希土類元素以下Rと表す。とホウ素Bと遷移元素以下TMと表す。との正方晶化合物であるR2TM14B1型結晶が集合した粉末粒子により構成される希土類磁石粉末であって、前記粉末粒子は、外表面を被覆する不動態被膜を有することを特徴とする希土類磁石粉末。前記不動態被膜は、前記Rおよび/またはTMの酸化物からなる不動態酸化被膜である請求項1に記載の希土類磁石粉末。前記不動態被膜は、膜厚が30nm以上である請求項1または2に記載の希土類磁石粉末。RとBとTMとの正方晶化合物であるR2TM14B1型結晶が集合した粉末粒子を酸化雰囲気中で加熱する酸化工程を備え、該酸化工程は、前記酸化雰囲気を第一処理温度にする第一酸化工程と、該酸化雰囲気を該第一処理温度よりも高い第二処理温度にする第二酸化工程と、を少なくとも有することを特徴とする希土類磁石粉末の製造方法。請求項1~3のいずれかに記載の希土類磁石粉末と、該希土類磁石粉末の粉末粒子を結着させ得るバインダー樹脂と、からなることを特徴とする希土類ボンド磁石用コンパウンド。前記希土類磁石粉末は、平均粒径の異なる2種以上からなる複合希土類磁石粉末である請求項5に記載の希土類ボンド磁石用コンパウンド。請求項1~3のいずれかに記載の希土類磁石粉末と、該希土類磁石粉末の粉末粒子を結着するバインダー樹脂と、からなることを特徴とする希土類ボンド磁石。前記希土類磁石粉末は、平均粒径の異なる2種以上からなる複合希土類磁石粉末である請求項7に記載の希土類ボンド磁石。上記の特許文献1では、上述したコーティング等と異なり、酸化を抑止する不動態被膜を磁石粉末に形成することが提案されている。しかし、特許文献1には、酸素濃度:1~20、雰囲気温度:60~200°Cで酸化処理を行うことしか記載されておらず、具体的にどのような試料に対して、どのような酸化処理を施せばいいのか、全く記載されていない。しかも、特許文献1にある図1には、不動態被膜を形成することにより、長期にわたり減磁が全く生じないことが示されている。また同公報の図2には、酸化処理をした磁石粉末の保磁力が、その酸化処理をしない磁石粉末の保磁力の約2/3以下にまで低下することが示されている。ところが、当該分野の技術常識からして、記載されている条件下での処理ではそのようなことはいずれも到底考えられない。つまり、上記の特許文献1の記載内容は明らかに疑わしく、単なる希望的内容を述べたものに過ぎず、実質的には有効な技術的提案を何らしていないに等しい。本発明は、このような事情の下で為されたものである。すなわち、耐酸化性に優れる現実的な希土類磁石粉末を提供することを目的とする。また、その磁石粉末の製造方法と、その希土類磁石粉末を用いたコンパウンドおよびボンド磁石も併せて提供することを目的とする。本発明者はこの課題を解決すべく鋭意研究し試行錯誤を重ねた結果、特定雰囲気下で酸化処理した磁石粉末の粉末粒子の表面に、その磁石粉末の耐酸化性を大きく向上させ得る不動態被膜が形成されることを新たに見出した。この成果をさらに発展させることにより、以降に述べる本発明を完成するに至った。《希土類磁石粉末》1本発明の希土類磁石粉末は、希土類元素Rとホウ素Bと遷移元素TMとの正方晶化合物であるR2TM14B1型結晶が集合した粉末粒子により構成される希土類磁石粉末であって、前記粉末粒子は、外表面を被覆する不動態被膜を有することを特徴とする。2本発明の希土類磁石粉末適宜磁石粉末という。は、外表面が化学的に安定な不動態被膜で被覆された粉末粒子からなる。この不動態被膜により、本発明の磁石粉末は酸化が抑止され、優れた耐酸化性を発現する。このため、本発明の磁石粉末自体の保管性や取扱性が向上することは勿論のこと、この磁石粉末を用いたボンド磁石等は優れた耐環境性を発現し、高い磁気特性を長期間にわたり安定的に発揮し、その利用範囲が一層拡大し得る。3ここで本発明の不動態被膜は、現状、その組成や形態等の詳細が必ずしも明らかではないが、酸素遮蔽性の高い換言すると、酸素透過性の低い緻密な酸化被膜であると考えられる。具体的にいえば、本発明に係る不動態被膜は、磁石粉末の組成から推察して、Rおよび/またはTMの酸化物からなる不動態酸化被膜であると考えられる。勿論、粉末粒子が、RやTM以外の金属元素例えば、典型金属元素であるAl、Ga、Zn等を有する場合、不動態酸化被膜がそのような金属元素の酸化物例えば、Al2O3からなることはあり得る。ちなみに、このような金属元素は、母合金の段階から原始的に存在する場合もあれば、拡散処理等によって後発的に供給される場合もあり、いずれでもよい。さらに不動態酸化被膜は、単種の酸化物のみからなる場合にかぎらず、複数種の酸化物からなる複合酸化被膜であってもよい。なお、酸化被膜からなる不動態被膜は、比較的安価に形成され、また薄く形成されるので磁石粉末の磁気特性にほとんど影響を及ぼさない。4本発明の不動態被膜は、その組成、構造、形態等を問わないが、化学的に安定で長期にわたって優れた酸素遮蔽性を発現するには、ある程度の膜厚を有すると好適である。具体的にいうと、不動態被膜の膜厚は、30nm以上、40nm以上さらには50nm以上であると好ましい。ちなみに不動態被膜は、単なる酸化被膜とは異なり、酸素遮蔽性に優れる緻密な被膜であるため、その膜厚はそもそも過大にはなり難い。敢えていうなら、不動態被膜の膜厚は300nm以下さらには200nm以下程度であると好ましい。なお、不動態被膜の膜厚は、粉末粒子の表面をオージェ電子分光分析法AES:AugerElectronSpectroscopyにより観察して得られた深さDepth-強度Intensityに関するグラフから特定した。具体的には、先ず、そのグラフ上の最大強度Imaxを特定し、さらにその15の強度Is=0.15×Imaxを求める。この強度IsとなるラインLsと、前記グラフとの交点Psを求める。このPsの深さDsを、本明細書でいう粉末粒子の表面に形成される被膜の膜厚とする。この様子を図1Aおよび図1Bに例示した。図1Aの場合ならImax=69300、Is=10400、Ds=104nmとなり、本発明でいう膜厚は104nmとして特定される。ちなみに図1Bの場合ならImax=67100、Is=10100、Ds=22.5nmとなり、その膜厚は22.5nmとして特定される。《希土類磁石粉末の製造方法》本発明は、上述した希土類磁石粉末の製造方法としても把握できる。すなわち本発明は、RとBとTMとの正方晶化合物であるR2TM14B1型結晶が集合した粉末粒子を酸化雰囲気中で加熱する酸化工程を備え、該酸化工程は、前記酸化雰囲気を第一処理温度にする第一酸化工程と、該酸化雰囲気を該第一処理温度よりも高い第二処理温度にする第二酸化工程と、を少なくとも有することを特徴とする希土類磁石粉末の製造方法でもよい。なお、酸化雰囲気は、例えば、酸素濃度により特定される。酸化雰囲気が混合ガスからなる場合、その酸素濃度は、例えば、混合ガス全体を標準状態1気圧、20°Cとしたとき、その混合ガス中に含まれる酸素の体積で表される。そしてこの酸素濃度は、例えば、処理炉に取り付けられた酸素濃度計泰榮電器株式会社製OXYMANガルバニ電池式酸素濃度計により求められる。《コンパウンドおよびボンド磁石》1本発明は、さらに上述の希土類磁石粉末を用いたコンパウンドとしても把握できる。すなわち本発明は、上述の希土類磁石粉末と、該希土類磁石粉末の粉末粒子を結着させ得るバインダー樹脂と、からなることを特徴とする希土類ボンド磁石用コンパウンドでもよい。2また本発明は、上述の希土類磁石粉末やコンパウンドからなるボンド磁石としても把握できる。すなわち本発明は、上述の希土類磁石粉末と、該希土類磁石粉末の粉末粒子を結着するバインダー樹脂と、からなることを特徴とする希土類異方性ボンド磁石でもよい。《その他》1本明細書でいう希土類元素は、イットリウムY、ランタノイドおよびアクチノイドの一種以上である。その中でも、ランタンLa、セリウムCe、プラセオジムPr、ネオジムNd、サマリウムSm、ガドリニウムGd、テルビウムTb、ジスプロシウムDy、ホルミウムHo、エルビウムEr、ツリウムTM元素、ルテチウムLuが代表的である。これら希土類元素Rは一種でも二種以上でもよい。ここでRとしては、特にNdが代表的であるが、Prを含んでもよい。磁石原料や拡散原料中のNdの一部がPrに置換されても、磁気特性への影響は少なく、NdとPrの混在した混合希土類原料ジジムは比較的安価に入手可能だからである。なお、Dy、TbまたはHoなどの保磁力向上元素は、稀少元素で高価なため使用が抑制されると好ましい。そこで磁石粉末の製造に使用する磁石原料母合金または拡散原料は、Dy、TbおよびHoを含まないと好適である。TMは、特に3d遷移元素または4d遷移元素の1種以上であると好ましい。3d遷移元素は原子番号21Sc~原子番号29Cuであり、4d遷移元素は原子番号39Y~原子番号47Agである。中でもTMは、8族の鉄Fe、コバルトCoまたはニッケルNiのいずれか、さらにいえばFeであると好適である。また、ホウ素の一部を炭素Cに置換することも可能である。2本発明に係る粉末粒子は、上述したR、BおよびTM以外に、その特性改善に有効な元素である改質元素を含み得る。改質元素には種々あり、各元素の組合せは任意であり、通常、その含有量は微量である。当然ながら本発明の希土類磁石粉末は、コスト的または技術的な理由等によって除去困難な不可避不純物をも含み得る。3本明細書でいう希土類磁石粉末には、異方性希土類磁石粉末と等方性希土類磁石粉末の両方が含まれる。また単に粉末粒子というときは、適宜、磁石合金に水素化処理を施した得られたままの水素処理粒子、その水素化処理に拡散処理を施して得られた拡散処理粒子、水素処理粒子または拡散処理粒子に酸化処理を施して得られた酸化処理粒子、それらの粒子に樹脂コーティング処理した被覆処理粒子のいずれか、または、それらの複数若しくは全部を意味する。これは単に磁石粉末というときの構成粒子についても同様である。4本明細書でいう平均粒径は、サンプル粉末をHELOSRODOSレーザ回折式粒子径分布測定装置により測定し、その結果得られた体積球相当径VMDにより特定される。5本明細書でいうx~yは、特に断らない限り、下限値xおよび上限値yを含む。また、本明細書に記載した種々の下限値または上限値を任意に組合わせて、a~bのような新たな数値範囲を構成し得る。さらに、本明細書に記載した数値範囲内に含まれる任意の数値を、新たな数値範囲を設定するための上限値または下限値とすることもできる。発明の実施形態を挙げて本発明をより詳しく説明する。なお、以下の実施形態を含めて本明細書で説明する内容は、本発明に係る希土類磁石粉末のみならず、その製造方法、その磁石粉末を用いたコンパウンドやボンド磁石にも適用され得る。上述した本発明の構成に、本明細書中から任意に選択した一つまたは二つ以上の構成を付加し得る。この際、製造方法に関する構成は、プロダクトバイプロセスとして理解すれば物に関する構成ともなり得る。なお、いずれの実施形態が最良であるか否かは、対象、要求性能等によって異なる。《酸化工程》1本発明に係る不動態被膜は、例えば、上述したように混合ガス全圧を標準状態1気圧、20°Cとしたとき、磁石粉末を酸素濃度が0.1~20体積の酸化雰囲気中で加熱することにより得られる。この酸素濃度が過小でも過大でも、緻密で酸素遮蔽性に優れる不動態酸化被膜は安定的に形成され難い。酸素濃度は0.1~5、1~4さらには2~3であるとより好ましい。このような不動態酸化被膜を各粉末粒子の表面に均一に形成するには、例えば、酸化雰囲気を制御できる回転炉ロータリーキルン炉等もしくは回転混合機ヘンシェルミキサ等を用いると好ましい。酸化雰囲気の制御は、例えば、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の炉内へ、流量制御しつつ酸素を導入することで行える。2酸化工程の処理パターンまたはヒートパターンは、例えば、処理温度は80~200°Cさらには90~170°C程度で、処理時間は0.5~5時間さらには1~4時間程度が好ましい。具体的な処理条件は、粉末粒子の表面近傍の組成やボンド磁石に要求される耐環境性等に応じて適宜調整されるとよい。また酸化雰囲気は、処理中一定である必要はなく、処理途中に変更してもよい。例えば、酸化雰囲気を第一処理温度とした後第一酸化工程、酸化雰囲気を第一処理温度よりも高温の第二処理温度にしてもよい第二酸化工程。また、この処理温度の変化に対応して、酸化雰囲気の酸素濃度が実質的に変化してもよい。例えば、処理当初に密閉した処理炉内へ一定量の酸素しか導入しない場合、酸化工程の進行と共に酸素濃度が実質的に低下し得る。このような場合、酸化工程の後半で、酸化雰囲気の温度を上昇させることにより不動態酸化被膜の形成を促進し得る。これとは逆に、導入ガスの流量制御等により酸化雰囲気の酸素濃度を任意に調整できる場合、酸化工程の前半の酸素濃度を相対的に低く、その後半の酸素濃度を相対的に高くしてもよい。これにより、酸化工程の前半では、酸化被膜の形成が緩やかに進行して粉末粒子の表面上に緻密で均一な不動態酸化被膜が安定的に形成され、酸化工程の後半では、不動態酸化被膜の膜厚確保が容易になり得ることも考えられる。いずれにしろ酸化工程は、そのように、酸化雰囲気を段階的に変化させても、さらには連続的に酸化雰囲気を変化させてもよい。《粉末粒子》1不動態被膜を形成する粉末粒子は、微細なR2TM14B1型結晶の集合体からなり、磁石合金母合金に水素化処理を施して得たままの粒子でも、それに拡散原料を拡散させた拡散処理後の粒子でもよい。2水素化処理は、磁石合金母合金に吸水素させ不均化反応を生じさせる不均化工程と、この不均化工程後の母合金から脱水素して再結合させる再結合工程とからなる。この水素化処理には、HDDR法hydrogenation-decompositionもしくはdisproportionation-desorption-recombination、d-HDDR法dynamic-HDDR等がある。d-HDDR法によれば、特に高い磁気特性の希土類異方性磁石粉末が得られる。d-HDDR法は、低温水素化工程と、高温水素化工程と、制御排気工程と、強制排気工程からなり、前述の不均化工程は高温水素化工程に、再結合工程は制御排気工程に対応する。ちなみに、低温水素化工程は、次工程高温水素化工程での水素化不均化反応が緩やかに進むように、水素化不均化反応を生じる温度以下の低温域で水素圧をかけて水素を十分固溶させる工程である。高温水素化工程は、磁石合金に対して水素化不均化反応をさせる工程である。制御排気工程は、高温水素化工程で三相分解した組織を再結合反応をさせる工程である。強制排気工程は、磁石合金中に残留した水素を取除き、脱水素化処理を完了させる工程である。これら各工程の詳細は特開2006-28602号公報等に記載されている。3拡散処理は、磁石原料磁石粉末に拡散原料を混合した混合原料混合粉末を、例えば400~900°Cさらには600~850°Cの酸化防止雰囲気真空雰囲気または不活性雰囲気等で加熱処理してなされる。拡散原料には、R-Cu系合金、R-Cu-Al系合金、R-TM系合金等が好適である。これにより、Dy、Ga等の稀少な元素の使用を抑止しつつ、磁石粉末の保磁力を高めることができる。中でもR-Cu系合金やR-Cu-Al系合金がコスト的または資源的に好ましく、拡散原料は、全体を100atとしたときに、Cuが1~47atさらには6~39atと、残部である希土類元素と、不可避不純物とからなると好適である。また拡散原料がAlを含む場合、拡散原料全体を100atとしたときにCuが5~27at、Al:20~55atと、残部である希土類元素と、不可避不純物とからなると好適である。なお拡散原料は、そのCuやAlに替え、またはCuやAlと共に、Co、Ni、Si、Mn、Cr、Mo、Ti、V、Ga、Zr、Ge、Feなどを含んでもよい。これらの元素の総量は、拡散原料全体を100atとして5~64atであると好ましい。CuおよびAlを置換したものとして、R-TM系合金があり、具体的にはNd-Co系合金などがある。ところで、拡散処理が施される磁石原料は、通常Rが11~15atであるが、理論近傍組成であると好ましい。具体的には、Rが11.6~12.7at、11.7~12.5at、11.8~12.4atさらには11.9~12.3atであり、Bが5.5~7atさらには5.9~6.5atであると好ましい。理論近傍組成の磁石原料を用いることにより高磁化残留磁束密度の磁石粉末が得られる。従って、理論近傍組成の磁石原料に拡散処理を施せば、高磁化かつ高保磁力の磁石粉末が得られることになる。このような拡散処理後の粉末粒子は、全体を100atとすれば、Cu:0.05~2at、0.05~1at、0.05~0.8at、0.2~0.8atさらには0.3~0.7atであると好ましい。またその粉末粒子全体を100atとしたときに、Al:0.1~5atさらには0.5~3.0atであると好ましい。4磁石原料は、保磁力等の改質元素として、TMであるチタンTi、バナジウムV、ジルコニウムZr、ニオブNb、ニッケルNi、クロムCr、マンガンMn、モリブデンMo、ハフニウムHf、タングステンW、タンタルTaなどの他、アルミニウムAl、ガリウムGa、ケイ素Si、亜鉛Zn、スズSnなどを含んでもよい。これら改質元素は、最終的な粉末粒子全体を100atとしたとき、合計で3at以下であると好ましい。改質元素の中でもGaは、保磁力の向上に特に効果的な元素であるので、粉末粒子は全体を100atとしたときに0.05~1atのGaを含むと好ましい。またNbは、残留磁束密度の向上に有効な元素であるので、粉末粒子は全体を100atとしたときに0.05~0.6のNbを含むと好ましい。勿論、粉末粒子は両者を同時に含むと一層好ましい。Coは、磁石粉末または磁石のキュリー点向上ひいてはその耐熱性の向上に有効な元素であるので、粉末粒子は全体を100atとしたときに0.1~10atのCoを含むと好ましい。《コンパウンドおよびボンド磁石》1本発明の磁石粉末をバインダー樹脂と加熱混練することによりボンド磁石の原料となるコンパウンドが得られる。このコンパウンドを圧縮成形または射出成形すればボンド磁石が得られる。射出成形の場合、バインダー樹脂は、熱可塑性樹脂であるポリフェニレンスルファイドPPS、ナイロン等のポリアミドPA等が好ましい。圧縮成形の場合、バインダー樹脂は、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂等をバインダー樹脂等が好ましい。2コンパウンドまたはボンド磁石を構成する磁石粉末は、複数種の磁石粉末を混合した混合磁石粉末であってもよい。例えば本発明の磁石粉末は、平均粒径の粗い磁石粉末粗粉末と平均粒径の細かい磁石粉末微粉末とを混合した複合希土類磁石粉末でもよい。具体的には、粗粉末がR-TM-B系磁石粉末で、微粉末がSm-Fe-N系磁石粉末であると好ましい。《用途》本発明に係る永久磁石ボンド磁石等は、耐環境性に優れ、高磁気特性を安定して発揮し、常温域で使用される機器は勿論のこと、高温多湿の厳しい環境下で使用される機器にも適している。実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。《試料の製造》表1に示す各試料を次のようにして製造した。1磁石原料表1に示す各磁石原料を次のようにして用意した。表1に示す磁石原料の各組成に調製した母合金をストリップキャストSC法により得た。この母合金を1140°CのArガス雰囲気中に10時間保持して組織を均質化させた均質化熱処理工程。これを室温まで冷却した後、水素圧力0.13MPaの水素雰囲気中で水素粉砕して母合金粉末とした。この母合金粉末に水素化処理d-HDDRを施して希土類異方性磁石粉末を得た。この水素化処理は次のようにして行った。先ず、母合金粉末15gを処理炉に入れて、室温×0.1MPaの低温水素雰囲気に1時間さらした低温水素化工程。これに続けて780°C×0.03MPaの高温水素雰囲気に、低温水素化工程後の粉末を30分間さらした高温水素化工程。この後、5分間かけてその雰囲気を840°Cへ昇温し、840°C×0.03MPaの高温水素雰囲気に高温水素化工程の粉末を60分間さらした組織安定化工程。こうして反応速度を調整しつつ、三相α-Fe、RH2、Fe2Bに分解する順変態を生じさせた粉末を得た不均化工程。この後、処理炉内から水素を連続的に排気し、処理炉内を840°C×5~1kPaの雰囲気に90分間して、順変態後の合金内にR2TM14B1型結晶を生成する逆変態を生じさせた制御排気工程/再結合工程。こうして得た粉末を急冷した第1冷却工程。この粉末を不活性ガス雰囲気中で乳鉢で解砕後、粒度調整して、平均粒径が100~120μmの各磁石粉末磁石原料を得た。なお、平均粒径は、具体的にいうと、試料No.1-1~1-6と試料No.2-1および2-2とが105μm、試料No.3-1~3-4が117μmであった。2拡散原料表1に示す各組成の拡散原料を次のようにして用意した。表1に示す拡散原料の各組成に調製した原料合金鋳塊をブックモールド法により得た。この原料合金を水素粉砕した後、さらに乾式のボールミルで粉砕して平均粒経6μmの粉末状の原料水素化物を得た。こうして粉末状の拡散原料を得た。3拡散処理拡散原料を磁石原料に加え不活性ガス雰囲気中で混合して混合原料を得た混合工程。表1に示した混合割合は、混合原料全体を100質量としたときにおける拡散原料の質量割合である。この混合原料を10-1Paの真空雰囲気中で800°C×1時間加熱した拡散工程。これに続けて混合原料を急冷した第2冷却工程。こうして拡散処理された磁石粉末適宜拡散磁石粉末という。を得た。4酸化処理拡散磁石粉末を筒状の反応炉に入れた。この反応炉を回転させながら、拡散磁石粉末を酸化雰囲気中で加熱した酸化工程。酸化雰囲気の調整は、反応炉への導入前に不活性ガスArガスと酸素ガスを所望の比率で混合し、得られた混合ガスを反応炉内へ導入することにより行った。そして酸化雰囲気内の酸素濃度は、いずれの試料も2~3に制御した。このときの処理温度と処理時間は、表1に示す種々のパターンで行った。なお、この酸化処理を2ステップで行う場合、第一酸化工程の後に第二酸化工程を行った。こうして酸化処理した磁石粉末適宜酸化磁石粉末という。を得た。5樹脂コーティングヘキサン0.65g中へチタネート系カップリング剤0.33gを均一に分散させたカップリング液を調製した。このカップリング液と酸化磁石粉末130gとを混合した後、真空排気して、乾燥させたカップリング処理。これにより、表面がカップリング剤で被覆された磁石粉末を得た。次にエポキシ樹脂0.39gをメチルエチルケトンMEK1.56gに溶解させたコーティング液を調製した。このコーティング液とカップリング処理した酸化磁石粉末130gとを混合した後、真空排気して、乾燥させた。この乾燥後の磁石粉末をさらに真空中で100°C×2時間加熱した。こうして、表面が硬化したエポキシ樹脂で均一にコーティングされた磁石粉末第一磁石粉末を得た。6比較試料比較試料として、上述した酸化処理のみ行わない磁石粉末試料No.1-6、2-2および3-4も用意した。この磁石粉末も便宜上、第一磁石粉末と呼ぶ。《コンパウンドの製造》第一磁石粉末124gとSmFeNからなる希土類磁石粉末第二磁石粉末21.9gとエポキシ固形樹脂4.1gとを、小型ロッキングミキサにより混合し、得られた混合物をラボプラストミル東洋精機製で10分間加熱混練110°Cした。これを室温まで冷却した後、粒度調整してコンパウンドを得た。《ボンド磁石の製造》コンパウンドを成形型のキャビティへ投入し、配向磁場中1.5Tで温間成形150°C×1tcm2には、強度Intensityの変化率が緩やかになるOの安定域が存在する。このような表面近傍におけるO量の分布から、粉末粒子の表面には安定した酸化被膜が形成されていると考えられる。また粉末粒子の表面近傍におけるO以外の元素の分布から、その酸化被膜は酸化鉄Fe2O3もしくは酸化ネオジムNd2O3からなると考えられる。2ボンド磁石の耐環境性減磁率表1および図2~4の結果から、酸化処理した試料ボンド磁石はいずれも、長期経過後の減磁率フラックスロスが低減しており、耐環境性に優れることがわかった。また磁石原料または拡散原料の組成より程度差はあるが、酸化処理を2ステップ第一酸化工程と第二酸化工程で行う方がボンド磁石の減磁率が向上することがわかった。以上のことから、本実施例のような酸化処理された磁石粉末の粉末粒子の表面には、本発明に係る耐酸化性に優れる不動態酸化被膜が形成されていることが確認できた。