一面側および他面側に第2導電型の不純物元素が拡散された不純物拡散層を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に形成された前記不純物拡散層に電気的に接続して前記半導体基板の一面側に形成された受光面側電極と、前記半導体基板の他面側において少なくとも外周縁部を除いた領域に形成された裏面電極と、を備え、前記不純物拡散層は、前記半導体基板の一面側において少なくとも前記受光面側電極の下部領域に形成された第1の拡散層と、前記半導体基板の一面側における前記第1の拡散層以外の領域および前記半導体基板の他面側における前記外周縁部に形成され、前記第1の拡散層よりもシート抵抗が高い第2の拡散層と、を有することを特徴とする光起電力装置。第2導電型の不純物元素が拡散されて所定のシート抵抗を有する第1不純物拡散層を一面側および他面側の全面に有する第1導電型の半導体基板の一面側に第1保護膜を形成する第1工程と、前記半導体基板の他面側において、外周縁部を除いた領域に第2保護膜を形成する第2工程と、前記第1保護膜に対して表面電極領域以外に開口を形成する第3工程と、前記開口が形成された前記第1保護膜および前記第2保護膜をエッチングマスクとして、前記第1保護膜および前記第2保護膜が耐性を有する条件で前記半導体基板に対してエッチングを施して、前記半導体基板の一面側における前記開口の下部およびその周辺領域と前記半導体基板の他面側における外周縁部の前記第1不純物拡散層を除去する第4工程と、前記第1保護膜および前記第2保護膜を除去する第5工程と、前記半導体基板の全面に第2導電型の不純物元素を拡散して、前記第1不純物拡散層を前記所定のシート抵抗よりも低いシート抵抗を有する低抵抗不純物拡散層とするとともに、前記半導体基板における前記低抵抗不純物拡散層以外の領域に前記低抵抗不純物拡散層のシート抵抗よりも高いシート抵抗を有する高抵抗不純物拡散層を形成する第6工程と、前記半導体基板の一面側における前記低抵抗不純物拡散層上に受光面側電極を形成する第7工程と、前記半導体基板の他面側における前記高抵抗不純物拡散層以外の領域に裏面電極を形成する第8工程と、を含むことを特徴とする光起電力装置の製造方法。前記第2工程では、前記半導体基板の他面側における外周縁部に対する成膜を制限して前記第2保護膜をCVD法により成膜すること、を特徴とする請求項2に記載の光起電力装置の製造方法。前記半導体基板の外周を囲う縁取り部が前記半導体基板よりも高い位置にある成膜台板に前記半導体基板を保持して前記第2保護膜をCVD法により成膜すること、を特徴とする請求項3に記載の光起電力装置の製造方法。前記第2保護膜の成膜を制限する成膜マスクを前記半導体基板の他面側における外周縁部に配置して前記第2保護膜をCVD法により形成すること、を特徴とする請求項3に記載の光起電力装置の製造方法。前記第6工程以降に、前記半導体基板の側面に形成された前記高抵抗不純物拡散層を除去する工程を有すること、を特徴とする請求項2~5のいずれか1つに記載の光起電力装置の製造方法。前記第6工程以降に、前記半導体基板の他面側の外周縁部に形成された前記高抵抗不純物拡散層の表面から前記半導体基板の内部に達する溝を形成すること、を特徴とする請求項2~5のいずれか1つに記載の光起電力装置の製造方法。請求項1に記載の光起電力装置の少なくとも2つ以上が電気的に直列または並列に接続されてなること、を特徴とする光起電力モジュール。しかしながら、上記従来の技術によれば、エッチングによる基板厚の減少に起因した光電変換効率の低下を抑制するために、テクスチャを形成しないシリコン基板の裏面側にもエッチング防止のために保護マスクを形成する必要がある。また、拡散層の形成に一般的なチューブ型の拡散炉を用いる場合には、シリコン基板の全面に拡散が行われる。さらに、ペースト電極の印刷焼成工程では、電極ペーストの印刷はみ出しによる不良発生防止のために、シリコン基板全面への電極印刷ができないという制限がある。これらのことから、上記従来の方法により製造された光起電力装置では、裏面の周辺部に裏面電極が形成できずに、拡散層が残った状態の縁取りが生じる。このため、光起電力装置の裏面側の外周縁部でのキャリア再結合により、基板内で発生した電荷を効率良く集電することができず、光電変換効率が低下する、という問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、光起電力装置の裏面側でのキャリア再結合に起因した光電変換効率の低下が防止された光電変換効率に優れた光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュールを得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる光起電力装置は、一面側および他面側に第2導電型の不純物元素が拡散された不純物拡散層を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に形成された前記不純物拡散層に電気的に接続して前記半導体基板の一面側に形成された受光面側電極と、前記半導体基板の他面側において少なくとも外周縁部を除いた領域に形成された裏面電極と、を備え、前記不純物拡散層は、前記半導体基板の一面側において少なくとも前記受光面側電極の下部領域に形成された第1の拡散層と、前記半導体基板の一面側における前記第1の拡散層以外の領域および前記半導体基板の他面側における前記外周縁部に形成され、前記第1の拡散層よりもシート抵抗が高い第2の拡散層と、を有することを特徴とする。本発明によれば、光起電力装置の裏面側でのキャリア再結合に起因した光電変換効率の低下を防止して、光起電力装置の光電変換効率を向上できるという効果を奏する。以下に、本発明にかかる光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため各部材の縮尺が実際と異なる場合があり、各図面間においても同様である。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかる選択エミッタ型の光起電力装置の構成を示す断面図である。図1に示す光起電力装置は、基板表層に第2導電型n型の不純物元素を拡散した不純物拡散層であるn型不純物拡散層2を有する第1導電型p型の半導体基板であるp型シリコン基板1と、p型シリコン基板1の受光面側の面表面に形成された受光面側電極5と、p型シリコン基板1の受光面と反対側の面裏面に形成された裏面電極6とを備える。p型シリコン基板1の受光面側の表面には、複数の微細凹凸からなるテクスチャ構造7が形成されている。光起電力装置の側面部は、効率良く発電させるために、n型電極である受光面側電極5に接続されたn型不純物拡散層2とp型電極である裏面電極6とを電気的に絶縁させるPN分離構造pn分離部8が設けられている。ここでは、第1導電型p型の半導体基板としてp型シリコン基板1を用いているが、p型シリコン基板1の代わりに光起電力装置に通常用いられるp型半導体基板を用いてもよい。また、n型の半導体基板にp型不純物拡散層を備える構成としてもよい。n型不純物拡散層2は、第1の拡散層である低抵抗n型不純物拡散層3と第2の拡散層である高抵抗n型不純物拡散層4とからなる。高抵抗n型不純物拡散層4は、低抵抗n型不純物拡散層3と比べてシート抵抗値が大きいn型不純物拡散層である。低抵抗n型不純物拡散層3は、p型シリコン基板1の受光面側の表面において受光面側電極5の下部領域およびその近傍と、外周縁部とに形成されている。高抵抗n型不純物拡散層4は、p型シリコン基板1の受光面側の表面におけるテクスチャ構造7の表面と、p型シリコン基板1の受光面側の裏面における外周縁部に形成されている。すなわち、この光起電力装置は、p型シリコン基板1の受光面側の表面における受光面側電極5の形成領域が受光面領域よりも低いシート抵抗領域とされた選択エミッタ型の光起電力装置である。受光面側電極5は、例えばグリッド電極およびバス電極を含んで構成される櫛形状の銀電極が用いられる。裏面電極6は、p型シリコン基板1の受光面側の裏面において外周縁部を除いた領域に形成されている。なお、光起電力装置の受光面側には反射防止膜が形成されることが好ましいが、本発明とは直接関係がないため反射防止膜の記載および詳細な説明は省略する。上記のように構成された実施の形態1にかかる光起電力装置は、従来の光起電力装置では受光面側の電極形成領域と同等のシート抵抗を有する低抵抗n型不純物拡散層3が形成されている裏面側の外周縁部に、受光面と同等のシート抵抗を有する高抵抗n型不純物拡散層4が形成されている。これにより、裏面側の外周縁部でのキャリア再結合を抑制して、p型シリコン基板1で発生した電荷を効率良く集電できるため、短絡電流密度mA/cm2および曲線因子が増加し、光電変換効率が向上する。したがって、実施の形態1にかかる光起電力装置によれば、光電変換効率に優れた光起電力装置を実現できる。つぎに、上記のように構成された実施の形態1にかかる光起電力装置の製造方法について図2-1~図2-8を参照して説明する。図2-1~図2-8は、実施の形態1にかかる光起電力装置の製造方法を模式的に示す断面図である。まず、基板厚みが100μm~200μm程度のp型シリコン基板1に対して1回目のリンPの拡散処理を行って、p型シリコン基板1の全面にn型不純物拡散層11を形成する。n型不純物拡散層11のシート抵抗は、例えば50Ω/□以下の低抵抗とされる。つぎに、n型不純物拡散層11が形成されたp型シリコン基板1をCVD成膜用の台板21に配置する。そして、厚さが100nm~500nm程度の酸化シリコンSiO2膜からなる表面用エッチングマスク12をCVD法によりp型シリコン基板1の一面側受光面側のn型不純物拡散層11上に形成する。図2-1は、n型不純物拡散層11が形成されたp型シリコン基板1をCVD成膜用の台板21に配置してCVDChemicalVaporDeposition法により表面用エッチングマスク12を成膜する状態を示す断面図である。ここで、CVD成膜用の台板21は、成膜時のp型シリコン基板1の位置ずれを防止するために、p型シリコン基板1の厚さ程度またはこれよりも浅い程度の掘り込みが形成されている。このため、p型シリコン基板1の表面全面に表面用エッチングマスク12が形成される。つぎに、表面用エッチングマスク12が形成されたp型シリコン基板1をCVD成膜用の台板21から取り出してCVD成膜用の台板22に配置する。そして、厚さが100nm~500nm程度の酸化シリコンSiO2膜からなる裏面用エッチングマスク13をCVD法によりp型シリコン基板1の他面側裏面側のn型不純物拡散層11上に形成する。そして、表面用エッチングマスク12と裏面用エッチングマスク13とが形成されたp型シリコン基板1をCVD成膜用の台板22から取り出す。図2-2は、表面用エッチングマスク12が形成されたp型シリコン基板1の他面側に裏面用エッチングマスク13をCVD法により成膜する状態を示す模式図である。図2-3は、p型シリコン基板1に表面用エッチングマスク12と裏面用エッチングマスク13とが形成された状態を示す断面図である。ここで、CVD成膜用の台板22は、表面用エッチングマスク12が形成されたp型シリコン基板1の厚さよりも充分に深い掘り込みが形成されている。このため、p型シリコン基板1の他面側の周辺部は成膜が制限され、p型シリコン基板1の他面側のn型不純物拡散層11の表面には、裏面用エッチングマスク13の膜厚が薄いまたは裏面用エッチングマスク13が成膜されない領域以下、露出領域11aと呼ぶが形成される。この掘り込みの深さは、裏面用エッチングマスク13の成膜を制限したい長さと同等またはその10倍程度の高さとすればよい。成膜を制限したい長さは、p型シリコン基板1の外形からの長さである。例えばp型シリコン基板1の外形から1mm幅の領域の成膜を制限したい場合は掘り込みの深さは1mm~10mmとされればよい。また、ここでは縁取りが基板成膜面よりも高い位置にあるCVD成膜用の台板22を使用する場合について説明したが、CVD成膜用の台板22を使用する代わりに、成膜を制限する成膜マスクをp型シリコン基板1の他面側の外周縁部に被着させて裏面用エッチングマスク13をCVD法により形成してもよい。この場合も、p型シリコン基板1の他面側の外周縁部に露出領域11aを形成できる。つぎに、表面用エッチングマスク12に対して微細穴空け加工を施す。すなわち、ブラスト加工処理またはレーザー加工処理により、p型シリコン基板1においてテクスチャ構造を形成する領域のみの領域に対応する表面用エッチングマスク12に複数の微細開口12aを空ける。微細開口12aは、例えば径が3μm~10μm程度、穴密度が2~100個/50平方μm程度が好ましい。ここで、テクスチャ構造を形成しない領域は、受光面側電極5を形成する領域電極形成領域となる。図2-4は、表面用エッチングマスク12に対して微細穴空け加工を施した状態を示す断面図である。つぎに、微細穴空け加工が施された表面用エッチングマスク12をマスクとして、p型シリコン基板1に対してエッチングを施す。エッチングとしては、例えばアルカリ溶液やフッ硝酸等を用いた湿式エッチングを実施する。これにより、微細穴空け加工が施された部分に対応するn型不純物拡散層11およびp型シリコン基板1がエッチングされ、p型シリコン基板1の一面側の表面にテクスチャ構造7が形成される。また、p型シリコン基板1の側面およびp型シリコン基板1の他面側における露出領域11aではエッチングが進み、n型不純物拡散層11が除去される。これにより、n型不純物拡散層11は、p型シリコン基板1の一面側における電極形成領域および外周縁部と、p型シリコン基板1の他面側において外周縁部を除いた領域に残存する。その後、表面用エッチングマスク12および裏面用エッチングマスク13を除去する。図2-5は、エッチング時のp型シリコン基板1の状態を示す断面図である。図2-6は、エッチング後に表面用エッチングマスク12および裏面用エッチングマスク13が除去された状態のp型シリコン基板1を示す断面図である。つぎに、p型シリコン基板1に対して2回目のリンPの拡散処理を行う。このリンPの拡散処理により、p型シリコン基板1の一面側においてテクスチャ構造7が形成された領域と、p型シリコン基板1の側面部と、p型シリコン基板1の他面側の外周縁部とに、例えばシート抵抗が60Ω/□以上の高抵抗の拡散層である高抵抗n型不純物拡散層4が形成される。また、このリンPの拡散処理により、p型シリコン基板1の一面側および他面側におけるn型不純物拡散層11は、拡散処理が2回行われることにより、例えばシート抵抗が50Ω/□以下の低抵抗の拡散層である低抵抗n型不純物拡散層3となる。これにより、n型不純物拡散層2として、低抵抗n型不純物拡散層3と高抵抗n型不純物拡散層4が形成される。図2-7は、2回目の拡散処理後のp型シリコン基板1の状態を示す断面図である。つぎに、p型シリコン基板1の側面部のpn接合のショート部分9をプラズマエッチング等で除去することによりpn分離を行ってpn分離部8を形成する。さらに、必要に応じてp型シリコン基板1の表裏面にシリコン窒化膜などの反射防止膜図示せずを形成した後、図2-8に示すように受光面側電極5および裏面電極6を形成する。受光面側電極5および裏面電極6は、例えば電極ペーストをスクリーン印刷により印刷した後に焼成を行うことにより形成する。裏面電極6の形成後、p型シリコン基板1の他面側における外周縁部には、高抵抗n型不純物拡散層4が残存している。図2-8は、受光面側電極5および裏面電極6が形成されて完成した光起電力装置を示す断面図である。以上のようにして、図1に示す光起電力装置が作製される。つぎに、比較のため、熱酸化炉を用いてp型シリコン基板1の全面にエッチングマスクを形成する従来の製造方法について図3-1~図3-6を参照して説明する。図3-1~図3-6は、従来の光起電力装置の製造方法を模式的に示す断面図である。まず、基板厚みが100μm~200μm程度のp型シリコン基板1に対して1回目のリンPの拡散処理を行って、p型シリコン基板1の全面にn型不純物拡散層11を形成する。n型不純物拡散層11のシート抵抗は、例えば50Ω/□以下の低抵抗とされる。つぎに、n型不純物拡散層11が形成されたp型シリコン基板1を熱酸化炉に投入して加熱することにより、厚さが100nm~200nm程度の酸化シリコンSiO2膜からなるエッチングマスク31をp型シリコン基板1のn型不純物拡散層11上に形成する。この場合は、p型シリコン基板1のn型不純物拡散層11上の全面にエッチングマスク31が形成されるため、上述した露出領域11aに対応する領域は形成されない。図3-1は、p型シリコン基板1のn型不純物拡散層11上にエッチングマスク31が形成された状態を示す断面図である。つぎに、エッチングマスク31に対して微細穴空け加工を施す。すなわち、ブラスト加工処理またはレーザー加工処理により、p型シリコン基板1においてテクスチャ構造を形成する領域のみに対応する領域のエッチングマスク31に複数の微細開口31aを空ける。微細開口31aは、例えば径が3μm~10μm程度、穴密度が2~100個/50平方μm程度とされる。ここで、テクスチャ構造を形成しない領域は、受光面側電極5を形成する領域電極形成領域となる。図3-2は、エッチングマスク31に対して微細穴空け加工を施した状態を示す断面図である。つぎに、微細穴空け加工が施されたエッチングマスク31をマスクとして、p型シリコン基板1においてエッチングマスク31に対してエッチングを施す。エッチングとしては、例えばアルカリ溶液やフッ硝酸等を用いた湿式エッチングを実施する。これにより、微細穴空け加工が施された部分に対応するn型不純物拡散層11およびp型シリコン基板1がエッチングされ、p型シリコン基板1の一面側受光面側の表面にテクスチャ構造7が形成される。また、p型シリコン基板1の他面側裏面側には上述した露出領域11aに対応する領域がないため、p型シリコン基板1の他面側はエッチングされない。これにより、n型不純物拡散層11は、p型シリコン基板1の一面側における電極形成領域および外周縁部と、p型シリコン基板1の他面側の全面に残存する。その後、エッチングマスク31を除去する。図3-3は、エッチング時のp型シリコン基板1の状態を示す断面図である。図3-4は、エッチング後にエッチングマスク31が除去された状態のp型シリコン基板1を示す断面図である。つぎに、p型シリコン基板1に対して2回目のリンPの拡散処理を行う。このリンPの拡散処理により、p型シリコン基板1の一面側においてテクスチャ構造7が形成された領域のみに、例えばシート抵抗が60Ω/□以上の高抵抗の拡散層である高抵抗n型不純物拡散層4が形成される。また、このリンPの拡散処理により、n型不純物拡散層11は、拡散処理が2回行われることにより、例えばシート抵抗が50Ω/□以下の低抵抗の拡散層である低抵抗n型不純物拡散層3となる。これにより、n型不純物拡散層2として、低抵抗n型不純物拡散層3と高抵抗n型不純物拡散層4が形成される。この場合は、p型シリコン基板1の他面側の全面に低抵抗n型不純物拡散層3が形成される。図3-5は、2回目の拡散処理後のp型シリコン基板1の状態を示す断面図である。つぎに、p型シリコン基板1の側面部のpn接合のショート部分9をプラズマエッチング等で除去することによりpn分離を行ってpn分離部8を形成する。さらに、必要に応じてp型シリコン基板1の表裏面にシリコン窒化膜などの反射防止膜図示せずを形成した後、図3-6に示すように受光面側電極5および裏面電極6を形成する。受光面側電極5および裏面電極6は、例えば電極ペーストをスクリーン印刷により印刷した後に焼成を行うことにより形成する。図3-6は、受光面側電極5および裏面電極6が形成されて完成した光起電力装置を示す断面図である。以上のようにして、従来の光起電力装置が作製される。このような製造方法により作製された従来の光起電力装置では、図3-6に示すようにp型シリコン基板1の裏面側における外周縁部には、低抵抗n型不純物拡散層3が残存している。このため、光起電力装置の裏面側の外周縁部でのキャリア再結合により、p型シリコン基板1内で発生した電荷を効率良く集電することができず、光電変換効率が低下する、という問題が生じる。上述した実施の形態1にかかる光起電力装置の製造方法では、表面用エッチングマスク12および裏面用エッチングマスク13をCVD法により形成し、裏面用エッチングマスク13の形成時にp型シリコン基板1の裏面側に露出領域11aを形成する。そして、1回目の拡散処理において露出領域11aに形成されたn型不純物拡散層11をテクスチャ構造7の形成時にエッチング除去し、その後、2回目の拡散処理を実施する。これにより、実施の形態1にかかる光起電力装置の製造方法では、従来の光起電力装置では受光面側の電極形成領域と同等のシート抵抗を有する低抵抗n型不純物拡散層3が形成されている裏面側の外周縁部に、受光面と同等のシート抵抗を有する高抵抗n型不純物拡散層4が形成される。このように作製された光起電力装置では、p型シリコン基板1の裏面側の拡散層が高抵抗n型不純物拡散層4とされるため、裏面側の外周縁部でのキャリア再結合を抑制して、p型シリコン基板1で発生した電荷を効率良く集電でき、短絡電流密度mA/cm2および曲線因子が増加し、光電変換効率が向上する。したがって、実施の形態1にかかる光起電力装置の製造方法によれば、光電変換効率に優れた光起電力装置を実現できる。上述した実施の形態1にかかる光起電力装置実施例1について性能評価した結果を表1に示す。また比較例として、上述した従来の光起電力装置比較例1について性能評価した結果を表1に併せて示す。表1からわかるように、実施例1の光起電力装置では、比較例1の光起電力装置よりも短絡電流密度mA/cm2および曲線因子が増加し、その結果として光電変換効率が向上している。これは、実施例1の光起電力装置では、比較例1の光起電力装置では低抵抗n型不純物拡散層3が形成されている裏面側の外周縁部に高抵抗n型不純物拡散層4が形成されていることに因る効果である。また、実施例1の光起電力装置の裏面側の外周縁部の高抵抗n型不純物拡散層4を除去した場合についても性能評価した。その結果、この光起電力装置は、実施例1の光起電力装置よりも光電変換効率が若干低下していた。このことより、光起電力装置の裏面側の外周縁部に高抵抗n型不純物拡散層4が存在した方が良好な光電変換効率が得られると言える。実施の形態2.実施の形態2では、上述した実施の形態1にかかる光起電力装置の製造方法において、プラズマエッチング等による基板側面部の除去加工の代わりにレーザー加工等による溝加工によりpn分離を行う場合について説明する。図4は、pn分離溝10によりpn分離を行った実施の形態2にかかる光起電力装置を示す断面図である。この光起電力装置では、裏面側の高抵抗n型不純物拡散層4の表面からp型シリコン基板1の内部にまで達するpn分離溝10をレーザー加工で形成することにより、pn分離が施されている。実施の形態2にかかる光起電力装置は、pn分離の構造以外は実施の形態1にかかる光起電力装置と同じ構成を有する。このようにpn分離位置がp型シリコン基板1の裏面に配置されることにより、発電に寄与する受光面側のn型不純物拡散層2の領域が増加し、発電効率を向上させることができる。pn分離溝10を形成するレーザー加工は、例えば赤外線レーザーまたは緑色レーザーを用いて、出力20~50W、ビーム径30~50μm、走査速度100~1000mm/秒程度で、p型シリコン基板1の端部から200μm~800μm程度の位置を加工するとよい。なお、上記の条件は一例であって、光起電力装置として暗時逆方向電圧印加時のリーク電流を規定値以下とできればよく、例えば暗時逆方向電圧が-5V時にリーク電流を3A程度以下にできればよい。図5は、pn分離溝10によりpn分離を行った従来の他の光起電力装置を示す断面図である。この光起電力装置では、裏面側の低抵抗n型不純物拡散層3の表面からp型シリコン基板1の内部にまで達するpn分離溝10をレーザー加工で形成することにより、pn分離が施されている。この従来の他の光起電力装置は、pn分離の構造以外は上述した従来の光起電力装置と同じ構成を有する。上述した実施の形態2にかかる光起電力装置実施例2について性能評価した結果を表2に示す。また比較例として、上述した従来の他の光起電力装置比較例2について性能評価した結果を表2に併せて示す。プラズマエッチング等による基板側面部の除去加工の代わりにレーザー加工等による溝加工によりpn分離を行うことより、比較例2の光起電力装置では、p型シリコン基板1の端部の拡散層が低抵抗n型不純物拡散層3となる。一方、実施例2の光起電力装置では、p型シリコン基板1の端部の拡散層は、より発電に寄与し裏面側の外周縁部でのキャリア再結合を抑制する高抵抗n型不純物拡散層4となる。これにより、表2からわかるように、実施例2の光起電力装置では、比較例2の光起電力装置よりも短絡電流密度mA/cm2および曲線因子が増加し、その結果として光電変換効率が向上している。そして、実施例2の光起電力装置では、実施例1の光起電力装置よりもさらに光電変換効率が向上している。また、実施の形態2にかかる光起電力装置においては、裏面電極6とpn分離溝10との間の高抵抗n型不純物拡散層4の面積が少なくなる程、光電変換効率を高めることができる。このため、裏面電極6の形状に沿って加工を行うことにより、より光電変換効率を高めることができる。なお、レーザーが裏面電極6上にかかるとpn分離ができなくなる虞があるため、裏面電極6から若干の間隔をおいた状態で加工することが好ましい。上述したように、実施の形態2によれば、より光電変換効率に優れた光起電力装置が実現できる。また、上記の実施の形態で説明した構成を有する光起電力装置を複数形成し、隣接する光起電力装置同士を電気的に直列または並列に接続することにより、光電変換効率に優れた光起電力モジュールが実現できる。この場合は、例えば隣接する光起電力装置の一方の受光面側電極5と他方の裏面電極6とを電気的に接続すればよい。