"誘電体部材に囲まれたチャンバと、前記チャンバに連通する開口部と、前記チャンバの内部にガスを導入するためのガス供給配管と、前記チャンバの近傍に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備えたプラズマ処理装置であって、前記高周波電源が、パルス変調機能を備えたこと、を特徴とするプラズマ処理装置。前記チャンバが環状である、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記チャンバが、長尺な形状であり、前記開口部が、長尺で線状であり、前記コイルが、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状をもち、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備える、請求項2記載のプラズマ処理装置。前記誘電体部材は、内部誘電体ブロックが外部誘電体ブロックに挿入されることによって構成されている、請求項2記載のプラズマ処理装置。誘電体部材で囲まれたチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、基板載置台上に配置された前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、前記高周波電力をパルス変調すること、を特徴とするプラズマ処理方法。前記チャンバが環状である、請求項5記載のプラズマ処理方法。前記パルス変調におけるON時間が100μs以上10ms以下である、請求項5記載のプラズマ処理方法。前記パルス変調におけるOFF時間が50μs以上である、請求項5記載のプラズマ処理方法。前記チャンバと前記基板載置台とを相対的に移動させながら処理を行うプラズマ処理方法であって、前記開口部の直径をD、移動速度をVとしたとき、D/V>OFF時間である、請求項5記載のプラズマ処理方法。前記チャンバと前記基板載置台とを相対的に移動させながら処理を行うプラズマ処理方法であって、前記開口部の直径をD、移動速度をVとしたとき、D/V×0.1>OFF時間である、請求項5記載のプラズマ処理方法。前記開口部が長尺で線状であり、かつ、長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動させながら処理を行うプラズマ処理方法であって、前記開口部の太さ長手方向と垂直な向きの開口幅をD、移動速度をVとしたとき、D/V>OFF時間である、請求項5記載のプラズマ処理方法。前記開口部が長尺で線状であり、かつ、長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動させながら処理を行うプラズマ処理方法であって、前記開口部の太さ長手方向と垂直な向きの開口幅をD、移動速度をVとしたとき、D/V×0.1>OFF時間である、請求項5記載のプラズマ処理方法。しかしながら、非特許文献2に開示されているように、従来のプラズマトーチは、ガス流量を増すとプラズマが不安定化するという問題点があった。これは、チャンバ内で環状プラズマが揺動した際に、ガス流れの下流域において環状プラズマとコイルとの距離が離れすぎて誘導結合を維持できなくなり、プラズマが失火してしまうためと考えられる。本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、プラズマを安定して生成できるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。本願の第1発明のプラズマ処理装置は、誘電体部材に囲まれたチャンバと、前記チャンバに連通する開口部と、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記チャンバ近傍に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備えたプラズマ処理装置であって、前記高周波電源が、パルス変調機能を備えたことを特徴とする。このような構成により、プラズマを安定して生成できる。本願の第1発明のプラズマ処理装置において、好適には、前記チャンバが環状であることが望ましい。このような構成により、プラズマの安定性をさらに増すことができる。本願の第1発明のプラズマ処理装置は、前記チャンバが、長尺な形状であり、前記開口部が、長尺で線状であり、前記コイルが、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状をもち、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えている場合に、とくに有効なプラズマ処理装置である。また、前記誘電体部材は、内部誘電体ブロックが外部誘電体ブロックに挿入されることによって構成されていてもよい。本願の第2発明のプラズマ方法は、誘電体部材で囲まれたチャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、前記高周波電力をパルス変調することを特徴とする。このような構成により、プラズマを安定して生成できる。本願の第2発明のプラズマ処理方法において、好適には、前記チャンバが環状であることが望ましい。このような構成により、プラズマの安定性をさらに増すことができる。また、好適には、前記パルス変調におけるON時間が100μs以上10ms以下であることが望ましい。このような構成により、プラズマの安定性をさらに増すことができる。また、前記チャンバと前記基板載置台とを相対的に移動させながら処理を行う場合には、好ましくは、前記開口部の直径をD、移動速度をVとしたとき、D/V>OFF時間であること、さらに好ましくは、D/V×0.1>OFF時間であることが望ましい。このような構成により、均一性のよいプラズマ処理を実現できる。あるいは、前記開口部が長尺で線状であり、かつ、長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動させながら処理を行う場合には、好ましくは、前記開口部の太さ長手方向と垂直な向きの開口幅をD、移動速度をVとしたとき、D/V>OFF時間であること、さらに好ましくは、D/V×0.1>OFF時間であることが望ましい。請求項7記載のプラズマ処理方法。このような構成により、均一性のよいプラズマ処理を実現できる。本発明によれば、プラズマを安定して生成できるプラズマ処理装置及び方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置について図面を用いて説明する。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1について、図1を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットを基材に垂直な面で切った断面図である。誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、基材載置台1上に基材2が載置されている。円筒状に成形された導体製のソレノイドコイル3は、円筒形の第一石英ブロック4の内部に第二石英ブロック5が挿入されてなる石英ブロック群の周辺に配置される。チャンバ内部の空間7は、内部誘電体ブロックとしての第二石英ブロック5の内壁面と、これが挿入された外部誘電体ブロックとしての第一石英ブロック4の外壁面に囲まれている。つまり、チャンバ全体が誘電体で囲まれている構成である。チャンバ内部の空間7に発生したプラズマは、チャンバにおける開口部としてのプラズマ噴出口8より基材2に向けて噴出する。第二石英ブロック5の内部にプラズマガスマニホールド9が設けられている。プラズマガス供給配管10よりプラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、第二石英ブロック5に設けられたガス導入部としてのプラズマガス供給穴11貫通穴を介して、チャンバ内部の空間7に導入される。誘導結合型プラズマトーチユニットTは、全体が接地された導体製のシールド部材図示しないで囲われ、高周波の漏洩ノイズが効果的に防止できるとともに、好ましくない異常放電などを効果的に防止できる。ソレノイドコイル3は中空の銅管からなり、内部が冷媒流路となっている。すなわち、水などの冷媒を流すことで、冷却が可能である。プラズマ噴出口8が設けられ、基材載置台1或いは、基材載置台1上の基材2は、プラズマ噴出口8と対向して配置されている。この状態で、チャンバ内にガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源よりソレノイドコイル3に高周波電力を供給することにより、チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射することにより、基材2上の薄膜22をプラズマ処理することができる。チャンバ内に供給するガスとして種々のものが使用可能だが、プラズマの安定性、着火性、プラズマに暴露される部材の寿命などを考えると、不活性ガス主体であることが望ましい。なかでも、Arガスが典型的に用いられる。Arのみでプラズマを生成させた場合、プラズマは相当高温となる10,000K以上。このようなプラズマ処理装置において、チャンバ内にガス噴出口よりArまたはArH2ガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源より13.56MHzの高周波電力を、ソレノイドコイル3に供給することにより、チャンバ内部の空間7に高周波電磁界を発生させることでプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射することで、熱処理や、溶射、成膜、エッチングなどのプラズマ処理を行うことができる。ここで、ソレノイドコイル3に供給する高周波電力の波形について説明する。従来例では、所謂連続波CW=ContinuousWaveの高周波電力を供給することが一般的で、ガス流量を増すとプラズマが不安定化することが知られている。高速度カメラなどを用いて詳細にプラズマを観察したところ、プラズマが最も明るく発光している部分ドーナツ状のプラズマ、以下、ドーナツプラズマと呼ぶが、図のP1、P2、P3に示すような状態に刻々と変化している以下、これをプラズマの揺動と呼ぶことがわかった。そして、P3のようにチャンバの外部にドーナツプラズマがはみ出したり、あるいは、ソレノイドコイル3とドーナツプラズマの一部との距離が離れすぎると、ドーナツプラズマが維持できなくなり、失火してしまうようであった。また、プラズマの揺動の速さは、ガス流量を増すほど速くなることもわかった。そこで、ソレノイドコイル3に供給する高周波電力をパルス変調する方法を考案した。これは、プラズマの揺動する速さよりも速く高周波をON/OFFすることで、安定した位置にドーナツプラズマを固定させようとするものである。実験の結果、パルスのON時間を十分短くすることにより、安定的に再現性のよいプラズマ発生を行えることがわかった。さらに、パルス変調におけるON時間は、100μs以上10ms以下であることが望ましいことも判明した。ON時間があまりに短いと、高周波電力の反射波が増し、制御が難しくなる。これは、負荷としての整合回路ソレノイドコイルのQ値が高く、帯域が狭いために起きる現象である。逆に、ON時間が長すぎると、プラズマの揺動を抑制することが難しくなる。なお、OFF時間が短すぎると、OFF時間中にプラズマが完全に失火しなくなり、プラズマの揺動を抑制できなくなるので、OFF時間は50μs以上とすることが望ましい。また、ON時間/ON時間OFF時間=デューティー比は大きいほど処理速度の低下を抑えられるので、デューティー比は大きいほどよい。デューティー比は、プラズマの揺動の抑制度合いとの兼ね合いで決定すべきパラメータであるが、概ね50以上90以下程度であることが望ましい。また、誘導結合型プラズマトーチユニットTを、基材載置台1と相対的に移動走査させて、基材2の全体を処理する場合には、プラズマ噴出口8が基材2上の任意の点を通過する時間よりも、OFF時間が十分小さくなるように配慮することも重要である。例えば、プラズマ噴出口8の直径をD、走査速度をVとすると、プラズマ噴出口8が基材2上の任意の点を通過する時間はD/Vで表されるので、D/V>OFF時間である必要がある。好ましくは、D/V×0.1>OFF時間であることが望ましい。これは、多くのプラズマ処理において、処理速度の均一性として10以下のばらつきが要求されることから導かれる。なお、開口部としてのプラズマ噴出口が長尺で線状であり、かつ、長手方向に対して垂直な向きに、チャンバと基材載置台とを相対的に移動させながら処理を行うことで、大型基板などの処理を短時間で行うことができる。この場合には、前述の円筒型の場合と同様の理由により、開口部の太さ長手方向と垂直な向きの開口幅をD、移動速度をVとしたとき、D/V>OFF時間であること、さらに好ましくは、D/V×0.1>OFF時間であることが望ましい。実施の形態2以下、本発明の実施の形態2について、図2を参照して説明する。図2は、本発明の実施の形態2におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットを基材に垂直な面で切った断面図である。図2においては、チャンバ内部の空間7は環状である。すなわち、第一石英ブロック4の内部に、凸形の第二石英ブロック5が挿入され、第一石英ブロック4の内壁面と第二石英ブロック5の凸部の外壁面との間に、環状の空間が形成されている。このような、環状のチャンバを用いることにより、より安定なプラズマ生成が可能となる。例えば、開口部としてのプラズマ噴出口が長尺で線状である場合には、チャンバ形状も長尺形とする必要があるが、チャンバを環状とすることにより、細長い長尺状の高密度プラズマを安定的に発生させることができる。一方、図の上下方向のプラズマの揺動例えば、図のP1、P2に示すような状態に刻々と変化する現象は、高周波をCW駆動する際には現れてしまうので、実施の形態1と同様にパルス駆動することにより、プラズマの揺動を抑制し、より安定なプラズマ生成を実現することができる。実施の形態3以下、本発明の実施の形態3について、図3及び図4を参照して説明する。図3及び図4は、本発明の実施の形態3におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットを基材に垂直な面で切った断面図である。図3においては、第二石英ブロック5の中間部に内側に向けて溝を形成することで、この溝と第一石英ブロック4の内壁面との間に環状チャンバ内部の空間7を構成している点が、実施の形態2と異なる。このような構成においても、図の上下方向のプラズマの揺動例えば、図のP1、P2に示すような状態に刻々と変化する現象は、高周波をCW駆動する際には現れてしまうので、実施の形態1と同様にパルス駆動することにより、プラズマの揺動を抑制し、より安定なプラズマ生成を実現することができる。パルスの駆動周波数を上げ、ON時間、OFF時間を小さくしていくと、図4に示すように、ドーナツプラズマの生成位置がPに集約されるようになり、安定したプラズマが得られる。以上述べたプラズマ処理装置及び方法は、本発明の適用範囲のうちの典型例を例示したに過ぎない。例えば、誘導結合型プラズマトーチユニットTを基材載置台1に対して相対的に移動させる場合には、固定された基材載置台1に対して走査してもよいが、固定された誘導結合型プラズマトーチユニットTに対して、基材載置台1を走査してもよい。また、本発明の種々の構成によって、基材2の表面近傍を高温処理することが可能となる。従来例で詳しく述べたTFT用半導体膜の結晶化や太陽電池用半導体膜の改質に適用可能であることは勿論、プラズマディスプレイパネルの保護層の清浄化や脱ガス低減、シリカ微粒子の集合体からなる誘電体層の表面平坦化や脱ガス低減、種々の電子デバイスのリフロー、固体不純物源を用いたプラズマドーピングなど、さまざまな表面処理に適用できる。また、太陽電池の製造方法としては、シリコンインゴットを粉砕して得られる粉末を基材上に塗布し、これにプラズマを照射して溶融させ多結晶シリコン膜を得る方法にも適用可能である。また、プラズマの着火を容易にするために、着火源を用いることも可能である。着火源としては、ガス給湯器などに用いられる点火用スパーク装置などを利用できる。また、説明においては簡単のため熱プラズマという言葉を用いているが、熱プラズマと低温プラズマの区分けは厳密には難しく、また、例えば、田中康規熱プラズマにおける非平衡性プラズマ核融合学会誌、Vol.82、No.82006pp.479-483において解説されているように、熱的平衡性のみでプラズマの種類を区分することも困難である。本発明は、基材を熱処理することを一つの目的としており、熱プラズマ、熱平衡プラズマ、高温プラズマなどの用語にとらわれず、高温のプラズマを照射する技術に関するものに適用可能である。また、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理する場合について詳しく例示したが、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理する場合においても、本発明は適用できる。プラズマガスに反応ガスを混ぜることにより、反応ガスによるプラズマを基材へ照射し、エッチングやCVDが実現できる。あるいは、プラズマガスとしては希ガスまたは希ガスに少量のH2ガスを加えたガスを用いつつ、シールドガスとして反応ガスを含むガスを別ノズルから供給することによって、プラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射し、エッチング、CVD、ドーピングなどのプラズマ処理を実現することもできる。プラズマガスとしてアルゴンを主成分とするガスを用いると、実施例で詳しく例示したように、熱プラズマが発生する。一方、プラズマガスとしてヘリウムを主成分とするガスを用いると、比較的低温のプラズマを発生させることができる。このような方法で、基材をあまり加熱することなく、エッチングや成膜などの処理が可能となる。エッチングに用いる反応ガスとしては、ハロゲン含有ガス、例えば、CxFyx、yは自然数、SF6などがあり、シリコンやシリコン化合物などをエッチングすることができる。反応ガスとしてO2を用いれば、有機物の除去、レジストアッシングなどが可能となる。CVDに用いる反応ガスとしては、モノシラン、ジシランなどがあり、シリコンやシリコン化合物の成膜が可能となる。あるいは、TEOSTetraethoxysilaneに代表されるシリコンを含有した有機ガスとO2の混合ガスを用いれば、シリコン酸化膜を成膜することができる。その他、撥水性親水性を改質する表面処理など、種々の低温プラズマ処理が可能である。本発明では、誘導結合型プラズマトーチを用いているため、単位体積あたり高いパワー密度を投入してもアーク放電に移行しにくいため、より高密度なプラズマが発生可能であり、その結果、速い反応速度が得られ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で効率よく処理することが可能となる。"