"外周に面取り部を有するとともに表面に複数のデバイスが形成されたウエーハを所定厚みへ薄化するウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面をチャックテーブルで保持してウエーハの表面を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、切削ブレードを少なくとも該所定厚みまでウエーハの外周縁に切り込ませつつ該チャックテーブルを回転させてウエーハの外周縁を切削し、ウエーハの表面から少なくとも該所定厚みに至る領域の該面取り部を除去する面取り部除去ステップと、該面取り部除去ステップを実施した後、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハの裏面を研削してウエーハを該所定厚みへと薄化する研削ステップとを具備し、該面取り部除去ステップは、ウエーハの中央部上方からウエーハの表面に向かって洗浄液を供給しつつ実施することを特徴とするウエーハの加工方法。ところが、ウエーハの表面が露出した状態でウエーハの外周縁を切削ブレードで切削すると、切削により発生した切削屑コンタミがウエーハ表面のデバイスに付着して後のボンディング工程やパッケージング時に不具合を発生させる他、デバイスを損傷させる恐れがあるという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの表面側から外周トリミングを実施しても切削屑がウエーハ表面に付着することのないウエーハの加工方法を提供することである。本発明によると、外周に面取り部を有するとともに表面に複数のデバイスが形成されたウエーハを所定厚みへ薄化するウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面をチャックテーブルで保持してウエーハの表面を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、切削ブレードを少なくとも該所定厚みまでウエーハの外周縁に切り込ませつつ該チャックテーブルを回転させてウエーハの外周縁を切削し、ウエーハの表面から少なくとも該所定厚みに至る領域の該面取り部を除去する面取り部除去ステップと、該面取り部除去ステップを実施した後、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハの裏面を研削してウエーハを該所定厚みへと薄化する研削ステップとを具備し、該面取り部除去ステップは、ウエーハの中央部上方からウエーハの表面に向かって洗浄液を供給しつつ実施することを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。本発明の加工方法によると、ウエーハの裏面側をチャックテーブルで保持しながらウエーハの中央部上方からウエーハ表面に向かって洗浄液を供給しつつウエーハ外周の切削が遂行されるため、切削屑がウエーハの回転に伴ってウエーハ外周方向に飛散する洗浄液に取り込まれ、ウエーハ表面から排出される。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハ11の表面側斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ラインストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。このように構成された、半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面11aの平坦部に備えている。半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されているとともに、その外周には表面11aから裏面11bに至る円弧状の面取り部23が形成されている。本発明のウエーハの加工方法では、図2に示すように、半導体ウエーハ11の裏面11bを切削装置のチャックテーブル10で保持してウエーハ表面11aを露出させる保持ステップを実施する。このように半導体ウエーハ11をチャックテーブル10で保持した後、切削ブレードでウエーハ11を所定厚みt1まで円形に切削して面取り部23を部分的に除去する面取り部除去ステップを実施する。この面取り部除去ステップでは、図3に示すように、切削ユニット12のスピンドル14の先端に取り付けられた切削ブレード16を表面11aから所定厚み仕上げ厚みt1までウエーハ11の外周縁に切り込ませつつ、チャックテーブル10を矢印a方向に低速で回転させてウエーハ11の外周縁を円形に切削して、ウエーハ11の表面11aから所定厚みt1に至る領域の面取り部23を除去して、ウエーハ11の外周に環状切削部25を形成する。切削ブレード16による面取り部除去ステップは、ウエーハ11の中央部上方に配設された洗浄液供給ノズル18から洗浄液20を供給しながら実施する。洗浄液20としては、純水又は純水に炭酸ガスを混入した洗浄液が使用される。本実施形態の面取り部除去ステップは、ウエーハ11の中央部上方からウエーハ表面11aに向かって洗浄液20を供給しながら遂行されるため、切削屑はウエーハ11の回転に伴ってウエーハ11の外周方向に飛散する洗浄液20に取り込まれてウエーハ表面11aから排出されるので、切削屑がウエーハ11の表面11aに付着することが防止される。面取り部除去ステップを実施後、図4に示すように、ウエーハ11の表面11aに保護部材としての表面保護テープ27を貼着する保護部材配設ステップを実施する。次いで、図5に示すような研削装置22を使用して、ウエーハ11の裏面11bを研削する研削ステップを実施する。図5において、24は研削装置22のベースであり、ベース24の後方にはコラム26が立設されている。コラム26には、上下方向に伸びる一対のガイドレール28が固定されている。この一対のガイドレール28に沿って研削ユニット研削手段30が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット30は、スピンドルハウジング32と、スピンドルハウジング32を保持する支持部34を有しており、支持部34が一対のガイドレール28に沿って上下方向に移動する移動基台36に取り付けられている。研削ユニット30は、スピンドルハウジング32中に回転可能に収容されたスピンドル38と、スピンドル38を回転駆動するモータ40と、スピンドル38の先端に固定されたホイールマウント42と、ホイールマウント42に着脱可能に装着された研削ホイール44とを含んでいる。研削装置22は、研削ユニット30を一対の案内レール28に沿って上下方向に移動するボールねじ50とパルスモータ52とから構成される研削ユニット送り機構54を備えている。パルスモータ52を駆動すると、ボールねじ50が回転し、移動基台36が上下方向に移動される。ベース24の上面には凹部24aが形成されており、この凹部24aにチャックテーブル機構56が配設されている。チャックテーブル機構56はチャックテーブル58を有し、図示しない移動機構によりウエーハ着脱位置Aと、研削ユニット30に対向する研削位置Bとの間でY軸方向に移動される。60,62は蛇腹である。ベース24の前方側には、研削装置2のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル64が配設されている。ウエーハ11の裏面11bに表面保護テープ27を配設する保護部材配設ステップを実施した後、図6に示すように、研削装置22のチャックテーブル58でウエーハ11の表面保護テープ27側を吸引保持し、ウエーハ22の裏面11bを露出させる。図6において、スピンドル38の先端に固定されたホイールマウント42には、複数のねじにより研削ホイール44が着脱可能に装着されている。研削ホイール44は、ホイール基台46の自由端部下端部に複数の研削砥石48を環状に配設して構成されている。研削ステップでは、チャックテーブル58を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール44を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構54を駆動して研削ホイール44の研削砥石48をウエーハ11の裏面11bに接触させる。そして、研削ホイール44を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでウエーハ11の厚みを測定しながら、ウエーハ11を所定厚みt1、例えば100μmの厚みに研削する。この研削ステップにより、ウエーハ11の裏面側の面取り部23は除去される。図7を参照すると、保護部材配設ステップの他の実施形態が示されている。本実施形態では、保護部材としてのサポートウエーハ29をウエーハ11の表面11aに貼着する。そして、図8に示すように、研削装置22のチャックテーブル58でサポートウエーハ29側を吸引保持しウエーハ11の裏面11bを露出させる。図6を参照して説明した実施形態と同様に、チャックテーブル58を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール44を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ホイール44を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りしてウエーハ11の裏面11bの研削を実施して、ウエーハ11を所定の厚みt1に仕上げる。本実施形態では、保護部材としてサポートウエーハ29を使用しているため、研削ステップ終了後にはサポートウエーハ29を研削済みのウエーハ11の表面11aから剥離して、サポートウエーハ29を保護部材として再利用することができる。サポートウエーハ29は、ガラス又はシリコン等から形成することができる。"