"潜像書込装置により形成した感光体の潜像に、露光とは別の光源からの検知光を照射し、誘導電流を検知して感光体表面の電荷量変化を測定する潜像測定装置であって、検知光を感光体の回転軸方向及び/または回転方向に移動させて先に照射した検知光位置から離れた位置に次の検知光照射を行い、計測を行うことを特徴とする潜像計測装置。前記潜像書込装置は、検知光の照射位置に合わせて計測潜像を形成する潜像書込装置であることを特徴とする請求項1に記載の潜像計測装置。前記感光体の潜像が、感光体の軸方向に形成したライン潜像であり、検知光の副走査方向感光体回転方向の移動量Bが、検知光のビームスポットの副走査方向径以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の潜像測定装置。前記感光体の潜像が、感光体の軸方向に形成したライン潜像であり、先に照射した検知光のスポットと次に照射する検知光のスポットとの主走査方向感光体軸方向の間隔Aが、検知光のビームスポットの主走査方向径の2倍以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の潜像測定装置。前記感光体の潜像が、感光体の回転方向に形成したライン潜像であり、前記検知光の主走査方向感光体の軸方向の移動量Aが検知光ビームスポットの主走査方向径以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の潜像計測装置。前記感光体の潜像が、感光体の軸方向に形成したライン潜像であり、先に照射した検知光のスポットと次に照射する検知光のスポットとの副走査方向感光体回転方向の間隔Bが、検知光ビームスポットの副走査方向径の2倍以上であることを特徴とする請求項1、2または5に記載の潜像計測装置。検知装置の移動方向が、感光体の軸に対して角度を有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1に記載の潜像計測装置。静電潜像を担持する感光体と、該感光体を帯電する帯電手段と、画像情報に基づいて静電潜像を感光体上に形成する露光手段、静電潜像を現像してトナー像化する現像手段と、トナー像を被転写体上に転写する転写手段、及び、潜像計測装置を有する画像形成装置であって、前記潜像計測装置が前記請求項1乃至7のいずれかに記載の潜像計測装置であることを特徴とする画像形成装置。プロセスコントロール実施時に潜像測定することを特徴とする請求項8に記載の画像形成装置。所定枚数の画像を形成した後に潜像測定することを特徴とする請求項8または9に記載の画像形成装置。したがって、本発明は、光減衰による表面電荷の消失によって電極に誘導される電荷量誘導電流により表面電位を測定する方法において、潜像がボケることなく、計測できる潜像測定装置の提供を目的とする。電子複写機、プリンタ、ファクシミリあるいはこれらの複合機などを構成する画像形成手段およびその装置は次のような手段で像担持体上に画像を形成する。まず、コロナチャージャーや帯電ローラ等の帯電手段で帯電された像担持体表面に画像パターンに応じた領域に光ビームを照射して、その表面に潜像を形成し、現像手段により潜像にトナーを静電的に付着させてトナー像を形成する。ここで行われる像担持体上の潜像形成は、帯電させた感光体に光を露光して、像担持体内部にキャリアが生成されることにより帯電電荷が減衰し、潜像を形成するという特性を利用している。図1に、露光エネルギーに対する帯電電位の減衰量を示す光減衰曲線PIDCPhotoInducedDecayCarveの一例を示す。光減衰曲線は感光体毎に決まっているが、同じ光エネルギー量を露光しても、露光時間が短かったり長かったりすると減衰量が異なる場合がある。この現象は相反則不軌として一般に知られている現象である。また、感光体は電界強度、露光エネルギー量に従いキャリアを生成するが、露光エネルギー量が同じであっても露光の走査回数によってキャリア生成量が異なることがある。例えば、2ドットラインを形成する際に、2ドット同時に書き込む場合以下同時書込とすると、先に1ドット目を書き込んでから2ドット目を書き込む場合以下順次書込とするがあり、前記同時書込では、感光体にかかっている電界強度に従いキャリアが生成するが、他方、順次書き込みの場合は1ドット目の生成キャリアの影響を受けて感光体内部の電界強度が弱まり、2ドット目のキャリア生成量が減少する。図2に1ドット目のキャリア発生状態の模式図、図3に2ドット目のキャリア発生状態の模式図を示す。このように、近接した領域で露光を行う際には周囲の書込状態によってキャリア生成量が変わることがあり、誘導電流方式では、副走査方向に順次検知光を書込ながら誘導電流を測定するため、前の検知光の影響を受けて誘導電流量が減る、すなわち潜像が実際よりも浅くなって潜像がボケてしまうことがあった。上記課題は、本発明の下記1~10によって解決される。1潜像書込装置により形成した感光体の潜像に、露光とは別の光源からの検知光を照射し、誘導電流を検知して感光体表面の電荷量変化を測定する潜像測定装置であって、検知光を感光体の回転軸方向及び/または回転方向に移動させて先に照射した検知光位置から離れた位置に次の検知光照射を行い、計測を行うことを特徴とする潜像計測装置。2前記潜像書込装置は、検知光の照射位置に合わせて計測潜像を形成する潜像書込装置であることを特徴とする前記1に記載の潜像計測装置。3前記感光体の潜像が、感光体の軸方向に形成したライン潜像であり、検知光の副走査方向感光体回転方向の移動量Bが、検知光のビームスポットの副走査方向径以下であることを特徴とする前記1または2に記載の潜像測定装置。4前記感光体の潜像が、感光体の軸方向に形成したライン潜像であり、先に照射した検知光のスポットと次に照射する検知光のスポットとの主走査方向感光体軸方向の間隔Aが、検知光のビームスポットの主走査方向径の2倍以上であることを特徴とする前記1乃至3のいずれかに記載の潜像測定装置。5前記感光体の潜像が、感光体の回転方向に形成したライン潜像であり、前記検知光の主走査方向感光体の軸方向の移動量Aが検知光ビームスポットの主走査方向径以下であることを特徴とする前記1または2に記載の潜像計測装置。6前記感光体の潜像が、感光体の軸方向に形成したライン潜像であり、先に照射した検知光のスポットと次に照射する検知光のスポットとの副走査方向感光体回転方向の間隔Bが、検知光ビームスポットの副走査方向径の2倍以上であることを特徴とする前記1、2または5に記載の潜像計測装置。7検知装置の移動方向が、感光体の軸に対して角度を有することを特徴とする前記1乃至6のいずれか1に記載の潜像計測装置。8静電潜像を担持する感光体と、該感光体を帯電する帯電手段と、画像情報に基づいて静電潜像を感光体上に形成する露光手段、静電潜像を現像してトナー像化する現像手段と、トナー像を被転写体上に転写する転写手段、及び、潜像計測装置を有する画像形成装置であって、前記潜像計測装置が前記1乃至7のいずれかに記載の潜像計測装置であることを特徴とする画像形成装置。9プロセスコントロール実施時に潜像測定することを特徴とする前記8に記載の画像形成装置。10所定枚数の画像を形成した後に潜像測定することを特徴とする前記8または9に記載の画像形成装置。以下の詳細かつ具体的な説明から理解されるように、本発明によれば、周囲の検知光の影響を受けず、計測潜像のボケを防止することができ、且つ検出光のスポット径によらず高い分解能を得ることができる。また、画像形成装置内に潜像計測装置を設けることにより、感光体特性を精度よく検出し、それに応じた制御を行うことが可能となる。また、プロセスコントロール実施時、及び/または経時変動を予測したタイミングで計測し、その結果を本体の制御部へフィードバックすることにより、感光体の経時劣化や環境変動に応じた制御が可能となる。本発明は、前に露光した周囲の検知光の影響を防止するため、検知光を主走査方向に移動させ、次の検知光を露光し計測を行うものである。図4aを参照しながら、本発明の計測方法を説明する。感光体41上にライン潜像42が形成されており、感光体を図中矢印方向副走査方向に回転させ、例えば、43a、43b、43c、43dの位置に、検知光を順に照射する。その際に感光体への照射位置を計測方向感光体回転方向、すなわち副走査方向と垂直方向主走査方向に、一定間隔A以上離して次の検知光を照射する。前記間隔Aは、感光体の特性にもよるが、少なくとも検知光ビームスポット主走査方向径の2倍以上であることが好ましく、また、計測方向副走査方向の移動量Bは、計測潜像を計測するために必要とされる分解能の大きさ以下であることが好ましい。例えば、50μm幅のライン潜像を計測する場合は少なくとも約10μmの分解能が必要であり、この場合の副走査方向の移動量Bは、5~10μmが好ましい。従来では、検知光が重ならないよう副走査方向の移動量が制限されるため、分解能はビームスポット径に依存していたが、本発明では検知光を主走査方向に移動させるため、副走査方向の移動量が、検知光ビームスポット径以下であっても、ビームスポットが重なりにくく、検知光ビームスポット径によらず、副走査方向の移動量を調節でき、必要な分解能を得ることが可能となる。また、ライン潜像が副走査方向回転方向の場合の例を図4bに示す。感光体44上にライン潜像45が形成されており、感光体は図中矢印方向に回転されている場合、検知光照射位置は46a、46b、46c、46dの順に順次点灯される。その際に感光体照射位置を計測方向と垂直方向主走査方向にある一定間隔以上離して次の検知光を点灯することが望ましく、移動量Aは検知光ビームスポットの主走査方向径以下とし、計測分解能できめることが好ましい。また、先に照射した検知光のスポットと次に照射する検知光のスポットとの主走査方向感光体軸方向の間隔Bが検知光ビームスポットの主走査方向径の2倍以上であることが好ましい。また、計測する潜像は、主走査方向または副走査方向のライン潜像だけでなく、検知光ビーム照射位置に合わせた潜像を形成することにより、ドット画像を形成する潜像の計測も可能である。図5により、誘導電流を用いた潜像計測装置について説明する。潜像計測装置は、ドラム状に形成された感光体51を有し、この感光体51は、図5に示すように、時計方向に回転駆動される。このとき、感光体51の周面が帯電装置52によって帯電され、潜像書込装置53によって露光されて、感光体51に静電潜像が形成される。この静電潜像を潜像計測部54で潜像計測し、その後LED55で光照射して除電し、初期化される。潜像計測部は透明電極54.1と検知光を照射するレーザービーム光学系54.2、誘導電流を計測する計測部54.3を有する。透明電極54.1は、透明ガラスに透明導電性薄膜を成膜したもので、電極背面から感光体51に向けてレーザー光の照射が可能である。透明ガラスとしては石英ガラス等の透過波長域が広いものが望ましく、透明導電薄膜としてはITO膜が好ましく用いられるが、これ以外でも問題はない。透明導電膜の成膜は、ガラスの片側全面に成膜するものであっても、パターンマスクを用い、細線≦1mmでメッシュ状に成膜したものでもよい。メッシュ状に成膜する場合は[ITO成膜部分の面積/ITO成膜なし部分の面積]の面積比が0.2前後であるようにすると、透明電極を通過させる光が800nm以上の波長を含むとき、この波長の光を大きく損なうことなく通過させることができる。また、通過させる光がレーザである場合、レーザ入射側のガラス表面で反射したレーザが発光部に戻り、複合共振器を形成して、レーザ光に揺らぎが生じる、いわゆる戻り光ノイズを防ぐため、レーザ入射側の透明ガラスに反射防止膜をつけるのが好ましい。透明電極は感光体軸方向に配置されている。軸方向に長い一つの電極であってもよく、複数個の電極が軸方向に一定間隔で並んでいてもよい。これらの透明電極を感光体51に対して0.1mm程度のギャップになるよう配置する。この際に特許文献2特開2007-178322号公報に示されるギャップ調整用コロを設けるとドラム表面にキズをつけずに安定してデータを得ることができる。次に、検知光を照射するレーザービーム光学系54.2の説明を行う。使用する光源は感光体51が感度を有する波長のレーザー光源を用いることが望ましく、該レーザー光源が感光体51に与える露光エネルギーは、所定の帯電電位例えば800Vを最も減衰する飽和電位例えば100Vにするのに必要な露光エネルギー程度になるようLDパワーと点灯時間とを調整する。光パワーはレーザ駆動電流を調節して決め、レーザ点灯時間は感光体のキャリアトランジットタイムを基準800Vにおけるトランジットタイムはおよそ300μsにこれ以下に設定するのが好ましい。これは測定される信号強度は電極に誘起される電荷密度の流れであり、時間が短い程、信号が大きくなるためである。前の検知光からの距離と誘導電流の関係図を図13に示す。図13は帯電電位-800Vの均一帯電された感光体に、検知光の点灯間隔を変えて照射し、その際に流れた誘導電流Aを誘導電荷量に換算したものである。点灯間隔を広げると誘導電荷量が増加したのち飽和する。以上より、潜像測定方法では、ライン潜像を主走査方向のライン潜像とした場合、先に照射した検知光のスポットと次に照射する検知光のスポットとの主走査方向感光体軸方向の間隔が検知光ビームスポットの主走査方向径の2倍以上であると、検知光に影響されない点灯間隔で計測できることがわかる。また、LDのビームスポット径レーザビームは通常ガウシアン分布をしたビームを想定し、最大強度の1/e2約13.5の強度になる範囲位置直径は、検知光の信号強度誘導電流が計測できる程度に大きいことが望ましい。また、特許文献1特開2006-038666号公報にあるように、検知光を主走査方向にポリゴンミラーで走査することで副走査方向のサイズに比べて主走査方向のサイズを大きくすることにより検出信号のS/N比を向上させることが可能なラインLD等を用いることが望ましい。本発明は、これらのレーザービーム光学系を用いて、主走査方向、副走査方向に所望の位置に移動してから検知光を点灯させ、誘導電流を計測する。誘導電流を計測する計測部54.3は、電流を増幅する増幅器と信号を出力するオシロスコープからなる。また、検知光を照射するレーザービーム光学系54.2、誘導電流を計測する計測部54.3、感光体を駆動する駆動回転コントローラは、PCコントローラで制御されている。前記検知光は、LDだけでなくLEDであってもよい。図6にLEDを使用した一例を示す。LEDを使用する場合は、検知光LEDと透明電極7.3とを一体化し、感光体7.4の軸に平行な駆動軸7.1に沿って、LEDおよび透明電極7.3を同時に、モータ制御部7.2モータおよびコントローラで、左右に移動させることができる。また、LEDは、主走査方向へ移動可能とするだけでなく、図7に示すように、複数個のLEDおよび透明電極8.2を感光体8.1主走査方向に配列して、検知光点灯箇所に応じてLEDを点灯させ、誘導電流を計測することも可能である。また、検知光位置の制御方法としては、検知光の主走査移動方向と感光体の軸方向に角度を持たせることで、容易に検知光照射位置を制御することが可能である。図8に検知光移動例を示す。感光体10.1の軸方向に対する検知光の主走査移動方向10.2を傾けることで、主走査方向もしくは副走査方向いずれかの移動を制御するのみで、適正な検知光照射位置に検知装置10.3を移動させることが可能になる。潜像はライン潜像の他、ドット形状の潜像であってもよい。ドット形状の潜像を計測する場合について説明を行う。図9に画像形成位置の一例を示す。計測分解能、および検知光ビームスポット径から必要な検知光移動位置11.1a~eをあらかじめ算出しておき、その位置に応じたドット形状の潜像11.2a~eを形成し、次に、潜像にあたる感光体上の部位が信号検出部直前に来たところで帯電回転を停止、検知光11.1aを照射する。このとき発生した電位減衰=電荷変化による誘導電流変位電流を測定する。そして、検知装置を主走査方向に必要な検知間隔になるまで移動させ、検知光11.1bを照射する。主走査方向の照射位置は、ポリゴンミラー等を使用したスキャンを用いて点灯開始時間だけを制御する。これらの検知光照射、誘導電流の測定を繰り返し、潜像のプロファイルを得る。線状LDの場合、主走査方向の移動距離が長くなる。よって、副走査方向の縦ライン潜像を計測することにより主走査方向の移動距離を少なくし、制御を簡易にすることが可能となる。ライン潜像の計測方法について、図5の計測装置で縦ライン潜像を形成した場合を例に、説明する。まず、感光体ドラムを回転させ、帯電装置52による帯電、潜像書き込み装置53により1ライン書き込みを行う。ラインは主走査方向の幅約100μmの副走査方向縦ラインとし、計測に必要な長さ以上、感光体1周以下の書き込みを行う。なお、帯電は感光体が一周したときに停止する。次に、検知光による測定を行う。1ラインの潜像にあたる感光体上の部位が信号検出部直前に来たところで回転を停止、検知光を照射する。検知光の照射は任意波形発生装置を使用し、Oneshotpulseを発生させトリガーとして行う。このとき発生した電位減衰=電荷変化による誘導電流変位電流を測定する。また、検知光による生成キャリアが移動するまでのトランジットタイムを考慮し計測を行う。なお、800Vにおけるトランジットタイムはおよそ300μsである。更に、感光体ドラムを副走査方向の次の検知位置になるまでOPCを回転移動して回転を停止、先の検知光照射位置から所定の主走査間隔計測分解能幅だけ主走査方向へ移動した位置に検知光を照射するようレーザービーム光学系を制御する。主走査方向の移動量は検知ビームスポットの主走査方向径以下の、計測分解能の幅とし、副走査方向の移動量は先の検知光照射の影響を受けない程度離すことが望ましい。影響を受けない距離とは、少なくとも、副走査方向のビームスポット径の2倍以上移動することが望ましい。また、主走査方向の位置の制御はポリゴンミラー等を使用したスキャンをもちいて、点灯開始時間を制御する。これらの検知光照射、誘導電流の測定を繰り返す。また、計測終了後のOPC表面は除電ランプをONし、表面の電荷を除電する。本発明の潜像計測装置は、画像形成装置に搭載することができる。本発明の潜像計測装置を画像形成装置に搭載することにより、経時変動や環境変動等による感光体特性変化に対応した制御が可能で安定した画像を形成できる画像形成装置の提供可能となる。図10に画像形成装置例を示す。画像形成装置はドラム状に形成された感光体12.1を有し、この感光体12.1は、図10に示す矢印C方向のように時計方向に回転駆動される。このとき、感光体12.1の周面が帯電装置12.2によって帯電される。その帯電後の感光体表面は書込ユニット12.9の露光装置12.3によって画像露光され、前記感光体12.1に静電潜像が形成される。この静電潜像は現像装置12.4によってトナー像として可視像化され、該トナー像は図示していない給紙装置から矢印A方向に給送された転写材Pに転写装置12.5の作用により転写される。トナー像を転写された転写材Pは定着装置12.6を通り、このときそのトナー像に熱及び/または圧力が与えられ、当該トナー像が転写材P上に定着される。トナー像転写後に感光体表面に付着する転写残トナーは、クリーニング装置12.7によって除去され、クリーニングされた感光体表面には除電ランプ12.8からの除電光が照射されて感光体の表面電位が初期化される。図10に示した例では、感光体上に形成されたトナー像を直に最終的な転写材Pに転写するように構成されているが、感光体上のトナー像を中間転写体より成る転写材に転写し、その中間転写体上のトナー像を最終転写材に転写するように構成することもできる。潜像計測装置12.10は、露光装置12.3と現像装置12.4の間に配置される。潜像計測装置12.10は先に説明したが、感光体と所定の距離の位置に配置される透明電極、レーザービーム光学系、誘導電流を計測する計測部から構成される。レーザービームの代わりに発光ダイオードLEDを使用してもよい。潜像電位計測は通常の画像形成時ではなく、起動時や一定枚数画像形成後、一定時間経過後等、画像形成装置を制御する時にあわせて行うとよい。潜像電位計測時は所定のテスト潜像パターンラインorドットを露光装置12.3により露光し、1ラインの潜像またはドット潜像にあたる感光体上の部位が信号検出部直前に来たところで帯電回転を停止、検知光を照射し、発生した誘導電流の計測を行う。次に、感光体ドラムを副走査方向の検知間隔になるまで感光体を回転移動例えば10μmして感光体を停止し、先の検知光照射位置から検知光の主走査方向のスポット径所定の間隔だけ主走査方向へ移動した位置に検知光を照射するようレーザービーム光学系を制御する。これらの検知光照射、誘導電流の測定を繰り返す。計測潜像のプロファイルに応じて、潜像がボケている場合には、感光体が劣化していると判断して本体の制御部へ通知することにより、感光体劣化に応じた制御が可能となる。このように、画像形成装置内に潜像計測装置を併設することにより、経時や環境で変動した感光体特性による潜像のボケを精度よく検出し、それに応じた制御を行うことが可能となる。また、現像装置や、感光体およびその周辺機器を、複数配置したカラー画像形成装置にも使用できる。図11に多色対応画像形成装置を示す。尚図中のYはイエロー、Mはマゼンダ、Cはシアン、Kはブラックの各色を示す。図11において、感光体131Y,131M131C131Kは矢印の方向に回転し、回転順に帯電器132Y,132M132C132K、現像器134Y,134M134C134K、転写用帯電手段136Y,136M136C136K、クリーニング手段135Y,135M135C,135Kが配備されている。帯電器132Y,132M132C132Kは、感光体表面を均一に帯電するための帯電装置を構成する帯電部材である。この帯電器と現像器134Y,134M134C134Kの間の感光体表面に書き込みユニットによりビームが照射され、感光体に静電潜像が形成されるようになっている。そして、静電潜像に基づき、現像器により感光体面上にトナー像が形成される。さらに、転写用帯電手段136Y,136M136C136Kにより、図示しない記録紙に各色順次転写トナー像が転写され、最終的に定着手段1330により記録試に画像が定着する。潜像書込位置と各現像器134Y,134M134C134Kの間には潜像計測装置1310Y,1310M1310C1310Kが配置され、各感光体の状態を計測することが可能となる。潜像測定を実施するタイミングについて説明する。画像形成装置では経時や環境で変動したプロセスを制御しプロセスコントロール、安定で高品質な画像形成を行っている。感光体の経時劣化や環境変動は、画像形成に非常に影響する。よって、プロセスコントロール実施時に潜像計測も同時に行い、本体の制御部へフィードバックすることにより、感光体の経時や環境における変動を制御することが可能となる。感光体の経時劣化や環境変動に基いて本体の制御部へフィードバック場合のフローチャートを図14に示す。感光体の変動としては前記環境的な変動に加えて、経時的な変動劣化が大きな問題になる。感光体は画像形成枚数に応じての劣化するため、潜像測定を実施するタイミングを、一定枚数以上画像形成後とすることが好ましい。例えば、感光体の劣化として、クリーニング部材による感光体磨耗や、感光体への放電時の放電生成物の付着による画像劣化が挙げられる。これらは使用条件や使用環境等により異なるため、その発生時期は特定できないものの、画像劣化は画像形成枚数の増加に伴って発生する現象であり、これらの劣化を予測したタイミング形成枚数時に計測することにより、感光体劣化に応じた制御が可能となる。画像形成枚数に基いて本体の制御部へフィードバック場合のフローチャートを図15に示す。実施例により本発明を詳細に説明する。感光体ドラムを回転させて一様に帯電させ、潜像書き込み装置により、幅副走査方向のサイズが約100μmのライン潜像を形成した。次に、感光体上の前記ラインの潜像が信号検出部直前に来たところで回転を停止し、検知光を照射し、電位減衰=電荷変化による誘導電流変位電流を測定した。次に、感光体ドラムを副走査方向の検知間隔が10μmになるよう回転させ、また検知装置を主走査方向に72μm移動させ、検知光を照射し誘導電流を測定した。前記回転移動、検知光照射及び誘導電流の測定を繰り返し、潜像プロファイルを得た。なお、感光体回転時は除電ランプをONにし、表面の電荷を除電した。計測条件を以下に示す。感光体ドラム:積層OPC有機光半導体ドラム60mmφ×334mm長帯電電位:800‐V検知光の大きさ:主走査方向24μm×副走査方向24μmの655nmの線状レーザビーム露光エネルギー:03μJcm2感光体帯電電位800Vを100Vにするための必要露光エネルギーレーザのトリガー:任意波形発生装置アジレントテクノロジーHP33120Aを使用点灯パルス幅:2μs検知光移動位置:主走査方向72μm、副走査方向10μmまた、主走査方向の移動を行なわない他は同様にして誘導電流を測定し、潜像プロファイルを得た。主走査方向の検知光位置の制御を行った場合と、行わなかった場合で得られた計測潜像プロファイルの比較を行った結果を図12に示す。検知光を主走査方向に移動させなかった場合に比べて潜像プロファイルがシャープになっていることが確認できる。また、本発明では、検知光位置を副走査方向のみならず、垂直方向の主走査方向にも移動しているため、検知光の計測方向の移動量がビームスポット径以下であっても測定が可能であり、ビームスポット径以下の計測分解能を得ることができる。"