"搬送対象物である基板の支持基体となる板状体と、前記板状体の面上に設けられた複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部と、を有することを特徴とする基板搬送機構。搬送対象物である基板の支持基体となる板状体と、前記板状体の面上に複数の凸部が配置されてなる第一支持部と、前記面上の前記第一支持部とは異なる位置に複数の凸部が配置されてなる第二支持部とを有し、前記第一支持部と前記第二支持部とは前記面上で同心円状に配置されていることを特徴とする基板搬送機構。前記基板支持部は、前記基板の外周端縁よりも内側を支持するように配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板搬送機構。前記基板支持部を構成する複数の凸部は、前記基板の平面中心点を基準として点対称、或いは前記基板の中心点を通る線分を基準として線対称となるように配置されており、複数の前記凸部のうち、対象位置にある前記凸部は、前記基板に対する支持面積が互いに等しく構成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の基板搬送機構。基板を処理する処理室と、前記処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備し、前記搬送装置は、前記基板を支持する基板搬送機構と、前記基板搬送機構を移動させる搬送機構移動部とを備え、前記搬送機構は、搬送対象物である前記基板の支持基体となる板状体と、前記板状体の面上に設けられた複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部と、を有することを特徴とする基板処理装置。前記搬送機構移載部は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転自在に構成され、水平方向に移動自在に構成されていることを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。基板を処理する処理室と当該処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備して構成された基板処理装置を用いて行う半導体装置の製造方法であって、前記処理室内へ前記搬送装置が前記基板を搬入する基板供給工程と、前記処理室内にて前記基板を処理する処理工程と、前記処理室内から前記搬送装置が前記基板を搬出する基板搬出工程とを備え、前記基板供給工程と前記基板搬出工程の少なくとも一方では、搬送対象である基板の被支持面を、複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部にて支持することを特徴とする半導体装置の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載の基板搬送機構では、基板に反りや撓み等の変形が生じた場合に、当該基板が支持部以外の箇所に接触したり、支持部での基板保持力基板と支持部との摩擦力の低下による擦れが生じたりするおそれがある。このような接触や擦れ等は、キズやパーティクル等の発生を招く要因となる。また、基板に変形が生じた場合に、支持部材と基板との接触面積が減少してしまい、基板保持力が低下することがある。基板保持力が低下すると、上述したように基板に対する搬送能力が低下することになる。本発明は、基板変形によるキズやパーティクル等の発生を抑制するとともに、基板変形に伴う基板保持力低下を抑制して安定した高速搬送を実現可能とする基板搬送機構、基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、搬送対象物である基板の支持基体となる板状体と、前記板状体の面上に設けられた複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部と、を有する基板搬送機構が提供される。本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備し、前記搬送装置は、前記基板を支持する基板搬送機構と、前記基板搬送機構を移動させる搬送機構移動部とを備え、前記搬送機構は、搬送対象物である前記基板の支持基体となる板状体と、前記板状体の面上に設けられた複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部と、を有する基板処理装置が提供される。本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する処理室と当該処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備して構成された基板処理装置を用いて行う半導体装置の製造方法であって、前記処理室内へ前記搬送装置が前記基板を搬入する基板供給工程と、前記処理室内にて前記基板を処理する処理工程と、前記処理室内から前記搬送装置が前記基板を搬出する基板搬出工程とを備え、前記基板供給工程と前記基板搬出工程の少なくとも一方では、搬送対象である基板の被支持面を、複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部にて支持する半導体装置の製造方法が提供される。本発明に係る基板搬送機構、基板処理装置および半導体装置の製造方法によれば、基板の外周端縁近傍のみで当該基板を支持する従来構成に比べて、基板に変形が生じた場合であってもキズやパーティクル等の発生を抑制することができる。さらには、基板変形に伴う基板保持力低下を抑制することができ、安定した高速搬送が実現可能となる。<本発明の一実施形態>以下に、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。1基板処理装置の構成先ず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成例について説明する。ここでは、基板処理装置がレジスト除去を行うアッシング装置である場合を例に挙げる。図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。図2は、図1に示す基板処理装置の一部分の垂直断面図である。図3は、図1に示す基板処理装置における処理室群内の垂直断面図である。図4は、図1に示す基板処理装置における上処理室と下処理室の垂直断面図である。図1に示すように、本実施形態に係る基板処理装置10は、筐体11と、当該基板処理装置10の各構成部を制御するコントローラ84と、を備えている。筐体11内には、搬送室12を中心として、二つのロードロック室14a,14bと、第一の処理室群116および第二の処理室群117と、が配置されている。搬送室12と各ロードロック室14a,14bとの間にはゲートバルブ不図示が設けられており、そのゲートバルブを開けることで搬送室12内と各ロードロック室14a,14b内とが連通可能なように構成されている。また、搬送室12と各処理室群116,117との間にも図示せぬゲートバルブが設けられており、そのゲートバルブを開けることで搬送室12内と各処理室群116,117内とが連通可能なように構成されている。筐体11外には、ロードロック室14a,14bと面するように、フロントモジュールであるEFEMEquipmentFrontEndModule18が配置されている。EFEM18は、例えば、基板であるウエハを25枚ストックするフープFOUP:FrontOpenUnifiedPodを3台搭載できるように構成されている。また、EFEM18内には、大気中にて同時に複数枚5枚を移載することが可能な大気ロボット不図示が載置されており、その大気ロボットが各ロードロック室14a,14bとの間のウエハ移載を行うようになっている。図2に示すように、各ロードロック室14a,14b内には、例えば25枚のウエハ1を縦方向に一定間隔を隔てて収容する基板支持体ボート20が設けられている。この基板支持体20によって、各ロードロック室14a,14b内にウエハ1が保持されることになる。基板支持体20は、例えば炭化珪素やアルミ等で構成されており、上部板22と下部板24とを接続する例えば三つの支柱26を有する。支柱26の長手方向内側には例えば25個の載置部28が平行に形成されている。また、基板支持体20は、ロードロック室14a,14b内において、鉛直方向上下方向に移動するように構成されているとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するように構成されている図中矢印参照。搬送室12内には、ロードロック室14a,14bと、第一の処理室群116および第二の処理室群117との間で、ウエハ1を搬送する搬送装置であるロボット30が設けられている。ロボット30は、ツィーザと呼ばれる基板搬送機構32と、当該基板搬送機構32を移動させる搬送機構移動部としてのアーム34と、を備えている。基板搬送機構32は、上ツィーザ32aおよび下ツィーザ32bから構成されている。上ツィーザ32aおよび下ツィーザ32bは、例えば同一の形状をしており、上下方向に所定の間隔で離間され、アーム34からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、それぞれが搬送対象物であるウエハ1を支持するようになっている。また、アーム34は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するとともに、水平方向に移動可能なように構成されている図中矢印参照。搬送室12と第一の処理室群116とは、ゲートバルブ35を介して連通している。したがって、搬送室12内のロボット30は、ゲートバルブ35を介して、ロードロック室14a,14b内にストックされた未処理のウエハ1を上ツィーザ32aおよび下ツィーザ32bにより同時に2枚ずつ第一の処理室群116内へ移載し、処理済のウエハ1を第一の処理室群116内から上ツィーザ32aおよび下ツィーザ32bにより一度に2枚ずつロードロック室14a,14b内へ移載することができる。また、第二の処理室群117についても全く同様であり、搬送室12内のロボット30は、ゲートバルブ35を介して、ロードロック室14a,14b内の未処理のウエハ1を同時に二枚ずつ第二の処理室群117内へ移載し、処理済のウエハ1を第二の処理室群117内から一度に2枚ずつロードロック室14a,14b内に移載することができる。ここで、第一の処理室群116の構成を説明する。なお、第一の処理室群116と第二の処理室群117とは略同一構造であるので、ここでは第一の処理室群116についてのみ説明し、第二の処理室群117についてはその説明を省略する。第一の処理室群116内には、図1~図3に示すように、互いに隣接する二つの下処理室16a,16bが配置されている。下処理室16aと下処理室16bとは、これらの間に設けられた連接空間48を介して連通している。これら下処理室16a,16bは、搬送室12の側からみて、下処理室16a、下処理室16bの順で直列に並ぶように配置されている。なお、第一の処理室群116と略同一構造である第二の処理室群117においても、搬送室12の側からみて下処理室17aと下処理室17bとが順に直列に並んでいる。そして、上面からみて、下処理室16a,16bの中心を結ぶ直線と、下処理室17a,17bの中心を結ぶ直線とが、互いに略平行となるように、それぞれが配置されている図1参照。下処理室16a,16b内には、それぞれ、基板保持台36a,36bが設けられている。基板保持台36a,36bは、各々が独立した構造となっており、装置全体からみるとウエハ処理流れ方向と同方向一列になっている。すなわち、基板保持台36bは、搬送室12からみて基板保持台36aを挟んで遠方に配置されている。基板保持台36a,36b上に載置されるウエハ1は、それぞれに内蔵された加熱部としてのヒータ37a,37bにより加熱され、例えば300°Cまでの昇温が可能である。基板保持台36a,36bは、熱伝導性に優れた金属材料例えば、A5052、A5056等のアルミニウムによって形成されている。下処理室16aと下処理室16bとの間の連接空間48には、基板搬送機40が設けられている図1参照。基板搬送機40は、搬送室12内のロボット30によって搬送された2枚の未処理のウエハ1のうちの一枚を、当該ロボット30のツィーザから受け取って基板保持台36b上に移載し、さらに基板保持台36b上の処理済のウエハ1を当該ロボット30のツィーザ上へ移載するように構成されている。また、下処理室16a,16bの上方側には、それぞれと重なり合うように、上処理室45a,45bが設けられている。つまり、下処理室16a,16bの上方側には、当該下処理室16a,16bと同様に、互いに隣接する二つの上処理室45a、45bが配置されている。このような配置により、上処理室45aと下処理室16aとによって処理室116aが構成され、上処理室45bと下処理室16bとによって処理室116bが構成され、処理室116aと処理室116bとにより第一の処理室群116が構成されることになる。ここで、処理室116bを構成する上処理室45bおよび下処理室16bについて、さらに詳しく説明する。なお、処理室116aを構成する上処理室45aおよび下処理室16aも略同一構造であるので、ここでは処理室116bについてのみ説明し、処理室116aについてはその説明を省略する。図4に示すように、上処理室45bは、例えば石英により円筒状に形成された反応管52を備えている。反応管52は、金属製の気密容器である下処理室16b上に、Oリング92bを介して気密に立設されている。反応管52の上端は、反応管天井板55によって気密に閉塞されている。これにより、反応管52は、真空容器を構成することになる。反応管天井板55には、その略中央部にガス導入部44bおよびガス導入ロ56が設けられている。ガス導入ロ56は、図示しない処理ガス供給源に接続され、流量調整された処理ガスが反応管52内に供給されるようになっている。また、反応管52内には、導入したガスを分散させる石英製のバッフル板57が設けられている。反応管52の周囲には、プラズマ発生用の高周波コイル54が設けられ、さらに当該高周波コイル54がコイルカバー53によって覆われている。高周波コイル54には、高周波電源59が接続され、当該高周波電源59により高周波コイル54にプラズマ発生用の高周波電流が印加されるように構成されている。上処理室45bの下方に位置する下処理室16b内には、既に説明したように、基板保持台36bが固定して設けられている。また、下処理室16bの底部には、昇降可能な昇降シャフト65が気密に貫通するように配置されている。昇降シャフト65は、下処理室16b内に配された昇降基板64に連結されている。昇降基板64には、基板保持台36bを貫通する少なくとも三本の基板保持ピン39bが立設されている。このような構成により、下処理室16b内では、コントローラ84の制御により昇降シャフト65を昇降させることで、昇降基板64および基板保持ピン39bを昇降させることができ、これに伴って基板保持ピン39bの上面に載置されたウエハ1を、基板保持台36bの上面に載置し、あるいは基板保持台36b上から持ち上げることが可能になっている。処理室116bでは、上処理室45bにおける反応管52がプラズマ発生室51を形成し、そのプラズマ発生室51で生成されたプラズマにより下処理室16b内の基板保持台36b上のウエハ1が処理されるようになっている。なお、下処理室16bの底部には排気口66が形成されており、処理済のガスが排気口66から下処理室16b外へ排気されるように構成されている。2基板処理装置の動作次に、本実施形態にかかる基板処理装置10の動作について説明する。EFEM18からロードロック室14a内へ未処理のウエハ1が移載され、当該ロードロック室14a内が気密に閉塞されると、搬送室12との間のゲートバルブ不図示が開放される。ロードロック室14aと搬送室12が連通すると、搬送室12内のロボット30が、ロードロック室14a内の基板支持体20が保持するウエハ1を上ツィーザ32a上および下ツィーザ32b上に受け取る。そして、各ツィーザ32a,32b上に受け取った二枚のウエハ1を、ゲートバルブ35の開放によって連通状態にある第一の処理室群116内または第二の処理室群117内のいずれかへ搬送する。例えば第一の処理室群116内へ搬送した場合であれば、当該処理室群116内では、同時に搬送された二枚のウエハ1のうちの一方がロボット30によって下処理室16a内の基板保持台36a上に載置されるとともに、他方のウエハ1がロボット30から基板搬送機40によって下処理室16b内の基板保持台36b上に移載され載置される。その後、それぞれにおける反応管52内が気密に閉塞されると、基板保持台36a,36b上のウエハ1がヒータ37a,37bによって加熱され、ガス導入口56から反応管52内に処理ガスが導入され、さらに高周波コイル54に高周波電流が印加される。これにより、反応管52によって構成されるプラズマ発生室51では、プラズマが生成され、活性化された処理ガスによりウエハ1が処理される。ここでは、ウエハ1に残置されたフォトレジストの剥離除去処理が行われる。プラズマ発生室51内での処理が完了すると、搬送室12との間を隔てるゲートバルブ35が開放され、搬送室12内のロボット30は、各ツィーザ32a,32bを処理室群116内へ挿入して二枚の処理済のウエハ1を受け取る。すなわち、各ツィーザ32a,32b上に、下処理室16a内の基板保持台36a上での処理済のウエハ1を受け取るとともに、基板搬送機40を介して下処理室16b内の基板保持台36b上での処理済のウエハ1を受け取る。そして、ロボット30は回転軸を軸として回転し、処理済みのウエハ1及び各ツィーザ32a,32bを旋回する。次に、各ツィーザ32a,32b上に搭載された二枚の処理済のウエハ1を、ロードロック室14b内の空き状態の基板支持体20上へ移載する。処理後に高温となった処理済のウエハ1は、ロードロック室14b内で所定の温度まで冷却される。以上のような処理動作が繰り返されて、ロードロック室14b内の基板支持体20が所定数の処理済のウエハ1を受け取ると、搬送室12との間のゲートバルブ不図示が閉塞され、当該ロードロック室14b内が大気に開放される。その後、処理済のウエハ1がロードロック室14b内からEFEM18へ移載され、図示しない外部搬送装置により外部に搬出される。本実施形態にかかる基板処理装置10は、以上のような処理動作を行う。したがって、当該基板処理装置10を半導体装置の製造工程に用いた場合には、処理室群116,117内へロボット30がウエハ1を搬入する基板供給工程と、処理室群116,117内にてウエハ1を処理する処理工程と、処理室群116,117内からロボット30がウエハ1を搬出する基板排出工程と、が順次実行される。そして、基板供給工程と基板排出工程の少なくとも一方において、後述するように、搬送対象物であるウエハ1の被支持面が、ロボット30の各ツィーザ32a,32bによって支持されることになる。3搬送装置の構成次に、搬送室12内に設けられた搬送装置であるロボット30の構成例について説明する。図5は、本発明の一実施形態に係る搬送装置の概略構成図である。図5に示すように、搬送装置であるロボット30は、搬送機構移動部として一対のアーム34a,34bを備えている。アーム34a,34bは、それぞれが別個に、水平方向図中X1,X2方向に水平移動でき、図中Y方向に回転移動でき、図中Z方向に昇降移動できるように構成されている。アーム34aの先端には、ウエハ1を水平姿勢で支持する基板搬送機構32として、上ツィーザ32aが設けられている。また、アーム34bの先端には、同じく基板搬送機構32として、下ツィーザ32bが設けられている。上ツィーザ32aおよび下ツィーザ32bは、それぞれが同一の形状をしており、上下方向に所定の間隔で離間されている。各アーム34a,34bは、互いが干渉することなく個別移動が可能となるように配置されている。すなわち、上ツィーザ32aが上方側に位置し、下ツィーザ32bが下方側に位置した状態で、それぞれが干渉することなく別個に移動し得るようになっている。4基板搬送機構の構成次に、基板搬送機構32の構成例について説明する。ここでは、上ツィーザ32aおよび下ツィーザ32bが同一形状であることから、これらを単にツィーザと総称し、これらの一方のみに着目して、以下の説明を行う。参考例におけるツィーザの構成ここで、本実施形態のツィーザ32a,32bについての説明に先立ち、その比較対象となる参考例として、従来構成によるツィーザについて説明する。図6は、本発明の参考例となる従来構成のツィーザの一例を示す斜視図である。図7は、図6に示すツィーザにおけるウエハ支持態様の概要を示す説明図である。図6に示すように、参考例のツィーザ2は、例えばφ300mmの円板状基板であるウエハ1を支持するもので、二股フォーク状の板状体であるフィンガープレート3を有して構成されている。フィンガープレート3上には、当該フィンガープレート3の上面からウエハ1の側に向けて段差状に突出する支持部4が形成されている。支持部4は、ウエハ1の載置中心に対して対象となる四箇所の位置に配置されている。これら四箇所に配された支持部4がウエハ1の裏面被処理面の反対面に当接することで、当該ウエハ1の外周端縁近傍四箇所を支持するように構成されている。ウエハ1と支持部4との当接は、当該ウエハ1の外周端縁から2~3mm程度内周側までの領域部分にて行われる。この領域部分は製品構成時に使用しない場合が主で、一般的には傷発生や異物付着等の影響が少ない箇所とされているからである。搬送対象物であるウエハ1は、シリコンSiを基材として形成されており、加熱を伴う処理が行われると表裏面や面内等での温度分布の発生態様に起因して反りや撓み等の変形が生じてしまうことが考えられる。例えば図7aに示す変形がウエハ1に生じた場合、その外周端縁近傍四箇所を支持部4が支持するツィーザ2では、当該ウエハ1の撓み量が一定量約1mmを超えると、当該ウエハ1がフィンガープレート3の上面に接触してしまう。このような接触は、図7bに示すように、特にフィンガープレート3のエッジ近傍箇所図中A部参照でのキズやパーティクル等の発生を招く要因となり得る。また、例えば図7cに示す変形がウエハ1に生じると、当該変形が生じていない場合に比べて支持部4での基板保持力ウエハ1と支持部4との摩擦力が低下してしまう図中B部およびC部参照。そのため、ウエハ1と支持部4との擦れによってキズやパーティクル等が発生し易くなるとともに、ウエハ1の外周端縁近傍の裏面下面側で発生したパーティクルが表面上面側に舞い上がってウエハ1上に付着してしまうおそれがある。さらに、基板保持力が低下すると、ウエハ1の滑りを防ぐために搬送速度を抑えなければならず、当該ウエハ1に対する搬送能力すなわち基板処理装置10での単位時間当たりの処理能力が低下してしまう。以上のようなキズやパーティクル等は、ウエハ1を用いて構成する製品の製造歩留りを低下させる要因の一つとなるため、その発生を極力抑制すべきである。また、ウエハ1に対する搬送能力の低下は、基板処理装置10における生産効率低下に繋がり、半導体装置の製造工程に悪影響を及ぼすことになる。本実施形態におけるツィーザの構成本実施形態におけるツィーザ32a,32bは、上述した参考例のツィーザ2における問題点を鑑み、以下に述べるように構成されている。図8は、本発明の一実施形態に係る基板搬送機構ツィーザ一例を示す斜視図である。図9は、図8に示すツィーザにおけるウエハ支持態様の概要を示す説明図である。フィンガープレート図8に示すように、ツィーザ32a,32bは、例えばφ300mmの円板状基板であるウエハ1を支持するもの支持基体で、中央部分が欠切された二股フォーク状の板状体であるフィンガープレート321を有して構成されている。フィンガープレート321は、例えば酸化物系のセラミック材料アルミナセラミック等により、一対の帯形状部分321aを有して二股フォーク状に形成されている。各帯形状部分321aは、ツィーザ32a,32bがウエハ1を支持している状態において、当該ウエハ1の一部に重なるように配置されているとともに、先端が当該ウエハ1の外周端縁よりも外側の位置まで延びている。フィンガープレート321上には、フィンガープレート321の面上に設けられた複数の凸部がウエハ1の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部が設けられている。すなわち、フィンガープレート321上には、ガイド側壁324によって囲まれる領域内に、当該フィンガープレート321の上面からウエハ1の側に向けて突出する複数の凸部からなる第一支持部322と、第一支持部322とは異なる位置に複数の凸部が配置されてなる第二支持部323と、が形成されている。主に、第一支持部322及び及び第二支持部323により、本実施形態に係る基板支持部が構成されている。第一支持部322および第二支持部323は、いずれも、フィンガープレート321と同材料によって形成され、突出する頂面がウエハ1の裏面被処理面の反対面に当接することで当該ウエハ1を支持するように構成されている。第一支持部第一支持部322は、フィンガープレート321の面上にて円周状態に配置されている。ここで、円周状態とは、円周を描く位置上に存在することをいい、必ずしも当該円周の全周にわたって連続して存在している必要はなく、当該位置上に間隔を空けて分散して存在している場合を含む。さらに、第一支持部322は、ツィーザ32a,32bがウエハ1を支持している状態において、当該ウエハ1の平面中心点からの距離が一定である位置に配置されている。このことは、第一支持部322がフィンガープレート321の面上で一つの円周上に位置しているとともに、その円周の中心点とウエハ1の平面中心点とが一致することを意味する。また、第一支持部322は、フィンガープレート321面上の一つの円周上において、ウエハ1を均等に支持する複数箇所に分散して配置されている。均等支持が可能な複数箇所としては、例えば、ウエハ1の平面中心点を基準とした場合に点対称となる複数箇所、またはウエハ1の中心点を通る線分を基準とした場合に線対称となる複数箇所左右均等な複数箇所等が挙げられる。さらに具体的には、第一支持部322は、フィンガープレート321面上の一つの円周上において、当該円周上の互いに離間する四箇所に分散配置されている。このような四箇所への分散配置によって、一つの円周上には四つの第一支持部322が存在し、それぞれの第一支持部322がウエハ1の外周端縁近傍四箇所を均等に支持することになる。これら四つの第一支持部322によって、ウエハ1に対する第一の支持位置が構成される。なお、ここでは、四箇所への分散配置を例に挙げているが、これに限定されることはなく、四箇所未満や五箇所以上への分散配置であっても実現可能である。なお、第一支持部322を構成する複数の凸部のうち、対象位置にある凸部は、ウエハ1に対する支持面積が互いに等しく構成されている。第一支持部322が存在する円周の大きさは、ウエハ1の径方向の大きさに基づいて設定される。すなわち、円周およびウエハ1の中心点から第一支持部322までの距離すなわち第一支持部322が配された円周の半径は、当該中心点とウエハ1の外周端縁との間の距離すなわち円板状基板であるウエハ1の半径に基づいて設定される。好ましくは、第一支持部322によりウエハ1の外周端縁近傍を支持すべく、第一支持部322までの距離が、ウエハ1の半径を超えない範囲内において、極力大きく設定されているものとする。ただし、上述の距離を極力大きく設定する場合、以下の点を考慮する必要がある。第一支持部322は、ウエハ1の外周端縁と重なる位置には配されておらず、当該外周端縁から所定距離内周側の位置に配置されている。すなわち、第一支持部322は、ウエハ1の外周端縁ではなく、ウエハ1の外周端縁の近傍であって、外周端縁よりも内側を支持するように形成されている。具体的には、第一支持部322は、ウエハ1の外周端縁から3~5mm程度内周側の位置にて、フィンガープレート321の面上からの突出部分が周方向に連続して平面円弧状の頂面を有するように形成されている。これにより、第一支持部322とガイド側壁324との間には、底面がフィンガープレート321の上面に一致する凹形状部分が形成されることになる。以上のことから、第一支持部322が存在する円周の大きさについては、例えば、ウエハ1の外径がφ300mmであれば、当該第一支持部322の突出部分外周側をφ290mm~φ294mm程度、当該第一支持部322の突出部分内周側をφ280mm~φ284mm程度とすることが考えられる。第二支持部第二支持部323は、フィンガープレート321の面上の第一支持部322とは異なる位置、さらに詳しくは当該第一支持部322の周内、すなわち当該第一支持部322が存在する円周の内側に配置されている。第二支持部323も、第一支持部322と同様に、フィンガープレート321の面上にて円周状態に配置されている。さらに、第二支持部323は、ツィーザ32a,32bがウエハ1を支持している状態において、当該ウエハ1の平面中心点からの距離が一定である位置に配置されている。これらのことは、第一支持部322と第二支持部323とが、フィンガープレート321の面上で同心円周上に配置されていることを意味する。ここで、同心円とは、中心を共有する二つ以上の円のことをいう。したがって、これらが同心円周上に配置されていることから、第二支持部323は、第一支持部322と径が異なる一つの円周上に位置しているとともに、第一支持部322との間隔が一定である位置に配置されていることになる。また、第二支持部323は、第一支持部322と同様に、フィンガープレート321面上の一つの円周上第一支持部322と同心異径の円周上において、ウエハ1を均等に支持する複数箇所に分散して配置されている。さらに、第二支持部323は、第一支持部322と同様に、円周上の互いに離間する四箇所に分散配置されている。これら四つの第二支持部323によって、ウエハ1に対する第二の支持位置が構成される。なお、第二支持部323についても、第一支持部322と同様に、四箇所への分散配置に限定されることはなく、四箇所未満や五箇所以上への分散配置であっても実現可能である。また、第二支持部323を構成する複数の凸部のうち、対象位置にある凸部も、ウエハ1に対する支持面積が互いに等しく構成されている。第二支持部323が存在する円周の大きさは、第一支持部322が存在する円周の大きさおよびフィンガープレート321の平面形状に基づいて設定される。好ましくは、次の事項を満足する位置に設定される。第一として、第一支持部322が存在する円周と同心異径の円周とする。第二として、フィンガープレート321における各帯形状部分321aの上面に第二支持部323を形成する際の制約を満足する範囲内で、第二支持部323を最も内周側すなわち第一支持部322から最も離れる側に配置できる位置に設定されているものとする。第一支持部322との間隔が大きいほうが、後述する効果を得る上では好適だからである。ただし、第二支持部323の位置については、最も内周側への配置にあたり、以下の制約を満足する必要がある。第二支持部323は、フィンガープレート321上の四箇所に略均等に分散配置され、当該フィンガープレート321における一方の帯形状部分321a上に二つが存在し、他方の帯形状部分321a上に残り二つが存在する。そのため、それぞれの帯形状部分321a上では、二つの第二支持部323が互いに離間して配置されることになる。第二支持部323が存在する円周の大きさは、以上のような離間のための間隔を確保し得る大きさであることを要する。これが第一の制約内容である。また、各帯形状部分321a上では、後述する理由により、当該帯形状部分321aの全幅にわたって、第二支持部323が連続するように配置されていることが好ましい。すなわち、各帯形状部分321a上では、当該帯形状部分321a上の二つの第二支持部323のうちの少なくとも一方例えば帯形状部分321aの先端側に位置するものが、当該帯形状部分321aの一方のエッジ位置から他方のエッジ位置まで連続して配置されている。このような配置が可能である大きさの円周上に、第二支持部323が存在していることが好ましい。これが第二の制約内容である。第二支持部323が存在する円周の大きさについては、上述した第一および第二の制約内容と、後述するウエハ1の変形許容量とを鑑み、例えば、ウエハ1の外径がφ300mmであれば、当該第二支持部323の突出部分内周側をφ230mm程度、当該第二支持部323の突出部分外周側をφ240mm程度とすることが考えられる。ガイド側壁各帯形状部分321aの先端部分には、ウエハ1の外周形状に対応する円弧状のガイド側壁324が設けられている。なお、フィンガープレート321には、各帯形状部分321aの先端部分と対向する側すなわちツィーザ32a,32bの根本側にも、ウエハ1の外周形状に対応する円弧状のガイド側壁324が設けられている。これらのガイド側壁324は、第一支持部322及び第二支持部323を構成する凸部よりもそれぞれ高く形成されている。本実施形態におけるツィーザの機能本実施形態のツィーザ32a,32bは、円周状に配置されてなる基板支持部、すなわち、同心円状に配置された第一支持部322及び第二支持部323によりウエハ1を支持する。これにより、ウエハ1の変形方向によらず、再現性良くウエハ1を支持することができる。上述したように、ウエハ1は加熱されることで変形するが、ウエハ1の変形方向は、ウエハ1の特性やウエハ1上に形成される回路配置や種別等に応じて異なってくる。そのため、仮に基板支持部が非円周状例えば平行線状、或いは四角形状等に配置されていると、ウエハ1の変形方向によっては、ウエハ1の姿勢変動や高さ変動の量が大きく変化してしまうことがある。これに対し、本実施形態によれば、基板支持部が円周状に配置されているため、ウエハ1の変形方向によらず、再現性良くウエハ1を支持することができる。すなわち、ウエハ1がいずれの方向に変形したとしても、ウエハ1の姿勢変動や高さ変動の量を、常に一定範囲内に抑えることが可能となる。また、本実施形態では、基板支持部第一支持部322及び第二支持部323が円周状に配置されていることで、搬送時のウエハ1のズレを効果的に抑制できる。上述したように、ツィーザ32a,32bを移動させるアーム34は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するとともに、水平方向に移動するように構成されている。すなわち、ウエハ1には、搬送時にあらゆる方向から力が働くこととなる。このとき、仮に基板支持部が非円周状例えば平行線状、或いは四角形状等に配置されていると、ウエハ1の保持力が方向によって大きく異なってしまう例えば、回転移動に対する保持力は強いが、水平移動に対する保持力は弱くなってしまう等。非円周状の構造の場合、ツィーザ32a,32b上でウエハ1がズレて落下等してしまうことがある。これに対し、本実施形態によれば、基板支持部が円周状に配置されているため、ウエハ1の保持力を方向によらず均等化させることができる。そのため、搬送時のウエハ1のズレを効果的に抑制できる。また、これにより、ウエハ1の搬送速度を増大させることが可能となり、基板処理の生産性を向上させることができる。また、本実施形態では、第一支持部322を構成する複数の凸部は、ウエハ1の平面中心点を基準として点対称、或いはウエハ1の中心点を通る線分を基準として線対称となるように配置されている。また同様に、第二支持部323を構成する複数の凸部も、ウエハ1の平面中心点を基準として点対称、或いはウエハ1の中心点を通る線分を基準として線対称となるように配置されている。これにより、ウエハ1の保持力を、方向によらず均等化させることが出来る。その結果、搬送時のウエハ1のズレをより効果的に抑制できるようになる。なお、仮に凸部が対象に配置されていない場合、ウエハ1の保持力は方向によって異なってしまうことがある。その結果、ウエハ1を回転或いは水平移動させた時に、ツィーザ32a,32b上でウエハ1がズレて落下等してしまうことがある。また、本実施形態では、第一支持部322を構成する複数の凸部のうち、対象位置にある凸部は、ウエハ1に対する支持面積が互いに等しく構成されている。また同様に、第二支持部323を構成する複数の凸部のうち、対象位置にある凸部も、ウエハ1に対する支持面積が互いに等しく構成されている。これにより、ウエハ1の保持力を、方向によらず均等化させることが出来る。その結果、搬送時のウエハ1のズレを効果的に抑制できるようになる。なお、仮に対象位置にある凸部のウエハ1に対する支持面積が互いに等しく構成されていない場合、ウエハ1の保持力は方向によって異なってしまうことがある。その結果、ウエハ1の搬送時に、ツィーザ32a,32b上でウエハ1がズレて落下等してしまうことがある。また、本実施形態のツィーザ32a,32bは、第一支持部322に加えて第二支持部323を有しており、これら第一支持部322および第二支持部323の各頂面がウエハ1の裏面被処理面の反対面に当接することで当該ウエハ1を支持する。つまり、第一支持部322による第一の支持位置および第二支持部323による第二の支持位置の両方にて、ウエハ1をその裏面側から支持する。したがって、参考例の場合ウエハ1の外周端縁近傍四箇所のみを支持する構成の場合に比べると、ウエハ1を支持する際の荷重の分散化を図ることができる。これにより、各支持位置における荷重をそれぞれ低減させることができ、ウエハ1と第一支持部322及び第二支持部323とが擦れあうことによってウエハ1の裏面にキズが付いたり、パーティクルが発生したりすることを抑制できる。第一の支持位置と第二の支持位置の両方にてウエハ1を支持しても、当該ウエハ1の裏面側を支持するので、当該ウエハ1の被処理面に直接的に悪影響が及ぶことはない。第一の支持位置および第二の支持位置の両方にてウエハ1を支持すれば、参考例の場合ウエハ1の外周端縁近傍四箇所のみを支持する構成の場合に比べて、第二の支持位置を設けた分、当該ウエハ1に対する支持面積の増大、すなわち当該ウエハ1に対する基板保持力支持時の摩擦力の増大が容易に実現可能である。一方、参考例の場合に対して全体での基板保持力の低下を招くことなく、第一支持部322および第二支持部323の個々の支持面積を削減して、不必要にウエハ1が接触することが無いようにすることも実現可能である。ウエハ1を支持する際の荷重の分散化を図ることで、当該ウエハ1の状態によらずすなわち、当該ウエハ1に変形が生じた場合であっても、以下に述べるように当該ウエハ1を適切に支持することが実現可能となる。例えば、図9aに示す変形がウエハ1に生じた場合には、第一支持部322よりも内周側の第二支持部323が当該ウエハ1を支持する。したがって、参考例のように外周端縁近傍のみを支持する場合に比べると、ウエハ1がフィンガープレート321の上面に接触するのを抑制できる。具体的には、参考例の場合はウエハ1の撓み量が約1mmを超えると接触が発生していたが、例えばφ300mmのウエハ1に対してφ230mm程度の円周上に第二支持部323を配した構成の場合には、ウエハ1の撓みに対する変形許容量を約2mm程度まで増大させることが可能となる。換言すると、φ300mmのウエハ1について変形許容量を約2mm程度とするためには、第二支持部323をφ230mm程度の円周上に配置すればよい。なお、フィンガープレート321上には、第二支持部323のみならず第一支持部322も存在しているので、ウエハ1の外周端縁近傍が下方側に垂れてしまうような変形が生じることもない。また、例えば、図9bに示す変形がウエハ1に生じた場合については、当該変形が生じていない場合に比べて第一支持部322での基板保持力ウエハ1と第一支持部322との摩擦力が低下し得るが図中D部およびE部参照、第二支持部323での基板保持力ウエハ1と第二支持部323との摩擦力については面接触のままであり低下してしまうことがない図中D部およびF部参照。つまり、ウエハ1に変形が生じた場合であっても、支持位置の分散化支持箇所増加により、幾つかの支持位置は面接触のままであり、全ての支持位置が線接触化してしまうのを回避し得るので、当該ウエハ1に対する基板保持力低下を抑制することができる。基板保持力低下を抑制できれば、ウエハ1を支持した状態で搬送する場合において、当該ウエハ1の滑りを防止するための搬送速度の低下が不要となる。したがって、参考例の場合に比べると、ウエハ1に対する搬送能力すなわち基板処理装置10での単位時間当たりの処理能力を向上させることが容易に実現可能となる。具体的には、ウエハ処理能力基準となる搬送スループットについて、参考例の場合は例えば130wph一時間当たりのウエハ搬送枚数であったものが、本実施形態では例えば180wphに向上させることが可能である。また、参考例の場合に比べると、ウエハ1へのパーティクルの影響が改善されるので、立ち上げ時の搬送位置調整作業において、戻り工程を抑制することも可能となる。さらに、例えば、図9bに示す変形がウエハ1に生じた場合に、ウエハ端縁近傍の裏面下面側でパーティクルが発生しても、第一支持部322とガイド側壁324との間に凹形状部分が形成されているので、発生したパーティクルが凹形状部分とウエハ端縁とによって構成される空間内に封入され、表面上面側に舞い上がるのが抑制される。つまり、パーティクルが発生した場合でも、凹形状部分を存在させることで、当該パーティクルのウエハ1上への舞い上がりのリスクを低減することが可能である。このような凹形状部分を形成するための第一支持部322の位置は、ウエハ1の外周端縁から3~5mm程度内周側とすることが妥当である。この位置が余りに内周側に寄ってしまうと、安定性低下により十分な効果が得られないからである。本実施形態の第一支持部322は、ウエハ1の外周端縁エッジ部ではなく、ウエハ1の外周端縁の近傍であって、外周端縁よりも内側を支持するように形成されている。すなわち、第一支持部322はウエハ1の外周端縁には接触しないように構成されている。これにより、ウエハ端縁近傍におけるパーティクルの発生を効果的に抑制できる。ウエハ端近傍には、前の基板処理工程例えばCVD処理工程で、ウエハ1の表面上に形成される薄膜はウエハ1の外周端縁にも同時に形成されてしまう。従って、仮に、第一支持部322がウエハ1の外周端縁に接触すると、形成された薄膜が剥離する等してパーティクルが発生してしまうことがある。これに対し、本実施形態の第一支持部322はウエハ1の外周端縁には接触しないため、パーティクルの発生を効果的に抑制できる。本実施形態によれば、下のツィーザ32bで搬送するウエハ1上へのパーティクルの付着を効果的に抑制できる。すなわち、2枚のツィーザ32a,32bを上下方向に所定の間隔で離間されて配置する構成では、上のツィーザ32aで搬送するウエハ1にて発生したパーティクルが、下のツィーザ32bで搬送するウエハ1上に降り積り易くなる。これに対し、本実施形態では、上述のようにパーティクルの発生や拡散を抑制できることから、下のツィーザ32bで搬送するウエハ1へのパーティクルの付着を効果的に抑制でき、基板処理の品質を向上させることが出来る。本実施形態によれば、各帯形状部分321aの先端部分や、各帯形状部分321aの先端部分と対向する側すなわちツィーザ32a,32bの根本側に、ウエハ1の外周形状に対応する円弧状のガイド側壁324が設けられている。ガイド側壁324は、第一支持部322及び第二支持部323を構成する凸部よりも高く形成されている。ガイド側壁324は、ウエハ1をツィーザ32a,32b上に載置する際のガイドとして機能する。また、ガイド側壁324は、搬送時のウエハ1のズレや落下を防止するよう機能する。本実施形態のツィーザ32a,32bは、アーム34a,34bへの取り付け構造を、参考例として説明した従来構成の場合と同一構造にすることが考えられる。このようにすれば、半導体製造工程で用いられる既存の基板処理装置に対して、大幅な変更を要することなく本実施形態のツィーザ32a,32bを適用することが可能となり、当該基板処理装置の能力向上のための手段として有効なものとなる。5本実施形態にかかる効果本実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。本実施形態によれば、基板支持部第一支持部322及び第二支持部323が円周状に配置されている。そのため、ウエハ1の変形方向によらず、再現性良くウエハ1を支持することができる。すなわち、ウエハ1がいずれの方向に変形したとしても、ウエハ1の姿勢変動や高さ変動の量を一定範囲内に抑えることが可能となる。また、基板支持部第一支持部322及び第二支持部323が円周状に配置されているため、ウエハ1の保持力を、方向によらず均等化させることができる。これにより、搬送時のウエハ1のズレを効果的に抑制でき、ウエハ1の搬送速度を増大させ、基板処理の生産性を向上させることができる。また、本実施形態によれば、第一支持部322及び第二支持部323を構成する複数の凸部は、それぞれ、ウエハ1の平面中心点を基準として点対称、或いはウエハ1の中心点を通る線分を基準として線対称となるように配置されている。これにより、ウエハ1の保持力を、方向によらず均等化させることができる。そして、搬送時のウエハ1のズレを効果的に抑制でき、ウエハ1の搬送速度を増大させ、基板処理の生産性を向上させることができる。また、本実施形態によれば、第一支持部322及び第二支持部323を構成する複数の凸部のうち、対象位置にある凸部は、ウエハ1に対する支持面積が互いに等しく構成されている。これにより、ウエハ1の保持力を、方向によらず更に均等化させることが出来る。そして、搬送時のウエハ1のズレを効果的に抑制でき、ウエハ1の搬送速度を増大させ、基板処理の生産性を向上させることができる。また、本実施形態にかかるツィーザ32a,32bは、フィンガープレート321上にて第一支持部322の周内に第二支持部323が配されており、これらによってウエハ1を支持する際の荷重の分散化が図られている。そのため、ウエハ1に変形が生じた場合であっても、ウエハ1がフィンガープレート321に接触してしまうのを抑制でき、またウエハ1に対する基板保持力低下に起因する擦れ等が発生することも抑制できる。したがって、ウエハ1にキズやパーティクル等が発生してしまうのを極力抑制して、当該ウエハ1を用いて構成する製品の製造歩留りを低下させる要因の一つを排除することが可能となる。さらには、ウエハ1の変形に伴う基板保持力低下を抑制できることから、当該ウエハ1を搬送する際に安定した高速搬送が実現可能となり、基板処理装置10における生産効率低下を招いたり、半導体装置の製造工程に悪影響を及ぼしたりするのを回避し得るようになる。また、本実施形態にかかるツィーザ32a,32bは、第一支持部322と第二支持部323とが同心円周上に配置されるので、ウエハ1に発生する変形が円板状基板に特有のものであっても適切に対応することができる。具体的には、例えば図9aに示す変形が生じた場合であっても、ウエハ1が必ず第二支持部323によって支持される。したがって、このような同心円周上への配置により、円板状基板であるウエハ1を支持するのに非常に好適なものとなり、当該ウエハ1にキズやパーティクル等が発生したり当該ウエハ1に対する基板保持力が低下したりするのを確実に抑制することができる。特に、本実施形態で説明したように、第一支持部322と第二支持部323とについて、ウエハ1を均等に支持する複数箇所に分散して配置した場合、さらに詳しくは円周上の互いに離間する四箇所に分散配置した場合には、ウエハ1を支持する際の荷重が第一支持部322と第二支持部323とのそれぞれに均等に分散される。したがって、荷重の均等な分散によって、キズやパーティクル等の発生のみならず、ウエハ1自体の変形抑制にも有効なものとなる。なお、本実施形態では、第一支持部322と第二支持部323との両方がそれぞれ均等に分散配置されている場合を例に挙げたが、第一支持部322と第二支持部323との少なくとも一方が均等に分散配置されていれば、ウエハ1の支持荷重の均等な分散化による効果が得られる。さらに、本実施形態では、ウエハ1の平面中心点からの距離が一定である位置に第一支持部322および第二支持部323のそれぞれが配され、これら第一支持部322と第二支持部323との互いの間隔が一定となっている。つまり、第一支持部322と第二支持部323とが、ウエハ1の平面中心点と一致する中心点を有する同心円周上に配置されている。このように、第一支持部322と第二支持部323とが存在する同心円の中心点を、ウエハ1の平面中心点と一致させれば、上述した支持荷重の均等な分散化による効果がより一層確実なものとなる。その場合において、ウエハ1の平面中心点から第一支持部322までの距離が、当該平面中心点とウエハ1の外周端縁との間の距離に基づいて設定されていれば、第一支持部322を当該外周端縁に極力近づけて配することが実現可能となる。したがって、第一支持部322がウエハ1の外周端縁近傍を確実に支持することになる。また、ウエハ1の平面中心点から第二支持部323までの距離が、フィンガープレート321の帯形状部分321a上に第二支持部323の配置する際の制約を満足する範囲内で、第一支持部322から最も離れる大きさに設定されていれば、第一支持部322と第二支持部323との間隔を極力大きくすることが実現可能となる。第一支持部322と第二支持部323との間隔が大きく設定されていれば、ウエハ1の支持荷重の分散化が好適に行われ、当該ウエハ1に対する変形許容量の増大や基板保持力の低下抑制等に有効に寄与することになる。また、本実施形態にかかるツィーザ32a,32bは、第一支持部322がウエハ1の外周端縁から所定距離内周側の位置にて周方向に連続し、その第一支持部322とガイド側壁324との間に凹形状部分が形成されている。したがって、ウエハ1の外周端縁近傍の裏面下面側でパーティクルが発生しても、発生したパーティクルがウエハ1の表面上面側に舞い上がるのを抑制することができ、当該パーティクルのウエハ1上への舞い上がりのリスクを低減することが可能である。また、本実施形態にかかるツィーザ32a,32bは、フィンガープレート321の帯形状部分321a上において、少なくとも一つの第二支持部323が当該帯形状部分321aの全幅にわたって連続するように配置されている。したがって、帯形状部分321aの両エッジ位置には必ず当該帯形状部分321aの面上から突出する第二支持部323が存在していることになるので、特にキズやパーティクル等が発生し易いエッジ近傍箇所において図7b参照、ウエハ1が帯形状部分321aのエッジ位置に接触するのを確実に回避することができる。なお、本実施形態では、フィンガープレート321が二股フォーク状であり一対の帯形状部分321aを有している場合を例に挙げたが、帯形状部分321aは一つのみ、または三つ以上であってもよく、その場合でも第二支持部323が全幅にわたって連続配置されていれば、エッジ近傍箇所でのキズやパーティクル等の発生を有効に抑制することができる。また、本実施形態の第一支持部322は、ウエハ1の外周端縁ではなく、ウエハ1の外周端縁の近傍であって、外周端縁よりも内側を支持するように形成されている。すなわち、第一支持部322は、薄膜が形成されるウエハ1の外周端縁には接触しないように構成されている。これにより、パーティクルの発生を効果的に抑制できる。また、本実施形態によれば、上述のようにパーティクルの発生や拡散を抑制できることから、例えば上のツィーザ32aで搬送するウエハ1にて発生したパーティクルが、下のツィーザ32bで搬送するウエハ1へ付着してしまうことを効果的に抑制でき、基板処理の品質を向上させることが出来る。また、本実施形態のツィーザ32a,32b上には、各帯形状部分321aの先端部分や根本側に、第一支持部322や第二支持部323を構成する凸部よりも高く形成された円弧状のガイド側壁324が設けられている。これにより、ツィーザ32a,32b上に載置するウエハ1をガイドする位置決めすることができ、搬送時のウエハ1のズレや落下を防止することができる。また、本実施形態にかかる基板処理装置10によれば、搬送室12内のロボット30がウエハ1を搬送する際に、当該ウエハ1に変形が生じていてもキズやパーティクル等の発生を抑制できるので、当該ウエハ1を用いて構成する製品の製造歩留りを低下させる要因の一つの排除することが可能となる。さらには、ウエハ1に対する保持力低下も抑制できるので、ウエハ1を搬送する際に安定した高速搬送が実現可能となる。以上のような本実施形態にかかる基板処理装置10を用いて半導体装置を製造すれば、半導体装置の製造を高効率で行うことが可能となる。<本発明の他の実施形態>上述した実施形態では、基板処理装置10がアッシング装置である場合を例に挙げたが、本発明はかかる形態に限定されない。すなわち、本発明は、処理室内での処理内容によらず、その処理室に対する基板搬送を行うものであれば、例えば成膜処理、エッチング処理、拡散処理、酸化処理、窒化処理、アニール処理等の他の処理を行う装置にも適用することが可能である。また、上述した実施形態では、搬送対象物である基板がウエハ1である場合を例に挙げたが、本発明はかかる形態に限定されない。すなわち、本発明において搬送対象物となる基板は、フォトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクまたは磁気ディスク等であってもよい。また、上述した実施形態では、基板に対する支持位置が二重の同心円周上に配置されている場合を説明したが、例えば三重以上の同心円周上に配置されている場合であっても全く同様に実現可能である。以上のように、本発明は色々な形態で実施され得るので、本発明の技術的範囲が上述の実施形態に限定されることはない。例えば、上述した実施形態で説明した基板処理装置10の構成例えば処理室群116,117等の構成は一具体例に過ぎず、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更可能であることはいうまでもない。<本発明の好ましい態様>以下に、本発明の好ましい態様について付記する。本発明の一態様によれば、搬送対象物である基板の支持基体となる板状体と、前記板状体の面上で円周状態に配されて前記基板を支持する第一支持部と、前記面上における前記第一支持部の周内に配されて前記基板を支持する第二支持部とを有する基板搬送機構が提供される。好ましくは、前記第一支持部と前記第二支持部とは、前記面上で同心円周上に配置される。また好ましくは、前記第一支持部と前記第二支持部の少なくとも一方は、前記基板を均等に支持する複数箇所に分散して配置される。また好ましくは、前記第一支持部と前記第二支持部の少なくとも一方は、円周上の互いに離間する四箇所に分散配置される。また好ましくは、前記第一支持部は、前記基板の平面中心点からの距離が一定である位置に配される。また好ましくは、前記平面中心点から前記第一支持部までの距離は、当該平面中心点と前記基板の外周端縁との間の距離に基づいて設定される。また好ましくは、前記第二支持部は、前記基板の平面中心点からの距離が一定である位置に配される。また好ましくは、前記平面中心点から前記第二支持部までの距離は、前記板状体の面上に当該第二支持部の配置する際の制約を満足する範囲内で、前記第一支持部から最も離れる大きさに設定される。また好ましくは、前記第一支持部と前記第二支持部とは、互いの間隔が一定である位置に配される。また好ましくは、前記第一支持部は、前記板状体の面上からの突出部分が前記基板の外周端縁から所定距離内周側の位置にて周方向に連続し、当該突出部分の頂面で前記基板を支持するように形成される。また好ましくは、前記板状体は、前記基板の一部に重なる帯形状部分を有しており、前記第二支持部は、前記帯形状部分の全幅にわたって連続するように配置される。本発明の他の態様によれば、基板を保持するロードロック室と、前記ロードロック室に連通可能に構成された搬送室と、前記搬送室に連通可能に構成され前記基板を処理する処理室とを具備し、前記搬送室内には、前記ロードロック室と前記処理室との間で前記基板を搬送する搬送装置が設けられ、前記搬送装置は、前記基板を支持する基板搬送機構と、前記基板搬送機構を移動させる搬送機構移動部とを備え、前記基板搬送機構は、前記基板の支持基体となる板状体と、前記板状体の面上に設けられて前記基板を支持する第一支持部と、前記面上の前記第一支持部とは異なる位置に設けられて前記基板を支持する第二支持部とを有し、前記第一支持部と前記第二支持部とが前記面上で同心円周上に配置されている基板処理装置が提供される。本発明のさらに他の態様によれば、基板を保持するロードロック室と、前記ロードロック室に連通可能に構成された搬送室と、前記搬送室に連通可能に構成され前記基板を処理する処理室とを具備し、前記ロードロック室と前記処理室との間で前記基板を搬送する搬送装置が前記搬送室内に設けられた基板処理装置を用いて行う半導体装置の製造方法であって、前記ロードロック室内から前記処理室内へ前記搬送装置が前記基板を搬入する基板供給工程と、前記処理室内にて前記基板を処理する処理工程と、前記処理室内から前記ロードロック室内へ前記搬送装置が前記基板を搬出する基板排出工程と、を備え、前記基板供給工程と前記基板排出工程の少なくとも一方では、搬送対象物である基板の被支持面を、面内で同心円周上に配された第一の支持位置および第二の支持位置の両方にて支持する半導体装置の製造方法が提供される。本発明のさらに他の態様によれば、搬送対象物である基板の支持基体となる板状体と、前記板状体の面上に設けられた複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部と、を有する基板搬送機構が提供される。本発明のさらに他の態様によれば、搬送対象物である基板の支持基体となる板状体と、前記板状体の面上に複数の凸部が配置されてなる第一支持部と、前記面上の前記第一支持部とは異なる位置に複数の凸部が配置されてなる第二支持部とを有し、前記第一支持部と前記第二支持部とは前記面上で同心円状に配置されている基板搬送機構が提供される。好ましくは、前記基板支持部は、前記基板の外周端縁よりも内側を支持するように配置されている。また好ましくは、前記板状体の面上には、前記基板支持部よりも外側に、前記基板支持部を構成する凸部よりも高く形成された側壁が配置されている。また好ましくは、前記基板支持部を構成する複数の凸部は、前記基板の平面中心点を基準として点対称、或いは前記基板の中心点を通る線分を基準として線対称となるように配置されており、複数の前記凸部のうち、対象位置にある前記凸部は、前記基板に対する支持面積が互いに等しく構成されている。本発明のさらに他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備し、前記搬送装置は、前記基板を支持する基板搬送機構と、前記基板搬送機構を移動させる搬送機構移動部とを備え、前記搬送機構は、搬送対象物である前記基板の支持基体となる板状体と、前記板状体の面上に設けられた複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部と、を有する基板処理装置が提供される。好ましくは、前記基板搬送機構は前記板状体を複数枚有し、複数の前記板状体は鉛直方向に所定の間隔で互いに離間されて配置されている。また好ましくは、前記搬送機構移載部は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転自在に構成され、水平方向に移動自在に構成されている。また好ましくは、前記処理室内に搬送された前記を加熱する加熱部を備え、前記基板搬送機構は、前記板状体の面上に複数の凸部が配置されてなる第一支持部と、前記面上の前記第一支持部とは異なる位置に複数の凸部が配置されてなる第二支持部とを有し、前記第一支持部と前記第二支持部とは前記面上で同心円状に配置されている。また好ましくは、前記基板支持部を構成する複数の凸部は、前記基板の平面中心点を基準として点対称、或いは前記基板の中心点を通る線分を基準として線対称となるように配置されており、複数の前記凸部のうち、対象位置にある前記凸部は、前記基板に対する支持面積が互いに等しく構成されている。本発明のさらに他の態様によれば、基板を処理する処理室と当該処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備して構成された基板処理装置を用いて行う半導体装置の製造方法であって、前記処理室内へ前記搬送装置が前記基板を搬入する基板供給工程と、前記処理室内にて前記基板を処理する処理工程と、前記処理室内から前記搬送装置が前記基板を搬出する基板搬出工程とを備え、前記基板供給工程と前記基板搬出工程の少なくとも一方では、搬送対象である基板の被支持面を、複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部にて支持する半導体装置の製造方法が提供される。本発明のさらに他の態様によれば、基板を処理する処理室と当該処理室に対する前記基板の搬送を行う搬送装置とを具備して構成された基板処理装置を用いて行う半導体装置の製造方法であって、前記処理室内へ前記搬送装置が前記基板を搬入する基板供給工程と、前記処理室内にて前記基板を処理する処理工程と、前記処理室内から前記搬送装置が前記基板を搬出する基板搬出工程とを備え、前記基板供給工程及び前記基板搬出工程は、鉛直方向に所定の間隔で互いに離間された複数の板状体により搬送対象である基板をそれぞれ支持し、前記基板供給工程と前記基板搬出工程の少なくとも一方では、搬送対象である基板の被支持面を、前記板状体の面上に複数の凸部が前記基板の径より小さい円周状に配置されてなる基板支持部にて支持する半導体装置の製造方法が提供される。"