n型半導体基板にダイボンド用金属層が設けられた構造体であって、該ダイボンド用金属層は、上記n型半導体基板とオーミック接触するオーミック特性を得るために添加する金属であるオーミック金属が、Auに添加されたものであり、上記オーミック金属の含有率は、上記n型半導体基板の側では低くなっており、該n型半導体基板の側の反対側では高くなっており、上記Auの含有率は、上記n型半導体基板の側の方がその反対側よりも高くなっていることを特徴とする構造体。上記ダイボンド用金属層は、上記n型半導体基板の側から順に形成された第1金属層および第2金属層を備えており、第2金属層は、上記Auに上記オーミック金属が添加された金属層であり、第1金属層は、第2金属層からの上記オーミック金属が拡散したAu層であることを特徴とする請求項1に記載の構造体。上記ダイボンド用金属層は、上記n型半導体基板の側から順に形成された第1金属層および第2金属層を備えており、第1金属層および第2金属層は、上記Auに上記オーミック金属が添加された金属層であり、第1金属層は、第2金属層よりも、上記オーミック金属の含有率が低く、かつ、上記Auの含有率が高いことを特徴とする請求項1に記載の構造体。上記n型半導体基板はn型Si基板であり、上記オーミック金属は、Sn、Sb、およびAsの中の少なくとも1つであることを特徴とする請求項1から3までの何れか1項に記載の構造体。上記オーミック金属は、Snであることを特徴とする請求項4に記載の構造体。n型半導体基板にダイボンド用金属層が設けられた構造体の製造方法であって、上記n型半導体基板上にAuからなる第1金属層を形成する工程と、上記n型半導体基板とのオーミック接触が良好なオーミック金属を、Auに添加した第2金属層を、第1金属層上に形成する工程と、第2金属層を形成する時に熱加熱を行うか、或いは、第2金属層を形成した後に熱処理を行うことにより、第2金属層のオーミック金属を第1金属層に拡散させる工程とを含むことを特徴とする構造体の製造方法。n型半導体基板にダイボンド用金属層が設けられた構造体の製造方法であって、上記n型半導体基板とのオーミック接触が良好なオーミック金属を、Auに添加した第1金属層を、上記n型半導体基板上に形成する工程と、上記オーミック金属をAuに添加した第2金属層であって、第1金属層に比べて、上記Auの含有率が低く、上記オーミック金属の含有率が高い第2金属層を、第1金属層上に形成する工程とを含むことを特徴とする構造体の製造方法。しかしながら、AuSbの合金化融点が高いため、従来の上記構造では、ダイボンド時に高温処理が必要となり、その高温下でAuSb層102がn型Si基板101から剥がれる現象が発生し易い。また、上記高温処理により、AuSbが液状化し、AuSb層102にてAuSbの島状部分が形成され、これによる接触抵抗の増加、形状異常、ボンディング時の接着不良などが発生する虞がある。また、図10に示す構造体の場合、この状態では、SiとSbとが接触していないので、オーミック接触とはならない。そこで、ボンディング時に熱処理を施して、Au-Si共晶層112の大部分、Au層111、およびAuSb層102が溶融して、Au-Si-Sb合金を形成することにより、オーミック接触を実現している。しかしながら、上記熱処理には長時間例えば、約370°Cで約20分を要することになる。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、n型半導体基板との密着性およびオーミック特性の良好なダイボンド用金属層の構造を提供することにある。本発明に係る構造体は、n型半導体基板にダイボンド用金属層が設けられた構造体であって、上記課題を解決するために、該ダイボンド用金属層は、上記n型半導体基板とオーミック接触するオーミック特性を得るために添加する金属であるオーミック金属が、Auに添加されたものであり、上記オーミック金属の含有率は、上記n型半導体基板の側では低くなっており、該n型半導体基板の側の反対側では高くなっており、上記Auの含有率は、上記n型半導体基板の側の方がその反対側よりも高くなっていることを特徴としている。上記の構成によると、n型半導体基板の側におけるダイボンド用金属層は、Auの含有率が高いため、上記n型半導体基板との密着性が良好である。また、オーミック金属が存在するので、上記n型半導体基板との接触がオーミック接触となる。そして、上記Auの含有率が高く、接触抵抗を上げる上記オーミック金属の含有率が低いため、接触抵抗が低い。その結果、オーミック特性が良好となる。また、上記オーミック金属の含有率は、上記n型半導体基板の側の方よりもその反対側の方が高くなっている。これにより、熱処理が行われても、ダイボンド用金属層が液状化するのではなく、上記オーミック金属が上記n型半導体基板の側にその反対側から拡散して合金化以下、単に拡散と称する。するので、ダイボンド用金属層に島状部分が形成されることを防止することができる。その結果、n型半導体基板との良好な密着性およびオーミック特性を維持できる。本発明に係る構造体では、上記ダイボンド用金属層は、上記n型半導体基板の側から順に形成された第1金属層および第2金属層を備えており、第2金属層は、上記Auに上記オーミック金属が添加された金属層であり、第1金属層は、第2金属層からの上記オーミック金属が拡散したAu層であることが好ましい。この構造体は、上記n型半導体基板上にAuからなる第1金属層を形成する工程と、上記n型半導体基板とのオーミック接触が良好なオーミック金属を、Auに添加した第2金属層を、第1金属層上に形成する工程と、第2金属層を形成する時に熱加熱を行うか、或いは、第2金属層を形成した後に熱処理を行うことにより、第2金属層のオーミック金属を第1金属層に拡散させる工程とにより製造できる。この場合、上記オーミック金属と上記Auとの合金材料を少なくとも1種類用意すれば良い。従って、上記オーミック金属と上記Auとの含有割合が異なる種々の合金材料を用意する必要が無い。また、上記オーミック金属がAu層に拡散する度合は、熱処理の温度、時間などによって容易に調整できる。従って、オーミック金属の含有率が低く、所望する密着性およびオーミック特性を有する第1金属層と、オーミック金属の含有率が高く、融点が低い第2金属層とを備えるダイボンド用金属層を容易に形成することができる。なお、第2金属層の融点を低くすることにより、ダイボンド時の熱処理温度を下げることができ、生産性を向上させることができる。本発明に係る構造体では、上記ダイボンド用金属層は、上記n型半導体基板の側から順に形成された第1金属層および第2金属層を備えており、第1金属層および第2金属層は、上記Auに上記オーミック金属が添加された金属層であり、第1金属層は、第2金属層よりも、上記オーミック金属の含有率が低く、かつ、上記Auの含有率が高くてもよい。この構造体は、上記n型半導体基板とのオーミック接触が良好なオーミック金属を、Auに添加した第1金属層を、上記n型半導体基板上に形成する工程と、上記オーミック金属をAuに添加した第2金属層であって、第1金属層に比べて、上記Auの含有率が低く、上記オーミック金属の含有率が高い第2金属層を、第1金属層上に形成する工程とにより製造できる。上記n型半導体基板の例としては、n型Si基板などが挙げられる。また、上記オーミック金属の例としては、Sn、Sb、As、これらの組合せなどが挙げられる。このうち、上記オーミック金属はSnであることが好ましい。従来、Snは、ハンダ材料として利用されているが、オーミック接触については考慮されていなかった。これに対し、本願発明者らは、n型半導体基板とSnとの接触がオーミック接触となることを見出し、上記ダイボンド用金属層にSnを利用することを案出した。また、AuSnは、AuSbおよびAuAsに比べて、合金化温度が低いので、ダイボンド時の密着強度を向上させ易い。また、Snの材料コストは、SbおよびAsの材料コストよりも安価であるので、AuにSnを添加して合金比を上げる方が、AuにSbまたはAsを添加して合金比を上げるよりも、製造コストを下げることができる。以上のように、本発明に係る構造体では、n型半導体基板の側におけるダイボンド用金属層は、Auの含有率が高くオーミック金属の含有率が低いため、n型半導体基板との密着性およびオーミック特性が良好となるという効果を奏すると共に、熱処理が行われても、ダイボンド用金属層が液状化するのではなく、上記オーミック金属が上記n型半導体基板の側にその反対側から拡散することにより、上記密着性およびオーミック特性を良好に維持できるという効果を奏する。実施の形態1本発明の一実施形態について図1~図6を参照して説明する。図2は、本実施形態のn型半導体基板にダイボンド用金属層が設けられた構造体1を示している。図示のように、ダイボンド用金属層11は、半導体素子が形成されたn型Si基板10の裏面に形成されている。ダイボンド用金属層11は、第1金属層12および第2金属層13を備えており、それぞれn型半導体基板10上に順番に形成されている。第1金属層12および第2金属層13のうちn型半導体基板10とは反対の側の金属層である第2金属層13は、AuにSnスズが添加されたAuSn層である。そして、第1金属層12および第2金属層13のうちn型半導体基板10の側の金属層である第1金属層12は、第2金属層13からのSnが拡散したAu層である。図1は、本実施形態の構造体1の製造方法を示している。まず、同図のaに示すように、ダイオード、トランジスタなどの半導体素子図示せずと、該半導体素子と電気的に接続されたn型Si基板10を用意する。このn型Si基板10は、n型の不純物例えばAs、P、Sbなどが導入され、複数の上記半導体素子が形成されたSiウェハである。次に、図1のbに示すように、n型Si基板10の裏面に、電極用のAu層14を、蒸着法またはスパッタ法により形成する。このとき、n型Si基板10とAu層14との接合では、電気的な障壁が形成されるため、オーミック接触とはならない。次に、図1のcに示すように、Au層14上に、電極用およびダイボンド用のAuSn層13を、蒸着法またはスパッタ法により形成する。ここで、AuSn層13を形成する時に加熱を行うか、或いは、AuSn層13を形成した後に熱処理を行う。これにより、AuSn層13からAu層14にSnが拡散して、Au層14は、図1のcに示すように、Snが拡散したAu層12となる。上記の構成によると、n型Si基板10と接合する第1金属層12は、Snが拡散したAu層であり、Auの含有率が高いため、n型Si基板10との密着性が良好である。また、n型Si基板10とSnとの接触がオーミック接触となり、さらに、上記Auの含有率が高い一方、接触抵抗の高い上記Snの含有率が低いため、接触抵抗が低い。その結果、オーミック特性が良好となる。また、上記Snの含有率は、第2金属層13の方が第1金属層12よりも高くなっている。これにより、熱処理が行われても、ダイボンド用金属層11が液状化するのではなく、上記Snが第2金属層13から第1金属層12に拡散するので、ダイボンド用金属層11に島状部分が形成されることを防止することができる。その結果、n型Si基板10との良好な密着性およびオーミック特性を維持できる。また、上記Snと上記Auとの合金材料を少なくとも1種類用意すれば良い。従って、上記Snと上記Auとの含有割合が異なる種々の合金材料を用意する必要が無い。また、AuSn層13からAu層14に拡散する度合は、熱処理の温度、時間などによって容易に調整できる。従って、Snの含有率が低く、所望する密着性およびオーミック特性を有する第1金属層12と、Snの含有率が高く、融点が低い第2金属層13とを備えるダイボンド用金属層11を容易に形成することができる。なお、第2金属層13の融点を低くすることにより、ダイボンド時の熱処理温度を下げることができ、生産性を向上させることができる。なお、本実施形態では、n型Si基板10とオーミック接触するオーミック金属としてSnを利用しているが、Sb、Asなど、他のオーミック金属を利用してもよい。しかしながら、AuSnは、AuSbおよびAuAsに比べて、合金化温度が低いので、ダイボンド時の密着強度を向上させ易い。また、Snの材料コストは、SbおよびAsの材料コストよりも安価であるので、AuにSnを添加して合金比を上げる方が、AuにSbまたはAsを添加して合金比を上げるよりも、製造コストを下げることができる。従って、本実施形態のように、上記オーミック金属としてSnを利用することが望ましい。実施例次に、本実施形態の実施例12および比較例1~4について、図3~図6を参照して説明する。まず、実施例12および比較例1~4の製造方法について説明する。実施例1の構造体1は下記のように製造したものである。すなわち、まず、n型Si基板10の裏面に、厚さ0.6μmのAu層14を蒸着した。そして、Snの含有率を30wtとして、Au層14に、厚さ1.2μmのAuSn層13を、300°Cの加熱下で蒸着した。このとき、Snが拡散したAu層12におけるSnの含有率は約10wtであった。なお、AuSn層13におけるSnの含有率は、蒸着条件の影響を受けて、30wt~40wtとなる。また、実施例2の構造体1は、実施例1において、上記加熱の温度を300°Cから280°Cに変更し、その他は同様にして製造したものである。なお、280°Cの加熱を行う代わりに、AuSn層13の形成後に、375°C、N2窒素ガス雰囲気で30分程度の熱処理を行ってもよい。一方、比較例1の構造体は、p型Si基板の裏面に厚さ0.6μmのAu層を、300°Cの加熱下で蒸着したものである。また、比較例2の構造体は、n型Si基板の裏面に厚さ0.6μmのAu層を、300°Cの加熱下で蒸着したものである。また、比較例3の構造体は、図9に示す構造体100であり、Snの含有率を30wtとして、n型Si基板101の裏面に厚さ1.8μmのAuSn層を、300°Cの加熱下で蒸着したものである。また、比較例4の構造体は、比較例3において、上記加熱の温度を300°Cから280°Cに変更し、その他は同様にして製造したものである。図3は、実施例および比較例の構造体のオーミック特性を示すグラフである。図示のグラフにおいて、横軸はベース電圧単位:Vを示しており、縦軸はベース電流単位:a.u.任意単位を示している。また、実施例1がアスタリスクのグラフであり、実施例2が白丸○のグラフである。一方、比較例1が黒菱形◆のグラフであり、比較例2が四角□のグラフであり、比較例3が三角三角のグラフであり、比較例4がバツ印×のグラフである。図3を参照すると、実施例12のグラフは何れも指数関数のグラフとなっていることから、実施例12の構造体はオーミック接触していることが理解できる。さらに、実施例12のグラフはベース電圧に対するベース電流の変化率が大きいことから、実施例12の構造体は接触抵抗が小さいことが理解できる。従って、実施例12の構造体は、オーミック特性が良好であることが理解できる。一方、比較例1のグラフは指数関数のグラフとなっているが、比較例2のグラフは指数関数のグラフから大きく外れている。このことから、p型Si基板にAu層を形成した比較例1の構造体はオーミック接触しているが、n型Si基板にAu層を形成した比較例2の構造体はオーミック接触していないことが理解できる。なお、比較例1のグラフは、ベース電圧に対するベース電流の変化率が小さいので、接触抵抗が大きいと考えられるが、これは、形成したAu層の厚さが0.6μmと薄かったことが原因であると考えられる。従って、Au層の厚さを増加することにより接触抵抗が小さくなり、オーミック特性が良好になると推定できる。一方、比較例34のグラフは何れも指数関数のグラフとなっていることから、比較例34の構造体はオーミック接触していることが理解できる。ところが、比較例3のグラフは、比較例4のグラフに比べて、ベース電圧に対するベース電流の変化率が小さくなっている。このことから、n型Si基板にAuSn層を形成した構造体のうち、300°Cに加熱して形成した比較例3の構造体の方が、280°Cに加熱して形成した比較例4の構造体に比べて、接触抵抗が高くなっていることが理解できる。従って、比較例3の構造体は、比較例4の構造体に比べて、オーミック特性が悪化していることが理解できる。この原因について、図4を参照して説明する。図4のaおよびbは、それぞれ、実施例2および比較例3の構造体を断面し、52°傾けて、顕微鏡で3万5千倍に拡大した写真である。図4のaでは、下から順に、n型Si基板10の断面部10c、Au層12の断面部12c、AuSn層13の断面部13c、およびAuSn層13の表面部13sが示されている。また、同図におけるSnが拡散したAu層12とAuSn層13とにおいて、白色部分はAuの含有率が比較的多いAuリッチ部分であり、黒色部分はSnの含有率が比較的多いSnリッチ部分である。図4のaを参照すると、Au層12にSnが拡散し、合金化していることが理解できる。これにより、実施例2の構造体はオーミック特性が良好となると考えられる。また、AuSn層13において、Auリッチ部分とSnリッチ部分とが形成されているが、表面が略平坦であることが理解できる。従って、実施例2の構造体は、形状異常、ボンディング時の接着不良などを回避できると考えられる。一方、図4のbでは、下から順に、n型Si基板10の断面部10c、AuSn層21の断面部21c、およびAuSn層21の表面部21sが示されている。同図を参照すると、AuSn層21に複数の島部21iが散在することが理解できる。この島部21iをさらに調べたところ、島部21iは、AuSn層21の他の部分よりもSnの含有率が高くなっていた。このことから、上記加熱の温度が高くなると、Snが流動し集まって、島部21iが形成されると考えられる。SnはAuに比べて電気抵抗率が高いので、島部21iにより比較例3の構造体は接触抵抗が高くなると考えられる。また、島部21iにより、AuSn層21の表面には凹凸が発生している。このため、比較例3の構造体は、形状異常、ボンディング時の接着不良などが発生すると考えられる。一方、図3に示すように、比較例4の構造体は、実施例12の構造体と同様に、オーミック特性が良好である。しかしながら、比較例4の構造体は、上記加熱の温度が低いため、n型Si基板10とAuSn層21との密着性が悪く、その結果、AuSn層21がn型Si基板10から剥がれ易い。図5のaおよびbは、それぞれ、実施例2および比較例4の構造体におけるダイボンド用金属層をピンセットで引っ掻いたときの状態を撮影した写真である。図5のaに示すように、実施例2の構造体では、ピンセットで引っ掻いても、AuSn層13が剥がれて、Snが拡散したAu層12が露出するのみである。一方、同図のbに示すように、ピンセットで引っ掻くと、AuSn層21が剥がれてn型Si基板10が露出してしまう。図6は、或る金属と別の金属との合金状態図である出典:金属データブック、社団法人日本金属学会、1993年発行。同図において、横軸は上記別の金属の含有率を示しており、縦軸は合金化する温度を示している。また、同図のaは、AuおよびSiの合金に関するものであり、同図のbは、SnおよびSiの合金に関するものであり、同図のcは、AuおよびSbの合金に関するものであり、同図のdは、AuおよびSnの合金に関するものである。図6のaによると、AuおよびSiは、Siの含有率が約3wtにおいて合金化温度が約360°Cである。一方、同図のbによると、SnおよびSiは、合金化温度が800°C以上である。このことから、AuおよびSiは合金化し易いが、SnおよびSiは合金化し難く、比較例4の構造体は、n型Si基板10とAuSn層21との密着性が悪いことが理解できる。一方、密着性を改善するには、比較例3のように上記加熱の温度を上げることが考えられるが、AuSn層21の表面に島状部分が形成されることになる。これに対し、実施例12の構造体は、Snが拡散したAu層12においてSnの含有率が低くなっているから、密着性が良いことが理解できる。また、図6のcによると、AuおよびSbは、Sbの含有率が約25wtにおいて合金化温度が約360°Cである。一方、同図のdによると、AuおよびSnは、Snの含有率が約20wtにおいて合金化温度が約280°Cである。すなわち、AuSnは、AuSbに比べて、合金化温度が低く、これにより、ダイボンド時の密着強度を向上させ易いことが理解できる。また、AuSn層13は、Snの含有率が約20wtであることが、合金化温度が最小値となるので望ましいことが理解できる。実施の形態2次に、本発明の他の実施形態について図7および図8を参照して説明する。図7は、本実施形態のn型半導体基板にダイボンド用金属層が設けられた構造体1を示している。本実施形態の構造体1は、図2に示す構造体1に比べて、ダイボンド用金属層11における第1金属層として、Snが拡散したAu層12に代えて、AuにSnが添加されたAuSn層15であって、AuSn層13に比べてSnの含有率が低いAuSn層15を形成している点が異なり、その他の構成は同様である。なお、上記実施形態にて説明した構成と同様の機能を有する構成には同一の符号を付して、その説明を省略する。図8は、本実施形態の構造体1の製造方法を示している。まず、同図のaに示すように、半導体素子図示せずと、該半導体素子と電気的に接続されたn型Si基板10を用意する。これは、図1のaと同様である。次に、図8のbに示すように、n型Si基板10の裏面に、電極用のAuSn層15を、蒸着法またはスパッタ法により形成する。実施例では、Snの含有率を10wtとして、厚さ0.6μmのAuSn層15を蒸着した。次に、図8のcに示すように、AuSn層15上に、電極用およびダイボンド用のAuSn層13を、蒸着法またはスパッタ法により形成する。実施例では、Snの含有率を30wtとして、厚さ1.2μmのAuSn層13を蒸着した。なお、図1のcの場合と異なり、AuSn層13を形成する時に加熱を行う必要は無い。本実施形態の構造体1においても、図1~図7に示す構造体1と同様の特性を得ることができた。しかしながら、本実施形態の場合、AuSn合金材料が2種類必要となる。本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。例えば、上記実施形態では、半導体基板としてSi基板を利用しているが、Geゲルマニウム、SiC炭化シリコンなど、Si以外の半導体基板にも利用することができる。