試料の表面を評価するシステムにおいて、該システムは、前記試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、前記表面平坦化機構によって平坦化された前記試料の表面上に任意の厚さの抵抗膜を被膜し、その後、前記抵抗膜の一部分を溶剤で溶解して、前記抵抗膜の厚さを所望のレベルに低減する抵抗膜コーティング機構と、前記抵抗膜を有する前記試料の表面の評価を行う表面検査機構であって、電磁波源と、該電磁波源から発生された電磁波を前記試料の表面に導く光学系であって、該表面に直交する方向ではなく斜め方向から電磁波を導く光学系とを備えた電磁波照射装置と、前記電磁波が照射された前記試料の表面から放出された電子を前記試料の表面に直交する方向に導く写像光学系であって、前記試料の表面から順次直交する方向に配置された第1、第2及び第3のレンズと、第2及び第3のレンズの間に配置されたアパーチャとからなる写像光学系と、前記写像光学系によって導かれた電子を検出して、電気的又は光学的信号として出力する検出器と、前記試料の表面を評価するために、前記検出器から出力された電気的又は光学的信号を処理する処理部とを備えた表面検査機構と、前記表面平坦化機構、前記抵抗膜コーティング機構、及び前記表面検査機構との間で前記試料を搬送する搬送機構とを備えていることを特徴とする試料表面検査システム。請求項1記載の試料表面検査システムにおいて、前記表面検査機構の前記電磁波源は、紫外線源又はX線源であることを特徴とする試料表面検査システム。請求項1記載の試料表面検査システムにおいて、前記表面検査機構の前記電磁波源は、400nm以下の波長の紫外線又はX線を放射するものであることを特徴とする試料表面検査システム。請求項1~3いずれかに記載の試料表面検査システムにおいて、前記表面検査該機構はさらに、電子線源と、該電子線源から生成された電子線を前記試料の表面上に導く電子光学系であって、該表面に直交する方向ではなく斜め方向から電子線を導く電子光学系とからなる電子線照射装置と、前記電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を前記試料の表面に照射する装置とを備えていること特徴とする試料表面検査システム。請求項1~4いずれかに記載の試料表面検査システムにおいて、前記試料は、半導体ウエハ、フォトマスク、及びレチクルマスクの少なくとも1つであることを特徴とする試料表面検査システム。請求項1~5記載いずれかに記載の試料表面検査システムにおいて、該システムはさらに、洗浄機構及び試料乾燥機構を備え、前記試料が、洗浄されかつ乾燥された状態で、前記表面検査機構に導入されかつ排出されるように構成され、前記表面平坦化機構、前記抵抗膜コーティング機構、前記表面検査機構、前記洗浄機構、及び前記試料乾燥機構は、前記搬送機構を取り囲むように配置されていることを特徴とする試料表面検査システム。上記した目的を達成するために、本発明は、試料の表面に抵抗膜を形成する方法であって、前記試料をほぼ水平に保持した状態で、前記試料を所定速度で回転させるステップと、前記試料を回転させながら、前記試料の表面上に液状の膜材料を滴下させて抵抗膜を形成するステップと、前記試料を所定速度で回転させながら、前記試料の表面に形成された抵抗膜を溶解する溶剤を滴下させ、前記抵抗膜の一部分を溶解して前記抵抗膜の厚さが所望のレベルとなるようにするステップとからなることを特徴とする方法を提供する。上記した方法において、前記抵抗膜の厚さの所望のレベルは、0.1nm~10nmの範囲であり、また、前記抵抗膜は、水溶性であることが好ましい。本発明はまた、試料の表面に抵抗膜を形成する装置であって、前記試料をほぼ水平に保持した状態で前記試料を所定速度で回転させながら、前記試料の表面上に液状の膜材料を滴下させることにより、前記試料の表面上に抵抗膜を形成するスピンコータと、前記試料の表面上に形成された前記抵抗膜の一部分を溶剤で溶解することによって、前記抵抗膜の厚さを薄膜化及び均一化する薄膜均一化機構とからなることを特徴とする装置を提供する。この装置において、前記薄膜均一化機構は、前記試料を回転させながら、前記抵抗膜に溶剤を滴下させる溶剤滴下装置を含んでいることが好ましい。本発明はさらに、試料の表面を検査する方法であって、前記試料の表面を、所定の厚さを有する抵抗膜で被膜するステップと、前記抵抗膜の一部分を溶解して、前記抵抗膜の厚さを前記所定の厚さよりも薄い所望のレベルにするステップと、前記抵抗膜で被膜された前記試料の表面に荷電粒子線を照射して、前記試料の表面の検査を行うステップとからなることを特徴とする試料表面検査方法を提供する。この試料表面検査方法において、前記抵抗膜の厚さの所望のレベルは、0.1nm~10nmの範囲であり、前記抵抗膜は、水溶性であり、該方法はさらに、前記試料の表面の評価後に、純水又は超純水で前記試料を洗浄することにより、前記試料の表面から前記抵抗膜を除去するステップを備えていることが好ましい。本発明はさらにまた、試料の表面を検査するシステムであって、前記試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、前記表面平坦化機構によって平坦化された前記試料の表面上に所定の厚さの抵抗膜を被膜し、その後、前記抵抗膜の一部分を溶剤で溶解して、前記抵抗膜の厚さを所望のレベルに低減する抵抗膜コーティング機構と、前記抵抗膜が被膜された前記試料の表面に荷電粒子線を照射して、前記試料の表面の評価を行う表面検査機構と、前記した機構の間で前記試料を搬送する搬送機構とからなることを特徴とする試料表面検査システムを提供する。このシステムはさらに、洗浄機構及び試料乾燥機構を備えて、前記試料が、洗浄されかつ乾燥された状態で、前記表面検査機構に導入されかつ排出されるように構成され、前記表面平坦化機構、前記抵抗膜コーティング機構、前記表面検査機構、前記洗浄機構、及び前記試料乾燥機構は、前記搬送機構を取り囲むように配置されていることが好ましい。本発明はまた、試料の表面を検査する機構であって、電磁波源と、該電磁波源から発生された電磁波を前記試料の表面に導く装置とを備えた電磁波照射装置と、前記電磁波が照射された前記試料の表面から放出された電子を検出して、電気的又は光学的信号として出力する検出器と、前記試料の表面を評価するために、前記検出器から出力された電気的又は光学的信号を処理する処理部とからなることを特徴とする表面検査機構を提供する。この機構において、前記電磁波源は、紫外線レーザ源又はX線レーザ源であるか、又は、400nm以下の波長の紫外線又はX線を放射するものであることが好ましい。また、この機構はさらに、電子線源と該電子線源から生成された電子線を前記試料の表面上に導く装置とからなる電子線照射装置と、前記電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を前記試料の表面に照射する装置とを備えることができる。さらに、この機構はさらに、前記試料の表面から放出された電子を、前記検出器に導く写像光学系を備えることができる。本発明はさらに、半導体デバイスを製造する方法であって、半導体デバイスの製造工程の途中、及び該製造工程の終了後のいずれか又は両方の工程において、上記した検査装置、検査システム、又は検査方法を用いて、半導体ウエハを評価するステップを含んでいることを特徴とする半導体デバイス製造方法を提供する。