基板に取り付けられた集積回路ICパッケージと、前記ICパッケージに取り付けられたヒートシンクと、電気伝導性を有し、前記ヒートシンクおよび前記ICパッケージに接触し、前記基板まで延びて前記ヒートシンクのためのアース接続を提供する膜とを備える、電子デバイス。前記膜が電気伝導性ポリマーを含む、請求項1に記載の電子デバイス。前記膜が、オーバーモールド形ワイヤボンディングボールグリッドアレイBGAパッケージと、露出ダイオーバーモールド形フリップチップBGAパッケージと、集積化ヒートシンクフリップチップBGAパッケージと、ベアダイフリップチップBGAパッケージと、チップスケールBGAパッケージと、からなる群から選択された前記ICパッケージの少なくとも一部に接続される、請求項1に記載の電子デバイス。前記ヒートシンクが、外部ヒートシンク、集積化ヒートシンクおよび前記ICパッケージの金属層のうちの少なくとも2つに相当する組み合わされたヒートシンクである、請求項1に記載の電子デバイス。前記ヒートシンクが、前記ICパッケージの少なくとも一部を封止するモールド化合物と結合される、請求項1に記載の電子デバイス。電子デバイスを製造する方法であって、集積回路ICパッケージを基板に接続するステップと、ヒートシンクを前記ICパッケージと結合するステップと、電気伝導性を有し、前記ヒートシンクおよび前記ICパッケージに接触し、前記基板まで延びて前記ヒートシンクのためのアース接続を提供する膜を堆積させるステップとを含む方法。前記膜を堆積させることが、インクジェット噴霧器を用いて前記膜を堆積させるステップを含む、請求項6に記載の方法。前記膜を堆積させることが、中に導電性金属を有する電気伝導性ポリマーを堆積させるステップを含む、請求項7に記載の方法。前記膜を堆積させるステップが、オーバーモールド形ワイヤボンディングボールグリッドアレイBGAパッケージと、露出ダイオーバーモールド形フリップチップBGAパッケージと、集積化ヒートシンクフリップチップBGAパッケージと、ベアダイフリップチップBGAパッケージと、チップスケールBGAパッケージとからなる群から選択された前記ICパッケージの少なくとも一部に堆積させるステップを含む、請求項6に記載の方法。前記ヒートシンクを結合するステップが、外部ヒートシンク、集積化ヒートシンクおよび前記ICパッケージの金属層のうちの少なくとも2つに相当する、組み合わされたヒートシンクを結合するステップを含む、請求項6に記載の方法。本開示の実施形態は、電子デバイスならびに電子デバイスを製造する方法を提供する。一実施形態では、電子デバイスは、基板に取り付けられた集積回路ICパッケージと、そのICパッケージに取り付けられたヒートシンクとを含む。加えて、電子デバイスはまた、電気伝導性を有し、ヒートシンクおよびICパッケージに接触し、基板まで延びてヒートシンクのためのアース接続groundingconnectionを提供する膜を含む。別の態様では、本開示は、集積回路ICパッケージを基板に接続させることと、ヒートシンクをICパッケージと結合させることと、電気伝導性を有し、ヒートシンクおよびICパッケージに接触し、基板まで延びてヒートシンクのためのアース接触を提供する膜を堆積させることとを含む、電子デバイスを製造する方法を提供する。前述では、当業者が、以下の開示の詳細な説明をより良く理解できるように、本開示の好ましく代替的な特徴の大要を述べた。本開示の特許請求の範囲の主題を形成する、開示の付加的な特徴が、以下に説明される。当業者が、本開示の同じ目的を実施するために、他の構造を設計し改変するための基礎として、開示された概念および具体的な実施形態を容易に使用することができることを、当業者は理解するであろう。次に、本開示をより完全に理解するために、以下の説明が、添付の図面と共に参照される。集積回路ICパッケージの熱管理を改良するために、金属のヒートシンクが、ICパッケージまたはシリコンダイの表面に取り付けられる。ヒートシンクの設計および取付プロセスは、通常、電気的アースと両立しない。回路の速度が増大するにつれて、外部の電磁干渉が、デバイスの性能を悪化させる可能性がある。電磁干渉は、金属のヒートシンクをデバイスまたはボードのアースと電気的に接続することによって著しく低減されうる。多くのICパッケージにおけるコスト上の制約が、ICパッケージ自体の中に熱シンクを挿入することを許容せず、熱シンクが回路ボードレベルで作製されることに依存している。この場合では、電気的にアースされたヒートシンクをICパッケージに取り付けるために、より低コストの解決策が必要である。幾分かの付加的コストが許容されうるより高級なICパッケージに対して、現在、電気的にアースされたヒートシンクを提供する2つの技術が存在する。ワイヤボンディングをオーバーモールド形デバイスに対する第1の技術では、集積化ヒートシンクが、導電性エポキシを使用してICパッケージ基板に取り付けられてよい。不利なことに、そのような手法は、導電性エポキシは硬質で堅く、外部圧力がデバイスに加えられると、接触面積が小さいため、ヒートシンクの基板に対する界面において、増幅された応力を結果としてもたらすという事実に起因する問題をはらんできた。このことが、基板の亀裂および充填された部分の故障を引き起こす可能性がある。フリップチップデバイスに対するヒートシンクのための第2の技術では、ヒートシンクは、電気伝導性エポキシを介して基板に電気的にアースされうる。しかし、このことは通常、ICパッケージの側部当たり数ミリメートルの追加の余白の、相当な基板面積を必要とする。また、エポキシと基板のパッドとの間に、低い接触オームohmic界面すなわち接触抵抗界面が必要である。携帯電話およびノートブックコンピュータで使用されるような小さいフォームファクタのフリップチップデバイスでは、通常、寸法を増加し、それでもなお、それらが利用可能な小さな空間内に収めることは不可能である。加えて、そのようなアースされたリード線は、従来技術を使用すると問題となる。さらに、デバイスは縮小し続けるので、そのようなデバイスに対して利用可能な空間は、縮小し続ける。ボード空間の制約があまり厳しくない、より大きなデバイスに対して、オーム抵抗の低抵抗界面がまた、問題となる。これらのデバイスでは、基板の相互接続パッド例えばバンプは、通常、銅で作製され、ハンダがその上に載るかまたは載らない。銅もハンダも、空気にさらされると高い抵抗の、すなわち非オームのnonohmic酸化物を形成するので、銅およびハンダは、良好な界面接続として作用しない。この問題は、ヒートシンクをアースするパッド上に金などの貴金属を組み入れることによって回避される。基板上の2種類の表面仕上げに対する要件は、いずれも、基板の設計および製造プロセスのコストおよび複雑さを増す。それゆえ、これらの基板は、低コストでもなく、容易に製造されるものでもない。以下に説明する本開示の実施形態は、ヒートシンクに対する低コストの電気的アースを達成するための解決策を提供する。図1Aは、アースされない外部ヒートシンクを使用する、オーバーモールド形ワイヤボンディングボールグリッドアレイBGA集積回路ICパッケージ100の一例を示す電子デバイスを示す。オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ100は、基板110に接続された集積回路105を含み、回路が、集積回路105に接続される。基板110は、ひとまとまりのハンダボールに取り付けられ、ハンダボール110Aが代表的であり、集積回路105を、例えばプリント配線板PWBなど、別の基板とさらに接続するためにある。当然ながら、ハンダボール以外の接続が、他の実施形態において使用されてよい。ワイヤボンド120が代表的であるひとまとまりのワイヤボンドが、集積回路105を基板110に接続するために使用される。オーバーモールド化合物125が、図示のように、集積回路105およびワイヤボンド120を封止するencapsulateために使用される。外部ヒートシンク130が、熱界面材料135を介してオーバーモールド化合物125と結合され、それにより集積回路105と結合される。外部ヒートシンク130は、EMI源となり、それにより、集積回路105に低下した性能をもたらす傾向がある。図1Bは、本開示の原理によって構築されたアース接続を有する外部ヒートシンクを使用する、オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ150の一実施形態を示す電子デバイスを示す。図示された実施形態では、オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ150は、図示のように、オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ100の構造に相当する構造を使用する。膜160A、160Bは電気伝導性を有し、オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ150の外部ヒートシンク155と接触し、基板165まで延びて外部ヒートシンク155のためのアース接続を提供する。この場合では、膜160A、160Bは、10nmと1mmとの間の厚さを有する材料として定義されうる。より有利には、膜160A、160Bは、500nmと0.1mmとの間であってよい。図示された実施形態では、膜160A、160Bは電気伝導性のポリマーを含み、電気伝導性のポリマーは、金属又は炭素などの導電性の第二相secondphase材料を含む。導電性金属は、高導電性アース接続が必要とされる場合は、通常、銀又は銀化合物であってよい。あるいは、より低い導電性のアース接続が望ましい場合は、別の金属が選択され使用されてよい。一実施形態では、膜160A、160Bの電気伝導率は、1センチメートル当たり約100モーmhoに相当する。例えば、インクジェット噴霧器を用いて膜160A、160Bを堆積させることによって、外部ヒートシンク155を基板165上のアース点に電気的に接続することで、現在の方法に対して低コストの電気的にアースされたヒートシンクを提供することができる。図2Aは、アースされない集積化ヒートシンクを使用する、オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ200の一例を示す電子デバイスを示す。オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ200は、集積回路205に接続された回路を有する基板210に接続された集積回路205を含む。基板210はひとまとまりのハンダボールに取り付けられ、ハンダボール210Aが代表的であり、前に説明したように、集積回路205のさらなる接続のためにある。ワイヤボンド220が代表的であるひとまとまりのワイヤボンドが、集積回路205を基板210に接続するために使用される。オーバーモールド化合物225は、図示のように、集積回路205およびワイヤボンド220を封止するために使用される。集積化ヒートシンク240は、オーバーモールド化合物225と直接結合され、それにより、集積回路205と結合される。集積化ヒートシンク240は、EMI源となり、それにより、前に説明したように、集積回路205に低下した性能をもたらす傾向がある。図2Bは、本開示の原理によって構築されたアース接続を有する単一のヒートシンクを使用する、オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ250の一実施形態を示す電子デバイスを示す。図示された実施形態では、オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ250は、図示のように、オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ200の構造に相当する構造を使用する。膜260A、260Bは電気伝導性を有し、オーバーモールド形ワイヤボンディングのBGAICパッケージ250の集積化ヒートシンク255に接触し、基板265まで延びて集積化ヒートシンク255のためのアース接続を提供する。膜260A、260Bは、上の図1Bに対して論じられたアース特性に匹敵するアース特性を提供する。図2Cは、本開示の原理によって構築されたアース接続を有する組み合わされたヒートシンクを使用する、オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ270の一実施形態を示す電子デバイスを示す。図示された実施形態では、オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ270は、図示のように、オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ200の基本構造に相当する基本構造を使用する。オーバーモールド形ワイヤボンディングBGAICパッケージ270は、熱界面材料275を介して集積化ヒートシンク280と熱的に結合された外部ヒートシンク272をさらに含む。膜285A、285Bは電気伝導性を有し、外部ヒートシンク272および集積化ヒートシンク280に接触し、基板265まで延びて、組み合わされた外部ヒートシンク272および集積化ヒートシンク280のためのアース接続を提供する。膜260A、260Bは、組み合わされた外部ヒートシンク272および集積化ヒートシンク280のために、上の図1Bに対して論じられたアース特性に匹敵するアース特性を提供する。図3Aは、アースされない金属層ヒートシンクを使用する、露出ダイオーバーモールド形フリップチップBGAICパッケージ300の一例を示す電子デバイスを示す。露出ダイオーバーモールド形フリップチップBGAICパッケージ300は、基板310に接続された集積回路305を含む。基板310は、代表的にハンダボール310Aとして示され、集積回路305のさらなる接続のためのひとまとまりのハンダボールに取り付けられる。バンプ220が代表的であるひとまとまりのバンプが、集積回路305を基板310に接続するために使用される。オーバーモールド化合物325が、図示のように、集積回路305を封止するために使用される。金属層ヒートシンク345が、集積回路305と直接結合され、単一のヒートシンクを形成する。金属層ヒートシンク345は、前に説明したように、EMI源となり、それにより、集積回路305に対して低下した性能をもたらす傾向がある。図3Bは、本開示の原理によって構築されたアース接続を有する単一のヒートシンクを使用する、露出ダイオーバーモールド形フリップチップBGAICパッケージ350の一実施形態を示す電子デバイスを示す。図示された実施形態では、露出ダイオーバーモールド形フリップチップBGAICパッケージ350は、図示のように、露出ダイオーバーモールド形フリップチップBGAICパッケージ300の構造に相当する構造を使用する。膜355A1、355A2、355B1、355B2は電気伝導性を有し、露出ダイオーバーモールド形フリップチップBGAICパッケージ350の金属層ヒートシンク352に接触し、基板358まで延びて金属層ヒートシンク352のためのアース接続を提供する。膜355A1、355A2、355B1、355B2は、上の図1Bに対して論じられたアース特性に匹敵するアース特性を提供する。図3Cは、本開示の原理によって構築されたアース接続を有する組み合わされたヒートシンクを使用する、露出ダイオーバーモールド形フリップチップBGAICパッケージ360の一実施形態を示す電子デバイスを示す。図示された実施形態では、露出ダイオーバーモールド形フリップチップBGAICパッケージ360は、図示のように、露出ダイオーバーモールド形フリップチップBGAICパッケージ300の基本構造に相当する基本構造を使用する。露出ダイオーバーモールド形フリップチップBGAICパッケージ360は、金属層ヒートシンク372と直接結合された外部ヒートシンク370をさらに含む。膜385A1、385A2、385B1、385B2は電気伝導性を有し、外部ヒートシンク370および金属層ヒートシンク372に接触し、基板390まで延びて、組み合わされた、外部ヒートシンク370および金属層ヒートシンク372のためのアース接続を提供する。膜385A1、385A2、385B1、385B2は、上の図1Bに対して論じられたアース特性に匹敵するアース特性を提供する。図4Aは、アースされないヒートシンクを使用する、集積化ヒートシンクフリップチップのBGAICパッケージ400の一例を示す電子デバイスを示す。集積化ヒートシンクフリップチップのBGAICパッケージ400は、基板410に接続された集積回路405を含む。集積化ヒートシンク440は、熱界面材料435を介して集積回路405と結合され、単一のヒートシンクを形成する。集積化ヒートシンク440は、前のように、EMI源となる傾向がある。図4Bは、本開示の原理によって構築されたアース接続を有する単一のヒートシンクを使用する、集積化ヒートシンクフリップチップのBGAICパッケージ450の一実施形態を示す電子デバイスを示す。図示された実施形態では、集積化ヒートシンクフリップチップのBGAICパッケージ450は、図示のように、集積化ヒートシンクフリップチップのBGAICパッケージ400の構造に相当する構造を使用する。膜455A、455Bは電気伝導性を有し、集積化ヒートシンクフリップチップのBGAICパッケージ400の集積化ヒートシンク452に接触し、基板458まで延びて集積化ヒートシンク452のためのアース接続を提供する。膜455A、455Bは、上の図1Bに対して論じられたアース特性に匹敵するアース特性を提供する。図4Cは、本開示の原理によって構築されたアース接続を有する組み合わされたヒートシンクを使用する、集積化ヒートシンクフリップチップのBGAICパッケージ460の一実施形態を示す電子デバイスを示す。図示された実施形態では、集積化ヒートシンクフリップチップのBGAICパッケージ460は、図示のように、集積化ヒートシンクフリップチップのBGAICパッケージ400の基本構造に相当する基本構造を使用する。集積化ヒートシンクフリップチップのBGAICパッケージ460は、さらに外部ヒートシンク470を含み、これは熱界面材料475を介して集積化ヒートシンク478と結合され、組み合わされた、外部ヒートシンク470および集積化ヒートシンク478を形成する。膜485A、485Bは電気伝導性を有し、外部ヒートシンク470および集積化ヒートシンク478に接触し、基板490まで延びて、組み合わされた、外部ヒートシンク470および集積化ヒートシンク478のためのアース接続を提供する。膜485A、485Bは、上の図1Bに対して論じられたアース特性に匹敵するアース特性を提供する。図5Aは、アースされないヒートシンクを使用するベアダイフリップチップのBGAICパッケージ500の一例を示す電子デバイスを示す。ベアダイフリップチップBGAICパッケージ500は、基板510に接続された集積回路505を含む。金属層ヒートシンク545は集積回路505と直接結合され、単一のヒートシンクを形成する。金属層ヒートシンク545は、前のように、EMI源となる傾向がある。図5Bは、本開示の原理によって構築されたアース接続を有する単一のヒートシンクを使用する、ベアダイフリップチップのBGAICパッケージ550の一実施形態を示す電子デバイスを示す。図示された実施形態では、ベアダイフリップチップのBGAICパッケージ550は、図示のように、ベアダイフリップチップのBGAICパッケージ500の構造に相当する構造を使用する。膜555A、555Bは電気伝導性を有し、ベアダイフリップチップのBGAICパッケージ550の金属層ヒートシンク552に接触し、基板557まで延びて金属層ヒートシンク552のためのアース接続を提供する。膜555A、555Bは、上の図1Bに対して論じられたアース特性に匹敵するアース特性を提供する。図5Cは、本開示の原理によって構築されたアース接続を有する組み合わされたヒートシンクを使用する、ベアダイフリップチップのBGAICパッケージ560の一実施形態を示す電子デバイスを示す。図示された実施形態では、ベアダイフリップチップのBGAICパッケージ560は、図示のように、ベアダイフリップチップのBGAICパッケージ500の基本構造に相当する基本構造を使用する。ベアダイフリップチップのBGAICパッケージ560は、外部ヒートシンク570をさらに含み、これは金属層ヒートシンク578と直接結合され、組み合わされた、外部ヒートシンク570および金属層ヒートシンク578を形成する。膜585A、585Bは電気伝導性を有し、外部ヒートシンク570および金属層ヒートシンク578と接触し、基板590まで延びて、組み合わされた、外部ヒートシンク570および金属層ヒートシンク578のためのアース接続を提供する。膜585A、585Bは、上の図1Bに対して論じられたアース特性に匹敵するアース特性を提供する。図6Aは、アースされないヒートシンクを使用する、チップスケールBGAICパッケージ600の一例を示す電子デバイスを示す。チップスケールBGAICパッケージ600は、プリント配線板PWB基板615に接続された集積回路605を含む。金属層ヒートシンク645は集積回路605と直接結合され、単一のヒートシンクを形成する。金属層ヒートシンク645は、前のように、EMI源となる傾向がある。図6Bは、本開示の原理によって構築されたアース接続を有する単一のヒートシンクを使用する、チップスケールBGAICパッケージ650の一実施形態を示す電子デバイスを示す。図示された実施形態では、チップスケールBGAICパッケージ650は、図示のように、チップスケールBGAICパッケージ600の構造に相当する構造を使用する。膜655A、655Bは電気伝導性を有し、チップスケールBGAICパッケージ650の金属層ヒートシンク652と接触し、PWB基板658まで延びて金属層ヒートシンク652のためのアース接続を提供する。膜655A、655Bは、上の図1Bに対して論じられたアース特性に匹敵するアース特性を提供する。図6Cは、本開示の原理によって構築されたアース接続を有する組み合わされたヒートシンクを使用する、チップスケールBGAICパッケージ660の一実施形態を示す電子デバイスを示す。図示された実施形態では、チップスケールBGAICパッケージ660は、図示のように、チップスケールBGAICパッケージ600の基本構造に相当する基本構造を使用する。チップスケールBGAICパッケージ660は、外部ヒートシンク670をさらに含み、これは金属層ヒートシンク678と直接結合され、組み合わされた、外部ヒートシンク670および金属層ヒートシンク678を形成する。膜685A、685Bは電気伝導性を有し、外部ヒートシンク670および金属層ヒートシンク678と接触し、PWB基板690まで延びて、組み合わされた、外部ヒートシンク670および金属層ヒートシンク678のためのアース接続を提供する。膜685A、685Bは、上の図1Bに対して論じられたアース特性に匹敵するアース特性を提供する。図7は、本開示の原理によって実行される、全体的に700で示される、電子デバイスを製造する方法の一実施形態の流れ図を示す。方法700は、ステップ705で始まる。続いて、ステップ710で集積回路ICパッケージが基板に接続され、ステップ715でヒートシンクがICパッケージと結合される。一実施形態では、ヒートシンクを結合することは、集積化ヒートシンク、外部ヒートシンクまたはICパッケージの金属層に相当する単一のヒートシンクを結合することを含む。別の実施形態では、ヒートシンクを結合することは、外部ヒートシンク、集積化ヒートシンクおよびICパッケージの金属層のうちの少なくとも2つに相当する、組み合わされたヒートシンクを結合することを含む。さらに別の実施形態では、ヒートシンクを結合することは、金属層をICパッケージと直接結合することを含む。他の実施形態では、ヒートシンクを結合することは、ヒートシンクを、少なくとも部分的にはICパッケージを封止するモールド化合物と結合することを含む。さらに別の実施形態では、ヒートシンクを結合することは、ヒートシンクとICパッケージとの間に熱界面材料を設置することを含む。ステップ720で、電気伝導性を有し、ヒートシンクおよびICパッケージに接触し、基板に延びる膜が堆積され、ヒートシンクのためのアース接続を提供する。一実施形態では、膜を堆積させることは、中に導電性金属を有する電気伝導性ポリマーを堆積させることを含む。別の実施形態では、膜を堆積させることは、1センチメートル当たり約100モーに相当する電気伝導率を含む。さらに別の実施形態では、膜を堆積させることは、インクジェット噴霧器を用いて膜を堆積させることを含む。さらに別の実施形態では、膜を堆積させることは、オーバーモールド形ワイヤボンディングボールグリッドアレイBGAパッケージと、露出ダイオーバーモールド形フリップチップBGAパッケージと、集積化ヒートシンクフリップチップBGAパッケージと、ベアダイフリップチップBGAパッケージと、チップスケールBGAパッケージとからなる群から選択されたICパッケージの少なくとも一部に堆積させることを含む。方法700は、ステップ725で終わる。本明細書で開示された方法が、特定の順序で実施される特定のステップを参照して説明され示されたが、これらのステップが、本開示の教示を逸脱することなく同等の方法を形成するために組み合わされ、さらに分割され、または順番を変えられてよいことが理解されるであろう。したがって、本明細書に明確に示されない場合は、ステップの順序または組分けが、本開示を限定することはない。説明された例示的実施形態に対して、他のさらなる追加、削除、代替および改変が、本開示から逸脱することなくなされうることを、本開示に関連する当業者は理解するであろう。