"析出によりワークピース上に金属フィーチャを形成する方法であって、ワークピース上に電子デバイスのはんだ用のアンダーバンプメタル層を設け、前記アンダーバンプメタル層に直接的に実質的に純粋な錫層を析出し、且つ前記実質的に純粋な錫層上に錫銀合金層を析出する、ことを有する方法。前記実質的に純粋な錫のめっきケミストリの実質的に全てが前記ワークピースから洗い流される、請求項1に記載の方法。前記析出は電着によって達成される、請求項1に記載の方法。前記アンダーバンプメタルは銅又はニッケルの何れかを有する、請求項1に記載の方法。前記ワークピースが熱処理される、請求項1に記載の方法。導電性シード層を有するワークピース上に実質的に鉛フリーのはんだバンプを形成するための装置であって、前記導電性シード層は、複数のフィーチャ開口を有するパターニングされたレジストマスク層で覆われており、当該装置は、レジストパターンフィーチャ内に実質的に純粋な錫層を析出するように構成された金属イオンコンテンツを有する第1のめっき浴と、前記レジストパターンフィーチャ内に錫-銀合金層を析出するように構成された金属イオンコンテンツを有する第2のめっき浴と、を有する、装置。前記実質的に純粋な錫のめっきケミストリの実質的に全てを前記ワークピースから洗い流すように構成されたリンスタンク、を更に有する請求項6に記載の装置。銅電着モジュールを更に有する請求項6に記載の装置。銅電着モジュール及びニッケル電着モジュールを更に有する請求項6に記載の装置。洗浄モジュールを更に有する請求項6に記載の装置。鉛フリーはんだフィーチャを有する電子デバイスを形成する方法であって、前記電子デバイスのはんだ用のアンダーバンプメタルの層に直接的に実質的に純粋な錫層を析出し、且つ前記純粋な錫層上に錫銀合金層を析出する、ことを有する方法。前記析出は電着によって達成される、請求項11に記載の方法。前記アンダーバンプメタルは銅又はニッケルの何れかを有する、請求項11に記載の方法。前記実質的に純粋な錫のめっきケミストリの実質的に全てを前記電子デバイスから洗い流すことを更に有する請求項11に記載の方法。ワークピース上に鉛フリーはんだバンプを形成する方法であって、前記ワークピースに導電性シード層を設け、該導電性シード層は、複数のフィーチャ開口を有するパターニングされたレジストマスク層によって覆われ、金属イオンコンテンツを有する第1のめっき浴に前記ワークピースを浸漬し、前記シード層への電気コンタクトを設け、且つ前記第1のめっき浴の前記金属イオンコンテンツを介して電位を与えることで、約2μmと約150μmとの間の厚さの実質的に純粋な錫をレジストパターンフィーチャ内に析出させ、金属イオンコンテンツを有する第2のめっき浴に前記ワークピースを浸漬し、且つ前記シード層への電気コンタクトを形成して、前記第2のめっき浴の前記金属イオンコンテンツを介して電位を形成することで、約2μmと約150μmとの間の厚さの錫-銀合金を前記レジストパターンフィーチャ内に析出させる、ことを有する方法。前記パターニングされたフォトレジスト層を除去することを更に有する請求項15に記載の方法。めっきされた前記錫及び前記錫-銀合金によって覆われていない前記シード層の実質的に全てが除去される、請求項15に記載の方法。約210°Cと約230°Cとの間で前記ワークピースを熱処理することで、前記実質的に純粋な錫の層及び前記錫-銀合金の層を相互に混合させて、実質的に一様な錫-銀合金フィーチャを形成すること、を更に有する請求項15に記載の方法。前記実質的に純粋な錫の層は約30μm厚であり、前記錫-銀合金の層は約30μm厚であり、前記錫-銀合金の組成は、熱処理前で約1重量と約7重量との間の銀であり且つ熱処理後で約0.5重量と約3.5重量との間の銀である、請求項15に記載の方法。前記実質的に純粋な錫の層は約10μm厚であり、前記錫-銀合金の層は約10μm厚であり、前記錫-銀合金の組成は、熱処理前で約1重量と約7重量との間の銀であり且つ熱処理後で約0.5重量と約3.5重量との間の銀である、請求項15に記載の方法。前記実質的に純粋な錫の層は約1μm厚又は約10μm厚であり、前記錫-銀合金の層は約20μm厚と約120μm厚との間である、請求項15に記載の方法。前記実質的に純粋な錫の層の厚さは前記錫-銀合金の層の厚さの約1/4である、請求項15に記載の方法。前記ワークピースをリンスタンクに移動させ、前記実質的に純粋な錫のめっきケミストリの実質的に全てを前記ワークピースから洗い流し、且つ前記ワークピースを前記リンスタンクから取り出す、ことを更に有する請求項15に記載の方法。導電性シード層を有するワークピース上に鉛フリーはんだバンプを形成するための装置であって、前記導電性シード層は、複数のフィーチャ開口を有するパターニングされたレジストマスク層によって覆われており、当該装置は、前記ワークピース上に実質的に純粋な錫の層を析出させるように適応された金属イオンコンテンツを有する第1のめっき浴をサポートするように配置された第1の処理モジュールと、前記ワークピース上に錫及び銀の層を析出させるように適応された金属イオンコンテンツを有する第2のめっき浴をサポートするように配置された第2の処理モジュールと、前記第1の処理モジュールにて前記ワークピースを前記実質的に純粋な錫の層でめっきし、且つ前記第2の処理モジュールにて前記ワークピースを前記錫及び銀の層でめっきするようにプログラム可能のコントローラと、有する、装置。前記純粋な錫のめっきケミストリの実質的に全てを前記ワークピースから洗い流すことをサポートするように配置されたリンスタンクを更に有し、前記コントローラは更に、前記リンスタンク内で前記ワークピースを洗浄するようにプログラム可能である、請求項24に記載の装置。当該装置は更に銅電着モジュールを有し、前記コントローラは更に、前記銅電着モジュールを用いて前記ワークピース上に銅を析出させるようにプログラム可能である、請求項24に記載の装置。当該装置は更にニッケル電着モジュールを有し、前記コントローラは更に、前記ニッケル電着モジュールを用いて前記ワークピース上にニッケルを析出させるようにプログラム可能である、請求項24に記載の装置。当該装置は更に洗浄モジュールを有し、前記コントローラは更に、前記洗浄モジュールを用いて前記ワークピースを洗浄するようにプログラム可能である、請求項24に記載の装置。析出によりワークピース上に金属フィーチャを形成する方法が提供される。当該方法は、ワークピース上に電子デバイスのはんだ用のアンダーバンプメタル層を設け、アンダーバンプメタル層に直接的に実質的に純粋な錫層を析出し、且つ実質的に純粋な錫層上に錫銀合金層を析出することを含む。図面に示す実施形態を参照して本実施形態を説明するが、理解されるように、それら実施形態は、数多くの他形態の実施形態で具現化されることも可能である。また、如何なる好適な大きさ、形状又は種類の要素又は材料が使用されてもよい。ここに開示される実施形態により、電着される鉛フリーはんだバンプとアンダーバンプメタルUBMとの間に信頼性ある界面を実現する方法が提供される。図1を参照するに、電着用に用意されたワークピース加工対象物のワークピース表面の単一のバンプの断面図が示されている。電気コンタクト要素101が絶縁膜100によって実質的に囲まれており、このようなタイプのフィーチャ造形をなす機構部が、集積回路ワークピースにわたって準周期的なアレイ状に配置されている。例えば、300mmシリコンウェハは、その表面に分布された1,000から100,000個のこのような電気コンタクト要素を有し得る。なお、例えばガリウム砒素又はその他の如何なる好適なワークピース又は基板が用いられてもよい。ワークピースは、シード層102でコート被覆され、次いで、フォトレジスト104でコートされている。フォトレジスト104は、光パターニングされて、例えばニッケルNi若しくは銅Cu、又はNi及びCuの連続層などのアンダーバンプメタル106が内部に電着される開口を提供している。アンダーバンプメタル106上に、同じレジストパターンマスク層104を用いて、はんだ金属120が電着されている。例えば、米国特許第7012333号内容全体をここに援用するは、約3.5重量であるSnAgの共晶点より低くなるように堆積させるSnAgはんだ合金の堆積を教示している。次いで図2を参照するに、例えばSnAg合金又はSnAgCu合金といった鉛フリーバンプを提供する他の従来技術に係る方法が示されており、アンダーバンプメタル上に、実質純錫層130の堆積に先立って、より貴金属側の実質的に純粋な金属層131が堆積されている。米国特許第6596621号内容全体をここに援用するは、約2μm厚のNiを有するアンダーバンプメタル106を用い、約3.5のAg、約0.6のCu、そして残りはSnという割合のSnAgCu合金バンプを形成するのに必要な実質純Sn130に対する比率のAg/Cu131で、層106を被覆することによって、鉛フリーSnAgCuバンプを形成することを教示している。次いで図3を参照して、これら従来技術に係る手法の潜在的な欠点を説明する。図3は、熱的なリフロープロセス後のはんだバンプの断面を示している。熱リフロープロセスは、後続処理に先立ってはんだバンプ構造を安定化させるのに有利である。電着工程後、フォトレジスト104図3に図示されずが除去され、そして、シード層102が、アンダーバンプメタル106によって保護されている箇所を除く全ての箇所でエッチング除去される。その後、ウェハは、所謂リフロープロセス工程にて熱処理される。簡単に説明すると、リフローは、はんだが溶融する前に酸化錫が実質的に除去されるよう、制御された雰囲気内でワークピースを加熱することを含む。はんだの溶融は、SnAg合金の場合、約221°Cと約232°Cとの間で起こり得る。ここで、約221°Cというのは、約3.5Agの組成でのSnAg共晶融点であり、約232°Cというのは、実質純Snの融点である。はんだが固体から液体へと相変化するとき、表面張力によって金属の塊が形状変化させられ、液体の表面張力によって表面積が最小化されるので、実質的に球形の形状126へと変化する。また、上昇された温度にて、幾つかの合金相の混合物である金属間化合物IMCの層128の形成が起こる。例えば、Cu/Sn界面では、IMCはCu5Sn6の合金相とCu3Snの合金相との組合せとなる。また、上昇された温度にて、析出プロセス中にはんだ内に組み込まれ得る様々な有機分子の気化及びガス放出が起こる。これら昇温過程は、ウェハ又は基板を冷却してはんだを凝固させることによって停止される。固体はんだは、様々な大きさ及び組成を有し得る多数のサブミクロンサイズのグレインからなる。例えば、米国特許第6805974号内容全体をここに援用するは、望ましくない大きい板状のAg3Snグレインの形成を回避し、その代わりにSnグレイン及び小さいAg3Snグレインの微粒子分散を形成するために、合金組成及び冷却速度を制御することが重要であることを教示している。アンダーバンプメタルUBMとはんだとの間の再現性があって且つ十分に制御された金属間構造IMCを、はんだ内の十分に制御されたグレイン構造とともに実現することの重要性は、はんだバンプの機械的信頼性とエレクトロマイグレーションの信頼性との双方に影響を及ぼし得る。また、冷却中、はんだグレイン構造の核形成及び成長は、形成されたIMCによって強く影響される。図4と図5とを比較することによって例証されるように、リフローの初期段階中にアンダーバンプメタル界面にAgが存在することを阻止することが有利である。図4及び5は、アンダーバンプメタルとはんだとの間の界面領域232、242までラッピング及びポリッシングされたバンプの光学顕微鏡像230、240を示している。色の明暗は異なる材料のはんだ、UBM、及びIMCに対応し、非常に暗い点はボイドである。例えば図4に示されるように、ニッケルUBM層と、約2.5AgのSnAgの単一ステップ電着とを用いると、UBMとSnAgとの間の領域で、高い頻度で界面ボイド234、236、238の発生が起こり得る。対照的に、図5に示されるように、実質純錫の第1層と錫-銀の第2層とを繰り返し用いる開示実施形態においては、そのような界面ボイドの活性は起こっていない。実質純Sn層/溶液槽は、例えば、商業的に入手可能な実質純Sn材料、又は例えばダウケミカル社から入手可能なものなどの溶液槽として参照され得る。次いで図6を参照するに、単一のバンプ構造が断面にて示されている。絶縁膜100によって実質的に囲まれた電気コンタクト要素101を有する構造252を持つワークピース250が用意される。このようなタイプのフィーチャが準周期的なアレイ状に配置されている。ワークピースは、シード層102でコート被覆され、次いで、フォトレジスト104でコートされる。フォトレジスト104は、光パターニングされて、例えばニッケルNi若しくは銅Cu、又はNi及びCuの連続層などのアンダーバンプメタル106が内部に電着される開口を提供する。なお、好適な如何なるアンダーバンプメタルが設けられてもよい。錫以外の金属イオンを含有しない金属イオンコンテンツ内容物の電気めっき浴を用いて、実質的に純粋な錫層121が電着される。ワークピース250は、電気めっき浴を除去するよう洗浄リンスされ得る。そして、同じレジストパターンマスク層104を用いて、錫イオン及び銀イオンを含む金属イオンコンテンツの別のめっき浴にて、錫-銀層122が電着される。実質純Sn層121の厚さTSn、SnAg層の厚さTSnAg、及びSnAg層内のAgAg含有率CSnAgは、次式:Ag=CSnAg×TSnAg/TSnAgTSnに従う最終組成でのAgを実現するように調整される。例えば、TSnAg=TSn、且つCSnAg=3.0により、1.5Agに等しい最終組成Agが達成される。実質的に純粋な銀Agと実質的に純粋な錫Snとを適用してSnAg合金の製造を容易にすること、又は、Ag、次いでCu、次いでSnを適用し、その後にこれらをリフローしてSnAgCu合金を形成することも考えられる。実質純Ag及び実質純Snのめっき用材料は、SnAg合金めっきのものより高価でないので、この方法は一定のコストアドバンテージを有し得る。複数の実質的に純粋な金属層の組み合わせを用いるとき、1Sn表面へのAgの電着は、Sn上への自由なAg浸漬堆積の問題のために制御が困難であり、それにより、析出工程と熱処理リフロー工程との間での製造制御問題を生じさせることになる不安定なSn/Ag界面が生成される;2熱リフロープロセスにおいて実質純Agは溶融せず、それに代えてSn内に分解し、故に、Ag金属層は溶融した錫はんだボール上で不安定であり、Snが溶融するのとAgがSn内へ完全に分解するのとの間の期間中にあちこちと漂流し得る;という2つの理由から、実質純Snを設けるのに先立って、より貴金属側の金属を設ける必要がある。しかしながら、UBM材料の頂部上に直接Agを設けると、金属間層が形成されるリフロープロセスにおいて、SnとUBMとの間のAgの存在が金属間層内でのボイドの形成を引き起こし、それらのボイドがはんだ接合の信頼性を低下させてしまう。SnAg材料はSn材料より数倍高価であるので、本開示に係る実施形態は、例えば、はんだ接合の信頼性を悪化させるという欠点を伴うことなく、はんだ析出コストをおよそ50又はそれ以上低減するなど、実質純Ag及び実質純Snの方法の経済的利益のうちの一部を提供する。次いで図7を参照するに、本開示に係る実施形態を用いる製造プロセスに適した工業用ウェハ電着装置が示されている。開示実施形態は、例えばマサチューセッツ州ビルリカのNEXXシステム社のStratusなど、商業的に入手可能な電着装置にて実現され得る。システム200は、2005年5月12日に公開された国際公開第2005/042804号に開示されているようなフィーチャを組み込み得る。なお、この文献の内容全体をここに援用する。システム200は、例示的なシステムとしてブロック図の形態で示されている。なお、異なる構成及び位置を有した、より多くのモジュール又はより少ないモジュールが設けられてもよい。工業用電着装置200は、上述のようにフォトレジストで事前にパターニングされた基板の挿入及びシステムからの基板の回収のための複数の投入ポート206を含み得る。装填ステーション204は、基板278を基板ホルダー270、272、274に送るロボットアームを有し得る。基板278はその後、搬送手段280によって、モジュール210、212、214、216、260、262、264、266に送られ、連続して処理される。この連続は、銅Cu電着モジュール216、ニッケルNi電着モジュール214、錫Sn電着モジュール212、錫-銀SnAg電着モジュール210を含み得る。基板はその後、装填ステーション204に戻され、装填ステーション204が基板を取り出し基板洗浄モジュール202へと渡す。そして、基板は、基板洗浄モジュール202から投入ポート206へと戻される。例えば脱イオン水を使用する洗浄工程が、電着工程の前後に置かれる。例えば、洗浄モジュール260、262、264、266が設けられ得る。他の例では、モジュール260、262、264及び266は、リンス又は熱処理モジュール及び洗浄モジュールとし得る。コントローラ220が、各ステーション又はモジュール内に設けられて、そのステーション又はモジュール内での処理及び/又は搬送を順序付け得る。システムコントローラ222が、システム200内に設けられて、ステーション間又は処理モジュール間で基板を順序付け、例えばホスト通信、ロットの投入及び取り出し、又はシステム200を制御するのに必要なその他の動作などのシステム動作を調整し得る。コントローラ222は、例えば上述のもののなどの好適な金属イオンコンテンツを有するめっき浴をサポートするように配置された処理モジュール212内で実質的に純粋な錫でワークピースをめっきするようにプログラム可能とし得る。なお、処理モジュール212は、純錫のアノード又は不溶性の白金-チタンPt-Tiアノードの何れかを含み得る。コントローラ222は更に、実質純錫のめっきケミストリの実質的に全てをワークピースから洗い流すことをサポートするように配置されたリンスタンク内でワークピースを洗浄するようにプログラム可能とし得る。コントローラ222は更に、例えば上述のものなどの好適な金属イオンコンテンツを有するめっき浴をサポートするように配置された処理モジュール210内で錫及び銀でワークピースをめっきするようにプログラム可能とし得る。なお、この処理モジュールは、例えば、不溶性のPt-Tiアノード又はその他の好適モジュールを含み得る。コントローラ222又はその他の好適コントローラは更に、ワークピースを熱処理することで錫層と錫-銀層とを相互に混合させて実質的に一様な錫-銀合金フィーチャを形成するように配置された熱処理モジュール内で、ワークピースを熱処理するようにプログラム可能とし得る。コントローラ222は更に、銅電着モジュール216を用いてワークピース上に銅を堆積するようにプログラム可能とし得る。コントローラ222は更に、ニッケル電着モジュール214を用いてワークピース上にニッケルを堆積するようにプログラム可能とし得る。コントローラ222は更に、洗浄モジュール260を用いてワークピースを洗浄するようにプログラム可能とし得る。図示した実施形態においては、4つの電着モジュール210、212、214、216と4つの洗浄モジュール260、262、264、266とが示されている。しかしながら、より多くのモジュール又はより少ないモジュールが設けられてもよい。例として、1つ以上の錫Sn電着モジュール及び1つ以上の錫-銀SnAg電着モジュールのみが設けられてもよい。更なる一例として、1つ以上の錫Sn電着モジュール及び1つ以上の錫-銀SnAg電着モジュールを有する別個のツールが設けられてもよい。更なる一例として、複数のワークピースを並列処理してシステムのスループットを高めることを可能にするよう、複数の重複した電着モジュールが設けられてもよい。従って、システム構成のこのような変形、代替及び変更の全てが包含される。次いで図8を参照するに、例示的な電着処理モジュール210のブロック図が示されている。電着モジュール210は、マサチューセッツ州ビルリカのNEXXシステム社のStratusツールに見られるモジュールが行うような機能を組み込むことができ、また、2005年5月12日に公開された国際公開第2005/042804号に開示されているようなフィーチャを組み込み得る。なお、この文献の内容全体をここに援用する。例示の電着モジュールは、流体302を収容する筐体300を有し、流体302は、循環される電解液であって、筐体300を貫いて流れ得る。ワークピースホルダー272は、搬送部280によって筐体300から取り外されることができ、基板278を保持することができる。2枚の基板が示されているが、ホルダーはより多くの基板又はより少ない基板を保持してもよい。アノード310、312は、遮蔽板314、316、及びパドル若しくは流体撹拌アセンブリ318、320を備えている。なお、より多くのアセンブリ又はより少ないアセンブリが設けられてもよい。例えば、単一のアノードが設けられてもよい。更なる一例として、アノードは筐体300の一部であってもよく、あるいは、遮蔽板314、316、及びパドル若しくは流体撹拌アセンブリ318、320は設けられなくてもよい。本説明に係るプロセス、例えば更に後述するプロセスが、例えば装置200を用いて実行され得る。認識されるように、コントローラ220は、少なくとも部分的に自動的に処理を実現するように好適にプログラムされ得る。次いで図9を参照するに、ワークピース上に鉛フリーはんだバンプを形成する方法を示す例示的なプロセスフロー図400が示されている。この例示実施形態によれば、例えば、ブロック402にて、例えば装置内で、複数の開口を有するパターニングされたレジストマスク層で覆われた導電性シード層を有するワークピースが用意され得る。ブロック404にて、ワークピースは、例えば実質純錫アノード又は不溶性白金-チタンアノードを収容した錫めっき浴に浸漬され得る。ブロック406にて、シード層への電気コンタクトが形成され、ワークピースとアノードとの間に電位が印加されることで実質純錫が堆積され得る。例えば、約2μmと約150μmとの間の厚さの錫が、レジストパターンフィーチャ内に堆積され得る。ブロック408にて、ワークピースがリンスタンクに移動され得る。ブロック410にて、実質的に純粋な錫めっき用ケミストリの実質的に全てがワークピースから洗い流され得る。ワークピースは、ブロック412にて、リンスタンクから取り出され、ブロック414にて、錫イオン及び銀イオンを含有し且つアノード例えば、不溶性の白金-チタンアノードなどを収容しためっき浴内に浸漬され得る。ブロック416によりシード層への電気コンタクトが形成され、ワークピースとアノードとの間に電位が印加されることで錫-銀合金が堆積され得る。例えば、約2μmと約150μmとの間の厚さの錫-銀合金が、レジストパターンフィーチャ内に堆積され得る。ブロック418にて、フォトレジストパターン層が除去され、ブロック420により、めっきされた錫及び錫-銀合金によって覆われていないシード層の実質的に全てが除去され得る。例えばブロック422においてなどで、例えば約210°Cから約230°Cの間でワークピースを熱処理することで、錫層及び錫-銀層が相互に混合されて、所望される実質的に一様な錫-銀合金フィーチャが形成され得る。例示のプロセス400において、錫層及び錫-銀層は好適な如何なる厚さ又は組成を有していてもよく、例えば、錫層は約30μmであり、錫-銀合金層は約30μmであり、錫-銀合金組成は、熱処理前で約1重量と約7重量との間の銀、熱処理後で約0.5重量と約3.5重量との間の銀とし得る。更なる例として、錫層は約10μmであり、錫-銀合金層は約10μmであり、錫-銀合金組成は、熱処理前で約1重量と約7重量との間の銀、熱処理後で約0.5重量と約3.5重量との間の銀とし得る。更なる例として、錫層は錫-銀層の厚さの約1/4とし得る。また、実施形態において、プロセス400は、より多くの工程又はより少ない工程を提供してもよく、あるいは、1つ以上の工程が1つ以上のステップ又はプロセスに組み合わされてもよい。更なる例として、錫層は約1μmから10μmであり、錫-銀層は約20μmと約120μmとの間とし得る。一実施形態によれば、析出によりワークピース上に金属フィーチャを形成する方法が提供される。ワークピースに、電子デバイスのはんだ用のアンダーバンプメタル層が設けられる。アンダーバンプメタル層に直接的に実質的に純粋な錫層が析出される。実質的に純粋な錫層上に錫銀合金層が析出される。この実施形態において、実質的に純粋な錫のめっきケミストリの実質的に全てがワークピースから洗い流され得る。この実施形態において、析出は電着によって達成される。この実施形態において、アンダーバンプメタルは銅又はニッケルの何れかを有する。一実施形態において、導電性シード層を有するワークピース上に鉛フリーはんだバンプを形成するための装置が提供される。導電性シード層は、複数のフィーチャ開口を有するパターニングされたレジストマスク層によって覆われている。当該装置は、レジストパターンフィーチャ内に実質的に純粋な錫の層を析出させるように適応された金属イオンコンテンツを有する第1のめっき浴を有する。リンスタンクが設けられ、純粋な錫のめっきケミストリの実質的に全てをワークピースから洗い流すように適応される。レジストパターンフィーチャ内に錫-銀合金の層を析出させるように適応された金属イオンコンテンツを有する第2のめっき浴が設けられる。この実施形態において、銅電着モジュールが設けられる。この実施形態において、銅電着モジュール及びニッケル電着モジュールが設けられる。この実施形態において、洗浄モジュールが設けられる。一実施形態において、鉛フリーはんだフィーチャを有する電子デバイスが、当該電子デバイスのはんだ用のアンダーバンプメタルの層に直接的に実質的に純粋な錫の層を析出させる工程を有するプロセスによって用意される。実質的に純粋な錫の層上に錫銀合金の層を析出させる工程が提供される。この実施形態において、実質的に純粋な錫のめっきケミストリの実質的に全てを電子デバイスから洗い流す工程が提供され得る。この実施形態において、析出は電着によって達成される。この実施形態において、アンダーバンプメタルは銅又はニッケルの何れかを有する。一実施形態において、ワークピース上に鉛フリーはんだバンプを形成する方法が提供される。当該方法は、ワークピースに導電性シード層を設ける工程を有する。導電性シード層は、複数のフィーチャ開口を有するパターニングされたレジストマスク層によって覆われる。金属イオンコンテンツを有する第1のめっき浴にワークピースが浸漬される。当該方法は、シード層への電気コンタクトを設け、且つ第1のめっき浴の金属イオンコンテンツを介して電位を与えることで、約2μmと約150μmとの間の厚さの実質的に純粋な錫をレジストパターンフィーチャ内に析出させることを有する。金属イオンコンテンツを有する第2のめっき浴にワークピースが浸漬される。シード層への電気コンタクトが形成され、第2のめっき浴の金属イオンコンテンツを介して電位が与えられることで、約2μmと約150μmとの間の厚さの錫-銀合金がレジストパターンフィーチャ内に析出される。この実施形態において、当該方法は、ワークピースをリンスタンクに移動させ、実質的に純粋な錫のめっきケミストリの実質的に全てをワークピースから洗い流し、且つワークピースをリンスタンクから取り出すことを含み得る。この実施形態において、フォトレジストパターニング層の除去が提供される。この実施形態において、めっきされた錫及び錫-銀合金によって覆われていないシード層の実質的に全てが除去される。この実施形態において、約210°Cと約230°Cとの間でワークピースを熱処理することで、錫の層及び錫-銀の層を相互に混合させて、実質的に一様な錫-銀合金フィーチャを形成することが提供される。この実施形態において、錫の層は約30μm厚であり、錫-銀合金の層は約30μm厚であり、錫-銀合金の組成は、熱処理前で約1重量と約7重量との間の銀であり且つ熱処理後で約0.5重量と約3.5重量との間の銀であるとし得る。この実施形態において、錫の層は約1μm厚又は約10μm厚であり、錫-銀合金の層は約20μm厚と約120μm厚との間であるとし得る。この実施形態において、錫の層は約10μm厚であり、錫-銀合金の層は約10μm厚であり、錫-銀合金の組成は、熱処理前で約1重量と約7重量との間の銀であり且つ熱処理後で約0.5重量と約3.5重量との間の銀であるとし得る。この実施形態において、錫の層の厚さは錫-銀合金の層の厚さの約1/4とし得る。一実施形態において、導電性シード層を有するワークピース上に鉛フリーはんだバンプを形成するための装置が提供される。導電性シード層は、複数のフィーチャ開口を有するパターニングされたレジストマスク層によって覆われている。当該装置は、ワークピース上に実質的に純粋な錫の層を析出させるように適応された金属イオンコンテンツを有する第1のめっき浴をサポートするように配置された第1の処理モジュールにて、ワークピースを実質的に純粋な錫層でめっきするようにプログラム可能なコントローラを有する。コントローラは更に、ワークピース上に錫及び銀の層を析出させるように適応された金属イオンコンテンツを有する第2のめっき浴をサポートするように配置された第2の処理モジュールにて、ワークピースを錫及び銀でめっきするようにプログラム可能である。この実施形態において、コントローラは更に、純粋な錫のめっきケミストリの実質的に全てをワークピースから洗い流すことをサポートするように配置されたリンスタンク内でワークピースを洗浄するようにプログラム可能である。この実施形態において、コントローラは更に、銅電着モジュールを用いてワークピース上に銅を析出させるようにプログラム可能である。この実施形態において、コントローラは更に、ニッケル電着モジュールを用いてワークピース上にニッケルを析出させるようにプログラム可能である。この実施形態において、コントローラは更に、洗浄モジュールを用いてワークピースを洗浄するようにプログラム可能である。例示の実施形態において、ワークピース上にパターンをなす鉛フリーバンプを電気化学的に形成するように1つ以上のワークピースを処理する方法が提供される。一実施形態において、鉛フリーバンプは、実質的に2工程からなる析出プロセスによって形成される。第1の工程は、錫イオン例えば、金属イオンコンテンツを含有する電気めっき溶液からの実質的な純錫のマスク堆積によるものであり、第2の工程は、錫イオン及び銀イオン例えば、金属イオンコンテンツを制御して混合したものを含有する電気めっき溶液からの錫-銀合金のマスク堆積によるものである。これら2つの工程が、目標とするレイヤ1及びレイヤ2の厚さ、すなわち、T1及びT2を実現するように制御されるとともに、第2の工程が、後続の熱処理後において、これら2つのレイヤ層が相互に混合して、合金析出工程での析出XAgと実質純錫析出工程での0Agとの間の中間の濃度を有する実質的に一様な錫-銀SnAg合金を形成するよう、X合金組成を実現するように制御される。開示の実施形態は、アンダーバンプメタルUBM表面上での例えばAgなどの貴金属イオン及び有機コンプレクサの浸漬堆積を防止し、UBMとはんだとの界面でのボイド形成の可能性を排する。より貴金属側でない例えば実質的な純錫などがUBM上に電着された後に、より貴金属側の例えばAg及び/又はCuなどとSnとの鉛フリーはんだ合金がSnAg合金又はSnAgCu合金としてSnと共析出され、エレクトロニクスパッケージング用のバンプが形成される。理解されるように、以上の説明は本発明の単なる例示である。当業者によって、本発明を逸脱することなく、様々な代替及び変更が考え出され得る。従って、本発明は、添付の請求項の範囲に入る全てのそのような代替、変更及び変形を包含するものである。"