"結晶成長方向と垂直な面内で共振器長方向と垂直な方向に複数の水平横モードを許容し、出射端面近傍に回折格子が設けられたDBR構造を備え、前記面内での前記共振器長方向と垂直な方向についての前記回折格子の幅が、前記共振器長方向に沿う軸上の一つの位置と、前記軸上で前記一つの位置と異なる他の位置とで異なることを特徴とする半導体レーザ。前記回折格子は前記面内における前記共振器長方向と垂直な方向の幅が,光が多く出力する前端面から後端面に向かうにつれて,広くなることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。前記回折格子は共振器長方向と垂直な方向の幅が,光が多く出力する前端面から後端面に向かうにつれて,狭くなることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。DBR構造を備えた半導体レーザであって、レーザ光の出射する前端面と、前記前端面の反対に位置する後端面と前記前端面から前記後端面へと延びるストライプ領域と、前記ストライプ領域と重なる位置であって前端面近傍の一部の領域に形成された回折格子を備えるDBR層と、を備え、前記回折格子における前記ストライプ領域の端に設けられた部分が、前記回折格子における前記ストライプ領域の中央に設けられた部分よりも、小さいことを特徴とする半導体レーザ。前記回折格子は、前記一部の領域内において前記後端面側から前記前端面側に向かって徐々に幅が減少する形状を有するものであることを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザ。前記回折格子は、前記一部の領域内において前記後端面側から前記前端面側に向かって徐々に幅が増加する形状を有するものであることを特徴とする請求項5に記載の半導体レーザ。ブロードエリア半導体レーザでは、結晶成長方向と垂直な面内で、かつ共振器長方向と垂直な方向に、複数の水平横モードが許容される。ここで、ブロードエリア半導体レーザにおいて、縦モードへの対処としては、回折格子を用いることによって発振波長を単一縦モード若しくはそれに近い波長にすることができる。しかしながら、その一方で、水平横モードは各モード間で回折格子による反射率に殆ど差がないため、水平横モードについては低次のものから高次のものまで多数のモードが存在する状態となる。その結果、従来のブロードエリア半導体レーザは多くの水平横モードで発振し、集光するのが困難であるか、または集光するのに別途複雑な光学系を必要とするという問題があった。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、より低い次数の水平横モードで発振する半導体レーザを提供することを目的とする。第1の発明は、上記の目的を達成するため、半導体レーザであって、結晶成長方向と垂直な面内で共振器長方向と垂直な方向に複数の水平横モードを許容し、出射端面近傍に回折格子が設けられたDBR構造を備え、前記面内での前記共振器長方向と垂直な方向についての前記回折格子の幅が、前記共振器長方向に沿う軸上の一つの位置と、前記軸上で前記一つの位置と異なる他の位置とで異なることを特徴とする。第2の発明は、上記の目的を達成するため、半導体レーザであって、レーザ光の出射する前端面と、前記前端面の反対に位置する後端面と前記前端面から前記後端面へと延びるストライプ領域と、前記ストライプ領域と重なる位置であって前端面近傍の一部の領域に形成された回折格子を備えるDBR層と、を備え、前記回折格子のうち、前記ストライプ領域の中央に設けられた部分の割合よりも、前記ストライプ領域の端に設けられた部分の割合が小さいことを特徴とする。本発明によれば、ストライプ領域周辺からストライプ領域中央に向かうにつれて反射率を高くするように、レーザ光の出射する前端面近傍に回折格子を設けると共に、共振器長方向の位置に応じてその回折格子の幅を変化させている。このような反射率分布により、低次の水平横モードのミラー損失が低減されて、低次の水平横モードでの発振を実現することができる。実施の形態1.図1は、この発明の実施の形態1における発振波長830nm帯のブロードエリア半導体レーザ以下、単に実施の形態1にかかる半導体レーザとも称すを示す共振器長方向断面図である。図1において、各符号が指し示す構成は次のとおりである。1は、n型GaAs基板である。2は、その厚さが2μmの、n型Al0.30Ga0.700.51In0.49Pクラッド層である。3は、その厚さが15nmのアンドープAl0.4Ga0.6As光ガイド層である。4は、その厚さが6nmのアンドープGaAs活性層である。5は、その厚さが15nmのアンドープAl0.4Ga0.6As光ガイド層である。6は、その厚さが25nmのp型Al0.6Ga0.4AsDBR形成層である。7は、その厚さが50nmのp型Al0.4Ga0.6AsDBR埋め込み層である。8は、その厚さが2μmのp型Al0.30Ga0.700.51In0.49Pクラッド層である。9は、その厚さが0.3μmのp型GaAsコンタクト層である。これらの層が順次積層図1のX軸方向への結晶成長されることで、図1に示すブロードエリア半導体レーザが形成されている。10はDBRDistriutedBraggRefelctor部であり、11はFPFabryPerot部である。このように、実施の形態1にかかる半導体レーザはDBR構造を有する半導体レーザである。図1には明記していないが、n型GaAs基板1の側にはn電極が設けられるとともにp型GaAsコンタクト層9の側にはp電極が設けられており、これらの電極へ電圧を印加することにより、図1の矢印方向へと前端面からレーザ光が出射する。DBR部10に設けるべき回折格子は、DBR形成層の一部を周期的にエッチングで除去することで凹凸を形成し、その上にDBR埋め込み層を成長して作製される。図1には、実施の形態1にかかる半導体レーザとともに、説明の便宜上定めたX軸、Y軸、およびZ軸が示されている。X軸は、実施の形態1にかかる半導体レーザにおける結晶成長方向n型GaAs基板1上の各層の結晶成長方向に相当している。Z軸は、実施の形態1にかかる半導体レーザの共振器長方向に相当している。Y軸は、以下に述べる実施の形態1にかかる回折格子の構成を特定するために定めたものであり、共振器長方向Z方向と垂直な方向に並行な軸である。図2は、この発明の実施の形態1によるブロードエリア半導体レーザの回折格子部分を表した模式図である。図2において、12はブロードエリア半導体レーザのストライプ領域である。図2においては、図1と方向が対応するX軸、Y軸、およびZ軸を記載し、さらに便宜上、下記に述べる回折格子構造の幅を指し示す幅寸法としてWを記載している。図2は、p型Al0.6Ga0.4AsDBR形成層6まで成長した後に周期的にエッチングして回折格子の基となる凹凸を形成したYZ平面を、模式的に示している。以下、便宜的に、エッチングを施した部分を回折格子の凹部と呼称し、残した部分を回折格子の凸部と呼称する。エッチングで形成した凹部のそれぞれの間にそれぞれ凸部が位置することになる。符号13は回折格子の凹部であり、符号14は回折格子の凸部である。図2に示すように、ストライプ領域12における前端面側の一部の領域DBR部10には、凹部13が複数個形成されており、その複数の凹部13の間に、1つずつ凸部14が位置している。以下の説明では、回折格子の凹部13および回折格子の凸部14とをまとめて呼称する場合には、回折格子13、14と呼称する。回折格子13、14は、結晶成長方向と垂直な面内に、一定の広がり図2では三角の領域を有する。図2において、符号15は、ブロードエリア半導体レーザのストライプ領域を伝搬する基本0次モードの電界パターンを模式的に図示するものである。図2によれば、本実施形態にかかる回折格子が、半導体レーザの前端面から後端面へ向かうに従って、ZY平面内において、共振器長方向Z方向に対して垂直な方向Y方向の幅Wが、徐々に広くなる構造を有していることが分かる。本実施形態では、回折格子における最も幅広い凹部13、凸部14複数の凹部13のうち最も図2の紙面右側のものは、ストライプ領域12の幅を超えるほどに広い幅寸法を有している。特に、図2に示す本実施形態にかかる回折格子は、前端面をゼロとし後端面に向かう座標軸をZ ́とした場合において、前端面から後端面に向かって、幅=1-cosaZ ́の関数aは定数に従って回折格子の幅を連続的に増加させたものである。ストライプ内の0次モードの電界分布は、ストライプ中央をY=0とした場合におけるcosbYの関数bは定数で変化する。この関数cosbYに従って、ストライプ中央の電界が最も大きくストライプ端に向かうにつれて電界が小さくなる。そこで、本実施形態にかかる半導体レーザは、このような電界分布と回折格子の重なりが大きくなるように、幅=1-cosaZ ́の関数aは定数に従って回折格子の幅を連続的に増加させたものである。本実施形態にかかる半導体レーザでは、図2に示すように共振器長方向から回折格子を見た場合、ストライプ周辺近傍ストライプ領域12における、図2の紙面上側あるいは下側では回折格子の存在する割合が少ない。その一方で、ストライプ中央に向かうに従って、回折格子の存在する割合が大きくなっている。このような傾向を持たせた不均一な分布で回折格子を設けることにより、回折格子による反射率を、ストライプ領域周辺端側で低くしかつストライプ領域中央に向かうにつれて高くすることができる。ブロードエリア半導体レーザのストライプ領域を伝搬する多重水平横モードは、次数の低い水平横モードほどストライプ中央近傍の電界が大きく、その次数が高くなるにつれてストライプ周辺近傍の電界も大きくなるという傾向を有している。図2に示すように共振器長方向に回折格子の幅を変えてストライプ中央の反射率を高く周辺に向かうにつれて低くなる分布を形成すると、ストライプ領域を伝搬する多重水平横モードのうち、低次のモードは高い反射率を感じる一方で、高次のモードほどに感じる反射率は低くなる。反射率が高いことはミラー損失が小さくなることを意味し、少ない利得で発振に達することができる。回折格子の幅を変えてストライプ中央の反射率を高め周辺部の反射率を下げた反射率分布を形成することにより、0次又は0次に近い低次の水平横モードで発振することができる。以上説明した実施の形態1にかかるブロードエリア半導体レーザによれば、より低い次数の水平横モードで発振するブロードエリア半導体レーザを実現することができ、これにより集光しやすくする又は複雑な光学系を不要とする等の効果も得ることができる。なお、本実施の形態では、回折格子の幅を変化させる際の、幅を特定する関数として、1-cosaZ ́という関数を用いた。しかしながら、本発明はこれに限られるものではない。回折格子の幅を直線的に変えても良いし、二次曲線、あるいはその他の各種曲線に従って変化させる構成によっても、同様な効果が得られる。また、本実施の形態では、GaAs活性層を備える波長830nmのブロードエリア半導体レーザを例に説明したが、これに限るものではなく、InGaAsP系の長波長ブロードエリア半導体レーザやその他の波長のブロードエリア半導体レーザ全般に対して本発明を適用しても良い。なお、上記実施の形態にかかる半導体レーザは、ブロードエリア半導体レーザであることから、結晶成長方向と垂直な面内で共振器長方向と垂直な方向に、複数の水平横モードを許容する構造を有している。この構造において、本実施の形態にかかる作用により0次又は0次に近い低次の水平横モードで発振する際には、高次の水平横モードについては、導波路としては許容されるものの、レーザとしては発振しない。なお、複数の水平横モードを許容する構造についての一般的事項として下記のことがいえる。屈折率導波路であれば、ストライプの屈折率、その外側の屈折率の差、およびストライプ幅で決まる。屈折率差が大きくなるほど、また、ストライプ幅が大きくなるほど、許容される水平横モードの数が増す傾向がある。また、波長が短くなるほど、許容される水平横モードの数が多くなる。一方、利得導波路であれば、ストライプ中の利得とストライプ幅で決まる。利得が大きくなるほど、また、ストライプ幅が大きくなるほど、許容される水平横モードの数が増す。また、波長が短くなるほど、許容される水平横モードの数が多くなる。実施の形態2.図3は、この発明の実施の形態2にかかるブロードエリア半導体レーザの回折格子部分を表した模式図であり、DBR形成層まで成長した後に周期的にエッチングして回折格子を形成したYZ平面における模式図である。尚、当該実施の形態は、実施の形態1の構成を変形した実施形態である。同図において、13aは回折格子の凹部、14aは回折格子の凸部である。通常、回折格子は電子ビーム描画装置で作製するので、作製プログラムを簡便にするとスループットが向上する。図3は、共振器長方向Z方向と垂直な方向Y方向の回折格子の幅を連続的に変えたものではなく、5段階にステップ状に変えた例である。回折格子の幅がステップ状に変化しそれに伴い反射率分布もステップ状となるが、ストライプ中央の反射率が高く周辺が低くなるので、ブロードエリア半導体レーザにおいて、低次のモードが発振しやすいことには変わりがない。なお、本実施の形態においては、ステップの段数を5段階としたが、本発明はこれに限るものでなく、5段よりも少ない段数又は多い段数としてもよい。実施の形態3.図4は、この発明の実施の形態3にかかるブロードエリア半導体レーザの回折格子部分を表した模式図であり、DBR形成層まで成長した後に周期的にエッチングして回折格子を形成したYZ平面における模式図である。同図において、13bは回折格子の凹部、14bは回折格子の凸部である。図4によれば、実施の形態3においては、回折格子13、14における共振器長方向Z方向に対して垂直な方向Y方向の幅が、前端面から後端面へ向かうに従って、狭くなっている様子が分かる。このような回折格子の幅の変化の態様は、実施の形態1、2の場合とは逆である。このような形態であっても、共振器長方向から回折格子を見た場合、ストライプ中央には多くの回折格子がありストライプ周辺に向かうにつれて少なくなっている。従って、回折格子による反射率は、ストライプ中央が高くストライプ周辺に向かうにつれて低くなる。従って、図1及び図2の実施の形態1と同様に、ブロードエリア半導体レーザから、次数の低い水平横モード発振を得ることができる。実施の形態4.図5は、この発明の実施の形態4にかかるブロードエリア半導体レーザの回折格子部分を表した模式図であり、DBR形成層まで成長した後に周期的にエッチングして回折格子を形成したYZ平面における模式図である。尚、当該実施の形態は、上記実施の形態3の構成を変形した実施形態である。同図において、13cは回折格子の凹部、14cは回折格子の凸部である。図5は、回折格子の幅を連続的に変えたものではなく、ステップ状に変えた例である。この場合も、回折格子による反射率の分布は、ストライプ中央で高くストライプ周辺で低い分布となる。よって、ブロードエリア半導体レーザから低次の水平横モード発振を得ることができる。実施の形態5.図6は、この発明の実施の形態5にかかるブロードエリア半導体レーザの回折格子部分を表した模式図であり、DBR形成層まで成長した後に周期的にエッチングして回折格子を形成したYZ平面における模式図である。同図において、13dは回折格子の凹部、14dは回折格子の凸部である。ブロードエリア半導体レーザの水平横モードの実効的な広がりは、電界がピーク強度の1/eとなる幅であるスポットサイズで規定することが可能である。同図において、共振器長方向Z方向と垂直な方向Y方向の回折格子の幅が、前端面から後端面へ向かうに従って広くなることは実施の形態1と同じであるが、最も広い回折格子のY方向の幅は、基本モードのスポットサイズとほぼ同じにしている。Y方向の回折格子の幅が、水平横モードの拡がりよりも狭く基本モードのスポットサイズ程度であったとしても、基本モードを含む低次のモードは、高い反射率を感じるため、当該低次のモードで発振する。実施の形態6.図7は、この発明の実施の形態6にかかるブロードエリア半導体レーザの回折格子部分を表した模式図であり、DBR形成層まで成長した後に周期的にエッチングして回折格子を形成したYZ平面における模式図である。尚、同図において、13eは回折格子の凹部、14eは回折格子の凸部である。尚、当該実施の形態は、実施の形態2及び実施の形態5の構成を変形した実施形態である。最も広い回折格子のY方向の幅は基本モードのスポットサイズとほぼ同じであり、かつ共振器長方向はステップ状に幅が変化している。当該実施の形態のように構成しても、低次の水平横モードは、高い反射率を感じるので、選択的に発振するようになる。実施の形態7.図8は、この発明の実施の形態7にかかるブロードエリア半導体レーザの回折格子部分を表した模式図であり、DBR形成層まで成長した後に周期的にエッチングして回折格子を形成した構成についてのYZ平面における模式図である。尚、同図において、13fは回折格子の凹部、14fは回折格子の凸部である。尚、当該実施の形態は、実施の形態3の構成を変形した実施形態である。最も広い回折格子のY方向の幅は、基本モードのスポットサイズとほぼ同じである。共振器長方向Z方向と垂直な方向Y方向の幅は、前端面から後端面へ向かうに従って狭くなっている。当該実施の形態のように構成しても、ブロードエリア半導体レーザの低次の水平横モードは、高い反射率を感じるので、選択的に発振するようになる。実施の形態8.図9は、この発明の実施の形態8にかかるブロードエリア半導体レーザの回折格子部分を表した模式図であり、DBR形成層まで成長した後に周期的にエッチングして回折格子を形成したYZ平面における模式図である。尚、同図において、13gは回折格子の凹部、14gは回折格子の凸部である。尚、当該実施の形態は、実施の形態4及び実施の形態7の構成を変形した実施形態である。最も広い回折格子のY方向の幅は基本モードのスポットサイズとほぼ同じであり、共振器長方向Z方向と垂直な方向Y方向の幅は前端面から後端面へ向かうに従って狭くなり、かつ共振器長方向はステップ状に幅が変化している。当該実施の形態のように構成しても、ブロードエリア半導体レーザの低次の水平横モードは、高い反射率を感じるので、選択的に発振するようになる。なお、上記の各実施の形態にかかる半導体レーザは、それぞれ、面内YZ平面内での共振器長方向Z方向と垂直な方向Y方向についての回折格子13、14の幅Wが、共振器長方向に沿う軸Z軸上の一つの位置と、軸上でこの一つの位置と異なる他の位置とで、異なるという構成を有している。このような関係を有する限り、Z軸上の少なくとも一部の箇所で、ストライプ領域中央側のほうがストライプ領域端側よりも多く回折格子を有することになる。その結果、ストライプ中央の反射率を高め周辺部の反射率を下げた反射率分布を形成することができ、0次又は0次に近い低次の水平横モードで発振することができる。"