基板の法線方向と結晶方位とが傾斜したオフ基板を用いた、炭化珪素半導体装置の製造方法において、a前記オフ基板上に、位置合わせマークを作製する工程と、b前記位置合わせマークの形状変形を伴う所定の処理を実行する工程と、c変形後の前記位置合わせマークに基づいて、当該変形による影響を補正した位置に、光学マスクの位置合わせを行う工程と、d前記光学マスクを用いて、前記オフ基板に対し写真製版を行う工程とを備え、前記工程cにおいて、あらかじめ取得した前記位置合わせマークの変形による位置合わせ基準位置の移動量に基づいて、前記補正を行うことを特徴とする、炭化珪素半導体装置の製造方法。前記移動量が、前記位置合わせマークの対向する各側面の、前記工程bにおける変形量に基づいてあらかじめ取得されることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記移動量が、前記位置合わせマークの対向する各側面の、前記工程bにおける体積変化量に基づいてあらかじめ取得されることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記工程cにおいて、前記移動量に基づいて前記光学マスクの位置を変更して、前記補正を行うことを特徴とする、請求項1~3のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記工程cにおいて、前記移動量に基づいて前記光学マスクの設計を変更して、前記補正を行うことを特徴とする、請求項1~3のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記工程cにおいて、前記位置合わせマークの対向する各側面の変形量の総和に基づいて前記工程bにおける条件変化量を取得し、当該条件変化量に基づいて前記移動量を調整することを特徴とする、請求項1~5のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記工程cにおいて、所定のパターン形状の形状変化に基づいて前記工程bにおける条件変化量を取得し、当該条件変化量に基づいて前記移動量を調整することを特徴とする、請求項1~5のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記工程bにおける前記所定の処理が、前記オフ基板上の成膜工程および当該膜の除去工程であることを特徴とする、請求項1~7のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記工程bにおける前記所定の処理が、前記オフ基板上の活性化アニール工程であることを特徴とする、請求項1~7のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記工程cにおいて、あらかじめ取得した、前記位置合わせマークの変形による中心位置の移動量に基づいて、前記補正を行うことを特徴とする、請求項1~9のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記工程cにおいて、あらかじめ取得した、前記位置合わせマークの変形による重心位置の移動量に基づいて、前記補正を行うことを特徴とする、請求項1~9のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。一方で、炭化珪素半導体装置の製造にはオフ基板が用いられているため、エッチング等により凸凹の形状を形成し位置合わせマークとする場合には、形成された位置合わせマークの対向する側面の結晶方位は、オフ角度の2倍異なることになる。光学マスクの位置合わせは、異なる結晶方位の側面を有する位置合わせマークの重心位置を基準として行われることになる。この結晶方位の異なる各側面は、位置合わせマークが形成された後、様々な加工工程を経ることにより、その形状が変形していく。ここで、結晶方位が異なるため、側面間での変化の度合いは非対称である。炭化珪素基板は非常に堅牢であり、ほとんどの工程において位置合わせマーク自体の形状が消失することはないが、一部の工程では、位置合わせマークの形状やその位置が非対称に変化してしまう。例えば、イオン注入後の活性化アニール工程、酸化膜の形成工程および形成した酸化膜の除去工程により、位置合わせマークの形状やその位置が非対称に変化する。このようにオフ基板では、位置合わせマークの対向する側面の結晶方位はオフ角度の2倍異なり、加工工程における各側面における形状の変化が非対称であることから、位置合わせマークの形状や位置の変化が、その重心位置の変化を生じさせることになる。例えば、酸化速度は結晶方位面によって異なるため、酸化膜を成膜し、当該膜を除去した後の位置合わせマークの各側面の位置変化は、結晶方位によって差異が生じる。当該差異は、位置合わせマークの重心位置のずれを生じさせる。重心位置のずれにより、以降の工程において、写真製版の光学マスクの位置合わせにずれが生じ、設計どおりの半導体装置を作製することが妨げられる。従って、半導体装置の特性の劣化、および、特性のばらつきが発生し、歩留まりが低下するという問題があった。本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、炭化珪素半導体装置の製造工程において、オフ基板を用いた場合にも、適切に写真製版の光学マスクの位置合わせを行うことができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、基板の法線方向と結晶方位とが傾斜したオフ基板を用いた、炭化珪素半導体装置の製造方法において、a前記オフ基板上に、位置合わせマークを作製する工程と、b前記位置合わせマークの形状変形を伴う所定の処理を実行する工程と、c変形後の前記位置合わせマークに基づいて、当該変形による影響を補正した位置に、光学マスクの位置合わせを行う工程と、d前記光学マスクを用いて、前記オフ基板に対し写真製版を行う工程とを備え、前記工程cにおいて、あらかじめ取得した前記位置合わせマークの変形による位置合わせ基準位置の移動量に基づいて、前記補正を行うことを特徴とする。本発明によれば、基板の法線方向と結晶方位とが傾斜したオフ基板を用いた、炭化珪素半導体装置の製造方法において、a前記オフ基板上に、位置合わせマークを作製する工程と、b前記位置合わせマークの形状変形を伴う所定の処理を実行する工程と、c変形後の前記位置合わせマークに基づいて、当該変形による影響を補正した位置に、光学マスクの位置合わせを行う工程と、d前記光学マスクを用いて、前記オフ基板に対し写真製版を行う工程とを備え、前記工程cにおいて、あらかじめ取得した前記位置合わせマークの変形による位置合わせ基準位置の移動量に基づいて、前記補正を行うことにより、光学マスクの位置合わせのずれが生じることを防止することができ、炭化珪素半導体装置の特性の劣化を抑制し、ばらつきのない設計通りの装置を形成することができる。この結果、歩留まりの低下を低減する効果がある。<A.実施の形態1><A-1.構成>図1は、本実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法のプロセスフローを示す断面図である。図1aは、位置合わせマークを形成するための写真製版工程を示すものであり、炭化珪素半導体基板1は、<11-20>方向にオフカットした0001Si面を有するオフ基板である。炭化珪素半導体基板1に対し、光学マスク2を用いて写真製版を行う。この写真製版によって、炭化珪素半導体基板1上に、位置合わせマークを作製する部分を限定するマーク画像3に対応した、感光性レジスト5が形成される。位置合わせマークとは、オフ基板上に、エッチング等により形成された凸凹形状であり、炭化珪素半導体装置の製造工程において、光学マスク等とオフ基板との位置合わせの基準となるものである。図1aに示すように、マーク画像3の中心線である中心線4が、感光性レジスト5の中心線である中心線6と対応している。図1bは、位置合わせマークが形成された工程を示すものであり、感光性レジスト5をエッチングマスクとして、炭化珪素半導体基板1上に、凸形状の形状マーク8位置合わせマークが作製される。形状マーク8の一方の壁面7A、他方の壁面7B、形状マーク8の中心線9が、図1bのように規定される。ここで、中心線9は、形状マーク8の基準位置位置合わせ基準位置を示す線であるが、当該線は、例えば、形状マーク8の重心位置または座標中心位置に対応するものとすることができる。図1cは、形状マーク8の形状が変形した工程変形後の形状マーク14を図示するを示すものであり、当該工程において、壁面7Aが壁面10Aへ移動変形し、壁面7Bが壁面10Bへ移動変形したことを示している。壁面7Aから壁面10Aへの移動量を移動量11A、壁面7Bから壁面10Bへの移動量を移動量11Bとする。形状マーク14の中心線12は、変形前の形状マーク8の中心線9から移動したものであり、その移動量は移動量13である。図1dは、形状マーク8の形状が変形した工程の後の工程でのマスク合わせの状況を示すものであり、他の光学マスク15における、位置合わせマークに対応する部分のマーク画像16が示されている。変形した形状マーク14の中心線12は、形状マーク14の本来の中心線9から移動量13だけ移動したものであるので、光学マスク15におけるマーク画像16の中心線17が、形状マーク14の本来の中心線9に対応するように補正量18分だけ位置を補正する。このようにして、光学マスク15におけるマーク画像16の位置が補正される。<A-2.製造方法>次に、本発明の作製方法の工程を順に説明する。炭化珪素半導体装置の製造方法において、主に、写真製版のマスク位置合わせのための工程を順に説明する。最初に、位置合わせマークを形成するための写真製版工程を行う。<11-20>方向にオフカットした炭化珪素半導体基板に感光性レジスト5を塗布後、写真製版に用いる光学マスク2を用いて、位置合わせマークを作製する部分をマーク画像3によって限定して露光を行う。通常の半導体製造における現像、水洗、ベークを行い、マーク画像3が転写された感光性レジスト5を形成する。マーク画像3の中心線4は、感光性レジスト5の中心線6と一致する図1a。次の工程として、感光性レジスト5をエッチングマスクとして、例えば、CF4を含むガスを放電させたプラズマエッチングにより、凸形状の炭化珪素基板からなる、形状マーク8位置合わせマークを形成する。ここで形状マーク8は、形状マーク8を規定する一方の壁面7Aと、壁面7Aに対面する他方の壁面7Bを有する。この状態では、凸形状の炭化珪素からなる形状マーク8の中心線9は、感光性レジスト5の中心線6、および、マーク画像3の中心線4と一致する図1b。次に、通常の炭化珪素半導体装置を製造に必要な加工工程の後、たとえば、酸化膜の成膜工程、および、フッ酸を用いた酸化膜の除去工程を行う。当該工程は、位置合わせマークの形状変形を伴う工程である。オフ基板では、対向する各側面壁面7Aおよび壁面7Bの結晶方位はオフ角度の2倍異なっており、酸化速度は結晶方位面によって異なっている。このため、成膜した酸化膜の除去工程後、壁面7Aは、移動量11Aだけ移動し壁面10Aとなるのに対し、壁面7Bは、移動量11Bだけ移動し壁面10Bとなる図1c。移動量11Aと移動量11Bとは異なっており、位置合わせマークの形状が非対称に変形している。酸化膜の成膜工程と酸化膜の除去工程とによる変形後の形状マーク14の中心線12は、移動量11Aと移動量11Bとの差分の半分の量である移動量13だけ、中心線9から移動している。つまり、変形前の中心線9より、移動量13だけ中心線が移動した形状マーク14に変形する。ここで、完成した装置や、加工の形状を事前に解析して、変形前の形状マーク8の中心線9から、変形後の形状マーク14の中心線12に移動する移動量13をあらかじめ取得しておく。例えば、上述のように移動量11Aと移動量11Bとの差分の半分の量として算出したり、各側面における酸化速度をその変形量から取得し、酸化速度の差分に基づいて移動量を算出したりすることができる。さらに、算出した移動量に対応する量を補正量として設定する。以降の写真製版工程においては、この移動量13ずれ量を打ち消すように、前述の補正量18で補正して光学マスクの位置合わせを行う。図1dを参照しながら、上記の説明をさらに行う。写真製版用の他の光学マスク15の位置合わせ時に、移動量13に対応する補正量18だけ光学マスク15をずらして露光を行うことにより、形状マーク14の位置合わせ基準位置重心位置または座標中心位置の変化の影響を受けることなく光学マスク15の位置を合わせ、写真製版工程を行うことができる。中心線12から移動した移動量13を打ち消すように光学マスク15を補正量18だけ移動して対応させることで、光学マスク15のマーク画像16の中心線17は、移動量13だけ移動した中心線12ではなく、形状マーク14の本来の中心線である中心線9に合わせることができる。本実施の形態では、説明を簡単にするために一対一露光の例をしめしたが、縮小露光や、電子ビーム露光でも同様の方法を用いることができ、同様の効果があることはいうまでもない。<A-3.変形例>本発明の変形例を図2に示す。図2は、図1bまでと同様の工程で作製した形状マーク8が、所定の工程で変形された場合を示す。変形の様子は図1cとは異なっているが、図1の構成と対応する構成については同様の符合を付して説明する。所定の工程を経て、壁面7Aが壁面20Aへ移動し、壁面7Bが壁面20Bへ移動したことを示している。壁面20Aは、壁面7Aとは異なる角度の壁面に変形しており、また壁面20Bも、壁面7Bとは異なる角度の壁面に変形している。なお、図2においては壁面7Aおよび壁面7Bの下端を軸として移動した変形後の壁面20Aおよび壁面20Bが示されているが、このような場合に限らず、壁面の形状に曲線を含むような壁面の変形を含む。壁面7Aから壁面20Aへの移動量を移動量31A、壁面7Bから壁面20Bへの移動量を移動量31Bとする。形状マーク14の中心線12は、変形前の形状マーク8の中心線9から移動しており、その移動量は移動量13である。図1cでは、酸化工程および酸化膜除去工程で、形状マークの壁面が移動する例を示したが、イオン注入後の活性化アニール工程における高温の影響等で、形状マークの壁面の形状が変化する図2のような場合すなわち、壁面の角度が変化するような場合でも、本発明の効果を発揮することができる。図2の場合にも、変形前の形状マーク8の中心線9から、変形後の形状マーク14の中心線12に移動する移動量13をあらかじめ求める。例えば、各側面における酸化速度をその変化した体積量体積変化量から取得し、酸化速度の差分に基づいて移動量を算出する。図2の場合、移動量31Aと移動量31Bとから、移動量13を算出することができる。さらに、算出した移動量に対応する量を補正量として設定する。以後の写真製版工程においては、この移動量13を、前述の補正量18で補正してマスク合わせを行い露光を行うことにより、形状マークの非対称な変形の影響を受けることなく光学マスク15の位置を合わせ、写真製版工程を行うことができる。また本実施の形態では、図1dにおいて、中心線12が移動した移動量13に対応する補正量18だけ光学マスク15をずらして露光を行う方法を示したが、光学マスクの設計および作製時に、マーク画像16を補正量18だけずらした設計を行うこともできる。光学マスクの設計および作製時にマーク画像16を補正量18だけずらして設計すれば、位置合わせごとに修正を行う手順が省略でき、生産性が向上する効果がある。また本実施の形態では、完成した装置や、加工の形状を事前に解析して、変形前の形状マーク8の中心線9から、変形後の形状マーク14の中心線12に移動する移動量13を算出しておき、以後の写真製版工程において、この移動量13に対応する補正量18で光学マスク15におけるマーク画像16の位置を補正して、光学マスク15の位置合わせを行う方法を示したが、壁面の移動量11Aおよび移動量11Bは、加工工程の条件変化、例えば、酸化雰囲気や温度の変化により、影響を受ける。これらの影響で、中心線12に移動する移動量13も変動することになる。そこで、壁面の移動量11Aおよび移動量11Bの和を測定し、この合計値が増加、もしくは減少している場合には、移動量13およびこれに対応する補正量18を当該増減に対応して調整することができる。当該調整には、あらかじめ移動量13および補正量18と上記の合計値との相関関係を解析しておき、その相関関係を用いる必要がある。例えば、基準となる合計値を設定し、当該基準合計値と測定合計値との比率条件変化量を、移動量13および補正量18に参照することができる。条件変化量に基づいて移動量13および補正量18を調整させることにより、加工工程の条件変化に対応して、より精度の高い光学マスク15の位置合わせを行うことができる。また、各加工工程における形状変化の評価用パターン形状を別途用意し、当該評価用パターン形状の形状変化を画像観察することで、画像認識した形状変化を指標として条件変化量を取得し、壁面の移動量11Aおよび移動量11Bの和の量を推定することも可能である。図3は、形状変化の評価用パターン形状の上部からみた構造の一例である。変形前の評価用パターン形状21と、変形後の評価用パターン形状22とが示されており、評価用パターン形状22においては、当該変形によって発生した面23が示されている長さ24。評価用パターン形状22の変形後の一辺の長さは、長さ25となっている。例えば図3に示すような評価用パターン形状を用いた場合、変形により発生した面の長さ24と、変形後の一辺の長さ25との比率を画像認識で求めることにより評価用パターン形状の形状変化を測定し、当該形状変化から条件変化量を取得することができる。当該条件変化量から、壁面の移動量11Aおよび移動量11Bの和の量を推定でき、移動量13および補正量18を加工工程の条件変化に応じて調整することができる。なお当該調整には、あらかじめ移動量13および補正量18と長さ24および長さ25の相関関係を解析しておき、その相関関係を用いる必要がある。このような方法によれば、形状マークにおける壁面の移動量11Aおよび移動量11Bを直接測定することなく、加工工程の条件変化を推定することができる。なお図3においては、三角形の評価用パターン形状を示したが、この形状に限られるものではない。また形状マークの寸法変動が、壁面の長さを増加させるような変動すなわち、紙面表裏方向の変動である場合にも、同様の方法で対応することができる。<A-4.効果>本発明にかかる実施の形態によれば、基板の法線方向と結晶方位とが傾斜したオフ基板である炭化珪素半導体基板1を用いた、炭化珪素半導体装置の製造方法において、a炭化珪素半導体基板1上に、位置合わせマークとしての形状マーク8を作製する工程と、b形状マーク8の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程と、c変形後の位置合わせマークとしての形状マーク14に基づいて、当該変形による影響を補正した本来の位置に、光学マスク15の位置合わせを行う工程と、d光学マスク15を用いて、炭化珪素半導体基板1に対し写真製版を行う工程とを備える。工程cにおいて、あらかじめ取得した形状マーク14の変形による位置合わせ基準位置の移動量13に基づいて、補正を行うことで、炭化珪素半導体基板1のオフ角の影響で生じる、オフ方向の形状マーク14の基準位置のずれに対して、光学マスク15の位置合わせのずれが生じることを防止することができ、炭化珪素半導体装置の特性の劣化を抑制し、ばらつきのない設計通りの装置を形成することができる。この結果、歩留まりの低下を低減する効果がある。また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、移動量13が、位置合わせマークとしての形状マーク8の対向する各側面の、b形状マーク8の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程における変形量移動量11Aおよび移動量11Bに基づいて、あらかじめ取得されることで、所定の移動量13に基づいて補正でき、生産性を損なうことなく、特性の劣化が抑制され、ばらつきのない設計通りの炭化珪素半導体装置を形成することができる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、移動量13が、位置合わせマークとしての形状マーク8の対向する各側面の、b形状マーク8の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程における体積変化量に基づいて、あらかじめ取得されることで、壁面の角度が変化する変形図2に示す、移動量31Aおよび移動量31Bのような移動が生じる変形が生じる場合であっても、所定の移動量13に基づいて適切に補正することができる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、c変形後の位置合わせマークとしての形状マーク14に基づいて、当該変形による影響を補正した本来の位置に、光学マスク15の位置合わせを行う工程において、移動量13に基づいて光学マスク15の位置を変更して、補正を行うことで、光学マスク15の位置合わせのずれが生じることを防止することができる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、c変形後の位置合わせマークとしての形状マーク14に基づいて、当該変形による影響を補正した本来の位置に、光学マスク15の位置合わせを行う工程において、移動量13に基づいて光学マスク15の設計を変更して、補正を行うことで、光学マスク15の位置合わせごとに補正を行うことを省略でき、生産性が向上する。また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、c変形後の位置合わせマークとしての形状マーク14に基づいて、当該変形による影響を補正した本来の位置に、光学マスク15の位置合わせを行う工程において、位置合わせマークとしての形状マーク8の対向する各側面の変形量の総和に基づいて、b形状マーク8の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程における条件変化量を取得し、当該条件変化量に基づいて移動量13を調整することで、加工条件に変化がある場合でもその変化に対応して移動量13を調整し、精度高く光学マスク15の位置合わせを行うことができる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、c変形後の位置合わせマークとしての形状マーク14に基づいて、当該変形による影響を補正した本来の位置に、光学マスク15の位置合わせを行う工程において、評価用パターン形状21の形状変化に基づいて、b形状マーク8の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程における条件変化量を取得し、当該条件変化量に基づいて移動量13を調整することで、加工条件に変化を評価用パターン形状の変化から推定し、その変化に対応して移動量13を調整し、より精度高く光学マスク15の位置合わせを行うことができる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、b形状マーク8の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程における所定の処理が、オフ基板である炭化珪素半導体基板1上の成膜工程および当該膜の除去工程であることで、光学マスク15の位置合わせずれが大きくなる工程において、そのずれを防止することができ、歩留まりの低下を低減する効果がある。また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、b形状マーク8の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程における所定の処理が、オフ基板である炭化珪素半導体基板1上の活性化アニール工程であることで、光学マスク15の位置合わせずれが大きくなる工程において、そのずれを防止することができ、歩留まりの低下を低減する効果がある。本発明の実施の形態では、各構成要素の材質、材料、実施の条件等についても記載しているが、これらは例示であって記載したものに限られるものではない。また本発明は、その発明の範囲内において、本実施の形態における任意の構成要素の変形もしくは省略が可能である。