反応炉内で加熱されたシリコン芯線に原料ガスを供給することにより前記シリコン芯線の表面に多結晶シリコンを析出させるための多結晶シリコン製造装置であって、前記シリコン芯線を保持する炭素製の芯線ホルダと、前記シリコン芯線に通電するための金属性の電極であって前記反応炉の底板部に設けられた貫通孔を介して前記反応炉内に挿入されている電極と、前記電極の表面を被覆するカバーであって少なくとも前記反応炉内への挿入部のうちの前記底板部の近傍部の表面を被覆する着脱可能なカバーと、を備えている多結晶シリコン製造装置。反応炉内で加熱されたシリコン芯線に原料ガスを供給することにより前記シリコン芯線の表面に多結晶シリコンを析出させるための多結晶シリコン製造装置であって、前記シリコン芯線を保持する炭素製の芯線ホルダと、前記シリコン芯線に通電するための金属性の電極であって前記反応炉の底板部に設けられた貫通孔を介して前記反応炉内に挿入されている電極と、前記貫通孔に挿入され前記電極を前記底板部から電気的に絶縁する絶縁部材と、前記絶縁部材の表面を被覆するカバーであって少なくとも前記反応炉内への挿入部のうちの前記底板部の近傍部の表面を被覆する着脱可能なカバーと、を備えている多結晶シリコン製造装置。更に、前記芯線ホルダと前記電極の間に、前記芯線ホルダを保持し且つ該芯線ホルダに前記電極からの電力を供給するためのアダプタを備えている、請求項1又は2に記載の多結晶シリコン製造装置。前記カバーは、前記アダプタの表面のうちの少なくとも前記底板部側の表面を被覆する、請求項3に記載の多結晶シリコン製造装置。前記カバーにより被覆される前記電極、前記絶縁部材、または、前記アダプタの外表面と、前記カバーの内表面との隙間が、0.5mm以上で3mm以下である、請求項1乃至4の何れか1項に記載の多結晶シリコン製造装置。前記カバーの材質は、石英、窒化珪素、又は、アルミナの何れかである、請求項1乃至5の何れか1項に記載の多結晶シリコン製造装置。このように、多結晶シリコンの品質維持のためには、多結晶シリコン製造用反応炉内を清浄に維持することが必要であり、特に、電極廻りの付着微粒子の除去は最も重要な作業のひとつであるが、この清掃作業は非常に手間やコストがかかり、更なる改善を要する。本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、多結晶シリコンの製造に用いられる反応炉内の電極回りに付着した微粒子の除去作業を簡略化し、作業時間短縮による生産性の向上を図ることにある。本発明に係る第1の態様の多結晶シリコン製造装置は、反応炉内で加熱されたシリコン芯線に原料ガスを供給することにより前記シリコン芯線の表面に多結晶シリコンを析出させるための多結晶シリコン製造装置であって、前記シリコン芯線を保持する炭素製の芯線ホルダと、前記シリコン芯線に通電するための金属性の電極であって前記反応炉の底板部に設けられた貫通孔を介して前記反応炉内に挿入されている電極と、前記電極の表面を被覆するカバーであって少なくとも前記反応炉内への挿入部のうちの前記底板部の近傍部の表面を被覆する着脱可能なカバーとを備えている。本発明に係る第2の態様の多結晶シリコン製造装置は、反応炉内で加熱されたシリコン芯線に原料ガスを供給することにより前記シリコン芯線の表面に多結晶シリコンを析出させるための多結晶シリコン製造装置であって、前記シリコン芯線を保持する炭素製の芯線ホルダと、前記シリコン芯線に通電するための金属性の電極であって前記反応炉の底板部に設けられた貫通孔を介して前記反応炉内に挿入されている電極と、前記貫通孔に挿入され前記電極を前記底板部から電気的に絶縁する絶縁部材と、前記絶縁部材の表面を被覆するカバーであって少なくとも前記反応炉内への挿入部のうちの前記底板部の近傍部の表面を被覆する着脱可能なカバーとを備えている。本発明に係る多結晶シリコン製造装置は、更に、前記芯線ホルダと前記電極の間に、前記芯線ホルダを保持し且つ該芯線ホルダに前記電極からの電力を供給するためのアダプタを備えている態様としてもよい。その場合、前記カバーは、前記アダプタの表面のうちの少なくとも前記底板部側の表面を被覆することが好ましい。また、好ましくは、前記カバーにより被覆される前記電極、前記絶縁部材、または、前記アダプタの外表面と、前記カバーの内表面との隙間が、0.5mm以上で3mm以下である。前記カバーの材質は、例えば、石英、窒化珪素、又は、アルミナの何れかである。本発明で用いられるカバーにより、電極、絶縁部材、または、アダプタの外表面への微粒子の付着が防止され、多結晶シリコンの製造に用いられる反応炉内の電極回りに付着した微粒子の除去作業が簡略化され、作業時間短縮による生産性の向上が図られる。以下に、図面を参照して、本発明を実施するための好ましい形態について説明する。図1は、本発明の多結晶シリコン製造のための反応炉100の構成の一例を示す概略説明図である。図1は、多結晶シリコン製造のための反応炉100の構成の一例を示す概略断面図である。反応炉100は、シーメンス法によりシリコン芯線11の表面に多結晶シリコンを気相成長させて多結晶シリコン棒12を得るための装置であり、ベースプレート5とベルジャー1により構成される。ベースプレート5には、シリコン芯線11に電流を供給する金属電極10と、窒素ガス、水素ガス、トリクロロシランガスなどのプロセスガスを供給するガスノズル9と、排気ガスを排出する排気口8が配置されている。また、ベースプレート5には、自身を冷却するための冷媒の入口部6と出口部7を有している。ベルジャー1は、自身を冷却するための冷媒の入口部3と出口部4を有し、さらに、外部から内部を目視確認するためののぞき窓2を有している。金属製の電極10は、自身を冷却するための冷媒の入口16と出口17を有しており、上部には、電極10と芯線ホルダ15との間に設けられるアダプタ14を載置できる構造になっている。このアダプタ14は、芯線ホルダを保持し且つ該芯線ホルダに電極10からの電力を供給するためのもので、アダプタ14の上部には芯線ホルダ15が固定され、この芯線ホルダ15にシリコン芯線11が固定される。なお、アダプタ14と芯線ホルダ15は別の部材として設ける必要はなく、アダプタ14と芯線ホルダ15が単一の部材としてある、一体型の芯線ホルダとしてもよい。電極10、アダプタ14、芯線ホルダ15、およびシリコン芯線11は、通電のために必要な接触面積を有することが必要とされる。また、多結晶シリコンの析出反応により得られる多結晶シリコン棒を保持するための十分な強度を有することが必要である。符号18で示したものは、本発明において設けられるカバーであり、その材質は、例えば、石英や窒化珪素或いはアルミナ等の高温に耐えるものが選択される。以下に、このカバー18の詳細について説明する。図2および図3は、本発明の多結晶シリコン製造装置が備えるカバー18を説明するための、電極廻りの断面図の例である。先ず、図2に例示した態様について説明すると、シリコン芯線11が炭素製の芯線ホルダ15に保持され、この芯線ホルダ15が金属性の電極10の頂部に保持されている。電極10はシリコン芯線11に通電するための電極であって、反応炉の底板部5に設けられた貫通孔を介して反応炉内に挿入されている。カバー18は、反応炉内に挿入された電極10の表面のうち、少なくとも、底板部5の近傍部の表面を被覆している。カバー18は、原料として供給される反応ガスが多結晶シリコンとしてシリコン芯線の上に析出する際に発生する微粒子が、反応炉内において比較的温度の低い部材表面に直接付着するのを防止するためのものである。つまり、微粒子をカバー18の表面に付着させ、電極10の表面や絶縁部材13の表面に直接付着するのを防止している。なお、このようなカバー18は、電極10の周りを清掃する際に取り外しが可能なように、着脱可能なものとなっている。この図に示した例では、底板部5に形成された貫通孔に挿入され、電極10を底板部5から電気的に絶縁するための絶縁部材13が設けられている。上述のカバー18は、反応炉内に挿入されている絶縁部材13の部分のうち、少なくとも底板部5の近傍部の表面も被覆している。図3に例示した態様のものは、図1に例示した態様と同様に、芯線ホルダ15と電極10の間に、芯線ホルダ15を保持し且つ該芯線ホルダ15に電極10からの電力を供給するためのアダプタ14を備えている。そして、アダプタ14の表面のうち、少なくとも底板部側の表面が、カバー18により被覆されている。カバー18は例えば石英製のものとされるが、これに限らず、窒化珪素製やアルミナ製とすることもできる。ただし、石英は他のセラミック類に比べて安価である上に純度も高く、取扱や管理も簡単である。なお、電極10に対する輻射熱の影響が出ないようにカバー18は不透明であることが好ましいが、透明タイプの石英を用いても、析出反応の進行に伴いカバー18の表面にはシリコンが付着して不透明となるため、透明タイプの石英を用いても不都合はない。なお、本発明に用いられる絶縁部材13の形状等については、種々の態様があり得る。図4および図5に例示した態様のように、絶縁部材13の内面が、反応炉内に挿入されている電極10の部分の外表面を全て被覆するような態様のものとしてもよい。この場合には、絶縁部材13の反応炉内への挿入部の表面のうち、少なくとも底板部5の近傍部の表面がカバー18により被覆される。上述したようなカバー18を設けない場合、電極10の近傍には、原料として供給される反応ガスが多結晶シリコンとしてシリコン芯線の上に析出する際に発生する微粒子が付着してしまう。図6および図7はそれぞれ、図2および図3の態様においてカバー18を設けなかった場合の微粒子の付着の様子を説明するための図である。金属製の電極10は冷媒により冷却されているため、電極10の近傍は、反応炉内において比較的温度の低い領域となっている。このため、当該領域にある電極10、絶縁部材13、或いは、アダプタ14の外表面には、微粒子19が直接付着してしまう。本発明では、このような微粒子19をカバー18の表面に付着させ、電極10、絶縁部材13、或いは、アダプタ14の表面に直接付着するのを防止している。図8は、カバー18が、微粒子の付着を防止するために、電極10、絶縁部材13、或いは、アダプタ14の表面を被覆している様子を説明するための図である。なお、上記の意味での被覆とは、被覆される側の表面にカバー18の裏面が接している状態はもとより、微粒子の付着阻害が実現し得る程度に隙間gが設けられている状態をも包含する意味で用いている。このような隙間gは、0.5mm以上で3mm以下であることが好ましい。隙間が全くない場合d=0には、カバー18と被覆される側の材質の熱膨張差に起因して、カバー18が破損してしまう場合がある。一方、隙間gが3mmを超えると被覆効果が小さくなり、電極10、絶縁部材13、或いは、アダプタ14の表面に微粒子が付着してしまう場合がある。より好ましくは、隙間gは1mm以上で3mm以下である。また、カバー18が石英製である場合は、十分な強度を確保するために、カバー18の厚みdを3mm以上とすることが好ましい。また、取扱の容易さの観点から、厚みdの上限は20mmとすることが好ましい。通常、dは10mm程度とする。なお、電極10、絶縁部材13、アダプタ14の外径寸法は一定とは限らないが、例えば、上部となるにつれて外形寸法が小さくなるような形状である場合には、カバー18の外形寸法もこれに合わせて変化させることが好ましい。また、カバー18は一体型のものとする必要はなく、分割可能な形態のものとしてもよい。カバー18は、電極10、絶縁部材13、アダプタ14の、炉内に挿入されている部分の外表面の全体を被覆している必要はない。析出反応中、シリコン芯線11はCVD反応のための適切な温度に保たれている一方、電極10は冷媒によって冷却されている。このため、電極の近傍、特に、芯線ホルダ15と電極10の冷却部との間に温度勾配が生じる。微粒子は表面温度の低いところに付着し易く、とりわけ、電極10、絶縁部材13、アダプタ14の、底板部5の近傍部の表面温度が低くなる部分に付着し易い。従って、このような相対的に表面温度が低くなる部分を被覆することが重要である。被覆部分をどの程度とするかは、炉内構造や析出反応条件に依存するが、例えば、予備的実験として、電極10、絶縁部材13、或いは、アダプタ14の、炉内に挿入されている部分の外表面の全体を被覆し得るカバー18を用いて析出反応を実行し、その反応でカバー18に付着する微粒子の部位を確認してみる等の方法があり得る。このようなカバー18を用いることとすると、析出反応終了後の清浄化作業において、このカバー18を取り外して洗浄を行って微粒子の除去を行えばよく、しかも、このカバー清浄化は例えば下記のような方法により短時間で終えることが可能なため、炉内部材の清浄化作業の効率を高めることができる。なお、カバー18を複数準備しておき、バッチ毎に取り替えながら使用することとすれば、次のバッチに移る際に微粒子除去のための作業をわざわざ行う必要がないから、バッチ間時間の短縮化を図ることができ、多結晶シリコンの生産性の向上が図れる。なお、カバー18が石英製である場合、微粒子の除去は、フッ酸と硝酸の混合液を用いることで簡単に行うことができる。例えば、10HF/56HNO3の混酸に2分間浸漬した後に、3MΩcmの純水で10分間程度のかけ流し洗浄を行う。[実施例1]実施例として図3に示した態様で石英製のカバー18を用いて10回のバッチで繰り返し析出反応を行った。なお、比較例として図7に示した態様の電極廻りの状態でも同様の析出反応を行った。なお、実施例で用いたカバー18は、厚さが8mmで、アダプタ14の下から3分の2の高さまでを被覆しており、電極10およびアダプタ14との隙間は1mmである。また、カバー18は、一回の析出反応が終了する毎に洗浄済みの別のカバー18に取り替えた。析出反応に用いた反応炉は図1に示した態様のものであり、炉内には、鳥居型のシリコン芯線11が60本立てられた状態でトリクロロシランを用いた多結晶シリコンの成長反応を行った。析出反応の終了の後に清浄化作業を行い、要した時間を比較した。なお、ベルジャー1の内側表面は自動高圧ジェット洗浄機を用いて比抵抗3MΩcm以上の純水を用いて洗浄した。ベースプレート5は比抵抗3MΩcm以上の純水によりブラシ清掃と拭取り清掃を実施した。実施例ではカバー18の取り替えのみで電極廻りの清浄化は行わなかった一方、比較例では電極廻りの微粒子付着を含めた付着物の除去を行った。このような清浄化作業に要した平均時間は、実施例では1.8時間であったのに対し、比較例では3.8時間であった。つまり、本発明のようにカバー18を用いることで、清浄化に要する作業時間は半分以下に短縮化された。[実施例2]アダプタ14がカーボン製である場合、表面に付着した微粒子はブラシを用いて洗浄することとなるが、ブラシ洗浄で除去できなかった微粒子が堆積し、析出反応の工程中に剥がれ落ちやすくなる。一般に、アダプタ14からの微粒子の剥がれ落ちのおそれの有無を判断するために、写真による管理限度見本を作成して工程管理が行われる。そして、微粒子の剥がれ落ちのおそれが有ると判断された場合には、微粒子除去のために旋盤により表面を切削した後に、熱処理炉により純化処理を行って再生処理がなされる。なお、このような再生処理は約10日間の時間を要する。本実施例では、図3に示した態様で石英製のカバー18を用いて析出反応を繰り返し、何バッチ目で再生処理が必要な状態となるかを調べた。なお、比較例として図7に示した態様の電極廻りの状態でも同様の実験を行った。析出反応に用いた反応炉は図1に示した態様のものであり、炉内には、鳥居型のシリコン芯線11が60本立てられた状態でトリクロロシランを用いた多結晶シリコンの成長反応を行った。その結果、石英製のカバー18を用いた場合には20バッチ目で再生処理が必要な状態となったのに対し、石英製のカバー18を用いなかった場合では6バッチ目で再生処理が必要な状態となった。つまり、石英製のカバー18を用いることで、再生処理が必要な状態となるまでのバッチ数が3倍以上となった。