tldD及び/又はtldEならびにdam配列を含む細胞が、tldD及び/又はtldE、ならびにdamヌクレオチド配列の部分的又は全体的欠失あるいは産生されたTldD及び/又はTldE、ならびにDamタンパク質を不活化する1つ又は複数の変異に供される、原核細胞の成長を増加させるための方法。damヌクレオチド配列の3’部分の欠失が、Dam1-59ポリペプチドをコードするヌクレオチド1から開始してヌクレオチド178までのdamオープンリーディングフレームの5’領域を含むdam1-178配列をもたらす、請求項1記載の方法。細胞による酢酸産生が、少なくとも10、好ましくは30低下されている、請求項1~2のいずれかに記載の方法。細胞中のグリコーゲン含量が、少なくとも10倍、好ましくは少なくとも50倍増加している、請求項1~3のいずれかに記載の方法。tldD及び/又はtldE遺伝子を、TldD及び/又はTldEタンパク質を不活化する1つ又は複数の変異に供する工程を含む、細胞中のプラスミド量を増加させるための方法。原核細胞を、damヌクレオチド配列の部分的又は全体的欠失あるいは産生されたDamタンパク質の活性を不活化する1つ又は複数の変異に供する工程をさらに含む、請求項5記載の方法。tldD及び/又はtldE遺伝子あるいはdam遺伝子を、TldD及び/又はTldE、ならびにDamタンパク質を不活化させる1つ又は複数の変異に供する工程を含む、細胞による酢酸産生を低下させるための方法。tldD及び/又はtldE遺伝子あるいはdam遺伝子を、TldD及び/又はTldE、ならびにDamタンパク質を不活化させる1つ又は複数の変異に供する工程を含む、細胞中のグリコーゲン含量を増加させるための方法。細胞を、炭素源を用いて添加した培地中で成長させる、請求項1~8のいずれかに記載の方法。炭素源が、解糖系の炭素源からなる群より選択されるならびに/あるいはグリセロール、ピルビン酸、及び/又は解糖系サッカライドからなる群より選択される、より好ましくはグルコースである、請求項9記載の方法。原核細胞を、csrAヌクレオチド配列の部分的又は全体的欠失あるいは産生されたCsrAタンパク質の活性を不活化する1つ又は複数の変異に供する工程をさらに含む、請求項1~10のいずれかに記載の方法。細胞が細菌細胞である、請求項1~11のいずれかに記載の方法。細菌細胞がエシェリヒアコリEscherichiacoliである、請求項12記載の方法。細菌細胞がクロストリジウム属Clostridiumspである、請求項12記載の方法。細菌細胞がスフィンゴモナス属Sphingomonasspである、請求項12記載の方法。tldD及び/又はtldE、ならびにdamヌクレオチド配列が、部分的に又は全体的に欠失される、あるいは、産生されたTldD及び/又はTldE、ならびにDamタンパク質の活性を不活化させる1つ又は複数の変異を含む、組換え細胞。目的の遺伝子産物をコードする外因性インサート又は外因性ヌクレオチド配列をさらに含む、請求項16記載の組換え細胞。CsrAタンパク質の活性を低下させる1つ又は複数の変異にさらに供されている、請求項16又は17記載の組換え細胞。原核細胞がエシェリヒアコリEscherichiacoliではない、先行する請求項16~18のいずれかに記載の細胞。ラクトバチルス属Lactobacillussp、ビフィドバクテリウム属Bifidobacteriumsp、クロストリジウム属Clostridiumsp、スフィンゴモナス属Sphingomonassp、及びラクトコッカスラクティスLactococcuslactisからなる群より選択される、請求項19記載の細胞。内因性又は外因性化合物の産生のための先行する請求項16~20のいずれかに記載の細胞の使用。グリコーゲンの産生のための先行する請求項16~20のいずれかに記載の細胞の使用。プラスミド産生のための先行する請求項16~20のいずれかに記載の細胞の使用。