絶縁膜上に分割領域で画定された複数の半導体素子部が形成された第1の面と、この第1の面とは反対側の第2の面とを備える半導体ウエハを、前記半導体素子部毎に分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法であって、前記半導体素子部を覆うが前記分割領域は露出させるマスクを前記第1の面に形成する工程と、前記第1の面からのプラズマ照射で前記マスクから露出している前記分割領域の前記絶縁膜を除去する第1のプラズマダイシング工程と、前記第1のプラズマダイシング工程後に前記第1の面に保護テープを貼り付ける工程と、前記保護テープの貼付後に、前記第2の面を研削して前記半導体ウエハを薄厚化する工程と、前記研削後に、前記第2の面にフレーム付きの保持テープを貼り付ける工程と、前記保持テープの貼付後に、前記第1の面から前記保護テープを剥離して除去する工程と、前記保護テープの剥離後に、前記第1の面からのプラズマ照射で前記半導体ウエハにおいて前記マスクから露出している前記分割領域の部分を除去し、前記半導体ウエハを前記半導体素子部毎の複数の半導体チップに分割する第2のプラズマダイシング工程と、前記第2のプラズマダイシング工程後に、前記マスクを除去する工程とを備える半導体チップの製造方法。前記保護テープの貼付前に、前記第1のプラズマダイシング工程により前記マスクの表面に生じた変質層を前記第1の面からのプラズマ照射で除去する工程をさらに備える、請求項1に記載の半導体チップの製造方法。前記保持テープの貼付前に、前記研削により前記第2の面に生じた変質層を前記第1の面からのプラズマ照射で除去する工程をさらに備える、請求項1又は請求項2に記載の半導体チップの製造方法。前記マスクを除去する工程は、前記第1の面からのプラズマ照射で前記マスクを除去するものである、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体チップの製造方法。半導体ウエハを分割して個片化する半導体チップの製造方法には、前述した半導体ウエハ1枚当たりのチップ収率、チッピングの低減、及びハンドリング性に加え、保護テープの貼り付け回数が少ないこと、レジストパターン形成のためのフォトリソグラフィー加工の回数が少ないこと等の種々の要求がある。しかし、前述した既知のDBG方式や各種のプラズマダイシングによる半導体チップの製造方法では、これらの要求のすべてを満たすことはできない。本発明は、半導体ウエハ1枚当たりのチップ収率、チッピングの低減、及びハンドリング性を含む種々の特性に優れた半導体チップの製造方法を提供することを課題とする。本発明は、絶縁膜上に分割領域で画定された複数の半導体素子部が形成された第1の面と、この第1の面とは反対側の第2の面とを備える半導体ウエハを、前記半導体素子部毎に分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法であって、前記半導体素子部を覆うが前記分割領域は露出させるマスクを前記第1の面に形成する工程と、前記第1の面からのプラズマ照射で前記マスクから露出している前記分割領域の前記絶縁膜を除去する第1のプラズマダイシング工程と、前記第1のプラズマダイシング工程後に前記第1の面に保護テープを貼り付ける工程と、前記保護テープの貼付後に、前記第2の面を研削して前記半導体ウエハを薄厚化する工程と、前記研削後に、前記第2の面にフレーム付きの保持テープを貼り付ける工程と、前記保持テープの貼付後に、前記第1の面から前記保護テープを剥離して除去する工程と、前記保護テープの剥離後に、前記第1の面からのプラズマ照射で前記半導体ウエハにおいて前記マスクから露出している前記分割領域の部分を除去し、前記半導体ウエハを前記半導体素子部毎の複数の半導体チップに分割する第2のプラズマダイシング工程と、前記第2のプラズマダイシング工程後に、前記マスクを除去する工程とを備える半導体チップの製造方法を提供する。本発明の半導体チップ製造方法では、第1及び第2のプラズマダイシング工程により半導体ウエハを複数の半導体チップに分割し、ダイサーを使用した機械的なダイシングは行わないので、1枚の半導体ウエハ当たりのチップ収率向上できる。また、フレーム付きの保持テープに貼り付けた状態で個々の半導体チップに個片化されるので、隣接する半導体チップの干渉に起因するチッピングを防止できる。さらに、第2の面の研削後で保護テープに貼り付けられた状態では分割領域の部分の絶縁膜のみが除去された状態であって個片化されていないので、ハンドリング性に優れている。その他、本発明の半導体チップの製造方法では、保護テープの貼り付けと剥離の工程はそれぞれ1回のみである点で工程を簡易化できる。また、第1の面に形成したマスクを第1及び第2のプラズマダイシングの両方で使用し、マスクの形成及び除去の工程はそれぞれのみ1回のみである点でも工程を簡易化できる。さらに、第1の面に形成された絶縁膜例えばSiO2を、同じ第1の面からプラズマ照射第1のプラズマダイシング工程により除去するので、確実にかつ高速で絶縁膜を除去できる。好ましくは、前記保護テープの貼付前に、前記第1のプラズマダイシング工程により前記マスクの表面に生じた変質層を前記第1の面からのプラズマ照射で除去する工程を実行する。絶縁膜を除去するための第1のプラズマダイシング工程の際に、第1の面に形成されているマスクの表面が荒れて変質層が生じる。この変質層を除去することで、マスクに対する保護テープの貼付強度の過度の増加を防止できる。その結果、第2の面への保持フィルムの貼付後に第1の面から保護テープを剥離する際に、第1の面からのマスクの剥がれ等のマスクの損傷を防止できる。具体的には、前記保持テープの貼付前に、前記研削により前記第2の面に生じた変質層を前記第1の面からのプラズマ照射で除去する工程を実行する。また、前記マスクを除去する工程は、前記第1の面からのプラズマ照射で前記マスクを除去するものであることが好ましい。本発明によれば、半導体チップの製造方法において、半導体ウエハ1枚当たりのチップ収率、チッピングの低減、及びハンドリング性を含む種々の特性を向上できる。次に、添付図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。図1から図3は本発明の実施形態に係る半導体チップの製造方法を示す模式的な断面図である。図4はこの製造方法により製造された半導体チップ1を示す。半導体チップ1は、ダイ2と、ダイ2上に形成された絶縁膜3と、絶縁膜3上に形成されたIC部半導体素子部4とを備える。本実施形態では、ダイ2はSi又はSi系材料からなり、絶縁膜3はSiO2からなる。ただし、ダイ2や絶縁膜3の材質はこれに限定されない。例えば、絶縁膜3はSiN、SiOC、Lowk等であってもよい。図1Aに示すように、半導体ウエハ5の表面第1の面5aには、絶縁膜3が形成され、その上に複数のIC部4が形成されている。個々のIC部4の周囲に隣接するIC部4との間には隙間分割領域6がある。分割領域6にはIC部4が形成されていないので絶縁膜3が露出している。言い換えれば、分割領域6によって個々のIC部4が画定されている。一方、半導体ウエハ5の表面5aとは反対側の裏面第2の面5bにはIC部は形成されていない。まず、図1Bに示すマスク形成工程が実行される。具体的には、個々のIC部4は覆うが分割領域6の絶縁膜3は覆うことなく露出させるレジストマスク7が、半導体ウエハ5の表面5aにフォトリソグラフィーによって形成される。次に、図1Cに示す絶縁膜エッチング工程第1のプラズマダイシングが実行される。図5は絶縁膜エッチング工程と後述するレジスト表面処理工程に使用されるドライエッチング装置11Aの一例を示す。このドライエッチング装置11Aのチャンバ真空容器12の頂部の上方には上部電極としてのアンテナ13が配置されている。アンテナ13は第1の高周波電源部14Aに電気的に接続されている。一方、チャンバ12内の処理室15の底部側には、半導体ウエハ5が配置されるステージ16が配置されている。ステージ16は下部電極としても機能し、第2の高周波電源部14Bに電気的に接続されている。チャンバ12のガス導入口12aには、CF4Ar混合ガス源17Aと酸素ガス源17Bに接続され、排気口12bはチャンバ12内を真空排気するための真空ポンプを含む真空排気部18に接続されている。絶縁膜エッチング工程では、まずステージ16上に半導体ウエハ5を載置し、処理室15内を真空排気部18によって真空排気しつつCF4Ar混合ガス源17Aから処理室15内にCF4とArの混合ガスを供給し、所定圧力に維持する。その後、アンテナ13に対して第1の高周波電源部14Aから高周波電力を供給し、処理室15内にプラズマ19を発生させて半導体ウエハ5に照射する。この際、ステージ16には第2の高周波電源部14Bからバイアス電圧が印加される。プラズマ19中のラジカルとイオンの物理化学的作用よってレジストマスク7から露出している分割領域6の絶縁膜3が除去され、半導体ウエハ5の素材であるSi又はSi系材料が露出する。絶縁膜エッチング工程に引き続いて、図1Dに示すレジスト表面処理工程が実行される。このレジスト表面処理工程では、処理室15内を真空排気部18によって真空排気しつつ酸素ガス源17Bから処理室15内に酸素ガスを供給して所定圧力に維持する。この状態でアンテナ13に対して第1の高周波電源部14Aから高周波電力を供給し、処理室15内に酸素プラズマ20を発生させて半導体ウエハ5に照射する。絶縁膜エッチング工程でのプラズマ19の照射図1Cによりレジストマスク7の表面が荒れて変質層が生じている。レジスト表面処理工程で酸素プラズマ20を照射すると図1D、酸素プラズマ20中のラジカルとイオンの物理化学的作用よって理作用によってレジストマスク7の表面の変質層荒れが除去される。レジスト表面処理工程でレジストマスク7の表面の変質層を除去するのは、以下の理由による。後述するように、絶縁膜エッチング工程に続く工程でレジストマスク7上にBGテープ保護テープ25が貼り付けられ図1EのBGテープ貼付工程、このBGテープ25は半導体ウエハ5をエッチングするメインエッチング行程図3Aの前にレジストマスク7から剥離される図2EのBGテープ剥離工程。仮にレジストマスク7の表面に変質層が存在する状態のままで、すなわちレジストマスク7の表面の粗度が高い状態のままで、BGテープ25をレジストマスク7に貼り付けると、レジストマスク7に対するBGテープ25の貼付強度が過度に高くなる。このように貼付強度が過度に高いBGテープ25をBGテープ剥離工程図2Eで剥離すると、その際に半導体ウエハ5の表面5aからの剥がれ等の損傷がレジストマスク7に生じる。これに対し、本実施形態ではレジスト表面処理工程でレジストマスク7の表面の変質層を除去した後に、すなわちレジストマスク7の粗度を低下させた後に、BGテープ25をレジストマスク7に貼り付け、レジストマスク7に対するBGテープ25の貼付強度が過度の増加を抑制している。そのため、BGテープ剥離工程図2Eで半導体ウエハ5の表面5aからBGテープ25を剥離する際のレジストマスクの損傷を防止できる。レジスト表面処理工程後、図1Eに示すように、裏面研削BackGrind時の保護のためのBGテープ保護テープ25が半導体ウエハ5の表面側に貼り付けられるBGテープ貼付工程。すなわち、BGテープ25は半導体ウエハ5上のレジストマスク7の表面に貼り付けられることになる。BGテープ25は半導体ウエハ5に貼り付けられた後、もしくは取り付けられる前に半導体ウエハ5の外形形状に合わせて切断されるため、半導体ウエハ5のハンドリング性は損なわれない。続いて、図2Aに示すように、研削装置26で半導体ウエハ5の裏面5bが研削される裏面研削工程。この裏面研削工程により半導体ウエハ5は所定の厚みに薄厚化される。裏面研削工程で研削された半導体ウエハ5の裏面5bには、機械的に加工されることによって損傷した変質層5cが生じている図2B。この変質層5cをプラズマ処理で除去するプラズマストレスリリーフ工程が実行される図2C。図6はプラズマストレスリリーフ工程に使用されるドライエッチング装置11Bの一例を示す。このドライエッチング装置11Bは、チャンバ12のガス導入口12aにSF6ガス源17Cのみが接続されている点を除いて、前述した絶縁膜エッチング工程図1Cとレジスト表面処理工程図1Dに使用されるドライエッチング装置11Aと同様である。よって、図6に図示された要素のうち、図5のものと同一又は同様のものには同一の符号を付している。プラズマストレスリリーフ工程では、まずステージ16上に半導体ウエハ5を載置し、処理室15内を真空排気部18によって真空排気しつつSF6ガス源17Cから処理室15内にSF6ガスを供給し、所定圧力に維持する。その後、アンテナ13に対して第1の高周波電源部14Aから高周波電力を供給し、処理室15内にSF6プラズマ21を発生させて半導体ウエハ5に照射する。SF6プラズマ21中のラジカルとイオンの物理化学的作用で半導体ウエハ5の裏面5bから変質層5cが除去される。プラズマストレスリリーフ工程後、図2Dに示すように、ダイシングリングフレーム27付きの保持テープ28に半導体ウエハ5の裏面5bを貼り付ける保持テープ貼付工程。保持テープ貼付工程後、半導体ウエハ5からBGテープ25を剥離し、図2Eに示すようにBGテープ25を除去するBGテープ剥離工程。つまり、このBGテープ剥離工程で、レジストマスク7の表面からBGテープ25を剥離して除去する。前述のように絶縁膜エッチング工程図1Cによってレジストマスク7の表面に生じた変質層荒れはレジスト表面処理工程図1Dでの酸素プラズマ20の照射により除去されている。そして、変質層を除去することで、レジストマスク7に対するBGテープ25の貼付強度の過度の増加が抑制されている。その結果、BGテープ剥離工程図2Eで半導体ウエハ5の表面5aからBGテープ25を剥離する際に、レジストマスク7に半導体ウエハ5の表面5aからの剥がれ等の損傷が発生するのを防止できる。BGテープ剥離工程、図3Aに示すメインエッチング工程第2のプラズマダイシング工程が実行される。図7はメインエッチング工程と後述するアッシング工程に使用されるドライエッチング装置11Cの一例を示す。このドライエッチング装置11Cでは、チャンバ12のガス導入口12aにSF6ガス源17Cと酸素ガス源17Bが接続されている。また、ドライエッチング装置11Cは、保持テープ28のうち半導体ウエハ5からはみ出た部分とダイシングリング27とをプラズマから保護するための環状のカバー29を備える。カバー29は図示しない駆動機構により昇降駆動される。カバー29は、図7に示す下降位置保持テープ28とダイシングリング27の上側近傍に位置してプラズマから保護すると、ステージ16に対して上方に離れてダイシングリング27付きの保持テープ28のステージ16に対する積み降ろしを可能とする上昇位置図示せずとに移動可能である。ドライエッチング装置11Cのその他の構成は、前述した絶縁膜エッチング工程図1Cとレジスト表面処理工程図1Dに使用されるドライエッチング装置11Aと同様である。よって、図7に図示された要素のうち、図5のものと同一又は同様のものには同一の符号を付している。メインエッチング工程では、まずカバー29が上昇位置にある状態で、ステージ16上にダイシングリング27付きの保持テープ28半導体ウエハ5を載置する。載置完了後、カバー29は下降位置に移動する。次に、処理室15内を真空排気部18によって真空排気しつつSF6ガス源17Cから処理室15内にSF6ガスを供給し、所定圧力に維持する。その後、アンテナ13に対して第1の高周波電源部14Aから高周波電力を供給し、処理室15内にSF6プラズマ21を発生させて半導体ウエハ5に照射する。SF6プラズマ21中のラジカルとイオンの物理化学的作用により分割領域6で露出している半導体ウエハ5が除去される。分割領域6の部分の半導体ウエハ5を構成する材料が表面5aから裏面5bまで除去され、半導体ウエハ5が個々の半導体チップ1に分割されるまで、メインエッチング工程は継続される。保持テープ28のうち半導体ウエハ5からはみ出た部分とダイシングリング27とはカバー29で覆われて、SF6プラズマ21から保護される。メインエッチング工程に引き続いて、図3Bに示すアッシング工程が実行される。このアッシング工程では、処理室15内を真空排気しつつ酸素ガス源17Bから処理室15内に酸素ガスを供給して所定圧力に維持する。この状態でアンテナ13に対して第1の高周波電源部14Aから高周波電力を供給し、処理室15内に酸素プラズマ20を発生させて半導体ウエハ5に照射する。酸素プラズマ20の照射により半導体ウエハ5の表面5aからレジストマスク7が完全に除去される。保持テープ28のうち半導体ウエハ5からはみ出た部分とダイシングリング27とはカバー29で覆われて、酸素プラズマ20から保護される。以上の工程で保持テープ28上に保持された状態で製造された半導体チップ1は、ドライエッチング装置11Cから取り出されて後工程に送られるが、分割された状態の半導体ウエハ5半導体チップ1の集合体はダイシングリング27付の保持テープ28に保持されているので、後工程でのハンドリングは容易である。本実施形態の半導体製造方法は、特に以下に列挙する点に特徴がある。まず、チップ収率が高い。2回のプラズマダイシング工程、すなわち絶縁膜エッチング工程図1Cとメインエッチング工程図3Aにより半導体ウエハ5を複数の半導体チップ1に分割する。つまり、ダイサーを使用した機械的なダイシングは行わない。そのため、1枚の半導体ウエハ5当たりのチップ収率向上できる。チッピング発生を効果的に抑制できる。プラズマを用いた非接触加工である絶縁膜エッチング工程図1Cとメインエッチング工程図3Aにて半導体ウエハ5を半導体チップ1に個片化するのでチッピングの発生を大幅に低減できる。また、半導体ウエハ5は、メインエッチング工程図3Aにおいてダイシングリング27付きの保持テープ28に貼り付けた状態で個々の半導体チップ1に個片化されるので、隣接する半導体チップ1の干渉に起因するチッピングを防止できる。半導体ウエハ5の良好なハンドリング性を工程全体で確保できる。まず、半導体ウエハ5はマスク形成工程図1BからBGテープ剥離工程図2Eまでは分割されない状態で取り扱われるため、自動搬送機構や人手による取り扱いも含めて半導体ウエハ5の良好なハンドリング性が確保されている。また、半導体ウエハの分割図3Aのメインエッチング行程はダイシングリング27付きの保持テープ28上で行われ、分割後のハンドリングはダイシングリング27付きのの保持テープ28を介して行うので、分割後も良好なハンドリング性が確保されている。以上のチップ収率の向上、チッピングの低減、及びハンドリング性向上に加え、本実施形態の半導体製造方法には、以下の特徴もある。工程を簡略化できる。まず、BGテープ25の貼り付けのための工程図1EのBGテープ貼付工程とその剥離の工程図2EのBGテープ剥離工程は、それぞれ1回のみである点で工程を簡易化できる。また、表面5aに形成したレジストマスク7を絶縁膜エッチング工程図1Cとメインエッチング工程図3Aの両方で使用し、レジストマスク7の形成図1Bのレジストマスク形成工程とレジストマスク7の除去図3Bのアッシング工程はそれぞれのみ1回のみである点で、工程を簡易化できる。半導体ウエハ5にレジストマスク7を設けるマスク形成工程図1Bは、半導体ウエハ5を薄厚化する前、すなわち半導体ウエハ5が十分な剛性を有する状態で実行される。裏面研削工程により薄厚化された半導体ウエハ5は剛性が低く紙のように変形するため、レジストマスクの形成の難易度が高い。これに対し、本実施形態のように半導体ウエハ5を薄厚化する前にマスク形成工程を実行すれば、フォトリソグラフィーによるレジストマスク7の形成が容易であり、マスク形成のために特別な装置を使用する必要がない。半導体ウエハ5からBGテープ25を剥離して除去するBGテープ剥離工程図2Eは半導体ウエハ5を分割して個片化する前に実行されるので、作業が容易である。半導体ウエハ5を分割して個片化した後にBGテープを剥離するのは、作業が容易ではない。特に半導体チップ1のサイズが小さくなると、この作業の困難性が高くなる。従って、半導体チップ1のサイズが小さく場合、本実施形態のようにBGテープ剥離工程を半導体ウエハ5の個片化前に実行することによる利点が特に顕著である。半導体ウエハ5の表面5aに形成された絶縁膜3を、絶縁膜エッチング工程図1Cにおいて同じ表面5aからのプラズマ照射により除去するので、確実にかつ高速で絶縁膜3を除去できる。また、絶縁膜エッチング工程図1Cは裏面研削工程図2Aを実行する前、つまり半導体ウエハ5が薄厚化される前で十分な厚みを有する取り扱いが容易な状態で実行されるので、特殊な装置を使用する必要がない。前述したように、レジスト表面処理工程図1Cでレジストマスク7の表面の変質層荒れを除去することで、半導体ウエハ5の表面5aからBGテープ25を剥離して除去する際のレジストマスク7の損傷表面5aからの剥がれ等を防止できる。表1は本実施形態に係る半導体チップの製造方法を図1Aの半導体ウエハ5から同じ半導体チップ1の製造が可能な他の製造方法との比較を示す。表1では実施形態の製造方法を以下に列挙する他の4種類の製造方法と比較している。DBGDicingBeforeGrindingは、半導体ウエハ5の薄厚化のための研削より前にダイサーのブレードで機械的に半導体ウエハを分割する製造方法である。裏面プラズマダイシングは、IC部4が形成されていない裏面5bのみからのプラズマ照射で半導体ウエハ5を個々の半導体チップ1に分割する製造方法である。両面プラズマダイシングは、IC部4が形成されている表面5aとIC部4が形成されていない裏面5bの両方から順次プラズマを照射して半導体ウエハ5を個々の半導体チップ1に分割する製造方法である。表面プラズマダイシングは、IC部4が形成されている表面5aのみからのプラズマ照射で半導体ウエハ5を個々の半導体チップ1に分割する製造方法である。表1において各製造方法を評価した項目は以下に列挙する6項目である。チップ収率は、半導体ウエハ5の1枚当たりのチップ収率の観点からの評価である。チップ収率の点で好ましい場合は○印を示し、好ましくない場合は×印を示す。チッピング低減は、半導体チップ1の角部エッジの欠けチッピングを効果的に防止ないしは低減できるかという観点からの評価である。チッピングを効果的に低減できる場合は○印を示し、効果的に低減できない場合は×印を示す。ハンドリング性は、製造中の半導体ウエハ5の扱いやすさを、特に半導体ウエハ5が完全に切断された状態でのハンドリング搬送が容易か否か、という観点から評価したものである。ダイシングリング付の保持テープに貼り付けた状態でのみ、完全に分割された半導体ウエハのハンドリングを行う場合は○、ダイシングリング付の保持テープに貼り付けない状態で、完全に分割された半導体ウエハ1のハンドリングを行う必要がある場合は×を示す。テープ貼付は、保護テープ本実施形態ではBGテープ25や分割された半導体ウエハを保持するために使用する粘着テープ等のテープを半導体ウエハ5に貼り付ける工程が2回以上必要であるか言い換えればテープを半導体ウエハ5から剥離する工程が2回以上必要であるかという観点から評価したものである。テープの貼り付けが1回であれば○印を示し、2回以上必要であれば×印を示す。また、半導体チップに分割された後の半導体ウエハからテープを剥離する作業が含まれる場合、半導体ウエハからのテープの剥離作業の困難性が高い場合も×を示す。マスク形成工程は、薄厚化工程本実施形態では図2Aの裏面研磨工程で厚みが薄くなった半導体ウエハにレジストマスク7を形成するためのフォトリソグラフィーを実行する必要があるか、もしくはレジストマスク7を形成するためのフォトリソグラフィーを2回以上実行する必要があるか言い換えればレジストマスク7の除去が2回以上必要であるかという観点から評価したものである。薄厚化工程後にレジストマスク7を形成するためのフォトリソグラフィーの必要がなく、レジストマスク7を形成するためのフォトリソグラフィーが1回であれば○印を示し、薄厚化工程後にフォトリソグラフィー工程を行う必要があるか、もしくは2回以上フォトリソグラフィーが必要であれば×印を示す。絶縁膜のエッチング性は、一般に半導体ウエハ5本実施形態ではSi又はSi系材料よりも難エッチング性の絶縁膜3本実施形態でSiO2を効率的ないし高速でエッチング可能か否かという観点から評価したものである。絶縁膜3を高速でエッチングできる場合言い換えれば半導体ウエハの表面側からのエッチングで絶縁膜の除去を行う場合は○印を示す、そうでない場合は×印を示す。評価項目毎の各製造方法の評価は以下の通りである。チップ収率については、ブレードの厚み少なくとも40~50μm程度による制約を受けるDBGの評価は×であるが、それ以外の製造方法はいずれもプラズマダイシングであるのでいずれの評価も○である。チッピング低減については、機械研削、研磨を伴うDBGの評価は×であるが、それ以外のプラズマによる非接触加工を用いた製造方法の評価はいずれも○である。ハンドリング性については、DBG、裏面プラズマダイシング、両面プラズマダイシング、及び表面プラズマダイシングのいずれについても、ダイシングリング付の保持テープに貼り付けない状態で、完全に分割された半導体ウエハのハンドリングを行う必要があるので×である。本実施形態の製造方法では半導体ウエハ5は絶縁膜3を除いてメインエッチング工程図3A、すなわちダイシングリング付の保持テープ28に貼り付けられるまでは切断されない。従って、本実施形態の製造方法のハンドリング性についての評価は○である。保護テープ貼付回数については、DBGでは保護テープの貼付回数は1回であるが、半導体チップに分割された状態の半導体ウエハから保護テープを除去する必要があるので評価は×である。裏面プラズマダイシング、両面プラズマダイシング、及び表面プラズマダイシングではテープの貼り付けや剥離が2回以上必要であるので評価は×である。本実施形態の製造方法ではBGテープ貼付工程図1EとBGテープ剥離工程図2Eは各1回である。またBGテープ25は半導体チップ1に分割される前の半導体ウエハ5から剥離される。従って、本実施形態の製造方法の保護テープ貼付回数についての評価は○である。マスク形成工程については、そもそもDBGではフォトリソグラフィーは行わない。裏面プラズマダイシングと表面プラズマダイシングについては、マスク形成のためのフォリソグラフィーの回数は1回であるが、薄厚化工程で薄くなった半導体ウエハに対して行う必要があるので評価は×である。両面プラズマダイシングについては、表裏両面について計2回のマスク形成のためのフォリソグラフィーが必要であるので評価は×である。本実施形態の製造方法では、レジストマスク7を形成するためのフォトリソグラフィーは1回図1Bのマスク形成工程のみであり、薄厚化工程で薄くなる前の半導体ウエハ5に対して行われる。従って、本実施形態の製造方法のマスク形成工程についての評価は○である。絶縁膜のエッチング性については、そもそもDBGではエッチングは行わない。両面プラズマダイシングと表面プラズマダイシングについては、絶縁膜3をそれが形成された表面5aから高速でエッチングできるので、評価は○である。裏面プラズマダイシングについては、絶縁膜3をそれが形成された表面5aとは反対側の裏面5bからエッチングする必要があるので、エッチング効率が低く評価は×である。本実施形態の製造方法では、絶縁膜3をそれが形成された表面5aからエッチングする図1Cの絶縁膜エッチング工程ので、絶縁膜3を高速でエッチングできる。従って、本実施形態の製造方法の絶縁膜のエッチング性についての評価は○である。以上のように、本実施形態の製造方法のみが6項目のすべてについて良好であり、他の製造方法との比較においても本実施形態の製造方法が優れていることが理解できる。本発明は以下に例示的に列挙するように種々の変形が可能である。レジスト表面処理工程図1Dはプラズマ処理に限定されず絶縁膜エッチング工程図1Eの際にレジストマスク7の表面に生じた荒れを除去できる限り、プラズマ処理以外のドライ又はウエットのプロセスを採用できる。また、表面に荒れを有するレジストマスク7とBGテープ25との密着力が低く容易に剥離できる場合は、レジスト表面処理工程を省略してもよい。絶縁膜エッチング工程図1Cとそれに続くレジスト表面処理工程1Dは、別のドライエッチング装置で実行してもよい。同様に、メインエッチング工程図3Aとそれに続くアッシング工程図3Bは、別のドライエッチング装置で実行してもよい。逆に、プラズマ処理である絶縁膜エッチング工程図1C、レジスト表面処理工程1D、プラズマストレスリリーフ工程図2C、メインエッチング工程図3A、及びアッシング工程図3Bうちの任意の2以上の工程を同一のドライエッチング装置で実行してもよい。