被成膜物に対向させる高周波電極と、前記被成膜物に接続させる接地電極と、を有し、前記高周波電極と前記接地電極との間に発生させたプラズマを用いて前記被成膜物を成膜するプラズマ成膜装置であって、前記高周波電極は、前記被成膜物の第1被成膜面に対向させる第1高周波電極と、前記被成膜物のうち前記第1被成膜面とは反対側の第2被成膜面に対向させる第2高周波電極と、を有し、前記第1高周波電極、前記第2高周波電極および前記接地電極は、前記第1被成膜面の成膜のための前記第1高周波電極および前記接地電極の間のプラズマと、前記第2被成膜面の成膜のための前記第2高周波電極および前記接地電極の間のプラズマとを、同時に発生させることを特徴とするプラズマ成膜装置。前記第1高周波電極が備える第1電極面と、前記第2高周波電極が備える第2電極面とに垂直な方向について、前記被成膜物を保持する位置を調整可能とする位置調整機構を有することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ成膜装置。前記第1高周波電極へ高周波電力を供給する第1高周波電源と、前記第2高周波電極へ高周波電力を供給する第2高周波電源と、を有し、前記第1高周波電源および前記第2高周波電源は、互いに異なるレベルの高周波電力を供給可能であることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ成膜装置。前記被成膜物は、前記接地電極、あるいは前記接地電極に接続された載置手段に載置され、前記接地電極あるいは前記載置手段には、前記第2被成膜面を前記第2高周波電極に対向させるための開口が設けられていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一つに記載のプラズマ成膜装置。被成膜物に対向させた高周波電極と、前記被成膜物に接続させた接地電極と、の間にプラズマを発生させるプラズマ発生工程を含み、前記高周波電極は、前記被成膜物の第1被成膜面に対向させる第1高周波電極と、前記被成膜物のうち前記第1被成膜面とは反対側の第2被成膜面に対向させる第2高周波電極と、を含み、前記プラズマ発生工程において、前記第1被成膜面の成膜のための前記第1高周波電極および前記接地電極の間のプラズマと、前記第2被成膜面の成膜のための前記第2高周波電極および前記接地電極の間のプラズマとを、同時に発生させることを特徴とするプラズマ成膜方法。前記第1高周波電極が備える第1電極面と、前記第2高周波電極が備える第2電極面とに垂直な方向について、前記被成膜物を保持する位置を調整する位置調整工程を含むことを特徴とする請求項5に記載のプラズマ成膜方法。前記第1高周波電極と前記第2高周波電極とに、互いに異なるレベルの高周波電力を供給することを特徴とする請求項5または6に記載のプラズマ成膜方法。現在普及している設備構成では、一つの成膜工程に対して一つの設備を要している。このため、基板両面への成膜のためにプロセスが増加することは製造工程の増加に直結し、生産性の悪化を招くこととなる。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、基板両面への成膜を効率的に実施可能とするプラズマ成膜装置およびプラズマ成膜方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、被成膜物に対向させる高周波電極と、前記被成膜物に接続させる接地電極と、を有し、前記高周波電極と前記接地電極との間に発生させたプラズマを用いて前記被成膜物を成膜するプラズマ成膜装置であって、前記高周波電極は、前記被成膜物の第1被成膜面に対向させる第1高周波電極と、前記被成膜物のうち前記第1被成膜面とは反対側の第2被成膜面に対向させる第2高周波電極と、を有し、前記第1高周波電極、前記第2高周波電極および前記接地電極は、前記第1被成膜面の成膜のための前記第1高周波電極および前記接地電極の間のプラズマと、前記第2被成膜面の成膜のための前記第2高周波電極および前記接地電極の間のプラズマとを、同時に発生させることを特徴とする。本発明にかかるプラズマ成膜装置は、一つの成膜工程により、被成膜物の第1被成膜面と第2被成膜面とを同時に成膜可能とする。プラズマ成膜装置は、被成膜物の成膜を片面ずつ実施する場合に比べ、基板両面への成膜を効率的に実施することができる。さらに、このプラズマ成膜装置を適用することで、両面成膜を要するデバイスについて製造工程を減少させ、プロセスの簡易化が可能となる。以下に、本発明にかかるプラズマ成膜装置およびプラズマ成膜方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかるプラズマ成膜装置の概略構成を示す断面図である。プラズマ成膜装置は、第1高周波電極101、第2高周波電極102、接地電極103、チャンバー104、真空ポンプ105、高周波電源106および位置調整機構116を有する。チャンバー104は、ガス供給口107および排気口108を備える。排気口108は、真空ポンプ105を備える排気経路に接続されている。真空ポンプ105は、チャンバー104内から排気経路への排気を行う。チャンバー104内は、真空ポンプ105により真空度が制御されている。ガス供給口107は、ガス供給源図示省略を備えるガス供給経路に接続されている。ガス供給源は、チャンバー104内へ成膜ガスを供給する。第1高周波電極101、第2高周波電極102および接地電極103は、チャンバー104内部に設けられている。第1高周波電極101が備える第1電極面111と、第2高周波電極102が備える第2電極面112とは、互いに平行とされている。また、第1高周波電極101および第2高周波電極102は、第1電極面111および第2電極面112が所定の間隔をなすように配置されている。高周波電源106は、第1高周波電極101および第2高周波電極102に対して同等の高周波電力を供給する。接地電極103は、第1高周波電極101および第2高周波電極102の間に配置されている。接地電極103の上には、被成膜物100が載置される。被成膜物100は、例えば半導体基板とする。被成膜物100は、第1被成膜面113を第1電極面111に対向させて、接地電極103上に載置される。接地電極103には、開口115が設けられている。被成膜物100は、開口115を跨いで載置されている。被成膜物100のうち第1被成膜面113とは反対側の第2被成膜面114は、開口115内の部分が第2電極面112に対向している。被成膜物100は、第2被成膜面114のうち開口115外の部分において、接地電極103に接触している。プラズマ成膜装置は、プラズマ発生工程において第1高周波電極101および接地電極103の間に発生させたプラズマを用いて、被成膜物100の第1被成膜面113を成膜する。また、プラズマ成膜装置は、プラズマ発生工程において第2高周波電極102および接地電極103の間に発生させたプラズマを用いて、被成膜物100の第2被成膜面114を成膜する。第1高周波電極101、第2高周波電極102および接地電極103は、第1高周波電極101と接地電極103との間のプラズマと、第2高周波電極102と接地電極103との間のプラズマとを、同時に発生させる。これにより、プラズマ成膜装置は、第1被成膜面113の成膜と第2被成膜面114の成膜とを同時に行う。位置調整機構116は、位置調整工程において、第1電極面111および第2電極面112に垂直な方向である鉛直方向へ接地電極103を移動させる。位置調整機構116は、接地電極103の移動により、被成膜物100を保持する位置を鉛直方向について調整可能とする。図2および図3は、位置調整機構による被成膜物の位置調整について説明する図である。ここでは、説明に必要な構成以外の構成の図示を省略している。d1は、第1電極面111と第1被成膜面113との間の距離とする。d2は、第2電極面112と第2被成膜面114との間の距離とする。第1被成膜面113に形成する薄膜を、第2被成膜面114に形成する薄膜より厚くする場合、図2に示すように、位置調整機構116は、被成膜物100を保持する位置を、d1<d2となる位置に調整する。また、第2被成膜面114に形成する薄膜を、第1被成膜面113に形成する薄膜より厚くする場合、図3に示すように、位置調整機構116は、被成膜物100を保持する位置を、d1>d2となる位置に調整する。プラズマ成膜装置は、第1高周波電極101および接地電極103の間のプラズマと、第2高周波電極102および接地電極103の間のプラズマとを同時に発生させることで、被成膜物100の第1被成膜面113と第2被成膜面114とを同時に成膜できる。プラズマ成膜装置は、被成膜物100の両面の同時成膜を可能とすることで、被成膜物100の成膜を片面ずつ実施する場合に比べ、両面成膜を要するデバイスについて製造工程を減少させ、プロセスの簡易化が可能となる。プラズマ成膜装置は、被成膜物100を保持する位置を適宜調整可能とすることで、第1被成膜面113と第2被成膜面114とで、互いに異なる膜厚の薄膜を一度に形成することができる。プラズマ成膜装置は、一つの成膜工程により、第1被成膜面113と第2被成膜面114とのそれぞれに所望の膜厚の薄膜を形成可能とする。これにより、プラズマ成膜装置は、基板両面への成膜を効率的に実施することができる。プラズマ成膜装置は、製造工程を集約可能とすることで、デバイスの製造ラインの簡略化、原材料コストの低減、消費電力の低減が可能となる。図4は、接地電極の構成例を示す平面図である。ここでは、被成膜物100が載置された接地電極103の、第1被成膜面113側における平面構成を示している。各開口115は、それぞれ共通の矩形をなしている。開口115は、二次元方向にマトリクス状に配置されている。座繰り部117は、各開口115の外縁のうち、互いに対向する二辺に沿って形成されている。被成膜物100は、座繰り部117に載置される。座繰り部117は、被成膜物100を保持する。座繰り部117は、例えば、図1に示す接地電極103のうち、傾きを持たせて表した部分に相当する。プラズマ成膜装置は、開口115ごとに被成膜物100を載置することで、一つの成膜工程により複数の被成膜物100の成膜を実施することができる。なお、被成膜物100は、第1被成膜面113および第2被成膜面114のうち膜の部分的な欠損の回避がより望まれる面を、接地電極103に載置される側、すなわち下側として配置しても良い。膜の欠損の回避が望まれる面について、パーティクルの落下による成膜の阻害を抑制させ、被成膜物100全体としてのパーティクルによる影響を低減させることができる。なお、プラズマ成膜装置は、被成膜物100を接地電極103自体に載置する場合に限られず、例えば、接地電極103に接触させた載置手段であるサセプタ等に被成膜物100を載置することとしても良い。サセプタは、導電性部材を用いて構成されている。本実施の形態に適用されるサセプタには、開口115が形成されている。また、この場合、位置調整機構116は、当該サセプタの位置を調整する。プラズマ成膜装置は、例えば接地電極103自体への被成膜物100の載置や、接地電極103自体の位置調整あるいは開口115の形成等が困難な場合でも、当該サセプタを使用することで、本実施の形態の効果を得ることができる。実施の形態2.図5は、本発明の実施の形態2にかかるプラズマ成膜装置の概略構成を示す断面図である。実施の形態1と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。プラズマ成膜装置は、第1高周波電極101、第2高周波電極102、接地電極103、チャンバー104、真空ポンプ105、第1高周波電源201および第2高周波電源202を有する。接地電極103は、第1電極面111と第2電極面112との間の中央に被成膜物100が載置されるように設けられている。第1高周波電源201は、第1高周波電極101へ高周波電力を供給する。第2高周波電源202は、第2高周波電極102へ高周波電力を供給する。第1高周波電源201および第2高周波電源202は、供給する高周波電力が個別に制御される。第1被成膜面113に形成する薄膜を、第2被成膜面114に形成する薄膜より厚くする場合、プラズマ成膜装置は、第1高周波電源201から供給する高周波電力が、第2高周波電源202から供給する高周波電力より高くなるように調整する。また、第2被成膜面114に形成する薄膜を、第1被成膜面113に形成する薄膜より厚くする場合、プラズマ成膜装置は、第2高周波電源202から供給する高周波電力が、第1高周波電源201から供給する高周波電力より高くなるように調整する。プラズマ成膜装置は、本実施の形態においても、被成膜物100の両面の同時成膜を可能とすることで、製造工程の減少、プロセスの簡易化が可能となる。また、プラズマ成膜装置は、第1高周波電極101に供給する高周波電力と第2高周波電極102に供給する高周波電力とを適宜調整可能とすることで、第1被成膜面113と第2被成膜面114とで、互いに異なる膜厚の薄膜を一度に形成することができる。プラズマ成膜装置は、一つの成膜工程により、第1被成膜面113と第2被成膜面114とのそれぞれに所望の膜厚の薄膜を形成可能とする。これにより、プラズマ成膜装置は、基板両面への成膜を効率的に実施することができる。なお、プラズマ成膜装置は、実施の形態1の位置調整機構116図1参照による接地電極103の位置調整を、本実施の形態の高周波電力の調整に組み合わせることとしても良い。これにより、プラズマ成膜装置は、第1被成膜面113および第2被成膜面114に形成する薄膜の膜厚を、多様に制御することができる。