ディスプレーパネルを検査するためのプローブブロック用プローブフィルムの製造方法において、信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成されたコンタクトバンプをそれぞれ含む複数個のプローブ部をフォトリソグラフィ法を用いて基板上に設定された間隔で一括して形成するプローブ部形成段階と、前記プローブ部の上部面をフィルム部と接合するフィルム接合段階と、前記基板を除去する基板除去段階と、を含むことを特徴とするプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。前記プローブ部形成段階は、前記基板上にパターニングされた第1のフォトレジスト層をマスクとし、エッチングによりコンタクトバンプ領域を形成する段階と、前記コンタクトバンプ領域を形成して露出した前記基板の上部面と前記第1のフォトレジスト層の上部面にシード層を形成する段階と、前記シード層の上部面に第2のフォトレジスト層をパターニングして信号ライン部領域を形成する段階と、前記コンタクトバンプ領域及び信号ライン部領域を導電性物質で満たす段階と、前記導電性物質で満たされた領域の上部面を平坦化して前記プローブ部を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。前記コンタクトバンプ領域は、先端部の幅が他の部分の幅より広く、高さが縦方向に減少するような形であることを特徴とする請求項2に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。前記コンタクトバンプ領域は、DRIE工程で形成されることを特徴とする請求項2に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。前記シード層は、前記コンタクトバンプ領域及び前記第1のフォトレジスト層の上部面にTiをスパッタリングした後、Cuをスパッタリングして形成されることを特徴とする請求項2に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。前記導電性物質で満たされた領域の上部面は、化学的機械的研磨工程で平坦化されることを特徴とする請求項2に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。前記コンタクトバンプ領域及び信号ライン部領域を導電性物質で満たす段階は、メッキする工程で行われることを特徴とする請求項2に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。前記フィルム接合段階は、前記第2のフォトレジスト層を除去する段階と、前記第2のフォトレジスト層を除去して露出したシード層を除去する段階と、前記プローブ部の上部面に接着剤を塗布して前記フィルム部を接合する段階と、を含むことを特徴とする請求項2に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。前記第1のフォトレジスト層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。前記第1のフォトレジスト層は、湿式エッチング工程で除去されることを特徴とする請求項9に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。前記第2のフォトレジスト層は、アッシング工程、湿式除去工程、及びO2プラズマ方法のうち、何れか一つで除去されることを特徴とする請求項8に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。前記シード層は、乾式エッチングまたは湿式エッチング工程で除去されることを特徴とする請求項8に記載のプローブブロック用プローブフィルムの製造方法。ディスプレーパネルを検査するためのプローブブロック用プローブフィルムにおいて、信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成され、前記ディスプレーパネルに具備された複数個の電極に接触するコンタクトバンプをそれぞれ含む複数個のプローブ部と、前記プローブ部の上部面に接合したフィルム部と、を含むことを特徴とするプローブブロック用プローブフィルム。前記プローブ部は、フォトリソグラフィ法を用いて基板上に設定された間隔で一括して形成されたものであることを特徴とする請求項13に記載のプローブブロック用プローブフィルム。前記信号ライン部は、第1の長さに形成された第1の信号ライン部と、前記第1の信号ライン部より短い第2の長さに形成された第2の信号ライン部と、を含み、前記第1の信号ライン部と第2の信号ライン部が交互に配列されていることを特徴とする請求項13に記載のプローブブロック用プローブフィルム。前記コンタクトバンプは、先端部の幅が他の部分の幅より広く、高さが縦方向に減少する形状であることを特徴とする請求項13に記載のプローブブロック用プローブフィルム。本発明の一実施例は、フォトリソグラフィphotolithography法を用いてプローブ部を高密度でかつ均一に一括して形成することにより、高密度に微細電極が配列されたディスプレーパネルを効果的に検査することができ、また、プローブ部の流動性がないため検査工程中のピンミスを減少させることができる、プローブブロック用プローブフィルム及びこの製造方法を提供することを目的としている。また、本発明の一実施例は、摩耗したコンタクトバンプから次のコンタクトバンプにコンタクト位置が変更されるように、複数個のコンタクトバンプをそれぞれの信号ラインに従ってプローブ部に一括して形成することにより、摩耗したコンタクトバンプを交換せずに次のコンタクトバンプを用いてディスプレーパネルに対する検査工程を持続的に行うことができる、プローブブロック用プローブフィルム及びこの製造方法を提供することを目的としている。また、本発明の一実施例は、互いに違う長さを有する複数個の信号ライン部を交互に一定間隔毎に配列することにより、高電圧差によって発生し得る電気信号の干渉を最小化することができる、プローブブロック用プローブフィルム及びこの製造方法を提供することを目的としている。上述の技術的課題を解決するための技術的手段として、本発明の第1の側面によるディスプレーパネルを検査するためのプローブブロック用プローブフィルムの製造方法は、信号ライン部及び信号ライン部から突出して形成されたコンタクトバンプをそれぞれ含む複数個のプローブ部をフォトリソグラフィ法を用いて基板上に設定された間隔で一括して形成するプローブ部形成段階と、プローブ部の上部面をフィルム部と接合するフィルム接合段階と、基板を除去する基板除去段階と、を含む。本発明の第2の側面によるディスプレーパネルを検査するためのプローブブロック用プローブフィルムは、信号ライン部及び信号ライン部から突出して形成されてディスプレーパネルに具備された複数個の電極に接触されるコンタクトバンプをそれぞれ含む複数個のプローブ部と、プローブ部の上部面に接合されたフィルム部と、を含む。前述の本発明の課題解決手段によれば、フォトリソグラフィ法を用いて、プローブ部が高密度でかつ均一に一括して形成されるので、高密度に微細電極が配列されたディスプレーパネルを効果的に検査することができ、また、プローブ部の流動性がないため検査工程中のピンミスを減少させることができる。また、前述の本発明の課題解決手段によれば、摩耗したコンタクトバンプから次のコンタクトバンプにコンタクト位置が変更されるように、複数個のコンタクトバンプがそれぞれの信号ラインに従ってプローブ部に一括して形成されるので、摩耗したコンタクトバンプを交換せずに次のコンタクトバンプを用いてディスプレーパネルに対する検査工程を持続的に行うことができる。また、前述の本発明の課題解決手段によれば、互いに違う長さを有する複数個の信号ライン部が交互に一定間隔毎に配列されるので、高電圧差によって発生し得る電気信号の干渉を最小化することができる。以下では、添付した図面を参照して、本発明が属する技術分野において通常の知識を持った者が容易に実施することができるように本発明の実施例を詳しく説明する。但し、本発明は、様々な相異した形態に具現されることができ、ここで説明する実施例に限定されない。また、図面で本発明を明確に説明するための説明と関係ない部分は省略し、明細書全体に亘って類似している部分に対しては同様の図面符号を付けた。明細書全体で、ある部分が他の部分と連結されている場合、これは直接的に連結されている場合だけではなく、その中間に他の素子を置いて電気的に連結されている場合も含む。また、ある部分がどの構成要素を含む場合、これは特別に反対される記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。図3は、本発明の一実施例によるプローブユニットを示す図である。図4a~図4cは、プローブブロックの先端部を示す。そして、図5は、図3のプローブユニットの分解斜視図である。図3~図5に示すように、本発明のプローブユニット200は、ヘッドブロック210、プローブブロック220、及び圧着ブロック230を含む。ヘッドブロック210は、プローブブロック220の上部に結合されてプローブブロック220のプローブ部が適当な物理的圧力でディスプレーパネルの電極と接触するようにプローブブロック220を上下に移動及び固定させる。プローブブロック220は、傾斜突出部224を含むプローブブロック本体部222と、傾斜突出部224の下側面に結合され、傾斜突出部224の先端から突出して延長され、ディスプレーパネルの電極に接触して信号を印加するプローブフィルム100と、傾斜突出部224の上側面に結合され、突出して延長されたプローブフィルム100の上部面と接触してプローブフィルム100を支持する第2のプレート242とを含む。ここで、プローブブロック220は、第2のプレート242の上部面に結合され、第2のプレート242を固定して支持する固定ブロック250をさらに含むことができる。より具体的には、図4aに示すように、プローブブロック220の先端部Aは、傾斜突出部224の下側面に結合される第1のプレート241と、第1のプレート241の下側面に結合され、ディスプレーパネルの電極に接触されて信号を印加するプローブフィルム100と、傾斜突出部224の上側面に結合され、第1のプレート241の上部面と接触して第1のプレートの先端部241-1を支持する第2のプレート242と、を含むことができる。この時、第2のプレート242の先端部242-1は、第1のプレート241の先端部241-1に傾いた角度で接触することができる。そして、図4bに示すように、他の実施例において、プローブブロック220の先端部A’は、傾斜突出部224の下側面とプローブフィルム100との間に上述の第1のプレート241が介在せず、プローブフィルム100が傾斜突出部224の下側面に結合されて傾斜突出部224の先端から突出して延長され、第2のプレート242の先端部242-2が突出して延長されたプローブフィルム100の上部面に並んで接触するように延長された形態で構成されることができる。また、図4cに示すように、他の実施例において、プローブブロック220の先端部Aは、第1のプレート241と第2のプレート242が一体に形成され、第1のプレート241の下側面にプローブフィルム100が結合した形態で構成されることもできる。圧着ブロック230は、プローブブロック220の下部に着脱可能に結合される。圧着ブロック230は、プローブブロック220の下部に形成された窪み部に収容される圧着ブロック本体部231と、本体部231の一側に突出して形成される結合突出部232と、圧着ブロック本体部231の下部から結合突出部232の回りに延長され、結合突出部232の上部面でプローブフィルム100側に圧着して接続された連結フィルム233と、を含む。ここで、連結フィルム233は、ディスプレーパネルを検査する駆動ICDriveIntegratedCircuit図示せずを実装したものである。このような駆動ICは、ディスプレーパネルの各電極に電気的信号を印加すると共に、出力を検出することでディスプレーパネルの不良有無に対する検査工程を行う。連結フィルム233は、チップオンフィルムChipOnFilmに具現されることができる。以下、図6及び図7を通じて、上述のプローブフィルム100についてより具体的に説明する。図6は、本発明の一実施例によるプローブフィルムの斜視図である。図7は、図6のプローブフィルムの平面図である。図6及び図7に示すように、ディスプレーパネル検査用プローブブロックに装着されるプローブフィルム100は、信号ライン部151及び前記信号ライン部151から突出して形成され、ディスプレーパネルに具備された複数個の電極に接触されるコンタクトバンプ152をそれぞれ含む複数個のプローブ部150の上部面にフィルム170が接合された形態である。ここで、プローブ部150は、フォトリソグラフィ法を用いて一定間隔で一括して形成されたものである。そして、プローブ部150のコンタクトバンプ152は、ディスプレーパネルに具備された複数個の電極に接触する部分である。ここで、コンタクトバンプ152は、先端部153の幅a’が他の部分の幅より広く形成され、高さb’が縦方向に減少するような非対称の菱形であることができる。すなわち、コンタクトバンプ152は縦方向の線c’と先端部153の幅方向の線a’が交差する点の高さb’が一番大きく、縦方向に行くほど高さが減少する形であることができる。そして、プローブ部150の信号ライン部151は、ディスプレーパネルに接触したコンタクトバンプ152を通じて電気信号をディスプレーパネルに印加し、それによる出力信号を検査システムに伝達する。このようなコンタクトバンプ152と信号ライン部151は、後述する図8の形態に配列されることができる。図8は、本発明の一実施例による一定パターンに形成された信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成されたコンタクトバンプを示す図である。図8に示すように、コンタクトバンプ152は、互いに違う長さを持った複数個の信号ライン部151a、151bに複数個突出して形成されることができる。ここで、信号ライン部151a、151bは、第1の長さに形成された第1の信号ライン部151aと、前記第1の信号ライン部151aより後退され、第1の信号ライン部151aより短い第2の長さに形成された第2の信号ライン部151bと、を含み、第1の信号ライン部151aと第2の信号ライン部151bは交互に配列されることができる。ここで、同じ長さの信号ライン部には同信号が伝達され、第1の長さに形成された信号ライン部151aと第2の長さに形成された信号ライン部151bとの電圧差が20V~40Vであることができる。このように、それぞれの信号ライン部151a、151bが交互に一定間隔で配列されることで、その電圧差によって発生し得る電気信号の干渉を最小化することができる。そして、コンタクトバンプ152が信号ライン部に複数個突出して形成されているため、摩耗したコンタクトバンプを交換する必要なく、次のコンタクトバンプを用いてディスプレーパネルに対する検査工程を効果的に行うことができる。より具体的には、コンタクトバンプ152は、上述の非対称の菱形に形成され、摩耗したコンタクトバンプから次のコンタクトバンプにスムーズにコンタクトの位置が変更されることができ、それによって摩耗したコンタクトバンプを交換せずに次のコンタクトバンプを用いてディスプレーパネルに対する検査工程が持続的に行われる。また、上述のプローブ部150は、フォトリソグラフィ法を用いて一定間隔で一括して形成されたものであって、コンタクトバンプ及び信号ライン部が流動せず、均一かつ正確に配列されているため、ディスプレーパネルに対する検査を行う時にピンミスを減少させることができる。以下、図9を通じてプローブブロック用プローブフィルムの製造方法についてより具体的に説明する。図9は、本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法の全体フロー図である。図9に示すように、本発明のプローブブロック用プローブフィルムを製造するために、先ず信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成されたコンタクトバンプをそれぞれ含む複数個のプローブ部150をフォトリソグラフィ法を用いて基板上に設定された間隔で一括して形成するステップS1001。このステップS1001は後述するステップS1101~S1108に対応している。次に、プローブ部150の上部面をフィルム部と接合するステップS1002。このステップS1002は、後述するステップS1109~S1110に対応している。そして、前記基板を除去するステップS1003。このステップS1003は、後述するステップS1111に対応している。上述の図9のプローブフィルムの製造方法のより具体的な工程及び詳細な製造順序に関しては、以下、図10及び図11a~図11kを通じて後述する。図10は、本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法の詳細フロー図である。そして、図11a~図11kは、本発明の一実施例によるプローブブロック用プローブフィルムの製造方法を説明するための工程を示す図である。図11aに示すように、シリコーンSi基板110以下、基板という。上に形成された第1のフォトレジスト層120をパターニングして、一定の幅c’のパターンを形成するステップS1101。ここで、該当幅c’はコンタクトバンプ152の長さに対応するように形成されることができる。より具体的には、予め定義されたマスク層を用いて紫外線露光装置などによって露光し、露光されたフォトレジスト層に現象工程を行ってマスクのパターンにより第1のフォトレジスト層120をパターニングすることができる。次に、図11bに示すように、第1のフォトレジスト層120をマスクにし、基板110をエッチングしてコンタクトバンプ領域122を形成するS1102。より具体的には、DRIEDeepsiliconReactiveIonEtching工程を用いて第1のフォトレジスト層120をマスクにし、予め設定された深さで基板110をエッチングしてコンタクトバンプ領域122を形成することができる。ここでDRIE工程は、例えば、ポリマー蒸着段階、ポリマーエッチング段階及びシリコーンエッチング段階順に行われることができる。そして、前記設定された深さは、コンタクトバンプ152の非対称の菱形に応じてその程度が異なることがある。すなわち縦方向の線c’と先端部の幅方向の線a’が交差する点が一番深くエッチングされる。これについては上述の図6及び図7を参照してほしい。次に、図11cに示すように、コンタクトバンプ領域122を形成して露出した基板110の上部面と第1のフォトレジスト層120の上部面にシード層130を形成するステップS1103。ここで、Ti例えば、50nm及びCu例えば、100nmシード金属をスパッタリングしてシード層130を形成することができる。より詳しくは、Tiをスパッタリングした後、Cuをスパッタリングする工程でシード層130を形成することができる。次に、図11dに示すように、シード層130の上部に第2のフォトレジスト層140をパターニングし、信号ライン部領域142を形成するステップS1104。ここで、第2のフォトレジスト層140は信号ライン部領域142が形成されるように予め定義されたマスク層を用いて紫外線露光装置などによって露光し、露光されたフォトレジスト層に現象工程を行いマスクのパターンによってパターニングされることができる。次に、図11eに示すように、前記コンタクトバンプ領域122と信号ライン部領域142を導電性物質144で満たすステップS1105。ここで、Ni、NiCo、NiFe及びNiWのうち、少なくとも一つの金属をメッキする工程でこのステップS1105が行われる。次に、図11fに示すように、導電性物質144で満たされた領域122、142の上部面を平坦化してプローブ部150を形成するステップS1106。ここで、導電性物質144で満たされた領域122、142の上部面を化学的機械的研磨CMP、ChemicalMechanicalPolishing工程で平坦化することができる。この時、プローブ部150の一端部151は信号ライン部に用いられ、一端部151から突出して形成された他端部152はコンタクトバンプに用いられる。次に、図11gに示すように、上述の第2のフォトレジスト層140を除去するステップS1107。ここで、アッシングashing工程、湿式除去工程、及びO2プラズマ方法のうち、何れか一つで第2のフォトレジスト層140を除去することができる。また、図11hに示すように、第2のフォトレジスト層140が除去されて露出したシード層131を除去するステップS1108。ここで、乾式エッチングまたは湿式エッチング工程を通じて該当シード層131が除去されることができる。次に、図11iに示すように、プローブ部150の上部面に接着剤160を塗布するステップS1109。この時、エポキシスプレディングepoxyspreadingを行って接着剤160を塗布することができ、工程方法に応じて第1のフォトレジスト層120の上部面にも一括して接着剤160を塗布することができる。次に、図11jに示すように、接着剤160にフィルム部170を接合するステップS1110。また、図11kに示すように、基板110を除去してプローブフィルムの製作を完了するステップS1111。ここで、第1のフォトレジスト層120を共に除去することができる。この時、基板110及び第1のフォトレジスト層120を湿式エッチング工程で除去することができる。湿式エッチング工程はシリコーンをエッチングさせ得る条件のアルカリ溶液であるKOH溶液またはTMAHtetramethylammoniumhydroxide溶液を使って行われることができる。そして、例えば、44wtのKOHpotassiumhydroxide溶液を使って65°Cの温度で湿式エッチングが行われることができる。また、湿式エッチング工程に使われるKOH溶液にイソプロフィルアルコールが添加されることができる。これと違って、DRIEなどの乾式エッチング工程により、基板110及び第1のフォトレジスト層120が除去されることもできる。この実施例では、基板110上に第1のフォトレジスト層120を形成及びパターニングした後、これをマスクにして基板110をエッチングすることで、コンタクトバンプ領域を形成したが、これとは違って、基板110上に複数個のフォトレジスト層を積み上げた後、基板110をエッチングせずに複数個のフォトレジスト層のみをエッチングすることで、コンタクトバンプ領域を形成することもできる。このように硬い基板110をエッチングしないで、コンタクトバンプ領域を形成することで、工程の単純化及び製造原価の節減を図ることができる。図12は、前記図11a~図11kの工程で形成された信号ライン部及び前記信号ライン部から突出して形成された複数個のコンタクトバンプを示す図である。図12に示すように、上述の図11a~図11kの工程で、信号ライン部151及び前記信号ライン部151から突出して形成された複数個のコンタクトバンプ152が一括して形成されることができる。この時、一つのコンタクトバンプ152が信号ライン部151から突出して形成されることもできる。一方、前述の本発明の説明は例示のためのものであり、本発明が属する技術分野の通常の知識を持った者は、本発明の技術的思想や必須的特徴を変更しなくても、他の具体的な形態に容易に変形することができる。よって、前述した実施例はすべての面において例示的なものであり、限定的なものではないことを理解するべきである。例えば、単一型に説明されている各構成要素は分散して実施されることもでき、これと同様に、分散したものと説明されている構成要素も結合した形態で実施されることができる。また、本発明の範囲は、前記詳細な説明ではなく特許請求の範囲により表されるはずであり、特許請求の範囲の意味及び範囲、またその均等概念から導出される全ての変更または変形された形態が本発明の範囲に含まれるものと解釈するべきである。