金属表面における酸化の速さが異なる2種以上の成分からなり、表面から深さ方向に酸化の速さが速い成分の濃度が相対的に高くなっていることを特徴とする金属材料。金、パラジウム、白金、ロジウム、銀、銅の中の単体もしくは2種類以上の元素から成る固溶体を主体とし、該単体又は固溶体以外の1種以上の元素を溶質元素として含有し、その溶質元素の中の、少なくとも1種類の溶質元素の濃度が表面から深さ方向に高くなっていることを特徴とする請求項1記載の金属材料。前記溶質濃度が表面から内部に向かって連続的に増加していることを特徴とする請求項1又は2に記載の金属材料。前記金属材料が線材、管材、板材の何れかであることを特徴とする請求項1~3の何れかに記載の金属材料。前記金属材料が半導体実装用ボンディングワイヤであることを特徴とする請求項4記載の金属材料。前記金属材料が金を主体とする材料であることを特徴とする請求項5記載の金属材料。カルシウム、希土類金属イットリウムとスカンジウムを含むランタノイド系金属、ベリリウム、アルミニウム、ホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、銀、銅、マンガン、鉄、チタン、パラジウム、白金、ロジウムの中から選ばれる1種類以上の元素を含有し、それらの合計の平均濃度が、0.0001質量以上50質量未満であることを特徴とする請求項6記載の金属材料。表面から内部に向かって結晶粒径が小さくなっていることを特徴とする請求項7記載の金属材料。表面から内部に向かって硬度が高くなっていることを特徴とする請求項7記載の金属材料。酸化の速さの異なる2種類以上の元素からなる金属材料を酸素を含む気体中で一定時間加熱し、その後形成した表面酸化物を機械的又は化学的に除去することを特徴とする金属材料の製造方法。前記加熱の前に、金属材料を成型加工する請求項10記載の金属材料の製造方法。前記加熱と前記酸化物の除去の間に金属材料を成型加工する請求項10記載の金属材料の製造方法。前記工程に引き続き、金属材料を成型加工する請求項10記載の金属材料の製造方法。前記成型加工が、圧延加工、引抜加工又は押出加工の少なくとも1種である請求項11~13の何れかに記載の金属材料の製造方法。前記金属材料が、金、パラジウム、白金、ロジウム、銀、銅から選ばれる単体もしくは2種類以上の元素から成る固溶体を主体とし、該単体又は固溶体以外の1種以上の元素を溶質元素として含有させる請求項10~13の何れかに記載の金属材料の製造方法。前記主体となる金属が金であり、前記溶質元素が、カルシウム、希土類金属イットリウムとスカンジウムを含むランタノイド系金属、ベリリウム、アルミニウム、ホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、銀、銅、マンガン、鉄、チタン、パラジウム、白金、ロジウムの中から選ばれる少なくとも1種である請求項15記載の金属材料の製造方法。本発明は、耐食性、装飾性、あるいは接合性等、表面純度を必要とする性質と機械的特性が両立する金属材料とこれを安価に製造する製造方法を提供する。本発明は、上記従来技術の問題を解決するために鋭意検討した結果、金属材料の表面から内部に向かって溶質濃度が高くする形態をとる金属材料であり、この形態を容易かつ安価に得るために、酸化速さの異なる2種以上の元素で構成される金属材料を酸素が存在する雰囲気中で加熱する手法をとることを基本にして、以下の構成を要旨とする。1金属表面における酸化の速さが異なる2種以上の成分からなり、表面から深さ方向に酸化の速さが速い成分の濃度が相対的に高くなっていることを特徴とする金属材料。2金、パラジウム、白金、ロジウム、銀、銅から選ばれる単体もしくは2種類以上の元素から成る固溶体を主体とし、該単体又は固溶体以外の1種以上の元素を溶質元素として含有し、その溶質元素の中の、少なくとも1種類の溶質元素の濃度が表面から深さ方向に高くなっていることを特徴とする1記載の金属材料。3前記溶質濃度が表面から内部に向かって連続的に増加していることを特徴とする1又は2に記載の金属材料。4前記金属材料が線材、管材、板材の何れかであることを特徴とする1~3の何れかに記載の金属材料。5前記金属材料が半導体実装用ボンディングワイヤであることを特徴とする4記載の金属材料。6前記金属材料が金を主体とする材料であることを特徴とする5記載の金属材料。7カルシウム、希土類金属イットリウムとスカンジウムを含むランタノイド系金属、ベリリウム、アルミニウム、ホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、銀、銅、マンガン、鉄、チタン、パラジウム、白金、ロジウムの中から選ばれる1種類以上の元素を含有し、それらの合計の平均濃度が、0.0001質量以上50質量未満であることを特徴とする6に記載の金属材料。8表面から内部に向かって結晶粒径が小さくなっていることを特徴とする7に記載の金属材料。9表面から内部に向かって硬度が高くなっていることを特徴とする7に記載の金属材料。10酸化の速さの異なる2種類以上の元素からなる金属材料を、酸素を含む気体中で一定時間加熱し、その後、形成した表面酸化物を機械的又は化学的に除去することを特徴とする金属材料の製造方法。11前記加熱の前に、金属材料を成型加工する10記載の金属材料の製造方法。12前記加熱と前記酸化物の除去の間に金属材料を成型加工する10に記載の金属材料の製造方法。13前記工程に引き続き、金属材料を成型加工する10に記載の金属材料の製造方法。14前記成型加工が、圧延加工、引抜加工、又は押出加工の少なくとも1種である11~13の何れかに記載の金属材料の製造方法。15前記金属材料が、金、パラジウム、白金、ロジウム、銀、銅から選ばれる単体もしくは2種類以上の元素から成る固溶体を主体とし、該単体又は固溶体の元素以外の1種以上の元素を溶質元素として含有させる10~13の何れかに記載の金属材料の製造方法。16前記主体となる金属が金であり、前記溶質元素が、カルシウム、希土類金属イットリウムとスカンジウムを含むランタノイド系金属、ベリリウム、アルミニウム、ホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、銀、銅、マンガン、鉄、チタン、パラジウム、白金、ロジウムの中から選ばれる少なくとも1種である15記載の金属材料の製造方法。本発明における金属材料は、内部の溶質濃度が高く、機械的特性等の性質が保たれ、かつ、表面の溶質濃度が低く、耐食性、装飾性あるいは接合性等が優れた両者を兼ね備えた金属材料である。例えば、合金をろう付けする場合、酸化し易い溶質元素が表面に拡散して、ろう付け性を損なう場合がある。そこで、予め本発明の方法で合金を酸化拡散熱処理することによって、酸化し易い溶質元素の濃度が表面で小さくなるような濃度勾配をつけておいて、ろう付けする際に、酸化し易い溶質元素が出てこないようにするか、または、表面に出てくる時間を遅らせることができる。また、本発明における半導体実装用ボンディングワイヤは、実施例で示すように、強度が高く、かつ、セカンド接合性が優れたワイヤである。表面の溶質濃度が低いために、表面の硬度が小さくなる。表面の延性が高いため、低いループを張った時のネックダメージを小さくすることが可能になる。本発明の製造方法における効果は、以下のとおりである。酸化速さが異なる2種以上の元素で構成される金属材料において、酸素の存在する雰囲気中で加熱することにより、表面の酸化され易い金属元素が酸化され、表面近傍で溶質元素が欠乏する。内部と表面で濃度勾配が生じた結果、内部の酸化され易い元素は表面に拡散移動する。このような現象が連続的に起こった結果、表面からその距離が大きくなるに従い、酸化の速さが速い成分の濃度が相対的に高くなる、表面酸化と拡散を利用したものである。本発明は、酸化し難く酸化速さの遅い元素と、酸化し易く酸化速さの早い元素の2種類以上の元素で構成される合金に広く適用可能である。本発明では、酸化し難い金属を主体とする金属であり、母相である。一方、濃度勾配をつける酸化し易い元素を溶質元素と呼ぶ。主体とする金属も溶質元素も単一のものとは限らない。主体とする金属としては、酸化し難い貴金属を主体とする単体又は合金が適している。したがって、主体とする金属としては、金、パラジウム、白金、ロジウム、銀、銅から選ばれる単体もしくは2種類以上の元素から成る合金が望ましい。例えば、半導体実装用ボンディングワイヤで用いられる金-パラジウム-カルシウム系の合金の場合、金-パラジウムが主体となる金属であり、カルシウムは濃度勾配を生じさせることが可能な溶質元素である。金、パラジウム、白金、ロジウム、銀、銅は広く均一固溶体形成するものが多く、これらの金属で構成される合金は単体として扱える場合が多い。上記の例は最も望ましい形態であるが、主体とする金属は必ずしも、金、パラジウム、白金、ロジウム、銀、銅の組み合わせでなくても構わない。また、単相でなくても良い。快削黄銅として知られる銅-亜鉛-鉛系合金の場合、主体とする金属は銅、溶質元素は亜鉛、鉛であるが、亜鉛と鉛を比較した場合、鉛の方が外部に出やすい元素であるため、熱処理条件によっては、主体とする金属を銅-亜鉛、溶質元素を鉛とすることができる。この場合、銅-亜鉛は単相ではないが、本発明では一体の主体とする金属として扱うものとする。これ以外にも、鉄-シリコン合金への適用が考えられる。シリコンは、鉄の耐熱性、磁気特性を向上させるが、めっき性を阻害する。表面のシリコン濃度を低下させるのに、本発明の形態が活用可能である。本発明における濃度勾配は、拡散現象を利用することから連続的になることが特徴である。したがって、クラッドやめっき法で形成した不連続的な濃度勾配に比較して、剥がれ等の危険性が小さく、温度サイクルにも強い。勿論、必要であれば、本発明の形態を形成した後にめっきやクラッド加工を施して、結果的に、組成が不連続になっている部分が最終形態としてあっても良い。濃度勾配は、その用途に応じて自由に設定可能である。表面から内部に濃度が変化している距離、遷移距離は小さくても構わないが、実質的な効果を得るためには1μm以上あった方が望ましい。また、表面から材料中心部まで濃度勾配がついている必要はなく、遷移領域から材料内部は組成が均一になっていれば良い。以上述べたように、本発明は、耐食性を向上させる表面処理材、ろう付け性を向上させる表面処理材、後述する半導体実装材料等、用途範囲が広いが、特に、半導体実装用ボンディングワイヤは、上述したように強度と接合性の両方が要求されるため、本発明の形態は大変適している。ボンディングワイヤの内、大半を占めている金ボンディングワイヤの強度は、伸線加工による加工硬化により強化されているが、純金では十分な機械強度が得られないため、微量の異種元素を添加する。これらの元素は、固溶強化元素として働く他、金の再結晶温度を上げる働きがある。また、半導体の高温使用時のボイド生成による接合強度の劣化を抑えるための添加元素が加えられる場合もある。このような添加元素としては、カルシウム、希土類金属、ベリリウム、アルミニウム、ホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、銀、銅、マンガン、鉄、チタン、パラジウム、白金、ロジウム等が挙げられる。ボールボンディングにおける接合性の点からこれらの元素の平均濃度は、0.0001質量以上50質量未満であることが望ましい。ここで、希土類金属とは、イットリウムとスカンジウムを含むランタノイド系金属である。ボンディングワイヤとして、本発明の最良の形態としては、表面から材料の中心までの長さの、表面から10の深さにおいて、少なくとも溶質元素の1種以上の溶質濃度が、中心の溶質濃度の1/2以下になっていることが望ましい。上述したように、ワイヤ表面から中心部まで濃度勾配がついている必要はなく、表面近傍に濃度遷移領域があり、その内側芯部の組成は均一になっていても良い。本発明における製造方法は、通常の熱処理と酸化物の除去と言う一般的なものである。熱処理条件は、表面における酸化速さ、溶質元素の拡散速さにもよるが、拡散律速である場合、主体とする金属の融点の80以上の温度が効率的であるが、表面近傍のみ濃度遷移領域を設けたい場合はこの限りではない。本発明は、酸化し易い溶質元素を酸化させて除去する手法であるから、酸化熱処理前の組成は、最終的に得たい平均溶質濃度より高い溶質濃度である必要がある。その程度は、表面での酸化のし易さと拡散の速さによって異なる。酸化や拡散速度の異なる溶質元素を共存させる場合は、これを考慮して始めの酸化処理前の濃度を決める必要がある。母相が金である場合、ベリリウム等のような酸化し易く、拡散速度の大きい元素は、多く入れておく必要がある。一方、銀や銅のように比較的酸化し難い元素は、それほど過剰に含有させておく必要はない。また、パラジウムや白金は、金と比較しても酸化の速さはそれほど大きくないため、大きな濃度勾配をつけることはできないが、表面の強度調整の元素としては重要である。すなわち、本発明では、金、パラジウム、白金、ロジウム、銀、銅で構成される合金は主体とする金属としているが、上述したようにこれらの元素の組み合わせの中でも小さな濃度勾配をつけることはできる。濃度勾配をつけるためには、酸化と拡散を行わせる必要があるため、熱処理温度は、通常、主体とする金属の融点未満、融点の80以上が望ましいが、表面近傍に急峻な濃度勾配をつけたい場合はこれに限定されるものではない。熱処理時間も同様であり、溶質元素とつけたい濃度勾配により自由に選択することが可能である。酸素分圧も、酸化を促進する必要がある場合は、100の酸素中でも構わないし、低コストで行いたい場合は、大気中でも構わない。任意の酸素分圧に設定することができる。中間工程で酸化熱処理を行う時の材料の大きさは任意で構わない。熱処理温度と時間は、任意で選ぶことができるが、拡散現象により濃度勾配をつける手法であるため、材料の大きさが大きくなれば、熱処理温度と時間は大きくとる必要がある。また、本発明では、表面全体で濃度勾配が低い状態になっている必要はない。例えば、板材や管材の片面にマスクをして、雰囲気と触れることがないようにして熱処理を行えば、マスクのない面側のみが深さ方向に濃度勾配をつけることが可能になる。酸化熱処理は、最終形状で実施しても良いが、線材、管材、板材の場合、酸化熱処理の後、引抜、押出、圧延加工をしても良い。その他の加工を行った場合でも、濃度勾配は多少変わるが、実施例で実証しているように、表面から深さ方向に酸化の速さが速い成分の濃度が相対的に高くなっている状態を維持することが可能である。これらの後加工による加工硬化により材料の強度が向上するためむしろ望ましい。半導体実装用の金ボンディングワイヤの場合、酸化熱処理後の引抜による伸線強加工により、<111>集合組織を発達させることができ、強度やヤング率の向上するため、酸化熱処理後の加工は望ましい。酸化熱処理により、表面には酸化物が生成する。この酸化物は通常硬度が大きいため、後加工のダイスやロール等寿命を劣化させる。また、ボンディングワイヤの場合、接合性をも劣化させることから、酸化熱処理後は酸化物を除去することが望ましい。酸化物を除去する方法としては、酸やアルカリによる表面エッチングや切削加工、研削加工、皮むきダイス等による機械的な除去方法が挙げられる。ボンディングワイヤの場合、伸線加工の後にワイヤの直線性を増すために、若干歪み取り焼鈍を行う場合が多い。このような熱処理によって、ワイヤ表面から内部に向かって結晶粒径が小さくなる組織を呈する場合がある。これは、ワイヤ芯部の方が表面より溶質元素濃度が高いために、焼鈍熱処理時の再結晶による粒界移動が阻害させるために起きる。また、ワイヤ芯部は溶質濃度が高いため、硬度は大きくなる。このような特徴は、本発明における材料の特徴的な形態と言える。以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明するが、該実施例は本発明の好適な一例を示すものであり、本発明は該実施例によって何ら限定されるものではない。実施例199.99massのボンディングワイヤ用金素材について、本発明を適用した。純度99.9999massの金に、カルシウム、イットリウム、ベリリウム、アルミウムを添加して、表1の組成を有する直径5mm、長さ100mmのインゴットAを鋳造した。このインゴットを100の酸素気流中で900°C-20時間の酸化拡散熱処理を施した。その後、王水を用いて表層を酸洗除去した。酸洗における質量減少は1.0であった。ダイヤモンドダイスを用いてこのインゴットを引抜加工により、23μmまで伸線を行った後、管状炉を用いてアルゴン中で連続的に熱処理を行い、破断伸びを4.5に調質を行った。調質熱処理は、500°Cに加熱した管状炉を60m/minでワイヤを通すことで行った。これをワイヤAとする。ワイヤAの平均成分を調べるために、ワイヤ全体を溶解してICPによる分析を行った。その結果を表2に示した。この結果に基づいて、ワイヤAの全体成分と同じ成分濃度を有する比較ワイヤBを作製した。比較ワイヤBは、純度99.9999massの金に、カルシウム、イットリウム、ベリリウム、アルミウムを所定量添加して、直径5mm、長さ100mmのインゴットを鋳造し、酸化拡散熱処理を行うことなく、王水を用いて鋳造時に形成した酸化物を表層から酸洗除去し、ダイヤモンドダイスを用いて引抜加工により、23μmまで伸線を行った後、管状炉を用いてアルゴン中で連続的に調質熱処理を行い、破断伸びを4.5に調質を行って作製した。酸洗における質量減少は1.0であった。また、調質熱処理は、500°Cに加熱した管状炉を60m/min.でワイヤを通すことで行った。すなわち、900°C-20時間の酸化拡散熱処理を省略した以外は、ワイヤAと同じ条件で作製した。ワイヤBの平均成分の分析結果を表2に示した。この2種のワイヤの溶質元素の濃度分布を調べるために、ワイヤを表層から1/3ずつ王水で溶解して、溶解物から表層部、中間部、芯部の濃度分析を行った。表3と表4にワイヤAとワイヤBについて、表層部、中間部、芯部の溶解量、溶質濃度の分析値、及び、溶解質量から加重平均して求めたワイヤ全体の平均成分濃度を示した。表3及び表4からわかるとおり、比較材のワイヤBは、ワイヤ全体で均一な組成になっているのに対して、ワイヤAでは、ワイヤ芯部から表面に向かって濃度勾配を有する。また、溶解質量から加重平均して求めたワイヤ全体の平均成分濃度は、表2で示したワイヤ全体を分析した結果にほぼ一致した。ワイヤAの濃度勾配は、インゴットの酸化熱処理によって表面が酸化し、表面近傍の溶質元素濃度が下がり、これが駆動力となって次第に溶質元素がワイヤ芯部から表面方向に拡散した結果、生じた濃度勾配である。濃度勾配は、直径5mmから23μmまでの引抜加工後のワイヤにも残留した。図1は、ワイヤAについて、表2に示した元のインゴットの溶質濃度を1として規格化した溶質濃度を、表3で示した溶解質量から算出した表層部、中間部、芯部の3つの領域の平均半径に対してプロットしたグラフである。横軸は、ワイヤ中心を0、表面半径を1として規格化してある。グラフから、ワイヤ芯部から表面に向かって、溶質元素の濃度が連続的に減少していることがわかる。これは、酸化熱処理による、表面での酸化による溶質元素の消失と拡散現象による濃度勾配がついたためである。ベリリウムのような拡散の早い元素は、ロスが大きいため、インゴットの段階で多く含有させる必要があることがわかる。ワイヤAとワイヤBの破断強度と破断伸びを表5に示した。ワイヤ強度は、一般に最終の調質熱処理条件で異なるが、今回の調質熱処理条件は同じであり、また、破断伸びも4.5と同じになった。したがって、平均組成が同じであるにも関わらず、ワイヤAの方の強度が高いことがわかる。次に、ボンディング特性を調べた。ボンディング試験は株新川製UTC-400を用いた。また、キャピラリは東陶機器株製T0-11-9SAを使用し、高さ480μmのシリコンチップ上の電極から42アロイのリードフレームまで上記のボンディングワイヤで接続した。シリコンチップ側はアルミニウム電極上にボールボンディング接合ファースト接合、42アロイ側は銀めっき電極上にウェッジ接合セカンド接合を行った。電極間距離は、約5mmである。接合温度は180°Cとした。ボンディング試験は、セカンド接合時の荷重と超音波出力以外の条件は、すべて固定して行った。シェアテストによりボールボンディング接合部のシェア強度を測定したが、両者の接合強度は140MPaで同じであった。これは、両者の平均溶質濃度が同じであるため、接合部が一端溶融されるファースト接合性に差が出なかったと考えられる。セカンド接合性を評価するために、接合時の荷重と超音波出力を変えながら、セカンド接合の可否接合マージンを調べた。表6と表7にワイヤAとワイヤBの接合マージンを示した。1チップ200本のボンディングを4チップ、合計800本のボンディングを行い、セカンド接合が800本全てできたものを○、一つでも接合できなかったものを×とした。表6、7で、低い荷重、低い超音波出力で接合できなかったものは、不着剥離であった。表6と表7の比較からわかるように、同じ溶質濃度であるにもかかわらず、ワイヤAの方が、低い荷重、低い超音波出力で接合できることがわかった。これは、ワイヤAの表面の溶質濃度が低いために、接合性が良くなっているためである。一方、高い荷重、超音波出力で接合できなかったものは、セカンド接合でキャピラリが基板上にウェッジ接合した際に、ワイヤが切断してしまったためであった。ワイヤAの方が、高い荷重、高い出力でも接合できたのは、ワイヤAの強度が高いためであると考えられる。以上、同じ平均溶質濃度である場合、ワイヤ芯部から表面に向かって濃度勾配がついているワイヤの接合マージンが広くなることが実証された。次に、ネックダメージを比較した。ワイヤのスパンを0.5mmとし、なるべく低いループを張るようボンディング条件を変更し、ループ形成時のリバース動作を大きくして、ネックダメージが入り易い条件で、ボンディングを実施した。ボンディング条件は、ワイヤA、ワイヤB共、全く同じ条件で行った。図2は、0.5mmスパンの低ループボンディング写真である。ボール接合部は一端溶融し、ボールを形成するために、ボール近傍は熱影響を受け軟化する。このような厳しい条件では、図3に見られるように、ネック部にクラックが入り、これをネックダメージと呼んでいる。図4は、ネックダメージが入っていない健全なワイヤである。図2のようなボンディングを200本行い、最高ループ高さ平均とネックダメージの入ったワイヤの本数を比較した。この結果を表8に示した。表8からわかるように、ワイヤAは、低いループに関わらず、ネックダメージの確率が小さくなることがわかった。同じ溶質濃度である場合、ワイヤ芯部から表面に向かって濃度勾配がついているワイヤは、低いループが張れ、また、ネックダメージが起こり難くなることがわかった。このことは、デバイスの小型化に有利である。実施例299massのボンディングワイヤ用金素材について本発明を適用した。純度99.9999massの金に、カルシウム、セリウム、ランタン、白金、パラジウム、銅を添加して、表9の組成を有する直径20mm、長さ200mmのインゴットCを鋳造した。その後、溝圧延とドローベンチによる引抜加工によって、直径10mmに減面加工を施した。この中間材を空気中で950°C-30時間の酸化拡散熱処理を施した。その後、王水を用いて表層を酸洗除去した。酸洗における質量減少は1.0であった。ダイヤモンドダイスを用いてこの中間材を引抜加工により、24.5μmまで伸線を行った後、管状炉を用いてアルゴン中で連続的に熱処理を行い、破断伸びを4.5に調質を行った。調質熱処理は、550°Cに加熱した管状炉を70m/minでワイヤを通すことで行った。これをワイヤCとする。ワイヤCの平均成分を調べるために、ワイヤ全体を溶解してICPによる分析を行った。その結果を表10に示した。この結果に基づいて、ワイヤCの全体成分と同じ成分濃度を有する比較材Dを作製した。比較材Dは、純度99.9999massの金に、カルシウム、セリウム、ランタン、白金、パラジウム、銅を所定量添加して、直径20mm、長さ200mmのインゴットを鋳造し、王水を用いて鋳造時に形成した表層の酸化物を酸洗除去し、溝圧延とドローベンチによる引抜加工によって、直径10mmに減面加工を施した。酸洗における質量減少は1.0であった。次に、酸化拡散熱処理を施さないで、ダイヤモンドダイスを用いて引抜加工して、24.5μmまで伸線を行った。その後、管状炉を用いてアルゴン中で連続的に調質熱処理を行い、破断伸びを4.5に調質を行って作製した。調質熱処理は、550°Cに加熱した管状炉を70m/minでワイヤを通すことで行った。すなわち、950°C-30時間の酸化拡散熱処理を省略した以外は、ワイヤCと同じ条件で作製した。ワイヤDの平均成分の分析結果を表10に示した。この2種のワイヤの溶質元素の濃度分布を調べるために、ワイヤを表層から1/3ずつ王水で溶解して、溶解物から表層部、中間部、芯部の濃度分析を行った。表11と表12に、ワイヤCとワイヤDについて、表層部、中間部、芯部の溶解量、溶質濃度の分析値、及び、溶解質量から加重平均して求めたワイヤ全体の平均成分濃度を示した。表11及び表12からわかるとおり、比較材のワイヤDは、ワイヤ全体で均一な組成になっているのに対して、ワイヤCでは、ワイヤ芯部から表面に向かって濃度勾配を有する。また、溶解質量から加重平均して求めたワイヤ全体の平均成分濃度は、表10で示したワイヤ全体を分析した結果にほぼ一致した。ワイヤCの濃度勾配は、インゴットの酸化熱処理によって表面が酸化し、表面近傍の溶質元素濃度が下がり、これが駆動力となって次第に溶質元素がワイヤ芯部から表面方向に拡散した結果、生じた濃度勾配である。濃度勾配は、直径10mmから24.5μmまでの引抜加工後のワイヤにも残留した。図5は、ワイヤCについて、表10に示した元のインゴットの溶質濃度を1として規格化した溶質濃度を、表11で示した溶解質量から算出した表層部、中間部、芯部の3つの領域の平均半径に対して、プロットしたグラフを示した。横軸は、ワイヤ中心を0、表面半径を1として規格化してある。グラフから、ワイヤ芯部から表面に向かって、溶質元素の濃度が連続的に減少していることがわかる。これは、酸化熱処理による、表面での酸化による溶質元素の消失と拡散現象による濃度勾配がついたためである。白金、パラジウム、銅は、カルシウムや希土類元素に比較して大きな勾配がついていないが、これらの元素は表面での酸化が起こり難いためである。ワイヤCとワイヤDの破断強度と破断伸びを表13に示した。ワイヤ強度は、一般に最終の調質熱処理条件で異なるが、今回の調質熱処理条件は同じであり、また、破断伸びも4.5と同じになった。したがって、平均組成が同じであるにも関わらず、ワイヤCの方の強度が高いことがわかる。次に、ボンディング特性を調べた。ボンディング試験はKS製8028PPSを用いた。また、キャピラリは東陶機器株製T11-14-XLM-BN-RPを使用し、高さ150μmのシリコンチップ上のアルミニウム電極から樹脂基板の金めっき電極まで、上記のボンディングワイヤで接続した。シリコンチップ側はアルミニウム電極上にボールボンディング接合ファースト接合、樹脂基板側は金めっき電極上にウェッジ接合セカンド接合を行った。電極間距離は、約5mmである。接合温度は150°Cとした。ボンディング試験は、セカンド接合時の荷重と超音波出力以外の条件は、すべて固定して行った。シェアテストにより、ボールボンディング接合部のシェア強度を測定したが、両者の接合強度は140MPaで同じであった。これは、両者の平均溶質濃度が同じであるため、接合部が一端溶融されるファースト接合性に差が出なかったと考えられる。セカンド接合性を評価するために、接合時の荷重と超音波出力を変えながら、セカンド接合の可否接合マージンを調べた。表14と表15に、ワイヤCとワイヤDの接合マージンを示した。1チップ200本のボンディングを1チップ、合計200本のボンディングを行い、セカンド接合が200本全てできたものを○、一つでも接合できなかったものを×とした。表14、15で、低い荷重、低い超音波出力で接合できなかったものは、不着剥離であった。表14と表15の比較からわかるように、同じ溶質濃度であるにもかかわらず、ワイヤCの方が、低い荷重、低い超音波出力で接合できることがわかった。これは、ワイヤCの表面の溶質濃度が低いために、接合性が良くなっているためである。一方、高い荷重、超音波出力で接合できなかったものは、セカンド接合で、キャピラリが基板上にウェッジ接合した際に、ワイヤが切断してしまったためであった。ワイヤCの方が、高い荷重、高い出力でも接合できたのは、ワイヤCの強度が高いためであると考えられる。以上、同じ平均溶質濃度である場合、ワイヤ芯部から表面に向かって濃度勾配がついているワイヤの接合マージンが広くなることが実証された。実施例399.99massのボンディングワイヤ用金素材について本発明を適用した。純度99.9999massの金に、カルシウム、ネオジウム、ベリリウム、プラセオジウムを添加して、表16の組成を有する直径20mm、長さ200mmのインゴットEを鋳造した。その後、溝圧延とドローベンチによる引抜加工によって、直径12mmに減面加工を施した。この中間材を100の酸素気流中で700°C-10時間の酸化拡散熱処理を施した。その後、王水を用いて表層を酸洗除去した。酸洗における質量減少は1.0であった。このロッドをダイヤモンドダイスを用いて引抜加工により、23μmまで伸線を行った後、管状炉を用いてアルゴン中で連続的に熱処理を行い、破断伸びを4.5に調質を行った。調質熱処理は、510°Cに加熱した管状炉を60m/minでワイヤを通すことで行った。これをワイヤEとする。ワイヤEの平均成分を調べるために、ワイヤ全体を溶解してIPCによる分析を行った。その結果を表17に示した。この結果に基づいて、全く同じ成分を有する比較材Fを作製した。比較材Fは、純度99.9999massの金に、カルシウム、ネオジウム、ベリリウム、プラセオジウムを添加して、直径20mm、長さ200mmのインゴットを鋳造し、酸化拡散熱処理を行うことなく、鋳造時に形成した酸化物を王水を用いて表層を酸洗除去し、その後、溝圧延と引抜加工によって、23μmまで伸線を行った後、管状炉を用いてアルゴン中で連続的に調質熱処理を行い、破断伸びを4.5に調質を行って作製した。酸洗における質量減少は1.0であった。溝圧延と引抜加工に用いた工具、ダイス、パススケジュールは、ワイヤEを加工したものと全く同じとした。調質熱処理は、510°Cに加熱した管状炉を60m/minでワイヤを通すことで行った。すなわち、700°C-10時間の酸化拡散熱処理を省略した以外は、ワイヤEと同じ条件で作製した。ワイヤFの平均成分の分析結果を表17に示した。この2種のワイヤの溶質元素の濃度分布を調べるために、ワイヤを表層から4つに分けて王水で溶解して、溶解物から表層部、中間部1表層部側、中間部2芯部側、芯部の濃度分析を行った。表18と表19に、ワイヤEとワイヤFについて、表層部、中間部2点、芯部の溶解量、溶質濃度の分析値、及び溶解質量から加重平均して求めたワイヤ全体の平均成分濃度を示した。表18及び表19からわかるとおり、比較材のワイヤFは、ワイヤ全体で均一な組成になっているのに対して、ワイヤEでは、ワイヤ芯部から表面に向かって濃度勾配を有する。また、溶解質量から加重平均して求めたワイヤ全体の平均成分濃度は、表17で示したワイヤ全体を分析した結果にほぼ一致した。ワイヤEの濃度勾配は、インゴットの酸化熱処理によって表面が酸化し、表面近傍の溶質元素濃度が下がり、これが駆動力となって次第に溶質元素がワイヤ芯部から表面方向に拡散した結果生じた濃度勾配である。濃度勾配は、直径5mmから23μmまでの引抜加工後のワイヤにも残留した。図6は、ワイヤEについて表17に示した元のインゴットの溶質濃度を1として規格化した溶質濃度を表18で示した溶解質量から算出した表層部、中間部2点、芯部の4つの領域の平均半径に対してプロットしたグラフを示した。横軸もワイヤ中心を0、表面半径を1として規格化してある。この熱処理条件では、濃度勾配はワイヤ表面近傍約5μmにのみついており、ワイヤ中心から60直径で14μmから80直径で18μmの部分では濃度がほぼ平坦であることがわかった。ワイヤEとワイヤFの破断強度と破断伸びを表5に示した。ワイヤ強度は、最終の調質熱処理条件で異なるが、今回の調質熱処理条件は同じであり、また破断伸びも4.5と同じになった。したがって、平均組成が同じであるにも関わらず、ワイヤEの方の強度が高いことがわかる。次に、ボンディング特性を調べた。ボンディング試験は、株新川製UTC-400を用いた。また、キャピラリは、東陶機器株製T0-11-XLM-BN-9SAを使用し、高さ480μmシリコンチップから42アロイのリードフレームまで上記のボンディングワイヤで接続した。シリコンチップ側はアルミニウム電極上にボールボンディング接合ファースト接合、42アロイ側は銀めっき電極上にウェッジ接合セカンド接合を行った。電極間距離は、約5mmである。接合温度は180°Cとした。ボンディング試験は、セカンド接合時の荷重と超音波出力以外の条件は、すべて固定して行った。シェアテストによりボールボンディング接合部のシェア強度を測定したが、両者の接合強度は140MPaで同じであった。これは、両者の平均溶質濃度が同じであるため、接合部が一端溶融されるファースト接合性に差が出なかったと考えられる。セカンド接合性を評価するために、接合時の荷重と超音波出力を変えながら、セカンド接合の可否接合マージンを調べた。表21と表22に、ワイヤEとワイヤFの接合マージンを示した。1チップ200本のボンディングを4チップ、合計800本のボンディングを行いセカンド接合が800本全てできたものを○、1度でも接合できなかったものを×とした。表21及び表22で、低い荷重、低い超音波出力で接合できなかったものは、不着剥離であった。表21と表22の比較からわかるように、同じ溶質濃度であるにもかかわらず、ワイヤEの方が低い荷重、低い超音波出力で接合できることがわかった。これは、ワイヤEの表面の溶質濃度が低いために、接合性が良くなっているためである。一方、高い荷重、超音波出力で接合できなかったものは、セカンド接合で、キャピラリが基板上にウェッジ接合した際に、ワイヤが切断してしまったためであった。ワイヤEの方が、高い荷重、高い出力でも接合できたのは、ワイヤEの強度が高いためであると考えられる。以上、同じ平均溶質濃度である場合、ワイヤ表面の添加元素濃度が小さいワイヤの接合マージンが広くなることが実証された。次に、ネックダメージを比較した。ワイヤのスパンを0.5mmとし、なるべく低いループを張るようボンディング条件を変更し、ループ形成時のリバース動作を大きくして、ネックダメージが入り易い条件でボンディングを実施した。ボンディング条件は、ワイヤE、ワイヤF共、全く同じ条件で行った。ボンディングを200本行い、最高ループ高さ平均とネックダメージの入ったワイヤの本数を比較した。この結果を表23に示した。表23からわかるように、ワイヤEは、低いループに関わらず、ネックダメージの確率が小さくなることがわかった。同じ溶質濃度である場合、ワイヤ芯部から表面に向かって濃度勾配がついているワイヤは、低いループが張れ、またネックダメージが起こり難くなることがわかった。このことは、デバイスの小型化に有利である。実施例499massのボンディングワイヤ用金素材について本発明を適用した。純度99.9999massの金に、カルシウム、パラジウムを添加して、表24の組成を有する直径20mm、長さ200mmのインゴットGを鋳造した。その後、溝圧延とドローベンチによる引抜加工によって、直径12mmに減面加工を施した。この中間材を大気中で850°C-4時間の酸化拡散熱処理を施した。その後、王水を用いて表層を酸洗除去した。酸洗における質量減少は1.0であった。このロッドをダイヤモンドダイスを用いて引抜加工により、23μmまで伸線を行った後、管状炉を用いてアルゴン中で連続的に熱処理を行い、破断伸びを4.5に調質を行った。調質熱処理は、480°Cに加熱した管状炉を60m/minでワイヤを通すことで行った。これをワイヤGとする。ワイヤGの平均成分を調べるために、ワイヤ全体を溶解してICPによる分析を行った。その結果を表25に示した。この結果に基づいて全く同じ成分を有する比較材Hを作製した。比較材Hは、純度99.9999massの金にカルシウム、パラジウムを添加して、直径20mm、長さ200mmのインゴットを鋳造し、酸化拡散熱処理を行うことなく、鋳造時に形成した酸化物を王水を用いて表層を酸洗除去し、その後、溝圧延と引抜加工によって、23μmまで伸線を行った後、管状炉を用いてアルゴン中で連続的に調質熱処理を行い、破断伸びを4.5に調質を行って作製した。酸洗における質量減少は1.0であった。溝圧延と引抜加工に用いた工具、ダイス、パススケジュールは、ワイヤGを加工したものと全く同じとした。調質熱処理は、480°Cに加熱した管状炉を60m/minでワイヤを通すことで行った。すなわち、850°C-4時間の酸化拡散熱処理を省略した以外は、ワイヤGと同じ条件で作製した。ワイヤHの平均成分の分析結果を表25に示した。この2種のワイヤの溶質元素の濃度分布を調べるために、ワイヤを表層から4つに分けて王水で溶解して、溶解物から表層部、中間部1表層部側、中間部2芯部側、芯部の濃度分析を行った。表26と表27に、ワイヤGとワイヤHについて、表層部、中間部2点、芯部の溶解量、溶質濃度の分析値、及び溶解質量から加重平均して求めたワイヤ全体の平均成分濃度を示した。表26及び表27からわかるとおり、比較材のワイヤHは、ワイヤ全体で均一な組成になっているのに対して、ワイヤGでは、ワイヤ芯部から表面に向かって、カルシウムの濃度勾配を有する。一方、パラジウムは、ワイヤ内でほぼ均一であり、表面近傍で若干濃度が小さくなっていることがわかった。また、溶解質量から加重平均して求めたワイヤ全体の平均成分濃度は、表25で示したワイヤ全体を分析した結果にほぼ一致した。ワイヤG中のカルシウムの濃度勾配は、インゴットの酸化熱処理によって表面が酸化し、表面近傍のカルシウム濃度が下がり、これが駆動力となって、次第にカルシウムがワイヤ芯部から表面方向に拡散した結果、生じた濃度勾配である。濃度勾配は、直径5mmから23μmまでの引抜加工後のワイヤにも残留した。図7は、ワイヤGについて、表25に示した元のインゴットの溶質濃度を1として規格化した溶質濃度を、表26で示した溶解質量から算出した表層部、中間部2点、芯部の4つの領域の平均半径に対してプロットしたグラフを示した。横軸もワイヤ中心を0、表面半径を1として規格化してある。この熱処理条件では、カルシウムの濃度勾配はワイヤ表面近傍約5μmにのみついており、ワイヤ中心から60直径で14μmから80直径で18μmの部分では、濃度がほぼ平坦であることがわかった。ワイヤGとワイヤHの破断強度と破断伸びを表28に示した。ワイヤ強度は、最終の調質熱処理条件で異なるが、今回の調質熱処理条件は同じであり、また破断伸びも4.5と同じになった。したがって、平均組成が同じであるにも関わらず、ワイヤGの方の強度が高いことがわかる。次に、ボンディング特性を調べた。ボンディング試験は、株新川製UTC-400を用いた。また、キャピラリは、東陶機器株製T0-11-XLM-BN-9SAを使用し、高さ250μmシリコンチップから42アロイのリードフレームまで上記のボンディングワイヤで接続した。シリコンチップ側は、アルミニウム電極上にボールボンディング接合ファースト接合、42アロイ側は、銀めっき電極上にウェッジ接合セカンド接合を行った。電極間距離は、約5mmである。接合温度は170°Cとした。ボンディング試験は、セカンド接合時の荷重と超音波出力以外の条件は、すべて固定して行った。シェアテストによりボールボンディング接合部のシェア強度を測定したが、両者の接合強度は130MPaで同じであった。これは、両者の平均溶質濃度が同じであるため、接合部が一端溶融されるファースト接合性に差が出なかったと考えられる。セカンド接合性を評価するために、接合時の荷重と超音波出力を変えながら、セカンド接合の可否接合マージンを調べた。表29と表30に、ワイヤGとワイヤHの接合マージンを示した。1チップ200本のボンディングを4チップ、合計800本のボンディングを行い、セカンド接合が800本全てできたものを○、1度でも接合できなかったものを×とした。表29及び表30で、低い荷重、低い超音波出力で接合できなかったものは、不着剥離であった。表29と表30の比較からわかるように、同じ溶質濃度であるにもかかわらず、ワイヤGの方が低い荷重、低い超音波出力で接合できることがわかった。これは、ワイヤGの表面の溶質濃度が低いために、接合性が良くなっているためである。一方、高い荷重、超音波出力で接合できなかったものは、セカンド接合で、キャピラリが基板上にウェッジ接合した際に、ワイヤが切断してしまったためであった。ワイヤGの方が高い荷重、高い出力でも接合できたのは、ワイヤGの強度が高いことと表面の延性が高いためと考えられる。以上、同じ平均溶質濃度である場合、ワイヤ表面の添加元素濃度が小さいワイヤの接合マージンが広くなることが実証された。次に、セカンド接合の接合強度を比較した。接合強度はピール強度で評価した。まず、ファーストボンド部を切断し、ワイヤセカンド接方側1mmをクランプして垂直に引き上げて切断強度を比較した。ピール強度の比較は、両方のワイヤが健全に接合できた荷重500mN、超音波出力50任意単位のフレームを用いて行った。この結果を表31に示した。表31からわかるように、同じ条件でボンディングした場合、ワイヤGのセカンド接合強度は高く、ばらつきも小さいことがわかった。表面近傍で溶質濃度を低下させた本発明のワイヤの接合性が高いことが、接合マージン評価と接合強度測定により確かめられた。実施例599massのボンディングワイヤ用銅素材について本発明を適用した。純度99.999massの銅に、カルシウムを添加して、表32の組成を有する直径20mm、長さ200mmのインゴットIを鋳造した。その後、溝圧延とドローベンチによる引抜加工によって、直径12mmに減面加工を施した。この中間材を大気中で950°C-10時間の酸化拡散熱処理を施した。その後、硝酸を用いて表層を酸洗除去した。酸洗における質量減少は3.0であった。このロッドをダイヤモンドダイスを用いて引抜加工により、25μmまで伸線を行った後、管状炉を用いてアルゴン中で連続的に熱処理を行い、破断伸びを6.0に調質を行った。調質熱処理は、300°Cに加熱した管状炉を5m/minでワイヤを通すことで行った。これをワイヤIとする。ワイヤIの平均成分を調べるために、ワイヤ全体を溶解してICPによる分析を行った。その結果を表33に示した。この結果に基づいて全く同じ成分を有する比較材Jを作製した。比較材Jは、純度99.999massの銅にカルシウムを添加して、直径20mm、長さ200mmのインゴットを鋳造し、酸化拡散熱処理を行うことなく、鋳造時に形成した酸化物を硝酸を用いて表層を酸洗除去し、その後、溝圧延と引抜加工によって、25μmまで伸線を行った後、管状炉を用いてアルゴン中で連続的に調質熱処理を行い、破断伸びを6.0に調質を行って作製した。酸洗における質量減少は3.0であった。溝圧延と引抜加工に用いた工具、ダイス、パススケジュールは、ワイヤIを加工したものと全く同じとした。調質熱処理は、300°Cに加熱した管状炉を5m/minでワイヤを通すことで行った。すなわち、950°C-10時間の酸化拡散熱処理を省略した以外は、ワイヤIと同じ条件で作製した。ワイヤJの平均成分の分析結果を表33に示した。この2種のワイヤの溶質元素の濃度分布を調べるために、ワイヤを表層から4つに分けて王水で溶解して、溶解物から表層部、中間部1表層部側、中間部2芯部側、芯部の濃度分析を行った。表34と表35に、ワイヤIとワイヤJについて、表層部、中間部2点、芯部の溶解量、溶質濃度の分析値、及び溶解質量から加重平均して求めたワイヤ全体の平均成分濃度を示した。表34及び表35からわかるとおり、比較材のワイヤJは、ワイヤ全体で均一な組成になっているのに対して、ワイヤIでは、ワイヤ芯部から表面に向かって、カルシウムの濃度勾配を有する。また、溶解質量から加重平均して求めたワイヤ全体の平均成分濃度は、表33で示したワイヤ全体を分析した結果にほぼ一致した。ワイヤI中のカルシウムの濃度勾配は、インゴットの酸化熱処理によって表面が酸化し、表面近傍のカルシウム濃度が下がり、これが駆動力となって、次第にカルシウムがワイヤ芯部から表面方向に拡散した結果、生じた濃度勾配である。濃度勾配は、直径5mmから25μmまでの引抜加工後のワイヤにも残留した。図8は、ワイヤIについて、表33に示した元のインゴットの溶質濃度を1として規格化した溶質濃度を、表34で示した溶解質量から算出した表層部、中間部2点、芯部の4つの領域の平均半径に対してプロットしたグラフを示した。横軸もワイヤ中心を0、表面半径を1として規格化してある。ワイヤIとワイヤJの破断強度と破断伸びを表36に示した。ワイヤ強度は、最終の調質熱処理条件で異なるが、今回の調質熱処理条件は同じであり、また破断伸びも6.0と同じになった。したがって、平均組成が同じであるにも関わらず、ワイヤIの方の強度が高いことがわかる。次に、ボンディング特性を調べた。ボンディング試験は、株新川製UTC-400を用いた。また、キャピラリは、東陶機器株製T7-15-XLM-BN-RPを使用し、高さ250μmシリコンチップから42アロイのリードフレームまで上記のボンディングワイヤで接続した。シリコンチップ側は、アルミニウム電極上にボールボンディング接合ファースト接合、42アロイ側は、銀めっき電極上にウェッジ接合セカンド接合を行った。電極間距離は、約2mmである。接合温度は250°Cとした。銅の場合、ボール形成時に銅が酸化し易いために、キャピラリ先端部にアルゴンガスを流しながらボンディングを実施した。ボンディング試験は、すべて固定して行った。ファースト接合の荷重は、300mN、超音波出力は、45任意単位、セカンド接合荷重は、800mN、超音波出力は、50任意単位とした。シェアテストによりボールボンディング接合部ファースト接合部のシェア強度を測定したが、両者の接合強度は170MPaで同じであった。これは、両者の平均溶質濃度が同じであるため、接合部が一端溶融されるファースト接合性に差が出なかったと考えられる。セカンド接合性を評価するために、セカンド接合の接合強度を比較した。接合強度はピール強度で評価した。まず、ファーストボンド部を切断し、ワイヤセカンド接方側1mmをクランプして垂直に引き上げて切断強度を比較した。この結果を表37に示した。表37からわかるように、同じ条件でボンディングした場合、ワイヤIのセカンド接合強度は高く、ばらつきも小さいことがわかった。表面近傍で溶質濃度を低下させた本発明のワイヤの接合性が高いことが、接合マージン評価と接合強度測定により確かめられた。