光電変換部と、一方の面に前記光電変換部が形成された基板と、を有し、前記基板は、前記一方の面の裏面に凹部を有し、前記凹部を有する側が凸になるように、湾曲していることを特徴とする、太陽電池。前記凹部の断面が円弧状であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記基板の線膨張率は、前記光電変換部の線膨張率よりも小さいことを特徴とする、請求項1又は2に記載の太陽電池。前記光電変換部は、該光電変換部の厚さ方向に並列するように配置された第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極の間に配設された光電変換層と、を有し、前記光電変換部は、発電部及び非発電部を有し、前記第1電極及び前記第2電極は前記非発電部で接続されており、前記第1電極及び前記第2電極の接続箇所の一方の側に、前記第1電極の厚さ方向を貫通する第1溝を有し、前記第1電極及び前記第2電極の接続箇所の他方の側に、前記第2電極の厚さ方向を貫通する第2溝を有し、前記非発電部は、前記第1電極及び前記第2電極の接続箇所を挟むように配置された前記第1溝及び前記第2溝によって画定され、隣接する前記非発電部の幅方向の中央の間隔をL1、前記凹部の前記幅方向の長さをL2とするとき、L2=nL1nは正の整数であることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の太陽電池。基板の一方の面に凹部を形成する凹部形成工程と、前記基板の前記一方の面の裏面に光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、前記光電変換部が形成された前記基板を、前記凹部が形成されている側が凸になるように湾曲させる湾曲工程と、を有することを特徴とする、太陽電池の製造方法。前記凹部形成工程が、断面が円弧状の前記凹部を形成する工程であることを特徴とする、請求項5に記載の太陽電池の製造方法。前記基板の線膨張率は、前記光電変換部の線膨張率よりも小さいことを特徴とする、請求項5又は6に記載の太陽電池の製造方法。前記光電変換部形成工程は、前記凹部が形成された前記基板の面の裏面に第1電極を形成する第1電極形成工程と、形成された前記第1電極の厚さ方向を貫通する第1溝を形成する第1溝形成工程と、前記第1溝が形成された前記第1電極の表面に光電変換層を形成する光電変換層形成工程と、形成された前記光電変換層に溝を形成して前記第1電極の一部表面を露出させる露出工程と、前記光電変換層及び一部表面が露出している前記第1電極の表面に第2電極を形成することにより、前記光電変換層の表面に前記第2電極を形成し且つ前記第1電極及び前記第2電極を接続する第2電極形成工程と、形成された前記第2電極の厚さ方向を貫通する第2溝を形成する第2溝形成工程と、を有し、前記第1電極及び前記第2電極の接続箇所を挟むように配置された前記第1溝及び前記第2溝によって画定される、隣接する非発電部の幅方向の中央の間隔をL1、前記凹部の前記幅方向の長さをL2とするとき、前記第2溝形成工程が、L2=nL1nは正の整数となるように、前記第2溝を形成する工程であることを特徴とする、請求項5~7のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。非特許文献1に開示されているように、001面内に引張ひずみを持つSi中では、電子及び正孔の面内方向移動度が増大する。そのため、太陽電池の光電変換層光吸収層で生成された電子及び正孔が移動する方向に引張ひずみを付与できれば、電子及び正孔の移動度を増大させることが可能になり、太陽電池の変換効率を向上させることが可能になると考えられる。ここで、非特許文献1に開示されているSi電界効果トランジスタでは、Siよりも格子定数が大きいSiGe上にSiを成長させてSiにひずみを付与する。ところが、太陽電池では光電変換層と電極とを接続する必要があるため、非特許文献1に開示されている技術を太陽電池へそのまま適用することは困難であった。また、特許文献1に開示されている技術によれば、封止基板に反射板が取り外し可能に固定されているので、メンテナンス性を向上させることが可能になると考えられる。特許文献1にかかる太陽電池モジュールには、薄膜系太陽電池を適用可能と考えられるが、薄膜系太陽電池に引張ひずみを付与することについて、特許文献1では検討されていない。また、特許文献2で想定している多結晶シリコンを用いた太陽電池では、ウエハが反るとウエハが損傷したり割れたりするため、特許文献2には、ウエハのひずみを低減して反りを防止するための技術が開示されている。それゆえ、特許文献1、特許文献2、及び、非特許文献1に開示されている技術を組み合わせたとしても、電子及び正孔の移動度を増大させた太陽電池を提供することは困難であり、変換効率を向上させた太陽電池を提供することは困難であった。そこで本発明は、変換効率を向上させることが可能な太陽電池及びその製造方法を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明は以下の手段をとる。すなわち、本発明の第1の態様は、光電変換部と、一方の面に光電変換部が形成された基板と、を有し、該基板は、上記一方の面の裏面に凹部を有し、該凹部を有する側が凸になるように、湾曲していることを特徴とする、太陽電池である。本発明における光電変換部は、いわゆる薄膜系太陽電池の光電変換層光吸収層に相当する層を含んでいる。薄膜系太陽電池の光電変換層は、単結晶シリコンや多結晶シリコンを用いた太陽電池の光電変換層よりも厚さが薄いため、湾曲させても破損し難い。凹部を有する側が凸になるように湾曲させることにより、光電変換部の面内方向には圧縮応力を付与することが可能になり、光電変換部の厚さ方向には引張応力を付与することが可能になる。光電変換部の厚さ方向に引張応力が付与されることにより、光電変換部で発生させた電子及び正孔が光電変換部の厚さ方向へと移動する際の移動度を増大させることが可能になる。電子及び正孔の移動度を増大させることにより、変換効率を向上させることが可能になる。したがって、かかる形態とすることにより、光電変換効率を向上させることが可能な太陽電池を提供することができる。また、上記本発明の第1の態様において、凹部の断面が円弧状であることが好ましい。かかる形態とすることにより、上記効果に加えて、基板の破損を抑制することが容易になる。また、上記本発明の第1の態様において、基板の線膨張率は、光電変換部の線膨張率よりも小さいことが好ましい。かかる形態とすることにより、太陽電池の温度上昇時に、光電変換部の面内方向に圧縮応力を、光電変換部の厚さ方向に引張応力を付与することが可能になるので、温度上昇時の変換効率の低下を抑制することが可能になる。また、上記本発明の第1の態様において、光電変換部は、該光電変換部の厚さ方向に並列するように配置された第1電極及び第2電極と、第1電極及び第2電極の間に配設された光電変換層と、を有し、光電変換部は、発電部及び非発電部を有し、第1電極及び第2電極は非発電部で接続されており、第1電極及び第2電極の接続箇所の一方の側に、第1電極の厚さ方向を貫通する第1溝を有し、第1電極及び第2電極の接続箇所の他方の側に、第2電極の厚さ方向を貫通する第2溝を有し、非発電部は、第1電極及び第2電極の接続箇所を挟むように配置された第1溝及び第2溝によって画定され、隣接する非発電部の幅方向の中央の間隔をL1、凹部の上記幅方向の長さをL2とするとき、L2=nL1nは正の整数であることが好ましい。かかる形態とすることにより、隣接する凹部の境目に相当する部位凸部を非発電部の裏面側に位置させることが可能になるので、すべての発電部の厚さ方向に引張応力を付与することが可能になる。それゆえ、かかる形態とすることにより、光電変換効率を向上させることが容易になる。本発明の第2の態様は、基板の一方の面に凹部を形成する凹部形成工程と、基板の上記一方の面の裏面に光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、光電変換部が形成された基板を、凹部が形成されている側が凸になるように湾曲させる湾曲工程と、を有することを特徴とする、太陽電池の製造方法である。本発明の第2の態様によれば、上記本発明の第1の態様にかかる太陽電池を製造することが可能になる。光電変換部を形成した後に凹部側が凸になるように湾曲させることにより、光電変換部の厚さ方向に引張応力を付与することが可能になる。したがって、本発明の第2の態様によれば、光電変換効率を向上させることが可能な太陽電池の製造方法を提供することができる。また、上記本発明の第2の態様において、凹部形成工程が、断面が円弧状の凹部を形成する工程であることが好ましい。かかる形態とすることにより、上記効果に加えて、基板の破損を抑制することが容易になる。また、上記本発明の第2の態様において、基板の線膨張率は、光電変換部の線膨張率よりも小さいことが好ましい。このような基板及び光電変換部を用いて太陽電池を製造することにより、太陽電池の温度上昇時に、光電変換部の面内方向に圧縮応力を、光電変換部の厚さ方向に引張応力を付与することが可能になるので、温度上昇時の変換効率の低下を抑制することが可能になる。また、上記本発明の第2の態様において、光電変換部形成工程は、凹部が形成された基板の面の裏面に第1電極を形成する第1電極形成工程と、形成された第1電極の厚さ方向を貫通する第1溝を形成する第1溝形成工程と、第1溝が形成された第1電極の表面に光電変換層を形成する光電変換層形成工程と、形成された光電変換層に溝を形成して第1電極の一部表面を露出させる露出工程と、光電変換層及び一部表面が露出している第1電極の表面に第2電極を形成することにより、光電変換層の表面に第2電極を形成し且つ第1電極及び第2電極を接続する第2電極形成工程と、形成された第2電極の厚さ方向を貫通する第2溝を形成する第2溝形成工程と、を有し、第1電極及び第2電極の接続箇所を挟むように配置された第1溝及び第2溝によって画定される、隣接する非発電部の幅方向の中央の間隔をL1、凹部の上記幅方向の長さをL2とするとき、第2溝形成工程が、L2=nL1nは正の整数となるように、第2溝を形成する工程であることが好ましい。かかる形態とすることにより、隣接する凹部の境目に相当する部位を非発電部の裏面側に位置させることが可能になるので、すべての発電部の厚さ方向に引張応力を付与することが可能になる。それゆえ、かかる形態とすることにより、光電変換効率を向上させることが容易になる。本発明によれば、変換効率を向上させることが可能な、太陽電池及びその製造方法を提供することができる。本発明者らは、電極が接続される太陽電池の光電変換層に引張ひずみを付与することにより、光電変換層内における電子及び正孔の移動度を増大して変換効率の向上を図る具体的な構成について検討した。その結果、1凹部を有する基板を用いること、2凹部の裏面側又は、凹部が形成されるべき面の裏面側に光電変換層を形成すること、及び、3基板へ光電変換層を形成した後に、基板の凹部側が凸になるように基板及び光電変換層を湾曲させることにより、変換効率を向上させることが可能になることを知見した。さらに、本発明者らは、4一対の電極を光電変換層の厚さ方向に並列するように配置することにより、電極へ向かって移動する電子及び正孔の移動度を増大させることが可能になる結果、変換効率を向上させやすくなること、及び、5隣接する凹部の境目凸部を光電変換層における非発電部の裏面側に存在させることにより、変換効率を向上させやすくなることを知見した。加えて、本発明者らは、6光電変換層よりも線膨張率が小さい材料によって基板を構成することにより、温度上昇時における太陽電池の変換効率低下を抑制することが可能になること、及び、7凹部の断面を円弧状にすることにより基板の破損を抑制することが可能になることも知見した。本発明者らは、これらの知見に基づいて、本発明を完成させた。以下、図面を参照しつつ、本発明について説明する。図面では、複数備えられる同様の構成の一部にのみ符号を付すことがあり、本発明に関する説明では、湾曲させる前の各構成要素の符号に’を付す。なお、以下に示す形態は本発明の例示であり、本発明は以下に示す形態に限定されるものではない。図1は、本発明の太陽電池10を説明する断面図である。図1の紙面上下方向が、光電変換部2の厚さ方向である。本発明の全体像を理解しやすくするため、図1では、光電変換部2やフレーム3等を簡略化して示している。図1に示したように、太陽電池10は、下側に凸になるように湾曲している基板1と、該基板1の上側に形成されている光電変換部2と、基板1及び光電変換部2の縁を支持し固定するフレーム3、3と、を有している。基板1の下面には、断面が円弧状である複数の凹部1x、1x、...が形成されている。光電変換部2の上側には保護フィルム4が配設されており、光電変換部2と保護フィルム4との間に充填されている封止樹脂5によって、光電変換部2及び保護フィルム4が接合されている。また、基板1の下側にはバックシート6が配設されており、基板1とバックシート6との間に充填されている封止樹脂7によって、基板1及びバックシート6が接合されている。太陽電池10において、基板1は、光電変換部2を構成する材料よりも線膨張率が小さい材料によって構成されている。図2は、湾曲させる前の基板基板1’の下面図である。図2の紙面奥/手前方向が、基板1’の厚さ方向である。図2に示したように、基板1’の下面に形成されている複数の凹部1x、1x、...は、図2の紙面上下方向に延びた溝状の形態をしている。図3は、湾曲させる前の基板基板1’及び光電変換部光電変換部2’を簡略化して示す側面図である。また、図4は、点線で囲んだ図3の部位を拡大して示す図である。図3及び図4の紙面上下方向が、光電変換部2’の厚さ方向である。図3及び図4に示したように、光電変換部2’は、基板1’の上面に形成された裏面電極2a’と、該裏面電極2a’の上面に形成された光電変換層2b’と、該光電変換層2b’の上面に形成された透明電極2c’と、を有している。裏面電極2a’には、該裏面電極2a’の厚さ方向を貫通する、図4の紙面奥/手前方向に延びた第1溝2d’、2d’、...が所定の間隔で形成されている。また、光電変換層2b’には、該光電変換層2b’の厚さ方向を貫通する、図4の紙面奥/手前方向に延びた溝2e’、2e’、...が所定の間隔で形成されており、該溝2e’、2e’、...に透明電極2c’の一部が配設されることにより、裏面電極2a’と透明電極2c’とが所定の間隔毎に接続されている。また、光電変換層2b’及び透明電極2c’には、これらの厚さ方向を貫通する、図4の紙面奥/手前方向に延びた第2溝2f’、2f’、...が所定の間隔で形成されている。裏面電極2a’と透明電極2c’とが接続されている箇所を挟むように形成されている第1溝2d’、2d’、...、及び、第2溝2f’、2f’、...によって画定される部位が非発電部2g’、2g’、...であり、非発電部2g’、2g’、...に挟まれた部位が発電部2h’、2h’、...である。隣接する非発電部2g’、2g’の、図4の紙面左右方向幅方向の長さの中央同士の間隔をL1とし、図4の紙面左右方向幅方向の凹部1x’の幅をL2とするとき、基板1’及び光電変換部2’では、L1=L2とされている。そして、隣接する凹部1x’、1x’、...の境目となる凸部1y’、1y’、...は、図4に示したように、非発電部2g’、2g’、...の下側に存在している。図5は、湾曲させた基板1及び光電変換部2を説明する図である。図5の紙面上下方向が、光電変換部2の厚さ方向である。図5では、光電変換部2を簡略化して示している。図3に示した基板1’及び光電変換部2’は、例えば、図5に示したように、間隔を開けて配置した部材8、8の上に置くことにより、自重によって、凹部1x、1x、...及び凸部1y、1y、...を有する側以下において、基板1の裏面側ということがある。が凸になるように湾曲させることができる。基板1の裏面側が凸になるように湾曲させると、光電変換部2の面内方向換言すれば湾曲している基板1の上面に平行な方向。以下において同じ。には圧縮応力が付与される。光電変換部2は弾性体なので、光電変換部2の面内方向に圧縮応力が付与されている状態下では、光電変換部2の厚さ方向に引張応力が付与される。上述したように、引張応力を付与することにより、引張応力を付与した方向への電子及び正孔の移動度を増大させることが可能になる。したがって、基板1及び光電変換部2を備えた太陽電池10によれば、電界効果トランジスタのようにSiGe層等の層を設けなくても、光電変換層2bから透明電極2cへと向かう正孔の移動度、及び、光電変換層2bから裏面電極2aへと向かう電子の移動度を増大させることが可能になるので、変換効率を向上させることが可能になる。また、一般に、太陽電池は温度上昇に伴って変換効率が低減する。ところが、太陽電池10は、光電変換部2を構成する材料よりも線膨張率が小さい材料によって構成された基板1を有している。基板1は光電変換部2よりも膨張し難いので、太陽電池10の温度が上昇すると、基板1によって光電変換部2の膨張が抑制され、その結果、光電変換部2の面内方向には圧縮応力が付与され、光電変換部2の厚さ方向には引張応力が付与される。ここで、光電変換部2の厚さ方向に引張応力が付与されることにより、光電変換層2bから透明電極2cへと向かう正孔の移動度、及び、光電変換層2bから裏面電極2aへと向かう電子の移動度を増大させることが可能になる。したがって、太陽電池10によれば、温度上昇に伴う変換効率の低下を抑制することが可能になる。このような特徴を有する太陽電池10は、例えば、図6に示した各工程を経て作製することができる。具体的には、凹部形成工程S1と、光電変換部形成工程S2と、湾曲工程S3と、バックシート配設工程S4と、保護フィルム配設工程S5と、フレーム配設工程S6と、を経て、太陽電池10を製造することができる。凹部形成工程以下において、S1ということがある。は、基板1’の一方の面に凹部1x’、1x’、...を形成する工程である。S1は、基板1’の一方の面裏面に凹部1x’、1x’、...を形成可能であれば、その形態は特に限定されない。S1は、例えば、厚さ数mmの石英ガラス基板の裏面にレーザーを照射することにより、円弧状断面の5mm幅の凹部1x’、1x’、...を形成する工程、とすることができる。光電変換部形成工程以下において、S2ということがある。は、上記S1終了後に、凹部1x’、1x’、...が形成されていない基板1’の表面凹部1x’、1x’、...が形成されている面の反対側の面に、光電変換部2’を形成する工程である。S2は、基板1’の表面に光電変換部2’を形成可能であれば、その形態は特に限定されない。S2は、裏面電極2a’を形成するステップと、裏面電極2a’の厚さ方向を貫通する第1溝2d’、2d’、...を形成するステップと、第1溝2d’、2d’、...形成後に光電変換層2b’を形成するステップと、光電変換層2b’の厚さ方向を貫通する溝2e’、2e’、...を形成するステップと、溝2e’、2e’、...形成後に透明電極2c’を形成するステップと、透明電極2c’形成後に第2溝2f’、2f’、...を形成するステップと、を有している。裏面電極2a’は、例えば、基板1’の表面にスパッタリング法等によって形成することができる。また、第1溝2d’、2d’、...は、例えば、レーザースクライブ法等によって形成することができる。また、光電変換層2b’は、例えば、化学気相成長法CVD法等によって形成することができる。また、溝2e’、2e’、...は、例えば、レーザースクライブ法等によって形成することができる。また、透明電極2c’は、例えば、スパッタリング法等によって形成することができる。また、第2溝2f’、2f’、...は、例えば、メカニカルスクライブ法等によって形成することができる。なお、太陽電池10はL1=L2なので、第1溝2d’、2d’、...、溝2e’、2e’、...、及び、第2溝2f’、2f’、...は、5mm間隔で形成すれば良い。また、第1溝2d’、2d’、...、溝2e’、2e’、...、及び、第2溝2f’、2f’、...の幅は特に限定されず、例えば、数十μm程度とすることができる。湾曲工程以下において、S3ということがある。は、上記S2終了後に、基板1’の裏面側が凸になるように、光電変換部2’が形成されている基板1’を湾曲させる工程である。S3は、光電変換部2’が形成されている基板1’の裏面側が凸になるように湾曲させることができれば、その形態は特に限定されない。S3は、例えば、所定の間隔で配置した部材8、8の上へ、基板1’の裏面側が下になるように、光電変換部2’が形成されている基板1’を配置することにより、自重によって、光電変換部2’が形成されている基板1’の裏面側が凸になるように湾曲させる工程、とすることができる。バックシート配設工程以下において、S4ということがある。は、上記S3終了後に、湾曲している基板1の裏面側にバックシート6を配設する工程である。S4は、基板1の裏面側にバックシート6を配設可能であれば、その形態は特に限定されない。S4は、例えば、断面が円弧状の凹部を上面に有し、且つ、下側からの真空引きを可能にする孔を上面に有する型の上にバックシート6を置き、このバックシート6の上に封止樹脂シートを置いた後、封止樹脂シートと基板1とが接触するように、光電変換部2が形成されている基板1を置き、次いで、真空引きしながら赤外線を用いて加熱することにより、封止樹脂7を介してバックシート6と基板1とを接合し封止する工程、とすることができる。なお、バックシート配設工程は、保護フィルム配設工程の後に、又は、保護フィルム配設工程と同時に行っても良い。保護フィルム配設工程以下において、S5ということがある。は、上記S4終了後に、湾曲している基板1の表面側光電変換部2側。以下において同じ。に保護フィルム4を配設する工程である。S5は、基板1の表面側に保護フィルム4を配設可能であれば、その形態は特に限定されない。S5は、例えば、光電変換部2の上面に封止樹脂シートを置き、この封止樹脂シートの上に保護フィルム4を置いた後、断面が円弧状の凹部を下面に有し、且つ、上側からの真空引きを可能にする孔を下面に有する型を保護フィルム4の上に置き、次いで、真空引きしながら赤外線を用いて加熱することにより、封止樹脂5を介して保護フィルム4と光電変換部2とを接合し封止する工程、とすることができる。なお、保護フィルム配設工程は、バックシート配設工程の前に、又は、バックシート配設工程と同時に行っても良い。フレーム配設工程以下において、S6ということがある。は、上記S4及びS5終了後に、基板1の縁にフレーム3、3、...を配設することにより、基板1及び光電変換部2を湾曲させたまま固定する工程である。S6は、上記S1乃至S5を経て作製した湾曲させた構造体の縁にフレームを配設可能であれば、その形態は特に限定されない。S6は、例えば、保護フィルム4やバックシート6と接触すべき面に、接着剤としても機能するシール材を塗布したフレーム3、3、...を、上記S1乃至S5を経て作製した湾曲させた構造体の縁に取り付け、隣接するフレーム3、3同士をネジ締結する工程、とすることができる。太陽電池10は、例えば上記S1乃至S6を経て製造することができる。上記S1乃至S6により製造可能な太陽電池10は、上述したように、変換効率を向上させることが可能であり、温度上昇に伴う変換効率の低下を抑制することが可能である。したがって、本発明によれば、変換効率を向上させることが可能であり、温度上昇に伴う変換効率の低下を抑制することが可能な太陽電池10を製造し得る、太陽電池の製造方法を提供することができる。本発明の太陽電池の製造方法に関する上記説明では、凹部形成工程の後に光電変換部形成工程を行う形態を例示したが、本発明は当該形態に限定されない。本発明の太陽電池の製造方法は、光電変換部形成工程の後に凹部形成工程を行う形態、すなわち、基板の一方の面に光電変換部を形成した後に、光電変換部が形成された基板面の裏面に凹部を形成する形態とすることも可能である。ただし、変換効率を向上させやすい太陽電池を製造可能にする等の観点からは、凹部形成工程の後に光電変換部形成工程を行う形態とすることが好ましい。本発明の太陽電池及びその製造方法に関する上記説明では、断面が円弧状の凹部1x、1x、...が備えられる形態を例示したが、本発明は当該形態に限定されない。基板の凹部の断面形状は、四角形等の多角形形状とすることも可能である。ただし、基板の破損を抑制しやすい形態にする等の観点からは、断面が円弧状の凹部が備えられる形態とすることが好ましい。また、本発明の太陽電池及びその製造方法に関する上記説明では、光電変換部2よりも線膨張率が小さい材料によって構成された基板1を用いる形態を例示したが、本発明は当該形態に限定されない。本発明の太陽電池、及び、本発明の太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池以下において、単に本発明の太陽電池という。は、光電変換部の構成材料と線膨張率が等しい材料によって構成した基板を有していても良く、光電変換部の構成材料よりも線膨張率が大きい材料によって構成した基板を有していても良い。ただし、温度上昇時の変換効率低下を抑制防止し得る形態にする等の観点からは、光電変換部よりも線膨張率が小さい材料によって構成された基板が備えられる形態とすることが好ましい。また、本発明の太陽電池及びその製造方法に関する上記説明では、L2=L1である形態を例示したが、本発明は当該形態に限定されない。すべての光電変換部の発電部の厚さ方向へ引張応力を満遍なく付与可能な形態とすることにより、変換効率を向上させやすい太陽電池及びその製造方法を提供可能にする等の観点からは、L2=nL1nは正の整数とすることが好ましい。L2=2L1やL2=5L1とした場合であっても、基板の裏面側に存在する、隣り合う凹部の境目となる凸部を、非発電部の裏面側に位置させることが可能になるので、すべての光電変換部の発電部の厚さ方向へ引張応力を満遍なく付与することが可能になり、その結果、変換効率を向上させることが容易になる。これに対し、L2≠nL1nは正の整数にすると、基板の裏面側に存在する、隣り合う凹部の境目となる凸部の少なくとも一部は、発電部の裏面側に位置することになるため、すべての発電部の厚さ方向へ引張応力を満遍なく付与し難くなる。しかしながら、かかる形態であっても、少なくとも一部の発電部には、厚さ方向へ引張応力が付与されるので、太陽電池の変換効率を向上させることが可能になる。本発明において、基板1は、薄膜系太陽電池の光電変換部を形成可能な公知の基板を適宜用いることができる。そのような基板の材料としては、石英ガラスやSiO2絶縁膜をコーティングしたタングステン等を例示することができる。本発明において、光電変換部2よりも線膨張率が小さい材料によって構成された基板1とする場合、光電変換部2の形態光電変換部2の構成材料に応じて、基板1の構成材料を適宜選択すれば良い。例えば、光電変換層2bを薄膜Siとする場合、線膨張率が約3.0×10-6[°C-1]であるSiよりも線膨張率が小さい物質例えば、線膨張率が約5.6×10-7[°C-1]である石英を基板1の構成材料にすれば良い。このほか、例えば、光電変換層2bを線膨張率が約9.0×10-6[°C-1]である化合物半導体によって構成する場合、線膨張率が約4.3×10-6[°C-1]であるタングステンSiO2絶縁膜をコーティングしたタングステン等を基板1の構成材料にすれば良い。また、裏面電極2a’は、薄膜系太陽電池の裏面電極に用いることが可能な公知の材料によって構成することができる。そのような材料としては、Ag、Mo、Al、Cu、Ti等を例示することができる。また、光電変換層2b’は、薄膜系太陽電池の光電変換層として公知の形態にすることができる。光電変換層2b’が採り得る形態としては、p型半導体として振る舞う薄膜Siのほか、元素周期律表のIb族元素、IIIb族元素、及び、VIb族元素を含むp型半導体等を用いることができる。そのようなp型半導体としては、CuIn、GaSe2CIGS、CuIn、GaSe、S2CIGSS、CuInS2CIS、CuIn、AlSe2CIAS、及び、Cu2ZnSnS4CZTS等を例示することができる。また、透明電極2c’は、薄膜系太陽電池の透明電極として用いることが可能な公知の材料によって構成することができる。そのような材料としては、IIb族元素及びVIb族元素を含む公知のn型半導体例えば、Bが添加されたZnO等のほか、SnOや酸化インジウムスズITO等を例示することができる。また、第1溝2d’は、光電変換層2bを電気的に直列に接続するために形成された溝である。第1溝2d’の幅図4の紙面左右方向の長さは特に限定されず、例えば数十μm程度とすることができる。また、隣接する第1溝2d’、2d’の間隔も特に限定されず、例えば数mm程度とすることができる。また、溝2e’は、裏面電極2aと透明電極2cとを接続するために形成された溝である。溝2e’の幅図4の紙面左右方向の長さは特に限定されず、例えば数十μm程度とすることができる。また、隣接する第1溝2e’、2e’の間隔も特に限定されず、例えば数mm程度とすることができる。また、第2溝2f’は、光電変換層2bを電気的に直列に接続するために形成された溝である。第2溝2f’の幅図4の紙面左右方向の長さは特に限定されず、例えば数十μm程度とすることができる。また、隣接する第2溝2f’、2f’の間隔も特に限定されず、例えば数mm程度とすることができる。また、フレーム3は、湾曲した基板1及び光電変換部2の形状を保持しやすくする等の目的で用いられる部材である。本発明は、フレームが用いられない形態とすることも可能だが、基板1及び光電変換部2の湾曲状態を維持しやすくすることにより変換効率を向上させやすい形態にする等の観点からは、フレームが用いられる形態とすることが好ましい。フレームは、太陽電池の使用環境に耐え得る性質耐熱性や耐水性等を有し、且つ、基板1及び光電変換部2の湾曲状態を維持する所定の強度を有していれば良い。フレームの構成材料としては、アルミニウムやポリカーボネート樹脂等を例示することができる。また、保護フィルム4は、薄膜系太陽電池の保護フィルムに用いることが可能な公知の材料によって構成することができる。そのような材料としては、ポリカーボネート樹脂やポリエチレンテレフタラート樹脂等を例示することができる。また、封止樹脂5、7は、薄膜系太陽電池を封止する際に使用可能な公知の樹脂を適宜用いることができる。そのような樹脂としては、エチレンビニルアセテートEVA樹脂やハイミランハイミランは三井デュポンポリケミカル株式会社の登録商標等を例示することができる。また、バックシート6は、薄膜系太陽電池のバックシートに用いることが可能な公知の材料によって構成することができる。そのような材料としては、ポリエチレンテレフタラート樹脂やポリフッ化ビニル樹脂等を例示することができる。本発明の太陽電池及びその製造方法に関する上記説明では、光電変換層2b’と透明電極2c’とが直接接触し、光電変換層と透明電極との間にバッファ層が存在していない形態を例示したが、本発明は当該形態に限定されない。本発明の太陽電池及びその製造方法は、光電変換層と透明電極との間に、薄膜系太陽電池で使用される公知のバッファ層を適宜介在させても良い。そのようなバッファ層の構成材料としては、CdS、ZnS、InS等を例示することができる。また、本発明の太陽電池は、上記構成に加えて、光電変換層へと入射する光を集める集光手段を備えていても良い。このほか、本発明の太陽電池は、光電変換層の一方の側から光が入射する形態片面受光型であっても良く、光電変換層の両側から光が入射する形態両面受光型であっても良い。両面受光型にする場合には、光電変換層を挟むように配設される一対の電極を、何れも、光を透過させる公知の導電性物質によって構成すれば良い。本発明において、光電変換部が形成されている基板を湾曲させる度合い曲率は特に限定されない。曲率を大きくするほど変換効率を向上させることが容易になる一方、曲率を大きくし過ぎると、光電変換部や基板が破損する虞がある。曲率の大きさは、基板裏面側の凹部1x、1x、...の深さh図4の紙面上下方向の深さを変更することによって、制御することが可能である。凹部1x、1x、...の深さhを深くすることにより、曲率を大きくすることが容易になる。また、本発明において、基板は凹部を有する側が凸になるように湾曲していれば良く、光電変換部が形成されている基板を曲げる方向例えば、基板裏面の凸部の方向が図4の紙面左右方向となるように湾曲させるか、又は、図4の紙面奥/手前方向となるように湾曲させるかは、特に限定されない。ただし、基板の一対の対辺にのみフレームを取り付ける場合には、フレームを備えた太陽電池の設置を容易にする等の観点から、フレームが取り付けられる一対の対辺と基板裏面の凸部の方向とが平行になるように、湾曲させることが好ましい。板厚2mmの石英ガラス基板1’に相当。以下において同じ。の裏面にレーザーを照射することにより、L2=5mmの溝凹部1x’、1x’、...に相当。を作製した。次いで、石英ガラスの表面に、スパッタリング法により、厚さ約100nmのAg薄膜裏面電極2a’に相当。以下において同じ。を作製し、レーザースクライブ法により、Ag薄膜の上面に5mm間隔でレーザーを照射する過程を経て、Ag薄膜の厚さ方向を貫通する5mm間隔且つ幅約60μmのパターニング溝第1溝2d’、2d’、...に相当。以下において同じ。を形成した。その後、パターニング溝が形成されたAg薄膜の上面に、CVD法によって、厚さ2μmの薄膜Si層光電変換層2b’に相当。以下において同じ。を作製し、レーザースクライブ法により、薄膜Si層の上面に5mm間隔でレーザーを照射する過程を経て、薄膜Si層の厚さ方向を貫通する5mm間隔且つ幅約60μmのパターニング溝溝2e’、2e’、...に相当。以下において同じ。を形成した。その後、パターニング溝が形成された薄膜Si層の上面に、スパッタリング法によって、厚さ1μmのSnO層透明電極2c’に相当。以下において同じ。を作製し、メカニカルスクライブ法により、5mm間隔で、SnO層及び薄膜Si層の厚さ方向を貫通する幅約60μmのパターニング溝第2溝2f’、2f’、...に相当。以下において同じ。を形成した。こうして、SnO層及び薄膜Si層の厚さ方向を貫通するパターニング溝を形成することにより、基板1’の表面に光電変換部2’を形成した。その後、石英ガラスの裏面側溝を形成した側が下になるように、所定の間隔を開けて配置した部材の上に光電変換部が形成された石英ガラスを配置し、自重によって、光電変換部が形成された石英ガラスを、下側に凸になるように湾曲させた。なお、今回の実験では、石英ガラスの裏面に形成した溝の深さhを変更することによって、湾曲させる度合い光電変換部の曲率を制御した。光電変換部が形成された石英ガラスを湾曲させた後、ソーラーシミュレータを用いて、JISC8990にしたがってI-V測定を行った。結果を図7に示す。図7の横軸は光電変換部の曲率[1/m]、縦軸は光電変換部の変換効率[]である。図7において、曲率ゼロの結果は、光電変換部が形成された石英ガラスを湾曲させずにI-V測定を行った結果である。また、曲率が3[1/m]の結果は、石英ガラスの裏面に形成した溝の深さhを1.4mmにした場合に相当し、曲率が4.5[1/m]の結果は、石英ガラスの裏面に形成した溝の深さhを1.5mmにした場合に相当し、曲率が4.8[1/m]の結果は、石英ガラスの裏面に形成した溝の深さhを1.42mmにした場合に相当する。図7に示したように、石英ガラスの裏面側が凸になるように湾曲させることにより、変換効率を向上させることができ、光電変換部の曲率を大きくするほど、変換効率が向上した。なお、今回の調査では、光電変換部の曲率を4.8[1/m]以上にすると、石英ガラスが割れた。