"高周波信号の伝送方向に直交する断面が第1方向に延びる一対の短辺と第2方向に延びる一対の長辺とで構成される矩形状である第1伝搬部と、前記伝送方向の延長線上において前記第1伝搬部に接続しており、前記伝送方向に直交する断面が矩形状であり、前記第1伝搬部に比べて前記第1方向の辺の長さおよび前記第2方向の辺の長さが長い、前記伝送方向の長さが前記高周波信号の波長の1/4である変換部と、前記伝送方向の延長線上において前記変換部の前記第1伝搬部に接続している面と反対側の面に接続しており、前記伝送方向に直交する断面が矩形状であり、前記変換部に比べて前記第1方向の辺の長さが長く、かつ前記第2方向の辺の長さが短い第2伝搬部とを有する導波管構造体。前記第1伝搬部、前記変換部および前記第2伝搬部は、前記第2方向において中心を揃えて配置されている、請求項1記載の導波管構造体。前記第2伝搬部は、前記第2方向における幅が前記第1伝搬部の前記第2方向における幅と等しい、請求項1または2記載の導波管構造体。前記第2伝搬部は、表面に前記高周波信号の入出力口として機能する第1入出力口および第2入出力口を有し、前記第1入出力口は、前記変換部側の表面に配置されており、前記第2入出力口は、前記伝送方向に直交する方向の表面に配置されている、請求項1乃至3のいずれかに記載の導波管構造体。前記変換部は、前記第2方向に直交する方向の表面に、前記高周波信号に対する管壁を有していない、請求項1乃至4のいずれかに記載の導波管構造体。前記第1伝搬部は、第1誘電体と、該第1誘電体を挟む一対の第1導体層と、該一対の第1導体層を電気的に接続する第1導体が前記高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記伝送方向に配列されている2列の第1導体群とを含み、前記一対の第1導体層が互いに対向する方向が前記第1方向であり、前記第1導体群の2列の前記第1導体が互いに対向する方向が前記第2方向である、請求項1乃至5のいずれかに記載の導波管構造体。前記第2伝搬部は、第2誘電体と、該第2誘電体を挟む一対の第2導体層と、該一対の第2導体層を電気的に接続する第2導体が前記高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記伝送方向に配列されている2列の第2導体群とを含み、前記一対の第2導体層が互いに対向する方向が前記第1方向であり、前記第2導体群の2列の前記第2導体が互いに対向する方向が前記第2方向である、請求項1乃至3のいずれかに記載の導波管構造体。前記変換部は、第3誘電体と、該第3誘電体を挟む一対の第3導体層と、該一対の第3導体層を電気的に接続する第3導体が前記高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記伝送方向に配列されている2列の第3導体群とを含み、前記一対の第3導体層が互いに対向する方向が前記第1方向であり、前記第3導体群の2列の前記第3導体が互いに対向する方向が前記第2方向である、請求項1乃至4のいずれかに記載の導波管構造体。前記第2伝搬部は、第2誘電体と、該第2誘電体の一表面上に配置された第2導体層と、該第2導体層に電気的に接続された第2導体が前記高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記伝送方向に配列されている2列の第2導体群と、前記第2導体層に電気的に接続された第4導体が前記高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記第2導体群の2列の前記第2導体が対向する方向に配列された第4導体群とを含み、前記第2誘電体の前記一表面に直交する方向が前記第1方向であり、前記第2導体群の2列の前記第2導体が互いに対向する方向が前記第2方向であり、前記第2誘電体の、前記伝送方向において前記第4導体が配置されている側の表面とは反対側の表面に前記第1入出力口を有し、前記第2誘電体の、前記第2導体層が配置されている前記一表面とは反対側の表面に前記第2入出力口を有する、請求項4に記載の導波管構造体。前記第2伝搬部は、第2誘電体と、該第2誘電体を挟む一対の第2導体層と、該一対の第2導体層を電気的に接続する第2導体が前記高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記伝送方向に配列されている1列の第2導体群と、前記一対の第2導体層に電気的に接続された第4導体が前記高周波信号の波長の1/2以下の間隔で前記伝送方向および前記一対の第2導体層が互いに対向する方向に直交する方向に配列された第4導体群とを含み、前記一対の第2導体層が互いに対向する方向が前記第1方向であり、前記第4導体群の配列方向が前記第2方向であり、前記第2誘電体の、前記伝送方向において前記第4導体が配置されている側の表面とは反対側の表面に第1入出力口を有し、前記第2誘電体の、前記第2方向において前記第2導体群が配置されている側の表面とは反対側の表面に第2入出力口を有する、請求項4に記載の導波管構造体。前記変換部は、第3誘電体と、該第3誘電体を挟む一対の第3導体層とを含み、該一対の第3導体層が対向する方向および前記伝送方向に平行な表面に前記管壁を有していない、請求項5に記載の導波管構造体。前記第1伝搬部は、第1誘電体と、該第1誘電体を貫通する第1導体が前記高周波信号の波長の1/2以下の間隔で矩形状に並んで配置されている第1導体群とを含む、請求項1乃至5のいずれかに記載の導波管構造体。前記第2伝搬部は、第2誘電体と、該第2誘電体を貫通する第2導体が前記高周波信号の波長の1/2以下の間隔で矩形状に並んで配置されている第2導体群とを含む、請求項1乃至3のいずれかに記載の導波管構造体。前記変換部は、第3誘電体と、該第3誘電体を貫通する第3導体が前記高周波信号の波長の1/2以下の間隔で矩形状に並んで配置されている第3導体群とを含む、請求項1乃至4のいずれかに記載の導波管構造体。前記第2伝搬部は、第2誘電体と、該第2誘電体を貫通する第2導体が前記高周波信号の波長の1/2以下の間隔で並んで配列されている、第1配列導体群、第2配列導体群および第3配列導体群からなり、前記第1配列導体群と前記第2配列導体群とは互いに対向して平行に配置され、前記第3配列導体群は前記第1配列導体群と前記第2配列導体群との一端同士をつなぐように前記第1配列導体群および前記2配列導体群に直交する方向に延びている、第2導体群と、前記第2誘電体の表面に配置され、前記第2導体群に電気的に接続されているとともに、前記第2導体群が配置された領域を覆う第5導体層とを含み、前記第2誘電体の前記第5導体層が配置されていない側の表面を前記第1入出力口とし、前記変換部は、第3誘電体と、該第3誘電体を貫通する第3導体が前記高周波信号の波長の1/2以下の間隔で並んで2列配置されている第3導体群とを含み、前記第3導体群の2列の前記第3導体が互いに対向する方向に直交し前記第3誘電体を貫通する方向に平行な表面に前記管壁を有していない、請求項5に記載の導波管構造体。しかしながら、従来の導波管100は、伝搬部110と伝搬部120との界面で反射する反射波と、伝搬部120と伝搬部130との界面で反射する反射波とを逆位相としても両者の反射レベル振幅が異なるため、完全に反射波を打ち消すことができず、伝送特性が劣化するという問題点があった。これは、反射波が発生する界面を臨む2つの伝搬部の高さの比が異なるためである。すなわち、h1/h0の大きさと、h2/h1の大きさとが異なるため、両部位における反射レベルが違うことに起因する。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、伝送特性の優れた導波管構造体を提供することにある。本発明の導波管構造体は、高周波信号の伝送方向に直交する断面が第1方向に延びる一対の短辺と第2方向に延びる一対の長辺とで構成される矩形状である第1伝搬部と、前記伝送方向の延長線上において前記第1伝搬部に接続しており、前記伝送方向に直交する断面が矩形状であり、前記第1伝搬部に比べて前記第1方向の辺の長さおよび前記第2方向の辺の長さが長い、前記伝送方向の長さが前記高周波信号の波長の1/4である変換部と、前記伝送方向の延長線上において前記変換部の前記第1伝搬部に接続している面と反対側の面に接続しており、前記伝送方向に直交する断面が矩形状であり、前記変換部に比べて前記第1方向の辺の長さが長く、かつ前記第2方向の辺の長さが短い第2伝搬部とを有するものである。本発明によれば、第1伝搬部および第2伝搬部よりも第2方向の幅が広い変換部により、第1伝搬部と変換部との界面で生じる反射波と、変換部と第2伝搬部との界面で生じる反射波との反射レベルを同等とすることで、反射波を打ち消し合い、伝送特性の優れた導波管構造体を提供することができる。以下、図面を参照しつつ、本発明について詳述する。なお、以下の図面において、同様の箇所には同一の符号を付し、重複する記載を省略する。第1の実施形態図1は本発明の導波管構造体の第1の実施形態を示す模式的な斜視図であり、図2は図1のI-I線における断面図である。図1および図2に示した実施の形態の例に係る導波管構造体10は、直方体状の第1伝搬部20,変換部30,第2伝搬部40を備えている。これらは、第1伝搬部20における高周波信号の伝送方向図中のX方向に沿って、第1伝搬部20,変換部30,第2伝搬部40の順に配置されている。すなわちX方向に延びる1本の線上に第1伝搬部20,変換部30,第2伝搬部40が並んで配置されている。第1伝搬部20,変換部30および第2伝搬部40は、直方体状であり、伝送方向X方向に垂直な断面は矩形状となっている。この矩形状の断面において短辺を構成する方向を第1方向とし、図中にZ方向として示す。同様に長辺を構成する方向を第2方向とし、図中にY方向として示す。この第1方向と第2方向とは互いに直交している。ここで、第1伝搬部20,変換部30,第2伝搬部40の第1方向に延びる辺の長さは、この順に長くなっている。即ち、h0<h1<h2の関係を満たすものとなっている。また、変換部30の伝送方向の長さは伝搬する高周波信号の波長の1/4としている。このように構成することにより、第1伝搬部20と変換部30との界面で生じる反射波R1と、変換部30と第2伝搬部30と界面で生じる反射波R2との位相を逆位相とすることができる。これにより、反射波R1と反射波R2とを互いに打ち消すものとなる。さらに、導波管構造体10では、変換部30の第2方向に延びる辺の長さは、第1伝搬部20,第2伝搬部40の第2方向に延びる辺の長さに比べて長くなっている。これにより、反射波R1と反射波R2との反射レベル振幅を略同一とすることができる。このメカニズムは明らかではないが、以下のように推測している。従来、伝搬方向においてインピーダンスを変更する場合には、反射をできるだけ小さくするために、第1方向の辺の長さのみを階段状に変化させたり、テーパー状に徐々に変化させたりしていた。これにより、導波管中のインピーダンスも徐々に変化するものとなっているため、各界面におけるインピーダンスの比率の差異は無視できるレベルではなかった。これに対して、導波管構造体10では、変換部30の第2方向における幅を長くとることにより、変換部30のインピーダンスZBは、第1伝搬部20および第2伝搬部40のインピーダンスZA,ZCに比べ大幅に低くなっている。これにより、第1伝搬部20と変換部30との界面および変換部30と第2伝搬部40との界面における反射は大きくなる。しかしながら、各界面におけるインピーダンスの比率ZB/ZA,ZB/ZCを略同一とみなすことができるようになり、これにより、反射波R1,R2の反射レベルを揃えることができる。以上のメカニズムより、反射波R1と反射波R2とを逆位相かつ略同一レベルとすることができるので、反射の影響を抑制した、伝送特性の優れた導波管構造体とすることができる。第1伝搬部20,変換部30,第2伝搬部40は、高周波信号を伝搬することができる導波管であれば特に限定はない。また、第1伝搬部20,第2伝搬部40の第2方向における幅は、変換部30に比べ小さければ特に限定されないが、図1に示す例では、同一の幅としている。また、高周波信号の出力側に位置する伝搬部の第2方向における幅を入力側に位置する伝搬部に比べて小さくしてもよい。すなわち、第1伝搬部20から入力する場合には、第2方向における幅を第1伝搬部20に比べて第2伝搬部40の幅を狭くしてもよい。さらに、第1伝搬部20,変換部30,第2伝搬部40は、伝送方向に沿って配置され互いに接続されていればよいが、図1では、それぞれが第2方向において中心を揃えて配置されている。また、第1方向において上辺を揃えて配置されている。また、変換部30の第2方向における幅は、第1伝搬部、第2伝搬部に比べ充分にインピーダンスが低ければ特に限定はされない。第1実施例上述の構成を採用した導波管構造体の電磁界分布についてシミュレーションした結果を図3に示す。図3に示すように、伝送する高周波信号の電磁界分布が第1伝搬部20から第2伝搬部40にスムーズに伝搬している様子を確認できた。このシミュレーションにおいては、第1伝搬部20の短辺側の辺の長さを0.15mm,長辺側の辺の長さを0.826mmとし、変換部30の短辺側の辺の長さを0.3mm,長辺側の辺の長さを2.326mm、伝送方向における長さを0.4mmとし、第2伝搬部40の短辺側の辺の長さを0.45mm,長辺側の辺の長さを1.126mmとした。また、第1伝搬部20,変換部30,第2伝搬部40は誘電体により構成され、この誘電体の誘電率を9.4とし、比透磁率を1とした。伝送する高周波信号の周波数を76.5GHzとした。上述の数値条件では、高周波信号が誘電体中を伝搬する際の波長λgが約1.6mmとなる。すなわち、変換部30は、第2方向において伝送方向の両側で、第1伝搬部20,第2伝搬部40から波長λgの約1/2弱延出している図1中に示すy1,y2を指すこととなる。次に、上述と同様の数値条件で、周波数特性についてシミュレーションした結果を図4に示す。図4において、縦軸は高周波信号の伝送損失単位:dBを示し、横軸は周波数単位:GHzを示している。また、実線は透過特性を、破線は反射特性を示している。図4に示した特性では、第1伝搬部20の変換部30と反対側の面をポート1とし、第2伝搬部40の変換部30と反対側の面をポート2としている。図4では、ポート1からポート2側への透過特性をS21とし、ポート1で入力されポート1に反射する反射特性をS11、ポート2で入力されポート2に反射する反射特性をS22について示している。図4に示す通り、この導波管構造体は77~78GHzの高周波信号に対して、損失が少なく、帯域の広い伝送特性を有することを確認できた。ここで、図3に示す電磁界分布について更に検討する。図3に示す通り、変換部30における環状の磁界は、第1伝搬部20および第2伝搬部40中の磁界分布に比べ第2方向に広がるのみであり、高周波信号の伝送方向において第1伝搬部20と第2伝搬部40と重なる領域以外の、第2方向に幅が広くなっている部位に環状の磁界は発生しない。これは、変換部30の伝送方向X方向の長さが短いために、電磁界のモードがたたないためである。このことは、変換部30に入力された高周波信号は、第2方向に向かって伝送しないことを示している。ここで、従来の高周波伝送路で用いられる、伝送路中に幅を大きくする部位幅広部を設け、反射の影響を抑制するスタブ等の構成と本実施例の構成とを比較する。従来の構成では、幅広部に伝送し戻ってくる高周波信号と、幅広部に反れずに伝送する高周波信号との位相を合わせることで、整合をとっている。このため、幅広部の幅寸法は厳密に設計されており、設計値からずれると伝送特性が劣化してしまっていた。これに対して、導波管構造体10の変換部30は幅広とはなっているが、高周波信号が第2方向に伝送し、直方体状の変換部30の第2方向に垂直な端面において反射されることがない。このため、変換部30の第2方向における長さ幅が変化しても伝送特性の劣化しない、ロバスト性に優れた導波管構造体10を提供することができる。また、図3において、変換部30において第2方向への磁界の広がりが高周波信号の波長の1/4に比べて十分に小さいことから、従来の幅広部を設ける構成に比べて、第2方向に延出させる長さy1、y2を短くすることができ、導波管構造体の小型化が可能である。比較例図27に示す従来例について、変換部30の第2方向の幅のみ第1伝搬部20,第2伝搬部40と同じとし、その他の数値条件は上述の第1実施例と同様として周波数特性についてシミュレーションした結果を図5に示す。図5において、縦軸は高周波信号の伝送損失単位:dBを示し、横軸は周波数単位:GHzを示している。図5から明らかなように、実施例1に比べ、損失が大きく、伝送特性の悪い導波管構造体となっていることが確認された。特に、図5においては図4に示すような反射特性の極が存在しない。反射特性の極は、2つの不連続部分での反射係数の大きさが同じレベルになったときに発生する。このことからも、従来の導波管構造体では2つの不連続部分、すなわち、伝搬部110と伝搬部120との間、伝搬部120と伝搬部130との間における反射レベルが異なり、実施例1の構成では第1伝搬部20と変換部30との間、変換部30と第2伝搬部40との間における反射レベルが同等になっていることを確認できる。第2の実施形態図6に本発明の導波管構造体の第2の実施形態の模式的な斜視図を示す。図6に示す導波管構造体11は、図1に示す導波管構造体10と変換部30の構成のみが異なるため、以下、異なる部分についてのみ説明する。導波管構造体11の変換部30aは、第2方向に垂直な面において、高周波信号に対する管壁を有していない。すなわち、伝送方向に沿った側面31a,31b第2方向に垂直な面が開口部となっている。図3のシミュレーション結果からも明らかなように、導波管構造体11の変換部30aは従来のような、第2方向に伝送して側面31により反射させて元に戻っていく高周波信号を利用するものではない。言い換えると、変換部30aの伝送方向における長さが短いため電磁界のモードがたたず、高周波信号は第2方向に向かって伝送しない。このため、側面31において高周波信号を反射させる必要がないので、側面31に高周波信号に対する管壁を設ける必要がない。このような構成により、簡易な構成で優れた伝送特性を有する導波管構造体11を提供することができる。第3の実施形態図7に本発明の導波管構造体の第3の実施形態の模式的な斜視図を示す。図7に示す導波管構造体12は、図1に示す導波管構造体10と第2伝搬部40の構成のみが異なるため、以下、異なる部分についてのみ説明する。導波管構造体10の第2伝搬部40は、変換部30に接続される側の面と、この面に対向する面とに高周波信号の入出力口があったが、導波管構造体12の第2伝搬部40bは、変換部30に接続される側の面に第1入出力口41a,伝送方向と平行な面に第2入出力口41bを有する。伝送方向X方向に平行な面とは、XY平面,XZ平面をいい、この例では第2伝搬部40bを構成するXY平面に平行な面のうち図中下側の面、すなわち直方体状の第2伝搬部40bのXY平面に平行な側面のうち、第1入出力口41aから第1方向Y方向に離れる方に位置する表面に第2入出力口41bを有している。このような構成とすることにより、高周波信号の伝送方向を第2伝搬部40bにより90°変更させることができる。この例では第1伝搬部20,変換部30ではX方向に伝搬している高周波信号を、第2伝搬部40bではY方向に伝搬させている。従来の導波管構造体では、伝送方向を90°変換させるために、スロットを介して結合させたり、90°変換させる部位の角部を面取りしたりして伝送方向を変更する部位における反射を抑制する構成をとる必要があった。即ち、インピーダンスを徐々に変化させて反射を小さくするような構成よなっていた。これに対して、本発明は変換部30における反射を大きくすることで反射波全体の影響を抑制して伝送特性を良好にするものである。このため、導波管構造体12は、高周波信号が第2伝搬部40bにおいて伝送方向を90°変え、それにより大きな反射が生じたとしても、第1伝搬部20と第2伝搬部40bとの間に変換部30を有することにより良好な伝送特性を実現することができる。実施例2上述の構成を採用した導波管構造体の電磁界分布についてシミュレーションした結果を図8に示す。図8に示すように、伝送する高周波信号の電磁界分布が第1伝搬部20から第2伝搬部40bにスムーズに伝搬している様子を確認できた。このシミュレーションにおいては、第1伝搬部20の短辺側の辺の長さを0.15mm,長辺側の辺の長さを1.126mmとし、変換部30の短辺側の辺の長さを0.3mm,長辺側の辺の長さを1.726mm、伝送方向における長さを0.55mmとし、第2伝搬部40の短辺側の辺の長さを0.45mm,長辺側の辺の長さを0.866mmとした。また、第1伝搬部20,変換部30,第2伝搬部40は誘電体により構成され、この誘電体の誘電率を9.4とし、比透磁率を1とした。伝送する高周波信号の周波数を76.5GHzとした。次に、上述と同様の数値条件で、周波数特性についてシミュレーションした結果を図9に示す。図9において、縦軸は高周波信号の伝送損失単位:dBを示し、横軸は周波数単位:GHzを示している。また、実線は透過特性を、破線は反射特性を示している。図4に示した特性では、第1伝搬部20の変換部30と反対側の面をポート1とし、第2伝搬部40bの第2入出力口42をポート2としている。図9では、ポート1からポート2側への透過特性をS21とし、ポート1で入力されポート1に反射する反射特性をS11、ポート2で入力されポート2に反射する反射特性をS22について示している。図9に示す通り、この導波管構造体は77~78GHzの高周波信号に対して、損失が少なく、帯域の広い伝送特性を有することを確認できた。第4の実施形態図10~13は、本発明の導波管構造体の他の例を示した図である。図10~13に示した導波管構造体10Cは、第1伝搬部20に代えて、第1伝搬部20cを内部に有する第1の導波構造体20Cを採用し、変換部30に代えて、変換部30cを内部に有する変換構造体30Cを採用し、第2伝搬部40に代えて、第2伝搬部40cを内部に有する第2の導波構造体40Cを採用している。以下、導波管構造体10Cの各構成について説明する。第1の導波構造体20Cは、第1誘電体26、一対の第1導体層22,23、および第1導体群24,25を有している。この第1の導波構造体20Cでは、第1導体層22,23および第1貫通導体群24,25が導波管の管壁に相当するものとして機能する。この管壁に囲まれた領域が第1伝搬部20cとなる。本実施形態の第1誘電体26は、複数の第1誘電体層261~263が第1方向に順次積層されて形成されている積層体のうちの第1誘電体層261を指すものとする。この第1誘電体層261の両主面に一対の第1導体層22,23が対向配置されている。一対の第1導体層22,23は、Z方向における導波管の管壁に相当するものとして機能する。ここでは、一対の第1導体層22,23のうち、矢印Zの順方向側に位置するものを第1導体層22とし、矢印Xの逆方向側に位置するものを第1導体層23とする。第1導体層22は第1誘電体層261の上面に配置され、第1導体層23は第1誘電体層261と第1誘電体層262との間に配置されている。一対の第1導体層22,23は、伝送方向に沿って長くなっており、Z方向において長さh0の間隔で離隔している。この一対の第1導体層22,23の距離が、第1の導波構造体20Cの第1伝播部20cの第1方向に沿った長さ短辺の長さとなる。一対の第1導体層22,23は、第1導体群24,25を介して電気的に接続されている。この第1導体群24,25は、Y方向における導波管の管壁に相当するものとして機能する。第1導体群24,25を構成する第1導体は、第1の導波構造体20Cを伝送する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置される。第1導体の間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。2列の第1導体群24,25を構成する第1導体の各々は、第1誘電体層261の貫通孔の内に設けられ、当該第1誘電体層261を貫通している。2列の第1導体群24,25は、Y方向において長さaの間隔で離隔している。この一対の第1導体群24,25の距離が、第1の導波構造体20Cの第1伝播部20cの第2方向に沿った長さ長辺の長さとなる。変換構造体30Cは、第3誘電体36、一対の第3導体層32,33、および第3導体群34,35を有している。この第3の導波構造体30Cでは、第3導体層32,33および第3導体群34,35が導波管の管壁に相当するものとして機能する。そしてこれらの管壁に囲まれた領域が変換部30cとなる。本実施形態の第3誘電体36は、複数の第3誘電体層361~363が第1方向に順次積層されて形成される積層体のうち第3誘電体層361,362で構成される。この第3誘電体層361の上面および第3誘電体層362の下面第3誘電体層362と第3誘電体層363との間に、一対の第3導体層32,33が対向配置されている。一対の第3導体層32,33は、Z方向における導波管の管壁に相当するものとして機能する。ここでは、一対の第3導体層32,33のうち、矢印Xの順方向側に位置するものを第3導体層32とし、矢印Xの逆方向側に位置するものを第3導体層33とする。一対の第3導体層32,33は、伝送方向に沿って長くなっており、Y方向において長さh1の間隔で離隔している。この一対の第3導体層32,33の距離が、変換構造体30Cの変換部30cの第1方向に沿った長さh1となる。一対の第3導体層32,33は、第3導体群34,35を介して電気的に接続されている。この第3導体群34,35は、Y方向における導波管の管壁に相当するものとして機能する。ここでは、一対の第3導体群34,35のうち、矢印Yの順方向側に位置するものを第3導体群34とし、矢印Yの逆方向側に位置するものを第3導体群35としている。各第3導体群34,35は、第3導体がX方向に沿って配列されて構成されている。第3導体群34,35を構成する第3導体は、変換構造体30Cを伝送する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置される。第3導体の間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。2列の第3導体群34,35を構成する第3導体の各々は、第3誘電体層361,362の貫通孔の内に設けられ、当該第3誘電体層361,362を貫通している。2列の第3導体群34,35は、Y方向において長さbの間隔で離隔している。この一対の第3導体群34,35の距離が、変換構造体30Cの変換部30cの第2方向に沿った長さとなる。また、第3誘電体層361と第3誘電体層362との間には、副導体層37が配置されている。副導体層37は、第3導体群34の第3導体,第3導体群35の第3導体のそれぞれを電気的に接続するものであり、図12に示すように、第3導体群34と第3導体群35とが対向する領域に非形成部を有するようにパターニングされている。第2の導波構造体40Cは、第2誘電体46、一対の第2導体層42,43、第2導体群44,45を有している。この変換構造体40Cでは、第2導体層42,43および第2導体群44,45が導波管の管壁に相当するものとして機能する。そしてこの管壁に囲まれた領域を第2伝搬部40cとする。本実施形態の第2誘電体46は、複数の第2誘電体層461~463が第1方向に順次積層されて形成されている。この第2誘電体層461の上面と第2誘電体層463の下面とに一対の第2導体層42,43が対向配置されている。一対の第2導体層42,43は、Z方向における導波管の管壁に相当するものとして機能する。ここでは、一対の第2導体層42,43のうち、矢印Zの順方向側に位置するものを第2導体層42とし、矢印Xの逆方向側に位置するものを第2導体層43とする。一対の第2導体層42,43は、伝送方向に沿って長くなっており、Z方向において長さh2の間隔で離隔している。この一対の第2導体層42,43の距離が、第2の導波構造体40Cの第2伝播部40cの第1方向に沿った長さ短辺の長さとなる。一対の第2導体層42,43は、第2導体群44,45を介して電気的に接続されている。この第2導体群44,45は、Y方向における導波管の管壁に相当するものとして機能する。第2導体群44,45を構成する第2導体は、第2の導波構造体40Cを伝送する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置される。第2導体の間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。2列の第2導体群44,45を構成する第2導体の各々は、第2誘電体層461~463の貫通孔の内に設けられ、当該第2誘電体層461~463を貫通している。2列の第2導体群44,45は、Y方向において長さcの間隔で離隔している。この一対の第2導体群44,45の距離が、第2の導波構造体40Cの第2伝播部40cの第2方向に沿った長さ長辺の長さとなる。また、第2誘電体層461と第2導体層462との間および第2誘電体層462と第2導体層463との間には、副導体層471,472が配置されている。副導体層471,472は、第2導体群44の第2導体,第2導体群45の第2導体のそれぞれを電気的に接続するものであり、第2導体群44と第2導体群45とが対向する領域に非形成部を有するようにパターニングされている。上述のように第1の導波構造体20C,変換部構造体30C,第2の導波構造体40Cを構成することにより、積層型導波管により構成される導波管構造体10Cを提供することができる。なお、第1誘電体層261,第3誘電体層361および第2誘電体層461を同一の誘電体層で形成してもよい。同様に、第1誘電体層262,第3誘電体層362および第2誘電体層462を同一の誘電体層で形成し、第1誘電体層263,第3誘電体層363および第2誘電体層463を同一の誘電体層で形成してもよい。第5の実施形態次に図14,図15は、本発明の別の実施形態を示す図である。図14,図15に示した導波管構造体10Dは、第2の導波構造体40Cに代えて、第2伝搬部40dを内部に有する第2の導波構造体40Dを採用しており、その他の構成は導波管構造体10Cと同様である。このため、重複する説明は省略し、異なる部分のみ説明する。第2の導波構造体40Cでは、第2誘電体46を挟むように一対の第2導体層42,43を有していたのに対して、第2の導波構造体40Dは、第2誘電体層461の上面に第2導体層42dを配置するのみであり、第2誘電体層463の下面に導体層が配置されていない。また、第2導体群44,45は第2導体層42dのみに電気的に接続されていることとなる。そして、第2導体群44,45が互いに対向する方向Y方向に第4導体481が配列された第4導体群48を有する。この第4導体群48は、X方向における導波管の管壁に相当するものとして機能する。第4導体群48を構成する第4導体481は、第2の導波構造体40Dを伝送する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置される。第4導体481の間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。一列の第4導体群48を構成する第4導体481の各々は、第2誘電体層461~463の貫通孔の内に設けられ、当該第2誘電体層461~463を貫通している。また、伝送方向X方向の、第4導体群48が配置されていない側の面において、第4導体群48と対向させて、第2誘電体層463を貫通する第5導体群49が配置されている。この第5導体群49を構成する第4導体491は、第2の導波構造体40Dを伝送する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置される。第4導体491の間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。第5導体群49は第2誘電体層461,462には配置されていないため、伝送方向X方向において、第4導体群48が配置されていない側の面は、高周波信号の入出力口として機能する第1入出力口411aとなる。この第1入出力口411aは、変換構造体30Cの変換部30cに接続される。第2誘電体層463の下面のうち、第2導体群44,45および第4導体群48,第5導体群49で囲まれた領域の内部は、高周波信号の入出力口として機能する第2入出力口411bとなる。上述のように構成することにより、高周波信号の伝送方向をX方向からZ方向に90°変換させることのできる導波管構造体10Dを提供することができる。第6の実施形態次に図16,図17は、本発明の別の実施形態を示す図である。図16,図17に示した導波管構造体10Eは、第2の導波構造体40Cに代えて、第2伝搬部40eを内部に有する第2の導波構造体40Eを採用しており、その他の構成は導波管構造体10Cと同様である。このため、重複する説明は省略し、異なる部分のみ説明する。第2の導波構造体40Cでは、2列の第2導体群44,45を有していたのに対して、第2の導波構造体40Eは、一列の第2導体群44eを有するのみである。また、第2の導波構造体40Dと同様に第4導体群48を有する。伝送方向X方向において、YZ平面に平行な面のうち第2の導波構造体40Eの第4導体群48が配置されていない側の面は、高周波信号の入出力口として機能する第1入出力口411aとなる。またY方向において、ZX平面に平行な面のうち、第3導体群44eが配置されていない側の面は、高周波信号の入出力口として機能する第2入出力口411bとなる。上述のように構成することにより、高周波信号の伝送方向をX方向からY方向に90°変換させることのできる導波管構造体10Eを提供することができる。第7の実施形態第4~第6の実施形態においては、図11に示すように、変換構造体30Cにおいて第3導体群34,35を有していたが、これらを備えない変換構造体を用いてもよい。すなわち、第3誘電体層361,362のXZ平面に平行な面に高周波信号に対する管壁がない状態としてもよい。第8の実施形態図18~23は、本発明の導波管構造体の他の例を示す図である。図18~23に示した導波管構造体10Fは、第1伝搬部20に代えて、第1伝搬部20fを内部に有する第1の導波構造体20Fを採用し、変換部30に代えて、変換部30fを内部に有する変換構造体30Fを採用し、第2伝搬部40に代えて、第2伝搬部40fを内部に有する第2の導波構造体40Fを採用している。以下、導波管構造体10Fの各構成について説明する。第1の導波構造体20Fは、複数の第1誘電体層261a~261cで構成される第1誘電体26Fと複数の第1導体群24aとを有している。複数の第1誘電体層261a~261cは、高周波信号の伝送方向に順次積層して形成されている。そして、この第1導体群24aが導波管の管壁に相当するものとして機能し、この管壁に囲まれた内部が第1伝搬部20fに相当する。この第1の導波構造体20Fでは、第1誘電体層261a~261cの主面はYZ平面に広がっている。そして、図21において破線で囲んで示すように、この第1誘電体層261a~261cのそれぞれを貫通する第1導体が矩形状に並んで配置された第1導体群24aを形成している。この第1導体により矩形状に囲まれた内側の領域が高周波信号の伝搬部となる。この第1導体は、第1伝搬部20fを伝搬する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置される。第1導体の間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。さらに、本実施形態では、複数の第1誘電体層261a~261cの各層の間に複数の副導体層271a~271cを配置している。この副導体層271a~271cにより、第1導体同士を電気的に接続することができるので、複数の第1誘電体層261a~261cの積層による位置ずれが生じても高周波信号が漏れることを抑制することができる。この副導体層271a~271cのそれぞれは、YZ平面で上面視したときに、第1導体が配置される領域の内側に伝搬孔271Ba~271Bcを有する。すなわち、複数の第1導体は、矢印Xの方向から見て、伝播孔271Ba~271Bcの周囲を囲んで配置されている。この伝播孔271Ba~271Bcは、第1方向Z方向に沿った辺の長さが第2方向Y方向に沿った辺の長さよりも短くなっている。各副導体層271a~271cの伝搬孔271Ba~271Bcは、伝送方向に並んで配置されている。変換構造体30Fは、複数の第3誘電体層361a,361bで構成される第3誘電体36Fと複数の第3導体群34aとを有している。複数の第3誘電体層361a,361bは、高周波信号の伝送方向に順次積層して形成されている。そして、この第3導体群34aが導波管の管壁に相当するものとして機能し、この管壁に囲まれた内部が変換部30fに相当する。この変換構造体30Fでは、第3誘電体層361a,361bの主面はYZ平面に広がっている。そして、図22において破線で囲んで示すように、この第3誘電体層361a,361bのそれぞれを貫通する第2導体が矩形状に並んで配置された第3導体群34aを形成している。この第3導体により矩形状に囲まれた内側の領域が高周波信号の伝搬部となる。この第3導体は、変換部30fを伝搬する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置される。第3導体の間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。さらに、本実施形態では、複数の第3誘電体層361a,361bの間に副導体層371aを配置している。この副導体層371aにより、第3導体同士を電気的に接続することができるので、第3誘電体層361a,361bの積層による位置ずれが生じても高周波信号が漏れることを抑制することができる。この副導体層371aは、YZ平面で上面視したときに、第3導体が配置される領域の内側に伝搬孔371Baを有する。すなわち、複数の第3導体は、矢印Xの方向から見て、伝播孔371Baの周囲を囲んで配置されている。この伝播孔371Baは、第1方向Z方向に沿った辺の長さが第2方向Y方向に沿った辺の長さよりも短くなっている。副導体層371aの伝搬孔271Baは、第1の導波構造体20Fの副導体層271a~271cの伝搬孔271Ba~271Bcと、伝送方向で重心が揃うように並んで配置されている。第2の導波構造体40Fは、複数の第2誘電体層461a~461cで構成される第2誘電体46Fと複数の第2導体群44aとを有している。複数の第2誘電体層461a~461cは、高周波信号の伝送方向に順次積層して形成されている。そして、この第2導体群44aが導波管の管壁に相当するものとして機能し、この管壁に囲まれた内部が第2伝搬部40fに相当する。この第2の導波構造体40Fでは、第2誘電体層461a~461cの主面はYZ平面に広がっている。そして、図23において破線で囲んで示すように、この第2誘電体層461a~461cのそれぞれを貫通する第2導体が矩形状に並んで配置された第2導体群44aを形成している。この第2導体により矩形状に囲まれた領域の内側が高周波信号の伝搬部となる。この第2導体は、第2伝搬部40fを伝搬する高周波信号のうち最も短い波の長さの1/2以下の間隔をあけて配置される。第2導体の間隔を伝送する高周波信号の1/2波長以下にすることで、当該高周波信号が漏れるのを低減することができる。さらに、本実施形態では、複数の第2誘電体層461a~461cの各層の間に複数の副導体層471a~471cを配置している。この副導体層471a~471cにより、第2導体同士を電気的に接続することができるので、複数の第2誘電体層461a~461cの積層による位置ずれが生じても高周波信号が漏れることを抑制することができる。この副導体層471a~471cのそれぞれは、YZ平面で上面視したときに、第2導体が配置される領域の内側に伝搬孔471Ba~471Bcを有する。すなわち、複数の第2導体は、矢印Xの方向から見て、伝播孔471Ba~471Bcの周囲を囲んで配置されている。この伝播孔471Ba~471Bcは、第1方向Z方向に沿った辺の長さが第2方向Y方向に沿った辺の長さよりも短くなっている。各第2誘電体層461a~461cの伝搬孔471Ba~471Bcは、伝送方向に並んで配置されている。また、副導体層471a~471cの伝搬孔471Ba~471Bcは、第1の導波構造体20F,変換構造体30Fの伝搬孔271Ba~271Bc,371Baと重心を合わせて伝送方向に並んで配置されている。そして、第1誘電体層261cと第3誘電体層361aとの間、および第3誘電体層361aと第2誘電体層461aとの間には導体層601,602が配置されている。この導体層601,602は伝搬孔601a,602aを有する。伝搬孔601aは、伝搬孔271Ba~271Bcと同等の形状とし、伝搬孔602aは、伝搬孔471Ba~471Bcと同等の形状とする。このような伝搬孔601a,602aは、第1の導波構造体20F,変換構造体30F,第2の導波構造体40Fの伝搬孔271Ba~271Bc,371Ba,471Ba~471Bcと重心を合わせて伝送方向に並んで配置されている。この伝搬孔601a,602aを介して、第1の導波構造体20Fの第1伝搬部20fと変換構造体30Fの変換部30fとを電磁的に結合し、変換構造体30Fの変換部30fと第2の導波構造体40Fの第2伝搬部40fとを電磁的に結合している。第9の実施形態図24~図26は、本発明の導波構造体の別の実施形態を示す図である。図24~図26に示した導波管構造体10Gは、導波管構造体10Fの第2の導波構造体40Fに代えて、第2伝搬部40gを内部に有する第2の導波構造体40Gを採用している。それ以外の構成は導波管構造体10Fと同様である。以下、導波管構造体10Gの第2の導波構造体40Gについて説明する。導波管構造体10Fの第2の導波構造体40Fでは、第2導体群44aは矩形状に配置されているのに対して、導波管構造体10Gの第2の導波構造体40Gでは、第2導体群44fの配列形状が異なる。具体的には、第2導体群44gは、第1配列導体群44g1と第2配列導体群44g2と第3配列導体群44g3とを有する。第1配列導体群44g1と第2配列導体群44g2とは互いに対向して平行に配置されている。そして、その一端441,442同士をつなぎ、この第1配列導体群44g1と第2配列導体群44g2との対向する方向に延びるように、第3配列導体群44g3が配置されている。このように配置することで、第2導体群44gの第2導体はコの字状深U字状に配置されているものとなる。そして、導波管構造体10Fの第2の導波構造体40Fでは、第2誘電体層461cの下面には伝搬孔471Bcを有する副導体層471cが配置されているのに対して、導波管構造体10Gの第2の導波構造体40Gでは、第5導体層49が配置されており、高周波信号に対する管壁となっている。このように構成することにより、伝送方向X方向において、第2誘電体46のうち第5導体層49が配置されていない側の表面が第1入出力口411a1となる。すなわち、実質的には、導体層602の伝搬孔602aが第1入出力口411a1として機能することとなる。また、第1配列群44f1と第2配列群44f2との他端443,444同士をつなぎ、第3配列群44f3に平行な面この例ではXZ平面に平行な面が、高周波信号の入出力口として機能する第2入出力口411b1となる。上述のように構成することにより、高周波信号の伝送方向をX方向からY方向に90°変換させることのできる導波管構造体10Eを提供することができる。以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の要旨から逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。例えば、上述の各実施形態に示す導波管構造体を複数個組み合わせてもよい。導波管構造体を組み合わせる例としては、例えば、2つの導波管構造体12を互いの第2入出力口41bを接続させる例が挙げられる。このような例として図28に示す導波構造体12Aを用いて説明する。導波構造体12Aは、2つの導波構造体12A1,12A2を互いの第2伝搬部40bを接続させて成る。2つの導波管構造体12A1,12A2を、XY平面を挟んで互いの第2入出力口41bを対向させるとともに対称に配置する場合には、一方の導波管構造体12A1の第1伝搬部20からX方向に順方向で入力される信号が、他方の導波管構造体12A2の第1伝搬部20からX方向に逆方向で出力される。すなわち、伝搬する高周波信号のZ方向における伝送位置厚み方向における高さ位置を変更するとともにX方向における伝送方向を180°変換することができる。すなわち、折り返しの導波管構造体を提供することができる。なお、2つの導波構造体12A1,12A2において第2伝搬部40bの一部を共有してもよい。導波管構造体12Aを図14,図15に示す導波管構造体10Dのように誘電体層を積層して構成する場合を例に検討する。図15に示すように第2伝搬部40Dにおいて誘電体層は最低3層積層することが必要である。なぜなら、第1伝搬部20C,変換部30C,第2伝搬部40Cの順に厚みを厚くする必要があるためである。ここで、2つの導波構造体12A1,12A2で第2伝搬部40bの一部を共有とすることで、単純に組み合わせた場合には6層の誘電体層を積層することが必要な構成を4層で実現することができ、導波構造体12A全体の低背化が可能となる。4層必要な理由は、2層の積層体を含む2つの変換部30を上下方向に配列する厚みが必要であるためである。2つの導波構造体12A1,12A2で第2伝搬部40bの一部を共有とすることで2つの第2伝搬部40bを誘電体層4層の積層体で構成する場合には、図28において2つの変換部30の間の間隙はなくなり、2つの変換部30が互いに接するものとなる。この場合には、Z方向で上側に位置する一方の導波構造体12A1の下側の管壁と、下側に位置する他方の導波構造体12A2の上側の管壁とが共有される。また、図28に示す構造の例では、高周波信号が入力される、導波構造体12A1の第1伝搬部20は、積層した誘電体層のうち最上層の誘電体層を一対の第一導体層が挟持して構成され、高周波信号が出力される、導波構造体12A2の第1伝搬部20は、関奏した誘電体層のうち最下層の誘電体層を一対の第1導体層が挟持して構成されているが、この組み合わせに限定されない。例えば、導波構造体12A1の第1伝搬部20は、上から2番目の誘電体層を一対の第一導体層が挟持して構成してもよいし、導波構造体12A2の第1伝搬部20は下から2番目の誘電体層を一対の第一導体層が挟持して構成してもよい。また、一方の導波管構造体12を、他方の導波管構造体12に対してXY平面において点対象に配置し、第2入出力口41b同士を接続させてもよい。このような例とし、図29に示す導波構造体12Bを例に説明する。導波構造体12Bは2つの導波構造体12B1,12B2を点対称に配置して互いの第2伝搬部40bを接続させて成る。このような構成により、一方の導波管構造体12B1の第1伝搬部20からX方向に順方向で入力される信号が、他方の導波管構造体12B2の第1伝搬部20からZ方向における高さ位置を変更してX方向に順方向で出力される。なお、2つの導波構造体12B1,12B2において第2伝搬部40bの一部を共有してもよい。導波管構造体12Bを図14,図15に示す導波管構造体10Dのように誘電体層を積層して構成する場合を例に検討する。第2伝搬部40bにおいて誘電体層は最低3層積層することが必要であるが、2つの導波構造体12B1,12B2で第2伝搬部40bの一部を共有とすることで、単純に組み合わせた場合には6層の誘電体層を積層することが必要な構成を最小では3層で実現することができ、導波構造体12A全体の低背化が可能となる。また、このような、X方向に順方向から高周波信号を入力し、Z方向における高さ位置を変えてX方向に順方向で出力する構成としては、2つの導波構造体10を用いて、互いの第1伝搬部20を接続して構成してもよい。また、いずれの組み合わせ例においても、周波数特性についてシミュレーションした結果、77~78GHzの高周波信号に対して、損失が少なく、帯域の広い伝送特性を有することを確認できた。さらに、図30に示すように、導波構造体10と導波構造体12とを互いの第2伝搬部40,40bを接続して導波構造体10Hとしてもよい。このような導波構造体10Hは、X方向から入力した信号を出力方向を90°変換させてZ方向に出力するものである。このような構成とすることにより、導波構造体12のみを用いて出力方向を90°変換させる場合に比べて、より損失を少なくし、帯域を広くすることができる。例えば、全く異なる物質で構成された導波構造体10と導波構造体12とを接続する場合等に有益である。このような例として、導波構造体10の導波部管壁で囲まれた信号伝搬部を樹脂基板で構成し、導波構造体12の導波部をアルミナで構成するものとして、周波数特性についてシミュレーションした。なお、樹脂基板の比誘電率は4とし、アルミナの比誘電率は9.4とした。その結果、樹脂基板に形成された直方体状の導波管に導波構造体12を接続して出力方向を90°変換させた場合に比べて、帯域は2倍強に広がり、透過特性S21に優れた領域の幅を著しく広くなっていることを確認した。さらに、第4~第7の実施形態では、第1の導波構造体と、第2の導波構造体と、変換構造体とが別体として構成されているが、これらの構造体は、部分的に一体的に形成されていてもよい。例えば第1誘電体層261~263、第2誘電体層361~363、および第3誘電体層461~463の各層が一体的に形成されていてもよい。また、第4~第9の実施形態では、第1~第3の誘電体を積層体で構成した例について説明したが、一体的に形成された誘電体であってもよい。また、上述の実施形態,実施例および変形例は全て、第1伝搬部,変換部,第2伝搬部が幅方向x方向,長辺側,第2方向において中心を揃えるように配置されている例について説明した。即ち、図1においてy1とy2との値が等しくなうように配置された例を用いた。しかしながら、変換部は第1伝搬部,第2伝搬部に対して第2方向で幅広になっていれば中心を揃える必要はない。例えば、図31aに示すように、一方に偏っていてもよいし、図31bに示すように、第2方向の端部を揃えるように配置してもよい。なお、図31a,bは、伝送方向と第2方向とで形成される平面の上面図である。このような例について、電磁界分布および周波数特性についてシミュレーションした。数値条件は、図31aのモデルについては、変換部310の長辺の長さは第1実施例と同じだが、y1’を0.25mm,y2’’を1.25mmとなるようにし、図31bのモデルについては、変換部320の長辺の長さを2.576とした。それ以外の数値条件は第1実施例と同様とした。その結果、両モデルとも電磁界分布がスムーズに伝搬する様子が確認でき、第1実施例と同等の周波数特性を得られることが確認できた。"