"基板と、前記基板の上に配された実質的に真性なi型半導体層と、前記基板の上に配されたドーパントがドープされた半導体層とを備える太陽電池を複数製造する方法であって、前記基板をトレイに固定する第1の固定工程と、前記トレイに固定された前記基板の上に、前記i型半導体層を形成し、その後、前記ドーパントがドープされた半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層形成工程の後に、前記トレイに水素ラジカル及び水素イオンのうちの少なくとも一方を照射する照射工程と、前記照射工程に先立って、または前記照射工程の後に前記基板を前記トレイから取り外す取り外し工程と、前記取り外し工程において前記基板が取り外されたトレイに新たな前記基板を固定する第2の固定工程と、を備え、前記第2の固定工程、前記半導体層形成工程、前記照射工程及び前記取り外し工程を複数回繰り返して行う、太陽電池の製造方法。前記取り外し工程を行う前に、前記照射工程を行う、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記照射工程の後に、前記ドーパントがドープされた半導体層の上に、透明導電層を形成する工程をさらに備える、請求項2に記載の太陽電池の製造方法。前記太陽電池は、一の導電型を有し、前記基板を構成している半導体基板と、前記半導体基板の上に配されており、一の導電型を有し、前記ドーパントがドープされた半導体層を構成している第1の半導体層と、前記半導体基板の上に配されており、他の導電型を有し、前記ドーパントがドープされた半導体層を構成している第2の半導体層と、前記半導体基板と前記第1の半導体層との間に配された第1の実質的に真性なi型半導体層と、前記半導体基板と前記第2の半導体層との間に配された第2の実質的に真性なi型半導体層とを備える、請求項1~3のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。近年、太陽電池の出力特性をさらに向上したいという要望が高まってきている。本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、改善された出力特性を有する太陽電池を製造し得る方法を提供することにある。本発明に係る太陽電池の製造方法は、基板と、基板の上に配された実質的に真性なi型半導体層と、基板の上に配されたドーパントがドープされた半導体層とを備える太陽電池を複数製造する方法に関する。本発明に係る太陽電池の製造方法は、第1の固定工程と、半導体層形成工程と、照射工程と、取り外し工程と、第2の固定工程とを備えている。第1の固定工程は、基板をトレイに固定する工程である。半導体層形成工程は、トレイに固定された基板の上に、i型半導体層を形成し、その後、ドーパントがドープされた半導体層を形成する工程である。照射工程は、半導体層形成工程の後に、トレイに水素ラジカル及び水素イオンのうちの少なくとも一方を照射する工程である。取り外し工程は、照射工程に先立って、または照射工程の後に基板をトレイから取り外す工程である。第2の固定工程は、取り外し工程において基板が取り外されたトレイに新たな基板を固定する工程である。本発明に係る太陽電池の製造方法では、第2の固定工程、半導体層形成工程、照射工程及び取り外し工程を複数回繰り返して行う。本発明によれば、改善された出力特性を有する太陽電池を製造し得る方法を提供することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。太陽電池1の構成図1は、本実施形態において製造する太陽電池の略図的断面図である。まず、図1を参照しながら本実施形態において製造する太陽電池の構成について説明する。太陽電池1は、半導体基板10を備えている。半導体基板10は、例えば、単結晶半導体基板や多結晶半導体基板により構成することができる。具体的には、半導体基板10は、例えば、単結晶シリコン基板により構成することができる。なお、本実施形態では、半導体基板10の導電型がn型である例について説明する。但し、本発明は、これに限定されない。半導体基板10の導電型はp型であってもよい。半導体基板10の第1の主面10aの上には、半導体基板10の導電型とは異なるp型半導体層11が配されている。p型半導体層11は、例えば、p型アモルファスシリコンなどのp型非単結晶シリコン系半導体により構成することができる。p型半導体層11は、水素を含んでいることが好ましい。p型半導体層11の厚みは、例えば、3nm~20nmであることが好ましく、5nm~15nmであることがより好ましい。半導体基板10の第1の主面10aとp型半導体層11との間には、i型半導体層12が配されている。i型半導体層12は、例えば、i型アモルファスシリコンなどの実質的に真性な非単結晶シリコン系半導体により構成することができる。i型半導体層12は、水素を含んでいることが好ましい。i型半導体層12の厚みは、実質的に発電に寄与しない程度であることが好ましい。i型半導体層12の厚みは、例えば、3nm~15nmであることが好ましく、5nm~10nmであることがより好ましい。一方、半導体基板10の第2の主面10bの上には、半導体基板10の導電型と同じであるn型半導体層13が配されている。n型半導体層13は、例えばn型アモルファスシリコンなどのn型非単結晶シリコン系半導体により構成することができる。n型半導体層13は、水素を含んでいることが好ましい。n型半導体層13の厚みは、例えば、3nm~25nmであることが好ましく、5nm~15nmであることがより好ましい。半導体基板10の第2の主面10bとn型半導体層13との間には、i型半導体層14が配されている。i型半導体層14は、例えば、i型アモルファスシリコンなどの実質的に真性な非単結晶シリコン系半導体により構成することができる。i型半導体層14の厚みは、実質的に発電に寄与しない程度であることが好ましい。i型半導体層14は、水素を含んでいることが好ましい。i型半導体層14の厚みは、例えば、3nm~15nmであることが好ましく、5nm~10nmであることがより好ましい。半導体層11,13の上には、透明導電性酸化物TransparentConductiveOxide:TCO層15,16が配されている。TCO層15の上には、電極17が配されている。この電極17により正孔が収集される。一方、TCO層16の上には、電極18が配されている。この電極18により電子が収集される。太陽電池1の製造方法次に、太陽電池1の製造方法の一例について説明する。第1の固定工程まず、図2に示すように、複数の半導体基板10をトレイ20に固定する。トレイ20は、例えばSUS等からなる板状体により構成することができる。複数の半導体基板10の固定は、例えば、このトレイ20及び図示しないマスクを用いて半導体基板10の各周縁部を、半導体基板10の表面側及び裏面側のそれぞれから押さえることにより行うことができる。半導体層形成工程次に、トレイ20に固定された複数の半導体基板10の上に、i型半導体層14、n型半導体層13を形成する。その後、複数の半導体基板10のn型半導体層13を形成した面の反対に、i型半導体層12、p型半導体層11を形成する。i型半導体層12,14並びにp型半導体層11及びn型半導体層13の形成は、例えば、CVDChemicalVaporDeposition法や、スパッタリング法等の蒸着法により行うことができる。照射工程次に、半導体層11~14が形成された複数の半導体基板10が固定された状態で、トレイ20に水素ラジカル及び水素イオンのうちの少なくとも一方を照射する。取り外し工程次に、複数の半導体基板10をトレイ20から取り外す。透明導電性酸化物TCO層形成工程次に、TCO層15,16を形成する。TCO層15,16の形成は、例えば、スパッタリング法やCVD法等の蒸着法により行うことができる。なお、このTCO層形成工程は、取り外し工程の前に行ってもよい。すなわち、トレイ20に複数の半導体基板10が固定された状態でTCO層形成工程を行ってもよい。電極形成工程次に、電極17と電極18とを形成することにより太陽電池1を完成させることができる。なお、電極17,18の形成は、例えば導電性ペーストの塗布や、めっき法等により行うことができる。第2の固定工程取り外し工程の後に、取り外し工程において半導体基板10が取り外されたトレイ20に、半導体層11~14が形成されていない新たな半導体基板10を固定する。本実施形態では、第2の固定工程、半導体層形成工程、照射工程、取り外し工程、TCO層形成工程及び電極形成工程を繰り返し行うことにより、複数の太陽電池1を製造していく。このように、本実施形態では、ドーパントがドープされた半導体層を形成する半導体層形成工程の後に、トレイ20に水素ラジカル及び水素イオンのうちの少なくとも一方を照射する照射工程を行う。このため、改善された出力特性を有する複数の太陽電池1を効率的に製造することができる。これは、以下の理由によるものと考えられる。すなわち、ドーパントがドープされた半導体層であるp型半導体層やn型半導体層を半導体基板の上に形成する工程においては、ドーパントがドープされた半導体層がトレイ及び図示しないマスクの上にも形成される。このため、このトレイを再利用した場合、i型半導体層を形成する際に、トレイの上に形成されたドーパントを含む半導体層のドーパントがi型半導体層内にドープされてしまう。その結果、製造される太陽電池の出力特性が低くなってしまう。それに対して、本実施形態のように、トレイに水素ラジカル及び水素イオンのうちの少なくとも一方を照射した場合は、この照射工程においてトレイ上に形成された半導体層からドーパントを放出させることができる。よって、トレイの上に形成された半導体層におけるドーパント濃度を低くすることができる。従って、トレイを再利用した場合であっても、i型半導体層に、トレイの上に形成された半導体層中に含まれていたドーパントがドープされることを抑制することができる。その結果、優れた出力特性を有する太陽電池を製造することができるものと考えられる。また、本実施形態では、取り外し工程の前に、照射工程を行う。このため、半導体層11,13にも水素ラジカル及び水素イオンの少なくとも一方が照射される。これにより、半導体層11,13が改質される。具体的には、半導体層11,13に含まれる水素の結合状態などが改質される。従って、より優れた出力特性を有する太陽電池1を製造することができる。さらに優れた出力特性を有する太陽電池を得る観点からは、照射工程は、イオンを用いない水素ラジカル処理を半導体層11,13に施す工程であることが好ましい。この場合にさらに優れた出力特性を有する太陽電池が得られる理由は、半導体層11,13の水素イオンによる損傷を抑制できるためであると考えられる。なお、イオンを用いない水素ラジカル処理は、リモートプラズマ法や、触媒化学気相成長CatalyticChemicalVaporDeposition:Cat-CVD法、ホットワイヤー法等により行うことができる。また、取り外し工程の前に照射工程を行うことにより、半導体層11,13とTCO層15,16とのオーミック性を改善することができる。よって、さらに優れた出力特性を有する太陽電池を得ることができる。これは、照射工程においてトレイ20の上に形成された半導体層から放出されたドーパントが半導体層11,13の表面に付着し、半導体層11,13の表層のドーパント濃度が高くなるためであると考えられる。なお、本発明の太陽電池の製造方法は、i型半導体層と、ドーパントがドープされた半導体層とを有する太陽電池であれば、どのような太陽電池にも適用することができる。本発明の太陽電池の製造方法は、例えば、裏面接合型の太陽電池にも適用可能であるし、薄膜太陽電池にも適用可能である。上記実施形態では、取り外し工程を照射工程の後に行う例について説明したが、取り外し工程を照射工程に先だって行ってもよい。また、ドーパントがドープされた半導体層が複数存在する場合は、少なくとも一つのドーパントがドープされた半導体層を形成した後に照射工程を行えばよく、すべてのドーパントがドープされた半導体層を形成した後に照射工程を行う必要は必ずしもない。本発明において、基板は、半導体基板に限定されない。なお、イオンを用いない水素ラジカル処理として例示したリモートプラズマ法は、水素ラジカルだけが基板の表面に到達できるように、磁場や電場によりイオンをプラズマ空間から分離できる装置を用いておこなう方法であればよい。以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。実施例1上記実施形態に係る太陽電池1と実質的に同様の構成を有する太陽電池を、上記実施形態において説明した方法により、下記の条件で複数作製した。具体的には、本実施例では、n型半導体層13を形成した後に、p型半導体層11を形成した。その後、照射工程を行った。具体的には、減圧されたCVD装置の真空容器内に水素ガスを200sccmで導入し、圧力を2Pa~10Paに調整した。その後、CVD装置への投入電力を3.5kW~4.0kWとして水素ラジカルを発生させ、40秒間にわたってp型半導体層11に対して水素ラジカルを照射することにより、水素ラジカル処理を行った。実施例1において、第2の固定工程を行った後に作製された太陽電池の開放電圧Voc、短絡電流Isc、曲線因子F.F.、最大出力Pmaxを測定した。結果を、下記の表1に示す。また、実施例1では、p型半導体層11は、CVD装置の真空容器内にシランSiH4ガス150sccmと水素H2ガス750sccmとジボランB2H65sccmとの混合ガスを導入し、圧力を1Pa~5Paに調整し、投入電力を3.5kW~4.0kWとして、膜厚が5nm~15nmとなるように形成した。実施例2n型半導体層13を形成した後に照射工程を行い、p型半導体層11を形成し、その後照射工程を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして太陽電池を複数作製した。実施例2において、第2の固定工程を行った後に作製された太陽電池の開放電圧Voc、短絡電流Isc、曲線因子F.F.、最大出力Pmaxを測定した。結果を、下記の表1に示す。比較例照射工程を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして太陽電池を複数作製した。比較例において、第2の固定工程を行った後に作製された太陽電池の開放電圧Voc、短絡電流Isc、曲線因子F.F.、最大出力Pmaxを測定した。結果を、下記の表1に示す。なお、表1に示す結果は、比較例の値を100とした規格化値である。表1に示す結果から、半導体層形成工程の後に照射工程を行うことにより、優れた出力特性を有する太陽電池を製造できることが分かる。"