"対象物を載置するステージと、そのステージを間に挟んで互いに対向するように配置された放射線照射手段および放射線検出手段とを備え、前記放射線照射手段から照射されて前記対象物を透過した放射線を前記放射線検出手段で検出することにより得られた投影画像に基づいて放射線撮影を行う放射線撮影装置であって、少なくとも放射線撮影時に校正用ファントムを搭載可能に前記ステージを構成し、前記対象物および前記校正用ファントムを前記ステージに載置した状態で、前記放射線照射手段、前記放射線検出手段、前記ステージの少なくともいずれかを駆動する駆動手段と、前記校正用ファントムの投影画像に基づいて補正用のパラメータを算出するパラメータ算出手段と、複数の前記対象物の投影画像および前記パラメータに基づいて、対象物の断層画像を算出し、当該算出時に前記対象物を撮影したときの撮影条件に適した前記パラメータを利用して再構成する断層画像算出手段とを備えることを特徴とする放射線撮影装置。請求項1に記載の放射線撮影装置において、前記ステージにマーカを埋め込んで前記校正用ファントムとすることで、当該校正用ファントムを搭載可能にステージを構成することを特徴とする放射線撮影装置。請求項1に記載の放射線撮影装置において、前記ステージにパターンをマーカとして設置することで、当該マーカからなる前記校正用ファントムを搭載可能にステージを構成することを特徴とする放射線撮影装置。校正用ファントムを利用して対象物の断層画像を補正する断層画像補正方法であって、前記対象物および前記校正用ファントムをステージに載置する載置工程と、その載置工程で前記対象物および前記校正用ファントムを前記ステージに載置した状態で、前記対象物を透過した放射線に基づく前記対象物の投影画像を収集する第1投影画像収集工程と、前記載置工程で前記対象物および前記校正用ファントムを前記ステージに載置した状態で、前記校正用ファントムを透過した放射線に基づく前記校正用ファントムの投影画像を収集する第2投影画像収集工程と、その第2投影画像収集工程で収集された前記校正用ファントムの投影画像に基づいて補正用のパラメータを算出するパラメータ算出工程と、前記第1投影画像収集工程でそれぞれ収集された複数の前記対象物の投影画像および前記パラメータ算出工程で算出された前記パラメータに基づいて、対象物の断層画像を算出し、当該算出時に前記対象物を撮影したときの撮影条件に適した前記パラメータを利用して再構成する断層画像算出工程とを備え、これらの工程を行うことで、前記校正用ファントムを利用して前記対象物の断層画像を補正することを特徴とする断層画像補正方法。請求項4に記載の断層画像補正方法において、前記対象物が前記校正用ファントムを兼用することで、前記第1投影画像収集工程と前記第2投影画像収集工程とを両方同時に行い、前記対象物の投影画像を収集するとともに、前記対象物が兼用する前記校正用ファントムの投影画像を収集することを特徴とする断層画像補正方法。請求項4に記載の断層画像補正方法において、少なくとも放射線撮影時に前記校正用ファントムを搭載可能に前記ステージを構成することを特徴とする断層画像補正方法。請求項6に記載の断層画像補正方法において、前記ステージにマーカを埋め込んで前記校正用ファントムとすることで、当該校正用ファントムを搭載可能にステージを構成することを特徴とする断層画像補正方法。請求項6に記載の断層画像補正方法において、前記ステージにパターンをマーカとして設置することで、当該マーカからなる前記校正用ファントムを搭載可能にステージを構成することを特徴とする断層画像補正方法。請求項4から請求項8のいずれかに記載の断層画像補正方法において、前記第1投影画像収集工程で前記対象物の投影画像を収集するときと同じ撮影条件において前記第2投影画像収集工程で前記校正用ファントムの投影画像を収集し、当該撮影条件での前記パラメータを前記パラメータ算出工程で算出し、当該撮影条件を変更したら、当該変更後の撮影条件において前記第1投影画像収集工程で前記対象物の投影画像を収集するとともに、当該変更後の撮影条件において前記第2投影画像収集工程で前記校正用ファントムの投影画像を収集し、当該変更後の撮影条件での前記パラメータを前記パラメータ算出工程で算出することを特徴とする断層画像補正方法。請求項4から請求項9のいずれかに記載の断層画像補正方法において、前記パラメータ算出工程で算出された前記パラメータを撮影条件毎に記憶媒体に書き込んで記憶するパラメータ記憶工程を備え、ある撮影条件に適した前記パラメータが記憶されていないときに、当該撮影条件において前記第2投影画像収集工程で前記校正用ファントムの投影画像を収集し、当該撮影条件での前記パラメータを前記パラメータ算出工程で算出し、算出された当該撮影条件に適したパラメータを前記パラメータ記憶工程で前記記憶媒体に書き込んで記憶し、前記断層画像算出工程で、各々の撮影条件でのパラメータを利用して前記対象物の断層画像を算出して再構成することを特徴とする断層画像補正方法。請求項4から請求項10のいずれかに記載の断層画像補正方法において、放射線撮影で必要とする全フレームから所定枚数のフレームを削除した状態で、削除した前記所定枚数のフレーム以外のフレーム毎に前記第2投影画像収集工程で前記校正用ファントムの投影画像をそれぞれ収集し、当該フレーム毎に前記パラメータを前記パラメータ算出工程でそれぞれ算出し、前記断層画像補正方法は、それぞれ算出された前記パラメータに基づいて、削除した前記所定枚数のフレームでのパラメータを補間するパラメータ補間工程を備え、そのパラメータ補間工程でパラメータを補間することにより、前記全フレームでのパラメータを算出することを特徴とする断層画像補正方法。しかしながら、図10に示す方法で幾何学的な断層撮影条件例えば拡大率、ラミノ角を変更して撮影したときには、各々の撮影条件に合わせた補正用のパラメータを用いるのが望ましい。そのため、予め取得した特定の断層撮影条件での補正用のパラメータにより任意の撮影条件に対応することは困難である。また、撮影条件を変更する毎に校正用ファントムを設置して、ズレの補正キャリブレーションを行わなければいけないのは、ユーザに煩わしさを与える。この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、任意の撮影条件を容易に設定変更し、各々の撮影条件での補正用のパラメータをそれぞれ算出することができる放射線撮影装置および断層画像補正方法を提供することを目的とする。この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、この発明の放射線撮影装置は、対象物を載置するステージと、そのステージを間に挟んで互いに対向するように配置された放射線照射手段および放射線検出手段とを備え、前記放射線照射手段から照射されて前記対象物を透過した放射線を前記放射線検出手段で検出することにより得られた投影画像に基づいて放射線撮影を行う放射線撮影装置であって、少なくとも放射線撮影時に校正用ファントムを搭載可能に前記ステージを構成し、前記対象物および前記校正用ファントムを前記ステージに載置した状態で、前記放射線照射手段、前記放射線検出手段、前記ステージの少なくともいずれかを駆動する駆動手段と、前記校正用ファントムの投影画像に基づいて補正用のパラメータを算出するパラメータ算出手段と、複数の前記対象物の投影画像および前記パラメータに基づいて、対象物の断層画像を算出し、当該算出時に前記対象物を撮影したときの撮影条件に適した前記パラメータを利用して再構成する断層画像算出手段とを備えることを特徴とするものである。[作用効果]この発明に係る放射線撮影装置によれば、少なくとも放射線撮影時に校正用ファントムを搭載可能にステージを構成する。そして、パラメータ算出手段は、校正用ファントムの投影画像に基づいて補正用のパラメータを算出し、複数の対象物の投影画像およびパラメータに基づいて、断層画像算出手段は、当該算出時に対象物を撮影したときの撮影条件に適したパラメータを利用して再構成する。このように少なくとも放射線撮影時に校正用ファントムを搭載可能にステージを構成することにより、撮影条件を変更したとしても、放射線撮影時に対象物および校正用ファントムを同時にステージに載置することができる。したがって、撮影条件を変更する毎に校正用ファントムを設置し直すという従来のような煩わしさを解消することができ、任意の撮影条件を容易に設定変更し、各々の撮影条件での補正用のパラメータをそれぞれ算出することができる。ここで、本発明における上述の断層画像とは、複数の断層画像を含む3次元断層画像であり、もちろん、1枚の断層画像の場合も含むものである。また、この発明の断層画像補正方法は、校正用ファントムを利用して対象物の断層画像を補正する断層画像補正方法であって、前記対象物および前記校正用ファントムをステージに載置する載置工程と、その載置工程で前記対象物および前記校正用ファントムを前記ステージに載置した状態で、前記対象物を透過した放射線に基づく前記対象物の投影画像を収集する第1投影画像収集工程と、前記載置工程で前記対象物および前記校正用ファントムを前記ステージに載置した状態で、前記校正用ファントムを透過した放射線に基づく前記校正用ファントムの投影画像を収集する第2投影画像収集工程と、その第2投影画像収集工程で収集された前記校正用ファントムの投影画像に基づいて補正用のパラメータを算出するパラメータ算出工程と、前記第1投影画像収集工程でそれぞれ収集された複数の前記対象物の投影画像および前記パラメータ算出工程で算出された前記パラメータに基づいて、対象物の断層画像を算出し、当該算出時に前記対象物を撮影したときの撮影条件に適した前記パラメータを利用して再構成する断層画像算出工程とを備え、これらの工程を行うことで、前記校正用ファントムを利用して前記対象物の断層画像を補正することを特徴とするものである。[作用効果]この発明に係る断層画像補正方法によれば、載置工程では、対象物および校正用ファントムをステージに載置する。その状態で、第1投影画像収集工程では、対象物を透過した放射線に基づく対象物の投影画像を収集し、一方で、第2投影画像収集工程では、校正用ファントムを透過した放射線に基づく校正用ファントムの投影画像を収集する。なお、第1/第2投影画像収集工程の順序については特に限定されず、第1投影画像収集工程の後に第2投影画像収集工程を行ってもよいし、逆に第2投影画像収集工程の後に第1投影画像収集工程を行ってもよいし、あるいは後述するように第1/第2投影画像収集工程を同時並行して行ってもよい。さらに、パラメータ算出工程では、第2投影画像収集工程で収集された校正用ファントムの投影画像に基づいて補正用のパラメータを算出し、第1投影画像収集工程でそれぞれ収集された複数の対象物の投影画像およびパラメータ算出工程で算出されたパラメータに基づいて、断層画像算出工程では、対象物の断層画像を算出し、当該算出時に対象物を撮影したときの撮影条件に適したパラメータを利用して再構成する。これらの工程を行うことで、校正用ファントムを利用して対象物の断層画像を補正する。このように対象物および校正用ファントムをステージに載置して、これらの工程を行うことにより、撮影条件を変更したとしても、放射線撮影時に対象物および校正用ファントムを同時にステージに載置することができる。したがって、撮影条件を変更する毎に校正用ファントムを設置し直すという従来のような煩わしさを解消することができ、任意の撮影条件を容易に設定変更し、各々の撮影条件での補正用のパラメータをそれぞれ算出することができる。上述したこの発明に係る断層画像補正方法において、対象物が校正用ファントムを兼用することで、第1投影画像収集工程と第2投影画像収集工程とを両方同時に行い、対象物の投影画像を収集するとともに、対象物が兼用する校正用ファントムの投影画像を収集してもよい。あるいは、上述したこの発明に係る放射線撮影装置と同様に、上述したこの発明に係る断層画像補正方法においても、少なくとも放射線撮影時に校正用ファントムを搭載可能にステージを構成してもよい。上述したこの発明に係る放射線撮影装置および断層画像補正方法において、ステージにマーカを埋め込んで校正用ファントムとすることで、当該校正用ファントムを搭載可能にステージを構成してもよい。あるいは、ステージにパターンをマーカとして設置することで、当該マーカからなる校正用ファントムを搭載可能にステージを構成してもよい。また、両方を組み合わせてもよい。上述したこれらの発明に係る断層画像補正方法では、第1投影画像収集工程で対象物の投影画像を収集するときと同じ撮影条件において第2投影画像収集工程で校正用ファントムの投影画像を収集し、当該撮影条件でのパラメータをパラメータ算出工程で算出し、当該撮影条件を変更したら、当該変更後の撮影条件において第1投影画像収集工程で対象物の投影画像を収集するとともに、当該変更後の撮影条件において第2投影画像収集工程で校正用ファントムの投影画像を収集し、当該変更後の撮影条件でのパラメータをパラメータ算出工程で算出するのが好ましい。同じ撮影条件において第1/第2投影画像収集工程で各投影画像を収集してパラメータを算出し、当該撮影条件を変更したら、当該変更後の撮影条件において第1/第2投影画像収集工程で各投影画像を収集してパラメータを算出することにより、任意の撮影条件での補正用のパラメータを容易にそれぞれ算出することができる。また、上述したこれらの発明に係る断層画像補正方法では、パラメータ算出工程で算出されたパラメータを撮影条件毎に記憶媒体に書き込んで記憶するパラメータ記憶工程を備え、ある撮影条件に適したパラメータが記憶されていないときに、当該撮影条件において第2投影画像収集工程で校正用ファントムの投影画像を収集し、当該撮影条件でのパラメータをパラメータ算出工程で算出し、算出された当該撮影条件に適したパラメータをパラメータ記憶工程で記憶媒体に書き込んで記憶し、断層画像算出工程で、各々の撮影条件でのパラメータを利用して対象物の断層画像を算出して再構成するのが好ましい。パラメータが記憶工程で過去に記憶されて記憶媒体に既にあるときには、そのパラメータを利用して対象物の断層画像を算出して再構成し、パラメータが記憶媒体にないときのみ、そのときの撮影条件において第1/第2投影画像収集工程で各投影画像を収集してパラメータを算出し再構成する。このようなことを行うことで、同一の撮影条件で撮影投影画像の収集/パラメータの算出を改めて行う必要はなく、さらには過去の撮影条件の有無を過去に遡って調べる必要はなく、これらについてユーザを煩わすことなく、手間をかけず時間を短縮することができる。また、上述したこれらの発明に係る断層画像補正方法では、放射線撮影で必要とする全フレームから所定枚数のフレームを削除した状態で、削除した所定枚数のフレーム以外のフレーム毎に第2投影画像収集工程で校正用ファントムの投影画像をそれぞれ収集し、当該フレーム毎にパラメータをパラメータ算出工程でそれぞれ算出し、断層画像補正方法は、それぞれ算出されたパラメータに基づいて、削除した所定枚数のフレームでのパラメータを補間するパラメータ補間工程を備え、そのパラメータ補間工程でパラメータを補間することにより、全フレームでのパラメータを算出するのが好ましい。フレームを削除した状態でパラメータを算出し、削除したフレームでのパラメータを、算出されたパラメータに基づいて補間することで、削除したフレーム分の撮影投影画像の収集/パラメータの算出時間を短縮することができる。この発明に係る放射線撮影装置および断層画像補正方法によれば、撮影条件を変更したとしても、放射線撮影時に対象物および校正用ファントムを同時にステージに載置することができる。したがって、撮影条件を変更する毎に校正用ファントムを設置し直すという従来のような煩わしさを解消することができ、任意の撮影条件を容易に設定変更し、各々の撮影条件での補正用のパラメータをそれぞれ算出することができる。以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。図1は、実施例に係るX線検査装置の概略構成図であり、図2は、実施例に係るX線検査装置のブロック図である。本実施例では、放射線撮影装置として、X線検査装置を例に採って説明する。図1に示すように、X線検査装置1は、対象物Oを載置するステージ2と、そのステージ2を間に挟んで互いに対向するように配置されたX線管3およびX線検出器4とを備えている。X線検出器4については、イメージインテンシファイアI.Iやフラットパネル型X線検出器FPDFlatPanelDetectorなどに例示されるように、特に限定されない。本実施例では、X線検出器4としてフラットパネル型X線検出器FPDを例に採って説明する。ステージ2は、この発明におけるステージに相当し、X線管3は、この発明における放射線照射手段に相当し、X線検出器4は、この発明における放射線検出手段に相当する。FPDは、画素に対応して縦横に並べられた複数の検出素子からなり、X線を検出素子が検出して、検出されたX線のデータ電荷信号をX線検出信号として出力する。このようにして、X線管3から照射されて対象物Oを透過したX線をFPDからなるX線検出器4が検出してX線検出信号を出力し、X線検出信号に基づく画素値を画素に対応してそれぞれ並べることで、X線検出器4の検出面に投影された投影画像を取得する。その他に、X線検査装置1は、図1に示すように、X線検出器4を矢印R1周りに回転駆動する検出器回転機構5と、X線検出器4を矢印R2方向に傾動させる検出器傾動機構6とを備えている。検出器傾動機構6は、X線検出器4を支持する円弧状のガイド部6a、および回転モータ図示省略からなり、回転モータが回転駆動することで、ガイド部6aに沿ってX線検出器4が矢印R2方向に傾動する。検出器回転機構5は、回転モータ図示省略からなり、回転モータが検出器傾動機構6のガイド部6aを矢印R1周りに回転駆動することで、ガイド部6aに支持されたX線検出器4も矢印R1周りに回転駆動する。また、本実施例では、検出器回転機構5は、ステージ2の駆動に同期させてX線検出器4を矢印R1周りに回転駆動する。特に、X線管3から照射されたX線が対象物Oの注目点を透過して放射線検出器4の中心部分で検出されるように、検出器回転機構5はX線検出器4を矢印R1周りに回転駆動する。その他に、X線検査装置1は、図2に示すように、ステージ2を直交座標系X,Y,Z図1を参照でそれぞれ直進駆動するステージ駆動機構7と、校正用ファントムPh図3~図5を参照の投影画像に基づいて補正用のパラメータ物理量を算出するパラメータ算出部8と、パラメータ算出部8で算出されたパラメータを書き込んで記憶するパラメータ記憶部9と、複数の対象物Oの投影画像およびパラメータに基づいて、対象物Oの断層画像を算出して演算する断層画像算出部10と、これらを統括制御するコントローラ11と、断層画像算出部10で得られた断層画像を出力モニタに表示出力あるいはプリンタに印刷出力する画像出力部12とを備えている。上述の検出器回転機構5や検出器傾動機構6を含め、ステージ駆動機構7は、この発明における駆動手段に相当し、パラメータ算出部8は、この発明におけるパラメータ算出手段に相当し、パラメータ記憶部9は、この発明における記憶媒体に相当し、断層画像算出部10は、この発明における断層画像算出手段に相当する。ステージ駆動機構7は、ステージ2をX方向に直進駆動ここでは水平駆動するX軸直進モータ図示省略、ステージ2をY方向に直進駆動ここでは水平駆動するY軸直進モータ図示省略、およびステージ2をZ方向に直進駆動ここでは昇降駆動するZ軸直進モータ図示省略からなる。本実施例では、各々のX軸直進モータ,Y軸直進モータによる軌道の合成が円軌道で、かつ検出器回転機構5によるX線検出器4の回転駆動に同期するようにコントローラ11はステージ2を駆動する。パラメータ算出部8は、校正用ファントムPh図3~図5を参照の投影画像に基づいて補正用のパラメータを算出し、算出されたパラメータを撮影条件毎にパラメータ記憶部9に書き込んで記憶する。対象物Oの断層画像を補正する際に、パラメータ記憶部9に記憶されたパラメータを読み出して、その読み出されたパラメータを利用する。パラメータ記憶部9は、RAMRandomAccessMemoryなどに代表される記憶媒体で構成されている。断層画像算出部10は、複数の対象物Oの投影画像および上述のパラメータに基づいて、対象物Oの断層画像を算出し、当該算出時に対象物Oを撮影したときの撮影条件に適したパラメータを利用して再構成する。コントローラ11は、X線検査装置1を構成する各部分を統括制御し、特に、検出器回転機構5の回転モータ図示省略、検出器傾動機構6の回転モータ図示省略、ステージ駆動機構7のX軸/Y軸/Z軸直進モータ図示省略をそれぞれ制御する。図1ではX線管3は固定位置であったが、X線検出器4の傾動に応じてX線管3を傾斜可能にコントローラ11は制御してもよい。上述のパラメータ算出部8や断層画像算出部10やコントローラ11は、中央演算処理装置CPUなどで構成されている。図1に示すように、X線管3、対象物OおよびX線検出器4を配置することで、図10と同様に、ラミノ角傾いた斜め方向にX線管3とX線検出器4とを配置して斜め方向から撮影することができる。そして、X線管3と、ステージ2ひいては対象物Oとを近づけることができ、X線管3と対象物Oとが互いに干渉することなく高拡大率の投影画像を得ることができる。ステージ2を駆動する度に投影画像を取得することで複数の角度からの投影画像を取得し、図2に示す断層画像算出部10は、複数の投影画像に基づいて断層画像を算出して演算する。次に、校正用ファントムPhについて説明する。校正用ファントムPhはマーカを有しており、校正用ファントムPhを放射線撮影したときに得られる投影画像中のマーカから、マーカの同一位置を特徴点として抽出できるような構造をしている。図3~図5を参照して説明する。図3は、対象物が校正用ファントムを兼用する一例の概略平面図であり、図4は、少なくとも放射線撮影時に校正用ファントムを搭載可能にステージを構成する一例の概略図であり、図4aは、ステージにマーカを埋め込んで校正用ファントムとする場合の概略斜視図であり、図4bは、その概略断面図であり、図5は、少なくとも放射線撮影時に校正用ファントムを搭載可能にステージを構成する他の一例の概略図であり、図5aは、ステージの表面上面に、パターンをマーカとして設置したときの校正用ファントムの概略斜視図であり、図5bは、ステージの裏面下面に、パターンをマーカとして設置したときの校正用ファントムの概略斜視図である。放射線撮影時に対象物O図1、図3を参照および校正用ファントムPhを同時にステージ2図1、図2、図4あるいは図5を参照に載置するには、図3に示すように対象物Oが校正用ファントムPhを兼用する手法と、図4あるいは図5に示すように少なくとも放射線撮影時に校正用ファントムPhを搭載可能にステージ2を構成する手法とに大別される。図3に示すように、対象物Oが校正用ファントムPhを兼用する一例として、例えば対象物OがBGAの場合には、対象物O中の球状物質BallのいずれかにマーカMを設置する。マーカMを設置することで、マーカMからなる校正用ファントムPhを対象物Oが兼用することができ、対象物Oとは別の校正用ファントムを用意する必要がなくなる。このとき、対象物O中のマーカMの位置で第1/第2投影画像収集工程を同時に行ってもよいし、対象物O中のマーカM以外の位置で第1投影画像収集工程を行ってもよい。少なくとも放射線撮影時に校正用ファントムPhを搭載可能にステージ2を構成する一例として、図4aの概略斜視図や図4bの概略断面図に示すように、ステージ2に校正用ファントムPhを埋め込む。一般に、ステージ2は放射線透過率が高い物質で形成されているので、マーカを放射線透過率が低い物質例えば鉛で形成して、ステージ2と区別する。図4の場合には、マーカを放射線透過率が低い球状物質で形成し、その球状物質をステージ2に埋め込んだものを校正用ファントムPhとする。図4とは別に、少なくとも放射線撮影時に校正用ファントムPhを搭載可能にステージ2を構成する他の一例として、図5の概略斜視図に示すように、ステージ2にパターンからなるマーカを設置する。このように、マーカを設置することで、マーカからなる校正用ファントムPhを搭載可能にステージ2を構成する。図5のマーカも、パターンの交点を特徴点とすることができるので、マーカの概念に包括されることに留意されたい。ステージ2のいずれの面にマーカを設置しても構わない。例えば、図5aに示すように、ステージ2の表面上面にマーカを設置してもよいし、図5bに示すように、ステージ2の裏面下面にマーカを設置してもよい。また、図5aおよび図5bを組み合わせて、ステージ2の表裏面ともにマーカを設置してもよい。その他の面側面、正面あるいは背面にマーカを設置してもよい。後述する下記1式は、3次元空間から2次元画像への透視投影を表す一般的な計算式である。1式を用いる場合において、12個の要素からなる11個のパラメータを利用して対象物O図1、図3を参照の断層画像を補正するときには、3次元的に配置された相対座標が既知のマーカが6つ以上映っていれば、代数演算によりパラメータを直接的に算出することができる。したがって、図4aの概略平面図に示すように、ステージ2に6つあるいはそれ以上の校正用ファントムPhを3次元的に埋め込んで配置する。なお、上述した11個のパラメータを利用して対象物O図1、図3を参照の断層画像を補正するときに、パラメータのいくつかが固定値であるという制約条件があれば、マーカが2次元的な配置であっても、正しいパラメータを算出できる条件も存在する。したがって、図3や図5に示すように、マーカを2次元的に配置してもよい。パターンからなるマーカについては、ステージ2に溝あるいは突起を設けることで設置してもよいし、ステージ2とは別の物質を貼りつけることでパターンを設置してもよい。パターンは、図5では格子状であるが、格子状に限定されない。例えば点状のパターンから構成されていてもよい。図4や図5では、校正用ファントムPhをステージ2の全体に亘って搭載したが、撮影の邪魔にならないようにステージ2の端部に校正用ファントムPhを搭載してもよい。また、図3~図5を互いに組み合わせてもよい。次に、断層画像を補正する方法について説明する。断層画像の算出アルゴリズムは公知の方法があり、例えばFBP法FilteredBackProjection法などにより計算することができる。このとき、放射線撮影時の幾何条件を表すパラメータが分かれば、そのパラメータを補正用計算用のパラメータとして、断層画像の計算ができる。ここで、3次元空間から2次元画像への透視投影を表す一般的な方程式である下記1式により表され、1式を用いると撮影時の幾何条件は、11個のパラメータにより表すことができる。P~Wは、ワールド座標系での特徴点の3次元斉次座標であり、転置行列で表されているので、実際には4行1列の行列である。P~inは、投影画像上の画素ピクセル座標系での2次元斉次座標である。P~inも転置行列で表されているので、実際には3行1列の行列である。Mは外部パラメータからなる行列であり、ワールド座標系からカメラ座標系への変換行列である。M中のRは3次元空間での3自由度の回転を表す回転行列であり、3つのパラメータからなる3行3列の行列である。M中のtは3次元空間での3自由度の並進を表す並進ベクトルであり、3つのパラメータからなる3行1列のベクトルである。また、M中の0は1行3列の零ベクトル、M中の1は1行1列である。したがって、Mは6つのパラメータ外部パラメータからなる4行4列の行列である。行列Aと行列Pは内部パラメータからなる行列であり、行列APはカメラ座標系からピクセル座標系への変換行列である。P中のfは、X線管3図1を参照、いわゆる光源からX線検出器4図1、図2を参照へ垂線を下ろした距離SIDSourceImageDistanceを表すパラメータであり、Pは3行4列の行列である。A中のkx,kyは実空間の座標系から、ピクセル座標系へのスケール変換をするパラメータであり、A中のskewはピクセル座標系の座標軸の歪みを表すパラメータであり、直交座標系の場合は0となる。また、A中のσx,σyは、ピクセル座標系の原点位置を表すパラメータである。Aは3行3列の行列である。行列Aと行列Pをかけた行列APは6つの要素からなる行列であるが自由度は5であるので、行列APは5つのパラメータ内部パラメータからなる3行4列の行列となる。上記1式を用いて放射線撮影時の幾何条件を求める場合は、行列M中の6つの外部パラメータ、行列AP中の5つの内部パラメータの計11個のパラメータを求めることになる。これらの11個のパラメータを算出することは、一般にコンピュータビジョンなどの分野で扱われているカメラの校正問題であり、校正用ファントムを放射線撮影したときに得られる投影画像での、マーカの特徴点のピクセル座標1式中のP~inと、校正用ファントムのマーカの相対座標が既知の場合はマーカのワールド座標系での3次元座標1式中のP~Wとを用いて、計算することができる。なお、ワールド座標系やカメラ座標系やピクセル座標系の各座標系については公知であるので、その具体的な説明については省略する。また、11個のパラメータの上記1式はあくまでも一例である。したがって、断層画像を補正する場合については、上記1式を必ずしも用いる必要はなく、撮影時の幾何条件を表すようなパラメータを用いた公知の式であれば、特に限定されない。上述したように、1つの投影画像中に3次元座標が既知である3次元的に配置された特徴点が6つ以上映っていれば、代数演算により11個のパラメータを直接的に算出することができる。また、非線形的な最適化方法によりパラメータを算出することも可能であり、BundleAdjustmentなどの方法が知られている。また、上述したように、パラメータのいくつかが固定値であるという制約条件があれば、特徴点配置が2次元的であったり、投影画像中の特徴点の数が6個に満たない場合であったりしても正しいパラメータを算出できる条件も存在する。上記条件を満たすように、例えば図4あるいは図5に示すように、放射線透過率が低い物質と、放射線透過率が比較的に高いステージ2とを有するものを、校正用ファントムPhとして用いることができる。次に、上記方法で取得された校正用ファントムPhの投影画像からパラメータを算出するまでの処理について、図6を参照して説明する。図6は、校正用パラメータの投影画像からパラメータを算出するまでの一連の処理を示すフローチャートである。ステップS1特徴点抽出先ず、校正用ファントムPhの投影画像から特徴点を抽出し、その特徴点のピクセル座標を記憶する。特徴点としては、例えばマーカが球形状である場合は球の中心、マーカが格子状パターンである場合は、格子状パターンの交点を特徴点と設定すればよい。特徴点は1つの投影画像中に複数数は算出したいパラメータの数による存在し、全ての投影画像において校正用ファントムPhの同一点の特徴点が抽出されるのが好ましい。ステップS2同一特徴点識別次に、前記ステップS1で抽出した各フレームの特徴点を、校正用ファントムPhの投影画像間で、校正用ファントムPhの同一点を表している特徴点の対応付けを行う。対応付けの方法は、例えば連続フレームの投影画像間で比較して、投影画像上の距離が最も近い特徴点同士を同一特徴点として識別する方法が考えられる。また、あるフレームでの投影画像上の特徴点位置特徴点画素を、それ以前に取得されたフレームでの投影画像からわかる特徴点の画像上の軌跡から推定して、同一特徴点を対応付けて識別する方法も考えられる。ステップS3パラメータ算出次に、対応付けられた特徴点識別された特徴点群からパラメータを算出する。特徴点の3次元座標が既知であり、特徴点が3次元的に6つ以上配置されている場合には、上述したように代数演算によりパラメータを直接的に算出することができる。また、BundleAdjustment法のような非線形最適化により算出することができる。このとき、いくつかのパラメータを固定値として扱うこともでき、算出必要なパラメータの数に応じて必要な特徴点数も異なる。また、特徴点の3次元座標が未知である場合でも、skewが0である場合は非線形最適化方法によりセルフキャリブレーションが可能であり、最適な変数パラメータを算出することができる。このときのパラメータ算出はユークリッド復元にあたりスケール不定性は残る。そこで、必要に応じて適切なスケール変換をしたり、パラメータに制約を入れる事で所望のスケールとしたりすることができる。次に、本実施例に係る断層画像補正方法について、図7を参照して説明する。図7は、実施例に係る断層画像補正方法の一連の処理を示すフローチャートである。先ず、対象物O図1、図3を参照および校正用ファントムPh図3~図5を参照をステージ2図1、図2、図4あるいは図5を参照に載置する。この載置は、この発明における載置工程に相当する。ステップT1パラメータ記憶済次に、対象物Oを撮影したときの撮影条件に適したパラメータを利用して再構成するために、当該撮影条件でのパラメータ適したパラメータがパラメータ記憶部9図2を参照に既に記憶済か否かを例えばコントローラ11図2を参照が判断する。適したパラメータがパラメータ記憶部9に既に記憶済であれば、ステップT2に進む。適したパラメータがパラメータ記憶部9に記憶済でなければ、当該撮影条件でのパラメータを算出するために、ステップT11に進む。ステップT11校正用ファントムの断層撮影当該撮影条件でのパラメータをパラメータ算出部8図2を参照が算出するために、当該撮影条件において校正用ファントムPhの投影画像を収集して、校正用ファントムPhの断層撮影を行う。具体的には、対象物Oおよび校正用ファントムPhをステージ2に載置した状態で、校正用ファントムPhを透過したX線をX線検出器4図1、図2を参照で検出することにより校正用ファントムPhの投影画像を取得して収集する。もし、図3に示すように、対象物Oが校正用ファントムPhを兼用する場合には、ステップT11での校正用ファントムの断層撮影と、後述するステップT2での対象物の断層撮影とが同一であるので、ステップT1でのパラメータ記憶の如何に関わらずステップT11T2に進めばよい。ステップT11は、この発明における第2投影画像収集工程に相当する。ステップT11が済めば、ステップT2とステップT12とを並行に行う。後述するステップT5での断層画像の算出までに、ステップT2,それに続くステップT3,T4と、ステップT12,それに続くステップT13とが終了していれば、ステップT2およびステップT12の開始終了のタイミングについては、特に限定されない。したがって、ステップT2およびステップT12を同時に開始してもよいし、ステップT2の開始後にステップT12を行ってもよく、逆にステップT12の開始後にステップT2を行ってもよい。ステップT2対象物の断層撮影当該撮影条件において対象物Oの投影画像を収集して、対象物Oの断層撮影を行う。具体的には、ステップT11と同様に、対象物Oおよび校正用ファントムPhをステージ2に載置した状態で、対象物Oを透過したX線をX線検出器4で検出することにより対象物Oの投影画像を取得して収集する。ステップT2は、この発明における第1投影画像収集工程に相当する。ステップT3パラメータ算出済ステップT2で対象物Oの断層撮影を行った後、当該撮影条件でのパラメータ適したパラメータをパラメータ算出部8が既に算出済か否かを例えばコントローラ11が判断する。適したパラメータをパラメータ算出部8が既に算出済であれば、ステップT5に進む。適したパラメータをパラメータ算出部8が算出済でなければ、パラメータ算出完了までステップT4で待機する。なお、ステップT1で適したパラメータがパラメータ記憶部9に既に記憶済であれば、必ずしもステップT3を行う必要はない。また、パラメータ記憶部9に既に記憶済のパラメータの撮影条件と、ステップT2での対象物Oの断層撮影における撮影条件とが同一でなくても、下記のようなパラメータ補間を行えば、必ずしも投影画像の収集/パラメータの算出を行う必要はない。すなわち、放射線撮影で必要とする全フレームから所定枚数のフレームを削除した状態で、削除した所定枚数のフレーム以外のフレーム毎にステップT11で校正用ファントムPhの投影画像をそれぞれ収集する。そして、当該フレーム毎にパラメータをステップT12でそれぞれ算出する。このパラメータは、パラメータ記憶部9に過去に記憶済のパラメータも含まれる。それぞれ算出されたパラメータに基づいて、削除した所定枚数のフレームでのパラメータを補間する。そのパラメータ補間でパラメータを補間することにより、全フレームでのパラメータを算出する。パラメータ補間については公知であるので、その具体的な説明については省略する。このパラメータ補間は、この発明におけるパラメータ補間工程に相当する。ステップT4パラメータ算出完了まで待機適したパラメータをパラメータ算出部8が算出するために、算出完了までステップT4で待機する。算出完了すれば、ステップT5に進む。ステップT12パラメータ算出一方、ステップT11で校正用ファントムPhの断層撮影を行った後、校正用ファントムPhの投影画像に基づいてパラメータ算出部8はパラメータを算出する。上述のステップS1~S3図6を参照を行って、上記1式を用いてパラメータを求める場合には、以下のように求める。すなわち、校正用ファントムPhの投影画像上に映った各々の特徴点の座標ピクセル座標系のP~in中のxin,yinや、そのときの撮影条件での座標を上記1式に代入することにより、撮影時の幾何学的条件を求める。これらの幾何学的条件を求めることにより、最大11個のパラメータこの場合には、6個の外部パラメータと、5個の内部パラメータを求める。このステップT12は、この発明におけるパラメータ算出工程に相当する。ステップT13パラメータ記憶ステップT12で算出されたパラメータをパラメータ記憶部9に書き込んで記憶する。このステップT11~T13を行うことにより、当該撮影条件でのパラメータを算出して記憶することになる。パラメータを記憶したらステップT5に進む。このステップT13は、この発明におけるパラメータ記憶工程に相当する。ステップT5断層画像の算出ステップT4あるいはステップT13でパラメータが求まったら、複数の対象物Oの投影画像およびパラメータに基づいて、断層画像算出部10図2を参照は対象物Oの断層画像を算出し、当該算出時に対象物Oを撮影したときに撮影条件に適したパラメータを利用して再構成する。このようにして、校正用ファントムPhを利用して対象物Oの断層画像を補正する。このステップT5は、この発明における断層画像算出工程に相当する。ステップT6断層画像の表示断層画像算出部10で得られた断層画像を画像出力部12図2を参照のモニタに表示出力する。断層画像算出部10で得られた断層画像を画像出力部12のプリンタに印刷出力してもよい。図7に示す一連のステップT1~T6ステップT11~T13を含むを行うことで、断層画像を補正する。上述の構成を備えた本実施例に係るX線検査装置によれば、図4あるいは図5に示すように、少なくとも放射線撮影時に校正用ファントムPhを搭載可能にステージ2を構成する。そして、パラメータ算出部8は、校正用ファントムPhの投影画像に基づいて補正用のパラメータを算出し、複数の対象物Oの投影画像およびパラメータに基づいて、断層画像算出部10は、当該算出時に対象物Oを撮影したときに撮影条件に適したパラメータを利用して再構成する。このように少なくとも放射線撮影時に校正用ファントムPhを搭載可能にステージ2を構成することにより、撮影条件を変更したとしても、放射線撮影時に対象物Oおよび校正用ファントムPhを同時にステージ2に載置することができる。したがって、撮影条件を変更する毎に校正用ファントムPhを設置し直すという従来のような煩わしさを解消することができ、任意の撮影条件を容易に設定変更し、各々の撮影条件での補正用のパラメータをそれぞれ算出することができる。また、本実施例に係る断層画像補正方法によれば、載置工程では、対象物Oおよび校正用ファントムPhをステージ2に載置する。その状態で、第1投影画像収集工程図7ではステップT2では、対象物Oを透過したX線に基づく対象物Oの投影画像を収集し、一方で、第2投影画像収集工程図7ではステップT11では、校正用ファントムPhを透過したX線に基づく校正用ファントムPhの投影画像を収集する。上述したように、第1/第2投影画像収集工程ステップT2,T11の順序については特に限定されず、第1投影画像収集工程ステップT2の後に第2投影画像収集工程ステップT11を行ってもよいし、逆に第2投影画像収集工程ステップT11の後に第1投影画像収集工程ステップT2を行ってもよいし、あるいは第1/第2投影画像収集工程ステップT2,T11を同時並行して行ってもよい。さらに、パラメータ算出工程図7ではステップT12では、第2投影画像収集工程ステップT11で収集された校正用ファントムPhの投影画像に基づいて補正用のパラメータを算出し、第1投影画像収集工程ステップT2でそれぞれ収集された複数の対象物Oの投影画像およびパラメータ算出工程ステップT12で算出されたパラメータに基づいて、断層画像算出工程図7ではステップT5では、対象物Oの断層画像を算出し、当該算出時に対象物Oを撮影したときの撮影条件に適したパラメータを利用して再構成する。これらの工程図7ではステップT11~T13を含んだステップT1~T6を行うことで、校正用ファントムPhを利用して対象物Oの断層画像を補正する。このように対象物Oおよび校正用ファントムPhをステージ2に載置して、これらの工程を行うことにより、撮影条件を変更したとしても、放射線撮影時に対象物Oおよび校正用ファントムPhを同時にステージ2に載置することができる。したがって、撮影条件を変更する毎に校正用ファントムPhを設置し直すという従来のような煩わしさを解消することができ、任意の撮影条件を容易に設定変更し、各々の撮影条件での補正用のパラメータをそれぞれ算出することができる。本実施例に係る断層画像補正方法において、図3に示すように、対象物Oが校正用ファントムPhを兼用することで、第1投影画像収集工程ステップT2と第2投影画像収集工程ステップT11とを両方同時に行い、対象物Oの投影画像を収集するとともに、対象物Oが兼用する校正用ファントムPhの投影画像を収集してもよい。あるいは、本実施例に係るX線検査装置と同様に、本実施例に係る断層画像補正方法においても、図4あるいは図5に示すように、少なくとも放射線撮影時に校正用ファントムPhを搭載可能にステージ2を構成してもよい。本実施例に係るX線検査装置および断層画像補正方法において、図4に示すようにステージ2にマーカを埋め込んで校正用ファントムとすることで、当該校正用ファントムPhを搭載可能にステージ2を構成してもよい。あるいは、図5に示すようにステージ2にパターンをマーカとして設置することで、当該マーカからなる校正用ファントムPhを搭載可能にステージ2を構成してもよい。また、図4および図5の両方を組み合わせてもよい。本実施例に係る断層画像補正方法では、好ましくは、図7のフローチャートに示すように、第1投影画像収集工程ステップT2で対象物Oの投影画像を収集するときと同じ撮影条件において第2投影画像収集工程ステップT11で校正用ファントムPhの投影画像を収集し、当該撮影条件でのパラメータをパラメータ算出工程ステップT12で算出する。そして、当該撮影条件を変更したら、当該変更後の撮影条件において第1投影画像収集工程ステップT2で対象物Oの投影画像を収集するとともに、当該変更後の撮影条件において第2投影画像収集工程ステップT11で校正用ファントムPhの投影画像を収集し、当該変更後の撮影条件でのパラメータをパラメータ算出工程ステップT12で算出する。同じ撮影条件において第1/第2投影画像収集工程ステップT2,T11で各投影画像を収集してパラメータを算出し、当該撮影条件を変更したら、当該変更後の撮影条件において第1/第2投影画像収集工程ステップT2,T11で各投影画像を収集してパラメータを算出することにより、任意の撮影条件での補正用のパラメータを容易にそれぞれ算出することができる。また、本実施例に係る断層画像補正方法では、好ましくは、図7のフローチャートに示すように、パラメータ算出工程ステップT12で算出されたパラメータを撮影条件毎に記憶媒体本実施例ではパラメータ記憶部9に書き込んで記憶するパラメータ記憶工程図7ではステップT13を備える。ある撮影条件に適したパラメータが記憶されていないとき図7ではステップT1のNoに分岐:適したパラメータがパラメータ記憶部9に記憶済でないときに、当該撮影条件において第2投影画像収集工程ステップT11で校正用ファントムPhの投影画像を収集し、当該撮影条件でのパラメータをパラメータ算出工程ステップT12で算出する。そして、算出された当該撮影条件に適したパラメータをパラメータ記憶工程ステップT13でパラメータ記憶部9に書き込んで記憶し、断層画像算出工程ステップT5で、各々の撮影条件でのパラメータを利用して対象物Oの断層画像を算出して再構成する。パラメータが記憶工程ステップT13で過去に記憶されてパラメータ記憶部9に既にあるときには、そのパラメータを利用して対象物Oの断層画像を算出して再構成し、パラメータがパラメータ記憶部9にないときのみ、そのときの撮影条件において第1/第2投影画像収集工程ステップT2,T11で各投影画像を収集してパラメータを算出し再構成する。このようなことを行うことで、同一の撮影条件で撮影投影画像の収集/パラメータの算出を改めて行う必要はなく、さらには過去の撮影条件の有無を過去に遡って調べる必要はなく、これらについてユーザを煩わすことなく、手間をかけず時間を短縮することができる。また、本実施例に係る断層画像補正方法では、好ましくは、放射線撮影で必要とする全フレームから所定枚数のフレームを削除した状態で、削除した所定枚数のフレーム以外のフレーム毎に第2投影画像収集工程ステップT11で校正用ファントムPhの投影画像をそれぞれ収集し、当該フレーム毎にパラメータをパラメータ算出工程ステップT12でそれぞれ算出する。本実施例に係る断層画像補正方法は、それぞれ算出されたパラメータに基づいて、削除した所定枚数のフレームでのパラメータを補間するパラメータ補間工程を備え、そのパラメータ補間工程でパラメータを補間することにより、全フレームでのパラメータを算出する。フレームを削除した状態でパラメータを算出し、削除したフレームでのパラメータを、算出されたパラメータに基づいて補間することで、削除したフレーム分の撮影投影画像の収集/パラメータの算出時間を短縮することができる。この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。1上述した実施例では、放射線撮影装置として、X線検査装置を例に採って説明したが、複数の投影画像に基づいて断層画像を取得して放射線撮影を行う装置であれば、放射線についてはX線に限定されず、X線以外の放射線α線、β線、γ線などであってもよい。2対象物については特に限定されない。上述したように実装基板、多層基板のスルーホール/パターン/はんだ接合部、パレット上に配置された集積回路ICのような実装前の電子部品、金属などの鋳物、ビデオデッキのような成型品などに例示されるように、対象物に対する放射線撮影を行うのであればよい。3上述した実施例では、図1に示すように、ラミノ角傾いた斜め方向からの放射線照射手段実施例ではX線管3と放射線検出手段実施例ではX線検出器4とを配置して斜め方向から撮影したが、従来の図8に示すような方向から撮影してもよいし、従来の図9に示すような方向から撮影してもよい。4上述した実施例では、駆動手段は、図2に示す検出器回転機構5や検出器傾動機構6やステージ駆動機構7であって、対象物Oおよび校正用ファントムPhをステージ2に載置した状態で、放射線検出手段実施例ではX線検出器4およびステージ2をそれぞれ駆動したが、駆動の対象はこれに限定されない。対象物および校正用ファントムをステージに載置した状態で、放射線照射手段実施例ではX線管3、放射線検出手段、ステージの少なくともいずれかを駆動するのであれば、放射線照射手段、放射線検出手段、ステージのいずれか1つのみを駆動してもよいし、放射線照射手段、放射線検出手段、ステージを全て駆動してもよいし、放射線照射手段、放射線検出手段、ステージのうちの2つを駆動してもよい。"