半導体基板上に形成された角速度センサであって、リングオシレータを構成する遅延パスと、前記リングオシレータの発振周波数の変動量から回転の角速度を検出する検出回路と、を備える、角速度センサ。前記遅延パスは、入力と出力とが相互に接続され、前記検出回路は、前記変動量に基づいて回転の角速度を算出することを特徴とする、請求項1に記載の角速度センサ。前記遅延パスは、1又は従属接続された複数の反転出力回路を備えることを特徴とする、請求項1又は2に記載の角速度センサ。前記遅延パスは、前記入力と前記出力との間に従属接続された奇数個のインバータを備えることを特徴とする、請求項3に記載の角速度センサ。前記遅延パスは、前記入力と前記出力との間に従属接続された偶数個の差動インバータを備え、前記遅延パスの前記入力は、正相入力と逆相入力を備え、前記遅延パスの前記出力は、正相出力と逆相出力を備え、前記正相入力は前記逆相出力と接続され、前記逆相入力は前記正相出力と接続されることを特徴とする、請求項3に記載の角速度センサ。前記遅延パスは、前記入力と前記出力との間に従属接続された奇数個の差動インバータを備え、前記遅延パスの前記入力は、正相入力と逆相入力を備え、前記遅延パスの前記出力は、正相出力と逆相出力を備え、前記正相入力は前記正相出力と接続され、前記逆相入力は前記逆相出力と接続されることを特徴とする、請求項3に記載の角速度センサ。前記差動インバータは、入力インピーダンスを入力に接続される線路の特性インピーダンスに整合させるインピーダンスマッチング回路を備えることを特徴とする、請求項5又は6に記載の角速度センサ。前記検出回路は、前記リングオシレータの回転時の発振周波数をカウントする周波数カウンタと、前記回転時の発振周波数と前記リングオシレータの無回転時の発振周波数との差を前記変動量として算出する減算器と、前記変動量角速度に換算する演算器と、を備えることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の角速度センサ。前記減算器は、前記回転時の発振周波数から前記無回転時の発振周波数を減じることにより、前記変動量を算出することを特徴とする、請求項8に記載の角速度センサ。前記検出回路は、前記無回転時の発振周波数が予め記憶されている記憶装置を更に備え、前記減算器は、前記記憶装置から前記無回転時の発振周波数を読み込むことを特徴とする、請求項8又は9に記載の角速度センサ。前記検出回路は、外部からの信号に応じて前記記憶装置に制御信号を出力するタイミング発生回路を更に備え、前記周波数カウンタは、前記無回転時の発振周波数をカウントし、カウントした前記無回転時の発振周波数を前記記憶装置に出力し、前記記憶装置は、前記タイミング発生回路からの前記制御信号に応じて前記無回転時の発振周波数を記憶することを特徴とする、請求項10に記載の角速度センサ。複数の前記反転出力回路と、前記複数の前記反転出力回路のそれぞれにおける発振周波数をカウントする複数の前記周波数カウンタと、を備えることを特徴とする、請求項8乃至11のいずれか一項に記載の角速度センサ。第1のリングオシレータを構成する第1の前記遅延パスと、第2のリングオシレータを構成する第2の前記遅延パスと、を備え、前記第1のリングオシレータ中心軸は、前記第2のリングオシレータの中心軸と同じ方向であり、前記第2のリングオシレータの信号の伝達方向は、前記第1のリングオシレータの信号の伝達方向とは逆であり、前記検出回路は、前記第1のリングオシレータの第1の発振周波数と前記第2のリングオシレータの第2の発振周波数との差を、前記変動量として検出することを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の角速度センサ。前記第1のリングオシレータと前記第2のリングオシレータとは同心円の位置に配置されていることを特徴とする、請求項13に記載の角速度センサ。前記検出回路は、前記第1の発振周波数をカウントする第1の周波数カウンタと、前記第2の発振周波数をカウントする第2の周波数カウンタと、前記第1の発振周波数と前記第2の発振周波数との差を前記変動量として算出する減算器と、前記変動量を角速度に換算する演算器と、を備えることを特徴とする、請求項13又は14に記載の角速度センサ。前記検出回路は、前記第1のリングオシレータの信号と前記第2のリングオシレータの信号との前記発振周波数の差に対応する信号を出力するミキサと、前記ミキサからの前記信号の周波数をカウントすることにより、前記変動量を検出する周波数カウンタと、前記変動量を角速度に換算する演算器と、を備えることを特徴とする、請求項15に記載の角速度センサ。請求項1乃至16のいずれか一項に記載の前記角速度センサを備えることを特徴とする、半導体装置。前記角速度センサである第1の角速度センサと、上面に第1の方向に沿って前記第1の角速度センサの前記遅延パスが形成された前記半導体基板と、前記半導体基板の上面に対して垂直かつ前記第1の方向に対して垂直な面に沿って形成され、前記第1の角速度センサの前記遅延パスの前記入力と前記出力とを接続する第1の伝送線路と、を更に備えることを特徴とする、請求項17に記載の半導体装置。前記角速度センサである第2及び第3の角速度センサと、前記半導体基板の上面に対して垂直かつ前記第1の方向と直交する第2の方向に対して垂直な面に沿って形成され、前記第2の角速度センサの前記遅延パスの前記入力と前記出力とを接続する第2の伝送線路と、前記半導体基板の上面に沿って形成され、前記第3の角速度センサの前記遅延パスの前記入力と前記出力とを接続する第3の伝送線路と、を更に備え、前記第2の角速度センサの前記遅延パスは、前記半導体基板の上面に前記第2の方向に沿って形成され、前記第3の角速度センサの前記遅延パスは、前記半導体基板の上面に形成されることを特徴とする、請求項18に記載の半導体装置。請求項1乃至16のいずれか一項に記載の前記角速度センサと、前記角速度センサが搭載された半導体チップと、前記半導体チップが内部に組み込まれた筐体と、前記筐体に沿って形成され、前記角速度センサの前記遅延パスの前記入力と前記出力とを接続する伝送線路と、を備えることを特徴とする、携帯機器。しかし、発明者は、一般的な角速度センサには以下に示す問題点が有ることを見出した。MEMS方式の角速度センサは、作製プロセス複雑なため、高コストである。また、角速度センサを搭載する半導体装置のSiプロセスとの親和性が悪く、更なるコスト増に繋がる。一方、光学的方式の角速度センサは、光ファイバを設置する空間を確保する必要があるため小型化が難しく、携帯機器への搭載には適さない。本発明の一態様である角速度センサは、半導体基板上に形成された角速度センサであって、リングオシレータを構成する遅延パスと、前記リングオシレータの発振周波数の変動量から回転の角速度を検出する検出回路と、を備えるものである。この角速度センサでは、リングオシレータの中心軸周りの回転の角速度を、リングオシレータの発振周波数の変動として検出できる。これにより、一般的な半導体プロセスで作製する電気回路を用いて、容易に角速度センサを構成することが可能となる。本発明によれば、小型かつ簡易な構成の角速度センサ、半導体装置及び携帯機器を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。なお、以下で説明する角度センサは、一般にジャイロセンサ又はジャイロスコープと別称される。以下で説明する角速度センサは、物体の動きを検知するために用いられる。例えば、角速度センサは、携帯電話などの携帯機器に搭載され、ユーザが携帯機器を取り扱うことで生じる携帯機器の動きを検知することができる。実施の形態1まず、本発明の実施の形態1にかかる角速度センサ100について説明する。図1は、実施の形態1にかかる角速度センサ100の構成を示すブロック図である。本実施の形態においては、角速度センサ100は、半導体装置に搭載可能な角速度センサとして構成される。角速度センサ100は、半導体基板上不図示に形成されたリングオシレータ11及び検出回路13を有する。角速度センサ100は、リングオシレータ11の中心軸周りの回転を検出する角速度センサとして構成される。なお、図1ではリングオシレータ11は円形に配置されているが、必ずしも円形である必要はなく、楕円や多角形もしくは任意の閉じた一筆書きの形状でもよい。一般に、リングオシレータは、入力と出力とが相互に接続された反転出力の遅延パスを有する。シングルエンドのリングオシレータを構成する場合には、入力信号を反転させた信号を出力する反転出力回路が奇数個従属接続されることにより、遅延パスが構成される。本実施の形態では、リングオシレータ11は、伝送線路111及びインバータINV1~INV3を有する。伝送線路111及びインバータINV1~INV3は、半導体基板上に形成される。伝送線路111は、半径rのループとして構成される。インバータINV1~INV3は、ループ状の伝送線路111上に、従属接続される。換言すれば、インバータINV1~3の出力は、それぞれインバータINV2、INV3及びINV1の入力と接続される。本実施の形態においては、インバータINV1~INV3が反転出力回路に相当する。リングオシレータ11は、中心軸に対して右回りに信号SIGが伝達される。検出回路13は、インバータINV1に接続され、インバータINV1におけるリングオシレータ11の発振周波数を検出する回路である。検出回路13は、タイミング発生回路131、減算器132、メモリ133、演算器134及び周波数カウンタFC1を有する。タイミング発生回路131、減算器132、メモリ133、演算器134及び周波数カウンタFC1は、リングオシレータ11と共通の半導体基板上に形成される。タイミング発生回路131は、外部からクロック信号CLK及びキャリブレーション信号CALが入力される。そして、タイミング発生回路131は、周波数カウンタFC1にカウント開始信号START及びカウント終了信号ENDを出力する。周波数カウンタFC1は、カウント開始信号STARTに応じて、リングオシレータ11の発振周波数をカウントし、カウント終了信号ENDに応じてカウントを終了する。周波数カウンタFC1は、カウントした発振周波数f1を減算器132に出力する。減算器132は、メモリ133に予め記憶されている基準周波数f0を読み出し、発振周波数f1から基準周波数f0を減算する。メモリ133は記憶装置であり、RAMなどのデバイスを用いることができる。減算器132は、減算結果である周波数変動量Δfを出力する。演算器134は、周波数変動量Δfから角速度ωを算出し、出力OUTに出力する。本実施の形態では、伝送線路111にインバータINV1~INV3を挿入して、リングオシレータを構成している。この場合、リングオシレータの入出力インピーダンス少なくとも入力インピーダンスは、伝送線路の特性インピーダンスに一致させることが望ましい。入出力のインピーダンスが一致していないと、信号の伝達方向とは反対方向の右回りの反射信号が発生し、誤差が生じるためである。このような反射信号の発生は、インピーダンス整合、特にインバータ入力端でのインピーダンス整合により防止することができる。なお、インバータの出力端で反射が起こるとインバータ内部に信号が戻るが、インバータが十分な駆動力を有していれば、戻り信号による影響は問題にはならない。リングオシレータ11での遅延時間に対するインバータの影響について検討する。なおお、リングオシレータでの遅延時間とは、伝送線路のある点を通過した信号が元の点に戻るまでの時間を意味する。すなわち、例えば伝送線路が1回巻きである場合には、信号が伝送線路を1周するのに要する時間が遅延時間となる。また、例えば伝送線路がN回巻きである場合には、N回巻きの伝送線路を一巡するのに要する時間が遅延時間となる。リングオシレータ11の伝送線路111が1回巻き、半径rが1mm、信号の伝達速度を光速の1/2と仮定した場合、伝送線路111での遅延時間は125ps程度となる。このとき、インバータINV1~INV3で生じる遅延時間は、電源電圧や温度などによって変動する。これらの遅延時間の変動は、誤差の発生要因となる。よって、インバータINV1~INV3での遅延時間は、極力小さいことが望ましい。なお、リングオシレータ11の構成は例示に過ぎない。上述のように、インバータにより構成される遅延パスと、遅延パスの入力と出力とを接続する伝送線路とは、同一の半導体チップ上に形成することが可能である。また、遅延パスを半導体チップに形成し、遅延パスの入力と出力とを接続する伝送線路を半導体チップが組み込まれる機器に設けることも可能である。続いて、角速度センサ100における角速度の検出原理について説明する。以下では、図1において、ループ状の伝送線路111が中心軸に対して角速度ωで左回りに回転する場合について説明する。図2は、実施の形態1にかかる角速度センサ100での信号の伝達を示す模式図である。角速度センサ100の点Aから信号SIGを入力すると図2のIN、信号SIGは右回りに伝送線路111を伝わる。伝送線路111は中心軸に対して角速度ωで左回りに回転しているので、信号が伝送線路111を伝わる間に、点Aは点Bに移動する。このため、移動した分だけ信号検出のタイミングが早くなる図2のDETECT。よって、見かけ上の信号の伝達速度が速くなる。なお、伝送線路111上での信号の伝達速度は、光速の1/2程度である。まず、角速度ωが0である場合、すなわちリングオシレータ11が無回転時の発振周波数である基準周波数f0を求める。伝送線路111の巻き数をN、信号の伝達速度をv、無回転時に信号が伝送線路111の点Aから出て点Aに戻ってくるのに要する遅延時間をT0とすると、式1が成立する。式1より、遅延時間T0は、以下の式2で示される。リングオシレータの発振周期は、遅延時間T0の2倍であるので、無回転時のリングオシレータ11の基準周波数f0は、以下の式3で表される。なお、インバータINV1~INV3における遅延時間は、無視し得る程に小さいものとする。続いて、角速度センサ100が角速度ωで左回りに回転している場合のリングオシレータ11の発振周波数f1を求める。伝送線路の巻き数をN、信号の伝達速度をv、左回りに回転している場合に、信号が点Aから出て点Bに到達するのに要する遅延時間をT1とすると、式4が成立する。式1より、遅延時間T1は、以下の式5で示される。よって、左回り回転時のリングオシレータ11の発振周波数f1は、以下の式6で表される。角速度センサ100は、無回転時及び回転時のリングオシレータ21の周波数変動量Δfから、角速度ωを求める。式3及び6より、周波数変動量Δfは、以下の式7で表される。式7より、角速度ωは、以下の式8で表される。従って、例えば巻き数Nが1である場合の周波数変動量Δfが0.5Hzであれば、角速度は2πとなる。この場合、角速度センサ100が中心軸に対して左回りに毎秒1回転していることを意味する。同様に、例えば巻き数Nが1である場合の周波数変動量Δfが-0.5Hzであれば、角速度は-2πとなる。この場合、角速度センサ100が中心軸に対して右回りに毎秒1回転していることを意味する。続いて、角速度センサ100の動作について具体的に説明する。角速度センサ100の動作は、キャリブレーション動作と角速度検出動作とに分けられる。キャリブレーション動作では、角速度センサ100が無回転状態であるときの発振周波数である基準周波数f0を測定し、記憶する。一方、角速度検出動作では、角速度センサ100が回転状態であるときの発振周波数f1を測定し、周波数変動量Δfを算出する。そして、周波数変動量Δfから角速度ωを算出する。以下、キャリブレーション動作及び角速度検出動作について、具体的に説明する。キャリブレーション動作においては、角速度センサ100は無回転状態である。まず、タイミング発生回路131には、外部からクロック信号CLKが入力する。タイミング発生回路131は、クロック信号CLKに応じて、周波数カウンタFC1にカウント開始信号START及びカウント終了信号ENDを出力する。例えば、タイミング発生回路131は、クロック信号CLKの立ち上がりでカウント開始信号STARTを出力し、クロック信号CLKの立ち下がりでカウント終了信号ENDを出力する。周波数カウンタFC1は、カウント開始信号STARTに応じて、リングオシレータ11の発振周波数をカウントし、カウント終了信号ENDに応じてカウントを終了する。周波数カウンタFC1は、カウントした測定周波数fcをメモリ133に出力する。キャリブレーション動作においては、タイミング発生回路131には、キャリブレーション信号CALが入力する。タイミング発生回路131は、キャリブレーション信号CALを受け取ると、メモリ133にロード信号LOADを出力する。メモリ133は、ロード信号LOADを受け取ったタイミングで、測定周波数fcを基準周波数f0として記憶する。基準周波数f0を記憶したところで、キャリブレーション動作が終了する。続いて、角速度検出動作について説明する。角速度検出動作においては、角速度センサ100は回転状態である。タイミング発生回路131には、外部からクロック信号CLKが入力する。タイミング発生回路131は、クロック信号CLKに応じて、周波数カウンタFC1にカウント開始信号START及びカウント終了信号ENDを出力する。周波数カウンタFC1は、カウント開始信号STARTに応じて、リングオシレータ11の発振周波数をカウントし、カウント終了信号ENDに応じてカウントを終了する。周波数カウンタFC1は、カウントした発振周波数f1を減算器132に出力する。減算器132は、メモリ133から基準周波数f0を読み込む。そして、発振周波数f1と基準周波数f0から、式7で示した周波数変動量Δfを算出する。算出された周波数変動量Δfは、演算器134へ出力される。演算器134は、式8に基づく演算を行い、角速度ωを算出する。以上より、角速度センサ100は、半導体基板上に形成されたインバータと伝送線路による簡易な電気回路により構成されたリングオシレータを用い、角速度を検出することが可能である。角速度センサ100は通常の半導体製造プロセスを用いて作製できるので、低コストで作製でき、容易に半導体装置へ搭載することが可能である。よって、角速度センサ100は、MEMS方式の角速度センサと比べて低コストで作製が可能であり、かつ、光学的方式の角速度センサと比べて小型化が可能である。また、上述のように、角速度センサ100を利用することにより、低コストな角速度検出方法を実現することが可能である。実施の形態2次に、本発明の実施の形態2にかかる角速度センサ200について説明する。図3は、実施の形態2にかかる角速度センサ200の構成を示すブロック図である。本実施の形態においては、角速度センサ200は、角速度センサ100と同様に、半導体装置に搭載可能な角速度センサとして構成される。角速度センサ200は、半導体基板上不図示に形成されたリングオシレータ21及び検出回路23を有する。角速度センサ200は、差動型のリングオシレータ21の中心軸周りの回転を検出する角速度センサとして構成される。差動型のリングオシレータを構成する場合には、入力信号を反転させた信号を出力する差動インバータが、ループ状に複数個従属接続される。差動インバータは、差動型の反転出力回路に相当する。本実施の形態では、差動インバータを偶数個用いた差動型リングオシレータを例として説明する。リングオシレータ21は、伝送線路211及び差動インバータDINV1~DINV4を有する。伝送線路211及びインバータDINV1~DINV4は、半導体基板上に形成される。差動インバータDINV1~DINV4には、例えば差動増幅回路を用いることができる。差動インバータDINV1~DINV4のそれぞれは、一方の入力INT1~INT4に入力する信号の反転信号を、一方の出力OUTB1~OUTB4から出力する。また、差動インバータDINV1~DINV4のそれぞれは、他方の入力INB1~INB4に入力する信号の反転信号を、一方の出力OUTT1~OUTT4から出力する。伝送線路211は、半径rの2重ループとして構成される。伝送線路211の2重ループは、十分近接して構成されるので、同じ半径を有するものとして扱うことができる。差動インバータDINV1~DINV3の出力OUTB1~OUTB3は、それぞれ差動インバータDINV2~DINV4の入力INT2~INT4と接続される。差動インバータDINV4の出力OUTB4は、差動インバータDINV1の入力INB1と接続される。差動インバータDINV1~DINV3の出力OUTT1~OUTT3は、それぞれ差動インバータDINV2~DINV4の入力INB2~INB4と接続される。差動インバータDINV4の出力OUTT4は、差動インバータDINV1の入力INT1と接続される。検出回路23は、差動インバータDINV1に接続され、差動インバータDINV1における信号の周波数を検出する回路である。検出回路23は、タイミング発生回路131、減算器132、メモリ133、演算器134及び周波数カウンタFC2を有する。タイミング発生回路131、減算器132、メモリ133、演算器134及び周波数カウンタFC2は、リングオシレータ21と共通の半導体基板上に形成される。周波数カウンタFC2は、差動インバータDINV1からの差動信号である信号SIGT及びSIGBが入力する。周波数カウンタFC2は、カウント開始信号STARTに応じて、リングオシレータ21の発振周波数をカウントし、カウント終了信号ENDに応じてカウントを終了する。周波数カウンタFC2は、カウントした測定周波数fcを減算器132に出力する。例えば、周波数カウンタFC2は、信号SIGTから信号SIGBを減算した信号SIGの周波数をカウントすることにより、リングオシレータ21の発振周波数をカウントする。タイミング発生回路131、減算器132、メモリ133及び演算器134については、検出回路13と同様であるので、説明を省略する。また、角速度センサ200における角速度の算出方法は、角速度センサ100と同様であるので、説明を省略する。角速度センサ200は、差動信号を用いることができるので、実施の形態1にかかる角速度センサ100よりもノイズ耐性に優れる。よって、角速度センサ200は、より高精度に角速度を検出することが可能である。また、上述のように、角速度センサ200を利用することにより、よりノイズ耐性に優れた、高精度の角速度検出方法を実現することが可能である。実施の形態3次に、本発明の実施の形態3にかかる角速度センサ300について説明する。角速度センサ300は、実施の形態2にかかる角速度センサ200の変形例であり、半導体装置に搭載可能な角速度センサとして構成される。図4は、実施の形態3にかかる角速度センサ300の構成を示すブロック図である。角速度センサ300は、半導体基板上不図示に形成されたリングオシレータ21及び検出回路33を有する。リングオシレータ21は、実施の形態2と同様であるので説明を省略する。検出回路33は、タイミング発生回路131、減算器132、メモリ133、演算器134及び周波数カウンタFC31~FC34を有する。タイミング発生回路131、減算器132、メモリ133、演算器134及び周波数カウンタFC31~FC34は、リングオシレータ21と共通の半導体基板上に形成される。タイミング発生回路131、減算器132、メモリ133及び演算器134は、実施の形態2と同様であるので説明を省略する。周波数カウンタFC31~FC34は、それぞれ差動インバータDINV1~DINV4に1対1に対応する。周波数カウンタFC31~FC34は、差動インバータDINV1~DINV4のそれぞれから信号を受け取り、周波数を測定する。周波数カウンタFC31~FC34のそれぞれでの周波数測定は、実施の形態2の周波数カウンタFC2と同様である。周波数カウンタFC31~FC34は、それぞれ信号検出の位相を、例えば45°ずつずらすことができる。これは、タイミング検出回路131からのカウント開始信号STRAT及びカウント終了信号ENDの供給タイミングにより制御可能である。角速度センサ300では、各差動インバータでの信号に基づいて周波数をカウントする。よって、角速度センサ300の周波数カウントの頻度を、角速度センサ200よりも多くすることができる。従って、角速度センサ300は、より細かい時間分解能で角速度を検出することが可能である。また、上述のように、角速度センサ300を利用することにより、より時間分解能に優れる角速度検出方法を実現することが可能である。実施の形態4次に、本発明の実施の形態4にかかる角速度センサ400について説明する。角速度センサ400は、2つの差動型リングオシレータを組み合わせた構成を有する。図5は、実施の形態4にかかる角速度センサ400の構成を示すブロック図である。本実施の形態においては、角速度センサ400は、実施の形態1~3と同様に、半導体装置に搭載可能な角速度センサとして構成される。角速度センサ400は、半導体基板上不図示に形成された第1のリングオシレータ41、第2のリングオシレータ42及び検出回路43を有する。第1のリングオシレータ41は、実施の形態2にかかる角速度センサ200のリングオシレータ21と同様の構成を有する。第1のリングオシレータ41は、差動インバータDINV41~DINV44及び伝送線路411を有する。差動インバータDINV41~DINV44及び伝送線路411は、半導体基板上に形成される。差動インバータDINV41~DINV44は、それぞれ角速度センサ200の差動インバータDINV1~DINV4に対応する。伝送線路411は、角速度センサ200の伝送線路211に対応する。図5に示すように、第1のリングオシレータ41での信号の伝達方向は左回りである。第2のリングオシレータ42は、実施の形態2にかかる角速度センサ200のリングオシレータ21と同様の構成を有する。第2のリングオシレータ42は、差動インバータDINV45~DINV48及び伝送線路421を有する。差動インバータDINV45~DINV48及び伝送線路421は、半導体基板上に形成される。差動インバータDINV45~DINV48は、それぞれ角速度センサ200の差動インバータDINV1~DINV4に対応する。伝送線路421は、角速度センサ200の伝送線路211に対応する。図5に示すように、第2のリングオシレータ42での信号の伝達方向は右回りである。すなわち、第1のリングオシレータ41と第2のリングオシレータ42とでは、信号の伝達方向が逆向きである。また、第1のリングオシレータ41と第2のリングオシレータ42とは、同じ半径rを有する。なお、図5において第1のリングオシレータ41と第2のリングオシレータ42は横に並べて配置されているが、両者は同心円の位置に重ねて配置することも可能である。重ねて配置することでリングオシレータによる占有面積を小さくすることができる。検出回路43は、タイミング発生回路431、減算器432、演算器434、第1の周波数カウンタFC41及び第2の周波数カウンタFC42を有する。タイミング発生回路431、減算器432、演算器434、第1の周波数カウンタFC41及び第2の周波数カウンタFC42は、第1のリングオシレータ41及び第2のリングオシレータ42と共通の半導体基板上に形成される。タイミング発生回路431は、外部からクロック信号CLKが入力される。そして、タイミング発生回路431は、第1の周波数カウンタFC41及び第2の周波数カウンタFC42に、カウント開始信号START及びカウント終了信号ENDを出力する。第1の周波数カウンタFC41は、差動インバータDINV41からの差動信号である信号SIGT1及びSIGB1が入力する。例えば、第1の周波数カウンタFC41は、実施の形態における周波数カウンタFC2と同様に、信号SIGT1から信号SIGB1を減算した信号SIG1の周波数をカウントすることにより、第1のリングオシレータ41の発振周波数f1をカウントする。第2の周波数カウンタFC42は、差動インバータDINV45からの差動信号である信号SIGT2及びSIGB2が入力する。例えば、第2の周波数カウンタFC42は、実施の形態における周波数カウンタFC2と同様に、信号SIGT2から信号SIGB2を減算した信号SIG2の周波数をカウントすることにより、第2のリングオシレータ42の発振周波数f2をカウントする。減算器432は、発振周波数f1と発振周波数f2との周波数変動量Δfを算出する。演算器434は、周波数変動量Δfから、角速度ωを算出する。続いて、角速度センサ400における角速度の検出原理について説明する。図6は、実施の形態4にかかる角速度センサ400での信号の伝達を示す模式図である。第1のリングオシレータ41の点Aから信号SIGを入力すると図6のIN1、信号SIGは右回りに伝送線路411を伝わる。伝送線路411は中心軸に対して角速度ωで左回りに回転しているので、信号が伝送線路411を伝わる間に、点Aは点Bに移動する。このため、移動した分だけ信号検出のタイミングが早くなる図6のDETECT1。よって、見かけ上の信号の伝達速度が速くなる。この場合、伝送線路の巻き数をN、信号の伝達速度をv、点Aから出て点Bに到達するのに要する遅延時間をT1とすると、以下の式9が成立する。式9より、遅延時間T1は、以下の式10で示される。第1のリングオシレータ41の発振周期は、遅延時間T1の2倍であるので、第1のリングオシレータ41の発振周波数f1は、以下の式11で表される。なお、差動インバータDINV41~DINV44における遅延時間は、無視し得る程に小さいものとする。一方、第2のリングオシレータ42の点Cから信号SIGを入力すると図6のIN2、信号SIGは左回りに伝送線路421を伝わる。伝送線路421は中心軸に対して角速度ωで左回りに回転しているので、信号が伝送線路421を伝わる間に、点Cは点Dに移動する。このため、移動した分だけ信号検出のタイミングが遅くなる図6のDETECT2。よって、見かけ上の信号の伝達速度が遅くなる。この場合、伝送線路の巻き数をN、信号の伝達速度をv、信号が点Cから出て点Dに到達するのに要する遅延時間をT2とすると、以下の式12が成立する。式12より、遅延時間T2は、以下の式13で示される。第2のリングオシレータ42の発振周期は、遅延時間T2の2倍であるので、第2のリングオシレータ42の発振周波数f2は、以下の式14で表される。なお、差動インバータDINV45~DINV48における遅延時間は、無視し得る程に小さいものとする。式11及び14より、発振周波数f1と発振周波数f2との周波数変動量Δfは、以下の式5で表される。式15より、角速度ωは、以下の式16で表される。従って、例えば巻き数Nが1である場合の周波数変動量Δfが1Hzであれば、角速度は2πとなる。この場合、角速度センサ400が左回りに毎秒1回転していることを意味する。同様に、例えば巻き数Nが1である場合の周波数変動量Δfが-1Hzであれば、角速度は-2πとなる。この場合、角速度センサ400が右回りに毎秒1回転していることを意味する。続いて、角速度センサ400の動作について具体的に説明する。タイミング発生回路431には、外部からクロック信号CLKが入力する。タイミング発生回路431は、クロック信号CLKに応じて、第1の周波数カウンタFC41及び第2の周波数カウンタFC42にカウント開始信号START及びカウント終了信号ENDを出力する。例えば、タイミング発生回路431は、クロック信号CLKの立ち上がりでカウント開始信号STARTを出力し、クロック信号CLKの立ち下がりでカウント終了信号ENDを出力する。第1の周波数カウンタFC41は、カウント開始信号STARTに応じて、第1のリングオシレータ41の発振周波数f1をカウントし、カウント終了信号ENDに応じてカウントを終了する。第1の周波数カウンタFC41は、カウントした発振周波数f1を減算器432に出力する。第2の周波数カウンタFC42は、カウント開始信号STARTに応じて、第2のリングオシレータ42の発振周波数f2をカウントし、カウント終了信号ENDに応じてカウントを終了する。第2の周波数カウンタFC42は、カウントした発振周波数f2を減算器432に出力する。減算器432は、発振周波数f1及びf2から、式15で示した周波数変動量Δfを算出する。算出された周波数変動量Δfは、演算器434へ出力される。演算器434は、式16に基づく演算を行い、角速度ωを算出する。角速度センサ400では、半導体基板上に形成された、信号の伝達方向が逆向きの2つのリングオシレータを用いて、角速度を検出することができる。角速度センサ400は、周波数変動量を増幅して検出するので、より高感度に角速度を検出することが可能である。また、上述のように、角速度センサ400を利用することにより、より高感度の角速度検出方法を実現することが可能である。実施の形態5次に、本発明の実施の形態5にかかる角速度センサ500について説明する。角速度センサ500は、実施の形態4にかかる角速度センサ400の変形例であり、半導体装置に搭載可能な角速度センサとして構成される。図7は、実施の形態5にかかる角速度センサ500の構成を示すブロック図である。角速度センサ500は、角速度センサ400の検出回路43を検出回路53に置換した構成を有する。検出回路53は、ミキサ531、低域通過フィルタLPF532、演算器534及び周波数カウンタFC5を有する。ミキサ531、低域通過フィルタLPF532、演算器534及び周波数カウンタFC5は、第1のリングオシレータ41及び第2のリングオシレータ42と共通の半導体基板上に形成される。ミキサ531は、差動インバータDINV41から差動信号である信号SIGT1及びSIGB1が入力し、差動インバータDINV45から差動信号である信号SIGT2及びSIGB2が入力する。ミキサ531は、信号SIGT1及びSIGB1から信号SIG1を生成し、信号SIGT2及びSIGB2から信号SIG1を生成する。そして、ミキサ531は、信号SIG1及び信号SIG2の和及び差に対応する信号を出力する。第1のリングオシレータ41は左回りに回転しているので、第1のリングオシレータ41の発振周波数f1は無回転時の基準周波数f0よりも大きくなる。このときの周波数の増加分をΔf1とすると、信号SIG1の周波数、すなわち第1のリングオシレータ41の発振周波数f1は、以下の式17で表される。第2のリングオシレータ42は左回りに回転しているので、第2のリングオシレータ42の発振周波数は無回転時の基準周波数f0よりも小さくなる。このときの周波数の減少分をΔf2とすると、信号SIG2の周波数、すなわち第2のリングオシレータ42の発振周波数f2は、以下の式18で表される。第1のリングオシレータ41及び第2のリングオシレータ42は、信号の電圧方向が約向きであることを除き同様の構成を有しているので、Δf1=Δf2である。よって、ミキサ531が出力する信号SIG1及びSIG2を加算した信号SIG51の周波数f91は、以下の式19で表される。また、ミキサ531が出力する信号SIG1及びSIG2の差に対応する信号SIG52の周波数変動量Δfは、以下の式20で表される。信号SIG51及びSIG52は、低域通過フィルタ532に入力する。低域通過フィルタ532は、高周波数f91の信号SIG51をフィルタリングする。よって、周波数カウンタFC5には、周波数変動量Δfの信号SIG52のみが入力する。周波数カウンタFC5は、カウント開始信号STARTに応じて、信号SIG52の周波数変動量Δfをカウントし、カウント終了信号ENDに応じてカウントを終了する。周波数カウンタFC5は、カウントした周波数変動量Δfを出力する。演算器534は、Δfを用いて、実施の形態4で示した式16に基づく演算を行い、角速度ωを算出する。角速度センサ500では、角速度センサ400と同様に、半導体基板上に形成された、信号の伝達方向が逆向きの2つのリングオシレータを用いて、角速度を検出することができる。角速度センサ500は、周波数変動量を増幅して検出するので、角速度センサ400と同様に、より高感度に角速度を検出することが可能である。また、上述のように、角速度センサ500を利用することにより、より高感度の角速度検出方法を実現することが可能である。実施の形態6次に、本発明の実施の形態6にかかる半導体装置600について説明する。図8は、実施の形態6にかかる半導体装置600の構成を示す斜視図である。半導体装置600は、半導体基板Subと、その上に形成された1個の角速度センサ601を有する。角速度センサ601は、第1の角速度センサに対応する。角速度センサ601は、上述の実施の形態1~5にかかる角速度センサのいずれかを用いることが可能である。但し、図8においては、説明の簡略化のため、リングオシレータのみを表示している。また、リングオシレータの遅延パスを表現するため、ひとつのインバータを表示している。角速度センサ601は、半導体基板Sub上のX方向の回転軸周りの角速度を検出する。なお、X方向は第2の方向に対応する。半導体基板Sub上には、パッドP1及びP2がY方向に並んで形成されている。ここで、Y方向は半導体基板Sub上でX方向と直交する方向である。なお、Y方向は第1の方向に対応する。パッドP1とパッドP2との間には、遅延パスDP1が接続される。パッドP1とパッドP2は、ボンディングワイヤW1で接続される。ボンディングワイヤW1は、第1の伝送線路に対応する。ボンディングワイヤW1は、半導体基板Subの上方にループ状に形成され、伝送線路として機能する。ボンディングワイヤW1は、半導体基板Subの主面に対して垂直で、かつY方向に対して垂直な面S1に沿って形成される。従って、角速度センサ601は、面S1に沿って形成され、X方向を中心軸とする角速度センサである。よって、ボンディングワイヤW1を利用して伝送線路を構成することにより、角速度センサを構成する基板に対して平行な歩行を回転軸とする回転の角速度を検出できる1軸角速度センサが搭載された半導体装置600を構成することができる。また、半導体プロセスを用いて、容易に1軸角速度センサが搭載された半導体装置600を作製することが可能である。また、上述のように、角速度センサ600を利用することにより、容易に1軸の角速度を電気的に検出する角速度検出方法を実現することが可能である。実施の形態7次に、本発明の実施の形態7にかかる半導体装置700について説明する。図9は、実施の形態7にかかる半導体装置700の構成を示す斜視図である。半導体装置700は、半導体基板Subと、その上に実装された3個の角速度センサ701~703を有する。角速度センサ701~703は、それぞれ第1~第3の角速度センサに対応する。角速度センサ701は、実施の形態6にかかる角速度センサ601と同様であるので、説明を省略する。角速度センサ702及び703は、上述の実施の形態1~5にかかる角速度センサのいずれかを用いることが可能である。但し、図9においては、説明の簡略化のため、リングオシレータのみを表示している。また、リングオシレータの遅延パスを表現するため、ひとつのインバータを表示している。角速度センサ702は、半導体基板Sub上のY方向の回転軸周りの角速度を検出する。半導体基板Sub上には、パッドP3及びP4がX方向に並んで形成されている。パッドP3とパッドP4との間には、遅延パスDP2が接続される。パッドP3とパッドP4は、ボンディングワイヤW2で接続される。ボンディングワイヤW2は、第2の伝送線路に対応する。ボンディングワイヤW2は、半導体基板Subの上方にループ状に形成され、伝送線路として機能する。ボンディングワイヤW2は、半導体基板Subの主面に対して垂直で、かつY方向に対して垂直な面S2に沿って形成される。従って、角速度センサ702は、面S2に沿って形成され、Y方向を中心軸とする角速度センサである。角速度センサ703は、半導体基板Sub上のZ方向の回転軸周りの角速度を検出する。ここで、Z方向はX方向及びY方向と直交し、半導体基板Subの主面に対して垂直な方向である。角速度センサ703は、遅延パスDP3及び伝送線路TPを有する。伝送線路TPは、第3の伝送線路に対応する。遅延パスDP3は半導体基板Sub上に形成される。伝送線路TPは半導体基板Subの主面と平行な面内に形成され、遅延パスDP3の入力と出力との間を接続する。よって、角速度センサ703は、Z方向の回転軸周りの角速度を検出する角速度センサとして機能する。上述のように、角速度センサ701~703は、それぞれX方向、Y方向及びZ方向の軸周りの角速度センサとして機能し、半導体装置700を構成することができる。よって、ボンディングワイヤW1及びW2を利用して伝送線路を構成することにより、X方向、Y方向及びZ方向の回転軸周りの角速度を検出する3軸角速度センサが搭載された半導体装置700を構成することができる。また、半導体プロセスを用いて、容易に3軸角速度センサが搭載された半導体装置700を作製することが可能である。また、上述のように、角速度センサ700を利用することにより、容易に3軸の角速度を電気的に検出する角速度検出方法を実現することが可能である。実施の形態8次に、本発明の実施の形態8にかかる角速度センサ800について説明する。図10は、実施の形態8にかかる角速度センサ800の構成を示す上面図である。角速度センサ800は、実施の形態2にかかる角速度センサ200を携帯機器810に組み込んだ例である。角速度センサ800は、遅延パス801、配線802及び検出回路23を有する。検出回路23については、実施の形態2と同様であるので説明を省略する。遅延パス801及び検出回路23は、半導体チップ820上に形成される。そして、半導体チップ820は、携帯機器810に組み込まれる。伝送線路である配線802は、遅延パス801の入力と出力とを接続している。配線802は、半導体チップ820外部の筐体821上に設けられている。本構成によれば、角速度センサを半導体チップ内に搭載する場合に比べて、リングオシレータを大きく構成することができる。その結果、リングオシレータの遅延時間を大きくすることができ、より精密な角速度の検出が可能となる。実施の形態9次に、本発明の実施の形態9にかかる差動インバータDINV9について説明する。差動インバータDINV9は、上述の実施の形態2~8で用いられる差動インバータの具体例である。図11は、実施の形態9にかかる差動インバータDINV9の構成を示す回路図である。差動インバータDINV9は、抵抗R1及びR2、NchトランジスタM1及びM2、電流源IS1を有する。電源電圧VDDとトランジスタM1のドレインとの間には、抵抗R1が接続される。電源電圧VDDとトランジスタM2のドレインとの間には、抵抗R2が接続される。接地電圧とトランジスタM1及びM2のソースとの間には、電流源IS1が接続される。トランジスタM1のゲートは入力INTと接続され入力され、トランジスタM2のゲートは入力INBと接続される。なお、入力INB及び入力INTのそれぞれには、差動信号の一方が入力される。トランジスタM1及びM2は、差動インバータDINV9の出力トランジスタとして機能する。すなわち、トランジスタM1のドレインは、出力OUTBと接続され、入力INTに入力する信号の反転信号を出力する。トランジスタM2のドレインは、出力OUTTと接続され、入力INBに入力する信号の反転信号を出力する。よって、差動インバータDINV9を実施の形態2~8にかかる角速度センサに適用することにより、所望の角速度センサを構成することが可能である。実施の形態10次に、本発明の実施の形態10にかかる差動インバータDINV10について説明する。差動インバータDINV10は、上述の実施の形態9にかかる差動インバータDINV9の構成転換例である。差動インバータDINV10は、入力インピーダンスを伝送線路に整合させることが可能である。図12は、実施の形態10にかかる差動インバータDINV10の構成を示す回路図である。差動インバータDINV10は、差動インバータDINV9に、抵抗R3及びR4を追加した構成を有する。抵抗R3は、NchトランジスタM1のゲートと接地電圧との間に接続される。抵抗R4は、NchトランジスタM2のゲートと接地電圧との間に接続される。ここで、入力INT及び入力INBに接続される伝送線路の特性インピーダンスの大きさをZ0とする。この場合、抵抗R3及びR4の抵抗値をZ0とすることで、入力INT及びINBを伝送線路にインピーダンス整合させることができる。つまり、抵抗R3及び抵抗R4は、インピーダンスマッチング回路として機能する。以上より、抵抗R3及びR4の抵抗値を適宜調整することにより、差動インバータDINV10の入力インピーダンスを伝送線路に整合させることが可能である。従って、差動インバータDINV10を実施の形態2~8にかかる角速度センサに適用することにより、角速度の検出精度を向上させることが可能である。実施の形態11次に、本発明の実施の形態11にかかる差動インバータDINV11について説明する。差動インバータDINV11は、上述の実施の形態9にかかる差動インバータDINV9の構成転換例である。差動インバータDINV11は、入力インピーダンスを伝送線路に整合させることが可能である。図13は、実施の形態11にかかる差動インバータDINV11の構成を示す回路図である。差動インバータDINV11は、差動インバータDINV9に、抵抗R5を追加した構成を有する。抵抗R5は、NchトランジスタM1のゲートとNchトランジスタM2のゲートとの間に接続される。ここで、入力INT及び入力INBに接続される伝送線路の特性インピーダンスの大きさをZ0とする。差動インバータDINV11では、差動で動作する部分の中点は仮想接地とみなせるので、交流成分についてはグラウンド接続と等価とみなせる。つまり、抵抗R5の中間点はグラウンド接続と等価である。よって、抵抗R5の抵抗値を伝送線路の特性インピーダンスZ0の2倍とすることにより、入力INT及びINBを伝送線路にインピーダンス整合させることができる。つまり、抵抗R5は、インピーダンスマッチング回路として機能する。以上より、抵抗R5の抵抗値を適宜調整することにより、差動インバータDINV10の入力インピーダンスを伝送線路に整合させることが可能である。従って、差動インバータDINV11を実施の形態2~8にかかる角速度センサに適用することにより、角速度の検出精度を向上させることが可能である。実施の形態12次に、本発明の実施の形態12にかかる差動インバータDINV12について説明する。差動インバータDINV12は、上述の実施の形態9にかかる差動インバータDINV9の構成転換例である。差動インバータDINV12は、入力インピーダンスを伝送線路に整合させることが可能である。図14は、実施の形態12にかかる差動インバータDINV12の構成を示す回路図である。差動インバータDINV12は、差動インバータDINV9に、抵抗R6及びR7を追加した構成を有する。抵抗R6は、NchトランジスタM1のゲートとドレインとの間に接続される。抵抗R7は、NchトランジスタM2のゲートとドレインとの間に接続される。ここで、NchトランジスタM1及びM2での電圧ゲインをAvとする。抵抗R6及びR7の抵抗値をRFとする。この場合、差動インバータDINV12の入力インピーダンスZINは、以下の式21で表される。Avが1よりも十分に大きければ、入力インピーダンスZINは、以下の式22に示すように近似できる。伝送線路とのインピーダンス整合を実現するには、入力インピーダンスZINを伝送線路の特性インピーダンスZ0と等しくすればよい。よって、式22より、抵抗R6及び抵抗R7の抵抗値RFを特性インピーダンスZ0のAv倍とすることで、インピーダンス整合を実現できる。つまり、抵抗R6及び抵抗R7は、インピーダンスマッチング回路として機能する。以上より、抵抗R6及びR7の抵抗値を適宜調整することにより、差動インバータDINV12の入力インピーダンスを伝送線路に整合させることが可能である。従って、差動インバータDINV12を実施の形態2~8にかかる角速度センサに適用することにより、角速度の検出精度を向上させることが可能である。実施の形態13次に、本発明の実施の形態13にかかる差動インバータDINV13について説明する。図15は、実施の形態13にかかる差動インバータDINV13の構成を示す回路図である。図15に示すように、差動インバータDINV13は、抵抗R8及びR9、インバータINV131及びINV132、インダクタL1、容量C1を有する。抵抗R8は、入力INTと出力OUTTとの間に接続される。抵抗R9は、入力INBと出力OUTBとの間に接続される。インバータINV131の入力は入力INTと接続され、インバータINV131の出力は出力OUTBと接続される。インバータINV132の入力は入力INBと接続され、インバータINV132の出力は出力OUTTと接続される。インダクタL1と容量C1とは、出力OUTTと出力OUTBとの間に並列に接続される。差動インバータDINV13は、LC共振回路として機能する。差動インバータDINV13は、入力信号に対して注入同期し、入力信号の周波数で共振する。この際、LC共振回路の共振周波数をリングオシレータの発振周波数に近くなるように設計すると、インジェクションロック注入同期が起こる。その結果、LC共振器の発振周波数はインバータの発振周波数に一致する。なお、LC共振回路の共振周波数をリングオシレータの発振周波数に近づけるほど、差動インバータDINV13での遅延時間が小さくなる。これにより、遅延時間に起因する誤差を抑制し、測定精度を向上させることができる。なお、インダクタL1は、固定インダクタでも可変インダクタでもよい。容量C1は、固定容量でも可変容量でもよい。例えば、インダクタL1が可変インダクタ、容量C1が可変容量である場合、よって、入力信号の周波数がある程度変化しても、インダクタL1のインダクタンス値及び容量C1の容量値を調整することにより、入力信号に追従することができる。インダクタL1のインダクタンス値及び容量C1の容量値の調整は、外部に設けられた制御回路不図示などから、インダクタL1及び容量C1へ、制御信号を供給することにより実現できる。例えば、外部に設けられた制御回路は入力信号の周波数を検出し、検出結果に基づいて制御信号を生成することが可能である。これにより、差動インバータDINV13は、例えば最大周波数の1/4倍~1倍の周波数帯において共振が可能となる。従って、差動インバータDINV12を実施の形態2~8にかかる角速度センサに適用することにより、角速度の検出精度を向上させることが可能である。なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、リングオシレータの数は上述の例に限られない。例えば、実施の形態1ではリングオシレータ11は3個のインバータを有するが、1又は5以上の任意の奇数個のインバータによりリングオシレータを構成することが可能である。実施の形態2では、リングオシレータ21は4個の差動インバータを有するが、2又は6以上の任意の偶数個の差動インバータによりリングオシレータを構成することが可能である。また、リングオシレータ21は、奇数個の差動インバータにより構成することが可能である。この際、用いる差動インバータの個数をmmは、2以上の整数とすると、各差動インバータの正相出力が次段の差動インバータの正相入力と接続され、各差動インバータの逆相出力が次段の差動インバータの逆相入力と接続される構成とすればよい。