酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn2O3mmは5~7の整数、In2O3、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度95以上、比抵抗0.1Ωcm以下であることを特徴とする酸化物焼結体。前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[In]、[Ti]、[Mg]、[Al]、および[Nb]としたとき、[Zn]に対する[In]の比、[Zn][In][Ti][Mg][Al][Nb]に対する[Ti][Mg][Al][Nb]の比は、それぞれ下式を満足するものである請求項1に記載の酸化物焼結体。0.27≦[In]/[Zn]≦0.45[Ti][Mg][Al][Nb]/[Zn][In][Ti][Mg][Al][Nb]≦0.05前記酸化物焼結体に含まれる前記ZnmIn2O3m、前記In2O3、及び前記ZnOの合計に対する各結晶相の体積比は、下式を満足するものである請求項1または2に記載の酸化物焼結体。0.1≦ZnmIn2O3m/ZnmIn2O3mIn2O3ZnO<0.750.05≦In2O3/ZnmIn2O3mIn2O3ZnO≦0.70.05≦ZnO/ZnmIn2O3mIn2O3ZnO≦0.7但し、ZnmIn2O3mはZn5In2O8、Zn6In2O9、Zn7In2O10の合計である。請求項1~3のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲット。請求項1~3のいずれかに記載の酸化物焼結体の製造方法であって、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物とを混合し、黒鉛型にセットした後、焼結温度850~1050°C、該温度域での保持時間1~10時間で焼結する第一の焼結工程と、前記第一の焼結工程後、焼結温度1000~1050°C但し、第一の工程の焼結温度よりも高い温度、該温度域での保持時間0.5~10時間で焼結する第二の焼結工程とを包含すると共に、前記第一の焼結工程と前記第二の焼結工程を、加圧圧力100~500kgf/cm2で行うことを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の異常放電やターゲットの割れを抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法を提供することにある。上記課題を解決し得た本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn2O3mmは5~7の整数、In2O3、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度95以上、比抵抗0.1Ωcm以下であるところに要旨を有するものである。本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[In]、[Ti]、[Mg]、[Al]、[Nb]としたとき、[Zn]に対する[In]の比、[Zn][In][Ti][Mg][Al][Nb]に対する[Ti][Mg][Al][Nb]の比は、それぞれ下式を満足するものである。0.27≦[In]/[Zn]≦0.45[Ti][Mg][Al][Nb]/[Zn][In][Ti][Mg][Al][Nb]≦0.05また本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物焼結体に含まれる前記ZnmIn2O3m、前記In2O3、及び前記ZnOの合計に対する各結晶相の体積比は、それぞれ下式を満足するものである。0.1≦ZnmIn2O3m/ZnmIn2O3mIn2O3ZnO<0.750.05≦In2O3/ZnmIn2O3mIn2O3ZnO≦0.70.05≦ZnO/ZnmIn2O3mIn2O3ZnO≦0.7但し、ZnmIn2O3mはZn5In2O8、Zn6In2O9、Zn7In2O10の合計である。また、上記課題を解決し得た本発明のスパッタリングターゲットは、上記のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットである。また上記課題を解決し得た本発明に係る前記酸化物焼結体の好ましい製造方法は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物とを混合し、黒鉛型にセットした後、焼結温度850~1050°C、該温度域での保持時間1~10時間で焼結する第一の焼結工程と、前記第一の焼結工程後、焼結温度1000~1050°C但し、第一の工程の焼結温度よりも高い温度、該温度域での保持時間0.5~10時間で焼結する第二の焼結工程とを包含すると共に、前記第一の焼結工程と前記第二の焼結工程を、加圧圧力100~500kgf/cm2で行うことに要旨を有する。本発明によれば、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の異常放電やターゲットの割れを抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法を提供することができる。本発明者らは、酸化亜鉛と酸化インジウムとを含む酸化物焼結体について、スパッタリング中の異常放電と割れの発生を抑制することで長時間の安定した成膜が可能であり、しかもキャリア移動度が高い酸化物半導体膜を成膜するのに適したスパッタリングターゲット用酸化物焼結体を提供するため、検討を重ねてきた。その結果、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属以下、M金属というの酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn2O3mmは5~7の整数、In2O3、及びZnOの各結晶相を含み、相対密度95以上、比抵抗が0.1Ωcm以下である構成としたときに所期の目的が達成されることを見出した。詳細には、上記酸化物焼結体をX線回折したときの相構成について、アZnとInは、これらが結合したZnmIn2O3mmは5~7の整数、およびIn2O3、ZnOとして存在し、このような相構成としたときにスパッタリング時の異常放電を大幅に抑制できること、イM金属はキャリア移動度の向上に有用な効果を発揮することウ相対密度と比抵抗を制御することによってスパッタリング中の割れや異常放電の発生の抑制効果を一層向上できること、を突き止めた。エそして、このような相構成を有する酸化物焼結体を得るためには、所定の焼結条件で焼結を行えばよいこと、を見出し、本発明に至った。まず、本発明に係る酸化物焼結体の構成について、詳しく説明する。上述したように本発明の酸化物焼結体は、上記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn2O3mmは5~7の整数、In2O3、及びZnOの各結晶相を含む酸化物焼結体としたところに特徴がある。本発明におけるX線回折条件は、以下のとおりである。分析装置:理学電機製X線回折装置RINT-1500分析条件:ターゲット:Cu単色化:モノクロメートを使用Kαターゲット出力:40kV-200mA連続焼測定θ/2θ走査スリット:発散1/2°、散乱1/2°、受光0.15mmモノクロメータ受光スリット:0.6mm走査速度:2°/minサンプリング幅:0.02°測定角度2θ:5~90°この測定で得られた回折ピークについて、ICDDInternationalCenterforDiffractionDataカードの20-1440、20-1441、06-0416、36-1451に記載されている結晶構造を有する結晶相それぞれ、Zn5In2O8、Zn7In2O10、In2O3、ZnOに対応を特定する。またZn6In2O9は、下記参考文献1、2に記載されている結晶構造を有する結晶相を特定する。参考文献1MNakamuraNKimizukaandTMohriJSolidStateChem861640参考文献2MNakamuraNKimizukaTMohriandMIsobeJSolidStateChem105535549次に上記X線回折によって検出される本発明を特定する化合物について詳しく説明する。ZnmIn2O3m化合物についてZnmIn2O3m化合物相は、本発明の酸化物焼結体を構成する酸化亜鉛と酸化インジウムが結合して形成されるものである。この化合物の結晶構造は六方晶であり、酸化物焼結体のキャリア移動度向上に大きく寄与すると共に、後記するIn2O3、及びZnOと共に含有させることによって、異常放電を大幅に抑制する効果を発現する。ZnmIn2O3m化合物におけるmは5、6、7の少なくともいずれか一つである。なお、ZnmIn2O3m化合物にはZnとIn、およびM金属が固溶している複合酸化物の結晶であるため、mは必ず整数となる。mが4以下、あるいは8以上の整数であると酸化物半導体膜の半導体特性が劣化し、キャリア移動度が低下するため望ましくない。また本発明の酸化物焼結体は、In2O3、及びZnOの各結晶相化合物を必須的に含んでいる。酸化物焼結体にIn2O3、及びZnOを含有させることによって異常放電を抑制できる。そのメカニズムの詳細は不明であるが、酸化物焼結体における上記各相がより均一に分散し、また局部的な導電率、または熱伝導率が向上し、異常放電や割れが抑制されると推察される。本発明の上記各結晶相には、後記するM金属が固溶している場合も含まれ、更にIn2O3、およびZnOには、M金属に加えてZnやInが固溶している場合も含まれる。本発明に用いられるM金属は、スパッタリングによって形成した膜のキャリア移動度の向上に有用な元素である。M金属は、Ti、Mg、AlおよびNbよりなる群から選択され、単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。このうち半導体特性の観点から好ましいM金属は、Ti、Mg、Alである。M金属は酸化亜鉛と酸化インジウムのみからなる酸化物焼結体のキャリア移動度向上に大きく寄与する元素として選択された元素である。M金属を含有しない場合に比べ、本発明で規定するM金属を、好ましくは後記する所定の比率で含有する酸化物焼結体を用いることにより、キャリア移動度が向上する。なお、キャリア移動度向上効果を発現させる上でM金属は、少なくともその一部好ましくはその大部分が上記結晶相に固溶していることが望ましいが、本発明のキャリア移動度向上効果を阻害しない限り、M金属の一部は酸化物として存在していてもよい例えば5体積以下。次に、本発明の酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量原子について説明する。酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[In]、[Ti]、[Mg]、[Al]、[Nb]としたとき、[Zn]に対する[In]の比、[Zn][In][Ti][Mg][Al][Nb]に対する[Ti][Mg][Al][Nb]の比を下記特定の範囲内とすることが上記所望の効果を得る観点からは望ましい。ここで[Ti]、[Mg]、[Al]、[Nb]は、M金属の一種であり、各焼結体において、例えばTiを含まないときは[Ti]=0として算出される。[Zn]に対する[In]の比[In]/[Zn];以下、比率1という。は、好ましくは0.27以上、より好ましくは0.28以上であって、好ましくは0.45以下、より好ましくは0.40以下である。比率1が小さくなると、ZnmIn2O3m]がm≦4の複合酸化物Zn4In2O7などが生成するようになり、抵抗率が高くなってキャリア移動度が低下する。一方、比率1が大きくなると、ZnmIn2O3m]がm≧8の複合酸化物Zn8In2O11などが生成するようになり、キャリア移動度が低下する。また[Zn][In][Ti][Mg][Al][Nb]に対する[Ti][Mg][Al][Nb]の比は、好ましくは0.05以下、より好ましくは0.04以下である。比率2が大きくなると、M金属がInやZnと複合酸化物を生成して薄膜の半導体特性が劣化し、キャリア移動度が低下するからである。なお、比率2の下限については特に限定されないが、薄膜半導体特性の安定化の観点からは好ましくは0.001以上、より好ましくは0.005以上である。次に酸化物焼結体に含まれるZnmIn2O3m但し[ZnmIn2O3m]は[Zn5In2O8]、[Zn6In2O9]、[Zn7In2O10]の合計、以下同じ、In2O3、及びZnOの合計に対する各結晶相の体積比について説明する。以下では、[ZnmIn2O3m][In2O3][ZnO]の合計に対するZnmIn2O3mの比、In2O3比、ZnO比を夫々、[ZnmIn2O3m]比、[In2O3]比、[ZnO]比と呼ぶ。これらの比率を適切に制御することで異常放電を抑制できると共に、スパッタリング時の割れもより一層抑制できる。まず、[ZnmIn2O3m]比は0.1以上とすることが好ましい。[ZnmIn2O3m]比が0.1未満となると、異常放電や割れが多くなる。より好ましい下限は0.2以上、更に好ましくは0.3以上である。また[ZnmIn2O3m]比が多くなりすぎても割れが発生し易くなるため、0.75未満、好ましくは0.7以下、より好ましくは0.6以下である。[In2O3]比は、0.05~0.7であることが好ましい。[In2O3]比が0.05未満の場合、異常放電抑制効果が十分に得られないことがある。一方、[In2O3]比が0.7を超えると、異常放電発生回数が多くなるため望ましくない。[In2O3]比はより好ましくは0.1以上、更に好ましくは0.2以上であって、より好ましくは0.6以下、更に好ましくは0.5以下である。また、[ZnO]比は、0.05~0.7であることが好ましい。[ZnO]比が0.05未満の場合、異常放電抑制効果が十分に得られないことがある。一方、[ZnO]比が0.7を超えると、異常放電発生回数が多くなるため望ましくない。[ZnO]比はより好ましくは0.1以上、更に好ましくは0.2以上であって、より好ましくは0.6以下、更に好ましくは0.5以下である。本発明の酸化物焼結体の結晶相は、実質的にZnmIn2O3m、In2O3、及びZnOで構成されていることが望ましく、他の含み得る結晶相としては製造上不可避的に生成されるZn2TiO4、InNbO4などを5体積程度の割合で含んでいてもよい趣旨である。なお、不可避的に生成する結晶相の割合は、XRDによって測定することができる。本発明の酸化物焼結体、更には当該酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットは、相対密度95以上、比抵抗0.1Ωcm以下であるところに特徴がある。相対密度95以上本発明の酸化物焼結体は、相対密度が非常に高く、95以上であり、好ましくは97以上である。高い相対密度は、スパッタリング中での割れやノジュールの発生を防止し得るだけでなく、安定した放電をターゲットライフまで連続して維持するなどの利点をもたらす。比抵抗0.1Ωcm以下本発明の酸化物焼結体は、比抵抗が小さく、0.1Ωcm以下であり、好ましくは0.01Ωcm以下である。これにより、異常放電を抑制でき、一層スパッタリング中での異常放電を抑制した成膜が可能となり、スパッタリングターゲットを用いた物理蒸着スパッタリング法を表示装置の生産ラインで効率よく行うことができる。次に、本発明の酸化物焼結体を製造する方法について説明する。本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;M金属の酸化物の各粉末を混合および焼結して得られるものであり、またスパッタリングターゲットは酸化物焼結体を加工することにより製造できる。図1には、酸化物の粉末をa混合粉砕→b乾燥造粒→c予備成形→d脱脂→eホットプレスして得られた酸化物焼結体を、f加工→gボンディングしてスパッタリングターゲットを得るまでの基本工程を示している。上記工程のうち本発明では、以下に詳述するように焼結条件eホットプレスを適切に制御したところに特徴があり、それ以外の工程は特に限定されず、通常用いられる工程を適宜選択することができる。以下、各工程を説明するが、本発明はこれに限定する趣旨ではない。まず、酸化亜鉛粉末、酸化インジウム粉末、およびM金属の酸化物の粉末を所定の割合に配合し、混合粉砕する。用いられる各原料粉末の純度はそれぞれ、約99.99以上が好ましい。微量の不純物元素が存在すると、酸化物半導体膜の半導体特性を損なう恐れがあるためである。各原料粉末の配合割合は、比率が上述した範囲内となるように制御することが好ましい。a混合粉砕は、ポットミルを使い、原料粉末を水と共に投入して行うことが好ましい。これらの工程に用いられるボールやビーズは、例えばナイロン、アルミナ、ジルコニアなどの材質のものが好ましく用いられる。この際、均一に混合する目的で分散剤や、後の成形工程の容易性を確保するためにバインダーを混合してもよい。次に、上記工程で得られた混合粉末について例えばスプレードライヤなどでb乾燥造粒を行うことが好ましい。乾燥造粒後、c予備成形をする。成形に当たっては、乾燥造粒後の粉末を所定寸法の金型に充填し、金型プレスで予備成形する。この予備成形は、ホットプレス工程で所定の型にセットする際のハンドリング性を向上させる目的で行われるため、0.5~1.0tonf/cm2程度の加圧力を加えて成形体とすればよい。なお、混合粉末に分散剤やバインダーを添加した場合には、分散剤やバインダーを除去するために予備成形後の成形体を加熱してd脱脂を行うことが望ましい。加熱条件は脱脂目的が達成できれば特に限定されないが、例えば大気中、おおむね500°C程度で、5時間程度保持すればよい。脱脂後、所望の形状の黒鉛型に成形体をセットしてeホットプレスにて焼結を行う。黒鉛型は還元性材料であり、セットした成形体を還元性雰囲気中で焼結できるため、効率よく還元が進行して比抵抗を低くすることができる。本発明では焼結を2段階の加熱工程にわけて行うことによって図2、所望の結晶相構成とし、相対密度を高めることができる。詳細な機構は明らかではないが、第一の焼結工程で焼結体の緻密化と還元が進行し、第二の焼結工程で更に緻密化と還元が進行すると共に原料酸化物の固溶反応が進んで所望の複合酸化物ZnmIn2O3mm=5、6、7が生成すると考えられる。また焼結を2段階の工程に分けて行うことで、焼結体の緻密化と複合酸化物生成を夫々最適な条件で実施できるため、所望の結晶相を有する酸化物焼結体が高い相対密度で得られると推定されると共に、分散性が飛躍的に向上する。第一の焼結工程の条件は、焼結温度:850~1050°C、該温度での保持時間:1~10時間で焼結を行う。焼結温度が850°C未満、あるいは1050°C超となると、95以上の相対密度を達成できない。好ましい焼結温度は900°C以上、1000°C以下である。また焼結時間が短すぎると十分に緻密化できず、95以上の相対密度を達成できない。したがって焼結時間は1時間以上、好ましくは2時間以上、より好ましくは4時間以上である。なお、焼結時間を長くすれば、相対密度も高くできるが、生産性が悪化することから、10時間以下、好ましくは8時間以下、より好ましくは6時間以下である。第二の焼結工程の条件は、第一の焼結工程と同じ焼結温度の範囲1000~1050°Cであるが、第一の工程の焼結温度よりも高い温度とし、該温度での保持時間:0.5~10時間で焼結を行う。焼結温度が第一の工程の焼結温度よりも低いと上記所望の複合酸化物を十分に生成できず、酸化物半導体膜の特性が劣る。したがって焼結温度は第一の工程の焼結温度よりも高い温度で、且つ1000°C以上、好ましくは1010°C以上とする。一方、焼結温度が高すぎると複合酸化物への固溶反応が過大に進行して所望の酸化亜鉛、酸化インジウム量が確保できなくなる。したがって焼結温度は第一の工程の焼結温度よりも高い温度で、且つ1050°C以下、好ましくは1040°C以下とする。また焼結時間が短すぎると、十分な量の複合酸化物を確保できなくなる。したがって焼結時間は0.5時間以上、好ましくは1時間以上、より好ましくは2時間以上とする。一方、焼結時間が長すぎると上記固溶反応の過大進行により酸化亜鉛量等が確保できなくなる。したがって焼結時間は10時間以下、好ましくは8時間以下、より好ましくは6時間以下とする。上記2段階の焼結工程においてホットプレス時の加圧条件は、第一の焼結工程、第二の焼結工程共に、100~500kgf/cm2程度の圧力を加える。圧力が低すぎると緻密化が十分に進まないことがある。一方、圧力が高すぎると黒鉛型が破損する恐れがあり、また緻密化促進効果が飽和すると共にプレス設備の大型化が必要となる。好ましい加圧条件は200kgf/cm2以上、400kgf/cm2以下である。なお、加圧条件は第一の焼結工程と第二の焼結工程で同一あるいは異なる圧力としてもよいが、生産性の観点から同一圧力で行うことが望ましい。昇温速度は特に限定されず、例えば第一の焼結工程の温度域までの昇温速度は10~20°C/分程度であり、第一の焼結工程後、第二の焼結工程の温度域までの昇温速度は2~10°C/分程度でよい。焼結工程では、H2、メタン、CO等の還元性ガス、Ar、N2などの不活性ガス雰囲気で行うことが望ましい。特に黒鉛型を使用する本発明では、黒鉛の酸化、消失を抑制するために、焼結雰囲気を不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。雰囲気制御方法は特に限定されず、例えば炉内にArガスやN2ガスを導入することによって雰囲気を調整すればよい。また雰囲気ガスの圧力は、蒸気圧の高い酸化亜鉛の蒸発を抑制するために大気圧とすることが望ましい。上記のようにして酸化物焼結体を得た後、常法により、f加工→gボンディングを行なうと本発明のスパッタリングターゲットが得られる。このようにして得られるスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗も、酸化物焼結体と同様、非常に良好なものであり、好ましい相対密度はおおむね95以上であり、好ましい比抵抗はおおむね0.1Ωcm以下である。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、下記実施例に限定されず、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適切に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。酸化亜鉛粉末純度99.99、酸化インジウム粉末純度99.99、および酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ニオブの各粉末各純度99.99を表2に示す比率で配合し、水と分散剤ポリカルボン酸アンモニウムを加えてナイロンボールミルで20時間混合した。次に、上記工程で得られた混合粉末について乾燥、造粒を行った。このようにして得られた粉末を金型プレスにて予備成形した後成形圧力:1.0tonf/cm2、成形体サイズ:φ110×t13mm、tは厚み、大気雰囲気下で500°Cに昇温昇温速度1°C/minし、該温度で5時間保持して脱脂した。得られた成形体を黒鉛型にセットし、表3に示す条件A~Eでホットプレスを行った。プレス圧力は第一の焼結工程、第二の焼結工程共に一定とした。また、ホットプレス炉内にはN2ガスを導入し、N2雰囲気下で焼結した。得られた焼結体を機械加工してφ100×t5mmに仕上げ、Cu製バッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを製作した。このようにして得られたスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付け、DC直流マグネトロンスパッタリングを行なった。スパッタリング条件は、DCスパッタリングパワー150W、Ar/0.1体積O2雰囲気、圧力0.8mTorrとした。さらにこの条件で成膜した薄膜を使用して、チャネル長10μm、チャネル幅100μmの薄膜トランジスタを作成した。相対密度の測定相対密度は、スパッタリング後、ターゲットをバッキングプレートから取り外して鏡面研磨し、反射電子顕微鏡SEMで観察して気孔率を測定して求めた。具体的にはSEM観察1000倍して写真撮影し、50μm角の領域における気孔占有面積率を測定して気孔率とした。異なる任意の20視野を観察し、その平均値を当該試料の平均気孔率とした。100から気孔率を引いた値を焼結体の相対密度とした。相対密度は95以上を合格と評価した。比抵抗の測定焼結体の比抵抗は、上記製作したスパッタリングターゲットについて四端子法により測定した。比抵抗は0.1Ωcm以下を合格と評価した。結晶相の比率各結晶相の比率は、スパッタリング後、ターゲットをバッキングプレートから取り外して10mm角の試験片を切出し、X線回折で回折線の強度を測定して求めた。分析装置:理学電機製X線回折装置RINT-1500分析条件:ターゲット:Cu単色化:モノクロメートを使用Kαターゲット出力:40kV-200mA連続焼測定θ/2θ走査スリット:発散1/2°、散乱1/2°、受光0.15mmモノクロメータ受光スリット:0.6mm走査速度:2°/minサンプリング幅:0.02°測定角度2θ:5~90°この測定で得られた回折ピークについて、ICDDInternationalCenterforDiffractionDataカードに基づいて表1に示す各結晶相のピークを同定し、回折ピークの高さを測定した。なおZn6In2O9については、ICDDカードに記載がないため、上記参考文献1、2に示される結晶構造に基づき、結晶構造因子計算により理論回折強度を求め、測定するピークを決定した。これらのピークは、当該結晶相で回折強度が十分に高く、他の結晶相のピークとの重複がなるべく少ないピークを選択した。各結晶相の指定ピークでのピーク高さの測定値をそれぞれIZnmIn2O3m、IIn2O3、IZnOとしIは測定値であることを表す意味、下式によって[ZnmIn2O3m]表4中、P1、[In2O3]表4中、P2、[ZnO]表4中、P3の体積比率を求めた。[ZnmIn2O3m]=IZnmIn2O3m/IZnmIn2O3mIIn2O3IZnO[In2O3]=IIn2O3/IZnmIn2O3mIIn2O3IZnO[ZnO]=IZnO/IZnmIn2O3mIIn2O3IZnO結晶相の比率は[ZnmIn2O3m]は0.1~0.75未満、[In2O3]は0.05~0.7、[ZnO]は0.05~0.7を合格と評価した。異常放電割れ異常放電は、スパッタリング中の異常放電の回数を測定して評価した。具体的には、1分間のスパッタリングを300回繰り返し、スパッタリング後に取り出したターゲットを目視で観察し、異常放電の痕跡、および割れの個数を数えることで求めた。異常放電は、異常放電回数が6回以下を合格と評価した。また割れはターゲットに割れが発生していない場合を合格とした。キャリア移動度キャリア移動度は、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用いて作成したチャネル長10μm、チャネル幅100μmの薄膜トランジスタの移動度を測定した。キャリア移動度は15cm2/Vs以上を合格と評価した。結果を表4に示す。本発明の好ましい組成、製造条件を満足するNo.1~5、9~11は異常放電と割れが抑制されていると共に、高いキャリア移動度を示した。すなわち、スパッタリングを行なったところ、異常放電の発生は6回以下であり、割れも発生せず、安定して放電することが確認された。また、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗も良好な結果が得られた。上記薄膜のキャリア移動度も15cm2/Vs以上の高いキャリア移動度が得られた。一方、本発明の好ましい組成を満足しないNo.6~8、及び好ましい製造条件を満足しないNo.12、13については、異常放電が多く発生したり、割れが発生し、またキャリア移動度が低いなど所望の効果を得ることができなかった。具体的には、No.6~8の組成は、いずれもInとZnの比率[In]/[Zn]が、本願規定を外れていた。酸化物焼結体には、Zn4In2O7m=4、Zn8In2O11m=8が検出された。No.6~8はキャリア移動度が低かった。なお、No.6のZn4In2O7の体積比は0.25であった。No.7のZn4In2O7の体積比は0.34であった。No.8のZn8In2O11の体積比は0.45であった。No.12は第二の焼結工程における保持温度T2が本発明の規定を外れる例であり、焼結体の相対密度が低く、異常放電の回数が多かった。No.13は、第一の焼結工程における温度T1が本発明の規定を外れており、相対密度が低く、異常放電の回数が多かった。またこのターゲットには割れも発生していた。