ハーフメタルによって構成されたソース層、ゲート層およびドレイン層と、前記ソース層と前記ゲート層との間に介在する第1の絶縁層と、前記ゲート層と前記ドレイン層との間に介在する第2の絶縁層と、前記ゲート層を含み、前記ゲート層に静電容量を介してゲート電圧を印加可能なゲート構造とを、備えることを特徴とするスピントランジスタ。前記ハーフメタルがホイスラー合金から成ることを、特徴とする請求項1記載のスピントランジスタ。前記ホイスラー合金がCo2FexMn1-xSi、または、Co2MnAlxSi1-xのCo基のホイスラー合金組成から成ることを、特徴とする請求項2記載のスピントランジスタ。前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層が酸化マグネシウムMgOから成ることを、特徴とする請求項1、2または3記載のスピントランジスタ。前記ゲート構造がCr/MgO/Co2MnSiから成ることを、特徴とする請求項1、2、3または4記載のスピントランジスタ。前記ゲート構造の前記MgOの膜厚が5~20ナノメートルであることを、特徴とする請求項5記載のスピントランジスタ。前記ソース層、前記ゲート層および前記ドレイン層の磁化の相対角度により、室温にて電流が変化することを、特徴とする請求項1、2、3、4、5または6記載のスピントランジスタ。前記ゲート層に電圧を印加することにより、室温にて電流が変化することを、特徴とする請求項1、2、3、4、5、6または7記載のスピントランジスタ。前記ゲート層に印加する電圧がパルス形状であり、過渡的に電流が変化することを特徴とする請求項8記載のスピントランジスタ。前記ゲート層に印加するパルス電圧の立ち上がり時間がマイクロ秒以下であり、高速で出力電流が変化することを特徴とする請求項9記載のスピントランジスタ。請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9または10に記載のスピントランジスタを有することを、特徴とする磁気デバイス。本発明は、このような課題に着目してなされたもので、その目的は、磁化の相対角度を外部磁界で制御した際の電流変化率が大きく、かつ、ゲート電圧のオン/オフによる出力電流のオン/オフ比の高い、室温で出力電流が制御可能なスピントランジスタおよび磁気デバイスを提供することにある。上記目的を達成するために、本発明に係るスピントランジスタは、ハーフメタルによって構成されたソース層、ゲート層およびドレイン層と、前記ソース層と前記ゲート層との間に介在する第1の絶縁層と、前記ゲート層と前記ドレイン層との間に介在する第2の絶縁層と、前記ゲート層を含み、前記ゲート層に静電容量を介してゲート電圧を印加可能なゲート構造とを、備えることを特徴とする。本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を実施した。その結果、前記ハーフメタルにホイスラー合金を使用したスピントランジスタにおいて、室温にて、磁化状態の制御による電流変化率として50、ゲート電圧によるオン/オフ比として1266を得た。本発明に係るスピントランジスタで、前記ホイスラー合金は、Co2FexMn1-xSi、または、Co2MnAlxSi1-xのCo基のホイスラー合金組成から成ることが好ましい。この場合、Xは、0以上1以下の範囲である。また、前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層は酸化マグネシウムMgOから成ることが好ましい。前記ゲート構造はCr/MgO/Co2MnSiから成ることが好ましい。また、ゲート電圧を効率的に印加するために、前記ゲート構造の前記MgOの膜厚が5~20ナノメートルであることが好ましい。本発明に係るスピントランジスタは、前記ソース層、前記ゲート層および前記ドレイン層の磁化の相対角度により、室温にて電流が変化することが好ましい。また、本発明に係るスピントランジスタは、前記ゲート層に電圧を印加することにより、室温にて電流が変化することが好ましい。この場合、前記ゲート層に印加する電圧がパルス形状であり、過渡的に電流が変化することが高速動作を実現する上で好ましい。また、前記ゲート層に印加するパルス電圧の立ち上がり時間がマイクロ秒以下であり、高速で出力電流が変化することが好ましい。本発明に係るスピントランジスタは、スピントロニクス分野において、例えば磁気メモリや不揮発性論理回路などの磁気デバイスに使用することができる。本発明に係る磁気デバイスは、本発明に係るスピントランジスタを有することを、特徴とする。本発明によれば、磁化の相対角度で出力電流が制御可能で、かつ、ゲート電極に電圧を印加することでも出力電流が制御可能なスピントランジスタを提供することができる。このため、磁化の相対角度を外部磁界で制御した際の電流変化率が大きく、かつ、ゲート電圧のオン/オフによる出力電流のオン/オフ比の高い、室温で出力電流が制御可能なスピントランジスタを提供することができる。また、ゲートに入力する電圧をパルス形状にすることで、高速動作のスピントランジスタを提供することができる。また、このスピントランジスタを集積化することで、磁気メモリや不揮発性論理回路などの磁気デバイスを実現することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1に示すように、ゲート電極層11/ゲート絶縁層12の上に、二つの強磁性トンネル接合が並列にならんだ、スピントランジスタ構造をリソグラフィー法により作製した。図1に示す一例では、ゲート電極層11/ゲート絶縁層12はCr/MgOから成り、強磁性トンネル接合はCo2MnSi/MgO/Co2MnSiから成っている。ゲート絶縁層12に隣接するCo2MnSiがゲート層13のハーフメタルであり、トンネル絶縁層であるMgO上部の二つのCo2MnSiが、ソース層14およびドレイン層15のハーフメタルである。トンネル絶縁層は、ソース層14とゲート層13との間に介在する第1の絶縁層16と、ゲート層13とドレイン層15との間に介在する第2の絶縁層17とから成っている。また、ゲート構造は、ゲート電極層11、ゲート絶縁層12およびゲート層13から成っている。図2に、図1に示す二つの強磁性トンネル接合の6Kにおけるa磁気抵抗曲線、および、bソースドレイン電圧に対するコンダクタンス特性を示す。トンネル磁気抵抗比は、6Kにおいて235、室温において64と非常に大きい。この大きなトンネル磁気抵抗比と、コンダクタンス特性における、ゼロバイアス電圧近傍でのコンダクタンスの増大は、ソース層14、ゲート層13、ドレイン層15に用いたCo2MnSiがハーフメタルであることを示している。図3に、ゲート電圧を1V印加した際の、磁化平行および反平行状態のドレイン電流の室温における過渡応答特性を示す。パルス印加後、約5μs後にドレイン電流がピークを示し、その後減少することが分かる。ピーク電流とゲート電圧印加前の電流との比オン/オフ比は非常に大きく、また、平行および反平行状態でピーク電流値に差があることが分かる。図4に、ゲート電圧GateVoltageのオン/オフに対する、出力電流の室温におけるオン/オフ比On/OffRatioのゲート電圧依存性を示す。図4から、ゲート電圧が0.1V以上で、急激に電流が増加していることが分かる。また、ソース-ドレイン電圧VSDが小さいほど、オン/オフ比が大きく、良好なスイッチ特性を得るのに好ましいことが分かる。また、ゲート層のハーフメタルの磁化の向きが、ソース層およびドレイン層のハーフメタルの磁化に対して、平行atPstateおよび反平行atAPstateに変化することにより、スイッチ特性が変化することが分かる。図5に、ゲート層の磁化の向きが、ソース層およびドレイン層の磁化に対して、平行および反平行に変化した時の、出力電流の室温における変化率MCratioをゲート電圧に対してプロットした結果を示す。図5から、ゲート電圧が小さく、また、ソース-ドレイン電圧が小さい状態では、最大で約50の電流変化率が得られていることが分かる。以上から、図1のスピントランジスタ構造は、磁化の向き、および、ゲート電圧を制御することで、出力電流を室温にて高速制御することが可能な最良の態様であることが分かる。以上、発明の実施の形態に則して本発明を説明してきたが、本発明の内容は上記に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。