第1金属板と、前記第1金属板の一方の面に実装される半導体素子と、前記第1金属板の他方の面に配設される第1絶縁基板と、前記第1金属板、前記半導体素子、及び前記第1絶縁基板を封止する封止樹脂とを含み、前記第1金属板と前記第1絶縁基板との間に、流動性のある熱伝導部材が塗布又は形成される、半導体装置。前記第1金属板の前記第1絶縁基板と当接する面には、当該面の外周に沿って凹部又は溝部が形成される、請求項1記載の半導体装置。前記第1絶縁基板の前記第1金属板と当接する面とは反対側の面に、第1金属膜が配設される、請求項1又は2記載の半導体装置。前記半導体素子の前記第1金属板に接続される面とは反対側の面に接続されるスペーサと、前記スペーサを介して前記半導体素子の前記第1金属板に接続される面とは反対側の面に接続される第2金属板と、前記第2金属板の前記スペーサに接続される面とは反対側の面に配設される第2絶縁基板とをさらに含み、前記スペーサ、前記第2金属板、及び前記第2絶縁基板は、前記封止樹脂によって封止されるとともに、前記第2金属板と前記第2絶縁基板との間に、流動性のある熱伝導部材が塗布又は形成される、請求項1乃至3のいずれか一項記載の半導体装置。前記第2絶縁基板の前記第2金属板と当接する面とは反対側の面に、第2金属膜が配設される、請求項4記載の半導体装置。ところで、従来の半導体装置では、主電極に隆起部が設けられている。このため、主電極の隆起部が形成されている面とは反対側の面に絶縁基板をろう付け等で接続すると、凸部に応力が集中することによって絶縁基板に不均一な応力がかかり、絶縁基板が破損する虞があった。そこで、絶縁基板の破損を抑制した半導体装置を提供することを目的とする。本発明の実施の形態の半導体装置は、第1金属板と、前記第1金属板の一方の面に実装される半導体素子と、前記第1金属板の他方の面に配設される第1絶縁基板と、前記第1金属板、前記半導体素子、及び前記第1絶縁基板を封止する封止樹脂とを含み、前記第1金属板と前記第1絶縁基板との間に、流動性のある熱伝導部材が塗布又は形成される。絶縁基板の破損を抑制した半導体装置を提供できる。以下、本発明の半導体装置を適用した実施の形態について説明する。<実施の形態1>図1は、実施の形態1の半導体装置を含む電源回路によって駆動される電動機を含む駆動システムを示す図である。駆動システム10は、電動機1、電源回路2、駆動制御部3、HVECUHybridVehicleElectronicControlUnit4、及びレゾルバ5を含み、例えば、ハイブリッド車HybridVehicleに用いられる。電動機1は、車両に搭載されるモータジェネレータMGであって、電源回路2に含まれるバッテリ6から電力が供給されるときはモータとして機能し、図示されていないエンジンによる駆動時、あるいは車両の制動時には発電機として機能する三相同期型回転電機である。ここでは、電動機1として、1台でモータの機能と発電機の機能とを有するモータジェネレータを用いる形態について説明するが、これは例示であって、モータの機能のみを有する回転電機を1台、発電機の機能のみを有する回転電機を1台用いるものとしてもよい。また、モータジェネレータを複数用いてもよい。モータジェネレータを複数用いる場合は、いずれか1つの電動機1をバッテリ6の充電のための発電機、いずれか他の電動機1を主として動力を発生する駆動モータとして用いてもよい。電源回路2は、バッテリ6、平滑キャパシタ7A、昇降圧コンバータ8、平滑キャパシタ7B、及びインバータ9を含む。バッテリ6は、充放電可能な二次電池である。バッテリ6としては、例えば、約200Vから約300Vの端子電圧を有するリチウムイオン組電池あるいはニッケル水素組電池、又はキャパシタ等を用いることができる。平滑キャパシタ7Aは、バッテリ6と昇降圧コンバータ8との間に設けられ、電源回路2内におけるバッテリ6側の電圧変動を抑制する。昇降圧コンバータ8は、リアクトルと、複数のスイッチング素子を含み、電源回路2内におけるバッテリ6側の電圧を昇圧してインバータ9側に出力するとともに、インバータ9側の電圧を降圧してバッテリ6側に出力する。昇降圧コンバータ8は、例えば、バッテリ6側の約200Vから約300V程度の電圧を、リアクトルのエネルギ蓄積作用を利用して、例えば約500V~700Vの高電圧に昇圧する。また、昇降圧コンバータ8は、インバータ9側からの電力をバッテリ6側に充電電力として供給するときには、インバータ9側の電圧を降圧してバッテリ6側に出力する。平滑キャパシタ7Bは、昇降圧コンバータ8とインバータ9の間に設けられ、電源回路2内におけるインバータ9側の電圧変動を抑制する。インバータ9は、直流電力を交流三相駆動電力に変換して電動機1に供給するとともに、電動機1で回生された交流三相回生電力を直流電力に変換してバッテリ6に供給する。インバータ9は、2つのスイッチング素子が直列に接続され、さらに各スイッチング素子にそれぞれダイオードが並列に接続されるアームを三相分有する。各アームの中点は、電動機1の三相巻線1u、1v、1wに接続される。なお、インバータ9の入力電圧及び出力電圧の電圧値を表す信号は、駆動制御部3に入力される。インバータ9の各アームに含まれる2つのスイッチング素子と2つのダイオードは、実施の形態1の半導体装置に含まれる半導体素子である。スイッチング素子は、例えばIGBTであり、ダイオードは例えばFWDである。実施の形態1の半導体装置は、電力の供給及び回生を行うパワーカードとして、インバータ9の各アームに用いられている。駆動制御部3は、電源回路2のインバータ9の駆動制御を行うことにより、電動機1の駆動制御を行う装置である。駆動制御部3は、例えば、正弦波制御モード、過変調制御モード、又は矩形波制御モードによる電圧指令を生成し、インバータ9を介して電動機1の駆動制御を行う。駆動制御部3は、例えばECUによって構成される。HVECU4は、スロットルポジションセンサに接続されており、車両の運転者がスロットルを踏み込む度合いに応じたトルク指令値を出力する。トルク指令値は、電動機1に要求されるトルクを表す。HVECU4が出力するトルク指令値は、駆動制御部3に入力される。レゾルバ5は、電動機1の回転軸の回転数を検出する回転数検出部の一例である。レゾルバ5によって検出される電動機1の回転数を表す信号は、駆動制御部3に入力される。図2は、実施の形態1の半導体装置の斜視分解図である。図3は、実施の形態1の半導体装置の内部構造を示す斜視図である。図4は、実施の形態1の半導体装置を示す斜視図である。図5は、実施の形態1の半導体装置の断面図である。実施の形態1の半導体装置100は、電極110、半導体素子120A、120B、電極130、絶縁基板140、及び封止樹脂150を含む。分かり易さのために、図2及び図3では封止樹脂150を省略してある。図3と図4の違いは、封止樹脂150の有無である。すなわち、図3に示す電極110、半導体素子120A、120B、電極130、絶縁基板140を封止樹脂150で封止すると、図4に示す半導体装置100が得られる。図5は、図4におけるA-A矢視断面を示す。ここでは、半導体素子120AがIGBTであり、半導体素子120BがFWDである形態について説明する。半導体素子120A、120Bを含む半導体装置100は、図1に示すインバータ9に含まれる。電極110は、半導体素子120A、120Bを駆動するための電極として機能するとともに、半導体素子120A、120Bが発生する熱を放射する放熱板ヒートシンクとして機能する。電極110は、例えば、銅又は銅合金で構成され、厚さは、例えば、1.0mm~5.0mmである。電極110は、第1金属板の一例である。電極110の上面には半導体素子120A、120Bが接続される。半導体素子120Aの下面には、IGBTのコレクタがある。半導体素子120Aのコレクタは、例えば、半田によって電極110の上面に接続される。また、半導体素子120Bの下面には、FWDのカソードがある。半導体素子120Bのカソードは、例えば、半田によって電極110の上面に接続される。また、図2に示すように、電極110にはバスバー111が接続されている。電極110は、バスバー111を介して、電動機1又は平滑キャパシタ7B等図1参照に接続されている。半導体素子120Aの上面にある端子121A、121B、121C、121Dは、それぞれ、ボンディングワイヤ171A、171B、171C、171Dによって制御端子172A、172B、172C、172Dに接続されている。制御端子172A~172Dは図示しないリードフレームによって固定されており、図4に示すように封止樹脂150によって封止された後に、リードフレームが切除される。制御端子172A~172Dは、電極110とは絶縁されている。制御端子172A~172Dのうちの少なくとも1つはIGBTのゲートに接続されている。制御端子172A~172Dは、半導体素子120Aの駆動制御を行う制御信号の入力等に用いられる。なお、ボンディングワイヤ171A~171Dは、例えば、アルミニウム合金、又は、高純度のアルミニウムで構成される。ボンディングワイヤ171A~171Dの線径は、例えば、50μm~500μmである。制御端子172A~172Dは、例えば、銅又は銅合金で構成される。制御端子172A~172Dの厚さは、例えば、0.3mm~1.0mmである。半導体素子120Aの上面には、端子121A~121Dに加えて、IGBTのエミッタ121Eがある。エミッタ121Eは、電極130の第1部分132に接続される。エミッタ121Eと第1部分132とは、例えば、半田によって接続される。半導体素子120Bの上面には、FWDのアノード122Aがある。アノード122Aは、電極130の第2部分133が接続される。アノード122Aと第2部分133とは、例えば、半田によって接続される。半導体素子120Aのエミッタ121Eと、半導体素子120Bのアノード122Aは、電極130によって互いに接続される。電極130は、図2及び図3に示すように、バスバー131、第1部分132、及び第2部分133を有する。バスバー131は、電動機1又は平滑キャパシタ7Bに接続されている。第1部分132は、半導体素子120Aのエミッタ121Eに接続されている。第2部分133は、半導体素子120Bの上面にあるアノード122Aに接続されている。電極130は、例えば、電極110と同様に、銅又は銅合金で構成される。絶縁基板140は、粘着性及び熱伝導性のあるシリコーングリス141を介して、電極110の下面に貼り付けられている。絶縁基板140は、例えば、窒化ケイ素SiN、窒化アルミニウムAlN、又はアルミナAl2O3等のセラミック製の基板である。絶縁基板140は、平面視で電極110より大きく、電極110よりも薄く形成されている。絶縁基板140の厚さは、例えば、0.2mm~1.0mmである。絶縁基板140の下面140Aは、封止樹脂150から表出している。半導体素子120A、120Bから電極110に伝導する熱を半導体装置100の外部に放射する放熱板として機能する。また、絶縁基板140は、シリコーングリス141によって電極110に貼り付けられているが、シリコーングリス141の粘着性は、絶縁基板140を電極110に固定するほどの粘着力を有していない。このため、絶縁基板140は、封止樹脂150によって固定されている。なお、シリコーングリス141の厚さは、例えば、10μm~200μmであればよい。シリコーングリス141は、流動性のある熱伝導部材の一例である。図4及び図5に示すように、封止樹脂150は、電極110、半導体素子120A、120B、電極130、及び絶縁基板140を封止する樹脂である。絶縁基板140の下面140Aは、封止樹脂150から表出している。すなわち、絶縁基板140の下面140Aには、封止樹脂150は形成されていない。また、バスバー111、131、及び制御端子172A~172Dは、封止樹脂150から延出している。封止樹脂150は熱硬化性の樹脂で構成される。封止樹脂150は、例えば、エポキシ樹脂で構成され、ガラス繊維等が混入されていてもよい。封止樹脂150は、例えば、80°C~200°C程度まで加熱されて硬化され、その後に冷却される。電極110、半導体素子120A、120B、電極130、及び絶縁基板140は、封止樹脂150によって封止されている。封止樹脂150は、絶縁基板140と密着している。図6は、実施の形態1の半導体装置100の等価回路を示す図である。IGBTで構成される半導体素子120Aのコレクタは、電極110を介して、FWDで構成される半導体素子120Bのカソードに接続され、IGBTで構成される半導体素子120Aのエミッタは、電極130を介して、FWDで構成される半導体素子120Bのアノードに接続されている。IGBTで構成される半導体素子120Aのゲートは、ボンディングワイヤ171A~171D及び制御端子172A~172Dのうちの少なくとも一組を介して、駆動制御部30図1参照に接続される。半導体装置100の半導体素子120Aは、駆動制御部30からゲートに入力される制御信号によってオン/オフが行われる。半導体素子120Bには、半導体素子120Aがオフの時に、電流が流れる。次に、実施の形態1の半導体装置100の製造方法について説明する。図7及び図8は、実施の形態1の半導体装置100の製造工程を示す図である。まず、電極110、半導体素子120A、120B、電極130、絶縁基板140、及び制御端子172A~172Dの位置合わせを行う。位置合わせには、周知の治具を用いればよい。図7に示す状態で、電極110と半導体素子120A、120Bとの間、及び、半導体素子120A、120Bと電極130との間は、半田箔等を用いて接合される。半田箔は、例えば、錫と銀を含むSnAg半田、又は、錫と銅を含むSnCu半田等の材料を圧延することにより、シート状にした半田である。また、絶縁基板140は、シリコーングリス141によって電極110の下面に貼り合わされている。電極110にはバスバー111が接続されている。また、半導体素子120Aの端子121A~121Dと、制御端子172A~172Dとはそれぞれボンディングワイヤ171A~171Dで接続される。なお、電極110、130の表面には、ニッケルメッキ等が施されていてもよい。また、電極110、130の表面のうち、半田箔と接する部分には、濡れ性をよくするために金メッキを施してもよい。図7に示すように位置合わせを行った状態で、半田箔を溶融させることにより、電極110、半導体素子120A、120B、電極130、及び絶縁基板140を接続する。図7に示すように接合した電極110、半導体素子120A、120B、電極130、及び絶縁基板140は、封止樹脂150で封止する前に、ポリアミド又はポリイミド等を有機溶媒に溶解させた溶液に含浸させることにより、表面にポリアミド又はポリイミド等の被膜をコーティングする。これは、電極110、半導体素子120A、120B、電極130、及び絶縁基板140の表面に封止樹脂150が密着しやすくするためである。次に、電極110、半導体素子120A、120B、電極130、絶縁基板140、バスバー111、131、及び制御端子172A~172Dを封止樹脂150で封止する。封止樹脂150による封止は、封止樹脂150に熱硬化処理を行うことによって行われる。熱硬化処理では、図8に示す半導体素子120A、120B、電極130、絶縁基板140、バスバー111、131、及び制御端子172A~172Dを加熱した金型180A、180Bに入れ、熱硬化樹脂を加熱しながら金型180A、180B内に流し込み、金型180A、180B内の熱硬化樹脂に補圧を与えるとともに加熱を行うことにより、熱硬化樹脂の硬化反応を促進させる。このようにして、インサートモールドを行う。このとき、金型180A、180Bの間で、樹脂の注入圧が電極110を金型180Bに押し付けるように働くため、電極110と絶縁基板140との間にあるシリコーングリス141が厚さ方向に圧縮されることにより、より薄くなる。このため、電極110と絶縁基板140との間の熱伝導性が向上する。熱硬化樹脂の加熱は、例えば、80°C~200°C程度の温度で行い、その後に冷却することにより、図4に示す封止樹脂150が得られる。封止樹脂150は、電極110、半導体素子120A、120B、電極130、絶縁基板140を封止する。また、封止樹脂150からは、絶縁基板140の下面140A、バスバー111、131、及び制御端子172A~172Dの外側の一部が露出する。以上のような実施の形態1の半導体装置100によれば、電極110と絶縁基板140とはシリコーングリス141の粘着力又は毛細管現象によって張り合わされているだけである。シリコーングリス141は、図7及び図8を用いて説明した製造工程において、電極110と絶縁基板140との位置あわせを行う際に、位置ずれが生じない程度の粘着性を有している。このため、製造段階において電極110と絶縁基板140に位置ずれが生じることを抑制できる。また、電極110と絶縁基板140とは、シリコーングリス141によって熱的に接合されているが、シリコーングリス141によって剛的に接合されていない。電極110と絶縁基板140とは、シリコーングリス141によって仮接着されているだけであり、絶縁基板140は、封止樹脂150によって固定されている。従って、半導体素子120A、120Bで発生した熱は、電極110及びシリコーングリス141を介して絶縁基板140に伝達し、絶縁基板140から外部へ放熱される。また、電極110と絶縁基板140とは線膨張率が大きく異なるが、上述のように電極110と絶縁基板140との間はシリコーングリス141によって熱的に接合されているが剛的には接合されていない。このため、半導体装置100を駆動に伴って電極110及び絶縁基板140の熱膨張及び熱収縮が生じても、電極110と絶縁基板140との間では応力の発生が抑制されるので、絶縁基板140の破損を抑制することができる。また、このように絶縁基板140の破損を抑制できるので、電極110の厚さをより厚くすることができ、半導体装置100の放熱性能を向上させることができる。また、半導体装置100は、上述のように製造段階において、樹脂の注入圧が電極110を金型180Bに押し付けるように働くため、電極110と絶縁基板140との間にあるシリコーングリス141が厚さ方向に圧縮されることにより、より薄くすることができる。このため、電極110と絶縁基板140との間の熱伝導性を向上させることができる。また、封止樹脂150を形成する工程で、樹脂の注入圧によって電極110と絶縁基板140とが押圧されることによってシリコーングリス141が薄くされるため、封止樹脂150を形成する前に、予め電極110と絶縁基板140とを加圧してシリコーングリス141を薄くする工程は不要である。以上のように、実施の形態1によれば、絶縁基板140の破損を抑制した半導体装置100を提供できる。実施の形態1の半導体装置100は、電極110と絶縁基板140とが薄膜化されたシリコーングリス141を介して接続されているため、放熱効果も改善されている。また、絶縁基板140が封止樹脂150によって固定されていることにより、インバータ9に半導体装置100を組み付ける作業性が向上する。半導体装置100がハイブリッド車に搭載される場合は、電動機10の駆動及び回生の度に、インバータ9は高温に晒される。このような状況では、冷却性能の改善された実施の形態1の半導体装置100を用いることは、非常に有益である。なお、シリコーングリス141の熱伝導性は、例えば、シリコーングリス141に混入する無機フィラーの量によって調節することができる。また、以上では、電極110と絶縁基板140との間をシリコーングリス141で貼り付ける形態について説明したが、電極110から絶縁基板140に熱を伝導でき、電極110と絶縁基板140とを剛的に接合しないものであれば、シリコーングリス141の代わりに用いることができる。このようなものとしては、例えば、銀ペースト等の金属粉末を樹脂に混合させたペーストを用いることができる。また、以上では、半導体装置100が2つの半導体素子120A、120Bを含む形態について説明した。しかしながら、半導体装置100は、半導体素子を1つだけ含んでもよく、3つ以上の半導体素子を含んでもよい。また、以上では、IGBTとFWDを含む形態について説明したが、MOSFETやバイポーラトランジスタを含んでもよい。また、以上では、封止樹脂150がエポキシ樹脂で構成される形態について説明したが、封止樹脂150は、PPSポリフェニレンスルファイド樹脂、PBTポリブチレンテレフタレート樹脂で構成されてもよい。なお、以上では、半導体装置100がハイブリッド車のインバータ9に用いられる形態について説明したが、半導体装置100は、EVElectricVehicle車やその他の形式の車両のインバータに用いられてもよく、また、車両以外に用いられてもよい。<実施の形態2>図9は、実施の形態2の半導体装置の断面構造を示す図である。図9A、Bに示す断面は、実施の形態1の半導体装置100の図5に示す断面に対応する。以下において、実施の形態1の半導体装置100と同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図9Aに示すように、実施の形態2の半導体装置200は、電極110の下面110Aに溝部111が形成されている点が実施の形態1の半導体装置100と異なる。溝部111は、電極110の下面110Aの四辺に沿って、形成されている。溝部111の深さは、例えば、0.1mm、幅は1mm程度である。このような溝部111は、半導体装置200の封止樹脂150を形成する段階で、電極110と絶縁基板140とが樹脂の注入圧によって加圧されるときに、電極110の外周部に向かって移動するシリコーングリス141の余剰分を受けるために形成されている。電極110と絶縁基板140との間で加圧によって外側に押し出されるシリコーングリス141の余剰分は、溝部141に溜められる。このため、シリコーングリス141の余剰分が平面視で電極110の外側にはみ出すことを抑制できる。また、図9Bに示すように、図9Aに示す溝部111の代わりに、電極110の下面110Aの四辺に沿って凹部112を形成してもよい。凹部112は、電極110の下面110Aの端部に沿って形成されている。このような凹部112を有する場合においても、溝部111を有する場合と同様に、電極110と絶縁基板140との間で加圧によって外側に押し出されるシリコーングリス141の余剰分は、凹部112に溜められる。このため、シリコーングリス141の余剰分が平面視で電極110の外側にはみ出すことを抑制できる。なお、以上では、溝部111又は凹部112は、電極110の下面110Aの四辺の全周にわたって形成される形態について説明したが、溝部111又は凹部112は、電極110の下面110Aの四辺の一部に形成されていてもよい。例えば、四辺のうち、対向する二辺に沿って形成されていてもよい。また、溝部111又は凹部112は、連続的に形成されていてもよいし、一箇所又は複数箇所が途切れていてもよい。さらに、溝部111が二重に形成されていたり、溝部111と凹部112とを同じ辺で組み合わせたり、溝部111と凹部112とを辺毎にそれぞれ配置してもよい。<実施の形態3>図10は、実施の形態3の半導体装置の断面構造を示す図である。図10に示す断面は、実施の形態2の半導体装置200図9Aに示す断面に対応する。実施の形態3の半導体装置300は、実施の形態2の半導体装置200の絶縁基板140の下面140Aを金属膜360で被覆した構成を有する。その他の構成は、図9Aに示す実施の形態2の半導体装置200と同様であるため、以下において、実施の形態2の半導体装置200と同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。半導体装置300の絶縁基板140の下面140Aには、絶縁基板140の保護膜として用いる金属膜360が形成されている。金属膜360は、例えば、銅箔又はアルミ箔であり、絶縁基板140の下面140Aにろう付けされている。また、図10では絶縁基板140の一面にのみ金属膜360が形成されているが、両面に形成してもよい。図11は、実施の形態3の半導体装置300の製造工程の一部を示す図である。図11Aに示すように、金型180A、180B図8参照を用いて半導体装置300の封止樹脂150を形成した後には、封止樹脂150の一部が金属膜360の下面360Aを覆っている場合がある。このような場合には、金属膜360の下面360Aより下の部分にある封止樹脂150を歯具等を用いて切削やショットブラストで削り取る。図11Bに破線で示すように、封止樹脂150のうち金属膜360の下面360Aより下の部分を削り取ると、封止樹脂150から金属膜360が表出される。このように封止樹脂150の下部を削り取る際に、金属膜360が形成されていないと、セラミック等で構成される絶縁基板140が破損する虞がある。また、これとは逆に、歯具が破損する場合もある。しかしながら、金属膜360を形成しておけば、封止樹脂150の下部を削り取っても、金属膜360は下面360Aが封止樹脂150の下部とともに削り取られるだけで、破損することはない。従って、実施の形態3によれば、封止樹脂150を形成した後には、封止樹脂150の下部を削り取る場合であっても、絶縁基板140に損傷を与えることなく、半導体装置300を製造することができる。また、このように封止樹脂150の下部を削り取る際に、金属膜360の下面360Aも削り取ることにより、半導体装置300の下面において、封止樹脂150と金属膜360の面を揃えることができる。なお、半導体装置300の動作に伴って絶縁基板140と金属膜360が熱膨張及び熱収縮を繰り返しても、絶縁基板140に比べて金属膜360は薄いため、絶縁基板140の熱膨張及び熱収縮に合わせて金属膜360が伸縮することになる。金属膜360の厚さは、例えば、0.5mmであればよい。また、金属膜360で絶縁基板140を被覆しておくと、半導体装置300の金属膜360を冷却器等に取り付ける際に、異物が挟まっても、金属膜360が変形して異物混入による圧力を分散して絶縁基板140の破損を抑制することができる。<実施の形態4>図12は、実施の形態4の半導体装置の斜視分解図である。図13は、実施の形態4の半導体装置の内部構造を示す斜視図である。実施の形態4の半導体装置400は、実施の形態1の半導体装置100の半導体素子120A、120Bの上側にも絶縁基板を設けた構成を有する。その他の構成は、実施の形態1の半導体装置100と同様であるため、以下において、実施の形態1の半導体装置100と同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。半導体装置400は、電極110、半導体素子120A、120B、スペーサ420A、420B、電極430、及び絶縁基板140、440を含む。図12及び図13では、封止樹脂を省略する。実施の形態4の半導体装置400は、実施の形態1の半導体装置100の電極130の代わりに、放熱板ヒートシンクとして機能する電極430を含み、電極430の上面に絶縁基板440を取り付けた構成を有する。なお、電極430と半導体素子120A、120Bの間には、主にボンディングワイヤ171A、171B、171C、171Dと電極430との干渉を防ぐために、スペーサ420A、420Bが挿入されている。スペーサ420A、420Bは、銅又は銅合金で構成される。スペーサ420Aは、IGBTのエミッタ121Eと、電極430とを接合する。スペーサ420Bは、FWDのアノード122Aと、電極430とを接合する。スペーサ420A、420Bの高さは、ボンディングワイヤ171A、171B、171C、171Dと電極430との干渉しないようにできる高さであればよい。電極430は、第2金属板の一例である。電極430は、電極110と同様の構成を有し、半導体素子120A、120Bの電極として機能するとともに、半導体素子120A、120Bの放熱板ヒートシンクとして機能する。半導体素子120A、120Bが発生する熱は、スペーサ420A、420Bを介して電極430に伝達する。なお、半導体素子120A、120B、スペーサ420A、420B、電極430は、それぞれ半田で接合されている。また、電極430には、バスバー431が接続されている。バスバー431は、実施の形態1のバスバー131と同様である。絶縁基板440は、第2絶縁基板の一例である。絶縁基板440は、電極430の上面に、シリコーングリスによって張り合わされている。絶縁基板440は、絶縁基板140と同様に、例えば、窒化ケイ素SiN、窒化アルミニウムAlN、又はアルミナAl2O3等のセラミック製の基板である。絶縁基板440は、平面視で電極430より大きく、電極430よりも薄く形成されている。絶縁基板440の厚さは、例えば、0.2mm~1.0mmである。絶縁基板440は、電極430と熱的に接合されており、半導体素子120A、120Bからスペーサ420A、420B、及び電極430を経て伝達される熱を放熱する。絶縁基板440の上面440Aは、後述する封止樹脂から表出する。図14は、実施の形態4の半導体装置の断面構造を示す図である。図14に示す断面は、図13におけるB-B矢視断面である。図14に示すように、半導体装置120Bの上には、スペーサ420B及び電極430が接続されており、電極430の上には、シリコーングリス441を介して、絶縁基板440が張り合わされている。電極430と絶縁基板440とは、シリコーングリス441によって熱的に接合されているが、シリコーングリス441によって剛的に接合されていない。絶縁基板440は、封止樹脂450によって固定されている。このため、半導体素子120A、120Bで発生した熱は、電極430及びシリコーングリス441を介して絶縁基板440に伝達し、絶縁基板440から外部へ放熱される。また、電極430と絶縁基板440とは線膨張率が大きく異なるが、上述のように電極430と絶縁基板440との間はシリコーングリス441によって熱的に接合されているが剛的には接合されていない。このため、半導体装置400を駆動に伴って電極430及び絶縁基板440の熱膨張及び熱収縮が生じても、電極430と絶縁基板440との間では応力の発生が抑制されるので、絶縁基板440の破損を抑制することができる。また、このように絶縁基板440の破損を抑制できるので、電極430の厚さをより厚くすることができ、半導体装置400の放熱性能を向上させることができる。また、半導体装置400は、上述のように製造段階において、樹脂の注入圧が電極430を金型180A、180B図8参照に押し付けるように働くため、電極430と絶縁基板440との間にあるシリコーングリス441が厚さ方向に圧縮されることにより、より薄くすることができる。このため、電極430と絶縁基板440との間の熱伝導性を向上させることができる。また、封止樹脂450を形成する工程で、樹脂の注入圧によって電極430と絶縁基板440とが押圧されることによってシリコーングリス441が薄くされるため、封止樹脂450を形成する前に、予め電極430と絶縁基板440とを加圧してシリコーングリス441を薄くする工程は不要である。以上のように、実施の形態4によれば、絶縁基板140及び440の破損を抑制した半導体装置400を提供できる。実施の形態4の半導体装置400は、半導体素子120A、120Bで生じた熱が、絶縁基板140及び440の両方から放熱されるため、実施の形態1の半導体装置100よりも放熱効果が高い。実施の形態4の半導体装置400は、電極430と絶縁基板440とが薄膜化されたシリコーングリス441を介して接続されているため、放熱効果も改善されている。なお、以上では、電極430と絶縁基板440との間をシリコーングリス441で貼り付ける形態について説明したが、電極430から絶縁基板440に熱を伝導でき、電極430と絶縁基板440とを剛的に接合しないものであれば、シリコーングリス441の代わりに用いることができる。このようなものとしては、例えば、銀ペースト等の金属粉末を樹脂に混合させたペーストを用いることができる。また、絶縁基板140の下面140Aを金属膜360で被覆するとともに、絶縁基板440の上面440Aを同様の金属膜で被覆してもよい。この金属膜は、第2金属膜の一例である。また、電極430の上面に、実施の形態2で説明した溝部111又は凹部112と同様の溝部又は凹部を形成してもよい。以上、本発明の例示的な実施の形態の半導体装置について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。