"基板上に電子線やレーザー光を用いてパターンを形成するパターン描画装置で取り扱う前記パターンのムラ欠陥が発生しないような描画条件を事前に導出するパターンの描画条件導出方法であって、前記基板上に形成するパターン情報を生成するパターン情報生成工程と、前記パターン情報に対して、ビームの振り幅、多重描画回数、水平面内のパターン描画方向、ビーム露光量などの組み合わせによる、2通り以上の描画条件を設定する描画条件設定工程と、前記パターン情報生成工程で生成されるパターン情報の全部または一部を抜き取り、実際にパターンを描画する前記基板よりもサイズの小さな補助基板上に、前記描画条件設定工程で設定された各描画条件のもとに、矩形領域をなす補助パターンを形成する補助パターン描画工程と、前記補助パターンが形成された補助基板に対して照明光を入射し、前記補助パターンにより生じる回折光を、光学系を介して光電変換素子上に結像させて画像として取得し、前記ムラ欠陥に関するムラ評価値とムラ発生周期とを求めることにより、前記複数の描画条件の中から前記ムラ欠陥が生じない描画条件を導出する描画条件判定工程とを含むことを特徴とするパターンの描画条件導出方法。前記補助パターンのパターンピッチは、10μm~100μmの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のパターンの描画条件導出方法。前記補助パターン描画工程で形成される前記矩形領域は、マトリクス状にX、Y方向に等間隔で配列することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパターンの描画条件導出方法。前記補助基板のサイズは、望ましくは5インチ又は6インチであることを特徴とする請求項1~請求項3の何れか一項に記載のパターンの描画条件導出方法。前記基板及び前記補助基板は、波長365nm~436nmの範囲内の所定波長域の光を露光するためのフォトマスクが施されていることを特徴とする請求項1~請求項4の何れか一項に記載のパターンの描画条件導出方法。前記描画条件判定工程で用いられる前記照明光の波長は、中心波長540nmの緑色光であることを特徴とする請求項1~5の何れか一項に記載のパターンの描画条件導出方法。前記描画条件判定工程における画像取得手段は、前記補助基板のパターンから生じる回折光のうち、前記補助基板の被撮像面に対して垂直な回折光のみを抽出する光学系と、この光学系で抽出される垂直な回折光を結像させて画像変換する光電変換素子を用いた撮像手段とを有することを特徴とする請求項1~請求項6の何れか一項に記載のパターンの描画条件導出方法。前記描画条件判定工程におけるムラ欠陥に関するムラ評価値の算出手段は、前記撮像手段により取得された被処理画像に対して矩形領域内の各画素における輝度積算値と該輝度積算値に対する比較基準値とを用いて、ムラ評価値を算出することを特徴とする請求項1~請求項7の何れか一項に記載のパターンの描画条件導出方法。前記描画条件判定工程におけるムラ欠陥に関するムラ発生周期算出手段は、前記撮像手段により取得された被処理画像に対して2次元フーリエ変換を実施してムラ発生周期を算出することを特徴とする請求項1~請求項7の何れか一項に記載のパターンの描画条件導出方法。請求項1~請求項9の何れか一項に記載のパターンの描画条件導出方法で使用するパターン情報生成工程、描画条件設定工程、補助パターン描画工程及び描画条件判定工程の他、この描画条件判定工程によって導出された描画条件のもとに実サイズの基板上にパターンを描画するパターン描画工程を備えたことを特徴とするパターン描画装置。請求項1~請求項9の何れか一項に記載のパターンの描画条件導出方法によって導出された描画条件を用いて、実サイズの基板上にパターンを描画することを特徴とするパターン描画装置。波長413nmのクリプトンイオンレーザーを基板上で走査させることによりパターンを描画するラスター式描画装置であることを特徴とする請求項10又は請求項11に記載のパターン描画装置。本発明は上記のような問題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、基板上に電子線やレーザー光を用いてパターンを形成するパターン描画装置で取り扱うパターンのムラ欠陥が発生しないような最適な描画条件を導出し、実サイズの基板へ描画するパターン製品の歩留まりの向上を図るパターンの描画条件導出方法及びパターン描画装置を提供することである。上記課題を解決するために、請求項1に対応する発明は、基板上に電子線やレーザー光を用いてパターンを形成するパターン描画装置で取り扱う前記パターンのムラ欠陥が発生しないような描画条件を事前に導出するパターンの描画条件導出方法であって、前記基板上に形成するパターン情報を生成するパターン情報生成工程と、前記パターン情報に対して、ビームの振り幅、多重描画回数、水平面内のパターン描画方向、ビーム露光量などの組み合わせによる、2通り以上の描画条件を設定する描画条件設定工程と、前記パターン情報生成工程で生成されるパターン情報の全部または一部を抜き取り、実際にパターンを描画する前記基板よりもサイズの小さな補助基板上に、前記描画条件設定工程で設定された各描画条件のもとに、矩形領域をなす補助パターンを形成する補助パターン描画工程と、前記補助パターンが形成された補助基板に対して照明光を入射し、前記補助パターンにより生じる回折光を、光学系を介して光電変換素子上に結像させて画像として取得し、前記ムラ欠陥に関するムラ評価値とムラ発生周期とを求めることにより、前記複数の描画条件の中から前記ムラ欠陥が生じない描画条件を導出する描画条件判定工程とを含むことを特徴とするパターンの描画条件導出方法である。請求項2に対応する発明としては、前記補助パターンのパターンピッチは、10μm~100μmの範囲内である請求項1に対応する発明に記載のパターンの描画条件導出方法である。請求項3に対応する発明としては、前記補助パターン描画工程で形成される前記矩形領域は、マトリクス状にX、Y方向に等間隔で配列することを特徴とする請求項1又は請求項2に対応する発明に記載のパターンの描画条件導出方法である。請求項4に対応する発明としては、前記補助基板のサイズは、望ましくは5インチ又は6インチであることを特徴とする請求項1~請求項3の何れか一項に対応する発明に記載のパターンの描画条件導出方法である。請求項5に対応する発明としては、前記基板及び前記補助基板には、波長365nm~436nmの範囲内の所定波長域の光を露光するためのフォトマスクが施されていることを特徴とする請求項1~請求項4の何れか一項に対応する発明に記載のパターンの描画条件導出方法である。請求項6に対応する発明としては、前記描画条件判定工程で用いられる前記照明光の波長は、中心波長540nmの緑色光であることを特徴とする請求項1~5の何れか一項に対応する発明に記載のパターンの描画条件導出方法である。請求項7に対応する発明としては、前記描画条件判定工程における画像取得手段は、前記補助基板のパターンから生じる回折光のうち、前記補助基板の被撮像面に対して垂直な回折光のみを抽出する光学系と、この光学系で抽出される垂直な回折光を結像させて画像変換する光電変換素子を用いた撮像手段とを有することを特徴とする請求項1~請求項6の何れか一項に対応する発明に記載のパターンの描画条件導出方法である。請求項8に対応する発明としては、前記描画条件判定工程におけるムラ欠陥に関するムラ評価値の算出手段は、前記撮像手段により取得された被処理画像に対して矩形領域内の各画素における輝度積算値と該輝度積算値に対する比較基準値とを用いて、ムラ評価値を算出することを特徴とする請求項1~請求項7の何れか一項に対応する発明に記載のパターンの描画条件導出方法である。請求項9に対応する発明としては、前記描画条件判定工程におけるムラ欠陥に関するムラ発生周期算出手段は、前記撮像手段により取得された被処理画像に対して2次元フーリエ変換を実施してムラ発生周期を算出することを特徴とする請求項1~請求項7の何れか一項に対応する発明に記載のパターンの描画条件導出方法である。請求項10に対応する発明は、請求項1~請求項9の何れか一項に対応する発明に記載のパターンの描画条件導出方法で使用するパターン情報生成工程、描画条件設定工程、補助パターン描画工程及び描画条件判定工程の他、この描画条件判定工程によって導出された描画条件のもとに実サイズの基板上にパターンを描画するパターン描画工程を備えたことを特徴とするパターン描画装置である。請求項11に対応する発明は、請求項1~請求項9の何れか一項に対応する発明に記載のパターンの描画条件導出方法によって導出された描画条件を用いて、実サイズの基板上にパターンを描画することを特徴とするパターン描画装置である。請求項12に対応する発明は、波長413nmのクリプトンイオンレーザーを基板上で走査させることによりパターンを描画するラスター式描画装置であることを特徴とする請求項10又は請求項11に対応する発明に記載のパターン描画装置である。本発明に係るパターンの描画条件導出方法及びパターン描画装置によれば、基板上に電子線やレーザー光を用いてパターンを形成するパターン描画装置で取り扱うパターンのムラ欠陥が発生しないような最適な描画条件を導出し、この導出された描画条件のもとに実サイズの基板へパターンを描画することによって製品の歩留まりの向上に寄与することができる。以下、本発明に係るパターンの描画条件導出方法及びパターン描画装置の一実施の形態について説明する。図1は、本発明に係るパターンの描画条件導出方法で用いられるパターン部形状が格子形状である場合の補助パターン1の模式図である。なお、補助パターン1は、実サイズの基板と同じ材質であるが、実際の基板よりも小さな、望ましくは5インチ又は6インチサイズの基材2上にパターン部3を形成したものであり、例えばフォトマスクなど、フォトリソグラフィーやエッチングにより製作されるものを挙げることが出来る。図1において、Y方向に対しては、適用すべきSHビーム振り幅又はビーム走査幅に対し、最小値をSHmin、最大値をSHmax、SH増分量をΔSHとした場合、パターン部3としては、パターンピッチdx、dyの格子形状パターンが、SHmin、SHminΔSH、SHmin2×ΔSH、、SHminM×ΔSHMは自然数、SHmax、というように、SHmin~SHmaxの範囲でSHが異なる矩形領域をY方向に等間隔に配列させたものとする。一方、X方向に対しては、適用すべき多重描画回数PNに対し、最小値をPNmin、最大値をPNmax、PN増分量をΔPNとした場合、パターン部3としては、パターンピッチdx、dyの格子形状パターンが、PNmin、PNminΔPN、PNmin2×ΔPN、、PNminN×ΔPNNは自然数、PNmax、というよう、PNmin~PNmaxの範囲でPNが異なる矩形領域をX方向に等間隔に配列させたものとする。また、アライメントマークなど装置機械軸調整に必要とされるアクセサリーパターンを適宜配置させても良い。図2は、図1と同様にパターン部形状が格子形状である場合の補助パターン4の模式図である。この補助パターン4は、2列構成とし、1列目には、補助パターン1と同様に、適用すべきSHに対し、最小値をSHmin、最大値をSHmax、SH増分量をΔSHとした場合、パターン部6としては、パターンピッチdx、dyの格子形状パターンが、SHmin、SHminΔSH、SHmin2×ΔSH、、SHminM×ΔSHMは自然数、SHmax、というように、SHmin~SHmaxの範囲でSHが異なる矩形領域をY方向に等間隔に配列させたものとする。2列目には、1列目のパターン部6に対して相対的にパターン方向が90 ゚回転するようにパターン部7を配列させ、1列目と同様に適用すべきSHに対し、最小値をSHmin、最大値をSHmax、SH増分量をΔSHとした場合、パターンピッチdx、dyの格子形状パターンが、SHmin、SHminΔSH、SHmin2×ΔSH、、SHminM×ΔSHMは自然数、SHmax、というように、SHmin~SHmaxの範囲でSHが異なる矩形領域をY方向に等間隔に配列させたものとする。以上、代表的な2種類の補助パターン1,4を用いた形態について説明したが、勿論描画対象となるパターン形状に応じ、同様の手法を用いて他の形状のパターン部を有する補助パターンを作成しても良い。因みに、補助パターン1,4のパターン部3、6のパターンピッチdx、dyとしては、例えば10μm~100μmの範囲内とする。図3は、本発明に係る一実施形態の方法を適用してなる描画条件判定装置の一部を概略的に示した構成図である。図3は透過回折光を得るための装置の構成例を示している。なお、本装置は外乱光や迷光を極力低減させた暗環境かつ補助基板60への異物付着を防止するクリーン環境で稼動されることが望ましい。本装置は、図3に示すように、透過照明部10と、補助基板60の位置決め動作及び基板搬送動作が可能なX-Yステージ部20と、補助基板60の位置決めを実施するためのアライメント用撮像部30と、補助基板60からの回折像を撮像し、被処理画像取得を実施する撮像部40と、CPUで構成される処理制御部100から構成されている。透過照明部10は、円弧レール11がターンテーブル12上に設置されている。円弧レール11には照明ヘッド13が設けられており、光源14からはライトガイド15を用いて照明ヘッド13へ導光している。透過照明部10は、円弧レール11上で照明ヘッド13を駆動することによって補助基板60の被撮像面に対して垂直方向の照射角度の調整を行うようにしているなお、この駆動軸をφ軸と定義する。照明ヘッド13は、円弧レール11上のどの位置にあっても、X-Yステージ部20上の補助基板60の被撮像面に対して、様々な照射角度からの透過照明が可能となっている。また、ターンテーブル12は、円弧レール11を補助基板60の被撮像面に対して、水平方向に回転させることが可能でありこの駆動軸をθ軸と定義する、水平方向における任意方向からの照明光の照射が可能な構成となっている。なお、照明ヘッド13には平行光学系が設けられている。光源14としては、十分な照度を有するものが望ましく、本実施形態ではメタルハライド光源装置を用いているが、ハイパワータイプのLED光源装置を用いても良く、仮にそれでも光量が不十分であれば複数台のLED光源装置を用いても良い。なお、本実施形態に適用する光源14としては、中心のピーク波長540nmのバンドパスフィルタが内蔵されたメタルハライド光源装置を用いている。光源14にLED光源装置を用いる場合には、例えば、緑色LEDチップが実装されたLED光源装置を利用するものとする。補助基板60は、X―Yステージ部20におけるワークストッパー21にてX及びY方向で固定される。なお、ワークストッパー21は基板サイズに応じて固定位置の調整が可能である。X―Yステージ部20は、補助基板60を図3のX軸方向及びY軸方向に平行移動する機能を有する。これによって、予め設定した動作手順に従って補助基板60をX軸及びY軸方向に駆動する。アライメント用撮像部30は、カメラ31、レンズ32、照明33及び照明制御装置34によって構成される。補助基板60上のアライメントマークを含む領域に対して同軸落射形式で照明光が照射され、その観察画像がカメラ31により撮像される。なお、照明制御装置34は、照明33に対して、点灯/消灯制御及び照明光強度の調節が出来るようになっている。照明制御装置34は、実際には処理制御部100からの制御動作等の指示に従い、照明33の制御や光強度の調節を行う。なお、本実施の形態では、カメラ31にはエリアセンサーカメラを、レンズ32には同軸落射タイプの固定倍率テレセントリックレンズを、そして照明33には高輝度スポット型の白色LED照明をそれぞれ用いている。撮像部40は、カメラ41と、平行光学系42と、Zステージ43から構成される。カメラ41としては、可視光域に分光感度特性を有している光電変換素子を具備していることが望ましい。本実施の形態では、カメラ41としてエリアセンサーカメラを用いているが、ラインセンサーカメラを用いても良い。平行光学系42には、テレセントリックズームレンズが用いられている。このとき、レンズのテレセントリシティとして0.5°以下を満足するようなものが望ましい。また、Zステージ43には、カメラ41とレンズ42が被検査基板60上の被撮像面に対して鉛直方向に移動可能になっており、この移動動作によって焦点位置の調整が可能となる。処理制御部100は、情報処理手段101、信号入力部102、103、表示部104及び入力操作部105を備え、情報処理手段101にて透過照明部10、X-Yステージ部20、アライメント用撮像部30及び撮像部40等の動作管理処理制御を統括的に実行する機能を有している。図4は、本発明に係る一実施の形態による方法を適用してなる描画装置におけるパターン描画方法を模式的に示した図である。本実施の形態においては、例えば波長413nmのクリプトンイオンレーザーを照射し、パターンを描画するラスター式のレーザー描画装置を用いられる。ビームの描画方法は、描画する領域全体を走査し、描画部のみビームをONするラスター方式である。1回のビーム走査幅はSHの値によって決められる。図5は、本発明に係るパターンの描画条件導出方法の一実施の形態である処理手順を説明するフロー図である。このパターンの描画条件導出方法は、図1に示した補助パターン1を用いた場合の実施の形態例であって、以下、ステップS1~S5の順に従って説明する。先ず、描画すべきパターン情報を生成するS1。なお、パターン情報を生成する為に用いる処理手段としては、処理制御部100を用いても良いし、他の処理手段を用いても構わない。次に、入力操作部105からパターン描画条件を設定するS2。本実施の形態では、具体的には、適用すべきビームの振り幅SHの最小値であるSHmin、SH最大値であるSHmax、SH増分量であるΔSHと、多重描画回数PNの最小値であるPNmin、PN最大値であるPNmax、PN増分量であるΔPN、水平面内のパターン描画方向、ビーム露光量などの描画条件が挙げられ、これら複数の項目及び各項目設定値の組み合わせることにより、2通り以上の描画条件を設定する。次に、パターン描画装置を用いて、図1に示す補助パターン1の描画を行うがS3、このとき描画条件判定装置を用いて、設定された何れの描画条件であればパターンおけるムラ欠陥が発生しないか否かの最適描画条件の判定処理を行うS4。この最適描画条件の判定導出処理S4は、A1~A6の処理ステップによって実現される。以下、A1~A6の処理ステップA1~A6の順に簡単に説明する。補助パターン1におけるパターンピッチ、サイズ、パターン部レイアウト、各パターンの描画条件等の情報を、キーボード、入力デバイス等の入力操作部105を備えた情報処理手段101から入力され、RAMなどの設定データ記憶部に記憶するA1。この段階で、補助基板60の被撮像面に対して、ターンテーブル12を水平方向に回転させるθ軸の情報も入力する。ここで、図6には補助基板60とθとの対応関係を示しているこの場合の一例として、θ=0°、45°、90°の3種類について定義した。X-Yステージ部20とアライメント用撮像部30は、補助パターン1に対するアライメント動作を実施するA2。平行光学系42におけるレンズ倍率を設定するA3。ムラ欠陥の可視化に最適とされる照明照射角度φを、パターン描画条件毎に設定するA4。X-Yステージ部20を駆動させ、各パターン部が撮像中心位置に来るように位置調節し、全てのパターン部に対して被処理用の画像取込を実施するA5。ステップA5にて得られた各パターン部の被処理画像に対し、ムラ評価値Cとムラ周期Fを算出し、その結果から最適なパターン描画条件の判定を行うA6。ここで、ムラ評価値Cとは、ステップA5にて得られた被処理画像におけるパターン正常部とパターン変動部における輝度値コントラストを取った値のことである。本実施の形態におけるステップA6でのムラ評価値Cの算出方法について、以下、ステップC1~C3の順に説明する。図7に示すように、ステップA5にて得られた被処理画像に対して矩形計算領域を定義し、計算領域内の各画素における輝度値をX及びY方向に別個に積算し、積算値ΣIを計算するC1。なお、積算した画素数で割った平均値を取り扱う。図7では矩形計算領域を被処理画像内側へ内挿した状態を示したが、矩形計算領域は被処理画像全面に設定しても良い。ステップC1にて計算された積算値に対する比較基準値ΣOを計算するC2。積算値からの比較基準値の導出については、図8にて模式的に示している。本実施の形態では、比較基準値の導出方法として移動平均処理を利用する。以下の演算により、評価値Cを算出するC3C=|ΣI-ΣO|......1以上のステップC1~C3は、ムラ評価値Cの算出方法に関する説明とする。次に、ムラ発生周期Fの算出方法について、以下、ステップF1~F3の順に説明する。ステップA5にて得られた被処理画像において、画像中心を基準とし、縦R画素、横R画素の矩形領域を定義し、矩形領域内にて2次元フーリエ変換を実行してパワースペクトル像を導出するF1。なお、2次元フーリエ変換実行の前処理としては、矩形領域内の画像に対する2値化処理を実施しても良い。ただし、計算に高速フーリエ変換FFTを使用するため、128、256、512というように2のべき乗で表わされる数値となるようにRの値を定義する必要がある。パワースペクトル像から、画像X方向及びY方向それぞれにおいて、空間周波数fに対するパワースペクトル分布を求めるF2。ここで、空間周波数fとは、F1にて定義した矩形領域の一辺の長さにおける周波数として定義される値である。ステップF2で求めたパワースペクトル分布において最も大きなスペクトルをとる空間周波数fを求め、被処理画像における画像分解能から、空間周波数fをムラ発生周期Fの値へ変換するF3。以上のステップF1~F3は、2次元フーリエ変換によるムラ発生周期F算出方法に関する説明とする。このムラ発生周期Fは、F=SHという条件を満たし、且つムラ評価値Cに対する判定用閾値Cth以下であって、最もムラ評価値Cの値が小さくなったパターン部における描画条件を、最適描画条件と判断することが出来る。ここで、ムラ発生周期FとSHの値は完全に一致している必要はなく、場合によっては数μmの誤差を許容しても構わないものとする。以上のステップA1~A6は、S4での描画条件判定方法を説明するための処理手順である。引き続き、ステップS4にて決定されたパターン描画条件のもとに実サイズ基板へのパターン描画を行うS5。以上説明したように、本発明に係る一実施の形態の方法によれば、基板上に電子線やレーザー光を用いてパターンを形成するためのパターン描画装置において、ムラ欠陥が発生しないような最適な描画条件を導出し、この導出された最適な描画条件を用いて実サイズの基板へパターンを描画するので、製品の歩留まりを上げることができ、未然に不良製品を少なくして、製品コストの低減化を図ることができる。以下、本発明における実施例について説明する。全ての実施例において使用したパターン描画装置は同一である。なお、パターン描画装置におけるビーム走査方向は全て図6におけるX方向であり、本実施例では補助基板60への相対投光方向θ=0 ゚とした場合の結果を示すものとする。実施例として、図1に示す補助パターン1と同様に、dx=46.5μm、dy=15.5μmの格子形状パターンを描画した場合の結果を示す。ステップS1~S5のフローに基づいて、描画すべきパターン情報を生成した後、パターン描画条件を設定し、補助パターン1を描画した後、描画条件判定装置を用いてムラ欠陥が発生しない最適描画条件の判定を行い、実サイズ基板へパターン描画を行った。このとき、S2ではSHmin=186μm、SHmax=310μm、ΔSH=31μm、PNmin=1、PNmax=2、ΔPN=1と設定した。S4では、Cth=20として最適描画条件判定を行ったところ、SH=186μm、PN=1の描画条件におけるパターン部のムラ評価値C=7.1が最小値となり、最適描画条件と判定された。なお、照明照射角度φ=57.0°であり、R=256として計算したムラ周期F=186.5μmであった。本実施例に係る、SHとムラ評価値Cの関係を図9に示している。前述する実施の形態は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。前記実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"