"少なくとも、基体、第1電極、半導体及び増感色素を含有する光電変換層、固体の正孔輸送物質を含有する正孔輸送層、第2電極を有する光電変換素子であって、前記正孔輸送層に含有される固体の正孔輸送物質が、下記一般式1で表される構造の化合物を重合して形成される導電性高分子であり、式中、R1とR2は水素原子、置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基を表し、連結して環構造を形成してもよい。Aは炭素-炭素不飽和結合を有する炭化水素基を表し、kとmは0または1以上の整数を表す。Xはイオウ原子またはN-R4基を表し、R4基は水素原子、置換または未置換のアルキル基、アリール基を表す。Yはハロゲン原子を表す。前記光電変換層に含有される増感色素が、下記一般式2で表される構造の化合物であることを特徴とする光電変換素子。式中、nは1以上3以下の整数、Arは芳香族基を表し、R3は水素原子、ハロゲン原子あるいは置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、シアノ基または複素環基を表す。nが1のとき、2つのR3は互いに異なるものであってもよく、また、R3は他の置換基と連結して環構造を形成してもよい。A1、A2は単結合または2価の飽和もしくは不飽和の炭化水素基、置換または未置換のアルキレン基、アリーレン基、複素環基のいずれかであり、pとqは0以上6以下の整数である。Zは少なくとも1つのヒドロキシ基または酸性基を含む有機基を表し、nが2以上のとき、複数のA1、A2、Zは互いに異なるものであってもよい。前記一般式2で表される構造の増感色素が、下記一般式3で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。式中、mは1以上5以下の整数、nは1または2の整数を表す。R5、R6は水素原子、ハロゲン原子あるいは置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、シアノ基または複素環基を表し、連結して環構造を形成してもよい。A1、A2はイオウ原子を含む複素環基を表し、p、qは0以上6以下の整数である。Zは少なくとも1つのヒドロキシ基または酸性基を含む有機基を表し、mが2のとき、A1、A2、Zは互いに異なるものであってもよい。前記一般式3で表される構造の増感色素中のR5、A1及びA2の少なくとも1つが、炭素原子数6以上の直鎖アルキル構造を有するものであることを特徴とする請求項2に記載の光電変換素子。前記一般式3で表される構造の増感色素中のnが2であることを特徴とする請求項2または3に記載の光電変換素子。前記導電性高分子は、前記一般式1で表される構造の化合物を、少なくとも2種類用いて形成される共重合体であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記増感色素を含有する光電変換層の厚さが10μm以下であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記正孔輸送層に含有される固体の正孔輸送物質が、前記一般式1で表される構造の化合物を熱重合して形成される導電性高分子であることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記熱重合を行うときの処理温度が50°C以上80°C以下であることを特徴とする請求項7に記載の光電変換素子。少なくとも、基体、第1電極、半導体及び増感色素を含有する光電変換層、固体の正孔輸送物質を含有する正孔輸送層、第2電極を有する光電変換素子の製造方法であって、前記正孔輸送層に含有される固体の正孔輸送物質は、下記一般式1で表される構造の化合物を重合して形成される導電性高分子が用いられるものであり、式中、R1とR2は水素原子、置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基を表し、連結して環構造を形成してもよい。Aは炭素-炭素不飽和結合を有する炭化水素基を表し、kとmは0または1以上の整数を表す。Xはイオウ原子またはN-R4基を表し、R4基は水素原子、置換または未置換のアルキル基、アリール基を表す。Yはハロゲン原子を表す。前記光電変換層に含有される増感色素が、下記一般式2で表される構造の化合物であることを特徴とする光電変換素子の製造方法。式中、nは1以上3以下の整数、Arは芳香族基を表し、R3は水素原子、ハロゲン原子あるいは置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、シアノ基または複素環基を表す。nが1のとき、2つのR3は互いに異なるものであってもよく、また、R3は他の置換基と連結して環構造を形成してもよい。A1、A2は単結合または2価の飽和もしくは不飽和の炭化水素基、置換または未置換のアルキレン基、アリーレン基、複素環基のいずれかであり、p、qは0以上6以下の整数である。Zは少なくとも1つのヒドロキシ基または酸性基を含む有機基を表し、nが2以上のとき、複数のA1、A2、Zは互いに異なるものであってもよい。前記一般式2で表される構造の増感色素が、下記一般式3で表される化合物であることを特徴とする請求項9に記載の光電変換素子の製造方法。式中、mは1以上5以下の整数、nは1または2の整数を表す。R5、R6は水素原子、ハロゲン原子あるいは置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、シアノ基または複素環基を表し、連結して環構造を形成してもよい。A1、A2はイオウ原子を含む複素環基を表し、p、qは0以上6以下の整数である。Zは少なくとも1つのヒドロキシ基または酸性基を含む有機基を表し、mが2のとき、A1、A2、Zは互いに異なるものであってもよい。前記一般式3で表される構造の増感色素中のR5、A1及びA2の少なくとも1つが、炭素原子数6以上の直鎖アルキル構造を有するものであることを特徴とする請求項10に記載の光電変換素子の製造方法。前記一般式3で表される構造の増感色素中のnが2であることを特徴とする請求項10または11に記載の光電変換素子の製造方法。前記導電性高分子は、前記一般式1で表される構造の化合物を少なくとも2種類用いて形成される共重合体であることを特徴とする請求項9~12のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記増感色素を含有する光電変換層の厚さを10μm以下にすることを特徴とする請求項9~13のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記正孔輸送層に含有される固体の正孔輸送物質が、前記一般式1で表される構造の化合物を熱重合して形成される導電性高分子であることを特徴とする請求項9~14のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記熱重合を行うときの処理温度が50°C以上80°C以下であることを特徴とする請求項9~15のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。請求項1~8のいずれか1項に記載の光電変換素子または請求項9~16のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法により製造された光電変換素子を有することを特徴とする太陽電池。本発明は、正孔輸送物質にポリチオフェン化合物等の導電性高分子を用いた光電変換素子に対して、高い光電変換効率を安定的に発現することが可能な光電変換素子を提供することを目的とするものである。本発明者は、上記課題が下記に記載のいずれかの構成により解消されるものであることを見出した。すなわち、請求項1に記載の発明は、少なくとも、基体、第1電極、半導体及び増感色素を含有する光電変換層、固体の正孔輸送物質を含有する正孔輸送層、第2電極を有する光電変換素子であって、前記正孔輸送層に含有される固体の正孔輸送物質が、下記一般式1で表される構造を有する化合物を重合して形成される導電性高分子であり、式中、R1とR2は水素原子、置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基を表し、連結して環構造を形成してもよい。Aは炭素-炭素不飽和結合を有する炭化水素基を表し、kとmは0または1以上の整数を表す。Xはイオウ原子またはN-R4基を表し、R4基は水素原子、置換または未置換のアルキル基、アリール基を表す。Yはハロゲン原子を表す。前記光電変換層に含有される増感色素が、下記一般式2で表される構造の化合物であることを特徴とする光電変換素子。式中、nは1以上3以下の整数、Arは芳香族基を表し、R3は水素原子、ハロゲン原子あるいは置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、シアノ基または複素環基を表す。nが1のとき、2つのR3は互いに異なるものであってもよく、また、R3は他の置換基と連結して環構造を形成してもよい。A1、A2は単結合または2価の飽和もしくは不飽和の炭化水素基、置換または未置換のアルキレン基、アリーレン基、複素環基のいずれかであり、pとqは0以上6以下の整数である。Zは少なくとも1つのヒドロキシ基または酸性基を含む有機基を表し、nが2以上のとき、複数のA1、A2、Zは互いに異なるものであってもよい。というものである。請求項2に記載の発明は、前記一般式2で表される構造の増感色素が、下記一般式3で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。式中、mは1以上5以下の整数、nは1または2の整数を表す。R5、R6は水素原子、ハロゲン原子あるいは置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、シアノ基または複素環基を表し、連結して環構造を形成してもよい。A1、A2はイオウ原子を含む複素環基を表し、p、qは0以上6以下の整数である。Zは少なくとも1つのヒドロキシ基または酸性基を含む有機基を表し、mが2のとき、A1、A2、Zは互いに異なるものであってもよい。というものである。請求項3に記載の発明は、前記一般式3で表される構造の増感色素中のR5、A1及びA2の少なくとも1つが、炭素原子数6以上の直鎖アルキル構造を有するものであることを特徴とする請求項2に記載の光電変換素子。というものである。請求項4に記載の発明は、前記一般式3で表される構造の増感色素中のnが2であることを特徴とする請求項2または3に記載の光電変換素子。というものである。請求項5に記載の発明は、前記導電性高分子は、前記一般式1で表される構造の化合物を、少なくとも2種類用いて形成される共重合体であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の光電変換素子。というものである。請求項6に記載の発明は、前記増感色素を含有する光電変換層の厚さが10μm以下であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。というものである。請求項7に記載の発明は、前記正孔輸送層に含有される固体の正孔輸送物質が、前記一般式1で表される構造の化合物を熱重合して形成される導電性高分子であることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の光電変換素子。というものである。請求項8に記載の発明は、前記熱重合を行うときの処理温度が50°C以上80°C以下であることを特徴とする請求項7に記載の光電変換素子。というものである。請求項9に記載の発明は、少なくとも、基体、第1電極、半導体及び増感色素を含有する光電変換層、固体の正孔輸送物質を含有する正孔輸送層、第2電極を有する光電変換素子の製造方法であって、前記正孔輸送層に含有される固体の正孔輸送物質は、下記一般式1で表される構造の化合物を重合して形成される導電性高分子が用いられるものであり、式中、R1とR2は水素原子、置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基を表し、連結して環構造を形成してもよい。Aは炭素-炭素不飽和結合を有する炭化水素基を表し、kとmは0または1以上の整数を表す。Xはイオウ原子またはN-R4基を表し、R4基は水素原子、置換または未置換のアルキル基、アリール基を表す。Yはハロゲン原子を表す。前記光電変換層に含有される増感色素が、下記一般式2で表される構造の化合物であることを特徴とする光電変換素子の製造方法。式中、nは1以上3以下の整数、Arは芳香族基を表し、R3は水素原子、ハロゲン原子あるいは置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、シアノ基または複素環基を表す。nが1のとき、2つのR3は互いに異なるものであってもよく、また、R3は他の置換基と連結して環構造を形成してもよい。A1、A2は単結合または2価の飽和もしくは不飽和の炭化水素基、置換または未置換のアルキレン基、アリーレン基、複素環基のいずれかであり、p、qは0以上6以下の整数である。Zは少なくとも1つのヒドロキシ基または酸性基を含む有機基を表し、nが2以上のとき、複数のA1、A2、Zは互いに異なるものであってもよい。というものである。請求項10に記載の発明は、前記一般式2で表される構造の増感色素が、下記一般式3で表される化合物であることを特徴とする請求項9に記載の光電変換素子の製造方法。式中、mは1以上5以下の整数、nは1または2の整数を表す。R5、R6は水素原子、ハロゲン原子あるいは置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、シアノ基または複素環基を表し、連結して環構造を形成してもよい。A1、A2はイオウ原子を含む複素環基を表し、p、qは0以上6以下の整数である。Zは少なくとも1つのヒドロキシ基または酸性基を含む有機基を表し、mが2のとき、A1、A2、Zは互いに異なるものであってもよい。というものである。請求項11に記載の発明は、前記一般式3で表される構造の増感色素中のR5、A1及びA2の少なくとも1つが、炭素原子数6以上の直鎖アルキル構造を有するものであることを特徴とする請求項10に記載の光電変換素子の製造方法。というものである。請求項12に記載の発明は、前記一般式3で表される構造の増感色素中のnが2であることを特徴とする請求項10または11に記載の光電変換素子の製造方法。というものである。請求項13に記載の発明は、前記導電性高分子は、前記一般式1で表される構造の化合物を少なくとも2種類用いて形成される共重合体であることを特徴とする請求項9~12のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。というものである。請求項14に記載の発明は、前記増感色素を含有する光電変換層の厚さを10μm以下にすることを特徴とする請求項9~13のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。というものである。請求項15に記載の発明は、前記正孔輸送層に含有される固体の正孔輸送物質が、前記一般式1で表される構造の化合物を熱重合して形成される導電性高分子であることを特徴とする請求項9~14のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。というものである。請求項16に記載の発明は、前記熱重合を行うときの処理温度が50°C以上80°C以下であることを特徴とする請求項15に記載の光電変換素子の製造方法。というものである。請求項17に記載の発明は、請求項1~8のいずれか1項に記載の光電変換素子または請求項9~16のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法により製造された光電変換素子を有することを特徴とする太陽電池。というものである。本発明では、ポリチオフェン化合物等の複素環構造を主鎖構造に有する導電性高分子を正孔輸送材料に用い、かつ、特定のアミン化合物を増感色素として用いることにより、高レベルの光電変換効率を安定的に発現する光電変換素子を提供することを可能にした。本発明は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換素子に関し、特に、正孔輸送材料に複素環構造を主鎖構造とする導電性高分子を用い、かつ、特定のアミン化合物を増感色素に用いた光電変換素子に関する。以下、本発明について詳細に説明する。最初に、本発明に係る光電変換素子の構造について図1を用いて説明する。図1は本発明に係る光電変換素子の構造の一例を模式的に示した断面図である。図1に示す光電変換素子10は、基板1、第1電極2、光電変換層6、正孔輸送層7及び第2電極8、隔壁9等より構成され、図の矢印で示す様に、光電変換層6に対して基板1や第1電極2が配置されている側より光を入射させるものである。このうち、光電変換層6は、半導体5と増感色素4を含有するものであり、本発明では増感色素4に前述した一般式2で表される構造の化合物を少なくとも用いるものである。また、正孔輸送層7は、前述した一般式1で表される構造の化合物を重合して形成される導電性高分子を正孔輸送物質として含有するものである。光電変換素子10は、以下の手順で光電変換が行われて、電池として機能するものである。すなわち、1第1電極2に光が照射されると、光電変換層6に含有される増感色素4が光を吸収して電子を放出する。このとき、増感色素4は酸化物となる。2増感色素により放出された電子は、光電変換層6内の半導体に移動し、さらに、半導体より第1電極2へ移動する。3第1電極2へ移動した電子は、対極である第2電極8へ回り、第2電極で正孔輸送物質を還元する。4前述の増感色素酸化物は、還元された正孔輸送物質より電子を受け取り、元の状態増感色素に戻る。5上記1~4を繰り返すことにより、第1電極2より第2電極8へ電子の移動が繰り返し行われて電気が流れる。この様に、図1の光電変換素子10では、光照射により増感色素が励起状態となり電子を放出し、放出された電子は半導体を経由して第1電極2へ達して外部へ流れる。一方、電子を放出して酸化物となった増感色素は、第2電極8より供給される電子を正孔輸送層より受け取り元の状態に戻る。この様な仕組みにより電子が移動することにより、図1の光電変換素子10は電池として機能する。本発明では、一般式1で表される構造を有する化合物を重合して形成される導電性高分子を含有する正孔輸送層と一般式2で表される構造の化合物を増感色素として含有する光電変換層を有する光電変換素子を見出すことにより前記課題を解消した。従来技術では、熱重合法によりポリチオフェン化合物の正孔輸送層を作製したものでも高い光電変換効率が得られる光電変換素子を作製することが困難であった。これは、正孔輸送材料として使用されるポリチオフェン化合物等の導電性高分子が可視光領域400nmから700nmの光を吸収し、この可視光吸収により光損失が生じて電荷ロスを発生するものと考えられた。そして、この電荷ロスにより増感色素と正孔輸送層の間では電子が逆移動し易くなり、逆移動による開放電圧の大幅低下を発生させて光電変換効率を低下させたものと考えられた。本発明者は、ポリチオフェン化合物等の導電性高分子を用いた光電変換素子では、増感色素の光吸収性能を導電性高分子よりも強くすれば、正孔輸送層での電荷ロス発生がなくなり、光電変換層と正孔輸送層間で電子が逆移動しなくなるものと考えた。そして、一般式2で表される構造の化合物を増感色素に用いると、導電性高分子を用いた光電変換素子では、高い光電変換効率が得られる様になることを見出したのである。以下、本発明に係る光電変換素子を構成する正孔輸送層と光電変換層について、詳細に説明する。最初に、本発明に係る光電変換素子を構成する正孔輸送層について説明する。図1に示す光電変換素子10に設けられている正孔輸送層7は、光吸収により電子を放出して励起状態になった増感色素より第2電極8へ向けて正孔を移動させるもので、正孔を移動させることにより増感色素は還元される。言い換えると、正孔輸送層7は第2電極8より電子を受け取り、受け取った電子を励起状態の増感色素へ付与することにより、増感色素を光照射前の状態に戻す作用を行うものである。本発明に係る光電変換素子は、正孔輸送材料に固体材料である導電性高分子を用いており、電解液を用いた光電変換素子で問題となった液漏れの発生がないものである。また、導電性高分子は電荷の移動が行い易い構造を有するものなので、第2電極から励起状態の増感色素へ電子を安定かつ効率よく供給することができる。そして、本発明では下記一般式1で表される構造を有する化合物を重合して形成される導電性高分子を正孔輸送材料として使用する。式中のR1とR2は水素原子、置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基を表すもので、R1とR2は同じものであっても異なるものであってもよい。また、R1とR2は連結して環構造を形成するものであってもよい。また、式中のAは炭素-炭素不飽和結合を有する炭化水素基を表し、kとmは0または1以上の整数を表すものである。また、式中のXはイオウ原子またはN-R4基を表すもので、R4基は水素原子、置換または未置換のアルキル基、アリール基を表すものであり、Yはハロゲン原子を表すものである。上記一般式1で表される化合物の代表的な構造には、たとえば、以下に示すものがある。なお、上記一般式1で表される化合物は、以下の構造を有するもののみに限定されるものではない。先ず、下記構造の化合物は、一般式1中のkとmの値がそれぞれ0のもので、これはXで表される原子を含有する複素環構造が1個のものである。また、下記構造の化合物は、一般式1中のkの値が0で、mの値が1以上のもので、これはXで表される原子を含有する複素環構造を2つ以上有するものである。なお、下記構造式中のR7、R8、R9、R10、Rは、上記R1及びR2と同様、水素原子、置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基を表すもので、それぞれ同じものであっても異なるものであってもよい。また、R7とR8、R9とR10、Rで表される基同士は、上記R1及びR2と同様、連結して環構造を形成するものであってもよい。さらに、下記構造の化合物は、一般式1中のkとmの値がそれぞれ1で、複素環構造の間にアルケニル基やアルキニル基等の炭素-炭素不飽和結合を有する炭化水素基を有するものである。以下、一般式1で表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明で使用可能な化合物は以下に示すものに限定されるものではない。なお、式中のYはハロゲン原子を表し、具体的には、塩素原子Cl、臭素原子Br、ヨウ素原子Iのいずれかである。一般式1で表される構造を有する化合物を重合して形成される重合体は、二重結合と単結合が交互に並んだ共役型の主鎖構造を形成しており、電荷が移動し易い構造になっている。また、側鎖構造の存在により重合体分子は結晶性の構造を採り易くなっていることも光電変換効率の向上に寄与しているものと考えられる。すなわち、側鎖構造が分子構造中で分子間相互作用を発現する部位として存在することで、導電性高分子の規則的な配列が促され、熱によるセグメント運動が起きにくい安定した正孔輸送層を形成する。その結果、熱等の影響を受けても分子間相互作用により分子鎖のセグメント運動はより強く抑制されることになり、酸化チタン等に代表される半導体と正孔輸送層間の電荷再結合を抑制する環境が形成され、高い光電変換効率が得られるものと考えられる。したがって、本発明では、一般式1で表される構造を有する化合物の中でも、たとえば、化合物1-1や1-3、1-6等の様に本発明で規定する複素環構造の他に環状構造を有する化合物を重合して形成される重合体が好ましい。すなわち、側鎖が大きなものほど重合体の分子間相互作用がより助長されるので、形成された導電性高分子は規則的な分子配列を形成し易くなり、熱的に安定な分子構造をより確実に形成するので好ましい。また、本発明では、一般式1で表される構造の化合物を用いて熱重合により導電性高分子を形成することが好ましい。すなわち、一般式1で表される構造を有する化合物は、式中のYが脱離することにより重合反応が進行するもので、熱重合法による重合反応を行い易い構造を有するものといえる。したがって、一般式1で表される構造の化合物を用いて熱重合を行うことにより、未反応のものを残さずに重合反応を十分に進行させ、耐久性に優れた正孔輸送層を形成することを可能にしている。従来より、チオフェン化合物の重合により形成されるポリチオフェンを正孔輸送材料に用いる光電変換素子の技術は検討されているが、ポリチオフェン化合物の形成はチオフェン化合物に光照射を行って重合反応を行う光重合法が主に採られていた。ところで、光電変換層を構成する半導体材料表面には多くの細孔が存在しており、細孔内にも正孔輸送層を形成する必要があった。しかしながら、重合を起こすことが可能なレベルの光を細孔奥深くまで安定的に照射することは意外と困難なもので、十分な光量を供給できず思った様に重合反応を進行させることができなかった。したがって、良好な光電変換効率と耐久性を有する正孔輸送層を形成することが困難になっていた。また、光重合により形成されるポリチオフェンが可視光領域に吸収を有するものであることも、安定した重合反応の実施に支障を来す要因として作用した。この様に、チオフェン化合物に光照射を行って導電性高分子であるポリチオフェン化合物を形成する方法は、安定した重合反応を行うことが困難なため、良好な性能を有する正孔輸送層を形成する上で不都合な面を有していた。本発明では、一般式1で表される構造の化合物を用いることで、熱重合による安定した導電性高分子の形成を可能にしている。そして、熱重合を行うときの処理温度は、たとえば、50°C以上80°C以下が好ましい。また、上記一般式1で表される化合物を重合して形成した導電性高分子を固体の正孔輸送物質として含有する正孔輸送層は、公知の方法により作製することが可能である。具体的には、一般式1で表される化合物、重合触媒や重合速度調整剤等を含有する溶液を作製し、当該溶液を光電変換層上に塗布あるいは浸漬させた後、熱重合反応により正孔輸送層を形成する方法が好ましい。熱重合反応の条件は、一般式1で表される化合物や重合触媒、重合速度調整剤等の種類や比率、形成する層厚等により異なるが、上述した様に、処理温度を50°C以上80°C以下にして行うことが好ましく、加熱処理を行う時間は1分から24時間が好ましい。この様に、一般式1で表される化合物を含有する溶液を光電変換層上に塗布後、加熱による重合反応で正孔輸送層を形成することで、複雑な断面形状の光電変換層に十分な接触面積が確保された正孔輸送層を形成することができる。次に、本発明に係る光電変換素子を構成する光電変換層について説明する。図1に示す光電変換素子10は、前述した第1電極2に隣接させて太陽光等の光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換層6を有する。光電変換層6は、増感色素を吸着させた半導体を含有するものであり、第1電極2を通過した光を受ける個所で、第1電極2との間で電子の授受が行われる。光電変換層における光エネルギーの電気エネルギーへの変換は、以下の様な手順で行われるものである。先ず、第1電極を通過した光が光電変換層に進入し、進入した光が半導体と衝突する。半導体に衝突した光は、任意の方向に乱反射して光電変換層内に拡散し、拡散した光が増感色素に接触することにより電子と正孔ホールを発生し、発生した電子は第1電極に向かって移動する。この様な仕組みで、光電変換層は光エネルギーを電気エネルギーに変換している。光電変換層の厚さは、特に限定されるものではないが、具体的には0.1μm~50μm程度が好ましく、より好ましくは0.5μm~25μm程度、特に好ましくは1μm~10μm程度である。なお、光電変換層6の厚さは、含有される半導体の厚さにほぼ一致するものであり、素子の小型化や製造コストの低減化を実現する観点から層状の形態を有する半導体を用いることが好ましい。本発明に係る光電変換素子で用いられる増感色素について説明する。本発明に係る光電変換素子を構成する光電変換層は、下記一般式2で表される構造の化合物を増感色素として含有するものである。式中のnは1以上3以下の整数であり、Arは芳香族基を表し、R3は水素原子、ハロゲン原子あるいは置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、シアノ基または複素環基を表すものである。また、nが1のとき、2つのR3は互いに異なるものであってもよく、また、R3は他の置換基と連結して環構造を形成したものであってもよい。A1、A2は単結合または2価の飽和もしくは不飽和の炭化水素基、置換または未置換のアルキレン基、アリーレン基、複素環基のいずれかであり、pとqは0以上6以下の整数である。Zは少なくとも1つのヒドロキシ基または酸性基を含む有機基を表すもので、nが2以上のとき、複数のA1、A2、Zは互いに異なるものであってもよい。本発明では、増感色素に上記一般式2で表される構造の化合物を増感色素に用いることにより、ポリチオフェンを正孔輸送物質に用いた光電変換素子の光電変換効率を向上させることを可能にしている。これは、増感色素として用いられる一般式2で表される化合物が、ポリチオフェンの可視光吸収により生ずる電荷ロスを、十分カバーする量の電荷形成を行うことができるためと考えられる。また、従来技術では導電性高分子を含有する正孔輸送層を光照射法により形成すると未反応の化合物が残存する等の理由により、光電変換素子の熱安定性を確保することが困難で、光電変換素子の作製時や作製後に熱劣化が生じて光電変換効率を低下させていた。本発明では、一般式1で表される構造を有する化合物を用いて正孔輸送物質を形成することに加えて、熱に対して安定とされる構造を有する一般式2で表される化合物を増感色素に用いることにより、熱安定性を確保した光電変換素子の提供を可能にした。この様に、本発明では、ポリチオフェンよりも強い光吸収性能を有するものを増感色素に用いることにより、正孔輸送物質の光吸収による電荷形成ロス分をカバーして、増感色素と正孔輸送層の間での電荷の逆移動の発生を回避させようと考えた。また、光電変換素子を熱に対して安定性を有するものにしたいと考え、検討を重ねた末、正孔輸送物質に導電性高分子を正孔輸送物質に用いた光電変換素子に用いる増感色素として、上記一般式2で表される構造の化合物を用いることを見出したのである。そして、上記一般式2で表される化合物を増感色素として用いることにより、ポリチオフェン化合物の可視光吸収による電荷ロスをカバーするとともに、熱に対する安定化が実現され、高い光電変換効率が得られる様になった。以下に、一般式2で表される構造の化合物の具体例を示すが、本発明で使用可能な一般式2で表される化合物はこれらに限定されるものではない。本発明では、上記一般式2で表される化合物の中でも、構造中のArとR3がフェニル基である下記一般式3で表される構造の化合物を増感色素として用いることが好ましい。一般式3で表される構造式中のtは1以上5以下の整数を表し、mは1または2の整数を表すものである。また、式中のR5とR6は水素原子、ハロゲン原子あるいは置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、シアノ基または複素環基を表し、連結して環構造を形成するものも含まれる。また、式中のA1とA2はイオウ原子を含む複素環基で、pとqはそれぞれ0以上6以下の整数を表し、Zは少なくとも1つのヒドロキシ基または酸性基を含む有機基を表すものである。これらA1、A2、Zは原則同じ構造のものになるが、mが2のものはA1、A2、Zが互いに異なるものであってもよい。一般式3で表される構造の化合物は、一般にトリフェニルアミン化合物と呼ばれるもので、分子構造中の1つの窒素原子に3つのフェニル基が結合した部位を有するものである。一般式3で表される構造の例示化合物は、前述のA-1~A-52及びB-1~B-32が該当するものである。本発明で増感色素として用いられる上記一般式2で表される構造の化合物、及び、好ましい形態である一般式3で表される構造の化合物は、光電変換層では後述する半導体に吸着させて用いられる。そして、上記化合物を半導体に吸着させた光電変換層は、第1電極との間で電子の授受を行って、光エネルギーを電気エネルギーへ変換する。すなわち、第1電極を通過した光が光電変換層に進入すると、光電変換層内では進入光が半導体と衝突して乱反射して拡散する。そして、拡散光が増感色素に接触することで電子と正孔ホールが発生し、電子は第1電極に向かって移動する。この様にして、光電変換層では光エネルギーを電気エネルギーに変換する。増感色素は、受光により電子と正孔ホールを発生することにより、光電変換層内で光エネルギーを電気エネルギーへ実質的に変換している。すなわち、光電変換層内の増感色素が存在する領域が電子と正孔を発生する受光領域として機能する場であり、増感色素は半導体の外面あるいは空隙内面に吸着、結合する。受光により増感色素で発生した電子は、増感色素が結合している半導体へ移動し、半導体より第1電極に向かって移動する。また、本発明では、増感色素として、前述の一般式2あるいは一般式3で表される構造の化合物を用いるとともに、以下に挙げるポルフィリン化合物、フタロシアニン化合物、スクアリリウム化合物、ルテニウム錯体化合物を併用することも可能である。これら化合物の代表的なものを以下に例示する。このうち、ポルフィリン化合物の具体例としては、たとえば、D-1からD-20で表される構造の化合物が挙げられ、フタロシアニン化合物の具体例としては、たとえば、E-1からE-12で表される構造の化合物が挙げられる。また、スクアリリウム化合物の具体例としては、たとえば、F-1からF-8で表される構造の化合物が挙げられ、ルテニウム錯体化合物の具体例としては、たとえば、G-1からG-40で表される構造の化合物が挙げられる。次に、光電変換層を構成する半導体について説明する。本発明に係る光電変換素子を構成する光電変換層は、増感色素として使用される上記一般式2で表される構造の化合物を半導体に吸着させた構造のものである。増感色素と半導体との間で形成される吸着は、たとえば、分子間引力や静電引力等の物理的作用、あるいは、共有結合や配位結合等の化学結合により行われるものである。光電変換層に使用される半導体には、シリコンやゲルマニウム等の単体、元素周期表の第3族3A族~第5族5A族、第13族3B族~第15族5B族に属する原子を有する化合物、金属カルコケニド、金属窒化物等が使用可能である。ここで、金属カルコゲニドとは、カルコゲン元素と呼ばれる酸素原子や硫黄原子等の元素周期表の第16族6B族に属する原子と金属原子とで構成される化合物のことで、金属酸化物や金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物等が該当する。金属カルコゲニドの具体例としては、たとえば、以下のものがある。1金属酸化物TiO、TiO2、Ti2O3、SnO2、Fe2O3、WO3、ZnO、Nb2O5等2金属硫化物CdS、ZnS、PbS、Bi2S3、CuInS2等3金属セレン化物、金属テルル化物CdSe、PbSe、CuInSe2、CdTe上記金属カルケニドの中でも、TiO2、SnO2、Fe2O3、WO3、ZnO、Nb2O5、CdS、PbSが好ましく用いられ、その中でも、TiO2とNb2O5がより好ましく、二酸化チタンTiO2が特に好ましい。二酸化チタンは、良好な電子輸送性を有する他に、光に対して高い感受性を有しており、二酸化チタン自体が光を受けて直接電子を発生する等、高い光電変換効率が期待できることから特に好ましいとされる。また、二酸化チタンは、安定した結晶構造を有するので、過酷な環境下で光照射が行われても経時による劣化が起こりにくく、所定性能を長期にわたり安定して発現可能である。ところで、二酸化チタンの結晶構造には、アナターゼ型とルチル型があり、光電変換素子用の半導体材料は、アナターゼ型の結晶構造を主とするもの、ルチル型の結晶構造を主とするもの、両者の混合物を主とするもののいずれも使用が可能である。このうち、アナターゼ型の結晶構造を有する二酸化チタンは、効率のよい電子輸送を行うことができる。また、アナターゼ型とルチル型を混合して使用する場合、アナターゼ型のものとルチル型のものの混合比は特に限定されるものではなく、アナターゼ型:ルチル型=95:5~5:95とすることが可能で、80:20~20:80とすることが好ましい。また、半導体に使用可能な金属窒化物としては、たとえば、Ti3N4が代表的なものであり、さらに、GaPやInP等の金属リン化合物、GaAs等の化合物も半導体として使用可能なものである。光電変換層に使用される半導体は、上記化合物を単独で使用するものの他に複数を併用することも可能である。複数の化合物を併用する具体例としては、たとえば、TiO2にTi3N4を20質量混合させた形態のものや、J.Chem.Soc.Chem.Commun.,151999に開示のZnOとSnO2の複合体等がある。また、金属酸化物もしくは金属硫化物と前記酸化物もしくは硫化物以外の化合物を併用する場合は、当該化合物の含有量を30質量以下にすることが好ましい。また、光電変換層に使用される半導体には、有機塩基を用いて表面処理を施したものを使用することが可能である。半導体の表面処理は、有機塩基を含有する液槽に半導体を浸漬して行う方法が主に採られ、有機塩基が液体の場合にはそのまま使用し、固体の場合には有機溶媒に溶解させた溶液を使用する。表面処理に使用される有機塩基は、たとえば、ジアリールアミン、トリアリールアミン、ピリジン、4-t-ブチルピリジン、ポリビニルピリジン、キノリン、アミジン等があり、これらの中でも、ピリジン、4-t-ブチルピリジン、ポリビニルピリジンが好ましい。また、半導体材料は、衝突した光の乱反射と拡散を促進させて光電変換効率を向上させる観点から、その表面に複数の微細な孔細孔を有するものが好ましく、前述の二酸化チタンは表面に細孔を多く有しているので高い光電変換効率が期待できる。半導体材料の細孔は、たとえば、空孔率と呼ばれる半導体粒子表面の単位面積あたりに占める孔の面積の比率で規定することができる。すなわち、適度な空孔率を有する半導体材料は、光の乱反射と拡散を促進させる他に、細孔による表面積の増大に伴って半導体材料の外面及び細孔の内面に吸着している増感色素の吸着面積も増大しており光電変換効率のさらなる向上が行える。半導体材料の空孔率は、特に限定されるものではないが、たとえば、二酸化チタンの場合、5~90が好ましく、より好ましくは15~80、特に好ましくは25~70である。また、半導体の平均粒径は、特に限定されるものではないが、通常、1nmから1μmのものが好ましく、5nmから50nmのものがより好ましい。半導体材料の平均粒径を上記範囲内にすると、ゾル液を形成したときに半導体材料の均一性を向上させ易くなり、均一性の向上により半導体材料の比表面積が揃い、各半導体材料へ増感色素が同等レベルに吸着するので発電効率の向上に寄与する。次に、光電変換層の形成方法について説明する。前述の一般式2で表される構造の化合物を増感色素に用いる光電変換層は、公知の方法で作製することが可能である。具体的には、たとえば、半導体が粒子状の場合には第1電極を形成した基体へ半導体を塗布あるいは吹き付けて形成することが可能である。また、膜状の半導体の場合には第1電極を形成した基体へ半導体を貼り合せて形成することが可能である。また、光電変換層を形成する際の好ましい方法の1つに半導体粒子を焼成して形成する方法がある。半導体粒子を焼成して光電変換層を形成する場合、半導体へ行う増感処理は焼成の後に実施することが好ましく、特に、焼成実施後、半導体に水が吸着する前に行うことが好ましい。以下、半導体粒子を焼成して光電変換層を形成する方法について説明する。半導体粒子を焼成して光電変換層を形成する方法は、たとえば、以下の手順を経て行われるものである。すなわち、1半導体粒子を含有する塗布液の調製2半導体粒子を含有する塗布液の塗布と焼成処理3半導体への増感色素吸着処理以下、これらについて説明する。1半導体粒子を含有する塗布液の調製この工程は、半導体粒子を公知の溶媒中へ投入、分散させることにより、塗布液を調製するものである。塗布液中の半導体粒子の濃度は、たとえば、0.1質量から70質量が好ましく、0.1質量から30質量がより好ましい。半導体粒子は、粒径の小さなものが好ましく、たとえば、平均1次粒径が1nmから5000nmのものが好ましく用いられ、2nmから100nmのものがより好ましく使用される。また、半導体粒子を分散させる溶媒は、半導体粒子を凝集させずに分散させることが可能なものであれば特に限定されるものでなく、水や公知の有機溶媒、あるいは水と有機溶媒の混合液が挙げられる。有機溶媒の具体例としては、たとえば、メタノールやエタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン等のケトン類、n-ヘキサンやシクロヘキサン等の炭化水素類等がある。また、塗布液中には、必要に応じて公知の界面活性剤や粘度調整剤を添加することも可能で、粘度調整剤の具体例としては、ポリエチレングリコール等の多価アルコールが代表的なものとして挙げられる。2半導体粒子を含有する塗布液の塗布と焼成処理この工程は、前述の半導体粒子を溶媒中へ分散させて形成した塗布液を第1電極が形成されている基体へ塗布し乾燥させて半導体粒子の層を形成する。そして、空気中あるいは不活性ガス雰囲気下で焼成処理を行うことにより前記基体上へ層状に半導体を固着させる。この層状に形成された半導体は半導体層とも呼ばれるものである。塗布により基体上に形成された半導体粒子の層は、支持体との結合力や半導体粒子同士の結合力が弱いものであるが、焼成処理を行うことにより、基体との結合力あるいは半導体粒子同士の結合力が向上して耐久性のある強固な層になる。また、焼成処理により半導体層は強固な多孔質構造を形成し、多孔質構造を構成する空隙に正孔輸送物質を存在させることにより光電変換効率を向上させる。この様に、多孔質構造の半導体層は、見かけの表面積に対して実際の表面積が大きなものになっているので、光電変換効率をはじめとする各種性能を向上させる上で非常に有効なものである。半導体層の空隙率は、たとえば、1体積から90体積が好ましく、より好ましくは10体積から80体積、20体積から70体積が特に好ましい。半導体層内に形成される空隙は、層の厚み方向に対して貫通性を有しており、公知の方法による空隙率の測定が可能である。空隙率の代表的な測定手段としては、たとえば、市販の水銀ポロシメータ島津ポアサイザー9220型島津製作所社製等がある。また、焼成処理を行う際の温度は、上記空隙率の多孔質構造を形成させる観点から、1000°Cよりも低い温度範囲とすることが好ましく、200°Cから800°Cの温度範囲がより好ましく、さらに300°Cから800°Cの温度範囲が特に好ましいものである。ところで、樹脂製の基体上に焼成処理した半導体層を形成する場合は、あえて200°C以上で焼成処理を行う必要はなく、代わりに加圧処理を施すことにより半導体粒子同士の固着や基体への固着が可能である。また、マイクロ波を使用して、基体を加熱させることなく半導体層のみを加熱し、焼成処理を行うことも可能である。さらに、後述する増感色素による半導体層への電子注入を効率よく行える様にするため、焼成処理により形成された半導体層へ公知の化学的あるいは電気化学的方法でめっき処理を施すことも可能である。3半導体への増感色素吸着本発明では、前述した一般式2で表される化合物を半導体へ吸着させるものであり、具体的には、増感色素を溶解させた溶液へ半導体を層状に形成した光電変換層半導体層が設けられている基体を浸漬して行うものである。光電変換層への増感色素の総担持量は0.01~100ミリモル/m2が好ましく、0.1~50ミリモル/m2がより好ましく、0.5~20ミリモル/m2が特に好ましい。増感処理は、単独の種類の増感色素を使用する方法と複数種類の増感色素を併用する方法のいずれの方法も可能で、たとえば、太陽電池用の光電変換素子は光電変換可能な波長域を広く確保するため、吸収波長の異なる複数の色素を併用する方法が好ましい。増感色素を溶解させる溶媒は、増感色素を溶解する一方で、半導体を溶解させたり反応するものでなければよく、公知の有機溶媒の使用が可能である。この様な有機溶媒としては、たとえば、以下に挙げるニトリル系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒等がある。これらの溶媒を単独あるいは複数種類併用することが可能である。aニトリル系溶媒;アセトニトリル等bアルコール系溶媒;メタノール、エタノール、n-プロパノール等cケトン系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン等dエーテル系溶媒;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等eハロゲン化炭化水素系溶媒;塩化メチレン、1,1,2-トリクロロエタン等上記溶媒の中でも、アセトニトリル、アセトニトリル/メタノール混合溶媒、メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、塩化メチレンが好ましい。増感色素を含有する溶液への浸漬時間は、半導体層に溶液を深く進入させて半導体への吸着を十分に進行させて半導体を十分に増感させるため、たとえば、25°Cの温度下で3時間から48時間行うことが好ましく、4時間から24時間行うことがより好ましい。また、含有する増感色素が分解しない限り溶液を加熱することも可能で、たとえば、溶液の温度を25°Cから80°Cに設定して行うことも可能である。以上の手順により光電変換層を作製することが可能である。図1に示す光電変換素子について、前述した正孔輸送層と光電変換層以外の構成を説明する。基体1は、光電変換素子10の光入射方向側に設けられ、光電変換素子に強度を付与し、かつ、良好な光電変換効率を確保する観点から、ガラスや透明樹脂材料等の光透過性の材質で形成されるものである。また、本発明では基体1の近傍に380nm以下の波長光を吸収する領域3を設けることが好ましく、基体1の近傍に設けられた領域3を通過した光が光電変換層6に到達する様にしている。基体1の光透過率は、特に限定されるものではないが、10以上であることが好ましく、より好ましくは50以上、80から100が特に好ましいものである。ここで、光透過率とは、JISK7361-1ISO13468-1に対応のプラスチック-透明材料の全光線透過率の試験方法に準拠した方法で測定される可視光波長領域における全光線透過率のことをいうものである。本発明で使用可能な基体1は、公知のものから適宜選択が可能で、石英やガラス等の透明無機材料や以下に挙げる公知の透明樹脂材料が挙げられる。透明樹脂材料の具体例としては、たとえば、以下のものがある。すなわち、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリフェニレンサルファイドPPS、ポリイミドPI、ポリカーボネートPC、ポリスチレンPS、ポリプロピレンPP、ポリブチレンテレフタレートPBT、トリメチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリアミドイミド、シクロオレフィン重合体、スチレンブタジエン共重合体等上記透明樹脂材料の中でもポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリフェニレンサルファイドPPS、ポリイミドPI等は可撓性を有するものが市販され、フレキシブルな光電変換素子を作製する上で好ましい。また、基体1の厚さは材料や用途等により適宜設定が可能で、たとえば、ガラス等の透明無機材料の様な硬質材料で構成する場合、その平均厚さは0.1mm~1.5mmが好ましく、0.8mm~1.2mmがより好ましい。また、透明樹脂材料を使用する場合も前記透明無機材料と同じ平均厚さとしてもよいが、可撓性を有する透明樹脂材料を使用する場合は0.5~150μmが好ましく、10~75μmがより好ましい。次に、第1電極2は基板1と光電変換層6の間に配置され、光電変換層6へ光を効率よく供給するために、好ましくは80以上、より好ましくは90以上の光到達率を有するものが用いられる。第1電極2は、公知の金属材料や金属酸化物により形成され、金属材料の具体例には、たとえば、白金、金、銀、銅、アルミニウム等があり、光透過性を発現し易い形状に加工したものが多く供給されていることから銀が好ましい。たとえば、開口部を有するグリッドパターン膜、微粒子やナノワイヤを分散させた膜等が多く供給されている。また、金属酸化物の具体例としては、たとえば、SnO2、ZnO、CdO、CTO系、In2O3、CdIn2O4等があり、上記金属酸化物にSn、Sb、F、Alから選ばれる1種または2種以上の原子をドープしたものが好ましく用いられる。その中でも、ITOと呼ばれるIn2O3にSnをドープしたもの、SnO2にSbをドープしたもの、FTOと呼ばれるSnO2にFをドープした導電性金属酸化物が好ましく、耐熱性の観点からFTOが特に好ましい。なお、前記CTO系の金属酸化物には、たとえば、CdSnO3、Cd2SnO4、CdSnO4がある。また、第1電極2は前述の基板1上に設けることも可能であり、基板上に第1電極2を設けたものは導電性支持体と呼ばれ、導電性支持体の厚さは0.1mmから5mmとすることが好ましい。また、導電性支持体の表面抵抗は50Ω/cm2以下であることが好ましく、10Ω/cm2以下がより好ましい。次に、第2電極8について説明する。第2電極8は、正孔輸送層7に隣接して層状平板状に形成され、その平均厚さは材料や用途等により適宜設定され、特に限定されるものではない。第2電極8は、公知の導電性材料や半導電性材料を用いて形成することが可能である。導電性材料としては、たとえば、各種イオン導電性材料や、アルミニウム、ニッケル、コバルト、白金、銀、金、銅、モリブデン、チタン、タンタル等の金属またはこれらを含む合金、あるいは、黒鉛等の各種炭素材料等が挙げられる。また、半導電性材料としては、たとえば、トリフェニルジアミンモノマー、ポリマー等、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、フタロシアニン化合物たとえば、銅フタロシアニン等等またはこれらの誘導体等のp型半導体材料が挙げられる。これら導電性材料や半導電性材料を1種または2種以上組み合わせて第2電極8を形成することが可能である。図1に示す光電変換素子10は、第1電極2と光電変換層6の間にバリア層11を有するもので、バリア層11は短絡の発生を防止するものである。バリア層11を設ける場合、その厚さは、たとえば、0.01μmから10μm程度であり、酸化亜鉛ZnO等の公知の金属酸化物等を用いて形成される。次に、本発明に係る光電変換素子の製造方法について一例を挙げて説明する。本発明に係る光電変換素子は、たとえば、以下に示す1~6の手順により作製が可能である。本発明に係る光電変換素子の作製方法は、以下に示す工程を経て作製されるものに限定されるものではなく、他の公知の方法で作製することも可能である。なお、本発明では、6で説明する加熱処理を経て光電変換素子を作製することが好ましいものである。1第1電極の形成均一な厚さを有し、かつ、光透過性を有するガラス製あるいは耐熱性に優れた樹脂製の基体を用意し、パルスレーザ蒸着法等の公知の製膜装置等を用いて当該基体上に第1電極2を形成する。なお、耐熱性に優れた有機材料としては、たとえば、ポリエチレンナフタレートPEN樹脂やポリイミド樹脂等がある。2光電変換層の形成本発明では、前述の方法により、一般式2で表される化合物を増感色素に用いた光電変換層6を形成することが可能である。3正孔輸送層の形成本発明では、前述した方法により、正孔輸送物質として導電性高分子を含有する正孔輸送層7を形成することが可能であり、形成された正孔輸送層7は、光電変換層6に浸透する様に形成されている。4第2電極の形成第2電極は、正孔輸送層の上面に形成される。第2電極は、たとえば、金等で構成される第2電極材料を、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等の公知の方法を用いて形成することが可能である。なお、当該加熱処理を行う際の処理温度は、60°C以上150°C以下にすることが好ましく、70°C以上120°C以下の温度範囲が特に好ましいものである。以上の工程を経て、本発明に係る光電変換素子を作製することが可能である。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。なお、下記文中に記載の部は質量部を表すものである。1.光電変換素子1~37の作製1-1.光電変換素子1の作製以下の手順により、図1に示す構成を有する光電変換素子1を作製した。1基体の用意縦30mm、横35mm、厚さ2.5mmの市販のソーダガラス基体を用意し、当該基体を硫酸と過酸化水素水の混合液よりなる85°Cの洗浄液に浸漬して洗浄処理を行うことにより、その表面を清浄化した。2第1電極とバリア層の形成公知の蒸着法の製膜装置を用い、前記ソーダガラス基体上に、縦30mm、横35mm、厚さ1μm、シート抵抗20Ω/□のFTOフッ素ドープ酸化スズよりなる第1電極を形成した。第1電極を形成した基板上にテトラキスイソポロポキシチタン1.2ml及びアセチルアセトン0.8mlをエタノール18mlに溶解した溶液を滴下し、スピンコート法により製膜後、450°Cで8分間加熱して、第1電極上に厚さ40nmの酸化チタン製のバリア層を形成した。3光電変換層の形成次に、前記バリア層とFTO薄膜の第1電極の上面に以下の手順で酸化チタンからなる光電変換層を形成した。すなわち、先ず、アナターゼ型二酸化チタンペースト平均1次粒径18nm顕微鏡観察平均、エチルセルロース分散を、上記バリア層と第1電極を形成した前記ソーダガラス基体上へ塗布面積が25mm2となる様にスクリーン印刷法により塗布した。塗布後、200°Cで10分間及び500°Cで15分間焼成処理を行い、厚さ8μmの二酸化チタン薄膜光電変換層を形成した。二酸化チタン薄膜は空隙を有する多孔質構造であった。次に、一般式2で表される化合物の1つであるA-4をアセトニトリル:t-ブチルアルコール=1:1の混合溶媒に溶解させ、5×10-4モル/リットルの増感色素の溶液を調製した。上記二酸化チタンを塗布、焼結した前記ガラス基体を上記溶液に室温で3時間浸漬して上記色素を吸着させて増感処理を行った。この様にして光電変換層を形成した。4正孔輸送層の形成次に、一般式1で表される化合物の1つである1-1式中のYに臭素原子Brが結合したものをエタノール中へ添加、溶解させ、当該化合物の濃度が1質量のエタノール溶液と5質量のエタノール溶液をそれぞれ調製した。前記1質量のエタノール溶液を光電変換層上にスポイトで滴下して風乾後、前記5質量のエタノール溶液を滴下して風乾した後、60°Cに設定した乾燥機へ投入し、8時間の熱重合を行った。次に、前記加熱処理を施した前記ガラス基体を、Li[CF3SO22N]15×10-3モル/リットルt-ブチルピリジン50×10-3モル/リットルの割合で含有するアセトニトリル溶液に10分間浸漬した後、自然乾燥させ、前記光電変換層上にT-1を重合して形成した導電性高分子を含有する正孔輸送層を形成した。5第2電極の形成次に、前記正孔輸送層上へ真空蒸着法により金を厚さ60nmとなる様に蒸着させて第2電極を形成した。以上の手順により、図1に示す構造を有する光電変換素子1を作製した。1-2.光電変換素子2~33の作製1光電変換素子2~30の作製前記光電変換素子1の作製で、正孔輸送層を形成する際に使用したYが臭素原子Brの化合物1-1を、Yが塩素原子Clの化合物1-1に変更した他は同じ手順を採ることで光電変換素子2を作製した。また、Yがヨウ素原子Iの化合物1-1に変更した他は同じ手順を採ることで光電変換素子3を作製した。また、前記光電変換素子1の作製で、正孔輸送層を形成する際に使用した一般式1で表される化合物の1つである1-1を、表1に示す化合物に変更した他は同じ手順を採ることにより光電変換素子4~12を作製した。ここで、光電変換素子5~7は増感色素A-4を表に示す化合物に変更して光電変換層を形成している。また、光電変換素子11、12は一般式1で表される構造の化合物を2種類用いて正孔輸送層の形成を行っているが、これらは各化合物を等モル用いている。また、前記光電変換素子1の作製で、光電変換層を形成する際に使用する増感色素A-4を、表1に示す化合物に変更した他は同じ手順を採ることにより光電変換素子13~30を作製した。ここで、増感色素24~26は一般式1で表される構造の化合物を表1に示す化合物に変更して正孔輸送層を形成している。また、光電変換素子27~30は、増感色素A-4と表1に示す増感色素を併用して光電変換層を形成するもので、増感色素A-4と他の増感色素の添加量を等モル用いている。2光電変換素子31~33の作製前記光電変換素子1の作製で、光電変換層の厚さが4、10、16μmとなる様に、前記アナターゼ型二酸化チタンペーストの塗布を行った他は同じ手順を採ることにより光電変換素子31~33を作製した。1-3.光電変換素子34、35の作製1光電変換素子34の作製前記光電変換素子1の作製で、上記化合物1-1を用いて熱重合法により正孔輸送層を形成するのに代えて、下記構造の化合物bis-EDOTビス-エチレンジオキシチオフェンを用いて光重合法により正孔輸送層を形成した。また、増感色素をA-4をC-3に変更した。光重合法によるbis-EDOTを用いた正孔輸送層の形成は、以下の手順で行った。先ず、増感色素C-3を用いた光電変換層を、下記化合物を含有するアセトニトリル溶液電界重合溶液中へ浸漬した。bis-EDOT1×10-3モル/リットルLi[CF3SO22N]0.1モル/リットル作用極を半導体電極、対極を白金線、参照電極をAg/AgAgNO30.01モル、保持電圧を-0.16Vにし、光電変換層側より光を照射しながら30分間前記電圧を保持して光電変換層表面に正孔輸送層を形成した。なお、このときの光照射条件は、光源にキセノンランプを使用、光強度22mW/cm2、430nm以下の波長光をカットしたものである。その後、Li[CF3SO22N]15×10-3モル/リットルt-ブチルピリジン50×10-3モル/リットルの割合で含有するアセトニトリル溶液に10分間浸漬した後、自然乾燥させて、光重合法により導電性高分子を作製して正孔輸送層を形成した。その他は同じ手順を採ることにより光電変換素子34を作製した。2光電変換素子35の作製前記光電変換素子1の作製で、光電変換層を形成する際、アセトニトリル:t-ブチルアルコール=1:1の混合溶媒にG-4を5×10-4モル/リットル含有させた増感色素溶液に前記ガラス基体を室温で3時間浸漬処理した。その他は同じ手順を採ることにより光電変換素子35を作製した。なお、G-4は、CASNumber207347-46-4[RuL2NCS2]:2TBAL=2,2’-bipyridyl-4,4’-dicarboxylicacidTBA=tetra-n-butylammoniumという化合物である。上記光電変換素子1~35を作製する際に使用した正孔輸送層形成用化合物と増感色素を下記表1に示す。1-4.光電変換素子36~39の作製上記光電変換素子1の作製で、正孔輸送層形成時に行う熱重合の処理温度を45°C、50°C、80°C、85°Cに変更して作製した他は同じ手順を採ることにより光電変換素子36~39を作製した。1-5.光電変換素子1~39の加熱処理本実施例では光電変換効率の安定維持性能を評価するため、上記手順で作製した光電変換素子1~39を85°Cに加熱したオーブン内へ投入し、5時間放置して加熱処理を施した。なお、当該加熱処理はオーブン内を暗所にして行ったものである。2.評価実験本実施例では、上記手順で作製した光電変換素子1~39の光電変換効率の安定維持性能を以下の手順で評価した。先ず、上記85°Cに加熱したオーブンによる5時間の加熱処理を行う前に、上記各光電変換素子の光電変換効率ηを下記方法で測定、算出する。そして、上記加熱処理実施後に再び各光電変換素子の光電変換効率η’を測定、算出し、85°C、5時間の加熱処理前後における光電変換効率の低下率を算出して評価を行った。ここで、本発明で規定する構成を有する光電変換素子1~33、36~39を用いた評価を実施例1~37とし、本発明で規定する構成を有さない光電変換素子34、35を用いた評価を比較例1、2とした。各光電変換素子の光電変換効率η及びη’は以下の手順で測定、算出する。すなわち、市販のソーラシミュレータWXS-85-H株ワコム電創製により形成される照射強度100mW/cm2の擬似太陽光を室温環境温度20°C下で各光電変換素子に照射する。前記擬似太陽光は、前記ソーラシミュレータによりキセノンランプ光をAMフィルタAM1.5に通過させて形成されるものである。ここで、前記擬似太陽光照射時における各光電変換素子の電流-電圧特性を市販のI-Vテスタを用いて測定し、短絡電流値Iscと開放電圧Voc、及び、電流-電圧特性グラフより形状係数FFを算出する。これらの値を後述する計算式に代入することにより光電変換効率ηが算出される。なお、上記開放電圧Vocとは、光電変換素子に電圧負荷をかけて電流が流れなくなるときの電圧値のことであり、上記短絡電流値Iscとは、光電変換素子に電圧負荷をかけていない状態の時に流れる電流値のことである。また、上記形状係数FFは、後述する光電変換効率を測定する際に得られる電圧-電流特性グラフに示される軌跡を数値で示したもので、照射強度Pmaxを短絡電流値Iscと開放電圧Vocの積で除して得られる値である。図2に形状係数FFの算出式、形状係数FFが1.00のとき及び1.00未満のときの電圧-電流特性グラフの軌跡の例を示す。また、光電変換効率ηは、下記式より算出されるものである。すなわち、照射強度Pmax、各光電変換素子の短絡電流をIscmA/cm2、開放電圧をVocV、形状係数をFFとすると、光電変換効率ηは下記式より算出される。すなわち、η=Isc×Voc×FF/Pmax×100となる。加熱処理後の光電変換効率η’も同様に上記式より算出される。なお、本評価では、前記ソーラシミュレータより照射強度Pmaxが100mW/cm2の疑似太陽光を照射している。また、表2に示す加熱処理前後における光電変換効率の比率加熱前後比は、加熱前後比=加熱処理後光電変換効率/加熱処理前光電変換効率で定義されるものである。表2に示す様に、正孔輸送材料に本発明で規定する導電性高分子を用いるとともに増感色素に本発明で規定する化合物を用いた光電変換素子を評価した実施例1~37は、いずれも安定した光電変換効率を発現するものであることが確認された。"