"基板と、該基板上に設けられた下部電極と、該下部電極上に設けられた光電変換層とを有する光電変換セルの製造装置であって、前記基板を支持する支持手段と、スクライブによって前記光電変換層の一部を除去する加工ツールを有するスクライブ手段と、前記支持手段および前記スクライブ手段の少なくとも一方を一方向に移動させる移動手段とを備えており、前記加工ツールは、前記下部電極の上面に当接する当接部と、該当接部に隣接するとともに前記一方向に延びる凹部とを有する、光電変換セルの製造装置。前記一方向に直交する他方向における前記凹部の開口幅は、前記他方向における前記当接部の幅よりも小さい、請求項1に記載の光電変換セルの製造装置。前記加工ツールは、前記当接部および前記凹部を複数有するとともに、前記当接部および前記凹部が前記他方向に沿って交互に並んでいる、請求項2に記載の光電変換セルの製造装置。前記他方向における前記凹部の開口幅は、前記凹部の深さ方向に向かって、漸次小さくなっている、請求項2または請求項3に記載の光電変換セルの製造装置。前記凹部の底面は、該凹部の深さ方向に突出する曲面である、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の光電変換セルの製造装置。基板と、該基板上に設けられた下部電極と、該下部電極上に設けられた光電変換層とを有する光電変換セルの製造方法であって、前記基板上に前記下部電極を設ける工程と、前記下部電極上に前記光電変換層を設ける工程と、前記基板を支持手段で支持する工程と、加工ツールを有するスクライブ手段および前記支持手段の少なくとも一方を一方向に移動させて、スクライブによって前記光電変換層の一部を除去する工程とを備えており、前記光電変換層の一部を除去する工程は、前記下部電極の上面に当接する当接部と、該当接部に隣接するとともに前記一方向に延びる凹部とを有する前記加工ツールで行なう、光電変換セルの製造方法。メカニカルスクライブ法では、加工ツールの先端面を下部電極層の上面と当接させた状態で一方向に走査し、光吸収層およびバッファ層の一部を除去して溝部が形成される。このとき、加工ツールに過度な圧力がかかると、下部電極層に光吸収層が押し付けられるようになり、下部電極層上に光吸収層の一部が残存する場合があった。この残存した光吸収層の一部分は、抵抗成分として作用する。そのため、隣り合う光電変換セルを透明電極で接続すると、直列抵抗が大きくなる場合があった。これにより、光電変換効率が低下する可能性があった。本発明の一つの目的は、下部電極層上の光吸収層の残存を低減し、高い光電変換効率を有する光電変換セル製造するための製造装置及び製造方法を提供することである。本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造装置は、基板と、該基板上に設けられた下部電極と、該下部電極上に設けられた光電変換層とを有する光電変換セルの製造装置である。そして、本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造装置は、前記基板を支持する支持手段と、スクライブによって前記光電変換層の一部を除去する加工ツールを有するスクライブ手段と、前記支持手段および前記スクライブ手段の少なくとも一方を一方向に移動させる移動手段とを備えている。本実施形態において、前記加工ツールは、前記下部電極の上面に当接する当接部と、該当接部に隣接するとともに前記一方向に延びる凹部とを有する。本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造方法は、基板と、該基板上に設けられた下部電極と、該下部電極上に設けられた光電変換層とを有する光電変換セルの製造方法である。そして、本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造方法は、前記基板上に前記下部電極を設ける工程と、前記下部電極上に前記光電変換層を設ける工程と、前記基板を支持手段で支持する工程と、加工ツールを有するスクライブ手段および前記支持手段の少なくとも一方を一方向に移動させて、スクライブによって前記光電変換層の一部を除去する工程とを備えている。本実施形態において、前記光電変換層の一部を除去する工程は、前記下部電極の上面に当接する当接部と、該当接部に隣接するとともに前記一方向に延びる凹部とを有する前記加工ツールで行なう。本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造装置および光電変換セルの製造方法では、加工ツールの凹部が位置していた部位における光電変換層にはスクライブによる応力が集中しやすくなっている。これにより、上記部位における光電変換層が上記応力の集中によって下部電極からの剥離が生じやすくなり、下部電極上に残存する光電変換層が少なくなる。その結果、抵抗の上昇が低減されて、光電変換効率を高めることができる。本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面には、光電変換セル10の配列方向図1の図面視左右方向をX軸とする右手系のXYZ座標が付しているものがある。まず、本発明の実施形態に係る光電変換セルの製造装置および製造方法で製造される光電変換セルの実施形態について説明する。<光電変換セル>本発明の一実施形態に係る光電変換セル10は、図1、図2に示すように、複数並べられることによって光電変換装置11を形成している。この光電変換セル10は、基板1と、下部電極2と、光電変換層光吸収層3およびバッファ層4と、上部電極5と、集電電極6と、接続電極7とを備えている。なお、本実施形態において光電変換に寄与する光電変換層は、光吸収層3とこれにヘテロ接合されたバッファ層4とを具備する例を示しているが、これに限定されない。光電変換層は、少なくとも下部電極2側の部位がカルコパイライト系の半導体カルコゲン化合物半導体ともいうを含んでいればよい。よって、光電変換層は下部電極2側からカルコゲン化合物半導体を含むバッファ層4および光吸収層3を積層したものであってもよく、一方で、異なる導電型の半導体層がホモ接合されたものであってもよい。また、上部電極5は半導体層から成るものも含み、いわゆる窓層と呼ばれるものも含む。光電変換セル10は、光吸収層3およびバッファ層4をまたがるように設けられた接続導体7によって、上部電極5と、隣接する光電変換セル10の下部電極2が延出された部位とが電気的に接続されている。換言すれば、接続導体7は、隣り合う光電変換層間で一方の光電変換セル10の上部電極5と、他方の光電変換セル10の下部電極2とを電気的に接続している。これにより、隣接する光電変換セル10同士は、図1中のX方向に沿って直列接続され、集積化されている。なお、一つの光電変換セル10内において、接続導体7は光吸収層3およびバッファ層4をまたがるように設けられており、上部電極5と下部電極2とで挟まれた光吸収層3とバッファ層4とで光電変換が行なわれる。基板1は、光吸収層3等を支持するためのものである。このような基板1としては、例えば厚さ1~3mm程度のソーダライムガラスSLGを用いることができる。下部電極2は、一方向図1および図2中のX方向に互いに間隔をあけて基板1の一主面上に配置されている。なお、本実施形態では、図2において、上記間隔に対応する分離溝P1によって互いに離間した3つの下部電極2が設けられている。このような下部電極2は、モリブデンMo、アルミニウムAl、チタンTi、タンタルTaまたは金Au等の金属またはこれらの合金や金属積層構造体が用いられる。この下部電極2は、基板1上にスパッタリング法または蒸着法等で厚さ0.2~1μm程度に形成される。光吸収層3は、下部電極2上に配置されている。本実施形態において、光吸収層3は、カルコゲン化合物半導体を含んでいる。カルコゲン化合物半導体とは、カルコゲン元素である硫黄S、セレンSeまたはテルルTeを含む化合物半導体である。例えば、カルコゲン化合物半導体としては、例えば、IIIIVI化合物半導体がある。IIIIVI化合物半導体とは、IB族元素11族元素ともいうとIIIB族元素13族元素ともいうとVIB族元素16族元素ともいうとの化合物半導体であり、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物半導体と呼ばれるCIS系化合物半導体ともいう。IIIIVI化合物半導体としては、例えば、二セレン化銅インジウムCuInSe2、二セレン化銅インジウムガリウムCuIn,GaSe2、二セレンイオウ化銅インジウムガリウムCuIn,GaSe,S2、二イオウ化銅インジウムガリウムCuIn,GaS2又は薄膜の二セレンイオウ化銅インジウムガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウムガリウム等の多元化合物半導体薄膜がある。光吸収層3は、例えばp型の導電型を有する厚さ1~3μm程度の薄膜である。また光吸収層3がIIIIVI化合物半導体から成る場合、その表面にヘテロ接合を形成するためのバッファ層4を有することが好ましい。バッファ層4としては、例えば、硫化カドミウムCdSや硫化インジウムInS、硫化亜鉛ZnS等の混晶化合物半導体がある。上部電極5は、いわゆる窓層と呼ばれるものを含み、例えばn型の導電型を有する禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の厚さ1~2μm程度の酸化亜鉛ZnOやアルミニウムやボロン、ガリウム、インジウム、フッ素などを含んだ酸化亜鉛との化合物、錫を含んだ酸化インジウムITOや酸化錫SnO2などからなる金属酸化物半導体薄膜である。窓層は光電変換セル10を構成する一方の電極として見なすことができるため、本実施形態では上部電極5とみなしている。上部電極5は、このような窓層に加えてさらに透明導電膜を形成してもよい。接続導体7は、光吸収層3およびバッファ層4を貫通し、隣り合う光電変換セル同士において、一方の光電変換セル10の上部電極5と他方の光電変換セル10の下部電極2とを電気的に接続するものである。接続導体7は、上部電極5と同じ材料であってもよく、金属ペーストを固化したものであってもよい。なお、固化というのは、金属ペーストに用いるバインダーが熱可塑性樹脂である場合の熔融後の固化状態を含み、バインダーが熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂等の硬化性樹脂である場合の硬化後の状態をも含む。接続信頼性を高めるという観点からは、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストを用いることが好ましい。上部電極5上には、本実施形態のように集電電極6を設けてもよい。集電電極6は、例えば、図1、図2に示すように、光電変換セル10の一端から接続導体7にわたって線状に形成されている。これにより、光吸収層3の光電変換により生じた電荷を、上部電極5を介して集電電極6で集電できる。そして、集電された電荷は、接続導体7を介して隣接する光電変換セル10に良好に導電される。よって、本実施形態では、上部電極5を薄くしても光吸収層3で発生した電荷を効率よく取り出すことができる。それゆえ、このような集電電極6は、発電効率の向上に寄与する。集電電極6の幅は、50~400μmであればよい。これにより、良好な導電性を維持しつつ、過度な受光面積の減少を低減できる。また、集電電極6は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。集電電極6は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストをパターン状に印刷し、これを乾燥し、固化することによって形成することができる。<光電変換セルの製造方法>次に、光電変換セルの製造方法の一実施形態について図3を用いて説明する。まず、SLGなどの基板1を準備する。基板1の大きさは、例えば50cm×100cm程度、厚さ5mm程度である。次に、図3aに示すように、基板1を洗浄した後、その一主面に下部電極2となるモリブデン層等をスパッタリング法などで成膜する。次いで、この下部電極2にYAGイットリウム、アルミニウム、ガーネットレーザを照射して幅10~100μm程度の分割溝P1を形成することにより、モリブデン層をパターニングして複数の短冊状の下部電極2を形成する。このパターニング後のモリブデン層の幅は3~15mm程度である。次に、図3bに示すように、下部電極2上に光吸収層3となるI-III-VI族化合物を含む膜をスパッタリング法、蒸着法または印刷法などを用いて成膜する。例えば、CIGSの光吸収層3をスパッタリング法で形成する場合は、Cu-Gaの合金ターゲットを用いてスパッタリングで成膜された金属薄膜上に、さらにInターゲットを用いてスパッタリングで金属薄膜を積層することで形成すればよい。一方、印刷法であれば、Cu、InおよびGaを含有したペーストを基板1上にスクリーン印刷法を用いて塗布し、100~150°C程度の温度で乾燥を行なうことにより、皮膜を作製する。次に、この皮膜を焼成し、カルコゲン化を行なうことにより、光吸収層3を形成する。この焼成は、上述の皮膜を形成した基板1を焼成炉内に載置して、炉内を減圧すると共に基板1を400~600°C程度まで昇温させ、昇温後この温度を維持しながら炉内にH2Seガスを導入するなどして、セレンを含む雰囲気下で、60~90分程度処理することで行なう。このようにして、例えば、I-III-VI族化合物としてCu、InおよびGaを含有した皮膜をセレン化することにより、CIGSを含む光吸収層3膜が形成される。また、この焼成においては、カルコゲン元素としてセレンのほか、イオウやテルルでも応用可能である。次いで、図3cに示すように、光吸収層3上に、例えば、CdSをケミカルバスデポジション法CBD法などで、10~200nm程度の厚みになるように成膜し、バッファ層4を形成する。さらに、バッファ層4上に、例えば、ITOをスパッタリング法または蒸着法などで0.05~0.5μm程度の厚みになるように成膜し、上部電極5を形成する。次に、下部電極に形成した分割溝P1から20~100μm程度離間した位置に、図3dに示すように光吸収層3、バッファ層4および上部電極5を一方向Y方向に沿って直線状に除去した分割溝P2を形成する。この分割溝P2は、メカニカルスクライブ法によって形成される。分割溝P2の幅は、メカニカルスクライブで用いる加工ツールの大きさを変更することによって調整可能である。このような分離溝P2の幅は、50~500μm程度であればよい。なお、分離溝P2を形成する際のスクライブ法については、後に詳述する。次に、図3eに示すように、上部電極5上および分割溝P2内に銀ペーストなどを印刷することによって、集電電極6および接続導体7を形成する。これにより、分割溝P2に配置された接続導体7によって、一方の光電変換セル10の上部電極5と隣接する他方の光電変換セル10の下部電極2とが電気的に接続されるようになる。最後に、図3fに示すように、分離溝P2の端部から10~100μ程度離間した位置に、光吸収層3、バッファ層4、上部電極5および集電電極6をメカニカルスクライブでパターニングして分離溝P3を形成する。これにより、接続導体7を介して直列接続された複数の光電変換セル10を有する光電変換装置20が形成される。この分離溝P3の幅は、例えば、20~100μm程度である。<光電変換セルの製造装置>次に、本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造装置について図4乃至図7を用いて説明する。本実施形態に係る光電変換セルの製造装置は、主として、上述した分離溝P2の形成時に利用される。そのため、以下の説明では、本実施形態としてスクライブ装置を一例として挙げて説明する。本発明の一実施形態に係る光電変換セルの製造装置以下、スクライブ装置30とするは、図4に示すように、テーブル12と、駆動シャフト13と、サーボモーター14と、加工ツール15と、ホルダ16およびアーム17を備えている。テーブル12は、基板1を支持する支持手段である。このようなテーブル12は、例えば、厚さが10~30mm程度のステンレスで形成される。また、テーブル12の大きさは、特に限定されるものではなく、基板1より10~50mm程度大きければよい。また、テーブル12には、厚み方向に貫通する複数の貫通孔が設けられている図示なし。これにより、テーブル12の基板1の載置面の裏側から真空ポンプなどを用いて貫通孔内を減圧することによって、基板1がテーブル12の載置面に固定される。この貫通孔の大きさは、例えば、直径が3~10mm程度である。駆動シャフト13およびサーボモーター14は、テーブル12をX方向およびY方向に移動可能とする移動手段である。これにより、テーブル12は、駆動シャフト13およびサーボモーター14によって、一方向に移動させることができる。駆動シャフト13は、サーボモーター14と連結されており、シーケンサー等で制御されたサーボモーター14によって移動方向および移動距離が制御される。加工ツール15は、光電変換層等をメカニカルスクライブする機能を有している。この加工ツール15は、ネジ等でホルダ16に固定されている。また、ホルダ16は、ネジ等でアーム17に取り付けられている。なお、加工ツール15の形状等については、後述する。アーム17は、ホルダ16に固定された加工ツール15をZ軸方向に移動可能にするものである。それゆえ、アーム17には、加工ツール15をZ軸方向に移動可能にするためのエアーシリンダおよびスプリングが設けられている。また、アーム17は、スクライブ時に加工ツール15が所定の圧力で基板1の表面を押圧するように調整する機構も有している。本実施形態では、加工ツール15、ホルダ16およびアーム17によってスクライブ手段を構成している。また、アーム17には、シーケンサー等によって制御されたサーボモーター図示なしによってX方向およびY方向にも移動できるようにしてもよい。このように、上記スクライブ手段とテーブル12等の支持手段とは、少なくとも一方がサーボモーター等の移動手段によって一方向に移動できればよい。すなわち、スクライブ手段および支持手段は、移動手段によって相対的に移動可能である。次に、加工ツール15の詳細について説明する。加工ツール15は、図5に示すように、本体部18、先端部19および刃先部20を有する。本体部18は、ホルダ16に固定される部位であり、略四角柱状を成している。先端部19は、本体部18と刃先部20とをつなぐ部位であり、刃先部20に向かって径が小さくなるテーパー状を成している。そのため、先端部19の側面には、傾斜部21が設けられている。そして、この傾斜部21の角度を調整することによって、刃先部20のX軸方向の幅を調整できる。刃先部20は、実際に光電変換層および上部電極5と接触して、これらを基板1から部分的に除去する機能を有している。そして、刃先部20は、スクライブで形成する分離溝の幅と、図5におけるX方向の幅とが略同一となるように調整されている。それゆえ、加工ツール15は、図3dで示した分離溝P2を形成する場合、刃先部20がY方向に移動するように動く。刃先部20は、下部電極2の上面に当接する当接部22と、該当接部22に隣接するとともに、加工ツール15の移動方向一方向に延びる凹部23とを有している。なお、本実施形態において、上記移動方向は、図3dにおけるY方向である。また、加工ツール15は、当接部22と連続する底面部24および側面部25を有している。それゆえ、加工ツール15は、図6に示すように、底面部24と側面部25との間に当接部22が位置している。加工ツール15は、図3dの工程で分離溝P2を形成すると、当接部22と接触した光電変換層が除去される。一方で、下部電極2上の光電変換層の一部が加工ツール15刃先部20の凹部23に入り込む。そのため、加工ツール15の移動方向Y方向に沿って延びるように光電変換層の一部が凹部23に入り込んだ部位入り込み部ができる。この入り込み部は、当接部22で下部電極2の上面に押圧されていないため、下部電極2との密着強度が、当接部22で押圧された部位に比べて弱まっているから、剥離が生じやすい。加えて、入り込み部は、下部電極上においてY方向に略一直線状に形成されるため、スクライブによって生じた応力が集中しやすくなっている。これにより、上記応力の集中によって上記入り込み部および該入り込み部近傍の光電変換層が下部電極2から連続的に剥離しやすくなる。それゆえ、凹部23が形成されていない当接部22のみの加工ツールで分離溝P2を形成する態様に比べて、下部電極上に残存する光電変換層が少なくなる。その結果、抵抗の上昇が低減されて、光電変換効率を高めることができる。また、当接部22の押圧によって下部電極2上に残った光電変換層の一部が上記入り込み部と連続するように形成されれば、上記応力の集中によって、同時に下部電極2から剥離する。加工ツール15の刃先部20の当接部22および凹部23の大きさは、分離溝P2の大きさに応じて適宜設定すればよい。例えば、刃先部20の幅方向X方向の大きさが200μm程度であれば、当接部22のX方向における大きさは25~50μm程度、凹部23のX方向における大きさは10~20μm程度であればよい。また、凹部23の深さ方向Z方向の大きさは、例えば、5~30μm程度であればよい。また、凹部23のX方向における開口幅は、当接部22のX方向における幅よりも小さくしてもよい。これにより、上記入り込み部の幅が小さくなるため、上記入り込み部に応力がより集中しやすくなる。その結果、上記入り込み部および該入り込み部近傍の光電変換層が下部電極2からより剥離しやすくなる。このとき、凹部23のX方向における開口幅は、当接部22のX方向における幅よりも1/3~1/2程度小さければよい。次に、スクライブ装置30の動作について説明する。まず、基板1上に下部電極2を設ける工程図3aの工程と、下部電極2上に光電変換層を設ける工程図3bおよび図3cを経た基板1を準備する。次いで、図4に示すように、テーブル12上で基板1を支持する。なお、図4における基板1には、図3cの工程を経て得られたものが用いられている。次に、テーブル12を一方向図4のY方向に移動させて、加工ツール15でスクライブすることによって光電変換層の一部を除去し、分離溝P2を形成する図3d。なお、加工ツール15によるスクライブは、図3fで示した分離溝P3の形成時に用いてもよい。また、加工ツール15は、当接部22および凹部23を複数有していてもよい。このとき、当接部22および凹部23は、加工ツール15の移動方向に相当する一方向Y方向に直交する他方向本実施形態ではY方向と直交するX方向に相当するに沿って交互に並んでいてもよい。これにより、当接部22の押圧によって下部電極上に残った残存部が、上記入り込み部および上記入り込み部近傍の光電変換層と連続する可能性が高まる。その結果、上記入り込み部および上記入り込み部近傍の光電変換層の剥離に伴って上記残存部も下部電極から剥離しやすくなる。また、加工ツール15は、図6aに示すように、凹部23の開口幅が凹部23の深さ方向Z方向に向かって、漸次小さくなっていてもよい。すなわち、凹部23の底部の幅が開口幅よりも小さくなる。そのため、スクライブ後に形成される上記入り込み部の頂部の幅が小さくなり、当該頂部に応力が集中しやすくなる。これにより、上記入り込み部および上記入り込み部近傍の光電変換層が下部電極から剥離しやすくなる。また、このような凹部23であれば、分離溝P2の幅に応じて凹部23の開口幅を大きくしても、上記入り込み部および上記入り込み部近傍の光電変換層が剥離しやすくなる。また、加工ツール15は、図6bに示すように、凹部23の底面が凹部23bの深さ方向に突出する曲面であってもよい。これにより、凹部23のXZ面における断面積を比較的大きくすることができる。それゆえ、分割溝P2の形成時において、当接部22で除去された光電変換層等が、隣接する凹部23内に巻き込まれても、凹部23から排出されやすくなる。その結果、凹部23内における光電変換層等の詰まりの発生が低減される。また、加工ツール15の刃先部20は、当接部22および凹部23を含む面が曲面を成していてもよい。これにより、被加工面に対する刃先部20の設置が容易になるため、安定したスクライブか可能となる。なお、本発明は上記一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。例えば、上記入り込み部および上記入り込み部近傍の光電変換層を下部電極からより剥離させるべく、分離溝の形成工程の後に、洗浄工程等を利用して、不要な光電変換層を除去する工程を加えてもよい。"