"金属化フィルムコンデンサを構成する誘電体フィルムと該誘電体フィルムの表面に配された内部電極層とからなる金属化フィルムの製造方法であって、誘電体フィルムの表面に金属を蒸着させて金属蒸着膜とし、冷間加工にて該金属蒸着膜の結晶内に加工歪を導入し、該誘電体フィルムと加工歪を導入した金属蒸着膜からなる中間体を製造する第1のステップ、前記中間体を熱処理し、金属蒸着膜の少なくとも一部を再結晶化して内部電極層とし、誘電体フィルムと内部電極層とからなる金属化フィルムを製造する第2のステップからなる金属化フィルムの製造方法。第2のステップでは、中間体を金属の再結晶温度以上で誘電体フィルムの融点以下の加熱炉内に載置して熱処理をおこなう請求項1記載の金属化フィルムの製造方法。第2のステップでは、金属蒸着膜に通電して自己発熱させて熱処理をおこなう請求項1または2に記載の金属化フィルムの製造方法。第2のステップでは、金属の再結晶化が完全におこなわれて内部電極層が形成される請求項1~3のいずれかに記載の金属化フィルムの製造方法。金属化フィルムコンデンサを構成する誘電体フィルムと該誘電体フィルムの表面に配された内部電極層とからなる金属化フィルムであって、内部電極層が誘電体フィルムの表面に蒸着された蒸着金属の再結晶組織を有する金属化フィルム。本発明は上記する問題に鑑みてなされたものであり、誘電体フィルムの表面に蒸着された蒸着膜中の粒界面積の減少と格子欠陥の修復を図り、電気抵抗率の小さな金属化フィルムコンデンサの内部電極を構成する金属化フィルムとその製造方法を提供することを目的とする。前記目的を達成すべく、本発明による金属化フィルムの製造方法は、金属化フィルムコンデンサを構成する誘電体フィルムと該誘電体フィルムの表面に配された内部電極層とからなる金属化フィルムの製造方法であって、誘電体フィルムの表面に金属を蒸着させて金属蒸着膜とし、冷間加工にて該金属蒸着膜の結晶内に加工歪を導入し、該誘電体フィルムと加工歪を導入した金属蒸着膜からなる中間体を製造する第1のステップ、前記中間体を熱処理し、金属蒸着膜の少なくとも一部を再結晶化して内部電極層とし、誘電体フィルムと内部電極層とからなる金属化フィルムを製造する第2のステップからなるものである。本発明の金属化フィルムの製造方法は、金属化フィルムコンデンサを構成する内部電極となる金属化フィルムの製造方法であり、誘電体フィルムを冷却しながら蒸着金属を蒸着し、この蒸着金属が誘電体フィルム表面で急激に冷却されることによって生じると考えられる蒸着金属膜の格子欠陥や結晶粒界を解消するべく、冷間加工をおこなって加工歪を蒸着金属に導入し、その後にこれを熱処理することによって蒸着金属の再結晶化を図り、金属蒸着の際に生じた欠陥を修復させ、さらには結晶粒を大きくすることができるものである。加工歪を付与して再結晶しないと再結晶の駆動力が弱く、そのために温度を上げる必要があるが、温度を上げた際にはフィルムへのダメージが危惧される。一方で加工歪を付与せずに再結晶化の熱処理をしても効果が小さいことから、誘電体フィルムへの熱ダメージを避けながら再結晶化させるには加工歪の付与が必須となる。第1のステップにおける誘電体フィルムの表面への金属の蒸着の際には、蒸着の際の熱で誘電体フィルムがダメージを受けないようにたとえばマイナス数十°C程度の冷却ロール上に誘電体フィルムを搬送させながら金属蒸着をおこなう。ここで、誘電体フィルムは、ポリプロピレンPPやポリフッ化ビニリデンPVDF、ポリフェニレンサルファイドPPSなどから形成でき、この誘電体フィルムの表面に溶融したアルミニウムや亜鉛などの金属を蒸着する。誘電体フィルムの表面に金属を蒸着したら、これをさらに連続搬送し、たとえば上下に載置される圧延ロールの間に誘電体フィルムとその表面に蒸着された金属を通して冷間加工をおこない、金属の結晶内に加工歪を導入して金属蒸着膜を形成し、誘電体フィルムと金属蒸着膜からなる中間体を製造する。次に、第2のステップにおいて、第1のステップで製作された中間体を熱処理し、金属蒸着膜を内部電極層とし、誘電体フィルムと内部電極層とからなる金属化フィルム内部電極を製造する。ここで、第2のステップでは、金属の再結晶化が完全におこなわれることは必ずしも必須でなく、再結晶化が不完全な状態であっても一部の再結晶化をもって内部電極層が形成されたとすることができる。尤も、金属の再結晶化が完全におこなわれることが好ましいことは勿論のことである。ここで、第2のステップにおける熱処理の実施の形態としては、以下2つの形態を挙げることができる。その一つは、中間体を金属の再結晶温度以上で誘電体フィルムの融点以下の加熱炉内に載置して熱処理をおこなう方法である。加熱炉内に中間体を載置後、再結晶化が終了するまで所定の温度が維持されるのがよい。また、他の方法は、金属蒸着膜に通電して自己発熱させて熱処理をおこなう方法である。たとえば第1のステップで製作された中間体を巻き取ってロール状とし、その両端を金属板で挟んで通電する。この通電の際に生じるジュール熱によって金属蒸着膜の再結晶化を図るものである。再結晶化に要する時間は、高温保持した温度条件や圧延率等によって相違するものであり、温度が高いほど、また、圧延率が高いほど再結晶化が完了するまでの時間は短くなる。しかしながら、既述するように、必ずしも再結晶化が完全におこなわれる必要はなく、所望の抵抗率が得られる程度に再結晶化が図られていればよい。上記する本発明の金属化フィルムの製造方法によれば、誘電体フィルムを冷却しながら金属粒子を蒸着する過程で生じる金属粒子の欠陥を解消でき、もって電気抵抗の低い内部電極を構成する金属化フィルムを製造することができる。また、本発明は金属化フィルムにも及ぶものであり、この金属化フィルムは、金属化フィルムコンデンサを構成する誘電体フィルムと該誘電体フィルムの表面に配された内部電極層とからなる金属化フィルムであって、内部電極層が誘電体フィルムの表面に蒸着された蒸着金属の再結晶組織を有するものである。内部電極層が誘電体フィルムの表面に蒸着された蒸着金属の再結晶組織を有していることにより、金属蒸着の際に生じた欠陥が修復され、大きな結晶粒となって粒界面積が減少し、もって電気抵抗率の小さな金属化フィルムコンデンサとなる。以上の説明から理解できるように、本発明の金属化フィルムの製造方法によれば、誘電体フィルム表面に金属を蒸着した後にこれを冷間加工して加工歪を蒸着金属に導入し、次いで熱処理して蒸着金属の再結晶化を図ることにより、蒸着金属が誘電体フィルム表面に蒸着される際に生じる格子欠陥を修復することができ、かつ粒界面積を減少することができ、もって電気抵抗率の低い、高性能な金属化フィルムコンデンサに供される金属化フィルムを製造することができる。以下、図面を参照して本発明の金属化フィルムの製造方法の実施の形態を説明する。図1は本発明の金属化フィルムの製造方法の第1のステップを説明する模式図であり、図2a,bは第2のステップの実施の形態を説明する模式図である。図示する製造方法は、第1のステップとして、巻装ロールMR1に巻装されている誘電体フィルム1を巻装ロールMR1を回転させることによってX1方向巻き出し、巻き出された誘電体フィルム1を搬送する過程で蒸着装置DPが収容された真空容器SYを通過させるX2方向。ここで、誘電体フィルム1は、ポリプロピレンPPやポリフッ化ビニリデンPVDF、ポリフェニレンサルファイドPPSなどから形成されるものである。真空容器SY内では、蒸着装置DPから溶融したアルミニウムや亜鉛などの蒸着金属2が搬送される誘電体フィルム1の下面に蒸着される。この真空容器SY内では、誘電体フィルム1の上面がその搬送方向に回転するX3方向冷却ロールCRマイナス数十°C程度の温度に調整で冷却されながら蒸着金属2の蒸着がおこなわれる。真空容器SYを通過し、その下面に蒸着金属2が堆積した誘電体フィルム1は次いで上下一対の回転自在なX4方向圧延ロールFR,FRを通過する過程で圧延処理される。この圧延処理では、圧延ロールFRが蒸着金属2の融点の25以下の温度に調整されており、圧延ロールFR,FRを通過する過程で誘電体フィルム1とその表面に堆積する蒸着金属2が冷間加工されるものである。この冷間加工により、蒸着金属2の結晶内には加工歪が導入される。なお、真空容器SY内の温度も蒸着金属2の融点の25以下の温度に調整されているのがよい。たとえば、蒸着金属2がアルミニウムの場合には、その融点が933Kであることから、蒸着時の真空容器SY内の温度や冷間加工時の圧延ロールFRの温度が233K-40°C程度に調整される。冷間加工されることにより、誘電体フィルム1とその表面で圧延処理されてできた金属蒸着膜2’からなる中間体3が製造され、この中間体3が巻取りロールMR2で巻き取られることになるX5方向。次に、第2のステップに移行する。この第2のステップは、図2a,bで示す2つの方法がある。第2のステップの一実施の形態は、図2aで示すように、中間体3を金属の再結晶温度以上で誘電体フィルムの融点以下の加熱炉TR内に載置し、ヒータで熱処理をおこなうことによってヒート熱H金属蒸着膜2’の再結晶化を図り、図3で示すように、金属蒸着膜2’から内部電極層2が形成され、誘電体フィルム1の表面に内部電極層2が積層されてなる金属化フィルム4が製造される。ここで、金属が純度99.999のアルミニウムの場合の再結晶温度は80°C程度であり、誘電体フィルムがPPの場合の融点は165°C程度であることから、これらの素材を適用した場合には80°C程度以上で165°C程度以下の熱処理温度が適用される。ここで、加熱炉TR内での再結晶化に要する時間は加熱炉TR内の温度条件や冷間加工時の圧延率等によって相違するが、必ずしも再結晶化が完全におこなわれる必要はなく、所望の電気抵抗率の内部電極層2が得られる程度に再結晶化が図られていればよい。一方、第2のステップの他の実施の形態は、図2bで示すように、巻き取られた中間体3のロールの両端を金属板S,Sで挟んで通電する方法であり、この通電の際の自己発熱ジュール熱によって金属蒸着膜2’の再結晶化を図って内部電極層2を形成し、金属化フィルム4を製造するものである。図3で示す金属化フィルム4を構成する内部電極層2は、金属蒸着の際に蒸着金属にできた格子欠陥が、第1のステップにおける加工歪の導入と第2のステップにおける熱処理による再結晶化によって修復され、電気抵抗率の極めて低い内部電極層2となっている。図4は、図1~3で示す製造方法によって製造された金属化フィルム4を用いて構成された金属化フィルムコンデンサ10を示したものである。図示する金属化フィルムコンデンサ10は、金属化フィルム4が巻装されてなる金属化フィルム柱体5と、その両端の2つの電極取り出し面に形成された金属溶射部7,7メタリコン電極と、この金属溶射部7,7のそれぞれにはんだ層8a,8aを介して繋がれた外部引き出し端子8b、8bバスバーと、これらを収容するケース9aと、ケース9a内に形成されて金属化フィルム柱体5が埋設されるモールド樹脂体9bとから大略構成されている。金属化フィルム柱体5の具体的な構成は、内部電極層2が誘電体フィルム1の一側面に形成されて金属化フィルム4が形成され、この金属化フィルム4を2枚積層して一組とし2枚一対の金属化フィルム、この2枚一対の金属化フィルム4が巻き回されて構成されている。ここで、一組の金属化フィルム4の一方の誘電体フィルム1の一側面に形成された内部電極層2は、その長手方向に沿う一方端が一方の金属溶射部7に密着しており、その長手方向に沿う他方端には、他方の金属溶射部7から絶縁されるべく、たとえば2mm程度の絶縁マージンm図3参照が設けられている。また、内部電極層2のうちで上記金属溶射部7に密着している端部は、電極接触を保証するために他の部位よりも厚めのいわゆるヘビーエッジh図3参照となっており、たとえば、金属蒸着膜の一般部が30nm程度である場合に、ヘビーエッジは倍の60nm程度に調整される。金属化フィルム柱体5のうち、電極取り出し面以外の周囲にはポリエチレンテレフタレートPETなどからなる外装フィルム6がたとえば数十回程度巻装されて当該周面を被覆している。図示する金属化フィルムコンデンサ10は、その構成部材である内部電極層2の電気抵抗率が極めて低いことから高性能な金属化フィルムコンデンサとなる。以上、本発明の実施の形態を図面を用いて詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。"