"多結晶原料と窒素ドープ剤とボロンドープ剤とを石英ルツボ内に同時に仕込んで加熱することで、ボロンと窒素が添加された融液とし、該融液から単結晶を引き上げる単結晶の製造方法であって、前記多結晶原料と前記窒素ドープ剤と前記ボロンドープ剤とを前記石英ルツボ内に仕込む際、前記石英ルツボ内で前記窒素ドープ剤と前記ボロンドープ剤とが水平方向に離れた配置になるように仕込むことを特徴とする単結晶の製造方法。前記窒素ドープ剤と前記ボロンドープ剤とが水平方向に離れた配置を、前記窒素ドープ剤と前記ボロンドープ剤とが前記石英ルツボの中心軸を挟んだ位置で、前記石英ルツボの半径をRとしたとき、前記窒素ドープ剤が前記石英ルツボの中心軸からR/4以上離れ、前記ボロンドープ剤が前記石英ルツボの中心軸からR/2~3R/4の範囲の配置とすることを特徴とする請求項1に記載の単結晶の製造方法。ボロンと窒素のドープ剤を両方使用する際には、両方のドープ剤をシリコン原料融液に溶かす必要があるが、ボロンドープ剤も窒素ドープ剤もそれぞれ融点が高くシリコンが1420°C、ボロンが2060°C、窒化珪素1900°C、溶けにくい。さらに悪いことに、ボロンと窒素が反応し、窒化ボロンが形成されると、3000°Cの加圧状態でないと溶けない難溶物となり、シリコン単結晶製造を阻害するものとなる。その対策方法が、特許文献1,2に開示されている。特許文献1には、いずれか一方のドープ剤を多結晶原料と共にルツボに収容して溶融させた後、該原料融液に他方のドープ剤を添加して溶融させ、その後、単結晶の育成を行う単結晶の製造方法が記載されている。特許文献2には、溶融される固形の原料が投入されるルツボ内に、窒素ドープ剤及びボロンドープ剤が互いに非接触の状態で、窒素又はボロンのいずれかが先に融液中に溶解するようにボロンドープ剤又は窒素ドープ剤が配置された原料集合体が記載されている。しかし、特許文献1の方法の場合、原料溶融のための工程時間が長くなり、特許文献2の方法の場合、仕込んだときは別々の位置にあるが、重力でそれぞれのドープ剤が下に落ちて、結局混ざり合うという問題がある。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、窒素ドープ剤とボロンドープ剤を効率的に溶かして、歩留まり良く単結晶を製造できる方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、多結晶原料と窒素ドープ剤とボロンドープ剤とを石英ルツボ内に同時に仕込んで加熱することで、ボロンと窒素が添加された融液とし、該融液から単結晶を引き上げる単結晶の製造方法であって、前記多結晶原料と前記窒素ドープ剤と前記ボロンドープ剤とを前記石英ルツボ内に仕込む際、前記石英ルツボ内で前記窒素ドープ剤と前記ボロンドープ剤とが水平方向に離れた配置になるように仕込むことを特徴とする単結晶の製造方法を提供する。このように、窒素ドープ剤とボロンドープ剤とが水平方向に離れた配置であれば、溶融中の多結晶原料が崩れる際にも互いのドープ剤が混ざることなく、窒化ボロンの形成を効果的に防止でき、かつ溶融時間のロスがない。従って、両方のドープ剤を効率的に溶かすことができるため、高いゲッタリング能力を持つ、窒素ドープした単結晶を歩留まり良く製造することができる。このとき、前記窒素ドープ剤と前記ボロンドープ剤とが水平方向に離れた配置を、前記窒素ドープ剤と前記ボロンドープ剤とが前記石英ルツボの中心軸を挟んだ位置で、前記石英ルツボの半径をRとしたとき、前記窒素ドープ剤が前記石英ルツボの中心軸からR/4以上離れ、前記ボロンドープ剤が前記石英ルツボの中心軸からR/2~3R/4の範囲の配置とすることが好ましい。このような配置であれば、溶融中に窒素ドープ剤とボロンドープ剤とが混ざり合うことをより効果的に防止でき、さらに、溶けるタイミングをほぼ同じにできるため、両方のドープ剤を効率的かつ確実に溶かすことができる。以上のように、本発明によれば、窒素ドープ剤とボロンドープ剤を多結晶原料とともに同時に効率的に溶かすことができるため、高いゲッタリング能力を持つ、窒素ドープした単結晶を生産性及び歩留まり良く製造することができる。以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図1は、CZ法により単結晶を製造する際に使用される単結晶製造装置引き上げ装置の概略図である。図1の単結晶製造装置10は、融液14を収容する石英ルツボ15や加熱ヒーター17を備えたメインチャンバー11と、融液14から引き上げた単結晶13を収容し、それを取り出すための引き上げチャンバー12とを有している。石英ルツボ15の外側には黒鉛ルツボ16が設けられ、これらは昇降を行うことができるように支持されている。石英ルツボ15の周囲には加熱ヒーター17が配設され、さらに加熱ヒーター17の外側には断熱部材18が設けられている。また、メインチャンバー11と引き上げチャンバー12との連結部近傍から融液面の近くに至るガス整流筒21が設けられており、さらにガス整流筒21の先端部に遮熱部材22が設けられている。また、メインチャンバー11の上方には、育成中の単結晶13の直径や様子を測定及び観察するための光学系装置不図示が設けられている。引き上げチャンバー12の上部には、ワイヤーまたはシャフト24により単結晶13を回転させながら引き上げる結晶引き上げ手段不図示が設置されている。また、炉内へガスを導入するためのガス導入口20と、炉内を循環したガスを排出するためのガス流出口19が設けられている。図2は、本発明の製造方法において、多結晶原料を加熱して溶融する際のフロー図である。上記のような装置10を用いて単結晶を製造する際には、まず、図2aに示すように、石英ルツボ15内に多結晶原料27、窒素ドープ剤25、ボロンドープ剤26を同時に仕込む。この際、本発明では、石英ルツボ15内で窒素ドープ剤25とボロンドープ剤26とが水平方向に離れた配置になるように仕込む。そして、加熱ヒーター17により加熱することで、図2b-dのように多結晶原料27、窒素ドープ剤25、ボロンドープ剤26が溶融され、ボロンと窒素が添加された融液14とすることができる。本発明では、窒素ドープ剤とボロンドープ剤を水平方向に離して仕込むため、図2b-dのように原料多結晶が溶融して崩れても、両ドープ剤は重力で下方に移動するため、両ドープ剤が互いに接触することを効果的に防止できる。これにより、溶融時間を延長することなく難溶物である窒化ボロンの形成を防止でき、効率的かつ確実にドープ剤を溶融することができる。このように石英ルツボ15へ仕込む際、図2aに示すように、窒素ドープ剤25とボロンドープ剤26とが石英ルツボ15の中心軸を挟んだ位置で、石英ルツボ15の半径をRとしたとき、窒素ドープ剤25が石英ルツボ15の中心軸からR/4以上離れ、ボロンドープ剤26が石英ルツボの中心軸からR/2~3R/4の範囲の配置とすることが好ましい。このように、ドープ剤を石英ルツボの中心部ではなく周辺部に配置することで、加熱ヒーターに近くなり高温になるため、多結晶原料より融点が高いドープ剤をより効率的に溶融できる。また、石英ルツボの中心軸を挟んだ位置で配置されれば、両ドープ剤を確実に離して仕込むことができ、溶融中の接触を確実に防止できる。さらに、両ドープ剤が、石英ルツボの内径の半径Rを基準として上記範囲の配置であれば、効率的に溶融するとともに、より融点の高いボロンドープ剤を確実に加熱ヒーター近くに配置でき、両ドープ剤をほぼ同じタイミングで確実に溶かすことができる。ただし、本発明における配置は上記に限定されず、例えば図3に示すように、窒素ドープ剤25を石英ルツボ15の中心部中心軸周りR/4以内の範囲に配置して、より高融点のボロンドープ剤26を周辺部R/2~3R/4の範囲に配置することもできる。なお、両ドープ剤は水平方向に離れて配置されていればよく、上下方向の高さ位置はずれていてもよいが、高さ位置は同じで、上記のように水平方向の配置で溶融のタイミングを調節する方が簡便である。本発明で用いるボロンドープ剤としては、特に限定されず、例えば、金属ボロンエレメント、ボロン含有シリコン等を用いることができる。窒素ドープ剤としても特に限定されず、窒化珪素の粉末、窒素ドープFZ結晶、窒化珪素膜を形成したシリコンウェーハ等を用いることができる。上記のような溶融工程の後、単結晶13の育成の際には、上方より静かにワイヤー24を下降させ、ワイヤー24に保持された、円柱または角柱状の種結晶23を融液面に着液融着させる。次いで、種結晶23を回転させながら上方に静かに引き上げて徐々に直径を細くするネッキングを行った後、引上げ速度と温度等を調整して絞り部分を拡径し、単結晶13のコーン部の育成に移行する。コーン部を所定の直径まで拡径した後、再度引上げ速度と融液温度を調整して所望直径の直胴部の育成に移る。なお、単結晶13の成長に伴い融液14が減って融液面が下がるので、ルツボ15、16を上昇させることで融液面のレベルを一定に保ち、育成中の単結晶13が所定の直径となるように調整される。また、操業中は、チャンバー11,12内に、例えばアルゴンガスをガス導入口20から導入しながら、ガス流出口19から排出して、アルゴンガス雰囲気で単結晶の育成が行われる。以上のような本発明の製造方法であれば、特別な技術が不要で、溶融時間のロスがなく、効率的にドープ剤を溶融することができる。従って、ドープ剤の溶け残りによる有転位化等を防止でき、生産性が高くかつ歩留まり良く、ボロンと窒素がドープされた高品質の単結晶を製造できる。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例図1に示すような装置を用いて直径300mmの結晶を製造するために、直径32インチ81.28cmの石英ルツボに360kgの多結晶原料を充填した。この際、ドープ剤として、窒化膜付シリコンウェーハ及びボロン含有シリコン合金を使用した。チャージ窒素濃度は、結晶TOP側で3×1013atoms/cm3となるように投入した。また、ボロン濃度は、結晶TOP側で2Ωcmとなるように投入した。このとき、窒化膜ウェーハおよびボロンドープ剤を、図2aに示すように、石英ルツボの周辺部に、同じ高さ位置で水平方向に離して仕込んだ。窒化膜ウェーハとボロンドープ剤は、円周方向の中心に対して対象な位置とした。これにより、融けるタイミングは同じとなった。そして、上記の多結晶原料及びドープ剤を加熱、溶融して、得られた融液から単結晶を製造した。比較例1実施例と同様に、ただし図4aに示すように窒化膜ウェーハ102とボロンドープ剤100を、多結晶原料101の中央部に重ねるように仕込み、そのまま溶融を行った図4b-d。その後、実施例と同様に単結晶を製造した。比較例2実施例と同様に、ただし図5aに示すように窒化膜ウェーハ102のみ多結晶原料101の中央部に仕込み、そのまま溶融を行い図5b-c、溶融終了後にボロンドープ剤100を投入した図5d。その後、実施例と同様に単結晶を製造した。比較例3実施例と同様に、ただし図6aに示すように、多結晶原料101の中に、ボロンドープ剤100を下に、窒化膜ウェーハ102を上に接触しないように仕込み、別々のタイミングで融かす溶融を行った図6b-d。その後、実施例と同様に単結晶を製造した。上記の製造について、溶融時間、結晶1本製造するにあたり有転位の回数、及び結晶の生産性を評価して比較した結果を表1に示す。結果は、比較例1を1として相対値で示してある。比較例1-3に比べ、実施例では難溶物による有転位化回数は抑制されている。また、実施例では比較例2に比べて溶融時間による時間ロスはなかった。従って、溶融時間ロス及び有転位化による再種付けのための時間ロス、もしくは、そのまま製造を中断することによる歩留ロスを総合して評価した結果、実施例における生産性が最も良かった。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"