外部からの入射光を反射する反射板の製造方法であって、基板上に感光性樹脂を塗布する工程と、解像限界以上のサイズのパターンを備える遮光領域と、解像限界未満のサイズのパターンを備える第1の透過領域と、パターンのない第2の透過領域と、を含むフォトマスクを用いて、前記感光性樹脂を露光する工程と、露光後の前記感光性樹脂を現像して、膜厚が異なる3種類の領域を同時に形成する工程と、現像後の前記感光性樹脂を加熱処理する工程と、加熱処理後の前記感光性樹脂上に反射膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする反射板の製造方法。前記3種類の領域によって形成される各々の凸部の頂部と該凸部周囲の凹部との間の傾斜部は、特定の側の前記基板面に対する傾斜角が、他の側に比べて相対的に小さく、前記凹凸は、波形又は屈曲線を凸部又は凹部とするパターンが配置されて構成されること特徴とする請求項1に記載の反射板の製造方法。前記3種類の領域によって形成される各々の凸部の頂部と該凸部周囲の凹部との間の傾斜部は、特定の側の斜面の長さが、他の側に比べて相対的に長く、前記凹凸は、波形又は屈曲線を凸部又は凹部とするパターンが配置されて構成されること特徴とする請求項1に記載の反射板の製造方法。一対の基板間に液晶が挟持され、一方の基板の各々の画素の少なくとも一部に、請求項1乃至3のいずれか一に記載の前記反射板を形成すること特徴とする反射型又は半透過反射型の液晶表示装置の製造方法。前記特定の側とは、前記液晶表示装置の使用時において前記入射光が入射する側であること特徴とする請求項4記載の液晶表示装置の製造方法。上記反射型液晶表示装置や半透過反射型液晶表示装置では、共に外光が強い条件下で明るい表示を得るために凹凸を有する樹脂層を設け、その樹脂層の上に反射膜を設けて反射板を形成している。この凹凸形状は、フォトリソグラフィー法により凸または凹になる部分を露光/現像し、さらに熱処理により形成しているが、従来の技法では、安価かつ十分に明るい反射特性を有する反射板を作製することが困難であった。具体的に説明すると、上記反射板を供えた液晶表示装置は、図13に示すように、光源から光が入射した場合、基板に対して正反射方向には、液晶表示装置を構成する様々な層例えば、偏光板19bや位相差板20b、透明絶縁基板13、対向電極15、液晶層17などの影響により映り込みが発生し表示がみづらいことや、鏡面反射板では正反射以外の方向では暗くなるために視認性が低下することから、入射光を散乱させる拡散反射板を使用することが多い。この拡散反射板を製造する方法として、例えば特許第3394926号には、感光性樹脂に円または多角形の領域の総面積がフォトマスクの総面積の20以上40以下であるフォトマスクを用いて露光する方法が開示されている。この方法では、図15に示すように、感光性樹脂は円または多角形のパターンを有するフォトマスクを用いて露光され、露光される領域と遮光される領域の2つの領域になり、例えばポジの感光性樹脂を用いた場合、現像後の状態は露光される領域は凹部に、遮光される領域は凸部になり、過熱処理を行うことで必要な傾斜を得ることになる。そのため、例えば円形のパターンを用いた場合には、その断面は対称的な形状しか得られず、図7aに示すように、反射板に入射した外光は正反射方向を中心にして等方的に散乱されることになる。しかしながら、実際の使用状況下において、例えば携帯電話のような用途では、図14aに示すように、液晶パネルは水平方向から傾いた角度で使用されるため、入射光に対して正反射方向よりもパネル鉛直方向側でしか使用されず、また、PDAのようにスタイラスで操作するようなものでは、図14bに示すように、水平に近い状態で使うことが多くなるため、携帯電話よりは正反射成分に近い角度で使用されるが、正反射方向に対してパネル鉛直方向とは逆の方向の成分はほとんど利用されない。従って等方的に散乱する反射板では損失が生じ、明るい反射特性を有する反射板を作製することができない。一方、任意の方向の反射特性を向上させるには、例えば特開2002-2027214号公報の請求項2に記載されているように、表面が、凹凸形状を有し、該凹凸形状の凸部同士を結んだ線、凹部同士を結んだ線、又は凸部と凹部との中間部分同士を結んだ線が、前記観察者及び前記光源とを結ぶ方向に対しほぼ直交する成分を多く有するように反射板を構成することが出来る。しかしながら、この方法においても、特許第3394926号と同様なフォトマスクを用いているために、図7aに示すように前記観察者及び前記光源とを結ぶ方向に対しほぼ直交する成分の断面形状は等方的になり、特許第3394926号と同様に損失が生じ、明るい反射特性を有する反射板を作製することができない。さらに、それを解決するために特開2004-037946号公報に提示されているように、基板上に配置された第1の傾斜樹脂層と、前記第1の傾斜樹脂層の上に配置された第2の樹脂層で反射板を構成することもできる。この製造方法では、第1の傾斜樹脂層を形成する際に、例えば第1の実施形態に記載されたシフタ方式によるハーフトーンマスクを用いる方式を用いる方法や、第2の実施形態に記載されたサイズの異なる2種類の異なるサイズの長方形を有するマスクを用い光の干渉を利用して膜減りを制御する方法、第3の実施形態に記載されたフォトマスクを平行移動させて露光する方法でそれぞれ傾斜樹脂層を作製している。しかしながら、第1の実施形態で採用されているハーフトーンマスクはシフタ方式のため設計や作製が複雑なこと、第2の実施形態では光の干渉を用いるためマスクパターンの出来が大きな影響を与えることで均一な凹凸パターンを得ることが困難なこと、第3の実施形態ではフォトマスクを移動させて2回露光を行う必要があり、1回目の露光位置と2回目の露光位置の重ね合わせが難しく、凹凸形状にばらつきが生じやすい。さらに第1の傾斜樹脂層と第2の樹脂層と2回フォトリソグラフィー工程を繰り返す必要があり、マスクとの重ね合せによる形状のバラつきの発生やプロセスが増加するため歩留まりの低下の要因となり、これらにより、明るい反射特性を有する反射板を安価に作製することができない。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、入射光を効率的に観察者側に反射して明るい反射特性を得ることができる反射板の構造及び該反射板を備える液晶表示装置並びに該反射板を安価に作製することができる製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の方法は、外部からの入射光を反射する反射板の製造方法であって、基板上に感光性樹脂を塗布する工程と、解像限界以上のサイズのパターンを備える遮光領域と、解像限界未満のサイズのパターンを備える第1の透過領域と、パターンのない第2の透過領域と、を含むフォトマスクを用いて、前記感光性樹脂を露光する工程と、露光後の前記感光性樹脂を現像して、膜厚が異なる3種類の領域を同時に形成する工程と、現像後の前記感光性樹脂を加熱処理する工程と、加熱処理後の前記感光性樹脂上に反射膜を形成する工程と、を含むものである。このように、本発明では、凹凸を構成する各々の凸部が、その頂部が同じ方向に偏ったすなわち、入射光が入射する側で傾斜角が相対的に小さい又は斜面の長さが相対的に長い形状となるように反射板を形成しているため、必要な方向の反射成分を増やすことができ、これにより、明るい反射特性を有する反射板及び該反射板を備える表示品位の高い液晶表示装置を得ることができる。この効果を、図7を用いて説明すると、従来のフォトリソグラフィー法で作製された拡散反射板の場合、図7aに示すように、外部から入射した光は凹凸の断面では正反射方向を中心に等方的に反射されるために、正反射方向に対して観察者とは反対側の方向にも光が散乱されてしまうが、本発明の拡散反射板の場合、入射光の入射側の傾斜部の傾斜角が小さく又は斜面の長さが長く形成されているため、図7bに示すように、基板の法線方向観察者方向に効率的に光を集光することができる。また、凹凸を多角形や円形などの基本図形を配置して形成することにより、様々な方向からの入射光を有効に利用することができる。また、本発明では、フォトリソグラフィー工程に用いるフォトマスクを、解像限界以上のサイズのパターンを備える遮光領域と解像限界未満のサイズのパターンを備える第1の透過領域とパターンのない第2の透過領域とを組み合わせて構成することにより、露光量の異なる3つの領域を同時に形成することができる。これにより、フォトマスクを従来のプロセスで作製できると同時に、反射板を作製するプロセスも簡略化されるため製造タクトが短縮され、さらに歩留まりも向上し、これらの効果により、明るい反射特性を有する反射板及び該反射板を備える液晶表示装置を安価に作製することができる。本発明の反射板及び該反射板を備える液晶表示装置並びにその製造方法によれば、下記記載の効果を奏する。本発明の第1の効果は、十分に明るい反射特性を有する反射板及び該反射板を備える表示品位の高い液晶表示装置を得ることができるということである。その理由は、液晶表示装置の一方の基板に形成される反射板を、その頂部が同じ方向に偏った形状すなわち、各々の凸部の頂部と該凸部周囲の凹部との間の傾斜部が、入射光が入射する側で傾斜角が相対的に小さい又は斜面の長さが相対的に長い形状で形成することにより、基板の法線方向すなわち、実際の使用形態における観察者の視認方向の反射成分を増やし、不要な方向の反射成分を減らすことができるからである。また、本発明の第2の効果は、上記構造の反射板及び該反射板を備える液晶表示装置を安価に作製することができるということである。その理由は、反射板の凹凸を形成するためのフォトマスクを、解像限界以上のサイズのパターンを備える遮光領域と解像限界未満のサイズのパターンを備える第1の透過領域とパターンのない第2の透過領域とを組み合わせて構成することにより、露光量の異なるすなわち現像後の膜厚が異なる3つの領域を同時に形成することができ、これにより、フォトマスクを従来のプロセスで作製可能にすると共に、反射板を作製するプロセスを簡略化して製造タクトを短縮し、さらに歩留まりも向上させることができるからである。本発明の反射板は、その好ましい一実施の形態において、入射光を任意の方向へ拡散反射させる拡散反射板であって、その頂部が同じ方向に偏った形状すなわち、各々の凸部の頂部と該凸部周囲の凹部との間の傾斜部を、入射光が入射する側で傾斜角が相対的に小さくなる形状、又は、入射光が入射する側で斜面の長さが相対的に長くなる形状で凹凸を形成することにより、拡散反射の成分のうち、実際の使用形態における観察者の視認方向の成分を増やして明るい反射特性を得るようにし、また、この拡散反射板を解像限界以上のサイズのパターンを備える遮光領域と解像限界未満のストライプ状またはドット状のパターンを備える第1の透過領域とパターンのない第2の透過領域とを組み合わせて構成したフォトマスクを用いて作製する。上記フォトマスクにより、従来使用していた解像限界以上のパターンを一部に用いるフォトリソグラフィー法ではなしえなかった凹凸の異方性形状を一度の露光で形成可能にし、必要な方向の反射成分を増加させ、不要な方向の反射成分を減少させると共に、多角形や円形等の基本図形を配置して凹凸を形成することにより様々な方向から入射する光を観察者側へ効率的に反射することが可能となり、十分に明るい反射特性を有する反射板及び該反射板を備える表示品位の高い液晶表示装置を、簡単な製造工程で歩留まり良く安価に作製することができる。上記実施の形態について更に詳細に説明すべく、本発明の第1の実施例に係る反射板及びその製造方法について、図1乃至図7を参照して説明する。図1は、本実施例の反射板の製造方法を示す工程断面図であり、図2は、反射板を製造するために用いるフォトマスクのパターンのバリエーションを示す平面図である。また、図3は、従来のフォトマスクと本実施例のフォトマスクのパターンを比較した図であり、図4は、従来及び本実施例のフォトマスクで作製した反射板の外観写真である。また、図5は、反射特性の測定方法を説明するための図であり、図6は、従来の方法で作製した反射板の反射特性と本実施例の方法で作製した反射板の反射特性の測定データ、図7は、各々の反射特性を模式的に示す図である。以下、本実施例の反射板の製造方法について図1を参照して具体的に説明する。まず、図1aに示すように、所定の基板例えば、後述する第2の実施例で液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を作製するためのガラス、プラスチックなどの透明絶縁基板8上に、ポジ型の感光性樹脂11a例えば、製品名:PC403:JSR製を0.5~5μm程度の膜厚本実施例では約2.2μm厚で塗布する。次に、図1bに示すように、解像限界以上のサイズのパターンで構成される遮光膜30aを有する遮光領域31aと、遮光領域31aに隣接し、解像限界未満のサイズのパターンで構成される遮光膜30bを有する第1の透過領域31bと、パターンが形成されていない第2の透過領域31cの3つの領域を備えるフォトマスク32を感光性樹脂11a上に配置して露光を行う。上記遮光領域31a、第1の透過領域31b、第2の透過領域31cの幅や配置、形状は適宜設定することができるが、ここでは、図2e及び図3bに示すように、辺の太さが約2.5μm、平均辺長が約18μmの六角形を平面方向に不規則に配置し、六角形の所定方向の辺の内側に約1μmのライン状のパターンを加えたマスクを用い、高圧水銀灯のg線436nm、h線405nmを光源として露光を行った。この場合、解像限界は約2μmであり、六角形の辺に相当する遮光領域31aは約2.5μmであることから解像限界以上となって十分に解像され、約1μmのライン状のパターンを設置した第1の透過領域31bは解像限界未満となって十分に解像されない。また、第1の透過領域31bでは、ライン状のパターンにより光が一部遮光されるため、パターンのない第2の透過領域31cに比べると露光される光の積分値が少なく、また、遮光領域31aに比べると露光される光の積分値は多くなる。ここでは、第2の透過領域31cを露光する露光量の積分値は、現像後においても感光性樹脂が約50残る程度の露光量に設定した。なお、ここでは凹凸のパターンを六角形が不規則に配置される形状としたが、パターンの形状は特に限定されず、例えば、図2a~cに示すように3角形や5角形、6角形などの多角形を規則的に配置したり、図2dに示すように多角形の内部を遮光パターンにしたり、図2fに示すように円形や楕円形のパターンとしたり、図2gに示すように波形にしたり、図2hに示すように屈曲線にするなどの変形も可能である。また、ここでは、第1の透過領域31bに約1μmのライン状のパターンを形成したが、上記光源の場合は2μm以下のパターンであればよく、また、短波長の光源例えば、高圧水銀灯のi線やエキシマーレーザーなどを用い、縮小露光系を用いた場合にはさらに細いパターンにすることもできる。次に、図1cに示すように、現像液として、例えば、TMAHTetramethylammoniumhydroxideを用いて現像を行い、露光部分を除去する。本実施例の場合は、現像後の感光性樹脂11aの膜厚は、遮光領域31aが元の膜厚の約2.2μm、第1の透過領域31bが約1.5μm、第2の透過領域31cが約1.1μmとなった。次に、凹凸を形成した感光性樹脂11aを約220°Cで約2時間焼成し、図1dに示すように、凹凸形状をなめらかにして凹凸膜11を形成する。そして、図1dに示すように、凹凸膜11の上にAl-Nd合金などの金属をスパッタリング法などで堆積して反射膜6を形成する。なお、上記製造方法では、感光性樹脂としてポジの感光性樹脂を用いたが、ネガの感光性樹脂を用いても構わない。この場合、遮光領域31aを第2の透過領域31c、第2の透過領域31cを遮光領域31aと読み替えればよい。また、第1の透過領域31bの遮光パターンが、前記多角形の辺の内の一部の辺に沿って形成されている構成としたが、ドット状のパターンとしたり、ライン状とドット状のパターンを組み合わせてもよいし、ライン状またはドット状の密度を段階的に変化させて透過率を段階的に変えるようにしてもよい。また、第1の透過領域31bの透過率は傾斜角に応じて適宜設定することができるが、第2の透過領域31cの透過率を100とした場合に、約20以上80以下とすることが望ましい。次に、上記方法で作製した反射板の効果について説明する。図3aは従来のフォトマスクのパターン、図3bは、本実施例のフォトマスクのパターンを示す図であり、図4aは、図3aのフォトマスクを用いて作製した従来の反射板の外観写真、図4bは、図3bのフォトマスクを用いて作製した本実施例の反射板の外観写真である。図4に示すように、従来のフォトマスク図3aのフォトマスクを用いて作製した反射板図4aは、各々の凸部の頂部から周囲の凹部に向かう傾斜部分図の黒い部分の傾斜角が略等しく、斜面の長さが略一定であるのに対して、本実施例のフォトマスク図3bのフォトマスクを用いて作製した反射板図4bは、解像限界未満のパターンの領域に対応する傾斜部分の傾斜角が小さくなり、その斜面の長さ凸部の頂部から凹部に至る距離が長くなっていることが分かる。また、図5は、反射率の測定方法を説明するための図であり、-30°方向から入射した光の反射を0°および10°で受光した場合の反射率を示している。また、図6は、反射率の測定結果を示す図であり、反射率は-30°方向から入射した光をBaSO4などで作製された標準白色版製品名WS-3:Topcon製で拡散反射させた場合に0°で受光した時の反射率を100としてその相対反射率を示している。図6より、解像限界未満のパターンを加えた本実施例のフォトマスクを用いて作製した反射板の方が、従来の反射板に比べて反射率が向上していることが分かる。これは、従来の対称形の凹凸パターンでは、図7aに示すように、入射光が等方的に反射されるため不必要な方向の成分が多くなるのに対して、本実施例の凹凸パターンでは、傾斜角が小さい又は斜面の長さが長い傾斜部分を光の入射側に配置することによって、図7bに示すように、観察者側に反射される成分が増加し不必要な方向の成分が減少することに起因している。なお、図14aのような状況下で目視で官能評価した場合にも明らかに明るくなっており、光源の位置が移動しても視認性の低下は見られないことを確認している。このように、本実施例では、解像限界以上のサイズのパターンを有する遮光領域31aと、解像限界未満のサイズのパターンを有する第1の透過領域31bとが隣接し、その外側にパターンのない第2の透過領域31cを備えるフォトマスク32を用いて、傾斜角が小さい又は斜面の長さが長い傾斜部分を有する凹凸を形成することができ、この傾斜角が小さい又は斜面の長さが長い傾斜部分を光の入射側に配置することによって基板の法線方向すなわち、実際の使用形態における観察者の視認方向の反射成分を増加させることができ、不必要な方向の成分を減らして明るい反射特性を有する反射板を安価に作製することができる。次に、本発明の第2の実施例に係る液晶表示装置及びその製造方法について、図8乃至図12を参照して説明する。図8は、本実施例の半透過反射型液晶表示装置の一画素の構造を示す平面図であり、図9は、そのA-A線における断面図、図10及び図11は、その製造方法を示す工程断面図である。また、図12は、半透過反射型液晶表示装置の他の構造を示す断面図である。なお、図9はツイスト角が略72°で、反射ギャップと透過ギャップとが等しい場合、図12は、ツイスト角が略0°の場合を示している。図8及び図9に示すように、本実施例の半透過反射型液晶表示装置は、スイッチング素子として動作する薄膜トランジスタTFT3が形成されたアクティブマトリクス基板12と、対向基板16と、両基板12、16間に介挿された液晶層17と、アクティブマトリクス基板12の裏面に配置されたバックライト光源18と、アクティブマトリクス基板12及び対向基板16の各々の外側に設けられた位相差板λ/4板20a、20b及び偏光板19a、19bとを備えている。また、アクティブマトリクス基板12は、透明絶縁基板8と、透明絶縁基板8上に形成されたゲート線走査電極1及びデータ線信号電極2と、ゲート線1に接続されたゲート電極1aと、コモンストレージ線4及び補助容量電極4aと、ゲート絶縁膜9と、半導体層3aと、半導体層3aの両端から引き出されてそれぞれデータ線2及び画素電極透明電極膜5に接続されたドレイン電極2a及びソース電極2bと、容量用蓄積電極2cと、パッシベーション膜10などを備え、ゲート電極1a、ゲート絶縁膜9、半導体層3a、ドレイン電極2a及びソース電極2bにより、TFT3が構成されている。ここで、画素電極は、信号電極2と走査電極1との交点と1対1に対応して設けられている。そして、画素領域PXには、バックライト光源18からの入射光を透過させる透過領域PXaと、入射された外部周囲光を反射させる反射領域PXbとが設けられて、各領域は有機膜等の凹凸膜11により覆われている。反射領域PXbにはアルミAl又はアルミAl合金を含む反射膜6この例では反射領域PXbに形成する金属膜は電極として用いる必要がないため反射膜6と呼ぶ。が形成され、反射膜6を覆う態様で各画素領域PX全面に、第2のパッシベーション膜24を介して、ITO等からなる透明電極膜5が形成され、コンタクトホール7を通じてソース電極2bに接続されている透明電極膜5は画素電極として働き、この透明電極膜5上にはポリイミド等から成る配向膜29が形成されている。一方、対向基板16は、透明絶縁基板13と、カラーフィルタ14と、ブラックマトリクス図示せずと、対向電極15と、配向膜29などを備えている。なお、上述したようにTFT3を反射膜6で覆うことにより、外部周囲光がTFT3に入射した場合にこの入射光を反射膜6で遮蔽することができる。これにより、その入射光に起因して生ずる光電効果によりTFT3のオフ電流が増加して、誤動作を引き起こすという不具合を防止することができる。しかしながら、反射膜6とTFT3との距離が短いと、TFT3に印加される電圧特に、ゲート電圧の影響で、電気的に浮いている反射膜6の電位が変化して、液晶の制御電界を乱してしまう恐れがある。そこで、この例では、凹凸膜11をTFT3上にも形成して、凹凸膜11を介在させてTFT3と反射膜6との距離を稼ぐことにより、上記TFT3に印加される電圧による反射膜6に対する影響を緩和している。次に、図10及び図11を参照して、上記構成の半透過反射型液晶表示装置の製造方法を工程順に説明する。なお、ここでは、上記画素構造の製造方法に加えて、導電シールによる引き出し配線のショートを防止するためのGGate-DDrain変換部の具体的な構造の製造方法についても説明する。このG-D変換部は、ドレイン電極2aを電気的に外部に引き出す必要がある場合に、構造上の制約によりショートが起き易く直接引き出すのが困難であることから、透明電極膜5を介してゲート線1により引き出すために設けられている。まず、図10aに示すように、ガラス、プラスチック等の透明絶縁基板8上にCr等の金属を全面に堆積した後、公知のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて不要の金属を除去してゲート線1、ゲート電極1a、コモンストレージ線4及び補助容量電極4aを形成する。なお、図9に図示されていない構成部は、図8に図示している。次に、SiO2、SiNx、SiOx等のゲート絶縁膜9を全面に形成する。次に、aamorphous-Si等を全面に堆積した後、島状にパターニングして半導体層3aを形成する。次に、Cr等の金属を全面に堆積した後、パターニングして、データ線2、ドレイン電極2a、ソース電極2b及び容量用蓄積電極2cを形成する。以上により、TFT3を形成する。その後、プラズマCVDChemicalVaporDeposition法等によりSiNx膜等から成るパッシベーション膜10を全面に堆積して、TFT3を保護する。また、透明絶縁基板8上の画素領域PXの外側に、上記G-D変換部及び端子部を設定する。次に、図10bに示すように、スピン塗布法によりパッシベーション膜10上に感光性のアクリル樹脂、例えばJSR製PC403、415G、405G等を塗布して、画素領域PXに凹凸膜11を形成する。この凹凸膜11は、凸部に対応する部分には解像限界以上のサイズのパターンで作製した遮光領域31aと、解像限界未満のサイズのパターンで形成された第1の透過領域31bと、第1の透過領域31bよりも透過率が高くなるように設計された上記凹部に対応する第2の透過領域31cと、コンタクトホール7、G-D変換部及び端子部に対応する部分にはパターンを設置しない第3の透過領域を作製したフォトマスクを用いて第1の実施例と同様の方法で形成すればよい。このようなフォトマスクを用いることにより、1回の露光で凹凸を形成し、G-D変換部及び端子部となる領域も同時に形成することができる。なお、コンタクトホール7を形成する領域、G-D変換部及び端子部となる領域は別のフォトマスクを用いて比較的多い光量により露光することで完全に感光性樹脂を除去する構成とすることもできる。その後、アルカリ現像液を用い、凹部、凸部、コンタクトホール7等のそれぞれのアルカリ溶液による溶解速度の差を利用して凹凸を形成する。なお、図では反射領域PXb、透過領域PXaを含む画素領域PXの全体にわたって凹凸膜11を形成しているが、透過領域PXaに形成する凹凸膜11の表面には凹凸を設けずに平坦にしてもよい。また、透過領域PXaにも凹凸膜11を形成する場合は、凹凸膜11による透過光の減衰を抑制するために、全面に露光処理を施してアクリル膜の脱色を行う。その後、例えば、220°Cで1時間程度キュアすることにより傾斜部分の傾斜角が小さい又は斜面の長さが長い部分を有する凹凸膜11を形成する。なお、前述したように、TFT3とその上に形成する反射膜6との間隔が狭いと、TFT3に印加されるゲート電圧等によって反射膜6の電位が変動し、液晶の制御電界が乱れて表示品位を劣化させる恐れがある。そこで、この例では、TFT3上にも凹凸膜11を形成する。次に、図10cに示すように、スパッタ法又は蒸着法等を用いて全面にアルミAlやアルミAl合金などの金属を堆積した後、画素領域PXの内反射領域PXbのみをレジストパターンで覆い、露出した金属を部分的にドライエッチング又はウェットエッチングして反射膜6を形成する。その際、TFT3に対して外部周囲光が入射しないように、TFT3上にも反射膜6を形成する。この場合、ゲート線1やデータ線2の影響を抑え、さらにこの後に透明電極膜5で完全に覆うことできるように、反射膜6をゲート線1やデータ線2の内側の領域に形成する。なお、この反射膜6として通常アルミAl又はアルミAl合金が用いられるが、これらの材料に限らずに、反射率が高く、液晶プロセスに適合する任意の金属を用いることができる。次に、図11aに示すように、プラズマCVD法等によりSiOx等から成る絶縁膜を全面に堆積した後、この絶縁膜上にレジストパターンを形成して、第2のパッシベーション膜24を形成する。次に、第2のパッシベーション膜24、パッシベーション膜10及びゲート絶縁膜9の露出した部分を選択的にエッチングして、コンタクトホール7を介してソース電極2bを露出させると共に、G-D変換部及び端子部にもコンタクトホールを形成する。次に、図11bに示すように、スパッタ法により全面にITO等の透明性導電膜を堆積した後、レジストパターンを用いて各々の画素全面を覆う透明電極膜5、G-D変換電極22及び端子電極23を同時に形成する。その際、下層の反射膜6の電食反応を防止するために、反射膜6全面を覆うように、例えば、ゲート線1やデータ線2上まで透明電極膜5を形成する。このような反射膜6と透明電極膜5との積層構造及びレイアウト構造により、反射膜6が現像液に接触することを防止することができる。この例では、反射膜6と透明電極膜5との間に第2のパッシベーション膜24が形成されており、反射膜6は電気的に浮いた状態となっているため、TFT3に印加されるゲート電圧等により反射膜6の電位が変動することが懸念されるが、上述したように、TFT3上にも凹凸膜11を形成し、この凹凸膜11によってTFT3と反射膜6との距離を確保して、TFT3の反射膜6に対する影響を十分に緩和することができる。その後、透明電極膜5上にポリイミドから成る配向膜29を形成してアクティブマトリクス基板12を完成させる。次に、透明絶縁基板13上に順次にカラーフィルタ14、ブラックマトリクス図示せず、対向電極15、配向膜29等を形成して完成させた対向基板16を用意する。そして、両基板12、16間に液晶層17を介挿し、各々の基板12、16の両側に位相差板20a、20bと偏光板19a、19bとを配設し、アクティブマトリクス基板12側の偏光板19aの裏面にバックライト光源18を設置することにより、図9に示したような半透過反射型液晶表示装置を製造する。このように、本実施例の半透過反射型液晶表示装置及びその製造方法によれば、第1の実施例で示したように、入射光の入射側の傾斜部分の傾斜角が小さい又は斜面の長さが長い凹凸膜11上に形成した反射膜6により、観察者側に光を効率的に集光することができるため、視認性の高い反射特性が得られる。また、上記凹凸膜11の形成に際して、解像限界以上のサイズのパターンで作製した遮光領域31aと、解像限界未満のサイズのパターンで形成された第1の透過領域31bと、パターンのない第2の透過領域31cとを備えるフォトマスクを用いることにより、一度の露光で露光量の異なるすなわち、現像後の膜厚が異なる3つの領域を形成することができ、少ない工程で歩留まりよく凹凸膜11を作製することができる。なお、本実施例では、スイッチング素子として、アモルファスシリコンを使用したTFTを用いたが、ポリシリコンを用いたTFT素子やほかの素子例えば薄膜ダイオードTFDを用いてもよく、またパッシブ方式の反射板としても良好な特性を与える。また、図9の半透過反射型液晶表示装置は、液晶のツイスト角が略72°の液晶を用いた例であるため、反射ギャップdrと透過ギャップdfとを等しく、つまり、反射領域PXbと透過領域PXaの両方に略等しい膜厚の凹凸膜11を形成しているが、液晶のツイスト角を略0°~略60°に設定した場合には、反射ギャップdrと透過ギャップdfとを変えることにより最適な出射光強度を得ることができる。図12は、本実施例の半透過反射型液晶表示装置の第1の変形例を示す断面図である。この半透過反射型液晶表示装置は、図12に示すように、液晶のツイスト角を略0°に設定して、凹凸膜11を反射領域PXbにのみに形成して、その膜厚を略1.4μm2.9μm-1.5μmに設定することにより、反射ギャップを略1.5μmに最適化したものである。この構造を実現するには、例えば、図10bの工程で凹凸膜11を形成する際に、感光性のアクリル樹脂の塗布条件を調整して略1.4μmの膜厚となるように設定し、ソース電極2b上にコンタクトホール7を形成すると同様に、透過領域PXaの凹凸膜11を同時に除去すれば良い。その後、上述の工程と略同様の工程を行うことにより、最終的に図12に示すようにツイスト角が略0°に対応した、反射ギャップdrが略1.5μm、透過ギャップdfが略2.9μmの半透過反射型液晶表示装置を製造することができる。また、本実施例では、半透過反射型液晶表示装置を製造する方法を示したが、透過領域PXaをなくすことで反射型液晶表示装置として製造することも可能である。また、上記実施例では、第1の実施例で示した反射板を液晶表示装置に適用する場合について記載したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、所定の方向の反射率を高める機能を備える任意の用途の反射板に適用することができる。