NPNバイポーラ接合トランジスタBJT及びNチャネル金属酸化物半導体NMOSトランジスタを含む集積回路を形成するプロセスであって、前記NPNBJTのエミッタ領域と前記NMOSトランジスタのソース及びドレイン領域の上で、前記集積回路の基板のシリコン頂部領域の上面の上にインプラントスクリーン誘電体層を形成すること、前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域を露出させるように前記インプラントスクリーン誘電体層の上にインプラントマスクを形成すること、前記集積回路の前記基板を基板チャックに接触させること、前記集積回路の前記基板が5°C又はそれより低温の温度まで冷却されるように前記基板チャックを冷却すること、及び前記基板が5°C又はそれより低温まで冷却される一方で、N型ドーパントを前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域とに同時にイオン注入すること、を含むプロセスであって、前記N型ドーパント、及び前記N型ドーパントのドーズ量が、少なくとも8×1014原子/cm2のドーズ量のリン、少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のヒ素、少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のアンチモン、及びこれらの任意の組み合わせ、から成る群から選択される、プロセス。請求項1のプロセスであって、前記N型ドーパントが、少なくとも4×1014原子/cm2のドーズ量のヒ素を含む、プロセス。請求項1のプロセスであって、前記N型ドーパントが、少なくとも1×1015原子/cm2のドーズ量のヒ素を含む、プロセス。請求項1のプロセスであって、前記インプラントスクリーン誘電体層が、少なくとも80パーセントの二酸化シリコンを含む、プロセス。請求項1のプロセスであって、前記N型ドーパントをイオン注入する前記工程が、シリコン材料を、前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域における前記シリコン頂部領域の前記上面において少なくとも15ナノメートルの深さまで非晶化する、プロセス。PNPBJT及びPチャネル金属酸化物半導体PMOSトランジスタを含む集積回路を形成するプロセスであって、前記NPNBJTのエミッタ領域と前記NMOSトランジスタのソース及びドレイン領域の上で、前記集積回路の基板のシリコン頂部領域の上面の上にインプラントスクリーン誘電体層を形成すること、前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域を露出させるように前記インプラントスクリーン誘電体層の上にインプラントマスクを形成すること、前記集積回路の前記基板を基板チャックに接触させること、前記集積回路の前記基板が5°C又はそれより低温の温度まで冷却されるように前記基板チャックを冷却すること、及び前記基板が5°C又はそれより低温まで冷却される一方で、P型ドーパントを前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域とに同時にイオン注入すること、を含むプロセスであって、前記P型ドーパント、及び前記P型ドーパントのドーズ量が、少なくとも1×1016原子/cm2のドーズ量のボロン、少なくとも7×1013原子/cm2のドーズ量のガリウム、少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のインジウム、及びこれらの任意の組み合わせ、から成る群から選択される、プロセス。請求項6のプロセスであって、前記インプラントスクリーン誘電体層が、少なくとも80パーセントの二酸化シリコンを含む、プロセス。請求項6のプロセスであって、前記P型ドーパントをイオン注入する前記工程が、シリコン材料を、前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域における前記シリコン頂部領域の前記上面において少なくとも15ナノメートルの深さまで非晶化する、プロセス。インプラント領域を含む集積回路を形成するプロセスであって、前記インプラント領域の上で、前記集積回路の基板のシリコン頂部領域の上面の上にインプラントスクリーン誘電体層を形成すること、前記インプラント領域を露出させるように前記インプラントスクリーン誘電体層の上にインプラントマスクを形成すること、前記集積回路の前記基板を基板チャックに接触させること、前記集積回路の前記基板が5°C又はそれより低温の温度まで冷却されるように前記基板チャックを冷却すること、及び前記基板が5°C又はそれより低温まで冷却される一方で、前記インプラント領域に原子をイオン注入すること、を含むプロセスであって、前記原子、及び前記原子のドーズ量が、少なくとも1×1016原子/cm2のドーズ量のボロン、少なくとも8×1014原子/cm2のドーズ量のリン、少なくとも7×1013原子/cm2のドーズ量のガリウム、少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のゲルマニウム、少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のヒ素、少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のインジウム、少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のアンチモン、及びそれらの任意の組み合わせ、から成る群から選択される、プロセス。集積回路が、集積回路の基板を5°C又はそれより低温まで冷却することにより、及び20~25°Cに冷却された基板において少なくとも1×107エンドオブレンジ欠陥/cm2を生成し得るドーズ量で、基板の或る領域にインプラントスクリーン誘電体層を介して種をイオン注入することにより形成され得る。一実施例において、イオン注入工程は、少なくとも1×1016原子/cm2のドーズ量のボロンを注入することを含み得る。別の実施例において、イオン注入工程は、少なくとも8×1014原子/cm2のドーズ量のリンを注入することを含み得る。更なる実施例において、イオン注入工程は、少なくとも7×1013原子/cm2のドーズ量のガリウムを注入することを含み得る。更に別の実施例において、イオン注入工程は、少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のゲルマニウムを注入することを含み得る。更なる実施例において、イオン注入工程は、少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のヒ素を注入することを含み得る。別の実施例において、イオン注入工程は、少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のインジウムを注入することを含み得る。更なる実施例において、イオン注入工程は、少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のアンチモンを注入することを含み得る。第1の実施例において、NPNBJT及びNMOSトランジスタを含む集積回路が、集積回路の基板を5°C又はそれより低温まで冷却することにより、及び上述のドーズ量で、リン、ヒ素、及び/又はアンチモンを、インプラントスクリーン誘電体層を介してNPNBJTのエミッタ領域とソース及びNMOSトランジスタのドレイン領域に同時にイオン注入することにより、形成され得る。第2の実施例において、PNPBJT及びPチャネル金属酸化物半導体PMOSトランジスタを含む集積回路が、集積回路の基板を5°C又はそれより低温まで冷却することにより、及び上述のドーズ量で、ボロン、ガリウム及び/又はインジウムを、インプラントスクリーン誘電体層を介してPNPBJTのエミッタ領域とPMOSトランジスタのソース及びドレイン領域に同時にイオン注入することにより形成され得る。第3の実施例において、インプラント領域を含む集積回路が、集積回路の基板を5°C又はそれより低温まで冷却することにより、及び上述のドーズ量で、ボロン、リン、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、インジウム及び/又はアンチモンを、インプラントスクリーン誘電体層を介してインプラント領域にイオン注入することにより形成され得る。図1は、第1又は第2の実施例のいずれかに従って集積回路を形成するプロセスを示す。集積回路1000が、BJT1002のために画定された領域及び金属酸化物半導体MOSトランジスタ1004のために画定された領域を含む。第1の実施例において、BJT1002はNPNBJTであり、MOSトランジスタ1004はNMOSトランジスタである。第2の実施例において、BJT1002はPNPBJTであり、MOSトランジスタ1004はPMOSトランジスタである。集積回路1000は基板1006の中及び上に形成され、基板1006はシリコン頂部領域1008を含む。基板1006は、単結晶シリコンウエハ、SOIシリコンオンインシュレータウエハ、異なる結晶配向のシリコン領域を用いるハイブリッド配向技術HOTウエハ、又は集積回路1000の製造に適切なシリコン頂部領域1008を備えた他の構造、であり得る。BJT1002は、シリコン頂部領域1008内にベース拡散された領域1010を含む。第1の実施例において、ベース拡散された領域1010はP型である。第2の実施例において、ベース拡散された領域1010はN型である。MOSトランジスタ1004はゲート構造1012を含み、ゲート構造1012は、ゲート、及びゲート誘電体層、及び場合によってはゲート側壁スペーサを含む。図示しないが、軽くドープされたドレインLDD領域が、ゲートの近傍の基板1006の上面において形成され得る。基板1006の上面の上にインプラントスクリーン誘電体層1014が形成される。インプラントスクリーン誘電体層1014は少なくとも5ナノメートル厚みである。一実施例において、インプラントスクリーン誘電体層1014は、少なくとも15ナノメートル厚みであり得る。インプラントスクリーン誘電体層1014は、基板1006の横方向端部まで延長していてもしていなくてもよい。一実施例において、インプラントスクリーン誘電体層1014は、少なくとも80パーセントの二酸化シリコンを含み得る。この二酸化シリコンは、基板1006の上面におけるシリコンの熱酸化により形成され得、例えば、テトラエトキシシラン又はTEOSとしても知られているオルトけい酸テトラエチルの分解により基板1006上に堆積され得、又は別のプロセスにより形成されてもよい。BJT1002内のエミッタ領域1018を露出させるように且つMOSトランジスタ1004内のソース及びドレイン領域1020を露出させるように、インプラントスクリーン誘電体層1014の上にインプラントマスク1016が形成される。インプラントマスク1016は、フォトレジストで又は他の感光性ポリマーフォトリソグラフィプロセスを用いて形成され得、又は、例えば、マスキング及びエッチングプロセスにより、他の誘電性材料で形成され得る。基板1006の裏面は、基板チャック1022に接する。基板チャック1022は、基板1006が5°C又はそれより低温まで冷却されるまで、図1に冷却材流れ矢印1026で示すように、例えば、基板チャック1022を介して冷却流体1024を流すことにより、5°C又はそれより低温まで冷却される。基板チャック1022を冷却する他の手段は、これらの実施例の範囲内にある。基板1006が5°C又はそれより低温まで冷却される一方、エミッタ領域1018とソース及びドレイン領域1020にドーパント種を注入するイオン注入プロセス1028が実行される。第1の実施例において、イオン注入プロセス1028は、少なくとも8×1014原子/cm2のドーズ量のリンを注入し得、及び/又は少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のヒ素を注入し得、及び/又は少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のアンチモンを注入し得る。第1の実施例の1つのバージョンにおいて、イオン注入プロセス1028は、少なくとも4×1014原子/cm2のドーズ量のヒ素を注入し得る。第1の実施例の別のバージョンにおいて、イオン注入プロセス1028は、少なくとも1×1015原子/cm2のドーズ量のヒ素を注入し得る。第2の実施例において、イオン注入プロセス1028は、少なくとも1×1016原子/cm2のドーズ量のボロンを注入し得、及び/又は少なくとも7×1013原子/cm2のドーズ量のガリウムを注入し得、及び/又は少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のインジウムを注入し得る。第1及び第2の実施例の1つのバージョンにおいて、エミッタ領域1018及びソース及びドレイン領域1020内のシリコン頂部領域1008におけるシリコン基板材料が、基板1006の上面において少なくとも15ナノメートルの深さまで非晶化され得る。図1を参照して説明したようにエミッタ領域1018を形成することで、基板が20°C~25°Cまで冷却される間、同じドーズ量及びエネルギーのエミッタインプラントプロセスを用いて形成された同様のBJTに比べてhfeが改良されたBJT1002が提供され得る。図2は、図2でインプランタチラーImplanterChiller冷却温度として記載する基板温度の関数として、NPNBJTにおけるhfeの改善を示す。平均データポイント2000は、図1を参照して説明したようにエミッタインプラントで形成されるNPNBJTのセットのhfeの平均値を示す。範囲バー2002は、各基板温度値でのhfe値の/-3の標準偏差の限界を示す。補間によりhfe値を推定するガイドとして傾向ライン2004が提供される。図3は、第3の実施例に従って集積回路を形成するプロセスを示す。集積回路3000は基板3002の中及び上に形成され、基板3002は、シリコン頂部領域3004を含む。基板3002及びシリコン頂部領域3004は、図1を参照して説明したような基板1006及びシリコン頂部領域1008の特性を有する。基板3002の上面の上にインプラントスクリーン誘電体層3006が形成される。インプラントスクリーン誘電体層3006は、図1を参照して説明したようなインプラントスクリーン誘電体層1014の特性を有する。集積回路3000内のインプラント領域3010を露出させるように、インプラントスクリーン誘電体層3006の上にインプラントマスク3008が形成される。インプラントマスク3008は、図1を参照して説明したようなインプラントマスク1016の特性を有する。基板3002の裏面は、基板チャック3012に接する。基板チャック3012は、例えば、基板3002が5°C又はそれより低温まで冷却されるまで、図3に冷却材流れ矢印3016で示すように、基板チャック3012を介して冷却流体3014を流すことにより、5°C又はそれより低温まで冷却される。基板チャック3012を冷却する他の手段は、これらの実施例の範囲内にある。基板3002が5°C又はそれより低温まで冷却される一方で、インプラント領域3010に1つ又は複数のドーパント及び/又は非晶化原子種を注入するイオン注入プロセス3018が実行される。本第3の実施例において、イオン注入プロセス3018は、少なくとも1×1016原子/cm2のドーズ量のボロンを注入し得、及び/又は少なくとも8×1014原子/cm2のドーズ量のリンを注入し得、及び/又は少なくとも7×1013原子/cm2のドーズ量のガリウムを注入し得、及び/又は少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のゲルマニウムを注入し得、及び/又は少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のヒ素を注入し得、及び/又は少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のインジウムを注入し得、及び/又は少なくとも6×1013原子/cm2のドーズ量のアンチモンを注入し得る。本第3の実施例の1つのバージョンにおいて、インプラント領域3010のシリコン頂部領域3004におけるシリコン基板材料は、基板3002の上面において少なくとも15ナノメートルの深さまで非晶化され得る。1×107欠陥/cm2より多くなる、基板が20°C~25°Cまで冷却される間、同じドーズ量及びエネルギーのインプラントプロセスを用いて形成された同様のインプラント領域に比べて、図3を参照して説明したようにインプラント領域3010を形成することで1×107欠陥/cm2より少なくなり得る。本発明に関連する技術に習熟した者であれば、説明した例示の実施例に変形が成され得ること、及び本発明の特許請求の範囲内で他の実施例を実装し得ることが分かるであろう。