基板の表面に、ポリスチレンまたはシリカの微粒子を分散させた第1処理液による液膜を形成する液膜形成工程と、前記第1処理液の凝固点よりも低温の冷却ガスにより、前記液膜を凍結させる凍結工程と、前記液膜が凍結した前記基板の表面に第2処理液を供給して、前記液膜の凍結膜を除去する除去工程とを備えることを特徴とする基板処理方法。前記第1処理液は、純水、脱イオン水、およびアンモニア水と過酸化水素水との混合溶液のいずれかの液体に前記微粒子を添加したものである請求項1に記載の基板処理方法。ポリスチレンラテックス液と前記液体とを混合して、前記微粒子としてのポリスチレン微粒子を含む前記第1処理液を生成する第1処理液生成工程を備える請求項2に記載の基板処理方法。前記凍結工程では、前記液膜を形成された前記基板の表面に対して相対的に走査移動する冷却ノズルから前記冷却ガスを吐出させて、前記液膜に前記冷却ガスを供給して前記液膜を凍結させる請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理方法。前記第1処理液が界面活性剤を含む請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理方法。基板を略水平に保持する基板保持手段と、純水、脱イオン水、およびアンモニア水と過酸化水素水との混合溶液のいずれかの液体に、ポリスチレンまたはシリカの微粒子を含むスラリーを混合して、第1処理液を生成する第1処理液生成手段と、前記第1処理液を前記基板保持手段に保持された前記基板の表面に供給して、前記基板表面に前記第1処理液の液膜を形成する第1処理液供給手段と、前記液膜を形成された前記基板の表面に、前記第1処理液の凝固点よりも低温の冷却ガスを供給して、前記液膜を凍結させる冷却ガス供給手段と、前記液膜が凍結した前記基板の表面に第2処理液を供給して、前記液膜の凍結膜を除去する第2処理液供給手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。前記基板保持手段は、前記基板を鉛直軸周りに回転させ、前記冷却ガス供給手段は、前記冷却ガスを吐出しながら前記基板の表面に沿って走査移動する冷却ノズルを備える請求項6に記載の基板処理装置。この種の洗浄技術では、パーティクル除去効率のさらなる向上が求められている。本願発明者らは種々の実験により、基板表面に形成された液膜が冷却により液相から固相に変化する際の相変化にかかる時間以下、相変化時間と称するを短くすると、より高いパーティクル除去効率を得られることを見出した。上記従来技術においてこれを実現しようとすると、冷却ガスの使用量を大幅に増大させるか、その温度をより低くする必要があり、処理コストの増大を招くことから現実的とは言えなかった。この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、パーティクル除去効率を向上させることのできる技術を提供することを目的とする。本発明の基板処理方法は、上記目的を達成するため、基板の表面に、ポリスチレンまたはシリカの微粒子を分散させた第1処理液による液膜を形成する液膜形成工程と、前記第1処理液の凝固点よりも低温の冷却ガスにより、前記液膜を凍結させる凍結工程と、前記液膜が凍結した前記基板の表面に第2処理液を供給して、前記液膜の凍結膜を除去する除去工程とを備えることを特徴としている。前記したように、本願発明者らの知見によれば、液膜を液相から固相に変化させる際の相変化時間を短くすることで、パーティクル除去効率を向上させることができる。本願発明者らは、相変化を短時間で行わせるため、液膜中に相変化時の凝固核となる微粒子を混合させることを検討した。その結果、ポリスチレンまたはシリカの微粒子を分散させた処理液第1処理液により液膜を形成すると、これらの微粒子が核となって液膜の凝固が短時間で進行するためパーティクル除去効率が向上し、また微粒子の付着による基板の汚染や処理後の基板への残留等の問題もないことが明らかになった。すなわち、本発明によれば、第1処理液に分散させた微粒子が核となって液相から固相への相変化が短時間で生じるため、第1処理液の液膜を凍結させ、これを除去することにより、パーティクルの除去効率を向上させることが可能となっている。また、同じパーティクル除去効果を得るのに必要な冷却ガスの使用量を少なく、またその温度をより高くすることができるので、処理コストの低減を図ることができる。この発明において、第1処理液としては、例えば純水、脱イオン水、およびアンモニア水と過酸化水素水との混合溶液のいずれかの液体に微粒子を添加したものとすることができる。これらの液体はいずれも、凍結洗浄技術に好適に適用可能なものであり、これに上記の微粒子を添加することにより、液相から固相への相変化時間を短くして、パーティクル除去効率をさらに高めることが可能である。より具体的には、例えば、ポリスチレンラテックス液と上記のいずれかの液体とを混合して、ポリスチレン微粒子を含む第1処理液を生成する第1処理液生成工程を備えるようにしてもよい。水、または水を主成分とする液体に、ポリスチレン粒子を水に分散させたポリスチレンラテックス液を混合することで、本発明に好適な第1処理液を簡便に生成することができる。また、この発明の凍結工程では、例えば、液膜を形成された基板の表面に対して相対的に走査移動する冷却ノズルから冷却ガスを吐出させて、液膜に冷却ガスを供給して凍結させるようにしてもよい。冷却ノズルから冷却ガスを吐出させながら、冷却ノズルを基板に対して走査移動させることにより、基板表面の液膜を効率よく凍結させることが可能である。この場合において、基板を回転させながら冷却ノズルの走査移動を行うようにしてもよい。この発明において、第1処理液が界面活性剤を含むものであってもよい。界面活性剤を含む液体で液膜を形成して凍結させ、これを除去することで、パーティクル除去効率をさらに高めることが可能である。また、この発明にかかる基板処理装置は、基板を略水平に保持する基板保持手段と、純水、脱イオン水、およびアンモニア水と過酸化水素水との混合溶液のいずれかの液体に、ポリスチレンまたはシリカの微粒子を含むスラリーを混合して、第1処理液を生成する第1処理液生成手段と、前記第1処理液を前記基板保持手段に保持された前記基板の表面に供給して、前記基板表面に前記第1処理液の液膜を形成する第1処理液供給手段と、前記液膜を形成された前記基板の表面に、前記第1処理液の凝固点よりも低温の冷却ガスを供給して、前記液膜を凍結させる冷却ガス供給手段と、前記液膜が凍結した前記基板の表面に第2処理液を供給して、前記液膜の凍結膜を除去する第2処理液供給手段とを備えることを特徴としている。このように構成された発明では、水、または水を主成分とする液体に、冷却時に凝固核として作用する微粒子が分散された第1処理液を生成し、これを基板表面に供給して液膜を形成し凍結させるので、上記したように、高いパーティクル除去効率で基板を洗浄することができる。この場合において、基板保持手段は基板を鉛直軸周りに回転させる一方、冷却ガス供給手段は、冷却ガスを吐出しながら基板の表面に沿って走査移動する冷却ノズルを備えるようにしてもよい。基板を回転させながら、冷却ガスを吐出する冷却ノズルを基板に対して走査移動させることで、基板表面の液膜を効率よく凍結させることができる。この際に、液膜に凝固核となる微粒子が分散されているため、液膜の液相から固相への相変化がより促進される。これにより短時間で相変化が進行し、高いパーティクル除去効率を得ることができる。この発明によれば、凍結時に核となる微粒子を含んだ第1処理液による液膜を形成して該液膜を凍結させ、これを除去するので、高いパーティクル除去効率で基板に対する処理を行うことができる。また、同じパーティクル除去効果をより低い処理コストにより得ることができる。図1はこの発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Wの表面Wfに付着しているパーティクル等の汚染物質を除去するための基板洗浄処理を実行可能な枚葉式の基板洗浄装置としての基板処理装置である。この基板処理装置は、基板Wに対して洗浄処理を施す処理空間をその内部に有する処理チャンバー1を備え、処理チャンバー1内に基板表面Wfを上方に向けた状態で基板Wを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック2と、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfに向けて液膜を凍結させるための冷却ガスを吐出する冷却ガス吐出ノズル3と、基板表面Wfに処理液の液滴を供給する二流体ノズル5と、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfに向けて薬液を吐出する薬液吐出ノズル6と、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfに対向配置された遮断部材9が設けられている。処理液としては、薬液または純水やDIWdeionizedwater;脱イオン水等の洗浄液などが用いられる。スピンチャック2は、回転支軸21がモータを含むチャック回転機構22の回転軸に連結されており、チャック回転機構22の駆動により回転中心A0を中心に回転可能となっている。回転支軸21の上端部には、円盤状のスピンベース23が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット4図2からの動作指令に応じてチャック回転機構22を駆動させることによりスピンベース23が回転中心A0を中心に回転する。スピンベース23の周縁部付近には、基板Wの周縁部を把持するための複数個のチャックピン24が立設されている。チャックピン24は、円形の基板Wを確実に保持するために3個以上設けてあればよく、スピンベース23の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。チャックピン24のそれぞれは、基板Wの周縁部を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板Wの外周端面を押圧して基板Wを保持する基板保持部とを備えている。各チャックピン24は、基板保持部が基板Wの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部が基板Wの外周端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。そして、スピンベース23に対して基板Wが受渡しされる際には、複数個のチャックピン24を解放状態とし、基板Wに対して洗浄処理を行う際には、複数個のチャックピン24を押圧状態とする。押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン24は基板Wの周縁部を把持してその基板Wをスピンベース23から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。これにより、基板Wはその表面パターン形成面Wfを上方に向け、裏面Wbを下方に向けた状態で保持される。スピンチャック2の外方には、第1の回動モータ31が設けられている。第1の回動モータ31には、第1の回動軸33が接続されている。また、第1の回動軸33には、第1のアーム35が水平方向に延びるように連結され、第1のアーム35の先端に冷却ガス吐出ノズル3が取り付けられている。そして、制御ユニット4からの動作指令に応じて第1の回動モータ31が駆動されることで、第1のアーム35を第1の回動軸33回りに揺動させることができる。冷却ガス吐出ノズル3はガス供給部64図2と接続されており、制御ユニット4からの動作指令に応じてガス供給部64から冷却ガスが冷却ガス吐出ノズル3に供給される。より具体的には、ガス供給部64に設けられた窒素ガス貯留部641から供給される窒素ガスが熱交換器642によりDIWの凝固点よりも低い温度まで冷やされ、こうして冷やされた窒素ガスが冷却ガスとして冷却ガス吐出ノズル3に供給される。冷却ガス吐出ノズル3が基板表面Wfに対向配置されると、冷却ガス吐出ノズル3から基板表面Wfに向けて局部的に冷却ガスが吐出される。冷却ガス吐出ノズル3から冷却ガスを吐出させた状態で、制御ユニット4が基板Wを回転させながら冷却ガス吐出ノズル3を基板の回転中心から外周部に向けて移動させることで、冷却ガスを基板表面Wfの全面にわたって供給できる。このとき、後述するように基板表面WfにDIWによる液膜が予め形成されていると、該液膜の全体を凍結させて基板表面Wfの全面にDIWの凍結膜を生成可能となっている。また、スピンチャック2の外方に第2の回動モータ51が設けられている。第2の回動モータ51には、第2の回動軸53が接続され、第2の回動軸53には、第2のアーム55が連結されている。また、第2のアーム55の先端に二流体ノズル5が取り付けられている。そして、制御ユニット4からの動作指令に応じて第2の回動モータ51が駆動されることで、二流体ノズル5を第2の回動軸53回りに揺動させることができる。この二流体ノズルは、処理液としてのDIWと窒素ガスとを空中ノズル外部で衝突させてDIWの液滴を生成する、いわゆる外部混合型の二流体ノズルである。また、スピンチャック2の外方には、第3の回動モータ67が設けられている。第3の回動モータ67には、第3の回動軸68が接続されている。また、第3の回動軸68には、第3のアーム69が水平方向に延びるように連結され、第3のアーム69の先端に薬液吐出ノズル6が取り付けられている。そして、制御ユニット4からの動作指令に応じて第3の回動モータ67が駆動されることで、薬液吐出ノズル6を基板Wの回転中心A0の上方の吐出位置と吐出位置から側方に退避した待機位置との間で往復移動させることができる。薬液吐出ノズル6は薬液供給部61と接続されており、制御ユニット4からの動作指令に応じてSC1溶液アンモニア水と過酸化水素水との混合水溶液等の薬液が薬液吐出ノズル6に圧送される。なお、冷却ガス吐出ノズル3、二流体ノズル5および薬液吐出ノズル6ならびにこれらに付随するアームやその回動機構としては、例えば前記した特許文献1特開2008-071875号公報に記載されたものと同一構造のものを用いることができる。そこで、本明細書ではこれらの構成についてのより詳しい説明は省略する。スピンチャック2の上方には、中心部に開口を有する円盤状の遮断部材9が設けられている。遮断部材9は、その下面底面が基板表面Wfと略平行に対向する基板対向面となっており、その平面サイズは基板Wの直径と同等以上の大きさに形成されている。遮断部材9は略円筒形状を有する支持軸91の下端部に略水平に取り付けられ、支持軸91は水平方向に延びるアーム92により基板Wの中心を通る鉛直軸回りに回転可能に保持されている。また、アーム92には、遮断部材回転機構93と遮断部材昇降機構94が接続されている。遮断部材回転機構93は、制御ユニット4からの動作指令に応じて支持軸91を基板Wの中心を通る鉛直軸回りに回転させる。また、遮断部材回転機構93は、スピンチャック2に保持された基板Wの回転に応じて基板Wと同じ回転方向でかつ略同じ回転速度で遮断部材9を回転させるように構成されている。また、遮断部材昇降機構94は、制御ユニット4からの動作指令に応じて、遮断部材9をスピンベース23に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット4は遮断部材昇降機構94を作動させることで、基板処理装置に対して基板Wを搬入出させる際には、スピンチャック2の上方の離間位置図1に示す位置に遮断部材9を上昇させる。その一方で、基板Wに対して所定の処理を施す際には、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfのごく近傍に設定された対向位置まで遮断部材9を下降させる。支持軸91は中空に仕上げられ、その内部に遮断部材9の開口に連通したガス供給路95が挿通されている。ガス供給路95は、ガス供給部64と接続されており、窒素ガス貯留部641から熱交換器642を通さずに供給される窒素ガスが乾燥ガスとして供給される。この実施形態では、基板Wに対する洗浄処理後の乾燥処理時に、ガス供給路95から遮断部材9と基板表面Wfとの間に形成される空間に窒素ガスを供給する。また、ガス供給路95の内部には、遮断部材9の開口に連通した液供給管96が挿通されており、液供給管96の下端にノズル97が結合されている。液供給管96は処理液供給部62に接続されており、処理液供給部62より供給される、後述する第1処理液またはDIWを選択的に、ノズル97から基板表面Wfに向けて吐出可能となっている。処理液供給部62は、DIWを貯留するDIW貯留部621およびポリスチレン微粒子またはシリカ微粒子を水に分散させたスラリーを貯留するスラリー貯留部622を備えている。詳しくは後述するが、スラリーとしては例えばポリスチレンラテックスPSL液を用いることができる。DIW貯留部621に貯留される常温のDIWは、開閉バルブ626を介して液供給管96に送出される。より具体的には、開閉バルブ626が開かれたとき、DIW貯留部621から送出された常温のDIWが液供給管96を経由してノズル97からリンス液として基板表面Wfに向け供給される。さらに、DIW貯留部621から供給されるDIWの一部が、スラリー貯留部622から供給されるスラリーが送り込まれる混合器623に供給されている。混合器623は、DIW貯留部621から供給されるDIWとスラリー貯留部622から供給されるスラリーとを所定の比率で混合撹拌して、DIW中に上記した微粒子を分散させた第1処理液を生成する。こうして生成された第1処理液は、熱交換器624によってDIWの凝固点近傍温度まで冷却され、開閉バルブ625を介して液供給管96に送出される。より具体的には、開閉バルブ625が開かれたとき、冷却された第1処理液が液供給管96を経由してノズル97から基板表面Wfに向け供給される。スピンチャック2の回転支軸21は中空軸からなる。回転支軸21の内部には、基板Wの裏面Wbに処理液を供給するための処理液供給管25が挿通されている。そして、回転支軸21の内壁面と処理液供給管25の外壁面の隙間は、円筒状のガス供給路29を形成している。処理液供給管25およびガス供給路29は、スピンチャック2に保持された基板Wの下面裏面Wbに近接する位置まで延びており、その先端には基板Wの下面中央部に向けて処理液およびガスを吐出する下面ノズル27が設けられている。処理液供給管25は薬液供給部61および処理液供給部62と接続されており、薬液供給部61から供給されるSC1溶液等の薬液または処理液供給部62から供給される常温のDIWが選択的に供給される。一方、ガス供給路29はガス供給部64と接続されており、スピンベース23と基板裏面Wbとの間に形成される空間にガス供給部64からの窒素ガスを供給することができる。より具体的には、ガス供給部64から供給される常温で水分を含まない窒素ガス乾燥ガスと冷却ガスとがそれぞれバルブを介してガス供給路29に供給される。次に、上記のように構成された基板処理装置における洗浄処理動作について説明する。最初に、この実施形態における洗浄処理動作の原理について、図3を参照しながら説明する。図3は液膜の冷却速度とパーティクル除去効率との関係を示す図である。図3aは、基板表面に形成した液膜を一定の冷却能力で冷却したときの液膜およびそれが凝固してなる氷膜の温度変化を模式的に示す図である。同図に示すように、液膜を冷却するとその温度Tは次第に低下してゆく。そして、液膜を構成する液体の凝固点Tfの近傍に達すると液相から固相への相変化が徐々に始まる。液相と固相が混在した状態では、液膜の温度Tは凝固点Tf近傍でほとんど変化せず、固相への変化が完了すると再び低下し始める。ここでは、液相から固相への相変化が始まってから完了するまでの、液膜の温度変化がほとんどない時間を、相変化が完了するまでに要する時間という意味で相変化時間tcと称する。図3bは、従来の凍結洗浄技術、すなわち基板表面に形成した液膜を冷却ガスによって凍結させ、凍結膜をリンス除去する技術において、冷却能力を種々に変更して相変化時間tcを変化させ、そのときの相変化時間tcとパーティクル除去効率PREとの相関を調べた結果を示す図である。同図に示すように、液相から固相への相変化時間tcが短いほど、パーティクル除去効率PREが高くなるという結果が得られた。凍結洗浄技術において、相変化時間tcを短縮するためには、冷却ガスによる液膜の冷却能力を高めることが考えられる。この目的のために、例えば、冷却ガスの供給量を増加させたり、冷却ガスの温度をより低温にすることは有効である。しかしながら、この場合、ガスの使用量や冷却に要するエネルギー消費量が増大し、処理コストを押し上げることになってしまう。そこで、本願発明者らは、液膜中に予め微粒子を混入させておき、冷却時にこの微粒子を凝固核として機能させることで液相から固相への相変化を促進させ、結果として相変化時間tcを短縮させる方法を検討した。図4はこの実施形態における液膜凍結の原理を模式的に示す図である。この実施形態では、図4aに示すように、スピンチャック2に保持した基板Wを回転させながら、液体中に微粒子Pを分散させた第1処理液Lを遮断部材9のノズル97から基板表面Wfに向け供給する。こうして基板表面Wfに微粒子Pを含む第1処理液Lの液膜を形成する。次いで、図4bに示すように、基板Wの回転を維持しながら、冷却ガス吐出ノズル3を基板Wの回転中心から周縁部に向けて走査移動させて、冷却ガスを基板表面Wfの液膜LPに供給する。これにより、基板中心から周縁部に向けて、第1処理液が凍結した凍結領域FRが広がってゆく。冷却ガスが直接吹き付けられる冷却ガス吐出ノズル3の直下では、冷却により液膜LP中に微小な氷塊ICが形成されこれが成長することにより、液膜の凍結が進行する。このとき、液膜LP中に微粒子Pが分散されていると、それらが凝固核となって氷塊ICの形成が促進される。この作用により、相変化時間tcの短縮が期待される。そして、最終的には、図4cに示すように、基板表面Wfの液膜全体に凍結領域FRが広がり、液膜全体が凍結する。その後、基板Wにリンス液を供給して凍結膜を除去することにより、基板表面Wfに付着していたパーティクル等の汚染物質が凍結膜とともに洗い流されて、基板が洗浄される。第1処理液に分散させる微粒子Pが有するべき条件は以下の通りである。第1に、第1処理液の主体となる液体に対して溶解しないものである必要がある。添加した微粒子が液体に溶解するものであると、液体の凝固点降下によって液膜の凍結にさらなるエネルギーを必要とすることになる。次に、液体に対して凝固核として効果的に作用するものである必要がある。さらに、基板Wに接触して基板Wを汚染することがなく、リンス処理により簡単に洗い流すことができて基板表面Wfに残留しないものであることが望ましい。これらの条件を満たす微粒子について本願発明者らは種々の研究を行い、その結果、水を主体とする液体に対しては、ポリスチレンまたはシリカの微粒子Pを添加したときに、相変化時間tcが短縮され高いパーティクル除去効率PREを得られることがわかった。このことから、この実施形態では、ポリスチレン微粒子を水に分散させたスラリー状の懸濁液であるポリスチレンラテックス液をDIWと混合したものを第1処理液として基板表面Wfへの液膜形成に使用している。図5はこの実施形態における洗浄処理動作を示すフローチャートである。この装置では、未処理の基板Wが装置内に搬入されると、制御ユニット4が装置各部を制御して該基板Wに対して一連の洗浄処理が実行される。ここで、基板がその表面Wfに微細パターンを形成されたものである場合、該基板表面Wfを上方に向けた状態で基板Wが処理チャンバー1内に搬入され、スピンチャック2に保持されるステップS101。なお、このとき遮断部材9は離間位置にあり、基板Wとの干渉を防止している。スピンチャック2に未処理の基板Wが保持されると、遮断部材9が対向位置まで降下され、基板表面Wfに近接配置されるステップS102。これにより、基板表面Wfが遮断部材9の基板対向面に近接した状態で覆われ、基板Wの周辺雰囲気から遮断される。そして、制御ユニット4はチャック回転機構22を駆動させてスピンチャック2を回転させるとともに、ノズル97から冷却された第1処理液を基板表面Wfに供給する。図4aに示すように、基板表面に供給された第1処理液には基板Wの回転に伴う遠心力が作用し、基板Wの径方向外向きに均一に広げられてその一部が基板外に振り切られる。これによって、基板表面Wfの全面にわたって液膜の厚みを均一にコントロールして、基板表面Wfの全体に所定の厚みを有する第1処理液の液膜が形成されるステップS103。なお、液膜形成に際して、上記のように基板表面Wfに供給された第1処理液の一部を振り切ることは必須の要件ではない。例えば、基板Wの回転を停止させた状態あるいは基板Wを比較的低速で回転させた状態で基板Wから液を振り切ることなく基板表面Wfに液膜を形成してもよい。この状態では、基板Wの表面Wfに所定厚さの第1処理液によるパドル状液膜が形成されている。こうして、液膜形成が終了すると、制御ユニット4は遮断部材9を離間位置に退避させるステップS104。その後、冷却ガス吐出ノズル3を待機位置から基板の回転中心の上方に移動させる。そして、回転する基板Wの表面Wfに向けて冷却ガス吐出ノズル3から冷却ガスを吐出させながら、冷却ガス吐出ノズル3を徐々に基板Wの端縁位置に向けて走査移動させていくステップS105。これにより、図4bに示すように、冷却ガスにより冷やされた液膜LP中で氷塊が形成されるとともに、これが成長することで液膜LPが部分的に凍結し、凍結した領域凍結領域FRが基板表面Wfの中央部に形成される。このとき、液膜LP中に分散された微粒子Pが核となることで氷塊の形成が促進され、液相から固相への相変化に要する時間が短縮される。そして、方向Dsへのノズル3のスキャンによって凍結領域FRは基板表面Wfの中央部から周縁部へと広げられ、図4cに示すように、最終的には基板表面Wfの液膜全面が凍結する。液膜全体が凍結すると、冷却ガス吐出ノズル3を退避させるとともに遮断部材9を基板表面Wfに近接配置するステップS106。続いて、基板Wの両面に対しDIWによるリンス処理を行うステップS107。すなわち、基板表面Wfに近接配置した遮断部材9のノズル97と、下面ノズル27とからそれぞれ常温のDIWを吐出し、基板Wの両面をDIWによりリンス処理する。本実施形態において使用する微粒子はポリスチレン粒子またはシリカ粒子である。本願発明者らの知見によれば、これらの微粒子はDIWリンス処理によって基板Wから比較的容易に洗い流すことが可能であり、リンス後には基板への残留がほとんど見られない。その後、基板両面へのDIWの供給をともに停止し、基板を乾燥させる乾燥処理を行うステップS108。すなわち、遮断部材9に設けられたノズル97およびスピンベース23に設けられた下面ノズル27から常温の窒素ガス乾燥ガスを吐出させながら基板Wを高速度で回転させることにより、基板Wに残留するDIWを振り切り基板Wを乾燥させる。このときに供給される窒素ガスは乾燥ガスとしての作用をするものであり、熱交換器642を通さない常温のガスである。こうして乾燥処理が終了すると、処理済みの基板Wを搬出することによって1枚の基板に対する処理が完了するステップS109。上記処理によって得られる洗浄効果について説明する。上記のようにして液膜を凍結させると、基板表面Wfとパーティクルの間に入り込んだ液膜の体積が増加摂氏0°Cの水が摂氏0°Cの氷になると、その体積はおよそ1.1倍に増加するし、パーティクルが微小距離だけ基板表面Wfから離れる。その結果、基板表面Wfとパーティクルとの間の付着力が低減され、さらにはパーティクルが基板表面Wfから脱離することとなる。このとき、基板表面Wfに微細パターンが形成されている場合であっても、液膜の体積膨張によってパターンに加わる圧力はあらゆる方向に等しく、つまりパターンに加えられる力が相殺される。そのため、パターンの剥離や倒壊を防止しながら、パーティクルのみを基板表面Wfから剥離させることができる。そして、新たに供給するDIWによって凍結した液膜を除去することにより、パーティクル等についても基板表面Wfから取り除くことができる。以上のように、この実施形態では、基板表面Wfに液膜を形成してこれを冷却ガスにより凍結させ、凍結膜を除去することで基板を洗浄する凍結洗浄技術において、液膜を構成する液体に凝固核として作用する微粒子を分散させている。こうすることで、冷却ガスにより冷やされた液膜中では微粒子を核として氷塊が形成されやすい状態となり、液膜の液相から固相への相変化が短時間で生じる。本願発明者らの知見によれば、液膜の液相から固相への相変化時間tcを短縮することでパーティクル除去効率を向上させることが可能であり、本実施形態においても高いパーティクル除去効率を得ることができる。液膜に添加する微粒子としてはポリスチレン粒子またはシリカ粒子としており、これらを用いた場合、微粒子が基板に触れることによる悪影響がなく、またDIWでのリンス処理により容易に除去することができ、しかも処理後に基板に残留するという問題も生じない。このように、本実施形態によれば、凍結洗浄処理におけるパーティクル除去効率を向上させることが可能であり、しかも、パーティクル除去効率向上のために冷却ガスの使用量を増やしたりガス温度をより低温化させる必要がないので、処理コストの増大を抑えることが可能である。なお、第1処理液に混入させる微粒子の量については、例えば次のような本願発明者らの知見に基づき設定することが可能である。凝固核となる微粒子を含まないDIWによる液膜を凍結させた場合、凍結膜中に生成される氷塊の代表的なサイズは小さいもので直径150μm程度である。液膜中でほぼ一様にこのサイズの氷塊を生成させると仮定すると、上部から見たときの液膜の1cm2当たりの氷塊の数は、約5.7×103個となる。微粒子混入の効果をより確かなものとするためには、微粒子を含まないときに生成される氷塊よりも多数の氷塊を生成させることが望ましく、したがって、液膜1cm2当たりに含まれる微粒子の数を、例えば上記氷塊の数以上とすることが考えられる。以上説明したように、この実施形態においては、スピンチャック2が本発明の基板保持手段として機能している。また、処理液供給部62、特にDIW貯留部621、スラリー貯留部622および混合器623等が一体として本発明の第1処理液生成手段として機能している。また、開閉バルブ625、液供給管96およびノズル97等が一体として本発明の第1処理液供給手段として機能する一方、開閉バルブ626、液供給管96およびノズル97等が一体として本発明の第2処理液供給手段として機能している。すなわち、本実施形態においてはリンス液としてのDIWが本発明の第2処理液に相当している。また、この実施形態では、冷却ガス吐出ノズル3が本発明の冷却ノズルとして機能しており、該ノズル3およびガス供給部64が本発明の冷却ガス供給手段として機能している。また、図5の処理においては、ステップS103、S105およびS107がそれぞれ本発明の液膜形成工程、凍結工程および除去工程に相当している。また、混合器623において予めDIWとスラリーとを混合し第1処理液を生成する過程が、本発明の第1処理液生成工程に相当している。なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、DIWとスラリーとの混合液を本発明の第1処理液として、またDIWを本発明の第2処理液として使用しているが、使用する液種はこれに限定されない。例えば、第1処理液の主体としてDIW以外に使用可能なものとしては、純水、アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液SC-1溶液や、これらに少量の界面活性剤を添加したものなどがある。特に、SC-1溶液を使用した場合、基板、基板に付着したパーティクルおよび溶液に添加した微粒子の間に相互にゼータ電位差が生じるので、剥離されたパーティクルや微粒子の基板への再付着をより効果的に防止し、より優れたパーティクル除去効果を得ることが可能である。また、第2処理液についてもDIWに限定されず、上記した液種を同様に用いることが可能である。また、第1処理液の主成分となる液種と第2処理液とが異なるものであっても構わない。また、上記実施形態では、冷却ガスおよび乾燥ガスとして同一の窒素ガス貯留部から供給されて互いに温度を異ならせた窒素ガスを用いているが、乾燥ガスおよび冷却ガスとしては窒素ガスに限定されない。例えば、乾燥ガスおよび冷却ガスのいずれか一方または両方を乾燥空気や他の不活性ガスとしてもよい。特に、冷却ガスは洗浄液を冷却するものであって基板に直接触れるものではないので、冷却ガスとして乾燥空気を好適に使用することができる。また、上記各実施形態ではDIWを吐出する処理液吐出口と冷却ガスを吐出するガス吐出口とを同軸構造としているが、このような構造に限定されるものではなく、例えば、基板の回転軸上に洗浄液を吐出する処理液吐出口を設ける一方、冷却ガスを吐出するガス吐出口を処理液吐出口の横に並べて配置してもよい。このような構造では冷却ガスが基板回転軸に対し非対称に吐出されることになるが、基板を回転させているので実質的には等方的に処理が行われる。また、上記各実施形態の基板処理装置は、DIW貯留部621および窒素ガス貯留部641をいずれも装置内部に内蔵しているが、洗浄液およびガスの供給源については装置の外部に設けられてもよく、例えば工場内に既設の洗浄液やガスの供給源を利用するようにしてもよい。また、これらを冷却するための既設設備がある場合には、該設備によって冷却された洗浄液やガスを利用するようにしてもよい。また、上記各実施形態の基板処理装置は、基板Wの上方に近接配置される遮断部材9を有するものであるが、本発明は遮断部材を有しない装置にも適用可能である。また、これらの実施形態の装置は基板Wをその周縁部に当接するチャックピン24によって保持するものであるが、基板の保持方法はこれに限定されるものではなく、他の方法で基板を保持する装置にも、本発明を適用することが可能である。