伝導性支持部材と、前記伝導性支持部材の上に第2導電型半導体層と、活性層と、第1導電型半導体層とを含む発光構造物と、前記発光構造物の上に保護素子と、を含むことを特徴とする、発光素子。前記保護素子は、第1導電型ドーパントを含む胴体と、前記胴体の上部領域に形成されて第2導電型ドーパントを含むドーピング部と、前記ドーピング部の上に第2電極と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1導電型半導体層はn型半導体層を含み、前記第2導電型半導体層はp型半導体層を含み、前記第1導電型ドーパントはp型ドーパントであり、前記第2導電型ドーパントはn型ドーパントであることを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。前記第1導電型半導体層の上に第1電極と、前記胴体の上に第3電極と、を含むことを特徴とする、請求項3に記載の発光素子。前記第1導電型半導体層はn型半導体層を含み、前記第2導電型半導体層はp型半導体層を含み、前記第1導電型ドーパントはn型ドーパントであり、前記第2導電型ドーパントはp型ドーパントであることを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。前記第1導電型半導体層の上に第1電極を含むことを特徴とする、請求項5に記載の発光素子。前記胴体の上に第3電極をさらに含むことを特徴とする、請求項5に記載の発光素子。前記伝導性支持部材と前記第2導電型半導体層との間に反射層及びオーミック接触層のうち、少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記伝導性支持部材の上面の周り領域に保護部材を含み、前記第2導電型半導体層は前記伝導性支持部材及び前記保護部材の上に形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記保護素子は、前記第1半導体層の上面の周り領域に形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記保護素子は、シリコン材質を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記保護素子は、降伏電圧BreakdownVoltageが3V乃至100Vであるツェナダイオードであることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。シリコン基板の上に第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を順次に積層して発光構造物を形成するステップと、前記発光構造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、前記シリコン基板を選択的に除去して保護素子の胴体を形成するステップと、前記保護素子の胴体に第1導電型ドーパントを注入するステップと、前記胴体の下部領域に第2導電型ドーパントを注入してドーピング部を形成するステップと、前記胴体及び前記ドーピング部のうち、少なくとも1つに電極を形成するステップと、を含むことを特徴とする、発光素子製造方法。前記発光構造物は、前記シリコン基板の上に有機金属化学蒸着法MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDeposition、化学蒸着法CVD:ChemicalVaporDeposition、プラズマ化学蒸着法PECVD:PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition、分子線成長法MBE:MolecularBeamEpitaxy、または水素化物気相成長法HVPE:HydrideVaporPhaseEpitaxyのうち、少なくとも1つの方法により形成されることを特徴とする、請求項13に記載の発光素子製造方法。前記発光構造物を形成する以前に、前記シリコン基板の上にバッファ層を形成し、前記バッファ層の上に前記発光構造物を形成するステップを含むことを特徴とする、請求項13に記載の発光素子製造方法。本発明の目的は、新たな構造を有する発光素子、発光素子製造方法、及び発光素子パッケージを提供することにある。本発明の他の目的は、耐電圧特性が向上した発光素子及びその製造方法を提供することにある。本発明に従う発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に第2導電型半導体層と、上記第2導電型半導体層の上に活性層と、上記活性層の上に第1導電型半導体層と、上記第1導電型半導体層の上に保護素子と、を含む。本発明に従う発光素子製造方法は、シリコン基板の上に第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を順次に積層して発光構造物を形成するステップと、上記発光構造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、上記シリコン基板を選択的に除去して保護素子の胴体を形成するステップと、上記保護素子の胴体に第1導電型ドーパントを注入するステップと、上記胴体の下部領域に第2導電型ドーパントを注入してドーピング部を形成するステップと、上記胴体及び上記ドーピング部のうちの少なくとも1つに電極を形成するステップと、を含む。本発明によれば、新たな構造を有する発光素子、発光素子製造方法、及び発光素子パッケージが得られる。また、本発明によれば、耐電圧特性が向上した発光素子及びその製造方法が得られる。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態に従う発光素子、発光素子製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムについて説明する。図1は本発明の第1実施形態に従う発光素子100の断面図であり、図2は上記発光素子100の上面図である。図1及び図2を参照すると、上記発光素子100は、伝導性支持部材160、上記伝導性支持部材160の上に接着層158、上記伝導性支持部材160または上記接着層158の上面の周り領域に保護部材155、上記接着層158の上に反射層157、上記反射層157の上にオーミック接触層156、上記オーミック接触層156及び上記保護部材155の上に発光構造物145、上記発光構造物145の上に第1電極170、及び保護素子115を含むことができる。上記発光構造物145は、少なくとも第1導電型半導体層130、上記第1導電型半導体層130の下に活性層140、及び上記活性層140の下に第2導電型半導体層150を含み、これらは光を生成する構造物をなす。上記伝導性支持部材160は上記発光構造物145を支持し、上記第1電極170と共に上記発光素子100に電源を提供する。上記伝導性支持部材160は、チタンTi、クロムCr、ニッケルNi、アルミニウムAl、白金Pt、金Au、タングステンW、銅Cu、モリブデンMo、またはドーパントが注入された半導体基板のうち、少なくともいずれか1つを含んで形成できる。上記伝導性支持部材160の上には上記接着層158が形成できる。上記接着層158はボンディング層であって、上記伝導性支持部材160と上記発光構造物145との間の界面接合力を向上させるための層である。上記接着層158は、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むように形成できる。また、上記接着層158は、多数の相異する材質の層からなる多層構造を有することができる。一方、上記伝導性支持部材160をメッキまたは蒸着方式などにより形成するか、上記伝導性支持部材160が充分な接着力を有する材質で形成される場合、上記接着層158は形成されないこともある。上記伝導性支持部材160または上記接着層158の上面の周り領域には、上記保護部材155が形成できる。上記保護部材155は、上記発光構造物145と上記伝導性支持部材160とが互いに電気的にショートShortすることを防止することができる。上記保護部材155は、電気絶縁性を有する材質、例えば、SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、ITO、AZO、ZnOのうち、少なくとも1つが選択されて形成できる。上記接着層158の上には上記反射層157が形成できる。上記反射層157は、上記発光構造物145から入射された光を反射させて上記発光素子100の発光効率を向上させることができる。上記反射層157は、反射効率の高い材質、例えば、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち、少なくとも1つを含む金属または合金で形成できる。また、上記反射層157は、上記金属または合金とIZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO等の透光性伝導性物質を用いて多層で形成することができ、例えば、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Ni等で積層できる。上記反射層157は光効率を増加させるためのものであって、必ず形成されなければならないのではない。上記反射層157の上には上記オーミック接触層156が形成できる。上記オーミック接触層156は、上記反射層157と上記発光構造物145との間に電流が流れることができるようにオーミック接触を形成するために形成できる。但し、上記反射層157が上記発光構造物145とオーミック接触をなす場合、上記オーミック接触層156は別途に形成されないこともあり、これに対して限定するのではない。上記オーミック接触層156は、例えば、ITO、Ni、Pt、Ir、Rh、Agのうち、少なくとも1つを含むように形成できるが、これに対して限定するのではない。即ち、上記オーミック接触層156は透光性伝導層と金属を選択的に使用することができ、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITOのうち、1つ以上を用いて単層または多層で具現できる。上記オーミック接触層156及び上記保護部材155の上には上記発光構造物145が形成できる。上記発光構造物145は多数の半導体層を含んで光を生成することができる。例えば、上記発光構造物145は、少なくとも第1導電型半導体層130、上記第1導電型半導体層130の下に活性層140、及び上記活性層140の下に第2導電型半導体層150を含むことができる。上記第2導電型半導体層150は、例えばp型半導体層で具現できるが、上記p型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InNなどから選択されることができ、Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等のp型ドーパントがドーピングできる。上記第2導電型半導体層150の上には上記活性層140が形成できる。上記活性層140は、上記第1導電型半導体層130を通じて注入される電子または、正孔と上記第2導電型半導体層150を通じて注入される正孔または、電子とが互いに出会い、上記活性層140の形成物質に従うエネルギーバンドEnergyBandのバンドギャップBandGapの差によって光を放出する層である。上記活性層140は、量子線Quantumwire構造、量子点Quantumdot構造、単一量子井戸構造、または多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWellのうち、少なくとも1つを含むことができるが、これに限定されるのではない。上記活性層140は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料で形成できる。上記活性層140が上記多重量子井戸構造で形成された場合、上記活性層140は複数の井戸層と複数の障壁層が積層されて形成されることができ、例えば、InGaN井戸層/GaN障壁層の周期で形成できる。上記活性層140の上及び/または下にはn型またはp型ドーパントがドーピングされたクラッド層図示せずが形成されることもでき、上記クラッド層図示せずはAlGaN層またはInAlGaN層で具現できる。上記活性層140の上には上記第1導電型半導体層130が形成できる。また、上記第1導電型半導体層130の上面にはパターンまたはラフネス凹凸部131が形成されて、上記発光素子100の光抽出効率を向上させることができる。上記第1導電型半導体層130の上にアンドープドUndoped半導体層などをさらに含むこともできるが、これに対して限定するのではない。上記第1導電型半導体層は、例えばn型半導体層を含むことができるが、上記n型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InNなどから選択されることができ、Si、Ge、Sn等のn型ドーパントがドーピングできる。一方、前述したものとは異なり、上記第1導電型半導体層130がp型半導体層を含み、上記第2導電型半導体層150がn型半導体層を含むこともできる。また、上記第1導電型半導体層130の上にはn型またはp型半導体層を含む第3導電型半導体層図示せずが形成されることもでき、これによって、上記発光素子100は、np、pn、npn、pnp接合構造のうち、少なくともいずれか1つを有することができる。また、上記第1導電型半導体層及び上記第2導電型半導体層の内の導電型ドーパントのドーピング濃度は、均一または不均一に形成できる。即ち、上記発光構造物145の構造は多様に形成されることができ、これに対して限定するのではない。上記オーミック接触層156と上記第2導電型半導体層150との間には電流遮断層CurrentBlockingLayer:CBL図示せずが形成できる。上記電流遮断層図示せずの上面は上記第2導電型半導体層150と接触し、上記電流遮断層図示せずの下面及び側面は上記オーミック接触層156と接触する。上記電流遮断層図示せずは、上記第1電極170と少なくとも一部がオーバーラップされるように形成されることができ、これによって上記第1電極170と上記伝導性支持部材160との間の最短距離に電流が集中される現象を緩和して、上記発光素子100の発光効率を向上させることができる。上記電流遮断層図示せずは、上記反射層157または上記オーミック接触層156より電気伝導性の低い物質、上記第2導電型半導体層150とショットキー接触を形成する物質、または電気絶縁性物質を用いて形成できる。例えば、上記電流遮断層図示せずは、ZnO、SiO2、SiON、Si3N4、Al2O3、TiO2、Ti、Al、Crのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記第1導電型半導体層130の上には上記第1電極170及び上記保護素子115が形成できる。上記第1電極170は、上記伝導性支持部材160と共に上記発光素子100に電源を提供することができる。上記第1電極170は、例えば、アルミニウムAl、チタニウムTi、クロムCr、ニッケルNi、銅Cu、金Auのうち、少なくとも1つを含んで形成されることができ、相異する材質で形成された多数の層を含む多層構造で形成できる。上記保護素子115は、上記第1導電型半導体層130の上に形成されることができ、好ましくは、上記発光構造物145から放出される光の吸収を最小化するために、上記第1導電型半導体層130の周り領域に形成できる。上記保護素子115は、過剰電圧、過剰電流、及び逆電流などによるサージSurge現象、または静電気放電ESD:ElectroStaticDischarge現象から上記発光構造物145を保護することができる。即ち、過剰電圧、過剰電流、及び逆電流などが発生する場合、上記発光構造物145の代わりに上記保護素子115に電流が流れるようになって、上記発光構造物145が損傷することを防止することによって、上記発光素子100の耐電圧特性を向上させることができる。上記保護素子115は、上記発光構造物145の第1導電型半導体層130の上面に形成できる。例えば、上記保護素子115は半導体製造工程を導入して、シリコンにドーピングを行って微細なサイズに形成できるので、上記発光素子100の発光効率を阻害せずに本来の目的を達成することができる。上記保護素子115は、シリコン材質で形成されてp型ドーパントでドーピングされた導電体110a、上記導電体110aの上部にn型ドーパントが注入されたドーピング部112、上記導電体110aの上に第3電極114、及び上記ドーピング部112の上に第2電極116を含むことができる。上記導電体110aはシリコンSi材質で形成されることができ、後述するシリコン基板をエッチングなどにより選択的に除去することによって製造できる。即ち、上記発光構造物145を成長するに当たって、使われる上記シリコン基板を選択的に除去して上記保護素子115の導電体110aで形成することによって、製造工程を簡単で、かつ効率的に実施することができる。また、上記導電体110aにはp型ドーパントが注入されて、上記導電体110aはp型半導体をなすことができる。上記p型ドーパントは、例えば、Mg、Be、Bのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記導電体110aの上部には上記ドーピング部112が形成できる。上記ドーピング部112は、上記導電体110aの上部領域にn型ドーパントを注入することによって形成できる。上記n型ドーパントは、例えば、N、P、As、Sbのうち、少なくとも1つを含むことができる。一方、上記第1導電型半導体層130がp型半導体層であり、上記第2導電型半導体層がn型半導体層である場合、上記導電体110aにn型ドーパントが注入され、上記ドーピング部112にp型ドーパントが注入されることもできる。上記導電体110aの上には上記第3電極114が形成され、上記ドーピング部112には上記第2電極116が形成できる。上記第2及び第3電極116、114にはワイヤが連結されて外部の電極と電気的に連結できる。この際、上記第1電極170と上記第3電極114とは互いに同一な外部電極に電気的に連結され、上記伝導性支持部材160と上記第2電極116とも互いに同一な外部電極に電気的に連結できる。図3は、本発明の上記保護素子115の動作原理を示す回路図である。図3を参照すると、上記保護素子115及び上記発光構造物145は、図示したように、互いに並列で連結されることができ、互いに反対方向に順方向電流を流すダイオードdiodeで示すことができる。特に、上記保護素子115は、少なくとも上記発光構造物145の動作電圧より大きい降伏電圧BreakdownVoltageを有するツェナダイオードZenerDiodeとして機能するように設計できる。上記発光素子100に第1電流I1が流れる場合、上記第1電流I1は上記発光構造物145に対しては逆方向電流であり、上記保護素子115に対しては順方向電流であるので、上記保護素子115のみに電流が流れるようになる。反対に、上記発光素子100に第2電流I2が流れる場合、上記第2電流I2は上記発光構造物145に対しては順方向電流であり、上記保護素子115に対しては逆方向電流であるので、上記発光構造物145に電流が流れるようになって、上記発光素子100が光を放出するようになる。一方、上記第2電流I2が上記保護素子115の降伏電圧BreakdownVoltageより大きい過剰電圧により流れる過剰電流である場合、トンネリング現象TunnelingEffectなどにより上記保護素子115が通電されて電流が急激に流れるようになる。したがって、上記発光構造物145の代わりに上記保護素子115に過剰電流が流れるようになって、上記発光構造物145の損傷が防止できる。この際、上記保護素子115の降伏電圧BreakdownVoltageは上記発光構造物145の動作電圧より大きいことがあり、例えば、3V乃至100Vでありえるが、これに対して限定するのではない。上記保護素子115の降伏電圧BreakdownVoltageは、上記保護素子115の導電体110a及びドーピング部112のサイズ及びドーピング濃度などを調節して決定できる。前述したように、上記発光構造物145の上面に簡単で、かつ効率的な製造工程により上記保護素子115を形成することによって、上記発光素子100の過剰電流、逆方向電流などから保護して信頼性を向上させることができる。以下、第1実施形態に従う発光素子100の製造方法について詳細に説明する。図4乃至図11は、本発明の第1実施形態に従う発光素子100の製造方法を説明する図である。図4を参照すると、シリコンSi基板110の上に上記発光構造物145を形成する。上記発光構造物145は、例えば、上記第1導電型半導体層130、活性層140、及び第2導電型半導体層150を順次に積層することによって形成できる。上記シリコンSi基板110は、シリコンSilicone材質を含んで形成できる。上記シリコンSi基板110は、サファイア基板などに比べて価格が安いだけでなく、加工が容易な長所などがある。上記発光構造物145は、上記シリコンSi基板110の上に有機金属化学蒸着法MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDeposition、化学蒸着法CVD:ChemicalVaporDeposition、プラズマ化学蒸着法PECVD:PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition、分子線成長法MBE:MolecularBeamEpitaxy、水素化物気相成長法HVPE:HydrideVaporPhaseEpitaxy等の方法を用いて形成されることができ、これに対して限定するのではない。一方、上記第1導電型半導体層130と上記シリコンSi基板110との間の格子定数差及び熱膨張率差を緩和するために、2つの層の間にはバッファ層図示せずが形成できる。上記バッファ層図示せずは、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料で形成されることができ、単層または多層構造で形成できる。図5を参照すると、上記発光構造物145の周り領域に上記保護部材155を形成することができる。上記保護部材155は電気絶縁性を有する材質、例えば、SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、ITO、AZO、ZnOのうち、少なくとも1つが選択されて形成されることができ、スパッタリングSputtering、PECVD等の蒸着方式により形成できるが、これに対して限定するのではない。図6を参照すると、上記発光構造物145の上に上記オーミック接触層156が形成され、上記オーミック接触層156の上に上記反射層157が形成できる。上記オーミック接触層156及び上記反射層157は、スパッタリングSputtering、PECVD、電子ビームEBeam蒸着等の蒸着方式により形成できる。上記オーミック接触層156は、例えば、ITO、Ni、Pt、Ir、Rh、Agのうち、少なくとも1つを含むように形成できる。また、上記反射層157は、例えば、銀Ag、アルミニウムAl、白金Pt、パラジウムPd、または銅Cuのうち、少なくとも1つを含む金属または合金で形成できる。図7を参照すると、上記反射層157及び上記保護部材155の上には上記接着層158が形成され、上記接着層158の上に上記伝導性支持部材160が形成できる。上記接着層158は、上記伝導性支持部材160と上記発光構造物145との間の界面接合力を向上させるために形成されることができ、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むように形成できる。上記伝導性支持部材160は別途のシートsheet形態で用意されて、上記接着層158の上にボンディングbondingできる。または、上記伝導性支持部材160は、メッキ方式または蒸着方式により形成されることもでき、この場合、上記接着層158は形成されないこともある。上記伝導性支持部材160は、チタンTi、クロムCr、ニッケルNi、アルミニウムAl、白金Pt、金Au、タングステンW、銅Cu、モリブデンMo、またはドーパントが注入された半導体基板のうち、少なくともいずれか1つを含むように形成できる。図8を参照すると、上記シリコンSi基板110を選択的に除去して上記保護素子の導電体110aを形成することができる。上記導電体110aは、好ましくは上記発光構造物145の下面の周り領域に形成できるが、これに対して限定するのではない。上記シリコンSi基板110は、例えば、エッチングEtching工程などにより選択的に除去されて上記導電体110aが提供できる。上記導電体110aは、図示したように、多角柱形態で形成できるが、その形態や製造方法に対して限定するのではない。以後、上記導電体110aにp型ドーパントを注入して、上記導電体110aをp型半導体で形成できる。上記シリコンSi基板110は、上記エッチング工程により容易に除去できるので、レーザリフトオフ工程LLO:LaserLiftOffのように発光素子の歩留まりを減少させることができる工程が省略できるので、上記発光素子100の製造工程の信頼性が向上することができる。一方、発光構造物を上記シリコンSi基板をベース基板として形成せず、例えば、サファイア基板などをベース基板として形成し、上記サファイア基板をLLOにより除去した後、上記発光構造物145に蒸着方法などにより上記導電体110aを形成することもでき、これに対して限定するのではない。図9を参照すると、上記導電体110aの下部領域にn型ドーパントを注入することによって、上記ドーピング部112を形成することができる。上記ドーピング部112は、上記導電体110aの下部領域の一部分に形成できる。上記ドーピング部112を希望する領域に形成するために、上記導電体110aにマスクパターンを形成した後、上記マスクパターンに沿って上記n型ドーパントをイオン注入法IonImplantation、熱拡散法ThermalDiffusionなどにより注入できる。但し、これに対して限定するのではない。図10を参照すると、上記発光構造物145にアイソレーションIsolationエッチングを実施し、上記発光構造物145の下面、即ち、上記第1導電型半導体層130の下面に光抽出効率を増加させるために、上記パターンまたはラフネス131を形成することができる。上記アイソレーションエッチングにより複数個の発光素子チップが個別チップ単位に区分できる。上記パターンまたはラフネス131は、上記発光構造物145から放出される光の抽出効率を向上させることができる。上記発光構造物145の少なくとも側面にはパッシベーション層図示せずが形成できる。上記パッシベーション層図示せずは、上記発光構造物145を電気的に保護するために形成されることができ、例えば、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3で形成できるが、これに対して限定するのではない。図11を参照すると、上記発光構造物145の下面には上記第1電極170を形成し、上記導電体110aの下面には上記第3電極114を形成し、上記ドーピング部112の下面には上記第2電極116を形成することによって、上記保護素子115を含む第1実施形態に従う発光素子100が提供できる。この際、上記第1電極170と上記第3電極114とは互いに同一な外部電極に電気的に連結され、上記伝導性支持部材160と上記第2電極116とも互いに同一な外部電極に電気的に連結できる。以下、第2実施形態に従う発光素子100B及びその製造方法について詳細に説明する。図12は、本発明の第2実施形態に従う発光素子100Bの断面図である。第2実施形態に従う発光素子100Bは、第1実施形態に従う発光素子100に比べて保護素子の電極及び動作原理を除いては同一である。図12を参照すると、第2実施形態に従う発光素子100Bは、伝導性支持部材160、上記伝導性支持部材160の上に接着層158、上記伝導性支持部材160または上記接着層158の上面の周り領域に保護部材155、上記接着層158の上に反射層157、上記反射層157の上にオーミック接触層156、上記オーミック接触層156及び上記保護部材155の上に発光構造物145、及び上記発光構造物145の上に第1電極170及び保護素子115bを含むことができる。上記発光構造物145は、少なくとも第1導電型半導体層130、上記第1導電型半導体層130の下に活性層140、及び上記活性層140の下に第2導電型半導体層150を含み、これらは光を生成する構造物をなす。一方、以下では、上記第1導電型半導体層130はn型半導体層を含み、上記第2導電型半導体層150はp型半導体層である場合を中心として説明する。但し、これに対して限定するのではない。上記保護素子115bは、シリコン材質で形成されてn型ドーパントでドーピングされた導電体110a、上記導電体110aの上部にp型ドーパントが注入されたドーピング部112、及び上記ドーピング部112の上に第2電極116を含むことができる。上記第2電極116は、上記伝導性支持部材160のような外部電源に連結できる。上記発光構造物145に適切な順方向電流が印加される場合、上記保護素子115bには電流が流れないので動作しなくなる。上記発光構造物145に逆方向電流が印加される場合、上記発光構造物145を通じて電流が流れる代わり、上記保護素子115bと上記第1導電型半導体層130を通じて電流が流れるので、上記発光構造物145の活性層140の損傷を防止することができる。また、上記発光構造物145に上記保護素子115bの降伏電圧BreakdownVoltage以上の過多な順方向電流が印加される場合、上記保護素子115bが通電されて上記発光構造物145の代わりに上記保護素子115bと上記第1導電型半導体層130を通じて電流が流れるようになって、上記発光構造物145の活性層140の損傷を防止することができる。以下、第3実施形態に従う発光素子100C及びその製造方法について詳細に説明する。図13は、本発明の第3実施形態に従う発光素子100Cの断面図である。第3実施形態に従う発光素子100Cは、第1実施形態に従う発光素子100に比べて第1電極が形成されないという点と、保護素子のドーピング及び動作原理を除いては同一である。図13を参照すると、第3実施形態に従う発光素子100Cは、伝導性支持部材160、上記伝導性支持部材160の上に接着層158、上記伝導性支持部材160または上記接着層158の上面の周り領域に保護部材155、上記接着層158の上に反射層157、上記反射層157の上にオーミック接触層156、上記オーミック接触層156及び上記保護部材155の上に発光構造物145、上記発光構造物145の上に保護素子115c、及び上記保護素子115cの上に形成された第2電極116及び第3電極114を含むことができる。上記発光構造物145は、少なくとも第1導電型半導体層130、上記第1導電型半導体層130の下に活性層140、及び上記活性層140の下に第2導電型半導体層150を含み、これらは光を生成する構造物をなす。一方、以下では上記第1導電型半導体層130はn型半導体層を含み、上記第2導電型半導体層150はp型半導体層である場合を中心として説明する。但し、これに対して限定するのではない。上記保護素子115cは、シリコン材質で形成されてn型ドーパントでドーピングされた導電体110a、上記導電体110aの上部にp型ドーパントが注入されたドーピング部112、及び上記ドーピング部112の上に第2電極116及び上記導電体110aの上に第3電極114を含むことができる。平素に、即ち上記発光素子100Cに適切な順方向電流が印加される場合に、上記第3電極114は上記伝導性支持部材160と共に上記発光構造物145に電源を提供する。上記保護素子115cの導電体110aと上記第1導電型半導体層130とが同一な極性n型を有するためである。上記発光素子100に逆方向電流が印加される場合、上記保護素子115cの整流作用により上記逆方向電流が流れることが防止されるか、多過ぎる逆方向電流が印加される場合には、上記保護素子115cが通電されて上記保護素子115cを通じて上記逆方向電流が流れることができる。これによって、上記発光素子100の発光構造物145が保護できる。図14は、本発明の第4実施形態に従う発光素子100Dの断面図である。第4実施形態に従う発光素子100Dは、発光構造物145の側面にパッシベーション層180が形成されて外部から上記発光構造物145を保護することができる。上記保護素子115dが形成される領域の保護部材155は、上記接着層158の一部が露出されるように形成される。即ち、上記保護素子115dが形成される領域側の保護部材155は、上記保護素子115dが形成されない領域側の保護部材155より狭い幅で形成されて上記接着層158の一部が露出できる。そして、上記露出された接着層158に上記第2電極116が連結できる。そして、上記保護素子115dと接する上記パッシベーション層180の表面に第2電極116が形成されて上記接着層158と電気的に連結される。即ち、上記第2電極116は一端が上記ドーピング部112と接し、上記パッシベーション層180の表面に形成されて他端が上記接着層158と連結される。上記第2電極116は、上記接着層158と連結されて上記伝導性支持部材160と電気的に連結できる。図14を参照すると、第4実施形態に従う発光素子100Dは、伝導性支持部材160、上記伝導性支持部材160の上に接着層158、上記伝導性支持部材160または上記接着層158の上面の周り領域に保護部材155、上記接着層158の上に反射層157、上記反射層157の上にオーミック接触層156、上記オーミック接触層156及び上記保護部材155の上に発光構造物145、上記発光構造物145の上に保護素子115d、及び上記保護素子115dの上に形成された第2電極116及び第3電極114を含むことができる。上記発光構造物145は、少なくとも第1導電型半導体層130、上記第1導電型半導体層130の下に活性層140、及び上記活性層140の下に第2導電型半導体層150を含み、これらは光を生成する構造物をなす。一方、以下では上記第1導電型半導体層130はn型半導体層を含み、上記第2導電型半導体層150はp型半導体層である場合を中心として説明する。但し、これに対して限定するのではない。上記保護素子115dは、シリコン材質で形成されてn型ドーパントでドーピングされた導電体110a、上記導電体110aの上部にp型ドーパントが注入されたドーピング部112、上記ドーピング部112の上に第2電極116、及び上記導電体110aの上に第3電極114を含むことができる。平素に、即ち上記発光素子100Dに適切な順方向電流が印加される場合に、上記第3電極114は上記伝導性支持部材160と共に上記発光構造物145に電源を提供する。上記保護素子115dの導電体110aと上記第1導電型半導体層130とが同一な極性n型を有するためである。上記発光素子100に逆方向電流が印加される場合、上記保護素子115dの整流作用により上記逆方向電流が流れることが防止されるか、多過ぎた逆方向電流が印加される場合には、上記保護素子115dが通電されて上記保護素子115dを通じて上記逆方向電流が流れることができる。これによって、上記発光素子100の発光構造物145が保護できる。図15は、本発明の実施形態に従う発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。図15を参照すると、実施形態に従う発光素子パッケージは、パッケージ胴体20、上記パッケージ胴体20に設けられた第1電極層31及び第2電極層32、上記パッケージ胴体20に設けられて上記第1電極層31及び第2電極層32と電気的に連結される実施形態に従う発光素子100、及び上記発光素子100を囲むモールディング部材40を含む。上記パッケージ胴体20は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができ、上記発光素子100の周囲に傾斜面が形成できる。上記第1電極層31及び第2電極層32は互いに電気的に分離され、上記発光素子100に電源を提供する。また、上記第1電極層31及び第2電極層32は、上記発光素子100で発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、上記発光素子100で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。上記発光素子100は、上記パッケージ胴体20に設けられて上記第1電極層31及び第2電極層32に電気的に連結できる。具体的には、上記発光素子100は、上記第1電極層31または第2電極層32のうち、いずれか1つの上に設けられることができ、例えばワイヤwireにより上記第1電極層31または第2電極層32のうち、他の1つと電気的に連結できる。また、上記発光素子100の保護素子も上記第1及び第2電極層31、32にワイヤにより連結できる。但し、上記発光素子100の電極連結構造に対して限定するのではない。上記モールディング部材40は、上記発光素子100を囲んで上記発光素子100を保護することができる。また、上記モールディング部材40には蛍光体が含まれて上記発光素子100から放出された光の波長を変化させることができる。図16は、本発明の実施形態に従う発光素子パッケージを使用したバックライトユニットを示す図である。但し、図16のバックライトユニット1100は照明システムの一例であり、これに対して限定するのではない。図16を参照すると、上記バックライトユニット1100は、ボトムフレーム1140、上記ボトムフレーム1140の内に配置された光ガイド部材1120、及び上記光ガイド部材1120の少なくとも一側面または下面に配置された発光モジュール1110を含むことができる。また、上記光ガイド部材1120の下には反射シート1130が配置できる。上記ボトムフレーム1140は、上記光ガイド部材1120、上記発光モジュール1110、及び上記反射シート1130が収納できるように上面が開口されたボックスbox形状で形成されることができ、金属材質または樹脂材質で形成できるが、これに対して限定するのではない。上記発光モジュール1110は、基板、及び上記基板に載置された複数個の実施形態に従う発光素子パッケージを含むことができる。上記複数個の発光素子パッケージは、上記光ガイド部材1120に光を提供することができる。図示したように、上記発光モジュール1110は、上記ボトムフレーム1140の内側面のうち、少なくともいずれか1つに配置されることができ、これによって上記光ガイド部材1120の少なくとも1つの側面に向けて光を提供することができる。但し、上記発光モジュール1110は上記ボトムフレーム1140の下に配置されて、上記光ガイド部材1120の下面に向けて光を提供することもでき、これは上記バックライトユニット1100の設計に従って多様に変形可能であるので、これに対して限定するのではない。上記光ガイド部材1120は、上記ボトムフレーム1140の内に配置できる。上記光ガイド部材1120は、上記発光モジュール1110から提供を受けた光を面光源化して、表示パネル図示せずにガイドできる。上記光ガイド部材1120は、例えば、導光板LGP:LightGuidePanelでありうる。上記導光板は、例えばPMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COC、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つで形成できる。上記光ガイド部材1120の上側には光学シート1150が配置されることもできる。上記光学シート1150は、例えば拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくとも1つを含むことができる。例えば、上記光学シート1150は、上記拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートが積層されて形成できる。この場合、上記拡散シート1150は上記発光モジュール1110から出射された光を均等に拡散させ、上記拡散された光は上記集光シートにより表示パネル図示せずに集光できる。この際、上記集光シートから出射される光はランダムに偏光された光であるが、上記輝度上昇シートは上記集光シートから出射された光の偏光度を増加させることができる。上記集光シートは、例えば、水平または/及び垂直プリズムシートでありうる。また、上記輝度上昇シートは、例えば、照度強化フィルムDualBrightnessEnhancementfilmでありうる。また、上記蛍光シートは、蛍光体が含まれた透光性プレートまたはフィルムとなることもできる。上記光ガイド部材1120の下には上記反射シート1130が配置できる。上記反射シート1130は、上記光ガイド部材1120の下面を通じて放出される光を上記光ガイド部材1120の出射面に向けて反射することができる。上記反射シート1130は、反射率の良い樹脂材質、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。図17は、本発明の実施形態に従う発光素子パッケージを使用した照明ユニットの斜視図である。但し、図17の照明ユニット1200は照明システムの一例であり、これに対して限定するのではない。図17を参照すると、上記照明ユニット1200は、ケース胴体1210、上記ケース胴体1210に設けられた発光モジュール1230、及び上記ケース胴体1210に設けられ、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1220を含むことができる。上記ケース胴体1210は、放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成できる。上記発光モジュール1230は、基板300、及び上記基板300に載置される少なくとも1つの実施形態に従う発光素子パッケージ200を含むことができる。上記基板300は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含むことができる。また、上記基板300は光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などで形成できる。上記基板300の上には上記少なくとも1つの実施形態に従う発光素子パッケージ200が載置できる。上記発光素子パッケージ200は、各々少なくとも1つの発光ダイオードLED:LightEmittingDiodeを含むことができる。上記発光ダイオードは、赤色、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光ダイオード、及び紫外線UV:UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール1230は、色感及び輝度を得るために多様な発光ダイオードの組合を有するように配置できる。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置できる。また、上記発光モジュール1230から放出される光の進行経路上には蛍光シートがさらに配置されることができ、上記蛍光シートは上記発光モジュール1230から放出される光の波長を変化させる。例えば、上記発光モジュール1230から放出される光が青色波長帯を有する場合、上記蛍光シートには黄色蛍光体が含まれることができ、上記発光モジュール1230から放出された光は上記蛍光シートを経て最終的に白色光と見られるようになる。上記連結端子1220は、上記発光モジュール1230と電気的に連結されて電源を供給することができる。図17の図示によれば、上記連結端子1220は、ソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子1220は、ピンpin形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。前述したような照明システムは、上記発光モジュールから放出される光の進行経路上に、光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくともいずれか1つが配置されて、希望する光学的効果を得ることができる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。