"再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対するアクセスを制御するメモリアクセス制御装置であって、前記不揮発性半導体メモリは、ページ単位での読み出しが可能であり、かつ、複数のページを含むブロック単位で消去可能であり、前記不揮発性半導体メモリに対するリード回数をブロック単位でカウントするリードカウンタと、前記リードカウンタを参照し、リード回数がリード回数閾値を上回る検査対象ブロックが存在するか否かを判定する検査対象判定部と、前記検査対象ブロックが検出された場合、前記検査対象ブロックに含まれる各ページに対してエラー検出処理を行い、エラー閾値を超えるエラーが検出されたエラーページが存在するか否かを検査する検査部と、前記検査部によって前記エラーページが検出された場合、前記検査対象ブロックに対してデータの再書き込み処理を実行する再書き込み制御部と、前記再書き込み処理終了後、前記検査対象ブロックのリード回数を初期化する初期化部と、を備えるメモリアクセス制御装置。請求項1に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記検査部は、前記検査対象ブロックの各ページをエラー検出回路の検出処理単位で区分し、各区分のエラー検出値の最大値をページ最大エラー値として設定し、前記ページ最大エラー値が前記エラー閾値を超える場合、当該ページを前記エラーページとして判定するメモリアクセス制御装置。請求項2に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記検査部は、前記検査対象ブロック内に前記エラーページが検出されない場合、前記検査対象ブロックに含まれる各ページの前記ページ最大エラー値を比較し、前記ページ最大エラー値の最大値をブロック最大エラー値として設定する最大値設定部、を含み、前記初期化部は、前記ブロック最大エラー値の設定処理の終了後、前記ブロック最大エラー値に基づいて第1補正値を算出し、前記第1補正値に基づいて、前記検査対象ブロックのリード回数の初期化値を補正する第1補正部、を含むメモリアクセス制御装置。請求項3に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記第1補正部は、前記エラー閾値に対する前記ブロック最大エラー値の割合をエラー進行割合とすると、前記リード回数閾値に前記エラー進行割合を乗算した値を当該ブロックのリード回数の初期化値に加算するメモリアクセス制御装置。請求項3または請求項4に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記初期化部は、前記検査対象ブロックに含まれるページ数を当該ブロックのリード回数の初期化値に加算する第2補正部、を含むメモリアクセス制御装置。請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のメモリアクセス制御装置であって、さらに、前記不揮発性半導体メモリに対する消去回数をブロック単位でカウントする消去カウンタと、前記再書き込み処理終了後、前記消去カウンタに記録されている前記検査対象ブロックの消去回数を1だけインクリメントする消去回数加算部と、を備え、前記初期化部は、前記再書き込み処理終了後、前記検査対象ブロックの消去回数に基づいて第3補正値を算出し、前記第3補正値に基づいて、前記検査対象ブロックのリード回数の前記初期化値を補正する第3補正部、を含むメモリアクセス制御装置。請求項6に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記第3補正部は、前記検査対象ブロックの消去回数を所定ビットだけ左シフトした値を、当該ブロックのリード回数の初期化値に加算とするメモリアクセス制御装置。再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対するアクセスを制御するメモリアクセス制御装置であって、前記不揮発性半導体メモリは、ページ単位での読み出しが可能であり、かつ、複数のページを含むブロック単位で消去可能であり、前記不揮発性半導体メモリに対するリード回数を複数のブロックを含むバンク単位でカウントするリードカウンタと、前記リードカウンタを参照し、リード回数がリード回数閾値を上回る検査対象バンクが存在するか否かを判定する検査対象判定部と、前記検査対象バンクが検出された場合、前記検査対象バンクに含まれる各ページに対してエラー検出処理を行い、エラー閾値を超えるエラーが検出されたエラーページが存在するか否かを検査する検査部と、前記検査部によって前記エラーページが検出された場合、前記検査対象バンクに対してデータの再書き込み処理を実行する再書き込み制御部と、前記再書き込み処理終了後、前記検査対象バンクの読み出し回数を初期化する初期化部と、を備えるメモリアクセス制御装置。請求項8に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記検査部は、前記検査対象バンクの各ページをエラー検出回路の検出処理単位で区分し、各区分のエラー検出値の最大値をページ最大エラー値として設定し、前記ページ最大エラー値が前記エラー閾値を超える場合、当該ページを前記エラーページとして判定するメモリアクセス制御装置。請求項9に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記検査部は、前記検査対象バンク内に前記エラーページが検出されない場合、前記検査対象バンクに含まれる各ページの前記ページ最大エラー値を比較し、前記ページ最大エラー値の最大値をバンク最大エラー値として設定する最大値設定部、を含み、前記初期化部は、前記バンク最大エラー値の設定処理の終了後、前記バンク最大エラー値に基づいて第1補正値を算出し、前記第1補正値に基づいて、前記検査対象バンクのリード回数の初期化値を補正する第1補正部、を含むメモリアクセス制御装置。請求項10に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記第1補正部は、前記エラー閾値に対する前記バンク最大エラー値の割合をエラー進行割合とすると、前記リード回数閾値に前記エラー進行割合を乗算した値を当該バンクのリード回数の初期化値に加算するメモリアクセス制御装置。請求項10または請求項11に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記初期化部は、前記検査対象バンクに含まれるページ数を、当該バンクのリード回数の初期化値に加算する第2補正部、を含むメモリアクセス制御装置。請求項8ないし請求項12のいずれかに記載のメモリアクセス制御装置であって、さらに、前記不揮発性半導体メモリに対する消去回数をバンク単位でカウントする消去カウンタと、前記再書き込み処理終了後、前記消去カウンタに記録されている前記検査対象バンクの消去回数を1だけインクリメントする消去回数加算部と、を備え、前記初期化部は、前記再書き込み処理終了後、前記検査対象バンクの消去回数に基づいて第3補正値を算出し、前記第3補正値に基づいて、前記検査対象バンクのリード回数の初期化値を補正する第3補正部、を含むメモリアクセス制御装置。請求項13に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記第3補正部は、前記検査対象バンクの消去回数を所定ビットだけ左シフトした値を、当該バンクのリード回数の初期化値に加算とするメモリアクセス制御装置。リードディスターブの発生を回避あるいはリードディスターブにより発生したエラーを修復するために、いくつかの方策がとられている。たとえば、所定のアルゴリズムでNANDフラッシュメモリの各ページのデータを読み込み、エラー検出訂正回路を利用してエラー検出を行う方法がある。エラー検出訂正回路によって、エラーが発生しているデータが検出された場合、データを訂正した上で、メモリにデータを再書き込みする。これにより、リードディスターブの発生していたセルが修復される。エラーを検出するアルゴリズムとしては、様々なアルゴリズムが考えられる。しかし、いずれのアルゴリズムを用いた場合にも、エラー検出のための読み出し処理自体が、NANDフラッシュメモリに負荷を掛けることになる。NANDフラッシュメモリの全ページを順番に検査する方法を採用した場合、エラー検出のための読み出し処理自体が、リードディスターブの発生要因となることも考えられる。上記特許文献1においては、ページごとに読み出し回数をカウントし、読み出し回数の多い領域に対してリフレッシュ処理を行うようにしている。この方法により、全ての記憶領域に対してエラー検出用の読み出し処理を行う必要がなくなる。しかし、読み出し回数が多い領域に対しては、実際に、リードディスターブが発生していない場合にも、再書き込み処理が行われるため、必要以上にNANDフラッシュメモリに負荷を掛ける可能性がある。上記特許文献2においても、読み出し回数が閾値を超えた場合には、データの書き戻し処理を行うため、NANDフラッシュメモリに負荷を掛ける可能性がある。そこで、本発明は前記問題点に鑑み、再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対する負荷を抑えつつ、リードディスターブ現象により生じるエラーに対処する技術を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、請求項1記載の発明は、再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対するアクセスを制御するメモリアクセス制御装置であって、前記不揮発性半導体メモリは、ページ単位での読み出しが可能であり、かつ、複数のページを含むブロック単位で消去可能であり、前記不揮発性半導体メモリに対するリード回数をブロック単位でカウントするリードカウンタと、前記リードカウンタを参照し、リード回数がリード回数閾値を上回る検査対象ブロックが存在するか否かを判定する検査対象判定部と、前記検査対象ブロックが検出された場合、前記検査対象ブロックに含まれる各ページに対してエラー検出処理を行い、エラー閾値を超えるエラーが検出されたエラーページが存在するか否かを検査する検査部と、前記検査部によって前記エラーページが検出された場合、前記検査対象ブロックに対してデータの再書き込み処理を実行する再書き込み制御部と、前記再書き込み処理終了後、前記検査対象ブロックのリード回数を初期化する初期化部と、を備える。請求項2記載の発明は、請求項1に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記検査部は、前記検査対象ブロックの各ページをエラー検出回路の検出処理単位で区分し、各区分のエラー検出値の最大値をページ最大エラー値として設定し、前記ページ最大エラー値が前記エラー閾値を超える場合、当該ページを前記エラーページとして判定する。請求項3記載の発明は、請求項2に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記検査部は、前記検査対象ブロック内に前記エラーページが検出されない場合、前記検査対象ブロックに含まれる各ページの前記ページ最大エラー値を比較し、前記ページ最大エラー値の最大値をブロック最大エラー値として設定する最大値設定部、を含み、前記初期化部は、前記ブロック最大エラー値の設定処理の終了後、前記ブロック最大エラー値に基づいて第1補正値を算出し、前記第1補正値に基づいて、前記検査対象ブロックのリード回数の初期化値を補正する第1補正部、を含む。請求項4記載の発明は、請求項3に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記第1補正部は、前記エラー閾値に対する前記ブロック最大エラー値の割合をエラー進行割合とすると、前記リード回数閾値に前記エラー進行割合を乗算した値を当該ブロックのリード回数の初期化値に加算する。請求項5記載の発明は、請求項3または請求項4に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記初期化部は、前記検査対象ブロックに含まれるページ数を当該ブロックのリード回数の初期化値に加算する第2補正部、を含む。請求項6記載の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のメモリアクセス制御装置であって、さらに、前記不揮発性半導体メモリに対する消去回数をブロック単位でカウントする消去カウンタと、前記再書き込み処理終了後、前記消去カウンタに記録されている前記検査対象ブロックの消去回数を1だけインクリメントする消去回数加算部と、を備え、前記初期化部は、前記再書き込み処理終了後、前記検査対象ブロックの消去回数に基づいて第3補正値を算出し、前記第3補正値に基づいて、前記検査対象ブロックのリード回数の前記初期化値を補正する第3補正部、を含む。請求項7記載の発明は、請求項6に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記第3補正部は、前記検査対象ブロックの消去回数を所定ビットだけ左シフトした値を、当該ブロックのリード回数の初期化値に加算とする。請求項8記載の発明は、再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対するアクセスを制御するメモリアクセス制御装置であって、前記不揮発性半導体メモリは、ページ単位での読み出しが可能であり、かつ、複数のページを含むブロック単位で消去可能であり、前記不揮発性半導体メモリに対するリード回数を複数のブロックを含むバンク単位でカウントするリードカウンタと、前記リードカウンタを参照し、リード回数がリード回数閾値を上回る検査対象バンクが存在するか否かを判定する検査対象判定部と、前記検査対象バンクが検出された場合、前記検査対象バンクに含まれる各ページに対してエラー検出処理を行い、エラー閾値を超えるエラーが検出されたエラーページが存在するか否かを検査する検査部と、前記検査部によって前記エラーページが検出された場合、前記検査対象バンクに対してデータの再書き込み処理を実行する再書き込み制御部と、前記再書き込み処理終了後、前記検査対象バンクの読み出し回数を初期化する初期化部と、を備える。請求項9記載の発明は、請求項8に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記検査部は、前記検査対象バンクの各ページをエラー検出回路の検出処理単位で区分し、各区分のエラー検出値の最大値をページ最大エラー値として設定し、前記ページ最大エラー値が前記エラー閾値を超える場合、当該ページを前記エラーページとして判定する。請求項10記載の発明は、請求項9に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記検査部は、前記検査対象バンク内に前記エラーページが検出されない場合、前記検査対象バンクに含まれる各ページの前記ページ最大エラー値を比較し、前記ページ最大エラー値の最大値をバンク最大エラー値として設定する最大値設定部、を含み、前記初期化部は、前記バンク最大エラー値の設定処理の終了後、前記バンク最大エラー値に基づいて第1補正値を算出し、前記第1補正値に基づいて、前記検査対象バンクのリード回数の初期化値を補正する第1補正部、を含む。請求項11記載の発明は、請求項10に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記第1補正部は、前記エラー閾値に対する前記バンク最大エラー値の割合をエラー進行割合とすると、前記リード回数閾値に前記エラー進行割合を乗算した値を当該バンクのリード回数の初期化値に加算する。請求項12記載の発明は、請求項10または請求項11に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記初期化部は、前記検査対象バンクに含まれるページ数を、当該バンクのリード回数の初期化値に加算する第2補正部、を含む。請求項13記載の発明は、請求項8ないし請求項12のいずれかに記載のメモリアクセス制御装置であって、さらに、前記不揮発性半導体メモリに対する消去回数をバンク単位でカウントする消去カウンタと、前記再書き込み処理終了後、前記消去カウンタに記録されている前記検査対象バンクの消去回数を1だけインクリメントする消去回数加算部と、を備え、前記初期化部は、前記再書き込み処理終了後、前記検査対象バンクの消去回数に基づいて第3補正値を算出し、前記第3補正値に基づいて、前記検査対象バンクのリード回数の初期化値を補正する第3補正部、を含む。請求項14記載の発明は、請求項13に記載のメモリアクセス制御装置であって、前記第3補正部は、前記検査対象バンクの消去回数を所定ビットだけ左シフトした値を、当該バンクのリード回数の初期化値に加算とする。本発明のメモリアクセス制御装置によれば、再書き込み可能な半導体メモリに対する負荷を低減させながら、リードディスターブの発生を抑制し、あるいは、リードディスターブの発生が情報処理に影響を与えることを未然に防ぐことができる。{第1の実施の形態}以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態に係る情報処理システム10の機能ブロック図である。この情報処理システム10は、ホストシステム1およびメモリモジュール2を備えて構成される。メモリモジュール2は、メモリコントローラ3、メモリ4、リードカウンタ5、消去カウンタ6およびエラー検出訂正回路ECC回路:ErrorCheckingandCorrection回路7を備えている。メモリ4は、再書き込み可能な不揮発性半導体メモリである。本実施の形態において、メモリ4は、NANDフラッシュメモリである。メモリコントローラ3は、メモリ4に対するデータの読み出しや書き込みを制御する。例えば、この情報処理システムは、携帯電話装置として機能する。この場合、ホストシステム1は、携帯電話装置本体を構成し、メモリモジュール2がメモリカードを構成する。メモリモジュール2は、ホストシステム1に対して着脱自在なタイプであってもよいし、ホストシステム1を構成する装置に内蔵されるタイプであってもよい。なお、本実施の形態においては、メモリコントローラ3が、メモリモジュール2に搭載される構成となっているが、ホストシステム1がメモリコントローラ3を備える構成であってもよい。また、エラー検出回路7は、メモリ4内に設けられてもよいし、メモリコントローラ3内に設けられてもよい。図2は、メモリ4の構成を示す図である。メモリ4は、1枚のダイDieで構成されている。ダイは、複数のバンクBankを含んでいる。図2の例では、ダイは、J個のバンクを含んでいる。バンクは、複数のブロックBlockを含んでいる。図2の例では、バンクは、M個のブロックを含んでいる。さらに、ブロックは、複数のページPageを含んでいる。図2の例では、ブロックは、Z個のページを含んでいる。ページは、メモリ4の読み出し単位である。メモリコントローラ3は、メモリ4に格納されているデータをページ単位で読み出すことが可能である。ブロックは、メモリ4の消去単位である。メモリコントローラ3は、メモリ4に格納されているデータをブロック単位で消去することが可能である。メモリ4のブロックは、物理的に隣り合って配置された複数のページで構成されている。たとえば、ブロックは、メモリアドレスの順番で隣り合って配列された複数のページで構成される。したがって、あるブロック内の特定のページに対して繰り返し読み出し処理が行われた場合、当該ブロック内の周辺のページに対して負荷が掛かり、周辺のページについてリードディスターブが発生する可能性がある。メモリ4のバンクは、物理的に隣り合って配置された複数のブロックで構成されている。たとえば、バンクは、ブロック番号順で隣り合って配列された複数のブロックで構成される。再び、図1を参照する。リードカウンタ5は、メモリ4に対する読み出しアクセスの回数をカウントする。上述したように、メモリコントローラ3は、メモリ4に対してページ単位での読み出し処理を実行する。メモリコントローラ3は、メモリ4に対して読み出し処理を実行したとき、リードカウンタ5に対して、読み出し処理を実行したページを特定する情報を通知する。具体的には、メモリコントローラ3は、リードカウンタ5に対して、読み出し処理を実行したページのバンク番号、ブロック番号およびページアドレスを通知する。リードカウンタ5は、メモリコントローラ3から、読み出し対象のページのバンク番号、ブロック番号およびページアドレスを取得するが、ページ単位で読み出しアクセスの回数をカウントするのではなく、ブロック単位で読み出しアクセスの回数をカウントする。つまり、リードカウンタ5は、ブロック内に含まれるいずれのページに読み出しアクセスが行われたかを区別することなく、各ブロックに対する読み出しアクセスをカウントする。リードカウンタ5は、ブロック数に対応した複数のリード回数RCを保持している。消去カウンタ6は、メモリ4に対する消去回数をカウントする。上述したように、メモリコントローラ3は、メモリ4に対してブロック単位での消去処理を実行する。メモリコントローラ3は、メモリ4に対して消去処理を実行したとき、消去カウンタ6に対して、消去処理を実行したブロックを特定する情報を通知する。具体的には、メモリコントローラ3は、消去カウンタ6に対して、消去処理を実行したブロックのバンク番号およびブロック番号を通知する。消去カウンタ6は、ブロック単位で消去処理の回数をカウントする。消去カウンタ6は、ブロック数に対応した複数の消去回数ECを保持している。メモリコントローラ3は、情報処理システム10の電源がOFFされるとき、リードカウンタ5あるいは消去カウンタ6に格納されているカウント値を、メモリ4に書き込む。メモリコントローラ3は、情報処理システム10の電源がONされたとき、メモリ4から、カウント値を読み込んでリードカウンタ5あるいは消去カウンタ6にセットする。これにより、情報処理システム10の電源がOFFされる場合にも、カウント値を保持することができる。また、メモリコントローラ3は、電源がONされている状態においても、所定の周期で、リードカウンタ5あるいは消去カウント6に記録されているカウンタ値をメモリ4に書き戻すようにしてもよい。エラー検出訂正回路7以下、ECC回路7と呼ぶ。は、メモリ4に誤ったデータが記録されていることを検出するとともに、誤ったデータを訂正する回路である。本実施の形態のECC回路7は、図3に示すように、1024Byte1KByte単位で、エラー検出および訂正を行う。たとえば、1024Byteに対して、ECC回路7は、10bitのエラーを検出および訂正可能である。図3の例では、4KByteのNANDフラッシュメモリの記憶領域は、ECC回路7によって、4分割されてエラー検出されている。つまり、ECC回路7のエラー検出単位が1024Byteである。図では、それぞれ1024Byteのエラー検出単位に対して、5bit、7bit、3bit、0bitのエラーが検出されたことを示している。ECC回路7が10bitのエラー訂正能力を持っている場合には、図3の例では、全ての記憶領域についてエラーを訂正することが可能である。次に、本実施の形態に係る制御内容について説明する。図4および図5は、メモリコントローラ3、リードカウンタ5、消去カウンタ6あるいはECC回路7において実行される制御内容を示すフローチャートである。メモリコントローラ3は、所定のトリガによって図4のフローを開始する。トリガとしては、たとえば、メモリ4に対する読み出しアクセスが行われた直後のタイミングが例として挙げられる。あるいは、メモリ4に対するアクセスが行われていない場合であって、タイマーで計測した所定のタイミングが到来した場合が例として挙げられる。あるいは、情報処理システム10が起動しているときには、常時、図4および図5の制御を実行するようにしてもよい。メモリコントローラ4は、まず、リードカウンタ5にアクセスし、リード回数RCを取得する。メモリコントローラ4は、リード回数RCにオフセット値RCoffsetを加算した値がリード回数閾値RCthを超えるブロックが存在する否かをチェックするステップS1。上述したように、リードカウンタ5には、ブロック数に対応したリード回数RCが保持されている。メモリコントローラ4は、全てのブロックについてステップS1の判定を行う。リード回数閾値RCthは、たとえば、10,000などの数字が設定される。オフセット値RCoffsetは、過去のエラー発生状況に応じて設定されるオフセット値である。ステップS1において、純粋なリード回数RCだけで評価するのではなく、オフセット値RCoffsetを加味した値を評価することで、過去にエラーが発生したブロックに対しては、厳しくチェックするようにしている。オフセット値RCoffsetの算出方法については後述する。リード回数RCにオフセット値RCoffsetを加算した値がリード回数閾値RCthを超えるブロックを検査対象ブロックとする。ステップS1において、検査対象ブロックが検出された場合、検査対象ブロックに対してステップS2~ステップS12の検査処理が行われる。ステップS2において、ページカウント値iに1がセットされる。これにより、検査対象ブロックの先頭ページが設定される。また、ブロック最大エラー値EBmaxBlockを0に初期化する。ブロック最大エラー値EBmaxBlockは、検査対象ブロックに含まれる全ページのエラー検出値の中で、最大のエラー検出値を示す。ステップS3において、メモリコントローラ3は、メモリ4にアクセスし、検査対象ブロックの検査対象ページの読み出し処理を行う。検査対象ページとは、ページカウント値iで特定されているページである。ステップS4において、ページ最大エラー値EBmaxPageとエラー閾値EBthとの比較が行われる。具体的には、ECC回路7は、検査対象ページに対してエラー検出処理を行う。ECC回路7のエラー検出単位のByte長は、必ずしも、ページサイズと一致しない。ECC回路7のエラー検出単位のByte長が、ページサイズよりも小さい場合、検査対象ページに対して複数個のエラー検出値が得られることになる。メモリコントローラ3は、複数個のエラー検出値の中で最大値をページ最大エラー値EBmaxPageとして設定する。つまり、メモリコントローラ3は、ページ内の総エラーBit数を評価するのではなく、ECC検出単位における最大エラーBit数を評価する。ブロック全体でエラーBit数が大きくなる前に、特定のページにおいてエラーBit数が増大した時点で、リードディスターブの発生を修復することができる。エラー閾値EBthは、リフレッシュを行うべきか否かを判定するための閾値である。ページ最大エラー値EBmaxPageがエラー閾値EBth以上となっているときステップS4でYES、リフレッシュが必要と判断され、ステップS5に移行する。ページ最大エラー値EBmaxPageがエラー閾値EBthよりも小さいとき、まだリフレッシュを行う必要はないと判断され、ステップS8に移行する。たとえば、図3に示した例であれば、NANDフラッシュメモリの1ページは、4つのECC検出単位に区分される。それぞれのECC検出単位について、5Bit、7Bit、3Bit、0Bitのエラーが検出されている。この例であれば、ページ最大エラー値EBmaxPageは7Bitである。エラー閾値EBthが、たとえば8Bitであれば、この例では、リフレッシュを行う必要はないと判定される。エラー閾値EBthが、たとえば、7Bitであれば、検査対象ページを含む検査対象ブロックのリフレッシュが行われることになる。ステップS5において、メモリコントローラ3は、検査対象ブロックに対してリフレッシュを行う。具体的には、メモリコントローラ3は検査対象ブロックの全ページのデータを読み出し、バッファに格納する。次に、メモリコントローラ3は、検査対象ブロックの全ページのデータを消去する。そして、メモリコントローラ3は、ECC回路7を利用してバッファに格納しているデータに対してエラー訂正を行った後、訂正後のデータを検査対象ブロックに書き戻す。これによりリフレッシュが完了する。ステップS5のリフレッシュ処理が完了すると、メモリコントローラ3は、消去カウンタ6に格納されている検査対象ブロックの消去回数ECを1インクリメントするステップS6。続いて、メモリコントローラ3は、リードカウンタ5に格納されている検査対象ブロックのリード回数RCを0に初期化するステップS7。つまり、検査対象ブロックに対してリフレッシュ処理を行ったので、検査対象ブロックに対して発生しているリードディスターブに基づくエラーは修復されている。そこで、検査対象ブロックについては、しばらくの期間、リフレッシュが不要となるので、リード回数RCを0で初期化する。ステップS7の処理が完了すると、ステップS1に戻り、再び、検査対象ブロックの存在の有無をチェックする。つまり、リード回数RCにオフセット値RCoffsetを加算した値がリード回数閾値RCthを超えるブロックが存在する否かをチェックする。ここで、ステップS7の処理の後、即座にステップS1に戻ってもよいが、所定のタイミングが到来した時点で、ステップS1を再開するようにしてもよい。再び、ステップS4を参照する。ページ最大エラー値EBmaxPageがエラー閾値EBthより小さいときステップS4でNO、ステップS8に移行する。ステップS8において、メモリコントローラ3は、ページ最大エラー値EBmaxPageとブロック最大エラー値EBmaxBlockとを比較する。ページ最大エラー値EBmaxPageがブロック最大エラー値EBmaxBlockを超える場合ステップS8でYES、メモリコントローラ3は、最大エラー値EBmaxBlockにページ最大エラー値EBmaxPageの値をセットするステップS9。つまり、検査対象ページで検出されたエラー検出値が、現時点で、エラー検出値の最大値となったので、ブロック最大エラー値EBmaxBlockを更新する。ステップS10において、ページカウント値iが、検査対象ブロック内の最終ページを示す値かどうかを判定する。つまり、検査対象ページが検査対象ブロック内の最終ページであるか否かを判定する。検査対象ページが検査対象ブロック内の最終ページでない場合ステップS10でNO、ステップS11において、ページカウント値iを1だけインクリメントする。これにより、ステップS3に戻り、次の検査対象ページについて、ステップS3~S12に処理が行われる。検査対象ページが検査対象ブロック内の最終ページである場合ステップS10でYES、リード回数RCを初期化するステップS12。ステップS7においては、リード回数RCを0に初期化した。しかし、ステップS12においては、リード回数RCは0に初期化されない。ステップS12において、リード回数RCの初期化値は、2つの補正値に基づいて補正される。メモリコントローラ3は、エラー閾値EBthに対するブロック最大エラー値EBmaxBlockの割合を、エラー進行割合として設定する。メモリコントローラ3は、エラー進行割合EBmaxBlock/EBthに、リード回数閾値RCthを乗算した値を第1補正値として設定する。そして、メモリコントローラ3は、初期化値に、第1補正値を加算する。また、メモリコントローラ3は、検査対象ブロックに含まれるページの数PageNumを、第2補正値として設定する。そして、メモリコントローラ3は、初期化値に、第2補正値を加算する。これにより、検査処理において読み出した回数も考慮して、初期化値が補正される。このように、メモリコントローラ3は、第1補正値RCthEBmaxBlock/EBthおよび第2補正値PageNumをリード回数RCの初期化値に加算する。したがって、この検査対象ブロックについては、再び、ステップS1においてリード回数閾値RCthとの比較が行われるとき、既に、補正値分だけリード回数が加算された状態となっている。ある程度、リードディスターブによるエラー発生が進行していると考えられるので、リード回数RCを0に初期化せず、早い時期に再び検査対象となるように厳しくチェックするのである。これにより、リードディスターブによるエラー発生が情報処理に影響を与えることを、未然に回避することができる。また、ステップS1においては、初期化されたリード回数RCには、オフセット値RCoffsetが加算される。オフセット値RCoffsetは、消去回数RCに応じて設定される第3補正値である。この実施の形態においては、消去カウンタ6に格納されている各ブロックの消去回数ECを1Bit左シフトすることにより、オフセット値RCoffsetを求めるようにしている。たとえば、消去回数ECが1回であれば、オフセット値RCoffsetは2である。消去回数ECが1000回であれば、オフセット値RCoffsetは、2000である。このように、検査処理の中で行われた消去回数も加味して、検査対象ブロックを選択するようにし、リードディスターブによるエラー発生が情報処理に影響を与える前に、未然に修復することができる。もちろん、左シフトするときのシフト量は自由に設定することができる。また、左シフトは一例であり、消去回数ECが反映されるような補正値を適宜選択することができる。なお、消去カウンタ6に格納されている消去回数ECは、原則的には、初期化されない。したがって、累積的にリフレッシュ回数が多くなっているブロックについては、より厳しくチェックされることになる。{第2の実施の形態}次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。第2の実施の形態については、リード回数RCおよび消去回数ECの集計単位が異なる。第1の実施の形態においては、リード回数RCおよび消去回数ECは、ブロック単位で集計した。第2の実施の形態においては、リード回数RCおよび消去回数ECは、バンク単位で集計する。図4のステップS1において、第1の実施の形態においては、検査対象ブロックの存在の有無を検出した。第2の実施の形態においては、ステップS1において、検査対象バンクの存在を検出する。ステップS5において、第1の実施の形態においては、検査対象ブロックをリフレッシュした。第2の実施の形態においては、ステップS5において、検査対象バンクをリフレッシュする。ステップS8において、第1の実施の形態においては、ページ最大エラー値EBmaxPageとブロック最大エラー値EBmaxBlockとを比較した。第2の実施の形態においては、ステップS8において、ページ最大エラー値EBmaxPageとバンク最大エラー値EBmaxBankを比較する。つまり、第1の実施の形態においては、ページ最大エラー値EBmaxPageのブロック内での最大値を求めたが、第2の実施の形態においては、ページ最大エラー値EBmaxPageのバンク内での最大値を求める。ステップS10においては、第1の実施の形態においては、検査対象ブロック内の最終ページであるかどうかを判定した。第2の実施の形態においては、ステップS10において、検査対象バンク内の最終ページであるかどうかを判定する。ステップS12において、第1の実施の形態においては、エラー閾値EBthに対するブロック最大エラー値EBmaxBlockの割合をエラー進行割合とした。第2の実施の形態においては、ステップS12において、エラー閾値EBthに対するバンク最大エラー値EBmaxBankの割合をエラー進行割合する。第2の実施の形態においても、第1の実施の形態と同様、リードディスターブの発生しているページを検出し、情報処理にエラーが発生することを未然に防止できる。第1の実施の形態と第2の実施の形態は、それぞれ異なる長所を備えているので、それらを使い分けるようにすればよい。第1の実施の形態においては、リフレッシュされる単位がブロック単位であるので、メモリ4に対する負荷を小さくすることができる。第2の実施の形態においては、バンク単位でカウント値を保持するので、カウント値を保持するために必要な記憶領域を小さくすることができる。{変形例}この実施の形態では、第1、第2、あるいは第3補正値を利用して、リード回数RCの初期化値を補正したが、リード回数閾値RCthを補正するようにしてもよい。リード回数閾値RCthは、メモリ4がSLCSingleLevelCellであるか、MLCMultiLevelCellであるかに応じて、最適な値に調整すればよい。また、リード回数閾値RCthは、Bankサイズ、ベンダーに応じて最適な値に調整すればよい。同様に、エラー閾値EBthについても、SLC、MLCの種別、Bankサイズ、ベンダーに応じて最適な値に調整すればよい。この実施の形態において、ブロック単位で、あるいは、バンク単位で、ページに対する読み出しアクセス回数をカウントした。ブロック内の先頭アドレスのページ、あるいは、ブロック内の最終アドレスのページについては、リードディスターブ現象が発生しやすいことが判明している。そこで、ブロック内の先頭アドレスのページ、あるいは、ブロック内の最終アドレスのページについては、読み出し回数のカウントに重みをつけてもよい。たとえば、ブロック内の先頭アドレスのページ、あるいは、ブロック内の最終アドレスのページについては、1回の読み出しに対して、リード回数RCを2だけインクリメントするようにしてもよい。"