"ダイオード領域とIGBT領域が同一半導体基板に形成されている半導体装置であって、ダイオード領域は、半導体基板の表面に露出しており、互いに隔離されている複数の第1導電型のアノード層と、アノード層の裏面側に形成されており、アノード層よりも第1導電型の不純物濃度が低い、第1導電型のダイオードボディ層と、ダイオードボディ層の裏面側に形成されている第2導電型のダイオードドリフト層と、ダイオードドリフト層の裏面側に形成されており、ダイオードドリフト層より第2導電型の不純物濃度が高い、第2導電型のカソード層と、を備えており、IGBT領域は、半導体基板の表面に露出している第2導電型のエミッタ層と、半導体基板の表面に露出しており、互いに隔離されている複数の第1導電型のボディコンタクト層と、エミッタ層およびボディコンタクト層の裏面側に形成されており、ボディコンタクト層よりも第1導電型の不純物濃度が低い、第1導電型のIGBTボディ層と、IGBTボディ層の裏面側に形成されている第2導電型のIGBTドリフト層と、IGBTドリフト層の裏面側に形成されている第1導電型のコレクタ層と、エミッタ層とIGBTドリフト層を分離している範囲のIGBTボディ層に絶縁膜を介して対向しているIGBTゲート電極と、を備えており、アノード層は、少なくとも1以上の第1アノード層を備えており、第1アノード層は、少なくともIGBT領域に近接する位置に形成されており、第1アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積は、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きい、半導体装置。アノード層は、第1アノード層よりもIGBT領域から遠い位置に形成された少なくとも1以上の第2アノード層をさらに備えており、第2アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積は、第1アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積よりも小さい、請求項1に記載の半導体装置。第2アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積は、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きい、請求項1または2に記載の半導体装置。ダイオード領域とIGBT領域が同一半導体基板に形成されている半導体装置では、ダイオード動作時に、IGBT領域側からダイオード領域側に流れ込む正孔によってダイオード領域の順方向電圧が低減される。しかしながら、ダイオード動作時にIGBT領域においてゲート電圧を印加する制御を行う場合には、IGBT領域の絶縁ゲートに沿ってエミッタ層からドリフト層にn型のチャネルが形成される。このチャネルが形成されると、IGBT領域側からダイオード領域側に流れ込む正孔が減少する。その結果、ダイオード領域の順方向電圧が上昇して熱損失が大きくなる。本明細書が開示する半導体装置は、ダイオード領域とIGBT領域が同一半導体基板に形成されている。ダイオード領域は、半導体基板の表面に露出しており、互いに隔離されている複数の第1導電型のアノード層と、アノード層の裏面側に形成されており、アノード層よりも第1導電型の不純物濃度が低い、第1導電型のダイオードボディ層と、ダイオードボディ層の裏面側に形成されている第2導電型のダイオードドリフト層と、ダイオードドリフト層の裏面側に形成されており、ダイオードドリフト層より第2導電型の不純物濃度が高い、第2導電型のカソード層とを備えている。IGBT領域は、半導体基板の表面に露出している第2導電型のエミッタ層と、半導体基板の表面に露出しており、互いに隔離されている複数の第1導電型のボディコンタクト層と、エミッタ層およびボディコンタクト層の裏面側に形成されており、ボディコンタクト層よりも第1導電型の不純物濃度が低い、第1導電型のIGBTボディ層と、IGBTボディ層の裏面側に形成されている第2導電型のIGBTドリフト層と、IGBTドリフト層の裏面側に形成されている第1導電型のコレクタ層と、エミッタ層とIGBTドリフト層を分離している範囲のIGBTボディ層に絶縁膜を介して対向しているIGBTゲート電極とを備えている。アノード層は、少なくとも1以上の第1アノード層を備えている。第1アノード層は、少なくともIGBT領域に近接する位置に形成されており、第1アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積は、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きい。上記の半導体装置によれば、第1アノード層は、少なくともIGBT領域に近接する位置に形成されており、第1アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積は、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きい。このため、ダイオード動作時に、第1アノード層からダイオードドリフト層に注入される正孔の量が、ボディコンタクト層からIGBTドリフト層に注入される正孔の量よりも多くなる。IGBT領域から流れ込む正孔の量を、IGBT領域に近接するアノード層から注入される正孔の量に対して相対的に小さくすることができるため、IGBT領域から流れ込む正孔の量によってダイオード領域の順方向電圧が変動することを抑制できる。IGBT領域から流れ込む正孔の量が減少することに起因してダイオード領域の順方向電圧が上昇すること、および熱損失が増大することを抑制することができる。上記の半導体装置は、第1アノード層よりもIGBT領域から遠い位置に形成された少なくとも1以上の第2アノード層をさらに備えていてもよい。第2アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積は、第1アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積よりも小さくてもよい。また、第2アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積は、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きくてもよい。本明細書が開示する半導体装置では、アノード層は、少なくとも1以上の第1アノード層を備えている。第1アノード層は、少なくともIGBT領域に近接する位置に形成されている。第1アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積は、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きい。なお、ダイオード領域に最も近接するとは、IGBT領域の端部に形成されており、IGBT領域とダイオード領域の境界までの距離が最も近いことを意味する。また、IGBT領域に近接する位置に形成されたアノード層とは、IGBT領域とダイオード領域の境界からより近い位置に形成された1以上のアノード層を意味する。IGBT領域に近接する位置に形成されたアノード層は、IGBT領域に最も近接するアノード層を含み、これよりもIGBT領域から遠い位置に形成された1以上のアノード層をさらに含んでいてもよい。従って、例えば、IGBT領域とダイオード領域との境界に近い側から1~3番目程度の位置までが第1アノード層であってもよい。例えば、特に限定されないが、アノード層とボディコンタクト層の双方が、絶縁ゲートの長手方向に沿って一様に伸びるように形成されている場合には、それぞれの第1アノード層の絶縁ゲートの短手方向長手方向に垂直な方向の幅を、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の絶縁ゲートの短手方向の幅よりも大きくする。これによって、第1アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積を、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きくすることができる。上記の半導体装置は、第1アノード層よりもIGBT領域から遠い位置に形成された少なくとも1以上の第2アノード層を備えていてもよい。例えば、複数のアノード層のうち、IGBT領域とダイオード領域との境界から近い側から1~3番目程度の位置に第1アノード層が形成されており、第1アノード層よりもIGBT領域から遠い位置に、第2アノード層が形成されていてもよい。第2アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積は、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きくてもよいし、ほぼ同じであってもよいし、小さくてもよい。例えば、第1アノード層側から第2アノード層側に向かってすなわち、IGBT領域に近い側から遠い側に向かって、アノード層の半導体基板平面方向の面積が徐々に小さくなっていてもよい。アノード層の半導体基板平面方向の面積をIGBT領域からの距離によって変える場合には、例えば、第1アノード層における半導体基板平面方向の面積の増分を相殺するように、第2アノード層における半導体基板平面方向の面積を減少させることが好ましい。ダイオード領域全体としての正孔の注入量を従来構造の半導体装置と同等またはそれ以下に抑えることができるため、例えば、ダイオード領域に形成するキャリアのライフタイムを制御するための構造例えば、結晶欠陥の量を抑制することができる。また、例えば、第1アノード層および第2アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積が、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きくてもよい。換言すると、複数のアノード層の全てにおいて、それぞれのアノード層の半導体基板平面方向の面積が、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きくてもよい。また、複数のアノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積は、ほぼ同じであってもよい。換言すると、複数のアノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積が、第1アノード層のそれぞれの半導体基板平面方向の面積と同じであってもよい。ダイオード領域とIGBT領域はそれぞれ1つずつであってもよいし、複数のダイオード領域または複数のIGBT領域があってもよい。例えば、1つのIGBT領域の中に複数のダイオード領域が存在している場合や、複数のIGBT領域が交互に配置されている場合には、その半導体装置には、ダイオード領域とIGBT領域との境界が複数存在する。ダイオード領域とIGBT領域との境界が複数存在する半導体装置においては、ダイオード領域とIGBT領域との間のキャリアの移動による半導体装置の特性への影響が大きくなる。このため、本願に係る、第1アノード層の半導体基板平面方向の面積は、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きいという構成を備えることによる半導体特性改善の効果がより顕著になる。なお、ダイオード領域とIGBT領域との境界が複数存在する半導体装置においては、少なくとも1つのダイオード領域とIGBT領域との境界近傍において上記の本願に係るアノード層の構成が適用されていればよい。なお、本願に係る半導体装置は、ドリフト層の裏面に接してバッファ層を備えており、バッファ層の裏面に接してコレクタ層、カソード層が形成されていてもよい。また、ダイオード領域に、絶縁ゲートやダミーゲートが形成されていてもよい。本願が開示する半導体装置は、従来の半導体装置の製造方法を利用して、容易に製造することができる。例えば、アノード層、ボディコンタクト層等を形成するために不純物注入を行う工程において、パターンマスクの形状を調整することによって、容易に製造することができる。半導体装置図1,2に示す半導体装置1は、IGBTとダイオードが同一の半導体基板100に形成されたRC-IGBTである。なお、図1に示す平面図は、半導体基板100の表面に形成された表面電極101の図示を省略しており、半導体基板100の表面を図示している。また、半導体装置1は、複数のIGBT領域と複数のダイオード領域が交互に配置されており、IGBT領域とダイオード領域の境界を複数有している。図1,2は、複数のIGBT領域とダイオード領域の境界のうちの1つを図示しており、半導体装置1の複数の境界は、いずれも図1,2と同様の構成を有している。半導体装置1は、半導体基板100と、半導体基板100の表面側に形成されたダミーゲート130,絶縁ゲート140および表面絶縁膜145と、半導体基板100の表面に接する表面電極101と、半導体基板100の裏面に接する裏面電極102とを備えている。半導体基板100は、ダイオード領域11と、IGBT領域13とを備えている。ダイオード領域11は、第1ダイオード領域11aと第2ダイオード領域11bを備えている。第1ダイオード領域11aは、IGBT領域13に近接しており、第2ダイオード領域11bとIGBT領域13の間に形成されている。ダミーゲート130と絶縁ゲート140は、略一定の間隔で半導体基板100に形成されている。半導体基板100は、p型のボディコンタクト層135と、n型のエミッタ層136と、p型の第1アノード層116および第2アノード層115と、p型のダイオードボディ層114と、p型のIGBTボディ層134と、n型のドリフト層113と、n型のバッファ層112と、n型のカソード層111およびp型のコレクタ層117とを備えている。ボディコンタクト層135、エミッタ層136、第1アノード層116および第2アノード層115は、半導体基板100の表面に露出している。ダイオードボディ層114は、第1アノード層116および第2アノード層115の裏面および側面に形成されている。IGBTボディ層134は、ボディコンタクト層135およびエミッタ層136の裏面に形成されている。ドリフト層113は、ダイオードボディ層114およびIGBTボディ層134の裏面に形成されている。バッファ層112は、ドリフト層113の裏面に形成されている。カソード層111およびコレクタ層117は、バッファ層112の裏面に形成されている。第1アノード層116および第2アノード層115は、ダイオードボディ層114よりも、p型の不純物濃度が高い。ボディコンタクト層135およびコレクタ層117は、IGBTボディ層134よりも、p型の不純物濃度が高い。半導体装置1では、ダイオードボディ層114とIGBTボディ層134は、p型の不純物濃度が同じである。エミッタ層136およびカソード層111は、ドリフト層113およびバッファ層112よりもn型の不純物濃度が高く、バッファ層112は、ドリフト層113よりもn型の不純物濃度が高い。半導体装置1では、ダイオードドリフト層とIGBTドリフト層が1つの層ドリフト層113として形成されている。ドリフト層113のうち、ダイオード領域11に含まれる部分がダイオードドリフト層であり、IGBT領域13に含まれる部分がIGBTドリフト層である。図1に示すように、第1ダイオード領域11aにおいては、第1アノード層116および表面部114aダイオードボディ層114の一部であり、半導体基板100の表面に露出する部分が半導体基板100の表面に露出しており、それぞれが表面電極101に接している。第2ダイオード領域11bにおいては、第2アノード層115および表面部114bダイオードボディ層114の一部であり、半導体基板100の表面に露出する部分が半導体基板100の表面に露出しており、それぞれが表面電極101に接している。ダイオード領域11においては、カソード層111が半導体基板100の裏面に露出しており、裏面電極102に接している。また、IGBT領域13においては、ボディコンタクト層135およびエミッタ層136が半導体基板100の表面に露出しており、表面電極101に接している。IGBT領域13においては、コレクタ層117が半導体基板100の裏面に露出しており、裏面電極102に接している。ダイオード領域11では、半導体基板100の表面側からダイオードボディ層114を貫通し、ドリフト層113に達するダミーゲート130が形成されている。ダミーゲート130は、半導体基板100の表面側に形成されたトレンチ131の内壁に形成されたダミーゲート絶縁膜132と、ダミーゲート絶縁膜132に覆われてトレンチ131内に充填されているダミーゲート電極133とを備えている。ダミーゲート130は、ダイオードボディ層114に接している。ダミーゲート電極133は、表面電極101に電気的に接続されている。IGBT領域13では、半導体基板100の表面側からIGBTボディ層134を貫通し、ドリフト層113に達する絶縁ゲート140が形成されている。絶縁ゲート140は、半導体基板100の表面側に形成されたトレンチ141の内壁に形成されたゲート絶縁膜142と、ゲート絶縁膜142に覆われてトレンチ141内に充填されているゲート電極143とを備えている。絶縁ゲート140は、エミッタ層136とドリフト層113とを隔離する部分のIGBTボディ層134に接している。ゲート電極143は、表面絶縁膜145によって、表面電極101と隔離されている。図1に示すように、第1アノード層116、第2アノード層115、ボディコンタクト層135およびエミッタ層136は、ダミーゲート130および絶縁ゲート140の長手方向図1に示すy方向に沿って伸びており、ダミーゲート130および絶縁ゲート140の短手方向図1に示すx方向の幅は、ダミーゲート130および絶縁ゲート140の長手方向に沿って略一定である。ダイオード領域11の端部に位置し、IGBT領域13に近接する2列のアノード層が、第1アノード層116である。ダイオード領域11の中央側に位置し、第1アノード層116よりもIGBT領域から遠い位置に形成されたアノード層が第2アノード層115である。第2アノード層115のx方向の幅D1は、ボディコンタクト層135のx方向の幅D3とほぼ同じであり、第1アノード層116のx方向の幅D2は、幅D1および幅D3よりも大きい。第1アノード層116、第2アノード層115、ボディコンタクト層135は、y方向に沿って伸びているため、x方向の幅が大きいほど、半導体基板平面方向の面積が大きい。すなわち、第1アノード層116の半導体基板平面方向の面積は、第2アノード層115およびボディコンタクト層135の半導体基板平面方向の面積よりも大きい。第1ボディ層表面部114aのx方向の幅は、表面部114bのx方向の幅よりも小さい。エミッタ層136のx方向の幅は、表面部114bのx方向の幅とほぼ同じである。次に、半導体装置1の動作について説明する。<IGBT動作時>裏面電極102の電位Vaを表面電極101の電位Vbよりも高電位としVa>Vb、ゲート電極133,143に正電圧正バイアスを印加すると、IGBTボディ層134において、絶縁ゲート140の近傍にチャネルが形成される。このチャネルを通って、多数キャリアである電子がエミッタ層136からドリフト層113に注入される。また、コレクタ層117からドリフト層113へ正孔が注入される。少数キャリアである正孔がドリフト層113に注入されると、ドリフト層113において伝導率変調が起こり、ドリフト層113の抵抗が低くなる。このように電子と正孔が移動することによって、半導体基板100の裏面側コレクタ層117側から表面側エミッタ層136側に向かうIGBT電流が流れる。<ダイオード動作時>次に、裏面電極102の電位Vaを表面電極101の電位Vbよりも低くするとVa<Vb、図3の実線に示すように、ダイオード領域11では、第1アノード層116および第2アノード層115から、ダイオードボディ層114を介して、ドリフト層113に正孔が注入される。これによって、第1アノード層116および第2アノード層115側からカソード層111側へダイオード電流還流電流が流れる。このとき、ダイオード領域11の近傍のIGBT領域13においても、図3の破線に示すように、ボディコンタクト層135から、ダイオードボディ層114を介して、ドリフト層113に正孔が注入される。ボディコンタクト層から注入された正孔は、ダイオード領域11のカソード層111に向かって移動する。ボディコンタクト層から注入された正孔によって、ダイオード領域11の順方向電圧が低減される。ダイオード動作時に、ゲート電極133に正電圧が印加されている場合、IGBT領域13では、IGBTボディ層134において、絶縁ゲート140の近傍にn型のチャネルが形成される。このn型のチャネルによってドリフト層113に注入される電子によって、ボディコンタクト層から注入された正孔が相殺される。その結果、ボディコンタクト層から注入され、ダイオード領域11のカソード層111に向かって移動する正孔の量が少なくなる。本実施例では、IGBT領域13に近接する2列の第1アノード層116の半導体基板平面方向の面積は、第2アノード層115およびボディコンタクト層135の半導体基板平面方向の面積よりも大きい。このため、第1ダイオード領域11aにおいては、第1アノード層116からドリフト層113に注入される正孔の量が多くなり、図3に破線で示す、ボディコンタクト層135から注入された正孔を、図3に実線で示す、第1アノード層116および第2アノード層115から注入された正孔に対して、相対的に小さくすることができる。また、第1アノード層116から多くの正孔が注入されるため、第1ダイオード領域11aの順方向電圧を低減することができる。ボディコンタクト層135から注入された正孔が減少することに起因してダイオード領域の順方向電圧が上昇すること、および、熱損失が増大することを抑制することができる。変形例上記の実施例では、ダイオード領域のうち、IGBT領域に近接する部分に位置する第1アノード層のみ幅が大きい場合を例示して説明したが、これに限定されない。例えば、ダイオード領域の全体において、アノード層の幅がボディコンタクト層の幅よりも大きくてもよい。すなわち、図4に示す半導体装置2のように、図1に示す第1アノード層116と同じ幅D2を有するアノード層216が全体に形成されているダイオード領域21を備えていてもよい。図1と同様に、アノード層216のx方向の幅D2は、ボディコンタクト層135の幅D1よりも大きく、アノード層216の半導体基板平面方向の面積は、ボディコンタクト層135の半導体基板平面方向の面積よりも大きい。その他の構成は、図1に示す半導体装置1と同様であるため、重複説明を省略する。ダイオード領域21の全体において、アノード層216の半導体基板平面方向の面積は、ボディコンタクト層135の半導体基板平面方向の面積よりも大きいため、ボディコンタクト層135からダイオード領域21側に移動する正孔の影響をより小さくすることができる。これによって、ボディコンタクト層135から注入された正孔に起因する順方向電圧の上昇幅を減らし、熱損失を低減する効果をより顕著に得ることができる。また、上記の実施例では、アノード層、ボディコンタクト層、エミッタ層が絶縁ゲートの長手方向に沿って伸びており、絶縁ゲートの短手方向の幅が略一定である場合を例示して説明したが、アノード層、ボディコンタクト層、エミッタ層の形状は、これに限定されない。IGBT領域に近接するアノード層の半導体基板平面方向の面積を、ダイオード領域に最も近接するボディコンタクト層の半導体基板平面方向の面積よりも大きくすることができれば、アノード層、ボディコンタクト層、エミッタ層の形状は、特に限定されない。例えば、図5に示すように、IGBT領域33では、絶縁ゲート140の間に梯子形状のエミッタ層336が形成されており、エミッタ層336の梯子形状の間にボディコンタクト層335が形成されていてもよい。ダイオード領域31においては、IGBT領域33に近接する第1アノード層316は、図1と同様に、ダミーゲート130の長手方向に沿って伸びている。第1アノード層316の半導体基板平面方向の面積は、隣接する絶縁ゲート140の間に形成されたボディコンタクト層335の半導体基板平面方向の面積の合計よりも大きい。その他の構成は、図1に示す半導体装置1と同様であるため、重複説明を省略する。以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"