"陽極と陰極の間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも1層が、1有機層を構成する材料を溶媒Aに溶解した溶液を乾燥して得られた粉体Cを、2前記溶媒Aとは異なる溶媒Bに溶解させた溶液を用いて、3ウェットプロセスで形成した層であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。陽極と陰極の間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも1層が、1異なる有機材料を2種以上含み、2前記2種以上の有機層を構成する有機材料を溶媒Aに溶解した溶液を乾燥して得られた粉体Cを、3前記溶媒Aとは異なる溶媒Bに溶解させた溶液を用いて、4ウェットプロセスで形成した層であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。25°Cにおける有機材料の溶媒Aに対する溶解度が、溶媒A100mlに対して、有機材料200mg以上であることを特徴とする請求項1あるいは2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。有機材料の溶媒Bが2.67kPa以上20°C時の蒸気圧を有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記の、1異なる有機材料を2種以上含み、2前記2種以上の有機層を構成する有機材料を溶媒Aに溶解した溶液を乾燥して得られた粉体Cを、3前記溶媒Aとは異なる溶媒Bに溶解させた溶液を用いて、4ウェットプロセスで形成した層が発光層であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記の、1異なる有機材料を2種以上含み、2前記2種以上の有機層を構成する有機材料を溶媒Aに溶解した溶液を乾燥して得られた粉体Cを、3前記溶媒Aとは異なる溶媒Bに溶解させた溶液を用いて、4ウェットプロセスで形成した層が燐光発光ドーパントを含む発光層であることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記燐光発光ドーパントがIr錯体であることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記発光層に含まれるホスト化合物が下記一般式aで表される化合物であることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、XはNR′、O、S、CR′R′′またはSiR′R′′を表す。R′、R′′は各々水素原子または置換基を表す。Arは芳香環を形成するのに必要な原子群を表す。nは0~8の整数を表す。前記一般式aで表される化合物中、Arはカルバゾール環、カルボリン環、ジベンゾフラン環またはベンゼン環から選ばれることを特徴とする請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式aで表される化合物中、XはNR′またはOを表し、R′は水素原子または置換基を表すことを特徴とする請求項8あるいは9記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1~10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、高品質の有機エレクトロルミネッセンス素子を簡易に製造し、製造コストを抑え、有機エレクトロルミネッセンス素子の大型化が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供するものである。本発明の上記目的は、以下により達成された。1.陽極と陰極の間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも1層が、1有機層を構成する材料を溶媒Aに溶解した溶液を乾燥して得られた粉体Cを、2前記溶媒Aとは異なる溶媒Bに溶解させた溶液を用いて、3ウェットプロセスで形成した層であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。2.陽極と陰極の間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも1層が、1異なる有機材料を2種以上含み、2前記2種以上の有機層を構成する有機材料を溶媒Aに溶解した溶液を乾燥して得られた粉体Cを、3前記溶媒Aとは異なる溶媒Bに溶解させた溶液を用いて、4ウェットプロセスで形成した層であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。3.25°Cにおける有機材料の溶媒Aに対する溶解度が、溶媒A100mlに対して、有機材料200mg以上であることを特徴とする前記1あるいは2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。4.有機材料の溶媒Bが2.67kPa以上20°C時の蒸気圧を有することを特徴とする前記1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。5.前記の、1異なる有機材料を2種以上含み、2前記2種以上の有機層を構成する有機材料を溶媒Aに溶解した溶液を乾燥して得られた粉体Cを、3前記溶媒Aとは異なる溶媒Bに溶解させた溶液を用いて、4ウェットプロセスで形成した層が発光層であることを特徴とする前記1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。6.前記の、1異なる有機材料を2種以上含み、2前記2種以上の有機層を構成する有機材料を溶媒Aに溶解した溶液を乾燥して得られた粉体Cを、3前記溶媒Aとは異なる溶媒Bに溶解させた溶液を用いて、4ウェットプロセスで形成した層が燐光発光ドーパントを含む発光層であることを特徴とする前記5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。7.前記燐光発光ドーパントがIr錯体であることを特徴とする前記6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。8.前記発光層に含まれるホスト化合物が下記一般式aで表される化合物であることを特徴とする前記1~7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、XはNR′、O、S、CR′R′′またはSiR′R′′を表す。R′、R′′は各々水素原子または置換基を表す。Arは芳香環を形成するのに必要な原子群を表す。nは0~8の整数を表す。9.前記一般式aで表される化合物中、Arはカルバゾール環、カルボリン環、ジベンゾフラン環またはベンゼン環から選ばれることを特徴とする前記8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。10.前記一般式aで表される化合物中、XはNR′またはOを表し、R′は水素原子または置換基を表すことを特徴とする前記8あるいは9記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。11.前記1~10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。本発明によって、高品質の有機エレクトロルミネッセンス素子を簡易に製造し、製造コストを抑え、有機エレクトロルミネッセンス素子の大型化が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することができた。本発明者らは、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機材料を含む層をウェットプロセスで形成する場合、前記有機材料を溶解度の高い溶媒Aに溶解後、これを乾燥した粉体Cを前記溶媒とは異なる溶媒Bに再溶解、塗布することで、外部量子効率の向上および長寿命化が図れることを発見した。さらに本発明の方法の場合、塗布に用いる前記溶媒Bは、溶解時、塗布時の溶媒が同一である現行の系に比較して溶解度が低くともよく、塗布適性、乾燥適性に優れた溶媒から選択できる。従って本発明の素子は、高品質で、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造が容易であり、かつ製造コストが抑えられ、大型化が可能であることを見出した。本発明の方法で作製した素子の外部量子効率が高く、かつ寿命が長い理由は必ずしも明らかではないが、溶解度の高い溶媒Aに溶解することで原料粉体中に含まれる微結晶が溶解し、これを濃縮して粉体Cとし、次いで、前記溶媒Aとは異なる溶媒Bに溶解させたとき、塗布時の結晶核形成や、ついで生じる膜中での結晶の析出が抑制されやすくなり、有機膜中に微結晶が多数含まれる場合と比較して、粒界での抵抗が小さくなるため外部量子効率が高くなると考えられる。また製膜時に結晶核形成が抑制されているため、素子駆動時に結晶成長が起こりにくく、短絡が抑制されることで長寿命化につながっていると考えている。さらに異なる2種以上の材料が含まれる場合には、材料毎に凝集することで単一の材料からなる場合より結晶化しやすくなると考えられるが、本発明の方法で作製した場合には、結晶核が溶解していることで、凝集や次いで起きる結晶化が起きにくくなると考えられ、異なる2種以上の材料を含む層を本発明の方法で形成した場合、外部量子効率の向上、および長寿命化に効果が大きいと考えられる。塗布溶媒である溶媒Bで溶解度が低くとも良い理由は必ずしも明らかではないが、溶解度の高い溶媒Aで微結晶を溶解しており、溶媒Bで微結晶を溶解させる必要が無いため、溶解度がAに比べ低くともよいと考えられる。以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子以下、本発明の有機EL素子ともいうの各構成要素の詳細について、順次説明する。有機エレクトロルミネッセンス素子の層構成本発明において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と陰極の間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する構成をしている。ただし、電極間には、有機層以外の層例えばフッ化リチウム層や無機金属塩の層、またはそれらを含有する層などが任意の位置に配置されていてもよい。本発明において、有機層は、有機材料を含有する層のことをいい、電極から注入された電子及び正孔が再結合して発光する領域発光領域を有する発光層を含む。前記発光領域は、発光層の層全体であってもよいし、発光層の厚みの一部分であってもよい。次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。i陽極/発光層/電子輸送層/陰極ii陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極iii陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極iv陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極v陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極/バッファー層/陰極本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも1つの有機層がウェットプロセスで成膜形成されていればよく、その他の層の形成方法は特に塗布成膜方法に限定されず、必要に応じて、蒸着法等を用いて成膜することもできる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子のウェットプロセスとしては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、スプレー法、印刷法、スロット型コータ法等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、スピンコート法、インクジェット法、スプレー法、印刷法、スロット型コータ法等のウェットプロセスによる成膜が好ましく、その中でもスロット型コータ法を更に好ましく用いることができる。また、成膜後の乾燥方法には、スピン乾燥、熱風乾燥、遠赤外乾燥、真空乾燥、減圧乾燥などが適用できる。また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層以外のその他の構成層の形成方法については、後述する有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法のところでも、詳細に説明する。発光層本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。発光層の膜厚は特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2~200nmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは5nm以上、100nm以下の範囲に調整される。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層は、ウェットプロセスにより形成されることが好ましい。既知のウェットプロセスの塗布方法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、スプレー法、印刷法、スロット型コータ法等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはスピンコート法、インクジェット法、スプレー法、印刷法、スロット型コータ法等の塗布法による成膜が好ましく、その中でもスロット型コータ法が更に好ましい。また発光効率向上の点から、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層には、発光ホストと発光ドーパントの少なくとも一種とを含有することが好ましい。以下、発光層に含まれるドーパント、ホストについて説明する。ホスト本発明においてホストとは、発光層に含有される化合物のうちで室温25°Cにおいてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物である。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20以上であることが好ましい。本発明に用いることができるホストとしては特に制限はなく、従来有機エレクトロルミネッセンス素子で用いられる化合物を用いることができるが、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ大きい励起3重項エネルギーを有し、なお且つ高Tgガラス転移温度である化合物が好ましい。また、本発明に用いられるホストとしては、高分子化合物でも、低分子化合物でもよく、低分子化合物の中でも、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物重合性発光ホストでもよい。本発明において、ホスト化合物としては一般式aで表される化合物が好ましい。一般式aにおけるXにおいて、R′、R′′で各々表される置換基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、シクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等、アルケニル基例えば、ビニル基、アリル基等、アルキニル基例えば、エチニル基、プロパルギル基等、芳香族炭化水素環基芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等、芳香族複素環基例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基例えば、1,2,4-トリアゾール-1-イル基、1,2,3-トリアゾール-1-イル基等、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等、複素環基例えば、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、モルホリル基、オキサゾリジニル基等、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等、シクロアルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等、アリールオキシ基例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等、アルキルチオ基例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等、シクロアルキルチオ基例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等、アリールチオ基例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等、アルコキシカルボニル基例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等、アリールオキシカルボニル基例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等、スルファモイル基例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2-ピリジルアミノスルホニル基等、アシル基例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2-エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等、アシルオキシ基例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等、アミド基例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2-エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等、カルバモイル基例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2-エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2-ピリジルアミノカルボニル基等、ウレイド基例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2-ピリジルアミノウレイド基等、スルフィニル基例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2-エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2-ピリジルスルフィニル基等、アルキルスルホニル基例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2-エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2-ピリジルスルホニル基等、アミノ基例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2-ピリジルアミノ基等、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等、フッ化炭化水素基例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等等が挙げられる。これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。中でも、XとしてはNR′またはOが好ましく、またR′としては、芳香族炭化水素基芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基、または芳香族複素環基例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が特に好ましい。上記の芳香族炭化水素基、芳香族複素環基は、各々一般式aのXにおいて、R′、R′′で各々表される置換基を有してもよい。一般式aにおいて、Arにより表される芳香環としては、芳香族炭化水素環または芳香族複素環が挙げられる。また、該芳香環は単環でもよく、縮合環でもよく、更に未置換でも、一般式aのXにおいて、R′、R′′で各々表される置換基を有してもよい。一般式aにおいて、Arにより表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o-テルフェニル環、m-テルフェニル環、p-テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は更に、一般式aで表される部分構造のXにおいて、R′、R′′で各々表される置換基を有してもよい。一般式aで表される部分構造において、Arにより表される芳香族複素環としては、例えば、フラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す等が挙げられる。これらの環は、更に一般式aにおいて、R′、R′′で各々表される置換基を有してもよい。上記の中でも、一般式aにおいて、Arにより表される芳香環として、好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ジベンゾフラン環、ベンゼン環であり、更に好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ベンゼン環であり、より好ましくは置換基を有するベンゼン環であり、特に好ましくはカルバゾリル基を有するベンゼン環が挙げられる。また、一般式aにおいて、Arにより表される芳香環としては、各々3環以上の縮合環が好ましい一態様であり、3環以上が縮合した芳香族炭化水素縮合環としては、具体的には、ナフタセン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ヘキサセン環、フェナントレン環、ピレン環、ベンゾピレン環、ベンゾアズレン環、クリセン環、ベンゾクリセン環、アセナフテン環、アセナフチレン環、トリフェニレン環、コロネン環、ベンゾコロネン環、ヘキサベンゾコロネン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フルオランテン環、ペリレン環、ナフトペリレン環、ペンタベンゾペリレン環、ベンゾペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピラントレン環、コロネン環、ナフトコロネン環、オバレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。なお、これらの環は、更に上記の置換基を有していてもよい。また、3環以上が縮合した芳香族複素環としては、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、カルボリン環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環ナフトチオフェン環等が挙げられる。なお、これらの環は更に置換基を有していてもよい。また、一般式aにおいて、nは0~8の整数を表すが、0~2であることが好ましく、特にXがO、Sである場合には1~2であることが好ましい。以下に、一般式aで表されるホスト化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。本発明において微結晶が生成しにくい点から、ホストは対称性を持たないことが好ましい。更にホストは複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機エレクトロルミネッセンス素子を更に高効率化することができる。また、後述の発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。併用してもよい公知の発光ホストとしては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tgガラス転移温度である化合物が好ましい。併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tgガラス転移温度である化合物が好ましい。公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。特開2001-257076号公報、同2002-308855号公報、同2001-313179号公報、同2002-319491号公報、同2001-357977号公報、同2002-334786号公報、同2002-8860号公報、同2002-334787号公報、同2002-15871号公報、同2002-334788号公報、同2002-43056号公報、同2002-334789号公報、同2002-75645号公報、同2002-338579号公報、同2002-105445号公報、同2002-343568号公報、同2002-141173号公報、同2002-352957号公報、同2002-203683号公報、同2002-363227号公報、同2002-231453号公報、同2003-3165号公報、同2002-234888号公報、同2003-27048号公報、同2002-255934号公報、同2002-260861号公報、同2002-280183号公報、同2002-299060号公報、同2002-302516号公報、同2002-305083号公報、同2002-305084号公報、同2002-308837号公報等。ドーパント次にドーパントについて説明する。本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント、リン光ドーパントを用いることができるが、より発光効率の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得る観点からは、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパントとしては、上記のホスト化合物を含有すると同時にリン光ドーパントを含有することが好ましい。発光ドーパントは、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。蛍光を発するドーパントの代表例としては、レーザー色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物や、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。リン光発光するドーパントとしては、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温25°Cにてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25°Cにおいて0.01以上の化合物であるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁1992年版、丸善に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率0.01以上が達成されればよい。本発明に係るリン光ドーパントは、好ましくは元素の周期表で8~10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、ユーロピウム錯体、または白金化合物白金錯体系化合物、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。特に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子でリン光ドーパントを用いる場合、ホストの3重項エネルギーは、ドーパントの3重項エネルギーより大きいことが好ましい。これにより、輝度、及び外部量子効率を高くすることができ、品質をより高めることができる。以下に、リン光ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704~1711に記載の方法等により合成できる。本発明において微結晶が生成しにくい点から、ドーパントは対称性を持たないことが好ましい。更にドーパントは複数種用いてよい。また、発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。注入層:電子注入層、正孔注入層注入層は必要に応じて設けることができ、陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、有機エレクトロルミネッセンス素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の第2編第2章電極材料123頁~166頁に詳細に記載されており、正孔注入層陽極バッファー層と電子注入層陰極バッファー層とがある。陽極バッファー層正孔注入層は、特開平9-45479号公報、同9-260062号公報、同8-288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリンエメラルディンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。また、特開平6-025658号公報に記載されているフェロセン化合物、特開平10-233287号公報等に記載されているスターバースト型の化合物、特開2000-068058号公報、特開2004-6321号公報に記載されているトリアリールアミン型の化合物、特開2002-117979号公報に記載されている含硫黄環含有化合物、米国特許出願公開第2002/158242号明細書、米国特許出願公開第2006/251922号明細書、特開2006-49393号公報等に記載されているヘキサアザトリフェニレン化合物等も正孔注入層として挙げられる。陰極バッファー層電子注入層は、特開平6-325871号公報、同9-17574号公報、同10-74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的には、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層注入層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm~5μmの範囲が好ましい。阻止層:正孔阻止層、電子阻止層阻止層は、有機薄膜の構成層として必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11-204258号公報、同11-204359号公報、及び有機エレクトロルミネッセンス素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の237頁等に記載されている正孔阻止ホールブロック層がある。正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔阻止層が発光層に隣接して設けられる場合は、ウェットプロセスにより形成されることが好ましい。更に、特に好ましくはインクジェット法、印刷法、スロット型コータ法等の塗布法で形成されることであり、中でも、スロット型コータ法で形成されることが更に好ましい。一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子阻止層の膜厚としては、好ましくは3nm~100nmであり、更に好ましくは5nm~30nmである。正孔輸送層正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層の機能を有する。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノフェニル、N,N′-ジフェニル-N,N′-ビス3-メチルフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミンTPD、2,2-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルプロパン、1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン、N,N,N′,N′-テトラ-p-トリル-4,4′-ジアミノビフェニル、1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニル-4-フェニルシクロヘキサン、ビス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルフェニルメタン、ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルフェニルメタン、N,N′-ジフェニル-N,N′-ジ4-メトキシフェニル-4,4′-ジアミノビフェニル、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノジフェニルエーテル、4,4′-ビスジフェニルアミノクオードリフェニル、N,N,N-トリp-トリルアミン、4-ジ-p-トリルアミノ-4′-4-ジ-p-トリルアミノスチリルスチルベン、4-N,N-ジフェニルアミノ2-ジフェニルビニルベンゼン、3-メトキシ-4′-N,N-ジフェニルアミノスチルベンゼン、N-フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′-ビスN-1-ナフチル-N-フェニルアミノビフェニルNPD、特開平4-308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4′′-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンMTDATA等が挙げられる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型-Si、p型-SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。また、特開平11-251067号公報、J.Huanget.al.著文献AppliedPhysicsLetters802002,p.139に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、ウェットプロセス法、インクジェット法を含む印刷法、スプレー法、スロット型コータ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができるが、発光層に隣接して設けられる場合は、ウェットプロセスにより形成されることが好ましい。更に、特に好ましくはインクジェット法、印刷法、スロット型コータ法等の塗布法で形成されることであり、その中でもスロット型コータ法で形成されることが更に好ましい。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。この正孔輸送層は上記材料の2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。電子輸送層電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層の機能を有する。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。従来、発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料正孔阻止材料を兼ねるとしては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、8-キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス8-キノリノールアルミニウムAlq、トリス5,7-ジクロロ-8-キノリノールアルミニウム、トリス5,7-ジブロモ-8-キノリノールアルミニウム、トリス2-メチル-8-キノリノールアルミニウム、トリス5-メチル-8-キノリノールアルミニウム、ビス8-キノリノール亜鉛Znq等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型-Si、n型-SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、スプレー法、スロット型コータ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができるが、発光層に隣接して設けられる場合は、ウェットプロセスにより形成されることが好ましい。更に、特に好ましくはインクジェット法、印刷法、スロット型コータ法等の塗布法で形成されることであり、その中でもスロット型コータ法で形成されることが更に好ましい。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5nm~200nmである。電子輸送層は上記材料の2種以上からなる一層構造であってもよい。陽極有機エレクトロルミネッセンス素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10nm~1000nm、好ましくは10nm~200nmの範囲で選ばれる。陰極一方、陰極としては仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50nm~200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。また、陰極に上記金属を1~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。支持基板本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に用いることのできる支持基板以下、基体、基板、基材、支持体等ともいうとしては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機エレクトロルミネッセンス素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートCAP、セルロースアセテートフタレートTAC、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホンPES、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートンJSR製あるいはアペル三井化学製といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、水蒸気透過度が0.01g/m2/日atm以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には酸素透過度10-3cm3/m224hatm以下、水蒸気透過度10-5g/m224h以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。バリア性フィルムにおいてバリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ-イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004-68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光の室温における外部取り出し量子効率は、1以上であることが好ましく、より好ましくは5以上である。ここに、外部取り出し量子効率=有機エレクトロルミネッセンス素子外部に発光した光子数/有機エレクトロルミネッセンス素子に流した電子数×100である。また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機エレクトロルミネッセンス素子からの発光色を、蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。封止本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機エレクトロルミネッセンス素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。具体的には、ガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウムストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムはJISK7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3cm3/m224hatm以下、JISK7129-1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度25±0.5°C、相対湿度90±2RHが、1×10-3g/m224h以下のものであることが好ましい。封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2-シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型二液混合を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。なお、有機エレクトロルミネッセンス素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80°Cまでに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ-イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。封止部材と有機エレクトロルミネッセンス素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等、硫酸塩例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等、金属ハロゲン化物例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等、過塩素酸類例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。保護膜、保護板有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等を用いることができるが、軽量、且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。光取り出し有機エレクトロルミネッセンス素子は空気よりも屈折率の高い屈折率が1.7~2.1程度層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15から20程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面透明基板と空気との界面に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法米国特許第4,774,435号明細書、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法特開昭63-314795号公報、素子の側面等に反射面を形成する方法特開平1-220394号公報、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法特開昭62-172691号公報、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法特開2001-202827号公報、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法特開平11-283751号公報等がある。本発明においては、これらの方法を本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5~1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折と更にブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中透明基板内や透明電極内に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中透明基板内や透明電極内でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2~3倍程度が好ましい。回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。集光シート本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光したりすることにより、特定方向上の輝度を高めることができる。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm~100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付き、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム製輝度上昇フィルムBEF等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、株きもと製拡散フィルムライトアップ等を用いることができる。有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の作製法を説明する。まず適当な基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10nm~200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。作製後、洗浄表面改質処理工程、帯電除去処理工程を行ってもよい。洗浄表面改質処理としては、低圧水銀ランプ、エキシマランプ、プラズマ洗浄装置、などが利用可能である。この洗浄表面改質処理により、有機汚染物除去と濡れ性向上の表面改質が行われる。帯電除去処理としては、大別して光照射方式とコロナ放電式があり、光照射式は微弱X線、コロナ放電式はコロナ放電により空気イオンを生成する。この空気イオンは、帯電物体に引き寄せられて反対極性の電荷を補い、静電気を中和する。コロナ放電による除電器、軟X線による除電器が利用可能である。この帯電除去処理により、基板の帯電除去が図られるため、ゴミの付着や絶縁破壊が防止されるため、素子の歩留まりの向上が図られる。次に、この上に有機エレクトロルミネッセンス素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層の有機層である有機薄膜を形成させる。本発明においては、有機材料を溶媒Aに溶解し、乾燥して得られた粉体Cを、前記溶媒Aとは異なる溶媒Bに溶解させた溶液を用いて、ウェットプロセスで形成される。有機材料を溶媒Aに溶解し、乾燥して得られた粉体Cを、前記溶媒Aとは異なる溶媒Bに溶解させた溶液を用いて、ウェットプロセスで形成される有機層は、正孔注入/輸送層、電子注入/輸送層、正孔阻止層、電子阻止層、発光層等のいずれの層であってもよい。発光層がホストとドーパントを含む場合には、ホストとドーパントを共通の溶媒Aに溶解し、乾燥して得られた粉体Cを、前記溶媒Aとは異なる溶媒Bに溶解させた溶液を用いて、ウェットプロセスで形成されることが好ましい。溶媒Aとしては、有機材料を完全に溶解するものであれば特に制限は無いが、微結晶の少ない均質な材料を得る点から、25°Cにおいて溶媒A100mlに対して、有機材料200mg以上を溶解出来、また乾燥時に再結晶が生成されにくい溶媒Aが好ましい。また液体に限らず、超臨界流体であってもよい。例えば、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、トルエン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン等のハロゲン化芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、テトラヒドロフラン、ジメチルエーテル等のエーテル類、酢酸プロピル等の脂肪酸エステル類、DMF等のアミド類、などから選ばれる溶媒を好ましく用いることが出来るが、これらに限らない。塗布適性の観点からさらに好ましくは芳香族炭化水素、ハロゲン化芳香族炭化水素以外である。また溶解分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。溶媒Aの乾燥方法は特に制限は無いが、減圧乾燥、噴霧乾燥、凍結乾燥、超臨界流体乾燥、気流乾燥あるいはこれらの組み合わせが、再結晶しにくい点から特に好ましい。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス材料を溶解または分散する溶媒Bとしては、溶媒Aよりも材料の溶解度は同等もしくはそれ以下であることが好ましい。特に制限は無いが、塗布適性、乾燥適性が高いものが好ましい。例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、2プロパノール、ブタノール等のアルコール類、ジメチルエーテル、メチルtブチルエーテル等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF等のアミド類、DMSO等の有機溶媒から選ばれる溶媒を用いることができる。乾燥適性の観点からは2.67kPa以上20°C時の蒸気圧の高い溶媒酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、メチルエチルケトン、ジメチルエーテル、メチルtブチルエーテルなどがより好ましい。また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は前述の通り、真空蒸着法及びウェットプロセススピンコート法、キャスト法、インクジェット法、スプレー法、印刷法、スロット型コータ法で形成されるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においては有機層の一部もしくは全部について、スピンコート法、インクジェット法、スプレー法、印刷法、スロット型コータ法等のウェットプロセスによる成膜が好ましく、その中でもスロット型コータ法が更に好ましい。塗布後、乾燥処理工程にて溶媒Bの除去を行ってもよい。乾燥処理工程では乾燥炉を用いることができ、乾燥炉では有機層の材料に応じて、適宜数ゾーンにして温度条件の変更や風速の変更等を行うことが可能である。溶媒B除去後、加熱処理を行ってもよい。加熱処理は裏面より伝熱される形態であれば形式には拘らないが、加熱処理はガラス転移点温度±50度で且つ分解温度を超えない温度且つ裏面伝熱で行うことが好ましい。加熱処理を行うことにより膜の平滑性や残留溶媒の除去、塗膜の硬化が図られることにより、積層時の素子特性の向上が図られる。本発明に好ましい溶媒AとBの組み合わせは、エーテル類、脂肪酸エステル類、または、エーテル類、アルコール類、または、エーテル類、エーテル類、または、ケトン類、脂肪酸エステル類、または、ケトン類、アルコール類、または、ケトン類、エーテル類、または、ハロゲン化炭化水素、脂肪酸エステル類、または、ケトン類、アルコール類、または、ケトン類、エーテル類が好ましい。加熱処理後、基板を減圧下10-6~10-2Paに収納させてもよく。適宜、温度をかけてもよい。収納期間は1~200時間が好ましく、長ければ長い程よい。これにより、素子劣化に起因する酸素や微量水分が取り除かれる。これらの有機層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは50~200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる。また、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を、陰極を-の極性として電圧2V~40V程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。表示装置、照明装置本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を適用した表示装置、照明装置について説明する。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置ディスプレイとして使用してもよいし、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよい。以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。尚、実施例において部あるいはの表示を用いるが、特に断りがない限り質量部あるいは質量を表す。また、実施例において用いられる化合物の構造を下記に示す。実施例1粉体C10~17の作製表1に示すように材料1、材料2、溶媒Aを混合して溶液を調製し、100rpmで攪拌した。続いて、エバポレータで濃縮し、粉体C10~17を得た。粉体C18の作製表1に示すように材料1、材料2、アセトン50mlを混合して溶液を調整し、1000mlの容器中に投入した。容器温度を40°Cに保ち、100rpmで攪拌した。続いて、二酸化炭素を加圧ポンプにより圧力が20MPaになるまで供給した後、1500rpmに攪拌速度を上げて約1時間分散をおこない溶液を調製した。減圧乾燥工程では、上記の溶液を15分間で0.5MPaまで減圧し、粉体C18を得た。粉体C19の作製表1に示すように材料1、材料2、溶媒Aを混合して溶液を調製後、100rpmで攪拌した。続いて、凍結乾燥し、粉体C19を得た。粉体C20の作製表1に示すように材料1、材料2、溶媒Aを混合して溶液を調製し、スプレードライヤーB-290日本ビュッヒ株に供給し、粉体C20を得た。有機エレクトロルミネッセンス素子100~104の作製有機エレクトロルミネッセンス素子100の作製陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOを100nm成膜した基板NHテクノグラス社製NA45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をノルマルプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。次いで、この基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、host1、Dopant1、クロロベンゼンを表2に示す組成で混合した塗布溶液を用いて1500rpm、30秒の条件下でスピンコートし、真空下60°Cにて1時間真空乾燥、乾燥膜厚100nmの発光層とした。その後、厚さ0.5nmのLiFの層と、厚さ100nmのAlの層とを順に真空蒸着にて形成し有機エレクトロルミネッセンス素子100を作製した。有機エレクトロルミネッセンス素子101~104の作製有機エレクトロルミネッセンス素子101の作製方法において、塗布溶液を粉体C、溶媒Bを表2に示す組成で混合した塗布溶液に変更する以外は有機エレクトロルミネッセンス素子101の作製方法と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子101~104を作製した。有機エレクトロルミネッセンス素子105~119の作製有機エレクトロルミネッセンス素子105の作製ITO透明電極を設けた透明支持基板をノルマルプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板上に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネートPEDOT/PSS、Bayer製、BaytronPAl4083を純水で70に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により製膜した後、200°Cにて1時間乾燥し、膜厚30nmの正孔注入層を設けた。次いで、基板を窒素雰囲気下のグローブボックスへと移動し、化合物HT-150mgをモノクロロベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて1500rpm、30秒の条件下でスピンコート膜厚約20nmし、160°C、30分間窒素下で乾燥し、正孔輸送層とした。次いで、グローブボックス中で発光ホスト化合物であるa630mgと青色発光ドーパント化合物であるIr-126mgとをトルエン5mlに溶解させた溶液を用いて、1500rpm、30秒の条件下でスピンコート膜厚約50nmし、120°C、30分間窒素下で乾燥し、青色発光層とした。次いで、基板を真空蒸着装置に取付け、真空槽を4×10-4Paまで減圧し、化合物ET-1を蒸着で成膜を行い、厚さ20nmの電子輸送層とした。その後に電子注入層としてLiFを1nmで成膜し、アルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子105を作製した。有機エレクトロルミネッセンス素子107、110、112、114、116、118の作製有機エレクトロルミネッセンス素子105の作製方法において、塗布溶液を材料1、材料2、溶媒Bを表2に示す組成で混合した塗布溶液に変更する以外は有機エレクトロルミネッセンス素子1の作製方法と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子107、110、112、114、116、118を作製した。有機エレクトロルミネッセンス素子106、108、109、111、113、115,117、119の作製有機エレクトロルミネッセンス素子105の作製方法において、塗布溶液を粉体C、溶媒Bを表2に示す組成で混合した塗布溶液に変更する以外は有機エレクトロルミネッセンス素子1の作製方法と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子106、108、109、111、113、115、117、119を作製した。有機エレクトロルミネッセンス素子の評価作製した有機エレクトロルミネッセンス素子有機エレクトロルミネッセンス素子100~119について、下記のようにして外部量子効率及び発光寿命を評価した。外部取り出し量子効率EQEの評価有機エレクトロルミネッセンス素子100~119の外部取り出し量子効率ηは以下の式を用いて求めた。外部取り出し量子効率=100×有機エレクトロルミネッセンス素子外部に発光した光子数/有機エレクトロルミネッセンス素子に流した電子数なお、分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタ社製により測定した発光スペクトルを各波長の光子のエネルギーから380~780nmの光子数を求め、さらにランバーシアン仮定に基づき発光面から発光した光子数を求めた。また、有機エレクトロルミネッセンス素子に流した電子数は電流量から求めた。有機エレクトロルミネッセンス素子100~104、105~106、107~109、110~111、112~113、114~115、116~117、118~119の外部量子効率は、それぞれ有機エレクトロルミネッセンス素子100、105、107、110、112、114、116、118の測定値を1とした相対値で表した。発光寿命の評価作製した有機エレクトロルミネッセンス素子に対し、正面輝度1000cd/m2となるような電流を与え、連続駆動した。正面輝度が初期の半減値500cd/m2になるまでに掛かる時間を求めた。有機エレクトロルミネッセンス素子100~104、105~107、108~109、110~111、112~113、114~115、116~117の寿命は、それぞれ有機エレクトロルミネッセンス素子100、105、108、110、112、114、116の測定値を1とした相対値で表した。リーク電流特性整流比の評価作成した有機エレクトロルミネッセンス素子に、各取り出し電極から、暗所で低電圧電源株式会社エーディーシー製、直流電圧電流源R6243にて1V正方向、-1V逆方向を印加しその時の電流値を測定し、正逆電流値の比正方向電流値÷逆方向電流値=整流比を算出し比較を実施した。[整流比の評価ランク]A:正逆電流値の比が10000以上B:正逆電流値の比が1000以上、10000未満C:正逆電流値の比が100以上、1000未満D:正逆電流値の比が10以上、100未満E:正逆電流値の比が10未満得られた結果を下記の表2に示す。実施例2有機エレクトロルミネッセンス素子200~201の作製有機エレクトロルミネッセンス素子200の作製有機エレクトロルミネッセンス素子105の作製において、正孔輸送層までは同様に作製し、正孔輸送層上にポリビニルカルバゾール、30mgと1.5mgのDopant2とをジクロロベンゼン3mlに溶解した溶液を、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜し、120度で1時間真空乾燥し、膜厚100nmの発光層を形成した。さらに、この発光層上に、30mgのET-2をトルエン3mlに溶解して得られた溶液を、2000rpm、30秒の条件下スピンコート法により製膜し、100度で1時間真空乾燥し、膜厚60nmの電子輸送層を設けた。次いで、基板を真空蒸着装置に取付け、真空槽を4×10-4Paまで減圧し、電子注入層としてLiFを1nmで成膜し、アルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子105を作製した。有機エレクトロルミネッセンス素子201の作製有機エレクトロルミネッセンス素子200の作製において、発光層までは同様に作製した。続いて、30mgのET-2をテトラヒドロフラン10mlに溶解し、100rpmで攪拌した後にエバポレータで濃縮して得られたET-2の粉体30mgと、トルエン3mlとを混合した塗布溶液を用いた以外は有機エレクトロルミネッセンス素子200の作成方法と同様にして電子輸送層を形成した。次いで、基板を真空蒸着装置に取付け、真空槽を4×10-4Paまで減圧し、電子注入層としてLiFを1nmで成膜し、アルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子201を作製した。実施例1と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子の評価を行った。得られた結果を下記の表3に示す。表2、表3から、比較例の有機エレクトロルミネッセンス素子に比べて、前記有機層の少なくとも1層が、1有機材料を共通の溶媒Aに溶解した溶液を乾燥して得られた粉体Cを、2前記溶媒Aとは異なる溶媒Bに溶解させた溶液を用いて、3ウェットプロセスで形成した、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、外部量子効率が高く、且つ、発光寿命もともに上昇していることが明らかである。更に、外部量子効率、発光寿命ともに上昇した本発明の有機EL素子は、本発明の表示装置、照明装置として共に有用に用いることができることが分かった。"