"アルカリ可溶性樹脂、感光剤、溶剤及びシリコーンオイルを含有することを特徴とするポジ型レジスト用組成物。前記シリコーンオイルの含有量は、前記アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、2~50重量部である請求項1に記載のポジ型レジスト用組成物。前記シリコーンオイルは、末端及び/又は側鎖がポリエーテル変性されたものである請求項1又は2に記載のポジ型レジスト用組成物。前記シリコーンオイルの粘度温度係数VTCは、0.75以下である請求項1~3のいずれかに記載のポジ型レジスト用組成物。前記シリコーンオイルは、非反応性シリコーンオイルである請求項1~4のいずれかに記載のポジ型レジスト用組成物。ポジ型レジスト用組成物を用いて基板上にポジ型レジスト膜を形成する工程、ポジ型レジスト膜を露光現像することにより所望のレジストパターンを形成する工程、レジストパターンをマスクとして、140°C以上の熱負荷処理を行う工程、及び、前記処理後にレジストパターンを剥離する工程、を含む電子デバイスの製造方法において、前記ポジ型レジスト用組成物として請求項1~5のいずれかに記載のポジ型レジスト用組成物を用いることを特徴とする電子デバイスの製造方法。本発明は、解像度、耐熱性に優れるとともに、基板からの剥離性にも優れたレジストパターンを形成することができるポジ型レジスト用組成物を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、ポジ型レジスト用組成物中にシリコーンオイルを含有させることにより、高解像度を有しつつ、加熱時の熱流動性が抑えられ、熱変形しにくく耐熱性に優れたレジストパターンを形成することができ、かつ、このようなレジストパターンが基板との剥離性にも優れることを見出し、本発明を完成した。本発明のポジ型レジスト用組成物は、アルカリ可溶性樹脂、感光剤、溶剤及びシリコーンオイルを含有することを特徴とする。上記ポジ型レジスト用組成物において、上記シリコーンオイルの含有量は、上記アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、2~50重量部であることが好ましい。また、上記シリコーンオイルは、末端及び/又は側鎖がポリエーテル変性されたものであることが好ましい。また、上記シリコーンオイルの粘度温度係数VTCは、0.75以下であることが好ましい。さらに、上記シリコーンオイルは、非反応性シリコーンオイルであることが好ましい。本発明の電子デバイスの製造方法は、ポジ型レジスト用組成物を用いて基板上にポジ型レジスト膜を形成する工程、ポジ型レジスト膜を露光現像することにより所望のレジストパターンを形成する工程、レジストパターンをマスクとして、140°C以上の熱負荷処理を行う工程、及び、上記処理後にレジストパターンを剥離する工程、を含む電子デバイスの製造方法において、上記ポジ型レジスト用組成物として本発明のポジ型レジスト用組成物を用いることを特徴とする。本発明のポジ型レジスト用組成物は、アルカリ可溶性樹脂、感光剤及び溶剤に加えて、シリコーンオイルを含有することを技術的特徴としており、シリコーンオイルは、加熱時の粘度変化が小さいため、上記技術的特徴を備えた本発明のポジ型レジスト用組成物は、高解像度を有し、熱変形しにくく耐熱性に優れるとともに、基板との剥離性に優れるレジストパターンを形成することができる。また、本発明の電子デバイスの製造方法は、本発明のポジ型レジスト用組成物を用いるため、高熱が付加される処理下においても、微細設計の電子デバイスを高い精度で製造することができる。本発明のポジ型レジスト用組成物は、アルカリ可溶性樹脂、感光剤、溶剤及びシリコーンオイルを含有することを特徴とする。以下、各構成成分について説明する。1シリコーンオイル本発明のポジ型レジスト用組成物は、シリコーンオイルを含有することを技術的特徴としており、そのため、耐熱性に優れるとともに、基板からの剥離性に優れたレジストパターンを形成することができる。上記シリコーンオイルは、シロキサン結合を主骨格としたポリマーであり、より具体的には直鎖状のもの、例えば、ポリジメチルシロキサン、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイル、又は、これらの末端及び/又は側鎖が有機基で置換された、常温で液状オイル状化合物が挙げられる。また、シリコーンオイルは反応性シリコーンオイルと非反応性シリコーンオイルに大別できるが、反応性シリコーンオイルであると、ポジ型レジスト用組成物の保存安定性やレジスト剥離性が低下する可能性があるため、非反応性シリコーンオイルであることが好ましい。また、上記シリコーンオイルは、粘度温度係数VTCが小さいものが耐熱性の観点から好ましい。上記粘度温度係数VTCは、0.75以下が好ましく、0.70以下がより好ましく、0.65以下が更に好ましい。また、下限値は、0.10以上であることが好ましい。上記粘度温度係数VTCは、次式によって求めることができる。VTC=1-98.9°C210°Fの動粘度mm2/s/37.8°C100°Fの動粘度mm2/sここで、上記有機基としては、ポリエーテル基、アミノ基、エポキシ基、フェニル基、水酸基、カルボキシル基、カルビノール基、メルカプト基、アルキル基等が挙げられる。これらのなかでは、有機基がポリエーテル基であるシリコーンオイル以下、ポリエーテル変性シリコーンオイルともいうが好ましい。より具体的には、ポリジメチルシロキサンの側鎖及び/又は末端のメチル基の一部を有機基で置換したものが望ましい。アルカリ可溶性樹脂等の他の成分との相溶性が高く、かつ、粘度の温度依存性が低いからである。上記シリコーンオイルの粘度は、0.1~1000000mm2/sが好ましく、1~100000mm2/sがより好ましい。その理由は、樹脂やレジスト溶媒との相溶性が良好だからである。上記シリコーンオイルは、常温で液状のものであればその分子量は特に限定されないが、200~200000が好ましい。その理由は、樹脂やレジスト溶媒との相溶性が良好だからである。上記ポリエーテル変性シリコーンオイルは、両末端がポリエーテル基で置換されたシリコーンオイル両末端ポリエーテル変性シリコーンオイルや、片末端がポリエーテル基で置換されたシリコーンオイル片末端ポリエーテル変性シリコーンオイルであっても良いし、側鎖の一部がポリエーテル基で置換されたシリコーンオイル側鎖ポリエーテル変性シリコーンオイルであっても良いし、さらには、両末端及び側鎖の一部がポリエーテル基で置換されたシリコーンオイル側鎖両末端ポリエーテル変性シリコーンオイルであっても良い。上記両末端ポリエーテル変性シリコーンオイルとしては、例えば、下記式I:式中、R1はポリエーテル基であり、-R11C2H4OaC3H6ObR12を表す。ポリエーテル基中のR11は単結合、炭素数1~10のアルキレン基、又は、炭素数1~10のアルキレンオキシド基を表し、R12は水素、炭素数1~8のアルキル基、又は、炭素数1~8のアリール基を表す。また、R2は、それぞれ独立して炭素数1~5のアルキル基、フェニル基又は水素原子を表す。で示されるものが挙げられる。また、上記式Iの両末端のポリエーテル基R1は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、n、a、bは、それぞれ独立して、0または1以上の整数ただしaとbのどちらか一方は1以上の整数であれば良いが、例えば、aは1~100の整数、bは0~100の整数、nは0~300の整数であってよい。上記両末端ポリエーテル変性シリコーンオイルの具体例としては、例えば、下記式I′で示されるものが挙げられる。式中、R1及びnは上記式Iと同様である。上記側鎖ポリエーテル変性シリコーンオイルとしては、例えば、下記式II:式中、R3はポリエーテル基であり、-R21C2H4OaC3H6ObR22を表す。ポリエーテル基中のR21は単結合、炭素数1~10のアルキレン基、又は、炭素数1~10のアルキレンオキシド基を表し、R22は水素、炭素数1~8のアルキル基、又は、炭素数1~8のアリール基を表す。また、R4は、それぞれ独立して炭素数1~5のアルキル基、フェニル基又は水素原子を表す。で示されるものが挙げられる。また、上記式IIにおいて、nは1以上の整数で良く、m、a、bはそれぞれ独立して、0または1以上の整数ただしaとbのどちらか一方は1以上の整数であれば良いが、例えば、aは1~100の整数、bは0~100の整数、mは0~200、nは0~100、mnは0~300の整数であってよい。上記側鎖ポリエーテル変性シリコーンオイルの具体例としては、例えば、下記式II′で示されるものが挙げられる。式中、R3、m及びnは上記式IIと同様である。上記シリコーンオイルの含有量は、上記アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、2~50重量部であることが好ましい。上記含有量が2重量部未満では、充分な耐熱性を確保することができない場合があり、一方、50重量部を超えると、他の成分との相溶性が低下したり、現像性やパターンニング性が低下したりすることがある。より好ましくは10~30重量部、更に好ましくは12~20重量部である。2アルカリ可溶性樹脂上記アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸の共重合体、ポリビニルフェノール等が挙げられ、中でもノボラック樹脂やポリビニルフェノールが好ましい。このアルカリ可溶性のノボラック樹脂については特に制限はなく、従来ポジ型レジスト用組成物において被膜形成用物質として慣用されているもの、例えば、芳香族ヒドロキシ化合物と、アルデヒド類又はケトン類とをシュウ酸またはp-トルエンスルホン酸等の酸性触媒の存在下に縮合させたものを用いることができる。上記ノボラック樹脂としては、例えば、下記一般式IIIで表される繰り返し単位を有するノボラック樹脂等を挙げることができる。上記ノボラック樹脂の分子量は、重量平均分子量で2000~20000が好ましい。上記一般式IIIにおいて、R5~R7は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数1~2のアルコキシル基メトキシ、エトシキ等又は炭素数1~10のアルキル基を表す。好ましくは、水酸基、炭素数1~4のアルキル基メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec-ブチル、tert-ブチル等であり、さらに好ましくは水酸基、又はメチル基である。R8~R9は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は、ハロゲン原子塩素原子等、水酸基若しくは炭素数1~5のアルキル基を置換基として有していてもよいフェニル基を表す。ただし、上記一般式IIIで表される繰り返し単位全体において、R8及びR9のうち少なくとも一部は、メチル基、フェニル基、又は、ヒドロキシフェニル基である。好ましくは、R8及び/又はR9がメチル基、フェニル基、又は、ヒドロキシフェニル基である繰り返し単位の割合が20~100である。一般式IIIで表される繰り返し単位全体において、それぞれ複数あるR5、R6、R7、R8及びR9は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよい。上記芳香族ヒドロキシ化合物としては、例えば、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、2,3-キシレノール、2,4-キシレノール、2,5-キシレノール、2,6-キシレノール、3,4-キシレノール、3,5-キシレノール、2,3,5-トリメチルフェノール、2,3,6-トリメチルフェノール、2-t-ブチルフェノール、3-t-ブチルフェノール、4-t-ブチルフェノール、2-メチルレゾルシノール、4-メチルレゾルシノール、5-メチルレゾルシノール、4-t-ブチルカテコール、2-メトキシフェノール、3-メトキシフェノール、2-プロピルフェノール、3-プロピルフェノール、4-プロピルフェノール、2-イソプロピルフェノール、2-メトキシ-5-メチルフェノール、2-t-ブチル-5-メチルフェノール、ピロガロール等が挙げられる。これらは、単独で用いても良いし、2種以上を組み合わせて用いても良い。本発明においては、芳香族ヒドロキシ化合物として、膜のリソ特性の観点から、ピロガロール又はm-クレゾールと、他のフェノール類、例えばp-クレゾール、2,4-キシレノール、2,5-キシレノール及び3,5-キシレノールの中から選ばれる少なくとも1種とを組み合わせて用いることが好ましい。この場合、m-クレゾールと上記他のフェノール類との使用割合は、重量比で25:75~85:15が好ましく、30:70~70:30がより好ましい。上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α-フェニルプロピオンアルデヒド、β-フェニルプロピオンアルデヒド、o-ヒドロキシベンズアルデヒド、m-ヒドロキシベンズアルデヒド、p-ヒドロキシベンズアルデヒド、o-クロロベンズアルデヒド、m-クロロベンズアルデヒド、p-クロロベンズアルデヒド、o-メチルベンズアルデヒド、m-メチルベンズアルデヒド、p-メチルベンズアルデヒド、p-エチルベンズアルデヒド、p-n-ブチルベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒド等が挙げられる。上記ケトン類としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトン等が挙げられる。これらは、それぞれ単独で用いても良いし、2種以上を組み合わせ用いても良い。本発明においては、アルデヒド類やケトン類として、アセトン又はベンズアルデヒドと、ホルムアルデヒド又はヒドロキシベンズアルデヒド類、例えばo-ヒドロキシベンズアルデヒド、m-ヒドロキシベンズアルデヒド、p-ヒドロキシベンズアルデヒドとを組み合わせることが好ましい。この場合、アセトン又はベンズアルデヒドとホルムアルデヒド又はヒドロキシベンズアルデヒドとの使用割合は、アセトン又はベンズアルデヒド:ホルムアルデヒド又はヒドロキシベンズアルデヒドの重量比で0:100~100:0が好ましく、20:80~80:20がより好ましい。3感光剤上記感光剤としては、ポジ型レジスト用組成物に配合される従来公知の感光剤であればよく、例えば、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル等が挙げられる。上記ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとしては、多価フェノールの水酸基のすべて、又は、一部が1,2-キノンジアジドスルホン酸でエステル化された化合物を用いることができる。具体的には、多価フェノールの水酸基の20~100が1,2-キノンジアジドスルホン酸でエステル化された化合物を用いることができる。上記エステル化されたキノンジアジドとしては、例えば、1トリヒドロキシベンゾフェノンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物、2テトラヒドロキシベンゾフェノンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物、3ペンタヒドロキシベンゾフェノンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物、4ヘキサヒドロキシベンゾフェノンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物、5ビス2,4’-ジヒドロキシフェニルメタンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物、6ビスp-ヒドロキシフェニルメタンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物、7トリp-ヒドロキシフェニルメタンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物、81,1,1-トリp-ヒドロキシフェニルエタンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物、9ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメタンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物、102,2-ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルプロパンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物、111,1,3-トリス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-3-フェニルプロパンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物、124,4’-[1-[4-[1-[4-ヒドロキシフェニル]-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノールと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物、13ビス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物等が挙げられる。1トリヒドロキシベンゾフェノンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の具体例としては、例えば、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル、2,4,6-トリヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、2,4,6-トリヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が挙げられる。2テトラヒドロキシベンゾフェノンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の具体例としては、例えば、2,2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、2,2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル、2,3,4,3’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、2,3,4,3’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル、2,3,4,2’-テトラヒドロキシ-4’-メチルベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、2,3,4,2’-テトラヒドロキシ-4’-メチルベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル、2,3,4,4’-テトラヒドロキシ-3’-メトキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、2,3,4,4’-テトラヒドロキシ-3’-メトキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が挙げられる。3ペンタヒドロキシベンゾフェノンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の具体例としては、例えば、2,3,4,2’,6’-ペンタヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、2,3,4,2’,6’-ペンタヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が挙げられる。4ヘキサヒドロキシベンゾフェノンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の具体例としては、例えば、2,4,6,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、2,4,6,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル、3,4,5,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、3,4,5,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が挙げられる。5ビス2,4’-ジヒドロキシフェニルメタンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の具体例としては、例えば、ビス2,4’-ジヒドロキシフェニルメタン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、ビス2,4’-ジヒドロキシフェニルメタン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が挙げられる。6ビスp-ヒドロキシフェニルメタンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の具体例としては、例えば、ビスp-ヒドロキシフェニルメタン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、ビスp-ヒドロキシフェニルメタン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が挙げられる。7トリp-ヒドロキシフェニルメタンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の具体例としては、例えば、トリp-ヒドロキシフェニルメタン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、トリp-ヒドロキシフェニルメタン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が挙げられる。81,1,1-トリp-ヒドロキシフェニルエタンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の具体例としては、1,1,1-トリp-ヒドロキシフェニルエタン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、1,1,1-トリp-ヒドロキシフェニルエタン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が挙げられる。9ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメタンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の具体例としては、ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメタン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメタン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が挙げられる。102,2-ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルプロパンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の具体例としては、例えば、2,2-ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルプロパン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、2,2-ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルプロパン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が挙げられる。111,1,3-トリス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-3-フェニルプロパンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の具体例としては、例えば、1,1,3-トリス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-3-フェニルプロパン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、1,1,3-トリス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-3-フェニルプロパン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が挙げられる。124,4’-[1-[4-[1-[4-ヒドロキシフェニル]-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノールと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の具体例としては、例えば、4,4’-[1-[4-[1-[4-ヒドロキシフェニル]-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、4,4’-[1-[4-[1-[4-ヒドロキシフェニル]-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が挙げられる。13ビス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタンと1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物の具体例としては、例えば、ビス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、ビス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が挙げられる。また、他のキノンジアジド基含有化合物、例えば、オルソベンゾキノンジアジド、オルソナフトキノンジアジド、オルソアントラキノンジアジド又はオルソナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類及びこれらの核置換誘導体;オルソナフトキノンスルホニルクロリドと、水酸基又はアミノ基を有する化合物との反応生成物等も用いることができる。上記水酸基又はアミノ基を有する化合物としては、例えば、フェノール、p-メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールA、ナフトール、カルビノール、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール-1,3-ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を一部残してエステル化又はエーテル化された没食子酸、アニリン、p-アミノジフェニルアミン等が挙げられる。これらのうち、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル、1,1,3-トリス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-3-フェニルプロパン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、1,1,3-トリス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-3-フェニルプロパン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル、4,4’-[1-[4-[1-[4-ヒドロキシフェニル]-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、4,4’-[1-[4-[1-[4-ヒドロキシフェニル]-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等が好ましく用いられる。また、これらのキノンジアジド化合物は、2種以上を組み合わせて用いることもできる。上記のような1,2-キノンジアジドスルホン酸エステル類は、例えば、1,2-キノンジアジドスルホン酸のハロゲン化物を、塩基触媒の存在下で、対応する多価フェノール多価ヒドロキシ化合物でエステル化することにより得ることができる。より具体的には、例えば、上記のような2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステルは、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノンと1,2-キノンジアジド-5-スルホン酸クロリドとを縮合させることにより、得ることができる。上記感光剤の含有量は、使用する化合物により異なるが、例えば、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの場合、アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、1~30重量部が好ましく、10~25重量部がより好ましい。4溶剤上記溶剤としては、例えば、メタノール、エタノールなどのアルコール類;テトラヒドロフランなどのエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類;メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなどのエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどのジエチレングリコール類;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノンなどのケトン類;2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルブタン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類等が挙げられる。これらの中では、グリコールエーテル類、アルキレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類およびジエチレングリコール類が好ましい。3-エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メチルアミルケトン、およびジエチレングリコールエチルメチルエーテルがより好ましい。これらの溶剤は単独で用いても良いし、2種以上を組み合わせても良い。本発明のポジ型レジスト用組成物は、これらの成分に加えて、界面活性剤を含有していてもよい。界面活性剤を含有させることにより、ポジ型レジスト用組成物の塗布性を向上させたり、形成した塗膜の現像性を向上させたりすることができる。上記界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテルなどのポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルなどのポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレートなどのポリオキシエチレンジアルキルエステル類などのノニオン系界面活性剤;エフトップEF301、同303、同352以上、商品名、新秋田化成株製、メガファックF171、同F172、同F173、同R-08、同R-30以上、商品名、大日本インキ化学工業株製、フロラードFC-430、同FC-431以上、商品名、住友スリーエム株製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106以上、商品名、旭硝子株製などのフッ素系界面活性剤;オルガノシロキサンポリマーKP341以上、商品名、信越化学工業株製;メタアクリル酸系共重合体ポリフローNo.57、95以上、商品名、共栄社油脂化学工業株製等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、2種以上併用しても良い。上記ポジ型レジスト用組成物に上記界面活性剤を含有させる場合、その含有量は、ポジ型レジスト用組成物中に2重量以下であることが好ましく、1重量以下であることがより好ましい。本発明のポジ型レジスト用組成物は、さらに、熱焼成によりレジスト膜を硬化させるための熱反応性化合物を含有していてもよい。上記熱反応性化合物としては、ベンゾオキサジン化合物、カルボジイミド化合物、トリアジンチオール化合物、ビスマレイミド化合物等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、2種以上併用してもよい。好ましくは、トリアジンチオール化合物や、ビスマレイミド化合物である。上記ベンゾオキサジン化合物としてはとくに限定されず、ベンゾオキサジン環を有する化合物モノマー、オリゴマー又はポリマーを使用することができ、特開2006-335671号公報に開示されている化合物等を挙げることができ、また、市販品を使用することもできる。上記カルボジイミド化合物としてはとくに限定されず、カルボジイミド基を有する化合物を使用することができ、また、市販品を使用することもできる。例えば、カルボジライト商品名、日清紡績社製シリーズのもの等を使用することができる。上記トリアジンチオール化合物としては、例えば、2,4,6-トリチオール-1,3,5-トリアジン、2-ジメチルアミノ-4,6-ジチオール-1,3,5-トリアジン、2-ジブチルアミノ-4,6-ジチオール-1,3,5-トリアジン、2-フェニルアミノ-4,6-ジチオール-1,3,5-トリアジン等が挙げられる。上記ビスマレイミド化合物としてはとくに限定されず、市販品を使用することもできる。例えば、BMI商品名、大和化成工業社製シリーズのもの等が挙げられる。本発明のポジ型レジスト用組成物において、上記熱反応性化合物の配合量は、アルカリ溶解性の観点から、アルカリ可溶性樹脂100重量部当たり、0.1~15重量部が好ましく、0.5~10重量部がより好ましい。本発明のポジ型レジスト用組成物は、更に、ポジ型レジスト用組成物に配合されうる、従来公知の各種添加剤を含有していても良い。上記添加剤としては、例えば、レジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、顔料や染料等の着色剤、ハレーション防止剤等が挙げられる。本発明のポジ型レジスト用組成物は、上記溶剤に各種構成成分を混合溶解させて調製され、その使用対象に応じて適宜の固形分濃度を選択すれば良い。なお、上記ポジ型レジスト用組成物の固形分濃度は、通常、10~50重量程度である。また、上記のように調製されたポジ型レジスト用組成物は、使用前に濾過されてもよく、濾過の手段としては、例えば、孔径0.05~1.0μmのミリポアフィルター等が挙げられる。このような本発明のポジ型レジスト用組成物は、例えば、後述する本発明の電子デバイスの製造方法において好適に使用することができ、特に、イオン注入処理、ドライエッチング処理、金属スパッタ処理、金属蒸着処理、サンドブラスト処理など高熱負荷処理を行う工程でのレジストの材料として好適に使用することができる。ここで、高熱負荷処理とは、レジストに高熱がかかる処理をいう。上記ポジ型レジスト用組成物は、140°C以上の熱がかかるような高熱負荷処理でも好適に使用することができる。次に、本発明の電子デバイスの製造方法について説明する。本発明の電子デバイスの製造方法は、1ポジ型レジスト用組成物を用いて基板上にポジ型レジスト膜を形成する工程、2ポジ型レジスト膜を露光現像することにより所望のレジストパターンを形成する工程、3レジストパターンをマスクとして、140°C以上の熱負荷処理を行う工程、及び、4上記処理後にレジストパターンを剥離する工程、を含む電子デバイスの製造方法において、上記ポジ型レジスト用組成物として本発明のポジ型レジスト用組成物を用いることを特徴とする。1ポジ型レジスト用組成物を用いて基板上にポジ型レジスト膜を形成する工程この工程では、その表面に金属膜やSiO2膜等の絶縁膜が形成されていても良いシリコン、ガラス、サファイア、SiC、GaN、GaAsなどの基板上にポジ型レジスト膜を形成する。即ち、まず基板上に、上記ポジ型レジスト用組成物を塗布し、その後、必要に応じてプリベークを行い、ポジ型レジスト膜を形成する。上記ポジ型レジスト用組成物の塗布は、従来公知の方法により行うことができ、例えば、スプレー法、ロールコート法、スリット法、回転塗布法等により行うことができる。上記プリベークの条件は特に限定されず、ポジ型レジスト用組成物の組成等に応じて適宜選択すれば良く、例えば、80~130°Cで、所定時間例えば、ホットプレート上なら1~10分間、オーブン中なら10~30分間加熱すれば良い。2ポジ型レジスト膜を露光現像することにより所望のレジストパターンを形成する工程この工程では、ポジ型レジスト膜に所定パターンのマスクを介して露光し、その後現像液により現像し、更に、流水洗浄を30~90秒間行い、不要な部分を除去し、圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることにより、所定のパターンのレジストを形成することができる。ここで、露光は、露光装置ステッパーを用いて、例えば、紫外線、遠紫外線、可視光線、X線、電子線、ガンマ線、シンクロトロン放射線等を照射することにより行えば良い。また、上記現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類;エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一級アミン類;ジエチルアミン、ジn-プロピルアミン等の第二級アミン類;トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三級アミン類;ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩;ピロール、ピペリジン、1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ[4,3,0]-5-ノナンなどの環状アミン類等のアルカリ類の水溶液を用いることができる。また、上記現像液には、メタノール、エタノールなどの水溶性有機溶媒、界面活性剤などを適当量添加してもよい。また、現像時間は通常30~180秒間であり、現像の方法としては、例えば、液盛り法、シャワー法、ディッピング法等を用いることができる。また、パターン形成後には、必要に応じて、ホットプレート、オーブン等の加熱装置により、所定温度例えば、150~250°Cで、所定時間例えば、ホットプレート上なら2~30分間、オーブン中では30~90分間ポストベークを行ってもよい。3レジストパターンをマスクとして、140°C以上の熱負荷処理を行う工程この工程では、上記2の工程で形成したレジストパターンをマスクとして、熱負荷処理を行う。本発明の製造方法では、特に、レジストに140°C以上の熱がかかる処理を対象としており、本発明のポジ型レジスト用組成物を使用する態様として好適である。上記140°C以上の熱負荷処理としては、具体的には、イオン注入処理やドライエッチング処理、金属スパッタ処理、金属蒸着処理、サンドブラスト処理といった処理を挙げることができる。なお、この処理はどれかひとつだけ実施しても良いが、例えば、イオン注入処理後に、ドライエッチング処理を行ったり、逆に、ドライエッチング処理後に、イオン注入処理を行ったりすることもできる。イオン注入処理の場合、レジストパターンで被覆されていない部分にイオン化した不純物を基板表面に注入することができる。ドライエッチング処理の場合、レジストパターンで被覆されていない部分の膜、基板等を選択的に除去することができる。ドライエッチング対象物としては、シリコン、Al、Cu、GaN、サファイア、SiC、SiO2などがあり、具体的には、シリコンを貫通加工する処理、GaNを加工する処理、サファイアを表面加工する処理、金属配線を形成する工程、などが挙げられる。本発明のポジ型レジスト用組成物を用いて形成したレジストパターンは、耐熱性に優れるため、ドライエッチングをレジストが高い熱履歴を受ける条件例えば、ドライエッチパワーを上げ、基板加工速度を高める条件で行っても、レジストパターンが形状変化を起こさない。そのため、ドライエッチングの場合は、短時間に高精度のエッチングを行うことができる。上記ドライエッチングとしては、ダウンフローエッチングやケミカルドライエッチング等の化学的エッチング;スパッタエッチングやイオンビームエッチング等の物理的エッチング;RIE反応性イオンエッチング等の化学的物理的エッチング等の公知のドライエッチングが挙げられる。本発明のポジ型レジスト用組成物は、イオン注入用レジストやドライエッチング用レジスト、金属スパッタ処理用レジスト、金属蒸着処理用レジスト、サンドブラスト処理用レジスト以外のレジストを形成する材料としても使用することができ、特に、高い熱履歴を受ける工程で使用するレジストの形成材料として好適である。4上記処理後にレジストパターン膜を剥離する工程この工程では、レジストパターンを剥離液と接触させて基板から剥離する。上記剥離液としては従来公知の剥離液を使用することができ、例えば、極性有機溶剤を単独もしくは2種以上組合せたものや、有機アミン、無機アルカリ、有機酸、無機酸などの化合物を単独もしくは2種以上組合せたものや、これを有機溶剤や水に溶解した溶液、更には必要に応じて添加物を配合したものを使用することができる。上記剥離液をレジスト膜と接触させる方法としては、レジストパターンが形成された基板を剥離液中に浸漬したり、剥離液をレジストパターンが形状された基板上にスプレー等で塗布したりすればよい。例えば、剥離液中に基板を浸漬する場合、その条件は、レジストパターン及び剥離液の組成に応じて適宜選択すればよいが、通常、室温~100°Cで1~60分間程度の条件で行えば良い。このように、本発明のポジ型レジスト用組成物は耐熱性に優れたレジストパターンを形成することができるため、電子デバイスを製造する際に好適に使用することができ、電子デバイスの製造工程における、イオン注入処理やドライエッチング処理、金属スパッタ処理、金属蒸着処理、サンドブラスト処理で使用するレジスト用の材料組成物として特に好適である。また、本発明の電子デバイスの製造方法では、電子部品、半導体デバイス等の電子デバイスを製造することができ、特に、半導体集積回路、液晶ディスプレイやタッチパネルなどの半導体素子回路、LED等の光学素子、光導波路基板、水晶振動子、MEMS、パワーデバイス等の各種電子デバイスを好適に製造することができる。以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。実施例1~7及び比較例1、2下記表1に示した、樹脂、感光剤及びシリコーンオイルを溶剤に混合し、溶液化したレジスト用組成物を作製した。なお、表1中の各成分の詳細は以下の通りであり、表1中の数値は重量部である。EP0010A:クレゾールノボラック樹脂旭有機材工業社製、Mw=8000ポリマーA:メタクリル酸/メタクリル酸メチル共重合体=25/75重量ポリマーB:トリメチロールプロパントリアクリレート新中村化学社製TPA-5-250:4,4’-14-1--1-メチルエチルフェニル]エチリデン]ビスフェノールと6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-ナフタレン-1-スルホン酸とのモノ~トリエステル東洋合成工業社製OXE02:エタノン,1-9-エチル-6-2-メチルベンゾイル-9H-カルバゾール-3-イル-,1-O-アセチルオキシムBASF社製X-22-6266:非反応性両末端ポリエーテル変性シリコーンオイル粘度25°C:420mm2/s、信越化学工業社製X-22-4272:非反応性両末端ポリエーテル変性シリコーンオイル粘度25°C:270mm2/s、信越化学工業社製KF-6017:非反応性側鎖ポリエーテル変性シリコーンオイル粘度25°C:530mm2/s、信越化学工業社製KF-353:非反応性側鎖ポリエーテル変性シリコーンオイル粘度25°C:430mm2/s、信越化学工業社製PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート次に、実施例1~7及び比較例1、2で調製したレジスト用組成物について、下記の評価を行った。1相溶性レジスト用組成物を調製した後、10分間静置した後、分離や濁りの発生の有無を目視観察し、下記の基準で評価した。結果を表2に示した。〇:分離及び濁りが観察されない。×:分離又は濁りが観察された。2パターンニング性5インチシリコン基板に、実施例1~7及び比較例1、2のそれぞれで得られたレジスト用組成物の溶液を、スピンナーを用いて塗布した後、120°Cで120秒間ホットプレート上でプリベークして膜厚8μmの塗膜を形成した。得られた塗膜を、i線ステッパーNikon社製、TFH-i12で露光を行った後、2.38重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液にて23°Cで60秒間、液盛り法により現像した。その後、流水洗浄し、乾燥してウェハー上に矩形状でサイズが、400、200、100、40、30及び20μmのそれぞれレジストパターンを形成した。形成した各パターンのうち、20μmのパターンニング性を下記の基準で評価した。結果を表2に示した。〇:レジスト形状は略矩形であり、残膜率が80以上である。△:レジスト形状は略矩形だが、残膜率が80未満である。×:レジスト形状が矩形以外の形状である。なお、本評価において、残膜率とは、現像前のレジストの厚さに対する現像のレジストの厚さの比率をいう。3耐熱性上記2でレジストパターンを形成したシリコン基板を、オーブン中、140°Cで120秒間、及び、180°Cで120秒間のそれぞれの条件で加熱し、レジスト形状が変化する最大のパターンサイズを測定した。結果を表2に示した。なお、パターンサイズが大きいほど、レジスト形状は変化しやすい。そのため、レジスト形状が変化する最大のパターンサイズが大きいレジストほど耐熱性に優れることとなる。4剥離性上記2と同様の方法にてレジストパターンを形成したシリコン基板を、オーブンにて180°Cで120秒間加熱した後、80°Cに加温したNMPN-メチル-2-ピロリドンに浸漬し、レジストパターンの剥離状況を下記の基準で評価した。結果を表2に示した。〇:レジストが基板から剥離した。×:レジストを完全に剥離できなかった。実施例1~7及び比較例1、2の結果から、アルカリ可溶性樹脂、感光剤及び溶剤に加えて、シリコーンオイルを含有する本発明のポジ型レジスト用組成物は、熱変形しにくく耐熱性に優れるとともに、基板との剥離性に優れるレジストパターンを形成することができることが明らかとなった。"