"固体電解質体および一対の電極からなるセルを少なくとも1つ以上有し、排気ガス中の特定ガスの濃度に応じた検出信号を出力するガスセンサを備えるとともに、前記検出信号に基づいて空燃比フィードバック制御が行われる内燃機関に適用されるガスセンサ装置であって、前記ガスセンサから出力される前記検出信号を取得する取得手段と、前記ガスセンサを構成する1つの前記セルの内部抵抗値を検出する抵抗値検出手段と、前記取得手段により取得される前記検出信号が前記空燃比フィードバック制御を開始可能な開始判定値に達したか否かを判断する判断手段と、前記判断手段によって前記検出信号が前記開始判定値に達したと判断された場合に、前記抵抗値検出手段によって前記セルの開始時内部抵抗値を検出する開始時抵抗値検出手段と、前記開始時抵抗値検出手段によって検出された前記開始時内部抵抗値と予め設定された劣化判定値とを比較する比較手段と、を備えることを特徴とするガスセンサ装置。前記ガスセンサは、通電手段による通電によって前記固体電解質体を加熱するためのヒータをさらに有しており、前記抵抗値検出手段によって検出される前記内部抵抗値を目標抵抗値とするように、前記通電手段による前記ヒータへの通電量を決定する決定手段と、前記比較手段による比較結果に基づいて、前記目標抵抗値を補正する補正手段と、をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ装置。固体電解質体および一対の電極からなるセルを少なくとも1つ以上有し、排気ガス中の特定ガスの濃度に応じた検出信号を出力するガスセンサと、1つの前記セルの内部抵抗値を検出する抵抗値検出手段とを備えるとともに、前記検出信号に基づいて空燃比フィードバック制御が行われる内燃機関に適用されるガスセンサ装置において実行されるガスセンサ装置の制御方法であって、前記ガスセンサから出力される前記検出信号を取得する取得ステップと、前記取得ステップにおいて取得される前記検出信号が前記空燃比フィードバック制御を開始可能な開始判定値に達したか否かを判断する判断ステップと、前記判断ステップにおいて前記検出信号が前記開始判定値に達したと判断された場合に、前記抵抗値検出手段によって前記セルの開始時内部抵抗値を検出する開始時抵抗値検出ステップと、前記開始時抵抗値検出ステップにおいて検出された前記開始時内部抵抗値と予め設定された劣化判定値とを比較する比較ステップと、を含むことを特徴とするガスセンサ装置の制御方法。前記ガスセンサは、通電手段による通電によって前記固体電解質体を加熱するためのヒータをさらに有しており、前記抵抗値検出手段によって検出される前記内部抵抗値を目標抵抗値とするように、前記通電手段による前記ヒータへの通電量を決定する決定ステップと、前記比較ステップにおける比較結果に基づいて、前記目標抵抗値を補正する補正ステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載のガスセンサ装置の制御方法。しかしながら、特許文献1では、セルの劣化判定を行うには、セルの内部抵抗値が温度との相関関係を得られる程度にセルが十分に活性化していなければならず、エンジンの駆動を開始してから劣化検知を開始できるようになるまでの時間もかかっていた。さらに、セルの劣化を直接的に判定するのではなく、ヒータへの供給電力に基づく間接的な劣化判定を行うので、劣化検知の精度がよくないという問題もあった。本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、セルの劣化判定を早期に開始でき、セルの劣化判定を精度よく行うことができるガスセンサ装置およびその制御方法を提供することを目的とする。本発明の第1態様によれば、固体電解質体および一対の電極からなるセルを少なくとも1つ以上有し、排気ガス中の特定ガスの濃度に応じた検出信号を出力するガスセンサを備えるとともに、前記検出信号に基づいて空燃比フィードバック制御が行われる内燃機関に適用されるガスセンサ装置であって、前記ガスセンサから出力される前記検出信号を取得する取得手段と、前記ガスセンサを構成する1つの前記セルの内部抵抗値を検出する抵抗値検出手段と、前記取得手段により取得される前記検出信号が前記空燃比フィードバック制御を開始可能な開始判定値に達したか否かを判断する判断手段と、前記判断手段によって前記検出信号が前記開始判定値に達したと判断された場合に、前記抵抗値検出手段によって前記セルの開始時内部抵抗値を検出する開始時抵抗値検出手段と、前記開始時抵抗値検出手段によって検出された前記開始時内部抵抗値と予め設定された劣化判定値とを比較する比較手段と、を備えるガスセンサ装置が提供される。ガスセンサは、目標とする温度にまで加熱されて完全に活性化した状態になる前であっても、加熱されて内部抵抗値が低下していく過程で、内燃機関の空燃比フィードバック制御を実行することが可能なレベルの検出信号を出力する状態となる。そして、本願発明者らが検討したところ、検出信号が空燃比フィードバック制御を開始可能な開始判定値に達したときのセルの内部抵抗値とセルの劣化状態とに相関関係が見られることが分かった。そこで、第1態様では、セルの開始時内部抵抗値と劣化判定値との比較を、ガスセンサの検出信号が、空燃比フィードバック制御を行うのに必要な精度に達したか否かを判定するための開始判定値に達した場合に行うようにした。これにより、ガスセンサの検出信号が空燃比フィードバック制御を行う上で安定してからセルの劣化判定が行われる従来のガスセンサ装置と比べ、早期に、セルの劣化判定を開始することができる。また、セルの開始時内部抵抗値を劣化判定値と比較するだけという直接的且つ簡単な比較処理でセルの劣化の判定を行うことができるので、劣化判定を精確且つ迅速に行うことができ、その判定結果に基づく劣化補正処理などを早期に実行することも可能となる。第1態様において、前記ガスセンサは、通電手段による通電によって前記固体電解質体を加熱するためのヒータをさらに有してもよい。この場合に第1態様は、前記抵抗値検出手段によって検出される前記内部抵抗値を目標抵抗値とするように、前記通電手段による前記ヒータへの通電量を決定する決定手段と、前記比較手段による比較結果に基づいて、前記目標抵抗値を補正する補正手段と、をさらに備えてもよい。第1態様において、内部抵抗値を目標抵抗値にするようにヒータへの通電量を決定する上で、比較手段の比較結果に基づいて目標抵抗値を補正することができるので、ヒータへの通電量の決定を精確に行うことができる。これにより、ヒータによって加熱されるセルは一定の温度に維持されるので、ガスセンサの出力として、より安定した出力を得ることができる。本発明の第2態様によれば、固体電解質体および一対の電極からなるセルを少なくとも1つ以上有し、排気ガス中の特定ガスの濃度に応じた検出信号を出力するガスセンサと、1つの前記セルの内部抵抗値を検出する抵抗値検出手段とを備えるとともに、前記検出信号に基づいて空燃比フィードバック制御が行われる内燃機関に適用されるガスセンサ装置において実行されるガスセンサ装置の制御方法であって、前記ガスセンサから出力される前記検出信号を取得する取得ステップと、前記取得ステップにおいて取得される前記検出信号が前記空燃比フィードバック制御を開始可能な開始判定値に達したか否かを判断する判断ステップと、前記判断ステップにおいて前記検出信号が前記開始判定値に達したと判断された場合に、前記抵抗値検出手段によって前記セルの開始時内部抵抗値を検出する開始時抵抗値検出ステップと、前記開始時抵抗値検出ステップにおいて検出された前記開始時内部抵抗値と予め設定された劣化判定値とを比較する比較ステップと、を含むガスセンサ装置の制御方法が提供される。第2態様では、セルの開始時内部抵抗値と劣化判定値との比較を、ガスセンサの検出信号が、空燃比フィードバック制御を行うのに必要な精度に達したか否かを判定するための開始判定値に達した場合に行うようにしている。これにより、ガスセンサの検出信号が空燃比フィードバック制御を行う上で安定してからセルの劣化判定を行う従来の方法と比べ、早期に、セルの劣化判定を開始することができる。また、セルの開始時内部抵抗値を劣化判定値と比較するだけという直接的且つ簡単な比較処理でセルの劣化の判定を行うことができるので、劣化判定を精確且つ迅速に行うことができ、その判定結果に基づく劣化補正処理などを早期に実行することも可能となる。第2態様において、前記ガスセンサは、通電手段による通電によって前記固体電解質体を加熱するためのヒータをさらに有してもよい。この場合に第2態様は、前記抵抗値検出手段によって検出される前記内部抵抗値を目標抵抗値とするように、前記通電手段による前記ヒータへの通電量を決定する決定ステップと、前記比較ステップにおける比較結果に基づいて、前記目標抵抗値を補正する補正ステップと、をさらに含んでもよい。第2態様において、内部抵抗値を目標抵抗値にするようにヒータへの通電量を決定する上で、比較手段の比較結果に基づいて目標抵抗値を補正することができるので、ヒータへの通電量の決定を精確に行うことができる。これにより、ヒータによって加熱されるセルは一定の温度に維持されるので、ガスセンサの出力として、より安定した出力を得ることができる。以下、本発明を具体化したガスセンサ装置の一実施の形態について、図面を参照して説明する。まず、図1を参照し、一例としてのガスセンサ装置1の電気的な構成について説明する。図1に示す、ガスセンサ装置1は、自動車に搭載されるものであり、ガスセンサ2と、電子制御ユニットECU5とを備える。本実施の形態におけるガスセンサ2は、エンジンから排出される排気ガス中の酸素濃度に応じて出力値検出信号の値が変化すると共に、その出力値が理論空燃比を境にして急変する、いわゆるλ型の酸素センサをその一例とする。なお、酸素センサについては公知のものを使用しているため、その構造等の詳細については説明を省略するが、以下に、酸素センサに用いられるセンサ素子による排気ガスの空燃比排気ガス中の酸素濃度の検出原理について簡単に説明する。センサ素子を構成するセルは、活性温度以上で酸素イオン導電性を示す性質を有するジルコニア製の固体電解質体を、プラチナからなる一対の多孔質電極で挟んだものであり、筒状や板状に形成される。2つの雰囲気をこの固体電解質体で隔て、両雰囲気間の酸素分圧に差が生じたとき、固体電解質体内を酸素イオンが移動することを利用して、酸素濃度の検出を行う。具体的には、排気ガス雰囲気と基準ガス雰囲気基準となる酸素濃度を有する雰囲気とを固体電解質体で隔てる。すると、両雰囲気間で酸素分圧の平衡化がなされる際に、固体電解質体内を移動する酸素イオンによって電子が運搬され、これに伴い多孔質電極間に起電力検出信号が生じる。この起電力は、多孔質電極の触媒作用により排気ガス中の未燃焼ガスを完全燃焼させた際の余剰酸素の有無によって大きく変化し、排気ガスの空燃比が理論空燃比である場合を境に、リッチ側とリーン側とで二値的な変動を示す。一般に、排気ガスの空燃比が理論空燃比よりもリッチ側にある排気ガス中の酸素濃度が低く、未燃焼ガスを完全燃焼させるのに酸素が足りない場合、センサ素子の出力する検出信号の値は基準電位との電位差で約900mVを示す。また、排気ガスの空燃比が理論空燃比よりもリーン側にある排気ガス中の酸素濃度が高く、未燃焼ガスを完全燃焼させても酸素が余る場合、基準電位との電位差で約50mVを示す。このような酸素センサの一例として、本実施の形態では、特開2004-138599号公報に開示する酸素センサを使用しているものとして説明することとする。図1に示す、ガスセンサ2は、1つのセル21を用いて有底筒状に形成したセンサ素子にヒータ26を内挿させ、排気管図示外に取り付けるための主体金具の内側に当該センサ素子を保持させた構造をなす。ヒータ26は、アルミナ製の絶縁セラミックからなる基体の内部にプラチナやタングステン等を主体とする発熱抵抗体27を埋設して棒状または板状に形成したものである。ガスセンサ2が排気管に取り付けられた場合には、有底筒状のセンサ素子の先端部筒底側が排気管内に挿入されて、セル21の一方の多孔質電極センサ素子の外周面側に形成された電極が排気ガスに晒される。セル21の他方の多孔質電極センサ素子の内周面側に形成された電極は、排気管外から筒内に導入される基準ガス本実施の形態では大気に晒され、上記のように、排気ガスの空燃比排気ガス中の酸素濃度の検出が行われる。また、セル21は内部抵抗22を有するが、その抵抗値内部抵抗値、インピーダンスは、固体電解質体の温度上昇に応じて低下する特性を有し、内部抵抗値とセル21の温度との間に所定の相関関係があることが知られている。ガスセンサ装置1では、セル21の内部抵抗値を検出し、その値が目標抵抗値となるようにヒータ26への供給電力の制御を行い、セル21の温度が目標温度となるように当該セル21の温度の安定化を図っている。次に、ECU5は、ガスセンサ2の検出信号をもとに、空燃比フィードバック制御例えば、インジェクタから噴射する燃料の噴射量の調整を含む図示外のエンジンの制御を行う装置である。本実施の形態では、ECU5が、ガスセンサ2の検出信号に基づき、セル21の内部抵抗値を検出してセル21の劣化を判定しつつ、目標抵抗値の補正を行い、ヒータ26のPID制御を精度よく行うために必要な構成について着目して説明を行う。ECU5は、マイクロコンピュータ10と、出力検出回路20と、パルス入力回路30と、オフセット回路40と、ヒータ制御回路50とを備える。マイクロコンピュータ10は、ECU5の制御を司るCPU11と、後述する劣化補正プログラム等が記憶されるROM12と、各種のデータを一時的に記憶するRAM13と、信号の入出力を行う各種入出力用のポート15,16,17とを備える。なお、マイクロコンピュータ10のCPU11、ROM12およびRAM13は、公知の構成からなるものである。出力検出回路20は抵抗器等を用いた公知の回路からなり、オフセット回路40を介して、ガスセンサ2のセル21の両端、すなわち一対の多孔質電極と電気的に接続されている。出力検出回路20にはセル21から出力される検出信号が入力され、セル21の両端の電位差の検出が行われる。セル21の起電力は、セル21の両端の電位差に基づいて検出することができる。出力検出回路20は、セル21の両端の電位差を所定時間ごとに取得検出し、セル21の起電力を示す信号として、マイクロコンピュータ10のA/Dポート16に出力する。また、出力検出回路20は図示しないサンプルホールド回路を有し、取得したセル21の両端の電位差を保持することができる。詳細は後述するが、セル21にパルス電圧を印加すると、セル21の内部抵抗値に応じて両端の電位差が変動する。よって、セル21の内部抵抗値を検出する際には、パルス入力回路30によってセル21にパルス電圧が印加される。出力検出回路20は、セル21にパルス電圧が印加された際にも、セル21の両端の電位差を検出する。このとき、サンプルホールド回路にはパルス電圧が印加される直前のセル21の両端の電位差が保持されている。出力検出回路20は、両者の差分、すなわち、パルス電圧の印加に伴い変動した分の電位を、セル21の内部抵抗値を示す信号として、マイクロコンピュータ10のA/Dポート16に出力する。次に、オフセット回路40は、セル21の両端と出力検出回路20とを接続する配線経路上に設けられており、セル21の出力する起電力の電位をオフセットする。具体的に、セル21の高電位側と出力検出回路20とを接続する配線経路上のP点と、セル21の低電位側と出力検出回路20とを接続する配線経路上のQ点とに抵抗器42が接続されている。低電位側のQ点は、ECU5の基準電位GNDに接続されている。なお、ECU5の基準電位は自動車のボディ等に接地されている。高電位側のP点は、抵抗器41を介して所定の電源電圧VCCを出力する電源に接続されている。また、ノイズ防止用の抵抗器43が、P点と出力検出回路20との間に接続されている。上記したように、セル21を構成する固体電解質体は、固体電解質体の温度上昇に応じて内部抵抗値インピーダンスが低下する特性を有する。すなわち、固体電解質体の温度が低いうち便宜上、非活性時ともいう。は内部抵抗値が高く、セル21はほぼ絶縁状態となる。また、固体電解質体の温度が上昇するに伴い内部抵抗値は低下し、セル21が活性化した場合便宜上、活性時ともいう。には、内部抵抗値は低い値を示す。そしてセル21の起電力は、排気ガスの空燃比がリッチ側にある場合には、基準電位との電位差で約900mVを示し、リーン側にある場合には約50mVを示す。抵抗器41と抵抗器42とで電源電圧VCCが分圧され、本実施の形態では、P点の電位が約450mVとなるように設定されている。また、抵抗器42は、その抵抗値がセル21の非活性時の内部抵抗値よりも十分に小さく、活性時の内部抵抗値よりも十分に大きい値となるものが選択されている。セル21の非活性時にはセル21に電流が流れず、起電力が発生しないので、セル21の出力は0Vであるが、オフセット回路40により、出力検出回路20ではセル21の出力として約450mVが取得される。一方、セル21の活性時には、内部抵抗値よりも十分に抵抗値の大きな抵抗器42に電流がほとんど流れず、オフセット回路40を介して出力検出回路20に取得されるセル21の出力値検出信号が示す値は、ほぼ、セル21の起電力が示す値となる。次に、ヒータ制御回路50は、例えばトランジスタ51を備える。トランジスタ51のコレクタはヒータ26の一端に接続され、エミッタは所定の抵抗器図示外を介して基準電位に接続され、ベースはマイクロコンピュータ10のPWMポート17に接続されている。また、ヒータ26の他端は、ECU5に電力を供給するバッテリ6に接続されている。ヒータ26の通電制御はマイクロコンピュータ10によるPID制御によって行われ、マイクロコンピュータ10において演算されるデューティ比に基づき、ヒータ制御回路50からのヒータ26へのPWM制御による通電が行われる。具体的に、マイクロコンピュータ10のPWMポート17からトランジスタ51のON/OFF信号が出力され、トランジスタ51のコレクタ-エミッタ間を流れる電流、すなわちバッテリ6からヒータ26に流される電流のON/OFFが制御される。なお、ヒータ制御回路50は上記のトランジスタ51に限らず、FET等を用いて構成してもよい。次に、パルス入力回路30は、出力検出回路20を介してセル21に矩形状のパルス電圧を印加する回路である。マイクロコンピュータ10における演算によって矩形状のパルス波形を示すデジタルデータが生成され、I/Oポート15からパルス入力回路30に入力される。パルス入力回路30は、受信したパルス波形のデータに基づき矩形状のパルス電圧を生成し、セル21に印加する。なお、パルス電圧の印加時間は数~数百msの中で適宜設定することができる。前述したように、このパルス電圧がセル21に印加されることにより、出力検出回路20において取得検出されるセル21の両端の電位差が、一時的に変動する。言い換えると、セル21の起電力に、パルス電圧の印加によって内部抵抗22の両端に生じた電位が上乗せされて、セル21の出力する検出信号として出力検出回路20に取得検出されることになる。したがって、パルス電圧の印加によって、出力検出回路20に検出信号として取得されるセル21の両端の電位差に生じた変動から、セル21の内部抵抗値ひいては内部抵抗値と相関関係にあるセル21の温度を演算により取得することができる。ガスセンサ装置1において、セル21の活性時におけるヒータ26の制御は、上記したようにPID制御に基づくPWM制御によって、セル21の内部抵抗値が目標抵抗値となるようにヒータ26への電力の供給を行うことによりなされる。このような構成のガスセンサ装置1において、セル21の出力排気ガスの空燃比がリッチ側おいて約900mV、リーン側において約50mVは、セル21が、活性温度よりも十分に高い所定の温度以下、高温制御温度という。以上に加熱されることによって得られる。高温制御温度は、例えば700°Cに設定される。セル21の温度が活性温度以上、高温制御温度未満においては、セル21から出力を得られるものの、排気ガスの空燃比でリッチ側の検出信号の値とリーン側の検出信号の値との差分が小さい。しかし、始動を開始したばかりのエンジンは、まだ温度が低く、排気ガス中に水滴が含まれる場合がある。このような水滴が、ヒータ26で加熱されて高温になったセル21に付着すると、セル21の表面において蒸発する際に部分的に熱を奪うため、セル21に熱衝撃を与えて被水割れ等の不具合を生じさせる虞がある。ゆえにガスセンサ装置1では、エンジン始動後、排気ガス中に水滴が含まれ得る間以下、被水下時間という。は、セル21の加熱温度を、セル21を活性化としつつもセル21に水滴が付着しても被水割れを生じさせない程度の低い温度以下、被水下制御温度という。に維持する制御が行われる。なお、被水下制御温度は、活性温度以上、高温制御温度未満の温度であり、例えば400°Cに設定される。また、被水下時間は、エンジンの設計によって異なり、ガスセンサ装置1が利用されるエンジンごとに、あらかじめ設定されている。また、ガスセンサ装置1では、ガスセンサ2のセル21の劣化の有無について判定を行っている。セル21が経時劣化等により劣化を生じた場合に、セル21の同じ温度に対する内部抵抗値が劣化前に比べて高くなる。前述したように内部抵抗値は固体電解質体の温度上昇に応じて低下する特性を有するため、セル21が劣化した場合に内部抵抗値を目標抵抗値にするようにヒータ26の制御を行うと、過昇温を招く虞がある。そこで、本実施の形態では、ガスセンサ装置1の駆動とともにマイクロコンピュータ10のCPU11が劣化補正プログラムを実行し、その処理に従って、セル21の出力が所定の条件を満たした場合に初めて取得される内部抵抗値以下、開始時内部抵抗値という。に基づくセル21の劣化判定が行われる。さらにマイクロコンピュータ10は、劣化補正プログラムに従い、セル21が劣化した状態においては、目標抵抗値の変更補正を行う。これにより、ガスセンサ装置1では、セル21の劣化状態に応じたヒータ26の通電制御PID制御が行われるので、セル21の劣化状態の如何にかかわらず、セル21の温度を一定に保つことができる。以下、図2に示す劣化補正プログラムのフローチャートに従ってマイクロコンピュータ10が行う処理について、図1,図3を適宜参照しながら説明する。まず、劣化補正プログラムにおいて参照されるテーブル劣化テーブル、補正係数テーブルや、変数被水下制御用抵抗値、高温制御用抵抗値について説明する。劣化テーブルは、非劣化のセル21の内部抵抗値の採りうる値以下、劣化判定値という。をあらかじめ求め、テーブル化したものであり、あらかじめ作成されてROM12に記憶されている。また、補正係数テーブルは、セル21の開始時内部抵抗値が大きいほど補正係数の数値が大きくなる関係を示すように、実験的に求められたテープルであり、あらかじめ作成されてROM12に記憶されている。そして、本実施の形態では、ガスセンサ2の検出信号の値が、空燃比フィードバック制御を開始するのに必要な精度レベルに達した場合に、セル21の開始時内部抵抗値を取得し、劣化判定値との比較を行う。ECU5は、セル21の出力値検出信号の値をもとに空燃比フィードバック制御を行う前は、空燃比のオープンプール制御インジェクタの燃料噴射量を一定パターンで変化させて、空燃比を一定パターンでリッチ、リーンに変化させる制御を実施している。本実施の形態では、より具体的に、セル21の出力値検出信号の値が600mVより大きい値を示すか、セル21の出力値が300mVより小さい値を示した場合に、空燃比フィードバック制御空燃比のクローズドループ制御を開始するのに必要な精度に達したとして、開始時内部抵抗値を取得している。なお、出力値の比較対象である上限値の600mVや下限値の300mVは一例に過ぎず、セル21の出力値に応じて適宜設定すればよい。セル21の出力値検出信号の値が開始判定値に達し、劣化判定が行われる場合には、劣化テーブルの参照により求められる劣化判定値が、セル21から取得される開始時内部抵抗値と比較されることによって、劣化の判定が行われる。なお、空燃比フィードバック制御を行うのに必要な精度に達したか否かの判定基準となった出力値の比較対象値具体的には600mVおよび300mVが、本発明における開始判定値に相当する。また、ROM12には、ヒータ26の温度制御を行う上で、内部抵抗値の目標となる目標抵抗値が記憶されている。上記のように、ヒータ26の温度は、被水下時間の経過前には被水下制御温度となるように制御され、被水下時間の経過後においては高温制御温度となるように制御される。なお、ROM12に記憶される目標抵抗値は、セル21が非劣化である場合において、被水下制御温度に対応する内部抵抗値以下、被水下制御用抵抗値という。と、高温制御温度に対応する内部抵抗値以下、高温制御用抵抗値という。とが含まれる。以下、劣化補正プログラムの実行によるガスセンサ装置1の動作について説明する。なお、以下の説明では、フローチャートの各ステップをSと略記する。ガスセンサ装置1は、例えば自動車のエンジンがスタートされると駆動され、マイクロコンピュータ10のCPU11が、ROM12に記憶された劣化補正プログラムの実行を開始する。図2に示すように、劣化補正プログラムが実行されると、CPU11は、PWM制御におけるデューティ比を固定値に設定するS12。なお、本実施の形態では、このデューティ比を1100に設定し、ヒータ制御回路50にON/OFF信号の継続的な出力この場合、常時ON信号を出力を行うようにした。具体的には、劣化補正プログラムと並列に実行されるヒータ制御プログラム図示外において、デューティ比に応じてトランジスタ51のON/OFFをPWM制御する信号が生成され、ヒータ制御回路50に出力される。ヒータ26の発熱抵抗体27には、バッテリ6の電圧がそのまま印加され、図3に示すように、時間の経過とともにセル21の温度が上昇していく。次にCPU11は、図2に示すように、被水下時間の計時を開始するS13。上記したように、被水下時間はあらかじめガスセンサ装置1が利用されるエンジンに応じた時間が設定されており、ROM12に記憶されている。ガスセンサ2の出力検出信号の取得が行われるS15。出力検出回路20を介して取得したセル21の検出信号がA/Dポート16からマイクロコンピュータ10に入力されており、CPU11は検出信号の値を読み込む。上記のように検出信号はオフセットされており、図3に示す、0~T1時のように、セル21の非活性時の検出信号の値は約450mVを示す。そして、セル21の温度が上昇していき当該セル21の内部抵抗値がある程度低下したT1時になると、空燃比詳細には、オープンループ制御を実行している際の空燃比の変化に応じてセル21に起電力の変化が生じ始める。すなわち、空燃比がリッチ側では450mVより高い値を示すようになり、空燃比がリーン側では450mVより低い値を示すようになる。さらにセル21の温度上昇にともない、排気ガスの空燃比でリッチ側の検出信号の値とリーン側の検出信号の値との差分が大きくなっていく。図2に示すように、検出信号の値が600mV以下でS16:NO、且つ、その値が300mV以上S17:NOであるうちは、S15に戻って検出信号の値の監視を繰り返す。セル21の温度が活性温度図3において実線Eで示す。に達する前の非活性の状態0~T1時図3参照では、検出信号の値が約450mVを示す。また、セル21の温度が活性温度に達した以降においても、セル21が十分に加熱されないうちはT1~T2時図3参照、検出信号の値は、空燃比がリッチ側でも600mV以下を示し、リーン側でも300mV以上を示す。このような場合、セル21が活性化していても、排気ガスの空燃比でリッチ側の検出信号の値とリーン側の検出信号の値との差分が小さく、排気ガスの空燃比を検出する精度を十分に得られない。そして、セル21の出力が、排気ガスの空燃比がリッチ側で600mVより大きい値を示した場合S16:YES、あるいは、リーン側で300mVより小さい値を示した場合にはS17:YES、S18に進む。図3のグラフに、T2時に、セル21の出力が600mVより大きい値となった例を示す。エンジンの始動後であるので排気ガスの空燃比の状態は刻々と変化する。ゆえに、セル21の出力値が600mVより大きい値を示すか、セル21の出力値が300mVより小さい値を示せば、セル21は排気ガスの空燃比を検出する上で必要な精度を得るレベルに活性化したと判断される。これにより、ECU5は、別途に実行している空燃比のオープンループ制御を、セル21の出力検出信号をもとにした公知の空燃比フィードバック制御空燃比のクローズドループ制御へと遷移させることが可能となる。CPU11は、I/Oポート15からパルス波形のデジタルデータをパルス入力回路30に出力するS18。パルス入力回路30は矩形状のパルス電圧を生成し、セル21に印加する。そして出力検出回路20が、パルス電圧の印加に伴い変動したセル21の電位を取得し、マイクロコンピュータ10のA/Dポート16に出力する。CPU11は、取得した、パルス電圧の印加に伴い変動したセル21の電位から、セル21の内部抵抗値を演算して求めるS20。なお、S20において取得されるセル21の内部抵抗値が、開始時内部抵抗値である。ROM12に記憶された劣化テーブルが参照され、劣化判定値予め設定された劣化判定値が求められる設定される。そして、S20で取得されたセル21の開始時内部抵抗値と劣化判定値とが比較され、一致もしくはズレが所定値以下の場合、セル21に劣化はないと判断されるS21:NO。この場合は、後述の目標抵抗値を補正するための補正係数が1に設定され、RAM13に記憶される。一方、セル21の開始時内部抵抗値と劣化判定値とのズレが所定値より大きい場合、セル21が劣化したと判断されるS21:YES。この場合、開始時内部抵抗値と補正係数との関係を示した上記の補正係数テーブルを参照することで、開始時内部抵抗値に対応した補正係数が算出決定され、RAM13に記憶されるS22。なお、補正係数の算出は補正係数テーブルを用いるものに限定されず、開始時内部抵抗値と劣化判定値とのズレが大きくなるほど、目標抵抗値を上昇させるのに必要な補正係数が算出できるように実験的に求められた演算式関数を準備して、この演算式のもと補正係数を算出するようにしてもよい。次に、S13で計時が開始された被水下時間が経過したか否かについての確認が行われるS25。被水下時間が経過していない場合T2~T3時図3参照には、セル21の被水割れ等の防止のため、セル21の加熱温度を被水下制御温度図3において実線Fで示す。に維持する制御が行われる。上記したように、ヒータ26の温度制御はセル21の内部抵抗値を目標抵抗値にするようにPID制御することで行われる。ヒータ26への通電はPWM制御によって行われ、そのためのデューティ比は、内部抵抗値と目標抵抗値とから公知のPID演算によって求められる。被水下時間が経過する前はS25:NO、ROM12から被水下制御用抵抗値図3において一点鎖線Bで示す。が読み出され、目標抵抗値に設定されるS27。そしてS22またはS23で記憶された補正係数が読み出されてS27で設定された目標抵抗値に適用され、セル21の劣化に応じた目標抵抗値に補正されるS28。なお、セル21が劣化していない場合は、補正係数に1が設定されているので、S28における補正前の目標抵抗値と補正後の目標抵抗値とは同値となり、図3において一点鎖線Bで示す目標抵抗値を維持する。一方、セル21が劣化している場合には、S28では、S22で記憶された補正係数を用いて補正前の目標抵抗値が上昇するように補正され、図3において二点鎖線Aで示す目標抵抗値に補正される。CPU11は、S20で取得したセル21の内部抵抗値と、S28で補正した目標抵抗値とに基づくPID演算を行い、ヒータ26への通電をPWM制御するためのデューティ比を算出する。そして、算出したデューティ比に従い、ヒータ制御回路50にON/OFF信号の継続的な出力を行うS30。すなわち、ヒータ制御プログラム図示外によって、デューティ比に応じてトランジスタ51のON/OFFをPWM制御する信号が生成され、ヒータ制御回路50に出力される。ヒータ26の発熱抵抗体27には、PWM制御されたバッテリ6の電圧が印加される。図3のT2~T3時に示されるように、セル21の内部抵抗値が、S22またはS23で記憶された補正係数を用いて被水下制御用抵抗値を補正することで得られた目標抵抗値になるように、ヒータ26への通電がなされ、セル21の温度が被水下制御温度実線Fに維持される。次に、図2に示すように、所定時間例えば10~50msecの経過S31:NOを待ってからS31:YES、S18と同様に、セル21にパルス電圧が印加されるS32。そしてS20と同様に、セル21の内部抵抗値が求められS33、S25に戻る。このように、被水下時間が経過するまではS25:NO、S27,S28~S33が繰り返される。これにより、セル21の温度が被水下制御温度に維持される。そしてT3時図3参照において被水下時間が経過するとS25:YES、空燃比の検出精度酸素濃度の検出精度を高めるため、セル21の加熱温度を高温制御温度図3において実線Gで示す。に維持する制御が行われる。ROM12から高温制御用抵抗値図3において一点鎖線Dで示す。が読み出され、目標抵抗値に設定されるS26。上記同様にS22またはS23で記憶された補正係数が読み出され、目標抵抗値に適用され、セル21の劣化に応じた目標抵抗値に補正されるS28。なお、セル21が劣化していない場合は、補正係数に1が設定されているので、S28における補正前の目標抵抗値と補正後の目標抵抗値とは同値となり、図3において一点鎖線Dで示す目標抵抗値を維持する。一方、セル21が劣化している場合には、S28では、S22で記憶された補正係数を用いて補正前の目標抵抗値が上昇するように補正され、図3において二点鎖線Cで示す目標抵抗値に補正される。以下同様に、S20で取得したセル21の内部抵抗値と、S28で補正した目標抵抗値とに基づくPID演算によって求められたデューティ比に従うPWM制御によるヒータ26への通電が行われるS30。これにより、セル21の内部抵抗値が、S22またはS23で記憶された補正係数を用いて高温制御用抵抗値を補正することで得られた目標抵抗値になるように、ヒータ26への通電がなされ、セル21の温度が高温制御温度実線Gに維持される。そして、所定時間の経過S31:NOを待ってからS31:YES、セル21へのパルス電圧の印加に基づきS32、セル21の内部抵抗値が求められS33、S25に戻る。このように、被水下時間の経過後はS25:YES、S26,S28~S33が繰り返される。これにより、図3に示すT3時以降は、セル21の内部抵抗値が、高温制御用抵抗値が設定され、劣化に応じた補正がなされた目標抵抗値になるように、ヒータ26への通電がなされる。そしてT4時にセル21の温度が高温制御温度に達して、以降は、高温制御温度が維持されるように、ヒータ26のPID制御が継続される。セル21の出力検出信号は、排気ガスの空燃比がリッチ側にある場合には約900mVを得られ、リーン側にある場合には約50mVを安定して得られるようになり、精度よく、排気ガスの空燃比を検出できるようになる。このように、ガスセンサ装置1では、セル21の開始時内部抵抗値と劣化判定値との比較を、検出信号の出力値が、空燃比フィードバック制御を行うのに必要な精度に達したか否かを判定するための開始判定値に達した場合に行うようにした。これにより、検出信号が空燃比フィードバック制御を行う上で安定してからセルの劣化判定が行われる従来のガスセンサ装置と比べ、早期に、セル21の劣化判定を開始することができる。また、セル21の開始時内部抵抗値を劣化判定値と比較するだけという直接的且つ簡単な比較処理でセル21の劣化の判定を行うことができるので、劣化判定を精確且つ迅速に行うことができる。その判定結果に基づく劣化補正処理などを早期に実行することも可能となる。また、内部抵抗値を目標抵抗値にするようにヒータ26への通電量、より具体的にはヒータ26の通電をPWM制御によって行う上でのデューティ比を決定する際に、セル21の劣化状態に応じて求めた補正係数を用いて目標抵抗値を補正することができるので、デューティ比を精確に求めることができる。これにより、ヒータ26によって加熱されるセル21は一定の温度に維持されるので、ガスセンサ2の出力として、より安定した出力を得ることができる。なお、本発明は上記実施の形態に限られず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を加えてもよい。劣化補正プログラムのS21において、セル21の開始時内部抵抗値と劣化判定値とを比較して、セル21が劣化しているか否かについての判定を行った。その際に、セル21の劣化の有無のみならず、劣化の度合いを判定してもよい。例えば、パルス電圧の印加に伴い変動した分の電位の大きさに応じて、セル21の劣化の過渡的な状態を判定してもよい。この場合、比較する劣化判定値を1つに限らず、複数用意すれば、セル21の劣化の度合いを、劣化判定値の数に応じた段階に分けて判定することが可能である。そして、セル21の劣化の度合いを複数段階に分けて判定しつつ、目標抵抗値を補正する補正係数を劣化の度合いを考慮して異なる算出手法のもと算出することで、セル21の劣化状態に応じて精密に目標抵抗値を補正することも可能となる。また、開始時内部抵抗値と劣化判定値との比較の際に、両者のズレが所定値以下であるか否かを比較するにあたっては、その所定値は、上記の実施形態のように空燃比がリッチ側とリーン側とで同一の値である必要はなく、空燃比がリッチ側とリーン側とにおいて異なる値としてもよい。また、セル21の内部抵抗値を取得するため、本実施の形態ではセル21にパルス電圧を印加したが、パルス電流でもよいし、あるいは交流電圧を印加してもよい。また、ガスセンサ2の駆動を制御するコントローラを備え、ガスセンサ2とECU5との間に配置し、ガスセンサ装置を、そのコントローラとガスセンサ2とで構成してもよい。また、本実施の形態の劣化補正プログラムでは、S13で被水下時間計測を開始し、S25で被水下時間が経過したか否かを判定することで、セル21を被水下制御温度に維持する期間を決定するようにした。これに限られず、内燃機関の運転状態、あるいは、車両に別途装着される水温センサや排気温センサの情報が所定の条件を満たすか否かを判定して、セル21を被水下制御温度に維持する期間を決定するようにしてもよい。例えば、上記の劣化補正プログラムからS13を削除し、S25の処理を、水温センサの出力に基づく水温情報が所定の温度を上回っているか否かを判別する処理として設定し、水温情報が所定温度を上回っている場合にはS26に進み、水温情報が所定温度以下である場合にはS27に進むように設定してもよい。また、ガスセンサ1は、センサ素子が1セルからなる酸素センサのセルを例としたが、2セルからなる全領域空燃比センサや、3セルからなるNOxセンサを構成する1つのセルを対象にして本発明を適用するようにしてもよい。"