"1又は2以上の発電セルからなる発電セル体と、この発電セル体に並列接続されて発電セル体への通電を迂回させることができる第1バイパスダイオードとを有した発電回路部を複数備えて、発電回路部における第1バイパスダイオードの2以上が直列接続した第1ダイオード列に対して、1又は2以上の第2バイパスダイオードを有した電流バイパス回路が並列接続された発電セルシステム回路であって、第1バイパスダイオード単体での順方向電圧降下をVfとしたとき、電流バイパス回路が整流作用で通電する際の閾値電圧Vthは、下記関係式1を満たすことを特徴とする発電セルシステム回路。Vf×n>Vth>Vf1ただし、nは第1ダイオード列を形成する第1バイパスダイオードの個数を示し、n≧2である。第2バイパスダイオードが、ワイドバンドギャップ半導体材料からなるバイポーラダイオードであることを特徴とする請求項1記載の発電セルシステム回路。請求項1又は2に記載の発電セルシステム回路の2以上を直列接続させた発電アレイを含むことを特徴とする発電システム。個々の太陽電池セル単位、あるいは数十個の太陽電池セル単位でバイパスダイオードを設ける方法においては、モジュールパネルの表面の一部が汚れた場合の太陽電池セルの電力損失による発熱防止には効果的であるが、更に大きな規模の太陽電池セルの発電不良が発生した場合には端子箱内で隣接する各バイパスダイオードが発熱して、端子箱内の部材に影響を与える。またさらに大規模にモジュール全体を覆うような影ができた場合は、アレイ間で見て、そのモジュールに関わるバイパスダイオードの多くが発熱するような場合も生じる。具体的にはモジュールに隣接する庭木の成長や季節の木々の茂り、新設された建屋の影、季節による太陽光入射経路の変動などである。バイパスダイオードの発熱を防止するために、従来技術として個々のバイパスダイオードを並列化して、個々に流れる電流値を抑制する方法があるが大量のバイパスダイオードが必要となり不経済であった。またダイオードの発熱を検知してバイパスダイオードの両端を短絡する方法が提案されているが、主として野外で使われる状況下で検知回路や開閉機器の故障による信頼性低下、または多くの部品を必要とし不経済であった。本発明は、上記課題を鑑みて、特殊で部品点数の多い複雑な回路構成を必要とせず、簡便な回路構成でバイパスダイオードの発熱を抑制し、信頼性の高い発電システムが得られるようにすることを目的とする。本発明は、上記課題を解決するために、以下の手段を要旨とする。11又は2以上の発電セルからなる発電セル体と、この発電セル体に並列接続されて発電セル体への通電を迂回させることができる第1バイパスダイオードとを有した発電回路部を複数備えて、発電回路部における第1バイパスダイオードの2以上が直列接続した第1ダイオード列に対して、1又は2以上の第2バイパスダイオードを有した電流バイパス回路が並列接続された発電セルシステム回路であって、第1バイパスダイオード単体での順方向電圧降下をVfとしたとき、電流バイパス回路が整流作用で通電する際の閾値電圧Vthは、下記関係式1を満たすことを特徴とする発電セルシステム回路。Vf×n>Vth>Vf1ただし、nは第1ダイオード列を形成する第1バイパスダイオードの個数を示し、n≧2である。2第2バイパスダイオードが、ワイドバンドギャップ半導体材料からなるバイポーラダイオードであることを特徴とする記載の発電セルシステム回路。31又は2に記載の発電セルシステム回路の2以上を直列接続させた発電アレイを含むことを特徴とする発電システム。本発明によれば、複数の発電セルにゴミ等が付着したり、あるいはモジュール全体が汚れたり、反射光も少ない日陰に隠れたような状況で、かつ他の発電セルやモジュールには日が当たり発電を行っている場合に、発電しなくなった発電セルに接続された第1バイパスダイオードが複数同時に導通ONして、その導通損失による発熱の影響で不具合が生じるのを回避すべく、第2バイパスダイオードをONして更なる迂回路を形成することにより、第1バイパスダイオードの発熱を緩和防止でき、システムの安全性を確保できる。またダイオードという受動部品だけで構成できるため、制御は全く不要で信頼性は高い。以下、本発明について詳細に説明する。本発明は、1又は2以上の発電セルからなる発電セル体と、この発電セル体に並列接続されて発電セル体への通電を迂回させることができる第1バイパスダイオードとを有した発電回路部を複数備えて、発電回路部における第1バイパスダイオードの2以上が直列接続した第1ダイオード列に対して、1又は2以上の第2バイパスダイオードを有した電流バイパス回路が並列接続された発電セルシステム回路に関する。例えば、発電セルが太陽電池の場合であって、その一部にゴミ等が付着したり、日陰に隠れてしまうような発電セル体の部分的なトラブルなど、小規模な発電障害で電流バイパス回路を形成する第2バイパスダイオードをONさせると、第2バイパスダイオードの並列接続に関わる太陽電池セル全てが短絡されてしまうため、発電可能な太陽電池セルを無駄にする。このような状況では、第2バイパスダイオードをONする必要はなく、第1バイパスダイオードだけで迂回路を形成すればよい。なお、以下では発電セルを太陽電池に見立てて説明するが、燃料電池や熱電変換素子等の場合についても本発明を適用することができる。すなわち、内部抵抗が増加したり開放状態となるような故障モードを有した発電セルでは、本発明における第1バイパスダイオードと第2バイパスダイオードとを備えた発電セルシステム回路を形成することで、バイパスダイオードの発熱を抑制しながら、信頼性の高い発電システムが得られるようになる。そのため本発明では、1又は2以上の第2バイパスダイオードを有した電流バイパス回路をONさせる閾値電圧を、並列接続する対象の第1ダイオード列を構成する個々の第1バイパスダイオードの順方向閾値電圧とその合計に応じて決定する。具体的には、想定するシステム発電電流値Istにおいて、例えば、第1バイパスダイオード1個の順方向電圧降下がVfであり、かつ第1バイパスダイオードをn個直列接続した第ダイオード列の両端に1又は2以上の第2バイパスダイオードからなる電流バイパス回路を並列接続した場合、電流バイパス回路が整流作用で通電するときの閾値電圧Vthは以下の関係で設計される。Vf×n>Vth>Vf式1式1から明らかなように1個の第1バイパスダイオードがONして順方向の電圧降下が生じても電流バイパス回路の両端電圧は閾値電圧以下のため、電流バイパス回路を形成する第2バイパスダイオードはONしない。第2バイパスダイオードを接続したn個の第1バイパスダイオードが全てONするような状況下では、電流バイパス回路の閾値電圧を第1ダイオード列の順方向電圧が超えるため、電流バイパス回路を形成する第2バイパスダイオードはONして、さらなる迂回路を形成することを式1は意味している。なお、電流バイパス回路が迂回路を形成するといっても全ての電流が電流バイパス回路に流れずに、一部が第1ダイオード列に流れるような場合も含まれる。電流バイパス回路は、保護したい第1バイパスダイオードの配置や性能により取り付け位置を決める。具体的には数枚~数十枚の太陽電池セルの保護の場合は、それらに関わる第1バイパスダイードの直列回路第1ダイオード列を挟んで第2バイパスダイオードを並列接続してもよい。モジュールパネル1枚単位や、あるいはアレイの一部分にあたる第1バイパスダイオードを束ねた第1ダイオード列に対して、並列に接続して、その集団をまとめて保護してもよい。すなわち、電流バイパス回路が保護する発電回路部の数は任意に選択することができ、例えば、モジュール単位の第1ダイオード列に対して電流バイパス回路を接続したり、複数のモジュールの第1ダイオード列をまとめて管理するようにして電流バイパス回路を接続してもよい。なお、複数のモジュールをまとめて管理する場合、モジュール単位での第1ダイオード列の合計閾値電圧各モジュールの第1ダイオード列がm個の第1バイパスダイオードからなる場合はVf×mを超えた場合に電流バイパス回路が整流作用で通電するようにしてもよい。電流バイパス回路を形成する第2バイパスダイオードは上記式1の関係から、複数の第1バイパスダイオードが直列接続した第1ダイオード列を保護し、適切な値でONするために閾値電圧をある程度高める必要があるが、例えばシリコンダイオードは閾値電圧が通常、0.2~1.0V程度であるため、その場合には第2バイパスダイオードを複数個直列接続して電流バイパス回路の閾値電圧が所望の電圧となるように構成する必要がある。具体的には複数のダイオードを直列化して構成した第2バイパスダイオードの列の閾値電圧は、個々のダイオードの閾値電圧を加算して求めることができる。第2バイパスダイオードは、ワイドバンドギャップ半導体で形成されたPN接合型ダイオードを適用することが好ましい。炭化ケイ素や、GaNなどからなるワイドバンドギャップ半導体でpn型ダイオードを作製した場合は、閾値電圧が約2.5~3.0V程度になることが知られているため、電流バイパス回路を形成する第2バイパスダイオードとして用いれば、シリコンダイオードよりも少ない個数で直列回路を構成できる利点がある。さらにワイドバンドギャップ半導体は500°Cの高温でも動作するなど、優れた半導体特性を持つため発熱の影響を受けにくく、信頼性の高い回路を形成できる。以下、図面を用いながら本発明をより具体的に説明する。図1は、本発明の第1の実施例を説明するための構成図である。1は太陽電池セルであり、それぞれ約150mm角の多結晶シリコンから形成されて、太陽光発電時の定格出力動作電圧は約0.6V/枚であり、定格電流値は約8.0Aである。2は第1バイパスダイオードであってシリコンのショットキーバリアダイオードからなり、通電電流が8Aにおける順方向電圧ダイオード両端間の電位差が0.4Vである。この図1の例ではひとつの太陽電池セル1が発電セル体を構成しており、個々の太陽電池セルには各1個の第1バイパスダイオードが並列接続されて、それぞれ発電回路部を形成している。3は第2バイパスダイオードであって閾値電圧Vthが1.0VのシリコンのPN型接合ダイオードバイポーラダイオードからなり、第1バイパスダイオードを4個直列接続した第1ダイオード列に対して並列に1個接続されて電流バイパス回路を形成している。5は太陽電池セル1、第1バイパスダイオード2、第2バイパスダイオード3をそれぞれ含む回路群発電セルシステム回路を示しており、5の前後の回路群4および、回路群6も図中では省略しているが、回路群5と同じ回路構成になっている。各太陽電池セル1が太陽光発電を実施している場合は、発電電流は端子7および各太陽電池セルを通り、端子10へ流れる。これらの回路構成からなる太陽電池パネルの外観図を、図1-1に示す。太陽電池セル3×4のマトリックスで1枚のモジュールM1を形成している。太陽光による発電時には電流は点線11の経路で流れる。なお、モジュールを形成する際には、保護基板や耐候性フィルム等に太陽電池セルを挟持させてパネルにしたり、樹脂モールドにより一体化するなど、公知の方法を採用することができる。図2はモジュールM1を含めた発電システム全体を示した図であり、発電電力は端子7、10を通じで配線を集約した接続箱12を経由して、直流電圧を交流電圧に変換するパワーコンディショナー13へ接続されている。なお、図1に記載した第1バイパスダイオード、及び第2バイパスダイオードは、モジュール裏面に設置した端子箱に集約配置されている。図1の各第1バイパスダイードの動作について、図3を用いて詳細に説明する。図3のBは図1に示したなかの回路群5を示しており、すべての太陽電池セルが太陽光を受けて8Aの定格電流の発電を行っている状況では、発電電流は経路11Bを通り流れる。図Bはモジュールパネルの太陽光が当たる表面状態を示している。この場合は太陽光を遮断する影となる障害は何もないため、第1バイパスダイオードの回路へ電流が迂回することなく、太陽電池セルに流れている。図3のCは、図3のBの状態に対して、意図的に一枚の太陽電池セル1C1を黒布で覆った場合を示している。この場合、太陽電池セル1C1は発電に寄与せず回路上、単なる抵抗体となるため、電流は2Cの第1バイパスダイオードを迂回して流れる。その際、第2バイパスダイオードの両端に生じる電位差は、8A時の第1バイパスダイオードの順方向電圧に相当する電圧0.4Vに配線の抵抗による若干の電圧降下を加えた値となるため、閾値電圧1.0V以上の電位差に達せず、導通しない。図3のDは回路群5の太陽電池セル1列全部に黒布を張り付けた場合を示す。この状態では回路群4、6は定格で動作しているのに対して、回路群5の太陽電池セル集団1DAは全体のシステムの中で全て電気抵抗体となる。図4は、図3のDの状態で第2バイパスダイオードが存在しない場合を示した従来の技術を表す。第4図中の11Eに示したように、第1バイパスダイオード2EA全てがONして電流は迂回することになる。この状態が続くと、第1バイパスダイオードはダイオードの電力損失により発熱する。しかしながら本発明の図3のDの回路であれば、定格電流8Aにおいては、直列に接続した第1バイパスダイドードの順方向電圧の合計が第2バイパスダイオードの閾値1.0Vを超えるために、第2バイパスダイオードも同時にONして電流が転流するようになる。この場合、第1バイパスダイオードの電流は減少し電力損失は低減し発熱量も減少する。以上の動作を今度は図5のグラフ上であらためて説明する。図5はダイオードの室温時の電流電圧特性IV特性を示した図である。図中のIV1は第1バイパスダイオードのショットキーバリアダイオード単体のIV特性、IV2は第1バイパスダイオードの4個直列した場合のIV特性、IV3は第2バイパスダイオードであるPN型ダイオード単体のIV特性である。図3のCの状態における定格動作電流8Aにおいては、第2バイパスダイオード3Cの両端の電位差はIV1から読み取れる第1バイパスダイード1個の順方電圧である0.4Vと、配線の導通抵抗による若干の電圧降下となるが、IV2から読み取れる第2バイパスダイオードの閾値電圧である1.0Vは超えない。このため第2バイパスダイオードは導通しなかった。図3のDにあたる状況では、4個の第1バイパスダイオードの8A時の順方向電圧はIV2から読み取れるようにおよそ1.6Vである。この電圧に達する以前に第2バイパスダイオードの両端間の閾値電圧1.0Vを超えるため、第2バイパスダイオードはONする。この結果、電流は第1バイパスダイオードと第2バイパスダイオードを並行して流れるようになる。これにより第1バイパスダイオードの電流は減少して発熱等は抑制可能となった。第2バイパスダイオードも発熱するが、バイポーラ型であるため少数キャリア注入による伝導変調が発生し、図5のIV3のようにON後の電流は急速に立ち上がるので、結果的に第2バイパスダイオードを接続しない第1バイパスダイオード4列の順方向電圧の電位差よりも小さくて済む。具体的な並列時のバイパス回路全体の順方向の電位差は原理的には、2DAと3Dの合成により求めることとなるが、半導体の電流電圧特性IV特性には温度依存性があり、単純な計算で厳密に求めることは難しい。このため具体的な設計の方法としては、前記式1でダイオードを選択し、実装して回路上でダイオードの動作を見ながら動作点を確認いくことが現実的な設計方法である。図3の構成による実験時のバイパスダイオード回路全体第1ダイオード列の電力損失は端子間の電圧と電流測定から求めることができ、図3のCの状態3.6W、Dの状態で10.4Wであった。従来の技術にあたる図4では12Wであった。以上の実施例のように、太陽電池セルの個々に部分的に生じた障害に対しては第1バイパスダイオードを動作させ、太陽電池セルを迂回させることにより太陽電池セルが破壊しないように保護する。複数の第1バイパスダイオードに関わる、広範囲な光遮断障害に対しては第2バイパスダイオードを接続し、新たな迂回路を形成することで、系全体の電力ロスを低減でき、かつ第1バイパスダイオードの熱的な負担を軽減することで、回路の故障発生を未然に防ぐことができる。図6は本発明の第2の実施例である。太陽電池セル1Fは図1と同じ約150mm角の多結晶シリコンから形成され、発電時定格動作電圧は0.6V/枚であり、定格電流値は約8.0Aのものである。2F1は第1バイパスダイオードで太陽電池セル16個からなる発電セル体に対して1個の第1バイパスダイオードを並列接続して発電回路部4Fを構成している。2F2、2F3の第1バイパスダイオードに関わる構成も発電回路部4Fと全く同じで、それぞれ発電回路部5F、発電回路部6Fを構成している。太陽光発電時には、電流は端子14から、それぞれの太陽電池セルを流れて、17端子からその先の負荷へと繋がる。本実施例で用いられている第1、第2バイパスダイオードはすべて同じ種類のシリコンのPN型接続のバイポーラダイオードであり、基本特性として閾値電圧は1.0V、電流8A通電時の個々の順方向電圧は、1.2Vである。以上の構成における第2バイパスダイオードは発電回路部4F,5F及び6Fの第1バイパスダイオードが直列接続した第1ダイオード列に対して並列接続されて電流バイパス回路を形成しており、この電流バイパス回路の閾値電圧は前記式1に準じるために、第1バイパスダイオードの個々の8Aの電流通電時の順方向電圧1.2Vより大きく、かつその順方向電圧の3倍の3.6V未満でなければならない。この条件を満たすために、第2バイパスダイオードは閾値電圧1.0Vのダイオード3F1及び3F2を2個直列接続してある。これにより直列化された第2バイパスダイオードの閾値は2.0Vとなるため、前記式1を満足する。図6のFは上述した図6Fの回路をモジュール化した外観図であり、系全体での太陽電池セルの総数は48枚の直列接続にて1枚のモジュールM2を形成している。加えて本モジュールと同構成の3枚のモジュールを用意し、図7に示したようにモジュールM2,M3,M4を3枚直列接続したシステムを構成した。18は接続箱であり、19はパワーコンディショナーである。以上のシステムで本発明の有効性を確認するため、図8のFようにモジュールM2のうち、発電回路部6F,5Fと発電回路部4Fのなかの8枚の太陽電池セルに相当する部分とを黒布で覆い図中灰色部、システム全体として8A定格電流の太陽光発電を行った。モジュールM3、モジュールM4には太陽光を遮断するものは何もない。この結果、図6の状態のように黒布を覆う前には、第1、第2バイパスダイオードそれぞれには電流が流れていなかったが、図8のFのように一部の太陽電池セルを黒布で覆うと、第1バイパスダイオード、第2バイパスダイオードがそれぞれONしで、太陽電池セルに流れていた電流が転流を開始した。この状態で、個々のバイパスダイオードの温度を測定したが、第1バイパスダイオードが約30°C、第2バイパスダイオードが80°Cであった。温度の違いは第2バイパスダイオードに電流の大半が転流したためと考えられる。このような場合を想定して、第1バイパスダイオードと第2バイパスダイオードとは熱的に隔離された場所に設置する方が、信頼性の観点から好ましい。本実施例ではモジュールの背面に端子箱を2個設けて、第1バイパスダイオード、第2バイパスダイードをそれぞれ格納した。図9は第3の実施例を示す構成図である。図中の太陽電池セル、第1バイパスダイオードの配置は第2実施例と同じ構成であるが、第2バイパスダイオードをSiCのPN型ダイオード3FSに変更した。SiCはシリコンPN型ダイオードに比較して閾値電圧が高く、本実施例では2.5Vのものを用いた。第2バイパスダイオードを変えた点以外の条件は第2実施例と全く同じ条件として、図8のF‘のように黒布を太陽電池セル上に配置して、動作確認を実施した。この結果、第1バイパスダイオード、第2バイパスダイオードがそれぞれONして、太陽電池セルに流れていた電流の転流を開始した。この状態で、個々のバイパスダイオードの温度を測定したが、第1バイパスダイオードが平均して約50°C、第2バイパスダイオードが50°Cであった。第2の実施例と異なり、ほぼ同じ温度となった。これはSiCダイオードが第2バイパスダイオードとして閾値電圧が第2実施例の2.0Vより2.5Vと高いため電圧に対する電流の立ち上がりが遅くなり、電流は第1バイパスダイオード、第2バイパスダイオード双方に流れたためと考えられる。図10は第4の実施例を示す構成図である。図中の太陽電池セル、第2バイパスダイオードの配置は第3実施例と同じであるが、第1バイパスダイオードそれぞれに2F1,2F2,2F3の同じ種類のダイオードを並列接続した。本実施例のように第1バイパスダイオードを並列化しても第1ダイオード列としての端子1417間の8A通電時の順方向電圧特性はほぼ同じであるので、第2実施例同様に動作させることができる。実際に図8Fのようにして黒布で覆い、個々のダイオードの温度を測定した。その結果、第1バイパスダイオードが平均して約30°C、第2バイパスダイオードが50°Cであった。第1バイパスダイオードの温度が低下したのは並列化により通電電流が半減したのが原因と考えられる。図11は第5の実施例を説明するための構成図である。8枚のモジュールM5-1~8が直列接続されており、発電時には端子20から端子21に向かって電流が流れるように構成してある。個々のモジュールの回路を図12に示した。以下で説明する第2バイパスダイオードの配置を除いて、第2実施例の図6のFに示したものと同じである。本実施例ではSiCダイオードからなる第2バイパスダイオード3FS1、3FS2を直列化し、モジュール2枚を挟んで、並列接続した。このような組み合わせに基づき、第2バイパスダイオード3FS4~8を用いて同様な配置とした。すなわち、本実施例は2つのモジュールに含まれる第1ダイオード列をまとめて管理するものであり、モジュール1枚には図12で示したように第1バイパスダイオード3個が接続されているため、前記式1に第2バイパスダイオードを準拠して設計するには、モジュール1枚分の計3個の第1バイパスダイオードの定格電流8Aにおける順方向電圧3.6V=12V×3個より大きく、かつモジュール2枚分に相当する計6個の第1バイパスダイオードの定格電流8Aにおける順方向電圧7.2V=12V×6個未満の閾値を持った第2ダイオードを設置する必要がある。このため閾値電圧2.5VのSiCのPN型ダイオードを2個直列化しモジュールM51,M52に対して3FS1及び3FS2を直列接続したように、それぞれ閾値電圧5V=25V×2個の電流バイパス回路を形成した。本実施例の動作を確認するため、図13に示したようにモジュールM5-3、及びM5-4のモジュールの表面すべてを黒布で覆い、他のモジュールは定格発電可能な環境にて試験を実施した。この結果、モジュールM5-3、及びM5-4に並列接続していた3F-S-1、及び3F-S-2の第2バイパスダイオードがONして、電流が転流していることが確認できた。モジュールM5-3、及びM5-4に関わる第1バイパスダイオードの個々の平均温度は30°C程度であった。本状態で第2バイパスダイオードの効果を知るため、3F-S-1及び3F-S-2を外して、第1バイパスダイオードの温度を測定したところ、平均して80°Cとなり、第2バイパスダイオードに大半の電流が転流していたことが確認できた。以上の実施例では多結晶シリコンの太陽電池セルを用いて実施したが、本発明では、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、CIGSなど、太陽光が遮断された際に等価的に電気抵抗体とみなすことができる太陽光発電素子に適用可能である。また、実施例で示したように、本発明を用いることにより、表面にごみが付着した個々の太陽電池セルを保護する比較的小規模な構成から、ビル陰による各モジュールへの日当たりの変化で複数のモジュール単体がシステムにおいて電気抵抗体となった場合にも適用が可能で、安全性が高く信頼性の高い太陽光発電システムを提供することができる。更には、太陽電池セル以外の発電セルについても本発明を適用することができ、例えば、燃料電池、熱電変換素子等の発電セルの場合にも同様の効果を得ることができる。"