半導体基板と、前記半導体基板に設けられ、かつN型領域及びP型領域から構成されるフォトダイオードと、前記半導体基板に設けられ、かつ前記フォトダイオードから転送された電荷を保持する浮遊拡散層と、前記半導体基板に設けられ、かつ前記フォトダイオードに蓄積された電荷を前記浮遊拡散層に転送する転送トランジスタと、を具備し、前記フォトダイオードのN型領域は、第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域より浅い第2の半導体領域とから構成され、前記第1の半導体領域の端部は、前記転送トランジスタのゲート電極の端部よりも前記浮遊拡散層側に位置し、前記第2の半導体領域の端部は、前記転送トランジスタのゲート電極の端部と略同じ位置であることを特徴とする固体撮像装置。前記フォトダイオードのP型領域の端部は、前記転送トランジスタのゲート電極の端部と略同じ位置であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記第2の半導体領域の不純物濃度のピーク深さは、前記第1の半導体領域の不純物濃度のピーク深さより浅いことを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。前記第2の半導体領域は、前記転送トランジスタのゲート電極をマスクとして、セルフアラインで形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像装置。フォトダイオードと、前記フォトダイオードに蓄積された電荷を浮遊拡散層に転送する転送トランジスタとを有する固体撮像装置の製造方法であって、半導体基板にN型不純物を導入し、前記半導体基板内に前記フォトダイオードの第1の半導体領域を形成する工程と、前記半導体基板上に、前記転送トランジスタのゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板内にN型不純物を導入し、前記半導体基板内の前記第1の半導体領域より浅い位置に、前記フォトダイオードの第2の半導体領域を形成する工程と、を具備することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記第2の半導体領域を形成する際の不純物の加速エネルギーは、前記第1の半導体領域を形成する際の不純物の加速エネルギーより低いことを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置の製造方法。前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板内にP型不純物を導入し、前記半導体基板内の前記第2の半導体領域より浅い位置に、前記フォトダイオードの第3の半導体領域を形成する工程をさらに具備することを特徴とする請求項5又は6に記載の固体撮像装置の製造方法。実施形態は、転送トランジスタのカットオフ特性を向上することが可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供する。実施形態に係る固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に設けられ、かつN型領域及びP型領域から構成されるフォトダイオードと、前記半導体基板に設けられ、かつ前記フォトダイオードから転送された電荷を保持する浮遊拡散層と、前記半導体基板に設けられ、かつ前記フォトダイオードに蓄積された電荷を前記浮遊拡散層に転送する転送トランジスタとを具備する。前記フォトダイオードのN型領域は、第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域より浅い第2の半導体領域とから構成され、前記第1の半導体領域の端部は、前記転送トランジスタのゲート電極の端部よりも前記浮遊拡散層側に位置し、前記第2の半導体領域の端部は、前記転送トランジスタのゲート電極の端部と略同じ位置である。実施形態に係る固体撮像装置の製造方法は、フォトダイオードと、前記フォトダイオードに蓄積された電荷を浮遊拡散層に転送する転送トランジスタとを有する固体撮像装置の製造方法であって、半導体基板にN型不純物を導入し、前記半導体基板内に前記フォトダイオードの第1の半導体領域を形成する工程と、前記半導体基板上に、前記転送トランジスタのゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板内にN型不純物を導入し、前記半導体基板内の前記第1の半導体領域より浅い位置に、前記フォトダイオードの第2の半導体領域を形成する工程とを具備する。以下、実施形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率などは必ずしも現実のものと同一とは限らないことに留意すべきである。以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置などによって、本発明の技術思想が特定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。以下に、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法及び構造について説明する。本実施形態の固体撮像装置は、例えばCMOSイメージセンサによって構成される。図1は、本実施形態に係る固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。まず、半導体基板11を準備する。半導体基板11としては、例えば、シリコンSiからなるP型エピタキシャル基板が用いられる。続いて、半導体基板11に部分的にP型不純物を導入し、半導体基板11の一部の領域トランジスタ領域にP型ウェル12を形成する。トランジスタ領域には、画素を構成する複数のMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorが形成される。続いて、図2に示すように、半導体基板11上に、MOSFET用のゲート絶縁膜13を形成する。ゲート絶縁膜13としては、例えば、膜厚4nm以上のシリコン酸化物が用いられる。続いて、図3に示すように、半導体基板11のうち画素を構成するフォトダイオード17が形成されるフォトダイオード領域のみを露出するように、リソグラフィー工程を用いて、ゲート絶縁膜13上にレジスト層14を形成する。このフォトダイオード領域は、P型ウェル12の外側に配置される。続いて、レジスト層14をマスクとして、半導体基板11にN型不純物をイオン注入し、半導体基板11内にフォトダイオード17を構成するN型半導体領域14を形成する。N型半導体領域14の形成工程は、高い加速エネルギー例えば200keV以上でイオン注入を行う。N型半導体領域14の不純物濃度のピーク深さは、0.25μm程度である。なお、本実施形態でいうピーク深さは、半導体基板11上面から測定した値である。N型半導体領域14の形成工程では、MOSFET用のゲート電極が形成されておらず、ゲート電極をマスクとして用いたセルフアラインで行われない。また、N型半導体領域14の形成工程では、フォトダイオード領域以外はレジスト層14で覆われているので、高い加速エネルギーを用いたイオン注入工程を行うことが可能である。その後、レジスト層14を除去する。続いて、図4に示すように、転送トランジスタ用のゲート電極20、リセットトランジスタ用のゲート電極21、及び増幅トランジスタ用のゲート電極22を同時に形成する。ゲート電極20~22としては、例えば、導電性のポリシリコンが用いられる。転送トランジスタは、そのゲートに与えられる転送信号に応じて、フォトダイオード17に蓄積された電荷例えば電子を、後述する浮遊拡散層25に転送するものである。リセットトランジスタは、そのゲートに与えられるリセット信号に応じて、浮遊拡散層25の電圧を電源電圧にリセットするものである。増幅トランジスタは、浮遊拡散層25の電圧を増幅し、この増幅した電圧を信号電圧として信号線図示せずに出力するものである。続いて、図5に示すように、p型ウェル12トランジスタ領域を覆うように、リソグラフィー工程を用いて、ゲート絶縁膜13及びゲート電極20~22上にレジスト層23を形成する。なお、フォトダイオード17を構成するN型半導体領域15をゲート電極20をマスクとして用いてセルフアラインで形成するために、レジスト層23は、ゲート電極20を部分的に覆うように形成される。続いて、レジスト層23及びゲート電極20をマスクとして、半導体基板11にN型不純物をイオン注入し、半導体基板11内にフォトダイオード17を構成するN型半導体領域15をセルフアラインで形成する。N型半導体領域15の形成工程は、N型半導体領域14のイオン注入より低い加速エネルギーであり、かつ不純物イオンがゲート電極20を突き抜けて半導体基板11に到達しないような加速エネルギー例えば50keV以下でイオン注入を行う。N型半導体領域15のピーク深さは、0.06μm程度である。これにより、N型半導体領域15の深さは、N型半導体領域14の深さより浅く設定される。換言すると、N型半導体領域15のピーク深さは、N型半導体領域14のピーク深さより浅く設定される。続いて、レジスト層23及びゲート電極20をマスクとして、半導体基板11にP型不純物をイオン注入し、半導体基板11内にフォトダイオード17を構成するP型半導体領域P型シールド層16をセルフアラインで形成する。P型半導体領域16は、半導体基板11の表面領域に形成され、P型半導体領域16の深さは、N型半導体領域15の深さより浅く設定される。換言すると、P型半導体領域16のピーク深さは、N型半導体領域15のピーク深さより浅く設定される。このように、フォトダイオード17は、半導体基板11の深い側から順に、N型半導体領域14、N型半導体領域15、及びP型半導体領域16から構成されている。その後、レジスト層23を除去する。ここで、前述したように、フォトダイオード17を構成するN型半導体領域15及びP型半導体領域16は、ゲート電極20をマスクとして用いたセルフアラインで形成される。このため、N型半導体領域15及びP型半導体領域16の端部は、ゲート電極20の端部と略揃っている。なお、実際の製品では、N型半導体領域15及びP型半導体領域16をセルフアラインで形成したとしても、不純物が熱拡散するために、N型半導体領域15及びP型半導体領域16の端部は、ゲート電極20の内側に若干入り込む。一方、N型半導体領域14を形成する時点ではゲート電極20が形成されておらず、N型半導体領域14はセルフアラインで形成されない。このため、N型半導体領域14の端部は、ゲート電極20の端部と揃っておらず、例えば、ゲート電極20の下方に入り込んでいる。また、N型半導体領域14の端部は、N型半導体領域15及びP型半導体領域16の端部とも揃っていない。続いて、図6に示すように、フォトダイオード17を覆うように、リソグラフィー工程を用いて、ゲート絶縁膜13及びゲート電極20上にレジスト層24を形成する。続いて、レジスト層24をマスクとして、p型ウェル12内に低濃度のn型不純物をセルフアラインでイオン注入する。これにより、p型ウェル12内かつゲート電極20及び21間に浮遊拡散層25が形成され、また、p型ウェル12内にMOSFET用の低濃度拡散領域26Aが形成される。浮遊拡散層25は、フォトダイオード17から転送された電荷を一時的に保持する機能を有する。続いて、フォトダイオード17及び浮遊拡散層25を覆うレジスト層図示せずを形成する。続いて、図7に示すように、p型ウェル12内に高濃度のn型不純物をセルフアラインでイオン注入する。これにより、p型ウェル12内にMOSFET用の高濃度拡散領域26Bが形成される。拡散領域26A及び拡散領域26Bは、MOSFETのソース/ドレイン領域26となる。その後、コンタクト、配線層、及びパッシベーション膜図示せずを形成する。最後に、カラーフィルター、及びマイクロレンズ図示せずを画素領域に形成して固体撮像装置が完成する。効果以上詳述したように本実施形態では、フォトダイオード17は、半導体基板11の深い側から順に、N型半導体領域14、N型半導体領域15、及びP型半導体領域16から構成される。そして、N型半導体領域14は、MOSFET用のゲート電極20を形成する前に、レジスト層23をマスクとして半導体基板11内に高い加速エネルギー例えば200keV以上でイオン注入して形成される。これにより、N型半導体領域14は、半導体基板11の深い領域に形成されるため、N型半導体領域14と浮遊拡散層25との距離を十分離すことが可能となる。この結果、N型半導体領域14と浮遊拡散層25とが近づきすぎて、転送トランジスタがカットオフできないという問題が解消できる。なお、N型半導体領域14はセルフアラインで形成されないので、N型半導体領域14は、転送トランジスタのゲート電極20の下方まで入り込む、すなわち、N型半導体領域14の端部がゲート電極20の端部よりも浮遊拡散層25側に位置する可能性がある。しかし、N型半導体領域14の深さが十分深いため、N型半導体領域14と浮遊拡散層25とが近づきすぎることはなく、転送トランジスタのカットオフ特性が劣化するのを防ぐことができる。また、N型半導体領域15は、転送トランジスタのゲート電極20を形成した後に、このゲート電極20をマスクとして半導体基板11内に低い加速エネルギー例えば50keV以下でイオン注入して形成される。従って、ポリシリコンからなるゲート電極20だけでも不純物イオンがゲート電極20を突き抜けて半導体基板11まで到達するのを防ぐことができる。このため、ゲート電極20上に、不純物イオンがゲート電極20を突き抜けるのを防ぐためのキャップ層を形成する必要がない。これにより、画素周辺部のロジックトランジスタと同様の製造工程にて画素を構成するトランジスタを形成できる。この結果、製造工程が簡略化され、固体撮像装置のコストが高くなるという問題が解消できる。また、N型半導体領域15がセルフアラインで形成されるため、N型半導体領域15の端部は、転送トランジスタのゲート電極20の端部と略同じ位置である。よって、N型半導体領域15と浮遊拡散層25とが近づきすぎることはなく、転送トランジスタのカットオフ特性が劣化するのを防ぐことができる。また、N型半導体領域15及びP型半導体領域16がセルフアラインで形成されるため、画素を微細化した場合でも、フォトダイオード17を精度良く形成できる。これにより、所望の特性を有する固体撮像装置を実現することができる。また、本実施形態では、フォトダイオード17のN型領域N型半導体領域14及び15の体積を大きくすることができるため、フォトダイオード17に多くの電荷を蓄積することが可能となる。これにより、画質の良い固体撮像装置を実現することができる。なお、本実施形態では、固体撮像装置としてCMOSイメージセンサを例に挙げて説明したが、CCDイメージセンサなどにも適用することが可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。