"基板と、前記基板上の表示領域に配置された複数の有機EL素子と、前記基板に対向して配置された封止ガラスと、前記基板と封止ガラスとを前記表示領域の外周に位置する封止領域において金属で接合する金属接合部とを有する表示装置であって、前記表示領域の外側には前記有機EL素子を駆動するための周辺回路と定電圧配線と、前記定電圧配線を保護する保護膜と、を有し、前記定電圧配線の少なくとも一部が前記金属接合部と前記保護膜を介して重畳することを特徴とする表示装置。前記表示装置は複数の有機EL素子に共通して配置された共通電極を有し、前記定電圧配線は前記共通電極に接続される共通配線であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。前記有機EL素子はトランジスタを介して駆動され、前記定電圧配線は前記トランジスタに接続される電源配線であることを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置。前記金属接合部は、前記周辺回路と重畳しないことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。有機EL素子マトリクス、駆動回路、電源配線他がガラス基板上に一体化されて形成された表示パネルは、それが搭載される製品の軽量化やコンパクト化のために、薄く、小さくすることが求められている。とりわけ、表示パネルの有機EL素子マトリクスが形成された表示領域よりも外側の額縁と呼ばれる部分をできるだけ小さくすることが求められている。携帯電話やコンパクトカメラ等の製品には矩形の表示パネルが用いられる。矩形表示パネルの場合、表示パネルの長辺に沿った額縁の幅が広いと、製品全体の寸法が著しく大きくなってしまう。そのため、表示領域の周囲に配置され、列方向又は行方向に延びる電源配線及び画素マトリクスを制御する周辺回路も、出来る限り幅を小さくする設計がされる。この場合、額縁を小さくするために電源配線と周辺回路に重なるように封止金属を配置しガラス封止すると、この封止金属に容量が寄生し、有機EL素子の高精度な制御が阻害されるという問題がある。寄生容量の有機EL素子への影響について説明する。周辺回路からは有機EL素子に走査信号、情報信号、電流を送るための配線が伸びており、有機EL素子の発光時間をマトリクス制御している。周辺回路上に封止金属を配置すると周辺回路と走査信号及び情報信号の配線との間に容量が寄生し、画素マトリクスへの信号が遅延する。その結果として、所望の階調とは異なる情報が画素マトリクスに書き込まれ、所望の発光状態とは異なる輝度で発光する表示不良が発生する。本発明の課題は、有機EL素子を用いた表示装置において、金属を接合部材として用いることによって外部の水分や酸素の影響を防止すると同時に、金属接合部に起因する寄生容量の発生を抑え、額縁を小さくすることにある。本発明は、基板と、前記基板上の表示領域に配置された複数の有機EL素子と、前記基板に対向して配置された封止ガラスと、前記基板と封止ガラスとを前記表示領域の外周に位置する封止領域において金属で接合する金属接合部とを有する表示装置であって、前記表示領域の外側には前記有機EL素子を駆動するための周辺回路と定電圧配線とを有し、前記定電圧配線の少なくとも一部が前記金属接合部と保護膜を介して重畳することを特徴とする。本発明の表示装置によれば、定電圧配線に金属接合部が重畳して配置されるため、金属接合部による寄生容量の影響を受けることなく、額縁の面積を低減してパネル寸法を小さくした表示装置を提供することができる。以下、図面を参照しながら本発明について説明する。尚、以下の説明において特に図示又は記載されていない部分に関しては、当該技術分野における周知技術又は公知技術を適用することができる。また、以下に説明される事項は、本発明の実施形態の一例であり、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明の表示装置は、表示領域に複数の有機EL素子がマトリクス状に配置された基板と、該基板に対向して配置された封止ガラスとを、表示領域の外周に位置する封止領域にて金属接合部で接合してなる。各有機EL素子は画素毎に設けられた画素電極と共通電極との間に少なくとも発光層を含む有機化合物層を有しており、係る有機EL素子を駆動するための周辺回路及び定電圧配線が、前記表示領域の外側に配置されている。そして、本発明においては、該定電圧配線の少なくとも一部が上記金属接合部と重畳していることを特徴とする。以下、本発明の実施例1に係る表示装置について、図面を参照して説明する。図1は、本発明の表示装置の一実施形態の平面概略図であり、封止基板側から封止基板を除いて観察した状態である。本表示装置は、基板上に形成された有機EL素子の上面から、図1においては紙面手前に光を取り出すトップエミッション型の表示装置である。図1に示す表示装置では、TFT薄膜トランジスタで構成された画素毎の駆動回路と有機EL素子とを含む画素が、行方向と列方向に二次元マトリクス状に配置されており、矩形の表示領域2を画定している。表示領域2には、図1の紙面縦方向にデータ線不図示が延び、横方向に走査線不図示が延びている。データ線は、列方向の画素に共通に接続され、走査線は行方向の画素を共通に接続している。また、表示領域2の外側には、データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路5と、走査線に制御信号を供給する走査線駆動回路6とが形成されている。端子部11には、表示装置と外部回路とを接続し、映像信号や制御信号、電源を表示装置に供給するための端子が複数個配列されている。図2は図1の表示装置の表示領域2の1画素分の断面概略図、図3は図1中のA-A’断面の概略図である。本発明に係る有機EL素子は、画素毎に分離した画素電極12と、全画素に共通に設けられ、共通の電圧が供給される共通電極14と、その間に配置された、少なくとも発光層を有する有機化合物層13とで構成されている。画素電極12は有機EL素子を駆動する駆動回路以下、画素回路というを介して電源に接続され、該電源から電流が供給される。この電流は、有機化合物層13に流れて発光層を発光させ、共通電極12に流れ出る。また、画素回路の電源電圧は、画素回路に沿って配置された接続配線7によって供給される。接続配線7は、表示領域2の画素の列に沿って配置され、表示領域2の外側図1においては下辺の電源配線3に接続されている。電源配線3は、表示領域2の外側に沿って配置され、その一端で引き出し配線を経由して端子部11に接続されている。共通電極12は連続した透明導電層で形成され、表示領域2の外にまで延長して設けられ、表示領域外で共通配線4に接続されている。封止ガラス10は、金属接合部9によって保護膜8を介して基板1と接合されている。図1の上辺及び左辺に配置されるデータ線駆動回路5及び走査線駆動回路6は画素回路の高速応答が要求されるため、その上に容量が寄生する金属接合部9の配置は避けなければならない。一方、図1の下辺及び右辺に配置される電源配線3は画素回路に定電圧及び電流を供給する機能であるため、高速応答を必要としない。このため、電源配線3上に金属接合部9が保護膜8を介して配置されても、寄生容量の影響は少ない。共通配線4も定電圧及び電流を供給する機能であるため、同様に寄生容量の影響は少なく、金属接合部9を保護膜8を介して配置しても差し支えない。本実施形態においては、図1の右辺においては、金属接合部9が共通配線4の引き出し線上に位置して、保護膜8を介して封止ガラス10と基板1とを貼り合わせている。図4乃至図7に本発明の他の実施形態の平面概略図を示す。図4の実施形態は、共通電極14と共通配線4が接続される辺及び金属接合部9が配置する位置以外は図1の実施形態と構成が同じである。共通電極14と共通配線4が接続される辺は図4の右辺及び左辺であり、上辺の共通配線4は保護膜8によって保護されている。また金属接合部9は保護膜8を介して、右辺及び下辺においては電源配線3上に、上辺においては共通配線4上に位置する。図5の実施形態は、共通配線4の上辺の位置とデータ線駆動回路5の位置以外は図4の実施形態と構成が同じである。表示領域2の上辺の外側では、先ずデータ線駆動回路5が位置し、次に共通配線4が位置することが図4の構成と異なる。図6の実施形態は、端子部11を下辺に配置し、共通配線4と共通電極14との接続は右辺及び左辺において接続し、金属接合部9は保護膜8を介して電源配線3上に配置した形態である。図7の実施形態は、共通配線4と共通電極14との接続は上辺のみにおいて接続し、金属接合部9は保護膜8を介して下辺は電源配線3上に、右辺及び左辺は共通配線4上に配置した形態である。本発明の表示装置においては、図2に示すように、基板1上に、電源配線3、共通配線4、データ線駆動回路5、走査線駆動回路6、接続配線7、端子部11、画素回路が形成されている。これらの配線及び回路は公知のTFT作製技術又は半導体用トランジスタ作製技術により作製可能である。本発明において、有機EL素子を構成する有機化合物層13は100°C乃至120°C付近でガラス転移点を有する材料を含む場合があるため、金属接合部9に用いる金属としては、低融点金属が好ましい。具体的にはインジウムや錫、或いはそれらの合金を使用することが望ましい。特に、インジウム及びインジウム合金はガラスとの密着性が良いことが知られており、封止ガラス10との接合部材に適している。接合方法としては、封止ガラス10の封止領域に金属線を所定のパターンでパターニングし、その後、封止ガラス10を基板1とアライメントして重ね合わせ、加熱することで接合する方法である。金属線のパターニング方法としては、半田或いはめっきを使用したフォトリソグラフィー、エッチング、転写法等の公知の手法が挙げられる。半田を用いると安価な工程で金属線を形成することができ、一方めっきを使用する場合には、金属線を細線化する或いは任意のパターンで形成することができる。特に、インジウムの場合は電解めっきでパターン形成できるが、その際は予め例えば銅やクロム等をパターン成膜させた上に形成することができる。また、半田を超音波ディスペンス法で塗布して金属線をパターニングすることもできる。ここで超音波ディスペンス法とは、超音波半田コテ超音波サービス株式会社製サンボンダーUSM-IVを使用をXYZ軸を備えたロボットに持たせ、接合材料をコテ先に補給しながら基板上に材料を選択的に形成する方式を指している。この時、半田の線幅や供給速度、さらに、コテ先端の太さ、ディスペンススピード、コテ先温度等を調整することで所望のパターンを形成することができる。また基板1と封止ガラス10とを金属接合部9を介して重ね合わせて接合する方法としては、特に限定されない。例えば、オーブン或いはホットプレート等を用いて基板全体を加熱することで金属線を溶融して接合する方法や、レーザー等を用いて局所的な加熱により金属線を瞬間的に溶融して接合する方法がある。或いは、それらを組み合わせ、金属溶融以下の温度まで全体的に加熱し、局所的に加熱する個所の溶融前後の温度差を小さくして熱的な衝撃を緩和することで歪を生じにくくする方法などがある。さらに接合時には、基板に加圧し、押しつけた状態で金属線を溶融して接合するようにしても良い。また溶融のために加熱した後の除熱過程においては、できるだけ急激な冷却を避け、内部歪による接合不良を起こさないようにするのが良い。さらに、接合する環境としては、有機EL素子が酸素や水分によって劣化しないよう露点管理環境下で行うことが望ましい。実施例1図1,図2,図3に示す構成の表示装置を作製した。以下に各工程を説明する。基板1の上に、駆動TFTを構成するソース15、ドレイン16、チャネル17からなる半導体層を形成し、ゲート絶縁膜18で覆った。半導体層はpoly-Siによって形成し、厚さは50nm程度である。poly-Si半導体層の形成方法は、先ず、a-Si層を形成し、これを、エキシマレーザによってアニールすることによってpoly-Si層に変換した。上記半導体層のチャネル領域17の上にゲート絶縁膜18を挟んでゲート電極19を形成し、その上に層間絶縁層20を挟んでソース電極21とドレイン電極22を形成した。ソース電極21とドレイン電極22は、ゲート絶縁膜18と層間絶縁層20を貫通するコンタクトホール23を通してそれぞれ半導体層のソース15とドレイン16に接続した。これらの上に保護膜8を形成した。層間絶縁層20はCVDによりSiN膜を形成した。ソース電極21とドレイン電極22には抵抗が低い金属であるAlを用い、厚さも500nm程度と厚く形成した。また保護膜8はSiNで形成した。保護膜8は、主として、TFTを外部からの不純物から保護することである。また表示領域2の外周の全辺に位置する、共通電極14のコンタクト領域である共通配線4は、保護膜8をドライエッチングによりパターニングして必要な領域を形成した。これらの膜形成及びフォトリソパターニングを繰り返すことにより電源配線3、共通配線4、データ線駆動回路5、走査線駆動回路6、接続配線7、端子部11、画素回路を形成した。ここでソース電極21は、接続配線7に接続されている。また電源配線3及び共通配線4はソース電極21とドレイン電極22と同層で形成した。次に表示領域2の形成方法について説明する。ソース電極21とドレイン電極22を覆う保護膜8上に平坦化膜24をアクリル樹脂でコーティングし、さらにコンタクトホール25を形成した。その上に画素電極12をスパッタリングにより形成し、ドレイン電極22に接続して配置した。ここではAgを100nm、さらにその上にITOを20nm形成し積層構造とした。画素電極11の上に画素を分けるバンク隔壁26をポリイミド樹脂によりコーティング、パターニングし、開口部を設けた。その開口部に発光層を含む有機化合物層13を真空蒸着法により成膜した。本実施例での有機化合物層13は積層構造でありホール輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層から構成される。またフルカラーディスプレイにするため発光層はシャドウマスクでパターニングしそれぞれ赤発光層、緑発光層、青発光層を成膜した。ホール輸送層の材料としてはN,N’-α-ジナフチルベンジジンα-NPDを使用した。赤発光層の材料はドーパント材料としてIr錯体18体積を、ホスト材料として4,4’-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニルCBPを用いた。緑発光層の材料はドーパント材料としてクマリン色素1.0体積を、ホスト材料としてトリス[8-ヒドロキシキノリナート]アルミニウムAlq3を用いた。青発光層の材料はドーパント材料としてペリレン色素1.0体積を、ホスト材料としてトリス[8-ヒドロキシキノリナート]アルミニウムAlq3を用いた。電子輸送層の材料はバソフェナントロリンBphenとした。また電子注入層はドーパント材料として炭酸セシウムCs2CO3を、ホスト材料としてBphenを用いた。有機化合物層13の上に共通電極14を形成した。本実施例では透明電極材料のIZOをスパッタリングにより成膜し、有機化合物層13及び共通配線4に接続した。このようにして表示領域2を形成した。次に、無アルカリガラスからなる封止ガラス10上に銀ペーストをスクリーン印刷により枠上に印刷した後、焼成して硬化させた。次に銀を電極として電解メッキによりインジウム層を形成し、金属接合部9とした。次に表示領域2まで形成した基板1と金属接合部9を形成した封止ガラス10を窒素雰囲気中でアライメント、接合し、レーザーにより熱溶着し、封止した。ここで、図1の下辺及び右辺にあるように金属接合部9は保護膜8を介して、電源配線3上及び、共通配線4の引き出し配線上に配置させた。このようにして、下辺及び右辺の額縁を小さくすることを可能にした。実施例2図4に示す構成とした以外は実施例1と同様の製法で表示装置を作製した。表示領域2からパネル端部までの上辺の額縁寸法は共通配線4上に金属接合部9が配置されているため左辺に比べ0.45mmの額縁幅を小さくした。下辺及び左辺は実施例1と同様に0.9mmの額縁幅を小さくした。このような形態によって上辺、下辺、右辺において額縁を小さくすることを可能にした。実施例3図5に示す構成とした以外は実施例1と同様の製法で表示装置を作製した。表示領域2からパネル端部までの額縁寸法は実施例2と同様に、上辺は0.45mm、下辺及び左辺は0.9mmの額縁幅を小さくした。このような形態によって、データ線駆動回路5から表示領域2に伸びるデータ線に対して容量を寄生することなく、上辺、下辺、右辺において額縁を小さくすることを可能にした。実施例4図6に示す構成とした以外は実施例1と同様の製法で表示装置を作製した。表示領域2からパネル端部までの下辺の額縁寸法は金属接合部9を電源配線3上に配置されているため、金属接合部9を電源配線3の外側に配置するのに比べて0.9mmの額縁幅を小さくした。このような形態によって、下辺において額縁を小さくすることを可能にした。実施例5図7に示す構成とした以外は実施例1と同様の製法で表示装置を作製した。表示領域2からパネル端部までの左辺及び右辺の額縁寸法はともに金属接合部9を共通配線4上に配置されているため、金属接合部9を共通配線4の外側に配置するのに比べて0.45mmの額縁幅を小さくした。このような形態によって、右辺、左辺、下辺において額縁を小さくすることを可能にした。"