基材上に熱収縮性のある第1膜を形成する工程と、前記第1膜をパターニングする工程と、パターニングした前記第1膜を加熱して収縮させる工程と、を備えるパターン形成方法。前記第1膜上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をフォトリソグラフィ技術でパターニングする工程と、をさらに備え、パターニングした前記レジスト層をマスクにして前記第1膜をパターニングすることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。収縮させた前記第1膜を熱収縮性のある第2膜の上に形成する工程と、前記第1膜をマスクとして前記第2膜をパターニングする工程と、前記第2膜のパターニング後に前記第1膜を除去する工程と、前記第1膜の除去後に前記第2膜を加熱して収縮させる工程と、をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。前記第1膜は熱収縮性のあるポリスチレン系樹脂フィルムからなり、シンジオタクティック構造を有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のパターン形成方法。保護膜で覆われた熱収縮性のある膜を挟み込む鉄板と、前記鉄板を加熱する加熱部と、前記鉄板を回転させる回転機構と、を備えるパターン形成装置。表面に凹凸パターンが形成されたテンプレートを熱収縮性のある第1膜に接触させて、前記第1膜に前記凹凸パターンを転写する工程と、前記第1膜を加熱し、転写された凹凸パターンを収縮させ、インプリント用のテンプレートを作製する工程と、を備えるテンプレート作製方法。表面に凹凸パターンが形成されたテンプレートを熱収縮性のある第1膜に接触させて、前記第1膜に凹凸パターンを転写する工程と、前記第1膜を加熱し、転写された凹凸パターンを収縮させる工程と、収縮させた前記第1膜の凹凸パターンを熱収縮性のある第2膜に接触させて、前記第2膜に凹凸パターンを転写する工程と、前記第2膜を加熱し、転写された凹凸パターンを収縮させ、インプリント用のテンプレートを作製する工程と、を備えるテンプレート作製方法。本発明は、微細パターンを簡便に形成できるパターン形成方法、パターン形成装置、及びテンプレート作製方法を提供することを目的とする。本実施形態によるパターン形成方法は、基材上に熱収縮性のある第1膜を形成する工程と、前記第1膜をパターニングする工程と、パターニングした前記第1膜を加熱して収縮させる工程と、を備える。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。第1の実施形態図1a~eを用いて本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法を説明する。図1aに示すように、基材100上に第1膜101を形成する。基材100にはシリコン基板を用いてもよいし、複数の膜が積層された積層構造にしてもよい。第1膜101は熱収縮性のあるポリスチレン系樹脂フィルムであり、例えば、熱耐性が強く結晶化が早いシンジオタクティック構造を有している。また、この第1膜101の温度と収縮率との関係は事前に取得されているものとする。図1bに示すように、第1膜101上に図示しない反射防止膜を形成し、この反射防止膜上にレジスト102を塗布する。そして、公知のフォトリソグラフィ技術を用いてレジスト102をパターニングする。レジスト102のパターン形状は、後の工程で第1膜101を収縮させることで得られる目標パターン形状と、第1膜101の収縮率とを考慮して決定される。1つのパターンにおける収縮率が場所によって異なる場合もあるため、レジスト102のパターン形状は、目標パターン形状を単純に拡大したものとは限らない。図1cに示すように、レジスト102をマスクとして第1膜101をパターニングする。例えば、レジスト102の上方からイオンビームを照射して、第1膜101のうち表面が露出した部分にイオントラックを形成する。そして、ウェットエッチングによりイオントラックが形成されていた部分の第1膜101を除去し、第1膜101をパターニングする。図1dに示すように、レジスト102を剥離する。図1eに示すように、第1膜101を加熱して収縮させる。第1膜101が所望の寸法に収縮するまで目標パターン形状になるまで加熱を行う。例えば、120°C~140°Cで1分程度加熱を行うことで、第1膜101は約50収縮する。第1膜101は収縮しても体積は変わらない。従って、第1膜101は、収縮により横断面基材100と平行な面の面積が小さくなる一方で、厚みが増す。言い換えれば、第1膜101によるパターンのピッチが小さくなり、アスペクト比が大きくなる。収縮させた第1膜101は微細なパターンとなる。このような第1膜101をマスクとして下地膜基材100を加工することで、微細なパターンを簡便に形成することができる。第1膜101の加熱は様々な方法を用いることができる。例えば、まず、図2に示すように、基材100及び第1膜101の上下及び左右を保護膜105で覆う。保護膜105は熱伝導性が高く、かつ弾力性のある柔らかいものであればよく、例えばPDMSポリマーを用いることができる。そして、保護膜105で覆われた基材100及び第1膜101の上下を、図3に示すような、鉄板201及び202で挟み込む。鉄板201及び202は例えば円形であり、中心に回転軸203及び204が設けられ、図示しない回転機構により回転されるようになっている。図4aは、保護膜105で覆われた基材100及び第1膜101の上下を鉄板201及び202で挟んだ状態の縦断面図である。この状態で、鉄板201及び202を、図示しないガスバーナ、電気コンロ、ホットプレート等の加熱部を用いて加熱することより、図4bに示すように、第1膜101を収縮させることができる。鉄板201及び202により上下から均等に熱を加えることができるため、基材100上の第1膜101を均等に収縮させることができる。上述したように、第1膜101は収縮に伴い厚みが増すため、保護膜105で覆われた基材100及び第1膜101の上下を鉄板201及び202で挟み込む力を過度に大きくしないように留意する。なお、加熱の際に、保護膜105で覆われた基材100及び第1膜101を挟み込んだ状態で鉄板201及び202を回転させてもよい。回転に伴う遠心力によって、第1膜101の収縮の均一性を向上させることができる。このとき、第1膜101にかかる遠心力が第1膜101の熱収縮力より小さくなるように鉄板201及び202の回転速度を設定する。また、図示しない制御部が加熱部を制御して、第1膜101の温度が段階的に上昇するようにしてもよい。温度を急激に上昇させると物体表面の温度分布が不均一になり、全体の収縮率が不均一になるおそれがあるが、温度を段階的に上昇させることで温度分布が均一になり、第1膜101の収縮の均一性をさらに向上させることができる。このように、レジスト102をマスクにしてパターニングした第1膜101を加熱して収縮させることで、第1膜101を簡便に微細パターンに加工することができる。なお、上記実施形態では鉄板201及び202に挟んで加熱を行っていたが、図4aに示すような保護膜105で覆われた基材100及び第1膜101を高温の水の中に入れて加熱してもよい。また、第1膜101を構成するポリスチレン系樹脂フィルムにゴム成分スチレン-ブタジエンブロック共重合体にアクリル酸nブチルを重合したゴムを混合してもよい。ゴム成分を混合することで伸縮性を上げることができる。熱収縮させた第1膜101のパターンを、熱収縮性を有する別の膜に転写してもよい。例えば、図1eに示すように第1膜101を熱収縮させた後、上下を反転し、図5aに示すように、基材110上に形成した第2膜111の上面に第1膜101の表面を固着させ基材100を剥離する。基材110、第2膜111はそれぞれ基材100、第1膜101と同じ材料で構成されているとする。そして、図5bに示すように、第1膜101をマスクにして第2膜111をパターニングする。続いて、図5cに示すように第1膜101を除去する。その後、図5dに示すように第2膜111を加熱して収縮させる。このように熱収縮させたパターンを、熱収縮性を有する別の膜に転写し、転写パターンを熱収縮させることで、さらに微細なパターンを形成することができる。また、図5a~dに示す処理を繰り返すことでさらに微細なパターンを形成することができる。例えば、第1膜101の線収縮率が40であり、図1a~dに示すリソグラフィ技術によりピッチ800nmのパターンを形成した場合、図5a~dに示す処理を4回繰り返すことで、ピッチ約63nmの微細パターンを形成することができる。上記実施形態では第1膜101を熱収縮性のある材料で形成していたが、第1膜101を光収縮性のあるポリマー材料やシリカ系物質で形成し、レジスト102をマスクにして第1膜101をパターニングした後、光を照射して第1膜101を収縮させてもよい。第2の実施形態上記第1の実施形態では、リソグラフィ技術により第1膜101をパターニングしていたが、インプリント技術を用いてパターニングしてもよい。例えば、図6aに示すように、凹凸パターンが形成されたテンプレート300を準備し、図6bに示すようにテンプレート300の凹凸パターンを第1膜301に接触させる。第1膜301は熱収縮性及び光透過性を有している。図6cに示すようにテンプレート300を離型し、凹凸パターンを第1膜301に転写する。図6dに示すように第1膜301を加熱し、収縮させる。例えば、第1膜301を図4aに示すような保護膜105で覆い、図3に示す装置を使用して加熱を行うことができる。これにより、テンプレート300に形成された凹凸パターンよりも微細な凹凸パターンが形成されたテンプレートを作製することができる。熱収縮した第1膜301をテンプレートとしてインプリント処理を行うことで微細パターンを簡便に形成することができる。また、図7aに示すように、収縮した第1膜301をテンプレートとして、この第1膜301の凹凸パターンを第2膜302に転写してもよい。第2膜302は熱収縮性及び光透過性を有しており、例えば第1膜301と同じ材料で形成されている。図7bに示すように、第2膜302から第1膜301を離型する。そして、図7cに示すように、第2膜302を加熱し、収縮させる。このように、パターン転写及び熱収縮を繰り返すことで、極めて微細な凹凸パターンを有するインプリント処理用のテンプレートを簡便に作製することができる。なお、第1膜301は、インプリント用のテンプレートとして使用されず、第2膜302へのパターン転写のみを行う場合は、光透過性を有していなくてもよい。なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。