"金属層と、前記金属層の少なくとも一の表面上に設けられ、前記表面に露出しているダイヤモンド片とを備えることを特徴とするヒートスプレッダ。半導体チップと、前記半導体チップを実装するパッケージ基板と、前記半導体チップの表面に熱的に接続されるヒートスプレッダとを備え、前記ヒートスプレッダは、金属層と、前記金属層の少なくとも一方の表面上に設けられ、前記表面に露出しているダイヤモンド片とを備えることを特徴とする半導体装置。配線基板と、前記配線基板上に実装され、半導体チップと、前記半導体チップを実装するパッケージ基板と、前記半導体チップの表面に熱的に接続されるヒートスプレッダとを備える半導体装置と、前記ヒートスプレッダに熱的に接続される放熱部材とを備え、前記ヒートスプレッダは、金属層と、前記金属層の少なくとも一方の表面上に設けられ、前記表面に露出しているダイヤモンド片とを備えることを特徴とする電子装置。金属板の表面上にダイヤモンド片を配置し、前記金属板の表面上に金属膜を介して前記ダイヤモンド片を固着させることを特徴とするヒートスプレッダの製造方法。金属粉末及びダイヤモンド片を、前記ダイヤモンド片、前記金属粉末の順、又は、前記金属粉末、前記ダイヤモンド片の順に配置し、前記金属粉末及び前記ダイヤモンド片を加圧成形して成形体とし、前記成形体を焼成して金属焼結体の表面上に前記ダイヤモンド片を固着させることを特徴とするヒートスプレッダの製造方法。金属粉末を配置するとともに、前記金属粉末の周囲にダイヤモンド片を配置し、前記金属粉末及び前記ダイヤモンド片を加圧成形して成形体とし、前記成形体を焼成して金属焼結体の全ての表面上に前記ダイヤモンド片を固着させることを特徴とするヒートスプレッダの製造方法。金属層と、前記金属層の少なくとも一の表面上に設けられ、前記表面に露出しているダイヤモンド片と、前記ダイヤモンド片の表面及び前記金属層の表面の少なくとも一部分を覆うセラミック層とを備えることを特徴とするヒートスプレッダ。前記セラミック層は、フィンを備えることを特徴とする、請求項7に記載のヒートスプレッダ。半導体チップと、前記半導体チップを実装するパッケージ基板と、前記半導体チップの表面に熱的に接続されるヒートスプレッダとを備え、前記ヒートスプレッダは、金属層と、前記金属層の少なくとも一の表面上に設けられ、前記表面に露出しているダイヤモンド片と、前記ダイヤモンド片の表面及び前記金属層の表面の少なくとも一部分を覆うセラミック層とを備えることを特徴とする半導体装置。配線基板と、前記配線基板上に実装され、半導体チップと、前記半導体チップを実装するパッケージ基板と、前記半導体チップの表面に熱的に接続されるヒートスプレッダとを備える半導体装置と、前記ヒートスプレッダに熱的に接続される放熱部材とを備え、前記ヒートスプレッダは、金属層と、前記金属層の少なくとも一の表面上に設けられ、前記表面に露出しているダイヤモンド片と、前記ダイヤモンド片の表面及び前記金属層の表面の少なくとも一部分を覆うセラミック層とを備えることを特徴とする電子装置。配線基板と、前記配線基板上に実装され、半導体チップと、前記半導体チップを実装するパッケージ基板と、前記半導体チップの表面に熱的に接続されるヒートスプレッダとを備える半導体装置とを備え、前記ヒートスプレッダは、金属層と、前記金属層の少なくとも一の表面上に設けられ、前記表面に露出しているダイヤモンド片と、前記ダイヤモンド片の表面及び前記金属層の表面の少なくとも一部分を覆うセラミック層とを備え、前記セラミック層は、フィンを備えることを特徴とする電子装置。少なくとも一の表面上に前記表面に露出するようにダイヤモンド片が設けられた金属層に、エアロゾルデポジション法によってセラミック層を形成することを特徴とするヒートスプレッダの製造方法。しかしながら、銅などの金属からなるヒートスプレッダでは、十分な熱拡散効果が得られない。また、金属の中にダイヤモンド粒子を埋め込んだヒートスプレッダでも、十分な熱拡散効果が得られない。また、伝熱部材の表面にセラミック層を備えた絶縁伝熱構造体では、十分な熱拡散効果が得られない。そこで、十分な熱拡散効果が得られるヒートスプレッダを実現したい。また、十分な熱拡散効果及び十分な熱放射効果が得られるヒートスプレッダを実現したい。実施形態の一観点によれば、金属層と、金属層の少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片とを備えることを特徴とするヒートスプレッダを提供する。実施形態の他の観点によれば、半導体チップと、半導体チップを実装するパッケージ基板と、半導体チップの表面に熱的に接続されるヒートスプレッダとを備え、ヒートスプレッダは、金属層と、金属層の少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片とを備えることを特徴とする半導体装置を提供する。実施形態の他の観点によれば、配線基板と、配線基板上に実装され、半導体チップと、半導体チップを実装するパッケージ基板と、半導体チップの表面に熱的に接続されるヒートスプレッダとを備える半導体装置と、ヒートスプレッダに熱的に接続される放熱部材とを備え、ヒートスプレッダは、金属層と、金属層の少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片とを備えることを特徴とする電子装置を提供する。実施形態の他の観点によれば、金属板の表面上にダイヤモンド片を配置し、金属板の表面上に金属膜を介して前記ダイヤモンド片を固着させることを特徴とするヒートスプレッダの製造方法を提供する。実施形態の他の観点によれば、金属粉末及びダイヤモンド片を、ダイヤモンド片、金属粉末の順、又は、金属粉末、ダイヤモンド片の順に配置し、金属粉末及びダイヤモンド片を加圧成形して成形体とし、成形体を焼成して金属焼結体の表面上にダイヤモンド片を固着させることを特徴とするヒートスプレッダの製造方法を提供する。実施形態の他の観点によれば、金属粉末を配置するとともに、金属粉末の周囲にダイヤモンド片を配置し、金属粉末及びダイヤモンド片を加圧成形して成形体とし、成形体を焼成して金属焼結体の全ての表面上にダイヤモンド片を固着させることを特徴とするヒートスプレッダの製造方法を提供する。実施形態の他の観点によれば、金属層と、金属層の少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片と、ダイヤモンド片の表面及び金属層の表面の少なくとも一部分を覆うセラミック層とを備えることを特徴とするヒートスプレッダを提供する。実施形態の他の観点によれば、半導体チップと、半導体チップを実装するパッケージ基板と、半導体チップの表面に熱的に接続されるヒートスプレッダとを備え、ヒートスプレッダは、金属層と、金属層の少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片と、ダイヤモンド片の表面及び金属層の表面の少なくとも一部分を覆うセラミック層とを備えることを特徴とする半導体装置を提供する。実施形態の他の観点によれば、配線基板と、配線基板上に実装され、半導体チップと、半導体チップを実装するパッケージ基板と、半導体チップの表面に熱的に接続されるヒートスプレッダとを備える半導体装置と、ヒートスプレッダに熱的に接続される放熱部材とを備え、ヒートスプレッダは、金属層と、金属層の少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片と、ダイヤモンド片の表面及び金属層の表面の少なくとも一部分を覆うセラミック層とを備えることを特徴とする電子装置を提供する。実施形態の他の観点によれば、配線基板と、配線基板上に実装され、半導体チップと、半導体チップを実装するパッケージ基板と、半導体チップの表面に熱的に接続されるヒートスプレッダとを備える半導体装置とを備え、ヒートスプレッダは、金属層と、金属層の少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片と、ダイヤモンド片の表面及び金属層の表面の少なくとも一部分を覆うセラミック層とを備え、セラミック層は、フィンを備えることを特徴とする電子装置を提供する。実施形態の他の観点によれば、少なくとも一の表面上に前記表面に露出するようにダイヤモンド片が設けられた金属層に、エアロゾルデポジション法によってセラミック層を形成することを特徴とするヒートスプレッダの製造方法を提供する。したがって、本ヒートスプレッダ及びその製造方法、半導体装置、電子装置によれば、十分な熱拡散効果が得られるという利点がある。また、本ヒートスプレッダ及びその製造方法、半導体装置、電子装置によれば、十分な熱拡散効果及び十分な熱放射効果が得られるという利点がある。以下、図面により、本発明の実施の形態にかかるヒートスプレッダ及びその製造方法、半導体装置、電子装置について説明する。[第1実施形態]まず、第1実施形態にかかるヒートスプレッダ及びその製造方法、半導体装置、電子装置について、図1~図4を参照しながら説明する。本実施形態にかかる電子装置は、例えばコンピュータなどの電子装置である。なお、電子装置を電子機器ともいう。本電子装置は、図2に示すように、配線基板1と、配線基板1上に実装された半導体パッケージ2と、半導体パッケージ2に熱的に接続されるヒートシンク3とを備える。なお、配線基板1を、回路基板、回路配線基板又はプリント基板ともいう。また、半導体パッケージ2を、半導体モジュール又は半導体装置ともいう。また、ヒートシンク3を放熱部材ともいう。ここで、半導体パッケージ2は、半導体チップ4と、半導体チップ4を実装するパッケージ基板5と、半導体チップ4の表面に熱的に接続され、半導体チップ4が発生した熱を拡散させるヒートスプレッダ6とを備える。そして、ヒートスプレッダ6は、ヒートシンク3に熱的に接続されている。なお、半導体チップ4を、半導体素子ともいう。また、ヒートシンク3及びヒートスプレッダ6は、半導体チップ4の発熱による温度上昇を抑制するために半導体チップ4からの熱を放熱させるものである。このため、ヒートシンク3及びヒートスプレッダ6を、放熱構造、放熱装置又は半導体チップ用放熱装置ともいう。本実施形態では、半導体チップ4は、はんだバンプ7を介してパッケージ基板5に電気的に接続されてパッケージ基板5上に実装されている。また、パッケージ基板5はBGABallGridArrayを有するパッケージ基板である。つまり、半導体パッケージ2はBGAパッケージである。そして、パッケージ基板5は、はんだバンプ8を介して配線基板1に電気的に接続されて配線基板1上に実装されている。また、本実施形態では、半導体パッケージ2は、パッケージ基板5上に実装された半導体チップ4をヒートスプレッダ6で封止した半導体パッケージである。つまり、半導体チップの上側の表面とヒートスプレッダの下側の表面とは、例えばはんだによって熱的に接続されている。また、半導体チップ4の周囲のパッケージ基板5上に例えば接着剤によってスペーサ9が取り付けられ、このスペーサ9上に例えば接着剤によってヒートスプレッダ6が取り付けられている。また、本実施形態では、電子装置は、配線基板1上に実装された半導体パッケージ2の外面にヒートシンク3を備える。つまり、半導体パッケージ2に含まれるヒートスプレッダ6上にヒートシンク3が熱的に接続されている。そして、ヒートシンク3は、例えばボルト10によって配線基板1に固定されている。また、ヒートシンク3は、金属からなり、放熱フィン3Aを備える。なお、図示しないファン冷却ファンなどを設けて送風し、ヒートシンク3、特に、放熱フィン3Aに風を当てるのが好ましい。なお、半導体パッケージ2に熱的に接続される放熱部材は、このような放熱フィン3Aを備えるヒートシンク3に限られるものではない。特に、本実施形態では、ヒートスプレッダ6は、図1A~図1Eに示すように、金属層6Aと、金属層6Aの一の表面上に設けられ、表面外表面に露出しているダイヤモンド片6Bとを備える。ここでは、金属層6Aの一の表面の全面にダイヤモンド片6Bが設けられている。そして、図2に示すように、ヒートスプレッダ6のダイヤモンド片6Bが露出している側の表面底面が、半導体チップ4の表面に熱的に接続されている。このように、ヒートスプレッダ6の半導体チップ4に熱的に接続される側の表面の全面にダイヤモンド片6Bが露出している。また、ダイヤモンドは熱伝導率が極めて高い1000W/m°C。これにより、ヒートスプレッダ6の半導体チップ4に熱的に接続される側の表面で面内方向の熱伝導率が極めて高くなるため、十分な熱拡散効果が得られることになる。さらに、ダイヤモンドは線膨張係数熱膨張率が低く2.3ppm/°C、半導体チップ4を構成するシリコンやGaAsなどの半導体材料の線膨張係数シリコン3ppm/°C、GaAs5.9ppm/°Cとの差が小さい。これにより、温度変化によって半導体チップ4とヒートスプレッダ6との接合部に発生する熱応力を小さくすることができる。ここで、金属層6Aは、鉄、銅、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、タングステン、チタン、インバー、ニッケル、若しくは、それぞれの合金からなる。商業的、工業的には、金属層は、鉄、銅、ステンレス、アルミニウム、マグネシウム、又は、それぞれの合金、即ち、鉄系、銅系、ステンレス系、アルミニウム系、マグネシウム系の金属からなるものとするのが好ましい。特に、本実施形態の用途では、金属層は、銅、アルミニウム、又は、それぞれの合金、即ち、銅系又はアルミニウム系の金属からなるものとするのが好ましい。なお、金属層6Aは、これらの材料の中の一つの材料によって構成されていても良いし、これらの材料の中の複数の材料によって構成されていても良い。本実施形態では、後述のように、Cu基板6X金属板;導電性基板の一の表面上にNi膜6Y金属膜;導電膜をめっきすることでダイヤモンド片6BをNi膜6Yを介してCu基板6Xに固着させてヒートスプレッダ6を製造する。このため、金属層6Aは、Cu基板6X及びNi膜6Yからなる。つまり、金属層6Aを構成する金属板6Xは、金属膜をめっきすることができる金属材料からなり、金属層6Aを構成する金属膜6Yは、金属板にめっきすることができる金属材料からなる。また、電気めっきによってヒートスプレッダを製造する場合は、金属層6Aは導電性材料からなるものとなる。このように、本実施形態では、金属層6Aは、Cu基板6Xと、これと異なる材料であるNi膜6Yとからなるため、ヒートスプレッダ6は、Cu及びNiの2つの異なる材料からなる金属層6Aの一の表面上に、表面に露出しているダイヤモンド片6Bを備えるものとなる。なお、例えばCu基板6Xにめっきする金属としてNi膜に代えてCu膜を用いる場合には、金属層6Aは、Cu基板6Xと、これと同一の材料であるCu膜とからなるため、ヒートスプレッダは、Cuという1つの材料からなる金属層6Aの一の表面上に、表面に露出しているダイヤモンド片6Bを備えるものとなる。ダイヤモンド片6Bは、板状、箔状、鱗片状、顆粒状、又は、粉末状のダイヤモンドである。また、ダイヤモンド片6Bは、金属層6Aの中に埋め込まれておらず、金属層6Aの一の表面上、即ち、金属層6Aの外表面の一面上にダイヤモンド層6BXを形成しており、ダイヤモンド片6Bの一部は表面に露出している。つまり、ダイヤモンド片6Bは、金属層6Aの内部に分散していない非分散のダイヤモンド片であって、金属層6Aの一の表面上にダイヤモンド層6BXを形成しており、その一部が表面に露出している。このため、ヒートスプレッダ6は、金属層6Aと、金属層6Aの一の表面上に設けられたダイヤモンド層6BXを備える。つまり、ヒートスプレッダ6は、非分散のダイヤモンドと金属との複合材料、即ち、非分散ダイヤモンド-金属複合材料からなる。ここでは、金属層6Aとダイヤモンド片6Bとからなるヒートスプレッダ6におけるダイヤモンド片6Bの割合は、35Vol以下であり、少量のダイヤモンドを用いて、十分な熱拡散効果を得ることができ、この結果、コストを抑えることが可能となる。なお、電子装置や半導体パッケージ2の構成は、上述の実施形態のものに限られるものではなく、上述のヒートスプレッダ6を備えるものであれば良い。次に、本実施形態のヒートスプレッダ6の製造方法について、図3A~図3Cを参照しながら説明する。ここでは、めっき法ここでは電気めっき法によってヒートスプレッダ6を製造する場合を例に挙げて説明する。まず、図3Aに示すように、導電性基板である銅基板6XCu基板;金属板を配置する。ここでは、Cu基板6Xの周囲に絶縁性の型枠11を設けている。なお、型枠11は必要に応じて設ければ良い。次に、Cu基板6Xの表面上にダイヤモンド片6Bを配置する。ここでは、型枠11内のCu基板6Xの表面上に所定量例えば35Vol以下のダイヤモンド片6Bを均一に敷きつめる。そして、図3Bに示すように、電気めっきによってCu基板6Xの表面上にダイヤモンド片6Bを固着させる。ここでは、表面にダイヤモンド片6Bを敷きつめたCu基板6Xを静かにニッケルめっき浴12金属めっき浴に浸漬し、Cu基板6Xを陰極として電気めっきを施して、表面にダイヤモンド片6Bを敷きつめたCu基板6Xの表面にニッケルNi膜6Y金属膜をめっきする。これにより、ダイヤモンド片6BをNi膜6Yを介してCu基板6Xの表面上に固着電着させる。本実施形態では、まず、表面にダイヤモンド片6Bを敷きつめたCu基板6Xをニッケルめっき浴12に浸漬し、約2A/dm2の電流密度で約2時間の電気めっきを行なって、Niをダイヤモンド片6Bの間隙に埋積させてダイヤモンド片6Bを固定する。その後、電流密度を約0.5~約1A/dm2とし、ダイヤモンド片6BをNi膜6Yを介してCu基板6Xの表面上に完全に固着電着させる。その後、図3Cに示すように、例えば研磨などの外形加工によって形状を整え、Cu基板6X及びNi膜6Yからなる金属層6Aと、この金属層6Aの一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片6Bとを備えるヒートスプレッダ6が完成する。なお、Ni膜6Yがダイヤモンド片6Bを覆ってしまっている場合は、研磨等によって取り除けば良い。なお、ここでは、Cu基板6Xにめっきする金属としてNiを用いているが、これに限られるものではなく、例えばCuを用いることもできる。また、Cu基板6Xに代えてアルミニウム基板Al基板;導電性基板を用いる場合も、同様に、Al基板にめっきする金属としてNi又はCuを用いることができる。したがって、本実施形態にかかるヒートスプレッダ及びその製造方法、半導体装置、電子装置によれば、十分な熱拡散効果が得られるという利点がある。例えば銅板からなるヒートスプレッダでは、熱伝導率が約398W/m°C程度であるのに対し、本ヒートスプレッダ6では、半導体チップ4に熱的に接続される側の表面全体に、約1000W/m°C程度の極めて高い熱伝導率を有するダイヤモンド片6Bが露出している。このため、ヒートスプレッダ6の半導体チップ4に熱的に接続される側の表面で面内方向の熱伝導率が極めて高くなるため、十分な熱拡散効果が得られることになる。これに対し、従来のように、金属の中にダイヤモンド粒子を埋め込んだヒートスプレッダでは、発熱体としての半導体チップから直接ダイヤモンドで伝熱させることができないため、十分な熱拡散効果が得られない。実際に、本実施形態のヒートスプレッダ6を作製し、図4Aに示すように、基板1上に設けられた半導体チップ4の上に載せて温度分布を解析したところ、図4Dに示すようになった。なお、ヒートスプレッダ6のサイズは、縦80mm×横120mm×厚さ2mmとした。また、半導体チップ4は、縦50mm×横50mmのサイズで、5Wの発熱を有するものを用いた。また、第1比較例として、銅板からなるヒートスプレッダを、基板1上に設けられた半導体チップ4の上に載せて温度分布を解析したところ、図4Bに示すようになった。さらに、第2比較例として、銅板の内部にダイヤモンド片を設けた銅板と銅板との間にダイヤモンド片を設けたヒートスプレッダを、基板1上に設けられた半導体チップ4の上に載せて温度分布を解析したところ、図4Cに示すようになった。図4B~図4Dに示すように、本実施形態のヒートスプレッダ6を用いた場合、2つの比較例のヒートスプレッダを用いた場合と比較して、高温ここでは64°Cの領域の面積図中、点線で囲まれた領域の面積が狭くなり、十分な熱拡散効果が得られることが確認できた。具体的には、銅板からなるヒートスプレッダを用いた場合の高温領域の面積に対する、本実施形態のヒートスプレッダ6を用いた場合の高温領域の面積の割合は、約55程度になった。つまり、本実施形態のヒートスプレッダ6のように、表面にダイヤモンド片を露出させ、半導体チップから直接ダイヤモンドに伝熱させることで、高温領域の面積を約45少なくすることができた。一方、銅板からなるヒートスプレッダを用いた場合の高温領域の面積に対する、銅板の内部にダイヤモンド片を設けたヒートスプレッダを用いた場合の高温領域の面積の割合は、約68程度であった。つまり、銅板の内部にダイヤモンド片を設けることで、高温領域の面積を約32少なくすることができた。このように、銅板の内部にダイヤモンド片を設けたヒートスプレッダと比較しても、表面にダイヤモンド片を露出させた本ヒートスプレッダ6では、高温領域の面積を約13少なくすることができ、十分な熱拡散効果が得られることが確認できた。また、例えば銅板からなるヒートスプレッダでは、銅の線膨張係数約17ppm/°Cと半導体チップを構成するシリコンやGaAsなどの半導体材料の線膨張係数シリコン約3ppm/°C、GaAs約5.9ppm/°Cとの差が大きい。このため、これらの接合部に大きな熱応力が発生する。これに対し、本ヒートスプレッダ6では、半導体チップ4に熱的に接続される側の表面全面にダイヤモンド片6Bが露出しており、ダイヤモンドと半導体チップ4を構成するシリコンやGaAsなどの半導体材料との間の線膨張係数の差が小さい。このため、これらの接合部に大きな熱応力が生じないようにすることができる。これにより、ヒートスプレッダ6と半導体チップ4との接合部例えばはんだが剥がれてしまうのを防止することができる。つまり、本ヒートスプレッダ6は半導体チップ4との親和性が高い。また、例えば金属板にダイヤモンド板をつけたヒートスプレッダでは、表面が割れたり、反りなどの変形が生じたりするのに対し、本ヒートスプレッダ6では、半導体チップに熱的に接続される側の表面全面にダイヤモンド片6Bを設けているため、これらを防止することができる。また、ヒートスプレッダ6を大型化することなく、即ち、ヒートスプレッダ6の重量を増加させることなく、半導体チップ4からの熱を面内方向に素早く拡散させることができ、例えば200W級の発熱がある場合にも対応することが可能となる。また、非常に高価なダイヤモンド板を用いなくても良く、安価に製造することができるため、コストを低く抑えることができ、生産性も優れている。また、ダイヤモンド板を用いる場合、その大きさは例えば縦約10mm×横約10mm程度が限界であり、ヒートスプレッダが大型化した場合に対応することができないのに対し、本ヒートスプレッダ6のようにダイヤモンド片6Bを用いれば、これに対応することも可能である。[第2実施形態]次に、第2実施形態にかかるヒートスプレッダ及びその製造方法、半導体装置、電子装置について、図5を参照しながら説明する。本実施形態のものは、上述の第1実施形態のものに対し、ヒートスプレッダの製造方法が異なる。つまり、上述の第1実施形態では、めっき法によってヒートスプレッダを製造するのに対し、本実施形態では、焼結法によってヒートスプレッダを製造する点が異なる。本実施形態では、まず、図5A、図5Bに示すように、Cu粉末60AX金属粉末及びダイヤモンド片60Bを、ダイヤモンド片60B、Cu粉末60AXの順に配置する。ここでは、金型20に、所定量例えば35Vol以下のダイヤモンド片60Bを投入し、均一に敷きつめた後、Cu粉末60AXを投入し、均一に敷きつめる。なお、ここでは、Cu粉末60AX及びダイヤモンド片60Bを、ダイヤモンド片60B、Cu粉末60AXの順に配置しているが、これに限られるものではなく、逆に、Cu粉末60AX、ダイヤモンド片60Bの順に配置しても良い。次に、図5Cに示すように、Cu粉末60AX及びダイヤモンド片60Bを加圧成形して成形体60Xとする。ここでは、成形プレスを用いて圧力約2t/cm2で加圧成形して、Cu圧粉体60AY及びダイヤモンド片60Bからなる成形体60Xを得る。そして、図5Dに示すように、成形体60Xを焼成してCu焼結体60AZ金属焼結体の表面上にダイヤモンド片60Bを固着させる。ここでは、Cu圧粉体60AY及びダイヤモンド片60Bからなる成形体60Xを電気焼結炉21で焼成して、表面にダイヤモンド片60Bが固着密着したCu焼結体60AZを形成する。本実施形態では、例えば1気圧の水素アルゴンなどで還元雰囲気とし、金属ここではCuの焼結温度以上の温度ここでは約750°C~約875°Cに加熱して、表面にダイヤモンド片60Bが固着したCu焼結体60AZを形成する。この場合、Cu圧粉体60AYに含まれるCu粉末60AXを焼結させてCu焼結体60AZが形成される際に、ダイヤモンド片60BがCu焼結体60AZの表面上に固着することになる。その後、冷却し、電気炉21から取り出した後、例えば研磨などの外形加工によって形状を整え、Cu焼結体60AZからなる金属層60Aと、この金属層60Aの一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片60Bとを備えるヒートスプレッダ60が完成する。なお、Cu焼結体60AZの一部がダイヤモンド片60Bを覆ってしまっている場合は、研磨等によって取り除けば良い。このように、本ヒートスプレッダ60は、ダイヤモンド片60Bと金属粉末60AXを順番に投入し、加圧成形するという簡素化した製造工程で、均質、かつ、安価に製造することができ、生産性も優れている。これに対し、金属の中にダイヤモンド粒子を埋め込んだヒートスプレッダを焼結法によって製造する場合、最初に、ダイヤモンド粒子を金属粉末内に分散させるべく、ダイヤモンド粒子と金属粉末とを混合し、乾燥させる工程が必要となる。つまり、ダイヤモンド粒子と金属粉末とを混合し、乾燥させた後、ダイヤモンド粒子と金属粉末とを混合したものを金型に投入し、加圧成形することが必要となる。この場合、ダイヤモンド粒子の分散度合のばらつきを調整することも必要となる。ところで、上述のように、焼結法によってヒートスプレッダ60を製造する場合、金属層60Aを形成するのに用いる材料は、粉状にできる金属材料であれば良い。例えば、鉄、銅、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、タングステン、チタン、インバー、ニッケル、若しくは、それぞれの合金を用いれば良い。特に、本実施形態の用途では、銅、アルミニウム、又は、それぞれの合金、即ち、銅系又はアルミニウム系の金属を用いるのが好ましい。なお、その他の詳細は、上述の第1実施形態と同様であるため、ここでは、その説明を省略する。したがって、本実施形態にかかるヒートスプレッダ及びその製造方法、半導体装置、電子装置によれば、上述の第1実施形態の場合と同様に、十分な熱拡散効果が得られるという利点がある。なお、上述の実施形態では、金属層60Aの一の表面上にダイヤモンド片60Bを設けたヒートスプレッダ60を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、ダイヤモンド片は、金属層の少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出していれば良い。例えば図6A、図6Bに示すように、ダイヤモンド片60Bは、金属層60Aの全ての表面上に設けられ、全ての表面に露出していても良い。これにより、さらに熱拡散効果を向上させることができる。このようなヒートスプレッダ60を備える半導体パッケージ2を含む電子装置は、図7に示すようになる。なお、図7では、上述の第1実施形態のもの図2参照と同一のものには同一の符号を付している。このように構成されるヒートスプレッダ60は、以下のようにして製造することができる。つまり、まず、図8A~図8Cに示すように、Cu粉末60AX金属粉末を配置するとともに、金属粉末60AXの周囲にダイヤモンド片60Bを配置する。ここでは、図8Aに示すように、金型30に、ダイヤモンド片60Bを投入し、底面に均一に敷きつめた後、枠状の抜型31金型を配置する。そして、抜型31の外側、即ち、金型30と抜型31との間の隙間にダイヤモンド片60Bを投入した後、図8Bに示すように、抜型31の内側にCu粉末60AXを投入し、底面に敷きつめられたダイヤモンド片60Bの上にCu粉末60AXを均一に敷きつめる。その後、図8Cに示すように、抜型31を除去し、ダイヤモンド片60Bを投入して、Cu粉末60AXの上にダイヤモンド片60Bを均一に敷きつめる。その後、上述の実施形態の場合と同様に、図8D~図8Fに示すように、Cu粉末60AX及びダイヤモンド片60Bを加圧成形して、Cu圧粉体60AY及びダイヤモンド片60Bからなる成形体60Xとし、成形体60Xを焼成してCu焼結体60AZ金属焼結体の全ての表面上にダイヤモンド片60Bを固着させる。このようにして、Cu焼結体60AZからなる金属層60Aと、この金属層60Aの全ての表面上に設けられ、全ての表面に露出しているダイヤモンド片60Bとを備えるヒートスプレッダ60を製造することができる。[第3実施形態]次に、第3実施形態にかかるヒートスプレッダ及びその製造方法、半導体装置、電子装置について、図9~図12を参照しながら説明する。本実施形態のものは、上述の第1、2実施形態及び変形例のものに対し、ヒートスプレッダ600がさらにセラミック層600Cを備える点、及び、エアロゾルデポジション法によってヒートスプレッダ600を製造する点が異なる。本実施形態では、図9A~図9Dに示すように、ヒートスプレッダ600は、上述の第1、2実施形態及び変形例のものと同様に、金属層600Aと、金属層600Aの少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片600Bとを備える。さらに、本ヒートスプレッダ600は、ダイヤモンド片600Bの表面及び金属層600Aの表面の少なくとも一部分を覆うセラミック層600Cを備える。つまり、ダイヤモンド片600Bは、金属層600Aの中に埋め込まれておらず、金属層600Aの一の表面上にダイヤモンド層600BXを形成しているため、セラミック層600Cは、ダイヤモンド層600BXの表面及び金属層600Aの表面の少なくとも一部分を覆っている。ここで、セラミック層600Cの材料としては、特に限定されるわけではないが、例えばアルミナ,ジルコニア,窒化アルミニウム,コーディエライト,ムライト,チタニア,石英,フォレステライト,ウォラストナイト,アノーサイト,エンスタタイト,ジオプサイト,アケルマナイト,ゲーレナイト,スピネル,ガーネットなど、さらにはチタン酸マグネシウム,チタン酸カルシウム,チタン酸ストロンチウム,チタン酸バリウムなどのチタン酸塩を用いることができる。また、2種類以上のセラミック材料を用いても良い。例えば、アルミナとジルコニアの混合膜によって形成されたセラミック層600Cであっても良い。ここでは、金属層600Aの底面の全面、即ち、半導体チップ4に熱的に接続される側の表面の全面にダイヤモンド片600Bが設けられている。また、金属層600Aの底面の半導体チップ接続領域600X以外の領域及び金属層600Aの4つの側面を覆うようにセラミック層600Cが設けられている。つまり、セラミック層600Cは、ダイヤモンド片600Bの表面の一部分、及び、金属層600Aの表面の一部分を覆うように設けられている。なお、半導体チップ接続領域600Xは、半導体チップ4上に搭載される領域であるため、半導体チップ搭載領域ともいう。つまり、金属層600Aの底面の半導体チップ接続領域600Xでは、セラミック層600Cは設けられておらず、ダイヤモンド片600Bが表面に露出している。このため、ヒートスプレッダ600の底面において表面に露出しているダイヤモンド片600Bが半導体チップ4の表面に熱的に接続されることになる。そして、ヒートスプレッダ600の底面の全面にダイヤモンド片600Bが設けられており、面内方向の熱伝導率が極めて高くなるため、十分な熱拡散効果が得られることになる。さらに、ダイヤモンドは線膨張係数が低く、半導体チップ4を構成するシリコンやGaAsなどの半導体材料の線膨張係数との差が小さいため、温度変化によって半導体チップ4とヒートスプレッダ600との接合部に発生する熱応力を小さくすることもできる。一方、金属層600Aの底面の半導体チップ接続領域600X以外の領域では、金属層600Aの底面上にダイヤモンド片600B、セラミック層600Cが順に積層されており、セラミック層600Cが表面に露出している。また、金属層600Aの4つの側面には、セラミック層600Cが設けられており、セラミック層600Cが表面に露出している。これに対し、金属層600Aの上面、即ち、ヒートシンク3に熱的に接続される側の表面には、セラミック層600Cは設けられておらず、金属層600Aが表面に露出している。なお、金属層600Aの底面の半導体チップ接続領域600Xにセラミック層600Cを設けていないのは、セラミック層600Cは熱伝導率が低いためである。このように、半導体パッケージ2に含まれるヒートスプレッダ600上にヒートシンク3が熱的に接続された状態で、ヒートスプレッダ600の外気空気にさらされる表面がセラミック層600Cで覆われるようにしている。これにより、セラミック層600Cは高い熱放射性熱放射率を有するため、十分な熱放射効果が得られることになる。一方、ヒートシンク3に熱的に接続される側の表面にはセラミック層600Cを設けていない。これは、セラミック層600Cは金属層600Aよりも熱伝導率が低いため、ヒートシンク3への熱伝導効果が低下するのを防止するためである。なお、ヒートスプレッダ600の外気にさらされる表面は、熱伝導に影響を与えない部分である。つまり、上述のように、ヒートスプレッダ600の底面に設けられたダイヤモンド片600Bが半導体チップ4の表面に熱的に接続され、かつ、ヒートスプレッダ600の外気にさらされる表面がセラミック層600Cで覆われているため、十分な熱拡散効果及び十分な熱放射効果が得られることになる。上述の第1、2実施形態及び変形例のものと比較しても、熱放射効果を向上させることができる。これに対し、銅などの金属からなるヒートスプレッダ、金属の中にダイヤモンド粒子を埋め込んだヒートスプレッダでは、十分な熱拡散効果及び十分な熱放射効果は得られない。また、伝熱部材の表面にセラミック層を備えた絶縁伝熱構造体では、十分な熱拡散効果が得られない。なお、ここでは、ヒートスプレッダ600の外気にさらされる表面として、金属層600Aの底面の半導体チップ接続領域600X以外の領域及び金属層600Aの4つの側面にセラミック層600Cを設けているが、これに限られるものではない。つまり、セラミック層600Cは、ダイヤモンド片600Bの表面及び金属層600Aの表面の少なくとも一部分を覆うように設ければ良い。例えば、上述の第2実施形態の変形例のように、ダイヤモンド片600Bを、金属層600Aの全ての表面上に設ける場合には、ダイヤモンド片600Bの表面の一部分例えば外気にさらされる表面を覆うようにセラミック層600Cを設ければ良い。また、例えば、ダイヤモンド片600Bを、金属層600Aの一の表面上例えば底面上に設け、セラミック層600Cを、金属層600Aの他の表面上例えば4つの側面上に設けるようにしても良い。この場合、セラミック層600Cは、金属層600Aの表面の一部分を覆うように設けられることになる。このようなヒートスプレッダ600を備える半導体パッケージ2を含む電子装置は、図10に示すようになる。なお、図10では、上述の第1、2実施形態及び変形例のものと同一のものには同一の符号を付している。次に、本実施形態のヒートスプレッダの製造方法について、図11A~図11Eを参照しながら説明する。ここでは、常温衝撃固化現象によって成膜するエアロゾルデポジション法によってヒートスプレッダを製造する場合を例に挙げて説明する。本ヒートスプレッダの製造方法では、ダイヤモンド片600Bを配置し、エアロゾルデポジション法によって、金属層600A、セラミック層600Cを順に形成する。つまり、まず、図11A、Bに示すように、ダイヤモンド片600Bを配置する。ここでは、予め犠牲層41が形成されている金型40に、ダイヤモンド片600Bを投入し、均一に敷きつめる。なお、犠牲層41は、ダイヤモンド片600Bを固定しておくものであり、剥離可能な両面粘着材やレジストなどを塗布することによって形成される。次に、図11Cに示すように、ダイヤモンド片600Bに固着するように、金属粒子600AXを常温衝撃固化成膜して金属層600Aを形成する。つまり、ダイヤモンド片600Bに固着するように、エアロゾルデポジション法によって金属層600Aを形成する。これにより、一の表面上にダイヤモンド片600Bが固着した金属層600Aが形成される。つまり、一の表面上に表面に露出するようにダイヤモンド片600Bが設けられた金属層600Aが形成される。ここでは、後述のエアロゾルデポジション装置42のノズル46を介して、気体に金属粒子600AX例えばCu微粒子を分散させたエアロゾルを、金型40に均一に敷きつめられたダイヤモンド片600Bに吹き付けて衝突させることによって、一の表面上にダイヤモンド片600Bが固着した金属層600Aを形成する。このようにして、金属粒子600AXを常温衝撃固化成膜して、ダイヤモンド片600Bに金属層600Aを固着させて、ダイヤモンド金属複合体成形体を形成する。そして、図11Dに示すように、一の表面上に表面に露出するようにダイヤモンド片600Bが設けられた金属層600Aに固着するように、セラミック粒子600CXを常温衝撃固化成膜してセラミック層600Cを形成する。つまり、一の表面上に表面に露出するようにダイヤモンド片600Bが設けられた金属層600Aに固着するように、エアロゾルデポジション法によってセラミック層600Cを形成する。ここでは、金型40をとった後、セラミック層600Cを形成したい領域のみが露出するように犠牲層41保護層を形成する。本実施形態では、金属層600Aの底面の半導体チップ接続領域600X以外の領域及び金属層600Aの4つの側面がセラミック層600Cを形成したい領域であるため、金属層600Aの上面に犠牲層41を形成する。そして、セラミック層600Cを形成したい領域に、後述のエアロゾルデポジション装置42のノズル46を介して、気体にセラミック粒子600CX例えばアルミナ微粒子を分散させたエアロゾルを吹き付けて衝突させることによって、金属層600Aの底面の半導体チップ接続領域600X以外の領域及び金属層600Aの4つの側面にセラミック層600Cを形成する。このようにエアロゾルデポジション法を用いる場合、セラミック層600Cを形成したい領域のみに選択的にセラミック層600Cを形成することができる。なお、金属層600Aの底面の半導体チップ接続領域600X以外の領域に形成されている犠牲層41は、エアロゾルを吹き付けて衝突させたときに除去される。また、エアロゾルデポジション法によってセラミック層600Cを形成する場合、上述したセラミック層600Cの材料のうち、熱放射性の観点から、例えばアルミナなどの粒径が約10nm~約1μmのセラミック粒子粉末を用いるのが好ましい。より好ましくは約0.5μm以下の粒径を有するセラミック粒子を用いる。例えば昭和電工株式会社から製品名160SG-4として市販されているアルミナ粉末を用いることができる。このようにして、金属粒子600AX及びセラミック粒子600CXを常温衝撃固化成膜して、ダイヤモンド片600Bに金属層600A及びセラミック層600Cを固着させて、ダイヤモンド金属セラミック複合体成形体を形成する。つまり、ダイヤモンド金属複合体の周囲にセラミック層600Cを固着させてダイヤモンド金属セラミック複合体を形成する。最後に、図11Eに示すように、犠牲層41を剥離し、金型40から取り出して、一の表面上にダイヤモンド片600Bが固着した金属層600Aの底面の半導体チップ接続領域600X以外の領域及び金属層600Aの4つの側面にセラミック層600Cが形成されたヒートスプレッダ600が完成する。つまり、金属層600Aと、金属層600Aの少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片600Bと、ダイヤモンド片600Bの表面及び金属層600Aの表面の少なくとも一部分を覆うセラミック層600Cとを備えるヒートスプレッダ600が完成する。このように、エアロゾルデポジション法を用いてヒートスプレッダ600を製造する場合、常温プロセスで成膜を行なうだけで良いため、ヒートスプレッダ600を安価に製造することが可能となり、また、生産性も優れている。これに対し、金属の中にダイヤモンド粒子を埋め込んだヒートスプレッダを焼結法によって製造する場合、ヒートスプレッダを製造するのに多くの工程を要することになる。つまり、最初に、ダイヤモンド粒子を金属粉末内に分散させるべく、ダイヤモンド粒子と金属粉末とを混合し、乾燥させる工程が必要となる。また、ダイヤモンド粒子と金属粉末とを混合したものを金型に投入し、加圧成形、焼成、加工する工程も必要となる。このため、製造コストが高くなってしまい、生産性も良くない。次に、上述のようにしてエアロゾルデポジション法によって金属層600Aやセラミック層600Cを形成する場合に用いるエアロゾルデポジション装置42について、図12を参照しながら説明する。図12に示すように、エアロゾルデポジション装置42は、メカニカルブースタポンプ47及び真空ポンプ48によって真空排気される処理容器43真空チャンバを備え、この処理容器43の中に、被処理体49を保持するステージ44が設けられている。そして、ステージ44は、ステージ移動駆動部45としてのX-Yステージ駆動機構、Zステージ駆動機構及びθステージ駆動機構によって、X-Y-Z―θ方向に移動させることができるようになっている。また、処理容器43の中には、ステージ44上の被処理体49に対向するようにノズル46が設けられている。また、ノズル46には、原料粉末原料粒子50を収納した原料容器51が接続されている。そして、例えば不活性ガスや高純度酸素などのキャリアガスを、高圧ガス源52ガスボンベから質量流量コントローラ53マスフローコントローラを介して、原料容器51に供給することで、成膜材料となる原料粒子とキャリアガスとを含むエアロゾルが生成されるようになっている。このようにして生成されたエアロゾルを、ノズル46から被処理体49の表面にジェット流エアロゾルジェット流54として吹き付けることで、原料粒子50が被処理体49の表面で衝撃固化し、エアロゾルデポジション膜AD膜が成膜されるようになっている。また、原料容器51は、エアロゾルの発生を促進するため、振動台55振動機上に保持されている。また、原料容器51は、メカニカルブースタポンプ47及び真空ポンプ48に接続されており、エアロゾルデポジション膜の成膜に先立って減圧状態にされ、原料粉末50から水分が除去されるようにしている。例えば、原料粉末50として金属原料粉末を原料容器51に収納しておき、金属粒子600AXを含むエアロゾルが被処理体49としての金型40に敷きつめられたダイヤモンド片600Bの表面に吹き付けられるようにすることで、表面にダイヤモンド片600Bが固着した金属層600Aを形成することができる。また、例えば、原料粉末50としてセラミック原料粉末を原料容器51に収納しておき、セラミック粒子600CXを含むエアロゾルが被処理体49としての金属層600Aの表面に吹き付けられるようにすることで、金属層600Aの表面にセラミック層600Cを形成することができる。なお、その他の詳細は、上述の第1、2実施形態及び変形例と同様であるため、ここでは、その説明を省略する。したがって、本実施形態にかかるヒートスプレッダ及びその製造方法、半導体装置、電子装置によれば、上述の第1、2実施形態及び変形例の場合と同様に十分な熱拡散効果が得られるとともに、十分な熱放射効果が得られるという利点がある。これにより、放熱効果を向上させることができる。実際に、本実施形態のヒートスプレッダ600を作製し、上述の第1実施形態の場合と同様に、基板1上に設けられた半導体チップ4の上に載せて温度分布を解析したところ、銅からなるヒートスプレッダを用いた場合に約63°C~約65°Cであったヒートスプレッダの半導体チップ接続領域の表面温度が約45°C~約47°Cとなり、約18°C低減しており、十分な熱拡散効果及び十分な熱放射効果が得られることが確認できた。また、上述の第1、2実施形態及び変形例のヒートスプレッダを用いた場合に約48°C~約50°Cであったヒートスプレッダの半導体チップ接続領域の表面温度が約45°C~約47°Cとなり、約3°C低減しており、上述の第1、2実施形態及び変形例のヒートスプレッダと比較して、十分な熱放射効果が得られることが確認できた。なお、ヒートスプレッダ600の半導体チップ接続領域600Xの表面温度は、ヒートシンク3を実装していない状態のヒートスプレッダ600の半導体チップ接続領域600Xの表面温度である。なお、上述の実施形態では、ヒートスプレッダ600をエアロゾルデポジション法のみを用いて製造するようにしているが、これに限られるものではなく、少なくとも一の表面上に表面に露出するようにダイヤモンド片600Bが設けられた金属層600Aに、エアロゾルデポジション法によってセラミック層600Cを形成するようにすれば良い。例えば、上述の第1、2実施形態及び変形例の製造方法例えばめっき法や焼結法によって製造されたヒートスプレッダに、エアロゾルデポジション法を用いてセラミック層を形成することで、ヒートスプレッダを製造するようにしても良い。[第4実施形態]次に、第4実施形態にかかるヒートスプレッダ及びその製造方法、半導体装置、電子装置について、図13~図15を参照しながら説明する。本実施形態のものは、上述の第3実施形態のものに対し、図13A~Dに示すように、セラミック層600Cがフィン600Dを備える点が異なる。本実施形態のヒートスプレッダは、上述の第3実施形態の構成に加え、セラミック層600Cがフィン600Dを備える。つまり、本ヒートスプレッダ600は、上述の第3実施形態のものと同様に、金属層600Aと、金属層600Aの少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片600Bと、ダイヤモンド片600Bの表面及び金属層600Aの表面の少なくとも一部分を覆うセラミック層600Cとを備え、さらに、セラミック層600Cがフィン600Dを備える。ここで、セラミック層600Cに備えられるフィン600Dは放熱フィンとして機能する。つまり、本ヒートスプレッダ600はヒートシンクとしての機能も有する。ここでは、上述の第3実施形態の場合と同様に、金属層600Aの底面の全面、即ち、半導体チップ4に熱的に接続される側の表面の全面にダイヤモンド片600Bが設けられている。また、金属層600Aの底面の半導体チップ接続領域600X以外の領域及び金属層600Aの4つの側面を覆うようにセラミック層600Cが設けられている。また、上述の第3実施形態の場合と異なり、金属層600Aの上面、即ち、半導体チップ4に熱的に接続される側と反対側の表面の全面に、フィン600Dを備えるセラミック層600Cが設けられている。つまり、金属層600Aの上面を覆うようにセラミック層600Cが設けられており、さらに、このセラミック層600Cから上方へ延びるようにセラミックからなるフィン600Dが設けられており、セラミック層600Cとフィン600Dは一体形成されている。このように、セラミック層600Cは、ダイヤモンド片600Bの表面の一部分、及び、金属層600Aの表面の全体を覆うように設けられている。この場合、金属層600Aの上面に設けられた、フィン600Dを備えるセラミック層600Cがヒートシンクとして機能するため、本実施形態では、電子装置は、ヒートシンク3を備えないものとなる。つまり、本実施形態の電子装置は、図14に示すように、配線基板1と、配線基板1上に実装され、半導体チップ4と、半導体チップ4を実装するパッケージ基板5と、半導体チップ4の表面に熱的に接続される上述のヒートスプレッダ600とを備える半導体パッケージ2とを備えるものとなる。なお、図14では、上述の第1、2実施形態及び変形例のものと同一のものには同一の符号を付している。次に、本実施形態のヒートスプレッダの製造方法について、図15A~図15Fを参照しながら説明する。ここでは、常温衝撃固化現象によって成膜するエアロゾルデポジション法によってヒートスプレッダを製造する場合を例に挙げて説明する。本ヒートスプレッダの製造方法では、上述の第3実施形態の場合と同様に、ダイヤモンド片600Bを配置し、エアロゾルデポジション法によって、金属層600A、セラミック層600Cフィン600Dを含むを順に形成する。つまり、まず、上述の第3実施形態の場合と同様に、図15A~Cに示すように、予め犠牲層41が形成されている金型40に、ダイヤモンド片600Bを投入し、均一に敷きつめた後、ダイヤモンド片600Bに固着するように、エアロゾルデポジション法によって金属層600Aを形成する。次に、図15Dに示すように、一の表面上に表面に露出するようにダイヤモンド片600Bが設けられた金属層600Aに固着するように、セラミック粒子600CXを常温衝撃固化成膜してセラミック層600Cを形成する。つまり、一の表面上に表面に露出するようにダイヤモンド片600Bが設けられた金属層600Aに固着するように、エアロゾルデポジション法によってセラミック層600Cを形成する。ここでは、まず、金型40をとった後、セラミック層600Cを形成したい領域、即ち、金属層600Aの底面の半導体チップ接続領域600X以外の領域、金属層600Aの4つの側面、及び、金属層600Aの上面に、エアロゾルデポジション装置42のノズル46を介して、気体にセラミック粒子600CX例えばアルミナ微粒子を分散させたエアロゾルを吹き付けて衝突させることによって、セラミック層600Cを形成する。なお、金属層600Aの上面に形成されるセラミック層600Cは、後述のフィン600Dを形成する場合の下地層となる。次いで、フィン600Dを形成する領域に開口部を有するマスク56として、例えばメタルマスクなどのスクリーンマスクを設け、このマスク56を用いて、エアロゾルデポジション装置42のノズル46を介して、気体にセラミック粒子600CX例えばアルミナ微粒子を分散させたエアロゾルを吹き付けて衝突させることによって、セラミックからなるフィン600Dを形成する。これにより、金属層600Aの上面に形成されたセラミック層600Cから上方へ延びるフィン600Dが形成される。最後に、犠牲層41を剥離し、金型40から取り出して、一の表面上にダイヤモンド片600Bが固着した金属層600Aの底面の半導体チップ接続領域600X以外の領域、金属層600Aの4つの側面、及び、金属層600Aの上面に、フィン600Dを備えるセラミック層600Cが形成されたヒートスプレッダ600が完成する。つまり、金属層600Aと、金属層600Aの少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片600Bと、ダイヤモンド片600Bの表面及び金属層600Aの表面の少なくとも一部分を覆うセラミック層600Cとを備え、セラミック層600Cがフィン600Dを備えるヒートスプレッダ600が完成する。なお、その他の詳細は、上述の第3実施形態と同様であるため、ここでは、その説明を省略する。したがって、本実施形態にかかるヒートスプレッダ及びその製造方法、半導体装置、電子装置によれば、上述の第3実施形態の場合と同様に十分な熱拡散効果及び十分な熱放射効果が得られ、放熱効果を向上させることができるという利点がある。特に、上述のように、ヒートスプレッダ600のフィン600Dを備えるセラミック層600Cがヒートシンクとして機能するため、ヒートシンク3を別途設ける必要がない。このため、小型化を図ることができるとともに、ヒートスプレッダ600とヒートシンクとの境界面での熱抵抗がなくなるため、さらに放熱効果を向上させることが可能となる。なお、上述の実施形態では、金属層600Aの上面に、他の面と同様の厚さのセラミック層600Cをフィン600Dの下地層として形成した後、スクリーンマスク56を用いてエアロゾルデポジション法によってフィン600Dを形成するようにしているが、これに限られるものではない。例えば、エアロゾルデポジション法によって、金属層600Aの上面に、フィン600Dの高さに相当する厚さのセラミック層600Cを一様に形成した後、フィン600Dを形成する領域以外の領域に開口部を有するマスクをパターニングし、このマスクを用いてエッチングすることによって、フィン600Dを形成するようにしても良い。また、上述の実施形態では、ヒートスプレッダ600をエアロゾルデポジション法のみを用いて製造するようにしているが、これに限られるものではなく、少なくとも一の表面上に表面に露出するようにダイヤモンド片600Bが設けられた金属層600Aに、エアロゾルデポジション法によってフィン600Dを備えるセラミック層600Cを形成するようにすれば良い。例えば、上述の第1、2実施形態及び変形例の製造方法例えばめっき法や焼結法によって製造されたヒートスプレッダに、エアロゾルデポジション法を用いてフィンを備えるセラミック層を形成することで、ヒートスプレッダを製造するようにしても良い。[その他]なお、本発明は、上述した各実施形態及び変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。"