"らせん状軟磁性ナノ結晶ストリップで作製される低周波用途向け磁心であって、前記ストリップが下記合金組成を有し、FeRestCoaCubNbcSidBeCf式中、a、b、c、d、eおよびfは原子百分率で表され、0≦a≦1;0.7≦b≦1.4;2.5≦c≦3.5;14.5≦d≦16.5;5.5≦e≦8および0≦f≦1であり、コバルトを全体的または部分的にニッケルに置き換えることができ、磁心がλs<2ppmの飽和磁歪λs、μ1>100000の初透磁率μ1、およびμmax>400000の最大透磁率μmaxを有し、封止金属酸化物コーティングが前記ストリップの表面に設けられている、磁心。請求項1に記載の磁心であって、前記酸化物コーティングが、酸化マグネシウムおよび/または酸化ジルコニウムおよび/またはBe、Al、Ti、V、Nb、Ta、Ce、Nd、Gd、第2および第3の主族のさらなる元素、および希土類金属群のさらなる元素の群から選択される元素の酸化物を含有する、磁心。請求項1または2に記載の磁心であって、μmax>500000、好ましくはμmax>600000の最大透磁率μmaxを有する、磁心。請求項1から3のいずれか一項に記載の磁心であって、μ1>150000、好ましくはμ1>200000の初透磁率μ1を有する、磁心。請求項1から4のいずれか一項に記載の磁心であって、λs<1ppm、好ましくはλs<0.5ppmの飽和磁歪λsを有する、磁心。請求項1から5のいずれか一項に記載の磁心であって、前記ストリップがd<24μm、好ましくはd<21μmのストリップ厚さdを有する、磁心。請求項1から6のいずれか一項に記載の磁心であって、前記ストリップがRaeff<7、好ましくはRaeff<5の有効粗さRaeffを有する、磁心。請求項1から7のいずれか一項に記載の磁心であって、前記ストリップの全半金属含有量がcdef>22.5原子、好ましくはcdef>23.5原子である、磁心。請求項1から8のいずれか一項に記載の磁心であって、残留磁気比BR/BSがBR/BS>70である、磁心。請求項1から9のいずれか一項に記載の磁心であって、感圧接着剤を用いて、または、前記磁心の端面の一方または両方に設置される弾性材料製の緩衝リングを用いて保護槽に固定される、磁心。請求項1から9のいずれか一項に記載の磁心であって、ストリップ層をその端面の一方または両方で固定する流動床エポキシ層を有する、磁心。請求項1から11のいずれか一項に記載の磁心を備える残留電流デバイス。らせん状軟磁性ナノ結晶ストリップから低周波用途向け磁心を製造するための方法であって、前記ストリップが下記合金組成を有し、FeRestCoaCubNbcSidBeCf式中、a、b、c、d、eおよびfは原子百分率で表され、0≦a≦1;0.7≦b≦1.4;2.5≦c≦3.5;14.5≦d≦16.5;5.5≦e≦8および0≦f≦1であり、コバルトを全体的または部分的にニッケルに置き換えることができ、前記ストリップには、金属酸化物溶液および/または金属を有するアセチル-アセトン-キレート錯体によるコーティングが備えられ、前記コーティングにより、後に続く前記ストリップのナノ結晶化のための熱処理中に、封止金属酸化物コーティングが形成され、前記ストリップの前記ナノ結晶化のための熱処理において、飽和磁歪λsが|λs|<2ppmに設定される、方法。請求項13に記載の方法であって、Mg、Zr、Be、Al、Ti、V、Nb、Ta、Ce、Nd、Gd、第2および第3の主族のさらなる元素、および希土類金属群のさらなる元素の群から選択される元素が、前記コーティング用の金属として使用される、方法。請求項13または14に記載の方法であって、熱処理プロセスにおいて、飽和磁歪λsが|λs|<1ppm、好ましくは|λs|<0.5ppmに設定される、方法。請求項13から15のいずれか一項に記載の方法であって、前記熱処理が、連続アニーリングプロセスにおいて積層していない磁心に無磁場で行われる、方法。請求項16に記載の方法であって、前記積層していない磁心が、前記連続アニーリングプロセスにおいて熱伝導率が優れているキャリア上に設置される、方法。請求項16または17に記載の方法であって、前記磁心が、前記熱処理プロセスにおいて以下の温度ゾーンを通過する、方法:前記磁心が結晶化温度まで加熱される第1の加熱ゾーン;温度が前記結晶化温度をわずかに上回る一定またはわずかに上昇する減衰ゾーンであって、この減衰ゾーンの通過は少なくとも10分間続くゾーン;ナノ結晶構造を設けるための熟成温度まで前記磁心が加熱される第2の加熱ゾーン;及び実質的に一定の熟成温度Txが540°C~600°Cである熟成ゾーンであって、この熟成ゾーンの通過は少なくとも15分間続くゾーン。請求項16から18のいずれか一項に記載の方法であって、前記熱処理が、露点TP<-25°CまたはTP<-49.5°CであるH2、N2および/またはArの不活性気体雰囲気中で行われる、方法。請求項13から19のいずれか一項に記載の方法であって、前記ストリップが斜め下方に巻かれる、方法。したがって本発明は、上記従来技術をさらに改善し、またRCD向けの最大透磁率を有し、さらには工業規模で効率的に製造することができるナノ結晶環状ストリップ磁心を合金系Fe1-aMa100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzM’αMβXγから提供するという課題に基づく。これに関連して、Ma=Co、Ni;0≦a≦0.5であり、0.1≦x≦30≦y≦300≦z≦250.1≦α≦300≦β≦100≦γ≦10であり、M’=Nb、W、Ta、Zr、Hf、Ti、MoM’’=V、Cr、Mn、Al、Pt、Ni、Pd、Y、La、希土類金属、Au、Zn、Sn、ReX=C、Ge、P、Ga、Sb、In、Be、Asであり、値はすべて原子百分率で表している。本発明はさらに、工業規模の製造において効率的に使用することができるこのような環状ストリップ磁心を製造するための方法を特定する問題に基づいている。本発明によれば、この問題は、独立請求項の対象によって解決される。本発明の有利なさらなる改善により、従属請求項の対象が形成される。これら合金の出発材料は、融解紡糸技術を用いて、非晶質ストリップとしてまず製造される。この材料から巻いた環状ストリップ磁心を熱処理し、非晶質状態を、飛び抜けた軟磁性を有するナノ結晶二相構造に変換する。1mA/cm~50mA/cm超の広い磁場強度範囲にわたって工業規模で最大透磁率値を得るための重要な前提条件が、|λs|<6ppm、好ましくは|λs|<2.5ppm、さらに好ましくは|λs|<1ppm、の値まで磁歪飽和磁歪を最小限に抑えることである。このために、一方では合金のスペクトルを制限しなければならず、他方熱処理過程では、結晶化温度を、ナノ粒子の生成および熟成のために合金特異的に適合させなければならず、低磁歪または負磁歪成分を有するナノ結晶相の体積分率は顕著であるため、非晶質残留相の高い正磁歪成分が可能な限り補償されるようにしている。本発明の一態様によれば、低周波用途向け磁心は、らせん状軟磁性ナノ結晶ストリップで作製され、このストリップは下記合金組成を有する。FeRestCoaCubNbcSidBeCf式中、a、b、c、d、eおよびfは原子百分率で表され、0≦a≦1;0.7≦b≦1.4;2.5≦c≦3.5;14.5≦d≦16.5;5.5≦e≦8および0≦f≦1であり、コバルトを全体的または部分的にニッケルに置き換えることができ、磁心は|λs|<2ppmの飽和磁歪λs、μ1>100000の初透磁率μ1、およびμmax>400000の最大透磁率μmaxを有し、封止金属酸化物コーティングがストリップの表面に設けられている。基本的に特定の合金組成を有するストリップは以下、他の元素の製造関連不純物を低濃度で加えて含有することができる合金で作製されるストリップであると理解すべきである。ストリップの表面に設けられる封止コーティングは以下、ストリップの大部分または表面全体をしっかりと封止するコーティングであると理解すべきである。このような合金の磁歪は、適切な熱処理によって最大限ゼロ調整することができる。これにより磁性値は機械的影響に対して免疫があることになり、広範囲の磁心形状および実装を使用することが可能となる。使用する熱処理によっては、透磁率の温度特性が負となることがあるが、このことは様々な諸実施形態のRCDにおいて有利となる。磁歪のゼロ調整のために、熱処理は、ナノ粒子および非晶質残留相の局所的磁歪寄与が可能な限り拮抗するように有利に行われる。しかしながら、ストリップ表面には、540°Cを上回る要求温度で顕著な結晶性堆積物の傾向があることが調査により判明した。Si、Nb、BまたはC含有量に応じて、これらは公知のFeB2相で、またはFe2O3、Fe3O4、Nb2O5などのナノ結晶堆積物で構成することができる。それらの生成は、ストリップ表面の粗さ、ストリップ厚さの増加または過度に低い半金属含有量によってだけでなく、不活性気体中の不純物とストリップ表面との間の金属/気体反応によっても支持される。加えて、SiO2などの酸化物表面層の生成は重要な役割を果たす。このような表面効果において生じる結晶異方性および歪みにより、結果的に保磁場強度が増大し、残留磁気値が低く、また透磁率値が低くなる。しかしながら、結晶性堆積物の形成は、封止コーティングによって回避することができる。合金組成、ストリップの幾何学的形状、熱処理の温度制御および不活性気体雰囲気の品質に関して特定の仕様を固守すると、磁歪のない最大透磁率の磁心の工業規模製造においてさらに有利である。ストリップのストリップ厚さdが<24μm、好ましくはd<21μmであると有利であることが分かっている。一実施形態においては、ストリップの有効粗さRaeffがRaeff<7、好ましくはRaeff<5である。有効粗さは、実際面ではルゴテストRugotestまたはプロファイル法によって決定される。一実施形態においては、ストリップの全半金属含有量がcdef>22.5原子、好ましくはcdef>23.5原子である。一実施形態によれば、酸化物コーティングが酸化マグネシウムを含有する。さらなる実施形態によれば、酸化物コーティングが酸化ジルコニウムを含有する。代替として、または加えて、酸化物コーティングは、Be、Al、Ti、V、Nb、Ta、Ce、Nd、Gd、第2および第3の主族の、また希土類金属群のさらなる元素の群から選択される元素の酸化物を含有することができる。熱処理前のストリップのこのようなコーティングにより、結晶性堆積物および/またはガラス質SiO2層に対処する必要なしに、また磁性値への結果として生じる悪影響なしに磁歪の調整に必要とされる比較的高い温度で熱処理を行うことが可能となる。この手順により、最大透磁率μmaxがμmax>500000、好ましくはμmax>600000、初透磁率μ1がμ1>150000、好ましくはμ1>200000である磁心の製造が可能となり、磁心の残留磁気比BR/BSをBR/BS>70とすることができる。飽和磁歪λsは、|λs|<1ppm、好ましくは|λs|<0.5ppmに制限することができる。その低い磁歪のおかげで、完成した磁心はもはや歪みに対してさほど敏感ではない。結果として、磁心をたとえば、接着剤および/またはクッション用に磁心の端面の一方または両方に設置される弾性材料製のリングを用いて保護トレイ内に固定し、設置することができる。特に適切な接着剤がシリコーンゴム、アクリレートまたはシリコーングリースである。ストリップ層を固定するために、磁心を、エポキシ流動床コーティングと共に設けることができる。本発明の一態様によれば、このような磁心を残留電流デバイスにおいて使用する。本発明の一態様によれば、らせん状軟磁性ナノ結晶ストリップから低周波用途向け磁心を製造するための方法が提供され、このストリップは下記合金組成を有する。FeRestCoaCubNbcSidBeCf式中、a、b、c、d、eおよびfは原子百分率で表され、0≦a≦1;0.7≦b≦1.4;2.5≦c≦3.5;14.5≦d≦16.5;5.5≦e≦8および0≦f≦1であり、コバルトを全体的または部分的にニッケルに置き換えることができる。このストリップには、金属酸化物溶液および/または金属を有するアセチル-アセトン-キレート錯体によるコーティングが備えられ、このコーティングにより、後に続くストリップのナノ結晶化のための熱処理中に、封止金属酸化物コーティングが形成される。ストリップのナノ結晶化のための熱処理において、飽和磁歪λsが|λs|<2ppm、好ましくは|λs|<1ppm、好ましくは|λs|<0.5ppmに設定される。コーティング用金属は、有利には、Mg、Zr、Be、Al、Ti、V、Nb、Ta、Ce、Nd、Gd、第2および第3の主族の、また希土類金属群のさらなる元素の群から選択される元素である。大規模製造には、低い磁歪と組み合わせて可能な限り高い透磁率を得るために、以下の方法を使用することができる。可能な限り完全に無磁場の磁心を得るために、無磁場の形で積層していない磁心に連続プロセスで熱処理を行う。一実施形態においては、連続アニーリングプロセスにおいて熱伝導率が優れているキャリア上に積層していない磁心を設置する。このようなキャリアは、たとえば、銅、銀、熱伝導鋼など、熱伝導率が優れている金属で構成される。熱伝導率が優れているセラミック粉床もまた適切なキャリアである。環状ストリップ磁心は、たとえば、厚さが少なくとも4mm、好ましくは少なくとも6mm、さらに好ましくは少なくとも10mmの銅板上に、両端を付けて設置することができる。これは、結晶化熱が効果的に消散されるため、発熱結晶化の開始時における局所的過熱の防止に寄与する。加えて、磁心が熱処理中に以下の温度ゾーンを通過すると有利となることがある。-磁心が結晶化温度まで加熱される第1の加熱ゾーン。-温度が結晶化温度をわずかに上回る一定またはわずかに上昇する減衰ゾーン。この減衰ゾーンの通過は少なくとも10分間続く。-ナノ結晶構造を設けるための熟成温度まで磁心が加熱される第2の加熱ゾーン。-実質的に一定の熟成温度Txが540°C~600°Cである熟成ゾーン。この熟成ゾーンの通過は少なくとも15分間続く。減衰ゾーンに滞留することにより、磁心のさらなる加熱の前に確実に結晶化熱が減衰し、それにより局所的過熱が防止される。一実施形態においては、露点TP<-25°C、好ましくはTP<-49.5°CであるH2、N2および/またはArの不活性気体雰囲気中で熱処理を行う。可能な限り機械的応力を回避するために、磁歪が完全に相殺されない場合には、ストリップを斜め下方に巻いて磁心を生成する。添付図面を参照して、以下に本発明の諸実施形態をより詳細に説明する。図1は、交流応答性RCD1を示す図であり、このRCD1は、規定の残留電流を超えた場合、監視されている回路の磁極のすべてをネットワークの残りから切り離す。RCD1を流れる電流は、正確な符号を有する負荷に流れる電流を付加する磁心-平衡変圧器2で比較される。回路内の電流がアースに放電された場合、磁心-平衡変圧器内の内向きおよびリターン電流の合計がゼロと同等ではなく、その結果、電流差動により残留電流デバイス1が応答し、電源が切り離される。磁心-平衡変圧器2は、ナノ結晶軟磁性ストリップを巻いた磁心2を有する。RCD1はさらに、RCD1を手動で確認するための引き外し継電器4、あらかじめ組み込まれているラッチ機構5およびテストボタン6を備える。図2は、本発明の一実施形態による磁心を製造するための方法に従った熱処理の可能性のある温度曲線を示す図である。この連続熱処理過程において、構造の熟成のためのより高い温度が確立される前に発熱結晶化熱を減衰させるために、磁心の初期加熱の後にははるかに緩やかな上昇、または温度平坦域代替案を共に図2に示すが続く。このようにして、磁心の局所的過熱を回避する。その後、最終的な磁性値を設定するための構造の熟成を、熟成ゾーンの下流温度平坦域において温度Txで引き続き行う。プリサンプルpre-sampleを使用して、磁歪値が最小限となるように、熟成ゾーンにおける温度をそれぞれのバッチの組成に適合させる。使用するストリップバッチから、プリサンプルをまず作成し、熟成ゾーンにおける540°C~600°Cの異なる温度Txにさらす。その後、ストリップ片について直接的、または無傷の磁心について間接的に磁歪を測定する。たとえば、SAMR法によって直接測定を行うことができる。間接法が、環状ストリップ磁心の周囲を、たとえば2楕円状に変形させる圧力試験である。この過程で生じる保磁場強度の変化は、Remagraphを用いて準静的ヒステリシスループを測定することによって決定する。図4に示すように、Txについてのバッチ固有の最適値は、変化ΔHCが最小限またはゼロに向かう点で読み取ることができる。この方法に基づき、μ1=120000~300000およびμ10>450000、ならびにBr/Bs>70準静的に測定の範囲にある大規模なFe73.13Co0.17Cu1Nb3Si15.8B6.9などの合金において、磁性値50Hzでを得ることができる。図4によれば、この場合の最適温度Txは約570°Cである。他方、合金組成Fe73.41Co0.21Cu0.98Nb2.9Si15.4B7.1においては、磁歪のゼロ交差は、Tx=580°C~585°Cでしか達成されない。同様にして、合金Fe73.38Co0.11Cu1.01Nb2.9Si16B6.6について判明した最適温度は、Tx=564°Cであった。大量の磁心を大規模生産で同時にアニールした場合、巻かれ磁心となるストリップの表面に付着する多量の水分が、炉システムに引き込まれる。一方では、これによりストリップ上で直接局所的に腐食表面反応が生じ、他方、水分の一部が不活性気体雰囲気中に拡散し、不所望にも露点が上昇する。こうした状況では、ストリップ表面に結晶性堆積物が生じ、図3に示すように、これらの大部分がエアポケットに蓄積する。表面分析が示した通り、これらの結晶子はFe2O3、Fe3O4またはNb2O5で構成されるため、熱処理過程中の酸化物反応によるものである。結晶性堆積物上に重ね合わさる、露点の上昇によって支持されるさらなる望ましくない表面効果が、ガラス質SiO2層の成長である。これは剛性で、熱膨張率が0.45~1ppm/Kとストリップ材料約10ppm/Kよりもはるかに小さい。バルク材料が、ナノ結晶粒子の生成および熟成時に1~2収縮するため、機械的応力が増大する。これらにより同様に、不所望にも磁性値に影響を与える強い異方性が生じる。図3に示す表面試料は、Fe73.13Co0.17Cu1Nb3Si15.8B6.9の組成を有するストリップを巻くことにより得られた、10.5mm×7mm×6mmの寸法を有する5000個の磁心の組立体から採取した。これら磁心の100個それぞれを、300mm×300mm×6mmの寸法を有する方形銅板上に両端を付けて設置し、引き続いて図2に対応する温度プロファイルで連続加熱炉においてアニーリングする。ナノ粒子の形成および熟成は温度Tx=575°Cで生じたが、この温度は、磁歪のゼロ調整にとって最適温度である。炉に巻き込まれる湿気は、PARAMETRICSMIS1と呼ばれるデバイスを用いてH2不活性気体の露点を測定することによって検出した。環状ストリップ磁心が加熱ゾーンに入る前、この露点は-42°Cであったが、磁心が加熱ゾーンを通過すると、-16°Cの比較できる程度に高い値に到達した。2つの重なり合う表面効果の寄生性の異方性のために、アニールした磁心の磁性値は最適ではなかった。50Hzで測定したバッチ平均値は、<μ1>=47873、<μ10>=222356、<BR/BS>=52および<HC>=28mA/cmの範囲にあった。このような寄生効果を回避するため、アニーリング耐性の物質によるストリップ表面の封止コーティングが有用であることが分かった。適切な材料が溶解物質であり、その出発材料が、650°Cまでの温度の、H2、N2またはAr不活性気体またはその混合物中におけるアニーリング過程で、不活性ガスの効果によって還元されることなく熱安定性酸化物層を形成する。このようなコーティングのための基材の例が、Be、Mg、Al、Zr、Ti、V、Nb、Ta、Ce、Nd、Gd、ならびに第2および第3の主族の、また希土類金属群の他の元素である。これらは、対応するアルコールまたはエーテルにおける金属アルコキシド溶液、たとえば、対応するアルコールまたはエーテルにおけるメチラート、エチラート、プロピラートまたはブチラート溶液の形で、あるいはトリ-またはテトライソプロピルアルコキシドとしてストリップ表面に塗布される。さらなる代替品が、上記金属を有するアセチル-アセトン-キレート錯体である。大気の湿度の影響下で、これらはそれぞれ、後に続く80°C~200°Cにおける乾燥過程で水和水酸化物へと変換される。後の熱処理過程において、これがさらに水を放出し、それぞれの金属酸化物となる結果、表面に固く付着し封止する緻密な保護層が生じる。典型的な層厚さは0.05~5μmの範囲にあるが、0.2~1μmの層厚さが十分に優れた特性を有するため、一実施形態において好適である。このコーティングがあると、磁歪のゼロ調整に必要とされる高温における表面反応に対して、材料特性を安定化させることができる。表面効果によって影響を受ける用途に関連する特性値は、特に、50Hzで測定されるμH特性、準静的保磁場強度および残留誘導である。後の封止コーティング形成のための出発生成物としての溶液を塗布するために、少なくとも3つの方法が利用可能である。上述の層厚さは、濃度を調整することによって、またプロセスパラメータを適合させることによって得ることができる。特に厚い層が必要となる場合には、プロセスを繰り返すことができる。可能な1つの方法においては、槽内に設置したコーティング媒体を通して偏向ローラdeflectionrollerによりストリップを連続的に引き出す。巻かれて磁心を形成する直前に、ストリップは、80~200°Cの制御された温度の乾燥区域を通過する。この方法により特に均一なコーティングが得られる。繰り返し通過させることにより、より厚い層を得ることができる。可能なさらなる方法においては、その製造に続いて巻いた後のストリップを、コイル状のレシーバ内の溶液に浸し、排気する。10~300mbarの低真空範囲の真空で十分に強い有効な毛細管力のおかげで、溶液はコイルのストリップ層間に浸透し、表面を濡らす。乾燥したコイルをその後、80~200°Cの乾燥キャビネット内で事後乾燥させる。その後コーティングしたストリップを巻いて磁心を形成する。この方法は特に経済的である。可能なさらなる方法においては、コーティングされていないストリップを巻いて得られる磁心を、レシーバ内の溶液に浸す。上記真空までの排気に続いて、溶液がストリップ層間に浸透し、ストリップ層を濡らす。その後浸した磁心を80~200°Cの乾燥キャビネット内で乾燥させる。この方法により、磁心の巻きがストリップ表面上のコーティング媒体の影響を受けることがないという利点がもたらされる。調査により、マグネシウムおよびジルコニウムによりコーティングが特に容易に加工され、費用効果が高く、加工時に安全であることが明らかとなった。これら溶解性金属の濃度は、磁性値を著しく変化させることなく、0.1重量~5重量の幅広い範囲内で様々な有機溶媒中で多様であった。しかしながら、非常に低濃度では、標準偏差が増大することが分かった。表面コーティングの効果を確認するために、溶融紡糸プロセスで生成し、10mmの幅を有する組成Fe73.6Co0.1Cu1Nb2.96Si15.45B6.84C0.05のストリップを、同一品質曲線因子η=81.0~81.3、Raeff=2.9の3つの部分に分割した。第1および第2の部分はコーティングしないままであったが、第3の部分は、浸漬プロセスにおいてレシーバ内の3.6Mgメチラート溶液でコーティングした。ロータリー式スライド弁ポンプによって生成される低真空は、排気時間終了時には約110mbarであった。15分の滞留時間の後、飽和したコイルを110°Cで1時間乾燥させ、その結果厚さ0.8μmの水和MgOH2の接着層が得られた。その後、コーティングしたストリップもコーティングしていないストリップも共に斜め下方に巻いて、寸法32mm×16mm×10mmの歪みのない環状ストリップ磁心を生成した。熱処理の準備では、100個の磁心をそれぞれ、300mm×300mm×6mmの寸法を有する方形銅板上に両端を付けて設置した。後に続く熱処理は、図2に示す温度プロファイルと類似の温度プロファイルの連続過程において全く無磁場で行い、加熱ゾーンを通るスループット速度は0.16m/分であった。露点-50°Cの純粋な水素を不活性気体として使用した。図2の提示とは対照的に、第1の加熱ゾーンにおける温度勾配を、製品がわずか8分後に480°Cの温度に到達するように増大させた。減衰ゾーンにおける温度は一定に保持せず、20分の加熱区域に沿って505°Cまで上昇させた。この後の急温度勾配を、磁心は3分以内に通過して最終的な熟成温度Txに到達した。この温度範囲の通過は25分以内に完了した。その後、同じ露点の水素の存在下、図2に示す冷却ゾーンよりもはるかに長い冷却ゾーンにおいて、同じスループット速度で室温まで磁心を冷却した。この大幅に低下した冷却速度は、冷却に関連する歪み効果を回避するために選択した。大気不純物と共に表面反応の増大を生じ、したがって寄生性の異方性を生じることがある過熱を回避するために、熟成ゾーンを、コーティングしていないストリップから作製した磁心の3分の1に対して、可能な限り低くTx=520°Cに調整した。図5および図6に示す、50Hzで測定したμH特性および準静的にf=0.01Hz測定したヒステリシスループは、例として、Tx=520°Cにおける熱処理の後、初透磁率μ1=105238ではμ8=719827の高い最大透磁率値に到達することを示している。残留磁気比BR/BSは約77であった。針金や導体を巻くなどの処理または加工工程によって生じる機械的応力から保護するために、接着剤としてシリコーンゴムを用いて、Ultramidの槽にこれらの磁心を両端を付けて接着させた。SAMR法によって測定したλsの磁歪により、ストリップ層間に浸透する接着剤が準静的保磁場強度をHc=3.9mA/cmから8.6mA/cmへと増大させたが、50Hzで測定した最大透磁率がμ16=373242に低下し、BR/BSが59に低下した。それら不十分な透磁率のために、このような磁心はRCD用には適していなかった。3分の1のようにコーティングしていない、磁心の3分の2を温度Tx=575°Cでアニールしたところ、プリサンプルでは、磁歪のλs≒0ppmへのゼロ調整に最適であることが分かった。しかしながらこの場合、最大透磁率が221435まで低下し、準静的に測定した保磁場強度がHc=13.2mA/cmと非常に高いことが分かった。図5および図6参照。残留磁気比はわずか51前後であった。これら悪くなった数字の原因を分析するために、磁心のストリップ表面を光学顕微鏡法によって検査した。図7が示すように、ストリップの裏側のエアポケットが、主だった寄生性の異方性および磁性値のかなりの低下を結果として生じる結晶性堆積物の緻密層と層を成していた。XPSX線光電子分光法-StefanHufner著,PhotoelectronSpectroscopyPrinciplesandApplications,Springer,3rdedition,1995/1996/2003参照によってストリップの裏側について同様に行った表面分析により、図9による深さプロファイルにおいて、主だった寄生性の異方性を招くかなり歪んだSiO2表面層の存在が加えて示された。この層の構造は、ストリップ内部からのSi原子の偏析、それに続く残留大気不純物による酸化によるものである。一方、3.6Mgメチラート溶液でコーティングした磁心の最後の3分の1は、Tx=575°Cにおけるアニーリングの後、図5および図6に示すように非常に優れた値を示し、Hcが約7mA/cm、最大透磁率μ8=約692163、BR/BSが約79であった。同時に、初透磁率μ1が243562に上昇した。概して平衡状態の磁歪λs≦0.1ppmのおかげで、シリコーンゴム接着剤を用いた単一槽実験の結果、透磁率はμ8=679322と事実上変化しなかった。槽内に接着させていないが、磁心の端面上に設置した厚さ2mmの緩衝ゴムリングで緩く取り付けた磁心でも匹敵する結果が得られた。図10に示すストリップ表面の走査型電子顕微鏡法による調査が示すように、磁心の最後の3分の1のストリップ表面は、アニーリング後に緻密MgO焼結層に覆われていた。図8が明確に示すように、これによりエアポケット内における表面結晶子の形成が防止される。同時に、個々のサンプル状態で記録され、また図11に示されるXPS深さプロファイルの評価は、Mgコーティングが歪み誘発SiO2表面層の形成を抑制することを示している。1.7Zrテトライソプロピルアルコキシドおよび4フェニルチタントリイソプロピルアルコキシドのコーティングでも同様の結果が得られた。これらの調査の過程において、H2およびN2不活性気体の露点は、透磁率最大の磁歪のない磁心の製造においてさらなる臨界パラメータであることが発見された。これは、磁歪の平衡に必要となる温度が上昇する際により重要となる。この効果を調査するために、組成Fe73.13Co0.17Cu1Nb3Si15.8B6.9のストリップから製造した26mm×10mm×6mmの寸法を有する100個の磁心の組立体について、連続加熱炉において数多くの試験的アニーリングプロセスを行った。使用したストリップの有効粗さRaeffは約3、曲線因子は約81.5であった。磁心は、上述のようにして製造した。磁心全体をMgメチラートの2.4溶液で被覆した。熱処理においては、加湿および乾燥H2ガスを混合することによって、-20°C~-55°Cの間で露点を変化させた。デバイスPARAMETRICSMIS1を使用して露点を測定した。これらの雰囲気の中で、図2を参照して説明した温度を用いて銅板上の試験磁心をアニールした。しかしながら、最初の通過においては、磁歪平衡を考慮せずに、熟成ゾーンにおける温度をTx=540°Cに調節した。図12に示す50HzおよびH^=11.27mA/cmで測定した透磁率値の平均値から、これらの条件では、μ11.27≒μmax≧400000を得るためにTP≦25°Cの露点が必要となると結論付けることができる。予想通り、すべての磁心が変形試験において磁歪を示すと証明されたため、磁歪のない磁心に一般的に適用される単一槽法を用いて加工することができなかった。特別な歪みを生じない単一槽法が必要であった。第2の稼働では、前もってプリサンプルで決定した、磁歪平衡のための最適な温度Tx=570°Cを設定した。50Hzおよび磁場強度11.27mA/cmで測定した平均透磁率値を図13に示す。これらの条件では、μ11.27≒μmax≧400000を得るためにTP≦49.5°Cの露点が必要となることが分かる。影響パラメータを限定するためのさらなる試験シリーズでは、組成Fe73.13Co0.17Cu1Nb3Si15.8B6.9で幅6mmのストリップを、鋳造ロールの元来ほぼ完全な表面がかなりの摩耗痕を示すまで融解紡糸ライン上で鋳造した。この摩耗の結果、ストリップの長さに沿って、表面粗さの増大に反映される連続的な品質低下を生じた。鋳造したストリップを巻いてほぼ同じ寸法のコイルとし、コイルの始め、中間、および終わりからサンプルを採取した。これらのサンプルは両面とも、その粗さRaを触知性トラバーススキャンtractiletraversescanningプロセスで測定し、ストリップ試料の比重鋳造して7.07g/cm3、長さ、幅および重量からストリップの平均厚さを算出した。最後に、これら2つの表面のRa値の和をストリップ厚さで割ることによって、ストリップ試料の有効粗さRaeffを決定した。完全に巻いたコイルを、19Zrテトライソプロピルアルコキシド溶液からなる3つの層で被覆し、その後130°Cで1時間乾燥させた。次いでストリップ全体を、歪みのないプロセスで巻いて寸法26mm×10mm×6mmの磁心とすることにより、磁心の配列およびそれら磁心の元のコイルへの割り当てを維持した。これにより、コイル内の特定の磁心位置に、したがってRaeffの値を割り当てることが可能となった。50個の磁心それぞれを、300mm×300mm×6mmの寸法を有する方形銅板上に両端を付けて設置した後、熟成温度Tx=570°Cである上述の温度プロファイルを用いて連続アニーリングプロセスを行った。ストリップの幾何学的形状に依存する初透磁率を決定するために、磁心のμ1値を50Hzで測定し、図14において有効粗さの上にプロットした。図14に示すように、μ1≧100000を得るためにはRaeff≦7の有効粗さが必要となる。μ1を160000より大きくしようとする場合には、Raeffが5未満でなければならず、μ1≧200000を得るためにはさらに2.5未満でなくてはならない。上述の試験シリーズにおいては、結果としてλs=0.1ppmをもたらすようSAMR磁歪測定によって示された露点-53°CおよびTx=570°Cでアニーリングプロセスを行った。このような事情に鑑みて、これら磁心を、その透磁率を著しく変化させることなく、シリコーンゴムを用いてプラスチック槽に接着させることも、または機械的制振気泡ゴムリングを用いてプラスチックもしくは金属保護槽に緩く取り付けることもできる。調査の結果を表1にまとめる。印はシリコーンゴムによる固定を示し、印は高粘度アクリレート接着剤による歪みのない固定を示す。"