"半導体素子20を少なくとも有する発熱部11と、はんだ12,14を介して前記発熱部11と電気的且つ熱的に接続された金属部材13,15と、を備え、前記金属部材13,15における発熱部側の面に、前記発熱部11とオーバーラップするオーバーラップ領域32内からオーバーラップ領域32外まで延設された、余剰はんだを吸収するための溝30を少なくとも1つ有する半導体装置であって、前記溝30として、前記オーバーラップ領域の中心32aに最も近い位置31aの深さをD1、前記オーバーラップ領域の外周端32bにおける深さをD2、前記オーバーラップ領域の中心32aから最も離れた位置31bにおける深さをD3とすると、D1<D2<D3の関係を満たし、且つ、任意位置の深さが、該任意位置よりも前記オーバーラップ領域の中心32aに近い位置の深さ以上となるように設けられた傾斜溝31を有することを特徴とする半導体装置。前記傾斜溝31は、前記オーバーラップ領域の中心32aから遠ざかるほど深さが深くなっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記傾斜溝31は、前記オーバーラップ領域の中心32aに対する周方向の長さを幅とし、前記オーバーラップ領域の中心32aに最も近い位置31aの幅をW1、前記オーバーラップ領域の外周端32bにおける深さをW2、前記オーバーラップ領域の中心32aから最も離れた位置31bにおける深さをW3とすると、W1<W2<W3の関係を満たし、且つ、任意位置の幅が、該任意位置よりも前記オーバーラップ領域の中心32aに近い位置の幅以上となるように、設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。前記傾斜溝31は、前記オーバーラップ領域の中心32aから遠ざかるほど幅が広くなっていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記溝30として傾斜溝31のみを有し、前記傾斜溝31は、前記オーバーラップ領域の中心32aを取り囲むように、環状に設けられていることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の半導体装置。前記傾斜溝31を複数有することを特徴とする請求項1~4いずれか1項に記載の半導体装置。前記金属部材13,15における発熱部側の面に、前記オーバーラップ領域32よりも外側に設けられ、少なくとも2つの前記傾斜溝31において、隣り合う前記傾斜溝31同士を連結する連結溝34を有することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。複数の前記傾斜溝31において、前記オーバーラップ領域の中心32a側の端部と、前記オーバーラップ領域の中心32aとの距離が一定とされていることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の半導体装置。前記傾斜溝31として、矩形状をなす前記オーバーラップ領域32の角部32cに設けられた溝を有することを特徴とする請求項1~8いずれか1項に記載の半導体装置。前記傾斜溝31の壁面に、前記金属部材13,15の発熱部側の面において溝を除く部分33よりも、前記はんだ12,14に対する濡れ性が大きい部材36が設けられていることを特徴とする請求項1~9いずれか1項に記載の半導体装置。前記半導体素子20は、両面に電極を有する素子であり、前記半導体素子20の一面側に配置され、前記発熱部11に、はんだ12を介して電気的且つ熱的に接続された第1金属部材13と、前記半導体素子20の一面と反対の裏面側に配置され、前記発熱部11に、はんだ14を介して電気的且つ熱的に接続された第2金属部材15と、を備え、前記第1金属部材13及び前記第2金属部材15の少なくとも一方が、前記金属部材として傾斜溝31を有することを特徴とする請求項1~10いずれか1項に記載の半導体装置。前記発熱部11は、前記半導体素子20と、前記半導体素子20の一面の電極とはんだ21を介して電気的且つ熱的に接続された金属製の中継部材22とを有し、前記第1金属部材13は、前記中継部材22に、はんだ12を介して電気的且つ熱的に接続されるとともに、前記金属部材として傾斜溝31を有することを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。前記傾斜溝31として、矩形状をなす前記オーバーラップ領域32の、角部32cの間に位置する辺部32dの中央を含んで設けられた溝を有することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。ところで、上記半導体装置として、半導体素子に、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTなどのパワー系素子を採用し、固着される部材に、素子の熱を放熱する機能と電極としての機能を兼ね備える金属部材を採用した構成が知られている。このような構成では、素子が駆動することで熱を生じるため、金属部材において、素子とオーバーラップする部分以下、オーバーラップ領域と示すの中心ほど温度が高くなる。放熱性の点では、温度が高くなる部分ほどはんだ厚さが薄いほうが、熱抵抗が小さくなり有利である。しかしながら、溝の深さが均一であると、上記した中心の近くにはんだ厚の厚い部分が存在することとなる。すなわち、放熱性が低くなる。また、放熱性を高めるために溝の深さを浅くすると、素子の側面外形輪郭に対応するオーバーラップ領域の外周端においてはんだ厚が薄くなる。素子と金属部材との線膨張係数差に基づく応力は、オーバーラップ領域の外周端に集中することが知られているが、上記構成とすると、線膨張係数差に基づく応力に対する耐力が低下する。すなわち、はんだ寿命が短くなる。本発明は上記問題点に鑑み、余剰はんだを吸収するための溝を有する半導体装置において、放熱性とはんだ寿命を向上することを目的とする。上記目的を達成する為に請求項1に記載の発明は、半導体素子20を少なくとも有する発熱部11と、はんだ12,14を介して発熱部11と電気的且つ熱的に接続された金属部材13,15と、を備え、金属部材13,15における発熱部側の面に、発熱部11とオーバーラップするオーバーラップ領域32内からオーバーラップ領域32外まで延設された、余剰はんだを吸収するための溝30を少なくとも1つ有する半導体装置であって、溝30として、オーバーラップ領域の中心32aに最も近い位置31aの深さをD1、オーバーラップ領域の外周端32bにおける深さをD2、オーバーラップ領域の中心32aから最も離れた位置31bにおける深さをD3とすると、D1<D2<D3の関係を満たし、且つ、任意位置の深さが、該任意位置よりもオーバーラップ領域の中心32aに近い位置の深さ以上となるように設けられた傾斜溝31を有することを特徴とする。本発明によれば、傾斜溝31が設けられた部位において、任意位置でのはんだ厚が、該任意位置よりも中心32aに近い位置のはんだ厚以上となる。また、はんだ厚は、オーバーラップ領域の中心32aに最も近い位置31aで薄くなる。これにより、熱抵抗を小さくし、放熱性を向上することができる。さらに、発熱部11と金属部材13,15との線膨張係数差に基づく応力以下、単に応力と示すが集中するオーバーラップ領域の外周端32bのはんだ厚は、中心32aに最も近い位置31aのはんだ厚よりも厚くなる。これにより、はんだ12,14の寿命を向上することができる。また、本発明によれば、任意位置の深さが、該任意位置よりもオーバーラップ領域の中心32aに近い位置の深さ以上となるように、傾斜溝31が設けられている。これにより、余剰はんだの貯留量を大きくすることができる。また、リフロー時に、余剰はんだを、溝30を通じてオーバーラップ領域32からオーバーラップ領域32外に逃がすことができる。特に本発明では、溝30として傾斜溝31を有するため、余剰はんだをオーバーラップ領域32外に逃がしやすい。さらには、溝30を通じて、リフロー時に空気をオーバーラップ領域32外に逃がして、発熱部11と金属部材13,15とを接合するはんだ12,14にボイドが生じるのを抑制することもできる。請求項2に記載のように、傾斜溝31は、オーバーラップ領域の中心32aから遠ざかるほど深さが深くされると良い。上記したように、発熱部11及び金属部材13,15は、オーバーラップ領域の中心32aに近いほど温度が高く、中心32aから遠ざかるほど温度が低下する。本発明によれば、はんだ厚が、中心32aに近いほど薄く、中心32aから遠ざかるにつれて厚くなる。言うなれば温度分布に応じてはんだ厚が変化する。したがって、放熱性をより向上することができる。また、傾斜溝31が、深さ方向においてテーパ形状をなしているので、例えば階段形状に較べて、余剰はんだや空気をオーバーラップ領域32外に逃がしやすい。請求項3に記載のように、傾斜溝31は、オーバーラップ領域の中心32aに対する周方向の長さを幅とし、オーバーラップ領域の中心32aに最も近い位置31aの幅をW1、オーバーラップ領域の外周端32bにおける深さをW2、オーバーラップ領域の中心32aから最も離れた位置31bにおける深さをW3とすると、W1<W2<W3の関係を満たし、且つ、任意位置の幅が、該任意位置よりもオーバーラップ領域の中心に近い位置の幅以上となるように、設けられると良い。これによれば、オーバーラップ領域の外周端32bにおけるはんだ厚の厚い部分を、幅が一定の傾斜溝31に較べて広くとることができる。したがって、応力の集中する部分がばらついても、はんだ寿命を向上することができる。また、幅が一定の傾斜溝31に較べて、余剰はんだの貯留量を大きくすることができる。請求項4に記載のように、傾斜溝31は、オーバーラップ領域の中心32aから遠ざかるほど幅が広くされると良い。これによれば、傾斜溝31が、幅方向においてテーパ形状をなしているので、例えば階段形状に較べて、余剰はんだや空気をオーバーラップ領域外に逃がしやすい。また、傾斜溝31の断面積溝内の容積が、中心32aから遠ざかるほど大きくなる。すなわち、余剰はんだの貯留量を大きくすることができる。例えば請求項5に記載のように、溝30として傾斜溝31のみを有し、傾斜溝31は、オーバーラップ領域の中心32aを取り囲むように、環状に設けられることが好ましい。これによれば、オーバーラップ領域の外周端32b全周に傾斜溝31が位置する。すなわち、オーバーラップ領域の外周端32b全周で、はんだ厚が厚くなる。したがって、オーバーラップ領域の外周端32bのどの位置で応力が集中しても、はんだ寿命を向上することができる。また、余剰はんだの偏り、ひいては傾斜溝31からのはんだ溢れを抑制することができる。一方、請求項6に記載のように、傾斜溝31を複数有する構成としても良い。これによれば、オーバーラップ領域の外周端32bにおいて、はんだ厚が複数箇所で厚くなる。すなわち、複数箇所において、はんだ寿命を向上することができる。また、同一形状深さ、幅の傾斜溝31を1つのみ有する構成に較べて、余剰はんだの貯留量を大きくすることができる。請求項7に記載のように、金属部材13,15における発熱部側の面に、オーバーラップ領域32よりも外側に設けられ、少なくとも2つの傾斜溝31において、隣り合う傾斜溝31同士を連結する連結溝34を有する構成としても良い。これによれば、傾斜溝31間での余剰はんだの偏り、ひいては傾斜溝31からのはんだ溢れを抑制することができる。請求項8に記載のように、複数の傾斜溝31において、オーバーラップ領域の中心32a側の端部と、オーバーラップ領域の中心32aとの距離が一定とされた構成としても良い。これによっても、複数の傾斜溝31において、余剰はんだの偏り、ひいては傾斜溝31からのはんだ溢れを抑制することができる。請求項9に記載のように、傾斜溝31として、矩形状をなすオーバーラップ領域32の角部32cに設けられた溝を有すると良い。一般的に、応力は、矩形状をなすオーバーラップ領域32の角部32cに集中する。本発明によれば、角部32cにおいて、はんだ厚が厚くなる。これにより、はんだ寿命を向上することができる。上記した各発明は、請求項10に記載のように、傾斜溝31の壁面に、金属部材13の発熱部側の面において溝を除く部分33よりも、はんだ12,14に対する濡れ性が大きい部材36が設けられると良い。これによれば、リフロー時において、余剰はんだが傾斜溝31内を濡れ広がりやすくなる。これにより、オーバーラップ領域外に余剰はんだを効率良く逃がすことができる。請求項11に記載のように、半導体素子20は、両面に電極を有する素子であり、半導体素子20の一面側に配置され、発熱部11に、はんだ12を介して電気的且つ熱的に接続された第1金属部材13と、半導体素子20の一面と反対の裏面側に配置され、発熱部11に、はんだ14を介して電気的且つ熱的に接続された第2金属部材15と、を備え、第1金属部材13及び第2金属部材15の少なくとも一方が、金属部材として傾斜溝31を有する構成に好適である。これによれば、発熱部11の熱を、半導体素子20の両面側に位置する金属部材13,15に放熱することができる。すなわち、放熱性を向上することができる。そして、このような構成において、上記した各発明の作用効果を奏することができる。例えば傾斜溝31を有することで、放熱性をより向上しつつ、はんだ寿命を向上することができる。さらには、請求項12に記載のように、発熱部11は、半導体素子20と、半導体素子20の一面の電極とはんだ21を介して電気的且つ熱的に接続された金属製の中継部材22とを有し、第1金属部材13は、中継部材22に、はんだ12を介して電気的且つ熱的に接続されるとともに、金属部材として傾斜溝31を有する構成に好適である。これによれば、中継部材22を有することにより、発熱部11と第1金属部材13との間の距離を稼ぐことができる。これにより、例えば半導体素子20が3端子例えばIGBTを有し、一面に2つの電極例えばエミッタ電極とゲート電極を有する場合、ゲート電極の接続が容易となる。そして、このような構成において、上記した各発明の作用効果を奏することができる。請求項13に記載のように、傾斜溝31として、矩形状をなすオーバーラップ領域32の、角部32cの間に位置する辺部32dの中央を含んで設けられた溝を有しても良い。請求項12に記載の半導体装置は、例えば、第2金属部材15上に、はんだ14を介して半導体素子20を配置し、半導体素子20上に、はんだ21を介して中継部材22を配置し、中継部材22上にはんだ12を配置してなる積層体について、リフロー1stリフローする。次いで、第1金属部材13上に、第2金属部材15に対して中継部材22が下となるように積層体を配置した状態で、リフロー2ndリフローすることで得られる。2ndリフローでは、形成される半導体装置が所定高さとなるように、積層体を押し付けながらリフローする。2ndリフローの前において、中継部材22上に設けたはんだ12は、中継部材22の中心を頂点として盛り上がっており、2ndリフロー時の荷重を受けて、第1金属部材13に対し、中継部材22とのオーバーラップ領域の中心32aから外側に向けて同心円状等方的に広がる。すなわち、オーバーラップ領域の外周端32bのうち、はんだ12は、辺部32dの中央に先ず到達する。本発明によれば、辺部32dの中央を含んで傾斜溝31を設けているので、余剰はんだを、オーバーラップ領域32外に効率良く逃がすことができる。以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、以下の各図相互において互いに同一もしくは均等である部分に、同一符号を付与する。以下においては、半導体素子の厚さ方向、換言すれば溝の深さ方向を単に深さ方向と示し、深さ方向に垂直な方向を単に垂直方向と示す。また、平面形状とは、深さ方向に垂直な平面に沿う形状を示すものとする。第1実施形態先ず、半導体装置の概略構成を説明する。図1及び図2に示す半導体装置10は、半導体素子20を少なくとも有する発熱部11と、該発熱部11に、はんだ12を介して電気的且つ熱的に接続された放熱部材13と、放熱部材13と反対側において、発熱部11にはんだ14を介して電気的且つ熱的に接続された放熱部材15と、を備えている。そして、放熱部材13,15は、発熱部11側の面に、発熱部11とオーバーラップするオーバーラップ領域32内からオーバーラップ領域32外まで延設された、余剰はんだを吸収するための溝30を少なくとも1つ有している。なお、放熱部材13が、特許請求の範囲に記載の第1金属部材に相当し、放熱部材15が特許請求の範囲に記載の第2金属部材に相当するとともに、放熱部材13,15が、ともに特許請求の範囲に記載の金属部材に相当する。本実施形態では、半導体素子20が両面に電極を有しており、半導体装置10は、半導体素子20の一面の電極とはんだ21を介して電気的且つ熱的に接続された金属製のターミナル22を備えている。そして、放熱部材13は、ターミナル22に、はんだ12を介して電気的且つ熱的に接続されている。また、半導体素子20やはんだ12,14,21などを封止するモールド樹脂18を備えている。なお、ターミナル22が、特許請求の範囲に記載の中継部材に相当する。このような半導体装置10は、たとえば車両のインバータ回路に組み入れられ、負荷をPWM制御するための装置として適用される。発熱部11は、上記したように、半導体素子20、はんだ21、及びターミナル22を有している。半導体素子20は、シリコンなどの半導体基板に、周知の半導体プロセスによって素子が構成されてなるものである。本実施形態では、半導体素子20として、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTが構成された半導体素子20aと、転流ダイオードFWDが構成された半導体素子20bを有している。これら1組の半導体素子20a,20bは、ともに深さ方向に電流が流れるように所謂縦型構造をなしており、深さ方向の両端面に図示しない電極パッドを有している。また、2つの半導体素子20a,20bは、図1に示すようにともに平面矩形状とされ、図2に示すように、垂直方向において異なる位置であって、深さ方向においてほぼ同じ位置に配置されている。すなわち、半導体素子20a,20bは、離間しつつ横並びに配置されている。そして、半導体素子20の一面上、すなわち各半導体素子20a,20bの深さ方向における同一側の面上には、後述するボンディングワイヤ17の高さを確保するためのターミナル22がそれぞれ配置されている。このターミナル22は、放熱部材13と半導体素子20との熱伝導、電気伝導経路の途中に位置するため、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、少なくとも金属材料を用いて形成されている。具体的には、銅やモリブデンなどの熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属材料からなる。また、ターミナル22は、平面矩形のブロック状をなしており、垂直方向において、半導体素子20aのエミッタパッド、半導体素子20bのアノードパッドと位置が重なるように配置されている。また、ターミナル22は、垂直方向における大きさが、半導体素子20a,20bや放熱部材13よりも小さいものとなっている。そして、半導体素子20a,20bと対応するターミナル22との間には、はんだ21がそれぞれ介在され、はんだ21により半導体素子2020a,20bと対応するターミナル22が、電気的、熱的、且つ機械的に接続されている。このように構成される発熱部11において、各ターミナル22と放熱部材13との間には、はんだ12がそれぞれ介在され、はんだ12により放熱部材13とターミナル22が、電気的、熱的、且つ機械的に接続されている。放熱部材13は、半導体素子20の生じた熱を半導体装置10の外部に放熱する機能を果たすとともに、半導体素子20の外部接続端子電極としての機能も果たす。この放熱部材13は、半導体素子20aIGBTのエミッタ電極と半導体素子20bFWDのアノード電極を兼ねている。このような放熱部材13は、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、少なくとも金属材料を用いて形成される。具体的には、銅、銅合金、アルミ合金などの熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属材料からなる。また、放熱部材13のうち、発熱部11と対向する一面13aは、後述するモールド樹脂18により被覆されている。一方、一面13aと反対の面13bは、モールド樹脂18から露出されており、この露出面13bが所謂放熱面となっている。なお、図1に示す符号13cは、放熱部材13のうち、モールド樹脂18の外部に引き出された、外部接続用のリード部である。また、放熱部材13は、発熱部11と対向する一面13aに、はんだ12の余剰分すなわち、余剰はんだを吸収するための溝30を有している。また、溝30として、傾斜溝31を有している。この傾斜溝31は本実施形態の特徴部分であるので、その詳細については後述する。一方、発熱部11における放熱部材13と反対側、すなわち、半導体素子20aのコレクタ電極及び半導体素子20bのカソード電極には、はんだ14を介して、放熱部材15、電気的、熱的、且つ機械的に接続されている。放熱部材15も、放熱部材13同様、半導体素子20の生じた熱を半導体装置10の外部に放熱する機能を果たすとともに、半導体素子20の外部接続端子電極としての機能も果たす。また、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、少なくとも金属材料を用いて形成される。具体的には、銅、銅合金、アルミ合金などの熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属材料からなる。この放熱部材15は、半導体素子20aIGBTのコレクタ電極と半導体素子20bFWDのカソード電極を兼ねている。また、放熱部材15のうち、発熱部11と対向する一面15aは、後述するモールド樹脂18により被覆されている。一方、一面15aと反対の面15bは、モールド樹脂18から露出されており、この露出面15bが所謂放熱面となっている。なお、図1に示す符号15cは、放熱部材15のうち、モールド樹脂18の外部に引き出された、外部接続用のリード部である。また、放熱部材15は、発熱部11と対向する一面15aに、はんだ14の余剰分すなわち、余剰はんだを吸収するための溝30を有している。また、溝30として、放熱部材13同様、傾斜溝31を有している。この傾斜溝31は本実施形態の特徴部分であるので、その詳細については後述する。このように、発熱部11は、深さ方向において、一対の放熱部材13,15により挟まれている。また、図1に示すように、放熱部材13,15の、発熱部11を間に挟む部分は、ほぼ平面矩形状となっている。また、放熱部材15の周囲には、外部接続用端子として複数本のリード16が設けられている。これらリード16は、リードフレームからなるものである。本実施形態では、半導体素子20aのゲートパッドと、金やアルミニウムなどからなるボンディングワイヤ17を介して電気的且つ機械的に接続されている。なお、半導体素子20aにおいて、ゲートパッドは、IGBTのエミッタパッドと同一面内であって、ターミナル22と対向しない部分に形成されている。したがって、半導体素子20aのターミナル22側放熱部材13側の面にボンディングワイヤ17が接続されている。このリード16は、その一部がモールド樹脂18の外部に突出しており、外部機器との電気的な接続が可能となっている。そして、各放熱部材13,15の一部、放熱部材13,15の間に介在された半導体素子2020a,20b、各ターミナル22、各リード16の一部、及びボンディングワイヤ17、はんだ12,14,21が、モールド樹脂18にて封止されている。このモールド樹脂18は、エポキシ系樹脂などからなる。また、金型内に樹脂を注入し、成形してなるものである。このように、本実施形態に係る半導体装置10は、半導体素子2020a,20bの両面それぞれにて、放熱部材13,15を介した放熱を行うことができる両面放熱構造となっている。次に、上記した半導体装置10の製造方法の一例について簡単に説明する。先ず、半導体素子2020a,20bを準備し、放熱部材15における溝30傾斜溝31の形成された一面15a上に、はんだ14はんだ箔を介して、半導体素子20a,20bを搭載する。次いで、この半導体素子20a,20bの上に、予め両面にはんだ21,12が迎えはんだとして配置されたターミナル22を、それぞれ搭載する。このとき、はんだ21が半導体素子20a,20b側となるようにする。なお、はんだ21,12は、表面張力により、ターミナル22の中心を頂点として盛り上がった形状となっている。また、はんだ12は、半導体装置10における高さの公差ばらつきをはんだ12にて吸収するために、余裕をもって多めに配置される。そして、この積層状態で、はんだ14,21,12をリフロー1stリフローさせることにより、半導体素子20a,20bと放熱部材15とをはんだ14を介して接続し、半導体素子20a,20bとターミナル22とをはんだ21を介して接続する。はんだ12については、接続対象である放熱部材13がまだ無いので、表面張力により、ターミナル22の中心を頂点として盛り上がった形状となる。次いで、リード16と半導体素子20aのゲートパッドとをボンディングワイヤ17により接続する。そして、1stリフローにより一体化した積層体を、放熱部材15に対してターミナル22が下方となるように、放熱部材13上に載置する。そして、放熱部材13を下にしてはんだ12のリフロー2ndリフローを行うとともに、積層体に荷重を加えて、半導体装置10の高さを所定の高さとなるようにする。このとき、多めのはんだ12をターミナル22と放熱部材13の間に供給しているため、ターミナル22と放熱部材13との間のはんだ12は不足せず、確実な接続を行うことができる。また、上記荷重の印加などにより、ターミナル22と放熱部材13との対向領域後述するオーバーラップ領域32から押し出される余剰のはんだ12は、放熱部材13の一面13aに形成された溝30傾斜溝31により吸収される。以上により、半導体装置10を得ることができる。次に、半導体装置10の特徴部分である溝30、特に傾斜溝31の構成及び作用効果について、図3及び図4を用いて説明する。なお、図3及び図4では、傾斜溝31のうち、放熱部材15側の傾斜溝31について、半導体素子20とともに例示する。本実施形態では、半導体素子20a,20bともに同様の構成となっている。また、放熱部材13側については言及しないが、放熱部材13とターミナル22の接続部についても同様の構成となっている。溝30は、放熱部材15の一面15aに形成されており、図3及び図4に示すように、半導体素子20発熱部11とオーバーラップするオーバーラップ領域32内からオーバーラップ領域32外まで延設されている。詳しくは、放熱部材15の一面15aに、半導体素子20aに対応する溝30と、半導体素子20bに対応する溝30が、個別に形成されている。そして、各溝30は、対応する半導体素子20のオーバーラップ領域32内からオーバーラップ領域32外まで延設されている。本実施形態では、これら溝30が、いずれも傾斜溝31となっている。なお、溝30傾斜溝31は、プレス加工やエッチングにより形成することができる。また、一面15aのうち、溝30を除く部分は平坦部33となっている。すなわち、オーバーラップ領域32における傾斜溝31より内側の部分と、オーバーラップ領域32外であって傾斜溝31よりも外側の部分が、平坦部33となっている。ここで、傾斜溝31のうち、オーバーラップ領域32の中心32aに最も近い位置31aの深さをD1、オーバーラップ領域32の外周端32bにおける深さをD2、オーバーラップ領域32の中心32aから最も離れた位置31bにおける深さをD3とする。すると、傾斜溝31は、D1<D2<D3の関係を満たし、且つ、任意位置の深さDが、該任意位置よりもオーバーラップ領域32の中心32aに近い位置の深さ以上となるように設けられている。半導体素子20は駆動することで熱を生じ、この熱は放熱部材15に伝達される。また、半導体素子20の熱が伝達される放熱部材15において、発熱部11とのオーバーラップ領域32の中心32aに近いほど温度が高く、中心32aから遠ざかるほど温度が低下する。これに対し、本実施形態では、傾斜溝31が設けられた部位において、任意位置でのはんだ14の厚さ以下、単にはんだ厚と示すが、該任意位置よりも中心32aに近い位置のはんだ厚以上となる。また、はんだ厚は、オーバーラップ領域32の中心32aに最も近い位置31aで、最も薄くなる。これにより、熱抵抗を小さくし、放熱性を向上することができる。また、発熱部11と放熱部材15との線膨張係数差に基づく応力以下、単に応力と示すは、オーバーラップ領域32の外周端32bに集中する。これに対し、本実施形態では、傾斜溝31が設けられた部位において、オーバーラップ領域32の外周端32bのはんだ厚が、中心32aに最も近い位置31aのはんだ厚よりも厚くなる。これにより、はんだ14の寿命を向上することができる。特に、金属からなる放熱部材15と、シリコンからなる半導体素子20との間には応力が生じるが、本実施形態によれば、はんだ寿命を向上することができる。このように本実施形態に係る半導体装置10によれば、傾斜溝31により、放熱性とはんだ寿命を向上することができる。また、本実施形態では、任意位置の深さDが、該任意位置よりもオーバーラップ領域32の中心32aに近い位置の深さ以上となるように、傾斜溝31が設けられている。これにより、余剰はんだの貯留量を大きくすることができる。また、リフロー時に、余剰はんだを、溝30を通じてオーバーラップ領域32からオーバーラップ領域32外に逃がすことができる。特に本実施形態では、溝30として傾斜溝31を有するため、余剰はんだをオーバーラップ領域32外に逃がしやすい。さらには、溝30を通じて、リフロー時に空気をオーバーラップ領域32外に逃がして、発熱部11と放熱部材15とを接合するはんだ14に、ボイドが生じるのを抑制することもできる。なお、放熱部材13側では、上記したように、本実施形態では、半導体装置10の高さを調整すべく、多めのはんだ12を迎えはんだとして、ターミナル22に設けておくため、はんだ12がオーバーラップ領域32外へ溢れ出しやすい。しかしながら、溝30,特に傾斜溝31の効果により、溝30傾斜溝31内に余剰はんだを逃し、ターミナル22の側面側へ濡れ広がるのを抑制することができる。特に本実施形態では、傾斜溝31の深さが、オーバーラップ領域32の中心32aから遠ざかるほど深くなっている。このため、傾斜溝31が設けられた部位において、はんだ厚は、中心32aに近いほど薄く、中心32aから遠ざかるにつれて厚くなる。言うなれば温度分布に応じてはんだ厚が変化する。したがって、放熱性をより向上することができる。また、傾斜溝31が、深さ方向においてテーパ形状をなしているので、例えば階段形状に較べて、余剰はんだや空気をオーバーラップ領域32外に逃がしやすい。また、本実施形態では、傾斜溝31の幅Wも下記のように調整されている。ここで、オーバーラップ領域32の中心32aに対する周方向の長さを幅Wとする。また、オーバーラップ領域32の中心32aに最も近い位置31aの幅をW1、オーバーラップ領域32の外周端32bにおける深さをW2、中心32aから最も離れた位置31bにおける深さをW3とする。すると、傾斜溝31は、W1<W2<W3の関係を満たし、且つ、任意位置の幅Wが、該任意位置よりもオーバーラップ領域32の中心32aに近い位置の幅以上となるように、設けられている。これによれば、オーバーラップ領域32の外周端32bにおけるはんだ厚の厚い部分を、幅Wが一定の傾斜溝31に較べて広くとることができる。したがって、応力の集中する部分がばらついても、はんだ寿命を向上することができる。また、幅Wが一定の傾斜溝31に較べて、余剰はんだの貯留量を大きくすることができる。特に本実施形態では、傾斜溝31の幅Wが、オーバーラップ領域32の中心32aから遠ざかるほど広くなっている。このように、傾斜溝31を、幅方向においてテーパ形状とすると、例えば幅方向において階段形状とする構成に較べて、余剰はんだや空気をオーバーラップ領域32外に逃がしやすい。また、傾斜溝31の断面積溝内の容積を、中心32aから遠ざかるほど大きくすることができる。すなわち、貯留量を稼ぐことができる。さらに、本実施形態では、溝30として傾斜溝31のみを有しており、傾斜溝31は、オーバーラップ領域32の中心32aを取り囲むように、環状に設けられている。詳しくは、図3に示すように、傾斜溝31が、中心32aを中心とした平面円環状をなしている。そして、円形の内周端すなわち、中心32aに最も近い位置31aがオーバーラップ領域32内、円形の外周端すなわち、中心32aから最も離れた位置31bがオーバーラップ領域32外となっている。また、傾斜溝31の幅Wは、オーバーラップ領域32の中心32aから遠ざかるほど広くなっている。このため、オーバーラップ領域32の外周端32b全周に傾斜溝31が位置し、オーバーラップ領域32の外周端32b全周で、はんだ厚が厚くなる。したがって、オーバーラップ領域32の外周端32bのどの位置で応力が集中しても、はんだ寿命を向上することができる。また、余剰はんだの偏り、ひいては傾斜溝31からのはんだ溢れを抑制することができる。変形例本実施形態では、傾斜溝31の深さが、オーバーラップ領域32の中心32aから遠ざかるほど深くなる例を示した。しかしながら、傾斜溝31は、少なくとも、D1<D2<D3の関係を満たし、且つ、任意位置の深さDが、該任意位置よりもオーバーラップ領域32の中心32aに近い位置の深さ以上となるように設けられれば良い。傾斜溝31が、深さ方向においてテーパ形状をなすのではなく、例えば図5に示すように、階段形状をなすようにしても良い。第2実施形態本実施形態において、上記実施形態に示した半導体装置10と共通する部分についての説明は割愛する。第1実施形態では、傾斜溝31が環状に設けられる例を示した。これに対し、本実施形態では、図6及び図7に示すように、放熱部材13が、溝30として複数の傾斜溝31を有している。詳しくは、溝30として傾斜溝31のみを有しており、1つのオーバーラップ領域32に対し、4つの傾斜溝31が設けられている。各傾斜溝31は、第1実施形態に示す環状の傾斜溝31同様、D1<D2<D3の関係を満たし、且つ、任意位置の深さDが、該任意位置よりもオーバーラップ領域32の中心32aに近い位置の深さ以上となるように設けられている。また、傾斜溝31の深さが、オーバーラップ領域32の中心32aから遠ざかるほど深くなっている。さらに、各傾斜溝31において、幅Wは、傾斜溝31の延設方向において一定となっている。このような傾斜溝31を採用すると、第1実施形態に記載の作用効果に加え、オーバーラップ領域32の外周端32bにおいて、はんだ厚が複数箇所で厚くなる。すなわち、複数箇所において、はんだ寿命を向上することができる。また、同一形状深さ、幅の傾斜溝31を1つのみ有する構成に較べて、余剰はんだの貯留量を大きくすることができる。また、本実施形態では、同一のオーバーラップ領域32に設けられた複数の傾斜溝31において、オーバーラップ領域32の中心32a側の端部すなわち、中心32aに最も近い位置31aと、中心32aとの距離が一定となっている。このため、複数の傾斜溝31において、余剰はんだの偏り、ひいては傾斜溝31からのはんだ溢れを抑制することができる。ところで、上記した製造方法によれば、2ndリフローの前で、はんだ12が、ターミナル22の中心を頂点として盛り上がった形状となっており、2ndリフロー時に受ける荷重により、放熱部材13に対し、はんだ12は、ターミナル22とのオーバーラップ領域32の中心32aから外側に向けて同心円状等方的に広がる。本実施形態によれば、放熱部材13において、各傾斜溝31により、余剰はんだをオーバーラップ領域32外に効率良く逃がすことができる。ところで、応力は、平面矩形状をなすオーバーラップ領域32の角部32cに集中しやすい。これに対し、本実施形態では、傾斜溝31として、平面矩形状をなすオーバーラップ領域32の角部32cに設けられた溝を有している。詳しくは、1つのオーバーラップ領域32に対して設けられた4つの傾斜溝31が全て、互いに異なる角部32c言うなれば四隅に位置している。したがって、角部32cにおいて、はんだ厚が厚くなり、はんだ寿命を向上することができる。変形例本実施形態では、傾斜溝31の深さが、オーバーラップ領域32の中心32aから遠ざかるほど深くなる例を示した。しかしながら、傾斜溝31は、少なくとも、D1<D2<D3の関係を満たし、且つ、任意位置の深さDが、該任意位置よりもオーバーラップ領域32の中心32aに近い位置の深さ以上となるように設けられれば良い。例えば図5に示したように、傾斜溝31が深さ方向において階段形状をなすようにしても良い。本実施形態では、平面矩形状をなすオーバーラップ領域32の4つの角部32cにそれぞれ傾斜溝31を設ける例を示した。しかしかなら、4つの角部32cの一部のみに傾斜溝31を設けた構成としても良い。本実施形態では、平面矩形状をなすオーバーラップ領域32の角部32cに、傾斜溝31を設ける例を示した。しかしながら、傾斜溝31として、オーバーラップ領域32の、角部32cの間に位置する辺部32dの中央を含んで設けられた溝を有しても良い。図8に示す例では、平面矩形状をなすオーバーラップ領域32の4つの辺部32dに対し、それぞれ中央を含むように傾斜溝31が設けられている。上記したように、2ndリフロー時に受ける荷重により、放熱部材13に対し、はんだ12は、ターミナル22とのオーバーラップ領域32の中心32aから外側に向けて同心円状等方的に広がる。すなわち、オーバーラップ領域32の外周端32bのうち、はんだ12は、辺部32dの中央に先ず到達する。したがって、上記構成によれば、余剰はんだを、オーバーラップ領域32外に効率良く逃がすことができる。本実施形態では、幅Wが、傾斜溝31の延設方向において一定とされる例を示した。しかしながら、第1実施形態に記載のように、傾斜溝31は、W1<W2<W3の関係を満たし、且つ、任意位置の幅Wが、該任意位置よりもオーバーラップ領域32の中心32aに近い位置の幅以上となるように、設けられても良い。さらには、傾斜溝31の幅Wを、オーバーラップ領域32の中心32aから遠ざかるほど広くしても良い。例えば図9に示す例では、全ての傾斜溝31において、傾斜溝31の幅Wが、オーバーラップ領域32の中心32aから遠ざかるほど広くなっている。なお、図9に示す例では、傾斜溝31として、平面矩形状をなすオーバーラップ領域32の角部32cに設けられた傾斜溝31を4つと、辺部32dの中央を含んで設けられた傾斜溝31を4つ有している。本実施形態では、1つのオーバーラップ領域32に設けられた複数の傾斜溝31が、互いに干渉せず、離間して設けられる例を示した。しかしながら、放熱部材15の一面15aに、オーバーラップ領域32よりも外側に設けられ、少なくとも2つの傾斜溝31において、隣り合う傾斜溝31同士を連結する連結溝34を有する構成としても良い。これによれば、傾斜溝31間での余剰はんだの偏り、ひいては傾斜溝31からのはんだ溢れを抑制することができる。なお、図10に示す例では、隣り合う傾斜溝31の全てを、弧状をなす連結溝34にて連結した構成となっている。本実施形態では、複数の溝30が全て傾斜溝31である例を示した。しかしながら、複数の溝30の一部のみを傾斜溝31としても良い。例えば図11及び図12a,bに示す例では、1つのオーバーラップ領域32に設けられた4つの溝30のうち、中心32aを挟んで対向位置にある2つの溝30が傾斜溝31とされ、残りの2つの溝30が延設方向において深さ一定の溝35となっている。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。例えば図13に示すように、傾斜溝31の壁面に、放熱部材15の一面15aにおいて溝30を除く平坦部33よりも、はんだ14に対する濡れ性が大きいメッキ層36が設けられた構成としても良い。このような構成とすると、リフロー時において、余剰はんだが傾斜溝31内を濡れ広がりやすくなる。これにより、オーバーラップ領域32外に余剰はんだを効率良く逃がすことができる。なお、メッキ層36が、特許請求の範囲に記載のはんだ14に対する濡れ性が大きい部材に相当する。メッキ層36としては、例えば金からなるメッキ層を採用することができる。本実施形態では、半導体装置10が、半導体素子20として2つの半導体素子20a,20bを有する例を示した。しかしながら、半導体素子20の個数は特に限定されるものではない。1つの半導体素子20のみを有する構成を採用することもできる。本実施形態では、半導体素子20aと半導体素子20bを1組有する例を示した。しかしながら、一対の放熱部材13,15の間に、複数組の半導体素子20a,20bが配置された構成を採用することもできる。本実施形態では、発熱部11としてターミナル22を含む例を示した。しかしながら、発熱部11としては、少なくとも半導体素子20を有せば良い。すなわち、はんだ21及びターミナル22を有さない構成としても良い。例えば図14に示す例では、発熱部11としての半導体素子2020a,20bが、はんだ12を介して放熱部材13と接続されている。なお、図14では、放熱部材13,15に傾斜溝31が形成されている。さらには、両面放熱構造の半導体装置10に限定されるものではない。例えば片面放熱構造の半導体装置10にも、上記傾斜溝31を適用することができる。すなわち、一対の放熱部材13,15ではなく、1つの半導体素子20に対して1つの放熱部材のみを有する構成としても良い。この場合、1つの放熱部材が、傾斜溝31を有する金属部材となる。さらに、半導体素子20は、両面電極素子に限定されるものではなく、片面電極素子を採用することもできる。本実施形態では、一対の放熱部材13,15の両方に溝30傾斜溝31を有する例を示した。しかしながら、溝30傾斜溝31は、放熱部材13,15の少なくとも一方に設けられれば良い。例えば、放熱部材15のみに溝30傾斜溝31が設けられた構成としても良いし、放熱部材13のみに溝30傾斜溝31が設けられた構成としても良い。例えば図15に示すように、オーバーラップ領域32の平坦部33に、所定高さの突起部37を設けた構成としても良い。これによれば、突起部37の高さ分、はんだ14の厚さを確保することができる。すなわち、はんだ14の最薄厚さを規定することができる。例えばリフロー時に、突起部37が半導体素子20に接触すると、半導体素子20と放熱部材15との距離、すなわちはんだ14の最薄厚さが規定されることとなる。これによれば、所望の寿命を保証するためのはんだ14の厚さを確保することができる。"