受光した光を電流信号に変換する受光素子と、前記電流信号を電圧信号に変換するレシーバと、を備えて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型されて、半田バンプが形成されている受光部と、前記受光部と接続する配線パターンが敷設され、前記受光部が画素単位に前記半田バンプにより実装される配線層と、を有する撮像パネル。前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、前記蛍光媒体を表装する第1のフレキシブル基板と、前記配線層の下部に設けられる第2のフレキシブル基板と、をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する請求項1記載の撮像パネル。前記受光部は、2層化構造を有し、前記受光素子は、光が入射される第1層に配置され、前記第1層の下部の第2層に前記レシーバが配置されて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型される請求項1記載の撮像パネル。前記受光部は、前記配線層上に半田実装された後、前記受光部毎に透明樹脂でポッティング加工を施し、前記透明樹脂によって屈折した光を前記受光部の受光面に光を集光させる請求項1記載の撮像パネル。前記受光部の受光面に光を集光させるレンズに半田バンプが形成されたレンズ部をさらに備え、前記レンズ部は、前記受光部毎に前記配線層上に半田実装される請求項1記載の撮像パネル。前記受光部側に突起部が形成され、前記受光部の受光面を一括して覆って、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体から出射された光を全反射させて、全反射光を前記受光部の受光面上に光を集光させるように、前記受光部の受光面に向けて前記受光部毎に前記突起部の先端が位置しているフレキシブル基板をさらに備え、前記フレキシブル基板上の隣接する前記突起部の間の窪み部分と、前記配線層との間には、半田バンプが実装される請求項1記載の撮像パネル。前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、前記蛍光媒体を表装するカバーガラス基板と、前記配線層の下部に設けられる配線側ガラス基板と、をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する請求項1記載の撮像パネル。受光した光を電流信号に変換する受光素子および前記電流信号を電圧信号に変換するレシーバを含み、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型されて、半田バンプが形成されている受光部と、前記受光部と接続する配線パターンが敷設され、前記受光部が画素単位に前記半田バンプにより実装される配線層と、を備える撮像パネルと、前記電圧信号をディジタル信号に変換するA/D部と、前記ディジタル信号を信号処理する信号処理部と、信号処理後の画像情報の表示制御を行う表示制御部とを備える画像処理部と、を有する撮像処理システム。前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、前記蛍光媒体を表装する第1のフレキシブル基板と、前記配線層の下部に設けられる第2のフレキシブル基板と、をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する請求項8記載の撮像処理システム。前記受光部は、2層化構造を有し、前記受光素子は、光が入射される第1層に配置され、前記第1層の下部の第2層に前記レシーバが配置されて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型される請求項8記載の撮像処理システム。前記受光部は、前記配線層上に半田実装された後、前記受光部毎に透明樹脂でポッティング加工を施し、前記透明樹脂によって屈折した光を前記受光部の受光面に光を集光させる請求項8記載の撮像処理システム。前記受光部の受光面に光を集光させるレンズに半田バンプが形成されたレンズ部をさらに備え、前記レンズ部は、前記受光部毎に前記配線層上に半田実装される請求項8記載の撮像処理システム。前記受光部側に突起部が形成され、前記受光部の受光面を一括して覆って、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体から出射された光を全反射させて、全反射光を前記受光部の受光面上に光を集光させるように、前記受光部の受光面に向けて前記受光部毎に前記突起部の先端が位置しているフレキシブル基板をさらに備え、前記フレキシブル基板上の隣接する前記突起部の間の窪み部分と、前記配線層との間には、半田バンプが実装される請求項8記載の撮像処理システム。前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、前記蛍光媒体を表装するカバーガラス基板と、前記配線層の下部に設けられる配線側ガラス基板と、をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する請求項8記載の撮像処理システム。しかし、従来のフラットパネル型X線画像センサに使用されるX線撮像パネルは、X線変換膜を成膜する上での制約が大きく、所望の結晶構造の膜を、ある一定の大きさの面積に対して、結晶欠陥を生じることなく形成することが困難であった。このため、従来のX線撮像パネルは、無欠陥の状態で大面積化することが困難であるといった問題があった。本技術はこのような点に鑑みてなされたものであり、大面積化を可能にした撮像パネルを提供することを目的とする。また、本技術の他の目的は、大面積化を可能にした撮像パネルを有する撮像処理システムを提供することである。上記課題を解決するために、撮像パネルが提供される。撮像パネルは、受光部と、配線層とを備える。受光部は、受光素子とレシーバを備える。受光素子は、受光した光を電流信号に変換する。レシーバは、電流信号を電圧信号に変換する。また、受光部は、受光素子とレシーバとが一体成型されて、半田バンプが形成されている。配線層は、受光部と接続する配線パターンが敷設され、受光部が画素単位に半田バンプにより実装される。また、撮像処理システムが提供される。撮像処理システムは、撮像パネルと、画像処理部とを備える。撮像パネルは、受光部と配線層を含む。受光部は、受光した光を電流信号に変換する受光素子および電流信号を電圧信号に変換するレシーバを含み、受光素子とレシーバとが一体成型されて、半田バンプが形成されている。配線層は、受光部と接続する配線パターンが敷設され、受光部が画素単位に半田バンプにより実装される。画像処理部は、A/D部、信号処理部および表示制御部を備える。A/D部は、電圧信号をディジタル信号に変換する。信号処理部は、ディジタル信号を信号処理する。表示制御部は、信号処理後の画像情報の表示制御を行う。パネルの大面積化が可能になる。以下、実施の形態を図面を参照して説明する。図1は撮像パネルの構成例を示す図である。撮像パネル1は、受光部10と、配線層20とを備え、例えば、X線の撮像を行うパネルである。なお、撮像パネル1は、X線パネルに限定されず、一般的なイメージングパネルも含まれる。受光部10は、受光素子11-1例えば、フォトダイオードと、レシーバ11-2とを備え、受光素子11-1とレシーバ11-2とが、1画素単位に樹脂で一体成型されている微小な受光チップである例えば、1辺が200μm以下の四角形チップ。また、受光部10には、突起状の半田端子である半田バンプ12が形成されている。受光素子11-1は、受光した光を電流信号に変換する。レシーバ11-2は、I/V変換機能を有し、電流信号を電圧信号に変換する。配線層20は、受光部10と外部処理部例えば、A/D部などと接続する配線パターンが敷設されており、受光部10が画素単位に半田バンプ12により実装される。配線層20には、例えば、フレキシブル基板が適用される。このように、撮像パネル1では、光を電流信号に変換する受光素子11-1と、電流信号を電圧信号に変換するレシーバ11-2とが一体成型されて半田バンプ12が形成された受光部10のチップを、配線層20に画素単位に配列して、半田バンプ12によりFC実装flipchipbondingする構成とした。なお、FC実装とは、チップ表面と基板を電気的に接続する際、ワイヤボンディングのようにワイヤによって接続するのではなく、アレイ状に並んだ半田バンプによって接続する実装のことである。上記のような構成により、撮像パネル1は、パネルの大面積化が可能になり、かつ安価に製造することが可能である。なお、撮像パネル1の詳細な構成については、図8以降で後述する。次に本技術の撮像パネル1を説明する前に、一般的なフラットパネル型X線画像センサ以下、FPDFlatPanelDisplayと呼ぶに用いられているX線撮像パネルの構成および課題について説明する。図2~図4は直接変換型FPDのX線撮像パネルを説明するための図である。図2は、直接変換型FPDのX線撮像パネル100の構成を示している。X線撮像パネル100は、X線変換部110と、TFTThinFilmTransistorアレイ120とを備える。X線変換部110は、バイアス電極111と、アモルファスセレン半導体a-Seなどの半導体結晶で形成されたX線変換層112とを含む。TFTアレイ120は、X線変換部110の下部層に位置しており、画像情報を含むデータが流れるラインであるデータ線と、TFTを駆動するための駆動信号が流れるラインであるゲート線とによって、画素領域がマトリクス状に分割されている。X線撮像パネル100は、上記のように、バイアス電極111と、X線変換層112と、TFTアレイ120とが積層されたパネル構造となっている。図3は、X線撮像パネル100の直接変換の動作を示している。X線発生器から放射されたX線は、人体等の被検体を透過または反射した後、X線変換層112に入射する。X線変換層112では、入射されたX線量に応じた電荷正孔と電子の対が励起される。この場合、バイアス電極111は、正電位が与えられているため、負の電荷を持つ電子eは、バイアス電極111側へ向かい、正の電荷を持つ正孔hは、TFTアレイ120上に位置している画素電極121側に移動する。そして、画素電極121側に移動した正孔hは、蓄積容量を充電する画素電極121は、検出電流を蓄える蓄積容量となっている。図4は、TFTアレイ120の1画素に対応する構成を示している。画像表示領域をマトリクス状に形成している1つの画素領域には、画素電極121と、画素電極121をスイッチング制御するためのTFT122とが設けられている。TFT122のドレインは、画素電極121と接続している。また、TFT122のソースは、データ線と接続し、TFT122のゲートは、ゲート線と接続している。X線撮影終了後に、複数のゲート線に対して、順に駆動信号を送信すると、駆動信号が印加されたTFT122のスイッチが閉じて、画素電極121の蓄積容量に溜まった検出電流が、データ線から流れて取り出されることになる。その後、画像データを後段処理部でA/D変換して、コンピュータに取り込むことにより、画像が表示される。次に間接変換型FPDのX線撮像パネルについて説明する。図5~図7は間接変換型FPDのX線撮像パネルを説明するための図である。図5は、間接変換型FPDのX線撮像パネル200の構成を示している。X線撮像パネル200は、X線変換部210と、TFTアレイ220とを備える。X線変換部210は、蛍光媒体であるシンチレータScintillator211と、フォトダイオードアレイ212とを含む。TFTアレイ220は、X線変換部210の下部層に位置しており、画像情報を含むデータが流れるラインであるデータ線と、TFTを駆動するための駆動信号が流れるラインであるゲート線とによって、画素領域がマトリクス状に分割されている。X線撮像パネル200は、上記のような、シンチレータ211と、フォトダイオードアレイ212と、TFTアレイ220とが積層されたパネル構造となっている。図6は、X線撮像パネル200の間接変換の動作を示している。X線発生器から放射されたX線は、人体等の被検体を透過または反射した後、シンチレータ211に入射する。シンチレータ211は、入射X線を光信号そのX線強度に応じた光出力、波長としては例えば緑色光に変換する。その後、フォトダイオードアレイ212は、光信号の強弱を電荷の大小を表す電気信号に変換する。TFTアレイ220上に位置している画素電極221は、電気信号を受信して蓄積容量を充電する。図7は、TFTアレイ220の1画素に対応する構成を示している。画像表示領域をマトリクス状に形成している1つの画素領域には、画素電極221と、画素電極221をスイッチング制御するためのTFT222とが設けられている。なお、図では、画素電極221の上面に、1画素分のフォトダイオード212aが位置している様子が示されている。TFT222のドレインは、画素電極221と接続している。また、TFT222のソースは、データ線と接続し、TFT222のゲートは、ゲート線と接続している。X線撮影終了後に、複数のゲート線に対して、順に駆動信号を送信すると、駆動信号が印加されたTFT222のスイッチが閉じて、画素電極221の蓄積容量に溜まった検出電流が、データ線から流れて取り出されることになる。その後、画像データを後段処理部でA/D変換して、コンピュータに取り込むことにより、画像が表示される。ここで、上記のような直接変換型または間接変換型のX線撮像パネル100、200では、TFTアレイがガラス基板の上に整形された後に、その回路の上に真空プロセスで膜を高温蒸着させて製造する。このため、下地の影響や成膜温度等に制約が大きく、所望の結晶構造の膜を、ある一定の大きさの面積に対して、結晶欠陥を生じることなく形成することは困難であり、さらに大規模で高価な製造装置が必要であった。このように、従来のX線撮像パネルは、無欠陥の状態で大面積化することが非常に困難であり、現状量産されているものでは最大でも、パネル1辺が約400mm程度である。また、製造する上でも高コストを要していた。さらに、上記の直接変換型または間接変換型のX線撮像パネル100、200のいずれに対しても、X線変換部からTFTアレイまでに達する信号が、電荷伝搬で行われており、かつTFTの配線容量特にデータ線の配線容量が大きいために、ノイズが載りやすいといった問題があった。本技術はこのような点に鑑みてなされたものであり、大面積化を可能にし、ノイズの抑制を図り、製造コストを低減させた撮像パネルおよび撮像処理システムを提供するものである。次に本技術の撮像パネル1について詳しく説明する。まず、受光部10の構成について説明する。図8は1画素分の受光部が配線層に実装している状態を示す図である。受光部10aは、1画素単位に樹脂成型された微小受光チップであり、配線層20との実装面に半田バンプ12が形成されている。また、受光部10aは、図1で示した受光素子11-1とレシーバ11-2とが1チップ化された受光ICIntegratedCircuit11を有している図8では、受光素子11-1とレシーバ11-2の図示は省略している。さらに、受光部10aには、受光IC11の他に、遮光膜13a、配線パターン14a-1、ビアホール14a-2、UBMUnderBumpMetallization15a-1、15a-2および半田バンプ16aが内装されている。遮光膜13aは、受光IC11の受光面p以外の表層面を遮光している。受光IC11は、半田バンプ16aにより半田実装されて、半田バンプ16aおよびUBM15a-1を介して、配線パターン14a-1と接続している。なお、UBMは、半田の拡散を防止して、半田との良好な接合を確保するための半田バンプの下地となる金属層である例えば、ニッケルなど。また、配線パターン14a-1は、ビアホール14a-2の一端と接続し、ビアホール14a-2の他端はそれぞれ、UBM15a-2と接続している。なお、ビアホール14a-2は、例えば、ビアフィルめっきによって導電性金属が充填されているなお、導通が取れればスパッタ配線でも可能。そして、受光部10aは、半田バンプ12を通じて、配線層20に実装されているUBM21-1に対してFC実装されている。配線層20は、半田箇所にUBM21-1が設けられており、表面に渡って例えば、遮光膜22が設けられているなお、配線は遮光されていなくても良い可能性がある。また、配線層20は、多層配線層であって、配線層20内部には、上下の層に渡って配線が敷設されている。上層には配線パターン23-1が敷設され、下層には配線パターン23-2が敷設されている。遮光膜22を備えることにより、反射光等の入射を遮ることができる。ここで、受光部10aの受光面pにX線反応光が入射すると、受光IC11内の受光素子は、X線反応光を電流信号に変換し、受光IC11内のレシーバは、電流信号を電圧信号に変換する。そして、受光部10a内で生じた電圧信号は、配線層20の配線パターン23-1、23-2の少なくとも一方を通じて、後段処理部へ伝送される。図9は受光部を上面から見た図である。受光部10aは、例えば、一辺が200μm以下の四角形の微小チップである。また、受光面pは、例えば、直径が100μm以下の円形状となっている。図10は受光部を裏面から見た図である。受光部10aの裏面には、例えば、半田バンプ12が12個形成されている。半田バンプ12の1つの直径は例えば、15μm以下である。また、受光IC11は、例えば、一辺が150μm以下の四角形の微小チップである。なお、受光部10aの厚さは半田バンプ12は除く、例えば、60μm以下である。なお、上記に示した各数値は一例である。次に受光部の変形例について説明する。図11は1画素分の受光部が配線層に実装している状態を示す図である。受光部10bは、1画素単位に樹脂成型された微小受光チップであり、配線層20との実装面に半田バンプ12が形成されている。また、図に明記していないが、受光素子の受光部以外の部分、ICにX線反応光が当たらないよう、適切な部分に遮光膜が形成されている。また、変形例である受光部10bは、2層化構造を有している。受光素子11-1は、光が入射される受光部上面側の第1層s1に配置され、第1層s1の下部の第2層s2にレシーバ11-2が配置されている。さらに、受光部10bには、受光素子11-1およびレシーバ11-2の他に、配線パターン14b-1、14b-2、ビアホール14b-3、UBM15b-1~15b-3および半田バンプ16b-1、16b-2が内装されている。受光素子11-1は、半田バンプ16b-1により半田実装されて、半田バンプ16b-1およびUBM15b-1を介して、配線パターン14b-1と接続している。また、レシーバ11-2は、半田バンプ16b-2により半田実装されて、半田バンプ16b-2およびUBM15b-2を介して、配線パターン14b-2と接続している。配線パターン14b-1と配線パターン14b-2は互いに接続し、配線パターン14b-2は、さらにビアホール14b-3の一端と接続している。ビアホール14b-3の他端はそれぞれ、UBM15b-3と接続している。なお、ビアホール14b-3は、例えば、ビアフィルめっきによって導電性金属が充填されている。そして、受光部10bは、半田バンプ12を通じて、配線層20に実装されているUBM21-1に対してFC実装されている。配線層20は、半田箇所にUBM21-1が設けられており、例えば、表面に渡って遮光膜22が設けられている。また、配線層20内部には、上下の層に渡って配線が敷設されており、上層には配線パターン23-1が敷設され、下層には配線パターン23-2が敷設されている。ここで、受光部10bの受光面pにX線反応光が入射すると、受光素子11-1は、X線反応光を電流信号に変換し、レシーバ11-2は、電流信号を電圧信号に変換する。受光部10b内で生じた電圧信号は、配線層20の配線パターン23-1、23-2の少なくとも一方を通じて、後段の処理部へ伝送される。このように、受光部10bでは、上記のように2層化構造を有し、受光素子11-1は、光が入射される第1層s1に配置し、第1層s1の下部の第2層s2にレシーバ11-2を配置して、受光素子11-1とレシーバ11-2とを一体成型する構成とした。これにより、光が入射する第1層s1のみに受光素子11-1を配置するので、1つのチップ上の受光面積を大きくとることができ、受光効率を向上させることが可能になる。また、2層構造にすることで、1つの受光部を狭ピッチ化することができるので、より、単一パネル面積当たりに実装できる受光部の数を増加させることが可能となり、撮像パネルとしての分解能を向上させることが可能になる。なお、図12に受光部10aの実装ピッチを示す。例えば、受光部10aを配線層20にFC実装する際の実装ピッチdは、420μm以下である。次に撮像パネル1の構成について説明する。図13は撮像パネルの構成例を示す図である。第1の実施の形態の撮像パネル1-1は、複数の受光部10図では受光部10-1~10-9および配線層20を有し、さらにシンチレータ31、カバーガラス基板32および配線側ガラス基板33を備えている。配線層20に対して、受光部10-1~10-9がFC実装されている。また、シンチレータ31が、配線層20上に配列している受光部10の受光面を一括して覆うように設けられている。なお、シンチレータ31は、入射した放射線例えば、X線を光に変換して出射する蛍光媒体である。カバーガラス基板32は、シンチレータ31の上面に設けられており、シンチレータ31を表装して保護している。さらに、配線層20の下部には、配線層20が実装される配線側ガラス基板33が設けられている。また、受光部10-1~10-9が配列している、シンチレータ31と配線層20との間の空間は、微負圧にし、この状態で樹脂などの封止壁3aを用いて、シンチレータ31と配線層20との間の空間を封止している。なお、カバーガラス基板32および配線側ガラス基板33の厚みは共に、例えば、0.7mmである。上記のように、撮像パネル1-1では、受光部10の受光面を一括して覆うシンチレータ31と、シンチレータ31を表装するカバーガラス基板32と、配線層20の下部に設けられる配線側ガラス基板33とを備えて、シンチレータ31と配線層20との間の受光部10の配列空間を封止する構成とした。なお、上記では、シンチレータ膜をカバーガラス裏面全面に形成する構造としたが、各々の受光部上面のみに形成する構造でもよい。または、受光部全体を覆うようにポッティング形成した構造でもよい。従来の撮像パネルでは、TFTアレイがガラス基板の上に整形された後に、その回路の上に真空プロセスでX線変換膜を高温蒸着させて製造していた。このため、下地の影響や成膜温度等に制約が大きく、所望の結晶構造の膜を、ある一定の大きさの面積に対して、結晶欠陥を生じることなく形成することは困難であり、また、パネルリペアに制限があったため、大規模で高価な製造装置が必要であった。これに対し、撮像パネル1-1は、従来の撮像パネルの製造とは全く異なるものであり、受光素子11-1と、レシーバ11-2とが一体成型されて半田バンプ12が形成された受光部10のチップを、配線層20に画素単位に配列して半田バンプ12によりFC実装して製造するものである。このように、従来のような蒸着膜製造ではないので、大面積化することが容易である。また、FC実装により製造するので、大規模で高価な製造装置が不要であり、大面積の撮像パネルを安価に製造量産することが可能になる。さらに、従来の撮像パネルでは、直接変換型または間接変換型のいずれに対しても、X線変換部からTFTアレイまでに達する信号が、電荷伝搬で行われ、かつTFTの配線容量が大きいために、ノイズが載りやすく、S/Nの劣化が顕著であった。これに対し、撮像パネル1-1では、X線を光に変換後、光を電流信号に変換し、さらにI/V変換を行って電圧信号にして、配線層20へ伝送している。このように、電荷による伝搬ではなく電圧伝搬を行っており、かつTFTを不要としているので、従来問題であったノイズの影響を格段に低減させることができ、S/Nを向上させることが可能になる。図14は撮像パネルの構成例を示す図である。第2の実施の形態の撮像パネル1-2は、複数の受光部10図では受光部10-1~10-9および配線層20を有し、さらにシンチレータ41、PETPolyethyleneTerephthalate基板42および耐熱性樹脂基板43を備えている。なお、PET基板42および耐熱性樹脂基板43は共にフレキシブル性を有しており、PET基板42は、第1のフレキシブル基板に該当し、耐熱性樹脂基板43は、第2のフレキシブル基板に該当する。配線層20に対して、受光部10-1~10-9がFC実装されている。また、シンチレータ41が、配線層20上に配列している受光部10の受光面を一括して覆うように設けられている。PET基板42は、シンチレータ41の上面に設けられており、シンチレータ41を表装して保護している。さらに、配線層20の下部には、配線層20が実装される耐熱性樹脂基板43が設けられている。また、受光部10-1~10-9が配列している、シンチレータ41と配線層20との間の空間は、微負圧にし、この状態で樹脂などの封止壁4aを用いて、シンチレータ41と配線層20との間の空間を封止している。なお、PET基板42の厚みは、例えば、1.0mmであり、耐熱性樹脂基板43の厚みは、例えば、0.5mmである。上記のように、撮像パネル1-2では、受光部10の受光面を一括して覆うシンチレータ41と、シンチレータ41を表装するPET基板42と、配線層20の下部に設けられる耐熱性樹脂基板43とを備えて、シンチレータ41と配線層20との間の受光部10の配列空間を封止する構成とした。これにより、第1の実施の形態と同様に、従来のような蒸着膜製造ではないので、大面積化することが容易である。また、FC実装により製造することができるので、大規模で高価な製造装置が不要であるため、大面積の撮像パネルを安価に製造することが可能になる。また、撮像パネル1-2でも上記と同様に、電荷による伝搬を行わず、かつTFTを不要としているので、従来問題であったノイズの影響を格段に低減させることが可能になる。さらに、撮像パネル1-2は、フレキシブル性のあるPET基板42および耐熱性樹脂基板43で、配線層20に配列された受光部10を挟む構成としているので、パネル自体が湾曲可能という特徴を有している。ここで、X線は、通常、X線発生器の点光源から発出される。また、従来の撮像パネルは、高温蒸着製造によるものであるため、平面ガラス板湾曲不可が使用されている。従来の撮像パネルは、湾曲できない平面である。このため、X線点光源から最短距離でX線が照射される中心位置から照射位置が離れるにつれて、撮像パネルの照射面に到達するまでのX線の距離は長くなることになる。したがって、大きな面積での撮像を行うような場合、X線点光源から最短距離でX線が照射される中心位置およびその近傍は、正確な画像情報が得られるが、該中心位置およびその近傍から照射位置が離れるにつれて、画像がぼやけることになる。このため、従来の撮像パネルは、大きな面積での撮像を行いたい場合は、複数の異なる箇所をそれぞれ撮像し、複数の撮像画面のつなぎ目を画像処理でつなげて、1枚の画面を生成していた。これに対し、撮像パネル1-2は、湾曲が可能である。したがって、X線点光源に対して、X線点光源から撮像パネル1-2の照射面までのX線の到達距離をすべて等しくなるように湾曲させることができる。これにより、大きな面積での撮像を行いたい場合であっても、従来のような、複数箇所をそれぞれ撮像して、複数の撮像画面をつなぎ合わせるといった作業を行うことが不要であり、1回の撮像で正確な画像情報を得ることが可能になる。図15は撮像パネルの構成例を示す図である。第3の実施の形態の撮像パネル1-3は、複数の受光部10図では受光部10-1~10-9および配線層20を有し、さらにシンチレータ41、PET基板42および耐熱性樹脂基板43を備えている。撮像パネル1-3は、基本的な構成は、第2の実施の形態の撮像パネル1-2と同じである。異なるところは、受光部10-1~10-9の配線層20へのFC実装後に、受光部10-1~10-9毎に、例えば、高速ディスペンサを用いて、透明樹脂44-1~44-9で受光部10-1~10-9をポッティング加工樹脂盛り加工した後に封止している点である。透明樹脂44-1~44-9で受光部10-1~10-9をポッティング加工することにより、透明樹脂10-1~10-9にレンズ効果を持たせている。図16は透明樹脂のレンズ効果を示す図である。受光部10を透明樹脂44でポッティング加工する。すると、透明樹脂44がレンズ効果を持ち、シンチレータ41から出射された光を屈折させ、屈折光を受光部10の受光面pに光を集光させることができる。これにより、撮像パネル1-3は、第2の実施の形態の撮像パネル1-2の効果に加えて、さらに受光効率を向上させることが可能になる。また、透明樹脂の表面や、透明樹脂そのものにシンチレータの機能をもたせた構造でもよい。この場合、X線反応光が、周囲の受光部に届きにくくなるため、分解能が向上させることが可能となる。図17は撮像パネルの構成例を示す図である。第4の実施の形態の撮像パネル1-4は、複数の受光部10図では受光部10-1~10-9および配線層20を有し、さらにシンチレータ41、PET基板42および耐熱性樹脂基板43を備えている。撮像パネル1-4は、基本的な構成は、第2の実施の形態の撮像パネル1-2と同じである。異なるところは、受光部10-1~10-9それぞれに対して、受光面に光を集光させるレンズ部45-1~45-9をさらに備えている点である。レンズ部45-1~45-9は、ガラスまたはプラスチック等で形成されたレンズに半田バンプ45aが形成されたレンズチップであり、受光部10-1~10-9にかぶさるようにそれぞれ、配線層20上にFC実装されている。レンズ部45-1~45-9は、シンチレータ41から出射された光を、受光部10-1~10-9の受光面それぞれに対して集光させる。これにより、撮像パネル1-4は、第2の実施の形態の撮像パネル1-2の効果に加えて、さらに受光効率を向上させることが可能になる。なお、上記の構成では、レンズ部45-1~45-9の中心光軸と、受光部10-1~10-9の受光面の中心とを一致させることが重要である。この場合、レンズ部45-1~45-9は、配線層20に半田バンプ45aを介して半田実装されているため、半田のセルフアライメントSelfAlignment効果により、位置が自動的に補正される。なお、セルフアライメント効果とは、半田の表面張力で部品が動いて、例えば、ランドの中心付近に部品が自動的に移動される現象のことをいう。したがって、半田のセルフアライメント効果が働くことにより、リフロー炉を通すだけで、例えば、±1μm以下の誤差で、レンズ部45-1~45-9の中心光軸と、受光部10-1~10-9の受光面の中心とを一致させることができ、位置を自動的に補正することができる。図18は撮像パネルの構成例を示す図である。第5の実施の形態の撮像パネル1-5は、複数の受光部10図では受光部10-1~10-9および配線層20を有し、さらにシンチレータ41、PET基板42、50および耐熱性樹脂基板43を備えている。配線層20に対して、受光部10-1~10-9がFC実装されている。また、シンチレータ41が、配線層20上に配列している受光部10-1~10-9の受光面を一括して覆うように設けられている。PET基板42は、シンチレータ41の上面に設けられており、シンチレータ41を表装して保護している。さらに、シンチレータ41の下面には、PET基板50が設けられている。PET基板50は、受光部10-1~10-9の受光面に向けて、受光部10-1~10-9毎に凹凸の形状となっており、突起部51-1~51-9が形成されている。図19にPET基板50の凹凸形状部分を上から見た構成を示す。PET基板50には、突起部51と窪み部52が形成されている。一方、図18において、突起部51-1~51-9は、シンチレータ41から出射された光を全反射させて、全反射光を受光部10-1~10-9の受光面上に光を集光させるように、先端部が受光面上に位置している。また、2つの突起部の間に形成される窪み部分窪み部52-1~52-8と、配線層20との間には、大径の半田バンプ53-1~53-8が形成され、半田バンプ53-1~53-8を通じて、配線層20上にPET基板50が実装されている。なお、上記の構成では、突起部51-1~51-9の先端部と、受光部10-1~10-9の受光面との位置決めが重要となる。この場合、窪み部52-1~52-8と、配線層20との間には、半田バンプ53-1~53-8が形成されているので、上述と同様の半田のセルフアライメント効果により、位置が自動的に補正される。すなわち、半田のセルフアライメント効果が働くことにより、リフロー炉を通すだけで、突起部51-1~51-9の先端部と、受光部10-1~10-9の受光面の中心とを一致させることができ、位置を自動的に補正することができる。次に受光素子の形状について説明する。図20は受光素子の受光面を示す図である。受光部10-1aは、受光面が円形の受光素子11-1aを有している。受光部10-1aのチップサイズは例えば、200×200μm以下であり、受光面の直径は例えば、180μm以下である。受光素子11-1aのアノードおよびカソードは、配線パターンL1、L2に接続されている。また、転写製造時に受光素子11-1aが水平に実装されるように、ダミーバンプB1、B2が設けられている。すなわち、受光素子11-1aは、アノード、カソードに形成されたバンプと、ダミーバンプB1、B2の4つのバンプにより、水平に実装されることになる。なお、2点支持では、平坦性を維持しにくいので、ダミーパターンを設けて平坦性を確保している。図21は受光素子の受光面を示す図である。受光部10-2aは、2つの受光素子11-1b、11-1cを有した2ch構造となっている。受光部10-2aのチップサイズは例えば、200×200μm以下である。1chの受光素子11-1bのアノードおよびカソードは、配線パターンL3、L4に接続されている。また、2chの受光素子11-1cのアノードおよびカソードは、配線パターンL5、L6に接続されている。2ch構造にすることにより、冗長性を持たすことができ、さらに互いのチャネルの切替より精度の高い方への切替を行うことも可能になる。図22は受光素子の受光面を示す図である。受光部10-3aは、4つの受光素子11-1d、11-1e、11-1f、11-1gを有して4ch構造となっている。受光部10-3aのチップサイズは例えば、200×200μm以下である。4ch構造にすることにより、冗長性を持たすことができ、さらに互いのチャネルの切替より精度の高い方への切替を行うことも可能になる。1chの受光素子11-1dのアノードは、配線パターンL7に接続され、2chの受光素子11-1eのアノードは、配線パターンL8に接続されている。また、3chの受光素子11-1fのアノードは、配線パターンL9に接続され、4chの受光素子11-1gのアノードは、配線パターンL10に接続されている。また、受光素子11-1d、11-1e、11-1f、11-1gのそれぞれのカソードは、裏面接続で配線パターンに接続されている。なお、図20~図22で上述したような、受光素子のチップ化は、ドライエッチングプロセスにて行う。よって、受光素子のチップ形状は、上記のような円形や四角形に限定されることなく、自由に設計することができる。次に撮像パネル1を有する撮像処理システムについて説明する。図23は撮像処理システムの構成例を示す図である。撮像処理システム8は、撮像パネル1、インタフェース部80aおよび画像処理部80を備えるインタフェース部80aは、画像処理部80に含まれる構成としてもよい。画像処理部80は、A/D部81、信号処理部82および表示制御部83を備える。撮像パネル1は、受光部10と配線層20を備える。受光部10は、受光した光を電流信号に変換する受光素子および電流信号を電圧信号に変換するレシーバを含み、受光素子とレシーバとが一体成型されて、半田バンプが形成される。配線層20は、受光部10と接続する配線パターンが敷設され、受光部10が画素単位に半田バンプにより実装される。インタフェース部80aは、例えば、フレキシブル基板等で構成され、配線層20から伝送された電圧信号を受信して、配線層20と画像処理部80とのインタフェース処理を行う。A/D部81は、電圧信号をディジタル信号に変換する。信号処理部82は、ディジタル信号を信号処理する。表示制御部83は、信号処理後の画像情報の表示制御を行う。画像処理部80は、例えば、パソコン等のコンピュータ端末に該当する。次に撮像パネル1の製造フローについて説明する。図24~図33は撮像パネル1の製造フローを示す図である。S1剥離層301を表面に有する支持基板300を用意する。S2剥離層301の表面に、絶縁層61aを形成し、絶縁層61a上に配線パターン14-1を敷設する。また、配線パターン14-1上に絶縁層61bを形成する。このとき、絶縁層61bの配線パターン14-1の直上にビアv1を形成しておく。S3ビアv1にUBM15-1を形成する。また、UBM15-1に錫Sn電解めっきを施した後、半田バンプ16-1を形成する。S4UBM15-2が形成された受光素子11-1を転写する。S5リフローを行って半田バンプ16-1を溶融させて受光素子11-1を固着する。なお、Snめっきは、UBM15-1上ではなく、予め受光素子11-1側に形成された構造でもよい。S6固着した受光素子11-1に対して樹脂埋めを行い、絶縁層61cを形成する。S7レーザを樹脂に照射して或いは一般的なドライエッチングプロセスにより2つ必要数のビアホールv2を空ける。S8例えば、ビアフィルめっきにより、ビアホールv2内を銅めっきによって充填する。そして、配線パターン14-2を形成し、配線パターン14-2とビアホールv2を接続する。S9絶縁層61dを形成し、配線パターン14-2の直上に必要数のビアv3を形成する。S10ビアv3にUBM15-3を形成する。また、UBM15-3にSn電解めっきを施した後、半田バンプ16-2を形成する。S11半田バンプ16-2の上にUBM15-4を形成し、レシーバ11-2を転写する。S12リフローを行って半田バンプ16-2を溶融させてレシーバ11-2を固着する。なお、Snめっきは、UBM15-3上ではなく、予めレシーバ11-2側に形成された構造でもよい。S13固着したレシーバ11-2に対して樹脂埋めを行い、絶縁層61eを形成する。S14レーザを樹脂に照射して或いは一般的なドライエッチングプロセスにより2つ必要数のビアホールv4を空ける。S15例えば、ビアフィルめっきにより、ビアホールv4内を銅めっきによって充填する。そして、配線パターン14-3を形成し、配線パターン14-3とビアホールv4を接続する。S16絶縁層61fを形成し、配線パターン14-3の直上にビアv5を形成する。S17ビアv5にUBM15-5を形成する。また、UBM15-5にSn電解めっきなどにより半田12aを形成する。S18リフローを行って半田バンプ12を形成する。S19レーザ或いはドライエッチングなどにより樹脂分離を行い、1画素単位の1チップが形成される。S20配線層20が実装されているメインパネルMの所定位置に対して、受光部10のレーザプロキシ転写を行う。S21受光部10は、支持基板300から分離され、メインパネルMに転写される。その後、リフローを行って、半田バンプ12を溶融させて受光部10を配線層20に固着させる。なお、所定の位置からわずかにずれた状態で転写される場合であっても、リフローなどを行うことにより、上述した半田のセルフアライメント効果により位置が自動補正される。以上説明したように、本技術の撮像パネル1および撮像処理システム8によれば、転写により受光部10をパネルに配列してパネルを生成するので、パネルの大面積化が可能になる。また、フレキシブル基板へ転写して製造するので、湾曲できる撮像パネルが実現可能になる。さらに、FC実装により受光部10を配列するため、受光部10に障害が発生した場合でも、該当受光部に対して個別に、半田リペアなどにより適宜取り替え交換を容易に行うことができ、無欠陥化が可能になる。さらにまた、受光部10内でI/V変換を行って、電圧伝搬で画像情報を伝送するので、信号伝搬系がノイズに強くなる。さらに、レンズや全反射ミラーによる集光構造を受光部10の受光面側に設けることにより、受光効率を向上させて、X線から出力信号への変換効率を向上させることが可能になる。なお、撮像パネル1では、受光部毎に、赤、緑、青、などのカラーフィルターを個々に繰り返し形成し、カラー撮像パネルの機能を持たせることも可能である。なお、本技術は以下のような構成も採ることができる。1受光した光を電流信号に変換する受光素子と、前記電流信号を電圧信号に変換するレシーバと、を備えて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型されて、半田バンプが形成されている受光部と、前記受光部と接続する配線パターンが敷設され、前記受光部が画素単位に前記半田バンプにより実装される配線層と、を有する撮像パネル。2前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、前記蛍光媒体を表装する第1のフレキシブル基板と、前記配線層の下部に設けられる第2のフレキシブル基板と、をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する前記1記載の撮像パネル。3前記受光部は、2層化構造を有し、前記受光素子は、光が入射される第1層に配置され、前記第1層の下部の第2層に前記レシーバが配置されて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型される前記1または2記載の撮像パネル。4前記受光部は、前記配線層上に半田実装された後、前記受光部毎に透明樹脂でポッティング加工を施し、前記透明樹脂によって屈折した光を、前記受光部の受光面に光を集光させる前記1から3のいずれかに記載の撮像パネル。5前記受光部の受光面に光を集光させるレンズに半田バンプが形成されたレンズ部をさらに備え、前記レンズ部は、前記受光部毎に前記配線層上に半田実装される前記1から4のいずれかに記載の撮像パネル。6前記受光部側に突起部が形成され、前記受光部の受光面を一括して覆って、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体から出射された光を全反射させて、全反射光を前記受光部の受光面上に光を集光させるように、前記受光部の受光面に向けて前記受光部毎に前記突起部の先端が位置しているフレキシブル基板をさらに備え、前記フレキシブル基板上の隣接する前記突起部の間の窪み部分と、前記配線層との間には、半田バンプが実装される前記1から5のいずれかに記載の撮像パネル。7前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、前記蛍光媒体を表装するカバーガラス基板と、前記配線層の下部に設けられる配線側ガラス基板と、をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する前記1、3~6のいずれかに記載の撮像パネル。8受光した光を電流信号に変換する受光素子および前記電流信号を電圧信号に変換するレシーバを含み、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型されて、半田バンプが形成されている受光部と、前記受光部と接続する配線パターンが敷設され、前記受光部が画素単位に前記半田バンプにより実装される配線層と、を備える撮像パネルと、前記電圧信号をディジタル信号に変換するA/D部と、前記ディジタル信号を信号処理する信号処理部と、信号処理後の画像情報の表示制御を行う表示制御部とを備える画像処理部と、を有する撮像処理システム。9前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、前記蛍光媒体を表装する第1のフレキシブル基板と、前記配線層の下部に設けられる第2のフレキシブル基板と、をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する前記8記載の撮像処理システム。10前記受光部は、2層化構造を有し、前記受光素子は、光が入射される第1層に配置され、前記第1層の下部の第2層に前記レシーバが配置されて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型される前記8または9記載の撮像処理システム。11前記受光部は、前記配線層上に半田実装された後、前記受光部毎に透明樹脂でポッティング加工を施し、前記透明樹脂によって屈折した光を前記受光部の受光面に光を集光させる前記8~10のいずれかに記載の撮像処理システム。12前記受光部の受光面に光を集光させるレンズに半田バンプが形成されたレンズ部をさらに備え、前記レンズ部は、前記受光部毎に前記配線層上に半田実装される前記8~11のいずれかに記載の撮像処理システム。13前記受光部側に突起部が形成され、前記受光部の受光面を一括して覆って、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体から出射された光を全反射させて、全反射光を前記受光部の受光面上に光を集光させるように、前記受光部の受光面に向けて前記受光部毎に前記突起部の先端が位置しているフレキシブル基板をさらに備え、前記フレキシブル基板上の隣接する前記突起部の間の窪み部分と、前記配線層との間には、半田バンプが実装される前記8~12のいずれかに記載の撮像処理システム。14前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、前記蛍光媒体を表装するカバーガラス基板と、前記配線層の下部に設けられる配線側ガラス基板と、をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する前記8、10~13のいずれかに記載の撮像処理システム。なお、上述の実施の形態は、実施の形態の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を加えることができる。さらに、上述の実施の形態は、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではない。