セル領域及び前記セル領域の周りを取り囲む外郭領域を含む基板と、前記セル領域に配置されるセルと、及び前記セルに連結されて、前記外郭領域に配置される連結電極を含んで、前記セルは、前記基板上に配置される後面電極と、前記後面電極上に配置される光吸収部と、及び前記光吸収部上に配置される前面電極を含んで、前記連結電極は前記後面電極から延長される太陽光発電装置。前記連結電極及び前記後面電極は、一体で形成されることを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記連結電極及び前記後面電極はモリブデンを含むことを特徴とする請求項2に記載の太陽光発電装置。前記連結電極に接続されて、前記基板の下面に延長されるバスバーを含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記基板には貫通ホールが形成されて、前記連結電極は前記貫通ホールを向けて延長されることを特徴とする請求項4に記載の太陽光発電装置。前記バスバーは前記基板の下面及び前記貫通ホール内に配置されることを特徴とする請求項5に記載の太陽光発電装置。前記基板の下に配置されるジャンクションボックスを含んで、前記バスバーは前記ジャンクションボックス内に延長されることを特徴とする請求項4に記載の太陽光発電装置。基板と、前記基板上に配置される複数個の後面電極層と、前記後面電極層上に配置される光吸収層と、及び前記光吸収層上に配置される前面電極層を含んで、前記後面電極層は、お互いに離隔される複数個の後面電極らと、及び前記後面電極らのうちで一つと一体で形成される連結電極を含む太陽光発電装置。前記基板の下に配置されるバスバーを含んで、前記バスバーは前記連結電極に連結されることを特徴とする請求項8に記載の太陽光発電装置。前記連結電極は延長される形状を有して、前記バスバーは前記連結電極の末端に連結されることを特徴とする請求項9に記載の太陽光発電装置。前記基板は、中央部分のセル領域と、及び前記セル領域の周りを取り囲む外郭領域を含んで、前記後面電極らは前記セル領域に配置されて、前記連結電極は前記外郭領域に配置されることを特徴とする請求項8に記載の太陽光発電装置。前記後面電極らは一方向に延長される形状を有して、お互いに並んで配置されて、前記連結電極は前記後面電極のうちで一つの末端から延長されることを特徴とする請求項11に記載の太陽光発電装置。前記後面電極ら及び前記連結電極はモリブデンを含むことを特徴とする請求項12に記載の太陽光発電装置。セル領域及び前記セル領域の周りを取り囲む外郭領域を含む基板上に後面電極層を形成する段階と、前記後面電極層をパターニングして、前記セル領域に複数個の後面電極ら及び前記外郭領域に連結電極を形成する段階と、前記後面電極ら上に光吸収層を形成する段階と、及び前記光吸収層上に前面電極層を形成する段階と、を含む太陽光発電装置の製造方法。前記光吸収層を形成する段階で、前記連結電極を覆うマスクを使用して、前記光吸収層を形成することを特徴とする請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記前面電極層を形成する段階で、前記連結電極を覆うマスクを使用して、前記前面電極層を形成することを特徴とする請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記連結電極の上面に接続されて、前記基板の下面に延長されるバスバーを形成する段階を含むことを特徴とする請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。本発明の目的は、向上した電気的な特性を有して、容易に製造されることができる太陽光発電装置を提供することにある。本発明に従う太陽光発電装置は、セル領域及び前記セル領域の周りを取り囲む外郭領域を含む基板と、前記セル領域に配置されるセルと、及び前記セルに連結されて、前記外郭領域に配置される連結電極を含んで、前記セルは前記基板上に配置される後面電極と、該後面電極上に配置される光吸収部と、及び前記光吸収部上に配置される前面電極を含んで、前記連結電極は前記後面電極から延長される。本発明に従う太陽光発電装置は、基板と、該基板上に配置される複数個の後面電極層と、該後面電極層上に配置される光吸収層と、及び前記光吸収層上に配置される前面電極層を含んで、前記後面電極層はお互いに離隔される複数個の後面電極らと、及び前記後面電極らのうちで一つと一体で形成される連結電極を含む。本発明に従う太陽光発電装置の製造方法は、セル領域及び前記セル領域の周りを取り囲む外郭領域を含む基板上に後面電極層を形成する段階と、前記後面電極層をパターニングして、前記セル領域に複数個の後面電極ら及び前記外郭領域に連結電極を形成する段階と、前記後面電極ら上に光吸収層を形成する段階と、及び前記光吸収層上に前面電極層を形成する段階と、を含む。本発明に従う太陽光発電装置は、実施例による太陽光発電装置はセルらを、連結電極を通じて外部の充電装置または接する太陽電池パネルなどに連結させることができる。この時、連結電極は後面電極から延長される。特に、連結電極は後面電極と一体で形成されることができる。これによって、連結電極及び後面電極の間の接続抵抗が低くなることができる。特に、連結電極は後面電極と等しい物質で形成されることができる。例えば、連結電極はモリブデンなどのような抵抗が低い物質で形成されることができる。したがって、本発明に従う太陽光発電装置は、連結電極の電気的な特性を向上することができるし、前記太陽光発電装置の全体的な電気的な特性が向上することができる。したがって、本発明に従う太陽光発電装置は、向上した光電変換効率を有することができる。また、連結電極は後面電極らを形成する過程で形成されることができるので、追加的な工程なしも前記連結電極が形成されることができる。特に、バスバーらを前面電極らに接合させる工程が別に必要ないので、実施例による太陽光発電装置は、容易に形成されることができる。本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は、本発明の実施形態に従う太陽電池モジュールを示した平面図である。図2は、実施例による太陽電池モジュールの下面を示した図面である。図3は、図1でA-Aに沿って切断した断面を示した断面図である。図4は、図1でB-Bに沿って切断した断面を示した断面図である。図5は、図1でC-Cに沿って切断した断面を示した断面図である。図1乃至図5を参照すると、実施例による太陽光発電装置は、支持基板100、後面電極層200、光吸収層300、バッファ層400、高抵抗バッファ層500、前面電極層600、第1バスバー11、第2バスバー12及びジャンクションボックス800を含む。前記支持基板100は、プレート形状を有して、前記後面電極層200、前記光吸収層300、前記バッファ層400、前記高抵抗バッファ層500、前記前面電極層600、前記第1バスバー11、前記第2バスバー12及び前記ジャンクションボックス800を支持する。前記支持基板100は絶縁体であることができる。前記支持基板100は硝子基板、プラスチック基板または金属基板であることができる。さらに詳しくは、前記支持基板100はソーダライムガラス基板であることができる。前記支持基板100は透明であることがある。前記支持基板100はリジッドであるか、またはフレキシブルであることができる。前記支持基板100は、セル領域及び外郭領域を含む。すなわち、前記支持基板100は前記セル領域及び外郭領域で区分される。前記セル領域は、前記支持基板100の中央部分で定義される。前記セル領域は、前記支持基板100の大部分の面積を占める。実施例による太陽光発電装置は前記セル領域で太陽光を電気エネルギーに変換させる。前記外郭領域は、前記セル領域の周りを取り囲む。前記外郭領域は前記支持基板100の外郭に対応される。前記外郭領域は前記セル領域に比べて非常に小さな面積を有することができる。前記外郭領域は発電しない領域である。前記支持基板100には二つの貫通ホールらが形成されることができる。すなわち、前記支持基板100には第1貫通ホール101及び第2貫通ホール102が形成されることができる。前記貫通ホールらは前記外郭領域に形成される。前記貫通ホールらは、前記支持基板100の上面及び下面を連結させる。前記後面電極層200は、前記支持基板100上に配置される。前記後面電極層200は導電層である。前記後面電極層200で使用される物質の例としては、モリブデンなどの金属を有することができる。前記後面電極層200は前記セル領域及び前記外郭領域に形成される。また、前記後面電極層200は二つ以上の層らを含むことができる。この時、それぞれの層らは同じ金属で形成されるか、またはお互いに異なる金属で形成されることができる。前記後面電極層200には第1貫通溝らTH1が形成される。前記第1貫通溝らTH1は、前記支持基板100の上面を露出するオープン領域である。前記第1貫通溝らTH1は平面から見た時、一方向に延長される形状を有することができる。前記第1貫通溝らTH1の幅は、およそ80μm乃至200μmであることがある。前記第1貫通溝らTH1によって、前記後面電極層200は複数個の後面電極210、220、230及び二つの連結電極201、202で区分される。すなわち、前記第1貫通溝らTH1によって、前記後面電極ら210、220、230、第1連結電極201及び第2連結電極202が定義される。前記後面電極層200は前記後面電極ら210、220、230、前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202を含む。前記後面電極ら210、220、230は、前記セル領域に配置される。前記後面電極ら210、220、230は一方向に延長される形状を有することができる。前記後面電極ら210、220、230は並んで配置される。前記後面電極ら210、220、230は前記第1貫通溝らTH1によってお互いに離隔される。前記後面電極ら210、220、230はストライプ形態で配置されることができる。これとは異なるように、前記後面電極ら210、220、230はマトリックス形態で配置されることができる。この時、前記第1貫通溝らTH1は平面から見た時、格子形態で形成されることができる。前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202は、前記外郭領域に配置される。すなわち、前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202は、前記セル領域から前記外郭領域に延長される。さらに詳しくは、前記第1連結電極201は、第1セルC1の後面電極210から前記外郭領域に延長される。前記第1連結電極201は前記第1セルC1の後面電極210と一体で形成される。前記第1連結電極201は前記第1貫通ホール101に延長される。すなわち、前記第1連結電極201は前記第1セルC1の後面電極210から前記第1貫通ホール101に接するように延長される。さらに詳しくは、前記第1連結電極201は前記第1セルC1の後面電極210から延長される。また、前記第1連結電極201は前記第1貫通ホール101の内側まで延長されることができる。すなわち、前記後面電極層200が形成される過程で、前記第1貫通ホール101内側にモリブデンなどの金属が蒸着されて、前記第1連結電極201が形成されることができる。前記第2連結電極202は第2セルC2の後面電極220から前記外郭領域に延長される。すなわち、前記第2連結電極202は前記第2セルC2の後面電極220と一体で形成される。前記第2連結電極202は前記第2貫通ホール102に延長される。すなわち、前記第2連結電極202は前記第2セルC2の後面電極220から前記第2貫通ホール102に接するように延長される。さらに詳しくは、前記第2連結電極202は前記第2セルC2の後面電極220から延長される。また、前記第2連結電極202は、前記第2貫通ホール102の内側まで延長されることができる。すなわち、前記後面電極層200が形成される過程で、前記第2貫通ホール102内側にモリブデンなどの金属が蒸着されて、前記第2連結電極202が形成されることができる。前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202の幅は、前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202の抵抗などを考慮して多様に変わることができる。例えば、前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202の幅はおよそ0.5cm乃至およそ5cmであることがある。また、前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202の厚さは、前記後面電極ら210、220、230の厚さと等しいことがある。例えば、前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202の厚さは、およそ0.5μm乃至およそ2μmであることがある。前記光吸収層300は前記後面電極層200上に配置される。さらに詳しくは、前記光吸収層300は前記後面電極ら210、220、230を覆う。前記光吸収層300は前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202を覆わないで、露出させる。また、前記光吸収層300に含まれた物質は、前記第1貫通溝らTH1に満たされる。前記光吸収層300は前記セル領域に配置される。さらに詳しくは、前記光吸収層300の外郭は前記セル領域の外郭に対応されることができる。前記光吸収層300はIIIIVI族系化合物を含む。例えば、前記光吸収層300は銅インジウムガリウムセレナイド系Se2;CIGS系結晶構造、銅インジウムセレナイド系または銅ガリウムセレナイド系結晶構造を有することができる。前記光吸収層300のエネルギーバンドギャップは、およそ1eV乃至1.8eVであることがある。前記バッファ層400は前記光吸収層300上に配置される。また、前記バッファ層400は前記セル領域内に配置される。前記バッファ層400は硫化カドミウムを含んで、前記バッファ層400のエネルギーバンドギャップは、およそ2.2eV乃至2.4eVである。前記高抵抗バッファ層500は、前記バッファ層400上に配置される。また、前記高抵抗バッファ層500は前記セル領域内に配置される。前記高抵抗バッファ層500は不純物がドーピングされないジンクオキサイドを含む。前記高抵抗バッファ層500のエネルギーバンドギャップは、およそ3.1eV乃至3.3eVである。前記光吸収層300、前記バッファ層400及び前記高抵抗バッファ層500には第2貫通溝らTH2が形成される。前記第2貫通溝らTH2は前記光吸収層300を貫通する。また、前記第2貫通溝らTH2は前記後面電極層200の上面を露出するオープン領域である。前記第2貫通溝らTH2は前記第1貫通溝らTH1に接して形成される。すなわち、前記第2貫通溝らTH2の一部は平面から見た時、前記第1貫通溝らTH1の横に形成される。前記第2貫通溝らTH2の幅は、およそ80μm乃至およそ200μmであることがある。また、前記光吸収層300は前記第2貫通溝らTH2によって、複数個の光吸収部らを定義する。すなわち、前記光吸収層300は前記第2貫通溝らTH2によって、前記光吸収部らで区分される。また、前記バッファ層400は、前記第2貫通溝らTH2によって、複数個のバッファらで区分される。同じく、前記高抵抗バッファ層500は前記第2貫通溝らTH2によって、複数個の高抵抗バッファらで区分される。前記前面電極層600は、前記光吸収層300上に配置される。前記前面電極層600は前記光吸収層300を覆う。また、前記前面電極層600は前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202を覆わないで、露出させる。前記前面電極層600は前記高抵抗バッファ層500上に配置される。前記前面電極層600は前記セル領域に配置される。前記前面電極層600は透明であり、導電層である。前記前面電極層600は酸化物を含む。例えば、前記前面電極層600はジンクオキサイド、インジウムスズ酸化物またはインジウム亜鉛酸化物などを含むことができる。また、前記酸化物はアルミニウム、アルミナ、マグネシウムまたはガリウムなどの導電性不純物を含むことができる。さらに詳しくは、前記前面電極層600はアルミニウムドーピングされたジンクオキサイドまたはガリウムドーピングされたジンクオキサイドなどを含むことができる。前記前面電極層600の厚さはおよそ800nm乃至およそ1200nmであることがある。前記光吸収層300、前記バッファ層400、前記高抵抗バッファ層500及び前記前面電極層600には第3貫通溝らTH3が形成される。前記第3貫通溝らTH3は前記後面電極層200の上面を露出するオープン領域である。例えば、前記第3貫通溝らTH3の幅はおよそ80μm乃至およそ200μmであることがある。前記第3貫通溝らTH3は前記第2貫通溝らTH2に接する位置に形成される。さらに詳しくは、前記第3貫通溝らTH3は前記第2貫通溝らTH2の隣に配置される。すなわち、平面から見た時、前記第3貫通溝らTH3は前記第2貫通溝らTH2の隣に並んで配置される。前記第3貫通溝らTH3によって、前記前面電極層600は複数個の前面電極ら610、620、630で区分される。すなわち、前記前面電極ら610、620、630は、前記第3貫通溝らTH3によって定義される。前記前面電極ら610、620、630は前記後面電極ら210、220、230と対応される形状を有する。すなわち、前記前面電極ら610、620、630はストライプ形態で配置される。これとは異なるように、前記前面電極ら610、620、630はマトリックス形態で配置されることができる。前記前面電極層600は前記第2貫通溝らTH2に透明な導電物質が満たされて形成される複数個の接続部ら700を含む。また、前記第3貫通溝らTH3によって、前記第1セルC1、前記第2セルC2及び複数個の第3セルらが定義される。さらに詳しくは、前記第2貫通溝らTH2及び前記第3貫通溝らTH3によって、前記第1セルC1、前記第2セルC2及び前記第3セルらが定義される。すなわち、実施例による太陽光発電装置は、前記支持基板100上に配置される前記第1セルC1、前記第2セルC2及び前記第3セルらを含む。前記第3セルらは前記第1セルC1及び前記第2セルC2の間に配置される。前記第1セルC1、前記第2セルC2及び前記第3セルらはお互いに直列で連結される。すなわち、前記第1セルC1及び前記第2セルC2は最外郭セルである。また、前記第1セルC1は前記支持基板100上に順に積層される後面電極210、光吸収部310、バッファ層400、高抵抗バッファ層500及び前面電極610を含む。同じく、前記第2セルC2は、前記支持基板100上に順に積層される後面電極220、光吸収部、バッファ層400、高抵抗バッファ層500及び前面電極620を含む。前記接続部ら700は前記第2貫通溝らTH2内側に配置される。前記接続部ら700は前記前面電極層600から下方に延長されて、前記後面電極層200に接続される。したがって、前記接続部ら700はお互いに接するセルらを連結する。さらに詳しくは、前記接続部ら700はお互いに接するセルらにそれぞれ含まれた前面電極と後面電極を連結する。前記光吸収層300、前記バッファ層400、前記高抵抗バッファ層500及び前記前面電極層600の外郭は実質的に一致することができる。すなわち、前記光吸収層300、前記バッファ層400、前記高抵抗バッファ層500及び前記前面電極層600の外郭はお互いに対応されることができる。この時、前記光吸収層300、前記バッファ層400、前記高抵抗バッファ層500及び前記前面電極層600の外郭は前記セル領域及び前記外郭領域の境界と一致することができる。図3に示されたところのように、前記第1連結電極201は前記第1セルC1の後面電極210に連結される。前記第1セルC1は太陽光の入射を受けて電気エネルギーに変換させて、前記第3セルらに連結される。すなわち、前記第1連結電極201は前記第1セルC1を通じて、前記第3セルらに連結される。図4に示されたところのように、前記第2セルC2は太陽光を電気エネルギーに変換させないドミセルである。前記第2連結電極202は前記第2セルC2の後面電極220及び接続部ら700を通じて、前記第3セルらに連結される。さらに詳しくは、前記第2連結電極202は前記第2セルC2の後面電極220及び前記接続部ら700を通じて、前記第3セルらのうち前記第2セルC2に隣接したセルの前面電極630と連結される。前記第1バスバー11は前記外郭領域に配置される。前記第1バスバー11は、第1貫通ホール101内側及び前記支持基板100の下面に配置される。前記第1バスバー11は前記第1連結電極201に直接的な接触によって接続される。前記第1バスバー11は前記ジャンクションボックス800に延長されることができる。前記第1バスバー11は前記第1連結電極201を通じて前記第1セルC1に接続される。前記第2バスバー12は前記外郭領域に配置される。前記第2バスバー12は前記第2貫通ホール102内側及び前記支持基板100の下面に配置される。前記第2バスバー12は前記第2連結電極202に直接的な接触によって接続される。前記第2バスバー12は前記ジャンクションボックス800に延長されることができる。前記第2バスバー12は前記第2連結電極202、前記第2セルC2の後面電極220を通じて、前記第3セルらに接続される。前記第1バスバー11及び前記第2バスバー12は導電体である。前記第1バスバー11及び前記第2バスバー12は銀などの高い導電性を有する金属を含むことができる。前記ジャンクションボックス800は、前記支持基板100の下面に付着する。前記ジャンクションボックス800は実施例による太陽電池パネルを駆動するための回路を含むことができる。前記ジャンクションボックス800は前記第1バスバー11及び前記第2バスバー12に両端子が連結されるダイオードを収容することができる。前記ジャンクションボックス800から前記第1バスバー11及び前記第2バスバー12にそれぞれ連結される配線ら801が延長されることができる。前記配線ら801は接する太陽電池パネルまたは充電装置などに連結されることができる。実施例による太陽電池パネルは、セルらを前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202を通じて外部の充電装置または接する太陽電池パネルなどに連結させることができる。この時、前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202は、前記第1セルC1及び前記第2セルC2の後面電極210、220と一体で形成されることができる。これによって、前記第1連結電極201及び前記第1セルC1の後面電極210の間の接続抵抗及び前記第2連結電極202及び前記第2セルC2の後面電極220の間の接続抵抗が低くなることができる。特に、前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202はモリブデンなどのような抵抗が低い物質で形成されることができる。したがって、実施例による太陽電池パネルは、前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202の電気的な特性を向上することができる。すなわち、実施例による太陽電池パネルの全体的な電気的な特性が向上することができる。したがって、実施例による太陽電池パネルは向上した光電変換効率を有することができる。図6乃至図14は、実施例による太陽電池パネルの製造方法を示した断面図らである。本製造方法に関する説明は前で説明した太陽電池パネルに対する説明を参考する。すなわち、前で説明した太陽電池パネルに対する説明は本製造方法に対する説明に本質的に結合されることができる。図6を参照すると、支持基板100上に後面電極層200が形成される。前記後面電極層200はモリブデンなどの金属が前記支持基板100上にスパッタリング工程などによって蒸着されて形成されることができる。前記後面電極層200の厚さは、およそ0.5μm乃至およそ2μmであることがある。前記後面電極層200は二つ以上の層らで形成されることができるし、前記後面電極層200及び前記支持基板100の間には拡散防止膜などが介されることができる。図7及び図8を参照すると、前記後面電極層200はパターニングされて、第1貫通溝らTH1が形成される。また、前記後面電極層200のうちエッジ領域に対応する部分もパターニングされる。これによって、前記支持基板100上に複数個の後面電極ら210、220、230、第1連結電極201及び第2連結電極202が形成される。前記後面電極層200はレーザーによってパターニングされることができる。前記第1貫通溝らTH1は前記支持基板100の上面を露出して、およそ80μm乃至およそ200μmの幅を有することができる。図9及び図10を参照すると、前記支持基板100上にマスク20が形成される。前記マスク20は前記外郭領域を覆う。さらに詳しくは、前記マスク20は前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202を覆う。前記マスク20は前記支持基板100のセル領域の周りを取り囲む。前記マスク20は平面から見た時、閉ループ形状または輪形状を有することができる。前記マスク20は中央部分に形成された透過領域を含む。図面では前記マスク20は、前記支持基板100に密着されたものとして示されているが、これに限定されないで、前記マスク20は前記支持基板100から所定の間隔で離隔されることができる。図11を参照すると、前記後面電極層200上に光吸収層300、バッファ層400及び高抵抗バッファ層500が形成される。前記光吸収層300、前記バッファ層400及び前記高抵抗バッファ層500は、前記マスク20を使用する蒸着工程によって形成される。これによって、前記光吸収層300、前記バッファ層400及び前記高抵抗バッファ層500は、前記セル領域に形成される。前記光吸収層300は前記支持基板100に前記マスク20が装着された状態で、スパッタリング工程または蒸発法などによって形成されることができる。例えば、前記光吸収層300を形成するために銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら銅インジウムガリウムセレナイド系Se2と、CIGS系の光吸収層300を形成する方法と金属前駆体膜を形成させた後セレン化工程によって形成させる方法が幅広く使用されている。金属前駆体膜を形成させた後セレン化することを細分化すると、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程によって、前記後面電極200上に金属前駆体膜が形成される。以後、前記金属前駆体膜はセレン化工程によって、銅インジウムガリウムセレナイド系Se2;CIGS系の光吸収層300が形成される。これとは異なるように、前記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び前記セレン化工程は同時に進行されることができる。これとは異なるように、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用するか、または銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレン化工程によって、CIS系またはCIG系光吸収層300が形成されることができる。以後、前記マスク20が装着された状態で、硫化カドミウムがスパッタリング工程または溶液成長法などによって蒸着されて、前記バッファ層400が形成される。以後、前記マスク20が装着された状態で、前記バッファ層400上にジンクオキサイドがスパッタリング工程などによって蒸着されて、前記高抵抗バッファ層500が形成される。前記バッファ層400及び前記高抵抗バッファ層500は低い厚さで蒸着される。例えば、前記バッファ層400及び前記高抵抗バッファ層500の厚さはおよそ1nm乃至およそ80nmである。図12を参照すると、前記光吸収層300、前記バッファ層400及び前記高抵抗バッファ層500の一部が除去されて第2貫通溝らTH2が形成される。前記第2貫通溝らTH2はチップなどの機械的な装置またはレーザー装置などによって形成されることができる。例えば、およそ40μm乃至およそ180μmの幅を有するチップによって、前記光吸収層300及び前記バッファ層400はパターニングされることができる。また、前記第2貫通溝らTH2はおよそ200乃至600nmの波長を有するレーザーによって形成されることができる。この時、前記第2貫通溝らTH2の幅は、およそ100μm乃至およそ200μmであることがある。また、前記第2貫通溝らTH2は前記後面電極層200の上面の一部を露出するように形成される。図13を参照すると、前記マスク20が装着された状態で、前記光吸収層300上及び前記第2貫通溝らTH2内側に前面電極層600が形成される。すなわち、前記前面電極層600は前記高抵抗バッファ層500上及び前記第2貫通溝らTH2内側に透明な導電物質が蒸着されて形成される。この時、前記第2貫通溝らTH2内側に前記透明な導電物質が満たされて、前記前面電極層600は前記後面電極層200に直接接触するようになる。図14を参照すると、前記マスク20が除去されて、前記光吸収層300、前記バッファ層400、前記高抵抗バッファ層500及び前記前面電極層600の一部が除去されて第3貫通溝らTH3が形成される。これによって、前記前面電極層600はパターニングされて、複数個の前面電極ら610、620、630及び第1セルC1、第2セルC2及び第3セルらが定義される。前記第3貫通溝らTH3の幅は、およそ80μm乃至およそ200μmであることがある。以後、前記第1連結電極201と連結される第1バスバー11及び前記第2連結電極202に連結される第2バスバー12が形成される。前記第1バスバー11及び前記第2バスバー12を形成するために、導電ペーストがプリンティングされた後、プリンティングされたペーストが焼結されることができる。以後、前記支持基板100の下面にジャンクションボックス800を付着することができる。以上のように、向上した電気的な特性及び光電変換効率を有する太陽電池パネルが製造されることができる。また、前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202は、前記後面電極ら210、220、230が形成される過程で同時に形成されるので、追加的な工程なしも前記第1連結電極201及び前記第2連結電極202が形成されることができる。したがって、実施例による太陽電池パネルは容易に形成されることができる。本実施例で説明した太陽電池パネルは、太陽光発電装置に該当する。よって、本実施例での説明は、多様な太陽光発電装置に応用されることができる。すなわち、実施例による太陽電池パネルは、多様な太陽光発電装置に変形されて適用されることができる。また、以上で実施例らに説明された特徴、構造、効果などは本発明の少なくとも一つの実施例に含まれて、必ず一つの実施例のみに限定されるものではない。延いては、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは実施例らが属する分野の通常の知識を有する者によって他の実施例らに対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に係る内容らは、本発明の範囲に含まれるものとして解釈されなければならないであろう。以上で実施例を中心に説明したが、これは単に例示であるだけで、本発明を限定するものではなくて、本発明が属する分野の通常の知識を有した者なら本実施例の本質的な特性を脱しない範囲で以上に例示されないさまざまの変形と応用が可能であることが分かることができるであろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る差異らは添付された請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものとして解釈されなければならないであろう。