"式I[式中、R1及びR2は、同一又は実質的に同一であり、かつ分枝鎖状C440アルキル基、分枝鎖状C440アルケニル基及び分枝鎖状C440ハロアルキル基から選択されてよく、その際分枝鎖状C440アルキル基、分枝鎖状C440アルケニル基又は分枝鎖状C440ハロアルキル基は、[式中、R’は、C120アルキル基又はC120ハロアルキル基であり、Rは、R’とは異なり、C120アルキル基、C220アルケニル基及びC120ハロアルキル基から選択され、かつアスタリスクは不斉中心を示し、R1及びR2はR-又はS-配置を有する]から選択される式を有する]の化合物の鏡像異性的に富化した混合物を含む薄膜半導体であって、鏡像異性的に富化した混合物における式Iの化合物のR,R-立体異性体:S,S-立体異性体の比、又はS,S-立体異性体:R,R-立体異性体の比が、約0.8:0.2~約0.98:0.02である、薄膜半導体。前記鏡像異性的に富化した混合物が、立体異性体[式中、R’は、C16アルキル基又はC16ハロアルキル基であり、かつRは、R’とは異なり、C320アルキル基、C320アルケニル基及びC320ハロアルキル基から選択される]を含み、2つの立体異性体の相対比が、約0.8:0.2~約0.98:0.02である、請求項1に記載の薄膜半導体。前記鏡像異性的に富化した混合物が、立体異性体[式中、R’は、C16アルキル基又はC16ハロアルキル基であり、かつRは、R’とは異なり、C320アルキル基、C320アルケニル基及びC320ハロアルキル基から選択される]を含み、2つの立体異性体の相対比が、約0.8:0.2~約0.98:0.02である、請求項1に記載の薄膜半導体。前記鏡像異性的に富化した混合物が、立体異性体[式中、R’は、C16アルキル基又はC16ハロアルキル基であり、かつRは、R’とは異なり、C320アルキル基、C320アルケニル基及びC320ハロアルキル基から選択される]を含み、2つの立体異性体の相対比が、約0.8:0.2~約0.98:0.02である、請求項1に記載の薄膜半導体。前記R’が、CH3、CF3、C2H5、CH2CF3、及びC2F5から選択される、請求項2から4までのいずれか1項に記載の薄膜半導体。前記鏡像異性的に富化した混合物が、立体異性体を含み、2つの立体異性体の相対比が、約0.8:0.2~約0.98:0.02である、請求項1に記載の薄膜半導体。前記鏡像異性的に富化した混合物が、立体異性体を含み、2つの立体異性体の相対比が、約0.8:0.2~約0.98:0.02である、請求項1に記載の薄膜半導体。前記鏡像異性的に富化した混合物が、立体異性体を含み、2つの立体異性体の相対比が、約0.8:0.2~約0.98:0.02である、請求項1に記載の薄膜半導体。前記鏡像異性的に富化した混合物が、立体異性体を含み、2つの立体異性体の相対比が、約0.8:0.2~約0.98:0.02である、請求項1に記載の薄膜半導体。前記鏡像異性的に富化した混合物が、立体異性体を含み、2つの立体異性体の相対比が、約0.8:0.2~約0.98:0.02である、請求項1に記載の薄膜半導体。前記混合物におけるR,R-立体異性体:S,S-立体異性体の比、又はS,S-立体異性体:R,R-立体異性体の比が、約0.90:0.10~約0.95:0.05である、請求項1から10までのいずれか1項に記載の薄膜半導体。基材、及び該基材上に堆積させた請求項1から11までいずれか1項に記載の薄膜半導体を含む複合材。請求項1から11までいずれか1項に記載の薄膜半導体を含む、電子デバイス、光学デバイス、又は電気光学デバイス。請求項12に記載の複合材を含む、電子デバイス、光学デバイス、又は電気光学デバイス。誘電材料と接触して、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び請求項1から11までいずれか1項に記載の薄膜半導体を含む電界効果トランジスタデバイス。前記電界効果トランジスタが、トップゲートボトムコンタクト構造、ボトムゲートトップコンタクト構造、トップゲートトップコンタクト構造、及びボトムゲートボトムコンタクト構造から選択される構造を有する、請求項15に記載の電界効果トランジスタデバイス。前記誘電材料が、有機誘電材料、無機誘電材料、又は混成有機/無機誘電材料を含む、請求項15又は16に記載の電界効果トランジスタデバイス。前記電界効果トランジスタデバイスが、式Iの化合物のR,R-立体異性体とS,S-立体異性体との1:1の混合物を含む薄膜半導体を含む同一の電界効果トランジスタデバイスよりも少なくとも2倍高い電界効果移動度を呈する、請求項15から17までのいずれか1項に記載の電界効果トランジスタデバイス。"