"一面側に金属イオンを捕獲する金属イオン捕獲層を有する検出板と、捕獲された前記金属イオンを還元する還元剤を前記金属イオン捕獲層に案内する案内部と、前記検出板の前記金属イオン捕獲層が配される面と反対側の面に対し、光学的に密着させて配される光学プリズムと、前記光学プリズムを介して前記検出板に光を照射する光照射手段と、前記検出板から反射される反射光を検出する光検出手段とを有し、前記還元剤の投与前後における前記反射光の反射率変化を検出することを特徴とする金属検出装置。金属イオン捕獲層が、金属イオンと結合する配位子を有する請求項1に記載の金属検出装置。配位子が、キレートである請求項2に記載の金属検出装置。案内部が、還元剤又は還元剤を含む溶液を注入する注入口と、前記注入された還元剤又は還元剤を含む溶液を金属イオン捕獲層の面上に案内する案内路とを有する請求項1から3のいずれかに記載の金属検出装置。検出板が、光学プリズムから入射される光により光導波モードを励起する光導波路層を有する請求項1から4のいずれかに記載の金属検出装置。一面側に金属イオンを捕獲する金属イオン捕獲層を有し、前記金属イオン捕獲層が、前記金属イオンと結合する配位子を有することを特徴とする検出板。一面側に金属イオンを捕獲する金属イオン捕獲層を有する検出板に光を照射する第1の光照射工程と、前記第1の光照射工程に基づき、前記検出板から反射される反射光を検出する第1の光検出工程と、前記検出板に対し、前記金属イオンの測定対象となる検体試料を投与し、前記金属イオンを捕獲する金属イオン捕獲工程と、捕獲された前記金属イオンを還元する還元剤を投与し、前記金属イオンを還元する金属イオン還元工程と、前記金属イオン還元工程後、前記検出板に光を照射する第2の光照射工程と、前記第2の光照射工程に基づき、前記検出板から反射される反射光を検出する第2の光検出工程とを有し、前記第1の光検出工程と、前記第2の光検出工程とで検出される前記各反射光の反射率の変化を検出することを特徴とする金属検出方法。第1の光照射工程及び第2の光照射工程における光の照射を光学プリズムを介して行い、第1の光検出工程及び第2の光検出工程における反射光の検出を前記光学プリズムを介して行う請求項7に記載の金属検出方法。第1の光照射工程及び第1の光検出工程、並びに、第2の光照射工程及び第2の光検出工程における、光の照射及び反射光の検出を連続的に実施する請求項7から8のいずれかに記載の金属検出方法。金属イオン捕獲層が、金属イオンと結合する配位子を有する請求項7から9のいずれかに記載の金属検出方法。配位子が、キレートである請求項10に記載の金属検出方法。検出板が、入射される光により光導波モードを励起する光導波路層を有する請求項7から11のいずれかに記載の金属検出方法。本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、高い検出感度を備えつつ、小型で安価で携行でき、なおかつ、液中の金属イオンを迅速に検出可能な金属検出装置、検出板及び金属検出方法を提供することを目的とする。前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、<1>一面側に金属イオンを捕獲する金属イオン捕獲層を有する検出板と、捕獲された前記金属イオンを還元する還元剤を前記金属イオン捕獲層に案内する案内部と、前記検出板の前記金属イオン捕獲層が配される面と反対側の面に対し、光学的に密着させて配される光学プリズムと、前記光学プリズムを介して前記検出板に光を照射する光照射手段と、前記検出板から反射される反射光を検出する光検出手段とを有し、前記還元剤の投与前後における前記反射光の反射率変化を検出することを特徴とする金属検出装置。<2>金属イオン捕獲層が、金属イオンと結合する配位子を有する前記<1>に記載の金属検出装置。<3>配位子が、キレートである前記<2>に記載の金属検出装置。<4>案内部が、還元剤又は還元剤を含む溶液を注入する注入口と、前記注入された還元剤又は還元剤を含む溶液を金属イオン捕獲層の面上に案内する案内路とを有する前記<1>から<3>のいずれかに記載の金属検出装置。<5>検出板が、光学プリズムから入射される光により光導波モードを励起する光導波路層を有する前記<1>から<4>のいずれかに記載の金属検出装置。<6>一面側に金属イオンを捕獲する金属イオン捕獲層を有し、前記金属イオン捕獲層が、前記金属イオンと結合する配位子を有することを特徴とする検出板。<7>一面側に金属イオンを捕獲する金属イオン捕獲層を有する検出板に光を照射する第1の光照射工程と、前記第1の光照射工程に基づき、前記検出板から反射される反射光を検出する第1の光検出工程と、前記検出板に対し、前記金属イオンの測定対象となる検体試料を投与し、前記金属イオンを捕獲する金属イオン捕獲工程と、捕獲された前記金属イオンを還元する還元剤を投与し、前記金属イオンを金属に還元する金属イオン還元工程と、前記金属イオン還元工程後、前記検出板に光を照射する第2の光照射工程と、前記第2の光照射工程に基づき、前記検出板から反射される反射光を検出する第2の光検出工程とを有し、前記第1の光検出工程と、前記第2の光検出工程とで検出される前記各反射光の反射率の変化を検出することを特徴とする金属検出方法。<8>第1の光照射工程及び第2の光照射工程における光の照射を光学プリズムを介して行い、第1の光検出工程及び第2の光検出工程における反射光の検出を前記光学プリズムを介して行う前記<7>に記載の金属検出方法。<9>第1の光照射工程及び第1の光検出工程、並びに、第2の光照射工程及び第2の光検出工程における、光の照射及び反射光の検出を連続的に実施する前記<7>から<8>のいずれかに記載の金属検出方法。<10>金属イオン捕獲層が、金属イオンと結合する配位子を有する前記<7>から<9>のいずれかに記載の金属検出方法。<11>配位子が、キレートである前記<10>に記載の金属検出方法。<12>検出板が、入射される光により光導波モードを励起する光導波路層を有する前記<7>から<11>のいずれかに記載の金属検出方法。本発明によれば、従来技術における前記諸問題を解決することができ、高い検出感度を備えつつ、小型で安価で携行でき、なおかつ、液中の金属イオンを迅速に検出可能な金属検出装置、検出板及び金属検出方法を提供することができる。金属検出装置及び検出板本発明の金属検出装置は、検出板と、案内部と、光学プリズムと、光照射手段と、光検出手段とを有し、必要に応じて、その他の部材を有してなる。<検出板>前記検出板は、一面側に金属イオンを捕獲する金属イオン捕獲層を有する。前記検出板としては、前記金属イオン捕獲層を有する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記金属イオン捕獲層と、前記表面プラズモン共鳴及び前記光導波モードを利用する検出板を構成する諸層とを適宜積層させた積層構造体として構成することができる。前記金属検出装置では、前記金属イオン捕獲層が形成される前記検出板の面付近に前記金属イオンを捕らえて前記金属の存在を検出することから、前記検出板において、前記金属イオン捕獲層が形成される面を検出面と呼ぶ。前記表面プラズモン共鳴を利用する検出板、即ち、前記SPRセンサーに用いられる検出板の構成例としては、例えば、透明基板上に表面プラズモン共鳴を発現可能な金属薄膜層と、前記金属イオン捕獲層とをこの順に配した積層構造体が挙げられる。前記透明基板及び前記金属薄膜層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記表面プラズモン共鳴を利用する検出板に用いられる公知の技術を適用して適宜構成することができる。また、前記光導波モードを利用する検出板、即ち、前記光導波モードセンサーに用いられる検出板の構成例としては、例えば、シリカガラス基板等の透明基板上に、金属又は半導体材料の薄膜層と、酸化シリコン層などの光導波モードを励起可能な光導波路層と、前記金属イオン捕獲層とをこの順に配した積層構造体が挙げられる。この積層構造体の例を図5に示す。即ち、該図5に示すように、検出板10は、透明基板11上に、薄膜層12と、光導波路層13と、金属イオン捕獲層14とがこの順に配されてなる。前記透明基板及び前記薄膜層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記光導波モードを利用する検出板に用いられる公知の技術を適用して適宜構成することができる。また、前記光導波路層についても、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記光導波路層の表面にナノ孔を形成すると、光導波モードセンサーの感度が向上することから、前記光導波路層の表面にナノ孔を形成した面を検出面とし、この表面に前記金属イオン捕獲層を形成することが好ましい。なお、同様の効果は、ポーラス状の光導波路層を用いても得ることができる。前記金属イオン捕獲層としては、金属イオンを捕獲するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記金属イオンを容易に捕獲できる観点から、前記金属イオンと結合する配位子を有することが好ましい。本発明の検出板は、前記金属イオンと結合する配位子を有する。前記配位子としては、前記金属イオンと結合するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、単座配位子と比較してより特定の金属イオンを特異的かつ高効率に捕獲することができる観点から、キレート多座配位子が好ましい。前記配位子の化学構造としては、金属イオンを捕獲するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、カドミウムイオンを捕獲する場合には、ジ-2-ピコリルアミン等、ヒ素イオンを捕獲する場合には、1,2-エタンジチオール等、鉛イオンを捕獲する場合には、イミノ二酢酸等のキレート剤が挙げられる。その他にも、単座配位子の例として、ピリジン、ピリジニウム、1~4級アミン及びこれらの誘導体、並びに、アゾ基、水酸基、ニトロ基、ヒドロキシルアミノ基、シアノ基、イソシアノ基、チオイソシアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、アルデヒド基、チオール基、チオエーテル基、スルホキシド基、スルホン基、スルホ基、ホスフィン、及びリン酸基のいずれかの基を有する化合物が挙げられ、また、前記キレート多座配位子の他の例として、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、グルカミン、ジエチレンテトラミン五酢酸、ヒドロアキシルエチレンジアミンジアミノ三酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、1,3-プロパンジアミン四酢酸、1,3-ジアミノ-2-ヒドロキシルプロパン四酢酸、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸、ジヒロドロキシルエチルグリシン、グリコエーテルジアミン四酢酸、トランス-シクロヘキサンジアミン四酢酸、ジカルボキシメチルグルタミン酸、S,S-エチレンジアミンジコハク酸、エチレンジアミン、1,4,7-トリアザシクロノナン、1,4,7,10-テトラアザシクロドデデカン、1,4,8,12-テトラアザシクロペンタデカン、1,4,8,11-テトラアザシクロテトラデカン、1,4,7-トリチアシクロノナン、1,4,8,11-テトラチアシクロテトラデカン、2,2’-ビピリジン、2,2’:6’,2-ターピリジン、1,10-フェナントロリン、ポルフィリン、フタロシアニン、クラウンエーテル、3-ヒドロキシ-2,2’イミノジコハク酸、ヒドロキシエチリジエン二リン酸、ニトリロトリスメチレンリン酸、ホスホノブタン三酢酸、エチレンジアミンテトラキスメチレンリン酸及びこれらの誘導体が挙げられる。前記配位子により前記金属イオン捕獲層を形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、安定して前記配位子を前記検出板に固定させる観点から、前記検出板の前記金属イオン捕獲層を形成する面に、前記配位子を含む化合物を表面修飾させるか、前記配位子と結合可能な化合物を表面修飾させ、該化合物と前記配位子を結合させる方法が好ましい。前記化合物を表面修飾させる方法としては、特に制限はなく、前記配位子の種類や目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記金属イオン捕獲層の形成面を構成する酸化シリコン層等の前記光導波路層に対し、シランカップリング剤等の材料を用いて、前記配位子と結合可能な基を有する化合物を形成する方法が挙げられる。これらの場合の前記金属イオン捕獲層の構造としては、特に制限はないが、前記金属イオンの捕獲効率を向上させる観点から、配位子部分が空間的に自由度の高いコンホメーションを有すると共に高度に集積化された分子構造であることが好ましい。前記分子構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、SAMSelf-AssembledMonolayer;自己組織化単分子膜、単一もしくは複数種の配位子を含む高分子又はゲルが好ましい。前記金属イオン捕獲層の形状としては、前記金属イオン捕獲層を形成する面上に、前記金属イオン捕獲層を立体的に形成させた形状が挙げられる。前記金属イオン捕獲層の構成例を図6に示す。この例では、検出板1の検出面Fに対して、予め反応性の高い官能基Aをシランカップリング剤などで修飾させた後、この官能基Aと、キレート2と結合され官能基Aと反応のペアとなる官能基Bブロックを有するキレートブロックポリマー3とをカップリング反応させ、官能基Aとキレートブロックポリマー3からなる金属イオン捕獲層4を検出板1の面上に立体的に形成させることとしている。このように形成される金属イオン捕獲層4においては、キレート2がキレートブロックポリマー3による高分子化に基づいて高度に集積化され、かつ、キレート2を有する高分子化部分、即ち、キレートポリマー5が検出面Fに対してブラシ状に配されるこの状態をポリマーブラシ形状と称することにより、各キレート2が空間的に自由度の高いコンホメーションを取ることを可能としている。また、キレートブロックポリマー3が官能基Aと官能基Bの反応部Cを介して検出面Fに多点的に結合されることから、金属イオン捕獲層4を検出面Fに対して安定的に固定可能としている。したがって、このように形成される金属イオン捕獲層4においては、反応効率と結合安定性の向上が期待できる。また、ハイドロゲルを用いて、前記配位子を前記検出板の前記金属イオン捕獲層を形成する面に層状に形成することもできる。前記ハイドロゲルから形成される層は、数十~数百ナノメートルの範囲で任意の厚さに制御可能であり、前記配位子を内部に多数固定化することができる。この場合、前記配位子を単独もしくは前記ポリマーブラシ形状で修飾する場合に比べて、センサー有効範囲内の配位子数を大幅に増やすことができるため、前記金属イオンの高い捕獲効率を期待することができる。前記ハイドロゲルと前記配位子による前記金属イオン捕獲層の形成方法としては、例えば、末端にフェニルアジド基など光反応性基を有する多分岐型のポリエチレングリコールと該光反応で該光反応性基と結合可能な置換基を有する配位子とを混合した溶液を前記検出板上にキャストした後、スピンコート法などにより薄膜を形成し、これに光照射を行うことによりゲル化する方法が挙げられる。このような金属イオン捕獲層の形成方法においては、前記金属イオン捕獲層に厚みを持たせることができ、また、光導波性を有することから、この金属イオン捕獲層自身を前記光導波モード検出板における光導波路層として構成することもできる。この構成を図7に示す。即ち、該図7に示す検出板30は、透明基板31上に、金属または半導体材料からなる薄膜層32と、光導波路層としても機能する金属イオン捕獲層34がこの順で配されてなる。<案内部>前記案内部は、捕獲された前記金属イオンを還元する還元剤を前記金属イオン捕獲層に案内することとしてなる。前記金属検出装置では、前記金属イオン捕獲層によって捕獲した金属イオンを還元剤によって金属に還元する。金属は、一般に紫外から近赤外領域で大きな光吸収を有することから、前記還元された金属は、濃度が低くても、前記光吸収体検出法によって検出することができる。前記案内部の構成としては、前記還元剤を前記金属イオン捕獲層に案内可能である限り特に制限はなく、例えば、前記還元剤又は前記還元剤を含む溶液を注入する注入口と、前記注入された還元剤又は還元剤を含む溶液を前記金属イオン捕獲層の面上に案内する案内路とを有して構成される。<光学プリズム>前記光学プリズムは、前記検出板の前記金属イオン捕獲層が配される面と反対側の面に対し、光学的に密着させて配される。前記光学プリズムの形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、三角形プリズム、台形プリズム、半円柱プリズム、半球プリズムが挙げられる。前記光学プリズムの形成材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記検出板との界面における光の反射や屈折を抑える観点から、前記検出板の透明基板材料と同じ材料か又は同等の屈折率を持つ材料が好ましい。また、このようなプリズムの代わりに回折格子を用いる方法も適用することができる。前記検出板に前記光学プリズムを密着させる方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記検出板と前記光学プリズムの間に、屈折率調節オイルや屈折率調節ポリマーシートで満たし、光学的に連続となるように密着されていることが好ましい。また、前記検出板と前記光学プリズムとは、より簡便に光学的な連続性が得られる観点から、一体的に形成されていてもよい。この場合、前記検出板のシリカ透明基板部分を研磨して、プリズム形状にして用いても同様の効果を得ることができる。前記検出板と前記光学プリズムとが一体的に形成される例を図8に示す。この例では、シリカ透明基板を光学プリズム状に加工して形成されたプリズム状のシリカ透明基板21上に、前記薄膜層としてのシリコン層22と、前記光導波路層としての酸化シリコン層23と、金属イオン捕獲層24をこの順で配したチップ20を検出板及び光学プリズムとして用いる。なお、前記検出板の透明基板表面に回折格子を形成し、光学プリズムの代わりに使用することも可能である。<光照射手段>前記光照射手段は、前記光学プリズムを介して前記検出板に光を照射することとしてなる。前記光照射手段の構成としては、前記光学プリズムを介して前記検出板に光を照射可能である限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、レーザー、白色ランプ、LEDなどの光源、前記光源から照射される光をコリメート光とするコリメータ、前記コリメート光を偏光する偏光板、前記光源から照射される光を前記コリメータに導く光ファイバ、前記光源からの光を集光して前記光学プリズムに入射させる集光レンズなど、公知の光学部材から適宜選択して構成することができる。<光検出手段>前記光検出手段は、前記検出板から反射される反射光を検出することとしてなる。前記光検出手段の構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記反射光を検出するCCD、フォトダイオード、光電子倍増管などの光検出器、前記反射光を前記光検出器に導く光ファイバ、前記反射光を集光して前記光検出器に導く光集光レンズなど、公知の光学部材から適宜選択して構成することができる。また、前記波長分解型測定法を用いる場合、前記光検出手段として、分光器と光検出器とを備えることにより、反射光のスペクトルを測定するか、ある特定波長領域における反射光強度を測定する。なお、前記金属検出装置の光学配置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記クレッチマン配置及び前記波長分解測定に係るSPRセンサー図1及び図2参照、並びに、前記光導波モードセンサー図3及び図4参照の各光学系から構成することができるが、小型で高感度の金属検出装置を実現する観点から、前記光導波モードを利用した前記光導波モードセンサーの光学系から構成されることが好ましい。このようにして構成される前記金属検出装置は、前記還元剤の投与前後における前記反射光の反射率変化を検出することにより、前記金属イオンが還元された状態を検出可能とされる。即ち、前記金属イオン捕獲層で捕獲した前記金属イオンを前記還元剤により還元して、紫外から近赤外領域に光吸収帯を有する状態とし、前記検出板の表面近傍における吸光度変化を前記反射率変化として捉えることで、金属の検出を行うことができる。金属検出方法本発明の金属検出方法は、第1の光照射工程と、第1の光検出工程と、金属イオン捕獲工程と、金属イオン還元工程と、第2の光照射工程と、第2の光検出工程とを有し、必要に応じて、その他の工程を有してなる。<第1の光照射工程>前記第1の光照射工程は、一面側に金属イオンを捕獲する金属イオン捕獲層を有する検出板に光を照射する工程である。前記第1の光照射工程における光照射方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、本発明の前記光検出装置で説明した前記光照射手段を用いて行うことができる。また、前記検出板としては、前記金属イオン捕獲層を有する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、本発明の前記光検出装置で説明した前記検出板を用いることができる。<第1の光検出工程>前記第1の光検出工程は、前記第1の光照射工程に基づき、前記検出板から反射される反射光を検出する工程である。前記第1の光検出工程における光検出方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、本発明の前記光検出装置で説明した前記光検出手段を用いて行うことができる。<金属イオン捕獲工程>前記金属イオン捕獲工程は、前記検出板に対し、前記金属イオンの測定対象となる検体試料を投与し、前記金属イオンを捕獲する工程である。前記検体試料としては、例えば、前記金属イオンを含む液体が挙げられ、前記金属イオンとしては、例えば、カドミウム、ヒ素、鉛等の各種金属のイオンが挙げられる。<金属イオン還元工程>捕獲された前記金属イオンを還元する還元剤を投与し、前記金属イオンを還元する工程である。前記還元剤としては、特に制限はなく、検出する金属イオンの種類や目的に応じて適宜選択することができ、例えば、NaBH4、アスコルビン酸及びその塩、ヨウ化カリウム、ヒドラジン等の公知の還元剤を用いることができる。<第2の光照射工程>前記第2の光照射工程は、前記金属イオン還元工程後、前記検出板に光を照射する工程である。前記第2の光照射工程における光照射方法としては、前記第1の光照射工程における光照射方法と同じ方法を用いることができる。<第2の光検出工程>前記第2の光検出工程は、前記第2の光照射工程に基づき、前記検出板から反射される反射光を検出する。前記第2の光検出工程における光検出方法としては、前記第1の検出工程における光検出方法と同じ方法を用いることができる。なお、前記金属検出方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記クレッチマン配置及び前記波長分解測定に係るSPRセンサー図1及び図2参照、並びに、前記光導波モードセンサー図3及び図4参照の各光学系からなる金属検出装置を用いて実施することができるが、小型で高感度の金属検出装置を用いて実施する観点から、前記光導波モードを利用した前記光導波モードセンサーの光学系が好ましい。このような工程を有する前記金属検出方法は、前記第1の光検出工程と、前記第2の光検出工程とで検出される前記各反射光の反射率の変化に基づき、前記金属イオンが還元された状態を検出可能とされる。即ち、前記金属イオン捕獲層で捕獲した前記金属イオンを前記還元剤により還元して、紫外から近赤外領域に光吸収帯を有する状態とし、前記検出板の表面近傍における吸光度変化を前記反射率変化として捉えることで、金属の検出を行うことができる。前記第1の光照射工程及び前記第1の光検出工程は、少なくとも、前記金属イオン還元工程の前に実施され、前記第2の光照射工程及び前記第2の光検出工程は、前記金属イオン還元工程の後に実施されることが必要であるが、これらの工程で行われる前記光照射及び前記光検出を断続的に行う必要はなく、実際の検出においては、前記第1の光照射工程及び前記第1の光検出工程、並びに、前記第2の光照射工程及び前記第2の光検出工程における、前記光照射及び前記光検出を連続的に実施することとしてもよい。即ち、前記光照射及び前記光検出は、ある一定時間、常時行うことができ、その一定時間内に、前記金属イオン捕獲工程及び前記金属イオン還元工程の各工程を実施することとしてもよい。図9に、本発明の一実施例として作製した金属検出装置100の概要を示す。この金属検出装置100おいては、タングステンハロゲンランプ光101から照射される光を光ファイバ102Aを介してコリメートレンズ103、偏光板104の順で導入し、s偏光の平行光にした後、光学プリズム105に照射する。光学プリズム105には、検出板106を光学的に密着させた。ここで、光学プリズム105としては、2つの底角の角度αがいずれも38°の台形プリズムを用いた。また、検出板106としては、厚さ1.2mmの透明基板シリカガラス製106a上に、厚さ45nmの単結晶Si層106bと、厚さ490nmの光導波路層熱酸化シリコン層106cと、後述する金属イオン捕獲層110とがこの順で配されたものを用いた。金属検出装置100は、光学プリズム105の光入射面aを介して検出板106に照射された光を検出板で反射させ光学プリズム105の光出射面bから出射させた後、集光レンズ107及び光ファイバ102Bを介して、CCDアレイ付きの分光器108に導き、光検出器109によりスペクトルが観測されるように作製した。検出する金属にはCdを用いた。Cdイオン111を検出面で捕獲するために、光導波路層106cの表面に、シランカップリング剤有シーアンドアイ社製、3-アジドプロピルトリエトキシシランを用いてアジド基を結合させ、次いで有シーアンドアイ社製に係る、キレートとしてのジピコリルアミンブロックと末端アルキンブロックからなるブロックポリマーのt-BuOH/水混合溶液を前記アジド基で表面修飾された光導波路層106c上に塗布し、1価の銅イオン触媒によるクリック反応によって光導波路層106c表面の前記アジド基と前記ブロックポリマーの末端アルキンをカップリングして固定化し、金属イオン捕獲層110を形成した。検体となる水溶液中のCdイオン111の濃度は、健康保護に係る水質環境基準値である0.01mg/Lとした。検出面にCd水溶液を滴下し、数分放置後、検出面を純水ですすぎ、還元剤として0.2g/LのNaBH4水溶液を注入口120から案内路130を介して滴下した。図10に、金属検出装置100により測定された反射スペクトルを示す。図10中のAで示す系は、検出面にCdを含まない水を滴下した時のスペクトルである。図10中のBで示す系は、Cd水溶液を滴下した時のスペクトルである。この時、スペクトルはCdを含まない場合のものと比べ有意な差は見られていない。その後検出面を純水ですすぎ、還元剤を滴下し1分経過後のスペクトルが図10中にCで示す系である。該図10に見られるように、還元剤を滴下すると、短時間で反射率の減少が観測される。これは、還元剤の滴下により、キレートに捕捉されたCd2がCd0に還元され、導波路層表面において光吸収が増加したことに起因する。このような反射率の変化は、水中にCdが含まれない場合、全く見られなかった。以上のように、本発明では、検体を滴下し、還元剤を添加するだけで検体中に含まれる金属イオンを検出でき、その他の煩雑な操作は一切不要であることから、持ち運びが可能で、操作が簡易でかつ高感度な金属イオン検出センサーとして用いることができる。"