"回転軸に垂直な端面を有すると共に前記回転軸に垂直な方向の磁化を有し、前記回転軸を中心として回転する磁石と、前記磁石の端面に対向して、前記磁石による磁界を検出する磁気センサとを備え、前記磁気センサの検出出力に基づいて磁石の回転角度を検出する回転角度センサであって、前記磁石は、前記端面を含む板状部と、前記板状部に対して前記端面とは反対側に配置されて前記板状部に連結されたリング状部とを有し、前記板状部は前記回転軸が通過する空洞を含まないが、前記リング状部は前記回転軸が通過する空洞を含むことを特徴とする回転角度センサ。前記磁石における前記回転軸を含む任意の断面の形状は、前記回転軸に対して線対称な形状であることを特徴とする請求項1記載の回転角度センサ。前記板状部は円板形状を有し、前記回転軸に垂直な前記リング状部の任意の断面における前記リング状部の外周および内周はいずれも円形であることを特徴とする請求項2記載の回転角度センサ。前記磁石の端面と前記磁気センサとの間の距離と等しい距離だけ前記端面から離れた位置にあり前記端面に平行な仮想の平面上で、前記回転軸が交わる第1の位置と、この第1の位置とは異なる第2の位置において、前記磁石による磁界の方向が互いに平行であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の回転角度センサ。前記磁気センサは、磁気抵抗効果素子を含んでいることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の回転角度センサ。前述のように、回転する磁石と磁気センサとを備えた回転角度センサでは、磁石によって発生されて磁気センサに印加される磁界の強度が大きいことと、磁石と磁気センサの位置関係のずれに起因した角度誤差が小さいことが求められる。これらの要求を満たすために、磁石が発生する磁界の強度を大きくすると共に、磁石と磁気センサの位置関係のずれに起因した角度誤差が小さくなるような位置に磁気センサを配置することが考えられる。本願の発明者らは、シミュレーションによって、円柱形状の磁石の端面の近傍に、その領域内の磁界の方向が所望の位置における磁界の方向と実質的に同じ方向となる領域以下、平行磁界領域と言う。が存在することと、磁石の端面に平行な仮想の平面上における平行磁界領域の面積は、磁石の端面と仮想の平面との間の距離によって変化することを確認した。そこで、平行磁界領域の面積が最大になるような仮想の平面上に磁気センサを配置することで、磁石と磁気センサの位置関係のずれに起因した角度誤差を小さくすることができると考えられる。一方、円柱形状の磁石が発生する磁界の強度を大きくするためには、磁石の厚み回転軸方向の寸法を大きくことが有効である。しかし、磁石の厚みを大きくする場合には、以下のような問題が生じることが分かった。すなわち、シミュレーションにより、磁石の厚みを大きくすると、平行磁界領域の面積が最大になるような仮想の平面と磁石の端面との間の距離が小さくなることが分かった。そのため、磁石の厚みを大きくし、且つ、平行磁界領域の面積が最大になるような仮想の平面上に磁気センサを配置すると、磁石の端面と磁気センサとの間の距離が小さくなりすぎて、磁気センサが磁石に接触して破損するおそれが生じる。このように、円柱形状の磁石を用いる場合には、磁石と磁気センサとの間の距離が小さくなりすぎることなく、磁石によって発生されて磁気センサに印加される磁界の強度を大きくし、且つ磁石と磁気センサの位置関係のずれに起因した角度誤差を低減することが困難であった。特許文献1,2に記載された技術では、この問題を解決することはできない。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、回転する磁石と、磁石による磁界を検出する磁気センサとを備え、磁石の回転角度を検出する回転角度センサであって、磁石と磁気センサとの間の距離が小さくなりすぎることなく、磁石によって発生されて磁気センサに印加される磁界の強度を大きくし、且つ磁石と磁気センサの位置関係のずれに起因した角度誤差を低減できるようにした回転角度センサを提供することにある。本発明の回転角度センサは、回転軸に垂直な端面を有すると共に回転軸に垂直な方向の磁化を有し、回転軸を中心として回転する磁石と、磁石の端面に対向して、磁石による磁界を検出する磁気センサとを備え、磁気センサの検出出力に基づいて磁石の回転角度を検出するものである。磁石は、端面を含む板状部と、板状部に対して端面とは反対側に配置されて板状部に連結されたリング状部とを有している。板状部は回転軸が通過する空洞を含まないが、リング状部は回転軸が通過する空洞を含んでいる。本発明の回転角度センサにおいて、磁石における回転軸を含む任意の断面の形状は、回転軸に対して線対称な形状であってもよい。この場合、板状部は円板形状を有し、回転軸に垂直なリング状部の任意の断面におけるリング状部の外周および内周はいずれも円形であってもよい。また、本発明の回転角度センサにおいて、磁石の端面と磁気センサとの間の距離と等しい距離だけ端面から離れた位置にあり端面に平行な仮想の平面上で、回転軸が交わる第1の位置と、この第1の位置とは異なる第2の位置において、磁石による磁界の方向が互いに平行であってもよい。また、本発明の回転角度センサにおいて、磁気センサは、磁気抵抗効果素子を含んでいてもよい。本発明の回転角度センサでは、磁石は、磁気センサが対向する端面を含む板状部と、板状部に対して端面とは反対側に配置されて板状部に連結されたリング状部とを有し、板状部は回転軸が通過する空洞を含まないが、リング状部は回転軸が通過する空洞を含んでいる。本発明における磁石を用いることにより、例えば、磁石と磁気センサの位置関係のずれに起因した角度誤差が小さくなるような磁石の端面と磁気センサとの間の距離以下、最適距離と言う。が、ほぼ等しくなる条件で比較すると、円柱形状の磁石を用いる場合に比べて、磁石によって発生されて磁気センサに印加される磁界の強度を大きくすることができる。また、本発明における磁石を用いることにより、例えば、最適距離における上記磁界の強度がほぼ等しくなる条件で比較すると、円柱形状の磁石を用いる場合に比べて、最適距離を大きくすることができる。従って、本発明によれば、磁石と磁気センサとの間の距離が小さくなりすぎることなく、磁石によって発生されて磁気センサに印加される磁界の強度を大きくし、且つ磁石と磁気センサの位置関係のずれに起因した角度誤差を低減することが可能になるという効果を奏する。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図1ないし図7を参照して、本発明の一実施の形態に係る回転角度センサの概略の構成について説明する。図1は、本実施の形態に係る回転角度センサの概略の構成を示す斜視図である。図2は、図1に示した磁石を分解して示す斜視図である。図3は、本実施の形態に係る回転角度センサの概略の構成を示す側面図である。図4は、図3に示した回転角度センサにおける磁石と磁気センサを示す平面図である。図5は、図3に示した磁石の底面図である。図6は、図3に示した磁石の側面図である。図7は、本実施の形態における方向と角度の定義を示す説明図である。図1および図3に示したように、本実施の形態に係る回転角度センサ1は、磁石2と、基板8図3参照と、基板8に搭載された磁気センサ5とを備えている。磁石2は、回転軸Cを中心として回転する軸6の軸方向の一端部に、固定用治具7を介して固定されている。磁石2は、軸6の回転に連動して、回転軸Cを中心として回転する。磁石2は、回転軸Cに垂直な端面2aを有すると共に回転軸Cに垂直な方向の磁化を有している。磁石2は、端面2aを含む板状部3と、板状部3に対して端面2aとは反対側に配置されて板状部3に連結されたリング状部4とを有している。板状部3は回転軸Cが通過する空洞を含まないが、リング状部4は回転軸Cが通過する空洞4aを含んでいる。板状部3は、回転軸Cを含む仮想の平面を中心として対称に配置されたN極とS極を有している。磁石2の磁化の方向は、板状部3のS極からN極に向かう方向であって、S極とN極との境界に垂直な方向である。図1において、符号Mで示した矢印は、磁石2の磁化の方向を表している。板状部3とリング状部4は、磁石2の磁化の方向と同じ方向の磁化を有している。図4において、板状部3に描かれた矢印は、板状部3の磁化の方向を表している。図5において、リング状部4に描かれた矢印は、リング状部4の磁化の方向を表している。磁石2は、自身が有する磁化に基づいて磁界を発生する。図1において、符号Hで示した矢印は、端面2aの近傍であって回転軸C上の位置における磁石2による磁界の方向を表している。基板8は、磁石2の端面2aに対向する面を有し、この面に磁気センサ5が固定されている。磁気センサ5は、磁石2の端面2aに対向して、磁石2による磁界を検出する。回転角度センサ1は、磁気センサ5の検出出力に基づいて磁石2の回転角度を検出する。磁石2における回転軸Cを含む任意の断面の形状は、回転軸Cに対して線対称な形状である。図1ないし図7には、磁石2の形状の一例を示している。この例では、板状部3は円板形状を有し、回転軸Cに垂直なリング状部4の任意の断面におけるリング状部4の外周および内周はいずれも、回転軸Cを中心とした円形である。ここで、図5および図6に示したように、磁石2の直径を記号d1で表し、リング状部4の内径、すなわち空洞4aの直径を記号d2で表す。板状部3の直径とリング状部4の直径は、磁石2の直径d1と等しい。また、図6に示したように、磁石2、板状部3およびリング状部4の厚み回転軸Cに平行な方向の寸法を、それぞれ記号t2,t3,t4で表す。次に、図7を参照して、本実施の形態における方向と角度の定義について説明する。まず、図1に示した回転軸Cに平行で、磁石2の端面2aから磁気センサ5に向かう方向をZ方向と定義する。次に、Z方向に垂直な仮想の平面上において、互いに直交する2つの方向をX方向とY方向と定義する。図7では、X方向を右側に向かう方向として表し、Y方向を上側に向かう方向として表している。また、X方向とは反対の方向を-X方向と定義し、Y方向とは反対の方向を-Y方向と定義する。また、磁石2の回転角度を表すために、空間における基準方向DRと、磁石2と共に回転する磁石基準方向DMとを定義する。基準方向DRは、例えばY方向とする。磁石基準方向DMは、例えば、磁石2の磁化の方向とは反対の方向とする。そして、磁石基準方向DMが基準方向DRに対してなす角度を、磁石2の回転角度θと定義する。磁石2および磁石基準方向DMは、図7において反時計回り方向に回転するものとする。角度θは、基準方向DRから反時計回り方向に見たときに正の値で表し、基準方向DRから時計回り方向に見たときに負の値で表す。ここで、磁石2の端面2aと磁気センサ5との間の距離と等しい距離だけ端面2aから離れた位置にあり端面2aに平行な仮想の平面を考える。以下、この仮想の平面をセンサ配置面と呼ぶ。磁気センサ5は、実質的に、センサ配置面における、磁石2による磁界を検出する。センサ配置面上で、回転軸Cが交わる位置における、磁石2による磁界を記号H0で表す。磁界H0の方向は、磁石2の磁化の方向と平行であり、磁石基準方向DMと一致している。従って、磁界H0の方向が基準方向DRに対してなす角度は、角度θと一致する。また、センサ配置面上における、磁石2による磁界であって、磁気センサ5に印加される磁界を記号HSで表す。磁気センサ5は、この磁界HSを検出する。回転角度センサ1は、磁気センサ5の検出出力に基づいて、磁石2の回転角度θを検出する。実際には、回転角度センサ1は、磁気センサ5の検出出力に基づいて、回転角度θに対応する角度として、磁界HSの方向が基準方向DRに対してなす角度以下、検出角度と言う。θsを検出する。検出角度θsの正負の定義は、角度θと同様である。理想的には、検出角度θsは回転角度θと一致する。回転軸Cが磁気センサ5の中心を通過するような磁気センサ5の位置を、磁気センサ5の所望の位置とする。磁気センサ5が所望の位置に配置されている場合には、磁界HSは磁界H0と等しくなるため、検出角度θsは回転角度θと等しくなる。しかし、センサ配置面上において、磁気センサ5が所望の位置からずれた位置に配置されている場合には、磁界HSの方向が磁界H0の方向とは異なる場合がある。図7は、この場合の例を示している。この場合、検出角度θsは回転角度θとは一致しない。検出角度θsと回転角度θとの差を角度誤差と呼び、記号dθで表す。図7に示した例では、角度誤差dθは、磁界HSの方向が磁界H0の方向に対してなす角度と等しい。角度誤差dθの正負の定義は、角度θと同様である。次に、図8を参照して、回転角度センサ1の回路構成について説明する。図8は、回転角度センサ1の回路構成を示す回路図である。磁気センサ5は、第1および第2の検出回路11,12を有している。基板8は、差分検出器13,14と演算回路15を有している。演算回路15は、例えば、マイクロコンピュータによって実現することができる。第1の検出回路11は、磁界HSの一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。第2の検出回路12は、磁界HSの他の一方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。第1および第2の検出回路11,12は、少なくとも1つの磁気検出素子を含んでいる。第1および第2の検出回路11,12は、それぞれ、少なくとも1つの磁気検出素子として、直列に接続された一対の磁気検出素子を含んでいてもよい。この場合、第1および第2の検出回路11,12は、それぞれ、直列に接続された第1の対の磁気検出素子と、直列に接続された第2の対の磁気検出素子とを含むホイートストンブリッジ回路を有していてもよい。以下、第1および第2の検出回路11,12が、それぞれ上記ホイートストンブリッジ回路を有している場合の例について説明する。第1の検出回路11は、ホイートストンブリッジ回路16を有している。ホイートストンブリッジ回路16は、電源ポートV1と、グランドポートG1と、2つの出力ポートE11,E12と、直列に接続された第1の対の磁気検出素子R11,R12と、直列に接続された第2の対の磁気検出素子R13,R14とを含んでいる。磁気検出素子R11,R13の各一端は、電源ポートV1に接続されている。磁気検出素子R11の他端は、磁気検出素子R12の一端と出力ポートE11に接続されている。磁気検出素子R13の他端は、磁気検出素子R14の一端と出力ポートE12に接続されている。磁気検出素子R12,R14の各他端は、グランドポートG1に接続されている。電源ポートV1には、所定の大きさの電源電圧が印加される。グランドポートG1はグランドに接続される。第2の検出回路12は、ホイートストンブリッジ回路17を有している。ホイートストンブリッジ回路17は、電源ポートV2と、グランドポートG2と、2つの出力ポートE21,E22と、直列に接続された第1の対の磁気検出素子R21,R22と、直列に接続された第2の対の磁気検出素子R23,R24とを含んでいる。磁気検出素子R21,R23の各一端は、電源ポートV2に接続されている。磁気検出素子R21の他端は、磁気検出素子R22の一端と出力ポートE21に接続されている。磁気検出素子R23の他端は、磁気検出素子R24の一端と出力ポートE22に接続されている。磁気検出素子R22,R24の各他端は、グランドポートG2に接続されている。電源ポートV2には、所定の大きさの電源電圧が印加される。グランドポートG2はグランドに接続される。本実施の形態では、ホイートストンブリッジ回路以下、ブリッジ回路と記す。16,17に含まれる全ての磁気検出素子として、MR素子、特にTMR素子を用いている。なお、TMR素子の代りにGMR素子を用いてもよい。TMR素子またはGMR素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、印加される磁界の方向に応じて磁化の方向が変化する自由層と、磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有している。TMR素子では、非磁性層はトンネルバリア層である。GMR素子では、非磁性層は非磁性導電層である。TMR素子またはGMR素子では、自由層の磁化の方向が磁化固定層の磁化の方向に対してなす角度に応じて抵抗値が変化し、この角度が0°のときに抵抗値は最小値となり、角度が180°のときに抵抗値は最大値となる。以下の説明では、ブリッジ回路16,17に含まれる磁気検出素子をMR素子と記す。図8において、塗りつぶした矢印は、MR素子における磁化固定層の磁化の方向を表し、白抜きの矢印は、MR素子における自由層の磁化の方向を表している。第1の検出回路11では、MR素子R11,R14における磁化固定層の磁化の方向は-X方向であり、MR素子R12,R13における磁化固定層の磁化の方向はX方向である。この場合、磁界HSの-X方向の成分の強度に応じて、出力ポートE11,E12の電位差が変化する。従って、第1の検出回路11は、磁界HSの-X方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。具体的には、出力ポートE11,E12の電位差が、第1の検出回路11の出力信号である。図7に示した角度θsが0°のときと180°のときは、磁界HSの-X方向の成分の強度は0である。角度θsが0°よりも大きく180°よりも小さいときは、磁界HSの-X方向の成分の強度は正の値である。角度θsが180°よりも大きく360°よりも小さいときは、磁界HSの-X方向の成分の強度は負の値である。第2の検出回路12では、MR素子R21,R24における磁化固定層の磁化の方向はY方向であり、MR素子R22,R23における磁化固定層の磁化の方向は-Y方向である。この場合、磁界HSのY方向の成分の強度に応じて、出力ポートE21,E22の電位差が変化する。従って、第2の検出回路12は、磁界HSのY方向の成分の強度を検出して、その強度を表す信号を出力する。具体的には、出力ポートE21,E22の電位差が、第2の検出回路12の出力信号である。図7に示した角度θsが90°のときと270°のときは、磁界HSのY方向の成分の強度は0である。角度θsが0°以上90°未満のとき、および270°より大きく360°以下のときは、磁界HSのY方向の成分の強度は正の値である。角度θsが90°よりも大きく270°よりも小さいときは、磁界HSのY方向の成分の強度は負の値である。差分検出器13は、出力ポートE11,E12の電位差に対応する信号を第1の信号S1として演算回路15に出力する。差分検出器14は、出力ポートE21,E22の電位差に対応する信号を第2の信号S2として演算回路15に出力する。第1の信号S1と第2の信号S2は、互いに等しい信号周期Tで周期的に変化する。本実施の形態では、第2の信号S2の出力信号の位相は、第1の信号S1の位相に対して、信号周期Tの1/4の奇数倍だけ異なっていることが好ましい。ただし、磁気検出素子の作製の精度等の観点から、第1の信号S1と第2の信号S2の出力信号の位相差は、信号周期Tの1/4の奇数倍から、わずかにずれていてもよい。以下の説明では、第1の信号S1と第2の信号S2の位相の関係が上記の好ましい関係になっているものとする。図8に示した例では、第2の検出回路12におけるMR素子の磁化固定層の磁化方向は、第1の検出回路11におけるMR素子の磁化固定層の磁化方向に直交している。理想的には、第1の信号S1の波形はサインSine波形になり、第2の信号S2の波形はコサインCosine波形になる。この場合、第2の信号S2の位相は、第1の信号S1の位相に対して、信号周期Tの1/4すなわちπ/290°だけ異なっている。演算回路15は、第1の信号S1および第2の信号S2に基づいて、検出角度θsを算出する。具体的には、例えば、演算回路15は、下記の式1によって、θsを算出する。なお、atanは、アークタンジェントを表す。θs=atanS1/S2...1式1におけるatanS1/S2は、θsを求めるアークタンジェント計算を表している。なお、360°の範囲内で、式1におけるθsの解には、180°異なる2つの値がある。しかし、S1とS2の正負の組み合わせにより、θsの真の値が、式1におけるθsの2つの解のいずれであるかを判別することができる。すなわち、S1が正の値のときは、θsは0°よりも大きく180°よりも小さい。S1が負の値のときは、θsは180°よりも大きく360°よりも小さい。S2が正の値のときは、θsは、0°以上90°未満、および270°より大きく360°以下の範囲内である。S2が負の値のときは、θsは90°よりも大きく270°よりも小さい。演算回路15は、式1と、上記のS1とS2の正負の組み合わせの判定により、360°の範囲内でθsを求める。なお、第2の信号S2の位相が、第1の信号S1の位相に対して、信号周期Tの1/4だけ異なる場合に限らず、第2の信号S2の位相が、第1の信号S1の位相に対して、信号周期Tの1/4の奇数倍だけ異なっていれば、θsを求めることができる。次に、図9を参照して、MR素子の構成の一例について説明する。図9は、図8に示した磁気センサ5における1つのMR素子の一部を示す斜視図である。この例では、1つのMR素子は、複数の下部電極と、複数のMR膜と、複数の上部電極とを有している。複数の下部電極42は図示しない基板上に配置されている。個々の下部電極42は細長い形状を有している。下部電極42の長手方向に隣接する2つの下部電極42の間には、間隙が形成されている。図9に示したように、下部電極42の上面上において、長手方向の両端の近傍に、それぞれMR膜50が配置されている。MR膜50は、下部電極42側から順に積層された自由層51、非磁性層52、磁化固定層53および反強磁性層54を含んでいる。自由層51は、下部電極42に電気的に接続されている。反強磁性層54は、反強磁性材料よりなり、磁化固定層53との間で交換結合を生じさせて、磁化固定層53の磁化の方向を固定する。複数の上部電極43は、複数のMR膜50の上に配置されている。個々の上部電極43は細長い形状を有し、下部電極42の長手方向に隣接する2つの下部電極42上に配置されて隣接する2つのMR膜50の反強磁性層54同士を電気的に接続する。このような構成により、図9に示したMR素子は、複数の下部電極42と複数の上部電極43とによって直列に接続された複数のMR膜50を有している。なお、MR膜50における層51~54の配置は、図9に示した配置とは上下が反対でもよい。次に、回転角度センサ1の作用および効果について説明する。回転角度センサ1は、磁気センサ5の検出出力に基づいて、磁石2の回転角度θに対応する角度として検出角度θsを検出する。前述のように、磁気センサ5が所望の位置に配置されている場合には、磁気センサ5に印加される磁界HSは磁界H0と等しくなるため、検出角度θsは回転角度θと等しくなる。しかし、磁石2と磁気センサ5の位置関係のずれに起因して、センサ配置面上において磁気センサ5が所望の位置からずれた位置に配置されている場合には、磁界HSの方向が磁界H0の方向とは異なる場合が起こり得る。この場合には、検出角度θsが回転角度θと一致せずに、角度誤差dθが発生する。回転角度センサ1には、磁石2と磁気センサ5の位置関係のずれが生じた場合であっても、角度誤差dθが小さいことが求められる。回転角度センサ1には、磁石2によって発生されて磁気センサ5に印加される磁界の強度が大きいことも求められる。これは、磁気センサ5に印加される磁界のうち、磁石2が発生する磁界以外の磁界の影響を相対的に小さくするためである。回転角度センサ1には、更に、磁気センサ5が磁石2に接触して破損しないように、磁石2と磁気センサ5との間の距離が小さすぎないことが求められる。本実施の形態によれば、板状部3とリング状部4とを有する磁石2を用いることにより、磁石2と磁気センサ5との間の距離が小さくなりすぎることなく、磁石2によって発生されて磁気センサ5に印加される磁界の強度を大きくし、且つ磁石2と磁気センサ5の位置関係のずれに起因した角度誤差dθを低減することが可能になる。以下、この効果について、複数のシミュレーションの結果を参照して、詳しく説明する。始めに、磁石周辺の磁界の分布を調べた第1のシミュレーションの結果について説明する。第1のシミュレーションでは、有限要素法FEMを用いて、磁石2の周辺の磁界の分布を求めた。図10は、第1のシミュレーションによって求めた磁石2の周辺の磁界の分布を示す説明図である。図11は、図10に示した仮想の平面PL1における磁界の分布を示す説明図である。図12は、図10に示した仮想の平面PL2における磁界の分布を示す説明図である。図10は、図11および図12における10-10線の位置における断面を表している。図11および図12において、実線の枠内の矢印は、磁界の方向を表している。また、図10ないし図12において、記号Rで示す領域は、角度誤差dθが正の値になる領域を表し、記号R-で示す領域は、角度誤差dθが負の値になる領域を表している。また、記号R0で示す領域は、角度誤差dθが実質的に0になる領域、すなわち、磁界HSの方向が磁界H0の方向に対してなす角度が実質的に0になる領域以下、平行磁界領域と言う。を表している。角度誤差dθが実質的に0ならびに磁界HSの方向が磁界H0の方向に対してなす角度が実質的に0というのは、角度誤差dθ磁界HSの方向が磁界H0の方向に対してなす角度が0の場合の他に、回転角度センサ1における許容範囲内となる場合を含む。なお、図10ないし図12では、便宜上、隣接する領域の境界を線で表している。しかし、実際には、この線を境にして角度誤差dθが不連続に変化するわけではなく、線の近傍では、位置の変化に対して連続的に、ただし急激に、角度誤差dθが変化している。図10ないし図12から、磁石2の端面2aの近傍には、平行磁界領域R0が存在することと、端面2aに平行な仮想の平面上における平行磁界領域R0の面積は、端面2aと仮想の平面との間の距離によって変化することが分かる。仮想の平面PL1,PL2は、いずれも端面2aに平行な仮想の平面であって、端面2aからの距離が互いに異なる平面である。仮想の平面PL1は、端面2aからの距離を変えて得られる複数の仮想の平面のうち、平行磁界領域R0の面積が最大またはほぼ最大になる平面である。仮想の平面PL2上における平行磁界領域R0の面積は、仮想の平面PL1上における平行磁界領域R0の面積よりも小さい。本実施の形態では、仮想の平面PL1と端面2aとの間の距離を最適距離と呼ぶ。ここで、図13を参照して、最適距離の決定方法、すなわち仮想の平面PL1の位置の決定方法について説明する。まず、図10に示したように、回転軸Cに平行な仮想の直線Lを想定する。回転軸Cと直線Lとの間の距離は、例えば、想定される磁石2と磁気センサ5の位置関係のずれ量の最大値程度とし、磁石2の直径d1の0~10の範囲内とする。図10に示した例では、磁石2の直径d1は15mmであり、回転軸Cと直線Lとの間の距離は、0.3mmであり、これは、直径d1の2である。図10および図11において、点P1は、仮想の平面PL1上において回転軸Cが交わる位置を示し、点P2は、仮想の平面PL1上において直線Lが交わる位置を示している。また、図10および図12において、点P11は、仮想の平面PL2上において回転軸Cが交わる位置を示し、点P12は、仮想の平面PL2上において直線Lが交わる位置を示している。最適距離の決定方法では、次に、直線L上における端面2aからの距離dLと角度誤差dθとの関係を求める。なお、角度誤差dθは、シミュレーションによって得られる直線L上の点における磁界の方向が磁界H0の方向に対してなす角度とする。図13は、距離dLと角度誤差dθとの関係を示している。図13において、横軸は角度誤差dθを示し、縦軸は距離dLを示している。図13における縦軸よりも左側の領域は、角度誤差dθが正の値になる領域を示し、縦軸よりも右側の領域は、角度誤差dθが負の値になる領域を示している。図13に示した例では、距離dLが大きくなるに従って、角度誤差dθは、正の値から負の値に変化している。次に、図13に示した関係から、角度誤差dθが0になる距離dLを求め、これを最適距離dL0とする。なお、仮想の直線Lの位置によっては、図13とは逆に、距離dLが大きくなるに従って、角度誤差dθが負の値から正の値に変化する場合もある。しかし、この場合でも、角度誤差dθが0になる距離dLを求め、これを最適距離dL0とすることができる。磁石2と磁気センサ5の位置関係のずれに起因した角度誤差dθを小さくするためには、磁気センサ5を仮想の平面PL1上に配置することが好ましい。以下、これについて説明する。図11において、符号5aを付した破線で示す枠は、仮想の平面PL1上において、位置P1と磁気センサ5の中心が一致するように配置された磁気センサ5を表している。符号5aを付した破線で示す枠は、仮想の平面PL1上における磁気センサ5の所望の位置と言える。また、図11において、符号5bを付した破線で示す枠は、仮想の平面PL1上において位置P2と磁気センサ5の中心が一致するように配置された、すなわち所望の位置からずれた位置に配置された磁気センサ5を表している。図12において、符号5cを付した破線で示す枠は、仮想の平面PL2上において位置P11と磁気センサ5の中心が一致するように配置された磁気センサ5を表している。符号5cを付した破線で示す枠は、仮想の平面PL2上における磁気センサ5の所望の位置と言える。また、図12において、符号5dを付した破線で示す枠は、仮想の平面PL2上において位置P12と磁気センサ5の中心が一致するように配置された、すなわち所望の位置からずれた位置に配置された磁気センサ5を表している。図11に示したように、仮想の平面PL1上では、平行磁界領域R0が広く、符号5aで示した枠磁気センサ5と符号5bで示した枠磁気センサ5は、共に平行磁界領域R0に含まれている。そのため、磁気センサ5を仮想の平面PL1上に配置した場合には、磁気センサ5が、符号5aで示した所望の位置に配置されていても、符号5bで示した、ずれた位置に配置されていても、角度誤差dθは0になる。これに対し、図12に示したように、仮想の平面PL2上では、平行磁界領域R0が狭く、符号5cで示した枠磁気センサ5は、ほぼ平行磁界領域R0に含まれているが、符号5dで示した枠磁気センサ5内の大きな領域は、平行磁界領域R0に含まれていない。磁気センサ5を仮想の平面PL2上に配置した場合には、磁気センサ5が、符号5cで示した所望の位置に配置されていれば角度誤差dθは0になる。しかし、磁気センサ5が、符号5dで示した、ずれた位置に配置されていると、角度誤差dθは、絶対値の大きな値になる。以上の説明から理解されるように、磁気センサ5を仮想の平面PL1上に配置することによって、磁石2と磁気センサ5の位置関係のずれに起因した角度誤差dθを小さくすることが可能になる。従って、磁気センサ5を仮想の平面PL1上に配置することが好ましい。仮想の平面PL1上で、回転軸Cが交わる位置P1と、位置P1とは異なる位置P2において、磁石2による磁界の方向は互いに平行である。従って、仮想の平面PL1は、本発明における磁石の端面と磁気センサとの間の距離と等しい距離だけ端面から離れた位置にあり端面に平行な仮想の平面に対応し、位置P1は本発明における第1の位置に対応し、位置P2は本発明における第2の位置に対応する。なお、本実施の形態における磁石2に限らず、後で比較例の磁石として挙げられる円柱形状の磁石やリング状の磁石の端面の近傍にも、領域R0,R,R-が存在する。ただし、領域R0,R,R-の分布は、磁石の形状によって変化する。前述の磁界H0、磁界HS、角度誤差dθおよび最適距離dL0は、比較例の磁石についても用いられる。次に、第1の比較例の磁石を用いて磁石の厚みと最適距離dL0との関係を調べた第2のシミュレーションの結果について説明する。第1の比較例の磁石は、磁石2の板状部3と同様の形状を有する円柱形状のネオジボンド磁石である。第2のシミュレーションでは、第1の比較例の磁石の直径と厚みを変化させて、最適距離dL0を求めた。第2のシミュレーションにおけるその他の条件は、第1のシミュレーションと同じである。図14は、第2のシミュレーションによって求めた第1の比較例の磁石の厚みと最適距離dL0との関係を示す特性図である。図14では、第1の比較例の磁石の直径を記号d5で表し、第1の比較例の磁石の厚みを記号t5で表している。図14において、横軸は厚みt5を示し、縦軸は最適距離dL0を示している。図14から、厚みt5が大きくなるに従って、最適距離dL0が小さくなることが分かる。また、直径d5が小さくなるに従って、最適距離dL0が小さくなることが分かる。次に、本実施の形態における磁石2の一例である実施例の磁石2と第2ないし第4の比較例の磁石について、磁石と磁気センサ5との間の距離と磁気センサ5に印加される磁界HSの強度との関係を調べた第3のシミュレーションの結果について説明する。第3のシミュレーションでは、各磁石として、ネオジボンド磁石を用いた。実施例の磁石2の形状は、以下の通りである。直径d1は15mm、空洞4aの直径リング状部4の内径d2は4mmである。また、磁石2の厚みt2、板状部3の厚みt3、リング状部4の厚みt4は、それぞれ6mm、3mm、3mmである。第2および第3の比較例の磁石は、磁石2の板状部3と同様の形状を有する円柱形状のネオジボンド磁石である。第4の比較例の磁石は、磁石2のリング状部4と同様の形状を有するネオジボンド磁石である。第2ないし第4の比較例の磁石の直径は、いずれも15mmである。第4の比較例の磁石の空洞の直径磁石の内径は4mmである。第2の比較例の磁石の厚みは3mmである。第3および第4の比較例の磁石の厚みは、いずれも6mmである。第3のシミュレーションでは、各磁石について、磁石の端面と磁気センサ5との間の距離dGを変化させて、磁気センサ5に印加される磁界HSの強度と角度誤差dθとを求めた。なお、磁界HSの強度は、距離dGだけ磁石の端面から離れた回転軸C上の位置における磁界H0の強度とした。また、角度誤差dθは、距離dGだけ磁石の端面から離れた位置にあり端面に平行な仮想の平面上において、仮想の直線L上における磁界の方向が磁界H0の方向に対してなす角度とした。第3のシミュレーションにおけるその他の条件は、第1のシミュレーションと同じである。図15は、第3のシミュレーションによって求めた距離dGと角度誤差dθとの関係を示す特性図である。図16は、第3のシミュレーションによって求めた距離dGと磁気センサ5に印加される磁界HSの強度との関係を示す特性図である。図15において、横軸は距離dGを示し、縦軸は角度誤差dθを示している。図16において、横軸は距離dGを示し、縦軸は磁界HSの強度を示している。磁界HSの強度の単位は、Oe1Oe=79.6A/mである。図15において角度誤差dθが0になる距離dGが最適距離dL0である。最適距離dL0は、実施例の磁石2では約2.5mmであり、第2の比較例の磁石では約2.3mmであり、第3の比較例の磁石では約1.5mmであり、第4の比較例の磁石では約5.1mmである。実施例の磁石2と第2の比較例の磁石とを比較すると、以下のことが分かる。図15に示されるように、実施例の磁石2と第2の比較例の磁石とで、最適距離dL0はほぼ等しい。しかし、図16に示されるように、最適距離dL0における磁界HSの強度は、第2の比較例の磁石に比べて実施例の磁石2の方が大きい。最適距離dL0は、磁石と磁気センサ5の位置関係のずれに起因した角度誤差dθが小さくなるような磁石の端面と磁気センサ5との間の距離である。従って、磁石と磁気センサ5の位置関係のずれに起因した角度誤差dθが小さくなるような磁石の端面と磁気センサ5との間の距離最適距離dL0が、ほぼ等しくなる条件で比較すると、本実施の形態における磁石2を用いることにより、円柱形状の磁石第2の比較例の磁石を用いる場合に比べて、磁界HSの強度を大きくすることができることが分かる。第2の比較例の磁石と第3の比較例の磁石とを比較すると、円柱形状の磁石を用いた場合には、磁石の厚みを大きくすると、最適距離dL0における磁界HSの強度は大きくなるものの、最適距離dL0は小さくなることが分かる。従って、円柱形状の磁石を用いた場合には、磁石の厚みを変えることによって、最適距離dL0における磁界の強度を大きくし、且つ磁石と磁気センサ5の位置関係のずれに起因した角度誤差dθを低減しようとすると、磁石と磁気センサ5との間の距離が小さくなりすぎる。また、第3の比較例の磁石と第4の比較例の磁石とを比較すると、リング状の磁石第4の比較例の磁石を用いることにより、最適距離dL0を大きくすることができることが分かる。しかし、リング状の磁石第4の比較例の磁石を用いた場合には、最適距離dL0における磁界HSの強度は非常に小さくなる。以上の考察から、本実施の形態における磁石2を用いることにより、磁石2と磁気センサ5との間の距離が小さくなりすぎることなく、磁石2によって発生されて磁気センサ5に印加される磁界の強度を大きくし、且つ磁石2と磁気センサ5の位置関係のずれに起因した角度誤差dθを低減することが可能になることが分かる。この効果は、円柱形状の磁石やリング状の磁石を用いた場合には得ることができない。次に、実施例の磁石2について、最適距離dL0と最適距離dL0における磁界HSの強度との関係を調べた第4のシミュレーションの結果について説明する。第4のシミュレーションにおける実施例の磁石2の形状は、以下の通りである。直径d1は15mm、空洞4aの直径リング状部4の内径d2は4mmである。また、磁石2の厚みt2は3mmである。第4のシミュレーションでは、磁石2の厚みt2に対するリング状部4の厚みt4の比率以下、リング状部分厚み比率と言う。t4/t2を、0~100の範囲内で変化させて、最適距離dL0と、最適距離dL0における磁界HSの強度を求めた。第4のシミュレーションにおけるその他の条件は、第3のシミュレーションと同じである。なお、リング状部分厚み比率が0の磁石は円柱形状の磁石であり、リング状部分厚み比率が100の磁石はリング状の磁石である。リング状部分厚み比率が0の磁石2と100の磁石2は、本実施の形態における磁石2ではないが、便宜上、実施例の磁石2に含めている。図17は、第4のシミュレーションによって求めた磁石2のリング状部分厚み比率t4/t2と、最適距離dL0および最適距離dL0における磁界HSの強度との関係を示す特性図である。図17において、横軸はリング状部分厚み比率t4/t2を示し、左側の縦軸は最適距離dL0における磁界HSの強度を示し、右側の縦軸は最適距離dL0を示している。図17から、最適距離dL0は、リング状部分厚み比率t4/t2の一次関数として、リング状部分厚み比率t4/t2の増加に応じて増加することが分かる。また、図17から、最適距離dL0における磁界HSの強度は、リング状部分厚み比率t4/t2の一次関数として、リング状部分厚み比率t4/t2の増加に応じて減少することが分かる。これらのことから理解されるように、本実施の形態によれば、リング状部分厚み比率を調整することによって、最適距離dL0と磁界HSの強度を調整することが可能である。なお、図15および図16を参照して、第3のシミュレーションにおける第2の比較例の磁石と第3の比較例の磁石とを比較すると理解されるように、円柱形状の磁石を用いた場合には、磁石の厚みを小さくすることによって最適距離dL0を大きくしようとすると、本実施の形態における磁石2を用いる場合に比べて、最適距離dL0における磁界HSの強度が小さくなりすぎる。前述のように、本実施の形態における磁石2は、リング状部分厚み比率が0のものと、リング状部分厚み比率が100のものは含まない。図17に示されるように、本実施の形態では、リング状部分厚み比率が0よりも大きく100よりも小さければ、最適距離dL0および最適距離dL0における磁界HSの強度に関して、リング状部分厚み比率が0または100の磁石とは異なる特性を有する。従って、本実施の形態における磁石2のリング状部分厚み比率は、0よりも大きく100よりも小さければよい。ただし、本実施の形態における磁石2を、リング状部分厚み比率が0または100の磁石、すなわち円柱形状またはリング状の磁石と明確に区別するために、本実施の形態における磁石2のリング状部分厚み比率は、5~95の範囲内であることが好ましい。次に、実施例の磁石2と第5ないし第7の比較例の磁石について、磁石の形状と、最適距離dL0および最適距離dL0における磁界HSの強度との関係を調べた第5のシミュレーションの結果について説明する。第5のシミュレーションにおける実施例の磁石2の形状は、以下の通りである。直径d1は15mmである。また、磁石2の厚みt2、板状部3の厚みt3、リング状部4の厚みt4は、それぞれ3mm、1.5mm、1.5mmである。第5ないし第7の比較例の磁石は、磁石2の板状部3と同様の形状を有する円柱形状の磁石であり、それらの直径は、それぞれ10mm、15mm、20mmである。第5のシミュレーションでは、磁石2の直径d1に対する空洞4aの直径リング状部4の内径d2の比率以下、空洞部分内径比率と言う。を、0~100の範囲内で変化させて、最適距離dL0と、最適距離dL0における磁界HSの強度を求めた。また、第5のシミュレーションでは、第5ないし第7の比較例の磁石の厚みを変化させて、第5ないし第7の比較例の磁石について、最適距離dL0と、最適距離dL0における磁界HSの強度を求めた。第5のシミュレーションにおけるその他の条件は、第3のシミュレーションと同じである。図18は、第5のシミュレーションによって求めた磁石の形状と、最適距離dL0および最適距離dL0における磁界HSの強度との関係を示す特性図である。図18において、横軸は最適距離dL0を示し、縦軸は最適距離dL0における磁界HSの強度を示している。図18中の各点の近傍に付した数字は、磁石の厚み単位はmmを表している。また、符号61は、空洞部分内径比率が0の点を示し、符号62は、空洞部分内径比率が50の点を示し、符号63は、空洞部分内径比率が100の点を示している。空洞部分内径比率が0の点と50の点の間の4つの点は、0の点に近い順に、空洞部分内径比率が10、20、30、40の点である。また、空洞部分内径比率が50の点と100の点の間の4つの点は、50の点に近い順に、空洞部分内径比率が60、70、80、90の点である。また、図18において、複数の破線の曲線は、それぞれ、円柱形状の磁石において、厚みを一定にして直径を変化させた場合の特性を表している。特に、符号64を付した破線の曲線は、厚みが3mmの円柱形状の磁石において直径を変化させた場合の特性を表している。また、符号65を付した破線の曲線は、厚みが1.5mmの円柱形状の磁石において直径を変化させた場合の特性を表している。なお、空洞部分内径比率が0の磁石2は、厚みが3mmの円柱形状の磁石であり、これは、厚みが3mmの第6の比較例の磁石と同じである。また、空洞部分内径比率が100の磁石2は、厚みが1.5mmの円柱形状の磁石であり、これは、厚みが1.5mmの第6の比較例の磁石と同じである。空洞部分内径比率が0の磁石2と100の磁石2は、本実施の形態における磁石2ではないが、便宜上、実施例の磁石2に含めている。図18に示したように、本実施の形態によれば、空洞部分内径比率を調整することによって、最適距離dL0と磁界HSの強度を調整することが可能である。以下、図18に示した第5のシミュレーションの結果から導かれる本実施の形態の効果について説明する。まず、直径が等しい実施例の磁石2と第6の比較例の磁石について、最適距離dL0が等しくなる条件で比較する。すると、図18から、空洞部分内径比率が0と100の場合を除いた実施例の磁石2では、第6の比較例の磁石に比べて、最適距離dL0における磁界HSの強度が大きいことが分かる。従って、本実施の形態における磁石2を用いることにより、磁石と磁気センサ5の位置関係のずれに起因した角度誤差dθが小さくなるような磁石の端面と磁気センサ5との間の距離最適距離dL0が、ほぼ等しくなる条件で比較すると、本実施の形態における磁石2を用いることにより、円柱形状の磁石第6の比較例の磁石を用いる場合に比べて、磁界HSの強度を大きくすることができる。次に、実施例の磁石2と第6の比較例の磁石について、最適距離dL0における磁界HSの強度が等しくなる条件で比較する。すると、図18から、空洞部分内径比率が0と100の場合を除いた実施例の磁石2では、第6の比較例の磁石に比べて、最適距離dL0が大きいことが分かる。従って、本実施の形態における磁石2を用いることにより、磁界HSの強度がほぼ等しくなる条件で比較すると、円柱形状の磁石第6の比較例の磁石を用いる場合に比べて、磁石と磁気センサ5の位置関係のずれに起因した角度誤差dθが小さくなるような磁石の端面と磁気センサ5との間の距離最適距離dL0を大きくすることができる。以上のことから、本実施の形態によれば、磁石2と磁気センサ5との間の距離が小さくなりすぎることなく、磁界HSの強度を大きくし、且つ磁石2と磁気センサ5の位置関係のずれに起因した角度誤差dθを低減することが可能になることが分かる。前述のように、本実施の形態における磁石2は、空洞部分内径比率が0のものと、空洞部分内径比率が100のものは含まない。図18に示されるように、本実施の形態では、空洞部分内径比率が0よりも大きく100よりも小さければ、最適距離dL0および最適距離dL0における磁界HSの強度に関して、円柱形状の磁石を用いた場合に比べて効果を発揮する。従って、本実施の形態における磁石2の空洞部分内径比率は、0よりも大きく100よりも小さければよい。ただし、本実施の形態における磁石2を、空洞部分内径比率が0または100の磁石、すなわち円柱形状の磁石と明確に区別するために、本実施の形態における磁石2の空洞部分内径比率は、5~95の範囲内であることが好ましい。また、図18において、実施例の磁石2の特性を示す曲線のうち、空洞部分内径比率が0より大きく50以下の範囲では、特に、以下の効果が顕著に発揮される。すなわち、この範囲では、第6の比較例の磁石の厚みを3mmから1.5mmに小さくすることによって最適距離dL0を大きくする場合に比べて、最適距離dL0を大きくすることができるという効果と最適距離dL0における磁界HSの強度を大きくすることができるという効果が共に顕著に発揮される。従って、これらの顕著な効果を望む場合には、空洞部分内径比率を、0より大きく50以下の範囲とすることが好ましく、5~50の範囲内とすることがより好ましい。また、図18において、実施例の磁石2の特性を示す曲線のうち、空洞部分内径比率が50より大きく100より小さい範囲では、空洞部分内径比率を小さくすることにより、最適距離dL0における磁界HSの強度がほとんど変わることなく、最適距離dL0を大きくすることができる。従って、最適距離dL0における磁界HSの強度をほとんど変えることなく、最適距離dL0を調整したい場合には、空洞部分内径比率を、50より大きく100より小さい範囲とすることが好ましく、50より大きく95以下の範囲内とすることがより好ましい。第5のシミュレーションの結果から導かれる上述の各傾向は、リング状部分厚み比率に依存しない。以上、第1ないし第5のシミュレーションの結果を参照して説明したように、本実施の形態によれば、磁石2と磁気センサ5との間の距離が小さくなりすぎることなく、磁界HSの強度を大きくし、且つ磁石2と磁気センサ5の位置関係のずれに起因した角度誤差dθを低減することが可能になる。ところで、図18において、複数の破線の曲線は、円柱形状の磁石において、磁石の直径を大きくことによって、最適距離dL0における磁界HSの強度をあまり減少させずに、最適距離dL0を大きくすることが可能であることを示している。しかし、円柱形状の磁石において、磁石の直径を大きくすると、磁石の体積が大きくなり、その結果、本実施の形態における磁石2に比べて磁石のコストが上昇する。以下、これについて、具体例を挙げて説明する。ここでは、図18を参照して、直径が20mm、厚みが2.8mmの第7の比較例の磁石と、空洞部分内径比率が15の実施例の磁石2とを比較する。これら2つの磁石では、最適距離dL0はほぼ等しく、最適距離dL0における磁界HSの強度もほぼ等しい。しかし、上記の寸法の第7の比較例の磁石の体積は880mm3であるのに対し、空洞部分内径比率が15の磁石2の体積は524mm3である。このように、本実施の形態によれば、磁石2を用いることにより、最適距離dL0と最適距離dL0における磁界HSの強度がほぼ等しくなる条件で比較すると、円柱形状の磁石を用いる場合に比べて、磁石2の体積を小さくすることができ、その結果、磁石2のコストを抑制することができる。次に、本実施の形態における磁石2について、磁石2と磁気センサ5との間の距離と磁気センサ5に印加される磁界HSの強度との関係を調べた第6のシミュレーションの結果について説明する。第6のシミュレーションでは、最適距離dL0が等しくなるような第1および第2の磁石2を用いた。この2つの磁石の直径d1は15mmであり、厚みt2は3mmである。第1の磁石では、空洞4aの直径リング状部4の内径d2は4mm、リング状部4の厚みt4は1.5mmである。第2の磁石2では、空洞4aの直径リング状部4の内径d2は7mm、リング状部4の厚みt4は1mmである。第1の磁石2の体積は511mm3であり、第2の磁石2の体積は492mm3である。第6のシミュレーションでは、第1および第2の磁石2について、磁石2の端面2aと磁気センサ5との間の距離dGを変化させて、磁界HSの強度と角度誤差dθを求めた。なお、第6のシミュレーションにおける磁界HSの強度と角度誤差dθは、第3のシミュレーションで説明した磁界HSの強度と角度誤差dθと同じである。第6のシミュレーションにおけるその他の条件は、第3のシミュレーションと同じである。図19は、第6のシミュレーションによって求めた磁石2と磁気センサ5との間の距離dGと、磁気センサ5に印加される磁界HSの強度および角度誤差dθとの関係を示す特性図である。図19において、横軸は距離dGを示し、左側の縦軸は磁界HSの強度を示し、右側の縦軸は角度誤差dθを示している。また、図19における破線の直線は、第1および第2の磁石2において角度誤差dθが0となる距離dGすなわち最適距離dL0を示している。図19に示されたように、第1の磁石2では、第2の磁石2に比べて、最適距離dL0における磁界HSの強度が大きくなっている。これは、第2の磁石2に比べて、第1の磁石2の体積の方が大きいためと考えられる。この結果から分かるように、磁石2の直径d1および厚みt2を一定にして、リング状部4の内径d2および厚みt4を変えて、同じ最適距離dL0を得る場合には、リング状部4の形状は、内径d2が大きく厚みt4が小さいものよりも、内径d2が小さく厚みt4が大きいものの方が、最適距離dL0における磁界HSの強度を大きくすることができる点で有利である。以下、本実施の形態におけるその他の効果について説明する。本実施の形態では、磁石2における回転軸Cを含む任意の断面の形状は、回転軸Cに対して線対称な形状である。本実施の形態によれば、このような形状の磁石2を用いることにより、磁石2の形状に起因した角度誤差の発生を防止することができる。上記の形状の要件を満たす磁石2の一例は、ここまで説明してきた磁石2、すなわち板状部3が円板形状を有し、回転軸Cに垂直なリング状部4の任意の断面におけるリング状部4の外周および内周がいずれも円形である磁石2である。しかし、本実施の形態における磁石2は、ここまで説明してきた磁石2に限らず、例えば以下の複数の変形例として挙げられるような種々の形状の磁石を含む。変形例の磁石は、板状部とリング状部とを有し、板状部は回転軸Cが通過する空洞を含まないが、リング状部は回転軸Cが通過する空洞を含んでいる。また、変形例の磁石における回転軸Cを含む任意の断面の形状は回転軸Cに対して線対称な形状である。このような磁石を用いることにより、円柱形状の磁石を用いた場合と比較して、これまでに説明した種々の効果が得ることができる。[変形例]次に、図20ないし図27を参照して、本実施の形態における磁石2の第1ないし第8の変形例について説明する。図20は、磁石2の第1の変形例を示す平面図である。図21は、磁石2の第2の変形例を示す平面図である。第1および第2の変形例の磁石101は、図1ないし図3に示した磁石2と同様に、回転軸C図示せずに垂直な端面101aを有すると共に回転軸Cに垂直な方向の磁化を有している。また、磁石101は、端面101aを含む板状部102と、板状部102に対して端面101aとは反対側に配置されて板状部102に連結されたリング状部図示せずとを有している。板状部102は、図20または図21における上下方向に延びた長円板形状小判形状を有している。板状部102は、回転軸Cが通過する空洞を含んでいない。リング状部は、外周部と、回転軸Cが通過する空洞とを含んでいる。回転軸Cに垂直なリング状部の任意の断面におけるリング状部の外周の形状は、長円形状小判形状であり、これは、回転軸Cに垂直な板状部102の任意の断面における板状部102の外周の形状と同じである。回転軸Cに垂直なリング状部の任意の断面におけるリング状部の内周の形状は、長円形状小判形状でもよいし、円形でもよい。第1の変形例における板状部102は、図20における左右方向に配置されたN極とS極を有している。第2の変形例における板状部102は、図21における上下方向に配置されたN極とS極を有している。第1および第2の変形例の磁石101の磁化の方向は、板状部102のS極からN極に向かう方向であって、S極とN極との境界に垂直な方向である。図22ないし図26は、それぞれ、磁石2の第3ないし第7の変形例を示す断面図である。第3ないし第7の変形例の磁石2は、図1ないし図3に示した磁石2と同様に、回転軸C図示せずに垂直な端面2aを有すると共に回転軸Cに垂直な方向の磁化を有している。また、第3ないし第7の変形例の磁石2は、端面2aを含む板状部3と、板状部3に対して端面2aとは反対側に配置されて板状部3に連結されたリング状部4とを有している。第3ないし第7の変形例における板状部3の形状は、図1ないし図4に示した板状部3の形状と同じである。図1ないし図3、図5に示したリング状部4と同様に、第3ないし第7の変形例におけるリング状部4は回転軸Cが通過する空洞4aを含んでいる。第3ないし第7の変形例では、回転軸Cに垂直なリング状部4の任意の断面におけるリング状部4の外周および内周はいずれも円形である。図22ないし図24に示した第3ないし第5の変形例では、リング状部4の内径、すなわち空洞4aの直径は、磁石2の端面2aから離れるに従って大きくなっている。図22に示したように、第3の変形例における空洞4bの形状は、円錐台形状である。図23に示したように、第4の変形例では、板状部3とリング状部4の境界の位置において、リング状部4の内径、すなわち空洞4aの直径は、0である。第4の変形例における空洞4bの形状は、円錐形状である。図24に示したように、第5の変形例における空洞4bの形状は、半球形状である。図25に示した第6の変形例では、リング状部4の内径、すなわち空洞4aの直径は、磁石2の端面2aから離れるに従って小さくなっている。図26に示した第7の変形例では、空洞4aのうち、端面2aに近い第1の部分の直径は、端面2aから遠い第2の部分の直径に比べて大きくなっている。第1の部分の直径は、端面2aからの距離によらずに一定である。第2の部分の直径も、端面2aからの距離によらずに一定である。図27は、磁石2の第8の変形例を示す断面図である。第8の変形例の磁石103は、図1ないし図3に示した磁石2と同様に、回転軸C図示せずに垂直な端面103aを有すると共に回転軸Cに垂直な方向の磁化を有している。また、磁石103は、端面103aを含む第1の板状部104と、第1の板状部104に対して端面103aとは反対側に配置されて第1の板状部104に連結されたリング状部105と、リング状部105に対して端面103aとは反対側に配置されてリング状部105に連結された第2の板状部106とを有している。第1の板状部104は、本発明における板状部に対応する。第1および第2の板状部104,106は回転軸Cが通過する空洞を含まないが、リング状部105は回転軸Cが通過する空洞105aを含んでいる。第1および第2の板状部104,106は円板形状を有している。回転軸Cに垂直なリング状部105の任意の断面におけるリング状部105の外周および内周はいずれも円形である。第8の変形例では、空洞105aは、第1および第2の板状部104,106とリング状部105によって囲まれている。本実施の形態における磁石2は、平面形状端面に垂直な方向から見た形状が図20または図21に示した形状で、回転軸Cを含む断面の形状が図22ないし図27のいずれかに示した形状のものであってもよい。また、本実施の形態における磁石2は、回転軸Cを含む任意の断面の形状が回転軸Cに対して線対称な形状であればよく、平面形状は正方形、長方形、六角形、八角形等であってもよい。なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、磁気センサ5は、ブリッジ回路16,17における全ての磁気検出素子として、AMR異方性磁気抵抗効果素子を用いたものであってもよい。"