基板1、特にガラス基板、であって、イオン源4からの少なくとも一つのイオンビーム3への曝露とwith、スパッタリング、特に磁気強化型magneticallyenhancedスパッタリング、および好ましくは酸素および/または窒素の存在下における反応性スパッタリングによって堆積される少なくとも一つの誘電体薄膜層がコートされ、該イオンビームに曝露された前記誘電体層がイオン源のパラメータによって調整される屈折率を有し、前記イオン源が線状linear源であることを特徴とする基板1。該イオンビームへの曝露とスパッタリングによって該基板に堆積された前記誘電体層の密度が保たれることを特徴とする請求項1に記載の基板1。該イオンビームへ曝露された該誘電体層の屈折率が該イオンビームへの曝露なしに堆積された層の屈折率に近いことを特徴とする請求項1または2に記載の基板1。該イオンビームへ曝露された該誘電体層の屈折率が該イオンビームへの曝露なしに堆積された層の屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の基板1。該イオンビームへ曝露された該誘電体層の屈折率が該イオンビームへの曝露なしに堆積された層の屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の基板1。前記層の屈折率勾配が該イオン源層のパラメータにしたがって調整されることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の基板1。前記誘電体層が、化学量論的であるかどうかに関わりなく金属酸化物またはシリコン酸化物から作られる、または金属窒化物または酸化窒化物、またはシリコン窒化物または酸化窒化物から作られることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の基板1。前記誘電体層が、シリコン、亜鉛、タンタル、チタン、錫、アルミニウム、ジルコニウム、ニオブ、インジウム、セリウム、およびタングステンから取られる少なくとも一つの元素の酸化物から作られることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の基板1。該層が酸化亜鉛から作られ、その屈折率が1.95以下、特に1.85~1.95であることを特徴とする請求項8に記載の基板1。該層が酸化亜鉛から作られ、その密度が約5.3g/cm3であることを特徴とする請求項8または9に記載の基板1。前記誘電体層がシリコン窒化物または酸化窒化物から作られることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の基板1。前記層のアルゴン含有量が約0.2~0.6atであることを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の基板1。前記層の鉄含有量が3at以下であることを特徴とする請求項1~12のいずれか1項に記載の基板1。基板が多重層によってコートされ、その中で銀層がイオンビームに曝露された前記誘電体層の上に置かれていることを特徴とする請求項1~13のいずれか1項に記載の基板1。別の誘電体層が該銀層の上に置かれていることを特徴とする請求項14に記載の基板1。該多重層が少なくとも二つの銀層を含むことを特徴とする請求項14または15に記載の基板1。該基板の表面抵抗R□が6Ω/□よりも小さい、さらには2.1Ω/□よりも小さい、特に約1.9Ω/□であることを特徴とする請求項14~16のいずれか1項に記載の基板1。請求項1~17のいずれか1項に記載の基板1を少なくとも一つ含むグレージングアセンブリ、特にダブルグレージングまたはラミネーテッドグレージングアセンブリ。基板1への堆積のプロセスであって、少なくとも一つの誘電体薄膜層が、スパッタリングチャンバ2においてスパッタリングによって、特に磁気強化型スパッタリング、および好ましくは酸素および/または窒素の存在下における反応性スパッタリングによって、イオン源4から来る少なくとも一つのイオンビーム3への曝露と該基板に堆積され、該スパッタリングチャンバにおいて線状源を用いてイオンビームが生成され、該イオンビームに曝露された前記誘電体層の屈折率は該イオン源のパラメータによって調整できることを特徴とするプロセス。酸素イオンビームが生成されることを特徴とする請求項19に記載のプロセス。イオンビームが200~2000eVのエネルギーで、さらには500~5000eVのエネルギーで生成されることを特徴とする請求項19または20に記載のプロセス。該イオンビームへの曝露とスパッタリングによって該基板に堆積された該誘電体層の密度が保存されるpreservedことを特徴とする請求項19~21のいずれか1項に記載のプロセス。該イオンビームに曝露された誘電体層の屈折率が、該イオンビームなしで堆積されたこの層の屈折率に比べて低下していることを特徴とする請求項19~22のいずれか1項に記載のプロセス。該イオンビームに曝露された誘電体層の屈折率が、該イオンビームなしで堆積されたこの層の屈折率に比べて増加していることを特徴とする請求項19~22のいずれか1項に記載のプロセス。イオンビームへの曝露がスパッタリングによる該層の堆積と同時に行われることを特徴とする請求項19~24のいずれか1項に記載のプロセス。イオンビームへの曝露がスパッタリングによって該層が堆積された後で継起的sequentiallyに行われることを特徴とする請求項19~25のいずれか1項に記載のプロセス。イオンビームが該基板1に、特に該基板の表面とゼロでない角度をなす方向に沿って、好ましくは該基板の表面と10~80°の角度をなす方向に沿って導かれることを特徴とする請求項19~26のいずれか1項に記載のプロセス。イオンビームが少なくとも一つのカソードに、特に該カソードの表面とゼロでない角度をなす方向に沿って、好ましくは該カソードの表面と10~80°の角度をなす方向に沿って導かれることを特徴とする請求項19~27のいずれか1項に記載のプロセス。該誘電体層が酸化亜鉛をベースとすることを特徴とする請求項19~28のいずれか1項に記載のプロセス。イオンビーム3がスパッタリングチャンバ2においてスパッタリングによる該層の堆積と同時に線状イオン源4から生成され、堆積された層が次に少なくとも一つの他のイオンビームによって追加処理を受けることを特徴とする請求項19~29のいずれか1項に記載のプロセス。請求項1~17のいずれか1項に記載の基板を製造するために、または請求項19~30のいずれか1項に記載のプロセスを実施するために、基板1、特にガラス基板に堆積する装置10であって、その中で少なくとも一つのイオンビーム3への曝露と、スパッタリング、特に磁気強化型スパッタリング、および好ましくは酸素および/または窒素の存在下における反応性スパッタリングによって少なくとも一つの誘電体薄膜層が該基板に堆積されるスパッタリングチャンバ2を含み、少なくとも一つのイオンビームを生成できる少なくとも一つの線状イオン源4を該スパッタリングチャンバ2内に含むことを特徴とする装置10。線状イオン源が、イオンビームを基板に、特に基板の表面とゼロでない角度、好ましくは10~80°の角度をなす方向に沿って導くように配置されることを特徴とする請求項31に記載の装置10。線状イオン源が、イオンビームを少なくとも一つのカソードに、特にこのカソードの表面とゼロでない角度、好ましくは10~80°の角度をなす方向に沿って導くように配置されることを特徴とする請求項31または32に記載の装置10。本発明の目的は、従来技術の欠点を矯正し、ガラスタイプの透明基板をコートするのに用いることができる新しい薄膜材料、新しい堆積プロセスおよび新しい装置を提供することである。本発明は、誘電体、特に酸化物および/または窒化物によって作られる薄膜層を、イオンビームへの曝露によって、従来の仕方で堆積された、すなわち、イオンビームに曝露することなく堆積された物質の結晶化度に比べて、最終層の物質がずっと高度に結晶化されるように条件をコントロールして堆積することが可能であるという事実に依拠している。この点に関連して、請求項1に記載されるように、本発明の主題は基板、特にガラス基板である。本発明による基板は、イオン源からの少なくとも一つのイオンビームへの曝露と、スパッタリング、特に磁気強化型スパッタリング、および好ましくは酸素および/または窒素の存在下における反応性スパッタリングによって堆積される少なくとも一つの誘電体薄膜層でコートされ、イオンビームへの曝露と堆積された誘電体層は、イオン源のパラメータ、特にその端子に印加される電圧によって調整できる屈折率を有し、前記イオン源は線状源である。本発明を実施するのに用いられるイオンビームはいわゆる高エネルギービームであり、普通約数百eVから数千eVまでの範囲のエネルギーを有する。有利な形として、パラメータはまた、層の屈折率が、イオンビームなしで堆積された層の屈折率よりもずっと小さく、またはずっと大きくなるような仕方でコントロールすることもできるが、屈折率はまたイオンビームなしで堆積された層の屈折率に近くすることもできる。本明細書で用いられる場合、近いという用語は、基準値から高々約5の差がある屈折率を意味する。本発明はまた、堆積された層の内部に屈折率の勾配を作り出すことを可能にする。ある変型例では、前記層は、イオン源のパラメータに従って調整された屈折率勾配を有する。有利な形としては、堆積できる誘電体物質の少なくともいくつかに関して、生ずる屈折率の変化がどうであれ、イオンビームへの曝露に合わせてスパッタリングによって基板に堆積される誘電体層の密度は同様のまたは同一の値に維持される。本明細書で用いられる場合、同様の密度値は、基準値から高々約10しか異ならない。本発明は特に、化学量論的であれ非化学量論的であれ、金属酸化物またはシリコン窒化物から作られる、または金属窒化物または酸化窒化物またはシリコン窒化物または酸化窒化物から作られる誘電体層の製造に適用される。特に、誘電体層は、シリコン、亜鉛、タンタル、チタン、錫、アルミニウム、ジルコニウム、ニオブ、インジウム、セリウム、およびタングステンから取られる少なくとも一つの元素の酸化物から作ることができる。考えられる混合酸化物としては、特にインジウム錫酸化物ITOがあげられる。層は、ドープされた金属から作られるカソード、すなわち、ある少量の元素を含む金属、から作られるカソードから得られる:一例として、小さな比率の別の金属、例えばアルミニウムやガリウムを含む亜鉛から作られるカソードを用いることは普通のことである。本明細書において、酸化亜鉛という用語は、小さな比率の別の金属を含む可能性がある酸化亜鉛を意味するものとする。同じことは、上記の他の酸化物にもあてはまる。例えば、本発明にしたがって堆積されたこの酸化亜鉛層は、その屈折率が1.95以下という値、特に約1.35~1.95という値に調整できる。その密度は、低圧で堆積されたZnO層の密度、すなわち5.3g/cm3と同一の、5.3g/cm3に近い値、特に約5.3±0.2g/cm3という値に保つことができる。屈折率が1.88未満の値、およびこれと同様の値に調整された酸化亜鉛層は、イオン衝撃の影響を補償するように、スパッタリング条件特に雰囲気の酸素含有量を意図する酸化物の化学量論から少しずれるように設定することによって得られる。誘電体層は、シリコン窒化物または酸化窒化物から作ることもできる。このような窒化物誘電体層は、イオン衝撃の影響を補償するように、スパッタリング条件特に雰囲気の窒素含有量を意図する窒化物の化学量論から少しずれるように設定することによって得られる。一般に、イオンビームは誘電体層の機械的性質を改善する効果がある。イオン衝撃の結果、打ち込まれる一つ以上のイオン種のある量が層に導入され、その比率は源における気体混合物の性質および源/カソード/基板の形態に依存する。一例として、アルゴンイオンビームの衝撃の下で堆積された層は、アルゴンを約0.2~0.6atという量で、特に約0.45atという量で、含む。軟鉄のカソードまたは他の材料、特に常磁性材料のカソードを用いるイオン源によってイオンビームを発生させると、カソードがこのプロセスで浸食されて、堆積された層に微量の鉄が存在する原因になる。3at以下という量で存在する鉄は、層の光学的性質や電気的性質を低下させないので受容できることが確認されている。有利なのは、堆積パラメータ特に基板の輸送速度を調整して鉄含有量を1at未満にすることである。通常の光学的性質を維持することによって、こうして得られた誘電体層を、いわゆる機能的グレージングアセンブリを、特に銀をベースとする金属の機能層を用いて製造するための公知の多重層に組み込むことは非常に容易である。標準値と異なる値に調整された屈折率の誘電体を組み込んだ特定の多重層を設計することができる。したがって、本発明の主題は、イオンビームに曝露された前記誘電体層の上に銀層が堆積された多重層をコートされた基板である。その後で別の誘電体層をこの銀層の上に堆積することもできる。この形態は、下方の誘電体層が酸化亜鉛および/または酸化錫をベースとしている場合、酸化物の層の上に銀の層が特に良く配向されて成長し、最終的な性質が向上するので特に有利であることが証明された。銀の下に酸化亜鉛層が存在すると銀層の品質に大きなかなり影響があることが知られている。本発明によって堆積された酸化亜鉛層の上の銀層を形成するときわめて著しい改善が得られる。多重層は、このようにして表面抵抗Rが6Ω/□よりも低く、さらに2.1Ω/□よりも低く、特に約1.9Ω/□になる。したがって、これらの基板は、低放出能または遮光グレージングアセンブリ、または高導電性の光透過エレメント、例えばプラズマディスプレー装置の電磁遮蔽スクリーン、の生産において有利である。これらの基板で、別の誘電体層を銀層の上に作ることもできる。これは上記の酸化物または窒化物または酸化窒化物に基づいて選ぶことができる。この別の層はイオンビームへの曝露と堆積しても、そうしなくてもよい。多重層は、少なくとも二つの銀層、または三つまたは四つの銀層を含むことができる。本発明に従って製造できる多重層は次のような層の配列を含む:ZnOi/Ag/ZnOなどの酸化物...Si3O4/ZnOi/Ag/ZnOなどの酸化物...Si3O4/ZnOi/Ag/Si3O4/オプションとして酸化物Si3O4/ZnOi/Ag/Si3O4/ZnOi/Ag/Si3O4...Si3O4/ZnOi/Ag/Si3O4/ZnOi/Ag/Si3O4/酸化物ここで、iは、その層がイオンビームに曝露され、少なくとも一つの銀層の上および/または下にブロックする金属層が挿入できることを示す。用いられる基板はプラスチック、特に透明プラスチックで作ることもできる。本発明の主題はまた、上述したような基板を製造するプロセス、すなわち、多重層を堆積するプロセスであって、このプロセスでは、少なくとも一つの誘電体層がスパッタリングチャンバでスパッタリングによって、特に磁気強化型スパッタリング、および好ましくは酸素および/または窒素の存在下における反応性スパッタリングによって、イオン源から発する少なくとも一つのイオンビームへの曝露と堆積される。本発明によるプロセスでは、イオンビームは線状源から生成され、イオンビームに曝露される前記誘電体層の屈折率はイオン源のパラメータによって調整することができる。イオンビームに曝露された誘電体層の屈折率は、イオンビームに曝露されずに堆積された同じ層の屈折率に比べて減少させることもでき、増大させることもできる。有利な形としては、堆積される誘電体物質の少なくともいくつかについて、生ずる屈折率の変化がどうであれ、イオンビームへの曝露と基板に堆積される誘電体層の密度は維持される。イオンビームへの曝露は、スパッタリングチャンバにおいて、スパッタリングによる層の堆積と同時におよび/またはシーケンスとしてその後で行われる。と同時にという表現は、誘電体薄膜層の構成物質がまだ完全に堆積されていないうちに、すなわち、まだ最終厚さに達していない間にイオンビームの作用にさらされることを意味するものとする。シーケンスとしてその後でという用語は、誘電体薄膜層の構成物質が完全に堆積された後に、すなわち、最終厚さに達した後にイオンビームの作用にさらされることを意味するものとする。暴露が堆積と同時に行われる変型例では、イオン源の位置は、好ましくは標的から発するスパッターされた粒子の最大密度にイオンビーム単数または複数が並置するjuxtaposedように最適化される。好ましくは、酸化物をベースとする誘電体層を生成するには、イオン源で大部分が酸素を含む雰囲気、特に100酸素である雰囲気で酸素イオンビームを生成し、他方でスパッタリングカソードでの雰囲気は100アルゴンで構成することが好ましい。この変型例では、イオンビームへの曝露はスパッタリングによる層の堆積と同時に行われる。このためには、従来のようにイオンエネルギーを制限することは不必要である:逆に、200から2000eVの間、さらには500から5000eVの間、特に500から3000eVの間のエネルギーのイオンビームを生成することが有利である。イオンビームは基板および/またはスパッタリングカソードに、特にそれぞれ基板および/またはカソードの表面の方向にまたはそれと非ゼロの角度で、標的からスパッタリングによって放出される中性種の流束とイオンビームが並置するjuxtaposeように導かれる。この角度は、例えばカソードの中心線上で垂直にまたはカソードが円筒状の場合はその軸と垂直な線上で測定して、基板の法線に対してほぼ10~80°である。標的への直接の流束の場合、源からのイオンビームはスパッタリングによって生成される標的の走路racetrackと並置する、すなわち、それぞれカソードおよびイオン源から来る二つのビームの中心が基板の表面で合致する。有利な形として、イオンビームはこの走路の外側で用いて、カソードの方に向けて、標的の利用度を増大させることもできるアブレーションablation。したがって、イオンビームをスパッタリングカソードに、カソードの中心を通る、特にカソードが円筒形である場合はその軸を通る基板の法線に対して±10~80°の角度で向けることができる。源/基板の距離は、シーケンシャルまたは同時形態で、5~25cm、好ましくは10±5cmである。イオン源は、基板が走行する方向でスパッタリングカソードの前であっても後であってもよいすなわち、イオン源とカソードまたは基板の間の角度は、カソードの中心を通る基板の法線に対してそれぞれ負または正である。本発明のある変型例では、スパッタリングによる層の堆積と同時にイオンビームが線状イオン源を用いてスパッタリングチャンバで生成され、堆積された層が少なくとも一つの他のイオンビームによる追加処理を受ける。本発明は、例示的な、しかし非限定的な実施例についての以下の詳細な説明を読み、添付された図面を見ることによってさらに明らかに理解されるであろう:対照例1この例では、厚さが30nmの薄い酸化亜鉛の層が図1に示される装置10を用いてガラス基板1にコートされた。堆積装置は、真空スパッタリングチャンバ2を含み、それを通って基板1が輸送手段図示せずに沿って矢印Fで示される方向および向きに移動した。装置2は磁気強化型スパッタリングシステム5を含んでいた。このシステムは、少なくとも一つの回転する円筒形カソードを含みしかし、これはフラットカソードであってもよい、それはほぼ基板の全幅にわたって伸び、カソードの軸は基板とほぼ平行に置かれている。このスパッタリングシステム5は、基板から265mm上の高さH5に位置していた。スパッタリングシステムのカソードから引き出された物質はほぼビーム6として基板に導かれた。装置2はまた、イオンビーム3を放出する線状イオン源4を含み、これもほぼ基板の全幅にわたって伸びていた。この線状イオン源4は基板が移動する方向に対してカソードの前方にカソード軸から170mmの距離L4に、基板の上120mmの高さH4に位置していた。イオンビーム3はカソードの軸を通る基板の推薦に対して角度Aで導かれた。この堆積は、公知の堆積方法を用いて、スパッタリングチャンバ2を通って回転カソードを経て移動する基板1に、重量で約2のアルミニウムを含むZnをベースとしてアルゴンと酸素を含む雰囲気で行われた。移動スピードは少なくとも1m/分であった。下の表1aに示されている堆積条件を、屈折率が1.88のわずかに化学量論を下回るsubstoichiometric酸化亜鉛層が生成されるように適合させたこれに対して、化学量論的なZnO層の屈折率は1.93-1.95である。表1a最初に、堆積はイオンビームへの曝露なしに行われ、二回目に線状イオン源4を用いて酸素イオンビーム3が印加された。イオンビームは45°の角度で基板に導かれ、イオン源の端子間の電圧[V]は3000eVまで変えられた。図2は、得られた屈折率nの変化を示す。イオンビームへの曝露なしに堆積された層と種々の電圧で堆積された層が、X線反射法によって分析されて密度が決定された。測定された値を下の表1bに示す。表1bイオン源の端子間に印加される電圧および得られる屈折率が何であれ、こうして形成された層の密度は一定に保たれる。したがって、密度は減少しないので、ZnOの屈折率は層に多孔性を導入することなく低下した。したがって、この処理によってZnO層の機械的な完全性integrityは影響されなかった。これは機械的完全性テストで確認された。イオンビーム曝露と堆積されたZnO層についてのSIMS測定は層の鉄含有量が1at未満であることを示し、Rutherford後方散乱スペクトロスコピー測定はこれらの層のアルゴン含有量が0.45atであることを示した。実施例2この例では、ガラス基板が次の多重層にコートされた:10nmZnO/19.5nmAg/10nmZnOここで、下の酸化亜鉛層は実施例1のようにイオンビームへの曝露と得られた。実施例1におけるように、下の層は酸化物層の厚さを10nmに減らすようにチャンバにおける基板の滞留時間を調整して生成された。次に、基板は100アルゴンで構成された雰囲気中で銀カソードを通過し、再び対照例1の条件の下でアルゴン/酸素雰囲気中で亜鉛カソードを通過するように移動された。これらの性質が、下の酸化亜鉛層がイオンビームへの曝露なしに生成された対照例2のそれと比較される。銀の下のZnO層の屈折率、およびその密度が測定された。実施例1と同様な値が得られた。対照例3この例では、次の多重層がガラス基板に作成された:ここで、下の酸化亜鉛層は実施例1と同様にイオンビームへの曝露と得られた。酸化亜鉛層は、実施例1と同様に酸化物層の厚さを8nmに減らすようにチャンバにおける基板の滞留時間を調整して生成された。次に、基板は100アルゴンで構成される雰囲気中で銀カソードを通過するように移動された。実施例3線状イオン源がスパッタリングチャンバに置かれ、スパッタリングと同時に酸化亜鉛層の生成の間に100酸素で構成された源の雰囲気でイオンビームを生成するために用いられたことを除き、対照例3と同じ堆積条件が用いられた。源は、イオンビームを基板に30°の角度で導くように傾けられ、基板から14cmの距離に配置された。この変更された堆積条件によって、屈折率と密度が実質的に実施例1で得られたものと同じである酸化亜鉛層を生成することが可能になった。対照例4次の層厚単位、ナノメーターの多重層がガラス基板に作成された。これはSaintGobainglassFranceが商標名PLANISTARの下で販売している多重層に対応する:実施例4線状イオン源がスパッタリングチャンバに置かれ、各銀機能層のすぐ下の各酸化亜鉛層の生成の間に、スパッタリングと同時にイオンビームを生成するために用いられたことを除き、対照例4と同じ層厚を有する多重層が対照例4と同じ条件の下で作成された。源の雰囲気は100酸素で構成された。源は、イオンビームを基板に30°の角度で導くように傾けられ、基板から14cmの距離に配置された。イオンビームのエネルギーは、各パスで、約3000eVであった。チャンバ内の圧力は最初のパスで0.1μbar、二回目のパスで4.5μbar、標的パワーは最初のパスで5.5kW、二回目のパスで10kWであった。この変更された堆積条件によって、屈折率と密度が実質的に実施例1で得られたものと同じである酸化亜鉛層を生成することが可能になった。実施例5この例では、厚さ95nmの酸化チタン層が本発明にしたがってガラス基板に堆積された。この堆積は実施例1と同じスパッタリングチャンバで移動する基板に、アルゴンだけを含むスパッタリングカソードでの雰囲気で行われた。スパッタリングチャンバに置かれた線状イオン源を用いて、スパッタリングと同時に、100酸素で構成される雰囲気を用いてイオンビームが生成された。源は、ビームを基板に20°または45°という角度Aで導くように傾けられた。堆積条件は表2aに示されている。表2a最初に、堆積はイオンビームへの曝露なしに行われ、二回目に線状イオン源4を用いて酸素イオンビーム3が印加された。イオンビームは20または45°の角度で基板に導かれ、イオン源の端子間に、500、1000eV、および2000eVの電圧[V]が印加された。図3は、得られた屈折率nの変化を示す。イオンビームへの曝露なしに堆積された層と種々の電圧で堆積された層が、X線反射法によって分析されて密度が決定された。測定された値を下の表2bに示す。表2bnm:値は測定されなかったこの場合、層の屈折率はこうして形成される層の密度と同じような仕方で変化することが見られる。次のことが見出された:-イオン源の角度を増大させることによって屈折率を増加させることが可能であるTiO2の密度にわずかな増加;-低い電圧500V、したがって、低いエネルギー250eVで衝撃することによって屈折率を増加させることが可能になる密度にわずかな増加;および-高い電圧700-2000Vで衝撃することによって屈折率を減少させることが可能になる。したがって、TiO2層の機械的完全性はこの処理によって影響されなかった。これは機械的完全性テストによって確認された。Rutherford後方散乱スペクトロスコピー測定は、TiO2層が0.45atという量のアルゴンを含むことを示した。本発明を上で実施例について説明してきた。もちろん、当業者は本発明の別の種々の態様を特許請求の範囲で定められる本発明の範囲から逸脱することなく作り出すことができるであろう。