微細凹凸構造を表面に有する物品を製造する方法であって、下記工程i~iiiを有し、下記モールドが、TiO2含有石英ガラスを含むものであり、少なくとも下記工程iを、ヘリウムガス雰囲気下で行う、微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法;i光硬化性組成物を、微細凹凸構造の反転構造を表面に有するモールドの該反転構造を有する表面に接触するように、該モールドと基材とで挟持する工程;iiモールドと基材とで光硬化性組成物を挟持した状態で、光硬化性組成物に光を照射し、光硬化性組成物を硬化させて硬化物とする工程;iii硬化物からモールドを分離して、微細凹凸構造が表面に形成された硬化物を基材の表面に有する物品を得る工程。該モールドにおいて、反転構造における凹部の底面の算術平均粗さRaが1~30nmである、請求項1に記載の微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法。該モールドが、TiO2濃度が2~10質量のTiO2含有石英ガラスを含むものである、請求項1または2に記載の微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法。ヘリウムガス雰囲気がヘリウムガスの濃度が50体積以上の雰囲気である、請求項1~3のいずれか一項に記載の微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法。本発明は、微細凹凸構造を表面に有する物品を、該微細凹凸構造に発生する欠陥を抑えつつ、生産性よく製造できる方法を提供する。本発明の、微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法は、下記工程i~iiiを有し、下記モールドが、TiO2含有石英ガラスを含むものであり、少なくとも下記工程iを、ヘリウムガス雰囲気下で行う;i光硬化性組成物を、微細凹凸構造の反転構造を表面に有するモールドの該反転構造を有する表面に接触するように、該モールドと基材とで挟持する工程;iiモールドと基材とで光硬化性組成物を挟持した状態で、光硬化性組成物に光を照射し、光硬化性組成物を硬化させて硬化物とする工程;iii硬化物からモールドを分離して、微細凹凸構造が表面に形成された硬化物を基材の表面に有する物品を得る工程。本発明の、微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法においては、該モールドにおいて、微細凹凸構造の反転構造における凹部の底面の算術平均粗さRaが1~30nmであることが好ましい。本発明の、微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法においては、該モールドが、TiO2濃度が2~10質量のTiO2含有石英ガラスを含むものであることが好ましい。本発明の、微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法においては、ヘリウムガス雰囲気がヘリウムガスの濃度が50体積以上の雰囲気であることが好ましい。本発明の製造方法によれば、微細凹凸構造を表面に有する物品を、該微細凹凸構造に発生する欠陥を抑えつつ、生産性よく製造できる。本発明の、微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法は、下記工程i~iiiを有する方法である。i光硬化性組成物を、微細凹凸構造の反転構造を表面に有するモールドの該反転構造を有する表面に接触するように、該モールドと基材とで挟持する工程。iiモールドと基材とで光硬化性組成物を挟持した状態で、光硬化性組成物に光を照射し、光硬化性組成物を硬化させて硬化物とする工程。iii硬化物からモールドを分離して、微細凹凸構造が表面に形成された硬化物を基材の表面に有する物品を得る工程。本発明の、微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法は、モールドとして、TiO2含有石英ガラスを含むものを用い、少なくとも工程iを、ヘリウムガス雰囲気下で行う。TiO2含有石英ガラスTiO2-SiO2ガラスは、TiO2を含まない石英ガラスSiO2ガラスに比べガスの透過性に優れ、特に、ヘリウムガスの透過性に優れる。そのため、モールドの反転構造における凹部にヘリウムガスの気泡が残っても、大気雰囲気下の場合や、TiO2を含まない石英ガラスからなるモールドを用いた場合に比べ、該気泡は比較的短時間でモールドに吸収される。ヘリウムガス雰囲気とは、ヘリウムガスを主成分とする雰囲気であって、ヘリウムガスの濃度は50体積以上が好ましく、75体積以上がより好ましく、90体積以上がさらに好ましい。本発明の製造方法においては、工程i~iiiをヘリウムガス雰囲気下で行ってもよいが、ヘリウムガスの使用量を極力抑える点から、工程iのみをヘリウムガス雰囲気下で行うことが好ましい。少なくとも工程iをヘリウムガス雰囲気下で行えば、本発明の効果を充分に発揮できる。<工程i>モールドモールドは、微細凹凸構造の反転構造を表面に有するものである。微細凹凸構造の反転構造は、目的とする物品の表面の微細凹凸構造を反転させた構造であり、複数の微細な凸部および/または凹部からなる。凸部としては、モールドの表面に延在する長尺の凸条、表面に点在する突起等が挙げられる。凹部としては、モールドの表面に延在する長尺の溝、表面に点在する孔等が挙げられる。凸条または溝の形状としては、直線、曲線、折れ曲がり形状等が挙げられる。凸条または溝は、複数が平行に存在して縞状をなしていてもよい。凸条または溝の、長手方向に直交する方向の断面形状としては、長方形、台形、三角形、半円形等が挙げられる。突起または孔の形状としては、三角柱、四角柱、六角柱、円柱、三角錐、四角錐、六角錐、円錐、半球、多面体等が挙げられる。凸条または溝の幅は、平均で1nm~500μmが好ましく、10nm~100μmがより好ましく、15nm~10μmがさらに好ましい。凸条の幅とは、長手方向に直交する方向の断面における底辺の長さを意味する。溝の幅とは、長手方向に直交する方向の断面における上辺の長さを意味する。突起または孔の幅は、平均で1nm~500μmが好ましく、10nm~100μmがより好ましく、15nm~10μmがさらに好ましい。突起の幅とは、底面が細長い場合、長手方向に直交する方向の断面における底辺の長さを意味し、そうでない場合、突起の底面における最大長さを意味する。孔の幅とは、開口部が細長い場合、長手方向に直交する方向の断面における上辺の長さを意味し、そうでない場合、孔の開口部における最大長さを意味する。凸部の高さは、平均で1nm~500μmが好ましく、10nm~100μmがより好ましく、15nm~10μmがさらに好ましい。凹部の深さは、平均で1nm~500μmが好ましく、10nm~100μmがより好ましく、15nm~10μmがさらに好ましい。微細凹凸構造が密集している領域において、隣接する凸部または凹部間の間隔は、平均で1nm~500μmが好ましく、1nm~50μmがより好ましい。隣接する凸部間の間隔とは、凸部の断面の底辺の終端から、隣接する凸部の断面の底辺の始端までの距離を意味する。隣接する凹部間の間隔とは、凹部の断面の上辺の終端から、隣接する凹部の断面の上辺の始端までの距離を意味する。凸部の最小寸法は、1nm~50μmが好ましく、1nm~500nmがより好ましく、1nm~50nmが特に好ましい。最小寸法とは、凸部の幅、長さおよび高さのうち最小の寸法を意味する。凹部の最小寸法は、1nm~50μmが好ましく、1nm~500nmがより好ましく、1nm~50nmが特に好ましい。最小寸法とは、凹部の幅、長さおよび深さのうち最小の寸法を意味する。凹部の底面の算術平均粗さRaは、1~30nmが好ましい。凹部の底面の算術平均粗さRaが1nm以上であれば、ヘリウムガスと接触する面積が広くなり、該底面におけるヘリウムガスの透過性吸収性がさらに良好になる。より好ましくは2nm以上、さらに好ましくは5nm以上である。凹部の底面の算術平均粗さRaが30nmを超えると、底面の粗さ自体が、目的とする物品の微細凹凸構造の凸部における欠陥となるおそれがある。より好ましくは20nm以下、さらに好ましくは15nm以下である。Raは、凸部の高さまたは凹部の深さに対して1/2以下であることが好ましい。算術平均粗さRaは、JISB06012001年に規定される算術平均粗さRaであり、原子間力顕微鏡を用いて測定する。モールドとしては、ヘリウムガスの透過性吸収性に優れることから、TiO2含有石英ガラス以下、TiO2-SiO2ガラスと記すを含むものを用いる。TiO2を含まない石英ガラスは、ヘリウムガスの透過性吸収性が不充分であり、気泡が消えるまでに時間がかかるため、TiO2を含まない石英ガラスからなるモールドを用いた場合は、微細凹凸構造を表面に有する物品の生産性が低下する。TiO2-SiO2ガラスは、ドーパントとしてTiO2を含む石英ガラスである。TiO2-SiO2ガラス100質量中のTiO2濃度は、2~10質量が好ましい。TiO2濃度が2~10質量であれば、ヘリウムガスの透過性吸収性が充分に高くなる。より好ましくは、3~8質量、さらに好ましくは4~6.5質量である。TiO2濃度は、蛍光X線分析法において、ファンダメンタルパラメーターFP法を用いて測定する。TiO2-SiO2ガラスを含むモールドは、TiO2-SiO2ガラス基材を作製し、該TiO2-SiO2ガラス基材の表面に反転構造を形成する方法によって作製できる。TiO2-SiO2ガラス基材の作製方法としては、下記工程a~fを有する方法等、公知の方法が挙げられる。aスート法によってSiO2前駆体およびTiO2前駆体を含むガラス形成原料から得られるTiO2-SiO2ガラス微粒子を、堆積させて多孔質TiO2-SiO2ガラス体を得る工程。b前記多孔質TiO2-SiO2ガラス体を緻密化温度まで昇温してTiO2-SiO2緻密体を得る工程。c前記TiO2-SiO2緻密体を透明ガラス化温度まで昇温して透明TiO2-SiO2ガラス体を得る工程。d必要に応じて前記透明TiO2-SiO2ガラス体を軟化点以上に加熱して成形し、成形TiO2-SiO2ガラス体を得る工程。e必要に応じて前記工程cで得られた透明TiO2-SiO2ガラス体または前記工程dで得られた成形TiO2-SiO2ガラス体をアニール処理する工程。f前記工程c~eのいずれかで得られたTiO2-SiO2ガラス体に、切断、切削、研削、研磨等の機械加工を行うことにより、所定の形状を有するTiO2-SiO2ガラス基材を得る工程。上記の工程において、緻密体を作る工程bや、緻密体となった工程c以降の工程において、熱処理雰囲気中のヘリウム濃度を1以下とすることが好ましい。こうすることにより、得られるTiO2-SiO2ガラス基材中のヘリウム濃度が小さくなる。TiO2-SiO2ガラス基材中のヘリウム濃度が小さい方が、ヘリウムガスの透過性吸収性が良くなる。工程bは、減圧とすることがより好ましく、窒素ガスまたはアルゴンガスを主成分とする雰囲気にて、減圧とすることがさらに好ましい。また、緻密体となった工程c以降の工程は、窒素ガスまたはアルゴンガスを主成分とする雰囲気とすることがより好ましく、アルゴンガスを主成分とする雰囲気とすることがさらに好ましい。TiO2-SiO2ガラス基材の表面に微細凹凸構造の反転構造を形成する方法としては、エッチングによる方法が挙げられる。エッチングとしては、ドライエッチングが好ましく、具体的には、SF6による反応性イオンエッチングが好ましい。基材物品の基材としては、無機材料製基材または有機材料製基材が挙げられる。無機材料としては、シリコンウエハ、ガラス、石英ガラス、金属アルミニウム、ニッケル、銅等、金属酸化物アルミナ等、窒化珪素、窒化アルミニウム、ニオブ酸リチウム等が挙げられる。有機材料としては、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリエステルポリエチレンテレフタレート等、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチレン、ナイロン樹脂、ポリフェニレンサルファイド、環状ポリオレフィン等が挙げられる。基材としては、光硬化性組成物との密着性に優れる点から、表面処理された基材を用いてもよい。表面処理としては、プライマー塗布処理、オゾン処理、プラズマエッチング処理等が挙げられる。プライマーとしては、シランカップリング剤、シラザン等が挙げられる。光硬化性組成物光硬化性組成物としては、ラジカル重合型樹脂組成物、カチオン重合型樹脂組成物、エンーチオール型樹脂組成物、フッ素含有材料、有機-無機ハイブリッド材料等、の公知の光インプリント用材料、または、国際公開第2007/116972号パンフレットの明細書段落[0029]~[0074]に記載の光硬化性組成物等、文献公知の光硬化性組成物を用いることができる。生産性の点から、光ラジカル重合により光硬化しうるラジカル重合形樹脂組成物が好ましい。挟持方法光硬化性組成物をモールドと基材とで挟持する方法としては、下記の方法α~γが挙げられる。方法α:下記の工程α-1、α-2を有する方法。α-1図1に示すように、光硬化性組成物20を基材30の表面に配置する工程。α-2図2に示すように、モールド10を、該モールド10の、複数の凹部12からなる反転構造が光硬化性組成物20に接するように、光硬化性組成物20に押しつける工程。方法β:下記の工程β-1、β-2を有する方法。β-1図3に示すように、光硬化性組成物20を、モールド10の、複数の凹部12からなる反転構造の表面に配置する工程。β-2図4に示すように、基材30をモールド10の表面の光硬化性組成物20に押しつける工程。方法γ:下記の工程γ-1、γ-2を有する方法。γ-1図5に示すように、基材30とモールド10とを、モールド10の、複数の凹部12からなる反転構造が基材30側になるように接触または接近させる工程。γ-2図6に示すように、光硬化性組成物20を基材30とモールド10との間に充填する工程。工程α-1:光硬化性組成物の配置方法としては、インクジェット法、ポッティング法、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法、ダイコート法、ラングミュラープロジェット法、真空蒸着法等が挙げられる。光硬化性組成物は、基材の全面に配置してもよく、基材の表面の一部に配置してもよい。工程α-2:モールドを光硬化性組成物に押しつける際のプレス圧力ゲージ圧は、0超~10MPa以下が好ましく、0.1MPa~5MPaがより好ましい。モールドを光硬化性組成物に押しつける際の温度は、0~100°Cが好ましく、10~60°Cがより好ましい。工程β-1:光硬化性組成物の配置方法としては、インクジェット法、ポッティング法、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法、ダイコート法、ラングミュラープロジェット法、真空蒸着法等が挙げられる。光硬化性組成物は、モールドの反転構造の全面に配置してもよく、反転構造の一部に配置してもよく、反転構造の全面に配置することが好ましい。工程β-2:基材を光硬化性組成物に押しつける際のプレス圧力ゲージ圧は、0超~10MPa以下が好ましく、0.1MPa~5MPaがより好ましい。基材を光硬化性組成物に押しつける際の温度は、0~100°Cが好ましく、10~60°Cがより好ましい。工程γ-2:光硬化性組成物を基材とモールドとの間に充填する方法としては、毛細管現象により空隙に光硬化性組成物を吸引する方法が挙げられる。光硬化性組成物を充填する際の温度は、0~100°Cが好ましく、10~60°Cがより好ましい。<工程ii>モールドと基材とで光硬化性組成物を挟持した状態をある程度の時間維持する。光硬化性組成物の挟持完了から光硬化性組成物への光照射開始までの時間は、モールドの凹部に残ったヘリウムガスの気泡が消失するのに必要な充分な時間以上、かつ生産性を低下させない時間以下であり、モールドの材料、雰囲気の温度等によって最適な時間の範囲は適宜決定される。光硬化性組成物の挟持完了から光硬化性組成物への光照射開始までの時間は、5秒~3分程度であることが好ましく、10~30秒程度であることがより好ましく、10~20秒程度であることがさらに好ましい。光照射は、通常、モールド側から行うが、基材が光透過性を有する場合は基材側から行ってもよい。光の波長は、200~500nmが好ましい。光を照射する際には、光硬化性組成物を加熱して硬化を促進してもよい。光を照射する際の温度は、0~100°Cが好ましく、10~60°Cがより好ましい。<工程iii>硬化物からモールドを分離することにより、図7に示すような、モールド10の、複数の凹部12からなる反転構造が転写されることによって、複数の凸部44からなる微細凹凸構造が表面に形成された硬化物42を基材30の表面に有する物品40が得られる。硬化物からモールドを分離する際の温度は、0~100°Cが好ましく、10~60°Cがより好ましい。微細凹凸構造を表面に有する物品としては、下記のものが挙げられる。半導体装置の製造工程の途中で得られる、シリコンウエハ上に所定パターンのレジスト膜を形成した中間体。光学素子:マイクロレンズアレイ、光導波路素子、光スイッチング素子グリッド偏光素子、波長板等。、フレネルゾーンプレート素子、バイナリー素子、ブレーズ素子、フォトニック結晶等。反射防止部材:ARAntiReflectionコート部材等。チップ類:バイオチップ、μ-TASMicro-TotalAnalysisSystems用のチップ、マイクロリアクターチップ等。その他:記録メディア、ディスプレイ材料、触媒の担持体、フィルター、センサー部材、ナノインプリント用のドーターモールド等。本発明の物品40が、半導体装置の製造工程の途中で得られる、シリコンウエハ基材30上に所定パターンのレジスト膜硬化物42を形成した中間体である場合、凸部44間の凹部の底面に存在する薄いレジスト残膜を除去し、シリコンの表面を露出させる必要がある。レジスト残膜の除去方法としては、酸素リアクティブイオンエッチング等による方法が挙げられる。レジスト残膜を除去した後、レジスト膜をマスクとしてエッチングを行ったり、アルミニウム等を蒸着した後リフトオフし、配線に利用したりする。以上説明した、本発明の、微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法にあっては、上述した工程i~iiiを有する方法において、モールドとして、TiO2含有石英ガラスを含むものを用い、少なくとも工程iを、ヘリウムガス雰囲気下で行うため、モールドの反転構造における凹部にヘリウムガスの気泡が残っても、該気泡は、ガスの透過性に優れるTiO2含有石英ガラスからなるモールドに比較的短時間でモールドに吸収される。その結果、微細凹凸構造を表面に有する物品を、該微細凹凸構造に発生する、気泡に由来する欠損欠陥を抑えつつ、生産性よく製造できる。以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。例1は実施例であり、例2は比較例である。TiO2濃度TiO2含有石英ガラス中のTiO2濃度は、蛍光X線分析法において、ファンダメンタルパラメーターFP法を用いて測定する。インプリント模擬試験2枚の石英系ガラス基材を、ヘリウムガス100体積雰囲気であるチャンバー内に設置する。一方の石英系ガラス基材の表面に光硬化性組成物を配置する。他方の石英系ガラス基材を光硬化性組成物に押しつける。光硬化性組成物とこれを挟持する石英系ガラス基板との間に存在する大きさ50μm程度の気泡を観察し、光硬化性組成物の挟持完了から気泡の消失までの時間を測定する。算術平均粗さRaモールドの反転構造における凹部の底面について、原子間力顕微鏡を用いてJISB06012001年に規定される算術平均粗さRaを測定する。連続転写試験モールドおよびシリコンウエハを、ヘリウムガス100体積雰囲気であるチャンバー内に設置する。シリコンウエハの表面に光硬化性組成物を配置する。モールドを、モールドの反転構造が光硬化性組成物に接するように光硬化性組成物に押しつける。光硬化性組成物に、高圧水銀灯からの紫外線を15秒間照射し、光硬化性組成物を硬化させ、硬化物からモールドを分離することにより、複数の凸部からなる微細凹凸構造が表面に形成された硬化物をシリコンウエハの表面に有する物品を得る。これを複数回繰り返す。光硬化性組成物撹拌機および冷却管を装着した1000mLの4つ口フラスコに、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート新中村化学工業社製、NKエステルA-DPHの60g、ネオペンチルグリコールジアクリレート新中村化学工業社製、NKエステルA-NPGの40g、光重合開始剤チバスペシャリティーケミカルズ社製、IRGACURE907の4.0g、含フッ素界面活性剤旭硝子社製、フルオロアクリレートCH2=CHCOOCH22CF28Fとブチルアクリレートとのコオリゴマー、フッ素含有量:約30質量、質量平均分子量:約3000の0.1g、重合禁止剤和光純薬社製、Q1301の1.0g、およびシクロヘキサノンの65.0gを入れる。フラスコ内を常温および遮光にした状態で、1時間撹拌して均一化する。ついで、フラスコ内を撹拌しながら、コロイド状シリカの100g固形分:30gをゆっくりと加え、さらにフラスコ内を常温および遮光にした状態で1時間撹拌して均一化する。ついで、シクロヘキサノンの340gを加え、フラスコ内を常温および遮光にした状態で1時間撹拌して光硬化性組成物を得る。例1工程aガラス形成原料であるTiCl4およびSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合し、酸水素火炎中で加熱加水分解火炎加水分解させることで得られるTiO2-SiO2ガラス微粒子を堆積用基材に堆積、成長させて、多孔質TiO2-SiO2ガラス体を形成する。得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体はそのままではハンドリングしにくいため、堆積用基材に堆積させたままの状態で、大気中、1200°Cで4時間保持した後、堆積用基材から外す。工程bその後、多孔質TiO2-SiO2ガラス体を、ロータリーポンプと油拡散ポンプを用いて窒素ガスを主成分とする雰囲気の減圧下とし、1400°Cで4時間保持して、TiO2-SiO2緻密体を得る。工程c得られたTiO2-SiO2緻密体を、カーボン型に入れて大気圧アルゴン雰囲気下にて1680°Cで4時間保持することによって透明TiO2-SiO2ガラス体を得る。工程d得られた透明TiO2-SiO2ガラス体を、カーボン型に入れて大気圧アルゴン雰囲気下にて1700°Cで4時間保持することによって成形を行い、成形TiO2-SiO2ガラス体を得る。工程f得られた成形TiO2-SiO2ガラス体を、内周刃スライサを用いて縦約153.0mm×横約153.0mm×厚さ約6.75mmの板状に切断し、面取りを行って、縦約153.0mm×横約153.0mm×厚さ約6.7mmの板材を得る。20B両面ラップ機スピードファム社製を用い、実質的にAl2O3からなる研磨材平成サンケイ製、AZ1000を濾過水に18~20質量懸濁させたスラリーによって、厚さが約6.5mmになるまで板材の主表面転写パターンを形成する面を研削加工する。ついで、第1研磨工程として、20B両面ポリシュ機を用い、発砲ポリウレタン製の研磨パッド、および酸化セリウムを主成分とする研磨材によって、板材の主表面を約50μm研磨する。さらに、第2研磨工程として、24B両面ポリシュ機を用い、スウェード系研磨パッド、および酸化セリウムを主成分とする研磨材によって、板材の主表面を約15μm研磨する。さらに、別の研磨機で第3研磨工程を行い、TiO2-SiO2ガラス基材を得る。この第3研磨工程には、スウェード系研磨パッド、およびコロイダルシリカを用いる。得られたTiO2-SiO2ガラス基材について、TiO2濃度を測定する。TiO2濃度は6.2質量である。また、得られたTiO2-SiO2ガラス基材を用いて、インプリント模擬試験を行う。気泡の消失までの時間は、17秒である。TiO2-SiO2ガラス基材の表面に、SF6による反応性イオンエッチングによって、幅:100nm、深さ:30nmの凹部を200nmピッチで平行に複数形成し、モールドを得る。得られたモールドについて、凹部の底面の算術平均粗さRaを測定する。平均値は14nmである。連続転写試験を行う。凸部に欠陥の見られない、微細凹凸構造が表面に形成された硬化物をシリコンウエハの表面に有する物品が良好に得られる。例2工程aガラス形成原料であるSiCl4をガス化させ、酸水素火炎中で加熱加水分解火炎加水分解させることで得られるSiO2ガラス微粒子を堆積用基材に堆積、成長させて、多孔質SiO2ガラス体を形成する。得られた多孔質SiO2ガラス体はそのままではハンドリングしにくいため、堆積用基材に堆積させたままの状態で、大気中、1200°Cで4時間保持した後、堆積用基材から外す。工程b、工程cその後、多孔質SiO2ガラス体を、ロータリーポンプと油拡散ポンプを用いて窒素ガスを主成分とする雰囲気の減圧下とし、1450°Cで4時間保持して、透明SiO2ガラス体を得る。工程d得られた透明SiO2ガラス体を、カーボン型に入れて大気圧アルゴン雰囲気下にて1750°Cで4時間保持することによって成形を行い、成形SiO2ガラス体を得る。工程f得られた成形SiO2ガラス体について、例1と同じ方法で、研削、研磨を行い、SiO2ガラス基材を得る。得られたSiO2ガラス基材について、TiO2濃度を測定する。TiO2濃度は0質量である。また、得られたSiO2ガラス基材を用いて、インプリント模擬試験を行う。気泡の消失までの時間は、21秒である。SiO2ガラス基材の表面に、SF6による反応性イオンエッチングによって、幅:100nm、深さ:30nmの凹部を200nmピッチで平行に複数形成し、モールドを得る。得られたモールドについて、凹部の底面の算術平均粗さRaを測定する。平均値は9nmである。連続転写試験を行う。凸部に欠陥の見られない、微細凹凸構造が表面に形成された硬化物をシリコンウエハの表面に有する物品が得られる率は、例1に対して9割である。本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。本出願は、2010年2月3日出願の、日本特許出願2010-022235に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。