"複数の絶縁層を積層してなり、厚み方向に沿った平面視で矩形を呈する複数の配線基板を縦横に沿って配列した製品領域と、上記同様に絶縁層を積層してなり、上記製品領域の外周に沿って位置し且つ平面視が矩形枠状である耳部と、上記耳部の外側面に形成したメッキ用電極と、上記耳部に形成され、上記メッキ用電極と、上記製品領域内の最外側に位置する複数の配線基板の導体部分から延びた接続配線ごと、との間を導通するメッキ用タイバーとを含み、上記メッキ用タイバーの幅は、上記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって広くなっている、ことを特徴とする多数個取り配線基板。前記メッキ用タイバーの幅は、前記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、漸次的に広くなっているか、または段階的に広くなっている、ことを特徴とする請求項1に記載の多数個取り配線基板。前記メッキ用電極は、前記耳部の外側面に複数個が形成され、隣接する2つのメッキ用電極の間を接続する前記メッキ用タイバーの幅は、各メッキ用電極に近接する位置で最も狭く、且つ各メッキ用電極から最も離れた位置で最も広い、ことを特徴とする請求項1または2に記載の多数個取り配線基板。前記耳部のうち、少なくとも平面視で対向する一対の耳辺ごとに複数のメッキ用電極が形成され、耳辺ごとで隣接する2つのメッキ用電極の間を接続する前記メッキ用タイバーの幅は、各メッキ用電極に近接する位置で最も狭く、且つ各メッキ用電極から最も離れた位置で最も広い、ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の多数個取り配線基板。前記メッキ用タイバーの厚みは、前記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって厚くなっている、ことを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の多数個取り配線基板。前記メッキ用タイバーの厚みは、前記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、漸次的に広くなっているか、または段階的に厚くなっている、ことを特徴とする請求項請求項5に記載の多数個取り配線基板。本発明は、縦横に複数の配線基板が配列された製品領域と、メッキ用電極が外側面に形成された耳部とを併有し、上記製品領域内のどの位置における配線基板であっても、その表面に位置する導体部分に被覆された金属メッキ被膜の厚みが均一な多数個取り配線基板を提供する、ことを課題とする。以下において、本発明を実施するための形態について説明する。図1は、本発明による一形態の多数個取り配線基板1aを示す平面図、図2は、図1中のX-X線の矢視に沿った垂直断面図、図3は、図2中のY-Y線の矢視に沿った水平断面図である。多数個取り配線基板1aは、図1~図3に示すように、表面2および裏面3を有し且つ2層複数のセラミック層絶縁層s1,s2を積層してなり、厚み方向に沿った平面視で長方形矩形を呈する複数の配線基板pを縦横に沿って配列した製品領域Paと、上記と同じセラミック層s1,s2を積層してなり、上記製品領域Paの外周に沿って位置し且つ平面視が矩形枠状の耳部5と、該耳部5のうち、図1,図3で左右一対の耳辺5の外側面4に一対複数ずつ形成したメッキ用電極6と、を含んでいる。該メッキ用電極6は、耳部5の外側面4に設けた平面視がほぼ半円形の凹部7の内壁面に沿ったほぼ半円筒体である。尚、上記表面2および裏面3は、製品領域Paと耳部5とに共通している。また、上記セラミック層s1,s2は、例えば、アルミナを主成分としている。更に、図1,図3中の破線は、仮想の切断予定面cfを示している。図1,図2に示すように、製品領域Paの表面2には、縦横に隣接する4個の配線基板pの各隅部に跨り且つ平面視が比較的大きな正方形の表面導体10と、製品領域Paの最外側に沿って隣接する2個の配線基板pの各隅部に跨り且つ平面視が長方形の表面導体11と、製品領域Paの四隅に位置する配線基板pの各外隅部に形成され且つした平面視が比較的小さな正方形の表面導体12と、が形成されている。即ち、追って切断予定面cfに沿って個片化された際に、得られる配線基板pごとの表面2の四隅には、追って4個のパッドが個別に形成される。図2,図3に示すように、前記セラミック層s1,s2間の耳部5のうち、左右一対の長辺の耳辺5には、メッキ用タイバー15が対向して形成され、上下一つの短辺の耳辺5には、接続用タイバー18が対向して形成されている。上記メッキ用タイバー15は、接続線14を介してメッキ用電極6の中央部と接続し且つ該メッキ用電極6に近接する位置16から、上記メッキ用電極6より最も離れた位置17に向かって、幅がテーパ状漸次的15tに広くなるように形成されている。上下に隣接するメッキ用電極6,6間に位置するメッキ用タイバー15においても、各メッキ用電極6から最も離れた位置17に向かって漸次的に広くなっている。一方、左右の上記メッキ用タイバー15の上下端の位置17,17間を接続する上下の各接続用タイバー18は、幅が一定の帯状を呈している。図2,図3に示すように、前記セラミック層s1,s2間には、耳部5の内周側と製品領域Paの最外側に沿って配列された複数の配線基板pの外隅、あるいは、製品領域Pa内で隣接する4個の配線基板pの各隅部に跨って形成された平面視がほぼ正方形の配線部導体部分8と、該配線部8,8同士間を接続する平面視がクランク形状の連絡配線9と、最外側の配線部8と前記メッキ用タイバー15とを接続する接続導体9jとが形成されている。上記配線部8ごとの中心部には、前記セラミック層s1,s2を厚み方向に貫通するスルーホールhが位置しており、該スルーホールhの内壁面に沿って円筒形状のスルーホール導体tdが形成されている。該スルーホール導体tdを介して、各配線部8と前記表面導体10,11,12とが導通可能されている。図2に示すように、セラミック層s2側の裏面3には、前記表面導体10~12と同様な複数の裏面導体19が形成されている。該裏面導体19も、上記スルーホール導体tdを介して、各配線部8および前記表面導体10~12と個別に導通可能されている。即ち、追って切断予定面cfに沿って個片化した際の配線基板pごとのセラミック層s1,s2間には、四隅付近に電気的に独立した4個の配線部が配設され、これらの配線部は四隅の外側面に露出する凹溝導体を介して、表面2側のパッドや裏面3側の裏面導体と導通される。尚、前記メッキ用電極6、配線部8、連絡配線9、接続導体9j、表面導体10~12、メッキ用タイバー15、接続用タイバー18、裏面導体19、スルーホール導体tdは、例えば、WあるいはMoからなる。また、前記メッキ用タイバー15は、追って前記セラミック層s2となるグリーンシートの表面に、W粉末などを含む導電性ペーストを、前記パターンに倣って印刷した後、常法により積層焼成することで、容易に形成されたものである。以上のような多数個取り配線基板1aによれば、セラミック層s1,s2間の耳部5において、左右一対の耳辺5に対向して形成された一対のメッキ用タイバー15の幅は、前記一対のメッキ用電極6に近接する位置16から該メッキ用電極6から離れた位置17に向かって、テーパ状漸次的15tに広くなっている。その結果、メッキ用電極6の比較的近くに位置する製品領域Paの最外側の配線基板pと、メッキ用電極6から比較的離れた製品領域Paの中央側に位置する配線基板pとの間においても、導通経路の長短に伴う導通抵抗の差が小さくされている。従って、メッキ用電極6、メッキ用タイバー15、接続配線9j、および接続線9を介してメッキ電流が、製品領域Paのどの位置における配線基板pに対しても、比較的均一に流されるため、配線基板pごとの表裏面導体10~12,19にNiメッキ被膜やAuメッキ被膜が近似した厚みで被覆した多数個取り配線基板1aとされている。図4は、異なる形態の多数個取り配線基板1bを示す平面図、図5は、図4中のZ-Z線の矢視に沿った垂直断面図、図6は、図5中で左側に示す部分の拡大断面図である。多数個取り配線基板1bは、図4~図6に示すように、表面2および裏面3を有し且つ3層のセラミック層s1~s3を積層してなり、厚み方向に沿った平面視で長方形を呈する複数の配線基板pを互いに離隔しつつ縦横に沿って配列した製品領域Paと、上記と同じセラミック層s1~s3を積層してなり、上記製品領域Paの外周に沿って位置し且つ平面視が矩形枠状の耳部5と、該耳部5のうち、図4で左右一対の耳辺5の外側面4に一対ずつ形成した前記同様のメッキ用電極6と、を含んでいる。尚、セラミック層s1~s3も、例えばアルミナを主成分としている。図4に示すように、前記セラミック層s1の表面2の耳部5のうち、左右一対の長辺の耳辺5には、メッキ用タイバー25が対向して形成され、上下一つの短辺の耳辺5には、接続用タイバー28が対向して形成されている。上記メッキ用タイバー25は、接続線14を介してメッキ用電極6の中央部と接続し且つ該メッキ用電極6に近接する位置26から、上記メッキ用電極6から最も離れた位置27に向かって、幅が階段状段階的25sに広くなるように形成されている。上下に隣接するメッキ用電極6,6間に位置するメッキ用タイバー25においても、各メッキ用電極6から最も離れた位置27に向かって段階的に広くなっている。一方、左右の上記メッキ用タイバー25の上下端の位置27,27間を接続する上下の各接続用タイバー28は、幅が一定の帯状を呈している。図4~図6に示すように、製品領域Pa内において、互いに離れて縦横に配列された複数の配線基板pは、表面2に開口し且つ平面視が長方形を呈するキャビティ23を有し、該キャビティ23の周囲を囲むセラミック層s1の表面2に沿って平面視が長方形の封止用の導体枠導体部分20が個別に形成されている。左右に隣接する配線基板p,pの導体枠20,20間は、接続線21を介して接続され、製品領域Paの最外側に位置する配線基板pごとの導体枠20は、接続導体22を介して左右のメッキ用タイバー25と個別に接続されている。個々の配線基板pにおいて、キャビティ23の底面に露出する最下層のセラミック層s3の表面には、一対の接続端子24が形成され、該接続端子24は、図6に示すように、セラミック層s3の裏面3に形成された一対の裏面導体29と、該セラミック層s3を貫通するスルーホール導体tdを介して個別に導通可能とされている。更に、配線基板pごとにおける一対の裏面導体29は、セラミック層s1~s3を貫通するスルーホール導体tdを介して、表面2側の導体枠20と個別に導通可能とされている。即ち、図4~図6に示すように、左右の耳辺5に位置するメッキ用電極6は、接続線14、メッキ用タイバー25、接続導体22、および接続線21を介して、配線基板pごとの導体枠20と導通可能され、個々の配線基板pでは、長短2種類のスルーホール導体tdを介して、導体枠20と一対の接続端子24とが個別に導通可能とされている。尚、図5,図6中の破線で示す切断予定面cfは、平面視で個々の配線基板pにおける導体枠20における四辺の外側辺に沿っている。また、前記導体枠20、配線線21、接続配線22、接続端子24、メッキ用タイバー25、接続用タイバー28、裏面導体29、スルーホール導体tdは、例えば、WあるいはMoからなる。更に、前記メッキ用タイバー25は、追って前記セラミック層s1となるグリーンシートの表面に、W粉末などを含む導電性ペーストを、前記パターンに倣って印刷した後、常法により積層焼成することで、容易に形成されている。加えて、切断予定面cfに沿って個片化された後の配線基板pにおいて、導体枠20は、キャビティ23の開口部を閉塞する金属製の蓋板とのロウ付けに活用され、且つ一対の接続端子23を含む回路におけるアースを兼ねるものでもある。以上のような多数個取り配線基板1bによれば、セラミック層s1の表面2における左右一対の耳辺耳部5に対向して形成された一対のメッキ用タイバー25の幅は、前記一対のメッキ用電極6に近接する位置26から該メッキ用電極6より離れた位置27に向かって、階段状段階的25sに広くなっている。その結果、メッキ用電極6の比較的近くに位置する製品領域Paの外周側の配線基板pと、メッキ用電極6から比較的離れた製品領域Paの中央側に位置する配線基板pとの間においても、導通経路の長短に伴う導通抵抗の差が抑制されている。従って、メッキ用電極6、メッキ用タイバー25、接続配線22、および接続線21を介してメッキ電流が、製品領域Paのどの位置における配線基板pに対しても、比較的均一に流されるため、配線基板pごとの導体枠20、接続端子24、裏面導体29の表面に、Niメッキ被膜やAuメッキ被膜が近似した厚みで被覆した多数個取り配線基板1bとされている。図7は、前記配線基板1bの応用形態である多数個取り配線基板1cを示す部分平面図である。多数個取り配線基板1cは、図7に示すように、前記導体枠20、接続端子24、キャビティ23などを含む複数の配線基板pを縦横に配列した前記同様の製品領域Paと、その外側に位置する前記同様の耳部5とを備えている。該多数個取り配線基板1cが前記配線基板1bと相違するのは、左右の耳辺耳部5の表面2に形成されたメッキ用タイバー25が、該耳辺5の外側面4に設けたメッキ用電極6の中央部と直に接続し且つ該メッキ用電極6に近接する位置26から、上記メッキ用電極6より最も離れた位置27に向かって、幅がテーパ状漸次的25tに広くなるように形成されていることである。また、上下の耳辺5の表面2に、上記位置27に隣接する位置の幅が狭く且つ各耳辺5の中央部に向かって幅がテーパ状漸次的28tに広くなったメッキ用タイバー28bが形成されていること、および図7の縦方向に沿って、上記メッキ用タイバー28bと、製品領域Pa内の外周側に位置する配線基板pごとの導体枠20との間を接続する接続配線22j、および縦方向に隣接する配線基板pごとの導体枠20,20間を接続する接続線21iとを更に形成したことも、前記配線基板1bとの相違点である。以上のような多数個取り配線基板1cによれば、左右一対のメッキ用タイバー25によって、前記配線基板1bと同様な効果が得られるのに加え、上下一対のメッキ用タイバー28b、縦方向に沿った接続配線22j、および接続線21iが更に併設されることで、表面2における複数の配線基板pごとの導体枠20を縦方向に沿った経路においても、各メッキ用電極6との距離の差を、製品領域Pa内のどの位置であっても、一層低減ないし抑制して均一化することができる。従って、各メッキ用電極6に給電されたメッキ電流が、製品領域Paのどの位置における配線基板pに対しても、比較的均一に流されるため、配線基板pごとの導体枠20などの表面にNiおよびAuメッキ皮膜を一層均一な厚みで被覆した多数個取り配線基板1cとすることができる。尚、前記多数個取り配線基板1bにおいても、前記接続用タイバー28に替えて、メッキ用タイバー28bあるいは段階的に幅が変化するメッキ用タイバーを設け、更に前記接続配線22jおよび接続線21iを追加した形態としても良い。また、前記多数個取り配線基板1aにおいても、前記接続用タイバー18に替えて、メッキ用タイバー28bあるいは段階的に幅が変化するメッキ用タイバーを設け、更に縦方向に沿った接続配線および接続線を追加した形態としても良い。更に、前記多数個取り配線基板1a,1bの接続用タイバー18,28と配線基板pごとの間に、縦方向に沿った接続配線22jおよび接続線21iを追加した形態としても良い。図8は、前記多数個取り配線基板1aの変形形態1dを示す部分平面図である。多数個取り配線基板1dは、図8に示すように、前記セラミック層s1,s2間における左右一対の耳辺5に、メッキ用電極6に近接する位置16から該メッキ用電極6より離れた位置17に向かって、階段状段階的15sに広くなっているメッキ用タイバー15を個別に形成したものであり、前記多数個取り配線基板1aと同様な効果を奏することが可能である。図9は、前記多数個取り配線基板1dの応用形態1eを示す部分平面図である。多数個取り配線基板1eは、図9に示すように、幅が階段状段階的15sに変化する左右一対の前記メッキ用タイバー15に加え、上下の耳辺5に、前記位置17に隣接する位置の幅が狭く且つ各耳辺5の中央部に向かって幅が階段状段階的18sに広くなるメッキ用タイバー18bが形成されると共に、および図9の縦方向に沿って、上記メッキ用タイバー18bと、製品領域Pa内の外周側に位置する配線基板pごとの配線部8との間を接続する接続配線9k、および縦方向に隣接する配線基板pごとの配線部8,8間を接続する接続線9iを更に追加して形成している。以上のような多数個取り配線基板1eによれば、前記多数個取り配線基板1a,1dによる効果に加え、上下一対のメッキ用タイバー18b、縦方向に沿った接続配線9k、および接続線9iが更に併設されることで、複数の配線基板pごとの配線部8,8の縦方向に沿った経路においても、各メッキ用電極6との距離の差を、製品領域Pa内のどの位置であっても、一層低減ないし抑制して均一化することができる。従って、各メッキ用電極6に給電されたメッキ電流が、製品領域Paのどの位置における配線基板pに対しても、比較的均一に流されているため、配線基板pごとの導体部8などの表面にNiメッキ皮膜およびAuメッキ皮膜を一層均一な厚みで被覆した多数個取り配線基板1eとなっている。尚、前記多数個取り配線基板1aにおいても、前記接続用タイバー18に替えて、メッキ用タイバー18bあるいは漸次的に幅が変化するメッキ用タイバーを設け、更に縦方向に沿った接続配線および接続線を追加した形態としても良い。図10は、前記配線基板1cの応用形態である多数個取り配線基板1fを示す部分平面図、図11は、図10中のU-U線の矢視に沿った垂直断面図である。多数個取り配線基板1fは、図10に示すように、前記導体枠20、接続端子24、キャビティ23などを含む複数の配線基板pを縦横に配列した前記同様の製品領域Paと、その外側に位置する前記同様の耳部5とを備え、対向する一対の耳辺5には、メッキ用タイバー25の幅が、該耳辺5の外側面4に設けたメッキ用電極6の中央部と接続線14を介して接続し且つ該メッキ用電極6に近接する位置26から、上記メッキ用電極6より最も離れた位置27に向かって、テーパ状漸次的25tに広くなるように形成されている。更に、多数個取り配線基板1fでは、図11に示すように、メッキ用タイバー25の厚みが、前記メッキ用電極6に近接する位置26から、該メッキ用電極6より最も離れた位置27vに向かって、テーパ状漸次的25tvに外向きに厚くされている。また、隣接する一対のメッキ用電極6,6間においても、メッキ用タイバー25の厚みが、前記メッキ用電極6に近接する位置26から、各メッキ用電極6より最も離れた位置27vに向かって、テーパ状漸次的25tvに厚くなっている。図12は、前記配線基板1bの応用形態である多数個取り配線基板1gを示す部分平面図、図13は、図12中のV-V線の矢視に沿った垂直断面図である。多数個取り配線基板1gは、図12に示すように、前記同様の製品領域Paと耳部5とを備え、対向する一対の耳辺5には、メッキ用タイバー25の幅が、該耳辺5の外側面4に設けたメッキ用電極6の中央部と接続線14を介して接続し且つ該メッキ用電極6に近接する位置26から、上記メッキ用電極6より最も離れた位置27に向かって、階段状段階的25sに広くなるように形成されている。更に、多数個取り配線基板1gでは、図12に示すように、メッキ用タイバー25の厚みが、前記メッキ用電極6に近接する位置26から、該メッキ用電極6より最も離れた位置27vに向かって、階段状段階的25svに外向きに厚くされている。また、隣接する一対のメッキ用電極6,6間においても、メッキ用タイバー25の厚みが、前記メッキ用電極6に近接する位置26から、各メッキ用電極6より最も離れた位置27vに向かって、階段状段階的25svに厚くなっている。尚、前記メッキ用タイバー25の幅と厚みとは、前記位置26,27間の同じ位置で段階的に広くなり且つ厚くしたが、幅と厚みとの変化が前記同様であれば、前記位置26,27間の異なる位置で変化させても良い。以上のような多数個取り配線基板1f,1gによれば、メッキ用タイバー25の厚みを、前記位置26,27間において幅の拡がる変化と同様に変化させたので、製品領域Pa内のどの位置の配線基板pであっても、各メッキ用電極6との距離の差を、一層均一化することができる。従って、各メッキ用電極6に給電されたメッキ電流が、どの位置における配線基板pに対しても、比較的均一に流されるので、配線基板pごとの導体枠20などの表面にNiおよびAuメッキ皮膜を一層均一な厚みで被覆した多数個取り配線基板1f,1gとなっている。尚、配線基板1f,1gにおけるメッキ用タイバー25の厚みは、セラミック層s1の内部に向かって漸次的または段階的に厚くなるような形態にしても良い。また、前記多数個取り配線基板1a,1d,1eについても、前記メッキ用タイバー15の厚みを、前記位置16,17間において幅の拡がる変化と同様に変化させることで、製品領域Pa内のどの位置の配線基板pであっても、各メッキ用電極6との距離の差を、一層均一化することが可能である。本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。例えば、絶縁層は、前記アルミナ以外の高温焼成セラミック、あるいは低温焼成セラミックの一種であるガラス-セラミック、更には、エポキシなどの樹脂からなるものとしても良い。このうち、ガラス-セラミックやエポキシ系樹脂を用いた場合、前記メッキ用電極6、導体部8、メッキ用タイバー15,25、導体枠20などの導体は、Cu、Ag、Cu合金、あるいはAg合金が適用される。また、前記メッキ用電極6は、耳部5の同じ耳辺5に1個のみ設けたり、あるいは3個以上を併設した形態としても良い。更に、前記メッキ用電極6は、耳部5における四辺の耳辺5ごとに、1個以上を同数あるいは異なる数にして形成しても良い。かかる形態では、四辺の耳辺5ごとに、前記メッキ用タイバー15,25が配設される。また、前記メッキ用タイバー15は、複数の絶縁層のうち、最上層の絶縁層の表面に配設しても良く、前記メッキ用タイバー25は、複数の絶縁層の間に配設しても良い。更に、前記漸次的には、メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、曲線状にカーブして幅が拡がる形態も含まれる。また、前記段階的には、メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、傾斜した複数の斜辺を介して幅が段階的に順次拡がる形態も含まれる。更に、前記多数個取り配線基板1a~1gにおいて、製品領域Paと耳部5との境界や、配線基板p,p間の境界に破線で示す仮想の切断予定面cfを配置した形態では、かかる切断予定面cfに沿ってシンター剪断加工することで、各配線基板pが個片化される。加えて、前記多数個取り配線基板1a~1gにおいて、前記切断予定面cfに替えて、表面2に開口する断面ほぼV字形の分割溝を形成したり、表面2と裏面3との双方に断面ほぼV字形の分割溝を一対対称に形成し、該分割溝に沿って曲げ加工することで、各配線基板pを個片化するようにしても良い。"