ダイパッドと、前記ダイパッドに接合された半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止部と、前記半導体チップの電極と電気的に接続された第1の面と、前記封止部から露出し前記第1の面と平行な第2の面と、前記封止部から露出し前記第1の面と交差する第3の面と、を有するリードと、を備え、前記リードは、前記第3の面の平面視において、凹部を有する半導体装置。前記凹部は、前記第1の面と、前記第2の面と、の間に設けられた請求項1記載の半導体装置。前記凹部の開口幅は、前記リードの厚みよりも小さい請求項1または2に記載の半導体装置。ダイパッドと、リードが延在した部分と、を有するリードフレームを形成する工程と、前記ダイパッドに半導体チップを接合する工程と、前記半導体チップの電極と、リードとなる部分と、を電気的に接続する工程と、前記半導体チップを封止する工程と、前記封止された部分と前記リードが延在した部分とをダイシングラインに沿って切断して、封止部とリードとを形成する工程と、を備え、前記リードフレームを形成する工程において、前記リードが延在した部分の前記ダイシングラインを含む領域における前記リードが延在した部分の側面に凹部を形成し、前記封止部とリードとを形成する工程において、前記半導体チップの電極と電気的に接続する第1の面と、前記封止部から露出する前記第1の面と平行な第2の面と、前記封止部から露出する前記第1の面と交差する第3の面と、を有するリードを形成し、前記第3の面に、前記凹部を形成する半導体装置の製造方法。前記リードフレームを形成する工程において、前記凹部を、前記リードが延在した部分の前記第1の面となる面と、前記第2の面となる面と、の間に設ける請求項4記載の半導体装置の製造方法。前記凹部の開口幅は、前記リードの厚みよりも小さい請求項4または5に記載の半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、組立性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。実施形態に係る半導体装置は、ダイパッドと、前記ダイパッドに接合された半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止部と、前記半導体チップの電極と電気的に接続された第1の面と、前記封止部から露出し前記第1の面と平行な第2の面と、前記封止部から露出し前記第1の面と交差する第3の面と、を有するリードと、を備えている。そして、前記リードは、前記第3の面の平面視において、凹部を有している。以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体装置を例示するための模式斜視図である。図1aは実装面とは反対側から見た場合の模式斜視図、図1bは実装面の側から見た場合の模式斜視図である。図2は、半導体装置を例示するための模式側面図である。図3は、半導体装置を例示するための模式断面図である。図4は、比較例に係る半導体装置を例示するための模式側面図である。なお、図1~図4は、一例として、DFNタイプのパッケージを用いた半導体装置を例示するものである。図3に示すように半導体装置1には、ダイパッド3、リード4、半導体チップ5、封止部6が設けられている。ダイパッド3、リード4は、後述するリードフレーム2に形成されていたものであり、半導体装置1が個片化された際にリードフレーム2から分離されたものである。なお、リードフレーム2に関する詳細は後述する。ダイパッド3の一方の面には、半導体チップ5が接合されている。半導体チップ5の接合は、半導体チップ5の接合側の面に形成された図示しない接合層を介して行うことができる。なお、図示しない接合層は、例えば、半導体チップ5を接合する接着剤を硬化させることで形成することもできるし、半導体チップ5を接合するダイアタッチメントフィルムにより形成することもできる。ダイパッド3の半導体チップ5が接合される面とは反対側の面は、封止部6から露出している。この場合、例えば、封止部6から露出する面を放熱面放熱パッドとすることができる。リード4は、半導体チップ5の図示しない電極と配線部7を介して電気的に接続するボンディング面4a第1の面の一例に相当すると、封止部6から露出するボンディング面4aと平行な実装面4b第2の面の一例に相当すると、封止部6から露出するボンディング面4aと交差する面4c第3の面の一例に相当するとを有する。そのため、封止部6から露出しているリード4の実装面4bを介して、半導体チップ5と図示しない外部回路とを電気的に接続することができるようになっている。半導体チップ5としては特に限定されることがなく、例えば、MOS-FETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor、半導体記憶素子などの各種の半導体チップとすることができる。なお、半導体チップ5の数や積層態様などは適宜変更することができる。例えば、図3に例示をしたものは半導体チップ5が平面的に配置された場合であるが、平面的に配置された半導体チップ5の数を適宜変更したり、いわゆるスタック型マルチチップ構造としたりすることができる。封止部6は、半導体チップ5、配線部7を封止する。封止部6は、例えば、エポキシ樹脂などの樹脂を用い、樹脂封止により形成されたものとすることができる。配線部7は、例えば、金線や銅線などを用い、ワイヤーボンディング法により形成されたものとすることができる。ここで、DFNタイプのような表面実装型パッケージを用いた半導体装置においては、生産効率の向上や低コスト化などを図るために、一括モールド法MAP:MoldArrayPackageを用いて、複数の半導体装置が含まれる領域を一括して樹脂封止するようにしている。そして、この様な一括モールド法により一括して樹脂封止された複数の半導体装置をダイシングブレードを用いて個々の半導体装置に個片化分割するパッケージダイシングが行われている。この様なパッケージダイシングを行う場合、切断用のダイシングブレードにより封止部とともに金属を用いたリードフレームを一緒に切断することになるためダイシングブレードの磨耗が激しくなったり、切断速度を速めることができないために切断に要する時間が長くなったりして組立性が低下するおそれがある。この場合、図4に示す比較例に係る半導体装置51のようにリード54の厚みTを薄くすれば切断面積を小さくすることができる。そのため、ダイシングブレードの磨耗が抑制されたり、切断に要する時間が短縮されたりするので組立性を向上させることができる。しかしながら、リード54の厚みTを薄くすることで切断面積が小さくなるようにすれば、リードフレームにおける当該部分厚みTを薄くした部分の強度が著しく低下することになる。そのため、ワイヤーボンディング工程やモールド工程などにおいてリードフレームの変形が生じやすくなるなどの新たな問題が生じるおそれがある。これに対して本実施の形態に係る半導体装置1においては、図1、図2に例示をしたように、後述するパッケージダイシングを行った後にリード4に残る凹部8を設けるようにしている。すなわち、リード4は、面4cの平面視において、凹部8を有する。ここで、凹部8はボンディング面4aと実装面4bとの間に設けられ、かつ、凹部8の開口幅T2は、リード4の厚みT1よりも小さい。つまり、凹部8の開口は、ボンディング面4aおよび実装面4bに至らないようになっている。そのため、凹部8を設けてもボンディング面4aの面積や実装面4bの面積が減じられることがないので、ボンディング性や実装性が低下することを抑制することができる。また、凹部8を設けることでリードフレームの切断面積を小さくすることができるので、リードフレームを切断することによるダイシングブレードの磨耗を抑制したり、切断に要する時間を短縮したりして組立性を向上させることができる。また、ダイシングブレードを用いて切断を行った際にリードバリが発生することを抑制することもできる。この場合、厚みを単に薄くしたリード54の場合と比べて、リードフレームにおける凹部8が設けられた部分の強度の低下を抑制することができる。そのため、ワイヤーボンディング工程やモールド工程などにおいてリードフレームが変形することを抑制することができる。また、DFNタイプのパッケージなどのようなCSPの場合には、ボンディング面4a、実装面4bからダイシングラインの位置までの寸法が短くなるため、強度低下の影響がさらに大きくなるおそれがある。しかしながら、凹部8を設けるようにすれば、DFNタイプのパッケージなどのようなCSPの場合であっても、組立性の向上を図るとともに強度低下の影響を大幅に軽減することができる。凹部8の開口幅T2はリード4の厚みT1の半分程度とすることができる。なお、凹部8の開口幅T2は例示をしたものに限定されるわけではなく、例えば、ダイシングブレードの寿命、切断に要する時間、ワイヤーボンディング工程やモールド工程などにおけるリードフレームの変形量などを考慮して適宜変更することができる。また、凹部8がリード4の厚み方向の中央に対峙して設けられる場合を例示したが、これに限定されるわけではない。凹部8の配設位置、数、形状などは適宜変更することができる。また、図3に例示をしたものは、凹部8が面4cとこれと反対側の面ダイパッド3側の面との間を貫通するように設けられているが、これに限定されるわけではない。凹部8は、少なくとも面4cに開口するように設けられていればよい。図5は、他の実施形態に係る凹部を有する半導体装置を例示するための模式側面図である。図5に示すように、半導体装置11にはリード14が設けられている。そして、リード14は、ボンディング面14aと実装面4bとを有し、ボンディング面14aと実装面14bとの間に凹部8が設けられている。リード14の場合も、凹部8の開口幅がリード14の厚みよりも小さい。つまり、凹部8の開口は、ボンディング面14aおよび実装面14bに至らないようになっている。ただし、リード14の場合には、リード14の幅方向の一方の側面に開口する凹部8が1つ設けられている。凹部8の配設位置、数をこのようにしても、切断面積を小さくすることができるので前述した場合と同様に、ダイシングブレードの磨耗を抑制したり、切断に要する時間を短縮したりして組立性を向上させることができる。また、ワイヤーボンディング工程やモールド工程などにおいてリードフレームが変形することを抑制することができる。また、ボンディング面14aの面積や実装面14bの面積が減じられることがないので、ボンディング性や実装性が低下することを抑制することができる。第2の実施形態次に、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について例示をする。なお、ここでは一例として、DFNタイプのパッケージを用いた半導体装置を製造する場合について例示をする。第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、まず、半導体チップ5を形成する。半導体チップ5は、いわゆる前工程における成膜レジスト塗布露光現像エッチングレジスト除去などによりウェーハの表面に回路パターンを形成する工程、検査工程、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、拡散工程、平坦化工程などや、いわゆる後工程におけるダイシング工程などを実行することにより形成することができる。半導体チップ5の種類としては特に限定されるわけではなく、例えば、MOS-FET、半導体記憶素子など各種の半導体チップとすることができる。なお、半導体チップ5の形成に関する各工程は、既知の技術を適用することができるのでこれらの説明は省略する。また、ダイパッド3とリード4が延在した部分とを有するリードフレーム2を形成する。図6は、リードフレームの形成を例示するための模式工程断面図である。リードフレーム2は、フォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法を用いて形成するようにすることができる。図6aに示すように、リードフレーム2を形成する際に用いられるリードフレーム材20としては、所定の外形寸法を有し、例えば、鉄系金属層20aと、銅系金属層20bと、鉄系金属層20cとが積層された三層構造を有したものとすることができる。鉄系金属層20a、20cとしては、例えば、ニッケル-鉄合金例えば、42ニッケル-鉄合金である42アロイなどを用いて形成されたものとすることができる。銅系金属層20bとしては、例えば、機械的強度を向上させるために各種金属元素を添加した銅系合金を用いて形成されたものとすることができる。ただし、リードフレーム材20の材質や層数などは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。次に、図6bに示すように、ダイパッド3、リード4を形成するために所望の形状を有するマスク21a、21bをリードフレーム材20の表面および裏面に形成する。マスク21a、21bは、フォトリソグラフィ法を用いて形成するようにすることができる。例えば、リードフレーム材20の表面および裏面にフォトレジストを塗布し、露光、現像を行うことでマスク21a、21bを形成するようにすることができる。次に、図6cに示すように、ウェットエッチング法を用いてマスク21a、21bにより保護されていない部分を除去する。ウェットエッチング法に用いるエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄溶液などを例示することができる。この際、図6cに示すように、ハーフエッチングを行うことでダイパッド3の半導体チップ5が接合される側とその反対側とで形状を変えたり、リード4のボンディング面4a側と実装面4b側とで形状を変えたりするようにすることができる。次に、リード4が延在した部分のダイシングラインDxを含む領域におけるリード4が延在した部分の側面4dに凹部8を形成する。図7は、凹部の形成を例示するための模式工程断面図である。なお、図7においては、煩雑となることを避けるために凹部8が形成される部分の近傍のみを表すことにする。また、図8は、リードフレーム2の要部の模式平面図である。なお、図8aは吊りピンがない場合、図8bは吊りピンがある場合である。まず、図7aに示すように凹部8を形成する部分以外にフォトリソグラフィ法を用いてマスク22a、22bを形成する。この際、前述したマスク21a、21bを除去した後にマスク22a、22bを形成するようにしてもよいし、マスク21a、21bに追加することでマスク22a、22bを形成するようにしてもよい。また、リード4が延在した部分のボンディング面4aとなる面と、実装面4bとなる面との間に凹部8が設けられ、凹部8の開口幅がリード4の厚みよりも小さくなるようにマスク22a、22bの形状、位置などが適宜設定される。次に、図7bに示すようにウェットエッチング法を用いてマスク22a、22bにより保護されていない部分を除去することでリード4が延在した部分の側面4dに凹部8を形成する。この際、銅系金属層20bのエッチングレートが鉄系金属層20a、20cのエッチングレートよりも高いため、鉄系金属層20a、20cの端部よりも銅系金属層20bの端部が後退した位置となり図2に例示をしたような位置に2つの凹部8が形成されることになる。なお、図5に例示をしたような位置に凹部8を1つ形成する場合には、例えば、鉄系金属層20a、銅系金属層20b、鉄系金属層20cを貫通するように除去した後に一方の端部側にマスクを形成し、さらに他方の端部側の除去を続行するようにすればよい。凹部8を形成するためのウェットエッチング法に用いるエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄溶液などを例示することができる。そして、図7cに示すようにマスク22a、22bを除去することで、図8a、bに示すようなダイシングラインDx、Dy2を含む領域に凹部8を有するリードフレーム2が形成されることになる。なお、図8aに示すDy1は、ダイシングラインDxと直交する方向においてレーザカット法による切断を行うためのラインである。また、図8bに示すDy2は、ダイシングラインDxと直交する方向におけるダイシングラインである。ここで、図8bに示すようにダイパッド3の補強のために吊りピン3aが設けられる場合があるが、その様な場合には、ダイシングラインDy2を含む領域にも凹部8を設けるようにすることができる。この様な部分にも凹部8を設ける様にすれば、吊りピン3aを切断する際の切断面積を小さくすることができるので、ダイシングブレードの磨耗を抑制したり、切断に要する時間を短縮したりして組立性を向上させることができる。また、ダイシングブレードを用いて切断を行った際にリードバリが発生することを抑制することもできる。図6に例示をした場合はフォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法を用いてダイパッド3、リード4、凹部8などを有するリードフレーム2を形成したがこれに限定されるわけではない。例えば、金型を用いてダイパッド3、リード4などを形成し、その後、図7に例示をした場合と同様にしてフォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法を用いて凹部8を形成するようにしてもよい。また、ウェットエッチング法により鉄系金属層20a、銅系金属層20b、鉄系金属層20cを除去した際にバリが発生する場合がある。そのため、バリを除去する工程を設けるようにすることもできる。バリを除去する工程においては、例えば、超音波を付与した洗浄液を用いてバリを除去したり、ウォータージェット法を用いてバリを除去したりするようにすることができる。次に、リードフレーム2に設けられているダイパッド3の一方の面に半導体チップ5を接合するダイマウント工程。この場合、ダイパッド3の一方の面に接着剤などを塗布し半導体チップ5を載置した後に接着剤などを硬化させることで半導体チップ5の接合を行うようにすることができる。また、半導体チップ5の接合側の面に設けられた接合層例えば、接着剤をBステージ化したものやダイアタッチメントフィルムを介して半導体チップ5をダイパッド3の一方の面に接合するようにすることもできる。次に、半導体チップ5の電極とリード4のボンディング面4aとなる部分とを電気的に接続する。例えば、ワイヤボンディング法を用いて、半導体チップ5の電極とリード4のボンディング面4aとなる部分とを配線部7を介して電気的に接続するワイヤボンディング工程。次に、半導体チップ5を封止するモールド工程。例えば、ダイパッド3となる部分の半導体チップ5が接合された側、ボンディング面4aとなる部分の配線部7が接続された側を樹脂で覆うようにする。すなわち、複数の半導体装置1が含まれる領域を一括して樹脂封止する一括モールド法。この場合、例えば、トランスファモールド法、ポッティング法などを用いて、エポキシ樹脂などの樹脂により当該部分が封止されるようにすることができる。また、封止が行われる際に、ダイパッド3の半導体チップ5が接合される面とは反対側の面と、リード4の実装面4bとが樹脂から露出するようにすることができる。そして、樹脂を硬化させることで封止部6を形成するキュア工程。この場合、樹脂の線膨張係数と配線部7の線膨張係数とが異なるため配線部7が断線するおそれがある。そのため、樹脂のガラス転移温度を僅かに下回る温度において予備硬化を行いプリキュア工程、その後、所望の強度を有するように硬化させるポストキュア工程ようにすることができる。また、封止部6の形成後に樹脂バリを除去する工程を設けるようにすることができる。次に、ダイシングラインDxに沿って封止された部分とリード4が延在した部分とを切断して、封止部6とリード4とを形成する。この際、半導体チップ5の電極と電気的に接続するボンディング面4aと、封止部6から露出するボンディング面4aと平行な実装面4bと、封止部6から露出するボンディング面4aと交差する面4cとを有したリード4が形成される。そして、面4cには凹部8が形成されていることになる。すなわち、一括して樹脂封止された複数の半導体装置1を個々の半導体装置1に個片化する。この場合、ダイシングブレードを用いたパッケージダイシングを行うことで個々の半導体装置1に個片化するようにすることができる。例えば、図8aに示すラインDy1に沿って樹脂封止された部分をレーザカット法により切断し、その後、ダイシングブレードを用いて、図8a、bに示すダイシングラインDxに沿って樹脂封止された部分とリードフレーム2とを一緒に切断するようにすることができる。なお、ダイシングブレードを用いて、図8a、bに示すダイシングラインDxに沿って樹脂封止された部分とリードフレーム2とを一緒に切断し、その後、図8aに示すラインDy1に沿って樹脂封止された部分をレーザカット法により切断するようにすることもできる。また、図8bに示すように吊りピン3aが設けられている場合には、ダイシングブレードを用いて、ダイシングラインDy2に沿って樹脂封止された部分と吊りピン3aとを一緒に切断するようにすることができる。この際、ダイシングラインDx、Dy2を含む領域には凹部8が形成されているため、切断面積を小さくすることができる。そのため、ダイシングブレードの磨耗を抑制したり、切断に要する時間を短縮したりして組立性を向上させることができる。また、ダイシングブレードを用いて切断を行った際にリードバリが発生することを抑制することもできる。また、図4に例示をした厚みを単に薄くしたリード54の場合と比べて、リードフレーム2における凹部8が設けられた部分の強度の低下を抑制することができる。そのため、ワイヤーボンディング工程やモールド工程などにおいてリードフレームが変形することを抑制することができる。以上のようにして、前述した半導体装置1を製造することができる。なお、DFNタイプのパッケージを用いた半導体装置1の場合を例示したがこれに限定されるわけではない。パッケージダイシングにより個々の半導体装置に個片化する際に、リードフレームを切断するタイプのパッケージを用いた各種の半導体装置に適用させることができる。以上に例示をした実施形態によれば、組立性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を実現することができる。以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。例えば、半導体装置1、リードフレーム2、半導体装置11などが備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。