"第1の電極と;第2の電極と;前記第1の電極と前記第2の電極との間の電荷輸送層とを含む有機電子デバイスであって、前記電荷輸送層が:a共有結合的に架橋したホストマトリックスであって、前記架橋したホストマトリックスの分子サブユニットとして第1の有機電荷輸送化合物を含むホストマトリックスと;b前記架橋したホストマトリックスと同じ種類の電荷を輸送するポリマー化合物である第2の有機電荷輸送化合物とを含む、有機電子デバイス。前記第1の電荷輸送化合物および前記第2の電荷輸送化合物の両方が正孔輸送化合物である、請求項1に記載のデバイス。前記電荷輸送層が正孔輸送層である、請求項2に記載のデバイス。前記ポリマー化合物がトリアリールアミン部分を含む、請求項1に記載のデバイス。前記ポリマー化合物がカルバゾール部分を含む、請求項1に記載のデバイス。前記電荷輸送層と前記第2の電極との間に発光層をさらに含む有機発光デバイスである、請求項1に記載のデバイス。前記発光層がリン光発光ドーパントを含む、請求項6に記載のデバイス。前記発光層が蛍光発光性化合物を含む、請求項6に記載のデバイス。前記電荷輸送層が、前記架橋したホストマトリックスと同じ種類の電荷を輸送する小分子化合物である第3の有機電荷輸送化合物をさらに含む、請求項1に記載のデバイス。前記電荷輸送層が電子輸送層である、請求項1に記載のデバイス。第1の電極と;第2の電極と;前記第1の電極と前記第2の電極との間の正孔輸送層とを含む有機電子デバイスであって、前記正孔輸送層が:a共有結合的に架橋したホストマトリックスであって、前記架橋したホストマトリックスの分子サブユニットとして第1の有機正孔輸送化合物を含むホストマトリックスと;b前記架橋したホストマトリックスと同じ種類の電荷を輸送する第2の有機正孔輸送化合物とを含む、有機電子デバイス。前記第2の正孔輸送化合物が小分子化合物である、請求項11に記載のデバイス。前記第2の正孔輸送化合物がポリマー化合物である、請求項11に記載のデバイス。前記第2の正孔輸送化合物が、前記架橋したホストマトリックスまたは前記第1の正孔輸送化合物よりも高い正孔移動度を有する、請求項11に記載のデバイス。前記第2の正孔輸送化合物がトリアリールアミン部分を含む、請求項11に記載のデバイス。前記第1の正孔輸送化合物がアリールアミン化合物を含む、請求項11に記載のデバイス。前記正孔輸送層が、前記第1の正孔輸送化合物および前記第2の正孔輸送化合物を含有する有機溶液の堆積によって形成される、請求項11に記載のデバイス。前記デバイスが有機発光デバイスであり、前記電荷輸送層と前記第2の電極との間に発光層をさらに含む、請求項11に記載のデバイス。前記発光層がリン光発光ドーパントを含む、請求項18に記載のデバイス。前記発光層が蛍光発光性化合物を含む、請求項18に記載のデバイス。有機電子デバイスの製造方法であって:基板の上に配置された第1の電極を準備するステップと;前記第1の電極の上に:a1つ以上の架橋性反応性基を有する第1の有機電荷輸送化合物、およびb前記第1の電荷輸送化合物と同じ種類の電荷を輸送する第2の有機電荷輸送化合物を含む溶液を堆積させるステップと;前記第1の電荷輸送化合物を架橋させることによって第1の有機層を形成するステップと;前記第1の有機層の上に第2の有機層を形成するステップと;前記第2の有機層の第2の電極を形成するステップとを含む、製造方法。溶媒と;1つ以上の架橋性反応性基を有する第1の有機電荷輸送化合物と;前記第1の電荷輸送化合物と同じ種類の電荷を輸送する第2の有機電荷輸送化合物とを含む、液体組成物。本発明は、有機電子デバイス用の改善された電荷輸送層を提供する。一実施形態においては、本発明は、第1の電極;第2の電極;および第1の電極と第2の電極との間の電荷輸送層を含む有機電子デバイスであって、電荷輸送層が:a架橋ホストマトリックスの分子サブユニットとして第1の有機電荷輸送化合物を含む共有結合的に架橋したホストマトリックス;およびb架橋ホストマトリックスと同じ種類の電荷を輸送するポリマー化合物である第2の有機電荷輸送化合物を含む、有機電子デバイスを提供する。別の一実施形態においては、本発明は、第1の電極;第2の電極;第1の電極と第2の電極との間の正孔輸送層を含む有機電子デバイスであって、正孔輸送層が、a架橋ホストマトリックスの分子サブユニットとして第1の有機正孔輸送化合物を含む共有結合的に架橋したホストマトリックス;およびb架橋ホストマトリックスと同じ種類の電荷を輸送する第2の有機正孔輸送化合物を含む、有機電子デバイスを提供する。別の一実施形態においては、本発明は、有機電子デバイスの製造方法であって:基板の上に配置された第1の電極を提供するステップと;第1の電極の上に、a1つ以上の架橋性反応性基を有する第1の有機電荷輸送化合物と、b第1の電荷輸送化合物と同じ種類の電荷を輸送する第2の有機電荷輸送化合物とを含む溶液を堆積するステップと;第1の電荷輸送化合物を架橋させることによって第1の有機層を形成するステップと;第1の有機層の上に第2の有機層を形成するステップと;第2の有機層の上に第2の電極を形成するステップとを含む、製造方法を提供する。場合によっては、第2の電荷輸送化合物はポリマー化合物である。場合によっては、第2の電荷輸送化合物は小分子化合物である。場合によっては、第1の電荷輸送化合物および第2の電荷化合物の両方が正孔輸送化合物である。場合によっては、有機電子デバイスは有機発光デバイスであり、第2の有機層は発光層である。場合によっては、有機発光デバイスの場合、発光層はリン光発光ドーパントを含む。場合によっては、発光層は蛍光発光性化合物を含む。場合によっては、第2の有機層は第1の有機層の上に直接形成され、第2の有機層を形成するステップは溶液堆積によって行われる。場合によっては、第1の電荷輸送化合物はアリールアミン化合物である。場合によっては、溶液中の第2の電荷輸送化合物の量は、第1の電荷輸送化合物に対して5~30重量である。場合によっては、第1の有機層は正孔輸送層であり、本発明の方法は:第1の電極の上に、架橋有機金属イリジウム錯体を含む架橋正孔注入層を形成するステップをさらに含み;正孔輸送層用の溶液が、架橋正孔注入層の上に直接堆積される。場合によっては、架橋正孔注入層は、第1の電極の上に、1つ以上の架橋性反応性基を有する有機金属イリジウム錯体を含む溶液を堆積するステップと、有機金属イリジウム錯体を架橋させて、架橋正孔注入層を形成するステップとによって形成される。別の一実施形態においては、本発明は、溶媒と;1つ以上の架橋性反応性基を有する第1の有機電荷輸送化合物と;第1の電荷輸送化合物と同じ種類の電荷を輸送する第2の有機電荷輸送化合物とを含む液体組成物を提供する。本発明の液体組成物は、有機電子デバイス中の溶液堆積層の製造に使用することができる。場合によっては、第2の電荷輸送化合物はポリマー化合物である。場合によっては、そのポリマー化合物はトリアリールアミン部分を含む。場合によっては、ポリマー化合物はカルバゾール部分を含む。場合によっては、ポリマー化合物はポリN-ビニルカルバゾールである。場合によっては、第2の電荷輸送化合物は小分子化合物である。場合によっては、第1の電荷輸送化合物および第2の電荷化合物の両方が正孔輸送化合物である。場合によっては、第1の電荷輸送化合物はアリールアミン化合物である。場合によっては、第2の電荷輸送化合物の量は、第1の電荷輸送化合物に対して5~30重量である。場合によっては、第2の正孔輸送化合物はトリアリールアミン部分を含む。一般に、OLEDは、アノードとカソードとの間に配置され、それらに電気的に接続された少なくとも1つの有機層を含む。電流が印加されると、有機層中にアノードは正孔を注入し、カソードは電子を注入する。注入された正孔および電子のそれぞれは、反対に帯電した電極に向かって移動する。電子および正孔が同じ分子上に局在する場合、励起エネルギー状態を有する局在化電子-正孔対である励起子が形成される。光電子放出機構により励起子が緩和するときに光が発せられる。場合によっては、励起子はエキシマーまたはエキシプレックス上に局在化されうる。熱緩和などの非放射機構も生じうるが、一般に望ましくないと考えられる。初期のOLEDでは、たとえば米国特許第4,769,292号明細書この全体が参照により援用されるに開示されるように一重項状態から光を発する蛍光発光分子が使用されていた。蛍光発光は一般に10ナノ秒未満の時間で生じる。より最近では、三重項状態から光を発するリン光発光材料を有するOLEDが実証されている。Baldoetal.,HighlyEfficientPhosphorescentEmissionfromOrganicElectroluminescentDevices,Nature,vol.395,151-154,1998;Baldo-IおよびBaldoetal.,Veryhigh-efficiencygreenorganiclight-emittingdevicesbasedonelectrophosphorescence,Appl.Phys.Lett.,vol.75,No.1,4-61999Baldo-IIこれらの全体が参照により援用される。リン光は、禁制遷移と呼ぶことができるが、その理由は、この遷移はスピン状態の変化が必要であり、量子力学ではこのような遷移が好ましくないことが示されているからである。結果として、リン光は一般に少なくとも10ナノ秒を超え、典型的には100ナノ秒を超える時間で生じる。リン光の自然放射寿命が長すぎると、非放射機構によって三重項が減衰することで全く光が発せられないことがある。有機リン光は、非常に低い温度で非共有電子対を有するヘテロ原子含有分子において観察されることも多い。2,2’-ビピリジンがそのような分子の1つである。非放射減衰機構は、典型的には温度に依存するため、液体窒素温度でリン光を示す有機材料は、典型的には室温ではリン光を示さない。しかしBaldoによって示されているように、この問題は、室温においてリン光を発するリン光化合物を選択することによって対処することができる。代表的な発光層としては、米国特許第6,303,238号明細書および米国特許第6,310,360号明細書;米国特許出願公開第2002/0034656号明細書;米国特許出願公開第2002/0182441号明細書;米国特許出願公開第2003/0072964号明細書;ならびに国際公開第02/074015号パンフレットに記載されているようなドープされたまたはドープされていないリン光有機金属材料が挙げられる。一般に、OLED中の励起子は、約3:1の比、すなわち、おおよそ75の三重項および25の一重項で形成されると考えられている。Adachietal,Nearly100InternalPhosphorescentEfficiencyInAnOrganicLightEmittingDevice,J.Appl.Phys.,90,50482001この全体が参照により援用されるを参照されたい。多くの場合、一重項励起子は項間交差によって容易にエネルギーを三重項励起状態に移動させることができるが、三重項励起子は一重項励起状態に容易にエネルギーを移動させることができない。その結果、リン光性OLEDでは100の内部量子効率が理論的に可能である。蛍光デバイスにおいては、三重項励起子のエネルギーは一般に、デバイスを加熱する無放射減衰過程で失われ、その結果として内部量子効率がはるかに低下する。三重項励起状態から発光するリン光材料を利用したOLEDは、たとえば米国特許第6,303,238号明細書この全体が参照により援用されるに開示されている。リン光の前には、三重項状態から、発光減衰が生じる中間の非三重項状態への遷移が生じうる。たとえば、ランタニド元素に配位した有機分子は、ランタニド金属上に局在化した励起状態からリン光を発することが多い。しかし、このような材料は、三重項励起状態から直接リン光を発するのではなく、その代わりに、ランタニド金属イオン上に中心がある原子励起状態から発光する。ユウロピウムジケトネート錯体は、これらの種類の化学種の1グループの例である。大きな原子番号の原子のごく近傍に、有機分子を好ましくは結合により閉じ込めることによって、三重項からのリン光を蛍光よりも増強させることができる。重原子効果と呼ばれるこの現象は、スピン軌道結合として知られる機構によって生じる。このようなリン光遷移は、トリス2-フェニルピリジンイリジウムIIIなどの有機金属分子の励起金属配位子電荷移動MLCT状態から観察されうる。本明細書において使用される場合、用語三重項エネルギーは、特定の材料のリン光スペクトル中で識別できる最高エネルギー特性に対応するエネルギーを意味する。最高エネルギー特性は、必ずしもリン光スペクトル中で最高強度を有するピークではなく、たとえば、そのようなピークの高エネルギー側の明確な肩の極大値であってよい。本明細書において使用される場合、用語有機金属は、当業者によって一般に理解されている通りのものであり、たとえば、InorganicChemistry2ndEdition,GaryL.MiesslerandDonaldA.Tarr,PrenticeHall1998に記載されている。したがって、有機金属という用語は、炭素-金属結合によって金属に結合した有機基を有する化合物を意味する。この種類自体には、アミン、ハライド、擬ハライドCNなどなどの金属錯体などの、ヘテロ原子からの供与結合donorbondのみを有する物質である配位化合物は含まれない。実際には、有機金属化合物は一般に、有機種への1つ以上の炭素-金属結合に加えて、ヘテロ原子からの1つ以上の供与結合を含む。有機種への炭素-金属結合は、金属と、フェニル、アルキル、アルケニルなどの有機基の炭素原子との間の直接結合を意味し、CNまたはCOの炭素などの無機炭素への金属結合を意味するものでない。図1は有機発光デバイス100を示している。図面は必ずしも縮尺通りには描かれていない。デバイス100は、基板110、アノード115、正孔注入層120、正孔輸送層125、電子障壁層130、発光層135、正孔障壁層140、電子輸送層145、電子注入層150、保護層155、およびカソード160を含むことができる。カソード160は、第1の導電層162および第2の導電層164を有する複合カソードである。デバイス100は、記載の層を順次堆積することによって製造することができる。基板110は、所望の構造特性が得られるあらゆる好適な基板であってよい。基板110は可撓性または剛性であってよい。基板110は、透明、半透明、または不透明であってよい。プラスチックおよびガラスが、好ましい剛性基板材料の例である。プラスチックおよび金属箔が、好ましい可撓性基板材料の例である。基板110は、回路の製造が容易になるようにするために半導体材料であってよい。たとえば、基板110は、シリコンウエハであってよく、その上に回路が製造することで、基板上に後に堆積されるOLEDを制御することができる。他の基板を使用することもできる。基板110の材料および厚さは、所望の構造特性および光学特性が得られるように選択することができる。アノード115は、有機層に正孔を輸送するのに十分に導電性であるあらゆる好適なアノードであってよい。アノード115の材料は、好ましくは約4eVを超える仕事関数を有する高仕事関数材料。好ましいアノード材料としては、インジウムスズ酸化物ITOおよびインジウム亜鉛酸化物IZO、アルミニウム亜鉛酸化物AlZnOなどの導電性金属化合物、および金属が挙げられる。アノード115および基板110は、底面発光デバイスを形成するために十分透明であってよい。好ましい透明基板およびアノードの組み合わせは、市販されている、ガラスまたはプラスチック基板の上に堆積されたITOアノードである。可撓性で透明の基板-アノードの組み合わせが、米国特許第5,844,363号明細書および米国特許第6,602,540号明細書これらの全体が参照により援用されるに開示されている。アノード115は、不透明および/または反射性であってよい。反射アノード115は、デバイスの上面から発せられる光の量を増加させるために、一部の上面発光デバイスに好ましい場合がある。アノード115の材料および厚さは、所望の導電性および光学特性が得られるように選択することができる。アノード115が透明の場合、個別の材料に対して、所望の導電性を得るのに十分な厚さであるが、所望の程度の透明性を得るのに十分な薄さとなる、ある範囲の厚さであってよい。他のアノード材料および構造を使用することもできる。正孔輸送層125は、正孔を輸送可能な材料を含むことができる。正孔輸送層130は、真性ドープされていないであってもよいし、ドープされていてもよい。導電性を向上させるためにドーピングを使用することができる。α-NPDおよびTPDは真性正孔輸送層の例である。pドープされた正孔輸送層の一例は、Forrestらの米国特許出願公開第2003/0230980号明細書この全体が参照により援用されるに開示されるような50:1モル比でm-MTDATAがF4-TCNQでドープされたものである。他の正孔輸送層を使用することもできる。発光層135は、アノード115とカソード160との間に電流が流れる時に発光可能な有機材料を含むことができる。好ましくは、発光層135は、リン光発光材料を含有するが、蛍光発光材料を使用することもできる。リン光材料は、このような材料に関連する発光効率がより高いため好ましい。発光層135は、電子および/または正孔を輸送することができるホスト材料を含むこともでき、ホスト材料は電子、正孔、および/または励起子を捕捉することができる発光材料でドープされ、それによって光電子放出機構を介して励起子は発光材料から緩和する。発光層135は、輸送特性と発光特性とを併せ持つ単一の材料を含むことができる。発光材料がドーパントまたは主成分のいずれであっても、発光層135は、発光材料の発光を調節するドーパントなどの他の材料を含むことができる。発光層135は、所望のスペクトルの光を発することが可能な複数の発光材料を組み合わせて含むことができる。リン光発光材料の例としてはIrppy3が挙げられる。蛍光発光材料の例としてはDCMおよびDMQAが挙げられる。ホスト材料の例としてはAlq3、CBP、およびmCPが挙げられる。発光材料およびホスト材料の例が、Thompsonらに付与された米国特許第6,303,238号明細書この全体が参照により援用されるに開示されている。発光材料は、多数の方法で発光層135中に含めることができる。たとえば、発光小分子は、ポリマー中に混入することができる。これはいくつかの方法によって行うことができ:独立した異なる分子種としてポリマー中に小分子をドープすることによって;またはコポリマーを形成するためにポリマー主鎖中に小分子を混入することによって;またはポリマー上のペンダント基として小分子を結合させることによって行うことができる。他の発光層材料および構造を使用することもできる。たとえば、小分子発光材料はデンドリマーのコアとして存在することができる。多くの有用な発光材料は、金属中心に結合した1つ以上の配位子を含む。有機金属発光材料の光活性特性に配位子が直接寄与するのであれば、その配位子を光活性であると呼ぶことができる。光活性配位子は金属とともに、フォトンが放出されるときに電子が向かっていくまたは離れていくエネルギー準位を提供することができる。他の配位子は補助と呼ぶことができる。補助配位子は、たとえば光活性配位子のエネルギー準位を移動させることなどによって分子の光活性特性を変化させることができるが、補助配位子は、発光に関与するエネルギー準位を直接には提供しない。ある分子中で光活性である配位子が、別の分子中では補助となる場合がある。光活性および補助のこれらの定義は、非限定的な理論として意図される。電子輸送層145は、電子輸送が可能な材料を含むことができる。電子輸送層145は、真性ドープされていないであっても、ドープされていてもよい。導電性を向上させるためにドーピングを使用することができる。Alq3は真性電子輸送層の一例である。nドープされた電子輸送層の一例は、Forrestらの米国特許出願公開第2003/0230980号明細書この全体が参照により援用されるに開示されるような1:1のモル比でLiでドープされたBphenである。他の電子輸送層を使用することもできる。電子輸送層の電荷担体成分chargecarryingcomponentは、カソードから電子輸送層のLUMO最低空分子軌道エネルギー準位に電子を効率的に注入できるように選択することができる。電荷担体成分は、実際に電子を輸送するLUMOエネルギー準位を担う材料である。この成分はベース材料であってもよいし、ドーパントであってもよい。有機材料のLUMOエネルギー準位は、一般にその材料の電子親和力によって特徴付けることができ、カソードの相対電子注入効率は、一般にカソード材料の仕事関数の観点で特徴付けることができる。このことは、電子輸送層および隣接するカソードの好ましい性質が、ETLの電荷担体成分の電子親和力、およびカソード材料の仕事関数の観点で規定できることを意味する。特に、高い電子注入効率を実現するために、カソード材料の仕事関数は、好ましくは、電子輸送層の電荷担体成分の電子親和力よりも、約0.75eVを超えて大きくならず、より好ましくは、約0.5eV以下では大きくならない。同様の考慮が、電子が注入されるあらゆる層に適用される。カソード160は、電子を伝導させ、それらをデバイス100の有機層に注入することができるような当技術分野において周知のあらゆる好適な材料または材料の組み合わせであってよい。カソード160は透明または不透明であってよく、反射性であってよい。金属および金属酸化物が好適なカソード材料の例である。カソード160は単層であってよいし、または複合構造を有することもできる。図1は、薄い金属層162と、より厚い導電性金属酸化物層164とを有する複合カソード160を示している。複合カソード中、より厚い層164に好ましい材料としては、ITO、IZO、および当技術分野において周知の他の材料が挙げられる。米国特許第5,703,436号明細書、米国特許第5,707,745号明細書、米国特許第6,548,956号明細書、および米国特許第6,576,134号明細書これらの全体が参照により援用されるには、Mg:Agなどの金属の薄い層と、その上に重ねられる透明で導電性のスパッタリング堆積されたITO層とを有する複合カソードを含むカソードの例が開示されている。下にある有機層と接触するカソード160の部分は、それが単層カソード160、複合カソードの薄い金属層162、またはその他の部分のいずれであっても、好ましくは約4eV未満の仕事関数を有する材料低仕事関数材料でできている。他のカソード材料および構造を使用することもできる。障壁層は、発光層を離れる電荷担体電子または正孔および/または励起子の数を減少させるために使用することができる。電子が発光層135を離れて正孔輸送層125の方向に向かうのを阻止するために、発光層135と正孔輸送層125との間に電子障壁層130を配置することができる。同様に、正孔が発光層135を離れて電子輸送層145の方向に向かうのを阻止するために、発光層135と電子輸送層145との間に正孔障壁層140を配置することができる。障壁層は、励起子が発光層から拡散するのを阻止するために使用することもできる。障壁層の理論および使用は、Forrestらの米国特許第6,097,147号明細書および米国特許出願公開第2003/0230980号明細書これらの全体が参照により援用されるにより詳細に記載されている。本明細書において使用される場合、当業者によって理解されているように、用語障壁層は、デバイスを通過する電荷担体および/または励起子の輸送を実質的に抑制する障壁を提供する層を意味し、電荷担体および/または励起子を完全に阻止する層を示すものではない。デバイス中にこのような障壁層が存在することで、障壁層を有さない類似のデバイスよりも実質的に高い効率を得ることができる。また、障壁層は、OLEDの所望の領域に発光を制限するために使用することができる。一般に、注入層は、電極または有機層などのある層から隣接する有機層への電荷担体の注入を改善することができる材料で構成される。注入層は、電荷輸送機能を果たすこともできる。デバイス100中、正孔注入層120は、アノード115から正孔輸送層125への正孔の注入を改善するあらゆる層であってよい。CuPcは、ITOアノード115および別のアノードからの正孔注入層として使用できる材料の一例である。デバイス100中、電子注入層150は、電子輸送層145への電子の注入を改善するあらゆる層であってよい。LiF/Alは、隣接する層から電子輸送層への電子注入層として使用できる材料の一例である。他の材料または材料の組み合わせを注入層に使用することもできる。個別のデバイスの構成に依存するが、デバイス100中に示される位置とは異なる位置に注入層を配置してもよい。注入層のより多くの例が、Luらに付与された米国特許第7,071,615号明細書この全体が参照により援用されるに提供されている。ある正孔注入層は、スピンコーティングされたポリマー、たとえばPEDOT:PSSなどのように溶液堆積された材料を含むことができるし、あるいは蒸着された小分子材料、たとえばCuPcまたはMTDATAであってもよい。アノードから正孔注入材料に効率的に正孔が注入されるようにするため、正孔注入層HILはアノード表面を平坦化したり、ぬらしたりすることができる。正孔注入層は、本明細書に記載の相対イオン化ポテンシャルIPエネルギーによって規定されるように、HILの一方の側の隣接アノード層およびHILの反対側の正孔輸送層と好都合に適合するHOMO最高被占分子軌道エネルギー準位を有する電荷担体成分をも有することができる。電荷担体成分は、正孔を実際に輸送するHOMOエネルギー準位を担う材料である。この成分は、HILのベース材料であってよいし、ドーパントであってもよい。ドープされたHILを使用することで、その電気特性のためにドーパントを選択することができ、ぬれ性、可撓性、靭性などの形態学的特性のためにホストを選択することができる。HIL材料に好ましい性質は、正孔をアノードからHIL材料に効率的に注入できるような性質である。特に、HILの電荷担体成分は、好ましくは、アノード材料のIPよりも約0.7eV以下だけ大きいIPを有する。より好ましくは、電荷担体成分は、アノード材料よりも約0.5eV以下だけ大きいIPを有する。同様の考慮が、正孔が注入されるあらゆる層に適用される。HIL材料は、従来の正孔輸送材料の正孔伝導性よりも実質的に低い正孔伝導性を有しうるという点で、HIL材料は、OLEDの正孔輸送層中に通常使用される従来の正孔輸送材料とさらに区別される。本発明のHILの厚さは、アノード層の表面を平坦化したりぬらしたりするのに役立つのに十分な厚さを有することができる。たとえば、非常に平滑なアノード表面の場合、10nmの薄いHIL厚さが許容されうる。しかし、アノード表面は非常に粗くなりやすいため、場合によっては最大50nmのHIL厚さが望ましくなりうる。使用できる正孔注入材料の例を以下の表1に示す。後の製造プロセス中に下方に位置される層を保護するために保護層を使用することができる。たとえば、金属または金属酸化物の上部電極の製造に用いられるプロセスは有機層を損傷することがあり、そのような損傷を軽減または解消するために保護層を使用することができる。デバイス100中、保護層155は、カソード160の製造中に下方に位置される有機層の損傷を軽減することができる。好ましくは、デバイス100の駆動電圧があまり増加しないように、保護層は、輸送する担体の種類デバイス100中の電子に対して高い担体移動度を有する。CuPc、BCP、および様々な金属フタロシアニンが、保護層中に使用できる材料の例である。他の材料または材料の組み合わせを使用することもできる。保護層155の厚さは好ましくは、有機保護層160の堆積後に行われる製造プロセスによる下方に位置される層の損傷がわずかまたはまったくなくなるのに十分な厚さであるが、デバイス100の駆動電圧を大きく増加させるほど厚くはない。導電性を増加させるために保護層155にドープすることができる。たとえば、CuPcまたはBCPの保護層160にはLiをドープすることができる。保護層のより詳細な説明は、Luらに付与された米国特許第7,071,615号明細書この全体が参照により援用されるに見ることができる。図2は反転OLED200を示している。このデバイスは、基板210、カソード215、発光層220、正孔輸送層225、およびアノード230を含む。デバイス200は、記載の層を順次堆積することによって製造することができる。最も一般的なOLEDの構成ではアノードの上にカソードが配置されているが、デバイス200はアノード230の下にカソード215が配置されているので、デバイス200を反転OLEDと呼ぶ場合がある。デバイス100に関して説明した材料と同様の材料を、デバイス200の対応する層中に使用することができる。図2は、デバイス100の構造から一部の層を除外する方法の一例である。図1および2に示される単純な層状構造は、非限定的な例として提供されるものであり、本発明の実施形態を多種多様の他の構造と関連させて使用できることを理解されたい。記載される特定の材料および構造は本質的に例であって、他の材料および構造を使用することもできる。機能するOLEDは、種々の方法で記載の種々の層を組み合わせることによって得ることができるし、あるいは設計、性能、およびコストの要因に基づいて一部の層を完全に省くこともできる。明確に記載されていない他の層を含むこともできる。明確に記載された材料以外の材料を使用することもできる。本明細書において提供される多くの例では単一材料を含むとして種々の層を記載しているが、ホストおよびドーパントの混合物などの材料の組み合わせ、またはより一般的に混合物を使用できることを理解されたい。また、層は種々の副層を有することができる。本明細書において種々の層に与えられている名称は、厳密に限定することを意図したものではない。たとえば、デバイス200中、正孔輸送層225は正孔を輸送して発光層220に正孔を注入するので、正孔輸送層または正孔注入層と記載することができる。一実施形態においては、OLEDは、カソードとアノードとの間に配置された有機層を有するとして説明することができる。この有機層は、単層を含むことができるし、あるいは、たとえば図1および2に関して記載されるような異なる有機材料の複数の層をさらに含むこともできる。Friendらに付与された米国特許第5,247,190号明細書この全体が参照により援用されるに開示されるようなポリマー材料を含むOLEDPLEDなど、明確に記載されていない構造および材料を使用することもできる。さらなる例として、1つの有機層を有するOLEDを使用することができる。たとえばForrestらに付与された米国特許第5,707,745号明細書この全体が参照により援用されるに記載されるように、OLEDを積層することができる。OLED構造は、図1および2に示される単純な層状構造から逸脱してもよい。たとえば、Forrestらに付与された米国特許第6,091,195号明細書この全体が参照により援用されるに記載されるようなメサ構造、および/またはBulovicらに付与された米国特許第5,834,893号明細書この全体が参照により援用されるに記載されるようなピット構造など、光取り出しを改善するための角度の付いた反射面を基板が含むことができる。特に明記しない限り、種々の実施形態のいずれの層も、あらゆる好適な方法によって堆積することができる。有機層の場合、好ましい方法としては、熱蒸着、米国特許第6,013,982号明細書および米国特許第6,087,196号明細書これらの全体が参照により援用されるに記載されるようなインクジェット、Forrestらに付与された米国特許第6,337,102号明細書この全体が参照により援用されるに記載されるような有機気相堆積OVPD、およびShteinらに付与された米国特許第7,431,968号明細書この全体が参照により援用されるに記載されるような有機蒸気ジェット印刷OVJPによる堆積が挙げられる。他の好適な堆積方法としては、スピンコーティングおよび他の溶液系プロセスが挙げられる。溶液系プロセスは、好ましくは窒素雰囲気または不活性雰囲気中で行われる。他の層の場合、好ましい方法としては熱蒸着が挙げられる。好ましいパターニング方法としては、マスクを介した堆積、米国特許第6,294,398号明細書および米国特許第6,468,819号明細書これらの全体が参照により援用されるに記載されるような冷間圧接、ならびにインクジェットおよびOVJPなどの堆積方法の一部と関連するパターニングが挙げられる。他の方法を使用することもできる。堆積される材料は、個別の堆積方法に適合させるために改質することができる。たとえば、溶液処理を行いやすくするために、分岐または非分岐で好ましくは少なくとも3個の炭素を含有するアルキル基およびアリール基などの置換基を小分子中に使用することができる。20個以上の炭素を有する置換基を使用することができるが、3~20個の炭素が好ましい範囲である。非対称構造の材料は、対称構造を有する材料よりも良好な溶液処理性を有する場合があるが、その理由は、非対称材料は再結晶が起こりにくい場合があるからである。小分子の溶液処理を行いやすくするために、デンドリマー置換基を用いることができる。本明細書に開示される分子は、本発明の範囲から逸脱せずに、多数の異なる方法で置換することができる。たとえば、3つの二座配位子を有する化合物に置換基を加えることができ、そのため置換基を加えた後、1つ以上の二座配位子が互いに結合して、たとえば四座または六座配位子を形成する。他のそのような結合を形成することもできる。この種類の結合は、キレート効果と当技術分野に一般に理解されているものであるため、結合のない類似の化合物よりも安定性が増加しうると考えられる。本発明の実施形態により製造されるデバイスは、多種多様な消費者製品に組み込むことができ、たとえばフラットパネルディスプレイ、コンピュータのモニタ、テレビ、広告板、屋内または屋外の照明および/または信号用の光、ヘッドアップディスプレイ、完全透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザープリンタ、電話、携帯電話、携帯情報端末PDA、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダ、ビューファインダー、マイクロディスプレイ、乗り物、大きな面積の壁、映画館または競技場のスクリーン、または標識に組み込むことができる。本発明により製造されたデバイスを制御するために、パッシブマトリックスおよびアクティブマトリックスなどの種々の制御機構を使用することができる。多くのデバイスは、人間が快適な温度範囲、たとえば18~30°C、より好ましくは室温20~25°Cでの使用が意図されている。本明細書に記載の材料および構造は、OLED以外のデバイスでの用途も有しうる。たとえば、有機太陽電池および有機光検出器などの他のオプトエレクトロニクスデバイスに本発明の材料および構造を使用することができる。より一般的には、有機トランジスタなどの有機デバイスに本発明の材料および構造を使用することができる。一態様においては、本発明は、有機電荷輸送層を含む有機電子デバイスを提供する。この電荷輸送層は、共有結合的に架橋したホストマトリックスを含む。共有結合的に架橋したホストマトリックスは、互いに架橋した分子サブユニットとしての電荷輸送化合物を含み、すなわち架橋マトリックスは、電荷輸送化合物を架橋させることによって形成される。分子サブユニットとしての電荷輸送化合物から形成されるので、本発明の架橋ホストマトリックスは、電荷正孔、電子、またはその両方を輸送することができる。言い換えると、本発明の架橋ホストマトリックスが、OLED中の電荷輸送層たとえば、正孔輸送層または電子輸送層用の唯一の材料として使用できる場合、架橋ホストマトリックスによってデバイス中で電荷が伝導し、デバイスが動作する。このことは、電荷移動反応に対して不活性である架橋マトリックスZhouetal,AppliedPhysicsLetters96:013504,2010に記載される不活性架橋ポリマー網目などとは対照的である。不活性架橋マトリックスがOLED中の電荷輸送層用の唯一の材料として使用される場合、その不活性架橋ホストマトリックスは電荷を伝導せず、デバイスは動作しない。電荷輸送層は、添加剤として第2の電荷輸送化合物をさらに含む。この添加電荷輸送化合物は、ホストマトリックスとは独立した別の分子種である。1つの電荷輸送層が形成されるようにホストマトリックスと添加剤とが組み合わされるしかし、これによって、デバイスが1つの電荷輸送層を有することに限定されるものではない。添加剤は、あらゆる好適な方法でホストマトリックスと組み合わせて1つの電荷輸送層を形成することができる。たとえば、添加電荷輸送化合物を架橋ホストマトリックス中に均一または均質に分散させることができるし、または添加電荷輸送化合物を架橋ホストマトリックス中に埋め込むことができるし、または添加電荷輸送化合物を架橋ホストマトリックス中に分離した凝集体たとえばナノ粒子で分散させることができる。本明細書において使用される場合、用語電荷輸送化合物は、比較的高い効率および小さな電荷損失で、電荷担体を受容し、電荷担体を電荷輸送層を介して輸送することができる化合物を意味する。用語電荷輸送化合物は、電荷輸送層中で電荷受容体としてのみ機能するが、電荷を効率的に輸送することはできない化合物を除外することをさらに意図している。電荷輸送化合物は、正孔輸送または電子輸送であってよい。本明細書において使用される場合、用語正孔輸送化合物は、正電荷担体すなわち正孔の受容と、電荷輸送層を介した効率的な正電荷担体の輸送との両方が可能な化合物を意味する。前述の説明のように、用語正孔輸送化合物は、単に正孔受容体として機能するが、正孔を効率的に輸送することはできない化合物を除外することをさらに意図している。本明細書において使用される場合、用語電子輸送化合物は、電子を受容し、電荷輸送層を介して電子を効率的に輸送することが可能な電荷輸送化合物を意味する。前述の説明のように、用語電子輸送化合物は、電荷輸送層中で単に電子受容体として機能するが、電荷輸送層中で単独で使用した場合には効率的に電子を輸送することはできない化合物を除去することをさらに意図している。電荷輸送化合物として有用な化合物は、それらのLUMO/HOMOエネルギー準位によって特徴付けることができる。ある実施形態においては、本発明において使用される正孔輸送化合物は、一般的に使用されるアノード材料ここではITOが参照基準として使用されているが、デバイスはITOアノードを有することに限定されるものではないであるインジウムスズ酸化物ITOの仕事関数と、発光層中のホスト材料のHOMOエネルギー準位との間のHOMOエネルギー準位を有する。たとえば、正孔輸送化合物は、インジウムスズ酸化物ITOの仕事関数よりも大きな負の値のHOMOエネルギー準位より低いエネルギーを有することができ、発光層中のホスト材料のHOMOエネルギー準位よりも小さな負の値より大きなエネルギーを有することができる。正孔輸送層のHOMOエネルギー準位を有機発光デバイス中の他の層に対して調整可能にする方法の一例を図5に示している。図5中、正孔輸送層HTLのHOMOエネルギー準位は、ITOアノードと発光層EML中のホスト材料との間である。HILは正孔注入層である。場合によっては、正孔輸送化合物は、インジウムスズ酸化物ITOの仕事関数よりも少なくとも0.1eVだけ大きな負の値より低いエネルギーであり、発光層中のホスト材料のHOMOエネルギー準位よりも少なくとも0.1eVだけ小さな負の値より高いエネルギーであるHOMOエネルギー準位を有する。添加正孔輸送化合物によって、正孔輸送層中の正孔移動度が改善される。場合によっては、添加正孔輸送化合物は、ホストマトリックス、および/またはホストマトリックスの形成に使用されるホスト正孔輸送化合物よりも高い正孔移動度を有する。正孔伝導度σ=p×e×μ式中、pは正孔密度電界によって輸送される単位体積当たりの自由正孔の数であり、e=1.6×10-19クーロン電荷であり、μは正孔移動度である。したがって、正孔輸送層中の正孔密度を増加させ、それによって伝導度を増加させるために、正孔輸送層はF4-TCNQなどの電子受容体をドープすることができる。しかし、本発明における添加剤として使用される正孔輸送化合物は、正孔密度を増加させるよりも正孔移動度を増加させることによって、正孔輸送層中の伝導度を改善することができる。電荷輸送層中のホストマトリックスまたは添加剤用には、あらゆる好適な電荷輸送化合物を使用することができる。本発明において使用できる正孔輸送化合物の例としては、以下に示すようなα-NPDおよびTPDなどのアリールアミン化合物、ならびにCBPおよびmCPなどのカルバゾール誘導体が挙げられる。本発明における使用に好適な他の正孔輸送化合物の例としては以下の表2に示されるものが挙げられる。ホストマトリックスの形成に使用される電荷輸送化合物は、別の反応性基と共有結合架橋を形成可能な1つ以上の反応性基を有する、またはそのような1つ以上の反応性基を有するように変性される。本明細書において使用される場合、反応性基は、化学反応において別の反応性基と少なくとも1つの共有結合を形成するのに十分な反応性を有するあらゆる原子、官能基、または分子の一部を意味する。架橋は、2つの同一の反応性基または2つの異なる反応性基の間に存在することができる。種々の反応性基が当技術分野において周知であり、アミン類、イミド類、アミド類、アルコール類、エステル類、エポキシド類、シロキサン類、ビニル、およびひずみを有する環化合物から誘導される反応性基が挙げられる。このような反応性基の例としては、オキセタン官能基、スチレン官能基、およびアクリレート官能基が挙げられる。このような架橋性反応性基を有する電荷輸送化合物は、Nuykenetal,DesignedMonomersandPolymers52/3:195-2102002;Bacheretal,Macromolecules32:4551-571999;Bellmannetal,Chem.Mater.10:1668-761998;Domercqetal,Chem.Mater.15:1491-962003;Mulleretal,SyntheticMetals111/112:31-342000;Bacheretal,Macromolecules38:1640-472005;およびDomercqetal,J.PolymerSci.41:2726-322003、米国特許出願公開第2004/0175638号明細書Tierneyらおよび米国特許出願公開第2005/0158523号明細書Guptaら;ならびに米国特許第5,929,194号明細書Wooらおよび米国特許第6,913,710号明細書Farrandらに記載されており、これらすべてが参照により本明細書に援用される。ホストマトリックスの形成に使用すると好適な電荷輸送化合物の非限定的な例としては、アリールアミン類の架橋性誘導体、たとえばTPDまたはα-NPDの架橋性形態が挙げられる。場合によっては、スチリル基を有するアリールアミン誘導体、たとえばN4,N4’-ジナフタレン-1-イル-N4,N4’-ビス4-ビニルフェニルビフェニル-4,4’-ジアミン以下HTL-1と記載するが、中程度の架橋温度であるため、ホストマトリックスの正孔輸送化合物として使用できる。ある実施形態においては、本発明の電荷輸送層は電子輸送層である。このような実施形態においては、架橋ホストマトリックスは、架橋結合を形成可能な1つ以上の反応性基を有するあらゆる好適な電子輸送化合物から形成することができる。このような架橋性電子輸送化合物の例としては以下のものが挙げられる:あらゆる好適な電子輸送添加化合物小分子またはポリマーを架橋電子輸送層中に使用することができる。使用可能な電子輸送添加化合物の例としては、以下の構成ブロックを1つ以上有するものが挙げられる:上記化合物中、R1は、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールアルキル、ヘテロアルキル、アリール、またはヘテロアリールである。Ar1、Ar2、およびAr3は、アリールまたはヘテロアリールである。kは0~20の整数である。X1~X8は、CCHを含むまたはNである。本発明において使用可能な電子輸送添加化合物の別の例としては、2-フェニルベンズイミダゾール部分を有する化合物および以下の表3に示す化合物が挙げられる。架橋は、架橋性電荷輸送化合物を熱および/またはUV光、γ線、またはX線などの化学線に曝露することによって形成することができる。架橋は、熱または放射線照射によって分解して架橋反応を開始するフリーラジカルまたはイオンを生成する開始剤の存在下で行うこともできる。架橋は、デバイスの製造中にその場で行うことができる。架橋した有機層は耐溶剤性となることが分かったたとえばKwongらに付与された米国特許第6,982,179号明細書を参照されたいこれは参照により本明細書に援用される。共有結合的に架橋したマトリックスから形成される有機層は、スピンコーティング、スプレーコーティング、浸漬コーティング、インクジェットなどの溶液処理技術による有機電子デバイスの製造に有用となりうる。溶液処理においては、有機層は溶媒中で堆積される。したがって、多層構造中、下にあるあらゆる層が、その上に堆積される溶媒に対して耐性であることが好ましい。したがって、ある実施形態においては、ホストマトリックス用の電荷輸送化合物の架橋によって、有機層を溶媒に対して耐性にすることができる。したがって、その有機層は、その上に堆積される溶媒による溶解、形態への影響、または劣化が回避されうる。有機層は、トルエン、キシレン、アニソール、ならびにその他の置換芳香族および脂肪族の溶媒などの有機電子デバイスの製造に使用される種々の溶媒に対して耐性となりうる。溶液堆積および架橋のプロセスを繰り返すことで多層構造を形成することができる。前述の説明のように、電荷輸送層は、添加剤として有機電荷輸送化合物すなわち、第1の電荷輸送化合物または共有結合的に架橋したホストマトリックスと同じ種類の電荷を輸送する第2の電荷輸送化合物をさらに含むことができる。場合によっては、この添加電荷輸送化合物は小分子化合物である。たとえば、添加電荷輸送化合物は2,000未満、場合によっては800未満の分子量を有することができる。場合によっては、添加電荷輸送化合物は架橋性ではない架橋性反応性基を全く有さない。場合によっては、添加電荷輸送化合物は有機溶媒に対して比較的低い溶解性を有する。たとえば、添加電荷輸送化合物は、トルエンに対して1重量未満の溶解度を有することができるここではトルエンが参照基準として使用されているが、本発明がトルエンを使用することに限定されるものではない。したがって、本発明は、有機溶媒に対して低い溶解性を有する電荷輸送化合物を、それにもかかわらず溶液処理技術によって堆積することができる。低溶解性添加電荷輸送化合物と、ホスト電荷輸送化合物の架橋とを組み合わせることによって、添加電荷輸送化合物の溶液堆積が実施可能となりうる。場合によっては、添加電荷輸送化合物上には存在しない分子上の1つ以上の架橋性反応性基をホスト電荷輸送化合物が有することを除けば、架橋ホストマトリックスの形成に使用されるホスト電荷輸送化合物と同じ分子構造を添加電荷輸送化合物が有する。たとえば、HTL-1上の架橋性スチリル基の存在を除けば、α-NPDおよび架橋性HTL-1は同じ分子構造を有する。場合によっては、添加電荷輸送化合物はポリマー化合物である。電荷輸送能力すなわち、正孔輸送、電子輸送、またはその両方を有する種々のポリマー化合物が、添加化合物としての使用に好適となりうる。ある実施形態においては、添加ポリマー化合物は、図6Aおよび6BTetrahedron602004pp.7169-7176:Synthesisofacrylateandnorbornenepolymerswithpendant2,7-bisdiarylaminofluorenehole-transportgroupsを参照されたいに示されるようにカルバゾール部分および/またはトリアリールアミン部分を含むことができる。ある実施形態においては、添加ポリマー化合物は、図6C国際公開第99/48160号パンフレットおよび国際公開第03/00773号パンフレットを参照されたい;または図6D米国特許出願公開第2008/0303427号明細書を参照された;または図6E国際公開第09/67419号パンフレットを参照されたい式中、Ar1は、フェニレン、置換フェニレン、ナフチレン、または置換ナフチレンであり;Ar2はアリール基であり;Mは共役部分であり;T1およびT2は独立して、非平面配置で結合する共役部分であり;aは1~6の整数であり;b、c、およびdは、bcd=1.0となるようなモル分率であり、但し、cは0ではなく、bおよびdの少なくとも1つが0ではなく、bが0である場合にはMが少なくとも2つのトリアリールアミン単位を含み;eは1~6の整数であり;nは1を超える整数であるに示される化合物から選択することができる。ある実施形態においては、添加ポリマー化合物は、図6F米国特許出願公開第2006/0210827号明細書を参照されたい;または図6G米国特許出願公開第2008/0217605号明細書を参照されたい式中、各Ar1および各Ar2はアリーレンであり、各Ar3は場合により置換されていてもよいフェニル、たとえば窒素含有ヘテロアリールまたは硫黄含有ヘテロアリール、好ましくは場合により置換されていてもよい2-チエニルである;または図6H特開2005-75948号公報を参照されたいに示される化合物から選択することができる。ある実施形態においては、添加ポリマー化合物は、図6I米国特許出願公開第2006/0058494号明細書を参照されたい式中、Ar1およびAr3のそれぞれは、2~40個の炭素原子を有する芳香族または複素環式芳香族環系であり;Ar2およびAr4のそれぞれは、Ar1、Ar3、あるいはスチルベニレン単位またはトラニレンtolanylene単位であり;Ar-fusは、少なくとも9個、最大40個の原子炭素またはヘテロ原子を共役系に有し、少なくとも2つの縮合環からなる芳香族または複素環式芳香族環系であり;Ar5は、2~40個の炭素原子を有する芳香族または複素環式芳香族環系であり;mおよびnのそれぞれは0、1、または2であるに示されるようなポリフルオレン-トリアリールアミンコポリマーであってよい。ある実施形態においては、添加ポリマー化合物は、図6J米国特許出願公開第2006/0149016号明細書を参照されたい;または図6K国際公開第03/095586号パンフレットを参照されたいに示されるような化合物;あるいは図6Lに示されるようなポリチオフェン誘導体から選択することができる。あらゆる好適な量の添加電荷輸送化合物を電荷輸送層中に使用することができる。好ましくは、添加電荷輸送化合物は、架橋ホストマトリックスに対して1~40重量の範囲の量、より好ましくは5~30重量の範囲の量で存在する。電荷輸送層の堆積に有機溶液が使用される場合、その有機溶液は、ホスト電荷輸送化合物に対して1~40重量の範囲の量、より好ましくは5~30重量の範囲の量で添加電荷輸送化合物を含有することができる。有機溶液中の添加電荷輸送化合物の濃度は1重量未満とすることができる。本発明の電荷輸送層が発光層に直接隣接した位置にある正孔輸送層であり、発光層がホスト材料およびリン光ドーパント材料を含む実施形態においては、場合によっては、正孔輸送層が電子障壁層としても機能する。この正孔輸送層の組成物は、電子障壁機能を有するように選択することができる。場合によっては、この正孔輸送層中の添加化合物は、発光層ホスト化合物のLUMOおよびリン光ドーパント化合物のLUMOのどちらよりも電気陰性が小さいより高いエネルギーのLUMOを有する。場合によっては、添加化合物のLUMOは、発光層中のホスト化合物のLUMOおよびリン光ドーパント化合物のLUMOのどちらよりも少なくとも0.1eVまたは0.2eVだけ電気陰性が小さい。場合によっては、添加化合物は幅広いHOMO-LUMOバンドギャップを有する。たとえば、添加化合物のHOMO-LUMOバンドギャップは少なくとも2.4eVとなることができる。このエネルギー準位構成によって、電子が正孔輸送層中に流れることに対してのエネルギー障壁を得ることができる。この電子障壁機能は、発光層中に電子を閉じ込める機能を果たし、それによってデバイス寿命をさらに延ばすことができるが、その理由は、正孔輸送層中への電子移動によって、デバイス寿命が短縮され正孔輸送層中の正孔輸送機能が妨害されうるからである。ある実施形態においては、本発明のデバイスは、発光層とアノードとの間に正孔注入層を有する。正孔注入層は、あらゆる好適な正孔注入材料を用いて形成することができる。場合によっては、正孔注入層は小分子化合物を含み;場合によっては、小分子化合物は2,000未満の分子量を有する。場合によっては、正孔注入層用の小分子化合物は、真空熱蒸着などの蒸着技術によって堆積される。場合によっては、正孔注入層は、水溶性でない正孔注入材料を含む。正孔注入層用に水溶液中で堆積される水溶性材料PEDOTなどの使用は、リン光OLEDの場合に蛍光OLEDと比較して特に望ましくない場合があり、リン光発光層は、存在しうる残留水または湿気による損傷が特に生じやすい。したがって、場合によっては、正孔注入材料は、有機溶媒に対して可溶性であり、有機溶媒中の溶液処理によって堆積される。場合によっては、正孔注入層は、米国特許出願公開第2008/0220265号明細書参照により本明細書に援用されるに記載される架橋有機金属錯体などの架橋正孔注入材料を含む。このような場合、架橋正孔注入層は、米国特許出願公開第2008/0220265号明細書に記載されるように、架橋性正孔注入材料を含有する溶液を堆積し、その材料を架橋させることによって形成することができる。架橋正孔注入層は、米国特許出願公開第2008/0220265号明細書に記載されるような導電性ドーパントをさらに含むことができる。共有結合的に架橋したマトリックスから形成される正孔注入層は、溶液処理技術による有機デバイスの製造において有用となりうる。多層構造中では、下にあるあらゆる層は、その上に堆積される溶媒に対して耐性であることが好ましい。これによって、上に堆積される溶媒による正孔注入層の溶解、形態への影響、または劣化が生じることなく、正孔注入層上への溶液堆積によって本発明の電荷輸送層を堆積することが可能となる。デバイスがOLEDである実施形態においては、OLEDは蛍光またはリン光発光デバイスであってよい。ある実施形態においては、本発明のデバイスは、ホスト材料とリン光ドーパント材料とを含む発光層を有するリン光OLEDである。ある実施形態においては、本発明のデバイスは、蛍光発光性化合物青色蛍光発光性化合物などを含む発光層を有する蛍光OLEDである。ある実施形態においては、本発明のデバイスは、発光層とカソードとの間に電子輸送層を含む。ある実施形態においては、本発明の電荷輸送層は、2種類以上の添加電荷輸送化合物を有する。たとえば、電荷輸送層は、小分子添加剤とポリマー化合物添加剤とを有することができる。実験本発明の具体的で代表的な実施形態を、そのような実施形態を製造できる方法を含めて、これより説明する。具体的な方法、材料、条件、プロセスパラメーター、装置などは、必ずしも本発明の範囲を限定するものではないことを理解されたい。実施例の有機発光デバイスは、以下に示す化合物のスピンコーティングおよび真空熱蒸着を使用して製造した。デバイスは、アノードとしてのインジウムスズ酸化物ITOがあらかじめコーティングされたガラス基板上に製造した。カソードは、LiF層とそれに続くアルミニウム層であった。デバイスは、製造直後に窒素下<1ppmのH2OおよびO2においてガラス蓋を用いて封入し、エポキシ樹脂で封止した。実施例デバイス1は対照として作製し、実施例デバイス2は実験用デバイスとして作製した。デバイス1および2の両方において、正孔注入材料HIL-1を導電性ドーパント-1とともにシクロヘキサノン溶媒中に溶解させた。溶液中の導電性ドーパント-1の量は、HIL-1に対して10重量であった。HIL-1および導電性ドーパント-1の全体の合計の濃度は、シクロヘキサノン中0.5重量であった。正孔注入層HILを形成するために、この溶液を、パターニングされたインジウムスズ酸化物ITO電極上に4000rpmで60秒間スピンコーティングした。得られた薄膜を250°Cで30分間ベークすると、薄膜が不溶性になった。両方のデバイスで、HILの表面上に、スピンコーティングによって正孔輸送層HTL、次に発光層EMLも形成した。デバイス1の場合、トルエン中の正孔輸送材料HTL-1の0.5重量溶液を4000rpmで60秒間スピンコーティングすることによってHTLを形成した。このHTL薄膜を200°Cで30分間ベークした。ベーク後には、HTLは不溶性薄膜になった。デバイス2の場合、HTL溶液は、HTL-1とトルエン中のNPDとから作製し、全体の合計の濃度は0.5重量であった。NPD量はHTL-1に対して20重量であり、すなわちHTL-1:NPDの比は80:20であった。両方のデバイスで、全体の合計の濃度が0.75重量であり、ホスト-1:ホスト-2:緑色ドーパント-1の重量比が68:20:12であるホスト-1、ホスト-2、および緑色ドーパント-1を含有するトルエン溶液を使用して、EMLを形成した。この溶液を不溶性HTLの表面上に1000rpmで60秒間スピンコーティングし、次に80°Cで60分間ベークして溶媒残留物を除去した。ホスト-2を含有する50Åの正孔障壁層、LG201LGChemicalCorp.より入手可能を含有する電子輸送層、LiFを含有する電子注入層、およびアルミニウム電極カソードを、従来の方法で連続して真空蒸着した。一定DC電流下で駆動させることによって、デバイス性能を試験した。図3は、デバイスの規格化輝度対時間のプロットを示している。図4は、実施例デバイス1および2の輝度の関数としての発光効率のプロットを示している。以下の表4にデバイスの性能をまとめている。寿命LT70初期レベルの70まで明るさが低下するまでに経過する時間によって測定されるは、開始時の明るさ8,000cd/m2において、デバイス1で99時間であり、デバイス2で131時間であった。HTL中にNPD添加剤を有するデバイス2は、HTL中にNPD添加剤を有さない対照デバイス1よりも30長い寿命を有した。さらに、表4に見られるように、NPD添加剤を有するデバイス2は、対照デバイス16.5Vよりも低い駆動電圧6.2Vを必要とし、デバイス2のNPDを添加したHTLを通過する正孔移動度が、デバイス1のHTL添加剤なしを通過する正孔移動度よりも優れていることを示している。さらに、表4に見られるように、デバイス2は、対照デバイス1よりも良好な発光効率で駆動した。この実験の他の注目すべき結果の1つは、NPDを溶液処理によって堆積することでHTLが形成されることである。NPDは一般に使用される正孔輸送化合物であるが、溶解性が比較的低いため、通常は真空熱蒸着によって堆積される。しかし本発明の方法を使用することによって、NPDの溶液堆積が可能となり、優れた性能を有するデバイスが構成された。デバイスの作製に使用した材料:緑色ドーパント-1は、以下に示す化合物A、B、C、およびDの1.9:18.0:46.7:32.8の混合物である。第2の電荷輸送化合物としてポリマー添加剤を含有する架橋正孔輸送層を用いた実施例の有機発光デバイスも作製した。デバイスは、前述の化合物のスピンコーティングおよび真空熱蒸着を用いて作製した。デバイスは、アノードとしてインジウムスズ酸化物ITOがあらかじめコーティングされたガラス基板上に作製した。カソードは、LiF層と、それに続くアルミニウム層であった。デバイスは、製造直後に窒素下<1ppmのH2OおよびO2においてガラス蓋を用いて封入し、エポキシ樹脂で封止した。実施例デバイス3は対照として作製し、実施例デバイス4は実験用デバイスとして作製した。デバイス3および4の両方において、正孔注入材料HIL-1を導電性ドーパント-1どちらも前述の通りであるとともにシクロヘキサノン溶媒中に溶解させた。溶液中の導電性ドーパント-1の量は、HIL-1に対して10重量であった。HIL-1および導電性ドーパント-1の全体の合計の濃度は、シクロヘキサノン中0.5重量であった。正孔注入層HILを形成するために、この溶液を、パターニングされたインジウムスズ酸化物ITO電極上に4000rpmで60秒間スピンコーティングした。得られた薄膜を250°Cで30分間ベークすると、薄膜が不溶性になった。両方のデバイスで、HILの表面上に、スピンコーティングによって正孔輸送層HTL、次に発光層EMLも形成した。対照デバイス3の場合、トルエン中の正孔輸送材料HTL-1前述の0.5重量溶液を4000rpmで60秒間スピンコーティングすることによってHTLを形成した。このHTL薄膜を200°Cで30分間ベークした。ベーク後には、HTLは不溶性薄膜になった。実験デバイス4の場合、HTL溶液は、HTL-1とクロロベンゼン中のPVKポリ-N-ビニルカルバゾールとから作製し、全体の合計の濃度は0.5重量であった。PVK量は、HTL-1に対して20重量であり、すなわちHTL-1:PVKの比は80:20であった。両方のデバイスで、全体の合計の濃度が0.75重量であり、ホスト-1:緑色ドーパント-1の重量比が88:12化合物の構造は前述の通りであるであるホスト-1、および緑色ドーパント-1を含有するトルエン溶液を使用して、EMLを形成した。この溶液を不溶性HTLの表面上に1000rpmで60秒間スピンコーティングし、次に80°Cで60分間ベークして溶媒残留物を除去した。ホスト-2を含有する50Åの正孔障壁層、LG201LGChemicalCorp.より入手可能を含有する電子輸送層、LiFを含有する電子注入層、およびアルミニウム電極カソードを、従来の方法で連続して真空蒸着した。以下の表5に、対照デバイス3架橋HTL中に添加剤を全く含有しないおよびデバイス4架橋HTL中にポリマーPVK添加剤を含有するの性能データをまとめている。寿命LT80初期レベルの80まで明るさが低下するまでに経過する時間によって測定されるは、開始時の明るさ8,000cd/m2において、デバイス3で89時間、デバイス4で164時間であった。この結果によると、HTL中にPVK添加剤を有するデバイス4は、HTL中にPVK添加剤を有さない対照デバイス3よりも約80長い寿命を有した。表5に見られるように、PVK添加剤を有するデバイス4は、対照デバイス36.1Vよりもわずかに高い電圧6.3Vを必要とした。小分子電荷輸送化合物およびポリマー電荷輸送化合物の両方を添加剤として含有する架橋正孔輸送層を用いた実施例の有機発光デバイスも作製した。実施例デバイス5および6の場合、アノード、カソード、および正孔注入層は、デバイス3および4に関して前述した方法と同じ方法で作製した。デバイス5の場合、クロロベンゼン中の正孔輸送材料HTL-1の0.5重量溶液を4000rpmで60秒間スピンコーティングすることによってHTLを形成した。このHTL薄膜を200°Cで30分間ベークした。ベーク後には、HTLは不溶性薄膜になった。デバイス6の場合、HTL溶液は、HTL-1と、添加剤としてのクロロベンゼン中の小分子化合物NPDおよびポリマー化合物PVKとから作製し、全体の合計の濃度は0.5重量であった。HTL-1:NPD:PVKの重量比は70:10:20であった。図7は、デバイスの輝度規格化済み対時間のプロットを示している。以下の表6は、対照デバイス5架橋HTL中に添加剤を全く含有しないおよびデバイス6架橋HTL中にNPDおよびPVKの両方を添加剤として含有するの性能データをまとめている。寿命LT80初期レベルの80まで明るさが低下するまでに経過する時間によって測定されるは、開始時の明るさ8,000cd/m2において、デバイス5で100時間、デバイス6で130時間であった。この結果によると、HTL中にNPDおよびPVKの添加剤を有するデバイス6は、HTL中に添加剤を全く含有しない対照デバイス5よりも約30長い寿命を有した。表6に見られるように、NPDおよびPVKの添加剤を含有するデバイス6は、対照デバイス5と同じ電圧5.9Vを必要とし、同様の効率約41.5cd/Aを有した。本明細書に記載の種々の実施形態は、単なる例であって、本発明の範囲の限定を意図したものではないことを理解されたい。たとえば、本明細書に記載の多くの材料および構造は、本発明の意図から逸脱しない他の材料および構造と置き換えることができる。本発明が機能する理由に関する種々の理論は、限定を意図したものではないことを理解されたい。たとえば、電荷輸送に関する理論は、限定を意図したものではない。材料の定義:本明細書において使用される場合、略語は以下の材料を意味する:CBP:4,4’-N,N-ジカルバゾール-ビフェニルm-MTDATA:4,4’,4’’-トリス3-メチルフェニルフェニルアミノトリフェニルアミンAlq3:アルミニウムIIIトリス8-ヒドロキシキノリンBphen:4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンn-BPhen:nドープされたBPhenリチウムでドープされるF4-TCNQ:テトラフルオロ-テトラシアノ-キノジメタンp-MTDATA:pドープされたm-MTDATAF4-TCNQでドープされるIrppy3:トリス2-フェニルピリジン-イリジウムIrppz3:トリス1-フェニルピラゾロト,N,C2’イリジウムIIIBCP:2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンTAZ:3-フェニル-4-1’-ナフチル-5-フェニル-1,2,4-トリアゾールCuPc:銅フタロシアニンITO:インジウムスズ酸化物NPD:N,N’-ジフェニル-N-N’-ジ1-ナフチル-ベンジジンTPD:N,N’-ジフェニル-N-N’-ジ3-トリル-ベンジジンBAlq:アルミニウムIIIビス2-メチル-8-ヒドロキシキノリナト4-フェニルフェノレートmCP:1,3-N,N-ジカルバゾール-ベンゼンDCM:4-ジシアノエチレン-6-4-ジメチルアミノスチリル-2-メチル-4H-ピランDMQA:N,N’-ジメチルキナクリドンPEDOT:PSS:ポリスチレンスルホネートPSSを有するポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンの水性分散体"