ハーフトーン位相シフト膜が2層からなり、波長193nmに対する上層の膜の屈折率及び消衰係数が下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さく、波長365nmに対する透過率を34.36~72.12とし、波長193nmに対する透過率を3.91~8.66とし、波長193nmに対する位相差175.0~178.5°とすることを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。上層及び下層の合計膜厚を834~1321Åとすることを特徴とする請求項1に記載の位相シフトフォトマスクブランクス。ハーフトーン位相シフト膜が3層からなり、波長193nmに対する中間層の膜の屈折率及び消衰係数が上層及び下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。ハーフトーン位相シフト膜が3層からなり、波長193nmに対する上層の膜の屈折率及び消衰係数が中間層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。各層の合計膜厚を1095~1258Åとすることを特徴とする請求項3又は4に記載の位相シフトフォトマスクブランクス。ハーフトーン位相シフト膜が4層以上からなり、波長193nmに対する最上層の膜の屈折率及び消衰係数がその直下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。前記ハーフトーン位相シフト膜がMoSiON系の膜であることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の位相シフトフォトマスクブランクス。請求項1~7のいずれかに記載の位相シフトフォトマスクブランクスにウエハー基板に転写すべきパターンが形成されてなることを特徴とする位相シフトフォトマスク。請求項8記載の位相シフトフォトマスクを用いて露光を行い、微細なパターンを有する半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。露光光としてArFエキシマレーザー光を使用することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。波長193nmに対する上層の膜の屈折率及び消衰係数が下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいハーフトーン位相シフト膜であって、ウェハー基板に転写すべきパターンが形成された位相シフトフォトマスクに、ArFエキシマレーザーによる露光を行い、微細なパターンを有する半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。近年の半導体集積回路技術の発展に伴ってパターンの微細化が進むにつれ、露光波長が短波長化し、露光波長の光を減衰させる減衰型の位相シフトフォトマスクに対しては、次のような性能が要求されている。1位相差PSは、PS=175~180°であること。2露光波長λexpにおける透過率Texpは、Texp=2~30であること。3検査波長λinspにおける透過率Tinspは、Tinsp<約40~50例えば、λexp=193nmのとき、λinsp=365nmであること。4露光波長における反射率Rexpは、好ましくは、Rexp<約20であること。5膜厚dは薄い方が好ましいこと。上記従来技術の位相シフト膜の場合、露光波長λexpを短波長化例えば、ArFエキシマレーザー露光の場合、λexp=193nmすると、露光波長における透過率Texpが上記要求透過率よりも低くなってしまう。そのため、露光波長における要求透過率を確保しようとして、この透過率Texpを高くすると、欠陥検査波長における透過率も高くなり過ぎるという問題が生じる。例えば、図2に示す2層膜においては、上記従来技術の場合、空気屈折率:n0その他の気体のような周囲環境に接する上層の膜の屈折率n1-ik1が下層の膜の屈折率n2-ik2よりも大きいため、露光波長における透過率が小さくなり、例えばArFエキシマレーザーの波長に対して満足すべき透過率が得られないという問題がある。これに対して、露光波長における透過率を上げると、通常用いられる位相シフトフォトマスクの欠陥検査波長例えば、λinsp=365nmにおける透過率が大きくなり過ぎるため、欠陥検査が不可能となる。このように、上記従来技術では、近年の半導体集積回路技術の発展に対応しきれなくなっている。なお、欠陥検査装置メーカーの努力により、検査波長が短波長化する傾向にある。従って、検査波長365nmにおける透過率の多少の増大は問題とならなくなる可能性があるが、大幅な透過率増大は大分先にならないと解決されないと思われる。本発明は、上記従来技術のもつ問題点を解決するものであり、短波長の露光波長に対しても十分な透過率が得られ、使用可能であると共に、欠陥検査波長に対しても適切な透過率を有し、満足すべき検査が可能となる位相シフトフォトマスク及びこのマスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス、並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。本発明者らは、上記従来技術の問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、膜の屈折率に着目し、多層膜からなる位相シフト膜の構成を最適化することによって、これらの問題の解決を図り、本発明を完成するに至った。本発明の位相シフトフォトマスクブランクスは、ハーフトーン位相シフト膜が2層からなり、上層の膜の屈折率及び消衰係数が下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とし、これにより、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。また、本発明の位相シフトフォトマスクブランクスは、ハーフトーン位相シフト膜が3層からなり、中間層の膜の屈折率及び消衰係数が上層及び下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とし、これにより、欠陥検査波長における透過率が低くなり、検査が可能となる。3層膜からなる位相シフト膜の場合、基準となる膜構成として、例えば、空気その他の気体/n1、k1、d1/n2、k2、d2/n3、k3、d3/透明基板ただし、n1、n2、n3はそれぞれ上層、中間層、下層の膜の屈折率であり、k1、k2、k3はそれぞれ、上層、中間層、下層の膜の消衰係数であり、d1、d2、d3はそれぞれ上層、中間層、下層の膜厚である。のような構成を考えることができる。さらに、本発明のハーフトーン位相シフト膜が3層からなる場合、上層の膜の屈折率及び消衰係数を中間層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいものとしてもよく、これにより、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。さらにまた、本発明のハーフトーン位相シフト膜が4層以上からなり、最上層の膜の屈折率及び消衰係数がその直下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とし、これにより、露光波長における透過率が高いものが得られる。前記ハーフトーン位相シフト膜はMoSiON系の膜である。その他にMoSiN系の膜、MoSiO系の膜等であってもよい。本発明の位相シフトフォトマスクは、上記位相シフトフォトマスクブランクスにウエハー基板に転写すべきパターンが形成されたものであり、この位相シフトフォトマスクを用いて露光を行い、微細なパターンを有する半導体装置を製造することができる。なお、露光波長として、上記したArFエキシマレーザー露光の場合λexp=193nmの他に、F2レーザー露光の場合、λexp=157nm、KrFエキシマレーザー露光の場合、λexp=248nm等が用いられ得る。本発明によれば、減衰型ハーフトーンの位相シフト膜を2層構成とし、上層の膜の屈折率及び消衰係数を下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくしたので、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。また、本発明によれば、減衰型の位相シフト膜を3層構成とし、中間層の膜の屈折率及び消衰係数を上層及び下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくしたので、欠陥検査波長における透過率が低くなり、欠陥検査が可能になる。さらに、本発明によれば、減衰型の位相シフト膜を3層以上の構成とし、最上層の膜の屈折率及び消衰係数をその直ぐ下の層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくしたので、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。さらにまた、本発明の位相シフトフォトマスクブランクスは、ArFエキシマレーザー露光用位相シフトフォトマスクを得るのに大変有効であり、このフォトマスクを用いて微細なパターンを有する半導体装置の製造が可能になる。以下、本発明の実施例及び比較例を図面を参照して説明する。雰囲気ガスは空気としたn0=1。実施例1本実施例では、図1~5に基づき、本発明の2層膜及び3層膜の膜構成の最適化について従来技術と比較して説明する。図1に示すような単層膜の場合、位相シフト膜fを透過する光Fと位相シフト膜の開口部qを透過する光Qとの位相差PSは次式で与えられる。PS=2πd1/λ1PS=180°πになる膜厚d10は次式で与えられる。d10=λexp/22上式中、n1は位相シフト膜の屈折率であり、n0は空気の屈折率n0=1であり、d1は位相シフト膜の膜厚であり、λexpは露光波長である。図2に示すような2層膜の場合、位相シフト膜を透過する光Fと位相シフト膜の開口部を透過する光Qとの位相差PSは次式で与えられる。PS=PS1PS23ここに、PS1及びPS2は次式で与えられる。PS1=2πd1/λexp4PS2=2πd2/λexp5上式3、4、5からPS=πとなる条件は、次式である。d1/d10d2/d20=16ここに、d10及びd20は次式で与えられる。d10=λexp/27d20=λexp/28上式中、PS1及びPS2はそれぞれ上層及び下層の膜の位相差であり、n1及びn2はそれぞれ上層及び下層の膜の屈折率であり、d1及びd2はそれぞれ上層及び下層の膜の膜厚であり、d10及びd20はそれぞれ上層及び下層の膜の位相差が180°になる膜厚であり、λexpは露光波長である。図3に示すような3層膜の場合、位相シフト膜を透過する光Fと位相シフト膜の開口部を透過する光Qとの位相差PSは次式で与えられる。PS=PS1PS2PS39ここに、PS1、PS2及びPS3は次式で与えられる。PS1=2πd1/λexp10PS2=2πd2/λexp11PS3=2πd3/λexp12上式9~12からPS=πとなる条件は、次式である。d1/d10d2/d20d3/d30=113ここに、d10、d20及びd30は次式で与えられる。d10=λexp/214d20=λexp/215d30=λexp/216上式中、PS1、PS2及びPS3はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の位相差であり、n1、n2及びn3はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の屈折率であり、n0は空気の屈折率n0=1であり、d1、d2及びd3はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の膜厚であり、d10、d20及びd30はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の位相差が180°になる膜厚であり、λexpは露光波長である。図1、2及び3中のnsは基板の屈折率であり、図1中のk1は位相シフト膜の上層の膜の消衰係数であり、図2中のk1及びk2はそれぞれ上層及び下層の膜の消衰係数であり、また、図3中のk1、k2及びk3はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の消衰係数である。以下に示す表1、表2において、RRはアルミニウム真空蒸着膜に対する反射率相対反射率、PS0は膜の吸収を無視したときの位相差、PSは膜の吸収を考慮したときの位相差を表す。上記したように、単層膜、2層膜、3層膜の場合について、位相差πを与える条件について説明したが、以下、2層膜及び3層膜の最適化について説明する。先ず、2層膜の最適化について説明する。上式6から、位相差πを与える位相シフト膜の各層の膜厚オングストロームd1とd2との間には、図4に示すような直線関係がある。この直線に沿った各点F11、F12、F21~F27について、光学特性を計算した結果を表1に示した。その際、位相シフト膜の光学定数は、表4に示すMoSiONスパッター膜350°C、3時間焼鈍品のQ:11、Q:13についての値を用いた。表1において、f1は上層の膜の屈折率が下層の膜の屈折率より高い構成のもの従来膜、f2はその逆の構成のもの本発明膜を表す。表1より、露光波長193nmにおける透過率T193については、f2の方がf1よりも高くなることがわかる。また、露光波長193nmにおける反射率RR193については、f2の方がf1よりも低くなって、好ましい方向へ行くことがわかる。従って、f1従来膜のように、上層の膜の屈折率が下層の膜の屈折率よりも高い位相シフト膜よりも、上層の膜の屈折率が下層の膜の屈折率よりも低い位相シフト膜の方が好ましい。次に、3層膜の最適化について説明する。上式13から、位相差πを与える位相シフト膜の各層の膜厚オングストロームd1、d2及びd3は、図5に示すように、平面F11-F12-F13を3辺とする平面上の点で与えられる。この平面上の点F31、F32、F33、F34についての光学特性の計算結果を表2に示した。表2には、単層膜F11、F12、F13、及び2層膜F21、F22、F23についての計算結果を比較のために示した。表2における膜の基本構成F3jj=1~4及び膜f1~f6の詳細は表3に示す通りである。また、位相シフト膜の光学定数は、表4に示すMoSiONスパッター膜のQ:11、Q:25、Q:13についての値を用いた。表2から、次のことがわかる。膜f1~f6のうち、露光波長193nmにおける透過率T193はf2、f4、f6の膜が高く、欠陥検査波長365nmにおける透過率T365はf3、f5の膜が低い。また、露光波長193nmにおける反射率RR193はf1、f3膜よりもf2、f4、f5、f6膜の方が低い。従って、193nm露光用位相シフト膜としては、露光波長における透過率を高くするには、f2、f4、f6の膜、すなわち上層の膜が中間層の膜よりも低い屈折率をもつことが好ましく、また、欠陥検査波長における透過率を低くするには、f3、f5の膜、すなわち中間層の膜の屈折率が上層及び下層の膜の両方よりも低いことが好ましい。以上の実施例においては、2層膜及び3層膜の最適化について説明したが、4層以上のハーフトーン位相シフト膜の場合についても、最上層の膜の屈折率がその直下層の膜の屈折率よりも小さいものからなる位相シフト膜であれば、最適化され、上記で説明したのと同じように露光波長における透過率が高いものが得られる。実施例2位相シフトフォトマスクブランクスの製作平板型直流マグネトロン装置を用いて、特開平6-220627号公報、特開平8-127870号公報、及びNMotegiYKashimotoKNagatanietalJVacuumSciTechnolVolB131995pp19061909等に記載され、示されたいわゆるLTSロングスロースパッタリング法に従って透明基板上にモリブデンシリサイド酸化窒化膜を形成した。すなわち、この装置内にMoSi2ターゲットを設置し、圧力0.0533~0.107Pa4~8×10-4Torrの下、ArガスとN2Oガスとを表4に示す流量及び流量比で用いる反応性スパッタリングによって、6インチ152.4mm角の厚さ0.25インチ6.35mmの6025石英基板の上にMoSiON膜を形成した。成膜後、350°Cで3時間の熱処理を施して2層膜及び3層膜のMoSiON膜を位相シフト膜とする位相シフトフォトマスクブランクスを製作した。この膜構成は表1及び表2に記載された本発明の膜構成とした。製作されたMoSiON系スパッター膜に関し、反応ガス流量比N2O/ArN2O、volと光学定数との間の関係は図6及び表4に示す通りであった。図6及び表4から明らかなように、反応ガス流量比が大きい程、屈折率nと消衰係数kは小さくなることがわかる。すなわち、MoSiON膜の酸窒化度が高い程、屈折率n及び消衰係数kは小さくなる。また、位相シフト膜としてMoSiON系スパッター膜の代わりに、MoSiN系スパッター膜、MoSiO系スパッター膜を用いた場合も同じような傾向が見られる。実施例3位相シフトフォトマスクの製作実施例2で得た位相シフトフォトマスクブランクス上に電子ビーム用レジスト例えば、日本ゼオン株式会社製のZEP-810S等を塗布し、約5000オングストローム厚さのレジスト膜を形成した。次いで、パターン露光、現像、ドライエッチング、洗浄等の一連の周知のパターン形成処理を施して、位相シフト膜の一部をエッチング除去し、開口部と位相シフト膜とで、ホール或いはドット等のパターンの形成された位相シフトフォトマスクを製作した。この際のドライエッチングは、平行平板型のRFイオンエッチング装置を用い、電極間距離60mm、作動圧力40Pa0.3Torrで、CF4O2混合ガスを用いて、それぞれの流量比を約95容量及び5容量で実施した。このようにして微細なパターンを有するフォトマスクの製作が可能であった。実施例4半導体装置の製造実施例3で得られた位相シフトフォトマスクを用いて、露光光としてArFエキシマレーザー光を使用した露光を行い、感光材の塗布されたウェハー基板上にフォトマスクの所定のパターンを転写し、次いで現像してこの所定のパターンをウェハー上に形成した。以下、公知の製造工程に従って半導体装置を製造した。かくして得られた半導体装置は微細なパターンを有していた。