"溶融したガラス素材を板状のブランクスに成型する成型工程と、ブランクスの表面を研削するラッピング工程とを含むHDD用ガラス基板の製造方法であって、最終のガラス基板の厚みをtとしたときに、ラッピング工程において、t×0.15以上の研削を行うことを特徴とするHDD用ガラス基板の製造方法。ラッピング工程において、t×0.25以下の研削を行うことを特徴とする請求項1に記載のHDD用ガラス基板の製造方法。ラッピング工程の後、ガラス基板の表面に厚みが30μm未満の応力層を形成する化学強化工程を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のHDD用ガラス基板の製造方法。請求項1から3のいずれか1項に記載のHDD用ガラス基板の製造方法により製造されたことを特徴とするHDD用ガラス基板。請求項4に記載のHDD用ガラス基板の主表面の上に記録層が設けられたことにより製造されたことを特徴とするHDD用磁気記録媒体。本発明の目的は、耐衝撃性がさらに改善されたHDD用ガラス基板の製造方法、HDD用ガラス基板、及びHDD用磁気記録媒体を提供することである。本発明者は、ガラス基板の製造工程の初期段階で行われる成型工程に着目した。この成型工程では、溶融したガラス素材が板状のブランクス最終のガラス基板になるまでの製造工程中のワークのこと。単にブランクスともいうに成型される。このブランクスの表面近傍には、成型工程で混入した異物や気泡あるいはキズ等の欠陥が存在している。本発明者は、これらの欠陥が最終のガラス基板にまで残ると、それが最終のガラス基板が割れ易くなる原因の一つとなることを見出して本発明を完成した。すなわち、本発明の一局面は、溶融したガラス素材を板状のブランクスに成型する成型工程と、ブランクスの表面を研削するラッピング工程とを含むHDD用ガラス基板の製造方法であって、最終のガラス基板の厚みをtとしたときに、ラッピング工程において、t×0.15以上の研削を行うことを特徴とするHDD用ガラス基板の製造方法である。このような構成のHDD用ガラス基板の製造方法によれば、成型工程でブランクスの表面近傍に混入した異物や気泡あるいはキズ等の欠陥がラッピング工程で除去される可能性が高くなる。そのため、これらの欠陥が最終のガラス基板に残存する可能性が低くなり、ガラス基板が割れ難くなって、ガラス基板の耐衝撃性が改善される。本発明のHDD用ガラス基板の製造方法においては、ラッピング工程において、t×0.25以下の研削を行うことが好ましい。このような構成のHDD用ガラス基板の製造方法によれば、過度に厚いブランクスを成型せずに済み、過度に多量の研削を行わずに済む。そのため、時間的、経済的に有利となる。本発明のHDD用ガラス基板の製造方法においては、ラッピング工程の後、ガラス基板の表面に厚みが30μm未満の応力層を形成する化学強化工程を含むことが好ましい。このような構成のHDD用ガラス基板の製造方法によれば、ガラス基板の表面が応力層で強化され、ガラス基板の耐衝撃性がより一層改善される。なお、応力層の厚みが30μm以上になると、ガラス基板の表面の平坦度や面粗さが低下するので好ましくない。本発明の他の一局面は、前記HDD用ガラス基板の製造方法により製造されたことを特徴とするHDD用ガラス基板である。このような構成のHDD用ガラス基板によれば、成型工程でブランクスの表面近傍に混入した異物や気泡あるいはキズ等の欠陥がラッピング工程で除去されているから、割れ難くなって、耐衝撃性が改善されている。本発明のさらに他の一局面は、前記HDD用ガラス基板の主表面の上に記録層が設けられたことにより製造されたことを特徴とするHDD用磁気記録媒体である。このような構成のHDD用磁気記録媒体によれば、割れ難く、耐衝撃性が改善されたHDD用ガラス基板が用いられているから、HDD用磁気記録媒体もまた、割れ難く、耐衝撃性が改善されることになる。本発明によれば、耐衝撃性が従来品以上に優れるHDD用ガラス基板の製造方法、HDD用ガラス基板、及びHDD用磁気記録媒体が提供されるから、昨今のより厳しい落下衝撃試験にも耐え得るHDD用ガラス基板及びHDD用磁気記録媒体を得ることができ、例えばノート型パーソナルコンピューター等のモバイル機器の多様化に十分対応できる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。ただし、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。<HDD用ガラス基板の製造方法>図1に示した工程図を参照して、HDD用ガラス基板の製造方法を説明する。[ガラス溶融工程]まず、ガラス溶融工程として、ガラス素材を溶融する。ガラス基板の材料としては、例えば、SiO2、Na2O、CaOを主成分としたソーダライムガラス;SiO2、Al2O3、R2OR=K、Na、Liを主成分としたアルミノシリケートガラス;ボロシリケートガラス;Li2O-SiO2系ガラス;Li2O-Al2O3-SiO2系ガラス;R’O-Al2O3-SiO2系ガラスR’=Mg、Ca、Sr、Ba等を使用することができる。これらのなかでも、アルミノシリケートガラスやボロシリケートガラスは、耐衝撃性や耐振動性に優れるため特に好ましい。[成型工程]次に、成型工程として、溶融したガラス素材を下型に流し込み、上型によってプレス成型して円板状のガラス基板ブランクスを得る。なお、ブランクスは、プレス成型に限られず、例えばダウンドロー法やフロート法等で形成したシートガラスを研削砥石で切り出して作製してもよい。この成型工程において、ブランクスの表面近傍には、異物や気泡が混入し、あるいはキズがついて、欠陥が発生する。ガラス基板、すなわちブランクスの大きさに限定はない。例えば、外径が2.5インチ、1.8インチ、1インチ、0.8インチ等の種々の大きさのガラス基板がある。ガラス基板の厚みにも限定はない。例えば、2mm、1mm、0.8mm、0.63mm等の種々の厚みのガラス基板がある。本実施形態では、後述するラッピング工程での研削量及びポリッシング工程での研磨量を考慮して、ブランクスを従来に比べてやや厚めに成型する。すなわち、本実施形態では、ブランクスの厚みを例えば1.03mm等としている。これに対し、従来は、ブランクスの厚みを例えば0.93mm等としていた。[熱処理工程]次に、熱処理工程として、プレス成型や切り出しによって作製されたガラス基板を耐熱部材のセッターと交互に積層し、高温の電気炉を通過させることにより、ガラス基板の反りの低減やガラスの結晶化を促進させる。[第1ラッピング工程]次に、第1ラッピング工程として、ガラス基板の両表面を研削加工し、ガラス基板の平行度、平坦度及び厚みを予備調整する。[コアリング加工工程]次に、コアリング加工工程として、第1ラッピング工程後のガラス基板の中心部に円形の穴を開ける。穴開けは、例えば、カッター部にダイヤモンド砥石等を備えたコアドリル等で研削することにより行う。[内外径加工工程]次に、内外径加工工程として、ガラス基板の外周端面及び内周端面を、例えばダイヤモンド等を用いた鼓状の研削砥石により研削することで内外径加工する。[第2ラッピング工程]次に、第2ラッピング工程として、ガラス基板の両表面を再び研削加工し、ガラス基板の平行度、平坦度及び厚みを微調整する。第1及び第2ラッピング工程では、図2及び図3に示すように、遊星歯車機構を利用した両面研削機と称される公知の研削機10が使用できる。両面研削機10は、互いに平行になるように上下に配置された円盤状の上定盤11と下定盤12とを備えており、互いに逆方向に回転する。この上下の定盤11,12の対向するそれぞれの面にガラス基板の主表面を研削するためのダイヤモンドペレット13,14が貼り付けられている。上下の定盤11,12の間には、下定盤12の回転軸の周囲に設けてあるサンギア15と下定盤12の外周に円環状に設けてあるインターナルギア16とに結合して回転する複数のキャリア17が配設されている。このキャリア17には、複数の穴18が形成されており、この穴18にガラス基板図示せずが遊嵌合されて保持される。上下の定盤11,12、サンギア15及びインターナルギア16は、それぞれ別駆動で動作する。研削機10の研削動作はおよそ次のようにして行われる。すなわち、上下の定盤11,12が互いに逆方向に回転すると、ダイヤモンドペレット13,14を介して上下の定盤11,12間に挟まれているキャリア17は、複数のガラス基板を保持した状態で、自転しながら定盤11,12の回転中心に対して下定盤12と同じ方向に公転する。このように動作している研削機10に対して、上定盤11のダイヤモンドペレット13とガラス基板との間、及び、下定盤12のダイヤモンドペレット14とガラス基板との間に研削液を供給することにより、ガラス基板の研削が行われる。この両面研削機10を使用する際、ガラス基板に加わる定盤11,12の加重及び定盤11,12の回転数を所望の研削状態に応じて適宜調整する。第1及び第2ラッピング工程における加重は、60g/cm2から120g/cm2とするのが好ましい。また、定盤11,12の回転数は、10rpmから30rpm程度とし、上定盤11の回転数を下定盤12の回転数よりも30から40程度遅くするのが好ましい。定盤11,12による加重を大きくし、定盤11,12の回転数を速くすると、研削量は多くなるが、加重が大きすぎると面粗さが良好とならず、回転数が速すぎると平坦度が良好とならない。また、定盤11,12の加重を小さくし、定盤11,12の回転数を遅くすると、研削量が少なくなり、製造効率が低くなる。第2ラッピング工程を終えた時点で、ガラス基板の大きなうねり、欠け、ひび等の欠陥はほぼ除去される。また、ガラス基板の主表面の面粗さは、Raが0.2μmから0.4μm程度とするのが好ましく、主表面の平坦度は、7~10μmが好ましい。このような面状態にしておくことで、次の第1ポリッシング工程での研磨を効率よく行うことができる。なお、第1ラッピング工程では、第2ラッピング工程を効率よく行うことができるように大まかにガラス基板の大きなうねり、欠け、ひび等を除去する。そのため、第2ラッピング工程で使用する粗さ1300メッシュから1700メッシュより粗い800メッシュから1200メッシュ程度のダイヤモンドペレット13,14を使用するのが好ましい。第1ラッピング工程を終えた時点でのガラス基板の主表面の面粗さは、Raが0.4μmから0.8μm程度とするのが好ましく、主表面の平坦度は、10~15μmが好ましい。また、第1及び第2ラッピング工程の後、ガラス基板の表面に残った研削液やガラス粉を除去するための洗浄工程を行うことが好ましい。なお、本実施形態で用いる表面粗さは、原子間力顕微鏡デジタルインスツルメンツ社製ナノスコープを用いて、1μm×1μmの範囲を測定した値である。また、本実施形態で用いる平坦度は、平坦度測定装置で測定した値であり、ガラス基板の表面の最も高い位置Pと最も低い位置Vとの高低差P-V値である。本実施形態では、第1及び第2ラッピング工程の合計の研削量Qを、最終のガラス基板の厚みをtとしたときに、t×0.15以上としている。ここで、最終のガラス基板とは、図1の工程図において、第2ポリッシング工程ないし洗浄工程が終了した時点でのガラス基板をいう。例えば、最終のガラス基板の厚みtが0.8mmであるとすると、第1及び第2ラッピング工程の研削量Qを0.12mm以上とする。これにより、成型工程でブランクスの表面近傍に混入した異物や気泡あるいはキズ等の欠陥が第1及び第2ラッピング工程で除去される可能性が高くなる。そのため、これらの欠陥が最終のガラス基板に残存する可能性が低くなり、ガラス基板が割れ難くなって、ガラス基板の耐衝撃性が改善される。なお、最終のガラス基板の厚みtは、製造されたHDD用ガラス基板の出荷先、つまり顧客側から予め指定される値であり、HDD用ガラス基板を製造する前に予め分かっている値である。第1及び第2ラッピング工程の研削量Qの上限値は特に限定されるものではないが、t×0.25が好ましい。例えば、最終のガラス基板の厚みtが0.8mmであるとすると、第1及び第2ラッピング工程の研削量Qを0.2mm以下とする。これにより、過度に厚いブランクスを成型せずに済み、過度に多量の研削を行わずに済む。そのため、時間的、経済的に有利となるからである。換言すれば、ラッピング工程の研削量Q/最終のガラス基板の厚みt≧15と表すことができる。また、ラッピング工程の研削量Q/最終のガラス基板の厚みt≦25と表すことができる。[端面研磨加工工程]次に、端面研磨加工工程として、第2ラッピング工程を終えたガラス基板の外周端面及び内周端面を、端面研磨機を用いて研磨加工する。[第1ポリッシング工程]次に、第1ポリッシング工程として、ガラス基板の両表面を研磨加工する。第1ポリッシング工程では、次の化学強化工程後に行われる第2ポリッシング工程で最終的に必要とされる面粗さが効率よく得られるようにガラス基板の表面の面粗さを向上させると共に、最終のガラス基板の形状が効率よく得られるように研磨加工を行う。研磨の方法は、ラッピング工程で使用したダイヤモンドペレット13,14及び研削液に代えて、研磨パッド及び研磨液を使用する以外は、図2及び図3に示した、第1及び2ラッピング工程で使用する両面研削機10と類似の構成の両面研磨機を使用する。研磨パッドは、硬度Aで80から90程度の硬質パッドが好ましく、例えば発泡ウレタンを使用するのが好ましい。研磨パッドの硬度が研磨による発熱により軟らかくなると、研磨面の形状変化が大きくなるため、硬質パッドを用いるのが好ましい。研磨液は、平均粒径が0.6μmから2.5μmの酸化セリウムを砥粒研磨材として使用し、この砥粒を水に分散させてスラリー状にしたものが好ましい。水と砥粒との混合比率は、概ね1:9から3:7程度が好ましい。上下の定盤によるガラス基板への加重は、90g/cm2から110g/cm2とするのが好ましい。この定盤による加重は、ガラス基板の外周端部の形状に大きく影響する。加重を大きくしていくと、ガラス基板の外周端部の内側が下がり外側に向かって上がる傾向を示す反りの形状。一方、加重を小さくしていくと、ガラス基板の外周端部は平面に近くなると共に、面ダレが大きくなる傾向を示す垂れの形状。ポリッシング工程では、一般に、こうした傾向を観察しながら加重を決めることができる。ガラス基板の主表面の面粗さを向上させるために、上下の定盤の回転数は、25rpmから50rpmとし、上定盤の回転数を下定盤の回転数よりも30から40程度遅くするのが好ましい。第1ポリッシング工程での研磨量は25μmから40μmとするのが好ましい。25μm未満では、キズや欠陥を十分に除去できない可能性がある。40μmを超えると、面粗さをRmaxが20nmから60nm、Raが2nmから4nmの範囲とすることができるが、必要以上に研磨を行うことになって製造効率が低下する可能性がある。[化学強化工程]次に、化学強化工程として、ガラス基板を化学強化処理液に浸漬することにより、ガラス基板の主表面、外周端面及び内周端面に化学強化層応力層を形成する。ガラス基板の主表面に化学強化層を形成することにより、ガラス基板の反りや主表面の粗面化を防止することができる。ガラス基板の外周端面及び内周端面に化学強化層を形成することにより、ガラス基板の耐衝撃性、耐振動性及び耐熱性等を向上させることができる。化学強化工程は、加熱された化学強化処理液にガラス基板を浸漬することによってガラス基板に含まれるリチウムイオン、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンをそれよりイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンで置換するイオン交換法により行われる。イオン半径の違いによって生じる歪みにより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス基板の主表面、外周端面及び内周端面が応力層によって強化される。ガラス基板の表面が応力層で強化される結果、ガラス基板の耐衝撃性がより一層改善される。化学強化処理液に特に制限はなく、公知の化学強化処理液を用いることができる。通常、カリウムイオンを含む溶融塩又はカリウムイオンとナトリウムイオンとを含む溶融塩を用いることが一般的である。カリウムイオンやナトリウムイオンを含む溶融塩としては、カリウムやナトリウムの硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩やこれらの混合溶融塩が挙げられる。これらのなかでも、融点が低く、ガラス基板の変形を防止できるという観点から、硝酸塩を用いることが好ましい。応力層の厚みは特に限定されるものではないが、30μm未満が好ましい。応力層の厚みが30μm以上になると、その後の加工でガラス基板の表面の平坦度や表面粗さを所望の規格に仕上げるのが困難となって好ましくないからである。[第2ポリッシング工程]次に、第2ポリッシング工程として、化学強化工程後のガラス基板の両表面をさらに精密に研磨加工する。第2ポリッシング工程では、第1ポリッシング工程で使用する両面研磨機と類似の構成の両面研磨機を使用する。第2ポリッシング工程で用いる研磨パッドは、第1ポリッシング工程で使用する研磨パッドよりも軟らかい硬度65から80Asker-C程度の軟質パッドが好ましく、例えば発泡ウレタンやスウェードを使用するのが好ましい。研磨液としては、第1ポリッシング工程と同様の酸化セリウム等を砥粒研磨材として含有するスラリーを用いることができる。ただし、ガラス基板の表面をより滑らかにするために、砥粒の粒径がより細かくバラツキが少ない研磨液を用いるのが好ましい。例えば、平均粒径が40nmから70nmのコロイダルシリカを砥粒研磨材として水に分散させてスラリー状にしたものを研磨液として用いることが好ましい。水と砥粒との混合比率は、概ね1:9から3:7程度が好ましい。上下の定盤によるガラス基板への加重は、90g/cm2から110g/cm2とするのが好ましい。また、上下の定盤の回転数は、15rpmから35rpmとし、上定盤の回転数を下定盤の回転数よりも30から40程度遅くするのが好ましい。第2ポリッシング工程の研磨条件を適宜調整することにより、ガラス基板の主表面の平坦度を3μm以下、ガラス基板の主表面の面粗さRaを0.1nmまで小さくすることができる。第2ポリッシング工程での研磨量は2μmから5μmとするのが好ましい。研磨量をこの範囲とすることにより、ガラス基板の表面に発生した微小な荒れやうねり、あるいはこれまでの工程で発生した微小なキズ痕といった微小欠陥を良好に除去することができる。この第2ポリッシング工程が終了した時点でのガラス基板が最終のガラス基板であり、その厚みが最終のガラス基板の厚みtとなる。[洗浄工程]次に、洗浄工程として、第2ポリッシング工程後のガラス基板をスクラブ洗浄する。ただし、スクラブ洗浄に限られず、ポリッシング工程後のガラス基板の表面を清浄にできる洗浄方法であればいずれの洗浄方法でも構わない。スクラブ洗浄されたガラス基板に対して、必要により、超音波による洗浄及び乾燥処理が行われる。乾燥処理は、ガラス基板の表面に残る洗浄液をIPAイソプロピルアルコール等を用いて除去した後、ガラス基板の表面を乾燥させる処理である。例えば、スクラブ洗浄後のガラス基板に水リンス洗浄工程を2分間行ない、洗浄液の残渣を除去する。次に、IPA洗浄工程を2分間行い、ガラス基板の表面に残る水をIPAにより除去する。最後に、IPA蒸気乾燥工程を2分間行い、ガラス基板の表面に付着している液状のIPAをIPA蒸気により除去しつつ乾燥させる。ガラス基板の乾燥処理としてはこれに限定されるわけではなく、スピン乾燥、エアーナイフ乾燥等、ガラス基板の乾燥方法として一般的に知られたいずれの乾燥方法でも構わない。[検査工程]次に、検査工程として、ガラス基板のキズ、割れ、異物の付着等の有無を目視にて検査する。目視では判別できない場合は、光学表面アナライザ例えば、KLA-TENCOL社製のOSA6100を用いて検査を行う。検査工程で良品と判定されたガラス基板は、異物等が表面に付着しないように、清浄な環境の中で、専用収納カセットに収納され、真空パックされた後、HDD用ガラス基板として出荷される。<HDD用ガラス基板>次に、前記のようにして製造されたHDD用ガラス基板について説明する。図4に示すように、本実施形態に係るHDD用ガラス基板50は、成型工程でブランクスの表面近傍に混入した異物や気泡あるいはキズ等の欠陥がラッピング工程で除去されているから、割れ難くなって、耐衝撃性が改善されている。また、化学強化工程でガラス基板50の表面に厚みが30μm未満の応力層化学強化層が形成されているから、ガラス基板50の表面が応力層で強化され、ガラス基板50の耐衝撃性がより一層改善されている。<HDD用磁気記録媒体>次に、前記HDD用ガラス基板50を用いて製造されたHDD用磁気記録媒体について説明する。本実施形態に係るHDD用磁気記録媒体は、前記HDD用ガラス基板50の主表面51の上に記録層としての磁性膜が設けられたことにより製造されたものである。磁性膜は主表面51の上に直接に又は間接に形成されてよい。磁性膜はガラス基板50の片面に又は両面に形成されてよい。磁性膜の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂をガラス基板50上にスピンコートして形成する方法や、スパッタリングや無電解めっきにより形成する方法等が挙げられる。スピンコート法での膜厚は約0.3μm~1.2μm程度、スパッタリング法での膜厚は0.04μm~0.08μm程度、無電解めっき法での膜厚は0.05μm~0.1μm程度であり、薄膜化及び高密度化の観点からは、スパッタリング法や無電解めっき法による膜形成が好ましい。磁性膜に用いる磁性材料としては特に限定はなく、従来公知のものが使用できる。なかでも、高い保持力を得るために結晶異方性の高いCoを基本材料とし、残留磁束密度を調整する目的でNiやCrを加えたCo系合金等が好適である。具体的には、Coを主成分とするCoPt、CoCr、CoNi、CoNiCr、CoCrTa、CoPtCr、CoNiPt、CoNiCrPt、CoNiCrTa、CoCrPtTa、CoCrPtB、CoCrPtSiO等が好ましい。磁性膜は、非磁性膜例えば、Cr、CrMo、CrV等で分割し、ノイズの低減を図った多層構成例えば、CoPtCr/CrMo/CoPtCr、CoCrPtTa/CrMo/CoCrPtTa等としてもよい。前記磁性材料の他、フェライト系や鉄-希土類系のものや、SiO2、BN等からなる非磁性膜中に、Fe、Co、FeCo、CoNiPt等の磁性粒子を分散させた構造のグラニュラー等でもよい。磁性膜は、内面型及び垂直型のいずれの記録形式であってもよい。磁気ヘッドの滑りをよくするために磁性膜の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテルPFPEをフレオン系等の溶媒で希釈したもの等が挙げられる。本実施形態では、必要に応じて、記録層としての磁性膜の他に、下地層や保護層を設けてもよい。HDD用磁気記録媒体における下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、Ni等の非磁性金属からなる群より選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。Coを主成分とする磁性膜の場合は、磁気特性の向上等の観点から、Cr単体やCr合金であることが好ましい。下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等の多層下地層とすることができる。保護層は、磁性膜の摩耗や腐食を防止するために設けられる。保護層としては、例えば、Cr層、Cr合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層等が挙げられる。これらの保護層は、下地層や磁性膜等と共に、インライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構造としてもよい。前記保護層上に、あるいは前記保護層に代えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、前記保護層に代えて、Cr層の上にテトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成することにより、二酸化ケイ素SiO2層を形成してもよい。以上のように、基板として本実施形態に係るHDD用ガラス基板50を用いて製造されたHDD用磁気記録媒体をHDDに用いることで、HDDの高速回転時の磁気ヘッドの動作を安定にすることができる。また、本実施形態に係るHDD用ガラス基板50を用いて製造されたHDD用磁気記録媒体によれば、割れ難く、耐衝撃性が改善されたHDD用ガラス基板50が用いられているから、HDD用磁気記録媒体もまた、割れ難く、耐衝撃性が改善されていることになる。なお、本実施形態では、ラッピング工程及びポリッシング工程は、2回に分けて行ったが、これに限らず、1回のみ行ってもよい。また、化学強化工程を第2ポリッシング工程の前に行ったが、状況に応じて第2ポリッシング工程の後に行ってもよい。また、状況に応じて化学強化工程を省略することもできる。さらに、落下強度対策として、ガラス基板の主表面以外の外周端面や内周端面の強化を行ってもよいし、ガラス基板に生じたキズのエッジ緩和処理として、ガラス基板をHF浸漬処理に供してもよい。本実施形態に係るHDD用ガラス基板は、HDD用磁気記録媒体の製造用途に限定されるものではなく、例えば、光磁気ディスクや光ディスク等の製造用途にも用いることができる。以下、実施例及び比較例を通して、本発明をさらに詳しく説明する。ただし、本発明はこの実施例に限定されるものではない。<HDD用ガラス基板の製造>図1の製造工程に従って、HDD用ガラス基板を製造した。[1.ガラス溶融工程、成形工程]ガラス素材として、Tgが480°Cのアルミノシリケートガラスを用い、溶融したガラス素材をプレス成形して、外径が68mmの円板状のブランクスを作製した。ブランクスの厚みは、実施例1が1.05mm、実施例2が1.03mm、実施例3が0.95mm、比較例1が0.93mmとした表1参照。[2.熱処理工程]外形が70mm、厚みが2mm、材質がアルミナのセッターとブランクスとを交互に積層し、約430°Cに設定された高温の電気炉を2時間かけて通過させることにより、ブランクスの反りや内部応力を低減させた。[3.第1ラッピング工程]ブランクスの両表面を両面研削機HAMAI社製を用いて研削加工した。研削条件として、ダイヤモンドペレットは1200メッシュのものを用い、加重は100g/cm2とし、上定盤の回転数は20rpmとし、下定盤の回転数は30rpmとした。得られたブランクスの平坦度は15μm、表面粗さRaは0.5μmであった。[4.コアリング加工工程]円筒状のダイヤモンド砥石を備えたコアドリルを用いてブランクスの中心部に直径が18mmの円形の穴を開けた。[5.内外径加工工程]鼓状のダイヤモンド砥石を用いて、ブランクスの外周端面及び内周端面を、外径65mm、内径20mmに内外径加工した。[6.第2ラッピング工程]ブランクスの両表面を両面研削機HAMAI社製を用いて再び研削加工した。研削条件として、ダイヤモンドペレットは1700メッシュのものを用い、加重は100g/cm2とし、上定盤の回転数は20rpmとし、下定盤の回転数は30rpmとした。得られたブランクスの平坦度は10μm、表面粗さRaは0.25μmであった。第1及び第2ラッピング工程の合計の研削量Qは、実施例1が0.22mm、実施例2が0.2mm、実施例3が0.12mm、比較例1が0.1mmとした表1参照。その結果、ブランクスの厚みは、いずれも0.83mmとなった。[7.端面研磨加工工程]ブランクスを100枚重ね、この状態で、ブランクスの外周端面及び内周端面を、端面研磨機を用いて研磨加工した。研磨機のブラシ毛として、直径が0.2mmのナイロン繊維を用いた。研磨液は、平均粒径が3μmの酸化セリウムを砥粒研磨材として含有するスラリーを用いた。得られたブランクスの内周端面の面粗さは、Raが0.03μmであった。[8.第1ポリッシング工程]ブランクスの両表面を両面研磨機HAMAI社製を用いて研磨加工した。研磨条件として、研磨パッドは、硬度Aで80度の発泡ウレタン製のものを用い、研磨液は、平均粒径が1.5μmの酸化セリウムを砥粒研磨材として水に分散させてスラリー状にしたものを用い、水と砥粒との混合比率は、2:8とした。また、加重は100g/cm2とし、上定盤の回転数は30rpmとし、下定盤の回転数は50rpmとした。得られたブランクスの平坦度は4μm、表面粗さRaは0.7nmであった。第1ポリッシング工程の研磨量は、実施例1~3及び比較例1のいずれも25μmとした。[9.化学強化工程]ブランクスを化学強化処理液に浸漬してブランクスの表面に化学強化層応力層を形成した。化学強化処理液として、硝酸カリウムKNO3と硝酸ナトリウムNaNO3との混合溶融塩の水溶液を用いた。混合比は質量比で1:1とした。化学強化処理液の温度は380°Cとし、浸漬時間は25分とした。得られた応力層の厚みは約10μmであった。[10.第2ポリッシング工程]ブランクスの両表面を両面研磨機HAMAI社製を用いてさらに精密に研磨加工した。研磨条件として、研磨パッドは、硬度がAsker-Cで70度の発泡ウレタン製のものを用い、研磨液は、平均粒径が60nmのコロイダルシリカを砥粒研磨材として水に分散させてスラリー状にしたものを用い、水と砥粒との混合比率は、2:8とした。また、加重は90g/cm2とし、上定盤の回転数は20rpmとし、下定盤の回転数は30rpmとした。得られたガラス基板の平坦度は2μm、表面粗さRaは0.1nmであった。第2ポリッシング工程の研磨量は、実施例1~3及び比較例1のいずれも5μmとした。その結果、最終のガラス基板の厚みtは、いずれも0.8mmとなった表1参照。[11.洗浄工程]ガラス基板をスクラブ洗浄した。洗浄液として、水酸化カリウムKOHと水酸化ナトリウムNaOHとを質量比で1:1に混合したものを超純水DI水で希釈し、洗浄能力を高めるために非イオン界面活性剤を添加して得られた液体を用いた。洗浄液の供給は、スプレー噴霧によって行った。スクラブ洗浄後、ガラス基板の表面に残る洗浄液を除去するために、水リンス洗浄工程を超音波槽で2分間行い、IPA洗浄工程を超音波槽で2分間行い、最後に、IPA蒸気によりガラス基板の表面を乾燥させた。<HDD用磁気記録媒体の製造>得られたガラス基板の主表面の上に磁性膜記録層を設けて磁気記録媒体とした。すなわち、ガラス基板側から、Ni-Alからなる下地層厚み約100nm、Co-Cr-Ptからなる記録層厚み20nm、DLCDiamondLikeCarbonからなる保護膜厚み5nmを順次積層した。磁気記録媒体は、実施例1~3及び比較例1のいずれも100枚作製した。<HDD用磁気記録媒体の評価>作製した磁気記録媒体の耐衝撃性を評価するために、磁気記録媒体をHDDハードディスクドライブに装填し、図5に示す試験装置を用いて落下衝撃試験を行った。図5において、符号21は支柱、符号22は衝突台、符号23は被試験物載置台、符号24は衝撃G値測定器、符号Xは磁気記録媒体を装填したHDDである。ハードディスクドライブXに磁気記録媒体を2枚組み込み、衝撃G値測定器24と共に被試験物載置台23に固定する。1mの高さから載置台23ごと落下させて衝突台22に衝突させる。ハードディスクドライブXを分解し、磁気記録媒体が割れているか否かを目視で確認した。2枚のうち1枚でも割れていれば割れがあったと判定し、2枚とも割れていないときに割れがなかったと判定した。試験は、900G、1000G、1100G、1200G、1300Gの順に行った。ハードディスクドライブXは一度に5台を載置台23に載せた。割れがあったハードディスクドライブXは、新しい2枚の磁気記録媒体を組み込んだハードディスクドライブXと交換した。割れがなかったハードディスクドライブXは、そのまま次の高Gの試験に供した。実施例1~3及び比較例1ごとに、各Gにおいて、5台のハードディスクドライブXのうち何台に割れがなかったかを記録した。結果を表1に示す。<結果の考察>比較例1が結果に劣っていたのは、ラッピング工程の研削量Qが相対的に少なく、ラッピング工程の研削量Q/最終のガラス基板の厚みt<15であった12.5から、成型工程で混入した異物や気泡あるいはキズ等の欠陥が最終のガラス基板に残存していたためと考えられる。これに対し、実施例1~3が結果に優れていたのは、ラッピング工程の研削量Qが相対的に多く、ラッピング工程の研削量Q/最終のガラス基板の厚みt≧15であった15、25、27.5から、成型工程で混入した異物や気泡あるいはキズ等の欠陥がラッピング工程で除去されたためと考えられる。特に、ラッピング工程の研削量Q/最終のガラス基板の厚みtが15の実施例3よりも、ラッピング工程の研削量Q/最終のガラス基板の厚みtが25の実施例2のほうが、さらに耐衝撃性に優れていたが、ラッピング工程の研削量Q/最終のガラス基板の厚みtが27.5の実施例1は実施例2と評価は同じであった。このことから、実施例1までブランクスの厚みを厚くする必要は必ずしもない場合があるということができる。"