"長尺で線状の開口部と、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状をもち、かつ、前記開口部と連通し、かつ、誘電体部材で囲まれた長尺チャンバと、前記長尺チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台と、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えた装置において、前記誘電体部材の内部に、前記コイルの中心軸と平行に複数の冷媒流路が設けられていること、を特徴とするプラズマ処理装置。前記誘電体部材は、複数の円筒管から構成されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記誘電体部材は、環状の誘電体ブロックである、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記誘電体部材は、複数の円筒管が接合された誘電体板である、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記開口部の短手方向の幅が、前記チャンバの短手方向の幅よりも小さい、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記誘電体部材は、前記複数の冷媒流路と連通するマニホールドを備えた蓋部及びノズル部に挟まれており、かつ、前記ノズル部に前記開口部が設けられている、請求項1記載のプラズマ処理装置。誘電体部材で囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、前記チャンバの長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法であって、前記コイルの中心軸と平行に、前記誘電体部材の内部に設けられた複数の冷媒流路に冷媒を流しつつ、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理すること、を特徴とするプラズマ処理方法。しかしながら、半導体の結晶化など、ごく短時間だけ基材の表面近傍を高温処理する用途に対して、従来の熱プラズマを大面積に発生させる技術は有効ではなかった。従来例に示した特許文献2に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、広幅化はされるものの、広幅化された領域における温度分布は100°C以上となっており、均一な熱処理の実現は不可能である。また、従来例に示した特許文献3、4に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、本質的には熱プラズマを揺動させるものであるから、実質的に熱処理されている時間は、回転させずに走査した場合と比べて短くなるので、大面積を処理する時間が特段短くなるものではない。また、均一処理のためには回転速度を走査速度に比べて十分に大きくする必要があり、ノズルの構成が複雑化することは避けられない。また、従来例に示した特許文献5に記載の技術は溶接技術であり、大面積を均一に処理するための構成ではない。仮にこれを大面積処理用途に適用しようとしても、この構成においては点状のアークが帯状電極に沿って振動するので、時間平均すると均一にプラズマが発生するものの、瞬間的には不均一なプラズマが生じている。したがって、大面積の均一処理には適用できない。また、従来例に示した特許文献6に記載の技術は、非特許文献1や特許文献1に開示されているDCアーク放電を用いたものと異なり、誘導結合型の高周波プラズマトーチであることが特徴である。無電極放電であることから、熱プラズマの安定性に優れ時間変化が小さい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが少ないという利点がある。さて、誘導結合型プラズマトーチにおいては、高温プラズマから絶縁体材料を保護するために、絶縁体材料を二重管構成としてその間に冷媒を流す方法が一般的に採用されている。しかしながら、従来例に示した特許文献6に記載の技術においては、絶縁体材料が扁平な直方体状をなしていることから、これを単純に二重管構成としただけでは、十分な流量の冷媒を流すことができない。なぜなら、絶縁体材料は一般に金属に比べて機械的強度に劣るため、絶縁体材料を長尺方向に余りに長くすると、二重管の内圧を高くできなくなるからである。このため、大面積を均一に処理するのに限界がある。なお、点状の熱プラズマであっても、その直径が大きければ大面積処理の際の走査回数を減らせるため、用途によっては短時間で処理できる。しかし、熱プラズマの直径が大きいと、走査時に熱プラズマが基材上を通過する時間が実質的に長くなるため、ごく短時間だけ基材の表面近傍のみを高温処理することはできず、基材のかなり深い領域までが高温になり、例えばガラス基板の割れや膜剥がれなどの不具合を生じることがある。また、従来例に示した特許文献9に記載の技術では、先に述べた誘導結合型の高周波プラズマトーチと比較して、熱プラズマの安定性に劣り時間変化が大きい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが多いという欠点がある。本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。本願の第1発明のプラズマ処理装置は、長尺で線状の開口部と、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状をもち、かつ、前記開口部と連通し、かつ、誘電体部材で囲まれた長尺チャンバと、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台と、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えた装置において、前記誘電体部材の内部に、前記コイルの中心軸と平行に複数の冷媒流路が設けられていることを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本願の第1発明のプラズマ処理装置において、好適には、前記誘電体部材が、複数の円筒管から構成されていることが望ましい。このような構成により、簡単な構成でプラズマ処理装置を実現できる。あるいは、前記誘電体部材が、環状の誘電体ブロックであってもよい。このような構成により、内壁面の凹凸を少なくでき、かつ、部品点数を削減できる。あるいは、前記誘電体部材が、複数の円筒管が接合された誘電体板であってもよい。このような構成により、軽量で、かつ、内壁面の凹凸を少なくできる。また、好適には、前記開口部の短手方向の幅が、前記チャンバの短手方向の幅よりも小さいことが望ましい。このような構成により、効率のよいプラズマ発生と、短時間処理との両立を図ることができる。また、好適には、前記誘電体部材が、前記複数の冷媒流路と連通するマニホールドを備えた蓋部及びノズル部に挟まれており、かつ、前記ノズル部に前記開口部が設けられていることが望ましい。このような構成により、簡単な構成でプラズマ処理装置を実現できる。本願の第2発明のプラズマ処理方法は、誘電体部材で囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、前記チャンバの長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法であって、前記コイルの中心軸と平行に、前記誘電体部材の内部に設けられた複数の冷媒流路に冷媒を流しつつ、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理することを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本発明によれば、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。以下、本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置について図面を用いて説明する。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1について、図1及び図2を参照して説明する。図1aは、本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図1bは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。図1cは、基材に平行な面で切った断面図である。図1aは、図1bの破線A-A‘及び図1cの破線C-C’を含む面で切った断面図、図1bは図1aの破線及び図1cの破線D-D‘を含む面で切った断面図、図1cは図1bの破線B-B’で切った断面図である。また、図2は、図1に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図1及び図2において、基材載置台1上に基材2が載置されている。誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、ソレノイドコイル3が取り囲む誘電体製の長尺チャンバは、第一石英板4、第二石英板5、及び、複数の円筒管としての石英管6によって囲まれた空間長尺チャンバ内部の空間7により画定される。第一石英板4の下面と石英管6の上面は、環状に隙間無く接合されている。同様に、石英管6の下面と、第二石英板5の上面は環状に隙間無く接合されている。オーリングを用いたシール方法を採用することも可能である。導体製の螺旋状のソレノイドコイル3が、長尺チャンバを取り囲むように、石英管6の周囲に配置される。誘導結合型プラズマトーチユニットTは、全体が接地された導体製のシールド部材図示しないで囲われ、高周波の漏洩ノイズが効果的に防止できるとともに、好ましくない異常放電などを効果的に防止できる。長尺チャンバ内部の空間7は、第一石英板4、第二石英板5、及び、複数の石英管6に囲まれている。つまり、長尺チャンバ全体が誘電体で囲まれている構成である。長尺チャンバ内部の空間7に発生したプラズマは、長尺チャンバにおけるスリット状の開口部第二石英板5の下方に設けられた、幅が狭い方の開口部としてのプラズマ噴出口8より基材2に向けて噴出する。また、長尺チャンバの長手方向とプラズマ噴出口8の長手方向とは平行に配置されている。第一石英板4にプラズマガスマニホールド9が設けられている。プラズマガス供給配管10よりプラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、第一石英板4に設けられた長尺のガス導入部としてのプラズマガス供給穴11貫通穴を介して、長尺チャンバ内部の空間7に導入される。このような構成により、長手方向に均一なガス流れを簡単に実現できる。プラズマガス供給配管10へ導入するガスの流量は、その上流にマスフローコントローラなどの流量制御装置を備えることにより制御される。プラズマガス供給穴11は、長尺のスリットであるが、丸い穴状のものを長手方向に複数設けてもよい。ソレノイドコイル3の中心軸は、長尺チャンバの中心軸、プラズマ噴出口8の中心軸と一致するように配置されている。なお、この中心軸は、図1aに示された破線、及び、図1bに示されている破線A-A‘である。また、基材載置台1に近い部分に、シールドガス供給口としてのシールドガスノズル13が配置され、その内部にはシールドガスマニホールド14が設けられる。このように、2系統のガス導入が準備されており、プラズマ生成に適したプラズマガスとは別にシールドガスを供給して、大気中の酸素、二酸化炭素など、処理に不要、あるいは悪影響を及ぼすガスのプラズマ照射面への混入を低減することが可能となる。なお、シールドガス供給口は、プラズマ噴出口8の長尺方向と平行な向きに長尺な形状をもつスリットであってもよいし、あるいは、プラズマ噴出口8の長尺方向と平行な向きに並んだ多数の穴であってもよい。ソレノイドコイル3は中空の導体管からなり、内部に冷却水などの冷媒が流れるよう構成されている。また、蓋部としての第一石英板4及びノズル部としての第二石英板5の内部にマニホールドとしての冷媒流路15内が設けられ、冷媒配管16を介してチラーとの間で冷媒の給排水を行う。石英管6の内部は、コイルの中心軸と平行に設けられた複数の冷媒流路を構成する。例えば、第一石英板4に設けられた冷媒配管16から給水された冷却水は、第一石英板4内の冷媒流路15に導かれ、石英管6内を通り、石英管6が嵌め込まれる第二石英板5の凹部を介して第二石英板5内の冷媒流路15に達し、第二石英板5に設けられた冷媒配管16より排水される。なお、冷媒の流れの向きは逆であってもよい。このようにして、長尺チャンバを構成する部材の冷却が実現される。このような構成では、断面が円形である石英管6に冷媒を流すので、石英管6の内圧水圧が高くなった場合においても、石英管6の変形が起きにくい。つまり、本実施の形態においては、従来例に示した特許文献6に記載の技術において二重管構成として水冷した場合に比べて、はるかに大量の冷媒を流すことができ、効果的な冷却が可能である。長方形のスリット状のプラズマ噴出口8が設けられ、基材載置台1或いは、基材載置台1上の基材2は、プラズマ噴出口8と対向して配置されている。この状態で、長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源よりソレノイドコイル3に高周波電力を供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射することにより、基材2上の薄膜22をプラズマ処理することができる。プラズマ噴出口8の長手方向に対して垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動させることで、基材2を処理する。つまり、図1aの左右方向へ、図1bの紙面に垂直な方向へ、誘導結合型プラズマトーチユニットTまたは基材載置台1を動かす。長尺チャンバ内に供給するガスとして種々のものが使用可能だが、プラズマの安定性、着火性、プラズマに暴露される部材の寿命などを考えると、不活性ガス主体であることが望ましい。なかでも、Arガスが典型的に用いられる。Arのみでプラズマを生成させた場合、プラズマは相当高温となる10,000K以上。なお、本構成においては、プラズマ噴出口8の長手方向の長さが、基材2の幅以上となっているので、一度の走査誘導結合型プラズマトーチユニットTと基材載置台1とを相対的に移動することで基材2の表面近傍の薄膜22の全体を処理することができる。このようなプラズマ処理装置において、長尺チャンバ内にガス噴出口よりArまたはArH2ガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源より13.56MHzの高周波電力を、ソレノイドコイル3に供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7に高周波電磁界を発生させることでプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射するとともに走査することで、半導体膜の結晶化などの熱処理を行うことができる。プラズマ発生の条件としては、プラズマ噴出口8と基材2間の距離=3~50mm、走査速度=50~3000mm/s、プラズマガス総流量=1~100SLM、ArH2ガス中のH2濃度=0~10、シールドガスN2流量=1~100SLM、高周波電力=0.5~10kW程度の値が適切である。ただし、これらの諸量のうち、ガス流量及び電力は、プラズマ噴出口8の長さ100mm当たりの値である。ガス流量や電力などのパラメータは、プラズマ噴出口8の長さに比例した量を投入することが適切と考えられるためである。このように、プラズマ噴出口8の長手方向と、基材載置台1とが平行に配置されたまま、プラズマ噴出口8の長手方向とは垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動するので、生成すべきプラズマの長さと、基材2の処理長さがほぼ等しくなるように構成することが可能となる。また、長尺チャンバをその中心軸に垂直な面で切った断面の幅図1aにおける、長尺チャンバ内部の空間7の幅は、プラズマ噴出口8の幅よりも大きい構成としている。すなわち、開口部の短手方向の幅が、チャンバの短手方向の幅よりも小さくなるよう構成している。このような構成により、効率のよいプラズマ発生と、短時間処理との両立を図ることができる。つまり、生成すべきプラズマの体積を、従来と比較して小さくすることができるため、電力効率が飛躍的に高まる。一方、高温のプラズマジェットが通過する時間が短くなるので、より短時間の処理が可能となる。実施の形態2以下、本発明の実施の形態2について、図3及び図4を参照して説明する。図3は本発明の実施の形態2におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。また、図4は、誘導結合型プラズマトーチユニットを、基材に平行な面で切った断面図である。なお、図4の破線C-C‘で切った断面は図1aと同様であり、また、図4の破線D-D’で切った断面は図1bと同様である。実施の形態2においては、石英管6の代わりに、環状の誘電体ブロックとしての石英ブロック12が設けられ、石英ブロック12には、コイルの中心軸と平行に設けられた複数の冷媒流路15が設けられている。石英ブロック12の内部に設けられた長尺の貫通穴の内側が、長尺チャンバ内部の空間7を構成する。このような構成では、実施の形態1では凹凸形状であった、長尺チャンバの内壁面がフラットになる凹凸が少なくなる。したがって、より安定した放電を得ることができる。また、部品点数が削減されるという利点がある。実施の形態3以下、本発明の実施の形態3について、図5及び図6を参照して説明する。図5aは、本発明の実施の形態3におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図5bは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。図5cは、基材に平行な面で切った断面図である。図5aは、図5bの破線A-A‘及び図5cの破線C-C’を含む面で切った断面図、図5bは図5aの破線及び図5cの破線D-D‘を含む面で切った断面図、図5cは図5bの破線B-B’で切った断面図である。また、図6は、図5に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。実施の形態3においては、石英管6の内側に、誘電体板としての第三石英板18が接合されている。第三石英板18の内部に設けられた長尺の貫通穴の内側が、長尺チャンバ内部の空間7を構成する。石英管6と第三石英板18とは、接着剤19によって接合されており、第三石英板18と石英管6との間で良好な熱伝導性が確保される。接合は、溶接法によるものであってもよい。冷却効率を確保するため、接着剤を用いる場合はできるだけ薄く、均一に塗布することが好ましい。石英管6を第三石英板18に接合する構成の利点は、既成の板材、管材を活用できるため、安価短納期で製作可能であること、また、肉厚の石英ブロックに貫通穴をあける場合に比べて、長尺チャンバと冷媒流路の距離を小さくできるため、冷却効率が良いこと、である。このような構成では、実施の形態1では凹凸形状であった、長尺チャンバの内壁面がフラットになる凹凸が少なくなる。したがって、より安定した放電を得ることができる。また、実施の形態2に比べてトーチユニットが軽量になるという利点がある。以上述べたプラズマ処理装置及び方法は、本発明の適用範囲のうちの典型例を例示したに過ぎない。例えば、誘導結合型プラズマトーチユニットTを、固定された基材載置台1に対して走査してもよいが、固定された誘導結合型プラズマトーチユニットTに対して、基材載置台1を走査してもよい。また、本発明の種々の構成によって、基材2の表面近傍を高温処理することが可能となるが、従来例で詳しく述べたTFT用半導体膜の結晶化や太陽電池用半導体膜の改質に適用可能であることは勿論、プラズマディスプレイパネルの保護層の清浄化や脱ガス低減、シリカ微粒子の集合体からなる誘電体層の表面平坦化や脱ガス低減、種々の電子デバイスのリフロー、固体不純物源を用いたプラズマドーピングなど、さまざまな表面処理に適用できる。また、太陽電池の製造方法としては、シリコンインゴットを粉砕して得られる粉末を基材上に塗布し、これにプラズマを照射して溶融させ多結晶シリコン膜を得る方法にも適用可能である。また、プラズマの着火を容易にするために、着火源を用いることも可能である。着火源としては、ガス給湯器などに用いられる点火用スパーク装置などを利用できる。また、説明においては簡単のため熱プラズマという言葉を用いているが、熱プラズマと低温プラズマの区分けは厳密には難しく、また、例えば、田中康規熱プラズマにおける非平衡性プラズマ核融合学会誌、Vol.82、No.82006pp.479-483において解説されているように、熱的平衡性のみでプラズマの種類を区分することも困難である。本発明は、基材を熱処理することを一つの目的としており、熱プラズマ、熱平衡プラズマ、高温プラズマなどの用語にとらわれず、高温のプラズマを照射する技術に関するものに適用可能である。また、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理する場合について詳しく例示したが、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理する場合においても、本発明は適用できる。プラズマガスに反応ガスを混ぜることにより、反応ガスによるプラズマを基材へ照射し、エッチングやCVDが実現できる。あるいは、プラズマガスとしては希ガスまたは希ガスに少量のH2ガスを加えたガスを用いつつ、シールドガスとして反応ガスを含むガスを供給することによって、プラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射し、エッチング、CVD、ドーピングなどのプラズマ処理を実現することもできる。プラズマガスとしてアルゴンを主成分とするガスを用いると、実施例で詳しく例示したように、熱プラズマが発生する。一方、プラズマガスとしてヘリウムを主成分とするガスを用いると、比較的低温のプラズマを発生させることができる。このような方法で、基材をあまり加熱することなく、エッチングや成膜などの処理が可能となる。エッチングに用いる反応ガスとしては、ハロゲン含有ガス、例えば、CxFyx、yは自然数、SF6などがあり、シリコンやシリコン化合物などをエッチングすることができる。反応ガスとしてO2を用いれば、有機物の除去、レジストアッシングなどが可能となる。CVDに用いる反応ガスとしては、モノシラン、ジシランなどがあり、シリコンやシリコン化合物の成膜が可能となる。あるいは、TEOSTetraethoxysilaneに代表されるシリコンを含有した有機ガスとO2の混合ガスを用いれば、シリコン酸化膜を成膜することができる。その他、撥水性親水性を改質する表面処理など、種々の低温プラズマ処理が可能である。従来技術例えば、特許文献7に記載のものに比較すると、誘導結合型であるため、単位体積あたり高いパワー密度を投入してもアーク放電に移行しにくいため、より高密度なプラズマが発生可能であり、その結果、速い反応速度が得られ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することが可能となる。"