"各チャンバで個別に保存される情報や各チャンバに共通する情報を蓄積する蓄積部と、前記情報を所定の画面に表示する表示部を備えた操作部と、所定のファイルを実行すると共に、前記所定のファイルを実行した結果情報である履歴情報を前記操作部に通知する主制御部とで少なくとも構成される基板処理装置であって、前記操作部は、リークチェックの際に発生する各種情報をリークチェック結果情報として前記主制御部から通知されると、前記リークチェック結果情報を履歴ファイルに変換して前記蓄積部に格納する通信部と、前記表示部での前記履歴ファイルの選択を受けつけ、前記蓄積部から前記履歴ファイルを読み込み、前記各チャンバに共通する情報として前記履歴ファイル内に前記リークチェック結果情報をリークチェック情報表示画面に表示させる表示制御部と、を有する基板処理装置。各チャンバで個別に保存される情報や各チャンバに共通する情報を蓄積する蓄積部と、前記情報を所定の画面に表示する表示部を備えた操作部と、所定のファイルを実行すると共に、前記所定のファイルを実行した結果情報である履歴情報を前記操作部に通知する主制御部とで少なくとも構成される基板処理装置の表示方法であって、前記操作部は、リークチェックの際に発生する各種情報をリークチェック結果情報として前記主制御部から通知されると、前記リークチェック結果情報を履歴ファイルに変換して前記蓄積部に格納し、前記表示部での前記履歴ファイルの選択を受けつけ、前記蓄積部から前記履歴ファイルを読み込み、前記各チャンバに共通する情報として前記履歴ファイル内に前記リークチェック結果情報をリークチェック情報表示画面に表示させる基板処理装置の表示方法。本発明は、上記問題点を解決するために、一つの画面で各モジュールのリークチェック情報を参照することができ、そのリークチェック情報の履歴も参照することが可能な機能を持つ基板処理装置を提供することを目的とする。本発明の第1の特徴とするところは、各チャンバで個別に保存される情報や各チャンバに共通する情報を蓄積する蓄積部と、前記情報を所定の画面に表示する表示部を備えた操作部と、所定のファイルを実行すると共に、前記所定のファイルの履歴情報を前記操作部に通知する主制御部とで少なくとも構成される基板処理装置であって、前記操作部は、リークチェックの際に発生する各種情報をリークチェック結果情報として前記主制御部から通知されると、前記リークチェック結果情報を履歴ファイルに変換して前記蓄積部に蓄積する通信部と、前記表示部での前記履歴ファイルの選択を受けつけ、前記蓄積部から前記履歴ファイルを読み込み、前記各チャンバに共通する情報として前記履歴ファイル内に前記リークチェック結果情報をリークチェック情報表示画面に表示させる表示制御部とを有することにある。本発明によれば、各チャンバのリークチェック情報を1つの画面で見ることができ、かつ過去に行った履歴も参照可能となる。本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置ICの製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、図1に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一例であるクラスタ型の半導体製造装置の概略的な構成例を示す。図2に、図1のクラスタ型の半導体製造装置の概略的な断面構成例を示す。図1及び図2の構成では、ウェハ搬送用ロボットや処理室としてのプロセスチャンバが複数台、及びキャリア受渡し用のロードロック室が2式接続された構成となっている。まず、図1及び図2を用いて、基板処理装置の概要を説明する。尚、本発明が適用される基板処理装置1においては基板としてのウェハWを搬送するキャリアとして、FOUPfrontopeningunifiedpod。以下、ポッドという。が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は、図1を基準とする。すなわち、図1が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。図1及び図2に示されているように、基板処理装置1は真空状態などの大気圧未満の圧力負圧に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された真空搬送室としての第一の搬送室110を備えており、第一の搬送室110の筐体111は平面視が五角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室110には負圧下で二枚のウェハWを同時に移載可能な第一の搬送手段としての第一のウェハ移載機112が設置されている。前記第一のウェハ移載機112は、エレベータ113によって、第一の搬送室110の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。第一の搬送室110の筐体111の5枚の側壁のうち前側に位置する1枚の側壁には、搬入搬出用の予備室兼冷却室131,141がそれぞれ室開閉手段としてのゲートバルブ134,144を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、基板予備室としての予備室兼冷却室131,141にはそれぞれ基板載置台132,133,142,143が設置されている。予備室兼冷却室131,141の前側には、大気圧下で用いられる大気搬送室としての第二の搬送室120がゲートバルブ130,140を介して連結されている。第二の搬送室120には二枚のウェハWを同時に移載可能な第二のウェハ移載機122が設置されている。第二の搬送手段としての第二のウェハ移載機122は第二の搬送室120に設置されたエレベータ123によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ124によって左右方向に往復移動されるように構成されている。図1に示されているように、第二の搬送室120の左側には、基板位置調整機構としてのノッチ合せ装置107が設置されている。また、図2に示されているように、第二の搬送室120の上部にはクリーンエアを供給するエア供給機構としてのクリーンユニット106が設置されている。図1及び図2に示されているように、第二の搬送室120の筐体121には、ウェハWを第二の搬送室120に対して搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口104と、前記ウェハ搬入搬出口104を閉塞する蓋105と、ポッドオープナ103がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ103は、ロードポートとしてのIOステージ100に載置されたポッド101のキャップ及び搬入搬出口104を閉塞する蓋105を開閉するキャップ開閉機構102を備えており、IOステージ100に載置されたポッド101のキャップ及びウェハ搬入搬出口104を閉塞する蓋105をキャップ開閉機構102によって開閉することにより、ポッド101のウェハ出し入れを可能にする。また、ポッド101は図示しない工程内搬送装置AGVOHTによって、前記IOステージ100に供給及び排出されるようになっている。図1に示されているように、第一の搬送室110の筐体111の5枚の側壁のうち背面側に位置する4枚の側壁には、ウェハWに所望の処理を行う処理室150,151,152,153がそれぞれゲートバルブ160,161,162,163を介して隣接して連結されている。処理室150,151,152,153は全て同一種の処理室を連結することができる。一方、目的に応じてそれぞれ異なる処理室を連結することもできる。以下、本実施形態における基板処理装置1を使用した処理工程を説明する。未処理のウェハWは25枚がポッド101に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置1へ工程内搬送装置によって搬送されてくる。図1及び図2に示されているように、搬送されてきたポッド101はIOステージ100の上に工程内搬送から受け渡されて載置される。ポッド101のキャップ及びウェハ搬入搬出口104を開閉する蓋105がキャップ開閉機構102によって取り外され、ポッド101のウェハ出し入れ口が開放される。ポッド101がポッドオープナ103により開放されると、第二の搬送室120に設置された第二のウェハ移載機122はポッド101からウェハWを1枚ピックアップする。そして、基板位置調整機構としてのノッチ合せ装置107へ移載し、ウェハWの位置を調整する。ここでノッチ合せ装置107とは載置されたウェハWをX方向、Y方向及び円周方向に位置を調整する装置である。前記ノッチ合せ装置107にてウェハWの位置を調整していると同時に、前記第二のウェハ移載機122はポッド101から次のウェハWをピックアップして第二の搬送室120に搬出する。前記ノッチ合せ装置107にてウェハWの位置調整が終了したら、前記第二のウェハ移載機122でノッチ合せ装置107上のウェハWを第二の搬送室120に搬出すると共に、このとき第二のウェハ移載機122が保持しているウェハWをノッチ合せ装置107へ移載する。そして、ウェハWに対して位置調整を行う。次にゲートバルブ130を開け、第一の予備室兼冷却室131に搬入し、ウェハWを基板載置台133に移載する。この移載作業中には、第一の搬送室110側のゲートバルブ134は閉じられており、第一の搬送室110の負圧は維持されている。ここで、大気搬送モジュールがポッド101を載置するロードポートと、大気圧下で基板Wを搬送する大気搬送室としての第二の搬送室120と、基板予備室としての予備室兼冷却室131,141とで構成され、基板Wは大気搬送モジュール内で大気圧にて搬送される。ウェハWの基板載置台133への移載が完了すると、ゲートバルブ130が閉じられ、第一の予備室兼冷却室131が排気装置図示せずによって負圧に排気される。第一の予備室兼冷却室131が負圧に排気されると同時に、第二のウェハ移載機122はノッチ合せ装置107からウェハWをピックアップし、ゲートバルブ140を開けて第二の予備室兼冷却室141に搬入し、ウェハWを基板載置台143に移載する。そしてゲートバルブ140を閉じ、第二の予備室兼冷却室141を排気装置図示せずによって負圧に排気する。第二のウェハ移載機122により、上述のようにポッド101から前記第二の搬送室120を介して基板予備室である予備室兼冷却室131,141までの基板搬送が繰り返し実行される。しかしながら、第一の予備室兼冷却室131及び第二の予備室兼冷却室141が負圧の場合は、第一の予備室兼冷却室131及び第二の予備室兼冷却室141へのウェハWの搬入を実行せずに第一の予備室兼冷却室131及び第二の予備室兼冷却室141の直前の所定の位置で停止する。第一の予備室兼冷却室131が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ134が開かれる。続いて第一の搬送室110の第一のウェハ移載機112は基板載置台133からウェハWをピックアップする。ピックアップ後、ゲートバルブ134を閉じて第一の基板予備室兼冷却室131を大気圧に戻し、次のウェハWを搬入するための準備をする。ゲートバルブ134を閉じて第一の基板予備室兼冷却室131を大気圧に復帰させるのと同時に、第一の処理室150のゲートバルブ160を開き、ウェハ移載機112がウェハWを第一の処理室150に搬入する。そして第一の処理室150内にガス供給装置図示せずから処理ガスが供給され、所望の処理がウェハWに施される。続いて、第二の予備室兼冷却室141が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ144が開かれる。続いて第一の搬送室110の第一のウェハ移載機112は基板載置台143からウェハWをピックアップする。ピックアップ後、ゲートバルブ144を閉じて第二の予備室兼冷却室141を大気圧に戻し、次のウェハWを搬入するための準備をする。ゲートバルブ144を閉じて第二の予備室兼冷却室141を大気圧に復帰させるのと同時に、第二の処理室151のゲートバルブ161を開き、ウェハ移載機112がウェハWを第二の処理室151に搬入する。そして、第二の処理室151内にガス供給装置図示せずから処理ガスが供給され、所望の処理がウェハWに施される。以下、同様にして第三の処理室152、第四の処理室153にウェハWを搬入し、所望の処理を施す。第一の処理室150において所望の処理が終了したら、第一のウェハ移載機112は第一の処理室150から搬出したウェハWを第一の予備室兼冷却室131へ搬出する。このとき、第一の予備室兼冷却室131に未処理のウェハWが存在する場合、第一のウェハ移載機は前記未処理ウェハWを第一の予備室兼冷却室131から第一の搬送室110へ搬出する。そしてゲートバルブ134を閉じ、処理済ウェハWの冷却を開始すると同時に第一の予備室兼冷却室131に接続された不活性ガス供給装置図示せずから不活性ガスを導入し、第一の予備室兼冷却室131内の圧力を大気圧に戻す。第一の予備室兼冷却室131において予め設定された冷却時間が経過し、且つ第一の基板予備室兼冷却室131内の圧力が大気圧に戻されると、ゲートバルブ130が開かれる。続いて、第二の搬送室120の第二のウェハ移載機122は基板載置台132から処理済のウェハWをピックアップして第二の搬送室120に搬出し、ゲートバルブ130を閉じる。そして、第二の搬送室120のウェハ搬入搬出口104を通してポッド101に収納する。以上の動作が繰り返されることにより、ウェハWが25枚ずつ順次、処理されていく。ポッド101内の全てのウェハWに所望の処理が行われ、処理済の25枚のポッド101への収納が完了すると、ポッド101のキャップとウェハ搬入搬出口104を閉塞する蓋105がポッドオープナ103によって閉じられる。閉じられたポッド101はロードポートとしてのIOステージ100上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されていく。ここで、制御用コントローラが基板処理装置1に接続されており、制御用コントローラは搬送制御、プロセス制御を行う手段を持つように構成される。図3は図1及び図2に示す基板処理装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。図3において、制御用コントローラ11は、操作部12と統括制御コントローラ13と第一の処理室150を制御するためのプロセスチャンバコントローラPMC114、第二の処理室151を制御するためのプロセスチャンバコントローラPMC215が、LAN回路16で接続されている。また、統括制御コントローラ13には第一の移載機112を制御するロボットコントローラ13a、第二の移載機122を制御する大気ロボットコントローラ13b、マスフローコントローラMFC13cなどが接続されている。さらに、プロセスチャンバコントローラPMC114には、マスフローコントローラMFC14a、APC14b、温度調節器14c、バルブI/O14dなどが接続されている。尚、MFC14aはガスの流量を制御するためのマスフローコントローラであり、APC14bはプロセスチャンバPM内の圧力を制御するためのオートプレッシャーコントローラである。また、温度調節器14cは処理室としてのプロセスチャンバPM内の温度の制御を行うものであり、バルブI/O14dはガスや排気用のバルブのON/OFFを制御するための入出力ポートである。また、PMC215もPMC114と同様な構成である。尚、図示されていないが、第三の処理室152を制御するためのプロセスチャンバコントローラPMC3と第四の処理室153を制御するためのプロセスチャンバコントローラPMC4も同様な構成で、同じようにLAN回路16に接続されている。記憶部18は、LAN回線16に接続されており、操作部12に表示される画面を介して入力された指示データや各種レシピプロセスレシピ、ダミー基板用レシピ等を格納する。操作部12はシステム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、及びパラメータ編集などの画面を表示する機能を有している。また、統括制御コントローラ13は、システム全体の運用制御、真空ロボットコントローラ13aの制御、大気ロボットコントローラ13bの制御、MFC13cやバルブやポンプなどを制御する排気系制御を行う。次に、図3に示す制御用コントローラ11の基本的な運用例について説明する。操作部12からのコマンド指示を受けた統括制御コントローラ13は、ウェハ搬送指示を大気ロボットコントローラ13bに指示すると、該大気ロボットコントローラは、第二の移載機122を制御して、ウェハWをポッド101からノッチ合せ装置107を介して予備室兼冷却室131,141に搬送させる。そして、統括制御コントローラ13は、ウェハWを搬送されると予備室兼冷却室131,141の排気制御つまり、ポンプやバルブの制御を実施する。そして、予備室兼冷却室131,141が所定の負圧力に達したところで、真空ロボットコントローラ13aに指示してウェハWを該当する第一の処理室150へ搬送させる。続いて、PMC114又はPMC215等に対して、ウェハWに付加価値を与えるためのプロセスレシピの実行指示を行い、ウェハWに所定の処理が施される。処理済のウェハWは、第一の処理室150から予備室兼冷却室131,141へ搬送され、更に大気圧に戻された後、元のポッド101に搬送される。尚、予め搬送先に異なるポッド指定されている場合、元のポッド110ではなく、指定されたポッドに搬送してもよい。図5、図6を用いて本願発明における基板処理装置におけるリークチェック結果情報の表示について説明する。図5は、本実施の形態における画面構成イメージである。また、図6に、リークチェック結果画面を表示する際の制御イメージを示す。ここで、LM1は、予備室兼冷却室131、LM2は予備室兼冷却室141、TM1は、第一の搬送室110、PM1は、第一の処理室150、PM4は、第四の処理室153をそれぞれ示す。図5で示されているように、これらモジュール毎に個別に構成される画面群や各モジュールに共通する画面群は、図示しない蓄積部に格納されている。このように、蓄積部は、個別領域と共通領域を有する。各モジュールで特有な情報は個別領域に格納され、各モジュールで共通される情報は共通領域に格納される。図5に示されるように、本願発明の特徴としてリークチェックの結果情報を表示するリークチェック結果画面は、共通画面群を記憶する領域に格納される。従い、このリークチェック結果画面で各モジュールのリークチェック情報を一括表示できる。図6に具体的な機能構成図が示されている。本願発明を実施する際に少なくとも主制御部17と、操作部12が構成される。操作部12は、各チャンバで個別に保存される情報や各チャンバに共通する情報を蓄積する蓄積部と、前記情報を所定の画面に表示する表示部と、主制御部17より通知されるファイルの実行結果情報を受信し、受信した結果情報をファイルに変換して蓄積に保存する図示しない通信部を備えている。更に、所定の画面からの指示を受けつけ前記蓄積部から前記指示に応じたファイルを読み込み、前記所定の画面に前記ファイルの内容を表示する図示しない表示制御部を操作部12は有する。主制御部17は、所定のファイルを実行すると共に、前記所定のファイルを実行した結果情報である履歴情報を前記操作部に通知するように構成されている。図6に示される操作部12と主制御部17とで少なくとも構成される制御システムによって、リークチェック結果が画面上に各モジュールで一括表示される。以下、上記制御システムの動作を追って詳述する。主制御部17が、リークチェック用のファイルをPM1で実行する。実行後、主制御部17は、リークチェック結果情報を操作部12に通知する。通知されると、操作部12は、図示しない通信手段で受信し、このリークチェック結果情報を履歴ファイルとして記憶部に保存する。一方、図示しない表示制御部は、画面上の所定の操作を受けつけ、表示部にリークチェック情報を表示するリークチェック情報表示画面を表示させる。ここで、複数のリークチェック結果情報で構成される履歴ファイルから所定の履歴ファイルが選択されると、前記蓄積部を検索して前記所定の履歴ファイルを抽出し、前記所定の履歴ファイルを展開して前記履歴ファイルの内容を構成するリークチェック結果情報を前記リークチェック情報表示画面に表示させる。このように、本実施の形態において、リークチェック情報を表示する画面やリークチェック結果情報をファイルに変換してを蓄積部に格納させ、所定の操作により履歴ファイルが選択されると、表示制御部によりこの蓄積部が検索され、その履歴ファイルの内容が画面に表示されるように構成される。従って、リークチェック情報が1つの画面で一括して表示され、また、過去にリークチェックを行った履歴も参照することができる。上記では基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、LCD装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、クラスタ型の基板処理装置について示したがインライン型の基板処理装置にも適用できることは言うまでもない。また、本実施形態では基板処理装置に適用した例が示されているが、このような基板処理装置ではなく、少なくとも1台以上の基板処理装置に接続され、前記基板処理装置の稼動状態を管理する群管理装置にも適用できることは言うまでもない。"