"基板上に複数の光電変換素子が配列され直列接続されてなる集積化太陽電池の製造方法であって、少なくとも表面が絶縁性である基板上に、下部電極層、光電変換層および透光性導電層を順に積層する薄膜積層工程と、前記薄膜積層工程後に、前記透光性導電層の表面から前記下部電極層の表面に至る深さの、ライン状の第1の溝をメカニカルスクライブにより形成し、前記第1の溝の底部に露出した下部電極層の前記第1の溝の一方および他方の側壁から離れた位置に、該第1の溝に平行かつ該第1の溝の幅より小さい幅のライン状の第2の溝をレーザスクライブにより形成するスクライブ工程と、前記第2の溝を埋め込み、前記第1の溝の前記一方の側壁を覆い、かつ前記他方の側壁から離間した、該第1の溝の長さ方向に沿ったライン状の絶縁部を形成する絶縁部形成工程と、前記第1の溝を隔てて互いに隣接する光電変換素子の一方の透光性導電層と、他方の下部電極層とを電気的に接続する接続部を前記絶縁部上に形成する接続部形成工程とを含み、前記絶縁部形成工程において、前記ライン状の絶縁部のライン幅よりも細幅の、前記第1の溝の長さ方向に沿った感光性絶縁材料からなるラインをインクジェット法で描画し、該描画直後に前記感光性絶縁材料からなるラインに光を照射することにより該感光性絶縁材料を硬化させて前記第1の溝の長さ方向に沿った細幅ライン絶縁部を形成する工程を複数回繰返して前記ライン状の絶縁部を形成するものであり、前記複数回形成される前記細幅ライン絶縁部のうち最も前記一方の側壁側の細幅ライン絶縁部を、該細幅ライン絶縁部の形成時にライン描画を行う前記第1の溝の幅方向位置よりも前記他方の側壁側にライン描画されて形成される細幅ライン絶縁部を形成した後に形成することを特徴とする集積化太陽電池の製造方法。前記複数回形成される前記細幅ライン絶縁部のうちの最初の細幅ライン絶縁部の形成時には、該細幅ライン絶縁部の前記他方の側壁側の端部が、前記第2の溝よりも前記他方の側壁側に位置するようにライン描画を行い、2回目以降の細幅ライン絶縁部の形成時には、先に形成された細幅ライン絶縁部よりも前記一方の側壁側にライン描画を行うことを特徴とする請求項1記載の集積化太陽電池の製造方法。前記第2の溝を、前記第1の溝の中央よりも前記一方の側壁側に位置するように形成することを特徴とする請求項1または2記載の集積化太陽電池の製造方法。前記第1の溝の幅を80μm~400μmとし、前記第2の溝の幅を10μm~50μmとすることを特徴とする請求項1から3いずれか記載の集積化太陽電池の製造方法。前記絶縁部形成工程において、前記細幅ライン絶縁部を形成する工程を複数回繰り返した後に、熱硬化処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載の集積化太陽電池の製造方法。特許文献3のように第1の溝の一方の側壁面に沿って電極層の上端までの絶縁膜で覆うことにより、良好な絶縁が取れると考えられる。しかしながら、特許文献3に記載のインクジェット法あるいはスプレー法などで絶縁材料を塗布すると、絶縁材料が側壁から滑り落ちてしまい、側壁を十分に被覆できず十分な絶縁性が確保できない場合がある。また、特許文献4には側壁を階段状にする方法が開示されているが、この方法は溝の形成方法が複雑で時間を要するものとなるため好ましくない。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、膜の積層工程と、スクライブ工程が分離された集積化太陽電池の製造方法であって、スクライブにより形成された溝の一方の側壁面を絶縁材料により良好に覆うことができ、発電効率の高い集積化太陽電池を得ることができる集積化太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。本発明の集積化太陽電池の製造方法は、基板上に複数の光電変換素子が配列され直列接続されてなる集積化太陽電池の製造方法であって、少なくとも表面が絶縁性である基板上に、下部電極層、光電変換層および透光性導電層を順に積層する薄膜積層工程と、前記薄膜積層工程後に、前記透光性導電層の表面から前記下部電極層の表面に至る深さの、ライン状の第1の溝をメカニカルスクライブにより形成し、前記第1の溝の底部に露出した下部電極層の前記第1の溝の一方および他方の側壁から離れた位置に、該第1の溝に平行かつ該第1の溝の幅より小さい幅のライン状の第2の溝をレーザスクライブにより形成するスクライブ工程と、前記第2の溝を埋め込み、前記第1の溝の前記一方の側壁を覆い、かつ前記他方の側壁から離間した、該第1の溝の長さ方向に沿ったライン状の絶縁部を形成する絶縁部形成工程と、前記第1の溝を隔てて互いに隣接する光電変換素子の一方の透光性導電層と、他方の下部電極層とを電気的に接続する接続部を前記絶縁部上に形成する接続部形成工程とを含み、前記絶縁部形成工程において、前記ライン状の絶縁部のライン幅よりも細幅の、前記第1の溝の長さ方向に沿った感光性絶縁材料からなるラインをインクジェット法で描画し、該描画直後に前記感光性絶縁材料からなるラインに光を照射することにより該感光性絶縁材料を硬化させて前記第1の溝の長さ方向に沿った細幅ライン絶縁部を形成する工程を複数回繰返して前記ライン状の絶縁部を形成するものであり、前記複数回形成される前記細幅ライン絶縁部のうち最も前記一方の側壁側の細幅ライン絶縁部を、該細幅ライン絶縁部の形成時にライン描画を行う前記第1の溝の幅方向位置よりも前記他方の側壁側にライン描画されて形成される細幅ライン絶縁部を形成した後に形成することを特徴とする。特には、前記複数回形成される前記細幅ライン絶縁部のうちの最初の細幅ライン絶縁部の形成時には、該細幅ライン絶縁部の前記他方の側壁側の端部が、前記第2の溝よりも前記他方の側壁側に位置するようにライン描画を行い、2回目以降の細幅ライン絶縁部の形成時には、先に形成された細幅ライン絶縁部よりも前記一方の側壁側にライン描画を行うことが好ましい。ここで、前記描画したラインに光を照射する前記描画直後とは、基板上に吐出したラインに対し10秒以内に光を照射することに対応する。前記第2の溝を、前記第1の溝の中央よりも前記一方の側壁側に位置するように形成することが好ましい。なお、前記第1の溝の幅を80μm~400μmとし、前記第2の溝の幅を10μm~50μmとすることが好ましい。また、前記絶縁部形成工程において、前記細幅ライン絶縁部を形成する工程を複数回繰り返した後に、熱硬化処理を施す工程を含むことが好ましい。本発明の集積化太陽電池の製造方法によれば、膜の積層工程と、溝を形成するスクライブ工程とが分離されているため、製造工程を簡素化することが可能となる。また、細幅ライン絶縁部の形成を複数回繰り返してライン状の絶縁部を形成するものとし、複数回の細幅ライン絶縁部の形成のうち最も一方の側壁側の細幅ライン絶縁部、すなわち、一方の側壁を最終的に覆う部分の形成を、それより他方の側壁側に細幅ライン絶縁部を形成した後に行うので、最も一方の側壁側の細幅ライン絶縁部形成時のライン描画の際に、先に形成された細幅ライン絶縁部を絶縁材料が側壁に沿って滑り落ちるのを防止する土手として利用することができ、最も一方の側壁側の細幅ライン絶縁部によりその一方の側壁面の上端を良好に被覆させることができる。本発明の集積化太陽電池の製造方法の実施形態について図面を用いて説明する。各図において、各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。図1は、集積化太陽電池1の平面図を示し、図2は、図1の破線部IIについての拡大斜視図である。集積化太陽電池1は短冊状の複数の光電変換素子セルCが直列接続されてなる。集積化太陽電池1は、図2に示すように表層が絶縁層10aである基板10上に、下部電極層12、化合物半導体からなる光電変換層13、バッファ層14および透光性導電層16が順に積層され、その積層体に設けられたストライプ状の溝部20により、複数のセルCに分離され、この溝部20に、隣接するセルCの一方のセルの透光性導電層16と、他方のセルの下部電極層12とを電気的に接続する接続部40が形成されることにより、セルCが直列接続されて集積化されている。溝部20は、透光性導電層16から下部電極層12の表面までの深さの幅広のライン状の第1の溝21と、第1の溝21の底面に設けられている下部電極層12をセル間で分離する第1の溝21の溝幅よりも狭い幅のライン状の第2の溝22とから構成されている。第2の溝22は第1の溝21の両側壁21a、21bから離間して第1の溝21に平行に形成されている。第2の溝22を埋め込み、第1の溝21の一方の側壁21aを覆い、かつ他方の側壁21bから離間した、第1の溝の長さ方向に沿ったライン状の絶縁部30が形成され、この絶縁部30を被覆するように接続部40が形成されている。図3A~図3Eは、本発明の集積化太陽電池の製造方法の製造工程を示す断面図である。本発明の集積化太陽電池の製造方法は、基板10上に各層を成膜する薄膜積層工程と、素子分離を行うためのスクライブ工程と、絶縁部形成工程と、各セルを直列接続するための接続部形成工程とを含む。まず、薄膜積層工程において、図3Aに示すように、少なくとも表層が絶縁層10aである基板10の表面に、下部電極層裏面電極12、光電変換半導体層13、バッファ層14、窓層15および透光性導電層透明電極16を順次積層する。次に、スクライブ工程において、図3Bに示すように、メカニカルスクライブにより短冊状のセルCを形成するためにライン状の第1の溝21を形成する。第1の溝21は、透光性導電層16表面から下部電極層12表面に至る深さであり、その幅W1は80~400μm程度とする。なお、幅W1は、250μm以下、さらには200μm以下であることが好ましく、150μm以下であることがさらに好ましい。続いて、図3Cに示すように、第1の溝21の底面に露出する下部電極層12にレーザスクライブにより、第1の溝21に平行なストライプ状の第2の溝22を形成する。第2の溝22は、第1の溝21よりも幅が狭く、第1の溝21の幅方向中央よりも一方の側壁21aに寄った位置に形成される。第2の溝22の幅W2は10~50μm程度とし、40μm以下であることがより好ましく、30μm以下であることがさらに好ましい。次に、絶縁部形成工程において、図3Dに示すように、感光性絶縁材料を第2の溝22を埋め込み、第1の溝21の一方の側壁21aを覆うように盛り付けして絶縁部30を形成する。さらに、接続部形成工程において、図3Eに示すように、導電性ペーストを絶縁部30上に盛り付けて透光性導電層16と、隣接セルCの下部電極層12とを電気的に接続する導電接続部40を形成する。絶縁部形成工程についてより詳細に説明する。図4A、図5A、図6Aおよび図7は絶縁部の形成工程を示す断面図、図4B、図5Bおよび図6Bは、それぞれ図4A、図5Aおよび図6Aに対応する部分の平面図である。絶縁部30は感光性絶縁材料、ここでは紫外線硬化型の絶縁材料により構成されるものである。ライン状の絶縁部30は、インクジェット方式による感光性絶縁材料絶縁インクによる、その絶縁部30のライン幅よりも細幅の、第1の溝21の長さ方向に沿った細幅ラインの描画とUV光紫外線の照射による硬化を複数回繰り返して形成される。図4Aおよび図4Bに示すように、まず、インクジェットを用いて溝の幅方向位置Aに感光性絶縁材料により溝の長さ方向に延びるラインを描画する。インクジェット方式によるライン描画は、図4Bに示すように、絶縁材料ドット31Dを溝長さ方向にライン状に配列するものであり、ライン状に配列されたドット31Dにより細幅ライン絶縁部31が構成される。最初の細幅ライン絶縁部31を、その図中右側の端部31bが第2溝22よりも第1の溝21の他方の側壁21b側に位置するように、ライン描画して形成する。本実施形態においては、第2の溝22の側壁22b位置A上方にインクジェットのノズルを位置させて第1回目の絶縁材料塗布ライン描画を行っている。この第1回目の絶縁材料塗布の後、次のライン描画を行う前に、絶縁材料に対してUV照射を行い、硬化させることにより材料の広がりを抑える。この第1回目の絶縁材料の塗布により形成された第1の細幅ライン絶縁部31は、第2回目以降の塗布の際に絶縁材料が第1の溝21の他方の側壁21b側に広がらないようにする土手部として機能する。続いて、第2回目の絶縁材料によるライン描画を行う。図5Aおよび図5Bに示すように、第1の細幅ライン絶縁部31形成時の描画位置Aよりも第1の溝21の一方の側壁21a側の溝幅方向位置Bに第2回目のライン描画を行い絶縁材料ドット32Dをライン状に配列し、第1回目と同様にUV照射を行って第2の細幅ライン絶縁部32を形成する。さらに、第3回目の絶縁材料によるライン描画を行う。図6Aおよび図6Bに示すように、第2の絶縁部32形成時の描画位置Bよりもさらに側壁21a側の溝幅方向位置Cに第3回目のライン描画を行い絶縁材料ドット33Dをライン状に配列し、第1回目および第2回目と同様にUV照射を行って第3の細幅ライン絶縁部33を形成する。最後に、加熱することにより第1~第3の絶縁部31~33の組成物を熱重合熱硬化させて絶縁部30図7参照とする。加熱温度および時間は使用する絶縁材料に適したものとすればよい。このようにして、第1の溝21の一方の側壁21aを良好に被覆して絶縁を十分に確保できる感光性絶縁材料からなる絶縁部30を形成することができる。メカニカルスクライブを行うと、そのスクライブ溝の壁面には荒れが発生する。絶縁部30を形成する場合には、第1の溝21の側壁21aに生じている荒れを十分に被覆できないと絶縁性が低下してしまう。上述のように、最初に土手部を作製し、徐々に側壁21a側に絶縁材料を埋め込むように複数回の塗布、およびUV硬化を繰り返すことにより、絶縁材料塗布時に絶縁材料が側壁21aを滑り落ちてしまうことなく、透光性導電層16の上面に至るまで十分に被覆することができる。上記実施形態では、ほぼ同一の線幅のライン描画を3回行って絶縁部を形成するものとしたが、最初に図4Aおよび図4Bに示す土手部31を作成した後の塗布および硬化の繰返し回数は特に制限はない。例えば、図8Aおよび図8Bに示すように、2回目の描画位置を第1の溝21の一方の側壁21a側位置Bとし、吐出量を多くしてドット34D径を大きくして、第2のライン描画を行い第2の細幅ライン絶縁部34を形成し、2回のライン描画およびUV照射により絶縁部30を形成するようにしてもよい。また、上記実施形態においては、細幅ライン絶縁部31~33を、第1の溝21内部において他方の側壁21b側から一方の側壁21a側に向けて順次形成する場合について説明したが、必ずしもこの順にライン描画する必要はない。図9に示すように、最も一方の側壁21a側の細幅ライン絶縁部36を形成する前に、該細幅ライン絶縁部36に隣接する細幅ライン絶縁部35が形成されていれば、細幅ライン絶縁部36のライン描画を行う場合に、絶縁材料が側壁21aに沿って垂れてしまうのを防止する土手部として機能し、一方の側壁21aを絶縁材料により良好に被覆することができる。すなわち、図9に示すように例えば3本の細幅ライン絶縁部を形成する場合、最初に中央の細幅ライン絶縁部35を形成し、その後、一方の側壁21a側、他方の側壁21b側の細幅ライン絶縁部36、37を形成するようにしてもよい。次に、導電性ペーストの材料および塗布方法の詳細について説明する。導電性ペーストとしては、銀含有ペーストが一般に用いられている。しかしながら、銀含有ペーストを用いると銀のマイグレーションがおこり、集積化太陽電池の信頼性が低下するという問題がある。このような銀のマイグレーションを抑制するために、少なくとも球状と鱗片フレーク状の2つの形状を含む銀微粒子および/または銀化合物微粒子と、カーボン系材料、エポキシ系樹脂および有機溶剤からなる溶媒および/または分散媒を含む導電性ペーストを用いることが好ましい。なお、フレキシブルの太陽電池を製造する場合には、導電性ペーストはさらに、アクリル系樹脂を含むことが好ましい。アクリル系樹脂を含有させることによりエポキシ樹脂のみの場合と比較してクラックの発生を抑制することができると考えられる。好ましいカーボン系材料としては、カーボンブラックまたはグラファイトが挙げられる。銀微粒子は、脂肪酸銀塩からなる有機化合物あるいは脂肪酸銀塩とアミン化合物とを反応させて得られる有機銀化合物の少なくとも一つを含むことが望ましい。このような有機銀化合物の製法については特開2008-176951号公報等において詳細に説明されている。球状の銀微粒子としては、0.5μm~5μm直径のものが好ましく、フレーク状銀微粒子としては、1μm~10μm円相当直径サイズのものが好ましい。樹脂の溶媒であり、同時に銀粒子の分散媒として機能するものとしては、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、イソプロぺルベンゼン、アミルベンゼン、p-シメンおよびテトラリンなどの芳香族炭化水素;2-エトキシエタノール、2-ブトキシエタノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどのエーテルアルコール;メチルイソブチルケトンなどのケトン;ならびにエチレングリコールモノメチルエーテル酢酸エステルなどのエステル等が挙げられる。これらのうち、沸点の異なる2つ以上の有機溶剤を用いることが好ましい。なお、導電性ペーストの塗布法としては、インクジェット法がよく知られているが、インクジェット法で用いられる導電性ペースト導電インクは目詰まりを生じないように粘度が比較的低いものが用いられるため、吐出後にインクが広がり易く、導電性を付与したくない部分にまで広がってしまう滲みが生じる恐れがある。また、インクジェット法では吐出の際に飛び散りサテライトが生じる点も問題となっている。サテライトや滲みの発生は光電変換素子の有効面積が減り効率のロスに繋がる。滲みを抑えるためには、一般にインクジェット法で用いる導電インクよりも粘度が高い導電性ペーストを用いることが好ましい。また、サテライト防止のため、インクジェット法で用いる導電インクよりも粘度が高い導電性ペーストを用いる場合、ディスペンサー法もしくはスクリーン印刷などの印刷法によって塗布することが好ましい。印刷法は広い領域を一度に処理できることから製造時間の短縮化には好ましいが、位置ズレが生じる場合があるため、ディスペンサー法による塗布が最も適する。以下に、ディスペンサー法による導電性ペーストの塗布方法について説明する。図10Aに示すように、ディスペンサーのノズル45は絶縁部30の上方に位置され、絶縁部30を覆うように溝長さ方向に導電性ペースト41によるライン描画を行う。図10Bに示すように、絶縁部30を覆い、一端が透光性導電層16に接触し、他端が隣接セルの下部電極層12に接触するように導電性ペースト41が盛り付けされ、熱硬化処理がなされて接続部40が形成される。ディスペンサー用ノズル45は、その外径サイズ直径Dが、150μmよりも小さいものであることが好ましい。ディスペンサーによる塗布幅は、ノズル45の内径サイズdよりも外径サイズDに依存する。200μm程度の溝幅に対し、接続部40と隣接セルの側壁21bとの間にある程度の空間を設ける必要があることから、外径サイズDが150μmよりも小さいことが好ましい。なお、ノズル45の先端の肉厚としては15μm程度が最小肉厚であることから、内径サイズdは外径サイズD30μm以下となる。ディスペンサー用ノズル45としては、例えば、武蔵エンジニアリング株製の高精細ノズルのうち、FN-0.10Nノズル外径0.20mm、ノズル内径0.10mmまたはノズル先端肉厚15μmタイプFN-0.10N-Fノズル外径0.13mm、ノズル内径0.10mmを用いることができる。以上のような絶縁部および接続部の形成に当たっては、絶縁材料、導電材料によるライン描画材料の塗布の際に、塗布幅が広がる滲みを防止するために、塗布表面に親水化処理を施しておくことが好ましい。これにより、疎水性のインク材料の滲みブリードアウトを抑制し、より狭い線幅で描画することができる。親水化処理としては、UVオゾン洗浄、コロナ放電処理など公知の処理法を適用することができる。上記製造方法により、集積化太陽電池、所謂太陽電池サブモジュールを製造することができる。その後、集積化太陽電池の両端のセルに電力取出し配線を形成し、カバーガラス、保護フィルム等を取り付けて、太陽電池モジュールを製造することができる。なお、図11A~図11Cに示した3段階のスクライブ工程を経て集積化を行う場合、一般に、3本のスクライブラインP1~P3のうち2本P2、P3は通常メカニカルスクライブにより形成される。メカニカルスクライブでは安定的に50μm以下のような細幅のスクライブラインを形成するのは困難であり、スクライブラインのエッジもまっすぐに加工できないことが多いことから、3本のラインおよびライン間の幅W0図11C参照を250μm以下にすることは難しく、220μm程度にすることは更に難しい。この集積化のための3本のスクライブラインを含む幅W0は光電変換に寄与しないロス部分となるため、狭いほど好ましい。本発明の方法によれば、溝は1本であるため、溝幅W1を250μm以下にすることは容易であり、さらには、200μm以下とすることも可能となる。光電変換のロスとなる領域を狭めることにより、変換効率を向上させることができる。以下に基板および各層について簡単に説明する。基板基板10としては、ガラス、ポリイミド等の絶縁基板、表面に絶縁層が形成されたステンレス等の金属基板など、少なくとも表面が絶縁層であれば特に制限されない。可撓性基板としては、Alを主成分とするAl基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜絶縁膜が形成された陽極酸化基板、Feを主成分とするFe材の少なくとも一方の面側にAlを主成分とするAl材が複合された複合基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、Feを主成分とするFe材の少なくとも一方の面側にAlを主成分とするAl膜が成膜された基材の少なくとも一方の面側にAl2O3を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板などが好ましい。さらに、陽極酸化膜上に、ソーダライムガラスSLG層が設けられたものであってもよい。ソーダライムガラス層を備えることにより、光電変換層にNaを拡散させることができる。光電変換層がNaを含むことにより、光電変換効率をさらに向上させることができる。下部電極層下部電極層12の主成分としては特に制限されず、Mo,Cr,W,及びこれらの組合せが好ましく、Mo等が特に好ましい。下部電極層12の膜厚は制限されず、200~1000nm程度が好ましい。例えば、基板上にスパッタ法により成膜することができる。光電変換層光電変換層13の主成分としては特に制限されず、高い光電変換効率が得られることから、少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体であることが好ましく、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることがより好ましい。光電変換層13の主成分としては、CuおよびAgからなる群より選択された少なくとも1種のIb族元素と、Al,GaおよびInからなる群より選択された少なくとも1種のIIIb族元素と、S,Se,およびTeからなる群から選択された少なくとも1種のVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることが好ましい。上記化合物半導体としては、CuAlS2,CuGaS2,CuInS2,CuAlSe2,CuGaSe2,AgAlS2,AgGaS2,AgInS2,AgAlSe2,AgGaSe2,AgInSe2,AgAlTe2,AgGaTe2,AgInTe2,CuIn,AlSe2,CuIn,GaS,Se2,Cu1zIn1xGaxSe2ySy式中、0≦x≦1,0≦y≦2,0≦z≦1CIGS,AgIn,GaSe2,およびAgIn,GaS,Se2等が挙げられる。また、Cu2ZnSnS4,Cu2ZnSnSe4,Cu2ZnSnS,Se4,CdTe,Cd,ZnTe等であってもよい。光電変換層13の膜厚は特に制限されず、1.0~4.0μmが好ましく、1.5~3.5μmが特に好ましい。光電変換層13の成膜方法も特に制限はなく、真空蒸着法、スパッタ法、MOCVD法等により成膜することができる。バッファ層バッファ層14は、化学浴析出法CBD法により好適に形成することができる。バッファ層14の膜厚は特に制限されず、10nm~2μmが好ましく、15~200nmがより好ましい。窓層窓層15は、光を取り込む中間層である。窓層15の組成としては特に制限されず、i-ZnO等が好ましい。窓層15の膜厚は特に制限されず、10nm~2μmが好ましく、15~200nmがより好ましい。窓層15の成膜方法は、特に制限されないが、スパッタ法やMOCVD法が適している。一方で、バッファ層14を液相法により製造するため、製造プロセスを簡易にするためには液相法を用いることも好ましい。窓層15は必須ではなく、窓層15のない光電変換素子としてもよい。透光性導電層透光性導電層16は、光を取り込むと共に、下部電極層12と対になって、光電変換層13で生成された電流が流れる電極として機能する層である。透光性導電層16の組成は特に制限されず、ZnO:Al、ZnO:Ga、ZnO:B等のn-ZnO等が好ましい。透光性導電層16の膜厚は特に制限されず、50nm~2μmが好ましい。透光性導電層16の成膜方法としては特に制限されないが、窓層と同様、スパッタ法やMOCVD法が適している。一方で、製造プロセスを簡易にするためには液相法を用いることも好ましい。以下、本発明の集積化太陽電池の製造方法の実施例を説明する。<基板>100μm厚ステンレスSUS-30μm厚Al複合基材上のAl表面にアルミニウム陽極酸化膜AAOが形成された陽極酸化基板のAAO表面にソーダライムガラスSLG層が形成された基板を用いた。<膜形成工程>上記基板上に、スパッタ法で下部電極層としてMo電極層を形成し、その上に膜厚2.5μmのCuIn07Ga03Se2層を3段階法により成膜した。次に、KCN10水溶液の入った反応槽を用意し、基板上に成膜されたCIGS層の表面を室温にて3分間KCN水溶液に浸漬させてCIGS層表面の不純物除去を行った。取り出した後に十分に水洗を行った。CBD法によりCdS層を50nm形成したのち、ZnO:Al膜をスパッタ法により形成した。<スクライブ工程>メカニカルスクライブ法で幅200μmのライン状の第1の溝を複数ストライプ状に形成した。次に、第1の溝の底部に露出しているMo電極層をレーザスクライブ法でスクライブして幅30μmの第2の溝を形成した。<絶縁部形成工程>FUJIFILMDimatix製MaterialsPrinterDMP2831を用いて、絶縁材料として絶縁性インクアクリル酸エステルモノマー60、イミド系樹脂30、光重合開始剤3、その他成分7を用い、細幅ライン絶縁部を形成するためのライン描画を行い、ライン描画直後にUV照射を行った積算光量は、2919mJcm2。ライン描画位置を徐々に第1の溝の一方の側面側に移動させつつ、ライン描画とUV照射を第2の溝を埋め込み第1の溝の一方の側面が覆われるまで繰り返した。最後に、200°C×30分の熱硬化を行い、絶縁部を形成した。<接続部形成工程>武蔵エンジニアリング株製のPC制御画像認識付卓上塗布ロボットIMAGEMASTER350PCを用いて、絶縁部上に導電ペーストの塗布を行った。導電性ペーストとしては、銀83、ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂7、エポキシフェノール樹脂7、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート3からなる銀ペーストを使用した。ディスペンサーノズルとしては、武蔵エンジニアリング株製の高精細ノズルであるFN-0.10Nノズル外径0.20mm、ノズル内径0.10mmを用いた。その後、150°C×30分熱硬化を行い、導電性接続部を形成した。以上の工程により集積化太陽電池を作製することができた。"