"カルコパイライト型化合物からなる光吸収層を有するカルコパイライト型太陽電池の製造方法であって、少なくとも、電極と、前記光吸収層の前駆体であるプリカーサ層とを基板上に形成した積層物を得る工程と、前記積層物を処理炉に収容する工程と、前記処理炉内にセレン化水素又は硫化水素を供給するとともに前記処理炉内の圧力を大気圧~1000kPaとし、前記プリカーサ層とセレン化水素又は硫化水素とを反応させて前記プリカーサ層をカルコパイライト型化合物に変化させることによって、前記プリカーサ層から前記光吸収層を形成する工程と、を有することを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の製造方法。請求項1記載の製造方法において、前記処理炉内の圧力を500~900kPaに設定することを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の製造方法。請求項1又は2記載の製造方法において、前記処理炉を耐圧容器に収容するとともに、前記処理炉内の圧力を、前記耐圧容器内の圧力に比して小さく設定することを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の製造方法。請求項3記載の製造方法において、前記耐圧容器内の圧力と前記処理炉内の圧力との差を20~100kPaとすることを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の製造方法。上記したセレン化又は硫化に際しては、処理炉内に、プリカーサ層までが形成された積層物が多数個収容されることが通例である。すなわち、多数個の積層物におけるプリカーサ層を同時に光吸収層に変化させ、これにより太陽電池を工業的規模で生産するようにしている。この場合、ある積層物では結晶化が十分に進行した光吸収層が得られる一方、別の積層物では光吸収層の結晶化が比較的進行していないことがある。換言すれば、光吸収層の結晶化が十分に促進されたものと、そうではないものとが混在している場合がある。光吸収層の結晶化が十分でないときには、変換効率が小さくなる傾向がある。しかしながら、多数個の半製品から得た太陽電池につき個々の変換効率を求め、変換効率が大きいもののみを製品として供することは煩雑である上、膨大な時間が必要となる。本発明は上記した問題を解決するためになされたもので、光吸収層をなすカルコパイライト型化合物の結晶化の度合いを可及的に均等化し得、このために各太陽電池の変換効率を略同等とすることが可能なカルコパイライト型太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。前記の目的を達成するために、本発明は、カルコパイライト型化合物からなる光吸収層を有するカルコパイライト型太陽電池の製造方法であって、少なくとも、電極と、前記光吸収層の前駆体であるプリカーサ層とを基板上に形成した積層物を得る工程と、前記積層物を処理炉に収容する工程と、前記処理炉内にセレン化水素又は硫化水素を供給するとともに前記処理炉内の圧力を大気圧~1000kPaとし、前記プリカーサ層とセレン化水素又は硫化水素とを反応させて前記プリカーサ層をカルコパイライト型化合物に変化させることによって、前記プリカーサ層から前記光吸収層を形成する工程と、を有することを特徴とする。すなわち、本発明においては、処理炉内が大気圧以上1000kPa以下の加圧状態に設定され、この条件下でセレン化及び結晶化が行われる。この場合、セレン化水素又は硫化水素反応ガスのセレン又は硫黄がプリカーサ層の内部深くまで取り込まれる。また、結晶化が促進される。この理由は、処理炉内を加圧状態としているからである。すなわち、加圧状態では、処理炉内における反応ガスの充填密度が大きくなり、このため、積層物への熱伝導率が向上する。また、処理炉内部における温度が略同等となって該処理炉内に温度分布が生じ難くなる。従って、積層物の配置位置や、該積層物の部位に関わらず、光吸収層をなすカルコパイライト型化合物の生成反応、及び該カルコパイライト型化合物の結晶化の進行の度合いが略同等となる。その結果、処理炉内に収容した全ての積層物において、加熱が積極的に且つ略同等に促進される。このため、全ての積層物に、結晶化が十分に進行した略均質な光吸収層が形成される。このような光吸収層を具備するカルコパイライト型太陽電池では、変換効率が大きくなる。しかも、個々のカルコパイライト型太陽電池の変換効率は、互いに略同等である。その上、本発明によれば、加熱不良となる部位が生じることを防止して結晶化を十分に進行させるべく保持温度を過度に高温としたり、保持時間を過度に長くしたりする必要がない。従って、カルコパイライト型化合物が分解する懸念が払拭される。また、結晶化が十分に進行した光吸収層を得るまでの時間を短縮することも可能である。処理炉内の圧力は、500~900kPaであることが一層好適である。この場合、変換効率が一層大きなカルコパイライト型太陽電池を得ることができる。ここで、セレン化水素又は硫化水素は、取り扱いに注意を要する物質として周知である。このため、処理炉を耐圧容器に収容するとともに、処理炉内の圧力を、耐圧容器内の圧力に比して小さく設定することが好ましい。この場合、処理炉に仮にリーク箇所が生じたとしても、該処理炉の内圧に比して外圧耐圧容器の内圧が大きいため、耐圧容器から処理炉内にガスが流入する。従って、反応ガスが処理炉から流出することが回避される。万一、反応ガスが処理炉内から耐圧容器内に流出し、その結果、耐圧容器内の圧力が上昇したとしても、耐圧容器はこの圧力に耐え得る。従って、反応ガスが耐圧容器内から流出することが回避される。なお、耐圧容器内の圧力と処理炉内の圧力との差は、20~100kPaもあれば十分である。本発明によれば、光吸収層を得る際及び結晶化の際に処理炉内を加圧状態とするようにしている。このため、結晶化が十分に促進された光吸収層を具備するカルコパイライト型太陽電池を多数個、同時に得ることができる。従って、個々のカルコパイライト型太陽電池の変換効率を大きく、しかも、互いに略同等とすることができる。以下、本発明に係るカルコパイライト型太陽電池の製造方法につき、それに用いる装置との関係で好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態においては、図7に示される構成のカルコパイライト型太陽電池10を作製する。なお、以下においては、In層22及びCu-Ga合金層24の2層構造からなるプリカーサ層を形成した後、該プリカーサ層をセレン化する場合を例示する。はじめに、図1aに示すように、Mo膜又はW膜をガラス基板12上に成膜し、これにより裏面電極14を成膜する。この成膜には、例えば、スパッタリングを採用すればよい。次に、図1bに示すように、裏面電極14上にIn層22を成膜する。In層22は、Inからなるターゲット材T1を用いた第1のスパッタリング工程SPT-1によって成膜することができる。その後、図1cに示すように、In層22の上にCu-Ga合金層24を成膜する。成膜には、第2のスパッタリング工程SPT-2を行えばよい。この際には、Cu-Ga合金からなるターゲット材T2を用いればよい。好ましくは、このCu-Ga合金層24上にアルカリ層図示せずが設けられる。このアルカリ層は、例えば、塩化ナトリウム水溶液をはじめとするナトリウム塩水溶液等のアルカリ溶液を塗布した後、該溶液を乾燥することによって形成することもできる。なお、前記溶液の塗布は、Cu-Ga合金層24までが形成された半製品を前記溶液内に浸漬することによって行われる。又は、スピンコート等の公知の塗布方法を採用するようにしてもよい。さらに、図1dに示すように、In層22及びCu-Ga合金層24に対し、H2Seを流通した処理炉後述内で熱処理を施す。すなわち、熱処理工程HEATを実施する。これにより、In層22及びCu-Ga合金層24がセレン化され、その結果、CIGSからなる光吸収層16が形成される。この際には、前記アルカリ層に含まれるNa等のアルカリ成分がCuIn,GaSeの結晶化を促進する。なお、アルカリ層は最終的に光吸収層16に拡散して消滅するので、該アルカリ層が光吸収層16の上方に層として残留することはない。この熱処理工程HEATにつき、詳述する。図2は、該熱処理工程HEATを実施するための熱処理装置30の要部概略縦断面図である。この熱処理装置30は、処理炉32と、該処理炉32を収容する耐圧容器34とを備える。処理炉32は、閉塞部材36と、略円筒形状の第1ケーシング38と、長尺な第2ケーシング40とを有する。この中の閉塞部材36は、第1ケーシング38の第1フランジ部42に連結されてその下方開口を閉塞するためのものである。第1ケーシング38には、第1供給ライン44及び第2供給ライン46と、第1排出ライン48とが接続される。第1供給ライン44は、処理炉32内にH2Seを供給するためのものであり、第1流量計50と、第1自動開閉バルブ52とが介装される。また、第2供給ライン46は、処理炉32に不活性ガス例えば、Arを供給するためのものであり、第2流量計54と、第2自動開閉バルブ56とが設けられる。第1流量計50、第2流量計54の各々におけるH2Se、不活性ガスの流量に関する情報は、それぞれ、第1自動開閉バルブ52、第2自動開閉バルブ56にフィードされる。第1自動開閉バルブ52、第2自動開閉バルブ56の開度、ひいてはH2Se、不活性ガスの流量は、これらの情報に基づいて制御される。一方、第1排出ライン48は、H2Seと、不活性ガスとを処理炉32から排出するためのものである。この第1排出ライン48には、第1自動圧力変換器APC58と、第3自動開閉バルブ60とが設けられる。第1自動圧力変換器58によって検知された処理炉32内の圧力に関する情報は第3自動開閉バルブ60にフィードされ、この情報に基づいて、第3自動開閉バルブ60の開度が制御される。これに伴い、処理炉32内の圧力が調節される。第1排出ライン48には、さらに、第1ポンプ62が介装される。第1ケーシング38には、図示しない支持フレームに支持された石英ボート64が設けられる。光吸収層16までが形成された積層物の参照符号を66とすると、該積層物66は、プリカーサ層の上端面が鉛直方向に沿って延在した状態、換言すれば、起立姿勢とされた状態で石英ボート64に支持される。第2ケーシング40は、後述するように第1ケーシング38に対して離間又は接近することが可能であり、第1ケーシング38に接近して第2フランジ部68に着座した際、前記石英ボート64を覆う。これにより、石英ボート64及び積層物66が処理炉32内に収容される。第2ケーシング40は、ヒータ70によって囲繞されている。処理炉32の内部に収容された積層物66は、このヒータ70によって加熱される。以上の構成における閉塞部材36、第1ケーシング38の構成材料の好適な例としては、H2Seに対して十分な耐蝕性を示すとともに加工が容易なステンレス鋼が挙げられる。また、第2ケーシング40の構成材料は、同様にH2Seに対する十分な耐蝕性と、耐熱性とを兼ね備える石英が好適である。耐圧容器34は、円盤形状部材72と、略円筒形状の台座部材74と、長尺なカバーハウジング76とを有する。この中の円盤形状部材72は、台座部材74の下方フランジ部78に連結されてその下方開口を閉塞する。台座部材74には、第3供給ライン80と、第2排出ライン82とが接続される。第3供給ライン80は、耐圧容器34の内部、すなわち、耐圧容器34と処理炉32との間のクリアランスに不活性ガス例えば、N2を供給するためのものであり、第3流量計84と、第4自動開閉バルブ86とが介装される。第3流量計84における不活性ガスの流量に関する情報は、第4自動開閉バルブ86にフィードされる。この情報に基づいて第4自動開閉バルブ86の開度が制御されることにより、不活性ガスの流量が調節される。一方の第2排出ライン82は、不活性ガスを耐圧容器34の内部から排出するためのものである。この第2排出ライン82には、第2自動圧力変換器APC88と、第5自動開閉バルブ90とが設けられる。第2自動圧力変換器88によって検知された耐圧容器34の内部耐圧容器34と処理炉32との間のクリアランスの圧力に関する情報は第5自動開閉バルブ90にフィードされ、この情報に基づいて、第5自動開閉バルブ90の開度が制御される。これに伴い、耐圧容器34の内部の圧力が調節される。第2排出ライン82には、さらに、第2ポンプ92が介装される。この第2排出ライン82と前記第1排出ライン48は、除害設備94に接続される。また、除害設備94の下流にはスクラバー96が設けられる。以上のような構成の第3供給ライン80及び第2排出ライン82が設けられた台座部材74には、第1フランジ部42に閉塞部材36が取り付けられた第1ケーシング38が保持される。台座部材74の上方フランジ部98に取り付けられるカバーハウジング76は、前記ヒータ70及び第2ケーシング40を保持している。カバーハウジング76は、図示しない昇降機構の作用下に上昇又は下降し、これに伴って台座部材74に対して離間又は接近する。この離間又は接近に追従し、カバーハウジング76に保持された第2ケーシング40が、台座部材74に保持された第1ケーシング38に対して離間又は接近する。耐圧容器34は、該耐圧容器34の内部が高圧となったとしても耐え得る十分な厚みに設定される。従って、耐圧容器34の材料はステンレス鋼が好適である。この場合、厚みが大きなものであっても低コストで得ることができるからである。熱処理工程HEATは、基本的には上記のように構成された熱処理装置30において、以下のようにして実施される。先ず、前記昇降機構の作用下にカバーハウジング76を上昇させる。これに追従して該カバーハウジング76に保持された第2ケーシング40も上昇するので、石英ボート64が露呈する。さらに、該石英ボート64に所定数の積層物66をセットする。上記したように、積層物66は、起立姿勢でセットされる。その後、前記昇降機構の作用下にカバーハウジング76を下降させ、該カバーハウジング76の大径な下端部を台座部材74の上方フランジ部98に着座させる。この着座と同時に、カバーハウジング76に追従して下降した第2ケーシング40の大径な下端部が、第1ケーシング38の第2フランジ部68に当接する。これにより、処理炉32及び耐圧容器34が密閉状態として構成される。さらに、第1ポンプ62及び第2ポンプ92を付勢し、耐圧容器34の内部及び処理炉32内の大気を排出する。その一方で、ヒータ70を付勢する。その後、第1供給ライン44及び第2供給ライン46から、H2Se及び不活性ガス例えば、Arの各々を処理炉32内に供給するとともに、第3供給ライン80から不活性ガス例えば、N2を耐圧容器34内に供給する。すなわち、処理炉32中の雰囲気はH2Se及び不活性ガスの混合ガスとなり、耐圧容器34中の雰囲気は不活性ガスとなる。第1自動開閉バルブ52、第2自動開閉バルブ56の開度は、H2Seの分圧が所定の値を保つように制御される。すなわち、第1流量計50及び第2流量計54によってH2Se及び不活性ガスの各流量が求められると、第1自動開閉バルブ52、第2自動開閉バルブ56の開度は、H2Se/不活性ガスの流量比が維持されるように調節される。処理炉32中の雰囲気の圧力は、第1自動圧力変換器58によって検知される。この検知結果に関する情報に基づき、第3自動開閉バルブ60の開度が制御される。第3自動開閉バルブ60の開度、ひいては第1排出ライン48からの混合ガスの排気量は、処理炉32内の圧力が大気圧~1000kPaとなるように制御される。なお、本明細書においていう大気圧は1気圧を意味し、101.325kPaに相当する。従来技術に係る熱処理工程セレン化及び結晶化においては、処理炉32内の圧力は、85kPa程度に設定される。すなわち、大気圧よりも低圧である減圧下でセレン化及び結晶化が実施される。これに対し、本実施の形態では、大気圧以上の圧力、換言すれば、加圧下でセレン化及び結晶化が行われる。処理炉32内の一層好ましい圧力は、500~900kPa、典型的には700kPaである。その一方で、耐圧容器34の内部の圧力が第1自動圧力変換器58によって検知され、この検知結果に関する情報に基づき、第5自動開閉バルブ90の開度が制御される。第5自動開閉バルブ90の開度、すなわち、第2排出ライン82からの不活性ガスの排気量は、耐圧容器34の内部の圧力が、処理炉32内の圧力に比して大きくなるように設定される。この場合、処理炉32にリーク箇所が万一生じたとしても、耐圧容器34内の不活性ガスが処理炉32内に流入することになる。ガスは、高圧側から低圧側に移動するからである。従って、処理炉32内の混合ガスが耐圧容器34内に漏洩する懸念が払拭される。なお、耐圧容器34内の圧力と処理炉32内の圧力との差は、20~100kPaもあれば十分である。その後、第1~第5自動開閉バルブ52、56、60、86、90が全て閉止される。これにより、密閉状態の処理炉32内にH2Se及び不活性ガスが封入され、且つ密閉状態の耐圧容器34内に不活性ガスが封入される。以上のようにしてH2Se及び不活性ガスで満たされた処理炉32の内部は、ヒータ70の作用下に250~450°C程度に昇温される。この過程で処理炉32内の圧力が上昇するので、第1自動圧力変換器58によって検知された圧力が設定圧力例えば、700kPa以上となった場合には第3自動開閉バルブ60が開き、処理炉32内の圧力調整が行われる。また、第2自動圧力変換器88によって検知された圧力と、第1自動圧力変換器58によって検知された圧力との差が設定された値を超えたときには第5自動開閉バルブ90が開き、耐圧容器34内の圧力が調整される。これにより、耐圧容器34内の圧力と処理炉32内の圧力との差が所定の範囲内に保たれる。処理炉32の内部が250~450°Cの間の所定温度に到達した後、該到達温度にて10~120分程度の温度保持を行う。この温度保持の間、プリカーサ層を形成するIn層22及びCu-Ga合金層24のセレン化が進行する。すなわち、CIGSが生成して光吸収層16が得られる。この間、第1自動圧力変換器58によって、処理炉32内の圧力が低下したことが検知されることがある。そのような場合には、第2自動開閉バルブ56が開き、処理炉32内に不活性ガスが供給される。勿論、処理炉32内が設定圧力となったことが検知されると、第2自動開閉バルブ56が閉じられる。次に、ヒータ70の作用下に処理炉32の内部が500~650°C程度に昇温される。この過程でも処理炉32内の圧力が上昇するので、第1自動圧力変換器58によって検知された圧力が設定圧力以上となった場合には第3自動開閉バルブ60が開き、処理炉32内の圧力調整が行われる。また、第2自動圧力変換器88によって検知された圧力と、第1自動圧力変換器58によって検知された圧力との差が設定された値を超えたときには、第5自動開閉バルブ90が開くことで耐圧容器34内の圧力が調整され、耐圧容器34内の圧力と処理炉32内の圧力との差が所定の範囲内に保たれる。処理炉32の内部が500~650°Cの間の所定温度に到達した後、該到達温度にて10~120分程度の温度保持を行う。この温度保持の間、CIGSの結晶化が進行する。なお、この間に処理炉32内の圧力が低下したことが検知された場合には、上記と同様に第2自動開閉バルブ56が開き、処理炉32内に不活性ガスが供給される。第2自動開閉バルブ56は、処理炉32内が設定圧力となったことが検知されると閉止される。ここで、上記したように、本実施の形態では、処理炉32内を加圧状態としてセレン化及び結晶化を行っている。このため、セレン化の過程では、In-Cu-Gaへのセレンの取り込みが層の内部まで進行する一方、結晶化の過程では、CIGSの結晶化が促進される。減圧状態にてセレン化及び結晶化を行う従来技術では、石英ボート64の中央近傍にセットされた積層物66の光吸収層16の結晶化の進行度合いが、端部近傍にセットされた積層物66に比して小さい場合がある。この理由は、石英ボート64の中央近傍の温度が、端部近傍に比して低温となっているためであると推察される。これに対し、処理炉32内を加圧状態とする本実施の形態によれば、処理炉32内におけるH2Seと不活性ガスの充填密度が大きくなり、このため、積層物66への熱伝導率が向上するとともに、処理炉32内部における温度が略同等となって該処理炉32内に温度分布が生じ難くなる。従って、石英ボート64に対するセット位置や、積層物66の部位に関わらず、セレン化及び結晶化の進行の度合いが略同等となる。すなわち、本実施の形態では、石英ボート64にセットされた全ての積層物66において、加熱が積極的に且つ略同等に促進される。このため、全ての積層物66に、結晶化が十分に進行した略均質な光吸収層16が形成される。このような光吸収層16を具備するカルコパイライト型太陽電池10では、変換効率が大きくなる。しかも、個々のカルコパイライト型太陽電池10の変換効率は、互いに略同等である。また、加熱不良となる部位が生じることを防止して結晶化を十分に進行させるべく保持温度を過度に高温としたり、保持時間を過度に長くしたりする必要がない。従って、CIGSが分解する懸念が払拭されるとともに、結晶化が十分に進行した光吸収層16を得るまでの時間を短縮することができる。以上のように、本実施の形態によれば、変換効率が大きく、しかも、個々の変換効率が略同等であるカルコパイライト型太陽電池10を多数個同時に、短時間で得ることができる。従って、本実施の形態に係る製造方法は、カルコパイライト型太陽電池10を工業的規模で生産する際に好適に採用し得る。なお、処理炉32内の圧力を大気圧~1000kPaの範囲内とした場合、裏面電極14をなすMoと、H2Seとが反応することによって、裏面電極14と光吸収層16との間に、オーミック接合をなすのに好適な厚みのMoSe層が形成される図1では図示していない。このことと、CIGSの結晶化が促進されることとが相俟って、カルコパイライト型太陽電池10を構成する各層間の伝導が良好となる。このことも、カルコパイライト型太陽電池10の変換効率を向上させることに寄与する。以上のようにして結晶化が促進された光吸収層16を具備する積層物66を取り出すべく、ヒータ70を滅勢して処理炉32内を降温する。降温は、自然冷却であってもよいし、冷却ファンで処理炉32を強制冷却するようにしてもよい。その後、処理炉32内を、不活性ガスによって複数回パージしながら大気圧まで戻す。この際、処理炉32内に残留したH2Seは、第1排出ライン48を経た後に除害設備94に到達し、適切に処理される。この処理物は、さらに、スクラバー96を通過して排気される。この間、耐圧容器34内も、処理炉32の圧力と20~100kPaの差を保ちながら大気圧に戻される。処理炉32の降圧速度が耐圧容器34の降圧速度に追従し得なくなった場合、又はその逆の場合は、降圧速度が大きい方を小さくし、降圧速度が互いに追従し得るようにする。耐圧容器34内の不活性ガスは、第2排出ライン82及び除害設備94を経由し、さらに、スクラバー96を通過して排気される。その後、前記昇降機構を付勢してカバーハウジング76を上昇させる。これに追従して該カバーハウジング76に保持された第2ケーシング40が上昇し、積層物66が石英ボート64にセットされた状態で露呈する。次に、石英ボート64から取り出した積層物66の光吸収層16上に、バッファ層18図7参照を成膜する。この成膜は、例えば、バッファ層18の構成元素を供給し得る物質を含む溶液に積層物66を浸漬する、ケミカルバスデポジションCBD法によって行うことができる。最後に、バッファ層18上にZnO:Al、ZnO等からなる透明電極20をスパッタリングにより成膜することによって、カルコパイライト型太陽電池10が得られるに至る。本発明は、上記した実施の形態に特に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、CIGSからなる光吸収層16に代え、CISからなる光吸収層16を形成するようにしてもよい。また、H2Seに代替してH2Sを処理炉32に供給し、これにより、光吸収層16をなすカルコパイライト型化合物を硫化物として得るようにしてもよい。さらに、裏面電極14上にCu-Ga合金層24を形成した後、該Cu-Ga合金層24上にIn層22を形成し、これによりプリカーサ層としてもよい。さらにまた、流量計50、54、84、自動圧力変換器58、88及び自動開閉バルブ52、56、60、86、90を用いることに代え、流体の流量を自動的に制御するマスフローコントローラを設けるようにしてもよい。ガラス基板12上に、Mo膜からなる裏面電極14をスパッタリングによって成膜した。その後、該裏面電極14Mo膜上にIn層22及びCu-Ga合金層24をこの順序で形成し、プリカーサ層を得た。次に、プリカーサ層までが形成された積層物66を、図2に示す熱処理装置30の石英ボート64に5枚セットし、さらに、処理炉32及び耐圧容器34を密封状態とした。次に、処理炉32内及び耐圧容器34内を排気した後、処理炉32内にH2Se及びArを導入するとともに、耐圧容器34内にN2を導入した。処理炉32内の圧力を85kPa、大気圧、300kPa、500kPa、700kPa、900kPa、1000kPaのいずれかに設定するとともに、耐圧容器34内の圧力を、処理炉32内の圧力に比して50kPa大きくなるように設定した。次に、ヒータ70を付勢し、H2Se及びArが封入された処理炉32を600°Cまで昇温する途中、100°Cで30分間、400°Cで1時間、それぞれ保持した。さらに、600°Cに到達した後に1時間保持し、これにより、CIGSからなる光吸収層16を形成した。この際、5枚のガラス基板12の各々に対し、中央部と四方の隅部の5箇所について温度測定を行った。合計25箇所の測定箇所中の最高温度と最低温度との差をΔT°Cとし、且つ85kPa時のΔT°Cを100とした上で、処理炉32内の圧力ごとのΔTを求めた。その後、前記光吸収層16上にCBD法によってInSを成膜してバッファ層18とし、さらに該バッファ層18上に、スパッタリング法を用いてZnO:Alからなる透明電極20を形成した。以上により、カルコパイライト型太陽電池10を得た。700kPaで得られたカルコパイライト型太陽電池10と、85kPaで得られたカルコパイライト型太陽電池10以下、対照ともいうについて、厚み方向断面につき走査型電気顕微鏡SEMで観察を行った。各々のSEM写真を、図3、図4にそれぞれ示す。図3と図4を対比し、圧力を700kPaとしたとき図4には、対照図3よりもCIGSの結晶粒径が大きくなっていることが分かる。このことは、圧力が700kPaである場合、対照に比してCIGSの結晶成長が促進されていることを意味する。さらに、各圧力条件下で得られた5個のカルコパイライト型太陽電池10につき、実際に発電させて各々の変換効率を測定した。その中の最高値と最低効率との差を、Δηとして求めた。圧力と、ΔT及びΔηとの関係を示したグラフを図5に示す。なお、左縦軸がΔTであり、右縦軸がΔηである。この図5から、圧力が高くなるにつれてΔTが小さくなるとともに、Δηが小さくなることが諒解される。このことから、光吸収層16形成時セレン化処理時における積層物66の温度ムラバラツキが小さくなり、その結果、変換効率のバラツキが小さくなることが明らかである。また、対照の変換効率を基準として、圧力と変換効率の向上率との関係を示したグラフを図6に示す。この図6から、大気圧~1000kPaにてセレン化及び結晶化を行って得られた光吸収層16を具備するカルコパイライト型太陽電池10は全て、基準に対して15以上向上していることが認められる。特に、圧力を500~900kPaとして光吸収層16を形成したカルコパイライト型太陽電池10では、25以上の高い向上率を示している。このことから、セレン化及び結晶化の際の処理炉32内の圧力は、大気圧~1000kPaに設定することが好ましく、500~900kPaに設定することが一層好ましいことが諒解される。"