真空雰囲気中でプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を基板の表面に付着させることにより、基板の表面に薄膜を形成するアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置において、一側面側にサイド開口部を有したチャンバー本体、前記チャンバー本体の正面側に設けられたフロント壁、前記チャンバー本体の背面側に設けられたリア壁、及び前記チャンバー本体の側面側に着脱可能に設けられかつ前記サイド開口部を開閉するサイド壁を備えてあって、室内を真空状態に減圧可能な真空チャンバーと、前記真空チャンバーの内部側へ材料ガスを供給するガス供給源と、前記真空チャンバーの内部に奥行き方向に間隔を置いて配設され、垂直状態で同一平面上に幅方向に間隔を置いて配列されかつ前記真空チャンバーに対して着脱可能な複数本のアンテナ素子を備え、両側に垂直状態の基板をセット可能な基板エリアがそれぞれ形成され、プラズマを発生させる複数のアレイアンテナと、各アレイアンテナに高周波電力を供給する高周波電源と、前記サイド壁の内壁面に垂直に配設され、前記奥行き方向に離隔してあって、片側に基板からの輻射熱を吸収可能な吸収面を有し、基板を冷却する一対の冷却パネルと、前記サイド壁の内壁面における一対の前記冷却パネルの間に前記奥行き方向に間隔を置いて垂直に配設され、両側に基板から輻射熱を吸収可能な吸収面をそれぞれ有し、基板を冷却する複数の中間冷却パネルと、を具備し、前記サイド壁を前記チャンバー本体の一側面側に対して着脱すると、各冷却パネルが前記奥行き方向の一端部側の前記基板エリアと前記フロント壁又は前記奥行き方向の他端部側の前記基板エリアと前記リア壁との間に対して進退すると共に、各中間冷却パネルが各隣接する基板エリア間に対して進退するようになっていることを特徴とするアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置。各冷却パネルの内部に冷熱媒を循環させるための循環流路が形成され、前記中間冷却パネルの内部に冷熱媒を循環させるための中間循環流路が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置。各冷却パネルの前記吸収面及び前記中間冷却パネルの前記吸収面にセラミックスのコーティング処理が施されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置。各アレイアンテナにおける各アンテナ素子は、U字形状又は棒形状の誘導結合型電極であることを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれかの請求項に記載のアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置。ところで、アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置の生産性を高いレベルまで向上させるには、高周波電源から各アレイアンテナに供給される高周波電力を大きくして、各アレイアンテナの周辺のプラズマ密度を高くする必要がある。一方、各アレイアンテナ周辺のプラズマ密度を高めると、成膜処理中に真空チャンバーの内部の温度が過度に上昇して、基板の表面温度を適正な温度温度範囲に保つことが困難になり、非結晶シリコン膜又は微結晶シリコン膜等の薄膜の品質の低下を招くことになる。つまり、アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めることは容易でないという問題がある。そこで、本発明は、前述の問題を解決することができる、新規な構成のアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置を提供することを目的とする。本発明の特徴は、真空雰囲気中でプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を基板の表面に付着させることにより、基板の表面に薄膜を形成するアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置において、側面側にサイド開口部を有したチャンバー本体、前記チャンバー本体の正面側に設けられたフロント壁、前記チャンバー本体の背面側に設けられたリア壁、及び前記チャンバー本体の一側面側に着脱可能に設けられかつ前記サイド開口部を開閉するサイド壁蓋壁を備えてあって、室内を真空状態に減圧可能な真空チャンバーと、前記真空チャンバーの内部側へ材料ガスを供給するガス供給源と、前記真空チャンバーの内部に奥行き方向前記真空チャンバーの奥行き方向に間隔を置いて配設され、垂直状態で同一平面上に幅方向前記真空チャンバーの幅方向に間隔を置いて配列されかつ前記真空チャンバーに対して着脱可能な複数本のアンテナ素子を備え、両側に垂直状態の基板をセット可能な基板エリアがそれぞれ形成され、プラズマを発生させる複数のアレイアンテナと、各アレイアンテナ各アレイアンテナにおけるアレイアンテナ素子に高周波電力を供給する高周波電源と、前記サイド壁の内壁面に垂直に配設され、前記奥行き方向に離隔してあって、片側に基板からの輻射熱を吸収可能な吸収面を有し、基板を冷却する一対の冷却パネル第1冷却パネルと、前記サイド壁の内壁面における一対の前記冷却パネルの間に前記奥行き方向に間隔を置いて垂直に配設され、両側に基板からの輻射熱を吸収可能な吸収面をそれぞれ有し、基板を冷却する複数の中間冷却パネル第2冷却パネルと、を具備し、前記サイド壁を前記チャンバー本体の一側面側に対して着脱装着と離脱すると、各冷却パネルが対応する前記奥行き方向の一端部側の前記基板エリアと前記フロント壁又は前記奥行き方向の他端部側の前記基板エリアと前記リア壁との間に対して進退進入と退出すると共に、各中間冷却パネルが各隣接する前記基板エリア間に対して進退するようになっていることを要旨とする。なお、特許請求の範囲及び明細書において、設けられとは、直接的に設けられたことの他に、別部材を介して間接的に設けられたことを含む意であって、配設されとは、直接的に配設されたことの他に、別部材を介して間接的に配設されたことを含む意である。また、アンテナ素子には、誘導結合型電極、容量結合型電極が用いられる。本発明の特徴によると、各基板エリアに基板をセットした状態で、前記真空チャンバーの内部を真空状態に減圧すると共に、前記ガス供給源によって前記真空チャンバーの内部側へ材料ガスを供給する。そして、前記高周波電源によって各アレイアンテナに高周波波電力を供給することにより、各アレイアンテナの周辺にプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を各基板の表面に付着させる。これにより、各基板の表面に薄膜を成膜形成することができる。ここで、成膜処理中に、各冷却パネルを適宜に作動させることにより、前記奥行き方向の端部側一端部側又は他端部側の前記基板エリアにセットされた基板端部側の基板からの輻射熱を前記冷却パネルの前記吸収面によって吸収して、端部側の基板を冷却する。また、各中間冷却パネルを適宜に作動させることにより、前記奥行き方向の中間側の前記基板エリアにセットされた基板中間側の基板から輻射熱を前記中間冷却パネルの前記吸収面によって吸収して、中間側の基板を冷却する。これにより、前記高周波電源から各アレイアンテナに供給される高周波電力を大きくして、各アレイアンテナの周辺のプラズマ密度を高めても、各基板の表面温度が過度に上昇することを抑えて、各基板の表面温度を適正な温度温度範囲に保つことができる。前述の作用の他に、前記サイド壁を前記チャンバー本体の一側面側に対して着脱すると、各冷却パネルが前記奥行き方向の一端部側の前記基板エリアと前記フロント壁又は前記奥行き方向の他端部側の前記基板エリアと前記リア壁との間に対して進退すると共に、各中間冷却パネルが各隣接する前記基板エリア間に対して進退するようになっているため、前記サイド壁を前記チャンバー本体の一側面側から離脱させることにより、複数の前記冷却パネル及び複数の前記中間冷却パネルを前記チャンバー本体の内部から取り出すことができる。これにより、前記誘導結合型電極と前記冷却パネル及び前記中間冷却パネルとの干渉を考慮することなく、前記真空チャンバーに対する複数本の前記誘導結合型電極の着脱作業取付と取外しを容易に行うことができる。本発明によれば、各アレイアンテナの周辺のプラズマ密度を高めても、各基板の表面温度を適正な温度に保つことができるため、前記アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めることができる。また、前記誘導結合型電極と前記冷却パネル及び前記中間冷却パネルとの干渉を考慮することなく、前記真空チャンバーに対する複数本の前記誘導結合型電極の着脱作業を容易に行うことができるため、前記誘導結合型電極の着脱作業に要する時間を短くして、前記誘導結合型電極の洗浄メンテナンス等のメンテナンスの作業性を向上させることができる。本発明の実施形態について図1から図7を参照して説明する。なお、図面中、FFは前方向、FRは後方向、Lは左方向、Rは右方向、Uは上方向、Dは下方向をそれぞれ指してある。図1から図3に示すように、本発明の実施形態に係るアレイアンテナ方式誘導結合型のCVDプラズマ装置1は、真空雰囲気中でプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を基板Wの表面に付着させることにより、基板Wの表面に非結晶シリコン膜又は微結晶シリコン膜等の薄膜図示省略を成膜形成する装置である。アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置1は、箱型の真空チャンバー3を具備しており、この真空チャンバー3は、真空圧を発生させる真空ポンプ等の真空圧発生源5に接続されてあって、内部を真空状態に減圧可能である。また、真空チャンバー3は、箱型のチャンバー本体7の備えており、このチャンバー本体7は、正面側前側にフロント開口部7a、背面側後側にリア開口部7b、一側面側右側にサイド開口部7c、及び他側面側左側にサイド開口部7dをそれぞれ有している。チャンバー本体7の正面側には、フロント開口部7aを開閉するフロント壁9が設けられており、チャンバー本体7の背面側には、リア開口部7bを開閉するリア壁11が設けられている。また、チャンバー本体7の一側面側には、サイド開口部7cを開閉するサイド壁13が着脱可能設けられてあって、チャンバー本体7の他側面側には、サイド開口部7dを開閉するサイド壁ゲートバルブを含む15が設けられてあって、チャンバー本体7の上側には、天井壁17が設けられている。更に、真空チャンバー3の一側方右側方には、真空チャンバーの幅方向左右方向へ延びた一対のガイドレール19が設けられており、一対のガイドレール19には、サイド壁用台車21が左右方向へ移動可能に設けられてあって、このサイド壁用台車21の左部は、サイド壁13の下部に一体的に連結されてある。換言すれば、サイド壁13は、サイド壁用台車21を介して左右方向へ移動可能になっている。真空チャンバー3の外側の適宜位置には、真空チャンバー3の内部側へ材料ガスを供給するガス供給ポンプ等のガス供給源23が配設されている。真空チャンバー3の内部には、プラズマを発生させる複数のアレイアンテナ25が真空チャンバー3の奥行き方向前後方向に間隔を置いて配設されている。また、各アレイアンテナ25は、垂直状態で同一平面上に左右方向へ間隔を置いて配列配設された複数本のアンテナ素子としてU字形状の複数本の誘導結合型電極25を備えており、各誘導結合型電極27は、真空チャンバー3に対して着脱可能である。更に、各アレイアンテナ25の片側又は両側には、基板Wをセット可能な基板エリアAが形成されている。そして、真空チャンバー3の外側の適宜位置には、各アレイアンテナ25各アレイアンテナ25における各誘導結合型電極27に高周波電力を供給する高周波電源29が配設されている。図2に示すように、各誘導結合型電極27の具体的な構成について説明すると、各誘導結合型電極27は、上端部が天井壁17にコネクタ31を介して着脱可能に連結されかつ高周波電源29の供給側非接地側に電気的に接続された第1電極棒33、上端部が天井壁17にコネクタ35を介して着脱可能に連結されかつ第1電極棒33に対して平行であってかつ高周波電源29の接地側に電気的に接続された第2電極棒37、第1電極棒33の下端部と第2電極棒37の下端部との間に電気的に接続するように連結された接続金具39を備えている。また、各第1電極棒33は、前述の特許文献1特開2004-143592号公報に示すように、外側にセラミックス又は樹脂等の誘電体からなる外筒図示省略を有しており、各第2電極棒37の内部は、ガス供給源23に接続可能であって、各第2電極棒37の外周面には、基板エリアAに向かって材料ガスを噴出する複数の噴出孔図示省略が上下方向第2電極棒37の長手方向に沿って形成されている。なお、アレイアンテナ25に複数本のアレイアンテナ素子としてU字形状の複数本の誘導結合型電極27を用いる代わりに、棒状I字形状の複数本の誘導結合型電極又は複数本の容量結合型電極等を用いても構わない。図1から図3に示すように、真空チャンバー3の内部の床面には、左右方向へ延びた一対のガイドレール41が設けられており、一対のガイドレール41には、ホルダ用台車43が左右方向へ移動可能に設けられている。換言すれば、真空チャンバー3の内部の床面には、ホルダ用台車43が一対のガイドレール41を介して左右方向へ移動可能に設けられている。また、ホルダ用台車43は、チャンバー本体7のサイド開口部7dを介して真空チャンバー3の内部に送り出し及び引き出し可能である。そして、ホルダ用台車43には、垂直状態の1枚又は2枚の基板Wを保持する枠状の複数の基板ホルダ45が前後方向に間隔を置いて立設されてある。更に、ホルダ用台車43を真空チャンバー3の内部における基準の台車送り出し位置に送り出すことによって、各基板エリアAに基板Wがセットされるようになっている。図1、図3、及び図4に示すように、サイド壁15の内壁面には、基板Wを冷却する矩形の一対の冷却パネル第1冷却パネル47が垂直にブラケット49を介して配設されおり、一対の冷却パネル47は、左右方向に離隔してある。そして、各冷却パネル47の具体的な構成は、次のようになる。各冷却パネル47は、サイド壁15の内壁面にブラケット49を介して設けられた矩形の冷却パネル本体第1冷却パネル本体51を備えており、この冷却パネル本体51は、アルミ等の金属により構成されている。また、冷却パネル本体51は、片側基板エリアAに対向する側に基板Wからの輻射熱を吸収可能な吸収面51fを有してあって、冷却パネル本体51の吸収面51fには、アルミナ等のセラミックスのコーティング処理が施されている図中において、コーティング処理を施した部位には、グレー着色を施してある。更に、冷却パネル本体51の内部には、冷却油冷熱媒の一例を循環させる蛇行状の循環流路第1循環流路53が形成されており、冷却パネル本体51の吸収面51fは、冷却油の循環により温度制御可能になっている。そして、冷却パネル本体51の右側上部には、循環流路53に冷却油を導入する導入管第1導入管55が一体的に設けられており、この導入管55は、サイド壁15の上部を気密的に挿通してある。また、冷却パネル本体51の右側下部には、循環流路53から冷却油を導出する導出管第1導出管57が設けられており、この導出管57は、サイド壁15の下部を気密的に挿通してある。図1、図3、及び図5に示すように、一方のサイド壁15の内壁面における一対の冷却パネル47の間には、基板Wを冷却する矩形の複数の中間冷却パネル第2冷却パネル59が前後方向に間隔を置いて垂直にブラケット61を介して配設されている。そして、各中間冷却パネル59の具体的な構成は、次のようになる。各中間冷却パネル59は、一方のサイド壁15の内壁面にブラケット61を介して設けられた矩形の中間冷却パネル本体第2冷却パネル本体63を備えており、この中間冷却パネル本体63は、アルミ等の金属により構成されている。また、中間冷却パネル本体63は、両側前側及び後側に基板Wからの輻射熱を吸収可能な吸収面63fをそれぞれ有してあって、中間冷却パネル本体63の各吸収面63fには、アルミナ等のセラミックスのコーティング処理が施されている図中において、コーティング処理を施した部位には、グレー着色を施してある。更に、中間冷却パネル本体63の内部には、冷却油冷熱媒の一例を循環させる蛇行状の中間循環流路第2循環流路65が形成されており、中間冷却パネル本体63の吸収面63fは、冷却油の循環により温度制御可能になっている。そして、中間冷却パネル本体63の右側上部には、中間循環流路65に冷却油を導入する中間導入管第2導入管67が一体的に設けられており、この中間導入管67は、サイド壁15の上部を気密的に挿通してある。更に、中間冷却パネル本体63の右側下部には、中間循環流路65から冷却油を導出する中間導出管第2導出管69が一体的に設けられており、この中間導出管69は、天井壁17の下部を気密的に挿通してある。そして、図3及び図6に示すように、一方のサイド壁15をチャンバー本体7の一側面側右側に着脱装着と離脱すると、各冷却パネルが前端部側真空チャンバー3の奥行き方向の一端部側の基板エリアAとフロント壁9又は後端部側真空チャンバー3の奥行き方向の他端部側の基板エリアAとリア壁11との間に対して進退すると共に、各中間冷却パネル59が隣接する各基板エリアA間に対して進退するようになっている。図1及び図7に示すように、サイド壁用台車21には、各冷却パネル47の循環流路53及び各中間冷却パネル59の中間循環流路65に温調した冷却油を循環させるサーキュレータ循環ユニット71が配設されている。そして、サーキュレータ71の往き側は、各冷却パネル47の導入管55及び各中間冷却パネル59の中間導入管67に往き回路往き配管73を介して接続されてあって、サーキュレータ71の戻り側は、各冷却パネル47の導出管57及び各中間冷却パネル59の中間導出管69に戻り回路戻り配管75を介して接続されている。また、サーキュレータ71は、サーキュレータ71の戻り側に配設されかつ冷却油と外気等とを熱交換する熱交換器77と、サーキュレータ71の往き側に配設されかつ冷却油を加熱するヒーター79と、熱交換器77とヒーター79との間に配設されかつ冷却油を圧送するポンプ81とを備えている。本発明の実施形態の作用及び効果について説明する。成膜処理に関する作用まず、サーキュレータ71によって各冷却パネル本体51の循環流路53及び各中間冷却パネル本体63の中間循環流路65に温調した冷却油を循環させる換言すれば、各冷却パネル47及び各中間冷却パネル59を適宜に作動させることにより、真空チャンバー3の内部の温度を所定の温度本発明の実施形態にあっては、例えば100~300°Cまで昇温させる。次に、ホルダ用台車43を真空チャンバー3の内部における基準の台車送り出し位置に送り出すことにより、各基板Wを対応する基板エリアAにセットする。続いて、真空圧発生源5によって真空チャンバー3の内部へ真空状態に減圧する。また、ガス供給源23によって真空チャンバー3の内部側へ材料ガスを供給することにより、各第2電極棒37の各噴出孔から基板エリアAに向かって材料ガスを噴射する。そして、高周波電源29によって各アレイアンテナ25に高周波波電力を供給することにより、各アレイアンテナ25の周辺にプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を各基板Wの表面に付着させる。これにより、各基板Wの表面に非結晶シリコン膜又は微結晶シリコン膜等の薄膜を成膜形成することができる。ここで、成膜処理中に、サーキュレータ71によって各冷却パネル本体51の循環流路53に温調した冷却油を循環させることにより、前端部側真空チャンバー3の奥行き方向の一端部側及び後端部側真空チャンバー3の奥行き方向の他端部側の基板エリアAにセットされた基板端部側の基板Wからの輻射熱を各冷却パネル本体51の吸収面51fによって吸収して、端部側の基板Wを冷却する。また、サーキュレータ71によって各中間冷却パネル本体63の中間循環流路65に温調した冷却油を循環させることにより、中間側真空チャンバー3の奥行き方向の中間側の基板エリアAにセットされた基板中間側の基板Wからの輻射熱を中間冷却パネル本体63の吸入面63fによって吸収して、中間側の基板Wを冷却する。これにより、高周波電源29から各アレイアンテナ25に供給される高周波電力を大きくして、各アレイアンテナ25の周辺のプラズマ密度を高めても、各基板Wの表面温度が過度に上昇することを抑えて、各基板Wの表面温度を適正な温度範囲本発明の実施形態にあっては、例えば150~300°Cに保つことができる。特に、各冷却パネル本体51の吸収面51f及び各中間冷却パネル本体63の吸収面63fにセラミックスのコーティング処理が施されているため、各冷却パネル本体51の吸収面51f及び各中間冷却パネル本体63の吸収面63fの熱吸収率を高めて、各基板Wの表面温度が過度に上昇することを十分かつ確実に抑えることができる。誘導結合型電極27の着脱作業に関する作用一方のサイド壁13をチャンバー本体7の右側に対して着脱すると、各冷却パネル47が前端部側の基板エリアAとフロント壁9又は後端部側の基板エリアAとリア壁11との間に対して進退すると共に、各中間冷却パネル59が各隣接する基板エリアA間に対して進退するようになっているため、一方のサイド壁13をチャンバー本体7の右側から離脱させることにより、複数の冷却パネル47及び複数の中間冷却パネル59をチャンバー本体7の内部から取り出すことができる。これにより、誘導結合型電極27と冷却パネル47及び中間冷却パネル59との干渉を考慮することなく、真空チャンバー3に対する複数本の誘導結合型電極27の着脱作業取付と取外しを容易に行うことができる。特に、冷却パネル47及び中間冷却パネル59の個数を増やした場合でも、複数本の誘導結合型電極27の着脱作業の容易性を維持することができる。本発明の実施形態の効果本発明の実施形態によれば、各アレイアンテナ25の周辺のプラズマ密度を高めても、各基板Wの表面温度を適正な温度に保つことができるため、アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置1の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めることができる。また、誘導結合型電極27と冷却パネル47及び中間冷却パネル59との干渉を考慮することなく、真空チャンバー3に対する複数本の誘導結合型電極27のを着脱を容易に行うことができるため、誘導結合型電極27の着脱作業に要する時間を短くして、誘導結合型電極27の洗浄メンテナンス等のメンテナンスの作業性を向上させることができる。特に、冷却パネル47及び中間冷却パネル59の個数を増やした場合でも、複数本の誘導結合型電極27の着脱作業の容易性を維持できるため、アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置による基板Wの処理枚数を増やして、アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置1の生産性を更に向上させることができる。なお、本発明は、前述の実施形態の説明に限るものでなく、次のように種々の態様で実施可能である。即ち、各冷却パネル本体51の吸収面51fが冷却油の循環より温度制御可能にする代わりに、熱源冷熱源からの熱伝達又はヒートパイプによる熱伝達により温度制御可能にしても構わない。同様に、各中間冷却パネル本体63の吸収面63fを冷却油の循環により温度制御可能にする代わりに、熱源からの熱伝達又はヒートパイプによる熱伝達により温度制御可能にしても構わない。また、冷却油の代わりに、冷却水等の別の冷熱媒熱媒を各冷却パネル本体51の循環流路53及び各中間冷却パネル本体63の中間循環流路65に循環させるようにしても構わない。また、本発明に包含される権利範囲は、これらの実施形態に限定されないものである。