"有機ELディスプレイを形成した後、パネル内の滅点画素を検出する第1ステップと、前記パネル内の滅点画素において異物を検出するする第2ステップと、前記滅点画素の周囲の画素に対してレーザを照射して、前記レーザの焦点を規定する第3ステップと、前記規定したレーザ焦点で滅点内の異物、或いは、異物周囲にレーザを照射する第4ステップと、を有すること、を特徴とする有機ELディスプレイの製造方法。前記第3ステップにおいて、レーザの対物レンズと、パネル内の滅点画素の周囲の画素とのギャップを近づけながら前記レーザを照射し、レーザによる加工痕を形成する、請求項1記載の有機ELディスプレイの製造方法。レーザにより加工痕を形成した滅点画素の周囲の画素において、前記画素を発光させたとき、レーザの加工により非発光となる大きさが、レーザによる加工痕の直径に対して1.5倍以下となる、前記対物レンズと画素とのギャップをレーザの焦点位置と規定する、請求項2記載の有機ELディスプレイの製造方法。前記第3ステップにおいて、前記対物レンズとパネル内の滅点画素の周囲の画素とのギャップを連続的に近づけながら、ライン状の加工痕を形成する、請求項2記載の有機ELディスプレイの製造方法。前記第3ステップにおいて、前記対物レンズとパネル内の滅点画素の周囲の画素とのギャップを一定の間隔で変えながら、一定の周期でレーザを照射して、ドット状の加工痕を形成する、請求項2記載の有機ELディスプレイの製造方法。しかしながら、特許文献4に記載されたレーザの焦点方法は、通常の被加工材におけるレーザ焦点合わせであるため、被加工材の表面にレーザの焦点が合う調整方法である。有機ELディスプレイにおけるレーザリペアにおいては、ディスプレイ内部における異物や、電極にレーザの焦点を合わせる必要があるため、特許文献4のようなレーザ焦点合わせの方法を適用することができない。また、レーザを照射したときのレーザ照射部におけるダメージを考慮したレーザの焦点合わせができない。本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、有機ELディスプレイ中に混入した異物による欠陥部を修復するレーザリペアにおいて、有機層や封止膜などへダメージを与えないようなレーザの焦点位置を調整して欠陥の修復ができる有機ELディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の有機ELディスプレイの製造方法は、有機ELディスプレイを形成した後、パネル内の滅点画素を検出する第1ステップと、前記パネル内の滅点画素において異物を検出するする第2ステップと、前記滅点画素の周囲の画素に対してレーザを照射して、前記レーザの焦点を規定する第3ステップと、前記規定したレーザ焦点で滅点内の異物、或いは、異物周囲にレーザを照射する第4ステップと、を有する有機ELディスプレイの製造方法である。また、第3ステップにおいて、レーザの対物レンズと前記画素のギャップを近づけながらレーザを照射し、この画素を発光させたとき、レーザの加工により非発光となる大きさが、レーザ加工痕の大きさに比べて、1.5倍以下となる、レーザの対物レンズと画素とのギャップをレーザの焦点位置と規定することを特徴とした有機ELディスプレイの製造方法である。以上のように、本発明の有機ELディスプレイの製造方法によれば、有機層中に異物が混入して異物によるリーク電流が発生し、異物のある電極、或いは、電極周囲に対して、レーザを照射してリペアを行うとき、レーザの焦点を異物や電極に合わせてレーザ照射することが可能であり、レーザリペアにより有機ELディスプレイを高い歩留まりで製造することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。1.本発明の有機ELディスプレイの製造方法:本発明の有機ELディスプレイの製造方法は、図1のフローチャートに示すように、S1有機ELディスプレイ形成後、パネル内の滅点の画素を検出する第1のステップと、S2第1のステップで検出したパネル滅点の画素内において、異物を検出するする第2のステップと、S3第1のステップ検出した滅点の画素の周囲の画素に対して、レーザを照射してレーザの焦点を規定する第3のステップと、S4第3のステップで規定したレーザ焦点で第2のステップで検出した滅点内の異物、或いは、異物周囲にレーザを照射する第4のステップと、を有する。各ステップの詳細は、以下の通りである。S1第1のステップでは、有機ELディスプレイのパネルを形成した後、パネルを発光させたとき、発光しない滅点となっている画素を抽出する。パネルの滅点検出方法は、特に限定されないが、パネルを点灯させて、高解像度のカメラや高感度カメラなどにより、パネル点灯の画像を記録して、記録した画像から滅点部を抽出する方法がある。高感度カメラには、冷却CCDカメラなどの蓄積型高感度カメラ、および、EMCCDカメラなどの倍増型高感度カメラを含む。また、滅点抽出に関して、パターン検査機を用いても良い。パターン検査方法には、隣接する画素同士を比較することで異物を検出するDietoDie検査方式や素子と設計データとを比較することで異物を検出するDietoDatabase検査方式が含まれる。或いは、単に、顕微鏡を用いて、発光状態のパネルを目視にて観察し、滅点部を抽出しても良い。以上のいずれかの方法を用いて、パネル中の発光しない滅点部の位置を抽出して行く。S2第2のステップでは、第1の方法で検出したパネルの滅点となった画素中に存在する異物を検出する。画素中における異物検出方法に関しても特に限定はされないが、第1のステップで説明した高感度カメラによる観察やパターン検査機による方法を用いて良い。また、微細な異物を検出する場合、暗視野での顕微鏡観察や白色干渉計測方法、レーザ顕微鏡などによって検査するのが適している。これらの方法によって、画素中における異物の位置を確定する。S3第3のステップでは、第1のステップで検出した滅点画素の周囲の正常の画素にレーザを照射してレーザの焦点を規定する。図2には、滅点画素とその周囲の正常に発光する画素を示している。図2に示すように、レーザを照射する正常な周囲の画素は、滅点画素24の横方向の隣接画素25でも良く、縦方向の隣接画素28でも良い。レーザを照射する位置に関しては、滅点画素24において、滅点の要因となっている滅点画素中の異物10の位置と同じ位置26,27にレーザを照射する。正常な周囲の画素内におけるレーザの照射位置は、滅点中の異物の位置と同じであることが好ましい。この理由は、隣接する同じ位置の方が、膜厚がばらついていたとしても、膜厚が近い値となるため、より精度良く焦点を合わすことができるからである。レーザを照射した場所が非発光となるため、発光したときに目立たないように画素の中心部から離れた端部に対してレーザを照射しても良い。レーザの種類は、カラーフィルタを通して画素部を照射するので、カラーフィルタを通す波長のレーザを選択する必要がある。よって、通常のR、G、Bのカラーフィルタがある場合、800nm以上の波長のレーザを選択するのが好ましい。例えば、基本波長1064nmのフラッシュランプ励起Nd:YAGレーザを選択することができる。また、レーザ照射部のダメージを極力抑えるため、短パスル幅のレーザを用いるのが好ましく、800nm以上の波長を有するとともに、YAGレーザよりもパルス幅の短いピコ秒レーザやフェムト秒レーザを用いるのがYAGレーザを用いるよりも好ましい。パルス幅が短いほど、レーザ照射時間が短く、レーザ照射時における熱のダメージが低減される。照射するレーザのエネルギ密度は、有機層の材料や厚さなどによって変化するので、レーザを照射したときに加工痕が形成されるように適宜設定する。レーザの照射方法に関して、まず、レーザを画素に対して照射したとき、レーザが照射される対物レンズと画素とのギャップを、レーザによる加工痕が残らない距離まで離す。ここで、加工痕とは、画素を発光させていなくても見えるレーザ加工による痕跡を示す。次に、対物レンズと画素とのギャップを1μm近づけてレーザを照射する。レーザを照射したあと、レーザを照射する位置を変えて、対物レンズと画素との距離を、更に1μm近づけて照射する。対物レンズと画素との距離を順次近づけながら、繰り返しレーザを照射し、ドット状の加工痕を直線的に形成して行く。レーザを照射しても画素に加工痕が残らないようになるまで、対物レンズと画素とのギャップを近づける。対物レンズと画素とのギャップを近づける距離は、1μmでなくても良く適宜、調整しうる。また、レーザ照射において、対物レンズと画素との距離を連続的に近づけながらレーザを照射し、ライン形状の加工痕を形成しても良い。レーザによる加工痕を形成した後、その画素を発光させる。レーザによって加工した場所加工痕の点灯状態を顕微鏡などにより観察する。レーザにより加工痕が形成された場所は、レーザにより画素の陰極部やその周辺が加工され、高抵抗状態になっていたり、有機層が劣化していたりするため発光しない。レーザの焦点を変えてレーザを照射しているため非点灯の面積が一定ではなく、対物レンズと画素とのギャップを近づけると、非点灯の面積がレーザの加工面積とほぼ同様の状態から、レーザの加工面積にくらべて、2倍以上広がり、さらにギャップを近づけると非点灯面積が小さくなる傾向が見られる。対物レンズと画素とのギャップを近づけることで、レーザの焦点が画素の陰極から、その下部にある有機層へ移動するため、有機層へのダメージが広がり非点灯面積が大きくなる。さらに近づけると、レーザの焦点が有機層以下に合うため、有機層へのダメージが低減し、再び、非発光面積が小さくなる。図3に、陰極5にレーザ光12のレーザ焦点位置29が合っている状態を示した図を示す。陰極のみにレーザの焦点を合わせてレーザ照射すれば、有機層など、他の領域にダメージを与えることなく、陰極の絶縁化が可能となる。対物レンズと画素とのギャップを順次、近づけながらレーザを照射してドット状の加工痕を形成させた後、この画素を点灯させ、レーザ照射によるドットによる非点灯部の状態を観察したとき、急激に非点灯の面積が大きくなることが観察される。実験的に、非点灯部の直径は、ほぼレーザで加工によるドットの直径と同等であるのが、対物レンズと画素を近づけるに従って、急激に非点灯面積が大きくなり、レーザによる加工痕のドットの直径に対して、1.5倍以上の直径の非点灯面積となることを確認している。また、実験結果から、目視で、1.5倍以下なら目立たないことが分かった。これは、有機層からの光はある角度を持って広がるので、陰極とEL層の距離と角度から、明視の距離から見ると1.5倍以下なら非発光部の周囲の発光が重なるので目立たなくなると推定される。よって、非点灯部の領域における直径が、加工痕のドットの直径の1.5倍以下の状態であれば、陰極部のみにレーザの焦点が合っており、有機層など他の領域にダメージなく陰極のみが加工されると判断される。1.5倍以上に非点灯領域が増加した焦点位置、或いは、再び、非点灯領域が減少している焦点位置は、陰極以外の場所にレーザの焦点があっているため、有機層や他の領域にダメージを与えるため、有機ELの素子が劣化してしまう。図4には、レーザ焦点位置29が陰極5ではなく、有機層4に合っている状態の図を示す。このような状態であると、有機層4にダメージが加わり、有機層4の劣化、つまり非点灯領域が広がって行く。以上のように、滅点の周囲の画素において、陰極のみにレーザの焦点があうような条件を探索し、レーザの焦点位置を規定する。S4第4のステップでは、第2のステップで検出した滅点部の異物、或いは、異物周囲に対してレーザを照射する。異物に対してレーザを照射したとき、レーザにより異物ダメージが入り、異物が破壊されることで欠陥を広げてしまう可能性があるので、異物周囲を囲うようににレーザを照射するのが好ましい。レーザ光が集光形の場合、ステージを動かして、異物周囲を描画するように加工する。レーザの光学系にスリットと結像レンズを挿入してスリット加工を行う場合、スリットを矩形形状にして異物が囲われるように複数回、矩形形状の加工を行えば良い。また、スリットの代わりに帯状にレーザが照射されるようなマスクを設置し、異物の周囲をレーザで一括で加工しても良い。異物のサイズが数μm程度の微小異物であれば、異物に対してレーザを照射しても良い。異物、或いは、異物の周囲に対して、レーザを照射するとき、レーザ焦点位置は、第3のステップで規定したレーザの焦点位置、つまり、陰極にレーザの焦点が合うように調整してレーザを照射して行く。異物が複数個ある場合、異物に対して、複数回レーザの照射を行う。滅点部の異物、或いは、異物周囲にレーザを照射したあと、滅点部を点灯させ、再点灯するか確認する。再点灯の確認においては、第1のステップのパネル内の滅点を検出する方法と同様の高解像度のカメラや高感度カメラによる観察、或いは、パターン検査により確認すれば良い。また、顕微鏡で目視確認を行っても良い。滅点内に異物に対して照射したレーザは陰極部に焦点を合わせて照射しているので、陰極部のみがレーザで破壊、或いは変質して高抵抗化しているため、異物による電流のリークが発生しなくなり、再発光が確認されるはずである。このとき、再発光が確認できなければ、再度、第2のステップに戻り、滅点内における異物を見逃していないか確認し、異物が検出されたならば、第4のステップのように異物に対してレーザを照射して行く。なお、本発明の有機ELディスプレイの製造方法において、陰極と陽極の位置関係が反対の構造であっても良い。2.本発明の有機ELディスプレイ:本発明の有機ELディスプレイは、上述した本発明の有機ELディスプレイの製造方法によって製造された有機ELディスプレイである。本発明の有機ELディスプレイは、トップエミッション型であり、基板および基板上にマトリクス状に配置された有機EL素子を有する。有機EL素子は、図5の断面図に示すように、駆動回路を含む基板1上に絶縁膜2が形成され、その絶縁膜に配置された陽極3、陽極上に配置された有機層4、有機層上に配置された透明な陰極5、透明陰極上に配置された封止層6および封止層上に配置されたカラーフィルタ7を有する。また、有機EL素子は有機層を規定するためのバンクを有していてもよい。また、有機ELディスプレイは、さらにカラーフィルタ7上に配置された封止ガラス8によって封止されている。基板1は、絶縁性の板である。また、基板には、各画素ごとに薄膜トランジスタTFTが内蔵されていてもよい。基板にTFTが内蔵される場合は、各TFTは絶縁され、各画素はコンタクトホールを有している。陽極は、基板1上に配置される導電性の部材である。また、陽極は光反射性を有することが好ましい。このような陽極の材料の例には、APC合金銀、パラジウム、銅の合金やARA銀、ルビジウム、金の合金、MoCrモリブデンとクロムの合金、NiCrニッケルとクロムの合金などが含まれる。また陽極3は、コンタクトホールを通してTFTの電極に接続されていてもよい。有機層4は、有機発光材料を含む有機発光層を有する。有機発光層に含まれる有機発光材料は塗布法で形成することができる高分子有機発光材料であることが好ましい。高分子有機発光材料の例には、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリアセチレンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリパラフェニレンエチレンおよびその誘導体、ポリ3-ヘキシルチオフェンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体などが含まれる。また、有機発光層は、有機EL素子の配置位置によって、赤、緑または青のいずれかの光を発する。有機層4は、更に正孔注入層、中間層、電子輸送層などを有していてもよい。本発明においては、この有機層4の形成において、図6の斜視図や図7の断面図に示すように、異物10が混入した状態にある。バンク30は有機層4を規定するための絶縁性の障壁である。バンクは、感光性材料であるレジスト材料を、露光、現像により、パターニングすることで形成したものであってもよい。透明な陰極5は、有機層上に配置される導電性の透明部材である。このような透明陰極の材料の例には、ITOやIZOなどが含まれる。封止層6は、有機層を水や酸素から保護するための部材である。封止層の材料の例には、窒化シリコンSiNxなどの無機物やUV硬化樹脂などの有機物が含まれる。カラーフィルタ7は、有機層から発せられる光から特定の波長の光のみを選択的に取り出すための層である。有機層から発せられた光がカラーフィルタを通ることで、高い色再現性を実現することができる。カラーフィルタの色は、有機EL素子が発する色によって適宜選択される。具体的には、赤色の光を発する有機層を有する有機EL素子は、赤色のカラーフィルタを有し、緑色の光を発する有機層を有する有機EL素子は、緑色のカラーフィルタを有し、青色の光を発する有機層を有する有機EL素子は、青色のカラーフィルタを有する。カラーフィルタの材料は、例えば、カラーレジストである。またカラーフィルタの厚さは約1μmである。以下、本発明の有機ELディスプレイの製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。また、実施の形態では、上述した有機ELディスプレイを点灯させて、滅点が抽出され、この滅点内において異物が検出された後の第3ステップ異物周囲をレーザで絶縁化するためのレーザ焦点位置の規定するステップについて詳細を説明する。実施の形態1図2は、滅点画素24と隣接する正常の隣接画素25,28を示した図である。図2に示すように、第1の工程で非点灯の画素である滅点部が検出され、滅点部において、図8の断面図に示すように画素内に異物10が混入しているとして説明する。第3のステップにより、異物部における陰極にレーザを照射して陰極を破壊、或いは、高抵抗化するために、滅点部11の画素の周囲の正常の画素に対してレーザを照射して、レーザの焦点位置を規定する。画素に照射するレーザは、画素へのダメージを抑えるために、フェムト秒レーザなどの極短パスルレーザを用いる。レーザが照射される時間が非常に短いので熱によるダメージを抑えることができる。レーザの波長は、レーザをカラーフィルタに通す必要があるため、カラーフィルタを通す800nm以上の波長のレーザを用いる。レーザ照射による加工痕が形成された部分やその周辺は、発光しないため、極力、レーザの照射径は小さくする必要がある。対物レンズなどでレーザの光径を絞り、微細なスポットでレーザを照射する。発光させたとき、レーザ加工痕による非発光部が無視しえる程度のレーザの加工痕が形成される程度に絞りこめば良い。レーザの絞込みには、対物レンズを適切に選択して絞り込めば良い。レーザの照射は、対物レンズと画素とのギャップを長くした状態で照射する。レーザ照射後、加工痕が残らなければ、ギャップ除々に近づけながらレーザを照射し、レーザの加工痕が形成されるまで近づける。レーザの加工痕が形成されたあと、ステージを一定方向に移動させ、再度、対物レンズと画素とのギャップを1μm近づけてレーザを照射し、加工痕を形成する。再度、ステージを移動させ、ギャップを1μmを近づけてレーザを照射することを行う。対物レンズと画素との1μmづつギャップを近づけてレーザを照射したとき、レーザによる加工痕が残らなくなるまで行う。レーザによる加工痕のドットの列を形成した後、レーザを照射した画素を点灯させ、レーザによる加工痕による非点灯状態を観察する。対物レンズと画素とのギャップを近づけるに従って、非点灯面積が大きくなり、再度小さくなることが観察される。まず、レーザの焦点が陰極付近に合うため、陰極が破壊、或いは、高抵抗化し、この部分が非点灯となる。ギャップを近づけるに従ってレーザの焦点が有機層に合い、有機層がダメージを受ける。そのため、非点灯面積が大きくなって行く。更にギャップを近づけると、レーザの焦点が有機層以下の領域に合うため、再び、非点灯面積が小さくなり、最終的には、レーザの加工焦点からずれて行くため、加工痕が形成されなくなる。図9aは、滅点の画素の隣にレーザより形成した直線状のドット41を示す。図9において、右から左の方向につれて、対物レンズと画素とのギャップが狭い条件である。また、図9bには、画素を発光させたときの非発光のドット46の状態を示した図を示す。図9bに示すように、対物レンズと画素との距離を近づけたとき、急激に非点灯面積が大きくなる。非点灯部の直径43がレーザの加工痕の直径40が比べて、1.5倍以下の領域44であれば、レーザの焦点が陰極に合っており、この位置をレーザ焦点位置と規定することができる。以上のようにレーザの焦点位置を規定し、第4のステップにて、図11に示すように、異物に対してレーザを照射して、異物部を絶縁化することで異物による修復を行って行く。或いは、異物が大きい場合など、レーザにより異物ダメージが入り、異物が破壊されることで欠陥を広げてしまう可能性があるので図12に示すように、異物周囲を囲うようにレーザを照射することが好ましい。このとき、レーザの焦点は、陰極に合っているので、有機層などへのダメージを与えずに、陰極のみにレーザを照射することができる。実施の形態2本実施の形態は、実施の形態1の第3ステップにおいて、レーザの加工痕の形成をドット状でなく、ライン状の加工痕を形成した形態とした点が相違する。実施の形態1のように、対物レンズと画素とのギャップを長くした状態で照射する。レーザ照射後、加工痕が残らなければ、ギャップを近づけながらレーザを照射し、レーザの加工痕が形成されるまで近づける。レーザの加工痕が形成された後、ステージを一定方向に、一定速度で移動させると同時に、対物レンズと画素とのギャップを一定速度で近づけてレーザを照射する。ステージを移動させながらレーザを照射するため、ライン状の加工痕が形成される。図10aは、対物レンズと画素とのギャップを一定速度で近づけてレーザを照射する様子を示す。ステージを移動させながらレーザを照射したときの加工痕を示した図である。図10aに示すように、レーザによるライン状の加工痕51を形成した後、レーザを照射した画素を点灯させ、レーザによる加工痕による非点灯状態を観察する。図10bは、レーザの加工痕を形成し、点灯させたときの非点灯領域55を示した図である。図10において、右から左の方向につれて、対物レンズと画素とのギャップが狭い条件である。図10bに示すように、対物レンズと画素とのギャップを近づけるに従って、非点灯領域の幅53が急激に大きくなり、再度、非点灯部の幅53が狭まることが観察される。これは、実施の形態1で説明したように、レーザの焦点位置の変化によるためである。このとき、加工痕のラインの幅50に対して、非点灯部の幅53が1.5倍以下に領域56であれば、レーザの焦点が陰極に合っており、この位置をレーザ焦点位置と規定することができる。以上のような形態に関しても、レーザの焦点位置を陰極に合わせるように規定できるため、第4のステップにて、異物や異物周囲に対して、レーザの焦点位置を調整後、レーザ照射により異物の領域を絶縁化して行く。このとき、レーザの焦点は、陰極に合っているので、有機層などへのダメージを与えずに、陰極のみにレーザを照射することができる。"