"レーザ照射を通じて、非導電性ポリマー基板内に導電性トレース及び/又はピエゾ抵抗トレースを製造するプロセスであって、前記基板は、非炭形成ポリマーを含むマトリクスと、カーボンナノチューブ若しくは窒化炭素ナノチューブ又はカーボンナノファイバを含む分散相と、を含むコンポジットポリマー材料であり、前記コンポジット材料はまた、該コンポジット材料の重量に対して、重量パーセントで0.1から20の量の層状ケイ酸塩の粒子を含むことを特徴とするプロセス。前記マトリクスのポリマー材料は、オレフィンポリマー、オレフィンコポリマー、エチレンのコポリマー、アクリルポリマー又はそれらの混合物を含むことを特徴とする、請求項1に記載のプロセス。前記マトリクスのポリマー材料は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、エチレン-プロピレンコポリマー、ポリエチレン-酢酸ビニル、ポリメチルメタクリレート及びそれらの混合物を含むことを特徴とする、請求項2に記載のプロセス。前記コンポジット材料は、該コンポジット材料に対して、重量パーセントで0.1から10の量のカーボンナノファイバ及び/又はカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載のプロセス。前記層状ケイ酸塩は、有機親和性官能基で官能化されていることを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載のプロセス。コンポジット材料の重量に対して、重量パーセントで0.5から10の量の層状ケイ酸塩を含むことを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載のプロセス。前記層状ケイ酸塩は、モンモリロナイト、ヘクトライト、フルオロヘクトライト及びパイロフィライトからなる群から選択されることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載のプロセス。前記マトリクスポリマー材料はまた、マレイン酸ポリエチレンMA-g-PE、マレイン酸ポリプロピレンMA-g-PP及びポリエチレン-co-酢酸ビニルから選択される相溶化ポリマーを含むことを特徴とする、請求項5又は6に記載のプロセス。レーザ照射は、Nd:YAG、Nd:YLF、Nd:YVO4、Nd:ガラスレーザ光源、CO2レーザ、ダイオードレーザ光源及びファイバレーザを用いて行われることを特徴とする、請求項1~8のいずれか1項に記載のプロセス。レーザ照射は、単位長さ当たり0.1ジュール/mm3から10ジュール/mm3の特定のエネルギーを印加することによって行われることを特徴とする、請求項1~9のいずれか1項に記載のプロセス。レーザ照射は、5ワット/cm2より大きい特定の出力での連続レーザ発振で行われることを特徴とする、請求項1~10のいずれか1項に記載のプロセス。レーザ照射は、最大15Mワット/cm2未満の特定の出力でのパルス発振で行われることを特徴とする、請求項1~10のいずれか1項に記載のプロセス。本発明の目的は、炭化に適した基板を構成しないポリマー基板非炭形成ポリマー、即ち熱分解の後に炭化の影響を受けにくいポリマー基板、の上での導電性トレースの製造を可能にするのに適したプロセスを提供することである。本発明の別の目的は、車両や家電製品において広く使用されるポリマー、例えばポリプロピレンやポリエチレンの中に、導電性トレース及び/又はピエゾ抵抗トレースを製造するプロセスを提供することである。このような目的に鑑みて、本発明の目標は、添付の請求項で規定され、本明細書の重要な部分を構成するプロセスである。本発明は、炭化促進剤を含む分散相で充填されたポリマーマトリクスを含む、コンポジットポリマー基板の使用を考慮している。炭化促進剤の存在により、レーザアブレーションによって引き起こされるポリマーの熱分解機構は、揮発を犠牲にして導電性炭素構造の形成に向かう。混合の際、促進剤としてのポリマーマトリクスに追加される添加剤は、伝導に参加でき、トレースの位置で密になる。炭化促進剤として、カーボンナノファイバCNT、カーボンナノチューブCNTであって、シングルウォールタイプのものSWCNTとマルチウォールタイプのものMWCNT、及び/又は官能化されたもの、並びにいくつかのN原子が炭素に置き換わったもの窒化炭素ナノチューブ又はCNNTから選択されるフィラメント状のナノ構造が使用される。本発明で使用されるナノチューブとナノファイバは、おおよそ結晶性を有し、並べられ、積層され及び/又は丸められた炭素層からなるフィラメント状の構造である。カーボンナノチューブとして、内側に空洞を有して管を形成し、優勢な成長方向に沿った細長い炭素構造のすべてを考えることが一般的であるが、ナノファイバとカーボンナノチューブの種類の充分に厳密な分類は、以下の通りである。最も厳格な分類は、ハニカム構造六角形を形成するを有する平面形状に並べて編成された炭素原子C-sp2からなるシートを意味するグラフェン層の定義を必要とする。構造的に言って、グラファイトは、一層が他層の上に積層されて結晶を形成するグラフェン層からなる。より厳密なこの定義に従うと、カーボンナノチューブCNTは、要約して言って、おおよそ内側が窪んでおり平行かつ丸められた複数の壁を有するナノチューブを構成するように、フィラメントに対して平行に配置された複数のグラフェン層を有する。一方、カーボンナノファイバCNFは、おおよそ規則化され、その面が順番に積層され、又は、フィラメントの軸に対して所定の角度に従って丸められ/積層されたグラフェンシートで構成可能な壁を形成するすべての構造ヘリンボン構造である。カーボンナノチューブCNTをより詳細に分類する。-管状構造を形成するようにそれ自体巻かれた単一のグラフェン層からからなる場合には、1つの壁で覆われるので、シングルウォールカーボンナノチューブSWCNTである。-多くのグラフェンのシートであって、その一方が他方の上に同軸状に巻かれたものから形成された場合には、マルチウォールカーボンナノチューブMWCNTである。MWCNTの最も単純なものはダブルウォールカーボンナノチューブ又はDWCNTであり、それの壁は、一方が他方の周りで丸められた2つのグラフェン面からなる。ナノチューブのグラフェンウォールが巻かれる又は丸められる経路は、2つの指標m,nで表される。この指標は、異なる種類のSWCNTを決定するカイラルベクトルを規定する。m=0又はm=nのときには、ナノチューブはそれぞれジグザグ又はアームチェアと呼ばれ、m≠n、m>0のときはカイラルである。このシングルウォールカーボンナノチューブSWCNTとダブルウォールカーボンナノチューブDWCNTの細かい分類は、さまざまな電気的挙動を説明するために必要である。異なるカイラリティによって、CNTは異なる電気的特性を有し、半導体バンドギャップ=約2eV又は金属バンドギャップ=0eVが可能である。n>2であるマルチウォールカーボンナノチューブの場合、電気的挙動は金属Eg=0eVである。なぜなら、それはシングルウォールの寄与の和によって与えられるからである。所定のカーボンナノチューブn,mについて、n=mアームチェアであれば、ナノチューブは金属であり、n-mが3の倍数であれば、非常に小さいバンドギャップを有する半導体であり、それ以外の場合、ナノチューブは、中程度の半導体である。しかし、この一般的な規則は、電気的特性に影響を与えうる、おおよそ著しい曲率に起因して例外を有する。理論的に金属ナノチューブは、非常に大きい電流密度約109A/cm2をサポートできる。これは、銅のそれよりも充分に大きい値である。電気伝導率低抵抗率も非常に大きい。科学文献から、カーボンナノファイバCNF、カーボンナノチューブCNT及び/又は混合されたCNF/CNT系の電気的挙動は、大きく変化して規定するのが難しい。なぜならそれは、多くの要素、特に電気的測定がどのように行われるか測定パラメータ、測定が単一のフィラメントに対して行われるか否か、ナノフィラメント自体の特性合成温度、使用する炭素前駆体の種類、コーティング、触媒残渣、不純物及び/又はドーパントの存在、ナノフィラメントの直径と長さ、結果として生じる結晶秩序の程度、測定が1つ以上のフィラメントを含有する系に対して行われる場合には、存在するCNT及び/又はCNFの直径/長さ/相の分布の観点での試料の均一度に依存するからである。さらに、欠陥の存在、直径、ヘリシティ、ナノチューブの有限の大きさ、温度、磁場の存在などに起因して、実験値は理論値を下回る。例えば次の表は、カーボンナノチューブについて、測定された電流密度と抵抗率の値とをいくつか示している。前記値は、ここで他種の材料のそれと比較されている。カーボンナノチューブCNTは、いくつかのN原子が炭素と置換しているCNT構造アームチェア、ジグザグをとることができる窒化炭素ナノチューブCNNTと類似していると考えることができる。CNF及び/又はCNTは、得られるナノコンポジット材料が閾値未満の導電性を維持するような量でポリマーマトリクスに包含される。当該量は、ナノコンポジット材料に対する重量パーセントで、典型的には0.1から10、好ましくは1から3である。コンポジット材料中に分散した前記フィラメント状ナノ構造の存在は、導電性トレースの形成に根本的に重要であることが判っている。実際、まさにカーボンブラックを使用して、カーボンナノチューブと同等の量として行った比較試験から、目標となる利用に適しない弱導電性トレースのみが製造されることが判った。非制限的な例として、レーザビームが生み出す局所的な加熱は、ポリマーマトリクスの選択的な表面アブレーションを誘導し、マトリクス内で分散されたナノチューブ又はカーボンナノファイバを出現させると考えることができる。さらに、レーザビームとポリマー基板との相互作用は、それの熱分解と、結果として生じる炭素の形成を促進する。このようにして形成された炭素は、アブレーションプロセスによって強調されるナノチューブ又はナノファイバ間のブリッジとして機能し、トレースを導電性とする。好ましい実施形態では、炭化促進剤として、前記カーボンナノチューブと組み合わせて、好ましくは5nm未満の平均厚さと10nm未満の最大厚さを有し、フィロケイ酸塩の群に属する層状ケイ酸塩を使用することができる。当該フィロケイ酸塩は、スメクチック粘土の群に属するもの、特にモンモリロナイト、ヘクトライト、フルオロヘクトライト、パイロフィライトが好ましい。ポリマーマトリクス中でのフィロケイ酸塩のプレートのナノスケールの分散を促進するために剥離及び又はインターカレーション、有機的に変性したスメクチック粘土有機粘土を使用できる。そのような変性は、プレート間に存在する無機カチオン、典型的にはアルカリ金属のイオン及びアルカリ土類金属のイオンと有機イオンとのイオン交換によって得られる。例えば、変性させるカチオンとして、アンモニウム又はホスホニウムを使用できる。使用する場合、コンポジット材料に対する重量パーセントで、層状ケイ酸塩を0.1から20、好ましくは0.5から10の量でポリマーマトリクスに導入できる。本発明は、特に、普及する非炭形成ポリマーを形成し又は含む基板内での導電性トレースの製造に適用される。非炭形成ポリマーという用語は、熱分解典型的には500°Cを超える温度でがポリマーのほぼ完全な揮発につながるようなポリマーを指すことを意図している。しかし、本発明に係るプロセスは、炭形成性ポリマー、即ち熱分解の後に揮発反応と炭化反応の両方を生じさせるような構造であるポリマーにも適用可能である、ことを意図している。したがって、ポリマーマトリクス材料は、好ましくは炭素質材料を製造する際の効率性が低いことで知られる熱可塑性ポリマーが可能である。特に、ポリエチレンUHMWPE、HMWPE、HDPE、MDPE、MLDPE、LDPEを含む、ポリプロピレン、エチレン-プロピレンコポリマー、スチレンポリマーPS、ポリエチレン-酢酸ビニルEVAを含むエチレンのコポリマー、ポリアクリレート、ポリメタクリレート及びポリメチルメタクリレートを含むアクリルポリマー、を含むポリオレフィンポリマーとコポリマーが好ましい。ポリマー材料はまた、上で挙げられたポリマーの2つ以上の混合物を含むことができる。ポリマー材料、例えば上で挙げられたポリマー及びコポリマーであって、相溶化コポリマー、特に場合によって添加する層状ケイ酸塩に対する相溶性を有するコポリマーを含むもの、の使用についても本発明によりカバーされる。フィロケイ酸塩に対する相溶化剤-オレフィンポリマー-として、マレイン酸ポリエチレンMA-g-PE及びマレイン酸ポリプロピレンMA-g-PP、並びにポリエチレン-co-酢酸ビニルのコポリマーを例として挙げる。レーザによるトレースの書き込みのために、連続、変調又はパルス方式優勢な熱相互作用を有する場合はで動作し、ポリマーマトリクス及び/又は炭化促進剤として加えられる添加剤と相互作用するような波長を有する任意のレーザ光源を使用できる。目的のためには、近赤外域又は可視域での発振を有する光源と遠赤外域での発振を有するレーザ光源が好ましい。2番目のものは、ポリマーと直接に相互作用し、それを熱分解し、これにより炭化分解を誘導する。一方、1番目のものは、ポリマーマトリクスと直接には相互作用しないが、ナノチューブと相互作用する。それは、加熱することにより、熱に屈して、分解するポリマーに至る。どちらの場合もレーザの影響により、レーザ処理した領域においてナノチューブの局所的な密度が増加し、これはパーコレーション限界を超えることによる導電性の増加につながる。物体内でのレーザ処理は、このナノチューブの局所密度の増加の効果により正確に特徴付けられ、大きすぎるピーク出力典型的には、例えばQスイッチレーザ光源の使用に起因してナノチューブ自体を損傷又は破壊する負の効果を有することはない。プロセスで使用可能なレーザ光源は、好ましくは以下の通りである。-連続又はパルス動作条件で、約1ミクロンの近IRでの発振波長を有し、5Wから500Wの平均出力を有するNd:YAGディスクレーザとしても又はNd:YLF又はNd:YVO4又はNd:ガラスレーザ。5ns~500ns持続するパルスでのQスイッチ源の使用は抵抗の負の変化を与えることができるものの、それにもかかわらず、到達する高いピーク出力が損傷を受けるナノチューブにつながるので、最も好適な訳ではないことに留意する必要がある。一方、連続発振を有するレーザの使用は、相互作用がナノチューブを損傷することなくポリマー材料の熱分解につながるので最適である。しかし、フリーランニング条件、或いは変調され、或いは高い周波数f>20kHzでのQスイッチ条件では、ネオジム系パルスレーザの使用は、処理領域の導電性の好適な増加につながる。-連続、パルス又は変調動作条件で、9ミクロンから11ミクロンの波長を有し、5Wから1000Wの平均出力を有するCO2レーザ。-連続、パルス又は変調動作条件で、0.5ミクロンから3ミクロンの波長を有し、5Wから1000Wの平均出力を有するダイオードレーザ。-連続、パルス又は変調動作条件で、約1ミクロンでの発振を有し、5Wから1000Wの平均出力を有する、イッテルビウムファイバレーザタイプのファイバレーザ。Qスイッチ条件でのパルス源の場合、Nd:YAGレーザに対して作成されたものと同じ情報が適用される。好ましい実施形態では、レーザ照射は、考えられる全波長に適用可能な、単位長さ当たり0.1ジュール/mm3から10ジュール/mm3の特定のエネルギー次元的には、単位体積当たりのエネルギーに相当するを印加することによって行われるUV-FIR。パルス条件でのレーザ動作の場合、印加されるピーク出力単位面積当たりのパルス継続時間を参照してレーザパルスエネルギーとして表されるは、好ましくは15Mワット/cm2より大きくない。連続的なレーザ動作の場合、ピーク出力は印加される平均出力に対応し、好ましくは5ワット/cm2から10Mワット/cm2である。トレースは、5mm/sから最大20m/sの速度でポリマー基板の上に書き込まれる。速度は使用するレーザの出力に依存する。出力が大きいほど、使用可能な速度が大きくなる。市販の光源は、原理的に、容易に数百ワットに到達し、プロセスを毎分数十メートルの速度で行うことができるようにする。レーザスポットは、円形、又は、ブレードのような細長い他の形状に構成できる。トレースは、そのトレースの幅に等しい直径又は幅のレーザスポットを使用するシングルパスを用いて、或いは、レーザスポットの直径を基準としてより大きいトレースを作成する互いに平行な他の多くのパスを用いて、或いは、互いに上に重なる多くのパスを用いて書き込み可能である。走査システムを使用することにより、直線運動の上をらせん運動で覆うウォッブル機能を使用することを可能にし、この理由により、作成されるトレースの幅は、らせんの直径に依存する。空気、又は、ポリマー基板の燃焼を促進させうる酸素の存在を制限するように相互作用領域に向けられた不活性ガス典型的には窒素であるが、アルゴン、ヘリウムもの気流の存在下、大気圧下で書き込みを行うことができる。不活性ガスで覆うことはプロセスを改善するが、それは必須ではない。不活性ガス雰囲気下、0.1atmから5atmの圧力で密閉した処理チャンバを使用することは更なる可能性である。本発明によるプロセスの更なる特徴と利点は、以下の添付図面と相互に関連して、以下の説明及び実施形態から明らかになるであろう。図面に関連して、どのような光源を使用する場合でも、トレースを検出するために、以下の構成を予測できる。1.電動車軸を介した試料の移動図1-1。ここで、適切に焦点を合わされたレーザビームは固定される。車軸の構成とモータの種類に応じて、最大5の自由度で空間内の移動を達成できるこれにより、最大500m/minの速度で、3次元トラックを作成することも可能である。2.レーザビームの移動a集束レーザヘッドを移動させる車軸のシステムを通じた、試料の表面の上でのレーザの移動図1-2a。システムと性能は、試料が移動する場合と同様である。bガルバノミラーを用いてのスキャンヘッドを通じた移動。レーザビームは、平面通常のFθレンズ又はテレセントリックレンズが備えられたヘッドを有する、又は空間Zダイナミックスキャンヘッドを使用したの上を、50m/minに到達しうる速度で移動する図1-2b。3.幾何学をベースとした最も好都合なものとして、1と2aのハイブリッド構成を用いて第1又は第2に自由度を分配するようにした、ビームと試料の両方の移動。作成されたトラックは、概して、導電性トラックの長さと、結果として生じるそのインピーダンスとに比例して、大きすぎない周波数で信号が伝送されるのを可能にする特性を有する。また、それらは、限られたサイズの回路の電源をサポートできる。これらの導電性トラックを用いて、例えばセンサが遠隔操作されるようにするのに有用な信号を伝送可能である。一方、電源については、回路が低電力の場合、数平方センチメートル又はそれより大きい面積のオーダーの回路にわたってそれらを運ぶことができる。本発明に係るプロセスを通じて得られる導電性トレースの抵抗率の値は、不活性雰囲気、空気その他の存在下、マトリクスポリマー及び添加物の性質を含むさまざまなファクタ、炭化促進剤の含有量、レーザ照射の条件と適用パラメータに依存する。実施例1<材料>この例では、工業起源MITSUIのCNTが重量パーセントで1から3高温で混合されたポリエチレンPE又はポリプロピレンPPの顆粒から、ナノコンポジットが準備される。CNTが添加されたポリエチレンのマトリクスにはまた、5の有機変性ナトリウムモンモリロナイトNa-OMMTと、酢酸ビニルを重量パーセントで19含有する5のポリエチレン-co-酢酸ビニルEVAとが加えられる。一方、ポリプロピレンベースのマトリクスには、重量パーセントで1の無水マレイン酸を含有するマレイン酸ポリプロピレンMA-g-PPが重量パーセントで5加えられる。EVAとMA-g-PPは、モンモリロナイト用相溶化剤として使用される。混合のために、溶融ミキサーが使用される。得られるナノコンポジットの酸化を避けるために、混合チャンバ内の温度は170°Cから180°Cに維持され、混合時間は5分に制限される。得られるナノコンポジットは、混合チャンバから取り出され、175°Cから195°Cに加熱されたプレスと約20barの負荷を使用して、厚さ約1mmのシートにされる。<レーザ処理>使用したレーザ光源は、1.06ミクロンの波長と、0から170Wの出力を有するNd:YAG、Qスイッチ型モデル:ExtremeE200QuantaSystemである。光源の繰り返し周波数は、7から60kHzであり、又は連続発振CWで動作させることができる。レーザビームを移動させるためのシステムは、平面場を有する焦点250mmの焦点レンズを有し、開口部が15mmである走査ヘッドからなる。この例では、レーザ光源は連続発振で、11ワットの出力で動作する。レーザ処理は、窒素ガスの気流下で行われる、10mmの長さで1.5mm隔てられたトレースは、さまざまな走査速度のレーザビームで、かつ、2つの異なる幅0.6mmと1.2mmで作成される。<結果>インピーダンス測定を行うために、2つの計器を使用した。周波数分析用のインピーダンスアナライザHP4192A大きいフルスケール2MΩを有すると、連続分析用のTektronixのマルチメータDM5120大きいフルスケール300MΩを有するである。測定用電極として、分析対象のトレースとの良好な接触を可能にするよう好適に折れ曲がった2つのタングステンフィラメントを使用した。このように形成した電極を、マイクロマニピュレータを用いて、接点間の距離を約9mmとして、試料の上に配置した。書き込み速度即ち照射時間が低下するほど、また、トレースの幅が増加するほど、抵抗率は減少する。導電率はまた、ナノチューブの割合に直接に比例するが、プロセスは2を超える濃度に対して飽和効果を示す。これは、ポリエチレンとポリプロピレンについてのパーコレーション閾値を表す。ポリエチレンベースのナノコンポジット上記の方法を用いて、0.6mm幅、25mm/sで書き込まれ、ナノコンポジットがCNTを1含有するようなトレースについて、得られるトレースの端部で測定された抵抗率の値は約100kΩcmから200kΩcmであり、ナノチューブの濃度が2から3である場合には、10kΩcm~20kΩcmに低下する。1.2mm幅、8mm/sで書き込まれたトレースの場合、得られる最も低い抵抗率の値は、CNTの濃度が1の場合には11kΩcmであり、2から3である場合には、0.6kΩcmから0.7kΩcmである。ポリプロピレンベースのナノコンポジット上記の方法を用いて、13mm/sで書き込まれ、ナノコンポジットがCNTを1含有するようなトレースについて、得られるトレースの端部で測定された抵抗率の値は約3kΩcmであり、ナノチューブの濃度が2から3である場合には、0.5kΩcm~0.9kΩcmに低下する。導電率の値は、0.6mm幅のトレースの場合と1.2mm幅のトレースの場合で同程度である。実施例2:CO2レーザ光源<材料>ナノコンポジットと準備方法は、実施例1と同様である。使用した光源は、波長10.6μm、出力100ワットから1500ワットの、低速の、触媒された同軸流を有するCO2レーザモデル:ElEnBlade1500である。光源は、変調発振型又は連続発振型で動作可能である。この例では、トレースは、試料上での実際の出力が32ワットの連続発振動作条件で作成される。移動系は、上に試料が固定されたプレートと一緒に回転するチャックで構成される。四角い金属マスクと焦点レンズは、スポットサイズと試料に当たるレーザの出力を選択することを可能にする。ノズルと窒素流を用いて、さらに不活性な雰囲気が得られる。<結果>導電率の測定は、実施例1と同様の方法で行った。ポリエチレンベースのナノコンポジット上記の方法を用いて、1.2mm幅、9mm/sで書き込まれ、ナノコンポジットがCNTを1含有するようなトレースについて、得られるトレースの端部で測定された抵抗率の値は1.6kΩcmであり、ナノチューブの濃度が2から3である場合には、1.3kΩcm~0.9kΩcmに低下する。ポリプロピレンベースのナノコンポジット9mm/sで書き込まれたトレースの場合、抵抗率の値は、約0.15kΩcmに到達する。図4は、実施例2に関するCNTの種々の濃度について、書き込み速度の関数として抵抗率のグラフを示す。試験を行い、モンモリロナイトを有するコンポジットポリマー材料と有しないコンポジットポリマー材料とを比較した。次の表は、低速の、触媒された同軸流、10.6μmの波長、試料上で50Wの出力を有し、連続領域での、さまざまな書き込み速度でのCO2レーザ処理を通じて得られる導電性トレース上で行われる重要な抵抗率測定を報告する。表中、∞は、測定において計器のスケールの端に到達したことを示す。PPは、CNTが重量パーセントで2.5加えられたポリプロピレンを表す。PEは、CNTが重量パーセントで2.5加えられたポリエチレンを表す。PPMTは、CNTが重量パーセントで2.5、モンモリロナイトが10加えられたポリプロピレンを表す。PEMTは、CNTが重量パーセントで2.5、モンモリロナイトが10加えられたポリエチレンを表す。上記の表から、モンモリロナイトを有する試料中で測定される抵抗率は、モンモリロナイトを有さず、他の全条件を等しくした試料の抵抗率よりも著しく小さいと推測できる。それは、大部分がコンポジットポリマー材料からなる基板や、前記コンポジットポリマー材料から形成される表面層を有する基板に対して、本発明に係るプロセスを適用できることを意味する。レーザアブレーション後に達成される伝導率の値は、本発明のプロセスを利用して電気的接続を作成するのを可能にし、さらに高価でリサイクルするのが難しいが銅接続に置き換えて作成することも可能にする。自動車や家電製品で広く使用されるポリマーに包含された単純な電気的デバイス例えばボタン、センサ、アンテナなどを作成するために、所望の通りに修正可能な経路に従って作成されるトレースを使用可能である。CNTに備わる特別な特性により、それらを、自動車産業でコンポーネントを作成するために一般に使用されるポリマーマトリクス内でのフィラーとして使用することにより、コンポジット材料に特別な電気的特性を付与することが可能となる。特に、CNTやCNFを追加することは、たとえ従来のフィラーに対して非常に低い割合であったとしても、高い電気伝導率の値を提供することが可能であり、さらに特定の量では、コンポジットにピエゾ抵抗特性を付与すること、例えば外部変形及び圧力刺激の存在に対して感度を高くすることが可能になる。このようにして、さまざまなタイプのコンタクト単純なブラッシング、わずかな圧力や衝撃を認識し、現にタッチセンサ式積算スイッチ材料を作成することが可能なポリマーを提供できる。コンポジットの電気的特性の変化と及ぼされる力との間の比例関係はまた、分布圧センサを作成することを可能にする。特に、コンポジット上での好適なレーザ処理を用いて、マトリクス内のまさにレーザビームが当たる領域にCNTを作成し、CNT濃度の高い領域を得ることが可能である。また、個別の導電性トレースとピエゾ抵抗領域を、ポリマーマトリクスの上に直接に作成し、これにより信号を運ぶための内部電極回路と、ボタン機能を有する高感度活性領域とが備えられた表面を作成できる。"