"種結晶をルツボ内のシリコン融液に接触させ、前記ルツボからチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げる単結晶引上方法であって、前記種結晶から形成した単結晶のネック部を所定径まで拡げ、円錐状のクラウン部を形成する工程において、前記クラウン部の径をdmm、前記クラウン部の引上方向長さをLmmとすると、結晶回転速度sωrpmとルツボ回転速度cωrpmは、式1及び式2により規定される関係式を満たす回転速度に制御されることを特徴とする単結晶引上方法。[数1]sω=α/cω×d1α=4×104×L4-3×107×L3-6×105×L2-0.0069×L0.32前記クラウン部を形成する工程において、前記単結晶の回転方向と前記ルツボの回転方向とは、同方向であることを特徴とする請求項1に記載された単結晶引上方法。前記クラウン部を形成する工程において、前記結晶回転速度sωは、10~40rpmの範囲内となるように制御されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された単結晶引上方法。前記クラウン部を形成する工程において、前記ルツボ回転速度cωは、10~15rpmの範囲内となるように制御されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された単結晶引上方法。しかしながら、特許文献1に開示の単結晶引上方法にあっては、直胴部C2における酸素濃度の面内均一性を向上させることを目的とするものであり、前記課題の解決のために、その方法を用いても、クラウン部C1のドーパント濃度の面内均一性を向上させることができなかった。これは、クラウン工程においては、直胴工程のように結晶を垂直方向引上方向のみに育成するのではなく、結晶を水平方向径方向にも育成する必要があるため、単に特許文献1に開示の方法を適用しても、ドーパント濃度の面内均一性の向上を図ることができなかったものと推察される。本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げる単結晶引上方法であって、単結晶のネック部を所定径まで拡げるクラウン工程において、結晶中のドーパント濃度の面内均一性を向上し、結晶の有転位化を抑制することのできる単結晶引上方法を提供することを目的とする。前記課題を解決するためになされた、本発明に係る単結晶引上方法は、種結晶をルツボ内のシリコン融液に接触させ、前記ルツボからチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げる単結晶引上方法であって、前記種結晶から形成した単結晶のネック部を所定径まで拡げ、円錐状のクラウン部を形成する工程において、前記クラウン部の径をdmm、前記クラウン部の引上方向長さをLmmとすると、結晶回転速度sωrpmとルツボ回転速度cωrpmは、式1及び式2により規定される関係式を満たす回転速度に制御されることに特徴を有する。[数1]sω=α/cω×d1α=4×104×L4-3×107×L3-6×105×L2-0.0069×L0.32尚、前記クラウン部を形成する工程において、前記単結晶の回転方向と前記ルツボの回転方向とは、同方向であることが望ましい。また、前記クラウン部を形成する工程において、前記結晶回転速度sωは、10~40rpmの範囲内となるように制御されることが望ましく、前記ルツボ回転速度cωは、10~15rpmの範囲内となるように制御されることが望ましい。このような方法によれば、結晶径を拡げるクラウン工程において、引上方向の結晶長さと結晶径とに応じた結晶回転速度、及びルツボ回転速度が制御される。これにより、結晶直下の溶融液を効率よく攪拌し、溶融液中のドーパント不純物を拡散することができる。その結果、結晶中のドーパント濃度の面内均一性を向上し、クラウン工程における結晶の有転位化を抑制することができる。本発明によれば、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げる単結晶引上方法であって、単結晶のネック部を所定径まで拡げるクラウン工程において、結晶中のドーパント濃度の面内均一性を向上し、結晶の有転位化を抑制することのできる単結晶引上方法を得ることができる。以下、本発明に係る単結晶引上方法の実施の形態について図面に基づき説明する。図1は本発明に係る単結晶引上方法が実施される単結晶引上装置の全体構成を示すブロック図である。この単結晶引上装置1は、円筒形状のメインチャンバ2aの上にプルチャンバ2bを重ねて形成された炉体2と、炉体2内に設けられたルツボ3と、ルツボ3に装填された半導体原料原料ポリシリコンMを溶融する抵抗加熱ヒータ4以下、単にヒータと呼ぶと、育成される単結晶Cを引上げる引上げ機構5とを有している。尚、ヒータ4において、ルツボ3を囲むように円筒状のスリット部4aが発熱部として設けられている。また、ルツボ3は二重構造であり、内側が石英ガラスルツボ3a、外側が黒鉛ルツボ3bで構成されている。また、引上げ機構5は、モータ駆動される巻取り機構5aと、この巻取り機構5aに巻き上げられる引上げワイヤ5bを有し、このワイヤ5bの先端に種結晶Pが取り付けられている。また、メインチャンバ2a内において、ルツボ3の上方且つ近傍には、単結晶Cの周囲を包囲するように、上部と下部に開口が形成された輻射シールド6が設けられている。この輻射シールド6は、育成中の単結晶Cにヒータ4等からの余計な輻射熱を遮蔽すると共に、炉内のガス流を整流するためのものであり、メインチャンバ2a内において、ヒータ4の周りに設けられた断熱部材7の上端に支持されている。尚、輻射シールド6下端と溶融液面との間の距離寸法ギャップは、育成する単結晶の所望の特性に応じて所定の距離を維持するよう制御される。また、図1に示すように単結晶引上装置1は、シリコン溶融液Mの温度を制御するヒータ4の供給電力量を制御するヒータ制御部9と、ルツボ3を引上げ軸周りに回転させるモータ10と、モータ10の回転数を制御するモータ制御部10aとを備えている。また、ルツボ3の高さを制御する昇降装置11と、昇降装置11を制御する昇降装置制御部11aと、成長結晶の引上げ速度と回転数を制御するワイヤリール回転装置制御部12とを備えている。これら各制御部9、10a、11a、12はコンピュータ8の演算制御装置8bに接続されている。このように構成された単結晶引上装置1においては、最初に石英ガラスルツボ3aに原料ポリシリコンMを装填し、コンピュータ8の記憶装置8aに記憶されたプログラムに基づき図2のフローに沿って結晶育成工程が開始される。先ず、炉体2内が所定の雰囲気となされ、ルツボ3内に装填された原料ポリシリコンMが、ヒータ4による加熱によって溶融され、シリコン溶融液Mとされる図2のステップS1。さらに、演算制御装置8bの指令によりモータ制御部10aと昇降装置制御部11aとが作動し、ルツボ3が所定の高さ位置において所定の回転速度rpmで回転動作される。次いで、演算制御装置8bの指令により、ワイヤリール回転装置制御部12が作動し、ワイヤ5bが降ろされる。そして、ワイヤ5bに取付けられた種結晶Pがシリコン融液Mに接触され、種結晶Pの先端部を溶解するネッキングが行われてネック部P1が形成開始される図2のステップS1。ネック部P1が形成されると、演算制御装置8bの指令によりヒータ4への供給電力や、引上げ速度通常、毎分数ミリの速度などをパラメータとして引上げ条件が調整される。そして、ルツボ3の回転方向と同じ方向に所定の回転速度rpmで種結晶Pが回転開始され、結晶径を拡径するクラウン工程図2のステップS3が行われる。このクラウン工程にあっては、結晶回転速度をsωrpm、ルツボ回転速度をcωrpm、結晶径クラウン径をdmmとすると、式1を満足するように結晶及びルツボの回転速度の制御がなされる。また、式1中のα値は、垂直方向の結晶長さクラウン長をLmmとすると、式2によって規定される。尚、クラウン径dの最大値は、高速回転時においてネック部P1への負荷による破損防止を考慮して320mm程度が望ましい。また、クラウン長Lの最大値は、クラウン部重量によるネック部P1への負荷、及び生産の効率性を考慮して、結晶径の1/2程度が望ましい。また、クラウン径d及びクラウン長Lの測定方法は限定しないが、例えば、炉体2の外に設けたCCDカメラ図示せず等によって測定し、その測定結果をコンピュータ8の演算制御装置8bに入力するようにすればよい。[数2]sω=α/cω×d1α=4×104×L4-3×107×L3-6×105×L2-0.0069×L0.32ここで、上記式1には、クラウン径d、及び垂直方向の結晶長さクラウン長Lが変数として含まれるため、この式1を満足するよう結晶回転速度sω望ましくは10~40rpmの範囲内、及びルツボ回転速度cω望ましくは10~15rpmの範囲内を制御することにより、そのときのクラウン部C1の形状に応じた回転速度の制御がなされる。この制御により、結晶直下の溶融液が効率よく攪拌され、溶融液中のドーパント不純物が拡散される。その結果、結晶中のドーパント濃度の面内均一性が向上される。尚、ルツボ回転速度が高いほど酸素濃度が上昇するため、クラウン工程において、少なくとも直胴工程に移行する直前の段階にあっては、ルツボ3の回転速度cωを15rpm以下に制御することが望ましい。そのように制御することにより、直胴部における酸素濃度の過度の上昇を防止することができる。また、前記式1に代入するα値は、前記式2により規定されるが、α値の誤差は、α±0.002の範囲内であることが望ましい。これは、式1に代入するα値が、式2で規定される値よりも0.002以上となるとクラウン形状が鋭角化する、組成的過冷却による有転位化は生じないが、結晶径を所定の径まで成長させるのに時間を要し非効率的であるためである。また、結晶回転による攪拌効果も小さいためである。一方、式1に代入するαの値が、式2で規定される値よりも0.002以下になるとクラウン形状がフラット化する、結晶の水平方向の成長速度が速すぎて、組成的過冷却による有転位化を誘発しやすくなるためである。また、ルツボ回転速度と結晶回転速度との差が大きくなり、溶融液が波立って、有転位化しやすくなるためである。クラウン工程が終了すると、製品部分となる直胴部C2を形成する直胴工程図2のステップS4が行われる。この直胴工程においても、引き続き、式1を満足するようにルツボ3と単結晶Cの回転速度の制御がなされ、それにより結晶直下の溶融液が効率よく攪拌され、単結晶Cのドーパント濃度の面内均一性が向上される。そして、直胴工程が終了すると、単結晶直径が徐々に縮径されるテール工程に移行し、このテール工程においてテール部図示せずが形成され、単結晶Cの育成が完了する図2のステップS5。以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、結晶径を拡げるクラウン工程において、引上方向の結晶長さクラウン長Lと結晶径クラウン径dとに応じた結晶回転速度、及びルツボ回転速度が制御される。これにより、結晶直下の溶融液を効率よく攪拌し、溶融液中のドーパント不純物を拡散することができる。その結果、結晶中のドーパント濃度の面内均一性を向上することができ、クラウン工程における結晶の有転位化を抑制することができる。尚、前記実施の形態においては、結晶回転方向とルツボ回転方向とを同方向としたが、その形態に限定されず、結晶回転方向とルツボ回転方向とを逆方向としてもよい。その場合、結晶回転方向とルツボ回転方向とを同方向とする場合よりも結晶直下の溶融液が攪拌され難くなるが、本発明による効果は十分に得ることができる。本発明に係る単結晶引上方法について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態に沿って単結晶引き上げを行い実施例1、2、クラウン工程における無転位成長率、及びクラウン部における抵抗率の面内分布最大値-最小値/最小値について検証した。また、実施例1の条件を一部変更した比較例1,2の結果についても検証した。実施例1実施例1では、結晶径200mmの砒素添加結晶の育成を行った。具体的な実験条件として、砒素のドーピング量を550~600gとし、クラウン工程において、炉内圧力を100Torr以上、引上速度を0.9~1.3mm/minで制御した。また、本発明に係る実施形態で示した前記式1を満足するように結晶回転速度及びルツボ回転速度の制御を行ったが、更に結晶回転速度は10~40rpm、ルツボ回転速度は10~15rpmの間で制御を行った。結晶の回転方向とルツボの回転方向とは同方向とした。また、式1に代入するα値は、図3のグラフに示すクラウン長横軸に対するα値縦軸の値とした。この実施例1におけるα値は、式2により規定されるα値に対して±0.002の範囲内である。そして、クラウン部形成完了まで引き上げられた複数の単結晶のうち、10本の単結晶を標本として選び、無転位化率、及び抵抗率面内分布を測定した。実施例2実施例2では、結晶の回転方向とルツボの回転方向とを逆方向とした。その他の条件は実施例1と同一にした。尚、式1に代入するα値は、図3のグラフに示すクラウン長横軸に対するα値縦軸の値とした。この実施例2におけるα値は、式2により規定されるα値に対して±0.002の範囲内である。比較例1比較例1では、式1に代入するα値は、図3のグラフに示すクラウン長横軸に対するα値縦軸の値とした。この比較例1におけるα値は、式2により規定されるα値に対して0.002以上小さい値であるクラウン部形状はフラット状に近づく。その他の条件は実施例1と同一にした。比較例2比較例3では、式1に代入するα値は、図3のグラフに示すクラウン長横軸に対するα値縦軸の値とした。この比較例2におけるα値は、式2により規定されるα値に対して0.002以上大きい値であるクラウン部形状は鋭角状に近づく。その他の条件は実施例1と同一にした。表1に、実施例の結果として、クラウン工程における無転位成長率をそれぞれ示す。表1に示すように、実施例1では90の無転位成長率でクラウン部を形成することができた。また、結晶の回転方向とルツボの回転方向とを逆方向とした実施例2においても、80の高い無転位成長率でクラウン部を形成することができた。一方、比較例1α値が小さい場合では、無転位成長率は70と、大きく低下しなかったが、クラウン部の育成時間が実施例1,2の場合よりも約2倍を要し、投入ドーパント量が約1.7倍となった。また、比較例2α値が大きい場合では、無転位でクラウン部を成長させることができなかった。また、図4に、クラウン部における抵抗率の面内分布最大値-最小値/最小値を示す。図4のグラフにおいて、縦軸は抵抗率面内分布、横軸はクラウン径mmを示す。図4に示すように、実施例1では、抵抗率面内分布が5以下となり、引上方向に直交する面において濃度のムラが小さくなった。実施例2では、実施例1と同様に抵抗率面内分布が5以下となったが、実施例1よりは分布率が高くなった。一方、比較例1、2では、抵抗率面内分布が高くなり、引上方向に直交する面において濃度のムラが大きくなった。尚、比較例2にあっては、クラウン部を全て形成することができなかったため、クラウン径100mmまでの結果となった。このように比較例1,2において、引上方向に直交する面内において濃度のムラが大きいということは、低抵抗率結晶の育成において予期しない抵抗率の低下ドーパント濃度の上昇が発生しやすく、組成的過冷却の発生によって有転位化しやすいことを示している。以上の実施例の結果より、本発明に係る単結晶引き上げ方法によれば、育成する単結晶の直径を直胴部直径にまで広げるクラウン工程において、結晶の有転位化を抑制できることを確認した。"