"X線源から発散するX線を回折することで暗部と明部とが周期的に配列した干渉パターンを形成する回折格子と、前記回折格子からの前記X線を遮る遮蔽部と前記回折格子からの前記X線を透過する透過部とが周期的に配列している遮蔽格子と、前記遮蔽格子からの前記X線を検出する検出器と、を備えるX線撮像装置であって前記遮蔽格子上に形成される前記干渉パターンのピッチは、前記遮蔽格子と光軸の交点を中心とする前記遮蔽格子の中心部と、前記遮蔽格子の前記中心部よりも前記光軸から離れた前記遮蔽格子の周辺部とで異なり、前記遮蔽格子のピッチは、前記遮蔽格子上の前記干渉パターンのピッチに対応しているX線撮像装置。前記遮蔽格子は、前記遮蔽格子の前記中心部における前記回折格子との距離よりも前記遮蔽格子の前記周辺部における前記回折格子との距離の方が短く、且つ、前記遮蔽格子の前記中心部における前記ピッチよりも前記遮蔽格子の前記周辺部における前記ピッチの方が短いことを特徴とする請求項1に記載のX線撮像装置。前記遮蔽格子は湾曲した形状を有することを特徴とする請求項2に記載のX線撮像装置。前記回折格子は平面の形状を有することを特徴とする請求項2または3に記載のX線撮像装置。前記干渉パターンのピッチは前記遮蔽格子上において前記光軸に近づくほど大きく、前記遮蔽格子のピッチは前記光軸に近づくほど大きいことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載のX線撮像装置。X線源から発散するX線を回折することで暗部と明部とが周期的に配列した干渉パターンを形成する回折格子と、前記回折格子からの前記X線を遮る遮蔽部と前記回折格子からの前記X線を透過する透過部とが周期的に配列している遮蔽格子と、前記遮蔽格子からの前記X線を検出する検出器と、を備えるX線撮像装置であって光軸における前記遮蔽格子のピッチをP20、前記位相格子のピッチをP10前記光軸上における前記X線源と前記回折格子との距離をL0、前記光軸上における前記回折格子と前記遮蔽格子との距離をd0、前記X線源と前記遮蔽格子を通り、前記光軸と角度αを成す直線が前記遮蔽格子との交わる点における前記遮蔽格子のピッチをP2α、前記直線上における前記X線源と前記回折格子との距離をLα、前記直線上における前記回折格子と前記遮蔽格子との距離をdα、前記直線と前記遮蔽格子との交点において、前記回折格子と平行な面と前記遮蔽格子が前記回折格子のピッチ方向に成す角度をβ前記位相格子が位相をπ変調する場合はn=1/2、π/2変調する場合はn=1とするとき、P20―P10×L0d0×n/L0×P2α2―P202P2αP202×P10×L0d0×cos2α×n/L0=0であるX線撮像装置。前記回折格子は、前記回折格子と前記光軸の交点を中心とする前記回折格子の中心部におけるピッチよりも、前記回折格子の前記中心部よりも前記光軸から離れた前記回折格子の周辺部におけるピッチの方が長く、前記遮蔽格子は、前記遮蔽格子の前記中心部におけるピッチよりも、前記遮蔽格子の前記周辺部におけるピッチの方が長いことを特徴とする請求項1に記載のX線撮像装置。前記回折格子のピッチは前記光軸に近づくほど短く、前記遮蔽格子のピッチは光軸に近づくほど短いことを特徴とする請求項7に記載のX線撮像装置。前記光軸における前記遮蔽格子のピッチをP20、前記光軸と前記遮蔽格子の交点上の前記干渉パターンのピッチをPs0前記X線源と前記遮蔽格子を通り、前記光軸と角度αを成す直線が前記遮蔽格子との交わる点における前記遮蔽格子のピッチをP2α、前記直線が前記遮蔽格子との交わる点における前記干渉パターンのピッチをPsα、前記光軸における前記遮蔽格子と前記干渉パターンとのピッチの差P20-Ps0をδ0、前記直線が前記遮蔽格子との交わる点における前記遮蔽格子と前記干渉パターンとのピッチの差P2α―Psαをδα、Pm0=Ps02/δ0、Pmα=Psα2/δα、とした時、前記遮蔽格子は、前記光軸におけるピッチと前記直線が前記遮蔽格子との交わる点におけるピッチとが等しいときよりもPm0とPmαの差が小さくなるようにP20とP2αが形成されていることを特徴とする請求項1に記載のX線撮像装置。X線源から発散するX線を回折することで暗部と明部とが周期的に配列した干渉パターンを形成する回折格子と、前期回折格子からの前記X線を遮る遮蔽部と前期回折格子からの前記X線を透過する透過部とが周期的に配列している遮蔽格子と、前期遮蔽格子からの前記X線を検出する検出器と、を備えるX線撮像装置であって、前期回折格子は光軸との交点を中心とする前期回折格子の中心部と、前期回折格子の前期中心部よりも前期光軸から離れた前期回折格子の周辺部を有し、前期遮蔽格子は前期光軸との交点を中心とする前期遮蔽格子の中心部と、前期遮蔽格子の前期中心部よりも前期光軸から離れた前期遮蔽格子の周辺部を有し、前期遮蔽格子は湾曲した形状を有し、前期遮蔽格子の前期中心部上に形成される前期干渉パターンの拡大率よりも、前期遮蔽格子の前期周辺部上に形成される前期干渉パターンの拡大率の方が小さく、前期回折格子の前期中心部のピッチよりも前期回折格子の前期周辺部のピッチの方が大きいX線撮像装置。回折格子の周辺部のピッチをP1β、回折格子の中心部のピッチをP10、遮蔽格子の中心部上に形成される自己像の拡大率をMO、遮蔽格子の周辺部上に形成される自己像の拡大率をMβとすると、P1β=P10×MO/Mβである請求項10に記載のX線撮像装置。X線を用いたトールボット干渉法を行う場合、回折格子として位相を変調する位相格子が一般的に使われている。周期的にX線の位相を変調する位相格子は、周期的にX線の強度を遮蔽する遮蔽格子と比べると矩形状構造物のアスペクト比が小さくて良い。また、X線源を中心に湾曲した回折格子と遮蔽格子は、湾曲させない一般的な回折格子と遮蔽格子よりも製造が難しい。これらのことから、遮蔽格子のみを湾曲させれば、回折格子のみを湾曲させるよりも検出への影響を低減することができ、且つ遮蔽格子と回折格子の両方を湾曲させるよりも容易に製造することができる。しかしながら、遮蔽格子のみを湾曲させると、回折格子と遮蔽格子の距離が光軸から遠ざかるほど短くなり、回折格子と遮蔽格子間の距離にばらつきが生じる。回折格子と遮蔽格子の距離が短いと自己像の拡大率が小さくなるため、遮蔽格子上の自己像のピッチは光軸から離れるほど小さくなり、遮蔽格子上の自己像のピッチにばらつきが生じる。すると、自己像と遮蔽格子で形成するモアレのピッチが検出器の検出面上でばらつく。また、光軸から離れるほど基板上の構造物の配列ピッチを大きくした回折格子を用いると、遮蔽格子上の自己像のピッチは光軸から離れるほど大きくなり、遮蔽格子上の自己像のピッチにばらつきが生じる。そのため、自己像と遮蔽格子で形成するモアレのピッチが検出器の検出面上でばらつく。モアレのピッチが検出器の検出面上でばらつくと、位相回復により得られる被検体の微分位相像または位相像の解像度が低下する場合がある。そこで、本発明は、検出器の検出面上におけるモアレのピッチのばらつきを低減することを可能にするX線撮像装置を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明の一側面としての撮像装置は、X線源から発散するX線を回折することで暗部と明部とが周期的に配列した干渉パターンを形成する回折格子と、前記回折格子からの前記X線を遮る遮蔽部と前記回折格子からの前記X線を透過する透過部とが周期的に配列している遮蔽格子と、前記遮蔽格子からの前記X線を検出する検出器と、を備えるX線撮像装置であって前記遮蔽格子上に形成される前記干渉パターンのピッチは、前記遮蔽格子と光軸の交点を中心とする前記遮蔽格子の中心部と、前記遮蔽格子の前記中心部よりも前記光軸から離れた前記遮蔽格子の周辺部とで異なり、前記遮蔽格子のピッチは、前記遮蔽格子上の前記干渉パターンのピッチに対応していることを特徴とする。本発明のその他の側面については以下で説明する実施の形態で明らかにする。本発明によれば、検出器の検出面上において自己像と遮蔽格子が形成するモアレのピッチのばらつきを低減することが可能なX線撮像装置を提供することができる。以下、本発明の好ましい実施の形態について添付の図面に基づいて説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。実施形態1本実施形態では、遮蔽格子のみを湾曲させたX線撮像装置に関して説明をする。但し、本明細書においてX線とはエネルギーが2keV以上100keV以下の光を指す。本実施形態のX線撮像装置の構成例を図1に示す。図1に示したX線撮像装置100は、X線源1と、X線を回折することで干渉パターン自己像を形成する回折格子3、自己像の一部を遮る遮蔽格子4、X線を検出する検出器5を備えている。以下、各構成について説明をする。本実施形態のX線源1は発散X線を出射する。発散X線であれば、連続X線を用いても、特性X線を用いても良い。また、X線源1から出射したX線の経路上に、波長選択フィルタや、X線を細いビームに分割するための線源格子を配置してもよい。また、X線源1から出射されるX線は回折格子3で回折されて自己像を形成する必要があるため、自己像を形成できる程度の空間的コヒーレンス性が求められる。回折格子3がX線源からのX線を回折すると、トールボット距離と呼ばれる所定の距離をおいて自己像と呼ばれる明部と暗部が配列した自己像が形成される。但し、X線の強度が大きい所を明部、X線の強度が小さい所を暗部と呼ぶ。本実施形態に用いられる回折格子3は位相型の回折格子であり、位相進行部31と位相遅延部32が周期的に配列されている。回折格子としてX線の強度を変調する、振幅型の回折格子を用いることもできるが、位相型の回折格子の方がX線量の損失が少ないので有利である。回折格子3は、図2aに示すような位相遅延部32と位相進行部31が一次元の周期で配列された構造を有していても、図2cに示すような位相遅延部32と位相進行部31が二次元の周期で配列された構造を有していても良い。位相遅延部32を透過したX線と位相進行部31を透過したX線は、位相がπラジアンシフトしている。但し、位相のシフト量はその他の値であっても良い。一般的に、X線の位相のシフト量がπラジアン又はπ/2ラジアンの回折格子が良く用いられるが、その他のシフト量の回折格子を用いることもできる。また、本明細書では位相のシフト量がπラジアンの位相格子をπ格子、π/2ラジアンの位相格子をπ/2格子と呼ぶ。本実施形態の回折格子3は平面状の格子であるが、湾曲した回折格子を用いることもできる。発散X線を用いて撮像を行う場合は湾曲した回折格子3の方が広範囲で自己像を形成することができるため好ましいが、製造上の容易性の観点から見ると、回折格子3は平面状の方が好ましい。遮蔽格子4は、X線を遮る遮蔽部41とX線を透過する透過部42が周期的に配列した構造を有しており、回折格子で形成した自己像の明部の一部を遮ることができるように配置されている。遮蔽部41と透過部42のピッチや配列方向は、自己像と形成したいモアレの形状によって決めることができる。用いることができる遮蔽格子の一例を図2bとdに示した。図2bに示した遮蔽格子は遮蔽部41と透過部42が一次元の周期で配列された構造を有しており、図2aに示した回折格子と組み合わせて用いることができる。図2dに示した遮蔽格子は遮蔽部41と透過部42が2次元の周期で配列された構造を有しており、図2cに示した回折格子と組み合わせて用いることができる。遮蔽格子4の遮蔽部41はX線透過率の低い材料から形成される。例えば金、白金、タングステン、タンタル、モリブデンなどである。これらを含む合金でも良い。X線透過部42はX線透過率の高い材料から形成されている。例えば感光性レジストなどの樹脂やシリコンである。X線透過部は空洞となっていても良い。遮蔽部41はX線を完全に遮らなくても良いが、自己像の一部を遮ることでモアレを形成する程度にX線を遮る必要がある。よって、上記のようなX線透過率の低い材料によって遮蔽格子4の遮蔽部41が形成されていても、遮蔽部41は高いアスペクト比を有することが必要である。これにより発散X線を用いる場合、遮蔽格子が平面状であると、遮蔽格子と光軸2の交点以下、遮蔽格子と光軸の交点のことを遮蔽格子の中心と呼ぶことがある。を中心とする遮蔽格子の中心部と、遮蔽格子の中心部よりも光軸2から離れた遮蔽格子の周辺部とでX線の透過量に差が生じる。そのため、本実施形態の遮蔽格子4はX線源のX線発生領域の中心線源格子を用いる場合は線源格子のX線が照射される領域の中心。を重心とする円柱の側面の一部に沿って湾曲した形状を有し、X線を遮る量を遮蔽格子の周辺部と中心部で略同程度にしている。X線を遮る量を遮蔽格子の周辺部と中心部で略同程度にするためには、本実施形態の遮蔽格子4のようにX線発生領域の中心を重心とする円柱の側面の一部に沿って湾曲した形状であることが好ましい。しかし、遮蔽格子の形状は遮蔽格子の遮蔽部に入射するX線の角度が小さくなる遮蔽部と入射するX線が平行に近づくように遮蔽格子4が湾曲した形状であれば良い。但し、本明細書では複数の平面を繋ぎ合せたような形状も湾曲した形状とする。但し、本明細書において光軸とは回折格子のX線が照射される範囲の中心と、X線源のX線発生領域焦点の中心を通る直線のことを指す。また、遮蔽格子4がX線発生領域の中心を重心とする円柱の一部に沿って湾曲した形状を有すると、遮蔽格子の断面は、X線発生領域の中心を中心とし、半径が光軸2におけるX線発生領域の中心から遮蔽格子までの距離に等しい円の一部円弧を含む。本実施形態は回折格子3が平面状で遮蔽格子4が湾曲した形状であるため、遮蔽格子の中心部と遮蔽格子の周辺部とでX線源1からのX線が回折格子3を透過した後に遮蔽格子4に到達するまでの距離にばらつきが生じる。遮蔽格子の自己像が形成される領域内の何れかの位置で、回折格子3を透過したX線が遮蔽格子4に到達するまでの距離がトールボット距離となることが好ましい。自己像のピッチは回折格子3のピッチP1P1a,P1cと位相のシフト量、撮像装置の拡大率によって決まる。本実施形態の回折格子のように位相のシフト量がπラジアンの場合、自己像のピッチは回折格子3のピッチP1に拡大率をかけたものとなる。尚、位相のシフト量がπ/2ラジアンの場合は回折格子のピッチに1/2と拡大率をかけたものが自己像のピッチになる。拡大率とは発散光を用いた場合、回折格子によって形成されるパターンがどれだけ拡大されて遮蔽格子上に形成されるかを示すものである。拡大率をM、X線源と回折格子の距離をL1、回折格子と遮蔽格子の距離をL2とすると、M=L1L2/L1式1で表される。本実施形態のように平面形状の回折格子3と湾曲した形状の遮蔽格子4を用いると、X線の回折格子3への入射角度によって遮蔽格子4上に形成される自己像の拡大率が異なる。そのため、遮蔽格子4の中心部上に形成される自己像のピッチPs以下、断りがない限り、自己像のピッチPsとは、遮蔽格子上の自己像のピッチを指すは遮蔽格子4の周辺部上に形成される自己像のピッチPsよりも大きい。また、回折格子と遮蔽格子が共に湾曲していても、例えば回折格子と遮蔽格子の曲率半径が異なる場合にように、自己像の拡大率Mが遮蔽格子の中心部と周辺部とで異なると、同様に自己像のピッチPsが遮蔽格子の中心部と周辺部で異なる。本実施形態では、遮蔽格子4が自己像の明部の一部を遮ることでモアレが形成される。遮蔽格子のピッチP2と自己像のピッチPsの差をδつまり、Ps=P2δとすると、このモアレのピッチPmは、Pm=P22/δ式2で表される。上述のように、自己像のピッチPsが遮蔽格子4の中心部と周辺部で異なり、遮蔽格子のピッチP2が遮蔽格子の中心部と周辺部で等しいと、被検体10が無い場合でもモアレのピッチPmが検出器5の検出面上で異なる。このため、本実施形態では、遮蔽格子4のピッチを中心部よりも周辺部で小さくすることで遮蔽格子のピッチを自己像のピッチに対応させる。これにより、遮蔽格子の中心部を透過して形成されるモアレのピッチPmと周辺部を透過して形成されるモアレのピッチPmが略等しくなる。本実施形態における、遮蔽格子のピッチを自己像のピッチに対応させるとは、遮蔽格子の中心部上に形成される自己像よりもピッチの大きな自己像が形成される遮蔽格子の周辺部のピッチを、遮蔽格子の中心部における遮蔽格子のピッチよりも大きくすることである。本実施形態の遮蔽格子のピッチについて更に詳細に説明をする。遮蔽格子の中心におけるピッチをP20、遮蔽格子の中心上に形成される自己像のピッチをPs0とする。また、X線源と遮蔽格子を通り、且つ光軸2と角度αを成す直線以下、光軸と角度αをなす直線と呼ぶことがある。が遮蔽格子と交わる点における遮蔽格子のピッチをP2α、その直線と遮蔽格子との交わる点における自己像のピッチをPsαとする。更に、光軸上における遮蔽格子と自己像とのピッチの差PS0-P20をδ0、光軸2と角度αを成す直線が遮蔽格子との交わる点における遮蔽格子と自己像とのピッチの差PSα―P2αをδαとする。すると、遮蔽格子の中心におけるモアレのピッチPmoは下記式で表される。Pm0=P202/δ0式3また、光軸2と角度αを成す直線が遮蔽格子と交わる点におけるモアレのピッチPmαは下記式で表される。Pmα=P2α2/δα式4但し、本明細書では、遮蔽格子の中心上に形成される自己像のピッチとは、遮蔽格子の中心上に自己像の明部がある場合は、その明部の中心と、その明部に最も近い明部の中心の距離を指す。また、遮蔽格子と光軸2の交点上に暗部がある場合は同様にその暗部の中心とその暗部に最も近い暗部の中心の距離のことを指す。光軸2と角度αをなす直線が遮蔽格子と交わる点における自己像のピッチも同様である。また、遮蔽格子の中心における遮蔽格子のピッチとは、遮蔽格子の中心に遮蔽部がある場合は、その遮蔽部の中心と、その遮蔽部に最も近い遮蔽部の中心の距離を指す。また、遮蔽格子の中心に透過部がある場合は、その透過部の中心と、その透過部に最も近い透過部の中心の距離を指す。また、光軸2と角度αをなす直線が遮蔽格子と交わる点における遮蔽格子のピッチも同様である。Pm0とPmαを等しくするために、本実施形態では光軸2と角度αを成す直線が遮蔽格子4と交わる位置のおける遮蔽格子のピッチP2αを下記式を満たすように形成する。モアレ縞のピッチは式3式4よりPm0=P202/P10×L0d0×n/L0―P20式5Pmα=P2α2/P10×Lαdα×n/Lα×cosα/cosβ-α―P2α式6となる。但し、nは位相格子がπ格子の場合は1/2、π/2格子の場合は1とする。そこで、モアレ縞のピッチを等しくするためには、遮蔽格子4のピッチが以下の式を満たすようにする。P20―P10×L0d0×n/L0×P2α2―P20P2αP202×P10×Lαdα×n/Lα×cosα/cosβ-α=0式7ここで、L0は光軸上でのX線源1-回折格子3間距離、d0は回折格子3―遮蔽格子4間距離、Lαは光軸2と角度αを成す直線上におけるX線源1-回折格子3間距離、dαは光軸2と角度αを成す直線上における回折格子3―遮蔽格子4間距離とする。また、βは回折格子3と平行な面と遮蔽格子4が回折格子3のピッチ方向に形成する角度とする。ここで、光軸2と角度αをなす直線が遮蔽格子4と交わる位置は上述の周辺部にあたる。本実施形態では、遮蔽格子4が、X線発生領域の中心を重心とする円柱の一部に沿って湾曲した形状を有しているため、Lαdα=L0d0L0/Lα=cosαα=βなので、式7はP20―P10×L0d0×n/L0×P2α2―P202P2αP202×P10×L0d0×cos2α×n/L0=0式8となる。なお、X線のトールボット干渉法を用いた位相イメージングは、モアレを形成させなくても行うことができる。モアレを形成させない場合には遮蔽格子4のピッチと自己像のピッチを等しくするため、遮蔽格子4のピッチは以下の式を満たすように形成する。このとき、P20は自己像のピッチと等しいとする。P2α=P10×Lαdα×n/Lα×cosα/cosβ-α=P20L0Lαdα/LαL0d0×cosα/cosβ-α式9遮蔽格子4が、X線発生領域の中心を重心とする円柱の一部に沿って湾曲した形状を有しているとP2α=P20cos2α式10となる。図において1次元構造の回折格子3遮蔽格子4の断面を示しているが、2次元状の回折格子3遮蔽格子4を用いても同様の効果がある。2次元状の回折格子3を用いる場合は、X線発生領域の中心を重心とする球体の一部となるように遮蔽格子4を形成することが好ましい。検出器5は、X線の強度情報を検出することのできる撮像素子例えばCCDやフィルムを有し、遮蔽格子からのX線強度を計測する。遮蔽格子4を用いることで検出器5により検出可能な大きさまで自己像を拡大することが可能である。演算部9は、X線撮像装置と接続されており、X線撮像装置による撮像結果に基づいて演算処理を行う。その結果被検体10の位相像または微分位相像が得られる。本実施形態では、フーリエ変換法を用いることで、検出結果から被検体10の微分位相像または位相像を取得する。フーリエ変換法を用いる場合、検出結果をフーリエ変換して空間周波数スペクトルを取得し、この空間周波数スペクトルからキャリア周波数に由来する成分を取り出して逆フーリエ変換することで被検査物10の微分位相情報を取得することができる。本実施形態ではフーリエ変換法を用いることで被検体10の微分位相像または位相像を取得するが、他の方法を用いても良い。一例として縞走査法を用いる方法が挙げられる。縞走査法により位相情報を取得する場合、遮蔽格子上の自己像と遮蔽格子の相対位置を移動させ、移動の前後でX線の検出を複数回行う。複数回の検出結果用いて縞走査法に用いられるアルゴリズムを用いることにより被検査物の微分位相情報を取得することができる。尚、縞走査法を行う場合、遮蔽格子とその上に形成される自己像のピッチの差δを0にすることが好ましい。また、本実施形態では、遮蔽格子上に形成される自己像のピッチに対応して遮蔽格子のピッチを遮蔽格子の中心部と周辺部とで変化させたが、回折格子のピッチを変化させてもよい。本実施形態のように平面状の回折格子と湾曲した遮蔽格子を用いる場合、上述のようにX線の回折格子への入射角度によって遮蔽格子上に形成される自己像の拡大率が異なる。つまり、遮蔽格子の中心部上に形成される自己像の拡大率よりも、遮蔽格子の周辺部上に形成される自己像の拡大率の方が小さくなる。そのため、回折格子のピッチを自己像の拡大率に対応させることで遮蔽格子の中心部上に形成される自己像と遮蔽格子の周辺部上に形成される自己像のピッチのばらつきを軽減させることができる。すると、遮蔽格子の中心部と周辺部でピッチが等しくても、モアレのピッチのばらつきを軽減することができる。ただし、この場合、回折格子のピッチを自己像の拡大率に対応させるとは、回折格子と光軸の交点を中心とする回折格子の中心部のピッチよりも、回折格子の中心部よりも光軸から離れた回折格子の周辺部のピッチを大きくすることを指す。この場合、遮蔽格子のピッチを下記式11を満たすように形成すると、遮蔽格子の中心部上と周辺部上に形成される自己像のピッチを等しくすることができる。P1β=P10×MO/Mβ式11ここで、P1βは回折格子の周辺部のピッチ、P10は回折格子の中心部のピッチ、MOは遮蔽格子の中心部上に形成される自己像の拡大率、Mβは遮蔽格子の周辺部上に形成される自己像の拡大率を示す。このように回折格子のピッチを変化させることにより検出器の検出面上に形成されるモアレのピッチのばらつきを低減させることができる。しかし、タルボ距離は回折格子のピッチが大きいほど大きくなる。よって、このような構成だと遮蔽格子の中心部をタルボ距離に合わせようとすると周辺部で自己像のボケが大きくなり、周辺部をタルボ距離に合わせようとすると中心部で自己像のボケが大きくなるため遮蔽格子のピッチを自己像のピッチに対応させる方が好ましい。実施形態2実施形態2では、回折格子の位相遅延部と位相進行部の断面形状が平行四辺形で、同様に遮蔽格子の遮蔽部と透過部の断面形状が平行四辺形なX線撮像装置について図4を用いて説明をする。実施形態1とは回折格子と遮蔽格子が異なり、その他の構成は同じであるため省略する。本実施形態に用いられる回折格子30の断面形状は図4に示したように、平行四辺形の位相進行部と平行四辺形の位相遅延部とが交互に配列した形状である。この平行四辺形の位相進行部と位相遅延部は、回折格子30に入射するX線に対して平行になるように配列されている。そのため、配列場所によって位相進行部と位相遅延部の形状は異なっており、配置場所が光軸上であれば4つの角が全て90度であり、光軸2から遠ざかるにつれて角度が変化する。また、回折格子のピッチによっては、位相遅延部と位相進行部の断面形状が平行四辺形では回折格子に入射するX線と基板上の構造物の側面を平行にならないことがある。その場合は、断面形状を台形にしてもよい。特許文献1に記載されているように、回折格子のピッチは光軸2から離れる程大きくなる。これにより、回折格子の中心部と遮蔽格子の中心部の距離も、回折格子の周辺部と遮蔽格子の周辺部の距離もタルボ距離にしている。本実施形態に用いられる遮蔽格子40は、図4に示したように遮蔽格子の透過部14が遮蔽格子に入射するX線に対して平行になるような構造を有しており、平行四辺形の透過部と平行四辺形の遮蔽部とが交互に配列した形状である。回折格子と同様に配列場所によって透過部と遮蔽部の形状は異なっており、配置場所が光軸上であれば4つの角が全て90度であり、光軸2から遠ざかるにつれて角度が変化する。また、遮蔽格子のピッチによっては、透過部と遮蔽部の断面形状が平行四辺形では遮蔽格子に入射するX線と基板上の構造物の側面を平行にならないことがある。その場合は、断面形状を台形にしてもよい。本実施形態のように回折格子の中心部と周辺部でピッチを変化させると、自己像の拡大率Mが等しくても、遮蔽格子の中心部上に形成される自己像と、遮蔽格子の周辺部上に形成される自己像のピッチが異なる。そのため、本実施形態では、遮蔽格子のピッチを中心部よりも周辺部で大きくすることで遮蔽格子のピッチを自己像のピッチに対応させる。これにより、遮蔽格子の中心部を透過して形成されるモアレのピッチと周辺部を透過して形成されるモアレのピッチが略等しくなる。尚、本実施形態における遮蔽格子のピッチを自己像のピッチに対応させるとは、遮蔽格子の中心部上に形成される自己像よりもピッチの小さな自己像が形成される遮蔽格子の周辺部のピッチを、遮蔽格子の中心部における遮蔽格子のピッチよりも小さくすることである。本実施形態の遮蔽格子は上述した式2によって計算したモアレのピッチが等しくなるように遮蔽格子の中心部と周辺部でピッチを変化させることにより、検出器の検出面上に形成されるモアレのピッチを等しくする。上述の式3のPmoと式4のPmαの差を小さくすれば検出器の検出面上に形成されるモアレのピッチのばらつきを軽減させることができ、PmoとPmαを等しくすることで検出器の検出面上に形成されるモアレのピッチが等しくなる。以下に、本発明の実施例と比較例について説明する。[比較例1]比較例1においては、1次元の回折格子と遮蔽格子を用い縞走査法により被検体10の微分位相像を取得する方法に関する例を示す。比較例1のX線撮像装置は遮蔽格子以外は実施形態1同様に図1に示した構成である。X線源はMo特性X線を発生するX線源を用いた。回折格子は200mm角の平面上に形成し、実施形態1同様、図2aに示すように1次元の縞状に位相進行部と位相遅延部が配列している。本比較例の回折格子のピッチ:P1a=7.35μmであり、位相進行部を透過したX線と位相遅延部を透過したX線ではπラジアン位相がシフトしている。この回折格子は、300mmφSiウェハーをエッチングすることにより作製する。遮蔽格子も回折格子同様200mm角とし、図2bに示すように一次元の縞状にX線遮蔽部とX線透過部が配列している。また、本比較例の遮蔽格子のピッチは中心部と周辺部で等しく、遮蔽格子のピッチ:P2b=4.0μmであり、半径1274mmの円柱の側面に内接するように湾曲している。この遮蔽格子は300mmφSiウェハーをエッチングし、空孔部に金を充填することにより作製する。回折格子から遮蔽格子までの距離をMo特性X線により形成される自己像が最も明瞭に観察されるトールボット長にするため、X線源からの回折格子までの距離を1170mm、回折格子から遮蔽格子までの距離を104mmとする。検出器5は遮蔽格子4の直下10mmに設置し、その画素ピッチは50μmとする。このとき遮蔽格子の中心上に形成される自己像のピッチは遮蔽格子の中心における遮蔽格子のピッチと等しくなり、モアレは形成されない。一方、遮蔽格子の中心から100mm離れた位置では、自己像の拡大率が小さくなることにより遮蔽格子のピッチよりも遮蔽格子上に形成される自己像のピッチの方が小さくなる。その結果、モアレが形成される。このときのモアレのピッチは式2より525μmとなる。本比較例による撮像方法を説明する。被検体10をX線源と回折格子の間に配置し、まず、X線照射時に検出器5が検出する線量が最大となる配置でX線の強度分布を検出し、その後回折格子3を1.47μmピッチの方向に移動しながら3回検出を行う。合計4回の検出結果を用いて演算部により計算することで被検体10の微分位相像を取得することができる。[実施例1]実施例1は比較例1で示したX線撮像装置に実施形態1を適用した例であり、遮蔽格子以外は比較例1と同じ構成なため、説明は省略する。本実施例の遮蔽格子も比較例1同様200mm角とし、図2bに示すように一次元の縞状にX線遮蔽部とX線透過部が配列しており、半径1274mmの円柱の側面に内接するように湾曲している。また、遮蔽格子の中心における遮蔽格子のピッチは4.0μであり、光軸と角度αをなす直線上での遮蔽格子のピッチP2aを、式10より、P2a=7.35×cosαとなるように、遮蔽格子4の中心から離れるほど遮蔽格子のピッチを小さくする。但し、ここで遮蔽格子のピッチとは遮蔽格子のX線遮蔽部の中心間距離またはX線透過部の中心間距離を指す。例えば遮蔽格子の中心のピッチは、遮蔽格子の中心がX線透過部の場合は、その透過部の中心と、その透過部に最も近い透過部の中心の距離を指し、X線遮蔽部がある場合は同様にその遮蔽部の中心とその遮蔽部に最も近い遮蔽部の中心の距離のことを指す。この遮蔽格子も比較例1同様に、300mmφSiウェハーをエッチングし、空孔部に金を充填することにより作製する。本実施例では遮蔽格子の中心から離れる程遮蔽格子のピッチを小さくすることにより、遮蔽格子の中心だけでなく、遮蔽格子の中心から100mm離れた位置でも遮蔽格子のピッチとその遮蔽格子上に形成される自己像のピッチを等しくしている。よって、モアレは形成されない。本実施例1では、比較例1と同様に縞走査法を行う。[比較例2]比較例2においては、2次元の回折格子と遮蔽格子を用いてフーリエ変換法により被検体の位相像を取得する方法に関する実施例を示す。回折格子と遮蔽格子以外は比較例1と同じ構成なため、説明は省略する。比較例1と同様に、回折格子3は200mm角の平面上に形成し、実施形態1同様、図2cに示すように市松格子状に位相進行部と位相遅延部が配列している。本比較例の回折格子のピッチ:P1c=7.5μmであり、位相進行部を透過したX線と位相遅延部を透過したX線ではπラジアン位相がシフトしている。この回折格子は、300mmφSiウェハーをエッチングすることにより作製する。遮蔽格子も回折格子同様200mm角とし、図3dに示すように井桁格子状にX線遮蔽部とX線透過部が配列している。また、本比較例の遮蔽格子のピッチは中心部と周辺部で等しく、遮蔽格子のピッチ:P2c=4.0μmであり、半径1330mmの球体に内接するように湾曲している。この遮蔽格子は300mmφSiウェハーをエッチングし、空孔部に金を充填することにより作製する。回折格子から遮蔽格子までの距離をMo特性X線により形成される自己像が最も明瞭に観察されるトールボット長にするため、X線源から回折格子までの距離を1222mm、回折格子―から遮蔽格子までの距離を108mmとする。検出器は遮蔽格子直下1mmに設置し、その画素ピッチは50μmとする。このとき遮蔽格子の中心上に形成される自己像のピッチと遮蔽格子のピッチは僅かに異なり、モアレが形成される。この時、遮蔽格子の中心上のモアレのピッチは200μmとなる。一方遮蔽格子の中心から100mm離れた位置では、自己像の拡大率が小さくなることにより自己像のピッチが小さくなる。これにより、自己像のピッチと遮蔽格子のピッチの差δは中心上におけるピッチの差よりも大きくなり、この位置でのモアレのピッチは280μmとなる。本比較例による撮像方法を説明する。被検体をX線源と回折格子の間に配置し、X線の強度分布をの検出を行う。この検出結果を用いてフーリエ変換を行うことにより、被検体の微分位相像を取得することができる。更に、得られた微分位相像を積分すると、被検体の位相像を得ることができる。[実施例2]実施例2は比較例2で示したX線撮像装置に実施形態1を適用した例であり、遮蔽格子以外は比較例2と同じ構成なため、説明は省略する。本実施例の遮蔽格子も比較例2同様200mm角とし、図2bに示すように一次元の縞状にX線遮蔽部とX線透過部が配列しており、半径1330mmの球体に内接するように湾曲している。また、遮蔽格子の中心における遮蔽格子のピッチは4.0μであり、遮蔽格子の中心からの遮蔽格子のピッチの方向へ距離Xa離れた位置での遮蔽格子のピッチ:P2cをP2c2/cos2α×PSO-P2c=200μmとなるように、遮蔽格子4の中心から離れるほど遮蔽格子のピッチを小さくする。これによりモアレのピッチは外周部においても200μmとなる。この遮蔽格子も比較例2同様に、300mmφSiウェハーをエッチングし、空孔部に金を充填することにより作製する。"