放射ビームを調整し、前記放射ビームをパターニングデバイス上に誘導し、かつ前記パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影する光学システムを含むリソグラフィ装置であって、前記光学システムはリフレクタを有しており、前記リフレクタは、前記リフレクタの一部分を冷却するクーラおよび前記リフレクタの前記一部分を加熱するヒータを含む熱アクチュエータを含み、前記リソグラフィ装置は、前記リフレクタに力を加えるために、前記リフレクタの前記一部分に加えられる加熱および冷却の相対量を変更するために前記熱アクチュエータを制御する制御システムを有する、リソグラフィ装置。前記リフレクタの前記一部分は、前記リフレクタの反射面と反対側である前記リフレクタの裏面上にある、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記リフレクタの前記一部分は、前記裏面からの突起である、請求項2に記載のリソグラフィ装置。前記突起は細長いリッジまたはブリッジである、請求項3に記載のリソグラフィ装置。前記突起は、前記リフレクタの基板または本体と一体的に形成されている、請求項3または4に記載のリソグラフィ装置。前記リフレクタの前記一部分は、前記反射の前記一部分の熱膨張係数より高い熱膨張係数を有する材料層がその上に設けられている、請求項1~5のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記クーラは前記リフレクタと機械的接触していない、請求項1~6のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記熱アクチュエータは、前記リフレクタに対する前記クーラの位置を調節する位置決めデバイスを含む、請求項7に記載のリソグラフィ装置。前記熱アクチュエータは、前記リフレクタに対する前記クーラの前記位置を検出する位置センサおよび前記リフレクタに対して一定の位置を維持するために前記位置決めデバイスを制御する位置制御システムをさらに含む、請求項8に記載のリソグラフィ装置。前記ヒータは放射ヒータである、請求項1~9のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記ヒータは前記リフレクタの前記一部分と熱接触する抵抗電気ヒータを含む、請求項1~10のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記ヒータは前記クーラと熱接触する抵抗電気ヒータを含む、請求項1~10のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記ヒータは前記クーラと熱接触するペルティエ素子を含む、請求項1~9のいずれかに記載のリソグラフィ装置。デバイスを製造するリソグラフィ方法であって、前記方法は、放射ビームを調整し、前記放射ビームをパターニングデバイス上に誘導し、かつ前記パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影するために光学システムを使用することを含み、前記光学システムはリフレクタを有しており、前記リフレクタは、前記リフレクタの一部分を冷却するクーラおよび前記リフレクタの前記一部分を加熱するヒータを含む熱アクチュエータを含み、前記放射ビームは前記リフレクタの反射面を通り抜け、前記方法は、前記リフレクタの一部分を加熱することと、前記リフレクタの前記一部分を冷却することと、前記一部分の前記加熱および/または前記一部分の前記冷却の比率を調節して前記一部分の温度を変化させ、かつ前記リフレクタに力を及ぼして前記反射面の形状を変化させることとを含む、方法。放射ビームを調整し、前記放射ビームをパターニングデバイス上に誘導し、かつ前記パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影する光学システムを含むリソグラフィ装置を制御するための命令を記憶するコンピュータ読取可能メモリを含むコンピュータ読取可能媒体であって、前記光学システムはリフレクタを有しており、前記リフレクタは、前記リフレクタの一部分を冷却するクーラおよび前記リフレクタの前記一部分を加熱するヒータを含む熱アクチュエータを含み、前記命令は、前記一部分の前記加熱および/または前記一部分の前記冷却の比率を調節して前記一部分の温度を変化させ、かつ前記リフレクタに力を及ぼして反射面の形状を変化させることを含む方法を実行するために効果的である、コンピュータ読取可能媒体。図1は、本発明の一実施形態による放射源コレクタモジュールSOを含むリソグラフィ装置100を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームBを調整し、放射ビームBをパターニングデバイスMA上に誘導し、かつパターニングデバイスMAからのパターンを基板W上に投影するように構成された光学システムを含む。光学システムは、放射ビームB例えば、EUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスクまたはレチクルMAを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば、屈折投影レンズシステムPSとを備える。0022照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。0023サポート構造MTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。0024パターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することができる。0025パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。0026投影システムは、照明システムのように、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。他のガスは放射を吸収しすぎることがあるので、EUV放射に対しては真空を使用することが望ましい場合がある。したがって、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に真空環境を提供することができる。0027本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば、反射型マスクを採用しているものであってもよい。0028リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。0029図1を参照すると、イルミネータILは、放射源コレクタモジュールSOから極端紫外線放射ビームを受ける。EUV光を生成する方法としては、材料を、EUV範囲内の1つ以上の輝線を有する、例えばキセノン、リチウムまたはスズなどの少なくとも1つの元素を有するプラズマ状態に変換することが挙げられるが必ずしもこれに限定されない。そのような一方法では、レーザ生成プラズマLPPと呼ばれることが多い所要のプラズマを、所要の線発光元素を有する材料の小滴、流れまたはクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールSOは、燃料を励起するレーザビームを提供するためである、図1に図示されていないレーザを含むEUV放射システムの一部分であってもよい。結果として生じるプラズマは、例えばEUV放射などの出力放射を放出し、これは、放射源コレクタモジュールに配置された放射コレクタを用いて集光される。例えば、燃料励起のためのレーザビームを提供するためにCO2レーザが使用される場合、レーザと放射源コレクタモジュールは、別個の構成要素であってもよい。0030そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部分を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源がDPP源と呼ばれることが多い放電生成プラズマEUVジェネレータである場合、放射源は、放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。0031イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができることが望ましい。さらに、イルミネータILは、ファセットフィールドおよび瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。0032放射ビームBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス例えば、マスクMAから反射した後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサPS2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサPS1を使い、パターニングデバイス例えば、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス例えば、マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。0033例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。00341.ステップモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。00352.スキャンモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造例えば、マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。00363.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造例えば、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0037上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0038図2は、放射源コレクタモジュールSO、照明システムILおよび投影システムPSを含む装置100をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールSOは、真空環境が放射源コレクタモジュールSOの筐体構造220内で維持されるように構成される。EUV放射放出プラズマ210は、放電生成プラズマ源によって形成されてよい。EUV放射は、ガスまたは蒸気、例えばXeガス、Li蒸気またはSn蒸気によって生成されてよい。このガスまたは蒸気では、電磁スペクトルのEUV範囲内の放射を放出するために非常に高温のプラズマ210が生成される。非常に高温のプラズマ210は、例えば放電によって生成され、これは少なくとも部分的にイオン化されたプラズマをもたらす。例えば、10PaのXe、Li、Sn蒸気あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧は、放射の効率的な生成のために必要とされる場合がある。一実施形態では、EUV放射を生成するために励起されたスズSnのプラズマが提供される。0039高温のプラズマ210によって放出された放射は、放射源チャンバ211から、放射源チャンバ211における開口部内またはその後方に位置決めされた任意選択のガスバリアまたは汚染物質トラップ230一部の場合、汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれているを介してコレクタチャンバ212へと進む。汚染物資トラップ230は、チャネル構造を含んでもよい。汚染トラップ230は、ガスバリア、またはガスバリアとチャネル構造との組み合わせも含んでもよい。本明細書中にさらに述べる汚染物質トラップまたは汚染物質バリア230は、当該技術分野で公知であるように、少なくともチャネル構造を含む。0040コレクタチャンバ212は、いわゆるかすめ入射コレクタであり得る放射コレクタCOを含んでもよい。放射コレクタCOは、上流放射コレクタ側251および下流放射コレクタ側252を有する。コレクタCOを通り抜けた放射は、格子スペクトルフィルタ240から反射して仮想放射源ポイントIFで合焦することができる。仮想放射源ポイントIFを一般的に中間焦点と呼び、放射源コレクタモジュールは、中間焦点IFが筐体構造220内の開口部221にまたはその近くに配置されるように構成される。仮想放射源ポイントIFは、放射放出プラズマ210の像である。0041その後、放射は照明システムILを通り抜け、この照明システムILは、パターニングデバイスMAにて放射ビーム21の所望の角分布ならびにパターニングデバイスMAにて放射強度の所望の均一性を提供するように構成されたファセットフィールドミラーデバイス22およびファセット瞳ミラーデバイス24を含んでよい。サポート構造MTによって保持されるパターニングデバイスMAにて放射ビーム21が反射すると、パターン付けされたビーム26が形成され、このパターン付けされたビーム26は、投影システムPSによって反射エレメント28および30を介してウェーハステージまたは基板テーブルWTによって保持された基板W上に結像される。0042照明光学ユニットILおよび投影システムPS内には、通常、図示されたものよりも多くのエレメントが存在し得る。格子スペクトルフィルタ240は、リソグラフィ装置のタイプに依存し、任意的に存在してもよい。さらに、図示されているものより多くのミラーがあってもよく、例えば、図2に示す投影システムPS内に存在する反射エレメントより1~6個多くの反射エレメントが存在してもよい。0043図2に示すように、集光系COは、単なるコレクタまたは集光ミラーの一例として、かすめ入射リフレクタ253、254および255を有する入れ子化されたコレクタとして示される。かすめ入射リフレクタ253、254および255は、光軸Oの周りで軸対称に配置され、このタイプの集光系COは、DPP源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用されることが好ましい。0044あるいは、図3に示すように、放射源コレクタモジュールSOはLPP放射システムの一部分であってもよい。レーザLAは、キセノンXe、スズSnまたはリチウムLiなどの燃料にレーザエネルギーを堆積させるように構成され、数十eVの電子温度を有する高イオン化されたプラズマ210を生成する。これらのイオンの逆励起および再結合中に生成されるエネルギー放射はプラズマから放出され、近くの法線入射集光系COによって集光されて筐体構造220内の開口部221上で合焦される。0045図4は、リフレクタ30の表面形状の修正するためにリフレクタ30の裏面31に制御力を加える、本発明の一実施形態の熱アクチュエータ32を示す概略図である。熱アクチュエータは投影システムPSにおけるリフレクタに適用されるように示されているが、本発明は、放射源コレクタモジュールおよび照明システムにおけるリフレクタを含む、EUVリソグラフィ装置における他のリフレクタに適用されてもよい。0046熱アクチュエータ32の目的は、リフレクタ30の前反射面の表面形状を修正することである。表面形状の歪曲は、例えば、リフレクタにおける不均一な温度プロファイルによって生じ得る。不均一な温度プロファイルは、リフレクタによって吸収されるエネルギーのかなりの部分である照明ビームによるリフレクタの不均一な加熱を通じて生じ得る。リソグラフィ装置における他の熱源および不均一な冷却も装置の不均一な温度分布に寄与し得る。本発明の実施形態は、他のある放射源から生じ得るミラーの表面形状のエラーを修正するために使用されてもよい。さらに、本発明は、他の放射源またはコンポーネントから生じる投影されたパターン付き放射ビームBの収差または波面エラーを修正するために、公称形状からそれる表面形状に変更を適用させるために使用されてよい。放射ビームによる不均一な加熱によって生じる歪曲を修正するために本発明の実施形態が使用されるところでは、不均一な加熱の影響を適切なコンピュータシミュレーションによって予測することができる。あるいは、それらは、例えば、リフレクタの表面形状を測定する干渉計センサによって測定される。0047熱アクチュエータ32は、リフレクタ30の一部分321を同時に加熱および冷却することによって作動する。静止状態では、リフレクタ30に力が加えられない場合、加熱および冷却は平衡にされ、それにより、供給される分と同じ量の熱エネルギーがリフレクタ30の一部分321から除去される。広大な力を加えるために、加熱は増加され、および/または冷却は減少される。収縮力を加えるために、加熱は減少され、および/または加熱は増加される。これらの変化を実施するための適切な制御システムを以下に説明する。一部分321の同時加熱および冷却を用いることによって、一部分とヒータとの間および一部分とクーラとの間に大きな温度差を確立することができる。そのような大きな温度差は、熱伝達率を増加させてデバイスをより反応しやすくする。それにもかかわらず、静止状態において加熱および冷却を平衡にせせることによって、基板に正味熱負荷はかからない。0048本発明の一実施形態では、冷却および加熱される部分は、リフレクタ30の裏面31に取り付けられたリッジ321である。リッジ321は、成形または機械加工によってリフレクタの基板と一体的に形成される。あるいは、リッジ321は、接着剤によってまたは機械的にリフレクタ30に取り付けられてもよい。リフレクタにその全長に沿って取り付けられるかまたはリフレクタと一体的なリッジの代わりに、リフレクタの終端にのみ、かつ任意選択としてその全長に沿った隔離点においてリフレクタに取り付けられたブリッジが使用されてもよい。0049一実施形態では、高い熱膨張係数CTEを有するアルミニウムまたはシリコンなどの材料の層、例えばコーティングは、裏面31に適用される。上記したように整形されてよい追加の材料が裏面の連続層として、または個別の熱アクチュエータ32に対応する一連の個別部分として適用されてもよい。追加の材料は、上記したようにリッジまたはブリッジの形態をとってもよい。追加の材料の目的は、所与の温度変化からより大きな反応を得ることである。0050本実施形態では、リッジ321は、中で温度制御流体例えば22°Cの水が循環する冷却チャネル322によって冷却される。冷却チャネル322は、3つの側面でリッジ321を囲うがリッジ321またはリフレクタ30に接触しないことが望ましい。このようにして、冷却チャネル322内の流体の循環による機械障害は、リフレクタ30に伝わらない。冷却チャネルがリッジより低い温度にあった場合、リッジ321は冷却チャネルへの熱放射によって冷却される。リッジ、または少なくともその一部分は、そこからの熱放射を最大限にするために、例えばペイントまたはコーティングすることによって処理されてもよい。ガス例えばH2は、熱伝達を増加させるために冷却チャネルとリッジとのギャップ内で循環してもよい。制御された加熱および冷却をリッジ321に加えることによって、実施された温度変化は小部分に集中し、それによって、リフレクタ30の裏面全てが加熱された場合より大きな温度変化をもたらすようにより小さな熱伝達が有効である。リッジのみを加熱および冷却することは、リフレクタ30の基板に熱負荷を加えることを回避し、また温度分布におけるさらなる不均一性の生成を回避する。0051本実施形態では、リッジ321は、冷却チャネル322内のスルーホール323を通ってリッジ321上に熱を誘導する放射ヒータ324によって加熱される。冷却チャネルおよび冷却流体が放射ヒータ324によって放出された放射を十分に透過させる場合、スルーホールを除外してもよい。放射ヒータには、放出される全ての放射がリッジ321上に誘導されることを確実にするためにレンズまたは他の光学系が設けられることが望ましい。放射ヒータ324は、白熱灯、LEDまたはレーザダイオードであってもよい。リッジ321の表面、少なくとも放射が入射する箇所は、入射放射の吸収を最大限にするために、例えばペイントまたはコーティングによって処理されることが望ましい。放射の吸収および放出の両方を最大限にする単一の処理が、リッジ全体に適用されてもよい。一実施形態では、抵抗ヒータが、リッジ321と反対側である冷却チャネル322の内面に提供されてもよい。この構成は、冷却チャネル内の孔の必要性も回避する。0052熱アクチュエータは、約1nmから約100nm、約1nmから約50nmまたは約1nmから約10nmの範囲内の量の分だけリフレクタの前面の制御可能な変形を達成するのに十分であることが望ましい。この変形は、約5分未満、約2分未満または約1分未満で達成されることが望ましい。制御性を補助するために、所望の歪曲に影響を与えるために必要とされる温度変化は、約100mKより大きい、約1Kより大きいまたは約10Kより大きいことが望ましい。計算は、3mmリッジでは、約1分における約30Kの温度変化がリフレクタの前面の24nm変形をもたらすことができることを示す。温度変化は、リフレクタの基板の本体に適用されずその上に形成または設置された構造に適用され、その後で基板に力を加えることが望ましい。本発明の実施形態の目的は、リフレクタの本体または基板における特定の温度分布を実施するのではなく、その上に力を及ぼしてその形状に影響を与えることである。0053他の形態の加熱およびクーラが本発明に使用されてもよい。例えば、抵抗電気ヒータをリフレクタのリッジまたは裏面上に取り付けまたは堆積させてもよい。ヒータはリフレクタから間隔を空けて配置されてよく、熱伝達を増加させるためにその間にH2ガスが循環する。0054リフレクタ30の前反射面の表面形状全体の制御を可能にするために、複数の熱アクチュエータ32が裏面にわたって提供されることが望ましい。一実施形態では、アクチュエータ32は、図5に示すように、リフレクタの裏面30にわたって六辺形パターンで配置される。この構成では、3つの熱アクチュエータ32は、アクチュエータのネットワークにおける各頂点33を効果的に押すまたは引く。アクチュエータの正方形ネットワークも効果的である。ネットワークにおける各アクチュエータの長さは、約20mmから約50mmの範囲内であってよい。各アクチュエータによって動作される領域に対する各アクチュエータが利用可能である空間の比率がより大きいため、六辺形ネットワークが望ましい場合がある。0055一実施形態では、裏面全体にわたって一定の温度で維持される単一のクーラおよびネットワークで構成される個別に制御可能な複数のヒータが提供されてもよい。0056本発明の一実施形態による制御システムを図6に示す。コントローラ60例えば、マイクロプロセッサは、リフレクタ30の表面形状に対する所望の修正の情報をインターフェース61から受ける。インターフェース61は、オペレータが所望の修正を入力することを可能にするユーザインターフェースまたは装置のメインコントローラに対するインターフェースであってもよい。コントローラ60は、所望の修正を実施するために熱アクチュエータに適用される温度変化を決定するためのメモリ62を指すことができる。メモリ62は、修正の計算を可能にするアルゴリズム、または所望の修正を温度変化に関連させた事前計算された表を記憶していてよい。適用される表面形状修正はゼルニケ多項式の観点で表されることが望ましい。制御システムおよびアクチュエータネットワークは10次のゼルニケ多項式を含むそれまでの修正を適用できることが望ましく、ゼルニケ多項式の次数は、その半径次数rの最も高いパワーと方位次数θの最も高いパワーとの合計である。0057コントローラ60は、所望の形状変化を実施するためにリフレクタ30の関連部分に温度変化を適用するように各熱アクチュエータ32に命令する。コントローラ60は、複数の温度センサ326から信号を受けることもでき、各温度センサ326は熱アクチュエータ32のうちの1つと関連して正確な温度変化が適用されることを確実にするためにフィードバック制御ループを実施する。温度センサ326は、リッジ321または温度変化が適用される他の構成に提供されてもよい。少なくとも1つの温度センサがヒータ325および/または冷却チャネル322と関連してよい。熱アクチュエータ32ごとに多数の温度センサが使用されてもよい。0058本発明の別の実施形態を図7に概略的に示す。本実施形態では、クーラ322は、冷却材CL例えば超純水が中を通ることができる大きいチャネルを含む。クーラ322は複数の熱アクチュエータ32間で共有される。例えば、単一のクーラ322が、リフレクタ30上の全ての熱アクチュエータ32に冷却を提供する。別の例では、複数の冷却チャネル322が存在し、各冷却チャネル322は、アレイの一部分を形成する一行または一列の熱アクチュエータ32に冷却を提供する。本実施形態における各熱アクチュエータ32のヒータは、ペルティエ効果素子324a熱電接合部としても知られているを含む。ペルティエ素子324aは、各ペルティエ素子に適用される電位差の大きさおよび極性を制御する制御回路60に接続される。このようにして、ペルティエ素子を通る熱流Hの大きさおよび方向を制御することができる。0059ペルティエ素子は、適用される電位差の極性に従って熱をリフレクタ30に向かってまたはリフレクタ30から離れるように流れさせることができる。ペルティエ素子は制限された効率からなるので線形ではないが、適用された電位差の大きさは熱流の大きさに影響を与える。この制限された効率の結果として、リフレクタ30の付近から熱を取り除くためのクーラ322の容量は大きい必要がある。適切なペルティエ素子は、種々の供給元から市販されている。上述した実施形態にあるように、ペルティエ素子はアレイで配置されてよい例えば、正方形アレイまたは六辺形アレイ。ペルティエ素子は、リフレクタ30の裏面上に形成された構成物例えば、リッジまたはブリッジにまたはそこから熱を伝達するように構成され、かつリフレクタ30の基板へまたはそこからの伝達を最大限にするように整形かつ構成されてよい。0060本発明のさらなる実施形態を図8に示す。分かりやすくするために図8からいくつかの要素を省略したが、本実施形態は、以下の記載を除いては図7に関して説明した実施形態と同じである。0061本実施形態では、リフレクタ30は、リフレクタ30の位置を最終的に制御するために、例えば熱影響から結果として生じる位置変化を補償するために、アクチュエータ70および位置センサ71によって形成される位置決めデバイスに接続される。アクチュエータ72によって形成される類似の位置決めデバイスが、クーラ322を位置決めしかつペルティエ素子324aを取り付けるために提供される。差動位置センサ73は、リフレクタ30と冷却チャネル322との間に一定の距離を維持するようにアクチュエータ72に結合される。このようにして、一貫した熱伝達を実施することができる。0062本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0063レンズという用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0064以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明のある特徴を、上記に開示した方法を表す1つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスクとして組み入れてもよい。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。