"少なくとも2つの金属電極と、前記電極の間に配置されたBaTiO3系半導体磁器組成物とを有するPTC素子であって、前記半導体磁器組成物は、BaTiO3系のBaの一部がBi-Naと半導体化元素で置換され、少なくともBiサイトに空孔が形成されて、その結晶に酸素欠陥が形成されたものであることを特徴とするPTC素子。前記Biの空孔率がBiサイトに対して5より大きく、75以下であることを特徴とする請求項1に記載のPTC素子。前記酸素欠陥がOサイトに対して10ppm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のPTC素子。前記BiサイトのほかにNaサイトにも空孔が形成されており、当該Naの空孔率がNaサイトに対して0より大きく、60以下であることを特徴とする請求項1~3の何れかに記載のPTC素子。前記BiサイトのほかにBaサイトにも空孔が形成されており、当該Baの空孔率がBaサイトに対して0より大きく、4以下であることを特徴とする請求項1~4の何れかに記載のPTC素子。少なくとも2つの金属電極と、前記電極の間に配置されたBaTiO3系半導体磁器組成物とを有するPTC素子であって、前記半導体磁器組成物は、BaTiO3系のBaの一部がBi-Naと半導体化元素で置換され、少なくともBiサイトに空孔が形成されて、その結晶に酸素欠陥が形成されたものであり、前記金属電極と半導体磁器組成物との間の界面近傍に空乏層が存在することを特徴とするPTC素子。前記金属電極と半導体磁器組成物との間の界面から2μm以内に空乏層があることを特徴とする請求項6に記載のPTC素子。前記電極と、前記半導体磁器組成物とを積層させてなることを特徴とする請求項1~7の何れか1項に記載のPTC素子。請求項1~8の何れか1項に記載のPTC素子と、前記PTC素子に設けられた電力供給電極とを備えることを特徴とする発熱体モジュール。そこで、本発明者らは、様々なPbフリーの半導体磁器組成物を作製してその特性を評価したところ、Pb含有およびPb非含有を問わず従来の半導体磁器組成物は結晶粒界のショットキー障壁に起因してPTCR特性が発現するところ、特定の組成及び特定の欠陥を有する半導体磁器組成物は電極と半導体磁器組成物との界面におけるショットキー障壁に起因してPTCR特性が発現することを見出した。このような電極と半導体磁器組成物との界面におけるショットキー障壁によってPTCR特性が発現する物質は、材料形状、特に、厚さに対して耐電圧が変化しないことから、素子形状の自由度が大きくなり、様々な形状に加工して様々な装置に応用できることを見出し、本発明を実現した。そこで本発明は、Pbフリーの半導体磁器組成物を用いて薄型で、且つ耐電圧性に優れたPTC素子を提供することを目的とする。本発明によれば、上記目的を達成するために以下が提供される。1少なくとも2つの金属電極と、前記電極の間に配置されたBaTiO3系半導体磁器組成物とを有するPTC素子であって、前記半導体磁器組成物は、BaTiO3系のBaの一部がBi-Naと半導体化元素で置換され、少なくともBiサイトに空孔が形成されて、その結晶に酸素欠陥が形成されていることを特徴とするPTC素子。2前記Biの空孔率がBiサイトに対して5より大きく、75以下であることを特徴とする1のPTC素子。3前記酸素欠陥がOサイトに対して10ppm以下であることを特徴とする1または2のPTC素子。4前記BiサイトのほかにNaサイトにも空孔が形成されており、当該Naの空孔率がNaサイトに対して0より大きく、60以下であることを特徴とする1~3のいずれかのPTC素子。5前記BiサイトのほかにBaサイトにも空孔が形成されており、当該Baの空孔率がBaサイトに対して0より大きく、4以下であることを特徴とする1~4のいずれかのPTC素子。6少なくとも2つの金属電極と、前記電極の間に配置されたBaTiO3系半導体磁器組成物とを有するPTC素子であって、前記半導体磁器組成物は、BaTiO3系のBaの一部がBi-Naと半導体化元素で置換され、少なくともBiサイトに空孔が形成されて、その結晶に酸素欠陥が形成されたものであり、前記金属電極と半導体磁器組成物との間の界面近傍に空乏層が存在することを特徴とするPTC素子。7前記金属電極と半導体磁器組成物との間の界面から2μm以内に空乏層があることを特徴とする6のPTC素子。また、前記空乏層の幅は0.04μm~0.8μmであってもよい。8前記電極と、前記半導体磁器組成物とを積層させてなることを特徴とする1~7のいずれかのPTC素子。91~8のいずれかのPTC素子と、前記PTC素子に設けられた電力供給電極とを備えることを特徴とする発熱体モジュール。本発明のPTC素子によれば、半導体磁器組成物と電極との間の界面における抵抗成分によってPTCR特性を発現するPTC素子が実現できる。つまり、本発明のPTC素子のPTCR特性は半導体磁器組成物と電極との間の界面の抵抗成分によって決定され、従来の組成物内部の結晶粒界の抵抗成分で決定される半導体磁器組成物と異なり、厚みの大きさによって抵抗値およびジャンプ特性が定まることがなく、薄いPTC素子でも耐電圧の高いものが得られる。したがって、所定の抵抗値を得るために肉厚を大きくする必要がないので、高耐電圧でありながら薄型のPTC素子を実現することができる。本発明に係るPTC素子は、複数の電極とその電極の間に挟まれて配置されたBaTiO3系半導体磁器組成物とを有するPTC素子であって、半導体磁器組成物と電極との間の界面近傍における抵抗成分によってPTCR特性を発現するものである。このような半導体磁器組成物と電極との間の界面近傍における抵抗成分によってPTCR特性が発現される半導体磁器組成物は、BaTiO3系半導体磁器組成物中のBaの一部がBi-Naと半導体化元素で置換され、少なくともBiの一部を欠乏させることによってBiサイトに空孔が形成されて、その結晶に酸素欠陥が形成されたものである。Biサイトの空孔率が界面の準位濃度と関連が強く、PTCR特性に影響を与えていると考えられるので、Biの空孔率はBiサイトに対して5より大きく、75以下であることが好ましい。その理由は、Biの空孔率が5以下になると電極とPTC素子との間の界面にショットキー障壁が無くなりジャンプし難く、75を超えるとポアが増加密度が低下して室温抵抗が上昇し評価自体でき難くなるからである。室温比抵抗70Ωcm程度の補助ヒータ用ならばBiの空孔率は10より大きく、およそ35以下が好ましい。10以下ではジャンプが減少し、35を超えると室温抵抗が上昇し始めるからである。このようにBiの空孔率を制御することで酸素欠陥をOサイトに対して10ppm以下とすることが好ましい。酸素欠陥が10ppmを超えるとキャリア電子が欠陥準位を通りジャンプ特性が減少するからである。また、BiサイトのほかにBaサイト、Naサイトの両方あるいは一方にも空孔が形成されており、この場合、Baの空孔率がBaサイトに対して0より大きく4以下であり、Naの空孔率がNaサイトに対して0より大きく60以下であることが好ましい。その理由は、Baの空孔率が4を超えると異相が増えて半導体化が困難になるからであり、3以下がさらに好ましい。Naの空孔率については60を超えると異相が増えて室温抵抗が上昇するからであり、40以下がさらに好ましい。以下に本発明に係るPTC素子に用いるBaTiO3系半導体磁器組成物の製法の一例を説明する。まず、BaQTiO3仮焼粉Qは半導体化元素を用意する。BaCO3、TiO2と半導体化元素の原料粉末、例えば、La2O3を混合して混合原料粉末を作製し、仮焼する。仮焼温度は900°C~1300°Cの範囲が好ましく、仮焼き時間は0.5時間以上が好ましい。仮焼き温度が900°C未満あるいは仮焼き時間が0.5時間未満ではBaQTiO3が完全に形成されず、未反応のBaOが雰囲気中及び混合媒体の水分と反応し、組成ずれの原因となるため好ましくない。また、仮焼き温度が1300°Cを超えると、仮焼粉中に焼結粒が生じ、後に混合するBiNaTiO3仮焼粉との固溶の妨げとなるため好ましくない。また、同様にBaCO3、TiO2と半導体化元素のNb2O5を混合して、BaTiMO3MはNb、Ta、Sbのうち何れかの半導体化元素を用意してもよい。なお、これらの工程で得られた仮焼粉をBT仮焼粉と称する。次に、BiNaTiO3仮焼粉を用意する。原料粉末となるNa2CO3、Bi2O3、TiO2を混合して混合原料粉末を作製し、仮焼きする。ここで、Biの空孔率を制御するためにNa2CO3、Bi2O3を化学量論組成からずらして配合することを行う。さらに化学量論のコントロールだけでは結晶構造の維持ができないので、仮焼き時間と温度も制御する。例えば、Biを亜化学量論組成で配合するとBi空孔率は大きくなり、Naも化学量論組成よりも少なめに配合するとNa空孔率は大きくなる。仮焼き時間については、800°Cで2時間を基準として例えば4時間にするとBi空孔率は1.1~1.2倍程度になる。温度を900°Cにすると1.6倍程度となる。Bi2O3は、これらの原料粉の中では融点が約820°Cと最も低いので焼成による揮散がより生じ易い。そこでBiが成るべく揮散しないで、かつNaの過反応が無いように仮焼き温度は700°C~950°Cの範囲が好ましく、仮焼き時間は0.5~10時間が好ましい。仮焼き温度が700°C未満あるいは仮焼き時間が0.5時間未満では未反応のNaOが雰囲気中の水分、あるいは湿式混合の場合はその溶媒と反応し、組成ずれや特性のバラツキを生じさせるため好ましくない。また、仮焼き温度が950°Cを超えるか、あるいは仮焼き時間が10時間を超えると、Biの揮散が進み、組成ずれを起こし、異相の生成が促進されるため好ましくない。なお、この工程で得られた仮焼粉をBNT仮焼粉と称する。なお、上記のBT仮焼粉を用意する工程における仮焼き温度900°C~1300°Cと、BNT仮焼粉を用意する工程における仮焼き温度700°C~950°Cは、用途に応じても適宜最適温度を選定する。例えば、BNTの仮焼き温度は、Biの揮散を抑制しつつ反応を充分に行うために、仮焼き時間を調整するなどして比較的低温で行うことが好ましい。また、BNTの仮焼き温度は、BTの仮焼き温度よりも低く設定することが好ましい。上述のBT仮焼粉を用意する工程と、BNT仮焼粉を用意する工程とは別々に行う分割仮焼法。これにより、仮焼き工程におけるBNTのBiの揮散を抑制し、BiNaの組成ずれを防止して異相の生成を抑制できるので、室温比抵抗をさらに低下させるとともに、キュリー温度のバラツキを抑制した半導体磁器組成物を実現することができる。なお、Baの空孔率を制御するためには、BiやNaの場合と同様に化学量論組成からずらして配合する手段をとっても良いが、Baは仮焼過程でほとんど揮散しないので、下記するBT仮焼粉とBNT仮焼粉を混合する時に混合媒体にBaを溶解させることで行っても良い。各々の仮焼粉を用意する工程においては、原料粉末の混合の際に、原料粉末の粒度に応じて粉砕を施しても良い。また、混合、粉砕は純水やエタノールを用いた湿式混合粉砕または乾式混合粉砕のいずれでもよいが、乾式混合粉砕によると組成ずれをより防止することができるので好ましい。なお、原料粉末として、BaCO3、Na2CO3、TiO2を例としてあげたが、その他のBa化合物、Na化合物などを用いても本発明の効果を損なうことはない。上述のようにBT仮焼粉とBNT仮焼粉とを別々に用意した後、各仮焼粉を所定量に配合した後、混合する。混合は、純水やエタノールを用いた湿式混合又は乾式混合のいずれでもよいが、乾式混合を行うと、組成ずれをより防止できるので好ましい。また、仮焼粉の粒度に応じて、混合の後粉砕、あるいは混合と粉砕とを同時に行ってもよい。混合、粉砕後の混合仮焼粉の平均粒度は、0.6μm~1.5μmが好ましい。BT仮焼粉とBNT仮焼粉とを混合する工程により得られた混合仮焼粉を適宜の成形手段によって成形する。成形前に必要に応じて粉砕粉を造粒装置によって造粒してもよい。成形後の成形体密度は2~3gcm3が好ましい。BNT仮焼粉の融点は1250°C以上となり高い値で安定するので、BT仮焼粉と混合してもより高い温度で焼成が可能となる。分割仮焼法の利点の一つは、Biの揮散とNaの過反応を抑え、秤量値に対しBi-Naの組成ずれの小さいBNT仮焼粉にして用いることにある。焼結は、大気中または還元雰囲気中、あるいは低酸素濃度の不活性ガス雰囲気中で、焼結温度1200°C~1400°C、焼結時間2時間~6時間で行う。なお、成形前に造粒を行った場合は、焼結前に300°C~700°Cで脱バインダー処理を行うことが好ましい。本発明において対象とするBaTiO3系の半導体磁器組成物においては、BaTiO3のBaの一部をBiNaで置換し、更に半導体化元素を添加して原子価制御を行う。以下の実施態様においては、BaTiO3に半導体化元素Qを添加し、BaQTiO3仮焼粉となす。半導体化元素Qとしては、La、Dy、Eu、Gd、Yの少なくとも一種が好ましい。得られる半導体磁器組成物は組成式BiNaxTiO3から上記と同様に10mm×10mm×1.00mm、10mm×10mm×0.75mm、10mm×10mm×0.5mm、10mm×10mm×0.25mmの板状試験片を用意し、その両端面に同様の電極を形成してPTC素子を作製し、図1と同様のグラフを作成した。図3においても厚みと抵抗値との間に線形の関係が成立して近似直線を導入できるが、図1の本発明のPTC素子とは異なり、厚み0の時の抵抗値は温度によらずに0のままである。なお、本発明とは別のPbフリーの半導体磁器組成物も図3と同様の温度と抵抗値の関係を有すると考えられる。以上の図1,図3の比較から、Pbを含有する半導体磁器組成物は厚みが増すほど抵抗値が増加するので、半導体磁器組成物内部でジャンプ特性が発現されることがわかる。このことは、半導体磁器組成物内部の結晶粒界でジャンプ特性が発現されていることと符合する。一方、本発明に係るPTC素子においては、半導体磁器組成物の厚みが0の時にも抵抗値R0Tが存在すると想定されるため特異な現象を示している。この現象は、結晶粒界に形成されたショットキー障壁によるメカニズムではジャンプ特性の説明がつかない。以上の図1,3の比較より、本発明者はPb含有半導体磁器組成物と本願の半導体磁器組成物は図4,5に示すようにジャンプ特性の発現する領域が異なると考えた。図4のaは複数の結晶粒からなるPb含有半導体磁器組成物が一対の電極に挟まれた状態を示す模式図であり、図4のbは図4のa中の直線X-X上のエネルギポテンシャルEを示す模式図である。図4のb中の曲線aは室温でのエネルギポテンシャルを示し、曲線bは200°Cでのエネルギポテンシャルを示す。図5のaは複数の結晶粒からなる本発明の半導体磁器組成物が一対の電極に挟まれた状態を示す模式図であり、図5のbは図5のa中の直線Y-Y上のエネルギポテンシャルEを示す模式図である。図5のb中の曲線cは室温でのエネルギポテンシャルを示し、曲線dは200°Cでのエネルギポテンシャルを示す。また、図5のb中のwは電極と半導体磁器組成物との界面においてショットキー障壁を示す領域の幅を示す。図4のbに示すように、本発明ではない半導体磁器組成物においては、電極間に多数の結晶粒界が存在し、その結晶粒界毎に室温と200°Cとでエネルギポテンシャルが大きく異なるジャンプ特性を示す。したがって、Pb含有半導体磁器組成物の電極間の厚みが大きくなるほどジャンプ特性が大きくなり、抵抗値も増加する。なお、このように結晶粒界で温度が上昇すると室温とのエネルギポテンシャルの差が大きくなる現象はPbを含有しない従来の半導体磁器組成物においても同様と考えられる。これに対し、図5のbに示すように、本発明の半導体磁器組成物においては、電極と半導体磁器組成物の界面でショットキー障壁が生じ、室温と200°Cでエネルギポテンシャルが大きく異なるジャンプ特性を示す。このモデルによれば厚みが限りなく0に近づいても、電極と半導体磁器組成物との間に界面があればエネルギポテンシャルが生じるので、上記の厚み0の時にも抵抗値が0にならない時の説明ができる。したがって、本発明の半導体磁器組成物においては図5のbに示す電極と半導体磁器組成物との界面でジャンプ特性が発現するので、ジャンプ特性は厚みに左右されず、半導体磁器組成物の組成や電極によって影響されることになると考えた。なお、ショットキー障壁が発生する電極と半導体磁器組成物との界面とは、厚みのない界面そのものを言うのではなく、電極から半導体磁器組成物に向かう深さ方向の幅w例えば、2μm以下の領域をいう。また、本発明では半導体磁器組成物内部の結晶粒界にもエネルギポテンシャルが生じているものの、半導体磁器組成物と電極との間の界面におけるエネルギポテンシャルと比較して小さいため、半導体磁器組成物中のジャンプ特性は半導体磁器組成物と電極との間の界面に支配されていると考えてよい。<電極の種類>そこで、本発明の発明者は、電極を構成する金属の種類を変えた時にジャンプ特性も変化すれば上記モデルの妥当性が証明されると考え、金属の種類を変えて上記の抵抗値R0Tを調べたものが図6~図10である。図6~図10は、図1,3で測定したPTC素子のうち、10mm×10mm×1.00mmのPTC素子について、各温度での厚みが0の時の抵抗値R0Tを算出して、温度と厚み0の抵抗値R0Tの関係を示している。なお、図6で測定したPTC素子は、オーミック電極としてニッケル電極を、その上にカバー電極として銀電極を夫々スパッタリングで形成し、その後大気中で300°C、2時間の熱処理を施したものである。図7で測定したPTC素子は、カバー電極としての銀電極とオーミック電極としてのニッケル電極をスパッタリングで形成し、その後酸素中で300°C、3時間の熱処理を施したものである。図8で測定したPTC素子は、カバー電極としての銀電極とオーミック電極としてのニッケル電極とをスパッタリングで形成し、熱処理を行わなかったものである。図9で測定したPTC素子は、カバー電極としてのチタン電極とオーミック電極としての銅電極とをスパッタリングで形成し、大気中で300°C、5時間の熱処理を施したものである。図10で測定したPTC素子は、カバー電極としてのニッケル電極とオーミック電極としてのチタン電極とをスパッタリングで形成し、大気中で300°C、5時間の熱処理を施したものである。図3、及び図6~図10から、本発明に係るPTC素子によれば、いずれの種類の金属を電極に用いても、温度による抵抗値のジャンプ特性が発現していることが確認できる。また、金属の種類や形成方法によってジャンプ特性が変化することが確認できる。したがって、本発明に係るPTC素子では、半導体磁器組成物と金属との界面でジャンプ特性が発現していることが分かる。<多層電極構造>さらに、半導体磁器組成物と金属電極との界面で抵抗成分が発生していることから、中間層電極を設けて界面を増やした場合の室温比抵抗ρ25、キュリー温度Tsc、抵抗温度係数αについて測定した。なお、半導体磁器組成物の抵抗測定値から材料中の抵抗値全体の抵抗値と、電極と材料の界面での抵抗値厚み0の時の抵抗値R0Tとを分離し、界面の抵抗値が室温における界面の抵抗値の2倍となったときの温度を便宜的にキュリー温度Tscとした。表1は、上述の図1,図2で用いたPTC素子を用い、図11の如く、同じ厚みのPTC素子を夫々1~4個積層させて、積層されたPTC素子の室温比抵抗ρ25、キュリー温度Tsc、抵抗温度係数αについて測定したものである。なお、積層されたPTC素子において、PTC素子の一方の面には正極電極を、他方の面には負極電極を印刷形成し、積層体の端面に面した正電極同士また負電極同士を外部電極で接続した櫛歯状の電極構造を形成した。図11ではシート状の試験片を3層積層させ、正極電極及び負極電極に銀及び亜鉛を用いている。なお、シート材の厚さは20~200μm程度を用いることができる。厚さが20μmよりも小さいと、焼成時に電極と材料の化学反応が進み特性が変化してしまうために好ましくない。20μm以上であれば数100μmのシートは従来のドクターブレード法などで作製できる。なお、本測定に用いた半導体磁器組成物はBa空孔率2.21、Na空孔率6.44、Bi空孔率18.01、酸素欠陥料1ppmのものを用いた。抵抗温度係数αは次式により求めた。α=lnR2―lnR1×100/T2-T1T1はキュリー温度Tscを超えて比抵抗が室温比抵抗ρ25の2倍になる温度、T2は最大比抵抗を示す温度、R1,R2はそれぞれ温度T1,T2の時の抵抗値である。この抵抗温度係数αは、ジャンプの前後でどれくらい抵抗値が増加したかを示す指標であり、数値が大きいほどジャンプ特性に優れていることを示す。表1より、積層数の増加と共に、室温比抵抗ρ25、抵抗温度係数αが増加することがわかる。したがって、界面近傍に高い抵抗値を示すという本発明の特有の効果から、本発明に係る半導体磁器組成物を用いれば、半導体磁器組成物の材料その物や厚みを変えることなく、積層数を多くすることで、高い室温比抵抗や抵抗温度係数が要求されるような用途にPTC素子を適用することができる。このように積層構造は、従来と同等あるいはそれ以下の厚みであっても高い耐電圧を必要とする用途に適している。また、電極を焼き付けたりスパッタリングで形成したり、また、中間電極を形成してもジャンプ特性が現れることを確認したものが図12~図14である。図12は、半導体磁器組成物の両端に銀のカバー電極、ニッケルの中間電極、クロムのオーミック電極からなる電極をスパッタリングで形成し、熱処理を行わなかった試験片の温度―厚み0の抵抗値R0Tの測定結果である。図13は、半導体磁器組成物の両端に銀のカバー電極、ニッケルの中間電極、クロムのオーミック電極からなる電極をスパッタリングで形成し、大気中で300°C、5時間の熱処理を施した試験片の温度―厚み0の抵抗値R0Tの測定結果である。図14は、半導体磁器組成物の両端に銀のカバー電極、ニッケルの中間電極、クロムのオーミック電極からなる電極をスパッタリングで形成し、酸素中で300°C、5時間の熱処理を施した試験片の温度―厚み0の抵抗値R0Tの測定結果である。いずれの構成でもジャンプ特性が発現しており、特に電極を形成した後に熱処理を行ったものが優れたジャンプ特性を示している。これは、熱処理によってオーミック電極の金属クロムと大気中成分とが影響しあって界面の準位濃度が増加したためと思われる。以上の如く本発明によるPTC素子は、電極の形成方法によらず、ジャンプ特性が発現されることが確認された。また、同じ材料の電極を有するPTC素子であっても熱処理を施したPTC素子はジャンプ特性に優れることが確認された。以上の検討より、金属電極と半導体磁器組成物との間の界面でジャンプ特性PTCR特性を発現するPTC素子を得られることが確認された。なお、このように金属電極と半導体磁器組成物との間の界面でジャンプ特性PTCR特性を発現するPTC素子は図1で説明した如く、両端面に金属電極を設けられたそれぞれ厚みの異なる複数の半導体磁器組成物を用意し、それぞれの半導体磁器組成物を加熱しながら所定温度毎にそれぞれの半導体磁器組成物の抵抗値を測定し、所定温度毎に厚みと抵抗値との間の近似直線を求め、所定温度毎の近似直線の厚みが0の時の抵抗値を求め、厚みが0の時の抵抗値が特定の温度を境に急激に増加したときに、半導体磁器組成物と金属電極との間の界面でPTCR特性が発現したものと判断することで、PTCR特性の発現位置を特定できる。<空孔率の分析>次に、上記のジャンプ特性に影響を及ぼす半導体磁器組成物中の原子空孔率について考察した。上記実施例の組成BiNax1-xTiO3についてBi,Ba,Na,Oの空孔率を分析した。これは、理論上Ti:1に対し、BiやNaは0.08×0.5が含まれているべきところ、実際の半導体磁器組成物を分析した結果、Bi,Ba,Na,Oの値があるべき数値より少なくなっているので、Bi,Ba,Na,Oサイトに欠陥が生じていると推定されたからである。そこで、これらの欠陥の度合いが、室温比抵抗ρ25、キュリー温度Tsc、抵抗温度係数αに対して影響を及ぼすとの着想を得て分析した。なお、得られた半導体磁器組成物の分析結果よりLaは製造過程中に揮散損失することはほとんど無かったので起因サイトではないと考えた。また、Tiは製造過程中に最も揮散損失し難く安定なためTiの分析値を基準に前記Ba、Na、Bi、Oの空孔率を求めた。酸素欠陥量は、以下の算出式により求めた。すなわち、酸素についてδの欠陥が生じているとすれば、酸素欠陥がない場合と比べて2δ個のキャリア電子が生成されることになる。したがって、電子数を測定すれば酸素欠陥の量を知ることができる。以上の分析結果を表2に示す。実施例1~27は、原料粉であるBNT粉のTiO3の組成、γ、ηを0≦γ≦0.35、0≦η≦0.005の範囲に収まるように配合し、大気中800°Cで時間を調整し焼成したものである。この各々の配合比率で得られたBNT粉とBT粉とを用いて作製された半導体磁器組成物にオーミック電極として銀亜鉛電極を、その上にカバー電極として銀電極を夫々両端面に形成し、室温比抵抗ρ25、キュリー温度Tsc、抵抗温度係数αを測定した。なお、これ以外の配合とした比較例1~5も合わせて表2に示す。抵抗温度係数αは数値が高いほどジャンプ特性に優れており用途は広がる。抵抗温度係数αが5.0°C以上あればセンサ用途やヒータ用途などのPTC素子として十分利用できる。また、PTC素子の用途に応じてふさわしいキュリー温度が決まることになるので、キュリー温度に幅があると様々な用途に適用可能である。この点で、上記の本発明に係る半導体磁器組成物は約150°Cから190°C程度まで変えることができるので、本発明のPTC素子の適用できる範囲は広いと言える。室温比抵抗は70Ωcm程度までは車載用の補助ヒータ等に、1000Ωcm程度までは蒸気発生モジュールなどに、1000Ωcm以上ではハイブリッド車、電気自動車用のヒータや発熱モジュール等に適している。高い耐電圧の要求される部品に低い比抵抗のPTC素子を用いると、他の電子部品に電流が流れすぎて他の電子部品を破損してしまう虞があるためである。以上の特性評価より、Bi空孔率に注目すると、比較例2,3のBi空孔率が3.20より低いときは抵抗温度係数が小さくなり、比較例1,5のようにBi空孔率が80より大きいときはキュリー温度を決定できないので好ましくない。したがって、Biの空孔率は、Biサイトに対して5より大きく、75以下であることが好ましい。Biの空孔率が範囲であれば、空乏層を有するショットキー障壁を有する界面を構成し易い。したがって、Bi空孔率が80を超えないように、原料粉末の調整段階では、Bi0.5-γNa0.5-ηTiO3のうちγが0.4を超えないようにBi2O3の投入量を調整することが好ましい。なお、γが、0.4を超えて、極めて大きくなる場合は、正常な正方晶相にBiが欠如した異相が極めて多く形成されてしまうため、できるだけ仮焼きや焼結段階でBiを揮散させることが好ましい。これによって異相生成を最小限に抑え、Bi欠陥を正方晶内に形成することができる。同様の理由で、後述するNaについても同様にηはできるだけ小さいことが好ましい。なお、Baは飽和蒸気圧が低いので仮焼きや焼結段階で揮散させることができないので、原料粉の調整段階で水中にBaを溶出させるなどして調整する。さらに、比較例4に示すように酸素欠陥量が10ppmを超える20ppmの場合は半導体磁器組成物がジャンプ特性を示さないので、酸素欠陥量は10ppm以下が好ましい。なお、以上の検討よりBiの空孔率が半導体磁器組成物のジャンプ特性に直接的に影響を及ぼす成分と考えられるが半導体磁器組成物中に異相が形成されることを考慮すると、Baの空孔率は、Baサイトに対して0より大きく、4以下であること、さらには3以下であることが好ましい。また、Naの空孔率は、Naサイトに対して0より大きく、60以下であることが好ましい。すなわち、Ba空孔率が4、Na空孔率が60を超えるよう調整された場合、ジャンプ特性は発現するものの、半導体磁器組成物中のBaやNaの空孔比率が多くなりすぎて規則的な結晶構造が形成されず、異相が形成されてしまうので好ましくない。また、金属と半導体磁器組成物との界面で上述のジャンプ特性が発現し、このジャンプ特性がBi、Oの空孔率に影響されることを考慮すると、金属と半導体磁器組成物との界面に空乏層が存在すると考えられる。このように金属と半導体磁器組成物との界面に空乏層が存在すると考えられるため、半導体磁器組成物に電極が設けられたPTC素子の空乏層について走査型容量顕微鏡SCMScanningCapacitanceMicroscopyを用いて確認した。図15は、半導体磁器組成物の一部表面に電極を設けたPTC素子の表面の電気容量を走査型容量顕微鏡Veeco社製、型式:NanoScopeIvaAFMDimension3100で調べたSCM写真である。また、図16は図15において結晶粒界をトレースし、空乏層の電気容量の密度を3段階に分けて示した模式図である。空乏層の電気容量Cは下記数2の通り、ドナー濃度すなわち半導体磁器組成物と電極との界面の準位濃度の平方根に比例する。準位濃度が高い領域は電気容量Cも大きく、色濃く現れる。半導体磁器組成物と電極との界面に印加する電圧を変化させながら電気容量の変化を見た結果が図15,16である。図15,16において、濃度の高い領域ほど電気容量Cが大きいことを表す。図15,16より、電気容量の大きい、すなわち、準位濃度の高い領域e、あるいは電気容量準位濃度の中程度の領域fは電極が形成された界面近傍に現れ、この領域では空乏層が多く形成されたことが確認できた。他方、電気容量の小さい、すなわち、準位濃度の低い領域は電極が形成されない端面や半導体組成物の内部に現れ、これらの領域では空乏層があっても濃度が小さい領域gであることが確認された。この準位濃度がBi空孔率の増加にともない高くなることから、ジャンプ特性が発現できる程度に空乏層が形成されると推測される。これらの範囲を逸脱すると、界面の準位濃度が増加してしまい、抵抗温度係数が5/°Cを下回ったり、ジャンプ特性を示さなかったり、室温比抵抗が大きすぎたり、抵抗値を測定できなかったりする。これらの欠陥空孔率の規定の中で電極/材料界面のショットキー障壁に与える影響度の高いものはBi欠陥であると考えられる。これは、Biが少ない場合に抵抗値やジャンプ特性が大きく発現したためである。準位濃度が高い領域を図5bで示すと界面近傍の急峻に立ち上がったショットキー障壁の山部分である。ここで金属と半導体磁器組成物との界面におけるショットキー障壁の幅空乏層の幅wは下記数3により求められる。この式は、ショットキー障壁を示す領域の幅wは電気容量Cに反比例することを示す。数3を考慮すると、大きな電気容量Cを示した領域eのショットキー障壁を示す領域の幅weは、中程度の電気容量Cを示した領域fの幅wfよりも狭いことになり、これは図15,16の結果と一致する。計算して求めた結果、界面近傍にある高濃度領域eの空乏層の幅深さweは0.04~0.8μmであり、中濃度領域fの空乏層の幅深さwfはおよそ2μmであることが分かった。また、以上のようにBa、Na、Bi、Oの空孔率を変化させた場合に、室温比抵抗ρ25、キュリー温度Tsc、抵抗温度係数αが影響されることは、銀銀亜鉛電極以外の電極を用いた場合でも同様であることが表3から確認できる。以上のように、本発明によれば金属とBaTiO3系半導体磁器組成物との界面でPTCR特性が発現する新規なPTC素子を実現することができる。なお、表3からもBi空孔率が75を超えるとジャンプ特性を示さなくなることが確認できる比較例6。<発熱体モジュール>本発明のPTC素子を、図17に示すように金属製の放熱フィン20a1、20b1、20c1に挟み込んで固定し、発熱体モジュール20を得た。発熱体11の一方の面に形成した電極2a,2cはそれぞれ電力供給電極20a,20cに熱的および電気的に密着され、他方の面に形成した電極2bは電力供給電極20bに熱的および電気的に密着される。また、電力供給電極20a、20b、20cはそれぞれ放熱フィン20a1、20b1、20c1と熱的に接続している。なお、絶縁層2dは電力供給電極20aと電力供給電極20cの間に設けられ、両者を電気的に絶縁している。発熱体11で生じた熱は電極2a、2b、2c、電力供給電極20a、20b、20c、放熱フィン20a1、20b1、20c1の順に伝わり主に放熱フィン20a1、20b1、20c1から雰囲気中に放出される。電源30cを、電力供給電極20aと電力供給電極20bの間、または電力供給電極20cと電力供給電極20bの間に接続すれば消費電力は小さくなり、電力供給電極20aおよび電力供給電極20cの両方と電力供給電極20bの間に接続すれば消費電力は大きくなる。つまり、消費電力を2段階に変更することが可能である。こうして発熱体モジュール20は、電源30cの負荷状況や、希望する加熱の緩急の必要度合いに応じて加熱能力を切り替え可能である。上記の加熱能力切り替え可能な発熱体モジュール20を電源30cに接続することで加熱装置30を構成することができる。なお、電源30cは直流/交流どちらでも良い。発熱体モジュール20の電力供給電極20aと電力供給電極20cはそれぞれ別のスイッチ30a、30bを介して電源30cの一方の電極に並列接続され、電力供給電極20bは共通端子として電源30cの他方の電極に接続される。スイッチ30a、30bの何れか一方のみを導通させれば加熱能力を小さくして電源30cの負荷を軽くすることができ、両方を導通すれば加熱能力を大きくすることができる。また、この加熱装置30によれば電源30cに特別な機構を持たせなくても、素子2を一定温度に維持することができる。つまり、PTCR特性を有する素子2がキュリー温度付近まで加熱されると、素子2の抵抗値が急激に上昇し素子2に流れる電流が小さくなり、自動的にそれ以上加熱されなくなる。また、素子2の温度がキュリー温度付近から低下すると再び素子に電流が流れ、素子2が加熱される。このようなサイクルを繰り返して素子2の温度、ひいては発熱体モジュール20全体を一定にすることができるので、電源30cの位相や振幅を調整する回路、さらには温度検出機構や目標温度との比較機構、加熱電力調整回路なども不要である。この加熱装置30は、放熱フィン20a1~20c1の間に空気を流して空気を暖めたり、放熱フィン20a1~20c1の間に水などの液体を通す金属管を接続して液体を温めたりすることができる。このときも素子2が一定温度に保たれるので、安全な加熱装置30とすることができる。更に、本発明の変形例に係る発熱体モジュール12を、図18を参照して説明する。なお、図18では説明のために発熱体モジュール12の一部を切り欠いて示している。この発熱体モジュール12は略扁平直方体状のモジュールであり、実施例の半導体磁器組成物が略直方体状に加工された素子3と、素子3の上下面に設けられた電極3a,3bと、素子3及び電極3a,3bとを覆う絶縁コーティング層5と、それぞれ電極3a,3bに接続し絶縁コーティング層5から外部に露出された引き出し電極4a,4bとを有する。この発熱体モジュール12には、発熱体モジュール12の上下面を貫通し、その内周面が絶縁コーティング層5で覆われる複数の貫通孔6が設けられている。この発熱体モジュール12は、以下のように作製することが出来る。まず、実施例1の半導体磁器組成物を加工した素子3に、素子3の厚み方向に貫通する複数の孔を形成する。次に、この孔が素子3の上下面に開口する開口周縁を除く素子3の両面に電極3a、3bを形成する。なお、この電極3a,3bは上記と同様にオーミック電極と表面電極を重ねて印刷形成したものである。さらに外部引出し用電極4a、4bを設けた後、この引出し用電極4a,4bが外部に露出するように素子3と電極3a、3bの全体を絶縁性コーティング剤で覆って絶縁コーティング層5を形成し、発熱体モジュール12が得られる。なお、絶縁コーティング層5を形成する際に、素子3の孔の内周面を絶縁コーティング層5で覆って貫通孔6を形成する。この発熱体モジュール12は、貫通孔6に流体を流すことで流体を加熱することができる。このとき、電流の流れる素子3及び電極3a,4aは絶縁コーティング層5で覆われているので、流体と直接接触することがないので導電性の液体を加熱することができる。したがって発熱体モジュール12は電気導電性を有する塩水等の流体を瞬間的に加熱する用途に適している。本出願は、2010年4月8日出願の日本特許出願特願2010-089758に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。"