"単結晶性基板上に多重量子井戸構造の発光層が形成された窒化物半導体発光素子において、該発光層のn電極側に、InxGa1-xN0<x<0.3からなる第1の層とGaNからなる第2の層とを交互に積層した多重層を有し、該多重量子井戸構造の発光層の井戸層は少なくともInを含むInyGa1-yN0≦y<0.3からなり、該多重層の少なくとも第1の層に、一導電型不純物がその濃度として5×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲で添加されて、該発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2が20以上40以下とされている窒化物半導体発光素子。所定項目の逆方向電気特性をパラメータとして、前記発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2と前記多重層の一導電型不純物の濃度との関係を示す特性曲線において、該静電破壊エネルギmJ/cm2の極小値に該一導電型不純物の濃度が設定されている請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。前記逆方向電気特性は、前記n電極から前記単結晶性基板側に流れる逆方向電流値である請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。前記逆方向電気特性は、逆方向電圧印加時の静電容量値である請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。前記逆方向電気特性は、過渡容量分光法または等温過渡容量法によって測定された欠陥準位である請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。前記発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2が20以上35以下とされている請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。前記一導電型不純物がその濃度として1×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲で添加されている請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。前記一導電型不純物は、n導電型不純物のSiである請求項1記載の窒化物半導体発光素子。窒化物半導体発光素子構造を有機金属化学気相成長法により単結晶性基板上に形成する第1の工程と、該窒化物半導体発光素子構造に対してp電極およびn電極を形成する第2の工程と、逆方向電気特性を測定する第3の工程とを有し、該逆方向電気特性を用いて次回からの該第1の工程において、該単結晶性基板上に形成された多重量子井戸構造の発光層のn電極側に設けた多重層の少なくとも第1の層に、該発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2を20以上40以下になるように、一導電型不純物の濃度が5×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲で該一導電型不純物を添加する窒化物半導体発光素子の製造方法。所定項目の逆方向電気特性をパラメータとして、前記発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2と前記多重層の一導電型不純物の濃度との関係を示す特性曲線を予め求めておき、前記第3の工程で求めた逆方向電気特性をパラメータとする特性曲線において、前記多重層の少なくとも第1の層の一導電型不純物の濃度を、該静電破壊エネルギmJ/cm2の極小値に対応する該多重層の一導電型不純物の濃度に制御する請求項9に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記一導電型不純物の濃度の制御は、SiH4ガス流量またはSiHCH33ガス流量を制御することにより行う請求項10記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記逆方向電気特性は、前記n電極から前記単結晶性基板側に流れる逆方向電流値である請求項9に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記逆方向電気特性は、逆方向AC電圧印加時の静電容量値である請求項9に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法前記逆方向電気特性は、過渡容量分光法または等温過渡容量法によって測定された欠陥準位である請求項9に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。上記従来のいずれの構成においてもなお、半導体発光素子の静電耐圧は十分ではなく、また、発光強度や駆動電圧に対して、静電耐圧はトレードオフの関係にある。特に、基板の欠陥密度の大小や欠陥準位など、基板の欠陥貫通電位によって逆方向電流にばらつきがあるため、ESD耐圧が劣化するという問題があった。一方、特許文献3では、P電極とn電極間を所定の抵抗値を持った抵抗体で配線しているものの、P電極とn電極とを完全にショートさせてしまうと光らなくなるし、抵抗体を所定の抵抗値に安定的に製造するのが困難であって、トンネル接合構造と言っても正方向にも電流が流れるので発光効率が低下するし、ESD耐圧時に逆方向の電流だけを良好にショートさせるのも困難であり、さらに、P電極とn電極間の大きい段差を、所定の抵抗値を持った抵抗体で配線して接続するのも、段切れなど製造上の問題もある。また、特許文献4では、MQW活性層内のバリア層を窒素および全キャリアガス流量に対して2パーセント以上の割合の水素を含有するキャリアガスを用いて結晶成長させる場合に、実際、理想的な結晶を得るのは困難であり、水素の量を多くすると、エッチングが起こって成膜ではなく膜が減る方向に作用して結晶成長が行われない虞がある。本発明は、上記従来の問題を解決するもので、発光強度や駆動電圧を悪化させることなく静電耐圧を向上させることができる窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明の窒化物半導体発光素子は、単結晶性基板上に多重量子井戸構造の発光層が形成された窒化物半導体発光素子において、該発光層のn電極側に、InxGa1-xN0<x<0.3からなる第1の層とGaNからなる第2の層とを交互に積層した多重層を有し、該多重量子井戸構造の発光層の井戸層は少なくともInを含むInyGa1-yN0≦y<0.3からなり、該多重層の少なくとも第1の層に、一導電型不純物がその濃度として5×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲で添加されて、該発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2が20以上40以下とされているものであり、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明の窒化物半導体発光素子における所定項目の逆方向電気特性をパラメータとして、前記発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2と前記多重層の一導電型不純物の濃度との関係を示す特性曲線において、該静電破壊エネルギmJ/cm2の極小値に該一導電型不純物の濃度が設定されている。さらに、好ましくは、本発明の窒化物半導体発光素子における逆方向電気特性は、前記n電極から前記単結晶性基板側に流れる逆方向電流値である。さらに、好ましくは、本発明の窒化物半導体発光素子における逆方向電気特性は、逆方向電圧印加時の静電容量値である。さらに、好ましくは、本発明の窒化物半導体発光素子における発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2が20以上35以下とされている。さらに、好ましくは、本発明の窒化物半導体発光素子における逆方向電気特性は、過渡容量分光法または等温過渡容量法によって測定された欠陥準位である。さらに、好ましくは、本発明の窒化物半導体発光素子における一導電型不純物がその濃度として1×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲で添加されている。さらに、好ましくは、本発明の窒化物半導体発光素子における一導電型不純物は、n導電型不純物のSiである。本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、窒化物半導体発光素子構造を有機金属化学気相成長法により単結晶性基板上に形成する第1の工程と、該窒化物半導体発光素子構造に対してp電極およびn電極を形成する第2の工程と、逆方向電気特性を測定する第3の工程とを有し、該逆方向電気特性を用いて次回からの該第1の工程において、該単結晶性基板上に形成された多重量子井戸構造の発光層のn電極側に設けた多重層の少なくとも第1の層に、該発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2を20以上40以下になるように、一導電型不純物の濃度が5×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲で該一導電型不純物を添加するものであり、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法において、所定項目の逆方向電気特性をパラメータとして、前記発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2と前記多重層の一導電型不純物の濃度との関係を示す特性曲線を予め求めておき、前記第3の工程で求めた逆方向電気特性をパラメータとする特性曲線において、前記多重層の少なくとも第1の層の一導電型不純物の濃度を、該静電破壊エネルギmJ/cm2の極小値に対応する該多重層の一導電型不純物の濃度に制御する。さらに、好ましくは、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法における一導電型不純物の濃度の制御は、SiH4ガス流量またはSiHCH33ガス流量を制御することにより行う。さらに、好ましくは、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法における逆方向電気特性は、前記n電極から前記単結晶性基板側に流れる逆方向電流値である。さらに、好ましくは、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法における逆方向電気特性は、逆方向AC電圧印加時の静電容量値である。さらに、好ましくは、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法における逆方向電気特性は、過渡容量分光法または等温過渡容量法によって測定された欠陥準位である。上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。本発明の窒化物半導体発光素子においては、単結晶性基板上に形成された多重量子井戸構造の発光層のn電極側に設けられた多重層の少なくとも第1の層に、一導電型不純物がその濃度として5×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲で添加されて、発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2が20以上40以下とされている。具体的には、所定項目の逆方向電気特性をパラメータとして、発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2と多重層の一導電型不純物の濃度との関係を示す特性曲線において、静電破壊エネルギmJ/cm2の極小値に一導電型不純物の濃度が設定されている。これによって、発光層のn電極側に、InxGa1-xN0<x<0.3からなる第1の層とGaNからなる第2の層とを交互に積層した多重層の少なくとも第1の層に、不純物濃度が5×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲になるように不純物を添加して、発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2が20以上40以下とすることにより、静電破壊の原因となる高電圧の電荷が発光層に印加されるときのエネルギを発光層に印加されないようなインピーダンスとなるような多重層の不純物濃度に制御するので、発光強度や駆動電圧を悪化させることなく静電耐圧を向上させることが可能となる。以上により、本発明によれば、不純物濃度が5×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲になるように多重層に不純物を添加して、発光層が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2が20以上40以下とすることにより、静電破壊の原因となる高電圧の電荷が発光層に印加されるときのエネルギを発光層に印加されないようなインピーダンスとなるような多重層の不純物濃度に制御するため、発光強度や駆動電圧を悪化させることなく静電耐圧を向上させることができる。以下に、本発明の窒化物半導体発光素子およびその製造方法の実施形態1について図面を参照しながら詳細に説明する。実施形態1図1は、本発明の実施形態1における窒化物半導体発光素子の要部構成例を示す縦断面図である。図1において、本実施形態1の窒化物半導体発光素子1は、表面に凹凸が形成された厚さ約300μmの基板として例えばサファイヤ基板2の上に、窒化アルミニウムAlNから成る膜厚約15nmのバッファ層3が成膜され、その上にノンドープのGaNから成る膜厚約500nmのノンドープGaN層4が成膜されている。これらのサファイヤ基板2、バッファ層3およびノンドープGaN層4が単結晶性基板を構成している。さらに、本実施形態1の窒化物半導体発光素子1において、この単結晶性基板上にシリコンSiを1×1018/cm3ドープしたGaNからなる膜厚約5μmのn型コンタクト層5高キャリヤ濃度n層が形成されている。このn型コンタクト層5上に多重層6が形成され、この多重層6上には多重量子井戸構造の発光層7が形成されている。この多重層6は、InxGa1-xN0<x<0.3からなる第1の層とGaNからなる第2の層とを交互に複数積層されている。この多重層6は、ここでは例えば、膜厚3nmのIn0.03Ga0.97Nからなる第1の層と、膜厚20nmのGaNからなる第2の層とを5ペア積層している。この多重層6のうちの第1の層に、一導電型不純物としてSiがその濃度として、5×1016cm-3~1×1018cm-3さらに好ましくは、1×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲で添加されて、発光層7が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2が20以上40以下さらに好ましくは、20以上35以下とされている。具体的には、所定項目の逆方向電気特性逆方向電流をパラメータとして、発光層7が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2と多重層6の第1層におけるSi濃度との関係を示す特性曲線図2の曲線A~Cにおいて、静電破壊エネルギmJ/cm2の極小値に対応するSiの濃度に設定されている。多重量子井戸構造の発光層7の井戸層は少なくともInを含むInyGa1-yN0≦y<0.3からなっている。このように、多重量子井戸構造の発光層7は、ここでは例えば、膜厚3nmのIn0.2Ga0.8Nから成る井戸層と、膜厚20nmのGaNから成る障壁層とを3ペア積層している。さらに、本実施形態1の窒化物半導体発光素子1において、この発光層7上に、Mgを2×1019/cm3ドープした膜厚25nmのp型Al0.15Ga0.85Nからなるp型層である電子ブロック層8が形成され、この電子ブロック層8上に、Mgを8×1019ドープした膜厚100nmのp型GaNからなるp型コンタクト層9が形成されている。このp型コンタクト層9上には、金属蒸着による透光性薄膜電極10ITOが形成され、透光性薄膜電極10の一部上にp電極11が形成され、一方、n型コンタクト層5の端部上にはn電極12が形成されている。最上部には、SiO2膜よりなる保護膜13が形成されている。透光性薄膜電極10は、p型コンタクト層9に直接接合する膜厚約1.5nmのコバルトCoよりなる第1層と、このコバルト膜に接合する膜厚約6nmの金Auよりなる第2層とで構成されている。発光層7を構成する多重量子井戸構造は、少なくともインジウムInを含むIII族窒化物系化合物半導体InxGa1-xN0<x<0.3からなる井戸層を含むものである。発光層7の構成は、例えばドープされた、またはアンドープのInyGa1-xN0<x<0.3からなる井戸層と、この井戸層よりもバンドギャップの大きい任意の組成のIII族窒化物系化合物半導体GaN,InyGa1-yN0<y<0.1または、InyAlzGa1-y-zN0<y<0.1,0<z<0.2から成る障壁層が挙げられる。好ましい例としてはアンドープのInyGa1-xN0<x<0.3、InyGa1-yN0<y<0.1からなる障壁層が挙げられる。発光層7のn電極12側に設けられる多重層6は、発光層7を形成する少なくともインジウムInを含むIII族窒化物系化合物半導体InxGa1-xN0<y<1,0<z<1から成る井戸層のインジウムInの組成zよりも小さいインジウムInの組成xのInxGa1-xN0<x<1から成る層とGaNから成る層により形成される。このとき、多重層6を形成するInxGa1-xN0<x<1から成る層のインジウムInの組成xは、0.02以上0.07以下、より好ましくは、0.03以上0.05以下が好ましい。発光層7のn電極12側に設けられる多重層6のInxGa1-xN0<x<1からなる層の膜厚は、0.5nm以上6nm以下であることが好ましく、0.5nm以上4nm以下であることがより好ましい。以下に発光特性を記すが、InxGa1-xN0<x<1からなる層の膜厚が6nmを越えると、駆動電圧Vfが大幅に上昇することが判明している。0.5nm未満となると、その膜厚の調整が困難となるので、避けるべきである。一方、多重層6のGaNから成る層は、少なくとも10~40nmの範囲では素子特性に大きな変化を生じないことが判明している。多重層6のInxGa1-xN0<x<1からなる層の厚さの発光層の井戸層の厚さに対する比は、0.1以上2以下とすることが望ましい。より望ましくは、発光層7の井戸層の厚さ以下に多重層6のInxGa1-xN0<x<1からなる層の厚さを調節する。一方、多重層6のGaNからなる層の厚さの発光層の障壁層の厚さに対する比は、0.5以上4以下であることが望ましい。より望ましくは、発光層7の障壁層の厚さ以上に多重層6のGaNから成る層の厚さを調節することが望ましい。発光層7のn電極12側に設けられる多重層6のInxGa1-xN0<x<1からなる層の数は1以上7以下とすることが望ましく、より好ましくは、1以上5以下とするとよい。III族窒化物系化合物半導体発光素子などの窒化物半導体発光素子1は、上記の発明の主たる構成に係る限定の他は、任意の構成を取ることができる。また、発光素子は発光ダイオードLED、レーザダイオードLD、フォトカプラ、その他の任意の発光素子としてよい。特に、本発明に係るIII族窒化物系化合物半導体発光素子などの窒化物半導体発光素子1の製造方法としては任意の製造方法を用いることができる。具体的には、結晶成長させる基板としては、サファイヤ、スピネル、Si、SiC、ZnO、MgOまたは、III族窒化物系化合物単結晶などを用いることができる。III族窒化物系化合物半導体層を結晶成長させる方法としては、分子線気相成長法MBE、有機金属気相成長法MOCVD、ハライド気相成長法HDVPE、液相成長法等が有効である。電極形成層などのIII族窒化物半導体層は、少なくともAlxGayIn1-x-yN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦xy≦1にて表される2元系、3元系または4元系の半導体から成るIII族窒化物系化合物半導体で形成することができる。ここで、本実施形態1の窒化物半導体発光素子1の特徴構成として、多重層6が、InxGa1-xN0<x<0.3からなる第1の層とGaNからなる第2の層とを交互に積層し、この多重層6のうちの第1の層に、一導電型不純物としてのSiが濃度5×1016cm-3~1×1018cm-3さらに好ましくは、1×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲で添加されて、発光層7が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2が20以上40以下さらに好ましくは、20以上35以下とされている。この本実施形態1の窒化物半導体発光素子1の特徴構成について、以下に更に詳細に説明する。図2は、図1の発光層7が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2と図1の多重層6のSi密度cm3との関係を特性曲線として示す図である。図2に示すように、縦軸の静電破壊エネルギmJ/cm2が高いほど発光層7が破壊される確率が高く、横軸がSiのドーピング量を示すSi濃度cm3である。この場合、GaN層でアンドープの材料の状態でSi濃度が1×1016である。静電破壊エネルギmJ/cm2はアンドープの方向横軸の左方向で高くなって、発光層7が破壊される確率が高くなっている。Si濃度をアンドープ状態1×1016から横軸の右方向に徐々に上げていくと、静電破壊エネルギmJ/cm2の最も低いボトムポイント極小値があり、ここで最も発光層7が破壊しにくくなる。これは、この静電破壊エネルギmJ/cm2の最も低いボトムポイント極小値では、トンネル接続現象が発光層7に生じて電流を逃がしてしまうことに起因している。多重層6のSi濃度をアンドープ状態1×1016では電流が流れないためにESD耐圧試験時に例えば1500Vが発光層7に直にかかってしまい発光層7が容易に破壊してしまう。また、静電破壊エネルギmJ/cm2が最も低いボトムポイント極小値からSi濃度を更に上げていくと、静電破壊エネルギmJ/cm2が上昇して発光層7が破壊する確率が高くなってくる。その後、Si濃度を更に上げると、静電破壊エネルギmJ/cm2が最も高いピークポイント極大値が存在する。この最も高いピークポイント極大値を超えると、静電破壊エネルギmJ/cm2が下がって発光層7が破壊されにくい方向に移る。ところが、Si濃度が1×1018cm-3を超えると、リーク電流が増加して発光効率が大幅に低下する光出力低下領域に入ってしまう。したがって、多重層6のSi濃度をアンドープ状態1×1016から、静電破壊エネルギmJ/cm2が最も低いボトムポイント極小値、さらにピークポイント極大値になるまでの間の多重層6のSi密度cm3、即ち、Si濃度5×1016cm-3~1×1018cm-3さらに好ましくは、1×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲に設定すれば、リーク電流による発光効率も良好でかつ耐圧も高い発光素子となる。この場合に、図2の特性曲線Cのように、パラメータの逆方向電流値によっては、Si濃度が1×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲内であっても、静電破壊エネルギmJ/cm2が高い場合があり得るので、発光層7が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2が20以上40以下さらに好ましくは、20以上35以下としている。また、基板の種類や生産ロットによって、このシリコンドーピング量Si濃度の最適値が異なることから、GaN層4を介して基板2に流れるリーク電流を示す逆方向電流を、所定項目の逆方向電気特性のパラメータにして、シリコンドーピング量Si濃度の設定をする必要がある。図2の曲線Aに示すように逆方向電流が0.7μA/cm2のときに、静電破壊エネルギmJ/cm2が極小値となる多重層6のSi濃度は3×1017cm-3または9×1017cm-3である。また、図2の曲線Bに示すように逆方向電流が70μA/cm2のときに、静電破壊エネルギmJ/cm2が極小値となる多重層6のSi濃度は6×1017cm-3である。さらに、図2の曲線Cに示すように逆方向電流が7mA/cm2のときに静電破壊エネルギmJ/cm2が極小値となる多重層6のSi濃度は2×1017cm-3である。これらの極小値となる静電破壊エネルギmJ/cm2は、20以上40以下さらに好ましくは、20以上35以下である。したがって、基板の種類や生産ロット毎に、所定項目の逆方向電気特性のパラメータとして、基板側に抜ける逆方向電流を測定し、その測定した逆方向電流をパラメータとして予め求められた静電破壊エネルギ/Si密度の曲線における静電破壊エネルギが極小となるSi濃度Si密度となるように、多重層6をシリコンドーピングすれば、発光強度や駆動電圧を悪化させることなく最も静電破壊しにくく、静電耐圧を向上させることができる。この場合に、図2から静電破壊エネルギは20mJ/cm2以上40mJ/cm2以下程度であればよい。さらに好ましくは、静電破壊エネルギが20mJ/cm2以上35mJ/cm2以下であればよい。上記構成の窒化物半導体発光素子1の製造方法について説明する。図3は、図1の窒化物半導体発光素子1の製造方法における各製造工程を示す流れ図である。図3に示すように、本実施形態1の窒化物半導体発光素子1の製造方法は、ステップS1でサファイヤ基板2を所定位置に受け入れるサファイヤ基板2の基板受け入れ工程と、ステップS2でサファイヤ基板2の表面に凹凸を形成するサファイヤ表面凹凸加工工程と、ステップS3でMOCVD法により、ステップS3で、サファイヤ基板2の表面凹凸加工面上に、バッファ層3、ノンドープGaN層4、n型コンタクト層5、多重層6、多重量子井戸構造の発光層7、電子ブロック層8およびp型コンタクト層9をこの順に順次形成するMOCVD工程と、ステップS4でp型コンタクト層9上に透光性薄膜電極10を形成する透明性電極形成工程と、ステップS5で、基板端部をn型コンタクト層5の途中までエッチング除去してn型コンタクト層5の端部を露出させ、n型コンタクト層5の端部表面上にn電極12を形成すると共に、透光性薄膜電極10の一部表面上にp電極11を形成するn電極およびp電極形成工程と、ステップS6で、透光性薄膜電極10、p電極11、n電極12およびn型コンタクト層5の露出表面、さらにエッチング除去側面に耐湿度用などに保護層13を形成する保護層形成工程と、ステップS7で、p電極11およびn電極12上の保護層13をそれぞれ開口する電極開口部工程と、ステップS8で、n電極12からノンドープGaN層4を介してサファイヤ基板2に電流が抜ける逆方向電流値を測定する測定検査工程とを有している。このステップS8の測定検査工程で得た基板やロット特有の逆方向電流値をステップS3のMOCVD工程の多重層6の形成時にフィードバックし、ステップS3のMOCVD工程で、多重層6を形成時に、このフィードバックされた逆方向電流値をパラメータとした特性曲線において、静電破壊エネルギ/Si密度の特性曲線における静電破壊エネルギが極小となるSi濃度Si密度となるように、多重層6をシリコンドーピングする。要するに、多重層6を形成時に逆方向電流値をフィードバックし、多重層6に対してシリコンSiのドープ量を、静電破壊エネルギmJ/cm2が最も低いSi濃度に可変する。要するに、本実施形態1の窒化物半導体発光素子1の製造方法は、窒化物半導体発光素子構造を有機金属化学気相成長法によりサファイア基板2上に形成する第1の工程と、p電極11およびn電極12を形成する第2の工程と、逆方向電気特性として逆方向電流値を測定する第3の工程とを有する窒化物半導体発光素子1の製造工程において、n導電型不純物のSi濃度を第3の工程で測定される窒化物半導体発光素子1の逆方向電気特性値である逆方向電流値を用いて、その測定結果の逆方向電流値がパラメータである上記特性曲線を選択し、この選択した特性曲線に基づいて、静電破壊エネルギが極小となるSi濃度に、第1の工程のn導電型不純物のSi濃度を制御する。この場合、n導電型不純物のSi濃度の制御は、SiH4ガス流量またはSiHCH33ガス流量を制御することにより行う。静電破壊の原因となる高電圧の電荷が発光素子に印加されるときのエネルギを発光素子に印加されないようなインピーダンスとなるようなn型不純物濃度に有機金属化学気相成長装置のガス流量によりn導電型不純物の濃度を制御することにより、光出力を劣化させることなく、静電破壊耐性を向上させることができる。以上により、本実施形態1によれば、単結晶性基板2上に、多重量子井戸構造の発光層7を有する窒化物半導体発光素子1において、発光層7のn電極12側に、InxGa1-xN0<x<0.3からなる第1の層と、GaNからなる第2の層とを交互に複数積層した多重層6を有し、多重量子井戸構造の発光層7の井戸層は少なくともInを含むInyGa1-yN0≦y<0.3からなり、多重層6の第1の層に、n導電型不純物がその濃度として5×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲で添加されて、発光層7が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2が20以上40以下とされていること、具体的には、測定結果の逆方向電流値がパラメータである上記特性曲線に基づいて、静電破壊エネルギが極小となるSi濃度で、多重層6の第1の層に、n導電型不純物のSiをイオン注入することにより、光出力を劣化させることなく、静電耐圧をより向上させることができる。なお、本実施形態1では、多重層6の第1の層に、n導電型不純物がその濃度として5×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲で添加されて、発光層7が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2が20以上40以下とされていること、その一例として、測定検査工程での測定結果の逆方向電流値がパラメータである上記特性曲線に基づいて、静電破壊エネルギが極小となるSi濃度で、多重層6の第1の層にn導電型不純物のSiをイオン注入する場合について説明したが、これに限らず、測定検査工程での測定結果の逆方向電流値がパラメータである上記特性曲線に基づいて、静電破壊エネルギが極小となる前後の所定範囲のSi濃度で、多重層6の第1の層にn導電型不純物のSiをイオン注入してもよい。要するに、多重層6の第1の層に、n導電型不純物がその濃度として5×1017cm-3~1×1018cm-3の範囲で添加されて、発光層7が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2が20以上40以下とされていればよい。この場合、本実施形態1では、多重層6の第1の層のSi濃度を制御したが、これに限らず、多重層6の第1の層および第2の層のそれぞれのSi濃度を制御してもよい。要するに、多重層6の第1の層のSi濃度を制御すればよい。なお、本実施形態1では、所定項目の逆方向電気特性としての逆方向電流値をパラメータとして、発光層7が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2と多重層6のSi濃度との関係を示す特性曲線を予め求めておき、測定検査工程で求めた逆方向電流値をパラメータとする特性曲線に基づいて、多重層6の少なくとも第1の層のSi濃度を、静電破壊エネルギmJ/cm2の極小値または、その前後の値に対応する多重層6のSi濃度に制御している場合について説明したが、逆方向電気特性値は上記逆方向電流値に限らず、逆方向AC電圧印加時の静電容量値であってもよい。この場合、所定項目の逆方向電気特性としての逆方向AC電圧印加時の静電容量値をパラメータとして、発光層7が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2と多重層6のSi濃度との関係を示す特性曲線を予め求めておき、測定検査工程で求めた逆方向AC電圧印加時の静電容量値をパラメータとする特性曲線に基づいて、多重層6の少なくとも第1の層のSi濃度を、静電破壊エネルギmJ/cm2の極小値または、その前後の値に対応する多重層6のSi濃度に制御することになる。所定項目の逆方向電気特性としての逆方向AC電圧印加時の静電容量値をパラメータとする特性曲線も、図2に示す所定項目の逆方向電気特性としての逆方向電流値をパラメータとする特性曲線と同様に極小値や極大値を持つ同様の特性曲線となっている。要するに、逆方向AC電圧印加時の静電容量値をパラメータとする特性曲線についても、本発明に適用することができる。即ち、逆方向AC電圧印加時の静電容量値の違い毎に多重層6のSi濃度に対する静電破壊エネルギmJ/cm2の関係が、逆方向電流値毎に、多重層6のSi濃度に対する静電破壊エネルギmJ/cm2の関係が存在するのと同様に存在する。なお、本実施形態1では、所定項目の逆方向電気特性としての逆方向電流値をパラメータとして、発光層7が受ける静電破壊エネルギmJ/cm2と多重層6のSi濃度との関係を示す特性曲線を予め求めておき、測定検査工程で求めた逆方向電流値をパラメータとする特性曲線に基づいて、多重層6の少なくとも第1の層のSi濃度を、静電破壊エネルギmJ/cm2の極小値または、その前後の値発光層が受ける静電破壊エネルギが20以上40以下の値に対応する多重層6のSi濃度に制御している場合について説明したが、逆方向電気特性値としては上記逆方向電流値に限らず、逆方向電気特性値は過渡容量分光法DLTSまたは等温過渡容量法ICTSによって測定された欠陥準位であってもよい。この場合、図3のステップS8の測定検査工程で逆方向電流値の測定を行う代わりに、チップ化工程の後の工程で、過渡容量分光法DLTSおよび等温過渡容量法ICTSによって欠陥準位を測定し、図3のステップS3のMOCVD工程にフィードバックし、測定した欠陥準位をパラメータとして、多重層6のSi濃度に対する静電破壊エネルギmJ/cm2の関係を示す特性曲線に基づいて、多重層6の少なくとも第1の層のSi濃度を、静電破壊エネルギmJ/cm2の極小値または、その前後の値発光層が受ける静電破壊エネルギが20以上40以下の値に対応する多重層6のSi濃度に制御する。所定項目の逆方向電気特性としての欠陥準位をパラメータとする特性曲線も、図2に示す所定項目の逆方向電気特性としての逆方向電流値をパラメータとする特性曲線と同様に極小値や極大値を持つ同様の特性曲線となっている。要するに、欠陥準位をパラメータとする特性曲線についても、本発明に適用することができる。即ち、欠陥準位の違い毎に多重層6のSi濃度に対する静電破壊エネルギmJ/cm2の関係が、図2に示すように、逆方向電流値毎に、多重層6のSi濃度に対する静電破壊エネルギmJ/cm2の関係が存在するのと同様に存在する。以上のように、本発明の好ましい実施形態1を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。"