電源系を表す簡易モデルが、電源ラインとグラウンドラインとの間の並列に接続された、スイッチングしている回路を直列に接続されたスイッチと抵抗および第1の容量でモデル化したスイッチング部モデルと、スイッチングしていない回路を第2の容量でモデル化した非スイッチング部モデルとを備え、前記半導体集積回路のトグル率の時間軸上の変化を表すトグル率時系列データを生成するステップと、前記トグル率時系列データにもとづいて前記第1の容量および前記第2の容量の容量値の時間軸上の変化を表す容量値時系列データを生成するステップと、前記簡易モデルおよび前記容量値時系列データを用いて電源ノイズの解析を行うステップとを有し、前記電源ノイズの解析を行うステップが、前記スイッチのスイッチング区間ごとに前記容量値時系列データから該当区間の容量値を取得し、前区間の過渡解析の結果を引き継ぎながら次区間の過渡解析を実行することを特徴とする電源ノイズ解析方法。前記電源ノイズの解析行うステップの解析結果にもとづいて、電源ノイズが最大である時間範囲を特定するステップと、前記電源系の詳細モデルを用いて、前記特定された時間範囲のみの高精度の電源ノイズ解析を行うステップとをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の電源ノイズ解析方法。前記電源ノイズの大きい時間範囲を特定するステップが、前記電源ノイズの大きい時間範囲に対応するトグル率変動パターンをワーストトグル率変動パターンとして前記トグル率時系列データから抽出し、前記電源ノイズ解析を行うステップが、前記ワーストトグル率変動パターンをもとに前記詳細モデルに対するスイッチングシナリオを生成し、前記スイッチングシナリオを使用して前記高精度の電源ノイズ解析を行うことを特徴とする請求項2に記載の電源ノイズ解析方法。前記簡易モデルが、前記半導体集積回路をクロック系回路と非クロック系回路とに分けてモデル化されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電源ノイズ解析方法。前記半導体集積回路が複数のクロックドメインを有する場合は、前記簡易モデルが、前記クロックドメイン単位でクロック系回路と非クロック系回路とに分けてモデル化されていることを特徴とする請求項4に記載の電源ノイズ解析方法。前記簡易モデルが、前記半導体集積回路のチップ上のレイアウトを格子状に分割してモデル化されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電源ノイズ解析方法。前記電源が複数の電源ドメインに分割されている場合は、前記簡易モデルが、前記電源ドメイン単位でモデル化されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電源ノイズ解析方法。複数の半導体集積回路がボード上で接続されている場合は、それぞれの半導体集積回路の前記簡易モデルを前記ボードの電源系ネットワークで接続し、ボードレベルでの電源ノイズ解析を行うことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電源ノイズ解析方法。そこで、本発明が解決しようとする課題は、簡易モデルを使用しても、電源ノイズを高精度かつ高速で解析することのできる電源ノイズ解析方法を提供することにある。実施形態の電源ノイズ解析方法は、スイッチング部モデルと非スイッチング部モデルとを備える簡易モデルを用い、半導体集積回路のトグル率の時間軸上の変化を表すトグル率時系列データを生成するステップと、前記トグル率時系列データにもとづいて前記簡易モデルの容量の容量値の時間軸上の変化を表す容量値時系列データを生成するステップと、前記簡易モデルおよび前記容量値時系列データを用いて電源ノイズの解析を行うステップとを有する。前記電源ノイズの解析を行うステップは、前記スイッチング部モデルのスイッチのスイッチング区間ごとに前記容量値時系列データから該当区間の容量値を取得し、前区間の過渡解析の結果を引き継ぎながら次区間の過渡解析を実行する。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図中、同一または相当部分には同一の符号を付して、その説明は繰り返さない。本発明の実施形態に係る電源ノイズ解析方法では、解析対象の半導体集積回路の電源系を簡易モデルで表す。簡易モデルは複数用意し、半導体集積回路の回路構成や解析の目的に応じて使い分ける。<第1の簡易モデル>図1に、本発明の実施形態に係る電源ノイズ解析方法で用いる第1の簡易モデルの構成の例を示す。図1に示す簡易モデル1では、電源ラインVDDとグラウンドラインGNDとの間に、半導体集積回路のスイッチングしている回路をモデル化したスイッチング部モデル11と、スイッチングしていない回路をモデル化した非スイッチング部モデル12と、電源-グラウンド間容量をモデル化した容量Cdとを、並列に接続する。スイッチング部モデル11は、直列に接続されたスイッチSWと抵抗RLおよび容量CLにより、スイッチングしている回路に流れるスイッチング電流をモデル化している。ここで、容量CLは、スイッチングする回路の全負荷容量のうち、充電される容量であり、スイッチングする回路の全負荷容量の約半分に相当する。また、抵抗RLは、スイッチング電流波形の幅を調整する抵抗である。時定数RLCLが、実際のスイッチング電流波形の半値幅と同程度となるように抵抗RLの値を調整することにより、スイッチング電流のシミュレーション波形を実際の波形に近いものとすることができる。非スイッチング部モデル12は、スイッチングしていない回路の容量を容量Cnswでモデル化している。この容量Cnswは、スイッチングしていない回路の負荷容量のうち、デカップリング容量として機能するものをモデル化したものである。スイッチングしていない回路の全負荷容量の約半分がデカップリング容量として機能する。電源-グラウンド間容量Cdは、半導体基板容量、電源配線容量およびデカップリング容量をまとめてモデル化したものである。なお、電源-グラウンド間容量Cdの容量値は回路の動作状態に関らず一定であるが、容量CLおよび容量Cnswの容量値は回路の動作状態によって変化する。また、インダクタンスLvdd、Lvssは、半導体集積回路のパッケージの寄生インダクタンスを表し、抵抗Rvdd、Rvssは、半導体集積回路のパッケージおよびチップの抵抗をまとめて表したものである。第1の実施形態図2は、本発明の第1の実施形態に係る電源ノイズ解析方法の処理の流れの例を示すフロー図である。ここでは、簡易モデル1を用いて、半導体集積回路の電源ノイズの解析を行うものとする。本実施形態では、先ず、半導体集積回路のトグル率の時間軸上の変化を表すトグル率時系列データを生成するステップS01。次に、そのトグル率時系列データにもとづいて、簡易モデル1の容量CLおよび容量Cnswの容量値の時間軸上の変化を表す容量値時系列データを生成するステップS02。ここで、チップ全体の負荷容量をCtotal、トグル率をtrとすると、容量CL、Cnswの容量値CL、Cnswは、それぞれ、CL=Ctotal×tr×0.5Cnsw=Ctotal×1-tr×0.5として、求められる。最後に、簡易モデル1および容量値時系列データを用いて電源ノイズの解析を行うステップS03。ステップS01のトグル率時系列データを生成する方法として、2つの方法がある。1つは、図3aに示すように、半導体集積回路の論理シミュレーションの実行結果から、各クロックサイクルのトグル率を抽出し、時間軸上の変化として表す方法である。2つめは、図3bに示すように、半導体集積回路の想定される動作モードに応じて、それぞれのモードにおける平均トグル率とトグル率変動範囲を設定し、各クロックサイクルのトグル率をランダムに生成する方法である。この方法では、論理シミュレーションの実行を必要としない。図4に、ステップS02で生成される容量値時系列データの例を示す。図4aは、スイッチング部モデル11の容量CLのクロックサイクル単位での容量値の変化を示し、図4bは、非スイッチング部モデル12の容量Cnswのクロックサイクル単位での容量値の変化を示す。図5は、ステップS03の電源ノイズ解析で実行される過渡解析の処理の流れの例を示すフロー図である。ここでは、1クロック周期を1区間とし、区間を表す変数をiとして、i=1~nのn区間の過渡解析を、前区間の解析結果を順次引き継ぎながら、区間単位で実行するフローを示す。処理の開始後、先ず、区間を表す変数iをi=1として初期化するステップS11。続いて、区間iの容量CL、容量Cnswの容量値をそれぞれの容量値時系列データから取得するステップS12。次に、簡易モデル1の各容量、各インダクタンスに対して、解析開始条件を設定するステップS13。解析開始条件として、容量CLの電圧は0に設定し、容量Cnsw、Cdの電圧は、区間i-1の最終時刻での電圧値に設定する。また、インダクタンスLvdd、Lvssの電流は、区間i-1の最終時刻での電流値に設定する。その後、区間iの過渡解析を実行しステップS14、その実行結果を保存するステップS15。次に、i=nであるかをチェックするステップS16。このとき、i=nでなければNO、過渡解析の実行結果から、区間iの最終時刻での各容量の電圧値、各インダクタンスの電流値を抽出しステップS17、変数iをi=i1として区間を1つ進めステップS18、ステップS12へ戻る。一方、ステップS16におけるチェックでi=nであればYES、全区間の過渡解析が終了しているので、本フローの処理は終了する。図6に、上述のフローによる電源ノイズ解析の実行例を示す。図6に示すように、本実施形態では、区間単位の電源ノイズ解析が、全区間に亘って継続して実行される。このような本実施形態によれば、半導体集積回路の電源系をスイッチング部モデル11と非スイッチング部モデル12を用いて表した簡易モデル1を用い、クロック周期を1区間として、スイッチング部モデル11の容量CLおよび非スイッチング部モデル12の容量Cnswの容量値を区間ごとに変化させながら、区間単位の電源ノイズ解析を行う。そのため、解析が進行しても回路サイズが増大することがなく、過渡解析に要するシミュレーション時間の増加を防止することができる。また、前区間の最終時刻の電圧、電流値を次区間の解析開始条件として引き継ぐので、区間ごとの過渡解析を継続して実行することができる。第2の実施形態本実施形態では、簡易モデルによる電源ノイズ解析の結果にもとづいて、より詳細な電源ノイズ解析を行う方法の例を示す。図7は、本発明の第2の実施形態に係る電源ノイズ解析方法の処理の流れの例を示すフロー図である。なお、本実施形態では、簡易モデルによる電源ノイズ解析が、図3aに示したような、半導体集積回路の論理シミュレーションの実行結果から生成されたトグル率時系列データを用いて実行されたものとする。図7に示すフローでは、先ず、簡易モデルによる過渡解析結果に対して、電源ノイズの大きさの分析を行うステップS21。続いて、その分析結果にもとづいて、図8aに示すように、電源ノイズ最大時間範囲の特定を行うステップS22。最後に、この特定された時間範囲のみ、詳細モデルを用いた専用の解析ツールによる高精度電源ノイズ解析を実行するステップS23。図8bに、高精度電源ノイズ解析の実行結果の例を示す。このような本実施形態によれば、電源ノイズが最大となる時間範囲の絞り込みに簡易モデルによる過渡解析結果を使用するので、電源ノイズが最大となる時間範囲をより正確に特定することができる。また、特定された時間範囲のみ、高精度の電源ノイズ解析を実行するので、高精度の電源ノイズ解析に要する時間を短くすることができる。第3の実施形態本実施形態では、トグル率時系列データが、図3bに示したような、ランダムに生成されたものであるときの、詳細電源ノイズ解析の実行方法の例を示す。図9は、本発明の第3の実施形態に係る電源ノイズ解析方法の処理の流れの例を示すフロー図である。図9に示すフローでも、先ず、簡易モデルによる過渡解析結果に対する電源ノイズの大きさの分析を行うステップS31。続いて、本フローでは、図10aに示すような、電源ノイズ最大時間範囲の特定を行った後、この電源ノイズ最大時間範囲に対応するワーストトグル率変動パターンをトグル率時系列データから抽出するステップS32。図10bにワーストトグル率変動パターンの抽出例を示す。次に、抽出されたワーストトグル率変動パターンに対応するスイッチングシナリオを生成するステップS33。スイッチングシナリオでは、半導体集積回路を構成する全セルに対して、そのセルが、静止状態、低レベルから高レベルへトグル、高レベルから低レベルへトグルのいずれの状態であるかを、ランダムに割り振る。最後に、このスイッチングシナリオを使用して、詳細モデルを用いた専用の解析ツールによる高精度電源ノイズ解析を実行するステップS34。このような本実施形態によれば、論理シミュレーションの実行結果がなくても、電源ノイズが大きくなるトグル率変動パターンを特定して、高精度な電源ノイズ解析を行うことができる。ここまで、簡易モデル1を例にとって、簡易モデルを用いた電源ノイズの解析方法について説明したが、次に、上述の各実施形態の電源ノイズ解析方法を適用することのできる別の簡易モデルの例を列挙し、それぞれの簡易モデルについて説明する。<第2の簡易モデル>図11に示す簡易モデル2は、半導体集積回路をクロック系回路と非クロック系回路とに分けてモデル化したものである。この簡易モデル2では、電源ラインVDDとグラウンドラインGNDとの間に、クロック系回路モデル21と、非クロック系回路モデル22とが、並列に接続されている。クロック系回路モデル21、非クロック系回路モデル22は、それぞれ、簡易モデル1と同じ構成をとる。すなわち、クロック系回路モデル21は、直列に接続されたスイッチSW1と抵抗RL1および容量CL1によりモデル化されたスイッチング部モデル11Aと、容量Cnsw1でモデル化された非スイッチング部モデル12Aにより構成される。同様に、非クロック系回路モデル22は、直列に接続されたスイッチSW2と抵抗RL2および容量CL2によりモデル化されたスイッチング部モデル11Bと、容量Cnsw2でモデル化された非スイッチング部モデル12Bにより構成される。簡易モデル2を用いて、上述の各実施形態の電源ノイズ解析を行うときは、クロック周期の1/2を1区間として過渡解析を行う。これは、クロック系回路は、クロックの立ち上りと立ち下りに同期してスイッチングすることに対応するためである。このように、クロック系と非クロック系とに分けて簡易モデル化することにより、より精度の高い電源ノイズ解析を行うことができる。<第3の簡易モデル>半導体集積回路が複数のクロックドメインを有する場合は、それぞれのクロックドメインに属する回路を上述の簡易モデル2でモデル化し、全体回路は、これらの簡易モデル2を結合させた結合簡易モデルによりモデル化する。図12は、3つのクロックドメイン1~3を有する半導体集積回路を結合簡易モデル3によりモデル化した例である。この例では、クロックドメイン1を簡易モデル2A、クロックドメイン2を簡易モデル2B、クロックドメイン3を簡易モデル2Cとしてモデル化し、簡易モデル2A、簡易モデル2B、簡易モデル2Cを並列に接続して、結合簡易モデル3を構成している。この結合簡易モデルを用いて電源ノイズの過渡解析を行う場合は、それぞれのクロックドメインで使用されるクロックのいずれかのクロックで立ち上りまたは立ち下りが発生する時刻の間を1区間として解析を行う。図13に、上述の結合簡易モデル3を用いた過渡解析における、クロック信号と解析区間の関係の例を示す。この例では、クロックドメイン1のクロック信号をCLK1、クロックドメイン2のクロック信号をCLK2、クロックドメイン3のクロック信号をCLK3とし、各クロック信号の立ち上り、立ち下りと過渡解析の区間iとの関係を示す。このように、複数のクロックドメインをクロックドメインごとに簡易モデル化することにより、各クロックドメインで使用されるクロック信号の変化に応じた精細な電源ノイズ解析を行うことができる。<第4の簡易モデル>次に、半導体チップ上のレイアウトに応じて、半導体集積回路をモデル化する例を示す。この場合、半導体チップを格子状に分割し、格子で区切られた各領域に配置された回路を簡易モデルでモデル化し、全体回路は、これらの簡易モデルを結合させた結合簡易モデルによりモデル化する。図14に、半導体集積回路チップ100を9つの領域に分け、それぞれの領域の回路を簡易モデル41~49でモデル化した例を示す。この例では、簡易モデル41~49を結合させた結合簡易モデル4により半導体集積回路全体をモデル化する。簡易モデル41~49としては、上述の簡易モデル1または簡易モデル2を用いる。このように、半導体集積回路を半導体チップ上のレイアウトに応じて簡易モデル化することにより、半導体チップ上での電源ノイズの発生状況を、より正確に解析することができる。<第5の簡易モデル>次に、半導体集積回路が複数の電源ドメインを有する場合のモデル化の例を示す。この場合、各電源ドメインに属する回路を簡易モデルでモデル化し、全体回路は、これらの簡易モデルを電源ドメイン間接続モデルを介して結合させた結合簡易モデルによりモデル化する。図15は、3つの電源ドメイン1~3を有する半導体集積回路を結合簡易モデル5によりモデル化した例である。この例では、電源電圧VDD1の電源ドメイン1に属する回路を簡易モデル51、電源電圧VDD2の電源ドメイン2に属する回路を簡易モデル52、電源電圧VDD3の電源ドメイン3に属する回路を簡易モデル53としてモデル化している。簡易モデル51と簡易モデル52を電源ドメイン間接続モデルM1により接続し、簡易モデル52と簡易モデル53を電源ドメイン間接続モデルM2により接続することにより、結合簡易モデル5は構成される。電源ドメイン間接続モデルM1は、電源ドメイン1の電源ラインVDD1と電源ドメイン2の電源ラインVDD2とを接続する抵抗Rd12と、電源ドメイン1のグラウンドラインGNDと電源ドメイン2のグラウンドラインGNDとを接続する抵抗Rs12と、を有する。同様に、電源ドメイン間接続モデルM2は、電源ドメイン2の電源ラインVDD2と電源ドメイン3の電源ラインVDD3とを接続する抵抗Rd23と、電源ドメイン2のグラウンドラインGNDと電源ドメイン2のグラウンドラインGNDとを接続する抵抗Rs23と、を有する。また、簡易モデル51~53としては、上述の簡易モデル1または簡易モデル2を用いる。このように、複数の電源ドメインを電源ドメインごとに簡易モデル化することにより、それぞれの電源ドメインの電源ラインに発生するノイズを、より正確に解析することができる。<第6の簡易モデル>最後に、複数の半導体集積回路が搭載されるボードを簡易モデル化する例を示す。この場合、各半導体集積回路を簡易モデルでモデル化し、これらの簡易モデルをボード上の電源系ネットワークモデルで結合することにより、ボードレベルの結合簡易モデルを構成する。図16は、3つの半導体集積回路1~3が搭載されるボードを結合簡易モデル6によりモデル化した例である。この例では、半導体集積回路1を簡易モデル61、半導体集積回路2を簡易モデル62、半導体集積回路3を簡易モデル63によりモデル化し、これらの簡易モデルをボード上電源系ネットワークモデルM11に接続して、結合簡易モデル6を構成している。ボード上電源系ネットワークモデルM11は、半導体集積回路1~3へ供給する電源のネットワークを、電源ライン系のインダクタンスLdb1~Ldb4と抵抗Rdb1~Rdb4、グラウンドライン系のインダクタンスLsb1~Lsb4と抵抗Rsb1~Rsb4および電源-グラウンド間容量Cb1~Cb4を用いてモデル化している。また、簡易モデル51~53としては、上述の簡易モデル1または簡易モデル2、あるいは結合簡易モデル3ないしは結合簡易モデル4を用いる。このように、半導体集積回路を、その半導体集積回路が搭載されるボードまで含めて簡易モデル化することにより、半導体集積回路のボードレベルでの電源ノイズ解析を容易に行うことができる。以上説明した少なくとも1つの実施形態の電源ノイズ解析方法によれば、簡易モデルを使用しても、電源ノイズを高精度かつ高速で解析することができる。また、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。