"絶縁性材料からなる支持基板と、該支持基板上に位置するとともに平面視で該支持基板よりも内側に位置する半導体層とを有する複合基板であって、前記半導体層は、平面視で外周部の少なくとも一部が凹部と凸部とを有する凹凸形状である、複合基板。前記凸部は、平面視で前記支持基板の周縁部側に向かうに連れて幅が小さくなっている、請求項1に記載の複合基板。前記凹凸形状は、平面視で前記凸部の先端部から隣接する前記凹部の最凹部にかけて前記半導体層の中心側に凹んだ円弧状となっている、請求項1に記載の複合基板。前記凹凸形状は、平面視で前記凸部の前記先端部から前記前記半導体層の中心までの距離と隣接する前記凹部の前記最凹部から前記前記半導体層の中心までの距離との差が、前記半導体層の厚みに比べて大きい、請求項3に記載の複合基板。前記半導体層は、外周部の全体が前記凹凸形状である、請求項1乃至4のいずれかに記載の複合基板。前記半導体層は、側面が少なくとも前記凸部において前記支持基板側から上面側にかけて前記半導体層の中心側に傾斜している、請求項1乃至5のいずれかに記載の複合基板。しかし、特許文献1に記載されたSOS構造の複合基板は、取扱いの際に破損しやすく、シリコン層に損傷が及び、生産性が低くなる恐れがあった。また、取り扱いの際にシリコン層の外周部が支持基板から剥離して、生産性が低くなる恐れがあった。本発明は、上述の事情のもとで考え出されたものであって、生産性の高い複合基板を提供することを目的とする。本発明の複合基板は、絶縁性材料からなる支持基板と、該支持基板上に位置するとともに平面視で該支持基板よりも内側に位置する半導体層とを有する複合基板であって、前記半導体層は、平面視で外周部の少なくとも一部が凹部と凸部とを有する凹凸形状である。本発明によれば、外部衝撃からの半導体層の損傷や剥離を抑制することのできる、生産性の高い複合基板を提供することができる。本発明の複合基板の実施形態の一例である複合基板1について図面を参照しつつ、説明する。図1,図2に示した複合基板1は、支持基板10と、半導体層20とを含んで構成されている。支持基板10は、絶縁性材料からなり、半導体層20の支持部材となるものである。本実施形態では、酸化アルミニウム単結晶以下、サファイアとするによって形成されている。支持基板10は、中央に位置する主部11とその周縁に位置する周縁部12とを有する。そして、本実施形態において、周縁部12は主部11の周囲を囲むように配置されている。ここで、中央とは、主部11と周縁部12との相対的な位置関係を示すものであり、支持基板1全体に対する絶対的な位置関係を示すものではない。すなわち、支持基板1の中心と主部11の中心は必ずしも一致する必要はない。支持基板10を平面視したときに、周縁部12が主部11の周縁外縁に位置すればよい。なお、図1bにおいて、主部11と周縁部12との境界を明確にするために、両者の境界部に破線を付した。以下の図面においても、同様の目的で破線を付すことある。ここで、周縁部12の上面12aの算術平均粗さは、主部11の上面11aの算術平均粗さに比べて大きくしている。主部11の上面11aは、支持基板10と後述する半導体層20とを接合する観点からもその算術平均粗さは小さいことが好ましく、例えば、算術平均粗さを10nm未満とすることが好ましい。これに対して、周縁部12の上面12aは、その算術平均粗さを主部11の上面11aに比べ大きくすればよい。具体的には、例えば、主部11の上面11aの算術平均粗さを1nmとしたときに、周縁部12の上面12aの算術平均粗さを5nm以上とすればよい。このように主部11と周縁部12とで上面11a,12aの算術平均粗さを変えるためには、例えば、周縁部12の上面12aにおいてスパッタリング等の物理的手法を用いて加工したり、ウェットエッチング等の化学的手法を用いて上面12aを荒らすように加工したり、ブラスト加工のように機械的な手法を用いて加工を加えたりすればよい。この支持基板10の主部11の上面11aには、半導体層20が支持されて、貼り合わされている。この例では、半導体層20は、主部11の上面11a全面を被覆するように配置されている。この半導体層20の厚みとしては、例えば50~300nmの範囲が挙げられる。半導体層20は、半導体素子として機能する素子機能部を一部に形成するものである。本例では、半導体層20としてシリコン単結晶を採用している。そして、支持基板10と半導体層20とを貼り合わせることで、支持基板10上に半導体層20を配置させる。支持基板10と半導体層20とを貼り合わせる方法としては、貼り合わせる面の表面を活性化して接合する方法、および静電気力を利用して接合する方法が挙げられる。表面を活性化する方法としては、例えば真空中でイオンビームを照射して表面をエッチングして活性化する方法などが挙げられる。この接合は常温で行うことが好ましい。この接合に際しては、樹脂系などの接着剤を使用しない方法が採用され、原子間力などを利用した固相接合SolidStateBondingによって接合される。ここで、支持基板10および半導体層20は、接合する面の面粗さが小さいことが好ましく、例えば算術平均粗さRaが10nm未満の範囲が挙げられる。平均面粗さを小さくすることによって、互いに接合する際に加える圧力を小さくすることができる。特に、Raを1nm以下とすることによって、極めて小さい加圧で接合することができる。なお、この貼り合せ工程は、主部11と周縁部12とを有する支持基板10を半導体層20に貼り合せてもよいし、支持基板10となる平板状の支持基体と半導体層20とを貼り合わせた後に、半導体層20と接合されている側の主面上面の周縁において算術平均粗さを大きくするように表面を荒らすことで、支持基体を主部11と周縁部12とを有する支持基板10に加工してもよい。このように、支持基板10と半導体層20とを貼り合わせることにより、支持基板10と半導体層20との間において不純物の介在を抑制することができ、高品質な複合基板1とすることができる。また、半導体層20に熱伝導率の高いサファイアからなる支持基板10が直接接合されていることにより、放熱性の高い複合基板1とすることができる。さらに、半導体層20として高い結晶性を有するシリコン単結晶を用いることができるので、支持基板10上に格子定数の異なる半導体層を成長させる場合に比べ、半導体層20Aの品質を高めることができる。また、半導体層20の直下に位置する支持基板10が絶縁性を有しており、半導体層20の厚みに対して少なくとも同等以上の厚みを有していることから、半導体層20に半導体素子を作りこんだときに絶縁性を確保することができるので寄生容量を抑制することができる。支持基体に周縁部12を形成する方法としては、マスクを利用して所望の部分をエッチングしたり、機械的に荒らしたりする方法が挙げられる。エッチングとしては、化学的な方法、およびイオンビームなどの物理的な方法が挙げられる。また、マスクとしては、例えばメタルマスクおよびフォトマスクなどがあり、エッチングの方法に応じて適宜選択される。そして、半導体層20の外周部は、図2に示すように、平面視で凹部21と凸部22とを有する凹凸形状となっている。図2は、図1aにおいて破線で囲んだ領域の拡大図である。この例では、複数の凹部21および凸部22が繰り返し交互に連続配置されることで半導体層20の外周部を形成している。なお、凹部21個々の形状は完全同一である必要はない。凸部22についても同様である。図2において、凸部22は、平面視で支持基板10の周縁部12側に向かうに連れて幅が小さくなっている。言い換えると、先細りの形状となっている。そして、凸部22の先端22aから隣接する凹部21の最凹部21aにかけて、半導体層20の中心側に凹んだ円弧状となっている。さらに、このような形状が連続することにより、隣り合う凸部22の先端22aの間が、半導体層20の中心側に凸の円弧状となっている。ここで、半導体層20の外周部に設ける凹凸形状としては、平面視における外周部の長さを長くすることで、半導体層20の端部平面視における外周部における支持基板10との接触を多くとることができれば、特にその形状,大きさおよび間隔等に制限はない。例えば、先端22aから半導体層20の中心までの距離と最凹部21aから半導体層20の中心までの距離との差分で表わされる凹凸高さ、及び複数の先端22a同士の配置間隔が半導体層の直径の0.001から1程度であれば、剥離防止に有効である。また、これらの凹凸形状は半導体層20の外周部全体に設けられる必要はないが、剥離防止のためには全周の90以上に設けることが好ましい。この例では、先端22aから半導体層20の中心までの距離と最凹部21aから半導体層20の中心までの距離との差分以下、凹凸高さとすることがあるが半導体層20の厚みに比べて大きくなっている。このような構成とすることにより、凹凸形状により生じる支持基板10との密着強度増加により、半導体層20の厚みに応じて生じる膜応力に対応することができる。そして、隣り合う凸部22の先端22aの間を結ぶ稜線を形成する円弧状部分の曲率半径を、隣り合う凸部22の先端22aの間隔および凹凸高さよりも大きくしている。このような凹凸形状を予め形成した半導体層20を支持基板10に貼り合わせてもよいし、支持基板10に貼り合わせた後に半導体層20に凹凸形状を形成してもよい。貼り合わせた後に形成する方法としては、マスクを利用して所望の部分をエッチングしたり、機械的に荒らしたりする方法が挙げられる。エッチングとしては、化学的な方法、およびイオンビームなどの物理的な方法が挙げられる。また、マスクとしては、例えばメタルマスクおよびフォトマスクなどがあり、エッチングの方法に応じて適宜選択される。また、支持基体の表面を荒らして主部11と周縁部12とを有する支持基板10に加工するときに同時に半導体層20の外周部に凹凸形状を加工してもよい。なお、凹部21と凸部22との境界は、凹凸高さの半分で定めるものとする。すなわち、凸部22の先端22aから隣接する凹部21の最凹部21aにかける区分において、半導体層20の中心から最凹部21aまでの距離に凹凸高さの半分の距離を足し合わせた距離に位置する部分を境界とする。このようにして、支持基板10の主部11の上面11a上に半導体層20が被覆する複合基板1を製造することができる。上述の複合基板1は、半導体層20の外周部が凹凸形状を有していることから、半導体層20の端部平面視における外周部における線分を長くとることができる。このような構成により、半導体層20の端部における支持基板10との接触領域を増やすことができ、端部における接合強度を高めることができる。これにより、複合基板1において半導体層20端部からの剥離を抑制することができ、生産性の高い複合基板1を提供することができる。ここで、凸部22の先端22aから隣接する凹部21の最凹部21aにかけて、円弧状とすることは、半導体層20の端部平面視における外周部における線分を長くするために有効である。そして、凸部22の幅が、支持基板10の周縁部側に向かうに連れて小さくなっており、かつ、凸部22の先端22aから隣接する凹部21の最凹部21aにかけて、半導体層20の中心側に凹んだ円弧状となっていることより、仮に先端22aで剥離が発生したとしても、剥離が半導体層20の中心側に進行することを防ぐことができる。また、隣り合う凸部22の先端22aの間を結ぶ稜線を形成する円弧状部分は、その曲率半径をrとすると、この円弧状部分を含む、半径rの仮想扇形の中心角がπ/4以下となるようにすることが好ましい。すなわち、隣り合う凸部22の先端22aの間隔は√2r以下としている。このような形状とすることにより、半導体層20の剥離を効果的に抑制することができ、仮に先端22aにおいて剥離が生じたとしても半導体層20の中心側に進行することを防ぐことができる。また、半導体層20の外周部が凹凸形状を有していることから、半導体外周部における流体の流動抵抗を減少させることができる。これは、微小な凹凸形状によって流体が接触する表面積が増加し、濡れに伴う表面エネルギーの変化が強調されることから、流体の接触角が増加し、流体が弾かれるようになるためである。このため、たとえば、複合基板1を洗浄する際に、洗浄液の残渣が外周部付近に残ることを抑制したり、半導体層20にレジストを塗布する際に、レジストの厚みが外周部付近で厚くなることを抑制したりすることができる。また、複合基板1は、半導体素子として機能する素子機能部が形成される半導体層20が配置されている主部11に比べ、周縁部12の上面12aの算術平均粗さが大きくなっている。このような構成により、複合基板1に外部から衝撃が加えられたとしても、周縁部12が衝撃を緩和し、半導体層20へ衝撃による応力が加わることを抑制することができ、その結果、生産性の高いものとすることができる。言い換えると、半導体層20が配置されている主部11に比べ、敢えて強度の低い半導体層20が配置されていない周縁部12を設けることにより、例え外部からの衝撃により周縁部12が破損したとしても、半導体素子が形成される半導体層20を外部衝撃によるダメージから守ることができる。また、複合基板1は、周縁部12が主部11の周囲を全て囲うように配置されているので、支持基板10の厚み方向を除く全ての方向からの衝撃に対応できる。さらに、支持基板10の両主面のうち、半導体層20が配置されている側の主面上側の面において、周縁部12の上面12aの算術平均粗さを大きくしている。これにより、複合基板1に周囲から衝撃が加わったときに主部11の上面11aに比べ周縁部12の上面12aに破壊起点を集めることができる。周縁部12の上面12aを破壊起点とすることにより、破壊を周縁部12の下面12b側に進行させるよう制御することができ、周縁部12より平面視で内側にある半導体層20へのダメージを抑制することができる。なお、支持基板10の主部11の上面11aと半導体層20とは直接接合されている。この場合には、支持基板10と半導体層20の間に緩衝層が存在しないため、特に外部からの衝撃による応力から半導体層20だけでなく支持基板10をも保護する必要性が高まる。このような事情により、周縁部12が重要となる。また、本例において、支持基板10は親水性材料であるサファイアからなり、半導体層20は撥水性材料疎水性材料であるシリコンからなる。疎水性材料からなる半導体層20を、例えば純水や水溶液で洗浄したり、エッチング等の目的により水溶液を接触させたりすることは困難である。これに対して、本実施形態の構成によれば、このような半導体層20の周囲に半導体層20に比べ濡れ性の高い周縁部12を配置することにより、半導体層20がはじいた純粋や水溶液を周縁部12において保持し、半導体層20の周囲に純水等の壁を形成することができる。この壁により半導体層20に純水等を接触させることができる。<実施例>図1,図2に示す複合基板1において、半導体層20の直径を10.16mm,15.24mmとし、その外周部に、凹凸高さが、0.2μm~1.5μmの分布を有し平均が0.7μmであり、複数の先端部22aの間隔が、2.3μm~5.0μmの分布を有し平均が2.9μmであり、複数の先端部22aの間を結ぶ円弧状部分の曲率半径の平均が2μmの、凹凸形状を形成した。その結果、複合基板1に半導体素子機能部を作りこむ様々な工程を経た後も、外周部における半導体層20の剥離を抑制することができ、さらに、上述の各工程において、半導体層20の端部においてレジスト厚が不均一になったり、洗浄痕が残ったりすることなく、品質の安定した、半導体素子機能部を形成することができた。<変形例:半導体側面形状>上述の複合基板1は、図1bに示すように、半導体層20の側面は主面に対して垂直となっていたが、図3に示すように、半導体層20Aは、側面において、少なくとも凸部22Aにおいて支持基板10A側から上面側にかけて、半導体層20Aの中心側に傾斜していてもよい。すなわち傾斜面としてもよい。この場合には、凸部22Aにおける支持基板10Aとの密着強度を高めることができるので、剥離発生を抑制できる、生産性および信頼性の高い複合基板1Aを提供することができる。さらに、半導体層20Aの上面外周部は他の物体と接触しにくくなるとともに、接触した場合であっても鈍角となっているため、欠けが生じにくい構成とすることができる。この例では、半導体層20Aの側面と主部11Aの上面11Aaとが成す角度は鋭角となっている。このような構成により、複合基板1Aを用いて半導体素子を製造する際に、半導体層20A上にレジスト等を形成する工程において、レジスト膜の厚みが周縁端部において厚くなることを抑制し、均一とすることができる。これにより正確な加工を容易に行なうことのできる、生産性に優れた複合基板1Aを提供することができる。このような半導体層20Aの側面を傾斜面とする構成は、少なくとも凸部22Aにおいて設ければよいが、凹部21Aを含めた外周部全体に設けてもよい。言い換えると、支持基板10Aの主面と平行な面における半導体層10Aの断面積を、上面側から下面側支持基板10A側にかけて徐々に増加するようにしてもよい。<変形例:凹凸形状>上述の複合基板1は、図2に示す凹凸形状を例に説明したが、凹凸形状は図2に示す例に限定されない。例えば、図4aに示すように、平面視で、幅が一定の凹部21と凸部22とを有する凹凸形状としてもよいし、図4bに示すように、最凹部21a’と先端部22a’との間を直線で繋いだ形状としてもよいし、図4cに示すように、上に凸の半円状の円弧と下に凸の半円状の円弧とを組み合わせたものとしてもよい。また、階段状の凹凸形状としてもよいし、最凹部21aと先端部22aとの間を結ぶ区分において複数の変極点を有するような曲線としてもよい。<変形例:支持基板形状>本発明の複合基板の他の実施形態である複合基板1Bについて図5を用いて説明する。図5に示す複合基板1Bは、支持基板10Bと半導体層20Bとを有する。図1に示す複合基板1の支持基板10が平板状であるのに対して、複合基板1Bの支持基板10Bは、周縁部12Aにおける厚みが主部11Bにおける厚みに比べ薄くなっており、周縁部12Bの上面12Baが主部11Bの上面11Baよりも下側に位置している点で異なる。周縁部12Bは、その上面12Baが主部11Bの上面11Baに比べて下側に位置している。この例では、主部11Bの下面11Bbと周縁部12Bの下面12Bbとは揃えて配置され、同一平面に位置している。また、周縁部12Bにおける支持基板10Bの厚みd2は、主部11Bにおける厚みd1に比べて薄くなっている。主部11Bにおける厚みd1は、上部に位置する半導体層20Bを支持できれば特に限定はされないが、例えば600μm~650μm程度とすればよい。周縁部12Bにおける厚みd2は、例えばd1-d2>10μm程度とすればよい。なお、支持基板10Bは欠けを防ぐために外周部が面取りされていることがある。その場合には、周縁部12Bの厚みd2としては、互いに平行な上面12Baと下面12Bbとの間で測定するものとする。上述の複合基板1Bは、半導体素子として機能する素子機能部が形成される半導体層20Bが配置されている主部11Bに比べ、周縁部12Bの厚みを薄くしている。このような構成により、複合基板1よりもさらに周縁部12Bと主部11Bとの強度の差を大きくすることができる。したがって、複合基板1Bに外部から衝撃が加えられたとしても、確実に周縁部12Bが衝撃を緩和し、半導体層20Bへ衝撃による応力が加わることを抑制することができ、その結果、生産性の高いものとすることができる。特に、周縁部12Bの上面12Baが主部11Bの上面11Baよりも下側に位置することから、外部からの衝撃により周縁部12Bの上面12Baが破壊起点となりが破損したとしても、破壊は上面12Ba側から下面12Bb側に進行するため、周縁部12Bの上面12Baよりも上側に位置する半導体層20Bを外部衝撃によるダメージから守ることができる。さらに、複合基板1Bは、主部11Bと周縁部12Bとの下面11Bb,12Bbが段差なく同一面に配置されているので、通常のウエハと同等の取り扱いが可能となり、ハンドリングの容易なものとすることができる。このような周縁部12Bにおける厚みを調整するには、例えば、支持基板10Bとなる平板状の支持基体の周縁において、物理的,化学的,または機械的手法により、上面側の一部を除去して形成すればよい。このような、周縁部12Bにおける厚みを調整する工程は、支持基板10Bと半導体層20Bとの接合前後のどちらにおいて設けてもよい。また、周縁部12Bにおいて上面12Baの算術平均粗さを大きくするときと同時に、エッチング条件等を適宜調整して、周縁部12Bにおける厚みを調整してもよい。なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。例えば、図1~図5に示す複合基板1,1A,1Bは、半導体層20,20A,20Bは、主部11,11A,11Bの上面全面を被覆するように配置されているが、必ずしも上面全面を被覆する必要はない。すなわち、支持基板10の主部11の上面は、半導体層20が位置している被覆領域と、半導体層20から露出する露出領域とを有するようにしてもよい。特に、主部11の露出領域は被覆領域の周囲を囲むように配置してもよい。また、図1~図5に示す複合基板1,1A,1Bは、支持基板10,10A,10Bのうち周縁部12,12A,12Bを主部11,11A,11Bに比べて算術平均粗さが大きくなるようにしていたが、同等の算術平均粗さであってもよい。なお、上述の例では、支持基板10,10A,10Bに直接半導体層20,20A,20Bを貼り合わせた例について説明したが、酸化物層等を介して接合してもよいし、支持基板10,10A,10B上に半導体層20,20A,20Bをエピタキシャル成長させてもよい。また、支持基板10,10A,10Bに直接半導体基板を貼り合わせ、半導体基板を所望の厚さになるように薄く加工することで半導体層20,20A,20Bとしてもよい。薄く加工する方法としては、砥粒研磨、化学エッチング、イオンビームエッチングなど種々のものが採用でき、複数の方法を組み合わせてもよい。この薄く加工するのと併せて、精密エッチングによって、半導体基板の表面を平らにする加工を採用してもよい。この精密エッチングに用いるエッチング手段としては、例えばドライエッチングが挙げられる。このドライエッチングには、化学的な反応によるものと、物理的な衝突によるものとが含まれる。化学的な反応を利用するものとしては、反応性の気体ガス、イオンおよびイオンビーム、ならびにラジカルを利用するものなどが挙げられる。この反応性イオンに使われるエッチングガスとしては、六フッ化硫黄SF6、四フッ化炭素CF4などが挙げられる。また、物理的な衝突によるものとしては、イオンビームを利用するものが挙げられる。このイオンビームを利用するものには、ガスクラスタイオンビームGasClusterIonBeam;GCIBを用いた方法が含まれている。これらのエッチング手段を用いて狭い領域をエッチングしながら、可動ステージで半導体基板を走査することで、大面積の素材基板であっても良好に精密エッチングをすることができる。さらにウェットエッチングや機械的研磨,メカノケミカル研磨を行なってもよい。"