"第1絶縁層と、該第1絶縁層の一主面に形成された第1導電層と、前記第1絶縁層を厚み方向に貫通して前記第1導電層に接続した第1貫通導体と、を備え、前記第1絶縁層および前記第1導電層は交互に複数積層されており、前記第1絶縁層は、基材を含む第1樹脂層と、該第1樹脂層の一主面に形成された第1無機絶縁層と、を有することを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板において、最外層に配された第2絶縁層と、該第2絶縁層の前記第1絶縁層側の一主面に形成された第2導電層と、前記第2絶縁層の他主面に形成された第3導電層と、前記第2絶縁層を厚み方向に貫通して前記第2導電層および前記第3導電層に接続した第2貫通導体と、を更に備え、前記第2絶縁層は、第2樹脂層と、該第2樹脂層の前記第1絶縁層側の一主面に形成された第2無機絶縁層と、該第2樹脂層の他主面に形成された第3無機絶縁層と、を有することを特徴とする配線基板。請求項2に記載の配線基板において、前記第2樹脂層は、基材を含み、前記第2絶縁層は、前記第1絶縁層よりも厚みが大きく、前記第2貫通導体は、前記第1貫通導体よりも高さが大きいことを特徴とする配線基板。請求項3に記載の配線基板において、前記第1貫通導体は、前記第2絶縁層に向かって幅が狭くなっており、前記第2貫通導体は、前記第1絶縁層の反対側に向かって幅が狭くなっており、前記第2貫通導体の最大径は、前記第1貫通導体の最大径の90以上110以下であることを特徴とする配線基板。請求項2に記載の配線基板において、前記第2樹脂層は、基材を含まず、前記第1樹脂層よりも厚みが小さいことを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板において、最外層に配された第2絶縁層と、該第2絶縁層の前記第1絶縁層側の一主面に形成された第2導電層と、前記第2絶縁層の他主面に形成された第3導電層と、前記第2絶縁層を厚み方向に貫通して前記第2導電層および前記第3導電層に接続した第2貫通導体と、を更に備え、前記第2絶縁層は、第2樹脂層と、該第2樹脂層の前記第1絶縁層側の一主面に形成された第2無機絶縁層と、を有し、前記第3導電層は、前記第2樹脂層の他主面に形成されていることを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板と、該配線基板に実装された電子部品と、を備えたことを特徴とする実装構造体。請求項2ないし5のいずれかに記載の配線基板と、該配線基板の前記第2絶縁層側の一主面に実装された電子部品と、を備えたことを特徴とする実装構造体。請求項6に記載の配線基板と、該配線基板の前記第2絶縁層と反対側の他主面に実装された電子部品と、を備えたことを特徴とする実装構造体。特許文献1に記載されているコアレス基板では、樹脂を基材に含浸させて硬化させると樹脂は収縮する。その一方で基材は収縮しないことから、基材を含む樹脂層には残留応力が生じる。その結果、コアレス基板は反りが生じやすくなり、ひいては、電気的信頼性が低下する。本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板および実装構造体を提供するものである。本発明の一形態にかかる配線基板は、第1絶縁層と、該第1絶縁層の一主面に形成された第1導電層と、前記第1絶縁層を厚み方向に貫通して前記第1導電層に接続した第1貫通導体と、を備え、前記第1絶縁層および前記第1導電層は交互に複数積層されており、前記第1絶縁層は、基材を含む第1樹脂層と、該第1樹脂層の一主面に形成された第1無機絶縁層と、を有する。本発明の一形態にかかる実装構造体は、上記の配線基板と、該配線基板に実装された電子部品と、を備える。上記の構成によれば、電気的信頼性を向上させることができる。以下に、本発明の実施形態に係る配線基板および実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。なお、第2実施形態以降の説明において、既に説明された実施形態の構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付すことがあり、また、説明を省略することがある。<第1実施形態>配線基板および実装構造体の概略構成図1に示した実装構造体1は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体1は、電子部品2及び該電子部品2が上面に搭載される配線基板3を含み、外部機器5に実装されている。配線基板3の厚みは、例えば0.1mm以上0.8mm以下である。電子部品2は、例えばICまたはLSI等の半導体素子であり、配線基板3に半田等の導電材料からなるバンプ4を介してフリップチップ実装されている。この電子部品2は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化珪素等の半導体材料により形成されている。外部機器5は、例えばマザーボード等の配線基板であり、配線基板3の電子部品2とは反対側において、バンプ4を介して配線基板3に接続されている。配線基板3は、第1絶縁層6aと、該第1絶縁層6aの一主面に形成された第1導電層7aと、第1絶縁層6aを厚み方向に貫通して第1導電層7aに接続した第1貫通導体8aとを備えている。第1絶縁層6aおよび第1導電層7aは交互に複数図1では2つずつ積層されている。また、配線基板3は、最外層に配された第2絶縁層6bと、該第2絶縁層6bの第1絶縁層6a側の一主面に形成された第2導電層7bと、第2絶縁層6bの他主面に形成された第3導電層7cと、第2絶縁層6bを厚み方向に貫通して第2導電層7bおよび第3導電層7cに接続した第2貫通導体8bと備えている。なお、電子部品2は、配線基板3の第2絶縁層6b側に実装されている。すなわち、電子部品2は、バンプ4を介して第3導電層7cに接続されている。また、外部機器5は、配線基板3の第1絶縁層6a側に接続されている。すなわち、外部機器5は、バンプ4を介して最外層の第1導電層7aに接続されている。特に図示しないが、最外層の第1導電層7aおよび第3導電層7cの、バンプ4が接続されるパッド以外の領域上には、ソルダレジストが設けられていてもよい。第1絶縁層6aは、第1樹脂層10aと、該第1樹脂層10aの一主面に形成された第1無機絶縁層11aとを有している。なお、各第1絶縁層6aの第1無機絶縁層11a側には第1導電層7aが位置し、複数の第1絶縁層6a全体の第1樹脂層10a側には第2導電層7b、第2絶縁層6b及び第3導電層7cが位置している。第2絶縁層6bは、第2樹脂層10bと、該第2樹脂層10bの第1絶縁層6a側の一主面に形成された第2無機絶縁層11bと、第2樹脂層10bの他主面に形成された第3無機絶縁層11cとを有している。配線基板3内において、全ての第1樹脂層10aの材料および厚みは同一であることが望ましい。この場合、配線基板3全体として、熱膨張率のバランスがとれ、反りを低減できる。以下の説明においては、全ての第1樹脂層10aは、その材料および厚みが互いに同一であるものとする。第1樹脂層10a及び第2樹脂層10bは、その材料および/または厚みが互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。好ましくはこれらは互いに同一の材料である。また、好ましくは一方の厚みは他方の厚みに対して0.8~1.2倍であり、より好ましくは双方の厚みは互いに同一である。以下の説明においては、第1樹脂層10a及び第2樹脂層10bは、その材料および厚みが互いに同一であるものとする。配線基板3内において、全ての第1無機絶縁層11aの材料および厚みは同一であることが望ましい。以下の説明においては、全ての第1樹脂層10aは、その材料および厚みが互いに同一であるものとする。第1無機絶縁層11a乃至第3無機絶縁層11cは、その材料および/または厚みが互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。好ましくはこれらは互いに同一の材料である。また、好ましくは一方の厚みは他方の厚みに対して0.8~1.2倍であり、より好ましくは双方の厚みは互いに同一である。以下の説明においては、第1無機絶縁層11a乃至第3無機絶縁層11cは、その材料および厚みが互いに同一であるものとする。第1導電層7aは、第1無機絶縁層11aに重なる第1金属層21と、該第1金属層21に重なる第2金属層22とを有している。同様に、第2導電層7bは、第2無機絶縁層11bに重なる第1金属層21と、該第1金属層21に重なる第2金属層22とを有している。第3導電層7cは、第3無機絶縁層11cに重なる第1金属層21のみを有している。なお、以下の説明においては、第1樹脂層10aおよび第2樹脂層10bについて、単に樹脂層10といい、これらを区別しないなど、樹脂層、無機絶縁層、導電層および貫通導体について、第1、第2、a、b等を省略することがある。配線基板の各部の構成および材料樹脂層10は、導電層7および貫通導体8の支持基体として機能するとともに、これらの短絡を防止する絶縁部材として機能するものである。また、樹脂層10は、無機絶縁層11同士の接着部材や無機絶縁層11にクラックが発生した場合に、クラックの進展を防止する保護層としても機能する。樹脂層10は、厚みが例えば5μm以上30μm以下に設定され、ヤング率が例えば0.2GPa以上20GPa以下に設定され、平面方向への熱膨張率が例えば3ppm/°C以上20ppm/°C以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば30ppm/°C以上50ppm/°C以下に設定され、誘電正接が例えば0.01以上0.02以下に設定されている。ここで、樹脂層10のヤング率は、市販の引張り試験機を用いて、ISO527‐1:1993に準じた測定方法により測定される。また、樹脂層10の熱膨張率は、市販のTMAThermoMechanicalAnalysis装置を用いて、JISK7197‐1991に準じた測定方法により測定される。また、樹脂層の誘電正接は、JISR1627‐1996に準じた共振器法により測定される。以下、無機絶縁層11をはじめとする各部材の熱膨張率および誘電正接は、樹脂層10と同様に測定される。樹脂層10は、図2に示すように、基材15と、基材15に含浸して硬化した樹脂からなる樹脂部14と、樹脂部14内に分布する多数のフィラー粒子12からなるフィラーとを含んで構成されている。基材15は、樹脂層10の平面方向の熱膨張率を低減するとともに、樹脂層10の剛性を高めるものである。基材15は、例えば、複数の繊維からなる織布もしくは不織布または複数の繊維を一方向に配列した繊維群により形成することができる。前記繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維または金属繊維等を使用することができる。樹脂部14は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂又はポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂により形成することができる。該樹脂部は、ヤング率が例えば0.1GPa以上5GPa以下に設定され、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が例えば20ppm/°C以上50ppm/°C以下に設定され、誘電正接が例えば0.01以上0.02以下に設定されている。ここで、樹脂部14のヤング率および硬度は、ISO14577-1:2002に準じた次の方法で測定される。まず、樹脂層10を厚み方向に沿って切断し、切断面をアルゴンイオンで研摩する。次に、ナノインデンターを用いて、該ナノインデンターのダイヤモンドからなるバーコビッチ圧子に荷重を印加して、該圧子を研磨面に対して押し込む。次に、押し込まれた圧子に印加された荷重を該圧子の接触投影面積で除算することによって、硬度を算出する。また、押し込む際の荷重と押し込み深さの関係から荷重-変位曲線を求め、該荷重-変位曲線からヤング率を算出する。この測定は、例えば、MTS社製ナノインデンターXPを用いることができる。以下、無機絶縁層11をはじめとする各部材のヤング率および硬度は、樹脂部14と同様に測定される。フィラーは、樹脂層10の熱膨張率の低減および剛性向上に寄与する。フィラー粒子は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム又は炭酸カルシウム等の無機絶縁材料により形成することができる。フィラー粒子は、粒径が例えば0.5μm以上5.0μm以下に設定され、熱膨張率が例えば0ppm/°C以上15ppm/°C以下に設定される。また、樹脂部14とフィラーの体積の合計に対するフィラーの体積の割合フィラーの含有量が例えば3体積以上60体積以下に設定されている。ここで、フィラー粒子の粒径は、次のように測定される。まず、樹脂層10の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、20粒子数以上50粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影する。次に、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定し、該測定された最大粒径をフィラー粒子の粒径とする。また、フィラーの含有量は、樹脂層10の研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、樹脂部14に占めるフィラーの面積比率面積を10箇所の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量体積とみなすことにより、測定される。無機絶縁層11は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム又は酸化カルシウム等の無機絶縁材料により構成されており、樹脂材料と比較して剛性が高いことから、配線基板3の剛性を高める機能を有する。無機絶縁層11の平面方向の熱膨張率は、一般的な樹脂材料の平面方向の熱膨張率と比較して低いため、配線基板3の平面方向への熱膨張率をこれら配線基板に実装される電子部品例えばICチップの平面方向への熱膨張率に近づけることができる。その結果、例えば、熱応力に起因したバンプ付近の信頼性低下が抑制される。無機絶縁層11の厚み方向の熱膨張率は、平面方向の熱膨張率が低い樹脂フィルムの厚み方向の熱膨張率よりも小さいため、樹脂フィルムを用いた場合に比較して、配線基板3の厚み方向の熱膨張率を低減することができ、絶縁層6と貫通導体8との熱膨張率の違いに起因した熱応力を小さくすることができる。一般的に、無機絶縁材料は樹脂材料よりも誘電正接が低く、しかも、無機絶縁層11は、樹脂層10よりも導電層7に対して近接して配置されていることから、無機絶縁層11によって、導電層7の信号伝送特性が高められる。無機絶縁層11の厚みは、例えば5μm以上30μm以下に設定され、ヤング率は、例えば10GPa以上100GPa以下、及び/又は、樹脂層10の樹脂部の10倍以上100倍以下に設定される。また、無機絶縁層11は、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が例えば0ppm/°C以上10ppm/°C以下に設定され、誘電正接が例えば0.0001以上0.001以下に設定されている。この無機絶縁層11は、上述した無機絶縁材料により形成することができるが、なかでも、低誘電正接及び低熱膨張率の観点から、酸化ケイ素を用いることが望ましい。また、無機絶縁層11は、アモルファス非晶質状態の無機絶縁材料により形成されている。アモルファス状態の無機絶縁材料は、結晶状態の無機絶縁材料と比較して、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができるため、配線基板3の加熱後配線基板3が冷却される際に、無機絶縁層11の収縮を厚み方向及び平面方向にてより均一にすることができ、無機絶縁層11におけるクラックの発生を低減できる。このアモルファス状態の無機絶縁材料としては、例えば酸化ケイ素を90質量以上含む無機絶縁材料を用いることができ、なかでも、酸化ケイ素を99質量以上100質量未満含む無機絶縁材料を用いることが望ましい。酸化ケイ素を90質量以上100質量未満含む無機絶縁材料を用いる場合は、該無機絶縁材料は酸化ケイ素の他に、例えば酸化アルミニウム、酸化チタニウム、酸化マグネシウム又は酸化ジルコニウム等の無機絶縁材料を含んでも構わない。なお、アモルファス状態である無機絶縁材料は、結晶相の領域が例えば10体積未満に設定されており、なかでも5体積未満に設定されていることが望ましい。ここで、酸化ケイ素の結晶相領域の体積比は、以下のように測定される。まず、100結晶化した試料粉末と非晶質粉末とを異なる比率で含む複数の比較試料を作製し、該比較試料をX線回折法で測定することにより、該測定値と結晶相領域の体積比との相対的関係を示す検量線を作成する。次に、測定対象である調査試料をX線回折法で測定し、該測定値と検量線とを比較して、該測定値から結晶相領域の体積比を算出することにより、調査試料の結晶相領域の体積比が測定される。無機絶縁層11は、図3Aおよび図3Bに示すように、複数の第1無機絶縁粒子13aと該第1無機絶縁粒子13aよりも粒径が大きい複数の第2無機絶縁粒子13bとを含む。この第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bは、例えば、上述した酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム又は酸化カルシウム等の無機絶縁材料により形成することができる。また、第1及び第2無機絶縁層11a、11bは、第1無機絶縁粒子13aと第2無機絶縁粒子13bの合計体積に対して第1無機絶縁粒子13aを20体積以上40体積以下含み、前記合計体積に対して第2無機絶縁粒子13bを60体積以上80体積以下含んでいる。このように、第2無機絶縁粒子13bがある程度多くされることにより、複数の第2無機絶縁粒子13bの間の領域に後述する空隙Vを容易に形成することができる。第1無機絶縁粒子13aは、粒径が3nm以上110nm以下に設定されており、図3Bに示すように、第1ネック構造17aを介して互いに結合している。これにより、第1無機絶縁層11aは、フィラーが混入された樹脂に比較して無機絶縁粒子が緻密に配置されている。また、第1無機絶縁粒子13a同士が互いに結合して骨格構造をなしており、個々の第1無機絶縁粒子13aが互いに拘束して流動しにくいため、フィラーを分散させた樹脂と比較して、低熱膨張かつ高剛性の無機絶縁層を得ることができる。なお、第1無機絶縁粒子13aのヤング率は、例えば10GPa以上30GPa以下に設定され、第1無機絶縁粒子13aの硬度は、例えば0.5GPa以上2GPa以下に設定されている。また、第2無機絶縁粒子13bは、粒径が0.5μm以上5μm以下に設定されており、第1無機絶縁粒子13aと第2ネック構造17bにおいて結合することによって、第1無機絶縁粒子13aを介して互いに接着している。なお、第2無機絶縁粒子13bの粒径は、第1無機絶縁粒子13aの粒径の例えば10倍以上200倍以下に設定されている。また、第2無機絶縁粒子13bのヤング率は、例えば40GPa以上75GPa以下に設定され、及び又は第1無機絶縁粒子13aのヤング率の例えば2倍以上7倍以下に設定されている。また、第2無機絶縁粒子13bの硬度は、例えば5GPa以上10GPa以下に設定され、及び又は第1無機絶縁粒子13aの硬度の例えば3倍以上20倍以下に設定されている。ここで、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bは、無機絶縁層11の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察することにより確認される。また、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bの体積は、次のように算出される。まず、無機絶縁層11の研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影する。次に、撮影した画像から画像解析装置等を用いて、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bの面積比率面積を測定する。そして、該測定値の平均値を算出することにより第1及び第2無機絶縁粒子13a、13bの体積が算出される。また、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bの粒径は、無機絶縁層11の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、20粒子数以上50粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該撮影した拡大断面にて各粒子の最大径を測定することにより、測定される。無機絶縁層11は、微小な粒子第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bが結合してなるため、表面に微細な凹凸が生じやすく、樹脂層10が剥離しにくい。また、後述するように、粒子の隙間に樹脂層10の一部が充填されるため、樹脂層10が剥離しにくい。ガラスクロスの各繊維は、平面方向に沿って配されており、厚み方向へ拘束されていない。このため、ガラスクロスに含浸された樹脂は、厚み方向への熱膨張率が大きくなりやすい。一方、第1無機絶縁粒子13aおよび第2無機絶縁粒子13bは、3次元網目状構造を構成しており、厚み方向についても拘束されていることから、無機絶縁層11は、厚み方向への熱膨張率が低減されやすい。第1金属層21および第2金属層22はそれぞれ、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成することができ、その厚みが例えば3μm以上20μm以下に設定され、熱膨張率が例えば14ppm/°C以上18ppm/°C以下に設定されている。貫通導体8は、厚み方向に互いに離間した導電層7同士を相互に接続するものである。貫通導体8は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成することができ、熱膨張率が例えば14ppm/°C以上18ppm/°C以下に設定されている。第2絶縁層6bの厚みHbは、第1絶縁層6aの厚みHaよりも大きい。そして、第2貫通導体8bの高さHbは、第1貫通導体8aの高さHaよりも大きくなっている。例えば、第2貫通導体8bの高さHbは、第1貫通導体8aの高さHaの1.3倍以上1.7倍以下に設定されている。第1絶縁層6aは厚みが小さいため、厚み方向において図1の断面で、導電層7同士の距離が小さくなり、その密度が高まる。その結果、外部機器5マザーボード側で配線基板3に対する銅CTEは16ppm°Cの占める割合が高まって熱膨張率が高くなりやすい。それ故、第1絶縁層6aをマザーボード側に配置することで、配線基板3とマザーボードとの熱応力を低減できる。一方、第2絶縁層6bは厚みが大きいため、厚み方向において図1の断面、熱膨張率が小さくなりやすい。それ故、第2絶縁層6bを電子部品2側に配置することで、配線基板3と電子部品2との熱応力を低減できる。これにより、電子部品2側とマザーボード側の両方の接続信頼性が高くなる。第1貫通導体8aは、第2絶縁層6bに向かって幅が狭くなるテーパ状に形成されている。また、第2貫通導体8bは、第1絶縁層6aとは反対側に向かって幅が狭くなるテーパ状に形成されている。なお、第1貫通導体8aおよび第2貫通導体8bは、同一方向に向かって幅が狭くなっている。第1貫通導体8aおよび第2貫通導体8bは、最大径Da、Dbが互いに概ね同等となるように形成されるとともに、最小径Dc、Ddが互いに概ね同等となるように形成されている。例えば、第2貫通導体8bの最大径Dbは、第1貫通導体8aの最大径Daの90以上110以下である。同様に、第2貫通導体8bの最小径Ddは、第1貫通導体8aの最小径Dcの90以上110以下である。なお、上述のように、第1貫通導体8aおよび第2貫通導体8bは、その高さが互いに異なるから、最大径および最小径が互いに概ね同等となるように形成されることによって、テーパ角が互いに異なっている。このように最大径が揃えられると、第1導電層7aと第2導電層7bとの間で共通のデザインルールを利用することができ、配線設計が容易化される。また、第2貫通導体8bのテーパ角を第1貫通導体8aのテーパ角と同等とすると、第1貫通導体8aよりも高さが大きい第2貫通導体8bの最小径Ddが小さくなり、第2貫通導体8bと第3導電層7cとの接続に係る信頼性が低下するが、第2貫通導体8bの最小径Ddを第1貫通導体8aの最小径Dcと同等に確保することにより、信頼性が向上する。本実施形態では、樹脂層10がそれぞれ基材15を含み、厚みが同一となっている。さらに、無機絶縁層11と樹脂層10とが交互に積層されて、配線基板3の両主面に無機絶縁層11が配置されている。その結果、配線基板3全体として、熱膨張率のバランスがとれ、反りを低減できる。第1及び第2無機絶縁粒子熱応力や機械的応力等の応力が配線基板3に印加された場合、第1無機絶縁粒子13a同士が剥離することにより、無機絶縁層11のクラックが生じることがある。しかし、無機絶縁層11は、第1無機絶縁粒子13aよりも粒径の大きい第2無機絶縁粒子13bを含む。従って、無機絶縁層11にクラックが生じても、クラックが第2無機絶縁粒子13bに達した際に、粒径の大きい第2無機絶縁粒子13bによってクラックの伸長を阻止したり、あるいは、第2無機絶縁粒子の表面に沿ってクラックを迂回させたりすることができる。クラックの伸長を阻止したり、クラックを迂回させたりするには、第2無機絶縁粒子の粒径が0.5μm以上である場合が特に好ましい。また、第2無機絶縁粒子13bは粒径が大きいため、無機絶縁層11を第2無機絶縁粒子のみで構成すると、1つの第2無機絶縁粒子の周囲に多くの他の第2無機絶縁粒子を配置することが困難となり、結果的に、第2無機絶縁粒子13b同士の接触面積が小さくなり、第2無機絶縁粒子13b同士の接着強度は小さくなりやすい。これに対して、配線基板3においては、第1無機絶縁層11aは、粒径の大きな第2無機絶縁粒子13bのみならず粒径の小さい第1無機絶縁粒子13aを含み、第2無機絶縁粒子同士は、該第2無機絶縁粒子の周囲に配置された複数の第1無機絶縁粒子13aを介して接合している。それ故、第2無機絶縁粒子と第1無機絶縁粒子との接触面積を大きくすることができ、第2無機絶縁粒子13b同士の剥離を低減することができる。かかる効果は、第1無機絶縁粒子の粒径が110nm以下に設定されている場合に特に顕著となる。一方、第1無機絶縁粒子13aは、粒径が3nm以上110nm以下と微小に設定されている。このように、第1無機絶縁粒子13aの粒径が非常に小さいため、第1無機絶縁粒子13a同士が結晶化開始温度未満にて互いに強固に結合する。その結果、第1及び第2無機絶縁粒子自体がアモルファス状態のままで該粒子同士が結合し、無機絶縁層11がアモルファス状態となる。それ故、上述した如く、無機絶縁層11の熱膨張率の異方性が小さくなる。なお、無機絶縁粒子13の粒径が3nm以上110nm以下と微小に設定されていると、第1無機絶縁粒子13aの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、結晶化開始温度未満といった低温下でも第1無機絶縁粒子13a同士が強固に結合すると推測される。なお、結晶化開始温度は、非晶質の無機絶縁材料が結晶化を開始する温度、すなわち、結晶相領域の体積が増加する温度である。また、第2無機絶縁粒子13b同士が互いに離間するように、個々の第2無機絶縁粒子13bは複数の第1無機絶縁粒子13aによって被覆されている。その結果、接着強度が低く且つ剥離しやすい第2無機絶縁粒子13b同士の接触が防止され、第2無機絶縁粒子13bの剥離を抑制でき、ひいては、第2無機絶縁粒子に起因したクラックの発生及び伸長を低減することができる。第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bは、同一材料からなることが望ましい。その結果、無機絶縁層11において、第1無機絶縁粒子13aと第2無機絶縁粒子13bとの材料特性の違いに起因したクラックを低減することができる。また、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bは、樹脂層10に含まれるフィラーと同一材料からなることが望ましい。その結果、樹脂層10の熱膨張率を無機絶縁層11の熱膨張率により近づけることができる。第1無機絶縁粒子13aは、球状であることが望ましい。その結果、第2無機絶縁粒子間の空隙に多くの第1無機絶縁粒子13aを充填しやすくなる上、第1無機絶縁粒子13a間の空隙の体積が低減され、無機絶縁層11の内部構造を緻密にでき、無機絶縁層11の剛性を向上させることができる。また、第2無機絶縁粒子13bは、曲面状であることが望ましく、さらには球状であることがより望ましい。その結果、第2無機絶縁粒子13bの表面が滑らかになり、該表面における応力が分散され、第2無機絶縁粒子13bの表面を起点とした無機絶縁層11のクラックの発生を低減することができる。第2無機絶縁粒子13bは、第1無機絶縁粒子13aよりも硬度が高いことが望ましい。この場合、クラックが第2無機絶縁粒子13bに達した際に、該クラックが第2無機絶縁粒子13bの内部へ伸長することを低減し、ひいては無機絶縁層11におけるクラックの伸長を低減することができる。また、後述するように、第2無機絶縁粒子13bは第1無機絶縁粒子13aよりも硬度を容易に高めることができるため、無機絶縁層11の剛性を容易に高めることができる。なお、硬度は、ナノインデンター装置を用いることにより、測定することができる。第1ネック構造17aの幅W1は、第2ネック構造17bの幅W2よりも大きいことが好ましい。第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bは、コンクリートに配合されたセメント及び砂利のように作用する。すなわち、第1無機絶縁粒子13aは、セメントと同様に無機絶縁層全体を固める役割を担い、第2無機絶縁粒子13bは、砂利と同様に無機絶縁層全体を強くする役割を担う。従って、第1ネック構造17aの幅が大きくされることにより、第1無機絶縁粒子13aの無機絶縁層全体を固める作用が大きくなり、全体として好適な無機絶縁層が実現される。第1無機絶縁粒子及び第2無機絶縁粒子に取り囲まれた空隙無機絶縁層11は、図3Aに示すように、厚み方向又は平面方向に沿った切断した断面において、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bに取り囲まれた複数の空隙Vを有し、該空隙Vには、樹脂層10の一部が充填されている第1充填部19a。その結果、配線基板3に応力が印加され、無機絶縁層11にクラックが生じたとしても、該クラックの伸長を第1充填部19aによって阻止したり、迂回させたりすることができる。なお、各空隙Vは、複数の第1無機絶縁粒子13aおよび複数の第2無機絶縁粒子に取り囲まれている。すなわち、各空隙Vは、その内周面が複数の第1無機絶縁粒子13aおよび複数の第2無機絶縁粒子13bにより構成されている。また、第1充填部19aは、無機絶縁材料と比較してヤング率の低い樹脂材料を無機絶縁層11よりも多く含むことから、配線基板3に応力が印加された場合、無機絶縁層11内の空隙に配された第1充填部19aにより無機絶縁層11に印加される応力を緩和することができ、該応力に起因した無機絶縁層11におけるクラックの発生を低減することができる。この空隙Vは、前記断面における無機絶縁層11の厚み方向の高さが0.3μm以上5μm以下に設定されていることが望ましく、前記断面における無機絶縁層11の平面方向の幅が0.3μm以上5μm以下に設定されていることが望ましい。空隙Vは、厚み方向又は平面方向に沿った切断した断面においては、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bに取り囲まれているが、3次元形状においては、無機絶縁層11の平面方向に沿って伸長するとともに、他の一部が無機絶縁層11の厚み方向に沿って伸長することによって、無機絶縁層11の樹脂層10に接する一主面に形成された開口に接続されて開気孔となっている。それ故、樹脂層10の一部は、開口を介して空隙Vに充填されている。この開口は、平面方向に沿った幅が1μm以上20μm以下に設定されていることが望ましい。なお、第1充填部19aは、空隙Vに完全に充填されている必要はなく、空隙Vに第1樹脂層の一部が配置されていれば良い。第1無機絶縁層11aは、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bが互いに接着することにより、3次元網目状構造を有することが望ましい。その結果、第1充填部19aによる無機絶縁層11のクラック低減効果を高めることができる。第1無機絶縁粒子間の間隙上述のように、無機絶縁層11において、複数の第1無機絶縁粒子13aは、第1ネック構造17aにおいて互いに結合されている。ただし、第1無機絶縁層11aは、焼結された無機絶縁層のように粒子同士が一体化しておらず、第1ネック構造17aが維持されており、複数の第1無機絶縁粒子13aは、その間に第1間隙G1が形成された骨格構造を構成している。そして、第1間隙G1には、第1樹脂層10aの樹脂が充填されている第2充填部19b。従って、第1無機絶縁層11aは、無機絶縁材料の骨格構造により低熱膨張率が実現されるとともに、樹脂からなる第2充填部19bによって骨格構造が補強されることにより高強度が実現される。また、第2無機絶縁粒子13bと、その周囲の複数の第1無機絶縁粒子13aとの間においても第2間隙G2が形成されており、第2間隙G2にも第1樹脂層10aの樹脂が充填されている第3充填部19c。第3充填部19cも第2充填部19bと同様に、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bによる骨格構造の補強に寄与している。第1間隙G1及び第2間隙G2は、第1無機絶縁粒子13aが緻密化されないことによって形成されており、その大きさは、概略オーダー的に、第1無機絶縁粒子13aの大きさ程度である。従って、第1無機絶縁粒子13aの粒径が3nm以上110nm以下であることが好ましいことに対応して、第1間隙G1及び第2間隙G2の、第1無機絶縁層11aの所定断面における径は、3nnm以上110nm以下であることが好ましい。また、第1無機絶縁層11aの所定断面において、第1間隙G1もしくは第2間隙G2の面積は、例えば第1無機絶縁粒子13aの面積の2倍以下である。第1間隙G1及び第2間隙G2がこのような径および/または面積とされることにより、複数の第1無機絶縁粒子13aの緻密性を維持しつつ、樹脂を第1間隙G1に充填することができる。なお、後述するように、空隙Vは、第2無機絶縁粒子13bの体積の影響を受ける。そして、空隙Vは、概略オーダー的に、第2無機絶縁粒子13b間の間隔程度の大きさとなる。従って、第1間隙G1及び第2間隙G2の径は、空隙Vの径に比較して、第2無機絶縁粒子13bの大きさと第1無機絶縁粒子13aの大きさとの差程度の差で小さい。例えば、第1無機絶縁粒子13aの粒径が3nm以上110nm以下、第2無機絶縁粒子13bの粒径が0.5μm以上5μm以下であるとすれば、第1間隙G1及び第2間隙G2の径は、空隙Vの径に対して0.0006~0.22倍3nm/5mμm~110nm/0.5μmであり、より好ましくは、空隙Vの径に対して0.005~0.1倍である。なお、第1無機絶縁層11aの所定断面において、空隙Vの面積は、例えば第2無機絶縁粒子13bの面積の0.5倍以上である。また、無機絶縁層11の所定断面において、空隙V及び第2間隙G2が第2無機絶縁粒子13bに接する部分があるのに対し、第1間隙G1は、第1無機絶縁粒子13aに取り囲まれ、第1無機絶縁粒子13aのみに接している。この特徴も、第1間隙G1と空隙Vとを区別するのに役立つ。第1間隙G1は、空隙Vと同様に、所定断面においては、第1無機絶縁粒子13aに取り囲まれているが、3次元形状においては、無機絶縁層11の平面方向に沿って伸長するとともに、他の一部が無機絶縁層11の厚み方向に沿って伸長することによって、無機絶縁層11の樹脂層10に接する一主面に形成された不図示の開口に接続されて開気孔となっている。それ故、樹脂層10の一部は、該開口を介して第1間隙G1に充填されている。なお、第2間隙G2も、直接又は第1間隙G1を介して、無機絶縁層11の樹脂層10に接する一主面に形成された不図示の開口に接続されている。また、第1間隙G1および第2間隙G2は、無機絶縁層11の主面に形成された開口に接続されているのと同様に、空隙V第1充填部19aに通じている。従って、第1間隙G1および第2間隙G2には、空隙Vを介して樹脂層10の樹脂が供給される。すなわち、複数の空隙Vが分布していることにより、第1間隙G1および第2間隙G2への樹脂の充填が促進される。なお、第2充填部19bは、第1間隙G1に完全に充填されている必要はなく、第1間隙G1に第1樹脂層の一部が配置されていれば良い。第3充填部19cについても同様である。第1間隙G1及び第2間隙G2は、比較的小さいことから、第2充填部19b及び第3充填部19cは、樹脂層10に含まれるフィラー粒子12を全く若しくは殆ど含まない。例えば、フィラー粒子12の粒径が0.5μm以上5.0μm以下であれば、第2充填部19b及び第3充填部19cは、フィラー粒子12を含まない。当該特徴も、第1間隙G1及び第2間隙G2と空隙Vとを区別することに役立つ。<配線基板の製造方法>1上面に銅箔等の金属箔21xが形成された支持体20を準備し、金属箔21xの上面に第3無機絶縁層11cを形成する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、図4Aに示すように、上面に金属箔21xが形成された支持体20を準備する。次に、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bを含む固形分と、溶剤とを有する無機絶縁ゾルを金属箔21xの上面に塗布する。次に、溶剤を蒸発させた後、加熱して無機絶縁粒子同士を結合させることにより、図4Bに示すように、第3無機絶縁層11cを形成することができる。支持体20は、金属箔、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた樹脂板、又は紙にフェノール樹脂を含浸させた樹脂板等を含む支持部と、樹脂又はニッケルを含む接着材と、を備えており、該接着材を介して金属箔21xと接着したものを用いることが望ましい。無機絶縁ゾルは、例えば、固形分を10体積以上50体積以下含み、溶剤を50体積以上90体積以下含む。これにより、無機絶縁ゾルの粘度を低く保持しつつ、無機絶縁ゾルより形成される無機絶縁層の生産性を高く維持できる。無機絶縁ゾルの固形分は、例えば、第1無機絶縁粒子13aを20体積以上40体積以下含み、第2無機絶縁粒子13bを60体積以上80体積以下含む。これにより、無機絶縁ゾルの溶剤を蒸発させるときに第3無機絶縁層11cにおけるクラックの発生を効果的に低減できる。なお、第1無機絶縁粒子13aは、酸化ケイ素から成る場合、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることにより、作製することができる。この場合、低温条件下で第1無機絶縁粒子13aを作製することができるため、アモルファス状態である第1無機絶縁粒子13aを作製することができる。また、第1無機絶縁粒子13aの粒径は、酸化ケイ素の析出時間を調整することによって調整され、具体的には、析出時間を長くするほど第1無機絶縁粒子13aの粒径は大きくなる。一方、第2無機絶縁粒子13bは、酸化ケイ素から成る場合、例えばケイ酸ナトリウム水溶液等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ800°C以上1500°C以下に加熱することにより、作製することができる。それ故、第2無機絶縁粒子13bは、第1無機絶縁粒子13aと比較して粒径が大きいことから、高温加熱時における凝集体の形成を低減しやすく、高温加熱で容易に作製することができ、ひいては硬度を容易に高めることができる。また、第2無機絶縁粒子13bを作製する際の加熱時間は、1秒以上180秒以下に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱時間を短縮することにより、800°C以上1500°C以下に加熱した場合においても、第2無機絶縁粒子13bの結晶化を抑制し、アモルファス状態を維持することができる。一方、無機絶縁ゾルに含まれる溶剤は、例えばメタノール、イソプロパノール、nブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミド、及び/またはこれらから選択された2種以上の混合物を含んだ有機溶剤を使用することができる。なかでも、メタノール、イソプロパノール又はプロピレングリコールモノメチルエーテルを含んだ有機溶剤が望ましい。その結果、無機絶縁ゾルを均一に塗布することができる上、溶剤を効率良く蒸発させることができる。無機絶縁ゾルの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーター又はスクリーン印刷を用いて行うことができる。このとき、上述した如く、無機絶縁ゾルの固形分が50体積以下に設定されていることから、無機絶縁ゾルの粘度が低く設定され、塗布された無機絶縁ゾルの平坦性を高くすることができる。また、第1無機絶縁粒子13aの粒径は、上述したように、3nm以上に設定されているため、これによっても無機絶縁ゾルの粘度が良好に低減され、塗布された無機絶縁ゾルの平坦性を向上させることができる。無機絶縁ゾルの乾燥は、例えば加熱及び風乾により行われる。乾燥温度が、例えば、20°C以上溶剤の沸点未満に設定され、乾燥時間が、例えば20秒以上30分以下に設定される。その結果、溶剤の沸騰が低減され、沸騰の際に生じる気泡の圧力によって第1及び第2無機絶縁粒子13a、13bが押し出されることが抑制され、該粒子の分布をより均一にすることが可能となる。乾燥中、第1及び第2無機絶縁粒子13a、13bの接触部第1ネック構造17a、第2ネック構造17bが太くなる。ただし、高温に加熱しないため、ネック構造を維持することができ、第1無機絶縁粒子13aによる骨格構造が形成される第1間隙G1および第2間隙G2が形成される。。また、第1無機絶縁粒子13aは、第2無機絶縁粒子13bに比較して原子の運動が活発なので、第1無機絶縁粒子13a同士の第1ネック構造17aの方が第1無機絶縁粒子13aと第2無機絶縁粒子13bとの第2ネック構造17bよりも太くなる。溶剤の蒸発に伴って無機絶縁ゾルが収縮するが、かかる溶剤は第1及び第2無機絶縁粒子13a、13bの間隙に含まれており、第1及び第2無機絶縁粒子13a、13b自体には含まれていない。このため、無機絶縁ゾルが粒径の大きい第2無機絶縁粒子13bを含んでいると、その分、溶剤が充填される領域が少なくなり、無機絶縁ゾルの溶剤の蒸発時、無機絶縁ゾルの収縮量が小さくなる。すなわち、第2無機絶縁粒子13bによって無機絶縁ゾルの収縮が規制されることとなる。その結果、無機絶縁ゾルの収縮に起因するクラックの発生を低減することができる。また、仮にクラックが生じても、粒径の大きい第2無機絶縁粒子13bによって該クラックの伸長を妨げることができる。粒径が0.5μm以上の第2無機絶縁粒子13bを無機絶縁ゾルの固形分に60体積以上含ませると、第2無機絶縁粒子13b同士が互いに接近し、この第2無機絶縁粒子13bに取り囲まれた領域が数多く形成される。この状態で第2無機絶縁粒子13b間の間隙に充填された溶剤を蒸発させると、該間隙内で第1無機絶縁粒子13aの収縮が起きて、空隙Vが形成される。その結果、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bに取り囲まれた空隙Vを形成することができる。また、粒径が0.5μm以上の第2無機絶縁粒子13bを60体積以上含ませると、第2無機絶縁粒子13b同士が近接しやすい。一方、溶剤は第2無機絶縁粒子13b同士の対向領域に残留しやすく、該残留した溶剤中には多くの第1無機絶縁粒子13aが含まれている。そして、残留した溶剤を蒸発させると、溶剤の蒸発に伴って溶剤中に含まれていた第1無機絶縁粒子13aが第2無機絶縁粒子の対向領域で凝集する。その結果、第2無機絶縁粒子13b同士の間に第1無機絶縁粒子13aを介在させることができる。第1無機絶縁粒子13aを良好に第2無機絶縁粒子13b同士の間に介在させるには、無機絶縁ゾルの固形分は、第1無機絶縁粒子13aを20体積以上含むことが望ましい。なお、第1無機絶縁粒子13a若しくは第2無機絶縁粒子13bの粒径若しくは含有量、無機絶縁ゾルの溶剤の種類若しくは量、乾燥時間、乾燥温度、乾燥時の風量若しくは風速、又は、乾燥後の加熱温度若しくは加熱時間を適宜調整することにより、空隙Vを所望の形状に形成することができる。無機絶縁ゾルの加熱温度は、残存した溶剤を蒸発させるため、溶剤の沸点以上で行うことが望ましい。また、前記加熱温度は、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bの結晶化開始温度未満に設定されていることが望ましい。この場合、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bの結晶化を低減し、アモルファス状態の割合を高めることができる。その結果、結晶化した無機絶縁層11が相転移によって収縮することを低減し、無機絶縁層11におけるクラックの発生を低減できる。無機絶縁ゾルは、粒径が110nm以下に設定された第1無機絶縁粒子13aを有している。その結果、無機絶縁ゾルの加熱温度が比較的低温、例えば、第1無機絶縁粒子13a及び第2無機絶縁粒子13bの結晶化開始温度未満と低温であっても、第1無機絶縁粒子13a同士を強固に結合させることができる。なお、第1無機絶縁粒子13aとして酸化ケイ素により形成されたものを用いる場合、第1無機絶縁粒子13a同士を強固に結合させることができる温度は、例えば、第1無機絶縁粒子13aの粒径を110nm以下に設定した場合は250°C程度であり、前記粒径を15nm以下に設定した場合は150°C程度である。また、第1及び第2無機絶縁粒子13a、13bが酸化ケイ素から成る場合、その結晶化開始温度は1300°C程度である。なお、無機絶縁ゾルの加熱は、温度が例えば100度以上220度未満に設定され、時間が例えば0.5時間以上24時間以下に設定されており、例えば大気雰囲気中で行われる。なお、加熱温度を150°C以上にする場合、金属箔21xの酸化を抑制するため、無機絶縁ゾルの加熱は、真空、アルゴン等の不活性雰囲気又は窒素雰囲気にて行われることが望ましい。2第3無機絶縁層11cの上面に、第2樹脂層10b、第2無機絶縁層11b及び金属箔21xを形成する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、図4Cに示すように、未硬化の樹脂を含む樹脂前駆体シート10xと、金属箔21x及び無機絶縁層11第2無機絶縁層11bを含む積層シート16と、を準備する。次に、第3無機絶縁層11c上面に樹脂前駆体シート10xを当接させ、樹脂前駆体シート10x上面に第2無機絶縁層11bを当接させて、支持体20、樹脂前駆体シート10x及び積層シート16を積層する。次に、該積層体を加熱加圧して樹脂前駆体シート10xを硬化させることにより、図4Dに示すように、第2樹脂層10bを形成し、該第2樹脂層10bを介して第3無機絶縁層11c及び第2無機絶縁層11bを接着させる。樹脂前駆体シート10xは、その厚みを適宜調整することにより、樹脂層10を所望の厚みとすることができる。また、未硬化の樹脂は、ISO472:1999に準ずるA-ステージ又はB-ステージの状態である。積層シート16は、例えば以下のように作製することができる。まず、金属箔21xを準備する。次に、1の工程と同様に、無機絶縁ゾルを金属箔21xに塗布し、溶剤を蒸発させた後、加熱することにより、無機絶縁層11を形成して、積層シート16を作製することができる。積層体の加熱温度は、樹脂前駆体シート10xの硬化開始温度以上熱分解温度未満に設定されている。具体的には、樹脂前駆体シートがエポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂からなる場合、前記加熱温度が例えば170°C以上230°C以下に設定される。また、前記積層体の圧力は、例えば2MPa以上3MPa以下に設定され、加熱時間及び加圧時間は、例えば0.5時間以上2時間以下に設定されている。なお、硬化開始温度は、樹脂が、ISO472:1999に準ずるC-ステージの状態となる温度である。硬化のための加熱により樹脂前駆体シート10xは一時液状化し、無機絶縁層11ここでは第3無機絶縁層11c及び第2無機絶縁層11bに浸透する。これにより、空隙Vに樹脂が充填されて第1充填部19aが形成される。また、第1間隙G1及び第2間隙G2に樹脂が充填されて第2充填部19b及び第3充填部19cが形成される。なお、浸透は毛細管力によって起きると考えられる。毛細管力は隙間径に反比例して大きくなる。従って、第1無機絶縁粒子13aの粒径が小さいことにより、第1間隙G1および第2間隙G2の隙間径は狭いが、その一方で毛細管力が大きくなることから、樹脂は第1無機絶縁層11aに十分に浸透する。3第2無機絶縁層11b、第2樹脂層10b及び第3無機絶縁層11cを厚み方向に貫通するビア孔を形成し、その後、当該ビアに充填された第2貫通導体8b及び第2無機絶縁層11b上面に位置する第2導電層7bを形成する。具体的には、例えば、以下のように行う。まず、例えばYAGレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置を用いて、最上層の金属箔21x上から積層体へレーザー光を照射することにより、ビア孔を形成する。ビア孔は、レーザー光の照射量又は照射時間を適宜調整することにより、支持体20側ほど断面積が小さくなるように形成することができる。また、ビア孔の直径の調整は、マスクの変更および/またはピントの調整によって行うこともできる。また、テーパーの調整は、レーザー光の中のエネルギー分布を調整することで行うこともできる。例えば、通常はガウシアンビームと呼ばれるビーム中央部のエネルギーが高くなったレーザー光を使う。このため、中央部は深く掘れ、周辺部は浅くなり、テーパーが付く。これに対し、トップハットビームという、台形状、理想的には四角形のエネルギー分布を持つレーザー光を用いるとテーパーをほとんどなくすことができる。次に、サブトラクティブ法、フルアディティブ法もしくはセミアディティブ法等の適宜な方法により第2貫通導体8b及び第2導電層7bを形成する。本実施形態では、サブトラクティブ法の一種であるパターンめっき法により第2貫通導体8b及び第2導電層7bが形成された場合を例示している。この方法では、ビア孔が形成された積層体上に無電解めっき法により下地層を形成し、その上にレジストを成膜パターニングし、電気めっき法により金属を析出させ、その後、レジストを除去する。これにより、図4Eに示すように第2貫通導体8b及び第2金属層22が形成される。その後、下地層及び金属箔21xの第2金属層22からの露出部分をエッチングにより除去することにより、図4Fに示すように第1金属層21が形成され、ひいては、第1金属層21及び第2金属層22を含む第2導電層7bが形成される。4第2無機絶縁層11bの上面に、第1樹脂層10a、第1無機絶縁層11a及び金属箔21xを形成する。具体的には、図5A及び図5Bに示すように、2の工程と同様の工程を行う。5第1無機絶縁層11a及び第1樹脂層10aを厚み方向に貫通するビア孔を形成し、図5Cに示す第1貫通導体8a及び第1導電層7aを形成する。具体的には、3の工程と同様に行う。上述した4及び5の工程を繰り返すことにより、図5Dに示すように、第2絶縁層6b上に第1絶縁層6aと第1導電層7aとが交互に複数積層される。6図5Dに示すように、支持体20から第2絶縁層6b側最外層の金属箔21xを剥離する。具体的には、例えば、支持体20が上方に位置するように配線基板3を多孔質のテーブル上に載置し、真空ポンプを用いて吸引することにより配線基板3を固定し、支持体20を上方に引っ張ることにより、支持体20から金属箔21xを剥離することができる。7例えばフォトリソグラフィー技術、エッチング法等を用いて第2絶縁層6b側最外層の金属箔21xをパターニングすることにより、図1に示すように、第3導電層7cが形成される。以上のようにして、配線基板3を作製することができる。<第2実施形態>図6に示す第2実施形態に係る実装構造体101及び配線基板103は、基本的には第2樹脂層の構成のみが第1実施形態と相違する。具体的には、以下のとおりである。配線基板103の第2樹脂層110bは、基材を含まず、樹脂部と、樹脂部に混入されたフィラーとによって構成され、また、ヤング率が第1樹脂層10aよりも小さく設定されている。また、第2樹脂層110bの厚みTbは、第1樹脂層10aの厚みTa及び第2無機絶縁層11bの厚みよりも小さく設定されている。第2樹脂層110bの樹脂部は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂またはポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂からなる。第2樹脂層110bのフィラーは、例えば酸化ケイ素等の無機絶縁材料により形成された多数のフィラー粒子から成る。フィラー粒子は、粒径が例えば0.05μm以上0.7μm以下に設定されており、第2樹脂層110bにおける含有量が例えば0体積以上10体積以下に設定されている。また、第2樹脂層110bは、厚みが例えば0.1μm以上5μm以下に設定され、ヤング率が例えば0.01GPa以上1GPa以下に設定され、硬度が例えば0.01GPa以上0.3GPa以下に設定され、厚み方向および平面方向への熱膨張率が例えば20ppm/°C以上100ppm/°C以下に設定され、誘電正接が例えば0.005以上0.02以下に設定されている。第2樹脂層110bは、基材を含まないことから薄く形成されやすい。そして、第2樹脂層110bが薄く形成されることによって、第2無機絶縁層11b及び第3無機絶縁層11cの厚みを相対的に大きくし、第2絶縁層106bの熱膨張係数を低下させることができる。その結果、例えば、第2絶縁層106b側に電子部品2が実装されたときに、一般に熱膨張係数が低い電子部品2との間に生じる平面方向の熱応力を低減することができる。なお、第2貫通導体108bは、第1実施形態の第2貫通導体8bと同様に、最大径及び最小径が第1貫通導体8aと同一になるように形成されている。ただし、第2絶縁層106bが第1実施形態の第2絶縁層6bよりも薄くなっていることに伴って、第2貫通導体108bは高さやテーパ角が第1実施形態の第2貫通導体8bと異なっている。また、配線基板103の製造方法は、第1実施形態の配線基板3の製造方法と概ね同様であり、第2樹脂層10bとなる樹脂前駆体シート10xに代えて、第2樹脂層110bとなる樹脂シートを用いる点のみが第1実施形態と相違する。<第3実施形態>図7に示す第3実施形態に係る配線基板203は、第2絶縁層106bが第3無機絶縁層11cを有さず、第3導電層7cが第2樹脂層10bの第2無機絶縁層11bとは反対側の主面に形成されている点のみが第1実施形態の配線基板3と相違する。また、実装構造体201においては、第1実施形態と異なり、電子部品2は、配線基板3の第1絶縁層6a側の主面に実装され、配線基板3は、第2絶縁層206b側において外部機器5と接続されている。配線基板203では、第2実施形態とは逆に、第1絶縁層6a側において熱膨張係数が相対的に低くなる。その結果、第1絶縁層6a側に電子部品2が実装されたときに、一般に熱膨張係数が低い電子部品2との間に生じる平面方向の熱応力を低減することができる。また、外部機器5マザーボード側の主面に樹脂層10が配されているため、ヤング率が低く柔らかい樹脂層10が変形し、配線基板3とマザーボードとの熱応力を低減できる。配線基板203の第2絶縁層106bは、以下のようにして形成することができる。1B図8Aに示すように、第1実施形態の1の工程の一部と同様に、上面に金属箔21xが形成された支持体20を準備する。ただし、第1実施形態の1の工程とは異なり、金属箔21x上に第3無機絶縁層11cは形成されない。2B図8B及び図8Cに示すように、第1実施形態の2の工程と同様に、第2樹脂層10b、第2無機絶縁層11b及び金属箔21xを形成する。ただし、第1実施形態とは異なり、樹脂前駆体シート10xは、支持体20に形成された金属箔21xに重ねられる。3B図8Dに示すように、以降の工程は、第1実施形態の3の工程以降と同様である。このように第3実施形態の配線基板203の製造方法は、支持体20に支持された金属箔21xに第3無機絶縁層11cを形成する工程が不要であり、樹脂前駆体シート10x及び積層シート16を繰り返し積層するだけでよいことから、第1実施形態の配線基板3の製造法よりも簡素である。また、全ての絶縁層6a,206bが1層の無機絶縁層11と1層の樹脂層10を有するため、全ての層のビア加工が同じ条件でできるので、作業が容易になる。本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、改良、組合せ等が可能である。上述した本発明の実施形態においては、無機絶縁層に第1無機絶縁粒子及び第2無機絶縁粒子を含んでいたが、無機絶縁層には適宜な粒径の無機絶縁粒子が含まれていればよく、第1無機絶縁粒子及び第2無機絶縁粒子の一方のみが無機絶縁層に含まれていても構わないし、第1無機絶縁粒子及び第2無機絶縁粒子に代えて、もしくは加えて、これらとは粒径の異なる他の粒径の無機絶縁粒子が無機絶縁層に含まれていても構わない。また、上述した本発明の実施形態においては、無機絶縁層は、第1無機絶縁粒子及び第2無機絶縁粒子に取り囲まれた空隙及び当該空隙に充填された樹脂を有したが、これらは設けられなくてもよい。この場合、無機絶縁層に含まれる第1無機絶縁粒子の体積の上限値は実施形態よりも小さくてよく、無機絶縁層に含まれる第2無機絶縁粒子の体積の下限値は実施形態よりも大きくてよい。例えば、無機絶縁層は、第1無機絶縁粒子を20体積以上90体積以下含み、第2無機絶縁粒子を10体積以上80体積以下含んでよい。同様に、第1無機絶縁粒子間の間隙には、樹脂が充填されていなくても構わない。また、上述した本発明の実施形態においては、無機絶縁ゾルの乾燥溶剤の蒸発と加熱とを別々に行っていたが、これらは同時に行っても構わない。また、上述した本発明の実施形態においては、未硬化の樹脂前駆体シートを無機絶縁層間等に配置したが、未硬化で液状の樹脂前駆体を無機絶縁層等に塗布しても構わない。また、実施形態では、金属箔を含んで導電層を形成したが、金属箔が除去された後、導電層となる金属層が形成されてもよい。貫通導体はテーパ角が互いに同一とされてもよい。この場合、第2貫通導体の高さが第1貫通導体の高さよりも大きい配線基板においては、第2貫通導体の最大径が第1貫通導体の最大径よりも大きくされることが好ましい。"