"基板と、前記基板の上に配置されるモリブデンMo裏面電極層と、前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、前記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層と、を含み前記裏面電極層は前記基板の上に第1電極層、前記第1電極層の上にバリア層、前記バリア層の上に第2電極層を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。前記第2電極層は金属イオンを含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記金属イオンはナトリウムであることを特徴とする、請求項2に記載の太陽光発電装置。前記第1及び第2電極層はモリブデンを含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記バリア層は50乃至200nmの厚さで形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記バリア層は窒化物を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第2電極層は前記裏面電極層厚さの1乃至30に該当する厚さで形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記窒化物はTiNまたはTaNのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項6に記載の太陽光発電装置。基板の上に第1電極層を形成するステップと、前記第1電極層の上に第2電極層を形成するステップと、前記第2電極層の上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップと、を含むことを特徴とする太陽光発電装置の製造方法。前記第1電極層と第2電極層との間にバリア層を形成するステップを含むことを特徴とする、請求項9に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記第2電極層はPVDPhysicalVaporDepositionまたはメッキの方法により形成された後、金属イオンをドーピングして提供されることを特徴とする、請求項9に記載の太陽光発電装置の製造方法。本発明の目的は、向上した効率を有し、高い生産性を有する太陽光発電装置及びその製造方法を提供することにある。太陽光発電装置及びその製造方法が開示される。太陽光発電装置は、基板、上記基板の上に配置されるモリブデンMo裏面電極層、上記裏面電極層の上に配置される光吸収層、及び上記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層を含み、上記裏面電極層は上記基板の上に第1電極層、上記第1電極層の上にバリア層、上記バリア層の上に第2電極層を含む。一実施形態に従う太陽光発電装置の製造方法は、基板の上に裏面電極層を形成するステップ、上記裏面電極層に上記裏面電極層を形成する物質と異なる金属元素をドーピングするステップ、上記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップ、及び上記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップを含む。本発明による太陽光発電装置は、開放電圧Voc及びFFFillfactorが上昇できるので、太陽電池の光電変換効率が増加する。また、光吸収層の電荷濃度を向上させることができるので、光吸収層の厚さが減少して透過される光に対する損失が低くなる。本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は、本発明の実施形態に従う太陽電池を示す断面図である。図1を参照すると、太陽電池パネルは、支持基板100、第1電極層210、バリア層220、及び第2電極層230を含む裏面電極層200、光吸収層300、バッファ層400、高抵抗バッファ層500、及びウィンドウ層600を含む。上記支持基板100はプレート形状を有し、上記裏面電極層200、上記光吸収層300、上記バッファ層400、上記高抵抗バッファ層500、及び上記ウィンドウ層600を支持する。上記支持基板100は絶縁体でありうる。上記支持基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板でありうる。より詳しくは、上記支持基板100はソーダライムガラスsodalimeglass基板でありうる。上記支持基板100がソーダライムガラスで使われる場合、ソーダライムガラスに含まれたナトリウムNaが太陽電池の製造工程中にCIGSで形成された光吸収層300に拡散できるが、これによって光吸収層300の電荷濃度が増加するようになる。これは、太陽電池の光電変換効率を増加させる要因となることができる。しかしながら、ソーダライムガラス基板の全体にNaが均一に分布しなかった場合、むしろ各セル別に太陽電池の光電変換効率は不均一になるので、効率上昇に寄与する程度は微々たる。したがって、Naを定量的にドーピングするための試みとして基板でのNa拡散を防止するためのバリア層を形成し、別途の均一なNa層を形成したりNaイオンを直接注入する。その他、支持基板100の材質としてアルミナのようなセラミック基板、ステンレススチール、柔軟性のある高分子などが使われることができる。上記支持基板100は透明であり、リジッドであるか、フレキシブルであることができる。上記裏面電極層200は上記支持基板100の上に配置される。上記裏面電極層200は導電層である。上記裏面電極層200は太陽電池のうち、上記光吸収層300で生成された電荷が移動するようにして太陽電池の外部に電流を流れるようにすることができる。上記裏面電極層200はこのような機能を遂行するために電気伝導度が高く、比抵抗が小さくなければならない。また、上記裏面電極層200は光吸収層300を形成するCIGS化合物と接触するので、光吸収層300と裏面電極層200は接触抵抗値の小さい抵抗性接触ohmiccontactにならなければならない。また、上記裏面電極層200はCIGS化合物の形成時に伴われる硫黄SまたはセレニウムSe雰囲気下での熱処理時に高温安定性が維持されなければならない。また、上記裏面電極層200は熱膨張係数の差によって上記支持基板100と剥離現象が発生しないように上記支持基板100と接着性が優れなければならない。このような裏面電極層200は、モリブデンMo、金Au、アルミニウムAl、クロムCr、タングステンW、及び銅Cuうちのいずれか1つで形成される。その中で、特にモリブデンMoは前述した裏面電極層200に要求される特性を全般的に満たすことができる。上記裏面電極層200は2つ以上の層を含むことができる。この際、各々の層は同一な金属で形成されたり、互いに異なる金属で形成される。本実施形態では上記裏面電極層200が第1電極層210、バリア層220、第2電極層230を含んで形成される。第1電極層210はモリブデンを用いて形成され、上記支持基板100と接するように形成される。モリブデンは他の元素に比べて上記支持基板100と熱膨張係数の差が少ないため、接着性が優れて剥離現象が発生することを防止することができる。上記第1電極層210の上にはバリア層220が形成される。上記バリア層220は第1電極層210及び第2電極層230の間に形成されて上記第2電極層230に含まれたイオンの上記第1電極層210及び支持基板100への拡散を防止する。また、上記バリア層220は反射層でも機能することができる。即ち、太陽電池に入射した光が上記支持基板100に吸収されることを防止し、光吸収層300に再反射して太陽電池の効率を向上させることができる。上記反射層は反射率が50以上の物質で形成することができる。上記バリア層220は50乃至200nmの厚さで形成される。上記バリア層220はTiN、TaNなどの窒化物ナイトライドを含んで形成される。上記バリア層220の上には第2電極層230が形成される。上記第2電極層230は、例えば、モリブデンを用いて形成されることができ、上記第2電極層230は金属イオンをドーピングすることができ、例えば、ナトリウムイオンをドーピングして形成されることができる。上記第2電極層230に含まれたナトリウムイオンは上記光吸収層300に拡散できるが、これによって上記光吸収層300の電荷濃度が増加するようになることができる。これは、太陽電池の光電変換効率を増加させることができる。上記ナトリウムイオンは光吸収層300だけでなく、支持基板100と第1電極層210に拡散できるが、上記バリア層220によってこのような現象が防止できるので、ナトリウムイオンを効果的に制御できるようになって、光吸収層300の電荷濃度を効果的に増加させることができる。したがって、開放電圧Voc及びFFFillFactorが上昇する。また、光吸収層300の電荷濃度を向上させることができるので、透過される光に対する損失が減少して吸収層300の厚さを減少させることができる。上記第2電極層230は上記裏面電極層200の全体厚さの1乃至30に該当する厚さで形成され、上記裏面電極層200は1μm以下の厚さで形成される。上記光吸収層300はI-III-VI族系化合物を含む。例えば、上記光吸収層300は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系、または銅-ガリウム-セレナイド系結晶構造を有することができる。上記光吸収層300のエネルギーバンドギャップbandgapは約1eV乃至1.8eVでありうる。上記バッファ層400は上記光吸収層300の上に配置される。上記バッファ層400は硫化カドミウムCdSを含み、上記バッファ層400のエネルギーバンドギャップは約2.2eV乃至2.4eVである。上記高抵抗バッファ層500は上記バッファ層400の上に配置される。上記高抵抗バッファ層500は不純物がドーピングされていないジンクオキサイドi-ZnOを含む。上記高抵抗バッファ層500のエネルギーバンドギャップは約3.1eV乃至3.3eVである。上記ウィンドウ層600は上記高抵抗バッファ層500の上に配置される。上記ウィンドウ層600は透明で、導電層である。また、上記ウィンドウ層600の抵抗は上記裏面電極層200の抵抗より高い。上記ウィンドウ層600は酸化物を含む。例えば、上記ウィンドウ層600はジンクオキサイドzincoxide、インジウムチンオキサイドinduimtinoxide;ITOまたはインジウムジンクオキサイドinduimzincoxide;IZOなどを含むことができる。また、上記酸化物は、アルミニウムAl、アルミナAl2O3、マグネシウムMg、またはガリウムGaなどの導電性不純物を含むことができる。より詳しくは、上記ウィンドウ層600はアルミニウムドーピングされたジンクオキサイドAldopedzincoxide;AZO、またはガリウムドーピングされたジンクオキサイドGadopedzincoxide;GZOなどを含むことができる。上記ウィンドウは上記裏面電極と対応する形状を有する。即ち、上記ウィンドウはストライプ形態に配置される。これとは異なり、上記ウィンドウはマトリックス形態に配置される。以上、検討したように、裏面電極層200は、第1電極層210、バリア層220、及び第2電極層230を含み、上記バリア層220により上記第2電極層230に含まれたナトリウムイオンが光吸収層300に拡散されるので、ナトリウムイオンを効果的に制御できるようになって、光吸収層300の電荷濃度を増加させることができるようになる。また、光吸収層300の電荷濃度の向上により透過される光に対する損失が減少して効率が増加するので、光吸収層300の厚さを減少させることができ、生産性が増加することができる。図2乃至図6は、本発明の実施形態に従う太陽光発電装置の製造方法を示す断面図である。本製造方法に関する説明は、前述した太陽光発電装置に対する説明を参考する。前述した太陽光発電装置に対する説明は、本製造方法に関する説明に本質的に結合できる。図2及び図3を参照すると、支持基板100の上に第1電極層210が形成される。上記第1電極層210はモリブデンを使用して蒸着できる。上記第1電極層210はPVDPhysicalVaporDepositionまたはメッキの方法により形成できる。また、上記支持基板100及び第1電極層210の間に拡散防止膜などの追加的な層が介される。次に、上記第1電極層210の上に順次にバリア層220及び第2電極層230が形成される。上記バリア層220はCVD方法により形成できるが、これに対して限定しない。上記第2電極層230はモリブデンを使用して蒸着することができ、PVDPhysicalVaporDepositionまたはメッキの方法により形成された後、金属イオンをドーピングして形成できる。図4を参照すると、上記裏面電極層200の上に光吸収層300が形成される。上記光吸収層300はスパッタリング工程または蒸発法などにより形成できる。例えば、上記光吸収層300を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層300を形成する方法と金属前駆体膜を形成させた後、セレン化Selenization工程により形成させる方法が幅広く使われている。金属前駆体膜を形成させた後にセレン化することを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により上記裏面電極200の上に金属前駆体膜が形成される。以後、上記金属前駆体膜はセレン化selenization工程により、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層300が形成される。これとは異なり、上記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び上記セレン化工程は同時に進行できる。これとは異なり、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用したり、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレン化工程により、CIS系またはCIG系光吸収層300が形成できる。図5を参照すると、上記光吸収層300の上にバッファ層400及び高抵抗バッファ層500が形成される。上記バッファ層400は化学溶液蒸着工程chemicalbathdeposition;CBDにより形成される。例えば、上記光吸収層300が形成された後、上記光吸収層300は硫化カドミウムを形成するための物質を含む溶液に浸漬され、上記光吸収層300の上に硫化カドミウムを含む上記バッファ層400が形成される。以後、上記バッファ層400の上にジンクオキサイドがスパッタリング工程などにより蒸着され、上記高抵抗バッファ層500が形成される。上記バッファ層400及び上記高抵抗バッファ層500は低い厚さで蒸着される。例えば、上記バッファ層400及び上記高抵抗バッファ層500の厚さは約1nm乃至約80nmである。図6を参照すると、上記高抵抗バッファ層500の上にウィンドウ層600が形成される。上記ウィンドウ層600は上記高抵抗バッファ層500の上部に透明な導電物質が蒸着して形成される。上記透明な導電物質の例としては、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイド、インジウムジンクオキサイド、またはインジウムチンオキサイドなどが挙げられる。このように、実施形態に従う太陽光発電装置の製造方法により生産性及び信頼性が向上した裏面電極層200を含む太陽光発電装置が提供できる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"