半導体モジュールであって、半導体基板と、半導体基板の一方の表面に形成されている第1電極と、前記一方の表面と反対の半導体基板の表面に形成されている第2電極を有する半導体装置と、第1電極と接している第1導電部材と、第2電極と接している第2導電部材と、半導体装置を取り囲んでおり、第1導電部材に固定されており、外周面または内周面に第1ネジ溝が形成されている筒体と、第2ネジ溝が形成されており、第2ネジ溝が第1ネジ溝に係合していることによって筒体に固定されているカバー、を有しており、半導体装置と第2導電部材が、第1導電部材とカバーに挟まれることによって固定されており、第2導電部材が、カバーよりも第1導電部材側に存在する筒体の外周壁を貫通して筒体の内側から外側に引き出されている延出部を有している、半導体モジュール。半導体基板の前記一方の表面に、第3電極がさらに形成されており、第3電極と接しており、カバーよりも第1導電部材側に存在する筒体の外周壁を貫通して筒体の内側から外側に引き出されている第3導電部材をさらに有している、請求項1に記載の半導体モジュール。第1導電部材の半導体装置と反対側の表面に、第1の冷却器が接続されており、カバーの半導体装置と反対側の表面に、第2の冷却器が接続されている、請求項1または2に記載の半導体モジュール。第3導電部材と第1導電部材の間に、絶縁部材が配置されており、第3導電部材が、第3電極と絶縁部材に挟まれることによって固定されている、請求項1~3の何れか一項に記載の半導体モジュール。上述したストレスを低減するために、はんだ等のろう材による接合を用いることなく、半導体装置を導電部材に接続することが検討されている。例えば、日本国特許公開公報H9-252067号以下、特許文献1というには、半導体装置と各電極を積層し、これらを加圧することで半導体装置と各電極とを接続した半導体モジュールが開示されている。しかしながら、この半導体モジュールでは、第1の電極が半導体装置から下側に伸びるように配置されており、第2の電極が半導体装置から上側に伸びるように配置されている。このように第1の電極と第2の電極が離れていると、第1の電極と第2の電極の間のインダクタンスが大きくなるという問題が生じる。したがって、本明細書では、加圧により半導体装置と導電部材が接続されているとともに、各導電部材の間のインダクタンスが小さい半導体モジュールを提供する。本明細書が開示する半導体モジュールは、半導体装置と、第1導電部材と、第2導電部材と、筒体と、カバーを有している。半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の一方の表面に形成されている第1電極と、前記一方の表面と反対の半導体基板の表面に形成されている第2電極を有する。第1導電部材は、第1電極と接している。第2導電部材は、第2電極と接している。筒体は、半導体装置を取り囲んでおり、第1導電部材に固定されており、外周面または内周面に第1ネジ溝が形成されている。カバーは、第2ネジ溝が形成されており、第2ネジ溝が第1ネジ溝に係合していることによって筒体に固定されている。半導体装置と第2導電部材は、第1導電部材とカバーに挟まれることによって固定されている。第2導電部材は、カバーよりも第1導電部材側に存在する筒体の外周壁を貫通して筒体の内側から外側に引き出されている延出部を有している。この半導体モジュールでは、第2導電部材の延出部が、筒体の外周壁を貫通して筒体の内側から外側に引き出されている。このため、筒体の外側において、延出部を第1導電部材に沿って配置することができる。このため、この半導体モジュールでは、第1導電部材と第2導電部材の間のインダクタンスが小さい。また、延出部は、カバーよりも第1導電部材側に存在する筒体の外周壁を貫通している。すなわち、延出部は、カバーを貫通することなく、筒体の外周壁を貫通している。このため、カバーを回転させて筒体に取り付けるすなわち、第2ネジ溝を第1ネジ溝に係合させることが可能である。このため、この半導体モジュールは、容易に組み立てることができる。上述した半導体モジュールは、半導体基板の前記一方の表面に、第3電極がさらに形成されていてもよい。この場合に、半導体モジュールが、第3電極に接しており、カバーよりも第1導電部材側に存在する筒体の外周壁を貫通して筒体の内側から外側に引き出されている第3導電部材をさらに有していることが好ましい。また、上述した何れかの半導体モジュールでは、半導体装置に対する配線例えば、第2導電部材、第3導電部材が筒体の外周壁を貫通して筒体の外側に引き出されているので、第1導電部材及びカバーには配線の引出し構造を設ける必要がない。したがって、第1導電部材及びカバーに冷却器を接続して、好適に半導体装置を冷却することができる。このため、上述したいずれかの半導体モジュールは、第1導電部材の半導体装置と反対側の表面に第1の冷却器が接続されており、カバーの半導体装置と反対側の表面に、第2の冷却器が接続されていることが好ましい。また、上述した何れかの半導体モジュールは、第3導電部材と第1導電部材の間に、絶縁部材が配置されており、第3導電部材が、第3電極と絶縁部材に挟まれることによって固定されていることが好ましい。このような構成によれば、第3導電部材と第3電極が加圧により接続されるので、第3電極近傍で半導体装置に加わるストレスが軽減される。第1実施例図1、2に示す半導体モジュール10は、ケース40とカバー50内に半導体装置20を収容したアセンブリである。ケース40は、金属により構成されている。ケース40は、電極板40aと、筒体40bを有している。電極板40aは、略平面状に形成されている。筒体40bは、電極板40aに対して垂直に中心軸が伸びる円筒形状に形成されている。筒体40bの下端は、電極板40aに接続されている。すなわち、筒体40bの中心孔の下端は、電極板40aによって塞がれている。電極板40aの一部40eは、筒体40bの外周面よりも外側に引き出されている。筒体40bの外周面には、ネジ溝40cが形成されている。ネジ溝40cの下側電極板40a側の筒体40bには、貫通孔40d、40fが形成されている。電極板40a上には、金属板84、半導体装置20、金属板82、バスバー30、絶縁板80、及び、3つのピン90が設置されている。金属板84、半導体装置20、及び、金属板82、及び、絶縁板80は、筒体40bの内側に設置されている。バスバー30及びピン90は、筒体40bの外周壁を貫通するように設置されている。金属板84は、電極板40a上に載置されている。金属板84は、すず、銀銀ペースト等の比較的柔らかい金属により構成されている。金属板84上には、半導体装置20が設置されている。半導体装置20は、SiCにより構成された半導体基板24を有している。半導体基板24には、MOSFETが形成されている。半導体基板24の下面には、MOSFETのソース電極26と、MOSFETのゲート電極28の複数個が形成されている。図2に示すように、半導体基板24は、長方形である。複数のゲート電極28は、半導体基板24の1つの長辺に沿って配列されている。図1に示すように、半導体基板24の上面には、MOSFETのドレイン電極22が形成されている。半導体装置20は、ソース電極26が金属板84と接触するように、金属板84上に載置されている。各ゲート電極28は、金属板84と接触していない。金属板82は、半導体装置20上に設置されている。金属板82は、すず等の比較的柔らかい金属により構成されている。金属板82は、半導体装置20のドレイン電極22と接触している。3つのピン90のそれぞれは、ゲート電極28に接続されている。各ピン90は、筒体40bの外周壁に形成されている貫通孔40fを通って、ゲート電極28から筒体40bの外側まで延びている。貫通孔40f内のピン90は、絶縁体92によって覆われている。各ピン90は、絶縁体92を介してケース40に固定されている。各ピン90は、絶縁体92によってケース40から絶縁されている。バスバー30は、折り曲げられた金属板により構成されている。バスバー30は、第1部分30a、第2部分30b、第3部分30cを有している。第1部分30aは、金属板82上に載置されている。第2部分30bは、第1部分30aから電極板40a側に向かって伸びている。第3部分30cは、第2部分30bから電極板40aに沿って伸びている。第3部分30cは、筒体40bの外周壁に形成されている貫通孔40dを通って、筒体40bの内側から外側まで延びている。貫通孔40d内のバスバー30は、絶縁体32によって覆われている。バスバー30は、絶縁体32によってケース40から絶縁されている。絶縁板80は、バスバー30の第1部分30a上に載置されている。カバー50は、金属により構成されている。カバー50の外表面には、絶縁塗装が施されている。カバー50は、円筒形状の側壁部50bと、その側壁部50bの中心孔の一端を閉塞する平板部50aとを有している。すなわち、カバー50は、カップ形状を備えている。側壁部50bの内周面には、ネジ溝50cが形成されている。カバー50のネジ溝50cは、ケース40のネジ溝40cに係合している。すなわち、ネジ溝40c、50cを用いて、カバー50がケース40に締結されている。カバー50の平板部50aの下面は、絶縁板80と接している。すなわち、カバー50の平板部50aとケース40の電極板40aによって、金属板84、半導体装置20、金属板82、バスバー30の第1部分30a、及び、絶縁板80からなる積層体が挟まれている。カバー50はケース40に対して高いトルクで締結されている。したがって、前記積層体は、平板部50aと電極板40aによって加圧されている。この圧力によって、前記積層体を構成する各部材が、カバー50とケース40に対して固定されている。なお、ケース40の電極板40aと金属板84との接触部分、金属板84と半導体装置20のソース電極26との接触部分、半導体装置20のドレイン電極22と金属板82との接触部分、及び、金属板82とバスバー30の第1部分30aとの接触部分は、ろう材等によって接合されていない。したがって、カバー50をケース40から取り外すと、前記積層体の各部材を互いに分離させることができる。カバー50の平板部50aの上面には、絶縁シート70が固定されている。絶縁シート70の上面には、冷却器72が固定されている。冷却器72は、液循環式の冷却器である。なお、カバー50と絶縁シート70との接触部分、及び、絶縁シート70と冷却器72の接触部分には、グリースが塗布されている。これによって、冷却器72とカバー50の間における熱抵抗が低減されている。また、ケース40の電極板40aの下面には、絶縁シート60が固定されている。絶縁シート60の下面には、冷却器62が固定されている。冷却器62は、液循環式の冷却器である。なお、電極板40aと絶縁シート60との接触部分、及び、絶縁シート60と冷却器62の接触部分には、グリースが塗布されている。これによって、電極板40aと絶縁シート60の間における熱抵抗が低減されている。以上に説明したように、この半導体モジュール10では、半導体基板24の下面側に位置するソース電極26に対する配線が、ケース40の電極板40aによって構成されている。また、半導体基板24の上面側に位置するドレイン電極22に対する配線が、バスバー30によって構成されている。バスバー30は、筒体40bの外周壁を貫通して筒体40bの外側に引き出されている。これによって、電極板40aの延出部40eとバスバー30の第3部分30cが、互いに接近しており、かつ、略平行に配置されている。したがって、これらの間におけるインダクタンスが、従来の半導体モジュールよりも低減されている。すなわち、この半導体モジュール10では、ソース電極26に対する配線とドレイン電極22に対する配線の間のインダクタンスが低減される。また、バスバー30の第3部分30cが電極板40aの延出部40eの近くに配置されているので、これらに対する外部の配線を容易に設置することができる。すなわち、仮に、ドレイン電極22に対する配線部材が半導体モジュール10の上側に引き出されている場合には、電極板40aから離れた位置でドレイン電極22に対する外部配線を接続しなければならない。これに対し、本実施例の半導体モジュール10では、第3部分30cが延出部40eの近くに配置されているので、これらに対する外部の配線を容易に設置することができる。また、半導体モジュール10では、ゲート電極28に対する配線であるピン90も、筒体40bの外周壁を貫通して筒体40bの外側に引き出されている。すなわち、電極板40aにより構成されている配線を除く全ての配線が、カバー50よりも電極板40a側の筒体40bの外周壁を貫通して筒体40bの内側から外側に引き出されている。このため、電極板40a及びカバー50に、ケース40とカバー50の内側から外側に配線を引き出すための構造が形成されていない。このため、電極板40aの下面とカバー50の上面を平坦な形状とすることが実現されている。電極板40aの下面が平坦であるので、電極板40aに対して冷却器62が好適に接続されている。したがって、冷却器62によって効率的に半導体装置20を冷却することができる。また、カバー50の上面が平坦であるので、カバー50に対して冷却器72が好適に接続されている。したがって、冷却器72によって効率的に半導体装置20を冷却することができる。すなわち、この半導体モジュール10によれば、両面から半導体装置20を効率的に冷却することができる。また、この半導体モジュール10では、半導体装置20が圧力によって固定されており、半導体装置20と金属板82、84とがろう付け等によって接合されていない。したがって、半導体装置20が発熱することで半導体装置20と金属板82、84が熱膨張した場合に、半導体装置20にストレスが加わり難い。したがって、この半導体モジュール10は寿命が長い。次に、半導体モジュール10の製造方法について説明する。最初に、絶縁体92と3つのピン90が一体になっている部品を用意し、その部品の各ピン90を半導体装置20の各ゲート電極28に接合する。次に、ケース40の筒体40b内の電極板40a上に金属板84を載置する。次に、互いに接続されているピン90と半導体装置20を、金属板84上に設置する。このとき、ピン90を筒体40bの貫通孔40fに挿入しながら、半導体装置20を金属板84上に載置する。半導体装置20を金属板84上に載置する際には、ソース電極26を金属板84に接触させる。次に、半導体装置20上に、金属板82を載置する。次に、バスバー30と絶縁体32が一体になっている部品を、金属板84上に設置する。ここでは、バスバー30の第3部分30cを筒体40bの貫通孔40dに挿入しながら、バスバー30の第1部分30aを金属板82上に載置する。次に、バスバー30の第1部分30a上に、絶縁板80を載置する。次に、カバー50のネジ溝50cをケース40のネジ溝40cと係合させることで、カバー50をケース40に固定する。カバー50をその中心軸回りに回転させることでカバー50を下側に移動させると、カバー50の平板部50aが絶縁板80と接触する。そこから、さらにカバー50を回転させると、カバー50の平板部50aが絶縁板80を下側に向かって加圧する。すなわち、カバー50の平板部50aとケース40の電極板40aに挟まれている積層体すなわち、金属板84、半導体装置20、金属板82、バスバー30の第1部分30a、及び、絶縁板80が、その積層方向に加圧される。これによって、積層体の各部材がケース40及びカバー50に対して固定される。なお、金属板84は、隣接するソース電極26及びケース40の電極板40aよりも柔らかい。このため、積層体が加圧されると、金属板84の上面がソース電極26の表面形状に合わせて塑性変形し、金属板84がソース電極26と密着する。同様に、積層体が加圧されると、金属板84の下面が電極板40aの表面形状に合わせて塑性変形し、金属板84が電極板40aと密着する。これによって、ソース電極26と電極板40aとが確実に電気的に接続される。また、金属板82は、隣接するドレイン電極22及びバスバー30よりも柔らかい。このため、積層体が加圧されると、金属板82の下面がドレイン電極22の表面形状に合わせて塑性変形し、金属板82がドレイン電極22と密着する。同様に、積層体が加圧されると、金属板82の上面がバスバー30の表面形状に合わせて塑性変形し、金属板82がバスバー30と密着する。これによって、ドレイン電極22とバスバー30とが確実に電気的に接続される。カバー50をケース40に固定したら、カバー50に、絶縁シート70を介して冷却器72を取り付ける。次に、電極板40aに、絶縁シート60を介して冷却器62を取り付ける。これによって、図1に示す半導体モジュール10が完成する。この半導体モジュール10では、半導体装置20に対する配線であるバスバー30とピン90が、筒体40bのみを貫通しており、カバー50を貫通していない。したがって、組立時にカバー50を自由に回転させることができる。したがって、ネジ溝40cとネジ溝50cとを係合させて、カバー50をケース40に取り付けることができる。また、このネジ構造によって、前記積層体を加圧して固定することができる。したがって、この半導体モジュール10は、容易に組み立てることができる。なお、第1実施例の半導体モジュール10では、請求項の各構成要素に対して以下のように対応する。ケース40の電極板40aと金属板84によって、請求項における第1導電部材が構成されている。筒体40bによって、請求項における筒体が構成されている。カバー50によって、請求項におけるカバーが構成されている。バスバー30と金属板82によって、請求項における第2導電部材が構成されている。ピン90によって、請求項における第3導電部材が構成されている。第2実施例次に、図3に示す第2実施例の半導体モジュール100について説明する。なお、第2実施例の半導体モジュール100は、ピン90とゲート電極28との接続構造が第1実施例の半導体モジュール10と異なり、その他の構造は第1実施例の半導体モジュールと等しい。なお、第2実施例の半導体モジュール100についての以下の説明では、第1実施例の半導体モジュール10を構成する各部材に対応する部材に、第1実施例と同じ参照番号を付している。第2実施例の半導体モジュール100では、各ピン90がゲート電極28に対して接合されておらず、接触しているのみである。また、第2実施例の半導体モジュール100では、ゲート電極28に対向する位置の電極板40aの上面に、絶縁ブロック88が設置されている。ピン90は、絶縁ブロック88とゲート電極28によって挟まれ固定されている。これによって、ピン90がゲート電極28に対して電気的に接続されている。次に、第2実施例の半導体モジュール100の製造方法について説明する。最初に、ケース40を用意し、筒体40b内の電極板40a上に金属板84と絶縁ブロック88を載置する。次に、絶縁体92と3つのピン90が一体になっている部品を設置する。このとき、この部品を貫通孔40fに挿入するとともに、各ピン90の筒体40bの内側の端部を絶縁ブロック88上に載置する。次に、金属板84上に、半導体装置20を載置する。このとき、ソース電極26を金属板84に接触させるとともに、各ゲート電極28を各ピン90の絶縁ブロック88上の部分に接触させる。その後は、第1実施例と同様にして、金属板82、バスバー30、絶縁板80を設置し、その後、カバー50をケース40に固定する。カバー50を回転させて積層体を加圧すると、その圧力がゲート電極28と絶縁ブロック88に挟まれているピン90にも加わる。この圧力によって、ピン90がゲート電極28に対して固定される。その後、第1実施例と同様にして冷却器62、72を取り付けることで、第2実施例の半導体モジュール100が完成する。上記の通り、第2実施例の半導体モジュール100では、各ピン90が圧力によってゲート電極28に固定される。すなわち、各ピン90がゲート電極28に接合されない。このため、ピン90とゲート電極28との接点周辺において、半導体装置20に対するストレスが軽減される。これにより、半導体装置20の信頼性がより向上する。なお、上述した第2実施例では、絶縁ブロック88が電極板40aとは別の部材によって構成されていたが、予め絶縁ブロック88が電極板40aに固定されていてもよい。また、上述した第1実施例及び第2実施例では、カバー50が絶縁シート70を介して冷却器72に固定されていた。しかしながら、カバー50の表面に絶縁膜が形成されており、その絶縁膜を介してカバー50が冷却器72に固定されていてもよい。同様に、第1実施例及び第2実施例では電極板40aが、絶縁シート60を介して冷却器62に固定されていた。しかしながら、電極板40aの表面に絶縁膜が形成されており、その絶縁膜を介して電極板40aが冷却器62に固定されていてもよい。また、図4に示すように、カバー50に絶縁性のキャップ74を被せて、キャップ74を介してカバー50を冷却器72に固定してもよい。また、図5に示すように、ケース40とカバー50の周囲全体を絶縁性の樹脂76で覆い、樹脂76に冷却器62、72を固定してもよい。また、上述した第1実施例及び第2実施例では、筒体40b及びカバー50が金属製であったが、これらは絶縁体により構成されていてもよい。以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。