透光性絶縁基板の主面に透明電極層、光電変換層および裏面電極層をこの順に積層する成膜工程と、前記透光性絶縁基板の外周縁に堆積した前記透明電極層、前記光電変換層および前記裏面電極層からなる堆積膜を除去する堆積膜除去工程を含む薄膜太陽電池の製造方法であって、前記成膜工程に先立って前記透光性絶縁基板の各辺の延在方向の端部形状を識別する端部形状識別工程を有し、前記端部形状識別工程において、前記主面側の外周縁に面取りが識別された場合、前記堆積膜除去工程において、前記主面側から前記主面側の外周縁の前記堆積膜に向かって光軸を傾斜させたレーザ光を照射して前記堆積膜を除去することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。前記レーザ光の波長が、前記透明電極層への吸収率が高い波長であることを特徴とする請求項1記載の薄膜太陽電池の製造方法。請求項1乃至請求項2の製造方法を用いて製造された薄膜太陽電池。しかしながら、特許文献1の場合、CVD、スパッタ、蒸着といった成膜方法を行う成膜装置のチャンバー内に透光性絶縁基板501を設置して透明電極層503、光電変換層504および裏面電極層505を透光性絶縁基板501の主面507に積層するが、これらの各層は、実際には図7に示すように、透光性絶縁基板501の端部509にも堆積する。一方で、図8のように、非導電性表面領域506を透光性絶縁基板501の主面507の外周縁に形成した場合でも、端部509には、透明電極層503’、光電変換層504’および裏面電極層505’からなる堆積膜が残存したままであり、このままでは絶縁耐電圧が低下する場合がある。なぜなら、堆積膜は、端部509に沿って主面507の方向へ突出して残存しているので、なんらかの原因で、この突出部分が主面507の側へ傾いたりすると、発電部502との距離が狭まり、絶縁抵抗が低下するからである。ところで、この絶縁耐電圧は、非導電性表面領域506の幅Lと関連付けられて規格化されており、この規格の幅は、例えば、薄膜太陽電池のシステム電圧が301~600Vでは6.4mm以上、システム電圧が601~1000Vでは8.4mm以上必要とされているIEC:61730やJIS:C8992。したがって、端部509への堆積膜の残存を考慮して、非導電性表面領域506の幅Lを規格の幅よりも広くしていたが、これにより発電面積を減少させることになっていた。さらに、透光性絶縁基板の外周縁の欠けや割れを抑制するために、外周縁の角部を切削した面取りを有する透光性絶縁基板を用いることがあるが、面取りは、その幅分が基板表面に入り込むため、堆積膜が堆積しやすくなる。また、個々の透光性絶縁基板によって、面取りの仕上がり形状にはばらつきがあり、このばらつきによって堆積膜の堆積状態にもばらつきが生じてしまう。このため、これらのばらつきをも考慮して非導電性表面領域を形成する必要があり、この結果、発電面積の減少がさらに助長されていた。本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、発電面積を減少させることなく、必要な絶縁耐電圧を確保することが可能な薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池を提供することを目的とする。本発明による薄膜太陽電池の製造方法は、透光性絶縁基板の主面に透明電極層、光電変換層および裏面電極層をこの順に積層する成膜工程と、前記透光性絶縁基板の外周縁に堆積した前記透明電極層、前記光電変換層および前記裏面電極層からなる堆積膜を除去する堆積膜除去工程を含む薄膜太陽電池の製造方法であって、前記成膜工程に先立って前記透光性絶縁基板の各辺の延在方向の端部形状を識別する端部形状識別工程を有し、前記端部形状識別工程において、前記主面の側に面取りが識別された場合、前記堆積膜除去工程において、前記主面の裏面側から前記堆積膜に向かって光軸を傾斜させたレーザ光を照射して前記堆積膜を除去することを特徴とする。また、前記レーザ光の波長が、前記透明電極層への吸収率が高い波長であっても良いし、上記製造方法を用いて製造された薄膜太陽電池であっても良い。本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、絶縁耐電圧を劣化させることなく発電面積の減少を抑制することができる。実施形態1本発明の一実施形態について図1~5を参照して説明する。図1は本発明の一実施形態に係る透光性絶縁基板の端部形状識別工程を説明する斜視図、図2は端部形状識別工程を説明する要部拡大図、図3は成膜工程を説明する断面図、図4は積層膜除去工程を説明する断面図、図5は堆積膜除去工程を説明する断面図である。始めに、図1、2を参照して端部形状識別工程について説明する。図1に示すように、端部形状識別工程では、透光性絶縁基板101の主面107と他面108とに接する端部109の形状を、画像認識装置などを用いて識別する。図2は、端部形状の識別結果であり、他面108の側に面取りが無く、主面107の側に面取り110が有ると識別された状態を示している。この識別結果は、後述する堆積膜除去工程に用いられる。なお、図示は省略するが、端部形状の識別は、主面107と他面108に接する端部の全てにおいて実施される。次に、図3を参照して成膜工程について説明する。図3は、図1に示した透光性絶縁基板101において、同じく図1中に示した一点鎖線矢印A-A’方向の、端部109と平行な位置の断面を示している。成膜工程では、主面107に、透明電極層103、光電変換層104、裏面電極層105をこの順に積層する。この際、図示のとおり、これらの各層が、端部109にも堆積する。次に、図4を参照して積層膜除去工程について説明する。積層膜除去工程では、成膜工程の後、透光性絶縁基板101の外周縁に積層された透明電極層103、光電変換層104および裏面電極層105が、端部109から面取り110の傾斜部分を差し引いた主面107の領域について幅Lにわたって除去される。これにより、非導電性表面領域106が形成される。具体的には、透明電極層103への吸収率が高い波長をもつレーザ光111を、透光性絶縁基板101の他面108側から幅Lにわたって照射する。これにより、透明電極層103の蒸散にともなって光電変換層104および裏面電極層105が一括して除去されて形成される。この際、図示のとおり、端部109、面取り110には、透明電極層103’、光電変換層104’および裏面電極層105’からなる堆積膜が残存している。また、非導電性表面領域106の内側図に向かって左側の積層膜は発電部102となる。次に、図5を参照して堆積膜除去工程について説明する。堆積膜除去工程では、積層膜除去工程の後、透光性絶縁基板101の面取り110に残存していた透明電極層103’、光電変換層104’および裏面電極層105’からなる堆積膜が、前述した端部形状識別工程での識別結果に基いて、以下の手順で除去される。透明電極層103’への吸収率が高い波長のレーザ光112を、透光性絶縁基板101の主面107の側から、面取り110に堆積した透明電極層103’に向かって、光軸を傾斜させて照射する。これにより、面取り110に堆積している透明電極層103’が蒸散する。すると、光電変換層104’は、透明電極層103’による支持を失い、透明電極層103’の蒸散とともに剥離する。また、裏面電極層105’は、光電変換層104’が剥離することにより、支持を失うので同様に剥離する。以上により、面取り110に沿って堆積していた上記の各層が除去される。また、面取り110に沿って堆積していた各層が、透明電極層103’の蒸散にともなって一括して除去されるので、端部109から発電部102までの空間距離として幅L’が確保される。すなわち、積層膜除去工程で形成された非導電性表面領域106の幅Lが、実質的に拡げられる。なお、堆積膜除去は、透光性絶縁基板101の全ての外周縁について実施される。以上に述べたように、一実施形態によれば、透光性絶縁基板の外周縁に堆積した透明電極層、光電変換層および裏面電極層からなる堆積膜を適切に除去できるため、非導電性表面領域の幅を規格の幅と同等とすることが可能となる。したがって、絶縁耐電圧を劣化させることなく発電面積の減少を最小限に抑えた薄膜太陽電池を製造することができる。なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図されるものである。