半導体基板の受光面となる面に絶縁膜を形成する第1工程と、前記絶縁膜に複数の開口部を形成する第2工程と、前記絶縁膜上及び前記開口部上に、前記半導体基板の導電型と異なる導電型の不純物を含む導電性ペーストを塗布する第3工程と、前記半導体基板を熱処理することで、前記半導体基板の受光面となる面に、前記半導体基板及び前記不純物の合金領域と、前記合金領域に沿った前記不純物を含む半導体領域とを形成する第4工程と、前記合金領域及び前記半導体領域の表面側の一部をエッチングすることにより、光閉じ込め形状を形成する第5工程とを備え、前記半導体領域は、前記半導体基板の表面から深さ方向に前記不純物の濃度が低い太陽電池の製造方法。前記第4工程において、前記導電性ペーストより形成された電極を形成する工程を含み、前記第4工程の後に、前記電極をパターニングして受光面電極を形成する第6工程を有し、前記第5工程は、前記パターニングを用いて行う請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記半導体基板の導電型はn型であり、前記不純物はアルミニウムである請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。前記エッチングは、フッ酸硝酸混合液で行う請求項1~3のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。特許文献1の製造方法で、非特許文献2の太陽電池を作製するには、光閉じ込め形状工程に加え、表面が低濃度不純物の半導体領域であるn領域を形成する工程と、表面が高濃度不純物の半導体領域であるn領域を形成する工程が必要となる。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、光閉じ込め形状形成と表面が低濃度不純物の半導体領域形成とを、1工程で行うことで、太陽電池の製造ラインの処理能力を高める製造方法を提供することにある。本発明の太陽電池の製造方法は、半導体基板の受光面となる面に絶縁膜を形成する第1工程と、絶縁膜に複数の開口部を形成する第2工程と、絶縁膜上及び開口部上に、半導体基板の導電型と異なる導電型の不純物を含む導電性ペーストを塗布する第3工程と、半導体基板を熱処理することで、半導体基板の受光面となる面に、半導体基板及び不純物の合金領域と、合金領域に沿った不純物を含む半導体領域とを形成する第4工程と、合金領域及び半導体領域の表面側の一部をエッチングすることにより、光閉じ込め形状を形成する第5工程とを備え、半導体領域は、半導体基板の表面から深さ方向に不純物の濃度が低い。ここで、本発明の太陽電池の製造方法は、第4工程において、導電性ペーストより形成された電極を形成する工程を含み、第4工程の後に、電極をパターニングして受光面電極を形成する第6工程を有し、第5工程は、パターニングを用いて行ってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、半導体基板の導電型はn型であり、不純物はアルミニウムであってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、エッチングは、フッ酸硝酸混合液で行ってもよい。本発明によれば、光閉じ込め形状形成と、表面が低濃度不純物の半導体領域形成とを、1工程で行うことで、太陽電池の製造ラインの処理能力を高めることができる。図1は、本発明の太陽電池の一例の断面図を表す模式図である。太陽電池1において、半導体基板であるn型シリコン基板2の入射光側である受光面には、光閉じ込め形状であるハニカムテクスチャ構造3が形成されている。そして、n型シリコン基板2の受光面にp型不純物半導体領域のp領域4と、p領域4よりもp型不純物が高濃度であるp領域5が形成されている。p型不純物はアルミニウムである。p領域4は表面パッシベーション膜を兼ねた反射防止膜図示せずで覆われている。p領域4の表面にはアルミニウムとシリコンの合金領域8が形成されており、アルミニウムとシリコンの合金領域8上に絶縁膜9と受光面電極6が形成されている。7は裏面電極である。図2は、本発明の太陽電池の受光面側の製造方法の一例である。まず、図2aに示すように、洗浄後のn型シリコン基板2の受光面となる面以下n型シリコン基板の受光面という。にプラズマCVD法によって窒化シリコン膜である絶縁膜9を形成し、エッチングペーストを用いて20μm径の穴が100μmピッチで格子点状になるように、絶縁膜9に開口部62を形成した。次に、図2bに示すように、n型シリコン基板2の受光面にアルミニウムペースト10、n型シリコン基板2の裏面となる面以下n型シリコン基板の裏面という。に銀ペースト図示せずを塗布し乾燥した。次に、図2cに示すように、n型シリコン基板2を熱処理して、n型シリコン基板2の受光面では、開口部62を介して、アルミニウムとシリコンとの合金化と、n型シリコン基板2へのアルミニウムの拡散を行い、アルミニウムとシリコンの合金領域8と、アルミニウムを不純物として含む拡散領域と、受光面電極6を形成し、n型シリコン基板2の裏面では、裏面電極図示せずを形成した。アルミニウムとシリコンの合金領域8と拡散領域は、アルミニウムペーストを熱処理することにより形成しているので、開口部62からの距離に応じて形成される深さが異なる。更に、拡散領域では、p型の不純物であるアルミニウム濃度は濃度勾配を持ち、表面付近では、p領域5が形成されており、n型シリコン基板2の受光面である表面から内部へと深さ方向にアルミニウム濃度は低くなっていく。また、アルミニウムペーストを熱処理することにより受光面電極6形成していることから、受光面電極6はアルミニウム電極となる。次に、図2dに示すように、受光面電極6の一部にレジスト63を形成し、裏面電極全面にもレジストを形成した図示せず。次に、図2eに示すように、先ず、塩酸により、レジスト63で覆われていない部分の、受光面電極6とアルミニウムとシリコンの合金領域8とをエッチングして除去する。この際、アルミニウムとシリコンの合金領域8が除去された形状に沿ってハニカムテクスチャ構造が形成され、絶縁膜9の少なくとも一部はリフトオフにより除去される。その後、アルミニウムとシリコンの合金領域8を除去することによって現れた拡散領域の表面をフッ酸硝酸混合液でエッチングすることで、n型シリコン基板2表面の高濃度のアルミニウム不純物層を除去し、ハニカムテクスチャ構造に沿った低濃度のアルミニウム不純物層を露出させp領域4を形成した。この時、レジスト63を形成した領域では、受光面電極6と、その下の、アルミニウムとシリコンの合金領域8、p領域5、および絶縁層9が残っている。以上のように、1工程で、光閉じ込め形状形成と表面が低濃度不純物の半導体領域であるp領域4の形成とを行うことができた。その後、表面パッシベーション膜を兼ねた反射防止膜図示せずを形成した。次に、n型シリコン基板2の受光面と裏面に形成したレジストを除去して太陽電池1を作製した。以上のように、本発明の太陽電池の製造方法によれば、光閉じ込め形状形成とシリコン基板の表面に形成される低濃度不純物の半導体領域形成とを、1工程で行うことができ、太陽電池の製造ラインの処理能力を高めることができる。さらに、受光面電極のパターニングで、受光面電極形成、光閉じ込め形状形成、および表面が低濃度不純物の半導体領域形成を形成することができ、太陽電池の製造ラインの処理能力を高めることができる。なお、例えば、太陽電池の構成については、BSFBackSurfaceField領域、裏面パッシベーション等、太陽電池における一般的な高効率手法を取り込むことも可能である。また、上記実施例では、シリコン基板をn型としたが、適当な温度でシリコンと合金化するドーパントを含むペーストを用いれば、p型とすることも可能である。そして、シリコン基板は、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板のいずれを用いることも可能である。さらに、光閉じ込め形状についても、ハニカム状ではなく、溝形状等にすることも可能である。