"金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つの貫通溝を形成する段階と、前記金属板の全体の外部面に一定の厚さの絶縁層を形成する段階と、前記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階と、を含む高出力LEDパッケージの製造方法。前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の高さのチップ搭載部を形成した後、前記チップ搭載部より低い金属板の上部底面に貫通溝を形成することを特徴とする請求項1に記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成した後、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の高さのチップ搭載部を形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部を形成した後、前記チップ搭載部より高い金属板の上部面に貫通溝を形成することを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成した後、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部を形成することを特徴とする請求項1から請求項4の何れかに記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記貫通溝が形成される金属板の上部面にチップ搭載部を形成することを特徴とする請求項1から請求項5の何れかに記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチtrenchを形成して、前記トレンチを外周面とするチップ搭載部を形成した後、前記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成することを特徴とする請求項1から請求項6の何れかに記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、前記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成した後、前記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチを形成して前記トレンチを外周面とするチップ搭載部を形成することを特徴とする請求項1から請求項7の何れかに記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記金属板は、陽極酸化が可能な金属素材からなることを特徴とする請求項1から請求項8の何れかに記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記金属板は、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウムMg、マグネシウム合金MgAlloy、チタニウムTi、チタニウム合金TiAlloyのいずれか一つからなることを特徴とする請求項1または請求項9に記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記絶縁層は、陽極酸化法、PEOPlasmaElectrolyteOxidation、乾式酸化法のいずれか一つの工程により形成されることを特徴とする請求項1から請求項10の何れかに記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記絶縁層は、Al2O3、TiO2、MgOのいずれか一つからなることを特徴とする請求項1から請求項11の何れかに記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記電極部を形成する段階は、前記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に導電材を充填或いは塗布して導電性ビアホールを形成する段階と、前記絶縁層から外部露出される前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、前記チップ搭載部に搭載された発光チップを前記外部電極と電気的に連結する段階とを含むことを特徴とする請求項1から請求項12の何れかに記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記電極部を形成する段階は、前記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上の金属層を形成すると同時に貫通型の導電性ビアホールを形成する段階と、前記金属層の一部を除去して前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、前記チップ搭載部に搭載された発光チップを前記外部電極と電気的に連結する段階とを含むことを特徴とする請求項1から請求項13の何れかに記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、前記金属板の上部面から一定の高さで突出形成されたチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して前記外部電極をワイヤボンディングすることを特徴とする請求項13または請求項14に記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、前記金属板の上部面に一定の深さで陥没形成されたチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して前記外部電極をワイヤボンディングすることを特徴とする請求項13または請求項14に記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、前記チップ搭載部まで延長された外部電極に前記発光チップをフリップチップボンディングすることを特徴とする請求項13または請求項14に記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、前記金属板の上部面に一定の深さに陥没形成されたトレンチを外周面とするチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して前記外部電極をワイヤボンディングすることを特徴とする請求項13または請求項14に記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記外部電極は、導電性ペーストを印刷した後焼成する工程、前記絶縁層の表面を金属化した後メッキする工程及び真空蒸着工程のいずれか一つの方式で形成されることを特徴とする請求項13に記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記チップ搭載部の上部面に前記発光チップを覆うよう蛍光体を含有する封止材を備える段階をさらに含むことを特徴とする請求項1から請求項19の何れかに記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記封止材を備える段階は、前記発光チップ、前記発光チップを覆う封止材、そして前記発光チップと電気的に連結される電極部の一部を外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部を備える段階をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記金属板の上部面に、前記発光チップを外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部を備える段階をさらに含むことを特徴とする請求項1から請求項21の何れかに記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記金属板を切断線に沿って切断してパッケージを分離する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1から請求項22の何れかに記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記金属板を切断する段階は、導電性ビアホールと、これに隣接する他の導電性ビアホールとの間を通過する切断線に沿って行われることを特徴とする請求項23に記載の高出力LEDパッケージの製造方法。前記金属板を切断する段階は、前記チップ搭載部と、これに隣接する他のチップ搭載部との間に形成された導電性ビアホールの中心を通過する切断線に沿って行われることを特徴とする請求項23に記載の高出力LEDパッケージの製造方法。少なくとも一つの発光チップが搭載されるチップ搭載部と、少なくとも一つの導電性ビアホールを備える放熱体と、前記放熱体の外部面に一定の厚さで備えられる絶縁層と、前記導電性ビアホールと前記発光チップとの間を電気的に連結する電極部と、を含む高出力LEDパッケージ。前記放熱体は、陽極酸化が可能な金属素材からなることを特徴とする請求項26に記載の高出力LEDパッケージ。前記放熱体は、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウムMg、マグネシウム合金MgAlloy、チタニウムTi、チタニウム合金TiAlloyのいずれか一つからなることを特徴とする請求項26または請求項27に記載の高出力LEDパッケージ。前記チップ搭載部は、前記放熱体の上部面から一定の高さで突出形成される突出型で備えられるか、前記放熱体の上部面から一定の深さで陥没形成される陥没型で備えられるか、前記放熱体の上部面に備えられる基板型で備えられるか、前記放熱体の上部面から一定の深さに陥没形成されるトレンチにより前記放熱体の上部面に備えられるトレンチ型で備えられることを特徴とする請求項26から請求項28の何れかに記載の高出力LEDパッケージ。前記絶縁層は、陽極酸化法、PEOPlasmaElectrolyteOxidation、乾式酸化法のいずれか一つの工程により前記放熱体の外部面に一定の厚さで備えられることを特徴とする請求項26から請求項29の何れかに記載の高出力LEDパッケージ。前記絶縁層は、Al2O3、TiO2、MgOのいずれか一つで備えられることを特徴とする請求項26から請求項30の何れかに記載の高出力LEDパッケージ。前記電極部は、前記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に導電材を充填或いは塗布して形成された導電性ビアホールと、前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう前記絶縁層に備えられる外部電極と、前記発光チップと外部電極との間をワイヤボンディングする金属ワイヤとを含むことを特徴とする請求項26から請求項31の何れかに記載の高出力LEDパッケージ。前記電極部は、前記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に導電材を充填或いは塗布して形成された導電性ビアホールと、前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう前記絶縁層に備えられる外部電極と、前記発光チップと外部電極との間をフリップチップボンディングするソルダボールとを含むことを特徴とする請求項26から請求項32の何れかに記載の高出力LEDパッケージ。前記電極部は、前記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に金属層が塗布されて形成された貫通型導電性ビアホールと、前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう前記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上塗布された金属層の一部を除去して形成される外部電極及び前記発光チップと外部電極との間をワイヤボンディングする金属ワイヤとを含むことを特徴とする請求項26から請求項33の何れかに記載の高出力LEDパッケージ。前記電極部は、前記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に金属層が塗布されて形成された貫通型導電性ビアホールと、前記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう前記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上塗布された金属層の一部を除去して形成される外部電極及び前記発光チップと外部電極との間をフリップチップボンディングするソルダボールを含むことを特徴とする請求項26から請求項34の何れかに記載の高出力LEDパッケージ。前記導電性ビアホールは、前記放熱体の胴体の内部に備えられるか前記放熱体の角または縁に備えられることを特徴とする請求項26から請求項35の何れかに記載の高出力LEDパッケージ。前記放熱体は、前記発光チップを外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部をさらに含むことを特徴とする請求項26から請求項36の何れかに記載の高出力LEDパッケージ。前記放熱体は、前記発光チップを覆うよう前記チップ搭載部上に備えられる蛍光体を含有する封止材と、前記発光チップと封止材及び前記電極部の一部を外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部をさらに含むことを特徴とする請求項26から請求項37の何れかに記載の高出力LEDパッケージ。従って、本発明は上記の問題点を解決するため案出されたもので、その目的は、構成部品間の相違する熱膨張係数の差による熱衝撃を防止して高温の環境で安定した放熱特性を保障し、光学的損失を最少化して光学特性を向上させることができ、製造工程及び組立工程を単純化して大量生産を可能とし、製造コストを低減できる高出力LEDパッケージ及びその製造方法を提供することにある。上記の目的を達成するための具体的な手段として、本発明は、金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つの貫通溝を形成する段階と、上記金属板の全体の外部面に一定の厚さの絶縁層を形成する段階と、上記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階と、を含む高出力LEDパッケージの製造方法を提供する。好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の高さのチップ搭載部を形成した後、上記チップ搭載部より低い金属板の上部底面に貫通溝を形成する。好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成した後、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の高さのチップ搭載部を形成する。好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部を形成した後、上記チップ搭載部より高い金属板の上部面に貫通溝を形成する。好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成した後、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部を形成する。好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記貫通溝が形成される金属板の上部面にチップ搭載部を形成する。好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチtrenchを形成して上記トレンチを外周面とするチップ搭載部を形成した後、上記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成する。好ましく、上記チップ搭載部と貫通溝を形成する段階は、上記金属板の上部面に貫通溝を貫通形成した後、上記金属板の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチを形成して上記トレンチを外周面とするチップ搭載部を形成する。好ましく、上記金属板は、陽極酸化が可能な金属素材からなる。さらに好ましく、上記金属板は、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウムMg、マグネシウム合金MgAlloy、チタニウムTi、チタニウム合金TiAlloyのいずれか一つからなる。好ましく、上記絶縁層は、陽極酸化法、PEOPlasmaElectrolyteOxidation、乾式酸化法のいずれか一つの工程により形成される。好ましく、上記絶縁層は、Al2O3、TiO2、MgOのいずれか一つからなる。好ましく、上記電極部を形成する段階は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に導電材を充填或いは塗布して導電性ビアホールを形成する段階と、上記絶縁層から外部露出される上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、上記チップ搭載部に搭載された発光チップを上記外部電極と電気的に連結する段階とを含む。好ましく、上記電極部を形成する段階は、上記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上の金属層を形成すると同時に貫通型ビアホールを形成する段階と、上記金属層の一部を除去して上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極を形成する段階と、上記チップ搭載部に搭載された発光チップを上記外部電極と電気的に連結する段階とを含む。さらに好ましく、上記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、上記金属板の上部面から一定の高さで突出形成されたチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して上記外部電極をワイヤボンディングする。さらに好ましく、上記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、上記金属板の上部面に一定の深さで陥没形成されたチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して上記外部電極をワイヤボンディングする。さらに好ましく、上記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、上記チップ搭載部まで延長された外部電極に上記発光チップをフリップチップボンディングする。さらに好ましく、上記発光チップと外部電極を電気的に連結する段階は、上記金属板の上部面に一定の深さに陥没形成されたトレンチを外周面とするチップ搭載部に搭載された発光チップと金属ワイヤを介して上記外部電極をワイヤボンディングする。さらに好ましく、上記外部電極は導電性ペーストを印刷した後焼成する工程、上記絶縁層の表面を金属化した後メッキする工程及び真空蒸着工程のいずれか一つの方式で形成される。好ましく、上記チップ搭載部の上部面に上記発光チップを覆うよう蛍光体を含有する封止材を備える段階をさらに含む。さらに好ましく、上記封止材を備える段階は、上記発光チップ上記発光チップを覆う封止材、そして上記発光チップと電気的に連結される電極部の一部を外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部を備える段階をさらに含む。好ましく、上記金属板の上部面に上記発光チップを外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部を備える段階をさらに含む。好ましく、上記金属板を切断線に沿って切断してパッケージを分離する段階をさらに含む。さらに好ましく、上記金属板を切断する段階は、上記導電性ビアホールと、これに隣接する他の導電性ビアホールとの間を通過する切断線に沿ってな行われる。さらに好ましく、上記金属板を切断する段階は、上記チップ搭載部と、これに隣接する他のチップ搭載部との間に形成された導電性ビアホールの中心を通過する切断線に沿って行われる。また、本発明は少なくとも一つの発光チップが搭載されるチップ搭載部と、少なくとも一つの導電性ビアホールを備える放熱体と、上記放熱体の外部面に一定の厚さで備えられる絶縁層と、上記導電性ビアホールと上記発光チップとの間を電気的に連結する電極部と、を含む高出力LEDパッケージを提供する。好ましく、上記放熱体は陽極酸化が可能な金属素材からなる。さらに好ましく、上記放熱体は、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウムMg、マグネシウム合金MgAlloy、チタニウムTi、チタニウム合金TiAlloyのいずれか一つからなる。好ましく、上記チップ搭載部は上記放熱体の上部面から一定の高さで突出形成される突出型で備えられるか、上記放熱体の上部面から一定の深さで陥没形成される陥没型で備えられるか、上記放熱体の上部面に備えられる基板型で備えらるか、上記放熱体の上部面から一定の深さに陥没形成されるトレンチにより上記放熱体の上部面に備えられるトレンチ型で備えられる。好ましく、上記絶縁層は陽極酸化法、PEOPlasmaElectrolyteOxidation、乾式酸化法のいずれか一つの工程により上記放熱体の外部面に一定の厚さで備えられる。好ましく、上記絶縁層は、Al2O3、TiO2、MgOのいずれか一つで備えられる。好ましく、上記電極部は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に導電材を充填或いは塗布して形成された導電性ビアホールと、上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう上記絶縁層に備えられる外部電極及び上記発光チップと外部電極との間をワイヤボンディングする金属ワイヤを含む。好ましく、上記電極部は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に導電材を充填或いは塗布して形成された導電性ビアホールと、上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう上記絶縁層に備えられる外部電極と、上記発光チップと外部電極との間をフリップチップボンディングするソルダボールを含む。好ましく、上記電極部は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に金属層が塗布されて形成された貫通型導電性ビアホールと、上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう上記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上塗布された金属層の一部を除去して形成される外部電極と、上記発光チップと外部電極との間をワイヤボンディングする金属ワイヤとを含む。好ましく、上記電極部は、上記絶縁層が内周面に塗布された貫通溝に金属層が塗布されて形成された貫通型導電性ビアホールと、上記導電性ビアホールの上端及び下端とそれぞれ接続連結されるよう上記絶縁層の外部面の全体に少なくとも一層以上塗布された金属層の一部を除去して形成される外部電極と、上記発光チップと外部電極との間をフリップチップボンディングするソルダボールを含む。好ましく、上記導電性ビアホールは、上記放熱体の胴体内部に備えられるか上記放熱体の角または縁に備えられる。好ましく、上記放熱体は、上記発光チップを外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部をさらに含む。好ましく、上記放熱体は上記発光チップを覆うよう上記チップ搭載部上に備えられる蛍光体を含有する封止材と、上記発光チップと封止材及び上記電極部の一部を外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部またはモールド部をさらに含む。上記構成の本発明によると、熱伝導性に優れた金属素材からなる放熱体を通して発光チップから発生する熱を外部へ容易に放出することにより高温環境で安定した放熱特性を保障することが出来る。また、チップ搭載部を放熱体から一定の高さで突出形成される突出型で備えることにより、発光チップの搭載高さを放熱体の上部面の高さより相対的に高くして発光時に光学的損失を最少化し、光輝度を高め光学特性を向上させることが出来る。また、製造工程において従来のような射出工程を排除してパッケージ同士の間隔を最少化することにより実装密度を高め、製造工程及び組立工程を単純化して大量生産を可能とし、製造コストを低減することが出来る。また、放熱体の外部面に備えられる絶縁層によりパッケージの機械的強度を向上させることができ、発光チップと外部電極との電気的な連結作業を安定的に行い、製品の信頼性を向上させることが出来る。以下、本発明を添付の図面により詳しく説明する。図2a乃至iは、本発明による高出力LEDパッケージを製造する工程を図示した断面図で、図3a乃至hは、本発明による高出力LEDパッケージを製造する工程を図示した斜視図である。本発明の好ましい実施例による高出力LEDパッケージ100は下記のa乃至e段階を経て製造される。a.金属板に少なくとも一つのチップ搭載部と少なくとも一つのビアホールを形成する段階;一定の大きさを有する金属板110には、図2a乃至図2c及び図3a乃至図3cのように、電源印加時に発光チップ101が搭載されるチップ搭載部112と導電性ビアホールを形成するための貫通溝114を少なくとも一つ備える。このようなチップ搭載部112は、図2aと図3aに図示した通り、上記チップ搭載部112と対応する金属板110の上部表面に一定の大きさのマスクMをパターニング或いは付着する。次に、上記金属板110の上部面を化学的に蝕刻すると、図2bと図3bに図示した通り、上記マスクMを除く金属板110の上部面が均一に除去されることにより、金属板110の上部底面113より相対的に高い一定の高さのチップ搭載部112を形成することとなる。ここで、上記チップ搭載部112は化学的蝕刻方法により形成されるものと図示して説明したが、これに限定されず、上記チップ搭載部112のみを残留しようとする領域を除いて金属板110の上部面を機械的に研磨することにより、金属板110の上部底面113より相対的に高い一定の高さのチップ搭載部112を形成することも出来る。また、上記チップ搭載部112が形成された金属板110の底面には、図2cと図3cに図示した通り、一定の大きさの貫通溝114をパンチング、ドリリングまたはレーザ加工のいずれか一つの方式で少なくとも一つ形成する。この際、上記チップ搭載部112と貫通溝114が形成される金属板110は、熱伝導率の高い銅Cu、銅合金CuAlloy、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlAlloy、マグネシウムMg、マグネシウム合金MgAlloy、チタニウムTi、チタニウム合金TiAlloy、スチールSteel、ステンレススチールStainlessSteelのいずれか一つで選択的に備えられることが出来る。本発明の実施例において上記金属板110は、陽極酸化が可能であるよう、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウムMg、マグネシウム合金MgAlloy、チタニウムTi、チタニウム合金TiAlloyのような金属素材からなることが好ましい。一方、上記金属板110は図2a乃至図2cに図示した通り、化学的蝕刻または機械的研磨工程によりチップ搭載部112を形成した後、上記チップ搭載部112の上部面より低い高さを有する上部底面113に貫通溝114を形成するものと図示して説明したが、これに限定されず、上記金属板110の上部面に貫通溝114を貫通形成した後、上記チップ搭載部112を形成するよう化学的蝕刻または機械的研磨工程を行うことが出来る。また、上記チップ搭載部112aと貫通溝114aを形成する段階は、図4a乃至図4cに図示した通り、上記チップ搭載部112が形成される領域を除いて金属板110の上部面にマスクMを形成した状態で、上記金属板110の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部112aを形成した後、上記チップ搭載部112aより高い金属板110の上部面113aに貫通溝114aを形成できるが、これに限定されず、上記金属板110の上部面に貫通溝114aを貫通形成した後、上記金属板110の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのチップ搭載部112aを形成することも出来る。また、上記チップ搭載部112bと貫通溝114bを形成する段階は、図5に図示した通り、上記貫通溝114bが形成される金属板110の上部面にチップ搭載部112bを平面状で形成することにより、上記貫通溝114bの上端と上記チップ搭載部112bが同一平面上に位置するようにする。なお、上記チップ搭載部112cと貫通溝114cを形成する段階は、図6a乃至cのように、上記チップ搭載部112cが形成される領域及び後に説明する電極部が形成される領域の金属板110の上部面にマスクMを形成した状態で、上記金属板110の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチtrench115を形成して上記トレンチ115を外周面とするチップ搭載部112cを形成した後、上記金属板110の上部面に貫通溝114cを形成する。しかし、これに限定されるのではなく、上記金属板110の上部面に貫通溝114cを貫通形成した後、上記金属板110の上部面を化学的蝕刻または機械的研磨工程により一定の深さのトレンチ115を形成して上記トレンチ115を外周面とするチップ搭載部112cを形成することも出来る。b.上記金属板の外部面に絶縁層を形成する段階;上記チップ搭載部112と貫通溝114が形成された金属板110は、電解液が満たされた電解槽に浸漬させた状態で陽極酸化工程により上記チップ搭載部112の外部面、上部底面及び貫通溝の内周面を含む上記金属板110の全体の外部面に陽極酸化層である絶縁層120を一定の厚さで形成する。このような絶縁層120は、金属板110の外部面の全体に10乃至30μmの厚さで均一に備えられることが好ましい。この際、上記貫通溝114は、上記絶縁層120の厚さより相対的に大きい内径で備えられ上記絶縁層120の形成後、上記絶縁層120により遮断されないようにしなければならない。即ち、上記金属板110がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる場合、上記金属板110の外部面にはAl2O3のような絶縁層120が形成され、このような絶縁層120はセラミック材質特性を有して機械的強度を向上させ、空隙の多い柱状形態からなり、着色、塗布及び印刷のような後続工程をより安定して進めることが出来る。また、上記金属板110がチタニウムまたはチタニウム合金からなる場合、上記金属板110の外部面にはTiO2のような絶縁層120が形成され、このような絶縁層120は反射性が高いため発光チップ101から発光した光を反射する効率を向上させ高出力LEDパッケージ100の光効率を向上させる。ここで、上記金属板110に絶縁層120を形成する工程は陽極酸化法で例示して説明したが、これに限定されず、PEOPlasmaElectrolyteOxidationまたは高温酸化ガスによる乾式酸化法によっても形成されることが出来る。また、上記絶縁層120はAl2O3またはTiO2で備えられるものと図示して説明したが、これに限定されず、MgOで備えられることも出来る。c.上記チップ搭載部に搭載された発光チップと電気的に連結される電極部を形成する段階;上記電極部130を形成する段階は、導電性ビアホール131を形成する段階と、外部電極132,133を形成する段階と、発光チップ101と外部電極132,133を電気的に連結する段階とを含む。即ち、上記導電性ビアホール131を形成する段階は、上記絶縁層120が外部面に一定の厚さで形成された金属板110の貫通溝114に、図2eと図3eに図示した通り、導電性ペーストのような導電材を充填或いは塗布することにより電源供給用導電性ビアホール131を形成する。また、上記外部電極132,133を形成する段階は、図2fと図3fに図示した通り、上記導電性ビアホール131が外部露出される絶縁層120には、上記導電性ビアホール131の上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極132,133をそれぞれ備える。ここで、上記外部電極132,133は、絶縁層120が接合力に優れた絶縁膜からなっているため、導電性ペーストを印刷した後焼成する工程、上記絶縁層の表面を金属化した後メッキする工程及び真空蒸着工程のいずれか一つの方式で形成されることが出来る。次いで、上記発光チップ101と外部電極132,133を電気的に連結する段階は、図2gと図3gに図示した通り、一定の高さで突出されたチップ搭載部112に接着剤を介して発光チップ101を搭載した後、金属ワイヤ134,135を介して金属板110の上側に形成された外部電極132とそれぞれワイヤボンディングされて電気的に接続される。一方、上記電極部130を形成する段階は、図7aと図7bに図示した通り、貫通型導電性ビアホール131を形成しながら外部電極132,133を同時に形成した後、発光チップ101と外部電極132,133を電気的に連結する段階を含む。即ち、上記貫通型導電性ビアホール131を形成する段階は、上記絶縁層120の外部面の全体に、図7aに図示した通り、一定の厚さの導電性金属層136を少なくとも一層以上均一に形成する。このような金属層136は、パラジウムPd、亜鉛Znのような導電性金属を素材として蒸着方式で備えられるか、Ni/Cuメッキ後Agのような金属素材をプレーティングPlating方式で備えられることが出来るが、これに限定されず、上記金属層136は蒸着方式からなる金属シード層とその上部面に積層されるメッキ層で備えられることが出来る。これにより、上記貫通溝114は上記のように導電材により充填されて塞がらず、上記貫通溝114の内周面に絶縁層120と金属層136が塗布された貫通型導電性ビアホール131を形成することとなる。そして、上記外部電極132,133を形成する段階は、図7bに図示した通り、上記絶縁層120の外部面の全体に形成されて外部露出される全体金属層136のうち予め設定された回路パターンに該当する一部の領域を除く残りの一部を除去することにより、上記導電性ビアホール131の上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極132,133をそれぞれ備える。ここで、上記外部電極132,133は、上記金属層の外部面に備えられるマスク未図示を用いた不要な金属層を除去する湿式蝕刻または乾式蝕刻方式により形成されることが出来る。次いで、上記発光チップ101と外部電極132,133を電気的に連結する段階は、図7cに図示した通り、一定の高さで突出されたチップ搭載部112に接着剤を介して発光チップ101を搭載した後、金属ワイヤ134,135を介して金属板110の上側に形成された外部電極132とそれぞれワイヤボンディングされて電気的に接続される。一方、上記チップ搭載部112aが金属板110に一定の深さで陥没形成された場合、上記発光チップ101と外部電極132,133を電気的に連結する段階は、図8に図示した通り、一定の深さで突出されたチップ搭載部112aに接着剤を介して発光チップ101を搭載した後、金属ワイヤ134,135を介して上記チップ搭載部112aより高い位置に形成された外部電極132と発光チップ101がそれぞれワイヤボンディングされて電気的に接続される。また、上記チップ搭載部112bが金属板110の平面に形成された場合、上記発光チップ101と外部電極132,133を電気的に連結する段階は、図9に図示した通り、上記金属板110に形成された導電性ビアホール131と接続される外部電極132を上記チップ搭載部112bまで延長した後、上記外部電極132に載せられるソルダボール102を介して発光チップ101がフリップチップボンディングされて電気的に接続される。なお、上記チップ搭載部112cが金属板110の平面に一定の深さに陥没形成されるトレンチ115を外周面として上記金属板110の平面に形成された場合、上記発光チップ101と外部電極132、133を電気的に連結する段階は、図10に図示した通り、上記チップ搭載部112cに接着剤を介して発光チップ101を搭載した後、金属ワイヤ134、135を介して金属板110の上側に形成された外部電極132とそれぞれワイヤボンディングされて電気的に接続される。この際、上記金属板110の下側に形成された外部電極133は、未図示の基板に形成された電源供給用パッドと電気的に連結されることにより、上記導電性ビアホール131、外部電極132,133及び金属ワイヤ134,135またはソルダーボール102を介して外部電源を上記発光チップ101に供給して光を発生させることとなる。d.上記チップ搭載部の上部面に上記発光チップを覆うよう封止材を備える段階;上記発光チップ101と上記電極部130が電気的に連結された状態で上記チップ搭載部112の上部面には、図2hと図3hに図示した通り、上記発光チップ101を覆うよう封止材140が備えられる。ここで、上記封止材140は上記発光チップ101から出射される光効率を向上させるため蛍光体を含有することが好ましい。上記封止材140は上記チップ搭載部112に上記発光チップ101を実装した後、実装された上記発光チップ101が覆われるよう液状樹脂が供給され、この液状樹脂が硬化することにより形成される。また、上記封止材140は液状樹脂が上記発光チップ101を覆うよう上記チップ搭載部112上に供給されるとき、表面張力により外側面が曲面を成し、その中心部が上側に膨らんだドーム状に形成される。具体的に、液状樹脂は外側端が上記チップ搭載部112の上面の縁、すなわち、鋭端部knifeedgeまで位置するよう供給される。このように、液状樹脂の外側端が上記チップ搭載部112の鋭端部に位置する場合、液状樹脂の外側端が平面上に位置する場合に比べて表面張力がより大きく形成されるため、液状樹脂がチップ搭載部112の鋭端部を超えてチップ搭載部112の外側に広がらず、上側に膨らんだ形状を有することとなる。一方、上記金属板110の上部面には、上記電極部130の金属ワイヤ134、135とワイヤボンディングされた発光チップ101と、上記発光チップ101を覆う封止材140と、上記金属ワイヤ134、135を覆ってこれらを外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部145を装着する。このようなレンズ部145は、上記発光チップ101から発生した光を外部へより広い角度に放射できるよう上記金属板110の上部面に搭載される凸レンズで備えられるものと図示して説明したが、これに限定されず、上記金属板110の上部面にドーム状で塗布される投光性透明樹脂で備えられることも出来る。ここで、上記レンズ部145が凸レンズで備えられる場合、上記金属板110とレンズ部145との間には、AG系、TAG系、シリケート系のいずれか一つの波長変換手段の蛍光物質が含まれた投光性透明樹脂が満たされることができ、上記レンズ部が投光性透明樹脂からなる場合には、上記蛍光物質をさらに含むことも出来る。本発明の好ましい実施例では、上記チップ搭載部112上に上記発光チップ101を覆う封止材140を備えた後、上記発光チップ101とともに上記封止材140を覆うレンズ部145を上記金属板110の上部面に備えるものと説明しているが、これに限定されるのではなく、上記封止材140を備えず上記レンズ部145のみ備えることも可能である。e.上記金属板を切断線に沿って切断してパッケージを分離する段階;上記チップ搭載部112に発光チップ101が搭載されて電極部130と電気的に連結され、上記封止材140及び上記レンズ部145の搭載が完了すると、図2iに図示した通り、上記金属板110に描かれる仮想の切断線Cに沿って未図示の切断工具を用いて上記金属板110を切断することにより、高出力LEDパッケージ100を製造完成することとなる。ここで、上記切断線Cは、図2hと図3hに図示した通り、上記導電性ビアホール131と、これに隣接する他の導電性ビアホール131との間を通過するようして切断線に沿って切断すると、上記導電性ビアホール131は、図11aに図示した通り、金属板110から切断分離された放熱体110aの胴体の内部に位置することが出来る。また、上記切断線Cは、上記チップ搭載部112と、これに隣接する他のチップ搭載部112との間に形成された導電性ビアホール131の中心を通過するようにし、これに沿って切断すると、上記導電性ビアホール131は、図11bに図示した通り、金属板110から切断分離された放熱体110aの角または縁に位置することが出来る。図12は本発明による高出力LEDパッケージの実施例を図示した断面図で、図13は本発明による高出力LEDパッケージの他の実施例を図示した断面図で、図14は本発明による高出力LEDパッケージのさらに他の実施例を図示した断面図で、図15は本発明による高出力LEDパッケージの変形実施例を図示した断面図で、図16は本発明による高出力LEDパッケージの他の変形実施例を図示した断面図である。本発明の実施例による高出力LEDパッケージ100,100a,100b,100c,100dは、放熱体110a、絶縁層120及び電極部130を含む。上記放熱体110aは、上部面に少なくとも一つの発光チップ101が搭載されるチップ搭載部112を備え、少なくとも一つの導電性ビアホール131を備える金属構造物である。このような放熱体110aは、熱伝導率の高い銅Cu、銅合金CuAlloy、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlAlloy、マグネシウムMg、マグネシウム合金MgAlloy、チタニウムTi、チタニウム合金TiAlloy、スチール、ステンレススチールのいずれか一つで選択的に備えられることが出来る。本発明の実施例において上記放熱体110aは、陽極酸化が可能であるようアルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウムMg、マグネシウム合金MgAlloy、チタニウムTi、チタニウム合金TiAlloyのような金属素材からなることが好ましい。そして、上記発光チップ101を搭載するために上記放熱体110aに形成される搭載部112は、図12に図示した通り、発光チップ101が搭載される領域を除いて化学的蝕刻または機械的研磨工程により部分除去して一定の高さで上向突出された突出型チップ搭載部112で備えることが出来る。または、図13に図示した通り、上記チップ搭載部112aは、発光チップ101が搭載される領域を化学的蝕刻または機械的研磨工程により部分除去して一定の深さで陥没形成された陥没型チップ搭載部112aで備えられることが出来る。また、上記チップ搭載部112bは、図14に図示した通り、発光チップ101が搭載される領域を上記外部電極132が形成される放熱体110aの上部面に形成した基板型チップ搭載部112bで備えられることが出来る。また、上記チップ搭載部112cは、図15に図示した通り、発光チップ101が搭載される領域の周りに沿って化学的蝕刻または機械的研磨工程により部分除去して一定の深さに陥没形成されたトレンチ115を外周面とするトレンチ型チップ搭載部112cに備えられることができる。そして、上記導電性ビアホール131は、上記放熱体110aに貫通形成される貫通溝114,114a,114b,114cの内周面に絶縁層120が塗布された状態で、上端と下部端が上記放熱体110aの上部面と下部面にそれぞれ露出されるよう導電性ペーストのような導電材を充填或いは塗布して備えられる。上記絶縁層120は、上記放熱体110aの外部面及び上記貫通溝114,114a,114b,114cの内部面に一定の厚さで備えられる絶縁部材である。このような絶縁層120は、10μm乃至30μmの厚さで均一に備えられることが好ましく、上記貫通溝114,114a,114b,114cは上記絶縁層120の厚さより大きい内径で備えられて上記絶縁層120の形成後、上記絶縁層120により遮断されないようにしなければならない。上記チップ搭載部112,112a,112b,112cと貫通溝114,114a,114b,114cが形成された金属板110は、電解液が満たされた電解槽に浸漬させた状態で陽極酸化工程により上記チップ搭載部112,112a,112b,112cの外部面、上部底面及び貫通溝の内周面を含む上記金属板110の全体の外部面に陽極酸化層である絶縁層120を一定の厚さで形成する。このような絶縁層120は、金属板110の外部面の全体に10μm乃至30μmの厚さで均一に備えられることが好ましい。この際、上記貫通溝114,114a,114b,114cは上記絶縁層120の厚さより大きい内径で備えられ上記絶縁層120により遮断されないよう常に開放されなければならない。また、上記絶縁層120は上記放熱体110aを構成する金属素材の種類によって異なるよう形成されるため、上記放熱体110aがアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる場合、上記放熱体110aの外部面にはAl2O3のような絶縁層120が形成されることができ、上記放熱体110aがチタニウムまたはチタニウム合金からなる場合、上記金属板110の外部面にはTiO2のような絶縁層120が形成されることが出来るが、これに限定されず、MgOのような酸化層からなる絶縁層で備えられることが出来る。この際、TiO2のような絶縁層120は反射性が高いため、発光チップ101から発光した光を反射する効率を向上させパッケージの光効率を向上させることが出来る。上記放熱体110aに絶縁層120は陽極酸化法、PEOPlasmaElectrolyteOxidation、高温酸化ガスによる乾式酸化法のいずれか一つの方式で形成される。一方、上記電極部130は上記放熱体110aに備えられた導電性ビアホール131と上記チップ搭載部112,112a,112b,112cに備えられた発光チップ101との間を電気的に連結する。上記導電性ビアホール131には、上記発光チップ101をワイヤボンディングまたはフリップチップボンディング方式で搭載し、外部電源との電気的な連結が容易であるよう外部電極132,133を形成する。このような外部電極132,133は、上記絶縁層120から外部露出される導電性ビアホール131の上下端とそれぞれ接続連結されるよう導電性ペーストを印刷した後焼成する工程、上記絶縁層の表面を金属化した後メッキする工程及び真空蒸着工程のいずれか一つの方式で備えられる。これにより、上記放熱体110aの上部面に形成された外部電極132は、図12に図示した通り、上部に一定の高さで突出されたチップ搭載部112に搭載された発光チップ101と、金属ワイヤ134,135を介してワイヤボンディングされることが出来る。また、上記放熱体110aの上部面に形成された外部電極132は、図13に図示した通り、下部に一定の深さで突出されたチップ搭載部112aに搭載された発光チップ101と金属ワイヤ134,135を介してワイヤボンディングされることが出来る。そして、上記放熱体110aの上部面に形成された外部電極132は、図14に図示した通り、上記外部電極132が形成された放熱体110aの平面上に備えられたチップ搭載部112bに搭載された発光チップ101と、ソルダボール102を介してフリップチップボンディングされることが出来る。なお、上記放熱体110aの上部面に形成された外部電極132は、図15に図示した通り、下部に一定の深さに陥没形成されたトレンチ115を外周面とするチップ搭載部112cに搭載された発光チップ101と金属ワイヤ134,135を介してしてワイヤボンディングされることができる。また、上記放熱体110aの上部面の外部電極132は、図12乃至15に図示した通り、上記絶縁層120の外部面に直接形成されるものと図示して説明したが、これに限定されるものではない。即ち、図16に図示した通り、上記絶縁層120の外部面の全体に一定の厚さの導電性金属層136を真空蒸着方式またはプレーティング方式で少なくとも一層以上均一に形成することにより、上記貫通溝114の内周面には絶縁層120と金属層136が多層に塗布された貫通型導電性ビアホール131を形成することとなる。続いて、上記絶縁層120の外部面の全体に形成されて外部露出される金属層136を予め設定された回路パターン以外の領域を湿式蝕刻または乾式蝕刻工程により除去することにより、上記導電性ビアホール131の上端及び下端とそれぞれ接続連結される外部電極132,133をパターン形成することとなる。これにより、上記放熱体110aの上部面に形成された外部電極132は、上記と同様に、チップ搭載部112aに搭載された発光チップ101と金属ワイヤ134,135を介してワイヤボンディングされる。また、上記放熱体110aの下側に形成された外部電極133は、未図示の基板に形成された電源供給用パッドと電気的に連結される。ここで、上記外部電極132,133と電気的に接続される導電性ビアホール131は、上記金属板を切断する切断線に沿って内部型または外部型で備えられることができ、このような導電性ビアホール131は、図11aに図示した通り、上記放熱体110aの胴体の内部に位置する内部型で備えられるか、図11bに図示した通り、上記放熱体110aの角または縁に位置する外部型で備えられることが出来る。一方、上記チップ搭載部の上部面には上記発光チップ101と上記電極部130が電気的に連結された状態で、上記発光チップ101を覆うよう封止材140が備えられる。ここで、上記封止材140は上記発光チップ101から出射される光効率を向上させるため蛍光体を含有することが好ましい。そして、上記放熱体110aの上部面には、図12、図13、図15及び図16に図示した通り、上記発光チップ101と封止材140及び金属ワイヤ134,135を外部環境から保護するよう透明な素材からなるレンズ部145を装着する。このようなレンズ部145は、上記放熱体110aの上部面に搭載される凸レンズで備えられるか、上記放熱体110aの上部面にドーム状で塗布される投光性透明樹脂で備えられることが出来る。また、上記レンズ部145bは、図14に図示した通り、上記チップ搭載部112bにフリップチップボンディングされた発光チップ101を外部環境から保護するよう透明性投光樹脂を素材とする透明性モールド部で成形されることが出来る。本発明は特定の実施例に係わり図示して説明したが、当業界において通常の知識を有している者であれば添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域を外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更できることを明らかにする。"