凹部が設けられた凹凸構造を有する凹凸基板と、前記凹凸構造上に設けられた第1導電型の第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層上に設けられた第1の発光層と、前記第1の発光層上に設けられ、前記第1導電型とは異なる導電型である第2導電型の第2の窒化物半導体層とを備え、前記凹部の底部を構成する材料の熱膨張係数は、前記第1の窒化物半導体層の熱膨張係数よりも大きい窒化物半導体発光素子。前記凹凸基板は、シリコンからなる第1の基板と、前記第1の基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられたシリコンからなる第2の基板とを有し、前記凹部は、当該凹部の底部が前記絶縁層の表面となるように前記第2の基板に形成された開口であり、前記凹部の底部を構成する材料は、前記絶縁層であり、前記凹部の側面の面方位は、前記第2の基板の主面の面方位と異なる請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。前記凹部の前記側面の面方位が、シリコンの111面である請求項2に記載の窒化物半導体発光素子。前記第2の基板の主面の面方位が、シリコンの100面から7°オフした面、シリコンの311面、シリコンの110面、またはシリコンの112面である請求項2または3に記載の窒化物半導体発光素子。前記第1の窒化物半導体層の上面は平坦面である請求項2~4のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記第1の基板の主面の面方位が、シリコンの100面である請求項2~5のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記凹凸基板は、前記凹凸構造を有する第1の領域と平坦面を有する第2の領域とを含み、前記第1の窒化物半導体層、前記第1の発光層および前記第2の窒化物半導体層を含む第1の窒化物半導体積層構造体は、前記第1の領域上に形成され、さらに、前記第2の領域上に、前記第1導電型の第3の窒化物半導体層と、第2の発光層と、前記第2導電型の第4の窒化物半導体層とを含む第2の窒化物半導体積層構造体が形成され、前記第1の窒化物半導体積層構造体の主面と前記第2の窒化物半導体積層構造体の主面とが異なる面方位であり、前記第1の発光層から発せられる光の波長よりも前記第2の発光層から発せられる光の波長の方が長い請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。前記第1の領域と前記第2の領域が、絶縁層により分離されている請求項7に記載の窒化物半導体発光素子。前記第1の領域と前記第2の領域が、Si単結晶からなる請求項7または8に記載の窒化物半導体発光素子。前記第1の領域における前記凹凸構造の凸部は、少なくとも2つの側面を有し、前記凸部における一方の側面の面方位は111面であり、前記凸部における他方の側面は所定のマスクにて覆われている請求項7~9のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記凹凸基板が、11-20面を主面とするサファイア基板である請求項7に記載の窒化物半導体発光素子。少なくとも前記第2の窒化物半導体層と前記第4の窒化物半導体層のいずれか一方に凹凸構造が形成されている請求項7~11のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。さらに、前記凹凸基板上に設けられ、前記第1導電型の第5の窒化物半導体層と、第3の発光層と、前記第2導電型の第6の窒化物半導体層とを含む第3の窒化物半導体積層構造体を備え、前記第3の発光層から発せられる光の波長は、前記第1の発光層および前記第2の発光層から発せられる光の波長と異なる請求項7~12のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記凹凸基板の前記凹凸構造が周期的な構造である請求項1~13のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。凹部が設けられた凹凸構造を有する凹凸基板を形成する第1の工程と、前記凹凸構造上に、第1導電型の第1の窒化物半導体層を形成する第2の工程と、前記第1の窒化物半導体層上に、第1の発光層を形成する第3の工程と、前記発光層上に、前記第1導電型とは異なる導電型である第2導電型の第2の窒化物半導体層を形成する第4の工程とを含み、前記凹部の底部を構成する材料の熱膨張係数は、前記第1の窒化物半導体層の熱膨張係数よりも大きい窒化物半導体発光素子の製造方法。前記第1の工程は、シリコンからなる第1の基板上に、前記凹部の底部を構成する材料である絶縁層と、シリコンからなる第2の基板とを形成する工程と、前記絶縁層が露出するように前記第2の基板の一部を除去することにより、前記第2の基板の主面の面方位とは異なる面方位の側面を有する前記凹部を形成する工程とを含み、前記第2の工程において、前記凹部の前記側面上に、前記第1の窒化物半導体層を形成する請求項15に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記凹部の前記側面の面方位が、シリコンの111面である請求項16に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。さらに、前記第2の窒化物半導体層に第3の基板を貼り合わせる工程と、前記第1の基板と前記絶縁層と前記第2の基板とを除去する工程と、を含む請求項16または17に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記第1の工程は、Si単結晶からなる第1の基板上に、絶縁層と、主面が111面とは異なる面方位であるSi単結晶からなる第2の基板とを形成する工程と、前記絶縁層が露出するように前記第2の基板の一部を除去することにより、111面からなる第1の側面を有する凸部を形成する工程とを含み、さらに、前記第1の工程と前記第2の工程との間に、前記凸部の側面のうち、前記第1の側面とは異なる第2の側面を覆う所定のマスクを形成する工程と、前記第1の基板が露出するように前記絶縁層の一部を除去する工程と、露出した前記第1の基板上に、前記第1導電型の第3の窒化物半導体層を形成する工程と、前記第3の窒化物半導体層上に第2の発光層を形成する工程と、前記第2の発光層上に、前記第2導電型の第4の窒化物半導体層を形成する工程と、を有する請求項15に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。さらに、前記第2の窒化物半導体層および前記第4の窒化物半導体層に第3の基板を貼り合わせる工程と、前記第1の基板と前記絶縁層と前記第2の基板とを除去する工程と、を有する請求項19に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記第1の工程は、11-20面を主面とするサファイア基板上の一部の領域に0001面からなる側面を有する前記凹凸構造を形成する工程であり、さらに、前記サファイア基板の前記主面の上に、前記第1導電型の第3の窒化物半導体層を形成する工程と、前記第3の窒化物半導体層上に第2の発光層を形成する工程と、前記第2の発光層上に、前記第2導電型の第4の窒化物半導体層を形成する工程と、を有する請求項15に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。さらに、前記第1の窒化物半導体層および前記第3の窒化物半導体層に第3の基板を貼り合わせる工程と、前記サファイア基板を除去する工程と、を有する請求項21に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。しかしながら、上記の従来の窒化物半導体発光素子では、以下に示すような課題を有する。上記の従来の窒化物半導体発光素子において、基板であるシリコンSiと窒化物半導体との間には大きな熱膨張係数差があるため、結晶成長後の窒化物半導体に引っ張り応力が加わり、窒化物半導体にクラックが生じやすいという課題がある。また、従来の窒化物半導体発光素子では、シリコン基板に凹凸構造を形成するためのアルカリウェットエッチングにおいて、Si111面以外の面のエッチングレートが高い。このため、シリコン基板に凹凸構造を精密に形成することができず、面内均一性良く窒化物半導体を形成することが困難であるという課題がある。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、クラックの発生が抑制され、面内均一性の高い窒化物半導体を有する窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様は、凹部が設けられた凹凸構造を有する凹凸基板と、前記凹凸構造上に設けられた第1導電型の第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層上に設けられた第1の発光層と、前記発光層上に設けられ、前記第1導電型とは異なる導電型である第2導電型の第2の窒化物半導体層とを備え、前記凹部の底部を構成する材料の熱膨張係数は、前記第1の窒化物半導体層の熱膨張係数よりも大きい。これにより、凹凸基板における凹凸構造の凹部と第1の窒化物半導体層との熱膨張係数の差によって生じる第1の窒化物半導体層における応力歪を緩和することができる。従って、第1の窒化物半導体層においてクラックが発生することを抑制することができる。また、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記凹凸基板は、シリコンからなる第1の基板と、前記第1の基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられたシリコンからなる第2の基板とを有し、前記凹部は、当該凹部の底部が前記絶縁層の表面となるように前記第2の基板に形成された開口であり、前記凹部の底部を構成する材料は、前記絶縁層であり、前記凹部の側面の面方位は、前記第2の基板の主面の面方位とは異なる。これにより、シリコンからなる第1の基板の熱膨張係数と第1の窒化物半導体層の熱膨張係数との差によって生じる第1の窒化物半導体層における応力歪を緩和するができる。従って、第1の窒化物半導体層においてクラックが発生することを抑制することができる。また、第2の基板の凹部の深さを第2の基板の厚さで制御することができる。従って、凹部の深さが浅くなるように第2の基板の厚さを薄く制御して、第2の基板と第1の窒化物半導体層との接触面積を減少させることができる。この結果、第1の窒化物半導体層に加えられる応力をさらに低減することができるので、第1の窒化物半導体層におけるクラックの発生を一層抑制することができる。さらに、第1の基板と絶縁層と第2の基板とが積層構造となっているので、第2の基板に凹凸構造を形成する際、絶縁層をエッチングストップ層として機能させることができる。これにより、高い面内均一性で第2の基板に凹凸構造を形成することができるので、凹凸構造上に形成する窒化物半導体層の各層、特に、凹凸構造直上の第1の窒化物半導体層を高い面内均一性で成膜することができる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記凹部の前記側面の面方位が、シリコンの111面であることが好ましい。これにより、シリコンの111面上において窒化ガリウムの0001面を結晶成長させることができる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記第2の基板の主面の面方位が、シリコンの100面から7°オフした面、シリコンの311面、シリコンの110面、またはシリコンの112面であることが好ましい。これにより、第1導電型の窒化物半導体層の主面が、それぞれ窒化ガリウムの1-101面、11-22面、1-100面、11-20面とすることができるので、発光層内に発生するピエゾ電界を低減することができる。この結果、高発光効率の窒化物半導体発光素子を実現することができる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記第1の窒化物半導体層の上面は平坦面であることが好ましい。これにより、一般的な半導体プロセスを用いて当該平坦面上に各種半導体層を容易に形成することができる。また、当該平坦面上に形成された半導体層も平坦面とすることができるので、光の取り出し効率を向上させるための凹凸パターン等を容易に形成することができる。この結果、高発光効率の窒化物半導体発光素子を実現することができる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記第1の基板の主面の面方位が、シリコンの100面であることが好ましい。これにより、第1の基板の主面がへき開性を有するシリコンの100面となるので、製造した窒化物半導体発光素子を容易にへき開することができる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記凹凸基板は、前記凹凸構造を有する第1の領域と平坦面を有する第2の領域とを含み、前記第1の窒化物半導体層、前記第1の発光層および前記第2の窒化物半導体層を含む第1の窒化物半導体積層構造体は、前記第1の領域上に形成され、さらに、前記第2の領域上に、前記第1導電型の第3の窒化物半導体層と、第2の発光層と、前記第2導電型の第4の窒化物半導体層とを含む第2の窒化物半導体積層構造体が形成され、前記第1の窒化物半導体積層構造体の主面と前記第2の窒化物半導体積層構造体の主面とが異なる面方位であり、さらに、前記第1の発光層から発せられる光よりも前記第2の発光層から発せられる光の波長の方が長い。このようにすることで、異なる面方位の窒化物半導体層を、前記凹凸基板の主面に対して平行に、平坦成長させることができる。これにより、一般的な半導体プロセスにより容易に微細な電極や凹凸パターンを作製することが可能となる。したがって、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記第1の領域と前記第2の領域が、絶縁層により分離されていることが好ましい。このようにすることで、前記第1の領域と前記第2の領域に異なる基板を用いることができ、異なる面方位の窒化物半導体結晶の成長が容易になる。これにより、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記第1の領域と前記第2の領域が、Si単結晶からなることが好ましい。このようにすることで、異なる面方位の窒化物半導体結晶の成長が容易になる。これにより、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記第1の領域における前記凹凸構造の凸部は、少なくとも2つの側面を有し、前記凸部における一方の側面の面方位は111面であり、前記凸部における他方の側面は所定のマスクにて覆われていることが好ましい。このようにすることで、前記第1の窒化物半導体層が平坦成長し、一般的な半導体プロセスにより容易に微細な電極や凹凸パターンを作製することが可能となる。これにより、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記第1の領域と前記第2の領域が、11-20面を主面とするサファイア基板であってもよい。これにより、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、少なくとも前記第2の窒化物半導体層と前記第4の窒化物半導体層のいずれか一方に凹凸構造が形成されていることが好ましい。これにより、凹凸構造を有する発光面を形成することができるので、第1の窒化物半導体層または第2の窒化物半導体層から効率よく光を取り出すことが可能となる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記凹凸基板上に設けられ、前記第1導電型の第5の窒化物半導体層と、第3の発光層と、前記第2導電型の第6の窒化物半導体層とを含む第3の窒化物半導体積層構造体を備え、前記第3の発光層から発せられる光の中心波長は、前記第1の発光層および前記第2の発光層から発せられる光の中心波長と異なることが好ましい。これにより、3つの異なる波長の光を発する半導体発光素子を得ることができる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記凹凸基板の前記凹凸構造が周期的な構造であることが好ましい。このようにすることで、凹凸構造により第1の発光層から発せられた光を取り出すことが可能となる。これにより、高発光効率の窒化物半導体発光素子を実現できる。また、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法の一態様は、凹部が設けられた凹凸構造を有する凹凸基板を形成する第1の工程と、前記凹凸構造上に、第1導電型の第1の窒化物半導体層を形成する第2の工程と、前記第1の窒化物半導体層上に、第1の発光層を形成する第3の工程と、前記発光層上に、前記第1導電型とは異なる導電型である第2導電型の第2の窒化物半導体層を形成する第4の工程とを含み、前記凹部の底面を構成する材料の熱膨張係数は、前記第1の窒化物半導体層の熱膨張係数よりも大きい。これにより、凹凸基板における凹凸構造の凹部と第1の窒化物半導体層との熱膨張係数の差によって生じる第1の窒化物半導体層における応力歪を緩和することができる。従って、第1の窒化物半導体層においてクラックが発生することを抑制することができる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法の一態様において、前記第1の工程は、シリコンからなる第1の基板上に、前記凹部の底部を構成する材料である絶縁層と、シリコンからなる第2の基板とを形成する工程と、前記絶縁層が露出するように前記第2の基板の一部を除去することにより、前記第2の基板の主面の面方位とは異なる面方位の側面を有する前記凹部を形成する工程とを含み、前記第2の工程において、前記凹部の前記側面上に、前記第1の窒化物半導体層を形成する。これにより、第1の基板の熱膨張係数と第1の窒化物半導体層の熱膨張係数との差によって生じる第1の窒化物半導体層における応力歪を緩和するができる。また、第2の基板の凹凸構造における凹部の深さを第2の基板の厚さで制御することができる。従って、第1の窒化物半導体層においてクラックが発生することを抑制できる。また、絶縁層を第2の基板に凹凸構造の形成する際のエッチングストップ層として機能させることができるので、凹凸構造上における窒化物半導体層を高い面内均一性で成膜することができる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法の一態様において、前記凹部の前記側面の面方位が、シリコンの111面であることが好ましい。これにより、シリコンの111面上において窒化ガリウムの0001面を結晶成長させることができる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法の一態様において、前記第2の窒化物半導体層に第3の基板を貼り合わせる工程と、前記第1の基板と前記絶縁層と前記第2の基板とを除去する工程と、を含むことが好ましい。これにより、第3の基板上に、凹凸面を有する第1の窒化物半導体層を形成することができる。これにより、高発光効率の窒化物半導体発光素子を実現することができる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法の一態様において、Si単結晶からなる第1の基板上に、絶縁層と、主面が111面とは異なる面方位であるSi単結晶からなる第2の基板を形成する工程と、前記絶縁層が露出するように前記第2の基板の一部を除去することにより、111面からなる第1の側面を有する凸部を形成する工程とを含み、さらに、前記第1の工程と前記第2の工程との間に、前記凸部の側面のうち、前記第1の側面とは異なる第2の側面を覆う所定のマスクを形成する工程と、前記第1の基板が露出するように前記絶縁層の一部を除去する工程と、露出した前記第1の基板上に、前記第1導電型の第3の窒化物半導体層を形成する工程と、前記第3の窒化物半導体層上に第2の発光層を形成する工程と、前記第2の発光層上に、前記第2導電型の第4の窒化物半導体層を形成する工程と、を有する。このようにすることで、主面の面方位が異なる2つの基板上に窒化物半導体層を形成するので、面方位の異なる窒化物半導体層を基板の主面に対して平行に平坦成長させることができる。これにより、一般的な半導体プロセスにより容易に微細な電極や凹凸パターンを作製することができる。したがって、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を製造することができる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法の一態様において、前記第1の窒化物半導体層および前記第3の窒化物半導体層を第3の基板に貼り合わせる工程と、前記第1の基板と前記絶縁層と前記第2の基板とを除去する工程とを有することが好ましい。これにより、第3の基板上に凹凸面を有する窒化物半導体層を形成することができるので、高発光効率の窒化物半導体発光素子を製造することができる。また、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法の別の一態様において、前記第1の工程は、11-20面を主面とするサファイア基板上の一部の領域に0001面からなる側面を有する前記凹凸構造を形成する工程であり、さらに、前記サファイア基板の前記主面の上に、前記第1導電型の第3の窒化物半導体層を形成する工程と、前記第2の窒化物半導体層上に第2の発光層を形成する工程と、前記第2の発光層上に、前記第2導電型の第4の窒化物半導体層を形成する工程と、を有する。これにより、サファイア基板を用いて、面方位の異なる窒化物半導体層をサファイア基板の主面に対して平行に平坦成長させることができる。さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法の別の一態様において、前記第1の窒化物半導体層および前記第3の窒化物半導体層に第3の基板を貼り合わせる工程と、前記サファイア基板を除去する工程を有することが好ましい。これにより、第3の基板上に、凹凸面を有する窒化物半導体層を形成することができるので、高発光効率の窒化物半導体発光素子を製造することができる。本発明に係る窒化物半導体発光素子によれば、窒化物半導体層においてクラックの発生を抑制することができる。また、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法によれば、クラックの発生を抑制することができる窒化物半導体層を形成することができる。以下に、本発明の実施形態に係る窒化物半導体発光素子およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。実施形態1まず、本発明の実施形態1に係る窒化物半導体発光素子100について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態1に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。図1に示すように、窒化物半導体発光素子100は、Siシリコンの単結晶からなる第1の基板111、絶縁層112、およびSi単結晶からなる第2の基板113がこの順に積層された凹凸基板110上に、n型を第1導電型とするn型窒化物半導体層121第1の窒化物半導体層、発光層122第1の発光層、およびp型を第2導電型とするp型窒化物半導体層123第2の窒化物半導体層を含む窒化物半導体積層構造体120が形成された構造となっている。凹凸基板110において、第1の基板111は、主面の面方位がシリコンの100面となるように構成されている。また、第2の基板113には、絶縁層112の表面が窒化物半導体積層構造体120に対して露出するような複数の開口が形成されている。第2の基板113は、当該開口を凹部とし、隣り合う凹部によって構成される島状の凸部が形成された凹凸構造を有する。このように、凹凸構造に設けられた凹部は、当該凹部の底部が絶縁層112の表面となるように形成されている。従って、本実施形態において、凹部の底部を構成する材料は、絶縁層112である。また、図1に示すように、第2の基板113の凹凸構造における凸部凹部の両側面のうち、一方の側面130は露出されており、他方の側面は第2のマスク151で覆われている。凸部凹部の一方の側面130は、第2の基板113の主面の面方位とは異なるように構成されており、本実施形態では、Siの111面である。なお、図1において、第2のマスク151は、第2の基板113の主面上面も覆っているが、第2のマスク151は第2の基板113の主面上面を覆っていなくても構わない。また、窒化物半導体積層構造体120において、n型窒化物半導体層121は、第2の基板113における凹凸構造の複数の開口凹部を埋めるように絶縁層112と接するようにして、絶縁層112上および第2の基板113上に形成されている。さらに、本実施形態では、n型窒化物半導体層121の熱膨張係数が、絶縁層112の熱膨張係数よりも小さくなるように構成されている。すなわち、絶縁層112の熱膨張係数は、n型窒化物半導体層121の熱膨張係数よりも大きい。また、n型窒化物半導体層121の上面発光層122側面は平坦面となっている。なお、窒化物半導体積層構造体120にはn型窒化物半導体層121が露出するような開口部が設けられ、n型窒化物半導体層121と電気的に接続されるようにn電極n型電極143が形成されている。また、p型窒化物半導体層123と電気的に接続されるようにp型窒化物半導体層123上に透明電極141およびp電極p型電極142が形成されている。上記の構成において、窒化物半導体積層構造体120は、例えばMgマグネシウムがドープされたGaN窒化ガリウムからなるp型窒化物半導体層123、例えば波長470nmを中心とする青色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる発光層122、例えばSiがドープされたGaNからなるn型窒化物半導体層121により構成される。また、p電極142は、例えばTiチタン、Alアルミニウム、Niニッケル、Au金等の金属の多層膜で構成される。n電極143は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成され、p型窒化物半導体層123および発光層122の一部を選択的に除去することで露出したn型窒化物半導体層121に接する形で形成されている。また、透明電極141は、ITOインジウムスズ酸化物などの波長470nm付近の波長に対して透過率の高い導電性材料からなる。また、絶縁層112は、SiO2シリコン酸化膜で形成することが好ましい。但し、絶縁層112は、シリコン酸化膜に限らず、熱膨張係数がn型窒化物半導体層121の熱膨張係数よりも大きいものであれば構わない。また、第2のマスク151は、SiO2、または、SiO2やTiO2酸化チタンなどの誘電体からなる多層膜によって構成することが好ましい。次に、このように形成された本発明の実施形態1に係る窒化物半導体発光素子100の動作について説明する。本実施形態に係る窒化物半導体発光素子100は、絶縁層112の熱膨張係数がn型窒化物半導体層121の熱膨張係数よりも大きくなるように構成されているので、n型窒化物半導体層121においてクラックが発生することを抑制することができる。すなわち、Si基板上に例えばGaN結晶を成長させる場合、二つの材料の熱膨張係数の差Siの熱膨張係数:2.6×106/K、GaNの熱膨張係数:5.6×106/Kにより、GaN結晶に引っ張り歪が生じ、GaN結晶にクラックが発生しやすい。本実施形態では、Si基板とGaNの間にGaNよりも熱膨張係数が大きい材料、例えばSiO2熱膨張係数:8~10×106/K層を加えているので、Si基板とGaNとの熱膨張係数差による上記引っ張り歪を緩和することができる。これにより、GaNに加えられる応力を低減することができるので、GaNにおいてクラックが発生することを抑制することができる。また、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子100は、第2の基板113によって凹凸構造を形成している。これにより、第2の基板113に設けた凹凸構造における凹部の深さを第2の基板113の厚さで制御することができる。従って、凹凸構造の凹部の深さが浅くなるように第2の基板113の厚さを薄く制御して、第2の基板113とn型窒化物半導体層121との接触面積を減少させることができる。その結果、n型窒化物半導体層121に加えられる応力を低減することができるので、n型窒化物半導体層121におけるクラックの発生を抑制することができる。また、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子100において、凹凸基板110は、第1の基板111、絶縁層112および第2の基板113の積層構造となっている。これにより、第2の基板113に凹凸構造を形成する際、絶縁層112を、例えばKOHやTMAHによるアルカリウェットエッチングに対して、エッチングストップ層として機能させることができる。その結果、第2の基板113の凹凸構造を、高い面内均一性で精度良く形成することができるので、凹凸構造上に形成する窒化物半導体積層構造体120も高い面内均一性で成膜することができる。特に、凹凸構造の直上に形成されるn型窒化物半導体層121については、高い面内均一性で成膜することができる。また、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子100において、第2の基板113の主面の面方位は、Siの100面から7°オフした面、Si113面、Si112、またはSi110面とすることが好ましい。この場合、第2の基板113の凹凸構造における凸部凹部の側面130をSi111面とすることにより、当該Si111面上に選択的に窒化物半導体積層構造体120の各層を順次結晶成長させたときに、窒化物半導体積層構造体120の各層の主面を窒化ガリウムのc面に対して傾斜した非極性面とすることができる。特に、n型窒化物半導体層121の主面は、それぞれ窒化ガリウムの1-101面、11-22面、1-100面、11-20面とすることができる。このように、窒化物半導体積層構造体120の各層の主面を窒化ガリウムのc面に対して傾斜した非極性面とすることにより、発光層122内のピエゾ電界を低減することができる。この結果、発光層122内での電子と正孔の空間的な分離を改善することができるので、発光効率を向上させることができる。また、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子100において、第2の基板113に設けられた凹凸構造を上記のような周期的な構造とすることにより、発光層122から放出された光を窒化物半導体積層構造体120の外部に取り出す効率光の取り出し効率を向上させることができる。以上により、本実施形態によれば、クラックの発生が抑制され、高い面内均一性で、高発光効率の窒化物半導体発光素子を実現することができる。次に、本発明の実施形態1に係る窒化物半導体発光素子100の製造方法について、図2を用いて説明する。図2は、本発明の実施形態2に係る窒化物半導体発光素子の製造方法における各工程の構成を模式的に示した断面図である。図2のaに示すように、まず、Si単結晶からなる第1の基板111と、Si単結晶からなる第2の基板113とを、例えばSiO2からなる絶縁層112を介して接合させる。このとき、第2の基板113の主面が、シリコンの111面とは異なる面方位となるように構成されている。次に、熱酸化法やプラズマCVDChemicalVaporDeposition法などにより、第2の基板113上にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなる第1のマスク150を形成する。その後、図2のbに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、図2の紙面垂直方向に延びるストライプ状の開口を有するように、第1のマスク150をパターニングして、第2の基板113を露出させる。次に、図2のcに示すように、第2の基板113に対して、例えばKOHやTMAHによりウェットエッチングを施し、第2の基板113に当該第2の基板113を貫通する開口を形成して凹部を構成することにより、島状の凸部を有する凹凸構造を形成する。これにより、第2の基板113の開口において絶縁層112を露出させる。このとき、第2の基板113の凹凸構造における凸部凹部の側面130は傾斜面となり、その面方位はSiの111面となる。次に、図2のdに示すように、例えばHFフッ酸によるウェットエッチングにより、第1のマスク150を除去する。次に、図2のeに示すように、スパッタリング法や真空蒸着法を用いて、第2の基板113に形成した凹凸構造における凸部凹部の両側面のうち、一方の側面130は露出させたままとし、他方の側面を第2のマスク151で被覆する。このとき、第2の基板113の主面上面も第2のマスク151で被覆する。なお、本実施形態では、第2の基板113の主面上面は第2のマスク151で被覆したが、第2の基板113の主面上面は被覆しなくても構わない。次に、図2のfに示すように、MOCVD法により、第2の基板113における凹凸構造の複数の開口凹部を埋めるようにして、絶縁層112の表面上および第2の基板113上にn型窒化物半導体層121を形成し、引き続き、発光層122およびp型窒化物半導体層123を形成する。このとき、n型窒化物半導体層121は、露出する第2の基板113、すなわち、第2の基板113の凹凸構造の各凸部凹部における側面130の面方位に従って図中の斜め矢印方向に結晶成長し、各開口において結晶成長が進行することにより、第2のマスク151上にも形成され、その後、隣り合う開口の側面130から結晶成長したn型窒化物半導体層121同士が接合する。これにより、上面が第1の基板111の主面に対して平行な平坦面となる1つのn型窒化物半導体層121が成膜される。また、この後に結晶成長される発光層122とp型窒化物半導体層123の上面も、その上面は第1の基板111の主面に対して平行な平坦面となる。次に、図2のgに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法により、窒化物半導体積層構造体120に開口部160を設け、n型窒化物半導体層121を露出させる。次に、図2のhに示すように、フォトリソグラフィ法と真空蒸着法を用いて、p型窒化物半導体層123に電気的に接続される形で透明電極141およびp電極142を形成する。また、n型窒化物半導体層121に電気的に接続される形でn電極143を形成する。最後に、図示しないが、ブレードを用いたダイシングによりチップ分離を行うことで、窒化物半導体発光素子を形成する。以上により、クラックの発生が抑制され、面内均一性の高い、高発光効率の窒化物半導体発光素子を製造することができる。実施形態2次に、本発明の実施形態2に係る窒化物半導体発光素子について、図3を用いて説明する。図3は、本発明の実施形態2に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。図3に示すように、本発明の実施形態2に係る窒化物半導体発光素子200は、第3の基板215上に積層された反射層280上に、p型窒化物半導体層223第2の窒化物半導体層、発光層222第1の発光層、およびn型窒化物半導体層221第1の窒化物半導体層からなる窒化物半導体積層構造体220が積層された構造となっている。第3の基板215および反射層280は、導電性を有する。窒化物半導体積層構造体220において、n型窒化物半導体層221には、凹凸構造の凹凸面230が形成されている。n型窒化物半導体層221上には、n型窒化物半導体層221と電気的に接続されるようにn電極243が形成されている。また、第3の基板215には、反射層280が設けられている面とは逆の面に、p電極242が形成されている。上記の構成において、窒化物半導体積層構造体220は、例えばMgがドープされたGaNからなるp型窒化物半導体層223、例えば波長470nmを中心とする青色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる発光層222、例えばSiがドープされたGaNからなるn型窒化物半導体層221により構成される。反射層280は、例えばAgやAl等の波長470nm付近に対して反射率の高い金属により構成される。p電極242は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成される。n電極243は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成される。また、n型窒化物半導体層221に形成された凹凸面230の凹凸構造は、同じ形状の凹部と凸部とが周期的に形成された構造であることが望ましい。次に、本発明の実施形態2に係る窒化物半導体発光素子200の製造方法について、図4を用いて説明する。図4は、本発明の実施形態2に係る窒化物半導体発光素子200の製造方法における各工程の構成を模式的に示した断面図である。図4のaに示すように、まず、Si単結晶からなる第1の基板211と、Si単結晶からなる第2の基板213とを絶縁層212を介して接合させる。このとき、第2の基板213の主面が、シリコンの111面とは異なる面方位となるように構成されている。このとき、絶縁層212の材料は、絶縁層212の熱膨張係数が後で積層するn型窒化物半導体層221の熱膨張係数よりも大きくなるように構成されている。本実施形態では、実施形態1と同様に、熱膨張係数が8~10×106/KであるSiO2を用いた。次に、熱酸化法やプラズマCVD法などにより、第2の基板213上にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなる第1のマスク250を形成する。その後、図4のbに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、ストライプ状の開口を有するように第1のマスク250をパターニングして、第2の基板213を露出させる。次に、図4のcに示すように、第2の基板213に対して、例えばKOHやTMAHによりウェットエッチングを施し、第2の基板213に当該第2の基板213を貫通する開口を形成して凹部を構成することにより、島状の凸部を有する凹凸構造を形成する。これにより、第2の基板213の開口において絶縁層212を露出させる。このとき、第2の基板213の凹凸構造における凸部凹部の側面は傾斜面となり、その面方位はSiの111面となる。次に、図4のdに示すように、例えばHFによるウェットエッチングにより、第1のマスク250を除去する。次に、図4のeに示すように、スパッタリング法や真空蒸着法を用いて、第2の基板213に形成した凹凸構造における凸部凹部の両側面のうち、一方の傾斜面を第2のマスク251で被覆する。このとき、第2の基板213の主面上面も第2のマスク251で被覆する。次に、図4のfに示すように、MOCVD法により、第2の基板213における凹凸構造の複数の開口凹部を埋めるようにして、絶縁層212の表面上および第2の基板213上にn型窒化物半導体層221を形成し、引き続き、発光層222およびp型窒化物半導体層223を形成する。このとき、n型窒化物半導体層221は、露出する第2の基板213、すなわち、第2の基板213の凹凸構造の各凸部凹部における側面の面方位に従って結晶成長し、各開口において結晶成長が進行することにより、第2のマスク251上にも形成され、その後、隣り合う開口の側面から結晶成長したn型窒化物半導体層221同士が接合する。これにより、上面が第1の基板211の主面に対して平行な平坦面となる1つのn型窒化物半導体層221が成膜される。また、この後に結晶成長される発光層222とp型窒化物半導体層223の上面も、その上面は第1の基板211の主面に対して平行な平坦面となる。次に、図4のgに示すように、p型窒化物半導体層223上に反射層280を介して第3の基板215を貼り合わせる。その後、第3の基板215上に真空蒸着法によりp電極242を積層する。次に、gに示す窒化物半導体の積層構造体を反転させて、図4のhに示すように、例えばClF3ガスによるドライエッチングや、フッ硝酸によるウェットエッチング等を用いて、第1の基板211、絶縁層212および第2の基板213を除去する。これにより、表面に凹凸面230が形成されたn型窒化物半導体層221を形成することができる。次に、図4のiに示すように、フォトリソグラフィ法と真空蒸着法により、n型窒化物半導体層221と電気的に接するようにしてn電極243を形成する。最後に、図示しないが、ブレードを用いたダイシングによりチップ分離を行うことで、窒化物半導体発光素子を形成する。以上により、本発明の実施形態2に係る窒化物半導体発光素子200を製造することができる。このように、本発明の実施形態2に係る窒化物半導体発光素子200によれば、第1の基板211とn型窒化物半導体層221との間に、熱膨張係数がn型窒化物半導体層221よりも大きい絶縁層212を挿入してn型窒化物半導体層221を結晶成長している。これにより、実施形態1と同様に、第1の基板211とn型窒化物半導体層221との熱膨張係数の差によって生じるn型窒化物半導体層221の応力歪を緩和することができる。従って、n型窒化物半導体層221に加えられる応力を低減することができるので、n型窒化物半導体層221においてクラックが発生することを抑制することができる。さらに、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子200によれば、第2の基板213に設けた凹凸構造によってn型窒化物半導体層221に凹凸面230を形成している。これにより、第2の基板213に設けた凹凸構造における凹部の深さまたは凸部の高さによってn型窒化物半導体層221の凹凸面230における凸部の高さまたは凹部の深さで制御することができる。つまり、第2の基板213の厚さによってn型窒化物半導体層221の凹凸面230における凸部の高さまたは凹部の深さを制御することができる。従って、第2の基板213の凹凸構造における凹部の深さが浅くなるように第2の基板213の厚さを薄く制御して、第2の基板213とn型窒化物半導体層221との接触面積を減少させることができる。その結果、n型窒化物半導体層221に加えられる応力を低減することができるので、n型窒化物半導体層221におけるクラックの発生を抑制することができる。また、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子200において、n型窒化物半導体層221に凹凸面230を形成する場合、第1の基板211、絶縁層212および第2の基板213の積層構造を用いている。これにより、第2の基板213に凹凸構造を形成する際、絶縁層212を、例えばKOHやTMAHによるアルカリウェットエッチングに対して、エッチングストップ層として機能させることができる。その結果、第2の基板213の凹凸構造を、高い面内均一性で精度良く形成することができるので、当該凹凸構造の形状に従って形成されるn型窒化物半導体層221の凹凸面230、また、発光層222およびp型窒化物半導体層223も高い面内均一性で成膜することができる。また、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子200において、第2の基板213の主面の面方位は、Siの100面から7°オフした面、Si113面、Si112、またはSi110面とすることが好ましい。この場合、第2の基板213の凹凸構造における凸部凹部の側面をSi111面とすることにより、当該Si111面上に選択的に窒化物半導体積層構造体220の各層を順次結晶成長させたときに、窒化物半導体積層構造体220の各層の主面を窒化ガリウムのc面に対して傾斜した非極性面とすることができる。特に、n型窒化物半導体層221の主面は、それぞれ窒化ガリウムの1-101面、11-22面、1-100面、11-20面とすることができる。このように、窒化物半導体積層構造体220の各層の主面を窒化ガリウムのc面に対して傾斜した非極性面とすることにより、発光層222内のピエゾ電界を低減することができる。この結果、発光層222内での電子と正孔の空間的な分離を改善することができるので、発光効率を向上させることができる。また、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子200において、n型窒化物半導体層221に設けられた凹凸面230を周期的な構造とすることにより、発光層222から放出された光を窒化物半導体積層構造体220の外部に取り出す効率光の取り出し効率を向上させることができる。なお、凹凸面230の周期的な構造は、第2の基板213の凹凸構造を周期的な構造とすることにより形成することができる。以上により、本実施形態においても、クラックの発生が抑制され、面内均一性の高い、発光効率の高い窒化物半導体発光素子を製造することができる。実施形態3まず、本発明の実施形態1に係る窒化物半導体発光素子について、図5Aおよび図5Bを用いて説明する。図5Aは、本発明の実施形態3に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。図5Bは、本発明の実施形態3に係る窒化物半導体発光素子の斜視図である。なお、図5Bは、図5Aにおいて、第1のn電極343、第1のp電極342、第2のn電極345および第2のp電極344が形成される前の状態を示している。図5Aおよび図5Bに示すように、本発明の実施形態3に係る窒化物半導体発光素子300は、Siシリコン単結晶からなる第1の基板311、絶縁層312、およびSi単結晶からなる第2の基板313がこの順で積層された構造の凹凸基板310を有する。ここで、凹凸基板310は、第2の基板313が絶縁層312を露出するようにして島状に形成された凹凸構造を有する第1の領域と、第2の基板313が存在せず、絶縁層312が第1の基板311を部分的に露出させるようにして形成された第2の領域とからなる。第1の領域において、第2の基板313の凹凸構造における凸部の両側面のうち、一方の側面第1の側面はSi111面が露出しており、他方の側面第2の側面は第2のマスク301で覆われている。また、凹凸構造における凹部は、当該凹部の底部が絶縁層312の表面となるように形成されている。従って、本実施形態において、凹部の底部を構成する材料は、絶縁層312である。第1の領域における第2の基板313上には、第1のn型半導体層321第1の窒化物半導体層、第1の発光層322、および第1のp型半導体層323第2の窒化物半導体層がこの順に積層された構造の第1の窒化物半導体積層構造体320が形成されている。第1のn型半導体層321は、第1の領域における凹凸構造の凹部を埋めるようにして、第1の基板311の主面に対して平行に平坦成長されている。第1の窒化物半導体積層構造体320には第1のn型半導体層321が露出するような開口が設けられ、第1のn型半導体層321および第1のp型半導体層323上に、それぞれ第1のn電極第1のn型電極343および第1のp電極第1のp型電極342がそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。さらに、第1のp型半導体層323にはリッジが形成されており、第1のn電極343と第1のp電極342の間に高電流を注入することにより、第1の発光層322から、所望の波長のレーザ光が発せられる。一方、凹凸基板310の第2の領域においては、絶縁層312に開口部302が設けられている。開口部302は、複数の開口からなり、第1の基板311の主面である平坦面が部分的に露出するように形成されている。第2の領域における開口部302上には、第2のn型半導体層331第3の窒化物半導体層、第2の発光層332、および第2のp型半導体層333第4の窒化物半導体層がこの順に積層された構造の第2の窒化物半導体積層構造体330が形成されている。第2の窒化物半導体積層構造体330には第2のn型半導体層331が露出するような開口が設けられ、第2のn型半導体層331および第2のp型半導体層333上に、それぞれ第2のn電極第2のn型電極345および第2のp電極344第2のp型電極がそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。さらに、第2のp型半導体層333にはリッジが形成されており、第2のn電極345と第2のp電極344の間に高電流を注入することにより、第2の発光層332から、所望の波長のレーザ光が発せられる。第1の領域上に形成された第1の窒化物半導体積層構造体320と第2の領域上に形成された第2の窒化物半導体積層構造体330とは、同一の凹凸基板310上に形成されるが、第1の窒化物半導体積層構造体320の下層にある絶縁層312によって絶縁されている。第1の窒化物半導体積層構造体320と第2の窒化物半導体積層構造体330とは素子分離されており、中心波長の異なる光を発する。上記の構成において、第1の窒化物半導体積層構造体320は、例えばMgマグネシウムがドープされたGaN窒化ガリウムからなる第1のp型半導体層323、例えば波長470nmを中心とする青色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる第1の発光層322、例えばSiがドープされたGaNからなる第1のn型半導体層321により構成されている。第1のp電極342は、例えばTiチタン、Alアルミニウム、Niニッケル、Au金等の金属の多層膜で構成される。第1のn電極343は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成され、第1のp型半導体層323および第1の発光層322の一部を選択的に除去することで露出した第1のn型半導体層321に接する形で形成されている。また、上記の構成において、第2の窒化物半導体積層構造体330は、例えばMgがドープされたGaNからなる第2のp型半導体層333、例えば波長530nmを中心とする緑色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる第2の発光層332、例えばSiがドープされたGaNからなる第2のn型半導体層331により構成されている。第2のp電極344は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成される。第2のn電極345は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成され、第2のp型半導体層333および第2の発光層332の一部を選択的に除去することで露出した第2のn型半導体層331に接する形で形成されている。また、絶縁層312は、SiO2シリコン酸化膜からなることが好ましい。また、第2の基板313の主面は、Siの1007°オフ面、113面、112面、または110面であることが好ましい。また、第2の基板313に設けられた凹凸構造は、周期的な構造であることが望ましい。また、開口部302は、開口と絶縁層312とが交互に配置された周期的な構造となることが望ましい。また、第2のマスク301は、SiO2またはSiO2とTiO2などの誘電体からなる多層膜であることが望ましい。次に、このように構成された本発明の実施形態3に係る窒化物半導体発光素子300の動作について説明する。本発明の実施形態3に係る窒化物半導体発光素子300のように、異なる二つの面方位例えば、111面と1007°オフ面を有するSi基板上にGaN結晶を成長させると、それぞれの面方位に対してGaN結晶の成長面が異なる。例えばSi111面上にはGaNの0001面が成長し、Si1007°オフ面上にはGaNの1-101面が成長する。したがって、異なる面方位のGaN結晶を、間隔を狭く、それぞれ基板の主面に対して平行に平坦面成長することが可能となる。この平坦面上には、フォトリソグラフィやドライエッチングなどの一般的な半導体プロセスを用いて、微細なパターン形成が可能であるため、電流注入を改善するための微細電極パターンや、光取り出し効率を改善するための微細凹凸パターンを容易に形成することができ、これにより、窒化物半導体発光素子の発光効率を向上させることができる。この結果、高発光効率で、発光点間隔が狭い窒化物半導体発光素子を実現できる。また、異なる二つの成長面上では、例えばInGaNからなる発光層においては、Inインジウムの取り込み効率が異なる。例えば同一の成長条件では、GaNの0001面上のInGaN発光層よりもGaNの1-101面上のInGaN発光層の方がInの取り込み効率が低い。そのため、GaNの0001面上のInGaN発光層の発光波長よりもGaNの1-101面上のInGaN発光層の発光波長の方が長波長となる。この結果、一度の結晶成長で、複数の異なる発光波長のピークを持つ窒化物半導体発光素子を実現できる。また、第1の窒化物半導体積層構造体320と第2の窒化物半導体積層構造体330は電気的に接しておらず、第1のn電極343および第1のp電極342と、第2のn電極345および第2のp電極344とをそれぞれ独立に形成することができる。そのため、互いに異なる発光波長を発する第1の窒化物半導体積層構造体320と第2の窒化物半導体積層構造体330とをそれぞれ独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。また、第2の基板313の主面を、Siの1007°オフ面、113面、112面、または110面とし、この主面上と、第2の基板313の凸部の側面に現れたSi111面上とに、選択的に第1の窒化物半導体積層構造体320を結晶成長させることにより、第1の窒化物半導体積層構造体320の主面をGaN0001面に対して傾斜した非極性面とすることができる。そのため、第1の発光層322内のピエゾ電界を低減することができる。その結果、第1の発光層322内での電子と正孔の空間的な分離を改善することができ、発光効率を向上させることができる。また、第2の基板313に設けられた凹凸構造を周期的な構造とすることにより、第1の発光層322から放出された光を第1の窒化物半導体積層構造体320の外部へ効率よく取り出すことができる。また、本実施形態では、結晶成長する面方位が異なっており、一般的には凹凸構造を有する第1の窒化物半導体積層構造体320よりも第2の窒化物半導体積層構造体330の方が基板垂直方向への成長速度が速い。そのため、成長初期は、凹凸構造の厚みの分だけ第1の窒化物半導体積層構造体320の方が第2の窒化物半導体積層構造体330よりも厚いが、平坦面の結晶成長が進むにつれて上記成長速度の差によって二つの成長面間の段差は小さくなる。したがって、より微細なパターンを形成することが可能となり、その結果、高発光効率の窒化物半導体発光素子を実現できる。以上により、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。なお、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子300では、実施形態1に係る窒化物半導体発光素子100と同様に、絶縁層312の熱膨張係数が第1のn型半導体層321や第2のn型半導体層331の熱膨張係数よりも大きくなるように構成されているので、第1のn型半導体層321や第2のn型半導体層331においてクラックが発生することを抑制することができる。次に、本発明の実施形態3に係る窒化物半導体発光素子300の製造方法について、図6を用いて説明する。図6は、本発明の実施形態3に係る窒化物半導体発光素子の製造方法における各工程の構成を模式的に示した断面図である。図6のaに示すように、まず、Si単結晶からなる第1の基板311と、Si単結晶からなる第2の基板313とを、例えばSiO2からなる絶縁層312を介して接合させる。このとき、第2の基板313の主面が、シリコンの111面とは異なる面方位となるように構成されている。次に、熱酸化法やプラズマCVDChemicalVaporDeposition法などにより、第2の基板313上にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなる第1のマスク314を形成する。その後、図6のbに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、第1の領域となる部分において、ストライプ状の開口を有するように第1のマスク314をパターニングして、第2の基板313を露出させる。なお、第2の領域となる部分においては、第1のマスク314は全てエッチング除去される。次に、図6のcに示すように、第2の基板313に対して、例えばKOH水酸化カリウムやTMAH水酸化テトラメチルアンモニウムによりウェットエッチングを施し、第2の基板313に開口を形成して、島状の凸部を有する凹凸構造を形成する。これにより、第2の基板313の開口において絶縁層312を露出させる。このとき、第2の基板313の凸部の側面は傾斜面となり、その面方位はSiの111面となる。なお、第2の領域においては、第2の基板313は全て除去される。次に、図6のdに示すように、例えばHFフッ酸によるウェットエッチングにより、第1のマスク314を除去する。これにより、第1の領域における凹凸構造を形成することができる。次に、図6のeに示すように、スパッタリング法や真空蒸着法を用いて、第2の基板313に形成した凹凸構造における凸部の両側面のうち、一方の傾斜面を第2のマスク301で被覆する。次に、図6のfに示すように、第2の基板313が除去されて凹凸構造のない第2の領域において、フォトリソグラフィ法やドライエッチング法により、絶縁層312を選択的に除去して絶縁層312に複数の開口を形成する。これにより、絶縁層312に開口部302が形成され、開口部分の第1の基板311が露出する。このとき、開口部302の開口は周期的に形成することが望ましい。次に、図6のgに示すように、MOCVDにより、第2の基板313の凹凸構造を有する第1の領域上、および、開口部302が形成された第2の領域上に、それぞれ第1のn型半導体層321と第2のn型半導体層331を形成する。このとき、第1の領域において、第1のn型半導体層321は、露出する第2の基板313、すなわち、第2の基板313の主面と凸部の側面の面方位に従って図中の斜め矢印方向に結晶成長するとともに、第1の基板311の主面に対して平行に平坦成長する。また、第2の領域においては、第2のn型半導体層331は、露出する第1の基板311の主面に従って図中の上向き矢印方向に、第1の基板311の主面に対して平行に平坦成長する。この場合、第1のn型半導体層321よりも第2のn型半導体層331の方が、主面に垂直方向の成長レートが速い。したがって、二つの成長面間の段差は、二つの半導体層の結晶成長が進むに従って小さくなる。続いて、図6のhに示すように、MOCVDにより、第1のn型半導体層321上には第1の発光層322および第1のp型半導体層323を、第2のn型半導体層331上には第2の発光層332および第2のp型半導体層333を、それぞれ形成する。次に、図6のiに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、第1のp型半導体層323および第2のp型半導体層333にリッジを形成する。また、同様に、第1のn型半導体層321および第2のn型半導体層331が露出するように、それぞれ選択的に開口を形成する。次に、図6のjに示すように、フォトリソグラフィ法と真空蒸着法を用いて、第1のn型半導体層321に電気的に接続される形で第1のn電極343を形成し、また、第1のp型半導体層323に電気的に接続される形で第1のp電極342を形成する。さらに、第2のn型半導体層331に電気的に接続される形で第2のn電極345を形成し、また、第2のp型半導体層333に電気的に接続される形で第2のp電極344を形成する。最後に、図示しないが、ブレードを用いたダイシング、またはへき開によりチップ分離を行うことで、窒化物半導体発光素子を形成する。以上により、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を製造することができる。実施形態4次に、本発明の実施形態4に係る窒化物半導体発光素子について、図7を用いて説明する。図7は、本発明の実施形態4に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。図7に示すように、本発明の実施形態4に係る窒化物半導体発光素子400は、Si単結晶からなる第1の基板411、絶縁層412、およびSi単結晶からなる第2の基板413がこの順に積層された構造の凹凸基板410を有する。ここで、凹凸基板410は、第2の基板413が絶縁層412を露出するようにして島状に形成された凹凸構造を有する第1の領域と、第2の基板413が存在せず絶縁層412が第1の基板411を露出するようにして形成された第2の領域とからなる。第1の領域において、第2の基板413の凹凸構造における凸部の両側面のうち、一方の側面第1の側面はSi111面が露出しており、他方の側面第2の側面は第2のマスク401で覆われている。また、凹凸構造における凹部は、当該凹部の底部が絶縁層412の表面となるように形成されている。従って、本実施形態において、凹部の底部を構成する材料は、絶縁層412である。第1の領域における第2の基板413上には、第1のn型半導体層421第1の窒化物半導体層、第1の発光層422、および第1のp型半導体層423第2の窒化物半導体層がこの順に積層された構造の第1の窒化物半導体積層構造体420が形成されている。第1のn型半導体層421は、第1の領域における凹凸構造の凹部を埋めるようにして、第1の基板411の主面に対して平行に平坦成長されている。第1の窒化物半導体積層構造体420には第1のn型半導体層421が露出するような開口が設けられ、第1のn型半導体層421および第1のp型半導体層423上に、それぞれ第1のn電極443および第1のp電極442がそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。本実施形態においては、さらに、第1のp型半導体層423の上面には周期的な凹凸を有する第1の発光面451が形成されている。一方、凹凸基板410の第2の領域においては、絶縁層412に開口部402が設けられている。開口部402は、単一開口からなり、第1の基板411の主面である平坦面が露出するように形成されている。第2の領域における開口部402上には、第2のn型半導体層431第3の窒化物半導体層、第2の発光層432、および第2のp型半導体層433第4の窒化物半導体層がこの順に積層された構造の第2の窒化物半導体積層構造体430が形成されている。第2の窒化物半導体積層構造体430には第2のn型半導体層431が露出するような開口が設けられ、第2のn型半導体層431および第2のp型半導体層433上に、それぞれ第2のn電極445および第2のp電極444がそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。本実施形態においては、さらに、第2のp型半導体層433の上面には周期的な凹凸を有する第2の発光面452が形成されている。第1の領域上に形成された第1の窒化物半導体積層構造体420と第2の領域上に形成された第2の窒化物半導体積層構造体430とは、同一の凹凸基板410上に形成されるが、第1の窒化物半導体積層構造体420の下層にある絶縁層412によって絶縁されている。第1の窒化物半導体積層構造体420と第2の窒化物半導体積層構造体430とは素子分離されており、中心波長の異なる光を発する。上記の構成において、第1の窒化物半導体積層構造体420は、例えばMgがドープされたGaNからなる第1のp型半導体層423、例えば波長470nmを中心とする青色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる第1の発光層422、例えばSiがドープされたGaNからなる第1のn型半導体層421により構成されている。第1のp電極442は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成される。第1のn電極443は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成され、第1のp型半導体層423および第1の発光層422の一部を選択的に除去することで露出した第1のn型半導体層421に接する形で形成されている。また、上記の構成において、第2の窒化物半導体積層構造体430は、例えばMgがドープされたGaNからなる第2のp型半導体層433、例えば波長530nmを中心とする緑色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる第2の発光層432、例えばSiがドープされたGaNからなる第2のn型半導体層431により構成されている。第2のp電極444は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成される。第2のn電極445は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成され、第2のp型半導体層433および第2の発光層432の一部を選択的に除去することで露出した第2のn型半導体層431に接する形で形成されている。また、絶縁層412は、SiO2からなることが好ましい。また、第1のp電極442と第1のp型半導体層423の間には、例えばITOインジウムスズ酸化物からなる透明電極が挿入されていることが望ましい。また、第2のp電極444と第2のp型半導体層433の間には、例えばITOからなる透明電極が挿入されていることが望ましい。さらに、ITOからなる透明電極に凹凸構造が設けられていることが望ましい。また、第2の基板413の主面は、Siの1007°オフ面、113面、112、または110面であることが好ましい。また、第2の基板413に設けられた凹凸構造は、周期的な構造であることが望ましい。また、開口部402は、実施の形態1のように、開口と絶縁層412が交互に配置された周期的な構造となっていてもよい。また、第2のマスク401は、SiO2またはSiO2とTiO2などの誘電体からなる多層膜であることが望ましい。次に、このように構成された本発明の実施形態4に係る窒化物半導体発光素子400の動作について説明する。本発明の実施形態4に係る窒化物半導体発光素子400は、実施形態3と同様に、凹凸構造を有する第1の領域と平坦面を有する第2の領域とを含む凹凸基板410を備える。したがって、異なる面方位のGaN結晶を、間隔を狭く、それぞれ基板の主面に対して平行に平坦面成長することが可能となる。この平坦面上には、フォトリソグラフィやドライエッチングなどの一般的な半導体プロセスを用いて、微細なパターン形成が可能であるため、電流注入を改善するための微細電極パターンや、光取り出し効率を改善するための微細凹凸パターンを容易に形成することができ、これにより、窒化物半導体発光素子の発光効率を向上させることができる。例えば、図7に示すように、第1の発光面451および第2の発光面452に周期的な凹凸パターンを形成することで、それぞれ第1の窒化物半導体積層構造体420および第2の窒化物半導体積層構造体430から効率よく光を取り出すことが可能となる。この結果、高発光効率で、発光点間隔が狭い窒化物半導体発光素子を実現できる。また、実施形態3と同様に、異なる二つの成長面を有しており、Inの取り込み量を異ならせることができるので、一度の結晶成長で、複数の異なる発光波長のピークを持つ窒化物半導体発光素子を実現できる。また、実施形態3と同様に、第1のn電極443および第1のp電極442と、第2のn電極445および第2のp電極444とをそれぞれ独立に形成している。したがって、互いに異なる発光波長を発する第1の窒化物半導体積層構造体420と第2の窒化物半導体積層構造体430とをそれぞれ独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。また、実施形態3と同様に、第1の領域において、選択的に第1の窒化物半導体積層構造体420を結晶成長させることができるので、第1の発光層422内のピエゾ電界を低減することができる。その結果、第1の発光層422内での電子と正孔の空間的な分離を改善することができ、発光効率を向上させることができる。また、実施形態3と同様に、第2の基板413に設けられた凹凸構造を周期的な構造とすることにより、第1の発光層422から放出された光を第1の窒化物半導体積層構造体420の外部へ効率よく取り出すことができる。また、実施形態3と同様に、第1の領域と第2の領域とにおける基板垂直方向の成長速度の差によって、二つの成長面間の段差が成長初期よりも小さくなる。したがって、より微細なパターンを形成することが可能となり、その結果、高発光効率の窒化物半導体発光素子を実現できる。以上により、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。なお、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子400では、実施形態1に係る窒化物半導体発光素子100と同様に、絶縁層412の熱膨張係数が第1のn型半導体層421や第2のn型半導体層431の熱膨張係数よりも大きくなるように構成されているので、第1のn型半導体層421や第2のn型半導体層431においてクラックが発生することを抑制することができる。次に、本発明の実施形態4に係る窒化物半導体発光素子400の製造方法について、図8を用いて説明する。図8は、本発明の実施形態4に係る窒化物半導体発光素子の製造方法における各工程の構成を模式的に示した断面図である。図8のaに示すように、まず、Si単結晶からなる第1の基板411と、Si単結晶からなる第2の基板413とを、例えばSiO2からなる絶縁層412を介して接合させる。このとき、第2の基板413の主面が、シリコンの111面とは異なる面方位となるように構成されている。次に、熱酸化法やプラズマCVD法などにより、第2の基板413上にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなる第1のマスク414を形成する。その後、図8のbに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、第1の領域となる部分において、ストライプ状の開口を有するように第1のマスク414をパターニングして、第2の基板413を露出させる。なお、第2の領域となる部分においては、第1のマスク414はエッチング除去される。次に、図8のcに示すように、第2の基板413に対して、例えばKOHやTMAHによりウェットエッチングを施し、第2の基板413に島状の凸部を有する凹凸構造を形成する。これにより、第2の基板413の開口において絶縁層412を露出させる。このとき、第2の基板413の凸部の側面は傾斜面となり、その面方位はSiの111面となる。なお、第2の領域においては、第2の基板413は全て除去される。次に、図8のdに示すように、例えばHFによるウェットエッチングにより、第1のマスク414を除去する。これにより、第1の領域における凹凸構造を形成することができる。次に、図8のeに示すように、スパッタリング法や真空蒸着法を用いて、第2の基板413に形成した凹凸構造における凸部の両側面のうち、一方の傾斜面を第2のマスク401で被覆する。次に、図8のfに示すように、第2の基板413が除去されて凹凸構造のない第2の領域において、フォトリソグラフィ法やドライエッチング法により、絶縁層412の一部を除去して絶縁層412に単一開口の開口部402を形成し、第1の基板411を露出させる。このとき、開口部402は複数の開口が周期的に配置された構造としてもよい。次に、図8のgに示すように、MOCVDにより、第2の基板413の凹凸構造を有する第1の領域上、および、開口部402が形成された第2の領域上に、それぞれ第1のn型半導体層421と第2のn型半導体層431を形成する。このとき、第1の領域において、第1のn型半導体層421は、露出する第2の基板413、すなわち、第2の基板413の主面と凸部の側面の面方位に従って図中の斜め矢印方向に結晶成長するとともに、第1の基板411の主面に対して平行に平坦成長する。また、第2の領域においては、第2のn型半導体層431は、露出する第1の基板411の主面垂直方向に図中の上向き矢印方向に、第1の基板411の主面に対して平行に平坦成長する。この場合、第1のn型半導体層421よりも第2のn型半導体層431の方が、主面に垂直方向の成長レートが速い。したがって、二つの成長面間の段差は、二つの半導体層の結晶成長が進むに従って小さくなる。続いて、図8のhに示すように、MOCVDにより、第1のn型半導体層421上には第1の発光層422および第1のp型半導体層423を、第2のn型半導体層431上には第2の発光層432および第2のp型半導体層433を、それぞれ形成する。次に、図8のiに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、第1のn型半導体層421および第2のn型半導体層431が露出するように、選択的に開口を形成する。次に、図8のjに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、第1のp型半導体層423に周期的な凹凸からなる第1の発光面451を、第2のp型半導体層433に周期的な凹凸からなる第2の発光面452を、それぞれ形成する。次に、図8のkに示すように、フォトリソグラフィ法と真空蒸着法を用いて、第1のn型半導体層421に電気的に接続される形で第1のn電極443を形成し、また、第1のp型半導体層423に電気的に接続される形で第1のp電極442を形成する。さらに、第2のn型半導体層431に電気的に接続される形で第2のn電極445を形成し、また、第2のp型半導体層433に電気的に接続される形で第2のp電極444を形成する。最後に、図示しないが、ブレードを用いたダイシングによりチップ分離を行うことで、窒化物半導体発光素子を形成する。以上により、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を製造することができる。実施形態5次に、本発明の実施形態5に係る窒化物半導体発光素子について、図9Aおよび図9Bを用いて説明する。図9Aは、本発明の実施形態5に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。図9Bは、本発明の実施形態5に係る窒化物半導体発光素子の斜視図である。なお、図9Bは、図9Aにおいて、第1のn電極543、第1のp電極542、第2のn電極545および第2のp電極544が形成される前の状態を示している。図9Aおよび図9Bに示すように、本発明の実施形態5に係る窒化物半導体発光素子500は、11-20面を主面とするサファイア基板からなり、周期的な凹凸構造を有する第1の領域501と、平坦面である第2の領域502とから構成されている凹凸基板510を備える。凹凸構造の凸部における側面は、0001面となっている。また、凹凸構造における凹部は、サファイア基板をエッチングすることによって形成されている。従って、本実施形態において、凹部の底部を構成する材料は、サファイアである。第1の領域501上には、第1のn型半導体層521第1の窒化物半導体層、第1の発光層522、および第1のp型半導体層523第2の窒化物半導体層がこの順に積層された構造の第1の窒化物半導体積層構造体520が形成されている。第1のn型半導体層521は、第1の領域501における凹凸構造の凹部を埋めるようにして、サファイア基板の主面に対して平行に平坦成長されている。第1の窒化物半導体積層構造体520には第1のn型半導体層521が露出するような開口が設けられ、第1のn型半導体層521および第1のp型半導体層523上に、それぞれ第1のn電極543および第1のp電極542がそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。第1のp型半導体層523にはリッジが形成されており、第1のn電極543と第1のp電極542の間に高電流を注入することにより、第1の発光層522から、所望の波長のレーザ光が発せられる。一方、第2の領域502上には、第2のn型半導体層531第3の窒化物半導体層、第2の発光層532、および第2のp型半導体層533第4の窒化物半導体層がこの順に積層された構造の第2の窒化物半導体積層構造体530が形成されている。第2の窒化物半導体積層構造体530には第2のn型半導体層531が露出するような開口が設けられ、第2のn型半導体層531および第2のp型半導体層533上に、それぞれ第2のn電極545および第2のp電極544がそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。第2のp型半導体層533にはリッジが形成されており、第2のn電極545と第2のp電極544の間に高電流を注入することにより、第2の発光層532から、所望の波長のレーザ光が発せられる。第1の領域501上に形成された第1の窒化物半導体積層構造体520と第2の領域502上に形成された第2の窒化物半導体積層構造体530とは、同一の凹凸基板510上に形成されるが、凹凸基板510は絶縁性のサファイア基板からなるので、第1の窒化物半導体積層構造体520と第2の窒化物半導体積層構造体530とは絶縁されている。第1の窒化物半導体積層構造体520と第2の窒化物半導体積層構造体530とは素子分離されており、中心波長の異なる光を発する。上記の構成において、第1の窒化物半導体積層構造体520は、例えばMgがドープされたGaNからなる第1のp型半導体層523、例えば波長470nmを中心とする青色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる第1の発光層522、例えばSiがドープされたGaNからなる第1のn型半導体層521により構成されている。第1のp電極542は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成される。第1のn電極543は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成され、第1のp型半導体層523および第1の発光層522の一部を選択的に除去することで露出した第1のn型半導体層521に接する形で形成されている。また、上記の構成において、第2の窒化物半導体積層構造体530は、例えばMgがドープされたGaNからなる第2のp型半導体層533、例えば波長530nmを中心とする緑色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる第2の発光層532、例えばSiがドープされたGaNからなる第2のn型半導体層531により構成されている。第2のp電極544は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成される。第2のn電極545は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成され、第2のp型半導体層533および第2の発光層532の一部を選択的に除去することで露出した第2のn型半導体層531に接する形で形成されている。また、第1の領域501における凹凸構造の凸部または凹部の側面は、垂直であることが望ましい。次に、このように構成された本発明の実施形態5に係る窒化物半導体発光素子500の動作について説明する。本発明の実施形態5に係る窒化物半導体発光素子500においては、第1の領域501上にはGaNの1-100面が成長し、第2の領域502上にはGaNの0001面が成長する。したがって、実施形態3と同様に、異なる面方位のGaN結晶を、間隔を狭く、それぞれ基板の主面に対して平行に平坦面成長することが可能となる。この平坦面上には、フォトリソグラフィやドライエッチングなどの一般的な半導体プロセスを用いて、微細なパターン形成が可能であるため、電流注入を改善するための微細電極パターンや、光取り出し効率を改善するための微細凹凸パターンを容易に形成することができ、これにより、窒化物半導体発光素子の発光効率を向上させることができる。この結果、高発光効率で、発光点間隔が狭い窒化物半導体発光素子を実現できる。また、実施形態3と同様に、異なる二つの成長面を有しており、Inの取り込み量を異ならせることができるので、一度の結晶成長で、複数の異なる発光波長のピークを持つ窒化物半導体発光素子を実現できる。また、実施形態3と同様に、第1のn電極543および第1のp電極542と、第2のn電極545および第2のp電極544とをそれぞれ独立に形成している。したがって、互いに異なる発光波長を発する第1の窒化物半導体積層構造体520と第2の窒化物半導体積層構造体530とを、それぞれ独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。また、実施形態3と同様に、第1の領域501において、選択的に第1の窒化物半導体積層構造体520を結晶成長させることができるので、第1の発光層522内のピエゾ電界を低減することができる。その結果、第1の発光層522内での電子と正孔の空間的な分離を改善することができ、発光効率を向上させることができる。また、実施形態3と同様に、第1の領域501における凹凸構造を周期的な構造とすることにより、第1の発光層522から放出された光を第1の窒化物半導体積層構造体520の外部へ効率よく取り出すことができる。以上により、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。なお、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子500において、凹凸基板510における凹部サファイアの熱膨張係数を第1のn型半導体層521や第2のn型半導体層531の熱膨張係数よりも大きくなるように構成することにより、実施形態1に係る窒化物半導体発光素子100と同様に、第1のn型半導体層521や第2のn型半導体層531においてクラックが発生することを抑制することができる。次に、本発明の実施形態5に係る窒化物半導体発光素子500の製造方法について、図10を用いて説明する。図10は、本発明の実施形態5に係る窒化物半導体発光素子の製造方法における各工程の構成を模式的に示した断面図である。図10のaに示すように、まず、11-20を主面とするサファイア基板510S上に、スパッタリング法やプラズマCVD法を用いて、マスク514を形成する。次に、図10のbに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、第1の領域501となる部分において、ストライプ状の開口を有するようにマスク514をパターニングして、サファイア基板510Sを露出させる。なお、第2の領域502となる部分においては、マスク514はエッチング除去されない。次に、図10のcに示すように、サファイア基板510S上にドライエッチングを施すことにより、サファイア基板510Sに凹凸構造を形成する。このとき、凹凸構造の凸部の側面が0001面となるように形成する。次に、図10のdに示すように、例えばHFによるウェットエッチングにより、マスク514を除去する。これにより、凹凸構造を有する第1の領域501と平坦面である第2の領域502とを含む凹凸基板510を作製することができる。次に、図10のeに示すように、MOCVDにより、第1の領域501上および第2の領域502上に、それぞれ第1のn型半導体層521と第2のn型半導体層531を形成する。このとき、第1の領域501において、第1のn型半導体層521は、凹凸構造の面方位に従って結晶成長するとともに、サファイア基板510Sの主面に対して平行に平坦成長する。また、第2の領域502においては、第2のn型半導体層531は、サファイア基板510Sの主面に対して平行に平坦成長する。続いて、図10のfに示すように、MOCVDにより、第1のn型半導体層521上には第1の発光層522および第1のp型半導体層523を、第2のn型半導体層531上には第2の発光層532および第2のp型半導体層533を、それぞれ形成する。次に、図10のgに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、第1のp型半導体層523および第2のp型半導体層533にリッジを形成する。また、同様に、第1のn型半導体層521および第2のn型半導体層531が露出するように、選択的に開口を形成する。次に、図10のhに示すように、フォトリソグラフィ法と真空蒸着法を用いて、第1のn型半導体層521に電気的に接続される形で第1のn電極543を形成し、また、第1のp型半導体層523に電気的に接続される形で第1のp電極542を形成する。さらに、第2のn型半導体層531に電気的に接続される形で第2のn電極545を形成し、また、第2のp型半導体層533に電気的に接続される形で第2のp電極544を形成する。最後に、図示しないが、ブレードを用いたダイシング、またはへき開によりチップ分離を行うことで、窒化物半導体発光素子を形成する。以上により、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を製造することができる。実施形態6次に、本発明の実施形態6に係る窒化物半導体発光素子について、図11を用いて説明する。図11は、本発明の実施形態6に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。図11に示すように、本発明の実施形態6に係る窒化物半導体発光素子600は、11-20面を主面とするサファイア基板からなり、周期的な凹凸構造を有する第1の領域601と、平坦面である第2の領域602とから構成されている凹凸基板610を備える。凹凸構造の凸部における側面は、0001面となっている。また、凹凸構造における凹部は、サファイア基板をエッチングすることによって形成されている。従って、本実施形態において、凹部の底部を構成する材料は、サファイアである。第1の領域601上には、第1のn型半導体層621第1の窒化物半導体層、第1の発光層622、および第1のp型半導体層623第2の窒化物半導体層がこの順に積層された構造の第1の窒化物半導体積層構造体620が形成されている。第1のn型半導体層621は、第1の領域601における凹凸構造の凹部を埋めるようにして、サファイア基板の主面に対して平行に平坦成長されている。第1の窒化物半導体積層構造体620には第1のn型半導体層621が露出するような開口が設けられ、第1のn型半導体層621および第1のp型半導体層623上に、それぞれ第1のn電極643および第1のp電極642がそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。本実施形態では、さらに、第1のp型半導体層623の上面には周期的な凹凸を有する第1の発光面651が形成されている。一方、第2の領域602上には、第2のn型半導体層631第3の窒化物半導体層、第2の発光層632、および第2のp型半導体層633第4の窒化物半導体層がこの順に積層された構造の第2の窒化物半導体積層構造体630が形成されている。第2の窒化物半導体積層構造体630には第2のn型半導体層631が露出するような開口が設けられ、第2のn型半導体層631および第2のp型半導体層633上に、それぞれ第2のn電極645および第2のp電極644がそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。本実施形態では、さらに、第2のp型半導体層633の上面には周期的な凹凸を有する第2の発光面652が形成されている。第1の領域601上に形成された第1の窒化物半導体積層構造体620と第2の領域602上に形成された第2の窒化物半導体積層構造体630とは、同一の凹凸基板610上に形成されるが、凹凸基板610は絶縁性のサファイア基板からなるので、第1の窒化物半導体積層構造体620と第2の窒化物半導体積層構造体630とは絶縁されている。また、第1の窒化物半導体積層構造体620と第2の窒化物半導体積層構造体630とは素子分離されており、中心波長の異なる光を発する。上記の構成において、第1の窒化物半導体積層構造体620は、例えばMgがドープされたGaNからなる第1のp型半導体層623、例えば波長470nmを中心とする青色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる第1の発光層622、例えばSiがドープされたGaNからなる第1のn型半導体層621により構成されている。第1のp電極642は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成される。第1のn電極643は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成され、第1のp型半導体層623および第1の発光層622の一部を選択的に除去することで露出した第1のn型半導体層621に接する形で形成されている。また、上記の構成において、第2の窒化物半導体積層構造体630は、例えばMgがドープされたGaNからなる第2のp型半導体層633、例えば波長530nmを中心とする緑色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる第2の発光層632、例えばSiがドープされたGaNからなる第2のn型半導体層631により構成されている。第2のp電極644は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成される。第2のn電極645は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成され、第2のp型半導体層633および第2の発光層632の一部を選択的に除去することで露出した第2のn型半導体層631に接する形で形成されている。また、第1の領域601における凹凸構造の凸部または凹部の側面は、垂直であることが望ましい。次に、このように構成された本発明の実施形態6に係る窒化物半導体発光素子600の動作について説明する。本発明の実施形態6に係る窒化物半導体発光素子600においては、実施形態5と同様に、凹凸構造を有する第1の領域601と平坦面である第2の領域602とを含む凹凸基板610を備えている。これにより、異なる面方位のGaN結晶を、間隔を狭く、それぞれ基板に対して平行に平坦面成長することが可能となる。この平坦面上には、フォトリソグラフィやドライエッチングなどの一般的な半導体プロセスを用いて、微細なパターン形成が可能であるため、電流注入を改善するための微細電極パターンや、光取り出し効率を改善するための微細凹凸パターンを容易に形成することができ、これにより、窒化物半導体発光素子の発光効率を向上させることができる。例えば、図11に示すように、第1の発光面651および第2の発光面652に周期的な凹凸パターンを形成することで、それぞれ第1の窒化物半導体積層構造体620および第2の窒化物半導体積層構造体630から効率よく光を取り出すことが可能となる。この結果、高発光効率で、発光点間隔が狭い窒化物半導体発光素子を実現できる。また、実施形態3と同様に、異なる二つの成長面を有してInの取り込み量を異ならせることができるので、一度の結晶成長で、複数の異なる発光波長のピークを持つ窒化物半導体発光素子を実現できる。また、実施形態3と同様に、第1のn電極643および第1のp電極642と、第2のn電極645および第2のp電極644とをそれぞれ独立に形成している。したがって、互いに異なる発光波長を発する第1の窒化物半導体積層構造体620と第2の窒化物半導体積層構造体630とをそれぞれ独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。また、実施形態3と同様に、第1の領域601において、選択的に第1の窒化物半導体積層構造体620を結晶成長させることができるので、第1の発光層622内のピエゾ電界を低減することができる。その結果、第1の発光層622内での電子と正孔の空間的な分離を改善することができ、発光効率を向上させることができる。また、実施形態3と同様に、第1の領域601における凹凸構造を周期的な構造とすることにより、第1の発光層622から放出された光を第1の窒化物半導体積層構造体620の外部へ効率よく取り出すことができる。以上により、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。なお、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子600において、凹凸基板610における凹部サファイアの熱膨張係数を第1のn型半導体層621や第2のn型半導体層631の熱膨張係数よりも大きくなるように構成することにより、実施形態5に係る窒化物半導体発光素子100と同様に、第1のn型半導体層621や第2のn型半導体層631においてクラックが発生することを抑制することができる。次に、本発明の実施形態6に係る窒化物半導体発光素子600の製造方法について、図12を用いて説明する。図12は、本発明の実施形態6に係る窒化物半導体発光素子の製造方法における各工程の構成を模式的に示した断面図である。図12のaに示すように、まず、11-20を主面とするサファイア基板610S上に、スパッタリング法やプラズマCVD法を用いて、マスク614を形成する。次に、図12のbに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、第1の領域601となる部分において、ストライプ状の開口を有するようにマスク614をパターニングして、サファイア基板610Sを露出させる。なお、第2の領域602となる部分においては、マスク614はエッチング除去されない。次に、図12のcに示すように、サファイア基板610S上にドライエッチングを施すことにより、サファイア基板610Sに凹凸構造を形成する。このとき、凹凸構造の凸部の側面が0001面となるように形成する。次に、図12のdに示すように、例えばHFによるウェットエッチングにより、マスク614を除去する。これにより、凹凸構造を有する第1の領域601と平坦面である第2の領域602とを含む凹凸基板610を作製することができる。次に、図12のeに示すように、MOCVDにより、第1の領域601上および第2の領域602上に、それぞれ第1のn型半導体層621と第2のn型半導体層631を形成する。このとき、第1の領域601において、第1のn型半導体層621は、凹凸構造の面方位に従って結晶成長するとともに、サファイア基板610Sの主面に対して平行に平坦成長する。また、第2の領域602においては、第2のn型半導体層631は、サファイア基板610Sの主面に対して平行に平坦成長する。続いて、図12のfに示すように、MOCVDにより、第1のn型半導体層621上には第1の発光層622および第1のp型半導体層623を、第2のn型半導体層631上には第2の発光層632および第2のp型半導体層633を、それぞれ形成する。次に、図12のgに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、第1のn型半導体層621および第2のn型半導体層631が露出するように、選択的に開口を形成する。次に、図12のhに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、第1のp型半導体層623に周期的な凹凸からなる第1の発光面651を、第2のp型半導体層633に周期的な凹凸からなる第2の発光面652を、それぞれ形成する。次に、図12のiに示すように、フォトリソグラフィ法と真空蒸着法を用いて、第1のn型半導体層621に電気的に接続される形で第1のn電極643を形成し、また、第1のp型半導体層623に電気的に接続される形で第1のp電極642を形成する。さらに、第2のn型半導体層631に電気的に接続される形で第2のn電極645を形成し、また、第2のp型半導体層633に電気的に接続される形で第2のp電極644を形成する。最後に、図示しないが、ブレードを用いたダイシングによりチップ分離を行うことで、窒化物半導体発光素子を形成する。以上により、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を製造することができる。実施形態7次に、本発明の実施形態7に係る窒化物半導体発光素子について、図13Aおよび図13Bを用いて説明する。図13Aは、本発明の実施形態7に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。図13Bは、本発明の実施形態7に係る窒化物半導体発光素子の実装状態を示す斜視図である。図13Aおよび図13Bに示すように、本発明の実施形態7に係る窒化物半導体発光素子700は、Si単結晶からなる第1の基板711、第1の絶縁層712、およびSi単結晶からなる第2の基板713がこの順に積層された構造の凹凸基板710上を有する。ここで、凹凸基板710は、第2の基板713が第1の絶縁層712を露出するようにして島状に形成された凹凸構造を有する第1の領域と、第2の基板713が存在せず第1の絶縁層712が第1の基板711を部分的に露出させるようにして形成された第2の領域とからなる。第1の領域において、第2の基板713の凹凸構造における凸部の両側面のうち、一方の側面第1の側面はSi111面が露出しており、他方の側面第2の側面は第2のマスク701で覆われている。また、凹凸構造における凹部は、当該凹部の底部が絶縁層712の表面となるように形成されている。従って、本実施形態において、凹部の底部を構成する材料は、第1の絶縁層712である。第1の領域における第2の基板713上には、第1のn型半導体層721第1の窒化物半導体層、第1の発光層722、および第1のp型半導体層723第1の窒化物半導体層がこの順に積層された構造の第1の窒化物半導体積層構造体720が形成されている。第1のn型半導体層721は、第1の領域における凹凸構造の凹部を埋めるようにして、第1の基板711の主面に対して平行に平坦成長されている。第1の窒化物半導体積層構造体720には第1のn型半導体層721が露出するような開口が設けられ、第1のn型半導体層721および第1のp型半導体層723上に、それぞれ第1のn電極743および第1のp電極742がそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。さらに、第1のp型半導体層723にはリッジが形成されており、第1のn電極743と第1のp電極742の間に高電流を注入することにより、第1の発光層722から、所望の波長のレーザが発せられる。一方、凹凸基板710の第2の領域においては、第1の絶縁層712に開口部702が設けられている。開口部702は、複数の開口からなり、第1の基板711の主面である平坦面が部分的に露出するように形成されている。第2の領域における開口部702上には、第2のn型半導体層731第3の窒化物半導体層、第2の発光層732、および第2のp型半導体層733第4の窒化物半導体層がこの順に積層された構造の第2の窒化物半導体積層構造体730が形成されている。第2の窒化物半導体積層構造体730には第2のn型半導体層731が露出するような開口が設けられ、第2のn型半導体層731および第2のp型半導体層733上に、それぞれ第2のn電極745および第2のp電極744がそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。さらに、第2のp型半導体層733にはリッジが形成されており、第2のn電極745と第2のp電極744の間に高電流を注入することにより、第2の発光層732から、所望の波長のレーザ光が発せられる。第1の領域上に形成された第1の窒化物半導体積層構造体720と第2の領域上に形成された第2の窒化物半導体積層構造体730とは、同一の凹凸基板710上に形成されるが、第1の窒化物半導体積層構造体720の下層にある第1の絶縁層712によって絶縁されている。第1の窒化物半導体積層構造体720と第2の窒化物半導体積層構造体730とは素子分離されており、中心波長の異なる光を発する。そして、本実施形態では、さらに、第1のp型半導体層723および第2のp型半導体層733を覆うように、第2の絶縁層761が形成されている。第2の絶縁層761の上には、第1のp電極742および第2のp電極744と電気的に接続されるように、共通p電極770が形成されている。なお、第2の絶縁層761は、第1の窒化物半導体積層構造体720と第2の窒化物半導体積層構造体730とを素子分離する領域にも形成されている。共通p電極770上には、当該共通p電極770と電気的に接続されるように第3のp電極746が形成されている。また、第3のp電極746が形成されていない共通p電極770上には第3の絶縁層762が形成されている。第3の絶縁層762上には、第3のn型半導体層751第5の窒化物半導体層、第3の発光層752、およびリッジが形成されている第3のp型半導体層753第6の窒化物半導体層が、上層からこの順に形成されている第3の窒化物半導体積層構造体750が設けられている。そして、第3のn型半導体層751に電気的に接続されるように第3のn電極747が形成されている。すなわち、本実施形態では、第1の窒化物半導体積層構造体720および第2の窒化物半導体積層構造体730の上に第3の窒化物半導体積層構造体750が積層された構造となっており、これら三つの半導体層は、互いに異なる中心波長の光を発するように構成される。なお、図13Bに示すように、第1のn電極743、第2のn電極745、共通p電極770、および第3のn電極747は、それぞれ独立した電圧を供給することができるようにワイヤボンディング等によって所定の配線に電気的に接続されている。上記の構成において、第1の窒化物半導体積層構造体720は、例えばMgがドープされたGaNからなる第1のp型半導体層723、例えば波長470nmを中心とする青色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる第1の発光層722、例えばSiがドープされたGaNからなる第1のn型半導体層721により構成されている。第1のp電極742は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成される。第1のn電極743は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成され、第1のp型半導体層723および第1の発光層722の一部を選択的に除去することで露出した第1のn型半導体層721に接する形で形成されている。また、第2のマスク701は、SiO2またはSiO2とTiO2などの誘電体からなる多層膜であることが望ましい。また、上記の構成において、第2の窒化物半導体積層構造体730は例えばMgがドープされたGaNからなる第2のp型半導体層733、例えば波長530nmを中心とする緑色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる第2の発光層732、例えばSiがドープされたGaNからなる第2のn型半導体層731により構成されている。第2のp電極744は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成される。第2のn電極745は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成され、第2のp型半導体層733および第2の発光層732の一部を選択的に除去することで露出した第2のn型半導体層731に接する形で形成されている。また、上記の構成において、第3の窒化物半導体積層構造体750は、例えばZnがドープされたGaAsからなる第3のp型半導体層753と、例えば波長660nmを中心とする赤色発光を示すように調整された、AlGaInPとGaAsの多重量子井戸からなる第3の発光層752と、例えばSiがドープされたGaAsからなる第3のn型半導体層751により構成されている。また、共通p電極770と第3のp型半導体層753は、例えば貼り合わせにより接合されている。次に、このように構成された本発明の実施形態7に係る窒化物半導体発光素子700の動作について説明する。本発明の実施形態7に係る窒化物半導体発光素子700は、実施形態3の窒化物半導体発光素子300上に、例えば赤色領域の光を発する半導体発光素子を設けたものである。そのため、実施形態3と同様の効果を得ることができ、さらに、第3の波長の光を発することができる。したがって、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。なお、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子700では、実施形態1に係る窒化物半導体発光素子100と同様に、第1の絶縁層712の熱膨張係数が第1のn型半導体層721や第2のn型半導体層731の熱膨張係数よりも大きくなるように構成されているので、第1のn型半導体層721や第2のn型半導体層731においてクラックが発生することを抑制することができる。実施形態8次に、本発明の実施形態8に係る窒化物半導体発光素子について、図14を用いて説明する。図14は、本発明の実施形態8に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。図14に示すように、本発明の実施形態8に係る窒化物半導体発光素子800は、第3の基板815の上に形成された共通反射層880を備える。共通反射層880の上には、第1のp型半導体層823第2の窒化物半導体層、第1の発光層822、および第1のn型半導体層821第1の窒化物半導体層がこの順に積層された第1の窒化物半導体積層構造体820と、第2のp型半導体層833第4の窒化物半導体層、第2の発光層832、および第2のn型半導体層831第3の窒化物半導体層がこの順に積層された第2の窒化物半導体積層構造体830とが、設けられている。第1の窒化物半導体積層構造体820における第1のn型半導体層821には、凹凸構造の凹凸面810が形成されている。また、第1のn型半導体層821上には第1のn電極843が電気的に接続されるように形成されている。第2の窒化物半導体積層構造体830における第2のn型半導体層831上には、第2のn電極845が電気的に接続されるように形成されている。また、第3の基板815には、共通反射層880が設けられている面と逆の面に、共通p電極870が形成されている。上記の構成において、第1の窒化物半導体積層構造体820は、例えばMgがドープされたGaNからなる第1のp型半導体層823、例えば波長470nmを中心とする青色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる第1の発光層822、例えばSiがドープされたGaNからなる第1のn型半導体層821により構成されている。第1のn電極843は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成され、第1のn型半導体層821に接する形で形成されている。また、上記の構成において、第2の窒化物半導体積層構造体830は、例えばMgがドープされたGaNからなる第2のp型半導体層833、例えば波長530nmを中心とする緑色発光を示すように調整された、InGaNとGaNの多重量子井戸からなる第2の発光層832、例えばSiがドープされたGaNからなる第2のn型半導体層831により構成されている。第2のn電極845は、例えばTi、Al、Ni、Au等の金属の多層膜で構成され、第2のn型半導体層831に接する形で形成されている。次に、このように構成された本発明の実施形態8に係る窒化物半導体発光素子800の動作について、図15A~図15Cを用いて説明する。図15Aは、本発明の実施形態8に係る窒化物半導体発光素子において、第1の窒化物半導体積層構造体820のみを動作させた状態動作モードAを示した断面図である。図15Bは、本発明の実施形態8に係る窒化物半導体発光素子において、第1の窒化物半導体積層構造体820と第2の窒化物半導体積層構造体830とを動作させた状態動作モードBを示した断面図である。図15Cは、動作モードAのときに得られる発光スペクトルA破線と動作モードBのときに得られる発光スペクトルB実線を示した図である。なお、図15Aおよび図15Bにおいて、窒化物半導体発光素子800は、青色光を黄色光に変換する蛍光体891が含有された樹脂892で封止されている。図15Aに示すように、動作モードAでは、第1の窒化物半導体積層構造体820からの青色光と、青色光を蛍光体によって変換した黄色光とが発せられる。この場合、図15Cに示すように、発光スペクトルAには赤色領域の光の強度が弱く、結果として演色性が低下する。一方、図15Bに示すように、動作モードBでは、第1の窒化物半導体積層構造体820から発せられる青色光に加え、第2の窒化物半導体積層構造体830から発せられる、第1の窒化物半導体積層構造体820から発せられる光よりも長い波長の光、および青色光を蛍光体によって変換した黄色光が発せられる。この場合、図15Cに示すように、発光スペクトルAと発光スペクトルBとでは、発光スペクトルBの方が、より赤色領域の光を含むこととなり、結果として演色性が向上する。すなわち、従来の窒化物半導体発光素子は、動作モードAのみしか駆動することができず、演色性が低かったが、本実施形態では、動作モードBのような駆動を行うことができるので、演色性に優れた窒化物半導体発光素子を実現することができる。さらに、本実施形態では、第1の窒化物半導体積層構造体820と第2の窒化物半導体積層構造体830は独立に駆動可能であるため、本実施形態の窒化物半導体発光素子は、演色性を所望に調整することができる。次に、本発明の実施形態8に係る窒化物半導体発光素子800の製造方法について、図16を用いて説明する。図16は、本発明の実施形態8に係る窒化物半導体発光素子800の製造方法における各工程の構成を模式的に示した断面図である。図16のaに示すように、まず、Si単結晶からなる第1の基板811と、Si単結晶からなる第2の基板813とを、例えばSiO2からなる絶縁層812を介して接合させる。このとき、第2の基板813の主面が、シリコンの111面とは異なる面方位となるように構成されている。次に、熱酸化法やプラズマCVD法などにより、第2の基板813上にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなるマスク814を形成する。その後、図16のbに示すように、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、ストライプ状の開口を有するようにマスク814をパターニングして、第2の基板813を露出させる。次に、図16のcに示すように、第2の基板813に対して、例えばKOHやTMAHによりウェットエッチングを施し、第2の基板813に島状の凸部を有する凹凸構造を形成する。これにより、第2の基板813の開口において絶縁層812を露出させる。このとき、第2の基板813の凸部の側面は傾斜面となり、その面方位はSiの111面となる。次に、図16のdに示すように、例えばHFによるウェットエッチングにより、マスク814を除去する。さらに、スパッタリング法や真空蒸着法を用いて、第2の基板813に形成した凹凸構造における凸部の両側面のうち、一方の傾斜面をマスク図示せずで被覆する。次に、図16のeに示すように、フォトリソグラフィ法やドライエッチング法により、絶縁層812に開口部802を形成し、第1の基板811を露出させる。次に、図16のfに示すように、MOCVDにより、第2の基板813の凹凸構造を有する第1の領域上、および、開口部802が形成された第2の領域上に、それぞれ第1のn型半導体層821と第2のn型半導体層831を形成する。このとき、第1の領域において、第1のn型半導体層821は、露出する第2の基板813、すなわち、第2の基板813の主面と凸部の側面の面方位に従って結晶成長するとともに、第1の基板811の主面に対して平行に平坦成長する。また、第2の領域においては、第2のn型半導体層831は、露出する第1の基板811の主面の面方位に従って、第1の基板811の主面に対して平行に平坦成長する。この場合、第1のn型半導体層821よりも第2のn型半導体層831の方が、主面に垂直方向の成長レートが速い。したがって、二つの成長面間の段差は結晶成長が進むに従って小さくなる。続いて、MOCVDにより、第1のn型半導体層821上に第1の発光層822および第1のp型半導体層823を、第2のn型半導体層831上に第2の発光層832および第2のp型半導体層833を、それぞれ形成する。次に、図16のgに示すように、第1のp型半導体層823および第2のp型半導体層833を覆うように、例えばAlやAgからなる共通反射層880を介して、例えばGeからなる第3の基板815を貼り合わせる。次に、図16のhに示すように、第1の基板811、絶縁層812、および第2の基板813を、フッ硝酸によるウェットエッチング、またはClF3によるドライエッチングにより除去する。次に、図16のiに示すように、図16のhの半導体素子を反転させて、フォトリソグラフィ法と真空蒸着法を用いて、第1のn型半導体層821と電気的に接続される形で第1のn電極843を形成し、また、第2のn型半導体層831に電気的に接続される形で第2のn電極845を形成する。さらに、第3の基板815の裏面に、真空蒸着法を用いて、共通p電極870を形成する。最後に、図示しないが、ブレードを用いたダイシング、またはへき開によりチップ分離を行うことで、窒化物半導体発光素子を形成する。以上により、高発光効率で、発光点間隔が狭く、複数の異なる発光波長のピークを持ち、それぞれの波長の発光を独立に駆動可能な窒化物半導体発光素子を実現できる。なお、本実施形態では、第1の基板811と絶縁層812と第2の基板813とからなる基板を用いて第2の基板813に凹凸構造を形成し、これにより、第1のn型半導体層821に凹凸面810を形成したが、これに限らない。例えば、図9Aに示す実施形態5または図11に示す実施形態6のように、サファイア基板を用いて当該サファイア基板に凹凸構造を形成し、これにより、第1のn型半導体層821に凹凸面810を形成するように構成しても構わない。すなわち、サファイア基板の凹凸構造が形成された領域上には第1のn型半導体層を含む第1の窒化物半導体層を形成し、サファイア基板の凹凸構造のない領域には第2のn型半導体層を含む第2の窒化物半導体層を形成する。その後、上記のように第3の基板815を貼り合わせた後に、サファイア基板を除去する。適用例次に、本発明の実施形態に係る窒化物半導体発光素子を応用した適用例について、図17A~図17Cを用いて説明する。図17Aは、比較例に係る窒化物半導体発光素子の応用例を説明する図である。図17Bは、本発明の実施形態に係る窒化物半導体発光素子を応用した第1適用例を説明する図である。図17Cは、本発明の実施形態に係る窒化物半導体発光素子を応用した第2適用例を説明する図である。なお、各図において、同じ構成要素については、同じ符号を付けている。図17Aに示すように、比較例に係る窒化物半導体発光素子の応用例は、小型プロジェクタ光源として、赤色、緑色、青色領域の光を発する3つのLED光源を用いたものである。比較例に係る窒化物半導体発光素子の応用例では、図17Aに示すように、青色LED光源981から発せられた青色光と、緑色LED光源982から発せられた緑色光と、赤色LED光源983から発せられた赤色光は、それぞれコリメートレンズ984、コリメートレンズ985、コリメートレンズ986を通過した後、ミラー987、ミラー988、ミラー989、偏光子990、液晶パネル991、偏光子992、および投影レンズ群993を通過して、画像として投影される。次に、図17Bに示すように、本実施形態に係る第1適用例は、小型プロジェクタの光源として、本発明の実施形態3に係る窒化物半導体発光素子300と赤色LED光源983とを用いたものである。図17Bに示すように、第1適用例に係る窒化物半導体発光素子300の光源は、青色光と緑色光を狭い発光間隔で発することができる。したがって、窒化物半導体発光素子300から発せられた青色光および緑色光は、コリメートレンズ984を通過した後に、ミラー989、偏光子990、液晶パネル991、偏光子992、および投影レンズ群993を通過して、画像として投影される。これにより、図17Aに示す比較例と比較して光学系の簡略化を図ることができる。なお、本適用例では、実施形態3に係る窒化物半導体発光素子300を用いたが、実施形態4~6、8に係る窒化物半導体発光素子を用いても構わない。次に、図17Cに示すように、本実施形態に係る第2適用例は、小型プロジェクタの光源として、本発明の実施形態7に係る窒化物半導体発光素子700を用いたものである。図17Cに示すように、第2適用例に係る窒化物半導体発光素子700の光源は、青色光、緑色光および赤色光を狭い発光間隔で発することができる。したがって、窒化物半導体発光素子700から発せられた、青色光、緑色光および赤色光は、コリメートレンズ986を通過した後に、偏光子990、液晶パネル991、偏光子992、および投影レンズ群993を通過して、画像として投影される。これにより、図17A、図17Bと比較して、さらに光学系の簡略化を図ることができる。以上、本発明に係る窒化物半導体発光素子およびその製造方法について、実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素および機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。