第1導電型半導体層、発光層及び前記第1導電型半導体層と異なる導電型の第2導電型半導体層を有する積層体と、前記第1導電型半導体層上に形成された積層構造の電極とを備え、該電極は、導電領域と絶縁領域とを有する第1層の導電領域を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。前記積層構造の電極が、少なくとも全面が窒化物半導体層に接触する第2層と、第3層とをさらに有し、前記第1層は、前記第2層を被覆し、かつ該第2層の外周に前記導電領域を、該導電領域の外周に前記絶縁領域をそれぞれ有し、前記第3層は前記第1層上に形成されてなる請求項1の窒化物半導体発光素子。前記積層構造の電極が、前記第1層と第3層との間に第4層をさらに有し、該第4層は、第1層の導電領域の外縁とその外縁が一致してなる請求項2の窒化物半導体発光素子。前記第2層が銀を含有する電極であり、第1層が前記第2層の上面及び側面の全面を被覆する請求項1~3のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子。前記絶縁領域は、酸化物からなる請求項1~4のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子。前記第1層が、チタン、ニオブ、タンタル、ハフニウム、アルミニウム、クロム、バナジウム、タングステン、モリブデン、ジルコニウム又は亜鉛を構成元素として含む請求項1~5のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子。前記第1層は、絶縁領域の外縁が前記第1導電型半導体層の外縁と一致してなる請求項1~6のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子。第1導電型半導体層がp型半導体層であり、第2導電型半導体層がn型半導体層である請求項1~7のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子。a第1導電型半導体層、発光層及び前記第1導電型半導体層と異なる導電型の第2導電型半導体層が積層された積層体を形成し、b第1導電型半導体層上面の少なくとも一部に接触する第1金属層を形成し、c該第1金属層上に第2金属層を積層し、d該第2金属層を前記第1金属層の一部が露出するようにパターニングするとともに、該露出した第1金属層を酸化することにより、前記第2金属層の外周に配置する第1金属層に絶縁領域を形成することを含む窒化物半導体発光素子の製造方法。前記bにおいて、前記第1金属層を、発光層より上の半導体層の上面を被覆するように形成する請求項9に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記bの前に、発光層より上の半導体層上に第3金属層を形成し、その後、b前記第1導電型半導体層上に第1金属層を形成する請求項9又は10に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記bにおいて、前記第1金属層を、第1導電型半導体層の全表面を被覆するように形成する請求項9に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記aにおいて、前記積層体を、一部が露出されたn型半導体層と、発光層と、p型半導体層とが積層されるように形成し、前記bにおいて、前記第1金属層をn型半導体層の露出部からp型半導体層の表面に形成し、前記dにおいて、前記第2金属層を第1金属層の一部が露出するようにパターニングする際に、n型半導体層の露出部からp型半導体層の表面にわたる第1金属層に絶縁領域を形成する請求項9に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。本発明は、発光層から放出された光が、電極が形成されていない領域から漏れ出すことを防止することによって、発光ロスを最小限に止め、低消費電力及び高発光効率の窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。また、複雑なプロセスを用いることなく、このような窒化物半導体発光素子を簡易かつ確実に製造する方法を提供することを目的とする。本発明者らは、窒化物半導体発光素子以下、単に発光素子と記載することがあるの発光層から放出された光を効率的に取り出すことについて鋭意研究した結果、電極が形成されていない領域からの漏光を防止するためには、電極構造を改良し、その領域に反射を促す層を配置するのみならず、そのような領域表面における結晶ダメージを最小限に止めることが有効であることを新たに見出し、発明を完成するに至った。つまり、本発明の窒化物半導体発光素子は、第1導電型半導体層、発光層及び前記第1導電型半導体層と異なる導電型の第2導電型半導体層の積層体と、前記第1導電型半導体層上に形成された積層構造の電極とを備え、該電極は、導電領域と絶縁領域とを有する第1層の導電領域を含むことを特徴とする。このような窒化物半導体発光素子では、前記積層構造の電極が、少なくとも全面が窒化物半導体層に接触する第2層と、第3層とをさらに有し、前記第1層は、前記第2層を被覆し、かつ該第2層の外周に前記導電領域を、該導電領域の外周に前記絶縁領域をそれぞれ有し、前記第3層は前記第1層上に形成されてなることが好ましい。また、前記積層構造の電極が、前記第1層と第3層との間に第4層をさらに有し、該第4層は、第1層の導電領域の外縁とその外縁が一致してなることが好ましい。さらに、前記第2層が銀を含有する電極であり、第1層が前記第2層の上面及び側面の全面を被覆することが好ましい。前記絶縁領域は、酸化物からなることが好ましい。前記第1層が、チタン、ニオブ、タンタル、ハフニウム、アルミニウム、クロム、バナジウム、タングステン、モリブデン、ジルコニウム又は亜鉛を構成元素として含むことが好ましい。前記第1層は、絶縁領域の外縁が前記第1導電型半導体層の外縁と一致してなることが好ましい。第1導電型半導体層がp型半導体層であり、第2導電型半導体層がn型半導体層であることが好ましい。本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法では、a第1導電型半導体層、発光層及び前記第1導電型半導体層と異なる導電型の第2導電型半導体層が積層された積層体を形成し、b第1導電型半導体層上面の少なくとも一部に接触する第1金属層を形成し、c該第1金属層上に第2金属層を積層し、d該第2金属層を前記第1金属層の一部が露出するようにパターニングするとともに、該露出した第1金属層を酸化することにより、前記第2金属層の外周に配置する第1金属層に絶縁領域を形成することを含むことを特徴とする。前記bにおいて、前記第1金属層を、発光層より上の半導体層の上面を被覆するように形成することが好ましい。前記bの前に、発光層より上の半導体層上に第3金属層を形成し、その後、b前記第1導電型半導体層上に第1金属層を形成することが好ましい。前記bにおいて、前記第1金属層を、第1導電型半導体層の全表面を被覆するように形成することが好ましい。前記aにおいて、前記積層体を、一部が露出されたn型半導体層と、発光層と、p型半導体層とが積層されるように形成し、前記bにおいて、前記第1金属層をn型半導体層の露出部からp型半導体層の表面に形成し、前記dにおいて、前記第2金属層を第1金属層の一部が露出するようにパターニングする際に、n型半導体層の露出部からp型半導体層の表面にわたる第1金属層に絶縁領域を形成することが好ましい。本発明によれば、発光層から放出された光が、電極が形成されていない領域から漏れ出すことを有効に防止することができる。これによって、発光ロスを最小限に止め、低消費電力及び高発光効率の発光素子を提供することができる。また、複雑なプロセスを用いることなく、このような発光素子を簡易かつ確実に製造することができる。本発明の窒化物半導体発光素子は、第1導電型半導体層、発光層及び前記第1導電型半導体層と異なる導電型の第2導電型半導体層の積層体と、第1導電型半導体層上に形成された積層構造の電極とを備える。積層構造の電極は、導電領域と絶縁領域とを有する第1層の導電領域と、さらに1層以上の導電層とを有する。言い換えると、第1層の導電領域が電極の一部を構成する。また、第1層は電極から延在する絶縁領域を備えるここで、第1層の電極を構成する部位が導電領域である。第1層の導電領域と絶縁領域とは、第1導電型半導体層と接する領域に配置されている。ここで、第1導電型とは、p型又はn型を指し、第2導電型とは、第1導電型とは異なる導電型、つまりn型又はp型を示す。このような構成によって、半導体層上に形成された電極が存在する領域以外の領域に絶縁層が配置されることとなり、この絶縁層によって、発光層から放出された光を効率良く反射させることができる。よって、従来のような電極が形成されていない領域からの光の漏れを効果的に防止することができ、高効率発光を実現することができる。また、この絶縁層は短絡の懸念がないために、平面視におけるpn接合の界面にまで配置することができ、より効率的に発光効率を向上させることができる。さらに、この絶縁層が、第1導電型半導体層の表面を被覆するために、製造工程におけるその表面の結晶へのダメージを回避することができ、信頼性が高く、より特性の良好な発光素子を得ることができる。積層構造の電極/第1層第1層は、第1導電型半導体層と接する領域に導電領域と絶縁領域とを備える。また、積層構造の電極の1つの層が、第1層の導電領域を含む。導電領域と絶縁領域との配置は、例えば、縞状、島状等が挙げられる。なかでも、導電領域の外周に絶縁領域が配置していることが好ましい。ここでの外周とは、その外側の周囲の領域を意味する。図3を参照すると、外周とは、例えば、第1層15の導電領域15bの外側の周囲の領域矢印bの幅を有する領域である絶縁領域15aを指す。外周は、一部であってもよいが、全周囲にわたることが好ましい。第1層は、例えば、図3に示すように、第1層15の外縁が第1導電型半導体層、例えば、p型半導体層9の外縁と一致していることが好ましく、特に、絶縁領域15aの外縁が第1導電型半導体層の外縁と一致していることがより好ましい。これにより、第1導電型半導体層表面を確実に被覆することができ、表面へのダメージを回避することができる。第1層は、例えば、図7に示すように、第1層13の全てが第1導電型半導体層11と接触していてもよいし、図3等に示すように、第1層15の一部が第1導電型半導体層11と接触していてもよい。第1層の一部が第1窒化物半導体層に接触する場合には、例えば、その一部において、異なる層を介して、第1窒化物半導体層上に形成される。この異なる層は、絶縁層であってもよいが、導電層であることが好ましい。例えば、後述する第2層等がより好ましい。この場合、例えば、図3に示すように、第1層15は、第2層16を完全に被覆し、かつ第1導電型半導体層、例えば、p型半導体層9上では、第2層16の外周に導電領域15bが、さらに導電領域15bの外周に絶縁領域15aが配置されていることが好ましい。第1層は、チタン、ニオブ、タンタル、ハフニウム、アルミニウム、クロム、バナジウム、タングステン、モリブデン、ジルコニウム又は亜鉛を構成元素として含む層として形成することができ、よって、導電領域は、例えば、チタン、ニオブ、タンタル、ハフニウム、アルミニウム、クロム、バナジウム、タングステン、モリブデン、ジルコニウム又は亜鉛からなる。絶縁領域は、酸化物によって形成することが適しており、好ましくは、チタン、ニオブ、タンタル、ハフニウム、アルミニウム、クロム、バナジウム、タングステン、モリブデン、ジルコニウム又は亜鉛の酸化物が挙げられる。第1層の厚みは特に限定されず、例えば、0.1~30nm程度、好ましくは1~5nm程度が挙げられる。積層構造の電極/第2層積層構造の電極は、例えば、図3、図4、図5及び図6等に示すように、第1層15特に、第1層の導電領域に接触する第2層16を有することが適している。例えば、第2層は、いわゆるオーミック電極として窒化物半導体層上に形成される電極とすることができる。ここでオーミック接続とは、当該分野で通常用いられている意味であり、例えば、その電流-電圧特性が直線又は略直線となる接合を指す。また、デバイス動作時の接合部での電圧降下及び電力損失が無視できるほど小さいことを意味する。第2層は、少なくとも全面が窒化物半導体層に接触していることが好ましく、さらに第1層に一部又は全部被覆されていることがより好ましい。全部被覆される場合には、第2層の上面及び側面の全面が第1層によって被覆されていることがさらに好ましい。第2層は、導電性の材料で形成されていればよく、単層又は多層膜のいずれてもよい。第2層は、銀を含有する層であることが好ましく、銀又は銀合金を含む単層であってもよいし、銀又は銀合金を含む層を備える多層膜であってもよい。多層膜の場合には、最下層が銀又は銀合金を含む層であることが好ましく、最下層以外の膜は、銀又は銀合金であってもよいし、銀又は銀合金を含まない層であってもよい。さらに、銀又は銀合金を含む層は、窒化物半導体層との間の一部に配置されたニッケル膜を含んでいてもよい。銀合金としては、銀と、Pt、Co、Au、Pd、Ti、Mn、V、Cr、Zr、Rh、Cu、Al、Mg、Bi、Sn、Ir、Ga、Nd及びReからなる群から選択される1種又は2種以上の金属との合金が挙げられる。なお、Niは銀とは合金化されにくい、つまり、銀との反応が抑制されやすいが、銀膜中にNi元素を含むものであってもよい。第2層としては、例えば、銀の単層膜、銀と実質的に反応しない金属、言い換えると銀との反応が抑制される金属上/銀又は銀合金下の2層構造、貴金属上/銀又は銀合金下の2層構造、貴金属上/銀と実質的に反応しない金属中/銀又は銀合金下の3層構造、貴金属2層上/銀と実質的に反応しない金属中/銀又は銀合金下の4層構造、貴金属上/2層以上の銀と実質的に反応しない金属中/銀又は銀合金下の4層以上の構造が挙げられる。特に、第2層が、少なくとも、銀又は銀合金からなる層と、この層上に配置された銀との反応を抑制する金属膜との多層膜により形成されていている場合、例えば、銀又は銀合金に接してNiが配置され、その上に貴金属が形成されている場合には、銀又は銀合金からなる層において、窒化物半導体と接する面と対向する面での銀の移動を劇的に防止することができ、マイグレーションをさらに防止できる。加えて、発光層で生じた光に対して電極の反射効率が低下することを防ぎ、発光効率の高い窒化物半導体素子を得ることができる。さらに、Niと貴金属との間に、TiやTaなどを形成する場合には、窒化物半導体層と接する銀の窒化物半導体層表面での移動を防止し、マイグレーション防止としての信頼性がさらに向上する。ここでの貴金属は白金族系金属又は金等が挙げられ、なかでもPt、金が好ましい。銀と実質的に反応しない金属、つまり銀との反応が抑制される金属としては、1000°C以下の温度で銀と実質的に反応しないか、銀との反応が抑制される金属が挙げられる。具体的には、ニッケルNi、ルテニウムRu、オスミウムOs、イリジウムIr、チタンTi、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、コバルトCo、鉄Fe、クロムCr、タングステンW等が含まれる。なかでも、Niが好ましい。銀と実質的に反応しない又は銀との反応が抑制される金属とは、具体的には銀と混合して固溶体とならない、あるいはなり難い金属を指し、銀の中に混ざる割合が5wtパーセントより小さければこれに含まれるものとする。第2層の膜厚は特に限定されないが、例えば、銀又は銀合金単層の場合は発光層からの光を有効に反射させることができる膜厚、具体的には、20nm~1μm程度、50nm~300nm程度が挙げられる。多層膜の場合は、総膜厚が、50nm~5μm程度、50nm~1μm程度が挙げられ、この程度の範囲内で、それに含まれる銀又は銀合金膜を適宜調整することができる。また、多層膜の場合は、銀又は銀合金膜とその上に積層される膜とは、同一工程でパターニングすることによって同一の形状であってもよいし、最下層の銀又は銀合金膜をその上に積層される膜好ましくは、銀と反応しない金属膜で被覆してもよい。これにより、銀と反応しない金属膜の上に、第2層の一部としてどのような電極材料が形成されても、銀又は銀合金膜とは直接接触しないために、銀との反応を阻止することができる。特に、第2層が銀又は銀合金層を含み、この層に接触して、銀と実質的に反応しない層銀との反応が抑制される金属、例えば、ニッケルからなるが配置している場合には、窒化物半導体との界面近傍において、銀の存在率を減少させることがない。つまり、第2層中の銀が、その第2層から拡散、移動等、さらに合金化をすることを防止することができ、発光層から照射された光を、窒化物半導体の表面付近において、高効率で反射させることができ、より発光効率を高めることが可能となる。積層構造の電極/第3層積層構造の電極は、第1層及び/又は第2層の上に、外部電極と接続するための第3層を有していることが好ましい。なお、ここでの上とは、第1層及び/又は第2層と電気的に接続されているが、必ずしも直接接触していなくてもよい。外部電極と接続するための第3層としては、いわゆるパッド電極といわれる電極とすることができる。第3層は、第1層及び第2層の形状及び配置等に応じて、図7における第2層14の上に形成されていてもよい。また、図2に示したように、第3層3は、第4層17後述するを介して第1層15上に形成されていてもよい。第3層は、第1層又は第2層の全ての表面と接触するように配置されていてもよいし、一部の表面と接触するように配置されていてもよい。第3層は、一般的なワイヤボンディング等に十分な領域が確保されるような大きさで配置されていることが適している。ここで、ワイヤボンディング等に十分な領域とは、ワイヤボンディング等しようとするワイヤの太さ及び材料、第3層の材料等により適宜調整することができるが、例えば、1000~20000μm2程度の面積が適している。また、別の観点から、30μm×30μm~200μm×200μm程度の大きさが適している。第3層は、導電性材料であれば特に限定されないが、例えば、Ni、Ti、Au、Pt、Pd、W、Co、Au、Mn、V、Cr、Zr、Rh、Cu、Al、Mg、Bi、Sn、Ir、Ga、Nd及びRe等の金属又は合金からなる積層膜とすることが好ましい。具体的には、第1層又は第2層側からAlCuSi-Ti-Pu-Al、W-Pd-Au、Ni-Ti-Au、Ni-Pd-Auの順に形成した膜が挙げられる。第3層の膜厚は特に限定されず、100nm~1μm程度、200~500nm程度が挙げられる。積層構造の電極/第4層積層構造の電極は、第1層と第3層との間に第4層を有していることが好ましい。第4層は、第1層特に、第1層の導電領域のみ及び第3層の双方と接触していることが好ましい。例えば、図2に示すように、第1層15の上に接触して形成される第4層17が挙げられる。第4層17の外縁は、第1層15の導電領域15bの外縁と一致していることが好ましい。このような形状とすることにより、後述する製造方法において、第1層において、導電領域と導電領域とを容易に作り分けることができる。第4層は、例えば、上述した第2層及び第3層を形成する金属又は合金の単層又は多層膜によって形成することができ、特に貴金属からなる層を有していることが好ましい。多層膜によって形成される場合には、全ての膜が同じ形状であることが好ましい。第4層としては、銀と実質的に反応しない金属、言い換えると銀との反応が抑制される金属上の1層構造、貴金属上の1層構造、貴金属上/銀と実質的に反応しない金属下の2層構造、貴金属2層上/銀と実質的に反応しない金属下の3層構造、貴金属上/2層以上の銀と実質的に反応しない金属下の3層以上の構造が挙げられる。具体的には、Au半導体層側-W、Au半導体層側-W-Ti、Au-Ni等が含まれる。特に、第4層として、半導体層に最も近い側に、金を配置した層とすることが好ましい。第4層の膜厚は特に限定されず、例えば、0.1~10μm程度、0.1~5μm程度が挙げられる。このように第4層を配置することにより、例えば、第2層が銀を含有する材料によって形成されている場合に、銀のマイグレーション防止膜として機能させることができる。積層体本発明の発光素子における積層体は、通常、基板上に第1導電型半導体層、発光層、第2導電型半導体層がこの順に又は逆の順に積層されて構成される。なかでも、積層体は、基板上に、第2導電型半導体層、発光層、第1導電型半導体層がこの順に積層されてなることがより好ましい。この場合、好ましくは、第1導電型半導体層がp型半導体層であり、第2導電型半導体層がn型半導体層である。このような構成により、電子の拡散が起こりにくいp型窒化物半導体層において、良好なオーミックコンタクトを確保して、電流拡散をより向上させながら、発光層からの光の反射効率を最大限に発揮させることができる。したがって、光の取り出し効率を向上させることができ、高品質、高性能の発光素子を得ることができる。積層体の材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、InXAlYGa1XYN0≦X、0≦Y、XY≦1等の窒化ガリウム系化合物半導体が好適に用いられる。また、積層体は、MIS接合、PIN接合又はPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造又はダブルへテロ構造等のいずれの積層構造であってもよい。積層体を構成する各半導体層は、単層、多層、超格子構造のいずれであってもよく、特に発光層は、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造とすることができる。各半導体層には、n型、p型のいずれかの不純物がドーピングされていてもよい。このような不純物は、半導体層の形成時に行ってもよいし、半導体層の形成後にドーピングしてもよい。各半導体層は、例えば、有機金属気相成長法MOCVD、ハイドライド気相成長法HVPE、分子線エピタキシャル成長法MBE、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等の公知の技術により形成することができる。各半導体層の膜厚は特に限定されるものではなく、種々の膜厚のものを適用することができる。本発明の発光素子は、例えば、図1に示したように、平面視において、通常、四角形又は略これに近い形状である。半導体層の積層順序によって異なるが、例えば、第2導電型半導体層は、1つの発光素子の一部の領域において、第1導電型半導体層及び発光層、任意に第2導電型半導体層の深さ方向の一部が除去されて、その表面が露出する露出領域を有している。この露出領域の大きさ、形状及び配置は特に限定されるものではなく、任意に調整することができる。このような第2導電型半導体層の露出領域上には、電極が形成されている。この電極は、上述した第1導電型半導体層上に形成された第1層を含む積層構造の電極であってもよいし、いずれかの単層又は多層膜からなる電極であってもよい。基板基板としては、例えば、サファイア、スピネル、SiC、GaN、GaAs等の公知の絶縁性基板及びGaN、SiC等の導電性基板が挙げられる。なかでも、サファイア基板が好ましい。絶縁性基板は、最終的に取り除いてもよいし、取り除かなくてもよい。絶縁性基板を取り除く場合、一対の電極、つまりp電極及びn電極は、同一面側に形成されていてもよいし、異なる面に形成されていてもよい。絶縁性基板を取り除かない場合、通常、p電極およびn電極はいずれも基板の同一面側に形成されることになる。なお、基板としては、その表面が平坦であるもののみならず、発光層で発生した光を乱反射することができる程度の凹凸等が規則的又は不規則的に形成されていてもよい。窒化物半導体発光素子による発光装置本発明の発光素子は、通常、フリップチップ実装フェイスダウン実装により、支持基板に実装され、半導体発光装置を構成する。支持基板は、少なくとも発光素子の電極に対向する面に配線が施され、任意に保護素子等が形成されていてもよく、フリップチップ実装された発光素子を固定支持する。支持基板は、発光素子と熱膨張係数がほぼ等しい材料、例えば、窒化物半導体素子に対して窒化アルミニウムが好ましい。これにより、支持基板と発光素子との間に発生する熱応力の影響を緩和することができる。また、静電保護素子等の機能を付加することができ、安価であるシリコンを用いてもよい。配線のパターンは、特に限定されるものではないが、例えば、正負一対の配線パターンが絶縁分離されて互いに一方を包囲するように形成されることが好ましい。発光素子を支持基板に実装する場合には、例えば、支持基板にAu等からなるバンプを載置するか、上述した発光素子における第3層、つまり、外部電極と接続可能な電極を、支持基板に形成されたバンプ又は電極に対向させ、電気的および機械的に接続する。接続は、例えば、Au、共晶材Au-Sn、Ag-Sn、ハンダPb-Sn、鉛フリーハンダ等の接合部材によって、超音波接合及び/又は熱処理によって行うことができる。配線とリード電極とを直接接続する場合、例えば、Auペースト、Agペースト等の接合部材によって接続することができる。窒化物半導体発光素子の製造方法本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、以下の工程を含む。a第1導電型半導体層、発光層及び前記第1導電型半導体層と異なる導電型の第2導電型半導体層が積層された積層体を形成し、b第1導電型半導体層上面の少なくとも一部に接触する第1金属層第1層に対応を形成し、c該第1金属層上に第2金属層第4層に対応を積層し、d該第2金属層を前記第1金属層の一部が露出するようにパターニングするとともに、該露出した第1金属層を酸化することにより、前記第2金属層の外周に配置する第1金属層に絶縁領域を形成する。これによって、第1金属層に、絶縁領域と導電領域とを配置させることができる。なお、絶縁領域と導電領域とはともに第1導電型半導体層に接触していることが好ましいが、絶縁領域のみが第1導電型半導体層と接触していてもよい。なお、以下の製造方法の説明では、p型又はn型を特定して説明しているが、p型及びn型が入れ替わってもよい。工程aにおいては、第1導電型半導体層、発光層及び第2導電型半導体層をこの順又は逆の順序で基板上に形成する。各半導体層は、当該分野で公知の方法によって形成することができる。不純物は成膜と同時に導入してもよいし、成膜後に導入してもよい。例えば、n型半導体層、発光層及びp型半導体層をこの順に積層した場合には、通常、n型半導体層の一部の領域において、その上に積層された発光層及びp型半導体層が除去され、任意にn型半導体層自体の厚さ方向の一部が除去されて、n型半導体層の一部を露出させる。この場合の半導体層の除去は、フォトレジスト及びエッチング工程等の公知の方法を利用することができる。なお、工程b以降の工程は、積層体に対して行うために、各半導体層を積層した後、上述したn型半導体層又はp型半導体層の一部を露出する工程は、工程aの後、工程bの前のみならず、各工程の後の任意の段階で行うことができる。工程bにおいては、第1導電型半導体層上面の少なくとも一部に接触する第1金属層を形成する。ここで、第1金属層としては、単層であってもよいし、多層膜であってもよい。第1金属層の材料としては、上述した第1層と同様のものが挙げられる。発光層より上基板と反対側に配置される、p型半導体層の上面に第1金属層を形成する場合には、第1金属層は、少なくとも、p型半導体層の上面の一部に接触していればよい。この場合、第1金属層は、ip型半導体層の上面のみに接触していてもよく図2の第1層15参照、iiさらにp型半導体層の側面、発光層の側面及び/又はn型半導体層の側面及び上面等とも接触していてもよい図6の第1層15参照。また、第1金属層は、iiiその全部が第1導電型半導体層に接触していてもよい図7の第1層13参照。上述したi及びiiの場合には、例えば、工程bの前に、p型半導体層の上に、第3金属層を形成することが適している図2及び図6等の第2層16参照。このような第3金属層は、単層であってもよいし、多層膜であってもよい。第3金属層の材料としては、例えば、上述した第2層及び/又は第3層と同様のものが挙げられる。第3金属層は、平面視において、半導体層のpn接合に重複しないように、例えば、p型半導体層の外縁より内側にその外縁が配置されるように形成することが好ましい。また、発光層より下基板側に配置する、一部露出したn型半導体層の上面に第1金属層を形成する場合には、一部露出したn型半導体層の上面及び側面の全表面を被覆することが好ましく、第1金属膜は、発光層8及びp型半導体層9の表面をも被覆していてもよい図8Aの第1層13参照。このように、第1導電型半導体層の上面を実質的に露出させることなく、電極となり得る層が被覆するために、この工程以降において、第1導電型半導体層の上面、特に、周囲領域がエッチングされるなど、その表面を荒らすような工程に付されないため、第1導電型半導体層の上面における結晶へのダメージを抑制することができる。これによって、発光素子の特性の悪化、1つのウェハに形成される複数の発光素子間における特性のばらつきを抑制し、均一な特性を有する良質の発光素子を得ることが可能となる。工程cにおいて、第1金属層上に第2金属層を積層する。第2金属層は、単層であってもよいし、多層膜であってもよい。第2金属層の材料としては、例えば、上述した第4層と同様のものが挙げられる。工程dにおいて、第2金属層をパターニングするとともに、第1金属層の一部を酸化する。これによって、第1金属層において導電領域と絶縁領域とを形成する。ここでの第2金属層のパターニングは、例えば、図8Bに示すように、第1金属層第1層13の一部が第2金属層第4層14から露出するように行えばよい。また、第2金属層のパターニングを、図2に示すように、第2金属層第4層17の外縁が、p型半導体層9の外縁より内側であって、第3金属層第2層16の外縁よりも外側に配置するように行ってもよい。さらに、図5Bに示すように、第2金属層第4層17の外縁が、p型半導体層9及び第3金属層第2層16の外縁よりも内側に配置するように行ってもよい。パターニング方法及び酸化方法は、当該分野で公知の方法を利用することができる。酸化は、パターニングの際に又はパターニングに続けて行ってもよい。特に、酸化は、第1金属層を酸化し得るエッチャントを用いてパターニングするか、酸化雰囲気下でパターニングするか、パターニング中又はその後に酸化雰囲気下で加熱等の表面処理を行うか、酸化性ガス又は溶液で表面処理するなどの方法を利用して行うことができる。以下に、本発明の窒化物半導体発光素子及びその製造方法を図面に基づいて詳細に説明する。実施例1発光素子この実施例の発光素子を図1及び図2に示す。この発光素子10は、サファイア基板図示せずの上に形成された窒化物半導体層による積層体を有する。積層体は、Al01Ga09Nよりなるバッファ層図示せず、ノンドープGaN層図示せずを有し、その上に、n型半導体層7として、SiドープGaNよりなるn型コンタクト層、GaN層40ÅとInGaN層20Åとを交互に10回積層させた超格子のn型クラッド層、さらにその上に、GaN層250ÅとInGaN層30Åとが交互に3~6回積層された多重量子井戸構造の発光層8、さらにその上に、p型半導体層9として、MgドープAl01Ga09N層40ÅとMgドープInGaN層20Åとが交互に10回積層された超格子のp型クラッド層、MgドープGaNよりなるp型コンタクト層が積層されている。n型半導体層7の一部の領域においては、その上に積層された発光層8及びp型半導体層9が除去され、さらにn型半導体層7自体の厚さ方向の一部が除去されて露出しており、その露出したn型半導体層7上にn電極4が形成されている。露出したn型半導体層7の平面形状は、例えば、図1に示したように、中央が膨張した円盤形状であり、1つの発光素子において中央付近に2箇所形成されている。p型半導体層9上には、積層構造の電極が形成されている。積層構造の電極は、第1層15の導電領域、第2層16、第4層17及び第3層3によって構成されている。第2層16は、p型半導体層9に接触した多層膜からなり、膜厚100nmのAg膜、膜厚100nmのNi膜、膜厚100nmのTi膜及び膜厚100nmのPt膜がこの順に積層されて構成されている。第2層16の外縁は、積層体を構成する半導体層11、つまりp型半導体層9の外縁よりも内側に配置している。例えば、図3に示したように、p型半導体層9の外縁から14μm程度矢印ab離れている。第1層15は、第2層16の上面及び側面をほぼ完全に被覆し、かつp型半導体層9上の略全面を被覆するように、p型半導体層9の上面に接触している。第1層15は、図2における拡大図及び図3に示したように、p型半導体層9との接触領域において、導電領域15bと絶縁領域15aとを有する。導電領域15bは、第2層16と接触している領域に加えて、第2層16の外周領域図3の矢印aで表される領域である。p型半導体層9と接触している導電領域の幅図3の矢印aは、例えば、9μm程度である。絶縁領域15bは、その外縁が、p型半導体層の外縁と略一致している。絶縁領域15bの幅図3の矢印bは、例えば、5μm程度である。第1層15は、膜厚2nmのチタン含有膜によって形成されている。従って、導電領域15bは、チタンからなり、絶縁領域15aは、酸化チタンからなる。第4層17は、第1層15における導電領域15bの上に形成されている。第4層17は、多層膜からなり、膜厚2.0μmのAu膜、膜厚100nmのW膜、膜厚10nm程度のTi膜がこの順に積層されて構成されている。第3層3は、外部接続用の電極であり、いわゆるパッド電極と称される。第3層3は、多層膜からなり、膜厚500nmのAl-Cu-Si膜、膜厚100nmのTi膜、膜厚100nmのPt膜及び膜厚1.0μmのAu膜がこの順に積層されて構成されている。第3層3は、外部からの十分な電力が供給しえる程度の面積で第4層17に接触している。なお、n電極4は、例えば、Al、Ti、Ni、Cr、Mo、Nb、Co、V、Au、Pt、Pd、W、Mn、Zr、Rh、Cu、Mg、Bi、Sn、Ir、Ga、Nd、Re、Al-Cu-Si2wtのCu及び1wtのSiを含有するAl合金などによって形成されている。この発光素子は、n電極4及び第4層17で被覆されている領域以外の領域は、膜厚500nm程度の酸化シリコンからなる保護膜6によって保護されている。このような構成の発光素子について、温度85°C、湿度85の雰囲気中、If=700mAの条件で通電したところ、7000時間連続通電した後においても、その断面におけるSEM観察ではAgのマイグレーションが認められず、さらに、リーク電流の発生は認められなかった。比較のために、絶縁領域を形成しない発光素子を形成して、上記で得られた本発明の発光素子と、その特性を比較した。この実施例の発光素子では、温度85°C、湿度85の雰BRヘ気中、If=700mAの条件での通電では、n評価した発光素子の個数=6での平均値として、絶縁領域を形成しない発光素子に対して、約5の光出力の向上が確認された。また、Vf電圧の素子間ばらつきが、上述した絶縁領域を形成しない発光素子に対して半減し、安定した特性を有する発光素子が得られることが確認された。この実施例の発光素子は、p型半導体層の表面が銀を含有する電極で被覆されているために、発光層から発生した光を効率的に反射させることができた。また、この銀を含有する電極が第1層及び第4層で被覆されているために、p型半導体層表面の銀のマイクレーションを有効に防止することができた。さらに、第1層における絶縁領域がp型半導体層のほぼ全面を被覆しているために、この部分からの光の漏れを確実に防止することができ、高効率発光を実現することができた。実施例2発光素子の製造方法図1及び図2に示す発光素子を以下のように形成した。<半導体層の形成>2インチφのサファイア基板2の上に、MOVPE反応装置を用い、Al01Ga09Nよりなるバッファ層を10nm、ノンドープGaN層を1.5μm、n型半導体層3として、SiドープGaNよりなるn型コンタクト層を2.165μm、GaN層4nmとInGaN層2nmとを交互に10回積層させた超格子のn型クラッド層を64nm、GaN層25nmとInGaN層3nmとを交互に3~6回積層させた多重量子井戸構造の発光層4、p型半導体層5として、MgドープAl01Ga09N層4nmとMgドープInGaN層2nmとを交互に10回積層させた超格子のp型クラッド層を0.2μm、MgドープGaNよりなるp型コンタクト層を0.5μmの膜厚でこの順に成長させ、ウェハを作製した。<電極の形成>p型半導体層9上の所望の領域に開口を有するレジストパターンを形成し、このウェハをスパッタ装置に設置し、スパッタ装置によって、Agターゲット、スパッタガスとしてアルゴンガスを用い、Ag膜を100nmの膜厚で形成した。さらに、同様の方法で、膜厚100nmのNi膜、膜厚100nmのTi膜及び膜厚100nmのPt膜をこの順に積層した。その後、リフトオフによって、これらの膜を、所定の形状にパターニングした例えば、図4Aの第2層16参照。次いで、スパッタ装置によって、Tiターゲット、スパッタガスとしてアルゴンガスを用い、上述した第2層16に対応する積層膜の上であって、ウェハのp型コンタクト層のほぼ全面に、Ti膜を10nmの膜厚で形成した。さらに、同様の方法で、膜厚2.0μmのAu膜、膜厚100nmのW膜、膜厚10nm程度のTi膜をこの順に積層し、最後に、膜厚600nmのSiO2膜を形成した。SiO2膜上に、所望の形状のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして用いて、エッチャントとしてフッ酸を用いたウェットエッチングによって、SiO2膜、Ti膜を一括で所定の形状にパターニングした。続いて、エッチャントとして硝酸、酢酸が含まれた混酸を用いたウェットエッチングによって、W膜をパターニングし、さらにエッチャントとしてTiに対し不可溶なヨウ素ヨウ化カリウムを用いたウェットエッチングによって、Au膜を同形状にパターニングし、下層のTi膜のみをエッチングせずに露出させたまま残存させた。そして、エッチングの終了時に酸性溶液を用いて電極表面を洗浄するとともに、レジスト剥離を行った。残存しているTi膜は、厚みが10nm程度と薄いため、レジスト剥離後の洗浄や後の工程で熱が加わることにより酸化される。これによって、Au膜等から露出したTi膜を酸化チタンに変換することができ、半導体層と接触する領域において、例えば、図4Bに示したように、第1層15において、導電領域15bと絶縁領域15aとを備えた層を、積層構造の電極22の一部として形成した。<エッチング>得られたウェハを反応容器内で、窒素雰囲気中、600°Cにてアニールし、p型クラッド層及びp型コンタクト層をさらに低抵抗化した。アニール後、ウェハを反応容器から取り出し、上述した積層構造の電極22の一部が形成された最上層のp型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、エッチング装置でマスクの上から、第1層の絶縁領域及び半導体層をエッチングし、n型コンタクト層の一部を露出させた。この際、pn接合界面近傍が第1層で被覆されているため、エッチング時のダメージを確実に防止することができる。また、ここに配置している第1層は酸化物層となっているために、pn接合に接触したとしても、後の短絡を招くことはない。その後、マスクの剥離を行った。<保護膜の形成>得られたウェハ上に、保護膜6としてSiO2膜を600nmで形成し、フォトレジスト及びエッチング工程によって、所望の領域に開口を有するSiO2膜を形成した。<パッド電極の形成>次に、アニール装置にて、p型コンタクト層等の半導体層の素子特性に影響を与えず、AgとAuとが混ざらない温度以下の温度で熱処理を施した。保護膜6、n電極4及びp側の積層構造の電極の上に、レジストにより所定のパターンを有するマスクを形成し、その上に膜厚500nmのAl-Cu-Si膜、さらに膜厚100nmのTi膜、膜厚100nmのPt膜及び膜厚1000nmのAu膜をこの順に積層し、リフトオフ法により、n電極4及びボンディング用のパッド電極図2中の第3層pパッド電極3を形成した。得られたウェハを所定の箇所で分割することにより、発光素子を得た。実施例3発光素子の製造方法この実施例の発光素子は、例えば、図5Bに示したように、第1層15の絶縁領域15aがp型半導体層9及び発光層8の側面、n型半導体層7の側面及び上面にも形成されており、第4層17の外縁が第2層16外縁の内側に配置されている以外、実質的に実施例1の発光素子と同じ構成である。この発光素子は、以下の方法によって形成することができる。実施例2と同様に、p型半導体層9上に、第2層16に対応するAg膜、Ni膜、Ti膜、Pt膜を積層し、パターニングする図5A参照。次いで、n型半導体層7の一部を露出させるように半導体層をパターニングする。その後、実施例2と実質的に同様に、ウェハのほぼ全面に、Ti膜を100nmの膜厚で形成した。ここでのTi膜の形成は、p型半導体層9及び発光層8の側面、n型半導体層7の側面及び上面にも形成される。その後、実施例2と同様に、Au膜、W膜、Ti膜及びSiO2膜を形成する。次いで、これらの膜を実施例2と同様に所定の形状にパターニングする。その際、これらの膜の形状が、図5Bの第4層17対応して、第4層17の外縁が第2層16外縁の内側に配置されるようにパターニングする。このパターニングの際又は直後に、実施例2と実質的に同様に、第1層15において絶縁領域15aが形成されるため、絶縁領域は、第4層17の上方から、p型半導体層9及び発光層8の側面、n型半導体層7の側面及び上面にも形成されることとなる図5B参照。以降の工程は、実施例2に準じて行うことができる。実施例4発光素子及びその製造方法この実施例の発光素子は、例えば、図6に示したように、第1層15の絶縁領域15aがp型半導体層9及び発光層8の側面、n型半導体層7の側面及び上面にも形成されている以外、実質的に実施例1の発光素子と同じ構成である。このような構成の発光素子においても、実施例1と同様に、高効率発光を実現することができる。この発光素子は、第4層17の外縁が第2層16外縁の外側に配置されるように、Au膜、W膜、Ti膜及びSiO2膜をパターニングする以外、実質的に実施例3と同様に形成することができる。実施例5発光素子この実施例の発光素子を図7に示す。この発光素子10は、実施例1と同様の半導体の積層構造を有し、実施例1と同様にn型半導体層7の一部の領域が露出している。この露出したn型半導体層7の上に、積層構造の電極12の一部が形成されている。積層構造の電極12の一部は、第1層13及び第4層14によって構成されている。第1層13は、第1導電型半導体層11として露出したn型半導体層上の略全面を被覆するように、n型半導体層の上面に接触して配置されている。第1層13は、n型半導体層との接触領域において、導電領域13bと絶縁領域13aとを有する。第1層13は、膜厚2nmのチタン含有膜によって形成されている。従って、導電領域13bは、チタンからなり、絶縁領域13aは、酸化チタンからなる。第4層14は、第1層13における導電領域13bの上に形成されている。第4層14は、多層膜からなり、膜厚1.7μmのAu膜、膜厚120nmのW膜、膜厚3nm程度のTi膜がこの順に積層されて構成されている。なお、図7においては、半導体層11としてn型半導体層のみしか示していないが、通常、図8Bに示すように、第1層13における絶縁領域13aは、n型半導体層7上面及び側面、発光層8の側面、p型半導体層9の側面及び上面にも配置されていている。このような構成の発光素子においても、実施例1と同様に、高効率発光を実現することができる。実施例6発光素子この実施例の発光素子は、実施例5における露出したn型半導体層上に形成した積層構造の電極に代えて、p型半導体層上に形成した積層構造の電極とした以外実質的に実施例5と同様の構造である。このような構成の発光素子においても、実施例1と同様に、高効率発光を実現することができる。実施例7発光素子の製造方法例えば、図8Bに示したように、露出したn型半導体層7の上に、積層構造の電極12の一部が形成された発光素子は、以下の方法によって形成することができる。実施例2と同様に半導体層の積層体を形成し、n型半導体層7の一部を露出させる。次いで、図8Aに示すように、露出したn型半導体層7を含むウェハ上に、第1層13としてTi膜を形成する。Ti膜上に、第4層14として、膜厚2.0μmのAuを形成し、所望の形状にパターニングする。このパターニングの際及びその直後に、第4層14から露出するTi膜において絶縁領域13aが形成される。よって、絶縁領域13aは、p型半導体層9の上面から、p型半導体層9及び発光層8の側面、n型半導体層7の側面及び上面にも形成されることとなる。