一般式R2P-L式中、Rはヒドロカルビル又は置換ヒドロカルビルであり、Lはアミン、アルコキシ、アリーロキシ、アルキルチオ又はホスフィン残基であるの化合物の製造方法であり、一般式RLiの化合物と、一般式Hal2P-L式中、Halはハロゲン原子を表すの化合物との反応によるものであり、該反応は一般式E1-O-E2式中、E1及びE2は独立して随意に置換されたアルキル基、又は随意に置換されたアリール基を表し、周囲圧力で少なくとも40°Cの沸点を有するのエーテル化合物を含む溶媒中で行われる該方法。一般式R-H式中、Rはヒドロカルビル又は置換ヒドロカルビルであるの化合物を、一般式E1-O-E2式中、E1及びE2は請求項1で定義したとおりであるのエーテル化合物を含む溶媒中で一般式Q-Li式中Qはアルキル、シクロアルキル、アラルキル又はアリール基であるの化合物によりリチウム化して、一般式Ri1Liの化合物を製造する工程;及び前記得られた化合物と、一般式Hal2P-L式中、Halはハロゲン原子を表し、Lは請求項1で定義した残基であるの化合物とを一般式E1-O-E2式中、E1及びE2は請求項1で定義したとおりであるのエーテル化合物を含む溶媒中で反応させる工程;を更に含む請求項1に記載の方法。Rが、極性部位で置換されたヒドロカルビルである請求項1に記載の方法。Rが、極性部位で置換されたアリールである請求項3に記載の方法。Rが、単一極性部位でo置換されたフェニル基である請求項4に記載の方法。前記極性部位が、ハロゲン、ハロアルコキシ、アルコキシ、アミノ、モノアルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アミノアルキル、モノアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキル、アミド、モノアルキルアミド、ジアルキルアミド、アルコキシアルコキシ、アルキルチオ、アルキルスルホニル、ジアルキルアミドスルホニル、アルキルスルホネート、リチオオキシ、アリーロキシ、スルホニル、及びアルカリ金属スルホネートよりなる群から選ばれる請求項3に記載の方法。前記極性部位がアルコキシ又はアリーロキシである請求項6に記載の方法。前記極性部位がメトキシ又はフェニロキシである請求項7に記載の方法。Lは、-NR’’2、-PR’’2又は-ZR’’式中、R’’はC1~C6アルキルを表すか、或いはLが-NR’’2又は-PR’’2の時、2つのR’’基は一緒になって任意に置換されたC4~C8アルキレン鎖を形成し、ZはO又はSを表すである請求項1に記載の方法。Halがクロロ、ブロモ又はヨードである請求項1に記載の方法。