有機EL素子を有する複数の発光画素を備えた有機EL表示装置の検査方法であって、前記複数の発光画素に対し、逆バイアス電圧を印加した状態で、所定の時間、前記発光画素を撮像する第1のステップと、前記第1のステップにおいて、閾値強度以上のリーク発光をした発光点を特定する第2のステップと、前記第1のステップ及び前記第2のステップを複数回繰り返した後、前記複数回の第2のステップのうちの2回以上のステップで同一の前記発光点が特定された場合に、当該発光点を含む発光画素を欠陥画素と判定する第3のステップとを含む有機EL表示装置の検査方法。前記第1のステップの、前記発光画素を撮像する前記所定の時間においては、前記逆バイアス電圧の電圧値を一定にする請求項1に記載の有機EL表示装置の検査方法。前記複数回の第1のステップのうちの最初の第1のステップの開始から、最後の第1のステップの終了まで、前記発光画素に印加する前記逆バイアス電圧の電圧値を変化させない請求項2に記載の有機EL表示装置の検査方法。前記第1のステップにおいては、前記発光画素への前記逆バイアス電圧の印加と、前記発光画素の撮像とを同期させて行う請求項1または2に記載の有機EL表示装置の検査方法。前記第1のステップの、前記発光画素を撮像する前記所定の時間は、5~60秒である請求項1~4のうちいずれか1項に記載の有機EL表示装置の検査方法。前記第1のステップ及び第2のステップを、それぞれ3~10回繰り返す請求項1~5のうちいずれか1項に記載の有機EL表示装置の検査方法。前記第1のステップでは、冷却型CCDカメラにより撮像し、前記第2のステップでは、前記第1のステップにおける撮像により得られた画像に基づいてリーク発光した発光点を特定する請求項1~6のうちいずれか1項に記載の有機EL表示装置の検査方法。前記複数回の第2のステップのうちの2回以上のステップで同一の前記発光点が特定され、前記複数回の第2のステップのうちの最後のステップにおいて前記発光点が特定されなかった場合に、前記第3のステップにおいては、当該発光点を含む発光画素を欠陥画素と判定する請求項1~7のうちいずれか1項に記載の有機EL表示装置の検査方法。前記閾値強度を、前記複数の発光画素の平均輝度に基づいて決定する請求項1~8のうちいずれか1項に記載の有機EL表示装置の検査方法。前記第1のステップでは、前記複数の発光画素全体からの同時発光を撮像することにより前記複数の発光画素についての平均輝度をノイズ平均値として算出し、前記第2のステップでは、前記複数の発光画素、または、前記複数の画素の一部から発光される光を撮像して得られた画像から、前記ノイズ平均値に予め定められたオフセット値が加算された値である前記閾値強度以上の発光をした発光点を、リーク発光した発光点と特定する請求項1~9のうちいずれか1項に記載の有機EL表示装置の検査方法。有機EL素子を有する複数の発光画素を備えた有機EL表示装置の製造方法であって、前記複数の発光画素に対し、逆バイアス電圧を印加した状態で、所定の時間、前記発光画素を撮像する第1のステップと、前記第1のステップにおいて、閾値強度以上のリーク発光をした発光点を特定する第2のステップと、前記第1のステップ及び前記第2のステップを複数回繰り返した後、前記複数回の第2のステップのうちの2回以上のステップで同一の前記発光点が特定された場合に、当該発光点を含む発光画素を欠陥画素と判定する第3のステップと、前記第3のステップにおいて欠陥画素と判定された発光画素について、リペアを施す第4のステップとを含む有機EL表示装置の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載された欠陥部の検出方法では、逆バイアス電圧を印加することによる発光状態は時間経過と共に変化するため、撮像タイミングによっては検出できない発光が存在し、リーク発光が生じている画素欠陥が流出してしまう。すなわち、本願発明者が新たに発見した知見によれば、欠陥部のなかには、逆バイアス電圧の印加を開始した初期においては、リーク発光が生じるものの、やがてリーク発光が消失してしまうようなものや、反対に、逆バイアス電圧の印加を開始した初期においては、リーク発光が生じないものの、やがてリーク発光が生じるようなものも存在するため、特許文献1に記載された検出方法では、かかる欠陥部を特定することができない。本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、逆バイアス電圧を印加することによる発光状態が時間経過と共に変化しても、画素欠陥が流出しない有機EL表示装置の検査方法及び製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る有機EL表示装置の検査方法は、有機EL素子を有する複数の発光画素を備えた有機EL表示装置の検査方法であって、前記複数の発光画素に対し、逆バイアス電圧を印加した状態で、所定の時間、前記発光画素を撮像する第1のステップと、前記第1のステップにおいて、閾値強度以上のリーク発光をした発光点を特定する第2のステップと、前記第1のステップ及び前記第2のステップを複数回繰り返した後、前記複数回の第2のステップのうちの2回以上のステップで同一の前記発光点が特定された場合に、当該発光点を含む発光画素を欠陥画素と判定する第3のステップとを含むことを特徴とする。本発明の有機EL表示装置の検査方法及び製造方法によれば、逆バイアス電圧印加によるリーク発光が、初期のみ生じるものや、点滅するもの、あるいは後発的に生じるものであっても、欠陥画素と判定することができるので、欠陥画素の流出を防ぐことができ、高精度に有機EL表示装置を製造すること、及び、高品質の有機EL表示装置を提供することが可能となる。本発明の一態様に係る有機EL表示装置の検査方法は、有機EL素子を有する複数の発光画素を備えた有機EL表示装置の検査方法であって、前記複数の発光画素に対し、逆バイアス電圧を印加した状態で、所定の時間、前記発光画素を撮像する第1のステップと、前記第1のステップにおいて、閾値強度以上のリーク発光をした発光点を特定する第2のステップと、前記第1のステップ及び前記第2のステップを複数回繰り返した後、前記複数回の第2のステップのうちの2回以上のステップで同一の前記発光点が特定された場合に、当該発光点を含む発光画素を欠陥画素と判定する第3のステップとを含むものである。従来、有機EL素子に逆バイアス電圧を印加し、完全遮光状態でリーク発光を撮像することによりショートなどの欠陥を有する発光画素が検出されている。しかしながら、撮像する発光が時間経過と共に変化するため撮像タイミングによっては検出できない画素欠陥が存在する。本態様によれば、複数回の第2のステップで特定されたリーク発光点を含む発光画素を欠陥画素と判定するので、点滅状態の発光や後発的な発光も含めて撮像することができる。また、検査時におけるノイズを排除し、欠陥画素の検出精度が向上する。つまり、複数回の撮像を所定時間中繰返し行い、それぞれの撮像画像から発光点の座標及び発光強度を抽出し、それぞれを比較し、複数回同じ発光が得られている発光点は欠陥位置と判断し、1回のみの発光が得られている発光点は正常ノイズと判断する。よって、欠陥の流出を防ぐことができ、高い信頼性の有機EL表示装置を製造することが可能となる。また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置の検査方法は、前記第1のステップの、前記発光画素を撮像する前記所定の時間においては、前記逆バイアス電圧の電圧値を一定にすることが好ましい。本態様によれば、撮像する所定の時間において、発光素子に印加される逆バイアス電圧の電圧値が変動しないため、リーク発光を確実にとらえることができる。なお、本発明においては、順バイアス電圧と逆バイアス電圧が交互に印加されるような、交流電圧を用いた電圧の印加は行わない。また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置の検査方法では、前記複数回の第1のステップのうちの最初の第1のステップの開始から、最後の第1のステップの終了まで、前記発光画素に印加する前記逆バイアス電圧の電圧値を変化させないものとすることができる。また、この代わりに、前記第1のステップにおいては、前記発光画素への前記逆バイアス電圧の印加と、前記発光画素の撮像とを同期させて行ってもよい。また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置の検査方法は、前記第1のステップの、前記発光画素を撮像する前記所定の時間は、5~60秒であることが好ましい。本態様によれば、適度な検出期間内にて高精度な欠陥画素検出を実現することが可能となる。上記期間が長すぎると、欠陥画素からのリーク発光による輝度値が平均化され、またノイズレベルが上昇してS/N比が小さくなってしまう。また、上記期間が短すぎると、欠陥画素からのリーク発光による輝度値の絶対値が小さく十分な信号強度が得られない。また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置の検査方法は、前記第1のステップ及び第2のステップを、それぞれ3~10回繰り返すことが好ましい。本態様によれば、適度な検出期間にて高精度な欠陥画素検出を実現することが可能となる。上記繰り返し回数が2回の場合、全2回においてリーク発光点と特定された発光点を有する発光画素のみが欠陥画素と判定されることになり、リーク発光が経時変化する発光点を有する発光画素を正常画素として流出させる確率が非常に高くなる。一方、上記繰り返し回数が11回以上の場合、検出時間が長くなるので、検出工程を製造工程の一環とした場合には製造コストが増加するので適切ではない。また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置の検査方法は、前記第1のステップでは、冷却型CCDカメラにより撮像し、前記第2のステップでは、前記第1のステップにおける撮像により得られた画像に基づいてリーク発光した発光点を特定することが好ましい。本態様によれば、微弱な有機EL素子のリーク発光の撮像においても、所定のS/N比を確保することができる。よって、検査時におけるノイズを排除し、欠陥画素の検出精度が向上する。また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置の検査方法は、前記複数回の第2のステップのうちの2回以上のステップで同一の前記発光点が特定され、前記複数回の第2のステップのうちの最後のステップにおいて前記発光点が特定されなかった場合に、前記第3のステップにおいては、当該発光点を含む発光画素を欠陥画素と判定してもよい。また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置の検査方法は、前記閾値強度を、前記複数の発光画素の平均輝度に基づいて決定してもよい。また、本発明の一態様に係る有機EL表示装置の検査方法は、前記第1のステップでは、前記複数の発光画素全体からの同時発光を撮像することにより前記複数の発光画素についての平均輝度をノイズ平均値として算出し、前記第2のステップでは、前記複数の発光画素、または、前記複数の画素の一部から発光される光を撮像して得られた画像から、前記ノイズ平均値に予め定められたオフセット値が加算された値である前記閾値強度以上の発光をした発光点を、リーク発光した発光点と特定するものである。これらの態様によれば、微弱な有機EL素子のリーク発光の撮像において、撮像状況に応じてノイズレベルを設定できる。また、このノイズレベルと、任意のオフセット値とから、リーク発光点を特定するための閾値強度を設定できるので、撮像状況やリーク発光状況に対応した高精度な欠陥画素検出を実現することが可能となる。なお、本発明は、このような特徴的な手段を備える有機EL表示装置の検査方法として実現することができるだけでなく、有機EL表示装置の製造方法として実現することができる。実施の形態本実施の形態における有機EL表示装置の検査方法は、複数の発光画素に対し、逆バイアス電圧を印加した状態で、所定の時間、前記発光画素を撮像する第1のステップと、第1のステップにおいて、閾値強度以上のリーク発光をした発光点を特定する第2のステップと、第1のステップ及び第2のステップを複数回繰り返した後、2回以上の第2のステップで同一の発光点が特定された場合に、当該発光点を含む発光画素を欠陥画素と判定する第3のステップとを含むものである。これにより、欠陥画素の流出を防ぐことができ、高い信頼性の有機EL表示装置を製造することが可能となる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。まず、本発明の検査方法の対象となる有機EL表示装置の構成について説明する。図1は、実施の形態に係る有機EL表示装置の構成を示す機能ブロック図である。同図に記載された有機EL表示装置1は、制御部11と、表示部12と、データ線駆動回路13と、走査線駆動回路14とを備える。制御部11は、外部から入力される映像信号を発光画素の発光を決定する輝度信号に変換して走査順にデータ線駆動回路13に出力する。また、制御部11は、データ線駆動回路13から出力される輝度信号を出力するタイミング、及び、走査線駆動回路14から出力される走査信号の出力タイミングを制御する。データ線駆動回路13は、各データ線へ、輝度信号を出力することにより、映像信号に対応した発光画素の発光を実現する。走査線駆動回路14は、各走査線へ走査信号を出力することにより、発光画素の有する回路素子を所定の駆動タイミングで駆動する。表示部12は、複数の発光画素がマトリクス状に配置されている。複数の発光画素のそれぞれは、データ線駆動回路13からの輝度信号、及び、走査線駆動回路14からの走査信号に応じて発光する。図2Aは、有機EL表示装置の有する正常な発光画素の回路構成図である。同図に記載された発光画素15は、有機EL素子16と、駆動トランジスタ17と、選択トランジスタ18と、コンデンサ19とを備える。また、発光画素列ごとにデータ線131が配置され、発光画素行ごとに走査線141が配置され、全発光画素に共通して正電源線151及び負電源線152が配置されている。選択トランジスタ18のドレイン電極はデータ線131に、選択トランジスタ18のゲート電極は走査線141に、さらに、選択トランジスタ18のソース電極は、コンデンサ19及び駆動トランジスタ17のゲート電極に接続されている。また、駆動トランジスタ17のドレイン電極は正電源線151に接続され、ソース電極は有機EL素子16のアノードに接続されている。ここで、有機EL素子16の構造について説明する。図3は、実施の形態に係る発光画素の構造断面図である。同図に記載された発光画素15は、基板100と、駆動回路層101と、発光層102と、透明封止膜110とを備える。基板100は、例えば、ガラス基板である。また、基板100は、樹脂からなるフレキシブル基板を用いることも可能である。基板100は、駆動回路層101とともに、薄膜トランジスタTFT基板を構成する。なお、図3に記載されたようなトップエミッション構造の場合には、基板100は透明である必要はないので、不透明の基板、例えば、シリコン基板を用いることもできる。駆動回路層101は、図示していないが、基板100の上に形成された駆動トランジスタ17と、コンデンサ19と、選択トランジスタ18とを備える。駆動回路層101は、平坦化膜により、その上面の平担性が確保されている。発光層102は、陽極161と、正孔注入層162と、正孔輸送層163と、有機発光層164と、バンク層165と、電子注入層166と、透明陰極167とを備える。図3に記載された発光画素15は、トップエミッション構造を有している。つまり、発光層102に電圧を印加すると、有機発光層164で光が生じ、透明陰極167及び透明封止膜110を通じて光が上方に出射する。また、有機発光層164で生じた光のうち下方に向かったものは、陽極161で反射され、透明陰極167及び透明封止膜110を通じて光が上方に出射する。陽極161は、駆動回路層101の平坦化膜の表面上に積層され、透明陰極167に対して正の電圧を発光層102に印加する電極である。正孔注入層162は、陽極161の表面上に形成され、正孔を安定的に、又は正孔の生成を補助して、有機発光層164へ正孔を注入する機能を有する。これにより、発光層102の駆動電圧が低電圧化され、正孔注入の安定化により素子が長寿命化される。正孔輸送層163は、正孔注入層162の表面上に形成され、正孔注入層162から注入された正孔を有機発光層164内へ効率良く輸送し、有機発光層164と正孔注入層162との界面での励起子の失活防止をし、さらには電子をブロックする機能を有する。なお、正孔輸送層163は、その隣接層である正孔注入層162や有機発光層164の材料により、省略される場合がある。有機発光層164は、正孔輸送層163の表面上に形成され、正孔と電子が注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層164としては、低分子有機材料だけでなく、インクジェットやスピンコートのような湿式製膜法で製膜できる発光性の高分子有機材料も適用される。バンク層165は、正孔注入層162の表面上に形成され、湿式製膜法を用いて形成される正孔輸送層163及び有機発光層164を所定の領域に形成するバンクとしての機能を有する。電子注入層166は、有機発光層164の上に形成され、有機発光層164への電子注入の障壁を低減し発光層102の駆動電圧を低電圧化すること、励起子失活を抑制する機能を有する。これにより、電子注入を安定化し素子を長寿命化すること、透明陰極167との密着を強化し発光面の均一性を向上させ素子欠陥を減少させることが可能となる。透明陰極167は、電子注入層166の表面上に積層され、陽極161に対して負の電圧を発光層102に印加し、電子を素子内特に有機発光層164に注入する機能を有する。透明封止膜110は、透明陰極167の表面上に形成され、水分から素子を保護する機能を有する。また、透明封止膜110は、透明であることが要求される。以上説明した発光画素15の構造により、有機EL表示装置1は、アクティブマトリクス型の表示装置としての機能を有する。上記構成において、走査線141に走査信号が入力され、選択トランジスタ18をオン状態にすると、データ線131を介して供給された、発光階調に対応した輝度信号がコンデンサ19に書き込まれる。そして、コンデンサ19に書き込まれた保持電圧は、1フレーム期間を通じて保持され、この保持電圧により、駆動トランジスタ17のコンダクタンスがアナログ的に変化し、発光階調に対応した駆動電流が有機EL素子16のアノードに供給される。さらに、有機EL素子16のアノードに供給された駆動電流は、有機EL素子16のカソードへと流れる。これにより、有機EL素子16が発光し画像として表示される。このとき、有機EL素子16のアノードには、順バイアス電圧が印加されていることになる。なお、上述した発光画素の回路構成は、図2Aに記載された回路構成に限定されない。選択トランジスタ18、駆動トランジスタ17は、輝度信号の電圧値に応じた駆動電流を有機EL素子16に流すために必要な回路構成要素であるが、上述した形態に限定されない。また、上述した回路構成要素に、別の回路構成要素が付加される場合も、本発明に係る有機EL表示装置の発光画素回路に含まれる。アクティブマトリクス型の有機EL表示装置では、発光画素の構造が微細化、薄型化されるほど、また、発光画素数が増加するほど、微細加工を必要とする製造工程において、有機EL素子のアノード-カソード間の短絡や開放といった電気的な不具合が発生してしまう。図2Bは、有機EL表示装置の有する欠陥画素の回路構成図である。同図に記載された回路構成は、有機EL素子のアノード-カソード間が短絡している状態を表している。つまり、図2Aに記載された回路構成と比較して、有機EL素子46のアノードとカソードとの間に電気的導通状態を実現する短絡成分47が並列接続されている点が異なる。ここで、有機EL素子46が短絡している状態とは、短絡成分47の抵抗値が低抵抗状態である場合に、有機EL素子46は短絡状態であると定義する。有機EL素子46のアノード-カソード間が短絡状態である場合の一例としては、図3に示された有機発光層164の膜厚の不均一性により、有機発光層164を挟む正孔輸送層163と電子注入層166とが有機発光層164内に生じたピンホールを介して点接触している場合などが想定される。図2Bに示された欠陥画素に、信号電圧に対応した順方向バイアス電圧が印加されても、短絡成分47を短絡電流が流れてしまうため、有機EL素子46には順方向バイアス電圧に対応した電流が流れず正常発光しない。有機EL表示パネルの表示品質を確保するためには、短絡成分47を有する欠陥画素の流出を防止し、当該欠陥画素を確実に上記リペア工程へまわすことが必要である。短絡成分47を除去するリペア工程として、例えば、短絡成分47の存在箇所にレーザーを照射することが挙げられる。これにより、レーザーリペアされた画素に順バイアス電圧をかけて通常発光させた場合、リペアされた部分は黒点となるが、その他の発光領域において正常発光がなされる。上記欠陥画素を検出する方法としては、有機EL素子に逆バイアス電圧を印加してリーク発光する発光点を検出する方法が挙げられる。正常発光画素では、上記逆バイアス電圧により有機EL素子に電流は流れないが、短絡成分47を有する有機EL素子では、リーク電流によるリーク発光が短絡箇所で観測される。従来の方法では、このリーク発光状態を撮像して得られた画像により、発光画素中のリーク発光点を特定する。しかしながら、逆バイアス電圧を印加することによるリーク発光状態は、時間経過と共に変化するため、撮像タイミングによっては検出できない発光が存在し、リーク発光が生じている欠陥画素が、リペア工程へまわされずに、そのまま流出してしまう。本発明の有機EL表示装置の検査方法では、逆バイアス電圧を印加することによる発光状態が時間経過と共に変化しても、画素欠陥が流出することを防止することが可能となる。次に、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置1の検査方法について説明する。図4は、実施の形態に係る有機EL表示装置の検査システムのブロック構成図である。同図に記載された検査システムは、制御装置20と、モニタ21と、ソースメータ22と、XYステージコントローラ23と、XYステージ24と、CCDカメラ25とを備える。また、同図には、有機EL表示装置1の有する表示部12の発光状態をCCDカメラ25で撮像している様子が描かれている。制御装置20は、ソースメータ22に対し、表示部12の有する各発光画素15へ、予め定められた期間に逆バイアス電圧を印加させる。また、制御装置20は、XYステージコントローラ23に対し、CCDカメラ25が撮像対象となる発光画素の発光状態を撮像できるよう、XYステージ24を移動させる。また、制御装置20は、CCDカメラ25に対し、上記期間内に撮像対象となる発光画素の発光状態を撮像させ、CCDカメラ25から撮像画像を取得する。また、制御装置20は、上記期間内に、全ての発光画素15から、または、複数の発光画素15から発光される光を撮像して得られた画像から、リーク発光した発光点を特定する。また、制御装置20は、上述した逆バイアス電圧印加及び上記発光点の特定という工程を複数回実行させ、2回以上の当該工程で同一の発光点が特定された場合に、当該発光点を含む発光画素を欠陥画素と判定する。また、制御装置20は、判定した欠陥画素の情報をモニタ21へ表示する。図5は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置の検査方法を説明する動作フローチャートである。本検査方法では、有機EL表示装置の有する発光画素のうち、有機EL素子が短絡状態となっている欠陥画素を高精度に特定する。最初に、制御装置20は、検査対象の発光画素15に所定の逆バイアス電圧を印加するS01。具体的には、制御装置20は、ソースメータ22から、検査対象の発光画素15へ所定の時間、一定の逆バイアス電圧を印加させる。これにより、撮像する所定の時間において、有機EL素子16に印加される逆バイアス電圧の電圧値が変動しないため、リーク発光を確実にとらえることができる。なお、本発明においては、順バイアス電圧と逆バイアス電圧が交互に印加されるような、交流電圧を用いた電圧の印加は行わない。例えば、表示部12の全ての駆動トランジスタ17のドレイン電極、全ての有機EL素子16のカソード電極、全ての駆動トランジスタ17のゲート電極をそれぞれ束ねた共通端子をパネル端部に設け、当該各共通端子とソースメータ22とを端子接続する。これにより、有機EL素子16のカソード電極Kに15V~25Vの電圧を印加し、駆動トランジスタ17のドレイン電極DをGND電位とする。また、この間には、有機EL素子の逆方向リーク電流によるリーク発光の有無を観測するため、駆動トランジスタ17がオン状態であることが必要である。よって、この間には、駆動トランジスタ17のゲート電極Gには、例えば、0Vを印加する。また、本方式で有機EL素子のリーク発光を検出する場合、駆動トランジスタ17が飽和領域である条件下で、逆バイアス電圧が有機EL素子16に印加されることが好ましい。これにより、リーク発光の検出において、駆動トランジスタ17の特性バラツキの影響を抑えることができる。また、例えば、表示部12の全ての有機EL素子16のカソード電極、及びアノード電極をそれぞれ束ねた共通端子をパネル端部に設け、当該各共通端子とソースメータ22とを端子接続する。これにより、有機EL素子16のカソード電極Kに15V~25Vの電圧を印加し、カソード電極KをGND電位とする。また、例えば、表示部12の有する各発光画素15の全端子にプローブをコンタクトし、全面または選択エリアへ所定の逆バイアス電圧を印加する。この場合、表示部12全体に配置された全端子にテストピンを接触させ、マルチプレクサなどのスイッチ動作により検査対象の欠陥画素と比較対象の正常画素とを特定してもよい。あるいは、検査対象の発光画素への配線だけにテストピンを接触させて測定し、表示部12上を移動して対象画素にテストピンを接触させてもよい。あるいは、複数の発光画素単位である1ブロックほどの複数ピンを有し、表示部12上を可動できるプローブを備えてもよい。次に、制御装置20は、ステップS01で逆バイアス電圧が印加されている期間に閾値強度以上のリーク発光をした発光点を特定するS02。以下、ステップS02における動作を詳細に説明する。図6は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置の検査方法におけるステップS02を説明する動作フローチャートである。まず、制御装置20は、CCDカメラ25に対し、上記逆バイアス電圧の印加期間における、検査対象の発光画素15の発光状態をカメラ撮像させるS021。なお、逆バイアス電圧印加によるリーク発光は微弱であるため、上記カメラ撮像は完全遮光環境にて実行されることが好ましい。また、上記カメラ撮像の露光時間は5~60秒が好ましく、S/N比によって当該露光時間の条件を最適化することが望ましい。これにより、適度な検出期間内にて高精度な発光点検出を実現でき、結果として、高精度な欠陥画素検出を実現することが可能となる。上記露光時間が長すぎると、微弱なリーク発光による輝度値が平均化され、またノイズレベルが上昇してS/N比が小さくなってしまう。また、上記期間が短すぎると、欠陥画素からのリーク発光による輝度値の絶対値が小さく十分な信号強度が得られない。上述したステップS01及びステップS021は、複数の発光画素に対し、逆バイアス電圧を印加した状態で、所定の時間、発光画素を撮像する第1のステップに相当する。次に、制御装置20は、ステップS021におけるカメラ撮像により取得した画像を画像処理し、各撮像点の撮像情報である座標、発光強度を抽出するS022。図7は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置の検査方法におけるステップS021で取得した画像を表す図である。CCDカメラ25の有する各撮像素子は、発光画素15図7ではR、G、Bで示されるサブ画素よりも十分小さい。従って、有機EL素子の領域内に点在する可能性のあるリーク発光点を検出する精度を有しており、上記画像が画像処理されることにより、各撮像点である各撮像素子に対し撮像情報座標、発光強度が対応づけられる。また、図7には、リーク発光点Lが他の領域よりも高い輝度で発光している場合が描かれている。ここで、各撮像点をリーク発光点と特定するか否かの判断手法を説明する。まず、上記逆バイアス電圧の印加期間において、同時に撮像した複数の発光画素についての平均輝度を算出する。具体的には、同時に撮像した複数の発光画素の領域内にある撮像点の発光強度の総和を、同時に撮像した複数の発光画素の領域内にある撮像点の数で除算した値を、複数の発光画素についての平均輝度とする。これを、ノイズ平均値とする。次に、上記ノイズ平均値にオフセット値が加算された値を閾値強度とする。ここで、オフセット値とは、リーク発光点を高精度に特定するために必要なS/N比により決定される値であり、検出システムや表示パネル間の特性ばらつきなどにより設定変更が可能である。次に、上記撮像画像における各撮像点の撮像情報から、上記閾値強度以上の発光をした発光点を、リーク発光点と特定する。つまり、閾値強度で各撮像点の発光強度を2値化して、リーク発光点の当否を判断する。なお、ステップS02で使用するCCDカメラ25は、冷却型CCDカメラが好ましい。これにより、微弱な有機EL素子のリーク発光の撮像においても、所定のS/N比を確保することができる。よって、検査時におけるノイズを排除し、欠陥画素の検出精度が向上する。また、表示部12全面の撮像が出来るように、カメラ視野に応じて複数台のCCDカメラ25が設置され、各カメラからの撮像画像を処理してもよい。また、表示部12の一部のエリアについて撮像し、順次エリア走査させて取得した画像を処理してもよい。上述したステップS022は、ステップS01及びステップS021において、閾値強度以上のリーク発光をした発光点を特定する第2のステップに相当する。再び図5に記載された動作フローチャートに戻って本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置の検査方法を説明する。次に、制御装置20は、ステップS01における所定の逆バイアス電圧印加、及びステップS02におけるリーク発光点の特定を、同様の検査対象発光画素について複数回実行する。上記ステップS01及びステップS02を複数回実行した場合ステップS03でYes、複数回のステップS02中の2回以上のステップで同一のリーク発光点が特定された場合ステップS04でYesに、当該リーク発光点を含む発光画素15を欠陥画素と判定するS05。また、複数回のステップS02中の2回以上のステップで同一のリーク発光点が特定されなかった場合ステップS04でNo、1回のみのステップで特定されたリーク発光点をノイズとみなすS06。つまり、1回のみのステップで特定されたリーク発光点のみを含む発光画素及びリーク発光点が特定されなかった発光画素を正常画素と判定する。上述したステップS04及びステップS05は、ステップS01及びステップS02を複数回繰り返した後、当該複数回のステップS022のうちの2回以上のステップで同一の発光点が特定された場合に、当該発光点を含む発光画素を欠陥画素と判定する第3のステップに相当する。なお、複数回のステップS01のうちの最初のステップS01の開始から、最後のステップS01の終了まで、発光画素に印加する逆バイアス電圧の電圧値を変化させないものとすることが好ましい。あるいは、この代わりに、ステップS01における発光画素への逆バイアス電圧の印加と、ステップS021における発光画素の撮像とを同期させて行ってもよい。また、ステップS01及びS02の繰り返し回数は、3~10回であることが好ましい。これにより、適度な検出期間内にて高精度な欠陥画素検出を実現することが可能となる。上記繰り返し回数が2回の場合、全2回においてリーク発光点と特定された発光点を有する発光画素のみが欠陥画素と判定されることになり、リーク発光が経時変化する発光点を有する発光画素を正常画素として流出させる確率が非常に高くなる。一方、上記繰り返し回数が11回以上の場合、検出時間が長くなるので、製造工程の一環とした場合には製造コストが増加するので適切ではない。さらに、経時変化する発光を撮像するにあたり、上記ステップS01及びステップS02は、所定時間内に繰り返されることが好ましい。図8A~図8Dは、本発明の有機EL表示装置の検査方法にて判定された欠陥画素の有するリーク発光点の特性を表すグラフである。図8A~図8Dに記載された各棒グラフ中の1データは、表示部12の全ての発光画素15に逆バイアス電圧を印加し、30秒間の発光状態をCCDカメラ25で露光撮像して取得した画像から抽出した一の撮像点の発光強度である。また、各棒グラフ中の複数のデータは、同一の撮像点について、上述した30秒間の発光による当該撮像点の発光強度を10回取得した結果を示している。なお、上記図8Aから図8Dに記載されたグラフにおいて、リーク発光と特定する発光レベルの閾値強度を、500cdと設定している。この場合、例えば、上記逆バイアス電圧の印加期間において、全ての発光画素15についての平均輝度を算出する。具体的には、同時に撮像した全ての発光画素15の領域内にある撮像点の発光強度の総和を、同時に撮像した全ての発光画素15の領域内にある撮像点の数で除算した値を、全ての発光画素15についてのノイズ平均値とする。ここで、ノイズ平均値として、例えば、400cd/m2が得られたとする。上記ノイズ平均値にオフセット値が加算された値を閾値強度とする。ここで、オフセット値とは、リーク発光点を高精度に特定するために必要なS/N比により決定される値であり、例えば、100cd/m2である。以上により、閾値強度は、例えば、400cd/m2100cd/m2=500cd/m2と算出される。図8Aに記載されたグラフが表す撮像点は、時間の経過とともに発光が消滅していくモードであり、連続した10回の発光動作中、前半の発光動作にて発光が検出されている。かかる発光を示す原因としては、逆バイアスの印加により次第に形成される低抵抗部を電流が流れるようになることによって、リーク発光を生じなくなるものと推測される。本発明は、かかる発光モードを示す発光画素についても、確実に不良画素と判定することができる。また、図8Bに記載されたグラフが表す撮像点は、時間の経過に関係なく発光が継続的であるモードであり、連続した10回の発光動作にわたって、発光が検出されている。また、図8Cに記載されたグラフが表す撮像点は、時間の経過とともに発光が頻発するモードであり、連続した10回の発光動作中、後半の発光動作にて発光が頻繁に検出されている。また、図8Dに記載されたグラフが表す撮像点は、発光が非連続的であるモードであり、連続した10回の発光動作にわたり、ランダムに発光が検出されている。つまり、図8A~図8Dに記載されたグラフによるリーク発光点の検出方法では、ステップS01における所定の逆バイアス電圧印加、及びステップS02におけるリーク発光点の特定を、同様の検査対象発光画素について10回実行している。図8A~図8Dに記載されたグラフが表すいずれの撮像点も、10回の繰り返し動作中2回以上の発光が検出されていることから、リーク発光点であると特定される。図9は、本発明の有機EL表示装置の検査方法にて、リーク発光点と判定されない撮像点の特性を表すグラフである。同図に、記載されたグラフが表す撮像点は、10回の繰り返し動作中1回のみの発光が検出されていることから、当該撮像点はリーク発光点ではないと判定される。図8A~図8Dの結果から、ステップS01及びS02の繰り返し回数が増加するほど、経時変化する発光を見逃さず確実に検出することが可能となる。例えば、上記繰り返し回数を3回とした場合、図8Cの後発発光モードである撮像点を有する発光画素は欠陥画素と判定されない。これに対し、上記繰り返し回数を4回以上とした場合、図8Cの撮像点は2回以上リーク発光点と特定されるので、当該撮像点を有する発光画素は欠陥画素と判定される。また、上記繰り返し回数の中で、2回以上リーク発光点であると特定された撮像点を含む発光画素を欠陥画素と判定することで、検出精度を向上させることが可能となる。最後に、制御装置20は、ステップS05で欠陥画素と判定された発光画素15をモニタ21に表示するS07。以上のステップによる、本発明の実施の形態に係る有機EL表示装置の検査方法によれば、逆バイアス電圧印加による複数回の発光点特定ステップのうち、2回以上の当該ステップで同一の発光点が特定された場合に、当該発光点を含む発光画素を欠陥画素と判定する。従来、有機EL素子に逆バイアスを印加し、完全遮光状態でリーク発光を撮像することによりショートなどの欠陥を有する発光画素が検出されている。しかしながら、撮像する発光が時間経過と共に変化するため撮像タイミングによっては検出できない画素欠陥が存在する。本態様によれば、経時変化を伴う点滅状態の発光や後発的な発光も含めて撮像することができる。また、検査時におけるノイズを排除し、欠陥画素の検出精度が向上する。つまり、複数回の撮像を所定時間中繰返し行い、それぞれの撮像画像から発光点の座標及び発光強度を抽出し、それぞれを比較し、複数回同じ発光が得られている発光点は欠陥位置と判断し、1回のみの発光が得られている発光点は正常ノイズと判断する。よって、欠陥の流出を防ぐことができ、高い信頼性の有機EL表示装置を製造することが可能となる。また、微弱な有機EL素子のリーク発光の撮像において、撮像状況に応じてノイズレベルを設定できる。また、このノイズレベルと、検出システムや表示パネル間の特性ばらつきなどにより設定変更が可能なオフセット値とから、リーク発光点を特定するための閾値強度を設定できるので、撮像状況やリーク発光状況に対応した高精度な欠陥画素検出を実現することが可能となる。また、上述した、有機EL表示装置の検査方法、つまりステップS01~ステップS07は、有機EL表示装置の製造方法の一部にも適用される。これによれば、短絡状態にある欠陥画素について、本発明に係る検査方法により高精度に検出された欠陥画素を、後続するリペア工程にまわすことにより、高品質の有機EL表示装置を製造することが可能となる。以上、実施の形態に基づいて本発明に係る有機EL表示装置の検査方法を説明してきたが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではない。実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も本発明に含まれる。なお、図4に記載された検出システムにおいて、ソースメータ22の代わりに、有機EL表示装置1の有するデータ線駆動回路13及び走査線駆動回路14から、検査対象の発光画素を選択して逆バイアス電圧を印加してもよい。また、上述した実施の形態では、有機EL表示装置1の製造工程における表示部12に本発明に係る検査工程を適用した場合を説明したが、有機EL表示装置1の完成後に本発明に係る検査工程を適用しても同様の効果を奏することが可能となる。