"第1部分と、前記第1部分よりも厚い部分であって前記第1部分の主面から立ち上がる側面を有する第2部分と、を含む第1導電形の第1半導体層と、前記第2部分の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2導電形の第2半導体層と、酸化インジウムスズを含み、前記第1部分の主面に沿って設けられ、前記第2部分の側面に接し、前記側面の部分の厚さよりも薄い第1電極層と、酸化インジウムスズを含み、前記第2半導体層の上に設けられ、前記第1電極層と異なる厚さを有する第2電極層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。第1部分と、前記第1部分よりも厚い部分であって前記第1部分の主面から立ち上がる側面を有する第2部分と、を含む第1導電形の第1半導体層と、前記第2部分の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2導電形の第2半導体層と、前記第1部分の主面に沿って設けられ、前記第2部分の側面に接する第1電極層と、前記第2半導体層の上に設けられた第2電極層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。前記第1電極層は、前記発光層から放出した光を透過する透光性材料によって形成され、前記第2電極層は、前記発光層から放出した光を透過する透光性材料によって形成されたことを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。第1導電形の第1半導体層、発光層及び第2導電形の第2半導体層を順に積層して積層体を形成する工程と、前記積層体の一部を前記第2半導体層から前記第1半導体層の途中まで除去し、前記第1半導体層が露出した露出部分と、前記露出部分以外の積層部分と、を形成する工程と、前記露出部分の表面及び前記積層部分の表面に電極層を形成する工程と、前記積層部分の上における前記電極層上にマスクを形成する工程と、前記マスクを介して前記電極層をエッチングすることで、前記電極層を、前記露出部分の上に残る第1電極層と、前記マスクで覆われた部分に残り、前記第1電極層と厚さが異なる第2電極層と、に分離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。前記第1電極層の厚さを、前記第2電極層の厚さよりも薄く形成することを特徴とする請求項4記載の半導体発光素子の製造方法。前記電極層として、前記発光層から放出した光を透過する透光性材料を用いることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体発光素子の製造方法。前記電極層として、酸化インジウムスズを含む材料を用いることを特徴とする請求項4~6のいずれか1つに記載の半導体発光素子の製造方法。前記露出部分の表面及び前記積層部分の表面に前記電極層を形成した後、前記マスクを形成する前に、前記電極層のエッチングを行って、前記露出部分の上の前記電極層の膜厚である第1の膜厚と、前記積層部分の上の前記電極層の膜厚である第2の膜厚と、に差を設ける工程をさらに備えたことを特徴とする請求項4~7のいずれか1つに記載の半導体発光素子の製造方法。前記第1の膜厚は、前記第2の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項8記載の半導体発光素子の製造方法。本発明の実施形態は、発光効率の向上、及び製造工程の簡素化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。実施形態に係る半導体発光素子は、第1半導体層と、発光層と、第2半導体層と、第1電極層と、第2電極層と、を備える。第1半導体層は、第1導電形であって、第1部分と、第1部分よりも厚い第2部分と、を含む。第2部分は、第1部分の主面から立ち上がる側面を有する。発光層は、第2部分の上に設けられる。第2半導体層は、第2導電形であって、発光層の上に設けられる。第1電極層は、第1部分の主面に沿って設けられ、第2部分の側面に接する。第2電極層は、第2半導体層の上に設けられる。以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。また、以下の説明では、一例として、第1導電形をn形、第2導電形をp形とした具体例を挙げる。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式図である。図1aは、実施形態に係る半導体発光素子110の模式的平面図、図1bは、図1aに示すA-A線の模式的断面図を表している。図1に表したように、第1の実施形態に係る半導体発光素子110は、第1半導体層10と、発光層30と、第2半導体層20と、第1電極層51と、第2電極層52と、を備える。半導体発光素子110においては、第1半導体層10、発光層30及び第2半導体層20が順に積層された積層体100によって発光領域が構成される。積層体100には、例えば窒化物半導体が用いられる。半導体発光素子110は、例えば青色の光を発光するLEDである。ここで、本明細書において窒化物半導体とは、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1またはBxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,xyz≦1なる化学式において組成比x、y及びzをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N窒素以外のV族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。また、本明細書において、第1半導体層10と、第2半導体層20と、をむすぶ方向をZ軸方向、Z軸方向において第1半導体層10から第2半導体層20に向かう側を上側単に、上ともいう。ということにする。第1半導体層10は、第1導電形の半導体層である。すなわち、第1半導体層10は、例えばn形の窒化物半導体層である。第1半導体層10は、第1部分11と、第2部分12と、を含む。第1部分11は、積層体100の一部が除去された部分である。例えば、第1部分11は、積層体100の一部を第2半導体層20から第1半導体層10の途中まで除去することでメサエッチング、第1半導体層10のZ軸方向に沿った厚さが薄くなった部分である。第1部分11での主面11aには、第1半導体層10が露出している。第2部分12は、第1部分11よりもZ軸方向に沿った厚さの厚い部分である。例えば、第2部分12は、積層体100のメサエッチングにおいて、除去されずに残った第1半導体層10の部分である。第2部分12は、第1部分11の主面11aから立ち上がる側面12cを有している。発光層30は、第1半導体層10の第2部分12の上に設けられる。発光層30は、例えば窒化物半導体によって形成される。発光層30には、例えば、井戸層及び障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造が用いられる。第2半導体層20は、発光層30の上に設けられる。第2半導体層20は、第2導電形の半導体層である。第2半導体層20は、例えばp形の窒化物半導体層である。実施形態に係る半導体発光素子110において、第1半導体層10、発光層30及び第2半導体層20は、基板70の上に結晶成長によって形成される。第1半導体層10と、第2半導体層20と、のあいだに発光層30が設けられた積層体100は、半導体発光素子110の発光領域として機能する。実施形態に係る半導体発光素子110においては、第1部分11の主面11aに沿って第1電極層51が設けられ、第2半導体層20の上に第2電極層52が設けられる。第1電極層51は、第2部分12の側面12cに接するように設けられる。第1電極層51は、第2部分12の側面12cの全周にわたり接していても、側面12cの一部に接する部分を有していてもよい。これにより、第1電極層51と、第2部分12の側面12cと、の隙間を減らすことができる。実施形態に係る半導体発光素子110では、第1電極層51が側面12cと接していない場合に比べて、積層体100によって構成される発光領域を大きくすることができる。同じ素子サイズの場合、発光領域が大きくなることで、発光効率を高めることができるようになる。第1電極層51上には、第1電極層51の一部と接する第1金属電極81が設けられる。第1金属電極81は、例えばn側のパッド電極である。また、第2電極層52上には、第2電極層52の一部と接する第2金属電極82が設けられる。第2金属電極82は、例えばp側のパッド電極である。これらのパッド電極には、ボンディングワイヤー等の配線部材が接続され、外部からこの配線部材を介して発光層30に電流が供給される。半導体発光素子110は、p側のパッド電極である第2金属電極82から、n側のパッド電極である第1金属電極81へ駆動電流を流すことにより、発光領域において例えば青色の光を放出することになる。半導体発光素子110において、第1電極層51と、第2電極層52と、は電気的に分離されている。すなわち、第1電極層51は第1半導体層10の第2部分12における側面12cと接しているが、第2電極層52とは導通していない。具体的には、Z軸方向に沿った第1電極層51の厚さt1は、第2部分12における側面12cの部分のZ軸方向に沿った厚さt0よりも薄い。ここで、厚さt1及びt0は、第1部分11の主面11aを基準にした厚さである。これにより、第1電極層51は、第1半導体層10の上に設けられた発光層30及び第2半導体層20には接触しない。したがって、第1電極層51は、第2半導体層20上に設けられた第2電極層52とは電気的に導通しない状態になる。半導体発光素子110において、第1電極層51及び第2電極層52は、発光層30から放出した光を透過する透光性材料によって形成される。第1電極層51及び第2電極層52は、例えば酸化インジウムスズITO:IndiumTinOxideを含む。第1電極層51及び第2電極層52として、例えばITOによる透光性材料が用いられることで、第1半導体層10及び第2半導体層20の広い範囲から発光層30へ電流を注入することができ、発光効率を高めることができる。また、発光層30から放出された光は、第1電極層51及び第2電極層52を透過して、効率良く外部へ取り出されることになる。また、第1電極層51は、積層体100の周りを囲むように形成されている。すなわち、メサ型に形成された積層体100の周囲には、第1半導体層10の露出部分が設けられる。第1電極層51は、この第1半導体層10の露出部分に設けられる。これにより、第1電極層51は、積層体100の周りを囲むように形成されることになる。積層体100の周りを囲むように第1電極層51が設けられていることによって、第2金属電極82から第1金属電極81に向かう電流の経路を拡散させることができる。このため、局所的な電流の集中を緩和することができる。電流が拡散して流れることによって、半導体発光素子110における均一な発光を実現することができる。図2は、発光領域の面積の縮小率と、光出力の変化率と、の関係を例示した図である。図2において、横軸は発光領域の面積の縮小率S、縦軸は光出力の変化率Pである。ここでは、基準となる発光領域の面積の縮小率Sを0、この場合の光出力の変化率Pを0として、発光領域の面積を縮小した場合の光出力の変化率を示している。発光領域の面積の縮小とともに、光出力は低下することがわかる。したがって、例えば、第1電極層51と第2部分12の側面12cとのあいだに間隔が設けられ、発光領域の面積が小さくなると、その発光領域の面積の縮小によって光出力の低下を招くことになる。実施形態に係る半導体発光素子110では、第2部分12の側面12cに、第1電極層51が接するように設けられている。半導体発光素子110では、第1電極層51と第2部分12の側面12cとのあいだに間隔が設けられた半導体発光素子に比べて発光領域の面積を大きくすることができ、輝度の向上を図ることが可能になる。次に、第1の実施形態に係る半導体発光素子110の製造方法についての例である。図3~図4は、半導体発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。先ず、図3aに表したように、基板70の上に、第1半導体層10、発光層30及び第2半導体層20を順に形成する。基板70としては、例えばサファイアからなる結晶成長用の基板が用いられる。第1半導体層10、発光層30及び第2半導体層20は、基板70の上に結晶成長によって形成される。第1半導体層10、発光層30及び第2半導体層20の積層体100は、例えば有機金属気相成長法を用いて形成される。一例として、積層体100は、窒化物半導体によって構成される。積層体100の具体的な構成及び形成方法は、例えば次のようになる。先ず、表面がサファイアc面からなる基板70の上に、バッファ層として、高炭素濃度の第1AlNバッファ層例えば、炭素濃度が3×1018cm-3以上、5×1020cm-3以下で、例えば、厚さが3nm以上、20nm以下、高純度の第2AlNバッファ層例えば、炭素濃度が1×1016cm-3以上3×1018cm-3以下で、厚さが2μm、及びノンドープGaNバッファ層例えば、厚さが2μmが、この順に形成される。上記の第1及び第2AlNバッファ層は、単結晶の窒化アルミニウム層である。第1及び第2AlNバッファ層として単結晶の窒化アルミニウム層を用いることで、後述する結晶成長において高品質な半導体層を形成することができ、結晶に対するダメージが大幅に軽減される。次に、その上に、シリコンSiドープn形GaNコンタクト層例えば、Si濃度が1×1018cm-3以上5×1019cm-3以下で、厚さが6μm、及びSiドープn形Al0.10Ga0.90Nクラッド層例えば、Si濃度が1×1018cm-3で、厚さが0.02μmが、この順番で順次形成される。Siドープn形GaNコンタクト層、及びSiドープn形Al0.10Ga0.90Nクラッド層は、第1半導体層10である。なお、便宜上、上記バッファ層の全部または一部を第1半導体層10に含めてもよい。次に、その上に、発光層30として、Siドープn形Al0.11Ga0.89Nバリア層と、GaInN井戸層と、が交互に3周期積層され、さらに、多重量子井戸の最終Al0.11Ga0.89Nバリア層がさらに積層される。Siドープn形Al0.11Ga0.89Nバリア層においては、例えばSi濃度が1.1×1019cm-3以上1.5×1019cm-3以下とされる。最終Al0.11Ga0.89Nバリア層においては、例えばSi濃度が1.1×1019cm-3以上1.5×1019cm-3以下で、例えば厚さが0.01μmとされる。このような多重量子井戸構造の厚さは、例えば0.075μmとされる。この後、Siドープn型Al0.11Ga0.89N層例えば、Si濃度が0.8×1019cm-3以上1.0×1019cm-3以下で、例えば、厚さがを0.01μmを形成する。なお、発光層30における発光光の波長は、例えば370nm以上、480nm以下である。さらに、第2半導体層20として、ノンドープAl0.11Ga0.89Nスペーサ層例えば、厚さが0.02μm、Mgドープp形Al0.28Ga0.72Nクラッド層例えば、Mg濃度が1×1019cm-3で、例えば、厚さが0.02μm、Mgドープp形GaNコンタクト層例えば、Mg濃度が1×1019cm-3で、例えば、厚さが0.4μm、及び、高濃度Mgドープp形GaNコンタクト層例えば、Mg濃度が5×1019cm-3で、例えば、厚さが0.02μmが、この順で順次形成される。なお、上記の組成、組成比、不純物の種類、不純物濃度及び厚さは一例であり、種々の変形が可能である。次に、図3bに表したように、積層体100を選択的にエッチングして、メサ構造を形成する。実施形態では、例えばRIEReactiveIonEtchingによるドライエッチングを用いる。このエッチングでは、積層体100の一部について第2半導体層20から第1半導体層10の途中まで除去する処理を行う。エッチングによって第1半導体層10が露出した部分が第1部分11になる。また、エッチングされずに残った第1半導体層10の部分が第2部分12になる。次に、図3cに表したように、積層体100エッチングされずに残った積層部分の表面及び第1半導体層10の露出した部分の表面の全体を覆うように電極材料50を成膜する。電極材料50には、発光層30から放出される光を透過する透光性材料が用いられる。実施形態では、電極材料50としてITOが用いられる。ITOによる電極材料50は、例えばスパッタ法によって成膜される。成膜された電極材料50の、積層体100の側面100c第2部分12の側面12cを含むでの膜厚t30は、積層体100の上面100aの膜厚t20及び露出している第1半導体層10の主面11aでの膜厚t10よりも薄い。なお、膜厚t10及びt20は、ほぼ同じ厚さである。膜厚t10及びt20は、例えば100nm以上、300nm以下である。膜厚t30は、例えば、30nm以上、150nm以下である。次に、図4aに表したように、積層体100の上面100aである第2半導体層20の上にレジストパターンR1を形成する。レジストパターンR1の外形における外縁は、上面100aの外形における外縁よりもわずかに内側になっている。これは、フォトリソグラフィの精度を考慮して、その後のエッチングを確実に行うためである。次に、図4bに表したように、レジストパターンR1をマスクにして電極材料50のエッチングを行う。エッチングとしては、例えばウェットエッチングが用いられる。ITOのエッチャントには、例えば、塩酸HCl及び硝酸HNO3の混合液が用いられる。ここで、電極材料50のエッチングにおいては、第2半導体層20の上に形成された電極材料50のエッチングレートと、第1部分11において露出する第1半導体層10の上に形成された電極材料50のエッチングレートと、に相違がある。具体的には、第2半導体層20の上に形成された電極材料50のエッチングレートは、第1半導体層10の上に形成された電極材料50のエッチングレートよりも高い。したがって、レジストパターンR1によって覆われていない第2半導体層20上の電極材料50は、第1半導体層10上の電極材料50よりも先にエッチングが進行し、この部分が除去されても、第1半導体層10上の電極材料50は残ることになる。また、積層体100の側面100cに形成されていた電極材料50は、第1半導体層10上の電極材料50よりも薄いため、第1半導体層10上の電極材料50よりも先に除去されることになる。つまり、このエッチングによって、レジストパターンR1によって覆われていない第2半導体層20上の電極材料50と、積層体100の側面100cに形成されていた電極材料50と、が除去される。これにより、第1半導体層10上に残った電極材料50が、第1電極層51になり、レジストパターンR1によって覆われていた第2半導体層20上の電極材料50が、第2電極層52になる。側面100cに形成されていた電極材料50が除去されることで、第1電極層51と、第2電極層52と、は分離される状態になる。ここで、電極材料50のエッチングの状態について説明する。図5は、電極材料ITOのエッチング前後の状態を例示する図である。図5では、第1部分11、第2部分12及び側面12cに形成された電極材料50のエッチング前後の状態を例示する電子顕微鏡写真である。図5aはエッチング前の状態、図5bはエッチング後の状態を示している。図5aに表したように、電極材料50は、第1半導体層10の第1部分11の上、及び第2半導体層20の上に、約170nmの膜厚で形成されている。側面12c100cには、約60nmの膜厚で形成されている。この電極材料50に対して、所定時間のウェットエッチングを施すと、図5bに表したような状態になる。すなわち、第2半導体層20の上、及び側面12c100cに形成されていた電極材料50はエッチングによって除去されるものの、第1半導体層10の第1部分11の上に形成された電極材料50は残ることになる。第1半導体層10上の電極材料50と、第2半導体層20上の電極材料50と、のエッチングレートの違いは、第1半導体層10及び第2半導体層20のそれぞれの表面状態の相違に起因すると考えられる。ここで、表面状態の相違には、各層のドーパントの相違、不純物濃度の相違、表面に付着した物質の相違、表面粗さの相違などが含まれる。実施形態においては、第1部分11における第1半導体層10の表面は、積層体100のRIEによって露出した面である。したがって、この露出する第1半導体層10の表面は、RIEの際に用いたガス例えば、塩素ガスが残留している。また、第2半導体層20の表面に比べて、第1半導体層10の表面は、RIEによる表面粗さが増している。このような表面状態の相違によって、その上に成膜した電極材料50のエッチングレートに差が生じることになると考えられる。実施形態では、このようなエッチングレートの差を利用して、一度のエッチングによって電極材料50を第1電極層51と、第2電極層52と、に分離する。つまり、第1電極層51を残しつつ、第2電極層52との分離を図ることができる。また、側面12c100cに形成された電極材料50は、第1半導体層10及び第2半導体層20の上に形成された電極材料50よりも薄いため、エッチングによって除去される。このようなエッチングによって、第1電極層51と、第2電極層52と、を別々の工程で製造する必要がなく、形成することが可能になる。図4bに表したように、電極材料50をエッチングした後に残された第1電極層51は、主面11aに沿って側面12cに接する状態になる。つまり、第1半導体層10上の電極材料50は、厚さが薄くなるだけで面積は変わらない。したがって、第1電極層51は積層体100をエッチングした際に設けられた第1半導体層10の露出面のほぼ全面に形成されることになる。例えば、第1電極層51は、側面12cとのあいだに隙間なく形成され、しかも、積層体100の周りを囲むように形成される。このエッチングによって形成された第1電極層51の厚さはt1になる。厚さt1は、第2部分12における側面12cの部分の厚さt0よりも薄い。したがって、第1電極層51が側面12cに接していても、第2部分12の上に形成された発光層30及び第2半導体層20には接しない。電極材料50をエッチングしたのちは、レジストパターンR1を除去する。その後、図4cに表したように、第1電極層51の上に第1金属電極81を形成し、第2電極層52の上に第2金属電極82を形成する。これによって、半導体発光素子110が完成する。このような製造方法によれば、第1電極層51及び第2電極層52を一度のエッチング処理で形成することができ、半導体発光素子110の製造工程の簡素化を図ることができる。また、第2部分12の側面12cと、第1電極層51と、の隙間を減らすことができる。これにより、発光領域の面積を大きくすることができ、発光効率の優れた半導体発光素子110を製造することが可能になる。第2の実施形態次に、第2の実施形態について説明する。図6は、第2の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。図6に表したように、実施形態に係る半導体発光素子120では、第1電極層51の厚さt1’が、第2電極層52の厚さt2以上になっている。厚さt1’は、第2部分12における側面12cの部分の厚さt0よりも薄い。この半導体発光素子120における第1電極層51の厚さt1’は、第1の実施形態に係る半導体発光素子110における第1電極層51の厚さt1よりも厚い。したがって、半導体発光素子120では、半導体発光素子110に比べて第1電極層51のシート抵抗を下げることができる。これにより、更なる発光効率の向上を達成する。第2の実施形態に係る半導体発光素子120の製造方法について説明する。図7~図8は、半導体発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。この製造方法において、基板70に第1半導体層10、発光層30及び第2半導体層20を結晶成長して積層体100を形成する工程、及び積層体100をエッチングしてメサ構造を形成する工程は、図3a~bに例示した第2の実施形態と同様である。次に、図7aに表したように、積層体100の表面及び第1半導体層10の露出した面の全面に電極材料50を成膜する。電極材料50には、先と同様に、例えばITOが用いられる。電極材料50の、第1半導体層10上での膜厚はt40、積層体100の上面100aでの膜厚はt50、積層体100の側面での膜厚はt60である。膜厚t40及びt50は、ほぼ同じ厚さである。膜厚t60は、膜厚t40及びt50よりも薄い。本実施形態では、電極材料50の膜厚として、図3cに表した第2の実施形態における電極材料50の膜厚よりも厚くしておくことが望ましい。次に、図7bに表したように、先に形成した電極材料50の全面をエッチングする。エッチングとしては、例えばウェットエッチングが用いられる。ITOのエッチャントには、例えば、HCl及びHNO3の混合液が用いられる。ここで、先に説明したように、電極材料50のエッチングにおいては、第2半導体層20の上に形成された電極材料50のエッチングレートは、第1部分11において露出する第1半導体層10の上に形成された電極材料50のエッチングレートよりも高い。このため、電極材料50に対する全面のエッチングによって、残った第2半導体層20の上の電極材料50の膜厚t51第2の膜厚は、第1半導体層20の上の電極材料50の膜厚t41第1の膜厚よりも薄くなる。つまり、膜厚t41は、膜厚t51よりも厚くなる。次に、図7cに表したように、積層体100の上面100aである第2半導体層20の上にレジストパターンR1を形成する。そして、このレジストパターンR1をマスクにして電極材料50のエッチングを行う。上記のようなエッチングレートの相違によって、レジストパターンR1によって覆われていない第2半導体層20上の電極材料50は、第1半導体層10上の電極材料50よりも先にエッチングが進行し、この部分が除去されても、第1半導体層10上の電極材料50は残ることになる。また、積層体100の側面100cに形成されていた電極材料50は、第1半導体層10上の電極材料50よりも薄いため、第1半導体層10上の電極材料50よりも先に除去されることになる。このエッチングによって、レジストパターンR1によって覆われていない第2半導体層20上の電極材料50と、積層体100の側面100cに形成されていた電極材料50と、が除去される。図8aに表したように、このエッチングによって、第1半導体層10上に残った電極材料50が、第1電極層51になり、レジストパターンR1によって覆われていた第2半導体層20上の電極材料50が、第2電極層52になる。側面100cに形成されていた電極材料50が除去されることで、第1電極層51と、第2電極層52と、は分離される状態になる。このエッチングによって形成された第1電極層51の厚さはt1’になる。一方、第2電極層52の厚さはt51のまま維持される。第1電極層51の厚さt1’は、エッチング前の膜厚t41よりも薄くなるが、第2電極層51の厚さt51以上の厚さになっている。つまり、エッチング前の電極材料50の膜厚t41と、膜厚t51と、の差を、エッチングによる減少量t41とt1’との差以上にしておくことで、第1電極層51の厚さt1’を、第2電極層52の厚さt51以上にすることができる。ここで、厚さt51は、図6に表した厚さt2と同じである。電極材料50をエッチングしたのちは、レジストパターンR1を除去する。その後、図8bに表したように、第1電極層51の上に第1金属電極81を形成し、第2電極層52の上に第2金属電極82を形成する。これによって、半導体発光素子120が完成する。このような製造方法によれば、図7bに表した工程で、電極材料50の全面エッチングの量を調整することにより、第1電極層51の厚さt1’と、第2電極層52の厚さt51と、の差を調整することができる。これにより、第1電極層51と、第2電極層52と、のシート抵抗のバランスを調整して、発光効率のよい半導体発光素子120を製造することが可能になる。第3の実施形態図9は、第3の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式図である。図9aは、実施形態に係る半導体発光素子130の模式的平面図、図9bは、図9aに示すD-D線の模式的断面図を表している。図9に表したように、第5の実施形態に係る半導体発光素子130では、第1部分11は、パッド部分11pと、延出部分11eと、を含む。また、第1金属電極81は、パッド電極部分81pと、延出電極部分81eと、を含む。延出部分11eは、パッド部分11pから、主面11aに沿って第1金属電極81から第2金属電極82に向かう方向に沿って設けられる。パッド電極部分81pは、パッド部分11pの上に設けられる。延出電極部分81eは、延出部分11eの上に設けられる。延出電極部分81eは、パッド電極部分81pよりも細長い形状であり、パッド電極部分81pから第2金属電極82に向かう方向へ延びる状態に設けられている。第1電極層51は、第1部分11におけるパッド部分11p及び延出部分11eの上に設けられる。このような延出電極部分81eを備えた構成であっても、第1電極層51は、第2部分12の側面12cと接するように形成されている。半導体発光素子130を製造するには、図3bに表した工程において、積層体100をメサ型にエッチングする際のマスクの形状を、パッド部分11p及び延出部分11eに対応した開口を有するものにすればよい。また、図4cに表した工程において、第1金属電極81の形状を、パッド電極部分81p及び延出電極部分81eの形状に合わせるようにすればよい。第1金属電極81の延出電極部分81eは、いわゆる細線電極として機能する。これにより、第1金属電極81と、第2金属電極82と、のあいだの電流集中を緩和して、均一な発光を行うことができる。半導体発光素子130のように延出部分11e及び延出電極部分81eを備える構成では、これらを備えていない半導体発光素子110及び120に比べて、第2部分12の外形における周縁の長さが長い。本実施形態に係る半導体発光素子130では、第1電極層51と、第2部分12の側面12cと、が接しているため、第1電極層51と側面12cとの隙間を減らすことができる。したがって、第2部分12の周縁の長さが長くなっても、発光領域の面積の縮小化の影響を受けずに済むことになる。なお、延出部分11e及び延出電極部分81eの形状や本数は、上記に限定されない。例えば、パッド部分11p及びパッド電極部分81pから複数の延出部分11e及び延出電極部分81eが設けられていてもよい。また、一つの延出部分11e及び延出電極部分81eから、他の延出部分11e及び延出電極部分81eが枝分かれするように設けられていてもよい。以上説明したように、実施形態に係る半導体発光素子及びその製造方法によれば、発光効率の向上、及び製造工程の簡素化を図ることができる。なお、上記に本実施の形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、実施形態では、第1導電形をn形、第2導電形をp形として説明したが、第1導電形をp形、第2導電形をn形としても適用可能である。また、積層体100に窒化物半導体を用いる例を説明したが、窒化物半導体以外の半導体であっても適用可能である。また、前述の各実施の形態またはその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものもや、各実施の形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"