"第1半導体素子と、前記第1半導体素子の上方に配設された第2半導体素子と、を含み、前記第1半導体素子は、第1ビアと、該第1ビア上に配設された第1パッドとを備え、前記第2半導体素子は、前記第1ビア及び前記第1パッドの上方に配設された第2ビアと、該第2ビア上に配設された第2パッドとを備え、前記第1パッドが、前記第2半導体素子側から見て、前記第2パッドからはみ出すことを特徴とする半導体装置。前記第2半導体素子側から見て、前記第1パッドが前記第2パッドの側方にはみ出すことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第2パッドが開口部を有し、前記第2半導体素子側から見て、前記第1パッドが前記開口部内にはみ出すことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。第1半導体素子と、前記第1半導体素子の上方に配設された第2半導体素子と、を含み、前記第1半導体素子は、第1ビアと、該第1ビア上に配設された第1パッドとを備え、前記第2半導体素子は、前記第1ビア及び前記第1パッドの上方に配設された第2ビアと、該第2ビア上に配設された第2パッドとを備え、前記第1パッドが、前記第2半導体素子側から見て、前記第2パッドからはみ出す半導体装置の検査方法であって、前記第2パッドからはみ出す前記第1パッドに、前記第2半導体素子側からエネルギービームを照射する工程と、前記第1パッドに前記エネルギービームを照射したときに前記半導体装置から出力される信号を検出する工程と、を含むことを特徴とする検査方法。前記信号を検出する工程は、前記第1パッドに前記エネルギービームを照射したときに前記第1パッドと前記第1ビアに流れる電流を検出する工程を含むことを特徴とする請求項4に記載の検査方法。検出された前記信号に基づいて、前記半導体装置の前記第1パッド及び前記第2パッドを含む画像を生成する工程を更に含むことを特徴とする請求項4又は5に記載の検査方法。上記のような複数の半導体素子を積層した半導体装置において、半導体素子同士を接続しているビア及びパッドの検査に、OBIRCH法等のようなエネルギービームの照射工程を含む手法を用いる場合には、次のような問題が生じ得る。例えば、最上層の半導体素子は、そのパッドにエネルギービームを照射することでパッド下のビアを加熱することができるため、そのパッド及びビアの加熱に起因した信号の変化を検出することができる。しかし、より下層の半導体素子は、そのビア及びパッドが、最上層の半導体素子のビア及びパッドと同一箇所に同一形状で形成されている場合等、最上層側から見ると隠れてしまっているような場合がある。このような場合には、最上層側から、より下層の半導体素子のパッドにエネルギービームを照射することができず、たとえそのパッド及び当該パッドに接続されるビアに不良箇所が存在していても、それに起因した信号の変化を検出することができない。剥離や研磨によって最上層の半導体素子を除去すれば、より下層の半導体素子を表出させることができ、そのパッド及びビアにエネルギービームを照射することが可能になる。しかし、複数の半導体素子を積層した半導体装置では、剥離や研磨によって最上層の半導体素子を精度良く除去することは、必ずしも容易でない。また、実際の半導体装置についての知見を得るためには、積層した状態のままで各半導体素子のパッド及びビアを検査することが好ましい。このように、複数の半導体素子を積層した半導体装置では、非破壊で、半導体素子同士を接続しているパッド及びビアを適正に検査することができない場合がある。本発明の一観点によれば、第1半導体素子と、前記第1半導体素子の上方に配設された第2半導体素子とを含み、前記第1半導体素子は、第1ビアと該第1ビア上に配設された第1パッドとを備え、前記第2半導体素子は、前記第1ビアの上方に配設された第2ビアと該第2ビア上に配設された第2パッドとを備え、前記第1パッドが、前記第2半導体素子側から見て、前記第2パッドからはみ出す半導体装置が提供される。また、このような半導体装置の検査方法が提供される。開示の半導体装置によれば、上方の半導体素子側からエネルギービームを照射する場合にも、下方の半導体素子のパッドにエネルギービームを照射してビアを加熱することが可能になる。従って、上下に配設された半導体素子を含む半導体装置について、非破壊で、その半導体装置に含まれるパッド及びビアを適正に検査することが可能になる。まず、複数の半導体素子を積層した半導体装置に設けられるビアで生じ得る不良について説明する。図1は半導体装置の一例を示す図である。図1には、半導体装置の一例の要部断面を模式的に図示している。図1に示す半導体装置100は、第0層、第1層、第2層、第3層の4つの半導体素子110,111,112,113が積層された構造を有している。第0層の半導体素子110は、トランジスタ等の回路素子図示せずが形成された、シリコンSi等の半導体基板120を有している。半導体基板120上には、多層配線121が設けられている。多層配線121は、半導体基板120に形成された回路素子に接続されるプラグ図示せず等が形成された酸化シリコンSiO膜122、並びに、配線及び配線間を接続するビアを含む導電パターン123が内部に形成された絶縁膜124を含んでいる。多層配線121上には、導電パターン123に接続されたパッド125が形成されたSiO膜126が形成されている。導電パターン123及びパッド125には、例えば、銅Cuが用いられる。第1層~第3層の半導体素子111~113も同様に、それぞれ、半導体基板120、及び多層配線121SiO膜122、及び導電パターン123が内部に形成された絶縁膜124を含むを有している。第1層、第2層の半導体素子111,112の多層配線121上には、第0層の半導体素子110同様、導電パターン123に接続されたパッド125、及びSiO膜126が形成されている。最上層となる第3層の半導体素子113の多層配線121上には、パッド125及び保護膜127が形成されている。第1層~第3層の半導体素子111~113は、それぞれの半導体基板120がバックグラインド等で薄化されている。図1の半導体装置100では、第0層~第3層の半導体素子110~113のパッド125が、同等の箇所に同等の平面形状で形成されている。第1層の半導体素子111は、第0層の半導体素子110上に、接着層128を介して接着されている。第1層の半導体素子111のパッド125直下には、多層配線121、半導体基板120、及び接着層128を貫通するTSV129が設けられている。このTSV129は、第0層の半導体素子110のパッド125に接続されている。TSV129には、例えば、Cuが用いられる。同様に、第2層の半導体素子112は、接着層128を介して第1層の半導体素子111に接着され、第3層の半導体素子113は、接着層128を介して第2層の半導体素子112に接着されている。第2層の半導体素子112のパッド125直下には、第1層の半導体素子111のパッド125に達するTSV129が設けられ、第3層の半導体素子113のパッド125直下には、第2層の半導体素子112のパッド125に達するTSV129が設けられている。図1の半導体装置100では、第1層~第3層の半導体素子111~113のTSV129が、対応する箇所に形成されている。尚、図1には、半導体素子111~113に、それぞれ1組のパッド125及びTSV129を例示したが、半導体素子111~113には、それぞれ複数組のパッド125及びTSV129が設けられていてもよい。その場合、最下層の半導体素子110には、例えば、それに応じた数のパッド125が設けられる。上記のように、半導体装置100は、第0層~第3層の半導体素子110~113が、接着層128を介して積層されると共に、パッド125及TSV129によって電気的に接続された構造を有している。上記のような半導体装置100では、TSV129において、以下に示すような不良が生じる可能性がある。図2及び図3はTSVで生じる不良の例を説明する図である。TSV129で生じる不良の1つに、図2に示すような、電圧が印加されたTSV129からの材料129mの拡散がある。例えば、Cuを用いたTSV129から、その材料129mであるCuが、Si等の半導体基板120に拡散してしまうような不良がある。TSV129からの材料129mの拡散を抑える手法としては、図2に示すようなバリアメタル膜131を設ける手法がある。TSV129の形成では、例えば、まず下層側の半導体素子上に接着層128を介して積層された上層側の半導体素子に、SiO膜126又は保護膜127、多層配線121、半導体基板120、及び接着層128を貫通する開口部130が形成される。開口部130は、例えば、エッチングにより形成される。開口部130の形成後、その内面にバリアメタル膜131が形成され、バリアメタル膜131が形成された開口部130に、めっき法等を用いてCu等の材料が埋め込まれ、TSV129が形成される。しかし、バリアメタル膜131及びTSV129が形成される開口部130は、多層配線121に形成するビアホールや配線溝等の開口部に比べ、その径も深さも大きい。そのため、TSV129の材料129mの拡散が抑えられる所定厚さのバリアメタル膜131を、開口部130の内面全体に均一性良く形成することは、必ずしも容易でない。一部が薄く形成された、或いは開口部130の内面全体を被覆していないバリアメタル膜131の上にTSV129が形成されると、そのような薄い部分や被覆されていない部分から、TSV129の材料129mが半導体基板120に拡散してしまう場合がある。更に、半導体基板120に拡散した材料129mによって、半導体装置100内の異なるTSV129同士が短絡してしまうことも起こり得る。また、開口部130は、上記のようにSiO膜126又は保護膜127、多層配線121、半導体基板120、及び接着層128を貫通するように形成される。このように材質が異なる層が積層された構造部に開口部130を形成すると、材質によるエッチングレートの違いにより、所定の層の側壁部でオーバーエッチングが引き起こされる場合がある。一例として図3Aには、半導体基板120と接着層128のエッチングレートの違いから、接着層128の側壁部にオーバーエッチング128aが生じた場合を図示している。このようなオーバーエッチング128aが生じている状態でバリアメタル膜131を形成すると、図3Bに示すように、接着層128のオーバーエッチング128aの部分が、バリアメタル膜131で被覆されない場合がある。更に、バリアメタル膜131の形成後に、めっき法を用いてTSV129を形成するが、電解めっき法では、開口部の底部からめっき反応が進行し、例えば底部からのめっきの成長速度が速いめっき方法等では、側壁のバリアメタル及びシード層の被覆率が悪くても、メッキ反応が進行し、TSV129が形成され得る。そのため、図3Bに示すように、半導体基板120とTSV129が直接接触してしまい、TSV129からの材料129mの拡散が、より起こり易い状態になってしまう。TSV129の側壁等に形成されるバリアメタル膜131の性能、バリアメタル膜131によるTSV129からの材料129mの拡散を抑制する性能は、絶縁抵抗を測定することで判定することが可能である。しかし、絶縁抵抗の測定では、絶縁抵抗を低下させているのが、半導体装置100内に複数あるTSV1291つの半導体素子内のTSV129のほか、異なる半導体素子のTSV129のいずれなのか、といった不良箇所の特定が難しい場合がある。このような不良箇所の特定が可能な手法に、例えばOBIRCH法がある。図4はOBIRCH法の説明図である。OBIRCH法では、試料1000の導電部1001に定電圧を印加し、定電圧を印加した導電部1001に、エネルギービーム1002例えばレーザを走査しながら照射する。その照射によって発生する熱に起因して試料1000から出力される信号の変化、例えば当該導電部1001に流れる電流の変化を検出する。そして、その検出された電流に基づき、その電流の変化を明暗のコントラスト像として取得する。取得された画像内のコントラストの異常箇所から導電部1001の不良箇所を特定する。しかし、上記のような半導体装置100に、OBIRCH法のようなレーザ照射工程を含む検査を適用する場合には、以下に示すようなことが起こり得る。図5及び図6は検査の一例を説明する図である。例えば、図5Aに示すように、半導体装置100の最上層にある第3層の半導体素子113側からレーザ140を照射することを想定する。このときレーザ140は、最上層の半導体素子113のパッド125に照射することができる。半導体素子113のパッド125へのレーザ140の照射により、当該パッド125と共に、その下に接続されている、半導体素子113のTSV129が加熱される。従って、半導体素子113のパッド125及びTSV129に、断線箇所、高抵抗箇所、材料129mの拡散箇所等、不良箇所141が存在すれば図5A、不良箇所141が存在することによる電流の変化が検出されるようになる。不良箇所141が存在することによる電流の変化を基に、画像コントラスト像142が取得される図5B。図5Aには、第3層のTSV129に材料129mの拡散による不良箇所141リーク箇所が存在する場合の例を示しており、図5Bには、そのような場合に第3層側からレーザ140を照射したときに取得される画像142の例を示している。画像142には、そのような材料129mの拡散による不良箇所141に相当する部分にコントラスト異常が現れる。このコントラスト異常は、画像142では、例えば、材料129mの拡散の程度リークの程度に応じて、第3層のパッド125からその外に広がるような形態で現れる。図5A,Bのような方法によれば、第1層~第3層の半導体素子111~113のうち、第3層の半導体素子113には不良箇所141が存在することを知ることができる。しかし、図5Aのような第3層の半導体素子113側からのレーザ140の照射では、より下層にある第2層、第1層の半導体素子112,111に不良箇所141が存在するか否かを知ることができない場合がある。例えば、半導体装置100では、第1層~第3層の半導体素子111~113に含まれるパッド125及びTSV129が、同等の箇所に同等の形状で形成されている。レーザ140が照射される最上層の第3層側から見ると、第1層、第2層のパッド125及びTSV129は、第3層のパッド125に隠れてしまう。レーザ140は第3層のパッド125及びTSV129を透過しないため、第1層、第2層のパッド125にはレーザ140を照射することができず、第1層、第2層のTSV129に対して所望の加熱を行うことができない。従って、例えば図6Aに示すように、第2層の半導体素子112に不良箇所141が存在していたとしても、不良箇所141が存在することによる電流の変化を検出することができず、図6Bに示すように、画像142にはコントラスト異常が現れない。コントラスト異常が現れるとすれば、それは第3層のパッド125又はTSV129に存在する不良箇所によるものである。この例に示したような第2層の半導体素子112に不良箇所141が存在することを適正に特定するために、第3層の半導体素子113を剥離や研磨によって除去し、第2層の半導体素子112を表出させたうえでレーザ140の照射を行うことも考えられる。しかし、上記のような半導体装置100では、接着層128に半導体素子材料と異なる有機系材料が用いられている場合等、第3層の半導体素子113を精度良く除去することは、技術的に必ずしも容易でない。また、半導体素子110~113が積層された状態で検査する方が、実際の半導体装置100についての知見を得るうえでは好ましい。以上のような点に鑑み、ここでは一例として、複数の半導体素子が積層された半導体装置を、次の図7に示すような構造とする。図7は第1の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。図7Aは半導体装置の要部断面模式図、図7Bは半導体装置のパッド及びTSVの部分の斜視模式図である。図7に示す半導体装置100Aは、第0層の半導体素子110上に、第1層、第2層、第3層の半導体素子111,112,113が積層されている。半導体装置100Aでは、半導体素子111,112,113のTSV129129a,129b,129c上のパッド125125a,125b,125cが、異なる平面サイズで形成されている。図7の例では、パッド125a~125cが、上層になるに従い、平面サイズが順に小さくなるように形成されている。そのため、第3層の半導体素子113側から見ると、第2層の半導体素子112のパッド125bは、その外周部が第3層のパッド125cからはみ出し、第1層の半導体素子111のパッド125aは、その外周部が第2層のパッド125bからはみ出すようになる。図7に示した半導体装置100Aは、このような構造を有している点で、上記図1に示した半導体装置100と相違する。半導体装置100Aに対するレーザ140の照射工程を含む検査は、例えば、次の図8~図10に示すようにして行うことができる。図8~図10は第1の実施の形態に係る半導体装置の検査方法の一例を示す図である。レーザ140の照射は、例えば、第1層~第3層のパッド125a~125c及びTSV129a~129cに定電圧が印加されている状態で、第3層の半導体素子113側から、半導体装置100A上を走査するようにして、行われる。まず、図8Aに示すように、走査されるレーザ140が第3層のパッド125cに照射された場合について述べる。この場合は、レーザ140の照射により、第3層のパッド125c及びその下のTSV129cが加熱される。第3層のパッド125c及びTSV129cの双方、又はいずれかに不良箇所141が存在すれば、図8Bの画像142には、コントラスト異常を含むパッド125cの像が表示される。例えば、第3層のTSV129cに不良箇所141リーク箇所が存在すれば、画像142には、第3層のパッド125cからその外に広がるようなコントラスト異常が現れる。第3層のTSV129cの不良箇所141に起因したコントラスト異常は、画像142では、第2層のパッド125b及び第1層のパッド125aの上に現れるようになるため、第3層の不良箇所141に起因するものであると判別することができる。第3層のパッド125cに照射されていたレーザ140の走査が進むと、図9Aに示すように、第2層のパッド125bにレーザ140が照射されるようになる。レーザ140は、その波長を選択することで、第3層の半導体素子113の保護膜127、多層配線121、半導体基板120、及び接着層128を透過させることができる。半導体装置100Aでは、第3層のパッド125cに比べて第2層のパッド125bが大きな平面サイズで形成されているため、第3層側から見て、第2層のパッド125bの、第3層のパッド125cと重ならない部分に、レーザ140が照射されるようになる。このように第2層のパッド125bにレーザ140が照射されることで、当該パッド125bが加熱され、更にその下のTSV129bも加熱される。第2層のパッド125b及びTSV129bの双方、又はいずれかに不良箇所141が存在すれば、図9Bの画像142には、コントラスト異常を含むパッド125bの像が表示される。例えば、第2層のTSV129bに不良箇所141リーク箇所が存在すれば、画像142には、第2層のパッド125bからその外に広がるコントラスト異常が現れる。このコントラスト異常は、画像142では、第3層のパッド125cからではなく、その下にある第2層のパッド125bから広がり、更に第1層のパッド125aの上に現れるようになる。そのため、第2層の不良箇所141に起因するものであると判別することができる。尚、第2層のパッド125bへのレーザ140の照射により、その下のTSV129bと共に、第3層のTSV129cが加熱されてもよい。このときの画像142には、第2層のパッド125bから広がるコントラスト異常、及び第3層のパッド125cから広がるコントラスト異常が現れ得る。これらのコントラスト異常は、画像142では、パッド125b,125cのいずれから広がっているかによって、判別することが可能である。第2層のパッド125cに照射されていたレーザ140の走査が進むと、図10Aに示すように、第1層のパッド125aにレーザ140が照射されるようになる。所定波長のレーザ140は、第3層の半導体素子113の保護膜127、多層配線121、半導体基板120、及び接着層128、並びに、第2層の半導体素子112のSiO膜126、多層配線121、半導体基板120、及び接着層128を透過する。半導体装置100Aでは、第3層のパッド125cに比べて第2層のパッド125bが大きな平面サイズで形成され、第2層のパッド125bに比べて第1層のパッド125aが大きな平面サイズで形成されている。そのため、第3層側から見て、第1層のパッド125aの、第3層、第2層のパッド125c,125bと重ならない部分に、レーザ140が照射されるようになる。このように第1層のパッド125aにレーザ140が照射されることで、当該パッド125aが加熱され、更にその下のTSV129aも加熱される。第1層のパッド125a及びTSV129aの双方、又はいずれかに不良箇所141が存在すれば、図10Bの画像142には、コントラスト異常を含むパッド125aの像が表示される。例えば、第1層のTSV129aに不良箇所141リーク箇所が存在すれば、画像142には、第1層のパッド125aからその外に広がるコントラスト異常が現れる。このコントラスト異常は、画像142では、第2層のパッド125b及び第3層のパッド125cからではなく、それらの下にある第1層のパッド125aから広がるため、第1層の不良箇所141に起因するものであると判別することができる。尚、第1層のパッド125aへのレーザ140の照射により、その下のTSV129aと共に、第2層のTSV129bが加熱されてもよい。このときの画像142には、第1層のパッド125aから広がるコントラスト異常、及び第2層のパッド125bから広がるコントラスト異常が現れ得る。これらのコントラスト異常は、画像142では、パッド125a,125bのいずれから広がっているかによって、判別することが可能である。このように、図7に示した第1の実施の形態に係る半導体装置100Aでは、第1層~第3層のパッド125a~125cを、平面サイズが上層のものほど小さくなるように形成する。レーザ140が照射される第3層側から見ると、第2層のパッド125bは、第3層のパッド125cからはみ出した部分を有し、第1層のパッド125aは、第2層のパッド125b及び第3層のパッド125cからはみ出した部分を有する。このような半導体装置100Aによれば、第1層~第3層のパッド125a~125cにそれぞれレーザ140を照射し、TSV129a~129cを加熱することができる。各パッド125a,125b,125cにレーザ140が照射されたときの電流の変化を示す画像142を基に、不良箇所141が存在する層を特定することが可能になる。尚、上記の例では、第1層~第3層のパッド125a~125cを、平面サイズが上層のものほど小さくなるようにし、それぞれにレーザ140を照射することができるようにした。但し、パッド125a~125cの形状は、上記の例に限定されるものではない。図11及び図12は第1の実施の形態に係る半導体装置のパッド形状の別例を示す図である。尚、図11及び図12には、便宜上、第1層~第3層のパッド125a~125c及びTSV129a~129cのみ図示し、半導体装置100Aに含まれる他の要素については図示を省略している。図11及び図12において、Aは断面模式図、Bは第3層側からの鳥瞰模式図である。例えば、図11A,Bに示すように、第3層のパッド125cに対し、第2層のパッド125bを一方向に拡張し、第1層のパッド125aを、第2層のパッド125bの拡張方向と異なる、他方向に拡張するようにしてもよい。或いは、ここでは図示を省略するが、第3層のパッド125cと同等平面サイズの第2層のパッド125bを一方向にずらして配置し、第3層,第2層のパッド125c,125bと同等平面サイズの第1層のパッド125aを他方向にずらして配置してもよい。尚、いずれの場合も、TSV129a~129cは対応した位置に配置することができる。また、図12A,Bに示すように、第3層のパッド125cに開口部150cを設け、第2層のパッド125bには、第3層側から見て、第3層の開口部150cからパッド125bの一部がはみ出すように、開口部150bを設ける。同様に、第1層のパッド125aには、第3層側から見て、第3層、第2層の開口部150c,150bからパッド125aの一部がはみ出すように、開口部150aを設ける。パッド125a~125cは、同等の平面サイズとすることができる。これら図11や図12のような形状としても、パッド125a~125cにそれぞれレーザ140を照射することができる。また、上記の例では、第0層の半導体素子110上に、第1層~第3層として3つの半導体素子111,112,113を順に積層した半導体装置100Aを例示したが、層数はこれに限定されるものではない。最下層の半導体素子上に複数の半導体素子が積層され、これらの半導体素子が各々のTSV及びその上のパッドを介して互いに接続された半導体装置であれば、各半導体素子のパッドに、レーザを照射する層側から見て重ならない部分を設ける上記手法が適用できる。次に、第2の実施の形態について説明する。この第2の実施の形態では、最下層第0層の半導体素子上に、5つの半導体素子が順に積層された半導体装置を例にして説明する。積層される各半導体素子は、それぞれ1つのパッドに複数のTSVが接続された構造を有する。図13は第2の実施の形態に係る半導体装置の各層のパッド及び複数のTSVの配置例を示す図であって、Aは第1層、Bは第2層、Cは第3層、Dは第4層、Eは第5層をそれぞれ示している。図14は図13の全層のパッド及び複数のTSVを重ね合わせたときの配置例を示す図である。図15は第2の実施の形態に係る半導体装置の一例の要部断面模式図であって、Aは図14のX-X位置に相当する断面模式図、Bは図14のY-Y位置に相当する断面模式図、Cは図14のZ-Z位置に相当する断面模式図である。以下、図13~図15を参照して、第2の実施の形態に係る半導体装置について説明する。第2の実施の形態に係る半導体装置100Bは、最下層第0層の半導体素子110上に積層される、第1層、第2層、第3層、第4層、第5層の各半導体素子111,112,113,114,115を含む。第1層の半導体素子111は、図13Aに示すような、複数ここでは一例として16個のTSV129aと、それらのTSV129aが接続される1つのパッド125aを有している。TSV129aは、例えば図13Aのように、縦横に整列配置される。パッド125aには、TSV129aが配置されない箇所この例では9箇所に、所定の平面サイズの開口部160aが設けられている。図13Aに太点線で示した枠170は、後述する第5層最上層のパッド125eに設けられる開口部160eのサイズを表している。第1層のパッド125aに設ける開口部160aは、第1層のパッド125aと第5層のパッド125eを重ね合わせて配置したときに、第5層側から見て、第5層の開口部160eから第1層のパッド125aの所定部位がはみ出すようなサイズで、設けられている。第2層の半導体素子112は、図13Bに示すような、複数ここでは一例として16個のTSV129bと、それらのTSV129bが接続される1つのパッド125bを有している。第2層のTSV129bは、第1層のTSV129aと対応する位置に設けられている。パッド125bには、TSV129bが配置されない箇所この例では9箇所に、所定の平面サイズの開口部160bが設けられている。図13Bに示した枠170は、上記図13A同様、第5層のパッド125eに設ける開口部160eのサイズである。第2層のパッド125bの開口部160bは、第2層のパッド125bと第5層のパッド125eを重ね合わせて配置したときに、第5層側から見て、第5層の開口部160eから第2層のパッド125bの所定部位がはみ出すようなサイズで、設けられている。第3層の半導体素子113は、図13Cに示すような、複数ここでは一例として16個のTSV129cと、それらのTSV129cが接続される1つのパッド125cを有している。第3層のTSV129cは、第1層のTSV129a及び第2層のTSV129bと対応する位置に設けられている。パッド125cには、TSV129cが配置されない箇所この例では9箇所に、所定の平面サイズの開口部160cが設けられている。図13Cに示した枠170は、上記図13A,B同様、第5層のパッド125eに設ける開口部160eのサイズである。第3層のパッド125cの開口部160cは、第3層のパッド125cと第5層のパッド125eを重ね合わせて配置したときに、第5層側から見て、第5層の開口部160eから第3層のパッド125cの所定部位がはみ出すようなサイズで、設けられている。第4層の半導体素子114は、図13Dに示すような、複数ここでは一例として16個のTSV129dと、それらのTSV129dが接続される1つのパッド125dを有している。第4層のTSV129dは、第1層~第3層のTSV129a~129cと対応する位置に設けられている。パッド125dには、TSV129dが配置されない箇所この例では9箇所に、所定の平面サイズの開口部160dが設けられている。図13Dに示した枠170は、上記図13A~C同様、第5層のパッド125eに設ける開口部160eのサイズである。第4層のパッド125dの開口部160dは、第4層のパッド125dと第5層のパッド125eを重ね合わせて配置したときに、第5層側から見て、第5層の開口部160eから第4層のパッド125dの所定部位がはみ出すようなサイズで、設けられている。第5層の半導体素子115は、図13Eに示すような、複数ここでは一例として16個のTSV129eと、それらのTSV129eが接続される1つのパッド125eを有している。第5層のTSV129eは、第1層~第4層のTSV129a~129dと対応する位置に設けられている。パッド125eには、TSV129eが配置されない箇所この例では9箇所に、上記図13A~Dに示した枠170に相当する所定の平面サイズの開口部160eが設けられている。上記のような第1層~第5層の半導体素子111~115を積層すると、パッド125a~125e及びTSV129a~129eは、図14に示すような配置となる図14ではTSV129a~129eのうち最上層のTSV129eのみ図示。ここで注目すべきは、最上層となる第5層のパッド125eの開口部160eから、下層にある第1層~第4層のパッド125a~125dのいずれもが部分的にはみ出している点である。この図14の例では、第1層~第4層の4つのパッド125a~125dの各一部が、第5層の開口部160eの4辺からそれぞれはみ出す配置となっている。第1層~第4層のパッド125a~125dには、各一部が、図14の例のように第5層の開口部160e内の異なる領域にはみ出すよう、開口部160a~160dが上記図13A~Dに示したように設けられる。第1層~第5層の半導体素子111~115が積層された半導体装置100Bの、図14に示したX-X位置、Y-Y位置、Z-Z位置に相当する断面は、図15A~Cに示すようになる。図15Aに示すように、第1層~第5層の半導体素子111~115のTSV129a~129eは、互いに対応する位置に設けられており、TSV129a~129e上には、それぞれパッド125a~125eが設けられている。パッド125a~125eの開口部160a~160eが設けられている領域では、図15B,Cに示すように、第5層側から見て、第5層の開口部160eから、第1層~第4層のパッド125a~125dの各一部がはみ出している。即ち、図15BY-Y位置では、Y1部のように、第5層側から見て、第2層及び第4層のパッド125b,125dが、第5層の開口部160eからはみ出すように設けられている。図15CZ-Z位置では、Z1部のように、第5層側から見て、第1層及び第3層のパッド125a,125cが、第5層の開口部160eからはみ出すように設けられている。従って、このような半導体装置100Bに対し、OBIRCH法のようなレーザ照射工程を含む検査を実施する場合には、第1層~第5層のパッド125a~125eにそれぞれ、半導体装置100Bを破壊することなく、レーザを照射することができる。図16及び図17はレーザ照射工程を含む検査で得られる画像の説明図である。図16は不良箇所が存在する各層の画像を便宜的に分離して模式的に示した図であって、Aは第1層、Bは第2層、Cは第3層、Dは第4層、Eは第5層をそれぞれ示している。図17は検査で得られる画像の例を模式的に示す図である。検査では、例えば、パッド125a~125e及びTSV129a~129eに定電圧が印加されている状態で、第5層の半導体素子115側から、半導体装置100B上を走査するようにして、レーザ照射が行われる。そして、そのときにパッド125a~125e及びTSV129a~129eを流れる電流の変化が検出され、その電流の変化を示す画像142が取得される。例えば、最上層の第5層のパッド125eにレーザ照射が行われることで得られる画像142には、不良箇所141リーク箇所のあるTSV129eの近傍に、パッド125eから広がるコントラスト異常が現れるようになる図16E及び図17。このコントラスト異常は、第1層~第4層のパッド125a~125dの上に現れることから図17、第5層の不良箇所141に起因するものであることを判別することができる。更に、コントラスト異常の箇所から、第5層のいずれのTSV129eに不良箇所141が存在しているのかを判別することができる。第4層のパッド125dには、第5層のパッド125eの開口部160eからはみ出した部分に、レーザ照射が行われる。このとき得られる画像142には、不良箇所141リーク箇所のあるTSV129dの近傍に、パッド125dから広がるコントラスト異常が現れるようになる図16D及び図17。このコントラスト異常は、第4層のパッド125dから広がり、パッド125dに隣接する第3層のパッド125cの上、第1層のパッド125aの上に現れるようになる図17。このことから、コントラスト異常が、第4層の不良箇所141に起因するもので、いずれのTSV129dの不良箇所141に起因するものであるのかを判別することができる。尚、第4層のパッド125dへのレーザ照射の際、その下のTSV129dと共に、第5層のTSV129eが加熱されてもよい。このときの画像142には、第4層のパッド125dから広がるコントラスト異常、及び第5層のパッド125eから広がるコントラスト異常が現れ得る。これらのコントラスト異常は、パッド125d,125eのいずれから広がっているかによって、判別することが可能である。第3層、第2層、第1層のパッド125c,125b,125aにレーザ照射が行われることで得られる画像142についても同様のことが言える。即ち、第3層のパッド125cには、開口部160eからはみ出した部分に、レーザ照射が行われる。このとき得られる画像142には、不良箇所141リーク箇所のあるTSV129cの近傍に、パッド125cから広がるコントラスト異常が現れるようになる図16C及び図17。このコントラスト異常は、第3層のパッド125cから広がり、パッド125cに隣接する第2層のパッド125bの上、第4層のパッド125dの下に現れるようになる図17。このことから、コントラスト異常が、第3層の不良箇所141に起因するもので、いずれのTSV129cの不良箇所141に起因するものであるのかを判別することができる。第2層のパッド125bには、開口部160eからはみ出した部分に、レーザ照射が行われる。このとき得られる画像142には、不良箇所141リーク箇所のあるTSV129bの近傍に、パッド125bから広がるコントラスト異常が現れるようになる図16B及び図17。このコントラスト異常は、第2層のパッド125bから広がり、パッド125bに隣接する第3層のパッド125cの下、第1層のパッド125aの上に現れるようになる図17。このことから、コントラスト異常が、第2層の不良箇所141に起因するもので、いずれのTSV129bの不良箇所141に起因するものであるのかを判別することができる。第1層のパッド125aには、開口部160eからはみ出した部分に、レーザ照射が行われる。このとき得られる画像142には、不良箇所141リーク箇所のあるTSV129aの近傍に、パッド125aから広がるコントラスト異常が現れるようになる図16A及び図17。このコントラスト異常は、第1層のパッド125aから広がり、パッド125aに隣接する第4層のパッド125dの下、第2層のパッド125bの下に現れるようになる。このことから、コントラスト異常が、第1層の不良箇所141に起因するもので、いずれのTSV129aの不良箇所141に起因するものであるのかを判別することができる。このように、第2の実施の形態に係る半導体装置100Bでは、最上層のパッド125eの開口部160eから、下層のパッド125a~125dの各一部がはみ出すように、第1層~第5層のパッド125a~125eを形成する。最上層第5層側から見て、パッド125a~125eが、互いに重ならずに開口部160e内にはみ出す部分を有することで、パッド125a~125eにそれぞれレーザ照射を行い、TSV129a~129eを加熱することができる。パッド125a~125eにレーザ照射を行ったときの電流の変化を示す画像142から、不良箇所141が存在する層、その層内の不良箇所141が存在するTSV129を特定することが可能になる。尚、以上の説明では、レーザ照射を行ったときに半導体装置100A,100Bから出力される電流の変化を検出することで、不良箇所の検査を行う場合を例にした。上記のようなレーザ照射工程を含む検査では、このような電流の変化を検出するほか、電圧の変化を検出するようにしてもよい。また、無バイアス状態の半導体装置100A,100Bに上記のようなレーザ照射を行ったときの、半導体装置100A,100Bから出力放射される電磁波を検出することで、不良箇所の検査を行うことも可能である。また、以上の説明では、走査しながらレーザ照射を行うようにしたが、レーザは必ずしも走査しながら照射することを要せず、例えば、照射方向から見て、上層のパッドからはみ出している下層のパッド部分等、特定の箇所に選択的に照射することも可能である。尚、以上説明した半導体装置100A,100Bの検査は、例えば、次の図18に示すような検査装置200を用いて実施することができる。図18は検査装置の一例を示す図である。図18に示す検査装置200は、照射部201、走査部202、検出部203、記憶部204、画像生成部205、表示部206、判定部207、及び制御部208を含む。照射部201は、半導体装置100A,100B等の検査対象300に対し、レーザ等のエネルギービームを照射する。走査部202は、照射部201によって照射されるエネルギービームの、検査対象300に対する照射位置を制御する。検出部203は、照射部201によってエネルギービームが照射された検査対象300から出力される信号電流、電圧、電磁波等を検出する。記憶部204は、検出部203によって検出された信号を記憶する。画像生成部205は、検出部203によって検出され、記憶部204によって記憶された信号のデータを用いて、検査対象300の、エネルギービームが照射された領域についての画像コントラスト像等を生成する。尚、画像生成部205によって生成された画像のデータは、記憶部204に記憶されてもよい。表示部206は、画像生成部205によって生成された画像を表示装置モニタ206aに表示する。判定部207は、画像生成部205によって生成された画像に基づき、検査対象300の、エネルギービームが照射された領域について、不良箇所の有無を判定する。例えば、判定部207は、画像生成部205によって生成されたコントラスト像から、予め設定された閾値以上或いは閾値以下のコントラストを示す箇所コントラスト異常箇所を抽出し、その抽出した箇所を不良箇所と判定する。或いは、判定部207は、予め取得され、記憶部204に記憶された、不良箇所を含まないコントラスト像と、画像生成部205によって生成されたコントラスト像との比較を行い、コントラスト異常箇所を抽出し、その抽出した箇所を不良箇所と判定する。尚、コントラスト像の比較は、例えば、2つのコントラスト像画像のデータの差分を求めることで行うことができる。制御部208は、上記の照射部201、走査部202、検出部203、記憶部204、画像生成部205、表示部206、及び判定部207の処理動作を制御する。このような構成を有する検査装置200を用いて、上記のような半導体装置100A,100Bの検査を実施することができる。以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1第1半導体素子と、前記第1半導体素子の上方に配設された第2半導体素子と、を含み、前記第1半導体素子は、第1ビアと、該第1ビア上に配設された第1パッドとを備え、前記第2半導体素子は、前記第1ビア及び前記第1パッドの上方に配設された第2ビアと、該第2ビア上に配設された第2パッドとを備え、前記第1パッドが、前記第2半導体素子側から見て、前記第2パッドからはみ出すことを特徴とする半導体装置。付記2前記第2半導体素子側から見て、前記第1パッドが前記第2パッドの側方にはみ出すことを特徴とする付記1に記載の半導体装置。付記3前記第2パッドが開口部を有し、前記第2半導体素子側から見て、前記第1パッドが前記開口部内にはみ出すことを特徴とする付記1に記載の半導体装置。付記4前記第1ビアは、前記第1半導体素子を貫通し、前記第2ビアは、前記第2半導体素子を貫通することを特徴とする付記1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。付記5前記第2半導体素子は、前記第1半導体素子上に積層され、前記第2ビアは、前記第1パッドに接続されることを特徴とする付記1乃至4のいずれかに記載の半導体装置。付記6第1半導体素子と、前記第1半導体素子の上方に配設された第2半導体素子と、を含み、前記第1半導体素子は、第1ビアと、該第1ビア上に配設された第1パッドとを備え、前記第2半導体素子は、前記第1ビア及び前記第1パッドの上方に配設された第2ビアと、該第2ビア上に配設された第2パッドとを備え、前記第1パッドが、前記第2半導体素子側から見て、前記第2パッドからはみ出す半導体装置の検査方法であって、前記第2パッドからはみ出す前記第1パッドに、前記第2半導体素子側からエネルギービームを照射する工程と、前記第1パッドに前記エネルギービームを照射したときに前記半導体装置から出力される信号を検出する工程と、を含むことを特徴とする検査方法。付記7前記信号を検出する工程は、前記第1パッドに前記エネルギービームを照射したときに前記第1パッドと前記第1ビアに流れる電流を検出する工程を含むことを特徴とする付記6に記載の検査方法。付記8検出された前記信号に基づいて、前記半導体装置の前記第1パッド及び前記第2パッドを含む画像を生成する工程を更に含むことを特徴とする付記6又は7に記載の検査方法。付記9検出された前記信号に基づいて、前記第1パッド及び前記第1ビアの不良箇所の有無を判定する工程を更に含むことを特徴とする付記6乃至8のいずれかに記載の検査方法。"