"第1の面に第1の電極および第2の電極を有する半導体装置と、前記第1の電極および前記第2の電極を囲むように設けられた枠状の固着部材と、前記第1の電極と電気的に接続された振動片と、前記固着部材を介して前記第1の面に接合され前記振動片を覆う空間を形成する蓋体と、前記第2の電極と電気的に接続され、前記固着部材の内部を通って前記空間の外に延びるリード線と、を有することを特徴とするセンサーデバイス。請求項1に記載のセンサーデバイスにおいて、前記半導体装置の前記第1の面とは反対側の第2の面に外部実装端子を有し、前記リード線が前記第1の面と前記第2の面とを接続する第3の面を経て前記外部実装端子に電気的に接続されていることを特徴とするセンサーデバイス。請求項1または2に記載のセンサーデバイスにおいて、前記外部実装端子および前記リード線の少なくとも一方と前記第2の面および前記第3の面の少なくとも一方との間に絶縁樹脂層を有することを特徴とするセンサーデバイス。請求項1~3のいずれか一項に記載のセンサーデバイスにおいて、前記第2の電極と前記第1の面との間に絶縁樹脂層を有することを特徴とするセンサーデバイス。請求項1~4のいずれか一項に記載のセンサーデバイスにおいて、前記リード線の前記固着部材と接触する面とは異なる面にめっき層が設けられていることを特徴とするセンサーデバイス。第1の面に第1の電極および第2の電極を有する半導体装置の前記第1の面に、前記第1の電極および前記第2の電極を囲む枠状の固着部材を設ける工程と、前記第1の電極に振動片を電気的に接続する工程と、リード線の第1の端部を前記第2の電極と電気的に接続し、前記第1の端部とは反対側の第2の端部と前記第1の端部との間で前記固着部材と接するように前記リード線を設ける工程と、前記第1の面に、前記振動片を覆う空間を形成する蓋体を前記固着部材を介して接合する工程と、を有することを特徴とするセンサーデバイスの製造方法。請求項6に記載のセンサーデバイスの製造方法において、前記リード線を設ける工程が、前記半導体装置の前記第1の面とは反対側の第2の面に外部実装端子を設け、前記リード線を前記第1の面と前記第2の面とを接続する第3の面を経由させて前記外部実装端子に電気的に接続する工程を含むことを特徴とするセンサーデバイスの製造方法。請求項6または7に記載のセンサーデバイスの製造方法において、前記リード線を設ける工程の前に、前記外部実装端子および前記リード線の少なくとも一方と前記第2の面および前記第3の面の少なくとも一方との間に絶縁樹脂層を設ける工程を含むことを特徴とするセンサーデバイスの製造方法。請求項6~8のいずれか一項に記載のセンサーデバイスの製造方法において、前記リード線の前記固着部材と接触する面とは異なる面にめっき層を設ける工程を含むことを特徴とするセンサーデバイスの製造方法。しかしながら、セラミックパッケージは一般に高価であり、センサーデバイスの低コスト化のネックとなっていた。また、パッケージの厚みが、センサーデバイスの薄型化の障壁になるという問題があった。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかるセンサーデバイスは、第1の面に第1の電極および第2の電極を有する半導体装置と、前記第1の電極および前記第2の電極を囲むように設けられた枠状の固着部材と、前記第1の電極と電気的に接続された振動片と、前記固着部材を介して前記第1の面に接合され前記振動片を覆う空間を形成する蓋体と、前記第2の電極と電気的に接続され、前記固着部材の内部を通って前記空間の外に延びるリード線と、を有することを特徴とする。上記構成のセンサーデバイスによれば、従来のセンサーデバイスのようにパッケージを使用せず、半導体装置自体がセンサーデバイスの外形の一部を形成するので、顕著な薄型化を図ることができるとともに、低コスト化が可能になる。[適用例2]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記半導体装置の前記第1の面とは反対側の第2の面に外部実装端子を有し、前記リード線が前記第1の面と前記第2の面とを接続する第3の面を経て前記外部実装端子に電気的に接続されていることを特徴とする。この構成によれば、半導体装置の第2の面をセンサーデバイスの外底面として、蓋体により振動片を封止した超薄型のパッケージ型センサーデバイスを提供することができる。[適用例3]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記外部実装端子および前記リード線の少なくとも一方と前記第2の面および前記第3の面の少なくとも一方との間に絶縁樹脂層を有することを特徴とする。この構成によれば、リード線と半導体装置との間に絶縁樹脂層が介在することから、リード線が半導体装置の角部に直接当たらなくなり、また、絶縁樹脂層がリード線の裏打ちになっているので、リード線の折り曲げ部分に加わるストレスが軽減されクラックや断線を抑えることができる。また、リード線に加わる力が絶縁樹脂層で緩和されて半導体装置に加わる衝撃などが抑制されるので、半導体装置へのダメージを抑制することができる。また、第2の面と外部実装端子との間に絶縁樹脂層が介在する構成とした場合には、外部基板と実装する際の熱や衝撃が絶縁樹脂層により緩和され、半導体装置へのストレスを軽減することができる。[適用例4]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記第2の電極と前記第1の面との間に絶縁樹脂層を有することを特徴とする。この構成によれば、絶縁樹脂層が有する弾性により、外部から加わる衝撃などの力が緩和されて振動片に伝達され難くなり、振動片の周波数温度特性などの特性劣化を抑制することができる。[適用例5]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記リード線の前記固着部材と接触する面とは異なる面にめっき層が設けられていることを特徴とする。発明者は、固着部材として低融点ガラスを用いた場合に、リード線に金などのめっき層を形成すると、リード線と固着部材との密着性が著しく低くなることを見出した。上記構成によれば、特に、固着部材として低融点ガラスを用いたときに、固着部材とリード線との密着不良を回避することができる。[適用例6]本適用例にかかるセンサーデバイスの製造方法は、第1の面に第1の電極および第2の電極を有する半導体装置の前記第1の面に、前記第1の電極および前記第2の電極を囲む枠状の固着部材を設ける工程と、前記第1の電極に振動片を電気的に接続する工程と、リード線の第1の端部を前記第2の電極と電気的に接続し、前記第1の端部とは反対側の第2の端部と前記第1の端部との間で前記固着部材と接するように前記リード線を設ける工程と、前記第1の面に、前記振動片を覆う空間を形成する蓋体を前記固着部材を介して接合する工程と、を有することを特徴とする。上記センサーデバイスの製造方法によれば、半導体装置自体がセンサーデバイスの外形の一部を形成するので著しく薄型化が図られたセンサーデバイスを製造できるとともに、従来のセンサーデバイスのようにパッケージを使用しないことから、低コストにてセンサーデバイスを提供することができる。[適用例7]上記適用例にかかるセンサーデバイスの製造方法において、前記リード線を設ける工程が、前記半導体装置の前記第1の面とは反対側の第2の面に外部実装端子を設け、前記リード線を前記第1の面と前記第2の面とを接続する第3の面を経由させて前記外部実装端子に電気的に接続する工程を含むことを特徴とする。この構成によれば、半導体装置の第2の面をセンサーデバイスの外底面として、蓋体により振動片を封止した超薄型のパッケージ型センサーデバイスを製造することができる。[適用例8]上記適用例にかかるセンサーデバイスの製造方法において、前記リード線を設ける工程の前に、前記外部実装端子および前記リード線の少なくとも一方と前記第2の面および前記第3の面の少なくとも一方との間に絶縁樹脂層を設ける工程を含むことを特徴とする。この構成によれば、リード線と半導体装置との間に絶縁樹脂層が介在することから、リード線が半導体装置の角部に直接当たらなくなり、また、絶縁樹脂層がリード線の裏打ちになっているので、リード線の折り曲げ部分に加わるストレスが軽減されクラックや断線を抑えることができるので、耐衝撃性が高く、信頼性の高いセンサーデバイスを提供することができる。[適用例9]上記適用例にかかるセンサーデバイスの製造方法において、前記リード線の前記固着部材と接触する面とは異なる面にめっき層を設ける工程を含むことを特徴とする。上記構成によれば、特に、固着部材として低融点ガラスを用いたときに、固着部材とリード線との密着不良を回避することができので、信頼性の高いセンサーデバイスを提供することができる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。図1は、センサーデバイスの一実施形態の概略構成を示す模式図であり、aは、振動片としての振動ジャイロ素子側上側から俯瞰した平面図、bは、aのA-A線断面図である。なお、図1aでは、センサーデバイスの主要部を説明する便宜上、蓋体としてのリッドの図示を省略している。また、図2は、センサーデバイスを底面側下側からみた模式平面図である。図1に示すように、センサーデバイス1は、第1の面10aに第1の電極11および第2の電極13が設けられた半導体装置としてのICチップ10と、第1の電極11と電気的に接続されながらICチップ10の第1の面10aに保持された振動片としての振動ジャイロ素子ジャイロ振動片20と、第1の面10a上に振動ジャイロ素子20を囲むように設けられた枠状の固着部材95を介して接合され振動ジャイロ素子20を覆う空間Tを形成する蓋体としてのリッド70と、第2の電極13と電気的に接続され、固着部材95の内部を通って空間Tの外に延びるリード線42と、を備えている。まず、センサーデバイス1における振動片としての振動ジャイロ素子20について詳細に説明する。振動ジャイロ素子20は、圧電材料である水晶を基材主要部分を構成する材料として形成されている。水晶は、電気軸と呼ばれるX軸、機械軸と呼ばれるY軸及び光学軸と呼ばれるZ軸を有している。そして、振動ジャイロ素子20は、水晶結晶軸において直交するX軸及びY軸で規定される平面に沿って切り出されて平板状に加工され、平面と直交するZ軸方向に所定の厚みを有している。なお、所定の厚みは、発振周波数共振周波数、外形サイズ、加工性などにより適宜設定される。また、振動ジャイロ素子20を成す平板は、水晶からの切り出し角度の誤差を、X軸、Y軸及びZ軸の各々につき多少の範囲で許容できる。例えば、X軸を中心に0度から2度の範囲で回転して切り出したものを使用することができる。Y軸及びZ軸についても同様である。振動ジャイロ素子20は、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングウェットエッチングまたはドライエッチングにより形成されている。なお、振動ジャイロ素子20は、1枚の水晶ウェハーから複数個取りすることが可能である。図1aに示すように、本実施形態の振動ジャイロ素子20は、ダブルT型と呼ばれる構成となっている。詳述すると、振動ジャイロ素子20は、中心部分に位置する基部21と、基部21からY軸に沿って延伸された振動部としての一対の検出用振動腕22a,22bと、検出用振動腕22a,22bと直交するように、基部21からX軸に沿って延伸された一対の連結腕23a,23bと、検出用振動腕22a,22bと平行になるように、各連結腕23a,23bの先端側からY軸に沿って延伸された振動部としての各一対の駆動用振動腕24a,24b,25a,25bと、を備えている。各検出用振動腕22a,22bの先端側には、他の部分より幅が大きいX軸方向の長さが大きい略矩形状の錘部26a,26bを有している。同様に、二対の駆動用振動腕24a,24b及び駆動用振動腕25a,25bそれぞれの先端側には、他の部分より幅が大きい略矩形状の錘部27a,27b及び錘部28a,28bを有している。これら錘部26a,26b,27a,27b,28a,28bによって、振動ジャイロ素子20は、小型化を図りながら角速度の検出感度を向上させることができる。また、振動ジャイロ素子20は、一対の固定部19a,19bを備えている。このうち一方の固定部19aは、一対の検出用振動腕22a,22bのうちの一方の検出用振動腕22aに対してY軸の正の方向に配置されている。また、他方の固定部19bは、一対の検出用振動腕22a,22bのうち他方の検出用振動腕22bに対してY軸の負の方向側に配置されている。各固定部19a,19bのX軸方向の長さは、各検出用振動腕22a,22bの錘部26a,26bのX軸方向の長さよりも大きく、例えば、一対の連結腕23a,23b及び基部21のX軸方向の長さの合計と同じ程度である。なお、図示の例では、各固定部19a,19bの平面形状は略矩形であるが、特に限定されるものではない。固定部19a,19bは、各検出用振動腕22a,22bと、各駆動用振動腕24a,24b,25a,25bとから離間して配置されている。各固定部19a,19bは、接合部材12を介してICチップ10に固定される部位となる。図1aに示すように、基部21から一方の固定部19aまでの間には、一対の梁9a,9cが設けられている。このうち一方の梁9aは、基部21から検出用振動腕22aと駆動用振動腕24aとの間を通って延出されて固定部19aに接続され、他方の梁9cは、基部21から検出用振動腕22aと駆動用振動腕25aとの間を通って延出されて固定部19aに接続されている。同様に、基部21から他方の固定部19bまでの間には、一対の梁9b,9dが設けられている。このうち一方の梁9bは、基部21から検出用振動腕22bと駆動用振動腕24bとの間を通って延出されて固定部19bに接続され、他方の梁9dは、基部21から検出用振動腕22bと駆動用振動腕25bとの間を通って延出されて固定部19bに接続されている。各梁9a,9b,9c,9dは、図示するようなS字形状をそれぞれ有することができる。このように、細長く蛇行した形状を有する梁9a~9dによって各固定部19a,19bと基部21が接続されることによって、振動ジャイロ素子20の要部がX軸方向及びY軸方向に弾性を得ることができる。基部21の中心は、振動ジャイロ素子20の重心位置としての重心Gであることができる。X軸、Y軸及びZ軸は、互いに直交し、重心Gを通るものとする。振動ジャイロ素子20は、重心Gに関して点対称であることができる。即ち、振動ジャイロ素子20は、XZ平面に関して面対称であり、かつYZ平面に関して面対称であることができる。また、振動ジャイロ素子20は、検出用振動腕22a,22bに、図示しない検出電極が形成され、駆動用振動腕24a,24b,25a,25bに、図示しない駆動電極が形成されている。振動ジャイロ素子20は、検出用振動腕22a,22bで、角速度を検出する検出振動系を構成し、連結腕23a,23bと駆動用振動腕24a,24b,25a,25bとで、振動ジャイロ素子20を駆動する駆動振動系を構成している。振動ジャイロ素子20は、平面視において、ICチップ10と重なるようにICチップ10の第1の面10a側に配置されている。振動ジャイロ素子20の各固定部19a,19bそれぞれのICチップ10と対向する側の面には、上記各検出電極、各駆動電極から引き出された引き出し電極29が形成されている。次に、半導体装置としてのICチップ10について図面に沿って説明する。ICチップ10には、第1の面10a側にトランジスターやメモリー素子などの半導体素子を含んで構成される集積回路図示せずが形成されている。この集積回路には、振動ジャイロ素子20を駆動振動させるための駆動回路と、角速度が加わったときに振動ジャイロ素子20に生じる検出振動を検出する検出回路とが備えられている。ICチップ10は、図1及び図2に示すように、第1の面10a側に設けられた複数の第1の電極電極パッド11、および、第2の電極13を備えている。第1の電極11、および、第2の電極13は、ICチップ10の集積回路に直接導通して形成されたものである。第1の電極11は振動ジャイロ素子20に接続され、また、第2の電極13は外部実装基板に接続される電極である。本実施形態の第1の電極11は、振動ジャイロ素子20の引き出し電極29と平面視で重なる領域に設けられている。また、第1の面10a上には、パッシベーション膜となる絶縁膜図示せずが形成されている。絶縁膜は、酸化珪素SiO2、窒化珪素Si3N4などの無機絶縁材料、あるいは、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、BCBbenzocyclobutene及びPBOpolybenzoxazoleなどの樹脂を用いて形成することができる。第1の電極11や第2の電極13、あるいはその他の電極は、チタンTi、窒化チタンTiN、アルミニウムAl、銅Cu、または、これらを含む合金などを用いて形成することができる。特に第2の電極13については、後述するリード線に接合する際の接合性を高めるため、その表面にニッケルNi、金Auのメッキを施しておくのが好ましい。このようにすることで、特にさびによる接触性、接合性の低下を防止することができる。また、第1の電極11や第2の電極13、あるいはその他の電極は、ハンダメッキ、ハンダプリコートなどの最表面処理を施したものとしてもよい。第1の面10aの周縁部には、蓋体としてのリッド70の接合に供する枠状の固着部材95が設けられている。本実施形態では、ICチップ10にリッド70を接合する前の状態において、ICチップ10側に設けられたIC側固着部材95aと、リッド70側に設けられたリッド側固着部材95bとの2層により固着部材95が形成されている。固着部材95は、平面視で第1の電極11および第2の電極13を囲むように設けられ、第1の電極11と振動ジャイロ素子20とを電気的に接続しながらICチップ10上に固定した状態において、振動ジャイロ素子20を囲むように設けられている。固着部材95には絶縁性の接合用材料が用いられ、リッド70の材質に応じて種々のものを選ぶことができる。本実施形態では、リッド70にガラスを用いるので、ガラスとICチップ10の材料であるシリコンとの接合に好適な低融点ガラスを用いて固着部材95を形成する。この他、固着部材95には、例えば、樹脂系の接着剤などを用いることができる。図2に示すように、ICチップ10の第1の面10aとは反対側の第2の面底面10bには、センサーデバイス1を外部基板に実装する際に用いる複数の外部実装端子45が配設されている。なお、複数の外部実装端子45の一部は、実装用として用いることの他、センサーデバイス1の動作確認や特性値の計測などに用いるテスト端子や、ICチップ10にデータを書き込む際の入力端子となる書き込み端子として用いることもできる。図1において、複数の第2の電極13には、銅Cuなどの金属により形成されたリード線42の一端が導電性の接合部材14を介して接合されている。接合部材14には、銀ペーストなどの導電性接着剤、金属バンプ、半田、あるいは、樹脂ブロックの表面に電極膜を形成した樹脂コアバンプなど、種々の導電性接合部材を用いることができる。各リード線42はICチップ10の周縁側に向かって延び、固着部材95の内部本実施形態では、IC側固着部材95aとリッド側固着部材95bとの間を通って第1の面10aより外に延びている。第1の面10aより外に延びた各リード線42の他端は、ICチップ10の第1の面10aと第2の面10bとを接続する第3の面側面10cに沿って折り曲げられ、第3の面10cから第2の面10bに再び折れ曲げられて、対応する外部実装端子45に接続されている。リード線42の固着部材95IC側固着部材95a、リッド側固着部材95bと接触する面とは異なる面にはめっき層図示せずが設けられている。めっき層はめっき法により形成された金属層であり、例えば、ニッケル-金Ni-Auを積層させためっき層などを用いることができ、リード線42と第2の電極13との接合部材14を介した接合において接合強度を向上させる効果を奏する。ここで、めっき層を固着部材95と接触する面を回避して形成するのは、固着部材95とめっき層との組み合わせによっては固着部材95とリード線42めっき層との密着力が著しく低下することが知られていることから、それを回避するためである。特に、本実施形態のように、固着部材95として低融点ガラスを用いる場合、リード線42のような金属の表面に形成しためっき層が低融点ガラスとの密着性を阻害することが知られている。第1の電極11上には、振動ジャイロ素子20の固定部19a,19bに設けられた対応する引き出し電極29が位置決めされ、導電性の接合部材12を介して接合されている。これにより、ICチップ10において、各第1の電極11から引き出された集積回路が、接合部材12、および、引き出し電極29を介して振動ジャイロ素子20と電気的に接続される。このとき、接合部材12が有する高さ接合後の高さによって、振動ジャイロ素子20の振動部とICチップ10との間に隙間が設けられている。振動ジャイロ素子20が接合されたICチップ10上には、蓋体としてのリッド70が固着部材95を介して接合されている。これにより、ICチップ10上に接合された振動ジャイロ素子20を覆う空間Tが形成され、その空間Tに振動ジャイロ素子20が封止されている。このとき、必要に応じて、ICチップ10とリッド70とにより形成される空間Tを減圧空間、または不活性ガス雰囲気にして密閉封止することができる。上記構成のセンサーデバイス1によれば、半導体装置としてのICチップ10の第2の面10bを外底面として、リッド70により振動片としての振動ジャイロ素子20を気密封止した超薄型のパッケージ型のセンサーデバイス1を提供することができる。また、従来のようにパッケージを用いていないことから、低コストにてセンサーデバイス1を提供することができる。振動ジャイロ素子の動作ここで、センサーデバイス1の振動ジャイロ素子20の動作について説明する。図3及び図4は、振動ジャイロ素子の動作を説明する模式平面図である。図3は駆動振動状態を示し、図4a、図4bは、角速度が加わった状態における検出振動状態を示している。なお、図3及び図4において、振動状態を簡易に表現するために、各振動腕は線で表してある。まず、振動ジャイロ素子20の駆動振動状態を説明する。図3において、ICチップ10の集積回路駆動回路から駆動信号が印加されることにより、振動ジャイロ素子20は角速度が加わらない状態において、駆動用振動腕24a,24b,25a,25bが矢印Eで示す方向に屈曲振動を行う。この屈曲振動は、実線で示す振動姿態と2点鎖線で示す振動姿態とを所定の周波数で繰り返している。次に、この駆動振動を行っている状態で、振動ジャイロ素子20にZ軸回りの角速度ωが加わると、振動ジャイロ素子20は、図4に示すような振動を行う。まず、図4aに示すように、駆動振動系を構成する駆動用振動腕24a,24b,25a,25b及び連結腕23a,23bには、矢印B方向のコリオリ力が働く。また同時に、検出用振動腕22a,22bは、矢印B方向のコリオリ力に呼応して、矢印C方向に変形する。その後、図4bに示すように、駆動用振動腕24a,24b,25a,25b及び連結腕23a,23bには、矢印B’方向に戻る力が働く。また同時に、検出用振動腕22a,22bは、矢印B’方向の力に呼応して、矢印C’方向に変形する。振動ジャイロ素子20は、この一連の動作を交互に繰り返して新たな振動が励起される。なお、矢印B,B’方向の振動は、重心Gに対して周方向の振動である。そして、振動ジャイロ素子20は、検出用振動腕22a,22bに形成された検出電極が、振動により発生した水晶の歪を検出することで角速度が求められる。センサーデバイスの製造方法次に、センサーデバイスの製造方法について説明する。図5は、センサーデバイス1の製造方法の一実施形態を示すフローチャートである。図5には、振動ジャイロ素子20の製造工程がステップS1-1からステップS1-4まで、ICチップ10の製造工程がステップS2-1からステップS2-6まで、リッド70の製造工程がステップS3-1およびステップS3-2、そして、センサーデバイス1の組立工程がステップS4-1からステップS4-6までにそれぞれ示している。以下、前工程から順に説明する。本実施形態のセンサーデバイス1の製造においては、まず、水晶ウェハーから複数の振動ジャイロ素子20を製造する工程について説明する。振動ジャイロ素子20の製造では、大判の水晶ウェハーに振動ジャイロ素子20を複数並べて形成した後に、ダイシング、あるいは折り取ることなどにより個片の振動ジャイロ素子20に切断して個片化、複数個の振動ジャイロ素子20を同時に得る方法をとることができる。振動ジャイロ素子製造まず、ステップS1-1に示すように、結晶軸に対して所定のカット角で切り出され、所望の厚さおよび表面状態になるように研磨加工された大判の水晶ウェハーを準備する。そして、ステップS1-2に示すように、フォトリソグラフィーを用いたウェットエッチングにより、水晶ウェハーに複数の振動ジャイロ素子の外形を形成する。詳述すると、まず、水晶ウェハーの両主面全体に、エッチングマスクとなり得る、例えばクロムおよび金からなる耐蝕膜をスパッタなどにより形成してからフォトレジストを塗布して、そのフォトレジスト上に振動ジャイロ素子の外形パターニング用のマスクを配置して外形パターンを露光する。そして、フォトレジストの露光により感光した部分を除去する現像を行ってからエッチング液に浸し、感光したフォトレジストを除去した部分の耐蝕膜をエッチングして、水晶ウェハー上に、耐蝕膜からなる振動ジャイロ素子の外形形成用のエッチングマスクを形成する。次に、振動ジャイロ素子の外形形成用のエッチングマスクを形成した水晶ウェハーを、例えばフッ化水素溶液およびフッ化アンモニウム溶液からなるエッチング液に浸漬して、水晶基板の振動ジャイロ素子20の外形に対応した部分が貫通するまでエッチングする。なお、振動ジャイロ素子の外形は、水晶ウェハーから完全に切り離されないようにミシン目状の折り取り部などによりつなげておくことによって、以降の工程を水晶基板ウェハー状態にて効率的に流動することができる。次に、ステップS1-3に示すように、耐蝕膜からなる振動ジャイロ素子の外形形成用のエッチングマスクを剥離する。次に、ステップS1-3に示すように、スパッタリングや蒸着などにより、上記した駆動電極や検出電極あるいは引き出し電極29などの電極形成を行う。電極形成は、振動ジャイロ素子20の外形が形成された水晶ウェハーの表面に、スパッタリングや蒸着により、例えば、クロム層を下地として形成し、その上に金層を積層させたり、フォトリソグラフィーにより積層させた金属を所望の電極パターン形状にパターニングしたりすることにより行うことができる。次に、ステップS1-4に示すように、ダイシング、あるいは上記したミシン目を介して水晶ウェハーから折り取るなどの方法により、水晶ウェハーに形成された複数の振動ジャイロ素子20を個片化する。ICチップ製造次に、半導体装置としてのICチップ10を製造する工程について説明する。ICチップ10の製造では、上記振動ジャイロ素子20の製造と同様に、大判のシリコンウェハーにICチップを複数並べて形成し、後にダイシングすることにより複数個のICチップ10を同時に得る方法をとることができる。まず、ステップS2-1に示すように、シリコンウェハーを準備する。そして、ステップS2-2に示すように、通常の半導体製造プロセスを用いてシリコンウェハーに複数のICチップ10を同時形成するIC製造を行う。次に、ステップS2-3に示すように、スパッタリングや蒸着などにより、上記した第1の電極11や第2の電極13などの電極形成を行う。電極形成をした後で、第1の面10aに絶縁膜パッシベーション膜を形成し、第1の電極11や第2の電極の13の一部を露出させる開口部を形成する。次に、ステップS2-4に示すように、第1の電極11上に振動ジャイロ素子20との接合に供する導電性の接合部材12を形成し、第2の電極13にリード線42との接続に供する導電性の接合部材14を形成する。接合部材14には金属バンプ、半田バンプ、あるいは、樹脂ブロックの表面に電極膜を形成した樹脂コアバンプなど、種々の導電性接合部材を用いることができ、周知の形成方法で形成することができる。ただし、接合部材12,14は、Agペーストなどの導電性接着剤などを用いることもでき、このような場合は、後述するリード線接合工程ステップS4-1や、振動ジャイロ素子載置工程ステップS4-4の直前に接合部材12,14の形成を行う。次に、ステップS2-5に示すように、第1の面10aの周縁部に枠状の固着部材95の一部であるIC側固着部材95aを平面視で第1の電極11および第2の電極13を囲むように形成する。固着部材95には絶縁性の接合用材料が用いられ、リッド70の材質に応じて種々のものを選ぶことができる。本実施形態では、リッド70にガラスを用いるので、ガラスとICチップ10の材料であるシリコンとの接合に好適な低融点ガラスを用いて固着部材95を形成する。次に、ステップS2-6に示すように、ICチップ10をダイシングして個片化する。リッド製造次に、リッド70の製造工程について説明する。まず、ステップS3-1に示すように、リッド70を形成する。本実施形態では、ガラスによりリッド70を形成する。ガラス製のリッド70は、フォトリソグラフィーを用いたエッチングや、サンドブラスト加工などにより形成することができる。次に、ステップS3-2に示すように、リッド70のICチップ10と接合する側の面の周縁部に、上記IC側固着部材95aと同一材料を用いた固着部材95の一部としてのリッド側固着部材95bを形成する。センサーデバイス組立次に、センサーデバイス1の組立工程について説明する。センサーデバイス組立工程では、まず、ステップS4-1に示すように、ICチップ10の第2の電極13にリード線42の一端を接合する。リード線42は、銅などの金属をフォトリソグラフィーを用いてエッチングすることにより形成することができる。上記実施形態のセンサーデバイス1では、リード線42は、外部実装端子45と一体に形成した例を示している図1および図2を参照。リード線42の表面には、めっき処理することにより、例えばニッケル-金を積層しためっき層を形成する。めっき層の形成では、リード線42の固着部材95IC側固着部材95a、リッド側固着部材95bと接触する面にめっきが析出しないように、例えば、めっきマスクを施したうえでめっき処理を行う。このようにして形成したリード線42の一端を、導電性の接合部材14を介して第2の電極13に接合する。接合部材14には、銀ペーストなどの導電性接着剤、金属バンプ、半田、あるいは、樹脂ブロックの表面に電極膜を形成した樹脂コアバンプなど、種々の導電性接合部材を用いることができる。次に、ステップS4-2に示すように、リード線42のフォーミングを行う。本実施形態では、一端を第2の電極13に接合した各リード線42を、ICチップ10の周縁側に向かって延ばし、固着部材95の内部このステップではIC側固着部材95aの上を通し、第1の面10aの端部でICチップ10の第1の面10aと第2の面10bとを接続する第3の面側面10cに沿って折り曲げ、さらに第3の面10cから第2の面10bに再び折り曲げる。そして、外部実装端子45を第2の面10bの所定の位置に固定して外部実装端子を形成するステップS4-3。次に、ステップS4-4に示すように、第1の電極11上の接合部材12上に引き出し電極29を位置合わせして、ICチップ10上に振動ジャイロ素子20を載置する。次に、ステップS4-5に示すように、接合部材12を介して第1の電極11と引き出し電極29との接合を行い、電気的な接続を図るとともに、振動ジャイロ素子20を接合部材12によりICチップ10上に固定する。次に、ステップS4-6に示すように、振動ジャイロ素子20が接合されたICチップ10上に、蓋体としてのリッド70を固着部材95を介して接合する。詳細には、ICチップ10の第1の面10aの周縁部に設けられたIC側固着部材95a上に、リッド70に設けられたリッド側固着部材95bを間にリード線42の一部を挟んで位置合わせし、所定の温度および圧力を印加することによって、IC側固着部材95aおよびリッド側固着部材95bが一体に融着された固着部材95を介してICチップ10とリッド70との固着を行う。このとき、必要に応じて、ICチップ10とリッド70とにより形成される空間Tを減圧空間、または不活性ガス雰囲気にして密閉封止することができる。上記のセンサーデバイス1の製造方法によれば、半導体装置としてのICチップ10の第2の面10bを外底面とした薄型のセンサーデバイスを低コストにて製造することができる。上記実施形態のセンサーデバイスは、下記の変形例として実施することもできる。変形例1図6および図7を用いて、センサーデバイスの変形例1について説明する。図6は、センサーデバイスの変形例1の概略構成を示す模式図であり、aは、振動ジャイロ素子側上側から俯瞰した平面図、bは、aの断面図である。また、図7は、変形例1のセンサーデバイスに用いるリード線が形成されたフレキシブル基板を模式的に示す平面図である。なお、変形例1の説明において、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して説明を省略する。図6に示すように、変形例2のセンサーデバイス101は、ICチップ10と、ICチップ10の第1の面10aに保持された振動ジャイロ素子20と、枠状の固着部材95を介して振動ジャイロ素子20を覆うように接合されるリッド70と、絶縁樹脂層としての絶縁基板41上に、一端が第2の電極13と接続されるリード線42が形成されたフレキシブル基板40と、を備えている。図7に示すように、変形例1のセンサーデバイス101に用いるフレキシブル基板40は、例えばポリイミドなどの可撓性を有し耐熱性が比較的高い絶縁樹脂層としての絶縁基板41上に、複数の外部実装端子45と、各外部実装端子から延び先端側が絶縁基板41から外側にオーバーハングして形成されたリード線42とを有している。このようなフレキシブル基板40は、フォトリソグラフィーを用いた通常のフレキシブル基板プリント配線板と同じ製造工程で製造することができる。このようなフレキシブル基板40は、上記実施形態のセンサーデバイスの製造方法図5を参照において、センサーデバイス組立工程のリード線を接合する工程ステップS4-1の前に製造、準備される。図6に戻り、フレキシブル基板40のリード線42の絶縁基板41からオーバーハングした先端一端は、接合部材14を介して第2の電極13と接合されている。一端が第2の電極13に接合された各リード線42は第1の面10aとの間に絶縁基板41の裏打ちを挟んでICチップ10の周縁側に向かって延び、固着部材95の内部IC側固着部材95aとリッド側固着部材95bとの間を通ってから第3の面側面10cに沿って折り曲げられ、さらに、第3の面10cから第2の面10bに再び折れ曲げられて、絶縁基板41上において対応する外部実装端子45に接続されている。この構成によれば、リード線42とICチップの第1の面10a、第2の面10b、および第3の面10cとの間に絶縁樹脂層としての絶縁基板41が介在することから、ICチップ10の角部にリード線42が直接当たらなくなり、また、絶縁基板41がリード線42の裏打ちになっているので、リード線42の折り曲げ部分に加わるストレスが軽減されクラックや断線を抑えることができる。また、リード線42に加わった力が絶縁基板41で緩和されICチップ10に加わる衝撃などが抑制されるので、ICチップ10が欠けるなどの不具合を回避することができる。また、本変形例では、第2の面10bと外部実装端子45との間にも絶縁基板41が介在する構成となっているので、外部基板と実装する際の熱や衝撃が絶縁基板41により緩和され、ICチップ10へのストレスを軽減することができる。変形例2次に、図8を用いて、センサーデバイスの変形例2を説明する。図8は、センサーデバイスの変形例2の概略構成を示す模式図であり、aは、振動ジャイロ素子側上側から俯瞰した平面図、bは、aの断面図である。なお、変形例2の説明において、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して説明を省略する。図8に示すように、変形例2のセンサーデバイス201は、ICチップ10と、ICチップ10の第1の面に設けられた絶縁樹脂層としての応力緩和層15と、応力緩和層15上に設けられ第1の電極11と電気的に接続された第1の再配置電極111、および、第2の電極13と電気的に接続された第2の再配置電極113と、第1の再配置電極111と電気的に接続され第1の面に保持された振動ジャイロ素子20と、枠状の固着部材95を介して振動ジャイロ素子20を覆うように接合されるリッド70と、を備えている。ICチップ10の第1の面10a側には、所定の弾性を有する絶縁性樹脂からなる絶縁樹脂層としての応力緩和層15が形成されている。応力緩和層15上の、振動ジャイロ素子20の複数の引き出し電極29と対応する位置には、第1の電極11と配線36を介して電気的に接続された第1の再配置電極111が設けられている。また、応力緩和層15上には、第2の電極13と配線37を介して電気的に接続された第2の再配置電極113が設けられている。これらの配線36と第1の再配置電極111および、配線37と第2の再配置電極113により、ICチップ10の集積回路の電極である第1の電極11および第2の電極13を、振動ジャイロ素子20の引き出し電極29、または、外部との接続を図るためのリード線42の接続位置にそれぞれ対応する位置に再配置するための再配置配線が構成されている。このような再配置配線は、ICチップ10の集積回路の微細設計によって位置の制約が大きい第1の電極11や第2の電極13に対して、振動ジャイロ素子20やリード線42との接続に供する第1の再配置電極111および第2の再配置電極113の位置を任意にずらして配置し、ICチップ10上における振動ジャイロ素子20との接続位置の自由度を高めるための重要な構成要素である。応力緩和層15は、例えば、ポリイミド等の弾性樹脂材料により形成することができる。さらに具体的には、例えば、ICチップ10の絶縁膜の表面に感光性のポリイミド材料をコーティングし、フォトリソグラフィーなどのパターニング処理を行う方法により、高さ寸法などの形状を精度よく形成することができる。また、応力緩和層15の材料は、上記したポリイミドに限定されず、弾性樹脂材料として既に公知となっているいずれかの材料を適用することができる。例えば、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテンBCB;benzocyclobutene、ポリベンゾオキサゾールPBO;polybenzoxazole等の樹脂を適用することができる。上記の応力緩和層15や、第1の再配置電極111、第2の再配置電極113、および配線36,37による再配置配線の形成は、上記実施形態のセンサーデバイスの製造方法図5を参照において、ICチップ製造工程の接合部材形成工程ステップS2-4の前に行う。すなわち、ICチップ10の第1の面10aに、第1の電極11や第2の電極13を形成ステップS2-3した後で、第1の面10aの所定の位置に絶縁樹脂層としての応力緩和層15を形成する。応力緩和層15は、絶縁膜の表面に、例えば感光性のポリイミド材料をコーティングし、フォトリソグラフィーなどのパターニング処理を行う方法などにより形成することができる。次に、応力緩和層15上に第1の再配置電極111、第2の再配置電極113、および、配線36,37とによる再配置配線を形成する。次に、ステップS2-4に示すように、第1の再配置電極111および第2の再配置電極113上に、接合部材12,14を形成し、以降、図5に示すフローに沿ってセンサーデバイスの製造を進める。第1の再配置電極111、第2の再配置電極113、および配線36,37は、金Au、銅Cu、銀Ag、チタンTi、タングステンW、チタンタングステンTiW、窒化チタンTiN、ニッケルNi、ニッケルバナジウムNiV、クロムCr、アルミニウムAl、パラジウムPdなどによって形成することができる。なお、第1の再配置電極111、第2の再配置電極113、および配線36,37は、上記材料による単層構造のみならず、複数種類の上記材料を組み合わせた積層構造としてもよく、また、複数種類の金属材料の合金、あるいは、導電性ペーストをパターニングして固化させたものなどを用いて構成してもよい。上記変形例2のセンサーデバイス201の構成によれば、応力緩和層15が有する弾性により、外部から加わる衝撃などの力が緩和されて振動ジャイロ素子20に伝達され難くなり、振動ジャイロ素子20の周波数温度特性などの特性劣化を抑制することができる。以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態およびその変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態では、振動片としての振動ジャイロ素子形成材料として水晶を用いた例を説明したが、水晶以外の圧電体材料を用いることができる。例えば、窒化アルミニウムAlNや、ニオブ酸リチウムLiNbO3、タンタル酸リチウムLiTaO3、チタン酸ジルコン酸鉛PZT、四ほう酸リチウムLi2B4O7、ランガサイトLa3Ga5SiO14などの酸化物基板や、ガラス基板上に窒化アルミニウムや五酸化タンタルTa2O5などの圧電体材料を積層させて構成された積層圧電基板、あるいはジルコン酸チタン酸鉛PbZrx,Ti1-xO3などの圧電セラミックスを用いることができる。また、圧電体材料以外の材料を用いて振動片を形成することができる。例えば、シリコン半導体材料などを用いて振動素子を形成することもできる。また、振動素子の駆動振動の励振方式や検出振動の検出方式は、圧電効果によるものだけに限らない。静電気力クーロン力を用いた静電駆動型や、磁力を利用したローレンツ駆動型などの振動片においても、本発明の構成およびその効果を発揮させることができる。また、振動片としての振動ジャイロ素子の形状は、上記実施形態で説明した所謂WT型に限らない。音叉型やビーム型、あるいは、MEMSジャイロのように櫛歯電極で静電検出する振動片を用いたセンサーデバイスにおいても、本発明の筒状支持部を備えた半導体装置としてのICチップを備えた構成によれば、上述した実施形態に記載したものと同様な効果を得ることができる。また、上記各実施形態では、センサーデバイスに備わる振動片センサー素子として振動ジャイロ素子20を例に挙げたが、これに限定するものではなく、例えば、加速度に反応する加速度感知素子、圧力に反応する圧力感知素子、重さに反応する重量感知素子などでもよい。"