"互いに対向する第1基板および第2基板と、上記第1基板および上記第2基板の間に封入された液晶層と、上記第1基板の上記液晶層側に、光を透過する透過部および光を反射する反射部が、透過部、反射部、および透過部の順に並べて形成された画素電極と、上記第2基板の上記液晶層側において、上記反射部に対向する位置に形成され、上記透過部における上記液晶層の厚さよりも、上記反射部における上記液晶層の厚さを小さくするためのセル厚調整層と、上記第2基板および上記セル厚調整層の上記液晶層側を覆う対向電極であって、2つの上記透過部のうち、一方の上記透過部に対向する領域の一部と、他方の上記透過部に対向する領域の一部と、上記反射部に対向する領域の一部とを連続して開口している穴を有する対向電極とを備えていることを特徴とする液晶表示装置。上記画素電極において、上記透過部および上記反射部が並ぶ配列方向に対向する2つの端部のいずれかに、該端部の一部から、該端部に直交する端部の一部に向かって直線的に傾斜しているスロープが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。上記画素電極において、上記透過部および上記反射部が並ぶ配列方向に対向する2つの端部の双方に、該端部の一部から、該端部に直交する端部の一部に向かって直線的に傾斜しているスロープが形成されており、上記スロープは、互いに同じ上記端部に向かって直線的に傾斜していることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。互いに対向する第1基板および第2基板と、上記第1基板および上記第2基板の間に封入された液晶層と、上記第2基板の上記液晶層側に形成された対向電極と、上記第1基板の上記液晶層側に形成され、自身が形成される領域における上記液晶層の厚さを、上記領域以外の領域における上記液晶層の厚さよりも小さくするためのセル厚調整層と、上記第1基板の上記液晶層側に、光を透過する透過部および光を反射する反射部が、透過部、反射部、および透過部の順に並べて形成された画素電極であって、上記反射部が上記セル厚調整層の上記液晶層側を覆い、2つの上記透過部のうち、一方の上記透過部の一部と、他方の上記透過部の一部と、上記反射部の一部とを連続して開口している穴を有する画素電極とを備えていることを特徴とする液晶表示装置。上記対向電極において、上記透過部および上記反射部が並ぶ配列方向に対向する2つの端部の双方に、土手、穴、およびスリットのいずれかが形成されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。特許文献2および3に開示されているマルチギャップ構造を有する液晶表示装置においては、セル厚調整層の段差部での液晶分子の配向方向を制御することができるが、他の部分での配向方向の制御は十分ではない。そこで、特許文献2および3に開示されている液晶表示装置に、特許文献1に開示されている欠落部を適用した場合、画素全体の液晶分子の配向を制御することができる。しかし、この場合だとスリット部と欠落部とを画素電極に設ける必要があるため、開口率が低下してしまうという問題がある。ここで、セル厚調整層を有し、スリット部が設けられていない液晶表示装置に、特許文献1に開示されている欠落部を適用した場合を考える。この場合の画素の平面図および断面図を図12に示す。図12のaは、画素11の透過平面図であり、bは、aに示した画素11のA-A’断面図である。図12のaでは、分かりやすくするために画素11を透過して図示しており、実際には図12のbに示すように、画素11は、互いに対向するTFT基板3と対向基板2と、両基板間に封入された液晶層とを含んでいる。カラーフィルタ4上には画素電極8の反射部6に対向するようにセル厚調整層9が配置されている。そして、セル厚調整層9に被さるようにしてセル厚調整層9上およびカラーフィルタ4上に、欠落部穴15が形成された対向電極5が配置されている。図12bに示すように、光を透過する透過部7および光を反射する反射部6が、透過部7、反射部6、および透過部7の順に並べて形成された画素電極8の場合、対向電極5においてセル厚調整層9の上面に当たる位置に穴15を設けると、セル厚調整層9の段差部近傍の液晶分子10に逆向きの電界がかかってしまうため、配向が安定しない。セル厚調整層9の段差部近傍に逆向きの電界がかかる理由は、図13に示すように、透過領域および反射領域において対向電極5が設けられている箇所では、セル厚調整層9の段差部近傍にかかる電界の向きは、他の箇所にかかる電界の向きと異なっているためである。すなわち、セル厚調整層9の段差部近傍にかかる電界の向きは、TFT基板3および対向基板2に垂直な方向図中の紙面上下方向である。結果、液晶分子10の配向が安定せず、液晶分子10の配向の乱れに起因した表示不良が引き起こされてしまう。この問題は、TFT基板3側にセル厚調整層9が設けられ、画素電極8においてセル厚調整層9の上面に当たる位置に穴15を設けた場合も生じ得る。そこで、本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、セル厚調整層の段差部近傍での液晶分子の配向の乱れを抑制しつつも、画素電極あるいは対向電極の開口率を低下させない液晶表示装置を提供することにある。本発明の一態様に係る液晶表示装置は、上記の課題を解決するために、互いに対向する第1基板および第2基板と、上記第1基板および上記第2基板の間に封入された液晶層と、上記第1基板の上記液晶層側に、光を透過する透過部および光を反射する反射部が、透過部、反射部、および透過部の順に並べて形成された画素電極と、上記第2基板の上記液晶層側において、上記反射部に対向する位置に形成され、上記透過部における上記液晶層の厚さよりも、上記反射部における上記液晶層の厚さを小さくするためのセル厚調整層と、上記第2基板および上記セル厚調整層の上記液晶層側を覆う対向電極であって、2つの上記透過部のうち、一方の上記透過部に対向する領域の一部と、他方の上記透過部に対向する領域の一部と、上記反射部に対向する領域の一部とを連続して開口している穴を有する対向電極とを備えていることを特徴としている。上記の構成によれば、穴がセル厚調整層の段差部を跨るように形成されているため、セル厚調整層の段差部の一部には対向電極が形成されていない。そのため、対向電極および画素電極の間に電圧を印加したとき、穴の端部すなわち、対向電極の穴の縁部で液晶分子の配向が制御され、対向電極の穴近傍の液晶分子は略垂直配向状態第1基板および第2基板に垂直な方向に配向した状態を保つ。それに伴い、他の液晶分子は上記の垂直配向状態を保っている液晶分子に向かって倒れ込むように配向する。したがって、両電極間への電圧の印加によって、液晶分子を画素の周縁部から対向電極の穴へと向かって倒れ込むように配向させることができる。すなわち、液晶分子は、穴を中心として放射状に倒れ込むように配向する。以上によって、セル厚調整層の段差部近傍の液晶分子の配向が周囲と整合し、安定する。そのため、液晶分子の配向の乱れに起因して生じる表示不良を抑制することができる。特に、本発明の一態様では、1つの穴を対向電極に形成するだけで画素全体の配向状態を制御することができ、複数の穴やスリットを設ける必要がないので、画素の開口率を低下させないで済む。また、対向電極に穴を設けることによって、反射部の配向規制力を高めることができるため、液晶表示装置への外部からの物理的な変形に起因した表示ムラの発生を抑制できる。また、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、上記画素電極において、上記透過部および上記反射部が並ぶ配列方向に対向する2つの端部のいずれかに、該端部の一部から、該端部に直交する端部の一部に向かって直線的に傾斜しているスロープが形成されていることを特徴としている。また、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、上記画素電極において、上記透過部および上記反射部が並ぶ配列方向に対向する2つの端部の双方に、該端部の一部から、該端部に直交する端部の一部に向かって直線的に傾斜しているスロープが形成されており、上記スロープは、互いに同じ上記端部に向かって直線的に傾斜していることを特徴としている。上記の構成によれば、上下の画素との境界端においても、液晶の配向を十分に制御することができる。また、各画素の画素電極における上下の画素との境界端近傍の液晶分子の配向がより安定化する。結果、略全ての画素において液晶分子は、穴を中心として放射状に倒れ込むように配向する。すなわち、液晶分子の配向状態をパネル液晶表示装置内の画素ごとに等しくすることが容易になり、液晶表示装置全体の表示品位を均一にすることができる。また、本発明の一態様に係る液晶表示装置は、上記の課題を解決するために、互いに対向する第1基板および第2基板と、上記第1基板および上記第2基板の間に封入された液晶層と、上記第2基板の上記液晶層側に形成された対向電極と、上記第1基板の上記液晶層側に形成され、自身が形成される領域における上記液晶層の厚さを、上記領域以外の領域における上記液晶層の厚さよりも小さくするためのセル厚調整層と、上記第1基板の上記液晶層側に、光を透過する透過部および光を反射する反射部が、透過部、反射部、および透過部の順に並べて形成された画素電極であって、上記反射部が上記セル厚調整層の上記液晶層側を覆い、2つの上記透過部のうち、一方の上記透過部の一部と、他方の上記透過部の一部と、上記反射部の一部とを連続して開口している穴を有する画素電極とを備えていることを特徴としている。上記の構成によれば、穴がセル厚調整層の段差部を跨るように形成されているため、セル厚調整層の段差部の一部には画素電極が形成されていない。そのため、対向電極および画素電極の間に電圧を印加したとき、穴の端部すなわち、画素電極の穴の縁部で液晶分子の配向が制御され、画素電極の穴近傍の液晶分子は略垂直配向状態第1基板および第2基板に垂直な方向に配向した状態を保つ。それに伴い、他の液晶分子は上記の垂直配向状態を保っている液晶分子に向かって倒れ込むように配向する。したがって、両電極間への電圧の印加によって、液晶分子を画素の周縁部から画素電極の穴へと向かって倒れ込むように配向させることができる。すなわち、液晶分子は、穴を中心として放射状に倒れ込むように配向する。以上によって、セル厚調整層が第1基板側に設けられている場合でも、セル厚調整層の段差部近傍の液晶分子の配向が周囲と整合し、安定する。そのため、液晶分子の配向の乱れに起因して生じる表示不良を抑制することができる。特に、本発明の一態様では、1つの穴を画素電極に形成するだけで画素全体の配向状態を制御することができ、複数の穴やスリットを設ける必要がないので、画素の開口率を低下させないで済む。また、画素電極に穴を設けることによって、反射部の配向規制力を高めることができるため、液晶表示装置への外部からの物理的な変形に起因した表示ムラの発生を抑制できる。また、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、上記対向電極において、上記透過部および上記反射部が並ぶ配列方向に対向する2つの端部の双方に、土手、穴、およびスリットのいずれかが形成されていることを特徴としている。上記の構成によれば、土手、穴、またはスリット等の配向制御物を設けることによって、上下の画素との境界端においても、液晶分子の配向を画素電極の端部から画素内部に向かって倒れ込む配向にさせることができる。したがって、液晶分子の配向が周囲と整合し、より安定する。そのため、液晶分子の配向の乱れに起因して生じる表示不良を抑制することができる。本発明の一態様によれば、液晶分子の配向制御用の穴がセル厚調整層の段差部を跨るように形成されているため、セル厚調整層の段差部近傍の液晶分子の配向が周囲と整合し、安定する。そのため、液晶分子の配向の乱れに起因して生じる表示不良を抑制することができる。特に、本発明の一態様では、1つの穴を対向電極または画素電極に形成するだけで画素全体の配向状態を制御することができ、複数の穴やスリットを設ける必要がないので、画素の開口率を低下させないで済む。また、対向電極または画素電極に穴を設けることによって、反射部の配向規制力を高めることができるため、液晶表示装置への外部からの物理的な変形に起因した表示ムラの発生を抑制できる。以下に、本発明に従った実施形態を説明する。なお、以下の説明では、本発明を実施するために好ましい種々の限定が付されているが、本発明の技術的範囲は以下の実施形態および図面に限定されるものではない。第1の実施形態液晶表示装置の概要本実施形態に係る液晶表示装置について、図2を参照して説明する。図2のaは、液晶表示装置の各画素を構成するTFT基板側の透過平面図であり、bは、対向基板側の透過平面図である。本実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向するTFT基板第1基板と対向基板第2基板と、両基板間に封入された液晶層とを含んでいる。図2aに示すように、TFT基板は、硼けい酸ガラス等から成るガラス基板であり、ゲート、ソース、およびドレインを有したTFT素子不図示および画素電極8等を含んでいる。画素電極8は、光を反射可能である一方で薄膜化によって光が透過可能な導電材料、例えば銀、銀合金、またはアルミニウム等から成る。このとき、画素電極8は、光を反射する反射部6と光が透過する透過部7とを含んでいる。反射部6および透過部7の厚さについては後述する。反射部6および透過部7は繋がっており連続しており、同じ材料から成る。この画素電極8は、液晶表示装置の画素1を規定し、例えばマトリクス状またはデルタ状に配列されている。一方、図2bに示すように、対向基板は、硼けい酸ガラス等から成るガラス基板であり、着色層から成るカラーフィルタ不図示、透明樹脂から成るセル厚調整層9、およびITOIndiumTinOxideまたはIZOIndiumZincOxide等の透明導電材料から成る対向電極5等を含んでいる。カラーフィルタは、画素電極8に対向して設けられており、画素電極8の配列に対応して例えばマトリクス状またはデルタ状に配列されている。ここで、図2bでは分かりやすくするために画素1を透過して図示しているが、実際には、カラーフィルタ上には画素電極8の反射部6に対向するようにセル厚調整層9が配置されている。そして、セル厚調整層9に被さるようにしてセル厚調整層9上およびカラーフィルタ上に対向電極5が配置されており、該対向電極5は全ての画素電極8に対向する大きさを有し、画面の一面全面に渡っている。この対向電極5には、各画素電極8の中心部分に対向する位置に、液晶分子の配向制御用の穴15が形成されている。穴15の機能については後述する。このようなTFT基板および対向基板の間のすき間に液晶層が封入されている。このような液晶表示装置では、TFT素子をスイッチングして画素電極8と対向電極5との間に電圧を印加することによって、画素ごとに液晶層に映像信号が書き込まれる。このとき、液晶表示装置のバックライトを点灯すると、バックライトからの出射光が画素電極8の透過部7を透過して、表示画面側に出射される透過方式。一方、バックライトの消灯時には周囲の光が液晶表示装置に入射し、画素電極8の反射部6で反射して、表示画面側に出射される反射方式。これにより、画像を視認することができる。反射部6および透過部7の厚さ上述したように、本実施形態に係る液晶表示装置は、画素電極8が反射部6と透過部7とから成る半透過型液晶表示装置である。半透過型液晶表示装置では、反射部6では光は液晶を2回通り、透過部7では光は液晶を1回通るので、反射部6および透過部7とでは液晶を通過する光の光路長が異なる。そこで、反射部6と透過部7とで液晶を通過する光の光路長を略等しくするために、対向基板側にはセル厚調整層9が形成されている。セル厚調整層9は、透過部7におけるセル厚よりも反射部6におけるセル厚を小さくしている。より具体的には、反射部6のセル厚を透過部7の概ね半分のセル厚にしている。このようなセル厚調整層9を設けるマルチギャップ構造を採用することによって、液晶を通過する光の光路長を反射部6と透過部7とで略等しくして光学的なロスを低減することができる。液晶分子の配向制御用の穴15本実施形態に係る液晶表示装置の各画素の平面図および断面図を図1に示す。図1のaは、画素1の透過平面図であり、bは、aに示した画素1のA-A’断面図である。図1のaでは、分かりやすくするために画素1を透過して図示している。また、本実施形態に係る液晶表示装置の各画素における液晶分子10の配向状態を図3に示す。上述したように、本実施形態に係る液晶表示装置では、対向電極5において各画素電極8の中心部分に対向する位置に、各画素内の液晶分子10の配向の中心を定めて画素全体の配向を制御するための穴15が形成されている。ここで、図12を参照して説明したように、対向電極5においてセル厚調整層9の上面に当たる位置に穴15を設けると、セル厚調整層9の段差部近傍の液晶分子10に逆向きの電界がかかってしまうため、配向が安定しない。そこで、本実施形態では、図1aに示すように、配向制御用の穴15がセル厚調整層9の段差部を跨るようにして形成されている。すなわち、穴15は、対向電極5において、画素電極8の2つの透過部7のうち、一方の透過部7に対向する領域の一部と、他方の透過部7に対向する領域の一部と、反射部6に対向する領域の一部とを連続して開口するように形成されている。これによれば、図1bに示すように、穴15がセル厚調整層9の段差部を跨るように形成されているため、セル厚調整層9の段差部の一部には対向電極5が形成されていない。そのため、図3に示すように、対向電極5および画素電極8の間に電圧を印加したとき、穴15の端部すなわち、対向電極5の穴15の縁部で液晶分子10の配向が制御され、対向電極5の穴15近傍の液晶分子10は略垂直配向状態TFT基板3および対向基板2に垂直な方向に配向した状態を保つ。それに伴い、他の液晶分子10は上記の垂直配向状態を保っている液晶分子10に向かって倒れ込むように配向する。したがって、両電極間への電圧の印加によって、液晶分子10を画素1の周縁部から対向電極5の穴15へと向かって倒れ込むように配向させることができる。すなわち、液晶分子10は、穴15を中心として放射状に倒れ込むように配向する。この際、穴15が形成されている箇所を除いてセル厚調整層9の段差部には対向電極5が形成されている。しかし、穴15は段差部の一部にも形成されているため、対向電極5が形成されている段差部近傍の液晶分子10も画素1の周縁部から対向電極5の穴15へと向かって倒れ込むように配向する。以上によって、セル厚調整層9の段差部近傍の液晶分子10の配向が周囲と整合し、安定する。そのため、液晶分子10の配向の乱れに起因して生じる表示不良を抑制することができる。特に、本実施形態では、1つの穴15を対向電極5に形成するだけで画素全体の配向状態を制御することができ、複数の穴やスリットを設ける必要がないので、画素1の開口率を低下させないで済む。また、対向電極5に穴15を設けることによって、反射部6の配向規制力を高めることができるため、液晶表示装置への外部からの物理的な変形に起因した表示ムラの発生を抑制できる。なお、画素電極8の反射部6と透過部7との配列方向の穴15の幅と、セル厚調整層9の上記の配列方向の幅との差Δdは、1.0μm以上であることが好ましい。穴15の幅とセル厚調整層9の幅との差Δdが1.0μm以上であると、穴15はセル厚調整層9の段差部分を十分にカバーしている跨っている。したがって、セル厚調整層9の段差部分の影響を受けずに、液晶分子10の配向を十分に制御することができる。また、穴15の形状としては、図1に示した楕円形状に限定されるわけではない。例えば、穴15は長方形状、櫛歯形状、鉄アレイのような形状、あるいは長手方向の両端部が八角形状になっている形状を有していてもよい。なお、液晶層には、予めモノマーが混合されている。そして、画素1に駆動用の電圧が加えられたとき、光を照射する等して混合されているモノマーを重合化し、ポリマーを形成する。この形成されたポリマーによって、配向膜の境界面付近の液晶分子10のプレチルト角を保持することができる。これにより、画素1に駆動電圧を印加したとき、液晶分子10が傾斜する方向を規制して、液晶分子10の配向を行なうことができる。このような技術はPSApolymersustainedalignmentと呼ばれ、液晶分子10の高速応答化を行なうことが可能となる。本実施形態においてPSAを採用してもよいが、PSAは必須の技術ではなく、液晶層にPSAを行なうためのモノマーが混合されていなくてもよい。第2の実施形態液晶表示装置の概要本実施形態に係る液晶表示装置について、図4を参照して説明する。図4のaは、液晶表示装置の各画素を構成するTFT基板側の透過平面図であり、bは、対向基板側の透過平面図である。本実施形態に係る液晶表示装置は、第1の実施形態と同じであり、互いに対向するTFT基板第1基板と対向基板第2基板と、両基板間に封入された液晶層とを含んでいる。図4aに示すように、TFT基板は、ゲート、ソース、およびドレインを有したTFT素子不図示および画素電極8等を含んでいる。一方、図4bに示すように、対向基板は、着色層から成るカラーフィルタ不図示、透明樹脂から成るセル厚調整層9、およびITOIndiumTinOxideまたはIZOIndiumZincOxide等の透明導電材料から成る対向電極5等を含んでいる。ここで、図4bでは分かりやすくするために画素1’を透過して図示しているが、実際には、カラーフィルタ上には画素電極8の反射部6に対向するようにセル厚調整層9が配置されている。そして、セル厚調整層9に被さるようにしてセル厚調整層9上およびカラーフィルタ上に対向電極5が配置されており、該対向電極5は全ての画素電極8に対向する大きさを有し、画面の一面全面に渡っている。この対向電極5には、各画素電極8の中心部分に対向する位置に、液晶分子の配向制御用の穴15が形成されている。本実施形態に係る液晶表示装置も、画素電極8が反射部6と透過部7とから成る半透過型液晶表示装置である。そのため、反射部6と透過部7とで液晶を通過する光の光路長を略等しくするために、対向基板側にはセル厚調整層9が形成されたマルチギャップ構造を有している。セル厚調整層9は、透過部7におけるセル厚よりも反射部6におけるセル厚を小さくしている。より具体的には、反射部6のセル厚を透過部7の概ね半分のセル厚にしている。反射部6のセル厚を透過部7の概ね半分のセル厚にしている。また、本実施形態に係る液晶表示装置においても、対向電極5において各画素電極8の中心部分に対向する位置に、各画素内の液晶分子の配向の中心を定めて画素全体の配向を制御するための穴15が形成されている。具体的には、配向制御用の穴15がセル厚調整層9の段差部を跨るようにして形成されている。すなわち、穴15は、対向電極5において、画素電極8の2つの透過部7のうち、一方の透過部7に対向する領域の一部と、他方の透過部7に対向する領域の一部と、反射部6に対向する領域の一部とを連続して開口するように形成されている。液晶分子の配向制御用のスロープ本実施形態に係る液晶表示装置の各画素の平面図および断面図を図5に示す。図5のaは、画素1’の透過平面図であり、bは、aに示した画素1’のA-A’断面図である。図5のaでは、分かりやすくするために画素1’を透過して図示している。また、本実施形態に係る液晶表示装置の各画素における液晶分子10の配向状態を図6に示す。第1の実施形態で示した画素1の構成では、液晶層に電圧を印加したときには、液晶分子10は穴15を中心として放射状に倒れるが、画素境界のバスラインの影響を受けるために、画素の配向中心の発生位置が、パネル液晶表示装置内の画素それぞれにおいて異なり得る。このような画素ごとでの配向の不揃いがあると、表示にざらつき等が発生して表示品位が低下してしまう。そこで、本実施形態では、図5に示すように、画素電極8における上下の画素との境界端すなわち、反射部6と透過部7との配列方向の端部にスロープが設けられている。ここで言うスロープとは、画素電極8の上記の境界端が、画素1’の内側に向かって直線的に単調に傾斜している構成である。より具体的には、画素電極8の上記の境界端の一部から、該境界端に直交する境界端の一部に向かって傾斜している構成である。画素1’においては、上側の画素との境界端および下側の画素との境界端は、互いに同じ境界単に向かって傾斜しているスロープを有している。したがって、画素電極8における上下の画素との境界端は、反射部6および透過部7の配列方向に直交する方向に沿って互いに平行ではない。また、上記の境界端のスロープの迫り出しが、左側の画素から右側の画素へすなわち、紙面左側から右側へと向かうにつれて大きくなる。これによって、各画素の画素電極8における上下の画素との境界端近傍の液晶分子10の配向がより安定化する。結果、略全ての画素において液晶分子10は、図6に示すように、穴15を中心として放射状に倒れ込むように配向する。すなわち、液晶分子10の配向状態をパネル液晶表示装置内の画素間で等しくすることが容易になり、液晶表示装置全体の表示品位を均一にすることができる。なお、画素電極8の上下の画素との境界端において、スロープが設けられていない箇所の長さΔxは、5.5μm以上であることが好ましい。また、スロープの迫り出し度合いΔyは、2.5μm以上であることが好ましい。スロープが設けられていない箇所の長さが5.5μm以上であり、かつ迫り出し度合いが2.5μm以上であると、画素電極8の上下の画素間にあるバスラインの影響を受けにくくなる。したがって、バスライン近傍の液晶分子10の配向を十分に制御することができる。ところで、図5では、画素電極8の上下の画素との境界端の双方にスロープを形成しているが、これに限定されるわけではなく、一方の境界端のみにスロープを形成してもよい。第3の実施形態液晶表示装置の概要本実施形態に係る液晶表示装置について、図7を参照して説明する。図7のaは、液晶表示装置の各画素を構成するTFT基板側の透過平面図であり、bは、対向基板側の透過平面図である。本実施形態に係る液晶表示装置は、第1の実施形態と同じであり、互いに対向するTFT基板第1基板と対向基板第2基板と、両基板間に封入された液晶層とを含んでいる。図7aに示すように、TFT基板は、ゲート、ソース、およびドレインを有したTFT素子不図示、画素電極8、および透明樹脂から成るセル厚調整層9等を含んでいる。一方、図7bに示すように、対向基板は、着色層から成るカラーフィルタ不図示およびITOIndiumTinOxideまたはIZOIndiumZincOxide等の透明導電材料から成る対向電極5等を含んでいる。該対向電極5は全ての画素電極8に対向する大きさを有し、画面の一面全面に渡っている。この対向電極5には、必要に応じて配向制御物12を設けてもよい。配向制御物12の機能については後述する。ここで、図7aでは分かりやすくするために画素1を透過して図示しているが、実際には、TFT基板上にはセル厚調整層9が配置されている。そして、セル厚調整層9に被さるようにしてセル厚調整層9上に画素電極8の反射部6が配置されており、セル厚調整層9以外の箇所に被さるようにして画素電極8の透過部7が配置されている。この画素電極8には、自身の中心部分に液晶分子の配向制御用の穴15が形成されている。本実施形態に係る液晶表示装置も、画素電極8が反射部6と透過部7とから成る半透過型液晶表示装置である。そのため、反射部6と透過部7とで液晶を通過する光の光路長を略等しくするために、TFT基板側にはセル厚調整層9が形成されたマルチギャップ構造を有している。セル厚調整層9は、透過部7におけるセル厚よりも反射部6におけるセル厚を小さくしている。より具体的には、反射部6のセル厚を透過部7の概ね半分のセル厚にしている。また、本実施形態に係る液晶表示装置においては、画素電極8の中心部分に、各画素内の液晶分子の配向の中心を定めて画素全体の配向を制御するための穴15が形成されている。具体的には、配向制御用の穴15がセル厚調整層9の段差部を跨るようにして形成されている。すなわち、穴15は、画素電極8の2つの透過部7のうち、一方の透過部7の一部と、他方の透過部7の一部と、反射部6の一部とを連続して開口するように形成されている。液晶分子の配向制御用の穴15TFT基板側にセル厚調整層9が形成されている従来の液晶表示装置に、液晶分子の配向制御用の穴15を設けた場合の画素の平面図および断面図を図8に示す。図8のaは、画素21の透過平面図であり、bは、aに示した画素21のA-A’断面図である。図8のaでは、分かりやすくするために画素21を透過して図示しており、実際には図8のbに示すように、画素21は、互いに対向するTFT基板3と対向基板2と、両基板間に封入された液晶層とを含んでいる。TFT基板上にはセル厚調整層9が配置されている。そして、セル厚調整層9に被さるようにしてセル厚調整層9上に画素電極8の反射部6が配置されており、セル厚調整層9以外の箇所に被さるようにして画素電極8の透過部7が配置されている。図8bに示すように、画素電極8においてセル厚調整層9の上面に当たる位置に穴15を設けると、セル厚調整層9の段差部近傍の液晶分子10に逆向きの電界がかかってしまう。結果、液晶分子10の配向が安定せず、液晶分子10の配向の乱れに起因した表示不良が引き起こされてしまう。そこで、本実施形態に係る液晶表示装置の各画素の平面図および断面図を図9に示す。図9のaは、画素1の透過平面図であり、bは、aに示した画素1のA-A’断面図である。図9のaでは、分かりやすくするために画素1を透過して図示している。また、本実施形態に係る液晶表示装置の各画素における液晶分子10の配向状態を図10に示す。上述したように、本実施形態に係る液晶表示装置では、各画素電極8の中心部分に、各画素内の液晶分子の配向の中心を定めて画素全体の配向を制御するための穴15が形成されている。ここで、図12を参照して説明したように、画素電極8においてセル厚調整層9の上面に当たる位置に穴15を設けると、セル厚調整層9の段差部近傍の液晶分子に逆向きの電界がかかってしまうため、配向が安定しない。そこで、本実施形態では、図9aに示すように、配向制御用の穴15がセル厚調整層9の段差部を跨るようにして形成されている。すなわち、穴15は、画素電極8の2つの透過部7のうち、一方の透過部7の一部と、他方の透過部7の一部と、反射部6の一部とを連続して開口するように形成されている。なるように形成されている。これによれば、図9bに示すように、穴15がセル厚調整層9の段差部を跨るように形成されているため、セル厚調整層9の段差部の一部には画素電極8が形成されていない。そのため、図10に示すように、対向電極5および画素電極8の間に電圧を印加したとき、穴15の端部すなわち、画素電極8の穴15の縁部で液晶分子10の配向が制御され、画素電極8の穴15近傍の液晶分子10は略垂直配向状態TFT基板3および対向基板2に垂直な方向に配向した状態を保つ。それに伴い、他の液晶分子10は上記の垂直配向状態を保っている液晶分子10に向かって倒れ込むように配向する。したがって、両電極間への電圧の印加によって、液晶分子10を画素1の周縁部から画素電極8の穴15へと向かって倒れ込むように配向させることができる。すなわち、液晶分子10は、穴15を中心として放射状に倒れ込むように配向する。この際、穴15が形成されている箇所を除いてセル厚調整層9の段差部には対向電極5が形成されている。しかし、穴15は段差部の一部にも形成されているため、対向電極5が形成されている段差部近傍の液晶分子10も画素1の周縁部から画素電極8の穴15へと向かって倒れ込むように配向する。以上によって、セル厚調整層9がTFT基板3側に設けられている場合でも、セル厚調整層9の段差部近傍の液晶分子10の配向が周囲と整合し、安定する。そのため、液晶分子10の配向の乱れに起因して生じる表示不良を抑制することができる。特に、本実施形態では、1つの穴15を画素電極8に形成するだけで画素全体の配向状態を制御することができ、複数の穴やスリットを設ける必要がないので、画素1の開口率を低下させないで済む。また、画素電極8に穴15を設けることによって、反射部6の配向規制力を高めることができるため、液晶表示装置への外部からの物理的な変形に起因した表示ムラの発生を抑制できる。液晶分子の配向制御物12この際、上下の画素との境界端では、画素電極8の端部によって液晶分子10の配向は制御されている。その詳細を図11に示す。図11aに示すように、液晶表示装置では、穴15の端部すなわち、画素電極8の穴15の縁部で液晶分子10の配向が制御され、画素電極8の穴15近傍の液晶分子10は略垂直配向状態TFT基板3および対向基板2に垂直な方向に配向した状態を保つ。それに伴い、他の液晶分子10は上記の垂直配向状態を保っている液晶分子10に向かって倒れ込むように配向する領域A。一方、上下の画素との境界端領域Bでは、画素電極8の端部によって液晶分子10の配向が制御され、境界端近傍の液晶分子10は画素電極8の端部から画素内部に向かって倒れ込むように配向する。本実施形態では、セル厚調整層9をTFT基板3側に形成しているため、液晶分子10の配向を第1および第2の実施形態とは逆の方向にする必要がある。したがって、液晶分子10を、穴15を中心として放射状に倒れ込むように配向させる必要がある。そこで、本実施形態では、上下の画素との境界端における画素電極8の端部による配向の相殺するために、図11bに示すように、対向電極5における上記の境界端に配向制御物12を設けることが好ましい。配向制御物12とは、土手、スリット、あるいは穴等である。図9および10では、配向制御物12として対向電極5に土手を設けており、図11bでは、配向制御物12として対向電極5にスリットあるいは穴を設けている。図11bに示すように、上下の画素との境界端領域Dでは、画素電極8の端部によって液晶分子10の配向が制御され、境界端近傍の液晶分子10は画素電極8の端部から画素内部に向かって倒れ込むように配向しようとするが、配向制御物12として対向電極5にスリットが設けられているため、スリットの端部すなわち、対向電極5のスリットの縁部で液晶分子10の配向が制御され、境界端近傍の液晶分子10は対向電極5のスリット端部から画素内部に向かって倒れ込むように配向する。以上によって、液晶表示装置では、穴15の端部すなわち、画素電極8の穴15の縁部領域Cで液晶分子10の配向が画素1の周縁部から画素電極8の穴15へと向かって倒れ込む配向になると共に、上下の画素との境界端領域Dで液晶分子10の配向が画素電極8の端部から画素内部に向かって倒れ込む配向になる。すなわち、液晶分子10を、穴15を中心として放射状に倒れ込むように配向させることが可能となる。したがって、液晶分子10の配向が周囲と整合し、より安定する。そのため、液晶分子10の配向の乱れに起因して生じる表示不良を抑制することができる。本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。また、以上では画素1,1’,1の画素電極8の反射部6および透過部7が、上下の画素の配列方向すなわち、データ信号線に平行な方向紙面上下方向に並んでいる構成を示したが、必ずしもこれに限定されるわけではない。例えば、画素電極8の反射部6および透過部7は、左右の画素の配列方向すなわち、走査信号線に平行な方向紙面左右方向に並んでいてもよい。"