"次の式Iの化合物を得る方法であって、式中、R1はC15直鎖又は枝分れアルキル基を表し、R2はアミノ保護基を表し、vは0~4の整数であり、Xはハロゲン又は-O-SO2-R3基式中、R3はハロゲン、直鎖又は枝分れC110アルキル、直鎖又は枝分れC110ハロアルキル又はC610アリールである。から選択される脱離基を表す。a以下の式Iaの化合物を脱ベンジル化する段階と式中、R11、R12及びwはそれぞれ式IでR1、R2及びvについて定義した通りである。b段階aからの反応混合物を結晶化して、次の式Ibの精製化合物を得る段階と、式中、R21、R22及びxはそれぞれ式IでR1、R2及びvについて定義した通りである。c段階bで得られる式Ibの化合物と適当な形態のXただし、Xは式Iで定義した通りである。との反応によって式Iの化合物に転化する段階とを含む方法。R1、R11及びR21がエチルである、請求項1記載の方法。R2、R12及びR22が、t-ブトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、フタルイミド基及びN-ベンジリデンアミン置換基から構成される群より選択される、請求項1又は請求項2記載の方法。v、w及びxが0又は1である、請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の方法。Xが-O-SO2-R3基で表される基である、請求項1記載の方法。R3がトルエンスルホン酸、ニトロベンゼンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、フルオロスルホン酸、パーフルオロアルキルスルホン酸、トリメチルスタニル及びトリエチルスタニルからなる群から選択される、請求項5記載の方法。R3がトリフルオロメタンスルホン酸である、請求項6記載の方法。式Iの化合物が次式のものであり、式Ibの化合物が次式のものであり、式Iaの化合物が次式のものである、請求項1乃至請求項7のいずれか1項記載の方法。式中、Etはエチルであり、OTfはトリフルオロメタンスルホン酸であり、Bocはtert-ブチルオキシカルボニルである。。Xがハロゲンである、請求項1記載の方法。ハロゲンがブロモ又はクロロである、請求項10記載の方法。次の式IIの化合物を得るための放射合成方法であって、式中、yは請求項1においてvについて定義した通りである。i請求項1に定義する方法に従って式Iの化合物を用意する段階と、ii式Iの化合物と好適な[18F]フッ化物源との反応によって式IIaの化合物を得る段階と、式中、R31、R32及びzはそれぞれ請求項1においてR1、R2及びvについて定義した通りである。iii段階iiで得られる式IIaの化合物を脱保護して、R31及びR32を除去する段階とを含む方法。[18F]フッ化物源が、ルビジウム、セシウム、クリプタンドと錯形成したカリウム又はテトラアルキルアンモニウム塩から選択される対イオン存在下の[18F]フッ化物である、請求項11記載の方法。脱保護が、R31を除去した後にR32を除去することを含む、請求項11又は請求項12記載の方法。yとzとが等しく、0又は1である、請求項11乃至請求項13のいずれか1項記載の方法。R31がエチルである、請求項11乃至請求項14のいずれか1項記載の方法。R32がt-ブトキシカルボニル基である、請求項11乃至請求項15のいずれか1項記載の方法。式IIの化合物が次式のものであり、式IIaの化合物が次式のものである、請求項11乃至請求項16のいずれか1項記載の方法。式中、Etはエチルであり、Bocはtert-ブチルオキシカルボニルである。。脱保護する段階が、塩基性加水分解によるEtの除去及び酸性加水分解によるBocの除去を含む、請求項17記載の方法。段階ii及びiiiを自動合成装置上で行う、請求項11乃至請求項18のいずれか1項記載の方法。1つの態様において本発明は、次の式Iの化合物を得る方法であって、式中、R1はC15直鎖又は枝分れアルキル基を表し、R2はアミノ保護基を表し、vは0~4の整数であり、Xはハロゲン又は-O-SO2-R3基式中、R3はハロゲン、直鎖又は枝分れC110アルキル、直鎖又は枝分れC110ハロアルキル又はC610アリールである。から選択される脱離基を表す。a以下の式Iaの化合物を脱ベンジル化する段階と、式中、R11、R12及びwはそれぞれ式IでR1、R2及びvについて定義した通りである。b段階aからの反応混合物を結晶化して次の式Ibの精製化合物を得る段階と、式中、R21、R22及びxはそれぞれ式IでR1、R2及びvについて定義した通りである。c段階bで得られる式Ibの化合物と適当な形態のXただし、Xは式Iで定義した通りである。との反応によって式Iの化合物に転化する段階とを含む方法に関する。単独で又は組み合わせで使用される用語アルキルは、一般式CnH2n1の直鎖又は枝分れ基を意味する。この一般式中のnの値は、個々の事例で特定される。好ましいアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、1-プロピル基又はイソプロピル基が挙げられる。用語保護基は、望ましくない化学反応を禁止又は抑制するが、当該分子の他の部分を変化させないに足るだけの温和な条件下で対象となる官能基から開裂し、所望の生成物を得ることができるだけの、十分な反応性を有するように設計された基を意味する。保護基は当業者に周知であり、’ProtectiveGroupsinOrganicSynthesis’,TheorodoraW.GreeneandPeterG.M.Wuts,FourthEdition,JohnWileySons,2007に記載される。好適なアミノ保護基は当技術分野で周知である。好適なアミノ保護基R2はカルバミン酸エステルである。好ましくは、R2はカルバミン酸tert-ブチルBOC、カルバミン酸9-フルオレニルメチルFmoc、カルバミン酸メチル、カルバミン酸エチル、カルバミン酸2-クロロ-3-インデニルメチルClimoc、カルバミン酸ベンズ[f]インデン-3-イルメチルBimoc、カルバミン酸2,2,2-トリクロロエチルTroc、カルバミン酸2-クロロエチル、カルバミン酸1,1-ジメチル-2,2-ジブロモエチルDB-t-Boc、カルバミン酸1,1-ジメチル-2,2,2-トリクロロエチルTCBOC、カルバミン酸ベンジルCbZ及びカルバミン酸ジフェニルメチルから選択される。最も好ましくは、R2はカルバミン酸tert-ブチルであり、N-tert-ブトキシカルボニルを与える。用語脱離基は求核的置換に適した部分を指し、不均一な結合開裂において1対の電子と共に離脱する分子断片である。単独で又は組み合わせで使用される用語ハロゲン又はハロ-は、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素から選択される置換基を指す。用語C110ハロアルキルは、少なくとも1つの水素が上記に定義したハロゲンにより置換され、1~10の間の炭素原子を含む上記に定義したアルキル基を指す。用語C610アリールは、単環を有する1価の芳香族炭化水素すなわちフェニル又は縮合環すなわちナフチルを指す。別途定義されない限り、そのようなアリール基は典型的には6~10の環炭素原子を含む。用語脱ベンジル化は化合物からベンジル置換基を開裂させることを指す。用語ベンジルは化学構造C6H5CH2-を有する基を指す。脱ベンジル化は当技術分野で周知の方法であり、一般的に、水素により炭素-炭素結合を開裂させる、すなわち炭素-炭素結合が水素による分解を受ける反応である接触水素化によって行われる。水素化分解は通常接触的に、例えば、炭素担持パラジウムPd/Cを触媒として使用して実施される。脱ベンジル化段階においてPd/Cのような触媒を用いる場合、次の段階に進む前に濾過によって反応混合物から触媒を除去する。用語濾過は流体から固体を機械的に分離することを指す。本発明において用いられる好適な濾過手段の限定されない例としては、濾過用ロートに加えて、ガラス焼結ロート又はガラス繊維フィルターが挙げられ、またその他のより特化した濾過方法もまた好適である。一般的に、脱ベンジル化の段階aの後であって転化段階bの前に、反応溶媒を乾燥により除去する。乾燥は、例えば窒素流通下での蒸発及び/又は減圧乾燥のような当業者に周知の方法で行うことができる。用語結晶化は、一般的に固体の結晶を溶液から沈殿させて形成するプロセスを指す。結晶化は精製方法として使用することができる。良好に形成された結晶は、それぞれの分子又はイオンが溶液から析出する際に、結晶格子中に完璧にはまり込まなければならないため、純粋であると期待されるという事実に由る。溶液から結晶化が起こるためには、溶液は過飽和状態になくてはならない。これは、溶液が、平衡状態飽和溶液において含む量よりも多くの、実際に溶解している溶質を含まなくてはならないということを意味する。これは様々な方法で果たすことができ、溶媒を留去する、溶液を冷却する、溶質の溶解度を低下させるために第2の溶媒を添加する貧溶媒添加晶析又はドラウニングアウトとして知られる手法、化学反応を行う及びpHを変化させるのような方法が挙げられる。本発明の方法においては、段階aの結果得られる反応物の溶液を作製する。この溶液は反応物が容易に溶解する第1の溶媒を用いて作製する。用語好適な形態のXとは、置換反応においてヒドロキシル官能基を置換することが可能な形態にある本明細書で定義したXを意味する。式Iの化合物は、欧州特許出願公開第1978015A1号に記載される方法に従う、あるいはそれを改変して適用することにより得ることができる。例えば、欧州特許出願公開第1978015A1号に具体的に記載される化合物4は、本発明の方法に使用することが好適な式Iaの化合物である。欧州特許出願公開第1978015A1号に記載される化合物4を得る方法を以下のスキーム1に説明する。McConathyetalApplRadIsotop2003;58:657-666もまた、式Iaの化合物を得る方法を記載している。McConathyetalの図2における化合物6は式Iaの化合物である。McConathyetalに記載される化合物6を得る方法を以下のスキーム2に説明する。ヒダントイン1を180°Cにおいて3N-水酸化ナトリウム水溶液で処理し、続いて二炭酸ジ-tert-ブチルで処理することによりN-Boc酸5を得た。5をトリメチルシリルジアゾメタンとの反応によって、メチルエステル6を高収率で得た。上述の従来技術の方法を、本発明における定義の範囲内のその他の式Iaの化合物を得るために改変して適用することは、当業者の通常の技量の範囲である。出発物質であるヒダントイン化合物は、syn型及びanti型の鏡像異性体を含んでもよい。プロセスのいずれの段階においても、鏡像異性体を積極的に分離する必要はない。実際、本明細書の例2に記載するように、僅かにsyn型異性体に富む結晶化生成物が得られている。予備実験の間に、このような富化は、結晶化段階が初期であるほど顕著に観察された。合計収率がやや低い場合、90を超えるsyn型/syn型anti型比が記録された。したがって本発明の方法は、異性体を分離できるという更なる利点を有している。好ましくは、R1はメチル又はエチルであり、最も好ましくはエチルである。この好ましいR1の定義はR11及びR12に対しても同様に適用される。R2は好ましくは炭酸エステル保護基であり、ここで用語炭酸エステルは、両側にアルコキシ基を有するカルボニル基からなり、一般構造RxOC=OORyを有する官能基を指す。R2は最も好ましくはt-ブトキシカルボニル基である。この好ましいR2の定義はR12及びR22に対しても同様に適用される。vは好ましくは0又は1であり、最も好ましくは0である。この好ましいvの定義はv及びwに対しても同様に適用される。式Iの特に好ましい化合物は次式のものである。式Iaの特に好ましい化合物は次式のものである。式Ibの特に好ましい化合物は次式のものである。上記化合物1、1a及び1bに対して、Etはエチル、OTfはトリフルオロメタンスルホン酸及びBocはtert-ブチルオキシカルボニルを表す。本発明の方法では、従来技術の方法に比較して、プロセス時間が短縮され、資材コストが低減される。特に式Iの化合物を商業規模でバッチ生産するために、式Ibの化合物を精製するフラッシュクロマトグラフィー段階を使用する従来技術の方法では、大型のシリカカラム及び大量の溶媒が必要となろう。フラッシュクロマトグラフィーに代えて結晶化を使用することにより、大量の溶媒の使用が回避され、コスト及び運転員の安全の両面で利益となる。好ましい実施形態では、Xは-O-SO2-R3基である。Xが-O-SO2-R3である場合、最も好ましくは、Xは、トルエンスルホン酸、ニトロベンゼンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、フルオロスルホン酸及びパーフルオロアルキルスルホン酸からなる群から選択される。特に好ましい実施形態では、-O-SO2-R3はトリフルオロメタンスルホン酸である。本発明の方法の段階cにおいて、-O-SO2-R3基は、式Iの化合物を所望の-O-SO2-R3基の親電子的な誘導体との反応によって添加することができ、該誘導体が好適な形態のXの例である。例えば、トリフルオロメタンスルホン酸を添加することを所望する場合、式Ibの化合物をトリフルオロメタンスルホン酸無水物と反応させることができる。別の好ましい実施形態では、Xはハロゲンである。Xがハロゲンである場合、ブロモ又はクロロであることが最も好ましい。Xがハロゲンである場合の段階cは、当業者に周知の方法で実施することができる。例えば、Xがクロロである式Ibの化合物は、式Iの化合物を塩化チオニル、五塩化リンPCl5、三塩化リンPCl3のような塩化物を含有する試薬との反応によって得ることができ、試薬のそれぞれは好適な形態のXの例である。Xがブロモである式Ibの化合物は、式Iの化合物を臭化水素酸HBr、三臭化リンPBr3のような臭素を含有する試薬との反応によって得ることができ、ここで再び、試薬のそれぞれは好適な形態のXの例である。式Iの化合物は、特定の[18F]標識化合物の放射性化合物合成用の有用な前駆体化合物である。したがって、本発明はまた、次の式IIの化合物を得るための放射合成方法であって、式中、yは式Iのvについて定義した通りである。i本明細書に定義する方法に従って式Iの化合物を用意する段階と、ii式Iの化合物と好適な[18F]フッ化物源との反応によって式IIaの化合物を得る段階と、式中、R31、R32及びzはそれぞれ式IでR1、R2及びvについて定義した通りである。iii段階iiで得られる式IIaの化合物を脱保護して、R31及びR32を除去する段階とを含む方法も提供する。[18F]フッ素イオンは典型的には水溶液として得られ、これは[18O]水ターゲットの照射によって得られる生成物である。一般的に、[18F]フッ化物を反応性の求核試薬に転化するためには、放射標識するための求核反応に使用する前に、ある種の段階を施す。非放射性のフッ素化の場合と同様に、これらの段階は、[18F]フッ素イオンから水を除去すること及び好適な対イオンを供給することHandbookofRadiopharmaceuticals2003WelchRedvanlyeds.Chapter6pp195-227を含む。そして、無水溶媒を用いて放射フッ素化反応を実施するAigbirhioetal1995JFluorChem;70:pp279-87。フッ素化反応に対する[18F]フッ素イオンの反応性を高めるために、水を除去する前に対カチオンを添加する。[18F]フッ素イオンの溶解性を維持するために、対イオンは無水の反応溶媒中で十分な溶解性を有するものでなくてはならない。そのため、使用されてきた対イオンとしては、ルビジウム又はセシウムのような、大きいがソフトな金属イオン、Kryptofix商標のようなクリプタンドと錯形成した、カリウム又はテトラアルキルアンモニウム塩が挙げられる。無水溶媒中での溶解性が良好であること及びフッ化物の反応性が高いことから、フッ素化反応に好ましい対イオンはKryptofix商標のようなクリプタンドと錯形成したカリウムである。脱保護段階iiiは、当業者に周知の方法で実施する。‘ProtectiveGroupsinOrganicSynthesis’,TheorodoraW.GreeneandPeterG.M.Wuts,FourthEdition,JohnWileySons,2007に、広範囲の保護基及びそれらの除去方法に関する記載がある。好ましい実施形態では、カルボキシ保護基であるR31は、アミノ保護基であるR32よりも先に除去する。例えば、R31がEtである場合、塩基性下で加水分解して除去することができ、R32がBocである場合、その後に、酸性下で加水分解して除去することができる。式Iについての上述のvの好適で好ましい定義の範囲は、それぞれ式II及びIIaのy及びzに対して同様に適用される。式Iについての上述のR1及びR2の好適且つ好ましい定義の範囲は、それぞれ式II及びIIaのR31及びR32に対して同様に適用される。好ましい実施形態では、式IIの化合物は次式のものであり、式IIaの化合物は次式のものである。式中、Etはエチルを、Bocはtert-ブチルオキシカルボニルである。。好ましい実施形態では、段階ii及びiiiを自動合成装置上で行う。現在では、[18F]放射性トレーサーはしばしば自動放射性化合物合成装置上で簡便に製造される。Tracerlab商標及びFastlab商標共にGEHealthcareLtdのような、数種の商業的に入手可能なそのような装置の例がある。そのような装置には通例、多くは使い捨てであり、放射性化合物合成を行うための装置に取り付けられ、その中で放射性化学を行うカセットを含む。カセットは通常、流体流路、反応槽及び試薬管を受けるためのポート、併せて放射性化合物合成後の浄化段階に使用する任意の固相抽出カートリッジから構成される。式IIの化合物の自動合成のための典型的なカセットは以下のi本明細書で定義される式Iの化合物を含有する槽と、ii槽内を本明細書で定義される[18F]フッ化物の好適な供給源によって溶出する手段と、iii過剰な[18F]フッ化物を除去するためのイオン交換カートリッジと、iv式IIaの化合物の脱保護を行い、式IIの化合物を形成するためのカートリッジとを含む。次に、本発明を以下の例によって説明する。例の簡単な説明例1は、従来技術による式Iの化合物を得るための方法について述べる比較例である。例2は、本発明により式Iの化合物を得るための方法について述べる。例において使用する略語一覧aq.水性TLC薄層クロマトグラフィーhr時間mmolミリモルmlミリリットルgグラムw/w重量/重量Et2Oジエチルエーテルmin分sat.飽和例1:従来技術による化合物1を得る方法1a化合物1aの合成及び精製McConathyetalApplRadiatIsotop2003;58:657-666に記載された方法によって3-ベンジルオキシシクロブタン-1-オンを調製した。3-ベンジルオキシシクロブタン-1-オンをシアン化カリウム、炭酸アンモニウム及び塩化アンモニウムと反応させた。反応混合物から結晶化によって5-3-ベンジルオキシシクロブタンヒダントインを単離し、BaOH2sat.aq.中、環流下で開環を行った。反応混合物をH2SO4で中和し、沈殿したBaSO4を濾別し、濾液から溶媒を留去することによりアミノ酸を単離した。1-アミノ-3-ベンジルオキシシクロブタンカルボン酸をエタノール中でSOCl2及びEt3Nにより1-アミノ-3-ベンジルオキシシクロブタンカルボン酸エチルエステルに転化した。反応混合物を減圧により濃縮することで、塩混合物として単離された1-アミノ-3-ベンジルオキシシクロブタンカルボン酸エチルエステルを得た。Et3N及びエタノール中、boc無水物を用いてアミノ基をBocにより保護した。抽出操作及びそれに引き続きフラッシュクロマトグラフィーを行うことにより、3-ベンジルオキシ-1-tert-ブトキシカルボニルアミノ-シクロブタンカルボン酸エチルエステル化合物1aを単離した。1b化合物1bの合成及び精製H2供給源に接続した反応フラスコ中N2雰囲気下で、化合物1a例1aに従って調製、31.83g、91mmolをエタノール600ml及び酢酸8ml、139mmolに溶解させた。得られた混合物に湿らせた炭素担持Pd6.28g、10w/wを添加した。N2の供給を停止し、反応フラスコ中を軽く脱気した後H2を充填する操作を2回繰り返した。必要に応じて、反応混合物にH2を追加で添加した。反応混合物を室温にて2日間撹拌して完全に転化させたTLCにより反応の進行状況を監視。反応混合物をガラス繊維フィルターにより濾過し、濾過ケークをエタノール160mlで洗浄し、減圧下、40°C未満の温度で濾液から溶媒を留去し、粗製化合物1b24.64gを得た。粗製化合物1bを二塩化メタン500mlに再溶解し、SiO265gを添加し、減圧下、40°C未満の温度で溶媒を留去して、クロマトグラフィーによる精製に供するための被吸着物を得た。フラッシュクロマトグラフィー用システム:SiO2360gを内径13cmのガラスカラムに約5cmの高さに充填し、ヘプタン、続いて30の酢酸エチルを添加したヘプタンにより状態調節を行った。粗製化合物を被吸着物としてカラムの最上部に装着し、海砂88gをカラムの最上部に注意深く添加した。次にカラムを、30の酢酸エチルを添加したヘプタン3画分、計2000ml、50の酢酸エチルを添加したヘプタン8画分、計2750ml及び70の酢酸エチルを添加したヘプタン8画分、計4000mlにより溶離した。画分8~19を生成物として単離し、これらの画分を合わせて、減圧下、38°Cにて溶媒を留去して、20.1g86、GC純度99.8の化合物1bを得た。1c化合物1の合成及び精製化合物1b20.1g、78mmolを二塩化メタン500mlに溶解し、ピリジン19ml、235mmolを添加し、得られた溶液を5°C未満の温度に冷却し、トリフリン酸無水物19.5ml、115mmolを30分間かけて少しずつ添加した。添加する間、反応温度を5°C未満の温度に保ち、添加が完了したところで、反応混合物を氷浴上で1時間撹拌しTLCにより反応の進行状況を監視、水500mlを添加して反応を停止させた。混合物をEt2O950mlで抽出し、水相を廃棄し、有機相をHCl500ml、1M、飽和食塩水500ml、sat.aq.で洗浄し、Na2SO456g上で乾燥した。粗製混合物をガラス焼結ロートにより濾過し、濾過ケークをEt2O100mlで洗浄し、減圧下、30°C未満の温度で合わせた濾液から溶媒を留去して、粗製化合物128.11gを得た。粗製化合物1を二塩化メタン400mlに再溶解し、SiO280gを添加し、減圧下、30°C未満の温度で溶媒を留去してクロマトグラフィーによる精製に供するための被吸着物を得た。フラッシュクロマトグラフィー用システム:SiO2330gを内径7cmのガラスカラムに約19cmの高さに充填し、ペンタン:ジエチルエーテル3:1により状態調節を行った。粗製化合物を被吸着物としてカラムの最上部に装着し、海砂50gをカラムの最上部に注意深く添加した。次にカラムを、ペンタン:ジエチルエーテル3:1、画分サイズ250mlにより溶離し、画分5~12を生成物として単離し、これらの画分を合わせて、減圧下、30°C未満の温度で溶媒を留去して、化合物121.94gを得た。エバポレータ用フラスコ中で、この物質にジエチルエーテル50mlを添加し、エバポレータ上で、全ての固形物が溶解するまでこの混合物を35°C未満の温度でゆっくりと撹拌した。加熱を停止し、混合液を1時間5分かけてゆっくりと25°Cまで冷却し、その溶液を室温にて1時間20分ゆっくり撹拌した。続いて混合物を5°C未満の温度まで冷却し、この温度で20分間保持し、その後混合物をさらに-20°C未満の温度まで15分かけて冷却し、この温度で1時間30分撹拌した。溶液にヘプタン110mlを添加し、溶液を1時間20分撹拌した。予冷したガラス焼結ロートを用いて濾過を行って結晶を採取し、氷冷したヘプタン110ml、-5°C未満の温度で洗浄した。この反応により、19.47g64、NMR純度99以上の化合物1が得られた。例2:化合物1を得るための本発明の方法例1bに記載した方法水素化、濾過及び溶媒留去を含み、フラッシュクロマトグラフィーを含まないによって調製した粗製化合物1b0.5300gを室温にて5mlの無水エタノールに溶解した。この溶液に窒素を吹き込むことにより、ゆっくりと濃縮した。この操作の間、結晶の核が形成されそして成長した。約1時間後、溶媒留去を停止した。残存したエタノールの量は0.3500g0.43mlであり、混合物はかなりの量の結晶を含んでいた。1mlのn-ヘプタンを添加し、窒素吹き込みによる溶媒留去を継続した。溶媒混合物が殆ど留去される時点約0.2mlの溶媒が残存で溶媒留去を停止し、1mlのn-ヘプタンを添加した。15分後、結晶を濾別し、約3mlのn-ヘプタンで洗浄した。結晶を減圧下で乾燥し、濾液から窒素吹き込みにより溶媒を留去してその後減圧下で乾燥した。結晶の単離収量は0.4873g91.9であり、回収率は92.9であった。結晶は良好な濾過性状を有し、その大きさは溶媒留去の速度及びn-ヘプタンの添加速度によっても調節できる。例3:大規模にて精製化合物1bを得る方法粗生成物:化合物1aから化合物1bへの水素化から得られる粗製反応混合物であり、触媒濾過及び洗浄後のエタノール溶液の形態。エタノール=2.5~3.8リットル。装置:減圧エバポレータ、エバポレーション用フラスコ、濾過装置。運転は、初期には大型のエバポレーション用フラスコ中で、容量が減少した後は小型のフラスコに移して実施することができる。代わりに、500又は1000ml容量の小型のフラスコ中で、連続的に内容物を入れ替えて又は少量ずつ実施することもできる。1.透明な溶液を、減圧下のフラスコ中にて溶媒留去により100~200mlの全容量まで濃縮する。溶液が核形成し、生成物が結晶化し、濃厚な懸濁液を形成する。2.200mlのn-ヘプタンを添加し、10分間撹拌回転し、懸濁液を容量約150mlまで濃縮する。3.新しく200mlのn-ヘプタンを添加し、段階2を繰り返す。4.30分間の回転室温以下の後、懸濁液を濾過し、結晶をn-ヘプタンで洗浄する。5.結晶を減圧下で乾燥する。"