"処理領域を画定する紫外線処理チャンバと、前記処理領域内で基板を支持するための基板支持体と、前記基板支持体から離隔して配置され、紫外線放射を生成し、前記基板支持体上に位置決めされる基板に送出するように構成される紫外線UV放射源と、前記UV放射源と前記基板支持体との間に配置される窓と、前記窓と前記基板支持体との間の前記処理領域内に配置され、上側処理領域及び下側処理領域を画定する透過性シャワーヘッドであって、該上側処理領域は前記窓と該透過性シャワーヘッドとの間に位置し、該下側処理領域は該透過性シャワーヘッドと前記基板支持体との間に位置し、該透過性シャワーヘッドは該上側処理領域と該下側処理領域との間に1つ又は複数の透過性シャワーヘッド通路を有する、透過性シャワーヘッドと、ガス分配リングであって、該ガス分配リング内のガス分配リング内部チャネルと前記上側処理領域との間に1つ又は複数のガス分配リング通路を有する、ガス分配リングと、前記ガス分配リング下に位置決めされるガス排出リングであって、該ガス排出リング内のガス排出リング内部チャネルと前記下側処理領域との間に1つ又は複数のガス排出通路を有する、ガス排出リングとを備える、処理ツール。前記1つ又は複数のガス排出通路は前記透過性シャワーヘッド下に少なくとも部分的に配置される、請求項1に記載の処理ツール。前記ガス分配リングは、前記1つ又は複数のガス分配リング通路を画定するベース分配リングと、前記ベース分配リングと結合され、前記ベース分配リングとともに前記ガス分配リング内部チャネルを画定するガス吸気リングであって、該ガス吸気リングは、ガスが前記ガス分配リング内部チャネルに入るための1つ又は複数のガス吸気口をさらに備える、ガス吸気リングとをさらに備える、請求項1に記載の処理ツール。前記ガス排出リングは、前記1つ又は複数のガス排出通路を画定するガスポンピングリングと、前記ガスポンピングリングと結合され、前記ガスポンピングリングとともに前記ガス排出リング内部チャネルを画定するベース排出リングであって、該ベース排出リングは、ガスが前記ガス排出リングから出るための少なくとも1つのガス排出口をさらに備える、ベース排出リングとをさらに備える、請求項1に記載の処理ツール。前記1つ又は複数の透過性シャワーヘッド通路は均一な流れプロファイルを有し、前記基板にわたる径方向面積当たりのガス流は均一である、請求項1に記載の処理ツール。前記1つ又は複数の透過性シャワーヘッド通路は優先的な流れプロファイルを有し、径方向面積当たりのガス流は前記基板の中心に対して、又はエッジに対して優先的である、請求項1に記載の処理ツール。処理チャンバ内の流れ分配プロファイルを制御する方法であって、前記方法は、前記処理チャンバの上側処理領域内にガス化学種を注入することと、該上側処理領域は窓と前記処理チャンバ内に位置決めされる透過性シャワーヘッドとの間に位置し、前記透過性シャワーヘッド内に形成される1つ又は複数の通路を通して下側処理領域の中に前記ガス化学種を流すことと、該下側処理領域は前記透過性シャワーヘッドと前記処理チャンバ内に位置する基板支持体との間に位置し、排気口を通して前記下側処理領域から前記ガス化学種を吐出することとを含む、処理チャンバ内の流れ分配プロファイルを制御する方法。前記ガス化学種を前記注入することは、ガス分配リングを通して前記上側処理領域に前記ガス化学種を流すことをさらに含む、請求項7に記載の方法。前記ガス分配リングを通して前記ガス化学種を前記流すことは、前記ガス分配リング内に配置されるガス分配リング内部チャネルと、前記ガス分配リング内に配置され、前記ガス分配リング内部チャネルと前記上側処理領域との間にある1つ又は複数のガス分配リング通路とを通して前記ガス化学種を流すことを含む、請求項8に記載の方法。前記ガス化学種を前記吐出することは、前記ガス分配リング下に配置されるガス排出リングを通して、排気口に前記ガス化学種を流すことをさらに含む、請求項7に記載の方法。前記ガス排出リングを通して前記ガス化学種を前記流すことは、前記ガス排出リング内に配置され、前記下側処理領域と前記ガス排出リング内に配置されるガス排出リング内部チャネルとの間にある1つ又は複数のガス排出通路を通して、かつ前記ガス排出リング内部チャネルを通して、前記排気口に前記ガス化学種を流すことをさらに含む、請求項10に記載の方法。処理チャンバを洗浄するための方法であって、前記処理チャンバの上側処理領域内に洗浄ガスを注入することと、該上側処理領域は窓と前記処理チャンバ内に位置決めされる透過性シャワーヘッドとの間に位置し、反応性化学種を形成するため、前記洗浄ガスをUV光及び熱のうちの少なくとも一方と反応させることと、前記透過性シャワーヘッド内に形成される1つ又は複数の通路を通して下側処理領域の中に前記反応性化学種を流すことと、該下側処理領域は前記透過性シャワーヘッドと前記処理チャンバ内に位置する基板支持体との間に位置し、前記窓の表面及び前記透過性シャワーヘッドの表面に堆積した残留物を除去することと、排気口を通して前記下側処理領域から前記反応性化学種及び前記残留物を吐出することとを含む、処理チャンバを洗浄するための方法。前記注入することは、ガス分配リングを通して前記上側処理領域に前記洗浄ガスを流すことをさらに含み、前記吐出することは、前記ガス分配リング下に配置されるガス排出リングを通して排気口に前記反応性化学種を流すことをさらに含む、請求項12に記載の方法。前記ガス分配リングを通して前記上側処理領域に前記洗浄ガスを前記流すことは、前記ガス分配リング内に配置されるガス分配リング内部チャネルと、前記ガス分配リング内に配置され、前記ガス分配リング内部チャネルと前記上側処理領域との間にある1つ又は複数のガス分配リング通路とを通して、前記洗浄ガスを流すことをさらに含む、請求項13に記載の方法。前記ガス分配リング下に配置される前記ガス排出リングを通して前記排気口に前記反応性化学種を前記流すことは、前記ガス排出リング内に配置され、前記下側処理領域と前記ガス排出リング内に配置されるガス排出リング内部チャネルとの間にある1つ又は複数のガス排出通路を通して、かつ前記ガス排出リング内部チャネルを通して前記排気口に前記反応性化学種を流すことを含む、請求項13に記載の方法。理解するのを容易にするために、可能な場合には、複数の図面に共通の同じ要素を指定するために同じ参照番号が使用されている。一実施形態において開示される要素は、特に列挙はしないが、他の実施形態においても都合良く利用できると考えられる。詳細な説明本発明の実施形態は包括的には、紫外線UV処理チャンバと、処理領域内の流れプロファイルを制御するための処理チャンバ内のハードウェアとを有する処理ツールを提供する。本発明の実施形態によれば、処理ツールは、紫外線処理チャンバ内のガスの供給、流路、分配及び除去を制御でき、それにより、種々のプロセスをより良好に制御できるようになる。本発明の実施形態は、処理ツール内の流れプロファイルを制御する方法、及び処理ツールを洗浄する方法も提供する。そのハードウェアの設計は、UVチャンバ、ランプ加熱チャンバ、又は基板上で直に、若しくは基板の上方において、膜を処理するか、若しくは反応を触媒するために光の形のエネルギーが用いられる他のチャンバ内で処理される基板にわたって特定の流れプロファイル分配を可能にする。さらに、蓄積された任意の残留物を除去することによって、プロセスチャンバ壁、UV窓、及び基板支持体を効率的に洗浄することができる。さらに、本発明の実施形態は、基板処理中の基板ガス放出の流れプロファイルを制御することによって、蓄積される初期残留物を低減する。任意の処理チャンバ又はプロセスが本発明の実施形態を用いることができるが、ポロジェン含有膜のUV硬化を用いて、本発明が説明されることになる。UV硬化のために用いられる処理チャンバの一実施形態において、タンデム処理チャンバは、チャンバ本体内の2つの別々の、かつ隣接する処理領域と、各処理領域の上方にそれぞれ位置合わせされる1つ又は複数の電球隔離窓を有する蓋とを提供する。電球隔離窓は、1つ又は複数の電球を1つの大きな共通の体積内の基板から隔離するためにタンデム処理チャンバの面当たり1つの窓を有するように、又は電球アレイの各電球が、処理領域と直接接触しているUV透過性エンベロープ内に封入されるように実装することができる。処理領域当たり1つ又は複数のUV電球が、蓋に結合されるハウジングによって覆われることができ、UV電球はUV光を放射し、そのUV光は窓を通って各処理領域内に位置する各基板上に向けられる。UV電球は発光ダイオードのアレイとすることができるか、又は限定はしないが、マイクロ波アークランプ、高周波フィラメント容量性結合プラズマランプ及び誘導性結合プラズマICPランプを含む、最新技術のUV照明源のいずれかを利用する電球とすることができる。さらに、UV光は硬化プロセス中にパルス動作することができる。基板照明の均一性を高めるための種々の概念はランプアレイの使用を含み、ランプアレイを用いて、入射光の波長分布を変更し、回転及び周期的並進掃引を含む基板とランプヘッドとの間の相対的な動きを変更し、ランプ反射体の形状及び/又は位置のリアルタイム変更を実施することもできる。UV電球は紫外線放射の放射源であり、UV及び赤外線IR放射波長の広範なスペクトル範囲を送出することができる。硬化プロセス中に形成される残留物は炭素、例えば、炭素及びシリコンを含むことができ、オゾンに基づく洗浄を用いて除去される。オゾンの生成は、必要なオゾンを遠隔的に生成して硬化チャンバに輸送すること、インサイチュで生成すること、又はこれら2つの方式を同時に実行することによって成し遂げることができる。オゾンを遠隔的に生成する方法は、限定はしないが、誘電体障壁/コロナ放電例えば、AppliedMaterialsのOzonator又はUV活性化反応器を含む、任意の既存のオゾン生成技術を用いて成し遂げることができる。誘電体材料を硬化させるために用いられるUV電球及び/又は離れて位置することができる更なる1つ又は複数のUV電球を用いて、オゾンを生成することもできる。図1は、本発明の実施形態を用いることができる半導体処理システム100の平面図である。システム100は、SantaClara、CaliforniaのAppliedMaterials,Inc.から市販されるProducer登録商標処理システムの一実施形態を示す。処理システム100は、メインフレーム基板101上に支持される必要な処理設備を有する自給式システムである。処理システム100は包括的には、基板カセット109が支持され、基板がロードロックチャンバ112との間でロード及びアンロードされるフロントエンドステージングエリア102と、基板ハンドラ113を収容する移送チャンバ111と、移送チャンバ111上に取り付けられる一連のタンデム処理チャンバ106と、ガスパネル103及び配電パネル105のような、システム100の動作のために必要とされる支援設備を収容するバックエンド138とを含む。各タンデム処理チャンバ106は基板を処理するための2つの処理領域を含む図3を参照。2つの処理領域は、共通のガス供給源、共通の圧力制御、及び共通のプロセスガス排気/ポンピングシステムを共有する。システムのモジュール式設計によって、任意の1つの構成から任意の他の構成に迅速に改造できるようになる。特定のプロセスステップを実行するためにチャンバの配置及び組み合わせを変更することができる。タンデム処理チャンバ106のいずれかが、後に説明されるような本発明の態様による蓋を含むことができ、蓋は、基板上での低k材料の硬化プロセス、及び/又はチャンバ洗浄プロセスにおいて用いるための1つ又は複数の紫外線UVランプを含む。一実施形態では、3つ全てのタンデム処理チャンバ106がUVランプを有し、スループットを最大にするために並列に動作するUV硬化チャンバとして構成される。タンデム処理チャンバ106の全てがUV硬化チャンバとして構成されるとは限らない代替の実施形態では、タンデム処理チャンバのうちの1つ又は複数が、化学気相堆積CVD、物理的気相堆積PVD、エッチング等の種々の他の既知のプロセスに対応することが知られている支援チャンバハードウェアを有するように、システム100を適合させることができる。例えば、タンデム処理チャンバ106のうちの1つが基板上に低誘電率k膜のような材料を堆積するためのCVDチャンバとして用いられるように、システム100を構成することができる。そのような構成は、研究開発及び製造において最大限に活用することができ、所望により、堆積された状態の膜が雰囲気に晒されないようにすることができる。中央処理装置CPU144、メモリ142及び支援回路146を含むコントローラ140が、半導体処理システム100の種々の構成要素に結合され、本発明のプロセスの制御を容易にする。メモリ142は、ランダムアクセスメモリRAM、リードオンリーメモリROM、フロッピー登録商標ディスク、ハードディスク、又は半導体処理システム100又はCPU144に対してローカル又はリモートに配置される任意の他の形のデジタル記憶装置のような、任意のコンピュータ可読媒体とすることができる。支援回路146は、従来通りにCPUを支援するためにCPU144に結合される。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力/出力回路及びサブシステム等を含む。メモリ142内に記憶されるソフトウェアルーチン又は一連のプログラム命令が、CPU144によって実行されるときに、UV硬化タンデム処理チャンバ106は本発明のプロセスを実行する。図2は、UV硬化用に構成される半導体処理システム100のタンデム処理チャンバ106のうちの1つを示す。タンデム処理チャンバ106は、本体200と、本体200にヒンジ結合される蓋202とを含む。チャンバ本体200は、アルミニウムから形成することができる。蓋202に結合されるのは2つのハウジング204であり、ハウジング204はそれぞれ、冷却用空気をハウジング204の中に通すために、排出口208とともに吸気口206に結合される。冷却用空気は、室温又は約22°Cとすることができる。中央加圧空気源210が、任意のUVランプ電球、及び/又はタンデム処理チャンバ106に関連付けられる電球のための電源214の適切な動作を保証するだけの十分な流量の空気を吸気口206に与える。排出口208はハウジング204から排気を受け取り、排気は共通排気システム212によって収集され、排気システム212は、電球選択に応じて、UV電球によって生成される可能性があるオゾンを除去するスクラバを含むことができる。オゾン管理問題は、酸素を含まない冷却用ガス例えば、窒素、アルゴン又はヘリウムを用いてランプを冷却することによって回避することができる。図3は、蓋202、ハウジング204及び電源214を備えるタンデム処理チャンバ106の部分断面図を示す。各ハウジング204は、本体200内に画定される2つの処理領域300の上方にそれぞれ配置される、2つのUVランプ電球302のうちの1つをそれぞれ覆う。各処理領域300は、処理領域300内で基板308を支持するための、基板支持体306のような加熱用基板支持体を含む。基板支持体306は、セラミック、又はアルミニウムのような金属から形成することができる。好ましくは、基板支持体306は心棒310に結合し、心棒310は本体200の底部を貫通して延在し、駆動システム312によって、処理領域300内の基板支持体306をUVランプ電球302に対して近接離反させるように動作する。駆動システム312は、基板照明の均一性をさらに高めるために、硬化中に基板支持体306を回転させ、かつ/又は並進させることもできる。基板支持体306を調整可能に位置決めすることによって、揮発性の硬化副生成物を制御できるようになり、さらに、焦点距離のような光供給システム設計の検討事項の性質に応じて、基板308上の入射UV放射照度レベルを微調整できる可能性に加えて、パージ及び洗浄ガス流パターン及び滞留時間を制御できるようになる。一般的に、水銀マイクロ波アークランプ、パルス式キセノンフラッシュランプ、又は高効率UV発光ダイオードアレイのような任意のUV源を用いることができる。UVランプ電球302は電源214によって励起するための、キセノンXe又は水銀Hgのような1つ又は複数のガスを満たされる封止されたプラズマ電球である。好ましくは、電源214はマイクロ波発生器であり、マイクロ波発生器は1つ又は複数のマグネトロン図示せずと、マグネトロンのフィラメントに電圧を印加する1つ又は複数の変圧器とを含むことができる。キロワットマイクロ波MW電源を有する一実施形態では、各ハウジング204は、電源214に隣接して、電源214から最大で6000Wまでのマイクロ波電力を受信する開口部215を含み、その後に各電球302から最大で100WのUV光が生成される。別の実施形態では、UVランプ電球302は、その中に電極又はフィラメントを含むことができ、電源214は、電極に直流DC又はパルス状DC等を供給する回路及び/又は電流供給源に相当する。幾つかの実施形態の場合、電源214は、UVランプ電球302内のガスを励起することができる高周波RFエネルギー源を含むことができる。電球内のRF励起の構成は容量性又は誘導性とすることができる。誘導性結合プラズマICP電球を用いて、容量性結合放電の場合よりも高密度のプラズマを生成することによって、電球輝度を効率的に高めることができる。さらに、ICPランプは電極劣化に起因するUV出力の劣化を回避し、結果として、システム生産性を高めるのに適した、より長寿命の電球が生成される。電源214がRFエネルギー源である利点は、効率を高められることを含む。好ましくは、電球302は170nm~400nmの広範な波長帯にわたって光を放射する。本発明の一実施形態では、電球302は、185nm~255nmの波長において光を放射する。電球302内で使用するために選択されたガスが、放射される波長を決定することができる。UVランプ電球302から放射されるUV光は、蓋202内の開口部内に配置される窓314を通り抜けることによって処理領域300に入る。窓314は、OHを含まない合成石英ガラスから形成され、亀裂を生じることなく、真空を保持するだけの十分な厚みを有することが好ましい。さらに、窓314は、UV光を約150nmまで透過させるフューズドシリカであることが好ましい。蓋202は本体200に封止され、窓314は蓋202に封止されるので、処理領域300は、約1Torr~約650Torrの圧力を保持することができる容積を提供する。処理ガス又は洗浄ガスは、2つの吸気通路316のうちの1つをそれぞれ介して処理領域300に入る。その後、処理ガス又は洗浄ガスは、共通の排出口318を介して、処理領域300から出る。さらに、ハウジング204の内部に供給される冷却用空気は電球302を通り過ぎて循環するが、窓314によって処理領域300から隔離される。ハウジング204は、ダイクロイックフィルムで覆われたキャスト石英ライニング304によって画定された内部放物面を含むことができる。石英ライニング304は、UVランプ電球302から放射されたUV光を反射し、石英ライニング304によって処理領域300の中に向けられるUV光のパターンに基づいて、硬化プロセス及びチャンバ洗浄プロセスを適合させるように形作られる。内部放物面の位置及び形状を変更することによって、石英ライニング304を調整して、各プロセス又は作業をさらに良好に適合させることができる。さらに、石英ライニング304は、ダイクロイックフィルムに起因して、赤外線を透過し、電球302によって放射される紫外光を反射することができる。ダイクロイックフィルムは通常、高屈折率及び低屈折率を交互に有する異なる誘電体材料から構成される周期的多層膜を構成する。コーティングは非金属であるので、キャスト石英ライニング304の裏側に下向きに入射する電源214からのマイクロ波放射は、変調層と著しく干渉しないか、又は変調層によって吸収されず、電球302内のガスをイオン化するために容易に透過する。基板308上に堆積された誘電体膜の後処理硬化を実行するために、基板が処理領域300に搬入される。膜は、例えば、膜内にシリコンバックボーン構造及び炭素を含むポロジェンを有する低k誘電体膜とすることができる。膜内のシリコンバックボーン構造及び炭素はポロジェンと呼ばれる場合もある。UVに露光した後に、炭素結合が破壊され、膜から炭素が放出されて、シリコンバックボーンが残され、多孔率が増加し、それによりK値が減少し、膜の電流搬送能力が低下する。従来のシステムでは、基板の硬化及びガス放出中に、横流の不均一なガス流プロファイルがチャンバをパージする。パージガスは、基板と窓との間において、チャンバの一方から反対側まで流れ、それにより、膜から脱出した任意の残留物が運び去られ、その後、窓又はチャンバ内のいずれかの場所において凝結する可能性がある。フロープロファイルが制御されずに不均一であることに起因して、基板処理も不均一になり、結果として基板にわたって温度勾配が生じる。しかしながら、45nm範囲内の膜において結果として生じる不均一性は許容できる場合があるが、次世代の20~28nm膜では許容できないであろう。本発明の実施形態は、UVチャンバ、ランプ加熱チャンバ、又は基板308上で直に、又は基板の上方において、膜を処理するか、又は反応を触媒するために光エネルギーが用いられる他のチャンバ内で処理される基板308にわたって特定のガス流プロファイル分配を可能にするハードウェアの設計を伴う。本発明の種々の実施形態が、図4~5に関連して説明されることになる。図4は、処理中にガス流プロファイル均一性を改善し、基板スループットを高める本発明の実施形態を含む処理チャンバ400のうちの1つの一部の概略的な等角断面図を示す。図5のAの部分は、窓アセンブリを外した図4の処理チャンバ400の概略的な等角断面図である。図5のBの部分は、シャワーヘッドの拡大断面図である。処理チャンバ400の一部は、処理チャンバ全体にわたってガス流プロファイルを制御できるようにする種々のハードウェア設計を示す。UV真空窓412を保持するために、処理チャンバ400内に窓アセンブリ200の一部に載置され、UVランプ302からのUV光が通り抜けることができる真空窓412を支持し、本体200の上方にある蓋アセンブリの一部である。真空窓412は、UVランプ302のようなUV放射源と基板支持体306との間に位置決めされる。UV放射源302は基板支持体306から離隔して配置されており、紫外線放射を生成し、基板支持体306上に位置決めされる基板308に送出するように構成される。透過性シャワーヘッド414は処理領域300内に、かつ真空窓412と基板支持体306のような基板支持体との間に位置決めされる。透過性シャワーヘッドは、真空窓412と透過性シャワーヘッド414との間の上側処理領域320を画定し、さらに、透過性シャワーヘッド414と基板支持体306図5のAのような基板支持体との間の下側処理領域322を画定する。透過性シャワーヘッド414は上側処理領域320と下側処理領域322との間に1つ又は複数の通路416も有する。通路416は、完全に透過性ではないように、艶消しと呼ばれる場合もある粗面418を有することができ、完全に透過性であれば、基板308上に影を生じさせて膜の適切な硬化を損なう恐れがある。艶消しとすることができる通路416は、処理中に基板308上に光パターンが存在しないようにUV光を拡散する。透過性シャワーヘッド414は、UV光が通り抜けて基板308に達することができる第2の窓を形成する。第2の窓として、シャワーヘッド414は、基板308上の膜を硬化させるために望まれる光の波長に対して透過性である必要がある。透過性シャワーヘッドは、石英又はサファイアのような種々の透過性材料から形成することができる。通路416は石英片に穿孔することによって形成され、処理領域300に納まるように透過性シャワーヘッド414を形成し、形作ることができる。石英片の表面は火炎研磨することができ、一方、穿孔はエッチングして粗面418を形成することができる。通路416のサイズ及び密度は、基板表面にわたって所望の流れ特性を達成するために、均一又は不均一とすることができる。通路416は、基板308にわたって径方向面積当たりの流量が均一である均一な流れプロファイルを有することができるか、又はガス流は基板308の中心又はエッジに優先的に流れることができ、すなわち、ガス流は優先的な流れプロファイルを有することができる。透過性シャワーヘッド414及び真空窓412は、バンドパスフィルタを有するように、かつ所望の波長の透過度を改善するように被覆することができる。例えば、透過性シャワーヘッド414及び真空窓412上に反射防止コーティングARCを堆積して、所望の波長の透過効率を改善することができる。IRを反射し、UVが通過できるようにする反射コーティング、又はUVを反射し、IRが通過できるようにするダイクロイックコーティングも、透過性シャワーヘッド414及び真空窓412の表面に塗布することができる。それらのコーティングは、PVD、CVD又は他の適切な堆積技法によって形成することができる。それらのコーティングは、透過性シャワーヘッド414及び真空窓412を通って基板308まで光が透過するのを助けることができる所望の膜透過率及び屈折率を有する無機膜層を含むことができる。一実施形態では、それらのコーティングは、真空窓412及び透過性シャワーヘッド414の表面上に形成される、酸化チタンTiO2層、酸化スズSnO2層、酸化ケイ素SiO2又はそれらの組み合わせを含むことができる。別の実施形態では、ARCコーティングは、真空窓412及び透過性シャワーヘッド414の表面上に形成される1つ又は複数の層を有する複合層とすることができる。一実施形態では、ARCコーティングは、真空窓412及び透過性シャワーヘッド414の表面上に形成される、第2の層上に第1の層が形成される膜スタックとすることができる。一実施形態では、第1の層は酸化ケイ素層SiO2とすることができ、第2の層は酸化チタンTiO2層又は酸化スズSnO2層とすることができるが、逆であってもよい。別の実施形態では、ARC層は酸化ケイ素層SiO2層及び酸化チタンTiO2層を繰返し含む膜スタックを含むことができる。1つ又は複数のガス分配リング通路426を有するガス分配リング420が処理領域300内に配置される。1つ又は複数のガス分配リング通路426は、ガス分配リング内部チャネル424を上側処理領域320と結合し、内部チャネル424と、透過性シャワーヘッド414の上方の上側処理領域320との間のガス流路を形成する。ガス排出リング430がガス分配リング420下に位置決めされ、処理領域300内の透過性シャワーヘッド414下に少なくとも部分的に存在することができる。ガス排出リング430は、1つ又は複数のガス排出通路436も有し、ガス排出通路436は、ガス排出リング内部チャネル434と下側処理領域322とを結合し、下側処理領域322とガス排出内部チャネル434との間のガス流路を形成する。ガス排出リング430の1つ又は複数のガス排出通路436は、透過性シャワーヘッド414下に少なくとも部分的に配置される。図6は、ガス流路を示す、図5のAの処理チャンバの概略的な断面図を示す。パージガス又は他のタイプのガスを真空窓412と透過性シャワーヘッド414との間の上側処理領域320内に注入することができ、ガスは、透過性シャワーヘッド414を通って、透過性シャワーヘッド414から基板に向かって降下する。通路416、426、436のサイズ、及びガス流量は、基板308に向かう下方への流れを一定にする背圧が形成されるように調整することができる。ガス流は上方から基板上に降り注ぎ、同心円状に広がり、ガス排出通路436を通って下側処理領域322から出てポンプ610に至る。矢印605はガス流路を示しており、ガス流路は、ガス分配リング420から、透過性シャワーヘッド414を通って、その上に基板308を有する場合もある基板支持体306上を横切り、ガス排出リング430を通って、チャンバ400から出る。ガス流速を所望のように増減するために、通路416、426、436の密度及びサイズを調整することができる。一実施形態では、通路416、426、436の密度及びサイズは、基板308にわたって均一な流れプロファイルを与える。ガス分配リング420のようなハードウェアは、透過性シャワーヘッド414の上方の上側処理領域320に入る前に、ガスを均等に分配するのに十分な圧力降下を与える。シャワーヘッド414の通路416を通る高い流れ抵抗に起因して、その際、ガスは透過性シャワーヘッド414の上方の上側処理領域320を均等に満たすことができる。ガス流は基板に進み、その後、ガス排出リング430を通ってポンプ610まで均等に送り出される。シャワーヘッド414内の通路416のパターンに応じて、その流れは均一にする基板面積に比例することができるか、又は中心若しくはエッジに向かって優先的にすることができる。したがって、基板308にわたってガス流プロファイルを制御して、所望の均一又は不均一な分配を与えることができる。さらに、基板308にわたる温度プロファイルも、均一又は不均一になるように制御することができる。したがって、本発明の実施形態は、基板にわたって均一なガス流プロファイル及び温度プロファイルを生成する能力だけでなく、所望の不均一なガスプロファイル及び温度プロファイルを生成し、制御する能力も提供する。本発明の幾つかの実施形態では、ガス組成物は、チャンバをパージするためのパージガスを含むことができる。そのようなガスは、アルゴンAr、ヘリウムHe、窒素N2等の不活性ガス化学種又は非反応性ガスを含むことができる。別の実施形態では、ガス組成物は、処理チャンバ及びチャンバ内の構成要素を洗浄するための洗浄ガスを含むことができる。洗浄ガスは、オゾン、Ar、He又はそれらの組み合わせを含むことができる。本発明の実施形態は、洗浄ガスがオゾンであるときに、処理プロセスを改善するのに特に有用である。オゾンは処理領域から離れて生成することができるか、又はチャンバにオゾンを導入することは、紫外光を用いて酸素を活性化してオゾンを生成することを含むことができる。ガス供給源600がオゾン発生源を処理領域300に結合することができる。チャンバの体積が小さいほど、オゾンを用いるときの洗浄効率を改善することができる。処理領域に供給されるUV光及び熱は、オゾンを破壊して、堆積された残留物と反応して残留物を除去するための酸素ラジカルにすることができる。UVランプ302が点灯されるとき、真空窓412及び透過性シャワーヘッド414はいずれも、ランプに由来する赤外光に起因して加熱される。透過性シャワーヘッド414は、UV光に対して透過性とすることができるが、IR光の一部を吸収するので、2つの窓間に加熱されたチャネルが生成され、オゾンは上側処理領域320内で破壊され、その後、下方に進み、洗浄のために下側処理領域322に入る。透過性シャワーヘッド414によって吸収されるIR光は温度勾配を生成し、その温度勾配はガス分配リング420から上側処理領域320に注入されるオゾンと相互作用し、それによりオゾンが破壊される。オゾンが破壊される量は、シャワーヘッド414及びガス分配リング420のような、上側処理領域320を包囲する構成要素の温度及び表面積に比例することができる。加熱される構成要素の表面積を増やすことによって、オゾンを破壊して反応性酸素ラジカルにするために必要なエネルギーを少なくすることができ、洗浄効率を改善することができる。さらに、オゾンは基板308に均一に供給することができ、UV光がオゾンを破壊してO2及びラジカル酸素を生成し、ラジカル酸素を用いて基板308上の有機膜又は材料をエッチングすることができる。図6に示されるように、別のヒータ630を用いて、真空窓クランプ410、真空窓412及びガス分配リング420のような処理チャンバ内の構成要素を加熱することができる。これらのハードウェア構成要素を加熱することによって、オゾン破壊の効率を改善することができ、構成要素へのポロジェンの堆積を低減することができる。ガス分配リング420、ガス排出リング430及び真空窓クランプ410は、それらの構成要素の放射率を高めるために、陽極酸化アルミニウムから形成することができる。その後、それらの構成要素はさらに多くの熱を吸収することができ、それにより、構成要素の温度が上昇し、構成要素上の残留物堆積の量が減少し、結果として、洗浄時間が減少し、スループットが改善され、粒子性能が改善される。さらに、熱を排気口317に与えて、ポロジェンが排気口317内に凝集するのを少なくするか、又は防ぐことができる。ガス供給源600がガス分配リング420と結合され、チャンバ400内で実行される場合がある堆積プロセス、形成プロセス、処理プロセス、パージプロセス及び洗浄プロセスのための種々のガスを与えることができる。別の実施形態では、遠隔プラズマ源RPSもガス分配リング420と結合され、所望により、プラズマが励起される化学種を処理領域内に与えることができる。ガスポンプ610が、チャンバからガス化合物を除去するためにガス排出リング430と結合される。さらに、下側処理領域322内のガスを含む、基板及び周囲エリアを加熱するために、ヒータ620が基板支持体306と結合される。図7は、図6に示されるような処理チャンバ及びガス流路の一部の拡大等角断面図である。ガス分配リング420及びガス排出リング430は種々の構成要素を含むことができる。ガス分配リング420は、ベース分配リング421及びガス吸気リング423を含むことができる。ベース分配リング421は、1つ又は複数のガス分配リング通路426を画定することができる。ガス吸気リング423はベース分配リング421と結合することができ、ベース分配リング421とともに、ガス分配リング内部チャネル424を画定することができる。また、ガス吸気リング423は、1つ又は複数のガス吸気口425も有することができ、ガス吸気口425を通って、ガスがガス分配リング内部チャネル424に入ることができる。ガス化学種及び混合物をガス分配リング420に与えるために、ガス供給源600がガス吸気口425に結合される。ガス排出リング430はベース排出リング431及びガスポンピングリング433を含むことができる。ガスポンピングリング433は、1つ又は複数のガス排出通路436を画定することができ、透過性シャワーヘッド414を支持することができる。ベース排出リング431は、ガスポンピングリング433と合され、ガス排出リング430を画定する。ベース排出リング431及びガスポンピングリング433は合わせて、ガス排出リング内部チャネル434を画定することができる。ガス排出リング430の少なくとも1つのガス排出口438を、ガスがガス排出リング430から出るための排気口317と位置合わせすることができる。図7に示されるように、かつ矢印605によって表されるように、ガスはガス吸気口425に入り、ガス分配リング内部チャネル424を通って流れ、ガス排出リング430の通路426から出ることできる。ガスは透過性シャワーヘッド414の上方の容積、例えば、上側処理領域320を満たし、シャワーヘッド通路416を通って流れる。その後、ガスは基板308にわたってガス排出通路436まで同心円状に、かつ径方向に流れる。その後、ガスは下側処理領域322から吐出され、ガス排出リング内部チャネル434に入り、内部チャネル434を通って流れ、ガス排出口438から出て、ガス排気口317に入り、その後、ポンプ610に至る。例えば、基板エッジ冷間又はエッジ熱間プロセスが望ましい場合には、基板308上の温度プロファイルを変更するために、本発明の実施形態によって与えられる同心円状のフロープロファイルは圧力、ガス組成、ガス混合物を調整できるようにする。従来の設計は、基板表面にわたって温度プロファイルを生成し、制御するために、これらの変数を調整できなかった。例えば、本発明の幾つかの実施形態では、圧力を変更し、アルゴン又はヘリウムの量を増やすことによって、温度プロファイルを調整することができる。熱を搬送するのにヘリウムがより効率的であり、その圧力はガスの滞留時間を変更することになる。透過性シャワーヘッドを通る流れ分配のための通路サイズとともに、これらのプロセス変数を変更することは、基板308上の所望の場所において、基板にわたる温度プロファイルが均一又は不均一になるように制御するのに寄与することができ、それにより、基板308及び基板上の膜を優先的に処理することができる。幾つかの実施形態では、処理チャンバ400内の異なる領域においてガスを注入することができる。UV硬化は、膜を修復すること、及び膜内の水素結合を破壊して膜の歪みエネルギーを高めること等の種々の用途を有することができる。また、処理チャンバ400は、処理領域300にUV活性化ガス化学種を注入して、基板308上に膜を形成するために用いることもできる。基板308の上方において特定のガスを混合することができ、UV光を用いて気相における反応を活性化することができ、それにより、ドロップオン堆積プロセスを可能にする。別の実施形態では、基板308上に膜を形成するために、ガスを、触媒として用いられることになるUV光と反応させることができる。したがって、ガス供給源600は、膜を形成するためにUV光によって開始することができる前駆体及び非反応性ガスも含むことができる。幾つかの実施形態では、窓412及びシャワーヘッド414は、その上に膜が堆積されるのを防ぐために、冷却されるか、又は少なくとも加熱されないようにする必要がある場合もある。しかしながら、オゾン洗浄プロセスを開始して、任意のそのような膜堆積物を窓412及びシャワーヘッド414から除去することができる。さらに、基板上に単層膜又は多層膜のいずれかを作製するために、ガスを均一に導入することができる。その後、所望により、UVエネルギーを用いて基板308上の反応を活性化し、堆積層をさらに形成することができる。本発明の実施形態は、基板の温度均一性を2~3倍改善し、真空窓がより実効的に洗浄される。洗浄プロセス及び硬化プロセスの両方の効率を高めることができるので、このシステムのスループットは高められる。場合によっては、改善された硬化時間は10~15程度だけ短縮され、それは、チャンバ内、又は基板308上に冷たいスポットがないようにすること、及び堆積された残留物の蓄積によって窓表面にわたって異なる光強度が生じないように窓をより清浄な状態に保つことによって、基板308の温度がより均一になる結果であると考えられる。さらに、ガスをより有効に使用できるので、処理チャンバの中に流すために必要とされるガスの量を少なくすることができる。上記の事柄は本発明の実施形態に向けられるが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の実施形態及び更なる実施形態も考案することができる。"