"入射放射を受信してDC電流に変換するための方法であって、a鋭い縁を備えた末端のチップを有し且つ前記入射放射を受信可能なアンテナの適切な実施形態を選択するステップと、b前記入射放射の放射スペクトルを決定するステップと、c前記放射スペクトルが狭帯域であるか広帯域であるかに応じて前記チップに対する一組の幾何学的パラメータ及び物質パラメータを求めるステップと、d前記放射スペクトルの最高周波数に応答するのに十分小さなギャップ距離を決定するステップと、e前記アンテナの長手方向に沿って一組のAC電流を誘起するステップと、f誘起されたAC電圧が電界放出用に十分大きいかどうかを計算するステップと、g前記チップにおける幾何学的非対称性に基づいて順方向バイアス及び逆方向バイアスをかけるステップと、h正の正味のDC電流を外部回路に伝えるステップとを備えた方法。前記アンテナがパッチアンテナである、請求項1に記載の方法。前記アンテナがウィスカアンテナである、請求項1に記載の方法。入射放射を受信してDC電流に変換するための装置であって、a基板と、b前記基板上に積層され、前記基板の近位縁から前記基板の長手方向に沿って部分的に延在している第一のコーティングと、c前記第一のコーティング上に積層され、前記第一のコーティングの近位縁から前記第一のコーティングの長手方向に沿って部分的に延在している第一の電極と、d前記第一のコーティング上に積層され、前記第一の電極の遠位縁から、前記第一のコーティングの遠位縁を超えて延在している金属アンテナと、e前記金属アンテナ上に積層され、前記第一の電極の遠位縁から、前記金属アンテナの遠位縁を超えて延在し、且つ、前記金属アンテナを覆うように前記金属アンテナの遠位縁において下方に延在しているプラズモン層と、f前記プラズモン層と前記第一のコーティングの末端部によって形成されたギャップとを備え、前記ギャップが、第二の電極及び第二のコーティングをオフセットしていて、前記第二の電極が前記第二のコーティング上に積層されていて、前記第二のコーティングが前記基板上に積層されている、装置。前記基板がシリコンである、請求項4に記載の装置。前記第一のコーティングが酸化シリコンである、請求項4に記載の装置。前記第二のコーティングが酸化シリコンである、請求項4に記載の装置。前記金属アンテナが、少なくとも一つの点接触ダイオードを備え、前記少なくとも一つの点接触ダイオードが、a導体と、bナノワイヤとを備え、前記ナノワイヤが受信アンテナ機能及び整流機能を提供し、前記ナノワイヤが、i鋭い縁と、ii前記透明導体と前記ナノワイヤとの間に配置された絶縁薄層と、iii点接触接合とを備え、前記ナノワイヤが先細りしていて前記鋭い縁において最も細くなり、前記点接触接合において、前記鋭い縁が前記絶縁薄層に接触する、装置。前記鋭い縁が点である、請求項8に記載の装置。前記鋭い縁が線である、請求項8に記載の装置。前記鋭い縁が円である、請求項8に記載の装置。前記点接触接合が、略50nm2から200nm2のオーダの小さな接触面積を有する、請求項8に記載の装置。前記ナノワイヤが放射の吸収性の高い金属製である、請求項4に記載の装置。前記ナノワイヤが放射の反射性の低い金属製である、請求項4に記載の装置。前記ナノワイヤが高導電性の金属製である、請求項4に記載の装置。前記ナノワイヤが低抵抗性の金属製である、請求項4に記載の装置。前記金属が、aタングステン、bモリブデン、cニッケル、d金、e銀、及び、f銅からなる群から選択されている、請求項4に記載の装置。前記ナノワイヤの長さが、前記入射放射の波長の略1/4である、請求項4に記載の装置。前記ナノワイヤの長さが、前記入射放射の波長の略1から10倍である、請求項4に記載の装置。前記ナノワイヤが、前記入射放射の波長の略1倍のオーダの距離で隣接するナノワイヤから分離されている、請求項4に記載の装置。前記ナノワイヤが、前記入射放射の波長の略2倍のオーダの距離で隣接するナノワイヤから分離されている、請求項4に記載の装置。前記ナノワイヤが、前記入射放射の波長の略3倍のオーダの距離で隣接するナノワイヤから分離されている、請求項4に記載の装置。前記絶縁薄層が真空である、請求項4に記載の装置。DC電流を受け取り貯蔵するための外部負荷を更に備えた請求項4に記載の装置。前記少なくとも一つの点接触ダイオードが複数の点接触ダイオードを含み、前記複数の点接触ダイオードの各々が、受信アンテナ機能及び整流機能を提供するナノワイヤを有し、前記ナノワイヤの各々が鋭い縁を有し、前記ナノワイヤの各々が先細りしていて、前記鋭い縁において最も細くなっている、請求項4に記載の装置。入射放射を受信してDC電流に変換するための方法であって、a鋭い縁を備えた末端のチップを有し且つ前記入射放射を受信可能なアンテナの適切な実施形態を選択するステップと、b前記実施形態を形成するように前記アンテナを積層するステップと、c基板を選択するステップと、b第一のコーティングが前記基板の近位縁から前記基板の長手方向に沿って部分的に延在するように第一のコーティングを前記基板上に積層する第一の積層ステップと、c前記第一のコーティングの近位縁から前記第一のコーティングの長手方向に沿って部分的に延在するように第一の電極を前記第一のコーティング上に積層する第二の積層ステップと、d前記第一の電極の遠位縁から前記第一のコーティングの遠位縁を超えて延在するように金属アンテナを前記第一のコーティング上に積層する第三の積層ステップと、e前記第一の電極の遠位縁から前記金属アンテナの遠位縁を超えて延在し、且つ前記金属アンテナを覆うように前記金属アンテナの遠位縁において下方に延在するようにプラズモン層を前記金属アンテナ上に積層する第四の積層ステップと、f前記プラズモン層及び前記第一のコーティングの末端部によって区切られて形成されたギャップを形成するステップであって、前記ギャップが第二の電極及び第二のコーティングをオフセットして、前記第二の電極が前記第二のコーティング上に積層され、前記第二のコーティングが前記基板上に積層される、ステップと、g前記アンテナの長手方向に沿って一組のAC電流を誘起するステップと、h誘起されたAC電流が電界放出用に十分大きな電圧を発生させるかどうかを計算するステップと、i前記チップにおける幾何学的非対称性に基づいて順方向バイアス及び逆方向バイアスをかけるステップと、j正の正味のDC電流を外部回路に伝えるステップとを備えた方法。前記アンテナがパッチアンテナである、請求項26に記載の方法。前記アンテナがウィスカアンテナである、請求項26に記載の方法。前記金属が、aタングステン、bモリブデン、cニッケル、d金、e銀、及び、f銅からなる群から選択されている、請求項26に記載の方法。本発明の一側面は、赤外線IRから可視スペクトルまでの範囲の放射をDC電流に変換するための効率的な新規装置を提供することである。本発明の他の側面は、ナノワイヤ、他の適切な形状のアンテナ、又は金属型カーボンナノチューブmCNT,metalliccarbonnanotube製の単一素子レクテナつまり、マイクロ波領域において初めて使用されるアンテナ及び整流ダイオードの組み合わせを提供することである。本発明の他の側面は、受信アンテナ及び点接触又は縁の鋭い整流デバイスの両方として同時に機能するレクテナを提供することである。本発明は、入射放射を受信してDC電流に変換するための方法及び装置に関する。特に、本発明は、アンテナチップの幾何学的非対称性、又はパッチアンテナ等の他の形状の縁に基づいた光周波数整流の方法に関する。本方法は、末端のチップを有するアンテナの選択で始まる。チップは鋭い縁を有し、アンテナは入射放射を受信することができる。レクテナは、チップによって終端された一つの縁、又は幾何学的に非対称なトンネル接合の一部である縁の鋭い構造を備えた受信アンテナ例えば、パッチアンテナやナノワイヤやmCNTから成る。本発明の一実施形態によると、入射放射を受信してDC電流に変換するための方法及び装置が提供される。本方法は複数のステップを備え、末端のチップを有するアンテナに対する適切な実施形態を選択するステップで開始する。チップは鋭い縁を有し、そのアンテナは入射放射を受信することができる。アンテナは、適切な実施形態を形成するように積層可能である。積層ステップは、基板を選択するステップと、第一のコーティングが基板の近位縁からその長手方向に沿って部分的に延在するように第一のコーティングを基板上に積層する第一の積層ステップとを備える。第一の電極が、第一のコーティングの近位縁から第一のコーティングの長手方向に沿って部分的に延在するように第一のコーティング上に積層される。次に、金属アンテナが、第一の電極の遠位縁から第一のコーティングの遠位縁を超えて延在するように第一のコーティング上に積層される。アンテナ用の金属は、タングステン、モリブデン、ニッケル、金、アルミニウム、銅、及び銀からなる群から選択される。次に、金、銅、銀、又は所望の特性を備えた他の適切な物質製のプラズモン層を、第一の電極の遠位縁から金属アンテナの遠位縁を超えて延在し、且つ金属アンテナを覆うようにその遠位縁において下方に延在するように、金属アンテナの上に加える。プラズモン層及び第一のコーティングの末端部によって一方の側が区切られ、第二の電極及び第二のコーティングによって他方の側が区切られたギャップが形成される。第二の電極は第二のコーティング上に積層されて、第二のコーティング自体は基板上に積層される。一組のAC電流をアンテナの長手方向に沿って誘起する。本方法は、結果として誘起されたAC電圧が電界放出用に十分大きいかどうかを計算しなければならない。電圧が十分に大きい場合、アンテナチップにおける幾何学的非対称性に基づいて、順方向バイアス及び逆方向バイアスをかける。そして、正の正味のDC電流が外部回路に向けられる。本発明の上記及び他の側面、特徴及び利点は、同様の参照番号が同じ要素を指称している添付図面を参照して以下の説明を読むことで明らかとなるものである。以下、添付図面に示される本発明の複数の実施形態について詳細に説明する。可能であれば、同じ又は同様の参照番号を図面において用いて、その説明は同じ又は同様の部分又はステップを指称するものである。図面は単純化されていて正確に縮尺通りではない。簡単のため及び明確性のためのみにおいて、頂部、底部、上、下、上方、下方等の方向を示す用語を図面において使用する。こうした又は同様の方向を示す用語は、本発明の範囲を何ら限定するものではない。接続、結合及び屈折形態論に関する同様の用語は、必ずしも直接的な接続を指称するものではなく、中間素子又はデバイスを介した接続も含むものである。まず、図1A及び図1Bを参照すると、本発明を支持可能なアンテナが示されている。本発明では、単一素子が受信アンテナ及び整流デバイスの両方として機能し、その整流デバイスは、電磁スペクトルの可視領域の複数の部分内に応答時間を有することが実証されている。図1Aでは、この点接触状デバイスは、平坦な基板上のナノワイヤ/mCNTから成る図6及び図8を参照。本発明は、こうした点接触状デバイスの波長に依存したサイズの垂直アレイを利用する。提案される点接触デバイスでは、ナノワイヤ又はmCNTが、収集電極を備えたMVM又はMIM接合障壁を形成する。障壁を通り抜ける電荷輸送はトンネリングによって生じる。図1Bでは、レクテナは、整流トンネル接合を備えた縁の鋭いパッチアンテナである。図1A及び図1Bに関して、レクテナデバイス140は、複数のナノワイヤ/mCNT190を有する。整流されたDC電流を利用及び/又は貯蔵するため、外部負荷196がレクテナ140に接続される。入射放射180からの光子がナノワイヤ/mCNT190に到達すると、光子が吸収される。赤外及び光学領域では、点接触ナノワイヤ/mCNT190の長さが入射放射180よりも数波長大きく略1~10波長のオーダで大きい、ナノワイヤ/mCNTが適切な長さ入射放射の波長の四分の一等であると、ナノワイヤ/mCNT190が効率的なアンテナとして機能する。ダイオードアンテナの長さ、導電率、光反射率及び負荷インピーダンスの適切な選択を用いて、高周波ダイオードの受信性能を改善して、パワー吸収、つまりは電流放出強度、又はこれに対応するレクテナ140の出力を最適化することができる。ナノワイヤ/mCNT190によって吸収されたエネルギーは、電荷キャリアをナノワイヤ/mCNT190の鋭い端に向けて移動させて、この電荷が、ナノワイヤ/mCNT190内のAC電圧を設定する。点接触接合188の幾何学的非対称性は、トンネル接合を通り抜けるAC電流の整流を生じさせる。電流が整流されると、コレクタ電極198の透明導電層が整流されたDC電流を収集する。コレクタ電極198から、DC電流は、利用可能なエネルギーを使用及び/又は貯蔵するための外部負荷196に結合される。このようにして、金属ナノワイヤ/mCNT190が、放射を吸収する受信アンテナとして機能して、ナノワイヤ/mCNT190内に交流電圧を発生させて、その交流電圧は、点接触接合188において整流されて、DC電圧を生じさせる。図2Aは、EM放射がアンテナに入射する本発明の方法のフローチャートである。本方法は、可視放射の整流を開始するステップ200で開始する。ステップ200から、本方法は、入射放射をレクテナに向けるステップ202に進む。レクテナは、受信アンテナ例えば、その三つの主寸法によって特徴付けられるパッチアンテナで構成され、その受信アンテナは、アンテナによって収集される放射用の幾何学的に非対称な金属真空/金属接合ギャップ距離sを有するである縁の鋭い構造又はチップによって終端された一つの縁を有する。ステップ204において、パッチアンテナ、ウィスカアンテナ、縁の鋭いコーティングダイヤモンド、BN、GaN、AlN、AlGaN、Cs等を備えたレクテナ等の適切な実施形態の選択が行われる。コーティングは順方向トンネル障壁の大きさを減少させて電子放出を増強する。ウィスカアンテナで採用されるナノワイヤの幾何学的形状に加えて、他の実施形態はパッチアンテナを用い、IR及びより高い周波数において動作し、拡張された中実及び中空の幾何学的形状例えば、正方形、矩形、n角形等を有することができる。こうしたレクテナデバイスはよりロバストな安定性を提供する。更に、パッチアンテナは、アンテナの動作特性及び出力の増強をもたらす。アイダホ国立研究所において、このような金製のアンテナアレイがフレキシブル基板上に製造された。最近、ナノメートルギャップ接合のアレイを製造することの技術的問題が、原子層堆積ALDを用いることによって解決された。Cu‐真空‐Cuトンネル接合の平坦なアレイが、従来のリソグラフィ法及びこれに続くALDを用いてシリコンウェーハ上に製造されて、略1nmのトンネル接合が得られた非特許文献4を参照。ステップ204から、本方法は、ステップ208における質問に進む前にアンテナを確立するステップ206に進む。ステップ208において、本方法は、放射スペクトルが狭いかどうかについて質問する。質問に対する回答がYESである場合、本方法は、幾何学的パラメータを共鳴に一致させてピーク波長を求めるステップ212に進む。ステップ212から、本方法は、ステップ214に進む。しかしながら、質問に対する回答がNOである場合、本方法は、ステップ214に進む前に、幾何学的パラメータをエネルギー吸収及びエネルギー密度に基づかせるステップ210に進む。ステップ214において、ギャップを、入射放射が示すスペクトルの最高周波数に応答するのに十分小さくする。場の反転前に電子が障壁を通り抜けるのにトンネル時間が十分になるように、ギャップ距離が設計される。ナノワイヤ/mCNT及び他の縁の鋭い幾何学的形状のデバイスは、固有の高速応答時間最大1フェムト秒を有する。レクテナデバイスは、こうしたレクテナの波長に依存したサイズのアレイを用いる。レクテナデバイスにおいて、ナノワイヤ/mCNT又は他の実施形態は、収集電極を備えた点接触又は縁の鋭いMVM又はMIM接合障壁を形成する。障壁を通り抜ける電荷輸送はトンネリングによるものである。寄生キャパシタンス効果によって制限される従来の平坦なMIMダイオードの周波数応答の問題が、このように面積の減少した点接触ナノワイヤ/mCNT、又は縁の鋭いデバイスの使用によって解消される。ステップ214から、本方法は、アンテナの長手方向に沿ってAC電流を誘起するステップ216に進む。本方法は、経路Aに沿って進み、図2Bに示されるようにステップ218へと続く。図2Bを参照すると、図2Aのフローチャートの続きが示されていて、経路Aがステップ218に進む。ステップ218において、AC電流は、幾何学的に非対称なトンネル接合の頂部又は縁において振動電荷を発生させて、ステップ220において、チップ又は縁の制約された幾何学的形状による場の増強をもたらす。ステップ222において、トンネル接合内の振動電荷は、ギャップにわたるAC電圧を誘起する。本方法は、ステップ222から、誘起場が電界放出用に十分大きいかどうかを質問するステップ224に進む。質問に対する回答がNOである場合、経路Bに沿って図2Aに示されるようにステップ204に進む前に、ステップ226において実施形態が修正される。しかしながら、質問に対する回答がYESである場合、本方法は、幾何学的非対称性によって、整流をもたらす順方向及び逆方向バイアス用にポテンシャル障壁間の差が存在するステップ228に進む。ステップ230から、本方法は、バイアスが順方向であるか逆方向であるかに応じてステップ232又はステップ234のいずれかに進む前に、ステップ230においてバイアス参照を行う。ステップ230におけるバイアス参照は、後述の図2C、図2B及び図2Dに見て取ることができる。ステップ232において、順方向バイアスは、対電極に対して突出したチップ又は縁における場の増強をもたらし、均一場の場合と比較して凹状の障壁をもたらす。ステップ234において、逆方向バイアスは、チップにおける場の幾何学的に必要とされる落ち込みをもたらし、これは、均一場の場合と比較して凸状の障壁をもたらす。平坦な幾何学的形状は1の整流比を有する。ステップ232において、順方向バイアスは、凹状のポテンシャル障壁をもたらす一方、ステップ234において、ポテンシャル障壁は凸状であり、順方向及び逆方向のトンネル電流における非対称性、つまりは1よりも大きな整流比をもたらす。勿論、整流プロセスは、温度又は物質の非対称性、他の幾何学的要因によっても増強され得る。ステップ232及びステップ234から、本方法は、順方向電流が逆方向電流を超えて、正味のDC電流及び電力が外部回路に伝えられるステップ236に進む。本方法は、ステップ238において終了する。ナノワイヤ/mCNT点接触ダイオード140における整流は、ダイオード構造の幾何学的非対称性並びに非類似の物質の使用に起因している。この幾何学的非対称性は、図2C及び図2Dに示されていて、印加電気バイアスに対して、順方向及び逆方向のバイアスは等しくない同一の金属に対しても。何故ならば、幾何学的に誘起された非対称なトンネル障壁が、非対称な順方向及び逆方向トンネル電流をもたらすからである。図2C及び図2Dに示されるように、順方向バイアスに対して、凹状のポテンシャル障壁32は、縁34とベース30との間において逆方向バイアスの凸状のポテンシャル障壁36と対称ではない。この整流は、縁34及びベース30の物質の非対称性を提供することによって、また、縁の半径や、縁とベースアノードとの間の間隔等の接合の他の物理的パラメータを変更することによって、更に増強され得る。これは、接合内の真空間隔の原子スケールでの制御を有するまさに点接触ダイオードであるSTMのI‐V特性を測定することによって実験的に確かめられる。図2Eは、ナノワイヤ/mCNT40鋭い縁42を有すると金属電極46との間に配置された絶縁/真空薄層48を有する点接触接合を示す。破線44は、点接触接合内の電場を表す。この構造は、ナノワイヤ/mCNTの長手方向の沿った入射放射誘起表面電流の減衰の小さな伝播を可能にする。吸収された太陽光放射によって誘起された表面電荷は縁42に蓄積する。この電荷分布が、縁42と金属電極層46つまり、アノード又は透明導電層との間のACバイアス電圧を設定する。図3を参照すると、アンテナ56の電極及びコレクタ電極のアセンブリのブロック図が示されている。この点接触状デバイスは、平坦な基板上に水平に配向したナノワイヤ/mCNT又はパッチアンテナから成る。本発明は、こうした点接触状デバイスの水平に配向したナノワイヤ/mCNT又は波長に依存したサイズのパッチアンテナの形状を利用する。提案される点接触デバイスでは、パッチアンテナ又はナノワイヤ若しくはmCNTは、収集電極60としてMVM又はMIM接合障壁を形成する。障壁を通り抜ける電荷輸送は、62で示される接合距離を有する整流トンネル接合58におけるトンネリングによって生じる。一組のアンテナ56は、電極50によって固定され、基板Si52の上のSiO254の上に堆積されて、所定の波長の放射64を有する。アンテナ56の幅66は、略50~300nmの範囲内であり、54における基板上のSiO2は、略20~100nmの幅を有する。図4は、図3のアンテナ56の電極から電極までの流れのブロック図である。電極82は、基板80上に積層されて、プラズモン層でコーティングされた金属アンテナ84に接続する。障壁を通り抜ける電荷輸送は収集電極88に向けられる。図3及び図4の斜視図の一変形例として、図5は、アンテナチップの側面図であり、本発明の積層基板を示す。電極108は、基板100のSiO2コーティング106上に積層され、プラズモン層110でコーティングされた金属アンテナ114に隣接する。接合ギャップ112は、プラズモン層110とコレクタ電極104との間に存在する。障壁を通り抜ける電荷輸送は、基板100のSiO2コーティング102の上に位置する収集電極104に向けられる。図6を参照すると、透明カバー層128を介して入射放射130を受信する高周波整流デバイス1が示されている。透明カバー層128は、少なくとも一つのナノワイヤ/mCNTベースの高周波ダイオード140の上に位置する。ナノワイヤ/mCNTベースの高周波ダイオード140は、ナノワイヤ/mCNT整流アンテナ132を含み平坦なMIM又はMVMダイオードデバイスの代わりに、そのナノワイヤ/mCNT整流アンテナ132は、基板120と接触して積層された金属電極ベース122上に支持される。ナノワイヤ/mCNTは、一方の側において金属電極126に近接していて略1~10ナノメートルのオーダ、整流コンタクト134を形成する。金属電極層126は、透明導電層を含み、インジウム錫酸化物又は他の適切な透明導体製であり得る。絶縁薄層124が、金属電極層126とナノワイヤ/mCNT132との間に存在し、適切な電気絶縁層真空層を含む製であり得る。接触領域134におけるナノワイヤ/mCNT132の端部は、ナノワイヤ/mCNT132の鋭い縁であり、絶縁層124と共に点接触接合134を形成する。他の例示的な実施形態では、鋭い縁は、ニードル状のチップであり得る。更に他の例示的な実施形態では、鋭い縁はカミソリ状の縁であり得る。また、更に他の例示的な実施形態では、鋭い縁は、シリンダーの上端等の円形であり得る。レクテナの鋭い縁は、ダイヤモンド、BN、GaN、AlN、AlGaN、Cs等の物質でコーティング可能である。こうしたコーティングは順方向トンネル障壁の大きさを減少させ電子放出を増強する。隣接するナノワイヤ/mCNT132の間隔は、入射放射の長さの略2倍又は3倍のオーダであり得て、実際には略300~2000ナノメートルであるが、実行可能な収集効率を保証するため、分離距離は、略数百ナノメートルのオーダよりも大きくてはいけないと考えられる。次に図7を参照すると、整流方法の使用によるアンテナ154のチップにおける光エネルギーの変換の修正回路図が示されている。チップと基板150との間の接触領域152を可能な限り小さくして略50~200nm2のオーダ、また、縁に対して低抵抗金属タングステン、モリブデン、ニッケル、金、銀が挙げられるがこれらに限定されるものではないを用いることによって、略100~1000THzのオーダの周波数に対応する光学領域内の応答時間を有する点接触ダイオード整流器が得られる。ナノワイヤ/mCNT点接触ダイオード140内の整流は、ダイオード構造の幾何学的非対称性並びに非類似の物質の使用に起因するものであり得る。Nguyen等は、金属ウィスカダイオードに対する入射放射の整流について研究した。Nguyen等の実験では、IR照射されたチップから整流されたDC電流が得られており、特筆すべきものである。後述のように、この実験は、最初の原理の証明である。1989年のこの実験図7を参照によって、IR放射で照射された際のSTMMVM接合障壁を通り抜ける有効トンネリング又は透過時間が求められた。この実験では、λlaser=1.06μmに対して、チップとコレクタとの間隔の関数として、略1nAの整流されたDC電流が測定された。この実験結果は、適切なトンネルギャップ距離dに対するIR周波数の整流を実証している。平均トンネル速度がフェルミ速度vfであると仮定すると、νcutoff=vf/dとなる。この分析は、1nmのギャップが、UV近くまでの放射を整流することができることを予測している。サンプル保持ゲート160が、フィードバック回路とSTM接合との間に配置され、そのフィードバック回路は、チップとサンプルの間隔を制御する164及び164から成る。また、トンネル電流は、12ビットのアナログデジタル変換器ADC,analog‐to‐digitalconverter158を介してコンピュータによって自動的に記録される。測定は二段階プロセスで行われた。初期又はサンプル段階において、アンテナ154と基板150との間の印加バイアスと、フィードバック回路内の参照電流とを用いて、チップとサンプルの間隔sを設定した。162は回路接合である。図7を参照すると、場の反転の前に電子が障壁を通り抜けるのに十分なトンネル時間となるように、ギャップ距離が設計される。ナノワイヤ/mCNT190、他の縁の鋭い幾何学的形状のデバイスは、固有の高速応答時間最大1フェムト秒を有する。166におけるAC電流は、アンテナの長手方向に沿って誘起され、ゲート156を通過した後に、幾何学的に非対称なトンネル接合の頂部又は縁に振動電荷を発生させる。トンネル接合内の振動電荷は、ギャップにわたるAC電圧を誘起する。幾何学的非対称によって、順方向及び逆方向バイアスに対するポテンシャル障壁間に差ができて、整流をもたらす。次に図8を参照すると、本発明のレクテナデバイス140が、複数のナノワイヤ/mCNT190を有するものとして示されている。更に、図8は、整流されたDC電流を利用及び/又は貯蔵するためにレクテナ140に接続された外部負荷196を示す。複数のナノワイヤ/mCNTは、複数のパッチアンテナに置換可能である。図6及び図8において、入射放射130からの光子がナノワイヤ/mCNT132に到達すると、ナノワイヤ/mCNT132が光子を吸収する。赤外線領域及び光学領域においては、点接触ナノワイヤ/mCNT132の長さが入射放射130よりも数波長分大きく略1~10波長分大きいオーダ、ナノワイヤ/mCNTが入射放射の波長の1/4等の適切な長さに等しいと、ナノワイヤ/mCNT132は効率的なアンテナとして機能する。ダイオードのアンテナ長さ、導電率、光反射率、及び負荷インピーダンスの適切な選択を用いて、高周波ダイオードの受信性能を改善して、パワー吸収、つまりは電流放出強度、又はこれに対応するレクテナ140の出力を最適化することができる。例示的な実施形態では、ナノワイヤ190の長さは、入射放射180の波長の1/4である。ナノワイヤ/mCNT190によって吸収されたエネルギーは、電荷キャリアを、ナノワイヤ/mCNT190の鋭い縁に向けて移動させて、この電荷が、ナノワイヤ/mCNT190内のAC電圧を設定する。後述のように、点接触接合134の幾何学的非対称性は、トンネル接合134を通り抜けるAC電流の整流を生じさせる。電流が整流されると、透明導電層184が、整流されたDC電流を収集する。この透明導電層184又はアノードから、DC電流が外部負荷196に結合されて、利用可能なエネルギーを使用及び/又は貯蔵する。このようにして、金属ナノワイヤ/mCNTが放射を吸収する受信アンテナとして機能して、ナノワイヤ/mCNT内に交流電圧を発生させて、これが点接触接合188において整流されて、透明導電層184上にDC電圧を発生させる。金属ウィスカアンテナに基づいたトンネルダイオードは非常に高い周波数応答を有することが示されている非特許文献5を参照。この高周波応答は、標準的な平坦なMIMダイオードのより低い周波数応答と比較して優れていると考えられる。従って、こうしたタイプのものが、本発明の高周波光整流デバイスにおける使用のために適合される。標準的なレクテナとは異なり、整流プロセスは、鋭いCNT/ナノワイヤの縁の幾何学的非対称性のみによる又は主にこれによるものであり得る。整流プロセスは、非特許文献6参照により本願に組み込まれるで議論されているように、物質及び温度の非対称性によっても増強可能である。ナノワイヤ/mCNTベースのレクテナ140の効率の一要因は、寄生キャパシタンスを最少化することによってナノワイヤ/mCNT190から誘起電流を生じさせる性能である。これは、トンネル接合134を通り抜けるAC電流の整流を生じさせる点接触接合134によって達成可能である。ナノワイヤ/mCNT190の接触領域は非常に小さくて、略50~200nm2のオーダである。光周波数領域における周波数応答は、平坦なMIMダイオードと比較して二桁のオーダで改善され、デバイスが、入射放射180から吸収された電磁波をDC電流に変換することができる。非特許文献7には、略1~20ナノメートルのオーダの半径を有して、略1~10マイクロメートルのオーダの長さを有する多層CNTが、光学アンテナの特性を有することが示されている。非特許文献6では、同様のサイズのナノワイヤが、光学領域におけるアンテナ及び整流器の特性を示すことが予測されている。図9は、アンテナチップ‐サンプル距離とチップに発生した整流電流との間の関係を示す点分散グラフである。このグラフは、多様なチップ‐アノード間隔に対する整流の実験結果を示し、制限的な周波数応答を決定している非特許文献5を参照。図10は、整流比に対するチップ半径の効果のグラフである非特許文献5を参照。計算は、2nmの分離に対して、参照用に含まれるρ=∞つまり平坦な接合実線、bρ=10nm点線、cρ=2nm破線、dρ=1nm一点鎖線、eρ=0.5nm二点鎖線に対して行われた。次に、図11を参照すると、入射放射と共に点接触ナノワイヤ/CNTm整流デバイスの概略図が示されていて、図12は、入射放射と点接触又は縁の鋭いパッチアンテナ199の概略図である。図11及び図12を参照すると、レクテナデバイス140は複数のナノワイヤ/mCNT190を有する。整流されたDC電流の利用及び/又は貯蔵のために、外部負荷196がレクテナ140に接続される。入射放射180からの光子がナノワイヤ/mCNT190に到達すると、ナノワイヤ/mCNT190が光子を吸収する。赤外及び光学領域では、点接触ナノワイヤ/mCNT190の長さが入射放射180よりも数波長大きく略1~10波長のオーダで大きい、ナノワイヤ/mCNTが適切な長さ入射放射の波長の四分の一等であると、ナノワイヤ/mCNT190が効率的なアンテナとして機能する。ダイオードアンテナの長さ、導電率、光反射率及び負荷インピーダンスの適切な選択を用いて、高周波ダイオードの受信性能を改善して、パワー吸収、つまりは電流放出強度、又はこれに対応するレクテナ140の出力を最適化することができる。ナノワイヤ/mCNT190によって吸収されたエネルギーは、電荷キャリアをナノワイヤ/mCNT190の鋭い端に向けて移動させて、この電荷が、ナノワイヤ/mCNT190内のAC電圧を設定する。点接触接合188の幾何学的非対称性は、トンネル接合を通り抜けるAC電流の整流を生じさせる。電流が整流されると、コレクタ電極198の透明導電層が整流されたDC電流を収集する。コレクタ電極198から、DC電流は、利用可能なエネルギーを使用及び/又は貯蔵するための外部負荷196に結合される。このようにして、金属ナノワイヤ/mCNT190が、放射を吸収する受信アンテナとして機能して、ナノワイヤ/mCNT190内に交流電圧を発生させて、その交流電圧は、点接触接合188において整流されて、DC電圧を生じさせる。特許請求の範囲において、ミーンズ又はステッププラスファンクションの記載は、請求項に記載された機能を行うものとして本願で開示又は示唆された構造、構造的等価物、等価構造をカバーするものである。従って、例えば、クギは木製部品とシリンダー状表面との間の摩擦に因るものであり、ネジの螺旋状表面は木製部品に積極的に係合するものであり、ボルトのヘッド及びナットは木製部品を両側から圧縮するものであるという点において、釘、ネジ、ボルトは構造的等価物ではないかもしれないが、木製部品を固定するという点において、当業者には、クギ、ネジ、ボルトが等価構造であると容易に理解されるものである。添付図面を参照して、本発明の少なくとも一つの好ましい実施形態について説明してきたが、本発明はこれらの正確な実施形態に限定されるものではなく、多様な変更、修正及び適合が、添付の特許請求の範囲に定められるような本発明の範囲又は精神から逸脱せずに、当業者によって実現され得る点を理解されたい。"