"放電電極を被覆する誘電体層と、該誘電体層の上に形成された誘電体保護層とを含むプラズマディスプレイパネル用の前面板であって、誘電体保護層の上に、MgとCa及び/又はSrとをモル比で99.5:0.5~40:60の範囲にて含むアルカリ土類金属酸化物粉末が点在していることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用の前面板。アルカリ土類金属酸化物粉末の表面に、アルカリ土類金属のフッ化物領域が形成されている請求項1に記載の前面板。フッ化物領域が、アルカリ土類金属酸化物粉末の質量を100質量部としたときに、フッ素量として0.01~8.0質量部の範囲となるように形成されている請求項2に記載の前面板。MgとCa及び/又はSrとをモル比で、99.5:0.5~40:60の範囲にて含むアルカリ土類金属酸化物粉末からなる、プラズマディスプレイパネル用の電子放出材料。表面に、アルカリ土類金属のフッ化物領域が形成されている請求項4に記載の電子放出材料。フッ化物領域が、アルカリ土類金属酸化物粉末の質量を100質量部としたときに、フッ素量として0.01~8.0質量部の範囲となるように形成されている請求項5に記載の電子放出材料。Ca及び/又はSrを含むアルカリ土類金属酸化物粉末であって、表面にアルカリ土類金属のフッ化物領域が形成されている、プラズマディスプレイパネル用の電子放出材料。本発明の目的は、PDPの放電電圧、特に放電開始電圧を低下させるのに有用なPDP用の前面板を提供することにある。本発明の目的はまた、二次電子放出効率が高いCaOあるいはSrOを含有しながらも化学的に安定で、PDPの前面板の誘電体保護層の上に点在させることによって、放電開始電圧を低下させることができる電子放出材料を提供することにある。本発明者は、MgとCa及び/又はSrとをモル比で99.5:0.5~40:60の範囲にて含有するアルカリ土類金属酸化物粉末は、CaOやSrOを含有しながらも、PDPの電子放出材料として用いるには実用上問題とならないレベルで化学的に安定し、かつMgO単体と比較して、PDPの放電開始電圧を低下させる効果が大きいことを見出した。そして、更に研究を進めた結果、上記のアルカリ土類金属酸化物粉末の表面にフッ化物領域を形成することによって、化学的な安定性が更に向上することを見出して、本発明を完成させた。従って、本発明は、放電電極を被覆する誘電体層と、該誘電体層の上に形成された誘電体保護層とを含むプラズマディスプレイパネル用の前面板であって、誘電体保護層の上に、MgとCa及び/又はSrとをモル比で99.5:0.5~40:60の範囲にて含むアルカリ土類金属酸化物粉末が点在していることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用の前面板にある。本発明のプラズマディスプレイパネル用前面板の好ましい態様は次の通りである。1アルカリ土類金属酸化物粉末の表面に、アルカリ土類金属のフッ化物領域が形成されている。2上記フッ化物領域が、アルカリ土類金属酸化物粉末の質量を100質量部としたときに、フッ素量として0.01~8.0質量部の範囲となるように形成されている。本発明はまた、MgとCa及び/又はSrとをモル比で、99.5:0.5~40:60の範囲にて含むアルカリ土類金属酸化物粉末からなる、プラズマディスプレイパネル用の電子放出材料にもある。本発明の電子放出材料の好ましい態様は次の通りである。1表面に、アルカリ土類金属のフッ化物領域が形成されている。2上記フッ化物領域が、アルカリ土類金属酸化物粉末の質量を100質量部としたときに、フッ素量として0.01~8.0質量部の範囲となるように形成されている。本発明者はさらに、表面にフッ化物領域を形成したアルカリ土類金属酸化物粉末は、CaOやSrOを含有しながらも、PDPの電子放出材料として用いるには実用上問題とならないレベルで化学的に安定し、かつMgO単体と比較して、PDPの放電開始電圧を低下させる効果が大きいことを見出した。従って、本発明は、Ca及び/又はSrを含むアルカリ土類金属酸化物粉末であって、表面にアルカリ土類金属のフッ化物領域が形成されている、プラズマディスプレイパネル用の電子放出材料にもある。本発明のPDP用前面板を用いることによってPDPの放電開始電圧が低下する。また、本発明のPDP用電子放出材料をPDPの放電空間に接する部位例:誘電体保護層の上に配置するPDPの放電開始電圧が低下する。本発明において、PDPの電子放出材料として用いるアルカリ土類金属酸化物粉末は、MgOとCaO及び/又はSrOを含有する。アルカリ土類金属酸化物粉末のMgとCa及び/又はSrの含有量はモル比Mg:Ca及び/又はSrで99.5:0.5~40:60の範囲、好ましくは99.5:0.5~60:40の範囲、特に好ましくは99.5:0.5~80:20の範囲である。上記アルカリ土類金属酸化物粉末は、平均粒子径が10~1000nmの範囲にあることが好ましく、100~800nmの範囲にあることがより好ましい。上記アルカリ土類金属酸化物粉末は、表面にフッ化物領域が形成されていることが好ましい。フッ化物領域は、CaF2及び/又はSrF2により形成されていることが好ましい。フッ化物領域は、アルカリ土類金属酸化物粉末の質量を100質量部としたときに、フッ素量が0.01~8.0質量部より好ましくは0.1~8.0質量部の範囲となるように形成されていることが好ましい。フッ化物領域は、アルカリ土類金属酸化物粉末とフッ化アンモニウム粉末とを混合し、得られた粉末混合物を300~600°Cの温度で加熱してフッ化アンモニウム粉末を熱分解させ、フッ化アンモニウム粉末の熱分解により生成した熱分解ガスをアルカリ土類金属酸化物粉末の表面に接触させることによって形成することができる。フッ化物領域は、アルカリ土類金属酸化物粉末の表面全体に形成されていることが好ましい。アルカリ土類金属酸化物粉末の表面にフッ化物領域が形成されていることは、アルカリ土類金属酸化物粉末のX線回折パターン及びTEM透過型電子顕微鏡による観察により確認することができる。上記アルカリ土類金属酸化物粉末は、MgO源とCaO源及び/又はSrO源とを混合し、得られた混合物を1000~1500°Cの温度で加熱することによって製造することができる。MgO源、CaO源及びSrO源には、酸化物、水酸化物、炭酸塩塩基性炭酸塩を含む、硝酸塩、シュウ酸塩及び酢酸塩を用いることができる。次に、本発明のPDP用前面板について、添付図面を参照しながら説明する。図1は、本発明に従うPDP用前面板を備えたPDPの断面図である。図1において、PDP交流型PDPは、前面板10と放電ガスが充填された放電空間20を挟んで対向配置された背面板30とからなる。前面板10は、透明基板11と、透明基板の上に形成された一対の放電電極14a、14bそれぞれ、透明電極12a、12bとバス電極13a、13bとからなると、放電電極14a、14bを被覆する誘電体層15と、誘電体層の上に形成された誘電体保護層16と、誘電体保護層16の表面に点在している前記アルカリ土類金属酸化物粉末17とからなる。透明基板11の例としてはガラス基板が挙げられる。透明電極12a、12bの材料の例としては、ITO、ZnO及びSnO2を挙げることができる。バス電極13a、13bの材料の例としては、Ag、Al、Cr/Cu/Crの積層金属材料を挙げることができる。誘電体層15は、一般に低融点ガラス組成物から形成されている。低融点ガラス組成物の例としては、酸化亜鉛、三酸化二ホウ素及び酸化ケイ素の混合物ZnO-B2O3-SiO2を主成分とするガラス組成物、酸化鉛、三酸化二ホウ素及び酸化ケイ素の混合物PbO-B2O3-SiO2を主成分とするガラス組成物、酸化鉛、三酸化二ホウ素、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムの混合物PbO-B2O3-SiO2-Al2O3を主成分とするガラス組成物、酸化鉛、酸化亜鉛、三酸化二ホウ素及び酸化ケイ素の混合物PbO-ZnO-B2O3-SiO2を主成分とする低融点ガラス組成物が挙げられる。誘電体層15の厚さは、10~50μmの範囲にあることが好ましい。誘電体保護層16は、酸化マグネシウムから形成されていることが好ましい。酸化マグネシウムからなる誘電体保護層は、電子ビーム蒸着法により成形することが好ましい。誘電体保護層16の厚さは、0.01~50μmの範囲にあることが好ましく、0.1~10μmの範囲にあることが特に好ましい。アルカリ土類金属酸化物粉末17は、誘電体保護層16の表面に一次粒子の形で点在していてもよいし、凝集粒子二次粒子として点在していてもよい。凝集粒子として存在する場合は、凝集粒子の平均サイズは、0.5~10μmの範囲にあることが好ましい。誘電体保護層16の表面に点在するアルカリ土類金属酸化物粉末の量は、誘電体保護層の表面をアルカリ土類金属酸化物粉末が占める占有面積が、誘電体保護層全体の面積に対して1~30の範囲となる量であることが好ましく、5~15の範囲となる量であることがより好ましい。アルカリ土類金属酸化物粉末の占有面積は、走査型電子顕微鏡により得られる誘電体保護層の拡大写真から測定することができる。アルカリ土類金属酸化物粉末17を誘電体保護層16の表面に点在させる方法としては、アルカリ土類金属酸化物粉末の分散液を、誘電体保護層の上に塗布した後、乾燥する方法を用いることができる。分散液の溶媒の例としては、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、s-ブチルアルコール、t-ブチルアルコールなどのアルコール類、アセトン、エチルメチルケトン、メチルプロピルケトンなどのケトン類を挙げることができる。放電空間20には、放電ガスが充填される。放電ガスとしては、一般にXeとNeの混合ガスが用いられる。背面板30は、透明基板31と、透明基板31の上に形成されたアドレス電極32と、アドレス電極32を被覆する誘電体層33と、放電空間20を区画する隔壁34と、誘電体層33と隔壁34の表面に形成された蛍光体層35とからなる。透明基板31の例としてはガラス基板が挙げられる。アドレス電極32の材料の例としては、Ag、Al、Cr/Cu/Crの積層金属材料を挙げることができる。誘電体層33及び隔壁34は、一般に低融点ガラス組成物からなる。低融点ガラス組成物の例は上記と同様である。蛍光体層35は、一般に赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体及び青色発光蛍光体のうちのいずれかの蛍光体から形成される。なお、MgとCa及び/又はSrとを含むアルカリ土類金属酸化物粉末の代わりに、表面にフッ化物領域が形成されている、CaO粉末、SrO粉末もしくはCaOとSrOの複合体の粉末を用いることもできる。[実施例1]純水200gに、酢酸ストロンチウム粉末純度:99質量2.69gを投入し、撹拌して溶解させて酢酸ストロンチウム水溶液を調製した。得られた酢酸ストロンチウム水溶液に、酸化マグネシウム粉末純度:99.98質量50gを投入し、15分間撹拌混合してスラリーを得た。得られたスラリーをスプレードライヤーを用いて、145°Cの温度で噴霧乾燥して乾燥粉を得た。得られた乾燥粉をアルミナるつぼに投入し、蓋をして、1200°Cの温度で3時間焼成してMgとSrとをモル比で99:1の割合で含むMg099,Sr001O粉末を得た。得られたMg099,Sr001O粉末について平均粒子径と恒温恒湿雰囲気下での質量増加率を測定した。また、該粉末を誘電体保護層の上に点在させたPDP用前面板を作製し、その放電開始電圧を測定した。その結果を表1に示す。なお、恒温恒湿雰囲気下での質量増加率とPDP用前面板の放電開始電圧は、次のようにして測定した。[平均粒子径の測定方法]試料粉末のBET法により比表面積を測定し、得られた比表面積から比表面積径を算出して、これを平均粒子径とする。比表面積径の算出方法は、粉体-理論と応用-丸善株式会社、昭和54年5月12日発行のp.453-454に記載されている。[恒温恒湿雰囲気下での質量増加率の測定方法]1試料粉末質量:W1を、1000°Cの温度で1時間加熱し、加熱後の質量W2を測定する。2別に用意した試料粉末を、温度が30°C、相対湿度が80に調整された恒温恒湿槽に14時間静置し、静置後の質量W3を測定する。次いで、恒温恒湿槽に静置した後の試料粉末を1000°Cの温度で1時間加熱し、加熱後の質量W4を測定する。3恒温恒湿雰囲気下での質量増加率を下記の式により算出する。質量増加率質量=100×W3-W4/W3-100×W1-W2/W1[PDP用前面板の放電開始電圧の測定方法]1試料粉末分散液の調製試料粉末を温度が30°C、相対湿度が80に調整された恒温恒湿槽に14時間静置する。静置後の試料粉末をイソプロピルアルコールに試料粉末を分散させ、濃度1質量のアルカリ土類金属酸化物分散液を調製する。2PDP用前面板の作製ホウ珪酸ガラス基板縦横の長さ50mm、厚さ0.55mmの上に互いに0.1mm間隔で平行に配置された一対の放電電極を10組形成し、次いで、該放電電極の表面に低融点ガラス組成物を塗布して誘電体層厚み:10μmを形成した後、誘電体層の上に電子ビーム蒸着法により酸化マグネシウム製誘電体保護層厚さ:1μmを形成して、ガラス基板、ガラス基板の上に形成された一対の放電電極、放電電極を被覆する誘電体層、そして誘電体層の表面に形成された誘電体保護層からなる積層体を作製する。次に、積層体の誘電体保護層の上に、上記1で調製した試料粉末分散液をエアーブラシで噴霧した後、箱形電気炉に入れて500°Cの温度で30分間焼成することによって、誘電体保護層の上に試料粉末を点在させて、PDP用前面板を作製する。3放電開始電圧の測定上記2で作製したPDP用前面板を、ステンレス製真空チャンバーに設置し、真空チャンバー内を10Pa以下にまで減圧したのち、Neガス95体積Xeガス5体積の混合ガスを60kPaの圧力となるように封入する。次いで、PDP用前面板の電極に電圧を印加し、その印加電圧を上昇させ、放電部が全点灯したときの電圧値をオシロスコープで読み取り、これを放電開始電圧とする。[実施例2]実施例1で得たMg099,Sr001O粉末10gとフッ化アンモニウム粉末純度:99.99質量0.05gとを混合し、得られた粉末混合物をアルミナるつぼに投入し、蓋をして、500°Cの温度で3時間加熱処理した。加熱処理後のMg099,Sr001O粉末について、X線回折パターンを測定したところ、SrF2の回折ピークが検出されるとともにTEMによる観察により、該粉末の表面にSrF2領域が形成されていることが確認された。加熱処理後のMg099,Sr001O粉末について、平均粒子径と恒温恒湿雰囲気下での質量増加率、そして該粉末を誘電体保護層の上に点在させたPDP用前面板の放電開始電圧を上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。また、該粉末について、下記の方法によりフッ素含有量を測定した。その結果を表1に示す。[フッ素含有量の測定方法]ランタン-アリザリコンプレキソン吸光光度法により測定する。[実施例3]フッ化アンモニウム粉末の量を0.1gとしたこと以外は、実施例2と同様にしてMg099,Sr001O粉末を加熱処理した。加熱処理後のMg099,Sr001O粉末について、X線回折パターンを測定したところ、SrF2の回折ピークが検出されるとともにTEMによる観察により、該粉末の表面にSrF2領域が形成されていることが確認された。加熱処理後のMg099,Sr001O粉末について、平均粒子径とフッ素含有量と恒温恒湿雰囲気下での質量増加率、そして該粉末を誘電体保護層の上に点在させたPDP用前面板の放電開始電圧を上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。[実施例4]酢酸ストロンチウム粉末の量を14.02gとしたこと以外は、実施例1と同様にして、MgとSrとをモル比で95:5の割合で含むMg095,Sr005O粉末を得た。得られたMg095,Sr005O粉末について、平均粒子径と恒温恒湿雰囲気下での質量増加率、そして該粉末を誘電体保護層の上に点在させたPDP用前面板の放電開始電圧を上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。[実施例5]実施例4で得たMg095,Sr005O粉末10gとフッ化アンモニウム粉末0.44gとを混合し、得られた粉末混合物をアルミナるつぼに投入し、蓋をして、500°Cの温度で3時間加熱処理した。加熱処理後のMg095,Sr005O粉末について、X線回折パターンを測定したところ、SrF2の回折ピークが検出されるとともにTEMによる観察により、該粉末の表面にSrF2領域が形成されていることが確認された。加熱処理後のM095,Sr005O粉末について、平均粒子径とフッ素含有量と恒温恒湿雰囲気下での質量増加率、そして該粉末を誘電体保護層の上に点在させたPDP用前面板の放電開始電圧を上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。[実施例6]純水200gに、酢酸カルシウム粉末純度:99質量6.98gと酢酸ストロンチウム粉末純度:99質量8.50gを投入し、撹拌して溶解させて酢酸カルシウムと酢酸ストロンチウムの混合水溶液を調製した。得られた混合水溶液に、酸化マグネシウム粉末純度:99.98質量50gを投入し、15分間撹拌して、スラリーを得た。得られたスラリーをスプレードライヤーを用いて、145°Cの温度で噴霧乾燥して、乾燥粉を得た。得られた乾燥粉を焼成容器に投入し、蓋をして、1200°Cの温度で3時間焼成して、MgとCaとSrをモル比で94:3:3の割合で含むMg094,Ca003,Sr003O粉末を得た。得られたMg094,Ca003,Sr003O粉末について、平均粒子径と恒温恒湿雰囲気下での質量増加率、そして該粉末を誘電体保護層の上に点在させたPDP用前面板の放電開始電圧を上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。[実施例7]実施例6で得たMg094,Ca003,Sr003O粉末10gとフッ化アンモニウム粉末0.5gとを混合し、得られた粉末混合物をアルミナるつぼに投入し、蓋をして、500°Cの温度で3時間加熱処理した。加熱処理後のMg094,Ca003,Sr003O粉末について、X線回折パターンを測定したところ、CaF2とSrF2の回折ピークが検出されるとともにTEMによる観察により、該粉末の表面にCaF2領域とSrF2領域とが形成されていることが確認された。加熱処理後のMg094,Ca003,Sr003O粉末について、平均粒子径と、フッ素含有量と、恒温恒湿雰囲気下での質量増加率と、該粉末を誘電体保護層の上に点在させたPDP用前面板の放電開始電圧とを、上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。[実施例8]フッ化アンモニウム粉末の量を1.0gとしたこと以外は、実施例7と同様にして加熱処理を行なった。加熱処理後のMg094,Ca003,Sr003O粉末について、X線回折パターンを測定したところ、CaF2とSrF2の回折ピークが検出されるとともにTEMによる観察により、該粉末の表面にCaF2領域とSrF2領域とが形成されていることが確認された。加熱処理後のMg094,Ca003,Sr003O粉末について、平均粒子径と、フッ素含有量と、恒温恒湿雰囲気下での質量増加率と、該粉末を誘電体保護層の上に点在させたPDP用前面板の放電開始電圧とを、上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。[実施例9]純水200gに、酢酸カルシウム粉末純度:99質量2.21gを投入し、撹拌して溶解させて酢酸カルシウム水溶液を調製した。得られた酢酸カルシウム水溶液に、酸化マグネシウム粉末純度:99.98質量50gを投入し、15分間撹拌して、スラリーを得た。得られたスラリーをスプレードライヤーを用いて、145°Cの温度で噴霧乾燥して乾燥粉を得た。得られた乾燥粉をアルミナるつぼに投入し、蓋をして、1200°Cの温度で3時間焼成してMgとCaとをモル比で99:1の割合で含むMg099,Ca001O粉末を得た。得られたMg099,Ca001O粉末10gとフッ化アンモニウム粉末0.10gとを混合し、得られた粉末混合物をアルミナるつぼに投入し、蓋をして、500°Cの温度で3時間加熱処理した。加熱処理後のMg099,Ca001O粉末について、X線回折パターンを測定したところ、CaF2の回折ピークが検出されるとともにTEMによる観察により、該粉末の表面にCaF2領域が形成されていることが確認された。加熱処理後のM099,Ca001O粉末について、平均粒子径と、フッ素含有量と、恒温恒湿雰囲気下での質量増加率と、該粉末を誘電体保護層の上に点在させたPDP用前面板の放電開始電圧とを、上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。[比較例1]酸化マグネシウム粉末平均粒子径:190nmを誘電体保護層の上に点在させたPDP用前面板を作製し、その放電開始電圧を、上記の方法により測定した。その結果を表1に示す。表1────────────────────────────────────────Mg:Ca:Sr平均粒子径F含有量質量増加率放電開始電圧モル比nm質量質量V────────────────────────────────────────実施例199:0:1690-1.60256実施例299:0:16800.250.56248実施例399:0:16100.500.45244────────────────────────────────────────実施例495:0:5450-7.24257実施例595:0:54602.20.49246────────────────────────────────────────実施例694:3:3350-8.13257実施例794:3:33702.51.00248実施例894:3:34107.50.31248────────────────────────────────────────実施例999:1:05000.500.15244────────────────────────────────────────比較例1100:0:0190-1.30260────────────────────────────────────────表1の結果から明らかなように、本発明に従うアルカリ土類金属酸化物粉末を誘電体保護層の上に点在させたPDP用前面板実施例1~9は放電開始電圧が、MgO粉末を誘電体保護層の上に点在させたPDP用前面板比較例1と比較して低い値を示す。"