"Zn1-xMgx1-yMyO及びZn1-βMβO1-αSαMは、B、Al、Ga及びInよりなる群から選択された少なくとも1つの元素、0.03≦x≦0.4、0.005≦y≦0.2、0.4≦α≦0.9、0.005≦β≦0.2の少なくともいずれかを含む第1化合物を含み光透過性の第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられカルコパイライト型構造又はスタナイト型構造を有する化合物半導体を含む光吸収層であって、p形部と、前記p形部と前記第1電極との間に設けられ前記p形部とホモ接合するn形部と、を含む光吸収層と、を備えた光電変換素子。前記光吸収層は、前記第1電極と前記n形部との間に設けられ、前記第1電極の電気抵抗よりも高い電気抵抗を有する中間層をさらに備え、前記中間層は、前記yを0.005未満とし、前記βを0.005未満とした、Zn1-xMgx1-yMyO及びZn1-βMβO1-αSαの少なくともいずれかを含む第2化合物を含む請求項1記載の光電変換素子。前記化合物半導体は、第11族元素と、Al、In、及びGaよりなる群から選択された少なくとも1種の第13族元素と、O、S、Se及びTeよりなる群から選択された少なくとも1種の第16族元素と、を含む請求項1または2に記載の光電変換素子。前記化合物半導体は、CuεIn1-γGaγσSe1-φSφψ0.6≦ε≦1.1、0.8≦σ≦1.2、1.5≦ψ≦2.5、γ及びφは任意の定数である請求項1~3のいずれか1つに記載の光電変換素子。前記光吸収層の電子親和力と、前記第1電極の電子親和力と、の差の絶対値が、0.1eV以下である請求項1~4のいずれか1つに記載の光電変換素子。前記化合物半導体は、第11族の第1元素と、第16族の第2元素と、を含み、前記n形部は、ドーパントを含み、前記第1元素が前記ドーパントで置換されたときに、前記第1元素と前記第2元素との結合距離オングストロームをriとし、前記ドーパントと前記第2元素との結合パラメータオングストロームをr0とし、前記ドーパントと前記第2元素との組み合わせによって決定される固有定数オングストロームをBfとし、前記第1元素に対する前記第2元素の近接結合数をnnは、1以上の整数としたとき、前記ドーパントは、の数式で表される形式電荷Vbが1.60以上2.83以下の元素である請求項1~5のいずれか1つ記載の光電変換素子。前記ドーパントは、Mg、Zn、Fe、及びCoの少なくともいずれかを含む請求項6記載の光電変換素子。請求項1~7のいずれか1つに記載の光電変換素子と、前記光電変換素子と積層された基板と、前記第1電極に電気的に接続された第1端子と、前記第2電極に電気的に接続された第2端子と、を備えた太陽電池。本発明の実施形態は、変換効率を向上させた光電変換素子及び太陽電池を提供する。本発明の実施形態によれば、第1電極と、第2電極と、光吸収層と、を含む光電変換素子が提供される。前記第1電極は、Zn1-xMgx1-yMyO及びZn1-βMβO1-αSαMは、B、Al、Ga及びInよりなる群から選択された少なくとも1つの元素、0.03≦x≦0.4、0.005≦y≦0.2、0.4≦α≦0.9、0.005≦β≦0.2の少なくともいずれかを含む第1化合物を含み、光透過性である。前記光吸収層は、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられる。前記光吸収層は、カルコパイライト型構造又はスタナイト型構造を有する化合物半導体を含む。前記光吸収層は、p形部と、前記p形部と前記第1電極との間に設けられ前記p形部とホモ接合するn形部と、を含む。また、本発明の他の実施形態の太陽電池は、本実施形態の光電変換素子と、前記光電変換素子と積層された基板と、前記第1電極に電気的に接続された第1端子と、前記第2電極に電気的に接続された第2端子と、を備えるものである。第1の実施形態以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。図1は、第1の実施形態に係る光電変換素子の構成を示す模式的断面図である。図1に表したように、本実施形態に係る光電変換素子100は、第1電極10と、第2電極20と、光吸収層30と、を備える。第1電極10には、光透過性と導電性とを有する金属化合物が用いられる。第2電極20には、導電性を有する金属材料が用いられる。光吸収層30は、第1電極10と第2電極20との間に設けられる。光吸収層30の一方の面は、第1電極10に接触している。光吸収層30の他方の面は、第2電極20に接触している。光吸収層30は、光吸収層30に入射した光を吸収する。光吸収層30は、吸収した光の量に応じた起電力を発生させる。光吸収層30は、光を電気信号に変換する光電変換機能を有している。光吸収層30には、カルコパイライト型構造を有する化合物半導体が用いられる。図1に表したように、第1電極10から第2電極20に向かう厚み方向をZ方向とする。Z方向に垂直な1つの方向をW方向とする。第1電極10の、光吸収層30と接する面とは反対側の面から、光が第1電極10に入射する。第1電極10は、入射した光を透過させ、光吸収層30に入射させる。光吸収層30は、第1電極10を透過した光を吸収して起電力を発生させる。光吸収層30で発生した起電力は、第1電極10と第2電極20とを介して外部に取り出される。光電変換素子100においては、光吸収層30が発生させた起電力を、第1電極10と第2電極20とで取り出すことができる。光吸収層30は、p形部31とn形部32とを有している。p形部31は、例えば、第2電極20に接する。n形部32は、p形部31と第1電極10との間に設けられる。n形部32は、例えば、p形部31となるp形半導体層のうちの第1電極10側の領域をn形化することによって形成される。これにより、光吸収層30では、p形部31とn形部32とが互いにホモ接合する。光吸収層30の光電変換機能は、p形部31とn形部32とのpn接合で得られる。ホモ接合においては、同じ結晶構造を有する複数の半導体どうしが接合される。ホモ接合においては、導電形を制御する不純物を除いて、実質的に同じ材料の複数の半導体層どうしが接合される。本実施形態に係る光吸収層30においては、p形部31とn形部32との接合界面において結晶格子間のミスマッチが実質的に存在しない。これにより、格子歪が実質的にない良好な接合が形成される。光吸収層30には、例えば、第11族元素Ib族元素と、Al、In、及びGaよりなる群から選択された少なくとも1種の第13族元素IIIb族元素と、O、S、Se及びTeよりなる群から選択された少なくとも1種の第16族元素VIb族元素と、を含むカルコパイライト型構造の化合物半導体が用いられる。なお、元素の族の表記は、IUPACの表記法に準拠している。括弧内は、IUPACの旧表記である。第11族元素としては、例えば、Cuを用いる。これにより、p形の化合物半導体であるp形部31を形成しやすくすることができる。第13族元素の中からは、例えば、InとGaとを選択する。これにより、InとGaとの組み合わせにより、バンドギャップの大きさを目的とする値に調節しやすくすることができる。バンドギャップに関する目的とする値とは、例えば1.0eV以上1.7eV以下であるである。第16族元素としては、例えば、SまたはSeを用いる。これにより、第1電極10との接合性を高めることができる。カルコパイライト型の化合物半導体には、例えば、CIGSが用いられる。CIGSとは、例えば、CuεIn1-γGaγσSeψ0.6≦ε≦1.1、0.8≦σ≦1.2、1.5≦ψ≦2.5であり、かつカルコパイライト構造を主相としている。CIGSは、元来p形を示すので、n形化のためには、Cu欠損のサイトにドーパントZnやMgなどが入る。また、Seの一部は、Sでもよい。すなわち、CIGSは、CuεIn1-γGaγσSe1-φSφψでもよい。この際、γ及びφは、任意の定数でよい。CIGSとして、例えば、CuIn1-γGaγSe2が用いられる。より具体的には、光吸収層30として、CuIn,GaS,Se2、CuIn,GaSe,Te2、又はCuAl,Ga,InSe2、Cu2ZnSnS4などが用いられる。さらに、光吸収層30として、CuInSe2、CuInTe2、CuGaSe2、CuIn3Se5などを用いてもよい。第1電極10には、光透過性と導電性とを有する金属化合物として、Zn1-xMgx1-yMyO及びZn1-βMβO1-αSαの少なくともいずれかを含む第1化合物が用いられる。ここで、Mは、B、Al、Ga及びInよりなる群から選択された少なくとも1つの元素である。また、各定数x、y、α、及びβは、それぞれ、0.03≦x≦0.4、0.005≦y≦0.2、0.4≦α≦0.9、0.005≦β≦0.2の関係を満たす。図2は、第1の実施形態に係る光電変換素子の構成を例示する模式的バンド図である。図2aは、フェルミ準位を基準にしたポテンシャルエネルギーEnのバンド図である。図2aの横軸は、第1電極10から第2電極20に向かう厚み方向Z方向であり、縦軸は、ポテンシャルエネルギーEnである。ポテンシャルエネルギーEnは、電子のエネルギーを基準としている。図2aにおいて、縦軸の上方向が、電子のエネルギーが増大する方向に対応する。図2bは、真空準位を基準にした電子親和力Eaのバンド図である。図2bの横軸は、第1電極10から第2電極20に向かう厚み方向Z方向であり、縦軸は、電子親和力Eaである。図2bにおいて、縦軸の下方向は、真空準位からの距離が離れ、電子親和力Eaが増大する方向に対応する。図2a及び図2bに表したように、バンドギャップは、p型部31の伝導帯下端であるCBMConductionBandMinimumの位置Ec1と、p型部31の価電子帯上端であるVBMの位置Ev1と、の差である。実施形態においては、光吸収層30におけるバンドギャップを1.0eV以上1.7eV以下にする。光電変換素子100では、p形部31とn形部32とが互いにホモ接合をしている。このため、図2aに示すように、p形部31のCBMの位置Ec1は、n形部32のCBMの位置Ec2と連続的である。すなわち、Ec1とEc2との間には、バンドオフセットが実質的に生じない。同様に、p形部31のVBMの位置Ev1は、n形部32のVBMの位置Ev2と連続的である。Ev1とEv2との間にも、バンドオフセットは実質的に生じない。光電変換素子100では、Zn,MgO:M、及びZnO,S:Mの少なくともいずれかを含む第1化合物を第1電極10に用い、カルコパイライト型構造の化合物半導体を光吸収層30に用いることにより、n形部32のCBMの位置Ec2、及び、第1電極10のCBMの位置Ec3を調整している。これにより、図2aに示すように、Ec1及びEc2は、p形部31から第1電極10に向かう方向に沿って連続的に減少する。図2bに示すように、光電変換素子100では、Ec2及びEc3を調整したことにより、n形部32と第1電極10との間に生じる電子親和力EaのバンドオフセットΔEcの絶対値を、0.1eV以下に設定する。バンドオフセットΔEcは、Ec2とEc3との差である。すなわち、バンドオフセットΔEcを±0.1eVの範囲の値にするこれにより、光吸収層30から第1電極10に向かう電子の流れがスムーズになり、再結合を抑えることができる。なお、p形部31のEc1と、n形部32のEc2と、は、互いに実質的に同じである。従って、ΔEcは、Ec1とEc3との差に対応する。すなわち、バンドオフセットΔEcは、光吸収層30のCBMと第1電極10のCBMの差である。光電変換素子100では、Ec1及びEc2と同様に、Ev1及びEv2も、p形部31から第1電極10に向かう方向に沿って連続的に減少する。そして、光電変換素子100では、第1電極10のVBMと光吸収層30のVBMとの間に、十分なバンドオフセットΔEvが生じる。ΔEvは、Ev2とEv3との差である。これにより、第1電極10から光吸収層30に向かう正孔の流れがスムーズになり、再結合を抑えることができる。このように、光電変換素子100では、p形部31とn形部32とが互いにホモ接合するため、p形部31とn形部32との間に界面準位が形成されにくい。さらに、上記の第1化合物を第1電極10に用い、カルコパイライト型構造の化合物半導体を光吸収層30に用い、Ec2、Ec3、Ev2、及びEv3を調整することにより、正孔と電子による再結合を抑えている。光電変換素子100においては、界面準位の形成に起因する変換効率の低下、及び、電子や正孔の再結合に起因する変換効率の低下を抑制し、変換効率が向上できる。CIGS系の光電変換素子100の第1電極10の材料として、ZnO:AlまたはZnO:Bを用いる構成も考えられる。しかしながら、ZnO:AlまたはZnO:Bを用いた場合には、光吸収層30におけるGa組成比の上昇にともなって光吸収層30のCBMが上昇し、光吸収層30のCBMと、第1電極10のCBMと、の差が過度に大きくなってしまう。このため、この構成においては、変換効率が低い。これに対して、本実施形態においては、第1電極10には、例えば、Zn1-xMgx1-yAlyOを用いる。そして、第1電極10のCBMを光吸収層30のCBMに合わせるようにMgの組成比xを調整し、Znの一部をMgで置換する。さらに、Zn1-xMgx1-yAlyOを用いる場合には、Alの組成比yを調整する。Alの組成比yは、キャリア濃度に対応する。これにより、Zn1-xMgx1-yAlyOでは、p形部31及びn形部32のそれぞれに合わせた第1電極10を作製することができる。Mgの組成比xは、例えば、0.0以上0.4以下である。最適なMgの組成比xは、光吸収層30の組成によって変化する。例えば、Gaの組成比は0.3程度の場合には、最適なMgの組成比xは、0.0以上0.3以下である。なお、Gaの組成比が0.3のときには、CuInGaSe太陽電池において高い効率が得られる。なお、CBMやフェルミ準位の値は、UPS、または、XPSなどで測定することができる。図3a~図3fは、第1及び第2参考例の光電変換素子の構成を例示する模式図である。図3aは、第1参考例の構成を示す模式的断面図である。図3bは、第1参考例のポテンシャルエネルギーを模式的に示すバンド図である。図3cは、第1参考例の電子親和力を模式的に示すバンド図である。図3aに表したように、第1参考例の光電変換素子109aは、Moからなる下部電極121と、CIGS化合物半導体からなるp形の光吸収層122と、CdSからなるn形の半導体層であるバッファ層123と、ZnMgOからなる高抵抗半導体層である窓層124と、ZnMgO:Alからなる透明電極125とを備えている。光電変換素子109aでは、光吸収層122の上に、n形のバッファ層123を形成することによって、p-nヘテロ接合を形成している。光吸収層122において、低抵抗の不純物が成膜時に生じていると、リーク電流が生じ、効率が低下する。バッファ層123を設けることで、不純物に起因するリーク電流を減らし、効率低下を防ぐことを試みている。光電変換素子109aにおいては、バンドオフセットに起因する変換効率の低下を抑えることを目的として、バッファ層123及び窓層124の電子親和力が、光吸収層122の電子親和力以下となるように、光吸収層122、バッファ層123及び窓層124の材料を選定し、透明電極125の電子親和力が、窓層124の電子親和力以下となるように、透明電極125の材料を選定することを試みている。光電変換素子109aでは、光吸収層122とバッファ層123とをp-nヘテロ接合で形成しているため、光吸収層122とバッファ層123とのそれぞれのCBMの位置関係を制御する必要がある。このことは、実際には困難であり、光吸収層122とバッファ層123との間に、0.3eV程度のバンドオフセットが生じてしまう。さらに、光電変換素子109aでは、p-nヘテロ接合に起因する界面準位の形成によって変換効率が低下してしまう。図3dは、第2参考例の構成を示す模式的断面図である。図3eは、第2参考例のポテンシャルエネルギーを模式的に示すバンド図である。図3fは、第2参考例の電子親和力を模式的に示すバンド図である。第2参考例の光電変換素子109bは、Moからなる下部電極131と、p形CIGS層132と、n形CIGS層133と、ZnO,Sからなるn形バッファ層134と、ZnOからなるn形窓層135と、ITO膜からなる透明電極136とを備えている。光電変換素子109bでは、p形CIGS層132の上にn形バッファ層134を形成した後、アニール処理によってn形バッファ層134に含まれるZnをp形CIGS層132の結晶内部に拡散させることによって、n形CIGS層133を形成する。これにより、光電変換素子109bでは、p形CIGS層132とn形CIGS層133とは、p-nホモ接合で形成している。第2参考例の光電変換素子109bでは、p形CIGS層132とn形CIGS層133とをp-nホモ接合で形成しているため、結晶格子のミスマッチが抑制され、界面準位の形成も生じにくい。しかしながら、光電変換素子109bでは、n形CIGS層133と透明電極136との間のバンドオフセットにより、電子や正孔の再結合に起因する変換効率の低下を招いてしまう。光電変換素子109bにおいては、n形CIGS層133と透明電極136との間に、高抵抗のn形バッファ層134を設けている。このため、図3fに示すように、光電変換素子109bでは、n形バッファ層134のCBMが、透明電極136のCBMよりも小さくなり、n形CIGS層133と透明電極136との間に、バンドオフセットが生じてしまう。また、光電変換素子109bでは、図3eに示すように、バンドオフセットにともなって、n形CIGS層133のCBM及びVBMが、p形CIGS層132からn形バッファ層134に向かう方向に沿って、一度減少した後、再び増大する分布を示す。従って、光電変換素子109bでは、n形CIGS層133とn形バッファ層134との接合界面付近に電子や正孔が溜まり、再結合しやすい。これに対して、本実施形態に係る光電変換素子100では、p形部31とn形部32とをホモ接合で形成しているので、界面準位の形成による変換効率の低下を招くことがない。さらに、光電変換素子100では、Ec2、Ec3、Ev2、及びEv3を調整し、再結合を抑えているので、再結合に起因する変換効率の低下も実質的に生じない。第2の実施形態図4は、第2の実施形態に係る光電変換素子の構成を示す模式的断面図である。図4に表したように、本実施形態に係る光電変換素子110においては、光吸収層30は、第1電極10とn形部32との間に設けられた中間層40を、さらに含む。第1電極10及び第2電極20の機能及び構成は、第1の実施形態と同様であるから、説明を省略する。中間層40は、第1電極10の電気抵抗よりも高い電気抵抗を有している。また、中間層40は、光透過性を有している。中間層40には、第2化合物が用いられている。第2化合物は、第1電極10の第1化合物においてy=0.005未満、β=0.005未満とした材料である。すなわち、第2化合物は、Zn1-xMgx1-yMyO、Zn1-βMβO1-αSα、Zn,MgO、及びZnO,Sの少なくともいずれかを含む。第1電極10を形成する際に、不純物が拡散することもあり、y及びβが0でない場合も存在する。中間層40におけるドーパント元素の濃度は、第1電極10においてキャリアとして用いるドーパント元素例えば、Alの濃度を、第1電極10よりも低くする。好ましくは、y=0、β=0である。キャリア濃度のプロファイルは、例えば、ECVElectrochemicalCapacitanceVoltage測定などで確認できる。従って、中間層40の組成は、キャリア濃度に関する知見から、判断することができる。中間層40として上記の第2化合物を用いることで、n形部32とのバンドオフセットが実質的に発生せず、良好な結晶が得られ、高い変換効率が維持できる。図5は、第2の実施形態に係る光電変換素子の特性を示すバンド図である。図5に示すように、光電変換素子110では、中間層40の伝導帯及び価電子帯のポテンシャルエネルギーが、それぞれ第1電極10の伝導帯及び価電子帯のポテンシャルエネルギーよりも高くなる。このため、光電変換素子110では、n形部32と第1電極10との間に、ポテンシャルエネルギーの山が生じる。また、光電変換素子110では、Ec2及びEv2が、p形部31から中間層40に向けて、一度減少した後、再び増大する分布を示す。このように、中間層40は、第1電極10とn形部32との間に、ポテンシャルエネルギーの山を形成する。これにより、中間層40は、第1電極10及び中間層40に一旦到達した電子がn形部32に逆戻りすることを抑制する。これによりリーク電流が低減できる。光吸収層30の質が低く、Cu2Seなどの異相が存在することがある。この異相は、不純物となり、リークの原因となる。このリークにより、光電変換素子の変換効率が低下する場合がある。このとき、中間層40を用いることで、リーク電流を低減し、高い変換効率が維持できる。なお、中間層40は、必ずしも設ける必要がなく、リーク電流が大きい場合などに、適宜設ければよい。第3の実施形態図6は、第3の実施形態に係る太陽電池の構成を示す模式的断面図である。図6に表したように、本実施形態に係る太陽電池120は、実施形態に係る任意の光電変換素子と、その光電変換素子と積層された基板50と、第1電極10に電気的に接続された第1端子60と、第2電極20に電気的に接続された第2端子70と、を備える。この例では、実施形態に係る光電変換素子として、第1の実施形態に関して説明した光電変換素子100が用いられている。ただし、例えば、太陽電池120において、第2の実施形態に係る光電変換素子110を用いても良い。以下では光電変換素子100を用いる場合として説明する。基板50は、光電変換素子100を支持する支持体である。光電変換素子100は、基板50の上に設けられている。第1端子60は、太陽電池120の陽極又は陰極の一方である。第2端子70は、太陽電池120の陽極又は陰極の他方である。例えば、第1端子60はn側の端子であり、第2端子はp側の端子である。太陽電池120においては、光電変換素子100を基板50で支持し、光電変換素子100が発生させた起電力を、第1端子60及び第2端子70を介して外部に取り出す。例えば、第1電極10の上には、反射防止膜80が設けられている。反射防止膜80は、例えば、第1電極10の表面光が入射する面の第1端子60以外の部分を覆う。反射防止膜80は、第1電極10に入射する光の反射を抑制し、光吸収層30が吸収する光の量を増大させる。以下、本実施形態の太陽電池120の製造方法の例について説明する。以下の例は、第1及び第2の実施形態に係る光電変換素子の製造方法の例でもある。図7a~図7dは、第3の実施形態に係る太陽電池の製造方法を例示する模式的断面図である。図7aに表したように、基板50上に第2電極20を形成する。基板50には、例えばソーダライムガラスが用いられる。第2電極20は、Mo等の導電性材料を用いた金属層である。第2電極20は、例えば、金属Moよりなるターゲットを用いたスパッタリング、または、めっき等の薄膜形成方法により形成される。スパッタリングを用いる場合、例えば、Arを含む雰囲気中で、基板温度を10°C以上400°C以下とする。このとき、第2電極20と基板50との密着性及び第2電極20の抵抗率を適正にするように、例えば、成膜時の圧力を変化させる。図7bに表したように、第2電極20の上に、p形部31となるp形層31fを形成する。p形層31fは、例えば、蒸着法、スパッタリング、Se化、CVD法、スラリー法、及び、めっき法等の薄膜形成方法を用いる。蒸着法を用いる際は、例えば、3段階法を用いる。3段階法において、例えば、Cu、In、Ga、及びSeの量をコントロールすることで、高品質な膜を得ることができる。図7cに表したように、p形層31fの表面部分をn形化する。これにより、p形層31fの下側部分がp形部31となり、上側部分がn形部32となる。p形層31f型のn形化は、例えば、n形化のための元素がドープされるように、浸漬法、スプレイ法、スピンコート法及びベイパー法などの少なくともいずれかを用いる。さらに、必要に応じて熱拡散の手法を用いることができる。図7dに表したように、n形部32の上に第1電極10を形成する。第1電極10の形成には、例えば、スパッタリングやCVDなどの薄膜形成方法を用いることができる。中間層40を設ける場合は、n形部32の上に中間層40を形成する。そして、中間層40の上に第1電極10を形成する。中間層40の形成には、例えば、スパッタリングやCVDなどの薄膜形成方法を用いることができる。第1電極10を形成した後、例えば、第1電極10の上に第1端子60を形成し、第2電極20の上に第2端子70を形成する。そして、第1端子60以外の部分を覆うように、第1電極10の上に反射防止膜80を形成する。以上により、太陽電池120が完成する。以下、実施形態に係る太陽電池及び光電変換素子の特性の例について説明する。試料においては、基板50には、縦25mm×横12.5mm×厚さ1.8mmのソーダライムガラスが用いられる。Mo単体のターゲットを用い、Ar気流中スパッタリングにより、Moの第2電極20を基板50の上に形成する。第2電極20の厚さは、500ナノメートルnmである。第2電極20の上に、MBEMolecularBeamEpitaxyにより、第2電極20の上に、p形層31fを形成する。p形層31fの厚さは、2マイクロメートルμmである。p形層31fのバンドギャップは、約1.1eVである。すなわち、p形部31のバンドギャップは、約1.1eVである。p形層31fの表面部分に、浸漬法によりZnを導入し、n形部32を形成する。これにより、p形層31fの下側分部にp形部31が形成される。n形部32の上に、第1電極10を形成する。第1電極10は、例えば、Ar気流中でのスパッタリングで形成する。第1電極10には、Zn1-xMgx1-yAlyOの第1化合物を用いる。この例では、Mgの組成比xを変化させ、第1~第8電極用試料SP01~SP08を得る。組成比xに対応させ、第1化合物にキャリアドープが行われ、移動度の極度の低下を防ぐために、Alの組成比yが0.01以上0.05以下の範囲で調整される。上記第1参考例の光電変換素子109aの構成を備えた太陽電池を第1比較試料とする。光吸収層122までの構成は、p形層31fの表面部分のn形化を除いて、第1~第8電極用試料SP01~SP08と同様とする。バッファ層123には、CdSを用いる。窓層124には、ZnOを用いる。透明電極125には、ZnO:Alを用いる。中間層40を備えた太陽電池を第2比較試料とする。中間層40には、第1電極10の材料からAlを抜いたものを用いる。すなわち、本実施形態では、Zn,MgOを用いる。中間層40は、第1電極10と同様に、例えば、Ar気流中でのスパッタリングで形成する。第2比較試料では、Mgの組成比xを0.08として第1電極10及び中間層40を形成する。第2比較試料は、中間層40を形成する以外は、第1~第8電極用試料SP01~SP08と同様の手順とする。表1は、第1電極用試料~第8電極用試料SP01~SP08の特性の例を示している。表1に、第1~第8電極用試料SP01~SP08のそれぞれの、バンドオフセットΔEc、開放電圧Voc、短絡電流密度Jsc、出力因子FF、及び、変換効率Effを示す。また、表1には、Mgの組成比xが0の第1電極用試料SP1のΔEc、Voc、Jsc、FF、及びEffのそれぞれの値で、第2~第8電極用試料のそれぞれの値を正規化した値も示している。すなわち、表1において、Norm.Voc、Norm.Jsc、Norm.FF、Norm.Effは、それぞれVoc、Jsc、FF、及びEffの正規化後の値である。図8及び図9は、第1~第8電極用試料の特性を示すグラフ図である。図8の横軸は第1~第8電極用試料SP01~SP08におけるMgの組成比xである。縦軸は、第1~第8電極用試料SP01~SP08におけるバンドオフセットΔEcである。図9の横軸は、バンドオフセットΔEcであり、縦軸は、正規化後の変換効率Norm.Effである。図8及び図9において、ΔEcの絶対値が0.1eV以下の範囲Δdが示されている。図8に示すように、Mgの組成比xが0のとき第1電極用試料SP01、ΔEcが-0.15eVである。組成比xが0.03のとき第2電極用試料SP02は、ΔEcが-0.09eVである。組成比xが0.12のとき第5電極用試料SP05は、ΔEcが0.10eVである。第3電極用試料SP03及び第4電極用試料SP04においては、組成比xが第2電極用試料SP02と第5電極用試料SP05のそれらの間であり、ΔEcの絶対値は、0.1eV以下である。組成比xが第5電極用試料SP05よりも大きいとき第6~第8電極用試料SP06~SP08は、ΔEcは、0.1eVよりも大きい。図9に示すように、ΔEcの絶対値が0.1eV以下のとき第2~第5電極用試料SP02~SP05は、Mgの組成比xが0のとき第1電極用試料SP01に比べて変換効率Norm.Effが向上する。1.1eVのバンドギャップを有する光吸収層30と共に用いる、Zn1-xMgx1-yAlyOの第1電極10において、Mgの組成比xを、0.03≦x≦0.12とすることで、高い変換効率が得られる。第1比較試料の特性は、開放電圧Vocが0.58V、短絡電流密度Jscが34.9mA/cm2、出力因子FFが0.68の、変換効率Effが13.73である。従って、第1~第8電極用試料SP01~SP08は、光吸収層122とバッファ層123とがヘテロ接合する第1比較試料に比べて、いずれも高い変換効率が得られる。第2比較試料の特性は、開放電圧Vocが0.65V、短絡電流密度Jscが35.9mA/cm2、出力因子FFが0.76、変換効率Effが17.73である。従って、中間層40を設けた第2比較試料でも、第1比較試料より高い変換効率が得られる。次に、表2に示す第9~第18電極用試料SP09~SP18の特性について説明する。第9~第18電極用試料SP09~SP18は、p形部31のバンドギャップを1.4eVとする以外は、第1~第8電極用試料SP01~SP18と同様である。表2には、第9~第18電極用試料SP09~SP18の、ΔEc、Voc、Jsc、FF及びEffの値、並びに、それらの正規化後の値が示されている。図10及び図11は、第9~第18電極用試料の特性を示すグラフ図である。図10の横軸は、Mgの組成比xであり、縦軸は、バンドオフセットΔEcである。図11の横軸は、バンドオフセットΔEcであり、縦軸は、正規化後の変換効率Norm.Effである。図10に示すように、Mgの組成比xが0.15第13電極用試料SP13のときに、ΔEcが-0.1eVである。組成比xが0.15よりも小さいとき第9~第12電極用試料SP09~SP12においては、ΔEcが-0.1eVよりも小さい。組成比xが0.16のとき第14電極用試料SP14のときには、ΔEcが-0.05eVである。組成比xが0.21第15電極用試料SP15のときは、ΔEcが0.1eVである。組成比xが0.21よりも高いとき第16~第18電極用試料SP16~SP18においては、ΔEcは0.1eVよりも大きい。図11に示すように、ΔEcの絶対値が0.1eV以下のとき第13~第15電極用試料SP13~SP15においては、Mgの組成比xが0第9電極用試料SP09のときに比べて変換効率Norm.Effが向上する。1.4eVのバンドギャップを有する光吸収層30と共に用いる、Zn1-xMgx1-yAlyOの第1電極10において、Mgの組成比xを、0.15≦x≦0.21とすることで、高い変換効率が得られる。なお、MgやAlなどのドーパントの濃度組成比x、yは、例えば、ICPなどで測定できる。次に、表3に示す第19~第24電極用試料SP19~SP24の特性について説明する。第19~第24電極用試料SP19~SP24においては、第1電極10としてZn1-βAlβO1-αSαを用いる。また、第1電極10では、p形部31のバンドギャップを1.4eVとする。また、組成比αに対応させ、第1化合物にキャリアドープが行われ、移動度の極度の低下を防ぐために、Alの組成比βが0.01から0.05の範囲で調整される。第1電極10の材料及びp形部31のバンドギャップ以外は、第1~第8電極用試料SP01~SP08と同様である。表2には、第19~第24電極用試料に関し、ΔEc、Voc、Jsc、FF及びEffの値、並びに、それらの正規化後の値が示されている。図12及び図13は、第19~第24電極用試料の特性を示すグラフ図である。図12の横軸は、Mgの組成比αであり、縦軸は、バンドオフセットΔEcである。図13の横軸は、バンドオフセットΔEcであり、縦軸は、正規化後の変換効率Norm.Effである。図12に示すように、Sの組成比αが0第19電極用試料SP19においては、ΔEcが-0.46eVである。組成比αが0.6のとき第20電極用試料SP20のとき、ΔEcは-0.05eVである。組成比αが0.67のとき第21電極用試料SP21、ΔEcは0.02eVである。組成比αが0.71のとき第22電極用試料SP22、ΔEcは0.1eVである。組成比αが0.76のとき第23電極用試料SP23は、ΔEcは0.23eVである。組成比αが0.8のとき第24電極用試料SP24は、ΔEcは0.38eVである。図13に示すように、ΔEcの絶対値が0.1eV以下のとき第20~第22電極用試料SP20~SP22において、Sの組成比αが0第19電極用試料SP19に比べて変換効率が向上する。1.4eVのバンドギャップを有する光吸収層30と共に用いる、Zn1-βAlβO1-αSαの第1電極10において、Sの組成比量αを、0.6≦α≦0.71とすることで、高い変換効率が得られる。以上のように、実施形態に係る光電変換素子及びこの光電変換素子を備えた太陽電池120において、第1電極10の材料を適正に設定し、第1電極10と光吸収層30とにおけるCBM及びVBMの位置を調整することで、変換効率を向上できる。実施形態において、上記の第1~第8電極用試料SP01~SP08の特性、及び、第9~第18電極用試料SP09~SP18の特性から、Mgの組成比xを、0.03≦x≦0.21とすることで、高い変換効率が得られる。適正なMgの組成比xは、光吸収層30の組成によって変化する。例えば、CuInTe2などの電子親和力のより小さい材料を用いた場合、適正なMgの組成比xは、0.4程度具体的には0.03≦x≦0.4である。また、Mgの組成比xが0.03≦x≦0.4の場合、適正なMの組成比yは、0.005≦y≦0.2である。第4の実施形態次に、第4の実施形態について説明する。本実施形態では、上記第1の実施形態のn形部32に、BondValenceSum以下、BVSと称す計算で求めた形式電荷Vbが、1.60以上2.83以下の元素をドーパントとして用いる。形式電荷Vbが、1.96以上2.65以下となる元素としては、例えば、Mg、Zn、Fe、及びCoなどがあげられるが、形式電荷が本実施形態の範囲に入るものであればこれらに限られるものではない。この形式電荷の好ましい範囲は、1.83を超え2.83以下であり、さらに好ましくは、1.96以上2.65以下である。また、本実施形態では、n形部32のn形化に、例えば、浸漬法を用いる。浸漬法は、例えば、ディップ法、スプレイ法などの、加工体に液体を接触させる任意の方法を含む。例えば、Cdをn形ドーパントとしてドーピングを行い、n形部32を形成する場合には、第2電極20上にp形半導体層を形成した加工体を、アンモニア水溶液に浸漬させる。アンモニア水溶液は、n形ドーパントの種類やp形半導体層の組成などに合わせて、予め濃度を調整しておく。第2電極20及びp形半導体層をアンモニア水溶液に浸漬させた後、硫酸カドミウムCdSO4の溶液をアンモニア水溶液に加える。硫酸カドミウムの溶液とは、硫酸カドミウムをアンモニア水溶液に溶かしたものである。硫酸カドミウムを加えたアンモニア水溶液は、80°C程度に保ち、攪拌しながら数分から数十分間保持する。この後、第2電極20及びp形半導体層をアンモニア水溶液から取り出して水で洗浄し、乾燥させる。これにより、p形半導体層の第1電極10側の領域がn形化され、p形部31とn形部32とが互いにホモ接合する光吸収層30が形成される。以下、形式電荷Vbについて説明する。本実施形態のBVS計算では、光吸収層30の化合物半導体は、第11族の第1元素と、第16族の第2元素と、を含む。第1元素がドーパントで置換されたと仮定する。本実施形態において、第1元素は、例えば、Cuである。そして、第2元素は、例えば、Seである。第1元素と第2元素との結合距離オングストロームをriとする。ドーパントと第2元素との結合パラメータオングストロームをr0とする。ドーパントと第2元素との組み合わせによって決定される固有定数オングストロームをBfとする。第1元素に対する第2元素の近接結合数をnnは、1以上の整数とする。なお、化合物半導体は、第13族の第3元素をさらに含むことができる。結合パラメータr0は、イオン対の組み合わせごとに決定されたパラメータである。本実施形態では、例えば、2価のドーパントと、-2価のSeとの4配位と、の組み合わせが用いられる。固有定数Bfは、多数の無機化合物の構造解析データに基づいて決定された値であり、本願明細書においては、0.37オングストロームとする。近接結合数nは、例えば本実施形態では、Cuの周りにあるSeの数である。このとき、BVS計算で求まる形式電荷Vbは、下式1で表される。イオン結晶に含まれる各イオンがもっている形式電荷Vbは、配位している結合ごとに割り振ることができる。BVS計算では、結晶格子中の元素の形式電荷Vbを算出する。本実施形態においては、CIGS系の化合物半導体を用いた光吸収層30に含まれる第16族元素のSe4配位サイトに対し、2価に近い値をとるドーパントの置換が容易であると考える。また、r0とBfは定数であるが、元素の組み合わせごとに設定され、これまでに結晶学的に解析され蓄積されてきた膨大な量のデータベースに基づいている。このため、BVS計算で求まる数値は、電荷と結合距離の組み合わせが実現可能なものと、実現不可能なものと、の間で大きな差が生じる。データベースは、例えば、BrownandAltermattActaCrystB41244などで提供されている。データベースの一例を、表4に示す。表4において、ri、r0及びBfの単位は、オングストロームである。第1元素と第2元素との結合距離riは、第1元素の種類、化合物半導体中における第1元素の組成比、第2元素の種類、化合物半導体中における第2元素の組成比、第3元素の種類、及び、化合物半導体中における第3元素の組成比により定まる。例えば、化合物半導体中における第3元素が、第4元素例えばInと、第5元素例えばGaと、を含み、第4元素の第3元素中における組成比をxx1とし、第5元素の第3元素中における組成比をxx2とする。例えば、表1において、CuIn0.7Ga0.3Se2の結合距離riは2.509オングストロームであり、CuIn0.5Ga0.5Se2の結合距離riは2.484オングストロームである。このとき、CuIn0.6Ga0.4Se2の結合距離riは、これらの値を、組成比xx1及び組成比をxx2とを用いて、補間した値ri=2.496となる。具体例として、CuIn0.5Ga0.5Se2の結晶構造中におけるCuサイトの配位数nはSeの4配位であり、結合距離riは、2.484オングストロームである。n形ドーパントとしてZnを用いる場合、表4のデータベースからBfは0.37オングストローム、r0は2.22オングストロームである。この場合、形式電荷Vbは、1.96と求めることができる。これは、想定するn形ドーパントの形式電荷Vbである2価に近い。すなわち、2価のZnイオンは、CuIn0.5Ga0.5Se2の中にドープされやすい。従って、CuIn0.5Ga0.5Se2を光吸収層30に用い、Znをn形のドーパントとして用いた場合には、結晶構造を維持した良好なホモ接合を形成することができる。これにより、光電変換素子100の変換効率を高めることができる。CIGSにおけるn形ドーピングは、1価のCuサイトを2価のドーパントで置換することで成される。2価のイオンは、種類が多く存在し、それぞれイオン半径が異なる上、結晶構造のCuサイトにおける配位環境Seの4配位で存在しうるかどうか不明である。そこで、BVS計算を用いてSeの4配位にあるCuサイトにドーパントが置換されると仮定して形式電荷Vを求め、2価に近い値をとるドーパントを有効なn形ドーパントとして選定し、可能性のある元素をスクリーニングする。BVS計算によって2価の元素のスクリーニングを行った結果を、表5に示す。スクリーニングでは、光吸収層30の材料をCuIn1-γGaγSeとしている。InとGaとの組成比であるγを変化させ、光吸収層30の組成が異なる第1~第5吸収層用試料SA01~SA05の特性について説明する。第1吸収層用試料SA01は、組成比γを0.0とし、バンドギャップ1.0eVの光吸収層30とする。ここで、バンドギャップとは、p形部31の伝導帯下端であるCBMConductionBandMinimumの位置と、p形部31の価電子帯上端であるVBMの位置と、の差である。第2吸収層用試料SA02は、組成比γを0.3とし、バンドギャップ1.1eVの光吸収層30とする。第3吸収層用試料SA03は、組成比γを0.5とし、バンドギャップ1.3eVの光吸収層30とする。第4吸収層用試料SA04は、組成比γを0.7とし、バンドギャップ1.4eVの光吸収層30とする。第5吸収層用試料SA05は、組成比γを1.0とし、バンドギャップ1.7eVの光吸収層30とする。ドーパントは、第2族元素または第12族元素であるMg、Zn、及びCdと、その他のFe、Co、Ni、及びCuを用いる。第1~第5吸収層用試料SA01~SA05と各ドーパントとの組み合わせのそれぞれに対し、BVS計算で形式電荷Vbを求める。ドーパントを置き換えるCuの形式電荷Vbは、BVS計算から算出すると、0.72CISから0.91CGSであり、理想とされる形式電荷1より小さい。これは、CIGS結晶中のSe四配位Cuサイトは、他の物質中に見られるCu-Se結合よりも比較的結合距離が長く、形式電荷Vbが実際の1価よりも低めに見積もられていることを表している。このとき2価よりもわずかに大きな形式電荷数をとるn形ドーパントは、Seとの結合距離が短いことを示している。つまりCuサイトを置換しSe四配位環境にあるとき結晶内を動いて、膜厚方向に拡散しやすいといえる。よってn形ドーパントを選ぶ目的で用いるBVS計算で示される形式電荷Vbは、理想的な値である2価よりも少し大きめの値に適正な値があると考えられる。ここで、太陽電池の変換効率Effは、開放電圧Voc、短絡電流密度Jsc、出力因子FF、及び入射パワー密度Pを用い、下式2で表される。Eff=VocJscFF/P1002式2から分かるように、開放電圧Voc、短絡電流密度Jsc、及び出力因子FFがそれぞれ大きくなれば、変換効率Effは増大する。理論的には、バンドギャップが大きいほど開放電圧Vocは増大するが、短絡電流密度Jscは減少する図15参照。このため、バンドギャップの極大は、例えば、約1.4eVにある。本実施形態では、バンドギャップが1.3eVである第3吸収層用試料SA03と、バンドギャップが1.4eVである第4吸収層用試料SA04と、を中心に、適正な形式電荷Vbについて説明する。表5に示すように、第3吸収層用試料SA03及び第4吸収層用試料SA04のうちで、形式電荷Vbが最も2に近いのは、第3吸収層用試料SA03に対してZnをドーパントとしたときの1.96である。そして、第3吸収層用試料SA03及び第4吸収層用試料SA04のうちで、3以下で最も大きい形式電荷Vbは、第4吸収層用試料SA04に対してMgをドーパントとしたときの2.65である。従って、本実施形態の場合の適正な形式電荷Vbは、1.96以上2.65以下となる。また、本実施形態においては、光吸収層30のドーパントの量は、1×1016個以下であることが好ましい。また、光吸収層30のドーパントの分布は、第1電極10側が、光吸収層30全体の平均のドーパント量に対し多く分布している方が好ましい。以下、本実施形態の光電変換素子を太陽電池120に適用した場合の製造方法の例について説明する。以下の例は、本実施形態に係る光電変換素子の製造方法の例でもある。図14は、第4の実施形態に係る太陽電池の製造方法の手順の概略を示すフローチャートである。また、説明では、図7の模式的断面図を用いる。図7aに表したように、基板50上に第2電極20を形成するステップS1。基板50には、例えばソーダライムガラスが用いられる。第2電極20は、Mo等の導電性材料を用いた金属層である。第2電極20は、例えば、金属Moよりなるターゲットを用いたスパッタリング、または、めっき等の薄膜形成方法により形成される。スパッタリングを用いる場合、例えば、Arを含む雰囲気中で、基板温度を10°C以上400°C以下とする。このとき、第2電極20と基板50との密着性及び第2電極20の抵抗率を適正にするように、例えば、製膜時の圧力を変化させる。また、スパッタリングを用いる場合、高真空雰囲気中では、基板温度を500°C以上640°C以下、すなわちガラス基板が歪まない程度の高温で行う。図7bに表したように、第2電極20の上に、p形部31となるp形層31fを形成するステップS2。p形層31fは、例えば、蒸着法、スパッタリング、Se化、CVD法、スラリー法、及び、めっき法等の薄膜形成方法を用いる。蒸着法を用いる際は、例えば、3段階法を用いる。3段階法において、例えば、Cu、In、Ga、及びSeの量をコントロールすることで、高品質な膜を得ることができる。第2電極20の上に、光吸収層30を形成するステップS3。光吸収層30を形成する場合には、図7cに表したように、p形層31fの表面をn形化し、p形部31とn形部32とを形成するステップS3A~ステップS3D。これにより、光吸収層30が形成される。光吸収層30に中間層40を含める場合には、p形層31fの表面をn形化した後、n形部32の上に中間層40を形成する。p形部31及びn形部32の形成には、浸漬法を用いる。浸漬法では、まずp形層31fまで形成した基板50をアンモニア水溶液に浸漬させるステップS3A。この後、アンモニア水溶液にドーパントを加えるステップS3B。例えば、ドーパントとしてCdを用いる場合には、CdSO4をアンモニア水溶液に溶かし、そのアンモニア水溶液を、基板50が浸漬したアンモニア水溶液に加える。ドーパントを加えた後、アンモニア水溶液を撹拌しながら数分から数十分間保持する。この際、アンモニア水溶液を加熱する。アンモニア水溶液の温度が低過ぎると、ドーパントが適切にドーピングされない。一方、アンモニア水溶液の温度が高過ぎると、アンモニア水溶液が沸騰し、n形部32の形成が難しくなる。このため、アンモニア水溶液の温度は、40°C以上100°C以下とする。例えば、適正な温度は、約80°C例えば70°C以上90°C以下である。基板50を、ドーパントが加えられたアンモニア水溶液に、数分から数十分間浸漬する。この後、基板50をアンモニア水溶液から取り出し、水で洗浄するステップS3C。基板50の洗浄の後、ドライエアーの吹き付けなどで基板50を乾燥させるステップS3D。これにより、p形層31fの表面がn形化され、浸漬法でp形部31とn形部32とが形成され、光吸収層30が完成する。図7dに表したように、光吸収層30の上に第1電極10を形成するステップS4。第1電極10の形成には、例えば、スパッタリングやCVDなどの薄膜形成方法を用いることができる。この後、例えば、第1電極10の上に第1端子60を形成しステップS5、第2電極20の上に第2端子70を形成するステップS6。そして、第1端子60以外の部分を覆うように、第1電極10の上に反射防止膜80を形成するステップS7。以上により、太陽電池120が完成する。このように、本実施形態の光電変換素子及び太陽電池の製造方法は、基板50の上に第2電極20を形成する工程ステップS1と、第2電極20の上にp形層31fを形成する工程ステップS2と、p形層31fの表面をn形化して光吸収層30を形成する工程ステップS3と、光吸収層30の上に第1電極10を形成する工程ステップS4と、を少なくとも含む。さらに、光吸収層30を形成する工程は、p形層31fまで形成した基板50を、ドーパントを含む溶液に接触させる工程を含む。例えば、光吸収層30を形成する工程は、p形層31fまで形成した基板50をアンモニア水溶液に浸漬させる工程ステップS3Aと、アンモニア水溶液にドーパントを加える工程ステップS3Bと、を少なくとも含む。上記のように、浸漬法では、ドーパントの溶媒として、例えば、アンモニア水溶液を用いる。アンモニア水溶液の溶媒を用いることで、例えば、Cu2Seを取り除くことができる。また、表面酸化層を取り除くことができる。また、余分なNaを取り除くことができる。Cu2Seは、低抵抗であり、太陽電池の性能に悪影響を及ぼす。アンモニア水溶液は、n形部32の表面のCu2Seを取り除くか、もしくは改質させる。これにより、n形部32の表面が高抵抗化され、太陽電池の性能を向上させることが可能となる。p形層31fの表面には、酸化膜がある。酸化膜は、例えば、装置間の移動などにともなって、p形層31fの表面が空気に晒された際に形成される。アンモニア水溶液は、この酸化膜を取り除くことができる。実際に、浸漬中に気泡が観測でき、アンモニア水溶液がp形層31fの表面から酸化膜を取り除いていることは明らかである。酸化膜を取り除くことにより、n形部32の表面の膜質を高め、太陽電池の性能を向上させることが可能となる。アンモニア水溶液は、KCNシアン化カリウムなどと同様にアルカリエッチング剤としての機能がある。このため、アンモニア水溶液では、p形層31fの表面に付着したNaイオンなどを溶解させて取り除くことができ、不均一拡散による太陽電池の性能低下を防ぐことができる。このように、浸漬法では、アンモニア水溶液をn形ドーパントの溶媒として用いることにより、Cu2Seや酸化層などのp形層31fの表面の異相を取り除くことができ、n形部32の膜質を高め、太陽電池の性能を高めることができる。蒸着などのエネルギーの高いドーピングの方法では、Cu欠損サイトやCuサイトだけでなく、InサイトやGaサイトなども置換してしまう。InサイトやGaサイトは、アクセプタとして働くため、p形層31fのn形化の妨げとなる。対して、浸漬法では、InサイトやGaサイトなどの置換を抑え、Cu欠損サイトやCuサイトを選択的に置換することができる。蒸着などでは、高いエネルギーで積層するため、積層時にp形層31fの表面にダメージをあたえ、膜質を低下させる。また、n形部32に含まれるドーパントの濃度が1~20と高くなってしまう。ドーパントが高濃度になると、3価のInサイトやGaサイトが2価のドーパントに置き換わる反応が進行する。この場合、アクセプタとして働くため、p形層31fのn形化の妨げとなる。さらに、ドーパントの濃度が高くなると、p形層31fのカルコパイライト型構造の結晶構造そのものが変化してしまう。結晶構造が変化すると、バンドギャップや電気特性も変化し、太陽電池の性能の低下を招いてしまう。これに対して、浸漬法では、ドーパントの濃度を抑えることができる。例えば、浸漬法を用い、0.1程度の濃度でドーピングを行う。こうすれば、InサイトやGaサイトの置換が抑えられ、かつp形層31fの結晶構造も維持することができ、太陽電池の性能の低下を抑えることができる。なお、ドーパントの濃度は、例えば、SIMS二次電子イオン質量分析で測定することができる。SIMSでの定量測定には、標準試料を用いる。また、第1電極10側からビームを入射して測定を行うと、第1電極10に用いられることの多いZnやMgなどの濃度分布の裾がドーパントの存在位置と重なる。基板50側からビームを入射することで、n形部32に含まれるZnやMgなどのドーパントの濃度を適切に測定することができる。以下、本実施形態に係る太陽電池及び光電変換素子の特性の例について説明する。試料においては、縦25mm×横25mm×厚さ1.8mmのソーダライムガラスを基板50に用いる。Mo単体を用いた膜状の第2電極20を基板50の上に形成する。第2電極20の形成には、例えば、Ar気流中でのスパッタリングを用いる。第2電極20の膜厚は、500nm以上1μm以下とする。第2電極20の上に、p形層31fを形成する。p形層31fの形成には、例えば、蒸着法を用いる。p形層31fの膜厚は、2μm程度例えば1μm以上3μm以下とする。浸漬法によりn形ドーパントをドーピングする。予め調整したアンモニア水溶液にp形層31fまで形成した基板50を浸漬させる。ZnSO4をアンモニア水溶液に溶かし、そのアンモニア水溶液を基板50が浸漬したアンモニア水溶液に加える。アンモニア水溶液は、80°C程度に保ち、攪拌しながら数分から数十分間保持する。基板50をアンモニア水溶液から取り出して水で洗浄し、乾燥させる。これにより、p形層31fの表面にZnをドーピングし、互いにホモ接合するp形部31とn形部32とを形成する。光吸収層30の上に、第1電極10を形成する。第1電極10には、例えば、ZnO:AlもしくはZnO:Bを用いる。第1電極10は、例えば、スパッタリングで形成する。第1電極10の膜厚は、例えば、200nm程度例えば100nm以上300nm以下とする。この後、第1端子60、第2端子70、及び反射防止膜80を形成する。第1端子60及び第2端子70には、例えば、Alを用いる。第6吸収層用試料SA06においては、上記のように、ドーパントの原料としてZnSO4が用いられる。すなわち、第6吸収層用試料SA06のドーパントは、Znである。一方、第7吸収層用試料SA07においては、n形部32のドーパントにMgが用いられる。第7吸収層用試料SA07の構成は、ドーパントの種類の他は第6吸収層用試料SA06と同様である。ドーパントにMgを用いる場合には、例えば、MgI2をアンモニア水溶液に溶かし、そのアンモニア水溶液を基板50が浸漬したアンモニア水溶液に加える。アンモニア水溶液は、80°C程度例えば70°C以上90°C以下に保ち、攪拌しながら数分から数十分間保持する。基板50をアンモニア水溶液から取り出して水で洗浄し、乾燥させる。これにより、Mgがドーピングされたn形部32が形成される。一方、第8吸収層用試料SA08においては、CIGSのp形層31fの上に、CdSを用いたn形半導体層が形成される。これにより、第8吸収層用試料SA08では、p形層31fとn形半導体層とが互いにヘテロ接合する。第6吸収層用試料SA06及び第7吸収層用試料SA07は、実施形態に係る構成を有しており、第8吸収層用試料SA08は、参考例に相当する。図15は、第6~第8吸収層用試料の電圧-電流特性を示すグラフ図である。図15の横軸は、第6~第8吸収層用試料SA06~SA08における開放電圧Vocである。縦軸は、第6~第8吸収層用試料S06~SA08における短絡電流密度Jscである。ドーパントにZnを用いた第6吸収層用試料SA06の変換効率Effは、12.4である。ドーパントにMgを用いた第7吸収層用試料SA07の変換効率Effは、11.3である。p形層31fとn形半導体層とをヘテロ接合させた第8吸収層用試料SA08の変換効率Effは、10.3である。このように、実施形態に係る光電変換素子及びこの光電変換素子を備えた太陽電池120では、変換効率が向上する。図16は、第6吸収層用試料及び第8吸収層用試料の量子収率の特性を示すグラフ図である。図16の横軸は、波長λである。縦軸は、第6吸収層用試料SA06と第8吸収層用試料SA08とにおける量子収率Qyである。量子収率Qyとは、1個の分子が1個の光子を吸収したときの分子が反応する確率である。従って、量子収率Qyの値が大きいほど、光をより吸収する。第6吸収層用試料SA06の波長450nmにおける量子収率Qyは、0.89である。第8吸収層用試料SA08の波長450nmにおける量子収率Qyは、0.72である。このように、第6吸収層用試料SA06では、第8吸収層用試料SA08に比べて、400nm~500nm付近の光の吸収性が向上している。すなわち、第6吸収層用試料SA06は、第8吸収層用試料SA08に比べて、p形部31の光吸収帯に含まれる2.7eV付近での光吸収損が少ない。実施形態に係る光電変換素子及びこの光電変換素子を備えた太陽電池120の変換効率の向上は、光吸収損の改善に起因する。以上のように、実施形態に係る光電変換素子及びこの光電変換素子を備えた太陽電池120において、第1電極10の材料を適正に設定し、第1電極10と光吸収層30とにおけるCBM及びVBMの位置を調整することで、変換効率を向上できる。そして、CIGS系のn形部32のドーパントを適正に設定することで、変換効率をさらに向上できる。本実施形態では、基板50の上に光電変換素子が設けられた表面照射型の太陽電池120を例に説明した。すなわち、本実施形態の太陽電池120では、第2電極と基板50とが接触している。太陽電池は、これに限ることなく、基板の下に光電変換素子が設けられた裏面照射型の太陽電池でもよい。すなわち、太陽電池は、第1電極10と基板50とが接触するものでもよい。上記各実施形態では、光吸収層30にカルコパイライト型構造の化合物半導体を用いた。光吸収層30には、カルコパイライト型構造の化合物半導体の他に、例えばスタナイト型構造など、カルコパイライト型構造に近い結晶構造を持つ化合物半導体を用いることもできる。スタナイト型構造の化合物半導体には、例えば、Cu2SnZnS4などがあげられる。実施形態によれば、変換効率を向上させた光電変換素子及び太陽電池が提供される。以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、光電変換素子及び太陽電池に含まれる、第1電極、第2電極、光吸収層、p形部、n形部、中間層、基板、第1端子、及び第2端子などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。その他、本発明の実施の形態として上述した光電変換素子及び太陽電池を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての光電変換素子及び太陽電池も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"