少なくとも1つのオプトエレクトロニクス半導体装置100を製造する方法であって、aキャリア1を設けるステップであって、前記キャリアは、上面12と、前記キャリア1の前記上面12の反対側に位置する下面11と、前記上面12に横方向Lに並んで配置された複数の接続領域13とを有する、前記ステップと、b複数のオプトエレクトロニクス半導体チップ2を前記キャリア1の前記上面12に取り付けるステップであって、前記チップは横方向Lに互いに間隔をおいて配置され、前記チップ2はそれぞれ前記キャリア1と反対側に少なくとも1つのコンタクト領域22を有する、前記ステップと、c少なくとも1つの反射コーティング3を前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2の側面領域24と前記キャリア1の露出した位置に形成する前記ステップと、d反射コーティング3に開口5を導入するステップであって、前記開口5は前記反射コーティング3を完全に貫き、前記キャリア1の反対側の前記反射コーティング3の上面31から前記キャリア1の上面12の方向に延在する前記ステップと、e導電材料8を前記反射コーティング3上および前記開口5の少なくとも一部に配置するステップであって、-前記導電材料8は、前記コンタクト領域22を前記コンタクト領域22に割り当てられた前記接続領域13にそれぞれ導電的に接続し、-前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2の放射通過領域25には前記反射コーティング3が存在せず、-前記反射コーティング3は前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2を横方向に越えて突き出ることはない、前記ステップと、を備える、方法。前記反射コーティング3は、ポッティングプロセスにより形成されたポッティング33である、請求項1に記載の方法。前記導電材料8は、少なくとも1つの前記開口5を部分的にだけ満たし、少なくとも1つの電気絶縁充填材14が、少なくとも所々導電材料8の露出した位置に開口5内で配置されている、請求項1または2に記載の方法。前記電気絶縁充填材14は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2もしくは前記反射コーティング3またはその両方を越えて横方向に突き出ることはない、請求項1から3のいずれかに記載の方法。前記電気絶縁充填材14は、シリコン、エポキシド、およびシリコンとエポキシドの複合物のうち少なくとも1つにより形成される、請求項3または4に記載の方法。導電材料8を少なくとも1つの放射通過領域25に少なくとも部分的に配置し、前記導電材料8の露出した位置に少なくとも所々配置した後、少なくとも1つの変換層9が形成され、-前記変換層9は、少なくとも1つの発光変換材料91を含んでおり、-前記変換層9の側面領域93には反射コーティング3が存在しない、請求項1から5のいずれかに記載の方法。前記発光変換材料91が導入される前記変換層9の基本材料92と前記電気絶縁充填材14とは同じ材料で形成される、請求項1から6のいずれかに記載の方法。前記変換層9は、溶射皮膜、電気泳動法、堆積またはポッティングにより形成される、請求項6または7に記載の方法。オプトエレクトロニクス半導体装置100であって、-キャリア1であって、前記キャリアは、上面12と、前記キャリア1の前記上面12の反対側に位置する下面11と、前記上面12に配置される少なくとも1つの接続領域13とを有する前記キャリア1と、-前記キャリア1の上面12に配置され、前記キャリア1と反対の側に少なくとも1つのコンタクト領域22を有する少なくとも1つのオプトエレクトロニクス半導体チップ2と、-前記キャリア1の露出した位置および前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2の露出した位置に形成された少なくとも1つの反射コーティング3と、-前記接続領域13の上に配置された少なくとも1つの開口5は、前記反射コーティング3を完全に貫いて、前記キャリア1の反対側の前記反射コーティング3の上面31から前記キャリア1の上面12の方向に延在しており、-前記反射コーティング3上および前記開口5内の少なくとも所々に配置された導電材料8と、を備え、-前記導電材料8は、前記コンタクト領域22を前記接続領域13に導電的に接続し、-前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2の放射通過領域25には前記反射コーティング3が存在せず、-前記反射コーティング3は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2を越えて横方向に突き出ることはない、オプトエレクトロニクス半導体装置100。前記導電材料8は前記開口5を部分的にだけ満たし、少なくとも1つの電気絶縁充填材14が、前記導電材料8の露出した位置に対して、前記開口5において少なくとも部分的に配置されている、請求項9に記載のオプトエレクトロニクス半導体装置100。少なくとも1つの変換層9が前記放射通過領域25上に少なくとも部分的に配置され、前記導電材料8の露出した位置に対して少なくとも部分的に、-前記変換層9は、少なくとも1つの発光変換材料91を含み、-前記変換層9の側面領域93には、前記反射コーティング3が存在しない、請求項9に記載のオプトエレクトロニクス半導体装置100。請求項1~8のいずれかの方法により製造される、オプトエレクトロニクス半導体装置100。例示的な実施形態および図面において、同じ構成要素または同じ機能の構成要素には、それぞれ同じ参照数字を付してある。図面に示した要素と、それらの互いのサイズの関係は原則的に正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素例えば、層、構造部、部品、領域を、誇張した厚さまたは寸法で示してある。図1Aは、概略側面図であり、第1にキャリア1を設けることを含む第1のステップを示しており、キャリア1は、上面12とキャリア1の上面12と反対側に位置する下面11とを有する。さらに、キャリア1は、横方向Lに沿って並んで上面12に並んで配置された複数の接続領域13を有する。オプトエレクトロニクス半導体チップ2は、キャリア1上に配置されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ2のそれぞれは、キャリア1とは反対側にコンタクト領域22を有する。この場合、オプトエレクトロニクス半導体チップ2は、横方向Lに間隔を空けて並んで配置される。オプトエレクトロニクス半導体チップ2は、紫外線または可視光を放射する放射放出半導体チップであってもよい。一例として、キャリアは、少なくとも部分的に接続領域13を形成するメッキスルーホール図示せずを有し、メッキスルーホールは、キャリア1の上面12からキャリア1の下面11の方向へ向かってキャリア1を完全に貫いて延在する。図1Bは、概略側面図であり、次のステップで、反射コーティング3がどのようにキャリア1の露出した位置およびオプトエレクトロニクス半導体チップの側面領域24に形成されるかを示している。特に、形成プロセスは、ポッティングのプロセスにより実行される。この場合、反射コーティングはポッティングである。この場合、オプトエレクトロニクス半導体チップ2の放射通過領域25には、反射コーティングがなく、反射コーティング3は、オプトエレクトロニクス半導体チップ2を越えて横方向に突出することはない。言い換えれば、反射コーティング3は、垂直方向Vにおいてオプトエレクトロニクス半導体チップ2の放射通過領域25と同じ高さを有する。図1Cは、概略側面図であり、次のステップにおいて、開口5がどのように反射コーティング3に導入されるかを示しており、開口5は反射コーティング3を完全に貫いて、キャリア1の反対側の反射コーティング3の上面31からキャリア1の上面12の方向に延在する。図1Dは、概略側面図であり、次のステップにおいて、どのように導電材料8が反射コーティング3上に配置され、また開口5を完全に埋めるかを示している。ここで、導電材料8により、それぞれコンタクト領域22は、コンタクト領域22に割り当てられた接続領域13に導電的に接続している。このケースでは、開口5は、円錐形に設計されており、その結果、特に簡単な方法で導電材料を満たすことができる。一例として、導電材料8を、スパッタリングもしくは噴射またはその両方により形成する。開口5を満たした後、導電材料8はオプトエレクトロニクス半導体チップ2のコンタクト領域22と接続領域13にそれぞれ直接接触した状態にある。図1Eは、概略側面図であり、次のステップにおいて、導電材料8を配置した後、どのように変換層9を放射通過領域25、導電材料8の露出した位置および反射コーティング3の露出した位置に形成するかを示している。特に、変換層9は、溶射皮膜もしくはポッティングまたはその両方により形成される。この場合、変換層9は、放射通過領域25、導電材料8の露出した位置およびキャリア1とは反対側の反射コーティング3の外側領域32を完全に覆う。すなわち、キャリア1とは反対側の変換層9の外側領域は、連続した途切れない状態で形成され、キャリア1の全面もしくは反射コーティング3の全面またはその両方にわたって延在している。変換層9は、少なくとも1つの発光変換材料91を含み、変換層9の側面領域93には反射コーティング3が存在しない。さらに、変換層9が形成された後、ここで説明するオプトエレクトロニクス半導体装置100が製造される。一例として、オプトエレクトロニクス半導体装置100の例示的な実施形態に示されるように、図1EはLEDパネルであり、特に平面型ディスプレーまたはビデオ映写幕の設置のためのバックライトに適している。分離線に沿って個片化された後にだけ製造されるオプトエレクトロニクス半導体装置100が考えられ、分離線は、横方向Lにそれぞれ隣接するオプトエレクトロニクス半導体チップ2間で、垂直方向Vに形成されている。図2は、概略側面図であり、変換層9を形成する他の方法を示しており、変換層9は、図1Eに示すように、ポッティングもしくは溶射皮膜又はその両方によってではなく、電気泳動法により形成される。さらに図2から分かるように図1Eとは対照的に、変換層9は放射通過領域25および導電材料8の露出した位置を覆うだけである。言い換えれば、キャリア1の反対側の反射コーティング3の外側領域には少なくとも所々に変換層9がなく、または高々層厚が小さな状態で覆われている。図3は、概略側面図であり、変換層9を形成するさらなる他の方法を示し、この変換層9は、図1Eと図2に示される形成方法ではなくて、堆積により形成される。この例示的な実施形態では、変換層9は、キャリア1の反対側の反射コーティング3の外側領域32と放射通過領域25とを完全に覆う。図4Aは、概略側面図であり、図1Dとは対照的に、導電材料8が開口5の一部のみを満たすことを示す。導電材料8は、側面領域51および各開口5の底領域52を所定の最大層厚Dで覆うことができる。特に、最大層厚Dは大きくても20μmであってよい。導電材料8によって満たされておらず、横方向Lに反射コーティング3によって区切られていない開口5内の空間的内容は、電気絶縁充填材14によって完全に満たされている。特に、充填材14は、シリコン、エポキシド、シリコンとエポキシドからなる混合物からなるのでも良い。一例として、ハイブリッド材料の混合物でもよい。特に、ここで説明する放射反射粒子は、充填材の中に導入されても良い。この場合、電気絶縁充填材14は、オプトエレクトロニクス半導体チップ2および反射コーティング3を越えて横方向に突き出すことはない。このケースでは、キャリア1とは反対側の電気絶縁材料14の外側領域141は、開口5の最上部領域53と横方向Lおよび垂直方向Vの両方において完全に一致する。したがって、最上部領域53は、電気絶縁充填材14と垂直方向Vにおいて高さが一致する。図4Bは、概略側面図であり、次のステップにおいて、電気絶縁充填材14図4A参照を配置した後、変換層9が、導電材料8の露出した位置、キャリア1とは反対側の反射コーティング3の外側領域32、コンタクト領域22、放射通過領域25および電気絶縁材料14の外側領域141にどのように配置されるかを示す。一例として、変換層9は、図1E、図2または図3に関して示された形成方法により形成される。言い換えれば、変換層9および電気絶縁充填材14は、開口5の領域において互いに直接接触している。特に、発光変換材料9が導入される変換層9の基本材料92と、電気絶縁充填材14とは、同じ材料で形成されてもよい。図5は、概略側面図であり、図4Aおよび図4Bとは対照的に、電気絶縁充填材14の配置はされていない。代わりに、変換層9が、同様に少なくとも所々に開口5において配置されている。すなわち、変換層9は、硬化後、開口5に固定される。したがって変換層9は、例えば、横方向Lに剥離、分離することが避けられる。さらに、例えば図1A乃至図4Bに関して述べられる場合よりもプロセスおよび製造の時間の短縮を達成することが可能である。なぜなら、例えば、電気絶縁充填材を配置する必要がないからである。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本特許出願は、独国特許出願第102011011139.5号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。