"放射線の照射によって蛍光を発する第1シンチレータ及び第2シンチレータと、前記蛍光を検出する第1光検出器及び第2光検出器と、を備え、放射線入射側から、前記第1光検出器、前記第1シンチレータ、前記第2光検出器、及び前記第2シンチレータの順に配置され、前記第1シンチレータにおける前記第1光検出器近傍、及び前記第2シンチレータにおける前記第2光検出器近傍の少なくとも一方には、当該シンチレータにおける平均の付活剤濃度よりも付活剤濃度が相対的に高い高付活剤濃度領域が設けられる、放射線画像検出装置。請求項1に記載の放射線画像検出装置であって、前記第2光検出器は、基板上に形成され、当該基板から剥離されたものである、放射線画像検出装置。請求項1又は2に記載の放射線画像検出装置であって、前記第1シンチレータにおける前記第2光検出器近傍にも、第1シンチレータにおける平均の付活剤濃度よりも付活剤濃度が相対的に高い高付活剤濃度領域が設けられる、放射線画像検出装置。請求項3に記載の放射線画像検出装置であって、前記第1シンチレータにおける前記第1光検出器近傍には、前記高付活剤濃度領域が設けられ、前記第1シンチレータにおける前記第1光検出器近傍の前記高付活剤濃度領域と、前記第1シンチレータにおける前記第2光検出器近傍の前記高付活剤濃度領域との間には、第1シンチレータにおける平均の付活剤濃度よりも付活濃度が相対的に低い低付活剤濃度領域が設けられる、放射線画像検出装置。請求項1から4のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記第1、第2シンチレータのうち少なくとも一方の付活剤濃度が、当該シンチレータの少なくとも一部で、放射線進行方向において高濃度と低濃度とに繰り返し変化する、放射線画像検出装置。請求項5に記載の放射線画像検出装置であって、前記第1シンチレータの付活剤濃度が、放射線進行方向において高濃度と低濃度とに繰り返し変化し、前記第2シンチレータの付活剤濃度が、前記第2シンチレータの少なくとも前記第2光検出器側の一部において、前記第2シンチレータにおける付活剤濃度の平均よりも高い付活剤濃度でほぼ一定とされる、放射線画像検出装置。請求項4から6のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記第1シンチレータにおける前記第2光検出器近傍の前記高付活剤濃度領域の付活剤濃度は、前記第1シンチレータにおける前記第1光検出器近傍の前記高付活剤濃度領域の付活剤濃度よりも相対的に低い、放射線画像検出装置。請求項2から7のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記第1、第2シンチレータの対向する表面間の距離が40μm以下である、放射線画像検出装置。請求項1から8のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記第1、第2光検出器のうち少なくとも第2光検出器が、受光により導電性を呈する光導電層と、当該導電層から電荷を取り出すための薄膜スイッチング素子とが積層あるいは平面的に配置されてなるものである、放射線画像検出装置。請求項1から9のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記第1、第2光検出器のうち少なくとも第2光検出器が、有機材料を用いて形成される、放射線画像検出装置。請求項1から10のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記第1、第2シンチレータはそれぞれ、蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群で形成された柱状部を含む、放射線画像検出装置。請求項11に記載の放射線画像検出装置であって、前記柱状部の結晶成長方向端部には、非柱状の結晶を含む非柱状部が形成される、放射線画像検出装置。請求項1から12のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記蛍光物質の母体はCsIであり、付活剤はTlである、放射線画像検出装置。請求項2から13のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置を製造する方法であって、基板上に、前記第2光検出器を形成する第2光検出器形成工程と、前記第2光検出器から前記基板を剥離する基板剥離工程と、を備える、放射線画像検出装置の製造方法。請求項14に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記基板剥離工程では、前記第1光検出器上に形成した前記第1シンチレータ、及び支持体上に形成した前記第2シンチレータの一方と、前記基板上に形成した前記第2光検出器とを貼り合わせた後に、前記第2光検出器を前記基板から剥離し、前記基板剥離工程後、前記第1、第2シンチレータの他方と、前記第2光検出器とを貼り合わせる、放射線画像検出装置の製造方法。請求項14に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、支持部材上に、前記第1シンチレータを形成し、当該第1シンチレータと前記第1光検出器とを貼り合わせた後に、前記第1シンチレータから前記支持部材を除去する支持部材除去工程を備え、前記基板剥離工程では、支持体上に形成した前記第2シンチレータと、前記第2光検出器とを貼り合わせた後に、前記第2光検出器から前記基板を剥離し、前記支持部材除去工程及び前記基板剥離工程の後、前記第1シンチレータと前記第2光検出器とを貼り合わせる、放射線画像検出装置の製造方法。請求項14に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、基板上に、前記第1光検出器、及び前記第1シンチレータをこの順に形成する第1光検出器形成工程を備え、前記第2光検出器形成工程では、前記基板上に、前記第2光検出器、及び前記第2シンチレータをこの順に形成し、前記基板剥離工程では、前記第2シンチレータの前記第2光検出器側とは反対側に、支持部材を貼り合わせた後、前記第2光検出器から前記基板を剥離し、前記第1光検出器形成工程及び前記基板剥離工程の後、前記第1シンチレータと前記第2光検出器とを貼り合わせる、放射線画像検出装置の製造方法。請求項14に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、支持部材上に、前記第1シンチレータを形成し、当該第1シンチレータと前記第1光検出器とを貼り合わせた後に、前記第1シンチレータから前記支持部材を除去する支持部材除去工程を備え、前記第2光検出器形成工程では、前記基板上に、前記第2光検出器、及び前記第2シンチレータをこの順に形成し、前記基板剥離工程では、前記第2シンチレータの前記第2光検出器側とは反対側に、支持部材を貼り合わせた後、前記第2光検出器から前記基板を剥離し、前記支持部材除去工程及び前記基板剥離工程の後、前記第1シンチレータと前記第2検出器とを貼り合わせる、放射線画像検出装置の製造方法。ここで、特許文献2のようにX線入射側での付活剤濃度を増やすとともに、特許文献3のように光検出器側をシンチレータの主発光領域とすることが考えられる。このようにして、X線入射側でかつ光検出器に近い側での付活剤濃度を高くすれば、発光量及びMTFModulationTransferFunctionを良化させる一定の効果は得られる。しかしながら、このようなシンチレータの主発光領域を詳細に検討すると、次のような課題が残されている。すなわち、付活剤濃度増大は、以下のような技術的課題を顕著に呈する。付活剤濃度増大により、主発光領域でかつ光検出器に近い部分の結晶性が乱れ、これによってMTFが悪化してしまう。特に、シンチレータの蒸着初期の領域で付活剤濃度を高くすると、シンチレータの結晶成長への悪影響が大きく、結晶性が乱れて柱状結晶間で光が拡散するため、MTFが悪化してしまう。また、付活剤濃度増大により、シンチレータにおける光の吸収が増えてしまう。いま、図17のように、シンチレータ91のX線入射側の部分を主発光領域Sとして付活剤濃度を高くした場合を考えると、図18に示すように、主発光領域S内にあって光検出器92図17から離れた部分P2では、光検出器92に入射する発光量が小さく、かつ発光状態が拡がってしまい、画像ボケが生じるMTFが悪化する。このような課題を解決しない限り、図17のように光検出器92側からシンチレータ91にX線が照射される構成としても、発光量の一層の増大及びMTFのさらなる良化は見込めない。本発明の目的は、発光量の一層の増大及びMTFのさらなる良化を図ることができる放射線画像検出装置及びその製造方法を提供することにある。本発明の放射線画像検出装置は、放射線の照射によって蛍光を発する第1シンチレータ及び第2シンチレータと、前記蛍光を検出する第1光検出器及び第2光検出器と、を備え、放射線入射側から、前記第1光検出器、前記第1シンチレータ、前記第2光検出器、及び前記第2シンチレータの順に配置され、前記第1シンチレータにおける前記第1光検出器近傍、及び前記第2シンチレータにおける前記第2光検出器近傍の少なくとも一方には、当該シンチレータにおける平均の付活剤濃度よりも付活剤濃度が相対的に高い高付活剤濃度領域が設けられる。また、上述の放射線画像検出装置を製造する方法は、基板上に、前記第2光検出器を形成する工程と、前記第2光検出器から前記基板を剥離する工程と、を備える。本発明によれば、放射線入射側から、第1光検出器、第1シンチレータ、第2光検出器、第2シンチレータの順に配置された放射線画像検出装置において、発光量の一層の増大及びMTFのさらなる良化を図ることができる。以下、本発明の実施形態を説明するためのX線画像検出装置放射線画像検出装置の一例を図1~図7を参照して説明する。なお、既に述べた構成と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略又は簡略化する。以下では、放射線画像検出装置の一種としてX線画像検出装置を例にとり説明するが、以下に述べる構成は、α線、β線、γ線等の各種の放射線を用いた放射線画像検出装置に適用可能であり、これらα線、β線、γ線等の各種の放射線を用いた放射線画像検出装置においても、以下に述べる作用効果と略同様の作用効果が得られる。1.全体構成図1は、間接変換方式のX線画像検出装置1の概略構成を模式的に示す側断面図である。X線画像検出装置1は、X線図1の白抜き矢印の照射により蛍光を発する蛍光物質を含有する第1シンチレータ10及び第2シンチレータ20と、これらの第1、第2シンチレータ10,20から発せられた蛍光を電気信号として検出する第1、第2光検出器40,50と、第1、第2シンチレータ10,20を被覆する保護膜30と、第2シンチレータ20のX線入射側とは反対側に設けられる図示しない制御モジュールとを備えている。すなわち、X線画像検出装置1においては、X線入射側から第1光検出器40、第1シンチレータ10、第2光検出器50、第2シンチレータ20、及び制御モジュールがこの順に配置されている。保護膜30は、第1シンチレータ10が蒸着された絶縁性基板40Aと、第2シンチレータ20が蒸着された支持体21との間に第1、第2シンチレータ10,20及び第2光検出器50を封止しており、パリレン等により形成されている。気相堆積法によって形成されたパリレンの保護膜は、シンチレータ10,20との密着性が良く、その上柔軟性を有するので、絶縁性基板40A及び支持体21のソリ等への追従性が良い。X線画像検出装置1では、被写体を通過したX線白抜き矢印が第1シンチレータ10側から第2シンチレータ20側に向かって照射される。第1光検出器40の表面は、X線入射面11Aを構成する。X線は、第1シンチレータ10において吸収され蛍光に変換されるともに、第2光検出器40を通過して第2シンチレータ20にも入射し、第2シンチレータ20においても蛍光に変換される。第1シンチレータ10から発せられた蛍光は、第1光検出器40及び第2光検出器50の両方に入射する。第2シンチレータ20から発せられた蛍光は、主として第2光検出器50に入射する。これにより、第1、第2光検出器40,50のそれぞれが有するPDに電荷が蓄積され、当該電荷はTFTによって電気信号として出力される。図1に示した例では、X線入射面11Aから遠い第2シンチレータ20の厚みを第1シンチレータ10の厚みよりも大きくすることによって第2シンチレータ20の発光量増大を図っているが、第1、第2シンチレータの厚みは適宜決めることができる。制御モジュール不図示は、光検出器40を駆動制御する制御部としてのICや、画像信号を処理するIC等が実装された回路基板、及び電源回路などを有し、第1、第2シンチレータ10,20及び第1、第2光検出器40,50に一体に組み付けられている。2.光検出器の構成第1光検出器図2は、第1、第2光検出器40、50を模式的に示す側断面図である。図3は、二次元配列された素子を示す平面図である。第1光検出器40は、a-Si等で形成されたPDPhotodiode41と、a-Si等で形成された薄膜スイッチング素子であるTFTThinFilmTransistor42と、これらPD41及びTFT42が形成される絶縁性基板40Aとを備えている。第1光検出器40上に、第1シンチレータ10が蒸着されている。PD41は、主として第1シンチレータ10から入射した光図2の実線矢印を電荷に変換する光導電層を有する。各PD41は、第1光検出器40によって検出される画像の画素に対応している。TFT42のPD41側の端部には、TFT42のスイッチングノイズの発生を抑制するための光反射層42Aが設けられている。各PD41には、図3に示すように、TFT42、ゲート線43、及びデータ線44がそれぞれ設けられている。各ゲート線43及び各データ線44は、接続端子45まで延設され、この接続端子45に接続された異方性導電膜等のフレキシブル配線46を介して制御モジュールの回路基板に接続されている。その回路基板に実装された制御部からゲート線43を通じて送られる制御信号により、各TFT42のオンオフが行単位で切り替えられ、TFT42がオン状態にあるPD41の電荷が、データ線44を介して回路基板の信号処理部に画像信号として読み出される。PD41の電荷が行単位で順に読み出されることにより、二次元画像が検出される。第2光検出器第2光検出器50は、a-Si等で形成されたPDPhotodiode51と、a-Si等で形成された薄膜スイッチング素子であるTFTThinFilmTransistor52とを備えている。これらPD51及びTFT52も、図3に示したPD41及びTFT42と同様に二次元配列されている。PD51は、第1、第2シンチレータ10,20の両方から入射した光図2の実線矢印を電荷に変換する光導電層を有する。各PD51は、第2光検出器50によって検出される画像の画素に対応している。上述の第1光検出器40の解像度と第2光検出器50の解像度とは同じでも違っていてもよい。TFT52は、PD51と平面的に隣接する位置に、PD51と同一面上あるいは略同一面上に配置されている。TFT52の厚み方向両側には、TFT52のスイッチングノイズの発生を抑制するための光反射層52A,52Aが設けられている。上述のPD51及びTFT52は、Al等の金属製、あるいはガラス製等の図示しない基板上にフォトエッチングプロセス等によって形成された後、当該基板から剥離されたものである。すなわち、第2光検出器50におけるPD51及びTFT52から基板が除去されているため、当該基板によってX線が吸収されることなく、第1シンチレータ10を介して第2シンチレータ20に入射するX線量を増加させることができるとともに、第2シンチレータ20から発せられた光が基板に吸収されることなくPD51に入射するので、PD51への入射光量をも増加させることができる。また、剥離した基板を再利用することが可能となるので、コストダウンできる。PD51及びTFT52を基板から剥離する方法については、特開2000133809号公報、特開200366858号公報、特開200345890号公報などの記載が参考となる。ここで、基板を剥離する以外に、化学的溶解法又は研磨法によって基板を薄くする、あるいは除去することによっても、基板剥離と同様の効果が得られる。図2では、第2光検出器50の厚み方向両側の面は、樹脂製の膜47によって平坦化されているが、この樹脂製の膜47はなくてもよい。第2光検出器50は、第1、第2シンチレータ10,20のそれぞれに接着層48を介して貼り合わせられており、第1、第2シンチレータ10,20はそれぞれ、第2光検出器50に接着層48を介して密着する。なお、第1、第2シンチレータ10,20と第2光検出器50とのそれぞれの間には、接着層48や樹脂製の膜47がなくてもよく、光検出器50の表面に第1、第2シンチレータ10,20をそれぞれ押し当てて直接密着させてもよい。第2光検出器50と第1、第2シンチレータ10,20とのそれぞれの間に設けられる平坦化層、接着層、透明な液体又はゲルであるマッチングオイル層などの樹脂層を構成する樹脂は、シンチレータ10,20から発せられるシンチレーション光をほぼ減衰させることなく第2光検出器50に到達させうるものであれば特に制限はない。平坦化層を形成する樹脂としては、ポリイミドやパリレン等を使用することができ、製膜性が良好なポリイミドが好ましい。接着層を形成する接着剤としてはシンチレータ10,20から発せられるシンチレーション光に対して光学的に透明なものが好ましく、例えば、熱可塑性樹脂、UV硬化接着剤、加熱硬化型接着剤、室温硬化型接着剤、両面接着シート、などが挙げられるが、画像の鮮鋭度を低下させないという観点からは、第2光検出器50の画素サイズに対して十分に薄い接着層を形成しうるという点で、低粘度エポキシ樹脂製の接着剤を用いることが好ましい。また、平坦化層、接着層等の樹脂層の厚みは、感度、画質の観点からは50μm以下であることが好ましく、5μm~30μmの範囲であることがより好ましい。3.シンチレータの構成3-1.支持体第2シンチレータ20が蒸着されている支持体21は、光を反射するAl等の材料で板状に形成されている。支持体21としては、Al製の板に限らず、カーボン板、CFRPcarbonfiberreinforcedplastic、ガラス板、石英基板、サファイア基板などから適宜選ぶことができ、支持体表面にシンチレータを形成させうる限りにおいて特にこれらに限定されない。ただし、支持体21が光の反射部材を兼ねる場合には、Alなどの軽金属を支持体の材料として用いるとよい。支持体21は、X線入射面11Aとは反対側に配置されるため、X線透過率が低い材料で形成してもよい。第1シンチレータ10は、上述のように第1光検出器40上に蒸着されている。なお、X線画像検出装置1において、支持体21及び絶縁性基板40Aは必須ではない。つまり、支持体21や第1光検出器40上にシンチレータを蒸着形成した後、支持体21や絶縁性基板40Aからシンチレータを剥離して用いることも可能である。第2シンチレータ20の第2光検出器50側とは反対側に、光の反射部材を設けることができる。3-2.蛍光物質第1、第2シンチレータ10,20は、CsIを母体に付活剤としてTlを添加することによって形成されている。Tl付活により、発光量を高めることができる。本例の第1、第2シンチレータ10,20は、蛍光物質を柱状に成長させた柱状結晶の群で形成されており、CsI:Tlタリウム付活ヨウ化セシウムを材料に用いて形成されている。その他、第1、第2シンチレータ10,20の材料にNaI:Tlタリウム付活ヨウ化ナトリウム、CsI:Naナトリウム付活ヨウ化セシウム等を用いることも可能である。発光スペクトルがa-Siフォトダイオードの分光感度の極大値550nm付近と適合する点で、CsI:Tlを材料に用いることが好ましい。なお、第1、第2シンチレータ10,20が柱状結晶を含んでいなくてもよく、例えばGOSGd2O2S:Tbテルビウム付活酸硫化ガドリニウムを支持体に塗布することなどによって第1、第2シンチレータが形成されていてもよい。3-3.シンチレータ間の距離上述のように、第2光検出器50が基板から剥離されたものであることと、PD51及びTFT52が平面的に隣接するように配置されていることにより、第1、第2シンチレータ10,20間は極めて近接している。第1、第2シンチレータ10,20の互いに対向する表面間の距離は、40μm以下であることが好ましく、より好ましくは30μm以下である。このように第1、第2シンチレータ10,20間の距離を短くすることで、MTFを良化させることができる。なお、第2光検出器のPD及びTFTを形成する基板として、X線、蛍光の吸収量が低い有機材料により形成された基板を用いることにより、基板の剥離をしないことも検討できる。但し、基板を剥離することによって第1、第2シンチレータ間の距離を小さくできるので、基板を剥離することが好ましい。3-4.シンチレータの結晶構造図4は、第1シンチレータ10の結晶構造を模式的に示す側断面図である。第1シンチレータ10は、柱状結晶12Aの群で形成された柱状部12と、柱状結晶12Aの基端に形成された非柱状結晶13Aを含む非柱状部13とを有する。第1シンチレータ10の非柱状部13は、第1光検出器40と第1シンチレータ10との密着性を向上させる役目を果たす。第2シンチレータ20も、第1シンチレータ10とほぼ同様に、柱状部12と、非柱状部13とほぼ同様に形成された非柱状部14図1と、を有する。第2シンチレータ20の非柱状部14は、支持体21と第2シンチレータ20との密着性向上の機能に加え、光反射特性を有する。X線の照射によって第1シンチレータ10から発せられた蛍光は、柱状結晶12Aによって柱の高さ方向結晶成長方向にガイドされ、第1、第2光検出器40,50にそれぞれ入射する。また、第2シンチレータ20へのX線入射により第2シンチレータ20から発せられた蛍光は、第2光検出器50に入射する。このとき、支持体21側に向かって進行した光は、非柱状部14及び支持体21によって反射されて第2光検出器50に入射する。柱状部の構成柱状部12は、多数の柱状結晶12Aの集合体であり、図4に示した例では、各柱状結晶12Aは第1光検出器40上にほぼ垂直に起立する。柱状結晶12Aは、先端側がすぼまった形状とされている。柱状結晶12Aの先端部は研磨されていてもよい。第1、第2光検出器40,50の1つの画素PD41,51に対して、複数の柱状結晶12Aの先端部、基端部がそれぞれ対向する。柱状結晶12Aは非柱状結晶に比べ結晶性が良く、蛍光の発光量が高い。また、空隙を介して隣り合う柱状結晶12Aがシンチレータの厚み方向に立設されているので、柱状結晶12Aは、光のガイドとなって柱の高さ方向に光を導光する。この柱状結晶12Aによる光ガイド効果によって画素間の光拡散が抑制されることから、検出画像を鮮鋭化できる。図5は、図4のA-A断面柱状部12の高さ方向略中央の断面における柱状部12の電子顕微鏡写真である。隣り合う柱状結晶12Aの間には、空隙がある図5で濃く見える部分。柱状結晶12Aは、結晶の成長方向に対しほぼ均一な断面径を有する。柱状部12の領域の一部では、隣り合う柱状結晶12Aが互いに結合して一体の柱状体を構成している例えば、図5のP。柱状部12の厚みは、必要な感度に対応するX線吸収能を考慮して、マンモグラフィー用途では200μm前後、一般撮影用では500μm以上に決められる。ただし、柱状部12の厚みが厚すぎても、光の吸収及び散乱等のため発光の利用効率が低下しがちである。このため、柱状部12の厚みは、感度及び発光の利用効率のそれぞれを考慮した適切な値に決められる。非柱状部の構成まず、第2シンチレータ20の非柱状部14図1について説明する。非柱状部14は、図4に示した非柱状部13の結晶構造とほぼ同様に、略球形あるいは不定形の非柱状結晶13Aを含んで構成されている。なお、非柱状部14及び非柱状部13は、アモルファス非晶質の部分を含むことがある。非柱状結晶13Aの形状は、結晶間に空隙が維持され易く、反射効率を高くできる観点から、略球状であることが好ましい。すなわち、非柱状部14は、球状に近い結晶が産出するセルロースミクロフィブリル束が幅50nmと、可視光波長に対して約1/10のサイズでかつ、高強度、高弾性、低熱膨である特徴を有するバクテリアセルロースと透明樹脂との複合材料バイオナノファイバーということがあるを好適に使用できる。バクテリアセルロースシートにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸硬化させることで、繊維を約60~70と高い比率で含有しながら、波長500nmで約90の光透過率を示す透明バイオナノファイバーが得られる。このバイオナノファイバーにより、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数約3~7ppm、鋼鉄並の強度、及び高弾性が得られる。上述したバイオナノファイバーに関する構成は、例えば、特開2008-34556号公報の記載が参考となる。以上説明したX線画像検出装置1は、医療用のX線撮影装置をはじめ、様々な装置に組み込んで使用することができる。特に、低放射線照射量で鮮鋭な画像を検出することを要求されるマンモグラフィ装置には、高感度、高精細であるという特徴を有する本例のX線画像検出装置1を好適に使用できる。また、X線画像検出装置1は、医療用のX線撮影装置のほか、例えば、工業用のX線撮影装置として非破壊検査に用いたり、或いは、電磁波以外の粒子線α線、β線、γ線の検出装置として用いたりすることができ、その応用範囲は広い。10.本明細書の開示内容以上、説明したように、本明細書には、放射線の照射によって蛍光を発する第1シンチレータ及び第2シンチレータと、前記蛍光を検出する第1光検出器及び第2光検出器と、を備え、放射線入射側から、前記第1光検出器、前記第1シンチレータ、前記第2光検出器、及び前記第2シンチレータの順に配置され、前記第1シンチレータにおける前記第1光検出器近傍、及び前記第2シンチレータにおける前記第2光検出器近傍の少なくとも一方には、当該シンチレータにおける平均の付活剤濃度よりも付活剤濃度が相対的に高い高付活剤濃度領域が設けられる、放射線画像検出装置が開示されている。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記第2光検出器は、基板上に形成され、当該基板から剥離されたものである、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記第1シンチレータにおける前記第2光検出器近傍にも、第1シンチレータにおける平均の付活剤濃度よりも付活剤濃度が相対的に高い高付活剤濃度領域が設けられる、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記第1シンチレータにおける前記第1光検出器近傍には、前記高付活剤濃度領域が設けられ、前記第1シンチレータにおける前記第1光検出器近傍の前記高付活剤濃度領域と、前記第1シンチレータにおける前記第2光検出器近傍の前記高付活剤濃度領域との間には、第1シンチレータにおける平均の付活剤濃度よりも付活濃度が相対的に低い低付活剤濃度領域が設けられる、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記第1、第2シンチレータのうち少なくとも一方の付活剤濃度が、当該シンチレータの少なくとも一部で、放射線進行方向において高濃度と低濃度とに繰り返し変化する、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記第1シンチレータの付活剤濃度が、放射線進行方向において高濃度と低濃度とに繰り返し変化し、前記第2シンチレータの付活剤濃度が、前記第2シンチレータの少なくとも前記第2光検出器側の一部において、前記第2シンチレータにおける付活剤濃度の平均よりも高い付活剤濃度でほぼ一定とされる、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記第1シンチレータにおける前記第2光検出器近傍の前記高付活剤濃度領域の付活剤濃度は、前記第1シンチレータにおける前記第1光検出器近傍の前記高付活剤濃度領域の付活剤濃度よりも相対的に低い、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記第1、第2シンチレータの対向する表面間の距離が40μm以下である、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記第1、第2光検出器のうち少なくとも第2光検出器が、受光により導電性を呈する光導電層と、当該導電層から電荷を取り出すための薄膜スイッチング素子とが積層あるいは平面的に配置されてなるものである、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記第1、第2光検出器のうち少なくとも第2光検出器が、有機材料を用いて形成される、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記第1、第2シンチレータはそれぞれ、蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群で形成された柱状部を含む、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記柱状部の結晶成長方向端部には、非柱状の結晶を含む非柱状部が形成される、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記蛍光物質の母体はCsIであり、付活剤はTlである、ことが好ましい。また、本願明細書には、基板上に、前記第2光検出器を形成する第2光検出器形成工程と、前記第2光検出器から前記基板を剥離する基板剥離工程と、を備える、放射線画像検出装置の製造方法が開示されている。本願明細書に開示された放射線画像検出装置の製造方法にあっては、前記基板剥離工程では、前記第1光検出器上に形成した前記第1シンチレータ、及び支持体上に形成した前記第2シンチレータの一方と、前記基板上に形成した前記第2光検出器とを貼り合わせた後に、前記第2光検出器を前記基板から剥離し、前記基板剥離工程後、前記第1、第2シンチレータの他方と、前記第2光検出器とを貼り合わせる、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置の製造方法にあっては、支持部材上に、前記第1シンチレータを形成し、当該第1シンチレータと前記第1光検出器とを貼り合わせた後に、前記第1シンチレータから前記支持部材を除去する支持部材除去工程を備え、前記基板剥離工程では、支持体上に形成した前記第2シンチレータと、前記第2光検出器とを貼り合わせた後に、前記第2光検出器から前記基板を剥離し、前記支持部材除去工程及び前記基板剥離工程の後、前記第1シンチレータと前記第2光検出器とを貼り合わせる、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置の製造方法にあっては、基板上に、前記第1光検出器、及び前記第1シンチレータをこの順に形成する第1光検出器形成工程を備え、前記第2光検出器形成工程では、前記基板上に、前記第2光検出器、及び前記第2シンチレータをこの順に形成し、前記基板剥離工程では、前記第2シンチレータの前記第2光検出器側とは反対側に、支持部材を貼り合わせた後、前記第2光検出器から前記基板を剥離し、前記第1光検出器形成工程及び前記基板剥離工程の後、前記第1シンチレータと前記第2光検出器とを貼り合わせる、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置の製造方法にあっては、支持部材上に、前記第1シンチレータを形成し、当該第1シンチレータと前記第1光検出器とを貼り合わせた後に、前記第1シンチレータから前記支持部材を除去する支持部材除去工程を備え、前記第2光検出器形成工程では、前記基板上に、前記第2光検出器、及び前記第2シンチレータをこの順に形成し、前記基板剥離工程では、前記第2シンチレータの前記第2光検出器側とは反対側に、支持部材を貼り合わせた後、前記第2光検出器から前記基板を剥離し、前記支持部材除去工程及び前記基板剥離工程の後、前記第1シンチレータと前記第2検出器とを貼り合わせる、ことが好ましい。"