配線基板と、前記配線基板の一方の面上に接合された発光装置と、前記配線基板の一方の面上であって前記発光装置から離れた位置に接合された受光装置と、を備え、前記配線基板の一方の面上において、前記発光装置の発光面と前記受光装置の受光面とが対向していることを特徴とするフォトカプラ。前記受光装置は、光を検出する受光素子と、貫通部を有するリードフレームと、ワイヤーと、封止部とを有し、前記リードフレームの前記貫通部に前記受光素子が配置され、前記受光素子の光電変換部と前記リードフレームとが前記ワイヤーで電気的に接続され、前記封止部は、前記発光装置と対向する側の面に前記受光素子の受光面が露出しており、さらに、前記配線基板の一方の面上に接合される被接合面に、前記リードフレームの側面が前記配線基板と電気的に縦型実装接続される複数の端子部として露出していることを特徴とする請求項1に記載のフォトカプラ。前記複数の端子部の各々は、平面視で、前記被接合面の一方の側と、前記被接合面の中心を挟んで前記一方の反対側にある他方の側とでそれぞれ対称となるように配置されていることを特徴とする請求項2に記載のフォトカプラ。前記受光装置は、前記封止部に取り付けられた蓋体と、前記受光素子の受光面を覆う光学フィルタと、をさらに有し、前記蓋体には貫通した開口部が設けられており、前記開口部内に前記光学フィルタが収納されていることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のフォトカプラ。前記リードフレームは、第1の貫通部を有する第1のリードフレームと、第2の貫通部を有する第2のリードフレームと、を含み、前記第2のリードフレーム上に前記第1のリードフレームが配置されて、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なり、前記貫通部として、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なる領域に前記受光素子が配置された状態で前記封止部は成形されており、成形された前記封止部の前記被接合面から、前記第1のリードフレームの第1の側面と前記第2のリードフレームの第2の側面とが前記複数の端子部としてそれぞれ露出していることを特徴とする請求項2から請求項4の何れか一項に記載のフォトカプラ。前記受光素子は、第1の受光素子と第2の受光素子とを含み、前記光学フィルタは、第1の光学フィルタと、前記第1の光学フィルタと特性が異なる第2の光学フィルタとを含み、前記貫通部は、第1の領域と、前記第1の領域と位置が異なる第2の領域とを含み、前記開口部は、第1の開口部と、前記第1の開口部と位置が異なる第2の開口部とを含み、前記第1の受光素子は前記第1の領域に配置され、前記第2の受光素子は前記第2の領域に配置され、前記第1の光学フィルタは前記第1の開口部内に収納され、前記第2の光学フィルタは前記第2の開口部内に収納されていることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のフォトカプラ。前記受光装置は、光を検出する受光素子と、前記受光素子の受光面を覆う光学フィルタと、第1の貫通部を有する第1のリードフレームと、第2の貫通部を有する第2のリードフレームと、ワイヤー及び封止部と、を有し、前記第2のリードフレーム上に前記第1のリードフレームが配置されて、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なり、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なる領域に、前記受光素子及び前記光学フィルタが配置されると共に、前記受光素子の受光面の反対側の面に設けられた光電変換部と前記リードフレームとが前記ワイヤーで電気的に接続された状態で前記封止部は成形されており、成形された前記封止部の外側に露出している面であって、前記発光装置と対向する側の面から、前記光学フィルタの受光面が露出しており、さらに、成形された前記封止部の外側に露出している面であって、前記配線基板の一方の面上に接合される被接合面から、前記第1のリードフレームの第1の側面と前記第2のリードフレームの第2の側面とが前記配線基板と電気的に接続される複数の端子部としてそれぞれ露出していることを特徴とする請求項1に記載のフォトカプラ。前記受光素子は、第1の受光素子と第2の受光素子とを含み、前記光学フィルタは、前記第1の受光素子の受光面を覆う第1の光学フィルタと、前記第1の光学フィルタと特性が異なり且つ前記第2の受光素子の受光面を覆う第2の光学フィルタとを含み、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なる領域は、第1の領域と、前記第1の領域と位置が異なる第2の領域とを含み、前記第1の受光素子及び前記第1の光学フィルタは前記第1の領域に配置され、前記第2の受光素子及び前記第2の光学フィルタは前記第2の領域に配置されていることを特徴とする請求項7に記載のフォトカプラ。ところで、上記の従来例1では、遮光性樹脂内における発光素子と受光素子との位置関係が上下方向であるため、フォトカプラの高さが大きくなってしまうという課題があった。一方、従来例2では、発光素子と受光素子とが絶縁性基板の一方表面上に配置されているため、従来例1と比較して、パッケージの高さを低減できる可能性がある。しかしながら、従来例2では、発光素子の発光面から受光素子の受光面に至る光路を確保するために凹状の反射面が必要であり、その分だけ部品点数が多いという課題があった。このように、従来例1、2では、フォトカプラの高さや部品点数の点で各々課題があり、全体的にシステムが大きくなりがちであった。そこで、この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、低背化が可能であり、部品点数を低減できるようにしたフォトカプラの提供を目的とする。上記課題を解決するために、本発明の一態様に係るフォトカプラは、配線基板と、前記配線基板の一方の面上に接合された発光装置と、前記配線基板の一方の面上であって前記発光装置から離れた位置に接合された受光装置と、を備え、前記配線基板の一方の面上において、前記発光装置の発光面と前記受光装置の受光面とが対向していることを特徴とする。このような構成であれば、従来例1と比べて、発光装置と受光装置とが上下ではなく、水平方向の位置関係となるため、フォトカプラの高さを小さくすることができる。また、従来例2と比べて、発光装置の発光面から出力された光は、凹状の反射面等を介することなく、直接に受光装置の受光面に入射するため、光路上に凹状の反射面等を配置する必要は無い。このため、部品点数を減らすことができる。さらに、凹状の反射面における光の散乱に起因して光路が広がることも無い。なお、本発明の配線基板の一方の面としては、例えば、後述する配線基板1の表面1aが該当する。また、上記のフォトカプラにおいて、前記受光装置は、光を検出する受光素子と、貫通部を有するリードフレームと、ワイヤーと、封止部とを有し、前記リードフレームの前記貫通部に前記受光素子が配置され、前記受光素子の光電変換部と前記リードフレームとが前記ワイヤーで電気的に接続され、前記封止部は、前記発光装置と対向する側の面に前記受光素子の受光面が露出しており、さらに、前記配線基板の一方の面上に接合される被接合面に、前記リードフレームの側面が前記配線基板と電気的に縦型実装接続される複数の端子部として露出していることを特徴としてもよい。このような構成であれば、受光素子の配置位置はリードフレーム上ではなく、リードフレームの貫通部内となる。これにより、受光素子の取付け位置を低くすることができるので、より薄型化された受光装置を実現することができる。フォトカプラの小型化に寄与することができる。なお、本発明の封止部としては、例えば、後述するモールド樹脂45が該当する。光電変換部としては、例えば、後述する光電変換素子13が該当する。また、上記のフォトカプラにおいて、前記複数の端子部の各々は、平面視で、前記被接合面の一方の側と、前記被接合面の中心を挟んで前記一方の反対側にある他方の側とでそれぞれ対称となるように配置されていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、被接合面において複数の端子部がバランスよく配置されるため、複数の端子部を例えばリフロー炉を通してはんだ付けする場合においても、はんだ付けの工程ではんだの物性等に起因したモーメントの釣り合いを保つことができる。これにより、いわゆるマンハッタン現象の発生を抑制することが可能となる。なお、本発明の複数の端子部としては、例えば、後述する第1のリードフレーム31の側面外部接続用端子部31cと、第2のリードフレーム36の側面外部接続用端子部36cが該当する。また、上記のフォトカプラにおいて、前記受光装置は、前記封止部に取り付けられた蓋体と、前記受光素子の受光面を覆う光学フィルタと、をさらに有し、前記蓋体には貫通した開口部が設けられており、前記開口部内に前記光学フィルタが収納されていることを特徴としてもよい。ここで、光学フィルタは、所望の波長範囲の光を選択的に即ち、透過率高く透過させる機能を有する。このような構成であれば、所望の波長範囲の光のみを受光素子の受光面に到達させることができ、その波長範囲から外れる光は光学フィルタで遮断することができる。このため、光電変換により受光素子から出力される電気信号即ち、光の検出信号について、S/N比の向上が可能である。また、上記のフォトカプラにおいて、前記リードフレームは、第1の貫通部を有する第1のリードフレームと、第2の貫通部を有する第2のリードフレームと、を含み、前記第2のリードフレーム上に前記第1のリードフレームが配置されて、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なり、前記貫通部として、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なる領域に前記受光素子が配置された状態で前記封止部は成形されており、成形された前記封止部の前記被接合面から、前記第1のリードフレームの第1の側面と前記第2のリードフレームの第2の側面とが前記複数の端子部としてそれぞれ露出していることを特徴としてもよい。このような構成であれば、第1のリードフレームと第2のリードフレームとの組み合わせにより、1つのリードフレームが構成される。また、この1つのリードフレームの貫通部即ち、第1の貫通部と第2の貫通部とが平面視で重なる領域について、その幅は第1の貫通部又は、第2の貫通部の幅と同じ大きさに抑えられ、その深さは第1の貫通部と第2の貫通部のそれぞれの深さを合計した深さとなる。このため、幅が狭くて深い即ち、アスペクト比の大きい貫通部を容易に実現することができる。また、上記のフォトカプラにおいて、前記受光素子は、第1の受光素子と第2の受光素子とを含み、前記光学フィルタは、第1の光学フィルタと、前記第1の光学フィルタと特性が異なる第2の光学フィルタとを含み、前記貫通部は、第1の領域と、前記第1の領域と位置が異なる第2の領域とを含み、前記開口部は、第1の開口部と、前記第1の開口部と位置が異なる第2の開口部とを含み、前記第1の受光素子は前記第1の領域に配置され、前記第2の受光素子は前記第2の領域に配置され、前記第1の光学フィルタは前記第1の開口部内に収納され、前記第2の光学フィルタは前記第2の開口部内に収納されていることを特徴としてもよい。ここで、特性としては、例えば、波長に依存した光の透過率特性が挙げられる。例えば、第1の光学フィルタは、その特性として、第1の波長範囲の光のみを選択的に即ち、透過率高く透過させる機能を有する。第2の光学フィルタは、その特性として、第1の波長範囲とは異なる第2の波長範囲の光のみを選択的に透過させる機能を有する。このような構成であれば、例えば、第1の受光素子から出力される電気信号と、第2の受光素子から出力される電気信号とに基づいて、入射してくる光の強度と、その波長範囲を特定することが可能となる。例えば、特定のガス雰囲気中に照射された赤外線は、そのガス種やその濃度に応じて特定の波長成分が定量的に吸収される。このため、発光装置から照射されて、受光装置に入射してくる光の強度と、その波長範囲を特定することによって、光路上に存在するガス種やその濃度を検出することができる。従って、ガス検知器などに極めて好適に用いることができる。また、上記のフォトカプラにおいて、前記受光装置は、光を検出する受光素子と、前記受光素子の受光面を覆う光学フィルタと、第1の貫通部を有する第1のリードフレームと、第2の貫通部を有する第2のリードフレームと、ワイヤー及び封止部と、を有し、前記第2のリードフレーム上に前記第1のリードフレームが配置されて、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なり、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なる領域に、前記受光素子及び前記光学フィルタが配置されると共に、前記受光素子の受光面の反対側の面に設けられた光電変換部と前記リードフレームとが前記ワイヤーで電気的に接続された状態で前記封止部は成形されており、成形された前記封止部の外側に露出している面であって、前記発光装置と対向する側の面から、前記光学フィルタの受光面が露出しており、さらに、成形された前記封止部の外側に露出している面であって、前記配線基板の一方の面上に接合される被接合面から、前記第1のリードフレームの第1の側面と前記第2のリードフレームの第2の側面とが前記配線基板と電気的に接続される複数の端子部としてそれぞれ露出していることを特徴としてもよい。このような構成であれば、第1のリードフレームと第2のリードフレームとの組み合わせにより、幅が狭くて深い即ち、アスペクト比の大きい貫通部を容易に実現することができる。これにより、リードフレームの貫通部内に光学フィルタを収納するスペースを確保することが容易となる。受光素子及び光学フィルタの取付け位置を低くすることができるので、より薄型化された受光装置を実現することができる。また、上記のフォトカプラにおいて、前記受光素子は、第1の受光素子と第2の受光素子とを含み、前記光学フィルタは、前記第1の受光素子の受光面を覆う第1の光学フィルタと、前記第1の光学フィルタと特性が異なり且つ前記第2の受光素子の受光面を覆う第2の光学フィルタとを含み、前記第1の貫通部と前記第2の貫通部とが平面視で重なる領域は、第1の領域と、前記第1の領域と位置が異なる第2の領域とを含み、前記第1の受光素子及び前記第1の光学フィルタは前記第1の領域に配置され、前記第2の受光素子及び前記第2の光学フィルタは前記第2の領域に配置されていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、例えば、第1の受光素子から出力される電気信号と、第2の受光素子から出力される電気信号とに基づいて、入射してくる光の強度を波長範囲毎に特定することが可能となる。従って、例えば、ガス検知器などに極めて好適に用いることができる。本発明によれば、低背化が可能であり、部品点数を低減できるようにしたフォトカプラを提供することができる。以下、本発明による実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合もある。1第1実施形態1.1フォトカプラの全体構成図1a及びbは、本発明の第1実施形態に係る面対向表面実装型で且つ縦方向実装型のフォトカプラ100の構成例を示す斜視図と、この斜視図をZ1-Z ́1線で切断した断面図である。なお、図1bでは筐体の図示を省略している。図1a及びbに示すように、このフォトカプラ100は、例えば、配線基板1と、この配線基板1の表面1a上に接合されたIR発光装置60と、配線基板1の表面1a上であってIR発光装置60から離れた位置に接合されたIR受光装置50と、配線基板1とIR発光装置60及びIR受光装置50を外側から囲む筐体90と、を備える。ここで、IR発光装置60は赤外線IRを発光するものであり、例えばIR発光ダイオードや電球である即ち、赤外線のみを発光するものでもよく、又は、赤外線とそれ以外の波長を含む光を発光するものでもよい。。また、IR受光装置50は例えばIRを受光するセンサ装置であり、受光したIRを電気信号に変換し、変換した電気信号を出力するものである。このフォトカプラ100では、配線基板1の表面1a上において、IR発光装置60の発光部61の発光面61aと、IR受光装置50の受光面この例では、蓋体55に収納されている光学フィルタ20の受光面20aとが対向している。つまり、このフォトカプラ100は、その発光面61aと受光面20aとが面対向した状態で表面1aに実装された面対向表面実装型となっている。これにより、IR発光装置60の発光面61aから出力された光は、直接に光学フィルタ20の受光面20aに入射する。また、筐体90は例えば遮光性の樹脂で構成されており、その一部にガス流入用の開口部91が設けられている。遮光性の筐体90で囲まれることにより、光学フィルタ20の受光面20aにはIR発光装置60の発光面61aから出力された光のみが到達し、それ以外の光即ち、筐体の外部からの光は到達しないようになっている。このフォトカプラ100では、IR受光装置50のZ方向即ち、厚み方向。光路に沿う方向でもある。の寸法長をL1とし、IR受光装置50のY方向即ち、高さ方向の寸法長をH1としたとき、L1<H1となっており、縦方向実装型となっている。縦方向実装型とは、換言すると、外形パッケージが直方体であり、この直方体の6つの面のうちの最も面積が大きい第1の面が配線基板の表面と直交し、且つ、この直方体の6つの面のうちの1つであって、第1の面よりも面積が小さい第2の面が配線基板の表面に接合される形態のことである。本発明の実施形態では、この第2の面が後述する被接合面49例えば、図2c参照。であり、この被接合面49からリードフレーム31の側面31cが露出している。そして、この露出した側面31cが複数の端子部として、配線基板1と電気的に接続即ち、縦型実装接続されている。これにより、配線基板1の表面1a上において、IR受光装置50の実装面積フットプリントの低減が図られている。なお、この例において蓋体55は、縦方向に実装されたIR受光装置50の支持部材としても機能する。また、蓋体55は図示しない接着剤等によって配線基板1の表面1aに固定されていてもよく、その場合は、支持機能をより強くすることができる。次に、フォトカプラ100を構成する各部について具体的に説明する。1.2IR受光装置の構成図1a及びbに示すように、IR受光装置50は、例えば、赤外線IRを検出する受光素子10と、リードフレーム30と、受光素子10とリードフレーム30とを電気的に接続する金Au等からなるワイヤー40と、受光素子10を覆うモールド樹脂45と、を備える。また、このIR受光装置50は、例えば、接着剤46によりモールド樹脂45に取り付けられた固定された蓋体55と、この蓋体55の貫通した開口部内に収納された光学フィルタ20と、を備える。図2a~cは、本発明の第1実施形態に係るIR受光装置50の蓋体を取り外した状態における外観の一例を示す斜視図と、この斜視図をZ2-Z ́2線で切断した断面図、及び、IR受光装置50の被接合面49を示す平面図である。図2aに示すように、このIR受光装置50のパッケージ即ち、モールド樹脂の形状は例えば直方体である。また、図2bに示すように、このIR受光装置50は、例えば2個の受光素子10を有する。これら2個の受光素子10の各々の受光面16bは、パッケージの上面即ち、第2のリードフレーム36の裏面36bの側と面一となるように配置されている。さらに、このIR受光装置50において、リードフレーム30は、第1のリードフレーム31と、第2のリードフレーム36とを含み、これらが重なって1つのリードフレーム30を構成している。また、このIR受光装置50では、4つの側面のうちの一つが配線基板1の表面1a上に接合される被接合面となっている。具体的には、図2a及びcに示すように、IR受光装置50の側面であって、第1のリードフレーム31の側面31cと、第2のリードフレーム36の側面36cとが露出している面が、被接合面49となる。この被接合面49において露出している第1のリードフレーム31の側面31cと、第2のリードフレーム36の側面36cが、例えば、はんだ3を介して配線基板1の表面1a上に接合される部分であり、IR受光装置50の外部接続用端子部として機能する部分である。ところで、このIR受光装置50において、複数の外部接続用端子部31c、36cの各々は、平面視で、被接合面49の一方の側と、被接合面49の中心を挟んで一方の反対側にある他方の側とでそれぞれ対称となるように配置されている。具体的には、図2cに示すように、第1の外部接続用端子部31cの形状と大きさ及びその配置と、第2の外部接続用端子部36cの形状と大きさ及びその配置は、被接合面49の中心線仮想線Lを中心に、左右対称に配置されている。このように、被接合面49において、複数の外部接続用端子部31c、36cの各々がバランスよく配置されている。これにより、後述するはんだ付けの工程で、はんだの物性等に起因したモーメントの釣り合いを保つことができ、いわゆるマンハッタン現象の発生を抑制することができる。1.2.1受光素子の構成図3a及びbは、受光素子10の構成例を示す図であり、図3aは受光素子10の表面16a側を示す図、図3bは光電変換素子13の断面を示す図である。図3aに示す受光素子10は、例えば赤外線IRを検出するセンサ素子であり、IRを透過する光透過基板11と、この光透過基板11の表面16a側に形成された受光部12と、を備える。これらの中で、光透過基板11としては、GaAs基板が用いられる。また、GaAs基板の他に、例えば、Si、InAs、InP、GaP、Geなどの半導体基板、若しくは、GaN、AlN、サファイヤ基板、ガラス基板などの基板が用いられる。このような基板によれば、赤外線等の特定波長の光を、光透過基板11の裏面16bから表面16aにかけて効率的に透過させることができる。また、受光部12は、複数の光電変換素子13と、光電変換素子13で光電変換された電気信号を出力するためのパッド部14と、配線15と、を有する。光電変換素子13は何れも量子型のフォトダイオードであって、配線15によって直列に接続されている。接続される光電変換素子13の数が大きいほど発生する起電力は大きくなり、センサとしての感度が高まる。図3bに示すように、光電変換素子13は、例えば、光透過基板11上に形成されたインジウムln及びアンチモンSbを含むInSbのようなn型化合物半導体層n層13aと、このn層13a上に形成されたノンドープの化合物半導体層π層13bと、このπ層13b上に形成され、バンドギャップがn層13a及びπ層13bよりも大きいAlInSbのような化合物半導体層13cと、この化合物半導体層13c上に形成され、p型の不純物が高濃度にドーピングされているp型化合物半導体層p層13dとにより構成されている。このように、n層13aと、π層13bと、n層13a及びπ層13bよりもバンドギャップが大きい化合物半導体層13cと、p層13dとが順次積層されてなる光電変換素子13は、2000nm~7400nmの赤外線を検出することができる。図3aに示すパッド部14は、受光部12の光電変換で得られた電気信号を出力するために設けられている。このパッド部14は、例えば、互いに離間して配置された一対のパッド電極14a及び14bを有する。一方のパッド電極14aと複数の光電変換素子13からなる列の一端との間、及び、他方のパッド電極14bと上記列の他端との間がそれぞれ、配線15によって電気的に接続されている。ところで、この受光素子10において、パッド部14は、受光素子10の表面のより中心に近い一部範囲中心部に配置されている。また、複数の光電変換素子13は、このパッド部14の周囲に配置されている。このような配置によれば、パッド電極14a、14bにワイヤーボンディングする際、圧力や超音波が加わっても光透過基板11が欠損し難いという利点がある。また、光透過基板11が欠損し難いため、パッド電極14a、14bに対して、Au等からなるワイヤーを充分な圧力や超音波で接合することができる。このため、ワイヤーをパッド電極14a、14bにより確実に圧着することができ、ワイヤーボンディングの信頼性を高めることができる。1.2.2リードフレームの構成図4a及びbは、本発明の第1実施形態に係る第1のリードフレーム31の構成例を示す平面図である。図4aは第1のリードフレーム31の表面31aを示し、図4bは第1のリードフレーム31の裏面31bを示している。図4a及びbに示す第1のリードフレーム31は、例えば、銅Cu板を、フォトリソグラフィ技術により、その表面31a及び裏面31bの側からそれぞれ選択的にエッチングし、ニッケルNi-パラジウムPd-金Au等のめっき鍍金処理を施すことにより形成されたものである。図4aにおいて、第1のリードフレーム31内の白色の領域は表面31aと裏面31bとの間を貫通した第1の貫通部32を示し、ハッチングを付した領域は表面31aの側からハーフエッチングされた領域即ち、ハーフエッチング領域33aを示す。また、グレーの領域はエッチング時にフォトレジスト等で表面31aがマスクされることにより、エッチングされなかった領域即ち、非エッチング領域34aを示す。同様に、図4bにおいて、第1のリードフレーム31内の白色の領域は第1の貫通部32を示し、ハッチングを付した領域は裏面31bの側からハーフエッチングされたハーフエッチング領域33bを示す。また、グレーの領域はエッチング時にフォトレジスト等で裏面31bがマスクされることにより、エッチングされなかった非エッチング領域34bを示す。なお、図4a及びbに示す第1のリードフレーム31の外周部は、後述のダイシング工程で、ダイシングブレード等により切断される領域カーフ幅という。35となっている。図5a及びbは、本発明の第1実施形態に係る第2のリードフレーム36の構成例を示す平面図である。図5aは第2のリードフレーム36の表面36aを示し、図5bは第2のリードフレーム36の裏面36bを示している。図5a及びbに示す第2のリードフレーム36は、図4a及びbに示した第1のリードフレーム31と同様に、例えば、Cu板を、フォトリソグラフィ技術により、その表面36a及び裏面36bの側からそれぞれ選択的にエッチングし、Ni-Pd-Au等のめっき処理を施すことにより形成されたものである。図5aにおいて、第2のリードフレーム36内の白色の領域は表面36aと裏面36bとの間を貫通した第2の貫通部37を示し、ハッチングを付した領域は表面36aの側からハーフエッチングされた、ハーフエッチング領域38aを示す。また、グレーの領域はエッチング時に表面36aがフォトレジスト等でマスクされることにより、エッチングされなかった非エッチング領域39aを示す。同様に、図5bにおいて、第2のリードフレーム36内の白色の領域は第2の貫通部37を示し、ハッチングを付した領域は裏面36bの側からハーフエッチングされた、ハーフエッチング領域38bを示す。また、グレーの領域はエッチング時にフォトレジスト等で裏面36bがマスクされことによりエッチングされなかった、非エッチング領域39bを示す。なお、図5a及びbに示す第2のリードフレーム36の外周部は、後述のダイシング工程で、ダイシングブレード等により切断されるカーフ幅35となっている。図4a及びbと、図5a及びbを比較して分かるように、第1のリードフレーム31の第1の貫通部32と、第2のリードフレーム36の第2の貫通部37は、平面視による形状即ち、平面形状が互いに同一で、且つ、平面視による長さ即ち、縦横の長さも互いに同一となるように形成されている。このため、第1のリードフレーム31と第2のリードフレーム36とを重ねると、これら2つの貫通部32、37が重なって一つの連続した貫通部51例えば、後述の図8a及びb参照。が構成される。この貫通部51の平面視による形状と大きさ即ち、縦横の寸法は、第1、第2の貫通部32、37とそれぞれ同じである。また、この貫通部51の深さは、第1、第2の貫通部32、37のそれぞれの深さを合計した深さとなる。つまり、第1のリードフレーム31と第2のリードフレーム36との組み合わせにより、幅が狭くて深い即ち、アスペクト比の大きい貫通部51となっている。1.2.3蓋体の構成図6a及びbは、本発明の第1実施形態に係る蓋体55の構成例を示す平面図と、この平面図をY6-Y ́6線で切断した断面図である。図6a及びbに示すように、この蓋体55は、例えば、IR受光装置50のパッケージの平面視による形状と同じ形状で、且つ同じ寸法実際には、パッケージに対する蓋体55の取付けを容易にするために、パッケージよりも若干大きめの寸法を有するプレート部56と、このプレート部56の外周に設けられたガイド部59と、を有する。このプレート部56の受光素子に対応する部分即ち、蓋体55をパッケージに取り付けたときに、受光素子の受光面と向かい合う部分には、貫通した開口部57が設けられている。この例では、上述したように受光素子は2個用意されているため、これに対応する開口部57も2つ用意されている。即ち、図6aに示すように、第1の開口部57と、第2の開口部57である。また、これら2つの開口部57の各々は、光学フィルタを収納するための凹部58を有する。この蓋体55は、例えば、射出成型で使用される液晶ポリマーで、熱変形温度が250°C以上の材質で構成されている。これにより、実装時のリフロー条件例えば、炉温260°C、時間10秒に耐えることができる。また、図1aに示したように、この蓋体55をパッケージに被せると、ガイド部59によってパッケージの4つの側面のうちの、被接合面49を除く3つの側面は覆われる。これにより、パッケージの3つの側面の側から受光素子10の受光面側へ、光が漏れ入らないようにすることができる。また、ガイド部59によって、パッケージに対する蓋体55の取付け位置も定まるため、蓋体55の取付けが容易である。1.2.4光学フィルタの構成図1a及びbに示した光学フィルタ20は、所望の波長範囲の光を選択的に即ち、透過率高く透過させる機能を有するものである。例えば、この光学フィルタ20は、赤外線のみを透過する機能を有する。或いは、この光学フィルタ20は、赤外線の中でも、特定の波長範囲の赤外線のみを透過する機能を有するものであってもよい。例えば、光学フィルタ20は、光学部材と、この光学部材上に多層で形成された薄膜とで、長波長又は短波長、又はその両方の波長の赤外線を透過させない機能を有するものであり、これらの透過機能を組み合わせて結果的に、特定の波長の赤外線のみを透過させる機能を有するものであってもよい。この光学フィルタ20は、特定の波長の赤外線のみを透過させる機能を1枚で行ってもよいし、場合によっては複数枚を使用することもできる。また、この光学部材の材料としては、シリコンSi、硝子SiO2、サファイヤAl2O3、Ge、ZnS、ZnSe、CaF2、BaF2などの所定の赤外線が透過する材料が用いられ、また、これに蒸着される薄膜材料としては、シリコンSi、硝子SiO2、サファイヤAl2O3、Ge、ZnS、TiO2、MgF2、SiO2、ZrO2、Ta2O5などが使用される。また、光学部材上に異なる屈折率を有する誘電体を層状に積層した誘電体多層膜フィルタは、表面、裏面異なる所定の厚み構成で両面に作られていてもよいし、また、片面のみに形成されていてもよい。また、不要な反射を防止する目的で反射防止膜が表面、裏面の両面、又は片面の最表層に形成されていても構わない。なお、この例では、図1a及びbに示したように、受光素子10の個数に対応して2個の光学フィルタ20が設けられている。ここで、2個の光学フィルタ20のうちの一方即ち、第1の光学フィルタと、他方即ち、第2の光学フィルタはその光学上の特性が異なる。例えば、第1の光学フィルタ20は第1の波長範囲長波長の赤外線を選択的に透過させるものであり、第2の光学フィルタ20は第2の波長範囲短波長の赤外線を選択的に透過させるものである。これにより、例えば、第1の光学フィルタ20を被せた第1の受光素子10から出力される電気信号と、第2の光学フィルタ20を被せた第2の受光素子10から出力される電気信号とに基づいて、入射してくる光の強度と、その波長範囲を特定することが可能となる。上記の構成を有するフォトカプラ100によれば、IR発光装置60とIR受光装置50との位置関係が水平方向となるため、システム全体の高さを小さくすることが可能となる。また、IR発光装置60の発光面61aから出力された光は、直接に光学フィルタ20の受光面20aに入射する。IR発光装置60とIR受光装置50との間で、光の進行方向を変えるような凹状の反射面は不要であるため、部品点数を減らすことができる。さらに、このフォトカプラ100によれば、IR発光装置60から照射されて、IR受光装置50に入射してくるIRの強度と、その波長範囲を特定することによって、光路上に存在するガス種やその濃度を検出することができる。これは、特定のガス雰囲気中に照射されたIRは、そのガス種やその濃度に応じて特定の波長成分が定量的に吸収されるからである。よって、上記のフォトカプラ100はガス検知器などに極めて好適に用いることができる。次に、第1実施形態に係るフォトカプラ100の製造方法について説明する。1.3フォトカプラの製造方法図7~図12bは、本発明の第1実施形態に係るフォトカプラ100の製造方法を示す工程図である。図7は斜視図である。また、図8~図12の各図のaはリードフレーム30の表面側より具体的には、第1のリードフレーム31の表面31a側から見た平面図であり、各図のbはaをX8-X ́8~X12-X ́12線でそれぞれ切断したときの断面図である。図7に示すように、まず始めに、第1のリードフレーム31 ́と、第2のリードフレーム36 ́を用意する。ここでは、図4a及びbに示した第1のリードフレーム31を1つの単位パターンとし、この単位パターンが平面視で縦方向及び横方向にそれぞれ連続して並ぶように配置されたリードフレーム31 ́を用意する。同様に、図5a及びbに示した第2のリードフレーム36を1つの単位パターンとし、この単位パターンが平面視で縦方向及び横方向にそれぞれ連続して並ぶように配置されたリードフレーム36 ́を用意する。次に、第2のリードフレーム36 ́の裏面36bに粘着テープ71を貼付する。第2のリードフレーム36 ́の裏面36b側に粘着テープ71を貼付することによって、第2の貫通部37例えば、図5a及びb参照。の底面に粘着テープ71の粘着層が露出した状態となる。なお、粘着テープ71としては、粘着性を有すると共に、耐熱性を有する樹脂製のテープが用いられる。粘着性については、粘着層の糊厚がより薄い方が好ましい。また、耐熱性については、約150°C~200°Cの温度に耐えることが必要とされる。このような粘着テープ71として、例えばポリイミドテープを用いていることができる。ポリイミドテープは、約280°Cに耐える耐熱性を有している。このような高い耐熱性を有するポリイミドテープは、後のモールドやワイヤーボンディング時に加わる高熱にも耐えることが可能である。また、粘着テープ71としては、ポリイミドテープの他に、以下のテープを用いることも可能である。ポリエステルテープ耐熱温度、約130°C但し使用条件次第で耐熱温度は約200°Cにまで達する。テフロン登録商標テープ耐熱温度:約180°CPPSポリフェニレンサルファイド耐熱温度:約160°Cガラスクロス耐熱温度:約200°Cノーメックペーパー耐熱温度:約150~200°C他に、アラミド、クレープ紙が粘着テープ71として利用し得る。次に、第2のリードフレーム36 ́の表面36a上に第1のリードフレーム31 ́を配置する。ここでは、第2のリードフレーム36 ́の表面36aと第1のリードフレーム31 ́の裏面31bとを向かい合わせ、この状態で第1の貫通部32図4a及びb参照。が第2の貫通部37図5a及びb参照。の真上にくるように第1のリードフレーム31 ́と第2のリードフレーム36 ́とを位置合わせする。そして、この位置合わせした状態で第2のリードフレーム36 ́の表面36a上に第1のリードフレーム31 ́を配置し、固定する。これにより、図8a及びbに示すように、リードフレーム30 ́が構成される。なお、ここでは、第1のリードフレーム31 ́と第2のリードフレーム36 ́とを接着剤等によって接着する必要は無い。第1のリードフレーム31 ́と第2のリードフレーム36 ́とが相対的に位置ずれしないように仮止めするだけで十分である。その理由は、後述の樹脂封止の工程で、第1のリードフレーム31 ́と第2のリードフレーム36 ́とがモールド樹脂45で固定されるからである。仮止めの方法として、例えば下記の方法がある。即ち、図7に示すように、第1のリードフレーム31 ́の外周部と、第2のリードフレーム36 ́の外周部にはそれぞれ貫通穴73、74が設けられている。第1のリードフレーム31 ́と第2のリードフレーム36 ́とを位置合わせすることにより、これらの貫通穴73、74が平面視で重なるようになっている。このような貫通穴73、74は、第1のリードフレーム31 ́と第2のリードフレーム36 ́とにそれぞれ2箇所以上設けられている。ここで、複数の箇所例えば、2箇所でそれぞれ重なっている貫通穴73、74にそれぞれピン75を嵌合することによって、第1のリードフレーム31 ́と第2のリードフレーム36 ́とを位置ずれしないように仮止めすることができる。また、位置合わせした後、四隅をアーク溶接してもよいし、四隅のみ接着剤で接着させてもよい。次に、図9a及びbに示すように、リードフレーム30 ́の貫通部51に、例えば2個の受光素子10をそれぞれ配置する。ここでは、貫通部51のうちの第1の領域に第1の受光素子10を配置し、その受光面16bを貫通部51の底面となっている粘着テープ71の粘着層に貼付する。また、貫通部51のうちの第2の領域に第2の受光素子10を配置し、その受光面16bを貫通部51の底面となっている粘着テープ71の粘着層に貼付する。なお、この貼付に際して、受光素子10の受光面16bには予め保護膜図示せずを形成しておいてもよい。保護膜としては、例えばフォトレジストを用いることができる。このような保護膜は、例えば、受光素子10の基材であるGaAs基板等をダイシングする前に成膜しておくことができる。次に、図10a及びbに示すように、受光素子10とリードフレーム30 ́とをワイヤー40を用いて電気的に接続する。ここでは、リードフレーム30 ́のハーフエッチング領域33aの少なくとも一部が、ボンディング用端子部となる。このボンディング用端子部33aと、図3aに示した受光素子10のパッド電極14a、14bとを、Au等からなるワイヤー40を用いて電気的に接続する。なお、受光素子10とリードフレーム30 ́との接続は、リードフレーム30 ́のボンディング用端子部33aから受光素子10のパッド電極14a、14bに向かってワイヤーを伸ばすことつまり、受光素子10から見て逆ボンディングによって行うことが好ましい。即ち、まず、ボールの形成を伴う1stボンドを行う前に、受光素子10のパッド電極14a、14bに対してスタッドバンプ図示せずを形成しておく。次に、ボールの形成を伴う1stボンドをリードフレーム30 ́のボンディング用端子部33aに対して行い、2ndボンドを受光素子10のパッド電極14a、14bのスタッドバンプの上に対して行う。このような方法であれば、受光素子10のパッド電極14a、14bよりもリードフレーム30 ́のボンディング用端子部33aの方が断面視で低い位置にあるため、ボンディング後のワイヤーの高さを低くすることができる。次に、図11a及びbに示すように、リードフレーム30 ́の上面側に上金型77を配置すると共に、リードフレーム30 ́の下面側に下金型78を配置する。そして、上金型77と下金型78とによりリードフレーム30 ́を挟み込み、上金型77と下金型78とに挟まれた空間内にサイドからモールド樹脂45を注入し、充填する。これにより、受光素子10とワイヤー40を樹脂封止する。なお、モールド樹脂45としては、例えばエポキシ樹脂を用いることが可能である。また、この樹脂封止の工程では、上金型77と第1のリードフレーム31 ́の上面側の非エッチング領域34aとが隙間無く接触し、且つ、下金型78と粘着テープ71とが隙間無く接触した状態で、両金型の重ね合わせにより形成される空間のサイドからモールド樹脂45が供給される。このため、樹脂封止後は、リードフレーム30 ́の非エッチング領域34aと、粘着テープ71はそれぞれモールド樹脂45から露出した状態となる。次に、リードフレーム30 ́の下面側から粘着テープ71を除去する。粘着テープ71の除去後、必要に応じて、ポストキュア、ウェットブラストを施す。さらに、受光素子10の受光面16bに図示しない保護膜が形成されている場合は、当該保護膜を除去する。そして、モールド樹脂45及びリードフレーム30 ́を、ダイシング装置によりダイシングし、カーフ幅35を切断する。これにより、図12a及びbに示すように、モールド樹脂45及びリードフレーム30 ́は個々の製品に切り離されて、パッケージ化される。その後、このパッケージの各々に接着剤を用いて、光学フィルタが収納された蓋体を取り付ける。これにより、受光素子の受光面は光学フィルタで覆われて、図2に示したIR受光装置50が完成する。次に、上記のように製造したIR受光装置50と、IR発光装置60を配線基板1の表面1a上に実装する。この実装工程は、例えば、リフロー方式のはんだ付けにより行う。例えば、配線基板1の表面1a上であって、IR受光装置50を実装する予定領域にはんだペーストを印刷しておく。同様に、IR発光装置60を実装する予定領域にもはんだペーストを印刷しておく。次に、配線基板1の表面1a上であって、はんだペーストが印刷された各々の予定領域に、IR受光装置50とIR発光装置60をそれぞれ配置する。そして、IR受光装置50とIR発光装置60とがそれぞれ配置された状態で、配線基板1に熱を加えてはんだを溶かす。これにより、IR受光装置50とIR発光装置60は、はんだを介して配線基板1の表面1a上に実装される。このような工程を経て、図1a及びbに示したフォトカプラ100が完成する。以上説明したように、本発明の第1実施形態によれば、IR発光装置60とIR受光装置50との位置関係が上下方向ではなく、水平方向となるため、システム全体の高さを小さくすることができる。また、IR受光装置50とIR発光装置60とを共通の配線基板1の表面1a上に実装するため、IR受光装置50とIR発光装置60の位置合わせも容易である。さらに、IR発光装置60の発光面61aから出力された光は、直接に光学フィルタ20の受光面に入射する。IR発光装置60とIR受光装置50との間で、光の進行方向を変えるような凹状の反射面は不要であるため、部品点数を減らすことができる。さらに、凹状の反射面が不要であるため、この反射面において光が散乱することはない。従って、反射面における光の散乱により、発光面から受光面に至る光路が広がってしまうこともない。また、図2cに示したように、フォトカプラ100の被接合面49において、複数の外部接続用端子部31c、36cは平面視で左右にバランスよく配置されている。これにより、IR受光装置50を配線基板1の表面1a上に実装するためのはんだ付けの工程で、はんだの物性等に起因したモーメントの釣り合いを保つことができ、いわゆるマンハッタン現象の発生を抑制することができる。2第2実施形態上記の第1実施形態では、例えば図6bに示したように、IR受光装置50は蓋体55を備え、この蓋体55の貫通した開口部57内に光学フィルタが収納されている場合について説明した。しかしながら、本発明において、IR受光装置50は必ずしも蓋体55を備える必要は無い。また、光学フィルタについても、必ずしも蓋体55に収納されている必要は無い。図13a及びbは、本発明の第2実施形態に係る面対向表面実装型で且つ縦方向実装型のフォトカプラ200の構成例を示す斜視図と、この斜視図をZ13-Z ́13線で切断した断面図である。図13a及びbに示すように、このフォトカプラ200は、配線基板1と、この配線基板1の表面1a上に接合されたIR発光装置60と、配線基板1の表面1a上であってIR発光装置60から離れた位置に接合されたIR受光装置150と、図示しない遮光性の筐体例えば、図1aを参照。とを備える。ここで、IR受光装置150は、第1実施形態で説明したIR受光装置50と同様に例えばセンサ装置であり、受光したIRを電気信号に変換し、変換した電気信号を出力するものである。このフォトカプラ200において、第1実施形態で説明したフォトカプラ100との違いは、IR受光装置の構造にある。即ち、図13a及びbに示すように、このIR受光装置150には蓋体は取り付けられていない。また、光学フィルタ20は受光素子10の受光面16bを覆うように、受光面16bに取り付けられており積層されており、受光素子10と共にモールド樹脂45で覆われている。さらに、この光学フィルタ20の受光面20aはモールド樹脂45から露出しており、第2のリードフレーム36の裏面36bと同一平面即ち、面一となっている。そして、このフォトカプラ200では、配線基板1の表面1a上において、IR発光装置60の発光部61の発光面61aと、IR受光装置150の受光面この例では、光学フィルタ20のモールド樹脂45から露出している受光面20aとが対向している。このような構成であっても、第1実施形態と同様に、IR発光装置60とIR受光装置150との位置関係が水平方向となるため、システム全体の高さを小さくすることが可能となる。また、IR発光装置60の発光面61aから出力された光は、直接に光学フィルタ20の受光面に入射する。フォトカプラ200は面対向表面実装型であり、IR発光装置60とIR受光装置50との間で、光の進行方向を変えるような凹状の反射面は不要であり、さらに蓋体も不要である。このため、フォトカプラを構成する部品点数のさらなる削減が可能である。また、この第2実施形態においても、IR受光装置150は、その厚み方向の寸法長L2と高さ方向の寸法長H2との大小関係がL2<H2となっており、縦方向実装型となっている。これにより、実装面積の低減が図られている。次に、第2実施形態に係るフォトカプラ200の製造方法について説明する。図14a~eは、本発明の第2実施形態に係るフォトカプラ200の製造方法を示す断面図である。この第2実施形態において、第1のリードフレーム31 ́と第2のリードフレーム36 ́とを重ね合わせて、1つのリードフレーム30 ́を構成する工程までは、第1実施形態と同じである。図14aに示すように、リードフレーム30 ́を構成した後は、図14bに示すように、リードフレーム30 ́の貫通部51に、受光素子10と光学フィルタ20との積層体を配置する。ここでは、粘着テープ71の粘着性を有する面であって、貫通部51の底面となっている領域に、光学フィルタ20の受光面20aを貼付する。なお、この貼付に際して、光学フィルタ20の受光面20aには予め保護膜図示せずを形成しておいてもよい。保護膜としては、例えばフォトレジストを用いることができる。このような保護膜は、例えば、光学フィルタ20の基材である光学部材をダイシングする前に成膜しておくことができる。これ以降の工程は、蓋体の取付け工程を除いて、第1実施形態と同じである。即ち、図14cに示すように、受光素子10とリードフレーム30 ́とをワイヤー40を用いて電気的に接続する。ここでは、リードフレーム30 ́のハーフエッチング領域33aの少なくとも一部が、ボンディング用端子部となる。このボンディング用端子部33aと、図3aに示した受光素子10のパッド電極14a、14bとをワイヤー40を用いて電気的に接続する。次に、図14dに示すように、上金型77と下金型78とによりリードフレーム30 ́を挟み込み、上金型77と下金型78とに挟まれた空間内にサイドからモールド樹脂45を注入し、充填する。これにより、受光素子10及び光学フィルタ20と、ワイヤー40を樹脂封止する。次に、リードフレーム30 ́の下面側から粘着テープ71を除去し、必要に応じて第1実施形態と同様の処理を施す。その後、モールド樹脂45及びリードフレーム30 ́を、ダイシング装置によりダイシングし、カーフ幅35を切断する。これにより、図14eに示すように、モールド樹脂45及びリードフレーム30 ́は個々の製品に切り離されてパッケージ化され、IR受光装置150が完成する。次に、上記のように製造したIR受光装置150と、IR発光装置60を配線基板1の表面1a上に実装する。この実装工程は第1実施形態と同様であり、例えばリフロー方式のはんだ付けにより行う。このような工程を経て、図13a及びbに示したフォトカプラ200が完成する。3第3実施形態上記の第1実施形態では、例えば図1bに示したように、リードフレーム30は、第1のリードフレーム31と第2のリードフレーム36との重ね合わせにより構成されている場合について説明した。しかしながら、本発明において、リードフレームは必ずしも複数枚で構成されている必要は無い。複数枚でなく、1枚のリードフレームでもよい。図15は、本発明の第3実施形態に係る面対向表面実装型で且つ縦方向実装型のフォトカプラ300の構成例を示す断面図である。図15に示すように、このフォトカプラ300は、配線基板1と、この配線基板1の表面1a上に接合されたIR発光装置60と、配線基板1の表面1a上であってIR発光装置60から離れた位置に接合されたIR受光装置250と、図示しない遮光性の筐体例えば、図1aを参照。とを備える。ここで、IR受光装置250は、第1実施形態で説明したIR受光装置50と同様に例えばセンサ装置であり、受光したIRを電気信号に変換し、変換した電気信号を出力するものである。このフォトカプラ300において、第1実施形態で説明したフォトカプラ100との違いはIR受光装置の構造にある。即ち、図15に示すように、IR受光装置250のリードフレーム130は、複数枚ではなく1枚で構成されている。このような構成であっても、第1実施形態と同様に、IR発光装置60とIR受光装置150との位置関係が水平方向となるため、システム全体の高さを小さくすることが可能となる。また、IR発光装置60の発光面61aから出力された光は、直接に光学フィルタ20の受光面に入射する。フォトカプラ300は面対向表面実装型であり、IR発光装置60とIR受光装置50との間で、光の進行方向を変えるような凹状の反射面は不要であるため、部品点数を減らすことができる。また、この第3実施形態においても、IR受光装置250は、その厚み方向の寸法長L3と高さ方向の寸法長H3との大小関係がL3<H3となっており、縦方向実装型となっている。これにより、実装面積の低減が図られている。図16a及びbは、本発明の第3実施形態に係るリードフレーム130の構成例を示す平面図である。図16aはリードフレーム130の表面130aを示し、図16bはリードフレーム130の裏面130bを示している。図16a及びbに示すリードフレーム130は、例えば、銅Cu板を、フォトリソグラフィ技術により、その表面130a及び裏面130bの側からそれぞれ選択的にエッチングし、ニッケルNi-パラジウムPd-金Au等のめっき鍍金処理を施すことにより形成されたものである。図16aにおいて、リードフレーム130内の白色の領域は表面130aと裏面130bとの間を貫通した貫通部151を示し、ハッチングを付した領域は表面130aの側からハーフエッチングされた領域即ち、ハーフエッチング領域133aを示す。また、グレーの領域はエッチング時にフォトレジスト等で表面130aがマスクされることにより、エッチングされなかった領域即ち、非エッチング領域134aを示す。同様に、図16bにおいて、リードフレーム130内の白色の領域は貫通部151を示し、グレーの領域はエッチング時にフォトレジスト等で裏面130bがマスクされることにより、エッチングされなかった非エッチング領域134bを示す。また、リードフレーム130の裏面130bにはハーフエッチング領域は無く、平坦である。なお、図16a及びbに示すリードフレーム130の外周部は、後述のダイシング工程で、ダイシングブレード等により切断される領域即ち、カーフ幅135となっている。図17a~eは、本発明の第3実施形態に係るフォトカプラ300の製造方法を示す断面図である。図17aに示すように、まず始めに、リードフレーム130 ́の裏面130bに粘着テープ71を貼付する。次に、図17bに示すように、リードフレーム130 ́の貫通部151に受光素子10を配置する。ここでは、粘着テープ71の粘着性を有する面であって、貫通部51の底面となっている領域に、受光素子10の受光面16bを貼付する。なお、第1実施形態と同様に、この貼付に際して、受光素子10の受光面16bには予め保護膜図示せずを形成しておいてもよい。次に、図17cに示すように、受光素子10とリードフレーム130 ́とをワイヤー40を用いて電気的に接続する。ここでは、リードフレーム130 ́のハーフエッチング領域133aの少なくとも一部が、ボンディング用端子部となる。このボンディング用端子部133aと、図3aに示した受光素子10のパッド電極14a、14bとをワイヤー40を用いて電気的に接続する。次に、図17dに示すように、上金型77と下金型78とによりリードフレーム130 ́を挟み込み、上金型77と下金型78とに挟まれた空間内にサイドからモールド樹脂45を注入し、充填する。これにより、受光素子10とワイヤー40を樹脂封止する。次に、リードフレーム130 ́の下面側から粘着テープ71を除去し、必要に応じて第1実施形態と同様の処理を施す。その後、モールド樹脂45及びリードフレーム130 ́を、ダイシング装置によりダイシングし、カーフ幅135を切断する。これにより、図17eに示すように、モールド樹脂45及びリードフレーム130 ́は個々の製品に切り離されてパッケージ化され、IR受光装置250が完成する。次に、上記のように製造したIR受光装置250と、IR発光装置60を配線基板1の表面1a上に実装する。この実装工程は第1実施形態と同様であり、例えばリフロー方式のはんだ付けにより行う。このような工程を経て、図15に示したフォトカプラ300が完成する。4その他の実施形態4.1上記の第1実施形態では、IR受光装置50の被接合面49において、露出している第1のリードフレーム31の側面31cと第2のリードフレーム36の側面36cとがそれぞれ外部接続用端子部として機能することを説明した。ここで、図2a及びcでは、被接合面49において、外部接続用端子部31c、36cがそれぞれ離れている場合を示している。しかしながら、本発明において、これらは繋がっていてもよい。即ち、図18に示すように、被接合面49において、隣り合う一方の外部接続用端子部31cと、他方の外部接続用端子部36cは繋がっていてもよい。このような構成であれば、はんだ付けされる領域即ち、外部接続用端子部の総面積が増えるため、配線基板1に対するIR受光装置50の接合をより強固なものとすることができる。なお、図18に示す形態は、例えば、第1のリードフレーム31の裏面31bと第2のリードフレームの表面36aを、図4b及び図5aに示した形態から図19a及びbに示す形態にそれぞれ変更することにより実現することができる。一方、第1のリードフレーム31の表面31aと第2のリードフレームの裏面36bについては、変更点は無く、図4b及び図5aに示した通りである。4.2また、上記の第1実施形態では、例えば図1bにおいて、配線基板1の表面1a近くにおいて、第2のリードフレームの裏面36bと蓋体55とが接している場合を示した。しかしながら、本発明では、例えば図20aに示すように、配線基板1の表面1a近くでは、第2のリードフレーム36の裏面36bと蓋体55との間が離れていてもよい。即ち、蓋体55の配線基板1の表面1a近くの部分であって、リードフレーム30と対向する部分には、凹部スリット56が設けられていてもよい。このような構成であれば、はんだ付けの工程で、はんだ3は第2のリードフレーム36の側面即ち、外部接続用端子部36cから、その裏面36b側へ容易に回り込むことができる。はんだ3による接合部分が広がるため、配線基板1に対するIR受光装置50の接合をより強固なものとすることができる。また、図20bに示すように、この凹部56はX方向に延設されており、ガイド部59まで達するように設けられていてもよい。このような構成であれば、例えば図20bの矢印で示すように、はんだ3による接合状態を目視で確認することができる。4.3また、上記の各実施形態において、IR受光装置50、150、250は、同一種類の受光素子10をそれぞれ2個ずつ有する場合について説明した。しかしながら、本発明において、1つのIR受光装置が有する受光素子の個数は2個に限定されるものではない。1つのIR受光装置が有する受光素子の個数は3個以上であってもよいし、或いは、1個でもよい。所望の機能に合せて、1つのIR受光装置が有する受光素子の個数を任意に設定することができる。4.4さらに、上記の各実施形態では、2000nm~7400nmの赤外線を検出可能な受光素子を例示した。しかしながら、本発明において受光素子はIRの検出に限定されるものではない。本発明において、受光素子は例えば紫外線のみを検出する素子であってもよく、又は、紫外線と赤外線の両方を検出する素子であってもよい。或いは、紫外線又は赤外線の波長範囲外の光を検出する素子であってもよい。一例を挙げると、光透過基板上にn層と、π層と、n層及びπ層よりもバンドギャップが大きい化合物半導体層と、p層とが順次積層されてなる光電変換素子13において、n層にInSbではなく、AlN、InGaP、InGaAsP、InAsSbといった他の材料を用いれば、波長が約250nmの紫外線から、波長が約12μmの赤外線までを検出可能な受光素子を作成することが可能である。このような場合は、紫外線から赤外線までを検出可能な受光装置を備えたフォトカプラを提供することができる。また、この場合は、光学フィルタも例えば紫外線のみを透過させる機能を有するものであってもよく、又は、紫外線と赤外線の両方を透過させるものであってもよい。光学フィルタの透過可能な波長範囲は、受光素子の検出可能な波長範囲に応じて、任意に設定可能である。