"集合基板上に実装された複数の半導体素子を光透明樹脂で封止し、これら半導体素子間の上記光透明樹脂に遮光用の溝を形成する工程と、この光透明樹脂の遮光用溝に所望の粘度の遮光樹脂を滴下し、この遮光樹脂が溝中央部で分離する状態で該遮光樹脂を上記光透明樹脂の遮光用溝壁面に付着させる工程と、上記遮光樹脂を硬化させ、光半導体素子を個片化する工程と、を有してなる光半導体素子の製造方法。集合基板上に実装された複数の半導体素子を光透明樹脂で封止し、これら半導体素子間の光透明樹脂の遮光用溝に遮光樹脂を配置し、この遮光用溝の中央部で切断することにより製作される光半導体素子において、上記遮光樹脂として、所望の粘度の遮光樹脂を用い、この遮光樹脂をスピンコートにより溝中央部で分離する状態で光透明樹脂の溝壁面に付着させて硬化形成したことを特徴とする光半導体素子。ところで、上記のようなフォトリフレクタや、発光素子、受光素子等においては、従来から小型化が図られているが、更なる小型化のため、上記遮光樹脂5を充填する溝の幅を100μm以下に小さくし、フォトリフレクタ等の素子の周囲の遮光壁が薄くなるようにすると、遮光用溝内に十分に遮光樹脂5が充填されず、ボイドが残って特性不良になるという問題があった。また、上記のように遮光用溝の幅を小さくした場合、個片化の際のダイシングずれにより、フォトリフレクタ等の素子の周囲遮光壁の厚さにばらつきが生じ易く、周囲からの迷光によりセンサが誤動作する恐れがある。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、遮光用の溝を小さくした場合でも、ボイドの発生がなく、フォトリフレクタ等の素子の小型化を促進することができる光半導体素子及びその製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために、請求項1に係る発明は、集合基板上に実装された複数の半導体素子を光透明樹脂で封止し、これら半導体素子間の上記光透明樹脂に遮光用の溝を形成する工程と、この光透明樹脂の遮光用溝に所望の粘度の遮光樹脂を滴下し、この遮光樹脂が溝中央部で分離する状態で該遮光樹脂を上記光透明樹脂の遮光用溝壁面に付着させる工程と、上記遮光樹脂を硬化させ、光半導体素子を個片化する工程と、を有してなることを特徴とする。請求項2に係る発明は、集合基板上に実装された複数の半導体素子を光透明樹脂で封止し、これら半導体素子間の光透明樹脂の遮光用溝に遮光樹脂を配置し、この遮光用溝の中央部で切断することにより製作される光半導体素子において、上記遮光樹脂として、所望の粘度の遮光樹脂を用い、この遮光樹脂をスピンコートにより溝中央部で分離する状態で光透明樹脂の溝壁面に付着させて硬化形成したことを特徴とする。上記の構成によれば、例えばフォトリフレクタの場合、集合基板上に複数組の発光素子及び受光素子をダイボンド及びワイヤボンドし、これらを光透明樹脂で封止した後、この光透明樹脂の発光素子-受光素子間に狭小の遮光用溝をダイシングにより形成する。そして、この遮光用溝を含む光透明樹脂の全体に低粘度例えば100mPas以下の遮光樹脂を滴下した後、例えばスピナーで高速回転させることで、遮光樹脂を溝中央部で分離する状態で光透明樹脂の遮光用溝の壁面及び周囲壁面に付着させる。その後、紫外線照射や加熱により、遮光樹脂を硬化させ、集合基板の裏側からダイシングすることによって1組の発光素子及び受光素子からなるフォトリフレクタが製作される。本発明の光半導体素子及びその製造方法によれば、遮光用の溝を例えば100μm以下まで小さくした場合でも、ボイドの発生がなく、光半導体素子の周囲遮光壁の厚さを縮小して、フォトリフレクタ等の小型化を促進することができ、小さなカメラモジュールに光半導体素子を搭載することも容易となる。図1には、本発明の実施例に係る光半導体素子としてのフォトリフレクタの構成が示され、図2及び図3には、フォトリフレクタの製造方法が示されており、まず製造方法について説明する。図2Aに示されるように、実施例では、集合基板10の上に発光素子LED2と受光素子フォトトランジスタ3を1組として複数組がダイボンドされ、図2Bのように、これらの発光素子2及び受光素子3は、集合基板10上面の所定電極に対し金線等の導電線11を用いてワイヤボンドされる。次いで、図2Cのように、各素子2,3が実装された集合基板10上に、光透明樹脂4が注入硬化され、これによって各素子2,3が封止される。そして、図2Dに示されるように、上記光透明樹脂4の発光素子2と受光素子3との間に、ダイシングにより遮光樹脂充填用の狭小の溝12が形成される。実施例では、この溝12の幅が100μm以下となるようにしている。その後、図2Eに示されるように、この遮光用溝12を含む光透明樹脂4の全体に対し、例えば100mPas以下の低粘度の遮光樹脂13がスピンコートされる。この遮光樹脂13としては、例えば紫外線UV硬化樹脂が用いられる。このスピンコートは、図3Aに示されるように、集合基板10に形成された光透明樹脂4の上に遮光樹脂13を滴下し、図3Bのように、スピナーによって集合基板10全体を所定の回転数で回転させることにより行われ、遮光樹脂13が上記遮光用溝12の中の光透明樹脂4の側面及び光透明樹脂4の全体の側面に塗布される。即ち、図2Eのように、低粘度の遮光樹脂13が高速のスピンコートで塗布されることにより、遮光用溝12内に注入された遮光樹脂13の一部が取り除かれ、遮光樹脂13は、遮光用溝12内の中央部で分離する状態で光透明樹脂13の溝壁面に表面張力で付着することになる。この際の遮光樹脂13の塗布厚さは、遮光樹脂の粘度とスピナーの回転速度によって調整することができ、遮光樹脂の粘度をある所望の粘度とし、そのスピンコートの回転数を調整することで、均一で、遮光特性の得られる所望の厚さの塗布状態が得られる。次いで、遮光樹脂13に対しては、例えば紫外線が照射されることで硬化光硬化される。この硬化は、熱硬化処理オーブンキュア等によって行ってもよいが、熱硬化後に遮光用溝12側壁面に付着している遮光樹脂13が十分残る条件で行う必要がある。そして、実施例では、素子の光伝送効率を上げるため、光透明樹脂4の上面に残った遮光樹脂13を研磨やラッピング等で除去し例えば数十μm除去、個片化が行われる。即ち、図2Eに示されるように、光透明樹脂4の上面をダイシングテープ15に貼付し、集合基板10の裏側半田面から矢示される方向及び位置でダイシングダイサーによる切断を行うことにより、1組の発光素子2及び受光素子3が個片化され、図1に示されるリフレクタが製作される。実施例では、遮光用溝12を100μm以下と小さくしていることから、ダイシング時のずれが生じる可能性があるため、集合基板10の裏面側から切断することで、リフレクタの周囲遮光壁の厚さにばらつきが生じないようにしている。図1には、実施例で得られたリフレクタが示されており、100mPas以下の低粘度の遮光樹脂13を用いてスピンコートすることにより、この遮光樹脂13からなる薄い遮光膜が周囲側面に形成されたリフレクタが製作される。即ち、従来用いられていた遮光樹脂は、2500mPas以上と粘度が高く、塗布後に脱泡工程を入れても遮光用構内にボイドが残っていたが、実施例では、このボイドの発生をなくした上に、周囲の遮光膜を薄くすることが可能となる。実施例では、フォトリフレクタを例にとって説明したが、単一の発光素子や受光素子を製造する場合でも、本発明を適用することができる。また、実施例のフォトリフレクタにおいて、1組の発光素子2と受光素子3との間の溝中央遮光壁用溝12に、従来と同様の高粘度の遮光樹脂を充填し、その他の溝フォトリフレクタ周囲遮光壁用溝12と光透明樹脂4の周囲に低粘度の遮光樹脂13をスピンコートすることで、フォトリフレクタの周囲のみに実施例の薄い遮光膜溝中央部で分離させた遮光樹脂を形成してもよい。"