"レーザ光を出力するレーザ素子を備え、複数の部材が組み合わされて形成されるレーザ光源モジュールであって、パスワードを記憶する記憶部を備え、入力された入力パスワードが前記記憶部に記憶されたパスワードと一致する場合に前記レーザ素子にレーザ光を出力させるレーザ素子駆動回路と、前記複数の部材が分離されたときに前記レーザ素子を破壊するレーザ素子破壊機構と、を備えることを特徴とするレーザ光源モジュール。請求項1記載のレーザ光源モジュールにおいて、前記レーザ素子駆動回路は、前記レーザ素子を不能化することが可能なレーザ素子不能化回路と、前記パスワード生成回路からの入力パスワードが前記記憶部に記憶されたパスワードと所定回数を超えて一致しない場合には、前記レーザ素子不能化回路により前記レーザ素子を不能化するパスワード判定回路と、を備えることを特徴とするレーザ光源モジュール。請求項1または請求項2記載のレーザ光源モジュールにおいて、前記レーザ素子が戴置されるレーザ素子固定基板と、前記レーザ素子固定基板の上面を覆う上蓋と、前記レーザ素子固定基板の下面を覆う下蓋と、前記上蓋が前記レーザ素子固定基板から取り外されたときに前記レーザ素子を破壊する第1のレーザ素子破壊機構と、前記下蓋が前記レーザ素子固定基板から取り外されたときに前記レーザ素子を破壊する第2のレーザ素子破壊機構と、を備えることを特徴とするレーザ光源モジュール。請求項1または請求項2記載のレーザ光源モジュールにおいて、前記レーザ素子が戴置されるレーザ素子固定基板と、前記レーザ素子固定基板の上面を覆う上蓋と、前記レーザ素子固定基板の下面を覆う下蓋と、を備え、前記レーザ素子破壊機構は、前記上蓋または下蓋が前記レーザ素子固定基板から取り外されたときに前記レーザ素子を破壊することを特徴とするレーザ光源モジュール。請求項1または請求項2記載のレーザ光源モジュールにおいて、前記レーザ素子を収容する下蓋と、前記下蓋と組み合わされる上蓋と、前記レーザ素子破壊機構は、前記上蓋と下蓋が分離されたときに前記レーザ素子を破壊することを特徴とするレーザ光源モジュール。特許文献1ないし特許文献3に記載の装置では、装置自体に設けられたレーザ装置用電源とレーザ装置とは分離されるものの、レーザ装置用電源と異なる電源によりレーザ装置を駆動した場合にはレーザ光が出力されてしまう。特許文献4に記載の装置では、光源用筐体を備える本体部が温度調節部と分離した場合には波長変換効率が低下した状態のレーザ光が出力されることとなる。上述したように、レーザ光は単位面積当たりのエネルギーが高いものであるため、波長変換効率が低下した状態であっても人体、特に、眼に入射した場合には非常に危険となる。また、特許文献1ないし特許文献4に記載の装置のいずれも、装置の筐体の一部を切除し、レーザ素子を取り出してレーザ光を出力させるといった、レーザ素子自体を改造してレーザ光を本来の用途以外に用いる行為には対処することができない。本発明は、レーザ光源モジュールとして使用する場合には、レーザ素子の駆動にパスワードを併用し、また、レーザ素子が外部に取り出されたときにはレーザ素子を破壊する機構を備えることにより、レーザ光を本来の用途以外に用いる行為をより確実に防止することのできるレーザ光源モジュールを実現することを目的とする。本発明のレーザ光源モジュールは、レーザ光を出力するレーザ素子を備え、複数の部材が組み合わされて形成されるレーザ光源モジュールであって、パスワードを記憶する記憶部を備え、入力された入力パスワードが前記記憶部に記憶されたパスワードと一致する場合に前記レーザ素子にレーザ光を出力させるレーザ素子駆動回路と、前記複数の部材が分離されたときに前記レーザ素子を破壊するレーザ素子破壊機構と、を備えることを特徴とする。上記構成を備える本願発明においては、パスワードが正規のものでなければ動作することがない。また、レーザ素子が外部に取り出されるような状況の場合にはレーザ素子自体がレーザ素子機構により破壊されるため、レーザ光を本来の用途以外に用いる行為をより確実に防止することを実現できる。次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は本発明によるレーザ光源モジュールに用いられるレーザアレイユニット101の構成を示す斜視図である。レーザ光の出射面となるレーザアレイユニット101の方面には複数のコリメートレンズ102が形成され、該コリメートレンズ102を介して内部に設けられたレーザ素子よりレーザ光が出射される。レーザアレイユニット101の側面には、レーザ素子への電源供給や制御を行うための配線103が形成されている。図2は、レーザアレイユニット101の基本的な構造を示す断面図である。複数のレーザ素子201は、押さえ板205により押圧された状態でレーザ素子固定基板204上に配置されている。レーザアレイユニット101は、上蓋206により上面が覆われ、下蓋207により下面が覆われている。上蓋206のレーザ素子201に対応する箇所にはコリメートレンズ102が配設され、レーザ素子201より出射したレーザ光はコリメートレンズ102を通って外部に出射される。下蓋207にはレーザ素子201を駆動するための回路基板208が収容されている。回路基板208は、配線103を介して送られてくる制御信号に応じてレーザ素子201を駆動する。図2に示されるレーザアレイユニット101は、水冷もしくは空冷の冷却ユニット209上に戴置されて冷却されるが、下蓋207にはレーザ素子201に向けて突出する突起210が設けられ、レーザ素子固定基板204および回路基板208には突起210を挿通する穴が設けられている。これにより突起210はレーザ素子201に当接し、レーザ素子201での発熱は冷却ユニット209に伝わるため、冷却が効率よく行われるものとなっている。図3はレーザアレイユニット101を光源として用いたプロジェクタ301の一実施形態の電気的な構成を示すブロック図である。本実施形態では、光源以外の構成は一般的なプロジェクタの構成となるため、レーザ光源モジュールについてのみ図示し、これ以外の部分について、図示および説明は省略する。レーザ素子201を駆動する回路基板208は、パスワード受信回路302、パスワード判定回路303およびレーザ素子不能化回路304から構成されている。図4は、パスワード判定回路103の構成を示すブロック図である。パスワード判定回路303は、パスワード記憶用不揮発性メモリ401、パスワード一時記憶メモリ402、スイッチ回数カウンタ403、比較回路404、および、判定回路405から構成されている。パスワード記憶用不揮発性メモリ401は、パスワードを記憶するもので、記憶する記憶パスワードは製造が行われた工場の出荷時に設定、記憶される。配線103を介する制御信号にはパスワードが含まれており、パスワード生成回路302は、あらたなパスワードが入力されるごとにパスワード出力S1としてパスワード一時記憶メモリ402へ出力する。また、パスワード生成回路302は、パスワード出力S1が出力されるごとに、パスワードスイッチ回数カウンタ403へスイッチ信号S2を出力する。パスワード一時記憶メモリ402は入力パスワードを記憶し、パスワードスイッチ回数カウンタ403は、パスワード出力S1が出力されるごとにカウントアップを行うため、パスワードスイッチ回数カウンタ403のカウント値を確認することにより、パスワード出力S1が出力された回数を確認することができる。比較回路404は、パスワード一時記憶メモリ402が入力パスワードを記憶するごとに、パスワード一時記憶メモリ402に記憶された入力パスワードとパスワード記憶用不揮発性メモリ401に記憶された記憶パスワードとを比較し、これらが一致するかを示す比較結果を判定回路405へ出力する。判定回路405は、比較回路404の出力が入力パスワードと記憶パスワードが一致することを示すものである場合には、レーザ素子105に対する電源供給を行わせる旨を示す判定信号S3をレーザ素子不能化回路304へ出力する。これにより、レーザ素子不能化回路304はレーザ素子201に対する電源供給を行う。また、判定回路405は、比較回路404の出力が入力パスワードと記憶パスワードが一致しないことを示すものである場合には、パスワードスイッチ回数カウンタ403のカウント値を確認し、所定回数以下、例えば、3回以下であるかを確認する。所定回数以下である場合には、レーザ素子201に対する電源供給を行わない旨を示す判定信号S3をレーザ素子不能化回路404へ出力する。これにより、レーザ素子不能化回路404はレーザ素子201に対する電源供給は行わない。また、判定回路405は、比較回路404の出力が入力パスワードと記憶パスワードが一致しないことを示すものであり、パスワードスイッチ回数カウンタ403のカウント値が所定回数を越えるものであることを確認した場合には、レーザ素子201に対する電源供給を不能化する旨を示す判定信号S3をレーザ素子不能化回路404へ出力する。これにより、レーザ素子不能化回路404はレーザ素子201に対する電源供給を不能化する処理を行う。図5aはレーザ素子不能化回路304の一実施形態の構成を示すブロック図である。本実施形態におけるレーザ素子不能化回路304は、レーザ素子201に電流を供給する、通常使用電流源501、レーザ素子破壊用電流源502、判定信号S3の内容に応じて通常使用電流源501、レーザ素子破壊用電流源502による電流供給を指示する駆動制御部503により構成されている。レーザ素子は、図5bの電流-輝度特性に示されるように、ある値以上の電流となると電流値に応じて輝度が定まるものとなるが、絶対最大定格を超える破壊電流となると素子が破壊される。駆動制御部503は、判定回路405からレーザ素子201に対する電源供給を行わせる旨を示す判定信号S3を受け付けた場合には図4参照、絶対最大定格以下の電流を供給する通常使用電流源501による電流供給を行わせ、判定回路405からレーザ素子201に対する電源供給を不能化する旨を示す判定信号S3を受け付けた場合には破壊電流を供給するレーザ素子破壊用電流源502による電流供給を行わせ、レーザ素子201を破壊する。図6はレーザ素子不能化回路304の他の実施形態の構成を示すブロック図である。本実施形態におけるレーザ素子不能化回路304は、レーザ素子201に並列に設けられた発熱体駆動回路602、導電材料604、および判定信号S3に応じて発熱体駆動回路602を動作させる駆動制御部601と、発熱体駆動回路602による駆動電流により発熱して導電材料604を加熱する発熱体603から構成されている。駆動制御部601は、判定回路405からレーザ素子201に対する電源供給を不能化する旨を示す判定信号S3を受け付けると、発熱体駆動回路602を動作させて発熱体603を発熱させる。これにより、導電材料604が加熱して溶融し、レーザ素子201は両端が短絡状態とされて電流が流れないものとなる。図7はレーザ素子不能化回路304の他の実施形態の構成を示すブロック図である。本実施形態におけるレーザ素子不能化回路704は、レーザ素子201への電流供給経路に設けられた抵抗体703、抵抗体703の両端に接続し、抵抗体703のみへの電流供給が可能な抵抗破壊用電流源702、および、抵抗破壊用電流源702へ動作を制御する駆動制御部701から構成されている。駆動制御部701は、判定回路405からレーザ素子201に対する電源供給を不能化する旨を示す判定信号S3を受け付けると、抵抗破壊用電流源702を動作させて抵抗体703を発熱させて焼き切る。これにより、レーザ素子201に電流が流れないものとなる。上記のように、レーザ光源モジュールであるレーザアレイユニット101を使用する場合には、レーザ素子201の駆動にパスワードを併用し、予め記憶する記憶パスワードと異なるパスワードが入力された場合にはレーザ素子201を駆動することはなく、また、記憶パスワードと異なるパスワードが所定回数以上連続して入力された場合にはレーザ素子を不能化することが行われる。次に、本発明による、レーザ素子が外部に取り出されたときにレーザ素子を破壊する機構について説明する。なお、以下の説明では、レーザ素子破壊用の構造、組み立て時の構造について、理解を容易とするために説明する構造に関する構造のみを図示して説明する。図8は、図2に示したレーザアレイユニット101について、レーザアレイユニット101が分解もしくは破壊されたときに、レーザ素子201を破壊する構造の一実施形態を示す断面図である。本実施形態のレーザアレイユニット101には、レーザ素子201と上蓋06との間に位置する梁804が設けられている。梁804の、図8に示される使用状態のときにレーザ素子201に対応する箇所には穴808が形成されており、これによりレーザ素子201から出射されたレーザ光は、穴808およびコリメートレンズ102を介して出射される。梁804は、下蓋207に設けられた突起809により、連結部805および係合解除部807を介して上蓋206に向けて押圧されている。梁804には上蓋206側を頂点とする錐体状の止め部802が形成され、上蓋206には止め部802を受け止める窪み801が形成されている。連結部805は、その端部にて梁804、係合解除部807の一部を回動可能に軸支しているが、上蓋206、下蓋207が閉じられている場合には窪み801と止め部802が係合しているため、図8に示される状態が保たれる。上蓋206、下蓋207のいずれかが外されると、窪み801と止め部802の係合状態が保たれなくなる。押さえ板205と梁804との間もしくは、押さえ板205と連結部805との間には、連結部805の回動方向を規制するための付勢手段として、ばね806が設けられている。付勢手段が設けられていることにより、上蓋206、下蓋207のいずれかが外されると、梁804は図中の矢印方向に移動し、レーザ素子201を覆う係合解除状態となる。梁804の、係合解除状態のときに各レーザ素子201に対応する位置には各レーザ素子201に向けて突出する破壊用ニードル803がそれぞれ設けられており、係合解除状態のときには各レーザ素子201は各破壊用ニードル803により破壊される。図9は、破壊用ニードル803によるレーザ素子201の破壊状況を説明するための断面図である。レーザ素子201は、図9aに示されるようにCAN型のもので、半導体レーザ901はワイヤボンディング902を介して端子903と接続され、ガラス904により密閉されている。上蓋206、下蓋207のいずれかが外されて破壊用ニードル803が移動することにより、図9bに示されるように、ガラス904、半導体レーザ901、および、ワイヤボンディング902が破壊される。図10は図8中の係合解除部807の構成を示す断面図である。図10aは、下蓋207を取り付ける前の状態を示し、図10bは、下蓋207が取り付けられた状態を示し、図10cは、下蓋207を取り外され、破壊用ニードル803が移動するときの状態を示している。図10aに示されるように係合解除部807は、連結部805と回動可能に軸支される連結部1001、レーザ素子固定基板204に形成された収容室1002、ストッパ1003、押圧部材1004、連結部材1001と押圧部材1004との間に設けられたばね1005、収容室1002とストッパ1003との間に設けられたばね1006から構成されている。収容室1002、ストッパ1003、およびばね1006は、押圧部材1004を中心としてそれぞれ対称に2つずつ設けられている。押圧部材1004はつばを備え、ストッパ1003には押圧部材1004のつばと嵌合可能な突起が設けられており、図10aに示される下蓋207を取り付ける前の状態では、これらは嵌合状態とされている。図10aに示される状態では、ばね1005は自然長よりも縮んだ状態とされ、ばね1006は自然長よりも伸ばされた状態とされている。押圧部材1004は、ストッパ1003と嵌合していることにより図面上下方向の移動が規制される。このため、連結部1001は、ばね1005により図面上向きに付勢され、図8に示した窪み801と止め部802の係合状態は維持されて梁804が回転し、レーザ素子201が破壊されることはない。下蓋207が取り付けられた図10bに示す状態では、突起809に押されて押圧部材1004は図面上方向に押し上げられる。このため、押圧部材1004とストッパ1003の嵌合状態が解除され、ばね1006は縮むことが可能となり、ストッパ1003は収容室1002内に収容される。図10cに示されるように、下蓋207が取り外されると、押圧部材1004が図面下方に移動する。このため、図8に示した窪み801と止め部802の係合状態が解除されて梁804が回転し、レーザ素子201が破壊される。図11は、図8に示したレーザアレイユニット101へ、レーザ素子の破壊機構をセットする際に、破壊機構が動作することを抑止する構造を説明するための断面図である。梁804、レーザ素子固定用基板204、押さえ板205には、押さえ棒1101を挿通するための穴が形成されている。レーザ素子固定用基板204に上蓋206が取り付けられて窪み801と止め部802とが係合状態となるまでは、押さえ棒1101は各穴に挿通されて梁804が回転することを抑止する。レーザ素子固定用基板204に上蓋206が取り付けられると、押さえ棒1101は抜脱されて梁804が回転することによるレーザ素子の破壊機構が動作状態となる。図12aは、図2に示したレーザアレイユニット101について、レーザアレイユニット101が分解もしくは破壊されたときに、レーザ素子201を破壊する構造の他の実施形態を示す断面図、図12bは図12a中の破線内を示す斜視図であり、破壊用ニードルの待機状態を示している。図8に示した実施形態が、上蓋206、下蓋207のいずれかが取り外されたときに、同じ機構によりレーザ素子を破壊する構造であったのに対し、本実施形態では、上蓋206、下蓋207が取り外されたときにそれぞれ異なる機構によりレーザ素子を破壊するものである。本実施形態のレーザアレイユニット101には、上蓋206が取り外されたときにレーザ素子201を破壊するための梁1202が設けられ、下蓋207が取り外されたときにレーザ素子201を破壊するための梁1205が設けられている。一端部に破壊用ニードル1203が設けられた梁1202は、回動可能に構成され、また、ばね1207により、破壊用ニードル1203がレーザ素子201に向かう方向にて回転するように付勢されている。図12aに示される上蓋206が取り付けられている状態では、上蓋206に設けられた押え棒1201により梁1202の他端部が衝止されて梁1202が回転することが防止されている。上蓋206が取り外されると、押え棒1201も外れるため、梁202はレーザ素子201に向かって回転し、レーザ素子201は破壊用ニードル1203によって破壊される。なお、レーザ素子固定基板204および押さえ板205には押え棒1206を挿通させるための穴が形成されている。押え棒1206はレーザ素子固定基板204に上蓋206が取り付けられる前、すなわち、押え棒1201による梁1202の回転防止が図られるまえの状態のときに梁1202の端部を押えることにより梁1202の回転を防止するものである。押え棒1206はレーザ素子固定基板204に上蓋206が取り付けられた後に抜脱される。T字状の梁1205には、各レーザ素子201に対応する箇所に、レーザ素子201に向けて突出する破壊用ニードル1204が形成されている。梁1205は、ばね1208により、レーザ素子201に向かう方向に付勢されているが、突起809および係合解除部807により衝止されているため、下蓋207が取り付けられている状態では、レーザ阻止201が破壊されることなない。下蓋207が取り外されると、梁1205は移動可能となり、レーザ素子201に向けて移動し、破壊用ニードル1204によりレーザ素子201は破壊される。図13は、破壊用ニードル1204によるレーザ素子201の破壊状況を説明するための断面図である。図13aに示されるように、梁1205にはレーザ素子201が出射したレーザ光を通過させるための切欠図12b参照が形成され、破壊用ニードル1204は切欠の周囲に配設される。このため、図13bに示すように、梁1204がレーザ素子201に向けて移動しても破壊用ニードル1204が半導体レーザ901を直撃することはないが、ガラス904が破壊され、まず、CAN型のレーザ素子201の密閉状態が保たれなくなる。さらに、破壊されたガラス904の破片により半導体レーザ901にダメージを与え、レーザ素子201が破壊される。図14は、図1に示したレーザアレイユニット101について、レーザアレイユニット101が分解もしくは破壊されたときに、レーザ素子201を破壊する構造の他の実施形態を示す断面図である。本実施形態においては、レーザ素子固定基板1404は下蓋1407に収容され、上蓋1406と下蓋1407とが直接組み合わされてレーザアレイユニット101を構成している。下蓋1407には、回路基板1408、レーザ素子基板1404、レーザ素子201、押さえ板1405が収容されている。回路基板1408、レーザ素子固定基板1404、および、押さえ板1405の構成および動作は、図2に示した回路基板208、レーザ素子固定基板204、および、押さえ板205と同様である。上蓋1406にはコリメートレンズ102が収容されている。本実施形態では、上蓋1406と下蓋1407とが分離されたときにレーザ素子201を破壊する機構が組み込まれ、上蓋1406には、上蓋1406と下蓋1407とが組み合わされた状態のときには破壊機構が動作することを防止するための凸部1409が設けられている。図15は、レーザ素子201を破壊する機構を示す断面図であり、図15aは、上蓋1406と下蓋1407とが組み合わされた状態を示し、図15bは上蓋1406と下蓋1407とが分離されてレーザ素子201を破壊する状態を示している。以下に、図14とともに、図15を参照してレーザ素子201を破壊する機構について説明する。レーザ素子201を破壊する機構は、支持基板1413、支持基板1413上に立設された一対の支持台1410と、支持台1410に架けられた梁1401と、梁1401と支持基板1413との間に設けられ、梁1401をレーザ素子201に向けて付勢するばね1412と、梁1401の移動方向を規制するガイド棒1411より構成されている。梁1401のレーザ素子201に対応する箇所には、レーザ素子201を破壊するための破壊用ニードル1501、および、レーザ光を通過させるためのレーザビーム通過穴502が形成されている。梁1401は端部に形成されたトラップセット部1507が支持台1504に取り付けられたバー1601に架けられることで支持台1410に架けられる。支持基板1413には、レーザ素子201を突出させるためのレーザ素子用孔1503と、図15bに示されるレーザ素子201を破壊する状態のときにトラップセット部1507を収容するための止め部落とし穴1402が形成されている。図16は、トラップセット部1507の構成を詳細に示す図であり、図16a,bは上蓋1406が取り付けられる前の状態を示す断面図、図16c,dは上蓋1406の取り付け後の状態を示す断面図、図16eは上蓋1406が取り付けられる前の状態を示す上面図、図16fは上蓋1406の取り付け後の状態を示す上面図である。梁1401の端部には、図16eに示すように中央に初期保持用止め具1601が形成され、その両隣にトラップセット止め具1602が形成される。トラップセット止め具1602、初期保持用止め具1601は、図16a,bに示すように、端部がV字状に折り曲げられた折り曲げ部を有するとともに縁が外方に向けて突出している。トラップセット止め具1602は、図16aに示される自由状態のときには縁がバー1601に届かないが、上蓋1406が閉じられると、図16cに示すように突起1409が折り曲げ部に進入することにより折り曲げ部が押し広げられて縁がバー1601に架かった状態となる。初期保持用止め具1601は、自由状態のときに縁がバー1601に架かった状態となる。初期保持用止め具1601の縁は、図16bに示す状態から時計回転方向に回転可能とされ、反時計回転方向には回転できないように衝止されている。初期保持用止め具1601の折り曲げ部の端部側となる内壁には、内部に向けて突出する突起が設けられている。上蓋1406が閉じられると、図16dに示すように突起1409が折り曲げ部に進入して突起を押すことにより、初期保持用止め具1601の折り曲げ部内部に向けて回転し、縁がバー1601から外れ、縁が時計方向に回転して図16fに示す状態となる。上記のように構成される本実施形態のレーザ素子破壊機構では、上蓋1406取り付け以前には初期保持用止め具1601によりレーザ素子破壊機構が動作することが防止され、上蓋1406取り付け以後にはトラップセット止め具1602によりレーザ素子破壊機構が動作することが防止される。この後、上蓋1406と下蓋1407が分離されると、トラップセット止め具1602の縁がバー1601からはずれ、梁1401が落下して図15bに示す状態となり、レーザ素子201が破壊される。図17および図18は、図1に示したレーザアレイユニット101について、レーザアレイユニット101が分解もしくは破壊されたときに、レーザ素子201を破壊する構造の他の実施形態を示す断面図である。本実施形態においては、上蓋1801と下蓋1708とが直接組み合わされてレーザアレイユニット101を構成している。図17aは、上蓋1801が取り付けられていない状態を示す上面図、図17b、図17c、図17dは、図17a中のA-A’線断面図、B-B’線断面図、C-C’線断面図である。図17bに示されるように下蓋1708には、回路基板1710が収容されている。回路基板1710の構成および動作は、図2に示した回路基板208と同様である。本実施形態において、レーザ素子201はローラ1704に形成されたニードル1703により破壊される。ローラ1704の両端はばね押さえ1704により軸支され、その一部にはギア1702が周設されている。ばね1707により付勢されているばね押さえ1706は、図17dに示すように内部を挿通するガイド1709に沿ってレーザ素子201の配置面に平行に移動する。ばね押さえ1706の衝止機構としてストッパ1705が設けられている。図18は、本実施形態のセット状態およびレーザ素子の破壊状態を示す図である。突起状のストッパ1706は、押されるごとに突出量が2つの異なる状態に変化するもので、図17aおよび図18aに示される状態では突出量が多く、ばね押さえ1706を衝止している状態を示している。上蓋1801のストッパ1705に対応する箇所には、図18bに示すようになだらかな形状の突起が形成されており、上蓋1801が閉じられると、ストッパ1705は突出方向に押されることとなり、図18cに示すようにストッパ1705は突出量が少ない状態に変化し、ばね押さえ1706は上蓋1801の突起のみにより衝止された状態となる。この後、上蓋1801が取り外されるとばね押さえ1706は自由な状態となり、ばね押さえ1706およびローラ1704は、ばね1707に押されて図17aの下から上に向けて移動を行う。ギア1702は図17cに示すようにラック1701と噛合しているため、ばね押さえ1706の解除による移動の際には、図18dに示すようにローラ1704は回転しながら移動し、レーザ素子201はニードル1703により破壊される。なお、以上述べた各実施例では、レーザ光源モジュールに用いるレーザユニットとして、複数のレーザ素子を用いるレーザアレイユニットを例として説明した。これは高出力化によく利用されるものであるが、単一のレーザ素子でも高出力のものであればレーザ光源モジュールに利用することができ、このような場合であっても本発明は当然適用できる。また、レーザ素子を破壊するものとしてニードルを挙げて説明したが、破壊素子としてはレーザ素子を破壊できるもの、例えば、ブレードなどであればよく、ニードルに限定されるものではない。この出願は2011年1月7日に出願された日本出願特願2011-001866号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。"