半絶縁性基板と、前記半絶縁性基板上に設けられ、互いに電気的に分離されたn個nは4以上の自然数の受光素子とを備え、各受光素子は、前記半絶縁性基板上に順に積層された第1導電型の導電層、光電変換する光吸収層、及び窓層と、前記窓層の一部に設けられ受光部となる第2導電型の不純物拡散領域とを有し、前記導電層の一部は、前記光吸収層と同じ材料で構成され、前記n個の受光素子の受光部の全てが同一直線上に配置されてはいないことを特徴とする半導体受光装置。前記n個の受光素子の受光部はn角形の頂点に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体受光装置。前記n個の受光素子の受光部は正n角形の頂点に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体受光装置。前記n個の受光素子のうちm個mはnより小さい自然数の受光素子の受光部がm角形の頂点に配置され、残りのn-m個の受光素子の受光部が前記m角形の辺上又は内側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体受光装置。残りのn-m個の受光素子の受光部が、前記m角形の内側に配置されたn-m角形の頂点に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体受光装置。残りのn-m個の受光素子のうちk個kはn-mより小さい自然数の受光素子の受光部が、前記m角形の内側に配置されたk角形の頂点に配置され、残りのn-m-k個の受光素子の受光部が前記m角形の辺上に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体受光装置。前記m個の受光素子の受光部が正m角形の頂点に配置されていることを特徴とする請求項4~6の何れか1項に記載の半導体受光装置。従来の半導体受光装置では、複数の受光素子の受光部が同一直線上に等間隔で配置されていた。そのため、焦点位置が光軸中心にくる非球面レンズや、球面レンズを一枚使って各受光部に集光する受信機を設計した場合、光軸中心から離れた位置にある両端の受光部では、収差の影響が大きくなり結合効率が落ち、受光感度が低下する。収差の影響を減らすには、大きなレンズを用いるか、焦点が各受光部の軸上にくるレンズを用いればよいが、レンズが非常に高価になる。また、受光部の間隔を狭くし過ぎると、電気的及び光学的な分離性が悪化し、電気的及び光学的なクロストークが問題となる。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は電気的及び光学的なクロストークを抑制しつつ、比較的安価なレンズを用いても高い受光感度を得ることができる半導体受光装置を得るものである。本発明に係る半導体受光装置は、半絶縁性基板と、前記半絶縁性基板上に設けられ、互いに電気的に分離されたn個nは4以上の自然数の受光素子とを備え、各受光素子は、前記半絶縁性基板上に順に積層された第1導電型の導電層、光電変換する光吸収層、及び窓層と、前記窓層の一部に設けられ受光部となる第2導電型の不純物拡散領域とを有し、前記導電層の一部は、前記光吸収層と同じ材料で構成され、前記n個の受光素子の受光部の全てが同一直線上に配置されてはいないことを特徴とする。本発明により、電気的及び光学的なクロストークを抑制しつつ、比較的安価なレンズを用いても高い受光感度を得ることができる。本発明の実施の形態に係る半導体受光装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体受光装置を示す上面図である。図2は図1のI-IIに沿った断面図である。Fe-InP半絶縁性基板1上に、互いに電気的に分離された4個の受光素子2a~2dが設けられている。各受光素子2a~2dにおいて、Fe-InP半絶縁性基板1上にn型InGaAs導電層3不純物濃度1×1019/cm3、n型InP導電層4不純物濃度1×1018/cm3、層厚1μm、光電変換するi型InGaAs光吸収層5不純物濃度1×1015/cm3、層厚2μm、i型InP窓層6不純物濃度1×1015/cm3、層厚1μm、p型InGaAsコンタクト層7層厚0.5μmが順に積層されている。i型InP窓層6の一部にp型InP不純物拡散領域8が設けられている。このp型InP不純物拡散領域8は、受光素子2a~2dの受光部9となる。p型InGaAsコンタクト層7にp電極10が接続されている。受光素子2a~2dの表面はSiNパッシベーション膜11で覆われている。n型InGaAs導電層3の露出面にn電極12が接続されている。4個の受光素子2a~2dの受光部9は、正四角形の頂点に配置されている。続いて、本実施の形態に係る半導体受光装置の製造工程を説明する。まず、Fe-InP半絶縁性基板1上に、例えば有機金属化学気相蒸着法MetalOrganicChemicalVaporDepositionMOCVDや分子線エピタキシー法MolecularBeamEpitaxyMBEといった結晶成長法により、n型InGaAs導電層3、n型InP導電層4、i型InGaAs光吸収層5、i型InP窓層6、i型InGaAs層不図示不純物濃度1×1015/cm3を順に堆積する。次に、酸化シリコン膜不図示を堆積し、フォトリソグラフィ技術により酸化シリコン膜に例えば直径30μm程度の円形の抜きパターンを4つ形成する。この4つの抜きパターンを正四角形の頂点に配置する。次に、この酸化シリコン膜をマスクとして熱拡散法を用いてZnを拡散し、p型InP不純物拡散領域8とp型InGaAsコンタクト層7を形成する。その後、酸化シリコン膜マスクを除去し、i型InGaAsコンタクト層とp型InGaAsコンタクト層7の一部を除去する。次に、フォトリソグラフィ技術やウェットエッチング技術、ドライエッチング技術を用いてエピ層の一部を十字型にエッチングし、4個の受光素子2a~2dを電気的に分離する。エッチング深さは約5μmであり、Fe-InP半絶縁性基板1が露出するまでエッチングを行う。次に、SiNパッシベーション膜11やp電極10を素子表面に形成する。また、n型InGaAs導電層3又はn型InP導電層4が露出するようにエッチングし、その露出した面にn電極12を形成する。最後に、Fe-InP半絶縁性基板1の裏面を研磨し、ダイシングにより所望のチップサイズに割り出す。以上の工程により本実施の形態に係る半導体受光装置が製造される。続いて、本実施の形態の効果を比較例と比較して説明する。図3は、比較例に係る半導体受光装置を示す上面図である。比較例では、4個の受光素子2a~2dの受光部9を同一直線上に等間隔に配置している。隣り合う受光部9の間隔をaとすると、最も離れた両端の受光部9の間隔は3aとなる。一方、本実施の形態では、4個の受光素子2a~2dの受光部9を正四角形の頂点に配置する。これにより、最も離れた対角に位置する受光素子2bの受光部9と受光素子2cの受光部9の間隔は√2aとなる。従って、本実施の形態では、最も離れた受光部9の間隔を比較例の場合に比べて半分以下にすることができる。複数の光ファイバから信号を同時に受ける際に、レンズにより4個の受光素子2a~2dに光を集光させる。この際に、本実施の形態では、レンズの中心軸から最も離れた受光素子2a~2dの受光部9の距離を小さくできる。よって、光通信で一般的に用いられている比較的安価なレンズを用いても結合効率を高めやすく、高い受光感度を得ることができる。また、本実施の形態では、Fe-InP半絶縁性基板1とi型InGaAs光吸収層5の間に存在する導電層の一部として、i型InGaAs光吸収層5と同じ材料で構成されたn型InGaAs導電層3を設けている。これにより、i型InGaAs光吸収層5を透過した光がFe-InP半絶縁性基板1の裏面で反射して戻り光となるのを抑制することができる。この結果、各受光素子間の電気的及び光学的なクロストークを抑制することができる。なお、本実施の形態では、4個の受光素子2a~2dの受光部9を正四角形の頂点に配置するが、これに限らずn個nは4以上の自然数の受光素子2a~2nの受光部9の全てが同一直線上に配置されていなければよい。例えば、受光素子2a~2nの受光部9をn角形の頂点に配置すればよい。これにより、全ての受光素子2a~2nの受光部9を同一直線上に配置した場合に比べて、最も離れた受光部9の間隔を小さくすることができる。また、n個の受光素子2a~2nの受光部9を正n角形の頂点に配置することで、それぞれの受光部9と光軸中心との距離を等間隔に配置できる。このため、全ての受光部9の結合効率を同じにすることができるため、特性の均一性を向上させることができる。実施の形態2.図4は、本発明の実施の形態2に係る半導体受光装置を示す上面図である。6個の受光素子2a~2fの受光部9が正六角形の頂点に配置されている。これにより、最も離れた受光部9の間隔を√3aまで小さくできるため、高い受光感度を得ることができる。実施の形態3.図5は、本発明の実施の形態3に係る半導体受光装置を示す上面図である。8個の受光素子2a~2hの受光部9が正八角形の頂点に配置されている。これにより、最も離れた受光部9の間隔を√3aまで小さくできるため、高い受光感度を得ることができる。実施の形態4.図6は、本発明の実施の形態4に係る半導体受光装置を示す上面図である。5個の受光素子2a~2eの受光部9のうち、1つの受光素子2eの受光部9が同一直線上に配置されていない。これにより、全ての受光素子2a~2eの受光部9を同一直線上に配置した場合に比べて、最も離れた受光部9の間隔を小さくできるため、高い受光感度を得ることができる。実施の形態5.図7は、本発明の実施の形態5に係る半導体受光装置を示す上面図である。8個の受光素子2a~2hのうち4個の受光素子2a~2dの受光部9が四角形の頂点に配置され、残りの4個の受光素子2e~2hの受光部9が四角形の辺上に配置されている。これにより、最も離れた受光部9の間隔を小さくできるため、高い受光感度を得ることができる。これに限らず、n個の受光素子2a~2nのうちm個mはnより小さい自然数の受光素子2a~2mの受光部9がm角形の頂点に配置され、残りのn-m個の受光素子の受光部9がm角形の辺上に配置されていれば、同様の効果を得ることができる。実施の形態6.図8は、本発明の実施の形態6に係る半導体受光装置を示す上面図である。5個の受光素子2a~2eのうち4個の受光素子2a~2dの受光部9が正四角形の頂点に配置され、残りの1個の受光素子2eの受光部9が正四角形の内側に配置されている。これにより、最も離れた受光部9の間隔を小さくできるため、高い受光感度を得ることができる。これに限らず、n個の受光素子2a~2nのうちm個mはnより小さい自然数の受光素子2a~2mの受光部9がm角形の頂点に配置され、残りのn-m個の受光素子の受光部9がm角形の内側に配置されていれば、同様の効果を得ることができる。実施の形態7.図9は、本発明の実施の形態7に係る半導体受光装置を示す上面図である。8個の受光素子2a~2hのうち4個の受光素子2a~2dの受光部9が正四角形の頂点に配置され、残りの4個の受光素子2e~2hの受光部9が正四角形の内側に配置された四角形の頂点に配置されている。これにより、最も離れた受光部9の間隔を小さくできるため、高い受光感度を得ることができる。これに限らず、n個の受光素子2a~2nのうちm個mはnより小さい自然数の受光素子2a~2mの受光部9がm角形の頂点に配置され、残りのn-m個の受光素子の受光部9が、m角形の内側に配置されたn-m角形の頂点に配置されていれば、同様の効果を得ることができる。実施の形態8.図10は、本発明の実施の形態8に係る半導体受光装置を示す上面図である。12個の受光素子2a~2lのうち4個の受光素子2a~2dの受光部9が正四角形の頂点に配置され、残りの4個の受光素子2e~2hの受光部9が正四角形の内側に配置された四角形の頂点に配置され、更に残りの4個の受光素子2i~2lが正四角形の辺上に配置されている。これにより、最も離れた受光部9の間隔を小さくできるため、高い受光感度を得ることができる。これに限らず、n個の受光素子2a~2nのうちm個mはnより小さい自然数の受光素子2a~2mの受光部9がm角形の頂点に配置され、残りのn-m個の受光素子のうちk個の受光素子の受光部9が、m角形の内側に配置されたk角形kはn-mより小さい自然数の頂点に配置され、残りのn-m-k個の受光素子の受光部9がm角形の辺上に配置されていれば、同様の効果を得ることができる。