"基板上に少なくとも、ゲート絶縁膜、及び酸化物半導体層を有する配線構造であって、前記酸化物半導体層は、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素Z群元素から構成される第1の酸化物半導体層と、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、WおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素Y群元素を含む第2の酸化物半導体層と、を有する積層体であると共に、前記第2の酸化物半導体層は、前記第1の酸化物半導体層と前記ゲート絶縁膜との間に形成されていることを特徴とする配線構造。前記第2の酸化物半導体層を構成する全金属の合計含有量に対するY群元素の合計含有量が0.5~8.0原子である請求項1に記載の配線構造。前記第2の酸化物半導体層の厚さが0.5~10nmである請求項1または2に記載の配線構造。前記第2の酸化物半導体層に含まれるX群元素の種類及び各元素間の比率は、前記第1の酸化物半導体層に含まれるZ群元素の種類及び各元素間の比率と同じである請求項1~3のいずれかに記載の配線構造。前記第1の酸化物半導体層の厚さが10~200nmである請求項1~4のいずれかに記載の配線構造。前記第2の酸化物半導体層に含まれるY群元素がSi、Hf、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種である請求項1~5のいずれかに記載の配線構造。前記酸化物半導体層の密度は5.8g/cm3以上である請求項1~6のいずれかに記載の配線構造。請求項1~7のいずれかに記載の第2の酸化物半導体層を形成するためのスパッタリングターゲットであって、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、WおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素Y群元素とを含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。Y群元素がSi、Hf、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種である請求項8に記載のスパッタリングターゲット。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、酸化物半導体層を備えた配線構造のスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特にストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた配線構造を提供することにある。本発明の他の目的は、上記配線構造を構成する第2の酸化物半導体層をスパッタ法により成膜するために有用なスパッタリングターゲットを提供することである。上記課題を解決することのできた本発明に係る配線構造は、基板上に少なくとも、ゲート絶縁膜、及び酸化物半導体層を有する配線構造であって、前記酸化物半導体層は、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素Z群元素から構成される第1の酸化物半導体層、並びに、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、WおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素Y群元素を含む第2の酸化物半導体層を有する積層体であると共に、前記第2の酸化物半導体層は、前記第1の酸化物半導体層と前記ゲート絶縁膜との間に形成されていることに要旨を有する。本発明を実施するにあたっては、前記第2の酸化物半導体層を構成する全金属の合計含有量に対するY群元素の合計含有量が0.5~8.0原子であることが好ましい。また前記第2の酸化物半導体層の厚さが0.5~10nmであることも好ましい実施態様である。また本発明では前記第2の酸化物半導体層に含まれるX群元素の種類及び各元素間の比率は、前記第1の酸化物半導体層に含まれるZ群元素の種類及び各元素間の比率と同じであることも本発明の好ましい実施態様である。更に本発明の実施態様においては、前記第1の酸化物半導体層の厚さが10~200nmであることも好ましい。また更に前記第2の酸化物半導体層に含まれるY群元素がSi、Hf、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種であることも好ましい。前記酸化物半導体層の密度は5.8g/cm3以上であることが好ましい。上記本発明の第2の酸化物半導体層の形成には、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、WおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素Y群元素とを含むスパッタリングターゲットを好適に用いることができる。この際、Y群元素がSi、Hf、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種であることも好ましい実施態様である。本発明の配線構造は、スイッチング特性及びストレス耐性に優れ、特にストレス印加前後のしきい値電圧変化が小さいため、TFT特性およびストレス耐性に優れた配線構造を提供することができた。また本発明のスパッタリングターゲットによって、上記配線構造を構成する第2の酸化物半導体層を容易に提供することができた。本発明者らは、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素以下、Z群元素ということがあるを含む酸化物をTFTの活性層第1の酸化物半導体層に用いたときのTFT特性およびストレス耐性を向上させるため、種々検討を重ねてきた。その結果、第1の酸化物半導体層とゲート絶縁膜との間に、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素以下、X群元素ということがあると、Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、WおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素以下、Y群元素ということがあるを含む酸化物半導体層第2の酸化物半導体層を介在させれば所期の目的が達成されることを見出し、本発明を完成した。詳細には、X群元素とY群元素を含む第2の酸化物半導体層をゲート絶縁膜と第1の酸化物半導体層の間に備えたTFTは、特許文献1に記載のMoや、Y群元素以外の元素を用いた場合に比べ、TFT特性およびストレス耐性に優れていることが分かった。本発明に用いられる第1の酸化物半導体層は、表示装置に用いられる酸化物半導体層であれば特に限定されず、公知のものを用いることができる。そして本発明では、第1の酸化物半導体層とゲート絶縁膜の間に第2の酸化物半導体層を介在させると共に、第2の酸化物半導体層の組成を特定したところに特徴がある。まず、本発明における第1の酸化物半導体層を構成する母材成分である金属Z群元素:In、Ga、Zn、Snについて説明する。酸化物半導体のなかでもIn、Ga、Zn、およびSnよりなる群から選択される少なくとも一種から構成されるアモルファス酸化物半導体は、汎用のアモルファスシリコンa-Siに比べて高いキャリア移動度を有し、光学バンドギャップが大きく、低温で成膜できる。上記Z群元素は、単独で含有しても良いし、二種以上を併用しても良い。上記金属In、Ga、Zn、Snについて、各金属間の比率は、これら金属を含む酸化物がアモルファス相を有し、且つ、半導体特性を示す範囲であれば特に限定されない。具体的にはZnについて、全金属In、Ga、Zn、Snに占めるZnの比率は80原子以下であることが好ましい。Znの比率が80原子を超えると酸化物半導体膜が結晶化し、粒界捕獲準位が発生するためキャリア移動度が低下したり、ウェットエッチングによる加工が困難になるなど、トランジスタ作製に弊害が生じる。より好ましくはZnの比率が70原子以下であることが良い。また、上記金属に占めるZnの比率の下限は、アモルファス構造にすることなどを考慮すると、20原子以上とすることが好ましく、30原子以上とすることがより好ましい。Zn以外の上記金属In、Ga、Snは、Znが上記範囲内に制御され、且つ、各金属元素の比率原子比が後記範囲を満足するように適宜制御すれば良い。具体的には、全金属に占めるInの好ましい比率は、おおむね10原子以上70原子以下であり、更に好ましくは25原子以上である。また、全金属に占めるGaの好ましい比率は、おおむね25原子以上70原子以下、Snの好ましい比率は50原子以下である。上記金属In、Ga、Zn、Snを含む酸化物半導体として、例えばIn-Ga-Zn-O、Zn-Sn-O、In-Zn-Sn-Oなどが挙げられる。例えばIn-Ga-Zn-Oについて、アモルファス相を形成し得る各金属の比率詳細には、InO、GaO、ZnOの各モル比は、前述した非特許文献1に記載されている。In-Ga-Zn-Oについては図2に記載のアモルファス相の範囲を大幅に外れ、ZnOやIn2O3の比率が極端に高くなって結晶相が形成されると、ウェットエッチングによる加工が困難になったり、トランジスタ特性を示さなくなるなどの問題が生じる。In-Ga-Zn-Oの代表的な組成として、In:Ga:Znの比原子比が例えば2:2:1~1:1:1のものが挙げられる。このほかZn-Sn-OZn:Sn=2:1~1:1や、In-Zn-Sn-OIn:Zn:Sn=1:2:1などが挙げられる。上述したとおり、本発明では、ゲート絶縁膜と第1の酸化物半導体層の間に、TFT特性およびストレス向上に有用なY群元素と、X群元素とを含む第2の酸化物半導体層を用いたところに最大の特徴がある。第2の酸化物半導体層を構成するX群元素についても、上記第1の酸化物半導体層と同様、高いキャリア移動度を有し、光学バンドギャップが大きく、低温で成膜できることが望ましいことから、第2の酸化物半導体層を構成する主要な元素であるX群元素は、In、Ga、Zn、及びSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素とする。更に本発明の第2の酸化物半導体層を構成する母材成分である各金属元素間X群元素:In、Ga、Zn、Snの比率についても上記第1の酸化物半導体層Z群元素と同じく、これら金属を含む酸化物がアモルファス相を有し、且つ、半導体特性を示す範囲であれば特に限定されず、上記Z群元素と同様の範囲内で適宜設定することができる。もっとも、本発明の酸化物半導体層は第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層との積層体であり、第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層が一体として半導体機能を有することから、第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層とでキャリア移動度や光学バンドギャップ等が同等であることが信頼性確保の観点からは望ましい。したがって第2の酸化物半導体層に含まれるX群元素の種類及び各元素間の比率は、第1の酸化物半導体層に含まれるZ群元素の種類及び各元素間の比率と同じであることが望ましい。本発明における第2の酸化物半導体層は、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、WおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素Y群元素を含むものである。X群元素は、単独で添加しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、Z群元素は、単独で添加しても良いし、二種以上を併用しても良い。本発明では第1の酸化物半導体層とゲート絶縁膜の間に第2の酸化物半導体層を介在させることにより、移動度やストレス耐性などが向上する。第2の酸化物半導体層を第1の酸化物半導体層とゲート絶縁膜との界面に介在させることで、界面における欠陥を低減し、構造を安定化する効果があると推察される。すなわち、第1の酸化物半導体層を構成するZ群元素In、Ga、Zn、Snは酸素との結合が弱いため、第1の酸化物半導体層を直接ゲート絶縁膜と接触させる構造とした場合、ゲート絶縁膜と第1の酸化物半導体層界面に酸素欠陥による捕獲準位を形成しやすい。このような捕獲準位は薄膜トランジスタの移動度を低下させたり、安定性を低下させる原因となっている。そこで本発明では、第1の酸化物半導体層とゲート絶縁膜との界面に安定な酸化物を形成する元素Y群元素を含む第2の酸化物半導体層を介在させることで、ゲート絶縁膜と第1の酸化物半導体層界面の欠陥密度を低減させている。もっとも、上記安定な酸化物を形成可能な元素であっても、半導体層のバルク移動度やキャリア密度を低下させたり、或いは薄膜トランジスタ特性を大きく劣化させるような元素は用いることはできない。例えばMnやCuなどは1原子でも第2の酸化物半導体層中に添加するとスイッチング特性を示さないことが本発明者らの実験により分かっており、上記Y群元素に適さない。後記する実施例では、第2の酸化物半導体層を構成する全金属の合計量に対し、Mnを2.2原子、Cuを2.5原子、それぞれ添加したときの結果を、参考のため示している。本発明ではY群元素として、Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、WおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を使用することができる。これら元素は、酸化物生成自由エネルギーがIn、Ga、Sn、Znよりも低く、しかも酸素と強く結合し、安定な酸化物を形成する元素であると共に、本発明で好ましく規定する範囲0.5~8.0原子添加しても移動度をほとんど低下させずに安定性の向上を図る上で有効な元素である。これら元素は単独で添加しても良いし、二種以上を併用しても良い。好ましくはAl、Si、Hf、Ta及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種であり、より好ましくはSi、Hf、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種である。第2の酸化物半導体層を構成する全金属X群元素およびY群元素の合計含有量に対するY群元素の好ましい合計含有量[Y群元素/X群元素Y群元素]は、キャリア密度や半導体の安定性などを考慮して決定すれば良い。Y群元素の合計含有量の比率単独で含むときは単独の比率であり、二種以上を含むときは合計の比率であるの下限は、Y群元素の合計含有量が少なすぎると、酸素欠損の発生抑制効果が十分に得られないことから、好ましくは0.5原子以上とすることが望ましい。一方、Y群元素の合計含有量が多すぎると、半導体中のキャリア密度が低下するため、オン電流が減少してしまうことから、好ましくは8.0原子以下がよく、より好ましくは7.5原子以下、更に好ましくは5.0原子以下、更により好ましくは3.0原子以下であることが望ましい。上記第2の酸化物半導体層の好ましい組成としては、例えば以下のものが挙げられる。アIn-Ga-Zn-X群元素-OX群元素として好ましいのは、Si、Hf、Niである。ここで、X群元素を除く金属元素In、Ga、ZnにおけるIn、Ga、Znの好ましい比原子比は、例えばIn:Ga:Zn=2:2:1~1:1:1である。イZn-Sn-X群元素-OX群元素として好ましいのは、Si、Hf、Niである。ここで、X群元素を除く金属元素Zn、SnにおけるZn、Snの好ましい比原子比は、例えばZn:Sn=2:1~1:1である。ウIn-Zn-Sn-X群元素-OX群元素として好ましいのは、Si、Hf、Niである。ここで、X群元素を除く金属元素In、Zn、SnにおけるIn、Zn、Snの好ましい比原子比は、In:Zn:Sn=1:2:1である。本発明の酸化物半導体層を構成する第1の酸化物半導体層の厚さは、特に限定されないが、第1の酸化物半導体層の厚さが薄すぎると基板面内の特性移動度、S値、VthなどのTFT特性にばらつきが生じるおそれがあるため、好ましくは10nm以上、より好ましくは30nm以上とすることが望ましい。一方、第1の酸化物半導体層の厚さが厚すぎると成膜に時間を要して生産コストが増加することがあるため、好ましくは200nm以下、より好ましく80nm以下とすることが望ましい。また第2の酸化物半導体層の厚さも特に限定されないが、第2の酸化物半導体層の厚さが薄すぎると上記第2の酸化物半導体層を形成した効果が十分に発揮されないことがあるため、好ましくは0.5nm以上、より好ましくは1nm以上とすることが望ましい。一方、第2の酸化物半導体層の厚さが厚すぎると移動度が低下する恐れがあるため、好ましくは10nm以下、より好ましくは5nm以下とすることが望ましい。以上、本発明に用いられる酸化物半導体層について説明した。上記第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層は、スパッタリング法にてスパッタリングターゲット以下ターゲットということがある。を用いて成膜することが好ましい。スパッタリング法によれば、成分や膜厚の膜面内均一性に優れた薄膜を容易に形成することができる。また、塗布法などの化学的成膜法によって酸化物を形成しても良い。スパッタリング法に用いられるターゲットとして、前述した元素を含み、所望の酸化物と同一組成のスパッタリングターゲットを用いることが好ましく、これにより、組成ズレが少なく、所望の成分組成の薄膜を形成することができる。具体的には第1の酸化物半導体層を成膜するターゲットとして、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む酸化物ターゲットを使用する。また、第2の酸化物半導体層を成膜するターゲットとして、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、WおよびNiよりなるY群から選択される少なくとも一種の元素Y群元素とを含む酸化物ターゲットを用いることができる。特にY群の元素がSi、Hf、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種であることが好ましい。第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層はスパッタリング成膜する場合、真空状態を保ったまま連続的に成膜することが望ましい。第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層を成膜する際に大気中に暴露すると、空気中の水分や有機成分が薄膜表面に付着し、コンタミ品質不良の原因となるからである。また、第2の酸化物半導体層は第1の酸化物半導体層の形成に用いたスパッタリングターゲットを用いることができる。すなわち、第1の酸化物半導体層の形成に用いたスパッタリングターゲットとY群元素のスパッタリングターゲットを同時スパッタ例えば、チップオンによるコスパッタリングして、第2の酸化物半導体層を形成しても良い。このように第1の酸化物半導体層に用いたスパッタリングターゲットを利用することによって、第2の酸化物半導体層に含まれるX群元素の種類及び各元素間の比率を、第1の酸化物半導体層に含まれるZ群元素の種類、及び各元素間の比率と同じにすることができる。上記ターゲットは、例えば粉末焼結法によって製造することができる。上記ターゲットを用いてスパッタリングするに当たっては、基板温度を室温とし、酸素添加量を適切に制御して行なうことが好ましい。酸素添加量は、スパッタリング装置の構成やターゲット組成などに応じて適切に制御すれば良いが、おおむね、半導体のキャリア濃度が1015~1016cm3となるように酸素量を添加することが好ましい。また、上記酸化物をTFTの半導体層としたときの、酸化物半導体層の好ましい密度は5.8g/cm3以上であるが、このような酸化物を成膜するためには、スパッタリング成膜時のガス圧、スパッタリングターゲットへの投入パワー、T-S間距離スパッタリングターゲットと基板との距離、基板温度などを適切に制御することが好ましい。例えば成膜時のガス圧を低くするとスパッタ原子同士の散乱がなくなって緻密高密度な膜を成膜できると考えられるため、成膜時の全ガス圧は、スパッタの放電が安定する程度で低い程良く、おおむね0.5~5mTorrの範囲内に制御することが好ましく、1~3mTorrの範囲内であることがより好ましい。また、投入パワーは高い程良く、おおむねDCまたはRFで2.0W/cm2以上に設定することが推奨される。成膜時の基板温度も高い程良く、おおむね室温~200°Cの範囲内に制御することが推奨される。本発明の配線構造は、上記酸化物半導体層第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層の積層構造を備えていればよく、ゲート絶縁膜を含めて他の構成については特に限定されない。例えば本発明の配線構造はTFTに好適に用いることができる。TFTは、基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、上記酸化物半導体層、ソース電極、ドレイン電極を少なくとも有していれば良く、その構成は通常用いられるものであれば特に限定されない。ここで、上記酸化物半導体層積層構造の密度は5.8g/cm3以上であることが好ましい。酸化物半導体層の密度が高くなると膜中の欠陥が減少して膜質が向上し、また原子間距離が小さくなるため、TFT素子の電界効果移動度が大きく増加し、電気伝導性も高くなり、光照射に対するストレスへの安定性が向上する。上記酸化物半導体層の密度は高い程良く、より好ましくは5.9g/cm3以上であり、更に好ましくは6.0g/cm3以上である。なお、酸化物半導体層の密度は、後記する実施例に記載の方法によって測定したものである。なお、上記密度は、酸化物半導体層全体の密度すなわち、第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層の積層構造の密度を意味しているが、当該酸化物半導体層の成膜に当たっては、第1および第2の酸化物半導体層の密度は同程度にする必要は必ずしもなく、例えば、第1の酸化物半導体層の密度よりも、ゲート絶縁膜に接する第2の酸化物半導体層の密度を高めても良い。これにより、ゲート絶縁膜と酸化物半導体層の界面における欠陥準位密度が低減されるため、特に、光ストレスに対する安定性が一層向上する。勿論、第1および第2の酸化物半導体層の密度を同程度に高くしても良く、多くの電子を輸送する第1の酸化物半導体層の密度を高くすることにより、特に、電界効果移動度が一層向上する。以下、図3を参照しながら、上記TFTの製造方法の実施形態を説明する。図3および以下の製造方法は、本発明の好ましい実施形態の一例を示すものであり、これに限定する趣旨ではない。例えば図3には、ボトムゲート型構造のTFTを示しているがこれに限定されず、酸化物半導体層の上にゲート絶縁膜とゲート電極を順に備えるトップゲート型のTFTであっても良い。トップゲート型TFTにおいても、第1の酸化物半導体層とゲート絶縁膜との間に第2の酸化物半導体層を介在させれば良い。図3に示すように、基板1上にゲート電極2およびゲート絶縁膜3が形成され、その上に第2の酸化物半導体層4’、第1の酸化物半導体層4が形成されている。第1の酸化物半導体層4上にはソースドレイン電極5が形成され、その上に保護膜絶縁膜6が形成され、コンタクトホール7を介して透明導電膜8がドレイン電極5に電気的に接続されている。基板1上にゲート電極2およびゲート絶縁膜3を形成する方法は特に限定されず、通常用いられる方法を採用することができる。また、ゲート電極2およびゲート絶縁膜3の種類も特に限定されず、汎用されているものを用いることができる。例えばゲート電極2として、電気抵抗率の低いAlやCuの金属、これらの合金を好ましく用いることができる。また、ゲート絶縁膜3としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などが代表的に例示される。そのほか、Al2O3やY2O3などの酸化物や、これらを積層したものを用いることもできる。次いで酸化物半導体層第2の酸化物半導体層4’と第1の酸化物半導体層4を形成する。第2の酸化物半導体層4’は、第2の酸化物半導体層を構成するX群元素とY群元素と同組成のスパッタリングターゲットを用いたDCスパッタリング法またはRFスパッタリング法により成膜することができ、あるいは、X群元素のターゲット上にY群元素のチップを積載したコスパッタ法により成膜しても良い。同様に第1の酸化物半導体層4も同組成のスパッタリングターゲットを用いたDCスパッタリング法またはRFスパッタリング法により成膜することができる。第2の酸化物半導体層4’と第1の酸化物半導体層4を順次、真空一環で連続成膜するのが好ましい。第1の酸化物半導体層4をウェットエッチングした後、パターニングする。パターニングの直後に、第1の酸化物半導体層4の膜質改善のために熱処理プレアニールを行うことが好ましく、これにより、トランジスタ特性のオン電流および電界効果移動度が上昇し、トランジスタ性能が向上するようになる。プレアニール条件としては、例えば、温度:約250~400°C、時間:約10分~1時間などが挙げられる。プレアニールの後、エッチストッパー層9を形成しても良い。エッチストッパー層9は一般的にSiO2などの絶縁膜が用いられる。エッチストッパー層9を形成せずに、ソースドレイン電極5を形成しても良いが、ソースドレイン電極にエッチングを施す際に酸化物半導体層がダメージを受けてトランジスタ特性が低下する恐れがあるため、このような場合は、エッチストッパー層9を形成することが望ましい。もっとも、製造方法によってはエッチングの際にエッチストッパー層を設けなくても酸化物半導体層にダメージを与えないこともあるため、必要に応じてエッチストッパー層を形成すれば良い。例えばリフトオフ法によってソースドレイン電極を加工する場合は半導体層へのダメージがないためエッチストッパー層は必要ない。ソースドレイン電極5の種類は特に限定されず、汎用されているもの用いることができる。例えばゲート電極と同様AlやCuなどの金属または合金を用いても良いし、後記する実施例のように純Tiを用いても良い。電極の形成はスパッタリング法が広く用いられる。その後、ソースドレイン電極5の上に保護膜6をCVDChemicalVaporDeposition法によって成膜する。CVD法による保護膜6はSiO2やSiN、SiONなどが用いられる。また、スパッタリング法を用いて保護膜6を形成しても良い。半導体層の表面は、CVDによるプラズマダメージによって容易に導通化してしまうためおそらく第1の酸化物半導体表面に生成される酸素欠損が電子ドナーとなるためと推察される。、後記する実施例では、保護膜6の成膜前にN2Oプラズマ照射を行った。N2Oプラズマの照射条件は、下記文献に記載の条件を採用した。J.Parkら、Appl.Phys.Lett.,1993,0535052008次に、常法に基づき、コンタクトホール7を介して透明導電膜8をドレイン電極5に電気的に接続する。透明導電膜およびドレイン電極の種類は特に限定されず、通常用いられるものを使用することができる。ドレイン電極としては、例えば前述したソースドレイン電極で例示したものを用いることができる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例によって制限されず、前後記の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。実験1前述した方法に基づき、図1に示す薄膜トランジスタTFTを作製し、保護膜絶縁膜6の形成後のTFT特性を評価した本実験ではエッチストッパー層9は形成していない。まず、ガラス基板1コーニング社製イーグル2000、直径100mm×厚さ0.7mm上に、ゲート電極2としてTi薄膜を100nm、およびゲート絶縁膜3としてSiO2200nmを順次成膜した。ゲート電極2は純Tiのスパッタリングターゲットを使用し、DCスパッタ法により、成膜温度:室温、成膜パワー:300W、キャリアガス:Ar、ガス圧:2mTorrにて成膜した。また、ゲート絶縁膜3はプラズマCVD法を用い、キャリアガス:SiH4とN2Oの混合ガス、成膜パワー:100W、成膜温度:300°Cにて成膜した。次に、後記する種々の組成および構造の酸化物半導体層を、酸化物半導体層の組成に応じた組成を有するスパッタリングターゲットを用いて下記条件のスパッタリング法によって成膜した。酸化物半導体層としては、第1の酸化物半導体層4と第2の酸化物半導体層4’からなる本発明の半導体層を作製した実施例1。また比較例として従来の酸化物半導体層4IGZOを成膜したもの比較例1を作製した第2の酸化物半導体層4’は形成していない。基板温度:室温ガス圧:5mTorr酸素分圧:100×O2/ArO2=2実施例1の酸化物半導体層は第1の酸化物半導体層4としてIGZOと、第2の酸化物半導体層4’としてY群元素を含むIGZOとからなる積層体である。まず、ゲート絶縁膜3の上に第2の酸化物半導体層4’を成膜した。具体的にはX群元素であるIGZO原子比In:Ga:Zn=2:2:1のスパッタリングターゲットの上にY群元素としてSiチップを装着したターゲットを用いてCo-Sputter法を用いて、ゲート絶縁膜3上に成膜した膜厚:5nm、Si含有量は酸素を除く第2の酸化物半導体層4’を構成する全金属In、Ga、Zn、Siの合計含有量に対して3原子。更にその上に第1の酸化物半導体層4としてIGZO原子比In:Ga:Zn=2:2:1のスパッタリングターゲットを用いてDCスパッタリング法を用いて成膜膜厚50nmした。この際、第2の酸化物半導体層4’の成膜から第1の酸化物半導体層4の成膜は途中でチャンバーを大気開放せず、連続的に成膜を行った。このようにして得られた酸化物半導体層中の金属元素の各含有量は、XPSX-rayPhotoelectronSpectroscopy法によって分析した。詳細には、最表面から5nm程度深さまでの範囲をArイオンにてスパッタリングした後、下記条件にて分析を行なったなお、XPS法にて測定する半導体層はSi基板上に第1及び第2の半導体層と同一組成の薄膜をそれぞれ50nm成膜した試料を用いた。X線源:AlKαX線出力:350W光電子取り出し角:20°上記のようにして酸化物半導体層を成膜した後、フォトリソグラフィおよびウェットエッチングによりパターニングを行った。ウェットエッチャント液としては、関東科学製ITO-07Nを使用した。本実施例では、実験を行ったすべての半導体層について、ウェットエッチングによる残渣はなく、適切にエッチングできたことを確認している。半導体層をパターニングした後、膜質を向上させるためプレアニール処理を行った。プレアニールは、大気雰囲気にて350°Cで1時間行なった。次に、純Tiを使用し、リフトオフ法によりソースドレイン電極5を形成した。具体的にはフォトレジストを用いてパターニングを行った後、Ti薄膜をDCスパッタリング法により成膜膜厚は100nmした。ソースドレイン電極用Ti薄膜の成膜方法は、前述したゲート電極2の場合と同じである。次いで、アセトン液中で超音波洗浄器にかけて不要なフォトレジストを除去し、TFTのチャネル長を10μm、チャネル幅を200μmとした。このようにしてソースドレイン電極5を形成した後、その上に、保護膜6を形成した。保護膜6として、SiO2膜厚200nmとSiN膜厚200nmの積層膜合計膜厚400nmを用いた。上記SiO2およびSiNの形成は、サムコ製PD-220NLを用い、プラズマCVD法を用いて行なった。本実施例では、N2Oガスによってプラズマ処理を行った後、SiO2膜、およびSiN膜を順次形成した。SiO2膜の形成にはN2OおよびSiH4の混合ガスを用い、SiN膜の形成にはSiH4、N2、NH3の混合ガスを用いた。いずれの場合も成膜パワーを100W、成膜温度を150°Cとした。次にフォトリソグラフィ、およびドライエッチングにより、保護膜6にトランジスタ特性評価用プロービングのためのコンタクトホール7を形成した。次に、DCスパッタリング法を用い、キャリアガス:アルゴンおよび酸素ガスの混合ガス、成膜パワー:200W、ガス圧:5mTorrにて透明導電膜8としてITO膜膜厚80nmを成膜し、図1のTFTを作製して、後記する試験を行った。比較例1上記酸化物半導体層としてアモルファスIGZOの酸化物半導体層4原子比In:Ga:Zn=2:2:1、膜厚50nm:単層をスパッタリング法により成膜し第2の酸化物半導体層4’は成膜していない、上記製法に従ってTFTを作製し、比較例1とした。このようにして得られた各TFTについて、以下のようにして1トランジスタ特性ドレイン電流-ゲート電圧特性、Id-Vg特性、2しきい値電圧、3S値、および4電界効果移動度を測定した。1トランジスタ特性の測定トランジスタ特性の測定はNationalInstruments社製4156Cの半導体パラメータアナライザーを使用した。詳細な測定条件は以下のとおりである。ソース電圧:0Vドレイン電圧:10Vゲート電圧:-30~30V測定間隔:0.25V2しきい値電圧Vthしきい値電圧とは、おおまかにいえば、トランジスタがオフ状態ドレイン電流の低い状態からオン状態ドレイン電流の高い状態に移行する際のゲート電圧の値である。本実施例では、ドレイン電流が、オン電流とオフ電流の間の1nA付近であるときの電圧をしきい値電圧と定義し、各TFT毎のしきい値電圧を測定した。3S値S値は、ドレイン電流を一桁増加させるのに必要なゲート電圧の最小値であり、低いほど良好な特性であることを示す。具体的には、S値が0.60V/decade以下である場合を合格と評価した。4電界効果移動度μ電界効果移動度μは、TFT特性からVg>Vd-Vthである線形領域にて導出した。線形領域ではVg、Vdをそれぞれゲート電圧、ドレイン電圧、Idをドレイン電流、L、WをそれぞれTFT素子のチャネル長、チャネル幅、Ciをゲート絶縁膜の静電容量、μFEを電界効果移動度とした。μFEは以下の式から導出される。本実施例では、線形領域を満たすゲート電圧付近におけるドレイン電流-ゲート電圧特性Id-Vg特性の傾きから電界効果移動度μを導出した。後述するストレス試験実施後の電界効果移動度を表に記載した。ストレス耐性の評価本実施例では、ゲート電極2に負バイアスをかけながら光を照射するストレス印加試験を行った。ストレス印加条件は以下のとおりである。ゲート電圧:-20V基板温度:60°Cストレス印加時間:1時間光強度:0.1μW/cm2ピーク波長:400nm作製したTFT素子について、ストレス試験を実施した。図4aと図4bにトランジスタ特性を示す。図4aに比較例1のTFTのトランジスタ特性を示すが、ゲート電圧を-30Vから30Vに増加させると、0V付近でドレイン電流が増加し始め、スイッチング特性を示していることがわかる。トランジスタ特性から測定したパラメータは、しきい値電圧Vthが1V、S値が0.43V/decade、移動度μが11cm2/Vs程度であり、薄膜トランジスタとして良好な特性を示している。図4bに実施例1のTFTのトランジスタ特性を示すが、比較例同様に0V付近でドレイン電流が増加し始め、スイッチング特性を示していることがわかる。また、トランジスタ特性から導出したパラメータは、しきい値電圧Vthが-1V、S値が0.35V/decade、移動度μが14.3cm2/Vsである。図4aと図4bのトランジスタ特性から、次のことが分かる。酸化物半導体層として本発明の第1の酸化物半導体層4と第2の酸化物半導体層4’の積層体を設けた場合実施例1、トランジスタ特性の立ち上がりが急峻になりS値が向上低下する。また、オン電流Vg=30Vのときのドレイン電流について、第2の酸化物半導体層がない場合は5.0×104Aであるのに対し、第2の酸化物半導体層を設けた場合は1.0×103Aまで増加していることから、第2の酸化物半導体層を設けると移動度電界効果移動度μも上昇して特性が向上することが確認された。IGZO第1の酸化物半導体層4とゲート絶縁膜3との界面に、半導体中で不安定な酸素と安定して結合するSiのような元素Y群元素を含有する第2の酸化物半導体層4’を設けることで、界面の欠陥準位が低減され、移動度が増加し、S値が低下したものと推察される。次に上記実施例1と比較例1のTFT素子を用いて、光照射と負バイアスを印加するストレス試験を実施した結果を示す。図5はTFTのしきい値電圧の変化量ΔVthとストレス印加時間の関係を示している。比較例1をみると、ストレス印加時間とともにしきい値電圧Vthが負側へシフトしており、1時間でのしきい値電圧変化量ΔVthは-6.2Vである。これは光照射により生成した正孔がバイアス印加によりゲート絶縁膜と半導体界面に蓄積されたため、しきい値電圧がシフトしたものと考えられる。一方、実施例1では、TFTのしきい値電圧変化量ΔVthは比較例1と比較するとVthの変化は小さく、1時間でΔVthは1.5Vである。これらの結果から、実施例1のように本発明で規定する酸化物半導体層の構成第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層ゲート絶縁膜と第1の酸化物半導体層の間に形成を採用すれば、光と負バイアスのストレス印加によるTFT特性の変動を抑制する効果があることが確認された。これはSiY群元素を添加した第2の酸化物半導体層をゲート絶縁膜界面に介在させることにより、ゲート絶縁膜と酸化物半導体との界面の結合を安定させ、欠陥が形成されにくい状態になっているものと推測される。実験2本発明の酸化物半導体層第1の酸化物半導体層IGZOと第2の酸化物半導体層IGZOY群元素による積層体における第2の酸化物半導体層を構成するY群元素の種類を変更して上記実験1と同様にして種々のTFTを作製した。なお、第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層のIGZOZ群元素、及びX群元素の組成はIn:Ga:Zn=2:2:1とした。また第1の酸化物半導体層の膜厚を50nm、第2の酸化物半導体層の膜厚を5nmとし、DCスパッタリング法を用いて連続的に成膜した。表1にTFT特性の測定とストレス試験を行った結果を示す。表1では、上記比較例1従来のIGZO単層、表1のNo.1のストレス試験によるしきい値電圧変化量ΔVth=-6.2V1時間を基準とし、試験結果のΔVthの絶対値がこれより小さい6.2V未満ものを合格、これと同等か大きい場合6.2V以上を不合格と評価した。また、移動度電界効果移動度μについては、移動度が比較例1の80以上8.8cm2/Vs以上の場合を合格、これより低い場合<8.8cm2/Vsを不合格と評価した表中、移動度cm2/Vsと記載。また、S値については、0.60V/decade以下の場合を合格、これより大きい場合>0.60V/decadeを不合格と評価した。表1の最右欄には判定総合判定の欄を設け、上記結果がすべて合格のものを○と判定し、いずれか一つでも不合格のものを×と判定した。表1より、以下のように考察することができる。まず、No.2~4は、Y群元素としてSiを、本発明の好ましい範囲で含有する例であり、すべての特性が良好であった判定の欄=○。これに対し、Si量が本発明の好ましい上限を超えるNo.5は、移動度が低下し、S値が増加した。同様に、No.6~8は、Y群元素としてHfを、本発明の好ましい範囲で含有する例であり、すべての特性が良好であった判定の欄=○。これに対し、Hf量が本発明の好ましい上限を超えるNo.9は、移動度が低下し、S値が増加した。同様に、No.10~12は、Y群元素としてNiを、本発明の好ましい範囲で含有する例であり、すべての特性が良好であった判定の欄=○。これに対し、Ni量が本発明の好ましい上限を超えるNo.13は、移動度が低下し、S値が増加した。また、No.14~18は、それぞれ、Y群元素としてAl、Ti、Ta、Ge、Wを、本発明の好ましい範囲で含有する例であり、すべての特性が良好であった判定の欄=○。上記の実験結果より、Si以外のY群元素を用いたときであっても、当該Y群元素を本発明の好ましい範囲で含有する場合は、所望とする特性をすべて兼ね備えたTFTが得られることが実証された。一方、No.19および20は、いずれも、本発明で規定するY群元素以外の元素を用いた例である。No.19Mn添加例およびNo.20Cu添加例では、スイッチング特性を示さなかったため、移動度、S値、およびVthV変化量は測定していない各特性の欄は-と記載。実験3次に移動度cm2/Vsと第2の酸化物半導体層の膜厚との関係を調べるために、第1の酸化物半導体層IGZO:50nmと第2の酸化物半導体層IGZOX群元素と2.4原子SiY群元素からなる半導体層とを上記実験1と同様にして作製し、TFT特性を調べた。この際、第2の酸化物半導体層の膜厚は0.5~10nmの間で変更した。図6に示すように、第2の酸化物半導体層の膜厚が薄い程、移動度は高くなっていることが分かる。この結果から第2の酸化物半導体層の膜厚は10nmあれば十分であり、またY群元素添加による欠陥密度低減効果は膜厚によっても、ある程度影響を受けることが分かった。なお、Siを添加した酸化物は、ウェットエッチング加工も良好に行なわれたことから、アモルファス構造であると推察される。以上の実験1~3の結果を総合的に勘案すると、Y群元素を適量添加し、更にY群元素とX群元素の比を好ましい範囲に制御することにより、保護膜成膜後も高い移動度が得られ、基板面内ばらつきが少ない良好なTFTが得られることが実証された。実験4ここでは、基礎実験として、スパッタリング成膜時のガス圧が、酸化物半導体層を構成する第1または第2の酸化物半導体層単層の密度に及ぼす影響を調べた。本実験は、本発明に対応する積層構造第1の酸化物半導体層および第2の酸化物半導体層の酸化物半導体層は成膜していない。詳細には、表2に記載の種々の組成の酸化物を用い、スパッタリング成膜時のガス圧を1mTorr、3mTorr、または5mTorrに制御して得られた酸化物膜膜厚100nmの密度を、以下の方法で測定した。表2中の組成比は原子比であり、No.1~3は第1の酸化物半導体層、No.4および5は第2の酸化物半導体層に対応する。No.4および5において5.0atSiとは、酸素を除く第2の酸化物半導体層を構成する全金属In、Ga、Zn、Siの合計含有量に対して5原子であることを意味する。酸化物膜の密度の測定酸化物膜の密度は、XRRX線反射率法を用いて測定した。詳細な測定条件は以下のとおりである。分析装置:株リガク製水平型X線回折装置SmartLabターゲット:Cu線源:Kα線ターゲット出力:45kV-200mA膜密度測定用試料の作製ガラス基板上に各組成の酸化物を下記スパッタリング条件で成膜した膜厚100nm後、前述した実験1のTFT製造過程におけるプレアニール処理を模擬して、当該プレアニール処理と同じ熱処理を施したしたものを使用スパッタガス圧:1mTorr、3mTorrまたは5mTorr酸素分圧:100×O2/ArO2=2成膜パワー密度:DC2.55W/cm2熱処理:大気雰囲気にて350°Cで1時間これらの結果を表2に併記する。表2より、酸化物膜の組成にかかわらず、成膜時のガス圧を5mTorrから1mTorrに低くすると、酸化物膜の密度が増加することが分かる。これは、スパッタリング成膜時のガス圧を低下させることにより、スパッタされた原子分子の散乱が抑制され、欠陥の少ない高密度な膜が得られたためと推測される。成膜時のガス圧が低い程、散乱回数は減少するが、逆にガス圧が低過ぎるとスパッタリング時の放電が不安定になることから、実際には、これらのバランスを考慮しながら成膜時のガス圧を適切に調整することが好ましい。なお、上記実験では、第2層の好ましい膜厚の上限10nmを超えて実験を行なったが、膜密度の測定は、原理的に膜厚に影響されないため、上記と同様の実験結果は、第2層の膜厚を本発明の好ましい範囲に制御した場合においても得られると考えられる。実験5上記実験4の結果を踏まえ、ここでは、スパッタリング成膜時のガス圧が、酸化物半導体層第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層の積層構造の密度に及ぼす影響を調べた。本実験に用いた酸化物半導体層の詳細な組成は表3のNo.1~3に示すとおりであり、組成はすべて同じである。第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層のIGZOZ群元素、及びX群元素の組成はIn:Ga:Zn=2:2:1とした。詳細には、前述した実験1において、表3に示すNo.1~3の酸化物半導体層第1の酸化物半導体層および第2の酸化物半導体層をスパッタリング法で成膜するときのガス圧を、それぞれ表3に記載のように変化させたこと以外は上記実験1と同様にして図1のTFTを作製した。このようにして得られたTFTについて、上記実験4と同様にして各酸化物半導体層の密度を測定すると共に、上記実験1と同様にして、ストレス試験前の電界効果移動度およびS値、並びにストレス試験光照射負バイアスを印加前後のしきい値電圧の変化量Vth変化量を測定した。これらの結果を表3に併記する。表3より、スパッタ成膜時のガス圧を5mTorrから1mTorrに低下させると、TFTの電界効果移動度が向上し、S値も低下し、しきい値電圧の変化量Vth変化量も小さくなるなど、良好な結果が得られた。これは、酸化物半導体層の密度を高くすることにより、当該半導体層中の欠陥が減少し、膜質が向上したためと考えられる。詳細には、No.2のように第2の酸化物半導体層の成膜時におけるガス圧のみを低くした場合と、No.3のように第1および第2の酸化物半導体層の成膜時におけるガス圧を両方低くした場合を比べると、No.2よりもNo.3の方が、移動度は一層向上し、S値は一層低下し、Vth変化量は一層小さくなるなど、より優れた特性が得られた。よって、より優れた特性を確保するためには、第1および第2の酸化物半導体層の密度を両方高密度化することが最も効果的であると考えられる。上記と同様の結果酸化物半導体層の高密度化によるTFT特性の向上は、表3に示す組成の酸化物半導体層に限定されず、本発明の要件を満足する他の酸化物半導体層を用いたときも同様に発揮されるものと推測される。実験6上記では、酸化物半導体層を構成するX群元素およびZ群元素として、In:Ga:Znの原子比が2:2:1のIGZOをベースとして用いて実験を行なったが、本発明はこれに限定されず、例えば、In:Ga:Znの原子比が約1:1:1のものを用いた場合であっても、本発明の要件を満足するものは良好な特性が得られることを調べた。具体的には、表4に記載のNo.2~4の積層体が得られるように、In:Ga:Zn原子比≒1:1:1のスパッタリングターゲット上に、Y群元素としてSiチップ、Hfチップ、Niチップを装着したターゲットを用いて第2の酸化物半導体層を成膜し、且つ、In:Ga:Zn原子比≒1:1:1のスパッタリングターゲットを用いて第1の酸化物半導体層を成膜したこと以外は、前述した実験1と同様にしてTFTを作製した。また、比較のため、第2の酸化物半導体層を有しないものNo.1を作製した。これらのTFTについて、前述した実験2と同様にして種々の特性を測定した。これらの結果を表4に記載する。表4では、No.1の比較例従来のIGZO単層のストレス試験によるしきい値電圧変化量ΔVth=-5.8V1時間を基準とし、試験結果のΔVthの絶対値がこれより小さい5.8V未満ものを合格、これと同等か大きい場合5.8V以上を不合格と評価した。また、移動度電界効果移動度μについては、移動度が上記比較例の80以上10.8cm2/Vs以上の場合を合格、これより低い場合<10.8cm2/Vsを不合格と評価した。また、S値については、0.60V/decade以下の場合を合格、これより大きい場合>0.60V/decadeを不合格と評価した。表4の最右欄には判定総合判定の欄を設け、上記結果がすべて合格のものを○と判定し、いずれか一つでも不合格のものを×と判定した。表4より、第2の酸化物半導体層において、Y群元素としてSi、Hf、Niをそれぞれ、本発明の好ましい範囲で含有するNo.2~4は、すべての特性が良好であった判定の欄=○。上記結果より、本発明によれば、酸化物半導体層を構成するIGZOの組成にかかわらず、良好な特性が得られることが確認された。なお、上記実験では、酸化物半導体層としてIGZOをベースにして実験を行なったが、本発明はこれに限定されず、酸化物半導体層を構成するX群元素およびZ群元素が、本発明で規定するものであれば良い。例えば、X群元素およびZ群元素としてZnおよびSnを含むZn-Sn-Oの酸化物や、X群元素およびZ群元素としてIn、Zn、およびSnを含むIn-Zn-Sn-Oの酸化物などをベースにして用いても良く、本発明の要件を満足するものは、当該酸化物の組成にかかわらず、良好な特性が得られることを実験により確認している。"