底部材および蓋部材ならびに該底部材および該蓋部材から絶縁されている壁部材からなる反応容器の中に基体および該基体を保持している基体ホルダを入れ、該基体ホルダの一端と該底部材とを電気的に接続し、該基体ホルダの他端と該蓋部材とを電気的に接続する工程iと、該蓋部材、該基体ホルダおよび該底部材からなる電気が伝わる経路の電気抵抗値を測定する工程iiとをこの順に有する堆積膜形成方法であって、該工程iiで測定して得られた該電気抵抗値が所定値以下である場合、該底部材および該蓋部材を該反応容器の外部で電気的に接続し、該反応容器に堆積膜形成用原料ガスを導入し、該反応容器に導入された該堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して該基体上に堆積膜を形成する工程iiiに進み、該工程iiで測定して得られた該電気抵抗値が所定値を超える場合、該工程iiiに進まないことを特徴とする堆積膜形成方法。前記電気抵抗値を測定する工程iiを、前記基体ホルダを加熱した状態で実施する請求項1に記載の堆積膜形成方法。前記堆積膜を形成する工程iiiを、前記基体ホルダを加熱した状態で実施し、かつ、前記堆積膜を形成する工程iiiにおける前記基体ホルダの加熱状態を、前記電気抵抗値を測定する工程iiにおける基体ホルダの加熱状態と略同一の状態とする請求項2に記載の堆積膜形成方法。前記電気抵抗値を測定する工程iiを、前記基体ホルダを回転した状態で実施する請求項1乃至3のいずれか一項に記載の堆積膜形成方法。前記堆積膜を形成する工程iiiを、前記基体ホルダを回転した状態で実施し、かつ、前記堆積膜を形成する工程iiiにおける前記基体ホルダの回転状態を、前記電気抵抗値を測定する工程iiにおける基体ホルダの回転状態と略同一の状態とする請求項4に記載の堆積膜形成方法。前記堆積膜を形成する工程iiiの後で、前記底部材および前記蓋部材を前記反応容器の外部で電気的に接続した状態を解除し、前記蓋部材、前記基体ホルダおよび前記底部材からなる電気が伝わる経路の電気抵抗値を測定する工程ivを実施し、該工程ivで測定して得られた該電気抵抗値が所定値以下である場合、該底部材および該蓋部材を該反応容器の外部で電気的に接続し、該反応容器に堆積膜形成用原料ガスを導入し、該反応容器に導入された該堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して該基体上に堆積膜を形成する工程vに進む請求項1乃至5のいずれか一項に記載の堆積膜形成方法。前記電気抵抗値の所定値が10Ωである請求項1乃至6のいずれか一項に記載の堆積膜形成方法。上述の堆積膜形成装置を使用した堆積膜形成方法では、前記導電性棒状体と前記反応容器とが接触しているにもかかわらず、必ずしも電気的接続が十分ではない状態で堆積膜が形成されてしまう場合があった。このような状態で堆積膜を形成するとプラズマが十分に均一に形成されず、基板長手方向の膜厚や膜特性が十分に均一にはならない場合があった。このような膜厚や膜特性が不均一な不良品の発生は堆積膜の歩留まりを損なう原因となっていた。本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を歩留まり良く安定して形成することができる堆積膜形成方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するための手段は、底部材および蓋部材ならびに該底部材および該蓋部材から絶縁されている壁部材からなる反応容器の中に基体および該基体を保持している基体ホルダを入れ、該基体ホルダの一端と該底部材とを電気的に接続し、該基体ホルダの他端と該蓋部材とを電気的に接続する工程iと、該蓋部材、該基体ホルダおよび該底部材からなる電気が伝わる経路の電気抵抗値を測定する工程iiとをこの順に有する堆積膜形成方法であって、該工程iiで測定して得られた該電気抵抗値が所定値以下である場合、該底部材および該蓋部材を該反応容器の外部で電気的に接続し、該反応容器に堆積膜形成用原料ガスを導入し、該反応容器に導入された該堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して該基体上に堆積膜を形成する工程iiiに進み、該工程iiで測定して得られた該電気抵抗値が所定値を超える場合、該工程iiiに進まないことを特徴とする堆積膜形成方法である。堆積膜形成装置内のプラズマ強度の基体長手方向での均一性を向上し、膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を歩留まり良く安定して形成することができる。以下本発明の具体的な実施形態について図面を参照して説明する。図1および図2は本発明の堆積膜形成方法に適用することができる堆積膜形成装置1の一例を示す模式的な断面図である。工程i本発明は堆積膜を形成する工程に先立って、底部材2および蓋部材3ならびに該底部材および該蓋部材から絶縁されている壁部材4からなる反応容器20の中に基体7および該基体を保持している基体ホルダ8を入れ、該基体ホルダの一端と該底部材とを電気的に接続し、該基体ホルダの他端と該蓋部材とを電気的に接続する工程iを有することを特徴とする。図1および2に示すように、底部材2、および蓋部材3、ならびに底部材2および蓋部材3から絶縁体5および6により絶縁されている壁部材4から反応容器20が構成されている。底部材2は架台31に支持され接地されている。本発明の堆積膜形成方法に適用することができる堆積膜形成装置1は従来と異なり、蓋部材3が常態的には接地されていないことを特徴とする。蓋部材3を開き、基体7および基体7を保持している基体ホルダ8を反応容器20の中に入れ、基体ホルダ8の底部に位置する一端をホルダ受け部材10に嵌合させる。ホルダ受け部材10の嵌合部にはステンレス製の弾性部材12が装備されており、弾性部材が基体ホルダ8の内周面に押し当てられることによりホルダ受け部材10と電気的に接続される。ホルダ受け部材10と底部材2は電気的に接続されているため、基体ホルダ8の底部に位置する一端は底部材2と電気的に接続される。ホルダ受け部材10は不図示の回転機構により回転するようにしてもよい。基体ホルダ8が保持する基体7および補助基体9は基体ホルダ8と電気的に接続されており、これらが全体として基体ホルダセット60を構成している。基体ホルダセット60は高周波電力が投入される壁部材2の対向電極となる。必要に応じて基体7、補助基体9、および基体ホルダ8が互いに十分に導通が確保されているか確認してもよい。基体ホルダ8をホルダ受け部材10に嵌合させると同時に、基体ホルダ8の頭部に位置する他端が接続体42と嵌合する。接続体42と導電性棒状体40は電気的に接続されているため、基体ホルダ8の頭部に位置する他端は導電性棒状体40と電気的に接続される。次に蓋部材3を閉じ、導電性棒状体40を移動装置41により上方に移動または伸長させ、導電性棒状体40と蓋部材3を接触させる。これにより、蓋部材3、導電性棒状体40、接続体42、基体ホルダセット60、ホルダ受け部材10および底部材2からなる電気が伝わる経路が形成される。移動装置41として、空圧、油圧、水圧を用いたシリンダ機構による駆動方式や、電動モータ駆動のボールネジ機構を用いた駆動方式を用いることができる。図3に接続体42の詳細を示す。接続体42はすべて導電性の材料で構成されており、反応容器20の底部材2に固定された筒状の支持体48の上部に取り付けられている。接続体42は、支持体48に固定された台座50と、台座50の上に弾性体51を介して配置された間座52と、基体ホルダ8の上面46に設けられた開口部と嵌合し基体ホルダ8とつれ回りする接続部54を有している。間座52と接続部54の間には導電性の摺動体53が配置されている。また、接続部54と導電性棒状体40の間には導電性の摺動体55が配置されている。なお、本実施形態では導電性棒状体40および支持体48は底部材2に対して電気的に絶縁されている。摺動体53、55は、板バネ、ワイヤブラシ、渦巻きバネ、ベアリングの如き金属製のもの、窒化硼素、黒鉛、二硫化タングステンの如き固体潤滑材が使用可能である。なかでも、発塵や高温下での密着性、繰り返し使用時の耐久性の点からベアリングや固体潤滑材が好ましい。また、導電性棒状体40の先端部分は接触子47で構成されている。接触子47は導電性の材料であり交換可能になっている。工程ii本発明は堆積膜を形成する工程に先立って、基体ホルダの一端と底部材とを電気的に接続し、基体ホルダの他端と蓋部材とを電気的に接続する工程iの後に、蓋部材3、基体ホルダセット60、および底部材2からなる電気が伝わる経路の電気抵抗を測定する工程iiを有することを特徴とする。本実施形態においては蓋部材3、基体ホルダ8との間に導電性棒状体40および接続体42が介在している。また基体ホルダ8と底部材2との間に、ホルダ受け部材10と弾性部材12が介在している。この時点では蓋部材3は基体ホルダセット60を介してのみ底部材2に電気的に接続している。電気抵抗を測定する工程は以下のように実施することができる。図1に示す第1の実施形態では、抵抗測定器39のプローブ43を蓋部材3および底部材2に接触させることにより、蓋部材3、基体ホルダセット60、および底部材2からなる電気が伝わる経路の電気抵抗を測定する。図2に示す第2の実施形態では、蓋部材3は支持アーム34に支持され、かつ電気的に接続されている。支持アーム34は支持柱32に支持され、かつ絶縁スリーブ33により支持柱32と電気的に絶縁されている。架台31は支持柱32および反応容器20の底部材2を支持している。これらは電気的に接続され接地されている。スイッチ36は支持アーム34と支持柱32との間を電路35及び37で電気的に接続する経路Aと、電路35、38および抵抗測定器39により電気抵抗を測定する経路Bを選択することができる。スイッチ36で経路Bを選択することにより、蓋部材3、基体ホルダセット60、および底部材2からなる電気が伝わる経路の電気抵抗を測定する。電気抵抗値が所定値以下である場合には堆積膜を形成する工程iiiに進む。特に電気抵抗値が10Ω以下の場合、蓋部材3、基体ホルダセット60、および底部材2が均一なプラズマを形成ために十分な電気的な接続状態となっており、略同電位であるとみなすことができる。本発明では高周波電力が投入される壁部材2の対向電極となる基体ホルダセット60が反応容器20の内部で十分に接地されたことが確認された状態で堆積膜を形成する工程が実施される。その結果、常にプラズマが安定して均一に生成され膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を形成することができる。電気抵抗値が所定値を超える場合には堆積膜を形成する工程iiiに進まない。特に電気抵抗値が10Ωを超える場合、蓋部材3、導電性棒状体40、接続体42、基体ホルダセット60、ホルダ受け部材10および底部材2からなる電気が伝わる経路のどこかに電気的な接続が不十分な部位があると推測される。摺動または反復的な押し当てを受ける部材は消耗により経時的に物理的な状態が変化していく場合がある。したがって摺動部または反復的な押し当て部を介した電気的な接続の状態は必ずしも安定しているとみなすことはできず、この点に着目して本発明らは本発明を考案するに至った。高周波電力が投入される壁部材2の対向電極となる基体ホルダセット60が蓋部材3および底部材2と電気的な接続が不十分で同電位と見なすことができない状態で堆積膜を形成する工程を実施するとプラズマの生成が不均一となり、膜厚や膜特性の不均一を生じる。そこで、本発明では電気抵抗値が所定値を超える場合には堆積膜を形成する工程iiiに進まないことにより、膜厚や膜特性の不均一な不良品の発生を未然に防ぎ生産の歩留まり低下を抑制することができる。電気抵抗値が所定値を超える場合には反応容器20から基体ホルダ8を取り出し電気的な接続が不十分な個所を修繕し、再度工程iからやり直すことができる。電気的な接続が不十分になる可能性がある部位は、例えば弾性部材12、弾性部材12が押し当てられて接触する基体ホルダ8の内周面、摺動体55、摺動体55が摺動接触する導電性棒状体40、接触子47、接触子47が押し当たって接触する蓋部材3が考えられる。また、ホルダ受け部材10が回転可能に構成されている場合、回転駆動機構と底部材2の接触部も電気的な接続が不十分になる可能性がある。これらの部材を交換するかまたは部分的に研磨紙で研磨するなどの方法により電気的な接続が不十分な個所を修繕することができる。電気抵抗を測定する工程iiは基体ホルダ8をヒータ11で加熱し、堆積膜を形成する工程と略同じ温度で実施することが好ましい。また、ホルダ受け部材10を回転しながら堆積膜を形成する場合、堆積膜を形成する工程と略同じ回転速度でホルダ受け部材10を回転しながら実施することが好ましい。なぜなら、加熱または回転時の電気的接続は常温、静止時と異なる可能性があるからである。回転時には測定される電気抵抗が振れる場合があり、この場合には抵抗値の振れ幅の最大値が所定値を超えるかどうかで判断する。すなわち、本発明の堆積膜形成方法においては、電気抵抗値を測定する工程iiにおける基体ホルダの加熱状態または回転状態は、堆積膜を形成する工程iiiにおける基体ホルダの加熱状態または回転状態と略同一の状態とすることを特徴としている。また、特に蓋部材3と導電性棒状体40の電気的接続に着目して電気抵抗を測定する工程iiを実施する場合には、導電性棒状体40および支持体48は底部材2に対して電気的に接続された状態で実施してもよい。工程iii本発明の堆積膜の形成工程である工程iiiではまず底部材2および蓋部材3を反応容器20の外部で電気的に接続する。工程iiにおいて蓋部材3、基体ホルダセット60、および底部材2からなる電気が伝わる経路の電気的な接続は確立される。しかしながら、蓋部材3と底部材2の電気的な接続が反応容器20の内部だけでなされただけの状態で堆積膜を形成すると膜厚や膜特性が十分には均一にはならない場合がある。そのため、底部材2および蓋部材3を反応容器20の外部で電気的に接続することが必要である。すなわち、底部材2と蓋部材3が反応容器20の内部および外部の両方の経路で電気的に十分に接続されることにより、シリンダ上の電位勾配が緩和され常にプラズマが安定して均一に生成され膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を形成することができる。図1に示す第1の実施形態ではプローブ43を蓋部材3と底部材2から離し、代わりに別に用意してあるアーシングケーブル44を蓋部材3と底部材2のそれぞれに設けられた端子45に接続する。これにより底部材2および蓋部材3を反応容器20の外部で電気的に接続する。図2に示す第2の実施形態ではスイッチ36で経路Aを選択することにより底部材2および蓋部材3を反応容器20の外部で電気的に接続する。次に反応容器20に堆積膜形成用原料ガスを導入し、反応容器20に導入された堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して基体上に堆積膜を形成する。堆積膜の形成が終了したら基体7を保持している基体ホルダ8を反応容器20から取り出し、必要に応じて反応容器20内に堆積した堆積膜および粉状の副生成物をクリーニング処理する。底部材2および蓋部材3を反応容器20の外部で電気的に接続する状態を解除し、再度工程iから実施することができる。堆積膜を複数層にわたって積層する場合は工程iiiに続けて、ある層の堆積膜を形成後、底部材2および蓋部材3を反応容器20の外部で電気的に接続する状態を一旦解除し、次の層の堆積膜を形成する前に再度電気抵抗を測定する工程ivを実施してもよい。電気抵抗値が所定値以下である場合には次の層の堆積膜を形成する工程vに進むことができる。電気抵抗値が所定値を超える場合には次の層の堆積膜を形成する工程vに進まないことにより、次の層以降の堆積膜形成にかかる時間や原料を無駄にすることがなくなり、全体として不具合発生時の損害を抑制することができる。また、工程iv及び工程vを複数回繰り返して実施することもできる。なお、工程ii及び工程ivにおいて導電性棒状体40および支持体48は底部材2に対して電気的に絶縁された状態で実施した場合であっても、工程iii及び工程vにおいては導電性棒状体40および支持体48は底部材2に対して電気的に接続された状態で実施してもよい。以下、堆積膜を形成する工程を図1を参照して説明する。まず、真空ポンプユニット不図示により排気口27から排気配管28を通じて反応容器20内を排気する。排気された反応容器20内に、ミキシング装置23、原料ガス流入バルブ24、接続配管25および原料ガス導入管26を介して、基体7の加熱に必要なAr、He等のガスを導入する。そして、反応容器20内を所定の圧力になるように、真空計30を確認しながら真空ポンプユニット不図示の排気速度を調整する。この調整は、例えば、真空ポンプユニット不図示のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。次に、所定の圧力になった後、基体加熱用のヒータ11により基体7の温度を例えば200°C~450°C、より好ましくは250°C~350°Cの温度に制御する。堆積膜形成用の複数の原料ガスをミキシング装置23を介して混合して、原料ガス導入管26を介して反応容器20内に導入する。その際、反応容器20内が例えば13.3mPa~1330Paの所望の圧力になるように、真空計30を確認しながら真空ポンプユニット不図示の排気速度を調整する。この調整は、前記したように、真空ポンプユニット不図示のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。堆積膜形成時に使用する主原料ガスとしては、例えばシランSiH4、ジシランSi2H6のごときアモルファスシリコン形成用の原料ガス、またはそれらの混合ガスを用いることができる。希釈ガスとしては、例えば水素H2、アルゴンAr、ヘリウムHeを用いることができる。また、特性改善ガスとして、窒素原子を含むもの、酸素原子を含むもの、炭素原子を含むもの、またはフッ素原子を含むもの、あるいはこれらの混合ガスを併用してもよい。この際に用いる窒素原子を含むものとしては、例えば窒素N2、アンモニアNH3が挙げられる。酸素原子を含むものとしては、例えば酸素O2、一酸化窒素NO、二酸化窒素NO2、酸化二窒素N2O、一酸化炭素CO、二酸化炭素CO2が挙げられる。炭素原子を含むものとしては、例えばメタンCH4、エタンC2H6、エチレンC2H4、アセチレンC2H2、プロパンC3H8が挙げられる。フッ素原子を含むものとしては、例えば四フッ化珪素SiF4、六フッ化二珪素Si2F6が挙げられる。また、ジボランB2H6、フッ化硼素BF3、フォスフィンPH3などの特性改善ガスを同時に放電空間に導入してもよい。次に、反応容器20内の圧力が安定した後、高周波電源22を所望の電力に設定して、高周波電力を高周波マッチングボックス21を介して壁部材4に供給することにより、壁部材4と、接地されている基体ホルダセット60との間に高周波グロー放電が生起する。供給電力は、例えば、RF帯、特に13.56MHzの周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、反応容器20内に導入された堆積膜形成用ガスが励起されて励起種が生成され、すなわち分解されて、基体7上に所望のシリコン原子を主成分とする堆積膜が形成される。以上のようにして基体7の外周面上に堆積膜が形成される。堆積膜が形成された後には、堆積膜形成用の原料ガスおよび高周波電力の供給および基体の加熱を停止し、反応容器20内を排気する。その後、反応容器20、原料ガス導入管25内をパージガス、例えは、Ar、He、N2のごとき不活性なガスを用いてパージ処理する。パージ処理完了後、基体7が所望の温度例えば、室温まで下がったら、基体7が装着された基体ホルダ8を反応容器20内から搬出する。その後に、必要に応じて、手順としては、まず、クリーニング用ダミー基体を装着した基体ホルダ8を反応容器20内に搬入し、真空ポンプユニット不図示により反応容器20内を排気する。続いて、反応容器20内にミキシング装置23および原料ガス導入管25を介してクリーニング処理に必要なクリーニング性ガスを導入する。そして、反応容器20内を所定の圧力になるように真空計30を確認しながら真空ポンプユニット不図示の排気速度を調整する。この調整は、前記したように、真空ポンプユニット不図示のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。クリーニング処理時に使用するクリーニング性ガスとしては、例えばCF4、CF4とO2の混合ガス、SF6、NF3、ClF3三フッ化塩素が挙げられる。また、本実施形態においては、クリーニング性ガスの濃度を調整するためにも、希釈用の不活性ガスを用いることが有効である。この不活性ガスとしては、例えばHe、Ne、Arが挙げられるが、なかでもArを用いることが好ましい。反応容器20内の圧力が安定した後、高周波電源22を所望の電力に設定して、高周波電力を高周波マッチングボックス21を介して壁部材4に供給することにより、反応容器20内に高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって、反応容器20内に導入されたクリーニング性ガスが分解され、堆積膜および副生成物と反応して反応ガスが排気されて反応容器20内がクリーニング処理される。次に、クリーニング処理後に高周波電力の供給を停止し、反応容器20内を排気する。その後、反応容器20、原料ガス導入管25内をパージガス、例えは、Ar、He、N2のごとき不活性なガスを用いてパージ処理する。パージ処理完了後、クリーニング用のダミー基体が所望の温度例えば、室温まで下がったら、クリーニング用のダミー基体が装着された基体ホルダ8を反応容器20内から搬出する。以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。なお、以下の説明では上述した実施形態において示したのと同じ部分に対しては同じ符号を用いて説明する。実施例1図2に示す堆積膜形成装置1を用いて電子写真感光体の堆積膜を形成した。抵抗測定器39としてデジタルマルチメーターFULUKE社製型番8808Aを用いた。図3に示す接続体42の摺動体53および55として二硫化タングステンからなる固体潤滑剤富士ダイス株式会社製型番FWD-430Lを用いた。まず工程iとして、前記した手順で基体および基体を保持している基体ホルダ8を反応容器20内に設置して底部材2と電気的に接続した。そして導電性棒状体40をエアシリンダからなる移動装置41で上方に移動させて蓋部材3と接触させることにより、基体ホルダ8を蓋部材3と電気的に接続した。次に反応容器20の内部をアルゴンArで置換し、Arを1500sccmの流量で反応容器20内に導入し、内圧60Paとなるように真空ポンプユニット不図示の排気速度を調整した。ヒータ11に通電して基体7の温度が250°Cとなるように制御した。不図示の回転手段によりホルダ受け部材10を2rpmの回転速度で回転させた。次に工程iiとして、スイッチ36で経路Bを選択し、蓋部材3、導電性棒状体40、接続体42、基体ホルダセット60、ホルダ受け部材10および底部材2からなる電気が伝わる経路の電気抵抗を抵抗測定器39で測定した。電気抵抗値が10Ω以下である場合には堆積膜を形成する工程iiiに進んだ。10Ωを超える場合には工程iiiには進まず、反応容器20から基体ホルダ8を取り出し電気的な接続が不十分な個所を修繕し、再度工程iからやり直した。工程iiiに進む場合、まずスイッチ36で経路Aを選択することにより底部材2および蓋部材3を反応容器20の外部で電気的に接続した。次に反応容器20に堆積膜形成用原料ガスを導入した。反応容器20に導入された堆積膜形成用原料ガスを高周波電力により励起させて励起種を生成し基体7の上に表1に示す条件で下部阻止層、光導電層、表面層のシリコン堆積膜をそれぞれ形成して電子写真感光体を作製した。基体ホルダ8を反応容器20から取り出し、反応容器20内に堆積した堆積膜および粉状の副生成物はClF3三フッ化塩素を用いてクリーニング処理した。最後にスイッチ36で経路Bを選択することにより、底部材2および蓋部材3が反応容器20の外部で電気的に接続している状態を解除した。実施例2実施例1における堆積膜を形成する工程iiiにおいて、下部阻止層を形成したのち一旦高周波電力の印加を中断し、スイッチ36で経路Bを選択することにより、底部材2および蓋部材3が反応容器20の外部で電気的に接続している状態を解除した。次に工程ivとして、蓋部材3、導電性棒状体40、接続体42、基体ホルダセット60、ホルダ受け部材10および底部材2からなる電気が伝わる経路の電気抵抗を抵抗測定器39で測定した。電気抵抗値が10Ω以下である場合には光導電層および表面層となる堆積膜を形成する工程vに進み電子写真感光体を作製した。10Ωを超える場合には工程vには進まず、反応容器20から基体ホルダ8を取り出し電気的な接続が不十分な個所を修繕し、再度工程iからやり直して電子写真感光体を作製した。実施例1と同様に反応容器20内部をクリーニング処理し、最後にスイッチ36で経路Bを選択することにより、底部材2および蓋部材3が反応容器20の外部で電気的に接続している状態を解除した。