基材の表面にデバイスを備えたデバイスチップであって、該基材内部に固体識別情報が描画されていることを特徴とするデバイスチップ。請求項1記載のデバイスチップの製造方法であって、基材ウエーハと、該基材ウエーハの表面に交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ形成された複数のデバイスと、からなるデバイスウエーハを準備するデバイスウエーハ準備ステップと、該デバイスウエーハ準備ステップで準備したデバイスウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該各デバイスに対応した該基材ウエーハ内部に位置付けて該レーザビームをデバイスウエーハの裏面から照射し、該各デバイスに対応した該基材ウエーハ内部にそれぞれ固体識別情報としての改質層マークを描画する固体識別情報描画ステップと、該固体識別情報描画ステップを実施した後、デバイスウエーハを該分割予定ラインに沿って分割して複数のデバイスチップを形成する分割ステップと、を具備したことを特徴とするデバイスチップの製造方法。特許文献1に開示された製品情報の刻印方法のように、デバイスチップの裏面に固体識別情報を刻印すると、デバイスチップの裏面に傷がついた場合には固体識別情報の読み取りが困難になるという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、デバイスチップの外周面に傷がついても固体識別情報の読み取りが可能なデバイスチップ及びデバイスチップの製造方法を提供することである。請求項1記載の発明によると、基材の表面にデバイスを備えたデバイスチップであって、該基材内部に固体識別情報が描画されていることを特徴とするデバイスチップが提供される。請求項2記載の発明によると、請求項1記載のデバイスチップの製造方法であって、基材ウエーハと、該基材ウエーハの表面に交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ形成された複数のデバイスと、からなるデバイスウエーハを準備するデバイスウエーハ準備ステップと、該デバイスウエーハ準備ステップで準備したデバイスウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該各デバイスに対応した該基材ウエーハ内部に位置付けて該レーザビームをデバイスウエーハの裏面から照射し、該各デバイスに対応した該基材ウエーハ内部にそれぞれ固体識別情報としての改質層マークを描画する固体識別情報描画ステップと、該固体識別情報描画ステップを実施した後、デバイスウエーハを該分割予定ラインに沿って分割して複数のデバイスチップを形成する分割ステップと、を具備したことを特徴とするデバイスチップの製造方法が提供される。本発明のデバイスチップはデバイスチップ内部に固体識別情報としての改質層マークが描画されているため、デバイスチップの外周面に傷がついてもデバイスチップの固体識別情報の読み取りが可能である。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、デバイスウエーハ11の斜視図が示されている。デバイスウエーハ11は、基材ウエーハ13上に半導体層15が積層されて構成されている。デバイスウエーハ11は、半導体層15が積層された表面11aと、基材ウエーハ13が露出した裏面11bとを有している。基材ウエーハ13は例えば700μmの厚みを有しており、半導体層15は例えば5μmの厚みを有している。半導体層15にIC、LSI等のデバイス19が格子状に形成された分割予定ラインストリート17によって区画されて形成されている。図2を参照すると、本発明のデバイスチップの製造方法を実施するのに適したレーザ加工装置2の斜視図が示されている。レーザ加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、即ちX軸方向に移動される。第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により一対のガイドレール24に沿って割り出し方向、すなわちY軸方向に移動される。第2スライドブロック16上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持された半導体ウエーハをクランプするクランプ30が設けられている。本実施形態のデバイスチップの製造方法では、クランプ30は使用しない。静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にレーザビーム照射ユニット34が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット34は、ケーシング33中に収容された図3に示すレーザビーム発生ユニット35と、ケーシング33の先端に取り付けられた集光器37とを含んでいる。レーザビーム発生ユニット35は、図3に示すように、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器62と、繰り返し周波数設定手段64と、パルス幅調整手段66と、パワー調整手段68とを含んでいる。特に図示しないが、レーザ発振器62はブリュースター窓を有しており、レーザ発振器62から出射するレーザビームは直線偏光のレーザビームである。ケーシング33の先端部には、集光器37とX軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像ユニット39が配設されている。撮像ユニット39は、可視光によって半導体ウエーハの加工領域を撮像する通常のCCD等の撮像素子を含んでいる。撮像ユニット39は更に、半導体ウエーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ制御手段40に送信される。コントローラ40はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置CPU42と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリROM44と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリRAM46と、カウンタ48と、入力インターフェイス50と、出力インターフェイス52とを備えている。56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段56の検出信号はコントローラ40の入力エンターフェイス50に入力される。60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段60の検出信号はコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。撮像ユニット39で撮像した画像信号もコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。一方、コントローラ40の出力インターフェイス52からはパルスモータ10、パルスモータ20、レーザビーム照射ユニット34等に制御信号が出力される。本発明のデバイスチップの製造方法では、まず、デバイスウエーハ11に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を各デバイス19に対応した基材ウエーハ13の内部に位置付けてレーザビームをデバイスウエーハ11の裏面11bから照射し、各デバイス19に対応した基材ウエーハ13内部にそれぞれ固体識別情報としての改質層マークを形成する固体識別情報描画ステップを実施する。この固体識別情報描画ステップを実施するには、図4に示すように、デバイスウエーハ11の表面11aに表面保護テープTを貼着し、表面保護テープT側をレーザ加工装置2のチャックテーブル28で吸引保持する。そして、チャックテーブル28をX軸方向及びY軸方向に移動してデバイスウエーハ11を撮像ユニット39の直下に位置付ける。この状態で赤外線撮像手段によりデバイスウエーハ11を裏面11b側から撮像し、各デバイス19の位置を検出してコントローラ40のRAM46に格納する。レーザマーキング時には、RAM46に格納されたデバイス19の位置情報に応じて、レーザマーキングすべきデバイス19を集光器37の直下に位置付ける。そして、デバイスウエーハ11に対して透過性を有する波長のレーザビーム41の集光点をレーザマーキングすべきデバイス19に対応した基材ウエーハ13内部に位置付けて、レーザビーム41をデバイスウエーハ11の裏面11bから照射し、チャックテーブル28をX軸方向及びY軸方向に移動させながら、デバイス19に対応した基材ウエーハ13内部に文字やマーク等からなる固体識別情報としての改質層マーク43を形成する。一つのデバイス19に対応する基材ウエーハ13内部に改質層マーク43を形成した後は、分割予定ライン17の間隔ずつチャックテーブル28をX軸方向に移動させて、順次各デバイス19に対応する基材ウエーハ13内部に改質層マーク43を形成する。一列のデバイス19全てについて改質層マーク43の形成が終了した後は、チャックテーブル28を分割予定ライン17の間隔分だけY軸方向に移動させて、次の列のデバイス19について同様のレーザマーキングを実施する。これを順次行うことで、全てのデバイス19に対応する基材ウエーハ13内部に改質層マーク43が形成される。改質層マーク43は溶融再硬化領域として形成され、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。固体識別情報描画ステップ終了後のデバイスウエーハ11の断面図が図5に示されている。図5から明らかなように、固体識別情報としての改質層マーク43は各デバイス19に対応する基材ウエーハ13の表面側に形成されるのが好ましい。これは、引き続く裏面研削工程によりデバイスウエーハ11の裏面を研削してデバイスウエーハを所定の厚み例えば100μmに薄化するためである。固体識別情報描画ステップにおける加工条件は、例えば以下のとおりである。光源:LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザ波長:1064nm出力:0.1W繰り返し周波数:50kHz固体識別情報描画ステップ終了後、デバイスウエーハ11の裏面11bを研削してデバイスウエーハ11を所定の厚みに薄化する裏面研削ステップを実施する。この裏面研削ステップについて図6を参照して説明する。研削装置の研削ユニット70は、スピンドル72の先端部に固定されたホイールマウント74と、このホイールマウント74にねじ78により着脱可能に装着された研削ホイール76を含んでいる。研削ホイール76は、環状基台80と、環状基台80の下面外周に固着された複数の研削砥石82とから構成される。この裏面研削ステップでは、研削装置のチャックテーブル84上にデバイスウエーハ11をその裏面11bを上にして保持し、例えば、チャックテーブル84を矢印aで示す方向に300rpmで回転しつつ、研削ホイール76を矢印bで示す方向に6000rpmで回転して、デバイスウエーハ11の裏面11bに研削砥石82を接触させ、研削ホイール76を下方に所定量研削送りすることにより実施する。接触式又は非接触検知機構式の厚み測定ゲージによってウエーハ11の厚みを測定しながら、デバイスウエーハ11を所定の厚み例えば100μmに仕上げる。上述した実施形態では、固体識別情報描画ステップに引き続いて裏面研削ステップを実施しているが、この順序を逆にしてもよい。即ち、まず裏面研削ステップを実施してデバイスウエーハ11を所望の厚みに研削してから、レーザマーキングによる固体識別情報描画ステップを実施するようにしてもよい。固体識別情報描画ステップ及び裏面研削ステップを実施した後、デバイスウエーハ11を分割予定ライン17に沿って分割して複数のデバイスチップを形成する分割ステップを実施する。この分割ステップは、図2に示したレーザ加工装置2を使用して実施することができる。レーザ加工装置2による第1の加工方法は、デバイスウエーハ11に対して透過性を有する波長例えば1064nmのレーザビームの集光点を分割予定ライン17に対応したデバイスウエーハ11内部に位置付けて、レーザビームをデバイスウエーハ11の裏面11bから照射し、デバイスウエーハ11の内部に分割予定ライン17に沿った破断起点としての改質層を形成する方法により実施する。レーザ加工装置2による第2の加工方法は、デバイスウエーハ11に対して吸収性を有する波長例えば355nmのレーザビームの集光点を分割予定ライン17に対応したデバイスウエーハ11の裏面11b上に位置付けて、レーザビームをデバイスウエーハ11の裏面11bから照射し、アブレーション加工により分割予定ライン17に沿った破断起点としてのレーザ加工溝を形成する方法により実施する。全ての分割予定ライン17に沿って破断起点としての改質層又はレーザ加工溝を形成した後、デバイスウエーハ11の裏面11bをエキスパンドテープに貼着し、エキスパンドテープをエキスパンドすることによりデバイスウエーハ11に外力を付与して、デバイスウエーハ11を分割予定ライン17に沿って分割して複数のデバイスチップ45図7参照に分割する。レーザ加工装置による分割ステップに替えて、よく知られたダイシング装置によるダイシングによりデバイスウエーハ11を分割予定ライン17に沿って複数のデバイスチップ45に分割するようにしてもよい。このようにして形成されたデバイスチップ45の斜視図が図7に示されている。19はIC、LSI等のデバイスであり、デバイスチップ45の内部にはレーザマーキングにより固体識別情報としての改質層マーク43が形成されている。デバイスチップ45がシリコンSiから形成されている場合には、改質層マーク43は外部から視認することができない。よって、固体識別情報としての改質層マーク43を読み取るには、赤外線カメラでデバイスチップ43を撮像し、改質層マーク43を読み取る必要がある。デバイスチップ45がサファイア等の透明体から形成されている場合には、改質層マーク43は外部から視認可能である。