"基板と、前記基板上に設けられる複数の画素と、から構成され、前記画素が、第一電極と、発光層を含む有機化合物層と、第二電極と、無機層と、からなり、前記第一電極が、各画素において個別に形成されている電界発光表示装置において、前記基板上であって、かつ隣接する二つの第一電極間に挟まれた平面領域において、凸状構造物が設けられていることを特徴とする、電界発光表示装置。しかしながら、寸法が小さくかつ精細度が高い電界発光表示装置において、特許文献2にて提案されている手法を利用する場合、マスクの連結部の線幅が狭くなるため、マスクの機械的剛性は低下する。従って、マスクに外力や温度変化が加わったときにマスクの形状維持、復元性や耐久性に乏しくなり、結果として表示装置の生産性が低下する。また寸法が小さくかつ精細度が高い電界発光表示装置の場合、マスクの開口部の寸法は自ずと小さくなるため、マスクの開口部に成膜対象物が付着して目詰まりを起こしやすい。ここでマスクの目詰まりは表示装置の生産する上での妨げとなるばかりでなく、表示装置に発光欠陥を生じさせる原因となる。このように寸法の小さな電界発光表示装置において、電界発光素子を構成する各層間の界面での密着性を高める手法として、特許文献2にて示されている方法は、表示装置の生産性や歩留まりの観点で採用しがたい問題があった。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、電界発光素子を構成する各層間あるいは電界発光素子と封止層との間における層間剥離を抑制することを可能にする電界発光表示装置を提供することにある。本発明の電界発光表示装置は、基板と、前記基板上に設けられる複数の画素と、から構成され、前記画素が、第一電極と、発光層を含む有機化合物層と、第二電極と、無機層と、からなり、前記第一電極が、各画素において個別に形成されている電界発光表示装置において、前記基板上であって、かつ隣接する二つの第一電極間に挟まれた平面領域において、凸状構造物が設けられていることを特徴とする。本発明によれば、電界発光素子を構成する各層間あるいは電界発光素子と封止層との間における層間剥離を抑制することを可能にする電界発光表示装置を提供することができる。即ち、本発明に係る電界発光表示装置は、基板上であって、かつ隣接する二つの第一電極間に挟まれた平面領域に凸状構造物が配置されている。この凸状構造物上に、有機化合物層や第二電極を形成すると、この凸状構造物が設けられている領域隣接する二つの第一電極間に挟まれた平面領域において、有機化合物層や第二電極は当該構造物によって生じた凹凸に倣った立体形状が形成される。この立体形状は、電界発光素子を構成する第一電極から第二電極までの各層間や電界発光素子と封止層との間の界面において、隣接する層間の接触面積を増やす役割を果たす。これにより隣接する層間の界面での密着力を高めることになる。この結果、第一電極から封止層に至る各層において、隣接する層間における層間剥離を抑制することができる。本発明の電界発光表示装置は、基板と、この基板上に設けられる複数の画素と、から構成される。本発明の電界発光表示装置において、画素は、第一電極と、発光層を含む有機化合物層と、第二電極と、無機層と、からなる。ここで第一電極は、各画素において個別に形成されている。このため本発明の電界発光表示装置において、複数の第一電極は、それぞれ一定の間隔をおいて設けられている。ここで本発明においては、基板上であって、かつ隣接する二つの第一電極間に挟まれた平面領域において、凸状構造物が設けられている。本発明において、この凸状構造物は、第一電極を形成する際に同時に形成される部材であることが好ましい。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。ただし、本発明は以下に説明する実施形態に限定されるものではない。図1aは、本発明の電界発光表示装置における実施形態の例を示す平面模式図であり、bは、aのAA’断面を示す断面模式図である。図1の電界発光表示装置1には、複数の画素10がそれぞれ一定の間隔をもって配置されている。ここで複数の画素10は、それぞれ基板11上に設けられている。また各画素10は、基板11上に設けられる第一電極12と、第一電極12上に設けられる有機化合物層13と、有機化合物層13上に設けられる第二電極14と、からなる電界発光素子を有している。さらに電界発光素子の構成部材である第二電極14上には、無機層15が設けられている。この無機層15は、各画素に設けられている電界発光素子を大気中の水分や酸素から保護する役割を果たす。ところで、図1の電界発光表示装置1において、第一電極12は、一定の間隔を持って配置される各画素10の配置領域に対応する領域に設けられる部材であるので、各画素10において個別に形成される部材である。一方で、図1の電界発光表示装置1において、有機化合物層13、第二電極14及び無機層15は、各画素に共通する層として連続的に形成されている。そして図1の電界発光表示装置1において、基板11上であって、かつ隣接する二つの第一電極12間に挟まれた平面領域において、凸状構造物20が設けられている。尚、凸状構造物20を設けることによって生じる作用効果については、後述する。次に、本発明の電界発光表示装置の構成部材について説明する。基板11は、電界発光表示装置1を構成する第一電極12から無機層15までの部材積層部材を支持するための部材である。基板11として、具体的には、いわゆる無アルカリガラス、単結晶シリコンウェハが好ましい。また電界発光素子の発光を阻害する物質水分、酸素等の侵入を防ぐ目的で、プラスチックからなる基材上に金属あるいは金属酸化物からなる薄膜を積層してなる基板、該基材と該薄膜とを複数層重ね合わせて形成された基板も使用することができる。また基板11には、図示はしていないが、必要に応じて、トランジスタTr、接続配線、半導体保護層、Trや接続配線との通電のために半導体保護層に穿ったコンタクトホールを適宜形成することができる。第一電極12は、基板11上であって、電界発光表示装置1の表示領域に対応する所望の箇所に設けられる。第一電極11の構成材料としては、例えば、銀、アルミニウム、マグネシウム、珪素、クロム、チタン等の金属単体あるいはこれら金属単体を複数組み合わせた合金が挙げられる。第一電極12の形状はフォトリソグラフィー等の手段により所望の加工ができる。また第一電極12は一定の間隔を持って規則的に配列されている。ここで第一電極12の配列形式として、具体的には、図1aに示されるストライプ配列が挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではない。第一電極12の膜厚は、好ましくは、100nm程度である。また第二電極15との短絡を防ぐ観点から、有機化合物層13よりの膜厚を薄くして形成するのが好ましい。有機化合物層13は、少なくとも発光層を有する単層あるいは複数層からなる積層体であり、この積層体の層構成は電界発光素子の発光機能を考慮して適宜選択することができる。ここで発光層の他に有機化合物層13を構成する層として、具体的には、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、有機化合物層13を構成する各層の構成材料として、公知の化合物を使用することができる。第二電極14は、有機化合物層13を被覆するように設けられる。第二電極14の構成材料として、可視波長域の光を透過する性質を持ち、かつ電気抵抗の低い電極材料が用いられる。具体的には、例えば、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物等の金属酸化物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。また第二電極14は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等の公知の気相成長法で形成することができる。無機層15は、本発明の電界発光表示装置において、水分あるいは酸素等の電界発光素子の発光を阻害する物質の侵入を防ぐ層として機能する。無機層15の構成材料としては、可視波長域の透過性を持ち、膜欠陥がなく緻密性の高い無機材料が用いられる。具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素等が挙げられる。また無機層15は、CVD、スパッタ法、真空蒸着法等の公知の気相成長法による成膜を採ることができる。凸状構造物20は、第一電極12の形成工程において形成される第一電極12と同時に形成することができる。また凸状構造物20の形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、角柱状、円柱状、角錐状、円錐状、角錐台状、円錐台状等が挙げられる。一方、単位面積当たりに設けられる凸状構造物20の大きさ、数は特に限定されないが、凸状構造物20の数が多い場合、凸状構造物20と凸状構造物20上に形成される有機化合物層13との接触面積をより多くすることができるので、好ましい。ここで凸状構造物20を設ける意義について説明する。所定の領域基板上であって、かつ隣接する二つの第一電極間に挟まれた平面領域に凸状構造物20を設けた後、この凸状構造物20上に、有機化合物層13、第二電極14を順次堆積させる。そうすると、凸状構造物20が設けられる領域、言い換えれば隣接する二つの第一電極間に挟まれた平面領域については、凸状構造物20の形状及び配置パターンに倣った凹凸面が形成されることになる。ここで凸状構造物20が形成されている領域隣接する二つの第一電極間に挟まれた平面領域において、表示面の法線方向から観察される投影面積をS[m2]としたときに、下記式1に示される関係が成り立つ。Suneven>Seven=S式1Suneven:凸状構造物20あるいは凸状構造物20に倣って形成された凹凸面の実面積[m2]、Seven:凹凸面がない場合の面積[m2]ここで、材料が異なる隣接層間の界面における単位面積当たりの密着力をa[N/m2]=一定とするならば、下記式2の関係が成り立つ。Funeven=a×Suneven>Feven=a×Seven式2Funeven:凹凸面を設けた場合の層間の密着力[N]、Seven:凹凸面を設けていない場合の層間の密着力[N]この式2の関係が成り立つことから、凹凸面を設けることによって層間の密着力の向上が期待できる。尚、層間の密着力が向上する因子としては、隣接層間の界面における摩擦力等が考えられる。凸状構造物20の配置位置は、凹凸面の実面積Sunevenを大きく得るという観点から、少なくとも二つの周期を重畳した合成波形を元に決定するのが望ましい。このとき、合成波形の最長周期Lは、第一電極12間の最短距離Lint1stPと同値である。一方、合成波形の最短周期L’は、有機化合層13の膜厚dlumの2倍に相当する。以下、実施例により、本発明に係る電界発光表示装置について具体的に説明する。ただし本発明は、以下に説明する実施例に限定されるものではない。[実施例1]以下に説明するプロセスに従って、図1に示される電界発光表示装置を作製した。工程1基板の形成工程基材である単結晶シリコンウェア上に、トランジスタTr、接続配線、半導体保護層以上の構成要素は不図示を順次形成して基板11を作製した。尚、Tr、接続配線及び半導体保護層の形成方法としては公知の方法を採用した。次に、Trと電界発光素子との通電を得るため、Trの直上に設けられている半導体保護層にコンタクトホールを形成した。具体的には、まずスピンコート法により、半導体保護層上に、フォトレジストを成膜してフォトレジスト層を形成した。このときフォトレジスト層の膜厚は1μmであった。次に、このフォトレジスト層に対して、コンタクトホールを配置する部位が開口部となるマスクを使用し、露光及び現像処理を行った。次に、フォトレジスト層をマスクとして、反応性イオンエッチング法RIEにより、半導体保護層へのドライエッチング処理を行った後、フォトレジスト層を除去することにより、コンタクトホールを形成した。工程2第一電極及び凸状構造物の形成工程以下、図面を参照しながら本工程第一電極及び凸状構造物の形成工程について説明する。図2は、第一電極及び凸状構造物の基礎になる薄膜の形成プロセスを示す断面模式図であり、図3は、第一電極及び凸状構造物の形成プロセスを示す断面模式図であり、図4は、図3の形成プロセスによって形成される第一電極及び凸状構造物の例を示す斜視図である。尚、図3は、図2にて形成された薄膜の加工プロセスに相当する。まずスパッタ法により、コンタクトホールが形成された基板11上に、アルミニウムと珪素とからなる合金を成膜し、第一電極12及び凸状構造物20の基礎となる合金薄膜21を形成した図2。このとき合金薄膜21の膜厚は90nmであった。次に、スピンコート法により、上記合金薄膜21上に、フォトレジストを成膜してフォトレジスト層22を形成した。このときフォトレジスト層22の膜厚は1μmであった図3a。次に、第一電極12及び凸状構造物20の配置領域以外の領域に開口部を有するマスクを使用して、先程形成したフォトレジスト層22に対して露光並びに現像処理を行った図3b。次に、合金薄膜21に対して腐食性のある薬液中に基板11を浸漬することで合金薄膜21の部分的なエッチングを行うことによって、第一電極12及び凸状構造物20を形成した図3c。次に、純水中に、基板11を浸漬して、合金薄膜21に対して腐食性のある薬液を洗い落とした後、フォトレジスト層22を溶解する薬液レジスト溶解薬液中に基板11を浸漬してフォトレジスト層22を除去した。最後に、基板11を純水中に浸漬してレジスト溶解薬液を洗い落とすことにより、基板11上の所定の領域に、第一電極12及び凸状構造物20をそれぞれ形成した図3d、図4。尚、本実施例においては、隣接する第一電極12間の最近接距離は1μm、凸状構造物20は、一辺90nmの立方体がデルタ状に配置されている図4。ここで、凸状構造物20とこの凸状構造物20上に堆積される有機化合物層13とが接触する領域接触領域30の面積をS2013unevenとし、当該接触領域30を表示面の法線方向から観察される投影面31の面積をSとする。本実施例において、S2013unevenとSとの面積比は、S2013uneven/S=3.0となる。工程3有機化合物層の形成次に、有機化合物層13を形成した。具体的な有機化合物層13の形成方法を以下に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。まず第一電極12上に、下記式1に示される化合物を成膜して、正孔輸送層を形成した。次に、正孔輸送層上に、下記式2に示される化合物ホストと、下記式3に示される化合物ドーパントと、を共蒸着して発光層を形成した。次に、発光層上に、2,9-ビス[2-9,9’-ジメチルフルオレニル]-1,10-フェナントロリンを成膜して電子輸送層を形成した。次に、AlとLiとを共蒸着して電子注入層を形成した。以上のようにして正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層してなる有機化合物層13が形成された。尚、本実施例において、有機化合物層13の総膜厚は120nmであった。ここで図面を参照しながら、形成された有機化合物層13について説明する。図5は、有機化合物層の形成プロセスによって形成された有機化合物層13を示す模式図であり、aは、断面模式図であり、bは、斜視図である。図5において、凸状構造物20上に成膜形成された有機化合物層13aは、凸状構造物20の形状及び配置位置に倣って図5bに示されるように三角錐状の立体形状が規則的に配置されることで凹凸形状40が形成されている。この凹凸形状40は、有機化合物層13と、次の工程で形成される第二電極14と、の密着性を高める効果をもたらす。凸状構造物20上に成膜形成される有機化合物層13aと、この有機化合物層13a上に堆積される第二電極14との界面における接触領域41の面積をS13a14unevenとする。そしてこの接触領域を表示面法線方向から観察される投影面42の面積Sと、S13a14unevenの面積比は、S13a14uneven/S≒1.6となる。工程4第二電極の成膜次に、有機化合物層13上に、透光性を有する電極材料を成膜して第二電極14を形成した。尚、本実施例において、第二電極14を形成するにあたり、使用される透光性を有する電極材料としては、インジウム亜鉛酸化物等が挙げられる。また第二電極14の形成方法としては、スパッタ法、真空蒸着法等の公知の方法を採用することができる。工程5無機層の成膜次に、先の工程工程4で形成された第二電極14を覆うように、無機層15をVHFプラズマCVDによって形成した。具体的には、まず膜形成装置の放電炉内に設けられている基板ホルダーに第二電極14まで形成し終えた基板11を設置した。次に、放電炉の圧力を1×103Pa台に真空引きした後、シランガス20sccm、窒素ガス1000sccm、水素ガス1000sccmを各々供給して、反応空間圧力を100Paに制御した。次に、60MHzの高周波電力電力:400Wを高周波電極に供給してプラズマを発生させた。そして所定の時間プラズマを発生させることにより、第二電極14上に窒化珪素膜無機膜15を膜厚1000nmで堆積形成した。以上により電界発光表示装置を得た。次に、得られた電界発光表示装置を第一の流体及び第二の流体を混合してなるエアロゾルの噴流にさらす、いわゆる二流体洗浄法における雰囲気に投じて表示装置の積層面法線方向への外力を加えた。ここで第一の流体及び第二の流体の媒質、供給流量、曝露時間を下記表1に示す。本実施例においては、二流体洗浄法の雰囲気に電界発光表示装置に投入した後においても、表示装置の外観に異常はなく、正常な発光が認められた。このように、本発明の構成は電界発光表示装置を成す堆積層における層間剥離を抑制することを示している。[比較例1]実施例1において、第一電極12の形成の際に、凸状構造物20を形成しないことを除いては、実施例1と同様の方法により電界発光表示装置を作製した。尚、本比較例において、接触領域30の面積S2013evenと当該領域の投影面積Sとは同面積である。従って、S2013even/S=1.0となる。また、この接触領域30において、有機化合物層13と第二電極14とが接触する領域領域41の面積S1314evenと当該領域の投影面積Sは同面積である。従って、S1314even/S=1.0となる。得られた電界発光表示装置を、実施例1と同様に、二流体洗浄法の雰囲気に曝露することで表示装置の積層面法線方向への外力を加えた。その結果、本比較例にて得られた電界発光表示装置は、有機化合物層と第二電極との間で層間剥離を生じて、この層間剥離が生じた領域では電界発光表示装置は発光しなかった。"