昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させるのに用いる種結晶であって、結晶成長面側に開口部を有した窪みを複数有し、前記窪みは、開口部の周上の任意の2点間を結んだ長さが最大2mm以下である大きさを有すると共に、炭化珪素単結晶が成長できる側壁によって囲まれた初期成長空間を有し、かつ、開口部の周上の任意の点から2mm以内の距離に他の窪みの開口部が存在するように、前記窪みが互いに隣接して形成されたことを特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶。前記窪みの深さを開口部の周上の任意の2点間を結んだ長さの最大長で除した値で定義される窪みのアスペクト比が0.1以上10以下である請求項1に記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶。前記各窪みの開口部の面積を合計した開口部総面積が、結晶成長面の20以上を占める請求項1又は2に記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶。口径が50mm以上300mm以下である請求項1~3のいずれかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶。昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を含む炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記種結晶として請求項1~4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いて、2000°C以上2400°C以下及び100Pa以上15kPa以下の雰囲気下で結晶成長を行い、初期成長空間に炭化珪素単結晶を成長させて窪みを塞いで、引き続き結晶成長を行うことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。隣接する窪み間に形成された結晶成長面の残部に炭化珪素単結晶が成長するのに先立って、前記残部の表面が昇華する請求項5に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。請求項5又は6に記載の方法によって得られた炭化珪素単結晶インゴットであって、種結晶側から高さ2mmまでの部分を除いたインゴット実質長の炭化珪素単結晶が、任意の横断面における貫通転位密度がいずれも5×103cm2以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。口径が50mm以上300mm以下である請求項7に記載の炭化珪素単結晶インゴット。上記したように、従来の成長法では種結晶最表面に残存する加工ダメージ層の影響による各種転位欠陥が発生し、高品質なSiC単結晶ウェハ製造ができていなかった。そこで、本発明では、上記の従来技術での問題を解決し、結晶性の良好なSiC単結晶を得るSiC単結晶の製造方法及びSiC単結晶インゴットを提供することを目的とする。本発明は、1昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させるのに用いる種結晶であって、結晶成長面側に開口部を有した窪みを複数有し、前記窪みは、開口部の周上の任意の2点間を結んだ長さが最大2mm以下である大きさを有すると共に、炭化珪素単結晶が成長できる側壁によって囲まれた初期成長空間を有し、かつ、開口部の周上の任意の点から2mm以内の距離に他の窪みの開口部が存在するように、前記窪みが互いに隣接して形成されたことを特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶、2前記窪みの深さを開口部の周上の任意の2点間を結んだ長さの最大長で除した値で定義される窪みのアスペクト比が0.1以上10以下である1に記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶、3前記各窪みの開口部の面積を合計した開口部総面積が、結晶成長面の20以上を占める1又は2に記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶、4口径が50mm以上300mm以下である1~3のいずれかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶、5昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を含む炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記種結晶として請求項1~4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いて、2000°C以上2400°C以下及び100Pa以上15kPa以下の雰囲気下で結晶成長を行い、初期成長空間に炭化珪素単結晶を成長させて窪みを塞いで、引き続き結晶成長を行うことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法、6隣接する窪み間に形成された結晶成長面の残部に炭化珪素単結晶が成長するのに先立って、前記残部の表面が昇華する5に記載の炭化珪素単結晶の製造方法、75又は6に記載の方法によって得られた炭化珪素単結晶インゴットであって、種結晶側から高さ2mmまでの部分を除いたインゴット実質長の炭化珪素単結晶が、任意の横断面における貫通転位密度がいずれも5×103cm2以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット、8口径が50mm以上300mm以下である7に記載の炭化珪素単結晶インゴット、である。本発明によれば、SiC原料を昇華させ、種結晶上にSiC結晶を成長させるSiC単結晶の製造において、種結晶表面に特定の大きさ、形状を有する窪みを所望の割合、配置で設けることにより、種結晶直上における成長開始時の貫通転位欠陥を合体消滅させて、その発生密度を大幅に低減できるので、結晶性の良好なSiC単結晶を高い歩留まりで成長させることができる。そうした良質の単結晶インゴットから切り出して得られるウェハ上に作製した半導体デバイスは、デバイス動作を劣化させる原因となる貫通転位欠陥密度が低減されているために高い歩留まりで安定動作させることが可能となる。本発明に係る種結晶は、結晶成長面側に所定の開口部と側壁によって囲まれた初期成長空間を有した窪みを複数備えることから、昇華再結晶法によりSiC単結晶を成長させると、隣接する窪み間に形成された結晶成長面の残部の表面は昇華して種結晶の加工で生じたダメージ層が除去され、また、初期成長空間内に成長したSiC単結晶は、結晶成長開始時に発生した貫通転位欠陥を合体消滅させることができることから、貫通転位の発生密度を大幅に低減して結晶性の良好なSiC単結晶を高い歩留まりで成長させることができる。実施形態を以下に説明する。初めに、昇華再結晶法について説明する。昇華再結晶法は、2000°Cを超える高温においてSiC粉末を昇華させ、その昇華ガスを低温部に再結晶化させることにより、SiC結晶を製造する方法である。この方法で、SiC単結晶からなる種結晶を用いて、SiC単結晶を製造する方法は、特に改良レーリー法と呼ばれ、バルク状のSiC単結晶の製造に利用されている。改良レーリー法では、種結晶を用いているため結晶の核形成過程が制御でき、また、不活性ガスにより雰囲気圧力を100Pa~15kPa程度に制御することにより、結晶の成長速度等を再現性良くコントロールできる。本発明に係るSiC単結晶の製造方法は、昇華再結晶法の範疇であり、具体的には前述した改良レーリー法である。通常、{0001}面を結晶成長面とするSiC種結晶と原料となるSiC結晶粉末通常、アチソンAcheson法で作製された研磨材を洗浄前処理したものが使用されるは、坩堝通常、坩堝は黒鉛製であるが、高融点材料、黒鉛コート高融点材料、高融点材料コート黒鉛等の黒鉛以外の材料が部分的に使用される場合もあるの中に収納され、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中100Pa~15kPa、2000~2400°Cに加熱される。この際、原料粉末に比べ種結晶がやや低温になるように例えば、100~200°C低くなるように、温度勾配が設定される。原料は、昇華後、濃度勾配温度勾配により形成されるにより、種結晶方向へ拡散、輸送される。坩堝の形状としては、種結晶を保持でき、原料粉末を収容できれば、円柱、円錐、多角柱、多角錐等のどのような形状でも良い。中でも、坩堝から外部への放熱に関して、周方向における放熱量の均一性に優れている円柱形がより好適である。単結晶成長は、種結晶に到着した原料ガスが種結晶上で再結晶化することにより実現される。ここで、図2に示したように、成長に用いる種結晶の結晶インゴットを成長させる結晶成長面の全体にわたり複数の窪みを形成する。このように複数の窪みを結晶成長面側に形成した種結晶を用いた場合、隣接する窪みの間にできる山の部分すなわち結晶成長面の残部では、図2の断面図にて点線で示したように、原料からの昇華ガスが到達して結晶成長が開始される以前に、山の頂上部分前記残部の表面が昇華するエッチバック現象。これは、山の部分突起部の蒸気圧が他の部分に比べ高く、高温低蒸気圧下で不安定化するためである。その結果、当初山の頂上部分の表面付近に存在していた加工ダメージ層が除去され、その後、原料からの昇華ガスが到達し結晶成長が開始される際には、加工ダメージ層の全くない種結晶上に結晶成長を行うことが可能となる。この加工ダメージ層除去→結晶成長の連続プロセスは、2000°C以上2400°C以下及び100Pa以上15kPa以下のような、昇華再結晶法によるSiC単結晶の結晶成長雰囲気下で実現され、種結晶表面の山の部分ではほぼ均一に起こる。ここで隣接する窪みの間隔としては、2mm以下である。2mm超の間隔では、山の部分の面積が大きくなり過ぎて、エッチバックが生じない領域が種結晶上に発生してしまう。すなわち、本発明の種結晶では、開口部の周上の任意の点から2mm以内の距離に他の窪みの開口部が存在するように、複数の窪みを互いに隣接させて形成する必要がある図2aに示すように、開口部周上の任意の点から隣接する他の開口部までの距離dが常に2mm以下である。一方、反対に谷となる部分については、エッチバック現象が起きないので、図2の断面図に示したように、SiC単結晶の結晶成長雰囲気下において、窪みの内部では結晶成長開始時に新たに貫通転位欠陥が発生するが、これらは結晶成長していくに従って、転位の鏡像効果により線欠陥である転位が、エネルギー的に安定な配置を取ろうとして、成長表面に垂直に伝播する性質、貫通転位欠陥は窪みの中央部に集められる。元々転位が発生する際には、必ず反対符号大きさが等しく向きが逆のバーガースベクトルを有する転位が対ペアで発生する。このため、窪みの内部で発生した転位は窪みの中央部に集められると、反対符号のバーガースベクトルを有したもの同士が打ち消し合って消滅する。このメカニズムにより、窪み内部で発生した転位は、窪み内部で再結合し消滅する。その結果、発生転位が成長結晶に伝播することはない。種結晶の結晶成長面側に加工を施すことについては、例えば、特許文献1では種結晶表面に特定形状の溝を付与することで、種結晶中に存在している貫通転位欠陥が成長結晶側に伝播するのを防いで、成長結晶を高品質化することが開示されている。しかしながら、この文献で開示されている方法は、本発明のように、種結晶の加工ダメージに起因して結晶成長開始時に発生する貫通らせん転位、貫通刃状転位等の貫通転位の発生を抑制することを目的とするものでなく、種結晶が有する欠陥の伝播抑制を目的とするものであり、本発明とは目的、効果ともに異なっている。特許文献1記載の発明のように、溝状の構造を種結晶表面に付与した場合、溝の長手方向溝の伸びる方向をみると、転位を中央部に集合させる側壁は存在せず、対生成した転位は溝の伸びる方向に沿って逆向きに伝播していき、そのまま成長結晶に引き継がれるものと考えられ、本発明のように、結晶成長開始時に発生する貫通転位を窪みの内部で互いに消滅させて、貫通転位の発生密度が大幅に低減されたSiC単結晶を得ることはできない。ここで、本発明の種結晶が備える窪みの大きさとしては、開口部の周上の任意の2点間を結ぶ最大の長さ、即ち、開口部の最大幅Lが2mm以下である。最大幅が2mm超になると、貫通転位を溝の内部に集める効果が弱まり、転位を確実に消滅させることができないおそれがある。また、窪みの形状に関しては、結晶成長開始時にSiC単結晶が成長できるような側壁によって囲まれた初期成長空間を有するようにする。すなわち、窪み内部において結晶成長して発生した貫通転位は、窪み内部で互いに打ち消し合うことができるようにする。窪み形状をより具体的に示せば、例えば図2に示したような、ほぼ円柱形で底部が窄まったような形状、あるいは円錐形でも良いが、図3に示すような四角錘、あるいは三角錐、六角錐、三角柱あるいは六角柱で底部が窄まったような形状でも良く、必ず窪み内部の周囲にはSiC単結晶が成長できる側壁が存在するため、貫通転位を互いに打ち消し合うことができる。なお、これら四角錘、あるいは三角錐、六角錐形状等の場合についても、円錐の場合と同様の理由から、開口部の最大幅は2mm以下である。開口部の大きさとしては、先に述べた転位の鏡像効果が発現するのであれば、どんなに小さくても構わないが、開口部の大きさが転位芯の大きさとほぼ同程度になった場合には、鏡像効果は発現しないものと考えられるので、開口部最大幅Lの下限値は10nm程度と考えられる。また、窪みの深さを開口部の周上の任意の2点間を結ぶ最大長さLで除した値を窪みのアスペクト比として定義した場合、このアスペクト比が0.1以上10以下、より好ましくは0.2以上5以下であることが望ましい。0.1未満では窪みが浅過ぎて、通常の平面種結晶との有意差が無くなり、一方、10超では針状のような形状であり、加工の点で極めて作製困難である。また、窪み形状の開口部が種結晶の全面積中に占める面積割合としては、20以上であり、より好ましくは50以上100以下であることが望ましい。20より少ないと、本発明の効果が得られる面積割合が少な過ぎて、発生転位密度低減としての役割が小さ過ぎる。種結晶の結晶成長面側への窪みのつけ方については、幾つか方法があり、特定するものではない。一番簡便な方法は、機械加工例えば、ダイヤモンドドリルによる切削による方法である。ドリルの先端径を選択することにより、色々な直径、配置の円形溝を形成することができる。また、レーザー加工による窪み形成も可能である。紫外域あるいは可視域の高出力レーザー光を用いて、任意の形状、配置に、最小径数μm程度からの窪み加工が可能である。さらに、半導体プロセス等で用いられているリソグラフィー工程によっても窪みは形成可能である。種結晶表面に、高分子、無機材料、金属等からなるマスク材料をパターニングし、その後、エッチング例えば、反応性プラズマによるドライエッチングや薬液によるウェットエッチングにより、マスク材料の開口部に窪みを形成する。マスク材料は、二次元的にほぼどのような形状にもパターニングすることが可能なので、任意の窪みの開口部形状、配置が可能である。また、窪みの側壁形状は、エッチング条件を選択することにより制御可能である。その他、電気化学エッチング、種結晶上へのSiC単結晶膜の選択エピタキシャル成長等によっても窪みは形成可能である。こうして作製した種結晶を用いて、昇華再結晶法によりSiC単結晶インゴットを作製した後、インゴットから切り出したウェハにおける貫通転位密度を水酸化カリウム溶融塩浴にてエッチングすることで生じるエッチピットを数えて調べたところ、1平方センチメートルあたり5000個以下、特に良質なものについては1000個以下となるウェハが得られた。これらのデータについては、インゴットの高さ方向における変化は少なく任意の横断面において確認することができるが、より確実には、種結晶側から高さ2mmまで成長した部分を除いたインゴット実質長において、インゴット全体に亘り貫通転位密度が小さい高品質なインゴットであることが確認できた。また、このような特徴は作製したインゴットの口径による差も殆ど無く、どの口径においても同様の結果が得られた。以下に、本発明の実施例について述べる。実施例1図4に示す単結晶成長装置を用いて、SiC単結晶を製造する例について説明する。結晶成長に用いる種結晶1は、黒鉛製坩堝3の蓋4の内面に取り付けられる。結晶成長は、SiC結晶粉末2を昇華させ、窪み構造を形成したSiC単結晶種結晶1上で再結晶化させることにより行われる。原料のSiC結晶粉末2は、黒鉛製坩堝容器3の内部に充填されている。このような黒鉛製坩堝坩堝容器3と坩堝蓋4は、二重石英管5の内部に、黒鉛の支持棒6により設置される。黒鉛製坩堝の周囲には、熱シールドのための黒鉛製断熱材7が設置されている。二重石英管5は、真空排気装置11により高真空排気103Pa以下することができ、かつ、内部雰囲気をガス流量調節計10を通って導入されるArガスにより圧力制御することができる。各種ドーピングガス窒素、トリメチルアルミニウム、トリメチルボロンも、ガス流量調節計10を通して導入することができる。また、二重石英管5の外周には、ワークコイル8が設置されており、高周波電流を流すことにより黒鉛製坩堝を加熱し、原料及び種結晶を加熱することができる。坩堝温度の計測は、坩堝上部及び下部を覆う断熱材の中央部に直径2~4mmの光路を設け坩堝上部及び下部からの光を取り出し、二色温度計を用いて行う。種結晶として、口径76mmのC面を有した4HポリタイプのSiC単結晶ウェハを用意した。同種結晶のオフセット角度としては{0001}面から方向に4°とした。この種結晶の貫通転位密度を予めエッチングによるエッチピット計測で調べたところ、802個/cm2であった種結晶中央部で計測。種結晶のインゴットを成長させる面には、予めレーザー加工により、図2に示したようなほぼ円柱形で底部が窄まったような形状の窪み構造を作りつけた。すなわち、一辺の長さが1.5mmの正三角形の頂点に口径1mmの円形開口部の中心が位置する関係を保って結晶成長面側に複数の窪みを形成し一辺上に並ぶ開口部の間隔が05mm、それぞれの窪みの深さを開口部の口径で除した値で定義される窪みのアスペクト比を1とした。この場合、結晶成長面の全面積に対する窪みの開口部総面積の比率は約62となる。次に、この種結晶を黒鉛製坩堝の坩堝蓋4の内面に取り付けた。黒鉛製坩堝容器3の内部には、アチソン法により作製したSiC結晶原料粉末2を充填した。次いで、SiC原料を充填した黒鉛製坩堝容器3に坩堝蓋4をセットし、黒鉛製フェルト7で被覆した後、黒鉛製支持棒6の上に乗せ、二重石英管5の内部に設置した。そして、石英管の内部を真空排気した後、雰囲気ガスとして高純度Arガス純度999995を流入させ、石英管内圧力を成長全体を通じて1.3kPaに保った。この圧力下において、ワークコイルに電流を流し温度を上げ、種結晶温度が目的温度である2300°Cまで上昇させ、その後、同温度を保って45時間成長を続けた。この成長時間中、窒素流量を0.5×106m3/sec同流量にて、成長結晶中の窒素濃度が1×1019cm3となるとし、成長終了時まで保った。得られた結晶の口径は77mmで、高さは35mm程度であった。こうして得られたSiC単結晶についてラマン散乱により分析したところ、種結晶と同じ4Hポリタイプを有するSiC単結晶が、全面に亘り成長したことを確認できた。次に、SiC単結晶について外周加工等を施した後、成長方向に対して水平になるようにワイヤーソーにてウェハを切り出した。複数枚得られたウェハの内、種結晶位置に対応するウェハ、種結晶直上位置に対応するウェハ、インゴット高さにしてほぼ中央位置に対応するウェハ、そして最もインゴット頂部に近い位置に対応するウェハの合計4枚のウェハを選び、ダイヤモンドパウダーにてSi面を研磨して鏡面となるまで仕上げたインゴットからのウェハ切り出し位置については図5参照。これらのウェハに対して、520°Cに保持した水酸化カリウム溶融塩中に5分間浸漬してエッチング処理を施し、ウェハ中央部に現れた貫通転位に対応するエッチピット密度を観察したところ、種結晶に対応するウェハで810個/cm2、種結晶直上位置に対応するウェハで805個/cm2、インゴット高さにして中央位置に対応するウェハで776個/cm2、最もインゴット頂部に近い位置に対応するウェハで721個/cm2となり、いずれも種結晶中の貫通転位密度とほぼ同程度の貫通転位密度を有していることが分かった。この結果より、インゴット全体を通じて、種結晶と比して貫通転位密度が増加していない高品質なSiC単結晶が得られていることが確認できた。実施例2種結晶として口径100mmの種結晶を用い、窪み構造として図6に示したような四角錘の形状とした条件以外は実施例1と同様の実験を行った。すなわち、一辺の長さが1.5mmの正四角形の角に1辺の長さが1mmの正方形形開口部の中心が位置する関係を保って結晶成長面側に複数の窪みを形成し一辺上に並ぶ開口部の間隔が05mm、窪みの深さ1mm、それぞれの窪みの深さを開口部の周上の任意の2点間を結ぶ最大長さで除した値で定義される窪みのアスペクト比を1/√2=0.71とした。この場合、結晶成長面の全面積に対する窪みの開口部総面積の比率は約44となる。種結晶の貫通転位密度は実施例1と同様の測定方法により2010個/cm2であった種結晶中央部で計測。得られた結晶の口径は101mmで、高さは30mm程度であった。こうして得られたSiC単結晶についてラマン散乱により分析したところ、種結晶と同じ4Hポリタイプを有するSiC単結晶が、全面に亘り成長したことを確認できた。次に、やはり実施例1と同様のやり方で取り出した4枚のウェハについて水酸化カリウム溶融塩中に5分間浸漬してエッチングし、ウェハ中央部に現れた貫通転位に対応するエッチピット密度を観察したところ、種結晶に対応するウェハで2002個/cm2、種結晶直上位置に対応するウェハで1998個/cm2、インゴット高さにして中央位置に対応するウェハで1902個/cm2、もっともインゴット頂部に近い位置に対応するウェハで1811個/cm2となり、いずれも種結晶中の貫通転位密度とほぼ同程度の貫通転位密度を有していた。比較例1種結晶表面に窪み構造を形成しないこと以外は実施例1と同様にして結晶成長を実施した。種結晶の貫通転位密度は実施例1と同様の測定方法により1832個/cm2であった種結晶中央部で計測。こうして得られたSiC単結晶についてラマン散乱により分析したところ、種結晶と同じ4Hポリタイプを有するSiC単結晶が、全面に亘り成長したことを確認できた。次に、やはり実施例1と同様のやり方で取り出した4枚のウェハについて水酸化カリウム溶融塩中に5分間浸漬してエッチングし、ウェハ中央部に現れた貫通転位に対応するエッチピット密度を観察したところ、種結晶に対応するウェハで1829個/cm2、種結晶直上位置に対応するウェハで6552個/cm2、インゴット高さにして中央位置に対応するウェハで5325個/cm2、もっともインゴット頂部に近い位置に対応するウェハで4805個/cm2となった。種結晶直上位置からインゴット頂部に向けてある程度の貫通転位が合体消滅するためか、その密度に減少は見られるものの、いずれのウェハにおいても種結晶中の貫通転位密度に比べて大幅に高い値を示した。比較例2種結晶表面に窪み構造ではなく溝構造を形成したこと以外は実施例1と同様にして結晶成長を実施した。種結晶の貫通転位密度は実施例1と同様の測定方法により4832個/cm2であった種結晶中央部で計測。この種結晶の表面にレーザー加工により、幅1mm、深さ1mmの断面形状がほぼ矩形の溝を0.5mm間隔で作り付けた。この場合、結晶成長面の全面積に対する窪みの開口部総面積の比率は約67となる。こうして得られたSiC単結晶についてラマン散乱により分析したところ、種結晶と同じ4Hポリタイプを有するSiC単結晶が、全面に亘り成長したことを確認できた。次に、やはり実施例1と同様のやり方で取り出した4枚のウェハについて水酸化カリウム溶融塩中に5分間浸漬してエッチングし、ウェハ中央部に現れた貫通転位に対応するエッチピット密度を観察したところ、種結晶に対応するウェハで4840個/cm2、種結晶直上位置に対応するウェハで6017個/cm2、インゴット高さにして中央位置に対応するウェハで4571個/cm2、もっともインゴット頂部に近い位置に対応するウェハで3627個/cm2となった。特許文献1に記載されているように、種結晶表面に溝構造を作り付けたことにより、種結晶中に存在していた貫通転位が偏向するなど、種結晶から成長結晶に貫通転位欠陥が伝播するのを抑制する効果は見られたものの、溝底部で新たに発生した貫通転位は完全に合体消滅しなかった。その結果、種結晶直上位置からインゴット頂部までのほぼ全長に亘って貫通転位密度を種結晶と同等あるいはそれ以下に維持することはできなかった。