セラミック基板と、前記セラミック基板の上側に設けられ、被処理基板が載置される第1主面を有するセラミック誘電体と、前記セラミック基板と前記セラミック誘電体との間に設けられた電極と、を備え、前記セラミック誘電体の材質は、セラミック焼結体であり、前記セラミック誘電体の前記第1主面には、複数の突起部と、ガスを供給する溝と、が設けられ、前記溝の底面には、前記第1主面とは反対側の前記セラミック基板の第2主面まで貫通する貫通孔が設けられ、前記電極と前記溝との間の距離は、前記電極と前記第1主面との間の距離と同じか、もしくは大きいことを特徴とする静電チャック。前記電極は、少なくとも1対の双極電極を含み、前記双極電極の一方の電極と他方の電極とは、互いに異なる極性の電圧を印加可能とされ、前記一方の電極と、前記他方の電極と、は、離間して配設され、前記溝は、前記一方の電極と、前記他方の電極と、の間に配設されていることを特徴とする請求項1記載の静電チャック。前記電極は、複数の電極要素を含み、前記複数の電極要素のそれぞれには、同一の極性の電圧が印加可能とされ、前記複数の電極要素のそれぞれは、互いに離間して配設され、前記溝は、離間した前記複数の電極要素の間に配設されていることを特徴とする請求項1または2に記載の静電チャック。前記第1主面から前記溝の底面までの深さは、前記第1主面から前記電極の主面までの深さと同じか、もしくは小さいこと特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の静電チャック。前記第1主面から前記溝の底面までの深さは、前記溝の幅よりも小さいことを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の静電チャック。前記溝の端部領域に、前記溝の端に向けて前記溝の深さが次第に浅くなる漸浅部が設けられていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の静電チャック。前記セラミック誘電体の室温における体積抵抗率は、1×1014Ωcm以上であることを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の静電チャック。前記セラミック基板の厚みは、前記セラミック誘電体の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の静電チャック。しかしながら、例えば、特許文献1で例示された、記載の溝と電極とがオーバーラップする構造では、溝の底面と電極との距離が縮まり、溝内に伝熱用ガスを導入すると、溝内で伝熱用ガスの放電が起こる場合がある。この場合、溝内が伝熱用ガスの圧力によって導電性を帯び、溝と高電圧を印加させた電極間の絶縁性が保てなくなる場合がある。最終的には、溝と電極間で絶縁破壊が発生する場合がある。また、特許文献2で例示された、電極間に溝を設ける構造でも同様に、溝と電極との距離が縮まり、最終的には、溝と電極間で絶縁破壊が発生する場合がある。本発明の課題は、被処理基板の急速な加熱冷却が可能で、高い絶縁性を維持する静電チャックを提供することにある。第1の発明は、セラミック基板と、前記セラミック基板の上側に設けられ、被処理基板が載置される第1主面を有するセラミック誘電体と、前記セラミック基板と前記セラミック誘電体との間に設けられた電極と、を備え、前記セラミック誘電体の材質は、セラミック焼結体であり、前記セラミック誘電体の前記第1主面には、複数の突起部と、ガスを供給する溝と、が設けられ、前記溝の底面には、前記第1主面とは反対側の前記セラミック基板の第2主面まで貫通する貫通孔が設けられ、前記電極と前記溝との間の距離は、前記電極と前記第1主面との間の距離と同じか、もしくは大きいことを特徴とする静電チャックである。ここで、前記電極と前記溝との間の距離を第1の距離とする。前記電極と前記第1主面との間の距離を第2の距離とする。第1の距離は、電極と溝とを結ぶ直線において最短の距離で定義される。例えば、セラミック誘電体の第1主面からの溝の底面の深さが電極の主面より浅い場合、第1の距離は、電極の溝側の端部と、溝の側面と底面との交点とを結ぶ直線の距離で定義される。また、セラミック誘電体の第1主面からの溝の底面の深さが電極の主面と同じか、もしくは深い場合、第1の距離は、電極の溝側の端部から、電極と同じ深さの溝の側面までの距離で定義される。また、第2の距離は、電極の主面と、セラミック誘電体の第1主面との間の距離で定義される。以下、第1の距離を、単に、電極と溝との間の距離、第2の距離を、単に、電極と第1主面との間の距離、と称して、本発明を説明する場合もある。仮に、溝が電極上でオーバーラップするように配置されると、電極と溝との間の第1の距離が、第2の距離より小さくなる。従って、溝内に伝熱用ガスを導入すると、溝内で伝熱用ガスの放電が起こる場合がある。この場合、溝内が伝熱用ガスの圧力によって導電性を帯び、溝と高電圧を印加させた電極間の絶縁性が保てなくなる場合がある。最終的には、溝と電極間で絶縁破壊が発生する場合がある。また、電極間に溝を設ける構造でも同様に、溝と電極との距離が縮まり、最終的には、溝と電極間で絶縁破壊が発生する場合がある。これに対して、第1の発明では、電極と溝との間の距離、すなわち、第1の距離を、電極とセラミック誘電体の第1主面との間の距離、すなわち、第2の距離と同じ、もしくは大きくしている。従って、溝内に伝熱用ガスを導入し伝熱用ガスが導電性を帯びるガスの圧力となっても、溝と電極間の高い絶縁性が維持される。また、セラミック誘電体の第1主面に複数の突起が配置されることにより、伝熱用ガスの圧力が均一になる。さらに、セラミック誘電体の面内温度分布にもむらが生じ難くなり、被処理基板の面内温度分布が均一になる。さらに、セラミック誘電体をセラミック焼結体とすることで、セラミック誘電体各部の絶縁性が均一となり、静電チャックの信頼性が向上する。第2の発明は、第1の発明において、前記電極は、少なくとも1対の双極電極を含み、前記双極電極の一方の電極と他方の電極とは、互いに異なる極性の電圧を印加可能とされ、前記一方の電極と、前記他方の電極と、は、離間して配設され、前記溝は、前記一方の電極と、前記他方の電極と、の間に配設されていることを特徴とする。離間した双極電極間に溝を配置することにより、電極と溝との間の第1の距離は、電極とセラミック誘電体の第1主面との間の第2の距離と同じか、もしくは大きくすることができる。これにより、電極と溝との間の絶縁性を、電極とセラミック誘電体の第1主面との間の絶縁性より高くすることができる。第3の発明は、第1または第2の発明において、前記電極は、複数の電極要素を含み前記複数の電極要素のそれぞれには、同一の極性の電圧が印加可能とされ、前記複数の電極要素のそれぞれは、互いに離間して配設され、前記溝は、離間した前記複数の電極要素の間に配設されていることを特徴とする。離間した電極間に溝を配置することにより、電極と溝との間の第1の距離は、電極とセラミック誘電体の第1主面との間の第2の距離と同じか、もしくは大きくすることができる。これにより、電極と溝との間の絶縁性を、電極とセラミック誘電体の第1主面との間の絶縁性より高くすることができる。また、電極のそれぞれには、同一の極性の電圧が印加されるので、被処理基板をプラズマ処理する場合には、被処理基板の面内でのいわゆる電位むらが起き難くなる。第4の発明は、第1~第3の発明のいずれか1つにおいて、前記第1主面から前記溝の底面までの深さは、前記第1主面から前記電極の主面までの深さと同じか、もしくは小さいこと特徴とする。セラミック誘電体の第1主面から溝の底面までの深さをセラミック誘電体の第1主面から電極の主面までの深さと同じか、もしくは小さくした分、電極と溝との間の第1の距離が長くなり、電極と溝との間の絶縁性が向上する。また、溝を研削もしくはサンドブラストにより加工する場合、溝の深さを浅めに加工するほど、加工負荷の累積値も小さい。従って、溝の底面にマイクロクラック微小欠陥が発生し難い。これにより、マイクロクラックを通じての電流リークパスが形成され難くなる。第5の発明は、第1~第4の発明のいずれか1つにおいて、前記第1主面から前記溝の底面までの深さは、前記溝の幅よりも小さいことを特徴とする。セラミック誘電体の第1主面から溝の底面までの深さを溝の幅より小さくすることにより、溝加工深さを浅くすることができる。これにより、溝を研削もしくはサンドブラストにより加工しても、溝深さにばらつきが生じ難くなる。さらに、溝内における伝熱用ガスのコンダクタンスがより一定に近くなり、ガス分配速度がより均一になる。第6の発明は、第1~第5の発明のいすれか1つにおいて、前記溝の端部領域に、前記溝の端に向けて前記溝の深さが次第に浅くなる漸浅部が設けられていることを特徴とする。セラミック誘電体の第1主面に、被吸着物である被処理基板を静電吸着し、溝の内部を伝熱用ガスで満たした際に、溝の側面と底面とが直線状に交差していると、この交差した箇所が特異点電界が集中する点となって、溝と電極との間で放電破壊が起き易くなってしまう。しかし、第6の発明のように、溝の端部領域に、溝の深さが次第に浅くなる漸浅部が設けられていると、溝の内部において特異点がなくなり、放電発生が抑止され、放電破壊が起き難くなる。第7の発明は、第1~第6の発明のいずれか1つにおいて、前記セラミック誘電体の室温における体積抵抗率は、1×1014Ωcm以上であることを特徴とする。すなわち、クーロン型静電チャックに上述した電極と、溝とを配置することができる。第8の発明は、第1~第7の発明のいずれか1つにおいて、前記セラミック基板の厚みは、前記セラミック誘電体の厚みよりも大きいことを特徴とする。セラミック基板の厚みをセラミック誘電体の厚みよりも大きくすることにより、セラミック誘電体のそりが抑制される。本発明によれば、被処理基板の急速な加熱冷却が可能で、高い絶縁性を維持する静電チャックが実現する。以下に、具体的な実施の形態を図面を参照しつつ説明する。以下に説明する実施の形態には、上述した課題を解決するための手段の内容も含まれる。最初に、本発明の実施の形態で使用される語句について説明する。セラミック基板、セラミック誘電体セラミック誘電体とは、被処理基板を載置するためのステージである。セラミック基板支持基板、中間基板とも称する。とは、セラミック誘電体を支持するステージである。セラミック基板およびセラミック誘電体においては、その材質がセラミック焼結体であり、それぞれの厚さが均一に設計されている。セラミック誘電体の材質は、静電チャックを使用する温度領域で、クーロン型静電チャックの動作をし、セラミック誘電体内の絶縁性が均一であることが好ましい。特に、セラミック焼結体は、その材質に適している。さらに、セラミック焼結体は、静電チャックを長時間使用しても傷が付きにくく、腐食等の耐久性に優れる。セラミック焼結体の例として、アルミナ焼結体、窒化アルミニウム焼結体、サファイヤ焼結体等が挙げられる。また、セラミック基板の材質は、セラミック誘電体を確実に支持でき、セラミック基板内の絶縁性が均一な材質が好ましい。特に、セラミック焼結体であれば、セラミック誘電体と電極とを一体焼結でき、高い絶縁性を確保できる。また、セラミック誘電体とセラミック基板とを個別に焼結し、それらを接着して一体化した静電チャックにおいては、セラミック焼結体を選択することで、電極形状の焼成収縮の影響が少なく、所望通りの電極形状が得られる。また、電極を備えた、セラミック誘電体およびセラミック基板を、金属製の温調プレートに接着一体化したものは、被処理基板と温調プレート間の距離が短くでき、熱伝導の効率がよくなる。さらに、温調プレートの主面に無機材料を溶射し、電極と温調プレート間の絶縁信頼性を高めたものは、熱伝導の効率化と絶縁信頼性の両立を図ることができる。セラミック基板およびセラミック誘電体の主面の平面度においては、所定の範囲内に設計されている。それぞれの厚さが均一、またはそれぞれの主面の平面度が確保されていれば、ホットプレス硬化時にセラミック基板およびセラミック誘電体に局所的な応力が印加され難い。セラミック基板の直径は、300mm程度であり、厚さは、2~3mm程度である。セラミック誘電体の直径は、300mm程度であり、厚さは、1mm程度である。セラミック基板およびセラミック誘電体の平面度は、20μm以下である。セラミック基板およびセラミック誘電体の厚みのばらつきは、20μm以下である。また、セラミック基板およびセラミック誘電体の平面度、厚みのばらつきに関しては、10μm以下であることがより好ましい。電極電極とは、セラミック誘電体に静電力を与えるための電極である。電極は、静電チャック内に内蔵されている。セラミック誘電体とセラミック基板とを一体焼結する場合、電極は、セラミック誘電体およびセラミック基板の材料であるグリーンシートに、タングステンW、モリブデンMo等の高融点金属ペーストを印刷し、グリーンシートを焼結することにより形成される。あるいは、焼結したセラミック誘電体と、焼結したセラミック基板とを接着する場合は、電極は、セラミック誘電体側に予め形成され、電極を挟むようにセラミック基板とセラミック誘電体とを一体接着することで形成される。この際、電極は、スクリーン印刷、PVD、CVD法等でセラミック誘電体の主面にタングステンW、モリブデンMo、炭化チタンTiC等の高融点金属膜を成膜した後、フォトレジスト法でマスクパターンを形成し、サンドブラスト法等によりパターン加工される。成膜は、例えば、CVD法による。高融点金属膜の厚みは、1μm以下である。溝溝は、セラミック誘電体と被処理基板との間に伝熱用ガスヘリウムHe、窒素N2、アルゴンAr等を供給するためのガス溝である。溝は、電極間に配置される。溝は、セラミック誘電体の主面をレジストで覆い、溝を配置する位置のレジストを除去し、サンドブラスト法でレジストから露出したセラミック誘電体を加工して形成される。突起部突起部とは、セラミック誘電体上に、被処理基板を静電吸着する際、被処理基板とセラミック誘電体の主面間に空隙を形成するための柱状の突起である。この空間が生成することにより、被処理基板とセラミック誘電体の主面間に効率よく伝熱用ガスを供給できる。また、セラミック誘電体の主面の外周に、伝熱用ガスの流出を防止するリング状突起を設けてもよい。突起部の形状については、被処理基板の裏面側からパーティクル発生を抑制するために、その頂面の面積をより小さくするほうが望ましい。例えば、頂面の径は、0.1mm~0.5mmである。また、セラミック誘電体の主面から突起部の頂面までの高さについては、伝熱用ガスのコンダクタンスが適度に保て、かつ、伝熱用ガスの圧力が分子流領域となるように設計されることが望ましい。これにより、伝熱用ガスの熱伝達率がその圧力によって制御される。例えば、セラミック誘電体の主面から突起部の頂面までの高さは、3μm~15μmである。リング状突起の幅は、伝熱用ガスの漏洩が防止でき、かつ、被処理基板との熱伝達を目的値に設定できる値にする。例えば、伝熱用ガスの漏洩防止と、熱伝達の低減を目的とする場合には、リング状突起の幅は、0.3mm~0.6mmにする。リング状突起の幅は、熱伝達を増加させたい場合には、リング状突起の幅は、1mm~3mmに設定する。なお、リング状突起の高さは、突起部の高さと一致させる。貫通孔貫通孔は、伝熱用ガスを溝へ導入するための孔である。セラミック誘電体とセラミック基板とを一体焼結する場合、それらの原料であるグリーンシートを積層した後に、貫通孔の加工を行い、焼結して形成する。この方法によれば、電極と貫通孔との位置関係において、焼結による収縮の影響例えば、位置ずれを受けずに済む。一方、セラミック誘電体とセラミック基板とを挟んで静電チャックを形成する場合、セラミック誘電体側に予め電極を形成するので、電極形状に焼結による収縮の影響が出ない。従って、セラミック誘電体とセラミック基板とを接着した後に、研削加工で所定の位置に貫通孔を設けることができる。温調プレート温調プレートとは、セラミック板を冷却または加熱するためのプレートである。このため、温調プレートの内部には、冷媒または温媒を流す媒体経路が設けられている。冷媒または温媒は、チラー機と配管を通じて接続されている。温調プレートの材質は、被処理基板の処理プロセスにおいて、汚染、発塵等を起こさない材質であることが好ましい。例えば、その材質として、ステンレス、アルミニウム、チタン等の金属、これらの合金、金属とセラミックを分散混合させたコンポジット材料が該当する。具体的には、アルミニウムA6061材である。また、温調プレートの表面に絶縁膜を形成し、ヒータと温調プレートとの間の電気的絶縁を確保してもよい。絶縁膜としては、例えば、アルミナ溶射膜が該当する。アルミナ溶射は、加工が容易で、低コストで製造できる。温調フレートの材質がアルミニウムの場合、温調プレートの表面にアルマイト登録商標処理を施してもよい。アルマイトの封孔処理を行うことで、電気的絶縁の信頼性をより向上させることができる。次に、静電チャックの構成について説明する。図1aは、静電チャックの要部断面図であり、図1bは、図1aのAで囲んだ部分の拡大図であり、図1cは、図1bの一部溝22付近をさらに、拡大した図である。図1bには、aの中心部付近および周辺が併せて表示されている。静電チャック1においては、セラミック基板10と、セラミック基板10の上側に設けられ、被処理基板50が第1主面20sに載置されるセラミック誘電体20と、セラミック基板10とセラミック誘電体20との間に設けられた電極30と、を備える。セラミック誘電体20の材質は、セラミック焼結体であり、セラミック誘電体20の第1主面表面側20sには、複数の突起部21が設けられている。また、第1主面20sには、第1主面20sと被処理基板50との間に伝熱用ガスを供給するための溝22が少なくとも1つ設けられている。溝22の底面22bには、第1主面20sとは反対側のセラミック基板10の第2主面裏面側10sにまで貫通する貫通孔23が少なくとも1つ設けられている。電極30と溝22との間の第1の距離d1は、電極30とセラミック誘電体20の第1主面20sとの間の第2の距離d2と同じか、もしくは大きい。セラミック誘電体20の外周には、リング状突起部24が設けられている。セラミック基板10の下側には、温調プレート40が設けられている。セラミック基板10、セラミック誘電体20、および電極30は、一体焼結されたものである。セラミック基板10、セラミック誘電体20は、例えば、アルミナ焼結体である。ここで、第1の距離d1は、電極30と溝22とを結ぶ直線において最短の距離で定義される。例えば、セラミック誘電体20の第1主面20sからの溝22の底面22bの深さが電極30の主面30sより浅い場合、第1の距離d1は、電極30の溝22側の端部30eと、溝22の側面22wと底面22bとがなす交点とを結ぶ直線の距離で定義される。第2の距離d2は、セラミック誘電体20の第1主面20sと電極30の主面30s上面との間の距離である。また、セラミック誘電体20の第1主面20sからの溝22の底面22bの深さが電極30の主面30sと同じか、もしくは電極30の主面30sより深い場合、第1の距離d1は、電極30の溝22側の端部30eから、電極30と同じ深さの溝22の側面22wまでの距離で定義される。また、伝熱用ガスについては、第1主面20sと被処理基板50との間の距離を調整し、ガス圧力が分子流領域になるように調整する。この場合、ガス圧力と伝熱用ガスの熱伝達率が比例関係になる。これにより、伝熱用ガスの圧力によって被処理基板50と静電チャック間の熱伝達率を精度よく制御することができ、被処理基板の温度制御が可能になる。伝熱用ガスの圧力が分子流領域の場合、溝22内の放電開始電圧は、パッシェン法則パッシェン曲線により規定される。例えば、伝熱用ガスの圧力と第1の距離d1との積における放電開始電圧よりも印加電圧が高い場合、溝22内で伝熱用ガスの放電が起こる場合がある。例えば、後述する静電チャック100のように、溝22が電極30上でオーバーラップするように配置されると、第1の距離が第2の距離より小さくなる。このような状態で、溝22内に伝熱用ガスを導入して、電極30に高電圧を印加すると、溝22内で伝熱用ガスの放電が起こる場合がある。この場合、溝22内が伝熱用ガスの圧力によって導電性を帯び、溝22と高電圧を印加した電極30間の絶縁性が保てなくなる場合がある。最終的には、溝22と電極30間で絶縁破壊が発生する場合がある。しかし、本実施の形態では、溝22が電極30上で、オーバーラップすることはなく、第1の距離d1を第2の距離d2と同じ、もしくは大きくしている。従って、本実施の形態では、パッシェン法則から外れ、溝22内に伝熱用ガスを導入しても、溝22内で伝熱用ガスの放電が起き難くなる。従って、溝22内は伝熱用ガスの圧力によって導電性を帯びることはなく、溝22と電極30間の高い絶縁性が維持される。また、パッシェン法則における圧力と距離との積が近い場合でも、溝22と、内部電極である電極30と、の間の物理的な距離を大きくすることによって、セラミック誘電体の耐電圧強度が向上し、絶縁破壊が抑制される。さらに、溝22の底面22bと側面22wとのあいだに連続的な曲面を形成することで、溝22と電極30と間の物理的距離がさらに大きくなり、かつ特異点電界が集中する点が発生し難くなる。このため、さらに絶縁破壊が抑制される。また、セラミック誘電体20の第1主面20sに複数の突起部21が配置されることにより、伝熱用ガスの圧力が均一になり、セラミック誘電体20の面内温度分布にもむらが生じ難くなり、被処理基板の面内温度分布が均一になる。具体的には、セラミック基板10、セラミック誘電体20のそれぞれの外径は、300mmであり、セラミック基板10およびセラミック誘電体20の総厚さは、1mmである。セラミック誘電体20の第1主面20sと電極30の主面30sとの間の第2の距離d2は、0.3mmである。対向する電極30間の距離は、3.0mmである。溝22の幅は、1.0mmである。溝22の深さは、0.1mmである。溝22は、対向する電極30間の中心に配置されている。溝22と電極30の溝22側の端部30eとの間の第1の距離d1は、1mm20.2mm2の平方根から、1.020mmになる。また、セラミック誘電体20の室温における体積抵抗率は、1×1014Ωcm以上である。すなわち、静電チャック1は、クーロン型静電チャックである。セラミック基板10の厚みは、セラミック誘電体20の厚みよりも厚い。セラミック基板10の厚みをセラミック誘電体20の厚みよりも厚くすることにより、セラミック誘電体20のそりが抑制される。このように、静電チャック1においては、セラミック誘電体20の第1主面20sから溝22の底面22bまでの深さは、第1主面20sから電極30の主面30sまでの深さと同じか、もしくは小さい。セラミック誘電体20の第1主面20sから溝22の底面22bまでの深さをセラミック誘電体20の第1主面20sから電極30の主面30sまでの深さと同じか、もしくは小さくした分、電極30と溝22との間の第1の距離d1が長くなり、電極30と溝22との間の絶縁性が向上する。また、溝22を研削もしくはサンドブラストにより加工する場合、溝22の深さを浅めに加工するほど、加工負荷の累積値も小さい。従って、溝22の底面22bにマイクロクラックが発生し難い。これにより、マイクロクラックを通じての電流リークパスが形成され難くなる。また、静電チャック1においては、第1主面20sから溝22の底面22bまでの深さは、溝22の幅よりも小さい。ここで、溝22の幅とは、溝22が延在する方向に対して垂直に溝22を切断した場合の溝の幅をいう。セラミック誘電体20の第1主面20sから溝22の底面22bまでの深さを溝22の幅より小さくすることにより、溝加工深さを浅くすることができる。これにより、溝22を研削もしくはサンドブラストにより加工しても、溝深さにばらつきが生じ難くなる。さらに、溝22内における伝熱用ガスのコンダクタンスがより一定に近くなり、ガス分配速度がより均一になる。静電チャック1の代表的な構成部品の製造過程を以下に説明する。セラミック基板10およびセラミック誘電体20は、以下の製造過程により形成される。例えば、平均粒子径0.1μm、純度99.99以上のアルミナ原料粉末に、アクリル系バインダーを添加した後、スプレードライヤーで粒状にし、顆粒粉を作製する。その後、CIPラバープレスまたはプレス成形後、所定の形状に加工し、1250~1450°Cの大気雰囲気下で焼成する。続いて、HIP処理熱間等方圧加圧をする。HIP条件は、Arガスが1000気圧以上で、温度は、焼成温度と同じ1250~1450°Cとする。このような条件の下で、極めて緻密で、且つ構成粒子の平均粒子径が2μm以下、20±3°Cにおいて体積抵抗率が1×1014Ωcm以上、密度が99以上、熱伝導率30W/mK以上、耐電圧20kV以上1mm厚時のセラミック基板10およびセラミック誘電体20が得られる。さらに、セラミック基板10およびセラミック誘電体20をセラミック焼結体とすることで、セラミック誘電体各部の絶縁性が均一となり、静電チャック1の信頼性が向上する。セラミック基板10と温調プレート40とは、シリコーン接着剤によって接着されている。本実施の形態に係るシリコーン接着剤は、2液付加型である。従って、シリコーン接着剤を硬化しても、気体の発生が少ない。また、触媒と加熱によって硬化するため、深部の硬化性に優れている。シリコーン接着剤を室温で硬化できるタイプもあるが、この接着剤は、深部の硬化性が弱く、硬化の際に気体が発生し、ボイド発生の原因となるので好ましくない。さらに、硬化に長時間72時間以上かかるので好ましくない。本実施の形態に係るシリコーン接着剤は、セラミック製の無定形フィラーを混合分散している。これにより、シリコーン接着剤は、高熱伝導率を有する。また、セラミック基板10およびセラミック誘電体20への応力集中を防ぐため、シリコーン接着剤に球形フィラーを混合分散させて、その厚さを一定に保っている。球形フィラーの平均直径は、無定形フィラーの短径の最大値よりも大きくする。無定形フィラーおよび球形フィラーを混合分散させたシリコーン接着剤をセラミック基板10および温調プレートの、それぞれの貼り合わせ面に塗布し、真空チャンバに入れ、脱泡処理とともに貼り合せる。その後、シリコーン接着剤の硬化前にセラミック誘電体と温調プレートを大気中に取出し、ホットプレス機でシリコーン接着剤の厚みを制御しながら仮硬化を行なう。ホットプレス後、はみ出した余分なシリコーン接着剤を除去し、オーブンに入れ、完全に加熱硬化させる。セラミック基板10と温調プレート40とを接着した後、セラミック誘電体20の第1主面20sを研削し、ラッピングおよびポリッシュ加工等をする。これにより、吸着面の表面粗さが整えられる。その後、フォトレジスト法で、溝22のパターン以外の部分をマスクし、サンドブラストによって溝22を規定の深さまで加工する。次いで、フォトレジスト法で、突起部21およびリング状突起部24が形成される部分をマスクし、サンドブラストで突起部21、リング状突起部24を形成する。次に、電極30の平面形状について説明する。図2は、電極の平面形状の要部図であり、aは、第1の電極の平面図であり、bは、第2の電極の平面図であり、cは、第3の電極の平面図である。図2は、静電チャック1をセラミック誘電体20の第1主面20sに対して垂直の方向からみた図である。図2aに示す電極30は、少なくとも1対の電極を有する。例えば、半円状の2枚の電極30a、30bが対向するように配置されている。静電チャック1の中央に設けられた溝22は、電極30aと電極30bとの間に設けられている。また、電極30a、30bの端部30eは、全ての場所において、溝22の側面22wから電極30a、30bの内部の方向に向かって引き込まれている。すなわち、静電チャック1をセラミック誘電体20の第1主面20sと垂直の方向からみた場合、電極30a、30bの端部30eと、溝22の側面22wとの間には一定の距離が設けられている。電極30a、30bを1対の双極電極とした場合、双極電極の一方の電極30aと他方の電極30bとには、互いに異なる極性の電圧が印加可能である。一方の電極30aと、他方の電極30bとは、離間している。ここで溝22は、一方の電極30aと、他方の電極30bとの間に配置されている。離間した双極電極間に溝22を配置することにより、上述した第1の距離d1は、電極30a、30bの主面とセラミック誘電体20の第1主面20sとの間の第2の距離d2と同じか、もしくは大きくすることができる。これにより、電極30と溝22との間の絶縁性を、電極30とセラミック誘電体20の第1主面20sとの間の絶縁性より高くすることができる。また、電極電極要素30a、30bのそれぞれには、同一の極性の電圧が印加可能である。この場合は、電極30a、30bのそれぞれに、同一の極性の電圧が印加されるので、被処理基板50をプラズマ処理する場合には、被処理基板50の面内でのいわゆる電位むらが起き難くなる。また、図2bに示すように、セラミック誘電体20の外周の位置に、リング状の電極30rを設けてもよい。これにより、被処理基板50の面内でのいわゆる電位むらがより起き難くなる。また、図2cに示す電極30は、半円状の2枚の電極30a、30bをさらに2つに分割したものである。ここで、電極30aaと電極30bbの組には、正の極性の電圧を印加し、電極30abと電極30baの組には、負の極性の電圧を印加する。あるいは、電極電極要素30aa、30ab、30ba、30bbに同一の極性の電圧を印加してもよい。このような電極形状も本実施の形態に含まれる。なお、電極30、溝22の形状は、これらの実施例の形状に限られない。例えば、電極は、櫛歯状、同心円状、アルファベットのC文字状等、任意の形状でもよい。ただし、溝22については、それぞれの電極間に配置する。図3aは、静電チャックの変形例に係る要部断面図であり、図3bは、図3aのAで囲んだ部分の拡大図である。図3bには、図3aの中心部付近および周辺が併せて表示されている。図3に示す静電チャック2においては、その基本構成を静電チャック1と同じとしている。静電チャック2においては、静電チャック2の第1の距離d1について、静電チャック1の第1の距離d1よりも短くしている。ただし、静電チャック2においても、第1の距離d1が第2の距離d2と同じか、もしくは大きい条件は満たされている。具体的には、セラミック基板10、セラミック誘電体20のそれぞれの外径は、300mmであり、セラミック基板10およびセラミック誘電体20の総厚さは、1mmである。セラミック誘電体20の第1主面と電極30の主面30sとの間の第2の距離d2は、0.3mmである。対向する電極30間の距離は、2.0mmである。溝22の幅は、1.0mmである。また、溝22の深さは、0.1mmである。溝22は、対向する電極30間の中心に配置されている。従って、溝22と電極30の溝22側の端部30eとの間の第1の距離d1は、0.5mm20.2mm2の平方根をとり、0.539mmになる。静電チャック2については、セラミック誘電体20と、セラミック基板10とを個別に焼結し、これらを貼り合わせて形成する。電極30は、セラミック誘電体20側に予め形成され、電極30を挟むようにセラミック基板10とセラミック誘電体20とを一体接着する。従って、電極30は、セラミック基板10とセラミック誘電体20との焼結後に形成されることになる。よって、電極30については、焼成収縮の影響を受け難く、所望のパターンが得られる。このような実施の形態でも、静電チャック1と同様の効果が得られる。さらに、静電チャック2の電極30の面積は、静電チャック1の電極30の面積よりも大きい分、より高い静電力が得られる。最後に、比較例としての静電チャック100を説明する。図4は、比較例に係る静電チャックの要部断面図である。静電チャック100においては、セラミック基板10、セラミック誘電体20のそれぞれの外径は、300mmであり、セラミック基板10およびセラミック誘電体20の総厚さは、1mmである。セラミック誘電体20の第1主面と電極30の主面30sとの間の第2の距離d2は、0.3mmである。対向する電極30間の距離は、1.4mmである。溝22の幅は、1.0mmである。また、溝22の深さは、0.3mmである。溝22は、対向する電極30間の中心に配置されている。従って、溝22と電極30の溝22側の端部30eとの間の第1の距離d1は、0.2mmになる。静電チャック100では、電極30と溝22との間の第1の距離d1は、電極30とセラミック誘電体20の第1主面20sとの間の第2の距離d2よりも小さくなっている。すなわち、静電チャック100においては、静電チャック1、2に比べ、電極30の端部30eが溝22の側面22wに近接した構成になる。従って、電極30に高電圧を印加すると、電極30の端部30eと溝22の側面22wとの間での絶縁破壊が発生する場合がある。また、セラミック誘電体20の第1主面20sに設けられた別の溝25においては、その直下に電極30が位置している。すなわち、溝25と電極30とがオーバーラップしている。このような場合、溝25の底面25bと電極30の主面30sとの間で絶縁破壊が発生する場合がある。これに対し、静電チャック1、2においては、絶縁破壊が起き難い構成になっている。静電チャック1、2においては、温調プレート40を備え、伝熱用ガスが被処理基板50と、セラミック誘電体20の第1主面20sとの間に供給される。従って、静電チャック1、2を用いれば、被処理基板50の急速な加熱冷却が可能にある。図5aは、静電チャックの別の変形例に係る要部断面図であり、図5b、図5aの一部の拡大図である。静電チャック3においては、溝22の端部領域に、溝22の端に向けて溝22の深さが次第に浅くなる漸浅部22rが設けられている。セラミック誘電体20の第1主面20sに、被吸着物である被処理基板50を静電吸着し、溝22の内部を伝熱用ガスで満たした際に、溝22の側面2wと底面22bとが直線状に交差していると、この交差した箇所が特異点電界が集中する点となって、溝22と電極30との間で放電破壊が起き易くなってしまう。これに対して、この実施形態のように、溝22の端部領域に、溝22の端に向けて溝22の深さが次第に浅くなる漸浅部22rが設けられていると、溝22の内部において特異点がなくなり、電界の集中が抑止され、放電破壊が起き難くなる。例えば、図5には、漸減部22rの一例として、連続的な曲面が示されている。溝22の内部において、側面22wと底面22bとは、連続的な曲面で交わっている。このような連続的な曲面は、例えば、サンドブラストによって形成することができる。一例として、この曲面の形状がRアール形状に近似できる場合には、Rの寸法R寸法は、溝22の深さd3の0.5倍以上であり、溝22の幅d4の0.5倍以下であることが望ましい。R寸法がd3の0.5倍未満では、溝22に伝熱用ガスを充満したときに、電極30-溝22間の特異点電界が集中する点が発生しやすく、放電破壊が発生しやすくなる。一方、漸浅部22rのR寸法が溝22の幅d4の0.5倍よりも大きくなると、溝22の中に漸浅部22rが入りきらず、あるいは、溝22の中央においても深さが所定の深さd3に達しない。溝22の深さが所定の深さd3に達しないと、溝22のコンダクタンスが低下し、伝熱用ガスの導入と排出とのタクト時間が長くなってしまう。また、R寸法については、以下の図6に示す寸法を上限としてもよい。図6は、静電チャックの溝周辺の断面模式図である。漸浅部22rの曲面が半径rの円弧であると仮定したときに、溝22の上端縁22eと、溝22の底面22bの中心22cと、に接する円弧の半径rをR寸法の上限値とする。半径rの上限値は、1/2d3d42/8d3で表されるので、R寸法の上限値≦1/2d3d42/8d3としてもよい。なお、溝22の幅d4の例としては、0.5mm~1mmであり、溝22の深さd3の例としては、0.1mmである。以上、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各要素の形状、寸法、材質、配置などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせたり、複合したりすることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。