結晶性シリコン基板の一方の面に第1の溝部と、前記第1の溝部と交わる第2の溝部を形成し、前記第1の溝部及び前記第2の溝部、並びに前記結晶性シリコン基板の一方の面に第1のシリコン半導体層を形成し、前記第1のシリコン半導体層上に一導電型を有する第2のシリコン半導体層を形成し、前記結晶性シリコン基板の他方の面に第3のシリコン半導体層を形成し、前記第3のシリコン半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第4のシリコン半導体層を形成し、前記第2のシリコン半導体層上に透光性導電膜を形成し、前記第4のシリコン半導体層上に裏面電極を形成し、前記第1のシリコン半導体層、前記第2のシリコン半導体層、及び前記透光性導電膜が積層された前記第1の溝部及び前記第2の溝部に導電性樹脂を注入して焼成し、埋め込み型のグリッド電極を形成する工程において、前記第2の溝部への前記導電性樹脂の注入は、前記第1の溝部に導電性樹脂を注入し、毛細管現象を利用して前記第1の溝部から前記第2の溝部に注入することを特徴とする光電変換装置の作製方法。結晶性シリコン基板の一方の面に第1の溝部と、前記第1の溝部と交わる第2の溝部を形成し、前記第1の溝部及び前記第2の溝部、並びに前記結晶性シリコン基板の一方の面に第1のシリコン半導体層を形成し、前記第1のシリコン半導体層上に一導電型を有する第2のシリコン半導体層を形成し、前記結晶性シリコン基板の他方の面に第3のシリコン半導体層を形成し、前記第3のシリコン半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第4のシリコン半導体層を形成し、前記第4のシリコン半導体層上に裏面電極を形成し、前記第1のシリコン半導体層、及び前記第2のシリコン半導体層が積層された前記第1の溝部及び前記第2の溝部に導電性樹脂を注入し、焼成して埋め込み型のグリッド電極を形成し、前記第2のシリコン半導体層及び前記グリッド電極上に透光性導電膜を形成する工程において、前記第2の溝部への前記導電性樹脂の注入は、前記第1の溝部に導電性樹脂を注入し、毛細管現象を利用して前記第1の溝部から前記第2の溝部に注入することを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1または2において、前記第2の溝部は前記第1の溝部よりも幅が狭く形成されることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記導電性樹脂の粘度は、100mPas以下であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記第1の溝部及び前記第2の溝部への導電性樹脂の注入及び焼成は、複数回行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記第1及び前記第3のシリコン半導体層の導電型はi型、前記第2のシリコン半導体層の導電型はp型またはn型であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。結晶性シリコン基板の一方の面に設けられた第1の溝部と、前記第1の溝部と交わる第2の溝部と、前記第1の溝部及び前記第2の溝部、並びに前記結晶性シリコン基板の一方の面に設けられた第1のシリコン半導体層と、前記第1のシリコン半導体層上に設けられた一導電型を有する第2のシリコン半導体層と、前記結晶性シリコン基板の他方の面に設けられた第3のシリコン半導体層と、前記第3のシリコン半導体層上に設けられた一導電型とは逆の導電型を有する第4のシリコン半導体層と、前記第2のシリコン半導体層上に設けられた透光性導電膜と、前記第4のシリコン半導体層上に設けられた裏面電極と、前記透光性導電膜と接し、前記第1の溝部及び前記第2の溝部に形成された導電性樹脂からなる埋め込み型のグリッド電極を有することを特徴とする光電変換装置。結晶性シリコン基板の一方の面に設けられた第1の溝部と、前記第1の溝部と交わる第2の溝部と、前記第1の溝部及び前記第2の溝部、並びに前記結晶性シリコン基板の一方の面に設けられた第1のシリコン半導体層と、前記第1のシリコン半導体層上に設けられた一導電型を有する第2のシリコン半導体層と、前記結晶性シリコン基板の他方の面に設けられた第3のシリコン半導体層と、前記第3のシリコン半導体層上に設けられた一導電型とは逆の導電型を有する第4のシリコン半導体層と、前記第4のシリコン半導体層上に設けられた裏面電極と、前記第2のシリコン半導体層と接し、前記第1の溝部及び前記第2の溝部に形成された導電性樹脂からなる埋め込み型のグリッド電極と、前記第2のシリコン半導体層及び前記グリッド電極上に設けられた透光性導電膜を有することを特徴とする光電変換装置。請求項7または8において、前記第2の溝部は前記第1の溝部よりも幅が狭く形成されることを特徴とする光電変換装置。請求項7乃至9のいずれか一項において、前記第1及び前記第3のシリコン半導体層の導電型はi型、前記第2のシリコン半導体層の導電型はp型またはn型であることを特徴とする光電変換装置。請求項7乃至10のいずれか一項において、前記第1の溝部の端部近傍、及び前記第2の溝部の端部近傍に該溝部の一部を充填する壁部が形成されていることを特徴とする光電変換装置。請求項7乃至11のいずれか一項において、前記第1の溝部及び第2の溝部、または該溝部のどちらか一方に金属ワイヤーが埋め込まれていることを特徴とする光電変換装置。減圧下でのスクリーン印刷は、装置構成やプロセスが複雑になるばかりでなく、印刷版に付着した導電性樹脂の乾燥が早いため、目詰まりを起こしやすいなどの問題があり、生産性が乏しい。また、無電解メッキ法は、前処理の不均一性や、メッキ液などからの半導体基板の汚染が懸念される。また、埋め込み電極を形成するための溝部は、幅がより狭く、深さがより深い形状、すなわち高アスペクト比の形状で形成されることが望まれることに対して、上記方法は適切とは言えない。例えば、スクリーン印刷では、該溝部の幅よりも線幅の狭いパターンが形成された印刷版を用いなければならず、高い合わせ精度が必要となる。また、印刷版に充填された導電性樹脂は、被印刷面に接触しなければ印刷版から抜き出すことができず、溝部の空間に直接落とし込むことはできない。従って、該溝部の周辺に印刷樹脂を接触させる必要があり、実質的に該溝部の幅よりも線幅の広いグリッド電極が形成されてしまう。また、無電解メッキ法は液相プロセスのため、該溝部に残存する気泡の影響を受けやすく、断線などの工程不良となりやすい。いずれの方法においても、該溝部の短軸方向の断面形状のアスペクト比が高いほど、工程の難易度が上がってしまう。従って、本発明の一態様は、光電変換装置の作製方法において、短軸方向の断面形状が高アスペクト比を有する溝部に適した埋め込み電極の形成方法を提供することを目的の一つとする。また、該埋め込み電極を有した光電変換装置を提供することを目的の一つとする。本明細書で開示する本発明の一態様は、結晶性シリコン基板に溝部を形成し、毛細管現象を用いて該溝部に導電性樹脂を注入して埋め込み型のグリッド電極を形成する光電変換装置の作製方法、及び該埋め込み型のグリッド電極を有する光電変換装置に関する。本明細書に開示する本発明の一態様は、結晶性シリコン基板の一方の面に第1の溝部と、第1の溝部と交わる第2の溝部を形成し、第1の溝部及び第2の溝部、並びに結晶性シリコン基板の一方の面に第1のシリコン半導体層を形成し、第1のシリコン半導体層上に一導電型を有する第2のシリコン半導体層を形成し、結晶性シリコン基板の他方の面に第3のシリコン半導体層を形成し、第3のシリコン半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第4のシリコン半導体層を形成し、第2のシリコン半導体層上に透光性導電膜を形成し、第4のシリコン半導体層上に裏面電極を形成し、第1のシリコン半導体層、第2のシリコン半導体層、及び透光性導電膜が積層された第1の溝部及び第2の溝部に導電性樹脂を注入して焼成し、埋め込み型のグリッド電極を形成する工程において、第2の溝部への導電性樹脂の注入は、第1の溝部に導電性樹脂を注入し、毛細管現象を利用して第1の溝部から第2の溝部に注入することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。なお、本明細書等における第1、第2などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、順序や数を限定するものではないことを付記する。結晶性シリコン基板の一方の面に第1の溝部と、第1の溝部と交わる第2の溝部を形成し、第1の溝部及び第2の溝部、並びに結晶性シリコン基板の一方の面に第1のシリコン半導体層を形成し、第1のシリコン半導体層上に一導電型を有する第2のシリコン半導体層を形成し、結晶性シリコン基板の他方の面に第3のシリコン半導体層を形成し、第3のシリコン半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第4のシリコン半導体層を形成し、第4のシリコン半導体層上に裏面電極を形成し、第1のシリコン半導体層、及び第2のシリコン半導体層が積層された第1の溝部及び第2の溝部に導電性樹脂を注入し、焼成して埋め込み型のグリッド電極を形成し、第2のシリコン半導体層及びグリッド電極上に透光性導電膜を形成する工程において、第2の溝部への導電性樹脂の注入は、第1の溝部に導電性樹脂を注入し、毛細管現象を利用して第1の溝部から第2の溝部に注入することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。上記第2の溝部は、上記第1の溝部よりも幅を狭く形成することが好ましく、第1の溝部に注入した導電性樹脂が毛細管現象によって第2の溝部に注入されやすい構成とする。上記導電性樹脂の粘度は、100mPas以下であることが好ましい。粘度が低いほど溝部への導電性樹脂の注入を容易に行うことができる。また、第1の溝部及び第2の溝部への導電性樹脂の注入及び焼成は、複数回行ってもよい。本明細書に開示する本発明の他の一態様は、結晶性シリコン基板の一方の面に設けられた第1の溝部と、第1の溝部と交わる第2の溝部と、第1の溝部及び第2の溝部、並びに結晶性シリコン基板の一方の面に設けられた第1のシリコン半導体層と、第1のシリコン半導体層上に設けられた一導電型を有する第2のシリコン半導体層と、結晶性シリコン基板の他方の面に設けられた第3のシリコン半導体層と、第3のシリコン半導体層上に設けられた一導電型とは逆の導電型を有する第4のシリコン半導体層と、第2のシリコン半導体層上に設けられた透光性導電膜と、第4のシリコン半導体層上に設けられた裏面電極と、透光性導電膜と接し、第1の溝部及び第2の溝部に形成された導電性樹脂からなる埋め込み型のグリッド電極を有することを特徴とする光電変換装置である。また、本明細書に開示する本発明の他の一態様は、結晶性シリコン基板の一方の面に設けられた第1の溝部と、第1の溝部と交わる第2の溝部と、第1の溝部及び第2の溝部、並びに結晶性シリコン基板の一方の面に設けられた第1のシリコン半導体層と、第1のシリコン半導体層上に設けられた一導電型を有する第2のシリコン半導体層と、結晶性シリコン基板の他方の面に設けられた第3のシリコン半導体層と、第3のシリコン半導体層上に設けられた一導電型とは逆の導電型を有する第4のシリコン半導体層と、第4のシリコン半導体層上に設けられた裏面電極と、第2のシリコン半導体層と接し、第1の溝部及び第2の溝部に形成された導電性樹脂からなる埋め込み型のグリッド電極と、第2のシリコン半導体層及びグリッド電極上に設けられた透光性導電膜を有することを特徴とする光電変換装置である。上記第2の溝部は第1の溝部よりも幅が狭い構成とする。第1の溝部に形成されるグリッド電極はバスバー電極として用いられ、第2の溝部に形成されるグリッド電極はフィンガー電極として用いられる。また、第1の溝部及び第2の溝部、または該溝部のどちらか一方に金属ワイヤーが埋め込まれていても良い。金属ワイヤーが埋め込まれることで、グリッド電極を更に低抵抗化することができる。本発明の一態様を用いることにより、短軸方向の断面においてアスペクト比の高い埋め込み電極を形成することができ、電気特性が向上した光電変換装置を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略することがある。本発明の一態様における光電変換装置の斜視図の一例を図1に示す。なお、図1は断面の構成をわかりやすく説明するために、光電変換装置の一部を切り出した図となっている。図1に示す光電変換装置は、結晶性シリコン基板100に接する第1のシリコン半導体層102a及び第3のシリコン半導体層102b、第1のシリコン半導体層102a及び第3のシリコン半導体層102bと接する第2のシリコン半導体層104a及び第4のシリコン半導体層104b、第2のシリコン半導体層104aと接する透光性導電膜106、該透光性導電膜106と接するグリッド電極108、並びに第4のシリコン半導体層104bと接する裏面電極110を含んで構成される。なお、グリッド電極108が形成された面側が受光面となる。第1のシリコン半導体層102a及び第3のシリコン半導体層102bは、水素を含み、欠陥が少ない高品質なi型半導体層であり、結晶性シリコン基板100の表面欠陥を終端することができ、光電変換層における少数キャリアの再結合を低減し、少数キャリアのライフタイムを長くすることができる。なお、本明細書において、i型の半導体とは、フェルミ準位がバンドギャップの中央に位置する所謂真性半導体の他、半導体に含まれるp型若しくはn型を付与する不純物が1×1020atoms/cm3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が高い半導体を指す。例えば、第1のシリコン半導体層102a及び第3のシリコン半導体層102bには、プラズマCVD法等で形成される非晶質シリコン半導体を用いることができる。なお、本明細書において光電変換層とは、光電変換に大きく寄与する半導体領域を意味するものである。本実施の形態においては、結晶性シリコン基板100及び該結晶性シリコンに接する第1のシリコン半導体層102a及び第3のシリコン半導体層102bが該当する。第2のシリコン半導体層104a及び第4のシリコン半導体層104bは、内部電界形成層であり、一方がp型半導体層、他方がn型半導体層で形成される。該半導体層は、例えば、導電型を付与する不純物を含む非晶質シリコン層や微結晶シリコン層で形成することができる。結晶性シリコン基板100には交差するように溝部が形成されており、該溝部には第1のシリコン半導体層102a、第2のシリコン半導体層104a、透光性導電膜106、及びグリッド電極108が埋め込まれている。なお、グリッド電極108の線幅の広い領域がバスバー電極108a、線幅の狭い領域がフィンガー電極108bである。グリッド電極108を埋め込み型とすることで、高アスペクト比の電極を形成することができ、グリッド電極108の微細化にともなう抵抗の増加を抑制することができる。すなわち、グリッド電極108の微細化による弊害抵抗増をともなわず、受光面積を増加することができ、光電変換装置の変換効率を向上させることができる。なお、本発明の一態様における光電変換装置は、図1の構成に限らず、図2に示す構成であってもよい。図2の光電変換装置は、図1の構成とはグリッド電極108と透光性導電膜106の積層順序が異なるものであり、受光面側の表面全体に透光性導電膜106を有している。このような構成は、図1の構成において、溝部の壁面に対する透光性導電膜の被覆性が十分でないときに有効であり、グリッド電極108と透光性導電膜106との接触状態を良好にすることができる。以下に図1に示した光電変換装置の作製方法について図3を用いて説明する。なお、図3は、図1に示すX-Yの線分下の断面に相当する断面図である。本発明の一態様に用いることのできる結晶性シリコン基板には、単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板を用いることができる。これらの結晶性シリコン基板の導電型や製造方法は、特に限定されない。本実施の形態においては、MCZMagneticCzochralski法で製造されたn型の単結晶シリコン基板を用いる。まず、結晶性シリコン基板100に第1の溝部210、第2の溝部220を形成する図3A参照。該溝部は、ダイシング加工、またはレーザ加工で形成することができる。図3Aにおける溝部は、ダイシング加工を用いた場合の形状矩形型を示しているが、V字型であってもよい。レーザ加工を行った場合には、V字型となりやすい。また、周囲がV字型に加工されたダイシングブレードを用いれば、ダイシング加工でも溝部の底部をV字型とすることができる。なお、レーザ加工を行う場合は、YAGレーザの基本波波長1064nm、第2高調波波長532nm、第3高調波波長355nm、第4高調波波長266nmなどを用い、ビーム径、出力及び走査速度を調整して所望の形状の溝部を形成することができる。例えば、YAGレーザの第3高調波で、ビーム径φ20μm、パワー密度160kW/cm2、走査速度0.1cm/secで単結晶シリコン基板の加工を行うと、幅30乃至40μm、深さ40乃至70μmの溝部を形成することができる。第1の溝部210は、バスバー電極を埋め込むための溝であり、0.1mm以上2.0mm以下、好ましくは0.25mm以上1.5mm以下、更に好ましくは0.5mm以上1.0mm以下の幅とする。該溝部の幅は、バスバー電極として必要な抵抗を考慮するだけでなく、後述する導電性樹脂の注入工程を困難にさせることのない幅で形成する。第2の溝部220は、フィンガー電極を埋め込むための溝であり、0.01mm以上0.1mm以下、好ましくは0.01mm以上0.08mm以下、更に好ましくは0.01mm以上0.06mm以下の幅とする。該溝部の幅は、フィンガー電極として必要な抵抗を考慮するだけでなく、後述する導電性樹脂の注入に必要な毛細管現象が十分に発現する幅で形成する。なお、図3Aでは第1の溝部210を浅く、第2の溝部220を深く形成する構造を図示しているが、これに限らず第1の溝部210の方を深く形成する構造や、両者を同一の深さで形成する構造であっても良い。ただし、基板の強度を考慮すると、溝部の深さは基板厚の2/3、好ましくは1/2を上限とすることが好ましい。溝部が深すぎると、基板の強度が保てなくなり、工程途中での破損が起きる場合や、製品の強度を低下させ、信頼性を悪化させる場合がある。例えば、基板厚が0.5mmの場合、溝部の深さは、約0.25mmから約0.35mmを上限とすることが好ましい。次いで、第1の溝部210及び第2の溝部220の表層に発生したダメージ層をエッチング工程にて取り除く。エッチングには、例えば、酢酸、弗酸、硝酸を含むエッチング液を用いることができる。該エッチング液は、それぞれの酸の比率を調整することでダメージ層を優先的にエッチングすることができる。また、アルカリ性のエッチング液を使用して、結晶性シリコン基板100表面をエッチングすると同時にテクスチャを形成しても良い。テクスチャを形成することによって、反射防止または光閉じ込め効果を光電変換装置に付与することができる。なお、このエッチング工程は省くこともできる。次いで、結晶性シリコン基板100の溝部を形成した面にプラズマCVD法を用いて第1のシリコン半導体層102aを形成する。第1のシリコン半導体層102aの厚さは、3nm以上50nm以下とすることが好ましい。本実施の形態において、第1のシリコン半導体層102aはi型の非晶質シリコンであり、膜厚は5nmとする。例えば、第1のシリコン半導体層102aの成膜条件は、反応室に流量5sccm以上200sccm以下のモノシランガスを導入し、反応室内の圧力を10Pa以上100Pa以下、電極間隔を15mm以上40mm以下、電力密度を8mW/cm2以上50mW/cm2以下とすればよい。次いで、第1のシリコン半導体層102a上に第2のシリコン半導体層104aを形成する。第2のシリコン半導体層104aの厚さは3nm以上50nm以下とすることが好ましい。本実施の形態において、第2のシリコン半導体層104aはp型の微結晶シリコンであり、膜厚は10nmとする。なお、第2のシリコン半導体層104aに、p型の非晶質シリコンを用いてもよい。例えば、第2のシリコン半導体層104aの成膜条件は、反応室に流量1sccm以上10sccm以下のモノシランガス、流量100sccm以上5000sccm以下の水素、流量5sccm以上50sccm以下の水素ベースのジボラン0.1を導入し、反応室内の圧力を450Pa以上100000Pa以下、好ましくは2000Pa以上50000Pa以下とし、電極間隔を8mm以上30mm以下とし、電力密度を200mW/cm2以上1500mW/cm2以下とすればよい。次いで、結晶性シリコン基板100の他方の面にプラズマCVD法を用いて第3のシリコン半導体層102bを形成する。第3のシリコン半導体層102bの厚さは、3nm以上50nm以下とすることが好ましく、本実施の形態において、第3のシリコン半導体層102bはi型であり、膜厚は5nmとする。なお、第3のシリコン半導体層102bは、第1のシリコン半導体層102aと同様の成膜条件にて形成することができる。次いで、第3のシリコン半導体層102b上に第4のシリコン半導体層104bを形成する。第4のシリコン半導体層104bの厚さは3nm以上50nm以下とすることが好ましい。本実施の形態において、第4のシリコン半導体層104bはn型の微結晶シリコンであり、膜厚は10nmとする。なお、第4のシリコン半導体層104bに、n型の非晶質シリコンを用いてもよい。例えば、第4のシリコン半導体層104bの成膜条件は、反応室に流量1sccm以上10sccm以下のモノシランガス、流量100sccm以上5000sccm以下の水素、流量5sccm以上50sccm以下の水素ベースのホスフィン0.5を導入し、反応室内の圧力を450Pa以上100000Pa以下、好ましくは2000Pa以上50000Pa以下とし、電極間隔を8mm以上30mm以下とし、電力密度を200mW/cm2以上1500mW/cm2以下とすればよい。なお、本実施の形態において、上記非晶質シリコン層及び微結晶シリコン層の成膜に用いる電源には周波数13.56MHzのRF電源を用いるが、27.12MHz、60MHz、または100MHzのRF電源を用いても良い。また、連続放電だけでなく、パルス放電にて成膜を行っても良い。パルス放電を行うことで、膜質の向上や気相中で発生するパーティクルを低減することができる。次いで、第2のシリコン半導体層104a上に透光性導電膜106を形成する。透光性導電膜106には、例えば、インジウム錫酸化物、珪素を含むインジウム錫酸化物、亜鉛を含む酸化インジウム、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、またはアンチモンを含む酸化錫等を用いることができる。また、透光性導電膜106は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。例えば、インジウム錫酸化物とアルミニウムを含む酸化亜鉛の積層や、インジウム錫酸化物とフッ素を含む酸化錫の積層などを用いることができる。膜厚は総厚で10nm以上1000nm以下とする。また、透光性導電膜106の表面をテクスチャ構造としても良い。次いで、第4のシリコン半導体層104b上に裏面電極110を形成する図3B参照。裏面電極110には、銀、アルミニウム、銅などの低抵抗金属を用いることができ、スパッタ法や真空蒸着法などで形成することができる。または、スクリーン印刷法を用いて、銀ペーストや、銅ペーストなどの導電性樹脂で形成しても良い。なお、結晶性シリコン基板100の表裏に設ける膜の形成は、上記に示した順序に限らず、図3Bに示した構造が形成できればよい。例えば、第1のシリコン半導体層102aの形成し、その次に第3のシリコン半導体層102bを形成しても良い。次いで、第1の溝部210及び第2の溝部220において、透光性導電膜106と接するように導電性樹脂を注入し、グリッド電極108を形成する図3C参照。このグリッド電極108の形成方法について、図4を用いて詳細を説明する。図4は、導電性樹脂をバスバー電極となる第1の溝部210、及びフィンガー電極となる第2の溝部220に注入する様子を示すものである。まず、導電性樹脂を第1の溝部210に適当量を注入する図中の実線矢印。該導電性樹脂の注入にはディスペンス法を用いる。また、インクジェット法を用いても良い。第1の溝部210と第2の溝部220は、交差してつながっているため、第1の溝部210に注入した導電性樹脂は、図中の点線矢印で示す方向に入り込み、第2の溝部220に注入される。このとき、第2の溝部は、0.01mm以上0.1mm以下の幅で形成されているため、毛細管現象が発現し、第2の溝部に容易に導電性樹脂を注入することができる。この方法による該溝部への導電性樹脂の注入は、溝部の一方の端部から水平方向に溝部を充填するように行われるため、溝部の内部に気泡が残ることがなく、溝部に導電性樹脂を密に充填することができる。なお、導電性樹脂は焼成後に体積変化することがあるため、導電性樹脂の溝部への注入及び焼成を複数回繰り返しても良い。また、結晶性シリコン基板100に超音波振動を加え、導電性樹脂の溝部への注入を促進させても良い。導電性樹脂には、銀、金、銀-パラジウム、銅などをフィラーとして含むものを用いることができ、抵抗が低く、比較的低コストの銀をフィラーとして含むものが好ましい。また、フィラーには、フィラーサイズが5nm乃至100nmの所謂ナノ粒子と呼ばれるものを用いることが特に好ましい。導電性樹脂の溶媒には水系溶媒、炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒などを用いることができる。また、導電性樹脂の粘度は、100mPas以下、好ましくは10mPas、更に好ましくは1mPasとする。粘度の低いものほど溝部への注入を容易に行うことができる。また、第1のシリコン半導体層102a及び第3のシリコン半導体層102bの膜質を変質させないように、導電性樹脂は低温で焼成できる熱硬化型であることが好ましい。例えば、300°C以下、好ましくは250°C以下で焼成できるものを用いる。なお、毛細管現象により溝部に導電性樹脂が注入される水平方向の距離は、第2の溝部220の幅によって異なり、幅を狭くするほど該距離を延ばすことができる。また、第2の溝部の深さも深いほど該距離を延ばすことができる。図5は、単結晶シリコン基板に幅0.1mmで、0.03mm乃至0.2mmの深さの溝部を形成し、溝部の端部に銀のナノ粒子を含む導電性樹脂水系溶媒、粘度15mPasを滴下し、その水平方向の注入距離を調べたものである。溝部の深さが深いほど注入距離は長くなり、溝部の深さが0.2mmの場合は、約30mmの注入距離が得られる。これは、10cm角以上のセルであっても2本のバスバー電極を設ければ十分に対応できることを示している。なお、第1の溝部210及び第2の溝部220をレーザ加工によって形成する場合は、結晶性シリコン基板100の端部より内側の領域を選択的に加工して溝部を形成することができるが、ダイシング加工では、結晶性シリコン基板100の端部まで溝部が形成されてしまう。従って、ダイシング加工で第1の溝部210及び第2の溝部220を形成した場合は、導電性樹脂を注入する際に、第1の溝部210の端部、または第2の溝部220の端部から導電性樹脂が漏出しない構造とすることが好ましい。例えば、図6に示すように結晶性シリコン基板100の端部近傍に壁部300を設けることが好ましい。図6Aは、第1の溝部210及び第2の溝部220を形成後に壁部300を形成した状態の平面図である。壁部300は、結晶性シリコン基板100の端部近傍の溝部を絶縁樹脂または導電性樹脂で充填するようにディスペンス法等で形成する。なお、図6Aでは、溝部でない領域にも壁部300を形成するように図示してあるが、溝部のみを選択的に充填するように形成してもよい。ここで、壁部300の形成に用いる絶縁樹脂または導電性樹脂には、第2の溝部220において、毛細管現象によって水平方向に注入されないように粘度の高い樹脂を用いることが好ましい。壁部300を形成した後に、上述した方法によって導電性樹脂を注入し、図6Bに示すような壁部300より内側にグリッド電極108が形成された構造を得ることができる。なお、壁部300の下側にフィンガー電極108bよりも深い溝を設けても良い。該溝を設けることでキャリアライフタイムの短い結晶性シリコン基板100の端部を分離することができ、光電変換層の特性を向上させることができる。また、図7に示すように、第1の溝部210及び第2の溝部220、またはどちらか一方に金属ワイヤー400を埋め込んだ構成としてもよい。導電性樹脂は金属よりも抵抗が高いため、金属ワイヤー400と導電性樹脂の両方で埋め込み電極を形成することで、更に低抵抗のグリッド電極108を形成することができる。また、溝部に金属ワイヤーを入れることで毛細管現象を更に起こしやすくする効果を得ることもできる。なお、金属ワイヤー400には銀や銅などの低抵抗金属材料で形成されたものが適しており、単線であっても撚り線であってもよい。以上により、短軸方向の断面においてアスペクト比の高い埋め込み電極を形成することができ、電気特性が向上した光電変換装置を提供することができる。なお、図2の光電変換装置は、上記の作製方法において、透光性導電膜とグリッド電極となる導電性樹脂の形成順序を逆にすることで形成することができる。