フォーマット処理を実行する際、フォーマット処理の状態を示す内部状態情報をフォーマット処理するメモリから読み出し、前記メモリから読み出した前記内部状態情報に従い、前記メモリのフォーマット処理の状態を判定し、判定した該状態に適した処理を実行するフォーマット手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。前記フォーマット手段は、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、フォーマット処理が開始される前の状態である初期状態が示される場合、フォーマット処理が開始されてから完了までの状態である開始中状態に前記内部状態情報を設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、フォーマット処理が完了した状態である完了状態に前記内部状態情報を設定し、更に、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって前記開始中状態が示される場合、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする、請求項1に記載の半導体記憶装置。前記フォーマット手段は、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記完了状態が示される場合、前記内部状態情報を変更せず、フォーマット処理を実行することなく、フォーマット処理を完了することを特徴とする、請求項2に記載の半導体記憶装置。前記フォーマット手段は、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記初期状態、前記開始中状態及び前記完了状態のいずれもが示されない場合、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする、請求項2又は請求項3に記載の半導体記憶装置。半導体記憶装置のメモリをフォーマット処理する方法であって、半導体記憶装置が、フォーマット処理を開始する前に、フォーマット処理の状態を示す内部状態情報をフォーマット処理するメモリから読み出し、前記メモリから読み出した前記内部状態情報に従い、前記メモリのフォーマット処理の状態を判定するステップa、前記半導体記憶装置が、判定したフォーマット処理の状態に適した処理を実行するステップbを含むことを特徴とする、半導体記憶装置のフォーマット処理方法。前記ステップaにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、フォーマット処理が開始される前の状態である初期状態が示される場合、前記ステップbにおいて、前記半導体記憶装置は、フォーマット処理が開始されてから完了までの状態である開始中状態に前記内部状態情報を設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、フォーマット処理が完了した状態である完了状態に前記内部状態情報を設定し、前記ステップaにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって前記開始中状態が示される場合、前記ステップbにおいて、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする、請求項5に記載の半導体記憶装置のフォーマット処理方法。前記ステップaにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記完了状態が示される場合、前記ステップbにおいて、前記半導体記憶装置は、前記内部状態情報を変更せず、フォーマット処理を実行することなく、フォーマット処理を完了することを特徴とする、請求項6に記載の半導体記憶装置のフォーマット処理方法。前記ステップaにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記初期状態、前記開始中状態及び前記完了状態のいずれもが示されない場合、前記ステップbにおいて、前記半導体記憶装置は、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする、請求項6又は請求項7に記載の半導体記憶装置のフォーマット処理方法。そこで、フォーマット処理の状態を示す内部状態を半導体記憶装置から読み出し、該内部状態に応じた処理を実行する機能を有していない発行装置を使用する場合であっても、半導体記憶装置の内部状態に応じてフォーマット処理できる半導体記憶装置及び半導体記憶装置のフォーマット処理方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決する第1の発明の半導体記憶装置は、上記課題を解決するために、フォーマット処理を開始する前に、フォーマット処理の状態を示す内部状態情報をフォーマット処理するメモリから読み出し、前記メモリから読み出した前記内部状態情報に従い、前記メモリのフォーマット処理の状態を判定し、判定した該状態に適した処理を実行するフォーマット手段を備えることを特徴とする。更に、第2の発明は、第1の発明に記載の半導体記憶装置であって、フォーマット処理が開始される前の状態、及び、フォーマット処理が開始された状態の半導体記憶装置であっても良品に変更できるように、前記フォーマット手段は、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、フォーマット処理が開始される前の状態である初期状態が示される場合、フォーマット処理が開始されてから完了までの状態である開始中状態に前記内部状態情報を設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、フォーマット処理が完了した状態である完了状態に前記内部状態情報を設定し、更に、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって前記開始中状態が示される場合、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする。更に、第3の発明は、第2の発明に記載の半導体記憶装置であって、フォーマット処理が完了した状態の半導体記憶装置であっても良品に変更できるように、前記フォーマット手段は、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記完了状態が示される場合、前記内部状態情報を変更せず、フォーマット処理を実行することなく、フォーマット処理を完了することを特徴とする。更に、第4の発明は、第2の発明又は第3の発明に記載の半導体記憶装置であって、内部状態が不明な半導体記憶装置であっても良品に変更できるように、前記フォーマット手段は、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記初期状態、前記開始中状態及び前記完了状態のいずれもが示されない場合、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする。上述した課題を解決する第5の発明に係る半導体記憶装置のフォーマット処理方法は、上記課題を解決するために、半導体記憶装置のメモリをフォーマット処理する方法であって、半導体記憶装置が、フォーマット処理を開始する前に、フォーマット処理の状態を示す内部状態情報をフォーマット処理するメモリから読み出し、前記メモリから読み出した前記内部状態情報に従い、前記メモリのフォーマット処理の状態を判定するステップa、前記半導体記憶装置が、判定したフォーマット処理の状態に適した処理を実行するステップbを含むことを特徴とする。更に、第6の発明は、第5の発明に記載の半導体記憶装置のフォーマット処理方法であって、フォーマット処理が開始される前の状態、及び、フォーマット処理が開始された状態の半導体記憶装置であっても良品に変更できるように、前記ステップaにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、フォーマット処理が開始される前の状態である初期状態が示される場合、前記ステップbにおいて、前記半導体記憶装置は、フォーマット処理が開始されてから完了までの状態である開始中状態に前記内部状態情報を設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、フォーマット処理が完了した状態である完了状態に前記内部状態情報を設定し、前記ステップaにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって前記開始中状態が示される場合、前記ステップbにおいて、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする。更に、第7の発明は、第6の発明に記載の半導体記憶装置のフォーマット処理方法であって、フォーマット処理が完了した状態の半導体記憶装置であっても良品に変更できるように、前記ステップaにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記完了状態が示される場合、前記ステップbにおいて、前記半導体記憶装置は、前記内部状態情報を変更せず、フォーマット処理を実行することなく、フォーマット処理を完了することを特徴とする。更に、第8の発明は、第6の発明又は第7の発明に記載の半導体記憶装置のフォーマット処理方法であって、前記ステップaにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記初期状態、前記開始中状態及び前記完了状態のいずれもが示されない場合、前記ステップbにおいて、前記半導体記憶装置は、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする。このように、本発明によれば、フォーマット処理の状態を示す内部状態を半導体記憶装置から読み出し、該内部状態に応じた処理を実行する機能を有していない発行装置を使用する場合であっても、半導体記憶装置の内部状態に応じてフォーマット処理できる半導体記憶装置及び半導体記憶装置のフォーマット処理方法を提供できる。ここから、本発明の実施形態について、本発明の技術分野に係わる当業者が、発明の内容を理解し、発明を実施できる程度に説明する。なお、これから説明する実施形態は本発明の一実施形態にしか過ぎず、本発明は、これから説明する実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能である。図1は、本実施形態に係る半導体記憶装置1のブロック図である。本発明において、半導体記憶装置1とは、例えば、接触型/非接触型のICカード、携帯電話/スマートフォンに実装されるUSIMカードUSIMuseridentitymoduleのように、メモリ、CPU、及びそれらを動作させるためのプログラムを搭載した製品を意味し、半導体記憶装置1には、半導体記憶装置1を制御するCPU1aCentralProcessingUnitと、フォーマット処理する電気的に書き換え可能な不揮発性のメモリ1bと、CPU1aを動作させるためのコンピュータプログラムが記憶されるROM1d、該コンピュータプログラムが利用する揮発性メモリであるRAM1c、外部装置とデータ通信するためのI/Oポート1eなどが実装され、本実施形態において、I/Oポート1eには、外部装置から受信した命令を格納する受信バッファが少なくとも設けられている。図2は、半導体記憶装置1に備えられる機能を説明する図である。半導体記憶装置1のROM1dに記憶されるコンピュータプログラムには、外部装置から受信した命令を実行するモジュールと、外部装置から受信した命令の実行を制御するモジュールが含まれ、これらのモジュールによって、半導体記憶装置1には、外部装置から受信した命令の実行を制御する命令制御手段11と、半導体記憶装置1のメモリ1bをフォーマット処理するフォーマット手段10が備えられる。半導体記憶装置1に実装されるフォーマット命令は、メモリ1bの容量、メモリ1bを分割するブロックのサイズ、及び、該ブロックの数などの管理データと、メモリ1bを複数のブロックに分割するためのデータを半導体記憶装置1のメモリ1bに書き込むフォーマット処理を実行する手段で、メモリ1bに書き込まれる管理データには、フォーマット処理の状態を示す内部状態情報が含まれる。フォーマット処理が開始される前の半導体記憶装置1のメモリ1bには内部状態情報は書き込まれておらず、内部状態情報の値はメモリ1bの初期値である。フォーマット処理が開始されると、内部状態情報は、フォーマット処理が開始から完了していない状態である開始中状態を示す値に書き換えられ、フォーマット処理が完了すると、内部状態情報は、フォーマット処理が完了した状態である完了状態を示す値に書き換えられる。図3は、半導体記憶装置1の動作を説明する図である。半導体記憶装置1の命令制御手段11は、半導体記憶装置1のI/Oポート1eに設けられた受信バッファを確認しS1、外部装置から命令を受信したか否かで処理を分岐させるS2。半導体記憶装置1の命令制御手段11は、外部装置から命令を受信していない場合、半導体記憶装置1のI/Oポート1eに設けられた受信バッファを確認する処理S1に戻り、外部装置から命令を受信した場合、半導体記憶装置1の命令制御手段11は、外部装置から受信した命令がフォーマット命令であるか確認するS3。半導体記憶装置1の命令制御手段11は、外部装置から受信した命令がフォーマット命令でない場合、外部装置から受信した命令を実行させてS12、この手順は終了する。また、外部装置から受信した命令がフォーマット命令の場合、半導体記憶装置1の命令制御手段11は、フォーマット手段10を呼び出してフォーマット処理を開始するS4。半導体記憶装置1のフォーマット手段10は、まず、半導体記憶装置1のメモリ1bに記憶されている内部状態情報によって完了状態が示されているか確認しS5、内部状態情報によって完了状態が示されていれば、半導体記憶装置1の内部状態は、フォーマット処理が完了していると判定できるため、半導体記憶装置1のフォーマット手段10は、内部状態情報を変更せず、フォーマット処理を実行することなく、フォーマット処理の完了を外部装置へ通知してS11、この手順を終了する。また、半導体記憶装置1のフォーマット手段10は、半導体記憶装置1のメモリ1bに記憶されている内部状態情報によって完了状態が示されてなければ、内部状態情報によって初期状態が示されているか確認しS6、内部状態情報によって初期状態が示されていれば、半導体記憶装置1の内部状態は、フォーマット処理が開始されていない状態と判定できるため、半導体記憶装置1のフォーマット手段10は、内部状態情報を含むメモリ1bの内容全てを初期化することなく、内部状態情報を開始中状態に設定した後S8、半導体記憶装置1のメモリ1bをフォーマット処理しS9、フォーマット処理が完了すると、内部状態情報を完了状態に設定しS10、フォーマット処理の完了を外部装置へ通知してS11、この手順を終了する。また、半導体記憶装置1のフォーマット手段10は、半導体記憶装置1のメモリ1bに記憶されている内部状態情報によって初期状態が示されていなければ、半導体記憶装置1の内部状態は、フォーマット処理が途中の状態又は半導体記憶装置1の内部状態が不明と判定できるため、この時点のメモリ1bの内容を消去すべく、内部状態情報を含むメモリ1bの内容全てを初期化するS7。なお、半導体記憶装置1のメモリ1bの内容全てを初期化することで、内部状態情報も初期化される。半導体記憶装置1のメモリ1bの内容全てを初期化すると、内部状態情報を開始中状態に設定した後S8、半導体記憶装置1のメモリ1bをフォーマット処理しS9、フォーマット処理が完了すると、内部状態情報を完了状態に設定しS10、フォーマット処理の完了通知を外部装置へ通知してS11、この手順を終了する。