"基板の第1の面に複数の凸部を形成する工程と、前記複数の凸部の間に金属を充填して金属構造体を形成する工程と、前記金属構造体が形成された領域の外周部又は前記第1の面と対向する前記基板の第2の面における前記外周部に対向する部分の少なくともいずれか一方にマスク層を形成する工程と、前記マスク層をマスクとして前記基板をエッチングする工程と、を有することを特徴とする構造体の製造方法。基板の第1の面に複数の凹部を形成する工程と、前記複数の凹部に金属を充填して複数の金属構造体を形成する工程と、前記複数の金属構造体が形成された領域の外周部又は前記第1の面と対向する前記基板の第2の面における前記外周部に対向する部分の少なくともいずれか一方にマスク層を形成する工程と、前記マスク層をマスクとして前記基板をエッチングする工程と、を有することを特徴とする構造体の製造方法。前記マスク層を形成する工程は、前記金属構造体が形成された領域の外周を1/2以上含む前記外周部又は前記第2の面において、前記金属構造体が形成された領域の外周を1/2以上含む前記外周部に対向する部分の少なくともどちらか一方にマスク層を形成することを特徴とする請求項1に記載の構造体の製造方法。前記マスク層を形成する工程は、前記複数の金属構造体が形成された領域の外周を1/2以上含む前記外周部又は前記第2の面において、前記複数の金属構造体が形成された領域の外周を1/2以上含む前記外周部に対向する部分の少なくともどちらか一方にマスク層を形成することを特徴とする請求項2に記載の構造体の製造方法。前記エッチングする工程は、前記複数の凸部と、前記第2の面における該複数の凸部に対向する部分と、をエッチングし、前記金属構造体に空間を形成することを特徴とする請求項1又は3に記載の構造体の製造方法。前記エッチングする工程は、前記複数の凹部の間と、前記第2の面における該複数の凹部の間に対向する部分と、をエッチングし、前記複数の金属構造体同士の間に空間を形成することを特徴とする請求項2又は4に記載の構造体の製造方法。前記マスク層は前記金属構造体が形成された領域の外周部と前記第2の面に形成されており、前記第2の面に形成されたマスク層は、前記第2の面において、前記金属構造体が形成された領域の外周部に設けられたマスク層と対向する部分の少なくとも一部を含む第1の部分と、前記金属構造体が形成された領域の外周部に設けられたマスク層と対向する部分の内側の一部を含む第2の部分と、に形成され、前記エッチングをする工程は、前記金属構造体が形成された領域の外周部に形成された前記マスク層と前記第2の面に形成された前記マスク層とをマスクとしてエッチングを行うことで、前記金属構造体が形成された領域の外周部に設けられた前記マスク層の内側に形成されたエッチング溝と、前記第2の面において、第1の部分に形成された前記マスク層と前記第2の部分に形成された前記マスク層との間に形成されたエッチング溝と、を連通させることにより、前記金属構造体と前記第2の面とに挟まれた基板の一部を除去することを特徴とする請求項1,3,5のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。前記マスク層は前記複数の金属構造体が形成された領域の外周部と前記第2の面に形成されており、前記第2の面に形成されたマスク層は、前記第2の面において、前記複数の金属構造体が形成された領域の外周部に設けられたマスク層と対向する部分の少なくとも一部を含む第1の部分と、前記複数の金属構造体が形成された領域の外周部に設けられたマスク層と対向する部分の内側の一部を含む第2の部分と、に形成され、前記エッチングをする工程は、前記複数の金属構造体が形成された領域の外周部に形成された前記マスク層と前記第2の面に形成された前記マスク層とをマスクとしてエッチングを行うことで、前記複数の金属構造体が形成された領域の外周部に設けられた前記マスク層の内側に形成されたエッチング溝と、前記第2の面において、第1の部分に形成された前記マスク層と前記第2の部分に形成された前記マスク層との間に形成されたエッチング溝と、を連通させることにより、前記複数の金属構造体と前記第2の面とに挟まれた基板の一部を除去することを特徴とする請求項2,4,6のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。基板と、前記基板の中に設けられている金属構造体と、を備え、前記金属構造体には複数の孔が配列されて設けられており、前記複数の孔のそれぞれは、前記基板の第1の面に凹状の空間を形成することを特徴とする構造体。前記基板は、複数の凸部を有し、前記複数の凸部のそれぞれは、前記複数の孔のそれぞれに配置されており、前記複数の孔のそれぞれの一部分が、前記凹状の空間を形成することを特徴とする請求項9に記載の構造体。前記複数の孔のそれぞれの全部分が、前記凹状の空間を形成することを特徴とする請求項9に記載の構造体。前記基板において、前記第1の面と対向する面を第2の面とすると、前記基板の第1の面における前記金属構造体が設けられている領域と対向する前記基板の第2の面における領域の少なくとも一部に、空間を形成する凹部が設けられており、前記凹状の空間と前記凹部が形成する空間とは、繋がっていることを特徴とする請求項9に記載の構造体。基板と、前記基板の中に設けられている金属構造体と、を備え、前記金属構造体には複数の孔が配列されて設けられており、前記基板の第1の面における前記金属構造体が設けられている領域と対向する前記基板の第2の面における領域の少なくとも一部に、空間を形成する凹部が設けられていることを特徴とする構造体。基板と、前記基板の中に配列されて設けられている複数の金属構造体と、を備え、前記複数の金属構造体の間には空間が設けられており、前記空間は、前記基板の第1の面に凹状の空間を形成することを特徴とする構造体。基板と、前記基板の中に配列されて設けられている複数の金属構造体と、を備え、前記基板の第1の面における前記複数の金属構造体が設けられている領域と対向する前記基板の第2の面における領域の少なくとも一部に、空間を形成する凹部が設けられていることを特徴とする構造体。前記基板は、枠体であることを特徴とする請求項7乃至13のいずれか1項に記載の構造体。X線源からのX線を回折する回折格子と、前記回折格子からのX線の一部を遮る請求項7乃至14のいずれか1項に記載の構造体と、前記構造体からのX線を検出する検出器と、を備えた撮像装置。しかしながら特許文献1に開示されている方法で製造される遮蔽格子の透過部はシリコンで形成されている。シリコンは、金のようなX線吸収率の高い金属と比較するとX線吸収率は小さいが0ではないため、X線を吸収する。その結果、遮蔽部を漏れて透過したX線量と透過部を透過したX線量とのコントラストX線遮蔽コントラストが低下したり、検出器に到達するX線量が低下したりするという課題があった。本発明はこの様な課題に鑑み、従来の透過部よりもX線の透過率の高い透過部を備える構造体を提供することを目的とする。その目的を達成するために、本発明の一側面としての構造体の製造方法は、基板の第1の面に複数の凸部を形成する工程と、前記複数の凸部の間に金属を充填して金属構造体を形成する工程と、前記金属構造体が形成された領域の外周部又は、前記第1の面と対向する前記基板の第2の面における前記外周部に対向する部分の少なくともいずれか一方にマスク層を形成する工程と、前記マスク層をマスクとして前記基板をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。本発明のその他の側面については、以下で説明する実施の形態で明らかにする。本発明によれば、従来の透過部よりもX線の透過率が高い透過部を備える構造体を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。本発明の実施形態に係る構造体の製造方法は、下記の工程を有する。1基板の第1の面に凹部を形成する工程。2基板の凹部に金属を充填して金属構造体を形成する工程。3金属構造体が形成された領域の外周部、又は第1の面と対向する第2の面における、外周部に対向する部分の少なくともいずれか一方にマスク層を形成する工程。4マスク層をマスクとして基板をエッチングする工程。尚、本明細書では基板の第1の面に凸部凸状構造体を形成することで凹部を形成することも、基板の第1の面に凹部を形成するという。上記1から4の工程によって製造される構造体として、X線タルボ干渉法を行う撮像装置で用いる遮蔽格子が挙げられる。遮蔽格子は、X線遮蔽部に入射したX線を遮蔽し、X線透過部に入射したX線を透過する。尚、X線遮蔽部は、入射したX線の80以上を遮蔽できることが好ましい。例えば、入射するX線のエネルギーが17.7keVのとき、透過部にSiが存在する場合はSiの厚さは100μm以上500μm以下であることが好ましい。また、入射するX線のエネルギーが17.7keVのとき、遮蔽部が金からなる場合は金の厚さが20μm以上200μm以下の厚さであることが好ましい。以下、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。実施形態1実施形態1では1次元の構造体の製造方法について図1に基づいて説明をする。但し、1次元の構造体とは、複数の金属構造体が1次元に配列された構造体であり、X線遮蔽部とX線透過部とが1次元に配列された1次元遮蔽格子として用いることができる。第1工程まず、図1aに示す様に、シリコン基板1の第1の面10に複数の凹部2を形成する第1工程について説明する。本実施形態では、エッチングを用いてシリコン基板1の第1の面10に複数の凹部2を形成する。本実施形態により製造される構造体を遮蔽格子として用いる場合、複数の凹部2が最終的に遮蔽格子の遮蔽部となる。そのため、1次元遮蔽格子を製造する場合は、複数の凹部2がシリコン基板1の第1の面10において、1次元に配列されるようにエッチングを行う。エッチング方法としては、シリコンの結晶方位面のエッチング選択性を利用したアルカリ水溶液によるウェットエッチングを使用することができる。また、イオンスパッタや反応性ガスプラズマ等のドライエッチング法も使用することができる。反応性ガスプラズマによるドライエッチングの中でも、反応性イオンエッチングRIEが高アスペクト比の凹部2を形成するのに適している。更にRIEの中でも、SF6ガスによるエッチングとC4F8ガスによる側壁保護膜の堆積を交互に行うBoschプロセスのRIEが、より高アスペクト比の凹部2を形成するのに適している。尚、ここで凹部2を狭ピッチで高アスペクト比に形成すると、最終的に狭ピッチで高アスペクト比な構造体を製造することができる。また、本実施形態ではシリコン基板をエッチングすることにより複数の凹部を形成したが、例えばガラスの上にフォトレジスト膜が形成された基板を用いてフォトリソグラフィを用いることにより複数の凹部を形成しても良い。第2工程次に、図1bに示す様に、複数の凹部2に金属を充填して複数の金属構造体3を形成する第2工程について説明する。金属の充填方法としては凹部2上に金属を配置し、金属を溶融させる方法をとることができる。また、CVDChemicalVaporDeposition、真空スパッタ、真空蒸着を用いて金属を充填しても良い。また、この他の金属の充填方法としてめっきを用いてもよい。めっきを用いて凹部2に金属を充填する方法の一例を簡単に説明する。まず、凹部2に絶縁層を形成した後、凹部2の底部の絶縁層を除去し、凹部2の底部のシリコンを露出させる。露出した凹部2の底部のシリコン上に金属膜を成膜し、これをモールドとして用いる。モールドへの通電はシリコンを通じて行う。こうすることによって金属膜上に金属を充填することが可能である。これらの方法で充填された金属が凹部2からはみ出した場合は研磨にて除去することができる。本実施形態では凹部2に充填する金属として金または金の合金を用いる。金はX線吸収率が大きいため、凹部2に充填する金属として金又は金の合金を用いるとX線吸収率が大きい金属構造体を形成することができ、X線遮蔽コントラストの大きな構造体を形成することが可能になる。また、金と金の合金は比較的容易にめっきによる凹部2への充填が可能な金属である。第3工程次に、図1cに示す様に、シリコン基板1の、複数の金属構造体3が形成された領域の外周部以下、単に外周部と呼ぶことがある。と、その外周部に対向する部分にマスク層44a,4bを形成する第3工程について説明する。尚、外周部に対向する部分とは、シリコン基板の第1の面に対向する第2の面における、外周部に対向する部分である。また、本実施形態において複数の金属構造体3が形成された領域とは複数の金属構造体と、隣り合う金属構造体の端部同士をつないだ線に囲まれた領域であり、例を図6a,bに示した。図6a,bはシリコン基板に形成した凹部に金属を充填して金属構造体を形成した状態を第1の面側から見た図である。図6aのように、複数の金属構造体が全て同じ大きさで且つ、金属構造体の端部が一直線上に並んでいるとき、複数の金属構造体が形成された領域20は四角形である。また、図6bのように、複数の金属構造体の端部が一直線上に並んでいないときでも、隣り合う金属構造体の端部同士をつないだ線に囲まれた領域を複数の金属構造体が形成された領域21と呼ぶ。尚、外周部とは複数の金属構造体3が形成された領域の外周を含む部分であり、外周部にマスク層4aを形成すると、複数の金属構造体3のうち、少なくとも1つの金属構造体3上の少なくとも一部にマスク層4aが形成される。本実施形態では、フォトリソグラフィとエッチングを利用してマスク層4を形成する。フォトリソグラフィとエッチングを利用したマスク層4の形成方法の一例を簡単に説明する。まず、真空スパッタ、真空蒸着又はCVDChemicalVaporDepositionを用いて第1の面10と第2の面11にマスク層を成膜する。続いて、下記に説明をする第4工程にてエッチングする領域がマスク層から露出するように、成膜したマスク層にフォトレジストでパターニングし、成膜したマスク層の一部をエッチング除去する。これにより、マスク層4を所望の領域に形成することができる。また、下記の第4工程にてエッチングする領域に予めレジスト層をパターニングしておいてマスク層を成膜した後にレジスト層を溶解し、第4工程にてエッチングする領域に成膜されたマスク層をリフトオフしてもよい。または、下記の第4工程にてエッチングする領域にメタルマスク等を配置し、真空スパッタや真空蒸着によるマスク成膜を行ってもよい。また、これらの方法にて形成されたマスク層4上にめっきを行い厚膜化し、マスク層の物理的な補強とピンホールの減少をさせてもよい。本実施形態のマスク層4の材料は下記の第4工程にて行わるエッチングに対して耐性のあるものから選択する。また、最終的にマスク層4を除去して構造体を使用する場合は、マスク層4の材料は金属構造体3に対してエッチング選択性のあるものから選択する。例えば、シリコンのエッチングにアルカリ性水溶液を用いる場合は、マスク層4の材料として金、銅、ニッケル、鉄を用いることができる。また、フッ硝酸水溶液を用いてシリコンのエッチングを行う場合は、マスク層4の材料として金を用いることができる。但し、上述のように下記の第4工程でシリコンを選択的にエッチングできるのであれば、マスク層4の材料はこれらに限定されない。また、本実施形態では第1の面10と第2の面11の両面にマスク層4を形成したが、いずれか一方の面にのみマスク層44aまたは4bを形成しても良い。例えば、第1の面10上にのみマスク層4aを形成した場合は下記の第4工程で第1の面からエッチングを行い、第2の面11上にのみマスク層4bを形成した場合は下記の第4工程で第2の面からエッチングを行う。また、本実施形態でマスク層4を形成した外周部は、複数の金属構造体が形成された領域の外周全体を有するが、マスク層は外周部の少なくとも一部に形成されていればよい。第4工程次に、図1dに示す様に、シリコン基板1の、マスク層4から露出した領域55a、5bをエッチングする第4工程について説明する。本実施形態では、第1の面10と第2の面11の両面からエッチングを行う。これにより、第1の面10においてマスク層4aから露出した領域5aと、第2の面11においてマスク層4bから露出した領域5bのエッチングが可能である。本実施形態の第4工程におけるエッチングはウェットエッチング、ドライエッチングまたはその両方を併用した方法を用いることができる。但し、エッチングの方法としては第3工程で形成したマスク層4を浸食することなく、マスク層4から露出した領域5のシリコンを選択的にエッチングできる方法を選択する。露出した領域5のシリコンを選択にエッチングする方法の例を挙げる。アルカリ性のエッチング水溶液を用いてウェットエッチングを行う場合、アルカリ性のエッチング水溶液として例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、アンモニウム、ヒドラジンを用いることができる。但し、本実施形態に使用できるアルカリ性のエッチング水溶液はこれらに限定されない。アルカリ性のエッチング水溶液を用いてシリコンをエッチングすると、異方性のエッチングを行うことができる。したがって第1の面10に形成されたマスク層4aと第2の面11に形成されたマスク層4bとに挟まれた領域のシリコンがエッチングされてしまうサイドエッチングを、等方性のエッチングを行った際よりも抑制することができる。これによりマスク層4を形成する面積を小さくできるため、同じ大きさのシリコン基板1を用いる場合、遮蔽格子として使用できる面積を大きくすることができる。また、露出した領域5のシリコンのウェットエッチングにはフッ硝酸の水溶液を用いることもできる。フッ硝酸の水溶液は低温でも高いエッチング速度でシリコンをエッチングすることができるため、エッチング工程に必要な時間を短縮することができる。露出した領域5のシリコンはドライエッチングによりエッチングしても良い。露出した領域5のシリコンの選択的なドライエッチングに用いる反応性ガスとしては、例えばフッ化炭素系のCF4、CHF3等を用いることができる。また、SF6やXeFのようなフッ素系ガスもまた用いることができる。但し、本実施形態に使用できる反応性ガスはこれらに限定されない。マスク層4から露出した領域のシリコン5を厚み方向に対して完全にエッチングを行うと、図1dのようになる。但し、第1の面と第2の面の間をシリコン基板の厚みとすし、図1において厚み方向は上下方向である。このように、厚み方向に対して完全にエッチングを行うと、第1の面に形成された凹状の空間12と、第2の面の一部に形成された、空間を形成する凹部13が連通する。このように第2の面の一部に形成された、空間を形成する凹部13と連通しても、第1の面に凹状の空間12が形成されていると呼ぶ。厚み方向に対するエッチングは必ずしも完全に行う必要はない。構造体のX線透過部の透過率が所望の値にできるのであればシリコンは残してもよい。第4の工程により除去するシリコンは、第3の工程終了時のシリコン基板の厚みの1/4以上が好ましく、1/3以上がより好ましく、1/2以上がさらに好ましい。また、金属構造体3の下に存在するシリコン基板は必ずしもエッチングする必要はない。金属構造体3と同様なパターンにて残せば、残ったシリコンが金属構造体3を支持し、より強固な構造体6となる。また、金属構造体の高さによっては、金属構造体3と同じ幅のパターンにてシリコン基板の一部を残すことにより残されたシリコンがX線の吸収体として働き、構造体のX線遮蔽コントラストを向上させることができる。但し、シリコン基板の厚さ方向を金属構造体の高さ方向とする。本実施形態では複数の金属構造体3が形成された領域の外周部に形成されたマスク層4aと、その外周部に対向する第2の面上の部分に形成されたマスク層4bによりシリコン基板1の一部が残る。この、エッチングにより残ったシリコン基板1の一部を支持体9と呼び、支持体9における金属構造体3との接続部を支持部7と呼ぶ。複数の金属構造体3のそれぞれは、支持部7とマスク層4aに支持されているため、支持体9から脱離しない。また、図1eに示すように、第4工程の後にマスク層4を除去する工程を行っても良い。マスク層4aが除去されても、支持部7のシリコンによって金属構造体3が支持されるため金属構造体3は支持体9から脱離しない。本実施形態のように、1次元の構造体を製造する場合、複数の凹部2同士は独立しているため、その凹部2に充填された複数の金属構造体3同士も独立している。そのため、複数の金属構造体3が配列方向を有することができるように支持部7で複数の金属構造体3を支持する必要がある。そのために、金属構造体3が形成された領域が四角形の場合、金属構造体3が形成された領域の少なくとも、金属構造体の3の配列方向に支持部7が形成されている必要がある。そのためには、金属構造体3が形成された領域の外周部のうち複数の金属構造体3の配列方向に平行な2辺のうち少なくとも1辺を含む外周部またはその外周部に対向する部分にマスク層を形成してから第4工程でシリコンをエッチングすればよい。但し、マスク層を形成する外周部は、金属構造体が形成された領域の外周を多く含んでいるほうがが、複数の金属構造体同士の配列を強固に保持することができる。よって、金属構造体が形成された領域の外周のうち金属構造体3の配列方向に平行な2辺を含む外周部にマスク層を形成することが好ましい。更に、金属構造体が形成された領域の外周全体4辺を含む外周部にマスク層を形成することがより好ましい。本実施形態の製造方法により得られた構造体の一例を図2a~cに示した。本実施形態により製造された構造体は、シリコン基板の一部である支持体9と複数の金属構造体3を備えている。複数の金属構造体3は支持体9の支持部7、又は支持部7とマスク層4によって支持体9に支持されている。本実施形態に係る構造体を、X線タルボ干渉法を行う撮像装置の遮蔽格子として用いる場合について、図2aを用いて説明をする。図2aの構造体はシリコン基板の一部である支持体が、複数の金属構造体を支持する枠体のような構成をしている。図2aの構造体を遮蔽格子として用いると、X線遮蔽部は、金属構造体3のそれぞれと、それぞれの金属構造体3の下部15と上部16に存在する、シリコン又は空間の少なくとも一方から形成される。また、X線透過部は、金属構造体3の間に挟まれた部分14と、その下部17と上部18に存在する、シリコン又は空間の少なくとも一方から形成される。図2aのように、マスク層から露出したシリコンを、厚さ方向に対して完全に除去すると、X線遮蔽部は金属構造体3とその金属構造体の下部の空間から形成され、X線透過部は、金属構造体3に挟まれた空間とその空間の上下の空間から形成される。このとき、金属構造体3に挟まれた空間とは、上記の凹状空間である。尚、金属構造体の下部15とは、金属構造体の第2の面に近い底面を、支持体9の第2の面の延長と交わるところまで延長した部分である。一方、金属構造体3の上部16とは、金属構造体3の第1の面に近い底面を、支持体9の第1の面の延長と交わるところまで延長した部分である。同様に金属構造体3の間に挟まれた部分14の下部17とは金属構造体3の間に挟まされた部分14の第2の面に近い底面を、支持体9の第2の面の延長と交わるところまで延長した部分である。また、金属構造体3の間に挟まれた部分14の上部18とは、金属構造体3の間に挟まれた部分14の第1の面に近い底面を、支持体9の第1の面の延長と交わるところまで延長した部分である。本実施形態の構造体を製造する際は、薄いシリコン基板を用いた方が第4の工程で行うエッチングで除去するシリコン基板の厚みが少なくて済む。しかし、シリコン基板の厚みが薄いと、支持体の厚みも薄くなり、機械的強度が低下する。そのため、用いるシリコン基板は、例えば4インチウェハ―サイズであれば、厚みが300μm~525μmのものがよい。本実施形態の構造体を遮蔽格子として用いると、X線透過部に存在するシリコンの厚さが、支持体9のシリコンの厚さに対して小さい。そのため、従来の遮蔽格子の透過部よりもX線を透過しやすく、さらにシリコン内での散乱を回避することもできる。尚、本明細書において、シリコンの厚さが小さいとは、支持体9のシリコンの厚さがゼロでなく、X線透過部に存在するシリコン厚さがゼロであることも含む。図2bはシリコン基板1の第2の面の一部に空間を形成する凹部13が設けられており、金属構造体に挟まれた部分にはシリコンが残されている。そのため、X線透過部はシリコンと空間とから形成されている。空間を形成する凹部13が形成されているため、X線透過部に存在するシリコンの厚さが支持体9のシリコンの厚さに対して小さい。X線透過部のX線透過率の向上という面では、図2aに示したような構造体の方が遮蔽格子として好ましい。しかし、図2bの構造体は、金属構造体に挟まれた部分にシリコンを残すことによってシリコンがスペーサとして働き、金属構造体間のピッチが強固に保持される効果がある。図2cは金属構造体に挟まれた部分の下部のシリコンが深堀パターニングされており、金属構造体の下部のシリコンが選択的に残されている。こうすることによって金属構造体の下部のシリコンがX線の吸収体として働く。一方、シリコンが深堀されている部分はX線が透過しやすくなるので、X線遮蔽コントラストが高まる効果がある。図2dは第1の面にのみマスク層を形成し、第1の面からのみエッチングを行って製造した構造体である。第1の面からのみエッチングを行っても、マスク層から露出した領域を完全にエッチングすれば図2aのような構造体が得られる。しかし、図2dに示したように、複数の金属構造体に挟まれた部分のみをエッチングにより除いても良い。図2dのような構造体を遮蔽格子として用いても、従来の遮蔽格子よりも透過部のX線透過量が多い。図2dのように、複数の金属構造体に挟まれた部分一部が残った構造体は、複数の金属構造体に挟まれた部分の一部分が第1の面に凹状の空間を形成している。複数の金属構造体に挟まれた部分のシリコンが完全に除去されていれば、複数の金属構造体に挟まれた部分の全部分が第1の面に凹状の空間を形成する。尚、本実施形態により得られる構造体をX線タルボ干渉法を行う撮像装置の遮蔽格子として用いる場合、金属構造体同士のピッチが9μm以下になるように製造することが好ましい。実施形態2実施形態2では2次元の構造体の製造方法について説明をする。尚、実施形態1と重複する部分は省略する。2次元の構造体とは、金属構造体に複数の孔が配列されて設けられており、その複数の孔が2次元に配列された構造体である。2次元の構造体は、X線遮蔽部とX線透過部とが2次元に配列された2次元遮蔽格子として用いることができる。第1工程実施形態1と同様に、まず、シリコン基板の第1の面に凹部を形成する。但し、本実施形態で形成する凹部は凹部中に複数の孔を有する1つの凹部である。このような凹部を形成することにより、シリコン基板の第1の面に複数の凸部を形成する。構造体を遮蔽格子として用いる場合、実施形態1同様に凹部が最終的に遮蔽格子の遮蔽部となる。また、複数の凸部が透過部となるため、複数の凸部がシリコン基板の第1の面において、2次元に配列されるようにエッチングを行う。尚、実施形態1と同様に、シリコン基板の代わり例えばガラスの上にフォトレジスト膜が形成された基板を用いてフォトリソグラフィを用いることにより複数の凸部を形成しても良い。第2工程次に、第1の工程で形成した複数の凸部の間に金属を充填して金属構造体を形成する。尚、複数の凸部の間とは、第1工程で形成した1つの凹部であり、凹部が1つなので本実施形態で形成される金属構造体も1つである点が実施形態1と異なる。第3工程次に、実施形態1と同様、第2工程で形成した金属構造体が形成された領域の外周部と、その外周部に対向する部分にマスク層を形成する。尚、本実施形態において金属構造体が形成された領域とは、実施形態1の複数の金属構造体が形成されたた領域と同様、金属構造体と、金属構造体の端部同士をつないだ線に囲まれた領域であり、例を図6c,dに示した。図6a,b同様、図6c,dはシリコン基板3001に形成した凹部に金属を充填して金属構造体3003を形成した状態を第1の面側から見た図である。図6cのように、複数の金属構造体3003が全て同じ大きさで且つ、金属構造体の端部が一直線上に並んでいるとき、複数の金属構造体が形成された領域3020は4角が欠けた四角形のような形である。また、図6dのように、複数の金属構造体の端部が一直線上に並んでいないときでも、隣り合う金属構造体の端部同士をつないだ線に囲まれた領域を複数の金属構造体が形成された領域3021と呼ぶ。尚、外周部とは金属構造体が形成された領域の外周を含む部分であり、外周部にマスク層を形成すると、金属構造体上の少なくとも一部にマスク層が形成される。また、本実施形態も、実施形態1と同様に第1の面と第2の面の両面にマスク層を形成したが、いずれか一方の面にのみマスク層を形成しても良い。第4工程次に、実施形態1と同様、第3工程で形成したマスク層から露出した領域のシリコンをエッチングする。エッチング方法は実施形態1と同様である。また、実施形態1と同様、マスク層から露出した領域のシリコンを、厚み方向に対して完全にエッチングを行っても良いし、一部を残してもよい。厚み方向に対して完全にエッチングを行うと、実施形態1と同様、第1の面に形成された凹状の空間と第2の面の一部に形成された空間を形成する凹部が繋がる。本実施形態でもマスク層を形成してからエッチングを行うことにより、シリコン基板の一部である支持体が残り、金属構造体が支持部とマスク層により支持体に支持されるため、金属構造体は支持体から脱離しない。尚、実施形態1同様、第4工程の後にマスク層を除去する工程を行っても、金属構造体は支持体から脱離しない。本実施形態では、形成される金属構造体は1つである。よって、実施形態1のように、支持部で複数の金属構造体を支持しなくても、金属構造体は配列方向を有することができる。但し、金属構造体の配列方向とは、金属構造体に設けられている複数の孔の配列方向である。しかし、金属構造体の強度を補強するために、支持体で金属構造体を支持することが好ましい。支持体で支持する支持部は大きいほうがより強度を補強することができるため、マスク層を形成する外周部は、金属構造体が形成された領域の外周の多くを含んでいることが好ましい。よって、マスク層を形成する外周部は、金属構造体が形成された領域の外周のうち1/4以上を含んでいることが好ましく、金属構造体が形成された領域の外周のうち1/2以上含んでいることがより好ましい。更にマスク層を形成する外周部は、金属構造体が形成された領域の外周のうち4/5以上を含んでいると好ましく、金属構造体が形成された領域の外周のすべてを含んでいることがより好ましい。実施形態1同様、本実施形態の構造体を遮蔽格子として用いると、X線透過部に存在するシリコンの厚さが、支持体9のシリコンの厚さに対して小さい。そのため、本実施形態の構造体の透過部は、従来の遮蔽格子の透過部よりもX線を透過しやすく、さらにシリコン内での散乱を回避することもできる。以下、具体的な実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。実施例1実施例1ではマスク層を第1の面と第2の面上に銅で形成し、アルカリ水溶液を用いてエッチングをすることで2次元の構造体を製造する。本実施例では両面ミラーの直径が100mm4インチで厚さ525μmのシリコン基板を用いる。まず、シリコン基板の第1の面をエッチングすることにより、複数の凸部を形成する第1工程複数の凸部は次のように形成する。1050°Cで75分のウェット熱酸化によって、シリコン基板の第1の面と第2の面にそれぞれ0.5μm程度のSiO2層を形成する。次に第1の面に形成したSiO2層の上に200nm厚のCr膜を電子ビーム蒸着法で成膜する。その上にポジ型フォトレジストを塗布し、半導体フォトリソグラフィにて60mm×60mmの領域に2μmφのパターンが4μmのピッチで2次元に配置されたレジストパターンを形成する。その後、露出したCr膜をCrエッチング水溶液にてエッチングし、SiO2層を露出させる。CHF3プラズマによるドライエッチング法を用いて露出したSiO2層をエッチングし、シリコンを露出させる。レジストをジメチルホルムアミドで除去し、CrをCrエッチング水溶液にて除去する。次に、SiO2をマスクにしてSF6ガスによるエッチングとC4F8ガスによる側壁保護膜の堆積を交互に行うBoschプロセスで反応性イオンエッチングを行う。この反応性イオンエッチングによって深さ160μmの凹部が形成される。これにより高さ約160μmで2μmφのシリコンからなる複数の凸部が4μmピッチで配列されたシリコン基板が得られる第1工程。尚、エッチングを行った領域は60mm×60mmの領域であり、凹部の大きさは60mm×60mmである。本実施例ではこのシリコン基板を用いる。次に、得られたシリコン基板の複数の凸部の間に金属を充填する第2工程。得られたシリコン基板を硫酸過水にて洗浄し、水洗後、イソプロピルアルコールに浸し、超臨界乾燥装置を用い乾燥させる。続いて、1050°Cで7分のウェット熱酸化によって、シリコン基板の表面に0.1μm程度のSiO2層を形成する。シリコン基板の凹部の底部に形成されたSiO2を除去し、シリコンの露出面を形成する。SiO2の部分的な除去は、CHF3プラズマによるドライエッチング法を用いる。このエッチングは高い異方性があり、シリコン基板にほぼ垂直の方向で進行する。そのために、シリコン基板の凹部の底部のSiO2が完全に除去されても、凸部の側面のSiO2は残され、側面のシリコンは露出されない。次に電子ビーム蒸着装置にてCr、Cuの順番でそれぞれ約7.5nm、約50nm成膜する。これにより露出された凹部の底部のシリコン上にクロムと銅からなる金属が付与される。次に、シリコン基板から通電し、金めっきによって金を複数の凸部の間凹部に充填する。金めっきはノンシアン金めっき液ミクロファブAu1101、日本エレクトロプレイティングエンジニヤースにてめっき液温度60°C、電流密度0.2A/dm2にて24時間のめっきを行う。これにより約120μmの厚さの金が凸部の間に充填される。次にマスク層を形成する。第3工程金めっきにより形成された金属構造体が形成された60mm×60mmの領域の中心に56mm×56mmのメタルマスクの中心が合うように配置し、電子ビーム蒸着装置にてCr、Cuの順番でそれぞれ約5nm、約500nm成膜する。成膜後、メタルマスクを除去すると、金属構造体が形成された領域の外周を含む外周部に、CrとCuからなる金属膜が形成される。同様に、金属構造体が形成された領域の中心と対向する第2の面上の位置にメタルマスクの中心が合うように配置し、電子ビーム蒸着装置にてCr、Cuの順番でそれぞれ約5nm、約500nm成膜する。成膜後、メタルマスクを除去すると第1の面上に形成された金属膜に対向する第2の面上の部分にもCrとCuからなる金属膜が形成される。次に、金属膜上に銅めっきを行う。銅めっき液は次の組成にて調製されたものを用いる。硫酸銅5水和物200g/L98濃硫酸14mL/L35塩酸0.09mL/LCu-BriteVFII-A荏原ユージライト社製20mL/LCu-BriteVFII-B荏原ユージライト社製1mL/L銅めっきは電子ビーム蒸着にて形成されたCrとCuからなる金属膜から通電し、電流密度1.5A/dm2にて室温で1時間めっきを行う。すると高さ約15μmの銅めっき層が形成される。本実施例ではこれをシリコンのエッチング用のマスク層として使用する第3工程。これによってシリコン基板の第1の面と第2の面に56mm×56mm領域でシリコンが露出される。次にマスク層から露出した領域のシリコンのエッチングを行う第4工程。マスク層を形成したシリコン基板をバッファードフッ酸の水溶液に10分間浸し、マスク層から露出した領域のシリコンの第1の面と第2の面のSiO2層をエッチングしてシリコン表面を露出させる。得られたシリコン基板を、95°Cに加熱され、30wtに調製された水酸化カリウム水溶液に浸し、マスク層をマスクとしてマスク層から露出した領域のシリコンのエッチングを第1の面と第2の面から行う。エッチングを3時間行うとマスク層から露出した領域のシリコンは完全に除去され、マスク層に保護されたシリコン基板中に、面積約55mm×55mm、厚さ120μmの金からなるメッシュ状の金属構造体が設けられた構造体が得られる。この構造体が備える金属構造体には、孔が4μmピッチで2次元に配列されて設けられている。シリコンの除去の確認は、光学顕微鏡による透過観察により行うことができる。得られた構造体の透過観察を行い、金属構造体の部分が遮光され、金属構造体に設けられている複数の孔の部分は光が透過してくれば、シリコンが除去されたことが確認される。また、得られた構造体は、金属構造体の外周が約2mmの幅でシリコン基板の支持部とマスク層によってシリコン基板の支持体に支持されているためシリコン基板の支持体から脱離しない。次にマスク層を銅のエッチング液とクロムのエッチング液にて除去する。このとき、マスク層が除去されても、金属構造体の外周が約4mmの幅でシリコン基板に支持されているため、シリコン基板から脱離しない。この構造体をシリコン基板の第1の面側からX線顕微鏡にて観察すると、金属構造体の部分はX線が遮蔽され、金属構造体に設けられた孔の部分は線が透過することが確認できる。比較例1本比較例では、金属構造体が形成されている60mm×60mmの領域の以外の領域にマスク層を形成し、それ以外は実施例1と同様に構造体を製造する。実施例1と同様に95°Cに加熱され、30wtに調製された水酸化カリウム水溶液に浸し、マスク層から露出した領域のシリコンのエッチングを3時間行うと、金属構造体は支持部が無くなり、シリコン基板から脱離する。実施例2実施例2ではマスク層を第1の面と第2の面上に金で形成し、フッ硝酸水溶液を用いてエッチングをすることで2次元の構造体を製造する。但し、第1の面は全体をマスクして第2の面からのみエッチングを行い、金属構造体内の孔にシリコンを残したままエッチングを終了する。金属構造体の孔内のシリコンはスペーサーとして機能する。本実施例の製造方法を図3を用いて説明する。本実施例では、凸部の間に金を充填して金属構造体を形成するまで第2工程までは実施例1と同様な方法で形成する図3a。次に、マスク層10041004a,1004bを形成する。金属構造体1003が形成された60mm×60mmの領域の中心と対向する第2の面1011上の位置を中心として56mm×56mmのメタルマスクを配置する。次に電子ビーム蒸着装置にてCr、Auの順番でそれぞれ約5nm、約500nm成膜する。シリコン基板1001の第1の面1010には全面に電子ビーム蒸着装置にてクロム、金の順番でそれぞれ約5nm、約500nm成膜する。次に成膜された金表面から通電し、金めっきを行う。金めっきはノンシアン金めっき液ミクロファブAu1101、日本エレクトロプレイティングエンジニヤースにてめっき液温度60°C、電流密度0.2A/dm2にて30分間のめっきを行うことで、約1.5μmの厚さの金めっき層が形成される。本実施例ではこれをマスク層1004として用いる図3b。マスク層1004を形成することにより、シリコン基板の第2の面1011のみにマスク層から露出した領域1005が形成される。次にシリコン基板のマスク層から露出した領域1005のエッチングを行う。本実施例ではフッ硝酸の水溶液を用いてエッチングする。金のマスク層1004が形成されたシリコン基板1001を5分間、フッ硝酸の水溶液に浸し、マスク層から露出した領域1005のシリコンをエッチングする。こうすることによって第2の面1011から深さ約365μmシリコンがエッチングされ、金属構造体1003の孔内のシリコンは残された構造体が形成される図3c。金属構造体1003はマスク層1004とシリコン基板のエッチングされずに残った部分金属構造体孔内のシリコンと、支持部1007によって支持体1009に支持されているのでシリコン基板1001から脱離しない。実施例1同様に、この構造体を第1の面1010側からX線顕微鏡にて観察すると、金属構造体1003の孔の部分はX線が透過し、金属構造体の部分はX線を遮蔽することが確認できる。実施例3実施例3ではマスク層を第1の面と第2の面上にニッケルで形成し、アルカリ水溶液を用いてエッチングをすることで1次元の構造体を製造する。実施例2同様、第1の面は全体をマスクして第2の面からのみエッチングを行い、シリコン基板中の複数の金属構造体の間にシリコンを残したままエッチングを終了する。残されたシリコンはスペーサーとして機能する。本実施例の製造方法を図4を用いて説明する。本実施例では両面ミラーの直径が100mm4インチで厚さ300μmのシリコン基板2001を用いる。まず、複数の凹部2002は次のように形成する第1工程。1050°Cで75分のウェット熱酸化によって、シリコンウエハの第1の面2010と第2の面2011にそれぞれ0.5μm程度のSiO2層を形成する。次にSiO2層の上に200nm厚のCr膜を電子ビーム蒸着法で成膜する。その上にポジ型フォトレジストを塗布し、半導体フォトリソグラフィにて60mm×60mmの領域に、ライン/スペースが5μm/5μmのパターンが1次元に配置されたレジストパターンを形成する。その後、露出したCr膜をCrエッチング水溶液にてエッチングし、SiO2層を露出させる。露出したSiO2層をCHF3プラズマによるドライエッチング法でSiO2をエッチングし、シリコンを露出させる。レジストをジメチルホルムアミドで除去し、Crを前記エッチング液にて除去する。次にSiO2層をマスクにしてSF6ガスによるエッチングとC4F8ガスによる側壁保護膜の堆積を交互に行うBoschプロセスで反応性イオンエッチングを行う。この反応性イオンエッチングによって複数の凹部2002が形成される。形成される凹部2002それぞれの深さ高さは160μmである図4a。これにより60mm×60mmの領域に深さ約160μmで60mm×5μmの凹部が5μmピッチで配置されたシリコンの構造体が得られる。本実施例ではこのシリコン基板2001を用いる。次に得られたシリコン基板2001の複数の凹部に金属を充填する第2工程。この工程は、実施例1と同様である。まず、シリコン基板2001を硫酸過水にて洗浄し、水洗後、イソプロピルアルコールに浸し、超臨界乾燥装置を用い乾燥させる。続いて、1050°Cで7分のウェット熱酸化によって、シリコン基板2001の表面に0.1μm程度のSiO2層を形成する。シリコン基板2001の複数の凹部2002の底部に形成されたSiO2層を除去し、シリコンの露出面を形成する。次に電子ビーム蒸着装置にてCr、Cuの順番でそれぞれ約7.5nm、約50nm成膜する。これにより露出された複数の凹部2002の底部のシリコン上にCrとCuからなる金属が付与される。次に、シリコン基板2001から通電し、金めっきを行ない、金を複数の凹部2002に充填する。金めっきはノンシアン金めっき液ミクロファブAu1101、日本エレクトロプレイティングエンジニヤースにてめっき液温度60°C、電流密度0.2A/dm2にて24時間のめっきを行う。これにより複数の金属構造体2003が形成される。この金属構造体2003の高さはそれぞれ、約120μmである図4b。次にマスク層20042004a,2004bを形成する第3工程。第1の面2010と第2の面2011にそれぞれ電子ビーム蒸着装置にてCr、Cuの順番でそれぞれ約5nm、約1000nm成膜する。成膜した膜上にポジ型フォトレジストを塗布し、半導体フォトリソグラフィにて第2の面2011に50mm×60mmの領域が開口したレジストパターンを形成する。このレジストパターンの開口の中心は、第1の面2010の金属構造体が形成された領域の中心に対向する位置とする。その後、露出した銅の膜を銅のエッチング液でエッチングし、その銅の膜の下のクロムの膜はクロムのエッチング液でエッチングし、SiO2層を露出させる。露出したSiO2層をCHF3プラズマによるドライエッチング法でSiO2をエッチングし、シリコンを露出させる。フォトレジストを除去後、成膜した銅の上にニッケルめっきを行う。電流密度1.5A/dm2にて室温で1時間めっきを行うと高さ約15μmのニッケルめっき層が形成される。本実施例ではこれをシリコンのエッチング用のマスク層2004として使用する図4c。これにより第1の面2010は全面にマスク層2004で覆われ、第2の面2011上にのみマスク層から露出した領域2005が形成される。この露出した領域2005の大きさは50mm×60mmである。次にシリコン基板のマスク層から露出した領域2005のエッチングを行う第4工程。95°Cに加熱され、30wtに調製された水酸化カリウム水溶液に得られたシリコン基板2001を浸し、マスク層から露出した領域の2005のエッチングを行う。エッチングを48分間行うとマスク層2004から露出した領域2005はエッチングされ、約140μmの深さの、空間を形成する凹部2013が形成される図4d。次にマスク層2004をニッケルのエッチング液と銅のエッチング液とクロムのエッチング液にて除去する図4e。このとき、マスク層2004が除去されても、複数の金属構造体2003は支持部2007と、金属構造体の間に残されたシリコンにより、シリコン基板2001に支持されているため脱離しない。また、金属構造体2003の間に残されたシリコンにより、金属構造体2003同士は5μmの間隔を維持する。また、この構造体を第1の面側からX線顕微鏡にて観察すると、金属構造体の間はX線が透過し、金属構造体の部分はX線を吸収することが確認できる。実施例4実施例4は、実施例3の第1の面2010にも50mm×60mmのマスク層から露出した領域を設けること以外は実施例3と同様の方法で構造体を製造する。こうすることによってマスク層から露出した領域は第1の面と第2の面の両面に形成され、シリコン基板のエッチングも両面からされる。これにより、実施例3と異なり、複数の金属構造体の間のシリコンも除去され、複数の空間ができる。この空間は、第1の面に凹状の空間を形成する。得られた構造体を実施例1同様に第1の面側からX線顕微鏡にて観察すると、金属構造体の間はX線が透過し、金属構造体の部分はX線を吸収することが確認できる。また、実施例3と比較すると、金属構造体の間が空間である分、金属構造体の間を透過するX線量が増加するという点で実施例4の方が優れている。しかし、金属構造体の間にシリコンが存在しない分、実施例3よりも金属構造体同士の間隔を維持するのが難しい。複数の凹状の空間は50mm×5μmと長尺のため、マスク層から露出した領域のエッチング後にシリコン基板を水洗し、乾燥を行うと、隣りあう金属構造体同士の一部が乾燥時の表面張力で貼りつき、金属構造体同士の間隔が乱れるところが発生する可能性がある。実施例5次に、前述の実施形態または実施例で製造した構造体をX線吸収格子として用いた撮像装置について、図5を用いて説明をする。本実施例の撮像装置は、X線タルボ干渉法を用いた撮像装置である。撮像装置1000は、空間的に可干渉なX線を放出するX線源100と、X線を回折する回折格子200、X線の遮蔽部と透過部が配列された遮蔽格子300、X線を検出する検出器400を備えている。回折格子200はX線を回折することにより干渉パターンを形成し、遮蔽格子300はこの干渉パターンを形成するX線の一部を遮蔽する。遮蔽格子300は、前述の実施形態または実施例で製造した構造体である。X線源100と回折格子200の間に被検体500を配置すると、被検体500によるX線の位相シフト情報を有する干渉パターンが形成される。この干渉パターンと遮蔽格子300によりモアレが形成され、このモアレの情報を検出器により検出する。つまりこの撮像装置1000は被検体500の位相情報を持つモアレを撮像することで被検体500を撮像している。この検出結果に基づいてフーリエ変換法や位相シフト法等を用いての位相回復処理を行うと、被検体の位相像を得ることができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。実施例6実施例6は、実施例1と同様の方法で金属構造体を形成するが、その後シリコンのエッチングによりシリコン基板の一部をシリコン基板から取り外すことで2次元の構造体を製造する。本実施例の製造方法を図7を用いて説明する。本実施例では、凸部の間に金を充填して金属構造体を形成するまでは実施例1と同様の方法で行う。次にマスク層30043004a、3004b、3004cを形成する。まず、第1の面上にマスク層3004aを形成する。第1の面上の、金めっきにより形成された金属構造体3003が形成された60mm×60mmの領域の中心に56mm×56mmのメタルマスクの中心が合うように配置し、電子ビーム蒸着装置にてCr、Cuの順番でそれぞれ約5nm、約500nm成膜する。成膜後、メタルマスクを除去すると、金属構造体が形成された領域の外周を含む外周部に、CrとCuからなるマスク層3004aが形成される。これにより、第1の面は56mm×56mmの開口部3012aが設けられたマスク層3004aにより保護される。次に、第2の面上にマスク層3004b、3004cを形成する。第2の面上に電子ビーム蒸着装置にてCr、Cuの順番でそれぞれ約5nm、約500nm成膜する。成膜後、金属構造体が形成された領域の中心と対向する第2の面上の位置を中心とする外径57mm×57mm、内径55mm×55mm、幅1mmのフレームをフォトレジストで形成する。次に、実施例1と同様の方法で第2の面上の金属膜上に銅めっきを行い、高さ約15μmの銅めっき層を形成する。このときフォトレジストで形成されたフレーム部分にはめっきがされない。次にフォトレジストを除去し、フォトレジスト下のCu、Crをエッチング除去する。これにより、金属構造体が形成された領域の外周部に設けられたマスク層3004aと対向する部分の一部を含む第1の部分にマスク層3004bが形成される。また、金属構造体が形成された領域の外周部に形成されたマスク層の開口部3012aと対向する部分の一部を含む第2の部分にもマスク層3004cが形成される。この第1の部分に形成されたマスク層と第2の部分に形成されたマスク層により、第2の面は、外径57mm×57mm、内径55mm×55mm、幅1mmのフレーム状の開口部3012b以外がマスク層により保護される。以上の工程により、第1の面には開口部3012aが設けられたマスク層3004aが、第2の面にはフレーム状の開口部3012bが設けられたマスク層3004b、3004cが形成される。図7a次にマスク層をマスクとして、マスク層から露出した領域のシリコン基板のエッチングを行う。エッチングには実施例1と同様に水酸化カリウム水溶液を用いた。まず、マスク層を形成したシリコン基板をバッファードフッ酸の水溶液に10分間浸し、シリコン基板の第1の面と第2の面のマスク層から露出した領域に形成されたSiO2層をエッチングしてシリコン表面を露出させる。得られたシリコン基板を、95°Cに加熱され、30wtに調製された水酸化カリウム水溶液に浸し、マスク層から露出した領域のシリコン基板のエッチングを第1の面と第2の面から行う。このとき、第1の面はマスク層3004aに設けられた開口部3012aからエッチングされ、第2の面は第1の部分に形成されたマスク層3004bと第2の部分に形成されたマスク層3004cの間の開口部3012bからエッチングされる図7b。したがって、第2の面の第2の部分に形成されたマスク層3004cと、第1の面のうちその領域に対向する領域とに挟まれた部分のエッチングは第1の面のみから行われる。すると、第2の面の第2の部分をマスクしたまま、金属構造体の下部で金属構造体と接する部分のシリコンを除去することができる。金属構造体の下部で金属構造体と接する部分のシリコンが除去される前に、金属構造体の下部のシリコンが薄化すると金属構造体の応力により薄化したシリコンが割れ、金属構造体が変形することもある。本実施例は金属構造体の下部のシリコンを第1の面からのみエッチングすることで第1の面と第2の面からエッチングするよりも金属構造体の下部のシリコンの簿化を軽減した状態で金属構造体の下部で金属構造体と接する部分のシリコンを除去することができる。そのため、金属構造体の下部のシリコンが金属構造体の応力により割れる可能性を低くすることができる。よって、本実施例では金属構造体の下部のシリコンの割れにより金属構造体が変形する可能性を低くすることができる。第1の面のエッチング溝3013aと第2の面のエッチング溝3013bが繋がるまでエッチングを行う。すると、第1の面からのエッチングにより生じたエッチング溝3013aの底部と、第2の面の第2の部分に形成されたマスク層3004cに挟まれたシリコンがシリコン基板から取り外される図7c。このようにシリコン基板のエッチングは第1の面と第2の面の両面から行われるため、第2の面全体にマスク層を形成して第1の面からのみエッチングを行うよりもエッチング時間を短縮することができる。これにより、面積約55mm×55mm、厚さ120μmの金からなるメッシュ状の金属構造体3003がマスク層に保護されたシリコン基板からなる支持体3009により支持された構造体が得られる。この構造体が備える金属構造体3003には、孔が4μmピッチで2次元に配列されて設けられている。尚、本実施例における第1の部分は、金属構造体が形成された領域の外周部に設けられたマスク層と対向する部分の一部を含む部分であるが、第1の部分は金属構造体が形成された領域の外周部に設けられたマスク層と対向する部分の全部を含んでいても良い。また、本実施例における第2の部分は、金属構造体が形成された領域の外周部に形成されたマスク層と対向する部分の内側の一部を含む部分である。しかし、第2の部分は金属構造体が形成された領域の外周部に形成されたマスク層と対向する部分の内側の全部を含んでいても良い。但し、第1の面からのエッチングにより生じたエッチング溝の底部と、第2の面の第2の部分に形成されたマスク層3004cに挟まれたシリコンをシリコン基板から取り外すためには、第1の面と第2の面からのエッチング溝同士が繋がる必要がある。第2の部分は、金属構造体が形成された領域の外周部に形成されたマスク層の開口部と対向する部分よりも小さい方がエッチング溝同士が繋がる確実性がますため好ましい。次にマスク層3004を銅のエッチング液とクロムのエッチング液にて除去する図7d。このとき、マスク層が除去されても、金属構造体の外周が約2mmの幅でシリコン基板に支持されているため、金属構造体はシリコン基板から脱離しない。この構造体をシリコン基板の第1の面側からX線顕微鏡にて観察すると、金属構造体の部分はX線が遮蔽され、金属構造体に設けられた孔の部分は線が透過することが確認できる。"