"少なくともSiO2と、Al2O3と、ZnOと、CaOと、3mol~10molのB2O3とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しないことを特徴とする半導体接合保護用ガラス組成物。SiO2の含有量が32mol~48molの範囲内にあり、Al2O3の含有量が9mol~13molの範囲内にあり、ZnOの含有量が18mol~28molの範囲内にあり、CaOの含有量が15mol~23molの範囲内にあり、B2O3の含有量が3mol~10molの範囲内にあることを特徴とする請求項1に記載の半導体接合保護用ガラス組成物。pn接合が露出するpn接合露出部を有する半導体素子を準備する第1工程と、前記pn接合露出部を覆うようにガラス層を形成する第2工程とをこの順序で含む半導体装置の製造方法であって、前記第2工程においては、少なくともSiO2と、Al2O3と、ZnOと、CaOと、3mol~10molのB2O3とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しない半導体接合保護用ガラス組成物を用いて前記ガラス層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1工程は、主面に平行なpn接合を備える半導体基体を準備する工程と、前記半導体基体の一方の表面から前記pn接合を超える深さの溝を形成することにより、前記溝の内部に前記pn接合露出部を形成する工程とを含み、前記第2工程は、前記溝の内部における前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記第2工程は、前記溝の内部における前記pn接合露出部を直接覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記第2工程は、前記溝の内部における前記pn接合露出部上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を介して前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記第1工程は、半導体基体の表面に前記pn接合露出部を形成する工程を含み、前記第2工程は、前記半導体基体の表面における前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記第2工程は、前記半導体基体の表面における前記pn接合露出部を直接覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記第2工程は、前記半導体基体の表面における前記pn接合露出部上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を介して前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体接合保護用ガラス組成物は、SiO2の含有量が32mol~48molの範囲内にあり、Al2O3の含有量が9mol~13molの範囲内にあり、ZnOの含有量が18mol~28molの範囲内にあり、CaOの含有量が15mol~23molの範囲内にあり、B2O3の含有量が3mol~10molの範囲内にあることをを特徴とする請求項3~9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。pn接合が露出するpn接合露出部を有する半導体素子と、前記pn接合露出部を覆うように形成されたガラス層とを備える半導体装置であって、前記ガラス層は、少なくともSiO2と、Al2O3と、ZnOと、CaOと、3mol~10molのB2O3とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しない半導体接合保護用ガラス組成物を用いて形成されたものであることを特徴とする半導体装置。前記半導体接合保護用ガラス組成物は、SiO2の含有量が32mol~48molの範囲内にあり、Al2O3の含有量が9mol~13molの範囲内にあり、ZnOの含有量が18mol~28molの範囲内にあり、CaOの含有量が15mol~23molの範囲内にあり、B2O3の含有量が3mol~10molの範囲内にあることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。ところで、パッシベーション用のガラス層に用いるガラス材料としては、a適正な温度例えば900°C以下で焼成できること、b工程で使用する薬品に耐えること、cシリコンに近い熱膨張係数を有すること特に50°C~500°Cにおける平均熱膨張率がシリコンに近いこと及びd優れた絶縁性を有することという条件を満たす必要があることから、従来より珪酸鉛を主成分としたガラス材料が広く用いられている。しかしながら、珪酸鉛を主成分としたガラス材料には環境負荷の大きい鉛が含まれており、近未来にはそのような珪酸鉛を主成分としたガラス材料の使用が禁止されていくことになると考えられる。そこで、本発明は、上記した事情に鑑みてなされたもので、鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の珪酸鉛を主成分としたガラス材料を用いた場合と同様に、高耐圧の半導体装置を製造することを可能とする、半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。[1]本発明の半導体接合保護用ガラス組成物は、少なくともSiO2と、Al2O3と、ZnOと、CaOと、3mol~10molのB2O3とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しないことを特徴とする。[2]本発明の半導体接合保護用ガラス組成物においては、SiO2の含有量が32mol~48molの範囲内にあり、Al2O3の含有量が9mol~13molの範囲内にあり、ZnOの含有量が18mol~28molの範囲内にあり、CaOの含有量が15mol~23molの範囲内にあり、B2O3の含有量が3mol~10molの範囲内にあることが好ましい。[3]本発明の半導体装置の製造方法は、pn接合が露出するpn接合露出部を有する半導体素子を準備する第1工程と、前記pn接合露出部を覆うようにガラス層を形成する第2工程とをこの順序で含む半導体装置の製造方法であって、前記第2工程においては、少なくともSiO2と、Al2O3と、ZnOと、CaOと、3mol~10molのB2O3とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しない半導体接合保護用ガラス組成物を用いて前記ガラス層を形成することを特徴とする。[4]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第1工程は、主面に平行なpn接合を備える半導体基体を準備する工程と、前記半導体基体の一方の表面から前記pn接合を超える深さの溝を形成することにより、前記溝の内部に前記pn接合露出部を形成する工程とを含み、前記第2工程は、前記溝の内部における前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことが好ましい。[5]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第2工程は、前記溝の内部における前記pn接合露出部を直接覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことが好ましい。この場合において、pn接合露出部を直接覆うようにガラス層を形成するとは、pn接合露出部を絶縁層などを介することなく直接覆うようにガラス層を形成することを意味する。[6]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第2工程は、前記溝の内部における前記pn接合露出部上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を介して前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程とを含むことが好ましい。[7]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第1工程は、半導体基体の表面に前記pn接合露出部を形成する工程を含み、前記第2工程は、前記半導体基体の表面における前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことが好ましい。[8]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第2工程は、前記半導体基体の表面における前記pn接合露出部を直接覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことが好ましい。この場合において、pn接合露出部を直接覆うようにガラス層を形成するとは、pn接合露出部を絶縁層などを介することなく直接覆うようにガラス層を形成することを意味する。[9]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第2工程は、前記半導体基体の表面における前記pn接合露出部上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を介して前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程とを含むことが好ましい。[10]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記半導体接合保護用ガラス組成物は、SiO2の含有量が32mol~48molの範囲内にあり、Al2O3の含有量が9mol~13molの範囲内にあり、ZnOの含有量が18mol~28molの範囲内にあり、CaOの含有量が15mol~23molの範囲内にあり、B2O3の含有量が3mol~10molの範囲内にあることが好ましい。[11]本発明の半導体装置は、pn接合が露出するpn接合露出部を有する半導体素子と、前記pn接合露出部を覆うように形成されたガラス層とを備える半導体装置であって、前記ガラス層は、少なくともSiO2と、Al2O3と、ZnOと、CaOと、3mol~10molのB2O3とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しない半導体接合保護用ガラス組成物を用いて形成されたものであることを特徴とする。[12]本発明の半導体装置においては、SiO2の含有量が32mol~48molの範囲内にあり、Al2O3の含有量が9mol~13molの範囲内にあり、ZnOの含有量が18mol~28molの範囲内にあり、CaOの含有量が15mol~23molの範囲内にあり、B2O3の含有量が3mol~10molの範囲内にあることが好ましい。本発明の半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば、後述する実施例からも明らかなように、鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の珪酸鉛を主成分としたガラス材料を用いた場合と同様に高耐圧の半導体装置を製造することが可能となる。なお、本発明においては、B2O3の含有量が3mol以上としたため、B2O3を含有しないガラス組成物の場合よりも焼成温度が低くなり例えば900度以下、容易にガラス層を形成することができる。さらにまた、B2O3の含有量を10mol以下としたため、ガラス層を焼成する工程でボロンが半導体基板に拡散して絶縁性が低下することもない。本発明の半導体接合保護用ガラス組成物において、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しないとは、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを成分として含有しないという意味であり、ガラスを構成する各成分の原料中に不純物として上記が混入したガラス組成物を排除するものではない。本発明の半導体装置の製造方法及び半導体装置においても同様である。ここで、Pbを実質的に含有しないこととしたのは、本発明の目的が鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の珪酸鉛を主成分としたガラス材料を用いた場合と同様に高耐圧の半導体装置を製造することを可能とすることにあるからである。また、Pと、Asと、Sbとを実質的に含有しないこととしたのは、これらの成分を含有する場合には焼成温度の点では有利なのではあるが、焼成中にこれらの成分が半導体基体に拡散することに起因して絶縁性が低下する場合があるからである。また、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しないこととしたのは、これらの成分を含有する場合には平均熱膨張率や焼成温度の点では有利なのではあるが、絶縁性が低下する場合があるからである。本発明の発明者らの研究により、これらの成分すなわち、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、K。を実質的に含有しない場合でであっても、少なくともSiO2と、Al2O3と、ZnOと、CaOと、3mol~10molのB2O3とを含有するガラス組成物は、半導体接合保護用ガラス組成物として使用可能であることが分かった。すなわち、本発明の半導体接合保護用ガラス組成物によれば、後述する実施例からも明らかなように、鉛を含まないガラス材料を用いて従来の珪酸鉛を主成分としたガラス材料を用いた場合と同様に高耐圧の半導体装置を製造することが可能となる。以下、本発明の半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。[実施形態1]実施形態1は、半導体接合保護用ガラス組成物に係る実施形態である。実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物は、少なくともSiO2と、Al2O3と、ZnOと、CaOと、3mol~10molのB2O3とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しないものである。具体的には、SiO2の含有量が32mol~48molの範囲内例えば40molにあり、Al2O3の含有量が9mol~13molの範囲内例えば11molにあり、ZnOの含有量が18mol~28molの範囲内例えば23molにあり、CaOの含有量が15mol~23molの範囲内例えば19molにあり、B2O3の含有量が3mol~10molの範囲内例えば7molにある。実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物によれば、後述する実施例からも明らかなように、鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の珪酸鉛を主成分としたガラス材料を用いた場合と同様に高耐圧の半導体装置を製造することが可能となる。ここで、SiO2の含有量を32mol~48molの範囲内としたのは、SiO2の含有量が32mol未満である場合には、耐薬品性が低下したり、絶縁性が低下したりする場合があるからであり、SiO2の含有量が48molを超える場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからである。また、Al2O3の含有量を9mol~13molの範囲内としたのは、Al2O3の含有量が9mol未満である場合には、耐薬品性が低下したり、絶縁性が低下したりする場合があるからであり、Al2O3の含有量が13molを超える場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからである。また、ZnOの含有量を18mol~28molの範囲内としたのは、ZnOの含有量が18mol未満である場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからであり、ZnOの含有量が28molを超える場合には、耐薬品性が低下したり、絶縁性が低下したりする場合があるからである。また、CaOの含有量を15mol~23molの範囲内としたのは、CaOの含有量が15mol未満である場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからであり、CaOの含有量が23molを超える場合には、耐薬品性が低下したり、絶縁性が低下したりする場合があるからである。また、B2O3の含有量を3mol~10molの範囲内としたのは、B2O3の含有量が3mol未満である場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからであり、B2O3の含有量が10molを超える場合には、絶縁性が低下する場合があるからである。実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物は、以下のようにして製造することができる。すなわち、上記した組成比モル比になるように原料SiO2、AlOH3、ZnO、CaO、H3BO3を調合し、混合機でよく攪拌した後、その混合した原料を電気炉中で所定温度に上昇させた白金ルツボに入れ、所定時間溶融させる。その後、融液を水冷ロールに流し出して薄片状のガラスフレークを得る。その後、このガラスフレークをボールミルなどで所定の平均粒径となるまで粉砕して、粉末状のガラス組成物を得る。[実施形態2]実施形態2は、半導体装置の製造方法に係る実施形態である。実施形態2に係る半導体装置の製造方法は、pn接合が露出するpn接合露出部を有する半導体素子を準備する第1工程と、pn接合露出部を覆うようにガラス層を形成する第2工程とをこの順序で含む半導体装置の製造方法である。そして、当該第2工程においては、少なくともSiO2と、Al2O3と、ZnOと、CaOと、3mol~10molのB2O3とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しない半導体接合保護用ガラス組成物実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物を用いてガラス層を形成することとしている。第1工程は、主面に平行なpn接合を備える半導体基体を準備する工程と、半導体基体の一方の表面からpn接合を超える深さの溝を形成することにより、溝の内部にpn接合露出部を形成する工程とを含み、第2工程は、溝の内部におけるpn接合露出部を直接覆うようにガラス層を形成する工程を含む。図1及び図2は、実施形態2に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図1a~図1d及び図2a~図2dは各工程図である。実施形態2に係る半導体装置の製造方法は、図1及び図2に示すように、半導体基体形成工程、溝形成工程、ガラス層形成工程、フォトレジスト形成工程、酸化膜除去工程、粗面化領域形成工程、電極形成工程及び半導体基体切断工程をこの順序で実施する。以下、実施形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。a半導体基体形成工程まず、n-型半導体基板n-型シリコン基板110の一方の表面からのp型不純物の拡散によりp型拡散層112、他方の表面からのn型不純物の拡散によりn型拡散層114を形成して、主面に平行なpn接合が形成された半導体基体を形成する。その後、熱酸化によりp型拡散層112及びn型拡散層114の表面に酸化膜116,118を形成する図1a参照。。b溝形成工程次に、フォトエッチング法によって、酸化膜116の所定部位に所定の開口部を形成する。酸化膜のエッチング後、引き続いて半導体基体のエッチングを行い、半導体基体の一方の表面からpn接合を超える深さの溝120を形成する図1b参照。。cガラス層形成工程次に、溝120の表面に、電気泳動法により溝120の内面及びその近傍の半導体基体表面に実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成するとともに、当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより、パッシベーション用のガラス層124を形成する図1c参照。。従って、溝120の内部におけるpn接合露出部はガラス層124に直接覆われた状態となる。dフォトレジスト形成工程次に、ガラス層112の表面を覆うようにフォトレジスト126を形成する図1d参照。。e酸化膜除去工程次に、フォトレジスト126をマスクとして酸化膜116のエッチングを行い、Niめっき電極膜を形成する部位130における酸化膜116を除去する図2a参照。。f粗面化領域形成工程次に、Niめっき電極膜を形成する部位130における半導体基体表面の粗面化処理を行い、Niめっき電極と半導体基体との密着性を高くするための粗面化領域132を形成する図2b参照。。g電極形成工程次に、半導体基体にNiめっきを行い、粗面化領域132上にアノード電極134を形成するとともに、半導体基体の他方の表面にカソード電極136を形成する図2c参照。。h半導体基体切断工程次に、ダイシング等により、ガラス層124の中央部において半導体基体を切断して半導体基体をチップ化して、メサ型半導体装置pnダイオードを作成する図2d参照。。以上のようにして、高耐圧のメサ型半導体装置実施形態2に係る半導体装置を製造することができる。[実施形態3]実施形態3は、半導体装置の製造方法に係る実施形態である。実施形態3に係る半導体装置の製造方法は、実施形態2に係る半導体装置の製造方法と同様に、pn接合が露出するpn接合露出部を有する半導体素子を準備する第1工程と、pn接合露出部を覆うようにガラス層を形成する第2工程とをこの順序で含む半導体装置の製造方法である。そして、当該第2工程においては、少なくともSiO2と、Al2O3と、ZnOと、CaOと、3mol~10molのB2O3とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しない半導体接合保護用ガラス組成物実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物を用いてガラス層を形成することとしている。但し、実施形態2に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なり、第1工程は、半導体基体の表面にpn接合露出部を形成する工程を含み、第2工程は、半導体基体の表面におけるpn接合露出部を直接覆うようにガラス層を形成する工程とを含む。図3及び図4は、実施形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図3a~図3c及び図4a~図4cは各工程図である。実施形態3に係る半導体装置の製造方法は、図3及び図4に示すように、半導体基体準備工程、p型拡散層形成工程、n型拡散層形成工程、ガラス層形成工程、ガラス層エッチング工程及び電極形成工程をこの順序で実施する。以下、実施形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。a半導体基体準備工程まず、n型シリコン基板210上にn-型エピタキシャル層212が積層された半導体基体を準備する図3a参照。。bp型拡散層形成工程次に、マスクM1を形成した後、当該マスクM1を介してn-型エピタキシャル層212の表面における所定領域にイオン注入法によりp型不純物例えばボロンイオンを導入する。その後、熱拡散することにより、p型拡散層214を形成する図3b参照。。cn型拡散層形成工程次に、マスクM1を除去するとともにマスクM2を形成した後、当該マスクM2を介してn-型エピタキシャル層212の表面における所定領域にイオン注入法によりn型不純物例えばヒ素イオンを導入する。その後、熱拡散することにより、n型拡散層216を形成する図3c参照。。dガラス層形成工程次に、マスクM2を除去した後、n-型エピタキシャル層212の表面に、スピンコート法により、実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成し、その後、当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより、パッシベーション用のガラス層215を形成する図4a参照。。eガラス層エッチング工程次に、ガラス層215の表面にマスクM3を形成した後、ガラス層のエッチングを行う図4b参照。。これにより、n-型エピタキシャル層212の表面における所定領域にガラス層216が形成されることとなる。f電極形成工程次に、マスクM3を除去した後、半導体基体の表面におけるガラス層216で囲まれた領域にアノード電極218を形成するとともに、半導体基体の裏面にカソード電極220を形成する図4c参照。。以上のようにして、高耐圧のプレーナ型半導体装置実施形態3に係る半導体装置を製造することができる。[実施例]1.試料の調整図5は、実施例の結果を示す図表である。実施例1並びに比較例1及び2に示す組成比図5参照。になるように原料を調合し、混合機でよく攪拌した後、その混合した原料を電気炉中で1550°Cまで上昇させた白金ルツボに入れ、2時間溶融させた。その後、融液を水冷ロールに流し出して薄片状のガラスフレークを得た。このガラスフレークをボールミルで平均粒径が5μmとなるまで粉砕して、粉末状のガラス組成物を得た。なお、実施例において使用した原料は、SiO2、AlOH3、ZnO、CaO、H3BO3、PbOである。2.上記方法により得た各ガラス組成物を以下の評価方法により評価した。1評価方法1環境負荷本発明の目的が鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の珪酸鉛を主成分としたガラス材料を用いた場合と同様に高耐圧の半導体装置を製造することを可能とすることにあるため、鉛成分を含まない場合に○の評価を与え、鉛成分を含む場合に×の評価を与えた。2評価方法2焼成温度焼成温度が高すぎると製造中の半導体装置に与える影響が大きくなるため、焼成温度が900°C以下である場合に○の評価を与え、焼成温度が900°C~1000°Cの範囲内にある場合に△の評価を与え、焼成温度が1000°Cを超える場合に×の評価を与えた。3評価方法3耐薬品性ガラス組成物が王水、めっき液及びフッ酸のすべてに対して難溶性を示す場合に○の評価を与え、王水、めっき液及びフッ酸のいずれかに対して溶解性を示す場合に×の評価を与えた。4評価方法4平均熱膨張率50°C~550°Cにおけるガラス組成物の平均熱膨張率とシリコンの平均熱膨張率3.73×10-6との差が0.5×10-6以下の場合に○の評価を与え、当該差が0.5×10-6~1.0×10-6の範囲内にある場合に△の評価を与え、当該差が1.0×10-6を超える場合に×の評価を与えた。5評価方法5絶縁性実施形態2に係る半導体装置の製造方法と同様の方法によって半導体装置pnダイオードを作製し、作製した半導体装置の逆方向特性を測定した。その結果、半導体装置の逆方向特性が正常である場合に○の評価を与え、半導体装置の逆方向特性が異常である場合に×の評価を与えた。6総合評価上記した評価方法1~5についての各評価がすべて○の場合に○の評価を与え、各評価のうち1つでも△がある場合に△の評価を与え、各評価のうち1つでも×がある場合に×の評価を与えた。3.評価結果図5からも分かるように、比較例1に係るガラス組成物は、評価項目1で×の評価が得られた。また、比較例2に係るガラス組成物は、評価項目3で×の評価が得られた。これに対して、実施例1に係るガラス組成物は、いずれの評価項目評価項目1~5についても○の評価が得られた。その結果、実施形1に係るガラス組成物は、鉛を含まないガラス材料でありながら、a適正な温度例えば900°C以下で焼成できること、b工程で使用する薬品に耐えること、cシリコンに近い熱膨張係数を有すること特に50°C~500°Cにおける平均熱膨張率がシリコンに近いこと及びd優れた絶縁性を有することという条件をすべて満たすガラス組成物であることが分かった。以上、本発明の半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。1上記の実施形態2においては、第2工程において、溝の内部におけるpn接合露出部を直接覆うようにガラス層を形成したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、溝の内部におけるpn接合露出部上に絶縁膜を形成し、その後、当該絶縁膜を介してpn接合露出部を覆うようにガラス層を形成してもよい。2上記の実施形態3においては、第2工程において、半導体基体の表面におけるpn接合露出部を直接覆うようにガラス層を形成したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体基体の表面におけるpn接合露出部上に絶縁膜を形成し、その後、当該絶縁膜を介してpn接合露出部を覆うようにガラス層を形成してもよい。"