"少なくとも1つの入力ポートと、複数の出力ポートと、前記入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、前記分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、前記集光レンズにより集光された光信号を反射する複数のMEMSミラーから構成されたMEMSミラーアレイであって、反射された光信号は、前記集光レンズ及び前記分光手段を介して前記出力ポートに結合するMEMSミラーアレイとを備えた波長選択スイッチであって、前記波長選択スイッチは、前記集光レンズと前記MEMSミラーアレイとの間に遮光マスクをさらに備え、前記遮光マスクは、所定の帯域幅の光信号に対応する幅を有する矩形開口部を備えたことを特徴とする波長選択スイッチ。請求項1に記載の波長選択スイッチにおいて、前記遮光マスクのエッジ付近に存在するMEMSミラーは、傾きを制御されることを特徴とする波長選択スイッチ。少なくとも1つの入力ポートと、複数の出力ポートと、前記入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、前記分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、前記集光レンズにより集光された光信号を反射する複数のMEMSミラーから構成されたMEMSミラーアレイであって、反射された光信号は、前記集光レンズ及び前記分光手段を介して前記出力ポートに結合するMEMSミラーアレイとを備えた波長選択スイッチであって、前記波長選択スイッチは、前記入力ポートと前記MEMSミラーアレイとの間に少なくとも1つの折り返しミラーをさらに備え、前記波長選択スイッチを構成する光学素子の何れかにおいて、誘電体多層膜から成るバンドストップフィルタが集積されたことを特徴とする波長選択スイッチ。少なくとも1つの入力ポートと、複数の出力ポートと、前記入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、前記分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、前記集光レンズにより集光された光信号を反射する複数のMEMSミラーから構成されたMEMSミラーアレイであって、反射された光信号は、前記集光レンズ及び前記分光手段を介して前記出力ポートに結合するMEMSミラーアレイとを備えた波長選択スイッチであって、前記波長選択スイッチは、前記MEMSミラーアレイの前段且つ信号光の光路の途中にバンドバスフィルタをさらに備えたことを特徴とする波長選択スイッチ。図を参照しながら、従来のWSSの例について説明する。図1は、従来のWSSの概念図である。WSS100は、1個の入力ファイバ122及び2個の出力ファイバ124-1,124-2から成る入出力ファイバアレイ120と、合分波用回折格子140と、2軸可動式MEMSミラーアレイ160と、光電気制御デバイス180とから構成される。入力ファイバ122から入ってきた光信号を合分波回折格子140により波長ごとに分波する。次いで、分波された光の各々は、2軸可動式MEMSミラーアレイ160を構成するMEMSミラーに到達し、反射される。次いで、反射された光の各々は、合分波用回折格子140により合波されて、所定の出力ファイバ124-1又は124-2から出力される。光電気制御デバイス180がMEMSミラーの角度を制御することにより波長ごとに出力するポートを決定する。図2は、従来のWSSの一例の構成を説明するための斜視図である。図2に示すWSS200は、ベース210と、1個の入力ポート222及び3個の出力ポート224-1,224-2,224-3が所定の方向に配列された入出力ポートアレイと、複数のコリメータ230から成るコリメータアレイと、分光デバイスである回折格子240と、レンズ250と、光信号の光路を切り替えるMEMS素子260とから構成された、1入力ポート3出力ポートのWSSである。入力ポート222から入力された波長多重WDM光信号は、コリメータ230を経て平行線ビームとなり、回折格子240によって各波長へ分波される。分波された各波長の光信号は、レンズ250を経て各波長に対して一つずつ準備されたMEMS素子260のMEMSミラーへ到達し、反射される。光が反射される際、MEMSミラーの角度を制御することにより波長ごとに出力するポートを決定する図3を参照。その後、各波長の光信号は、レンズ250を経て回折格子240によって出力ポート224-1,224-2,224-3ごとに光信号が合波され、所望の出力ポートより出力される。各波長の光信号が接続される出力ポート及び出力ポートごとに接続可能な波長数に対する制限は少なく、多様な波長数の光信号を扱うことが可能である。また、このWSSにおいて、ミリ秒オーダーでトラフィックを柔軟に振り分けることも可能である。図3は、図2に示したWSSの動作を説明するために、WSSの一部を示した概略説明図である。図3aに示すWSSにおいては、MEMSミラー262の傾きは、ベース210に対して垂直な方向である。このとき、光信号は、出力ポート224-3から出力されている。次いで、MEMSミラー262を図3bに示すように傾ける。このとき、光信号は、出力ポート224-2から出力されている。このように、MEMSミラーの角度を制御することにより光信号が出力される出力ポートを決定する例えば、特許文献1を参照。図4は、従来のWSSの一例を説明するための概略斜視図である。図4に示すWSS400は、入力ポート及び出力ポートが所定の方向に配列された入出力ポートアレイ410と、入出力ポートに光信号を入出力するために偏向光を平行光に変換するfθレンズ420と、fθレンズ420からの光信号のビーム断面を楕円形状にする円筒レンズ430と、第1のレンズ441、光信号を合分波する回折格子442、及び第2のレンズ443からなり、円筒レンズ430を通して集光された断面が楕円形状の光信号をミラーアレイに等倍で投影する4f光学系440と、複数のMEMSミラー451が所定の方向に沿って一列に配列されたミラーアレイ450とを備えており、これらがこの順番で図4中のz軸に沿って一列に配列されている。ここで、入出力ポートアレイは、一般的に、入力ポート用の光ファイバと出力ポート用の光ファイバとが同一のブロック固定具に一次元的に配列されて固定されたファイバコリメータから構成されている。なお、ファイバコリメータアレイは、ファイバアレイとレンズアレイを組み合わせた構成、又は、ファイバとレンズが一体化されたレンズドファイバをアレイ化した構成の何れであってもよい。また、MEMSミラー451は、z軸に対して直交するx軸及びこのx軸に対して直交するy軸回りに回動可能とされている図5を参照。入出力ポートはそのy軸に沿った方向に配列されている。MEMSミラーはそのx軸に沿った方向に配列されている。図5に示すように、分波された各波長の光信号を偏向させ、目的のポートに任意の結合状態で結合させるための偏向素子としてのMEMSミラー451が、上述したように、波長分散方向θy方向と、波長分散方向に垂直な方向θx方向の二方向にビームを偏向する能力を有する。波長分散方向に垂直な方向にビームを偏向するMEMSミラーの角度θxは、x軸回りの回動であって、主に結合する光ポートを選択するための角度である。一方、波長分散方向にビームを偏向する角度θyは、y軸回りの回動であって、主に結合状態を任意にする、即ち、WSSの減衰率ATTattenuationを調整するための角度である。上述した従来構成のWSSでは、スイッチングデバイスMEMSミラーの仕様上、使用していない波長帯域の光がMEMSミラーに入射するとノイズとなってしまう。従って、不要な波長帯域の光を抑制するために、不要な波長帯域の光信号が入射するMEMSミラーについては、そのMEMSミラーを傾けて何れの出力ポートにも結合しないように制御する必要があった。このため、必要帯域以外のMEMSミラーまでも駆動する必要があり、また、必要な帯域のみを持つようにデバイス毎にミラー設計を変更しなければならないという課題があった。本願発明は、上記課題を解決すべくなされたものであり、MEMSミラーの設計を変更することなく、所望帯域の波長の光をMEMSミラーアレイへ入射することが可能なWSSを提供することを目的とする。本願発明は、少なくとも1つの入力ポートと、複数の出力ポートと、入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、集光レンズにより集光された光信号を反射する複数のMEMSミラーから構成されたMEMSミラーアレイであって、反射された光信号は、集光レンズ及び分光手段を介して出力ポートに結合するMEMSミラーアレイとを備えた波長選択スイッチであって、波長選択スイッチは、集光レンズとMEMSミラーアレイとの間に遮光マスクをさらに備え、遮光マスクは、所定の帯域幅の光信号に対応する幅を有する矩形開口部を備えたことを特徴とする。本願発明の一実施形態において、遮光マスクのエッジ付近に存在するMEMSミラーは、傾きを制御されることを特徴とする。本願発明は、少なくとも1つの入力ポートと、複数の出力ポートと、入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、集光レンズにより集光された光信号を反射する複数のMEMSミラーから構成されたMEMSミラーアレイであって、反射された光信号は、集光レンズ及び分光手段を介して出力ポートに結合するMEMSミラーアレイとを備えた波長選択スイッチであって、波長選択スイッチは、入力ポートとMEMSミラーアレイとの間に少なくとも1つの折り返しミラーをさらに備え、波長選択スイッチを構成する光学素子の何れかにおいて、誘電体多層膜から成るバンドストップフィルタが集積されたことを特徴とする。本願発明は、少なくとも1つの入力ポートと、複数の出力ポートと、入力ポートから出射される波長多重光信号を波長分離する分光手段と、分光手段で波長分離された光信号を集光する集光レンズと、集光レンズにより集光された光信号を反射する複数のMEMSミラーから構成されたMEMSミラーアレイであって、反射された光信号は、集光レンズ及び分光手段を介して出力ポートに結合するMEMSミラーアレイとを備えた波長選択スイッチであって、波長選択スイッチは、MEMSミラーアレイの前段且つ信号光の光路の途中にバンドバスフィルタをさらに備えたことを特徴とする。本願発明の一実施形態に係るWSSは、MEMSミラーの前段に遮光マスクを備えることによって、MEMSミラーアレイに入射される光の帯域を限定することができる。本願発明の一実施形態に係るWSSは、MEMSミラーの設計を変更することなく、MEMSミラーアレイに入射される光の帯域を変更することができる。本願発明の一実施形態に係るWSSは、MEMSミラーの前段の折り返しミラーにフィルタを集積することによって、MEMSミラーアレイに入射される光の帯域を限定する。従って、MEMSミラーアレイに入射される光の帯域を限定する際に、WSSに新たな構成素子を追加する必要がないという利点を有する。本願発明の一実施形態に係るWSSは、信号光の光路の途中にバンドパスフィルタを設置することによって、MEMSミラーアレイに入射される光の帯域を限定する。バンドパスフィルタは、MEMSミラーの前段であれば任意の場所に設置することができる。従って、WSSの自由な設計が可能である。以下、本願発明の実施形態を詳細に説明する。第1の実施形態図6は、本願発明に係るWSSの一実施形態の概念図である。WSS100は、1個の入力ファイバ122及び2個の出力ファイバ124-1,124-2から成る入出力ファイバアレイ120と、合分波用回折格子140と、遮光マスク150と、2軸可動式MEMSミラーアレイ160と、光電気制御デバイス180とから構成される。入力ファイバ122から入ってきた光信号を合分波回折格子140により波長ごとに分波する。次いで、分波された光信号のうち、波長帯域の外側に相当する光信号短波側及び長波側が存在するは、遮光マスク150によって遮光される。遮光されなかった光信号は、2軸可動式MEMSミラーアレイ160を構成するMEMSミラーに到達し、反射される。次いで、反射された光の各々は、合分波用回折格子140により合波されて、所定の出力ファイバ124-1又は124-2から出力される。光電気制御デバイス180がMEMSミラーの角度を制御することにより波長ごとに出力するポートを決定する。本実施形態のシミュレーション結果を得るために使用したモデルを図7乃至図9を用いて説明する。図7は、本実施形態のシミュレーション結果を得るために使用したモデルの説明図であり、WSSの構成素子のうち、遮光マスク150及びMEMSミラーアレイ160のみを抜き出した概略斜視図である。図7のMEMSミラーアレイ160のz軸に沿って上方に、即ち、合分波用回折格子140と図7では図示せず、MEMSミラーアレイ160との間に、遮光マスク150が配置されている。複数のMEMSミラーがx軸に沿った方向に一列に配列される。各MEMSミラーは、x軸回りに回動可能である。図8は、本実施形態のシミュレーション結果を得るために使用したモデルの別の説明図である。図8aはWSSの構成素子のうち、遮光マスク150及びMEMSミラーアレイ160のみを抜き出した概略上面図であり、図8bは図8a中に示す破線A-A′における断面図である。図8bに示すように、遮光マスク150と、MEMSミラーアレイ160との間隔は、3.1mmとした。図9は、図8bの領域IXを拡大した図である。図7乃至9に示したモデルを用いてシミュレーション解析を行った結果、遮光マスクのエッジからx軸方向に沿って0.25mm以上はなれた位置に対応するチャネルにおいては、入射光信号の光損失は見られなかった。なお、本明細書においては、通信で使用する波長帯域をインナーバンドと呼称し、その外の波長帯域をアウターバンドと呼称する。本発明のWSSにおいて、インナーバンドに損失が生じないようにマスクを設計し、設置する必要がある。上述のシミュレーション解析結果と比較するため、図10に示すようなWSSを作成して実験を行った。図10はWSSの構成素子のうち、遮光マスク150及びMEMSミラーアレイ160のみを抜き出した概略上面図である。図10に示すように、190.95THz以上のチャネル上に遮光マスクが配置されるような設計とした。また、遮光マスク150のエッジが190.95THzのチャネルの端部から58μmずれて配置されるような設計とした。図10に示すWSSを用いて行った実験の結果を図11に示す。図11は、図10に示すような位置に遮光マスクを配置したときの、各チャネルにおける入射光信号の光強度を表すグラフである。図10に示すように遮光マスクを配置したことにより、190.90THz以上のチャネルにおいて入射光信号の減衰を確認した。図10に示すように、周波数が130GHz増加したとき、43dBの減衰があった。また、遮光マスクのエッジの位置の直下に存在する190.95THzのチャネルに入射する光信号は、遮光マスクを配置したことにより、22dB減衰することが判明した。このように、MEMSミラーアレイ160の設計を変更することなく、後付けの遮光マスク150により、MEMSミラーアレイ160に入射される信号光の帯域を調整することができる。アウターバンドに相当する位置にあり、且つ光信号が入射してしまうチャネルについては、チャネルの傾きを制御して光をノイズにならない方向に反射させる必要があるが、そのようなチャネルの数は少ない。本実施形態において、遮光マスクの開口のサイズを変更することで、MEMSミラーアレイに入射する光信号の帯域を調整することができる。また、上述したモデルでは、矩形の開口を有する1枚の遮光マスクについて検討したが、開口を有さない複数枚の遮光マスクをMEMSミラーアレイの上方に配置して、本願発明を実現することもできる。これによって、アウターバンドのみではなく所望の帯域の信号光を遮光することも可能となる。第2の実施形態電気配線等の実装が容易なため、MEMSミラーは光学ベースに水平に配置されることが多い。そのような場合、光学ベース上を進行する光の光路を折り返しミラーにより直角に曲げて、MEMSミラーアレイへ光を入射させることが必要となる例えば、図11を参照。本実施形態に係るWSS200は、斯かる空間光学系を有する。即ち、本実施形態に係るWSS200は、MEMSミラーアレイ260の前段に光信号の光路を曲げるための折り返しミラー255を備える。折り返しミラー255に誘電体多層膜を積層することにより、折り返しミラー255上にコーティングされたアウターバンドを抑制するためのバンドストップフィルタを実現する。これにより、折り返しミラーの反射率が、波長依存性を持つようにする。具体的に説明すると、折り返しミラーの特定帯域の反射率のみを高くすることで、必要な帯域の光信号のみを反射することができ、これによって、アウターバンドを抑制することができる。フィルタの材料として、5酸化タンタルTa2O5及び二酸化珪素SiO2等を使用することができる。これらの材料を用いて、イオンアシスト蒸着法等により多層膜を成膜するようなコーティングを施す。なお、コーティングは、蒸着法以外の方法例えばスパッタ法により施されてもよい。また、所望帯域以外の光信号を減衰させるための手段として、バンドストップフィルタを使用する代わりに、光信号の光路上において、ハイパスフィルタ及びローパスフィルタの組み合わせを使用することもできる。ミラー以外の素子にフィルタを集積することも可能である。複数のフィルタを様々な素子に集積して、系全体で所望のフィルタ特性を確保することができる。さらに、折り返しミラー上にバンドストップフィルタを実現すること又は光信号の光路上にハイパスフィルタとローパスフィルタとの組み合わせを実現することの代わりに、MEMSミラーアレイの前段且つ信号光の光路の途中に多層膜バンドパスフィルタを設置してもよい。以下、本実施形態の例を説明する。MEMSミラーアレイの前段且つ信号光の光路の途中に、多層膜バンドパスフィルタを設置したモデルを検討した。バンドパスフィルタの挿入に起因する損失の波長依存性をシミュレーションした結果を図12及び図13に示す。図12において、実線は1枚のフィルタを挿入したときの結果を示し、破線は同じ2枚のフィルタを挿入したときの結果を示す。1枚のフィルタを設置したとき、短波長側の阻止帯156000nm156775nmにおけるフィルタの挿入損失は20dB以上となり、長波長側の阻止帯160985nm161700nmにおけるフィルタの挿入損失は20dB以上となる結果を得た。一方、2枚のフィルタを設置したとき、短波長側の阻止帯156000nm156775nmにおけるフィルタの挿入損失は43dB以上となり、長波長側の阻止帯160985nm161700nmにおけるフィルタの挿入損失は43dB以上となる結果を得た。図13は、図11の領域の一部の拡大図である。1枚のフィルタを設置したとき、透過帯域157021nm160725nmにおけるフィルタの挿入損失は0.1dB未満であり、透過帯域における平坦性が担保されていることがわかる。一方、2枚のフィルタを設置したとき、透過帯域157021nm160725nmにおけるフィルタの挿入損失は、フィルタを1枚設置したときと比較して増加したものの、0.2dB未満であった。図12、図13に示すように、2枚のバンドパスフィルタを設置したとき、透過帯域が157021nm乃至160725nmであり、透過帯域における挿入損失が0.2dB未満であり、消光比が43dB以上というフィルタ特性を得た。本実施形態に係るWSSにおいては、既存のミラー等にフィルタを集積することにより、MEMSミラーアレイに入射される信号光の波長帯域を調整する。従って、WSSに新たな素子を追加する必要がない。上述したように、フィルタは、WSSに既存の多くの素子に集積することができる。これにより、消光比を拡大することや、複数のフィルタ機能を集積することができる。"