表面および外側縁部を有するレチクルを位置決めする表面および外側縁部を有するチャックと、前記チャックの前記表面から延在し、かつ前記レチクルを支持する複数の突出部と、前記チャックの前記表面と前記レチクルの前記表面との間の壁であって、前記壁は空間を画定しかつ前記空間内でバックフィルガスの圧力を維持するように構成されており、前記壁の外周は前記レチクルの前記外側縁部内にある、壁とを含む、装置。前記壁は、前記空間の外への前記バックフィルガスの漏れを許容するようにさらに構成されている、請求項1に記載の装置。前記壁および前記バックフィルガスは、前記レチクルの温度変化を減少させるように構成されている、請求項1に記載の装置。前記バックフィルガスは水素を含む、請求項1に記載の装置。前記チャックに結合されかつ前記壁の前記外周内に配置された分配トレンチであって、前記バックフィルガスの入力のために少なくとも1つの供給ポートに結合されている、分配トレンチをさらに含む、請求項1に記載の装置。前記壁の前記外周は、前記レチクルの前記膨張変化を減少させるように構成されている、請求項1に記載の装置。前記チャックは、冷却流体が通過する冷却チャネルを含む、請求項1に記載の装置。前記チャックは、前記冷却チャネルと前記突出部との間で前記チャック内に配置された少なくとも1つの空洞を含み、前記空洞は、空洞バックフィルガスによって選択的に充填されるように構成されている、請求項7に記載の装置。前記チャックは、前記冷却チャネルと前記突出部との間で前記チャック内に複数の空洞を含み、前記複数の空洞は、前記レチクルの温度変化を減少させるためにバックフィルガスによって選択的に充填されるように構成されている、請求項1に記載の装置。チャック内のポートでバックフィルガスを受けることと、前記チャックと、レチクルと、壁との間で画定された空間に前記バックフィルガスを分配することであって、前記壁の外周は前記レチクルの前記外側縁部内にある、ことと、前記レチクルの加熱領域を前記バックフィルガスに熱接触させることとを含む、方法。前記分配することは、前記バックフィルガスの漏れを許容することをさらに含む、請求項10に記載の方法。前記分配することは、前記レチクルの温度変化を減少させることをさらに含む、請求項10に記載の方法。前記受けることは、水素を受けることをさらに含む、請求項10に記載の方法。リソグラフィシステムであって、放射ビームにパターン付けすることができるレチクルを支持するように適合されたサポートデバイスであって、表面および外側縁部を有するレチクルを位置決めする表面および外側縁部を有するチャックと、前記チャックの前記表面から延在し、かつ前記レチクルを支持する複数の突出部と、前記チャックの前記表面と前記レチクルの前記表面との間の壁であって、前記壁は空間を画定しかつ前記空間内のバックフィルガスの圧力を維持するように構成されており、前記壁の外周は前記レチクルの前記外側縁部内にある、壁とを含む、サポートデバイスと、前記パターン付きビームを基板上に投影するように適合された投影システムとを含む、リソグラフィシステム。前記壁は、前記空間の外への前記バックフィルガスの漏れを許容するようにさらに構成されている、請求項14に記載のリソグラフィシステム。0002本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ1つ以上の実施形態を開示する。開示される実施形態は、本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される1つ以上の実施形態に限定されない。本発明は添付の特許請求の範囲によって定義される。0003記載される1つ以上の実施形態、および一実施形態、実施形態、例示的実施形態などへの本明細書における言及は、記載される1つ以上の実施形態が特定の特徴、構造または特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造または特性を含まないことを示す。さらに、そのようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、一実施形態に関連して特定の特徴、構造または特性について記載している場合、明示的に記載されているか記載されていないかにかかわらず、そのような特徴、構造、または特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。0004本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェアまたはその任意の組合せで実施することができる。本発明の実施形態は、1つ以上のプロセッサで読み取り、実行することができる機械読取可能媒体に記憶した命令としても実施することができる。機械読取可能媒体は、機械例えば計算デバイスで読取可能な形態で情報を記憶するかまたは伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械読取可能媒体はリードオンリーメモリROM、ランダムアクセスメモリRAM、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響または他の形態の伝搬信号例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号などおよびその他のものを含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかしながら、そのような記述は便宜的なものにすぎず、そのような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。0020そのような実施形態をより詳細に記載する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示的環境を示すことが有益である。0021図1Aおよび図1Bは、それぞれリソグラフィ装置100およびリソグラフィ装置100’を概略的に示す。リソグラフィ装置100およびリソグラフィ装置100’の各々は、放射ビームB例えば、DUVまたはEUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスク、レチクルまたは動的パターニングデバイスMAを支持するように構成され、かつパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されているサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ基板Wを正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結されている基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTとを備える。リソグラフィ装置100および100’は、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分例えば、1つ以上のダイを含むC上に投影するように構成された投影システムPSも有する。リソグラフィ装置100では、パターニングデバイスMAおよび投影システムPSは反射型であり、リソグラフィ装置100’では、パターニングデバイスMAおよび投影システムPSは透過型である。0022照明システムILとしては、放射Bを誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。0023サポート構造MTは、パターニングデバイスMAの向き、リソグラフィ装置100および100’の設計、および、パターニングデバイスMAが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造MTは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスMAを保持することができる。サポート構造MTは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造MTは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムPSに対して所望の位置に確実に置くことができる。0024パターニングデバイスMAという用語は、基板Wのターゲット部分C内にパターンを作り出すように、放射ビームBの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームBに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分C内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応してもよい。0025パターニングデバイスMAは、透過型図1Bのリソグラフィ装置100’のようにであっても、反射型図1Aのリソグラフィ装置100のようにであってもよい。パターニングデバイスMAの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームBにパターンを付ける。0026投影システムPSという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。EUVまたは電子ビーム放射に対しては真空環境が使用されてもよい。というのは、他のガスは放射または電子を吸収しすぎてしまう場合があるからである。したがって、真空環境は、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に提供されてよい。0027リソグラフィ装置100および/またはリソグラフィ装置100’は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルWTを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加の基板テーブルWTを並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上の基板テーブルWTを露光用に使うこともできる。別の1つ以上の基板テーブルWTを露光用に使いつつ、予備工程を実行することができる場合、予備工程は、リソグラフィ装置100および/またはリソグラフィ装置100’の所望のスループット内で実行されるため、インラインフェーズ中に生じると言われている。逆に、別の1つ以上の基板テーブルWTを露光用に使いつつ、予備工程を実行できない場合、予備工程は、リソグラフィ装置100および/またはリソグラフィ装置100’の所望のスループット内で実行することができないため、オフラインフェーズ中に生じると言われている。本明細書中により詳細に説明するように、露光システム例えば、リソグラフィ装置100、100’の投影システムPSの焦点位置決めパラメータは、オフラインフェーズ、インラインフェーズまたはその組み合わせで決定されてよい。0028図1Aおよび図1Bを参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受ける。例えば、放射源SOがエキシマレーザである場合、放射源SOとリソグラフィ装置100および100’は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源SOは、リソグラフィ装置100または100’の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームBは、放射源SOからイルミネータILへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBD図1Bを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源SOが水銀ランプである場合、放射源SOは、リソグラフィ装置100および100’の一体部分とすることもできる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。0029イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタAD図1Bを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOといったさまざまな他のコンポーネント図1Bを含むことができる。イルミネータILを使って放射ビームBを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。0030図1Aを参照すると、放射ビームBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスMAによってパターン形成される。リソグラフィ装置100では、パターニングデバイス例えば、マスクMAから放射ビームBが反射される。パターニングデバイス例えば、マスクMAから反射した後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上に放射ビームBの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBのパス内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサIF1を使い、パターニングデバイス例えば、マスクMAを放射ビームBのパスに対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス例えば、マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。0031図1Bを参照すると、放射ビームBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクMAを通り抜けた後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上に放射ビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサ図1Bには明示的に示されていないを使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。0032通常、マスクテーブルMTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合はスキャナとは対照的に、マスクテーブルMTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできるこれらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、複数のダイがマスクMA上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。0033リソグラフィ装置100および100’は、以下のモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。0034ステップモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームBに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。0035スキャンモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームBに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造例えば、マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。0036別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造例えば、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームBに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する。パルス放射源SOが採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0037上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0038本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0039本明細書で使用される放射およびビームという用語は、紫外線UV例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長、またはおよそこれらの値の波長を有するおよび極端紫外線EUV例えば、5nm以上の波長を有するを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。0040レンズという用語は、文脈によっては、屈折および反射型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0041図2は、入射放射220および反射放射230とともにレチクル210の図を提供する。レチクル210上のパターン240は、反射放射230をパターン付き放射とさせる。反射放射230の量は、吸収放射250により、入射放射220の量より少ない。吸収放射250は、レチクル210の加熱および膨張、したがって、パターン付き放射内の歪みに変換するパターン240の歪みという結果となり得る。一般的には、加熱および結果として生じる歪みは、レチクルの表面にわたって不均一である。0042図3は、チャック310によって適切な場所に保持されているレチクル210の図を提供する。チャック310は、当該技術分野では一般的にクランプとしても知られている。レチクル210とチャック310との接触は、突出部320によって達成される。突出部は、当該技術分野ではバールとしても知られている。複数の突出部320、例えば、二次元アレイは、チャック310の表面330にわたって配置されてレチクル210の表面340にわたって接触点の分配を提供する。図2を参照して記載したように、熱伝達は、レチクル210内の吸収放射250からチャック310へと生じることができ、これは、伝導、対流および放射を介して可能である。放射を用いた熱伝達は非常に制限され得る。0043一例では、レチクル210が真空内に配置された場合、対流を使用することは望ましくない。すなわち、対流は、真空環境を損なうであろう移動ガスをかなりの量必要とする。さらに、チャック310とレチクル210との間の物理的接触は突出部320を介して行われるため、突出部320を介する伝導による熱伝達の量は非常に制限されている。0044一例では、伝導による熱伝達の追加のチャネルは、空洞または内部体積を充填するバックフィルガスを用いて提供することができる。図6Bに示すように、ガスは、実質的に、対向するレチクル210の表面340とチャック310の表面330すなわち、レチクル210裏側とチャック310の前側との間にある壁510内に抑制される。したがって、以下に説明するように、レチクル210、チャック310およびバックフィルガスは、レチクル210内に生成される熱によって熱システムを形成し、その後熱は、伝導によってチャック310へと流れ、熱はそこで取り除かれる。一例では、一部の場合、レチクル210の裏側とチャック310の前側との間のシールには欠点があり、これは、一部のバックフィルガスを周囲の真空内へと漏らし得る。したがって、バックフィルガスは、漏れが周囲の環境における機器内に望ましくない影響を引き起こさないように注意深く選択されるべきである。適切なバックフィルガスの一例は水素である。適切な圧力レベルにおける水素は、妥当な熱伝導パスを提供する一方、相対的に低圧の漏れた水素は周囲の環境における機器内に望ましくない影響を全く引き起こさないということも提供する。0045図4はシステム400を示す。例えば、システム400を用いて、バックフィルガスを、壁510とレチクル210とチャック310との間の空間によって形成される体積540に供給させることができる図5および図6Bを参照。システム400は、4つのバックフィルガス供給ポート410a、410b、410cおよび410dを含み、バックフィルガスはこれらを通って外部のバックフィルガス源図示せずから入力されることができる。4つのバックフィルガス供給ポート410は、内部体積の周りに外周を形成する分配トレンチ420に結合される。この内部体積では、高圧バックフィルガスが熱伝導目的のために維持されることが望ましい。4つのバックフィルガス供給ポート410は単に例示のためのみであり、任意の数すなわち、1つ以上のバックフィルガス供給ポートを利用してもよいことに留意されたい。一例では、バックフィルガス供給ポートの数を増加させることは、その追加のバックフィルガス供給ポートを提供することによる複雑性を高めることによって結果として生じるバックフィルガス圧の均一性を改善する。0046図5は、図4に示す装置400の断面図を示す。バックフィルガス550は、レチクル210とチャック310との間の内部空間によって形成される体積540内へと導入される。分配トレンチ420は、壁510例えば、流量制限ダムの内側に示される。壁510を用いて壁510の外周より内側のバックフィルガスを維持することができる。一例では、壁510はレチクル210とチャック310等との間に小さなギャップ520を含み得る。なぜなら、例えば、耐性または適合性はあまり望まれておらず、それによってレチクル210とチャック310との間にある離隔を形成する。この離隔が生じた場合、ギャップ520は、外部環境へのバックフィルガスの漏れを可能し得る。一例では、水素がバックフィルガスとして使用され、1000Paの高圧が、レチクル210とチャック310との間の内部体積内の通常の圧力である。内部体積の外では、水素の漏れは、通常、3Paの低圧という結果となる。典型的な構造寸法は、突出部の高さ10μm、小さなギャップの寸法2.5μm、ならびにトレンチの幅0.5mmおよび深さ0.3mmのそれぞれである。これらの寸法は、例示のために提供されており、限定のためではない。0047さらに図5に示すように、一例では、チャック310は、任意選択として、熱をチャック310から取り除くために冷却流体が中を通る1つ以上の冷却チャネル530を含んでよい。一例では、冷却チャネル530を通る冷却流体は水であるが、他の冷却流体を使用してもよい。0048壁510に戻ると、一例では、壁510の外周を変更することによって異なる熱伝導プロファイルが生じる。例えば、レチクル210の裏側全体にわたる均一な熱伝導は、レチクル210の外周に対応するように壁510の外周を選択することによって生じることができる。しかしながら、上述したように、吸収放射250により、レチクル210の中心は相対的に高温である一方、レチクル210の縁部は相対的に低温であり得る。これはレチクル210の不均一な膨張という結果となる。したがって、この例では、レチクル210の縁部での熱伝導を減少させる一方、レチクル210の中心の熱伝導を維持することが望ましい。それを行うことにより、レチクル210にわたる温度変化およびその結果として生じる膨張は、より均一になる。均一なレチクル膨張は修正可能である一方、不均一な膨張は、多くの場合、修正できない。したがって、レチクル210にわたる温度変化がより均一になった場合、歪みおよびオーバーレイエラーなどのイメージ配置エラーは減少される。0049本発明の例示的実施形態では、壁510例えば、流量制限ダムの外周を縮小させて所望の温度変化を達成する。例えば、壁510の外周がレチクル210の外周の内部にあるように壁510の外周を縮小することによって、レチクル210の裏側にわたる不均一な熱伝導を実現することができる。したがって、レチクル210の縁部の内側となるように壁510の外周を選択することによって、レチクル210の通常では低温の縁部はより低い熱伝導を示し、それによって縁部での温度を高めることができる。レチクル210の通常では高温の中心は、より高い熱伝導を受け続けるため、縮小された壁510の外周の複合効果は、小さな温度変化、結果として生じるより小さな膨張変化、よって減少した歪みおよびオーバーレイエラーを提供することである。0050図6Aおよび図6Bは、例示的な壁例えば、流量制限ダム構成を示す。壁510の外周をレチクル210の縁部より小さく、したがってその内側に入るように設計することによって、レチクル210にわたる温度の変化、したがって膨張の変化における結果的減少を伴う不均一な熱伝導プロファイルが達成される。0051図6Aは、レチクル210の縁部内に入る壁510の平面図を示す。この特定な例では、六面形状が示されているが、レチクル210の温度変化を減少させるあらゆる形状を使用してもよい。0052図6Bは壁510の斜視図を示す。この図では、突出部320上に置かれたレチクル210が示されており、内部空間540は、レチクル210およびチャック310の対向面330および340の間に画定される。バックフィルガスは供給ポート410およびトレンチ420によって導入される。壁510または壁はレチクル210の縁部内に入り、その外周はレチクル210の温度変化を減少させるように選択される。壁510は内部空間内のバックフィルガスの圧力を維持する。上述したように、壁510は、レチクル210にわたる温度変化を減少させるという目的に矛盾することなくあらゆる形状であってよい。図6Bでは、例示のために四面形状が示されている。0053本発明の模擬実演では、訂正されたオーバーレイエラーは2.0nmから1.3nmに減少された。図6Aおよび図6Bは、単に例示のためである。壁510の他の外周および形状は、所望の熱伝導プロファイルおよび温度変化に基づいて設計されてよい。上記したように、所望の熱伝導プロファイルは、レチクル210の熱プロファイルに応じて膨張プロファイルを減少させることなどの考慮に基づく。0054さらなる例示的実施形態では、レチクル材料の膨張と温度との関係を活用することができる。例えば、図7は、そのような関係を、T軸に示すレチクル材料の温度に応じたレチクル材料の膨張を表すE軸で示す。本発明の前の実施形態では、壁510の特定の外周によって作り出される不均一な熱伝導プロファイルを用いてレチクル210のにわたる温度変化を減少させることが望ましい目標であった。レチクル210にわたる膨張変化を減少させることが最終目標であるため、代替の設計目標は、関連性のある材料の膨張温度特性と組み合わされた場合に減少した膨張変化が結果として生じる、不均一な熱伝導プロファイルを選択することである。特定の実施形態では、レチクル210の温度変化範囲図7にAとして示すの中心を、材料膨張温度特性の最低値に置くことが有益である図7。レチクル210の動作温度プロファイルの中心を最低値に置くことによって、結果として生じるレチクル210にわたる膨張変化は実質的に減少される。0055図8は、レチクル210にわたって可変の熱伝導プロファイルを生成するための選択的に充填可能な空洞の使用の断面図を示すことによって本発明のさらなる実施形態を示す。選択的に充填可能な空洞810はチャック310内で突出部320と冷却チャネル530との間に位置決めされて示される。3つの選択的に充填可能な空洞810を図8に示しているが、あらゆる数の選択的に充填可能な空洞が本発明の精神内にある。例えば、4×4の選択的に充填可能な空洞のマトリクスを使用することができる。選択的に充填可能な空洞810は、各々が選択的にバックフィルガスによって充填されることによって機能する。バックフィルガスによって充填されない場合、各空洞810は真空または低圧バックフィルガスを含む。空洞810を熱伝導バックフィルガスによって選択的に充填した場合、レチクル210内で生じる熱から冷却チャネル530への熱伝導パスを調整することができる。特に、熱伝導パスの調整はレチクル210の温度プロファイルの変更およびその結果として生じる膨張プロファイルとなる。選択的に充填可能な空洞810の数およびパターンは、レチクル210の面積にわたる熱伝導選択性の決定および各空洞810をバックフィルガスによって選択的に充填する能力を提供することによる複雑性などの考慮に基づいて設計されてよい。バックフィルガスは、環境の熱伝導要件および真空要件と一致する水素または他のあらゆるガスであってよい。さらに、この実施形態は、前の壁例えば、流量制限ダム実施形態とともに使用されてもよく、または前の壁実施形態を活用せずにそれ自体で使用されてもよい。0056図9は、本発明の一実施形態による、レチクル210にわたって不均一な熱伝導プロファイルを提供する例示的方法900のフローチャートを提供する。0057プロセスはステップ910で開始する。ステップ910では、バックフィルガスは、チャック310内の供給ポートに提供される。0058ステップ920では、受けたバックフィルガスは、高圧バックフィルガス範囲がレチクル210全体より少ないように壁510例えば、流量制限ダムによって分配される。上述したように、壁510の外周の設計は、レチクル210にわたる温度変化を減少またはレチクル210にわたる特定のレチクル材料の膨張変化を減少させるという目標に対応できることに留意されたい。0059任意または代替のステップ930では、チャック310内の1つ以上の空洞810は、所望の不均一な熱伝導プロファイルに基づいてバックフィルガスによって選択的に充填される。バックフィルガスは、レチクル210とチャック310との間の体積すなわち、空間内に分配されたものと同じであっても異なっていてもよい。0060ステップ940では、方法900が終了する。0061発明の概要および要約の項目は、一人以上の発明者が想定するような本発明の1つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全ての例示的実施形態を述べることはできず、したがって、本発明および添付の請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。0062本発明は、特定の機能の実施を例示する機能的構成要素およびその関係を用いて上記に記載してきた。これらの機能的構成要素の境界は、説明の便宜性のために本明細書中に任意に画定されている。特定の機能およびその関係が適切に行われる限り、代替的な境界を画定することができる。0063特定の実施形態の前述の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更および/またはこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応および変更は、本明細書に提示された教示および案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味および範囲に入るものとする。本明細書の表現または用語は説明のためのもので、制限するものではなく、したがって本明細書の用語または表現は、当業者には教示および案内の観点から解釈されるべきことを理解されたい。0064本発明の幅および範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても制限されず、以下の特許請求の範囲およびその同等物によってのみ規定されるものである。