入射された伝播光を電気信号に変換する複数の画素と、前記複数の画素のうちの少なくとも一部の画素間を接続するように設けられ、入射された伝播光を近接場光に変換するとともに前記近接場光を伝播する近接場光導波路と、を備えていることを特徴とするイメージセンサ。前記近接場光導波路は、伝播光を近接場光に変換する凸形状の変換部を備えていることを特徴とする請求項1記載のイメージセンサ。前記複数の画素は、G緑、B青、R赤の画素を有し、前記近接場光導波路はGの画素を接続するように設けられていることを特徴とする請求項1または2記載のイメージセンサ。各画素に対応してマイクロレンズが設けられ、前記近接場光導波路は前記マイクロレンズと、前記画素との間に設けられることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のイメージセンサ。前記マイクロレンズと前記近接場光導波路との間に、前記マイクロレンズによって集光された光を対応する画素に入射させるバッファ層を更に備えていることを特徴とする請求項4記載のイメージセンサ。前記バッファ層は、ファーフィールド光が隣接する画素へ到達しにくいようにする高屈折率部と、隣接する画素への光を遮光する遮光部とを備えていることを特徴とする請求項5記載のイメージセンサ。本発明が解決しようとする課題は、画像処理速度が速いとともに、画像間の境界が曖昧になるのを抑制することのできるイメージセンサを提供することである。本実施形態のイメージセンサは、入射された伝播光を電気信号に変換する複数の画素と、前記複数の画素のうちの少なくとも一部の画素間を接続するように設けられ、入射された伝播光を近接場光に変換するとともに前記近接場光を伝播する近接場光導波路と、を備えていることを特徴とする。実施形態を説明する前に、本実施形態に至った経緯について説明する。まず、図1aに示すように、光が照射されたときに近接場光を発生する断面が台形状の複数の変換部2aと、発生された近接場光を伝播する導波路2bとを有する金からなる近接場光導波路2を用意する。複数の変換部2aは、各変換部2aの幅が200nmで、560nmの間隔で、導波路2bの一方の面に配置されている。この近接場光導波路2に対して複数の変換部2aが設けられた側と反対側の面に近接して近接場光学顕微鏡のプローブ4を配置するとともに、凸部2aが設けられた側から光6を照射し、近接場光導波路2内を近接場光が伝播する様子を近接場光顕微鏡で観察した。その結果、隣接する変換部2a間から近接場光が発生したことが観察された。これに対して、図1bに示すように比較例として、両面が平坦な金からなる部材3を用意し、この部材3の一方の面に近接して近接場光学顕微鏡のプローブ4を配置するとともに、他方の面側から円形パターンの光6を照射し、近接場光の発生の有無を近接場光顕微鏡で観察した。この比較例においては、近接場光は発生しなかった。そして、近接場光導波路2の場合には、図2aに示すように、第1組となる隣接する2つの変換部2a1と、この第1組の変換部2a1に隣接し第2組となる隣接する2つの変換部2a2とを選び、これらの二組の変換部2a1、2a2のみに円形状の光を照射した。すると、第1組の変換部2a1間から近接場光8a1が発生するとともに、第2組の変換部2a2間から近接場光8a2が発生することが近接場光顕微鏡で観察された。その後、図2bに示すように、これらの近接場光8a1、8a2は導波路2bを伝播し、第1組の変換部2a1と、第2組の変換部2a2との間にも近接場光8bが伝播された。この近接場光8bは、近接場光8a1、8a2がそれぞれ半分ずつ伝播したものであり、近接場光8a1、8a2に比べてわずかに広がりを有することが近接場光顕微鏡で観察された。以上の実験結果から、本発明者達は、イメージセンサの画素のそれぞれに対応して、伝播光を近接場光に変換する変換部と、これらの変換部を接続し近接場光を導波させる導波路と、を有する近接場光導波路を設ければ、信号が入った画素の間に信号が入らない画素があった場合でも、信号が入らない画素にも両側の画素から半分ずつの信号が入り、画素が埋まり、境界面がはっきりした画像が得られると考えた。以下に、実施形態を説明する。第1実施形態第1実施形態によるCMOSイメージセンサを図3に示す。この第1実施形態のCMOSイメージセンサ10は、単色の画素が正方格子状に配列した裏面照射型のCMOSイメージセンサであり、層間絶縁膜12aに形成された配線12bが多層に積層された多層配線12を備えている。この多層配線12上には、複数の画素14と、画素14からの信号の読み出し等の処理を行うトランジスタを含む処理回路16が設けられている。各画素14上には近接場光導波路18が設けられている。この近接場光導波路18は、各画素14上に設けられ照射された光を近接場光に変換する変換部18aと、変換部18aによって変換された近接場光を伝播する導波路18bとを有している。この近接場光導波路18の上方には各画素14に対応してマイクロレンズ28が設けられている。この近接場光導波路18とマイクロレンズ28との間には、マイクロレンズ28によって集光された光を、より効率的に対応する画素に入射させるバッファ層20が設けられている。このバッファ層20は、各画素14に対応して、各画素14上に設けられファーフィールド光が隣接する画素へ到達しにくいようにする高屈折率部22と、この高屈折率部22を取り囲むように設けられ、光を透過する材料、例えばSiO2からなるSiO2膜24と、このSiO2膜24を取り囲むように設けられ、光を遮光する遮光部26とを備えている。次に、第1実施形態のCMOSイメージセンサ1の製造方法について図4乃至図9を参照して説明する。まず、濃度が1015atom/cm3~1017atom/cm3程度のn型シリコン層を有するSOI基板40を用意し、上記n型シリコン層上に濃度が1015atom/cm3~1017atom/cm3程度のn型シリコン層42を形成する図4。次に、n型シリコン層42に公知の方法でCMOS構造を有するセンサ部を形成する。このセンサ部は、複数の画素14と、画素14からの信号の読み出し等の処理を行うトランジスタを含む処理回路16とを有している図5。続いて、公知の技術を用いて、層間絶縁膜12aに設けられた配線12bが多層に積層された多層配線12を形成する図6。次に、SOI基板40を研磨することにより削除し図7、上記センサ部上に、リソグラフィ技術を用いて、画素14間を接続する近接場光導波路18を形成する図8。近接場光導波路18は、センサ部に近接させる必要があり、密着しているとなお良い。近接場光導波路18は金属細線や、金属-エアギャップ構造、金属や半導体の粒子配列、またはナノ粒子分散型構造等があり、これらのいずれでも良い。近接場光導波路18の材質としては、Cu、Au、Ag、Fe、Ni、Co、Zn、Cr、W、Ti、Al、In、Ir、Mn、Mo、Bi、Pt、Si、Ge、Sn、Pb、II-VI族半導体、III-V族半導体を用いることができる。近接場光導波路18は干渉させて導波させた方が、信号が入らない画素の信号を効率よく補うことができる。また、伝播光と近接場光との変換の効率が向上させるために、本実施形態においては、近接場光導波路18は金で形成し、近接場光導波路18の変換部18aの形状を楔形とした。なお、変換部18aの材料として、Cu、Au、Ag、Fe、Ni、Co、Zn、Cr、W、Ti、Al、In、Ir、Mn、Mo、Bi、Pt、Si、Ge、Sn、Pb、II-VI族半導体、III-V族半導体、グラフェン、またはカーボンナノチューブCNTを用いることができる。また変換部18aの形状は三角錐楔、球、台形であることが好ましい。なお、変換部18aは、伝播光を近接場光に効率良く変換させるものであって、設けなくともよい。次に、図9に示すように、近接場光導波路18上に、マイクロレンズの焦点距離を調整するバッファ層20を形成する。このバッファ層20には、ファーフィールド光が隣接する画素へ到達しにくいように各画素14の上部に透明性の高い材料の高屈折部22と、この高屈折部22を取り囲むように設けられるSiO2膜24と、このSiO2膜24を取り囲むように設けられ例えばSiからなる遮光部26と、を備えている。なお、高屈折部22は設けなくともよく、この場合、代わりにSiO2膜を設ける。また、遮光部26を形成すると伝播光による画像の境界面でのにじみを低減することができる。続いて、バッファ層20上に、各画素に対応してマイクロレンズ28を形成する図9。このように構成された第1実施形態のイメージセンサにおいては、マイクロレンズ28を通過した伝播光が近接場光導波路18に照射し、近接場光に変換される。変換されない成分は、直接画素に入力される。変換された近接場光は、一部が隣接する画素に伝わり、画像の境界面におけるぼやけまたは曖昧さを塗りつぶすように働く。近接場光導波路18は、その特性により伝播距離を制御することができる。例えば、金属ナノ粒子分散系では金属種や金属ナノ粒子間の距離を変えることにより、近接場相互作用の強さが変化し、導波距離を制御することができる。金属細線では、金属種や線幅で制御が可能である。本実施形態の場合、金属ナノ粒子に平均粒径約10nmの金を用い、粒間距離に約5nmの距離を開けて分散させているが、構造は、オレイルアミンをリガンドとするコアシェル型金ナノ粒子である。シェル厚を2nm~3nmにすることにより、粒子間隔を5nm程度にすることができているが、粒子間隔を広げると、伝播長を短くすることができる。金属細線では、幅を広げると伝播長が短くなる。以上説明したように、第1実施形態によれば、近接場光を利用して画像間の境界が曖昧になるのを抑制することができる。このため、画像間の境界が曖昧になるのを抑制する画像処理を近接場光で補っているので、画像処理速度を早く行うことができる。これにより、フォーカシングの時間を短くすることが可能となり、動画でも単焦点動作ではなく、対象物の動きに合わせてフォーカス動作を行うことができる。なお、画像間の境界が曖昧になるのを抑制することが可能となるので、暗く、曖昧な画像の境界をくっきりさせることができ、画像を見やすくすることができる。また、近接場光の導波速度は真空中の光の速度の数分の1程度である。したがって、画素間を導波する時間は、10-15秒程度であるので、デジタル回路による画像処理速度に比べると処理時間はほとんどゼロと言ってよい。このため、近接場光で処理する量だけ全体の処理速度が速くなる。第2実施形態次に、第2実施形態によるCMOSイメージセンサについて図10乃至図13を参照して説明する。まず、第2実施形態のCMOSイメージセンサについて説明する前に、図10に示すように、近接場光導波路2の光が入射する側にG緑のカラーフィルタ50を形成し、近接場光導波路2のカラーフィルタ50が形成され側と反対側の面に近接して近接場光顕微鏡のプローブ4を配置した模擬的な撮像素子を用意する。なお、近接場光導波路2は、薄い部分2bの厚みが50nm、幅紙面に対して直交する方向のサイズが100nm、突起2aの周期が約800nm、その高さが50nm、突起2aの長さ紙面に平行な方向のサイズが100nmとした。そして、この撮像素子にカラーフィルタ50側から白色光を入射し、近接場光顕微鏡により、近接場光の伝播の様子を観察した。この観察結果によれば、近接場光の広がりによりが画像の境界がはっきりすることが分かった。第2実施形態によるCMOSイメージセンサを図11に示す。この第2実施形態のCMOイメージセンサは、裏面照射型のカラーイメージセンサであって、図3に示す第1実施形態のイメージセンサにおいて、バッファ層20とマイクロレンズ28との間に、G緑、B青、R赤からなるカラーフィルタ27G、27B、27Rを設けた構成となっている。なお、図11においては、近接場光導波路18の変換部を表示していないが、図3に示す第1実施形態の場合と同様に、変換部となる突起部を設けてもよい。なお、第2実施形態においては、近接場光導波路18は、入射された光を近接場光に変換する機能を有している。また、第2実施形態においては、図12aに示すように、Gのカラーフィルタ27Gは、BおよびRのカラーフィルタ27B、27Rのそれぞれの個数よりも2倍の個数となるように、カラーフィルタが構成されている。この第2実施形態においては、Gのカラーフィルタは図12aに示すように斜めに隣接した構成である。一つの色の画素のサイズは、縦、横が約780nmであり、G、B、R、Gからなる4画素で1組のカラーフィルタのセルを構成している。また、図12bに示すように、Gの画素間を50nm幅の金の細線からなる近接場光導波路18で結合させている。近接場光導波路18は、金属-エアギャップ構造、金属や半導体の細線やナノ粒子分散構造、グラフェン、またはカーボンナノチューブCNTのいずれかで構成することができる。近接場光導波路18に変換部を設ける場合は、この変換部の材料として、Cu、Au、Ag、Fe、Ni、Co、Zn、Cr、W、Ti、Al、In、Ir、Mn、Mo、Bi、Pt、Si、Ge、Sn、Pb、II-VI族半導体、III-V族半導体、グラフェン、またはカーボンナノチューブCNTを用いることができる。第2実施形態のイメージセンサに、円形の光を、焦点をややずらして照射した結果を図13a乃至13dに示す。図13aはRの画素またはBの画素の境界における原画像を示し、図13bは上記原画像に対して第2実施形態によって撮像した、上記境界における画像を模式的に示す図である。図13cはGの画素の境界における原画像を示し、図13dは上記原画像に対して第2実施形態によって撮像した、上記境界における画像を模式的に示す図である。図13a乃至13dからわかるように、Gの画素では、円形界面形状がくっきりし、R、Bの画素画像では、元のややぼやけた画像が得られた。以上説明したように、本実施形態のイメージセンサにおいては、G画像の境界面をくっきりさせることができた。この第2実施形態も第1実施形態と同様に、近接場光を利用して画像間の境界が曖昧になるのを抑制することができる。このため、画像間の境界が曖昧になるのを抑制する画像処理を近接場光で補っているので、画像処理速度を早く行うことができる。これにより、フォーカシングの時間を短くすることが可能となり、動画でも単焦点動作ではなく、対象物の動きに合わせてフォーカス動作を行うことができる。なお、画像間の境界が曖昧になるのを抑制することが可能となるので、暗く、曖昧な画像の境界をくっきりさせることができ、画像を見やすくすることができる。また、近接場光で処理する量だけ全体の処理速度を速くすることができる。なお、本実施形態は、CMOSイメージセンサーに限ったことではなく、CCDにて適用できる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。