"2次側コイルを含む共振回路と、前記共振回路のQ値を測定する検知部と、前記2次側コイルが1次側コイルより受電した電力から、前記検知部において前記Q値の測定時に消費する分の電力を充電する蓄電部と、前記1次側コイルからの送電が停止している間に、前記蓄電部に充電された電力を用いて前記検知部を動作させる制御部と、を備える検知装置。前記制御部は、前記検知部を動作させ、前記共振回路のQ値を測定して前記2次側コイルと外部との電磁結合状態を検知する請求項1に記載の検知装置。前記1次側コイルより受電した電力の前記蓄電部への供給又は停止を切り替える第1切替部と、前記蓄電部と負荷との間に設けられ、前記蓄電部と前記負荷との接続又は切断を切り替える第2切替部と、前記共振回路と前記検知部との接続又は切断を切り替える第3切替部と、を更に備え、前記制御部は、第1切替部を切り替えて前記2次側コイルからの電力を前記蓄電部に供給して、前記蓄電部に充電し、前記検知部において前記Q値の測定時に消費する分の電力を前記蓄電部へ充電した後、前記1次側コイルからの送電が停止している間に、前記第2切替部を切り替えて前記蓄電部と前記負荷を切り離し、かつ前記第3切替部を切り替えて前記共振回路と前記検知部を接続し、前記蓄電部に充電された電力を用いて前記検知部を動作させ、前記共振回路のQ値を測定するべく制御する請求項2に記載の検知装置。前記制御部は、前記Q値の測定が初回であるか否かを判定し、前記Q値の測定が初回である場合、複数の周波数の測定用信号についてQ値を測定し、測定した複数のQ値のうち最大のQ値と閾値を比較し、その比較結果に基づいて前記2次側コイルと外部との電磁結合状態を検知する請求項3に記載の検知装置。前記制御部は、前記Q値の測定が2回目以降である場合、前回のQ値の測定で最大のQ値が得られた周波数の測定用信号を用いてQ値を測定し、今回測定したQ値と閾値を比較し、その比較結果に基づいて前記2次側コイルと外部との電磁結合状態を検知する請求項4に記載の検知装置。前記制御部は、2回目以降のQ値の測定において得られたQ値と、前回のQ値の測定で得た最大のQ値を比較し、今回測定したQ値が前回測定したQ値の所定範囲内にあるかどうかを判定し、所定範囲内にない場合は、複数の周波数の測定用信号についてQ値を測定し、測定した複数のQ値のうち最大のQ値と閾値を比較し、その比較結果に基づいて前記2次側コイルと外部との電磁結合状態を検知する請求項5に記載の検知装置。前記蓄電部で充電する電力は、前記検知部が一つの周波数の測定用信号を用いてQ値の測定を行える電力であり、前記制御部は、前記充電と前記Q値の測定を交互に繰り返すべく、前記第1切替部、第2切替部並びに第3切替部の切り替えを制御する請求項3に記載の検知装置。前記蓄電部は、キャパシタ又は小型の二次電池である請求項1に記載の検知装置。2次側コイルと、前記2次側コイルを含む共振回路と、前記共振回路のQ値を測定する検知部と、前記2次側コイルが1次側コイルより受電した電力から、前記検知部において前記Q値の測定時に消費する分の電力を充電する蓄電部と、前記1次側コイルからの送電が停止している間に、前記蓄電部に充電された電力を用いて前記検知部を動作させる制御部と、を備える受電装置。2次側コイルに送電する1次側コイルと、前記1次側コイルに交流信号を供給する送電部と、前記2次側コイルを搭載する受電装置から送信される、前記受電装置のQ値に基づく電磁結合状態を示す信号に基づいて、前記送電部による前記交流信号の供給を制御する制御部と、を備える送電装置。電力を無線により送電する送電装置と、該送電装置からの電力を受電する受電装置を含んで構成され、前記受電装置は、2次側コイルを含む共振回路と、前記共振回路のQ値を測定する検知部と、前記2次側コイルが1次側コイルより受電した電力から、前記検知部において前記Q値の測定時に消費する分の電力を充電する蓄電部と、前記1次側コイルからの送電が停止している間に、前記蓄電部に充電された電力を用いて前記検知部を動作させる制御部と、を備え、前記送電装置は、前記受電装置の2次側コイルに送電する1次側コイルと、前記1次側コイルに交流信号を供給する送電部と、前記受電装置から送信される、前記受電装置のQ値に基づく電磁結合状態を示す信号に基づいて、前記送電部による前記交流信号の供給を制御する制御部と、を備える非接触電力伝送システム。非接触電力伝送システムの受電装置が備える共振回路の2次側コイルを通じて送電装置の1次側コイルより受電した電力から、前記受電装置の検知部においてQ値の測定時に消費する分の電力を、前記受電装置の蓄電部に充電すること、前記1次側コイルからの送電が停止している間に、前記蓄電部に充電された電力を用いて前記検知部を動作させ、前記共振回路のQ値を求めるのに必要な物理量を取得すること、前記非接触電力伝送システムの前記受電装置又は前記送電装置により、前記Q値を求めるのに必要な物理量から前記Q値を計算すること、を含む検知方法。しかしながら、特許文献1,2により提案された手法は、受電側の金属筺体の影響が加味されていない。一般的な携帯機器への充電を考えた場合、携帯機器に何らかの金属金属筐体、金属部品等が使われている可能性が高く、パラメータの変化が金属筺体等の影響によるものか、あるいは金属異物が混入したことによるものなのかの切り分けが困難である。特許文献2を例に挙げると、渦電流損が携帯機器の金属筺体で発生しているのか、それとも送電側と受電側との間に金属異物が混入して発生しているのかがわからない。このように、特許文献1,2で提案された手法は、金属異物を精度よく検知できていると言えるものではなかった。また、通常、携帯機器は非接触で受電した電力を充電するバッテリーと、該バッテリーを適切に制御する制御回路を有している。しかし、携帯機器においてバッテリーに充電された電力を電源として使用しつつ金属異物を検知する検知回路を動作させる場合、携帯機器は、バッテリーを適切に制御しながら検知回路の制御を行うことが求められ、制御に係る負荷が大きくなる。また、バッテリーの残容量がない場合、携帯機器は送電側との間に存在する金属異物を検知することができない。金属異物の検知を行うことができなければ、安全が確保されないので送電側からの電力伝送は行われず、バッテリーを充電することができない。本開示は、上記の状況を考慮してなされたものであり、受電側のシステム制御に負荷をかけることなく、送電側と受電側との間に存在する金属異物の検出を行い、かつ検出精度を向上させる。本開示の一側面は、非接触電力伝送システムの受電装置が備える共振回路の2次側コイルを通じて送電装置の1次側コイルより受電した電力から、前記受電装置の検知部においてQ値の測定時に消費する分の電力を、前記受電装置の蓄電部に充電し、1次側コイルからの送電が停止している間に、蓄電部に充電された電力を用いて前記検知部を動作させ、共振回路のQ値を求めるのに必要な物理量を測定する。そして、非接触電力伝送システムの受電装置又は送電装置により、上記Q値を求めるのに必要な物理量からQ値を計算し、計算したQ値に基づいて2次側コイルと外部との電磁結合状態を検知する。本開示の一側面によれば、受電装置2次側の検知部においてQ値の測定時に消費する分の電力が、受電装置の蓄電部に充電される。送電装置1次側から受電装置に給電が行われないときでも、蓄電部に受電した電力を用いて、受電装置が備える共振回路のQ値を測定して2次側コイルと外部との電磁結合状態を検知し、送電側と受電側との間に存在する金属異物の検出を行える。かつ、2次側のQ値を測定することにより、2次側コイルを備える機器の影響が抑えられる。本開示によれば、送電側から受電側に給電が行われないときでも、蓄電部に蓄えられたQ値の測定時に消費する分の電力を利用して、受電側のシステムと金属異物検知の回路を切り離して、送電側と受電側との間に存在する金属異物の検出を行うことができる。さらに、送電側から受電側に給電が行われないときに2次側のQ値を測定して金属異物の検出を行うので、給電による影響を受けず、検出精度が向上する。以下、本開示を実施するための形態の例について、添付図面を参照しながら説明する。説明は下記の順序で行う。なお、各図において共通の構成要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。1.第1の実施形態第1~第3切替部:給電時の回路とQ値測定時の回路を切り替える例2.第2の実施形態演算処理部:半値幅法によりQ値を計算した例3.第3の実施形態演算処理部:インピーダンスの実部成分と虚部成分の比からQ値を計算した例4.その他種々の変形例<1.第1の実施形態>[導入説明]本発明者らは、まず、上記課題を解決するため、受電側2次側のQ値の変化を用いて金属異物を検出することを検討した。金属異物とは、送電側1次側と受電側の間に存在する金属などの導体を指す。そして、本明細書でいう導体には、広義の導体すなわち半導体も含まれる。Q値は、エネルギーの保持と損失の関係を表す指標であり、一般的に共振回路の共振のピークの鋭さ共振の強さを表す値として用いられる。コイルとキャパシタコンデンサとも呼ばれるを用いた直列共振回路の場合、Q値は、一般に式1で表される。ここで、Rは直列共振回路の抵抗値、Lはインダクタンス値、Cは静電容量値である。図1は、直列並列回路のQ値を変えたときのゲインの周波数特性の一例を示すグラフである一例としてQ値を5~100の間で変化させたとき、Q値の値が高いほどゲインの周波数特性のピークの鋭さが増している。さらに式1に示す抵抗値Rやインダクタンス値Lは、金属異物が近づくことや金属異物に発生する渦電流の影響により変化することが知られており、すなわち該当コイルの周りの金属異物の影響によって共振回路のQ値や共振周波数が大きく変化する。次に、磁界共鳴方式の非接触電力伝送システムにおける1次側と2次側のコイル間の電力伝送効率コイル間効率について説明する。コイル間効率の理論最大値ηmaxは、式2で示されることが知られている。ここで、S及びQは以下の式で表される。Qは非接触電力伝送システム全体のQ値、Q1は1次側のQ値、Q2は2次側のQ値を示す。すなわち磁界共鳴方式において、コイル間効率ηmaxは、1次側コイルと2次側コイルの電磁結合の度合いである結合係数kと、それぞれ無負荷の共振回路のQ値である1次側のQ値Q1と、2次側のQ値Q2から理論的に一意に求められる。ゆえに結合係数kが低くても送電側と受電側の双方のQ値が高ければ、高効率での電力伝送が可能である。S値結合係数×Q値とコイル間効率ηrfの関係を、図2に示す。磁界共鳴方式では、結合係数kが低くても、1次側及び2次側の共振回路のQ値を高くして、1次側コイルと2次側コイルの配置の自由度を高めるようにしている。一例として、1次側コイルと2次側コイルの結合係数kを0.5以下、1次側コイル又は2次側コイルの少なくとも一方のQ値を100以上として設計している。後述する第2及び第3の実施形態でも同様である。磁界共鳴方式においては、ある程度の高いQ値を持つコイルを用いて給電することにより、1次側コイルと2次側コイルの配置の自由度を向上させることができる。しかし、前述の一般的な共振回路と同じく、金属の影響によってQ値や共振周波数が大きく変化してしまう。図3a~cに、金属の位置を変えて1次側Q値を測定したときの測定条件を示す。測定には、1次側コイル1に、複数の細い銅線を縒りあわせた導線であるリッツ線線径φ1.0mmを巻いた150mm縦×190mm横のスパイラルコイルを用いた。また、2次側に、金属筐体に見立てた50mm縦×60mm横×0.05mm厚さの金属片6を用いた。金属片6には、アルミウムとステンレスの2種類を用意した。そして、1金属片6が1次側コイル1の中央にある場合図3a、2中央から横方向にシフト移動した場所にある場合図3b、31次側コイル1の端にある場合図3cの3か所で測定を行った。金属の位置ごとの1次側のQ値の測定結果を、表1に示す。この表1に示す測定結果より、1次側から見た金属片6の位置や金属の材質によっても1次側のQ値が大きく変動することが確認できる。前述の式1~式3より、1次側のQ値はコイル間効率渦電流損に大きく影響することから、コイル間効率の低下渦電流損増大は、小さな金属異物よりも金属筺体の影響度合いのばらつきが支配的であり、小さな金属異物の検出が難しいことがわかる。すなわち、1次側のQ値は、様々な2次側筺体が搭載する金属の位置も異なると思われるを想定した場合、大きく変動するため異物が混入したことによってQ値が変化したのか、2次側についている金属筺体の影響なのかを判別することができない。一方、2次側コイルから見ると、2次側コイルと金属筺体の位置関係は全く変化せず、1次側コイルと2次側コイルの位置関係にも相関がない。すなわち、2次側コイルも金属筺体の影響を受けてQ値が低下しているものの、1次側コイルの付近に大きな金属異物が存在しなければ、位置関係や効率によらず2次側のQ値は一定である。一般的に受電側の機器は、携帯電話機やデジタルスチルカメラ等の携帯機器が想定され、強度を保つため或いはその他の機能通話、撮影などが主たる目的のため、機器本体から金属を除くことは難しい。しかし、1次側コイルについては主たる目的が充電となる可能性があるため、送電側の機器本体は金属の影響を排除した構成にできる可能性がある。そのような場合には、2次側のQ値は各々が一定の値を持ち、2次側に金属異物が近づくことのみによって大きく変化する。金属異物によって2次側のQ値がどの程度変化するか測定した結果を、表2に示す。表2は、40mm×50mmかつ内径20mm×30mmのコイルに対し、10mm角及び1.0mm厚の鉄を近づけたときの2次側のQ値の変化量を測定したものである。Ls値はコイルのインダクタンス値、Rs値は共振回路の周波数fにおける実効抵抗値、変化量は鉄が存在しないときのQ値を基準にした変化量を表している。鉄の位置によってQ値の変化量が異なるが、鉄が存在しないときと比較すると少なくとも25のQ値の変化量低下はある金属位置が中央のとき。このように2次側のQ値の変化を、金属異物の検知に利用できる可能性がある。つまり、Q値の変化量に対して閾値を設定することにより金属異物の検知が可能になると考えられる。しかしながら、[発明が解決しようとする課題]において説明したように、送電側から受電した電力を使用してQ値を測定した場合、送電側から受電した電力の影響でQ値を正確に測定できない恐れがあるなどの問題がある。Q値の変化を金属異物の検知に利用するためには、測定方法の工夫が必要である。以下、本開示によるQ値の測定方法について説明する。[Q値測定の原理]Q値測定の原理について、図4を参照して説明する。図4は、本開示の第1の実施形態例に係る、非接触電力伝送システムに用いられる送電装置の概要を示す回路図である。この図4に示した送電装置10の回路は、1次側のQ値の測定原理を表した最も基本的な回路構成磁界結合の場合の一例である。直列共振回路を備える回路を示したものであるが、共振回路の機能を備えていれば詳細な構成は種々の形態が考えられる。この共振回路のQ値測定は、測定器LCRメータでも用いられている手法である。なお、図4に示した回路は、送電装置1次側の共振回路の例であるが、この測定原理は受電装置2次側の共振回路でも同様である。送電装置10の1次側コイル15の近くに例えば金属片があると、磁力線が金属片を通過して金属片に渦電流が発生する。これは1次側コイル15からみると、金属片と1次側コイル15が電磁的に結合して、1次側コイル15に実抵抗負荷がついたように見え、1次側のQ値を変化させる。このQ値を測定することで、1次側コイル15の近くにある金属異物電磁結合している状態の検知につなげる。本例の送電装置10は、交流信号正弦波を発生させる交流電源12及び抵抗素子13を含む信号源11と、キャパシタ14と、1次側コイル15送電コイル、コイルの一例を備える。抵抗素子13は、交流電源12の内部抵抗出力インピーダンスを図示化したものである。信号源11に対しキャパシタ14と1次側コイル15が直列共振回路共振回路の一例を形成するように接続されている。そして、測定したい周波数において共振するように、キャパシタ14のキャパシタンスの値C値、及び1次側コイル15のインダクタンスの値L値が調整されている。信号源11とキャパシタ14を含む送電部は、負荷変調方式などを利用して1次側コイル15を通じて外部へ非接触で電力を伝送する。直列共振回路を構成する1次側コイル15とキャパシタ14間の電圧をV1共振回路に掛かる電圧の一例、1次側コイル15両端の電圧をV2とすると、直列共振回路のQ値は、式5で表される。rs:周波数fにおける実効抵抗値電圧V1がQ倍されて電圧V2が得られる。1次側コイル15に金属片が近づくと実効抵抗値rsが大きくなり、Q値が下がる。このように金属片が1次側コイル15に近づくと、測定されるQ値電磁結合している状態が変化するので、この変化を検知することにより、1次側コイル15の近くにある金属片を検知できる。上記測定原理を受電装置2次側に適用することにより、受電装置においてもQ値の測定を行うことができる。しかしながら、Q値測定の際に給電が行われていると、送電側から出た磁界で受電装置のコイルに大電力が発生してしまい、電圧V2が正常に測定されなくなるといった問題がある。そのため、正確なQ値が得られなくなり、精度よく金属異物を検知できなくなる恐れがある。上記の不都合を解消するには測定時に給電を止める必要があるが,給電をバッテリーうと2次側のQ値を測定するための回路を稼働させる大型のバッテリーが不可欠となる。また他の解決策として受電装置にバッテリーを積むことになると、製品寿バッテリー響や、例えば携帯機器のバッテリーの充電容量が空になったときにすぐに充電したい場合などに金属異物検出を実施できないという問題が生じる。そこで、本発明者らは、1次側から供給された電力を利用して2次側でQ値測定を行うが、1次側から受電している時には2次側でQ値測定を行わないバッテリーレスの電磁結合状態検知技術を発明した。[第1の実施形態の構成]送電装置の構成例本開示の第1の実施形態例に係る送電装置1次側の構成例を説明する。図5は、本開示の第1の実施形態例に係る、送電装置の内部構成例を示すブロック図である。このブロック図で示される検知回路により、金属等の導体金属異物を検知する。検知回路が設けられた送電装置は、電磁結合状態検知装置の一例である。本例の検知回路は、整流部21A,21Bと、アナログ-デジタル変換器以下、ADCという22A,22Bと、メイン制御部23を備える。整流部21Aは、1次側コイル15とキャパシタ14との間から入力される交流信号交流電圧を直流信号直流電圧に変換して出力する。同様に整流部21Bは、信号源2とキャパシタ5の間から入力される交流信号交流電圧を直流信号直流電圧に変換する。変換された各直流信号はそれぞれ、ADC22A,22Bへ入力される。ADC22A,22Bの各々は、整流部21A,21Bから入力されるアナログの直流信号をデジタルの直流信号に変換して、メイン制御部23へ出力する。メイン制御部23は、制御部の一例であり、例えばMPUMicroProcessingUnitから構成され送電装置10全体の制御を行う。このメイン制御部23は、演算処理部23Aと判定部23Bとしての機能を備える。演算処理部23Aは、所定の演算処理を行うブロックであり、本例では、ADC22A,22Bより入力される直流信号から電圧V1と電圧V2の比、すなわちQ値を計算し、計算の結果を判定部23Bへ出力する。また、演算処理部23Aは、受電側2次側より金属異物の検知に係わる情報電圧値などの物理量を取得し、該情報に基づいて2次側のQ値を計算することもできる。判定部23Bは、演算処理部23Aから入力される計算の結果を、不揮発性のメモリ24に保存されている閾値と比較し、比較の結果に基づいて金属異物が近くにあるか否かを判定する。また、判定部23Bは、上記受電側のQ値と閾値を比較し、金属異物が近くにあるか否かを判定することもできる。メモリ24は、2次側コイルの近傍に何もない又は2次側コイルに何も置かれていない状態で予め測定された1次側Q値の閾値RefQ1を保存している。また、メモリ24は、受電側2次側より取得した2次側Q値の閾値QMaxも保存する。通信制御部25は、1次側通信部の一例であり、後述する受電装置の通信制御部との間で通信を行う。例えば受電装置の2次側コイルを含む共振回路のQ値や電圧V1、電圧V2等を受信するなど、金属異物の検知に係わる情報の送受信を行う。また、メイン制御部23の制御に従い信号源2に交流電圧の発生及び停止を指示したりする。受電装置との通信における通信規格としては、例えばIEEE802.11規格の無線LANやBluetooth登録商標等を使用することができる。なお、1次側コイル15と受電装置の2次側コイルを介して情報を伝送する構成としてもよい。また、通信制御部25を介さず、メイン制御部23から信号源2へ直接指示を出すようにしてもよい。入力部26は、ユーザ操作に応じた入力信号を生成し、メイン制御部23に出力する。なお、本例では、送電装置10に検知回路を内蔵し、1次側のQ値に基づく金属異物の検知と、2次側のQ値に基づく金属異物の検知が可能な構成として説明している。これに限らず、送電装置10が、少なくとも演算処理及び判定処理を行うメイン制御部23と、通信制御部25を備え、受電装置のQ値から金属異物を検知する機能を備えるものであればよい。受電装置の構成例次に、本開示の第1の実施形態例に係る受電装置2次側の構成例を説明する。図6は、携帯機器等に適用される、受電装置の内部構成例を示すブロック図である。このブロック図で示される検知回路により、金属異物を検知する。検知回路が設けられた受電装置は、電磁結合状態検知装置の一例である。検知回路は、検知部の一例であり、本例の受電装置30は、2次側コイル31と、該2次側コイル31と並列に接続されたキャパシタ32を備え、並列接続したコイル31とキャパシタ32の一端がキャパシタ33の一端に接続し、キャパシタ33の他端が整流部34の一の入力端に接続している。また、並列接続した2次側コイル31とキャパシタ32の他端が整流部34の他の入力端に接続している。また、整流部34の一の出力端が第2スイッチ39を介して第1レギュレータ36の入力端に接続し、第1レギュレータ36の出力端は負荷に接続し、整流部34の他の出力端がグラウンド端子に接続している。整流部34の一の出力端には、第2レギュレータ37も接続している。さらに、キャパシタ35と第1スイッチ38が直列に接続され、キャパシタ35の一端が整流部34の一の出力端に接続し、第1スイッチ38の一端が整流部34の他の出力端に接続している。第1レギュレータ36は、出力する電圧や電流を常に一定に保つように制御しており、一例として5Vの電圧を負荷へ供給する。同様に第2レギュレータ37は、一例として3Vの電圧を各スイッチを含む各ブロックへ供給する。キャパシタ33の他端には、第3スイッチ40が接続しており、該第3スイッチ40、抵抗素子52及び増幅器51を介して、交流電源50発振回路と接続している。また、キャパシタ33の他端には、第3スイッチ41を介して増幅器44Aの入力端が接続している。一方、キャパシタ33の一端には、第3スイッチ42を介して増幅器44Bの入力端が接続している。また並列接続した2次側コイル31とキャパシタ32の他端が、第3スイッチ43を介してグラウンド端子に接続している。第1スイッチ38第1切替部の一例,第2スイッチ39第2切替部の一例,第3スイッチ40~43第3切替部の一例は、MOSFET等のスイッチング素子が適用される。増幅器44Aの出力端は、エンベロープ検出部45Aと接続している。エンベロープ検出部45Aは、キャパシタ33の他端から第3スイッチ41及び増幅器44Aを経由して入力される交流信号電圧V1に対応の包絡線を検波し、検波信号をアナログ-デジタル変換器ADC46Aに供給する。一方、増幅器44Bの出力端は、エンベロープ検出部45Bと接続している。エンベロープ検出部45Bは、キャパシタ33の一端から第3スイッチ42及び増幅器44Bを経由して入力される交流信号電圧V2に対応の包絡線を検波し、検波信号をアナログ-デジタル変換器ADC46Bに供給する。ADC46A,46Bの各々は、エンベロープ検出部45A,45Bから入力されるアナログの検波信号をデジタルの検波信号に変換して、メイン制御部47へ出力する。メイン制御部47は、制御部の一例であり、例えばMPUMicroProcessingUnitから構成され受電装置30全体の制御を行う。このメイン制御部47は、演算処理部47Aと判定部47Bとしての機能を備える。メイン制御部47は、第2レギュレータ37から供給される電力を利用して各スイッチMOSFETのゲート端子に駆動信号を供給し、オン/オフを制御するスイッチ切替え機能。演算処理部47Aは、所定の演算処理を行うブロックであり、ADC46A,46Bより入力される検波信号から電圧V1と電圧V2の比、すなわちQ値を計算し、計算の結果を判定部47Bへ出力する。また、演算処理部47Aは、設定に応じて、入力された検波信号の情報電圧値などを送電側1次側へ送信することもできる。また、金属異物の検知処理のときに周波数スイープ処理を実施するスイープ処理機能。判定部47Bは、演算処理部47Aから入力されるQ値を、不揮発性のメモリ48に保存されている閾値と比較し、比較の結果に基づいて金属異物が近くにあるか否かを判定する。後述するように、測定した情報を送電装置10へ送信し、送電装置10で2次側Q値の計算及び金属異物の有無を判定することも可能である。メモリ48は、2次側コイル31の近傍に何もない又は2次側コイル31に何も置かれていない状態で予め測定された、Q値と比較する閾値を保存する。増幅器44A,44B、その後段のエンベロープ検出部45A,45B、ADC46A,46B、メイン制御部47演算処理部47A,判定部47B、メモリ48は、検知回路を構成する要素の一例である。通信制御部49は、2次側通信部の一例であり、送電装置10の通信制御部25との間で通信を行う。例えば受電装置30の2次側コイル31を含む共振回路のQ値や電圧V1、電圧V2等を送信するなど、金属異物の検知に係わる情報の送受信を行う。通信制御部49に適用される通信規格は、送電装置10の通信制御部25に適用される通信規格と同様である。なお、2次側コイル31と送電装置10の1次側コイル15を介して情報を伝送する構成としてもよい。交流電源50は、メイン制御部47の制御信号に基づいてQ値測定時に交流電圧正弦波を発生させ、増幅器51及び抵抗素子52を介してキャパシタ33の他端に供給する。入力部53は、ユーザ操作に応じた入力信号を生成し、メイン制御部47に出力する。[受電装置の動作]上述のように構成された受電装置30の検知回路は、3つのスイッチ群、すなわち第1スイッチ38、第2スイッチ39、第3スイッチ40~43のオン/オフが切り替えられることにより制御される。以下、各スイッチの切り替えに注目して受電装置30の動作を説明する。まず2次側コイル31により送電装置10から受電した電力を、整流部34の後段に設けられたキャパシタ35蓄電部の一例に充電する。キャパシタに充電された電力で動作できる電流値及び時間は式6で決まる。ここで、Cはキャパシタの静電容量値、Vはキャパシタの電圧値、iはキャパシタの電流値、tは時間を表す。すなわち10μFのキャパシタにチャージした電圧値が例えば9Vから4Vに変化するとき、50mAの電流を1msec流すことが可能である。キャパシタの静電容量値が大きければより大きな電流を流すか、または電流を流す時間を延ばすことが可能である。ただし、整流部34の後段に静電容量値の大きなキャパシタ35を入れると、受電装置30と外部装置との通信の際に不具合が発生することも考えられるため、第1スイッチ38で制御することが望ましい。すなわちQ値測定の際にのみ第1スイッチ38のドレイン-ソース間を導通し、キャパシタ35を接続することによってその悪影響を無くすようにする。図7は、実際にキャパシタ35に充電した電圧第1レギュレータ36の入力端電圧が降下していく様子を観測した波形図である。本来、送電装置10のキャリア信号が止まると第1レギュレータ36の入力端電圧は0に落ちるはずであるが、キャパシタ35に蓄積された電荷により電圧降下が緩やかになっていることが確認できる。図7の例では、約1.8msのキャリア停止期間で、第1レギュレータ36の入力端電圧が9.5Vから8.5Vへ徐々に降下している。よって、検知部の消費電流がある程度小さい、かつQ値測定の時間が短ければ、送電装置10からキャリア信号を止めている間にQ値を測定することは可能である。なお、送電装置10から出力するキャリア信号を止める際Q値測定時には、確実に検知部から負荷を電気的に切り離す必要がある。例えば第2スイッチ39にPチャネルMOSFETを用い、受電装置30にキャリア信号が入力するとオフになる制御や、第1レギュレータ36のイネーブル機能を用いて制御すればよい。それ以外のキャパシタ35に充電しているときや、通信制御部49を通じて通信を行っているときは、検知回路から負荷を切り離さなくても問題ない。Q値測定の際には、上述した測定器LCRメータの手法と同じくキャパシタ33の両端の電圧値を測定する。具体的にはキャリア信号を止めたタイミングで第3スイッチ40~43をオンし、交流電源50から出力された正弦波を整流したキャパシタ33の一端及び他端に検出される2つの電圧波形よりQ値を算出する。算出したQ値と予め設定した閾値を比較することにより、金属異物の検知を行う。[非接触電力伝送システムの全体制御]次に、本開示の第1の実施形態に係る非接触電力伝送システムの全体制御処理を説明する。図8は、送電装置10図5参照と受電装置30図6参照を備えて構成される非接触電力伝送システムの給電時における処理を示すフローチャートである。まず送電装置101次側を起動し、受電装置302次側を送電装置10の近くに置くと、送電装置10と受電装置30の間でネゴシエーションを行う。送電装置10と受電装置30が相互に認識した後に給電を開始する。送電装置10又は受電装置30は、給電開始に際してQ値測定を行うが、そのQ値測定の回数が初回であるか否かを判定するステップS1。一例として、送電装置10又は受電装置30の電源が入った直後であれば、各々の装置は、初回のQ値測定であると判定する。あるいは、ネゴシエーションの結果、送電装置10は、受電装置30のID情報識別情報から当該受電装置30が初めての通信相手であるとき、初回のQ値測定であると判定する。または、送電装置10は、ネゴシエーション時に、受電装置30が計算したQ値測定回数の結果を当該受電装置30から受信し、Q値測定の回数を把握するようにしてもよい。さらに他の例として、前回のQ値測定からの経過時間により判断するようにしてもよい。送電装置10及び受電装置30は、図示しない時計部を有し、Q値測定を行ったとき、測定したQ値を測定時刻と対応づけてメモリ24及びメモリ48へ記憶する。そして、前回のQ値測定時刻と今回のQ値測定時刻を比較して、所定値を超える時間差があれば初回のQ値測定であると判断する。Q値測定回数は、例えば周波数スイープを伴うQ値測定を初回とし、これを基準に回数を計算する。なお、前回のQ値測定時に時計部のタイマー機能を起動し、タイマーの経過時間を元に判断するようにしてもよい。そして、初回のQ値測定である場合は、受電装置30は、交流電源50が出力する測定用のテスト信号正弦波に複数の周波数を用いスイープ測定、得られた複数の2次側Q値のうち最も大きいQ値を得るステップS2。Q値が最も大きいときのテスト信号の周波数をメモリに保存しておく。ステップS2の処理の詳細については後述する。Q値を測定するためには共振周波数の正弦波を受電装置30へ入力する必要がある。しかし、受電装置30の部品品質のばらつきや、実装時のコイルと装置内金属例えば筐体との位置関係のばらつき、2次側コイル31の周りの環境、金属異物の混入等でも共振周波数は変化する。そのため共振周波数のずれを考慮し、ある程度の適切なレンジ測定範囲で異なる複数の周波数を用いて測定周波数スイープすることにより、共振周波数を探す必要がある。この周波数スイープに関しては、非接触電力伝送システム全体で考えると、初回のQ値測定では必ず必要であるが、2回目以降は省くことも可能である。2回目以降のQ値測定において周波数スイープを省略できる例としては、送電装置10と受電装置30の位置関係が、初回のQ値測定時と大きく変化していない場合がある。一方、ステップS1の判定処理において初回のQ値測定ではない場合、受電装置30は、1回目のQ値測定で求められた周波数のテスト信号を用いてQ値を得るステップS3。ステップS3の処理の詳細については後述する。送電装置10又は受電装置30は、2次側Q値に基づいて金属異物が存在する可能性があるか否かを判定するステップS4。金属異物が存在する可能性がない場合はステップS6へ進む。一方、ステップS4の判定処理で金属異物が存在する可能性がある場合は、ステップS2へ進み、受電装置30は、テスト信号の周波数スイープを行い、複数の2次側Q値のうち最も大きなQ値を得る。ステップS2の処理が終了後、送電装置10又は受電装置30は、計算により得られた2次側Q値に基づいて金属異物の有無を判定するステップS5。金属異物がある場合は、終了処理ということで給電の強制終了やユーザへの警告を行う。給電の強制処理としては、送電装置10が送電を停止するか、あるいは送電装置が送電を行ったとしても受電装置30が受電を停止する方法がある。上述したステップS2~S5におけるQ値測定は、蓄電部キャパシタ35に充電した電力を利用して行う。例えば周波数スイープの場合、一周波数のテスト信号についてQ値すなわち電圧V1,V2を測定できるだけの電荷をキャパシタ35に充電した後に、Q値測定を行い、再度充電を行い、次の周波数のテスト信号についてQ値を測定することを繰り返す。そして、ステップS5において金属異物がない場合は、送電装置10から受電装置30へ所定の時間の給電を行うステップS6。最後に、受電装置30は、図示しないバッテリー等負荷が満充電されたか否かを判定し、その結果を送電装置10へ通信するステップS7。満充電された場合は、充電処理を終了し、満充電されていない場合は、ステップS1へ移行して上記処理を繰り返す。なお、満充電か否かの判定及び通信は、給電中に行ってもよい。このように、初回のQ値測定のみ周波数スイープを行い、2回目以降は初回で最適とされた周波数のテスト信号のみでQ値測定を行えばよい。ただし、2回目以降で金属異物が存在する可能性があるという判定がなされた場合に、1次側コイルと2次側コイルの位置関係が変化したことによる周波数ずれの可能性があるため、再度周波数をスイープして判定を行う。周波数をスイープしても金属異物があると判定された場合は、給電の強制終了やユーザへの警告を行う。この手法によりQ値測定の時間を大幅に減らすことができる。[1次側で周波数スイープを伴うQ値計算を行う例]次に、1次側でステップ2の周波数スイープを伴うQ値計算を行う場合の処理を説明する。周波数スイープを行うので、初回のQ値測定であると判定されていることが前提である。本処理は、送電装置10が初回のQ値測定であると判定した場合、あるいは受電装置30が初回のQ値測定であると判定してその結果を送電装置10へ送信した場合などが考えられる。図9は、1次側送電装置10において周波数スイープを反映したQ値計算を行う場合の処理を示すフローチャートである。まず、送電装置10のメイン制御部23は、受電装置30のメイン制御部47とのネゴシエーションが終了後、1次側コイル15から電磁波を出力させて受電装置30への送電処理キャリア信号の送信を開始するステップS11。受電装置30のメイン制御部47は、送電装置10が出力する電磁波を2次側コイル31より受信して受電処理を開始するステップS12。送電処理を開始すると、送電装置10のメイン制御部23は、通信制御部25を通じて第1回Q値測定コマンドを受電装置30へ送信するステップS13。受電装置30のメイン制御部47は、通信制御部49を通じて第1回Q値測定コマンドを送電装置10から受信するステップS14。図10は、本開示の第1の実施形態例に係る、非接触電力伝送システムにおける動作タイミングチャートである。本実施形態では、Q値測定処理を行うためのQ値測定期間61-1,61-2,61-3と、電力供給などQ値測定以外の処理を行うための電力供給期間62が交互に設定されている。送電装置10と受電装置30の通信が確立したときに、送電装置10のメイン制御部23が、上記ステップS13における第1回Q値測定コマンドを発行する。第1回Q値測定コマンドは、一例として第1回Q値測定期間61-1の先頭で送信される。第1回Q値測定期間は、充電、周波数f1でQ値測定、充電、周波数f2でQ値測定、、周波数fn-1でQ値測定、充電、周波数fnでQ値測定、充電、1次側に通信の複数の期間に分けられている。受電装置30のメイン制御部47は、これらの複数の期間に対応して、第1スイッチ38、第2スイッチ39及び第3スイッチ40~43のオン/オフを切り替える。以下は、第1スイッチ38、第2スイッチ39及び第3スイッチ40~43の主な切り替えタイミングである。1第1スイッチ38は、Q値測定期間にオンしキャパシタ35を充電、それ以外の期間電力供給期間ではオフする。2第2スイッチ39は、Q値測定期間にオフし、それ以外の期間電力供給期間ではオンする。3第3スイッチ40~43は、Q値測定期間特に電圧V1,V2検出時にオンし、それ以外の期間ではオフする。受電装置30のメイン制御部47は、第1回Q値測定コマンドを受信すると、第1スイッチ38をオンし、整流部34とキャパシタ35を電気的に接続して1次側から受電した電力を充電する。このとき、第2スイッチ39をオフし、キャパシタ35から第1レギュレータ36すなわち負荷を切り離すステップS15。続いて、受電装置30の交流電源50は、メイン制御部47の制御により測定用のテスト信号正弦波を出力する。このときのテスト信号の周波数Freqは初期値f1に設定するステップS16。送電装置10のメイン制御部23は、受電装置30への送電キャリア信号の送信を停止するステップS17。ステップS13の送電開始からステップS17の送電停止までの待ち時間は、少なくともキャパシタ35に所要の電力一周波数でのQ値測定に必要な電力が充電されるのに要する時間と同じかそれ以上である。受電装置30のメイン制御部47は、送電装置10から送電が停止されたことにより、受電を停止するステップS18。ここで、メイン制御部47は、第3スイッチ40~43をオンするステップS19。第3スイッチ40がオンすることにより、交流電源50で発生した周波数f1のテスト信号を、第3スイッチ40を通じてキャパシタ33の他端に供給する。また、第3スイッチ41をオンすることによりキャパシタ33の他端と増幅器44Aの入力端を導通し、第3スイッチ42をオンすることによりキャパシタ33の一端と増幅器44Bの入力端を導通させる。そして、メイン制御部47は、増幅器44A、エンベロープ検出部45A及びADC46Aにより、キャパシタ33の他端の電圧V1を検出し、メモリ48に記録する。同様に、増幅器44B、エンベロープ検出部45B及びADC46Bにより、キャパシタ33の一端の電圧V2を検出し、メモリ48に記録するステップS20。テスト信号の周波数がf1のときの電圧V1,V2を取得した後、メイン制御部47は、第3スイッチ40~43をオフするステップS21。ここで、送電装置10のメイン制御部23は、受電装置30への送電を再び開始するステップS22。ステップS17の送電停止からステップS22の送電開始までの待ち時間は、少なくとも電圧V1,V2を検出及び記録するのに要する時間と同じかそれ以上である。そして、送電装置10のメイン制御部23は、ステップS22で受電装置30への送電を再開した後、キャパシタ35の充電の待ち時間が経過した後にステップS17へ移行し、送電を再び停止する。ステップS22の送電開始からステップS17の送電停止までの待ち時間は、少なくともキャパシタ35に所要の電力が充電されるのに要する時間と同じかそれ以上である。受電装置30のメイン制御部47は、送電装置10の送電が再開されたことを受けて送電装置10からの受電を開始し、キャパシタ35を充電するステップS23。キャパシタ35の充電の待ち時間に、受電装置30の交流電源50は、メイン制御部47の制御に従って次の周波数Freqのテスト信号を出力するステップS24。このときのテスト信号の周波数Freqをf2とする。受電装置30のメイン制御部47は、ステップS24の処理が終了後、キャパシタ35の充電の待ち時間が経過した後にステップS18へ移行し、送電装置10から送電が停止されたことにより、受電を停止する。そして、ステップS19以降の処理を継続し、周波数f2のテスト信号でQ値測定を行い、電圧V1,V2を取得する。ステップS18の受電停止からステップS23の受電開始までの間ステップS19~S21では、検知回路の各ブロックはキャパシタ35に充電された電力だけで動作する。受電装置30のメイン制御部47は、複数の周波数のテスト信号ごとに電圧V1,V2を取得する処理周波数スイープが終了したら、第1スイッチ38をオフし、キャパシタ35を検知回路から切り離すステップS25。続いて、受電装置30のメイン制御部47は、交流電源50を制御してテスト信号の出力を停止するステップS26。そして、受電装置30のメイン制御部47は、送電装置10からの第1回Q値測定コマンドに対する応答を行う。応答として、メモリ48に保存されている金属異物の判定に使用する閾値、複数の周波数のテスト信号を用いて得た測定データ群Freq、V1,V2を、通信制御部49を通じて送電装置10へ返信するステップS27。なお、図9に示すフローチャートでは、キャパシタ35を充電中に第2スイッチ39をオフし、キャパシタ35から第1レギュレータ36負荷を切り離すステップS15参照ようにしたが、キャパシタ35を充電中に負荷に給電を行ってもよい。給電キャパシタ35への充電を停止するのは少なくともQ値測定時特に電圧V1,V2検出時であればよく、通信及びキャパシタ35に充電している間は、給電を継続しても停止してもいずれでもよい。このことは、以下に説明する他のフローチャート図12、図13、図14でも同様である。ステップS27の処理後、送電装置10は、受電装置30から閾値と測定データ群Freq、V1,V2を受信し、メモリ24に保存するステップS28。そして、送電装置10の演算処理部23Aが、式5に基づいて、受電装置30から受信したテスト信号の周波数Freqごとの電圧V1,V2より2次側のQ値を計算し、周波数とQ値のテーブルを作成してメモリ24へ保存する。テスト信号の周波数とQ値の関係をグラフ化すると、図11のように表すことができる。最も大きい2次側のQ値QMaxを決定するステップS29。図11の例では、Q値の周波数特性曲線の極大値付近における、周波数f0のときのQ値がQMaxになる。次に、送電装置10の判定部23Bは、QMaxとメモリ24に保存してある閾値を比較し、QMaxが閾値より低いか否かを判定するステップS30。ステップS30の判定処理において、QMaxが閾値より低い場合は、判定部23Bは、金属異物が有ると判定し図8のステップS5、終了処理を行う。一方、QMaxが閾値より低くはない場合は、判定部23Bは、金属異物は無いと判定し図8のステップS5、ステップS6へ移行する。表2に示した測定結果の場合、金属異物が無いときと有るときで少なくとも25のQ値の変化量がある。そこで、一例として異物金属があるときのQ値から25差し引いた値を閾値としてもよい。この数値は一例であり、受電装置の構造、環境、検知対象の金属異物の大きさや種類などによりQ値の変化量は異なるので、測定対象に応じて適宜設定することが望ましい。[2次側で周波数スイープを反映したQ値計算を行う例]次に、2次側でステップ2の周波数スイープを伴うQ値計算を行う場合の処理を説明する。周波数スイープを行うので、図9のフローチャートと同様に、初回のQ値測定であるという前提である。図12は、2次側受電装置30において周波数スイープを反映したQ値計算を行う場合の処理を示すフローチャートである。図12のステップS41~S56の処理は、図9のステップS11~S26の処理と同じであるので、説明を割愛する。ステップS56においてテスト信号の出力が停止後、受電装置30の演算処理部47Aは、式5に基づいて、テスト信号の周波数Rreqごとの電圧V1,V2より2次側のQ値を計算し、周波数とQ値のテーブルを作成してメモリ48へ保存する。そして、最も大きい2次側のQ値QMaxを決定するステップS57。次に、受電装置30の判定部47Bは、QMaxとメモリ48に保存してある閾値を比較し、QMaxが閾値より低いか否かを判定するステップS58。ステップS58の判定処理において、QMaxが閾値より低い場合は、判定部47Bは、金属異物が有ると判定する。一方、QMaxが閾値より低くはない場合は、判定部47Bは、金属異物は無いと判定する。そして、受電装置30のメイン制御部47は、送電装置10からの第1回Q値測定コマンドに対する応答を行う。応答として、上記異物金属の判定結果を、通信制御部49を通じて送電装置10へ返信するステップS59。送電装置10は、受電装置30から異物金属の判定結果を受信するステップS60。そして、送電装置10の判定部23Bが、受電装置30から受信した異物金属の判定結果を利用して、金属異物の有無を判定するステップS61。ステップS61の判定処理において、判定部23Bは、受信した判定の結果が金属異物有りの場合図8のステップS5、終了処理を行う。一方、受信した判定の結果が金属異物無しの場合図8のステップS5、ステップS6へ移行する。上述のとおり、送電装置101次側でQ値計算する場合も受電装置302次側でQ値計算する場合のいずれも、測定したQ値と比較するための閾値は受電装置30が持っている。送電装置10で計算を行う場合には電圧値と同時に閾値を通信で送る。なぜなら受電装置30は様々な機器が想定され、機器によっても閾値が異なることが予想されるためである。図9に示したように、送電装置101次側でQ値の計算及び金属異物判定を行う場合は、受電装置302次側に演算処理部と判定部のハードウェアを持つ必要がないという利点がある。例えば、受電装置30として用いられる携帯機器の小型化や軽量化、コスト削減が期待できる。一方、図12に示したように、受電装置302次側でQ値の計算及び金属異物判定を行う場合は、受電装置302次側に演算処理部と判定部のハードウェアを持つ必要がある。ただし、金属異物有り又は金属異物無しという判定結果の情報を送電装置101次側へ送るだけなので、情報量が少なく、通信時間の短縮が期待できる。[1次側で2回目以降のQ値計算を行う例]次に、1次側で2回目以降のQ値計算を行う場合の処理を説明する。この例では、周波数スイープを行った後の2回目のQ値測定を行う場合について説明するが、3回目以降のQ値測定においても同様である。図13は、1次側送電装置においてQ値計算を行う場合の処理を示すフローチャートである。図13のステップS71~S85の処理は、図9のステップS11~S26ステップS24を除くの処理に対応しており、以下では図9と図13の間で異なる点を中心に説明する。ステップS71,S72により送電処理を開始すると、送電装置10のメイン制御部23は、通信制御部25を通じて第2回Q値測定コマンドを受電装置30へ送信するステップS73。受電装置30のメイン制御部47は、通信制御部49を通じて第2回Q値測定コマンドを送電装置10から受信するステップS74。第2回Q値測定コマンドは、一例として第2回Q値測定期間61-2図10参照の先頭で送信される。第2回Q値測定期間は、充電、周波数f0でQ値測定、充電、1次側に通信の4つの期間に分けられている。受電装置30のメイン制御部47は、これらの4つの期間に対応して、第1スイッチ38、第2スイッチ39及び第3スイッチ40~43のオン/オフを切り替える。受電装置30のメイン制御部47は、第2回Q値測定コマンドを受信すると、第1スイッチ38をオンし、検知回路にキャパシタ35を接続して充電する。このとき、第2スイッチ39をオフし、第1レギュレータ36すなわち負荷をキャパシタ35から切り離すステップS75。続いて、受電装置30の交流電源50は、メイン制御部47の制御により測定用のテスト信号正弦波を出力する。このときのテスト信号の周波数Freqは、前回の周波数スイープ処理で最も大きなQ値QMaxが得られたときの周波数f0≒共振周波数に設定するステップS76。送電装置10のメイン制御部23は、受電装置30への送電キャリア信号の送信を停止するステップS77。ステップS73の送電開始からステップS77の送電停止までの待ち時間は、少なくともキャパシタ35に所要の電力一周波数でのQ値測定に必要な電力が充電されるのに要する時間と同じかそれ以上である。受電装置30のメイン制御部47は、送電装置10から送電が停止されたことにより、受電を停止するステップS78。ここで、メイン制御部47は、第3スイッチ40~43をオンするステップS79。そして、メイン制御部47は、キャパシタ33の他端の電圧V1を検出し、メモリ48に記録し、同様に、キャパシタ33の一端の電圧V2を検出し、メモリ48に記録するステップS80。テスト信号の周波数がf0のときの電圧V1,V2を取得した後、メイン制御部47は、第3スイッチ40~43をオフするステップS81。ここで、送電装置10のメイン制御部23は、受電装置30への送電を再び開始するステップS82。ステップS77の送電停止からステップS82の送電開始までの待ち時間は、少なくとも電圧V1,V2を検出及び記録するのに要する時間と同じかそれ以上である。図9では、受電装置30への送電を再開した後、キャパシタ35の充電の待ち時間が経過した後に再び送電を停止するが、本例は、テスト信号の周波数がf0のときの測定データが取得できればよいので、再度の送電停止はしない。受電装置30のメイン制御部47は、送電装置10の送電が再開されたことを受けて送電装置10からの受電を開始し、キャパシタ35を充電するステップS83。図9では、キャパシタ35の充電の待ち時間に、次の周波数Freqf2のテスト信号を出力ステップS24参照するが、本例では行わない。受電装置30のメイン制御部47は、テスト信号の周波数がf0のときの電圧V1,V2を取得する処理が終了したら、第1スイッチ38をオフし、キャパシタ35を検知回路から切り離すステップS84。続いて、受電装置30のメイン制御部47は、交流電源50を制御してテスト信号の出力を停止するステップS85。そして、受電装置30のメイン制御部47は、送電装置10からの第2回Q値測定コマンドに対する応答を行う。応答として、メモリ48に保存されている金属異物の判定に使用する閾値、テスト信号の周波数がf0のときの測定データ群f0、V1,V2を、通信制御部49を通じて送電装置10へ返信するステップS86。送電装置10は、受電装置30から閾値と測定データ群f0、V1,V2を受信し、メモリ24に保存するステップS87。そして、送電装置10の演算処理部23Aが、式5に基づいて、受電装置30から受信した周波数f0のテスト信号のときに得られた電圧V1,V2より2次側のQ値を計算するステップS88。次に、送電装置10の判定部23Bは、計算した2次側のQ値とメモリ24に保存してある周波数スイープ時のQMaxを比較し、Q値がQMaxの所定の範囲内にあるかどうかを判定する。具体例としては、Q値がQMaxよりX低いか否かを判定するステップS89。つまり、前回の周波数スイープ時のQMaxを標準Q値として利用し、金属異物の検知を行う。ステップS89の判定処理において、Q値がQMaxよりX以上低い場合は、判定部23Bは、金属異物の可能性が有ると判定し図8のステップS4、ステップS2へ移行する。一方、Q値がQMaxよりX低くはない場合は、判定部23Bは、金属異物は無いと判定し図8のステップS4、ステップS6へ移行する。上記判定処理において、Q値がQMaxよりX以上低い場合に、金属異物の可能性が有ると判定する理由は、既述したように、1次側コイルと2次側コイルの位置関係が変化したことによる周波数ずれの可能性があるからであるつまり、2回目のQ値測定の際に、1回目のQ値測定周波数スイープにより求めた共振周波数f0とずれている可能性がある。したがって、1回目Q値測定周波数スイープで得られた共振周波数f0のときのQ値QMaxと、当該共振周波数f0を用いた2回目Q値測定では、Q値の値が大きく異なる可能性もある。よって、2回目Q値測定においてQ値がQMaxよりX以上低い場合には、金属異物の可能性が有ると判定して、ステップS2へ移行して再度周波数スイープ処理を行い、より確実な金属異物の判定を行う。[2次側で2回目以降のQ値計算を行う例]次に、2次側で2回目以降のQ値計算を行う場合の処理を説明する。この例では、周波数スイープを行った後の2回目のQ値測定の場合について説明する。図14は、2次側受電装置においてQ値計算を行う場合の処理を示すフローチャートである。図14のステップS91~S105の処理は、図13のステップS71~S85の処理と同じであるので、説明を割愛する。ステップS105においてテスト信号の出力が停止後、受電装置30の演算処理部47Aは、式5に基づいて、周波数f0のテスト信号のときに得られた電圧V1,V2より2次側のQ値を計算するステップS106。次に、受電装置30の判定部47Bは、計算した2次側のQ値とメモリ48に保存してある前回の周波数スイープ時のQMax標準Q値を比較し、Q値がQMaxよりX低いか否かを判定するステップS107。ステップS58の判定処理において、Q値がQMaxよりX以上低い場合は、判定部47Bは、金属異物の可能性が有ると判定する。一方、Q値がQMaxよりX低くはない場合は、判定部47Bは、金属異物は無いと判定する。そして、受電装置30のメイン制御部47は、送電装置10からの第2回Q値測定コマンドに対する応答を行う。応答として、上記異物金属の判定結果を、通信制御部49を通じて送電装置10へ返信するステップS108。送電装置10は、受電装置30から異物金属の判定結果を受信するステップS109。そして、送電装置10の判定部23Bが、受電装置30から受信した異物金属の判定結果を利用して、金属異物の有無を判定するステップS110。ステップS110の判定処理において、判定部23Bは、受信した判定の結果が金属異物の可能性有りの場合図8のステップS4、ステップS2へ移行する。一方、受信した判定の結果が金属異物無しの場合図8のステップS4、ステップS6へ移行する。図13及び図14に示すように、1回目のQ値測定金属異物の判定処理で求められた周波数f0とQ値を用い、2回目以降のQ値測定に使うことによって、給電時間に対する異物検出のためのQ値測定時間を短縮することができる図10参照。上述した第1の実施形態によれば、2次側のQ値を異物検出に使用することにより、2次側携帯機器等の金属筺体の影響が排除される。それゆえ、従来のDC-DC効率による異物検知等と比較して、金属異物の検出精度を向上させることが可能となる。また、Q値を測定する都度、キャパシタを充電し、その電力で検出回路を駆動することによって、1次側から2次側に給電が行われない場合に、2次側のバッテリーを利用しなくても、Q値の測定を行うことができる。したがって、2次側に異物金属検知のための大型のバッテリーやその電力を制御するための複雑な回路を必要とせず、携帯機器等の小型化や軽量化、コスト削減が期待できる。また、給電とQ値測定において第3スイッチ40~43を適宜切り替えることにより、Q値測定に使用する2次側の交流電源が出力する測定用信号正弦波信号と、1次側から給電された給電信号とが干渉することを防止して、精度の高いQ値を計算することができる。本実施形態では、Q値測定時に消費される分の電荷を蓄積する蓄電部にキャパシタを利用したが、キャパシタ以外の蓄電手段、例えば小型の二次電池でもよい。[他の共振回路の例]なお、本実施形態では、送電装置10が直列共振回路を備える例を説明したが、共振回路としてその他の共振回路を用いてもよい。図15abにそれぞれ例を示す。図15aの例では、キャパシタ14Bと1次側コイル15の並列共振回路に対し、キャパシタ14Aを直列に接続して共振回路を構成している。また、図15bの例では、キャパシタ14Aと1次側コイル15の直列共振回路に対し、キャパシタ14Bを並列に接続して共振回路を構成している。検知部は、図15abに示す共振回路に得られる、1次側コイル15及びキャパシタ14A間の電圧V1と、1次側コイル15両端の電圧V2を利用して、1次側Q値を計算する。以上、説明した直列共振回路及びその他の共振回路は、一例であり、共振回路の構成をこれらの例に限定するものではない。受電装置30においても送電装置10と同様に、種々の共振回路を適用できる。図6では、図15aに示す共振回路が適用されている。<2.第2の実施形態>第1の実施形態例では、演算処理部23A,47Aは、直列共振回路の1次側コイルとキャパシタ間の電圧V1、送電コイル両端の電圧V2からQ値を求めているが、第2の実施形態例では、半値幅法によりQ値を求める。半値幅法では、直列共振回路を構成した場合において、図16のグラフに示すように共振周波数f0でのインピーダンスZpeakの絶対値に対して√2倍のインピーダンスとなる帯域周波数f1~f2より、式7で求められる。また、並列共振回路を構成した場合では、図17のグラフに示すように共振周波数f0でのインピーダンスZpeakの絶対値に対して1/√2倍のインピーダンスとなる帯域周波数f1~f2より、式7で求められる。<3.第3の実施形態>第3の実施形態例は、第1及び第2の実施形態例と異なり、演算処理部23A,47Aが、共振回路のインピーダンスの実部成分と虚部成分の比からQ値を計算する例である。本例では、自動平衡ブリッジ回路及びベクトル比検出器を用いてインピーダンスの実部成分と虚部成分を求める。図18は、第3の実施形態例に係る、インピーダンスの実部成分と虚部成分の比からQ値を計算するための自動平衡ブリッジの回路図である。図18に示す自動平衡ブリッジ回路70は一般によく知られた反転増幅回路と同様の構成である。反転増幅器63の反転入力端子-にコイル72を接続し、非反転入力端子をグラウンドに接続する。そして帰還抵抗素子74によって反転増幅器73の出力端子より反転入力端子-に負帰還をかける。また、コイル72に交流信号を入力する交流電源71の出力電圧V1と、反転増幅器73の出力電圧V2をベクトル比検出器75に入力する。コイル72は、図5の1次側コイル15又は図6の2次側コイル31に対応する。この自動平衡ブリッジ回路70は、負帰還の作用によって常に反転入力端子-の電圧がゼロになるように動作する。また、交流電源71にからコイル72に流れた電流は、反転増幅器73の入力インピーダンスが大きいことから、ほぼ全てが帰還抵抗素子74に流れ込む。その結果、コイル72にかかる電圧は交流電源71の電圧V1と同じになると共に、反転増幅器73の出力電圧はコイル72を流れる電流Iと帰還抵抗値Rsの積になる。この帰還抵抗値Rsは、既知のリファレンス抵抗値である。したがって、電圧V1と電圧V2を検出してその比をとればインピーダンスが求まる。ベクトル比検出器75は、電圧V1と電圧V2を複素数として求めるため、交流電源71の位相情報一点鎖線を利用する。本例では、このような自動平衡ブリッジ回路70及びベクトル比検出器75などを用いて共振回路のインピーダンスZLの実部成分RL、虚部成分XLを求め、その比からQ値を求める。下記の式8及び式9は、Q値を求める過程を表した計算式である。<4.その他>なお、上述した第1~第3の実施形態例では、磁界共鳴方式の非接触電力伝送システムを想定して説明をした。しかし、本開示は、送電側から受電側に給電が行われないときでも、送電側と受電側との間に存在する金属異物の検出を行い、かつ検出精度を向上させるものである。したがって、磁界共鳴方式に限定されるものではなく、結合係数kを高くしてQ値を低く抑えた電磁誘導方式にも適用可能である。また、受電装置が送電部を有し、2次側コイルを介して送電装置へ非接触で電力を伝送するようにしてもよいし、送電装置が負荷を備え、送電コイルを介して受電装置から非接触で電力の供給を受けるようにしてもよい。なお、上述した第1~第3の実施形態例では、共振周波数におけるQ値を測定しているが、Q値を測定する周波数は共振周波数と必ずしも一致していなくてもよい。共振周波数から許容できる範囲にずれた周波数を用いてQ値を測定した場合でも、本開示の技術を利用することにより、送電側と受電側との間に存在する金属異物の検出精度を向上させることは可能である。また、1次側コイル又は2次側コイルに、金属などの導体が近づくことでQ値だけでなく、L値が変化し共振周波数がずれることになるが、そのL値の変化による共振周波数のずれ量とQ値を併用して、電磁結合している状態を検知してもよい。また、1次側コイルと2次側コイル間に金属異物が挟まれたときに結合係数k値も変化するが、電磁結合している状態を検知するのに、結合係数k値とQ値の変化を併用してもよい。また、本開示の第1~第3の実施形態例では、1次側コイル及び2次側コイルとしてコアを有していないコイルの例を説明したが、磁性体を有したコアに巻きつけられた構造のコイルを採用してもよい。さらにまた、本開示の第1~第3の実施形態例では、2次側の携帯機器に携帯電話機を適用した例を説明したが、この例に限定されることなく、携帯音楽プレーヤ、デジタルスチルカメラ等、電力を必要とする種々の携帯機器に適用できる。なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。12次側コイルを含む共振回路と、前記共振回路のQ値を測定する検知部と、前記2次側コイルが1次側コイルより受電した電力から、前記検知部において前記Q値の測定時に消費する分の電力を充電する蓄電部と、前記1次側コイルからの送電が停止している間に、前記蓄電部に充電された電力を用いて前記検知部を動作させる制御部と、を備える検知装置。2前記制御部は、前記検知部を動作させ、前記共振回路のQ値を測定して前記2次側コイルと外部との電磁結合状態を検知する前記1に記載の検知装置。3前記1次側コイルより受電した電力の前記蓄電部への供給又は停止を切り替える第1切替部と、前記蓄電部と負荷との間に設けられ、前記蓄電部と前記負荷との接続又は切断を切り替える第2切替部と、前記共振回路と前記検知部との接続又は切断を切り替える第3切替部と、を更に備え、前記制御部は、第1切替部を切り替えて前記2次側コイルからの電力を前記蓄電部に供給して、前記蓄電部に充電し、前記検知部において前記Q値の測定時に消費する分の電力を前記蓄電部へ充電した後、前記1次側コイルからの送電が停止している間に、前記第2切替部を切り替えて前記蓄電部と前記負荷を切り離し、かつ前記第3切替部を切り替えて前記共振回路と前記検知部を接続し、前記蓄電部に充電された電力を用いて前記検知部を動作させ、前記共振回路のQ値を測定するべく制御する前記2に記載の検知装置。4前記制御部は、前記Q値の測定が初回であるか否かを判定し、前記Q値の測定が初回である場合、複数の周波数の測定用信号についてQ値を測定し、測定した複数のQ値のうち最大のQ値と閾値を比較し、その比較結果に基づいて前記2次側コイルと外部との電磁結合状態を検知する前記3に記載の検知装置。5前記制御部は、前記Q値の測定が2回目以降である場合、前回のQ値の測定で最大のQ値が得られた周波数の測定用信号を用いてQ値を測定し、今回測定したQ値と閾値を比較し、その比較結果に基づいて前記2次側コイルと外部との電磁結合状態を検知する前記4に記載の検知装置。6前記制御部は、2回目以降のQ値の測定において得られたQ値と、前回のQ値の測定で得た最大のQ値を比較し、今回測定したQ値が前回測定したQ値の所定範囲内にあるかどうかを判定し、所定範囲内にない場合は、複数の周波数の測定用信号についてQ値を測定し、測定した複数のQ値のうち最大のQ値と閾値を比較し、その比較結果に基づいて前記2次側コイルと外部との電磁結合状態を検知する前記5に記載の検知装置。7前記蓄電部で充電する電力は、前記検知部が一つの周波数の測定用信号を用いてQ値の測定を行える電力であり、前記制御部は、前記充電と前記Q値の測定を交互に繰り返すべく、前記第1切替部、第2切替部並びに第3切替部の切り替えを制御する前記3に記載の検知装置。8前記蓄電部は、キャパシタ又は小型の二次電池である前記1に記載の検知装置。92次側コイルと、前記2次側コイルを含む共振回路と、前記共振回路のQ値を測定する検知部と、前記2次側コイルが1次側コイルより受電した電力から、前記検知部において前記Q値の測定時に消費する分の電力を充電する蓄電部と、前記1次側コイルからの送電が停止している間に、前記蓄電部に充電された電力を用いて前記検知部を動作させる制御部と、を備える受電装置。102次側コイルに送電する1次側コイルと、前記1次側コイルに交流信号を供給する送電部と、前記2次側コイルを搭載する受電装置から送信される、前記受電装置のQ値に基づく電磁結合状態を示す信号に基づいて、前記送電部による前記交流信号の供給を制御する制御部と、を備える送電装置。11電力を無線により送電する送電装置と、該送電装置からの電力を受電する受電装置を含んで構成され、前記受電装置は、2次側コイルを含む共振回路と、前記共振回路のQ値を測定する検知部と、前記2次側コイルが1次側コイルより受電した電力から、前記検知部において前記Q値の測定時に消費する分の電力を充電する蓄電部と、前記1次側コイルからの送電が停止している間に、前記蓄電部に充電された電力を用いて前記検知部を動作させる制御部と、を備え、前記送電装置は、前記受電装置の2次側コイルに送電する1次側コイルと、前記1次側コイルに交流信号を供給する送電部と、前記受電装置から送信される、前記受電装置のQ値に基づく電磁結合状態を示す信号に基づいて、前記送電部による前記交流信号の供給を制御する制御部と、を備える非接触電力伝送システム。12非接触電力伝送システムの受電装置が備える共振回路の2次側コイルを通じて送電装置の1次側コイルより受電した電力から、前記受電装置の検知部においてQ値の測定時に消費する分の電力を、前記受電装置の蓄電部に充電すること、前記1次側コイルからの送電が停止している間に、前記蓄電部に充電された電力を用いて前記検知部を動作させ、前記共振回路のQ値を求めるのに必要な物理量を取得すること、前記非接触電力伝送システムの前記受電装置又は前記送電装置により、前記Q値を求めるのに必要な物理量から前記Q値を計算すること、を含む検知方法。上述した一実施の形態例における一連の処理は、ハードウェアにより実行することができるが、ソフトウェアにより実行させることもできる。一連の処理をソフトウェアにより実行させる場合には、そのソフトウェアを構成するプログラムが専用のハードウェアに組み込まれているコンピュータ、または、各種の機能を実行するためのプログラムをインストールしたコンピュータにより、実行可能である。例えば汎用のパーソナルコンピュータなどに所望のソフトウェアを構成するプログラムをインストールして実行させればよい。また、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記録媒体を、システムあるいは装置に供給してもよい。また、そのシステムあるいは装置のコンピュータまたはCPU等の制御装置が記録媒体に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても、機能が実現されることは言うまでもない。この場合のプログラムコードを供給するための記録媒体としては、例えば、フレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、CD-ROM、CD-R、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROMなどを用いることができる。また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した実施の形態の機能が実現される。加えて、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているOSなどが実際の処理の一部又は全部を行う。その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。また、本明細書において、時系列的な処理を記述する処理ステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理例えば、並列処理あるいはオブジェクトによる処理をも含むものである。以上、本開示は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された要旨を逸脱しない限りにおいて、その他種々の変形例、応用例を取り得ることは勿論である。すなわち、上述した各実施形態の例は、本開示の好適な具体例であるため、技術的に好ましい種々の限定が付されている。しかしながら、本開示の技術範囲は、各説明において特に本開示を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。例えば、以下の説明で挙げる使用材料とその使用量、処理時間、処理順序および各パラメータの数値的条件等は好適例に過ぎず、また説明に用いた各図における寸法、形状および配置関係も概略的なものである。"