電クランプが、イオン注入システム、プラズマエッチャ、および成膜装置などを含む処理装置に設けられ得る。図5は、イオンソース102を含むイオン注入機100のブロック図を示す。電源101は特定の種のイオンを生成するイオンソース102へ必要な電力を供給する。生成されたイオンは一連の電極104抽出電極を介してイオンソース102から抽出され、このイオンから、質量分析器106を通過するビーム95が形成される。質量分析器106は、所望される質量対電荷比を有するイオンのみが分析器を通過するように、特定の磁界を有する。所望される種のイオンは減速ステージ108を通過し、補正磁石110へと到る。補正磁石110は適用される磁界の強さと方向に応じてイオンビームレットを偏向するよう電圧が加えられ、プラテンなどの支持体114上に位置するワークピースまたは基板に向けられたリボンビームを生成する。場合によっては、第2の減速ステージ112が補正磁石110と支持体114との間に配置されてもよい。イオンは基板中において電子および原子核と衝突するとエネルギーを失い、加速エネルギーに応じて基板の所望される深さに定着する。イオン注入システム100の一実施形態において、支持体114は、図2aに示す静電クランプ200などの静電クランプであってもよい。図2aに示す静電クランプの実施形態は例えば、基板の加熱を行うのに用いてもよく、若しくは、注入プロセス間に加熱されない基板を支持するのに用いてもよい。他の実施形態において、静電クランプ200を用いて他の処理装置での基板の加熱を行ってもよい。以下に詳細に説明するように静電クランプまたはクランプ200は、基板の周辺環境のガスによる汚染を最小限に抑えつつ基板加熱ブロックからの良好な熱伝導を行うことにより、基板を処理する際の処理条件のより良好な制御を促し得る。周知であるように静電クランプは、例えば数十トル未満の低い圧力下で特に有効となる基板に対する十分な保持力を可能とし得る。例えば静電クランプ200は、プラズマ処理システム、または上述したイオン注入システムなどの、基板を加熱することが所望され、支持体114を囲む処理チャンバ内のガス種の構成を制御することが重要である低圧力装置において特に有用となり得る静電クランプ200。例えば、確実に基板16が所望される種のみに曝されるよう、支持体114を囲む周辺環境220を制御することが重要となり得る。このことを実現するべく、静電クランプ200の実施形態は、動作中においてクランプ内部で用いられ得るガスの漏出224を低減させる。いくつかの実施形態において、静電クランプ200は図2aに示すように取り外し可能であってもよいベース202および加熱ブロック204を備える。加熱ブロック204を用いて、処理中に基板16を支持してもよい。加熱ブロックには、薄膜加熱器などの加熱器図示せずが設けられてもよい。処理中において、加熱ブロック204は基板16を加熱するべく、所望される温度まで加熱させられる。様々な実施形態において加熱ブロック204は、摂氏数百度以上などの高温状態を維持できるセラミック素材から構成されてもよい。加熱ブロックから熱を放出させ加熱ブロックの適切な温度を維持するべく、ベース202には循環液体などの冷却材図示せずが設けられてもよい。様々な実施形態において、ベースはアルミニウムなど、良好な熱伝導性を有する金属であってもよい。ベース202および加熱ブロック204は異種の材料であり得るので、加熱の際、それらの2つの材料は異なる割合で拡張し得る。したがって様々な実施形態において、ベース202および加熱ブロック204は、ベース202と加熱ブロック204との間のインタフェース210、214が互いに摺動出来るよう、摺動可能に結合されていてよい。図2aの構成において、ベース202と加熱ブロック204とはバネ218を用いて機械的に結合されている。バネ218はベース202と加熱ブロック204とを互いに結合する共通のインタフェースに対して垂直に力を加え、インタフェースシール面210、214に沿ったシーリングを行ってもよい。このシーリングは、図2aに示されるx-y面においてインタフェースが互いに摺動するのを妨げることなく形成することが可能である。このような結合により、ベース202が加熱ブロック204とは独立して拡張または収縮することが可能となる。様々な実施形態において、静電クランプには加熱ブロック204とベース202との間に、本明細書でコンパートメントまたはチャンバと呼ぶ間隙が設けられてもよい。これらの間隙は加熱ブロック204とベース202との間のインタフェースに対して垂直なz方向に延在する小さな間隙を形成してもよい。いくつかの実施形態において、静電クランプには図2aに示される間隙208、212などの2つの間隙が形成される。いくつかの実施形態において、図2aに示されるように間隙208は大きな円状間隙であり、同心円状の環状間隙212によって囲まれる。いくつかの実施形態において、静電クランプの間隙は図3aおよび図3bに示すようにベース202に対して凹部を設けることにより形成される。示されるように円状凹部209および環状凹部213は、加熱ブロック204と結合されることになるベース202の部分が2つの環状インタフェース210、214を備えるように、ベース202内に設けられる。図2aに示す実施形態において、加熱ブロック204はインタフェース210、214においてベース202とのシール面を形成する、平面状かつ高さの低い表面を有する。しかし他の実施形態において、加熱ブロックには、ベースと結合された状態で内部の間隙を形成する凹部が設けられる。間隙208は、基板の加熱の際に用いられるガスを間隙208へ供給するインレット図示せずに結合されてもよい。基板の処理の際に、間隙208内の圧力が所望される圧力の範囲に維持されるよう、ガスが間隙208へ供給され、アウトレット図示せずを通じて送り出される。いくつかの実施形態において、ガス圧力は1トル、10トル、または100トルなどの範囲であってよく、これらの範囲であれば、所望される熱伝導率で加熱ブロック204からベース202へ熱を伝導させるのに十分である。加熱ブロック204とベース202とは異種の材料であり得、かつ、それぞれのシールインタフェース210、214に沿って互いに対し摺動し得るので、シール面のシーリングが十分でなく、間隙208からのガス漏出を防げないかもしれない。インタフェース210に沿って間隙208からガスが漏出すると、ガスは間隙208を囲む間隙212に浸入し得る。そして間隙212はシールインタフェース214によって周辺環境224から分離されている。したがって、外側のシールインタフェース214が存在することにより、間隙208から間隙212に漏出するガスが静電クランプ200の周辺環境に浸入するのを防ぎ得る。いくつかの実施形態において、間隙212は、ガスが間隙212から送り出されるように抜き出されるようにポンプポート216に結合されている。図2a、3a、および3bに示す実施形態において、ポンプポートはベース202に設けられるが、加熱ブロック204に設けられてもよい。これにより、間隙212内の平均圧力を間隙208内の平均圧力よりもはるかに低く維持することが可能となり得る。様々な実施形態において、間隙212の減圧率または分圧は、処理に求められる条件に従って調整することが出来る。図2bおよび2cは、静電クランプ200の様々な箇所における圧力を表す、2つの異なる実施形態の半径位置の関数としての2つの異なる圧力曲線225、230を示す。曲線225は間隙212の送出速度が速い場合を示し、曲線230は、送出速度が非常に遅いまたはゼロである場合を示す。周辺環境220へのガス漏出を最小限にすることが重要である処理条件においては、間隙212の送出速度は速いのが有利である。図2bに示すように、インレットが中心近くに配置されていることにより、間隙208へガスが供給される静電クランプ200の動作の間、中心に近い半径位置Iにおいてガス圧力が最大となる。間隙212が減圧されるので、ガスが間隙208から間隙212へと漏出し、位置Iと比較しRC1においてガス圧力の低下が起こり得る。間隙212の平均圧力が間隙208の平均圧力よりもはるかに低くなるよう、間隙212へ漏出するガス222は早急に送り出される。例えば、間隙208の圧力は10トル程度であってよく、間隙212の圧力は100ミリトル程度であってよい。加えて、インタフェース214におけるガスの圧力がインタフェース210におけるガスの圧力よりもはるかに低くなるよう、圧力は内径RC2iから外径RC2oにかけて圧力の急激な低下がみられる。したがって、インタフェース214が形成するシーリングは不完全ではあるが、静電クランプ200からのガス漏出率を許容可能なレベル、例えば基板の処理に対する影響が観察されない程度のレベルまで低減させるのに十分なものである。送出速度が十分に早ければ間隙212の外径RC2oにおけるガス圧力は十分に低くなり、図2bに示すように静電クランプ200の外側縁部ROにおいてガスが周辺環境220へ殆ど漏出しないか、全く漏出しなくなる。したがって、一例において、基板を問題なく処理するのに求められるプロセスウィンドウprocesswindowが内側間隙208全体のガス圧力の低下を許容するのであれば、周辺環境220のガス汚染を避けるべく、システムは低いガス圧力となるよう間隙212の減圧を行ってもよい。例えば、任意の加熱条件において、間隙208内の、曲線225に示される範囲に含まれ得るガス圧力の範囲に亘り、基板の温度は一定であるか、若しくは、温度に関する許容可能なプロセスウィンドウ内であり得る。周辺環境220への多少のガス漏出がそれ程問題ではない場合、静電クランプ200は間隙208内のガス圧力をより均一に維持するようにし、半径位置の関数としてのベース202への熱伝導が均一となるようにする。いくつかの実施形態において、間隙208、212間のガス圧力差は、間隙208全体の圧力低下が、間隙が単一である従来技術の静電クランプ10に係る構成における圧力低下よりもはるかに小さくなるように調整される。例えばこのことは、図2cの曲線230により示されるように間隙212内の圧力が、間隙208内の圧力と同様になるように、間隙212の減圧の程度を小さくする、または減圧を行わないことにより達成され得る。しかし説明したように、間隙212の圧力が比較的高いことによって、周辺環境220へのガス漏出の程度がより大きくなり得る。したがって、いくつかの実施形態において、間隙212内の圧力を変化させることにより、静電クランプ200を用いた基板の処理を、一方では中心の間隙208におけるより均一な圧力したがって、静電クランプにおけるより均一な熱伝導を優先するように調整することが出来、また他方では、処理周辺環境220へのガス漏出の程度の低減を優先するよう調整することが出来る。よって静電クランプ200の実施形態は、中心の間隙208においてより均一なガス圧力プロファイルを得ることを可能とし、処理チャンバ220へのガス漏出率を従来の静電クランプ装置のガス漏出率よりも低くすることも可能とするので有利である。ただし上記にて詳細に説明した通り、これら2つの利点にはトレードオフ関係がある。さらにいくつかの実施形態において、基板における熱プロファイルがより均一となるよう、間隙208の直径を基板のサイズと近似するようにしてもよい。例えば図2aにおいて、間隙208は基板16の作用領域Aのサイズと略等しい。図4はガスフローが基板表面の真上で引き起こされ得る、他の静電クランプ実施形態を示す。静電クランプ400において、ベース202は加熱ブロック404のメイン表面410上方に突出する環状構造414、416が設けられる加熱ブロック404へ結合される。いくつかの実施形態において、環状構造414、416は、加熱ブロック404から取り外し可能であるリングであってもよい。他の実施形態において、当該構造は、加熱ブロック404と一体であってもよく、この場合、加熱ブロック404の基板16に対向する上部分は、図3aおよび3bに示すベース202と同様の凹み構造を有する。環状構造414、416それぞれの表面418、420は、基板16を保持するシール面として構成されてもよい。基板16が構造414、416と接触した状態で、内側コンパートメント408および外側コンパートメント412が基板16と、加熱ブロック404の本体との間で形成される。いくつかの実施形態において、内側コンパートメント408は加熱ブロック404内に配置されてもよい、ガスインレットおよびアウトレット図示せずが設けられる。基板16へ、または基板16から伝導する熱の良好な熱伝導経路を形成すべく、基板の処理の間に、ガスフローが内側コンパートメント408へと送られてもよい。基板の処理の際に、ガスフローの圧力は、間隙208に関して上述したように、所望される熱伝導性を得られるように調整されてもよい。いくつかの実施形態において、内側コンパートメント408内のガス圧力は、数十~数百トルの範囲であってもよい。加熱ブロック404とベース202とを機械的に結合した場合のように、基板16と環状表面418、420のそれぞれとは、ガスが内側コンパートメント408および外側コンパートメント412から漏出するような不完全なシーリングを形成してもよい。様々な実施形態において、外側コンパートメント412にはポンプポート422が設けられてもよい。ポンプポート422はポンプ図示せずが結合され動作させられると、外側コンパートメント412からガスを送り出す。図2bの場合と同様に、加熱ブロック404によって形成される同心円状のコンパートメントの構成により、外側コンパートメント412内の圧力は内側コンパートメント408内の圧力よりもはるかに低くなり、周辺環境430へと直接的に結合される表面420におけるガス圧力ははるかに低くなる。したがって、内側コンパートメント408内においてガスの圧力は比較的高くなり、周辺環境430への実質的なガス漏出を引き起こすことなく、基板16と加熱ブロック404との間の熱伝導を促進することが出来る。静電クランプ400の実施形態において、内側環状構造414は、例えば内側コンパートメント408が基板16の作用領域下方に延在するなど、内側コンパートメント408が基板16の大部分の下方に延在することとなるような半径位置に設けられてもよい。要するに、本開示の実施形態は、加熱ブロックと冷却ベースとの間の熱伝導を制御し、加熱ブロックと冷却ベースとの間からのガス漏出を最小限に抑える、ガスで充填された間隙が設けられた静電クランプ構成を提供する。いくつかの実施形態において、加熱ブロックとベースとの間に間隙が設けられ、また他の実施形態においては、ガスで充填された間隙が、加熱ブロックの両側、つまり、加熱ブロックと基板との間、および加熱ブロックとベースとの間に設けられる。いくつかの実施形態において、図4に示す加熱ブロック404および基板16の同心円状の間隙構成は、他の目的で、基板16と加熱ブロック404との間にガスを供給するのが所望される処理状況など基板の加熱を行わない場合において用いてもよい。本開示は、本明細書で説明される特定の実施形態によってその範囲が限定されない。実際、当業者には、本明細書に説明されるものに加え本開示の他の様々な実施形態および変形例が、上述した説明および添付の図面から明らかとなるであろう。特に静電クランプの他に、基板ホルダに関する実施形態が可能である。加えて、2以上の環状間隙が内側間隙と同心円状に設けられる実施形態が可能である。よってそのような他の実施形態および変形例が本開示の範囲内に含まれることが意図されている。さらに本開示は本明細書において特定の目的を果たすべく特定の環境における特定の実施例を用いて説明してきたが、当業者であればその有用性がそれらのみに限定されるのではなく、本開示は他の目的を果たすべく他の環境において有利に実施することが可能であることを理解されよう。よって以下に示す請求項は、本明細書で説明する本開示の態様および思想の最大限の範囲を鑑みて解釈されるべきである。