気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコンウエーハ上に導電型がP型のエピタキシャル層とN型のエピタキシャル層を順不同で連続して成長させたモニタウエーハを製造して、該モニタウエーハのライフタイム値を測定し、前記モニタウエーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。前記モニタウエーハのライフタイム値の測定は、μPCD法で行うことを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置の清浄度評価方法。前記気相成長装置の清浄度の評価において、Cuの汚染度とFeの汚染度を同時に評価することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の気相成長装置の清浄度評価方法。請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の気相成長装置の清浄度評価方法により評価した気相成長装置を用いてエピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。この方法は、簡便でありながら微量の汚染でも高感度に検出できる為、熱処理炉の管理や気相成長装置の清浄度評価に広く用いられている。特に気相成長装置の場合、P-やN-の導電型を持つウエーハを準備し、評価対象となる気相成長装置を用いてそのウエーハの上にエピタキシャル層を成膜し、そのエピタキシャルウエーハを上述のμPCD法で測定することで気相成長装置の清浄度評価を行うことができる。一方、μPCD法で測定されるライフタイムが受ける影響は、モニタウエーハの導電型と汚染元素の種類によって異なることが知られている例えば、非特許文献2。具体的には不純物がCuの場合、モニタウエーハの導電型がP/P型では汚染量に対する感度が低い。また、不純物がFeの場合は、P/P型の導電型のモニタウエーハの方が感度が高い。このように不純物の種類とモニタウエーハの導電型によって検出感度が変わってくるため、様々な不純物に対して高感度に汚染を評価するには、モニタウエーハの導電型を使い分けなければならず、複数枚のモニタウエーハを用いて評価する必要があった。本発明は、上記問題に鑑みなされたものであって、気相成長装置内の汚染不純物の種類によってモニタウエーハの導電型を使い分ける必要なく、高感度で正確に清浄度を評価することのできる気相成長装置の清浄度評価方法を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコンウエーハ上に導電型がP型のエピタキシャル層とN型のエピタキシャル層を順不同で連続して成長させたモニタウエーハを製造して、該モニタウエーハのライフタイム値を測定し、前記モニタウエーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法を提供する。このような気相成長装置の清浄度評価方法であれば、気相成長装置内の汚染不純物の種類によってモニタウエーハの導電型を使い分ける必要なく、高感度で正確に清浄度を評価することができる。また、一枚のモニタウエーハで高感度で正確に清浄度を評価することができるため評価コストを削減することも可能である。また、前記モニタウエーハのライフタイム値の測定は、μPCD法で行うことが好ましい。このようにμPCD法を用いることで、簡単にライフタイム値の測定を精度良く行うことができる。さらに、前記気相成長装置の清浄度の評価において、Cuの汚染度とFeの汚染度を同時に評価することができる。このようにモニタウエーハの導電型を使い分けることなく、1枚のウエーハでCuのようにP型エピタキシャル層ではライフタイム値を下げにくい元素の汚染とFeのようにN型エピタキシャル層ではライフタイム値を下げにくい元素の汚染を同時に評価することができる。また、本発明は上述の気相成長装置の清浄度評価方法により評価した気相成長装置を用いてエピタキシャルウエーハを製造する方法を提供する。本発明の清浄度評価方法で汚染がないことを評価した気相成長装置でエピタキシャルウエーハを製造すれば、様々な汚染の少ない高品位なエピタキシャルウエーハを歩留まり良く製造することが可能となる。以上説明したように、本発明の気相成長装置の清浄度評価方法であれば、気相成長装置内の汚染不純物の種類によってモニタウエーハの導電型を使い分ける必要なく、高感度で正確に清浄度を評価することができる。また、一枚のモニタウエーハで高感度で正確に清浄度を評価することができるため評価コストを削減することができる。さらに、本発明の清浄度評価方法により汚染がないことを評価した気相成長装置でエピタキシャルウエーハを製造すれば、様々な汚染の少ない高品位なエピタキシャルウエーハを高歩留まりで製造することが可能となる。以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。上述のように、モニタウエーハの導電型を使い分ける必要なく、1枚のモニタウエーハで高感度で正確に清浄度を評価することのできる気相成長装置の清浄度評価方法が望まれていた。本発明者らは、上記問題点について鋭意検討を重ねた結果、モニタウエーハの導電型によって検出しやすい汚染元素種があることに着目し、モニタウエーハが二つの導電型、すなわちP型とN型の両方のエピタキシャル層を具備すれば、P型とN型の導電型で検出されやすい不純物を同時に高感度に検出できることを見出して、本発明を完成させた。以下、本発明をより詳細に説明する。図1に本発明の気相成長装置の清浄度評価方法のフロー図を示す。まず本発明の清浄度評価方法では、評価対象となる気相成長装置を用いて、シリコンウエーハ上に導電型がP型のエピタキシャル層とN型のエピタキシャル層を順不同で連続して成長させたモニタウエーハを製造する図1A。このときP型とN型のエピタキシャル層を成長させて2層エピタキシャル層とするが、P型、N型のエピタキシャル層の成長順序は特に制限されない。従って、P型を形成してからN型を形成しても、N型を形成してからP型を形成してもよい。また、用いるシリコンウエーハはP型のものを用いてもN型のものを用いても良い。次に、モニタウエーハのライフタイム値を測定する図1B。ライフタイム値の測定は、特に制限されないが、簡単に測定を行えるμPCD法で行うことが好ましい。最後に、モニタウエーハのライフタイム値から気相成長装置の清浄度を評価する図1C。モニタウエーハのエピタキシャル層に不純物、特に金属が取り込まれるとライフタイム値が小さくなる。そのため、評価対象となる気相成長装置を用いてモニタウエーハを製造した結果、そのモニタウエーハが汚染されてライフタイム値が小さくなっている場合には、気相成長装置の清浄度が低いと評価できる。逆に、ライフタイム値の減少が小さければ、気相成長装置に由来するモニタウエーハの汚染は少ないと評価でき、気相成長装置の清浄度は高いと評価できる。図2に示すように、本発明で用いるモニタウエーハ4の様に、第1エピタキシャル層1及び第2エピタキシャル層2としてシリコンウエーハ3上にP型とN型のエピタキシャル層を層状に積み重ねた構造の場合、ウエーハライフタイム値は近似的には各層のライフタイム値の逆数結合で表される。1/Tw=1/T11/T2Tw:モニタウエーハ4のウエーハライフタイム値T1:第1エピタキシャル層1のライフタイム値T2:第2エピタキシャル層1のライフタイム値このため、図2のようにいくつかのエピタキシャル層が積み重なっている場合、最もライフタイム値の低いエピタキシャル層がウエーハライフタイム値に対し支配的になる。これにより、気相成長装置内の汚染不純物の種類によってモニタウエーハの導電型を使い分ける必要なく、高感度で正確に清浄度を評価することが可能となる。例えば、本発明では、CuのようにP型エピタキシャル層ではライフタイム値を下げにくい元素の汚染があった場合でも、N型エピタキシャル層でライフタイム値が下がるため、トータルとしてのウエーハライフタイム値はN型エピタキシャル層のライフタイム値によって引き下げられ、感度良く汚染を検出することができる。逆にFe汚染の場合も、N型エピタキシャル層ではそれほどライフタイム値を下げにくいが、P型エピタキシャル層で大きくライフタイム値を下げるため、この場合も高感度に汚染を検出できることとなる。このようにして、CuのようにP型エピタキシャル層ではライフタイム値を下げにくい元素の汚染度とFeのようにN型エピタキシャル層ではライフタイム値を下げにくい元素の汚染度を同時に評価することができる。さらに、本発明の気相成長装置の清浄度評価方法により評価した気相成長装置を用いてエピタキシャルウエーハを製造することが好ましい。このようにP型エピタキシャル層とN型エピタキシャル層の二層を堆積したモニタウエーハを用いると、従来のP型又はN型の単一エピタキシャル層のモニタウエーハでは見落としていた不純物種の汚染を見逃すことなく高感度に不純物を検出することができるようになる。そのため、本発明の清浄度評価方法で汚染がないことを評価した気相成長装置でエピタキシャルウエーハを製造すれば、汚染の少ない高品位なエピタキシャルウエーハを高歩留まりで製造することが可能となる。以下、本発明の実施例および比較例を挙げてさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。実施例直径200mm、基板抵抗率10ΩcmのP型シリコンウエーハを準備した。次に、予めCuで汚染した気相成長装置、予めFeで汚染した気相成長装置、汚染していない気相成長装置を準備した。これらの気相成長装置を使って、このシリコンウエーハの上に、10ΩcmのP型エピタキシャル層を10μm堆積し、さらに引き続き10ΩcmのN型エピタキシャル層を10μm堆積させたモニタウエーハをそれぞれ作製した。このようにして作製した各モニタウエーハについて、ケミカルパッシベーションによる表面処理を行い、μPCDウエーハライフタイム測定装置を使ってウエーハライフタイム値を測定した。図3に、実施例の各モニタウエーハのウエーハライフタイム値の面内平均値を示す。図3から明らかなように、予めCu汚染とFe汚染をした気相成長装置で作製したモニタウエーハのウエーハライフタイム値は、汚染がなかった気相成長装置で作製したモニタウエーハのウエーハライフタイム値に比べ大きく下がっており、CuとFeの汚染の有無を高感度に検出することができた。比較例1次に、直径200mm、基板抵抗率10ΩcmのP型シリコンウエーハを準備した。実施例と同じく、予めCuで汚染した気相成長装置、予めFeで汚染した気相成長装置、汚染していない気相成長装置を用いて、このP型シリコンウエーハの上に10ΩcmのP型エピタキシャル層を10μm堆積してモニタウエーハをそれぞれ作製した。このようにして作製した各モニタウエーハについて、ケミカルパッシベーションによる表面処理を行い、μPCDウエーハライフタイム測定装置を使ってウエーハライフタイム値を測定した。図3に、比較例1における各モニタウエーハのウエーハライフタイム値の面内平均値を示す。P型シリコンウエーハの上にP型エピタキシャル層を堆積した比較例1のP/Pモニタウエーハの場合、Fe汚染した気相成長装置で作製したモニタウエーハのウエーハライフタイム値は汚染がなかった気相成長装置に比べ大きく値が下がっているが、Cu汚染した気相成長装置で作製した場合には汚染がなかった気相成長装置のものと値はほとんど変わっていない。比較例2直径200mm、基板抵抗率10ΩcmのN型シリコンウエーハを準備した。実施例と同じく、予めCuで汚染した気相成長装置、予めFeで汚染した気相成長装置、汚染していない気相成長装置を用いて、このN型シリコンウエーハの上に10ΩcmのN型エピタキシャル層を10μm堆積してモニタウエーハをそれぞれ作製した。このようにして作製した各モニタウエーハについて、ケミカルパッシベーションによる表面処理を行い、μPCDウエーハライフタイム測定装置を使ってウエーハライフタイム値を測定した。図3に、比較例2における各モニタウエーハのウエーハライフタイム値の面内平均値を示す。N型シリコンウエーハの上にN型エピタキシャル層を堆積した比較例2のN/Nモニタウエーハの場合、Cu汚染した気相成長装置で作製したモニタウエーハのウエーハライフタイム値は汚染がなかった気相成長装置に比べ大きく値が下がっているが、Fe汚染した気相成長装置で作製した場合には汚染がなかった気相成長装置のものと値はほとんど変わっていない。このように、比較例1~2のようにN/NモニタウエーハやP/PモニタウエーハのときはCu、Feいずれか片方の汚染の検出ができるが、もう片方の不純物の検出能力は低く気相成長装置の清浄度評価に問題があることが確認された。これに比べ、実施例のようにN/P/PモニタウエーハのときはCu、Feの両方を高感度に検出でき、気相成長装置内の汚染不純物の種類によってモニタウエーハの導電型を使い分ける必要なく、高感度で正確に清浄度を評価することができることが示された。また、実施例では一枚のモニタウエーハでCu、Feの両方を高感度に検出できるため評価コストを削減できることも示された。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。