"マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置であって、略円板状であり、前記マイクロ波を伝播するプラズマ処理装置用誘電体窓を備え、前記プラズマ処理装置用誘電体窓のうち、前記プラズマ処理装置に備えられた際にプラズマを生成する側の面の径方向外側領域には、環状に連なり、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部が設けられており、前記第一の誘電体窓凹部の径方向内側領域には、前記プラズマを生成する側の面から前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって凹む複数の第二の誘電体窓凹部が設けられており、複数の前記第二の誘電体窓凹部は、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心として回転対称性を有するように、それぞれ周方向に間隔を空けて配置されている、プラズマ処理装置。略円板状であって、板厚方向に貫通する複数のスロットが設けられており、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の上方側に配置され、前記マイクロ波を前記プラズマ処理装置用誘電体窓に向かって放射するスロットアンテナ板を備える、請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記スロットアンテナ板は、前記スロットアンテナ板の中心部側に位置し、一方方向に延びる第一のスロットおよび前記一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロットから構成されるスロット対を複数有し、前記第一のスロット孔は、少なくとも一部が前記第二の誘電体窓凹部と重なるように設けられる、請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記スロットアンテナ板は、一方方向に延びる第一のスロットおよび前記一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロットから構成されるスロット対を複数有し、前記第二の誘電体窓凹部は、板厚方向から見た場合に、前記スロットアンテナ板における前記第一のスロットの長手方向の幅の領域と前記第二のスロットの長手方向の幅の領域とが重なる領域に位置するように設けられる、請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記スロットアンテナ板は、一方方向に延びる第一のスロットおよび前記一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロットから構成されるスロット対を複数有し、複数の前記第二の誘電体窓凹部が設けられた位置に対応する位置に、複数の前記スロット対がそれぞれ設けられる、請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記プラズマ処理装置用誘電体窓を前記プラズマ処理装置に取り付けた際に、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の周方向の位置を調整する位置調整機構を備え、前記位置調整機構は、前記プラズマ処理装置用誘電体窓と前記スロットアンテナ板との周方向の相対的な位置を調整する、請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記スロットの長手方向の長さに対する短手方向の長さの比は、1/4以上1未満である、請求項2に記載のプラズマ処理装置。マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置に備えられ、略円板状であり、前記マイクロ波を伝播するプラズマ処理装置用誘電体窓であって、前記プラズマ処理装置用誘電体窓のうち、前記プラズマ処理装置に備えられた際にプラズマを生成する側の面の径方向外側領域には、環状に連なり、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部が設けられており、前記第一の誘電体窓凹部の径方向内側領域には、前記プラズマを生成する側の面から前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって凹む複数の第二の誘電体窓凹部が設けられており、複数の前記第二の誘電体窓凹部は、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心として回転対称性を有するように、それぞれ周方向に間隔を空けて配置されている、プラズマ処理装置用誘電体窓。前記第二の誘電体窓凹部は、前記プラズマを生成する側の面から前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって、真直ぐに凹んだ形状である、請求項8に記載のプラズマ処理装置用誘電体窓。前記第二の誘電体窓凹部は、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向から見た場合に、丸穴状である、請求項8に記載のプラズマ処理装置用誘電体窓。丸穴状の複数の前記第二の誘電体窓凹部の中心はそれぞれ、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向から見た場合に、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心とした円上にある、請求項10に記載のプラズマ処理装置用誘電体窓。前記プラズマ処理装置用誘電体窓を前記プラズマ処理装置に取り付ける際に、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の周方向の位置を調整する位置調整機構を備える、請求項8に記載のプラズマ処理装置用誘電体窓。前記位置調整機構は、前記第一の誘電体窓凹部の径方向外側領域に設けられた誘電体窓目盛りを含む、請求項12に記載のプラズマ処理装置用誘電体窓。マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置に備えられ、略円板状であり、前記マイクロ波を伝播するプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法であって、前記プラズマ処理装置用誘電体窓は、前記プラズマ処理装置用誘電体窓のうち、前記プラズマ処理装置に備えられた際にプラズマを生成する側の面の径方向外側領域には、環状に連なり、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部が設けられており、前記第一の誘電体窓凹部の径方向内側領域には、前記プラズマを生成する側の面から前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって凹む複数の第二の誘電体窓凹部が設けられており、複数の前記第二の誘電体窓凹部は、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心として回転対称性を有するように、それぞれ周方向に間隔を空けて配置されており、前記プラズマ処理装置は、略円板状であって、板厚方向に貫通する複数のスロットが設けられており、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の上方側に配置され、前記マイクロ波を前記プラズマ処理装置用誘電体窓に向かって放射するスロットアンテナ板を備え、前記プラズマ処理装置用誘電体窓を前記プラズマ処理装置に取り付けるに際し、前記プラズマ処理装置用誘電体窓に設けられた第二の誘電体窓凹部と、前記スロットアンテナ板に設けられたスロットとの周方向の位置関係を調整して、前記プラズマ処理装置用誘電体窓を前記プラズマ処理装置に取り付ける、プラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法。前記プラズマ処理装置用誘電体窓には、周方向の位置を調整するための誘電体窓目盛りが設けられており、前記スロットアンテナ板には、周方向の位置の基準となる目印が設けられており、前記誘電体窓目盛りおよび前記目印を用いて、前記プラズマ処理装置用誘電体窓と前記スロットアンテナ板との周方向の位置関係を調整する、請求項14に記載のプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法。プラズマ処理装置においては、処理内容や被処理基板に要求される特性等に応じ、種々のプロセス条件においてプラズマ処理が施される。ここで、プラズマ処理装置においては、広いプロセスマージンおよび生成するプラズマの高い軸対称性が要求される。プロセスマージンとは、プラズマ処理装置の処理容器内の圧力、マイクロ波のパワー、ガスの種類や複数種類のガスを用いた場合のそれぞれの分圧や流量比等、プラズマ処理装置のプロセス条件が変更された場合でも、安定してプラズマを生成し、プラズマ処理を行うことができることをいい、このようなプロセスマージンができるだけ広いことが望まれる。また、プラズマ処理においては、被処理基板の面内における処理の度合いを均一にすることが好ましい。具体的には、例えば、周方向における被処理基板の処理のムラをできるだけなくすことが望ましい。このような被処理基板の処理の均一性を確保するためには、生成するプラズマについて、高い軸対称性を備えることが要求される。すなわち、生成されるプラズマにおいて、誘電体窓の中心やスロットアンテナ板の中心を軸とした対称性が良好であることが望まれる。しかし、上記した特許文献1に示すプラズマ処理装置の構成や、従来における平らな誘電体窓を備えるプラズマ処理装置の構成では、広いプロセスマージン、かつ、プラズマの均一性の双方の要求を具備することはできなかった。このような状況下において、例えば、スロットの数の異なる複数のスロットアンテナ板を準備し、これらをプロセス条件の変更に合わせて交換することにより、対応することができる。しかし、プロセス条件を変更する毎に、スロットアンテナ板の交換等の作業が生じると、作業が煩雑になってしまい、好ましくない。また、複数の形状の異なるスロットアンテナ板を準備する必要もあり、コスト面からも不利である。この発明の目的は、広いプロセスマージンを有すると共に、生成するプラズマが高い軸対称性を有するプラズマ処理装置用誘電体窓を提供することである。この発明の他の目的は、広いプロセスマージンを有すると共に、処理の均一性を向上させることができるプラズマ処理装置を提供することである。この発明のさらに他の目的は、広いプロセスマージンを有すると共に、生成するプラズマが高い軸対称性を有するプラズマ処理装置用誘電体窓をプラズマ処理装置に取り付けるに際に、容易に取り付けることが可能なプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法を提供することである。この発明に係るプラズマ処理装置用誘電体窓は、マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置に備えられ、略円板状であり、マイクロ波を伝播する。プラズマ処理装置用誘電体窓のうち、プラズマ処理装置に備えられた際にプラズマを生成する側の面の径方向外側領域には、環状に連なり、プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部が設けられている。第一の誘電体窓凹部の径方向内側領域には、プラズマを生成する側の面からプラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって凹む複数の第二の誘電体窓凹部が設けられている。複数の第二の誘電体窓凹部は、プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心として回転対称性を有するように、それぞれ周方向に間隔を空けて配置されている。このように構成することにより、誘電体窓の径方向外側領域において、テーパ状の環状の第一の誘電体窓凹部により、誘電体窓の厚みを連続的に変化させる領域を形成して、プラズマを生成する種々のプロセス条件に適した誘電体窓の厚みを有する共振領域を形成することができる。そうすると、種々のプロセス条件に応じて、径方向外側領域におけるプラズマの高い安定性を確保することができる。また、誘電体窓の径方向内側領域においては、第二の誘電体窓凹部により、強固なモード固定を行なうことができる。そうすると、プロセス条件が種々変更されても、径方向内側領域における強固なモード固定の領域を確保することができる。複数の第二の誘電体窓凹部は、回転対称性を有するため、誘電体窓の径方向内側領域において強固なモード固定の高い軸対称性を確保することができ、生成するプラズマにおいても、高い軸対称性を有する。したがって、このような構成のプラズマ処理装置用誘電体窓は、広いプロセスマージンを有すると共に、生成するプラズマが高い軸対称性を有する。好ましくは、第二の誘電体窓凹部は、プラズマを生成する側の面からプラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって、真直ぐに凹んだ形状である。さらに好ましくは、第二の誘電体窓凹部は、プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向から見た場合に、丸穴状である。好ましい一実施形態として、丸穴状の複数の第二の誘電体窓凹部の中心はそれぞれ、プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向から見た場合に、プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心とした円上にある。また、プラズマ処理装置用誘電体窓は、プラズマ処理装置用誘電体窓をプラズマ処理装置に取り付ける際に、プラズマ処理装置用誘電体窓の周方向の位置を調整する位置調整機構を備えるよう構成してもよい。好ましくは、位置調整機構は、第一の誘電体窓凹部の径方向外側領域に設けられた誘電体窓目盛りを含む。この発明の他の局面において、この発明に係るプラズマ処理装置は、マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置である。また、プラズマ処理装置は、略円板状であり、マイクロ波を伝播するプラズマ処理装置用誘電体窓を備える。ここで、プラズマ処理装置用誘電体窓のうち、プラズマ処理装置に備えられた際にプラズマを生成する側の面の径方向外側領域には、環状に連なり、プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部が設けられている。また、第一の誘電体窓凹部の径方向内側領域には、プラズマを生成する側の面からプラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって凹む複数の第二の誘電体窓凹部が設けられている。複数の第二の誘電体窓凹部は、プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心として回転対称性を有するように、それぞれ周方向に間隔を空けて配置されている。このようなプラズマ処理装置によると、広いプロセスマージンを有すると共に、処理の均一性を向上させることができる。好ましくは、略円板状であって、板厚方向に貫通する複数のスロットが設けられており、プラズマ処理装置用誘電体窓の上方側に配置され、マイクロ波をプラズマ処理装置用誘電体窓に向かって放射するスロットアンテナ板を備える。スロットアンテナ板は、スロットアンテナ板の中心部側に位置し、一方方向に延びる第一のスロットおよび一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロットから構成されるスロット対を複数有し、第一のスロット孔は、少なくとも一部が第二の誘電体窓凹部と重なるように設けられていてもよい。なお、スロットアンテナ板は、一方方向に延びる第一のスロットおよび一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロットから構成されるスロット対を複数有し、第二の誘電体窓凹部は、板厚方向から見た場合に、スロットアンテナ板における第一のスロットの長手方向の幅の領域と第二のスロットの長手方向の幅の領域とが重なる領域に位置するように設けられることが好ましい。また、スロットアンテナ板は、一方方向に延びる第一のスロットおよび一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロットから構成されるスロット対を複数有し、複数の第二の誘電体窓凹部が設けられた位置に対応する位置に、複数のスロット対がそれぞれ設けられることが好ましい。さらに好ましくは、プラズマ処理装置用誘電体窓をプラズマ処理装置に取り付けた際に、プラズマ処理装置用誘電体窓の周方向の位置を調整する位置調整機構を備え、位置調整機構は、プラズマ処理装置用誘電体窓とスロットアンテナ板との周方向の相対的な位置を調整する。なお、スロットの長手方向の長さに対する短手方向の長さの比は、1/4以上1未満であることが好ましい。この発明のさらに他の局面において、この発明に係るプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法は、マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置に備えられ、略円板状であり、マイクロ波を伝播するプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法である。プラズマ処理装置用誘電体窓は、プラズマ処理装置用誘電体窓のうち、プラズマ処理装置に備えられた際にプラズマを生成する側の面の径方向外側領域には、環状に連なり、プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部が設けられており、第一の誘電体窓凹部の径方向内側領域には、プラズマを生成する側の面からプラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって凹む複数の第二の誘電体窓凹部が設けられており、複数の第二の誘電体窓凹部は、プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心として回転対称性を有するように、それぞれ周方向に間隔を空けて配置されている。プラズマ処理装置は、略円板状であって、板厚方向に貫通する複数のスロットが設けられており、プラズマ処理装置用誘電体窓の上方側に配置され、マイクロ波をプラズマ処理装置用誘電体窓に向かって放射するスロットアンテナ板を備える。ここで、プラズマ処理装置用誘電体窓をプラズマ処理装置に取り付けるに際し、プラズマ処理装置用誘電体窓に設けられた第二の誘電体窓凹部と、スロットアンテナ板に設けられたスロットとの周方向の位置関係を調整して、プラズマ処理装置用誘電体窓をプラズマ処理装置に取り付ける。このようなプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法によれば、より容易に周方向の位置決めを行なって、プラズマ処理装置用誘電体窓を取り付けることができる。好ましくは、プラズマ処理装置用誘電体窓には、周方向の位置を調整するための誘電体窓目盛りが設けられており、スロットアンテナ板には、周方向の位置の基準となる目印が設けられており、誘電体窓目盛りおよび目印を用いて、プラズマ処理装置用誘電体窓とスロットアンテナ板との周方向の位置関係を調整する。このようなプラズマ処理装置用誘電体窓によると、誘電体窓の径方向外側領域において、テーパ状の環状の第一の誘電体窓凹部により、誘電体窓の厚みを連続的に変化させる領域を形成して、プラズマを生成する種々のプロセス条件に適した誘電体窓の厚みを有する共振領域を形成することができる。そうすると、種々のプロセス条件に応じて、径方向外側領域におけるプラズマの高い安定性を確保することができる。また、誘電体窓の径方向内側領域においては、第二の誘電体窓凹部により、強固なモード固定を行なうことができる。そうすると、プロセス条件が種々変更されても、径方向内側領域における強固なモード固定の領域を確保することができる。複数の第二の誘電体窓凹部は、回転対称性を有するため、誘電体窓の径方向内側領域において強固なモード固定の高い軸対称性を確保することができ、生成するプラズマにおいても、高い軸対称性を有する。したがって、このような構成のプラズマ処理装置用誘電体窓は、広いプロセスマージンを有すると共に、生成するプラズマが高い軸対称性を有する。また、このようなプラズマ処理装置によると、広いプロセスマージンを有すると共に、処理の均一性を向上させることができる。また、このようなプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法によると、より容易に周方向の位置決めを行なって、プラズマ処理装置用誘電体窓を取り付けることができる。以下、この発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。まず、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成について説明する。図1は、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を概略的に示す概略断面図である。図2は、図1に示すプラズマ処理装置に備えられるスロットアンテナ板を、板厚方向から見た図である。図1および図2を参照して、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置11は、マイクロ波をプラズマ源とするマイクロ波プラズマ処理装置である。プラズマ処理装置11は、その内部で被処理基板Wにプラズマ処理を行う処理空間を有する処理容器12と、処理容器12内にプラズマ処理用のガス等を供給するガス供給部13と、処理容器12内に設けられ、その上に被処理基板Wを保持する保持台14と、処理容器12の外部に設けられ、プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器15と、マイクロ波発生器15により発生させたマイクロ波を処理容器12内に導入する導波管16および同軸導波管17と、同軸導波管17の下方端部に連結されており、同軸導波管17によって導入されたマイクロ波を径方向に伝播する誘電体板18と、誘電体板18の下方側に配置されており、誘電体板18によって伝播されたマイクロ波を放射するスロット32を複数有するスロットアンテナ板31と、スロットアンテナ板31の下方側に配置されており、スロット32から放射されたマイクロ波を径方向に伝播すると共に処理容器12内に透過させる誘電体窓41と、プラズマ処理装置11全体を制御する制御部図示せずとを備える。制御部は、ガス供給部13におけるガス流量、処理容器12内の圧力等、被処理基板Wをプラズマ処理するためのプロセス条件を制御する。なお、理解の容易の観点から、図1において、スロット32の開口形状を概略的に示している。処理容器12は、保持台14の下方側に位置する底部19aと、底部19aの外周から上方向に延びる側壁19bと、側壁19bの上方側に載置するようにして配置され、その上に誘電体窓41を載置可能な環状部材19cとを含む。側壁19bは、円筒状である。処理容器12の底部19aの径方向の中央側には、排気用の排気孔20が設けられている。処理容器12の上部側は開口しており、処理容器12の上部側に配置される誘電体窓41、および誘電体窓41と処理容器12、具体的には、処理容器12を構成する環状部材19cとの間に介在するシール部材としてのOリング21によって、処理容器12は密封可能に構成されている。保持台14には、RFradiofrequencyバイアス用の高周波電源がマッチングユニットおよび給電棒いずれも図示せずを介して電気的に接続されている。この高周波電源は、被処理基板Wに引き込むイオンのエネルギーを制御するのに適した一定の周波数、例えば、13.56MHzの高周波を所定のパワーで出力する。マッチングユニットは、高周波電源側のインピーダンスと、主に電極、プラズマ、処理容器12といった負荷側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を収容しており、この整合器の中にブロッキングコンデンサが含まれている。ガス供給部13は、被処理基板Wの中央に向かってガスを供給するガス供給口23を有するセンターガス供給部24と、円環状の中空状部材27から構成されており、径方向内側に向かってガスを供給するガス供給口25を有するアウターガス供給部26とを含む。センターガス供給部24のガス供給口23は、円板状の誘電体窓41の径方向の中心領域を開口するようにして設けられている。センターガス供給部24は、同軸導波管17を構成する中空状の中心導体22aの中空部分を、ガスの供給路としている。センターガス供給部24は、誘電体窓41に収容され、処理容器12内にガスを噴出するようにして供給するインジェクター部45を備える。アウターガス供給部26を構成する中空状部材27は、処理容器12内において、側壁19bの内壁面から径方向に真直ぐに延びる複数の支持部材28により支持されている。中空状部材27の内径寸法は、被処理基板Wの外径寸法よりもやや大きく構成されている。中空状部材27の中空部分については、その断面略矩形状となるように構成されている。中空状部材27は、保持台14の上方側において、被処理基板Wの真上領域を避けるようにして配置されている。アウターガス供給部26のガス供給口25は、円環状の中空状部材27のうち、内側の壁面を丸穴状に開口するようにして複数設けられている。複数のガス供給口25は、所定の間隔を空けて、略等配となるように設けられている。センターガス供給部24およびアウターガス供給部26はそれぞれ、処理容器12外から処理容器12内にプラズマ処理用のガス等を供給する。ガス供給口23、25から供給されるガスのそれぞれの流れ方向については、図1中の矢印F1およびF2で図示している。なお、センターガス供給部24およびアウターガス供給部26から供給されるガスの流量比やガスの種類については、任意に選択が可能であり、例えば、異なる種類のガスをセンターガス供給部24およびアウターガス供給部26のそれぞれから供給することや、センターガス供給部24からのガスの供給を全く無しにして、アウターガス供給部26からのみ処理容器12内にガスを供給するということも、もちろん可能である。なお、ガス供給部13が、このようなセンターガス供給部24およびアウターガス供給部26を備える構成とすることにより、径方向における処理の均一性の微調整を図ることができる。具体的には、例えば、被処理基板Wの端部領域の処理が被処理基板Wの中央領域の処理に比べて不十分である場合、センターガス供給部24およびアウターガス供給部26の流量比において、アウターガス供給部26から供給されるガスの流量比を多くして、端部領域のプラズマ処理の促進を図り、処理の均一性の微調整を図ることができる。チューナー29を有するマイクロ波発生器15は、中心導体22aおよび外周導体22bから構成される同軸導波管17およびモード変換器30を介して、マイクロ波を導入する導波管16の上流側に接続されている。同軸導波管17を構成し、いずれも円筒状である中心導体22aおよび外周導体22bは、径方向の中心を一致させ、中心導体22aの外径面と、外周導体22bの内径面との間隔を開けるようにして、図3中の紙面上下方向に延びるようにして配置される。例えば、マイクロ波発生器15で発生させたTEモードのマイクロ波は、導波管16を通り、モード変換器30によりTEMモードへ変換され、同軸導波管17を伝播する。マイクロ波発生器15において発生させるマイクロ波の周波数としては、例えば、2.45GHzが選択される。ここで、上記したスロットアンテナ板31の具体的な構成について説明する。スロットアンテナ板31は、薄板状であって、円板状である。スロットアンテナ板31の板厚方向の両面は、それぞれ平らである。スロットアンテナ板31には、板厚方向に貫通する複数のスロット32が複数設けられている。スロット32は、一方方向に長い第一のスロット33と、第一のスロット33と直交する方向に長い第二のスロット34とが、隣り合って一対となるように形成されている。具体的には、隣り合う2つのスロット33、34が一対となって、略ハ字状となるように配置されて構成されている。すなわち、スロットアンテナ板31は、一方方向に延びる第一のスロット33および一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロット34から構成されるスロット対40を有する構成である。なお、スロット対40の一例については、図2中の点線で示す領域で図示している。この実施形態においては、第一のスロット33の開口幅、すなわち、第一のスロット33のうち、長手方向に延びる一方側の壁部30aと長手方向に延びる他方側の壁部30bとの間の長さW1は、約12mmとなるように構成されている。一方、図2中の長さW2で示す第一のスロット33の長手方向の長さ、すなわち、第一のスロット33の長手方向の一方側の端部30cと第一のスロット33の長手方向の他方側の端部30dとの間の長さW2は、約50mmとなるように構成されている。第一のスロット33について、長手方向の長さに対する短手方向の長さの比W1/W2は、12/50であり、約1/4である。第一のスロット33の開口形状と第二のスロット34の開口形状とは、同じである。すなわち、第二のスロット34は、第一のスロット33を90度傾けた形状である。なお、スロットという長孔を構成するに際し、長さの比W1/W2については、1未満となる。設けられたスロット対40は、内周側に配置される内周側スロット対群35と、外周側に配置される外周側スロット対群36とに大別される。内周側スロット対群35は、図2中の一点鎖線で示す仮想円の内側領域に設けられた7対のスロット対40である。外周側スロット対群36は、図2中の一点鎖線で示す仮想円の外側領域に設けられた28対のスロット対40である。内周側スロット対群35において、7対のスロット対40はそれぞれ、周方向に等間隔に配置されている。このように構成することにより、後述する第二の誘電体窓凹部が設けられた位置に対応する位置に、内周側スロット対群35に配置される7対のスロット対40をそれぞれ設けることができる。外周側スロット対群36において、28対のスロット対40はそれぞれ、周方向に等間隔に配置されている。スロットアンテナ板31の径方向の中央にも、貫通孔37が設けられている。なお、外周側スロット対群36の外径側の領域には、スロットアンテナ板31の周方向の位置決めを容易にするために、板厚方向に貫通するようにして基準孔39が設けられている。すなわち、この基準孔39の位置を目印にして、処理容器12や誘電体窓41に対するスロットアンテナ板31の周方向の位置決めを行なう。スロットアンテナ板31は、基準孔39を除いて、径方向の中心38を中心とした回転対称性を有する。マイクロ波発生器15により発生させたマイクロ波は、同軸導波管17を通って、誘電体板18に伝播され、スロットアンテナ板31に設けられた複数のスロット32から誘電体窓41に放射される。誘電体窓41を透過したマイクロ波は、誘電体窓41の直下に電界を生じさせ、処理容器12内にプラズマを生成させる。誘電体窓41の直下で生成されたプラズマは、誘電体窓41から離れる方向、すなわち、保持台14に向かう方向に拡散していく。そして、拡散したプラズマで形成され、保持台14に載置された被処理基板を含むプラズマ拡散領域で、被処理基板Wに対するプラズマエッチング処理等のプラズマ処理を行う。プラズマ処理装置11において処理に供されるマイクロ波プラズマは、上記した構成のスロットアンテナ板31および誘電体窓41を含むラジアルラインスロットアンテナRLSA:RadialLineSlotAntenaにより生成されている。次に、この発明の一実施形態に係る誘電体窓41の構成について、具体的に説明する。図3は、この発明の一実施形態に係る誘電体窓41の断面図であり、図1に示す断面に相当する。図4は、図3に示す誘電体窓41を、下側、すなわち、図3中の矢印IVの方向から見た図である。図5は、図3に示す誘電体窓41を、上側、すなわち、図3中の矢印IVの方向と逆の方向から見た図である。図6は、図3に示す誘電体窓41を、横側から見た側面図である。図4中のIII-III断面が、図3に相当する。図1~図6を参照して、この発明の一実施形態に係る誘電体窓41は、略円板状であって、所定の板厚を有する。誘電体窓41は、誘電体で構成されており、誘電体窓41の具体的な材質としては、石英やアルミナ等が挙げられる。誘電体窓41は、図3における下側を処理容器12の側壁19bの一部を構成する環状部材19cの上に載せるようにしてプラズマ処理装置11に取り付けられ、備えられる。誘電体窓41の径方向の中央には、板厚方向、すなわち、図3中の紙面上下方向に貫通する貫通孔42が設けられている。貫通孔42のうち、下側領域は、センターガス供給部24におけるガス供給口23となり、上側領域は、センターガス供給部24を構成するインジェクター部45を受け入れる受け入れ凹部43となる。なお、誘電体窓41の径方向の中心44を、図3中の一点鎖線で示す。誘電体窓41のうち、プラズマ処理装置11に備えられた際にプラズマを生成する側となる下面46の径方向外側領域には、環状に連なり、誘電体窓41の板厚方向内方側、ここでは、図3における紙面上方向に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部47が設けられている。下面46は、誘電体窓41の径方向の中央領域に設けられており、後述する第二の誘電体窓凹部53a~53gが設けられる領域を除いて、平ら、すなわち、径方向に真直ぐに延びる平面で構成されている。第一の誘電体窓凹部47は、下面46の外径領域から外径側に向かってテーパ状、具体的には、下面46に対して図3における紙面上方向に傾斜して延びる内側テーパ面48、内側テーパ面48から外径側に向かって径方向に真直ぐ、すなわち、下面46と平行に延びる平面49、平面49から外径側に向かってテーパ状、具体的には、下面46に対して図3における紙面下方向に傾斜して延びる外側テーパ面50から構成されている。テーパの角度、すなわち、例えば、平面49に対して内側テーパ面が延びる方向で規定される角度や平面49に対して外側テーパ面50が延びる方向で規定される角度については、任意に定められ、この実施形態においては、周方向のいずれの位置においても同じように構成されている。内側テーパ面48、平面49、外側テーパ面50はそれぞれ滑らかな曲面で連なるように形成されている。なお、外側テーパ面50の外径領域は、外径側に向かって径方向に真直ぐ、すなわち、下面46と平行に延びる平面52が設けられている。この平面52が誘電体窓41の支持面となる。すなわち、誘電体窓41は、平面52を環状部材19cの内径側領域において設けられた上部側の端面19dに載置するようにして、プラズマ処理装置11に取り付けられる。なお、端面19dには、上記したOリング21を配置可能なように、図1における紙面下方向に凹むOリング受け入れ凹部19eが設けられている。また、理解の容易の観点から、図4において、第一の誘電体窓凹部47が設けられる領域を、点線で示している。この第一の誘電体窓凹部47により、誘電体窓41の径方向外側領域において、誘電体窓41の厚みを連続的に変化させる領域を形成して、プラズマを生成する種々のプロセス条件に適した誘電体窓41の厚みを有する共振領域を形成することができる。そうすると、種々のプロセス条件に応じて、径方向外側領域におけるプラズマの高い安定性を確保することができる。ここで、誘電体窓41のうち、第一の誘電体窓凹部47の径方向内側領域には、下面46から板厚方向内方側、ここでは、図3における紙面上方向に向かって凹む第二の誘電体窓凹部53aが設けられている。第二の誘電体窓凹部53aは、下面46から図3における紙面上方向に向かって真直ぐに凹んだ形状である。第二の誘電体窓凹部53aは、誘電体窓41の板厚方向から見た場合、ここでは、図3における紙面下方向から見た場合に、丸穴状である。すなわち、第二の誘電体窓凹部53aは、下面46から図3における紙面上方向に真直ぐに延びる円筒面54と、円筒面54の上側端部において、径方向に真直ぐ、すなわち、下面46と平行に延びる平面55とから構成されている。第二の誘電体窓凹部53aは、この実施形態においては、合計7つ設けられている。7つの第二の誘電体窓凹部53a、53b、53c、53d、53e、53f、53gの形状はそれぞれ等しい。すなわち、第二の誘電体窓凹部53a~53gの凹み方やその大きさ、穴の径等については、それぞれ等しく構成されている。7つの第二の誘電体窓凹部53a~53gは、誘電体窓41の径方向の中心56を中心として、回転対称性を有するように、それぞれ間隔を空けて配置されている。この場合、丸穴状の7つの第二の誘電体窓凹部53a~53fの中心57a、57b、57c、57d、57e、57f、57gはそれぞれ、誘電体窓41の板厚方向から見た場合に、誘電体窓41の径方向の中心56を中心とした円58上にあるように構成されている。すなわち、誘電体窓41を径方向の中心56を中心として360度/7である51.42度回転させた場合に、回転させる前と同じ形状となるよう構成されている。円58は、図4において、一点鎖線で示している。なお、この実施形態において、図4中の長さL1で示す円58のPCDPitchCircleDiameter、すなわち、ピッチ円の径は、約154mmとし、図4中の長さL2で示す第二の誘電体窓凹部53a~53gの径は、約φ30mmとしている。また、第二の誘電体窓凹部53aの凹み量、すなわち、図3中の長さL3で示す下面46と平面55との板厚方向の間隔は、任意に定められ、この実施形態においては、約32mmとしている。なお、この実施形態においては、誘電体窓41の径は、約458mmとしている。この第二の誘電体窓凹部53a~53gにより、マイクロ波の電界を集中させることができ、誘電体窓41の径方向内側領域において、強固なモード固定を行なうことができる。そうすると、プロセス条件が種々変更されても、径方向内側領域における強固なモード固定の領域を確保することができる。7つの第二の誘電体窓凹部53a~53gは、回転対称性を有するため、誘電体窓41の径方向内側領域において強固なモード固定の高い軸対称性を確保することができ、生成するプラズマにおいても、高い軸対称性を有する。以上より、このような構成の誘電体窓41は、広いプロセスマージンを有すると共に、生成するプラズマが高い軸対称性を有する。なお、プロセスマージンの広さについては、要求されるプロセスマージンの広さに応じて、第二の誘電体窓凹部の大きさやその位置を変更することにより、対応することができる。また、径方向の処理の均一性について述べると、被処理基板において径方向の中心側が径方向の外側、いわゆる端部側よりもエッチング処理の早いセンターファーストという現象、およびその逆の現象であって、径方向の中心側が径方向の外側よりもエッチング処理の遅いエッジファーストという現象があるが、第二の誘電体窓凹部の大きさやその位置を変更することにより、対応することができる。一方、上記したこの発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成とし、プロセス条件を調整して、センターファーストやエッジファーストとなる現象を低減させ、その影響を小さくすることもできる。すなわち、上記したこの発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成として要求される広いプロセスマージンおよび周方向の処理の均一性を確保し、プロセス条件を調整して、径方向の処理の均一性を向上させることができるものである。この点については、後述する。ここで、誘電体窓41には、誘電体窓41の周方向の位置を調整する位置調整機構として、誘電体窓41の上面59において、誘電体窓目盛り60が設けられている。誘電体窓目盛り60は、周方向に等間隔を空けて記されている。この誘電体窓目盛り60は、誘電体窓41の上にスロットアンテナ板31を配置させた際に、スロットアンテナ板31に覆われない領域に設けられている。具体的には、第一の誘電体窓凹部47の外径側領域に設けられている。このような誘電体窓目盛り60を設けることにより、誘電体窓41の周方向の位置決めを行なうことが容易になる。なお、理解の容易の観点から、図5においては、誘電体窓目盛り60の一部の図示を省略している。次に、この誘電体窓41の取り付け方法について、説明する。図7は、スロットアンテナ板31と誘電体窓41との取り付け状態を示す図である。図7は、誘電体窓41の上側に、スロットアンテナ板31を載置した状態に相当する。図7を参照して、誘電体窓41に設けられた第二の誘電体窓凹部53a~53gの周方向の位置、およびスロットアンテナ板31に設けられたスロットアンテナ板31のスロット32により、誘電体窓41における電界の周方向の強度分布が変わり、それに応じて生成されるプラズマの強度も変化する。特に、内径側領域においては、第二の誘電体窓凹部53a~53gが設けられた領域と、スロット32が設けられた領域とが板厚方向に重なるか否か、またはその重なり具合によって、電界の周方向の強度分布が大きく変化する。例えば、図7に示すように、第二の誘電体窓凹部53a~53gは、板厚方向から見た場合に、スロットアンテナ板31における第一のスロット33の長手方向の幅の領域65aと第二のスロット34の長手方向の幅の領域65bとが重なる領域65cに位置するように設けられることが好ましい。ここで、領域65cに第二の誘電体窓凹部53a~53gが位置するとは、領域65c内に完全に第二の誘電体窓凹部53a~53gが覆われる状態の他、領域65cの一部と第二の誘電体窓凹部53a~53gの一部とが重なり合う状態をも含むものである。このような領域65cは、マイクロ波の電界強度が強い領域であるので、第二の誘電体窓凹部53a~53gの内部へ十分にマイクロ波を供給することができる。また、この場合、第二の誘電体窓凹部53a~53gが設けられた位置に対応する位置に、内周側スロット対群35内に配置される7対のスロット対40をそれぞれ位置させるよう設けることができるので、効率的に第二の誘電体窓凹部53a~53gの内部へマイクロ波を供給することができる。なお、図7において、領域65a、65b、65cをそれぞれ異なるハッチングで示している。誘電体窓41をプラズマ処理装置11に取り付けるに際し、誘電体窓41に設けられた第二の誘電体窓凹部53a~53gと、スロットアンテナ板31に設けられたスロット32との周方向の位置関係を調整して、誘電体窓41をプラズマ処理装置11に取り付ける。ここで、誘電体窓41の周方向の位置を調整するための誘電体窓目盛り60、およびスロットアンテナ板31に設けられた周方向の位置の基準となる目印としての基準孔39を利用する。具体的には、スロットアンテナ板31および誘電体窓41の中心を中心61として、中心61と基準孔39の中心を結ぶ一点鎖線で示される仮想線62と、中心61と最外周に設けられた任意のスロット32の周方向端部64とを結ぶ二点鎖線で示される仮想線63とのなす角度θを、予め求められた角度θと形成される電界の強度分布との関係に基づいて、要求される角度θとなるようにスロットアンテナ板31に対して誘電体窓41を回転させ、要求される角度θとする。こうすることにより、より容易に、周方向の位置を調整することができる。すなわち、誘電体窓41に設けられた第二の誘電体窓凹部53a~53gは、上方側、すなわち、スロットアンテナ板31からは見ることができず、上方側から見ながら誘電体窓41の周方向の位置決めを行なうことは困難であるが、このような構成によれば、誘電体窓目盛り60および基準孔39を用いて、より容易にスロットアンテナ板31に対する誘電体窓41の周方向の位置を調整することができる。ここで、スロットアンテナ板31に対する誘電体窓41の周方向の位置決めの調整においては、上記したプラズマ処理装置11に設けられた制御部により自動で行なってもよい。すなわち、例えば、誘電体窓41の周方向の位置を調整する位置調整機構は、誘電体窓41の周方向への回転を可能とする回転機構を含み、基準孔39の位置や誘電体窓目盛り60の目盛りをセンサによって検出し、制御部に入力された角度θとなるよう誘電体窓41を回転させる構成としてもよい。なお、上記の実施の形態においては、プラズマ処理装置において、図2に示す形状のスロットアンテナ板を備えることとしたが、これに限らず、例えば、スロットの数やその配置状態を変更したものであってもよい。例えば、内周側スロット対群のスロットの配置および数は同じであるが、図8で示すスロットアンテナ板66のように、外周側スロット対群のスロットを28対から26対に変更し、略等配に配置させたものについても適用可能である。なお、図8は、図2に示すスロットアンテナ板よりもスロットの数を減少させ、スロット67の開口幅を狭くしたスロットアンテナ板66を板厚方向から見た図である。この実施形態においては、スロット67の開口幅、すなわち、スロット67のうち、長手方向に延びる一方側の壁部68aと長手方向に延びる他方側の壁部68bとの間の長さW3は、約6mmとなるように構成されている。この長さW3は、図2に示すスロットアンテナ板に設けられるスロット33の場合の長さW1の約半分である。一方、図8中の長さW4で示すスロット67の長手方向の長さ、すなわち、スロット67の長手方向の一方側の端部68cとスロット67の長手方向の他方側の端部68dとの間の長さW4は、約50mmとなるように構成されている。この長さW4は、図2に示すスロットアンテナ板に設けられるスロット33の場合の長さW2と同等である。スロット67について、長手方向の長さに対する短手方向の長さの比W3/W4は、6/50であり、約1/8である。その他のスロットの構成等については、図2で示すスロットアンテナ板31と同様であるため、その説明を省略する。ここで、スロットの開口形状については、幅広になるほど、導入されるマイクロ波のパワーが低下するが、周方向のずれに強いものとなる。すなわち、スロットの開口幅が狭くなれば、それだけマイクロ波を強く放射することができるが、スロットアンテナ板の取り付けにおけるスロットの位置が周方向にずれや、マイクロ波の伝播の乱れによって、マイクロ波の放射が極端に弱くなる場合がある。一方、スロットの開口幅が広くなれば、マイクロ波の放射は全体として弱くなるが、スロットアンテナ板の取り付けにおける周方向のスロットの位置のずれや、マイクロ波の伝播の乱れに対応して、極端に弱くならずにマイクロ波を放射することができる。次に、プラズマ処理装置におけるプラズマの生成状態について説明する。図9は、第一のプラズマ処理装置において、プラズマを生成した状態を示す写真である。図10は、上記した構成のプラズマ処理装置11において、プラズマを生成した状態を示す写真である。図9および図10は、誘電体窓を板厚方向から撮影したものである。ここで、第一のプラズマ処理装置とは、図2に示すスロットアンテナ板、および第一の誘電体窓凹部のみが設けられた誘電体窓を備える構成である。また、プロセス条件としては、処理容器内の圧力を100mTorr、マイクロ波パワーを1000W、供給するガスをアルゴンArガスおよび酸素O2ガスとし、Ar/O2の流量を、300/500sccmとしている。図9を参照して、第一のプラズマ処理装置では、径方向外側領域においては、周方向に略等間隔で形成されたプラズマの強発光を確認することができる。しかし、径方向内側領域において、プラズマの強発光を全く確認できない。これに対し、図10を参照して、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置では、径方向外側領域において、周方向に略等間隔で形成されたプラズマの強発光を確認することができ、さらに、径方向内側領域において、第二の誘電体窓凹部に該当する領域における7つのプラズマの強発光を確認することができる。次に、プラズマ処理装置におけるプラズマの電子密度の状態について説明する。図11は、生成されたプラズマの電子密度と被処理基板Wの中心からの距離との関係を示すグラフである。図11において、縦軸は、プラズマの電子密度cm-3を示し、横軸は、被処理基板Wの中心Oからの距離mmを示す。なお、電子密度の計測においては、PAPPlasmaAbsorptionProbe:プラズマ振動プローブを用いた。PAPを用いて計測した処理容器内の高さ方向の位置については、図1において上記した平面52である支持面を基準として下方向に100mmの位置としている。測定は、-240mm付近から100mmの範囲で行なった。また、ガスの供給については、センターガス供給部からのガス供給は行なわず、アウターガス供給部のみからのガス供給としている。なお、図11において、白抜き菱形は、図1に示すプラズマ処理装置で、処理容器内圧力50mTorr、マイクロ波パワー1500W、Ar/O2の流量を500/300sccmとした場合を示し、白抜き四角は、図1に示すプラズマ処理装置で、処理容器内圧力50mTorr、マイクロ波パワー2000W、Ar/O2の流量を200/600sccmとした場合を示し、黒三角は、図9に示されるプラズマ発光である第一のプラズマ処理装置で、処理容器内圧力50mTorr、マイクロ波パワー1500W、Ar/O2の流量を500/300sccmとした場合を示し、黒丸は、図9に示されるプラズマ発光である第一のプラズマ処理装置で、処理容器内圧力50mTorr、マイクロ波パワー2000W、Ar/O2の流量を200/600sccmとした場合を示す。図11を参照して、第一のプラズマ処理装置の場合、-150~-130mm辺りを電子密度のピークとし、被処理基板の中央付近、すなわち、距離0mm付近に向かって、グラフの形状が凹んでおり、被処理基板の中央領域付近において電子密度の低下が見られる。これに対し、図1に示すプラズマ処理装置の場合、第一のプラズマ処理装置のような中央付近における電子密度の低下は見られず、-100mmから中央領域においては、電子密度がほぼ等しいことが把握できる。次に、上記した構成のプラズマ処理装置11と、他のプラズマ処理装置との処理の程度の差について説明する。図12および図13は、他のプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際の被処理基板の処理状態を示す図である。図12は、上記した第一のプラズマ処理装置、具体的には、スロットアンテナ板として図2に示すものを用い、誘電体窓として第一の誘電体窓凹部のみが設けられたものを用いたプラズマ処理装置の場合である。図13は、第二のプラズマ処理装置、具体的には、スロットアンテナ板として、図8に示すものを用い、誘電体窓として、第一の誘電体窓凹部のみが設けられたものを用いたプラズマ処理装置の場合である。図14は、図1に示すプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際の被処理基板の処理状態を示す図である。図12~図14において、画像の濃度の濃淡度合いが、処理の度合いを示している。すなわち、画像の濃度の同じ領域が、エッチング深さの同じ領域であることを示す。図15は、第一のプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。図16は、第二のプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。図17は、図1に示すプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。図15~図17において、縦軸は、エッチング深さÅを示し、横軸は、被処理基板の中心からの距離mmを示す。また、図15~図17において、黒丸は、被処理基板の中心を通り、図12~図14に示す被処理基板の左右方向に延びるX軸の位置で測定した場合であり、黒三角は、被処理基板の中心を通り、X軸に直交するY軸の位置で測定した場合である。すなわち、Y軸は、図12~図14に示す被処理基板の上下方向に延びる軸であり、Y軸においては、マイナスの距離は、図12~図14に示す被処理基板の中心から下側の領域となる。なお、X軸においては、マイナスの距離は、図12~図14に示す被処理基板の中心から左側の領域となる。また、プロセス条件としては、処理容器内圧力20mTorr、マイクロ波パワー2000W、RFバイアス80W、Ar/CHF3/O2の流量を450/50/2sccmとしている。図12、図13、図15、図16を参照して、他のプラズマ処理装置の場合、エッチング深さのムラ、すなわち、面内における処理の程度の差が大きい。特に周方向においては、そのエッチング深さの分布のばらつきが大きい。これに対し、図14および図17を参照して、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の場合、エッチング深さのムラは小さく、周方向のエッチング深さの分布のばらつきは小さいものとなっている。また、プロセス条件を変更したものについても検討を行なった。具体的には、処理容器内圧力20mTorr、マイクロ波パワー3000W、RFバイアス200W、Ar/CF4の流量を500/100sccmとした場合について、図18~図21に示す。図18は、図13に示す場合と同様の装置構成の場合であり、図19は、図14に示す場合と同様の装置構成の場合であり、図20は、図16に示す場合と同様の装置構成の場合であり、図21は、図17に示す場合と同様の装置構成の場合である。図18~図21を参照しても、図12~図17に示す場合と同様の傾向となっていることが把握できる。図22は、偏りファクターとプロセス条件との関係を示すグラフである。縦軸は、偏りファクターの値を示し、横軸は、プロセス条件を示す。図22に示す棒グラフにおいて、最も左側が、図8に示すスロットアンテナ、および第一の誘電体窓凹部のみを設けた誘電体窓を備える第二のプラズマ処理装置の場合であり、真中が、図2に示すスロットアンテナ、および第一の誘電体窓凹部のみを設けた誘電体窓を備える第一のプラズマ処理装置の場合であり、最も右側が、図1に示すこの発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の場合である。ここで、偏りファクターとは、被処理基板の中心から被処理基板の端部方向に150mmの点まで、径を25mmずつ大きくした位置毎、そして最外周部分である約152mmの位置において、それぞれ算出した周方向の均一性を積算した値である。具体的な算出方法の一例を挙げると、第二のプロセス条件における真中のグラフ、すなわち、図2に示すスロットアンテナ、および第一の誘電体窓凹部のみを設けた誘電体窓を備える第一のプラズマ処理装置の場合について、25mmの位置における周方向の均一性が約2、50mmの位置における周方向の均一性が約6、75mmの位置における周方向の均一性が約8、100mmの位置における周方向の均一性が約11、125mmの位置における周方向の均一性が約11.5、150mmの位置における周方向の均一性が約13、152mmの位置における周方向の均一性が約13であり、偏りファクターは、それぞれを足し合わせた値である約64.5となる。偏りファクターについては、その値自体が小さいほど、周方向の位置における処理の程度の差が小さいことを示すので、その値が小さいことが好ましい。また、プロセスマージンを広く確保するため、各プロセス条件間においても、その値の差が小さいことが好ましい。すなわち、ある一つのプロセス条件で偏りファクターの値が小さくても、他のプロセス条件で偏りファクターの値が大きいことは好ましくない。つまり、周方向における処理の均一性を考慮しながら、プラズマ処理装置のロバスト性向上、すなわち、プロセス条件を変更しても、処理の均一性に対する影響を小さくすることができるという観点からみれば、偏りファクターの値自体が小さく、かつ、各プロセス条件における偏りファクターの値の差が小さければよい。ここで、図22中の横軸で示すプロセス条件については、第1のプロセス条件~第6のプロセス条件まで、6つのパターンで行なった。各プロセス条件の内容を、表1に示す。なお、第1および第2のプロセス条件は、有機膜のエッチング処理の一例を示すものであり、第3~第6のプロセス条件は、酸化膜のエッチング処理の一例を示すものである。図22および表1を参照して、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置においては、いずれのプロセス条件においても、偏りファクターの値が小さく、最大でも第6のプロセス条件における17程度の値である。一方、第二のプラズマ処理装置においては、偏りファクターの値が小さいプロセス条件があるものの、第3のプロセス条件および第6のプロセス条件については、その値が大きく、それぞれ60程度となっている。第一のプラズマ処理装置においても、偏りファクターの値が小さいプロセス条件があるものの、第2のプロセス条件および第3のプロセス条件については、その値が大きく、それぞれ55程度となっている。つまり、プラズマ処理装置のロバスト性向上の観点からも、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置は優れている。これについては、以下のことが考えられる。第一のプロセス条件については、圧力が150mTorrと比較的高圧であり、それぞれの場合について、偏りファクターの差はほとんど見られない。しかし、第二~第六のプロセス条件については、圧力が20~40mTorrと比較的低圧である。このような低圧の条件下においては、ややプラズマが偏りやすい傾向にあるが、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置においては、上記した誘電体窓の構造に加え、比較的幅の広いスロットを有するスロットアンテナ板を備える構成であるため、マイクロ波の放射の周方向の均一性をより高くして、ロバスト性の向上に寄与していると考えられる。すなわち、スロットの長手方向の長さに対する短手方向の長さの比を、1/4以上とすることにより、低圧条件下においても周方向のずれに対応して、処理の均一性を確保することができ、さらにプラズマ処理装置のロバスト性を向上することができる。なお、誘電体窓の形状としては、図3に示す形状に限られず、例えば、図23および図24に示す形状であってもよい。図23は、この発明の他の実施形態に係る誘電体窓を示す断面図である。図24は、この発明のさらに他の実施形態に係る誘電体窓を示す断面図である。図23および図24に示す断面は、図3に示す断面に相当する。図23を参照して、この発明の他の実施形態に係る誘電体窓71は、図3に示す誘電体窓41と同様に、環状に連なるテーパ状の第一の誘電体窓凹部72および板厚方向に真直ぐに凹んだ形状の第二の誘電体窓凹部73が設けられている。ここで、図3に示す誘電体窓41との構造の対比において、第二の誘電体窓凹部73については、上記したPCDは同じであるが、図3に示す誘電体窓41の第二の誘電体窓凹部53a~53gよりも、それらの大きさが小さく設けられている。この実施形態においては、図4における長さL2に相当し、図23中の長さL4で示す第二の誘電体窓凹部73の径は、φ20mmとしている。また、図24を参照して、この発明のさらに他の実施形態に係る誘電体窓76は、図3に示す誘電体窓41と同様に、環状に連なるテーパ状の第一の誘電体窓凹部77および板厚方向に真直ぐに凹んだ形状の第二の誘電体窓凹部78が設けられている。ここで、第二の誘電体窓凹部78については、図3に示す誘電体窓41との構造の対比において、それらの大きさは同じであるが、図3に示す誘電体窓41の第二の誘電体窓凹部53a~53gよりも、内径側に設けられている。この実施形態においては、図4における長さL1に相当し、図24中の長さL5で示すPCDについては、140mmとしている。次に、他のプラズマ処理装置およびこの発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置において、プラズマの安定性について評価を行った。表2は、図3に示す誘電体窓、図23に示す誘電体窓、図24に示す誘電体窓、および第一の誘電体窓凹部のみが設けられた誘電体窓において、ガスの流量を変更した場合のプラズマの安定性を示す表である。なお、スロットアンテナ板31については、いずれも図2に示したものを用いている。表2中、丸印は、プラズマが安定している状態を示し、三角印は、ハンチング状態、すなわち、マイクロ波のマッチングユニットにおいて整合がとれない状態で、安定しない状態を示し、×印は、マイクロ波の反射値がプラズマ処理装置に設けられたインターロック値を上回り、プロセス停止した状態を示す。また、MWはマイクロ波を示し、それぞれ2000W,2500W、3000Wで評価している。また、表2中の最上段は、Ar/HBrのそれぞれのガスの流量sccmを示している。表2における評価は、上段から図3に示す誘電体窓を備えるプラズマ処理装置、図24に示す誘電体窓を備えるプラズマ処理装置、図23に示す誘電体窓を備えるプラズマ処理装置、第一の誘電体窓凹部のみが設けられた誘電体窓を備えるプラズマ処理装置の順に表記している。表2において、評価中、各プロセス条件における左側は、マイクロ波が発生する側、いわゆる誘電体窓が設けられた位置に近い領域におけるプラズマの安定性であり、右側は、RFバイアス側、いわゆる保持台が設けられた位置に近い領域におけるプラズマの安定性である。表2を参照して、Ar/HBrにおいて、HBrの流量比が相対的に高くなった場合、プラズマが不安定となる傾向となるが、表2の最下段で示す従来の誘電体窓においては、HBrガスの流量が800sccm以上の場合、安定するプラズマのプロセス条件は、全くない。これに対し、図24に示す誘電体窓の場合、HBrガスの流量が800sccm以上の場合マイクロ波のパワーを高くすれば、安定したプラズマを多くのプロセス条件で生成することができる。さらに、図23に示す誘電体窓の場合、HBrの流量比が相対的に高くなった場合、さらに、プラズマの安定するプロセス条件が多くなる。さらに、図3に示す誘電体窓の場合、一部のプロセス条件を除き、ほとんどのプロセス条件において安定したプラズマを生成することができる。すなわち、上記した条件によると、表2によると、図23に示す誘電体窓、図24に示す誘電体窓、図3に示す誘電体窓の順に、より広いプロセスマージンを確保することができる。ここで、図3および図23に示す各誘電体窓において、エッチング深さの評価を行なった。図25および図26は、図3および図23に示す誘電体窓を備えるプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。図25に示す場合において、プロセス条件としては、上記した表1に示す第5のプロセス条件とし、図26に示す場合において、プロセス条件としては、上記した表1に示す第6のプロセス条件としている。図25および図26中、白抜き菱形は、図23に示す誘電体窓を用いた場合のY軸方向の値、白抜き四角は、図23に示す誘電体窓を用いた場合のX軸方向の値、黒三角は、図3に示す誘電体窓を用いた場合のY軸方向の値、黒丸は、図3に示す誘電体窓を用いた場合のX軸方向の値を示す。図25および図26を参照して、図23に示す誘電体窓を用いた場合のグラフの形状は、図3に示す誘電体窓を用いた場合のグラフの形状よりも、横方向にフラットな形状となっている。すなわち、センターファーストの傾向を抑制するためには、図23に示す誘電体窓を用いるのがよい。すなわち、上記した径方向の処理の均一性向上の観点から、図23に示す誘電体窓を用いれば、少なくとも上記した第5および第6のプロセス条件において、処理におけるセンターファーストの傾向を改善して、センターファーストとなる影響を低減することができる。なお、上記したように、ガス供給部が、センターガス供給部およびアウターガス供給部を備える構成とすれば、ガスの流量比を調整して、径方向における処理の均一性の微調整、すなわち、ここでは、センターファーストの傾向のさらなる改善を図ることができる。なお、上記の実施の形態においては、第二の誘電体窓凹部を合計7個設けることとしたが、これに限らず、6個や8個等、要求されるプロセスマージンの幅や用いるスロットアンテナ板の構成に応じて、その数や大きさ、径方向の位置が任意に定められる。さらには、径方向に複数設けることとしてもよい。すなわち、径方向の中心が一致する2つの同心円上に、第二の誘電体窓凹部の中心が配置されるような構成であってもよい。また、上記の実施の形態においては、第二の誘電体窓凹部の形状を、丸穴状としたが、これに限らず、例えば、周方向や径方向に長い長孔や楕円形状としてもよい。さらには、四角形状や三角形状等、多角形状であっても構わない。さらには、第二の誘電体窓凹部は、真直ぐに凹むようにして設けることとしたが、これに限らず、例えば、テーパ面を構成するように傾斜するように延びる面を含むよう構成してもよいし、曲面を含むようにしてもよい。なお、上記の実施の形態においては、エッチング処理について述べたが、CVD処理、プラズマ酸化、プラズマ窒化、プラズマドーピングを行う場合においても、適用されるものである。また、上記の実施の形態においては、RLSAを採用することとしたが、これに限らず、マイクロ波をプラズマ源とする種々のマイクロ波プラズマ処理装置に適用することもできる。以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明したが、この発明は、図示した実施形態のものに限定されない。図示した実施形態に対して、この発明と同一の範囲内において、あるいは均等の範囲内において、種々の修正や変形を加えることが可能である。"