発光ダイオードLED構造体を製造する方法であって:複数のLEDを設ける工程であり、各LEDが少なくとも第1の半導体層を有し、該第1の半導体層は、露出され、且つ各LEDの第1の電極に接続される、工程;各LEDの前記第1の電極に電気的に接続される第1の金属部を有するサブマウントウェハを設ける工程であり、該サブマウントウェハは、前記第1の金属部に近接するが前記第1の金属部に電気的に接続されない第2の金属部を有する、工程;少なくとも前記第1の半導体層を電気化学ECエッチング用の溶液内に浸漬する工程であり、該溶液は、前記第2の金属部を前記第1の金属部に電気的に接続する導電率を有する、工程;及び前記第1の半導体層をエッチングする前記ECエッチングにおいて、前記第2の金属部を第1のバイアス電圧でバイアスすることで前記第1の半導体層をバイアスする工程;を有する方法。前記ECエッチングを実行することは、少なくとも前記第1の半導体層を塩基溶液内に浸漬し、前記第1の半導体層にUV光を適用し、且つ第2のバイアス電圧で前記塩基溶液をバイアスして、前記塩基溶液と前記第1の半導体層との間に電界を作り出すことを有する、請求項1に記載の方法。前記第1のバイアス電圧はグランド電位である、請求項1に記載の方法。前記第2の金属部は前記第1の金属部から約10μmから300μmの間の間隙だけ離隔される、請求項1に記載の方法。前記第2の金属部は、前記溶液を介した電気接触の長さを増大させるよう、前記第1の金属部とインターディジットされる、請求項1に記載の方法。前記複数のLEDのうちの少なくとも一部は直列に接続され、当該方法は更に、該直列のLEDの端子電極間に電流を結合することによって該直列のLEDを試験する工程を有する、請求項1に記載の方法。前記複数のLEDはフリップチップである、請求項1に記載の方法。前記第1の半導体層の表面を粗面化するよう前記第1の半導体層をエッチングすることによってPECエッチングを実行する工程、を更に有する請求項1に記載の方法。当該方法は更に、前記第2の金属部を電気的に分離することを含む前記サブマウントウェハを個片化する工程を有し、該個片化する工程は、前記第1の金属部の如何なる部分も切断しない、請求項1に記載の方法。前記浸漬する工程に先立って、第1の相互接続部を介して前記第1の金属部にめっきバイアス電圧を結合することによって前記第1の金属部を電気めっきする工程;及び前記浸漬する工程に先立って、前記相互接続部を前記第1の金属部から切断する工程;を更に有する請求項1に記載の方法。発光ダイオードLED構造体であって:少なくとも第1の半導体層を有するLEDであり、該第1の半導体層は該LEDの第1の電極に接続されている、LED;及び前記LEDの前記第1の電極に電気的に接続される第1の金属部を有するサブマウントであり、該サブマウントは、前記第1の金属部に沿って且つ近接して延在するが前記第1の金属部に電気的に接続されない第2の金属部を有する、サブマウント;を有し、前記第2の金属部は前記LEDから電気的に分離されており、前記第2の金属部は、前記第1の半導体層の電気化学ECエッチング中に前記第1の半導体層をバイアスするように構成されており、前記ECエッチングのための溶液が、前記第1の金属部にバイアス電圧を結合するよう、前記第2の金属部を前記第1の金属部に電気的に接続する、構造体。前記第2の金属部は前記第1の金属部とインターディジットされている、請求項11に記載の構造体。前記第2の金属部は前記第1の金属部から約10μmから300μmの間の間隙だけ離隔されている、請求項11に記載の構造体。前記サブマウントはサブマウントウェハから個片化されたものであり、該個片化により、前記第2の金属部が前記サブマウントウェハのその他の部分から電気的に分離されている、請求項11に記載の構造体。前記第1の半導体層は、前記ECエッチングにかけられたN型層である、請求項11に記載の構造体。単一のサブマウントウェハ上にマウントされた任意数のLEDを、PECエッチングを用いて、同時にエッチングするウェハスケールプロセスを開示する。実施例では、フリップチップLEDを用いて本発明を説明するが、例えば1つ以上の頂部ワイヤボンド電極を有するLEDなどの如何なるタイプのLEDも本発明を使用し得る。先ず、サファイア基板上に複数のLEDが形成される。これらのLEDは個片化されてサブマウントウェハ上にマウントされる。サブマウントウェハは、フリップチップLEDのNカソード電極及びPアノード電極に接合される金属パッドを有する。金属パッドは、最終的に電源に接続される端子まで延在する。その後、例えばレーザリフトオフプロセスを用いることによって、各LEDダイからサファイア基板が除去される。そして、全てのLEDの露出層N型と仮定するが、薄層化と光抽出を高めるための粗面化とのために、PECエッチングプロセスを用いてエッチングされる。PECエッチング中に全てのLEDのN型層をバイアスするためにサブマウントウェハの全てのNメタルに直接接続されるメタルインターコネクトに代えて、サブマウントウェハ上に、Nメタルに近接して、例えば50μmだけNメタルから離隔されて、メタルパターンが形成される。このメタルパターンは、Nメタルから電気的に分離されているので、LEDの動作には影響を及ぼさない。しかしながら、PECエッチングにおいて、サブマウントウェハがPECエッチング用のKOH溶液内に浸漬され、上記メタルパターンが接地バイアスされるとき、KOH溶液の比較的低い抵抗例えば、0.016Ωmが実効的に上記金属パターンをNメタルに短絡させることで、全てのLEDのN型層がグランドにバイアスされる。その他のバイアス電圧も使用することができる。PECエッチングプロセスの後、上記メタルパターンは、サブマウントウェハ上でNメタルから電気的に分離されているので、LEDの動作に影響を及ぼさない。故に、このサブマウントは、サブマウントのNメタルに接続される従来技術に係るメタルインターコネクトを切断することによって生じる欠点に悩まされることがない。発明に係るメタルパターンはLEDから電気的に分離されているので、ウェハ上の一連の直列接続されたLEDを試験することが可能である。他の一実施形態においては、P層が発光層であり、該P層が、発明に係る技術を用いてバイアスされながらPECエッチングを用いてエッチングされる。他の一実施形態において、上記エッチングは、PECエッチングではなく、UVを使用しない電気化学ECエッチングとすることができる。PECエッチングは電気化学エッチングの一部である。プロセス態様は、例えばAlGaAsのLED及びAlInGaPのLEDなどの、GaNベースではないLEDに適用されてもよい。図1は、LEDダイ12のアレイが装着されたサブマウントウェハ10を例示している。何百ものダイ12がウェハ10に接合され得る。サブマウントのベース材料は、セラミック、シリコン、絶縁被覆されたアルミニウム、又はその他の材料とし得る。図2は、ウェハ10上の4つの隣り合うLED領域の拡大図であり、ウェハ10表面のNメタル14及びPメタル16を示している。メタル14/16は、LEDダイ12の電極に接合されるパッドを形成している。LED12及びメタル14/16は如何なるサイズともし得る。メタル14/16は、LEDダイ12の底面のカソード及びアノードNi/Au電極に接合されるよう、Ni/Auめっきされた銅とし得る。LED電極は、超音波溶接又はその他の方法によってメタル14/16に接合され得る。メタル14/16は、ウェハ10を貫通して延在するビアによって、ウェハ10内の各サブマウントの底面パッドに接続され得る。個片化の後、該底面パッドは印刷回路基板上に表面実装され得る。メタルパターン20は、電気的に分離されるよう、例えば50μmだけ離して、Nメタル14の非常に近くに形成される。この間隙は、PECエッチング中にLEDダイ12のN層をバイアスするために、PECエッチング中にKOH溶液又は、その他の電解質溶液がメタルパターン20をNメタル14に短絡させる導電体として作用するように選定される。一実施形態において、KOH溶液例えば、4モル/リットルの濃度を用いるの抵抗率は約0.016Ωmである。これは、一典型例において、間隙の幅が約11.56mmであり且つメタライゼーション厚さが50μmであると仮定すると、50μmの間隙を横切って1.4Ωより低い抵抗を生じさせることになる[0.016Ωm×50μm間隙/11.56mm×50μm厚さ=1.384Ω]。この間隙は、乾燥した環境でメタルパターン20をNメタル14から電気的に分離しながらPECエッチング中には適正なバイアスを提供するために、10μm又はそれ未満から数百μm例えば、300μmまでの範囲とすることができる。これら2つの金属間の導通は、この間隙に沿って対向するエッジの幅、及び配線厚さによって直接的に決定される。PECエッチングにおいては非常に小さい電流が存在するのみであり、KOH溶液中の抵抗率がいかほどであろうとPECプロセスには有意に影響しない。メタルパターン20は、例えばグランド又はその他の電圧などのバイアス電圧Vに接続されるブスバー22及び24を含んでいる。メタルパターン20は如何なる幅又は厚さであってもよい。PECエッチング後、メタルパターン20は分離され、個片化中のブスバー22及び24の切断はLEDダイ12の性能に影響を及ぼさない。他の一実施形態において、バイアス印加は、エッチングプロセスを加速するために、UVを使用しない電気化学ECエッチングのために行われる。図3は、図2の直線3-3に沿ったLEDダイ12及びサブマウントウェハ10を単純且つ簡潔に示す断面図である。LEDダイ12は、単純化されているが、一般に、エピタキシャル成長された半導体N型層26、半導体活性層28及び半導体P型層30を有する。フリップチップの場合、N型層26を露出させるようにP型層30及び活性層28の一部がエッチング除去され、N型層26に接触するようにN電極32が堆積される。P型層30にはP電極34が接触している。一実施形態において、LEDはAlInGaNであり、青色から琥珀色の光を放出する。一実施形態において、これらの半導体層はサファイア基板上にエピタキシャル成長される。LEDダイ12が、LEDウェハから個片化され、且つ、必要に応じてLEDダイ12の下方にアンダーフィル材を塗布して、サブマウントウェハ10上にマウントされた後、サファイア基板は例えばレーザリフトオフによって除去され、それによりN型層26が露出される。N型層26は、核形成、応力緩和及び被覆クラッド形成のために使用される様々な層を有し得る。その後、N型層26は、PECエッチングを含む様々な方法のうちの何れかを用いて薄層化され得る。PECエッチングは、この薄層化の全てに使用されてもよいし、N型層26を薄層化するその他の方法と組み合わされてもよい。好ましくは、PECエッチングは少なくとも、光抽出の向上のためにN型層26の表面を粗面加工するために使用される。サブマウントウェハ10は、その上に、メタル14及び16と、PECエッチング中のバイアス用のメタルパターン20とを形成されている。図3が模式的に示しているように、メタルパターン20は、図2のブス22を表す直線36によってその他のメタルパターン20に電気的に接続されている。メタル14及び16は、ウェハ10を貫いて延在するビア42によって、底面カソードパット38及び底面アノードパッド40に接続されている。PECエッチングにおいては、エッチングレートを高め且つ制御するために、エッチングすべき表面と溶液との間に電界が作り出される。そのようなバイアス印加を実現するため、LEDダイ12のN型層26はメタルパターン20、KOH溶液及びNメタルパッド14を介してグランド又は、その他の好適なバイアス電圧に結合される。図4は、KOH溶液の濃度に対するその導電率を示す2003刊行物からの簡略化したグラフである。数百μm未満の間隙では、KOH溶液の抵抗は、PECエッチング中にN型層26をバイアスするためにメタルパターン20とNメタル14との間に適当な低電流ブリッジを提供するのに十分な低さである。図3に示すように、層26の露出表面のPECエッチング46が実行される。矢印46は導電性溶液をも表している。層26は、PECエッチング中に、多孔質層を作り出すように完全に貫通してエッチングされてもよい。PECエッチングを行うため、少なくとも、エッチングすべき層が、電解質溶液に浸漬され、且つメタルパターン20に印加される電位によってバイアスされる。正電位を有する電極が上記電解質溶液に浸漬されて、この塩基溶液がバイアスされる。好適な電解質溶液の一例は0.2M-4MのKOHであるが、数多くのその他の好適な塩基性又は酸性の電解質溶液も使用され得る。使用される溶液及びその濃度は、エッチングすべき材料の組成及び所望の表面テクスチャに依存する。層26のエピタキシャル表面は、この表面層のバンドギャップより大きいエネルギーを有する光に晒される。一例において、約365nmの波長と約10mW/cm2と約100mW/cm2との間の強度とを有する紫外光が使用される。光に晒すことにより、半導体層内に電子-正孔対が生成される。正孔は、電界の影響下でGaN層の表面に移動する。正孔は、そして、該表面でGaN及び塩基溶液と反応し、式2GaN6OH-6e=2GaOH3N2に従ってGaN結合を切断する。N型層26を流れる電流は、1×1mm2のLEDダイ12当たり約10μAとなり得る。PEC電圧はダイオード降伏電圧未満例えば、5V未満に維持されるべきである。GaN層のPECエッチングの更なる詳細は、本願と同一出願人による米国特許出願公開第2006/0014310号及び第2010/0006864号に見出すことができる。なお、その内容をここに援用する。結果として得られる層26の表面の粗面化により、LED構造内での内部反射が低減され、抽出効率が高められる。LEDダイ及びサブマウントウェハを形成することについての更なる説明は、本願と同一出願人による米国特許出願公開第2010/0006864号に見出すことができる。なお、その内容をここに援用する。このエッチングプロセスの後、光を波長変換するために、LED上に蛍光体が堆積されてもよい。図5は、サブマウントウェハ上の単一のLEDダイの実際のメタルパッド構成を例示しており、Nメタル14と、Pメタル16と、PECエッチング中にLEDダイの露出N型層をバイアスするためのメタルパターン20とを示している。図5において、上記50μm間隙は約11.56mm長さである。ウェハ10がKOH溶液から取り出され、洗浄され且つ乾燥された後、LEDダイ12は、メタルパターン20の影響を気にすることなく試験され得る。図6Aは、従来技術の一例に係る単一ダイ内に形成された一連の小型LED又は、LEDセルを示している。単一のチップがトレンチ溝によって分割され、金属層が複数の小型LEDのアノード及びカソードを直列接続する。PECエッチング中にN型層をバイアスするために、サブマウントウェハ上の金属配線48によってLEDカソード同士を直接的に相互接続する従来技術では、一連の小型LEDのうちの最も左側の小型LED50を試験することができるのみである。その他の小型LEDは配線48によって短絡されているからである。図6Bは、本発明に従った一連の小型LEDの一例を示しており、それらのカソードは、電解質溶液内にないとき、バイアス用メタルパターン20から電気的に分離されている。なお、メタルパターン20とNメタル14との交互噛み合いインターディジテーションは、KOH溶液を介した電気接触の長さを長くするものである。小型LEDのカソードはともに短絡されてはいないので、この一連物の終端部54/55間に電流を印加することによって、一連の小型LEDダイの試験を行うことができる。LEDダイ12がウェハ10上にマウントされるのに先立ち、図7に示すバイアス用の相互接続を用いて、ウェハ10上の少なくとも図3のメタル14、16、20、38及び40を形成する銅配線がNi/Auで電気めっきされ得る。図7は、サブマウントウェハ10上のNメタル16及びPメタル16を電気めっきするためにメタル14及び16をバイアスし、且つ後に、PECエッチングのためにNメタル14をバイアスするための、バイアス技術を模式的に示している。図7に示したメタル構成はまた、特定のロウ行配線とコラム列配線とに電流を印加することによって各LEDダイを別々に試験することを可能にする。全てのNメタル14がともに、複数のNメタルコラムブス54と1つの接続ブス配線56とによって、サブマウントウェハ10の前面フロント面で接続されている。全てのPメタル16がともに、複数のPメタルロウブス58と1つの接続ブス配線57とにより、サブマウントウェハ10の底面ボトム面でアノードパッド40図3同士を相互接続することによって接続されている。接続ブス配線57は、突き詰めていくと、例えばウェハ10の外部の相互接続を用いることなどで、接続ブス配線56に短絡されている。メタル14及び16とサブマウントウェハ10の底面のパッドとの電気めっき中、ブス配線56及び57がバイアス電圧に接続され、ウェハ10上の全てのメタルがNi/Au層でめっきされる。図8は、Ni/Au層60でめっきされたNメタル14及びPメタル16の銅シード層を例示している。シード層は既にパターニングされているので、銅の側壁もめっきされる。これは、LEDダイ12のNi/Au電極61と接合するパッドを拡幅し、サブマウント10上でのLEDダイの配置許容度を高める。望ましくない技術においては、サブマウントウェハ10の全ての銅パッドが、めっきプロセス中に格子状の相互接続を用いて互いに短絡され、その後、個片化中にこの格子が切断されることになる。しかしながら、個片化に先立って個々のLEDを試験することを望む場合、接続の各々をレーザ切断しなければならなくなる。故に、8×8のパッドを有するアレイの場合、少なくとも64箇所のレーザ切断となる。これは時間が掛かるとともに費用を追加するものである。図7の構成は、Nメタル14を別々のコラム内で相互接続し且つPメタル16を別々のロウ内で相互接続することによって、この問題を解決している。Nメタル14は4つのコラムにて水平ブス配線56に接続されるのみであるので、コラム同士を分離するように、めっき後に4箇所の位置62のみでレーザ切断を行えばよい。同様に、Pメタル16は4つのロウにてブス外部のため図示せずに接続されるのみであるので、ロウ同士を分離するように、めっき後に4箇所の位置64のみでレーザ切断を行えばよい。故に、64箇所に代えて、8箇所のレーザ切断が必要とされるのみである。この差は、LEDダイ位置の数が増加するにつれて幾何学的に増大する。サブマウント10のパッドをめっきした後、サブマウントウェハ10上にLEDダイがマウントされる。PECエッチング中、ブス配線56は例えばそれをグランドに接続することによってバイアスされ、コラムブス54は、低抵抗率のPECエッチ溶液によりコラムブス54に短絡されるメタルパターン20によって、ブス配線56に電気的に接続される。これにより、LEDのN型層がバイアスされる。メタルパターン20は、PECエッチ溶液を介した電気結合の幅を増大させるよう、コラムブス54と交互に噛み合わされているインターディジットされている。PECエッチングの後、個々のLEDは、電流を駆動すべきコラムとロウとの組合せを接続することによって、ウェハ10上で別々にアドレス可能であり、別々に試験され得る。Nメタル14及びPメタル16のコラム及びロウの相互接続はなおも、各LEDダイを個別にアドレス指定することを可能にする。何故なら、コラム同士は4箇所の位置62でのレーザ切断によって互いに分離され、ロウ同士は他の4箇所の位置64でのレーザ切断によって互いに分離されているからである。PECエッチング及び更なるウェハレベル処理例えば、レンズのモールド成形、封止、蛍光体の堆積などの後、サブマウントウェハ10がLED領域同士の境界に沿って切断あるいは破断されて、LEDが個片化される。LEDの個片化はメタルパターン20を切除が、この切除はLEDの性能に影響を及ぼさない。コラムブス54及びロウブス58も切除され、Nメタル14及びPメタル16のパッドが分離される。従って、開示のプロセスは、PECエッチング又は、電気化学エッチングのための直接相互接続に伴う上述の欠点を解消し、別個のプロセス工程で相互接続を切断することを必要とした従来技術では実行することができなかった試験を可能にする。本開示において、用語サブマウントは、少なくとも1つのLEDダイの支持体であって、該サブマウント上の電気コンタクトがLEDダイの電極に電気的に接続され、且つ該サブマウントが、駆動電流を受け取るために接続される電極を有するもの、を意味するよう意図されたものである。本発明を特定の実施形態を図示して説明してきたが、当業者に明らかになるように、より広い観点での本発明を逸脱することなく変形及び変更が為され得る。故に、添付の請求項は、本発明の真の精神及び範囲に入る限り、そのような変形及び変更をその範囲内に包含するものである。