a坩堝内に単結晶の原料および種基板を対向配置させる工程と、b前記坩堝内に、前記種基板の周囲を囲むタンタル又は炭化タンタルを含むタンタルリングを設置する工程と、c前記坩堝を加熱して前記原料を昇華させることにより、前記主基板上に単結晶を成長させる工程とを備える単結晶の製造方法。d前記工程cより前に、一端が前記坩堝の内壁に接し、前記原料が昇華したガスを前記種基板へ導く筒状のガイドを設置する工程と、e前記工程cより前に、前記ガイドと前記坩堝の内壁との間に断熱材を設置する工程とをさらに備え、前記工程bにおいて、前記タンタルリングは前記ガイドの他端と前記坩堝の間を覆うように設置され、前記断熱材が配設された空間が、前記坩堝の内壁、前記ガイドおよび前記タンタルリングによって密閉される請求項1記載の単結晶の製造方法。前記工程cは複数回行われ、後に行われるものほど前記坩堝内の径方向温度勾配が大きく設定される請求項1または請求項2記載の単結晶の製造方法。前記工程cの後に行われ、前記タンタルリングをタンタル箔で覆って熱処理する工程をさらに備える請求項1から請求項3のいずれか一項記載の単結晶の製造方法。単結晶の原料を収納とすると共に、種基板を前記原料に対向させて設置可能な台座を有する坩堝と、前記坩堝内に前記台座の周囲を囲むように配設され、タンタル又は炭化タンタルを含むタンタルリングとを備えることを特徴とする単結晶の製造装置。一端が前記坩堝の内壁に接し、前記原料が昇華したガスを前記台座へと導く筒状のガイドと、前記ガイドと前記坩堝の内壁との間に配設された断熱材とをさらに備え、前記タンタルリングは、前記ガイドの他端と前記坩堝の間を覆うように配設され、前記断熱材が配設された空間が、前記坩堝の内壁、前記ガイドおよび前記タンタルリングによって密閉される請求項5記載の単結晶の製造装置。前記タンタルリングは、タンタルを浸炭させた層を含むものである請求項5または請求項6記載の単結晶の製造装置。前記ガイドの内壁はタンタル又は炭化タンタルによってコーディングされている請求項5から請求項7のいずれか一項記載の単結晶の製造装置。前記坩堝の上に載置されるリング状の断熱材をさらに備える請求項5から請求項8のいずれか一項記載の単結晶の製造装置。しかし特許文献2の方法では、インゴットの成長に寄与せずに台座周辺に到達した原料ガスによって、あるいは熱によって、坩堝内に配設されたグラファイト断熱材がエッチングされる。そのエッチングにより生じたカーボンの粒子が、単結晶に到達するとその内部に取り込まれてカーボンインクルージョンとなり、単結晶の品質を悪化させるという問題が生じる。本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、高品質かつ長尺な単結晶を得ることができる、単結晶の製造方法および製造装置を提供することを目的としている。本発明に係る単結晶の製造方法は、a坩堝内に単結晶の原料および種基板を対向配置させる工程と、b前記坩堝内に、前記種基板の周囲を囲むタンタル又は炭化タンタルを含むタンタルリングを設置する工程と、c前記坩堝を加熱して前記原料を昇華させることにより、前記主基板上に単結晶を成長させる工程とを備えるものである。本発明によれば、坩堝の内壁等がエッチングされて生じるグラファイト粒子が、タンタルリングと反応し、タンタルが炭化タンタルとなる。これにより、グラファイト粒子が結晶成長空間に到達することを防止できるため、単結晶内にカーボンインクルージョンが混入することを抑制できる。このため、高品質な長尺の単結晶を製造可能となる。<実施の形態1>図1は、本発明の実施の形態1に係る単結晶製造装置の構造を説明するための図であり、当該装置の坩堝の断面を示している。坩堝1はグラファイトで構成されており、SiCの原料2を収納するための原料収納容器1aと、種結晶を原料2に対向するように取り付けることができる台座7を有する蓋1bとから成る。また原料収納容器1aの内側面には、その一端が原料収納容器1aの内壁に接し、原料2が昇華したガスを台座7へと導くガイド3が設けられている。図1においては、台座7に取り付けられた種結晶4、並びにその表面に成長中のインゴット9も図示している。ガイド3は、台座7に固定された種結晶4へ向かって伸びる筒状の部材であり、原料2が昇華した原料ガスを台座7へと導く。ガイド3は、その下端に設けられたフランジ部を原料収納容器1aの内壁に設けられた段差部に載置することにより坩堝1内に設置される。ガイド3の材質としては、原料2が昇華して成る原料ガスや熱によってガイド3の内壁がエッチングされるのを防止するために、高密度グラファイトを用いる。具体的には、密度が1.92~1.99g/cm3の等方正黒鉛を用いた。ガイド3の外面坩堝1の内壁との対向面には、グラファイトの断熱材5が配設される。ガイド3は原料2からの輻射熱で加熱されるが、断熱材5によりガイド3の外側へと熱が放出されることが防止される。また台座7に固定される種結晶4の近傍には、種結晶4を囲むリング状のタンタルリング6が配設される。タンタルリング6は、原料収納容器1aの内壁に設けられた段差部およびガイド3の上端部によって支持される。タンタルリング6の厚みは1~2mmでよい。本実施の形態では、ガイド3の外面と坩堝1の内壁との間の空間断熱材5が配設された空間が、ガイド3およびタンタルリング6によって隙間無く密閉される。それにより、インゴット9の成長中に、原料ガスがガイド3の外側に回り込んで断熱材5をエッチングすることが防止されると共に、断熱材5が熱エッチングされて生じたグラファイトの粒子がガイド3の内側へと回り込むことが防止される。図1に示すように、ガイド3のフランジ部の外径およびタンタルリング6の外径が坩堝1の内径と等しい。またタンタルリング6はガイド3と坩堝1の内壁との間の空間を覆いつつ、ガイド3の上端に接している。よって、断熱材5が配設された空間は、坩堝1の内壁、ガイド3の外面およびタンタルリング6の下面によって囲まれる密閉空間となる。またタンタルリング6の開口の位置はガイド3の上端の開口の位置とは一致しており、タンタルリング6の内径とガイド3の上端部の内径とが等しくなっている。よってガイド3によって導かれた原料ガスがタンタルリング6で遮られることは無い。なお、SiC単結晶の成長温度は2300°C程度であるため、ガイド3やタンタルリング6の寸法は、その温度になったときの熱膨張を考慮して設計する必要がある。タンタルリング6は、原料ガスや熱によるエッチング耐性に優れ、しかもインゴット9を成長させる過程で坩堝1の内壁がエッチングされて生じたグラファイト粒子や、インゴット9の成長に寄与しなかった原料ガスSiCと反応して炭化タンタルになる。つまり余剰な炭素がタンタルリング6と反応することで、成長中のインゴット9に取り込まれることが抑制される。よって、インゴット9の単結晶にカーボンインクルージョンが混入することが抑制され、高品質な単結晶を得ることができる。なお、タンタルリング6を炭化タンタルで構成しても同様の効果が得られると考えられる。但し、グラファイトをタンタルでコーティングして得た炭化タンタルのタンタルリング6を用いると、インゴット9の成長中に炭化タンタルのコートが剥がれてグラファイトが剥き出しになる場合がある。そうなると、剥き出しになったグラファイトがエッチングされ、それによって生じた粒子がカーボンインクルージョンの原因となることがある。よって、炭化タンタルのタンタルリング6を用いる場合は、タンタルを浸炭させて得た炭化タンタルで構成したものを使用することが好ましい。上記の構成の坩堝1を使用して、昇華法により種結晶4上にSiC単結晶のインゴット9を成長させた結果、多結晶から独立した状態で、直径54mm、高さ67mmの単結晶のインゴット9が得られた。このインゴット9の結晶をスライスして、評価した結果、マイクロパイプ密度が0.5/cm2であり非常に高品質であった。一方、タンタルリング6を設置していない状態で、SiC単結晶のインゴット9を成長させる実験を行ったところ、ガイド3の外面に配置した断熱材5が原料ガスや熱によりエッチングされ、それにより生じた粒子の影響でインゴット9の結晶品質が悪化した。そのインゴット9の結晶のマイクロパイプ密度を測定すると、100/cm2以上であり、品質の悪いものであった。なお、タンタルは高価な金属であるので、単結晶の製造コストを削減するためにタンタルリング6は複数回使用することが好ましい。結晶成長に使用したタンタルリング6は表面から徐々に炭化タンタルなるが、繰り返し使用すると、浸炭が進行してタンタルリング6の全体が炭化タンタルになり、非常に脆くなって再使用が困難になる。そのため、結晶成長に用いたタンタルリング6は、薄いタンタル箔で覆い、不活性ガス中あるいは真空中で1800°C付近に加熱する処理を行うとよい。この処理を行うと、炭化タンタル中の炭素が周囲のタンタル箔と反応し、タンタルリング6における炭化タンタル層の厚さが減少する。結晶成長での使用とこの処理を繰り返すことにより、タンタルリング6の寿命を大幅に伸ばすことができ、製造コストを節約できる。上記のようにガイド3はエッチング耐性に優れた高密度グラファイトにより構成したが、その内壁にもタンタルを配設すればエッチングをさらに抑制でき、インゴット9でのカーボンインクルージョンの発生をさらに抑えることができる。この場合、高密度グラファイトのガイド3の内壁をタンタルでコーティングすることで、ガイド3の内壁に炭化タンタルのコートを設けてもよい。炭化タンタルのコートが剥がれる可能性があるが、炭化タンタルのコートを有さない場合よりもガイド3のエッチングが抑えられる。なお、本発明の適用は、SiC単結晶の製造に限定されるものでなく、例えばAlNやGaNなど、グラファイトの坩堝や断熱材を用いて高温で成長を行う単結晶の製造に広く適用可能である。<実施の形態2>図2は本発明の実施の形態2に係る結晶成長装置の坩堝の断面図である。同図において図1に示したものと同様の機能を有する要素には同一符号を付してある。図2に示すように、本実施の形態では、図1に示した坩堝1の蓋1b上に、中央部に穴を有するリング状断熱材8を配設する。炭化タンタルは、熱伝導率がグラファイト断熱材と比較して2桁大きく、タンタルリング6に断熱材としての効果は期待できない。このため実施の形態1のように種結晶4の周囲にタンタルリング6を配設する場合と、種結晶4の周囲に断熱材を配設する場合例えば上記の特許文献2とでは、後者の方がガイド3の温度を高くできると考えられる。つまりタンタルリング6を配設するとガイド3の温度が充分に高くならず、ガイド3の内壁に単結晶の品質を悪化させる原因となる多結晶が析出しやすくなることが懸念される。この問題は、坩堝1の径方向の温度勾配を大きくする坩堝1の外側ほど温度を高くすることにより解決される。また、長尺のインゴットを製造する際、成長工程を複数回繰り返して行うことが考えられるが、その場合は、後に行われる成長工程ほど、坩堝1内の径方向の温度勾配を大きくすることが好ましい。例えば2回の成長を行う場合、坩堝1内の径方向の温度勾配を、1回目の成長工程よりも2回目の成長工程で大きくする。原料2が昇華して成る原料ガスは、大部分が種結晶4上で再結晶化するが、成長に寄与しなかった原料ガスは台座7とガイド3との間を通過して台座7の周囲の蓋1bに到達し、そこで結晶化し多結晶となる。2回目の成長工程では、図2のようにインゴット9がある程度の大きさになっているため、原料ガスが蓋1bへ抜ける通路の抵抗が大きくなり、ガイド3上に多結晶が析出しやすくなる。2回目の成長工程で坩堝1の径方向温度勾配を上げるのは、その析出を抑制するためである。上記のように、坩堝1の径方向温度勾配を大きくするとガイド3上の多結晶の析出を抑えることができるが、それが過度に大きくなると、成長途中のインゴット9内の温度差が大きくなり、熱歪みが発生してその結晶品質が劣化するという別の問題が生じる。このように坩堝1の径方向温度勾配はインゴット9の結晶品質に大きく影響するため、適宜調整することが望ましい。図2のリング状断熱材8は、坩堝1の径方向温度勾配を調整するためのものである。例えば、リング状断熱材8の厚さを大きくするあるいは枚数を増やすと、リング状断熱材8で覆われる坩堝1の外周部では上方への放熱が少なくなり、相対的に、中央部で放熱が集中的に起こるため、径方向温度勾配は大きくなる。逆にリング状断熱材8の厚さを小さくすると、坩堝1の中央部と外周部とで上方への放熱の差が小さくなるため、径方向温度勾配は小さくなる。例えば、インゴット9の製造を2回の成長工程で行う場合、1回目の成長工程では薄いリング状断熱材8例えば7mm厚を設け、2回目の成長工程では厚いリング状断熱材8例えば14mm厚を設ければ、2回目の成長工程における坩堝1の径方向温度勾配を1回目よりも大きくでき、高品質な単結晶を得ることができる。あるいは1回目の成長工程ではリング状断熱材8を設けず、2回目の成長工程にだけリング状断熱材8を設けても同様の効果が得られる。坩堝1の径方向温度勾配は、リング状断熱材8の中央部に設けられる穴の大きさ径によっても調整可能である。<実施の形態3>坩堝1の加熱方式が誘導加熱法である場合、誘導加熱用の発振器の出力を上げて、坩堝1の外周部での誘導電流密度を高くしても、坩堝1の径方向温度勾配を大きくすることができる。発振器の出力が上がると誘導加熱用コイルに流れる電流が増加し、坩堝1の外壁での誘導電流密度が増加する。ガイド3は主に、坩堝1からの熱伝導と原料2からの放射熱によって加熱されるが、原料は坩堝外壁からの熱伝導によって加熱されると考えられる。よって坩堝1の外壁の電流密度が増加すると、原料2はその外周部がより高温になり、原料2の外周部からの放射熱が増加してガイド3が高温になるため、坩堝1の径方向温度勾配が大きくなる。但し、誘導電流密度によって径方向温度勾配を大きくする手法では、坩堝1全体の温度が上昇して結晶成長条件に影響を与える可能性がある。よってこの手法をとる場合は、所定の成長温度が維持されるように、坩堝1の周囲に設ける断熱材の厚みや、密度、熱伝導率を調整することが望ましい。