n型不純物を含有するIII族窒化物半導体で構成されるn型半導体層と、前記n型半導体層に積層され、III族窒化物半導体で構成されるとともに通電により発光する発光層と、前記発光層に積層され、p型不純物を含有するIII族窒化物半導体で構成されるp型半導体層とを含み、前記発光層は、III族窒化物半導体で構成された3層以上の井戸層と、前記井戸層よりもバンドギャップが大きいIII族窒化物半導体で構成され、3層以上の当該井戸層のそれぞれを両側から挟み込むとともに、前記n型半導体層との境界部にて当該n型半導体層と接続され且つ前記p型半導体層との境界部にて当該p型半導体層と接続される4層以上の障壁層とを備え、3層以上の前記井戸層は、前記n型半導体層に近い側から順に複数設けられ、それぞれが第1の厚さに設定されることで共通の波長の光を出力する複数のn側井戸層と、前記p型半導体層に近い側から前記n側井戸層に至るまでの間に1または複数設けられ、それぞれが前記第1の厚さよりも大きい第2の厚さに設定されるとともに前記n側井戸層とは異なる組成を有することで、それぞれが前記共通の波長の光を出力する1または複数のp側井戸層とを有することを特徴とする半導体発光素子。前記p側井戸層は、前記p型半導体層に最も近い1つの井戸層のみによって構成され、前記n側井戸層は、1つの前記p側井戸層を除く残りのすべての井戸層によって構成されることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。4層以上の前記障壁層において、前記p側井戸層と前記n側井戸層とに挟まれた障壁層を除くすべての障壁層は、それぞれが第3の厚さに設定され、前記p側井戸層と前記n側井戸層とに挟まれた障壁層は、前記第3の厚さよりも小さい第4の厚さに設定されることを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。4層以上の前記障壁層がそれぞれGaNで構成されるとともに、3層以上の前記井戸層がそれぞれGaInNで構成され、前記井戸層の前記p側井戸層におけるInの濃度が、当該井戸層の前記n側井戸層におけるInの濃度よりも低いことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体発光素子。第1配線および第2配線が形成された基部と、当該基部に取り付けられ且つ当該第1配線および当該第2配線と電気的に接続され、当該第1配線および当該第2配線を介した通電により発光する半導体発光素子とを備え、前記半導体発光素子は、n型不純物を含有するIII族窒化物半導体で構成されるn型半導体層と、前記n型半導体層に積層され、III族窒化物半導体で構成されるとともに通電により発光する発光層と、前記発光層に積層され、p型不純物を含有するIII族窒化物半導体で構成されるp型半導体層と、前記p型半導体層と前記第1配線とを電気的に接続するためのp側電極と、前記n型半導体層と前記第2配線とを電気的に接続するためのn側電極とを含み、前記発光層は、III族窒化物半導体で構成された3層以上の井戸層と、前記井戸層よりもバンドギャップが大きいIII族窒化物半導体で構成され、3層以上の当該井戸層のそれぞれを両側から挟み込むとともに、前記n型半導体層との境界部にて当該n型半導体層と接続され且つ前記p型半導体層との境界部にて当該p型半導体層と接続される4層以上の障壁層とを備え、3層以上の前記井戸層は、前記n型半導体層に近い側から順に複数設けられ、それぞれが第1の厚さに設定されることで共通の波長の光を出力する複数のn側井戸層と、前記p型半導体層に近い側から前記n側井戸層に至るまでの間に1または複数設けられ、それぞれが前記第1の厚さよりも大きい第2の厚さに設定されるとともに前記n側井戸層とは異なる組成を有することで、それぞれが前記共通の波長の光を出力する1または複数のp側井戸層とを有することを特徴とする発光装置。しかしながら、多重量子井戸構造を有する発光層を設けた、III族窒化物半導体を用いた半導体発光素子においても、発光層における複数の井戸層内で再結合できない正孔あるいは電子が数多く存在する場合には、半導体発光素子における発光効率が低下することがあった。特に、電流密度の大きい条件下で、発行効率の低下が著しい。本発明は、半導体発光素子から出力される光の波長の単一性を維持しつつ、半導体発光素子における発光効率を向上させ、高電流域においても高効率を維持させることを目的とする。本発明によれば、下記[1]~[5]に係る発明が提供される。[1]n型不純物を含有するIII族窒化物半導体で構成されるn型半導体層と、前記n型半導体層に積層され、III族窒化物半導体で構成されるとともに通電により発光する発光層と、前記発光層に積層され、p型不純物を含有するIII族窒化物半導体で構成されるp型半導体層とを含み、前記発光層は、III族窒化物半導体で構成された3層以上の井戸層と、前記井戸層よりもバンドギャップが大きいIII族窒化物半導体で構成され、3層以上の当該井戸層のそれぞれを両側から挟み込むとともに、前記n型半導体層との境界部にて当該n型半導体層と接続され且つ前記p型半導体層との境界部にて当該p型半導体層と接続される4層以上の障壁層とを備え、3層以上の前記井戸層は、前記n型半導体層に近い側から順に複数設けられ、それぞれが第1の厚さに設定されることで共通の波長の光を出力する複数のn側井戸層と、前記p型半導体層に近い側から前記n側井戸層に至るまでの間に1または複数設けられ、それぞれが前記第1の厚さよりも大きい第2の厚さに設定されるとともに前記n側井戸層とは異なる組成を有することで、それぞれが前記共通の波長の光を出力する1または複数のp側井戸層とを有することを特徴とする半導体発光素子。[2]前記p側井戸層は、前記p型半導体層に最も近い1つの井戸層のみによって構成され、前記n側井戸層は、1つの前記p側井戸層を除く残りのすべての井戸層によって構成されることを特徴とする[1]記載の半導体発光素子。[3]4層以上の前記障壁層において、前記p側井戸層と前記n側井戸層とに挟まれた障壁層を除くすべての障壁層は、それぞれが第3の厚さに設定され、前記p側井戸層と前記n側井戸層とに挟まれた障壁層は、前記第3の厚さよりも小さい第4の厚さに設定されることを特徴とする[2]記載の半導体発光素子。[4]4層以上の前記障壁層がそれぞれGaNで構成されるとともに、3層以上の前記井戸層がそれぞれGaInNで構成され、前記井戸層の前記p側井戸層におけるInの濃度が、当該井戸層の前記n側井戸層におけるInの濃度よりも低いことを特徴とする[1]乃至[3]のいずれかに記載の半導体発光素子。[5]第1配線および第2配線が形成された基部と、当該基部に取り付けられ且つ当該第1配線および当該第2配線と電気的に接続され、当該第1配線および当該第2配線を介した通電により発光する半導体発光素子とを備え、前記半導体発光素子は、n型不純物を含有するIII族窒化物半導体で構成されるn型半導体層と、前記n型半導体層に積層され、III族窒化物半導体で構成されるとともに通電により発光する発光層と、前記発光層に積層され、p型不純物を含有するIII族窒化物半導体で構成されるp型半導体層と、前記p型半導体層と前記第1配線とを電気的に接続するためのp側電極と、前記n型半導体層と前記第2配線とを電気的に接続するためのn側電極とを含み、前記発光層は、III族窒化物半導体で構成された3層以上の井戸層と、前記井戸層よりもバンドギャップが大きいIII族窒化物半導体で構成され、3層以上の当該井戸層のそれぞれを両側から挟み込むとともに、前記n型半導体層との境界部にて当該n型半導体層と接続され且つ前記p型半導体層との境界部にて当該p型半導体層と接続される4層以上の障壁層とを備え、3層以上の前記井戸層は、前記n型半導体層に近い側から順に複数設けられ、それぞれが第1の厚さに設定されることで共通の波長の光を出力する複数のn側井戸層と、前記p型半導体層に近い側から前記n側井戸層に至るまでの間に1または複数設けられ、それぞれが前記第1の厚さよりも大きい第2の厚さに設定されるとともに前記n側井戸層とは異なる組成を有することで、それぞれが前記共通の波長の光を出力する1または複数のp側井戸層とを有することを特徴とする発光装置。本発明によれば、半導体発光素子から出力される光の波長の単一性を維持しつつ、半導体発光素子における発光効率を向上させ、高電流域においても高効率を維持させることができる。以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において参照する図面における各部の大きさや厚さ等は、実際の半導体発光素子等の寸法とは異なっている場合がある。図1は、本実施の形態が適用される半導体発光素子発光ダイオード1の上面図の一例であり、図2は、図1に示す半導体発光素子1のII-II断面図である。半導体発光素子この半導体発光素子1は、基板110と、基板110上に積層される中間層120と、中間層120上に積層される下地層130とを備える。また、半導体発光素子1は、下地層130上に積層されるn型半導体層140と、n型半導体層140上に積層される発光層150と、発光層150上に積層されるp型半導体層160とをさらに備える。ここで、n型半導体層140は、下地層130上に積層されるnコンタクト層141と、nコンタクト層141上に積層されるとともに発光層150の積層対象となるnクラッド層142とを有している。一方、p型半導体層160は、発光層150上に積層されるpクラッド層161と、pクラッド層161上に積層されるpコンタクト層162とを有している。なお、以下の説明では、必要に応じて、これら中間層120、下地層130、n型半導体層140、発光層150およびp型半導体層160を、まとめて積層半導体層100と呼ぶことがある。さらに、半導体発光素子1は、p型半導体層160より具体的にはpコンタクト層162上に積層される透明導電層170と、この透明導電層170上の一部に積層されるp側電極300と、p型半導体層160と透明導電層170との間に配置される透明絶縁層190とを有する。ここで、透明絶縁層190は、図2に示す断面図においてp側電極300の下方に相当する位置に配置されている。また、p側電極300は、その端部から透明導電層170の上面に沿って線状に形成された延伸部310を含んでいる。さらにまた、半導体発光素子1は、積層半導体層100のうち、p型半導体層160、発光層150およびn型半導体層140の一部を切り欠くことによって露出した、n型半導体層140の半導体露出面140a上の一部に積層されるn側電極400を有する。なお、半導体露出面140aにおいては、n型半導体層140におけるnコンタクト層141が露出している。そして、半導体発光素子1は、透明導電層170のうちp側電極300が取り付けられていない領域およびp側電極300のうちの一部を除く領域と、半導体露出面140aのうちn側電極400が取り付けられていない領域およびn側電極400のうちの一部を除く領域とを覆うように積層される保護層180をさらに備えている。なお、保護層180は、p型半導体層160、発光層150およびn型半導体層140の一部を切り欠くことによって露出した、n型半導体層140、発光層150およびp型半導体層160の壁面も覆っている。この半導体発光素子1においては、p側電極300を正極とするとともにn側電極400を負極とし、p側電極300からn側電極400に向かう電流を流すことで、発光層150を発光させるようになっている。なお、本実施の形態の半導体発光素子1は、発光層150から出力される光をp側電極300およびn側電極400が形成される側から取り出す、フェイスアップ型の発光ダイオードである。次に、半導体発光素子1の各構成要素について、より詳細に説明を行う。ここで、図3は、半導体発光素子1における発光層150周辺の拡大断面図である。以下では、図1および図2に加えて図3も参照しつつ、半導体発光素子1の構成について説明を行う。なお、以下の説明においては、III族窒化物半導体の一例としてのAlGaN、GaN、GaInNに関し、各元素の組成比を省略した形で記述する場合がある。<基板>基板110としては、特に限定されず、各種の基板を選択して用いることができる。例えば、サファイア、SiC、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化モリブデン等からなる基板110を用いることができる。また、上記基板材料の中でも、特に、C面を主面とするサファイア基板を用いることが好ましい。基板110としてサファイア基板を用いる場合は、サファイアのC面上に中間層120バッファ層を形成するとよい。さらに、本発明において使用される基板110としては、例えば特開2009-123717号公報に記載の加工基板サファイア単結晶のC面からなる平面と、当該平面と非平行な複数の凸部とからなる表面とする基板なども、好ましく適用することができる。<積層半導体層>積層半導体層100は、例えば、III族窒化物半導体からなる層であって、図2に示すように、基板110上に、中間層120、下地層130、n型半導体層140、発光層150およびp型半導体層160の各層が、この順で積層されて構成されている。ここで、n型半導体層140は、電子エレクトロンをキャリアとするものであり、p型半導体層160は、正孔ホールをキャリアとするものである。以下、積層半導体層100を構成する各層について、順次説明する。[中間層]中間層120は、基板110と下地層130との格子定数の違いを緩和し、特にC面を主面とするサファイアで基板110を構成した場合には、基板110の0001面C面上にc軸配向した単結晶層の形成を容易にする働きがある。したがって、中間層120の上に単結晶の下地層130を積層すると、より一層結晶性の良い下地層130が積層できる。なお、本発明においては、中間層120の形成を行うことが好ましいが、必ずしも行わなくても良い。中間層120は、多結晶のAlxGa1xN0≦x≦1からなるものが好ましく、単結晶のAlxGa1xN0≦x≦1のものがより好ましい。中間層120は、例えば、多結晶のAlxGa1xN0≦x≦1からなる厚さ10nm~500nmのものとすることができる。中間層120の厚みが10nm未満であると、中間層120により基板110と下地層130との格子定数の違いを緩和する効果が十分に得られない場合がある。また、中間層120の厚みが500nmを超えると、中間層120としての機能には変化が無いのにも関わらず、中間層120の成膜処理時間が長くなり、生産性が低下するおそれがある。また、中間層120は、III族窒化物半導体からなる六方晶系の結晶構造を持つものであってもよい。そして、中間層120をなすIII族窒化物半導体の結晶は、単結晶構造を有するものであってもよく、単結晶構造を有するものが好ましく用いられる。III族窒化物半導体の結晶は、成長条件を制御することにより、上方向だけでなく、面内方向にも成長して単結晶構造を形成する。このため、中間層120の成膜条件を制御することにより、単結晶構造のIII族窒化物半導体の結晶からなる中間層120とすることができる。このような単結晶構造を有する中間層120を基板110上に成膜した場合、中間層120のバッファ機能が有効に作用するため、その上に成膜されたIII族窒化物半導体は良好な配向性及び結晶性を有する結晶膜となる。また、中間層120をなすIII族窒化物半導体の結晶は、成膜条件をコントロールすることにより、六角柱を基本とした集合組織からなる柱状結晶多結晶とすることも可能である。なお、ここでの集合組織からなる柱状結晶とは、隣接する結晶粒との間に結晶粒界を形成して隔てられており、それ自体は縦断面形状として柱状になっている結晶のことをいう。なお、中間層120は、MOCVD法で形成すると結晶性の良いものが得られるが、スパッタ法によっても条件を最適化することで、MOCVD法よりも優れた結晶性を有する半導体層を形成できる。[下地層]下地層130としては、AlxGayInzN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1を用いることができるが、AlxGa1xN0≦x<1を用いると結晶性の良い下地層130を形成できるため好ましい。下地層130の厚さは100nm以上が好ましく、より好ましくは500nm以上であり、1000nm1μm以上が最も好ましい。この厚さ以上にした方が、結晶性の良好な下地層130を得やすい。下地層130の結晶性を良くするためには、下地層130には不純物をドーピングしない方が望ましい。しかし、下地層130においてp型あるいはn型の導電性が必要な場合は、アクセプター不純物p型不純物あるいはドナー不純物n型不純物を添加することができる。[n型半導体層]電子をキャリアとするn型半導体層140は、上述したように、下地層130上に積層されるnコンタクト層141と、nコンタクト層141上に積層されるとともに発光層150の積層対象となるnクラッド層142とを備えている。なお、前述の下地層130をn型半導体層140に含めてもよい。nコンタクト層141は、n側電極400を設けるための層である。nコンタクト層141としては、AlxGa1xN層0≦x<1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好ましくは0≦x≦0.1から構成されることが好ましい。また、nコンタクト層141にはn型不純物がドープされていることが好ましく、n型不純物を1×1017~1×1020/cm3、好ましくは1×1018~1×1019/cm3の濃度で含有すると、n側電極400との良好なオーミック接触を維持できる点で好ましい。n型不純物としては、特に限定されないが、例えば、Si、GeおよびSn等が挙げられ、好ましくはSiおよびGeが挙げられる。nコンタクト層141の膜厚は、500nm~5000nm5μmとされることが好ましく、1000nm1μm~4000nm4μmの範囲に設定することがより好ましい。nコンタクト層141の膜厚が上記範囲にあると、III族窒化物半導体の結晶性が良好に維持される。nクラッド層142は、発光層150へのキャリアここでは電子の注入とキャリアの閉じ込めとを行なう層であり、本実施の形態では、超格子構造を含む層として構成されている。より具体的に説明すると、nクラッド層142は、例えば図3に示すように、III族窒化物半導体からなり、10nm以下の膜厚を有するn第1クラッド層1421と、このn第1クラッド層1421とは組成が異なるIII族窒化物半導体からなり、10nm以下の膜厚を有するn第2クラッド層1422とが交互に積層された構造を有している。そして、nクラッド層142は、2つのn第1クラッド層1421で1つのn第2クラッド層1422を挟み込む構造を有しており、nコンタクト層141と接する側および発光層150と接する側は、それぞれ、n第1クラッド層1421となっている。なお、この例において、n第1クラッド層1421の厚さおよびn第2クラッド層1422の厚さは、それぞれ2nmに設定されている。ここで、図3は、nクラッド層142を、3つのn第1クラッド層1421と2つのn第2クラッド層1422とを含む5層で構成した場合を例示している。ただし、これはあくまでも例示に過ぎず、nクラッド層142を、例えば、11個のn第1クラッド層1421と10個のn第2クラッド層1422とを含む21層で構成することができる。また、本実施の形態では、n第1クラッド層1421をGaInNで、n第2クラッド層1422をGaNで、それぞれ構成している。ここで、GaInNを含むnクラッド層142を形成する場合には、n第1クラッド層1421を構成するGaInNを、発光層150のGaInNのバンドギャップよりも大きいものとすることが望ましい。そして、n第1クラッド層1421を構成するGaInNにおけるIn組成は、0.5~3.0原子の範囲が望ましい。また、上述した構成に代えて、n第1クラッド層1421をAlGaNで、n第2クラッド層1422をGaNで、それぞれ構成してもかまわない。nクラッド層142の全体の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは5nm~500nmであり、より好ましくは5nm~100nmである。nクラッド層142のn型不純物濃度は1.5×1017~1.5×1020/cm3が好ましく、より好ましくは1.5×1018~1.5×1019/cm3である。n型不純物濃度がこの範囲であると、良好な結晶性の維持および半導体発光素子1の動作電圧低減の点で好ましい。[発光層]本実施の形態の発光層150は、障壁層と井戸層とを交互に積層した、所謂多重量子井戸構造を有している。より具体的に説明すると、この発光層150は、図3に示すように、nクラッド層142n第1クラッド層1421上に積層される第1障壁層1511と、第1障壁層1511上に積層される第1井戸層1521と、第1井戸層1521上に積層される第2障壁層1512と、第2障壁層1512上に積層される第2井戸層1522と、第2井戸層1522上に積層される第3障壁層1513と、第3障壁層1513上に積層される第3井戸層1523と、第3井戸層1523上に積層される第4障壁層1514と、第4障壁層1514上に積層される第4井戸層1524と、第4井戸層1524上に積層される第5障壁層1515と、第5障壁層1515上に積層される第5井戸層1525と、第5井戸層1525上に積層される第6障壁層1516と、第6障壁層1516上に積層される第6井戸層1526と、第6井戸層1526上に積層されるとともにpクラッド層161の積層対象となる第7障壁層1517とを備えている。このように、本実施の形態の発光層150は、7つの障壁層第1障壁層1511~第7障壁層1517と6つの井戸層第1井戸層1521~第6井戸層1526とを含む13層で構成されている。また、この発光層150は、2つの障壁層によって1つの井戸層を挟み込んだ構造となっている。そして、発光層150のうち、n型半導体層140nクラッド層142と接する側には第1障壁層1511が位置し、p型半導体層160pクラッド層161と接する側には第7障壁層1517が位置している。なお、以下の説明においては、発光層150のうち、第1障壁層1511、第2障壁層1512、第3障壁層1513、第4障壁層1514、第5障壁層1515、第6障壁層1516および第7障壁層1517を、まとめて障壁層151と呼ぶことがある。また、発光層150のうち、第1井戸層1521、第2井戸層1522、第3井戸層1523、第4井戸層1524、第5井戸層1525および第6井戸層1526を、まとめて井戸層152と呼ぶことがある。ではまず、障壁層151を構成する各層の厚さおよび層間の厚さの関係について説明を行う。障壁層151において、第1障壁層1511の厚さを第1障壁厚さt11、第2障壁層1512の厚さを第2障壁厚さt12、第3障壁層1513の厚さを第3障壁厚さt13、第4障壁層1514の厚さを第4障壁厚さt14、第5障壁層1515の厚さを第5障壁厚さt15、第6障壁層1516の厚さを第6障壁厚さt16、第7障壁層1517の厚さを第7障壁厚さt17、とする。この例では、第1障壁層1511~第7障壁層1517のうち、最もn型半導体層140に近い側に位置する第1障壁層1511および第1障壁層1511に続く第2障壁層1512~第5障壁層1515と、最もp型半導体層160に近い第7障壁層1517とが、共通の厚さ以下では、基準障壁厚さt1sと呼ぶに設定されているt11=t12=t13=t14=t15=t17=t1s。一方、第1障壁層1511~第7障壁層1517のうち、第7障壁層1517の次にp型半導体層160に近い側に位置する第6障壁層1516は、基準障壁厚さt1sよりも小さい厚さ以下では、最小障壁厚さt1minと呼ぶに設定されているt1s>t16=t1min。なお、この例においては、基準障壁厚さt1sが2.5nmに、また、最小障壁厚さt1minが2.0nmに、それぞれ設定されている。したがって、障壁層151全体の厚さである全障壁厚さt10=t11t12t13t14t15t16t17は、17.0nmとなっている。そして、本実施の形態では、基準障壁厚さt1sが第3の厚さに、最小障壁厚さt1minが第4の厚さに、それぞれ対応している。また、以下の説明においては、障壁層151を構成する第1障壁層1511~第7障壁層1517のうち、基準障壁厚さt1sに設定される層この例では第1障壁層1511~第5障壁層1515および第7障壁層1517を、基準厚障壁層と呼ぶことがある。さらに、障壁層151を構成する第1障壁層1511~第7障壁層1517のうち、最小障壁厚さt1minに設定される層この例では第6障壁層1516を、最小厚障壁層と呼ぶことがある。続いて、井戸層152を構成する各層の厚さおよび層間の厚さの関係について説明を行う。井戸層152において、第1井戸層1521の厚さを第1井戸厚さt21、第2井戸層1522の厚さを第2井戸厚さt22、第3井戸層1523の厚さを第3井戸厚さt23、第4井戸層1524の厚さを第4井戸厚さt24、第5井戸層1525の厚さを第5井戸厚さt25、第6井戸層1526の厚さを第6井戸厚さt26、とする。この例では、第1井戸層1521~第6井戸層1526のうち、最もn型半導体層140に近い側に位置する第1井戸層1521および第1井戸層1521に続く第2井戸層1522~第5井戸層1525が、共通の厚さ以下では、基準井戸厚さt2sと呼ぶに設定されているt21=t22=t23=t24=t25=t2s。一方、第1井戸層1521~第6井戸層1526のうち、最もp型半導体層160に近い側に位置する第6井戸層1526は、基準井戸厚さt2sよりも大きい厚さ以下では、最大井戸厚さt2maxと呼ぶに設定されているt2s<t26=t2max。なお、この例においては、基準井戸厚さt2sが3.0nmに、また、最大井戸厚さt2maxが4.0nmに、それぞれ設定されている。したがって、井戸層152全体の厚さである全井戸厚さt20=t21t22t23t24t25t26は、19.0nmとなっている。さらに、この例では、障壁層151における基準障壁厚さt1sに比べて、井戸層152における基準井戸厚さt2sが、より大きな厚さに設定されている。そして、本実施の形態では、第1井戸層1521~第5井戸層1525のそれぞれがn側井戸層に、第6井戸層1526がp側井戸層に、それぞれ対応し、且つ、基準井戸厚さt2sが第1の厚さに、最大井戸厚さt2maxが第2の厚さに、それぞれ対応している。また、以下の説明においては、井戸層152を構成する第1井戸層1521~第6井戸層1526のうち、基準井戸厚さt2sに設定される層この例では第1井戸層1521~第5井戸層1525を、基準厚井戸層と呼ぶことがある。さらに、以下の説明では、井戸層152を構成する第1井戸層1521~第6井戸層1526のうち、最大井戸厚さt2maxに設定される層この例では第6井戸層1526を、最大厚井戸層と呼ぶことがある。今度は、障壁層151を構成する各層の組成および層間の組成の関係について説明を行う。障壁層151において、基準障壁厚さt1sに設定された第1障壁層1511~第5障壁層1515および第7障壁層1517、そして、最小障壁厚さt1minに設定された第6障壁層1516は、それぞれ、GaNで構成されている。すなわち、障壁層151を構成する第1障壁層1511~第7障壁層1517は、その厚さに関わらず基準厚障壁層であるか最小厚障壁層であるかに関わらず、共通の組成を有している。続いて、井戸層152を構成する各層の組成および層間の組成の関係について説明を行う。井戸層152において、基準井戸厚さt2sに設定された第1井戸層1521~第5井戸層1525は、それぞれ、Ga1-yInyN0<y<0.4で構成される。すなわち、基準厚井戸層である第1井戸層1521~第5井戸層1525は、共通の基準井戸厚さt2sを有するとともに、共通の組成を有している。一方、井戸層152において、最大井戸厚さt2maxに設定された第6井戸層1526は、Ga1-zInzNz<y<0.4で構成される。すなわち、最大厚井戸層である第6井戸層1526は、基準厚井戸層である第1井戸層1521~第5井戸層1525とは、異なる厚さ且つ異なる組成を有している。より具体的に説明すると、第6井戸層1526は、第1井戸層1521~第5井戸層1525における共通の基準井戸厚さt2sよりも大きい最大井戸厚さt2maxを有するとともに、第1井戸層1521~第5井戸層1525に比べてInの比率が低減された組成を有している。ここで、第1井戸層1521~第5井戸層1525基準厚井戸層を構成するGa1-yInyN0<y<0.4におけるyの大きさ、および、第6井戸層1526最大厚井戸層を構成するGa1-zInzNz<y<1におけるzの大きさは、半導体発光素子1の目標発光波長によって決まる。本実施の形態では、第1井戸層1521~第5井戸層1525および第6井戸層1526の両者が、共通の波長の光を出力するべく構成されている。ここで、第1井戸層1521~第5井戸層1525と第6井戸層1526とで厚さを異ならせているのは、膜厚が10nm未満の量子サイズ領域になると、量子閉じ込めシュタルク効果の影響が無視できなくなり、膜を構成するIII族窒化物半導体のバンドギャップエネルギーだけでなく、その厚さも、発光波長を決める要因となるためである。[p型半導体層]正孔をキャリアとするp型半導体層160は、発光層150上に積層されるpクラッド層161と、pクラッド層161上に積層されるとともに透明導電層170の積層対象となるpコンタクト層162とを備えている。ただし、pコンタクト層162がpクラッド層161を兼ねることも可能である。pクラッド層161は、発光層150へのキャリアここでは正孔の注入とキャリアの閉じ込めとを行なう層である。pクラッド層161としては、発光層150のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であって、発光層150へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、好ましくは、AlxGa1xN0<x≦0.4を用いることができる。pクラッド層161が、このようなAlGaNからなると、発光層150へのキャリアの閉じ込めの点で好ましい。pクラッド層161の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは1~400nmであり、より好ましくは5~100nmである。pクラッド層161におけるp型不純物の濃度は、1×1018~1×1021/cm3が好ましく、より好ましくは1×1019~1×1020/cm3である。pクラッド層161におけるp型不純物濃度が上記範囲であると、pクラッド層161およびpクラッド層161の上に積層されるpコンタクト層162の両者における結晶性の低下を抑制できる点で好ましい。また、pクラッド層161は、上述したnクラッド層142と同様に超格子構造としてもよく、この場合には、組成比が異なるAlGaNと他のAlGaNとの交互構造または組成が異なるAlGaNとGaNとの交互構造であることが好ましい。pコンタクト層162は、透明導電層170を設けるための層である。pコンタクト層162は、AlxGa1xN0≦x≦0.4であることが好ましい。Al組成が上記範囲であると、良好な結晶性の維持および透明導電層170との良好なオーミック接触の維持が可能となる点で好ましい。pコンタクト層162におけるp型不純物の濃度は、1×1018~1×1021/cm3が好ましく、より好ましくは1×1019~5×1020/cm3である。pコンタクト層162におけるp型不純物濃度が上記範囲であると、良好なオーミック接触の維持、クラック発生の防止、良好な結晶性の維持の点で好ましい。pクラッド層161およびpコンタクト層162におけるp型不純物としては、特に限定されないが、例えば好ましくはMgを用いることができる。pコンタクト層162の膜厚は、特に限定されないが、10nm~500nmが好ましく、より好ましくは50nm~200nmである。pコンタクト層162の膜厚がこの範囲であると、半導体発光素子1における発光出力の低下が抑制される点で好ましい。<透明絶縁層>図2に示すように、p型半導体層160の上の一部に透明絶縁層190が積層されている。図1に示すように、半導体発光素子1を平面視したときに、p側電極300の下方に位置する部分に透明絶縁層190を形成する。これは、不透明なp側電極300の下方に位置する発光層150に電流供給をしにくくし、p側電極300の下方以外の発光層150にも電流を流しやすくすることで、発光効率を高める。本実施の形態の発光層150は、電流密度が大きな領域で効果が大きいため、好ましい組み合わせである。ただし、このような形状に限定されるわけでなく、透明導電層170の上に透明絶縁層190を設けても良い。また、透明絶縁層190の形成位置は、p側電極300の下方に限定されるものではなく、隙間を開けた格子状や樹形状の形状を有していてよい。なお、透明絶縁層190の構造も、従来公知の構造を含めて如何なる構造のものも何ら制限なく用いることができる。以上のことから、透明絶縁層190を構成する材料としては、少なくとも発光層150の発光波長に対して透明であり、pコンタクト層162と透明絶縁層190との界面において反射が大きくなる低屈折率の材料が望ましい。透明絶縁層190の電気特性は、絶縁性が好適であるが、pコンタクト層162との接触抵抗が透明導電層170に対して高い材質であれば、必ずしも絶縁体でなくてもよい。そして、透明絶縁層190を構成する透明、低屈折率且つ絶縁性の材料としては、例えば、SiO2二酸化珪素、SiN窒化珪素、Al2O3酸化アルミニウム、酸化チタン等の金属酸化物、窒化物が挙げられる。また、これらの層の多層膜にして反射率を高めた構造も好ましい。透明絶縁層190の厚さは、絶縁性の確保と界面に於ける反射のための厚さより厚く、作成上、コストアップ、透明導電層170の断線の可能性をなくす厚さ以下にすることが望ましい。具体的には、20nm~500nm、より望ましくは、50nm~300nmである。<透明導電層>図2に示すように、p型半導体層160の上には透明導電層170が積層されている。図1に示すように、半導体発光素子1を平面視したときに、透明導電層170例えば図1に破線で示すは、n側電極400を形成するためにエッチング等の手段によって一部が除去されたp型半導体層160の上面のほぼ全面を覆うように形成されている。しかし、このような形状に限定されるわけでなく、透明導電層170を、隙間を開けた格子状や樹形状に形成してもよい。なお、透明導電層170の構造も、従来公知の構造を含めて如何なる構造のものも何ら制限なく用いることができる。透明導電層170は、p型半導体層160との接触抵抗が小さいものであることが好ましい。また、本実施の形態の半導体発光素子1では、発光層150からの光をp側電極300が形成された側に取り出すことから、透明導電層170は発光層150から出射される光に対する透過性に優れたものであることが好ましい。さらにまた、p型半導体層160の全面に渡って均一に電流を拡散させるために、透明導電層170は優れた導電性を有したものであることが好ましい。以上のことから、透明導電層170を構成する材料としては、少なくともInを含む導電性の酸化物からなる透光性の導電性材料を用いることが好ましい。Inを含む導電性の酸化物としては、例えばITO酸化インジウム錫In2O3-SnO2、IZO酸化インジウム亜鉛In2O3-ZnO、IGO酸化インジウムガリウムIn2O3-Ga2O3、ICO酸化インジウムセリウムIn2O3-CeO2等が挙げられる。なお、これらの中に、例えばフッ素などの不純物が添加されていてもかまわない。これらの材料を、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることによって、透明導電層170を形成できる。また、透明導電層170を形成した後に、透明導電層170の透明化を目的とした熱処理を施す場合もある。本実施の形態において、透明導電層170は、結晶化された構造のものを使用してよく、特に六方晶構造又はビックスバイト構造を有するIn2O3結晶を含む透明材料例えば、ITOやIZO等を好ましく使用することができる。例えば、六方晶構造のIn2O3結晶を含むIZOを透明導電層170として使用する場合、エッチング性に優れたアモルファスのIZO膜を用いて特定形状に加工することができ、さらにその後、熱処理等によりアモルファス状態から結晶を含む構造に転移させることで、アモルファスのIZO膜よりも透光性の優れた電極に加工することができる。透明導電層170の厚さは、特に制限されないが、例えば10~500nmの範囲であればよい。<保護層>保護層180は、半導体発光素子1の内部への水分等の進入を抑制するために設けられている。また、本実施の形態では、発光層150からの光を、保護層180を介して取り出すことから、保護層180は発光層150から出射される光に対する透過性に優れたものであることが望ましい。そこで、本実施の形態では、保護層180をSiO2で構成している。ただし、保護層180を構成する材料についてはこれに限られるものではなく、SiO2に代えて、TiO2、Si3N4、SiO2-Al2O3、Al2O3、AlN等を用いることができる。<p側電極>p側電極300は、複数種の金属層を積層して構成されている。本実施の形態のp側電極300は、所謂ボンディングパッドを兼ねており、外部に露出する面に図示しないボンディングワイヤが接続される。p側電極300は、透明導電層170上であれば、どこへでも形成することができる。例えば、n側電極400から遠い位置に形成してもよいし、半導体発光素子1の中心となる位置に形成してもよい。しかし、あまりにもn側電極400に近接した位置に形成すると、ボンディングした際にボンディングワイヤ間、ボンディングボール間で短絡が生じやすくなるため好ましくない。なお、この例では、図1に示すように平面視したときに、p側電極300が円形状を呈するようになっているが、このような形状に限定されるわけではなく、例えば、多角形状など任意の形状を選択することができる。また、発光層150に対し均一に電流を供給するために、この例では、p側電極300に、細線形状の延伸部310を設けている。延伸部310は、発光層150の大きさや形状に応じて、長さ、太さ、本数など、好適な形状を設計できる。<n側電極>n側電極400は、p側電極300と同様に、複数種の金属層を積層して構成されている。本実施の形態のn側電極400は、所謂ボンディングパッドを兼ねており、外部に露出する面に図示しないボンディングワイヤが接続される。なお、この例では、図1に示すように平面視したときに、n側電極400が、かまぼこ形状を呈するようになっているが、上述したp側電極300と同様、例えば、円形状や多角形状など任意の形状を選択することができる。そして、上述したp側電極300と同様の観点からすれば、発光層150に対し均一に電流を供給するために、n側電極400にも細線形状の延伸部を設けることが望ましい。こちら側の延伸部も、発光層150の大きさや形状に応じて、長さ、太さ、本数など、好適な形状を設計できる。発光装置図4は、上述した半導体発光素子1を搭載した発光装置30の構成の一例を示す図である。ここで、図4aは発光装置30の上面図を示しており、図4bは図4aのIVB-IVB断面図である。なお、図4に示す発光装置30は、発光チップあるいはランプと呼ばれることもある。この発光装置30は、一方の側に凹部31aが形成された筐体31と、筐体31に形成されたリードフレームからなるpリード部32およびnリード部33と、凹部31aの底面に取り付けられた半導体発光素子1と、凹部31aを覆うように設けられた封止部34とを備えている。なお、図4aにおいては、封止部34の記載を省略している。筐体31は、第1配線の一例としてのpリード部32および第2配線の一例としてのnリード部33を含む金属リード部に、白色の熱可塑性樹脂を射出成型することによって形成されている。pリード部32およびnリード部33は、0.1~0.5mm程度の厚みをもつ金属板であり、加工性、熱伝導性に優れた金属として例えば鉄/銅合金をベースとし、その上にめっき層としてニッケル、チタン、金、銀などを数μm積層して構成されている。そして、本実施の形態では、pリード部32およびnリード部33の一部が、凹部31aの底面に露出するようになっている。また、pリード部32およびnリード部33の一端部側は筐体31の外側に露出し、且つ、筐体31の外壁面から裏面側に折り曲げられている。また、半導体発光素子1は、基板110図2参照を介して、凹部31aにおける底部の中央部に、接着等によって取り付けられている。さらに、pリード部32と半導体発光素子1におけるp側電極300図1参照とが、図示しないボンディングワイヤによって電気的に接続されており、nリード部33と半導体発光素子1におけるn側電極400図1参照とが、図示しないボンディングワイヤによって電気的に接続されている。そして、封止部34は、可視領域の波長において光透過率が高い透明樹脂にて構成される。封止部34を構成する耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂としては、例えばエポキシ樹脂やシリコン樹脂を用いることができる。そして、本実施の形態では、封止部34を構成する透明樹脂に、半導体発光素子1から出射される光の一部を、緑色光および赤色光に変換する蛍光体を含有させている。なお、このような蛍光体に代えて、青色光の一部を黄色光に変換する蛍光体、あるいは、青色光の一部を黄色光および赤色光に変換する蛍光体を含有させるようにしてもよい。また、封止部34として、蛍光体を含有しない透明樹脂を用いてもかまわない。なお、本実施の形態の発光装置30を組み込んだバックライト、携帯電話機、ディスプレイ、各種パネル類、コンピュータ、ゲーム機、照明などの電子機器や、それらの電子機器を組み込んだ自動車などの機械装置は、優れた発光特性を有する半導体発光素子1を備えたものとなる。特に、バックライト、携帯電話機、ディスプレイ、ゲーム機、照明などのバッテリ駆動させる電子機器において、優れた発光特性を有する半導体発光素子1を具備した優れた製品を提供することができ、好ましい。また、半導体発光素子1を備えた発光装置30の構成は、図4に示すものに限られるわけではなく、例えば砲弾型と呼ばれるパッケージ構成を採用したものであってもよい。では、図4に示す発光装置30の発光動作について、図1~図4を参照しつつ説明する。発光装置30に設けられたpリード部32およびnリード部33を介して、半導体発光素子1にp側電極300を高電位とし且つn側電極400を低電位とする電圧順方向電圧VFをかけると、半導体発光素子1では、p側電極300からp型半導体層160、発光層150およびn型半導体層140を介してn側電極400に向かう電流順方向電流IFが流れ、発光層150から目標波長の光この例では青色光が出力される。そして、発光層150から出力された光は、半導体発光素子1の外部に出力され、その一部が、封止部34に含まれる蛍光体によって他色赤色および緑色に変換される。その後、青色光、緑色光および赤色光を含む光は、直接あるいは筐体31の凹部31aに設けられた内壁面にて反射した後、封止部34の上面から発光装置30の外部に出力される。この間、半導体発光素子1では、次のようにして光の出力が行われる。まず、p側電極300からp型半導体層160、発光層150およびn型半導体層140を介してn側電極400に向かう順方向電流IFが流れる。このとき、p型半導体層160から発光層150に向けてキャリアとしての正孔が供給され、n型半導体層140から発光層150に向けてキャリアとしての電子が供給される。すると、発光層150においては、第7障壁層1517から第1障壁層1511に向かって正孔が移動し、且つ、第1障壁層1511から第7障壁層1517に向かって電子が移動する。そして、発光層150内を移動する正孔および電子は、第1井戸層1521~第6井戸層1526のそれぞれにおいて閉じ込められるとともに再結合する。この再結合には、発光を伴う発光再結合と、発光を伴わない非発光再結合とがあり、発光再結合した正孔および電子によって光この例では青色光が出力される。ここで、III族窒化物半導体では、電子の移動度に比べて正孔の移動度が低いことが知られている。このため、発光層150の井戸層152における正孔の分布は、p型半導体層160に近いn型半導体層140から最も遠い第6井戸層1526において最も高く、p型半導体層160から遠ざかるn型半導体層140に近づく第5井戸層1525~第1井戸層1521において順次低下する。一方、発光層150の井戸層152における電子の分布は、n型半導体層140に最も近いp型半導体層160から最も遠い第1井戸層1521からp型半導体層160に最も近いn型半導体層140から最も遠い第6井戸層1526に至る各層第1井戸層1521~第6井戸層1526において、大きくは変わらない。したがって、上述した再結合のプロセスは、p型半導体層160に最も近い第6井戸層1526において最も生じやすく、n型半導体層140に最も近い第1井戸層1521において最も生じにくいことになる。また、正孔に比べて移動度が高い電子の一部は、発光層150井戸層152内で正孔と再結合することなく、そのままp型半導体層160まで到達してしまうことがある。このような現象は、オーバーフローと呼ばれる。本実施の形態では、井戸層152を構成する第1井戸層1521~第6井戸層1526のうち、p型半導体層160に最も近い第6井戸層1526の第6井戸厚さt26を、残りの第1井戸層1521~第5井戸層1525の第1井戸厚さt21~第5井戸厚さt25基準井戸厚さt2sよりも厚い最大井戸厚さt2maxとした。これにより、第6井戸層1526の第6井戸厚さt26を基準井戸厚さt2sと同じにした場合と比べて、第6井戸層1526に存在する正孔の量を増加させることができる。したがって、第6井戸層1526において正孔と電子とが再結合する量を増やすことができ、上述した電子のオーバーフローを抑制することができる。その結果、このような構成を有しない場合と比較して、第6井戸層1526において発光再結合する正孔および電子の量を増加させることが可能となる。以上により、半導体発光素子1における発光効率を向上させること、ひいては、半導体発光素子1からの発光出力Poを増大させることができる。また、本実施の形態では、井戸層152を構成する第1井戸層1521~第6井戸層1526のうち、n型半導体層140に最も近い第1井戸層1521の第1井戸厚さt21および第1井戸層1521に続く第2井戸層1522~第5井戸層1525の第2井戸厚さt22~第5井戸厚さt25を、第6井戸層1526の第6井戸厚さt26よりも小さくするとともに、共通一定の基準井戸厚さt2sとした。これにより、第1井戸層1521~第5井戸層1525の第1井戸厚さt21~第5井戸厚さt25を共通にしなかった場合と比較して、半導体発光素子1の製造プロセスを簡単にすることができる。また、井戸層152のうち最後に積層される、最大厚井戸層である第6井戸層1526の結晶性の低下を抑制することができる。また、井戸層152にGaInNを使用する場合には、井戸層152のうち最後に積層される層この例では第6井戸層1526の結晶性が低下しやすくなる。これは、GaInNにおいて、Gaに対し微量添加されるInが、結晶中に入りにくいことによる。この例では、第6井戸層1526よりも前に積層される第1井戸層1521~第5井戸層1525の厚さを共通にするとともに、その組成も共通にしていることから、第6井戸層1526における結晶性の低下を抑制することができる。そして、第6井戸層1526における結晶性の低下を抑制できることに伴い、第6井戸層1526における非発光再結合の発生を抑制すること、換言すれば、第6井戸層1526での再結合に占める発光再結合の割合を高めることができるようになる。その結果として、半導体発光素子1における発光効率を向上させること、ひいては、半導体発光素子1からの発光出力Poを増大させることができる。さらに、本実施の形態では、井戸層152を構成する第1井戸層1521~第6井戸層1526のうち、最大厚井戸層となる第6井戸層1526におけるIII族窒化物半導体の組成を、基準厚井戸層となる第1井戸層1521~第5井戸層1525のそれぞれにおけるIII族窒化物半導体の組成と異ならせるようにした。より具体的に説明すると、本実施の形態では、第1井戸層1521~第6井戸層1526をそれぞれGaInNで構成するとともに、第6井戸層1526におけるIn濃度を、第1井戸層1521~第5井戸層1525のそれぞれにおけるIn濃度よりも低下させるようにした。このようなIn濃度の設定を行うことによっても、最大厚井戸層である第6井戸層1526における結晶性の低下を抑制することができる。第1井戸層1521~第6井戸層1526を共通の組成とし、且つ、第1井戸層1521~第5井戸層1525のそれぞれよりも第6井戸層1526を厚くした場合、第1井戸層1521~第5井戸層1525から出力される光の波長共通の波長に比べて、第6井戸層1526から出力される光の波長は、上述した量子閉じ込めシュタルク効果によって長波長側にシフトレッドシフトすることになる。これに対し、本実施の形態では、第1井戸層1521~第5井戸層1525の組成共通の組成に対し、第6井戸層1526の組成を、Inを低減することに伴って短波長側にシフトブルーシフトさせ、第1井戸層1521~第5井戸層1525から出力される光の波長と、第6井戸層1526から出力される光の波長とを揃えるようにした。したがって、この構成を採用しない場合と比較して、半導体発光素子1における発光波長の単色性の低下を抑制しつつ、その発光効率およびその発光出力Poを向上させることができる。特に、順方向電流IFを大きくした高電流密度の領域において、発光出力Poが大きく向上する。さらにまた、本実施の形態では、障壁層151を構成する第1障壁層1511~第7障壁層1517のうち、最大厚井戸層となる第6井戸層1526に対しn型半導体層140側に隣接する第6障壁層1516の第6障壁厚さt16を、残りの第1障壁層1511~第5障壁層1515および第7障壁層1517の基準障壁厚さt1sよりも薄い最小障壁厚さt1minとした。これにより、第6障壁層1516の第6障壁厚さt16を基準障壁厚さt1sと同じにした場合と比べて、第6障壁層1516を超えて第5井戸層1525側に移動する正孔の量を増加させることができる。したがって、第6井戸層1526に加えて第5井戸層1525において正孔と電子とが再結合する量も増やすことができ、上述した電子のオーバーフローをさらに抑制することができる。その結果、このような構成を有しない場合と比較して、第5井戸層1525および第6井戸層1526の両者において発光再結合する正孔および電子の量を増加させることが可能となる。半導体発光素子1における発光効率をさらに向上させること、ひいては、半導体発光素子1からの発光出力Poをさらに増大させることができる。そして、本実施の形態では、n型半導体層140を構成するnクラッド層142すなわち発光層150の積層対象となる層を、複数のn第1クラッド層1421および複数のn第2クラッド層1422を含む超格子構造で構成するようにした。nクラッド層142を超格子構造とすると、nクラッド層142の積層対象となるnコンタクト層141における結晶欠陥が、上層ここでは発光層150に伝播されにくくなる。したがって、本構成を採用しない場合と比較して、超格子構造を有するnクラッド層142の上に積層される発光層150この例では7層構成の障壁層151と6層構成の井戸層152とを含む量子井戸構造の結晶性が、より良好なものとなる。それゆえ、井戸層152を構成する第1井戸層1521~第6井戸層1526のそれぞれにおける非発光再結合の発生を抑制すること、換言すれば、第1井戸層1521~第6井戸層1526のそれぞれでの再結合に占める発光再結合の割合を高めることができるようになる。その結果として、半導体発光素子1における発光効率を向上させること、ひいては、半導体発光素子1からの発光出力Poを増大させることができる。なお、ここでは、障壁層151における第1障壁層1511~第7障壁層1517をGaNで構成するとともに、井戸層152における第1井戸層1521~第6井戸層1526をGaInNで構成しているが、これに限られるものではない。すなわち、障壁層151および井戸層152の両者をそれぞれIII族窒化物半導体で構成するとともに、障壁層151として用いるIII族窒化物半導体のバンドギャップエネルギーを、井戸層152として用いるIII族窒化物半導体のバンドギャップエネルギーよりも大きくするものであればよい。ここで、井戸層152を構成する第1井戸層1521~第6井戸層1526をGaInNで構成する場合においては、障壁層151を構成する第1障壁層1511~第7障壁層1517として、例えばAlxGa1-xN0≦x<0.3を用いることもできる。また、ここでは、障壁層151を7層構成第1障壁層1511~第7障壁層1517にするとともに、井戸層152を6層構成第1井戸層1521~第6井戸層1526とする場合を例に説明を行ったが、これに限られるものではない。本発明は、障壁層151を4層構成第1障壁層1511~第4障壁層1514とするとともに井戸層152を3層構成第1井戸層1521~第3井戸層1523とし、第1井戸層1521および第2井戸層1522を基準厚井戸層に設定するとともに第3井戸層1523を最大厚井戸層に設定した場合が、最小構成となる。以下、実施例に基づき本発明を更に詳細に説明する。但し、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。本発明者は、発光層150における障壁層151および井戸層152の厚さおよび組成の関係を種々異ならせた半導体発光素子1の作成を行い、以下に説明する各種評価を行った。ここで、表1は、実施例1~10に係る半導体発光素子1の構成を、また、表2は、比較例1~7に係る半導体発光素子1の構成を、それぞれ示している。表1および表2には、各半導体発光素子1において、障壁層151を構成する第1障壁層1511~第7障壁層1517のそれぞれにおける厚さnmおよび組成、井戸層152を構成する第1井戸層1521~第6井戸層1526のそれぞれにおける厚さnmおよび組成、第1障壁層1511~第7障壁層1517を含む障壁層151の全障壁厚さt10表中には総厚さnmと記す、そして、第1井戸層1521~第6井戸層1526を含む井戸層152の全井戸厚さt20表中には総厚さnmと記すを示している。なお、各実施例および各比較例のそれぞれにおいて、基板110、中間層120、下地層130、n型半導体層140、p型半導体層160、透明導電層170、保護層180、透明絶縁層190、p側電極300およびn側電極400の構成は、共通なものとした。また、実施の形態で説明した半導体発光素子1は、表1に示す実施例9に対応している。ここで、表1および表2に示す組成A~組成Iは、次の通りである。では、評価手法および評価結果について説明を行う。図5は、発光層150における最大厚井戸層の形成位置と発光出力Poとの関係を示したグラフ図である。ここで、図5には、最大厚井戸層が存在しない比較例1と、第1井戸層1521を最大厚井戸層に設定した比較例2と、第3井戸層1523を最大厚井戸層に設定した比較例3と、第5井戸層1525を最大厚井戸層に設定した比較例4と、第6井戸層1526を最大厚井戸層に設定した実施例2とを記載している。なお、図5は、各半導体発光素子1に対し順方向電流IFとして50mAを流したときの発光出力Po図中にはPo50と記すを示している。そして、図5における縦軸は、井戸層152の中に最大厚井戸層が存在しない比較例1の結果を基準とし、他の結果を規格化した規格化発光出力図中には規格化発光出力Po50/Po50比較例1と記すとなっている。図5より、p型半導体層160に最も近い第6井戸層1526を最大厚井戸層とした場合実施例2に、最大厚井戸層を有しない場合比較例1および他の層を最大厚井戸層とする場合比較例2~4よりも、発光出力Poが増加することがわかる。図6aは、発光層150における最大厚井戸層の形成数と発光出力Poとの関係を示したグラフ図であり、図6bは、発光層150における最大厚井戸層の形成数と順方向電圧VFの大きさとの関係を示したグラフ図である。ここで、図6には、第6井戸層1526のみを最大厚井戸層に設定した実施例2と、第6井戸層1526および第5井戸層1525の両者を最大厚井戸層に設定した実施例7と、第6井戸層1526、第5井戸層1525および第4井戸層1524の三者を最大厚井戸層に設定した実施例8とを記載している。なお、図6aは、図5に示したものと同様に、各半導体発光素子1に対し順方向電流IFとして50mAを流したときの発光出力Po図中にはPo50と記すを示している。そして、図6aにおける縦軸は、最大厚井戸層が存在しない比較例1の結果上述した図5参照を基準とし、他の結果を規格化した規格化発光出力図中には規格化発光出力Po50/Po50比較例1と記すとなっている。また、図6bにおける縦軸は、各半導体発光素子1に対し順方向電流IFとして80mAを流したときの順方向電圧VF図中にはVF80Vと記すである。まず、図6aより、p型半導体層160に最も近い第6井戸層1526のみを最大厚井戸層とした場合実施例2、第6井戸層1526に加えて、第6井戸層1526の次にp型半導体層160に近い第5井戸層1525の両者を最大厚井戸層とした場合実施例7、そして、第6井戸層1526および第5井戸層1525に加えて、第5井戸層1525の次にp型半導体層160に近い第4井戸層1524の三者を最大厚井戸層とした場合実施例8のいずれにおいても、最大厚井戸層を有しない場合比較例1よりも、発光出力Poが増加することがわかる。また、図6aより、p型半導体層160に最も近い第6井戸層1526のみを最大厚井戸層とした場合実施例2に、第5井戸層1525および第6井戸層1526を最大厚井戸層とした場合実施例7および第4井戸層1524~第6井戸層1526を最大厚井戸層とした場合実施例8よりも、発光出力Poが増加することがわかる。一方、図6bより、p型半導体層160に最も近い第6井戸層1526のみを最大厚井戸層とした場合実施例2に、第5井戸層1525および第6井戸層1526を最大厚井戸層とした場合実施例7および第4井戸層1524~第6井戸層1526を最大厚井戸層とした場合実施例8よりも、順方向電圧VFの大きさが低下することがわかる。図7は、発光層150における最大厚井戸層としての第6井戸層1526の厚さ第6井戸厚さt26と発光出力Poとの関係を示したグラフ図である。ここで、図7には、最大厚井戸層が存在しない比較例1図中に[1]で示すと、第6井戸厚さt26最大井戸厚さt2maxを4.0nmに設定した実施例2図中に<2>で示すと、第6井戸厚さt26を4.5nmに設定した実施例3図中に<3>で示すと、第6井戸厚さt26を5.0nmに設定した実施例4図中に<4>で示すと、第6井戸厚さt26を6.0nmに設定した実施例5図中に<5>で示すと、第6井戸厚さt26を7.5nmに設定した実施例6図中に<6>で示すと、第6井戸厚さt26を9.0nmに設定した比較例5図中に[5]で示すとを記載している。なお、図7は、各半導体発光素子1に対して順方向電流IFとして50mAを流したときの発光出力Po図中にはPo50と記すを示している。そして、図7における横軸は、比較例1における第6井戸厚さt263.0nmを基準とし、他の実施例や比較例のそれぞれにおける第6井戸厚さt26を規格化した規格化膜厚図中には第6井戸層の規格化膜厚t26/t26比較例1と記すとなっている。一方、図7における縦軸は、井戸層152の中に最大厚井戸層が存在しない比較例1の結果を基準とし、他の結果を規格化した規格化発光出力図中には規格化発光出力Po50/Po50比較例1と記すとなっている。図7より、第6井戸厚さt26=最大井戸厚さt2max、且つ、第1井戸厚さt21~第5井戸厚さt25=基準井戸厚さt2sの場合に1<t2max/t2s≦2.8...1となる範囲実施例2~実施例6を含む範囲において、これ以外の条件となる範囲比較例1や比較例5を含む範囲よりも、発光出力Poが増加することがわかる。また、図7より、上記範囲の中でも、1.2≦t2max/t2s≦2.1...2となる範囲実施例2~5を含む範囲において、さらに発光出力Poが増加することがわかる。図8は、発光層150における最大厚井戸層としての第6井戸層1526の組成と発光波長スペクトルとの関係を、順方向電流IFの大きさをパラメータとして示したグラフ図である。ここで、図8aは順方向電流IFの大きさを20mAとした場合の結果を、図8bは順方向電流IFの大きさを50mAとした場合の結果を、そして、図8cは順方向電流IFの大きさを100mAとした場合の結果を、それぞれ示している。ここで、図8には、最大厚井戸層が存在しないために第6井戸層1526の組成調整を行う必要がない比較例1と、第6井戸厚さt26最大井戸厚さt2maxを3.5nmに設定するとともに第6井戸層1526の組成調整を行った実施例1と、第6井戸厚さt26を4.0nmに設定するとともに第6井戸層1526の組成調整を行った実施例2と、第6井戸厚さt26を4.5nmに設定するとともに第6井戸層1526の組成調整を行った実施例3と、第6井戸厚さt26を実施例2と同じ4.0nmに設定する一方で第6井戸層1526の組成調整を行わない比較例6とを記載している。なお、図8a~cのそれぞれにおいて、横軸は波長nmである。また、図8a~cのそれぞれにおいて、縦軸は、順方向電流IFが同一となる条件で発光波長スペクトル強度を比較した任意単位となっている。図8より、第1井戸層1521~第5井戸層1525と第6井戸層1526とで、厚さおよび組成を異ならせた場合実施例1~3、そして、井戸層152を構成する第1井戸層1521~第6井戸層1526のそれぞれにて、厚さおよび組成を共通にした場合比較例1、の両者を比較すると、発光波長スペクトルのシャープさ単一性に大きな違いはないことがわかる。また、図8より、第1井戸層1521~第5井戸層1525と第6井戸層1526とで、厚さおよび組成を異ならせた場合実施例1~3、そして、第1井戸層1521~第5井戸層1525と第6井戸層1526とで厚さを異ならせる一方、第1井戸層1521~第6井戸層1526のそれぞれにて組成を共通にした場合比較例6、の両者を比較すると、比較例6では、実施例1~3に比べて発光波長スペクトルがよりブロードになっていることがわかる。これは、比較例6では、第1井戸層1521~第5井戸層1525と第6井戸層1526とで、発光波長に違いが生じてしまうことに起因するものである。ここで、図8cは、比較例6の発光波長スペクトルが実施例1~3の発光波長スペクトルに近づいている点から、順方向電流IFの増大に伴い、第1井戸層1521~第5井戸層1525の発光量が増加していると考えられる。実施例1~3では、図8a~cから明らかなように、発光波長スペクトルの半値幅が約20nmと狭く、電流依存性が小さい望ましい特性であった。図9は、順方向電流密度の大きさと発光出力Poとの関係を説明するための図である。より詳しく説明すると、図9aは順方向電流密度の大きさと規格化発光出力との関係を示すグラフ図であり、図9bは順方向電流密度の大きさと規格化発光出力との関係を示す図表である。ここで、図9には、第6井戸層1526を最大厚井戸層に設定した実施例2と、最大厚井戸層が存在しない比較例1とを記載している。なお、図9aにおいて、横軸は半導体発光素子1に供給する順方向電流密度A/cm2であり、縦軸は、最大厚井戸層が存在しない比較例1において順方向電流密度が18.2A/cm2の場合の結果を基準とし、他の結果を規格化した規格化発光出力である。図9より、第1井戸層1521~第5井戸層1525と第6井戸層1526とで、厚さおよび組成を異ならせた場合実施例2、そして、井戸層152を構成する第1井戸層1521~第6井戸層1526のそれぞれにて、厚さ並びに組成を共通にした場合比較例1、の両者を比較すると、実施例2では、比較例1に比べて、同じ大きさの順方向電流密度における発光出力Poが、より大きくなっていることがわかる。また、実施例2では、順方向電流密度を増加させたときの発光出力の増加割合傾きが、比較例1に比べて大きくなっていることがわかる。ここで、低電流領域電流密度=18.2A/cm2に於ける発光出力Po1と高電流域電流密度=109.2A/cm2に於ける発光出力Po2との比LPo2/Po1が、5以上であることが望ましい。実施例2は、L=5.47、比較例1は、L=4.93であった。さらに、本発明の優れた光学特性は、前記L値に加え、低電流領域から高電流領域の範囲で、発光波長スペクトルの半値幅が25nm未満である安定した特性を示す。図10は、発光層150における最小厚障壁層としての第6障壁層1516の厚さと発光出力Poとの関係を示した図である。ここで、図10には、第6障壁厚さt16を2.5nm=基準障壁厚さt1sに設定した実施例2と、第6障壁厚さt16=最小障壁厚さt1minを2.0nmに設定した実施例9と、第6障壁厚さt16=最小障壁厚さt1minを1.5nmに設定した実施例10と、第6障壁厚さt16=最小障壁厚さt1minを1.0nmに設定した比較例7とを記載している。なお、図10は、各半導体発光素子1に対し順方向電流IFとして50mAを流したときの発光出力Po図中にはPo50と記すを示している。そして、図10における縦軸は、第7障壁層1517の中に最小厚障壁層が存在しない実施例2の結果を基準とし、他の結果を規格化した規格化発光出力図中には規格化発光出力Po50/Po50実施例2と記すとなっている。図10より、最大厚井戸層である第6井戸層1526のn側に隣接する第6障壁層1516の第6障壁厚さt16を減らすこと実施例9、10で、第1障壁層1511~第6障壁層1516の第1障壁厚さt11~第6障壁厚さt16を共通の大きさにした場合実施例2と比較して、発光出力Poが増加することがわかる。ただし、第6障壁層1516の第6障壁厚さt16を減らしすぎると比較例7、発光出力Poが低下することもわかる。これは、第6障壁厚さt16が1.5nmを下回ると、第5井戸層1525および第6井戸層1526のそれぞれにおけるキャリアの閉じ込めが行われにくくなることに起因するものと考えられる。