極端紫外線EUVリソグラフィに用いられる反射型マスクの製造方法であって、基板の一面の上に光反射層を形成する工程と、前記光反射層の上に光吸収層を形成する工程と、前記基板の他面に導電膜を形成する工程と、前記光反射層に回路パターンを形成する工程と、前記回路パターンの外側の枠状領域の光反射層と光吸収層とを前記基板の一面が露呈するまで除去してなる遮光枠を形成する工程と、前記枠状領域の導電膜を前記基板の他面が露呈するまで除去してなる導電膜除去領域を形成する工程と、を備えることを特徴とする反射型マスクの製造方法。前記基板に対しては透過性を有し、前記光反射層と前記光吸収層と前記導電膜とに対しては非透過性のレーザー光を、前記基板の一面側または他面側から照射して、前記光反射層と前記光吸収層と前記導電膜とを除去することにより、前記遮光枠を形成する工程と前記導電膜除去領域を形成する工程とを一括して行うことを特徴とする請求項1記載の反射型マスクの製造方法。前記遮光枠を形成する工程と前記導電膜除去領域を形成する工程とを、回路パターンを形成する工程の前に行うことを特徴とする請求項2記載の反射型マスクの製造方法。前記遮光枠を形成する工程と前記導電膜除去領域を形成する工程とを、回路パターンを形成する工程の後に行うことを特徴とする請求項2記載の反射型マスクの製造方法。前記レーザー光には、YAGレーザーまたはCO2レーザーによるレーザー光を用いることを特徴とする請求項2記載の反射型マスクの製造方法。請求項1乃至5のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法によって製造されたことを特徴とする反射型マスク。しかしながら、上記特許文献の方法では、マスクパターン作成後の遮光枠の領域についての多層反射層の掘り込みでは、材質の異なるモリブデンMoとシリコンSiの合計80層を加工する必要があり、ドライエッチングにおいて実現させるには非常に複雑な条件となっていた。また、メインパターンのエッチングとは別に、2度に分けてリソグラフィとエッチングを行う必要があり、スループットが悪化するという不都合があった。また、上記特許文献の方法により、吸収層および多層反射層をすべて掘り込み除去して基板表面を露呈させて遮光枠を形成した場合でも、基板の裏面には導電膜が設けられている。導電膜は、主材料にはクロムCrを含む物質が多く用いられており、マスク表面から入ったOoB光は、基板を透過し、裏面の導電膜にて反射し、再び基板を透過し、マスク表面に戻ってくることで、悪影響を及ぼすという不都合があった。本発明の目的は、OoB光の影響を軽減した遮光枠を有する、製造しやすい反射型マスクの製造方法および反射型マスクを提供することにある。本発明は、上記の課題を解決するために、以下の方法や構成を採用した。本発明は、極端紫外線EUVリソグラフィに用いられる反射型マスクの製造方法に関する。そして、基板の一面の上に光反射層を形成する工程と、光反射層の上に光吸収層を形成する工程と、基板の他面に導電膜を形成する工程と、光反射層に回路パターンを形成する工程と、回路パターンの外側の枠状領域の光反射層と光吸収層とを基板の一面が露呈するまで除去してなる遮光枠を形成する工程と、枠状領域の導電膜を基板の他面が露呈するまで除去してなる導電膜除去領域を形成する工程とを備えることを特徴とする。また、基板に対しては透過性を有し、光反射層と光吸収層と導電膜とに対しては非透過性のレーザー光を、基板の一面側または他面側から照射して、光反射層と光吸収層と導電膜とを除去することにより、遮光枠を形成する工程と導電膜除去領域を形成する工程とを一括して行うことを特徴とする。また、遮光枠を形成する工程と導電膜除去領域を形成する工程とを、回路パターンを形成する工程の前に行うことを特徴とする。また、遮光枠を形成する工程と導電膜除去領域を形成する工程とを、回路パターンを形成する工程の後に行うことを特徴とする。また、レーザー光には、YAGレーザーまたはCO2レーザーによるレーザー光を用いることを特徴とする。そして、本発明はEUVリソグラフィに用いられる反射型マスクに関し、上記のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法によって製造されたことを特徴とする。本発明によれば、上述の特徴を有することから、下記に示すことが可能となる。すなわち、極端紫外線EUVリソグラフィに用いられる反射型マスクの製造方法であって、基板の一面の上に光反射層を形成する工程と、光反射層の上に光吸収層を形成する工程と、基板の他面に導電膜を形成する工程と、光反射層に回路パターンを形成する工程と、回路パターンの外側の枠状領域の光反射層と光吸収層とを基板の一面が露呈するまで除去してなる遮光枠を形成する工程と、枠状領域の導電膜を基板の他面が露呈するまで除去してなる導電膜除去領域を形成する工程とを備えるので、基板を透過し、他面の導電膜にて反射し、再び基板を透過し、マスク表面に戻ってくることで悪影響を及ぼすOoB光の影響を軽減することができる。また、基板に対しては透過性を有し、光反射層と光吸収層と導電膜とに対しては非透過性のレーザー光を、基板の一面側または他面側から照射して、光反射層と光吸収層と導電膜とを除去することにより、遮光枠を形成する工程と導電膜除去領域を形成する工程とを一括して行うので、遮光枠を形成するためのドライエッチング等で掘り込む手法よりもスループットが高くなる。また、表裏を同時にレーザーで除去出来る事から、マスク表裏での位置精度を高くなり、かつ、ガラスと他面の導電膜界面でのOoBの影響を小さくできる。そして、この反射型マスクを用いることで、高い精度で転写パターンを形成できる。また、遮光枠を形成する工程と導電膜除去領域を形成する工程とを、回路パターンを形成する工程の前に行うので、必要に応じて、既に形成した遮光枠に合わせて調整しながら、回路パターンを形成することができる。また、遮光枠を形成する工程と導電膜除去領域を形成する工程とを、回路パターンを形成する工程の後に行うので、必要に応じて、既に形成した回路パターンに合わせて調整しながら、遮光枠を形成することができる。また、レーザー光には、YAGレーザーまたはCO2レーザーによるレーザー光を用いるので、波長が短く高エネルギーなレーザー光により、確実に多層反射層や吸収層、導電膜などを除去することができる。そして、EUVリソグラフィに用いられる反射型マスクに関し、上記のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法によって製造されるので、高い精度の反射型マスクを得ることができる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態について、詳細に説明する。回路パターン形成前の反射型マスクの構成まず、回路パターン形成前の反射型マスクの構成について図1および図2を参照して説明する。図1a~dは、本発明の実施形態である反射型マスク100、200、300、400の略中央部分の概略断面図を示している。図2aは、図1a~dに示す反射型マスク100、200、300、400を一面側から見た概略図であり、図2bは反射型マスク100、200を他面側から見た概略図であり、図2cは反射型マスク300、400を他面側から見た概略図である。なお、以下の説明で、反射型マスク100、200、300、400の基板11の回路パターンが形成される側の面を一面、この反対面を他面と呼ぶものとする。図1aに示す反射型マスク100には、基板11の一面の上に多層反射層光反射層21が形成され、多層反射層21の上には吸収層光吸収層51が形成されていて、基板11の他面には導電膜71が形成されている。図1bに示す反射型マスク200は、反射型マスク100の多層反射層21と吸収層51との間に緩衝層41を追加した構成のものであり、基板11の一面に多層反射層21、緩衝層41、吸収層51が順次形成されている。また、基板11の他面には導電膜71が形成されている。図1c、dに示す反射型マスク300、400は、反射型マスク100、200の他面から導電膜71が削除された構成に形成されている。図2aに示すように、反射型マスク100、200、300、400の一面には吸収層領域80と額縁形状の枠状領域90とが形成されている。枠状領域90においては、図1に示すように、多層反射層21と吸収層51、または、多層反射層21と緩衝層41と吸収層51とが溝状に除去され遮光枠25が形成されている。遮光枠25の底部では、基板11の一面が露呈され、剥き出しになっている。図2bに示すように、反射型マスク100、200他面には導電膜71と額縁形状の導電膜除去領域72とが形成されている。導電膜除去領域72においては、図1a、bに示すように、枠状領域90の導電膜71が溝状に除去されている。導電膜除去領域72の底部では、基板11の他面が露呈され、剥き出しになっている。図2cに示すように、反射型マスク300、400他面には導電膜71は設けられておらず、基板11の他面全面が露呈され、剥き出しになっている。図1および図2に示す遮光枠25と導電膜除去領域72を形成する方法について説明する。本実施形態では、YAGレーザー1064nmの4次高調波266nmを使用による波長が短く高エネルギーなレーザー光を用いる。このレーザー光は、基板11は透過するが、多層反射層21と吸収層51、緩衝層41や導電膜71は非透過性である。まず、図1aにおいて、反射型マスク100の基板11の他面全面に導電膜71を形成し、次に、基板11の一面全面に多層反射層21と吸収層51とを形成する。次に、一面側または他面側から、枠状領域90の範囲にレーザー光を照射する。すると、多層反射層21と吸収層51と導電膜71とが一括して除去され、遮光枠25と導電膜除去領域72とが形成される。図1b、c、dにおける、反射型マスク200、300、400の場合も、同様にレーザー光の照射により、多層反射層21と緩衝層41と吸収層51と導電膜71、または多層反射層21と吸収層51、または多層反射層21と緩衝層41と吸収層51とが一括して除去され、遮光枠25と導電膜除去領域72、または遮光枠25が形成される。なお、この実施形態の説明では、遮光枠25と導電膜除去領域72との形成を、回路パターン形成前に行ったが、形成後でもよい。また、レーザー光として、YAGレーザーを用いたが、CO2レーザーなどを用いてもよい。以上のように、図1a、bに示す反射型マスク100、200では、遮光枠25は溝状で、底部では基板11の一面が露呈されており、基板の裏側にも導電膜除去領域72が設けられ基板11の他面が露呈されているので、遮光枠25の底部から基板を透過したOoB光が、他面の導電膜にて反射して、再び基板を透過し、マスク表面に戻ってくるということがなくなり、OoB光の影響を軽減することができる。また、図1c、dに示す反射型マスク300、400の場合では、他面には導電膜71は設けられておらず、基板11の他面全面が露呈され、剥き出しになっているので、遮光枠25の底部から基板を透過したOoB光が、他面の導電膜にて反射して、再び基板を透過し、マスク表面に戻ってくるということがなくなり、OoB光の影響を軽減することができる。なお、この場合、反射型マスク300、400は図示しない露光機内で真空チャックなどで固定される。また、多層反射層21と吸収層51と導電膜71などをレーザー照射で一括して除去し、遮光枠25と導電膜除去領域72を形成する事から、ドライエッチングなどで掘り込む方法よりもスループットが高いものとなる。また、基板11の表裏を同時にレーザーで除去出来る事から、表裏での位置精度を高く、かつOoBの影響を非常に小さくすることができる。これらのことから、半導体基板上に転写回路パターンを形成する際に、高い精度で転写パターンを形成ができる。反射型マスクの構成の詳細:多層反射層図1a、cの多層反射層21は、13.5nm近傍のEUV光に対して60程度の反射率を達成できるように設計されている。多層反射層21は、モリブデンMoとシリコンSiが交互に40~50ペア積層した積層膜で、さらに最上層はルテニウムRuで構成されている。Ru層の下に隣接する層はSi層である。MoとSiが使われている理由は、EUV光に対する吸収消衰係数が小さく、かつ、MoとSiのEUV光での屈折率差が大きいために、SiとMoの界面での反射率を高く出来るためである。多層反射層の最上層のRuは、吸収層の加工におけるストッパーやマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。図1b、dの多層反射層21は、13.5nm近傍のEUV光に対して60程度の反射率を達成できるように設計されており、MoとSiが交互に40~50ペア積層した積層膜で、最上層はSi層で構成されている。この場合の多層反射層の最上層のSiも、上述したRuと同様の役割を果たす。反射型マスクの構成の詳細:緩衝層図1b、dの緩衝層41は、吸収層51のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層21の最上層であるSi層を保護するために設けられており、クロムCrの窒素化合物CrNで構成されている。反射型マスクの構成の詳細:吸収層図1a~dの吸収層51は、13.5nm近傍のEUVに対して吸収率の高いタンタルTaの窒素化合物TaNで構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物TaBN、タンタルシリコンTaSi、タンタルTaや、それらの酸化物TaBON、TaSiO、TaOでも良い。図1a~dの吸収層51は、上層に波長190~260nmの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた2層構造から成る吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。反射型マスクの構成の詳細:導電膜図1a、bの導電膜71は、一般にはCrNで構成されているが、導電性があれば良いので、金属材料からなる材料であれば良い。回路パターン付き反射型マスクの説明次に、上述した反射型マスクに回路パターンを形成した、回路パターン付き反射型マスクについて説明する。図3a~dは、反射型マスク100、200、300、400に回路パターン85を形成した回路パターン付き反射型マスク101、201、301、401の略中央部分の概略断面図を示している。図4aは、回路パターン付き反射型マスク101、201、301、401を一面側から見た概略図である。図4bは回路パターン付き反射型マスク101、201を他面側から見た概略図であり、図4cは反射型マスク301、401を他面側から見た概略図である。いずれも、遮光枠25の内側に位置する多層反射層21の上部の吸収層51、または吸収層51および緩衝層41を掘り込むことによって、回路パターン85を形成したものである。本実施形態の場合、既に遮光枠25や導電膜除去領域72は形成されているので、回路パターン85を形成することにより、EUV光に対する反射率が吸収層領域よりも充分に小さい枠状領域90を有する反射型マスクを得る。回路パターンを形成する方法それでは、回路パターン85を形成する方法について詳説する。図1a、cに示す反射型マスク100または300の場合は、電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより、吸収層51をエッチングする。その後、レジスト剥離洗浄することで、吸収層51に回路パターン85が形成された、図3a、cに示す回路パターン付き反射型マスク101または301を得る。図1b、dに示す反射型マスク200または400の場合も、まず同様に、電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層51をエッチングする。次に、塩素プラズマにより緩衝層41をエッチングする。その後、レジスト剥離洗浄することで、吸収層51および緩衝層41に回路パターン85が形成された、図3bdに示す回路パターン付き反射型マスク201または401を得る。このようにして、EUV光に対する反射率が吸収層領域よりも充分に小さい枠状領域を有する反射型マスク201または401を得る。なお、本発明の反射型マスクの製造方法および反射型マスクは、上述した実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。一例として、上述した実施形態では、基板11の一面の上に直接、多層反射層21を形成したが、この基板11と多層反射層21との間に、露光の際のチャージアップを防止するための導電膜を設けるようにしてもよい。本発明を更に詳しく説明するために以下に実施例を上げるが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、前述の実施形態と以下の実施例とでは、遮光枠25を形成する工程と回路パターン85を形成する工程との前後を逆としている。マスクブランクス製造方法の実施例以下、本発明の反射型マスクの製造方法の実施例を説明する。まず、図5aに示すように、本実施例で使用する低熱膨張ガラス基板である基板111を用意した。次に、図5bに示すように、基板111の他面に静電チャッキング用の導電膜171を、スパッタリング装置により形成した。また、図5cに示すように、波長13.5nmのEUV光に対して反射率が64程度となるように設計されたモリブデンMoとシリコンSiの40ペアの反射層121を基板111上に積層した。続いて図5dに示すように、TaNからなる吸収層151をスパッタリング装置により反射層121上に形成した。このときの吸収層151の膜厚は50nmとした。こうして、本発明に使用するマスクブランクス202を作製した。マスクブランクスへのパターニングの実施例実施例1にて作製した図5dに示すマスクブランクス202に、電子線リソグラフィとドライエッチングとレジスト剥離洗浄を行い、吸収層151に回路パターン185を形成することにより、図6aに示す反射型マスク203を作製した。このとき、電子線リソグラフィには、化学増幅型ポジレジスト富士フイルムエレクトニクスマテリアルズ製、製品番号:FEP-171を用いて、描画機日本電子製、製品番号:JBX9000によってドーズ15μC/cm描画した後に、TMAH水酸化テトラメチルアンモニウム2.38現像液によりレジストパターンを形成した。また、吸収層151のエッチングにはCl2の誘導結合型プラズマを適用した。遮光枠と導電膜除去領域の作成の実施例実施例2にて作製した図6aに示す反射型マスク203に対して、一面側からYAGレーザーの4倍波レーザー光266nmを周波数2.5kHz、出力18Aで照射し、吸収層151と多層反射層121と導電膜171とを一括除去した。このようにして、図6bに示すように、遮光枠125とおよび導電膜除去領域172を有する反射マスク201が完成した。実施例3にて作製した図6bに示す反射型マスク201の、吸収層側のEUV光波長13.5nmの反射率を測定した。その結果を表1に示す。遮光枠以外の領域での反射率が1.24であるのに対し、枠状領域の反射率が0.00となった。また、OoB光の影響を調べるため、真空紫外線から近赤外領域の波長における反射率を測定したところ、それぞれ0.00となった。遮光枠部通常の吸収層部EUV光反射率0.001.24OoB光反射率0.000.21実施例3にて作製した図6bに示す反射型マスク201を用いて、13.5nmのEUVを光源とした露光を行い、半導体基板上に隣接した4つのチップを転写した。隣接したチップにおいて、作製した反射型マスク上の遮光枠に相当する領域の一部は重なっていたにもかかわらず、半導体基板上の当該領域におけるレジストの感光は確認されなかった。