台座基板と、前記台座基板に設けられ、マスターパターンから形成された凹凸パターンを有するパターン部と、を備え、前記凹凸パターンは、前記凹凸パターンの形状が転写される基板に形成された下地パターンの歪みに合わせ、前記マスターパターンに対して歪んだ状態で設けられたことを特徴とするテンプレート。前記凹凸パターンの前記マスターパターンに対する歪み量は、前記下地パターンの上に前記凹凸パターンの形状が転写された際にその転写されたパターンが、前記下地パターンの設計値よりも前記下地パターンに近づく量であることを特徴とする請求項1記載のテンプレート。前記パターン部は、同じ前記凹凸パターンが形成された複数の矩形領域を有することを特徴とする請求項1または2に記載のテンプレート。前記パターン部は、樹脂を含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載のテンプレート。パターン部に含まれる凹凸パターンの形状が転写される被転写物の表面状態を取得する工程と、前記表面状態から前記凹凸パターンに対する補正量を求める工程と、台座基板に前記パターン部を形成するにあたり、前記補正量による補正を加えて前記凹凸パターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とするテンプレートの製造方法。前記パターン部を形成する工程は、前記マスターパターンが形成された原版または前記台座基板に、樹脂を塗布する工程と、前記台座基板に対して前記補正量に基づく応力を与えた状態で、前記台座基板と、前記原版と、のあいだに前記樹脂を挟み込む工程と、前記樹脂を硬化させる工程と、前記原版を前記樹脂から離型する工程と、を含むことを特徴とする請求項5記載のテンプレートの製造方法。前記パターン部を形成する工程は、前記表面状態から前記基板に形成された下地パターンの第1歪み量を取得する工程と、前記台座基板の前記凹凸パターンが形成される領域に対して前記第1歪み量を反転させた第2歪み量の歪みを与えた状態で前記マスターパターンから前記凹凸パターンを形成する工程と、前記パターン部を形成した後に、前記台座基板に与えていた歪みを解放する工程と、を含むことを特徴とする請求項5記載のテンプレートの製造方法。前記表面状態を取得する工程は、前記表面状態から前記基板に存在する凸部の最大高さを取得する工程を含み、前記パターン部を形成する工程は、前記パターン部の厚さを、前記最大高さ以上にする工程を含むことを特徴とする請求項6記載のテンプレートの製造方法。前記凸部は、前記基板に付着した異物であることを特徴とする請求項8記載のテンプレートの製造方法。前記表面状態を取得する工程は、前記表面状態から前記基板に存在する凸部の高さを取得する工程を含み、前記パターン部を形成する工程は、前記凸部の高さに合わせた凸形状パターンを有する前記マスターパターンを用いて前記凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とする請求項5記載のテンプレートの製造方法。前記表面状態を取得する工程は、前記表面状態を測定する工程を含むことを特徴とする請求項5~10のいずれか1つに記載のテンプレートの製造方法。テンプレートのパターン部における凹凸パターンの形状が転写される基板の表面状態を取得する取得部と、前記取得部で取得した前記表面状態から前記凹凸パターンに対する補正量を演算する演算部と、台座基板に前記パターン部を形成するにあたり、前記演算部で演算した前記補正量による補正を加えて前記凹凸パターンを形成する形成部と、を備えたことを特徴とするテンプレートの製造装置。前記取得部は、前記表面状態を外部から入力する入力部を含むことを特徴とする請求項12記載のテンプレートの製造装置。前記取得部は、前記表面状態を測定する測定部を含むことを特徴とする請求項12記載のテンプレートの製造装置。本発明の実施形態は、パターンの転写精度を向上することができるテンプレート、テンプレートの製造方法及びテンプレートの製造装置を提供する。実施形態に係るテンプレートは、台座基板と、パターン部と、を備える。パターン部は、台座基板に設けられる。パターン部は、マスターパターンの転写によって形成された凹凸パターンを有する。凹凸パターンは、凹凸パターンの形状が転写される基板に形成された下地パターンの歪みに合わせ、マスターパターンに対して歪んだ状態で設けられている。また、他の実施形態に係るテンプレートの製造方法は、パターン部に含まれる凹凸パターンの形状が転写される基板の表面状態を取得する工程と、表面状態から凹凸パターンに対する補正量を求める工程と、台座基板にパターン部を形成するにあたり、補正量による補正を加えて凹凸パターンを形成する工程と、を備える。また、他の実施形態に係るテンプレートの製造装置は、取得部と、演算部と、形成部と、を備える。取得部は、パターン部に含まれる凹凸パターンの形状が転写される基板の表面状態を取得する。演算部は、取得部で取得した表面状態から凹凸パターンに対する補正量を演算する。形成部は、台座基板にパターン部を形成するにあたり、演算部で演算した補正量による補正を加えて凹凸パターンを形成する。以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係るテンプレートの構成を例示する模式図である。図1aは、テンプレートの模式的断面図、図1bは、テンプレートの主面側の模式的平面図である。図1aでは、図1bに示すA-A線の断面を表している。図1aに表したように、本実施形態に係るテンプレート110は、パターン転写法例えば、いわゆるナノインプリント法において被転写物にパターンを転写するための版として用いられる。テンプレート110は、台座基板10と、パターン部20と、を備える。台座基板10は、パターン部20を支持するための基材である。本実施形態では、厚さが一様で、平面視の外形が矩形の台座基板10を用いている。台座基板10には、例えば石英基板が用いられる。パターン部20は、マスターパターン31から形成された凹凸パターン21を有する。パターン部20は、主面10aと、凹凸パターン21と、のあいだに設けられた中間部22を有する。なお、中間部22は必要に応じて設けられていればよい。中間部22を備えない場合、凹凸パターン21が主面10aに直接設けられることになる。凹凸パターン21は、この凹凸パターン21の形状が転写される基板に形成された下地パターンの歪みに合わせ、マスターパターン31に対して歪んだ状態で設けられている。ここで、実施形態において歪みとは、基準となるパターンに対して傾斜している状態、少なくとも一方向に拡大している状態、少なくとも一方向に縮小している状態、の少なくともいずれかの状態を含む。図1bに表した二点鎖線は、マスターパターン31を例示している。マスターパターン31は、パターン部20の凹凸パターン21を形成するための基準になるパターンである。図1bにおいて凹凸パターン21は実線で示されている。説明の便宜上、凹凸パターン21は、凸パターン211及び凹パターン212を繰り返したラインアンドスペースになっている。本実施形態では、このような凹凸パターン21が、マスターパターン31に対して歪んだ状態で設けられている。図1bに表した例では、歪みの一例として、長方形状のマスターパターン31に対して、凹凸パターン21が傾斜している状態平行四辺形状に歪んだ例が示されている。この歪みの量は、テンプレート110によって凹凸パターン21が転写される基板の下地パターンの歪み量に合わせられている。凹凸パターン21が下地パターンの歪みに合わせて形成されていることで、歪んで形成された下地パターンの上に、新たなパターンを正確に転写できることになる。すなわち、下地パターンを形成する際に歪みが発生していても、この歪みに合わせた状態で下地パターンの上に新たなパターンが正確に転写される。パターン部20は、台座基板10の主面10aに直接設けられていても、台座基板10の主面10aに台座基板10とは別体に設けられていてもよい。ここで、台座基板10の主面10aにパターン部20を直接設ける方法の一例を説明する。先ず、台座基板10の主面10aにハードマスク層例えば、SiO2とレジスト層とを形成する。次いで、マスターパターン31の情報を用いて、レジスト層に対して例えば電子ビーム露光及び現像を施し、所定のレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとして、ハードマスク層及び台座基板10をエッチングする。これにより、レジストパターンのある部分が凸パターン211、レジストパターンのない部分が凹パターン212となり、凹凸パターン21が完成する。凹凸パターン21を台座基板10の主面10aに直接設ける場合には、レジストパターンを形成する際に、下地パターンの歪みに合わせて露光領域を補正する。例えば、レジスト層に対して電子ビーム露光を行う際に、下地パターンの歪みから電子ビームの照射領域に補正を加えて露光を行うようにすればよい。これにより、下地パターンの歪みに合わせて凹凸パターン21が主面10aに直接形成される。次に、台座基板10の主面10aにパターン部20を別体で設ける方法の一例を説明する。先ず、台座基板10の主面10aに樹脂層を形成する。次いで、マスターパターン31が形成された原版30を用意し、この原版30のマスターパターン31を樹脂層に接触させる。樹脂層の樹脂は、例えば光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂である。そして、マスターパターン31を接触された状態で樹脂層に光照射または加熱して硬化させる。樹脂層が硬化した後、原版30を引き離す。これにより、樹脂層にマスターパターン31の形状が転写された凹凸パターン21が形成される。凹凸パターン21を台座基板10の主面10aに別体で設ける場合には、原版30を樹脂層に接触させた状態で樹脂層を硬化させる際、例えば下地パターンの歪み量第1歪み量を反転させた第2歪み量の歪みを台座基板10に与えておき、この状態で樹脂層を硬化させる。そして、樹脂層が硬化して、原版30を引き離したのち、台座基板10に与えていた歪みを解放する。台座基板10を歪ませた状態で凹凸パターン21を形成していることから、台座基板10の歪みが解放され、元の形状に戻る際、台座基板10上の凹凸パターン21は反対に歪むことになる。凹凸パターン21は、第2歪み量の戻り、すなわち第1歪み量だけ歪むことになる。凹凸パターン21を台座基板10の主面10aに別体で形成する方法は、直接形成する方法に比べて短時間で凹凸パターン21を形成することができる。また、台座基板10の再利用も容易である。本実施形態では、凹凸パターン21を台座基板10の主面10aに別体で形成した例を用いて説明を行う。図2及び図3は、テンプレート及び下地パターンの一例を示す模式図である。なお、図2及び図3では、説明の便宜上、凹凸パターン21、下地パターン51、マスターパターン31及び設計パターン61について、それぞれパターンが形成される領域のみを枠で表している。ここで、各パターンの領域を表す枠の一つは、下地パターン51をフォトリソグラフィによって形成する場合の一回の露光領域1ショットに相当する。図2は、台座基板10に1ショット相当の凹凸パターン21の領域を設けた例を表している。処理基板50には、予め下地パターン51が形成されている。下地パターン51は、フォトリソグラフィ及びエッチング等によって処理基板50または処理基板50の表面に形成されている。下地パターン51を形成する際には、ショットのアライメントが理想条件からずれることもある。このずれのことを、アライメントエラーということにする。図2において、処理基板50に表した二点鎖線は、理想条件で形成した場合の設計パターン61の領域を示している。アライメントエラーによって、下地パターン51は、設計パターン61に対して歪んだ状態で形成されている。図2に表した例では、長方形状の設計パターン61に対して、下地パターン51が平行四辺形状に歪んだ状態で形成されている。テンプレート110の凹凸パターン21は、処理基板50上の下地パターン51の歪みアライメントエラーに合わせて形成されている。すなわち、マスターパターン31に対する凹凸パターン21の歪み量は、下地パターン51の上に凹凸パターン21の形状が転写された際にその転写されたパターンが、設計パターン61よりも下地パターン51に近づく量である。一例として、マスターパターン31に対する凹凸パターン21の歪み量は、設計パターン61に対する下地パターン51の歪み量と等しくなっている。このようなテンプレート110を用いて下地パターン51の上に凹凸パターン21の形状を転写すると、下地パターン51の歪みに合わせた正確な位置に凹凸パターン21を形成することができるようになる。このテンプレート110を用いて行う、いわゆるナノインプリント法では、下地パターン51の上に凹凸パターン21の形状を転写する。図2に表したテンプレート110では、1回の転写処理によって、処理基板50上の1ショットの下地パターン51の上に凹凸パターン21の形状を転写する。すなわち、処理基板50上に複数のショットに相当する下地パターン51がある場合、各ショットの下地パターン51に対してテンプレート110による転写を順番に繰り返していく。下地パターン51の各ショットのアライメントエラーが共通している場合、1つのテンプレート110を用いた各ショットに対する転写において、それぞれ正確な位置に凹凸パターン21の形状を転写できることになる。なお、下地パターン51の各ショットのアライメントエラーがそれぞれ別個である場合には、それぞれの下地パターン51に対して凹凸パターン21の形状を転写する前に、テンプレート110の凹凸パターン21を各下地パターン51のショットのアライメントエラーに合わせて形成すればよい。図3は、台座基板10に複数ショット相当の凹凸パターン21の矩形領域を設けた例を表している。図3に表したように、このテンプレート120においては、台座基板10に4つのショットに対応した凹凸パターン21a~21dの矩形領域が形成されている。各矩形領域に形成された凹凸パターン21a~21dは、各矩形領域でそれぞれ同じ形状である。このうち、凹凸パターン21aは、下地パターン51aのアライメントエラーに合わせて歪んだ状態で形成されている。同様に、凹凸パターン21b、21c及び21dは、それぞれ下地パターン51b、51c及び51dのアライメントエラーに合わせて歪んだ状態で形成されている。このようなテンプレート120では、1回の転写処理によって、処理基板50上の4ショットの下地パターン51a~51dの上に凹凸パターン21a~21dの形状をそれぞれ転写する。テンプレート120を用いた転写は、4つの下地パターン51a~51dの単位で順番に繰り返して行われる。このテンプレート120のように、1つの台座基板10に形成された複数の凹凸パターン21a~21dについて、各ショットの下地パターン51a~51dのアライメントエラーに合わせて形成されているため、各ショットの下地パターン51a~51dに対して、それぞれ正確な位置に凹凸パターン21a~21dの形状を転写できることになる。これにより、デバイスの製造歩留まりを向上できる。なお、上記の例では、1つの台座基板10に4ショットに対応した凹凸パターン21a~21dを設ける例を示したが、4つ以外のショット数に対応した凹凸パターンを設ける場合であっても適用可能である。第2の実施形態次に、第2の実施形態に係るテンプレートの製造方法について説明する。図4は、第2の実施形態に係るテンプレートの製造方法を例示するフローチャートである。ここで、図4に示すステップS101~S103の処理がテンプレートの製造方法である。図4では、この製造方法によって製造したテンプレートを用いてパターンを転写するインプリントステップS104を含めて表している。本実施形態に係るテンプレートの製造方法は、表面状態の取得ステップS101、補正量の演算ステップS102及びテンプレートの作成ステップS103を備える。以下、各ステップの具体例を説明する。なお、ここでは、一例として図1に表したテンプレート110を製造する方法を具体例とする。したがって、この説明で図4に現れない符号は、図1及び図2を参照するものとする。先ず、表面状態の取得ステップS101では、テンプレート110の凹凸パターン21が転写される処理基板被転写物50の表面状態を取得する。具体的には、下地パターン51のショットにおけるアライメントエラーを取得する。表面状態の取得ステップS101には、表面状態を測定する工程が含まれていてもよい。また、表面状態の取得ステップS101には、表面状態を測定する機器から表面状態の測定結果を取得する工程が含まれていてもよい。例えば、表面状態を測定する機器としては、アライメント測定装置が挙げられる。アライメント測定装置では、ショットにより形成した下地パターン51に存在する複数のアライメントマークを測定し、アライメントマークの測定値座標値からショット全体のアライメントエラーを計算する。次に、補正量の演算ステップS102では、先のステップS101で取得した下地パターン51のアライメントエラーの情報に基づいて、そのショットのアライメントに合うような凹凸パターン21に対する補正量を演算する。例えば、アライメントマークの測定値から下地パターン51の歪み量を演算し、この歪み量に応じた補正量を演算によって求める。次に、テンプレートの作成ステップS103では、先のステップ102で演算した補正量に基づき、テンプレート110の凹凸パターン21を作成する。具体的な方法として、例えば石英基板の台座基板10に対して側方から応力をかけて台座基板10を歪ませた状態で、主面10a上に凹凸パターン21を作成する。そして、凹凸パターン21を作成したのち、台座基板10に与えていた応力を解放することで、下地パターン51のアライメントに合うような凹凸パターン21を持つテンプレート110が作成される。インプリントステップS104では、ステップS101~S103の工程で作成したテンプレート110を用い、処理基板50の下地パターン51の上に、テンプレート110の凹凸パターン21の形状を転写する。下地パターン51のショットが理想条件からのずれていても、本実施形態で製造したテンプレート110を用いることで、下地パターン51のアライメントエラーに合わせた位置に凹凸パターン21を正確に形成することができる。図5は、テンプレートの製造方法の一例を示す模式的断面図である。図5では、樹脂製のパターン部20を備えたテンプレート110の製造方法を例示している。先ず、図5aに表したように、マスターパターン31が形成された原版30及び台座基板10を用意する。台座基板10には、例えば石英基板が用いられる。原版30の材料は特に制限されないが、例えばシリコンウェーハ、石英ガラス、ニッケル基板が用いられる。原版30のマスターパターン31は、電子ビーム描画、光露光、いわゆるナノインプリントなどの方法でパターニングされ、例えばドライエッチングによって凹凸形状に設けられている。そして、この原版30の上に、樹脂2を塗布する。なお、樹脂2は、台座基板10の主面10aに塗布してもよい。樹脂2の材料は、例えば光硬化型樹脂または熱硬化型樹脂である。次に、図5bに表したように、原版30と、台座基板10の主面10aと、を対向させ、両者のあいだに樹脂2を挟み込むようにする。そして、この状態で樹脂2を硬化させる。樹脂2の材料が光硬化型樹脂の場合、台座基板10を介して樹脂2に所定の光を照射する。これにより、樹脂2が硬化する。樹脂2の材料が熱硬化型樹脂の場合、所定の温度に加熱することで樹脂2を硬化させる。次に、図5cに表したように、原版30から台座基板10を引き離す。台座基板10の主面10aには、硬化した樹脂2のパターン部20が形成される。パターン部20の凹凸パターン21は、原版30のマスターパターン31の形状が転写された形状である。また、中間部22の厚さは、台座基板10と、原版30と、の間隔によって決まる。これにより、樹脂製のパターン部20を備えたテンプレート110が完成する。図5a~図5cに表した工程によれば、数秒~数分でテンプレート110を製造することができる。ここで、一枚の原版30からは、複数のテンプレート110を作成することができる。さらに一枚のテンプレート110からは、複数枚の処理基板50へ凹凸パターン21の形状を転写することができる。使用済みのテンプレート110については、例えばアッシング処理や洗浄処理することで、パターン部20を台座基板10から剥離する。そして、パターン部20が剥離された台座基板10は、再利用される。例えば、複数の処理基板50はロット単位で管理される。そのロットには一枚の台座基板10が付けられている。インプリントを行う前に、その台座基板10を使用してテンプレート110が製造される。ここでテンプレート110を製造する際には、先に説明した下地パターン51のアライメントエラーに合わせた歪みが凹凸パターン21に設けられている。樹脂2を用いたテンプレート110は短時間で製造可能である。したがって、各処理基板50の各ショットに合わせた凹凸パターン21を有するテンプレート110をショットごとに製造しても、製造時間の大幅な遅延にはならない。その一方、各ショットのアライメントエラーに合わせて凹凸パターン21の形状を正確に転写できるため、歩留まりの高い製品を提供することができるようになる。凹凸パターン21の歪みをショットのアライメントエラーに合わせる一例として、本実施形態では、図5bに表した工程で、台座基板10に歪みを与えている。図6は、凹凸パターンの形成の一例を説明する模式図である。図6aは、下地パターン51及び設計パターン61の模式的平面図である。図6bは、台座基板10へ歪みを与えている状態を例示する模式的平面図である。図6aに表したように、下地パターン51には設計パターン61に対して第1歪み量DS1の歪みが発生している。第1歪み量DS1は、例えば下地パターン51の隅部に設けられたアライメントマークMの座標を測定し、各アライメントマークMの座標から演算によって求めることができる。テンプレート110の凹凸パターン21を形成する際、形成後の凹凸パターン21が下地パターン51の第1歪み量DS1と合うように、台座基板10に歪みを与える。具体的には、図6bに表したように、台座基板10に応力P1及びP2を与え、台座基板10の凹凸パターン21が形成される領域に第2歪み量DS2の歪みを与える。第2歪み量DS2は、第1歪み量DS1を反転させたものである。台座基板10は、第1の辺11a~第4の辺11dを有する矩形の基板である。矩形の台座基板10において、第1の辺11aと、第2の辺11bと、が互いに向かい合い、第3の辺11cと、第4の辺11dと、が互いに向かい合っている。第2歪み量DS2は、長方形の設計パターン61に対して平行四辺形状に歪んだ下地パターン51の歪み量を反転させたものである。台座基板10の凹凸パターン21を形成する領域に第2歪み量DS2の歪みを与えるには、例えば、第3の辺11cの第1の辺11a側の端部に応力P1を与え、第4の辺11cの第2の辺11b側の端部に応力P2を与える。応力P1及びP2は、台座基板10の弾性変形領域での力である。これにより、台座基板10の全体が平行四辺形状に弾性変形する。この変形にともない、凹凸パターン21を形成する領域も平行四辺形状に変形する。すなわち、凹凸パターン21を形成する領域が第2歪み量DS2で歪むことになる。そして、この状態で、図5bに表したように、原版30のマスターパターン31を台座基板10の樹脂2に転写する。図6bに表したように、この転写によって台座基板10に形成された凹凸パターン21には歪みは生じていない。図5cに表したように、樹脂2を硬化させて、原版30と台座基板10とを引き離したのちに、図6bに表した台座基板10への応力P1及びP2を解放する。これにより、台座基板10は元の矩形形状に戻る。図7は、凹凸パターンが形成されたテンプレートの一例を説明する模式図である。弾性変形していた台座基板10が元の矩形形状に戻ると、この台座基板10に形成された凹凸パターン21は反対に歪むことになる。すなわち、凹凸パターン21には、第2歪み量DS2が反転した歪み量である第1歪み量DS1が付与されることになる。なお、図6に表した下地パターン51は、設計パターン61に対して平行四辺形状に歪んでいるが、他の歪みであっても同様である。例えば、設計パターン61に対して下地パターン51が拡大して歪んでいる場合には、台座基板10に与える応力によって、凹凸パターン21が形成される領域を縮小させるようにすればよい。すなわち、凹凸パターン21を形成する領域に、第1歪み量DS1とは反転した第2歪み量DS2を与えるように台座基板10に応力を与え、この状態で凹凸パターン21を形成すればよい。次に、インプリント法によるパターン形成方法の一例を説明する。図8~図10は、インプリント法によるパターン形成方法を例示する模式的断面図である。先ず、図8aに表したように、処理基板50の上に成型対象物60を設ける。処理基板50として、例えばシリコンウェーハが用いられる。また、成型対象物60としては、例えば酸化シリコンが用いられる。次に、図8bに表したように、成型対象物60の上に、被転写物70を設ける。被転写物70としては、例えば、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂が用いられる。本実施形態では、一例として光硬化性樹脂を用いる。被転写物70は、例えば、ノズルNからインクジェット法によって成型対象物60の上に滴下される。被転写物70は、スピンコート等によって一様に設けられてもよい。次に、図9aに表したように、テンプレート110のパターン部20を、被転写物70に接触させる。この際、パターン部20の凹凸パターン21の先端と、被転写物70の表面と、のあいだには、わずかな隙間例えば、数ナノメートルnmが設けられている。被転写物70は、毛細管現象により、凹凸パターン21の凹パターン212の中に侵入し、凹パターン212内に充填される。先に説明したように、テンプレート110の凹凸パターン21は、この凹凸パターン21の形状を転写する下地パターンの歪みに合わせて歪んだ状態で形成されている。図9には示されないが、処理基板50上に下地パターンが形成されている場合、この下地パターンの歪みに合わせて凹凸パターン21に歪みが設けられている。したがって、テンプレート110のパターン部20を被転写物70に接触させる際、凹凸パターン21は、処理基板50上の下地パターンと正確に位置合わせされている。次に、図9bに表したように、テンプレート110のパターン部20を被転写物70に接触させた状態で、テンプレート110の台座基板10側から紫外線UV1を照射する。紫外線UV1は、台座基板10及びパターン部20を透過して、被転写物70に照射される。光硬化性樹脂による被転写物70は、紫外線UV1が照射されることで硬化する。紫外線UV1の波長としては、例えば、300nm~400nm程度である。なお、台座基板10及びパターン部20には、紫外線UV1に対して十分な透光性を有する材料が用いられる。被転写物70が硬化することにより、凹凸パターン21の凹凸を反転させた転写パターン70aが形成される。テンプレート110を用いることで、転写パターン70aは、処理基板50上に設けられた下地パターン図示せずの歪みに合わせられた状態で形成される。次に、図10aに表したように、テンプレート110を、転写パターン70aから離型する。ここで、台座基板10とパターン部20との密着力は、転写パターン70aとパターン部20との密着力よりも強くなっている。したがって、テンプレート110を離型する際には、パターン部20が台座基板10から剥がれることはない。次に、図10bに表したように、成型対象物60の上に形成された転写パターン70aをマスクとして、例えば異方性のRIEReactiveIonEtchingなどよって成型対象物60をエッチングする。エッチング後は、転写パターン70aを除去する。これにより、成型対象物60に転写パターン70aに対応したパターンが形成される。第3の実施形態次に、第3の実施形態に係るテンプレートの製造方法について説明する。図11は、第3の実施形態に係るテンプレートの製造方法を例示する模式的断面図である。本実施形態に係るテンプレートの製造方法の流れは、図4に表したフローチャートと同様である。図4に表したステップのうち、本実施形態では、表面状態の取得ステップS101に、処理基板50の表面に付着した異物の最大高さを取得する工程を含む。また、本実施形態では、テンプレートの作成ステップS102において、パターン部20の厚さを、異物の最大高さよりも厚くする工程を含む。次に、図11に沿って本実施形態の具体例について説明する。先ず、図11aに表したように、処理基板50の表面に異物55が付着しているとする。ここで、処理基板50の表面状態を取得する。例えば、処理基板50の表面の異物55の有無を表面検査装置、異物検査装置等で検査し、異物55がある場合にはその最大高さ処理基板50の表面50aからの高さh1を計測する。次に、図11bに表したように、台座基板10の主面10aに樹脂製のパターン部20を形成する。パターン部20の形成は、図5a~cに例示した工程と同じである。この際、樹脂2の塗布量及び原版30と台座基板10との間隔を調整して、形成されるパターン部20の主面10aからの高さh2が、異物55の最大高さh1以上にする。具体的には、パターン部20の中間部22の厚さを調整して、パターン部20の高さh2を異物55の最大高さh1以上にする。これにより、テンプレート130が完成する。次に、このテンプレート130を用いたインプリントについて説明する。図11c~図11dには、テンプレート130を用いたインプリントの状態が例示されている。なお、図11c~図11dでは、説明の便宜上、凹凸パターン21が転写される被転写物70図9参照は省略されている。図11cに表したように、テンプレート130を処理基板50に対向させた際には、処理基板50の表面50aに付着している異物55を挟み込み状態になる。異物55がパターン部20より硬いと、異物55がパターン部20に食い込む状態になる。この際、パターン部20の高さh2は、異物55の最大高さh1以上であり、しかもパターン部20の先端と、処理基板50の表面と、のあいだには僅かな隙間が設けられていることから、異物55が台座基板10の主面10aに接触することはない。次に、図11dに表したように、テンプレート130を処理基板50から引き離す。異物55がパターン部20に食い込んでいた場合、異物55によってパターン部20に欠損部25が発生する。欠損部25の、パターン部20の先端からの深さh3は、パターン部20の高さh2よりも浅い。すなわち、処理基板50に異物55が付着している状態でインプリントを行っても、異物55が台座基板10の主面10aに接触することはない。したがって、パターン部20に欠損部25が生じても、台座基板10に傷等の影響を及ぼすことはない。なお、パターン部20に欠損部25が発生した場合には、台座基板10からパターン部20を剥離すればよい。パターン部20が剥離された台座基板10は再利用される。これにより、同じ台座基板10を用いてパターン部20を再度形成して、新たなテンプレート130を形成することができる。本実施形態によれば、処理基板50の表面に異物55が存在する場合でも、テンプレート130の台座基板10に傷等を付けることなく、次の転写処理に台座基板10を用いることが可能になる。これにより、テンプレート130の製造コストの低減に貢献することができる。第4の実施形態次に、第4の実施形態に係るテンプレートの製造方法について説明する。図12は、第4の実施形態に係るテンプレートの製造方法を例示する模式的断面図である。本実施形態に係るテンプレートの製造方法の流れは、図4に表したフローチャートと同様である。図4に表したステップのうち、本実施形態では、表面状態の取得ステップS101に、処理基板50に存在する凸部57aの高さを取得する工程を含む。また、本実施形態では、テンプレートの作成ステップS102において、凸部57aの高さに合わせた凸形状パターン37を有するマスターパターン31を用いて凹凸パターン21を形成する工程を含む。次に、図12に沿って本実施形態の具体例について説明する。先ず、図12aに表したように、処理基板50に存在する凸部57aの高さh4を計測する。凸部57aは、処理基板50における厚さが相対的に厚い部分である。凸部57aに隣接する部分処理基板50における厚さが相対的に薄い部分は凹部57bである。この凹部57bと、凸部57aと、により処理基板50の表面に段差が構成される。凸部57aの高さh4は、凸部57aを形成する際の条件等によって変化することがある。次に、図12bに表したように、計測した高さh4に合わせた凸形状パターン37を有する原版30を用意する。この原版30には、マスターパターン31が設けられている。マスターパターン31は、処理基板50の凸部57aの上に形成する凹凸パターンの形状に対応した凹凸パターン31aと、凹部57bの上に形成する凹凸パターンの形状に対応した凹凸パターン31bと、を含む。このうち、凹凸パターン31aは、凸形状パターン37の上に形成されている。凸形状パターン37の高さh5凹凸パターン31bの凹部分の底面を基準とした高さは、処理基板50の凸部57aの高さh4に合わせられている。本実施形態では、先に計測した凸部57aの高さh4に合わせて、凸形状パターン37の高さh5を合わせた原版30を用意する。このような原版30は、凸部57aの高さh4を計測した後に、形成される。なお、原版30は、凸部57aの高さh4を計測した後、種々の高さh5を有する凸形状パターン37を備えた複数の原版30のなかから適宜選択するようにしてもよい。そして、図12cに表したように、この原版30を用いて、台座基板10の主面10aに樹脂製のパターン部20を形成する。パターン部20の形成は、図5a~cに例示した工程と同じである。パターン部20の凹凸パターン21は、原版30の凹凸パターン31aの形状が反転した凹凸パターン21aと、原版30の凹凸パターン31bの形状が反転した凹凸パターン21bと、を有する。凹凸パターン21aは、原版30の凸形状パターン37を基準にして形成される。これにより、テンプレート140が完成する。次に、このテンプレート140を用いたインプリントについて説明する。図13は、インプリントについて説明する模式的断面図である。先ず、図13aに表したように、処理基板50の上に被転写物70を塗布する。被転写物70は、処理基板50の凸部57a及び凹部57bの上に塗布される。そして、テンプレート140と、処理基板50と、を対向して配置する。次に、図13bに表したように、テンプレート140のパターン部20を、被転写物70に接触させる。この際、パターン部20の凹凸パターン21の先端と、被転写物70の表面と、のあいだには、わずかな隙間例えば、数nmが設けられている。被転写物70は、毛細管現象により、凹凸パターン21の凹パターン212の中に侵入し、凹パターン212内に充填される。この際、処理基板50の凸部57aの高さh4に合わせた原版30を用いてテンプレート140が形成されていることから、凸部57aと、凹凸パターン21aと、の間隔を、設計通りにすることができる。そして、この状態で光照射や加熱によって被転写物70を硬化させる。被転写物70を硬化したのち、テンプレート140を離型する。これにより、図13cに表したように、処理基板50上に凹凸パターン21の凹凸を反転させた転写パターン70aが形成される。転写パターン70aは、処理基板50の凸部57a及び凹部57bの両方に正確に形成される。図14は、他のテンプレートの製造方法を例示する模式的断面図である。図14では、テンプレート140の別な製造方法を例示している。図14に表した工程は、図12aに表した処理基板50の凸部57aの高さh4を計測したのち、この高さh4に合わせてテンプレート140を形成する別な工程を例示している。先ず、図14aに表したように、第1原版301を用意する。第1原版301は、凸部57a図12a参照の位置に対応した部分に凸型平坦部31cを備えている。また、第1原版301は、凸型平坦部31cに隣接して凹凸パターン31bを備えている。凸型平坦部31cの高さh6凹凸パターン31bの凹部の底からの高さは、計測した凸部57aの高さh4と、この凸部57aに形成しようとする凸パターンの高さと、を合計した高さよりも十分に高い。この第1原版301を用いて、台座基板10の主面10aに凹凸パターン部21aを有する第1パターン部201を形成する。第1パターン部201には、第1原版301の凸型平坦部31cの形状が反転した凹型平坦部21cが設けられる。次に、図14bに表したように、第2原版302を用意する。第2原版302は、先に形成した第1パターン部201の凹型平坦部21cに対応した位置に凹凸パターン31eを備えている。また、第2原版302における、凹凸パターン31eに隣接する位置には、平坦部31dが設けられている。この第2原版302を用いて、第1パターン部201に第2パターン部202を形成する。すなわち、第2パターン部202は、第1パターン部201の凹型平坦部21cに形成された凹凸パターン21aを有する。凹凸パターン21aは、凹型平坦部21cと、凹凸パターン31eと、のあいだに埋め込まれた樹脂によって構成される。凹凸パターン21bと、平坦部31dと、のあいだには樹脂が介在しないため、ここにパターンは形成されない。この凹型平坦部21cに凹凸パターン21aを形成する際、先に計測した凸部57aの高さh4に合わせて、第2原版302の凹凸パターン31eと、凹型平坦部21cと、のあいだの間隔を調整する。これにより、テンプレート140が完成する。このような製造方法であっても、処理基板50の凸部57aの高さh4に合わせたテンプレート140を製造することが可能となる。なお、上記のテンプレート140は、処理基板50の凸部57a及び凹部57bの両方に転写パターン70aを形成する凹凸パターン21を有する例であるが、処理基板50の凸部57a及び凹部57bのいずれか一方に凹凸パターン21を形成する例であってもよい。このような実施形態により、処理基板50の上に段差が設けられていても、段差に合わせたテンプレート140によって処理基板50上に正確に転写パターン70aを形成することができる。これにより、デバイスの製造歩留まりの向上に貢献することができる。第5の実施形態図15は、第5の実施形態に係るテンプレートの製造装置の構成を例示するブロック図である。図15aは、第1の構成例を表し、図15bは、第2の構成例を表している。図15aに表したように、第1の構成例に係るテンプレートの製造装置510は、取得部501、演算部502及び形成部503を備える。取得部501は、テンプレートのパターン部における凹凸パターンの形状が転写される基板の表面状態を取得する処理を行う。第1の構成例において、取得部501は、入力部501aを含んでいる。入力部501aは、基板の表面状態を外部から入力する処理を行う。すなわち、入力部501aは、外部の測定装置から表面状態の情報DT1を入力する処理を行う。外部の測定装置としては、例えばアライメント測定装置、表面検査装置、異物検査装置が挙げられる。アライメント測定装置の場合、情報DT1は、図6に表した下地パターン51のアライメントマークMの測定値座標値である。表面検査装置及び異物検査装置の場合、情報DT1は、図11に表した異物55の高さh1や、図12に表した処理基板50の凸部57aの高さh4である。演算部502は、取得部501で取得した表面状態の情報DT1から凹凸パターンに対する補正量を演算する処理を行う。例えば、情報DT1がアライメントマークMの測定値であった場合、演算部502は、このアライメントマークMの測定値から下地パターン51の歪み量を演算し、この歪み量に応じた補正量を演算する。また、情報DT1が異物55の高さh1や、凸部57aの高さh4であった場合、演算部502は、この高さh1及びh4に応じてパターン部20の補正量を演算する。形成部503は、台座基板にパターン部を形成するにあたり、演算部502で演算した補正量による補正を加えて凹凸パターンを形成する処理を行う。すなわち、形成部503は、図4に表したステップS101~S103に表したステップによって、テンプレート110、120、130及び140を形成する処理を行う。このテンプレートの製造装置510によって、下地パターン51の歪みに合わせた凹凸パターン21を有するテンプレート110及び120や、処理基板50上の高さh1及びh4に合わせたパターン部20を有するテンプレート130及び140が製造される。図15bに表したように、第2の構成例に係るテンプレートの製造装置520は、取得部501、演算部502及び形成部503を備える。取得部501は、テンプレートのパターン部における凹凸パターンの形状が転写される基板の表面状態を取得する処理を行う。第2の構成例において、取得部501は、測定部501bを含んでいる。測定部501bは、基板の表面状態を測定する処理を行う。すなわち、製造装置520は、内部に設けられた測定部501bによって、テンプレートの凹凸パターンの形状を転写する基板の表面状態を測定し、その測定した表面状態の情報DT1を演算部502に出力する。測定部501bとしては、例えば、図6に表した下地パターン51のアライメントマークMの座標値を測定する処理を行う。また、測定部501bとしては、例えば、図11に表した異物55の高さh1や、図12に表した処理基板50の凸部57aの高さh4を測定する処理を行う。演算部502及び形成部503の処理は、図15aに表した第1の構成例と同じである。このテンプレートの製造装置520によって、下地パターン51の歪みに合わせた凹凸パターン21を有するテンプレート110や、処理基板50上の高さh1及びh4に合わせたパターン部20を有するテンプレート140が製造される。第6の実施形態次に、第6の実施形態に係るテンプレートの製造プログラムの例を説明する。図16は、本実施形態に係るプログラムが実行されるコンピュータを説明する図である。すなわち、図16aは、コンピュータの構成例を示すブロック図である。図16bは、本実施形態に係るテンプレートの製造プログラムの機能を説明するブロック図である。図17は、本実施形態に係るプログラムの処理の流れを例示するフローチャートである。図16aに表したように、コンピュータ800は、中央演算部801、記憶部802、入力部803及び出力部804を備える。中央演算部801は、本実施形態に係るテンプレートの製造プログラムを実行する部分である。記憶部802は、実行する製造プログラム等の情報を一時格納するRAMRandomAccessMemoryのほか、ROMReadOnlyMemoryや、HDDHarddiskdrive、半導体メモリドライブ等の記憶装置を含む。入力部803は、キーボード、ポインティングデバイスのほか、ネットワーク等を介した外部の機器から情報を入力するインタフェースを含む。出力部804は、ディスプレイのほか、外部の機器へ情報を出力するインタフェースを含む。図16bに表したように、本実施形態に係るテンプレートの製造プログラム900は、コンピュータ800図16a参照を、取得手段901及び演算手段902として機能させるものである。取得手段901は、テンプレートのパターン部における凹凸パターンを転写する基板の表面状態を取得する処理を行う図17のステップS201。すなわち、取得手段901は、外部の装置から表面状態の情報DT1をコンピュータ800に取り込む処理を行う。具体的には、取得手段901は、コンピュータ800の入力部803を用いて表面状態の情報DT1を中央演算部801に取り込む。情報DT1は、必要に応じて記憶部802に記憶される。外部の装置がアライメント測定装置の場合、取得手段901は、アライメント測定装置によって測定した下地パターンのアライメントマークの測定値座標値を情報DT1として取得する。また、外部の装置が表面検査装置や異物検査装置の場合、取得手段901は、表面検査装置または異物検査装置によって検査した基板表面の高さを情報DT1として取得する。演算手段902は、取得手段901で取得した表面状態の情報DT1から凹凸パターンに対する補正量を演算する処理を行う図17のステップS202。具体的には、演算手段902は、コンピュータ800の中央演算部801によって、情報DT1を用いた補正量の演算を行い、演算結果TP1を出力する。情報DT1がアライメントマークの測定値であった場合、演算手段902は、このアライメントマークの測定値から下地パターンの歪み量を演算し、この歪み量に応じた補正量を演算する。また、情報DT1が基板の表面の高さであった場合、演算部502は、この高さに応じてパターン部の補正量を演算する。演算手段902による演算結果TP1は、コンピュータ800の出力部804から所定のデータ形式で出力される。そして、演算結果TP1は、外部の製造装置MCへ送られる。製造装置MCは、演算結果TP1を用いてパターン部に補正を加えてテンプレートを製造する。これにより、下地パターンに合わせたパターン部を有するテンプレートを製造することが可能になる。本実施形態に係るテンプレートの製造プログラムは、上記のようにコンピュータで実行される態様により実施可能である。その他、本実施形態に係るテンプレートの製造プログラムは、所定の記憶媒体に記憶される態様でも実施可能である。また、本実施形態に係るテンプレートの製造プログラムは、ネットワークを介して配信される態様でも実施可能である。以上説明したように、実施形態によれば、パターンの転写精度を向上することができるテンプレート、テンプレートの製造方法、テンプレートの製造装置及びテンプレートの製造プログラムを提供することができる。なお、上記に本実施の形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施の形態またはその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施の形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。