"画素アンプを有する複数の画素が撮像領域内に配置されたイメージセンサと、前記画素アンプを起動するタイミングを前記撮像領域の部分領域毎に異ならせる制御と、該起動された画素アンプを介して得られる各画素からの電気信号を読み出す制御とを行う制御手段と、前記読み出された電気信号に基づいて画像を生成する生成手段と、を有することを特徴とする撮影装置。前記画素アンプに配線を介して接続された電源を更に有し、前記制御手段は、前記配線の抵抗の大きさに応じて前記画素アンプを起動するタイミングを前記部分領域毎に制御することを特徴とする請求項1に記載の撮影装置。前記制御手段は、前記撮像領域の複数の部分領域のうち、該部分領域内の画素アンプに接続された配線が長い部分領域に属する画素から順に前記画素アンプへの駆動信号を出力する制御を行うことを特徴とする請求項2に記載の撮影装置。前記制御手段は、前記画素アンプと前記電源との配線の長さに応じて前記画素アンプを起動するタイミングを前記部分領域毎に制御することを特徴とする請求項2に記載の撮影装置。前記制御手段は、外部の制御装置の指示に応じて前記画素アンプを起動する順序または起動の間隔の少なくともいずれかを決定する決定手段を更に有することを特徴とする請求項1に記載の撮影装置。前記部分領域毎の画素値の代表値に基づいて前記画素アンプを起動する順序または起動の間隔の少なくともいずれかを決定する決定手段を更に有することを特徴とする請求項1に記載の撮影装置。前記画素アンプに配線を介して接続された電源を更に有し、前記決定手段は、前記部分領域毎の画素値の代表値と、前記画素アンプと前記電源との配線抵抗の大きさとに基づいて前記画素アンプを起動する順序または起動の間隔の少なくともいずれかを決定することを特徴とする請求項6に記載の撮影装置。前記制御手段は、前記画素アンプを起動する信号の出力タイミングを前記部分領域毎に、異ならせることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の撮影装置。前記イメージセンサは、前記画素アンプと接続され、前記画素アンプを介して得られる電気信号を保持する保持手段を有し、前記制御手段は、画像の生成に用いる前記画素の前記画素アンプを起動し、所定の時間が経過した後に前記保持手段に前記画素アンプが出力する電気信号を保持させることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の撮影装置。前記制御手段は、前記保持手段による保持は画像の生成に用いる前記画素について同時のタイミングで行う制御をすることを特徴とする請求項9に記載の撮影装置。前記制御手段は、前記画素アンプが起動し所定の時間が経過した後に前記画素アンプを介して得られる電気信号を前記保持手段に保持させる制御を行うことを特徴とする請求項9に記載の撮影装置。前記画素は、光電変換素子と、少なくとも1つの画素アンプと、該画素アンプに接続されたクランプ回路と、画素アンプを介して得られる電気信号を保持するサンプルホールド手段と、該画素アンプと該画素アンプを駆動するための電源部とを接続または非接続状態とするスイッチ手段と、を有することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の撮影装置。光電変換素子と該光電変換素子に接続された画素アンプとを有し撮像領域内に二次元配置された複数の画素と、前記画素アンプを介して得られる前記複数の画素の電気信号を読み出す読出部と、を備えるイメージセンサと、前記画素アンプと配線を介して接続され、画素アンプを駆動するための電力を供給する電源部と、前記画素アンプと電源との接続状態および非接続状態を切り替える駆動信号を出力する出力手段と、前記イメージセンサに対する駆動信号を制御する制御手段と、を有する撮影装置であって、前記制御手段は、前記撮像領域の複数の部分領域のうち、該部分領域内の画素アンプに接続された前記配線が長い部分領域に属する画素から順に前記画素アンプへの駆動信号を出力する制御を行うことを特徴とする撮影装置。前記イメージセンサは前記撮影装置に照射されたX線の線量分布に応じた電気信号を生成するX線検出器であることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載のX線撮影装置。請求項1乃至14のいずれか1項に記載の撮影装置と、前記撮影装置を制御する制御装置と、を有することを特徴とする撮影システム。画素アンプを有する複数の画素が撮像領域内に配置されたイメージセンサの制御装置であって、前記画素アンプを起動するタイミングを前記撮像領域の部分領域毎に異ならせる制御と、該起動された画素アンプを介して得られる各画素からの電気信号を読み出す制御と、を行う制御手段と、前記読み出された電気信号を取得し、画像を生成する生成手段と、を有することを特徴とする制御装置。画素アンプを有する複数の画素が撮像領域内に配置されたイメージセンサの制御方法であって、前記画素アンプを起動するタイミングを前記撮像領域の部分領域毎に異ならせる制御を行うステップと、該起動された画素アンプを介して得られる各画素からの電気信号を読み出す制御を行うステップと、前記読み出された電気信号に基づいて画像を生成するステップと、を実行する制御方法。しかしながら、イメージセンサ内の画素の画素アンプを一度に起動すると突入電流が発生し、イメージセンサが出力する画像に悪影響が及ぶ場合があった。そこで実施形態の1つによる撮影装置は、画素アンプを有する複数の画素が撮像領域内に配置されたイメージセンサと、前記画素アンプを起動するタイミングを前記撮像領域の部分領域毎に異ならせる制御と、該起動された画素アンプを介して得られる各画素からの電気信号を読み出す制御とを行う制御手段と、前記読み出された電気信号に基づいて画像を生成する生成手段と、を有することを特徴とする。このように、部分領域毎に画素アンプの起動タイミングをずらすことで、突入電流が抑制され、画像への悪影響を抑えることができる。以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。第一の実施例に係るX線撮影システムについて図1乃至図8を参照して説明する。まず、図1に基づいてX線撮影システム10の全体構成を説明する。X線撮影システム10は、制御装置100と、撮影装置101と、X線発生装置102、X線管103、表示部104、操作部105、AC/DCコンバータ113とを有する。X線撮影システム10は例えば回診車やCアーム、CT撮影システムなどである。制御装置100はシステム全体の制御を実行する。制御装置100は同期制御部106、アンプ設定部107、撮影条件設定部108、画像処理部109、表示制御部110を有する。撮影条件設定部108は操作部105や外部からのオーダ入力に基づいて撮影装置101及びX線発生装置102に対して撮影条件を指示する。同期制御部106は不図示の照射スイッチの押下に応じてX線管103のX線照射と撮影装置101のX線受光および読み出しを同期させる同期制御を行う。同期制御は例えば撮影装置101及びX線発生装置102にパルス信号を発信することで行う。同期制御によりX線発生装置102は所定のタイミングでX線管103からX線を発生させる。発生されたX線により撮影装置101が得た撮影画像は制御装置100に送られる。撮影画像は、画像処理部109による所定の処理の後表示制御部110により表示部104に表示される。制御装置100による制御によって画像の出力が連続的に複数回繰り返されることで動画撮影が実行され、単発の撮影により静止画撮影が実行されることとなる。アンプ設定部107は、撮影装置101のイメージセンサに含まれる画素アンプの起動タイミングを制御するための設定を行う。画素アンプは光電変換素子で生じた電気信号をサンプルホールド回路に送る際に駆動させ、その他の場合には駆動させないよう設定する。更に、イメージセンサの部分領域毎にアンプの起動タイミングを個別に設定する。画素アンプの制御に関する設定は、操作部105からの入力、外部装置からの情報受信、または制御装置100内の不図示のメモリに記憶された設定情報の少なくともいずれかによって行われる。この画素アンプの制御については後述する。撮影装置101は主にイメージセンサ111と当該センサを制御する撮影制御部112とを有する。この撮影装置101は例えばX線撮影に用いられるフラットパネルディテクタあるいはX線検出器である。不図示の蛍光体によりX線を可視光に変換し、可視光をイメージセンサ111で受光し電荷を生成することで、撮影装置101に到達したX線の線量分布に応じたX線画像を得ることができる。次に図2に基づいて撮影装置101の詳細な構成について説明する。撮影装置101は、イメージセンサ111と、差動増幅器202と、A/D変換器203と、画像生成部204と、撮影制御部112と、DC/DCコンバータ216とを有する。イメージセンサ111はCMOS型の複数の矩形半導体基板201を貼り合わせて形成されている。イメージセンサ111は複数の画素を有し、画素が二次元的に配置されている。この二次元配置された画素により撮像領域219が形成されている。撮像領域219にX線を照射することでイメージセンサ111の画素が受光し、アナログ電気信号が得られる。イメージセンサ111から読み出されたアナログ電気信号は差動増幅器202が増幅し、A/D変換器203がデジタル信号に変換する。画像生成部204は得られたデジタル信号から撮影画像データを生成する。画像生成部204の画像形成部205はデジタル信号をまとめて画像データを形成する。画像補正部206は、イメージセンサ111がX線を受光することにより得られた画像データから、X線を受光しない状態で蓄積された暗画像データを差し引くダーク補正処理を行う。出力制御部207は撮影画像に画像データインターフェース208を介して制御装置100に出力させる。撮影制御部112はイメージセンサ111に対して出力する信号の設定を行うと共に、適切なタイミングでイメージセンサ111の駆動信号を出力する。撮影制御部112の信号設定部209は制御装置100からコマンド制御用インターフェース212を介して受信した撮影条件に合わせて信号を設定する。ここで設定される信号の一つには画素アンプの起動間隔がある。その他、コマンド制御用インターフェース212では、撮影モードの設定、各種パラメータの設定、撮影開始設定、撮影終了設定などが、撮影制御部112からは制御装置100へ放射線撮像装置の状態等が通信される。信号制御部210はイメージセンサ111の駆動状態や制御装置100からの同期信号を監視しながら、信号出力部211により出力される駆動信号の出力タイミングを制御する。同期信号の1つであるREADY信号213は撮影装置101のイメージセンサ111が電荷を蓄積可能な状態になったことを撮影制御部112から制御装置100へ伝える信号である。外部同期信号214は、制御装置1が撮影制御部112のREADY信号213を受け、撮影制御部112にX線曝射のタイミングを知らせる信号である。曝射許可信号215がイネーブルの間に制御装置100からX線発生装置102に曝射信号が送信される。曝射信号に応じてX線管103からX線が発射される。一方、信号制御部210により出力された駆動信号により、イメージセンサ111はX線の受光に応じて電気信号を出力し、撮影画像のデジタルデータが得られる。DC/DCコンバータ216はAC/DCコンバータ113から送られた直流電圧を変換し、撮影装置101内に供給する。図3に基づいてイメージセンサ111を構成する矩形半導体基板201の構成を説明する。矩形半導体基板201はシリコン半導体ウエハから二次元の光電変換素子を短冊状に切り出したCMOS型撮像素子である。矩形半導体基板201は不図示の平面基台上に2列×2行のマトリクス状にタイリングされている。矩形半導体基板201における画素302が存在する撮像領域を撮像領域219の部分領域301とする。矩形半導体基板201は、撮像領域内に配置された複数の画素302と、アナログ信号の読出部を構成する垂直走査回路303及び水平走査回路304を有する。また垂直走査回路303が発する、画素302を行毎に選択する信号を伝送する行信号線305と、画素から読み出される電気信号を伝送する列信号線と、アナログ出力線308、309とを有する。さらに制御端子としてチップセレクト端子CS,光信号出力端子S,ノイズ信号出力端子Nを有する。垂直走査回路スタート信号端子VST、垂直走査回路クロック端子CLKV、水平走査回路スタート信号端子HST、水平走査回路クロック端子CLKHを有する。垂直走査回路303は横方向の画素群を選択し、垂直走査クロック端子CLKVから入力される垂直走査クロックに同期して画素群を順次副走査方向である垂直方向に走査する。水平走査回路304は垂直走査回路により選択された主査方向である横方向の画素群の列信号線を水平走査クロック端子から入力される水平走査クロックCLKHに同期して順次1画素ずつ選択する。画素302は、垂直走査回路303の出力線である行信号線305がイネーブルになることにより、サンプルホールドされた光信号電圧信号及びノイズ電圧信号を列信号線306、307に出力する。行信号線305は画素を行毎に選択するための信号を伝送する信号伝送路であり、行と並行に複数配置されている。列信号線306、307は選択された画素の信号を列毎に読み出すための信号伝送路であり、列と並行に複数配置されている。列信号線306、307に出力された電圧信号を水平走査回路304が順次選択することにより、アナログ出力信号線308,309に各画素の電圧信号が順次出力される。アナログ出力信号線308、309は列信号線306,307の信号をA/D変換器へと出力する。以上のように、矩形半導体基板では、垂直走査回路303、水平走査回路304を使用したXYアドレス方式によるスイッチング動作によって画素選択が行われる。トランジスタで増幅された各画素の光信号、ノイズ信号の電圧信号は、列信号線306、307、アナログ出力信号線308,309を通してアナログ出力端子に出力される。チップセレクト信号入力端子CSはオンすることにより内部走査に従った撮像素子の光電圧信号、ノイズ電圧信号がアナログ出力端子S、Nから出力される。S信号出力切り換えアナログスイッチ転送スイッチ、N信号出力切り換えアナログスイッチ転送スイッチ、列信号線306、307、列信号線を切り換えるスイッチングトランジスタは、読み出し走査の伝送回路を構成している。端子CLKVは垂直走査回路のクロックを入力する端子であり、、端子VSTは垂直走査回路のスタート信号を入力するための端子である。端子VSTに入力する信号をハイにした後、垂直走査クロック端子CLKVからクロックを入力することにより、V1,V2,Vmと行選択信号が順次イネーブルに入れ替わる。垂直走査が開始されたら垂直走査スタート信号端子VSTに入力する信号をローにする。端子CLKHは水平走査回路のクロック、端子HSTは水平走査回路のスタート信号をそれぞれ入力するための端子である。水平走査スタート信号端子HSTに入力する信号をハイにし、水平走査クロックCLKHに入力する信号をハイにすることにより、H1,H2,Hnと列選択信号が順次イネーブルに入れ替わる。水平走査が開始されたら水平走査スタート信号端子HSTに入力する信号をローにする。垂直走査回路303の行選択信号V1出力がイネーブルになると行選択信号V1に接続する横1行の画素群1,1からn、1が選択され、横1行の各画素からそれぞれの列信号線306、307にS、N電圧信号が出力される。水平走査回路304の列選択信号のイネーブルをH1,H2,Hnと順次切り換えることにより、列信号線毎に設けられた信号出力スイッチ及びノイズ出力スイッチが順にオンされる。これにより横1行の画素のS、N電圧信号が順次アナログ出力信号線308、309を経由してアナログ出力端子S、Nに出力される。行選択信号Vmまで同様な水平走査を行うことにより、全画素の画素出力が得られる。上述した画素302の構成を図4に基づいて説明する。M1乃至M13はすべてトランジスタである。フォトダイオードPDは光を電気に変換する。容量Cfdは電荷を蓄積するフローティングディフュージョン浮遊拡散領域の容量である。スイッチM2は容量Cfdに蓄積された電荷を放電させるためのリセットMOSトランジスタリセット回路である。スイッチM2はPRES信号により制御される。フォトダイオードPDおよび容量Cfdは電圧VRESが印加されることでリセットされる。スイッチM1は電荷を蓄積するための追加容量C1とフォトダイオードPDを接続/非接続状態とするためのスイッチであり、撮影制御部112のWIDE信号により制御される。クランプ回路前段の画素アンプM4によりCfdに蓄積した電荷の蓄積量に応じた電気信号が得られる。クランプ回路はクランプ容量Cclと、クランプ電圧VCLを印加するためのスイッチM5とからなる。スイッチM5は撮影制御部112からの信号PCLによりオンオフが制御される。クランプ電圧VCLが印加されるクランプ回路でkTCノイズが除去され、後段の画素アンプM7で増幅される。画素アンプ401を介して得られた電気信号はサンプルホールド回路により保持される。サンプルホールド回路は、画素アンプ401と接続され、画素アンプ401を介して得られる電気信号を保持する保持部である。サンプルホールド回路は光信号用と固定パターンノイズFPN用に2つ設けられており、容量CSが光信号用、容量CNがFPN用である。スイッチM8、M11は容量CS、CNに電気信号を保持するタイミングを決めるスイッチであり、撮影制御部112からの信号TS,TNにより制御される。ソースフォロアアンプM10、M13は光信号、FPNをそれぞれ増幅する。受光に応じて得られた電気信号は光電荷用サンプルホールド回路でサンプルホールドされ、固定パターンノイズに対応する信号電圧はノイズ用サンプルホールド回路でサンプルホールドされる。保持された電気信号は垂直走査回路303からの信号VSRによるスイッチM9,M12の制御に応じて光電荷用の列信号線307、ノイズ用の列信号線306に印加される。さらに信号線からアナログ出力線308、309を通じて電気信号が外部に出力される。差動増幅器202でそれぞれの出力の差分が得ることで、センサ内の回路要因の固定パターンノイズを除去することができる。ここで、画素アンプ401はクランプ回路の前段と後段に1つずつ配置されている。フォトダイオードPDと接続された前段の画素アンプM4でCfdに蓄積した電荷の蓄積量に応じた電気信号が得られる。前段の画素アンプM4は定電流源217と画素アンプM4との接続/非接続状態を切り替えるスイッチM3と接続されている。スイッチM3は撮影制御部112からの信号ENによりオンオフのタイミングが制御され、定電流源217と画素アンプM4との接続/非接続状態が切り替えられる。撮影制御部112の信号出力部211がEN信号をハイにすることで、スイッチM3がオン状態となり、非接続状態から接続状態へと切り替わる。これにより、定電流源217からの電流が画素アンプM4へと流入し、画素アンプM4が起動する。起動された画素アンプM4により電荷の蓄積量に応じた電気信号が得られる。同様に後段の画素アンプM7もEN信号によって制御されるスイッチM6で定電流源217との接続が制御される。撮影制御部112によりEN信号がハイにされると、画素アンプM4、M7が同時に起動することとなる。EN信号は撮影制御部112の信号出力部211から各画素に対して出力される。画素アンプ401はフォトダイオードPDで生じた電荷をサンプルホールド部へと送るタイミングで起動されることとなる。ここで、画素アンプ401の起動タイミングは全画素で同時ではなく図3に示した部分領域301毎に異なっている。つまりは4つの矩形半導体基板201またはA/D変換領域について順に画素アンプが起動される。部分領域301内の画素について画素アンプ401の起動タイミングは同時である。イメージセンサ111の画素すべてについて同時に画素アンプを起動することとすれば、大きな突入電流が発生してしまう。これにより電磁波が発生したり、輻射ノイズの増加による画質劣化などが生じたりする恐れがある。部分領域毎に画素アンプの起動タイミングを異ならせることで、突入電流を抑えることができる。図5のフローチャートに従い上述した構成を有するX線撮影システムによる処理の流れを説明する。制御装置100の処理の流れが図5左のフローチャートに、撮影装置101の処理が図5右のフローチャートに示されている。なお、図5のフローチャート間に記載された点線の矢印は装置間の処理の順序を示しており、矢印の基点側の処理に応じて矢印の先端側の処理が行われることを示している。ステップS501で制御装置100の撮影条件設定部108は操作部105に入力された撮影条件を取得する。撮影装置101に対する設定の例としてはフレームレートやゲイン設定、ビニング駆動の有無、パルスX線撮影か連続X線撮影かなどの設定がある。X線発生装置102には管電圧および管電流や照射時間の設定や、パルス照射か連続照射かの設定がある。画像処理部109に対しては画像処理のパラメータ設定が、表示制御部110に対しては表示処理のパラメータ設定がある。ステップS502でアンプ設定部107は不図示の記憶部に記憶された画素アンプの起動タイミングの設定情報を取得する。ここで起動タイミングの設定情報は、部分領域毎の起動順序および起動間隔の情報である。いずれか一方の設定、例えば起動順序が既定である場合には起動間隔の設定情報のみを送ることとしてもよい。操作部105に対する入力に応じて設定情報を変更または更新できるようにしてもよい。ステップS503で撮影条件設定部108は撮影装置101、X線発生装置102並びに制御装置100の画像処理部109及び表示制御部110に対して設定を指示する。またアンプ設定部107は撮影装置101に対して画素アンプの起動タイミングの設定を指示する。指示の情報は不図示の通信デバイスにより、コマンド制御用インターフェース212を介して撮影装置101に送信される。これにより撮影装置101のステップS551の処理が行われる。ステップS504で不図示の照射スイッチが押下されたことを示す入力が検出されたか否かを判定する。検出されない場合には、この判定を繰り返し、X線照射スイッチが押下されるのを待つ。照射スイッチの押下が検出された場合にはユーザによるX線照射の指示があったと判定する。指示があったと判定があった場合ステップS505に進み、同期制御部106を介して撮影装置101に撮影駆動を開始させる。また撮影装置101からの曝射許可信号215に応じてX線発生装置102にX線の発生を指示する。同期制御部106により同期信号214が撮影装置101とX線発生装置102に送信されることで撮影駆動とX線照射が同期して実行され、X線撮影が行われる。これにより撮影装置101のステップS554の判定処理が行われる。ステップS506では同期制御部106による同期信号の出力が行われる。ステップS507で画像処理部109は撮影装置101が出力した撮影画像を取得し、所定の画像処理を施す。ステップS508では表示制御部110が画像処理された撮影画像を表示部104に表示させる。ステップS505以後、上述のステップS506と、ステップS507およびS508とが撮影終了の指示があるまで繰り返し行われる。ステップS507の画像取得処理は、撮影装置101によるステップS556の画像出力に応じて行われる。ステップS509で同期制御部106が操作部105を介して撮影終了の指示があったと判定した場合、撮影を終了する。同期制御部106は撮影装置101およびX線発生装置102に対して撮影終了を指示する。これにより撮影装置101のステップS557の処理が行われる。次に撮影装置101の処理を説明する。ステップS551で撮影制御部112は、制御装置100から撮影条件の設定情報を受信する。この処理は制御装置100によるステップS503の設定情報の送信処理に応じて行われる。この設定情報には、アンプ設定部107が取得した画素アンプの起動タイミングに関する設定情報を含んでいる。ステップS552で信号設定部209は画素アンプの起動タイミングの設定情報に基づいてイメージセンサ111に対して出力する信号の出力タイミングを設定する。例えば、図2に示すように撮像領域219の各矩形半導体基板201A~Dに対してA、B、C、Dの順に、20μsecずつEN信号の出力タイミングをずらすよう設定する。ステップS553で信号設定部209は受信した撮影条件の設定情報に基づいて駆動信号を設定する。フレームレートの設定、ゲインの設定、ビニング駆動有無の設定に合わせて、WIDE信号のハイ/ローを切り替える処理や、ビニングを指示する信号のハイ/ローを切り替える処理を行う。ステップS554で制御装置100から撮影開始の指示があったか否かを判定し、指示がないと判定された場合には判定を繰り返し指示を待つ。指示があったと判定された場合にはステップS555で撮影駆動を開始する。撮影駆動は図6を用い後述する。ステップS556で撮影駆動により得られた信号イメージセンサから出力され、差動増幅器202で増幅され、A/D変換器203でデジタルデータに変換され、画像生成部204で撮影画像データが生成される。さらに、出力制御部207が撮影画像を画像データインターフェース208を介して制御装置100に出力する。これに応じて制御装置100でステップS507の画像取得処理が実行される。ステップS557で信号制御部210は制御装置100から撮影の終了指示があったか否かを判定し、終了指示がない場合にはステップS555の撮影駆動およびS556の画像出力を繰り返すよう制御する。撮影の終了指示があった場合には、信号制御部210は信号出力部211に撮影駆動を停止する信号を出力させると共に、画像生成部204に画像の生成及び出力処理を終了させる信号を出力する。図6aに基づいて図4の画素回路における、図5のステップS555で撮影制御部112の信号制御部210および信号出力部211で実行される撮影駆動を説明する。図6の例は、固定フレームレートでX線ウィンドウ制限のある動画撮影時の駆動タイミングを示すタイミングチャートである。以下、動画像撮影において、光信号用ホールド容量CSおよびノイズ信号用ホールド容量CNに電荷がサンプルホールドされるまでの制御信号のタイミングについて図6aを用いて説明する。時刻t0で始まるリセット動作について説明する。リセット動作は、リセットとクランプを行う駆動である。信号出力部211はまず、t0で信号ENをハイレベルにし、画素アンプM4、画素アンプM7を動作状態にする。次に信号PRESをハイレベルにし、フォトダイオードPDを基準電圧に接続しリセットを行う。信号PRESをローレベルにしてリセットを終了し、クランプ容量Cclの画素アンプM4側にリセット電圧がセットされる。次にt1で信号PCLをハイレベルにすることによりクランプスイッチをオンM5し、クランプ容量Cclの画素アンプM7側に基準電圧VCLがセットされる。クランプスイッチM5をオフし、基準電圧VCLと基準電圧VRESの差分の電圧に応じた電荷がクランプ容量Cclに蓄積されクランプが終了する。リセット動作を終了し、t2からフォトダイオードPD、フローティングディフュージョン容量Cfdの光電変換部の蓄積が開始される。タイリングされたCMOS型撮像素子は、動画撮影時に撮像素子間、走査線間の時間的スイッチングのずれにより発生する画像ズレを防止するために、タイリングされた各撮像素子の全ての画素を一括して同一のタイミング、同一の期間でリセット動作が行われる。その後一括して行われる蓄積によりフォトダイオードPDで発生した光電荷が容量Cfdに蓄積される。時刻t0からt2までのリセット動作において光電変換部でリセットノイズkTCノイズが発生するが、クランプ回路のクランプ容量Cclの画素アンプM7側に基準電圧VCLをセットすることによりリセットノイズが除去される。時刻t3で始まるサンプリング動作について説明する。信号出力部211は信号ENをハイレベルにし選択スイッチ1M3、選択スイッチ2M6をオンすることで、容量Cfdに蓄積されている電荷は電荷/電圧変換されソースフォロアとして動作する画素アンプM4により電圧としてクランプ容量Cclに出力される。画素アンプM4の出力はリセットノイズを含むが、クランプ回路によりリセット時に画素アンプM7側を基準電圧VCLにセットしているので、リセットノイズが除去された光信号となって画素アンプM7に出力される。次に信号出力部211はサンプルホールド制御信号TSをハイレベルとし、サンプルホールドスイッチSM8をオンすることで、光信号は画素アンプM7を通して光信号用ホールド容量CSに一括転送される。t4で信号TSをローレベルとし、サンプルホールドスイッチSM8をオフすることで、光信号用ホールド容量CSに光電荷信号がサンプルホールドされる。次にリセット信号PRESをハイレベルとし、リセットスイッチM2をオンして容量Cfdを基準電圧VRESにリセットする。t5でリセット信号PRESをローレベルとしリセットを完了する。次に信号出力部211は信号PCLをハイレベルとする。クランプ容量Cclには電圧VCLと電圧VRESの差分の電圧にリセットノイズが重畳した電荷が蓄積される。また信号PCLと同時に信号TNをハイレベルとし、サンプルホールドスイッチNM11をオンすることで、基準電圧VCLにセットされた時のノイズ信号をノイズ信号用ホールド容量CNに転送する。続いて信号出力部211はt6で信号TNをローレベルとし、サンプルホールドスイッチNM11をオフすることで、ノイズ信号のノイズ信号用ホールド用容量CNにノイズ信号がサンプルホールドされる。信号EN、信号PCLをローレベルとし、サンプリング動作を終了する。サンプリング動作は全画素領域を一括して行う。サンプリング動作の後、t7で再びリセット動作が行われ、次のフレームのフォトダイオードPDへの蓄積を開始させる。光信号およびノイズ信号の走査は画素毎に行われる。信号出力部211が転送スイッチSM9、転送スイッチNM12をオンすることで、光信号用ホールド容量CSの電圧、ノイズ信号用ホールド用容量CNの電圧が、画素アンプM10、画素アンプM13を通してそれぞれ光信号出力線とノイズ信号出力線に転送される。ノイズ信号出力線と光信号出力線に転送された信号は、ノイズ信号出力線と光信号出力線に接続された差動増幅器202で減算される。これにより、画素アンプでの熱ノイズ、1/fノイズ、温度差、プロセスばらつきによるFPNを除去している。なお、転送可能な期間は、t6のサンプルホールド終了時から、光信号用ホールド容量CS、ノイズ信号用ホールド容量CNに、次のフレームの光電荷信号およびノイズ電荷電号が再びサンプルホールドされるt9までの間である。図4の画素回路において、フォトダイオードPDの蓄積開始のタイミングは、図6aのt2やt6で信号PCLをローレベルにしてクランプが完了した時点である。また蓄積終了のタイミングは、t4で信号TSをローレベルにして光信号をサンプルホールドした時点である。上述の通り光信号およびノイズ信号をサンプルホールドするサンプリング動作とサンプリング動作の間に、蓄積時間開始のためのリセット動作またはサンプリング動作を挿入することにより、蓄積時間を制限することができる。図6ではt7のタイミングでリセット動作を挿入することにより、光信号のサンプルホールドの周期はt4からt10までであるのに対し、蓄積時間をt2からt4までと同じ期間のt8からt10までの期間に制限している。ここで、図6aに示した画素回路の駆動を全画素領域において同時に行った場合、t0、t3、t7、t9において信号ENがハイレベルになり、図4に示す画素アンプ401M4およびM7が全画素一斉に動作状態になる。これにより突入電流が発生する。信号線に大きな突入電流が流れた場合、撮影装置内の電源線や信号線から不要輻射が発生する。また、突入電流によりセンサチップの電源電圧に急激な電圧降下が起こり、機器の動作停止や誤動作を引き起こす可能性がある。他にも、降下したセンサチップの電源電圧が再度安定するまでに時間がかかるため、センサチップへの電源供給が不安定になる。そこで、部分領域毎に画素アンプの起動タイミングを異ならせることで、突入電流を抑えることとする。図6bに基づいて動画撮影時のサンプリング動作での、画素アンプの動作と、サンプルホールドの動作を説明する。図6bは駆動波形のタイミングチャートおよび、撮像装置のセンサチップの電源電圧値の波形の模式図である。画素アンプを駆動するためのEN信号が矩形半導体基板A乃至D毎に示されている。例えばENAは図2のAの位置の矩形半導体基板に対応する。また図6bの下側には、タイムチャートに合わせてセンサチップの電源電圧の変動の様子を模式的に示したグラフが示されている。撮影制御部112からイメージセンサ111へ送られる駆動信号は、図7に示すEN信号、TS信号、TN信号等である。撮影制御部112において、EN信号をアサートするタイミングを部分領域ごとに変化させる。図6bに示すように、信号制御部210において各画素領域部分領域のEN信号を、タイミングをずらしてオンするように制御する。信号出力部211は、t60において部分領域Aに対するEN信号をオンにする。所定時間が経過した後、t61において部分領域Bに対するEN信号をオンにする。所定時間が経過した後、t62において部分領域Cに対するEN信号をオンにする。所定時間が経過した後、t63において部分領域Dに対するEN信号をオンにする。各部分領域の画素アンプが起動し所定の時間が経過した後に画素アンプを介して得られる電気信号をサンプルホールド回路保持部に保持させるt64。その後、FPN信号をサンプルホールドするt65。一連のサンプリング動作が終了した後、t66において全部分領域に対するEN信号を一括してオフにする。図6におけるEN信号の起動タイミング以外の制御は、全画素領域一括で行う。これにより動画撮影時に基板間、走査線間の時間的スイッチングのずれにより発生する画像ズレを防止することができる。また、サンプルホールド回路への光信号電荷の転送終了t44のタイミングとサンプルホールド回路へのノイズ信号電荷の転送終了t45のタイミングは、センサの電源電圧が安定している状態となるように制御する。上述の処理によっても、EN信号をオンにすることにより、多少はセンサの電源電圧が降下する。しかし撮影制御部112において各部分領域でEN信号をオンにするタイミングをずらすことにより、突入電流を低減することができる。よって全部分領域一括でEN信号をオンにする制御方法図7bおよび図8abに比べて、センサの電圧降下が抑制される。図7に基づいて本実施形態の処理による効果を説明する。図7abには図4に示す画素を有するイメージセンサを実際に用いた場合のセンサチップの電源電圧波形と、同時刻におけるEN信号の状態を示す。図7の横軸は時間、縦軸はセンサチップの電源電圧である。各センサチップの電源電圧波形は、図3における矩形半導体基板201の画素領域部分領域Cに電源を供給する位置の測定点218で測定したものである。なお、図7a及びbで、EN信号のハイにする前と、ハイにした後定常的になった時点とで電圧が異なっているが、これは回路内の抵抗による影響である。理想的には図6bのような波形となる。4つのEN信号をオンした後、グラフ中央部で微弱な電圧の変動が見られるが、これはTS信号をオンにし光信号をサンプルホールドすることに起因する変動である。その後電圧が少しだけ上側に触れるタイミングがあるが、これはPRES信号をオンにしてリセットを行ったことによる影響である。その後、電圧値が若干降下するポイントがあるが、これはPCL信号をオンにしクランプ電圧をCclに印加した後、TN信号をオンにしてFPN信号をサンプルホールドしたことによる影響である。このように、画素アンプによる電圧降下の影響は他の素子の比べて大きい。図7aは、本実施形態の制御を適用した例である。撮影制御部112においてEN信号をオンにするタイミングを、図11における画素領域C、D、B、Aの順にそれぞれ30μsずつずらした場合のセンサチップの電源電圧波形である。図7bは比較のための例である。撮影制御部112において全画素領域一括でEN信号をオンにした場合のセンサチップの電源電圧波形である。図7abに示すように、EN信号をオンにするタイミングをずらすとセンサチップの電源電圧降下が抑制される。本実施形態の一例による図7aの測定結果では電圧のピークとボトムの差は27.8mVであるのに対して、比較例である図7bの測定結果では45.0mVとなっている。このように、電圧降下は本実施形態の制御により抑制されていることが分かる。図8に基づいて、本実施形態の効果を説明するためのその他の比較例を説明する。図8aの例は、図7bに示すように全部分領域一括でEN信号をオンした場合であって、駆動のサンプリング動作部分においてセンサチップの電源電圧が安定しない状態でサンプルホールドが行われた例である。サンプルホールド回路への光信号電荷転送時t81のセンサチップの電源電圧v81と、サンプルホールド回路へのFPN信号電荷転送時t82のセンサチップの電源電圧v80に差が生じている。これにより、撮影画像にはセンサチップの電源電圧の差がオフセットとして重畳してしまうこととなる。センサチップの電源電圧降下は、光量によっても異なる。図4の画素回路の例では、PDに光が当たるとCfd、C1のコンデンサが放電するため、信号ENのハイレベルによる画素アンプM4、画素アンプM7の全画素同時動作時には、光量が多いほどセンサチップの電圧降下が大きくなる。また、矩形半導体基板201内では、微細配線による電源供給ラインの配線抵抗により、突入電流が流れると電圧降下を生じる。したがって、入射した光量によって基板毎にサンプルホールド時の電源電圧が異なってしまう。この影響は、撮影画像にタイリングされた基板間の段差となって現れることとなる。上記の光信号およびノイズ信号のサンプルホールド時のセンサチップの電源電圧の差の問題を解決するための1つの方法としては、画素アンプ起動時から電圧が安定するために十分な時間待った後に、サンプルホールドするという方法がある。図8bの例は、図7bに示すように全部分領域一括でEN信号をオンした場合であって、に示す駆動のサンプリング動作を、基板に供給される電源電圧が安定した状態で行う例を示す。図8bでは、図6a及び図8aに比べて、EN信号をオンにする時点t84からサンプルホールド回路への光信号電荷およびノイズ信号の転送終了時点t86、t87までの時間が長い。よってサンプルホールド回路への光信号電荷転送終了時t86のセンサチップの電源電圧と、サンプルホールド回路へのノイズ信号電荷転送終了時t87のセンサチップの電源電圧に差が生じない点では有効である。ただし、この場合、イメージセンサ全体でEN信号をオンにしている期間が長くなるため、図6aに示す本実施形態に係る駆動に比べて消費電力が増加してしまう。また、電荷を蓄積してからサンプルホールドするまでに処理に時間が延びるため、フレームレートを高くする上での障害となる。また、センサ全体で同時にEN信号をオンするので突入電流のピーク時の大きさ自体を抑制することができない。上述のとおり、実施例1では撮影装置の画素アンプの電源を、部分領域ごとに異なるタイミングで順次オンするよう制御する。これにより突入電流を抑え、突入電流量に起因する不要輻射やノイズを抑制することができる。また突入電流による急激な電圧降下も抑制されるため、センサチップへの電源供給の不安定さが改善される。また撮影制御部は、外部の制御装置の指示に応じて前記画素アンプを起動する順序または起動の間隔の少なくともいずれかを決定することで、状況に合わせて突入電流を抑え太駆動を実現することができる。また、蓄積からサンプルホールドまでの処理時間を抑えつつ、光信号とFPNの間での電源電圧の差に起因するオフセットノイズを抑えることができる。また、複数の半導体基板を貼り合わせて用いている場合には、各基板の画素が受光する光量の差によって画像に段差を生じる場合があるが、電圧降下を抑制することにより画像の段差を抑えることができる。また、全撮像領域一括で画素アンプを起動した場合よりも突入電流が抑えられるため、消費電力を抑えることができる。更には、本実施例のように比較的大きな撮像領域を持つX線イメージセンサでは、配線自体が大きくなるため電圧降下の回復に時間がかかる。そのようなX線イメージセンサに本実施例に係る画素アンプの起動タイミング変更制御を適用することで、画像に重畳するノイズを抑えフレームレートを向上させる効果が特に大きい。実施例2では、部分領域毎の画素アンプの起動順序を、電源各部分領域までの配線抵抗が大きい順とする。これにより、配線抵抗が大きく電圧が回復しにくい部分領域から順に画素アンプを起動することができるため、実施例1に比べて電圧降下をより抑制することができる。以下、システムの構成及び処理について実施例1と異なる部分について図9乃至図11に基づいて説明する。図9に基づいて撮影装置901の構成を説明する。なお図9には実施例1と異なる点について図示している。イメージセンサは実施例1同様に複数の矩形半導体基板の貼り合わせにより構成されている。イメージセンサの撮像領域929はA、B、C、D4つの部分領域902に分割されている。撮影装置901の撮影制御部912は、アンプの起動順序を制御するアンプ制御部903を有している。信号制御部210は部分領域毎に別々にEN信号ENA、ENB、ENC、ENDを出力するよう制御し、信号出力部211はENA乃至Dを各部分領域A、B、C、Dに出力する。アンプ制御部903は記憶部904を有する。記憶部904は部分領域A、B、C、Dについての画素アンプの起動順序を示す順序情報905を記憶している。順序情報905は、各部分領域にDC/DCコンバータ電源部216から各画素に電源を供給するための配線の抵抗の大きさに応じて予め生成される。抵抗の大きさは直接測定しても、配線の長さを抵抗の大きさとしてもよい。電源部が1つの場合、通常は電源から最も遠い位置にある部分領域が先になる。なお順序情報905は、部分領域毎の画素アンプの起動間隔についての既定の値を含んでいる。なお、1つの部分領域に複数の半導体基板が含まれ、DC/DCコンバータ216から各基板に対して独立に電力が供給される場合には、部分領域について複数の配線が存在することとなる。この場合には、各基板への配線の平均値を算出し、その平均値の大きさで部分領域毎の起動順序を決定すればよい。アンプ制御部903は記憶部904から順序情報905を取得し、これに合わせてイメージセンサに出力するEN信号の出力順序を設定する。なお、これは予め設定された値でありユーザの指示に応じて変更更新することが可能である。その場合には、実施例1と同様に制御装置100から受信した設定情報でアンプ制御部903がEN信号の出力順序を設定する。信号制御部210は、撮像領域の複数の部分領域のうち、部分領域内の画素アンプに接続された配線が長い部分領域に属する画素から順に前記画素アンプへの駆動信号を出力する制御を行う。図10のフローチャートに従い、上述の構成を有する撮影装置901の制御の流れを説明する。なお、実施例1と同様の処理については説明を省略する。ステップS1002で、アンプ制御部903は記憶部904から順序情報905を読み込む。また、制御装置から画素アンプに関する設定情報がある場合にはそちらも読み込む。制御装置から画素アンプに冠する設定情報がない場合には、記憶部904の順序情報905に基づいてアンプ制御部903は画素アンプの起動間隔及び起動順序を設定する。設定の情報はメモリに記憶され、信号設定部209による駆動信号の設定に用いられる。ステップS1003で信号設定部209はステップS1001で受信した撮影条件と、アンプ制御部903によるアンプの設定の情報は信号設定部209でEN信号の出力タイミングとして設定される。信号設定部209は、撮像領域の複数の部分領域のうち、部分領域内の画素アンプに接続された配線が長い部分領域に属する画素から順に前記画素アンプへの駆動信号を出力する制御を行う。以降の処理は実施例1と同様である。図11に基づいて本実施例の効果を説明する。図11aは、撮影制御部912においてEN信号をオンにするタイミングを、電源との距離が遠い部分領域画素領域から順次動作状態になるように制御した場合の電圧波形である。図11aの例は、部分領域C、A、D、Bの順にそれぞれ30μsecずつずらした例である。測定点218は実施例1と同様の位置であり、部分領域Cに入力する電圧を測定している。そのため、部分領域CおよびDに対するENC、ENDがオンされることによる電圧降下の影響が大きく測定されている。図11aではピークボトムの電圧差が25.4mVとなっており、実施例1の場合の測定結果図7aの27.8mVよりも更に小さく抑えられている。このように、電力を供給する配線の配線抵抗が大きい順序で部分領域の画素アンプを起動することにより、突入電流を更に減らし、電圧降下を更に抑えることができる。図11bは、本実施例において基板内を流れる電流波形と、同時刻におけるEN信号の状態を示す。図11bの横軸は時間、縦軸は電流値である。図11bには、撮影制御部912でEN信号をオンにするタイミングを、電源との距離が遠い画素領域から順次動作状態になるようにずらした場合の電流波形を示されている。図11bの例では画素領域C、A、D、Bの順にそれぞれ30μsecずつずらした場合が示されている。また比較のための例として、全画素領域一括でEN信号をオンにした場合の電流波形も示されている。図11bの2つの電流波形が示すように、撮影制御部912においてEN信号をオンにするタイミングをずらすと撮像装置全体を流れる電流値が減少する。これによって、消費電力が減少していることが分かる。このように本実施例では、配線の抵抗の大きさに応じて画素アンプを起動するタイミングを部分領域毎に制御する。フレームレートが高い撮影では、EN信号をアサートしている総時間が長いため、画素アンプの起動時間が長く、消費電力が大きくなっている。このようなフレームレートが高い場合に本実施例の処理を実行することで、EN信号をオンにするタイミングをずらした場合のEN信号のアサート時間の減少による効果が大きく、消費電力の低減効果も大きくなる。実施例3では、動画撮影を行う場合において各部分領域の画素アンプを動作状態にする間隔を、前フレームの画素値に基づいて適応的に決定する。実施例1で述べた通りセンサチップの電源電圧降下は、入射した光量によっても異なる場合がある。図4の画素の例では、フォトダイオードPDに光が当たると容量Cfd、追加容量C1のコンデンサが放電するため、光量が多いほど画素回路通電時の降下が大きくなる。動画撮影中に被写体が動くこと等によってイメージセンサへの入射光量が全体的または局所的に変化し、矩形半導体基板の電源電圧降下の大きさが変化した場合でも、画素回路の動作タイミングを制御する。これにより基板の電源電圧が安定した状態でサンプルホールドが行えるようになる。以下、システムの構成及び処理について実施例1または2と異なる部分について図12乃至図14に基づき説明する。図12に基づいて撮影装置1201の構成を説明する。なお図12には実施例1または2と異なる点を中心に図示している。イメージセンサは実施例1とは異なり1枚の矩形半導体基板で構成されている。イメージセンサの撮像領域1229はA/D変換器毎にA、B、C、D4つの部分領域1202に分割されている。撮影制御部1212のアンプ制御部1203は記憶部1204と、画素値算出部1206と、起動間隔決定部1207とを有している。また、撮影制御部1212は実施例1にいう画像生成部204の機能を有している図12には不図示。記憶部1204は画素値―起動間隔ルックアップテーブル1205を記憶している。ルックアップテーブル1205は部分領域毎の画素値と、起動間隔とがテーブルデータとして整理された情報である。ここでいう画素値はイメージセンサの各画素が受光する光量に比例する性質を有する値であるとする。ある部分領域の画素値が大きいほど、電圧降下の回復には時間を要するとして次の部分領域の画素アンプを起動するまでの時間間隔が長くなっている。画素値算出部1206は画像生成部により生成された撮影画像を取得し、部分領域毎の画素値の代表値を算出する。代表値は、部分領域内の画素の受光量を示すような値であれば良く、例えば平均値、中央値を用いることができる。合計値を用いてもよい。部分領域の大きさがそれぞれ等しい場合には平均値や中央値が望ましい。最大値を用いても良いが、平均値や中央値を用いることでノイズの影響を排することができる。また、例えば上位5を除いた最大値を代表値としてもよい。起動間隔決定部1207は、算出された画素値とルックアップテーブル1205を参照して部分領域毎の画素アンプの起動間隔を決定する。図13のフローチャートに従い、上述の構成を有する撮影装置1201の処理の流れを説明する。なお、実施例1または2と同様の処理については説明を省略する。ステップS1301は実施例2の図10のステップS1001と同様であるため説明を省略する。ステップS1302はアンプ制御部1203は受信した設定情報または記憶部に記憶された順序情報に基づいて画素アンプの起動順序及び起動間隔の初期値を設定する。ステップS1303からステップS1306までの処理は実施例2の図10のステップS1003からステップS1306までの処理と同様であるため説明を省略する。ステップS1307で画素値算出部1206は撮影画像データを取得し、部分領域毎に画素値の平均値を算出する。ステップS1308で起動間隔決定部1207は、算出された画素値とルックアップテーブル1205を参照して部分領域毎の画素アンプの起動間隔を決定する。アンプ制御部1203は決定された起動間隔の情報を信号設定部209に送る。ステップS1309で信号設定部209は決定された起動間隔に合わせてEN信号のアサートタイミングを設定する。本実施例で起動の順序がA,B,C,Dの順であった場合には、部分領域Aの起動後から部分領域Bの起動までの決定された間隔の時間だけ信号制御部210が出力を遅延させた後、信号出力部211にEN信号を出力させる。部分領域Bの起動後部分領域Cの起動まで、および部分領域Cの起動後部分領域Dの起動までの間についても、信号制御部210が同様の制御を行う。図14のタイミングチャートに基づいて本実施例3の撮影駆動を説明する。図14aではXフレーム目及びX1フレーム目の駆動信号のタイミングチャートを示している。ここでは、1フレーム目~Xフレーム目の撮影に際しては光量が余り変化しないため、所定の時間間隔t50、t51、t52.t53においてEN信号を順次オンにする。Xフレーム目の電気信号がサンプルホールドされt54、FPNがサンプルホールドされt55、EN信号はオフされるt56。このXフレーム目の画像において画素領域A、Bのみに大きな光量の光が入射する例をもとに説明する。この場合、画素領域A、Bにおけるセンサチップ基板の電源電圧降下が大きくなり、EN信号を所定のタイミングでオンにしたのでは基板の電源電圧が回復するまでの時間が不足してしまうことがある。また、基板内は、微細配線による電源供給ラインの配線抵抗により、突入電流が流れると電圧降下を生じる。その結果、各画像領域の総光量の違いによって画素領域ごとにサンプルホールド時の電源電圧が異なり、画素領域の境界が段差となって画像に現れてしまう。そこで、撮影制御部1212はX1フレーム目では、前フレームの各部分領域の画素値に基づいて、サンプルホールド時t61、t62の電源電圧が安定状態となるように、EN信号のアサートタイミングt57、t58、t59、t60を変更する。図14bではXNフレーム目以降の駆動信号のタイミングチャートを示している。XNフレーム目において、画素領域A、Bの入射光量が減少した場合には、画素領域A、BのEN信号をオンにするタイミングを早める必要がなくなる。そこで撮影制御部1212において各画素領域のEN信号の動作タイミングt64、t65、t66、t67を再度初期設定された時間間隔で制御するように変更する。その後光信号のサンプルホールドt68、FPN信号のサンプルホールドt69、EN信号の一括オフt70が行われ、以降同様の処理が撮影終了まで行われる。このように本実施例では、各画素領域の画素回路を動作状態にするタイミングを、前フレームの画素値をもとに決定する。これにより、入射した光量によって電圧降下の大きさが変化した場合でも、全画素領域において電圧が安定している状態でサンプルホールドを行うことができ、画像においてセンサチップ間の電圧降下量の違いに起因する段差がを抑制されるという効果がある。なお、本実施例では画素アンプの起動間隔を制御対象としたが、これに限らず部分領域毎の画素アンプの起動順序を制御対象とすることもできる。例えば、部分領域毎の平均画素値と画素アンプの起動順序の適切な対応関係を実験により得て、これをルックアップテーブルとして記憶部に記憶させておく。例えば、電圧降下が大きい部分領域から先に画素アンプを起動させるような順序情報を格納しておく。アンプ制御部1203はフレーム毎に算出された部分領域の平均画素値とルックアップテーブルとから画素アンプの起動順序を決定する。信号制御部210はENA乃至END信号のそれぞれを独立に出力できる信号出力部211を制御し、決定された順序に合わせて一部のEN信号を遅延させ、順次アサートするようにすれば良い。起動間隔は固定の値を用いることとすればよい。上述の例では、部分領域毎の画素値の代表値に基づいて前記画素アンプを起動する順序または起動の間隔の少なくともいずれかを決定する。このようにすることで、電圧降下が大きい部分領域から先に画素アンプを起動させることができ、実施例2と同様に突入電流を小さくし、電磁波やノイズを抑え消費電力を減らしつつ、フレームレートを向上させることができる。実施例4では、実施例2で用いた電力供給用の配線抵抗の大きさに基づく制御と、実施例で用いた部分領域の平均画素値に基づく制御とを組み合わせて部分領域毎の優先度を算出し、画素アンプの起動順序及び起動間隔を制御する。これにより、受光による配線抵抗の差による電圧降下回復時間の差と、受光量の差による電圧降下量の差を考慮してより適切に突入電流による悪影響を抑制することができる。以下、システムの構成及び処理について実施例1乃至3と異なる部分について図15乃び図16に基づき説明する。図15に基づいて撮影装置1501の構成を説明する。なお図15には実施例1乃至3と異なる点を中心に図示している。イメージセンサは実施例1または2とは異なり、実施例3同様に1枚の矩形半導体基板で構成されている。イメージセンサの撮像領域1529はA/D変換器毎にA、B、C、D4つの部分領域1502に分割されている。撮影制御部1512のアンプ制御部1503は記憶部1504と、画素値算出部1206と、優先度算出部1507と、起動タイミング決定部1508とを有している。また、撮影制御部1512は実施例1にいう画像生成部204の機能を有している図15には不図示。記憶部1504は優先度―起動タイミングルックアップテーブル1505を記憶している。ルックアップテーブル1505は部分領域毎の優先度と、起動タイミングとがテーブルデータとして整理された情報である。ここでいう優先度は、各部分領域について、電力配線の抵抗値と、画素値の平均値とを変数とする量である。抵抗値の大きさは電圧降下の回復時間に影響するパラメータであり、画素値の大きさは電圧降下の大きさに影響するパラメータであると考えられるので、これらを考慮してより電圧が落ち着く時間が早い部分領域ほど、優先度が高くなる。概して、抵抗値及び画素値が大きくなるほど電圧降下が回復するまでの時間が長くなるので優先度が大きくなる。優先度は例えば抵抗値と画素値とを所定の重み付けで線形結合させて得られる値であってもよい。重み付け係数は実験的に算出される値が用いればよい。また、線形結合でなくとも、抵抗値及び画素値の2変数に対して電圧が回復するまでの時間を計測し、抵抗値及び画素値に対して優先度が関連付けられたルックアップテーブルを用いることとしてもよい。画素値算出部1206は画像生成部により生成された撮影画像を取得し、部分領域毎の画素値の平均値や合計値を算出する。優先度算出部1507は、画素値と配線抵抗値に基づいて上述した所定の線形結合式により優先度を算出する。起動タイミング決定部1508は、算出された画素値とルックアップテーブル1505を参照して部分領域毎の画素アンプの起動間隔を決定する。図16のフローチャートに従い、上述の構成を有する撮影装置1501の処理の流れを説明する。なお、実施例1または2と同様の処理については説明を省略する。ステップS1601からステップS1606までの処理は実施例3の図13のステップS1301からステップS1306までの処理と同様であるため説明を省略する。ステップS1607で画素値算出部1206は撮影画像データを取得し、部分領域毎に画素値の平均値を算出する。ステップS1608で優先度算出部1507は、画素値と配線抵抗値に基づいて上述した所定の線形結合式により優先度を算出する。ステップS1609で起動タイミング決定部1508は、算出された画素値とルックアップテーブル1505を参照して部分領域毎の画素アンプの起動タイミングを決定する。ステップS1610で信号設定部209は決定された起動間隔に合わせてEN信号のアサートタイミングを設定する。起動タイミング決定部1508により起動の順序がA,B,C,Dの順と決定された場合には、部分領域Aの起動後から部分領域Bの起動まで決定された間隔の時間だけ信号制御部210が出力を遅延させた後、信号出力部211にEN信号を出力させる。部分領域Bの起動後部分領域Cの起動まで、および部分領域Cの起動後部分領域Dの起動までの間についても、信号制御部210が同様の制御を行う。ステップS1611以降の処理については、実施例3のステップS1310以降の処理と同様であるため説明を省略する。上述の通り、配線抵抗の大きさに基づく制御と、実施例で用いた部分領域の平均画素値に基づく制御とを組み合わせて部分領域毎の優先度を算出し、画素アンプの起動順序及び起動間隔を制御する。これにより、受光による配線抵抗の差による電圧降下回復時間の差と、受光量の差による電圧降下量の差を考慮してより適切に突入電流による悪影響を抑制することができる。[その他の実施形態]上述の実施形態は例示であり、その他にも種々の形態をとり得る。上述の実施例で制御装置100の各部はハードウェアとして実装しているが、これに限らずソフトウェアプログラムを実行することで実現しても良い。図17に基づいて制御装置のその他の実施例によるハードウェア構成を説明する。制御装置1700はCPU1701と、RAM1702と、ROM1703と、外部記憶装置1707と、記憶媒体ドライブ1708と、外部通信用のI/Fインターフェースを有し、それらはバス1710を介して接続されている。また制御装置1700には表示部であるモニタ1706と、操作部であるキーボード1704及びマウス1705とが接続されている。ROM1703には図5に示す処理を実行するためのプログラムコード1711が記録されている。CPU1701はプログラムコードを読み込み、実行することで、制御装置1700は図5に示す処理が実現される。CPU1701が当該プログラムコード1711を実行することにより、図1に示す各部の処理が実現される。なお、撮影装置101の撮影制御部112や画像生成部204についても、上述のようなハードウェアを有する装置で図5、図10、図13、図16に示す処理を実行するためのプログラムコードをCPUが実行して上述の実施例に記載の処理を実現してもよい。あるいは、上述の実施例に係る制御装置や撮影装置の処理の一部をプログラムコードで実現し、一部をハードウェア回路で実現することとしてもよい。その場合、上述の制御装置1700が有するハードウェアと、先述の実施例の各部の一部を実行するハードウェア回路とで実現することとしてもよい。上述の通り実施例1乃至4の機能をコンピュータで実現するために、該コンピュータにインストールされるプログラムコード自体も本発明を実現するものである。つまり、本発明は、本発明の機能処理を実現するためのコンピュータプログラム自体も含まれる。更には、上述したプログラムコードを記録した記録媒体等のコンピュータプログラムプロダクトも本発明の実施形態の一例である。ここでいう記録媒体は、電波等の一時的な媒体は含まないが、RAMやキャッシュデータを含む概念である。また、コンピュータが、読み出したプログラムの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているOSなどに上述の処理の一部または全部を行わせることによっても、前述した実施例の機能が実現できる。センサの画素領域の分割方法は実施例に限らない。複数のセンサチップをまとめて1つの画素領域としてもよい。または、1つのセンサチップ内を更に細かいブロックに分割するよう構成し、各ブロックで画素回路の電源をオンするタイミングをずらしてもよい。センサの画素領域の分割数を増やすほど、突入電流が減少するので、突入電流に起因する不要輻射の影響を抑えることができる。また、各画素領域のEN信号をオンにする順序や時間間隔は実施例に限らない。上述の実施例では、撮影制御部において画素回路を動作状態にするタイミングを固定の時間により制御しているが、固定の時間を用いなくても良い。この場合、撮影制御部にセンサチップの電源電圧値を測定点218等で測定する電圧測定部を設ける。電圧測定部による測定結果を信号制御部が定期的に取得し、降下したセンサチップの電源電圧値が一定の値まで回復したことを確認したら、所定の順序に基づいて次の画素領域を動作状態にするようにしてもよい。これにより、画像のオフセットの抑制と、不要な電力の削減を両立することができる。部分領域のとり方は上述の実施例に限らず画素が一行おきまたは数行おきに同一のタイミングで起動されるように部分領域を設定することとしてもよい。また、各画素領域の画素回路の電源オンのタイミングを制御する駆動は、図6のサンプリング動作の期間に限らない。図7のリセット動作の期間等、画素回路を動作状態にする必要がある場合には、EN信号をオンにするタイミングをずらすことにより、突入電流を抑制することができる。上述の実施例では、画素アンプを例に説明したが、これ以外にも電力供給を必要とする画素内の素子について、起動タイミングをずらす処理を適用することができる。例えば、リセット回路として機能するスイッチM2をオンしてフォトダイオードPDや容量Cfdに電圧を印加しリセット回路を起動するタイミングがある。また、クランプ回路として機能するスイッチM5をオンしてクランプ容量Cclに電圧を印加しクランプするタイミングがある。これらの素子についてもタイミングをずらすことで電圧の変動を抑えることができる。なお、上述の実施例のようにリセット回路の起動タイミングやクランプのタイミングを同時とすることで、画像における段差の発生を抑える効果がある。なお、イメージセンサ111の全画素について画素アンプの起動制御を行わなくてもよい。例えば撮像領域の一部のみを使って撮影する場合には、撮影制御部は画像の生成に用いる画素についてのみ画素アンプの起動制御を行うこととし、その他の画素は画素アンプに電力を供給しない。これにより、突入電流を抑えるとともに電力消費も抑えることができる。上述の実施例では、イメージセンサとしてシリコン基板上に実装されたCMOS型撮像素子を用いる例を示したが、これに限らず画素内にアンプを有するセンサであれば、アモルファスシリコンやポリシリコン基板上に実装されたPIN型、MIS型にも適用できる。なお、CMOS型撮像素子に本発明を適用することで消費電力を更に下げることができる。上述のX線撮影装置は心臓外科、検診等一般撮影、整形外科または歯科のX線撮影装置としても利用することができる。更には、X線撮影システム以外の可視光で撮影するカメラ等にも用いることができる。なお、X線センサのように大きい10cm程度もしくはそれ以上センサを用いる場合、配線抵抗が大きくなるため、上述したような部分領域毎の起動タイミング変更処理は特に有効である。また、電力消費に起因する熱の影響を低減することができる。上述した撮影装置や制御装置それぞれの機能を複数の装置で分散して処理させても良いし、X線撮影システムの機能をCアーム装置として1つの装置にまとめて実装することとしてもよい。また、上述した装置の各部の機能を複数の回路で分散して実現することとしても、複数の回路の機能を一つの回路で実現することとしても良い。"