"基体4;14に適用され且つ平行で平らな複数の界面6を介して並んでいる異なる光学的性質及び厚さの複数の個々の層2、3、及びビームが当たる側の平らな前面5;5’を有する、所定の群遅延分散を提供する多層ミラー1であって、前記前面5;5’が、前記個々の層2、3の間の前記界面6に対して傾斜していることを特徴とする、多層ミラー1。前記傾斜前面5;5’が、直線的に厚さが変化する外側層4’の外側面によって提供されており、この外側層4’が、他の前記個々の層2、3と共に、ビームが当たる側の反対側の基体14に適用されていることを特徴とする、請求項1に記載のミラー。前記外側層が、くさび形ガラスプレート4によって作られていることを特徴とする、請求項2に記載のミラー。前記くさび形ガラスプレート4が、屈折率調整流体によって最も前側の前記個々の層2又は3に適用されていることを特徴とする、請求項3に記載のミラー。前記くさび形ガラスプレート4が、光学接着剤によって最も前側の前記個々の層2又は3に適用されていることを特徴とする、請求項3に記載のミラー。前記くさび形ガラスプレート4が、光学セメントによって最も前側の前記個々の層2又は3に適用されていることを特徴とする、請求項3に記載のミラー。前記傾斜前面5;5’が、くさび形透明基体4の外側面によって提供されており、このくさび形透明基体の後面に、前記層2、3が結合している図1、請求項1に記載のミラー。適当に傾斜した前面5’を有する反射防止コーティング10が、前記傾斜前面5に適用されていることを特徴とする、請求項1~7のいずれかに記載のミラー。前記個々の層2、3の厚さが、前記基体4;14からの距離と共に変化しており、それによって所定の反射特性及び/又は所定の群遅延分散特性を達成することを特徴とする、請求項1~8のいずれかに記載のミラー。前記個々の層2、3の厚さが前記前面5;5’からの距離と共に一般に増加しており、それによって所定のスペクトル範囲での高反射率及び負の、随意に一定の群遅延分散を提供することを特徴とする、請求項1~9のいずれかに記載のミラー。前記個々の層2、3として、SiO2層及びTiO2層が交互に提供されていることを特徴とする、請求項1~10のいずれかに記載のミラー。前記個々の層2、3として、SiO2層及びTa2O5層が交互に提供されていることを特徴とする、請求項1~10のいずれかに記載のミラー。前記個々の層2、3として、比較的屈折率が小さい半導体層及び比較的屈折率が大きい半導体層が交互に提供されていることを特徴とする、請求項1~10のいずれかに記載のミラー。レーザーデバイスでの請求項1~13のいずれかに記載のミラーの使用。短パルスレーザーデバイスでの請求項1~13のいずれかに記載のミラーの使用。従って、本発明の目的は、この状況を改善すること、及びミラーの前面で反射する放射によってもたらされる上述の干渉効果を単純な様式で避ける初めに示したタイプの多層ミラーを提供することである。初めに示した本発明の多層ミラーは、前面が、個々の層の間の界面に対して傾斜していることを特徴とする。ミラーの多層構造の前面、例えば誘電体ミラーと空気周囲との界面のようなミラーの最も前側の界面のこの傾斜配置によって、この前面で反射されるビームが、ミラー多層構造の他の界面で反射するビーム成分と一直線にならず、すなわちその軸が、他のビーム成分の軸に対して対応する角度で延びる。従って、ビームの重なり又は干渉がもはや起こらずミラーからのそれぞれの距離で、ビーム直径に依存して、それによって上述の好ましくない干渉効果が避けられ、例えば広帯域分散補償が可能である。ミラーの多層構造の他の界面に対して傾斜している前面の角度は、相対的に広い範囲で選択することができるが、原則としてこれは可能な限り小さい角度にする。例えばこれは1°又は数度のみである。一方でそのような小さい角度はミラーの製造の間に達成することが容易であり、他方で例えば2mmの入射ビーム直径では、多層構造の内側界面によって反射した有益な束ビームは、6cm近い伝播長さの後で、傾斜した前面で斜めに反射したビームから完全に分離され、すなわち相撹乱干渉効果は、この距離の初めからもはや起こらないここではこの角度での下限を示している。更に、小さい角度1°又は数度のみは、ミラーの第1の層、すなわち最も外側の層この層の外側面が傾斜前面を作っているの厚さを薄く維持することも可能にする。くさび形の第1の外側の層によってもたらされる2次的な正の分散を最少化することができるそれによって随意にミラー全体として負の分散を得ることができるので、これは有利である。しかしながら、外側の層で比較的大きいくさび角度を提供して、プリズム対を有する配置と同様に、例えば追加的な負の分散を導入することが望ましい場合がある。用途に応じて、多層ミラー構造は、特定の基体、及びここに堆積したそれぞれの材料の適当な数の個々の薄膜を具備することができる。これを行うために、傾斜前面をくさび形の透明基体の外側面によって提供し、その後側に層を適用することが、ミラーの最も外側の層のくさび形状を達成する単純な方法であり、可能で有利な場合が多い。この態様では、予め製造した薄く透明なくさび形ガラス基体を使用して、前面の反対側の後面に、それ自体は既知の様式で所望の薄層、例えば相対的に屈折率が小さい層と屈折率が大きい層との交互の層を適用する。使用においては、入射ビームが初めにくさび形のガラス基体に到達し、このガラス基体の傾斜前面が特定の角度でビームを反射し、そしてビーム成分の波長に応じて所望の上述の反射がミラーの内部で起こる。ここで反射されたビーム成分は、前面において傾斜外側面で斜めに反射されたビームと干渉しない。しかしながらこの態様では、薄いくさび形基体は、コーティング中でもたらされる張力によって波形になっていることがある。これは、基体の表面の質を低下させる。従って、多層ミラーの傾斜前面又は外側面を達成する他の特に有利な可能性は、傾斜前面が、厚さが直線的に変化する外側層の外側面によって提供されることからなる。この外側層は、他の個々の層と共に、ビームが当たる面と反対側の基体に適用する。従ってこのミラーの構造では、平らで厚くてよい基体は、ミラーの後面を作り、この基体に、それ自体既知の様式によって個々の層を適用する。くさび形の外側層を達成するために、すなわち層の厚さを直線的に変化させるために、薄膜の形のこの層の製造の間に、基体をいくらか傾けてチャンバーに配置すること、又は透過性が直線的に変化している適当なマスクを、最も外側の層の材料を適用するときに使用することができる。いずれの場合にも、既に得られている構造を、不均一な蒸気流れに露出させて外側層を作る。ここで、最も外側の層最も上側の層の厚さは、蒸気源からの距離が増加するに従って単調に減少する。単純に製造できる他の有利な態様は、外側層を、くさび形ガラスプレートによって作ることである。コーティング/ガラスプレート界面の反射を避けるために、ガラスプレートは、屈折率を適応させた流体、光学接着剤又は光学セメントによってコーティングに適用することができる。上述のように、ミラーの多層構造の前面で斜めに反射されるビーム自身の強度は比較的小さいが、これはミラー損失に影響する損失をもたらす。従って、ミラー損失を最少化するために、傾斜前面に反射防止コーティングを適用することが有利である。反射防止コーティング、特に多層コーティングはそれ自体既知であり、また反射防止コーティングは相にひずみをもたらさないことが知られている。試験は、この様式で傾斜前面での反射率を、500~1,000nmの波長について0.2未満まで低下させられることを示している。完全にするためには、この反射防止コーティングは、ミラーの前面の傾斜に対応して、ミラー多層構造の内側の他の界面に対して傾斜して拡がっている層からなることに言及すべきである。反射防止コーティングの層としては、例えばTiO2層及びSiO2層、又はTa2O5及びSiO2層をそれぞれ使用することができる。個々の層の厚さが基体からの距離と共に変化し、それによって所定の反射特性及び/又は所定の群遅延分散特性を示す場合、これは適当であることが分かっている。層厚さを変化させることによって、反射率及び分散性群遅延分散に関する特定の曲線を、ミラーの用途に応じて決定することができる。ここでは例えば負の群遅延分散の導入は、所定の正の群遅延分散の提供と同様に考慮することができる。特に、前面からの距離と共に個々の層の厚さが徐々に大きくなり、それによって負の、随意に一定の群遅延分散及び大きい反射率を予め決定されたスペクトル範囲で提供する場合、これは有利である。本発明の多層分散ミラーは、平均の層厚さが最も前側の層からの距離と共に増加するチャープ構造を有することができ米国特許第5,734,503号明細書参照、また例えば先に挙げていないオーストリア国特許出願公開A1160/99号明細書で開示されているように共鳴構造を具備することができる。本発明の多層構造の構成のためには、SiO2層及びTiO2層をそれ自体は既知の様式で、個々の層として交互に提供することができる。低コストで信頼可能な製造のためには、SiO2層及びTa2O5層を個々の層として交互に提供することも考慮される。Ta2O5の吸収限界が比較的短い波長であり、それによってこの材料の破壊しきい値が比較的大きいので、Ta2O5層を有するそのような層も有利である。本発明のミラーの他の有利な態様は、個々の層として、比較的低屈折率の半導体層と比較的高屈折率の半導体層とを交互に提供する場合に得られる。そのような半導体の態様の1つの利点は、それ自体は既知の飽和可能吸収材層を、ミラーの多層構造に挿入することを可能にすることである。これは、レーザーデバイスで使用する場合に特に有利である。本発明のミラーは、上述のように、レーザーデバイス、特に短パルスレーザーデバイスで、特に分散制御のための要素として使用するのに特に有利である。以下では、添付の図を参照して、特に好ましい例示の態様を比較的詳細に説明することによって本発明を説明する。しかしながら、これらは本発明を限定するものではない。図1では、多層分散ミラー1を概略で示している。これは、相対的に屈折率が小さい個々の層2と相対的に屈折率が大きい個々の層3とを有する。これらの個々の層2、3は交互に配置されており、例えば全部で30又はそれよりも多くの個々の層2、3を提供することができる。これらの個々の層2、3は、くさび形の薄い透明基体4、特にガラス基体の後側に、それ自体は既知の様式で、例えば気相堆積によって適用する。図から理解できるように、基体4はくさび形であり、すなわちその厚さは最少厚さの一方の側から最大厚さの他方の側へと直線的に増加し、それによって前面5が、個々の層2、3の間の界面6に対して角度αで傾斜して拡がっている。前面5に達するビーム7、特にレーザービームは、基体4を貫き、その個々の周波数成分の波長に依存して、それぞれの界面6でミラー1の多層構造2、3の異なる深さで反射され、それによって反射ビーム8の上述の分散制御を達成する。原則として、負の群遅延分散GDDが提供され、比較的長い波長の波が、多層構造2、3に比較的深くまで浸入し、ミラー1の比較的外側で反射される短波長成分よりも比較的長く遅延する。示されているように、ミラー1の前面においては、傾斜前面がない場合には好ましくない反射が通常起こる。この場合、ここで反射されるビームは、ミラー1の多層構造2、3において反射されるビームと干渉する。この干渉は、反射性及びミラーの相特性の明らかなひずみをもたらす。これらの干渉効果を避けるために、上述のように前面5を他の複数の界面6に対して傾斜させて配置し、それによってそれぞれミラー1の前面5又は5’で反射されたビーム9が、それぞれ前面5又は5’の傾斜αの2倍の角度で反射する。この様式では、この斜めに反射したビーム9が、少なくとも比較的短い距離では全く干渉要素とはならない。これは、それぞれ前面5又は5’の傾斜角、及び入射ビーム7の直径に依存して、ビーム9が、数センチメートル程度の比較的短い距離の伝播で、有益なビーム7及び8から完全に分離され、それによってこの距離から、相を乱す干渉効果がもはや起こらないことによる。斜めに反射したビーム9は、ミラー1の損失に貢献するので、反射防止コーティング10を、好ましくは層2、3のための基体を作るくさび形の層4の前面5に適用する。この反射防止層は、交互の比較的屈折率が小さい層11又は比較的屈折率が大きい層12の複数の個々の層11、12を有する。この反射防止コーティングのために、例えばTiO2及びSiO2層、又はTa2O5及びSiO2層を交互に、それ自体は既知の様式で使用することができる。ここでは原則として、15未満の層で十分であり、この反射防止コーティングによってはひずみがもたらされない。そのようは反射防止コーティング10では、500nm~1,000nmの関心のある波長範囲について、外側の前面5’ミラー1と周囲との界面での反射を0.2未満まで弱めることができる。完全にするために、図1では、表面法線13を示している。これは前面5’に対して垂直で、且つ入射ビーム7と、前面5’で斜めに反射されるビーム9との間の角度の2等分線となる。図1のミラー1を作るために、例えば以下の層構造を選択することができる:材料層厚さnmくさび形基体4SiO2259.80TiO215.00SiO261.38TiO259.12SiO218.81TiO279.30SiO272.89TiO221.16SiO2118.24TiO256.13SiO230.30TiO275.66SiO296.41TiO233.40SiO276.25TiO276.31SiO280.31TiO235.10SiO2108.49TiO273.01SiO272.73TiO248.58SiO2102.70TiO276.02SiO295.01TiO242.53SiO2100.45TiO297.86SiO2100.47TiO250.81SiO293.09TiO282.43SiO2132.75TiO276.17SiO284.22TiO269.18SiO2148.68TiO278.55SiO2117.82TiO279.60SiO2154.27TiO278.25SiO2116.50TiO2109.89SiO2143.51TiO289.85SiO2158.38TiO276.01SiO2174.52TiO286.94SiO2186.03TiO296.81SiO2167.78TiO2106.09SiO2191.54TiO2120.83SiO2187.05TiO2122.09SiO2307.80このようなミラーに関して、波長λnmでの反射率R及び群遅延分散GDDfs2はそれぞれ、図4及び5で示している。図4から理解できるように、反射率Rは500~1,000nmの波長範囲で実際に一定であり、図5で示される群遅延分散GDDはわずかに波形の変化を示す。図2では、多層分散ミラー1の他の態様が示されている。ここでは、それぞれ屈折率が比較的大きい又は屈折率が比較的小さい交互の個々のミラー層2、3を、従来の様式で基体14の後側に適用している。くさび形の外側層4’は、最も前側のミラー層を作っており、その層厚さは、角度αに対応して直線的に増加し、それによってその前面5が、他の個々のミラー層2、3の間の界面に対して角度αで傾斜して拡がっている。ここでは、反射防止コーティング10も外側層4’の前面5に適用しており、この反射防止コーティング10は、屈折理の大きい又は小さい交互のそれぞれの層11及び12でできている。これによって、反射防止コーティング10の前面5’で反射する望ましくないビーム9の強度は、非常に弱く維持され、それによってミラー損失が最少になる。くさび形の外側層4’は例えば、既に適用されている個々の層2、3を有する基体14を所望の傾斜位置でコーティングチャンバーに傾斜させて配置し、それによって実際に基体に不均一な蒸気の流れが提供されるようにして作ることができる。層4’の厚さは、蒸気供給源からの距離が増加すると直線的に減少する。他の可能な様式は、層4’のための材料の蒸気相からの堆積の間に、対応する不均一なマスクを使用することからなる。これによって、層4’の直線的に変化する層厚さを得ることができる。図6及び7では、図2のミラー1に関して、波長λでの反射率R図6及び波長λでの群遅延分散GDD図7を示している。ここでは、約580nm~950nmの波長範囲での反射率Rの一定性、600nm~950nmの範囲での約-30fs2~-38fs2の群遅延分散のわずかに波形の変化、及びポンプビーム波長520nm~540nmの付近の高い透過率が観察される。図8では、図2に関して変更された多層分散ミラーの態様を示している。ここではまた、分散補償のための多層構造2、3が、厚く平行な後側光学基体14に適用されている。この多層構造2、3の前面には、くさび形のガラスプレート4が、外側層として適用されている。これは、到達するビーム7に対する傾斜前面5を作っている。また反射した有益なビームは、8で示しており、前面5で反射した望ましくないビームは、9で示している。この望ましくないビーム9は、斜めに進行して、上述の有益なビーム8との干渉を避ける。くさび形のガラスプレート4は、上述の態様でのように、その前面5に反射防止コーティング10を有することができる。多層構造2、3/くさび形ガラスプレート4の界面での反射を避けるために、屈折率を調節する層16を提供し、これを経由させてくさび形のガラスプレート4を、多層構造2、3、すなわちその最も前側の個々の層2又は3に接続することができる。詳しくは、屈折率を調整する流体を使用することができ、又はガラスプレート4を光学接着剤若しくは光学セメントによって固定することができる。材料の例としては、屈折率調整流体としての様々な濃度の脂肪族及び脂環式炭化水素、又は光学セメント若しくは重合性モノマー光学接着剤としての透明エポキシ樹脂を挙げることができる米国特許第5,045,397号明細書参照。それぞれの用途に依存して、多層ミラー1の個々の層2、3は、外側層4’それぞれ図2又は8又は基体4図1からの距離に応じた厚さ、特にこの距離の平均と共に厚くなる厚さを有し、それによってそれぞれ特定の範囲で負の群遅延分散GDD及び大きい反射率Rを得ることができる。ミラー1は、いわゆるチャープミラーCMでよく、またこれは共鳴層構造でよい。更に個々の層2、3は、それ自体従来の半導体層であって、ミラー構造に飽和可能吸収材料を導入することができる。それぞれ特定の角度分散を避ける又は補償するために、傾斜前面5又は5’をここで示すようにそれぞれ有するミラー1を、図3で示すように対にして、使用することが適当である。この様式では、ミラー1によって提供される特定の角度分散は、他のミラー、例えば図3のミラー1aによって補償することができる。更にミラー対1、1aのそのような配置は、全体の分散の正確な調節を可能にする。ここではこれらのミラーのうちの1つ、例えばミラー1aは、図3の矢印15で示されるように、横方向に移動させることができる。本発明の多層ミラー1の前面5又は5’の上述の傾斜配置によって、最も外側の界面それぞれ前面5又は5’でのインピーダンスの不十分な調整が避けられ、またミラーの高反射帯域未満での透過率が実質的に改良される。これは、比較的大きい程度の干渉帯域が部分的に抑制されることによる。従って、それぞれ傾斜前面5又は5’を有する本発明のミラー1は、図4~7で示されるように、600nm~950nmの波長域での比較的大きい反射率R及び一定の群遅延分分散GDD、並びに一般的なポンプ波長520nm~540nmの付近での大きい透過率を有することができる。ポンプビーム波長でのブラッグミラーの透過は、層構造の他の界面6に対して最も前側の界面6を傾斜させて配置することによって増加させることができる。層2、3、4、4’、4、特に外側層4又は4’又は4の公称厚さからの偏差に関して、本発明のミラー1は、従来のチャープミラーよりも感受性でない。従来のチャープミラーは、常に相対的にわずかな製造誤差が、著しい変化、特にGDD曲線の変化をもたらすことがある。本発明のミラー1の比較的大きい安定性は、固有の多層構造と最も上側のくさび形層4又は4’又は4の間のインピーダンスの調整を、層構造に依存しないで達成するという事実によって得られる。統計的な試験は、300nm~800nmで-45fsの群遅延分散を示す従来のチャープミラーは、公称層厚さからの平均偏差が0.5nmのときに、目的値800nmにおいて100の最大強度で群遅延分散特性線が変動することを示した。等しい条件では、傾斜前面5又は5’を有するミラーはそれぞれ、800nmでの群遅延分散変動の最大強度はたったの30であった。"