"中空扁平状をなし、両外表面に接合された発熱体からの熱を、内部に流れる冷媒によって吸収するヒートシンクであって、所定の間隔を隔てて対向配置され、それぞれの外表面が前記発熱体との接合面となる2枚の平板と、前記2枚の平板のそれぞれに対して、当該平板の内表面から対向する平板に向けて延伸するように形成されるとともに、その先端の少なくとも一部が自由端となっているフィンと、を備えたことを特徴とするヒートシンク。前記フィンのそれぞれは、波状板の山部分を前記平板に接合したものであることを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。前記平板は、内表面に複数の溝あるいは窪みが設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載のヒートシンク。前記フィンには、切れ込みまたは薄肉部が設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のヒートシンク。回路基板上に半導体素子を実装して一体化した半導体モジュールの複数と、前記複数の半導体モジュールを前記発熱体として前記両外表面に接合した請求項1ないし4のいずれか1項に記載のヒートシンクと、を備えたことを特徴とする半導体装置。前記半導体モジュールと前記ヒートシンクとの間に、前記半導体モジュールの線膨張係数と前記ヒートシンクの線膨張係数の中間の線膨張係数を有する緩衝板を介在させたことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置前記半導体素子がワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置。前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム、またはダイヤモンドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。発熱体に直接冷却水を接触させる場合、発熱体から発生する熱を効果的に除去できるが、冷却水の漏れ防止や冷却水に対する耐性のために、発熱体を封止する材料や構造、あるいはシール構造等が制約されてしまう。一方、弾力によって発熱体と冷却管の外表面とを密着させるようにしたヒートシンクでは、発熱体と冷却管の接触面で熱抵抗が発生するので、発熱量が増大した場合には、十分な冷却性能を維持することが困難であった。そこで、例えばはんだのような金属接合材を用いて発熱体と冷却管の外表面とを結合して熱抵抗を低減することが考えられる。しかし、冷却性能を高めるためには、冷媒との熱抵抗も低く抑える必要があり、冷媒との接触面積を増加させるために、冷却管内部においてフィンを管壁に固着することになり、冷却管の管壁がフィンを介して対向面までつながることになる。そのため、冷却管の剛性が増大するので、発熱体と冷却管の外表面とを金属接合材で接合してしまうと、発熱体が熱変形した場合、接合部に熱応力が集中する。この熱応力が起動停止のたびに繰り返されると、冷却管の外表面との接合部にき裂を生じ、発熱体と冷却管間の伝熱経路が小さくなり熱抵抗が上昇し、冷却能力が低下するという問題があった。この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、発熱体との接合部に生じる応力を低減し、温度サイクルを繰り返しても高い冷却性能を維持するヒートシンク、およびこのヒートシンクを備えることで安定して動作する半導体装置を得ることを目的としている。本発明にかかるヒートシンクは、中空扁平状をなし、両外表面に接合された発熱体からの熱を、内部に流れる冷媒によって吸収するヒートシンクであって、所定の間隔を隔てて対向配置され、それぞれの外表面が前記発熱体との接合面となる2枚の平板と、前記2枚の平板のそれぞれに対して、当該平板の内表面から対向する平板に向けて延伸するように形成されるとともに、その先端の少なくとも一部が自由端となっているフィンと、を備えたことを特徴とする。本発明にかかる半導体装置は、回路基板上に半導体素子を実装して一体化した半導体モジュールの複数と、前記複数の半導体モジュールを前記発熱体として前記両外表面に接合した上述したヒートシンクと、を備えたものである。この発明によれば、発熱体と接合される2枚の平板がそれぞれ独立して変形できるので、接合部材にかかる熱応力を抑制し、温度サイクルを繰り返しても高い冷却性能を維持するヒートシンク、およびこのヒートシンクにより半導体モジュールを冷却することで安定して動作する半導体装置を得ることができる。実施の形態1.図1と図2は、本発明の実施の形態1にかかるヒートシンクおよびヒートシンクを備えた半導体装置、および半導体装置内において当該ヒートシンクによって冷却される半導体モジュールの構成を説明するための図である。図1はヒートシンクの構造を説明するための、半導体装置内の半導体モジュールとヒートシンクとの接合部の周辺部分を斜め方向から見たときの部分断面図であり、図2は当該ヒートシンクにより冷却される半導体モジュールの構成を説明するための断面図である。はじめに、図1を用いてヒートシンクの構成について説明する。本発明の実施の形態1にかかるヒートシンク3はアルミニウム製で、所定の間隔を隔てて対向するように配置した2枚の平板31Aと平板31Bとを、側壁32を介して結合し、中空扁平状の筺体33を構成する。そして、両平板31Aと31Bの間には、x方向に沿って延びるとともに、x方向において側壁31から一定の距離をあけた平板状のフィン34が、y方向に等ピッチで並ぶように配置されている。これにより、両平板31A、31B間の間隙のうち、フィン34の襞x方向に沿って冷媒の流路が形成され、フィン34の襞方向の端部と側壁31の間が、冷媒のヘッダ部H3となる。図1では、ヘッダ部H3と側壁32の構成を分かりやすくするため、断面よりx方向手前部分の側壁32と平板31A,31B部分を破線で示している。そして、本発明の実施の形態にかかるヒートシンクに特徴的な構成が、フィン34のうち、少なくとも一部には、平板31Aと平板31Bの中間部分に切れ目Gabがあるものがある。つまり、ヒートシンク3は、平板31Aから対向する平板31Bに向かってz方向延伸するように平板31Aに固着されたフィン34Aと、平板31Bから対向する平板31Aに固着された対応するフィン34Aに向かって延伸するように平板31Bに固着されたフィン34Bを備えており、フィン34Aと34Bの延伸先z方向の端面である先端は、対向する平板またはそれに固着されたフィンから切り離されている。このとき、フィンの先端同士が接触している場合でも、接触していなくても、各平板31A、31Bに固着されたフィン34A、34Bの先端は、対向する平板31B、31Aの変位に拘束されず、自由端となっている。上記構成では、平板の端部に接合される側板32によって平板31Aと31Bの間隔が規定されている。しかし、熱変形に伴う、とくに伝熱面の中間部分の平板間の開きを防止するため、フィン34のうち、一部のフィン34Jと記載については、一般的なヒートシンクと同様に、両平板31A,31B間がつながるようにしている。フィン34Jの設置については、平板間の開きを防止するためで、例えば数列毎にひとつといった所定の割合、あるいは中央部分のみというように、面内の所定部分に対して、中間部分に切れ目がない一体物のフィンの両端を両平板31A,31Bに固着する。あるいはフィン34A、34Bの突き合わせ面のうち、例えば、発熱体1との接合部を除く部分といった、面内の適当な位置の部分を固着するようにしてもよい。また、発熱体とヒートシンクの組み合わせ方や組み込み方によっては、フィン34Jのような平板間をつなぐフィンを設けないようにしてもよい。上記のように構成したヒートシンク3の両面、つまり平板31Aと平板31Bの外表面に、それぞれ発熱体である半導体モジュール1Aと1Bまとめて1が接合材2で固着されている。接合材2には、はんだ、ロウ材あるいは接着樹脂など、平板31と半導体モジュール1を強固に接合する材料が用いられる。本発明の実施の形態1にかかる半導体装置は、少なくともひとつのヒートシンク3と、複数の半導体モジュール1を備え、各ヒートシンクの両面に複数の半導体モジュール1のそれぞれを固着させたものである。そして、半導体モジュール1として、例えば、図2に示す構成のようなものが想定される。図に示す構成は主要部材のみを示した簡略図であって、図において、半導体モジュール1内の主な発熱源となる半導体素子11は、IGBTInsulatedGateBipolarTransistorやMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorなどのスイッチング素子や整流素子として機能する素子である。半導体材料としては、炭化ケイ素SiCを基材とするいわゆるワイドバンドギャップ半導体であり、裏面をはんだ12によってアルミニウムのヒートスプレッダ14に接合し、能動面側には、例えば銅のリード13aがはんだ12によって接続されている。そして、ヒートスプレッダ14の半導体素子11が接合されている面の端部には端子13bがはんだ12によって接続され、裏側の面には伝熱性の高い絶縁シート15が添付され、その表面15rははんだとの接合を良くするために銅の金属膜で覆われている。そして、絶縁シート15の表面15rと、リード13aの端部、端子13bの端部が露出するように、それらを除く全体をエポキシ樹脂17で封止して一体化パッケージ化している。半導体素子11の両面には、それぞれリード13aやヒートスプレッダ14と接合できるように金属層が設けられており、例えばNi7μm厚/Au0.02μm厚を施している。そして、半導体素子11は、リード13a、端子13bを介して図示しない外部回路と接続されることになる。なお、図2では説明を簡略化するため、能動面側には、ソース電極のみが形成されているような記載となっているが、スイッチング素子の場合、能動面は区分けされゲート電極等複数の電極が形成されているとともに、リードやワイヤ等によって外部回路と接続するための配線がなされている。また、半導体素子11は、上述した炭化ケイ素以外にも、シリコンやいわゆるワイドバンドギャップ半導体である、窒化ガリウム、ダイヤモンドなどが用いられる。金属製のヒートスプレッダ14は、アルミニウムの他に銅などの熱伝導性の高い金属が用いられ、絶縁シート15を張り付ける面以外は、封止体17との接着性を強化するため、ディンプルが施されている。絶縁シート15には、例えば、Al2O3、AlN、SiNなどのセラミクスシートを用いると高い熱伝導性が得られる。このような構成によれば、半導体素子11で発生した熱は、ヒートスプレッダ14、絶縁シート15といった半導体モジュール1内部を通過し、接合材2を伝わって平板31A,31Bに伝わり、フィン34A,34B,34Jを伝導して、これらフィン34に沿って流れる冷媒に伝わる。ここで、半導体モジュール1と平板31A,31Bは通常異なる材質例えば、発熱体である半導体モジュール1は炭化ケイ素、銅、樹脂、はんだ、アルミニウムなどで構成される複合体、ヒートシンク3はアルミニウム、銅などの金属材で構成されているので、半導体装置の動作に伴い、温度が上昇すると、熱膨張率の差によって半導体モジュール1とヒートシンク3とくに平板31間に変位差が生じる。さらに、熱源である発熱体1と熱吸収体側の平板31との間に温度分布が生じるので、そこでも変位差が生じる。ここで、上述したように、熱抵抗低減のために半導体モジュール1と平板31とを接合材2により固着していると、変位差に伴い応力熱応力が発生する。この応力は、主にせん断応力として接合材2の縁近傍に生じ、応力の大きさによっては、ただちに破損しなくとも、応力が繰返されることによってき裂が進行する場合がある。その場合、半導体モジュール1と平板31間の熱抵抗が増大し、冷却能力が低下してしまう。このとき、従来のヒートシンクでは、対向する平板間は、フィン34Jのように両平板に固着されたフィンが全面に配されている。そのため、各平板31は、フィンが桁となり、対向する平板まで厚みを有する構造体のように機能するので、各平板31の変形剛性が高まり、接合材2には大きな応力が作用する。しかし、本実施の形態にかかるヒートシンク3では、フィン34B,34Aを配置することにより、平板31Aの平板31Bに対する構造的一体性が抑制されるので、フィン34Aが固着されても平板31Aの変形剛性が増大することなく、発熱体1の発熱による熱応力にともなう接合材2のせん断応力を低減させることができる。平板31B側も同様である。とくに、本実施の形態に示すように、ヒートシンク3の両面に発熱体1を接合する構造両面冷却構造の場合、ヒートシンク3の中央面で上下対称形状となるため、両平板の一体性が高いと、接合材2にかかる応力はきわめて高くなる。しかし、各平板31A,31Bに固着されたフィン34A,34Bは、それぞれ延伸した先の端面が自由端となっているので、各平板31A,31Bが互いに独立して変形できるようになる。そのため、このような両面冷却構造であっても、接合材2にかかる応力を相当低減できる。ここで、図1に示すように、アルミニウムのヒートシンクフィン高さ8mm、ピッチ2mmに接合材2としてはんだで両面にSiC半導体モジュール11を固着した構造体に対し、有限要素法による熱応力解析を行った。従来のヒートシンクに相当する構成比較例として、フィン34のうち、全てのフィンを34J自由端なしとしたときのはんだ接合層に生じる非弾性ひずみの量を1とし、本実施の形態にかかるヒートシンク3におけるはんだ接合層2にかかる非弾性ひずみの量と比較した。その結果、従来のヒートシンクに対し、本実施の形態にかかるヒートシンクでは、ひずみの比率を、約0.2まで低減できることが分かり、本発明の実施の形態1にかかるヒートシンクにおける接合層への応力緩和効果が大きいことが確認できた。なお、ここでは、フィン高さ8mm、ピッチ2mmの場合について熱応力解析を行ったが、これに限ることなく、その他のフィン高さやピッチとしてもよい。したがって、接合材2の応力繰返しによる損傷進行が低減され、頻繁多数な繰返しに対しても信頼性を維持できるヒートシンク、および半導体装置を得ることができる。ここで、たとえば、スイッチング素子や整流素子として機能する半導体素子11に、本実施の形態にかかる半導体装置で用いた炭化ケイ素のほか、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドといったワイドバンドギャップ半導体素子を用いた場合、従来から用いられてきたケイ素で形成された素子よりも電力損失が低いため、電力用半導体装置の高効率化が可能となる。また、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、電力用半導体装置の小型化が可能となる。さらにワイドバンドギャップ半導体素子は、耐熱性が高いので、高温動作が可能であり、ヒートシンクの放熱フィンの小型化や、水冷部の空冷化も可能となるので、電力用半導体装置の一層の小型化が可能になる。しかし、SiC素子は従来のSi素子よりも高温の温度に耐え得るという特徴があることから、これら発熱体1を固着したヒートシンク3の使用温度環境は、従来よりも更に高温の温度領域に達する可能性がある。したがって、ヒートシンク3は起動停止による温度変化が従来にも増して大きくなることが予想され、発熱体1とヒートシンク3の接合材2にかかる熱応力は更に増大するため、本発明による低応力化の効果がより顕著に表れる。また、SiCを搭載または混載した発熱体1は高温で使用されることから、発熱体1とヒートシンク3の接合材2には、従来よりも融点の高い材料、例えば、はんだの場合、SnAgCu系はんだSn-3Ag-0.5Cu:融点約220°Cに代わって、SnSb系はんだ融点約240°Cや、300~400°Cで焼結可能なAg系の材料焼結性金属微粒子が用いられる可能性がある。このため、接合材2を形成するには従来よりも20°Cから百数十°C程度、更に高い温度にさらす必要があるため、結合後、室温に冷却された際には、接合材2にはより大きい熱応力が作用する。このため、接合材2や発熱体1等に変形やき裂、損傷が生じやすくなるので、本発明の実施の形態にかかるヒートシンクのように、応力を抑制して損傷を緩和する必要性がますます求められる。つまり、ワイドバンドギャップ半導体の特性を活かして、小型化や高効率化を進めても半導体装置のヒートサイクル耐性、パワーサイクル耐性を向上させ、半導体装置の長寿命化を実現することができる。つまり、本発明による応力低減効果を発揮することで、ワイドバンドギャップ半導体の特性を活かすことができるようになる。なお、発熱体1として記載した半導体モジュール1の例は、ヒートシンク3や半導体装置を限定するものではなく、様々な形態のモジュールであってよい。また、本実施の形態1では、半導体モジュールを冷却する例として記載するが、その他冷却を要する発熱体であれば、必ずしも半導体モジュールである必要はない。また、フィン34の形態について、図1では、切れ目Gabあるいはフィン34Aとフィン34Bの端面の位置は、両平板31Aと31Bの中央部に位置しているが、その位置は、平板31Aもしくは31Bの一方に寄っていても構わない。あるいは、発熱体からの発熱量のバランスに応じて、例えば、発熱量の多い発熱体が固着された平板側のフィンの長さが長くなる冷媒との接触面積を確保ように、適宜切れ目Gabの位置を調節するようにしても良い。さらに、上記例では、平板31Aから延びるフィン34Aと平板31Bから延びるフィン34Bとが切れ目Gabを含む平板に平行な面に対して対称に配置されるような例を示したが、それに限られることはない。図3に示すように、非対象でよく、例えば図3aに示すように平板31Bから延びるフィン34Bv1のピッチが平板31Aから延びるフィン34Av1のピッチの倍というように異なっていてもよく、2倍や整数倍に限らず、異なった配置となってもよい。さらに図3bに示すように、平板31Aから延びるフィン34Av2の先端と平板31Bから延びるフィン34Bv1の先端とが付き合うことなく、入れ違いのように配置してもよい。この場合、平板31Aから延びるフィン34Av2の先端と平板31Bの間隔、平板31Bから延びるフィン34Bv1の先端と平板31Aとの間隔を調整することによって、冷却媒体はx方向だけではなく、y方向へ流れる成分を発生させることもできる。以上のように、本発明の実施の形態1にかかるヒートシンク3によれば、中空扁平状をなし、両外表面に接合された発熱体1からの熱を、内部に流れる冷媒によって吸収するヒートシンク3であって、所定の間隔を隔てて対向配置され、それぞれの外表面が発熱体である半導体モジュール1との接合面となる2枚の平板31A、31Bと、2枚の平板31A、31Bのそれぞれに対して、当該平板31A31Bの内表面から対向する平板31B31Aに向けて延伸するように形成され、2枚の平板間に流れる冷媒との伝熱面を形成するとともに、延伸した先端Vの少なくとも一部が自由端となっているフィン34A、34Bと、を備えるように構成したので、平板31A、31Bの剛性を増大させることが無く、発熱体1と平板31とを強固な接合材で接合していても、接合材2にかかる応力を低減することができるので、温度サイクルを繰り返しても高い冷却能力を安定して維持することができる。また、各平板から対向する平板に向けて延伸するように設けられ、先端が、対向する平板または対向する平板から延伸したフィンと接合されているフィン34Jも備えるように構成したので、温度変化の際の平板31A、31B間の開きを抑制することができる。また、本実施の形態1にかかる半導体装置は、回路基板となるヒートスプレッダ14上に半導体素子11を実装して封止樹脂17により封止一体化した半導体モジュール1の複数と、半導体モジュール1を発熱体として両外表面に接合した上述したヒートシンク3と、を備えるように構成したので、起動停止に伴う温度サイクルを繰り返しても、半導体モジュール1とヒートシンク3間の接合2が維持されるので、高い冷却能力が持続する。そのため、半導体装置としての特性が安定し信頼性の高い半導体装置を得る事が出来る。実施の形態2.本実施の形態2では、実施の形態1と較べてフィンの形状が異なり、実施の形態1に用いた平板状のフィンの代わりに波型形状を有するコルゲート板をフィンとしてコルゲートフィン用いたものである。図4は、本発明の実施の形態2にかかるヒートシンクを示す斜視断面図である。コルゲート板234Aの一方の面の山CA部分が平板231Aに、またコルゲート板234Bの一方の面の山CB部分が平板231Bにそれぞれ接合材であるロウ材35a、35bによって固着されている。ここで、各コルゲート板の平板と接合される面の山を山C、対向する平板に向かう面の山を山Vと称する。コルゲート板234Aの平板231Bに向かう先端となるフィンの山VA、およびコルゲート板234Bの平板231Aに向かう先端となるフィンの山VBは、それぞれ自由端となっている。なお、実施の形態1と同様に、平板間の開きを防止するため、本実施の形態2においても、複数ある山の一部については、ロウ材35abにより固着するようにした。コルゲート板は、材料としては横y方向につながっているが、コルゲート板における一方の面から見た山同士あるいは谷同士は、湾曲部分を経由して繋がることになる。したがって、接合材35a、35bにより平板31と接合され、横方向に並ぶ山CA-CA間、CB-CB間を拘束するような力はほとんど発生しない。そのため、対向する平板に向かって2つの山Cからひとつの山Vに向かって延伸する先端山VA,VBを対向する平板やフィンに対して接合せず、自由端とすることで、実施の形態1と同様に、各平板が独立した板材として機能し、剛性が増大することはない。しかも、コルゲートフィンは、平板状のフィンに対して、設置面積当たりの表面積が大きいので、同じ冷却能力冷媒に対する放熱面積を発揮するための平板間の間隔を狭くすることができる。つまり、このような構成によれば、冷却性能を向上しつつ、発熱体1の発熱に伴う接合部2にかかる熱応力を低減することができる。なお、本実施の形態においては、コルゲート板として単純な波型状のフィンを示したが、これに限られることはなく、その他の形状のものでも同様の効果が得られる。変形例.本変形例では、フィン234A、234Bのうち、平板231A側のフィン234Aを、それぞれ奥行x方向で3つのフィン234Aa,234Ab,234Acに分割して構成したものである。図5は変形例におけるフィンの配置を説明するためのもので、図5aは図4におけるz方向から見たフィンの平面配置、図5bは図4におけるx方向から見た側面配置を示す図である。なお、図では配置をわかりやすくするため、フィン間を離して描いている。図において、平板231A側のフィン234Aは、それぞれ奥行x方向で手前からフィン234Aa,234Ab,234Acの3つに分割され、平板231B側のフィン231Bは一体物である。図において、フィンのそれぞれ対向する平板に向かう山Vの配置が襞に直交するy方向にずらしてあり、フィン234Bの山VB図5aの点線に対して、フィン234Aaの山VAaとフィン234Acの山VAcが右側に、フィン234Abの山VAbが左側に0.1~1mm程度ずれて配置している。このような構成によれば、平板231Aにコルゲートフィン234Aを接合したものと、平板231Bにコルゲートフィン234を接合したものとを重ねたときに、両平板からそれぞれ延伸したフィンの先端のずれる方向が左右に分散する。そのため、側板32等と接合して筺体233を形成する際、両平板の襞に直交する方向への位置ずれの発生を抑制することができ、容易に製造できる。以上のように、本実施の形態2にかかるヒートシンク203によれば、フィン234のそれぞれが、波状板234A、234Bの山CA、CB部分を平板231A、231Bに接合したものを用いたので、冷却性能を向上しつつ、温度サイクルを繰り返しても高い冷却能力を安定して維持することができる。実施の形態3.本実施の形態3では、上記各実施の形態と較べて、平板自体の剛性を低減するために、平板の内表面に溝を設けたものである。図6は、本発明の実施の形態3にかかるヒートシンクを示す斜視断面図である。図において、基本的には実施の形態2の図4に示すヒートシンクに対して、平板331A、331Bのみが異なり、平板331Aと331Bの内表面に、フィン334A、334Bの襞x方向に直交する方向yに延びる溝D31A,D31BまとめてD31を形成している。このような構成によれば、フィン334の襞方向xにおける平板331の曲げ変形剛性が低下するため、発熱体1との接合部2図示なしに作用する熱応力を緩和できる。なお、フィン334の襞と直交する方向yの曲げ変形剛性は、上述した各実施の形態で説明したようにフィン334によるリブ効果が生じないため、襞方向の曲げ変形剛性より小さい。さらに、溝D31により、ヒートシンク303のy軸周りの曲げ変形剛性が低減して、更に応力緩和効果を向上できる。なお、溝D31は、平板331Aまたは331Bのうち、片側のみであっても構わない。この場合、溝D31の無い平板の剛性は高くなるが、溝D31による伝熱経路の減少が無く、冷却性能は溝D31のある平板よりも高くなる。変形例.なお、上記説明で使用した図6では、溝D31の断面形状が図7aに示すように矩形であったが、それに限られることはない。例えば図7bの溝D31v1に示すように、底部が弧状をなすようにすれば、変形時の応力が、溝の角に集中するのを抑制することができる。また、溝D31の方向については、フィンの襞に垂直な方向が効果的であるが、必ずしもそれに限られることはなく、傾いていてもよい。また、図7cの平板331v2に示すように、縦と横の2方向の溝D31v2を有するようにしてもよい。この場合、リブ効果を勘案して縦と横とで溝の数や間隔を適宜調整してもよい。また、図8の平板331v3に示すように、溝の代わりに貫通しない穴である窪みD31v3を設けるようにしてもよい。この場合もリブ効果に応じて窪みD31v3の配列や間隔を適宜調整すればよい。さらに溝や窪みを適宜組み合わせるようにしてもよい。以上のように、本実施の形態3にかかるヒートシンク303によれば、平板331は、内表面に肉厚を削る減肉部となる複数の溝D31D31v1~D31v2あるいは窪みD31v3が設けられているように構成したので、平板331の曲げ変形剛性を抑制し、接合部2にかかる応力をさらに低減できる。実施の形態4.本実施の形態4では、上記各実施の形態と較べて、フィン自体の剛性を低減するために、フィンにスリット切れ込みや薄肉部を設けたものである。図9と図10は、本発明の実施の形態4にかかるヒートシンクに用いるフィン形状を説明するための、ヒートシンクの厚み方向に垂直で、襞方向に直交する方向から見た側面図であり、図9はフィンに様々な形状のスリットS34を設けた例を、図10は薄肉部TW34を設けた例を示す。図9aに示すフィン434v1では、一方の平板31に山部Cが固着されている波状板のフィン434において、板厚z方向の中腹部分にスリットS34v1の複数が襞方向に並んで形成されている。このように、直線状のスリットS34v1を形成する場合、スリットS34v1の施工角度は、発熱体1の冷却効率フィン効率および厚み方向への柔軟性の観点から、ヒートシンクの厚み方向に対して、45度程度までの傾きで角度調整することが望ましい。一方、厚み方向への柔軟性よりも冷却効率を優先する場合、図9bに示すフィン434v2のように、ヒートシンクの厚み方向にほぼ平行なスリットS34v2を設けるようにしてもよい。その他、スリットの形状を図9cのスリットS34V3のようにV字状にすれば、フィンがスリットに沿って厚み方向へ変形した際でも、x方向へ先端が移動することを防止できる。また、図9dのスリットS34V4のようにH字状など、様々な形態への変形例が許容される。また、図10に示すフィン434v5では、一方の平板31に山部Cが固着されている波状板のフィン434v5において、板厚z方向の中腹部分薄肉部TW34の複数が襞方向に並んで形成されている。この場合も、薄肉部TW34の方向を、ヒートシンクの厚み方向に対して、45度程度までの傾きで角度調整することが望ましい。なお、上記例では、スリットS34や薄肉部TW34を波状板のフィンに対して設ける例を示したが、フィンは平板状やその他の形状であってもよい。また、平板も実施の形態3で示したような溝や窪みが設けられたものを使用すれば、なお一層柔軟性が向上し接合部に掛かる応力を低減することができる。以上のように、本実施の形態4にかかるヒートシンクによれば、フィン434にフィン自体の剛性を低減するためのスリットS34切れ込みや薄肉部TW34を設けるように構成したので、平板に対する剛性増大効果をより一層抑制し、接合部2にかかる応力をさらに低減できる。実施の形態5.本実施の形態5にかかる半導体装置では、実施の形態1にかかる半導体装置と異なり、ヒートシンクの平板と発熱体とを接合する際、平板よりも線膨張係数が小さく、半導体モジュールよりも線膨張係数が大きな緩衝板を間に介在させたものである。図11は、本発明の実施の形態5にかかる半導体装置内の半導体モジュールとヒートシンクとの接合部の組合せ部分を正面x方向から見たときの部分断面図である。図において、半導体モジュール501A、501Bまとめて501は、図示しない絶縁基板の回路面に半導体素子が実装され、実装面の裏側に金属膜を形成し、金属膜や半導体素子からの端子を除く部分を封止したものである。半導体モジュール501は、実施の形態2で説明したヒートシンク203の両面に緩衝板4を介して接合材2で接合されている。このとき、半導体モジュール501は、全体としての線膨張係数は絶縁基板の線膨張係数と同程度の数ppm/Kとみなせる。そして、ヒートシンク203の平板231A,231Bは、線膨張係数が23ppm/Kのアルミニウム製である。そこで、半導体モジュール501の線膨張係数とヒートシンク203の平板234の線膨張係数との間の線膨張係数を有する材料として、線膨張係数17ppm/Kの銅板の緩衝板4を平板231の半導体モジュール501との接合面に予め接合した。このような構成によれば、発熱体501と緩衝板4間の熱変形と平板231と緩衝板4の間の熱変形が、同じ方向へ湾曲する向きに働く。そのため、接合材2にかかるせん断応力を低減することができる。なお、本実施の形態においても、実施の形態3や4のように、フィンに薄肉部34TWやスリット34S、平板に溝D31等を設けてもよいことは言うまでもない。以上のように、本実施の形態5にかかる半導体装置は、半導体モジュール501とヒートシンク203との間に、半導体モジュール501の線膨張係数とヒートシンク203の線膨張係数の中間の線膨張係数を有する緩衝板4を介在させるように構成したので、起動停止に伴う温度サイクルを繰り返しても、半導体モジュール501とヒートシンク203間の接合材2への応力が一層低減され、接合が維持されるので、高い冷却能力が持続する。そのため、半導体装置としての特性が安定し信頼性の高い半導体装置を得る事が出来る。"