"角形状の支持基板と、支持基板の端部側に設けた金属層と、支持基板の一つの面上に設けた光半導体素子と、光半導体素子を覆う樹脂モールドとを供えた表面実装用側面受発光型光半導体装置であって、前記支持基板は、光半導体素子を搭載する素子搭載面および素子搭載面に対向する背面と、素子搭載面と背面に接する二つの立面と、実装面および実装面に対向する天面を備え、前記金属層は、素子搭載面と第一の立面に露出する前方第一金属部と、素子搭載面と第二の立面に露出する前方第二金属部と、背面と第一の立面に露出する後方第一金属部と、背面と第二の立面に露出する後方第二金属部とを備え、後方第一金属部および後方第二金属部が前方第一金属部および前方第一金属部よりも熱容量が大きくなっていることを特徴とする表面実装用側面受発光型光半導体装置。請求項1の表面実装用側面受発光型光半導体装置であって、前記後方第一金属部および前記後方第二金属部の少なくとも背面上に露出する金属パターンの実装面からの高さが、前記前方第一金属部と前記前方第二金属部の金属パターンの実装面からの高さよりも低く設定されていることを特徴とする表面実装用側面受発光型光半導体装置。請求項1の表面実装用側面受発光型光半導体装置であって、前記後方第一金属部および前記後方第二金属部の少なくとも背面上に露出する金属パターン上の天面に接する辺縁部をはんだ這い上がり抑制部材で被服し、実装面からの該金属パターンの露出高さを、前記前方第一金属部と前記前方第二金属部の金属パターンの実装面からの高さよりも低く設定したことを特徴とする表面実装用側面受発光型光半導体装置。請求項1乃至請求項3の表面実装用側面受発光型光半導体装置であって、前記素子搭載面上の光半導体素子の正負極は各々前記後方第一金属部と前記後方第二金属部のいずれかに電気的に接続されており、前記前方第一金属部と前記前方第二金属部は電気的に接続されていない空端子であることを特徴とする表面実装用側面受発光型光半導体装置。請求項1乃至請求項4の表面実装用側面受発光型光半導体装置であって、前記支持基板が前記前方第一金属部および前記前方第二金属部を設けた基板と、前記後方第一金属部および前記後方第二金属部を設けた基板を接着した積層基板により形成されていることを特徴とする表面実装用側面受発光型光半導体装置。請求項4の表面実装用側面受発光型光半導体装置と、前記後方第一金属部を実装する第1のはんだパッドと、前記後方第二金属部を実装する第2のはんだパッドと、前記前方第一金属部および前記前方第二金属部を実装する第3のはんだパッドを有する回路基板を備え、前記第3のはんだパッドの面積は、前記第1のはんだパッドと前記第2のはんだパッドの面積を合算した面積よりも広いことを特徴とする側面受発光型光半導体装置モジュール。前述のツームストーン現象に関しては、両電極のはんだ付け条件のバランスが偏ることが主たる原因と考えられ、従来から回路基板およびはんだの条件を調整することで対策が行なわれてきた。例えば、回路基板上での熱容量の大きな他電子部品との配置調整や、回路基板上のはんだパッドに続くパターン幅調整や、表面張力や濡れ特性に基づくはんだの選定などである。従って、この種のチップ型側面受発光装置の採用は実装技術担当者に対して労力を要する実装条件設定という作業を強いることになっていた。角度ずれについても、同様にはんだパッドの調整を主として対策がなされているのが現状である。特許文献1による先行技術では、支持基板の素子搭載面と背面の双方にモールドが配設されるため、回路基板に対する投影面積が大きくなってしまうし、そもそも一般的なトランスファーモールド成形により形成しようとすると、一般のICパッケージに用いられるリードフレームとは異なり、支持基板がもともと集合体で多数個取りするようにパターンが配された一枚板であるため、樹脂充填経路確保のための樹脂ランナーの設計や支持基板内の穴隙処理など容易ではなく、そのための形状制約も発生し、さらに金型コストも増大する。本発明は、このような従来の技術が有する問題を解決するために提案されたものであり、重量バランス用の構造体を付加させることなく、ツームストーン現象の発生を抑制し、位置精度を維持しながらのはんだ付けを可能とさせるチップ型側面受発光装置を提供することを目的とする。第一の手段は角形状の支持基板と、支持基板の端部側に設けた金属層と、支持基板の一つの面上に設けた光半導体素子と、光半導体素子を覆う樹脂モールドとを供えた表面実装用側面受発光型光半導体装置であって、前記支持基板は、光半導体素子を搭載する素子搭載面および素子搭載面に対向する背面と、素子搭載面と背面に接する二つの立面と、実装面および実装面に対向する天面を備え、前記金属層は、素子搭載面と第一の立面に露出する前方第一金属部と、素子搭載面と第二の立面に露出する前方第二金属部と、背面と第一の立面に露出する後方第一金属部と、背面と第二の立面に露出する後方第二金属部とを備え、後方第一金属部および後方第二金属部が前方第一金属部および前方第一金属部よりも熱容量が大きくなっていることを特徴とするものである。第二の手段は、第一の手段による表面実装用側面受発光型光半導体装置であって、前記後方第一金属部および前記後方第二金属部の少なくとも背面上に露出する金属パターンの実装面からの高さが、前記前方第一金属部と前記前方第二金属部の金属パターンの実装面からの高さよりも低く設定されていることを特徴とするものである。第三の手段は、第一の手段による表面実装用側面受発光型光半導体装置であって、前記後方第一金属部および前記後方第二金属部の少なくとも背面上に露出する金属パターン上の天面に接する辺縁部をはんだ這い上がり抑制部材で被服し、実装面からの該金属パターンの露出高さを、前記前方第一金属部と前記前方第二金属部の金属パターンの実装面からの高さよりも低く設定したことを特徴とするものである。第四の手段は、第一の手段乃至第三の手段による表面実装用側面受発光型光半導体装置であって、前記素子搭載面上の光半導体素子の正負極は各々前記後方第一金属部と前記後方第二金属部のいずれかに電気的に接続されており、前記前方第一金属部と前記前方第二金属部は電気的に接続されていない空端子であることを特徴とする表面実装用側面受発光型光半導体装置が前記後方第一金属部を実装する第1のはんだパッドと、前記後方第二金属部を実装する第2のはんだパッドと、前記前方第一金属部および前記前方第二金属部を実装する第3のはんだパッドを有し、前記第3のはんだパッドの面積は、前記第1のはんだパッドと前記第2のはんだパッドの面積を合算した面積よりも広いことを特徴とする回路基板に実装されて側面受発光型光半導体装置モジュールとするものである。第五の手段は、第一の手段乃至第四の手段による表面実装用側面受発光型光半導体装置であって、前記支持基板が前記前方第一金属部および前記前方第二金属部を設けた基板と、前記後方第一金属部および前記後方第二金属部を設けた基板を接着した積層基板により形成されていることを特徴とするものである。本発明では、電極端子となる金属部を四つとして、支持基板における素子搭載面側の二つの電極と背面側の二つの電極の熱容量に差を設け、各々の電極パターン上のはんだ溶融開始に時間差を発生させることで、表面実装用側面受発光型光半導体装置のはんだ実装時において、特にモールドを上にした短手方向で立ちあがるツームストーン現象の発生を抑制し、位置精度を維持しながらのはんだ付けが可能となる。本発明の表面実装用側面受発光型光半導体装置により、回路基板にはんだ実装する場合の電子部品配置や回路基板上のパターニングに自由度が確保でき、安定したはんだ接続が可能となる。図1は本実施例によるチップ型側面受発光装置を示す図である。チップ型側面受発光装置1は、ガラスエポキシ樹脂等による絶縁性支持基板3上に受発光素子図示されていないが搭載され、その上面を透光性樹脂からなるモールド2により封止したものである。ここで本発明のチップ型側面受発光装置1は電極となる金属層一般的には、銅箔パターン上にNiメッキ下地とAuメッキを施されたパッドである。以降、単に電極と表記する。が支持基板3の素子搭載面と背面と素子搭載面と背面に接する二つの立面以後、端面と表記するで作られる四隅に敷設されて前方第一電極部として電極4、前方第二電極部として電極6、後方第一電極部として電極5、後方第二電極部として電極7を形成しており、素子搭載面側にある電極4および電極6に対し、背面側にある電極5および電極7の電極パターンの熱容量が大きくなっていることを特徴としている。本実施例1においては、電極4乃至7に対応する各熱容量をC1乃至C4とすればC1<C2かつC3<C4,およびC1≒C3C2≒C4としている。尚、受発光素子は銀ペーストによるマウントとワイヤーボンディングによる接続、あるいはフリップバンプ接続などによりモールド2内部で電極4乃至7の何れかから支持基板3上に延長されたボンディングパターンに接続されている。電極4と5、電極6と7の熱容量の関係は、例えば図2に示すように、支持基板1の端面上の電極4のパターン幅Wfと電極5のパターン幅Wbに関して、Wf<Wbとなるようにして銅箔パターン面積の大きさに差を設け、電極6と7についても、もう一方の端面上のパターン幅に同様な措置を執ることで達成できる。しかしながら、支持基板1の素子搭載面上の電極4および電極6の銅箔パターン幅に対し背面上の電極5および電極7の銅箔パターン幅を広くして銅箔パターン面積の大きさに差を設ける方法は好ましくない。その理由は、はんだ接続におけるフィレットサイズが大きくなることにより、後述する溶融はんだによる引っ張りモーメントが大きくなり、本実施例の期待効果であるツームストーン現象発生の抑制を妨げる方向に働くためである。尚、本実施例の電極4と5、電極6と7の熱容量の関係は、電極5と7の銅箔パターン厚を電極4と6の銅箔パターン厚に対して厚くして達成する方法でもよい。図15のようにチップ型側面受発光装置がモールドを上方にして立ち上がるツームストーン現象の発生は、電極パターン143の受発光素子搭載面側よりも背面側のパターン部に溶融はんだの濡れ量が多く、メニスカス吸着力以降、溶融はんだの張力として扱うによる引っ張りモーメントが働き回転運動が与えられるためと考えられる。本実施例のチップ型側面受発光装置1では正負各電極が支持基板3の受発光素子搭載面側と背面側に各々電極4と5、電極6と7に両端面上で分離され、受発光素子搭載面側よりも背面側の電極5および7の熱容量が大きくなっているため、リフローソルダリング時の加熱が一様であれば、はんだ濡れ開始時間を電極4,6でのはんだ濡れ開始時間が電極5、7でのはんだ濡れ開始時間よりも先行することになり、図15のようなモールドを上方にして立ち上がるツームストーン現象の発生を抑制することが可能となる。図3を用いてさらに詳しく説明する。図3は前述のはんだ濡れ開始時間による差によりチップ型側面受発光装置1に張力が加わってゆく様子を模式的に示すものである。Tfは電極パターン4と回路基板のはんだパッドを接合するための溶融はんだによって受発光素子搭載面側に働く張力を、T1は電極パターン4と回路基板のはんだパッドを接合するための溶融はんだによって支持基板端面に働く張力を、Tbは電極パターン5と回路基板のはんだパッドを接合するための溶融はんだによって背面側に働く張力を、T2は電極パターン5と回路基板のはんだパッドを接合するための溶融はんだによって支持基板端面に働く張力を、表している。ここでモールドを上方にするモーメントとして働くのは張力Tbである。T1、T2はTf、Tbに比較して、モールドを上方にする立ち上がり図3では右周りでの立ち上がりに対する影響度は小さい。ここで回路基板底面から一様に加熱される場合、前述の電極パターン4と5の熱容量の差によって、電極パターン5のはんだ濡れ開始時間に僅かな遅れが生じ、張力TfおよびT1が張力TbおよびT2に先行して作用する。よって、モールドを上方にする立ち上がるツームストーン現象の発生を抑制することができる。また本実施例は従来例に比較して図17のような傾きが発生し難い構成となっている。これについて図4を用いて説明する。図4aは従来のチップ型側面受発光装置のリフローソルダリング時に溶融はんだによって働く浮力Fpと溶融はんだによる張力Tf、Tbおよび装置重量Wが作用する様子を模式的に示したものである。電極143は支持基板端面を覆う単一のパターンとなっているため、リフローソルダリング加熱前のペーストはんだの塗布状態とそこにマウントされた該受発光装置の姿勢によって、浮力Fpの中心浮心は一意的に定まらず、張力Tf、Tbおよび重量Wとバランスをとるように浮心の位置は移動する。結果的に、図4aのように該受発光装置がモールド先端を回路基板に接するようにマウントされた場合、姿勢復原されることなくはんだ接合されてしまう。図4bは本実施例によるチップ型側面受発光装置のリフローソルダリング時に作用する溶融はんだによって働く浮力Fpf、Fpbと溶融はんだによる張力Tf、Tbおよび装置重量Wの様子を模式的に示したものである。本実施例では支持基板端面の電極パターンが電極4と電極5に別れているため溶融はんだによって働く浮力は支持基板の受発光素子搭載面近くの前方浮力Fpfと背面近くの後方浮力Fpbの二つが作用し、双方とも浮心の位置が大きく変化することはない。姿勢復原性は前方浮力Fpfの浮心が支点となり、後方浮力Fpb、張力Tf、装置重量Wによる左回りモーメントと張力Tbにより与えられる右回りモーメントがバランスすることで改善される。さらに本実施例によるチップ型側面受発光装置は図18のような角度ずれの発生を従来例に比較してより抑制できるものとなっている。図5は本実施例によるチップ型側面受発光装置を回路基板に実装し、はんだパッド58f、58b、59f、59bにはんだ接続する様子を上方から眺めたものである。電極4乃至7の各電極パターンは各々支持基板3の素子搭載面あるいは背面と端面の二面で形成されており、各パターン面に作用する溶融はんだの張力が分力となって合成張力Tc4乃至Tc7がチップ型側面受発光装置に作用する。センターラインをy軸として図5に示す座標系で表したとき、前記合成張力Tc4乃至Tc7はベクトルが各々座標平面上の第一象限から第四象限の斜め方向に向き、チップ型側面受発光装置を四方に引っ張るように作用する。これによりチップ型側面受発光装置ははんだパッド58f、58b、59f、59bにて定まるxy座標上の定位置に移動するような力を受けることととなり、角度ずれに対するセルフアライメント効果が従来例に比較してより強化される。図6は本実施例によるチップ型側面受発光装置61を背面斜め上方からみた図である。モールド62内の受発光素子の搭載および接続状態は前述の実施例1と同様である。また支持基板63における電極64乃至67の配置も素子搭載面と背面と二つの端面で作られる四隅に敷設されており、素子搭載面側の二つの電極と背面側の二つの電極とで熱容量に差を設けているところは前述の実施例1と同様である。ここで本実施例のチップ型側面受発光装置63は後方第一及び後方第二電極となる電極65および電極67の電極パターンの高さh65およびh67を前方第一及び前方第二電極となる電極64および電極66電極パターンの高さ支持基板61の高さと同じに対して低く形成したことを特徴とする。本実施例の構成によって、回路基板への実装時にリフローソルダリング加熱によって背面側の電極65および電極67が接続されるはんだが先行して溶融した場合であっても、図7の模式図に示すように、溶融はんだによって背面に作用する張力Tbとその作用線と支点この場合は、実装面と背面との交線位置との距離によって生ずる回転モーメントが図7aの電極パターンが全て同じ高さの場合よりも図7bのように背面側の電極65および電極67の電極パターンの高さを低く形成してあることにより減少し、モールドを上方にするツームストーン現象の発生を抑制できる。また本実施例は支持基板上に実施例1と同様の電極配置となっているため、傾きや角度ずれに対しても、実施例1と同様な理由で効果が期待できる。尚、背面側の電極65および電極67の電極パターンの高さh65およびh67は、はんだ接合に支障のない範囲で高低差を設け、極性表示を兼ねても良い。更に高さh65およびh67の電極パターン高さとするのは電極65および電極67の支持基板63の背面上の電極パターンだけでも良い。図8は本実施例によるチップ型側面受発光装置81を背面斜め上方からみた図である。モールド82内の受発光素子の搭載および接続状態は前述の実施例1と同様である。また支持基板83における電極84乃至87の配置も素子搭載面と背面と二つの端面で作られる四隅に敷設されており、素子搭載面側の二つの電極と背面側の二つの電極とで熱容量に差を設けているところは前述の実施例1と同様である。ここで本実施例のチップ型側面受発光装置83は電極65および電極67における支持基板83の背面上の電極パターンの高さh85およびh87より上の範囲をはんだ這い上がり抑制部材88aおよび88bにより覆われていることを特徴とする。尚、はんだ這い上がり抑制部材88aおよび88bは、例えばはんだレジストの他に、耐熱性のマスキングテープなどが使用できる。本実施例の構成により効果は、前述の実施例2の構成による効果とほぼ同等であるので説明を省略する。さらに高さh85およびh87は、はんだ接合に支障のない範囲で高低差を設け、極性表示を兼ねても良い。また、はんだ這い上がり抑制部材88aおよび88bは電極パターンの支持基板83の背面に位置する部分だけでなく、側面に位置するパターン上に及んでも良い。本実施例は実施例1乃至実施例3のチップ型側面受発光装置の電極構造における前方第一および前方第二電極部である電極4および電極6、あるいは電極64および電極66、あるいは電極84および電極86をNC空端子とするものである。図9は本実施例のチップ型側面受発光装置の端子接続例を示すもので、電極の符号は実施例1のもので示してある。受発光素子はLEDあるいはフォトダイオードを示している。図9に示すように後方第一および後方第二電極部である電極5および電極7は受発光素子の正極あるいは負極が接続される。また前方第一および前方第二電極部である電極4および電極6は回路的にオープンであり、保持あるいは補強端子として扱う。本実施例のチップ型側面受発光装置は実装される回路基板のはんだパッドパターンも専用の構成をとる。図10は本実施例のチップ型側面受発光装置を回路基板に実装するときのはんだパッドパターンと位置関係を示したもので、チップ型側面受発光装置の電極の符号は実施例1のもので示してある。回路基板104のはんだパッド101a、101bは電極5および電極7に対応するもので、チップ型側面受発光装置と電気的に接続される回路基板面の回路パターンは省略している。。パターン102はパッド101a、101bの合計より広い面積をもつ一つの連続したパターンであり、ソルダーレジスト103によりチップ型側面受発光装置の電極4および電極6に対応する二つのはんだパッドが形成されている。尚、パターン102上のはんだパッドの面積ははんだパッド101aおよび101bの面積以下であることがより好ましい。また、はんだレジスト103の厚さは15μm~20μmとし、はんだ接続時のチップ型側面受発光装置の浮き具合図4参照にあわせてモールド2上方に押し上げることが無いように極力薄くすることが好ましい。厚すぎる場合、リフローソルダリング時にモールド2との間に摩擦力が発生し、角度ずれに対するセルフアライメント効果を妨げることがある。また、はんだレジスト103は白色レジストとして、モールド2から回路基板面方向に放射される光に対するリフレクタ機能を持たせるものであっても良い。本実施例によりはんだパッド101aおよび101bとパターン102のパターン面積が異なるためリフローソルダリング時の底面加熱からの吸熱能力に差が生じ、ペーストはんだの塗布量が略均等であれば、パターン面積の広いパターン102上の二つのはんだパッド上のはんだがはんだパッド101aおよび101b上のペーストはんだに先行して溶融し始めることになる。従って、実施例1のチップ型側面受発光装置に本実施例の処置を適用した場合、実施例1における説明の、電極の熱容量差により電極4,6でのはんだ濡れ開始時間を電極5、7でのはんだ濡れ開始時間を先行する効果と、本実施例の回路基板のはんだパッドのパターン措置により、回路基板上での他の熱容量の大きな電子部品との配置や回路基板上のはんだパッドに続くパターン幅などの調整に自由度が高められ実施例1よりもさらに安定したはんだ接続が可能となる。また実施例2および実施例3のチップ型側面受発光装置に本実施例の処置を適用した場合においても本実施例の回路基板のはんだパッドのパターン措置により、素子搭載面側の電極に対応するはんだパッド上のペーストはんだの溶融が着実に先行することで、モールドを上方にするツームストーン現象の発生を抑制し、実施例2および実施例3を単独で用いるよりもさらにはんだ接続歩留まりの向上が見込まれる。従来から、この種のチップ型側面受発光装置が集合体で多数個取りするようにパターンが配された絶縁性の基板に取り数に応じた光半導体素子を搭載及び接続した後に透光性樹脂で封止し、ダイシング等で角形状に切断して一個の表面実装型の光半導体装置として作成されるため、本発明の実施例1乃至実施例4のチップ型側面受発光装置における、四つの電極が支持基板における素子搭載面と背面と二つの端面で作られる四隅に電極パターンを敷設して配置される構成を実現するためには非常に複雑な製作工程を強いられることになる。何故なら支持基板の実装面と天面がダイシング時の切断面に当たり、側面にある素子搭載面側電極パターンと背面側電極パターンを分割する絶縁領域は集合基板の基板面との直行する面に存在することになるため、集合基板の段階で該絶縁領域を設けておくためには、サブトラクティブ法でパターン形成する場合は防蝕膜を、アディテイブ法でパターン形成する場合はメッキレジストを、前記基板面と直行する面にも形成する必要があるためである。この場合、レーザによるダイレクトパターニングも可能であるが、装置規模が大仰でコスト成立性からも実用には程遠い。そこで本実施例は実施例1乃至実施例4までのチップ型側面受発光装置の構成を容易に実現可能とするものである。図11aは本実施例によるチップ型側面受発光装111を背面斜め上方からみた図である。本実施例では支持基板113は前方絶縁基板113bおよび後方絶縁基板113aが接着シート118を介して積層されたものである。前方絶縁基板113bの層はモールド112を挟む様に、二つに分かれて配設され、外面側の隅に電極114および電極116が形成されている。また電極115および電極117が絶縁基板113aの外面側の隅に形成されている。図11bは支持基板113の内部配線を表すようにチップ型側面受発光装111を上方向からみた断面図を示すものである。本図は実施例4の端子結線を適用したもので、四つの電極のうち電極114および電極116は空端子である。電極115および電極117には、後方絶縁基板113a上の前方絶縁基板113bの層に囲まれた凹部底面に該当する部分に形成され、受発光素子119に接続されたボンディングパターンからスルーホールを介して正負電極配線が結線されている。上述の構成とすることにより実施例4による電極構成がパターン作成済みの二つの絶縁基板を、回路的に接続することなく積層するのみで簡単に作成できる。また、モールドを挟んで電極を配置したことにより、チップ型側面受発光装置の重量中心が四つの電極に囲まれる範囲に収めることができるため、図17のような傾きや、それに起因する図18のような角度ずれの発生は至って低減させることができる。尚、電極114および電極116を空端子とせず、回路的な接続が必要とされる場合は、前記支持基板部を貫通多層板や、ビルドアップ基板の製法を用いて作成する。その場合、図11のような支持基板の形状に拘るものではなく、前方絶縁基板による凹部構造とはせず、受発光素子を搭載するのは前方絶縁基板上とすることもできる。本実施例では支持基板を二つ絶縁基板で積層するものとして説明してきたが図12のチップ型側面受発光装置121の支持基板123に示すように、三層の多層構造としてもよい。各符号について、122はモールド、124乃至127は四つの電極、123aは支持基板123の層を構成する後方絶縁基板、123bは中間絶縁基板、123cは前方絶縁基板を示している。四つの電極を全て回路的に接続する場合には、むしろ三層で作成したほうが、各電極が各層の貫通パターンで形成できるので、支持基板の作成には都合が良い。さらに、図13は支持基板の中間絶縁基板123b’の長手寸法が前方および後方絶縁基板より長くして両方の側面より突出して凸部を形成させている。この措置は、溶融はんだの張力によって発生する回転モーメントの支点が前記凸部の先端となるため、チップ型側面受発光装置121の長手方向の一方が立ち上がるツームストーン現象の発生を抑制するために非常に効果的に働く。"