ヒーターを用いて任意の温度に加熱されたα-Al2O3基板に対して、スパッタリング法によってIII族窒化物半導体薄膜をエピタキシャル成長させるエピタキシャル膜形成方法であって、前記α-Al2O3基板を、前記ヒーターの基板対向面と所定距離だけ離間して保持する工程と、前記所定距離だけ離間して保持された状態で、前記α-Al2O3基板上にIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を形成する工程とを有することを特徴とするエピタキシャル膜形成方法。真空排気可能な真空容器と、α-Al2O3基板を支持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された前記α-Al2O3基板を任意の温度に加熱できるヒーターとを備えた真空処理装置を用いて、前記α-Al2O3基板上にスパッタリング法によりIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル膜形成方法であって、前記基板保持手段に保持された前記α-Al2O3基板を、前記ヒーターの基板対向面と所定距離だけ離間して保持した状態で、前記α-Al2O3基板上にIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を形成することを特徴とするエピタキシャル膜形成方法。前記α-Al2O3基板を搬送して、前記α-Al2O3基板を前記ヒーターの基板対向面と前記所定距離だけ離間して保持されるように前記基板保持手段に保持させる基板搬送工程と、前記基板搬送工程によって前記基板保持手段に保持された前記α-Al2O3基板を、前記ヒーターにより任意の温度に加熱する基板加熱工程と、前記基板加熱工程によって加熱された前記α-Al2O3基板上にIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を形成する成膜工程とを有することを特徴とする請求項2に記載のエピタキシャル膜形成方法。前記基板保持手段は、前記α-Al2O3基板の重力方向下側の面に当接した状態で、前記α-Al2O3基板を保持することを特徴とする請求項2に記載のエピタキシャル膜形成方法。真空排気可能な真空容器と、基板を支持するための基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された前記基板を任意の温度に加熱できるヒーターと、前記真空容器内に設けられ、ターゲットを取り付けることが可能なターゲット電極とを備え、前記基板保持手段は、前記真空容器内において、前記ターゲット電極の重力方向下側に設けられ、前記基板を前記ヒーターの基板対向面と所定距離だけ離間して保持することを特徴とする真空処理装置。前記基板保持手段は、成膜時に、前記基板の外縁部分を重力方向下側から支持するように構成されている基板支持部と、該基板支持部と一体に形成され、前記ヒーターに接して配設される載置部とを有し、前記載置部を前記ヒーターに接して配設した際に、前記基板支持部は前記ヒーターの基板対向面と第2の所定距離だけ離間して配置されていることを特徴とする請求項5に記載の真空処理装置。前記基板支持部は、前記基板の外縁部分を支持するように構成されたリング状の絶縁部材であることを特徴とする請求項6に記載の真空処理装置。前記リング状の絶縁部材の外周部分を支持するリング状の導電材をさらに備え、前記リング状の導電材には高周波電力が印加されることを特徴とする請求項7に記載の真空処理装置。請求項1に記載されたエピタキシャル膜形成方法を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。請求項1に記載されたエピタキシャル膜形成方法によって作製されたIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を有することを特徴とする半導体発光素子。請求項10に記載の半導体発光素子を備えることを特徴とする照明装置。請求項2に記載されたエピタキシャル膜形成方法を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。請求項2に記載されたエピタキシャル膜形成方法によって作製されたIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を有することを特徴とする半導体発光素子。請求項13に記載の半導体発光素子を備えることを特徴とする照明装置。以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。実施形態本発明に関する主な特徴は、α-Al2O3基板上に、例えば高周波スパッタリング法といったスパッタリング法によりIII族窒化物半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、ヒーターにより加熱されたα-Al2O3基板をヒーターの基板対向面から所定距離だけ離間して保持しながら、III族窒化物半導体の成膜を行うことにある。以下、図面を参照して本発明を説明する。なお、以下に説明する部材、配置等は発明を具体化した一例であって本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨に沿って各種改変できることは勿論である。図1乃至図9は本発明の一実施形態に係る真空処理装置高周波スパッタリング装置若しくは成膜されたエピタキシャル膜を用いて作製されるLED構造についての図である。図1は高周波スパッタリング装置の断面概略図、図2はヒーターの断面概略図、図3は他のヒーターの断面概略図、図4A、4Bはヒーター電極の上面図の構成例、図5はヒーターと基板保持装置の断面図、図6は基板保持装置の第二の構成例、図7は基板保持装置の第三の構成例、図8は基板保持装置の支持部の拡大図、図9は成膜されたエピタキシャル膜を用いて作製されるLED構造の断面図の一例である。なお、図面の煩雑化を防ぐため一部を除いて省略している。図1は、本発明に係るIII族窒化物半導体薄膜の成膜に用いたスパッタリング装置の一例の概略構成図である。スパッタリング装置Sを示した図1において、符号101は真空容器、符号102はターゲット電極、符号99は基板ホルダー、符号103はヒーター、符号503は基板保持装置、符号105はターゲットシールド、符号106は高周波電源、符号107は基板、符号108はターゲット、符号109はガス導入機構、符号110は排気機構、符号112はリフレクタ、符号113は絶縁材、符号114はチャンバーシールド、符号115は磁石ユニット、符号116はターゲットシールド保持機構、符号203はヒーター電極をそれぞれ示している。また、符号550は基板保持装置503を支持するホルダー支持部である。真空容器101はステンレスやアルミニウム合金などの金属部材を用いて構成され、電気的に接地されている。また、真空容器101は不図示の冷却機構により壁面の温度上昇を防止ないしは低減している。さらに、真空容器101は、不図示のマスフローコントローラを介してガス導入機構109と接続され、不図示のバリアブルコンダクタンスバルブを介して排気機構110と接続されている。ターゲットシールド105はターゲットシールド保持機構116を介して真空容器101に取り付けられている。ターゲットシールド保持機構116およびターゲットシールド105は、ステンレスやアルミニウム合金などの金属部材とすることができ、真空容器101と直流的に同電位になっている。ターゲット電極102は、絶縁材113を介して真空容器101に取り付けられている。また、ターゲット108はターゲット電極102に取り付けられ、ターゲット電極102は不図示のマッチングボックスを介し高周波電源106に接続されている。ターゲット108は、ターゲット電極102に直接取り付けてもよく、また銅Cuなどの金属部材からなる不図示のボンディングプレートを介してターゲット電極102に取り付けてもよい。また、ターゲット108は、Al、Ga、Inの少なくとも一つを含む金属ターゲット、若しくは、上記III族元素の少なくとも一つを含む窒化物ターゲットであってもよい。ターゲット電極102には、ターゲット108の温度上昇を防止するための不図示の冷却機構が備えられている。また、ターゲット電極102には、磁石ユニット115が内蔵されている。高周波電源106としては13.56MHzのものが工業的に利用しやすいが、他の周波数を用いることや、高周波に直流を重畳すること、あるいはそれらをパルスで用いることも可能である。チャンバーシールド114は、真空容器101に取り付けられ、成膜時の真空容器101への膜の付着を防止している。基板ホルダー99は、ヒーター103、基板保持装置503、リフレクタ112を主要な構成要素として有している。ヒーター103はヒーター電極203を内蔵している。基板保持装置503は、基板に接する部分が少なくとも絶縁部材であり、リフレクタ112若しくはシャフト不図示などによって固定されている。基板107を基板保持装置503に保持することで、ヒーター103の基板対向面Pから所定の隙間を有して配置することができる。なお、基板保持装置503の詳細な例については後述する。本実施形態においては、図1に示すように、真空容器101内において、重力方向上側にターゲットを配置可能なターゲット電極102を配置し、該ターゲット電極102よりも重力方向下側に基板ホルダー99を配置している。従って、重力を利用して基板107を基板保持装置503に保持させることができるので、基板保持装置503の基板支持部後述する符号503aなどに基板107を載置するだけで、基板107の全面をターゲット108側に晒すことができ、基板107全面にエピタキシャル膜形成を行うことができる。なお、本実施形態では、真空容器101の重力方向上側にターゲット電極102を配置し、該ターゲット電極102よりも重力方向下側に基板ホルダー99を配置した例について示したが、真空容器101の重力方向上側に基板ホルダー99を設置し、該基板ホルダー99よりも重力方向下側にターゲット電極102を配置するようにしても良い。図2または図3は、ヒーター103の構造例を示している。図2において、符号201はベース、符号202はベースコート、符号203はヒーター電極、符号204はバックサイドコート、符号205はオーバーコートである。なお、符号Pは後述する基板保持装置503に保持された状態の基板に対向するヒーター103の上面基板対向面である。ベース201はグラファイトであり、ヒーター電極203、バックサイドコート204はパイロリティックグラファイトPG:PyrolyticGrahiteであり、ベースコート202、オーバーコート205はパイロリティックボロンナイトライドPBN:PyrolyticBoronNitrideである。なお、PBNからなるベースコート202とオーバーコート205は高抵抗材料である。このような構成により、ヒーター103は所定の波長帯域の赤外線を放出することができ、基板を任意の温度に加熱することができる。図3は、ヒーターの他の構成例であり、符号301はベース、符号302はヒーター電極、符号303はバックサイドコート、符号304はオーバーコートである。ベース301はボロンナイトライドBN:BoronNitrideであり、ヒーター電極302、バックサイドコート303はPGであり、オーバーコート304はPBNである。なお、BNからなるベース301とPBNからなるオーバーコート304は高抵抗材料である。なお、上記のヒーターを構成する材料は、従来の赤外線ランプに比べてα‐Al2O3基板を加熱する効率が高いため好ましく用いられているが、α‐Al2O3基板を所定の温度に加熱することができれば、これに限定されるのもではない。図4A、4Bにヒーター電極203または302の構成例上面図を示す。ヒーター103に内蔵されたヒーター電極203または302は図4A、4Bのような電極パターンを有している。この電極パターンに電源不図示を接続し、直流または交流の電圧を印加することで、ヒーター電極203または302に電流が流れ、発生したジュール熱によりヒーター103が加熱される。基板はヒーター103から放射される赤外線により加熱される。なお、電極パターンは、図4A、4Bに限定されない。図4A、4Bのような電極パターンを用いることにより、基板107の全面に均一に熱を付与することができるので、基板全面になるべく均一に熱が作用するような電極パターンを用いることは望ましい。しかしながら、本発明では、基板に対して均一に熱を作用させるような電極パターンを用いても、c極性のエピタキシャル膜を成膜できることが重要であり、電極パターンそのものをどのような形状にするかは本質ではない。従って、本実施形態では、図4A、4Bに示す電極パターンに限定されることなく、いずれの電極パターンも本実施形態に適用できることは言うまでも無い。上記図2および図3に示したヒーター103の構造例において、図4A、4Bに示すようなパターンのヒーター電極203または302を形成した側の面を、符号Pを付してヒーター103の基板対向面としたが、ヒーター103は、図2または図3に示したヒーター103を裏返しにした構造、すなわち図2および図3に符号Pで示した面と反対の面を基板対向面としてもよい。この場合、バックサイドコート204または303を介して基板を加熱することになるため、基板加熱の電力効率が低下するものの、バックサイドコート204または303が均熱の役割を果たし、基板に対して均一に熱を作用させる効果がある。図5は、ヒーターと基板保持装置第一の構成例の断面図である。図5において、符号103はヒーター、符号203はヒーター電極、符号503は基板保持装置、符号504は基板であるホルダー支持部550は不図示。基板保持装置503は同一断面を有する略リング状の部材であり、基板の外縁部分を下方重力方向下側、すなわち、ヒーター103側から支持するための絶縁部材からなる基板支持部503aを備えている。基板支持部503aはヒーター103の基板対向面Pとの間にd1の隙間を空けて設置されている。また、基板504とヒーター103の基板対向面Pとの間にはd2の隙間が設けられている。このように、基板504が基板支持部503aに支持された際に、基板504がヒーター103の基板対向面Pから所定の隙間例えば、d2を有して配置されるように、基板支持部503aは設けられている。d1の隙間としては、0.4mm以上が望ましく、d2の隙間としては、0.5mm以上が望ましく用いられる。隙間d1が0.4mm未満の場合は、外周部に極性の混在したIII族窒化物半導体薄膜が形成されやすく、隙間d2が0.5mm未満の場合は、基板全面に極性の混在したIII族窒化物半導体薄膜が形成されやすくなるため好ましくない。このように、基板保持装置503の下側面とヒーター103の基板対向面Pとの間には、0.4mm以上の隙間d1が設けられている。同様に、基板504とヒーター103の基板対向面Pとの間には、0.5mm以上の隙間d2が設けられている。なお、上記d1およびd2は、広くするとヒーター103による基板504の加熱効率が低下するため、広げすぎるのは好ましくない。また、d1およびd2、特にd2は、広げ過ぎるとヒーター103と基板504の間の空間にプラズマが発生してしまい、本発明の効果が失われてしまうことがあるため、5mm以下にすることが望ましく、より好ましくは2mm以下にすることが望ましい。図6と図7に、基板保持装置の他の構成例について説明する。図6は、基板保持装置の第二の構成例を示している。図6において、符号504は基板、符号603は基板保持装置であるホルダー支持部550は不図示。基板保持装置603は、同一断面を有する略リング状の部材であり、下方から基板504を保持するための絶縁部材からなる基板支持部603aと、基板支持部603aの外周に一体に構成された載置部603bとを備えている。載置部603bがヒーター103の基板対向面Pに載置された状態では、基板支持部603aの裏側ヒーター103と対向する側とヒーター103の基板対向面Pとの間には隙間d1が、基板504とヒーター103の基板対向面Pとの間には隙間d2がそれぞれ設けられる。隙間d1としては、0.4mm以上が望ましく、隙間d2としては、0.5mm以上が望ましい。図7は、基板保持装置の第三の構成例を示している。図7において、符号504は基板、符号703は基板保持装置である。基板保持装置703は、同一断面を有する略リング状の部材であり、第一の基板保持装置704及び第二の基板保持装置705を有している。第二の基板保持装置705は導電性のリングで構成され、不図示のマッチングボックスを介して不図示の高周波電源に接続されている。このため、N2や希ガスなどのガスを含有した雰囲気において、第二の基板保持装置705に高周波電力を供給することで、基板近傍にプラズマを発生させ、基板の表面処理を行うことが可能である。また、第一の基板保持装置704は、下方から基板504を支持するための絶縁部材からなる基板支持部704aを備えている。基板支持部704aの裏側とヒーター103の基板対向面Pとの間には隙間d1が、基板504とヒーター103の基板対向面Pとの間には隙間d2がそれぞれ設けられている。d1の隙間としては、0.4mm以上が望ましく、d2の隙間としては、0.5mm以上が望ましく用いられる。なお、図7中、ホルダー支持部750は不図示であるが、その拡大図を図8に図示する。図8は基板保持装置703の支持部ホルダー支持部750の拡大図である。ホルダー支持部750は、第二の基板保持装置705を支持する構造であり、導電材751、絶縁材753、およびステンレスパイプ755を主要な構成要素としている。導電材751は、真空容器101の外側に設けられた高周波電源757および第二の基板保持装置705に電気的に接続されている。よって、第二の基板保持装置705には導電材751を介して高周波電源757から高周波電力が供給される。導電材751は絶縁材753とステンレスパイプ755とで覆われている。また、導電材751と真空容器101との絶縁も絶縁材753によって確保している。このように、ホルダー支持部750は、第二の基板保持装置705を支持すると共に、該第二の基板保持装置705に電力を供給するように構成されている。なお、図8に示したホルダー支持部750は、第二の基板保持装置705に高周波電力を供給するため導電材751を有する構造とされているが、基板保持装置503、603を支持するホルダー支持部550図1参照では導電材751は必要ない。なお、基板保持装置の第一~第三の構成例図5~図7においては、基板支持部503a、603a、704aをそれぞれ、リング状の絶縁部材を用いているが、リング状でなくても良い。例えば、基板支持部503a、603a、704aを、開口部が形成されていない板状の絶縁部材としても良い。この場合は、基板支持部をヒーター103から所定の隙間例えば、d1を有して配置することは言うまでもない。ただし、本実施形態のように、基板支持部をリング状にすることにより、基板107とヒーター103の基板対向面Pとを所定の隙間を有して配置しつつ、基板107をヒーター103に晒すことができる。従って、効率良く基板107を加熱できるので、基板支持部をリング状にすることは好ましい形態である。また、基板支持部503a、603a、704aに用いられる絶縁部材としては、例えば、石英、サファイア、アルミナ等を用いることができる。ヒーター103の構造は、図2または図3に示すいずれの構造を用いてもよいし、これらが裏返しになった構造でもよく、本実施形態ではヒーターの構造が本質ではないので他の構造のヒーターを用いてもよい。もちろん、ヒーター電極がヒーターの基板対向面Pにむき出して配置されるヒーターの構造であってもよい。基板保持装置503、603、703の構造は、図5、図6、図7に示すいずれの構造を用いてもよいし、他の構造の基板保持装置を用いてもよい。本実施形態で重要なことは、III族窒化物半導体薄膜の成膜において、基板をヒーターの基板対向面Pから所定距離、離間して配置することである。本実施形態においては、ヒーターの基板対向面Pと基板との間の空間を隙間としているが、この隙間に絶縁部材を充填しても同様の効果が得られると考えられる。従って、基板をヒーターの基板対向面Pから所定距離、離間して配置できる構造であれば、図5~図7に限らずいずれの構造の基板保持装置を用いても良いのである。例えば、リフトピンの昇降により基板受け渡しを行う機構を有する装置の場合、リフトピンを用いて基板をヒーター103の基板対向面Pから所定の隙間を有する位置に保持してもよい。ただしこの場合、基板の外周のヒーター103との隙間から膜が回り込み、ヒーター103の基板対向面Pに膜が付着して、ヒーター103からの輻射が経時的に変化してしまうので、本実施形態が望ましい形態である。また、III族窒化物半導体薄膜の成膜を行う前に、図7に示す第二の基板保持装置705第三の構成例に接続された高周波電源757を用いて基板近傍にプラズマを発生させ、基板表面に付着した水分や炭化水素などの成分を除去しても良い。さらに、ヒーター電極の構造は、図4A、4Bに示すどちらのパターンを用いてもよいし、上述のように他の構造のパターンを用いても良い。図6の構造は、図5の構造に比べて、ヒーター103の基板対向面Pとの隙間d1やd2を正確に制御しやすいことから、好ましく用いられる。また、図7の構造を用いれば、基板表面に付着した水分や炭化水素などの成分を除去することが可能となり、III族窒化物半導体薄膜の結晶性に関する再現性が向上するため、好ましく用いられる。図9は、本発明に係るIII族窒化物半導体薄膜の製造方法を用いて作製した半導体発光素子としての発光ダイオードLEDの断面構造の一例である。図9において、符号801はα-Al2O3基板、符号802は緩衝層、符号803はIII族窒化物半導体中間層、符号804はn型III族窒化物半導体層、符号805はIII族窒化物半導体活性層、符号806はp型III族窒化物半導体層、符号807はn型電極、符号808はp型ボンディングパッド電極、符号809は保護層、符号810は透光性電極である。緩衝層802を構成する材料としてはAlN、AlGaN、GaNが好ましく用いられる。III族窒化物半導体中間層803、n型III族窒化物半導体層804、III族窒化物半導体活性層805、p型III族窒化物半導体層806を構成する材料としては、AlGaN、GaN、InGaNが好ましく用いられる。n型III族窒化物半導体層804には上記材料中に珪素SiまたはゲルマニウムGe、p型III族窒化物半導体層806には上記材料中にマグネシウムMgまたは亜鉛Zn、それぞれを微量添加して導電性の制御を行うことが好ましい。更に、III族窒化物半導体活性層805は、上記材料の多重量子井戸MQW構造を形成することが望ましい。また、上述した発光ダイオードLEDを用い照明装置を構成することができる。以下、図面を参考にしながら、本発明に係るスパッタリング装置を用いてIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜形成方法を説明する。本実施形態においては、以下の第一から第四の工程を有する方法によってα-Al2O3基板上にエピタキシャル膜を形成する。まず、第一の工程として、排気機構110により所定の圧力に保持された真空容器101に基板107を導入する。この際、基板α-Al2O3基板107は不図示の搬送ロボットにより、ヒーター103の上部まで搬送され、ヒーター103から突き出た不図示のリフトピンの上部に載置される。その後、基板107を保持したリフトピンを降下させ、基板保持装置503に基板107を配置する。次に、第二の工程として、ヒーター103に内蔵されたヒーター電極203に印加する電圧を制御し、基板107を所定温度に保持する。この際、ヒーター103に内蔵された熱電対不図示を用いてヒーター103の温度をモニターするか、真空容器101に設置された不図示のパイロメータを用いてヒーター103の温度をモニターし、それらの温度が所定の温度となるように制御する。次に、第三の工程として、ガス導入機構109よりN2ガス、希ガス、N2ガスと希ガスの混合ガスのいずれかを真空容器101へ導入し、マスフローコントローラ不図示およびバリアブルコンダクタンスバルブ不図示によって真空容器101の圧力が所定の圧力となるように設定する。最後に、第四の工程として、高周波電源106より高周波電力を印加し、ターゲット108前面に高周波プラズマを発生させ、プラズマ中のイオンがターゲット108を構成する元素をたたき出すことにより、III族窒化物半導体薄膜を成膜する。なお、ターゲット108に金属ターゲットを用いた場合、プロセスガスとしてはN2ガスまたはN2ガスと希ガスの混合ガスが好ましく用いられ、ターゲット108の表面、基板107の表面、ターゲット108と基板107の間の空間のうち、少なくとも一つの領域で金属ターゲットを構成するIII族元素が窒化し、基板上にIII族窒化物半導体薄膜が形成される。また、窒化物ターゲットを用いた場合には、N2ガス、希ガス、N2ガスと希ガスの混合ガスのいずれかが好ましく用いられ、ターゲット表面からは原子または窒化物分子の形態でスパッタ粒子が放出される。ターゲット表面から原子として放出されたIII族元素は、ターゲット108の表面、基板107の表面、ターゲット108と基板107の間の空間のうち、少なくとも一つの領域で窒化し、基板上にIII族窒化物半導体薄膜が形成される。一方、ターゲット表面から放出された窒化物分子の大部分は、基板に到達し、III族窒化物半導体薄膜を形成する。ターゲット表面から放出された窒化物分子の一部は、基板107の表面、又はターゲット108と基板107の間の空間で解離する可能性があるが、解離により生成されたIII族元素は、基板107の表面、ターゲット108と基板107の間の空間のいずれか一方で、再度窒化され、III族窒化物半導体薄膜を形成する。第一の工程における所定の圧力は、5×10-4Pa未満であることが望ましく、それ以上では、III族窒化物半導体薄膜の内部に酸素等の不純物が取り込まれ、良好なエピタキシャル膜が得られにくい。また、第一の工程におけるヒーター103の温度について特に限定するものではないが、生産性の観点からは成膜時の基板温度を得るための温度に設定しておくことが望ましい。第二の工程における所定の温度は、第四の工程における成膜温度に設定しておくことが生産性の観点から望ましく、また、第三の工程における所定の圧力は、第四の工程における成膜圧力に設定しておくことが生産性の観点から望ましい。第二の工程および第三の工程とは、実施のタイミングが入れ替わってもよく、また、同時に実施されても良い。また、第二の工程で設定された温度および第三の工程で設定された圧力は、少なくとも第四の工程を開始するまで保持されていることが生産性の観点から望ましい。第四の工程を行う際の基板温度は、100~1200°Cの範囲となるように設定することが望ましく、更に400~1000°Cの範囲とすると好適である。100°C未満の場合は、アモルファス構造の混在した膜が形成されやすく、1200°Cより高い温度では、膜自体が形成されないか、形成されたとしても熱応力のために欠陥の多いエピタキシャル膜が得られやすい。また、成膜圧力は0.1~100mTorr1.33×10-2~1.33×101Paの範囲に設定されることが望ましく、更に、1.0~10mTorr1.33×10-1~1.33Paの範囲に設定されると好適である。0.1mTorr1.33×10-2Pa未満では、高エネルギー粒子が基板表面に入射されやすくなるため、良質なIII族窒化物半導体薄膜が得られにくく、100mTorr1.33×101Paより高い圧力では、成膜速度が極端に遅くなるため好ましくない。第四の工程を開始する際には、真空容器101の圧力を一時的に成膜圧力以上に高めて、プラズマの発生を促進することも可能である。この場合、プロセスガスの少なくとも一種類のガス流量を一時的に多く導入することで成膜圧力を高めてもよく、また、バリアブルコンダクタンスバルブ不図示の開度を一時的に小さくすることで成膜圧力を高めてもよい。さらに、第一の工程の前には、前処理室不図示に基板107を搬送し、成膜温度以上の温度での基板107の熱処理やプラズマ処理を行う工程を有してもよいことももちろんである。本実施形態における方法で形成されるIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜としては、図9に示す緩衝層802、III族窒化物半導体中間層803、n型III族窒化物半導体層804、III族窒化物半導体活性層805、p型III族窒化物半導体層806が挙げられる。上記全ての層を本発明に係るスパッタリング装置エピタキシャル膜形成方法を用いて作製してもよく、また、いずれかの層に限定して本発明に係るスパッタリング装置エピタキシャル膜形成方法を用いて作製してもよい。例えば、図9のLEDの素子工程の第一の例として、緩衝層802を本発明に係るスパッタリング装置エピタキシャル膜形成方法を用いて作製し、その後、MOCVD法を用いてIII族窒化物半導体中間層803、n型III族窒化物半導体層804、III族窒化物半導体活性層805、p型III族窒化物半導体層806を順次積層することで、エピタキシャルウェハーを作製する方法がある。また、第二の例として、緩衝層802およびIII族窒化物半導体中間層803を本発明に係るスパッタリング装置エピタキシャル膜形成方法を用いて作製し、その後、MOCVD法を用いて、n型III族窒化物半導体層804、III族窒化物半導体活性層805、p型III族窒化物半導体層806を順次積層することで、エピタキシャルウェハーを作製する方法がある。第三の例としては、緩衝層802、III族窒化物半導体中間層803およびn型III族窒化物半導体層804を本発明に係るスパッタリング装置エピタキシャル膜形成方法を用いて作製し、その後、MOCVD法を用いて、III族窒化物半導体活性層805、p型III族窒化物半導体層806を順次積層することで、エピタキシャルウェハーを作製する方法がある。第四の例としては、緩衝層802、III族窒化物半導体中間層803、n型III族窒化物半導体層804およびIII族窒化物半導体活性層805を本発明に係るスパッタリング装置エピタキシャル膜形成方法を用いて作製し、その後、MOCVD法を用いて、p型III族窒化物半導体層806を作製することで、エピタキシャルウェハーを作製する方法がある。第五の例としては、緩衝層802、III族窒化物半導体中間層803、n型III族窒化物半導体層804およびIII族窒化物半導体活性層805、p型III族窒化物半導体層806を本発明に係るスパッタリング装置エピタキシャル膜形成方法を用いて作製することで、エピタキシャルウェハーを作製する方法がある。このようにして得たエピタキシャルウェハーに対し、リソグラフィー技術およびRIE反応性イオンエッチング技術を用い、図9に示すように透光性電極810、p型ボンディングパッド電極808、n型電極807、保護膜809を形成することによりLED構造を得ることができる。なお、透光性電極810、p型ボンディングパッド電極808、n型電極807、保護膜809の材料は特に限定されず、この技術分野でよく知られた材料を制限なく用いることができる。第一の実施例本発明の第一の実施例として、本発明にかかるIII族窒化物半導体薄膜の成膜方法を用いてAlN膜をα-Al2O30001基板上に成膜した例、より詳しくは、基板保持装置によりヒーターの基板対向面との隙間を有して載置したα-Al2O30001基板上にスパッタリング法を用いてAlN膜を形成した例について説明する。なお、本実施例において、AlN膜は図1と同様のスパッタリング装置を用いて成膜し、ヒーターの構造は図2、ヒーター電極のパターンは図4A、基板保持装置は図5と同様のものを用いた。また、図5における基板支持部503aとヒーター103の基板対向面Pとの間の隙間d1と基板504とヒーター103の基板対向面Pとの間の隙間d2は、それぞれ、1mm、2mmとした。本実施例においては、先ず、第一の工程により1×10-4Pa以下に保持された真空容器101にα-Al2O30001基板を搬送して基板保持装置503に配置し、第二の工程により基板を第四の工程の成膜温度である550°Cに保持した。このときヒーター103は、内蔵した熱電対のモニター値が750°Cになるよう制御した。次に、第三の工程によりN2とArの混合ガスをN2/N2Ar:25となるように導入し、真空容器101の圧力を第四の工程の成膜圧力である3.75mTorr0.5Paに設定した。この状態で第四の工程により高周波電源106から2000Wの高周波電力を金属Alからなるターゲット108に印加し、スパッタリング法により基板上に膜厚50nmのAlN膜を形成した。なお、本実施例における成膜温度は、熱電対を埋め込んだα-Al2O30001基板によりあらかじめ基板温度測定を行い、その時の、α-Al2O30001基板の温度と、ヒーターに内蔵した熱電対のモニター値、すなわち、ヒーターの温度との関係より設定したものである。本実施例において、作製したAlN膜は、対称反射位置での2θ/ωスキャンモードのX線回折XRD測定と、対称面に対するωスキャンモードでのXRC測定、In-plane配置でのφスキャンモードのXRC測定、および、同軸型直衝突イオン散乱分光CAICISS:CoaxialImpactCollisionIonScatteringSpectroscopy測定により評価した。ここで、対称反射位置での2θ/ωスキャンモードのXRD測定は結晶配向の確認に用い、対称面に対するωスキャンモードでのXRC測定とIn-plane配置でのφスキャンモードでのXRC測定は、それぞれ、チルトとツイストのモザイク広がりの評価に用いた。また、CAICISS測定は極性の判定手段として用いた。まず、本実施例において作製したAlN膜に対し、対称反射位置での2θ/ωスキャンモードのXRD測定を、測定範囲を2θ=20~60°の範囲として行なったところ、AlN0002面とα-Al2O30006面の回折ピークのみが観測され、AlNの他の格子面を示す回折ピークは観測されなかった。このことから、得られたAlN膜がc軸配向していることがわかった。次に、本実施例で作製したAlN膜に対し、対称面に対するωスキャンモードでのXRC測定を行った。なお、測定にはAlN0002面を用いた。得られたXRCプロファイルのFWHMは、検出器をオープンディテクタ状態とした場合は450arcsec以下、検出器にアナライザー結晶を挿入した場合には100arcsec以下であり、作製したAlN膜におけるチルトのモザイク広がりが非常に小さいことを確認した。また、作成条件によっては、検出器にアナライザー結晶を挿入した場合のXRC測定で、FWHMが20arcsec以下となるものも得られている。なお、検出器をオープンディテクタ状態とした場合が本来のXRC測定であるが、本実施例のように膜厚が薄い試料の場合には、膜厚効果や格子緩和によってXRCプロファイルのFWHMが広がり、モザイク広がりを正しく評価することが困難となる。そのため、近年では上記のように、検出器にアナライザー結晶を挿入した場合も広義のXRC測定として扱われている。以下、特に断らない限り、XRC測定ではオープンディテクタ状態を用いていることとする。次に、本実施例で作製したAlN膜に対し、In-plane配置でφスキャンモードのXRC測定を行った。なお、測定にはAlN{10-10}面を用いている。得られたXRCプロファイルには60°間隔に6本の回折ピークが現れ、AlN膜が六回対称性を有していること、すなわち、AlN膜がエピタキシャル成長していることが確認できた。また、最大強度の回折ピークから求めたFWHMは2.0°以下であり、作製したAlN膜のツイストのモザイク広がりが比較的小さいことがわかった。なお、α-Al2O30001基板とAlN膜の面内結晶方位を比較したところ、α-Al2O30001基板のa軸に対してAlN膜のa軸が30°面内回転していることを確認できた。これは、AlN膜をα-Al2O30001基板上にエピタキシャル成長した際の一般的なエピタキシャル関係でAlN膜が形成されていることを示している。図12は、本実施例で作製したAlN膜に対し、CAICISS測定を行った結果である。本測定において、Al信号をAlN[11-20]方位から入射角度を変えて検出しており、入射角度が70°付近のピークが単一の形状として得られていることがわかる。このことは、得られたAlN膜がc極性Al極性となっていることを示している。以上のことから、本実施例において作製したAlN膜は、c極性Al極性で、且つ、チルトのモザイク広がりが極めて小さなc軸配向エピタキシャル膜となっていることが確認できた。すなわち、本発明によれば、チルトおよびツイストのモザイク広がりを低減しつつ、c極性のIII族窒化物半導体薄膜を得られることが明らかとなった。さらに、本実施例では、図1に示すように、重力方向上側にターゲットを保持するためのターゲット電極102を配置し、基板ホルダー99を重力方向下側に配置しているので、基板107を保持するために該基板107の被成膜面の一部を支持部材例えば、支持爪等により覆う必要が無い。従って、基板107の被成膜面の全面をターゲット108に対して露出することができる。よって、本実施例によれば、基板107の被成膜面の全面に、チルトおよびツイストのモザイク広がりを抑え、かつ均一なc極性のIII族窒化物半導体薄膜を形成することができる。第二の実施例次に、本発明の第二の実施例として、本発明に係るIII族窒化物半導体薄膜の成膜方法を用いて作製したAlN膜を緩衝層とし、その上に、MOCVD法を用いて、アンドープGaN膜を形成した例について説明する。スパッタリング法を用いて、α-Al2O30001基板上にAlN膜を第一の実施例と同じ条件で形成し、その後、MOCVD装置にウェハーを導入して、5μmの膜厚のアンドープGaN膜を形成した。得られたアンドープGaN膜の表面は鏡面であり、対称反射位置での2θ/ωスキャンモードのXRD測定では、アンドープGaN膜がc軸配向していることが示された。次に、対称面としてGaN0002面を用いたωスキャンモードのXRC測定と、In-plane配置でGaN{10-10}面に対するφスキャンモードのXRC測定を行ったところ、それぞれのFWHMが250arcsec以下、500arcsec以下となっていることを確認した。このことから、得られたアンドープGaN膜が、チルトおよびツイストのモザイク広がりが小さい高品質な結晶として得られていることがわかった。更に、CAICISS測定より、得られたアンドープGaN膜の極性がc極性Ga極性となっていることを確認した。これは、第一の実施例において説明したように、緩衝層として用いたAlN膜の極性がc極性に制御できているため、その上に形成したアンドープGaN膜もその極性を引き継いだ結果と考えることができる。以上のことから、本発明に係るIII族窒化物半導体薄膜の成膜方法を用いて作製した、c極性に制御されたAlN膜を緩衝層とすることにより、その上にMOCVD法を用いて成長させたアンドープGaN膜を、モザイク広がりが少なく、c極性に制御された高品質なエピタキシャル膜として得ることが可能となる。すなわち、α-Al2O3基板上に、c極性のIII族窒化物半導体薄膜をエピタキシャル成長させることができる。なお、本実施例ではアンドープGaN膜をMOCVD法により形成しているが、スパッタリング法を用いても同様の結果を得ることができることを確認している。第三の実施例本発明の第三の実施例として、本発明に係るIII族窒化物半導体薄膜の成膜方法を用いて作製したAlN膜を緩衝層とし、その上に、MOCVD法を用いて、アンドープGaNからなるIII族窒化物半導体中間層、SiドープGaNからなるn型III族窒化物半導体層、InGaNとGaNのMQW構造を有するIII族窒化物半導体活性層、MgドープGaNからなるp型III族窒化物半導体層を順次エピタキシャル成長し、更に、n型電極層、透光性電極、p型電極層、保護膜まで形成した後、ウェハーをスクライブにより分離しLED素子を作製した例について説明する。スパッタリング法を用いて、α-Al2O30001基板上にAlN膜を第一の実施例と同じ条件で形成し、その後、MOCVD装置にウェハーを導入して、5μmの膜厚のアンドープGaNからなるIII族窒化物半導体中間層、2μmの膜厚のSiドープGaNからなるn型III族窒化物半導体層、GaNに始まりGaNに終わる積層構造であって、3nmの膜厚の5層のInGaNと16nmの膜厚の6層のGaNとを交互に積層したMQW構造を有するIII族窒化物半導体活性層、200nmの膜厚のMgドープGaNからなるp型III族窒化物半導体層を形成した。得られたエピタキシャルウェハーに対し、リソグラフィー技術およびRIE技術を用い、図9に示すように透光性電極810、p型ボンディングパッド電極808、n型電極807、保護膜809を形成した。なお本実施例では、透光性電極としてITOIndium-Tin-Oxide、p型ボンディングパッド電極としてチタンTi、Al、金Auを積層した構造、n型電極としてニッケルNi、Al、Ti、Auを積層した構造、保護膜としてSiO2を用いた。このようにして得られたLED構造を形成したウェハーをスクライブにより350μm角のLEDチップに分離し、このLEDチップをリードフレーム上に載置し、金線でリードフレームに結線することによりLED素子とした。得られたLED素子のp型ボンディングパッド電極とn型電極とに順方向電流を流したところ、電流20mAにおける順方向電圧が3.0V、発光波長が470nm、発光出力が15mWという良好な発光特性を示した。このような特性は、作製したウェハーほぼ全面から作製されたLED素子について、ばらつきなく得られた。以上のことから、本発明に係るIII族窒化物半導体薄膜の成膜方法を用いて作製した、c極性に制御されたAlN膜を緩衝層とすることにより、良好な発光特性を有するLED素子を得ることができた。なお、本実施例ではアンドープGaNからなるIII族窒化物半導体中間層、SiドープGaNからなるn型III族窒化物半導体層、InGaNとGaNとのMQW構造を有するIII族窒化物半導体活性層、MgドープGaNからなるp型III族窒化物半導体層をMOCVD法により形成しているが、スパッタリング法を用いてこれらの層を作製しても同様の結果を得ることができることを確認している。第一の比較例本発明の第一の比較例として、本発明に特徴的な基板保持装置を用いずヒーター上に接して載置したα-Al2O30001基板上にスパッタリング法を用いてAlN膜を形成した例について説明する。なお、本比較例において、AlN膜は載置方法α-Al2O30001基板をヒーターから隙間を有して配置することを除いて第一の実施例と同一のスパッタリング装置、ヒーター、ヒーター電極を用いて成膜した。また、AlN膜の成膜条件も第一の実施例と同一の条件を用いた。本比較例において作製したAlN膜に対し、対称反射位置での2θ/ωスキャンモードのXRD測定と、AlN0002面に対するωスキャンモードでのXRC測定検出器にアナライザー結晶を挿入した場合と、オープンディテクタ状態の場合、AlN{10-10}面に対するφスキャンモードでのXRC測定を行なったところ、第一の実施例で得られたAlN膜と同様にc軸配向のエピタキシャル膜が得られており、チルトおよびツイストのモザイク広がりも同程度であることがわかった。一方、本比較例において作製したAlN膜に対してCAICISS測定を行ったところ、c極性Al極性と-c極性N極性が混在した膜であることが示された。以上のことから、α-Al2O30001基板をヒーターに接して載置した場合には、c極性のIII族窒化物半導体薄膜を得られないことが明らかとなった。第二の比較例次に、本発明の第二の比較例として、ヒーター上に接して載置したα-Al2O30001基板上にスパッタリング法を用いてAlNからなる緩衝層を形成し、その上に、MOCVD法を用いて、アンドープGaN膜を形成した例について説明する。なお、本比較例において、AlNからなる緩衝層は第一の比較例と同一のスパッタリング装置、ヒーター、ヒーター電極および成膜条件にて成膜を行い、アンドープGaN膜は、第二の実施例と同様の条件にて成膜を行なった。スパッタリング法を用いて、α-Al2O30001基板上にAlNからなる緩衝層を第一の比較例と同一のスパッタリング装置、ヒーター、ヒーター電極および成膜条件にて成膜を行い、その後、MOCVD装置にウェハーを導入して、5μmの膜厚のアンドープGaN膜を形成した。得られたアンドープGaN膜の表面は白濁しており、対称反射位置での2θ/ωスキャンモードのXRD測定では、アンドープGaN膜がc軸配向していることが示された。次に、対称面としてGaN0002面を用いたωスキャンモードでのXRC測定と、In-plane配置でGaN{10-10}面に対するφスキャンモードでのXRC測定を行ったところ、それぞれのFWHMが360arcsec程度、1000arcsec程度となっていることを確認した。このことから、本比較例により得られたアンドープGaN膜が、第二の実施例で得られたアンドープGaN膜に比べてチルトおよびツイストのモザイク広がりが大きい低品質な結晶として得られていることがわかった。更に、CAICISS測定より、得られたアンドープGaN膜の極性がc極性Ga極性と-c極性N極性の混在した膜となっていることを確認した。これは、第一の比較例において説明したように、AlNからなる緩衝層がc極性と-c極性との混在した膜になっているため、その上に形成したアンドープGaN膜もその混在した極性を引き継いだ結果と考えることができる。以上のことから、α-Al2O30001基板をヒーターに接して載置したスパッタリング法によりAlNからなる緩衝層を形成した場合、その上にMOCVD法を用いて成長させたアンドープGaN膜は低品質なエピタキシャル膜として得られる。なお、本比較例ではアンドープGaN膜をMOCVD法により形成しているが、スパッタリング法を用いても同様の結果となることを確認している。第三の比較例本発明の第三の比較例として、α-Al2O30001基板をヒーターに接して載置したスパッタリング法によりAlNからなる緩衝層を形成し、その上に、MOCVD法を用いて、アンドープGaNからなるIII族窒化物半導体中間層、SiドープGaNからなるn型III族窒化物半導体層、InGaNとGaNとのMQW構造を有するIII族窒化物半導体活性層、MgドープGaNからなるp型III族窒化物半導体層を順次エピタキシャル成長し、更に、n型電極層、透光性電極、p型電極層、保護膜まで形成した後、ウェハーをスクライブにより分離しLED素子を作製した例について説明する。なお、AlNからなる緩衝層の成膜方法は第一の比較例と同様であり、MOCVD法を用いて成膜したアンドープGaNからなるIII族窒化物半導体中間層、SiドープGaNからなるn型III族窒化物半導体層、InGaNとGaNとのMQW構造を有するIII族窒化物半導体活性層、MgドープGaNからなるp型III族窒化物半導体層と、その後形成したn型電極層、透光性電極、p型電極層、保護膜の材料や成膜方法、およびその後の、素子化の工程については全て第三の実施例と同様である。得られたLED素子のp型ボンディングパッド電極とn型電極とに順方向電流を流したところ、LED素子からは良好なダイオード特性が得られず、また、可視光領域での十分な発光強度も得られないなど、良好な素子特性が得られなかった。このような特性は、作製したウェハーほぼ全面から作製されたLED素子について同様の結果であった。以上のことから、α-Al2O30001基板をヒーターに接して載置したスパッタリング法により、AlNからなる緩衝層を形成した場合、良好な発光特性を有するLED素子を得ることができないことが明らかとなった。なお、本実施例ではアンドープGaNからなるIII族窒化物半導体中間層、SiドープGaNからなるn型III族窒化物半導体層、InGaNとGaNとのMQW構造を有するIII族窒化物半導体活性層、MgドープGaNからなるp型III族窒化物半導体層をMOCVD法により形成しているが、スパッタリング法を用いても同様の結果であることを確認している。このように、本発明の大きな特徴は、α-Al2O3基板上にc極性のIII族窒化物半導体のエピタキシャル膜を形成するために、基板の載置方法に着目した点にあり、この均一なc極性のエピタキシャル膜を得るために基板ホルダーに工夫を加えること、特に、基板ホルダーにて保持される基板の位置と、基板ホルダーが備えるヒーターとの位置関係を特定の関係にすることは従来には無い技術思想である。本発明では、上記本発明に特有の技術思想の下、基板をヒーターの基板対向面と所定の距離だけ離間して配置するための基板保持装置基板支持部を基板ホルダーに設け、III族窒化物半導体薄膜の成膜において基板をヒーターの基板対向面から離間させている。このように基板ホルダーを構成することにより、上述の第一~第三の実施例および第一~第三の比較例にて示したように、スパッタリング法により、チルトおよびツイストのモザイク広がりを低減し、かつ均一なc極性を有するIII族窒化物半導体薄膜を形成することができる。なお、上記実施形態および実施例では、真空容器に基板のみを導入する場合について示したが、トレイを使用して基板を導入してもよく、本発明の思想の下、基板を載置したトレイが基板保持装置に配置される際、基板および基板を載置したトレイがヒーターと所定の距離だけ離間して配置されればよい。また、基板保持装置503や603、あるいは基板支持部704をトレイとして使用して基板を導入してもよい。