"被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の表面にレーザビームを照射してアブレーション加工によりレーザ加工溝を形成するための集光器を備えたレーザビーム照射手段と、該集光器と被加工物との間の空間に配設され該レーザビームが被加工物に照射されることによって加工点付近に発生される粉塵を吸引して排出する粉塵排出手段とを備えたレーザ加工装置であって、該粉塵排出手段は、上壁と底壁と該上壁と該底壁と連結する側壁とを有し、内部に集塵室を画成し該集光器に連結されたケーシングと、該上壁に形成されたレーザビームの通過を許容する第1の開口と、該底壁に形成されたレーザビームの通過を許容する第2の開口と、該側壁に形成された吸引排気口と、該上壁及び該底壁に接するように該ケーシング内に挿入され、該第2の開口を中央開口と該中央開口の両側の第1及び第2吸引口に分離するV形状隔壁と、該第1吸引口を該吸引排出口に接続する該ケーシングと該V形状隔壁により画成された第1流路と、該第2吸引口を該吸引排出口に接続する該ケーシングと該V形状隔壁により画成された第2流路とを具備し、該第1吸引口と該第2吸引口は該レーザビームが被加工物の表面に形成するレーザ加工溝の両側にそれぞれ開口していることを特徴とするレーザ加工装置。しかしながら、特許文献1に開示されたレーザ加工装置で実際にレーザ加工を実施すると、発生するデブリがレーザビームを取り巻くようにその周囲全体から吸引されるため、デブリの発生から吸引手段に吸引されるまでに、デブリがレーザビームを横断してしまうことになる。その結果、レーザビームが安定的に被加工物に照射できず、形成されるレーザ加工溝の深さや幅が不安定になるという状況が発生していた。それによって、ウエーハを個々のデバイスに一様に分割できなくなるという問題があった。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、アブレーション加工により発生する粉塵がレーザビームの光路を横断することなく、粉塵を吸引して排気することが可能な粉塵排出ユニットを備えたレーザ加工装置を提供することである。本発明によると、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の表面にレーザビームを照射してアブレーション加工によりレーザ加工溝を形成するための集光器を備えたレーザビーム照射手段と、該集光器と被加工物との間の空間に配設され該レーザビームが被加工物に照射されることによって加工点付近に発生される粉塵を吸引して排出する粉塵排出手段とを備えたレーザ加工装置であって、該粉塵排出手段は、上壁と底壁と該上壁と該底壁と連結する側壁とを有し、内部に集塵室を画成し該集光器に連結されたケーシングと、該上壁に形成されたレーザビームの通過を許容する第1の開口と、該底壁に形成されたレーザビームの通過を許容する第2の開口と、該側壁に形成された吸引排気口と、該上壁及び該底壁に接するように該ケーシング内に挿入され、該第2の開口を中央開口と該中央開口の両側の第1及び第2吸引口に分離するV形状隔壁と、該第1吸引口を該吸引排出口に接続する該ケーシングと該V形状隔壁により画成された第1流路と、該第2吸引口を該吸引排出口に接続する該ケーシングと該V形状隔壁により画成された第2流路とを具備し、該第1吸引口と該第2吸引口は該レーザビームが被加工物の表面に形成するレーザ加工溝の両側にそれぞれ開口していることを特徴とするレーザ加工装置が提供される。本発明のレーザ加工装置によると、アブレーション加工により発生する粉塵の吸引をレーザビームの光路の両脇且つ形成するレーザ加工溝の両脇方向から行うため、レーザビームが吸引される粉塵の流路を横断することがなくなり、レーザビームの照射が安定して深さや幅が一定のレーザ加工溝を形成することが可能になるという効果を奏する。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態の粉塵排出ユニット64を具備したレーザ加工装置2の斜視図が示されている。レーザ加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、すなわちX軸方向に移動される。第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により一対のガイドレール24に沿って割り出し方向、すなわちY軸方向に移動される。第2スライドブロック16上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持された半導体ウエーハをクランプするクランプ30が設けられている。静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にはレーザビーム照射ユニット34を収容するケーシング35が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット34は、図2に示すように、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器66と、繰り返し周波数設定手段68と、パルス幅調整手段70と、パワー調整手段72とを含んでいる。レーザビーム照射ユニット34のパワー調整手段72により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング35の先端に取り付けられたレーザ加工ヘッド36によりチャックテーブル28に保持されている半導体ウエーハWに照射される。レーザ加工ヘッド36は、ミラー74及び集光用対物レンズ76を有する集光器62と、集光器62に連結された粉塵排出ユニット64とから構成される。ケーシング35の先端部には、レーザ加工ヘッド36とX軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像ユニット38が配設されている。撮像ユニット38は、可視光によってウエーハの加工領域を撮像する通常のCCD等の撮像素子を含んでいる。撮像ユニット38は更に、半導体ウエーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ制御手段40に送信される。コントローラ40はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置CPU42と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリROM44と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリRAM46と、カウンタ48と、入力インターフェイス50と、出力インターフェイス52とを備えている。56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出ユニットであり、加工送り量検出ユニット56の検出信号はコントローラ40の入力エンターフェイス50に入力される。60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出ユニットであり、割り出し送り量検出ユニット60の検出信号はコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。撮像ユニット38で撮像した画像信号もコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。一方、コントローラ40の出力インターフェイス52からはパルスモータ10、パルスモータ20、レーザビーム照射ユニット34等に制御信号が出力される。次に、図3乃至図6を参照して、本発明実施形態に係る粉塵排出ユニット64について詳細に説明する。図3を参照すると、ケーシング35の先端に取り付けられたレーザ加工ヘッド36の斜視図が示されている。レーザ加工ヘッド36は、図2に示されるようにミラー74及び集光用対物レンズ76を有する集光器62と、集光器62に連結部82を介して連結された粉塵排出ユニット64とから構成される。粉塵排出ユニット64は、図5及び図6に最もよく示されるように、上壁78bと、底壁78cと、上壁78bと底壁78cとを連結する円形側壁78aとから構成され、内部に集塵室80を画成するケーシング78を含んでいる。ケーシング78の上壁78bにはレーザビームの通過を許容する第1の開口81が形成されており、ケーシング78の底壁78cにはレーザビームの通過を許容する第2の開口83が形成されている。図5に最もよく示されるように、ケーシング78の円形側壁78aには吸引排出口85が形成されており、この吸引排出口85を画成する円形側壁78aにはパイプ84が一体的に連結され、このパイプ84には吸引手段に接続されたホース86が連結されている。図5で矢印X1はチャックテーブル28が加工送りされる加工送り方向を示している。図4に最もよく示されるように、ケーシング78内には、ケーシング78の上壁78b及び底壁78cに接し、屈曲点88aが吸引排出口85に対向するようにV形状隔壁88が挿入されている。このV形状隔壁88により、ケーシング78の底壁78cに形成された第2の開口83は、V形状隔壁88の両側に配置された第1及び第2吸引口83a,83bと、第1及び第2吸引口83a,83bとの間の中央開口83cとに分離される。第1吸引口83aは第1流路94aを介して吸引排出口85に連通され、第2吸引口83bは第2流路94bを介して吸引排出口85に連通される。一方、中央開口83cはV形状隔壁88により吸引排出口85から隔離されている。以下、このように構成された粉塵排出ユニット64の作用について説明する。レーザビーム照射ユニット34のレーザ発振器66からは例えば波長355nmのパルスレーザビームが発振され、パワー調整手段72により所定パワーに調整されたパルスレーザビームが集光器62のミラー74で反射され、更に集光用対物レンズ76によって集光されてチャックテーブル28に保持されている半導体ウエーハWに照射される。図5に示すように、集光用対物レンズ76によって集光されたレーザビーム77か半導体ウエーハWに照射され、アブレーション加工によりレーザ加工溝92を形成する。図5及び図6において、Tはダイシングテープであり、半導体ウエーハWはダイシングテープTに貼着されて、ダイシングテープTを介してチャックテーブル28により吸引保持されている。図5及び図6に示すように、半導体ウエーハWにレーザビームが照射されると、レーザ加工点90からデブリ等の粉塵93が発生する。粉塵排出ユニット64のホース86を吸引手段に接続することにより、レーザ加工により発生した粉塵93は、図4に最もよく示されるように、ケーシング78の底壁78cに形成された第1及び第2吸引口83a,83bを介して集塵室80内に吸引され、第1及び第2流路94a,94bに示されるように吸引排出口85方向に吸引される。図5及び図6において、矢印A及びBは粉塵93の流れを示している。このように加工点90で発生した粉塵93はV形状隔壁88の両側の第1及び第2吸引口83a,83bから集塵室80内に吸引され、集塵室80から吸引排出口85を介して排出されるため、V形状隔壁88の内側の中央開口83cから集塵室80内に吸引される粉塵93は殆ど発生しない。よって、ウエーハWに照射されるレーザビーム77が粉塵93の流路を横断することがなくなり、その結果、レーザビーム77が粉塵93により妨げられることがなく、ウエーハWの表面に深さや幅が一定のレーザ加工溝92を形成することができる。上述した実施形態では、チャックテーブル28の加工送り方向は矢印X1方向で、この場合吸引排出口85はレーザビーム照射時のレーザビームの進行方向と反対側の円形側壁78aに形成されているが、通常レーザ加工はチャックテーブル28の往路時に加えて復路時にも加工を施す往復加工で実施されるため、復路時には吸引排出口85はレーザビームの進行方向側の円形側壁78aに形成されていることになる。本実施形態の粉塵排出ユニット64では、第1及び第2吸引口83a,83bから集塵室80内に吸引した粉塵93を吸引排出口85を介して積極的に排出しているため、レーザビーム77の進行方向に対する吸引排出口85の形成位置はレーザビームの進行方向側及び反対側の何れでもよいことになる。上述した実施形態の粉塵排出ユニット64を備えたレーザ加工装置によると、アブレーション加工により発生した粉塵93の吸引をレーザビーム77の光路の両側且つ形成するレーザ加工溝92の両側から行い、レーザビーム77が照射される中央部分には粉塵93の滞留が殆どないため、レーザビーム77が粉塵93の流路を横断することがなくなり、レーザビームを安定してウエーハWに照射することができるため、深さや幅が一定のレーザ加工溝92を形成することができる。"