"基板上に実装された素子部品を外部から遮蔽するシールドケースのプリント基板との接合部に導電性バンプを形成する工程と、該導電性バンプを前記シールドケースの上から加熱加圧して前記プリント基板上に形成したグランド回路と接続する工程とを有し、該シールドケースと該プリント基板が熱硬化性接着剤を介して接着、導通されることを特徴とする電子部品の製造方法。前記シールドケースが、電鋳法によって形成された複数のシールドケース集合体であって、縦m個×横n個m、nは、それぞれ独立に、2以上の整数を表すからなる該シールドケース集合体を、板チョコ状に並べてなり、それらを前記プリント基板に実装して遮蔽された電子部品集合体を作製後、該遮蔽された電子部品集合体を個片に切り分けることを特徴とする請求項1記載の電子部品の製造方法。前記シールドケースが、銅、ニッケル、銅合金又はニッケル合金であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品の製造方法。前記ニッケル合金が、ニッケル-リン、ニッケル-マンガン、ニッケル-コバルト、又はニッケル-鉄であることを特徴とする請求項3に記載の電子部品の製造方法。前記シールドケースの厚さが0.03~0.08mmであり、内側の高さが0.1~1.5mm、天板の一辺の長さが0.2~15mmであることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の電子部品の製造方法。前記シールドケースの接地部表面が、金、銀、又は錫めっき処理されてなることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の電子部品の製造方法。前記導電性バンプがメッキバンプ、スタッドバンプ、印刷バンプのいずれかであることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の電子部品の製造方法。前記熱硬化性接着剤が、Aエポキシ樹脂、Bエポキシ樹脂硬化剤、C硬化促進剤、D合成ゴム及びE無機フィラーを必須成分としてなり、それらを絶縁性フィルム基材に塗布、乾燥して半硬化させたシート状熱硬化性接着剤であることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の電子部品の製造方法。本発明は、このような状況下になされたものであって、シールドケースとプリント基板上に形成されたグランド回路との接続信頼性が高くかつ反りの少ない電子部品の製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、電鋳法により形成されたシールドケースのプリント基板との接合部に、導電性バンプを形成し、熱硬化性接着剤を介して、該導電性バンプをシールドケースの上から加熱加圧して、該シールドケースと該プリント基板を接着することで、該シールドケースと該プリント基板のグランド回路が良好に接合し、かつ反りの少ない電子部品が得られることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、以下のシールドケースで遮蔽された電子部品の製造方法を提供するものである。1基板上に実装された素子部品を外部から遮蔽するシールドケースのプリント基板との接合部に導電性バンプを形成する工程と、該導電性バンプを前記シールドケースの上から加熱加圧してプリント基板上に形成したグランド回路と接続する工程とを有し、該シールドケースと該プリント基板が熱硬化性接着剤を介して接着、導通されることを特徴とする電子部品の製造方法。2前記シールドケースが、電鋳法によって形成された複数のシールドケース集合体であって、縦m個×横n個m、nは、それぞれ独立に、2以上の整数を表すからなる該シールドケース集合体を、板チョコ状に並べてなり、それらを前記プリント基板に実装して遮蔽された電子部品集合体を作製後、該遮蔽された電子部品集合体を個片に切り分けることを特徴とする上記1に記載の電子部品の製造方法。3前記シールドケースが、銅、ニッケル、銅合金又はニッケル合金であることを特徴とする上記1又は2に記載の電子部品の製造方法。4前記ニッケル合金が、ニッケル-リン、ニッケル-マンガン、ニッケル-コバルト、又はニッケル-鉄であることを特徴とする上記3に記載の電子部品の製造方法。5前記シールドケースの厚さが0.03~0.08mmであり、内側の高さが0.1~1.5mm、天板の一辺の長さが0.2~15mmであることを特徴とする上記1~4いずれかに記載の電子部品の製造方法。6前記シールドケースの接地部表面が、金、銀、又は錫めっき処理されてなることを特徴とする上記1~5のいずれかに記載の電子部品の製造方法。7前記導電性バンプがメッキバンプ、スタッドバンプ、印刷バンプのいずれかであることを特徴とする上記1~6のいずれかに記載の電子部品の製造方法。8前記熱硬化性接着剤が、Aエポキシ樹脂、Bエポキシ樹脂硬化剤、C硬化促進剤、D合成ゴム及びE無機フィラーを必須成分としてなり、それらを絶縁性フィルム基材に塗布、乾燥して半硬化させたシート状熱硬化性接着剤であることを特徴とする上記1~7のいずれかに記載の電子部品の製造方法。本発明によれば、シールドケースとプリント基板上に形成されたグランド回路との接続信頼性の高い電子部品の製造方法を提供することができる。また、シールドケースとプリント基板が熱硬化性接着剤を介して接合されていることから、両者の線膨張係数の差を熱硬化性接着剤層で吸収することで反りの発生が抑制された電子部品が得られる。さらに、多数のプリント基板に対応する素子部品を実装した素子部品集合体とし、該素子部品集合体にシールドケース集合体を実装することで効率良くかつ低コストで、電子部品を製造する方法を提供することができる。本発明の電子部品の製造法は、基板上に実装された素子部品を外部から遮蔽するシールドケースのプリント基板との接合部に導電性バンプを形成する工程と、該導電性バンプを前記シールドケースの上から加熱加圧してプリント基板上に形成したグランド回路と接続する工程とを有し、該シールドケースと該プリント基板がバンプ貫通孔を有する熱硬化性接着剤を介して接着、導通されることを特徴とする。まず、本発明の電子部品の製造方法について詳細に説明する。シールドケース本発明で使用されるシールドケースは素子部品等を外部からの電磁波ノイズまたは粉塵等から保護するものである。シールドケースの材料は、銅、ニッケル、銅合金又はニッケル合金であることが好ましく、特に銅、ニッケル、あるいはニッケル-リン、ニッケル-マンガン、ニッケル-コバルト、ニッケル-鉄であることが好ましい。これらの金属を使用することにより、良好な機械的強度やシールド性が得られる。本発明で使用されるシールドケース集合体は、板金の絞り加工や曲げ加工で製造するには、機械的強度、寸法精度、コスト及び生産性の面で不利なため、金属製品の複製法の一つである電鋳法によって製造するのが好ましい。この場合、シールドケース集合体の型となる母型の表面に、電気化学反応により、所定の厚さで金属を電着層として還元析出させた後、この電着層を母型から剥離することによって製造する。この電鋳法において使用する母型材料については、特に限定されないが、銅、ニッケル、クロム、真鍮などがあり、離型皮膜の形成方法としては、複素環式チアジアゾール誘導体を含む溶液に母型を浸潰したあとに電気めっきを施す方法や、クロム酸溶液に浸漬してクロム酸皮膜を形成させる方法がある。また、抜き勾配を付ける場合は10~20°が好ましい。本発明で使用されるシールドケース集合体の製造条件については、電着金属の種類によって適宜選定される。例えば、ニッケル電着では、塩化ニッケル浴、硫酸ニッケル浴、スルファミン酸ニッケル浴、ホウフッ化ニッケル浴などが一般に用いられ、電流密度は2.5~15A/dm2の範囲で適宜調整し、通常1~2.5時間通電して製造する。さらに、当該シールドケース集合体は接地部表面に、金、銀、または錫めっき処理することが好ましい。このような表面処理を施すことによりシールドケース集合体とプリント基板との接続安定性が良好になる。シールドケースの厚さは、0.03mm~0.08mmが好ましい。0.03mm以上であると強度が保たれ、作業性が良くなり、0.08mm以下であると重量や材料コストの観点から好ましい。シールドケースの寸法は、特に限定されないが、搬送装置及びシールドケースの機械的強度を考慮した場合、内側の高さが0.1mm~1.5mmであることが好ましく、天板の一辺の長さは0.2mm~15mmであることが好ましい。また、個々のシールドケースの形状が平面図において円形である場合は、上記一辺の長さは直径と読み替えられる。また、本発明で使用されるシールドケースは縦m個×横n個m、nは、それぞれ独立に2以上の整数を表すのシールドケースの集合体を、板チョコ状に規則的に並べてなる多数個取り金属製シールドケース集合体としてもよい。ここでm、nの数は好ましくは2~100であり、2以上であると生産性に寄与し、100以下であると位置合わせが良好にできるため好ましい。個々のシールドケースの形状は、平面図において円形でも正方形でも良く、特に限定されない。また、隣接する個々のシールドケースの問隔は0.3mm以上であることが好ましく、後述する電鋳法によるシールドケース集合体の製造において、母型からの剥離及び導電性バンプの形成が容易となるため好ましい。前記間隔は、コスト、生産性の観点から最大1mm程度とするのが好ましい。次に、本発明で使用されるシールドケースに導電性バンプを形成する方法について説明する。導電性バンプの形成方法本発明で使用される導電性バンプの形成方法については、特に限定されないが、所定の位置に予めバンプ形状を加工した電着型を使用することにより、シールドケース作製時に一体で金属バンプも形成することができる。特に、このように電着型にバンプ形状を加工することにより、工程数削減のみならず、均一な高さのバンプが得られ、さらに形状が応力吸収構造となることから良好な接続信頼性が得られる。その他、メッキバンプやワイヤボンディングを応用したスタッドバンプなどの金属製バンプ、導電性ペーストからなる印刷バンプ等の公知な形成方法が使用できる。例えば、メッキバンプは、シールドケースの表面にフォトレジスト膜を塗布し、メッキバンプを形成する位置に開口部を備えたレジストパターンを露光、現像により作製し、このレジストパターンをマスクとして無電解Niメッキを施し、さらにその表面に金メッキを施すことで形成する。また、ワイヤボンディングを応用したスタッドバンプ形成方法としては、スタッドバンプボンディング法として知られているように、キャピラリーから導出したスタッドバンプ用ワイヤーの先端に膨頭部を形成した後、キャピラリーによって膨頭部をシールドケース表面のバンプ接地箇所に押し当ててベース部を形成し、キャピラリーでベース部の上部を水平方向に馴らした後、スタッドバンプ用ワイヤを切断してスタッドバンプを形成する。導電性ペーストからなる印刷バンプの形成は、メタルマスクを用いた印刷法により行われる。導電性ぺーストは、バインダーとなる合成樹脂に導電性粉末を配合したものであり、バインダーとなる合成樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるいはこれらの混合樹脂が使用でき、導電性粉末としては、金粉末、銀粉末、銅粉末、はんだ粉末、ニッケル粉末、カーボン粉末または表面に導電性物質層を有する粉末等が挙げられる。なかでも、銀粉末とメラミン樹脂、フェノール樹脂とエポキシ樹脂メラミン樹脂:フェノール樹脂:エポキシ樹脂=5:5:1質量比、さらに硬化剤、酢酸ジエチレングリコールモノブチルエーテルを主成分とする銀ペーストが好ましく用いられる。公知な手法として、前記銀ペーストを使用した、B2it登録商標、BuriedBumpInterconnectionTechnology、株東芝法が挙げられる。次に、本発明で使用される熱硬化性接着剤について説明する。熱硬化性接着剤本発明で使用される熱硬化性接着剤は液状で、又はシート状にして使用するが、特に、作業性及び接続信頼性の点でシート状熱硬化性接着剤として、好ましく使用される。本発明で使用されるシート状熱硬化性接着剤以降、熱硬化性接着シートとするは、Aエポキシ樹脂、Bエポキシ樹脂硬化剤、C硬化促進剤、D合成ゴム及びE無機フィラーを必須成分としており、メチルエチルケトン、メチルセロソルブなどの好適な有機溶剤で希釈してワニスとなし、フィルム基材に塗布、乾燥して半硬化させることにより製造する。熱硬化性接着剤をフィルム基材に塗布乾燥するにあたっては、乾燥温度は、80~180°Cの温度が好ましい。フィルム基材としては、通常離型フィルムとして使用されているフィルム基材であれば、特に制限はなく、例えば、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン等が挙げられる。熱硬化性接着シートの厚さは5~25μmが好ましく、5μm以上であると接着力が保たれ、25μm以下であると接続の信頼性の低下がなく、電磁波漏洩もないため好ましい。本発明で使用されるAエポキシ樹脂としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を使用することができる。例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などが挙げられ、これらは、単独または2種以上混合して使用できる。特に、ビフェニル骨格、ナフタレン骨格などを含有するエポキシ樹脂は、樹脂組成物の難燃性、寸法安定性の向上のために、好ましく使用できる。また、樹脂割れやフィルムからの剥離がなく、Bステージでの取り扱い性向上のためには、液状エポキシ樹脂を好ましく使用できる。本発明で使用されるBエポキシ樹脂硬化剤としては、通常エポキシ樹脂の硬化剤に使用されている化合物であれば、特に制限なく使用できる。例えば、アミン系硬化剤としては、ジシアンジアミド、芳香族ジアミンなどが挙げられ、フェノール系硬化剤としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、トリアジン変性ノボラック樹脂などが挙げられ、これらは単独または2種以上混合して使用できる。特に、ビフェニル骨格、ナフタレン骨格などを含有するノボラック系硬化剤は、樹脂組成物の難燃性、寸法安定性の向上のために、好ましく使用できる。また、Bステージでの取り扱い性向上のためには、液状ノボラック樹脂、液状芳香族ジアミンなどを好ましく使用できる。本発明で使用されるC硬化促進剤としては、通常エポキシ樹脂の硬化促進剤に使用されている化合物であれば、特に制限なく使用できる。例えば、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-べンジル-2-メチルイミダゾールなどのイミダゾール類、三フッ化ホウ素アミン錯体、トリフェニルホスフィンなどが挙げられ、これらは単独または2種以上混合して使用できる。本発明で使用されるD合成ゴムとしては、例えば、アクリルゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンメチルアクリレートアクリロニトリルゴム、ブタジエンゴム、カルボキシル基含有アクリロニトリルブタジエンゴム、ビニル基含有アクリロニトリルブタジエンゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム、ポリビニルブチラール等が使用される。これらは単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。このD合成ゴムの配合量は、A~D成分の合計量100質量部に対し、好ましくは、10~30質量部、より好ましくは、15~25質量部である。配合量が10質量部以上では、接着力が十分に得られ、30質量部以下では、接着層の耐熱性、熱膨張孫数及び電気的な接続信頼性が維持できる。本発明で使用されるE無機フィラーとしては、特に限定されないが、シリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムなどが好ましく用いられ、これらは単独または2種以上混合して使用できる。E無機フィラーの配合により、寸法安定性が向上する。E無機フィラーの配合量は、組成物中の全固形分量を基準として、5~30質量の範囲が好ましく、10~20質量の範囲がより好ましい。配合量が5質量以上では、十分な寸法安定性が得られ、30質量以下では、耐クラック性が維持できる。シールドケースの実装方法図1は本発明の方法により製造された電子部品の一例を模式的に示す断面図である。図2は図1A部の拡大図であり、本発明の方法に従った製造工程の一例を工程順に示す説明図である。まず、図21から4により本発明の電子部品の製造方法実装方法を説明する。図21に示すように、シールドケース1のプリント基板接合部に当接する位置に導電性バンプ2を形成する。導電性バンプ2は高さ、直径共に0.1~0.5mmであることが好ましい。直径が0.1mm以上であると接続不良がなく、0.5mm以下であると圧縮による変形でバンプが広がりすぎることもなく、絶縁性が阻害されることもない。バンプの設置個数は、シールドケースの形状や大きさに応じて設定されるが、設置間隔が1mm以上であることが好ましい。バンプの配列については直線状、または千鳥状など特に限定されないが、多数個取りのシールドケース集合体の場合は千鳥状に配列することにより安定した接地が得られるため好ましい。また、シールドケース1の接地部表面は、導電性バンプ2と前記シールドケース1との接続信頼性向上のため金、銀、又は錫めっき処理されてなることが好ましい。次に、シールドケース1に形成した導電性バンプ2とグランド回路5の間に熱硬化性接着シート3を配置する。図22には熱硬化性接着シート3を使用した例を示した。熱硬化性接着シート3には、導電性バンプ2の当接部にバンプ貫通孔4を穿設しておき、該バンプ貫通孔4と前記導電性バンプ2を位置合わせして仮付けしておく。孔径はバンプ径より0.05~0.1mm程度大きい孔が好ましい、これにより、接合時に孔内に均一に導電性バンプ2が広がり信頼性の良好な接地が得られる。ここで、熱硬化性接着シート3にバンプ貫通孔4を穿設せずに、予め導電性バンプ2で熱硬化性接着シート3を貫通させておいても良い。この場合は80°C~150°Cで線圧2~200N/cmの条件で熱硬化性接着シート3をシールドケース1に形成した導電性バンプ2を当接することで貫通することができる。また、後述する本実施例では熱硬化性接着シートの例を示したが、液状樹脂を使用する場合は、予めシールドケース1とグランド回路5の接着面にディスペンサー等を用いて、熱硬化性接着剤を塗布、乾燥しておき、その後導電性バンプ2を当接する。次に、図23に示すように、シールドケース1の上から熱圧着ツール7により加熱加圧して、シールドケース1とプリント配線基板6とを接着させ、シールドケース1とグランド回路5とを接続する。加熱温度150~200°C、圧力1~10MPa、加熱加圧時間1~10分間が好ましい。シールドケース1が熱圧着された電子部品は、必要に応じて140~180°Cで1~2時間アフターキュアーを行う。図24は実装後の接合部の断面を示す。電子部品の製造方法次に、本発明による多数個取りの場合の、電子部品の製造方法について説明する。図3は、本発明の方法において、多数個からなる素子部品へのシールドケースの実装及び個片に切り分けるまでの製造工程の一例を工程順に示す説明図である。また、図4は、本発明の方法において、板チョコ状に並べられた素子部品にシールドケースを実装した後個片に切り分ける前の電子部品集合体の斜視図である。まず、図3aに示すように、素子部品8を実装したプリント基板6の所定に位置に、導電性バンプ2を形成した面に熱硬化性接着シート3を仮付けしたシールドケース1を当接する。次いで、図3b、cに示すように、熱圧着ツール7でシールドケース1の接地部分バンプ形成部を加圧、加熱してプリント基板6に接着する。次いで、図3d及び図4に示すように,隣接する電子部品10の中問部分で個片に切り分けることにより、図1に示す電子部品を多数個得ることができる。本発明で使用される素子部品としては、具体的には、MEMSマイクロフォン、MEMS加速度センサー、水晶振勤子、無線モジュール、タイムベースモジュール、セラミックレゾネータ、ブルートゥースモジュール等が挙げられる。次に、本発明を実施例及び比較例により、具体的に説明するが、本発明はこの実施例によってなんら限定されるものではない。実施例1等間隔に縦14個×横18個の凸部幅2.6mm×長さ3.6mm×高さ0.7mmを有し、隣接する個々のシールドケースの間隔を1mmとし、その略中央部に1mm間隔で直径0.2mm、高さ0.15mmの円錐状のバンプとなる突起を形成した母型を用いて、スルファミン酸ニッケル浴中で、電流密度5A/dm2で70分間通電し、厚さ0.04mmのシールドケース集合体を作製した。さらに、このシールドケース集合体の表面に0.01μmのフラッシュ金メッキを施した。別途、クリームはんだを印刷した厚さ0.1mmのプリント基板に複数の素子部品を実装して素子部品集合体を作製した。また、熱硬化性接着シートTFA-880CA-010商品名、京セラケミカル社製、厚さ0.01mmのバンプ当接部に直径0.25mmの貫通孔を穿設しておき、前記シールドケース集合体のバンプ形成面に位置合わせして、該熱硬化性接着シートを仮付けした。次いで、該素子部品集合体に前記シールドケース集合体を位置合わせして、加熱温度160°C、圧力5MPaで2分間保持し接着し、その後160°Cで1時間硬化させ、電子部品集合体を作製した。同様に、前記電子部品集合体を4個作製し、それらについて、下記の評価方法により反りを評価した。その結果を表1に示す。比較例1実施例1と同様にして、バンプとなる突起のないシールドケースを作成し、前記素子部品集合体に前記シールドケース集合体を位置合わせしてはんだリフローにより接合して電子部品集合体を作製した。同様に、前記電子部品集合体を4個作製し、それらについて、下記の評価方法により反りを評価した。その結果を表1に示す。評価方法1反り作製した電子部品集合体を平盤に平置きして、電子部品集合体内に板チョコ状に並べられたシールドケース集合体の一つ縦14個×横18個からなるに対し、縦をm番目、横をn番目のシールドケースm、nとした時、m、nが1,1、1,9、1,18、7,1、7,9、7,18、14,1、14,9、14,18である位置に対応するシールドケース合計9個9点を選択し、NEXIVVMR-3020商品名、ニコン社製を用いて、平盤に対する反りの鉛直成分距離を測定し、それらの最大値と最小値の差をシールドケース集合体の反りとして定義し算出した。"