入射放射線に依存する電気信号を提供する1つまたは複数の放射線感知素子1と、前記感知素子を閉じ込め、前記感知素子上への外部からの放射線の入射を可能にするハウジング4-6と、前記センサに電力を供給し、センサ出力信号を出力するための複数の端子7と、前記感知素子の前記電気信号を受け取り、前記感知素子の前記電気信号に応じて前記出力信号を提供する回路2とを備える放射線センサ10であって、前記回路が、前記センサの外部にある切替可能コンポーネント用のオン/オフ出力信号を生成するための切替信号回路、および/またはマルチビットのシリアル出力信号を提供するためのデジタル出力信号回路を含み、前記センサが、前記オン/オフ出力信号または前記マルチビットのシリアル出力信号を出力するための1つの出力端子7aを有することを特徴とする、センサ。イネーブル信号、感度設定信号、または切替信号、持続時間設定信号のうちの1つまたは複数を受け取るための、1つまたは複数の入力端子7dを備える、請求項1に記載のセンサ。前記ハウジング内に設けられる前記回路の消費電力が、50μWよりも小さく、好ましくは20μWよりも小さく、または10μWよりも小さい、請求項1または2に記載のセンサ。4つの端子、すなわち2つの電力端子7b、7c、1つの信号出力端子7a、および1つの入力端子7dを有する、請求項1から3のいずれか一項に記載のセンサ。前記切替信号回路が、あらかじめ定められた持続時間の、または受け取った入力信号に応じた持続時間の前記オン/オフ出力信号を生成するようになされる、請求項1から4のいずれか一項に記載のセンサ。アナログ量をシリアルまたはパラレルデジタル量に変換するためのA/D変換器を備え、前記A/D変換器の入力は、前記感知素子の前記電気信号またはそこから得られる信号、および前記入力端子の少なくとも1つを介して入力される少なくとも1つの入力信号の間で多重化可能であり得る、請求項1から5のいずれか一項に記載のセンサ。前記センサ素子の参照温度を検出するための、前記回路に接続される温度参照素子を備える、請求項1から6のいずれか一項に記載のセンサ。前記感知素子が、サーモパイル、ボロメータ、または焦電感知素子であり、またはそれらを含み、かつ/または好ましくは2μmから20μmの波長の範囲内で赤外線を検出するようになされる、請求項1から7のいずれか一項に記載のセンサ。集中面内に入射放射線を集中させる放射線集中手段5と、前記平面を基準として定義済みの関係で配置される複数の感知素子とを備える、請求項1から8のいずれか一項に記載のセンサ。一対または複数対の極性感知素子が設けられ、コモンモード抑制を用いて共通の電気信号を送るために前記対の前記感知素子が接続される、請求項1から9のいずれか一項に記載のセンサ。前記回路が、好ましくは信号、とりわけ感知素子の電気信号に応じて生成される電気信号、またはアナログ入力信号の1つまたは複数をアナログ-デジタル変換するためのA/D変換器2bと、-入力データ、プログラムデータ、測定データ、中間データのうちの1つまたは複数を記憶するためのメモリ部分、-出力されるデータを符号化し、かつ/または入力されるデータを復号するための符号化および/または復号化手段、-前記A/D変換手段、および/または前記符号化および/または復号化手段の入力および/または出力の接続を制御するための多重化命令手段、-前記感知素子の前記出力から得た信号を処理するための計算手段、のうちの1つまたは複数を含むことができるデジタル信号処理部分2cとを含む集積回路、好ましくはASICを含み、前記ASICが、-前記感知素子からの前記電気信号を増幅するための増幅手段、-感知素子に接続可能なインピーダンス変換手段、-フィルタリング手段のうちの1つまたは複数を含むアナログ回路部分2aをさらに含むことができる、請求項1から10のいずれか一項に記載のセンサ。好ましくは前記ハウジングの一部として形成され、主成分として好ましくはケイ素および/またはゲルマニウムで作られる、連続した、好ましくは球面レンズとして、またはフレネルレンズとして形成される放射線集中手段5を含む、請求項1から11のいずれか一項に記載のセンサ。反射防止層および/または帯域通過層として、放射線集中手段上に1つまたは複数の層として好ましくは形成される、前記感知素子上への前記放射線の入射をフィルタリングするためのフィルタリング手段を含む、請求項1から12のいずれか一項に記載のセンサ。前記ハウジングが、導電性の材料および/または純銅の熱伝導率の少なくとも20、もしくは少なくとも50の熱伝導率の材料で作られたキャップを含む、請求項1から13のいずれか一項に記載のセンサ。一定の値を下回らないように前記回路2のセンサ内消費電力を制御するようにとりわけなされる消費電力制御手段を含み、前記一定の値は、好ましくは前記回路のあり得る最大消費電力に関して定められる、請求項1から14のいずれか一項に記載のセンサ。SMDとして形成され、または標準化された構成、好ましくはTO5またはTO46のハウジングを有する、請求項1から15のいずれか一項に記載のセンサ。本発明の目的は、正確かつ使いやすい出力信号をもたらす放射線用のセンサを提供することである。この目的は、請求項1の特徴によって達成される。従属請求項は、本発明の好ましい実施形態に向けられる。放射線センサは、1つまたは複数の放射線感知素子と、感知素子の電気信号を受け取り、感知素子の電気信号に応じてセンサ出力信号を提供する回路とを備える。この回路は、センサの外部にある切替可能コンポーネント用のオン/オフ出力信号を生成するための切替信号回路、またはマルチビットのシリアル出力信号を提供するためのデジタル出力信号回路を含む。センサは、そのオン/オフ出力信号もしくはマルチビットのシリアル出力信号、またはその両方を交互に出力するための1つの、好ましくはただ1つの出力端子をさらに有する。上述の特徴により、出力信号がすぐに使えるreadytouse形式でセンサによって出力されるので、出力される信号は使いやすい。全体で少量の外部ノイズしか集めない少数の端子を設けるので、出力端子を1つだけ設けることは外部ノイズによる内部コンポーネントの影響を減らす。センサハウジングの内部に設けられる回路は、50μW未満、好ましくは20μWよりも小さく、または10μWよりも小さい消費電力を有するように設計することができる。消費される電力は熱へと変換されるため、センサ内の発熱量は上述の値を下回り、これにより内部の昇温ひいては内部で発生する感知の歪みが小さく極僅かな水準に保たれる。信号を評価する際にセンサの関連部分の温度を考慮に入れるために、センサの関連部分の温度を測定するための温度参照素子を設けてもよい。感知素子は、サーモパイルthermopiles、ボロメータbolometers、または焦電感知素子pyroelectricsensingelementsとすることができる。コモンモード抑制のために、これらをペアで設けることができる。空間分解能を与えるために、複数の感知素子をアレイ長手方向の配置として、または行列特定の領域をカバーするとして設けることができる。感知素子は、入射放射線の吸収を改善/低減するための吸収層および/または反射層を備えることができる。回路は、デジタル信号処理を達成するためのデジタル部分を備えることができ、アナログ信号をデジタル信号に変換するためのA/D変換器AD変換器を備えてもよく、後者のデジタル信号は、複数の並列ビットまたはシリアルビットストリームとして提供することができる。光路内に、またはアナログ信号経路内に、またはデジタル信号経路内にフィルタリング手段を設けることができる。ハウジングは、比較的良い熱伝導率のものとすることができる。とりわけ、ハウジングは純銅の熱伝導率の20超、好ましくは純銅の熱伝導率の50超の熱伝導率を有することができる。さらに、ハウジングは、外部の電磁放射から内部回路を遮蔽するために導電性とすることができ、こうすることで内部回路に対する外部の電磁放射の影響力を低下させる。ハウジングは、例えばTO5標準やTO46標準に従う標準化された寸法を有することができる。ハウジングは、SMD表面実装型デバイスとして形成することもできる。以下に、添付図面を参照して本発明の諸実施形態を説明する。図1は、本発明を適用することができるセンサを示す。回路基板3が、感知素子1および回路2を装着する。ハウジング4-6の基礎板6を端子7が貫通し、それらの端子7は、例えば8によって示すボンディングにより回路2および/または感知素子1に接続される。回路基板3は、基礎板6上に設けることができる。図示の実施形態では、センサが、検出信号を出力するための出力端子7aを1つだけ備える。図2は、開いたセンサの平面図を示す。センサの基礎板6上に、感知素子1および好ましくはASICとして形成される回路2を装着した基板20を支持する小さな回路基板3が設けられる。数字7aから7dは、図1に示すように外部に達する端子7の内部終端を表す。これらは内端において広げ、ボンディングに備えることができる。ボンディングワイヤ8は、端子の終端から適切な相手側端子、例えば回路/ASIC2上の端子に達することができる。感知素子1も、ボンディング接続または他の種類の配線によってASIC2に接続することができる。21は、センサの関連部分の温度を感知する温度参照センサを表す。関連部分は、感知素子1を装着する基板とすることができる。しかし同様に、温度センサ21はASIC2に統合してもよい。この温度センサ21も、適切な手段によって回路2に接続される。感知素子1からの信号を評価する際、温度センサ21の出力信号を考慮に入れることができる。全体として、ハウジング基礎板6、回路基板3、基板20、ならびに前述の基板20上の感知素子1および回路2のスタックを設けることができる。ビーム集中手段5は、レンズまたはフレネルレンズとすることができる。感知素子1が設けられる平面からビーム集中手段5の距離Dは、レンズの焦点距離とすることができ、またはその焦点距離からz方向にレンズに向かって、またはレンズから離れて規定値の分だけずらすことができる。図2では、10が、ビーム集中手段5の光学軸を表す。感知素子1は、その光学軸に対して対称的に設けても、特定の方法で非対称的に設けてもよい。感知素子1は、コモンモード抑制を備えることができる。赤外線用の感知素子は、その端子においてDC信号を通常提供する。その仕組みは、2つの感知素子が同じ方法コモンモードで受け取る信号成分が、互いを打ち消すものであり得る。これは、2つの感知素子を直列にまたは反対の極性と並列に接続すること、すなわちそれぞれのプラス端子またはそれぞれのマイナス端子を接続する直列接続、および一方の感知素子のプラスを他方の感知素子のマイナスに接続する並列接続によって達成される。すると、コモンモードが打ち消し、感知素子の1つだけに当たる離れた線源からの集束放射だけが信号をもたらし、その理由は、そうした集束放射は、他のそれぞれの感知素子からの同じ反対方向に分極された信号成分によって打ち消されないからである。これにより、装置全体の温度上昇などの憂慮すべき数量、または太陽光入射時に表面の温度が上昇することなどの広範囲に及ぶ放射源が誤検出につながることがない。接続される感知素子は、互いに隣接することができ、または1つの感知素子の寸法よりも離れていてもよい。センサ内の回路2は、動作モードで50μW未満、好ましくは20μWよりも小さく、またはより小さい10μWの消費電力を有するように構築される。消費される電力は熱へと変換される。消費電力が少ないように設計を行うことにより、得られる発熱量も小さい。その結果、内部の発熱が誤検出につながることがない。内部回路自体が発生させる熱が、誤検出に著しく寄与し得ることが示されている。感知素子1は通常、入射放射線を感知素子によって感知される熱へと変換することに基づいて動作する。感知素子は、入射放射線によってもたらされる熱と、近くの内部回路によってもたらされる熱とを区別することはできない。したがって、回路電力による熱に由来する誤検出を最小限に抑えるために、回路電力は上述のように比較的小さいように設計される。内部センサの様々な動作状態例えば待機状態か大量計算heavycomputingかによる、様々な消費電力に起因する温度変化を回避するために、様々な動作状態最大電力Pmax、最小電力Pminにおける消費電力が所定量しか異ならないように設計を行うことができる。例えば、定量Pmax/Pminは、3未満、2未満、1.5未満、もしくは1.2未満とすることができ、または差異Pmax-Pminは、10μW、5μW、2μW、もしくは1μW未満とすることができる。これは、回路の固有特性を適切に設計することで達成することができる。可能な全ての動作状態のあり得る最大消費電力に関して定められる一定の水準を超えた状態で消費電力を保つための、適切に制御されたダミーコンシューマを含み得る消費電力コントローラなど、専用の消費電力制御手段を設けてもよい。さもなければ消費量が低い場合、消費電力コントローラは、消費電力を例えば前述のダミーコンシューマ内で、または別のコンポーネント内で高めることができる。これにより、消費電力が比較的一様になり、その結果、内部の発熱量も比較的一様になり、したがって、消費される電力によってもたらされる温度変化も比較的小さい。回路2は、前述のオン/オフ出力信号を生成するための切替信号回路、または前述のマルチビットのシリアル出力信号を提供するためのデジタル出力信号回路を含む。回路2は、感知素子1と出力端子7aとの間を概略的にschematicallyに接続される。ビーム集中手段5は、赤外線透過材料で作ることができる。ビーム集中手段5は、主成分としてケイ素もしくはゲルマニウム、またはその混合物を含むことができる。このレンズは、微細機械加工micromachiningによって成形することができる。レンズまたはフレネルレンズにフィルタリング層を設けることなど、例えばビーム集中手段5上にフィルタリング層を設けることにより、光路におけるフィルタリングを達成することができる。このフィルタリング層は、反射防止層として、またはバンドパス層、ローパス層、もしくはハイパス層として形成することができる。所望の透過特性を設計するために、これらの複数を積み重ねるように設けてもよい。この光学フィルタリングは、6層以上、または11層以上、または21層以上含むことができる。センサ全体の熱的不均衡を避けるために、センサのハウジングは、比較的良い熱伝導率の材料を含むことができる。その熱伝導率は、純銅の熱伝導率の20超、または50超とすることができる。センサハウジング4-6は、先に述べた材料から形成され、適切な方法で、とりわけ同心状に集中手段5などの放射線の入口を有する金属キャップ4を含むことができる。これにより、センサの熱的不均衡が低減されるため、熱的不均衡に由来する同様の誤検出も低減される。ハウジングキャップのセンサ内壁の反射率は、0.5未満、0.2未満、または0.1未満、すなわち反射される入射放射線の50未満、20未満、10未満とすることができる。選択される応用例に備え、反射率を5未満または1未満としてもよい。こうすることは、集中手段5を通って意図する放射線経路の斜めに入り、ことによると内部反射によって感知素子にたどりつく放射線の影響力を最小限に抑えるのに役立つ。そうした放射線はすぐに吸収され、感知素子における信号に寄与しない。図3は、センサ10のハウジング内に設けられる回路のブロック図を概略的に示す。回路2は、ASIC特定用途向け集積回路とすることができ、アナログ部分と、デジタル部分と、AD変換器とを含むことができる。ASICは、先に述べた全てのコンポーネントおよび諸機能を1つのチップ内に含むことができる。AD変換器は、アナログコンポーネントとデジタルコンポーネントとの間のリンクとすることができる。アナログコンポーネントは、感知素子1からの信号の何らかの増幅部33を含むことができる。要求に応じて増幅率を選ぶことができ、1または1未満としてもよい。後で評価するためのより強い信号を得るために、増幅はインピーダンス変換を含むことができる。32は、検出しようとする状況に典型的でない信号量を除去するアナログフィルタとすることができる。フィルタ32は、例えば10Hz超、または5Hz超、または2Hz超の周波数を除去する低域通過フィルタとすることができる。複数の感知素子1を設ける場合、個々の素子1を順次にポーリングし、それらの出力をそれぞれに設けられたアナログコンポーネントの入力部に相次いで与えるための何らかのマルチプレクサ31を設けることができる。同様に、温度参照センサ21をマルチプレクサ31に接続することができる。しかし同様に、温度参照センサ21は、程度の差はあるが直接AD変換34に達してもよい。先に述べたコンポーネントは、デジタル回路部分内に設けられるコントローラ39の制御下にあり得る。35で示すデジタル回路部分は、プログラムデータ、入力データ、一時データ、測定データ、履歴データなどを記憶するためのメモリ36を含むことができる。意図する主要機能を提供するために、とりわけオン/オフ出力信号を生成するための切替信号回路を実装し、かつ/またはマルチビットのシリアル出力信号を提供するためのデジタル出力信号回路を実装するために、プロセッサ37を設けることができる。これらの機能を達成し、先に述べた出力信号を生成するために、プロセッサ37は、測定値を評価し、ことによると端子の1つを介して外部から入力される値も評価するのに適切なプログラムを実行することができる。オン/オフ出力信号を生成するための切替信号回路を実装する場合、プロセッサは、AD変換器34から受け取った測定値の1つまたは複数を既定のもしくは調節された閾値と比較し、閾値が超えられる場合に検出信号を生成することができる。閾値は、センサの感度を定めるための入力端子からの外部入力によって定めることができる。正の検出が見出された後、出力信号が第1の状態から第2の状態にオフからオンに切り替えることができる。同じくプロセッサ37によって実装される所定の基準に応じて、第1の状態=オフの状態にリセットすることもできる。この基準は、測定した信号が消えるときにリセットを行い、または所定の時間2秒などの後にリセットを行い、または入力端子の1つを介して受け取られる入力信号によって決定される時間の後にリセットを行うことができる。プロセッサの出力は、出力端子7aに与えることができる。その特性振幅および/または内部抵抗および/または周波数および/または符号化は、センサに直接接続し得る外部のスイッチングコンポーネントを直ちに駆動するのに適したものとすることができる。2つの状態オン/オフは、異なる電圧によって反映させることができる。2つの電圧間の電圧差は、0.2ボルト超、または0.5ボルト超、または1ボルト超とすることができる。出力端子7aにおける出力抵抗は、100オーム未満、または50、20、もしくは10オーム未満とすることができる。デジタル符号化された定量的出力信号回路を組み入れる場合、プロセッサ37は、この場合もやはり、1つまたは複数の感知素子1から入力を受け取ったAD変換器34から来る測定信号の評価を行うことができる。この評価は、メモリ36内に記憶されるプログラムによって反映される所与の基準の下で行うことができる。評価の結果は、例えば温度の値を反映する定量値をもたらすことができる。この値は、あらかじめ定められた符号体系のシリアルビットストリームに定量値を符号化することができる、コーデック符号化/復号化回路38に与えることができる。この値は、出力端子7aに与えることができる。コーデック38は、選択された符号化体系に従う外部のリスン側コンポーネントが直ちに受け取るのに適したようにシリアル信号を再び成形する振幅、ビット持続時間、内部抵抗。コーデック38は、2進符号体系などの知られている符号体系に従って動作することができる。センサは、切替信号回路およびデジタル出力信号回路の両方を選択可能な方法で実装するように適合させることができ、例えば端子7の1つを介した入力信号によって選択可能である。センサは、3つの端子7、すなわち1つの出力端子7aと、供給電圧用の7bおよびアース用の7cの2つの電力端子とを有することができる。出力端子7aは、上述のデジタルシリアル出力信号もしくは切替信号、またはその2つを交互に出力する。センサは、入力信号用の第4の端子7dも有することができる。入力信号は、感度設定信号、定時設定信号、イネーブル信号、選択信号、またはセンサの内部サイクル/タイミングを外部要求と同期させるための同期信号とすることができる。センサは、複数の入力端子を備えてもよい。センサは、先に述べた入力量のそれぞれについて入力端子を備えることができ、すなわち感度設定用に1つの端子、定時設定用に1つの端子、イネーブル設定用に1つの端子、上述の選択信号用に1つの入力端子、および同期信号用に1つの入力端子を備えることができる。39は、それぞれのアナログコンポーネントおよびデジタルコンポーネントの諸機能を制御する、制御セクションを示す。技術的には、デジタル回路部分35は、プロセッサ37、コントローラ39、およびコーデック38を時宜に応じて実施するCPUを有することができる。コントローラ39は、マルチプレクサ31、フィルタ32、AD変換器34、およびデジタルコンポーネントの動作を制御することができる。コーデック38は、入力端子の1つからの符号化済み入力データを復号するために使用することもできる。イネーブル入力は、光の存在が既に検出されている場合は切替信号回路のオン/オフ出力信号の出力を回避するために、光感知装置から信号を受け取ることができる。これにより、例えば日中の動作を回避する。センサの感度は、チップレベル、好ましくはASIC上でのマスクプログラミングによって定めることができる。回路2は、所望の感度を得るために永続的に修正され得る構造を含むことができる。これは、アナログ信号部分またはデジタル信号部分において行うことができる。この構造を図3の数字40で示し、フィルタ32および/または増幅器33の動作に影響を及ぼすアナログ枝路の一部としてそこに図示する。しかし同様に、この構造はデジタル回路部分35内に設けてもよい。その外観では、センサはTO5やTO46などの特定の標準にしたがって寸法を決めることができる。センサは、その表面のうちの1つに接触面または接触バンプを有する表面実装型デバイスSMDとして形成することもできる。センサの内部消費電力に関係する上記の特徴最大値、ダミーコンシューマ、消費量制御などは、出力信号の形式と無関係に、およびセンサの端子の数と無関係に、すなわち前述の特徴なしに使用してもよい。本明細書に記載した特徴は、その組合せが技術上の理由により除外されない限り、互いに組み合わせることができるとみなすべきである。同様に、本発明の特徴と矛盾しない限り、従来技術に関して記載した特徴を本発明の特徴と組み合わせて使用することもできる。