サファイアインゴットからスライスして得られた基板に複数工程に亘る加工を施すことによりサファイア基板を製造するサファイア基板の製造方法であって、前記基板の少なくとも主面を反応性イオンエッチングする反応性イオンエッチング工程を含むことを特徴とするサファイア基板の製造方法。請求項1に記載のサファイア基板の製造方法であって、前記反応性イオンエッチング工程の前に、前記基板の前記反応性イオンエッチングをする面をラップ加工するラップ工程を含むことを特徴とするサファイア基板の製造方法。請求項2に記載のサファイア基板の製造方法であって、前記ラップ工程の前に、前記基板を支持する基板保持部材に前記基板を貼り付ける基板貼り付け工程を含むことを特徴とするサファイア基板の製造方法。請求項1から3のいずれか1項に記載のサファイア基板の製造方法によって製造されたサファイア基板。請求項4に記載のサファイア基板であって、前記反応性イオンエッチング工程後のサファイア基板の0.04μm2から4μm2の範囲における面粗度が、0.01nm以上1.0nm以下であることを特徴とするサファイア基板。請求項4または5に記載のサファイア基板であって、前記サファイア基板に半導体素子が形成されたことを特徴とするサファイア基板。特許文献1に開示されたサファイア基板の製造方法では、CMP研磨によって研磨が行われると、研磨屑被研磨物や研磨パッド等の削れ屑や遊離砥粒の凝集物などの異物が発生し、この異物の除去のため、洗浄液供給ノズルから洗浄液を研磨パッドの研磨面に噴射しながら研磨している。また、CMP研磨に用いられるアルカリ性のコロイダルシリカの遊離砥粒は化学薬品であるため、その洗浄には大量の洗浄液を使用する。これにより、サファイア基板の製造による工程費用が非常に高いものとなっていた。今般、LED素子などの半導体素子へのコスト低減の要求が強まっている背景から、できるだけ工程の短縮や削減が必要となっている。工程費用を削減するためにCMP研磨せずに、粗研磨であるラップ加工のみでサファイア基板を製造すると、サファイア基板の表面の平坦性を示す値である面粗度が悪くなり、その後、半導体素子形成を行う場合には面粗度が十分なものではなかった。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、工程費用を削減することにあり、工程費用を削減してもCMP研磨によって得られていたサファイア基板の面粗度と同程度の面粗度のサファイア基板の製造方法及びサファイア基板を提供することにある。上記目的を達するために、本発明は次のとおりの構成としている。本発明に係るサファイア基板の製造方法は、サファイアインゴットからスライスして得られた基板に複数工程に亘る加工を施すことによりサファイア基板を製造するサファイア基板の製造方法であって、前記基板の少なくとも主面を反応性イオンエッチングする反応性イオンエッチング工程を含むことを特徴とする。また、本発明に係るサファイア基板は、上記のサファイア基板の製造方法によって製造されたサファイア基板である。このような特定事項により、CMP研磨せずにサファイア基板を製造することができるため、大量の洗浄液を用いることがなく、製造コストを安くすることができ、CMP研磨と同等の面粗度のサファイア基板を製造することができる。上記のサファイア基板の製造方法であって、前記反応性イオンエッチング工程の前に、前記基板の前記反応性イオンエッチングをする面をラップ加工するラップ工程を含むものとする。このような特定事項により、反応性イオンエッチング工程の前にサファイア基板の面粗度を向上させることができ、その後の反応性イオンエッチングによってさらに、サファイア基板の面粗度を向上させることができる。上記のサファイア基板の製造方法であって、前記ラップ工程の前に、前記基板を支持する基板保持部材に前記基板を貼り付ける基板貼り付け工程を含むものとする。このような特定事項により、ラップ工程時に基板が加重され、基板の加工面が定盤に押し当てられても、基板が基板保持部材によって基板を保護することができる。上記のサファイア基板であって、前記反応性イオンエッチング工程後のサファイア基板の0.04μm2から4μm2の範囲における面粗度が、0.01nm以上1.0nm以下であるものとする。このような特定事項により、CMP研磨と同等の面粗度とすることができ、上記の面粗度の範囲内であれば、後工程の半導体素子形成時に行われる有機金属気相成長法により良質の結晶成長ができる。上記のサファイア基板に半導体素子が形成されたこととする。このような特定事項により、CMP研磨を行わず、大量の洗浄液を用いることがないため、製造コストが安く、面粗度の優れたサファイア基板上に半導体素子が形成されたサファイア基板とすることができる。本発明によれば、工程費用を削減することができ、工程費用を削減してもCMP研磨によって得られていたサファイア基板の面粗度と同程度の面粗度のサファイア基板の製造方法及びサファイア基板を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図7は、本発明に係るサファイア基板の製造方法の製造フローである。本実施形態に係るサファイア基板の製造方法は、サファイアインゴットからスライスされた基板10の両面をラップ加工する両面ラップ工程と、両面ラップ工程によって生じた加工応力及び加工歪みを緩和するアニール工程と、基板10を基板保持部材300に貼り付ける貼り付け工程と、基板10の表面10Aを粗研磨するラップ工程と、ラップ加工された基板10の表面10Aを純水で洗浄する洗浄工程と、ラップ加工された基板10の表面10Aを反応性イオンエッチングする反応性イオンエッチング工程とを含むものである。この工程に沿ってサファイア基板の製造方法を説明する。なお、以下に示す実施の形態はいずれも本発明を具体化した例であって、本発明の技術的範囲を限定する性格のものではない。[両面ラップ工程]まず、両面ラップ工程について説明する。図1は、本発明に係るサファイア基板の製造方法の両面ラップ工程を示し、aは、両面ラップ装置の概略図、bは両面ラップ工程を示す断面図である。両面ラップ工程では、サファイアインゴットからスライスされた厚さ1.2mmの基板10の両面を両面ラップ加工する。両面ラップ加工に用いられる両面ラップ装置200には、基板10を収容する治具210と、治具210の上部に備えられた上定盤220と、治具210の下部に備えられた下定盤221と、治具210の中心を自転軸、上定盤の中心を自転軸、下定盤の中心を自転軸として、それぞれ独立して自転させるモータ不図示とが備えられている。本実施形態の上定盤220及び下定盤221には、銅定盤が用いられる。治具210には、基板10の直径よりも大きい貫通孔211が備えられている。この貫通孔211に基板10を収容する。本実施形態では、4枚の基板10を治具210に収容している図1a参照。基板10を治具210に収容後、治具210及び基板10を、下定盤221に載置する。そして、上定盤220を下定盤221の方向に下げていき、上定盤220と下定盤221とで基板10を挟み込む。上定盤220が加重されることによって、基板10は下定盤221に押し当てられる。ここで、治具210の厚みは基板10の厚みよりも薄く設計されているため、基板10の両面は、それぞれ上定盤220及び下定盤221と接触している図1b参照。基板10が上定盤220及び下定盤221で挟み込まれた状態で、上定盤220、下定盤221が互いに逆向きとなるように自転させると共に上定盤220及び下定盤221と基板10との間に遊離砥粒を流し込む。これにより、遊離砥粒によって基板10の両面がラップ加工される。ここで、治具210も治具210の中心を自転軸として自転させるため、治具に収納された4枚の基板の面粗度が等しくなるようにラップ加工される。遊離砥粒は、数十μmから数百μmの粒径であり、例えばボロンカーバイド又はグリーンカーバイドといった遊離砥粒を用いる。これにより、基板10の厚みを両面合わせて0.25mmラップ加工し、基板10の両面の面粗度が数十nmから数百μmの範囲となる。本工程では、両面ラップ加工に限られず、片面ラップ加工、ワイヤーソウ加工を用いても構わない。[アニール工程]次にアニール工程について説明する。アニール工程では、前述した両面ラップ工程によって基板10に生じた加工応力及び加工歪みを緩和する。具体的には、基板10を高温炉不図示に入れ、1600°Cの加熱温度で3時間保持している。これにより、基板10の加工応力及び加工歪みを緩和することができる。ここで、アニールの温度、アニールの時間は、一例を示しただけであって、上記した温度、時間に限定するものではない。[貼り付け工程]次に貼り付け工程について説明する。図2は、本発明に係るサファイア基板の製造方法の貼り付け工程を示す断面図である。貼り付け工程では、後述するラップ工程によってラップ加工する基板10の面と逆側の面本実施形態では、基板10の裏面10Bとする。に基板保持部材300を貼り付ける。基板保持部材300は、プレート310と、プレート310上に固定され、開口を有する保持部材320と、保持部材320の開口に収容され、プレート310に貼り付けられた吸着パッド330と、が含まれる。基板10の裏面10Bに、吸着パッド330を貼り付けると共に、基板10の裏面10Bに接着剤であるワックスを用いて、保持部材320と基板10の裏面10Bの貼り付けを行う。貼り付け時には基板10の表面10Aから圧力をかけて貼り付けを行う。よって、基板10とプレート310とが貼り付けられ、基板10と基板保持部材300とが貼り付けられることとなる。なお、接着剤には、アクリル樹脂又はガラスエポキシ樹脂を用いても構わない。また、プレート310は、セラミックプレートを用いている。これにより、後述するラップ工程で基板10をラップ加工する際に、基板10の裏面10Bには基板保持部材300が貼り付けられているので、基板10が加重されても、基板10を保護することができる。[ラップ工程]次にラップ工程について説明する。図3は、本発明に係るサファイア基板の製造方法のラップ工程を示し、aは、ラップ装置を示す平面図、bはラップ工程を示す断面図、図5は、本発明に係るサファイア基板の製造方法のラップ工程後のAFM画像である。ラップ工程では、前述した基板保持部材300が貼り付けられた基板10の基板側基板10の表面10Aをラップ加工する。ラップ工程に用いられるラップ装置400には、基板10をラップ加工する定盤410と、定盤410と対峙するように基板10が取り付けられる取付具420と、ラップ加工時に使用する遊離砥粒が吐出されるノズル430と、取付具420の中心を自転軸、定盤410の中心を自転軸として、それぞれ独立して自転させるモータ不図示と、が備えられている。本実施形態の定盤410には、銅または錫を含む比較的軟質な金属系の定盤が用いられる。取付具420に前述した基板保持部材300が貼り付けられた基板10を取り付けた後、取付具420が定盤410方向に加重されることによって、基板10の表面10Aが定盤410に押し当てられる。この状態で、定盤410及び取付具420を互いに逆向きとなるように自転させると共に、ノズル430から遊離砥粒を吐出する。定盤410は、30rpmから80rpmまでの回転数で自転させることが好ましい。遊離砥粒は、数μmの粒径であり、例えばダイヤモンドスラリーを用いる。その後、数十nmの粒径のシリカ粒子を用いて、軟質の発泡ウレタンまたはスエード状のパッドなどの研磨布で基板10の表面10Aを研磨する。以上のラップ工程によって、基板10の表面10Aを0.045mmラップ加工すると、基板10の面粗度は、4μm2の範囲において、12.7nmとすることができる図5参照。前述した両面ラップ加工後の面粗度つまり、ラップ工程前の面粗度が数十nmから数百μmの範囲であるため、後述する反応性イオンエッチング工程の前段階で、サファイア基板の面粗度を向上させることができる。[洗浄工程]次に洗浄工程について説明する。洗浄工程では、前述したラップ工程後の基板10と基板保持部材300とを取り外した後に、純水によって基板10を洗浄する。この洗浄工程での洗浄には、化学薬品を用いた精密洗浄をおこなうものではなく、純水によって基板保持部材300の取付時に付着したワックス又は接着剤を取り除く簡易的な洗浄に留める。これにより、化学薬品を用いることなく、製造コストを安くすることができる。[反応性イオンエッチング工程]次に反応性イオンエッチング工程について説明する。図4は、本発明に係るサファイア基板の製造方法の反応性イオンエッチング工程を示す断面図、図6は、本発明に係るサファイア基板の製造方法の反応性イオンエッチング工程後のAFM画像である。反応性イオンエッチング工程では、前述した基板10のラップ加工された面基板10の表面10Aを反応性イオンエッチングする。反応性イオンエッチング工程で用いられる反応性イオンエッチング装置100は、基板10を載置する電極110と、電極110と対向する対向電極120と、電極110及び対向電極120を収容し、その内部雰囲気の調整が可能なチャンバ130と、イオン源となるガスをチャンバ130内に供給するガス供給部140と、が備えられている。チャンバ130中の電極110に、基板10の表面10Aを上にして基板10を載置する。その後、ガス供給部140よりチャンバ内にガスを供給し、電極110及び対向電極120と接続された電源不図示によって電極110及び対向電極120に設定電圧を印加することにより、電極110と対向電極120との間にプラズマが発生し、基板10の表面10Aに反応性イオンが噴射される。本実施の形態では、チャンバ130に供給するガスは、三塩化ボロンを使用している。三塩化ボロンと基板10の表面10Aが反応して、基板10の表面10Aがエッチングされる。三塩化ボロンを使用することで50nm/minのレートでエッチングを行うことができ、20分の処理時間で基板10の厚みを1000nmエッチングすることができる。この結果、基板10の表面10Aの面粗度は、4μm2の範囲で3.2nmとすることができた図6参照。ガス種や設定電圧の最適化によって基板10の表面10Aの面粗度をより小さくすることができ、実験では、4μm2の範囲で0.18nmの面粗度が得られている。この面粗度は、発明者が比較例として行ったCMP工程によるCMP研磨後のサファイア基板の表面10Aの面粗度である0.23nmよりも低い値である。これにより、反応性イオンエッチング工程はCMP工程よりも有効である結果が得られ、CMP研磨時に使用される大量の洗浄液を使用することがなく、製造コストを安くすることができる。さらに上記の面粗度の優れた基板10の表面10A上にLEDやパワーデバイスといった半導体素子を形成することができる。