"基板と、前記基板上に設けられ、銅を主成分とする下部電極と、前記下部電極上に設けられ、窒化アルミニウムを主成分とする圧電薄膜と、前記圧電薄膜を挟んで前記下部電極と対向するように前記圧電薄膜上に設けられ、銅を主成分とする上部電極と、前記下部電極の下面及び前記上部電極の上面のうち、少なくとも一方を覆う被覆膜と、を具備し、前記被覆膜の厚さは前記被覆膜を伝搬するバルク波の波長の1/4より小さいことを特徴とする圧電薄膜共振子。前記下部電極、前記圧電薄膜及び前記上部電極が積層した積層体は空隙上に位置し、前記被覆膜のうち第1被覆膜は前記下部電極の下面を覆い、かつ前記空隙に露出することを特徴とする請求項1記載の圧電薄膜共振子。前記被覆膜のうち第2被覆膜は前記上部電極の上面を覆うことを特徴とする請求項2記載の圧電薄膜共振子。前記基板と前記下部電極との間に設けられた音響反射膜を具備し、前記被覆膜は前記上部電極の上面を覆うことを特徴とする請求項1記載の圧電薄膜共振子。前記被覆膜は前記下部電極の下面を覆わないことを特徴とする請求項4記載の圧電薄膜共振子。前記被覆膜は金属、又は誘電体からなることを特徴とする請求項1から5いずれか一項記載の圧電薄膜共振子。前記圧電薄膜と前記上部電極との間、及び前記圧電薄膜と前記下部電極との間の少なくとも一方に設けられた密着膜を具備することを特徴とする請求項1から6いずれか一項記載の圧電薄膜共振子。請求項1から7いずれか一項記載の圧電薄膜共振子を周波数リファレンスとして用いることを特徴とする発振器。請求項8記載の発振器を具備する時間標準器。例えば複数の圧電薄膜共振子を接続したラダー型フィルタ等の弾性波フィルタの通過帯域幅は、電気機械結合係数k2により定まる。一方、圧電薄膜共振子を発振器の周波数リファレンスとして用いる場合、電気機械結合係数k2は周波数の可調範囲を定め、Q値は位相雑音の大きさを定める。従って、位相雑音を低減するために高いQ値を確保することが重要である。しかし、従来の技術では、十分に高いQ値を得ることが難しかった。また電極が酸化することがあった。本発明は上記課題に鑑み、高いQ値を得ることでき、かつ電極の酸化を抑制することが可能な圧電薄膜共振子、それを用いた発振器、及び時間標準器を提供することを目的とする。本発明は、基板と、前記基板上に設けられ、銅を主成分とする下部電極と、前記下部電極上に設けられ、窒化アルミニウムを主成分とする圧電薄膜と、前記圧電薄膜を挟んで前記下部電極と対向するように前記圧電薄膜上に設けられ、銅を主成分とする上部電極と、前記下部電極の下面及び前記上部電極の上面のうち、少なくとも前記上部電極の上面を覆う被覆膜と、を具備し、前記被覆膜の厚さは前記被覆膜を伝搬するバルク波の波長の1/4より小さい圧電薄膜共振子である。上記構成において、前記下部電極、前記圧電薄膜及び前記上部電極が積層した積層体は空隙上に位置し、前記被覆膜のうち第1被覆膜は前記下部電極の下面を覆い、かつ前記空隙に露出する構成とすることができる。上記構成において、前記被覆膜のうち第2被覆膜は前記上部電極の上面を覆う構成とすることができる。上記構成において、前記基板と前記下部電極との間に設けられた音響反射膜を具備し、前記被覆膜は前記上部電極の上面を覆う構成とすることができる。上記構成において、前記非腹膜は前記下部電極の下面を覆わない構成とすることができる。上記構成において、前記被覆膜は金属、又は誘電体からなる構成とすることができる。上記構成において、前記圧電薄膜と前記上部電極との間、及び前記圧電薄膜と前記下部電極との間の少なくとも一方に設けられた密着膜を具備する構成とすることができる。本発明は、上記の圧電薄膜共振子を周波数リファレンスとして用いる発振器である。本発明は、上記の発振器を具備する時間標準器である。本発明によれば、高いQ値を得ることでき、かつ電極の酸化を抑制することが可能な圧電薄膜共振子、それを用いた発振器、及び時間標準器を提供することができる。Q値の高いFBARの構成について検討した。図1aはFBARを例示する上面図である。図1bは図1aのA-Aに沿った断面図である。図1a及び図1bに示すように、基板10には基板10を貫通する空隙18が設けられている。基板10上に下部電極12が設けられている。下部電極12上には圧電薄膜14が設けられている。圧電薄膜14上には、圧電薄膜14を挟んで下部電極12と対向するように上部電極16が設けられている。下部電極12、圧電薄膜14、及び上部電極16が重なる共振領域20において弾性波が共振する。下部電極12、圧電薄膜14、及び上部電極16が積層した積層体は、空隙18上に位置する。このため弾性波の共振は妨げられない。基板10は例えばガラス等の絶縁体、又はシリコンSi等からなる。圧電薄膜14は窒化アルミニウムAlN等の圧電材からなる。圧電薄膜14は厚さTを有する。下部電極12及び上部電極16は例えば同じ厚さt電極膜厚を有する。既述したように、FBARを発振器の周波数リファレンスとして用いる場合、Q値が高いほど位相雑音は小さくなる。このため、高いQ値を有するFBARを周波数リファレンスとして用いることが好ましい。高いQ値を得ることができる電極材料を検証するためシミュレーションを行った。Masonの等価回路を用いて計算したFBARの共振特性を計算した。共振特性と、FBARの一般的な等価回路とを用いて、電気機械結合係数k2及びQ値の算出した。下部電極12及び上部電極16の材料電極材料はアルミニウムAl,銅Cu、モリブデンMo及びルテニウムRuを用いた。圧電薄膜14はAlNからなるとした。表1に電極材料のパラメータを示す。c33はスティフネス、ρは密度、Zmは音響インピーダンスをそれぞれ表す。表2に、圧電薄膜14の材料であるAlNのパラメータを示す。Zpは音響インピーダンスを表す。音響インピーダンスZm,pは次式で表される。弾性波の複素波数kは次式で表される。αは減衰定数であり、全ての材料において1000を用いる。fは弾性波の周波数である。式中におけるAl、Cu、Mo及びRuのスティフネスとしては表1に示したc33を用いる。FBARにおける振動は厚み縦振動であるため、AlNのスティフネスとしては、次の式で計算される値を用いる。図2aはMasonの等価回路30を例示する回路図である。負荷50、52及び54は図1a及び図1bに示した圧電薄膜14の電気的なインピーダンスに、負荷40、42及び44は下部電極12の電気的なインピーダンスに、負荷60、62及び64は上部電極16の電気的なインピーダンスに、それぞれ対応する。各負荷は、トランス36、キャパシタC1及びC2を介して端子32及び34と接続されている。Masonの等価回路30中におけるキャパシタC1の容量値C0は次式で表される。なおキャパシタC2の容量値は-C0である。式中のSは圧電薄膜共振子の面積である。トランス36の巻き線比は、容量値C0及び係数hを用いて1:hC0となる。係数hは次式で表される。負荷42、44、62及び64におけるインピーダンスZamは、複素波数k及び音響インピーダンスZmを用いて、次式で表される。tは電極膜厚図1b参照、jは虚数単位である。負荷40及び60におけるインピーダンスZbmは次式で表される。負荷52及び54におけるインピーダンスZapは次式で表される。Tは圧電薄膜14の厚さである。負荷50におけるインピーダンスZbpは次式で表される。表1、表2及び上記の式によりFBARの共振特性が計算される。Masonの等価回路30から算出された共振特性のフィッティングに用いた等価回路について説明する。図2bはFBARの一般的な等価回路38を例示する回路図である。図2bに示すように、等価回路38の端子32及び34との間に、抵抗R1、インダクタL1及びキャパシタC3が直列接続されている。抵抗R2及びキャパシタC4は、抵抗R1、インダクタL1及びキャパシタC3と並列接続されている。抵抗R1の抵抗値をR1、抵抗R2の抵抗値をR2、インダクタL1のインダクタンスをL1、キャパシタC3の容量値をC3、キャパシタC4の容量値をC4とする。共振特性のフィッティングにより、R1、R2、L1、C3及びC4といった等価回路38のパラメータが得られる。等価回路38のパラメータ、共振周波数ωr及び反共振周波数ωaを用いて、電気機械結合係数k2及びQ値の計算を行う。電気機械結合係数k2は次式で計算される。共振点におけるQ値Qrは次式で計算される。反共振点におけるQ値Qaは次式で計算される。次にグラフを参照して計算結果を説明する。図3aは電気機械結合係数k2を示すグラフである。図中の黒塗りの丸はAl、白抜きの丸はCu、黒塗りの三角はMo、白抜きの三角はRuにおける計算結果を表す。横軸は電極膜厚tと圧電薄膜14の厚さTとの比t/Tである。厚さt及びTは共振周波数ωrが2GHzとなるように調整されている。縦軸は電気機械結合係数k2である。図3aに示すように、Al、Cu、Mo及びRuの順に電気機械結合係数k2は大きくなる。すなわち音響インピーダンスの高い材料ほど、電気機械結合係数k2が大きくなる。下部電極12及び上部電極16が圧電薄膜14より高い音響インピーダンスを有する場合、下部電極12及び上部電極16の振動は抑制され、弾性波が圧電薄膜14に集中するためである。またt/T=0.1付近において電気機械結合係数k2はピークを示す。図3bは共振点におけるQ値を示すグラフであり、図3bの縦軸は共振点におけるQ値Qrである。図3cは半共振点におけるQ値を示すグラフであり、図3cの縦軸は反共振点におけるQ値Qaである。図3b及び図3cに示すように、Ru、Mo、Al及びCuの順にQ値は高くなる。Ru及びMoの例のように、下部電極12及び上部電極16の音響インピーダンスが高い場合、下部電極12及び上部電極16の振動は抑制されるため、弾性波の損失が大きくなる。この結果、Q値は低くなる。これに対し、Cu及びAlの例のように、下部電極12及び上部電極16が低い音響インピーダンスを有する場合、下部電極12及び上部電極16は大きく振動する。このため、下部電極12及び上部電極16における弾性波の損失が圧電薄膜14における損失より少なくなる。この結果、Q値は高くなる。特に、電極材料にCuを用いた場合、Alを用いた場合よりも高いQ値を有する。AlはAlNより低い音響インピーダンスを有するため、弾性波が効率的に下部電極12及び上部電極16に伝搬しにくい。これによりAlを用いた例ではQ値が低くなる。一方、CuはAlNと近い音響インピーダンスを有するため、弾性波がCuに伝搬しやすく、弾性波の損失が少ない。この結果Q値が高くなる。Cuを電極材料に用いた例と、比較例とで電気機械結合係数k2及びQ値を比較する。比較例は、下部電極12及び上部電極16が圧電薄膜14と同じ音響インピーダンスを有する例である。計算は図3a~図3cの結果を算出した方法と同じ方法で行った。図4aは電気機械結合係数k2を比較するグラフである。図4aに示すように、Cuを用いる例の方が、比較例よりも大きな電気機械結合係数k2を有する。図4bはQrを比較するグラフである。図4cはQaを比較するグラフである。図4b及び図4cに示すように、比較例はCuを用いる例より高いQ値を有するが、Q値の違いは小さい。以上のように、電極材料としてCuを用いることで、高いQ値を得られることが分かった。しかし、Cuは酸化しやすい。実施例1においては、Q値が高く、かつ電極の酸化を抑制することができる圧電薄膜共振子について説明する。実施例1はCuを主成分とする電極及び被覆膜を用いる例である。図5aは実施例1に係るFBAR100を例示する断面図である。図5bは共振領域20を拡大した模式図である。図5a及び図5bに示すように、被覆膜22第1被覆膜は下部電極12の下面を覆い、かつ空隙18に露出する。被覆膜24第2被覆膜は上部電極16の側面及び上面を覆う。下部電極12及び上部電極16はCuを主成分とし、圧電薄膜14はAlNを主成分とする。このため、下部電極12及び上部電極16は、圧電薄膜14と近い音響インピーダンスを有する。この結果、弾性波の損失は抑制され高いQ値を得ることができる。下部電極12及び上部電極16の音響インピーダンスは、例えば圧電薄膜14の音響インピーダンスの0.8~1.2倍程度が好ましい。電極材料は、電極として機能し、かつ高いQ値を得られるものであればよく、例えばCuのみ、製造工程においてCuに混入する不純物を含む材料、Cuを主成分とする合金、又は生産性を向上するためにCuに意図的に添加された添加物を含む材料等である。圧電薄膜14は、AlN、又は第3元素Mを含む材料MxAl1-xNからなり、例えば製造工程において混入する不純物を含んでもよい。圧電薄膜14としての機能が発揮され、かつ高いQ値を得られるためにはx<0.5であることが好ましい。被覆膜22及び24は、例えばRu、Pt及び銀Ag等の金属、又は酸化シリコンSiO2、炭化シリコンSiC、窒化シリコンSi2N3、又は酸化アルミニウムAl2O3等の誘電体、又はこれらの積層膜からなる。被覆膜22により下部電極12の酸化が抑制される。また被覆膜24により上部電極16の酸化が抑制される。効果的に酸化を抑制するために、下部電極12の上下面のうち、圧電薄膜14に接触しない下面が被覆膜22に覆われ、上部電極16の上下面のうち圧電薄膜14に接触しない上面が被覆膜24に覆われればよい。下部電極12と圧電薄膜14、及び上部電極16と圧電薄膜14との間において音響インピーダンスを整合させ高いQ値を得るためには、下部電極12及び上部電極16の厚さが、被覆膜22及び24の厚さより大きいことが好ましい。また被覆膜22及び24の厚さが例えば被覆膜22及び24中を伝搬するバルク波の波長λの1/4又は1/2の場合、スプリアスが大きくなる。音響インピーダンスを整合させ、かつスプリアスを抑制するためには、被覆膜22及び24の厚さが、例えばλ/4より小さいことが好ましく、λ/5、及びλ/6より小さくてもよい。FBARの他の構成例について説明する。図6a及び図6bはFBARの例を示す断面図である。図6aに示すように、基板10の上面に基板10を貫通しない空隙18が設けられていてもよい。図6bに示すように、平坦な基板10の上面において、下部電極12、上部電極16及び圧電薄膜14が隆起し、下部電極12と基板10との間に空隙18が形成されていてもよい。被覆膜22及び24は下部電極12の下面及び上部電極16の上面の少なくとも一方を覆えばよい。酸化を効果的に抑制するためには、被覆膜22及び24が下部電極12の下面及び上部電極16の上面の両方を覆うことが好ましい。実施例2は密着膜を用いる例である。図7は実施例2に係るFBAR200の共振領域20を拡大した模式図である。図7に示すように、上部電極16の下面及び圧電薄膜14の上面に接触するように、上部電極16と圧電薄膜14との間に密着膜28が設けられている。下部電極12の上面の及び圧電薄膜14の下面に接触するように、下部電極12と圧電薄膜14との間に密着膜26が設けられている。この結果、下部電極12と圧電薄膜14との密着性、及び上部電極16と圧電薄膜14との密着性が高まる。密着膜26及び28は例えばチタンTi等の金属からなる。密着膜26及び28の厚さは、2GHz動作の共振子において例えば40nm程度であり、密着膜26及び28を伝搬するバルク波の波長の1/4より小さいことが好ましい。また音響インピーダンスを整合させるために,電極膜厚tは、被覆膜22及び24の厚さ、並びに密着膜26及び28の厚さより大きいことが好ましい。密着膜26及び28は上部電極16と圧電薄膜14との間、又は下部電極12と圧電薄膜14との間の少なくとも一方に設けられればよい。実施例3はSMRの例である。図8は実施例3に係るSMR300を例示する断面図である。図8に示すように、基板10と下部電極12及び圧電薄膜14との間に音響反射膜11が設けられている。音響反射膜11は、音響インピーダンスが高い膜と低い膜を交互にλ/4の膜厚で積層された構造である。基板10に空隙は形成されていない。下部電極12の下面は音響反射膜11に接触し、空隙に露出していないため酸化しにくい。このため被覆膜22を設けなくてもよい。上部電極16の上面は被覆膜24に覆われている。図7に示した密着膜26及び28をSMR300に設けてもよい。実施例4は、発振器の周波数リファレンスが実施例1~3いずれかに係る圧電薄膜共振子を利用する例である。図9aは実施例4に係る発振器400を例示するブロック図である。共振器70は圧電薄膜共振子を含み、周波数リファレンスとして機能する。図9aに示す増幅器74は白色雑音を発生させない理想的なものとしている。実際の増幅器において発生する白色雑音FNkTは加算器72において、共振器70から出力された信号に加算されるものとしている。加算器72から出力された信号は増幅器74に入力される。増幅器74の出力信号は共振器70に入力され、加算器72を通じて増幅器74に正帰還する。回路図を参照し、発振器の例として電圧制御発振器VoltageControlledOscillator:VCOについて説明する。図9bはVCOを例示する回路図である。図9bに示すように、圧電薄膜共振子71、可変コンデンサCv、C5及びC6はLC共振回路を形成する。圧電薄膜共振子71のインダクタ成分が共振に寄与する。共振回路とトランジスタ76とで発振回路を形成し、可変コンデンサCvに印加される電圧の変化により発振周波数が変化する。トランジスタ78はバッファとして機能する。抵抗R3~R7はトランジスタ76及び78の各端子のバイアスを定める機能を有する。トランジスタ78のコレクタと抵抗R5との間には出力端子Voutが接続され、トランジスタ78のベースにはキャパシタC7が接続されている。抵抗R6及びR7間には電源電圧Vccが入力される。図9cはVCOの別の例を例示する回路図であり、図9bにおける抵抗R4をインダクタL2に、抵抗R7をインダクタL3に置換した以外は図9bと同じ構成である。位相雑音について説明する。発振器400の位相雑音は以下に示すLeesonの式により表される。f0は発振周波数、fMは発振周波数f0からのオフセット周波数、Qは圧電薄膜共振子のQ値、fFCはフリッカコーナ周波数、FNはノイズフロア、kはボルツマン定数、Tは発振器300が使用される温度、Psは増幅器74の挿入電力である。Q値が変化した場合の発振器400の位相雑音を、Leesonの式を用いて計算した。図10は位相雑音を例示する模式図である。横軸はオフセット周波数fM、縦軸は位相雑音である。一点鎖線はQ=Q1の例、破線はQ=Q2の例、実線はQ=Q3の例を表す。Q値はQ1、Q2、Q3の順に高くなる。図10に示すように、Q値が高いほど位相雑音は小さくなる。このように、高いQ値を有する圧電薄膜共振子を周波数リファレンスに用いることで、発振器400は高いQ値を有し、位相雑音が低減される。なお実施例4はVCO以外の発振器にも適用可能である。実施例5は圧電薄膜共振子を含む発振器を利用する原子時計の例である。図11は実施例5に係る原子時計500時間標準器を例示する模式図である。図11に示すように、原子時計500は、ガスセル88に封入されたセシウムCsガスを用いるCPTCoherentPopulationTrapping型原子時計である。周波数チューナ96は図8に示した発振器400を含み、4.6GHzの信号変調信号を出力する。バイアスティ80において、変調信号とカレントドライバ82から出力される駆動電流とが重畳される。VCSELVerticalCavitySurfaceEmittingLaser:垂直共振器面発振レーザ84は、バイアスティ80の出力信号により駆動し、レーザを出力する。レーザはレンズ86及びガスセル88を通じて、光検出器91に入射する。光検出器91は、レーザを電気信号に変換し、ロックインアンプ92及び94に出力する。ロックインアンプ92には交流電源93から参照信号が入力される。ロックインアンプ94の出力信号は周波数チューナ96に入力される。ロックインアンプ94には交流電源95から参照信号が入力される。ロックインアンプ94の出力信号はカレントドライバ82に入力される。ガスセル88はコイル90中に配置されている。コイル90に電流が流れることによりガスセル88に磁場が印加され、ゼーマン効果によりCsの最外殻電子のエネルギーが例えば9.2GHzだけ分裂する。変調信号の周波数が4.6GHzである場合、最外殻電子の分裂した2つのエネルギー準位から同時に電子が励起される。量子的重ね合わせの効果により励起がキャンセルされ、レーザはCsに吸収されず光検出器91に入射する。この結果、光検出器91の出力は最大となる。周波数チューナ96は、4.6GHzの信号を出力し、発振器400を含んでいるため高いQ値を有する。このため位相雑音の少ない、精度の高い原子時計が実現される。精度の高い原子時計を実現するためには、発振器400のQ値が高いことが好ましい。例えば水晶発振器は高いQ値を有するが、発振周波数は低い。従って所望の周波数の信号を得るために、複数回にわたって信号の逓倍を繰り返す。このため、原子時計が大型化し、また信号の損失も大きくなる。これに対し、圧電薄膜共振子を用いた発振器400は高いQ値を有し、かつ周波数が高い。従って、例えば2逓倍で所望の周波数の信号を得ることができる。この結果、原子時計の小型化、及び信号の損失の抑制が可能である。Cs以外のアルカリ金属等、他の元素を用いる場合、周波数チューナ96の周波数を変更すればよい。光源には例えばVCSEL以外の半導体レーザを用いてもよい。光検出器91は例えばフォトダイオードである。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。"