結晶性半導体基板の少なくとも片面に半導体層が形成された光電変換装置であって、透明電極膜からなり前記半導体層上に形成された下層透明電極と、前記下層透明電極上に前記下層透明電極に接触して形成された集電極と、透明電極膜からなり前記集電極の上を覆うように形成され、前記集電極の一部および前記下層透明電極の一部と電気的に接触して形成された上層透明電極と、を備えることを特徴とする光電変換装置。前記上層透明電極が、少なくとも前記下層透明電極の一部を覆って形成されていること、を特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。前記上層透明電極が、前記集電極および前記下層透明電極の全面を覆って形成されていること、を特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。前記上層透明電極の電気抵抗が、前記下層透明電極の電気抵抗より低いこと、を特徴とする1乃至3のいずれか1つに記載の光電変換装置。前記上層透明電極の結晶性が、前記下層透明電極の結晶性より高いこと、を特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載の光電変換装置。前記上層透明電極の厚さが、前記下層透明電極の厚さより厚いこと、を特徴とする請求項1乃至5のいずれか1つに記載の光電変換装置。前記上層透明電極の材料が、錫を添加した酸化インジウムであること、を特徴とする請求項1乃至6のいずれか1つに記載の光電変換装置。前記結晶性半導体基板がn型の導電型を有し、前記結晶性半導体基板の一面側にi型半導体層とp型の前記半導体層がこの順で形成され、前記結晶性半導体基板の他面側にi型半導体層とn型半導体層がこの順で形成されること、を特徴とする請求項1乃至7のいずれか1つに記載の光電変換装置。前記下層透明電極の材料が、錫を添加した酸化インジウム、酸化インジウムおよび酸化亜鉛のいずれか1種であること、を特徴とする請求項1乃至8のいずれか1つに記載の光電変換装置。結晶性半導体基板の少なくとも一面側に半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に透明電極膜からなる下層透明電極を形成する工程と、前記下層透明電極上に前記下層透明電極に接触する集電極を形成する工程と、透明電極膜からなり前記集電極の一部および前記下層透明電極の一部と電気的に接触する上層透明電極を前記集電極の上を覆うように形成する工程と、を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。前記上層透明電極が、少なくとも前記下層透明電極の一部を覆って形成されること、を特徴とする請求項10に記載の光電変換装置の製造方法。前記上層透明電極が、前記集電極および前記下層透明電極の全面を覆って形成されていること、を特徴とする請求項11に記載の光電変換装置の製造方法。前記上層透明電極の電気抵抗が、前記下層透明電極の電気抵抗より低いこと、を特徴とする請求項10乃至12のいずれか1つに記載の光電変換装置の製造方法。前記上層透明電極の結晶性が、前記下層透明電極の結晶性より高いこと、を特徴とする請求項10乃至13のいずれか1つに記載の光電変換装置の製造方法。前記上層透明電極の厚さが、前記下層透明電極の厚さより厚いこと、を特徴とする請求項10乃至14のいずれか1つに記載の光電変換装置の製造方法。前記上層透明電極の材料が、錫を添加した酸化インジウムであること、を特徴とする請求項10乃至15のいずれか1つに記載の光電変換装置の製造方法。前記結晶性半導体基板がn型の導電型を有し、前記結晶性半導体基板の一面側にi型半導体層とp型の前記半導体層とをこの順で形成し、前記結晶性半導体基板の他面側にi型半導体層とn型半導体層とをこの順で形成すること、を特徴とする請求項10乃至16のいずれか1つに記載の光電変換装置の製造方法。前記下層透明電極の材料が、錫を添加した酸化インジウム、酸化インジウムおよび酸化亜鉛のいずれか1種であること、を特徴とする請求項10乃至17のいずれか1つに記載の光電変換装置の製造方法。しかしながら、上記の特許文献1や特許文献2のように集電極に接触する箇所のITOのみ抵抗を低下させる方法では、集電極の幅が狭い場合は集電極と透明電極との接触面積が小さくなるため接触抵抗が増加する、という問題があった。また、集電極の幅が狭い場合は透明電極の電気抵抗が高い領域が相対的に広くなるため、透明電極の電気抵抗により光電変換効率が低下する、という課題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、光電変換効率に優れた光電変換装置およびその製造方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる光電変換装置は、結晶性半導体基板の少なくとも片面に半導体層が形成された光電変換装置であって、透明電極膜からなり前記半導体層上に形成された下層透明電極と、前記下層透明電極上に前記下層透明電極に接触して形成された集電極と、透明電極膜からなり前記集電極の上を覆うように形成され、前記集電極の一部および前記下層透明電極の一部と電気的に接触して形成された上層透明電極と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、集電極と透明電極との接触面積を広く確保して集電極と透明電極との接触抵抗を低減できるため、寄生抵抗が低減し、光電変換効率に優れた太陽電池セルが得られる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる光電変換装置およびその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかる光電変換装置である太陽電池セル1の概略構成を模式的に示す斜視図である。この太陽電池セル1は、光電変換層を構成する両側の表面が凹凸加工された光電変換層を構成するn型結晶珪素基板2の一面側の表面に厚さが略5nmのi型非晶質珪素層3aが形成され、他面側の表面に厚さが略5nmのi型非晶質珪素層3bが形成されている。これにより、非晶質珪素層と結晶珪素基板とのヘテロ接合が形成される。n型結晶珪素基板2は、比抵抗が1~10Ωcm、結晶配向が<100>、厚さが50μm以上300μm以下の珪素基板である。なお、図1においては簡略化のためn型結晶珪素基板2の表面の凹凸構造の図示を省略している。i型非晶質珪素層3a上には、厚さが略5nmのp型非晶質珪素層4が形成され、i型非晶質珪素層3b上には厚さが略5nmのn型非晶質珪素層5が形成されている。これにより、i型非晶質珪素層3aを介してn型結晶珪素基板2とp型非晶質珪素層4とによりpn接合が形成される。真性半導体層i型非晶質珪素層3aおよびi型非晶質珪素層3bはヘテロ接合間の不純物拡散を抑制し、急峻な不純物プロファイルをもつ接合を形成することができるため、良好な接合界面形成により高い開放電圧を得ることができる。p型非晶質珪素層4上には厚さが略70nmの下層透明電極6aが形成され、n型非晶質珪素層5上には厚さが略70nmの下層透明電極6bが形成されている。下層透明電極6a上には銀Agからなる厚さが略60μmの集電極7が形成され、下層透明電極6b上には銀Agからなる厚さが略60μmの集電極8が形成されている。なお、以下においては下層透明電極6aと下層透明電極6bとを総称して下層透明電極6と呼ぶ場合がある。集電極7は、幅が略20μm、厚さが略60μmであり一定のピッチで互いに略平行に配置された複数のグリッド電極7aと、幅が略1mmでありグリッド電極7aに交差して電気的に接続されたバス電極7bとから構成されている。集電極8は、幅が略20μm、厚さが略60μmであり一定のピッチで互いに略平行に配置された複数のグリッド電極8aと、幅が略1mmでありグリッド電極8aに交差して電気的に接続されたバス電極8bとから構成されている。そして、下層透明電極6aの一部と集電極7を覆うように、上層透明電極9aが形成され、下層透明電極6bの一部と集電極8を覆うように、上層透明電極9bが形成されている。下層透明電極6aは、表面において集電極7に隣接した領域を上層透明電極9aにより覆われ、下層透明電極6bは、表面において集電極8に隣接した領域を上層透明電極9bにより覆われている。なお、以下においては上層透明電極9aと上層透明電極9bとを総称して上層透明電極9と呼ぶ場合がある。また、下層透明電極6aと上層透明電極9aとを総称して一面側透明電極と、下層透明電極6bと上層透明電極9bとを総称して他面側透明電極と呼ぶ場合がある。集電極7は下層透明電極6aに接触し、さらに下層透明電極6aと集電極7との両方に電気的に接続された上層透明電極9aを備えることにより、太陽電池セル1では一面側透明電極と集電極7との接触面積を、従来の太陽電池セルに比べて広く確保できる。また、集電極8は下層透明電極6bに接触し、さらに下層透明電極6bと集電極8との両方に電気的に接続された上層透明電極9bを備えることにより、太陽電池セル1では他面側透明電極と集電極8との接触面積を、従来の太陽電池セルに比べて広く確保できる。太陽電池セル1では、透明電極と集電極間との接触面積が増加することにより、透明電極と集電極との間の接触抵抗が低下して寄生抵抗が低下し、発電効率、曲線因子が向上する。図2は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池セル1における電荷の流れを説明する概念図である。図2では、n型結晶珪素基板2の面方向において集電極7の延在方向に略直交する方向に沿った断面を示しており、図中の矢印は電荷の流れ流方向を示している。例えば太陽電池セル1の片面側または両面側から太陽電池セル1に対して光を照射すると、光電変換層であるn型結晶珪素基板2で電荷が発生する。すなわち、光が太陽電池セル1に照射されると、電荷としてホールと電子が生成する。太陽電池セル1における一面側では、発生した電荷のうち一部は、i型非晶質半導体層3a、p型非晶質珪素層4を通じて、下層透明電極6aに到達する。下層透明電極6aに到達した電荷は、集電極7aと下層透明電極6aとが接触している領域付近まで下層透明電極6a内を移動する。そして、集電極7a付近において、一部の電荷は下層透明電極6aを通って集電極7aの下面から、その他の電荷は上層透明電極9aを通って集電極7aの側面および上面から集電極7aに移動する。したがって、太陽電池セル1においては、電荷は従来の太陽電池セルと比較して広い領域、すなわち集電極7aと一面側透明電極下層透明電極6a、上層透明電極9aとが接触している接触面を通って下層透明電極6aから集電極7aに到達する。なお、バス電極7bと一面側透明電極下層透明電極6a、上層透明電極9aとが接触している部分でも、上記と同様な電荷の移動が生じる。太陽電池セル1における他面側では、発生した電荷のうち一部は、i型非晶質半導体層3b、n型非晶質珪素層5を通じて、下層透明電極6bに到達する。下層透明電極6bに到達した電荷は、集電極8aと下層透明電極6bとが接触している領域付近まで下層透明電極6b内を移動する。そして、集電極a8付近において、一部の電荷は下層透明電極6bを通って集電極8aの下面から、その他の電荷は上層透明電極9bを通って集電極8aの側面および上面から集電極8aに移動する。したがって、太陽電池セル1においては、電荷は従来の太陽電池セルと比較して広い領域、すなわち集電極8aと他面側透明電極下層透明電極6b、上層透明電極9bとが接触している接触面を通って下層透明電極6aから集電極8aに到達する。なお、バス電極8bと他面側透明電極下層透明電極6b、上層透明電極9baとが接触している部分でも、上記と同様な電荷の移動が生じる。太陽電池セル1においては、グリッド電極7aおよびバス電極7bのサイズは幅が略20μm、厚さが略60μmである。このため、太陽電池セル1における集電極と透明電極との接触面積導通面積は、これと同じサイズの集電極を有して該集電極と透明電極との接触面が集電極の下面のみである従来の太陽電池セルに対して略8倍となる。図3は、実施の形態1にかかる太陽電池セル1実施例と上記従来の太陽電池セル従来例との光電変換特性を示す図である。図3では、電圧Vと短絡電流密度相対値との関係を示している。短絡電流密度は、従来例に対する実施例の相対値を示している。図3から、太陽電池セル1の曲線因子が向上していることが分かる。太陽電池セル1の曲線因子の向上は、上層透明電極9aを備えることにより透明電極6aから集電極7への導通面積が増加して一面側透明電極と集電極7間の接触抵抗が低減したこと、および上層透明電極9bを備えることにより透明電極6bから集電極8への導通面積が増加して他面側透明電極と集電極8間の接触抵抗が低減したことに因るものである。したがって、実施の形態1にかかる太陽電池セル1の光電変換効率は、従来の太陽電池セルに比べて向上していることが明らかとなった。次に、上記のように構成された実施の形態1にかかる太陽電池セル1の製造方法について図4-1~図4-6を参照して説明する。図4-1~図4-6は、実施の形態1にかかる太陽電池セル1の製造方法の手順の一例を示す断面図である。まず、図4-1に示すように、n型結晶珪素基板2の表面にテクスチャと呼ばれる凹凸構造を形成する。テクスチャは太陽電池セルに入射する光の反射を低減し、n型結晶珪素基板2内における光散乱を促進する。凹凸構造の形成には、酸性またはアルカリ性のエッチング溶液を用いたn型結晶珪素基板2の表面のウエットエッチングを用いることができる。また、凹凸構造の形成前に、n型結晶珪素基板2の表面のダメージ層を除去する工程を実施してもよい。また、これに加えてダメージ層除去工程後に、基板内不純物のゲッタリング処理を施すことが太陽電池セルの性能向上には好ましい。ゲッタリング処理としては、例えばリン拡散処理などを用いる。また、凹凸構造の形成は、n型結晶珪素基板2において太陽電池セル1の光入射側となる面だけに施してもよい。つぎに、図4-2に示すように、n型結晶珪素基板2の一面側にi型非晶質珪素層3aとp型非晶質珪素層4とをこの順番で化学気相成長CVD法を用いて形成する。i型非晶質珪素層3aおよびp型非晶質珪素層4の層厚は、それぞれの略5nmである。なお、実施の形態1ではi型非晶質珪素層3aおよびp型非晶質珪素層4の層厚を略5nmとしたが、層の形成条件によってはたとえば5nm以上10nm以下の範囲の層厚でも構わない。CVD法としては、たとえばプラズマCVD法、熱CVD法などを用いることが好ましい。光電変換層であるn型結晶珪素基板2に対して十分な内蔵電界を発生させるためには、p型非晶質珪素層4のバンドギャップは1.7eV以上、活性化エネルギーは0.4eV以下であることが必要である。なおi型非晶質珪素層3aの代わりに、i型非晶質炭化珪素層、i型非晶質酸化珪素層またはこれらを積層した多層膜を用いてもよい。また、p型非晶質珪素層4の代わりにp型非晶質炭化珪素層、p型非晶質酸化珪素層、p型微結晶珪素層またはこれらを積層した多層膜などを用いてもよい。つぎに、図4-3に示すように、n型結晶珪素基板2の他面側にi型非晶質珪素層3bとn型非晶質珪素層5とをこの順番でCVD法を用いて形成する。i型非晶質珪素層3bおよびn型非晶質珪素層5の層厚は、それぞれ略5nmである。なお、実施の形態1ではi型非晶質珪素層3bおよびn型非晶質珪素層5の層厚を略5nmとしたが、層の形成条件によってはたとえば5nm以上20nm以下の範囲の層厚でも構わない。CVD法としては、たとえばプラズマCVD法、熱CVD法などを用いることが好ましい。光電変換層であるn型結晶珪素基板2に対して十分な内蔵電界を発生させるためには、n型非晶質珪素層5のバンドギャップは1.7eV以上、活性化エネルギーは0.3eV以下であることが必要である。なおi型非晶質珪素層3bの代わりに、i型非晶質炭化珪素層、i型非晶質酸化珪素層またはこれらを積層した多層膜を用いてもよい。また、n型非晶質珪素層5の代わりにn型非晶質炭化珪素層、n型非晶質酸化珪素層、n型微結晶珪素層またはこれらを積層した多層膜などを用いてもよい。また、i型非晶質珪素層3bおよびn型非晶質珪素層5の形成後、i型非晶質珪素層3aおよびi型非晶質珪素層3bと、n型結晶珪素基板2との界面欠陥低減のために、不活性ガスまたは不活性ガスで希釈した水素ガス中で熱アニール処理を施してもよい。アニール温度は200°C以下が好ましい。また、i型非晶質珪素層3aおよびp型非晶質珪素層4と、i型非晶質珪素層3bおよびn型非晶質珪素層5との形成順序を反対にしてもよい。つぎに、図4-4に示すように、p型非晶質珪素層4上に下層透明電極6aを、n型非晶質珪素層5上に下層透明電極6bをスパッタリング法または蒸着法を用いて形成する。下層透明電極6aおよび下層透明電極6bの透明電極材料としては、ITOまたは酸化インジウムIn2O3:IndiumOxideを用いる。下層透明電極6aおよび下層透明電極6bの膜厚は、反射率低減の観点から略70nmが好ましい。また、透明電極の電気抵抗率は低いことが望ましいが、導電性を担うキャリア密度が高いと透明電極での光吸収率が増加する。このため、透明電極として用いる材料は高キャリア移動度を実現できなければならない。70nmの層厚で十分低い電気抵抗率を達成するために、キャリア移動度はたとえば100cm2/Vs以上が好ましい。なお、下層透明電極材料としてアルミニウムAlやガリウムGaなどを添加した酸化亜鉛ZnO:ZincOxideを用いてもよい。つぎに、図4-5に示すように、下層透明電極6a上にAgで構成される集電極7を、下層透明電極6b上にAgで構成される集電極8をスクリーン印刷法で形成する。図4-5においてはグリッド電極7aおよびグリッド電極8aのみを示している。集電極7を構成するグリッド電極7aおよび集電極8を構成するグリッド電極8aの幅は、太陽電池セル1に入射する光の遮光を抑制するために狭いほど好ましい。しかし、グリッド電極7aおよびグリッド電極8a幅が狭い場合には、断面積が小さくなるために電気抵抗が増加する。したがって、断面積を大きくして電気抵抗を低減するために、グリッド電極7aおよびグリッド電極8aは、幅が狭く、層厚が大きいことが好ましい。実施の形態1では、グリッド電極7aおよびグリッド電極8aの幅を略20μm、層厚を略60μmとした。なお、集電極7および集電極8は、スクリーン印刷の他に、メッキ法などで形成してもよい。集電極7および集電極8の印刷後、200°C以下で焼成を行う。つぎに、図4-6に示すように、下層透明電極6a上の一部と集電極7とを覆うように上層透明電極9aを集電極7の形状に沿った形状にスクリーン印刷で形成する。また、下層透明電極6b上の一部と集電極8とを覆うように上層透明電極9bを集電極8の形状に沿った形状にスクリーン印刷で形成する。上層透明電極9aおよび上層透明電極9bの透明電極材料としては、ITOを用いる。また、上層透明電極9aおよび上層透明電極9bの透明電極材料として酸化インジウムIn2O3:IndiumOxideやアルミニウムAlやガリウムGaなどを添加した酸化亜鉛ZnO:ZincOxideを用いてもよい。また、上層透明電極9aの層厚は下層透明電極6aより厚くし、上層透明電極9bの層厚は下層透明電極6bより厚くすることが好ましい。これにより、上層透明電極9a、9bの抵抗が下層透明電極6a、6bに比べて低くなる。そして光電変換層であるn型結晶珪素基板2で発生した電荷の多くは上層透明電極9aを通って集電極7へ、上層透明電極9bを通って集電極8へ向かって導通し、集電極7と上層透明電極間9aの接触面から集電極7に、集電極8と上層透明電極間9bの接触面から集電極8に到達する。結果として、一面側透明電極と集電極7との間の接触面積および他面側下層透明電極と集電極8との間の接触面積が増加し、接触抵抗が低下する。上層透明電極9aの幅は、集電極7を完全に覆うために集電極7の幅より数μm~数十μm程度広くすることが好ましい。また、上層透明電極9bの幅は、集電極8を完全に覆うために集電極8の幅より数μm~数十μm程度広くすることが好ましい。実施の形態1では、グリッド電極7a上の上層透明電極9aの幅は略40μmとし、グリッド電極8a上の上層透明電極9bの幅は略40μmとした。また、上層透明電極9を形成する方法として、一旦基板全面に透明電極を形成した後に、集電極領域以外の透明電極を、エッチングペーストを用いて除去する方法を用いてもよい。以上の工程を実施することにより、図1に示す太陽電池セル1が得られる。上述したように、実施の形態1にかかる太陽電池セル1は、下層透明電極6aおよび集電極7の両方に電気的に接続された上層透明電極9aを備えることにより、一面側透明電極と集電極7との接触面積を広く確保できる。また、下層透明電極6bおよび集電極8の両方に電気的に接続された上層透明電極9bと備えることにより、他面側透明電極と集電極8との接触面積を広く確保できる。これにより、一面側透明電極と集電極7との間の接触抵抗および他面側下層透明電極と集電極8との間の接触抵抗が低下して寄生抵抗が低下し、発電効率、曲線因子が向上する。また、実施の形態1によれば、集電極7または8の幅が狭い場合でも一面側透明電極と集電極7との接触面積および他面側透明電極と集電極8との接触面積を広く確保できるため、寄生抵抗が低下し、発電効率、曲線因子が向上する。また、実施の形態1によれば、下層透明電極6aおよび下層透明電極6bの光透過性を高くするためにITO等の酸素濃度を増加させて電気抵抗率が上昇した場合でも、上層透明電極9を備えることにより、光照射により発生した電荷の収集効率を向上させ、光電変換効率を向上させることができる。したがって、実施の形態1によれば、曲線因子および光電変換効率に優れた太陽電池セルが得られる。なお、上述した本発明の効果を得るためには、上層透明電極9は集電極7、8の一部とのみ電気的に接触した構造とされてもよい。ただし、本発明の効果をより有効に得るためには、上層透明電極9と集電極7、8との接触面積は広くすることが好ましい。また、上層透明電極9aの電気抵抗が、下層透明電極6aの電気抵抗よりも低いことが好ましい。これにより、下層透明電極6aに到達した電荷の殆どが、集電極7との接触面積導通面積が広い上層透明電極9aを通って集電極7に流れ、電荷が効率良く集電極7に収集される。同様に、上層透明電極9bの電気抵抗が、下層透明電極6bの電気抵抗よりも低いことが好ましい。これにより、下層透明電極6bに到達した電荷の殆どが、集電極8との接触面積導通面積が広い上層透明電極9bを通って集電極8に流れ、電荷が効率良く集電極8に収集される。また、上層透明電極9の結晶性を下層透明電極6の結晶性より高くすることにより、上層透明電極9の電気抵抗を下層透明電極6の電気抵抗よりも低減してもよい。これにより、n型結晶珪素基板2で発生した電荷の殆どが下層透明電極6から上層透明電極9を通って集電極7集電極8に流れ、電荷が効率良く集電極7集電極8に収集される。実施の形態2.図5は、本発明の実施の形態2にかかる光電変換装置である太陽電池セル101の概略構成を模式的に示す斜視図である。この太陽電池セル101は、光電変換層であり両側の表面が凹凸加工されたn型結晶珪素基板102の一面側の表面に厚さが略5nmのi型非晶質珪素層103aが形成され、他面側の表面に厚さが略5nmのi型非晶質珪素層103bが形成されている。n型結晶珪素基板102は、比抵抗が1~10Ωcm、結晶配向が<100>、厚さが50μm以上300μm以下の珪素基板である。なお、図5においては簡略化のためn型結晶珪素基板2の表面の凹凸構造の図示を省略している。i型非晶質珪素層103a上には、厚さが略5nmのp型非晶質珪素層104が形成され、i型非晶質珪素層103b上には厚さが略5nmのn型非晶質珪素層105が形成されている。p型非晶質珪素層104上には厚さが略70nmの下層透明電極106aが形成され、n型非晶質珪素層105上には厚さが略70nmの下層透明電極106bが形成されている。下層透明電極106a上には銀Agからなる厚さが略60μmの集電極107が形成され、下層透明電極106b上には銀Agからなる厚さが略60μmの集電極108が形成されている。なお、以下においては下層透明電極106aと下層透明電極106bとを総称して下層透明電極106と呼ぶ場合がある。集電極107は、幅が略20μm、厚さが略60μmであり一定のピッチで互いに略平行に配置された複数のグリッド電極107aと、幅が略1mmでありグリッド電極107aに交差して電気的に接続されたバス電極107bとから構成されている。集電極108は、幅が略20μm、厚さが略60μmであり一定のピッチで互いに略平行に配置された複数のグリッド電極108aと、幅が略1mmでありグリッド電極108aに交差して電気的に接続されたバス電極108bとから構成されている。そして、下層透明電極106aと集電極107を覆うように上層透明電極109aが形成され、下層透明電極106bと集電極108を覆うように上層透明電極109bが形成されている。すなわち、下層透明電極106aは集電極107と上層透明電極109aとにより外部側の表面全体を覆われている。下層透明電極106bは集電極108と上層透明電極109bとにより外部側の表面全体を覆われている。なお、以下においては上層透明電極109aと上層透明電極109bとを総称して上層透明電極109と呼ぶ場合がある。また、下層透明電極106aと上層透明電極109aとを総称して一面側透明電極と、下層透明電極106bと上層透明電極109bとを総称して他面側透明電極と呼ぶ場合がある。下層透明電極106aと集電極107との両方に電気的に接続された上層透明電極109aを備えることにより、太陽電池セル101では一面側透明電極と集電極107との接触面積を、従来の太陽電池セルに比べて広く確保できる。また、下層透明電極106bと集電極108との両方に電気的に接続された上層透明電極109bを備えることにより、太陽電池セル101では他面側透明電極と集電極108との接触面積を、従来の太陽電池セルに比べて広く確保できる。太陽電池セル101では、透明電極と集電極間との接触面積が増加することにより、透明電極と集電極との間の接触抵抗が低下して寄生抵抗が低下し、発電効率、曲線因子が向上する。実施の形態2にかかる太陽電池セル101においては、図2で説明した実施の形態1の場合と同様の理由により、電荷は従来の太陽電池セルと比較して広い領域、すなわち集電極107と一面側透明電極下層透明電極106a、上層透明電極109aとが接触している接触面を通って一面側透明電極から集電極107に到達する。また、太陽電池セル101においては、図2で説明した実施の形態1の場合と同様の理由により、電荷は従来の太陽電池セルと比較して広い領域、すなわち集電極108と他面側透明電極下層透明電極106b、上層透明電極109bとが接触している接触面を通って他面側透明電極から集電極108に到達する。実施の形態2にかかる太陽電池セル101について光電変換特性を調べたところ、図3で説明した実施の形態1の場合と同様の結果となり、実施の形態1の場合と同様の理由により、従来の太陽電池セルに比べて曲線因子が向上する。すなわち、太陽電池セル101の曲線因子の向上は、実施の形態1の場合と同様であり、上層透明電極109aを備えることにより下層透明電極106aから集電極107への導通面積が増加して一面側透明電極と集電極107間の接触抵抗が低減したこと、および上層透明電極109bを備えることにより下層透明電極106bから集電極108への導通面積が増加して他面側透明電極と集電極108間の接触抵抗が低減したことに因るものである。したがって、実施の形態2にかかる太陽電池セル101の光電変換効率は、従来の太陽電池セルに比べて向上していることが明らかとなった。次に、上記のように構成された実施の形態2にかかる太陽電池セル101の製造方法について図6-1~図6-6を参照して説明する。図6-1~図6-6は、実施の形態2にかかる太陽電池セル101の製造方法の手順の一例を示す断面図である。まず、図6-1に示すように、n型結晶珪素基板102の表面にテクスチャと呼ばれる凹凸構造を形成する。テクスチャは太陽電池セルに入射する光の反射を低減し、n型結晶珪素基板102内における光散乱を促進する。凹凸構造の形成には、酸性またはアルカリ性のエッチング溶液を用いたn型結晶珪素基板102の表面のウエットエッチングを用いることができる。また、凹凸構造の形成前に、n型結晶珪素基板102の表面のダメージ層を除去する工程を実施してもよい。また、これに加えてダメージ層除去工程後に、基板内不純物のゲッタリング処理を施すことが太陽電池セルの性能向上には好ましい。ゲッタリング処理としては、例えばリン拡散処理などを用いる。また、凹凸構造の形成は、n型結晶珪素基板2において太陽電池セル101の光入射側となる面だけに施してもよい。つぎに、図6-2に示すように、n型結晶珪素基板102の一面側にi型非晶質珪素層103aとp型非晶質珪素層104とをこの順番でCVD法を用いて形成する。i型非晶質珪素層103aおよびp型非晶質珪素層104の層厚は、それぞれ略5nmである。なお、実施の形態2ではi型非晶質珪素層103aおよびp型非晶質珪素層104の層厚を略5nmとしたが、層の形成条件によってはたとえば5nm以上10nm以下の範囲の層厚でも構わない。CVD法としては、たとえばプラズマCVD法、熱CVD法などを用いることが好ましい。光電変換層であるn型結晶珪素基板2に対して十分な内蔵電界を発生させるためには、p型非晶質珪素層104のバンドギャップは1.7eV以上、活性化エネルギーは0.4eV以下であることが必要である。なおi型非晶質珪素層103aの代わりに、i型非晶質炭化珪素層、i型非晶質酸化珪素層またはこれらを積層した多層膜を用いてもよい。また、p型非晶質珪素層104の代わりにp型非晶質炭化珪素層、p型非晶質酸化珪素層、p型微結晶珪素層またはこれらを積層した多層膜などを用いてもよい。つぎに、図6-3に示すように、n型結晶珪素基板102の他面側にi型非晶質珪素層103bとn型非晶質珪素層105とをこの順番でCVD法を用いて形成する。i型非晶質珪素層103bおよびn型非晶質珪素層105の層厚は、それぞれ略5nmである。なお、実施の形態2ではi型非晶質珪素層103bおよびn型非晶質珪素層105の層厚を略5nmとしたが、層の形成条件によってはたとえば5nm以上20nm以下の範囲の層厚でも構わない。CVD法としては、たとえばプラズマCVD法、熱CVD法などを用いることが好ましい。光電変換層であるn型結晶珪素基板102に対して十分な内蔵電界を発生させるためには、n型非晶質珪素層105のバンドギャップは1.7eV以上、活性化エネルギーは0.3eV以下であることが必要である。なおi型非晶質珪素層103bの代わりに、i型非晶質炭化珪素層、i型非晶質酸化珪素層またはこれらを積層した多層膜を用いてもよい。また、n型非晶質珪素層105の代わりにn型非晶質炭化珪素層、n型非晶質酸化珪素層、n型微結晶珪素層またはこれらを積層した多層膜などを用いてもよい。また、i型非晶質珪素層103bおよびn型非晶質珪素層105の形成後、i型非晶質珪素層103aおよびi型非晶質珪素層103bと、n型結晶珪素基板102との界面欠陥低減のために、不活性ガスまたは不活性ガスで希釈した水素ガス中で熱アニール処理を施してもよい。アニール温度は200°C以下が好ましい。また、i型非晶質珪素層103aおよびp型非晶質珪素層104と、i型非晶質珪素層103bおよびn型非晶質珪素層105との形成順序を反対にしてもよい。つぎに、図6-4に示すように、p型非晶質珪素層104上に下層透明電極106aを、n型非晶質珪素層105上に下層透明電極106bをスパッタリング法または蒸着法を用いて形成する。下層透明電極106aおよび下層透明電極106bの透明電極材料としては、ITOまたは酸化インジウムIn2O3:IndiumOxideを用いる。下層透明電極106aおよび下層透明電極106bの膜厚は、反射率低減の観点から略70nmが好ましい。また、透明電極の電気抵抗率は低いことが望ましいが、導電性を担うキャリア密度が高いと透明電極での光吸収率が増加する。このため、透明電極として用いる材料は高キャリア移動度を実現できなければならない。70nmの層厚で十分低い電気抵抗率を達成するために、キャリア移動度はたとえば100cm2/Vs以上が好ましい。なお、下層透明電極材料としてアルミニウムAlやガリウムGaなどを添加した酸化亜鉛ZnO:ZincOxideを用いてもよい。つぎに、図6-5に示すように、下層透明電極106a上にAgで構成される集電極107を、下層透明電極106b上にAgで構成される集電極108をスクリーン印刷法で形成する。図6-5においてはグリッド電極107aおよびグリッド電極108aのみを示している。集電極107を構成するグリッド電極107aおよび集電極108を構成するグリッド電極108aの幅は、太陽電池セル101に入射する光の遮光を抑制するために狭いほど好ましい。しかし、グリッド電極107aおよびグリッド電極108aの幅が狭い場合には、断面積が小さくなるために電気抵抗が増加する。したがって、断面積を大きくして電気抵抗を低減するために、グリッド電極107aおよびグリッド電極108aは、幅が狭く、層厚が大きいことが好ましい。実施の形態2では、グリッド電極107aおよびグリッド電極108aの幅を略20μm、層厚を略60μmとした。なお、集電極107および集電極108は、スクリーン印刷の他に、メッキ法などで形成してもよい。集電極107および集電極108の印刷後、200°C以下で焼成を行う。つぎに、図6-6に示すように、下層透明電極106a上と集電極7との全体を覆うように上層透明電極109aを集電極107の形状に沿った形状にスパッタリング法または蒸着法で形成する。また、下層透明電極106b上と集電極108との全体を覆うように上層透明電極109bを集電極108の形状に沿った形状にスパッタリング法または蒸着法で形成する。上層透明電極109aおよび上層透明電極109bの透明電極材料としては、ITOを用いる。また、上層透明電極109aおよび上層透明電極109bの透明電極材料として酸化インジウムIn2O3:IndiumOxideやアルミニウムAlやガリウムGaなどを添加した酸化亜鉛ZnO:ZincOxideを用いてもよい。また、上層透明電極109aの層厚は下層透明電極106aより厚くし、上層透明電極109bの層厚は下層透明電極106bより厚くすることが好ましい。これにより、上層透明電極109a、109bの抵抗が下層透明電極106a、106bに比べて低くなる。そして光電変換層であるn型結晶珪素基板102で発生した電荷の多くは上層透明電極109aを通って集電極107へ、上層透明電極109bを通って集電極108へ向かって導通し、集電極107と上層透明電極間109aの接触面から集電極107に、集電極108と上層透明電極間109bの接触面から集電極108に到達する。結果として、一面側透明電極と集電極107との間の接触面積および他面側下層透明電極と集電極108との間の接触面積が増加し、接触抵抗が低下する。上層透明電極109aの幅は、集電極107を完全に覆うために集電極107の幅より数μm~数十μm程度広くすることが好ましい。また、上層透明電極109bの幅は、集電極108を完全に覆うために集電極108の幅より数μm~数十μm程度広くすることが好ましい。実施の形態2では、グリッド電極107a上の上層透明電極109aの幅は略40μmとし、グリッド電極108a上の上層透明電極109bの幅は略40μmとした。また、集電極107の側面まで十分に電荷を導くため、上層透明電極109aの電気抵抗率は下層透明電極106aより低くする。集電極108の側面まで十分に電荷を導くため、上層透明電極109bの電気抵抗率は下層透明電極106bより低くする。また、下層透明電極106の場合と同様の理由により、キャリア移動度は100cm2/Vs以上が好ましい。このために、上層透明電極109の結晶性を下層透明電極106の結晶性より高くしてもよい。以上の工程を実施することにより、図5に示す太陽電池セル101が得られる。上述したように、実施の形態2にかかる太陽電池セル101は、下層透明電極106aおよび集電極107の両方に電気的に接続された上層透明電極109aを備え、下層透明電極106a上における集電極107の形成領域以外の領域の全てが上層透明電極109aで覆われていることにより、一面側透明電極と集電極107との接触面積をより広く確保できる。また、下層透明電極106bおよび集電極108の両方に電気的に接続された上層透明電極109bと備え、下層透明電極106b上における集電極108の形成領域以外の領域の全てが上層透明電極109bで覆われていることにより、他面側透明電極と集電極108との接触面積をより広く確保できる。これにより、一面側透明電極と集電極107との間の接触抵抗および他面側下層透明電極と集電極108との間の接触抵抗が低下して寄生抵抗が低下し、発電効率、曲線因子が向上する。また、実施の形態2によれば、集電極107または108の幅が狭い場合でも一面側透明電極と集電極107との接触面積および他面側透明電極と集電極108との接触面積を広く確保できるため、寄生抵抗が低下し、発電効率、曲線因子が向上する。また、実施の形態2によれば、下層透明電極106aおよび下層透明電極106bの光透過性を高くするためにITO等の酸素濃度を増加させて電気抵抗率が上昇した場合でも、上層透明電極109を備えることにより、光照射により発生した電荷の収集効率を向上させ、光電変換効率を向上させることができる。また、実施の形態2によれば、下層透明電極106aおよび下層透明電極106bの光透過性を高くするためにITO等の酸素濃度を増加させて電気抵抗率が上昇した場合でも、光照射により発生した電荷の収集効率を向上させ、光電変換効率を向上させることができる。したがって、実施の形態2によれば、曲線因子および光電変換効率に優れた太陽電池セルが得られる。なお、上述した本発明の効果を得るためには、上層透明電極109は集電極107、108の一部とのみ電気的に接触した構造とされてもよい。ただし、本発明の効果をより有効に得るためには、上層透明電極109と集電極107、108との接触面積は広くすることが好ましい。また、上層透明電極109aの電気抵抗が、下層透明電極106aの電気抵抗よりも低いことが好ましい。これにより、下層透明電極106aに到達した電荷の殆どが、集電極107との接触面積導通面積が広い上層透明電極109aを通って集電極107に流れ、電荷が効率良く集電極107に収集される。同様に、上層透明電極109bの電気抵抗が、下層透明電極106bの電気抵抗よりも低いことが好ましい。これにより、下層透明電極106bに到達した電荷の殆どが、集電極108との接触面積導通面積が広い上層透明電極109bを通って集電極108に流れ、電荷が効率良く集電極108に収集される。また、上層透明電極109の結晶性を下層透明電極106の結晶性より高くすることにより、上層透明電極109の電気抵抗を下層透明電極106の電気抵抗よりも低減してもよい。これにより、n型結晶珪素基板102で発生した電荷の殆どが下層透明電極106から上層透明電極109を通って集電極107集電極108に流れ、電荷が効率良く集電極107集電極108に収集される。また、上記の実施の形態で説明した構成を有する太陽電池セルを複数形成し、隣接する太陽電池セル同士を電気的に直列または並列に接続することにより、曲線因子および光電変換効率に優れた太陽電池モジュールが実現できる。この場合は、たとえば隣接する太陽電池セルの一方の一面側の集電極と他方の他面側の集電極とを電気的に接続すればよい。