機能回路部と、前記機能回路部と対応するデカップリング回路と、前記デカップリング回路について、第1の状態と当該第1の状態よりデカップリング効果の高い第2の状態とを切り替えるデカップリング制御手段とを有し、前記デカップリング制御手段は、前記機能回路部が動作状態に遷移することに応じて前記デカップリング回路を前記第1の状態から前記第2の状態へ切り替えることを特徴とする半導体集積回路。前記機能回路部へ供給する電源を制御する電源制御手段をさらに有し、前記デカップリング回路は、前記電源制御手段によって前記機能回路部と一緒に電源を供給されるように対応している回路領域に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。前記デカップリング回路に対応するスイッチをさらに有し、前記デカップリング制御手段は、前記スイッチを制御することで前記デカップリング回路の状態を切り替えることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路。半導体集積回路の機能を実現する機能回路部と同一の電源ドメインにデカップリングキャパシタを含む半導体集積回路であって、前記デカップリングキャパシタは、電源とグランドの間に電荷の蓄積をするか否かを制御する電源スイッチを有し、当該半導体集積回路の回路動作状態に応じて、前記デカップリングキャパシタの前記電源スイッチを制御するキャパシタ電源制御部を有することを特徴とする半導体集積回路。当該半導体集積回路の動作を制御する回路動作制御部を更に有し、前記回路動作制御部は、前記機能回路部を制御する機能制御部と、前記機能回路部へのクロック供給を制御するクロック制御部と、前記機能回路部への電源供給を制御する電源制御部とを有することを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路。前記デカップリングキャパシタの電源スイッチの制御を、当該半導体集積回路の回路動作状態に応じて、前記機能制御部の制御情報を用いて実現することを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路。前記デカップリングキャパシタの電源スイッチの制御を、当該半導体集積回路の回路動作状態に応じて、前記クロック制御部の制御情報を用いて実現することを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路。前記デカップリングキャパシタの電源スイッチの制御を、当該半導体集積回路の回路動作状態に応じて、前記電源制御部の制御情報を用いて実現することを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路。機能回路部と、前記機能回路部と対応するデカップリング回路と、を備える半導体集積回路の制御方法であって、前記機能回路部が動作状態に遷移することに応じて前記デカップリング回路を第1の状態から当該第1の状態よりデカップリング効果の高い第2の状態へ切り替えることを特徴とする半導体集積回路の制御方法。半導体集積回路の機能を実現する機能回路部と同一の電源ドメインにデカップリングキャパシタを含み、前記デカップリングキャパシタは、電源とグランドの間に電荷の蓄積をするか否かを制御する電源スイッチを備える半導体集積回路の制御方法であって、当該半導体集積回路の回路動作状態に応じて、前記デカップリングキャパシタの前記電源スイッチを制御することを特徴とする半導体集積回路の制御方法。回路内部の電源遮断を行う場合、電源スイッチの近傍に電源ノイズ抑制用のデカップリングキャパシタを必要な電気容量だけ配置しなければならない。しかしながら、これらデカップリングキャパシタの多くは電源スイッチの状態が遷移しない定常的な動作状態ではあまり必要のないものであり、デカップリングキャパシタを常時通電させておくことは、リーク電流の増加を招く。従って、リーク電流を削減するためには、電源ノイズを抑制する必要のある期間だけデカップリングキャパシタとして機能し、必要がなくなれば電源が遮断されていることが望ましい。しかしながら、従来技術では、共振ノイズを抑制する目的で電源スイッチを備えたデカップリングキャパシタにより電気容量を変化させる技術が実施されているものの、このデカップリングキャパシタは半導体集積回路の動作面の特徴に対応して配置されるものではない。従って、この技術では半導体集積回路の動作状態や電源スイッチの投入遮断により半導体集積回路内で局所的に発生する電源ノイズの影響を抑えることはできない。また、従来技術のデカップリングキャパシタに供えられた電源スイッチは共振ノイズを抑制することが目的であり、共振ノイズを抑制するのに適切な電気容量になるよう設定されるべきもので、半導体集積回路の電源ノイズを抑制する必要が無い時にデカップリングキャパシタの電源を遮断してリーク電流を削減するような制御には適さない。従って、デカップリングキャパシタの電源の投入と遮断を半導体集積回路の動作状態や電源スイッチの投入遮断に合わせて適切に制御しなければ、電源ノイズの抑制とリーク電流の削減を両立させることはできない。本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、半導体集積回路が利用されるシステムの動作にあわせて良好な電源ノイズの抑制効果を得ると共に、リーク電流を直接最適化する半導体集積回路を提供することである。上記の目的を達成するための半導体集積回路は以下の構成を備える。即ち、機能回路部と、前記機能回路部と対応するデカップリング回路と、前記デカップリング回路について、第1の状態と当該第1の状態よりデカップリング効果の高い第2の状態とを切り替えるデカップリング制御手段とを有し、前記デカップリング制御手段は、前記機能回路部が動作状態に遷移することに応じて前記デカップリング回路を前記第1の状態から前記第2の状態へ切り替える。本発明によれば、半導体集積回路が電源ノイズを効率的に抑制すると共に、リーク電流を抑えることができる。特許文献1のようなシミュレーションで好ましくデカップリングキャパシタを配置することは困難である。例えば、様々な適用先を前提に開発された半導体集積回路において、半導体集積回路の設計段階に実際のシステムに組み込まれた状態を想定してシミュレーション結果を得ることは難しい。また、システムの動作と同等の入出力信号、及び内部の動作状態、温度、電圧の種々の条件を揃えシミュレーションを実施することも困難である。このため、有る程度厳しい条件で見積もったシミュレーション結果をもとに多用途の半導体集積回路のデカップリングキャパシタを配置することが多い。しかし、本発明はシミュレーションによりデカップリングキャパシタの配置を良くする技術を俳除するものではない。以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。<実施形態1>実施形態1の半導体集積回路の構成を図1に示す。半導体集積回路100は、システムの動作を制御する回路動作制御部101により制御信号である制御情報CNT102を用いて機能回路部103を制御する。電源とキャパシタの間に電源スイッチを有する電源スイッチ付きデカップリングキャパシタD1、D2、D3104~106以下、単にデカップリングキャパシタと表記するは、機能回路部103と電源、グランドを共有する。尚、以降の説明で、カップリングとは2つの回路を電気的に結合し信号を伝える事を示し、デカップリングとは意図しない結合ノイズを低減させることを示すものとする。また、以降の説明ではデカップリングキャパシタを用いて説明するが、デカップリング回路としてコンデンサ、キャパシタ、デカップリング素子などのデカップリング効果のある要素を用いてもよい。また、デカップリングキャパシタD1、D2、D3104~106は、キャパシタ電源制御部107の制御情報D1_EN、D2_EN、D3_EN108~110により電源スイッチのオン/オフが制御される。この電源スイッチにより、電源とグランドの間のデカップリングキャパシタに電荷の蓄積をするか否かを制御する。以降の説明では、電荷の蓄積をするか否かを制御する例を用いて説明するが、デカップリング効果の高い状態第2の状態とそうでない状態第1の状態を切り替えられればよい。このとき、第2の状態の方が第1の状態よりもリーク電流が高い可能性がある。尚、ここでデカップリングキャパシタを制御する系統の数を、デカップリングキャパシタD1、D2、D3の3系統としているが、本発明ではデカップリングキャパシタの制御系統に数の制限を設けるものではない。キャパシタ電源制御部107は、回路動作制御部101から受信する回路動作状態情報ST_OP111、及び、その時点での電源制御の状態より、制御情報D1_EN、D2_EN、D3_EN108~110を生成する。また、キャパシタ電源制御部107は、デカップリングキャパシタD1、D2、D3の電源制御の状態をキャパシタ電源状態情報ST_CP112として回路動作制御部101に送信することが可能である。また、図1でデカップリングキャパシタD1、D2、D3104~106は機能回路部103と同一の電源ドメイン113回路領域内に配置される。このとき、システムの回路動作状態情報ST_OP111を用いて機能回路部103の電源ノイズが効果的に抑制されるように配置する。例えば、デカップリングキャパシタD1、D2、D3104~106の各々を複数のデカップリングキャパシタに分割して配置したり、電源ノイズの強度や局所性に応じて同時に活性化するものをグループ分けしたり、電源投入の優先度などでレベル分けをしたりすることが考えられる。尚、電源ドメインとは同一の電源制御手段図1、図2では不図示によって電源の供給を止められる領域を示し、チップ上の漏れ電流を最小にするためのものである。図2は、図1の半導体集積回路100を配置した状態を示しており、上述のデカップリングキャパシタのグループ分けを行って配置した場合の一例である。図2では、キャパシタ電源制御部107が回路動作制御部101より回路動作状態情報ST_OP111を取得する。次に、キャパシタ電源制御部107は、その回路動作状態情報ST_OP111に基づいて、制御情報D1_EN、D2_EN、D3_EN108~110に変換し、電源ドメイン113内へ配信する。デカップリングキャパシタの配置方法に関しては、動作時に活性化させるキャパシタを電源スイッチによりある程度細かくグループ分けしておくと、設計段階でデカップリングキャパシタを多めに配置しても、動作時のリーク電流を調整可能である。もちろん、従来手法のシミュレーションにより電源ノイズの強度や局所性を特定してデカップリングキャパシタの配置やグループ分けやレベル分けを行ってもよい。図3は図1のデカップリングキャパシタ104の構造を電源スイッチの位置による具体的な例を2種類示している。図3aでは、電源スイッチS1301を介してキャパシタC1302は電源に接続する。図3bでは、電源スイッチS1301を介してキャパシタC1302はグランドに接続する。いずれの構成も本発明が必要とする電源ノイズを抑制する機能とリーク電流を低減する機能を満たすことができるので、本発明では、デカップリングキャパシタと電源スイッチの接続関係は問わない。以降の実施例では、図3aを用いて本発明を説明する。ここで、電源スイッチS1301に用いられるゲート電極のリーク電流とキャパシタC1302のチャージ時のリーク電流とを比較する。例えば、90nm世代のプロセスで電源スイッチのゲート電極のリーク電流とキャパシタに用いるゲート酸化膜からのリーク電流を比較すると、単位面積あたり約3倍程度、キャパシタに用いるゲート酸化膜からのリーク電流が大きい。また、キャパシタの面積は電源スイッチのゲート電極の面積と比べ広いため、リーク電流にして10倍以上の開きが出てくることが考えられる。以上のように、今後も更に微細化が進むことを考えると、使用する必要のないデカップリングキャパシタの電源を遮断することは、リーク電流を大幅に抑制する有効な構成である。より具体的には、キャパシタ電源制御部107は、制御情報D1_EN、D2_EN、D3_EN108~110を用いて、使用する必要のないデカップリングキャパシタの電源を電源スイッチS1301によって遮断する。ここで、使用する必要のないデカップリングキャパシタの判定は、回路動作制御部101から取得する回路動作状態情報ST_OP111に基づいて、キャパシタ電源制御部107が行う。次に、実施形態1における回路動作制御部101の構成例を図4に示す。図4では、例として回路動作制御部101に、機能制御部401とクロック制御部402と電源制御部403を含んだ例を示している。機能制御部401は、機能回路部103の使用する機能や処理、及び、処理状態を制御する。また、クロック制御部402は、機能回路部103が処理を行う場合のクロックモード設定やクロックモードの遷移、及び、活性化状態に関する制御クロック供給を行う。また、電源制御部403は、機能回路部103の電源の設定や電源状態の遷移、及び、活性化状態に関する制御電源供給を行う。以上説明したように、実施形態1によれば、使用する必要のないデカップリングキャパシタの電源を遮断する機構を設けることで、機能回路部の動作に合わせて電源ノイズを抑制しつつリーク電流を削減することができる。<実施形態2>実施形態2の半導体集積回路の構成を図5に示す。図5は、図4の回路動作制御部101のうち機能制御部401を利用するキャパシタ電源制御の方式を示している。機能制御の種類は半導体集積回路により実現する機能にさまざまな形態が考えられるため、ここではそのひとつとしてデータフロー制御を例に挙げて説明する。半導体集積回路100内に機能回路ブロックA0500から機能回路ブロックA1501を経て機能回路ブロックA2502へと一連のデータ画像データや動画データなどを順に処理して行く場合を考える。ここで、機能回路部103の1つである機能回路ブロックA1501には、データフロー制御のためのデータフロー制御部A1_2504を備えており、機能処理部A1_1503の処理をバイパスすることができる。例えば、機能回路ブロックA1501の入力データ505に応じて、機能回路ブロックA1501で所定の処理を行うものとする。このとき、バイパス制御回路507ではバイパス処理は行わない。代わりに、バイパス制御回路507は、機能回路ブロックA1501の出力データとして機能処理部A1_1503の出力データ506を選択するように機能回路制御情報CNT102内のバイパス制御情報bypass_enを不活性にする。一方、機能処理部A1_1503をバイパスする場合、バイパス制御回路507が機能回路ブロックA1501の入力データ505を機能回路ブロックA1501の出力データとなるように動作する。このとき、機能回路制御情報CNT102のバイパス制御情報bypass_enを活性化することで実現する。ここで、機能処理部A1_1503で所定の処理を行う場合には、回路が誤動作しないようキャパシタ電源制御情報D1_EN108を活性化してデカップリングキャパシタに充電させておく必要がある。このとき、キャパシタ電源制御部107は回路動作状態情報ST_OP111内の機能動作要求情報func_reqを参照することによりデカップリングキャパシタの充電を制御する。一方、バイパス処理を行う場合には、機能処理部A1_1503の動作は処理全体に影響を与えない。このとき、回路動作状態情報ST_OP111の機能動作要求情報func_reqが有効でないのでリーク電流を削減するようキャパシタ電源制御情報D1_EN108を不活性にしてデカップリングキャパシタを不活性にする。一方、処理データが機能回路ブロックA1501を通過している間、キャパシタ電源制御部107はキャパシタ電源制御情報D2_EN109を常時活性化してデカップリングキャパシタの活性状態を維持する。図6は、この制御状態の一例をタイミングチャートに示したものである。最初に、図6左半分で機能処理部A1_1503のデカップリングキャパシタD1を無効化する際の手続きを説明する。機能制御部401は、機能処理部A1_1503の処理が不要な動作モードに遷移し、回路動作状態情報ST_OP111内の機能動作要求情報func_reqを不活性にしたとする。ここで、機能回路制御情報CNT102内のバイパス制御情報bypass_enが有効になり、機能動作要求情報func_reqの不活性化がキャパシタ電源制御部107に伝えられ、これをトリガとしてキャパシタ電源制御情報D1_EN108が不活性にされる。これと同時にキャパシタ電源状態情報ST_CP112内のデカップリングキャパシタD1のレディー情報d1c_rdyが不活性にされ、機能制御部401でバイパス制御情報bypass_enが有効化されるのをロックする。以上が、機能処理部A1_1503のデカップリングキャパシタD1を無効化する際の手続きである。次に、図6右半分で機能処理部A1_1503のデカップリングキャパシタD1を有効化する際の手続きを説明する。機能制御部401は、機能処理部A1_1503の処理が必要な旨、キャパシタ電源制御部107に機能活性化のリクエストとして、回路動作状態情報ST_OP111の機能動作要求情報func_reqをキャパシタ電源制御部107へ送信する。これを受けて、キャパシタ電源制御部107からキャパシタ電源制御情報D1_EN108が送信され、センサー等の直接的検出手段、あるいは、タイマー等の二次的な検出あるいは予測手段を通じて、デカップリングキャパシタが活性化されるタイミングを取得する。この状態を示す回路動作状態情報ST_OP111のデカップリングキャパシタD1のレディー情報d1c_rdyの活性化を機能制御部401で受信し、機能回路制御情報CNT102のバイパス制御情報bypass_enを不活性にし、バイパス制御を終了させる。このときのチャージ電流とリーク電流の様子を図6の最下段に示している。キャパシタ電源制御情報D1_EN108が不活性である期間Td1_disではキャパシタC1の放電以外はリーク電流が流れないので、D1内の電力消費はスイッチS1からのリーク電流のみがキャパシタC1の消費電力となりリーク電流を抑えることができる。一方、D1_ENが活性化されるとD1をチャージするための電流が流れ一時的な消費電力のピークが生じ、チャージとともにリーク電流でも定常的な電力消費がなされる。チャージ電力は一時に多くの電力を消費する傾向にあるが、Td1_disが十分に長くなる場合には一時的なチャージ電力よりもリーク電流による電力消費の方が優勢となるため、実施形態2の制御方式が低電力化に寄与する。以上説明したように、実施形態2によれば、機能回路部の処理状態に応じて、デカップリングキャパシタへの電源供給を制御することで、電源ノイズを抑制しつつリーク電流を削減することができる。<実施形態3>実施形態3の半導体集積回路の構成を図7に示す。図7は、図4の回路動作制御部101のうちクロック制御部402を利用するキャパシタ電源制御の方式を示している。例として、半導体集積回路100に搭載された機能回路ブロックB700がクロックドメインB1701とクロックドメインB2702の2つのクロックドメインを持つ場合を示す。クロックドメインB1701は、クロック生成部703により生成されるクロック信号ck1704により基本クロックを駆動する。これにより、クロックドメインB1701は、ゲーティングクロックバッファgcb1706のクロックgck1により制御されるクロックツリー1708を駆動する。同様に、クロックドメインB2702は、クロック生成部703により生成されるクロック信号ck2705により基本クロックを駆動する。これにより、クロックドメインB2702は、ゲーティングクロックバッファgcb2707のクロックgck2により制御されるクロックツリー2709を駆動する。ここで、機能回路部103の1つである機能回路ブロックB700は、クロックドメインB1701とクロックドメインB2702のクロックの動作状態で3つの状態を取りうるとする。この様子を図8に示す。即ち、状態1では、クロックドメインB1701が100Mhzで動作し、クロックドメインB2702が200Mhzで動作する。状態2では、クロックドメインB1701が100Mhzで動作し、クロックドメインB2702が100Mhzで動作する。状態3では、クロックドメインB1701が停止し、クロックドメインB2702が100Mhzで動作する。状態1では、クロックドメインB2702が200Mhzと、他の状態と比べて活性化率が高いため、電圧降下のリスクが高い。これに対応するためキャパシタ電源制御情報D2_EN及びD3_ENの両方を活性化して電源スイッチ付きデカップリングキャパシタD2及びD3105及び106の両方のデカップリングキャパシタを有効にする。次に、状態2では、クロックドメインB1701が100Mhzで動作し、クロックドメインB2702が100Mhで動作している状態、つまり、全体に動作周波数が均一である。従って、極端に周波数起因の局所的な電圧降下を起こす可能性が低い。従って、キャパシタ電源制御情報D1_EN及びD2_ENの両方を活性化して電源スイッチ付きデカップリングキャパシタD1及びD2104及び105の両方のデカップリングキャパシタを有効にする。デカップリングキャパシタD3106は不活性状態のままである。しかしながら、デカップリングキャパシタD3106は余分なので電源スイッチを遮断する。更に、状態3では、クロックドメインB1701が停止状態であるため、クロックドメインB1701にはスイッチング対策を必要としない。また、クロックドメインB2702が100Mhの動作状態であり、状態2と同じ動作状態なので、電源スイッチ付きデカップリングキャパシタD2105のみを活性化していれば良く、状態2と同様のデカップリングキャパシタの制御状態となる。これらの状態遷移の一例として、図9で状態2から状態3、及び、状態3から状態2への状態遷移を説明する。まず、図9の左半分により状態2から状態3への遷移を説明する。ここで、クロック生成部703より出力されるクロックck1704は、常に発振し続けているものとする。次に、クロック制御部402により、回路動作状態情報ST_OP111のクロックの停止を指示する情報としてクロック供給要求情報ck1_reqが不活性にされる。これと同時に、クロック制御部402により、ゲーティングクロックバッファgcb1706を停止させるために機能回路制御情報CNT102のクロックイネーブル情報gcb1_enを不活性にする。回路動作状態情報ST_OP111のクロック供給要求情報ck1_reqの不活性化を受けてキャパシタ電源制御部107はキャパシタ電源制御情報D1_EN108を不活性にし、キャパシタ電源状態情報ST_CP112のデカップリングキャパシタD1のレディー情報d1c_rdyを不活性にする。次に、図9の右半分により状態3から状態2への遷移を説明する。ここで、前記の状態と同様、クロック生成部703より出力されるクロックck1704は、常に発振し続けているものとする。次に、クロック制御部402により、回路動作状態情報ST_OP111のクロック信号の再開を要求する情報としてクロック供給要求情報ck1_reqが活性化される。これを受けて、キャパシタ電源制御情報D1_EN108を活性化し、電流/電圧検出部やタイマーによる予測部によりデカップリングキャパシタD1104の充電状態をキャパシタ電源状態情報ST_CP112のデカップリングキャパシタD1のレディー情報d1c_rdyとして取得する。このデカップリングキャパシタD1のレディー情報d1c_rdyをもとに機能回路制御情報CNT102のクロックイネーブル情報gcb1_enを活性化してクロック信号をクロックツリー1708以降へ伝播させる。このときのデカップリングキャパシタの充電の電流とリーク電流の様子を図9の最下段に示す。図6の時と同様に、D1_ENが不活性にされている期間Td1_disではキャパシタC1の放電以外はリーク電流が流れないので、D1内の電力消費はスイッチS1からのリーク電流のみがキャパシタC1の消費電力となりリーク電流を抑えることができる。一方、D1_ENが活性化されるとD1を充電するための電流が流れ一時的な消費電力のピークが生じ、充電が進むとともにリーク電流でも定常的な電力消費がなされる。デカップリングキャパシタの充電の電力は一時に多くの電力を消費する傾向にあるが、Td1_disが十分に長くなる場合には一時的な充電の電力よりもリーク電流による電力消費の方が優勢となるため、実施形態3の制御方式が低電力化に寄与する。以上説明したように、実施形態3によれば、回路動作状態に応じて機能回路部へ供給するクロック信号の稼働状態に応じてデカップリングキャパシタへの電源供給を制御することで、機能回路部の動作状態に合わせて電源ノイズを抑制しつつリーク電流を削減することができる。<実施形態4>実施形態4の半導体集積回路の構成を図10に示す。図10は、図4の回路動作制御部101のうち電源制御部403を利用するキャパシタ電源制御の方式を示している。例として、半導体集積回路100に搭載された電源遮断が可能な機能回路部103の1つである機能回路ブロックC1001が電源スイッチリング1002によって電源が制御される場合を示す。図10において、電源スイッチリング1002の外周に配置したリング状のデカップリングキャパシタD1104は、電源スイッチリング1002の電源遮断状態から電源投入状態での電圧変異に対応する役割を果たす。また、図10において、電源スイッチリング1002の内周に配置したリング状のデカップリングキャパシタD2105は、機能回路ブロックC1001が動作する際の電流量を補う役割を果たす。これは、電源スイッチリング1002部分には電気抵抗の高い部分が生じることを想定して、電源スイッチリング1002の内部で電圧降下を抑制する目的で配置されているものである。ここで、図10において、デカップリングキャパシタD1104は、機能回路ブロックC1001が電源スイッチの遷移に伴うスイッチング段階で最も有効に働き、他の期間はむしろリーク電流が無駄になる。また、図10において、デカップリングキャパシタD2105内部の電源スイッチは、機能回路ブロックC1001の電源スイッチリング1002が電源遮断状態から電源投入状態へ遷移する際に、電源投入状態になっていない方が良い。これは、電源スイッチリング1002よりも若干遅れてスイッチングされることで電気容量の急激な電流変化を抑制できるので、電圧降下が起こりにくくなるからである。従って、図10のように複数の電源ドメインを持つ場合、電源ドメインの境界1003を境に各々の用途に合ったデカップリングキャパシタのスイッチ制御を行うことで電源ノイズを抑制するとともにリーク電流を削減することができる。図11は、図10の半導体集積回路100で電源スイッチリング1002を活性化しクロックを供給するまでの様子を示している。図11において、電源制御部403が機能回路制御情報CNT102により電源スイッチの電源投入ONを指示する前に、まず、回路動作状態情報ST_OP111内の電源投入要求情報pon_reqをキャパシタ電源制御部107に送信する。これを受けてキャパシタ電源制御部107はキャパシタ電源制御情報D1_EN108を制御して、デカップリングキャパシタD1104の充電を開始する。電荷の検知部あるいはタイマー等の予測部により、デカップリングキャパシタD1104が十分活性化されたこと認識する。キャパシタ電源制御部107は、キャパシタ電源状態情報ST_CP112のうち、デカップリングキャパシタD1104がデカップリングキャパシタD1のレディー情報d1c_rdyを電源制御部403により受信する。これにより、キャパシタ電源制御部107は、電源スイッチリング1002が電源遮断状態から電源投入状態への遷移が可能であることを認識する。このとき、デカップリングキャパシタD2105のキャパシタ電源制御情報D2_EN109は外部に対し急激に大きな電力容量の変化を起こさないよう、不活性にされた状態を保つ。ここで、更に、機能回路ブロックC1001のみが電源投入されている状態で、一定期間Td2_en_wait図11の間、デカップリングキャパシタD2105の動作を遅らせているが、これは急激な電気容量の変化を起こさせないためである。デカップリングキャパシタD2105へのチャージ開始のタイミングをずらすことは、タイマー等の予測手段や電圧または電流の変化を検知する検知手段を用いることで容易に実現可能である。更に、クロック制御部402は、デカップリングキャパシタD2105への十分な充電の状態を検知、あるいは、予測できた段階で、デカップリングキャパシタD2105が動作可能なことを示す情報d2c_rdyを活性化する。そして、この情報をもとに、キャパシタ電源制御部107では、キャパシタ電源制御情報D1_EN108を不活性にする。また、情報d2c_rdyをクロック制御部402のクロック開始のトリガとすることで電源の安定性を保証した上で機能回路ブロックC1001の動作を開始することができる。このときの充電の電流とリーク電流の様子を図11の最下段に示す。D1_ENが活性化されている期間Td1_enでは、D1をチャージするための電流が流れ一時的な消費電力のピークが生じ、チャージとともにリーク電流でも定常的な電力消費がなされる。しかし、一度、機能回路ブロックC1001とデカップリングキャパシタD2105が動作可能な状態になると、デカップリングキャパシタD1104の電源供給を停止することができる。一時的に使用するデカップリングキャパシタD1104の電源を遮断すれば、常時アクティブにしている状態よりもリーク電流が削減できる。以上説明したように、実施形態4によれば、機能回路部への電源供給の制御に応じてデカップリングキャパシタへの電源供給を制御することで、電源ノイズを抑制しつつリーク電流を削減できる。前述の実施形態ではデカップリングキャパシタ104~105と機能回路部103とが対応する例として同一の電源ドメインにある例を用いて説明したが、機能回路部103の電源ノイズの影響を小さくできるように対応づけて構成されていればよい。