銅Cu、インジウムIn、ガリウムGa及びセレンSeからなる四元系合金スパッタリングターゲットであって、各元素の構成比は、式CuxIn1-yGaySea式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=1/2x3/2であり、EPMAにより観察した組織において、Cu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相のない、CuIn、GaSe2相のみからなることを特徴とするCu-In-Ga-Seからなる四元系合金スパッタリングターゲット。ターゲットの密度が5.5g/cm3以上であることを特徴とする請求項1記載のCu-In-Ga-Se四元系合金スパッタリングターゲット。EPMAにより観察した組織において、In、Ga凝集相の平均径が100μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のCu-In-Ga-Se四元系合金スパッタリングターゲット。酸素濃度が200wtppm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のCu-In-Ga-Se四元系合金スパッタリングターゲット。本発明は、長時間スパッタリングしても異常放電が殆どなく、スパッタリングによる成膜後の膜の変換効率低下の要因となるCu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相が存在せず、面内均一性に優れた膜の製造が可能であるCu-In-Ga-Seからなる四元系合金スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。さらに所定の高密度のターゲットを提供する。上記課題の解決のために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、スパッタリングによる成膜後の膜の変換効率低下は、Cu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相の存在が問題であること、またこの異相の存在により、スパッタリング時に異常放電が発生し易くなり、面内均一性が悪くなるということ、そしてこれらは原料の組成比の調節によって、解決できるとの知見を得た。また、ターゲットの密度は、原料粉作製時の合成温度プロファイル及びホットプレス時の設定温度と関連すること、すなわち、適切な合成温度、昇温速度、保持時間等に設定することによって、ターゲットを高密度にすることができること、さらに、CIGS四元系合金スパッタリングターゲットの酸素濃度は、原料粉の粒径及び後のプロセスの設定温度と関連することの知見を得、適切な平均粒径の原料粉の使用と適切な後のプロセスの温度に設定することによって、ターゲットの酸素濃度を低減できることが分かった。すなはち、本発明は、1.銅Cu、インジウムIn、ガリウムGa及びセレンSeからなる四元系合金スパッタリングターゲットであって、各元素の構成比は、式CuxIn1-yGaySea式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=1/2x3/2であり、EPMAにより観察した組織において、Cu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相のない、CuIn、GaSe2相のみからなることを特徴とするCu-In-Ga-Seからなる四元系合金スパッタリングターゲット2.ターゲットの密度が5.5g/cm3以上であることを特徴とする上記1記載のCu-In-Ga-Se四元系合金スパッタリングターゲット3.EPMAにより観察した組織において、In、Ga凝集相の平均径が100μm以下であることを特徴とする上記1又は2に記載のCu-In-Ga-Se四元系合金スパッタリングターゲット4.酸素濃度が200wtppm以下であることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のCu-In-Ga-Se四元系合金スパッタリングターゲット本発明のCIGS四元系合金スパッタリングターゲットは、長時間スパッタリングしても異常放電が殆どなく、スパッタリングによる成膜後の膜の変換効率低下の要因となるCu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相が存在せず、面内均一性に優れた膜の製造が可能であるCu-In-Ga-Seからなる四元系合金スパッタリングターゲットを提供することができるという優れた効果を有する。さらに、高密度のターゲットが得られるという効果を有する。本発明のCu-In-Ga-Seからなる四元系合金スパッタリングターゲットは、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGa及びセレンSeからなる四元系合金スパッタリングターゲットであり、各元素の構成比は、式CuxIn1-yGaySea式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=1/2x3/2である。スパッタリングターゲットの成分組成は、成膜後の膜組成に直接反映され、同成分組成の膜が形成される。この構成比から明らかなように、Cuの量は、通常のCIGSで使用される化学量論的組成よりも低いことが理解できる。これは非常に重要なことで、太陽電池の光吸収層として使用した場合の、変換効率に大きく影響し、高い変換効率を得ることができる。これは、従来技術では存在しないものである。前記式中で、0.84≦x≦0.98を最適とするが、xの上限値である0.98を超える場合には、変換効率が低下する。この場合のターゲット及びスパッタリング膜をEPMAにより観察すると、抵抗率の低いCu2Seの異相が観察される。これが増加するとpn接合が不能となり、変換効率は0となる。一方、前記式中で、0.84≦x≦0.98の、xの下限値である0.84未満になると、同様に変換効率が低下する。ターゲット及びスパッタリング膜をEPMAにより観察すると、CuIn、Ga3Se5の異相が観察され、同様の結果となる。以上から明らかなように、本発明のスパッタリングターゲット及びこれを用いたスパッタリング膜中において、Cu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相が、存在せず、CuIn、GaSe2相のみからなることが、変換効率を向上させるために、極めて重要であることが分かる。スパッタリングターゲットにおいて、上記の通りCu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相が存在しないために、異常放電が大きく減少し、パーティクルの発生も減少する。これによって、面内均一性に優れたCuxIn1-yGaySea式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=1/2x3/2からなる膜を形成することが可能となる。また、Cu-In-Ga-Se四元系合金スパッタリングターゲットの密度を5.5g/cm3以上とすることが可能となり、異常放電及びパーティクルの発生防止に寄与する。さらに、ターゲットの組織をEPMAにより観察すると、In、Ga凝集相の平均径が100μm以下であることが確認できる。これは、同様に、異常放電及びパーティクルの発生防止に効果があり、成膜の面内均一性に寄与する。さらに、酸素濃度を200wtppm以下にすることができる。CIGS四元系合金スパッタリングターゲットの重要な点の一つは、焼結体の相対密度を90以上、好ましくは98以上とすることである。相対密度を高くするためには、適切な組成比の原料を作製した後、ホットプレス時の保持温度を高く、適切な温度とすることが必要である。なお、相対密度は、アルキメデス法で測定した焼結体ターゲットの実際の絶対密度を、その組成のターゲットの理論密度で除した値の比である。ターゲットの相対密度が低いということは、ターゲット中に内部空孔が多数存在することを意味するので、スパッタリング中の内部空孔の表出時に、空孔周辺を起点とするスプラッシュや異常放電が発生し易くなる。そのため、膜へのパーティクル発生数が増加し、また表面の凹凸化が早期に進行して、表面突起ノジュールを起点とする異常放電等が起き易くなる。これは、CIGS太陽電池の変換効率の低下の一因になる。本願発明のCIGS四元系合金スパッタリングターゲットの、さらに重要な点の一つは、酸素含有量を200ppm以下とすることである。そのため、原料粉と大気との接触をできるだけ抑えるとともに、原料分の粒径をあまりに細かすぎないものを使用する。酸素濃度が高いとCIGS四元系合金の金属成分と結びついて酸化物を形成し易い。酸化物は金属より電気抵抗が高いために、単一組成の抵抗ばらつきの程度を超えて、ターゲット面内において抵抗差が生じることになり、高抵抗部分を起点とした異常放電やスパッタ速度の違いによる表面凹凸が生じ易く、異常放電やパーティクル発生の原因となり易い。異常放電、パーティクル発生の状況については、CIGS焼結体を、例えば直径6インチ、厚み6mmに加工して、バッキングプレートにインジウム等をロウ材として貼り付けて、これをスパッタリングすることにより実際にその状況を調べることができる。次に、本願発明の実施例及び比較例について説明する。なお、以下の実施例は、あくまで代表的な例を示しているもので、本願発明はこれらの実施例に制限される必要はなく、明細書の記載される技術思想の範囲で解釈されるべきものである。実施例1銅Cu、インジウムIn、ガリウムGa及びセレンSeからなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1-yGaySea式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=1/2x3/2の範囲で、表1に示す通り、Cu/InGaを0.84とした。この原料を石英アンプルに入れ、内部を真空引きした後、封止してから、炉内にセットして合成を行った。温度プロファイルは、室温から100°Cまでは昇温速度を5°Cminとし、その後、400°Cまでは昇温速度を1°Cmin、その後、550°Cまでは昇温速度を5°Cmin、その後、650°Cまでは昇温速度を1.66°C/min、その後、650°Cで8時間保持、その後、12時間掛けて炉内で冷却して室温とした。上記の様にして得られたCIGS合成原料粉を120meshの篩に通した後に、ホットプレスHPを行った。HPの条件は、室温から750°Cまでは昇温速度を10°Cminとして、その後、750°Cで3時間保持、その後、加熱を止めて炉内で自然冷却した。圧力は750°Cになってから30分後に、面圧200kgf/cm2を2時間30分加え、加熱終了とともに、圧力印加も停止した。得られたCIGS焼結体の密度は、5.55g/cm3、相対密度980、ターゲットのEPMAにより観察した組織において、Cu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相は存在せず、CuIn、GaSe2相のみからなっていた。また、In、Ga凝集相の平均の大きさは52.2μmであった。以上の結果を、表1に示す。さらに、酸素濃度は150ppmであった。この焼結体を直径6インチ、厚み6mmの円板状に加工して、スパッタリングターゲットとし、スパッタを行った。スパッタパワーは直流DC1000W、雰囲気ガスはアルゴンでガス流量は50sccm、スパッタ時圧力は0.5Paとした。スパッタ時間にして20時間後から21時間後の間の1時間における異常放電数をカウントしたところ0回であった。スパッタリング成膜後の膜の成分組成と組織を観察したところ、膜においてもCu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相は存在せず、CuIn、GaSe2相のみからなっていた。また、面内均一性が高く、スパッタ成膜後の膜の変換効率低下は、認められなかった。実施例2実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本実施例2では、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGa及びセレンSeからなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1-yGaySea式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=1/2x3/2の範囲で、表1に示す通り、Cu/InGaを0.9とした。この原料を石英アンプルに入れ、内部を真空引きした後、封止してから、炉内にセットして合成を行った。温度プロファイルは、室温から100°Cまでは昇温速度を5°Cminとし、その後、400°Cまでは昇温速度を1°Cmin、その後、550°Cまでは昇温速度を5°Cmin、その後、650°Cまでは昇温速度を1.66°C/min、その後、650°Cで8時間保持、その後、12時間掛けて炉内で冷却して室温とした。上記の様にして得られたCIGS合成原料粉を120meshの篩に通した後に、ホットプレスHPを行った。HPの条件は、室温から750°Cまでは昇温速度を10°Cminとして、その後、750°Cで3時間保持、その後、加熱を止めて炉内で自然冷却した。圧力は750°Cになってから30分後に、面圧200kgf/cm2を2時間30分加え、加熱終了とともに、圧力印加も停止した。得られたCIGS焼結体の密度は、5.68g/cm3、相対密度98.5、ターゲットのEPMAにより観察した組織において、Cu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相は存在せず、CuIn、GaSe2相のみからなっていた。また、In、Ga凝集相の平均の大きさは59.8μmであった。以上の結果を、表1に示す。さらに、酸素濃度は180ppmであった。この焼結体を直径6インチ、厚み6mmの円板状に加工して、スパッタリングターゲットとし、スパッタを行った。スパッタパワーは直流DC1000W、雰囲気ガスはアルゴンでガス流量は50sccm、スパッタ時圧力は0.5Paとした。スパッタ時間にして20時間後から21時間後の間の1時間における異常放電数をカウントしたところ0回であった。スパッタリング成膜後の膜の成分組成と組織を観察したところ、膜においてもCu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相は存在せず、CuIn、GaSe2相のみからなっていた。また、面内均一性が高く、スパッタ成膜後の膜の変換効率低下は、認められなかった。実施例3実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本実施例2では、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGa及びセレンSeからなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1-yGaySea式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=1/2x3/2の範囲で、表1に示す通り、Cu/InGaを0.95とした。この原料を石英アンプルに入れ、内部を真空引きした後、封止してから、炉内にセットして合成を行った。温度プロファイルは、室温から100°Cまでは昇温速度を5°Cminとし、その後、400°Cまでは昇温速度を1°Cmin、その後、550°Cまでは昇温速度を5°Cmin、その後、650°Cまでは昇温速度を1.66°C/min、その後、650°Cで8時間保持、その後、12時間掛けて炉内で冷却して室温とした。上記の様にして得られたCIGS合成原料粉を120meshの篩に通した後に、ホットプレスHPを行った。HPの条件は、室温から750°Cまでは昇温速度を10°Cminとして、その後、750°Cで3時間保持、その後、加熱を止めて炉内で自然冷却した。圧力は750°Cになってから30分後に、面圧200kgf/cm2を2時間30分加え、加熱終了とともに、圧力印加も停止した。得られたCIGS焼結体の密度は、5.68g/cm3、相対密度98.5、ターゲットのEPMAにより観察した組織において、Cu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相は存在せず、CuIn、GaSe2相のみからなっていた。また、In、Ga凝集相の平均の大きさは63.4μmであった。以上の結果を、表1に示す。さらに、酸素濃度は190ppm、バルク抵抗は65Ωcmであった。この焼結体を直径6インチ、厚み6mmの円板状に加工して、スパッタリングターゲットとし、スパッタを行った。スパッタパワーは直流DC1000W、雰囲気ガスはアルゴンでガス流量は50sccm、スパッタ時圧力は0.5Paとした。スパッタ時間にして20時間後から21時間後の間の1時間における異常放電数をカウントしたところ0回であった。スパッタリング成膜後の膜の成分組成と組織を観察したところ、膜においてもCu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相は存在せず、CuIn、GaSe2相のみからなっていた。また、面内均一性が高く、スパッタ成膜後の膜の変換効率低下は、認められなかった。実施例4実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本実施例2では、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGa及びセレンSeからなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1-yGaySea式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=1/2x3/2の範囲で、表1に示す通り、Cu/InGaを0.98とした。この原料を石英アンプルに入れ、内部を真空引きした後、封止してから、炉内にセットして合成を行った。温度プロファイルは、室温から100°Cまでは昇温速度を5°Cminとし、その後、400°Cまでは昇温速度を1°Cmin、その後、550°Cまでは昇温速度を5°Cmin、その後、650°Cまでは昇温速度を1.66°C/min、その後、650°Cで8時間保持、その後、12時間掛けて炉内で冷却して室温とした。上記の様にして得られたCIGS合成原料粉を120meshの篩に通した後に、ホットプレスHPを行った。HPの条件は、室温から750°Cまでは昇温速度を10°Cminとして、その後、750°Cで3時間保持、その後、加熱を止めて炉内で自然冷却した。圧力は750°Cになってから30分後に、面圧200kgf/cm2を2時間30分加え、加熱終了とともに、圧力印加も停止した。得られたCIGS焼結体の密度は、564g/cm3、相対密度97.9、ターゲットのEPMAにより観察した組織において、Cu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相は存在せず、CuIn、GaSe2相のみからなっていた。また、In、Ga凝集相の平均の大きさは72.3μmであった。以上の結果を、表1に示す。さらに、酸素濃度は170ppmであった。この焼結体を直径6インチ、厚み6mmの円板状に加工して、スパッタリングターゲットとし、スパッタを行った。スパッタパワーは直流DC1000W、雰囲気ガスはアルゴンでガス流量は50sccm、スパッタ時圧力は0.5Paとした。スパッタ時間にして20時間後から21時間後の間の1時間における異常放電数をカウントしたところ0回であった。スパッタリング成膜後の膜の成分組成と組織を観察したところ、膜においてもCu2Se又はCuIn、Ga3Se5の異相は存在せず、CuIn、GaSe2相のみからなっていた。また、面内均一性が高く、スパッタ成膜後の膜の変換効率低下は、認められなかった。比較例1実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本実施例2では、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGa及びセレンSeからなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1-yGaySea式中、0.82≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=1/2x3/2の範囲で、表1に示す通り、Cu/InGaを0.7とした。この原料を石英アンプルに入れ、内部を真空引きした後、封止してから、炉内にセットして合成を行った。温度プロファイルは、室温から100°Cまでは昇温速度を5°Cminとし、その後、400°Cまでは昇温速度を1°Cmin、その後、550°Cまでは昇温速度を5°Cmin、その後、650°Cまでは昇温速度を1.66°C/min、その後、650°Cで8時間保持、その後、12時間掛けて炉内で冷却して室温とした。上記の様にして得られたCIGS合成原料粉を120meshの篩に通した後に、ホットプレスHPを行った。HPの条件は、室温から750°Cまでは昇温速度を10°Cminとして、その後、750°Cで3時間保持、その後、加熱を止めて炉内で自然冷却した。圧力は750°Cになってから30分後に、面圧200kgf/cm2を2時間30分加え、加熱終了とともに、圧力印加も停止した。得られたCIGS焼結体の密度は、5.52g/cm3、相対密度95.9、ターゲットのEPMAにより観察した組織において、CuIn、Ga3Se5の異相が存在した。また、In、Ga凝集相の平均の大きさは61.4μmであった。以上の結果を、表1に示す。酸素濃度は190ppmであった。この焼結体を直径6インチ、厚み6mmの円板状に加工して、スパッタリングターゲットとし、スパッタを行った。スパッタパワーは直流DC1000W、雰囲気ガスはアルゴンでガス流量は50sccm、スパッタ時圧力は0.5Paとした。スパッタ時間にして20時間後から21時間後の間の1時間における異常放電数をカウントしたところ25回であった。スパッタリング成膜後の膜の成分組成と組織を観察したところ、膜においてもCuIn、Ga3Se5の異相が存在し、CuIn、GaSe2相のみからなることはなかった。また、面内均一性が悪く、スパッタ成膜後の膜の変換効率低下が著しく低下した。比較例2実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本実施例2では、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGa及びセレンSeからなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1-yGaySea式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=1/2x3/2の範囲で、表1に示す通り、Cu/InGaを0.82とした。この原料を石英アンプルに入れ、内部を真空引きした後、封止してから、炉内にセットして合成を行った。温度プロファイルは、室温から100°Cまでは昇温速度を5°Cminとし、その後、400°Cまでは昇温速度を1°Cmin、その後、550°Cまでは昇温速度を5°Cmin、その後、650°Cまでは昇温速度を1.66°C/min、その後、650°Cで8時間保持、その後、12時間掛けて炉内で冷却して室温とした。上記の様にして得られたCIGS合成原料粉を120meshの篩に通した後に、ホットプレスHPを行った。HPの条件は、室温から750°Cまでは昇温速度を10°Cminとして、その後、750°Cで3時間保持、その後、加熱を止めて炉内で自然冷却した。圧力は750°Cになってから30分後に、面圧200kgf/cm2を2時間30分加え、加熱終了とともに、圧力印加も停止した。得られたCIGS焼結体の密度は、5.49g/cm3、相対密度95.3、ターゲットのEPMAにより観察した組織において、CuIn、Ga3Se5の異相が存在した。また、In、Ga凝集相の平均の大きさは55.7μmであった。以上の結果を、表1に示す。酸素濃度は180ppmであった。この焼結体を直径6インチ、厚み6mmの円板状に加工して、スパッタリングターゲットとし、スパッタを行った。スパッタパワーは直流DC1000W、雰囲気ガスはアルゴンでガス流量は50sccm、スパッタ時圧力は0.5Paとした。スパッタ時間にして20時間後から21時間後の間の1時間における異常放電数をカウントしたところ38回であった。スパッタリング成膜後の膜の成分組成と組織を観察したところ、膜においてもCuIn、Ga3Se5の異相が存在し、CuIn、GaSe2相のみからなることはなかった。また、面内均一性が悪く、スパッタ成膜後の膜の変換効率低下が著しく低下した。比較例3実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本実施例2では、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGa及びセレンSeからなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1-yGaySea式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=1/2x3/2の範囲で、表1に示す通り、Cu/InGaを1.0とした。この原料を石英アンプルに入れ、内部を真空引きした後、封止してから、炉内にセットして合成を行った。温度プロファイルは、室温から100°Cまでは昇温速度を5°Cminとし、その後、400°Cまでは昇温速度を1°Cmin、その後、550°Cまでは昇温速度を5°Cmin、その後、650°Cまでは昇温速度を1.66°C/min、その後、650°Cで8時間保持、その後、12時間掛けて炉内で冷却して室温とした。上記の様にして得られたCIGS合成原料粉を120meshの篩に通した後に、ホットプレスHPを行った。HPの条件は、室温から750°Cまでは昇温速度を10°Cminとして、その後、750°Cで3時間保持、その後、加熱を止めて炉内で自然冷却した。圧力は750°Cになってから30分後に、面圧200kgf/cm2を2時間30分加え、加熱終了とともに、圧力印加も停止した。得られたCIGS焼結体の密度は、5.65g/cm3、相対密度98.1、ターゲットのEPMAにより観察した組織において、Cu2Seの異相が存在した。また、In、Ga凝集相の平均の大きさは100μmを超えていた。以上の結果を、表1に示す。酸素濃度は980ppmであった。この焼結体を直径6インチ、厚み6mmの円板状に加工して、スパッタリングターゲットとし、スパッタを行った。スパッタパワーは直流DC1000W、雰囲気ガスはアルゴンでガス流量は50sccm、スパッタ時圧力は0.5Paとした。スパッタ時間にして20時間後から21時間後の間の1時間における異常放電数をカウントしたところ17回であった。スパッタリング成膜後の膜の成分組成と組織を観察したところ、膜においてもCu2Seの異相が存在し、CuIn、GaSe2相のみからなることはなかった。また、面内均一性が悪く、スパッタ成膜後の膜の変換効率低下が著しく低下した。比較例4実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本実施例2では、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGa及びセレンSeからなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1-yGaySea式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=1/2x3/2の範囲で、表1に示す通り、Cu/InGaを1.1とした。この原料を石英アンプルに入れ、内部を真空引きした後、封止してから、炉内にセットして合成を行った。温度プロファイルは、室温から100°Cまでは昇温速度を5°Cminとし、その後、400°Cまでは昇温速度を1°Cmin、その後、550°Cまでは昇温速度を5°Cmin、その後、650°Cまでは昇温速度を1.66°C/min、その後、650°Cで8時間保持、その後、12時間掛けて炉内で冷却して室温とした。上記の様にして得られたCIGS合成原料粉を120meshの篩に通した後に、ホットプレスHPを行った。HPの条件は、室温から750°Cまでは昇温速度を10°Cminとして、その後、750°Cで3時間保持、その後、加熱を止めて炉内で自然冷却した。圧力は750°Cになってから30分後に、面圧200kgf/cm2を2時間30分加え、加熱終了とともに、圧力印加も停止した。得られたCIGS焼結体の密度は、5.71g/cm3、相対密度99.1、ターゲットのEPMAにより観察した組織において、Cu2Seの異相が存在した。また、In、Ga凝集相の平均の大きさは100μmを超えていた。以上の結果を、表1に示す。酸素濃度は1350ppmであった。この焼結体を直径6インチ、厚み6mmの円板状に加工して、スパッタリングターゲットとし、スパッタを行った。スパッタパワーは直流DC1000W、雰囲気ガスはアルゴンでガス流量は50sccm、スパッタ時圧力は0.5Paとした。スパッタ時間にして20時間後から21時間後の間の1時間における異常放電数をカウントしたところ45回であった。スパッタリング成膜後の膜の成分組成と組織を観察したところ、膜においてもCu2Seの異相が存在し、CuIn、GaSe2相のみからなることはなかった。また、面内均一性が悪く、スパッタ成膜後の膜の変換効率低下が著しく低下した。