"モータと、ギアと、前記ギアを介して前記モータとエンジンとを接続するスイッチと、制御手段とを一体に備えたエンジン始動装置において、前記制御手段は、パワー半導体素子と、温度検出素子と、複数の導体配線が設けられた回路基板とを備え、前記回路基板上に前記パワー半導体素子と前記温度検出素子とが実装され、前記温度検出素子は少なくとも2の接続部を有し、これらが個々に前記導体配線と電気的に接続され、その接続されたところの間に、前記パワー半導体素子と接続された前記導体パターンの一部を延在させて構成され、前記パワー半導体素子が、前記モータへの通電および/または前記スイッチを制御し、前記エンジンを始動するエンジン始動装置。請求項1において、前記一部と前記温度検出素の非接続部とが、熱伝導材を介して接続されたことを特徴とするエンジン始動装置。請求項2において、前記温度検出素子の検出する温度が所定温度以上の場合には、前記パワー半導体素子の動作を制限または停止することを特徴とするエンジン始動装置。請求項1において、前記導体配線を被覆する被覆材を備え、前記被覆材に、前記一部を露出する開口部を設けたことを特徴とするエンジン始動装置。請求項1において、前記パワー半導体素子は複数個あって、前記温度計が、複数の前記パワー半導体から、ほぼ同熱抵抗となる位置には設置されたことを特徴とするエンジン始動装置。請求項1から5のいずれかにおいて、前記温度検出素子は、両端に前記接続部が設けられ、前記導体配線に表面実装されるチップ型電子部品であることを特徴とするエンジン始動装置。請求項1から6のいずれかにおいて、前記熱伝導材の熱伝導率は3W/mK以上であることを特徴とするエンジン始動装置。請求項1から7のいずれかにおいて、前記パワー半導体素子には、MOSFETが構成されていることを特徴とするエンジン始動装置。請求項1において、前記温度検出素子で検出した温度に関する情報を、前記エンジンの制御装置以下ECUというに出力し、前記ECUにより前記温度が所定温度以上であると判断された場合には、前記ECUからの信号に基づいて、前記パワー半導体素子の動作が制限または停止されることを特徴とするエンジン始動装置。請求項9において、前記ECUからの信号に基づいて、アイドルストップを行うことを特徴とするエンジン始動装置。パワー半導体素子と、温度検出素子と、複数の導体配線が設けられた回路基板とを備え、前記回路基板上に前記パワー半導体素子と前記温度検出素子とが実装された制御装置において、前記温度検出素子は少なくとも2の接続部を有し、これらが個々に前記導体配線と電気的に接続され、その接続されたところの間に、前記パワー半導体素子と接続された前記導体パターンの一部が延在することを特徴とする制御装置。請求項11において、前記一部と前記温度検出素子の非接続部とが、熱伝導材を介して接続されたことを特徴とする制御装置。請求項12において、前記温度検出素子の検出する温度が所定温度以上の場合には、前記パワー半導体素子の動作を制限または停止することを特徴とする制御装置。請求項11において、前記導体配線を被覆する被覆材を備え、前記被覆材に、前記一部を露出する開口部を設けたことを特徴とする制御装置。請求項11において、前記パワー半導体素子は複数個あって、前記温度計が、複数の前記パワー半導体から、ほぼ同熱抵抗となる位置に設置されたことを特徴とする制御装置。請求項11から15のいずれかにおいて、前記温度検出素子は、両端に前記接続部が設けられ、前記導体配線に表面実装されるチップ型電子部品であることを特徴とする制御装置。大電流を通電し、温度保護が必要な半導体装置の一例としては、アイドルストップスタータ用のパワースイッチモジュールが挙げられる。スタータでは、エンジンの始動を行うため、数百アンペアの大電流が通流される。パワースイッチングモジュールでは、内部に実装されているMOSFETによってスタータモータへの通電をスイッチング制御しているため、MOSFETのチップが発熱源となり、チップのジャンクション温度が保証温度150~175°Cを超え不具合が生じる恐れがある。しかも、アイドルストップスタータの場合、エンジンがスタートする時間は、約02~1s程度と非常に短時間であるため、パワースイッチモジュールに電流が通流される時間も短時間である。そのため、通流される電流によって生じるMOSFETのチップ温度上昇を応答性良く測定し、タイムリーな電流調整や電流遮断等の処置を行えるようにすることが必要となる。また、上記特許文献に記載の技術等によっても、温度測定精度を向上させることは可能であるが、特許文献1については、ベアチップ実装の構造のみに適用可能な構造であり、非常に高価な構造となる。また、温度計としては、通常基板に実装し使用されている汎用品のチップサーミスタやチップダイオードでは温度測定ができない構造となっている。また、一般的な温度計としては熱電対があるが、基板に部品を実装した後に、測定部への熱電対の取付けや、配線の這い回しを行う必要があるため、取り扱い性が悪化し、組立工数が増加されるデメリットがある。それに対して、チップサーミスタやチップダイオードなどでは、他の電子部品と同時に基板に面実装できるため、工数の低減により安価で、且つ大量生産に適した製品組立を行うことが可能となる。そこで、温度計測方法として、より安価な構造とするためには、それらの汎用品のチップ温度計を用い、且つ、汎用品の電子部品や基板を用いて温度を測定できることが望ましい。本発明の目的は、汎用のチップ温度計等を用いてパワー半導体の温度測定精度を向上させることにある。上記目的は、エンジン始動装置において、温度検出素子は少なくとも2の接続部を有し、これらが個々に導体配線と電気的に接続され、その接続されたところの間に、パワー半導体素子と接続された導体パターンの一部が延在することにより達成される。本発明では、パワー半導体素子が実装されている導体とチップ温度計を高熱伝導部材でダイレクトに接続することで、パワー半導体素子のチップから温度計までの熱抵抗を小さくすることができるため、チップの温度上昇を精度良く測定することが可能となる。図1,図2は、本発明における第1の実施形態である。図1は本発明の第1の実施形態、図2は図1のA-A断面図である。以下、実施例は、特に車載機器であるアイドルストップスタータ用のパワースイッチモジュールに代表される様な、MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorを用いた半導体装置において記載するが、発熱を伴うその他の半導体素子であるIGBTInsulatedGateBipolarTransistorやパワートランジスタ,パワーダイオードを用いた場合でも適用される。また、実施例では、安価である汎用品のパッケージMOSFETを使用した場合を示すが、本発明は、ベアチップ実装した半導体装置でも適用できる。図1,図2において基板2はアルミや銅等で構成された金属ベース21を母材として構成されており、金属ベース21の上面には、エポキシ系樹脂で構成された絶縁層22を介して、銅で構成された導体配線による回路が形成されている。導体の上面には、MOSFET3,チップサーミスタ及びチップダイオード等の温度計4、アルミやニッケル等で構成された電極パッド8、及びその他の電子部品図示せずが、ハンダ6により電気的に接続されている。導体配線のうち、MOSFET3のドレイン端子であるヒートスプレッダ13は、第1導体231と、MOSFETのソース端子14は、第5導体235と、MOSFETの導通非導通を制御するゲート端子15は、第6導体236とそれぞれ電気的に接続されている。第1導体,第5導体には、電極パッド8がハンダ6により実装されており、電極パッド8にはアルミや銅などのワイヤ9が複数本ボンディングされており、外部との電流電圧の入出力端子と接合されている。また、前記温度計4の温度信号端子41,42は、第2導体232,第3導体233とそれぞれ電気的に接続されている。第2導体,第3導体には、電極パッド8がハンダにより実装されており、電極パッド8上にはアルミや銅などのワイヤ9がボンディングされており、温度計4でセンシングされた温度信号を外部のECUへ出力する。前記第1導体231からは、第1導体の一部であり細線で構成された第4導体234が、第2導体232と第3導体233の間を通り、温度計4の下を通る様に伸びている。前記第4導体と、温度計4は、銀ペーストや高熱伝導樹脂等の高熱伝導樹脂7で接合されている。高熱伝導樹脂7は絶縁性を有する高熱伝導樹脂等を用いる場合は、図10に示す様に、高熱伝導樹脂7を温度計の電極部も全て覆う様にポッティングし、そのポッティングされた高熱伝導樹脂7が温度計4と第4導体234の隙間に入り、それぞれ接続しているものでも良い。次に、MOSFET3の構成を説明する。図3はMOSFET3の断面図である。MOSFET3は、銅によって構成されたヒートスプレッダ13の上にチップ実装ハンダ17によりシリコンチップ12が実装されている。チップ12の上面から、銅によって構成されたソース端子14とゲート端子15図1記載に、アルミワイヤボンディングにより電気的に接続されている。前記、チップ12は、ヒートスプレッダ13,ソース端子14,ゲート端子15と供に、エポキシ樹脂で封止されパッケージングされている。また、前記の様に、MOSFET3は銅により構成された第1導体231と接続され、第1導体の一部である第4導体234を介して、高熱伝導樹脂7により温度計4と接合されているため、チップ12から温度計4までは、熱伝導率約3~400W/mKの高熱伝導部材で構成することができるため、熱抵抗を小さくすることが可能となる。従来のインバータ等の様にパワー半導体素子IGBTが実装されている導体とは別回路を形成している導体に温度計を実装した場合には、熱伝導率が約02W/mKのレジストエポキシが導体間に充填されているため、熱伝達経路上の熱抵抗が大きくなり、温度測定精度は極端に低下する。よって、本発明を適用することで、温度測定精度を向上することが可能となる。図4は、モールドケース10組付図を示す。モールドケース10は、基板2収容し、車両のアイドルストップスタータに適用する事例の場合、外部のスタータとの電気的接続及び機械的締結を行うものである。その材質は、PPSポニフェニレンサルファイドやPBTポリブチレンテレフタレート等の熱可塑性樹脂で構成されており、内部に、スタータと電気的接続を行うための、銅で構成されたインサートバスバーがインサート成型されている。モールドケース10は、基板2とシリコン接着剤図示せずで接着固定されている。モールドケース10のインサートバスバーである入力側バスバー101,出力側バスバー102とコネクタ端子111は、基板2の電極パッド8と、アルミニウム,銅などのワイヤ9でボンディング接続されており、基板上を流れる電流や電圧信号を外部のスタータ側と授受するための電気的接続を行っている。前記温度計4で計測された温度電圧信号は、モールドケース10と一体成型されているインサート端子111を介しコネクタ11より、外部のECU側へ送信される。ここで、ボンディングに用いるボンディングワイヤは、コスト,ハンドリング性,信頼性の観点よりアルミワイヤを用いることが良く知られている。なお、電極パッド8は、基板2側にアルミワイヤボンディングを行うために必要な、ボンディング用パットである。また、インサートバスバーと電極パッド8との接続は、アルミリボンボンディングであっても良い。図5には、本発明の第2の実施形態を示す。車両のアイドルストップスタータに適用する事例では、数百アンペアの電流をMOSFETでスイッチング制御させる。そこで、MOSFETが1素子では許容電流を超えてしまう場合には、図5に示す様に2素子以上並列で実装し使用することが一般的である。その際、通常1素子のMOSFETに対し、温度計4も1素子配置する方が、各MOSFETの温度をそれぞれ検知することができるが、実装スペースや部品点数を削減することを考慮すると、1素子の温度計で複数個あるMOSFETの温度を同じ検出精度で検出できることが好ましい。そこで、図5では、2素子並列接続でMOSFET3が第1導体231上に実装されており、同じく第1導体231上に実装されている電流を入力させるための電極パッド8との間に、導体開口部18があり、その中にある第2導体232と第3導体233に温度計4が実装されている。第1導体231からは、導体開口部18内部側に向けて、第4導体234が第2導体232と第3導体233の間を通り、温度計4の下を通る様に伸びており、第4導体と温度計4は高熱伝導樹脂7で接続されている。また、導体1の周囲には、温度計4の温度信号を外部に出力させるための配線を行う第7導体237と第8導体238が配線してある。前記、導体開口部18内部にある第2導体232及び第3導体233と第7導体237及び第8導体238をアルミワイヤで接続することで、検出した温度信号を外部へ出力できる構造となっている。温度計4は、2素子並列接続されたMOSFETの各素子のチップからそれぞれ同じ熱抵抗となる位置に1素子配置されている。そのため、2素子あるMOSFETの温度を1素子の温度計で、しかも同じ検出精度で検出できる。本実施例では、MOSFETを2素子使用した場合について記載しているが、2素子以上の複数素子使用した場合でも、各MOSFETから同熱抵抗となる位置に温度計を1素子配置することで使用できる。ここで、MOSFETのチップ部から温度計までの熱抵抗を決定する条件としては、チップ~温度計までを構成しているチップ12,チップ実装ハンダ17,ヒートスプレッダ13,ヒートスプレッダを実装しているハンダ6,第1導体231,第4導体234,高熱伝導樹脂7の熱伝導率,接合面積,厚み,距離によって決まる。図6には、本発明の第3の実施形態を示す。図5の形態では、各MOSFETから同熱抵抗となる位置に温度計を配置した場合、第1導体231の中間に導体開口部18を設けて、ワイヤ9で信号を外部に取り出す必要があり構造が複雑化している。第3の実施形態では、それらを改善させた構造を提案する。図6の構造では、温度計4を第1導体231と第5導体235の間に配置する構造となっている。第2導体232と第3導体233も、第1導体231と第5導体235の間まで伸びており、第1導体231に2素子並列接続されているMOSFET3の間で、温度計4の各電極と接続されている。また、第1の導体231からは、第4導体234が、第2導体232と第3導体233の間を通り、温度計4の下を通る様に伸びており、第4導体と温度計4は高熱伝導樹脂7で接続されている。また、本実施形態においても、温度計4は、各MOSFETのチップからそれぞれ同じ熱抵抗となる距離に温度計4を1素子配置されている。図7~図9には、本発明におけるレジスト塗布時の構造を示す。従来、基板実装時には、導体部の絶縁や保護のため、熱硬化性のエポキシで構成されたレジストを塗布する。また、導体上の部品実装部では、レジストに開口部を設けて導体と電子部品との電気的接続を行う。電子部品と導体との接続は、ハンダ6によって行うが、レジスト開口部は、ハンダ付けの範囲を制限しハンダ流れによるハンダ不足等を防止のためにも用いられる。多くの基板では、レジストの塗布が必要となるため、本発明においては、一般的に用いられている様な、電気的接続を目的としているレジスト開口部191以外に、電気的接続を行わない、導体の温度を直接測定するためのみのレジスト開口部192を有する構造となっている。図7,図8の実施例では、レジスト開口部192により露出した導体の温度を高熱伝導樹脂7を介して、温度計4で測定できるため、熱伝導率が悪い約02W/mkレジストを間に介することなく温度を測定することができ、温度測定精度が著しく向上する。導体温度を測定する温度計としては、チップ部品の温度計を提案しているが、リードタイプの温度計や熱電対などでも良い。次に、本発明の半導体装置を車両のアイドルストップ用スタータへと適用した場合の取付構造について説明する。図11に、本発明の半導体装置を車両のアイドルストップ用スタータへと一体に取付けた外観図を示す。アイドルストップスタータ20は、エンジンと噛み合わせたピニオンギヤ図示せずを回転させ、エンジン図示せずを回転させるためのスタータモータ201と、エンジンにアイドルストップスタータ20のピニオンギヤを押し出し噛み合わせるためのマグネットスイッチ202と、前記、本発明の半導体装置1と、それらを保持し、アイドルストップスタータ20のエンジンとの取付けを行うためのギヤケース203とで構成されている。半導体装置1は、ECU21からのアイドルストップ指令信号を受け、半導体装置1内部のMOSFETをスイッチングすることで、スタータモータ201やマグネットスイッチ202への電流を制御し、車両がアイドルストップを行うために用いられる。半導体装置1とECU21とは、コネクタ11を介して接続されている。本発明における温度計4で検出された温度測定結果は、コネクタ11を介してECU側へ送信され、その結果を受けて、温度信号がある所定の値以上になった時に、スタータモータ201とマグネットスイッチ202への通流電流の調整や通流遮断等の処置を行う。"