"少なくとも1つの用途、材料のための改良されたミクロ試験システムであって、粒子を使用しない特殊化されたミクロ粒子貫通試験のために、粒子を使用しない再現可能な及び/又は一貫したミクロ粒子貫通試験ために、粒子を使用しない再現可能な及び/又は一貫した標準化されたミクロ粒子貫通試験ために、粒子を使用しない標準化されたミクロ粒子貫通試験を実行するように改造され、標準化された高圧のミクロ圧縮試験の実行するように改造され、標準化されたZ方向の機械的及び電気的絶縁試験を実行するように改善され、改良された圧子及び前記圧子と試料ステージに間の電気抵抗ループを含む改良されたミクロ試験システム。請求項1に記載のシステムを使用する方法であって、粒子を使用しない再現可能な及び/又は一貫したミクロ粒子貫通試験ために、粒子を使用しない再現可能な及び/又は一貫した標準化されたミクロ粒子貫通試験ために、粒子を使用しない標準化されたミクロ粒子貫通試験、粒子を使用しない特殊化されたミクロ粒子貫通試験、標準化された高圧力圧縮試験、標準化されたZ方向の機械的及び電気的絶縁試験を実行する方法。前記システムは、再現可能な及び/又は一貫したZ方向の機械的及び電気的絶縁強度試験のために、再現可能な及び/又は一貫した標準化されたZ方向の機械的及び電気的絶縁強度試験のために、標準化されたZ方向の機械的及び電気的絶縁強度試験の実行のために改造されることを特徴とする請求項1に記載のシステム。前記システムは、Z方向の機械的及び電気的絶縁強度試験、非導電性又は半導体材料又は被覆膜のZ方向の機械的及び電気的絶縁試験、非導電性、ポリマー材料、薄膜又は被覆膜のZ方向の機械的及び電気的絶縁試験、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆膜のZ方向の機械的及び電気的絶縁試験、多孔性、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆された薄膜のZ方向の機械的及び電気的絶縁試験、多孔性、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆された薄膜のZ方向の機械的及び電気的絶縁試験、薄膜のZ方向の機械的及び電気的絶縁強度試験、薄膜のZ方向の機械的及び電気的絶縁強度試験、薄膜のZ方向の機械的及び電気的絶縁強度、貫通及び/又は圧縮試験のために改造された請求項1記載のシステム。改良された圧子チップ、ミクロ圧子チップ、ナノ圧子チップ、及び/又はミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換するための圧子チップを有するミクロ又はナノ試験又は計測システム。薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通Z方向の強度試験機、薄膜を試験するために改造された高精度ミクロ圧縮Z方向の強度試験機、薄膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮試験機、及び/又は膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮Z方向試験機。ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換する、ミクロ圧縮試験機をミクロ貫通強度試験機に転換する、及び/又は、圧子チップを変更することにより及び/又は圧子チップの形状を変更することにより、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換する方法。完全に自動化されたミクロ圧子計測又は試験システムから選択されるミクロ貫通強度試験システムであって、ミクロ圧子ヘッドの試験又は測定ヘッド又は素子、導電性ミクロ円錐圧子、非導電性薄膜の1以上の断片又はストリップの試料を支持するミクロ表面仕上げを有する相対的に導電性が大きい試験ステージ、再現性のある均一な使い捨ての基板として働く電気めっき金属の選択的に使い捨ての導電基板、及び前記圧子と前記試験ステージの間又は前記圧子と前記導電性基板の間の電気抵抗測定ループを含み、前記電気抵抗測定ループは、電気抵抗センサ、前記圧子から前記ステージに向かう細長い導電体又は線、及び前記ステージ又は前記基板から前記センサに向かう他の細長い導電体又は線を含む、ミクロ貫通強度試験システム。新しく又は改良された試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、機械的及び/又は隔離強度試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、Z方向又は厚さ方向試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、Z方向又は厚さ方向ミクロ強度試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、Z方向又は厚さ方向強度試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、Z方向又は厚さ方向ミクロ貫通試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、非導電性又は半導体材料、被覆膜又は被覆された材料のZ方向試験及び/又は測定方法、素子、器具、機器、装置、システム及び/又は部品、及び/又は非導電性材料又は半導体材料、被覆膜又は被覆された材料のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、非導電性、ポリマー材料、薄膜又は被覆膜のZ方向試験及び/又は測定方法、素子、器具、機器、装置、システム及び/又は部品、及び/又は非導電性、ポリマー材料、薄膜又は被覆膜のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆膜のZ方向試験及び/又は測定方法、素子、器具、機器、装置、システム及び/又は部品、及び/又は非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆膜のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、多孔性、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆膜のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、多孔性、マクロ多孔性及び微孔性、非導電性及び/又はシステム半導体、単層又は複数層、材料、薄膜、複合材料、ラミネート又は被覆された材料、薄膜、複合材料、ラミネート又は類似物の試験及び/又は測定方法、装置、器具、機器、装置、システム、及び/又は部品、及び/又はZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、薄膜のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、薄膜のZ方向強度、貫通、圧縮、ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮試験方法、装置、器具、機器、装置及び/又はシステム、非導電性薄膜、膜、及び/又は被覆された膜、及び/又は類似物の試験のために改造されたミクロ貫通試験機、非導電性薄膜、膜、及び/又は被覆された膜、及び/又は類似物の試験のために改造されたミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロ貫通試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロZ方向強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜及び/又は類似物の試験のために改造された高精度ミクロZ方向試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロ試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロZ方向試験機、非導電性又は半導体材料、薄膜、被覆膜、被覆された膜、及び/又は類似物の試験のための高精度ナノ試験機、非導電性又は半導体材料、薄膜、被覆膜、被覆された薄膜又は膜の試験のためのナノ貫通試験機、非導電性又は半導体材料、薄膜、被覆膜、及び又は被覆された薄膜又は膜、及び/又は類似物の試験のためのナノ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は、薄膜、被覆膜、及び又は被覆された薄膜又は膜、及び/又は類似物の試験のための高精度ナノZ方向強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は薄膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜、及び/又は類似物の試験のための高精度ナノZ方向試験機、薄膜、非導電性薄膜又は薄膜、及び/又は被覆された薄膜又は膜、及び/又は類似物の試験のための高精度ナノ強度貫通及び/又は圧縮試験機、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験に転換するための圧子チップ、ミクロ圧子チップ、ナノ圧子チップ、ナノ貫通強度試験機をナノ圧縮試験に転換するための圧子チップ、及びその類似物、薄膜、非導電性薄膜又は膜、又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のための高精度ミクロ貫通Z方向強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のための高精度ミクロ圧縮Z方向試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のための高精度ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮Z方向試験機、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換するための方法、ミクロ圧縮試験機をミクロ貫通強度試験機に転換するための方法、圧子チップを変えることにより、圧子チップの形状を変えることにより、及び/又は類似の方法により、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換するための方法、圧子チップを変えることにより、圧子チップの形状を変えることにより、及び/又は類似の方法によりナノ貫通強度試験機をナノ圧縮試験機に転換するための方法、ナノ圧縮試験機をナノ貫通強度試験機に転換するための方法。本発明の少なくとも選択された実施形態は、標準化された貫通又は圧縮試験の実行、粒子を使用しない標準化されたミクロ粒子貫通試験の実行、粒子を使用しない特殊化された粒子のミクロ貫通試験、粒子を使用しない再現可能な及び/又は一貫したミクロ粒子貫通試験、標準化されたミクロ圧縮試験の実行、改良された試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム及び/又はその類似物を有する標準化されたZ方向試験の実行のための改良された、新規の又は特殊化された、少なくともある用途、材料及び/又は類似物の必要性に取り組む。本発明の少なくともある実施形態は、標準化された貫通又は圧縮試験の実行、粒子を使用しない標準化されたミクロ粒子貫通試験の実行、粒子を使用しない特殊化された粒子のミクロ貫通試験、粒子を使用しない再現可能な及び/又は一貫したミクロ粒子貫通試験、標準化されたミクロ圧縮試験の実行、改良された試験方法、標準化されたミクロ圧縮試験の実行、再現性及び/又はZ方向試験のため、再現性及び/又は一貫した標準化されたミクロ圧縮試験のため、再現性及び/又は一貫した標準化されたZ方向試験及び又は改良された試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はその類似物のための証明済みの設計、方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステムを提供することに関するものである。少なくとも選択された実施形態によれば、本発明は、Z方向試験方法素子、器具、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくともある実施形態によれば、本発明は、非導電性又は半導体材料、被覆又は被覆材料のZ方向試験及び/又は方法、素子、器具、機器、装置、システム及び/又は部品、及び/又は非導電性又は半導体材料、被覆又は被覆材料のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくとも特別な実施形態によれば、本発明は、非導電性、ポリマー材料、薄膜又は被覆膜のZ方向試験及び/又は測定方法、素子、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくとも多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、非導電性ポリマー材料、薄膜、複合材料、又は被覆薄膜のZ方向試験及び/又は測定方法、素子、器具、機器、装置、及び/又はシステムに関するものである。少なくとも選択された多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、多孔性、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆膜のZ方向試験方法、素子、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくともある多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、多孔性、マクロ多孔性/微孔性、非導電性及び/又は半導体単層又は複層、材料、薄膜、複合材料、ラミネート又は被覆膜、被覆された膜、複合材料、ラミネート又は類似物のZ方向試験方法、素子、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくとも特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は薄膜Z方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくともある特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明はZ方向強度、貫通及び/又は圧縮試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくとも選択された特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通強度試験機、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜又は膜などを試験するために改造されたミクロ圧縮試験機、に関するものである。少なくとも選択されたある特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜又は膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜又は膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通試験機及び/又はミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜又は膜などを試験するために改造された高精度ミクロZ方向試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜又は膜などを試験するために改造されたミクロ試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜、被覆膜及び/又は類似物を試験するために改造された高精度ミクロZ方向試験機に関するものである。少なくとも選択された他の特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、非導電性又は半導体材料、薄膜、被覆膜、被覆された膜及び/又はその類似物を試験するための高精度ナノ試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜、被覆された膜を試験するためのナノ貫通試験機、薄膜、非導電性又は半導体材料、被覆膜、被覆された膜及び/又はその類似物を試験するためのナノ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜又は被覆された膜、などの試験のために適用されるナノ貫通及び/又はナノ圧縮試験機、及び/又は薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜又は被覆された膜を試験するための高精度ナノ強度貫通及び/又は圧縮試験機に関するものである。少なくともある選択された特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、新しい、又は改良され、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験に転換するための圧子チップ、ミクロ圧子チップ、ナノ圧子チップ、ナノ貫通強度試験機をナノ圧縮試験に転換するための圧子チップに関するものである。少なくとも選択されたある特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜、被覆された膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜又は被覆された膜を試験するための高精度ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜又は被覆された膜の試験のための高精度ミクロ貫通、及び/又はミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜又は被覆された膜、及び/又は類似物を試験するための高精度ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮Z方向試験機に関するものである。少なくともある他の選択された特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、圧子チップを変えることにより、圧子チップの形状を変えることにより、及び/又は類似の方法により、ミクロ貫通強度試験をミクロ圧縮試験機の転換する方法、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換する方法に関係する。少なくともある他の選択された特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、圧子チップを変えることにより、圧子チップの形状を変えることにより、及び/又は類似の方法により、ナノ貫通強度試験機をナノ圧縮試験機に転換する方法、ナノ圧縮試験機をナノ貫通強度試験機に転換する方法、ナノ貫通強度試験機をナノ圧縮試験機に転換する方法に関係する。少なくとも選択された実施形態によれば、本発明は、試験薄膜、単層又は複層薄膜、単層又は複数層薄膜、複合材料、ラミネート、非導電性材料、層、又は被覆膜、半導体材料、層、被覆膜、ミクロ薄膜、ナノ薄膜及び/又は類似物のために改造されるか、又は特に適合した改良された新規の又は特殊化されたZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくとも選択された多分に好ましい実施形態は、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜又は膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通強度試験機、高圧力ミクロ圧縮試験機、に関するものである。少なくともある実施形態は、Z方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、薄膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通強度試験機、非導電性薄膜又は半導体材料、薄膜、被覆膜、及び/又は類似物膜を試験するための高精度ナノ試験機、ナノ貫通試験機、ナノ圧縮試験機、Z方向強度試験機、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験に転換するために改良された圧子チップ、ナノ圧子チップ、圧子チップ、及び/又は圧子チップ、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換する方法、ミクロ圧子チップ、ナノ圧子チップ、圧子チップ、及び/又は圧子チップを変えることによりミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験に転換するための方法に関するものである。少なくとも選択された実施形態、側面、目的又は実施例によれば、本発明は、新しく、改造された又は特殊化された試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、機械的及び/又は隔離強度試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、Z方向又は厚さ方向試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、Z方向又は厚さ方向ミクロ強度試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、Z方向又は厚さ方向強度試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、Z方向又は厚さ方向ミクロ貫通試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、非導電性又は半導体材料、被覆膜又は被覆された材料のZ方向試験及び/又は測定方法、素子、器具、機器、装置、システム及び/又は部品、及び/又は非導電性材料又は半導体材料、被覆膜又は被覆された材料のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、非導電性、ポリマー材料、薄膜又は被覆膜のZ方向試験及び/又は測定方法、素子、器具、機器、装置、システム及び/又は部品、及び/又は非導電性、ポリマー材料、薄膜又は被覆膜のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆膜のZ方向試験及び/又は測定方法、素子、器具、機器、装置、システム及び/又は部品、及び/又は非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆膜のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、多孔性、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆膜のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、多孔性、マクロ多孔性及び微孔性、非導電性及び/又はシステム半導体、単層又は複数層、材料、薄膜、複合材料、ラミネート又は被覆された材料、薄膜、複合材料、ラミネート又は類似物の試験及び/又は測定方法、装置、器具、機器、装置、システム、及び/又は部品、及び/又はZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、薄膜のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、薄膜のZ方向強度、貫通、圧縮、ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮試験方法、装置、器具、機器、装置及び/又はシステム、非導電性薄膜、膜、及び/又は被覆された膜、及び/又は類似物の試験のために改造されたミクロ貫通試験機、非導電性薄膜、膜、及び/又は被覆された膜、及び/又は類似物の試験のために改造されたミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロ貫通試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロZ方向強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜及び/又は類似物の試験のために改造された高精度ミクロZ方向試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロ試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロZ方向試験機、非導電性又は半導体材料、薄膜、被覆膜、被覆された膜、及び/又は類似物の試験のための高精度ナノ試験機、非導電性又は半導体材料、薄膜、被覆膜、被覆された薄膜又は膜の試験のためのナノ貫通試験機、非導電性又は半導体材料、薄膜、被覆膜、及び又は被覆された薄膜又は膜、及び/又は類似物の試験のためのナノ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は、薄膜、被覆膜、及び又は被覆された薄膜又は膜、及び/又は類似物の試験のための高精度ナノZ方向強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は薄膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜、及び/又は類似物の試験のための高精度ナノZ方向試験機、薄膜、非導電性薄膜又は薄膜、及び/又は被覆された薄膜又は膜、及び/又は類似物の試験のための高精度ナノ強度貫通及び/又は圧縮試験機、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験に転換するための圧子チップ、ミクロ圧子チップ、ナノ圧子チップ、ナノ貫通強度試験機をナノ圧縮試験に転換するための圧子チップ、及びその類似物、薄膜、非導電性薄膜又は膜、又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のための高精度ミクロ貫通Z方向強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のための高精度ミクロ圧縮Z方向試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のための高精度ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮Z方向試験機、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換するための方法、ミクロ圧縮試験機をミクロ貫通強度試験機に転換するための方法、圧子チップを変えることにより、圧子チップの形状を変えることにより、及び/又は類似の方法により、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換するための方法、圧子チップを変えることにより、圧子チップの形状を変えることにより、及び/又は類似の方法によりナノ貫通強度試験機をナノ圧縮試験機に転換するための方法、ナノ圧縮試験機をナノ貫通強度試験機に転換するための方法、に関するものである。本発明によれば、標準化された貫通又は圧縮試験の実行、粒子を使用しない標準化されたミクロ粒子貫通試験の実行、粒子を使用しない特殊化された粒子のミクロ貫通試験、粒子を使用しない再現可能な及び/又は一貫したミクロ粒子貫通試験、標準化されたミクロ圧縮試験の実行、改良された試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム及び/又はその類似物を有する標準化されたZ方向試験の実行のための改良された、新規の又は特殊化された、少なくともある用途、材料及び/又は類似物を提供できる。少なくとも選択された実施形態によれば、本発明は、Z方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくともある実施形態によれば、本発明は、非導電性又は半導体材料、又は被覆膜のZ方向試験及び/又は方法、素子、器具、機器、装置、及び/又はシステムに関するものである。少なくとも特別な実施形態によれば、本発明は、非導電性、ポリマー材料、薄膜又は被覆膜のZ方向試験及び/又は測定方法、素子、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくとも多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、非導電性ポリマー材料、薄膜、複合材料、又は被覆薄膜のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置、及び/又はシステムに関するものである。少なくとも選択された多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、多孔性、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆膜のZ方向試験方法、素子、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくともある多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、多孔性、マクロ多孔性/微孔性、非導電性及び/又は半導体単層又は複層、材料、薄膜、複合材料、ラミネート又は被覆膜、被覆された膜、複合材料、ラミネート又は類似物のZ方向試験方法、素子、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくとも特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は薄膜Z方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくともある特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明はZ方向強度、貫通及び/又は圧縮試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステムに関するものである。少なくとも選択された特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通強度試験機、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜又は膜などを試験するために改造されたミクロ圧縮試験機、に関するものである。少なくとも選択されたある特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜又は膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜又は膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通試験機及び/又はミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜又は膜などを試験するために改造された高精度ミクロZ方向試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜又は膜などを試験するために改造されたミクロ試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜、被覆膜及び/又は類似物を試験するために改造された高精度ミクロZ方向試験機に関するものである。少なくとも選択された他の特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、非導電性又は半導体材料、薄膜、被覆膜、被覆された膜及び/又はその類似物を試験するための高精度ナノ試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜、被覆された膜を試験するためのナノ貫通試験機、薄膜、非導電性又は半導体材料、被覆膜、被覆された膜及び/又はその類似物を試験するためのナノ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜又は被覆された膜、などの試験のために適用されるナノ貫通及び/又はナノ圧縮試験機、及び/又は薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜又は被覆された膜を試験するための高精度ナノ強度貫通及び/又は圧縮試験機に関するものである。少なくともある選択された特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、新しい、又は改良され、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験に転換するための圧子チップ、ミクロ圧子チップ、ナノ圧子チップ、ナノ貫通強度試験機をナノ圧縮試験に転換するための圧子チップに関するものである。少なくとも選択されたある特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜、被覆された膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜又は被覆された膜を試験するための高精度ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜又は被覆された膜の試験のための高精度ミクロ貫通、及び/又はミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆膜又は被覆された膜、及び/又は類似物を試験するための高精度ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮Z方向試験機に関するものである。少なくともある他の選択された特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、圧子チップを変えることにより、圧子チップの形状を変えることにより、及び/又は類似の方法により、ミクロ貫通強度試験をミクロ圧縮試験機の転換する方法、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換する方法に関係する。少なくともある他の選択された特定の多分に好ましい実施形態によれば、本発明は、圧子チップを変えることにより、圧子チップの形状を変えることにより、及び/又は類似の方法により、ナノ貫通強度試験機をナノ圧縮試験機に転換する方法、ナノ圧縮試験機をナノ貫通強度試験機に転換する方法、ナノ貫通強度試験機をナノ圧縮試験機に転換する方法に関するものである。少なくとも選択された本発明の実施形態、及び図1、2及び3によれば、多分に好ましい、例えば、完全に自動化されたミクロ切り込み計測又は試験システム、試験機、器具、素子などのような例示のミクロ貫通強度試験システム10は、ミクロ圧子ヘッドのような試験又は測定素子1、導電性ミクロ円錐圧子2、非導電性薄膜の1以上の断片又はストリップのような試料6を支持するミクロ表面仕上げを有する相対的に導電性が大きい試験ステージのような試験ステージ3、再現性のある均一な使い捨ての基板として働く電気めっき金属例えば、銅のように選択的に使い捨ての導電基板4を使用し、及び圧子2と試験ステージ3の間又は圧子2と導電性基板4の間の電気抵抗測定ループ5は、電気抵抗センサのようなセンサ8、ステージ3又は基板4からセンサ8に向かう他の細長い導電体又は線を含み、好ましくは、線を圧子及びステージに取り外し可能に付着させる金属スクリュー、ボルト又はびょうのような導電性ファスナーを有する。圧子1を抵抗測定ループ5から電気的に隔離させるために、圧子ホルダ7はセラミック又は他の非導電性材料から製造される。抵抗センサ8からの信号又は情報は、測定又は試験の終了点を検出するために中央制御システム又はCPUに送られる。好ましいシステムの構成部1~9は、模式的に図1に示される。特定の又は例示のシステム10の試験又は測定構成部1~7の近接写真は図2に示される。大きな自動化X-Y変換ステージ3、ステージを支持する耐振エアテーブル及びPC制御システム9を有する図2の特定の又は例示のミクロ貫通強度試験システム10の全体写真図が図3に示される。図1を参照する多分に好ましい実施形態、又は図2及び3を引用する多分に好ましい実施例を参照すると、例えば、ステージ3に取り外し可能に固定された銅ホイル4に薄膜試料6の1/2幅×8長ストリップをテーピングすることにより、試験又は測定が実施される。自動試験は、例えば、まず10mNの力mNfにより薄膜表面を圧子により検出し、次いで、圧子が試料を貫通する間に250mNf/分の速度で圧縮力が適用される。mNf単位の圧縮力及びミクロン単位の貫通深さがシステム又は器具10によって連続して記録される。非導電性薄膜試料6を貫通し、導電性基板4と接触する圧子2の最大応力は、圧子2と試料ステージ3の間の電気抵抗の急落によって認識され、又は定義される。5~40μmの範囲の厚さを有する試料又は薄膜6には、10μmの半径球チップを有する60°の円錐圧子2が好ましい。好ましくは、薄膜6を貫通するミクロンの円錐圧子2の応力は自動的に1回以上、好ましくは2回以上、例えば、各試料又はストリップ6に沿って又はその上で30回、規定の間隔をおいて測定される。複数のデータの平均値は、その試料のミクロ貫通強度として報告されている。特定のステージが示される図2及び3の特定の例によれば、異なる試料ストリップの最大値が一度に搭載される。このような試料6の全ての試験は、セットアップされたX-Yマトリックスにより自動的に実施される。基板4の使用は、ステージ3の仕上げを保護し、圧子2のチップが試料6を貫通し、基板4に接触するとき、基板4が衝撃を変形するか又は吸収するので、ヘッド1及び圧子2の損傷を防止する。本発明の少なくとも選択された実施形態によれば、ミクロ貫通強度試験機圧子チップの形状は、異なる形状の圧子2を使用して、球状のチップ形状又は半球状から平坦のチップ形状に変更することができる。圧子チップの形状の変更圧子の変更により、ミクロ貫通試験機をミクロ圧縮試験機に転換することができる。圧子チップのミクロンの大きさのために、例えば、約50μm未満の半径を有する球状チップが好ましく、約25μm未満がより好ましく、約15μm未満がさらに好ましく、10μm未満が最も好ましく、又は、約500μm未満の幅又は直径を有する平坦チップが好ましく、約300μm未満がより好ましく、250μm未満がさらに好ましく、約200μm未満が最も好ましく、従来の試験装置、従来の試験方法、及び/又は類似の方法を使用しても得ることができない圧力の大きさで貫通又は圧縮試験データを得ることができる。平坦なチップのミクロンの大きさのために、従来の圧縮試験装置、従来の圧縮試験方法、又は少なくともある熱力学分析TMA法を使用しても得ることができない圧力の大きさで圧縮試験データを得ることができる。本発明の少なくとも選択された実施形態、及び図1、2及び3を参照すれば、多分に好ましい例示のミクロ圧縮試験システムは、完全に自動化されたミクロ圧子試験機1、平坦なチップを有する導電性ミクロ円錐圧子2、及びミクロン表面仕上げの試験ステージ3を使用する。ミクロ貫通試験機がミクロ圧縮試験機として使用されるとき、図1及び2における構成部4及び5は選択的であり、試料6は試験ステージ3に直接テーピングされる。例えば、圧子が10mNの応力で薄膜表面検出するとき、自動化圧縮試験は始まり、次いで圧子により500mN/分の速度で圧縮応力が試料に線形的に適用される。ミリNの圧縮応力及びミクロンの圧縮深さが記録され、機器により連続的にプロットされる。従来の圧力応力対圧縮ひずみの曲線も必要なら得ることができる。試験の末端は、望まれる圧力限界あるいは圧縮により規定される。5~40μmの範囲の厚さの薄膜には、120μmの半径平坦チップを有する120°円柱圧子が好ましい。圧子チップの好ましいミクロン大きさのために、従来の圧縮試験装置、従来の圧縮試験方法、又は少なくともある熱力学分析TMA法を使用しても得ることができない圧力の大きさで圧縮試験データを得ることができる。本発明の少なくとも選択された実施形態によれば、ミクロ貫通強度試験機の圧子チップの形状は、好ましくは平坦チップ形状円状平坦末、円錐コーンである。圧子チップの形状を変更して、ミクロ貫通試験機をミクロ圧縮試験機に、又はミクロ圧縮試験機をミクロ貫通試験機に転換することができる。ミクロ貫通及びミクロ圧縮試験の両者を行うことができるミクロ試験機又はミクロZ方向試験機は、完全に自動化されたミクロ圧子試験機1、好ましくは少なくとも1つの半球状チップ末端圧子及び少なくとも1つの平坦形状チップ末端圧子を含む複数の異なる形状の導電性ミクロ円錐圧子2、及び大きなミクロン表面仕上げの試験ステージ3、使い捨て導電性基板4、圧子2及び試験ステージ3の間に適用される電気抵抗測定ループ5、及びシステムを稼働させ、データを記録するなどのための、コンピュータ、PC,CPU又は他のプログラム可能な装置を有する。圧子チップのミクロンの大きさのために、従来の圧縮試験装置の使用、従来の圧縮試験方法の使用、又は少なくともある熱力学分析TMA法の使用、及び/又は類似によっても得ることができない圧力の大きさの圧縮試験データを得ることができる。少なくとも選択された多分に好ましい実施形態によれば、例示の発明のミクロ貫通強度試験10は、好ましくは、本発明の抵抗測定ループ5、圧子2、使い捨て導電性基板4、及び試料6改良された完全に自動化されたミクロ圧子試験機、素子、器具又は類似物であり、本明細書に記載されるように操作される。例えば、改良されたミクロ硬度試験機、改良された圧縮試験機、好ましくは改良された商業的に入手可能なミクロ又はナノ圧子又は硬度試験装置、ヘッド又は器具である。好ましい改良は、導電性ミクロン円柱圧子2、大きなミクロン表面仕上げ試験ステージ3、使い捨て、導電性基板としての銅又は他の金属の電気めっきホイルストリップ4、圧子2及び試験ステージ3の間の電気抵抗回路5、及び/又は類似物を有する。これらの構成部は図1に示されている。ミクロ貫通強度試験機機器の構成部2、3、4及び5は、膜又は薄膜試験のような非導電性薄膜試験に新規に設計されるか、又は改造されるものである。この好ましいシステムは、好ましくは、X、Y、Z方向変位が完全に自動化されたミクロ圧子試験機、ビデオ顕微鏡、抵抗測定キット、制御モジュール又は制御器、CPU、PC又はラップトップコンピュータ、キーボード、ディスプレイ又はモニター、反振動テーブル及び/又は類似物を有する。本発明のミクロ貫通強度試験機の設計図及び方法論は、例えば、半導体、宇宙、医療、プラスチック、エネルギ貯蔵、ろ過、及び化学産業における、多様な新しいハイテク、ハイエンド又はニッチな用途における、非導電性又は半導体材料、膜、薄膜、被覆膜及び/又は類似物を試験するために使用される。このような用途の例は、これに限定されず以下のものを含む。1.宇宙空間、半導体又はエレクトロニクスのための非導電性、半導体材料、被覆物又はラミネート2.医療又は食料のための包装薄膜又は膜3.多孔性ポリマー薄膜又は膜4.新素材又はポリマーの研究開発5.特殊非導電性、半導体又は絶縁被覆又はラミネートこれらの用途の試験において、被覆膜は導電性基板から除去する必要はない。代わりに、被覆された導電性又は半導体基板は、抵抗測定ループを形成する試験ステージの1部となり得る及び基板4の代わりとなり得る。ミクロ貫通強度試験機の少なくともある実施態様は、非導電性材料の試験のために特に改造されるので、ミクロ絶縁強度試験機とも呼ばれる。図1に示されるミクロ貫通強度試験機の構成部1は、好ましくは、改良された商業的に入手可能なミクロ又はナノ圧子試験機、硬度試験機、圧縮試験機又は類似物の主要な構成部テーブル及びヘッドである。自動Z方向変位が結合されたX,Yマトリックス試験機能を有する完全に自動化された圧子試験機の使用は、ミクロンの圧子の寿命を保証するので好ましい。この好ましい高精度ミクロン圧子機器安定した主要フレームの使用は、高品質で、安定的、長期間、高信頼性、改良及び標準化されたミクロ貫通強度試験を提供する。時間の経過に対する機器の高精度を証明するために、ヒストグラムは、2年を超える期間に収集された20μm薄膜の平均ミクロ貫通強度の図5に示される。平均値227.8mNfに対する低い標準偏差9.47mNfは本発明の器具設計の高い信頼性を示している。本発明のミクロ貫通強度試験機の様式において、ミクロン円柱圧子チップが試験ステージ上の非導電性薄膜を貫通し導電性基板に接触する最大応力は、電気抵抗の急落によって規定される。したがって、好ましい圧子は導電性材料で製造される。炭化タングステンは、長寿命の圧子を形成するのに好ましくかつ最も経済的な材料であることがわかった。ボロンがドープされたダイアモンドは導電性圧子材料としてよく機能するが、より高価であり、円錐形状に機械加工するのが困難である。圧子チップの形状及び大きさは、好ましくは本当の粒子をまねるように選択される。例えば、通常の粒子の大きさが実際の分野の用途で約10μmであれば、好ましくは10μm半径の圧子チップが使用される。少なくとも選択された薄膜試験では、10μm半径の球状チップを有する60°の円錐が正確に粒子貫通機構を模擬することがわかった。ある用途において、圧子チップの形状が多分に重要であるばかりでなく、円錐の角度も多分に重要である。異なる円錐角度は、圧子チップにより試験試料の上に課した特有の寸法の応力のために異なる試験結果をもたらす。表1は、試験された薄膜の相対的強度が使用される圧子の形状に基づいて大きく異なることを示している。早期の貫通試験に対して本発明のミクロ貫通試験の利点は、好ましい本発明のミクロ貫通試験は粒子を使用しない標準化された粒子貫通試験である。また、好ましい本発明のミクロ貫通試験は、長期の安定性と精度を有する。ポリマーの分子量が高くなると、ミクロ貫通強度が高くなる。ポリマーの観点からはこれが予期される結果であるが、これは試験装置及び方法の妥当性の確認となる。表2は、異なる分子量のポリマーから製造される3つの薄膜のミクロ貫通試験データを示す。分子量1000000g/モルを有する薄膜Zは相対的に最も高いミクロ貫通強度を有した。薄膜が同じ種類のポリマーから製造されるとき、微多孔質膜又は薄膜中の空隙率で定義される多孔率に対して、厚さ標準化後のミクロ貫通強度が逆に線形であることがわかった。多孔性対して逆の線形関係を示す厚さ標準化後の高いミクロ貫通強度の相関関係図6は、いかにミクロ貫通強度試験データが多孔性材料の特徴化に役立ち、将来のより強い薄膜製品の開発を容易化するかの例である。本発明のある実施形態によれば、圧子チップの形状を球状から平坦に変更することにより、ミクロ貫通試験機を高圧ミクロ圧縮試験機に容易に転換することができる。ミクロ貫通試験機がミクロ圧縮試験機として使用されるとき、図1及び2中の構成部4及び5は必要とされないか要求されない。圧子チップ形状のミクロン大きさのため、この独自のミクロ圧縮試験機は薄膜性能試験に使用される通常の圧縮試験の機能を超えたデータを得ることができる。表3はTMA及び本発明のミクロ貫通試験機からの通常の最大圧縮圧力能力を含む。図7は、表4に掲載される条件で測定された選択された薄膜の高圧ミクロ圧縮試験データの例を提供する。図7のデータは、1つの薄膜は他のものより容易に圧縮されることを示している。その結果、少なくともある薄膜は、高圧積層プロセス下でより良好な性能を示す。TMA試験に対する好ましいミクロ圧縮試験機の他の有意義な利点は、ミクロ圧縮試験機は、図7の返還曲線に示されるように、圧縮によって続く弾性回復データを提供する。この種のデータはある製造プロセスでは非常に有益である。本発明のミクロ貫通強度試験機は、高温用途のセラミック被覆薄膜のような少なくともある被覆薄膜における機械的絶縁強度を試験するために使用されてきた。Z方向貫通強度は、セラミックが被覆された、及び被覆されない16μmの3層薄膜について計測された。図8に示されるミクロ貫通強度試験データは、セラミック被覆により基底薄膜又は膜の強度を大幅の増加させることができる。本発明のミクロ貫通試験機及び/又は本発明のミクロ圧縮試験機の潜在的な用途は、これに限らず、次のものを含む。1.次のような表面特性を改良するために設計された宇宙空間及び軍事特別ポリマー被覆膜摩擦係数化学的及び腐食抵抗電気的絶縁疲労抵抗熱抵抗疎水性酸化障壁耐火性これらの特別な被覆膜はミクロ貫通強度試験機を使用して、地球の大気圏又は圏外に入るときの潜在的な粒子衝突損傷をシュミレートして試験される。これらの特別の被覆膜は、航空機、スペースシャトル、軍事戦術車両、兵器及びミサイルシステムの外装又は内装の表面処理に幅広く使用される。2.医療人工的な結合ポリエチレンの軸受表面は、通常、人口的ジョイントにおける導電性金属部の頂部に使用される。ミクロ貫通強度試験機は、ジョイントの疲労及び応力により生じる潜在的な小さな骨粉又は金属粒子に対する表面の強度を測定するために使用される。医療パウチ又はバッグミクロ貫通強度試験機は、医療プラスチックパウチ又はバッグへの鋭い物体又は釘の貫通をシュミレートするために使用される。3.半導体及びエレクトロニクス半導体産業は機械的硬度試験のためのミクロ又はナノ圧子を使用することができる。本発明のミクロ貫通強度試験機における追加の構成部は、ウェハミクロ製造におけるフォトレジスト被覆膜及び酸化絶縁膜の非導電性、半導体又は電気的絶縁強度を測定する機能まで拡張する。電子材料産業では、本発明のミクロ貫通強度試験機はシート状コンデンサ材料に機械的絶縁強度を試験するために効果的に使用される。4.自動車産業自動車用途に適用される塗装は被覆金属表面を含む。本発明のミクロ貫通強度試験機は被覆膜の貫通強度を試験するために使用される。スクラッチ型の試験機は塗装又は被覆膜の密着性を試験するために自動車産業で現在使用されている。ミクロ貫通強度試験機は、力の適用方向が異なる場合の代わりの試験様式を提供する。また、スクラッチ試験機は、試験の最終点の検出において精度の改良を提供する本発明のミクロ貫通強度試験機において発見された電気抵抗測定ループを有しない。5.ポリマー及び材料科学における学問的研究本発明のミクロ貫通強度試験は、非導電性材料のZ方向粒子貫通強度を正確に測定するための初めてのものなので、新しいポリマー及び他の材料を研究する多くの大学又は研究所においてRDのツールとして使用される。6.その他ミクロ貫通強度試験機は、単一層薄膜又は被覆された単一層薄膜を試験することに限定されない。それぞれ個々の層が異なる電気抵抗を有する限り、ミクロ貫通強度試験機は各層の機械的及び絶縁強度を区別することができる。ナノ貫通及び/又は圧縮試験機ミクロ-ナノ圧子からの主要な機器フレーム例えば、図1及び2の変更により、圧子の大きさをミクロからナノメータに減少させ、加えて、ナノメータ表面仕上げ基板及び試験ステージを採用し、X,Y及びZ方向にナノメータの変位の正確な処理が可能となり、本発明の試験機は半導体ウェハミクロ製造プロセスにおいて潜在的に幅広い用途を有し得ることになる。高又は低温度ミクロ貫通又は圧縮試験機図1及び2の各試験機の構成部のための設計の洗練された変更及び注意深い選択によって、加熱された又は冷却されたチャンバが高又は低温度関連絶縁、貫通又は圧縮試験のための装置に加えられる。絶縁強度試験機能を有する温度機械分析器TMA加熱されたチャンバ機能をミクロ貫通又は圧縮試験機に付加するよりは、抵抗の測定ループを生成する導電性プルーブ、ステージを付加する改良、そのような改良されたTMAは、非導電性材料の絶縁性強度測定するための本発明の機能を得ることができる。少なくとも選択された実施形態によれば、本発明は、非導電性薄膜又は膜及び被覆された薄膜又は被覆された膜を試験するために特定された高精度ミクロ貫通強度試験機に関するものである。ミクロ貫通強度試験機は圧子チップの形状を変更することによりミクロ圧縮試験機に転換することができる。本発明の少なくとも選択された実施形態によれば、ミクロ貫通強度試験機の圧子形状は球状から平坦チップの形状平坦の末端に変更することができる。圧子チップの形状の変更によりミクロ貫通試験機からミクロ圧縮試験機に転換する。圧子チップのミクロンの大きさのため、従来の圧縮試験装置、従来の圧縮試験方法、又は熱力学的分析TMA法を使用して得られない圧縮スケールの圧縮試験データを得ることができる。ミクロ貫通試験機がミクロ圧縮試験機として使用されるとき、図1の構成部4及び5は必要ないか、又は要求されない。少なくとも選択された本発明の実施形態、及び図1、2及び3を参照すれば、多分に好ましい例示のミクロ圧縮試験機システムは、完全に自動化されたミクロ圧子試験機1、平坦形状チップを有する導電性ミクロ円錐圧子2、及びミクロン表面仕上げの試験ステージ3を使用する。図1及び2中の各構成部4及び5は、選択的である。試料6は試験ステージ3に直接テーピングすることができる。圧子が最初に10mNの力で薄膜表面を検出するとき自動圧縮試験が開始し、次いで500mN/分の速度で圧縮応力が圧子により線形的に試料に適用される。ミリNの圧縮力及びミクロンの圧縮深さが記録され、機器により連続的にプロットされる。もし望むなら、従来の圧縮応力対圧縮ひずみのプロットも得られる。試験の最終点は、使用者によるか又は望まれる圧力限界、又は圧縮により規定される。5~40μmの範囲の厚さを有する薄膜については、200μm半径平坦チップを有する120°円柱圧子が好ましい。圧子チップの好ましいミクロンの大きさのために、圧縮試験データは、従来の圧縮試験装置、従来の圧縮試験方法、又は熱力学的分析TMA法を使用して得られない圧縮スケールの圧縮試験データを得ることができる。本発明の少なくとも選択された実施形態によれば、ミクロ圧縮試験機の圧子チップ形状は好ましくは平坦チップ形状である円形の平坦末を有する。圧子チップの形状を変更することにより、ミクロ貫通試験機をミクロ圧縮試験機、又はミクロ圧縮試験機をミクロ貫通試験機に転換する。これにより、ミクロ貫通及びミクロ圧縮試験の両者を行うことができるミクロ試験機は、完全に自動化されたミクロ圧子試験機1、好ましくは少なくとも1つの半球状チップ末端圧子及び少なくとも1つの平坦形状のチップ末端厚子を有する複数の異なる形状の導電性ミクロサイズのチップを有する円錐圧子2、ミクロン表面仕上げの試験ステージ3、使い捨て導電性基板4、前記圧子2と試験ステージ3の間に適用される電気抵抗入力ループ5、及びシステムを稼働させ、データを記録し、及び類似のことを行うコンピュータ又は他のプログラム可能な装置を有する。圧子チップのミクロサイズのために、貫通及び/又は圧縮試験データは、従来の圧縮試験装置、従来の圧縮試験方法、又は熱力学的分析TMA法を使用して得られない圧縮スケールの圧縮試験データを得ることができる。ミクロ貫通試験機がミクロ圧縮試験機として使用されるとき、図1の構成部4及び5は必要ないか、又は要求されない。少なくとも選択された多分に好ましい実施形態は、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆薄膜又は膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通強度試験機、高圧力ミクロ圧縮試験機、に関するものである。少なくともある実施形態は、Z方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、薄膜を試験するために改造された高精度ミクロ貫通強度試験機、非導電性薄膜又は半導体材料、薄膜、被覆膜、及び/又は類似物膜を試験するための高精度ナノ試験機、ナノ貫通試験機、ナノ圧縮試験機、Z方向強度試験機、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験に転換するために改良された圧子チップ、ナノ圧子チップ、圧子チップ、及び/又は圧子チップ、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換する方法、ミクロ圧子チップ、ナノ圧子チップ、圧子チップ、及び/又は圧子チップを変えることによりミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験に転換するための方法に関するものである。少なくとも選択された実施形態は次のものに関する。標準化された貫通又は圧縮試験の実行、粒子を使用しない標準化されたミクロ粒子貫通試験の実行、粒子を使用しない特殊化された粒子のミクロ貫通試験、粒子を使用しない再現可能な及び/又は一貫したミクロ粒子貫通試験、標準化されたミクロ圧縮試験の実行、改良された試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム及び/又はその類似物を有する標準化されたZ方向試験の実行のための改良された、新規の又は特殊化された、少なくともある用途、材料及び/又は類似物。標準化された貫通又は圧縮試験の実行、粒子を使用しない標準化されたミクロ粒子貫通試験の実行、粒子を使用しない特殊化された粒子のミクロ貫通試験、粒子を使用しない再現可能な及び/又は一貫したミクロ粒子貫通試験、標準化されたミクロ圧縮試験の実行、改良された試験方法、標準化されたミクロ圧縮試験の実行、再現性及び/又はZ方向試験のため、再現性及び/又は一貫した標準化されたミクロ圧縮試験のため、再現性及び/又は一貫した標準化されたZ方向試験及び又は改良された試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はその類似物のための証明済みの設計、方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム。Z方向機械的及び電気的絶縁強度試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、非導電性又は半導体材料又は被覆膜のZ方向機械的及び電気的絶縁強度試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、非導電性、ポリマー材料、薄膜又は被覆膜のZ方向機械的及び電気的絶縁強度試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆膜のZ方向機械的及び電気的絶縁強度試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、多孔性、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆された薄膜の非導電性、ポリマー材料、薄膜又は被覆膜のZ方向機械的及び電気的絶縁強度試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、微孔性、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆された薄膜のZ方向機械的及び電気的絶縁強度試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、薄膜のZ方向機械的及び電気的絶縁強度試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、薄膜のZ方向機械的及び電気的絶縁強度、強度、貫通及び/又は圧縮試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロ貫通強度試験機、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高圧ミクロ貫通強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造されたミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高圧ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度及び/又は高圧ミクロZ方向機械的及び電気的絶縁強度試験機、薄膜又は被覆膜を試験するために改造された高精度ミクロ試験機、及び/又は薄膜、被覆膜、ラミネート、複合材料、層及び/又は類似物の試験のために改造された高精度又は高圧Z方向機械的及び電気的絶縁強度試験機。非導電性又は半導体材料、薄膜、被覆膜、被覆された薄膜及び/又は類似物の試験のための高精度ナノ試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜及び/又は被覆された膜の試験のために改造されたナノ貫通強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造されたナノ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜及び/又は類似物の試験のために改造された高精度ナノ貫通及び/又はナノ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ナノ貫通及び/又はナノ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜物の試験のために改造されたナノZ方向強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜及び/又は類似物の試験のために改造された高精度ナノZ方向試験機、及び/又は薄膜、被覆膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜及び/又は類似物の試験のために改造されたナノ強度貫通及び/又は圧縮試験機。改良された圧子チップ、ミクロ圧子チップ、ナノ圧子チップ、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験に転換するための圧子チップ。薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロ貫通Z方向強度試験機、薄膜の試験のために改造された高圧ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮試験機、及び/又は薄膜及び/又は類似物の試験のために改造された高精度ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮Z方向試験機。ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換する方法、ミクロ圧縮試験機をミクロ貫通強度試験機に転換する方法、及び/又は圧子チップの変更により、圧子チップの形状の変更により、及び/又は類似によりミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換する方法。非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロ貫通強度試験機、高圧ミクロ圧縮試験機、及び/又は類似物。Z方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、薄膜の試験のために改造されたミクロ貫通強度試験機、薄膜の試験のために改造されたミクロ圧縮試験機、非導電性又は半導体材料、膜、被覆膜、は被覆された薄膜及び/又は類似物の試験のために改造された高精度ナノ試験機、ナノ貫通強度試験機、ナノ圧縮試験機、Z方向強度機械的及び絶縁強度試験機、改良された圧子チップ、ミクロ圧子チップ、ナノ圧子チップ、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換するための圧子チップ、及び/又はミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換する方法、ミクロ圧縮試験機をミクロ貫通強度試験機に転換する方法、及び/又はミクロ圧子チップ、ナノ圧子チップ、圧子チップ、及び/又は圧子チップを変えることによりミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験に転換するための方法。少なくとも選択された実施形態、側面、目的又は実施例によれば、本発明は、新しく、改造された又は特殊化された試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、機械的及び/又は隔離強度試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、Z方向又は厚さ方向試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、Z方向又は厚さ方向ミクロ強度試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、Z方向又は厚さ方向強度試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、部品及び/又は方法、Z方向又は厚さ方向ミクロ貫通試験及び/又は測定素子、器具、機器、装置、システム、非導電性又は半導体材料、被覆膜又は被覆された材料のZ方向試験及び/又は測定方法、素子、器具、機器、装置、システム及び/又は部品、及び/又は非導電性材料又は半導体材料、被覆膜又は被覆された材料のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、非導電性、ポリマー材料、薄膜又は被覆膜のZ方向試験及び/又は測定方法、素子、器具、機器、装置、システム及び/又は部品、及び/又は非導電性、ポリマー材料、薄膜又は被覆膜のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆膜のZ方向試験及び/又は測定方法、素子、器具、機器、装置、システム及び/又は部品、及び/又は非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆膜のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、多孔性、非導電性、ポリマー材料、薄膜、複合材料又は被覆膜のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、多孔性、マクロ多孔性及び微孔性、非導電性及び/又はシステム半導体、単層又は複数層、材料、薄膜、複合材料、ラミネート又は被覆された材料、薄膜、複合材料、ラミネート又は類似物の試験及び/又は測定方法、装置、器具、機器、装置、システム、及び/又は部品、及び/又はZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、薄膜のZ方向試験方法、素子、器具、機器、装置及び/又はシステム、薄膜のZ方向強度、貫通、圧縮、ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮試験方法、装置、器具、機器、装置及び/又はシステム、非導電性薄膜、膜、及び/又は被覆された膜、及び/又は類似物の試験のために改造されたミクロ貫通試験機、非導電性薄膜、膜、及び/又は被覆された膜、及び/又は類似物の試験のために改造されたミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロ貫通試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロZ方向強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜及び/又は類似物の試験のために改造された高精度ミクロZ方向試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロ試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のために改造された高精度ミクロZ方向試験機、非導電性又は半導体材料、薄膜、被覆膜、被覆された膜、及び/又は類似物の試験のための高精度ナノ試験機、非導電性又は半導体材料、薄膜、被覆膜、被覆された薄膜又は膜の試験のためのナノ貫通試験機、非導電性又は半導体材料、薄膜、被覆膜、及び又は被覆された薄膜又は膜、及び/又は類似物の試験のためのナノ圧縮試験機、薄膜、非導電性薄膜又は、薄膜、被覆膜、及び又は被覆された薄膜又は膜、及び/又は類似物の試験のための高精度ナノZ方向強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は薄膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜、及び/又は類似物の試験のための高精度ナノZ方向試験機、薄膜、非導電性薄膜又は薄膜、及び/又は被覆された薄膜又は膜、及び/又は類似物の試験のための高精度ナノ強度貫通及び/又は圧縮試験機、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験に転換するための圧子チップ、ミクロ圧子チップ、ナノ圧子チップ、ナノ貫通強度試験機をナノ圧縮試験に転換するための圧子チップ、及びその類似物、薄膜、非導電性薄膜又は膜、又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のための高精度ミクロ貫通Z方向強度試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のための高精度ミクロ圧縮Z方向試験機、薄膜、非導電性薄膜又は膜、及び/又は被覆された薄膜又は被覆された膜の試験のための高精度ミクロ貫通及び/又はミクロ圧縮Z方向試験機、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換するための方法、ミクロ圧縮試験機をミクロ貫通強度試験機に転換するための方法、圧子チップを変えることにより、圧子チップの形状を変えることにより、及び/又は類似の方法により、ミクロ貫通強度試験機をミクロ圧縮試験機に転換するための方法、圧子チップを変えることにより、圧子チップの形状を変えることにより、及び/又は類似の方法によりナノ貫通強度試験機をナノ圧縮試験機に転換するための方法、ナノ圧縮試験機をナノ貫通強度試験機に転換するための方法、に関するものである。本発明は、その精神及び本質的な属性から逸脱することなく他の形態で具現化することができ、従って、本発明の範囲を示すものとして、前述の規定ではなく添付の特許請求の範囲を参照するものとする。"