チャンバー内の基板サポート上に基板を提供する段階と、前記チャンバー内のプラズマで前記基板の形成物をエッチングする段階と、前記形成物内の正電荷を減少させる段階と、前記形成物内の正電荷を減少させた後、プラズマで前記基板の前記形成物をさらにエッチングする段階と、を含むことを特徴とする基板のエッチング方法。前記形成物内の正電荷を減少させる段階によって前記形成物の下部領域が純負電荷netnegativechargeを有することを特徴とする請求項1に記載の基板のエッチング方法。前記形成物内の正電荷を減少させる段階は前記形成物内に電子を導入する段階introducingを含むことを特徴とする請求項1に記載の基板のエッチング方法。前記基板サポートは第1電極を含み、前記チャンバーは前記第1電極から離隔された第2電極を含み、前記基板内の前記形成物をエッチングする段階は、パルスされた第1周波数電力信号を前記第1電極に印加する段階と、パルスされた第2周波数電力信号を前記第1電極及び前記第2電極のいずれか1つに印加する段階と、を含み、前記第1周波数電力信号は前記第2周波数電力信号よりさらに低い周波数を有し、前記形成物内の正電荷を減少させる段階は、パルスされた前記第1周波数電力信号及びパルスされた前記第2周波数電力信号の中から少なくとも1つのパルスオフ区間内に前記第1電極及び前記第2電極のいずれか1つに印加される直流電圧の大きさを変更する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板のエッチング方法。前記直流電圧の大きさを変更する段階は前記第2電極に印加される負の電圧の大きさを増加させる段階を含むことを特徴とする請求項4に記載の基板のエッチング方法。前記直流電圧は前記第2電極に印加されるパルスされた直流電圧であり、パルスされた前記直流電圧の各パルス周期は高電圧パルス区間と低電圧パルス区間とを含み、前記低電圧パルス区間の少なくとも一部分の電圧は0V、または第1負電圧V1であり、前記高電圧パルス区間の少なくとも一部分の電圧は第2負電圧V2であって、│V2│>│V1│であり、パルスされた前記直流電圧の各高電圧パルス区間の少なくとも一部分はパルスされた前記第1周波数電力信号及びパルスされた前記第2周波数電力信号の各々のパルスオフ区間の少なくとも一部分と重畳することを特徴とする請求項4に記載の基板のエッチング方法。前記第1負電圧V1は0Vから500Vまでで、前記第2負電圧V2は200Vから2000Vまでであることを特徴とする請求項6に記載の基板のエッチング方法。パルスされた前記直流電圧の各高電圧パルス区間は複数の電圧パルスを含むことを特徴とする請求項6に記載の基板のエッチング方法。パルスされた前記直流電圧の前記各高電圧パルス区間は傾斜する電圧パルスを含むことを特徴とする請求項6に記載の基板のエッチング方法。前記直流電圧の大きさを変更する段階は前記第1電極に印加される正電圧の大きさを増加させる段階を含むことを特徴とする請求項4に記載の基板のエッチング方法。前記第1周波数電力信号及び前記第2周波数電力信号は無線周波数信号RFsignalsであることを特徴とする請求項4に記載の基板のエッチング方法。前記第1周波数電力信号の周波数は15MHz以下であり、前記第2周波数電力信号の周波数は前記無線周波数範囲以上であることを特徴とする請求項4に記載の基板のエッチング方法。前記第1周波数電力信号は前記第2周波数電力信号と同期化してパルス変造されることを特徴とする請求項4に記載の基板のエッチング方法。前記第2周波数電力信号のパルスオン区間は部分的にパルスされた前記直流電圧の前記高電圧パルス区間と重畳することを特徴とする請求項6に記載の基板のエッチング方法。前記第2周波数電力信号のパルスオン区間は前記第1周波数電力信号の前記パルスオン区間と部分的に重畳する第1パルス区間及びパルスされた前記直流電圧の前記高電圧パルス区間と部分的に重畳する第2パルス区間を含むことを特徴とする請求項6に記載の基板のエッチング方法。前記基板サポートは第1電極を含み、誘導性コイルは前記チャンバーに隣接し、前記チャンバーは前記第1電極から離隔された第2電極を含み、前記基板の前記形成物をエッチングする段階は前記第1電極にパルスされた第1周波数電力信号を印加する段階及びパルスされた第2周波数電力信号を前記誘導性コイルに印加する段階を含み、前記第1周波数電力信号は前記第2周波数電力信号より低い周波数を有し、前記形成物内の正電荷を減少させる段階は前記第1周波数電力信号及び前記第2周波数電力信号の中から少なくとも1つのパルスオフ区間内で前記第1電極及び前記第2電極の中から1つに印加される直流電圧の大きさを変化する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板のエッチング方法。前記直流電圧の大きさを変化する段階は前記第2電極に印加される負電圧の大きさを増加させる段階を含むことを特徴とする請求項16に記載の基板のエッチング方法。エッチングチャンバー内の基板の形成物を周期的にエッチングするためにパルスされた第1周波数電力信号及びパルスされた第2周波数電力信号を前記エッチングチャンバーに印加し、前記第1周波数電力信号の周波数は前記第2周波数電力信号の周波数より低い段階と、前記チャンバー内でパルスされた直流電圧を電極に印加する段階と、前記形成物を周期的にエッチングする間、前記形成物内に正電荷を周期的に縮めるために、パルスされた前記第1周波数電力信号、パルスされた前記第2周波数電力信号及びパルスされた前記直流電圧を同期化させる段階を含むことを特徴とする基板のエッチング方法。パルスされた前記第1周波数電力信号、パルスされた前記第2周波数電力信号及びパルスされた前記直流電圧の各々のパルス周波数は100Hzから100kHzまでであることを特徴とする請求項18に記載の基板のエッチング方法。パルスされた前記第1周波数電力信号、パルスされた前記第2周波数電力信号及びパルスされた前記直流電圧の各々のパルスデューティー比は10ら99までであることを特徴とする請求項19に記載の基板のエッチング方法。パルスされた前記直流電圧の各パルス周期は低電圧パルス区間及び高電圧パルス区間を含み、前記低電圧パルス区間の少なくとも一部分の電圧は0V、または第1負電圧V1であり、前記高電圧パルス区間の少なくとも一部分の電圧は第2負電圧V2であって、│V2│>│V1│であり、パルスされた前記直流電圧の各高電圧パルス区間の少なくとも一部分はパルスされた前記第1周波数電力信号及びパルスされた前記第2周波数電力信号の各々のパルスオフ区間と少なくとも部分的に重畳することを特徴とする請求項18に記載の基板のエッチング方法。各高電圧パルス区間は連続的電圧パルスcontinuousvoltagepulse、傾斜された電圧パルスslopedvoltagepulse及びマルチ-パルス電圧パルスmulti-pulsevoltagepulseの中から少なくとも1つであることを特徴とする請求項21に記載の基板のエッチング方法。チャンバー内に第1電極を含む基板サポート上に基板を提供する段階と、パルスされた第1周波数電力信号を前記第1電極に印加する段階及び負の直流電圧及びパルスされた第2周波数電力信号を前記第1電極から離隔された第2電極に印加する段階によって前記基板の形成物をエッチングし、前記第1周波数は前記第2周波数より低く、前記第1周波数電力信号のパルスオフ区間は前記第2周波数電力信号のパルスオフ区間と少なくとも部分的に重畳する段階と、前記第1及び第2周波数電力信号の重畳されたパルスオフ区間の少なくとも一部分内で前記負の直流電圧の大きさを増加させる段階によって前記チャンバー内に正電荷を減少させる段階と、前記負の直流電圧の大きさを減少させる段階によって前記基板の前記形成物をさらにエッチングする段階を含むことを特徴とする基板のエッチング方法。チャンバーと、前記チャンバー内に第1電極を含む基板サポートと、前記チャンバー内に前記第1電極から離隔された第2電極と、パルスされた第1周波数電力信号を前記第1電極に供給し、パルスされた第2周波数電力信号を前記第1電極及び前記第2電極のいずれか1つに供給するように構成され、前記第1周波数電力信号の周波数は前記第2周波数電力信号の周波数より低い高周波供給ユニットと、パルスされた直流電圧を前記第1電極及び前記第2電極のいずれか1つに供給するように構成された直流供給ユニットと、パルスされた前記直流電圧、パルスされた前記第1周波数電力信号及びパルスされた前記第2周波数電力信号を同期化してパルスされた前記直流電圧の大きさが前記第1周波数電力信号及び前記第2周波数電力信号の各パルスオフ区間の少なくとも一部分内で増加するように構成される制御ユニットと、を備えることを特徴とするエッチング装置。前記第2周波数電力信号は前記第1電極に供給され、前記高周波供給ユニットは、前記第1周波数電力信号を生成するように構成された第1信号ソースと、前記第2周波数電力信号を生成するように構成された第2信号ソースと、前記第1電極のインピーダンス及び前記第1信号ソース及び前記第2信号ソースのインピーダンスを整合するように構成されるマッチングユニットと、を備えることを特徴とする請求項24に記載の基板のエッチング装置。前記マッチングユニットは前記第1信号ソース及び前記第2信号ソースによって生成された前記第1周波数電力信号及び前記第2周波数電力信号をパルス変調するために前記制御ユニットに応答することを特徴とする請求項25に記載の基板のエッチング装置。前記第2周波数電力信号は前記第2電極に供給され、前記高周波供給ユニットは、前記第1周波数電力信号を生成するように構成された第1信号ソースと、前記第2周波数電力信号を生成するように構成された第2信号ソースと、前記第1電極のインピーダンスと前記第1信号ソースのインピーダンスを整合させるように構成された第1マッチングユニットと、前記第2電極のインピーダンスと前記第2信号ソースのインピーダンスを整合させるように構成された第2マッチングユニットと、を備えることを特徴とする請求項24に記載の基板のエッチング装置。前記第1マッチングユニットは前記第1信号ソースによって生成された前記第1周波数電力信号をパルス変調するために前記制御ユニットに応答し、前記第2マッチングユニットは前記第2信号ソースによって生成された前記第2周波数電力信号をパルス変調するために前記制御ユニットに応答することを特徴とする請求項26に記載の基板のエッチング装置。パルスされた前記直流電圧は前記第2電極に印加されることを特徴とする請求項24に記載の基板のエッチング装置。パルスされた前記直流電圧は、パルスされた前記第1周波数電力信号及びパルスされた前記第2周波数電力信号のパルスオン区間の少なくとも一部分内で0V、または第1負電圧V1であり、パルスされた前記第1周波数電力信号及びパルスされた前記第2周波数信号の前記パルスオフ区間の少なくとも一部分内で第2負電圧V2であり、│V2│>│V1│であることを特徴とする請求項29に記載の基板のエッチング装置。パルスされた前記直流電圧は前記第1電極に供給されることを特徴とする請求項30に記載の基板のエッチング装置。パルスされた前記直流電圧は、パルスされた前記第1周波数電力信号及びパルスされた前記第2周波数電力信号のパルスオン区間の少なくとも一部分内で0V、または第1正電圧V3であり、パルスされた前記第1周波数電力信号及びパルスされた前記第2周波数信号のパルスオフ区間の少なくとも一部分内で第2正電圧V4であり、│V4│>│V3│であることを特徴とする請求項31に記載の基板のエッチング装置。パルスされた前記直流電圧、パルスされた前記第1周波数電力信号及びパルスされた前記第2周波数電力信号の各々のパルス周波数は100Hzから100kHzまでであることを特徴とする請求項24に記載の基板のエッチング装置。パルスされた前記第1周波数電力信号、パルスされた前記第2周波数電力信号及びパルスされた前記直流電圧の各々のパルスデューティー比は10から99までであることを特徴とする請求項24に記載の基板のエッチング装置。前記第1周波数電力信号及び前記第2周波数電力信号は無線周波数RF信号であることを特徴とする請求項24に記載の基板のエッチング装置。前記第1周波数電力信号の周波数は15MHz以下であり、前記第2周波数電力信号の周波数は前記無線周波数範囲以上であることを特徴とする請求項24に記載の基板のエッチング装置。チャンバーと、前記チャンバーの第1電極を含む基板サポートと、前記チャンバーに隣接した誘導性コイルと、パルスされた第1周波数電力信号を前記第1電極に供給し、パルスされた第2周波数電力信号を前記誘導性コイルに供給するように構成される高周波供給ユニットと、パルスされた直流電圧を前記第1電力及び第2電極のいずれか1つに供給するように構成される直流供給ユニットと、パルスされた直流電圧、パルスされた前記第1周波数電力信号及びパルスされた前記第2周波数電力信号を同期化してパルスされた前記直流電圧の大きさが前記第1周波数電力信号及び前記第2周波数電力信号の各パルスオフ区間の少なくとも一部分で増加するように構成される制御ユニットと、を含み、前記第1周波数電力信号の周波数は前記第2周波数電力信号の周波数より低いことを特徴とするエッチング装置。パルスされた前記直流電圧は前記第2電極に印加されることを特徴とする請求項37に記載のエッチング装置。パルスされた前記直流電圧は、前記第1周波数電力信号及び前記第2周波数電力信号のパルスオン区間の少なくとも一部分内で0V、または第1負電圧V1であり、パルスされた前記第1周波数電力信号及びパルスされた前記第2周波数信号の前記パルスオフ区間の少なくとも一部分内で第2負電圧V2であり、│V2│>│V1│であることを特徴とする請求項38に記載のエッチング装置。パルスされた前記直流電圧は前記第1電極に供給されることを特徴とする請求項37に記載のエッチング装置。パルスされた前記直流電圧は、パルスされた前記第1周波数電力信号及びパルスされた前記第2周波数電力信号のパルスオン区間の少なくとも一部分内で0V、または第1正電圧V3でパルスされた前記第1周波数電力信号及びパルスされた前記第2周波数信号のパルスオフ区間の少なくとも一部分内で第2正電圧V4であり、│V4│>│V3│であることを特徴とする請求項40に記載のエッチング装置。本発明の目的は縦横比が大きい回路パターンを容易に成形可能なプラズマ処理方法及びその装置を提供することにある。本発明の概念の一観点によれば、チャンバー内に基板サポート上に基板を提供すること、チャンバー内にプラズマ内で基板内に形成物をエッチングすること、形成物内に正電荷を減少させることと、形成物内に正電荷を減少させた後、プラズマ内で基板内に形成物をさらにエッチングするのを含むエッチング方法が提供される。本発明の概念の他の一観点によれば、エッチングチャンバー内で基板内に形成物を周期的にエッチングするためにパルスされた第1周波数電力信号及び第2周波数電力信号をエッチングチャンバーに印加し、第1周波数電力信号の周波数は第2周波数電力信号の周波数より低い基板のエッチング方法が提供されている。エッチング方法はチャンバー内でパルスされた直流電圧を電極に印加すること及び形成物を周期的にエッチングする間、形成物内に正電荷を周期的に縮めるためにパルスされた第1及び第2周波数電力信号及びパルスされた直流電圧を同期化させる段階を含む。本発明の概念の他の一観点によれば、チャンバー内に第1電極を含む基板サポート上に基板を提供する段階、第1電極から離隔された第2電極にパルスされた第2周波数電力信号及び負の直流電圧を印加する段階、及び第1電極にパルスされた第1周波数電力信号を印加することによって基板に形成物をエッチングする段階を含む基板のエッチング方法が提供される。第1周波数は第2周波数より低く、第1周波数電力信号のパルス-オフ区間は第2周波数電力信号のパルス-オフ区間と少なくとも部分的に重畳される。方法は第1及び第2周波数電力信号の重畳されたパルス-オフ区間の少なくとも一部分内で負の直流電圧の大きさを増加させる段階及び負の直流電圧の大きさを減少させる段階によって基板内に形成物をよりエッチングする段階をより含む。本発明の概念の他の一観点によれば、チャンバーと、チャンバー内に第1電極を含む基板サポートと、チャンバー内に第1電極から離隔された第2電極と、高周波供給ユニットと、直流供給ユニット及び制御ユニットとを含むエッチング装置が提供されている。高周波供給ユニットはパルスされた第1周波数電力信号を第1電極に供給し、パルスされた第2周波数電力信号を第1及び第2電極中1つに供給し、第1周波数電力信号の周波数は第2周波数電力信号の周波数より低い。直流供給ユニットは第1及び第2電極中1つにパルスされた直流電圧を供給する。制御ユニットは第1及び第2周波数電力信号の各パルス-オフ区間の少なくとも一部分内でパルスされた直流電圧の大きさが増加されるようにパルスされた直流電圧及びパルスされた第1及び第2周波数電力信号を同期化させる。本発明の概念の他の一観点によれば、チャンバーと、チャンバー内に第1電極を含む基板サポートと、チャンバーに隣接した誘導性コイルと、高周波供給ユニットと、直流供給ユニット及び制御ユニットとを含むエッチング装置が提供される。高周波供給ユニットはパルスされた第1周波数電力信号を第1電極に供給し、パルスされた第2周波数電力信号を誘導性コイルに供給し、第1周波数電力信号の周波数は第2周波数電力信号の周波数より低い。直流供給ユニットは第1及び第2電極中1つにパルスされた直流電圧を供給する。制御ユニットはパルスされた直流電圧の大きさが第1及び第2周波数電力信号の各パルス-オフ区間の少なくとも一部分内に増加されるようにパルスされた直流電圧及びパルスされた第1及び第2周波数電力信号を同期化させる。本発明の概念によるエッチング方法によって、基板上のエッチング膜に縦横比が非常に大きい回路パターンの成形が可能である。以上の本発明の目的、他の目的、特徴及び利点は添付の図面と関連した以下の望ましい実施形態を通じて容易に分かれる。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化できる。むしろ、ここで紹介される実施形態は開示された内容が徹底し、完全になれるように、そして当業者に本発明の思想が十分に伝えられることができるようにするために提供される。図面で、構成の大きさ、相対的大きさ及び形態及び膜質及び領域などは明確性のために誇張されている。したがって、図面で例示された領域は概略的な属性を有し、図面で例示された領域の形は素子の領域の特定形態を例示するためあり、発明の範囲を制限するためではない。また、明細書全体にかけて同一の参照番号で表示された部分は同一の構成要素を示す。また、空間的比較用語、例えば、上部及び下部は図面に示すように、他の構成要素及び/または特性と構成要素及び/または特性の関係を説明するために使われる。したがって、空間的比較用語は図面で描写された方向と他の方向に適用される。空間的比較用語は説明の便宜のために図面に示す方向を参照し、空間的比較用語は限定されず、本発明による実施形態が図面に示すことと他の方向を推定することができる。本明細書において、ある膜または層が他の膜または層または基板上に存在すると言及される場合、それは他の膜または層または基板上に直接成形されることができ、またはその間に第3膜または層が介在され得る。本明細書で及び/またはという表現は前後に羅列された構成要素の中少なくとも1つを含む意味として使われる。本明細書の多様な実施形態で第1、第2、第3などの用語が多様な部分を説明するために使われるが、その部分がこのような用語によって限定されない。その用語はある部分を他の部分と区別させるために使われるだけである。本明細書で使われた用語は本発明の実施形態を説明するためであり、本発明を制限するのではない。本明細書で、単数型は特別に言及しない限り、複数型も含む。明細書で使われる含むcomprises及び/または含むcomprisingは言及された構成要素、段階、動作及び/または素子は1つ以上の他の構成要素、段階、動作及び/または素子の存在または追加を排除しない。以下、図面を参照して本発明による実施形態を詳細に説明する。図1は本発明の概念の一実施形態によるプラズマエッチング装置を示す。図1を参照すれば、本発明の一例によるプラズマエッチング装置101はチャンバー110、第1電極112、第2電極114、第1高周波ソース121、第2高周波ソース122、マッチングユニット123、直流供給ユニット126、及び制御ユニット128を含む。チャンバー110はチャンバー110のプロセス空間内にプラズマPを維持するように構成される。第1電極112は一般的に、チャンバー110内で基板、例えば、半導体ウェハWを支持するための基板サポートの一部分、または全部を構成する。基板サポートの形態は限定されない。例えば、基板サポートは第1電極112と半導体ウェハWとの間に介在する図示しないプラットホーム、またはチャックを含むことができる。この場合、プラットホーム、またはチャックは第1電極112上に直接配置され、または、プラットホーム、またはチャックは第1電極112から離隔して配置される。図1に示したように、第1電極112及び第2電極114はチャンバー110のプロセス空間を挟んで互いに対向する。例えば、第1電極112及び第2電極114は導電性シリコンSi、またはシリコンカーバイドSiCのようなシリコン含有導電物質により形成される。しかし、本発明はこのような具体的な例に限定されない。本実施形態の一例として、エッチングされる基板は半導体ウェハWであって、基板はその内の蒸着された1つ、またはそれ以上の導電膜、半導体膜、及び/または絶縁膜を含むことができる。しかし、本発明は基板が半導体ウェハーであることに限定されない。基板はそれ自体で本明細書で説明されるプラズマエッチング技術、またはプラズマエッチング装置を使用してエッチングされる1つ、またはそれ以上の物質及び/または膜を含む。本実施形態の一例として、第1高周波ソース121、第2高周波ソース122及びマッチングユニット123は第1電極112にパルスされた高周波電力を供給する高周波供給ユニット130を構成する。これを下記により具体的に説明する。第1高周波ソース121は第1周波数を有する第1高周波電力信号を生成し、第2高周波ソース122は第2周波数を有する第2高周波電力信号を生成する。本実施形態の一例として、第1周波数は第2周波数より低い。例えば、第1周波数及び第2周波数はそれぞれ無線周波数RF範囲内にあり得る。他の例によれば、第1周波数は15MHzの無線周波数、または15MHzより低い無線周波数RFであり、第2周波数は無線周波数RF範囲内にあるか、又は無線周波数RFより高くあり得る。第2高周波電力信号、または第2高周波電力信号より高い周波数はチャンバー110のプロセス空間内にプラズマを形成するのに利用され、第1高周波電力信号、または第1高周波電力信号より低い周波数はプラズマイオンが半導体ウェハW上に入射されるようにプロセス空間内でプラズマイオンを励起するexciteために利用される。本明細書内の背景技術で論議されたように、半導体ウェハWの露出された表面物質は化学的に及び/または物理的に除去される、すなわち、エッチングされる。その上、図1には図示しないが、プラズマエッチング装置101はチャンバー110内に1つ、またはそれ以上の工程ガスが流入するための1つ、またはその以上のガス注入口、及びチャンバー110から反応ガス及びエッチング副産物を放出するための1つ、またはその以上のガス排出口と同一の他の構成要素を含むことができる。例えば、プラズマエッチング装置101は半導体ウェハWを囲むシリコン及び/または石英の輪状の構成要素も含むことができる。図1に示したように、第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号はそれぞれ第1高周波ソース121及び第2高周波ソース122からマッチングユニット123に印加される。より具体的に説明すれば、本実施形態の一例として、マッチングユニット123は各々の第1高周波ソース121及び第2高周波ソース122から第1高周波信号及び第2高周波電力信号をパルス変調し、パルス変調された高周波電力信号を第1電極112に印加するために制御ユニット128に応答する電子回路である。また、マッチングユニット123は第1電極112に最大電力を伝達するために第1電極112のインピーダンスに第1高周波ソース121及び第2高周波ソース122の負荷インピーダンスを整合させ得る。マッチングユニット123は単一回路ブロック内に集積された2つ、またはそれ以上の回路ブロックの内に機能的に分離できると理解できる。図1を再び参照すれば、本実施形態の一例によれば、直流供給ユニット126は第2電極114にパルスされた負の直流電圧を供給するために制御ユニット128に対応する。本実施形態の一例によれば、パルスされた負の直流電圧は低い負の電圧と高い負の電圧との間で変動する。本実施形態の一例によれば、制御ユニット128は直流供給ユニット126及びマッチングユニット123のパルスタイミング作用pulsetimingactionを制御する。特に、以下の方法の説明によれば、制御ユニット128は第2電極114に印加されるパルスされた負の直流電圧と第1電極112に印加される第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号のパルス変調を同期化させ得る。図2に関し、後述する1つの特定の例によれば、制御ユニット128はオン/オフ1ビット制御信号をマッチングユニット123に印加し、低/高1ビット制御信号を直流供給ユニット126に印加する電子回路であり得る。制御ユニット128によって生成された制御信号のパルス周波数及びデューティー比の例は本明細書内に後述される。マッチングユニット123、制御ユニット128及び/または直流供給ユニット126は単一回路ブロック内に組み合わせることができ、または別個の回路ブロックの内に機能的に分離できる。本実施形態はこのようなユニットのソフトウェア構成及び/または特定内部回路によって限定されない。図2は本発明の一実施形態によって図1のプラズマエッチング装置の作動の一例を説明する模式図である。図1及び図2を共に参照すれば、本発明の一実施形態によれば、区間1n及び区間2nは周期的エッチング工程のn番目周期を構成するnは整数である。特に、図2はパルスされた第1高周波電力信号、第2高周波電力信号、及びパルスされた負の直流供給電圧における周期的エッチング工程のn番目周期と周期的エッチング工程のn番目周期の次の周期的エッチング工程のn1番目周期の区間1n1を示す。上述されたように、本実施形態の一例によれば、このような信号は制御ユニット128によって同期化される。特に、本実施形態の一例によれば、負の直流供給電圧が第1負電圧V1である場合、パルスされた第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号がオン状態区間1nになり、負の直流供給電圧が第2負電圧V2である場合、第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号がオフ状態区間2nになるように、制御ユニット128がマッチングユニット123及び直流供給ユニット126を制御するように構成される。例えば、図2に図示された信号のパルス周波数は約100Hz~100kHzであり、デューティー比は約10~99であり得る。具体的な例によれば、図2に図示された信号のパルス周波数は約10kHzであり、信号のデューティー比は約70であり得る。ここで、デューティー比は区間1n及び区間2nの合計に対する区間1nの比率である。しかし、本発明はこのような具体的な範囲及び例に限定されない。図2を再度参照すれば、第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号のパルスは同期化することができる。すなわち、第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号は同時にターンオンされ、また、ターンオフされる。具体的な例によれば、オン状態の区間例えば、図2で区間1n及び区間1n1内で第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号は各々約2000W及び約8000Wであり得る。しかし、本発明はこのような具体的な例に限定されない。第1高周波信号および第2高周波信号のオン状態/オフ状態の区間と同期化して、負の直流電圧は第1負電圧V1と第2負電圧V2との間で変動する。特に、図2に示したように、第1高周波電力信号および第2高周波電力信号がオフ状態である場合、負の直流供給電圧は第1負電圧V1から第2負電圧V2まで変動し、第1高周波電力信号および第2高周波電力信号がオン状態である場合、負の直流供給電圧は第2負電圧V2から第1負電圧V1まで変動する。例えば、第1負電圧V1の大きさが約0V~500であり、第2負電圧V2の大きさは約200V~2000Vであり得る。さらに具体的な例によれば、第1負電圧V1の大きさは約200V~300Vであり、第2負電圧V2の大きさは400V~2000Vであり得る。しかし、本発明はこのような具体的な例に限定されない。図3は図2に図示したプラズマエッチング方法において、物理的変数の変化を加えた図であり、図4は図2に図示した第1高周波電力信号および第2高周波電力信号がオフ状態であるとき、発生する物理的現状を説明する模式図である。図4aは2次電子のフラックスを説明する模式図であり、図4bはプラズマ内の電位を示す模式図である。図2から図4までを参照すれば、第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号がターンオフされる時区間2nが始まる時、正イオンの密度Nion、電子密度Ne、電子温度Te及びプラズマP電位Ppが減少する。また、正イオン密度Nion及び電子密度Neとの間の差に対応する負イオン密度Nionは増加する。また、上述されたように、負の直流電圧は区間2n内で第1負電圧V1から第2負電圧V2に増加する。結果的に、図4を参照すれば、プラズマP内に残存する正イオンeは第2電極114に加速されて衝突し、2次電子2ndeが生成する。したがって、第2電圧V2程度のエネルギーを有する生成された2次電子2ndeはプラズマPを通過し、第1電極112、すなわち、半導体ウェハWに入射される。また、プラズマP内に残存する電子Bulkeも第1電極112に向けて入射される。しかし、2次電子2ndeは第1電極112に向けて入射される電子の大部分を構成する。図5は上述されたプラズマエッチング装置及びプラズマエッチング技術内にエッチングメカニズムを説明するための断面図である。図5で、基板11上にエッチングされる膜であるエッチング膜13、およびエッチングマスク15が形成されている。例えば、エッチング膜13は絶縁膜であり、基板11は半導体基板、半導体ウェハ、または透明基板であり得る。しかし、本発明はこのような具体的な例に限定されない。また、エッチング膜13は多様な物質膜に成形されることができ、基板11に隣接する一部分であり得る。図5aを参照すれば、第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号がオン状態であり、負の直流電圧が第1電圧V1である区間1n内で、エッチングマスク15を通じて、露出したエッチング膜13内に形成物、例えば、ホール、またはトレンチなどをエッチングするようにプラズマ内の正イオンeが基板11を搭載する第1電極112に向かう。電子シェーディング効果electronshadingeffectにより、形成物内に入射した電子の量は正イオンeより小さい。したがって、正イオンeは形成物の下部領域に蓄積される。形成物の下部領域に正イオンeが蓄積する量は形成物の深さが深くなることによってエッチング効果に不利な影響を及ぼす。これはエッチング間形成物の下部領域に蓄積された正イオンeが形成物の下部領域にプラズマから入射した正イオンeの量を減少させるためである。結果的に、エッチング率はエッチング深さの増加によって減少され、形成物の縦横比が限定される。例えば、最大エッチング可能な縦横比は20:1であり得る。次の説明によれば、本発明の実施形態は形成物の下部領域に正イオンe等が蓄積する量を減少させることによってエッチング効果を高めることに対して、少なくとも部分的に示す。図5bは第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号がオフ状態であり、負の直流電圧が第2電圧V2である区間2nを示す断面図である。この時、図4を参照し、前で説明したことによれば、プラズマP内に残存する正イオンeは第2電極114に加速されて衝突し、2次電子2ndeが生成されて第1電極112に向かって入射する。2次電子2ndeは形成物の下部領域に予め蓄積された正イオンeを2次電子2ndeにより中性化するように、形成物内に深く進入する。また、図5bに示したように、十分な量の2次電子2ndeが形成物の下部領域内に純負電荷net-negativechargeになるように蓄積することができる。これによって、エッチング工程の次の周期でエッチング効果を高めることができる。図5cは図2の区間1n1に対応する断面図である。ここで、第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号はオン状態であり、負の直流供給電圧は第1電圧V1である。エッチング作用は上述した現象により発生する。下部領域に正イオンeが区間2n内で中性化されたため、区間1n1で生成した正イオンeは形成物の下部領域内に妨害されないため、エッチング効果は強くなる。さらに、上述したように、形成物の下部領域が区間2nの終了で純負電荷を有するため、区間1n1で生成した正イオンeは形成物の下部領域内により大きいエネルギーに蓄積されることができ、エッチング効果をさらに強くすることができる。本発明の一実施形態によれば、エッチング工程は各エッチング周期が区間1及び区間2を含むように周期的にN回反復される。図5dは最後の周期であるN番目周期の区間1N後に最終エッチング形成物を示した図である。最後の周期であるN番目周期の区間2Nの電荷の中和が選択的に省略できることが明白である。各周期での区間2nn=1~Nで形成物の下部領域内に正電荷を減少させることによって、各周期でのエッチング区間である区間1nn=2~Nでエッチング効果が強化され、それにより大きい縦横比のエッチング形成物が形成され得る。例えば、縦横比は50:1、またはそれより大きいことが可能である。上述されたように、エッチング形成物はホール、またはトレンチを含む。しかし、形成物はそれに限定されず、他の実施形態はビア、ホール、グルーブ、コンタクト、ラインパターンなどを含むナノスケール回路パターンの形成物を含む。図1から図5までを参照して上述した実施形態によれば、制御ユニット128は第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号のオフ状態の区間がパルスされた負の直流供給電圧の第2電圧V2区間と同期化されるように直流供給ユニット126及びマッチングユニット123のパルス時点を制御するように構成される。しかし、本発明はここに限定されず、本発明の範囲内で多様な変化は本発明の技術分野の通常の知識を有する人々に明白なことである。第1実施形態のように、高周波ソース121、122及び/またはマッチングユニット123は制御ユニット128のパルスされた第1高周波信号及び第2高周波信号を独立的に生成するように構成されることができる。この場合に、制御ユニット128は第1及び第2高周波信号のオフ状態区間がパルスされた負の直流供給電圧の第2電圧V2区間と同期化されるように第1及び第2高周波信号のパルス周波数及びデューティー比を認知してまたは示した信号を受けること、その後に直流供給ユニット126を制御するように構成されることができる。逆に、他の実施形態によれば、直流供給ユニット126は制御ユニット128のパルスされた負の直流供給電圧を独立的に生成するように設定されることができる。この場合に、制御ユニット128は第1及び第2高周波信号のオフ-状態の区間がパルスされた負の直流供給電圧の第2電圧V2区間と同期化されるようにパルスされた直流負の供給電圧のデューティー比及びパルス周波数を認知してまたは示した信号を受けること、その後に第1及び第2高周波少数121、122及び/またはマッチングユニット123を制御するように構成されることができる。また、図6及び図7を参照して後述されるように、本発明は図2に図示された特定パルスパターンに限定されない。本発明の他の実施形態によるプラズマエッチング技術を図6を参照して説明できる。具体的に、図6はaからcまでに分類された3個の実施形態を示す。図6のaを参照すれば、本実施形態は区間2nに第1時間t1の間、第2高周波電力信号がオン状態であることを特徴とする。このとき、第1高周波電力信号はオフ状態であり、負の直流電圧は第2電圧V2である。本実施形態は区間2nの初期時間にプラズマ内に電荷密度を維持することにとって有利であり、それによって、区間2nでプロセス空間内に残存する電荷図4のbulkeの量を増加させることができる。これは区間2nで形成物内に正電荷を中性化させることができる、第1電極112に向かって入射した電荷の総量を増加させることができる。しかし、本発明はエッチング工程の各周期の各区間の終了前に、第2高周波電力信号をターンオフすることも含む。図6のbに示したように、区間1nの終了から第2時間t2遡ったとき、第2高周波電力信号はターンオフされる。第2高周波電力信号がターンオフされた後に、十分量のプラズマがその時間の間エッチングするために維持することができるため、本発明のこのような変化は電力消比を減少させるのに効果的であり得る。本発明の他の変化は図6のcに図示される。ここで、各周期において、プロセス周期の区間1nの終了から第2時間t2遡ったとき、第2高周波電力信号をターンオフし、プロセス周期の区間2nで区間1nが終了してから第3時間t3の間、またターンオンされる。本発明のこのような変化は図6のa及びbの変化と関連して上述されたことと同一な利点を達成できる。本発明は図2及び図6の具体的な例に限定されず、第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号のパルス変数内に他の変化が本発明の範囲内に存在することは本発明の技術分野の通常の知識を有する者に明白なことである。また、後述されるように、電極114に印加される負の直流電圧のパルス変数は多様に変化する。具体的に、図7のaからeまではエッチング工程周期の区間2nにおいて電極114に印加される負の直流電圧のパルス変数の多様な他の実施形態を示す。各区間2nにおいて連続的な高い負の直流電圧V2の適用はマッチングユニット123に加わるストレスを誘発し、マッチングユニット123に潜在的に長期間損傷を誘発する。図7のaからeまではマッチングユニット123に加えられるストレスを縮めるための多様な実施形態を示す。図7のaからcまでの実施形態は各周期の区間2n内で複数の高い負の直流電圧パルス等の適用に対して示す。即ち、高い負の直流電圧パルスはマルチパルス電圧パルスである。図7のaによれば、複数の負の電圧パルスの各々は同一の電圧大きさV2を有する。図7のbによれば、電圧パルスは最大で負の電圧V2に階段形態に増加する。図7のcによれば、電圧パルスは負の電圧V2より小さい電圧に減少する。その実施形態の中から図7cのパルス形態が第1高周波電力信号及び第2高周波電力信号がターンオフされた後に、電荷密度の減少を考慮して最適である。図7のdを参照すれば、負の直流電圧は区間2n内で第2電圧V2から徐々に減少される。即ち、高い負の直流電圧パルスは傾斜された電圧パルスである。他の対案によれば、負の直流電圧は区間2n内で第2電圧V2に徐々に増加することができる。図7のeの実施形態は負の直流電圧V2のパルス幅が区間2nのパルス幅より小さいことを示す。特に、第2電極114に印加される負の直流電圧は区間2nの開始点から第1時間t1以後に第2電圧V2に増加され、区間2nの終了から第2時間t2遡って第1電圧V1にまた減少される。多様な上述された実施形態の本発明はプラズマエッチングの間、エッチングされた形成物内に周期的に正電荷を中性化することを特徴とする。上述された実施形態によれば、これは周期的工程を反復的に実行することによって達成され、各周期は電荷相殺区間区間2n及びエッチング区間区間1nを含む。また、上述された実施形態で、各周期は周期的工程の以前周期と同一の変数を有する。だが、本発明はこのような方法に限定されない。すなわち、他の実施形態で、1つ、またはその以上の周期の変数は周期的工程の他の周期に関連して変更できる。第2実施形態図8は本発明の第2実施形態によるプラズマエッチング装置を示す。図8を参照すれば、第2実施形態によるプラズマエッチング装置102はチャンバー110、第1電極112、第2電極114、第1高周波ソース121、第2高周波ソース122、第1マッチングユニット123、第2マッチングユニット124、直流供給ユニット126及び制御ユニット128を含む。ここで、第1高周波ソース121、第2高周波ソース122、第1マッチングユニット123及び第2マッチングユニット124は高周波供給ユニットを構成する。図8では第2高周波ソース122から第2高周波電力信号が第2マッチングユニット124を通じて第2電極114にプラズマ生成のために印加されることを除いて図1の実施形態と類似である。逆に、図8の実施形態の動作は図2から図7までを参照して上述されたことと同一であり、これによって、図8の実施形態の具体的な動作説明は重複を避けるために省略される。第3実施形態図9は本発明の第3実施形態によるプラズマエッチング装置を示す。図9を参照すれば、第3実施形態によるプラズマエッチング装置103はチャンバー110、第1電極112、第2電極114、第1高周波ソース121、第2高周波ソース122、第1マッチングユニット123、第2マッチングユニット124、誘導性ワインディング116、直流供給ユニット126及び制御ユニット128を含む。第1高周波ソース121、第2高周波ソース122、第1マッチングユニット123及び第2マッチングユニット124は高周波供給ユニットを構成する。図9の実施形態は第2高周波ソース122から第2高周波電力信号が第2マッチングユニット124を通じて誘導性ワインディングinductivewinding116にプラズマ生成のために印加されることを除いて、図8の実施形態が類似である。即ち、誘導性ワインディング116はチャンバーのプロセス空間内にプラズマPを生成することに効果的である。図9の実施形態の動作は図2から図7までを参照して上述されたことと同一であり、これによって、図9の実施形態の具体的な動作説明は重複を避けるために省略される。第4実施形態図10は本発明の第4実施形態によるプラズマエッチング装置を示す。図10を参照すれば、本実施形態によるプラズマエッチング装置104はチャンバー110、第1電極112、第2電極114、第1高周波ソース121、第2高周波ソース122、マッチングユニット123、直流供給ユニット126及び制御ユニット128を含む。第1高周波ソース121、第2高周波ソース122及びマッチングユニット123は高周波供給ユニットを構成する。図10の実施形態は正の直流電圧が直流供給ユニット126から第1電極112に供給されることを除いて図1の実施形態と類似である。正の直流電圧を第1電極112に供給することによって、プラズマ内に残存する電子図4のbulkeが第1電極に向けて入射され、半導体ウェハWのエッチングされた形成物内に正電荷を中性化する。第2高周波電力信号がターンオフ状態である場合、電荷密度が急激に減少するため、図10の実施形態は以前の実施形態と同一の効果を実現できない。一方、図10の実施形態は第2高周波電力信号が区間2nの一部分内でオン-状態である図6のa及びcの実施形態に特に適合できる。違う点として、図10の実施形態の動作正の直流電圧を使用することは図2から3まで及び図5から7までを参照して上述されたことと同一であり、これによる図10の実施形態の具体的な作動説明は重複を避けるために省略される。図11を参照して本発明の第1実施形態から第4実施形態によるプラズマエッチング方法が説明される。まず、基板がプラズマエッチングチャンバー内に配置されるS10。プラズマエッチングチャンバーは図1及び図8から図10までを参照して上述された多様な実施形態によることを含む。そして、エッチング工程がエッチングチャンバー内に配置された基板内に形成物をエッチングするために実行されるS20。その後、形成物内の正電荷を減少させS30、以後のエッチング工程のエッチング効果が高める。エッチング工程はまた基板内に形成物をさらにエッチングするために実行されるS40。プラズマエッチングが続く場合S50でNoの場合、工程はまたエッチングされた形成物内の正電荷を減少させS30、そして、形成物をよりエッチングするために他のエッチング工程を実行するS40。正電荷の減少S30及び形成物のエッチングS40は形成物が完全に成形される時S50のyesの場合まで反復される。以上、添付された図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明はその技術的思想や必須な特徴を変更することなく、他の具体的な形態に実施され得る。したがって、上述した実施形態はすべての方面において例示なことであり、限定的でないことに理解しなければならない。