"基板と、前記基板上にバンプを介して搭載される半導体チップと、前記基板上の前記半導体チップ周辺に設けられるモールド樹脂とを有し、前記基板の各頂点から最も近い位置の前記モールド樹脂端部から前記半導体チップまでの最短距離をBとし、前記基板の各辺の中点から最も近い位置の前記モールド樹脂端部から前記半導体チップまでの最短距離をAとした場合に、B>√2×Aの関係にあり、かつ半導体チップ1の前記バンプと接続する面に対する裏面がモールド樹脂3から露出していることを特徴とする半導体装置。前記半導体チップの各辺の中点が前記基板の対角線上に位置するように、前記半導体チップを前記基板に搭載することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記半導体チップの対角線が前記基板の対角線上にあり、前記モールド樹脂が、前記基板の対角線上においては前記半導体チップの搭載位置と逆向きに突出し、前記基板の各辺の中点近傍においては前記半導体チップの搭載位置の方向に凹むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記モールド樹脂の前記基板の対角線上に設けられた突出部間の凹み部にもモールド樹脂を設け、前記凹み部に設けられたモールド樹脂の前記基板表面からの高さが、前記基板の縁部に近づくにつれ連続的に低くなることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。前記半導体チップの前記基板表面からの高さが、前記モールド樹脂の前記基板表面からの高さより高いことを特徴とする請求項1~請求項4のいずれか1つに記載の半導体装置。前記半導体チップと前記基板の間にアンダーフィル樹脂を設けることを特徴とする請求項1~請求項5のいずれか1つに記載の半導体装置。しかしながら、従来の樹脂モールドされた半導体装置では、バンプ2の形成領域にアンダーフィル樹脂6を充填する必要があるため、アンダーフィル樹脂6の形状を複雑に制御する必要があり、また、アンダーフィル樹脂6の周囲にモールド樹脂3を設けるため、アンダーフィル樹脂6とモールド樹脂3の密着性を確保する必要があった。そのため、工程が複雑化すると共に信頼性の維持が困難であるという問題点があった。本発明は、このような事情に鑑みて創作したものであり、小型化,薄型化と信頼性を確保しながら、容易に半導体装置の反りを抑制することを目的としている。上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、基板と、前記基板上にバンプを介して搭載される半導体チップと、前記基板上の前記半導体チップ周辺に設けられるモールド樹脂とを有し、前記基板の各頂点から最も近い位置の前記モールド樹脂端部から前記半導体チップまでの最短距離をBとし、前記基板の各辺の中点から最も近い位置の前記モールド樹脂端部から前記半導体チップまでの最短距離をAとした場合に、B>√2×Aの関係にあり、かつ半導体チップ1の前記バンプと接続する面に対する裏面がモールド樹脂3から露出していることを特徴とする。また、前記半導体チップの各辺の中点が前記基板の対角線上に位置するように、前記半導体チップを前記基板に搭載することが好ましい。また、前記半導体チップの対角線が前記基板の対角線上にあり、前記モールド樹脂が、前記基板の対角線上においては前記半導体チップの搭載位置と逆向きに突出し、前記基板の各辺の中点近傍においては前記半導体チップの搭載位置の方向に凹むことが好ましい。また、前記モールド樹脂の前記基板の対角線上に設けられた突出部間の凹み部にもモールド樹脂を設け、前記凹み部に設けられたモールド樹脂の前記基板表面からの高さが、前記基板の縁部に近づくにつれ連続的に低くなっても良い。また、前記半導体チップの前記基板表面からの高さが、前記モールド樹脂の前記基板表面からの高さより高くても良い。また、前記半導体チップと前記基板の間にアンダーフィル樹脂を設けても良い。以上のように、小型化,薄型化と信頼性を確保しながら、容易に半導体装置の反りを抑制することができる。以下、本発明に関わる半導体装置の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。実施の形態1図1、2を用いて実施の形態1における半導体装置の構成を説明する。図1は実施の形態1における凹凸を有する樹脂構造の半導体装置の構成を示す図、図2は実施の形態1における半導体チップが回転配置された半導体装置の構成を示す図であり、図1aは斜視図、図1cは平面図、図1bは図1cのX-X断面図、図2aは斜視図、図2cは平面図、図2bは図2cのX-X断面図である。実施の形態1における半導体装置を構成する半導体チップ1の主面にはアルミニウムAl等からなる複数の電極パッドが形成されている。その電極パッド上に、例えばスパッタ法によって形成されたチタンTiからなるバリアメタルと銅Cuからなる下部金属膜と、その上方に電気めっき法によって形成されたニッケルNiからなる上部金属膜が形成されている。バリアメタルはTiWやCr等を用いてもよい。または、無電解めっき法によって形成されたニッケルNi/Auからなる金属膜によって構成されても良い。さらに、金属膜上には、はんだからなるバンプ2が形成される。また、基板4には、半導体チップ1上に形成されたバンプ2に対応する電極ランドが形成されている。基板4の配線は銅Cu等からなり、電極ランドは配線が基板4表面に形成されたソルダーレジストを開口させて形成している。その表面は、無電解めっき法によって形成されたニッケルNi/Au等からなる金属膜によって構成されている。または、OSPOrganicSolderPreservativeが塗布されている。さらに、印刷法もしくは搭載法によりはんだからなるSOPSolderonPadが形成されていても良い。半導体チップ1の主面を下にし、バンプ2の先端にフラックスを転写する、もしくは基板4上にフラックスを塗布したあと、半導体チップ1を基板4の上に搭載し、リフロー炉で加熱することでバンプ2が溶融し、半導体チップ1と基板4が接続される。また、半導体チップ1周辺には、トランスファー方式またはコンプレッション方式によりモールド樹脂3が形成されている。また、半導体チップ1と基板4との間にもモールド樹脂3が充填される。本実施の形態の特徴は、基板4の各頂点に対する直近のモールド樹脂端部から半導体チップ1までの最短距離が、基板4の各辺に対する直近のモールド樹脂端部から半導体チップ1までの最短距離の√2倍より大きくなるように、かつ半導体チップ1の主面に対する裏面がモールド樹脂3から露出しているように、半導体チップ1およびモールド樹脂3を形成することを特徴とする。例えば、図1に示すように、半導体チップ1は、そのバンプ2形成面における対角線が基板4の半導体チップ1搭載面における対角線と一致するように、重心が基板4の重心Cと一致し、各辺が対向する基板4の各辺と平行になり、重心Cと基板4の頂点Pを結ぶ直線上に半導体チップ1の頂点P’が並ぶように配置される。また、モールド樹脂3は、重心Cと基板4の頂点Pを結ぶ直線上で重心Cから基板4の頂点Pの方向に突出し、重心Cと半導体チップ1の各辺の中点Mとを結ぶ直線状で凹む凹凸形状に形成される。そして、半導体チップ1頂点P’からモールド樹脂3突出部端部までの距離をB、半導体チップ1各辺の中点Mからモールド樹脂3の凹み部端部までの距離をA、とした場合において、B>√2×Aの関係となるモールド樹脂3形状を形成する。また、図2に示すように、重心が基板4の重心Cと一致し、重心Cと基板4の頂点Pを結ぶ直線上に半導体チップ1の中点Mが並ぶように半導体チップ1を配置し、半導体チップ1の周囲を覆い、各辺が基板4の辺と平行になるように基板4上にモールド樹脂3を封止しても良い。この場合、重心Cから半導体チップ1の頂点P’の方向における半導体チップ1の頂点P’からモールド樹脂3端部までの距離をA、重心Cから基板4の頂点Pの方向における半導体チップ1の中点Mからモールド樹脂3端部までの距離をBとして、B>√2×Aの関係となるモールド樹脂3形状を形成する。以上のように、基板4の頂点P近傍における半導体チップ1までのモールド樹脂3の幅であるBが基板4の各辺の中点近傍における半導体チップ1までのモールド樹脂3の幅であるAより√2倍以上長くすることにより、半導体チップ1と基板4の熱膨張差による応力が生じても、半導体装置の反りを抑制することができる。以下、詳細に説明する。一般的に、半導体装置において、樹脂と基板の熱膨張差により、樹脂側である上向きに半導体装置に反りが生じる。そして、基板4の頂点P近傍のモールド樹脂3形成領域を広くし、基板4の辺部近傍のモールド樹脂3形成領域を狭くすることにより、重心Cから中点M方向は下向きに反りが生じ、重心Cから頂点P方向は上向きに反りが生じるため、それぞれの反りが打ち消しあい、パッケージ全体として反り量が低下するため、放熱板等を付加することにより反りを防止する必要がなく、またモールド樹脂を半導体チップと基板の隙間に充填できることからアンダーフィル樹脂も不要となるので、小型化,薄型化と信頼性を確保しながら、容易に半導体装置の反りを抑制することができる。また、放熱板を搭載する従来構造に比べて低コストで反り抑制構造を実現できる。実施の形態2図3は実施の形態2における半導体装置の構成を示す図であり、図3aは斜視図、図3cは平面図、図3bは図3cのX-X断面図である。図3において、実施の形態1の図1と同じ符号は同一構成要素を指している。本実施の形態に特有の構成は、次のとおりである。実施の形態1の図1の構成では、基板4の頂点に対応する部分が突出する凹凸形状にモールド樹脂3が形成されていたが、実施の形態2においては、図3に示すように、モールド樹脂3の隣接する突出部分の間の領域Dにも樹脂が形成され、領域Dに形成された樹脂の基板4表面からの高さが半導体チップ1から基板4周囲方向に向かって連続的に低くなることを特徴とする。つまり、図1において形成されたモールド樹脂3部分における基板4表面からのモールド樹脂3高さをHt、領域Dの基板4表面からのモールド樹脂3高さをHdとした場合において、0<Hd<Htの関係にある構成とする。その他の構成については、実施の形態1の図1と同様であるので説明を省略する。本実施の形態においては、実施の形態1に比べてモールド樹脂3の端部が基板4に対しなだらかにかつ広範囲に形成される。その結果、重心Cから中点M方向の下向きの反り量が実施の形態1に比べて緩和され、パッケージ内で異なる反り方向が局在化することを緩和することによりパッケージ内の応力が分散され、そり抑制効果を維持しながら高い接続信頼性を確保することができる。その他の効果については、実施の形態1の場合と同様である。実施の形態3図4は実施の形態3における半導体装置の構成を示す図であり、図4aは斜視図、図4cは平面図、図4bは図4cのX-X断面図である。図4において、実施の形態1および2の図1から3と同じ符号は同一構成要素を指している。本実施の形態に特有の構成は、次のとおりである。実施の形態1の構成では、半導体チップ1とモールド樹脂3の上面が面一に形成される場合を示したが、実施の形態3では、モールド樹脂3の基板4表面からの高さHmを半導体チップ1の基板4表面からの高さHcより低くし、Hc>Hmの関係にある構成とすることを特徴とする。その他の構成については、実施の形態1および2と同様であるので、説明を省略する。本実施の形態においては、実施の形態1および2に比べてモールド樹脂3の体積を減らすことができる。その結果、パッケージサイズ、チップサイズ、基板厚などの違いによる反り量の変化に柔軟に対応することができる。特に、基板の厚みや材質に応じてそりを抑制するのに最適な樹脂厚とすることにより、半導体装置の小型化,薄型化を図りながら、より効果的にそりの抑制を行うことができる。その他の効果については、実施の形態1および2の場合と同様である。また、逆に、そり抑制効果を十分に確保するために必要な場合に、Hc<Hmとしてもかまわない。実施の形態4実施の形態1から3の構成において、さらに、半導体チップ1と基板4の間にアンダーフィル樹脂6が設けられている構成とする。この場合、モールド樹脂3とアンダーフィル樹脂6の密着性が十分確保されていることが前提となる。その他の構成については、実施の形態1から3と同様であるので、説明を省略する。本実施の形態においては、実施の形態1から3に比べてモールド樹脂3を半導体チップ1と基板4の隙間に注入する必要がない。その結果、モールド樹脂3の種類を拡大することができる。その他の効果については、実施の形態1から3の場合と同様である。"