絶縁物質を有する構造に結合された液晶を含み、前記液晶と前記絶縁物質との組合せが前記液晶ディスプレイ上に持続するように焼きつく画像を視覚的に許容できる最大時間よりも小さい又は等しい減衰時定数を有する液晶ディスプレイと、を備えた装置。前記液晶がネマチック液晶を含む、請求項1に記載の装置。前記液晶ディスプレイが強誘電性液晶を収容するセルを含み、前記セルは前記絶縁物質と結合され、前記絶縁物質は配向層の一部である、請求項1に記載の装置。前記強誘電性液晶はイオンによりドープされている、請求項3に記載の装置。前記セルは、前記強誘電性液晶に加えて、減衰時定数に著しく寄与する抵抗性の物質を含む、請求項3に記載の装置。前記配向層は静電容量を有し、前記強誘電性液晶が電気抵抗を有し、前記減衰時定数が、前記強誘電性液晶の前記電気抵抗と、前記配向層の前記静電容量と関連した静電容量との積のおよそ2分の1である、請求項3に記載の装置。前記減衰時定数が、前記強誘電性液晶を実質的に対照的なディスプレイ状態の間で切り換える時間よりも大きい、請求項3に記載の装置。前記減衰時定数は、画像の焼きつきが液晶ディスプレイの視聴者に分かる最小の時間よりも小さい、請求項1に記載の装置。前記減衰時定数は、1秒の30分の1よりも小さい、請求項1に記載の装置。基板の画素のアレイと、前記アレイの画素を有する電気回路における2つの配向層の間に配置された強誘電性液晶であって、強誘電性液と2つの配向層との配置により前記電気回路における動作に関連した減衰時定数を有し、前記減衰時定数がディスプレイ上に持続するように焼きつく画像を視覚的に許容できる最大時間よりも小さい又は等しい前記強誘電性液晶とを備えた装置。前記減衰時定数は、人間の視覚によって感知される画像の焼きつきの検知のための最小の時間よりも小さい又は等しい、請求項10に記載の装置。各配向層は、ポリイミドで形成され、かつ、前記強誘電性液晶は20GΩcmよりも小さい又は等しい電気抵抗を有する、請求項10に記載の装置。前記電気回路は、パルス幅変調を前記配置に適用するソースを含んでいる、請求項10に記載の装置。前記電気回路は、前記画素が約10から約90までの範囲におけるデューティーサイクルによりオン状態にあるように、信号を前記画素に適用するソースを含んでいる、請求項10に記載の装置。前記減衰時定数は、前記配向層の静電容量及び前記強誘電性液晶の電気抵抗により本質的に設定され、前記強誘電性液晶の電気抵抗はイオンの電荷の動きによって少なくとも部分的に制御される、請求項10に記載の装置。前記強誘電性液晶は、イオンによってドープされたベース強誘電性液晶を含む、請求項15に記載の装置。基板と、基板の画素のアレイと、前記アレイの上方の第1配向層と、第1配向層上の強誘電性液晶と、前記強誘電性液晶上の第2配向層と、前記第2配向層に結合された導体であって、前記第1配向層と前記第2配向層との間に配置された前記強誘電性液晶によって前記第1配向層及び前記第2配向層にわたる信号を動作可能に付与するように配置され、前記強誘電性液と2つの配向層との配置が、前記アレイの画素による動作に関連した減衰時定数を有し、前記減衰時定数がディスプレイ上に持続するように焼きつく画像を視覚的に許容できる最大時間よりも小さい又は等しい前記導体と、を備えた装置。前記減衰時定数は、人間の視覚によって感知される画像の焼きつきの検知のための最小の時間よりも小さい又は等しい、請求項17に記載の装置。前記基板は、シリコン基板を含む、請求項17に記載の装置。前記導体は、透明な導体を含む、請求項17に記載の装置。前記透明な導体は、インジウムスズ酸化物ITOを含む、請求項20に記載の装置。前記強誘電性液晶は、イオンによりドープされたベース強誘電性液晶を含む、請求項17に記載の装置。強誘電性液晶ディスプレイを形成する方法であって、基板上の画素のアレイの上方に前記強誘電性液晶を配置するステップであって、前記強誘電性液晶が電気抵抗を有し、前記強誘電性液晶の上方に前記配向層を配置するステップであって、前記配向層は静電容量を有し、前記配向層とともに配置されている前記強誘電性液晶は、回路内の動作に関する減衰時定数を有し、前記減衰時定数がディスプレイ上に持続するように焼きつく画像を視覚的に許容できる最大時間よりも小さい又は等しい、を備えた方法。前記強誘電性液晶を配置するステップが、上部電気抵抗よりも小さい電気抵抗を有する前記強誘電性液晶を配置するステップを含み、上部電気抵抗は、前記配向層として選択された厚みを有する選択された物質を使用することに関連する静電容量により、及び前記減衰時定数により決定される、請求項23に記載の方法。前記強誘電性液晶を配置するステップが、イオンによりドープされたベース強誘電性液晶を配置するステップを含む、請求項23に記載の方法。前記強誘電性液晶を配置するステップが、頂部及び底部を有する領域において前記強誘電性液晶を配置するステップを含み、前記領域は、前記頂部を前記底部と接続する抵抗要素を含む、請求項23に記載の方法。前記方法は、前記減衰時定数が、画像の焼きつきが前記液晶ディスプレイの人間の視聴者にそれと分かる最小時間と同等かそれよりも小さくなるように、前記配向層の物質及び厚みを選択するステップを含む、請求項23に記載の方法。前記物質を選択するステップは、ポリイミドを選択するステップを含む、請求項27に記載の方法。液晶ディスプレイに駆動波形を適用するステップであって、前記液晶ディスプレイは、前記減衰時定数が前記液晶ディスプレイ上で持続するように焼きつく画像を視覚的に許容できる最大時間よりも小さい又は同等であるように、回路内の動作に関する関連した減衰時定数を有するを備えた方法。前記減衰時定数は、画像の焼きつきが前記強誘電性液晶ディスプレイの視聴者にそれと分かる最小時間よりも小さい又は等しい、請求項29に記載の方法。液晶ディスプレイは、配向層に結合された前記強誘電性液晶を含むセルを含む、請求項29に記載の方法。前記強誘電性液晶は、イオンによりドープされたベース強誘電性液晶を含む、請求項31に記載の方法。前記強誘電性液晶ディスプレイ上の画像の流れを発生させるステップと、画像補足物を、流れのうちの2より大きいN個画像ごとに1つ挿入するステップと、を更に備える、請求項31に記載の方法。駆動波形を適用するステップは、パルス幅変調を適用するステップを更に備える、請求項29に記載の方法。前記駆動波形が前記画素を約10から約90までの範囲におけるデューティサイクルによりオン状態にさせるように、セルの照明を維持するステップを更に備える、請求項29に記載の方法。以下の詳細な説明は、添付図面を参照し、図示の方法により本発明の種々の実施形態を示している。これらの実施形態は、当業者がこれら及び他の実施形態を実施可能なように、十分に詳細に記述されている。他の実施形態が、利用されてもよく、構造、論理、及び電気的な変更がこれらの実施形態になされてもよい。いくつかの実施形態が、1つ又はそれ以上の他の実施形態と組み合わされて、新しい実施形態を形成するとき、種々の実施形態は、必ずしも相互に矛盾しない。従って、以下の詳細な説明は限定的な意味に取られるべきでない。図1は、液晶ディスプレイ102を有する装置100の実施形態を示している。液晶ディスプレイ102は、液晶105と絶縁物質110との組み合わせが液晶ディスプレイ上に持続するように焼きつく画像を視覚的に許容できる最大時間よりも小さい減衰時定数を有するような絶縁物質110を有する構造に結合された液晶105を備えている。この減衰時定数は、液晶105と絶縁物質110とに関連する電荷が、加えられる電界に関し蓄積することができ或いは放電されることができる零ではない時間である。液晶ディスプレイ102は、ネマチック液晶であってもよい。液晶ディスプレイ102は、強誘電性液晶であってもよい。強誘電性液晶はセルの一部であってもよく、このセルにおいては強誘電性液晶が絶縁物質に結合され、絶縁物質が、配向層の一部となっている。減衰時定数は、液晶105と関連する抵抗を設けることによって実現でき、液晶105と絶縁物質110の組合せによって、液晶ディスプレイ上で持続するように焼きつく画像を視覚的に許容できる範囲にある減衰時定数を提供する。この範囲は、約1秒から約2秒である。この範囲は、約1秒より短くてもよい。この減衰時定数は、画像焼きつきが液晶ディスプレイの人間の視聴者に分かる最小時間よりも小さくすることができる。この減衰時定数は、1秒の30分の1以下とすることができる。これらの範囲を得るために、液晶105に関する抵抗を調整するために異なるアプローチを用いることができる。ベース液晶に組み込まれた沢山の様々な物質を有する液晶105を用いることができる。強誘電性液晶は、強誘電性液晶の伝導率、従って抵抗を調整するためにイオンでドープされることができる。他のアプローチでは、液晶105が、液晶に加えて抵抗性の物質を含み、且つ液晶105及び絶縁物質110の組合せの減衰時定数に著しく貢献する、構造の範囲に配置されている。若しくは、所定の液晶に対し、ある絶縁物質が絶縁物質110として選択され、この絶縁物質では、液晶105及び絶縁物質110の組合せが視覚的に許容できる範囲内で減衰時定数を生じるような静電容量を、絶縁物質が有する。非限定的な例示として、強誘電性液晶のための配向層として構成された絶縁物質は、減衰時定数が、強誘電性液晶の電気抵抗と、配向層の静電容量と関連する静電容量との積の約半分であるような、静電容量を有する。この配向層の静電容量に関連する静電容量は、構造の設計及び構造の物質構成要素の選択により配向層の静電容量に設定されることができる。減衰時定数は、また、液晶ディスプレイに対する他の作動パラメータより大きい又は等しいように選択できるが、同時に液晶ディスプレイ上で持続するように焼きつく画像を視覚的に許容できる範囲内にある。減衰時定数は、強誘電性液晶をほぼ対照的なディスプレイ状態間で切り替えるための時間よりも大きくなるように選択されている。液晶ディスプレイ102は、強誘電性液晶ディスプレイ102として実現することができる。強誘電体の液晶ディスプレイ102は、沢山のセルを含むことができ、各セルは配向層110に結合された強誘電性液晶105を含んでいる。FLCは、平均して、自身を互いに平行に整列させる細長い分子から構成されている。この方向は、液晶のダイレクタと呼ばれる。FLCから形成されたフィルムは、光学複屈折を示し、FLC分子の配向とおよそ平行な光軸を有する。これらの分子はスメクティック層に自己組織する、すなわち、これらの分子自身を層又は平面において整列させる傾向を有する。これらの分子の軸が、通常、FLC混合物の分子の性質によって決定される量だけ上記層から傾けられる。この特徴的な角度は、FLCの傾き角度θTとして知られている。傾きの方向は任意であり、許容できる配向の範囲が錐を形成する。さらに、FLCは、電気的なダイポールモーメントを有し、ダイポールモーメントは、前記長い分子の軸線と垂直であり、且つスメクティック平面と平行である。電界は、トルクをFLCダイポールに付与するように用いられて、分子軸線を錐上のいかなる位置にも設けることができる。FLCの境界における配向層は、物質の異方性によって特定のダイレクタ配向を誘導するようなFLC分子の初期配向を決定する物質である。種々の実施形態において、強誘電性液晶ディスプレイ102のセルは、そのディスプレイ上に持続するように焼きつく画像を視覚的に受け入れられる最大時間よりも小さい減衰時定数を有する。この減衰時定数は、人間の視覚においてディスプレイを見ている個人が映像焼きつきが発生していることに本質的に気づかない、人間の視覚で感知される焼きつき画像の検知の最小時間よりも小さいか同程度である。強誘電性液晶ディスプレイ102は、回路120が配置されている基板103上に構成されている。強誘電性液晶ディスプレイ102は、しばしばチップと称される単一集積回路に組み込まれている強誘電性液晶及び配向層を有するセルのアレイを含んでいる。チップ上での強誘電性液晶及び配向層の合体によって強誘電性液晶ディスプレイ102を構築することに用いられる種々のマイクロエレクトロニクス製造技術の使用が可能となる。この構築には配向層110の上方に光学出力のための窓130を配置することが含まれている。減衰時定数が配向層の静電容量と強誘電性液晶層の電気抵抗との積の約半分になるように強誘電性液晶及び配向層の選択及び製造がなされている。減衰時定数は、1秒の30分の1よりも小さくすることができる。さらに、減衰時定数は、強誘電性液晶をディスプレイ状態間で切り替えるための時間よりも大きくすることができる。強誘電性液晶及び配向層の減衰時間の選択及び強誘電性液晶及び配向層の選択は、強誘電性液晶ディスプレイ用のアプリケーションに依存している。マルチプル機構が画像焼きつきに寄与することができ、FLC配向層インターフェースにおける電荷の蓄積が、配向層でのダイレクタ配向において変化し、プレチルトを変化させ、場合によってはダイレクタ滑り動作における変化をさせる。印加電圧に応答したFLC層の表面における電荷の蓄積に関し、画像焼きつきの出現によって判断されるように、蓄積された表面電荷の成長及び減衰の時定数が、概して数分から数時間までの範囲内で変動する。この課題に対抗するために、FLCディスプレイは、たいてい各画像及びその補完物を連続で示すすなわち、暗い画素が明るくされ且つ逆の場合も同じように操作されている。このプロセスがFLCディスプレイの各画素によって経験される平均電圧が零であることを本質的に確実にするように行われる。結果として、電荷蓄積時間がフレーム周期と比較して長いと仮定すると、電荷は蓄積されないであろう。この案のデメリットは、ここで直流補償と呼ばれる、視聴者によって実質的に見られないように画像補足物の表示中に照明が消されることである。50デューティサイクルは、実効ディスプレイ輝度を半分だけ減少させる結果となる。デューティサイクルは、液晶が画像を表示させるように駆動される時間の比率として定義されている。これはディスプレイを照明することが望ましいとされる最大時間である。種々の理由により、液晶が画像を表示させるように駆動される全周期にわたってディスプレイを照明させることは望ましくない可能性がある。種々の実施形態において、FLCにおいて又はFLC配向層インターフェースにおいてイオンを除去する以外に、FLCが、ベースFLCをドープしてその伝導率抵抗を調整するように加えられるイオンとともにベースFLCとして形成されている。FLCディスプレイは、画像の焼きつきを除去するために必須ではないが、代わりに、画像の焼きつきの減衰時間を押し込めるように、形成され且つ操作されることができ、この減衰時間は、人間の視覚で感知される画像の焼きつきの検知のための最小時間より小さいか同程度であり、ゼロ時間ではない。人間が対象物を直視して視覚的に気づく時間を人間の視覚の存続時間τvisionと称する。人間の視覚の存続時間は、種々の理由により1秒のおよそ30分の1を中心とした範囲内で変わる。画像の焼きつきの減衰時間を、そのようなタイムフレームに押し込めることによって、画像の焼きつきを除くよりもむしろ隠している。FLCディスプレイ、或いは他の液晶ディスプレイは、画像の焼きつきの減衰時間を、このディスプレイの人間の視聴者にそれと分かる画像焼きつきの最小時間と同程度かそれよりも短くするように押し込めるように構成され且つ作動されている。変形例として、構造により与えられる減衰時間が、FLCディスプレイ上で持続するように焼きつく画像を視覚的に許容される最大時間内にあってもよい。実効ディスプレイ輝度は許容できないレベルの焼きつく画像を導くことなく50よりも大きいデューティサイクルを可能にすることによって増大されている。図2Aは強誘電性液晶セル206の1実施形態を例示している。FLCセル206は、2つの配向層2101及び配向層2102の間のFLC205を含んでいる。FLC205及び配向層2101及び配向層2102が、基板上の画素のアレイ222の画素224とともに電気回路内に配置されている。FLC205及び2つの配向層2101及び2102の配置が、電気回路においての作動に関し、液晶ディスプレイ上で持続するように焼きつく画像を視覚的に許容できる最大時間にと同等かそれよりも小さい減衰時定数を有するようにFLC205及び配向層2101及び配向層2102の合成及び構造が選択されている。この減衰時定数は、張り付いている画像が液晶ディスプレイの人間の視聴者にそれと分かる最小時間よりも小さくなっている。配向層2101は、アレイ222上に配置され、電界221が、画素224と接触子215との間で、配向層2102に加えられる電位V223によって、FLC205及び2つの配向層2101及び2102の配置を横断して発生されている。例えば、電界221が、接触子215に加えられる165V及び画素224に加えられる0V又は33Vによりおよそ±165Vμmとして加えられる。他の電界は、適切な電圧を接触子215及び画素224に加えることによって用いられてもよい。基板203上の電気回路は、パルス幅変調をFLC205及び2つの配向層2101及び2102の配置に適用するソースを含むことができる。透明な電導性物質が、接触子215のために使用されることができる。透明な電導性物質は、ITOと呼ばれるインジウムスズ酸化物のような透明な電導性酸化物を備えていてもよい。他のTCOが用いられてもよく。FLCセルは光の通路用の窓230を含んでいてもよい。図2におけるFLCセル206の表示が、FLCセル206の種々の領域を基材203の一部上で分けられた層として示している。しかしながら、これらの層は、基材203上で統合されるセルとして形成でき、基材203が、FLCセル206が統合される構成要素であることによって、追加の電気回路を含むことができる。基板203上で統合される回路の金属被覆を用いて、所望の電位223を発生させる適切なソースに電位223が加えられる。基材203が相補型MOS製造技術によって形成されたVLSI超大規模集積回路であってもよい。シリコン基材は、基材203のために用いられることができる。アルミニウムパッドが、その上にFLCが配置されるCMOSVLSI電気回路上に配置されていてもよい。このアルミニウムパッドは、FLCセル206用の反射面を提供することができる。シリコンの下に横たわる回路を使用するFLCディスプレイは、FLCOSディスプレイと呼ばれている。シリコン以外の物質が、用途に応じて基材として使用されることもできる。図2Bは、抵抗要素2081208Nを収容する液晶2051を例示する。抵抗要素2081~208Nは、液晶2051の頂面と底面との間に延びるように配置されている。抵抗要素2081~208Nを有する液晶2051が調整された抵抗を有する液晶を効率的に提供する。さらに、液晶2051は、液晶2051を効率的にドープして調整された伝導率抵抗を有する液晶2051を提供する追加の物質を任意に含んでいてもよい。液晶2051は、強誘電性液晶を実現することができる。抵抗要素2081~208Nは、液晶2051と互換性がある物質及び形によって形成され且つ、液晶2051の機能的活動に好ましくは影響を及ぼさない。液晶ディスプレイの設計において抵抗要素2081~208Nを用いることにより、追加のパラメータとして、関連したディスプレイ上で持続するように焼きつく映像の許容できるレベルに関する減衰時定数を設定するために用いられることを可能にする。抵抗要素2081~208Nは、透明な電導性層2111を他の透明な電導性層2112に結合するように液晶2051を事実上突き抜けるように構成されている。透明な電導性層2111及び2112を結合する液晶2051における抵抗要素2081~208Nのそのような配置が、液晶205を置き換えている図2Aに示す構造において使用されている。各抵抗要素208jが、アレイ222の異なる画素224に割り当てられる。さらに、電導性層2111及び2112が各それぞれの画素224について、画素224に対するパターンセクション内に整列された抵抗要素208jがあるようにアレイ222のパターンと一致するパターンに形成されている。例示のパターンが示されるが、図2Aのアレイ222における正方形には限定されない。抵抗要素208jが画素224の中心で整列されてもよい。抵抗要素208jは画素の中心上に位置決めされることに限定されないが、アレイ222のそのそれぞれの領域内における画素より上のいかなる位置に位置決めしてもよい。図3は2つの配向層の間でFLCを有するFLCセルの単純化された等価回路320を示し、そのようなFLCセル206は図2に示されている。各配向層は、並列に接続された抵抗RA及び静電容量CAとして示されている。同様に、FLC層は、非線形の履歴に依存した抵抗器と並列の静電容量CFとして示されることができる。FLCの伝導率への主な寄与は、イオンの電荷キャリヤの動き及びFLCの分極電荷の流れによる。FLCの抵抗に寄与するイオン電荷流は、その体積におけるイオン化速度及び再結合速度によって、表面によるイオンの吸着放出の動力学によって、及びFLC層の厚さ内のイオンソース密度を空間的に変更する時間依存によって、影響を受ける。イオン電荷流用のこれらの機構及びそれらの相対的な重要性は温度によって大きく変わる。配向層用の物質及びFLC用の物質は、配向層の抵抗がFLCのものよりもはるかに大きいように選択されている。そのような場合には、配向層の抵抗RAは等価回路320においてRA∞に設定でき、これにより抵抗RAは等価回路320から省略されることができることを有効に示している。配向層はFLCと比較して大部分は薄くなっている。例えば、配向層の厚みは、典型的には20nmであるが、FLCの厚みは800nmであってもよい。他の厚みが用いられることも可能である。そのような厚みの違いにより、配向層の静電容量CAがFLCの静電容量CFよりもおよそ1乃至2桁大きくなっている。さらにFLCが切り替わる事象の後に、分極が切り替える電流がゼロに近くなり、FLCの伝導率がイオン電荷キャリヤの動きによって支配され、この伝導率は等価回路においてRIによって示されている。図4は、FLC及び配向層として、使用される物質、及び使用される層の構造的特徴の選択に基づいて図3の等価回路320から導かれる等価回路420を示している。CACFRA≒∞及びRI90が、一般的には使用できないような10デューティサイクル駆動波形の負の電圧部分中において、FLCが、適当な暗状態にわずかに切り換えることを仮定する。光源を全ての時間付けたままにする代わりに、10デューティサイクル波形によって駆動されるとき、画素が暗く見え、各サイクルの1090部分の間にのみ光源を付けることができる。駆動波形デューティサイクルが10から90まで増大するにつれて、明るさが直流補償法を用いるときに得られる最大値よりも大きい最大値まで単調に増大する。この例示において、照明は駆動波形サイクルの80の間80光学デューティサイクルついており、直流補償された駆動装置を使用するとき、805016の場合には潜在的な明るさ利得を与える時間の50のみ照明がついている。フルカラー画像を示すFLCOSディスプレイにおいて使用される駆動波形は、上記例示のものよりもより複雑であるが、PWMグレースケールのその使用においては基本的に異なることがない。上記機構は、FLCOSディスプレイにおいて実行されることができる。種々の実施形態において、直流補償の度合いを減らすことができる。この減少は、ディスプレイ上に示されている画像ストリームに関して得られ、画像補足物がN個の画像ごとのうち1つに挿入され、ここでNは2より大きい。N2は直流補償に対応するであろうことに注意されたい。Nが増大されるにつれて、10電気デューティサイクルに対して上記に与えられた理由により適切な暗状態が得られない限界、を越える限界が存在することになる。種々の実施形態において、FLCセルのための減衰時間が、イオンによってドープされたベースFLCを形成することによって、イオンドーパントがベースFLCの切り替えに反対に影響しないようなレベルまで調整されることができる。伝導率を向上させるイオン物質を加えた試験と、イオン物質を加えていない試験とが、光軸回転に関して実行されている。図6は、正の駆動電圧及び負の駆動電圧に対しFLC光軸配向θ及びθ、を示している。図7Aは、光軸配向θ及びθに対して、イオン伝導性が加えられているFLCセル及びイオン伝導性が加えられていないFLCセルに対する駆動波形デューティサイクルを示すグラフである。図7Bは、光軸配向θ及びθに対するデューティサイクルにおける違いを、イオン伝導率が加えられているFLCセル及びイオン伝導率が加えられていないFLCセルの2つの場合の間でより強調した違いとして示すグラフである。これらの試験において、1つのセルが加えられたイオン伝導率を有していないベースFLCで満たされ、且つ他のセルは、イオンドープされたベースFLCMX12918とラベル付けされ、MX12918はMX13058のイオンドープされたバージョンであるで満たされていた。両方のセルはFLCOSダミーであった、FLCOSダミーは、物理的構造において製品マイクロディスプレイと類似であるが、CMOSVLSI電気回路は製品マイクロディスプレイのシリコンにおいて通常存在していない。これらのセルは、図5Aにおいて示されるように、電気デューティサイクルが10から90までの範囲内で変動し、一般的なFLCOSマイクロディスプレイフレームレートである720Hzの周波数で±18Vの振幅を有する波形によって駆動されていた。正の駆動電圧及び負の駆動電圧に対するそれぞれのFLC光軸位置θ及びθは、最大の設定時間を可能にするように各電圧変位の直前に測定されていた。イオンドープされたFLCは、電気的デューティサイクルの端が近づくとき、ドープされていないFLCと比較して減少された光軸回転を示している。FLCの完全な切り替えによる干渉を最小にしながら、同時に、ドーパント濃度が、画像焼きつきの減少を感知するのに有効な度合いを有するように相対的に最小に保たれていたので、光軸位置上の伝導率の効果は、この例示における極端なものではない。図8Aは、加えられる駆動セル電圧曲線820A、FLCセル電流曲線810A及び光学応答曲線830Aの測定値に対して、イオン伝導率が加えられていないベースFLCMX13058のための時間を示している。図8Aに対し、時間は、曲線810A、曲線820A及び曲線830Aに対し200μsdivと示されている。曲線820Aについて、電圧は1Vdivとディスプレイ表示されている。曲線830Aについて、電圧は、200mVdivとディスプレイ表示されている。曲線810Aについて、電流モニタースケール係数は、1mAVであり、これが200mVdivの座標スケールでディスプレイ表示されている。図8Bは、加えられる駆動セル電圧曲線820B、FLCセル電流曲線810B及び光学応答曲線830Bの測定値に対して、イオンドープされた同様のベースFLCセルMX12918のための時間を示している。図8Bに対し、時間は、曲線810B、曲線820B及び曲線830Bに対し200μsdivと示されている。曲線820Bについて、電圧は1Vdivとディスプレイ表示されている。曲線830Bについて、電圧は、100mVdivとディスプレイ表示されている。曲線810Bについて、電流モニタースケール係数は、1mAVであり、これが200mVdivの座標スケールでディスプレイ表示されている。図8A及び8Bに示されているどちらの場合においても、駆動波形は、2ms周期を有する±18Vの四角い波50デューティサイクルである。光学応答は、交差された偏光子を使用するとき光検出器によって見られる光強度であり、これらの場合における各セルは、各セルが実質的に対照的な状態を有する明状態と暗状態との間よりもむしろ2つの等しく明るいディスプレイ状態の間で切り替えるように、配向されている。光軸は偏光子配向の左及び右に対照的に向きを変える。観測される光軸の範囲はイオンなしで40°までであり、イオンを有りで39°までであった。2つのFLCイオン伝導性が加えられている及びイオン伝導性が加えられていないFLCに対する図8A及び図8Bのプロットは本質的には同じであるように見える。電圧がFLCセルの典型的な極性を変化させるとき、FLCの偏光子の方向の切り替えにより2つの電流ピークが見られ、その後、電流このスケールでは0まで及び光学応答が、極性が再び反転されるまで基本的に一定である。これが、ユニット領域ごとのイオン電荷流の量が2PSと比較して小さく、PSがFLCの自然発生的な分極密度である。この発見は、FLC切り替えによる顕著な干渉を避けるためにドーパント濃度を低く保つことに関する上記見解により構成されている。図9Aは、図8A用の駆動波形よりも高い周期を有する駆動波形において、加えられる駆動セル電圧曲線920A、FLCセル電流曲線910A及び光学応答曲線930Aの測定値に対して、イオン伝導率が加えられていないベースFLCMX13058のための時間を示している。図9Aに対し、時間は、曲線910A、曲線920A及び曲線930Aに対し20msdivと示されている。曲線920Aについて、電圧は2Vdivとディスプレイ表示されている。曲線930Aについて、電圧は、100mVdivとディスプレイ表示されている。曲線910Aについて、電流モニタースケール係数は、1μAVであり、これが500mVdivの座標スケールでディスプレイ表示されている。図9Bは、図8Bに対しての駆動波形よりも高い周期を有する駆動波形において、加えられる駆動セル電圧曲線920B、FLCセル電流曲線910B及び光学応答曲線930Bの測定値に対して、イオンドープされた同様のベースFLCセルMX12918のための時間を示している。図9Bに対し、時間は、曲線910B、曲線920B及び曲線930Bに対し20msdivと示されている。曲線920Bについて、電圧は2Vdivとディスプレイ表示されている。曲線930Bについて、電圧は、100mVdivとディスプレイ表示されている。曲線910Bについて、電流モニタースケール係数は、1μAVであり、これが500mVdivの座標スケールでディスプレイ表示されている。図9A及び図9Bの2つのFLCに対する駆動波形は、100ms周期を有する±18Vの矩形波である。図9A及び図9Bは、駆動周期が2msの代わりに100msに設定されていることを除いて、図8A及び図8Bにおいて示されるものと同様にイオンを有するもの及びイオンを有していないものとの比較を提供している。図9A及び図9Bは、加えられたイオンを有するFLC及び加えられたイオンを有していないFLCとの間の差異を示している。イオンを有していないFLCは、事象を切り替える間、実質的に安定な光学応答及び零に近い電流を示している。これに対し、イオンドープされたFLCは、FLC層にかかる電圧の減衰により、著しい電流及び光学応答の低下を示している。単位領域50msにおけるごとの総イオン電荷流はこの場合のPSと同等である。図8A及び図8Bと図9A及び図9BはFLC上で持続するように焼きつく画像を視覚的に許容できる最大時間よりも小さいか同等である減衰時定数を有するFLCセルを実行していることによりFLCディスプレイ用の直流バランスを使用した緩和に関する2つの特徴を示している。減衰時定数は、画像の焼きつきがFLCの人間の視聴者に分かる最小時間よりも小さい。第1に、時定数12RICAは、液晶を通るイオン電荷の流れがFLCの切り替えによって好ましくは干渉をしないほど十分に大きくされるべきである。図8A及び図8Bはこの条件がイオンドープされたFLCによって満たされていることを示す。第2に、FLC導電率は、1秒のうち一部分においてFLC層にかかる電圧を放出させるために十分高くされるべきである。図9A及び図9BはこれがイオンドープされたFLCによって達成されることを例示している。図10Aは、FLCに適用されるデューティサイクルを低イオン濃度に変更した結果を示している。図10Bは、FLCに適用されるデューティサイクルを高イオン濃度に変更した結果を示している。低濃度及び高濃度は、互いに関連し、且つ上で議論された2つの特徴事項を満たす基準としての濃度に関連して用いられている。図8B及び9BのイオンドープされたベースFLCセルMX12918内のイオン濃縮は、図10A及び図10B内に示される結果とともに、試験において使用される2つのFLCの低濃縮と高濃縮との間の中間程度である。これらの試験は、光軸位置が、デューティサイクルにおける変化に応答して1秒の何分の1かにおいて新しい平衡位置にドリフトすることすなわち画像の焼きつきを高速で減衰させることを実証する。このドリフト時間は、FLC層にわたる平均電圧を零に戻すのに必要とされる時間の長さに対応し、これはおよそ~12RICAである。これらの試験において、この駆動波形は、75デューティサイクル波形の500サイクル±18V振幅と交互に入れ替える25デューティサイクル波形の500サイクル2ms周期、±18V振幅で構成され、すなわち、電気デューティサイクルを05Hzの周波数で25と75との間で交互に入れ替わりながら行う。図8A及び図8Bと図9A及び図9Bでは、各FLCセルが、偏光子に関して配向され、2つの切り替わる状態が、明状態と暗状態例えば、実質的に対称的な状態の間で切り替わる代わりに、等しい明るさのものであった。図10A及び図10Bの試験に関し、各FLCセルはわずかに回転され、2つの状態は、わずかに異なる明るさを有し、図10A及び図10Bのプロットは、どのように両方の明るさレベルが次の2575デューティサイクルへの移行を変化させるかを示している各プロットにおいてt1秒。図10Aに示される低濃度のイオンドーパントを有するFLCは、駆動デューティサイクルにおける変化の後に約2分の1秒又はそれより長い秒数の間平衡を保っているが、図10Bに示される高濃度を有するFLCは、約0203秒間において平衡を保っている。より高い濃縮のイオンドーパントを含んでいるFLCにおいては、画像の焼きつきが最も急速に消える。図11A及び図11Bは、偏光子11401及び11402の組合わせを有するFLCセルの作用の例示を示している。偏光子11402の光軸は、偏光子11401のものとほぼ直交している。偏光されていない入射光線1101は、混ざり合った偏光状態を含んでいるが、偏光子11401の光軸配向と合致する線形偏光の状態の入射光線のその一部のみが、ほぼ偏光子を通って送信される。FLCのオフ状態において、その光軸は、偏光子11401の光軸とほぼ平行であり、FLCのオン状態において、その光軸は、偏光子11401の光軸と平行からほぼ45°回転されている。複屈折FLC層の厚みは、これがほぼ90°の光学的遅れを有するように、すなわちこれが4分の1波形の遅延剤として作動するように、選択されている。図11Aにおいて、FLCセル1106はオフ状態にあり、光がFLCセル1106を通過した後、ミラー1104によって反射し、再びFLCセル1106を通過し、この偏光状態はほぼ変化していない。この反射光は、偏光子11402で反射され又は吸収され、且つ偏光子11402を通過していない。偏光子11402を通過する光が無いことにより、組合せられている構造からのアウトプットが、光学的に暗くなっている。図11Bにおいて、FLCセル1106がオン状態にあり、光がFLCセル1106を通過した後、ミラー1104によって反射し、再びFLCセル1106を通過し、この線形偏光状態がほぼ90°だけ回転されている。線形偏光の光の方向は、偏光子11402の光軸にほぼ平行であり、且つその偏光子を通過することができる。偏光子11402を通過する光により、組合せられている構造からのアウトプットが、光学的に明るくなっている。図12は、FLC1205の動作のための構成要素の例示を示している。光が光源1201によって提供されている。光源1201は、連続した色に対応するLEDを含み、LEDが赤R、緑G、及び青Bの光を発生させている。光源1201からの光が、偏光された状態の光を回路1220の上方に配置されているFLC1205の上方の窓1230に導く偏光ビームスプリッタフィルム1240に導かれている。FLC1205は、およそ1μmの厚みを有するが、他の適当な厚みが使用されてもよい。回路1220は、画素1224のアレイを含むCMOSVLSI回路として構成されている。画素1224は、デジタル操作用に形成されている。FLC1205を通過する偏光は画素1224から反射されてFLC1205を戻るように通過される。FLC1205が、回路1220を使用してディスプレイ表示されるべき画像によりオンかオフかのいずれか適切な状態において配置され、画素がオン状態にあるとき、偏光ビームスプリッタフィルム1240に導かれ、FLC1205を通って通過する光が、偏光ビームスプリッタフィルム1240を通って通過する適切な偏光を有する。種々の実施形態において、強誘電性液晶ディスプレイは基板上の画素のアレイ上に強誘電性液晶を配置することを含むように形成されている。配向層は、強誘電性液晶上に配置され、配向層を有して配置されている強誘電性液晶は、減衰時定数が液晶上で持続するように焼きつく画像を視覚的に許容できる最大時間より小さいか同等である回路における動作に関連した減衰時定数を有する。減衰時定数は、画像の焼きつきが液晶の人間の視聴者にそれと分かる最小時間よりも小さくなっている。強誘電性液晶の配置は、上部電気抵抗よりも小さい電気抵抗を有する強誘電性液晶を選択することも含んでいる。この上部電気抵抗は、液晶上で持続するように焼きつく画像を視覚的に許容できる最大時間より小さいか同等であるように設定された、配向層の静電容量及び減衰時定数の両方によって設定されることができる。配向層の静電容量は配向層として選択された厚みを有する選択された物質を使用することによって固定されることができる。強誘電性液晶の配置は、強誘電性液晶としてのイオンを有するようにドープされたベース強誘電性液晶を使用することを含んでいる。ドープするレベルは、ディスプレイ用のセルにおいて強誘電性液晶の所望の伝導率を達成するように設定されている。代わりに、配向層の物質及び厚みを、その減衰時定数が選択された強誘電性液晶用のディスプレイ上で持続する画像焼きつきを視覚的に許容できる最大時間より小さいか同等であるように選択できる。配向層用の物質は、ポリイミドであってもよい。強誘電性液晶は、2つの配向層の間に挟みこまれ、2つの配向層が、異なる物質及び厚みで構成され、ここで、強誘電性液晶及び2つの配向層の配置の減衰時定数は、ディスプレイ上で持続する画像焼きつきを視覚的に許容できる最大時間より小さいか同等である。物質及び厚みの選択を含む強誘電性液晶及び2つの配向層の配置は、対応する減衰時定数が、強誘電性液晶の切り替え時間よりも大きいように実現されている。種々の実施形態において、ここで論じられている技術と同様又は同一の減衰時定数を制御する技術は、ネマチックの液晶に適用されている。ネマチックの液晶ディスプレイの製造は、ネマチックの液晶ディスプレイ用の駆動回路における偏差を含む場合があり、その駆動回路は、零直流平均信号設計パラメータを満たす公差内の信号を提供できない。ネマチックの液晶ディスプレイの製造における公差内の変化量に対する補償をするために、例えばネマチック液晶及び関連した絶縁物質用のパラメータのような、他のものの間での駆動回路内の偏差が、ディスプレイ上で持続する画像焼きつきを視覚的に許容できる最大時間より小さいか同等である時間に、可能性のある画像焼きつきを制限する関連した減衰時定数を制御するように調整されることができる。減衰時定数は、画像の焼きつきがネマチック液晶ディスプレイの人間の視聴者にそれと分かる最小時間よりも小さくなっている。さまざな実施形態において、強誘電性液晶は、駆動波形を強誘電性液晶のセルに適用することによって作動され、そのセルは配向層に結合された強誘電性液晶を含んでいる。強誘電性液晶及び配向層の配置により、回路内の作動に関連した減衰時定数を有するセルを提供し、この減衰時定数がディスプレイ上で持続する画像の焼きつきを視覚的に許容できる最大時間より小さいか同等である。この減衰時定数は、画像の焼きつきがディスプレイの人間の視聴者にそれと分かる最小時間よりも小さくなっている。この減衰時定数は、セルにおいて強誘電性液晶として、イオンによりドープされたベース強誘電性液晶を用いることで生じる。そのような減衰時定数は、人間の視覚により知覚される画像の焼きつきの検知のための平均時間よりも小さいか同等である、強誘電性液晶ディスプレイの作動用の減衰時間を提供することができる。いくつかの実施形態においては、強誘電性液晶ディスプレイの作動は、強誘電性液晶の画像の流れを生じさせること、及び、流れの中のN個の画像ごとの内の1つに補足画像を挿入することを含み、ここでNは2よりも大きい整数である。パルス幅変調波形、又は他の適当な波形が、駆動波形として適用されてもよい。常に光がついている状態のままにしておく代わりに、10デューティーサイクル波形によって駆動されるとき、画素が暗く見えるように、各サイクルの1090部分の間でのみ光が付けられるようになっている。駆動波形デューティサイクルが10から90までの間で増大するにつれ、明るさが、直流補償方法を使用するときに得られるよりも大きい最大値まで単調に増大する。しかしながら、電気デューティーサイクルの範囲が、10乃至90の例示範囲から変えることができる。種々の実施形態において、電気デューティーサイクルが下端から上端までの範囲内で変動することにより、光学デューティーサイクルがこれらの電気デューティーサイクルの範囲の両端によって設定されることができる。光学デューティーサイクルは液晶の切り替え速度を調整させるようにこれらの端を中心に変更できる。特定の実施形態が、本明細書に例示され且つ記述されているが、同じ目的を達成するように計算された配置が、例示された特定の実施形態に代わることが、当業者によって認められる。種々の実施形態は、ここに記述された実施形態の並べ替え及び又は組合せを使用する。上記説明は例示として意図され、限定的ではなく、本明細書で使用されている言い回し又は用語は、説明の目的のためであることを理解されるべきである。