"基板1と、前記基板1に変位可能に懸架されたサイズモ質量体3と、前記基板1と前記サイズモ質量体3の間に設けられた少なくとも1つのピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’と、測定装置M1;M2;M1’;M1’’とを有するピエゾ抵抗型マイクロメカニカルセンサ構成素子において、前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’は、前記サイズモ質量体3の変位時に抵抗変化し、前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’は、側面および/または表面および/または裏面の導体路2a,2b;2a’,2b’を有しており、前記導体路2a,2b;2a’,2b’は、前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’を少なくとも部分的に覆っており、前記基板1の領域の中まで延在しており、前記測定装置M1;M2;M1’,M1’’は、前記基板1および前記導体路2a,2b;2a’,2b’に電気的に接続されており、前記測定装置M1;M2;M1’,M1’’は、前記抵抗変化を測定するために、前記基板1から前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’を通って延在し、かつ、該ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’から側面および/または表面および/または裏面の前記導体路2a,2b;2a’,2b’を通って延在する回路経路によって構成されている、ことを特徴とするセンサ構成素子。前記サイズモ質量体3は、前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’を介して前記基板1に懸架されている、ことを特徴とする請求項1記載のセンサ構成素子。前記サイズモ質量体3は、接続梁7を介して前記基板1に懸架されており、前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1bは、前記接続梁7と前記基板1との間に設けられている、ことを特徴とする請求項1記載のセンサ構成素子。前記導体路2a,2b;2a’,2b’のうち、前記基板1の領域に延在する領域と前記基板1との間に、電気絶縁層Iが設けられている、ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載のセンサ構成素子。前記基板1と前記サイズモ質量体3との間に、複数のピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’が設けられており、複数の前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’は、それぞれ1つの表面の導体路2a,2b;2a’,2b’を有しており、表面の前記導体路2a,2b;2a’,2b’は、対応する前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’を少なくとも部分的に覆っており、前記基板1の領域の中まで延在しており、前記基板1および前記導体路2a,2b;2a’,2b’に電気的に接続されている前記測定装置M1;M2;M1’;M1’’は、前記抵抗変化を測定するために、前記基板1からそれぞれの前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’を通って延在し、かつ、それぞれの該ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’から対応する表面の前記導体路2a,2b;2a’,2b’を通って延在するそれぞれの回路経路によって構成されている、ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載のセンサ構成素子。前記測定装置M1;M2;M1’;M1’’は、複数の前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’の抵抗変化をそれぞれ別個に評価するよう構成されている、ことを特徴とする請求項5記載のセンサ構成素子。前記測定装置M1;M2;M1’;M1’’は、複数の前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’の抵抗変化を、ハーフブリッジ回路またはフルブリッジ回路M1’にて合わせて評価するよう構成されている、ことを特徴とする請求項5記載のセンサ構成素子。前記測定装置M1;M2;M1’;M1’’は、1つまたは複数の前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’の抵抗変化を、電流ミラー回路M1’’にてシグマデルタ変調によって評価するよう構成されている、ことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項記載のセンサ構成素子。前記基板1は、2つの隣り合う前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’を通る前記回路経路を電気的に分離するためのトレンチ11aを有する、ことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項記載のセンサ構成素子。前記導体路2a,2b;2a’,2b’は、金属被覆層から構造化された金属製導体路である、ことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項記載のセンサ構成素子。複数の結合されたサイズモ質量体3が設けられている、ことを特徴とする請求項1から10のいずれか一項記載のセンサ構成素子。基板1に変位可能に懸架されたサイズモ質量体3の変位を、前記基板1と前記サイズモ質量体3との間に設けられたピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’の抵抗変化によって検出するための測定方法であって、前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’は、前記サイズモ質量体3の変位時に抵抗変化する、測定方法において、前記基板1から前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’を通って延在し、かつ、該ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’から側面および/または表面および/または裏面の導体路2a,2b;2a’,2b’を通って延在する回路経路を形成するステップであって、前記導体路2a,2b;2a’,2b’は、前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’を少なくとも部分的に覆っており、前記基板1の領域の中まで延在している、ステップと、前記サイズモ質量体3の変位を検出するために、前記回路経路に接続された測定装置M1;M2;M1’;M1’’によって前記抵抗変化を評価するステップと、を有することを特徴とする測定方法。前記基板1と前記サイズモ質量体3との間に設けられた複数のピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’の抵抗変化を、前記測定装置M1;M2;M1’;M1’’によってそれぞれ別個に評価する、こと特徴とする請求項12記載の測定方法。前記基板1と前記サイズモ質量体3との間に設けられた複数のピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’の抵抗変化を、ハーフブリッジ回路またはフルブリッジ回路M1’にて合わせて評価する、こと特徴とする請求項12記載の測定方法。1つまたは複数の前記ピエゾ抵抗性の梁1a,1b;1a’,1b’の抵抗変化を、前記測定装置M1;M2;M1’,M1’’によって電流ミラー回路M1’’にてシグマデルタ変調を用いて評価する、ことを特徴とする請求項12記載の測定方法。図中における同一の参照番号は、同一の構成部材または機能的に等しい構成部材を表す。図1は、本発明の第1の実施形態に基づく、マイクロメカニカル加速度センサ装置の形態のピエゾ抵抗型マイクロメカニカルセンサ構成素子の平面図を示し、図2a-cは、マイクロメカニカル加速度センサ装置の形態の図1のピエゾ抵抗型マイクロメカニカルセンサ構成素子の、線A-A’、B-B’、C-C’に沿った断面図を示す。図1において参照符号5は、ピエゾ抵抗式マイクロメカニカル加速度センサを表す。基板1からサイズモ質量体3に向かって、均一にドーピングされた2つのピエゾ抵抗性の梁1a,1bが延在しており、サイズモ質量体3はこれらの梁1a,1bを介して基板1に接続されている。梁1a,1bおよびサイズモ質量体3の下には空洞部Kが存在している。ピエゾ抵抗性の梁1aと1bの間にあるアイソレーショントレンチGは、シャローアイソレーショントレンチSTIとして構成することもできる。これによって梁1a,1bを回転点のより近傍に取り付けることができ、これによってクランク作用が強化される。xy平面基板平面においてサイズモ質量体3の重心点6に作用する加速度は、梁1aの圧縮および梁1bの伸張を生じさせる、ないしは、梁1aの伸張および梁1bの圧縮を生じさせる。この際、梁1a,1bの均一なピエゾ抵抗性のドーピングにより、これらの梁の電気抵抗が変化する。この抵抗変化は測定装置M1、M2によって検出することができる。測定装置M1、M2は梁1a,1bのそれぞれの現在の抵抗値を検出し、この抵抗値はR1aないしR1bで表されている。したがって検出された抵抗変化は、サイズモ質量体の均衡点からの、該サイズモ質量体3の変位を示す尺度となる。この実施形態においては、上記の検出が双方のピエゾ抵抗性の梁1a,1bに対してそれぞれ別個に行われ、このために基板1には電気的分離用のアイソレーショントレンチ11aが設けられている。電気的に分離された基板1の2つの半分の部分は、その下に位置する基板1と機械的に接続する必要があるが、電気的には分離する必要がある例えば、センサ全体の下に設けられる電気絶縁された犠牲層によってということにもさらに注意すべきである。エッチングの際にはサイズモ質量体と梁の下にある犠牲層は除去し、基板1の下にある犠牲層は残しておく必要がある。抵抗変化を検出するために、基板1は、それぞれの梁1a,1b、および、梁1a,1bの表面に設けられた各導体路2a,2bと、それぞれ直列接続されている。導体路2a,2bは、梁1a,1bの表面を部分的ないし完全に覆っており、この実施形態においては金属層から構造化されている。とりわけ各導体路2a,2bは、この実施形態においては、サイズモ質量体3から梁1a,1bの全体に亘って、基板1の領域の中まで延在している。基板1との短絡を阻止するために、基板1の領域にある導体路2a,2bの下には、導体路2a,2bと基板1とを電気的に絶縁させる絶縁層Iが設けられている。同様にして、導体路2a,2bと梁1a,1bの間にあるこの絶縁層Iは、導体路2a,2bと梁1a,1bとが電気的にコンタクトしている各コンタクト領域Kに至るまで設けられている。この絶縁層Iは、とりわけ図2bおよび2cに詳細に図示している。測定装置M1ないしM2は、一方では、導線L1,L2とコンタクト部K1,K2とを介して基板1に接続されており、他方では、導線L3,L4とコンタクト部K3,K4とを介して導体路2a、2bに接続されている。この実施形態では、ピエゾ抵抗性の梁1a,1bの抵抗R1a,R1bの抵抗変化がそれぞれ別個に評価されるが、上に述べたように例えば図6と同じようにハーフブリッジ回路において梁1aと1bを一緒に評価することも可能である。所要の安定基準を満たすことが可能であれば、ピエゾ抵抗性の梁を1つだけ設けることも可能である。さらには、個々の1つのピエゾ抵抗性の梁の上に複数のフィードバック線路を設けることができ、これらのフィードバック線路は別個に評価される。図3は、本発明の第2の実施形態に基づく、マイクロメカニカル加速度センサ装置5’の形態のピエゾ抵抗型マイクロメカニカルセンサ構成素子の平面図を示す。図3に図示する第2の実施形態では、ドーピングされていない撓み梁7が設けられており、この撓み梁7はサイズモ質量体3と基板1とを接続している。この場合、均一にドーピングされたピエゾ抵抗性の梁1a’,1b’は、基板1とサイズモ質量体3との間に設けられているのではなく、基板1と撓み梁7との間に設けられている。このように、ピエゾ抵抗性の梁1a’,1b’を撓み梁7に対して角度αここでは90°で取り付ける形態によって、幾何形状の自由度がより高くなり、例えばサイズモ質量体3の重心点6と基板1の取り付け点との間の距離クランクアーム長さが変わらない場合でも、梁1a,1bの長さを変更させることが可能となる。もちろんこの角度αは90°に限定されているわけではなく、自由に選択することができる。梁1a’,1b’は必ずしも同一の角度αを有する必要はない。ピエゾ抵抗性の梁1a’,1b’の上に設けられた導体路2a’,2b’は、図1の第1の実施形態と同じように構成されており、図1の関連において既に説明したように、ピエゾ抵抗性の梁1a’,1bの抵抗変化の評価を可能にしている。第1の実施形態と同じように、絶縁層Iは、導体路2a’,2b’と梁1a’,1bないし基板1との間にて、それぞれのコンタクト領域K’に至るまで設けられている。コンタクト領域K’では、導体路2a’,2bと梁1a’,1bとが電気的にコンタクトしている。図4は、本発明によるピエゾ抵抗型マイクロメカニカルセンサ構成素子を使用した測定方法の第1の実施形態を説明するための第1の測定装置を示す。図4に図示した測定装置M1’は、4つのピエゾ抵抗性の梁1a,1b,1c,1dのフルブリッジ接続に基づいている。これらの梁1a,1b,1c,1dは2つ1組で、接続ノードJ1,J2,J3,J4を介して、供給電位U0と基準電位REFとの間に並列接続されている。抵抗変化を検出するために、接続ノードJ3,J4において、サイズモ質量体3の変位時の抵抗変化に対する直接的な尺度となる電圧値UおよびU-が取り出され、公知の方法で伝送される。4つのピエゾ抵抗性の梁1a,1b,1c,1dを、ただ1つのサイズモ質量体3に設けるか、または、隣接配置された2つの加速度センサに亘って実現させることができ、この際には場合によって、対応する2つのサイズモ質量体同士を機械的に結合することもできる。図5は、本発明によるピエゾ抵抗型マイクロメカニカルセンサ構成素子を使用した測定方法の第2の実施形態を説明するための第2の測定装置を示す。図5に図示された測定装置M’’は、シグマデルタ変調を用いた電流ミラー回路装置である。基準電圧VRefが印加されている差分増幅器10は、ピエゾ抵抗性の梁1aを介して降下する電圧が、常に基準電圧VRefと同じになるようにする。このことはトランジスタT1を相応に制御することによって行われる。トランジスタT1は別の1つのトランジスタT2と共に、ピエゾ抵抗性の梁1aに対して直列に接続されている。ピエゾ抵抗性の梁1aを通る電流Iは、供給電圧源VDDから出発して、トランジスタT2とトランジスタT1とを介して、ピエゾ抵抗性の梁1aを通って、基準電圧源VSS通常はアース電位へと流れるものである。当該枝路にて発生する電流は、ピエゾ抵抗性の梁1aに接続されたサイズモ質量体3の変位に基づく該ピエゾ抵抗性の梁1aの抵抗変化によって変化する。別の1つの分岐は、直列接続されたトランジスタT3およびT5と、直列接続されたトランジスタT4およびT6とからなる。これらはそれぞれ電流ミラーとして接続されており、したがってそれぞれ対応する制御可能なスイッチCが閉成されている場合には、ピエゾ抵抗性の梁1aを流れる正の電流値がトランジスタT4を流れ、スイッチC’が閉成されている場合には、ピエゾ抵抗性の梁1aを流れる負の電流値がトランジスタT6を流れる。ロジック装置LはスイッチC,C’の閉成を交番的に制御し、閉成時にはそれぞれの電流が積分器20において積分され、この電流の平均値はゼロである。スイッチC,C’のデューティ比はピエゾ抵抗性の梁を流れる電流Iを表しており、この電流Iは出力信号OUTIとして測定装置M1’’から伝送される。以上、本発明を有利な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、多様に変更が可能である。これら2つの実施形態では、導体路1a,1bないし1a’,1b’は金属層から構造化されている。しかしながらこれらの梁を、高ドーピングされた半導体層またはその他の導体路層によって形成することも十分に可能である。これまで本発明をピエゾ抵抗型マイクロメカニカル加速度センサに関連させて説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば回転速度センサや圧力センサ等のような他のピエゾ抵抗型マイクロメカニカル構成素子のために使用することも可能である。本発明のピエゾ抵抗型マイクロメカニカルセンサ構成素子は、これまでに示したxy平面での検出方向を有する加速度センサの他に、z方向における検出のために使用することも可能である。この場合には、導体路2a,2bは非対称の補強部であり、これによってz方向の加速度が作用する際に梁1a,1bに均一な機械的張力が生じる。この場合には、梁1a,1bにおいて機械的張力が調整されている。こうすることによって、フィードバックのためにただ1つの梁と1つの金属製導体路とを有するz方向の加速度センサを実現することができる。原則的に、xyz方向のセンサ構成素子は、1つまたは複数の側面の導体路と、1つまたは複数の表面および/または裏面の導体路とによって実現することができる。"