銅と1~20重量の高融点金属とからなり、該高融点金属がタングステン、モリブデン、タンタルから選ばれた少なくとも1種であり、平均粒径が10~100nmであって、該高融点金属が銅微粒子表面に存在することを特徴とする複合銅微粉。前記高融点金属が銅微粒子表面に粒子状態ないしは膜状態で存在することを特徴とする、請求項1に記載の複合銅微粉。熱収縮開始温度が400°C以上900°C以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の複合銅微粉。本発明は、上記した従来の事情に鑑み、焼成時における低温での熱収縮問題が改善され、積層セラミックコンデンサなどの電子部品用電極材料用として好適な銅系微粉を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明が提供する複合銅微粉は、銅と1~20重量の高融点金属とからなり、該高融点金属がタングステン、モリブデン、タンタルから選ばれた少なくとも1種であり、平均粒径が10~100nmであって、該高融点金属が銅微粒子表面に存在することを特徴とする。上記本発明の複合銅微粉においては、前記高融点金属は銅微粒子表面に粒子状態ないしは膜状態で存在している。また、上記本発明の複合銅微粉においては、熱収縮開始温度が400°C以上900°C以下である。本発明によれば、焼成時における低温での熱収縮問題が改善され、高純度で焼結特性に優れた複合銅微粉を低コストで提供することができる。従って、本発明による複合銅微粉は、積層セラミックコンデンサの内部電極などの電子部品用電極材料用として好適であって、近年要求が高まっている高周波用途において低インダクタンスを実現することができる。本発明の複合銅微粉は、銅と高融点金属とからなり、高融点金属が銅微粒子表面に存在している。銅微粉はニッケル粉と比較して低温で焼結しやすい特性を持っているが、その粒子表面に高融点金属が存在することで焼結特性を改善することができる。即ち、高融点金属あるいはその酸化物は、銅よりも高融点のため難焼結性を有している。そのため、高融点金属の添加量が多いほど、銅の焼結を阻害して熱収縮開始温度を高温側に移行させると共に、複合銅微粉全体の熱収縮特性を改善することができる。複合銅微粉に高融点金属を1~20重量の範囲で含有させることにより、焼結特性の改善が可能となり、積層セラミックコンデンサの電極焼成時におけるクラックやデラミネーションの発生を抑制することができる。高融点金属の含有量が1重量未満では焼結特性の改善効果がなく、20重量を超えると熱収縮開始温度が高温となり過ぎるため、積層セラミックコンデンサ焼成時の電極形成が不十分となる。複合銅微粉中の高融点金属は、銅と合金化するのではなく、銅粒子表面に存在することで、効果的に熱収縮を抑制することが可能となる。即ち、高融点金属は、粒子状態若しくは膜状態又はこれらが混在した状態で銅粒子表面に存在して、効果的に熱収縮を抑制するが、特に粒子状態で存在することが好ましい。また、本発明方法により複合銅微粉を製造する際に、気相からの凝集時に高融点金属が銅粒子表面に存在することで粒子の成長を抑制し、均一な微粒子が生成される効果もある。尚、高融点金属が銅と合金化し若しくは銅粒子内部に存在した場合でも、熱収縮の抑制効果はあるが、その効果は表面に存在する場合に比べて少ない。本発明の銅複合微粉は、平均粒径が10~100nmである。平均粒径を10~100nmとすることで、例えば積層セラミックコンデンサの電極に用いられた場合、必要な膜厚が例えば1μm以下であっても、均一な電極の作製が可能となる。銅複合微粉の平均粒径が10nm未満では焼成時の収縮が大きく、クラックやデラミネーションが発生しやすい。逆に、平均粒径が100nmを超えると均一な電極が形成されず、電極間に短絡が発生する可能性がある。また、高融点金属が銅微粒子表面に粒子状態で存在する場合、高融点金属の粒子径は1~20nmであることが好ましい。銅微粒子表面に粒子状態で存在する高融点金属の平均粒径が1nm未満では、効率的な焼結特性の改善効果が不十分となり、逆に20nmを超えると焼結が不均一に進行し、焼成時のクラック等の発生原因となる。更に、高融点金属が銅微粒子表面に膜状態で存在する場合、その膜厚は1~10nmであることが好ましい。この膜厚が1nm未満では焼結特性の改善効果が不十分であり、逆に10nmを超えると熱収縮開始温度が高温となり過ぎるため好ましくない。上記高融点金属としては、難焼結性の高融点金属であれば特に制限はないが、タングステン、モリブデン、タンタルから選ばれる少なくとも1種であることが好ましく、その中でもタングステンが最も好ましい。タングステンは銅と固溶せず、効果的に銅微粒子表面に存在させることが可能であるため、優れた焼結抑制効果を安定して得ることができる。本発明の複合銅微粉は、平均粒径が10~100nmと極めて微細であるにもかかわらず、その熱収縮開始温度は400°C以上900°C以下である。熱収縮開始温度が400°C未満では、例えば積層セラミックコンデンサの電極焼成時にクラックやデラミネーションが発生しやすくなり、900°Cを超えると積層セラミックコンデンサ焼成時の電極形成が不十分となる。次に、本発明の複合銅微粉の製造方法について説明する。まず、銅又は銅化合物と高融点金属化合物とを、熱プラズマにより気化させる。高周波プラズマやアークプラズマのような熱プラズマは、プラズマ領域が10000°C以上の温度を有し、その中に銅又は銅化合物と高融点金属化合物を導入すると、瞬時に蒸発気化する。熱プラズマは外部加熱方式等と比較すると高温領域が狭いため、気化した金属蒸気は、プラズマ尾炎部への移動中に凝縮し、プラズマ領域から出ると急冷凝固されて微粉化される。例えば、銅とタングステンは、3500°C以上では互いに溶融した状態であるが、3500°C以下では二相分離する。モリブデンやタンタルの場合も、ほぼ同様である。従って、銅とタングステンなどの高融点金属の蒸気は、プラズマ尾炎部への移動中に二相分離し、融点の高いタングステンなどの高融点金属が銅微粒子の表面に析出するものと考えられる。そのため強制的な冷却を行わなくても、銅微粒子を核として、その表面にタングステンなどの高融点金属が粒子状態又は膜状態で存在する複合銅微粉が得られる。使用する高融点金属化合物としては、タングステン、モリブデン、タンタルから選ばれる少なくとも1種の化合物が好ましく、その中でも酸化物が好ましい。一般に高融点金属は沸点が高く、高温のプラズマでも未気化の原料が残る傾向があるが、金属に比べて低融点の化合物を使用することで、容易に気化させることができる。特にタングステン酸化物は、沸点が金属タングステンより低く、気化が容易であるばかりか、低コストで安定的に入手が可能であるため好ましい。また、銅化合物としては酸化物が好ましい。上記銅又は銅化合物と高融点金属化合物の気化に用いる熱プラズマは、通常の不活性ガスの熱プラズマを用いることができる。特に、銅又は銅酸化物と高融点金属化合物、特にタングステン酸化物を気化させる場合、水素ガスを含む不活性ガスあるいは窒素ガスを含む不活性ガスの熱プラズマを用いることが好ましい。銅酸化物やタングステン酸化物などは、金属が蒸気から凝縮する過程で、化合物元素、特に酸素と再結合する可能性があるが、上記した水素を含む還元性の不活性ガスあるいは窒素ガスを含む不活性ガスを用いることにより、酸素などとの結合が阻害され、金属のみからなる複合銅微粉を得ることができる。尚、得られる複合銅微粉の粒径は、プラズマの出力、雰囲気ガス圧力、プラズマガス流量、投入原料量などにより、容易に制御することができる。このようにして得られた複合銅微粉は、酸素を含む不活性ガス雰囲気中で徐酸化処理することが好ましい。除徐酸化処理としては、例えば、1~5の酸素を含むアルゴン雰囲気下で一定時間酸化する。この除徐酸化処理により、銅表面及びタングステン表面に薄い酸化層が形成され、大気雰囲気中でも安定な複合銅微粉が得られる。銅粉末三井金属鉱業株製、MD-1、平均粒径約40μm、純度997以上に、三酸化タングステン粉末株高純度化学研究所製、WWO03PB、純度999を、タングステンとしての添加量が3重量、5重量、10重量、20重量となるように秤量し、それぞれ混合して試料1~4の原料粉末とした。上記試料1~4の各原料粉末を用いて、図1に示す高周波プラズマ微粉製造装置により、それぞれ複合銅微粉の作製を行った。即ち、プラズマガス供給口2からプラズマガスとしてアルゴンを30リットル/分で供給すると共に、シースガス供給口3からシースガスとしてアルゴンガスを85リットル/分及び水素ガスを5リットル/分の流量で混合して供給し、プラズマトーチ1に約40kWの入力で高周波プラズマを点火して、安定したプラズマ炎5を得た。原料粉末供給口4から、上記試料1~4の各原料粉末をキャリアガスアルゴン10リットル/分と共に導入して、約1g/分の割合でプラズマ炎5の内部へ供給した。このプラズマ炎5は10000°C以上であるため、原料粉末は瞬時に蒸発気化し、温度が低くなるプラズマ尾炎部6で凝縮し、微粉化した。生成した複合銅微粉は、プラズマトーチ1から反応チャンバー7、冷却チャンバー8に移動し、配管内を搬送されて、大気雰囲気に暴露することなく回収装置9に到達した。得られた複合銅微粉は、回収装置9内にてアルゴン-5酸素雰囲気中で2時間保持する徐酸化処理を行った後、装置から回収した。得られた試料1~4の各複合銅微粉について、透過型電子顕微鏡株日立ハイテクノロジーズ製、HF-220:以下TEMと記載により観察すると共に、面分析装置NORAN株製、商品名VANTAGE:以下EDXと記載により解析した。試料2の複合銅微粉について、TEM写真を図2及び図3に、EDX回析写真を図4に示した。これらの結果から、得られた試料1~4の各複合銅微粉は、いずれもほぼ球形であり、銅微粒子表面にタングステンが粒子状態で存在していることが分った。また、試料1~4の各複合銅微粉について、倍率30000倍の走査電子顕微鏡株日立ハイテクノロジーズ製、S-4700:以下SEMと記載により観察し、それぞれ粒子1000個を測定して平均粒径を求めたところ、42~47nmであった。これら試料1~4の各複合銅微粉の平均粒径を、銅とタングステンの組成と共に、下記表1に示した。次に、上記試料1~4の各複合銅微粉を、それぞれ03g秤量して直径5mmの金型に充填し、ハンドプレス機で200kgfの荷重を掛けてのペレット状に成形した。これらの各ペレットについて、熱機械分析装置ブルカーエイエックスエス株製、TMA4000SA:以下TMAと記載により、荷重10gfを掛けながら、窒素と2の水素からなる混合ガスを200ml/分で連続的に流した還元性雰囲気中で、熱収縮特性を測定した。得られた各複合銅微粉の熱収縮開始温度を、下記表1に示した。[比較例]上記実施例と同じ条件で、銅粉末のみを気化凝縮させて、試料5の純銅微粉を得た。得られた試料5の純銅微粉について、実施例と同様に測定した平均粒径と熱収縮開始温度を、下記表1に示した。純銅微粉の場合は、タングステンを添加した場合より粒成長が起こり、平均粒径は111nmであった。また、熱収縮開始温度は実施例の複合銅微粉よりも低く、340°Cであった。上記した実施例の試料1~4の各複合銅微粉、並びに比較例の試料5の純銅微粉について、TMAチャートを図5に示した。比較例である試料5の純銅微粉の場合には340°Cから熱収縮が開始されるのに対し、タングステン添加量が3重量、5重量、10重量、20重量の本発明の試料1~4では、粒径が小さいにもかかわらず、熱収縮開始温度はそれぞれ400°C、430°C、490°C、680°Cであり、タングステン添加量の増加と共に高温側に移行していることが分る。上記の結果から、本発明によるタングステンを添加した複合銅微粉は、微粉間の焼結が抑制されることで、熱収縮開始温度を400°C以上の高温側に移行させると共に、焼成時の熱収縮量の少ない優れた複合銅微粉であることが確認できた。従って、本発明の複合銅微粉は、焼成時における低温での熱収縮問題が改善され、焼成時のクラックやデラミネーションの発生を防止できるため、積層セラミックコンデンサなどの電子部品用電極材料用として好適であることが分る。