サファイア基板の表面にバファー層を介してn型半導体層およびp型半導体層からなる光デバイス層が積層された光デバイスウエーハからサファイア基板を剥離する光デバイスウエーハの加工方法であって、光デバイス層の表面に移設基板を接合する移設基板接合工程と、光デバイス層の表面に移設基板が接合された光デバイスウエーハのサファイア基板側からパルスレーザー光線を照射してバファー層を破壊するバファー層破壊工程と、バファー層が破壊された光デバイスウエーハのサファイア基板を剥離して光デバイス層を移設基板に移し替えるサファイア基板剥離工程と、を含み、該バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線は、波長がサファイア基板の吸収端よりも長くバファー層の吸収端よりも短く設定されており、熱拡散長が200nm以下となるパルス幅に設定されている、ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。バファー層は窒化ガリウムGaNであり、該バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線のパルス幅は200ps以下に設定されている、請求項1記載の光デバイスウエーハの加工方法。該バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線のパルス幅は、100ps以下に設定されている、請求項2記載の光デバイスウエーハの加工方法。該バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線の波長は、150~355nmに設定されている、請求項2又は3記載の光デバイスウエーハの加工方法。該バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線の波長は、150~250nmに設定されている、請求項2又は3記載の光デバイスウエーハの加工方法。而して、上記バファー層の厚みは1μm程度で薄いとともにn型半導体層およびp型半導体層からなる光デバイス層と同じ半導体層によって形成されていることから、レーザー光線を照射してバファー層だけを破壊することが困難であるとともに、サファイア基板を剥離した後のバファー層の面が250nm以上の凹凸で荒れているため、研磨しなければならないという問題がある。また、バファー層側に金属基板を装着すると全体に反りが生じてバファー層にレーザー光線の集光点を正確に位置付けることが困難であるという問題がある。本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板の表面にバファー層を介して積層された光デバイス層に移設基板を接合した後、サファイア基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射することにより光デバイス層を損傷させることなくバファー層を確実に破壊してサファイア基板を確実に剥離することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、サファイア基板の表面にバファー層を介してn型半導体層およびp型半導体層からなる光デバイス層が積層された光デバイスウエーハからサファイア基板を剥離する光デバイスウエーハの加工方法であって、光デバイス層の表面に移設基板を接合する移設基板接合工程と、光デバイス層の表面に移設基板が接合された光デバイスウエーハのサファイア基板側からパルスレーザー光線を照射してバファー層を破壊するバファー層破壊工程と、バファー層が破壊された光デバイスウエーハのサファイア基板を剥離して光デバイス層を移設基板に移し替えるサファイア基板剥離工程と、を含み、該バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線は、波長がサファイア基板の吸収端よりも長くバファー層の吸収端よりも短く設定されており、熱拡散長が200nm以下となるパルス幅に設定されている、ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。上記バファー層は窒化ガリウムGaNであり、上記バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線のパルス幅は200ps以下に設定されていることが望ましく、100ps以下に設定されていることがより好ましい。また、上記バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線の波長は、150~355nmに設定されていることが望ましく、150~250nmに設定されていることがより好ましい。本発明による光デバイスウエーハの加工方法によれは、バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線は、波長がサファイア基板の吸収端よりも長くバファー層の吸収端よりも短く設定されており、熱拡散長が200nm以下となるパルス幅に設定されているので、パルスレーザー光線のエネルギーがバファー層で消費され、光デバイス層を損傷させることはない。また、熱拡散長が200nmと短いことからパルスレーザー光線のエネルギーが熱拡散長の範囲でサファイア基板との境界面に沿って吸収されるので、エネルギーがガウシアン分布であってもトップハット形状と同等の加工が行われる。更に、熱拡散長が200nmと短いことからパルスレーザー光線がバファー層に至った瞬間に熱拡散長の範囲で吸収されるので、サファイア基板に反りがありパルスレーザー光線の集光点がバファー層から外れることがあっても、バファー層のみを確実に破壊することができる。そして、サファイア基板を剥離した後のバファー層の面粗さが許容できる100nm以下の凹凸であり、研磨等の後処理が不要となる。以下、本発明による光デバイスウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図1には、本発明による光デバイスウエーハの加工方法によって加工される光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図が示されている。図1に示す光デバイスウエーハ2は、略円板形状であるサファイア基板20の表面20aにn型窒化ガリウム半導体層211およびp型窒化ガリウム半導体層212からなる光デバイス層21がエピタキシャル成長法によって形成されている。なお、サファイア基板20の表面にエピタキシャル成長法によってn型窒化ガリウム半導体層211およびp型窒化ガリウム半導体層212からなる光デバイス層21を積層する際に、サファイア基板20の表面20aと光デバイス層21を形成するn型窒化ガリウム半導体層211との間にはバファー層22が形成される。なお、光デバイス層21は、窒化ガリウムGaNに限らず、GaP、GaInP、GaInAs、GaInAsP、InPInN、InAs、AIN、AIGaAs等によって形成される。また、バファー層22は、光デバイス層と同種の半導体で形成される。このように構成された光デバイスウエーハ2は、図示の実施形態においてはサファイア基板20の直径が50mmで厚みが600μm、バファー層22の厚みが1μm、光デバイス層21の厚みが10μmに形成されている。なお、光デバイス層21は、図1のに示すように格子状に形成された複数のストリート23によって区画された複数の領域に光デバイス24が形成されている。上述したように光デバイスウエーハ2におけるサファイア基板20を光デバイス層21から剥離して移設基板に移し替えるためには、光デバイス層21の表面21aに移設基板を接合する移設基板接合工程を実施する。即ち、図2のおよびに示すように、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の表面20aに形成された光デバイス層21の表面21aに、銅基板からなる移設基板3を金錫からなる接合金属層4を介して接合する。この移設基板接合工程は、サファイア基板20の表面20aに形成された光デバイス層21の表面21aまたは移設基板3の表面3aに上記接合金属を蒸着して厚みが3μm程度の接合金属層4を形成し、この接合金属層4と移設基板3の表面3aまたは光デバイス層21の表面21aとを対面させて圧着することにより、光デバイスウエーハ2を構成する光デバイス層21の表面21aに移設基板3の表面3aを接合金属層4を介して接合することができる。なお、移設基板3は、直径が50mmで厚みが1mmに設定されている。上述した移設基板接合工程を実施したならば、光デバイスウエーハ2を構成する光デバイス層21の表面21aに接合された移設基板3を光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の表面20aに形成された光デバイス層21の表面21aに、銅基板からなる移設基板3を環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着する移設基板貼着工程を実施する。即ち、図3に示すように光デバイスウエーハ2を構成する光デバイス層21の表面21aに接合された移設基板3の裏面3b側を環状のフレームFに装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる粘着テープTの表面に貼着する。従って、粘着テープTの表面に貼着された移設基板3が接合された光デバイスウエーハ2のサファイア基板20が上側となる。上述した移設基板貼着工程を実施したならば、光デバイス層21の表面に移設基板3が接合された光デバイスウエーハ2のサファイア基板20側からパルスレーザー光線を照射してバファー層22を破壊するバファー層破壊工程を実施する。このバファー層破壊工程は、図示の実施形態においては図4に示すレーザー加工装置5を用いて実施する。図4に示すレーザー加工装置5は、被加工物を保持するチャックテーブル51と、該チャックテーブル51上に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52を具備している。上記チャックテーブル51は、上面である保持面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図4において矢印Xで示す方向に加工送りされるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図4において矢印Yで示す方向に割り出し送りされるようになっている。上記レーザー光線照射手段52は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング521を含んでいる。ケーシング521内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング521の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器522が装着されている。上述したレーザー加工装置5を用いて実施するバファー層破壊工程について、図4および図5を参照して説明する。バファー層破壊工程を実施するには、先ず上述した図4に示すようにレーザー加工装置のチャックテーブル51上に上述した光デバイスウエーハ2に接合された移設基板3が貼着された粘着テープ側を載置し、図示しない吸引手段を作動してチャックテーブル51上に光デバイスウエーハ2を吸引保持する。従って、チャックテーブル51上に保持された光デバイスウエーハ2は、サファイア基板20の裏面20bが上側となる。なお、図4においては粘着テープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル51に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。上述したようにチャックテーブル51上に移設基板3が接合された光デバイスウエーハ2を吸引保持したならば、チャックテーブル51を図5のaで示すようにレーザー光線照射手段52の集光器522が位置するレーザー光線照射領域に移動し、一端図5のaにおいて左端をレーザー光線照射手段52の集光器522の直下に位置付ける。次に、集光器522から照射するパルスレーザー光線の集光点Pを図5のbで示すようにバファー層22に合わせる。そして、レーザー光線照射手段52を作動して集光器522からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル51を図5のaにおいて矢印X1で示す加工送り方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図5のcで示すようにレーザー光線照射手段52の集光器522の照射位置にサファイア基板20の他端図5のcにおいて右端が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル51の移動を停止するバファー層破壊工程。このバファー層破壊工程をバファー層22の全面に実施する。この結果、バファー層22が破壊され、バファー層22によるサファイア基板20と光デバイス層21との結合機能が喪失する。上記バファー層破壊工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。光源:YAGレーザー波長:257nm繰り返し周波数:50kHz平均出力:0.12Wパルス幅:100psスポット径:φ70μmデフォーカス:1.0mmサファイア基板の表面にレーザー光線を位置付けた状態で集光器を1mmサファイア基板に近づける加工送り速度:600mm/秒上記加工条件においてバファー層破壊工程を実施すると、スポット径がφ70μmのパルスレーザー光線は、スポット間隔が12μmとなり、スポットの重なり率が83で光デバイス層21に照射される。なお、上述したバファー層破壊工程においては、レーザー光線照射手段52を作動して集光器522からパルスレーザー光線を照射しつつ、移設基板3が接合された光デバイスウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル51を加工送り方向に直線状に移動する例を示したが、チャックテーブル51を回転しつつ加工送り方向または割り出し送り方向に移動してパルスレーザー光線を渦巻状に照射してもよい。上述したバファー層破壊工程を実施したならば、サファイア基板20を光デバイス層21から剥離するサファイア基板剥離工程を実施する。即ち、サファイア基板20と光デバイス層21と結合しているバファー層22はバファー層破壊工程を実施することにより破壊され結合機能が喪失されているので、図6に示すようにサファイア基板20は光デバイス層21から容易に剥離することができる。ここで、上記バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線の波長について説明する。バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線の波長は、サファイア基板の吸収端よりも長くバファー層の吸収端よりも短く設定することが重要である。即ち、バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線の波長は、サファイア基板を透過してバファー層に至り、バファー層で吸収されることによりバファー層を破壊することができる波長に設定する必要がある。図7には、サファイアと窒化ガリウムGaNの光透過曲線を示すグラフが示されている。図7において、横軸は波長、縦軸は光透過率を示す。図7に示すようにサファイアの吸収端は150nmであり、窒化ガリウムGaNの吸収端は355nmである。従って、バファー層が窒化ガリウムGaNの場合には、バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線の波長は、150~355nmに設定することが望ましく、窒化ガリウムGaNの光透過率が低い150~250nmに設定することがより好ましい。なお、バファー層を形成する他の物質の吸収端は、InAsが270nm付近、AINが280nm付近、InPが380nm付近、AIGaAsが350nm付近である。次に、上記バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線のパルス幅について説明する。バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線のパルス幅は、熱拡散長が200nm以下となるパルス幅に設定することが重要である。熱拡散長が200nm以下となるパルス幅に設定することにより、パルスレーザー光線のエネルギーがバファー層で消費され、光デバイス層を損傷させることはない。即ち、熱拡散長が200nmより大きいパルス幅に設定すると、バファー層を破壊するとともに光デバイス層を損傷させることになる。なお、熱拡散長が200nmと短いことからパルスレーザー光線のエネルギーが熱拡散長の範囲でサファイア基板との境界面に沿って吸収されるので、エネルギーがガウシアン分布であってもトップハット形状と同等の加工が行われる。更に、熱拡散長が200nmと短いことからパルスレーザー光線がバファー層に至った瞬間に熱拡散長の範囲で吸収されるので、サファイア基板に反りがありパルスレーザー光線の集光点がバファー層から外れることがあっても、バファー層のみを確実に破壊することができる。そして、サファイア基板を剥離した後のバファー層の面粗さが許容できる100nm以下の凹凸であり、研磨等の後処理が不要となる。図8には、窒化ガリウムGaNにおける熱拡散長とパルス幅との関係が示されている。図7に示すようにバファー層が窒化ガリウムGaNの場合には、熱拡散長を200nm以下にするためにはパルスレーザー光線のパルス幅を200ps以下に設定することが望ましく、熱拡散長が減少する100ps以下に設定することがより好ましい。なお、バファー層を形成する他の物質における熱拡散長が200ps以下となるパルス幅は、GaPが150ps、InPが250psInAsが500ps、AINが50ps、AIGaAsが150psである。次に、本発明者等の実験結果について説明する。1窒化ガリウムGaNの吸収端である355nmより長い波長のパルスレーザー光線を照射すると、バファー層を透過して光デバイス層にダメージを与えるとともに、パルスレーザー光線のエネルギー損失が大きくなる。2サファイア基板の吸収端である150nmより短い波長のパルスレーザー光線を照射すると、サファイア基板でパルスレーザー光線のエネルギーが吸収され、サファイア基板にダメージを与えるとともに、バファー層に至るパルスレーザー光線のエネルギーの損失が大きくなる。3窒化ガリウムGaNの吸収率が一番高くなる波長250nmのパルスレーザー光線を照射すると、加工効率が良好となり、バファー層の面粗さ凹凸が50nm以下となった。4パルス幅を1nsに設定してパルスレーザー光線を照射すると、バファー層を確実に破壊することができるものの、クラックが光デバイス層に至り光デバイスにダメージを与える。5パルス幅を500psに設定してパルスレーザー光線を照射すると、バファー層を確実に破壊することができるものの、バファー層の面粗さ凹凸が500nmとなり、凹凸を研磨して除去する工程が必要となる。また、多少クラックが光デバイス層に至り光デバイスにダメージを与える。6パルス幅を300psに設定してパルスレーザー光線を照射すると、バファー層を確実に破壊することができるものの、バファー層の面粗さ凹凸が300nmとなり、凹凸を研磨して除去する工程が必要となる。7パルス幅を200psに設定してパルスレーザー光線を照射すると、バファー層を確実に破壊することができる。そして、バファー層の面粗さ凹凸が100nmで許容範囲内で、研磨する必要はない。8パルス幅を100psに設定してパルスレーザー光線を照射すると、バファー層を確実に破壊することができる。そして、バファー層の面粗さ凹凸が50nmで許容範囲内であり、全く研磨する必要はない。