基板に対して処理液により処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、表面にパターンが形成された複数枚の基板を垂直姿勢で保持しつつ、前記処理槽内と前記処理槽の上方位置との間で移動可能な基板保持手段と、前記処理槽内から前記処理槽の上方位置へ移動している前記基板保持手段に保持された複数枚の基板に乾燥ガスを供給する供給手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に対して垂直方向に基板を傾けるように、前記基板保持手段を制御する前記第1傾斜手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に対して水平方向に基板を傾けるように、前記基板保持手段を制御する前記第2傾斜手段と、備えることを特徴とする基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置において、前記基板保持手段が前記処理槽内から前記処理槽の上方位置へ移動している際に、基板の表面に形成されたパターン間の溝に貯留された処理液の液面と前記供給手段から供給される乾燥ガスとの接触面積が増加するように、前記第1傾斜手段を制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。請求項2に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記第1傾斜手段を制御して、前記基板保持手段を傾斜させた後、パターン間の溝に貯留された処理液を前記溝の底面に沿って流れるように、前記第2傾斜手段を制御させることを特徴とする基板処理装置。請求項1乃至請求項3に記載の基板処理装置において、前記供給手段は、基板の表面に形成されたパターン間の溝に乾燥ガスを供給することを特徴とする基板処理装置。近年、半導体デバイスの微細化が進行する中、図11に示すような高アスペクト比のパターン構造を有するデバイスを形成する必要がある。図11は、基板表面に形成された深さh/幅wの高アスペクト比の溝を有するデバイスの概要を示したもので、深い溝の底面が形成されている方向をdとする。このようなデバイスは、例えばトランジスタのゲート電極などがあり、CVD等の成膜機によって基板表面に対して鉛直方向に成膜された後、例えばドライエッチング等によってエッチングされることで深い溝が形成され、高アスペクト比のデバイスが形成される。このように基板表面に対して鉛直方向に成膜された表面が、パターン上面70であり、エッチング等によって形成された深い溝がパターン溝72である。このパターン溝72は、深さhを有する溝側面74と、溝の最下部に幅wの溝底面73とを有し、d方向に伸長して形成されている。また、このようなデバイスは、パターン溝72とパターン上面70に対して垂直な矩形状のパターン側面71が各々のパターンに隣接して矩形状に形成されている。しかしながら、図11に示すような高アスペクト比のパターン構造のデバイスは、デバイスを処理液で洗浄した後にIPAによる乾燥処理を行うと、パターン倒壊が発生するという問題がある。このパターン倒壊は、パターン溝72の底面73に残留した純水がIPAで十分置換されず、この残留した純水がパターン溝72の上端から流出する時に発生する。このようなパターン倒壊が発生するのは、IPAに十分置換されない純水が、パターン溝72を形成する2つのパターン溝側面74を伝って上端から流出すると、純水の高い表面張力がパターン先端に集中するため、細く、かつ高さのあるパターンを支持することができなくなるためである。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板表面に形成されたパターンの倒壊を発生させることなく、短時間で乾燥処理を行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。上述した目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、基板に対して処理液により処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、表面にパターンが形成された複数枚の基板を垂直姿勢で保持しつつ、前記処理槽内と前記処理槽の上方位置との間で移動可能な基板保持手段と、前記処理槽内から前記処理槽の上方位置へ移動している前記基板保持手段に保持された複数枚の基板に乾燥ガスを供給する供給手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に対して垂直方向に基板を傾けるように、前記基板保持手段を制御する前記第1傾斜手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に対して水平方向に基板を傾けるように、前記基板保持手段を制御する前記第2傾斜手段と、備えることを特徴とするものである。また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記基板保持手段が前記処理槽内から前記処理槽の上方位置へ移動している際に、基板の表面に形成されたパターン間の溝に貯留された処理液の液面と前記供給手段から供給される乾燥ガスとの接触面積が増加するように、前記第1傾斜手段を制御する制御手段をさらに備えることを特徴とするものである。また、請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の基板処理装置において、前記制御手段が、前記第1傾斜手段を制御して、前記基板保持手段を傾斜させた後、パターン間の溝に貯留された処理液を前記溝の底面に沿って流れるように、前記第2傾斜手段を制御させることを特徴とするものである。さらに、請求項4に記載の発明は、請求項1乃至請求項3に記載の基板処理装置において、前記供給手段が、基板の表面に形成されたパターン間の溝に乾燥ガスを供給することを特徴とするものである。本発明に係る基板処理装置によれば、基板保持手段に保持された基板の表面に対して垂直方向に基板を傾けるように、第1傾斜手段により基板保持手段を制御させ、基板保持手段に保持された基板の表面に対して水平方向に基板を傾けるように、第2傾斜手段により基板保持手段を制御させているので、溝底面に残存した純水が、対抗する溝側面の両方の上端を伝って流出することを防止できる。従って、基板の表面に高アスペクト比の形状を有するデバイスであっても、基板洗浄後の乾燥処理時にパターンの倒壊の発生を防止できる。以下、図面を参照しつつ、本発明に係る基板処理装置の実施の形態について具体的について説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。図1に示すように、本発明に係る基板処理装置は、基板を処理するためのチャンバー1と、チャンバー1内に設けられた処理槽2と、Z軸方向に複数枚のウエハWを保持した状態で処理槽2に対して上下移動可能であって、本発明の基板保持手段に相当するリフタ8と、一対のIPA供給ノズル29と、一対のN2供給ノズル28と、チャンバー1の上部においてチャンバー1の内部と外部の雰囲気を遮断するための蓋7と、を備えている。処理槽2は、純水を貯留してウエハWを洗浄処理するための内槽3と、内槽3の周囲に設けられ、内槽3からオーバーフローした純水を受けるための外槽4とを備えている。内槽3の底面には、純水を内槽3へ純水を供給するための一対の純水供給ノズル21が備えられている。純水供給ノズル21には、Z軸方向に沿って純水を処理槽2内へ吐出するための複数の吐出孔図示省略が形成されている。純水供給ノズル21は、純水供給配管50を介して純水供給源20と連通接続されている。純水供給配管50には、純水供給バルブ22が設けられており、この純水供給バルブ22を開閉制御することにより、純水供給源20からの純水の供給の開始および停止の動作が制御される。また、内槽3の底部は、内槽排液配管52を介して排液ライン25と連通接続されている。内槽排液配管52には、内槽排液バルブ24が設けられており、この内槽排液バルブ24を開閉制御することにより、内槽3から排液ライン25への排液の開始および停止の動作が制御される。外槽4の底部は、外槽排液配管53および内槽排液配管52を介して排液ライン25と連通接続されている。外槽排液配管53には、外槽排液バルブ23が設けられており、この外槽排液バルブ23を開閉制御することにより、外槽4からの排液の開始および停止の動作が制御される。チャンバー1内において、処理槽2の上方の位置に、一対のIPA供給ノズル29が設けられている。このIPA供給ノズル29には、IPA供給配管56が連通接続されており、図示しないIPA供給源からIPA供給配管56を介してIPA供給ノズル29からチャンバー1内にIPAを吐出する。IPAの吐出動作は、基板の純水洗浄処理が終了した後、リフタ8が内槽3内の純水洗浄位置12から待機位置11へ移動するまでの間に、ウエハW表面に向けて吐出され、ウエハW表面に付着した純水がIPAに置換される。一対のIPA供給ノズル29の上方位置には、一対のN2供給ノズル28が設けられている。このN2供給ノズル28には、N2供給配管57が連通接続されており、図示しないN2供給源からN2供給配管57を介してN2供給ノズル28からチャンバー1内にN2を吐出する。N2の吐出動作は、ウエハWが待機位置11へ搬入され、チャンバー1を密閉するための蓋7が閉じられてから吐出される。チャンバー1内を低酸素濃度に維持してウォーターマークを防止するために、ウエハWの純水洗浄の後から乾燥処理終了時までにおいてN2が吐出され続ける。図2は、基板保持手段の概略構成を示す側面図である。リフタ駆動機構30は、図2に示すように、支柱49と、支持アーム48と、リフタ8と、支持部カップリング32と、リフタ支持部31と、を備えている。支柱49内には、この支柱49を上下に移動するための図示しない駆動機構が配置されている。なお、リフタ駆動機構30は、本発明の基板保持手段に相当する。図3は、基板保持手段の概略構成を示す前面図である。図3に示すように、支持アーム48は、内部に第1の傾斜手段33と、第2の傾斜手段40と、を備えている。第1の傾斜手段33は、第1回転機35と、第1減速機34とを備え、第1回転機35と第1減速機34とが互いに接続されている。図3に示すように、リフタ8は、複数のウエハWを保持するための3つの基板支持部9を備える。リフタ8の側部はリフタ支持部31に固定され、リフタ支持部31は、支持部カップリング32を介して第1減速機34に接続されている。したがって、リフタ8は、第1回転機35を駆動することにより、この第1回転機35の回転軸を中心とした軸の周囲を回動することができる。図4は、第2の傾斜手段の概略構成を示す図である。図4に示すように、第2の傾斜手段40は、第2回転機43と、第2減速機42と、カップリング41と、支柱49に挿通するよう固定された固定軸44とを備えている。第2減速機は、フリーギア45と、駆動ギア46と、固定ギア47とを備え、互いに螺合されている。第2回転機43は、カップリング41を介して第2減速機42の駆動ギア46に接続され、駆動ギア46は、フリーギア45と螺合し、フリーギア45は、固定ギア47に螺合される。また、固定軸44は、支柱49および第2減速機42の固定ギア47に挿通されている。従って、支持アーム48は、第2回転機43を駆動することにより、固定軸44を中心とした軸の周囲方向に回動できる。以上のように、リフタ8は、支柱49を上下することにより、チャンバー1内の待機位置11と純水処理位置12との間を上下方向へ自由に移動することができるとともに、第1の傾斜手段33により、リフタ8に保持された基板を、このウエハWの表面に対して垂直な方向へ傾斜させることができ、第2の傾斜手段40により、リフタ8に保持されたウエハWを、このウエハWの表面に対して平行な方向へ傾斜させることができる。なお、第1の傾斜手段33及び第2の傾斜手段40は、本発明の制御手段に相当する制御部図示省略により、制御されている。次に本発明に係る基板処理装置の処理動作について説明する。図5は、基板処理装置の処理動作を示すフローチャートを示している。具体的には、チャンバー1の外部と内部との間でウエハWを搬送するために設けられた図示されない基板搬送機構により、ウエハWがチャンバー1内の待機位置11にあるリフタ8へ搬送され、蓋7が閉じられた後ウエハWをチャンバー1に受け入れた後の処理フローで、ウエハWを純水洗浄処理してから乾燥処理を完了するまでの処理動作である。なお、図3に示すように、待機位置11へ搬送された複数のウエハWは全て、溝底面dの方向がx軸方向へ整列された状態で搬送されているものとする。まず、チャンバー1を密閉するための蓋7を閉じた状態で、チャンバー1内の待機位置11の雰囲気を低酸素濃度に置換するため、N2供給ノズル28からチャンバー1内へN2が吐出されるステップS1。次に、ウエハWがリフタ8の基板保持部9に保持された状態で、リフタ8を待機位置11から内槽3内の純水洗浄位置12へ向かって下降させるステップS2。ステップS2でリフタを下降させた後、ステップS3からステップS5までの間で、ウエハWの純水洗浄処理が行われる。このウエハWの純水洗浄処理では、まず、純水供給配管50に設けられた純水供給バルブ22を開けることにより、純水供給ノズル21から内槽3内に純水を供給するステップS3。この時、内槽3からオーバーフローした純水は外槽4に貯留される。次に、リフタ8を純水洗浄位置12で停止ステップS4させる。ウエハWを純水に浸漬した状態で、純水洗浄を所定時間行った後、純水供給バルブ22を閉じて純水の供給を停止ステップS5し純水洗浄を終了する。ウエハWを所定時間だけ純水洗浄処理した後、ステップS6からS10までの間で、ウエハWの乾燥処理を行う。このウエハWの乾燥処理まず、一対のIPA供給ノズル29から、IPAを供給開始するステップS6。次に、図6に示すように、リフタ8に保持されたウエハWを第1の傾斜手段33により、所定の角度θ1だけ上方へ傾斜させるステップS7。この角度は、図7に示すように、デバイスのパターンの溝のアスペクト比である、溝の深さhと、溝の幅wとから得られる対角線rが、パターン溝72に残存した液溜り80の液面と水平になるような角度にすることが望ましい。このような角度にすれば、深い溝底面73にIPAやN2などの乾燥ガスが入り易くなるとともに、乾燥ガスと残存した液溜り80の液面との接触面をより広くすることができ、純水からIPAへの置換効率が向上する。さらに、パターン溝72に残存した液溜り80が溝側面74の片側だけに貯留されるので、表面張力によるパターンの倒壊が無くなる。次に、純水洗浄位置12から待機位置11へ向け、ウエハWを保持したリフタ8が上昇するステップS8。この上昇中のリフタ8に保持されたウエハWに向けて、IPA供給ノズル29からIPAが供給されることにより、ウエハWに付着した、あるいは図7に示すように、パターン溝72に液溜り80となった純水がIPAに置換される。リフタ8に保持された基板の位置が、IPA供給ノズル29から吐出されるIPAの吐出範囲を過ぎた時点でIPAの供給を停止するステップS9。ステップS9に続いて、図8に示すように、リフタ8に保持された基板を第2の傾斜手段40により、所定の角度θ2だけ基板表面と平行な方向へ傾斜させるステップS10。図9に示すように、パターン溝72に残存した残存した液溜り80が溝底面73を流れパターン側面71から排出されるため、溝底面に残存した純水が、対抗する溝側面の両方の上端を伝って流出することを防止できる。従って、残存した液を効率よく排出できるとともに、パターン倒壊を防止できる。ステップS10の後、ウエハWが待機位置11へ移動完了したらリフタを停止するステップS11。ステップS11に続いて、待機位置11でのウエハWへの乾燥処理が所定時間経過した時点でN2供給ノズル28からのN2の吐出を停止しステップS12する。そして、傾斜角度をチャンバー1への基板搬入時の状態と同じ、傾斜前の状態に戻してステップS13乾燥処理を終了する。以上により、本発明に係る基板処理装置の一連の処理動作が終了する。本発明に係る基板処理装置は、上述した実施の形態に限定されるものではない。例えば、図10に示すように、ステップS9に続いて、ステップS10の替わりに、リフタ8にθ1だけ傾斜して保持された基板を、第1の傾斜手段33により基板表面が鉛直方向になるまで徐々に移動させても良い。図10aに示すようにパターン溝72の溝側面74と溝底面73に残存する、ステップS9でIPA置換された液溜り80は、傾斜角θ1で保持されているが、徐々に蒸発するため、液溜り80の液面と置換ガスとの接触面積が次第に減少する。そのため、図10bおよびcに示すように、蒸発速度に合わせるように、基板表面を鉛直方向へ向かって徐々に基板の傾斜角度を変更することにより、置換ガスと残存した液との接触面積を増加させることができ、置換効率が向上できる。