"導電性基板上にめっき法で銀または銀合金からなる皮膜を形成し、該皮膜表面を電解処理して、原子間力顕微鏡AtomicForceMicroscope:AFMで5μm×5μmの視野内で測定した表面粗さSaが2nmを超えて50nm未満の反射層とする光半導体実装用基板の製造方法。導電性基板上にめっき法で銀または銀合金からなる皮膜を形成した後、該皮膜を外気に曝すことなく電解処理して、原子間力顕微鏡AtomicForceMicroscope:AFMで5μm×5μmの視野内で測定した表面粗さSaが2nmを超えて50nm未満の反射層とする光半導体実装用基板の製造方法。前記導電性基板は、銅または銅合金、鉄または鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体実装用基板の製造方法。前記反射層を形成する電解処理は電解研磨処理であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体実装用基板の製造方法。請求項1又は2の製造方法で製造した光半導体実装用基板。請求項5に記載の光半導体実装用基板の反射層に光半導体素子が搭載されている光半導体装置。特許文献1に開示されている技術は、銀またはその合金皮膜を単純にめっきで形成しただけの反射層であり、波長400~800nmの可視光域における反射率は80を超え、優れた反射特性を示すが、特に近紫外域波長340~400nmにおける反射率の低下率が大きく、定法の銀めっき処理では400nm付近から短波長側の反射率低下が避けられない状況にある。また、特許文献2に開示されている技術のように、銀または銀合金の皮膜の結晶粒径を0.5μm~30μmとすると、可視光域の反射率は良好で、全体的には反射率改善効果が認められるが、特許文献2の図8および図9に見られるように、近紫外域340~400nm、特に355nm付近に吸収ピークが見られており、発光波長375nmのLED素子を使用すると、可視光領域よりも反射率が低いという課題が指摘されている。例えば発光波長450nmの青色LED素子搭載の場合と、発光波長375nmのLED素子を使用したときとを比べると、後者は反射率が約10も低くなる。この吸収ピーク出現は、詳細に関しては不明であるが、単に結晶粒径の調整だけでは近紫外域、特に340~380nm付近の反射率が改善され難く、結晶粒径とは別の要因が反射率改善に寄与することを示唆している。さらに、特許文献2ではLED素子を樹脂製の実装基板に搭載しているが、近年の高出力LED素子等の出現により、放熱性が問題となってきている。放熱性の課題に対しては、放熱性に優れる銅または銅合金のリードフレームに銀または銀合金を反射層としたタイプが推測されるが、高出力のLED素子においてはその発熱で基材の銅成分が銀表面に拡散してしまい、使用中に反射率が低下する現象が生じるために、簡単にリードフレームに展開することはできなかった。このため、高出力LED素子に使用しても近紫外域から可視光域において反射率が良好で長期間変化しないリードフレームの要求が期待されている。そこで、本発明は、LED、フォトカプラ、フォトインタラプタなどの光半導体装置用に使用される光半導体実装用基板リードフレームを含むにおいて、可視光域波長400~800nmにおいては従来通りの反射率が80以上を満足し、かつ近紫外域である波長340~400nmにおいても優れた反射率、具体的には波長340nmで65以上、波長375nmで75以上を示す、高輝度かつ放熱性に優れた光半導体実装用基板及びその製造方法を提供することを目的とする。特に近紫外域である光半導体素子を搭載した光半導体装置に好適に使用できる光半導体実装用基板リードフレームを含む及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明者等は上記問題に鑑み鋭意検討を進めた結果、光半導体実装用基板において、導電性基板に銀または銀合金からなる反射層皮膜を定法のめっきで形成したのでは、反射層皮膜表面に微細な組織が出現し、この組織が波長340~380nm付近に出現する反射率吸収ピークを減衰させていたものと推測し、このめっき表面に出現する微細な組織を平滑にすることで、詳細に関しては不明であるものの、波長340~380nm付近に出現する反射率吸収ピークを減衰あるいは消滅させることができることを見出した。その結果、従来技術のような熱処理を施すことなく、また結晶粒径を制御することなく、可視光域である波長400~800nmの反射率を80以上に維持しつつ、かつ波長340~400nmでも優れた反射率が実現できることを見出し、この知見に基づき本発明を完成させた。本発明の光半導体実装用基板の製造方法は、導電性基板上にめっき法で銀または銀合金からなる皮膜を形成し、該皮膜表面を電解処理して、原子間力顕微鏡AtomicForceMicroscope:AFMで5μm×5μmの視野内で測定した表面粗さSaが2nmを超えて50nm未満の反射層とすることを特徴とする。また、本発明の光半導体実装用基板の製造方法は、導電性基板上にめっき法で銀または銀合金からなる皮膜を形成した後、該皮膜を外気に曝すことなく電解処理して、原子間力顕微鏡AtomicForceMicroscope:以下AFMと略記することがある。で5μm×5μmの視野内で測定した表面粗さSaが2nmを超えて50nm未満の反射層とすることを特徴とする。前記導電性基板は、銅または銅合金、鉄または鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成することが好ましい。また、前記めっき法は、電解研磨処理であることが好ましい。本発明の光半導体実装用基板は前記本発明の製造方法で製造された光半導体実装用基板である。本発明の光半導体装置は、前記本発明光半導体装置用基板の反射層に光半導体素子が搭載されている光半導体装置である。本発明によれば、導電性基板上の最表面に銀または銀合金からなる反射層をめっき法で形成した後、さらにその反射層を電解処理で平滑にする光半導体装置用基板の製造方法であり、製造した該光半導体実装用基板は、原子間力顕微鏡AFMで5μm×5μmの視野内で測定した表面粗さSaが2nmを超えて50nm未満となっている。この光半導体装置用基板は可視光域である波長400~800nmの反射率が80以上を維持すると同時に、従来技術で回避できなかった近紫外域である波長340~380nm付近に出現する反射率吸収ピークを減衰あるいは消滅させ、反射率低下を抑制することができる。また、本発明光半導体実装用基板を使用することにより、絶縁樹脂からなる実装基板上の回路へ直接半導体素子を実装するよりも放熱性に優れ、熱による光半導体装置の劣化を遅延させることができ、光半導体の長寿命化を図ることができる。また、反射層の平滑法を電解処理とすることで、反射層を形成後、同一ラインの後工程で電解処理できる。このため生産性が著しく向上する。本発明の光半導体実装用基板リードフレームを含む。以下同様は、導電性基板に銀または銀合金からなる反射層をめっき法で形成した後、さらにその反射層の最表面めっき組織を、塑性加工工程および/または熱処理工程を経ずに、めっき後よりも平滑にした形状を有することを特徴としている。また、平滑後の表面は原子間力顕微鏡AFMで5μm×5μmの視野内で測定した表面粗さSaが2nmを超えて50nm未満とする。このようにすることでめっき表面組織によって発生する光の吸収ピークを減衰あるいは消滅させることができるため、その結果波長340~400nmの近紫外域における反射率を向上させることができ、特に波長340nm~400nmの光半導体発光素子を搭載する光半導体装置に好適に使用できる。光半導体装置の中でも、特にLED、フォトカプラ、フォトインタラプタにおいて効果を発揮する。本発明の光半導体実装用基板の表面は、AFMで5μm×5μmの視野内で測定した表面粗さSaが2nmを超えて50nm以下である。この下限値である2nm以下では、ワイヤボンディング性がエラーを生じやすくなるため好ましくなく、5nm以上であることがより好ましい。一方の上限値である50nm以上では、反射率が吸収ピークの出現により要求レベルに達しないために好ましくなく、好ましくは30nm以下、さらに好ましくは20nm以下である。このSaが低いほど優れた反射特性が得られ、より高輝度な光半導体高源であるLED用として適用できる。ワイヤボンディング性と反射特性との兼ね合いから最も好ましいSaの範囲は5nm以上20nm以下の範囲である。ここで、AFMによる5μm×5μm視野内で撮影した写真の一例を写真図5参照に示す。この写真は、任意の5μm×5μm視野内を観察したものであり、本発明はこの測定した表面粗さSaが2nmを超えて50nm未満である必要がある。なお、図5の写真における表面粗さSa≒6.2nmである。また、本発明の光半導体実装用基板は、基板を銅または銅合金、鉄または鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金とすることで、反射率特性がよくかつ銀皮膜をめっきで形成するのが容易であり、コストダウンにも寄与できる。また、これらの金属を基板とする光半導体実装用基板は放熱特性に優れており、発光体が発光する際に発生する熱エネルギーを、光半導体実装用基板を介してスムーズに外部に放出することができ、発光素子の長寿命化及び長期にわたる反射率特性の安定化が可能となる。これは、基板の導電率InternationalAnnealedCopperStandard、IACSに依存するものであり、少なくとも10以上あるものが好ましく、50以上であるものがさらに好ましい。なお、これら基板の材質が変化しても、反射率は反射層の表面状態に依存するため、反射率変化は見られず、放熱性及び基板の物理特性や機械的特性のみが変化する。本発明の光半導体実装用基板は、組織平滑後の銀または銀合金からなる反射層の厚さを0.2μm以上とすることにより、光の反射現象に最低限必要な厚さを確保し、かつ銀反射層が基板表面の金属と拡散するのを長期に亘り防止できて長期信頼性を確保することができる。また、厚さを10μm以下とすることにより、必要以上に貴金属を使用することなくコストダウンを図ることができる。即ち、長期信頼性は反射層の厚さが10μmで飽和することによる。反射層の厚さは0.2~10μmであれば効果は十分期待されるが、好ましくは0.5~7μm、さらに好ましくは1~5μmである。反射層に形成される銀または銀合金としては、銀、銀-錫合金、銀-インジウム合金、銀-ロジウム合金、銀-ルテニウム合金、銀-金合金、銀-パラジウム合金、銀-ニッケル合金、銀-セレン合金、銀-アンチモン合金、銀-銅合金、銀-亜鉛合金、銀-ビスマス合金などがあげられ、銀、銀-錫合金、銀-インジウム合金、銀-金合金、銀-パラジウム合金、銀-セレン合金、銀-アンチモン合金からなる群から選ばれる銀または銀合金が好ましい。なお、銀合金に含まれる銀以外の成分の含有量は、反射率の大幅な低下を防止するために10以下、さらに好ましくは1以下であることが好ましい。また、本発明の光半導体実装用基板は、導電性基板と銀または銀合金からなる反射層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層を形成してもよい。例えば、鉄系の基材を用いた場合は材料の熱伝導度が比較的低いため、下地めっきに銅および銅合金層を施すことにより、反射率を損なうことなく放熱性を向上させることができる。さらに、前記の銅めっきは銀または銀合金とのめっき密着性向上にも寄与するため発光素子が発光する際の発熱による密着性の劣化を防止できる。銅および銅合金基材を用いた場合は、発光素子が発光する際の発熱による基材成分の反射層への拡散を抑制するために、下地にニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金層を施すことが有効である。これらの下地めっきの厚さは限定するものではないが、0.2~2.0μmの範囲が好ましい。また、本発明の光半導体実装用基板の製造方法として、最表面めっき組織の平滑法が、電解処理、具体的には電解研磨処理であることが好ましい。この方法によると、最表層を電解或いは無電解めっきで形成した直後に同一ラインの後処理工程で処理できるので、リードタイムが短縮できるために表面汚染が少なく、生産性が高くなる。他の平滑方法として圧延法、プレス法、鍛造法、転造法などの塑性加工法があるが、1次プレスされた表面にこれらの塑性加工法を適用するのは大変困難であるだけでなく、塑性加工時に必要なオイルが反射層表面を汚染し、その結果ワイヤボンディング性や半田付け性を阻害する可能性が高くなるため好ましくない。また、組織を平滑化するのに熱拡散現象を利用して平滑にすることも考えられるが、熱による表面酸化や硫化により同様にワイヤボンディング性や半田付け性を阻害する可能性が高くなり、好ましくない。また、光半導体実装用基板の製造方法において、最表面めっき組織の平滑法が電解処理である場合、めっき後に平滑化した後の厚さが0.2μm~10μmであるので、それ以上に初期のめっきを形成する必要がある。電解処理で溶解する最表層の厚さは、初期のめっき後の厚さの好ましくは5~50、さらに経済的観点や生産性の観点から10~20の厚さを溶解することが好ましい。溶解厚が5以下であると十分な平滑性が得られない一方、50を超えて除去すると銀または銀合金の溶液への溶解量が多量となって電解処理液が短期間で劣化してしまうためと、貴金属の使用量が多くなるため好ましくない。平滑層をめっきで形成する際、電流密度やめっき液組成によりめっき表面粗度が影響されるが、例えば最終的な反射層厚さを5μmで調整する時は、めっき厚5.55μmを形成後、その10である0.55μmを溶解することで調整できる。なお、反射層面の表面粗度Saの調整は、電解処理に使用する溶液の組成や電流密度、時間等で調整可能であるが、電流密度で調整するのが最も容易で好ましい。例えば電解研磨液として、シアン化ナトリウム50g/リットルとフェロシアン化カリウム50g/リットルと界面活性剤1g/リットルの溶液によって液温40度、電流密度2~6A/dm2で材料側を陽極に、不溶性電極例えばPt/Ti電極などを陰極にして電解することで、表面粗さSaを2~50nmで調整することができる。また、少なくとも光半導体素子を搭載する箇所にのみ本発明の光半導体実装用基板を用いたことにより、低コストで効果的に反射率特性を得ることができる。これは、光半導体素子の搭載部にのみ銀または銀合金からなる反射層を形成した後、電解処理することで、反射率特性は十分効果が上げられるためである。この場合、銀または銀合金からなる反射層は部分的に形成されていてもよく、例えばストライプめっきやスポットめっきなどの部分めっきで形成し、その後マスキング冶具などを用いて部分的な平滑化処理電解処理により形成しても良い。反射層が部分的に形成される光半導体実装用基板を製造することは、反射層が不要となる部分の金属使用量を削減でき、かつ除去される金属量も最小限に出来るので、環境にやさしく低コストである光半導体装置とすることができる。また、本発明の光半導体実装用基板は、特に光半導体素子の発光波長ピークが、340nm~400nmであるときに、より効果を発揮する。これは、従来技術では反射率の吸収が発生している領域である波長340nm~400nmの発光波長をもつ光半導体素子を搭載すれば、本発明基板は従来の光半導体よりも反射率が高いので、より高輝度な光半導体装置が提供できるので好ましい。以下、本発明の光半導体実装用基板の実施形態を、図面を用いて説明する。各図において、リードフレームに光半導体素子が搭載されている状態を示す。なお、各実施形態はあくまでも一例であり、本発明の範囲は各実施形態に限定されるものではない。図1は、本発明に係る光半導体実装用基板の第1の実施形態を示す概略断面図である。図1に示す実施形態は、本発明の光半導体実装用基板をリードフレーム10に具現化したものである。図1において光半導体実装用リードフレーム10は、該リードフレームの形状に1次プレスされた導電性基板1上に銀または銀合金からなる反射層2が形成されている。反射層2の一部の表面上に光半導体素子3が搭載され、光半導体素子3はボンディングワイヤ7により絶縁された他方のリードフレーム10とつながれて回路が形成されている。本実施形態のリードフレーム10の反射層2は電気めっきで形成された後、最表面めっき組織を塑性加工工程および/または熱処理工程を経ずに電解処理して、めっき後よりも平滑にした形状とされ、その表面粗さSaは、原子間力顕微鏡AtomicForceMicroscope:AFMで5μm×5μmの視野内で測定したSaが2nmを超えて50nm未満となっている。本実施形態におけるリードフレーム10の表面反射率は、可視光域である波長400~800nmにおいて反射率80以上を維持しつつ、さらに近紫外域である波長340~400nmでも優れた反射率を有し、反射特性に優れた光半導体実装用リードフレームとなっている。なお、搭載される光半導体素子3の発光波長ピークは波長340nm~400nmであることがより好ましい。本実施形態はこのように、1次プレスが行われた導電性基板1に反射層2を形成してリードフレームに仕上げることができ、塑性加工法では成し得ない形状にも本発明は適用できる。図2は、本発明に係る光半導体実装用基板をリードフレームとした第2の実施形態を示す概略断面図である。図2に示す実施形態のリードフレーム20が図1に示すリードフレーム10と異なる点は、導電性基板1と反射層2との間に、中間層4が形成されていることである。その他の点については、図1に示すリードフレームと同様である。図3は、本発明に係る光半導体実装用基板をリードフレームとした第3の実施形態の概略断面図である。図3は、モールド樹脂5および封止樹脂6によってLEDモジュールが形成されている様子を便宜的に示しており、光半導体素子3が搭載される部分及びその近傍である反射現象を起こす箇所、モールド樹脂5の内部、さらにはモールド樹脂5の外側に形成されたリードフレーム部分であって、半田付け性を要求される領域Aの箇所も含めた全面に銀または銀合金からなる反射層2が形成されている。図4は、本発明に係る光半導体実装用基板をリードフレームとした第4の実施形態を示す概略断面図である。図4は、モールド樹脂5および封止樹脂6によってLEDモジュールが形成されている様子を便宜的に示しており、光半導体素子3が搭載される部分及びその近傍である反射現象を起こす箇所、およびモールド樹脂5の内部にのみ反射層2が形成されている。本実施形態においては、このように、光反射に寄与する部分近傍にのみ銀または銀合金からなる反射層2を形成することも可能である。本実施形態において、中間層4は導電性基板1の全面に形成されているが、導電性基板1と反射層2との間に介在する形態であれば、部分的に形成されていてもよい。なお、これらの場合はモールド樹脂5の外部の部分に半田付け性を付与するため、半田付け性が要求される領域Aに半田めっきや錫めっきを施すことで半田付けを確保することも可能である。以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例として、厚さ0.25mm、幅30mmの表1に示す導電性基板基体に以下に示す前処理を行った後、以下に示す電気めっき処理を施し銀または銀合金からなる反射層を形成した。その後、銀または銀合金からなる反射層の最表面を外気に曝すことなく電解研磨法により溶解し、その処理条件を変化させて本発明例1~29、比較例1および参考例1~2のリードフレームを作製した。なお、この表における最表層の被覆厚とは、初期において溶解厚分を余分に被覆した後、表に示す厚さを溶解することで最終的な最表層被覆厚を形成していることを意味する。例えば、実施例1において、初期に反射層被覆厚を4.0μm形成後、2.0μm溶解して最表層2.0μmを形成したことを意味している。また、従来例1は、板厚0.25mm、幅180mmの表1に示す導電性基板に以下に示す前処理を行った後、以下に示す電気めっき処理を施すことで、リードフレームを作製した。また従来例2では、従来例1で得られためっき材に残留酸素濃度500ppm以下の窒素雰囲気にて、300°Cで5分熱処理を行い、結晶粒径を熱処理によって調整したリードフレームを準備した。導電性基板として用いられた表1に示す材料の、C18045はEFTEC-64T、Cu-Cr-Sn-Zn系合金材料:Cu-0.3Cr-0.25Sn-0.5Zn、C19400はCu-Fe系合金材料:Cu-2.3Fe-0.03P-0.15Zn、C52100はリン青銅:Cu-8Sn-P、C26800は黄銅:Cu-35Znであり、Cの後の数値はCDACopperDevelopmentAssociation規格による種類を示す。なお、C18045EFTEC-64Tは、古河電気工業社製の銅合金である。また、42アロイは鉄系基板を表し、ニッケルを42質量含有し、残部が鉄と不可避不純物からなる合金を表す。また、A2014はアルミニウムまたはアルミニウム合金の基板を表し、日本工業規格JISH4000:2006などにその成分が規定されている。なお、基板がA2014は電解脱脂酸洗亜鉛置換処理の工程を経て、その他の基板の場合は電解脱脂酸洗の工程を経た前処理を行った。また、それぞれ銀または銀合金めっきを行う前に銀ストライクめっきを行った。前処理条件[電解脱脂]脱脂液:NaOH60g/リットル脱脂条件:2.5A/dm2、温度60°C、脱脂時間60秒[酸洗]酸洗液:10硫酸酸洗条件:30秒浸漬、室温[亜鉛置換]基板がアルミニウムの時に使用亜鉛置換液:NaOH500g/リットル、ZnO100g/リットル、酒石酸C4H6O610g/リットル、FeCl22g/リットル処理条件:30秒浸漬、室温[Agストライクめっき]被覆厚0.01μmめっき液:KAgCN25g/リットル、KCN60g/リットル、めっき条件:電流密度2A/dm2、めっき時間4秒、温度25°C下地めっき条件[Niめっき]めっき液:NiSO3NH224H2O500g/リットル、NiCl230g/リットル、H3BO330g/リットルめっき条件:電流密度5A/dm2、温度50°C[Coめっき]めっき液:CoSO3NH224H2O500g/リットル、CoCl230g/リットル、H3BO330g/リットルめっき条件:電流密度5A/dm2、温度50°C[Cuめっき]めっき液:CuSO45H2O250g/リットル、H2SO450g/リットル、NaCl0.1g/リットルめっき条件:電流密度6A/dm2、温度40°C銀めっき条件[Agめっきめっき液:AgCN50g/リットル、KCN100g/リットル、K2CO330g/リットルめっき条件:電流密度1A/dm2、温度30°C銀合金めっき条件[Ag-Se合金めっき]Ag-0.5Seめっき液:KCN150g/リットル、K2CO315g/リットル、KAg[CN]275g/リットル、Na2O3Se5H2O5g/リットルめっき条件:電流密度2A/dm2、温度50°C[Ag-Sb合金めっき]Ag-1Sbめっき液:KCN150g/リットル、K2CO315g/リットル、KAg[CN]275g/リットル、C4H4KOSb10g/リットルめっき条件:電流密度1A/dm2、温度50°C電解研磨条件電解研磨液:NaCN50g/リットル、K4[FeCN6]50g/リットル、界面活性剤:1g/リットル電流密度:2~6A/dm2処理時間:1~95秒陰極:Pt/Ti電極AFM測定条件AFM装置名:Nanosurf社製MobileS触針:CONTR-10測定視野:5μm×5μm評価方法上記のようにして作成した光半導体実装用表1に示す本発明例、比較例、参考例および従来例のリードフレームについて、下記試験および基準により評価を行った。その結果を表2に示す。1A反射率測定:分光光度計V660商品名、日本分光株製において、全反射率を300nm~800nmにかけて連続測定を実施した。このうち、340nm、375nm、400nmおよび600nmにおける全反射率を表2に示す。それぞれ波長340nmでの反射率を65以上、波長375nmでの反射率を75以上、波長400nm~波長600nmでの反射率を80以上であることを要求特性とした。1Bワイヤボンディング性:樹脂モールド工程を想定した熱履歴として150°C-3時間の大気加熱を行った後、下記のワイヤボンディング条件において、10点テスト後に接合強度測定を行い、その強度-3σの値が49.0mN以上のものを優と判定して表に◎印を付し、29.4mN以上49.0mN未満のものを良と判定して表に○印を付し、29.4mN未満であるが接合可能なものを可と判定して表に△印を付し、まったく接合しなかったものを不可と判定して表に×印を付して、それぞれ表2に示した。なお、150°C-3時間の熱処理では結晶粒径はほとんど変化しないことを確認し、ワイヤボンディングの要求レベルは△以上とした。ワイヤボンダ:測定器:SWB-FA-CUB-10、株新川製ワイヤ:25μm金ワイヤボンディング温度:150°Cキャピラリ:1570-17-437GM1st条件:10msec.、45Bit、45g2nd条件:10msec.、100Bit、130gこれらの結果から明らかなように、本発明光半導体実装用基板は、波長400~800nmにおける反射率が従来例や比較例と同等あるいはそれ以上であり、波長400nm~600nmで80以上を満足した。さらに、従来例や比較例では達成できなかった波長340nmで反射率65以上、波長375nmで反射率75以上を満足し、特にSaが2nmを越えて50nm未満、さらには5nm以上20nm以下である本発明においては、反射率も優れかつワイヤボンディング性も非常に優れた特性を示しており、従来の技術では達成し得なかった非常に優れたリードフレームが得られていることが分かる。一方、従来例1は通常の銀めっき品であるが、波長400nmの反射率が80以下、さらに波長340nmでは反射率が61、波長375nmでは67であり、吸収ピークの発生による反射率低下が見られることが分かる。この結果、波長375nm発光の素子を搭載した場合、本発明の方が8~18も反射率が高いため、輝度が高いことを意味する。このことは、反射率向上によりこれらの波長を利用した光半導体に好適に用いられる。さらに従来例2は、銀めっき後に熱処理を施して結晶粒径を0.5μm以上に粗大化させた例であるが、初期の反射率が波長375nmでは75を下回っており、さらにワイヤボンディング性も劣っていることが分かる。これは、リードフレームタイプに従来例2のような熱処理を施すと、基材の銅成分が表層にまで拡散しやすくなり、その結果反射率も僅かに低下して表面が酸化してワイヤボンディング性に劣るものと考えられる。このため、熱処理を用いていない本発明では耐熱性にも優れ、反射率が熱劣化しにくい光半導体用リードフレームが提供できる。さらに比較例1においては、反射層の表面粗さSaが50nmを上回っており、その結果波長340nmおよび波長375nmの反射率がそれぞれ65および75を下回っていることから、本発明よりも反射率改善が不十分であることが分かる。さらに参考例1は、最表層の厚さが0.2μm未満のものであり、表面粗さSaを52nmに調整したものである。波長340nmおよび波長375nmでそれぞれ反射率65以下、および反射率75以下であり、また、ワイヤボンディング性に劣ることが分かる。また、参考例2は、最表層の厚さが0.2μm未満のものであり、表面粗さSaを5.4nmに調整したものである。波長340nm~波長600nmでそれぞれ反射率を満足しているものの、ワイヤボンディング性に劣ることが分かる。参考例1,2は、銀からなる反射層被覆厚が0.2μm以下であるため基材の銅成分が表面にまで拡散しやすくなることから、最表面に基材の銅成分が露出してワイヤボンディングを阻害したものと考えられる。これらの結果から、少なくとも0.2μm以上の最表層被覆厚が形成されることが好ましいことを意味している。しかしながら、ワイヤボンディングの不要なフリップチップタイプの光半導体や封止樹脂硬化温度の低い樹脂等を使用することで、本問題を解決できる場合は、好適に使用できるものである。これらの結果から、最表層の銀または銀合金からなる反射層を電気めっき法で形成後、その電解研磨法によりめっき組織を平滑にし、その表面粗さSaを2nmを超えて50nm未満にすることによって、可視光域である波長400~600nmでの優れた反射率を堅持しつつ、近紫外域の波長340nm~400nmにおける反射率を高めることができる。そのため、本発明のリードフレームを光半導体装置に用いることで、優れた反射率によって高輝度を示し、またワイヤボンディング性に優れた光半導体装置が提供できる。さらに、従来技術では達成できなかった光の吸収ピークを減衰もしくは消滅させることで、特に波長340~400nmに光の発光ピークを持つ光半導体素子を搭載すると、より一層従来よりも高輝度な光半導体装置を提供できる。本発明によれば、導電性基板上の最表面に銀または銀合金からなる反射層をめっき法で製膜した後、さらにその反射層を電解処理で、好ましくは製膜した反射層を外気に曝すことなく電解処理で平滑にする光半導体装置用基板の製造方法であり、製造した該光半導体装置用基板は、原子間力顕微鏡AFMで5μm×5μmの視野内で測定した表面粗さSaが2nmを超えて50nm未満となっている。この光半導体装置用基板は可視光域である波長400~800nmの反射率が80以上を維持すると同時に、従来技術で回避できなかった近紫外域である波長340~380nm付近に出現する反射率吸収ピークを減衰あるいは消滅させ、反射率低下を抑制することができ、その結果優れた反射率、具体的には波長340nmで65以上、波長375nmで75以上を示す光半導体実装用基板が得られる。また、本発明光半導体実装用基板を使用することにより、基板上の回路へ直接光半導体を実装しても、基板は放熱性に優れ、熱による光半導体装置の劣化を遅延させることができ、光半導体の長寿命化を図ることが出来る。また、最表面めっき組織の平滑法が、電解処理電解剥離および/または電解研磨処理であることで、最表面の反射層を形成後、同一のライン中の後工程で処理できる。このため生産性が向上し、さらに塑性加工法や熱処理工程を経ないことにより、プレス油や圧延油が付着することがなく、かつ銀叉は銀合金めっき直後に電解処理を行うのでリードタイムがほとんどなく、その結果、次工程までの時間が短縮されるので最表面の酸化や硫化の度合が小さくなり、ワイヤボンディング性や半田付け性も優れた光半導体実装用基板が生産できる。すなわち、本発明によれば、可視光域である波長400~800nmにおいても反射率80以上であり、特に従来技術よりも近紫外域である波長340nm~400nm近辺を発光する光半導体素子搭載時に反射率が優れているので、高輝度かつ放熱性にすぐれ、さらにワイヤボンディング性や半田付け性に優れた光半導体実装用基板およびその製造方法を提供でき、作成した光半導体実装用基板に光半導体を実装した光案導体装置を提供することができる。"