"導体上に絶縁塗料を塗布し、焼付けして得られる絶縁皮膜を有し、前記絶縁皮膜が分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなることを特徴とする絶縁電線。前記絶縁皮膜は、ガラス転移温度Tgが250°C以上であり、250°Cにおける弾性率が100MPa以上である請求項1に記載の絶縁電線。前記絶縁皮膜は、3つ以上の芳香環を有すると共に連結基として1つ以上のエーテル結合を有するジアミン成分Aを、分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物成分Bに対して、2モル以上20モル以下の割合で過剰に配合して得られるポリイミド樹脂からなる請求項1又は2に記載の絶縁電線。前記テトラカルボン酸二無水物成分Bは、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物からなる請求項3に記載の絶縁電線。前記ジアミン成分Aは、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼンTPE-Q、1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼンTPE-R、1,3-ビス3-アミノフェノキシベンゼンAPB、4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニルBAPB、2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパンBAPP、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホンBAPS、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]スルホンBAPS-M、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]ヘキサフルオロプロパンHFBAPPからなる請求項3に記載の絶縁電線。請求項1~5のいずれかに記載の絶縁電線を用いて形成されたコイル。近年では、モータの駆動電圧が上昇するに伴って、部分放電が発生するリスクは更に高くなってきているが、これに加えて、高温環境下での使用も想定され、この高温環境下でも部分放電開始電圧が高いことが望まれている。しかし、上記したような絶縁皮膜の誘電率を低下させる方法では、低誘電率化が樹脂構造に依存することから、耐熱性や可とう性などの機械的特性が低下することがあった。そのため、コイルを成形する際の曲げ加工に耐えうる可とう性などの機械的特性を維持しながら、高温環境下においても高い部分放電開始電圧を得ることは容易ではなかった。そこで、本発明の目的は、高温環境下でも部分放電開始電圧が高く、可とう性などの機械的特性も良好な絶縁電線およびそれを用いたコイルを提供することにある。上記目的を達成するために請求項1の発明は、導体上に絶縁塗料を塗布し、焼付けして得られる絶縁皮膜を有し、前記絶縁皮膜が分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなることを特徴とする絶縁電線である。請求項2の発明は、前記絶縁皮膜は、ガラス転移温度Tgが250°C以上であり、250°Cにおける弾性率が100MPa以上である請求項1に記載の絶縁電線である。請求項3の発明は、前記絶縁皮膜は、3つ以上の芳香環を有すると共に連結基として1つ以上のエーテル結合を有するジアミン成分Aを、分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物Bに対して、2モル~20モルの割合で過剰に配合して得られるポリイミド樹脂からなる請求項1又は2に記載の絶縁電線である。請求項4の発明は、前記テトラカルボン酸二無水物Bは、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物からなる請求項3に記載の絶縁電線である。請求項5の発明は、前記ジアミン成分Aは、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼンTPE-Q、1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼンTPE-R、1,3-ビス3-アミノフェノキシベンゼンAPB、4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニルBAPB、2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパンBAPP、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホンBAPS、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]スルホンBAPS-M、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]ヘキサフルオロプロパンHFBAPPからなる請求項3に記載の絶縁電線である。請求項6の発明は、請求項1~5のいずれかに記載の絶縁電線を用いて形成されたコイルである。本発明は、高温環境下でも部分放電開始電圧が高く、可とう性などの機械的特性も良好な絶縁電線およびそれを用いたコイルを提供することが出来る。以下、本発明の好適な一実施の形態を詳述する。本発明は、導体上に絶縁塗料を塗布し、焼付けして得られる絶縁皮膜を有し、前記絶縁皮膜が分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなる絶縁電線である。本発明では、上記したように絶縁皮膜を分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂で構成することで、このイミン結合が架橋成分となるために、低誘電率化による耐熱性や可とう性の低下を抑制することができることを見出した。これにより、コイルを成形する際の曲げ加工に耐えうる可とう性などの機械的特性を維持しながら、高温環境下においても高い部分放電開始電圧を有する絶縁電線を得ることができる。また本発明は、高温例えば220°Cでも部分放電開始電圧の高い絶縁皮膜例えば、220°Cで950Vp以上/50μmで、常温23°Cの部分放電開始電圧に対し、85以上の部分放電開始電圧を有するが得られると共に、可とう性の良好な絶縁皮膜を有する絶縁電線およびそれを用いたコイルである。本発明の絶縁皮膜を構成するポリイミド樹脂としては、3つ以上の芳香環を有すると共に連結基として1つ以上のエーテル結合を有するジアミンからなるジアミン成分Aを、分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物からなるテトラカルボン酸二無水物成分Bに対して、2モル以上20モル以下の割合で過剰に配合して得られるポリイミド樹脂がよい。つまり、本発明の絶縁皮膜は、上記したジアミン成分Aと上記したテトラカルボン酸二無水物成分Bとがモル比率モルでA/B=102/100~120/100の割合で配合したポリイミド樹脂前駆体により得られるポリイミド樹脂であることがよい。このような割合でジアミン成分Aがテトラカルボン酸二無水物成分Bよりも過剰量となるように配合したポリイミド樹脂前駆体を用いることにより、このようなポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料が塗布された導体を焼付炉にて焼付けした際に、ジアミン成分Aとテトラカルボン酸二無水物成分Bとを合成した際に反応しなかった過剰量分のジアミン成分Aが、導体上に塗布された絶縁塗料を焼付けして絶縁皮膜とする時の熱によってテトラカルボン酸二無水物成分Bに含まれるカルボニル基とイミン結合し、架橋成分となる。これにより、上述したように、コイルを成形する際の曲げ加工に耐え得る可とう性などの機械的特性を維持しながら、高温環境下においても高い部分放電開始電圧を有する絶縁電線を得ることができる。上記のポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を用いて形成された分子構造中にイミン結合結合を有する絶縁皮膜は、ガラス転移温度Tgが250°C以上であり、250°Cにおける弾性率が100MPa以上である。このようなガラス転移温度、弾性率を有することにより、絶縁皮膜が熱によって軟化しにくく、高温環境下において部分放電開始電圧が低下する割合を小さくすることができる。ジアミン成分Aのテトラカルボン酸二無水物成分Bに対する過剰量が2モル未満であると、イミン結合よりなる架橋成分が少ないために、高温環境下において高い部分放電開始電圧が得られないおそれがある。また、ジアミン成分Aのテトラカルボン酸二無水物成分Bに対する過剰量が20モルより過剰であると、ポリイミド樹脂の分子量が低下するために、絶縁皮膜の機械的特性の低下につながるおそれがある。また、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を導体上に塗装する際の作業性塗装作業性の低下防止の観点から、ジアミン成分Aの過剰量は上記範囲とすることが好ましい。ジアミン成分A:ジアミン成分Aとしては、3つ以上の芳香環を有すると共に連結基として1つ以上のエーテル結合を有するジアミンが用いられる。ジアミン成分Aとしては、3つ以上の芳香環を有するジアミンであることが、モノマーの分子量を大きくし、ポリイミド樹脂のイミド基濃度を低減させるのに有効に作用する。また、ジアミン成分Aが連結基としてエーテル結合を有するジアミンであることが、絶縁皮膜の柔軟性柔かさを向上させるのに有効に作用する。これらの作用により、部分放電開始電圧が高く、可とう性などの機械的特性も良好な絶縁皮膜を得ることができる。このようなジアミン成分Aとしては、例えば、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼンTPE-Q、1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼンTPE-R、1,3-ビス3-アミノフェノキシベンゼンAPB、4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニルBAPB、2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパンBAPP、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホンBAPS、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]スルホンBAPS-M、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]ヘキサフルオロプロパンHFBAPPなどのジアミンが挙げられる。これらのジアミンのうち1種を単独で用いるか、もしくは2種以上を併用してもよい。コスト、低誘電率化の観点から、分子量が大きく繰返し単位当たりのイミド基濃度の低減に有効な効果が得られる2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパンBAPPをジアミン成分Aとして用いることがより好ましい。テトラカルボン酸二無水物成分B:テトラカルボン酸二無水物成分B以下成分Bというとしては、分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物が用いられ、例えば、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDAなどが挙げられる。溶剤:ジアミン成分Aと成分Bとを合成反応させるときに用いる溶剤としては、N-メチル-2-ピロリドンNMPやγ-ブチロラクトン、N,N-ジメチルアセトアミドDMAc、N,N-ジメチルホルムアミドDMF、ジメチルイミダゾリジノンDMI、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノンなどが挙げられ、ポリイミド樹脂前駆体の合成反応を阻害しない溶剤を併用して合成しても良いし、希釈しても良い。また、希釈用途として芳香族アルキルベンゼン類などを併用しても良い。但し、ポリイミド樹脂の溶解性を低下させるおそれがある場合は考慮する必要がある。ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料:ジアミン成分Aを溶剤に溶解し、次いで成分Bを配合し、窒素雰囲気下で攪拌することでポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料が得られる。絶縁電線の製造:本形態に係る絶縁電線は、断面が丸形状、あるいは四角形状の導体の表面、または他の皮膜上に、上述したポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を塗布焼付けして分子構造中にイミン結合を有する絶縁皮膜を形成して製造される。また、分子構造中にイミン結合を有する絶縁皮膜の上層に、潤滑性を付与するための潤滑付与層や耐傷性を付与する耐傷性付与層を形成してもよい。また、分子構造中にイミン結合を有する絶縁皮膜の下層で導体の直上に、導体と当該絶縁皮膜との密着性を向上させるための密着性付与層などを形成してもよい。導体は、銅導体やアルミ導体などが使用できる。特に、銅導体からなる場合には、主に無酸素銅や低酸素銅などが使用される。なお、導体にはこれに限定されるものではなく、例えば銅の外周にニッケルなどの金属めっきを施した導体も使用可能である。なお、断面が四角形状の導体は、角の部分が所定の曲率で湾曲して尖っていない形状のものも含むものとする。次に本発明の実施例を比較例と併せて説明する。塗料合成法と絶縁電線の作製攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコに3つ以上の芳香環と連結基として少なくとも1つ以上のエーテル結合を有するジアミンからなるジアミン成分Aと溶剤としてN-メチル-2-ピロリドンNMPを配合し、室温、100rpmで攪拌させ、ジアミンを溶剤に溶解させた。次いでテトラカルボン酸二無水物成分Bを配合し、100rpm、窒素雰囲気下で24hr攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。また、得られたポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を、外径が0.8mmの導体上に塗布し、焼付けする工程を数回繰り返して厚さが50μmの絶縁皮膜を有する絶縁電線を得た。絶縁電線の特性評価部分放電開始電圧JISC3003に準拠する方法により、ツイストペアの絶縁電線のサンプルを作製した。次に、作製したサンプルの端部から10mmの位置までの絶縁皮膜を削って導体を露出させて端末処理部を形成した。測定は、恒温恒湿槽中に端末処理部が形成されたサンプルを設置し、各端末処理部に電極を接続し、温度220°Cの雰囲気の場合と、温度23°C、湿度50の雰囲気の場合のそれぞれで50Hzの電圧を10~30V/sの割合で昇圧させながら、ツイストペアの絶縁電線に100pCの放電が1秒間に50回発生する電圧まで昇圧して行った。これを3回繰返し測定したそれぞれの値の平均値を部分放電開始電圧とした。また、温度23°Cの場合の部分放電開始電圧に対する温度220°Cの場合の部分放電開始電圧の比率を残率とした。耐軟化温度得られた絶縁電線から120mmのサンプルを2本切り出し、片側末端の絶縁皮膜を削った。それぞれを十字に交差し、6.9N0.7kgfの荷重をかけた状態で、東特塗料株製耐軟化試験機K7800に取り付け、電圧を印加した状態で、0.1°C/minの速度で昇温し、絶縁電線間で導通した時の温度を耐軟化温度とした。可とう性可とう性試験は、JISC30037.1.1a巻付けに準拠した方法で絶縁電線を20伸長して行った。その後、20伸長した絶縁電線を、当該絶縁電線の導体径の1~10倍の直径を有する巻き付け棒へJISC30037.1.1a巻付けに準拠した方法で巻き付け、光学顕微鏡を用いて絶縁皮膜に亀裂の発生が見られない最小巻き付け倍径dを測定した。弾性率貯蔵弾性率弾性率貯蔵弾性率の測定は、各実施例、比較例で使用したポリイミド樹脂からなる絶縁塗料を用いて25μm厚さ×5mm×20mmのシート状の評価用絶縁皮膜を作製して行った。動的粘弾性測定装置アイティー計測制御株式会社、DVA-200を用いて室温から400°Cまでを昇温速度10°C/minで昇温しながら、評価用絶縁皮膜の100Hz振動時の貯蔵弾性率を測定した。ガラス転移温度ガラス転移温度Tgは、上記の貯蔵弾性率測定において、貯蔵弾性率が低下する変曲点の温度をガラス転移温度Tgとして測定した。実施例1:攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分Aとして2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパンBAPP563.7g102モル、溶剤としてNMP3000gを配合し、室温、100rpmで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物成分Bとして3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDA成分Bを436.5g100モルを投入し、室温で24hr攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分Aと成分Bのモル比成分A/成分Bは102/100である。次に、外径が0.8mmの導体上に得られた絶縁塗料を塗布し、焼付けすることを繰り返して厚さが50μmであり、分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。実施例2:攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分Aとして2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパンBAPP582.1g110モル、溶剤としてNMP3000gを配合し、室温、100rpmで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物成分Bとして3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDA成分Bを418g100モル投入し、室温で24hr攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分Aと成分Bのモル比成分A/成分Bは110/100である。次に、外径が0.8mmの導体上に得られた絶縁塗料を塗布し、焼付けすることを繰り返して厚さが50μmであり、分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。実施例3:攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分Aとして2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパンBAPP603.1g120モル、溶剤としてNMP3000gを配合し、室温、100rpmで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物成分Bとして3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDA成分Bを397.0g100モルを投入し、室温で24hr攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分Aと成分Bのモル比成分A/成分Bは120/100である。次に、外径が0.8mmの導体上に得られた絶縁塗料を塗布し、焼付けすることを操り返して厚さが50μmであり、分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。実施例4:攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分Aとして4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニルBAPB544.2g105モル、溶剤としてNMP3000gを配合し、室温、100rpmで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物成分Bとして3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDA成分Bを455.8g100モルを投入し、室温で24hr攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分Aと成分Bのモル比成分A/成分Bは105/100である。次に、外径が0.8mmの導体上に得られた絶縁塗料を塗布し、焼付けすることを繰り返して厚さが50μmであり、分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。実施例5:攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分Aとして2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパンBAPP612.8g125モル、溶剤としてNMP3000gを配合し、室温、100rpmで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物成分Bとして3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDA成分Bを382.7g100モルを投入し、室温で24hr攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分Aと成分Bのモル比成分A/成分Bは125/100である。次に、外径が0.8mmの導体上に得られた絶縁塗料を塗布し、焼付けすることを繰り返して厚さが50μmであり、分子構造中にイミン結合を有するポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。比較例1:攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分Aとして2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパンBAPP558.7g100モル、溶剤としてNMP3000gを配合し、室温、100rpmで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有するテトラカルボン酸二無水物として3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDA成分Bを441.3g100モルを投入し、室温で24hr攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分Aと成分Bのモル比成分A/成分Bは100/100である。次に、外径が0.8mmの導体上に得られた絶縁塗料を塗布し、焼付けすることを繰り返して厚さが50μmであり、分子構造中にイミン結合を有しないポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。比較例2:攪拌棒、窒素流入管を取り付けたフラスコにジアミン成分Aとして2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパンBAPP579.9g105モル、溶剤としてNMP3000gを配合し、室温、100rpmで攪拌させ、ジアミンを溶解させた。次いで分子構造中にカルボニル基を有しないテトラカルボン酸二無水物成分Bとして4,4’-オキシジフタル酸二無水物ODPA成分Bを420.1g100モルを投入し、室温で24hr攪拌し、ポリイミド樹脂前駆体からなる絶縁塗料を得た。成分Aと成分Bのモル比成分A/成分Bは105/100である。次に、外径が0.8mmの導体上に得られた絶縁塗料を塗布、焼付けを繰り返して厚さが50μmであり、分子構造中にイミン結合を有しないポリイミド樹脂からなる絶縁皮膜を形成した絶縁電線を得た。実施例1~5は、220°Cでの部分放電開始電圧が960Vp以上と高く、残率も85以上であり、また可とう性も良好である。これに対して比較例1はジアミン成分Aが成分Вに対して等しいモル量で配合されているとともに、架橋成分となるイミン結合が絶縁皮膜の分子構造中に存在していないことにより、部分放電開始電圧が908Vpと低くなったと考えられる。また比較例2は、成分Aと成分Bのモル比成分A/成分Bは105/100であるものの、分子構造中にカルボニル基を有しないテトラカルボン酸二無水物ODPAを用いているため、架橋反応が起きず、イミン結合が絶縁皮膜の分子構造中に存在していないことにより、部分放電開始電圧が低くなったと考えられる。"