基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正する欠陥修正方法であって、前記基板上の前記欠陥にペーストを塗布するステップと、塗布された前記ペーストを硬化させるために前記基板を焼成するステップとを備え、前記基板を焼成するステップでは、除電器によって除電された不活性ガスを前記ペーストに供給する、欠陥修正方法。前記不活性ガスは、窒素ガスである、請求項1に記載の欠陥修正方法。基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置を制御するコンピュータが実行するプログラムであって、前記コンピュータを、前記基板上の前記欠陥にペーストを塗布するための塗布手段、塗布された前記ペーストを硬化させるために前記基板を焼成するための焼成手段、および、前記焼成手段による前記基板の焼成において、前記ペーストに供給する不活性ガスを除電するための除電手段として機能させる、プログラム。基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置であって、前記基板上の前記欠陥にペーストを塗布するための塗布手段と、塗布された前記ペーストを硬化させるために前記基板を焼成するための焼成手段と、前記焼成手段による前記基板の焼成において、前記ペーストに不活性ガスを供給するための供給手段と、前記供給手段によって供給される不活性ガスを除電するための除電手段とを備える、欠陥修正装置。前記供給手段によって供給される不活性ガスは、窒素ガスである、請求項4に記載の欠陥修正装置。前記供給手段は、前記欠陥に向けて不活性ガスを供給するための噴出口を有する、請求項4または請求項5に記載の欠陥修正装置。前記供給手段は、不活性ガスの供給源に接続された配管が分岐してなる複数の前記噴出口を有する、請求項6に記載の欠陥修正装置。前記供給手段は、互いに異なる方向から前記欠陥に向けて不活性ガスを供給するための複数の前記噴出口を有する、請求項6または請求項7に記載の欠陥修正装置。前記噴出口の位置を移動させるための移動手段をさらに備える、請求項6~請求項8のいずれかに記載の欠陥修正装置。前記焼成手段による前記基板の焼成の時間を入力するための入力手段と、前記入力手段に入力された時間、前記焼成手段に前記基板を焼成させるための制御手段とを備える、請求項4~請求項8のいずれかに記載の欠陥修正装置。しかしながら、上記したような不活性ガスが利用された場合であっても、ガスの吹き付け中、及び直後に、ゴミがペーストに付着し、これにより、基板の品質が低下する恐れがあった。本発明は、かかる実情に鑑み考え出されたものであり、その目的は、基板に塗布されたペーストへのゴミの付着を回避することである。本発明に従った欠陥修正方法は、基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正する欠陥修正方法であって、基板上の欠陥にペーストを塗布するステップと、塗布されたペーストを硬化させるために基板を焼成するステップとを備え、基板を焼成するステップでは、除電器によって除電された不活性ガスをペーストに供給する。好ましくは、不活性ガスは、窒素ガスである。本発明に従ったプログラムは、基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置を制御するコンピュータが実行するプログラムであって、コンピュータを、基板上の欠陥にペーストを塗布するための塗布手段、塗布されたペーストを硬化させるために基板を焼成するための焼成手段、および、焼成手段による基板の焼成において、ペーストに供給する不活性ガスを除電するための除電手段として機能させる。本発明に従った欠陥修正装置は、基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置であって、基板上の欠陥にペーストを塗布するための塗布手段と、塗布されたペーストを硬化させるために基板を焼成するための焼成手段と、焼成手段による基板の焼成において、ペーストに不活性ガスを供給するための供給手段と、供給手段によって供給される不活性ガスを除電するための除電手段とを備える。好ましくは、供給手段によって供給される不活性ガスは、窒素ガスである。好ましくは、供給手段は、欠陥に向けて不活性ガスを供給するための噴出口を有する。好ましくは、供給手段は、不活性ガスの供給源に接続された配管が分岐してなる複数の噴出口を有する。好ましくは、供給手段は、互いに異なる方向から欠陥に向けて不活性ガスを供給するための複数の噴出口を有する。好ましくは、噴出口の位置を移動させるための移動手段をさらに備える。好ましくは、焼成手段による基板の焼成の時間を入力するための入力手段と、入力手段に入力された時間、焼成手段に基板を焼成させるための制御手段とを備える。本発明によれば、焼成の際、ペーストに、除電気によって電気的に中和された不活性ガスが照射される。これにより、不活性ガスにおける静電気の発生を抑え、ペーストへのゴミの付着を回避できる。以下、本発明の欠陥修正装置の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、同一の構成要素には各図において同一の符号を付し、詳細な説明は繰返さない。<欠陥修正装置の全体構成>図1は、本実施の形態の欠陥修正装置500の全体構成を示す図である。また、図2は、図1の欠陥修正装置500の部分的な正面図である。図1を参照して、欠陥修正装置500は、X軸テーブル11と、Y軸テーブル12と、Z軸テーブル13とからなる位置決めテーブルを含む。Y軸テーブル12上には、欠陥修正装置500における修正対象となる基板基板20が載置されている。また、欠陥修正装置500には、レーザー装置1、レーザー装置1または図示せぬ他のレーザー装置から基板20に照射されるレーザー光を中継するための顕微鏡ユニット2、および、ペーストの塗布機構3が設けられている。レーザー装置1は、塗布機構3によって基板20上に塗布されたペーストを焼成するために、基板20にレーザー光を照射する。顕微鏡ユニット2には、スリット板が設けられている。スリット板には、基板20における被加工部位の形状に対応したスリットが形成されている。そして、欠陥修正装置500では、当該スリット板をレーザー光が通過し、顕微鏡ユニット2の対物レンズを介して、被加工部位上にレーザー光が照射されることによって、不要な欠陥を除去することができる。欠陥修正装置500では、後述するX軸テーブル駆動部11A、Y軸テーブル駆動部12A、および、Z軸テーブル駆動部13Aが駆動されることにより、図1中のX方向、Y方向、および、Z方向についての、基板20の位置合わせが行なわれる。欠陥修正装置500には、図示せぬ窒素ガス供給源窒素ガスボンベ等から基板20上に窒素ガスを供給するための供給管40、および、イオナイザ装置4が取り付けられている。欠陥修正装置500では、図示しない窒素ガスの供給源から供給管40に窒素ガスが導入され、当該窒素ガスは、供給管40を介して、基板20上へ放出される。イオナイザ装置4は、供給管40に導入された窒素ガスを電気的に中和する。これにより、欠陥修正装置500は、除電された窒素ガスを、基板20上へ供給できる。図3は、欠陥修正装置500における、基板20に対する、レーザー光の照射および窒素ガスの供給の態様を模式的に示す図である。図3を参照して、欠陥修正装置500では、レーザー装置1から基板20上に塗布されたペースト6に対して、ペースト6の焼成用のレーザー光1aが照射されるとともに、当該レーザー光1aが照射される角度とは異なる角度から、供給管40を介して、除電された窒素ガス4aが放出される。なお、欠陥修正装置500では、供給管40の先端を、図2中の矢印R1方向に移動させたり、矢印R2方向に回転移動させるための駆動部後述する噴出口駆動部50が設けられている。これにより、欠陥修正装置500では、供給管40から放出する窒素ガスのターゲットの位置を、ペースト6が塗布された位置に合わせて移動させることができる。また、欠陥修正装置500は、当該欠陥修正装置500に備えられる各要素の動作を制御するための制御用コンピュータ100を備える。<制御ブロック>図4は、欠陥修正装置500の主要部の制御ブロック図である。欠陥修正装置500は、上記した制御用コンピュータ100、ならびに、当該制御用コンピュータ100によって動作を制御される、レーザー装置1、X軸テーブル駆動部11A、Y軸テーブル駆動部12A、Z軸テーブル駆動部13A、塗布機構3、イオナイザ装置4、および、噴出口駆動部50に加えて、不活性ガス供給部8と入力装置9とを備える。不活性ガス供給部8は、上記した窒素ガス供給源から供給管40への窒素ガスの導入量を調整するものであり、たとえば、窒素ガス供給源と供給管40との間に設けられたバルブの開度を調整するための機構モータ等によって実現される。不活性ガス供給部8の動作は、制御用コンピュータ100によって制御される。入力装置9は、制御用コンピュータ100に情報を入力するための装置であり、たとえば、キーボードやマウス、タッチセンサによって実現される。噴出口駆動部50は、供給管40の先端不活性ガスを噴出する噴出口の位置を移動させるための部品からなり、たとえば、供給管40の先端を支持する部材と、当該部材を変位させるためのモータ等の駆動手段とを含む。制御用コンピュータ100は、噴出口駆動部50を適宜駆動することにより、供給管40の先端の位置を移動させることができる。制御用コンピュータ100は、本明細書に記載された欠陥修正装置500の動作を実現するために当該欠陥修正装置500の各要素イオナイザ装置4等の動作を制御するための処理を実行する演算装置100Aと、当該演算装置100Aによって実行されるプログラムを記憶するための記憶装置100Bと、他の機器と通信するためのインターフェース100Cとを含む。記憶装置100Bを構成する記憶媒体としては、CD-ROMCompactDiskReadOnlyMemory、DVD-ROMDigitalVersatileDiskReadOnlyMemory、USBUniversalSerialBusメモリ、メモリカード、FDFlexibleDisk、ハードディスク、磁気テープ、カセットテープ、MOMagneticOpticalDisk、MDMiniDisk、ICIntegratedCircuitカードメモリカードを除く、光カード、マスクROM、EPROM、EEPROMElectronicallyErasableProgrammableReadOnlyMemoryなどの、不揮発的にプログラムを格納する媒体が挙げられる。<ペースト焼成処理>欠陥修正装置500では、制御用コンピュータ100は、欠陥修正装置500の各要素の動作を制御することにより、基板20の欠陥部位にペースト6を塗布した後、ペースト6の焼成に適した期間以下、所定時間ともいう、レーザー装置1に、ペースト6に対してレーザー光を照射させる。図5は、このようなペースト6の焼成の際に制御用コンピュータ100において実行される処理ペースト焼成処理のフローチャートである。図5を参照して、制御用コンピュータ100は、まずステップS10で、基板20にペースト6の焼成のためのレーザー光を照射するタイミングが到来したか否かを判断する。たとえば、ペースト6をレーザー装置1からのレーザー光の照射位置に位置させるような基板20の位置決めが完了したとき、制御用コンピュータ100は、上記レーザー光を照射するタイミングが到来したと判断する。そして、制御用コンピュータ100は、当該タイミングが到来したと判断するとステップS20へ処理を進める。ステップS20では、制御用コンピュータ100は、イオナイザ装置4の除電動作をONし、不活性ガスの供給をONして、ステップS30へ処理を進める。不活性ガスの供給をONとは、たとえば、不活性ガス供給部8が上記したようなバルブの開度を調整するモータによって実現される場合には、当該モータを駆動させてバルブの開度を上げて、供給管40を介して窒素ガスが放出される状態にすることを言う。ステップS30では、制御用コンピュータ100は、レーザー装置1にレーザー光を照射させる。これにより、図3を参照して説明したように、基板20のペースト6を塗布された部分に、レーザー光1aが照射され、また、除電された窒素ガス4aが供給される。なお、ステップS30におけるレーザー光照射の開始は、ステップS20においてイオナイザ装置4の除電動作をONさせてから、当該イオナイザ装置4の動作が安定すると考えられる時間が経過した後に、行なわれても良い。次に、ステップS40で、制御用コンピュータ100は、レーザー装置1によるレーザー光の照射を終了するタイミングが到来したか否かを判断する。制御用コンピュータ100は、たとえば、ステップS30でレーザー光の照射を開始してから、ペースト6の焼成のためのレーザー光照射についての所定時間が経過したか否かを判断し、経過したと判断すると、当該タイミングが到来したと判断する。そして、制御用コンピュータ100は、当該タイミングが到来したと判断するとステップS50へ処理を進める。ステップS50では、制御用コンピュータ100は、レーザー装置1にレーザー光の照射を終了させて、ステップS60へ処理を進める。ステップS60では、ステップS20でONさせたイオナイザ装置4の除電動作をOFFし、また、ステップS20でONさせた不活性ガスの供給をOFFして、処理を終了する。<変形例等>以上説明した本実施の形態では、欠陥修正装置500によって、基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置の一例が構成される。また、塗布機構3によって、基板上の欠陥にペーストを塗布するための塗布手段の一例が構成される。また、レーザー装置1によって、基板上に塗布されたペーストを硬化させるために基板を焼成するための焼成手段の一例が構成される。また、不活性ガス供給部8および供給管40によって、焼成手段による基板の焼成において、ペーストに不活性ガスを供給するための供給手段の一例が構成される。そして、イオナイザ装置4によって、供給手段によって供給される不活性ガスを除電するための除電手段の一例が構成される。なお、供給手段によって供給される不活性ガスとして、本実施の形態では、窒素ガスが採用されたが、これに限定されるものではない。なお、窒素ガスが採用された場合には、欠陥修正装置のランニングコストの低下が可能となり、また、装置の管理が容易になる。また、供給手段は、基板20近傍を窒素雰囲気にするものであれば良い。なお、本実施の形態のように、欠陥に向けて不活性ガスを供給するための噴出口供給管40の先端を有するものであっても良い。噴出口が設けられることにより、基板20上のペースト6が設けられた部分に対して局所的に不活性ガスを供給できる。これにより、より少ない窒素ガス供給量で、確実に、ペースト6近傍を窒素雰囲気にすることができる。また、欠陥修正装置500では、噴出口駆動部50によって、噴出口の位置を移動させるための移動手段の一例が構成される。欠陥修正装置500においてこのような移動手段が設けられた場合には、噴出口の位置を適宜補正できるため、より確実に、ペースト6近傍を窒素雰囲気にすることができる。したがって、より確実に、ペースト6へのゴミの付着を防止できる。また、欠陥修正装置500では、ユーザは、入力装置9に、基板20の焼成時間を含めた、基板20の処理についての種々の条件を入力することができる。制御用コンピュータ100は、当該入力された条件に従って、基板20の焼成を含めた種々の制御動作を実行する。たとえば、制御用コンピュータ100は、上記のように入力された焼成時間を、図5を参照して説明したペースト焼成処理における所定時間とすることができる。つまり、ステップS30で焼成を開始してから、ステップS40において上記焼成時間の経過を条件として、ステップS50で焼成レーザー装置1によるレーザー光の照射を終了させることができる。このことから、欠陥修正装置500では、入力装置9によって、焼成手段による基板の焼成の時間を入力するための入力手段の一例が構成され、また、制御用コンピュータ100によって、入力手段に入力された時間、焼成手段に基板を焼成させるための制御手段の一例が構成される。なお、制御用コンピュータ100は、他の装置から入力された焼成時間に従って焼成の時間を決定する場合には、インターフェース100Cによって、入力手段の一例が構成される。<変更の第1具体例>欠陥修正装置において、供給手段は、不活性ガスの供給源に接続された配管が分岐してなる複数の噴出口を有する場合が有り得る。図6は、図2等に示された供給管40の第1の変形例を説明するための図である。図6に示された供給管40は、その先端が、噴出口40Aと噴出口40Bに分岐している。なお、噴出口40Aと噴出口40Bは、いずれも、図4を参照して説明したようなペースト6に向けて不活性ガスを噴出する向きに配置されている。これにより、ペースト6に対して、二方向から1点に集中させて、窒素ブローを供給でき、より確実に、ペースト6へのゴミの付着を防止できる。<変更の第2具体例>欠陥修正装置において、供給手段は、互いに異なる方向から欠陥に向けて不活性ガスを供給するための複数の噴出口を有する場合が有り得る。図7は、図2等に示された供給管40の第2の変形例を説明するための図である。図7には、供給管40の代わりに設けられる供給管41が示されている。供給管41は、供給管40に対して、その先端部分ペースト6に不活性ガスを供給する側の部分の構造が変更されている。供給管41には、複数の噴出孔41A~41Hが設けられている。そして、本変形例では、図3に示されたようなペースト6に向けて、噴出孔41A~41Hのそれぞれから、除電された不活性ガスが放出される。これにより、ペースト6に対して、多方向から1点に集中させて、窒素ブローを供給でき、より確実に、ペースト6へのゴミの付着を防止できる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。