硬脆材料の外周縁部を面取り加工するべべリング砥石であって、前記硬脆材料の外周縁部が当接する外周面に溝部が形成された台金と、前記溝部に形成され、ろう付けにより砥粒が固着された砥粒層とを有し、前記砥粒の平均粒径は、4000~270であることを特徴とするべべリング砥石。前記砥粒から離間した第1の位置における前記ろう付けの厚みは、前記第1の位置よりも前記砥粒に近接した第2の位置における前記ろう付けの厚みよりも薄いことを特徴とする請求項1に記載のべべリング砥石。前記砥石は、ダイヤモンドであることを特徴とする請求項1又は2に記載のべべリング砥石。前記台金は、ステンレス鋼であることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか一つに記載のべべリング砥石。近年、砥粒の粒径を縮径することによる、砥石の長寿命化、端面形状の崩れの極小化、割れの防止、チッピングの防止が求められている。粒径が小さい砥粒を例えば、電着法で固着した場合、硬脆材料の切削時に下記の問題が生じる。図6aは粒径が大きい砥粒が電着法で固着された状態を模式的に示している。図6bは粒径が小さい砥粒が電着法で固着された状態を模式的に示している。これらの図を参照して、粒径が大きい砥粒を使用、つまり、図6aに図示する砥粒310を使用した場合、砥粒310の上端部ウエハに接触する側の端部から基準面結合層320の上端面までの間隔T1がより大きくなる。他方、粒径が小さい砥粒を使用、つまり、図6bに図示する砥粒310を使用した場合、砥粒310の上端部から基準面までの間隔T2がより小さくなる。したがって、粒径が大きい砥粒を使用した場合には、研削されるウエハの端部から基準面に至るまでの間隔を十分に確保できるため、研削時にウエハが結合層320の基準面に当接して、結合層が浸食されるのを抑制することができる。これに対して、粒径が小さい砥粒を使用した場合、研削されるウエハの端部から基準面までの間隔を十分に確保することができないため、研削時にウエハの端部が基準面に当接して、結合層320が浸食される。電着法などの特許文献1乃至6に記載された従来の結合方法では、砥粒を固着する固着強度が元々十分でないことに加えて、結合層320の浸食による強度低下を招くため、小径化した砥粒を固着させる手段として十分でない。さらに、特許文献7に開示されるような、ダイヤモンド砥粒等を台金の外周面にろう付けにより固着させる方法では、被研削材がガラスであるため、ダイヤモンド砥粒の平均粒径は♯200/230と大きく設定されている。したがって、特許文献7には、砥粒が小径化することによる課題は、記載も示唆もされていない。このように粒径が大きいダイヤモンド砥粒を用いたベベリング砥石100によって、ウエハのような硬くて脆い硬脆材料の面取り加工を行うと、ウエハが過度に削り取られ、チッピングや割れ等が発生し易くなる。そこで、本発明は、長期の研削においてもダイヤモンド砥粒等の脱落をなくし、長期使用を実現するとともに、硬脆材料の面取り加工時に生じるチッピングや被研削材における割れの発生を抑制するベベリング砥石を提供するものである。上記課題を解決するために、本発明のべべリング砥石は、硬脆材料の外周縁部を面取り加工するべべリング砥石であって、前記硬脆材料の外周縁部が当接する外周面に溝部が形成された台金と、前記溝部に形成され、ろう付けにより砥粒が固着された砥粒層とを有し、前記砥粒の平均粒径は、4000~270であることを特徴とする。本発明によれば、小さい粒径のダイヤモンド砥粒等を強固にベベリング砥石の外周端部に固着させることで、ベベリング砥石を長期に使用可能とするとともに、硬脆材料の面取り加工時に生じるチッピングや被研削材における割れの発生を抑制する技術を提供することができる。以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。第1実施形態図1は第1実施形態のべべリング砥石の斜視図であり、図2は図1のべべリング砥石をX-Z断面で切断した断面図である。これらの図を参照して、べべリング砥石1は、台金2を含む。台金2は、略円盤形状に形成されており、径方向の中心部に上下方向に延びる貫通孔21が形成されている。この貫通孔21には、後述する電気モータ4の回転軸41が挿通されており、回転軸41及び台金2は互いに固定されている。電気モータ4が駆動されると、回転軸41及び台金2は一体的に回転する。ここで、台金2は、ステンレス鋼であっても良い。ステンレス鋼は、耐摩耗性および耐食性が高いため、べべリング砥石1の寿命を延ばすことができる。ステンレス鋼は、SUS304、SUS316、SUS430であってもよい。また、台金2の径方向端部の外周面には、凹凸部23が形成されている。この凹凸部23は、研削対象であるウエハなどの目的形状に応じた形状を備える。例えば硬脆材料の外周面の角部を45°の傾斜角度に面取り加工する場合は、凹凸部23における傾斜砥石面部24を、台金2の半径方向に対して45°傾斜させる。この傾斜砥石面部24に後述の砥粒層3を形成して、傾斜砥石面部24を硬脆材料に当接させることにより、硬脆材料を目的の形状に面取り加工することができる。砥粒層3は、台金2の外周面における凹凸部23に対して砥粒31をろう付けにより固着することにより形成される。ろう材32は、メタルボンド等と異なり親和性が高いため、砥粒31とろう材32、およびろう材32と凹凸部23とを隙間なく固着することができる。これにより、砥粒31が凹凸部23に対して強固に固着するため、砥粒31の脱落を抑制することができる。また、ろう材32は、濡れ現象により塗布量が少なくとも、砥粒31を十分な強度で固着することができる。しかも、砥粒31に近接した領域では厚みが相対的に厚くなり、砥粒31から離間した領域では厚みが相対的に薄くなり、十分な固着強度を維持しながら、研削対象であるウエハから離間した位置にろう材32を配することができる。これにより、研削時にウエアがろう材32に当接して、浸食するのを抑制できる。図3aは、ろう材32を凹凸部23に塗布することにより、砥粒31を固着した状態を模式的に示した砥粒層3の拡大図であり、図3bは、電着法により砥粒31を凹凸部23に固着した状態を模式的に示した砥粒層3の拡大図である。図3aを参照して、ろう材32を用いて砥粒31を固着した場合には、ろう材32が砥粒31の外面に沿って下方に延出し、砥粒31から離間するにしたがって、ろう材32の厚みが薄くなっている。したがって、研削対象であるウエハがろう材32に当接することにより浸食されるのを抑制することができる。図3bを参照して、電着法により砥粒31を凹凸部23に固着した場合には、結合層がフラットであるため、研削対象であるウエハがろう材32に当接して、浸食が進むおそれがある。このように、本実施形態では、砥粒31を小径化することによって生じる課題、つまり、研削対象であるウエハが結合層に当接することによる浸食を、ろう材32の濡れ性に着目することにより解決している。これにより、長期の研削においてもダイヤモンド砥粒等の脱落をなくし、長期使用を実現するとともに、硬脆材料の面取り加工時に生じるチッピングや被研削材における割れの発生を抑制することができる。ここで、砥粒31の平均粒径は、好ましくは40004umに相当~27061umに相当であり、より好ましくは30005umに相当~27061umに相当である。砥粒31の平均粒径が270よりも大きくなると、硬脆材料が過度に研削され、硬脆材料の表面にクラックが生じる。砥粒の平均粒径が4000よりも小さくなると、ろう材32と研削対象であるウエハとの間隔が小さくなり、ろう材31の浸食を促進するおそれがある。砥粒の平均粒径が3000よりも小さくなると、砥粒31の突出量が小さくなって研削能力が低下するため、作業効率を悪化させる。ここで、平均粒径は、D50で表される中心径により定義した。上記砥粒の平均粒径単位umは、ベックマンコールター社製CoulterMultisizer3のコールターカウンターを用いて測定した。上記のような粒径の砥粒31を単層により凹凸部23の表面に配列しても良い。これにより、砥粒31の大きさを揃えることで、砥粒31の研削面を一定に保つことが可能となり、凹凸部23の場所に応じて過度に硬脆材料が研削されることを防ぐことができる。すなわち、硬脆材料の形状崩れを起こさずに、硬脆材料の面取り加工を行うことができる。ここで、砥粒31には、例えばダイヤモンド、立方晶ボロンナイトライド、炭化珪素および酸化アルミニウムを用いることができる。また、ろう材32には、例えばNiCrFeSiB系、NiSiB系、NiCrSiB系などのろう材を用いることができる。NiFeCrSiB系にPを含有させることで、砥粒31とろう材32との濡れ性を改善して、台金2に対する砥粒31の接合性を安定させ、台金2から砥粒31が脱落するのを効果的に防ぐことができる。ここで、Pの含有量は、01≦P≦8であってもよい。Pの含有量が質量で01未満の場合には、ろう材32の融点が不安定になる。Pの含有量が、質量で、8以上の場合には、ろう材32の融点は安定するものの、砥粒31とろう材32の濡れ性が過大となり、砥粒31がろう材32によって覆われ、研削機能が低下する。次に、べべリング砥石1の製造方法の一実施形態について説明する。まず、台金2の外周面にろう材32、その上から糊等により砥粒31を仮付けする。このろう材32の仮付けには、ろう材32を箔とした場合とろう材32を粉とした場合とがある。ろう材32が箔の場合は、スポット溶接で仮付けする。ろう材32が粉の場合は、セルロース系のバインダー等をろう粉と混練したものを台金2に塗布する。また、砥粒31の配列としては、単層で凹凸部23に対して均一に配列するとよい。台金2に対して砥粒31およびろう材32を仮付けした後に、103Pa程度の圧力で台金2を真空引きする。そして、その後、ろう材32の溶融温度まで台金2を昇温させて、ろう材32を溶融させて台金2に対して砥粒31を固着させる。このろう材32の溶融温度は、ろう材32の融点以上であって、高くても液相線温度30°C以内にすると良い。このように溶融温度を低く制限することにより、台金2が熱によって大きく変形するのを抑制することができる。次に、上記のように形成されたべべリング砥石1を用いた、硬脆材料の面取り動作について説明する。ここで、硬脆材料は、例えばシリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板、ハードディスク用ガラス基板であってもよい。べべリング砥石1は、図4に図示するように、電気モータ4の回転軸41の下端部に形成されたネジ部42にナット5を締結することにより固定される。研削対象である硬脆材料は、ワークホルダー不図示に固定するとともに、べべリング砥石1及びワークホルダーが同じ高さとなるように、ワークホルダーの高さを調節する。これらの設定が完了すると、電気モータ4を駆動して、回転軸41を介してべべリング砥石1を高速回転させる。この高速回転したべべリング砥石1をべべリング砥石移動機構部不図示によって、硬脆材料の外周面に対して所定の押圧力により押しつけて、硬脆材料の面取り研削を行う。研削作業が完了すると、べべリング砥石移動機構部を駆動して、べべリング砥石1を硬脆材料から離間させる。べべリング砥石1が初期位置に戻ると、電気モータ4およびべべリング砥石移動機構部の駆動を停止させる。本発明のべべリング砥石1により研削される研削対象は、例えばシリコンウェハまたはハードディスク基板であってもよい。この場合は、純水を研削液として使用した機械研磨法、または、化学機械研磨法CMP法ChemicalMechPolishingMethodを用いて、シリコンウェハまたはハードディスク基板の面取り加工が行われる。化学機械研磨法とは、具体的には、べべリング砥石1をシリコンウェハまたはハードディスク基板に当接させて研削する際に、研磨粒子を液体中に分散混入させたスラリーSlurry液をシリコンウェハまたはハードディスク基板の研削面に供給する。このようにスラリー液を研削面に供給することにより、べべリング砥石1とシリコンウェハまたはハードディスク基板の間にスラリー液を介在させた状態で面取り処理を行うことができる。上述の方法によれば、研磨粒子の機械的研磨作用とスラリー液の化学的研磨作用との相乗効果により研磨効率を高めることができる。また、スラリー液のpH濃度を調節することができるため、研磨能率を容易に制御することができる。ここで、スラリー液の研磨粒子としては、例えば粒径10nm程度のシリカパウダーを用いることができる。また、スラリー液の液体としては、水酸化カリウムKOHまたは水酸化ナトリウムNaOHなどのアルカリ金属と水酸基OHとからなる物質の水溶液を用いることができる。実施例を示して本発明について具体的に説明する。実施例1本実施例では、べべリング砥石1を構成する砥粒31の平均粒径を230から5000の間で変化させて、研削試験を行った。具体的には、発明例1~発明例6の砥粒31の平均粒径をそれぞれ270、400、800、1500、3000、4000とし、比較例1~2の砥粒31の平均粒径をそれぞれ230、5000とした。べべリング砥石1の回転速度は、2000m分に設定した。研削対象として、外径が200mm、厚さが0.8mmのシリコンウェハを使用した。シリコンウェハの回転速度は、1rpmに設定した。加工液には、純水を使用した。発明例1~発明例6、比較例1~2のべべリング砥石1を上記条件に従って回転させながらシリコンウェハに当接させ、切り込み量が0.4mmに達したときに、研削作業を停止し、新しいシリコンウェハに交換した。これらの研削作業をべべリング砥石1が使用不能となるまで繰返し行い、使用不能時点での総加工枚数に基づき、べべリング砥石1の研削能力を評価した。ここで、べべリング砥石1が使用不能になるとは、ろう材32から砥粒31が脱落した状態を意味する。また、研削時のチッピングの程度についても評価した。研削能力については、加工枚数が4000枚以上の場合は◎、1000~4000枚の場合は○、1000枚以下の場合には×で評価した。チッピングの程度については、大、中、小の三段階で評価した。総合評価は、研削能力の評価が×、またはチッピングの程度が大である場合には不良として×で評価し、研削能力の評価が○で、かつ、チッピングの程度が小、若しくは中である場合には概ね良好として○で評価し、研削能力の評価が◎で、かつ、チッピングの程度が小、若しくは中である場合には大変良好として◎で評価した。これらの評価結果を、下記の表1に示す。表1を参照して、発明例1は研削能力の評価が◎で、チッピングの程度が中であるため、総合評価は◎となった。発明例2乃至5は研削能力の評価が◎で、チッピングの程度が小であるため、総合評価は◎となった。発明例6は研削能力の評価が○で、チッピングの程度が小であるため、総合評価は○となった。比較例1は研削能力の評価が◎で、チッピングの程度が大であるため、総合評価は×となった。比較例2は研削能力の評価が×で、チッピングの程度が小であるため、総合評価は×となった。これらの評価結果から、研削能力については、べべリング砥石1の砥粒31が3000より小さくなると、砥粒31の突出量が小さくなり、研削能力が低下し、加工枚数が減少することがわかった。べべリング砥石1の砥粒31が4000よりも小さくなると、ろう材32とシリコンウェハとの間隔が小さくなり、ろう材32の侵食が促進され、砥粒31が脱落し、べべリング砥石1の研削性能が著しく低下するため、シリコンウェハの加工枚数が著しく減少することがわかった。また、チッピングについては、べべリング砥石1の砥粒31を270より大きくすると、シリコンウェハが過度に削り取られ、チッピングが多く発生することがわかった。実施例2本実施例では、砥粒31を台金2に固着する固着方法に用いられるろう付けについて固着強度を評価した。具体的には、次のような発明例7、比較例1および比較例2を用いて、硬脆材料の加工枚数および硬脆材料の研削面における端面形状の崩れの有無について評価した。発明例7に用いられるべべリング砥石1は、粒径が1500であるダイヤモンド砥粒をろう付けにより台金2に固着することにより構成した。比較例3に用いられるべべリング砥石1は、発明例7と同じ粒径の砥粒31をニッケル電着法により台金2に固着することにより構成した。比較例4に用いられるべべリング砥石1は、発明例7と同じ粒径の砥粒31をメタルボンド焼結法により台金2に固着することにより構成した。べべリング砥石1の回転速度は、1500m分に設定した。研削対象として、外径が105mm、厚さが0.5mmのガラス製ハードディスク基板を使用した。ハードティスク基板の回転速度は、1rpmに設定した。加工液には、酸化セリウムスラリーを使用した。発明例7、比較例3~4のべべリング砥石1を上記条件に従って回転させながらハードディスク基板に当接させ、切り込み量が0.4mmに達したときに、研削作業を停止し、新しいハードディスク基板に交換した。これらの研削作業をべべリング砥石1が使用不能となるまで繰返し行い、使用不能時点での総加工枚数に基づき、べべリング砥石1の研削能力を評価した。ここで、べべリング砥石1が使用不能になるとは、ろう材32から砥粒31が脱落した状態を意味する。これらの評価結果を下記の表2に示す。表2に示すように、発明例7は、加工枚数が17000枚と長寿命であり、ハードディスク基板の研削面である端面形状についても崩れがないことがわかった。これに対して、比較例3および比較例4では砥粒31の固着力が不足するため、早期に砥粒31が台金2から脱落して、べべリング砥石1の研削能力が低下した。このため、発明例7と比較してハードディスク基板の加工枚数が110~120に低下し、短寿命であることがわかった。さらに、比較例3および比較例4では早期に砥粒31が台金2から脱落するため、ベベリング砥石1に砥粒31がない部分が発生し、硬脆材料の研削面における端面形状が崩れてしまうことも分かった。本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他の様々な形で実施することができる。そのため、前述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する全ての変形、様々な改良、代替および改質は、すべて本発明の範囲内のものである。