"電気回路の製造方法であって、第1の導体層20と第2の導体層24と該第1の導体層および該第2の導体層間に設けられる誘電体22とを含み、前記第1の導体層20が前記第2の導体層24よりも数倍厚い、予成形基板10を設けるステップと、少なくとも1つの冷却すべき素子30-34を、前記予成形基板の前記第1の導体層20上に、前記少なくとも1つの冷却すべき素子と前記第1の導体層との間に熱伝導接続を形成しつつ実装するステップとを含むことを特徴とする電気回路の製造方法。前記予成形基板10を、前記第1の導体層20と前記誘電体22と前記第2の導体層24とが真空中で相互接続された積層体として、または、金属コア回路板として、または、絶縁型金属基板IMSとして、または、真空中でラミネートされた回路板を含む金属支持体として設ける、請求項1記載の電気回路の製造方法。前記少なくとも1つの冷却すべき素子30-34の実装ステップは、さらに、前記素子30-34と前記第1の導体層20との間の電気的コンタクトを、例えば前記第1の導体層に面する前記素子のコンタクトを前記素子に面する前記第1の導体層の表面上にはんだ付けすることによって形成することを含む、請求項1または2記載の電気回路の製造方法。前記少なくとも1つの冷却すべき素子30-34の実装ステップの前もしくは後に、前記基板の全厚さを通して個々の基板セクション12,14を分割し、該個々の基板セクションのうち少なくとも1つの基板セクションが前記少なくとも1つの冷却すべき素子を支持するように、前記基板10をパターニングし、さらに、1つの基板セクション14と電気コンタクトインタフェース70との間または1つの基板セクション14と別の基板セクション12との間の電気的接続を形成し、前記少なくとも1つの冷却すべき素子の実装後に前記基板セクションを注封する、請求項1から3までのいずれか1項記載の電気回路の製造方法。前記個々の基板セクション12,14を打ち抜きまたはソー切削または切断またはレーザー分離または切削破断により相互に分割し、さらに、前記個々の基板セクションを上部に実装したヒートシンク40を、前記基板の前記第2の導体層24と前記ヒートシンク40との間の熱伝導接続42が形成されるように設ける、請求項4記載の電気回路の製造方法。前記少なくとも1つの冷却すべき素子30-34と電気コンタクトインタフェース70との間、または、1つの素子32と前記第1の導体層上に実装された別の素子34との間に、少なくとも1つの導体のボンディングまたははんだ付けまたは導体例えば金属ブリッジ60-64のはんだ接続により、電気的接続を形成する、請求項1から5までのいずれか1項記載の電気回路の製造方法。さらに、例えばエッチングもしくはフライス加工により、前記第2の導体層の縁領域を除去して、該縁領域内に前記第2の導体層24に対する前記誘電体22の突出部50を形成する、請求項1から6までのいずれか1項記載の電気回路の製造方法。前記予成形基板10を電気的ブレークダウン耐性が測定された基板10として設けるか、または、前記基板を設けるステップが、前記第1の導体層と前記第2の導体層との間に試験電圧を印加して測定電流を検出することによりブレークダウン耐性を求めることを含む、請求項1から7までのいずれか1項記載の電気回路の製造方法。電気回路であって、第1の導体層20と第2の導体層24とこれらの間に設けられた誘電体22とによって形成された予成形基板10を備え、前記第1の導体層20は前記第2の導体層24よりも数倍厚く、さらに、前記第1の導体層20上に実装された少なくとも1つの冷却すべき素子30-34を備え、前記少なくとも1つの冷却すべき素子30-34と前記第1の導体層20との間に熱伝導接続部が設けられていることを特徴とする電気回路。前記基板10は複数の個別の基板セクション12,14に分割されており、該複数の個別の基板セクションのうち少なくとも2つの基板セクション上に前記少なくとも1つの冷却すべき素子30-34が配置されており、各基板セクションはヒートシンク40上に固定されており、前記ヒートシンクは各基板セクションの前記第2の導体層24に熱伝導接続されており、各基板セクション12,14と前記少なくとも1つの冷却すべき素子30-34とが注封材80内に埋め込まれている、請求項9記載の電気回路。"