SiO2を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、Bボロンを10~1000wtppm含有することを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、Crが20mol以下、SiO2が1mol以上20mol以下、残部がCoからなることを特徴とする請求項1記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、Crが20mol以下、Ptが1mol以上30mol以下、SiO2が1mol以上20mol以下、残部がCoからなることを特徴とする請求項1記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、Feが50mol以下、Ptが50mol以下、残部がSiO2からなることを特徴とする請求項1記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、さらに、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、Wから選択した1元素以上を0.5mol以上10mol以下含有することを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、さらに、炭素、酸化物SiO2は除く、窒化物、炭化物から選択した1種以上を含有することを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。相対密度が97以上であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。CoとBを溶解してインゴットを作製し、そのインゴットを最大粒径20μm以下に粉砕した後、得られた粉末を磁性金属粉末原料と混合し、その混合粉末を焼結温度1200°C以下で焼結することを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法。B2O3を溶解させた水溶液にSiO2粉末を添加し、SiO2粉末の表面にB2O3を析出させた後、得られた粉末を磁性金属粉末原料と混合し、その混合粉末を焼結温度1200°C以下で焼結することを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法。B2O3を溶解させた水溶液にSiO2粉末を添加し、SiO2粉末の表面にB2O3を析出させ、これを200°C~400°Cで仮焼した後、得られた粉末を磁性金属粉末原料と混合し、その混合粉末を焼結温度1200°C以下で焼結することを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法。磁気記録膜用スパッタリングターゲットには、強磁性合金と非磁性の無機物からなる複合材料が多く用いられ、無機物としてSiO2を添加することが行なわれている。しかし、SiO2を添加したターゲットでは、スパッタリング中にパーティクルが多量に発生し、バーンイン時間も長くなるという問題が生じた。添加するSiO2原料としては、無定形アモルファスのものを使用しており、高出力のスパッタリングにおいて、スパッタ割れは発生しないが、焼結中にクリストバライト化しやすく、これが原因となってパーティクルが発生するという問題があった。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、磁気記録膜用スパッタリングターゲットにSiO2の添加に加え、10wtppm以上のBを添加する工夫を行った。すなわち、スパッタリング時のパーティクル発生の原因となるクリストバライトの形成を抑制することにより、ターゲットにマイクロクラック及びスパッタリング中のパーティクル発生を抑制し、かつバーンイン時間の短縮化が可能であることが分かった。このような知見に基づき、本発明は、1SiO2を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、Bボロンを10~1000wtppm含有することを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット、を提供する。2前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、Crが20mol以下、SiO2が1mol以上20mol以下、残部がCoからなることを特徴とする上記1記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット、3前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、Crが20mol以下、Ptが1mol以上30mol以下、SiO2が1mol以上20mol以下、残部がCoからなることを特徴とする上記1記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット、4前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットが、Feが50mol以下、Ptが50mol以下、残部がSiO2からなることを特徴とする上記1記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット、を提供する。5また、添加元素として、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、Wから選択した1元素以上を、0.5mol以上10mol以下含有することを特徴とする上記1~4のいずれかに記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット、6さらに、添加材料として、炭素、SiO2を除く酸化物、窒化物、炭化物から選択した1成分以上の無機物材料を含有することを特徴とする上記1~5のいずれか一に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット、を提供する。7本発明は、相対密度が97以上であることを特徴とする上記1~6のいずれかに記載の強磁性材スパッタリングターゲット、を提供する。8また、CoとBを溶解してインゴットを作製し、そのインゴットを最大粒径20μm以下に粉砕した後、得られた粉末を磁性金属粉末原料と混合し、その混合粉末を焼結温度1200°C以下で焼結することを特徴とする上記1~7のいずれかに記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法、9さらに、B2O3を溶解させた水溶液にSiO2粉末を添加し、SiO2粉末の表面にB2O3を析出させた後、得られた粉末を磁性金属粉末原料と混合し、その混合粉末を焼結温度1200°C以下で焼結することを特徴とする上記1~7のいずれかに記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法、を提供するものである。10さらに、B2O3を溶解させた水溶液にSiO2粉末を添加し、SiO2粉末の表面にB2O3を析出させ、これを200°C~400°Cで仮焼した後、得られた粉末を磁性金属粉末原料と混合し、その混合粉末を焼結温度1200°C以下で焼結することを特徴とする上記1~7のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法。このように調整した本発明の磁気記録膜用スパッタリングターゲットターゲットは、ターゲットのマイクロクラックの発生を抑制すると共に、スパッタリング中のパーティクル発生を抑制し、かつバーンイン時間の短縮化が可能であるという優れた効果を有する。このようにパーティクル発生が少ないので、磁気記録膜の不良率が減少し、コスト低減化になるという大きな効果を有する。また、前記バーンイン時間の短縮化は、生産効率の向上に大きく貢献するものである。本発明の磁気記録膜用スパッタリングターゲットは、SiO2を含有する強磁性合金からなり、Bボロンを10~1000wtppm含有することを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲットである。すなわち、結晶化したSiO2であるクリストバライトを無くすか、又は極力減少させた磁気記録膜用スパッタリングターゲットである。磁気記録膜用スパッタリングターゲットには、強磁性合金と非磁性の無機物からなる複合材料が多く用いられ、無機物としてSiO2を添加することが行なわれている。しかしながら、このSiO2がターゲット中で結晶化したクリストバライトとして存在すると、ターゲットの昇温又は降温過程この温度はおよそ270°C程度において、相転移による体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生する原因となる。これは結果として、スパッタリング中のパーティクル発生の原因となる。したがって、結晶化したクリストバライトを発生させず、非晶質SiO2としてターゲット中に存在させるのが有効である。非晶質SiO2のクリストバライト化を防ぐためには、焼結温度を下げることが考えられる。しかし、焼結温度を下げると、それに伴ってターゲット密度が低下するという問題がある。そこで、本発明者らは、クリストバライトが発生しない低温でも十分に高い密度を持って焼結できる方法として、SiO2にBボロンを固溶させることによって、SiO2の軟化点を下げられることを見出した。Bボロンを含有させる量としては、10~1000wtppmが望ましい。10wtppm未満であると、SiO2の軟化点を十分に下げられないからであり、一方、1000wtppmを超えると、酸化物が大きく成長しやすくなり、逆にパーティクルが増加するからである。さらに好ましい含有量は、10~300wtppmである。上記のように、磁気記録膜用スパッタリングターゲットとしては、磁性材料に特に制限はないのであるが、Crが20mol以下、SiO2が1mol以上20mol以下、残余がCoである磁気記録膜用スパッタリングターゲット、また、Crが20mol以下、Ptが1mol以上30mol以下、SiO2が1mol以上20mol以下、残余がCoである磁気記録膜用スパッタリングターゲット、さらに、Feが50mol以下、Ptが50mol以下、残余がSiO2である磁気記録膜用スパッタリングターゲットに有用である。これらは、磁気記録媒体として必要とされる成分であり、配合割合は上記範囲内で様々であるが、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。この場合も、ターゲット中に結晶化したクリストバライトを発生させず、非晶質SiO2としてターゲット中に存在させる必要がある。なお、前記Crを必須成分として添加する場合には、Cr含有量0molを除く。すなわち、少なくとも分析可能な下限値以上のCr量を含有させるものである。Cr量が20mol以下であれば、微量添加する場合においても効果がある。本願発明は、これらを包含する。これらは、磁気記録媒体として必要とされる成分であり、配合割合は上記範囲内で様々であるが、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。この他、添加元素として、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、Wから選択した1元素以上を、0.5mol以上10mol以下含有させた上記の磁気記録膜用スパッタリングターゲットに有効である。前記添加元素は、磁気記録媒体としての特性を向上させるために、必要に応じて添加される元素である。さらに添加材料として、炭素、SiO2を除く酸化物、窒化物、炭化物から選択した1成分以上の無機物材料を含有する前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットに有効である。このような磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造に際しては、焼結中にSiO2の近傍にBボロンが存在することが有効である。Bを添加する方法としては、原料粉末として、Co-B粉末を使用する方法、又、Bを析出させたSiO2粉末を使用する方法が有効である。この原料粉末と磁性金属粉末原料とを混合し、焼結温度を1200°C以下で焼結する。この焼結温度の低温化は、SiO2の結晶化を抑制するのに有効である。また、高純度のSiO2を使用することにより、さらに結晶化を抑制することが可能となる。この意味で、4N以上、さらには5N以上の高純度のSiO2を使用することが望ましい。以下に製造方法の詳細を説明するが、この製造方法は、代表的かつ好適な例を示すものである。すなわち、本発明は以下の製造方法に制限するものではなく、他の製造方法であっても、本願発明の目的と条件を達成できるものであれば、それらの製造法を任意に採用できることは容易に理解されるであろう。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製することができる。まず、Bを添加した原料粉末を用意する。Bを添加した原料粉末を得る方法としては、1CoとBを溶解したインゴットを作製し、得られたインゴットを粉砕してCo-B粉末を得る方法、2B2O3水溶液にSiO2粉末を投入し、これを乾燥してSiO2粉末の表面にB2O3を析出させた粉末を得る方法がある。2においては、さらに、B2O3を析出させたSiO2粉末を、200~400°Cで5時間仮焼することができる。これにより、B2O3とSiO2の固溶を促進することができる。次に、各金属元素、必要に応じてSiO2、さらに必要に応じて添加金属元素の粉末を用意する。これらの粉末は最大粒径が20μm以下のものを用いることが望ましい。また、各金属元素の粉末の代わりに、これら金属の合金粉末を用意してもよいが、その場合も最大粒径が20μm以下とすることが望ましい。一方、小さ過ぎると、酸化が促進されて成分組成が範囲内に入らないなどの問題があるため、0.1μm以上とすることがさらに望ましい。そして、これらの金属粉末を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。無機物粉末を添加する場合は、この段階で金属粉末と混合すればよい。無機物粉末としては炭素粉末、SiO2以外の酸化物粉末、窒化物粉末または炭化物粉末を用意するが、無機物粉末は最大粒径が5μm以下のものを用いることが望ましい。一方、小さ過ぎると凝集しやすくなるため、0.1μm以上のものを用いることがさらに望ましい。また、ミキサーとしては、遊星運動型ミキサーあるいは遊星運動型攪拌混合機であることが好ましい。さらに、混合中の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。このようにして得られた粉末を、真空ホットプレス装置を用いて成型焼結し、所望の形状へ切削加工することで、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットが作製される。この場合、上記の通り、焼結温度を1200°C以下で焼結する。この焼結温度の低温化は、SiO2の結晶化を抑制するのに必要な温度である。また、成型焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、900~1200°Cの温度範囲とするのが良い。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例1、2、比較例1実施例1、2では、平均粒径5μmのCo-B粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が83Co-12Cr-5SiO2molとなるように、Co-B粉末、Cr粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、100wtppm実施例1、300wtppm実施例2、0wtppm比較例1とした。次に、Co-B粉末とCr粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。比較例1では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が83Co-12Cr-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bは添加しなかった。次に、Co粉末とCr粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、ホットプレス後の相対密度は、実施例1では97.81、実施例2では98.68であり、比較例1の96.20に比べて高密度のターゲットが得られた。また、このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は、実施例1では3個、実施例2では5個であり、比較例1の25個より減少していることが確認された。このように、Bを10wtppm以上添加した場合には、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例3~5、比較例2実施例3~5では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が83Co-12Cr-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、SiO2粉末を秤量した。Bの含有量を21wtppm実施例3、70wtppm実施例4、610wtppm実施例5とした。次に、Co粉末、Cr粉末、B2O3が表面に析出したSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。比較例2では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が83Co-12Cr-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、SiO2粉末を秤量した。Bの含有量を7wtppmとした。次に、Co粉末、Cr粉末、B2O3が表面に析出したSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°C実施例5のみ930°Cとした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、ホットプレス後の相対密度は、実施例3では97.51、実施例4では98.02、実施例5では97.53であり、比較例2の96.22に比べて高密度のターゲットが得られた。また、このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は、実施例3では4個、実施例4では3個、実施例5では4個であり、比較例2の22個より減少していることが確認された。このように、Bを10wtppm以上添加した場合には、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例6実施例6では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意し、このSiO2粉を300°C、5時間で仮焼した。これらの粉末をターゲット組成が83Co-12Cr-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、SiO2粉末を秤量した。Bの含有量を70wtppmとした。次に、Co粉末とCr粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。ホットプレス後の相対密度は、98.58となった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2個であった。このように、B2O3を析出させたSiO2を仮焼すると、B2O3とSiO2の固溶が促進され、更に高密度のターゲットを得られ、また、スパッタ時のパーティクル発生数は少ない結果となった。実施例7、比較例3実施例7では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が78Co-12Cr-5Pt-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、70wtppmとした。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。比較例3では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉末、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が78Co-12Cr-5Pt-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bは添加しなかった。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、ホットプレス後の相対密度は、実施例7では98.51あり、比較例3の96.34に比べて高密度のターゲットが得られた。また、このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は、実施例7では2個であり、比較例3の23個より減少していることが確認された。このように、Bを10wtppm以上添加した場合には、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例8、比較例4実施例8では、平均粒径7μmのFe粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が45Fe-45Pt-10SiO2molとなるように、Fe粉末、Pt粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、70wtppmとした。次に、Fe粉末とPt粉末とB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。比較例4では、平均粒径7μmのFe粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が45Fe-45Pt-10SiO2molとなるように、Fe粉末、Pt粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bは添加しなかった。次に、Fe粉末とPt粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、ホットプレス後の相対密度は、実施例8では97.89あり、比較例4の95.12に比べて高密度のターゲットが得られた。また、このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は、実施例8では3個であり、比較例4の31個より減少していることが確認された。このように、Bを10wtppm以上添加した場合には、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例9、比較例5実施例9では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が78Co-12Pt-10SiO2molとなるように、Co粉末、Pt粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、70wtppmとした。次に、Co粉末とPt粉末とB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。比較例5では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径2μmのPt粉末、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が78Co-12Pt-10SiO2molとなるように、Co粉末、Pt粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bは添加しなかった。次に、Co粉末とPt粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、ホットプレス後の相対密度は、実施例9では97.67あり、比較例5の95.21に比べて高密度のターゲットが得られた。また、このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は、実施例9では3個であり、比較例5の32個より減少していることが確認された。このように、Bを10wtppm以上添加した場合には、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例10、比較例6実施例10では、平均粒径7μmのFe粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉、平均粒径0.05μmのC粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が38Fe-38Pt-9SiO2-15Cmolとなるように、Fe粉末、Pt粉末、SiO2粉末、C粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。次に、Fe粉末とPt粉末とB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉末とC粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。比較例6では、平均粒径7μmのFe粉、平均粒径2μmのPt粉末、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉、平均粒径0.05μmのC粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が38Fe-38Pt-9SiO2-15Cmolとなるように、Fe粉末、Pt粉末、SiO2粉末、C粉末を秤量した。また、Bは添加しなかった。次に、Fe粉末とPt粉末とSiO2粉末とC粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、ホットプレス後の相対密度は、実施例10では97.51あり、比較例6の94.30に比べて高密度のターゲットが得られた。また、このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は、実施例10では30個であり、比較例6の150個より減少していることが確認された。このように、Bを10wtppm以上添加した場合には、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例11、比較例7実施例11では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのTiO2粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉、平均粒径0.5μmのCr2O3粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が68Co-10Cr-12Pt-2TiO2-4SiO2-4Cr2O3molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、Cr2O3粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とTiO2粉末とB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉末とCr2O3粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度950°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。比較例7では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉末、平均粒径1μmのTiO2粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉、平均粒径0.5μmのCr2O3粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が68Co-10Cr-12Pt-2TiO2-4SiO2-4Cr2O3molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、Cr2O3粉末を秤量した。また、Bは添加しなかった。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とTiO2粉末とSiO2粉末とCr2O3粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度950°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、ホットプレス後の相対密度は、実施例11では97.65あり、比較例7の96.47に比べて高密度のターゲットが得られた。また、このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は、実施例11では2個であり、比較例7の13個より減少していることが確認された。このように、Bを10wtppm以上添加した場合には、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例12、比較例8実施例12では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉、平均粒径1μmのTa2O5粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が65Co-10Cr-15Pt-5SiO2-5Ta2O5molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、SiO2粉末、Ta2O5粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉末とTa2O5粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1000°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。比較例8では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉末、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉、平均粒径1μmのTa2O5粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が65Co-10Cr-15Pt-5SiO2-5Ta2O5molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、SiO2粉末、Ta2O5粉末を秤量した。また、Bは添加しなかった。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とSiO2粉末とTa2O5粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1000°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、ホットプレス後の相対密度は、実施例12では97.85あり、比較例8の96.56に比べて高密度のターゲットが得られた。また、このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は、実施例12では3個であり、比較例8の21個より減少していることが確認された。このように、Bを10wtppm以上添加した場合には、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例13、比較例9実施例13では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのTiO2粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉、平均粒径1μmのCoO粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が71Co-8Cr-12Pt-3TiO2-3SiO2-3CoOmolとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、CoO粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とTiO2粉末とB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉末とCoO粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度900°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。比較例9では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉末、平均粒径1μmのTiO2粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉、平均粒径1μmのCoO粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が71Co-8Cr-12Pt-3TiO2-3SiO2-3CoOmolとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、CoO粉末を秤量した。また、Bは添加しなかった。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とTiO2粉末とSiO2粉末とCoO粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度900°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、ホットプレス後の相対密度は、実施例13では97.34あり、比較例9の95.56に比べて高密度のターゲットが得られた。また、このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は、実施例13では3個であり、比較例9の25個より減少していることが確認された。このように、Bを10wtppm以上添加した場合には、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例14、比較例10実施例14では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径5μmのRu粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が66Co-12Cr-14Pt-3Ru-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ru粉、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とRu粉末とB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。比較例10では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉末、平均粒径5μmのRu粉末、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が66Co-12Cr-14Pt-3Ru-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ru粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bは添加しなかった。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とRu粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、ホットプレス後の相対密度は、実施例14では98.40あり、比較例10の96.25に比べて高密度のターゲットが得られた。また、このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は、実施例14では2個であり、比較例10の24個より減少していることが確認された。このように、Bを10wtppm以上添加した場合には、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例15、比較例11実施例15では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径5μmのTi粉、平均粒径70μmのV粉、平均粒径50μmのCo-Mn粉、平均粒径30μmのZr粉、平均粒径20μmのNb粉、平均粒径1.5μmのMo粉、平均粒径4μmのW粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が66Co-10Cr-12Pt-1Ti-1V-1Mn-1Zr-1Nb-1Mo-1W-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ti粉、V粉、Co-Mn粉、Zr粉、Nb粉、Mo粉、W粉、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とTi粉末とV粉末とCo-Mn粉末とZr粉末とNb粉末とMo粉末とW粉末とB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1000°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。比較例11では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉末、平均粒径5μmのTi粉、平均粒径70μmのV粉、平均粒径50μmのCo-Mn粉、平均粒径30μmのZr粉、平均粒径20μmのNb粉、平均粒径1.5μmのMo粉、平均粒径4μmのW粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が66Co-10Cr-12Pt-1Ti-1V-1Mn-1Zr-1Nb-1Mo-1W-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ti粉、V粉、Co-Mn粉、Zr粉、Nb粉、Mo粉、W粉、SiO2粉末を秤量した。また、Bは添加しなかった。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とTi粉末とV粉末とCo-Mn粉末とZr粉末とNb粉末とMo粉末とW粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1000°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、ホットプレス後の相対密度は、実施例15では97.46あり、比較例11の95.86に比べて高密度のターゲットが得られた。また、このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は、実施例15では8個であり、比較例11の25個より減少していることが確認された。このように、Bを10wtppm以上添加した場合には、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例16、比較例12実施例16では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径1μmのSiN粉、平均粒径1μmのSiC粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が71Co-10Cr-12Pt-1SiN-1SiC-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、SiN粉、SiC粉、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とSiN粉末とSiC粉末とB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。比較例12では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉末、平均粒径1μmのSiN粉末、平均粒径1μmのSiC粉末、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が71Co-10Cr-12Pt-1SiN-1SiC-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、SiN粉末、SiC粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bは添加しなかった。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とSiN粉末とSiC粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、ホットプレス後の相対密度は、実施例16では97.57あり、比較例12の96.24に比べて高密度のターゲットが得られた。また、このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は、実施例16では2個であり、比較例12の19個より減少していることが確認された。このように、Bを10wtppm以上添加した場合には、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例17、比較例13実施例17では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉、平均粒径20μmのTa粉、平均粒径1μmのB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が66Co-12Cr-14Pt-3Ta-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ta粉、SiO2粉末を秤量した。また、Bの含有量を、300wtppmとした。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とTa粉末とB2O3が表面に析出した非晶質SiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。比較例13では、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径2μmのPt粉末、平均粒径20μmのTa粉末、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が66Co-12Cr-14Pt-3Ta-5SiO2molとなるように、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ta粉末、SiO2粉末を秤量した。また、Bは添加しなかった。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とTa粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1040°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1200°C以下の温度とした、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工し、相対密度を測定した。この結果を表1に示す。表1に示すとおり、ホットプレス後の相対密度は、実施例17では98.15あり、比較例13の96.33に比べて高密度のターゲットが得られた。また、このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は、実施例17では2個であり、比較例13の23個より減少していることが確認された。このように、Bを10wtppm以上添加した場合には、高密度のターゲットが得られ、パーティクル発生数は少ない結果となった。