"一主面に線状の窪み部が延在し且つ第1の導電型を有している第1半導体層と、前記一主面の上に配されている第2の導電型を有する第2半導体層と、を備える光電変換装置。前記第2半導体層は、前記一主面に垂直な方向に厚さを有し、前記線状の窪み部が前記一主面に垂直な方向に窪んでいる前記一主面からの深さの値は、前記第2半導体層の前記厚さの値よりも大きい請求項1に記載の光電変換装置。前記第1半導体層は、I-III-VI族化合物半導体を含む請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。前記第1半導体層には、複数の前記線状の窪み部が配され、前記複数の線状の窪み部は、前記一主面において相互に異なる方向に延在している請求項1から請求項3の何れか1つの請求項に記載の光電変換装置。前記第1半導体層において、前記線状の窪み部を基準として前記一主面に垂直な方向に位置する結晶の平均粒径である第1平均粒径が、残余の結晶の平均粒径である第2平均粒径よりも大きい請求項1から請求項4の何れか1つの請求項に記載の光電変換装置。原料溶液および化合物半導体の微粒子を含有する微粒子含有溶液を準備する工程と、前記微粒子含有溶液を電極層の上に塗布して皮膜を形成する工程と、前記皮膜に対して熱処理を施すことで、一主面に線状の窪み部が延在している半導体層を形成する工程と、を備え、前記原料溶液に、ルイス塩基性有機化合物、カルコゲン元素を含有する有機化合物および金属元素を含ませ、前記化合物半導体の微粒子に、前記金属元素を含ませる光電変換装置の製造方法。前記金属元素として、I-B族元素およびIII-B族元素を含ませ、前記化合物半導体として、I-III-VI族化合物半導体を含ませる請求項6に記載の光電変換装置の製造方法。前記微粒子として、10nm以上で且つ500nm以下の平均粒径を有するものを用いる請求項6または請求項7に記載の光電変換装置の製造方法。前記熱処理は、毎秒20°C以上の昇温速度で560°C以上まで前記皮膜を加熱する処理を含む請求項6から請求項8の何れか1つの請求項に記載の光電変換装置の製造方法。カルコパイライト系の光電変換装置では、例えば、製造工程における熱処理時の膨張と収縮ならびに屋外での使用時における外力の付与に起因する応力の発生等によって、光吸収層にクラックが生じる虞がある。このクラックの発生は、光電変換装置における変換効率の低下を招く。そして、この問題は、カルコパイライト系の光電変換装置以外の光電変換装置にも生じ得る。そこで、変換効率が向上された光電変換装置が望まれている。上記課題を解決するために、第1の態様に係る光電変換装置は、一主面に線状の窪み部が延在し且つ第1の導電型を有している第1半導体層と、前記一主面の上に配されている第2の導電型を有する第2半導体層と、を備える。また、第2の態様に係る光電変換装置の製造方法は、原料溶液および化合物半導体の微粒子を含有する微粒子含有溶液を準備する工程と、前記微粒子含有溶液を電極層の上に塗布して皮膜を形成する工程と、前記皮膜に対して熱処理を施すことで、一主面に線状の窪み部が延在している半導体層を形成する工程と、を備え、前記原料溶液に、ルイス塩基性有機化合物、カルコゲン元素を含有する有機化合物および金属元素を含ませ、前記化合物半導体の微粒子に、前記金属元素を含ませる。本発明の上記態様によれば、変換効率が向上された光電変換装置が実現される。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同一符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。なお、図1から図14には、光電変換セル10の配列方向図1の図面視左右方向をX軸方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。<光電変換装置の構成>光電変換装置21は、基板1と、該基板1の上に平面的に並べられた複数の光電変換セル10とを備えている。図1では、図示の都合上、2つの光電変換セル10の一部のみが示されている。但し、実際の光電変換装置21には、図面の左右方向に、多数の光電変換セル10が平面的に配列され得る。各光電変換セル10は、下部電極層2と、光電変換層3と、上部電極層4と、グリッド電極5と、接続部45とを備えている。光電変換装置21では、上部電極層4およびグリッド電極5が配されている側の主面が受光面側となっている。また、光電変換装置21には、第1溝部P1、第2溝部P2および第3溝部P3といった3種類の溝部が延在している。基板1は、複数の光電変換セル10を支持するものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が採用され得る。本実施形態では、基板1は、1mm以上で且つ3mm以下程度の厚さを有する青板ガラスソーダライムガラスである。下部電極層2は、基板1のZ側の主面一主面とも言うの上に配されている導電層である。下部電極層2に含まれる主な材料としては、例えば、Mo、Al、Ti、TaまたはAu等の導電性を有する各種金属等が採用され得る。また、下部電極層2の厚さは、0.2μm以上で且つ1μm以下程度であれば良い。下部電極層2は、例えば、スパッタリング法または蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成され得る。光電変換層3は、第1半導体層としての光吸収層31と第2半導体層としてのバッファ層32とを備える。光吸収層31とバッファ層32とは、積層されている。光吸収層31は、下部電極層2のZ側の主面一主面とも言うの上に配されており、第1の導電型を有する半導体を含んでいる。ここでは、第1の導電型は、p型である。光吸収層31の厚さは、例えば、1μm以上で且つ3μm以下程度であれば良い。光吸収層31がカルコパイライト系CIS系とも言うの化合物半導体であるI-III-VI族化合物半導体の層であれば、光吸収層31の厚さが薄くても変換効率が高められ得る。これにより、光吸収層31が少ない材料で安価に生成され得る。本実施形態では、光吸収層31が、p型の導電型を有するI-III-VI族化合物半導体の層である。I-III-VI族化合物半導体とは、I-III-VI族化合物を主に含む半導体である。なお、I-III-VI族化合物を主に含む半導体とは、半導体がI-III-VI族化合物を70mol以上含むことを言う。以下の記載においても、主に含むは70mol以上含むことを意味する。I-III-VI族化合物とは、I-B族元素11族元素とも言うとIII-B族元素13族元素とも言うとVI-B族元素16族元素とも言うとを主に含む化合物である。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuInSe2CISとも言う、CuIn,GaSe2CIGSとも言う、CuIn,GaSe,S2CIGSSとも言う等が採用され得る。なお、CuIn,GaSe2は、CuとInとGaとSeとを主に含む化合物である。また、CuIn,GaSe,S2は、CuとInとGaとSeとSとを主に含む化合物である。また、光吸収層31は、薄膜のCuIn,GaSe,S2層が表面層として配されているCuIn,GaSe2等といった多元化合物半導体の薄膜であっても良い。また、第1半導体層としての光吸収層31のうちのバッファ層32側図中のZ側の主面一主面とも言うには、複数の線状の窪み部31HW図3等参照が延在している。そして、各窪み部31HWの内壁は、光吸収層31の表面部によって形成されている。図3および図4は、光吸収層31の一主面に線状の窪み部31HWが延在している具体例を示すSEM写真である。図5は、窪み部31HWの長手方向に垂直な面における該窪み部31HWおよびその周辺の構成の断面を例示する模式図である。窪み部31HWは、光吸収層31の一主面において、平坦な面基準面31SFを基準として窪んだ部分である。基準面31SFは、若干の粗さを有する略平坦な面であっても良い。窪み部31HWは、例えば、長手方向に垂直な断面が半円状の内部空間を有する。つまり、窪み部31HWの底部の形状が下部電極層2側に凸の円弧状の形状を有している。また、窪み部31HWの深さは、例えば、1μm以上で且つ5μm以下であれば良く、窪み部31HWの幅は、例えば、2μm以上で且つ10μm以下であれば良い。また、窪み部31HWが一主面上で長手方向に延在している距離は、例えば、100μm以上で且つ数100μm以下であれば良い。なお、ここで言う窪み部31HWの深さは、基準面31SFの位置を基準として-Z方向に窪み部31HWが窪んでいる、基準面31SFから窪み部31HWの底までの距離を意味する。換言すれば、窪み部31HWの深さは、基準面31SFに垂直な方向法線方向とも言い、ここでは-Z方向に窪み部31HWが窪んでいる、基準面31SFからの窪み部31HWの窪みの大きさを表わす距離窪み距離とも言うを意味する。基準面31SFの位置としては、窪み部31HWの周囲の所定範囲における基準面31SFのZ座標の平均値等が採用され得る。所定範囲は、例えば窪み部31HWを中心とする100μm四方の領域であれば良い。また、ここで言う窪み部31HWの幅は、窪み部31HWにおけるバッファ層32側の開口のうち窪み部31HWの長手方向に垂直な方向の開口の大きさを表わす距離を意味する。上記線状の窪み部31HWの延在により、例えば、光吸収層31に対してバッファ層32側から押圧力が付与される場合には、開口が狭まったり拡がったりする窪み部31HWの変形によって、光吸収層31に付与される応力が緩和される。その結果、光吸収層31におけるクラックの発生が低減される。また、図3で示されるように、光吸収層31の一主面において複数の線状の窪み部31HWが相互に異なる方向に延在していれば、光吸収層31に付与される種々の方向の応力が緩和され易い。なお、光吸収層31は、いわゆる塗布法または印刷法と称されるプロセスによって形成され得る。塗布法では、まず、光吸収層31の主な構成元素が溶解されている状態および微粒子の状態でそれぞれ含有されている溶液微粒子含有溶液とも言うが下部電極層2の上に塗布された後に、乾燥処理が施されることで、半乾き状態の皮膜が形成される。そして、該皮膜に対する熱処理が行われる。ここで、微粒子含有溶液としては、I-B族元素とIII-B族元素とVI-B族元素とが溶解した溶液原料溶液とも言うに、I-B族元素とIII-B族元素とVI-B族元素とを含むI-III-VI族化合物半導体の微粒子が分散している溶液が採用される。また、熱処理では、例えば、毎分20°C以上昇温される比較的速い昇温速度で560°C以上まで皮膜が加熱され、所定の温度域例えば560°C以上で且つ600°C以下に所定時間例えば約1時間保持された後、自然対流による冷却自然冷却が行われる。図6から図8は、熱処理によって線状の窪み部31HWが形成される際における皮膜の状態の変化を模式的に示す図である。熱処理によって線状の窪み部31HWが形成される工程には主に次の3つの段階~が存在する。熱処理の直前では、図6で示されるように、原料溶液31LQに多数のI-III-VI族化合物半導体の微粒子31PAが分散している皮膜が形成された状態となっている。次に、皮膜が、毎分20°C以上昇温される比較的速い昇温速度で560°C以上まで加熱される。これにより、I-III-VI族化合物半導体の多数の微粒子31PAが核となって、微粒子31PAの凝集と結晶の発生と結晶の成長とが急速に生じる。このとき、図7で示されるように、ある程度の粒径まで成長した多数の結晶31SCが生じるとともに、多数の微粒子の凝集等に起因する収縮力によって多数の結晶31SCの間に線状のクラック31CLが生じる。その結果、皮膜は、多数の結晶31SCの間に発生した線状のクラック31CL内に原料溶液31LQが残存している状態となる。その次に、皮膜が、所定の温度域例えば560°C以上で且つ600°C以下に所定時間例えば約1時間保持されると、クラック31CL内等に存在していた原料溶液31LQの有機成分が徐々に蒸散する。そして、I-III-VI族化合物半導体の結晶の析出および成長が生じ、図8で示されるように、I-III-VI族化合物半導体の比較的大きな結晶大結晶とも言う31LCが生じる。このとき、クラック31CL内の原料溶液31LQが、クラック31CLの領域よりも相対的に体積が小さな大結晶31LCに変化することで、光吸収層31の一主面に線状の窪み部31HWが形成される。なお、所定の温度域が600°C以下であれば、基板1および下部電極層2から光吸収層31が剥離し難くなる。このようにして形成された光吸収層31では、線状の窪み部31HWの直下の部分におけるI-III-VI族化合物半導体の結晶粒径の平均値第1平均粒径とも言うは、残余の部分における結晶粒径の平均値第2平均粒径とも言うよりも大きい。ここで、光吸収層31における線状の窪み部31HWの直下の部分は、線状の窪み部31HWの位置を基準として一主面に垂直な方向法線方向とも言い、具体的には-Z方向に位置する部分である。具体的には、図8で示されるように、大結晶31LCの第1平均粒径が、結晶31SCの第2平均粒径よりも大きい。そして、光吸収層31のうちの線状の窪み部31HWの直下の部分に大結晶31LCが配されており、窪み部31HWの内壁における凹凸は小さい。このため、光吸収層31のうちの線状の窪み部31HWが存在する部分と、バッファ層32との密着性が良好である。これにより、窪み部31HWによる応力の緩和時に、窪み部31HWが変形しても、バッファ層32が光吸収層31から剥離し難い。バッファ層32は、光吸収層31の一主面の上に配されている半導体層である。この半導体層は、光吸収層31の導電型とは異なる導電型を有している。ここでは、異なる導電型は、n型である。また、バッファ層32と光吸収層31とが、ヘテロ接合領域を形成している。光電変換セル10では、光吸収層31とバッファ層32とが積層された光電変換層3において光電変換が生じる。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体キャリアが異なる半導体のことである。また、光吸収層31の導電型がp型であれば、バッファ層32の導電型はn型でなく、i型であっても良い。さらに、光吸収層31の導電型がn型またはi型であれば、バッファ層32の導電型はp型であっても良い。バッファ層32は、化合物半導体を主に含む。バッファ層32に含まれる化合物半導体としては、例えば、CdS、In2S3、ZnS、ZnO、In2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が採用され得る。そして、バッファ層32の抵抗率が1Ωcm以上であれば、リーク電流が低減される。なお、バッファ層32は、例えば、ケミカルバスデポジションCBD法等で形成され得る。また、バッファ層32の厚さ方向は、光吸収層31の一主面に垂直な方向と略一致する。バッファ層32の厚さは、例えば、10nm以上で且つ200nm以下であれば良い。バッファ層32の厚さが100nm以上で且つ200nm以下であれば、高温高湿の条件下における変換効率の低下が顕著に低減され得る。この場合、光吸収層31における線状の窪み部31HWの窪み距離第1距離とも言うは、バッファ層32が光吸収層31の一主面具体的には基準面31SFの法線方向図中Z方向に設けられている距離バッファ層32の厚さに相当し、第2距離とも言うよりも長い。別の観点から言えば、同一の長さを示す単位例えばnmで比較した場合に、光吸収層31の基準面31SFの位置を基準とした窪み部31HWの-Z方向における深さを示す数値は、バッファ層32のZ方向における厚さを示す数値よりも大きい。このように、線状の窪み部31HWがある程度深ければ、線状の窪み部31HWの変形による応力緩和の効果が明確に得られる。上部電極層4は、バッファ層32のZ側の主面一主面とも言うの上に配されている。この上部電極層4は、例えば、n型の導電型を有する透明の導電膜透明電極層とも言うである。そして、上部電極層4は、光電変換層3において生じた電荷を取り出す電極取出電極とも言うである。また、上部電極層4に主に含まれる材料は、バッファ層32よりも低い抵抗率を有する。上部電極層4には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれても良いし、窓層と透明の導電膜とが含まれていても良い。上部電極層4は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、ZnO、In2O3、およびSnO2等の金属酸化物半導体等が採用され得る。これらの金属酸化物半導体には、Al、B、Ga、InおよびF等のうちの何れかの元素が含まれてもよい。このような元素が含まれた金属酸化物半導体の具体例としては、例えば、AZOAluminumZincOxide、GZOGalliumZincOxide、IZOIndiumZincOxide、ITOIndiumTinOxide、FTOfluorinetinoxide等がある。上部電極層4は、スパッタリング法、蒸着法、または化学的気相成長CVD法等によって形成され得る。上部電極層4の厚さは、0.05μm以上で且つ3μm以下であれば良い。ここで、上部電極層4が、例えば、1Ωcm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有していれば、上部電極層4を介して光電変換層3から電荷が良好に取り出され得る。バッファ層32および上部電極層4が、光吸収層31が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質光透過性とも言うを有していれば、光吸収層31における光の吸収効率の低下が低減され得る。また、上部電極層4の厚さが0.05μm以上で且つ0.5μm以下であれば、上部電極層4における光透過性が高められるとともに、光電変換によって生じた電流が良好に伝送され得る。さらに、上部電極層4の絶対屈折率とバッファ層32の絶対屈折率とが略同一であれば、上部電極層4とバッファ層32との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。グリッド電極5は、上部電極層4のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられている導電性を有する線状の電極部である。このグリッド電極5は、複数の集電部5aと連結部5bとを備えている。複数の集電部5aは、Y軸方向に離間して設けられ、それぞれがX軸方向に延在する。連結部5bは、各集電部5aが接続されており、Y軸方向に延在する。グリッド電極5の材料としては、例えば、Ag等の金属が採用され得る。また、グリッド電極5に含まれる金属は、例えば、Cu、Al、Ni等であっても良い。集電部5aは、光電変換層3において発生した後に上部電極層4によって取り出された電荷を集電する。集電部5aが配されていることで、上部電極層4の薄層化が可能となる。上部電極層4は、光吸収層31の上方に配されているので、上部電極層4が出来るだけ薄く形成されれば、上部電極層4における光透過性が高められ得る。しかし、上部電極層4では、該上部電極層4の厚さが薄くなれば薄くなるほど抵抗が大きくなり、電荷の取り出し効率が低下する。そこで、集電部5aが配されることで、電荷の取り出し効率が確保され、上部電極層4の薄層化による光透過性の向上が可能となる。グリッド電極5および上部電極層4によって集電された電荷は、第2溝部P2に配されている接続部45を通じて、隣の光電変換セル10に伝達される。接続部45は、上部電極層4の延在部分4aと、その上に配されている連結部5bからの垂下部分5cとを有している。これにより、光電変換装置21においては、隣り合う光電変換セル10の一方の下部電極層2と、他方の上部電極層4およびグリッド電極5とが、第2溝部P2に設けられている接続導体としての接続部45によって電気的に直列接続されている。グリッド電極5の幅は、50μm以上で且つ400μm以下であれば、良好な導電性が確保されつつ、光吸収層31への光の入射量を左右する受光面積の低下が低減され得る。なお、グリッド電極5のうちの少なくとも連結部5bの表面は、例えば、光吸収層31が吸収する波長帯域の光を反射する材料によって形成され得る。この場合、光電変換装置21がモジュール化された際に、連結部5bが反射した光を、このモジュール内で再び反射させて光吸収層31に再度入射させることが可能となる。これにより、光吸収層31への光の入射量が増大し、光電変換装置21における変換効率が向上する。このような表面が形成されるためには、例えば、透光性を有する樹脂に光反射率が高いAg等の金属粒子が添加されたペーストが、上部電極層4の一主面上に塗布され、その後の乾燥によって該ペーストが固化されることでグリッド電極5が形成されれば良い。また、例えば、Al等の光反射率の高い金属がグリッド電極5の表面に蒸着されても良い。<光電変換装置の製造方法>図9から図14で示される各断面図は、図2で示された光電変換装置21の断面に対応する部分の製造途中の様子を示す。まず、図9で示されるように、洗浄された基板1の略全面に、スパッタリング法等が用いられて、Mo等を主に含む下部電極層2が形成される。そして、下部電極層2の上面のうちのY方向に沿った直線状の形成対象位置からその直下の基板1の上面にかけて、第1溝部P1が形成される。第1溝部P1は、例えば、YAGレーザー等によるレーザー光が走査されつつ形成対象位置に照射されることで形成され得る。図10は、第1溝部P1が形成された後の状態を示す図である。第1溝部P1が形成された後、下部電極層2の上に、光吸収層31とバッファ層32とが順に形成される。図11は、光吸収層31およびバッファ層32が形成された後の状態を示す図である。光吸収層31が形成される際には、まず、光吸収層31を形成するための微粒子含有溶液が準備される。この微粒子含有溶液は、溶液に微粒子が分散されている。この溶液は、光吸収層31を形成するための原料となる金属元素原料金属元素とも言うと、カルコゲン元素を含有する有機化合物カルコゲン元素含有有機化合物とも言うと、ルイス塩基性有機化合物とが溶媒に溶解したものである。また、微粒子は原料金属元素を含む。上記溶液および微粒子に含まれる原料金属元素は、I-III-VI族化合物半導体に含まれる金属元素であり、原料金属元素には、例えば、I-B族元素およびIII-B族元素が含まれる。溶液に含まれる原料金属元素と微粒子に含まれる原料金属元素とは同じであっても異なっていてもよい。溶液に含まれる原料金属元素と微粒子に含まれる原料金属元素とが同じであれば、I-III-VI族化合物半導体の形成が良好となる。カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素を主に含む有機化合物である。カルコゲン元素は、VI-B族元素のうちのS、Se、Teである。ここで、カルコゲン元素としてSeが採用される場合、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、セレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシドおよびセレノン等が採用され得る。セレノール、セレニドまたはジセレニド等が採用されれば、金属と錯体を形成して金属溶液が良好に生成され得る。特に、フェニル基を有するものが採用されれば、良好な塗布の容易性塗布性とも言うが高められる。このようなフェニル基を有するものとしては、例えば、フェニルセレノール、フェニルセレナイド、ジフェニルジセレナイド等およびこれらの誘導体が採用され得る。ルイス塩基性有機化合物とは、ルイス塩基となり得る官能基を有する有機化合物である。ルイス塩基となり得る官能基としては、非共有電子対を有するV-B族元素15族元素とも言うを具備した官能基、および非共有電子対を有するVI-B族元素を具備した官能基等が採用され得る。これらの官能基の具体例としては、例えば、アミノ基1~3級アミンの何れでも良い、カルボニル基、シアノ基等がある。ルイス塩基性有機化合物の具体例としては、ピリジン、アニリン、トリフェニルフォスフィン、2,4-ペンタンジオン、3-メチル-2,4-ペンタンジオン、トリエチルアミン、トリエタノ-ルアミン、アセトニトリル、ベンジル、ベンゾイン等およびこれらの誘導体がある。特に、ルイス塩基性有機化合物として含窒素有機化合物が採用されれば、原料金属元素の溶解性が高められる。さらに沸点が100°C以上のルイス塩基性有機化合物が採用されれば、微粒子含有溶液の塗布性が高められる。上記の微粒子含有溶液は、例えば、次の工程,が順に行われることで、作製される。単体の地金、合金または金属塩の何れかの状態の原料金属元素が、カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機化合物とが混合された溶媒混合溶媒Sとも言うに溶解されて原料溶液が調製される。原料金属元素が単体の地金または合金の状態で混合溶媒Sに溶解されれば、不純物の混入が低減される。原料溶液では、金属元素とカルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機化合物とが錯体を成しているため、金属元素とカルコゲン元素とが接近した状態で安定に存在している。なお、混合溶媒Sの採用により、カルコゲン元素含有有機化合物のみ、またはルイス塩基性有機化合物のみで原料金属元素が溶解されて原料溶液が作製される場合よりも、高濃度例えば10質量以上の原料金属元素が含有されている原料溶液が生成され得る。また、混合溶媒Sにおけるカルコゲン元素含有有機化合物の含有量がルイス塩基性有機化合物に対して1mol以上で且つ250mol以下であれば、混合溶媒Sは、室温で液状となるため、取り扱い易い。原料溶液が加熱されることで、原料金属元素とカルコゲン元素との化合物が多数の微粒子として形成され、原料溶液中に多数の微粒子が分散している微粒子含有溶液が作製される。なお、微粒子が、光吸収層31に含まれるI-III-VI族化合物半導体と同じ成分を有していれば、光吸収層31への不純物の混入が低減されて光吸収層31の純度が高められる。なお、原料溶液が加熱されることで多数の微粒子が析出され、この多数の微粒子が一旦抽出された後に、原料溶液に対して多数の微粒子が混合されることで原料溶液中に多数の微粒子が分散している微粒子含有溶液が作製されても良い。本実施形態では、原料金属元素として、I-B族元素のCuとIII-B族元素のInおよびGaとが採用され、カルコゲン元素含有有機化合物としてフェニルセレノールが採用され、ルイス塩基性有機化合物としてアニリンが採用されて、原料溶液が調製される。この場合、原料溶液が150°C以上で且つ200°C以下の温度域で所定時間例えば1分間以上で且つ60分間以内加熱されると、原料溶液中において50nm以上で且つ300nm以下の粒径を有し且つCIGSを含む多数の微粒子が形成される。これにより、多数の微粒子が分散している微粒子含有溶液が生成される。次に、微粒子含有溶液が下部電極層2の表面に塗布された後に、乾燥されることで前駆体としての皮膜前駆体層とも言うが形成され得る。その後、この前駆体層に対して熱処理が施されることで光吸収層31が形成される。ここで、微粒子含有溶液の塗布には、例えば、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレーまたはダイコータ等が適用され得る。多数の微粒子の分散によって微粒子含有溶液の粘度は高いため、下部電極層2の表面に対する一度の微粒子含有溶液の塗布によって、比較的厚く且つ所望の厚さを有する前駆体層が容易に形成され得る。前駆体層を形成するための乾燥は、例えば、不活性ガス雰囲気または還元ガス雰囲気において行われれば良い。その乾燥温度は、例えば、50°C以上で且つ300°C以下であれば良い。前駆体層に対して熱処理が施される際の雰囲気は、例えば、窒素雰囲気、水素雰囲気および水素と窒素またはアルゴンとの混合気体の雰囲気のうちの何れかの雰囲気であれば良い。熱処理では、毎分20°C以上昇温される昇温速度で560°C以上まで加熱され、560°C以上で且つ600°C以下の温度域で約1時間保持された後に、自然対流による冷却自然冷却が行われれば良い。このような熱処理によって、図6から図8で示された状態の変化を経て、一主面に線状の窪み部31HWが延在しており、厚さが1μm以上で且つ3μm以下の光吸収層31が形成される。なお、この熱処理時には、多数の微粒子の存在と、微粒子間における原料溶液の存在とによって、微粒子を核とした結晶成長の促進と、光吸収層31の緻密化とが図られ得る。また、熱処理の途中で発生したクラックが埋められて、線状の窪み部31HWが形成される。このため、欠陥の少ない光吸収層31が形成され、光電変換装置21における変換効率の上昇が図られ得る。ところで、微粒子含有溶液中の微粒子の平均粒径が1μm以下であれば、微粒子含有溶液における微粒子の分散性の向上と過度な凝集の低減とが図られ得る。また、この微粒子の平均粒径が500nm以下であれば、光吸収層31におけるボイドの発生が低減され得る。また、この微粒子の平均粒径が10nm以上であれば、熱処理中に前駆体層において線状のクラックを生じさせた後に線状の窪み部31HWを発生させ得る。さらに、この微粒子の平均粒径が50nm以上で且つ300nm以下であれば、微粒子含有溶液の塗布性が向上し得る。バッファ層32は、溶液成長法CBD法によって形成され得る。例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニア水に溶解させられることで作製された溶液に光吸収層31まで形成された基板1が浸漬されることで、CdSを主に含むバッファ層32が形成され得る。光吸収層31およびバッファ層32が形成された後、バッファ層32の上面のうちのY方向に沿った直線状の形成対象位置からその直下の下部電極層2の上面にかけて、第2溝部P2が形成される。第2溝部P2は、例えば、40μm以上で且つ50μm以下程度のスクライブ幅のスクライブ針を用いたスクライビングが、位置をずらせながら連続して数回行われることで形成される。また、先端形状が第2溝部P2の幅に近い程度にまで広げられたスクライブ針でスクライブされることによって第2溝部P2が形成されても良い。あるいは、2本以上のスクライブ針が相互に当接または近接した状態で固定され、1回から数回のスクライブが行われることによって第2溝部P2が形成されても良い。図12は、第2溝部P2が形成された後の状態を示す図である。第2溝部P2は、第1溝部P1よりも若干X方向図中ではX方向にずれた位置に形成される。第2溝部P2が形成された後、バッファ層32の上に、例えば、ITO等を主成分とする透明の上部電極層4が形成される。上部電極層4は、スパッタリング法、蒸着法またはCVD法等で形成され得る。図13は、上部電極層4が形成された後の状態を示す図である。上部電極層4が形成された後に、グリッド電極5が形成される。例えば、Ag等の金属粉が樹脂バインダー等に分散している導電性を有するペースト導電ペーストとも言うが所望のパターンを描くように印刷され、これが乾燥によって固化されることで、グリッド電極5が形成される。なお、固化された状態は、導電ペーストに用いられるバインダーが熱可塑性樹脂である場合の熔融後の固化状態およびバインダーが熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂等の硬化性樹脂である場合の硬化後の状態の双方を含む。図14は、グリッド電極5が形成された後の状態を示す図である。グリッド電極5が形成された後、上部電極層4の上面のうちの直線状の形成対象位置からその直下の下部電極層2の上面にかけて、第3溝部P3が形成される。これにより、図1および図2で示された光電変換装置21が得られる。第3溝部P3の幅は、例えば、40μm以上で且つ1000μm以下程度であれば良い。また、第3溝部P3は、第2溝部P2と同様に、メカニカルスクライビングによって形成され得る。<具体例>次に、製造条件と線状の窪み部31HWの発生との関係、ならびに線状の窪み部31HWの発生による光電変換装置21の変換効率の向上について、具体例を示して説明する。ここでは、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素の含有比率がそれぞれ等しい原料溶液と微粒子とが用いられた。そして、原料溶液と微粒子との混合比率が異なる微粒子含有溶液が用いられてCIGSを主に含む半導体層が形成されることで、光電変換装置21と同様な構造を有する5つの光電変換装置具体的には実施例1~5が作製された。また、微粒子が含まれていない原料溶液が用いられてCIGSを主に含む半導体層が形成されることで、光電変換装置21と同様な構造を有する光電変換装置具体的には比較例が作製された。詳細には、まず、ルイス塩基性有機化合物であるアニリンに対して、100molのカルコゲン元素含有有機化合物であるフェニルセレノールが溶解されることで、混合溶媒Sが調製された。次に、地金のCu、地金のIn、地金のGaおよび地金のSeが、上記混合溶媒Sに直接溶解させられて、第1の原料溶液が調製された。この第1の原料溶液では、Cuの含有量が2.3質量、Inの含有量が3.2質量、Gaの含有量が1.3質量およびSeの含有量が7.2質量とされた。そして、この第1の原料溶液が攪拌されながら、155°Cで20時間加熱されることで、CIGSの微粒子が分散している微粒子含有溶液が得られた。さらに、遠心分離器によって、微粒子含有溶液から多数の微粒子が得られた。この多数の微粒子の平均粒径は、走査型電子顕微鏡SEMで得られる画像の解析によって測定され、約50nmであった。次に、第1の原料溶液と同一の成分を有する第2の原料溶液が調製された。具体的には、まず、ルイス塩基性有機化合物であるアニリンに対して、100molのカルコゲン元素含有有機化合物であるフェニルセレノールが溶解されることで、混合溶媒Sが調製された。次に、地金のCu、地金のIn、地金のGaおよび地金のSeが、上記混合溶媒Sに直接溶解させられて、第2の原料溶液が調製された。この第2の原料溶液では、Cuの含有量が2.3質量、Inの含有量が3.2質量、Gaの含有量が1.3質量およびSeの含有量が7.2質量とされた。そして、遠心分離によって得られた多数の微粒子と第2の原料溶液とが混合されて、微粒子含有溶液が作製された。ここでは、実施例1~5としての光電変換装置を形成するために、多数の微粒子に含まれるCuの物質量の合計と、第2の原料溶液に含まれるCuの物質量の合計との比混合比とも言うが、表1の関係を有する5種類の微粒子含有溶液が作製された。換言すれば、実施例1~5に係る各微粒子含有溶液では、多数の微粒子に含まれているCuの物質量の合計値を、第2の原料溶液に含まれているCuの物質量の合計値で除した値以下、微粒子含有倍率とも言うが、表1の値を示す。具体的には、微粒子含有倍率が、実施例1に係る微粒子含有溶液では20、実施例2に係る微粒子含有溶液では10、実施例3に係る微粒子含有溶液では6、実施例4に係る微粒子含有溶液では4、実施例5に係る微粒子含有溶液では2とされた。また、比較例としての光電変換装置を形成するために、第2の原料溶液がそのまま採用された。そして、各実施例1~5に係る第2の原料溶液と微粒子含有溶液との間におけるIn、Ga、Seの各含有量の関係は、Cuの含有量の関係と略同一とされた。次に、ガラスを主に含む基板1の表面にMo等を主に含む下部電極層2が形成されたものが用意された。そして、この下部電極層2の上に、微粒子含有溶液比較例については第2の原料溶液がブレード法によって塗布された後に乾燥されることで、前駆体層としての皮膜が形成された。ここでは、この前駆体層は、ブレード法による塗布とその後の乾燥とが行われる処理が順に2回実施されることで形成された。その後、水素ガスとセレン蒸気ガスとの混合気体の雰囲気下で熱処理が実施された。この熱処理では、室温付近から560°Cまで5分間で昇温され、560°Cで1時間保持された後に、自然冷却が行われることで、厚さが約2μmのCIGSを主に含む半導体層が形成された。この半導体層が光吸収層に相当する。その次に、アンモニア水に酢酸亜鉛とチオ尿素が溶解させられた溶液に、CIGSを主に含む半導体層までが形成された基板1が浸漬されることで、半導体層の上に厚さが約50nmのZnSを主に含むバッファ層が形成された。さらに、このバッファ層の上に、スパッタリング法によってAlがドープされたZnOを主に含む透明の導電膜が形成された。そして、最後に蒸着によってAlを含むグリッド電極が形成されて、実施例1~5および比較例としての光電変換装置がそれぞれ作製された。このようにして作製された実施例1~5および比較例としての各光電変換装置が対象とされて、CIGSを主に含む半導体層のうちのバッファ層側の一主面に、線状のクラックおよび線状の窪み部が存在しているか否かがそれぞれ調査された。この調査は、実施例1~5および比較例としての各光電変換装置の作製過程においてCIGSを主に含む半導体層が形成された時点で、この半導体層の表面が走査型電子顕微鏡SEMで観察されることによって行われた。また、実施例1~5および比較例としての光電変換装置における変換効率は、いわゆる定常光ソーラシミュレーターが用いられて、光電変換装置の受光面に対する光の照射強度が100mW/cm2であり且つAMエアマスが1.5である条件下で測定された。実施例1~5および比較例としての光電変換装置が対象とされた、線状のクラックおよび線状の窪み部の有無についての調査結果、ならびに変換効率の測定結果は、表1にそれぞれ示されている。表1で示されるように、実施例1~5については、線状の窪み部31HWの延在が確認された。そして、微粒子含有溶液において多数の微粒子が占める割合例えば、微粒子含有倍率が高くなれば高くなるほど、窪み部31HWの幅が広くなり、窪み部31HWの深さが深くなる傾向が認められた。また、実施例1~4については、線状のクラックの発生が全く確認されなかった。実施例5については、線状のクラックが若干確認された。その一方で、比較例については、線状の窪み部31HWの延在が全く確認されず、線状のクラックの存在が確認された。また、実施例1~5では、9.2以上で且つ12.8以下具体的には10.2、12.5、12.8、11.9、9.2の変換効率が得られた。これに対して、比較例では、6.8の変換効率しか得られなかった。以上の調査結果および測定結果から、微粒子含有溶液が採用されることで、CIGSを主に含む半導体層では、一主面において線状の窪み部31HWの発生に伴って線状のクラックが減少し、変換効率が顕著に向上することが確認された。そして、線状の窪み部31HWが延在すれば、光電変換装置に対して外力が付与されても線状の窪み部31HWにおける応力の緩和によって光吸収層にクラックが生じ難く、変換効率が維持されるものと推定された。また、微粒子含有溶液における微粒子含有倍率が4以上で且つ10以下であれば、光電変換装置の実用化レベルで要求される11以上の変換効率が得られることが分かった。そして、微粒子含有溶液における微粒子含有倍率が4以上で且つ10以下であれば、線状の窪み部31HWが適度な幅および深さを有することが判った。そして、このような適度な幅および深さの線状の窪み部31HWの延在により、光電変換装置に対して外力が付与されても線状の窪み部31HWにおける応力の緩和によって光吸収層でさらにクラックが生じ難いものと推定された。<変形例>なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、上記一実施形態では、光吸収層31が、I-B族元素とIII-B族元素とVI-B族元素とを含むI-III-VI族化合物半導体の層であったが、これに限られない。例えば、光吸収層31が、II-B族元素とVI-B族元素とを主に含むII-VI族化合物半導体の層であっても良いし、2以上の元素を含むその他の化合物半導体の層であっても良い。なお、II-VI族化合物半導体は、II-B族元素12族元素とも言うとVI-B族元素とを主に含む化合物半導体である。このII-VI族化合物半導体としては、例えば、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS,CdSeおよびCdTe等が採用され得る。光吸収層31がII-VI族化合物半導体の層である場合には、微粒子含有溶液に含有される原料金属元素にII-B族元素が含まれる態様が考えられる。また、上記一実施形態では、複数の線状の窪み部31HWが、相互に異なる方向に延在していたが、これに限られない。例えば、少なくとも1本の線状の窪み部31HWが存在しているだけでも良く、複数の線状の窪み部31HWが、略同一の方向に延在していても良い。複数の線状の窪み部31HWが略同一の方向に延在する態様は、例えば、次の工程によって実現され得る。まず、下部電極層2の上に微粒子含有溶液が1回塗布された後に、加熱処理が施されてCIGSの結晶を主に含む皮膜が形成される。次に、該皮膜が形成された基板1に対して曲げ応力が加えられることで該皮膜において略同一方向に延在する複数本のクラックが発生させられる。次に、複数本のクラックが延在している皮膜の上に原料溶液が塗布されて、熱処理が施される。これにより、複数の線状の窪み部31HWが略同一の方向に延在している光吸収層31が形成され得る。但し、複数の線状の窪み部31HWが相互に異なる方向に延在していれば、光吸収層31の種々の方向に付与される応力が緩和され易い。また、上記一実施形態では、下部電極層2の上に微粒子含有溶液が塗布されることで、光吸収層31が形成されたが、これに限られない。例えば、下部電極層2の上に微粒子含有溶液が塗布された後に乾燥されることで皮膜が形成され、その皮膜の上に原料溶液が塗布された後に熱処理が施されることで、一主面に少なくとも1本の線状の窪み部31HWが延在している光吸収層31が形成されても良い。また、上記一実施形態では、カルコゲン元素としてSeが採用されたが、これに限られない。例えば、カルコゲン元素としてSが採用される場合、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、チオール、スルフィド、ジスルフィド、チオフェン、スルホキシド、スルホン、チオケトン、スルホン酸、スルホン酸エステルおよびスルホン酸アミド等が採用され得る。そして、カルコゲン元素含有有機化合物が、チオール、スルフィドおよびジスルフィド等であれば、金属と錯体を形成するため、金属溶液が良好に生成され得る。特に、カルコゲン元素含有有機化合物として、フェニル基を有するものが採用されれば、微粒子含有溶液の塗布性が高められる。フェニル基を有するカルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、チオフェノール、ジフェニルスルフィド等およびこれらの誘導体が採用され得る。また、カルコゲン元素としてTeが採用される場合、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、テルロール、テルリドおよびジテルリド等が採用され得る。なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。"