光学素子を加熱するステップと、前記加熱された光学素子の上に光学材料を塗布するステップとを含むことを特徴とする方法。前記光学材料を、前記光学素子に塗布されたときに硬化させるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記光学材料は発光材料を含むことを特徴とする、請求項2に記載の方法。前記光学材料は結合剤をさらに含み、前記光学材料を硬化させるステップは、前記結合剤を硬化させるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項3に記載の方法。前記光学材料は結合剤及び溶媒をさらに含み、前記光学材料を硬化させるステップは、前記結合剤を硬化させるステップ及び前記溶媒を蒸発させるステップを含むことを特徴とする、請求項3に記載の方法。前記光学素子はLED構造体を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記光学材料を塗布するステップは、溶液中に懸濁された光学材料を含む発光溶液を、加圧気体流を用いて霧状にするステップと、前記霧状発光溶液を、前記加圧気体流を用いて、前記加熱された光学素子の上に噴霧するステップとを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記発光溶液を噴霧するステップは、空気加圧噴霧システムにより前記発光溶液を噴霧するステップを含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。前記発光溶液は、揮発性溶媒及び結合剤材料を含む溶液内に懸濁された波長変換粒子を含み、前記方法は、前記加熱されたLED構造体内の熱エネルギーによって前記発光溶液から前記揮発性溶媒を蒸発させて、前記波長変換粒子を含む共形層を前記LED構造体の上に設けるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。前記発光溶液は、不揮発性溶媒及び結合剤材料を含む溶液内に懸濁された波長変換粒子を含み、前記方法は、前記加熱されたLED構造体内の熱エネルギーによって前記不揮発性溶媒及び/又は前記結合剤を硬化させて、前記波長変換粒子を含む共形層を前記LED構造体の上に設けるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。前記光学素子は、頂面及び前記頂面上のワイヤボンドパッドを有するLEDチップを含み、前記方法は、前記LEDチップを加熱する前、且つ、前記光学材料を前記加熱された光学素子の上に塗布する前に、ワイヤを前記ワイヤボンドパッドに接合するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記光学素子はLEDウェハを含み、前記方法は、前記光学材料を前記加熱されたLEDウェハの上に塗布した後で、前記LEDウェハを複数のLEDチップに個別化するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記光学素子はLED構造体を含み、前記LED構造体に通電して該LED構造体に光を放射させるステップと、前記放射された光を用いて前記LED構造体の光学特性を検査するステップと、前記LED構造体の前記光学特性が所定のビンニング閾値内に入らないことに応じて、揮発性溶媒及び結合剤材料を含む溶液内に懸濁された波長変換粒子を含んだ追加の光学材料を前記加熱されたLED構造体のうえに塗布するステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記光学素子は、頂面及び前記頂面上のワイヤボンドパッドを有するLEDチップを含み、前記方法は、前記LEDチップを加熱する前、且つ、溶媒及び結合剤材料を含む溶液内に懸濁された波長変換粒子を含む前記光学材料を前記加熱されたLEDチップに塗布する前に、前記LEDチップをLEDパッケージの光学キャビティ内に取り付けるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記加熱されたLEDチップからの熱エネルギーによって前記結合剤材料を硬化させるステップと、前記光学キャビティ内に前記LEDチップを覆って封入材を定量充填し、それにより前記波長変換材料及び前記硬化した結合剤材料を含む前記LEDチップを前記封入材で被覆するステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項14に記載の方法。前記光学素子はLEDウェハを含み、前記方法は、前記LEDウェハの表面上に複数の犠牲パターンを形成するステップをさらに含み、前記加熱されたLED構造体の上に前記光学材料を塗布するステップは、前記犠牲パターンの上及び前記犠牲パターン間の前記LEDウェハの露出表面の上に、霧状発光溶液を噴霧するステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記複数の犠牲パターンを形成する前に、前記LEDウェハの前記表面上に複数の電気コンタクトを形成するステップをさらに含み、前記複数の犠牲パターンを形成するステップは、前記複数の犠牲パターンの少なくとも一部分を前記複数の電気コンタクトの上に形成するステップを含む、ことを特徴とする、請求項16に記載の方法。前記犠牲パターン、及び前記塗布された光学材料の前記犠牲パターン上の部分を除去して、前記複数の電気コンタクトを露出させるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項16に記載の方法。前記光学素子を加熱するステップは、前記光学素子を摂氏約90度から摂氏約155度までの範囲の温度に加熱するステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記光学素子を加熱するステップは、前記光学材料を前記加熱された光学素子の上に塗布する前に、前記光学素子に熱を加えるステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記光学素子を加熱するステップは、前記光学材料を前記加熱された光学素子の上に塗布しながら、前記光学素子に熱を加えるステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記加熱された光学素子の上に前記光学材料を塗布するステップは、霧状発光溶液の第1の層を加熱されたLED構造体の上に噴霧し、次いで霧状発光溶液の第2の層を前記霧状発光溶液の第1の層の上に噴霧するステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記霧状発光溶液の前記第1の層を、前記霧状発光溶液の前記第2の層を噴霧する前に硬化させることを特徴とする、請求項22に記載の方法。前記霧状発光溶液は、前記第1の層に噴霧される第1の発光溶液と、前記第2の層に噴霧される第2の発光溶液とを含み、前記第1の発光溶液が前記第2の発光溶液とは異なる、ことを特徴とする、請求項22に記載の方法。前記光学材料を塗布するステップは、溶液中に懸濁された光学材料を含む発光溶液を、加圧気体流を用いて霧状にするステップと、前記霧状発光溶液を、前記加圧気体流を用いて、前記加熱された光学素子の上に噴霧するステップとを含み、前記霧状発光溶液を前記加熱された光学素子の上に噴霧するステップは、前記加熱された光学素子の表面に対して複数の角度で前記加熱された光学素子に向かって噴霧するように位置決めされた複数の噴射ヘッドを用いて、前記霧状発光溶液を前記加熱された光学素子の上に噴霧するステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。光学材料を塗布する前及び/又は塗布する間に前記光学材料を撹拌するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。活性領域を備えた半導体発光ダイオードLEDと、前記LEDの直接上の共形層と、を備え、前記共形層は、蛍光体粒子と、前記LEDに前記共形層が塗布された時点で前記LED内の熱エネルギーによって硬化する結合剤材料とを含む、ことを特徴とする発光構造体。前記共形層は、前記蛍光体粒子、溶媒及び前記結合剤を含んだ霧状発光溶液を含み、前記霧状発光溶液は、前記霧状発光溶液を前記LEDの熱エネルギーによって硬化させるように加熱された、前記LEDの上に直接噴霧されることを特徴とする、請求項26に記載の発光構造体。前記共形層は、前記LEDの直接上の第1の共形層と、前記第1の共形層の上の第2の共形層とを含むことを特徴とする、請求項27に記載の発光構造体。前記第1の共形層は第1の蛍光体粒子を含み、前記第2の共形層は第2の蛍光体粒子を含むことを特徴とする、請求項29に記載の発光構造体。前記第1の蛍光体粒子は第1の主波長の光を放射するように構成され、前記第2の蛍光体粒子は第2の主波長の光を放射するように構成されることを特徴とする、請求項30に記載の発光構造体。前記第1の主波長が前記第2の主波長と同じであることを特徴とする、請求項31に記載の発光構造体。前記第1の主波長が前記第2の主波長とは異なることを特徴とする、請求項31に記載の発光構造体。光拡散体粒子を含んだ第3の共形層を前記第3の共形層の上にさらに含むことを特徴とする、請求項29に記載の発光構造体。前記半導体発光ダイオードはLEDチップを含むことを特徴とする、請求項27に記載の発光構造体。放射された光と相互作用するためのデバイスを形成する方法であって、光学素子を加熱するステップと、前記加熱された光学素子の上に光学材料の第1の共形層を塗布するステップと、前記光学素子の発光特性を検査するステップと、前記光学素子の前記発光特性が不合格であることに応じて、前記光学素子の上に光学材料の第2の共形層を塗布するステップと、を含むことを特徴とする方法。前記第1の共形層を塗布するステップは、溶液中に懸濁された光学材料を含む発光溶液を、加圧気体流を用いて霧状にするステップと、前記霧状発光溶液を、前記加圧気体流を用いて、前記加熱された光学素子の上に噴霧して、前記加熱された光学素子の熱エネルギーによって硬化する光学材料の第1の共形層を設けるステップと、を含むことを特徴とする、請求項36に記載の方法。前記光学素子はLED構造体を含み、前記発光特性を検査するステップの前に、前記加熱されたLED構造体を冷却させるステップと、前記LED構造体の前記発光特性が不合格であることに応じて、前記第2の共形層を塗布する前に前記LED構造体を加熱するステップと、をさらに含むことを特徴とする、請求項37に記載の方法。前記光学材料の第1の共形層は、前記LED構造体によって放射された光に応じて第1の波長を有する光を放射するように構成された第1の蛍光体粒子を含み、前記光学材料の第2の共形層は、前記LED構造体によって放射された光に応じて、前記第1の波長とは異なる第2の波長を有する光を放射するように構成された第2の蛍光体粒子を含むことを特徴とする、請求項37に記載の方法。液体供給ラインと、前記液体供給ラインに結合され、光学材料の粒子を含有する液体溶媒を前記液体供給ラインに供給するように構成された貯留槽と、前記液体供給ラインに結合され、前記液体溶媒を前記液体供給ラインから受け取るように構成された噴射ノズルと、前記噴射ヘッドに結合され、加圧気体を前記噴射ノズルに供給するように構成された気体ラインと、前記噴射ノズルへの前記液体溶媒の流れを制御するように構成されたコントローラと、前記液体溶媒が前記LED構造体上に噴霧される前に発光ダイオードLED構造体を加熱するように構成された加熱デバイスと、を備えることを特徴とする堆積システム。前記貯留槽から前記供給ラインへの前記液体溶媒の第2の流れを制御するように構成された質量流コントローラをさらに備え、前記コントローラは前記質量流コントローラを制御するようにさらに構成されることを特徴とする、請求項40に記載の堆積システム。前記LED構造体によって出力された光を検出するように構成された光センサをさらに備え、前記コントローラは、前記検出された出力光に応じて、前記噴射ノズルへの前記液体溶媒の前記流れを制御するように構成されることを特徴とする、請求項40に記載の堆積システム。発光ダイオードLEDと、前記LEDから放射された光の少なくとも一部分を受け取るように構成された光透過要素と、前記LED及び/又は前記光透過要素のうちの少なくとも1つに塗布された発光材料とを備え、前記発光材料は、光学材料を含み、前記LED及び/又は前記光透過要素内の熱エネルギーによって、それらに前記発光材料が塗布されたときに硬化されるように構成されることを特徴とする発光構造体。前記光学材料は波長変換材料を含むことを特徴とする、請求項43に記載の発光構造体。前記波長変換材料は蛍光体粒子を含むことを特徴とする、請求項44に記載の発光構造体。前記蛍光体粒子は、第1の主波長の光を放射するように構成された第1の蛍光体粒子と、前記第1の主波長とは異なる第2の主波長の光を放射するように構成された第2の蛍光体粒子とを含むことを特徴とする、請求項44に記載の発光構造体。前記蛍光体粒子は、赤色、緑色、黄色、及び/又は青色を発する蛍光体粒子のうちの少なくとも2つを含むことを特徴とする、請求項45に記載の発光構造体。光学素子への光学材料の塗布中に前記光学材料を前記光学素子上で硬化させるステップを含むことを特徴とする方法。前記光学材料を硬化させるステップは、前記光学素子を加熱するステップを含むことを特徴とする、請求項48に記載の方法。蛍光体及び/又は他の光学材料を塗布するための従来の方法に伴う問題として、高いコスト、複雑さ、凝集、滴下、沈降、層化、及び/又は分離を挙げることができ、これらはそのようにして塗布される光学材料の共形性及び/又は均一性を低下させる可能性がある。本発明は、半導体発光デバイスの光透過構造体、反射体、レンズ及び/又は発光表面、又は放射された光と相互作用する他の基板若しくは要素などの光学素子に対する、蛍光体及び/又は他の粒子などの光学材料の塗布における、光学素子への光学材料の塗布前又は塗布中に光学素子に熱を加えることによる改良に関する。本発明の幾つかの実施形態は、加熱された光学素子、例えば、半導体発光デバイス、又は半導体発光デバイスから離間した他の光学素子などに、光学材料を噴霧することを含む。本発明の幾つかの実施形態は、光学材料を光学素子に塗布すること、及び、塗布中に光学材料を硬化因子に曝すことを含む。硬化因子は、熱、放射線、光学素子上若しくは光学素子内の材料、又は光学材料の硬化プロセスを加速する他の因子を含むことができる。幾つかの実施形態において、光学素子は、被覆率及び/又は均一性などの所望の特性を達成するように光学材料の流れを制御するのに十分な温度に加熱することができる。例えば、光学素子は、接触した光学材料を、光学材料がさらに移動するのを防ぐようにゲル化し、硬化させ、又は固定するのに十分な温度に加熱することができる。光学材料は、蛍光体のような発光材料を含むことができる。幾つかの実施形態は、発光材料が、光学材料をその中に含む溶液、混合物、化合物及び/又は懸濁液を含むことができることを規定する。光学材料を、加熱された光学素子に塗布することができる。幾つかの実施形態において、光学材料及び/又は発光材料は、加熱された光学素子の上に、例えば、加圧流体気体又は液体の流れ及び/又は機械的液体送出機構、例えば、特に、ポンプ及び/又はシリンジ式デバイスを用いて、噴霧することができる。幾つかの実施形態において、加圧気体流は、空気加圧噴霧システムを用いて供給することができる。幾つかの実施形態は、光学材料及び/又は発光材料を、直接接触操作、特に、例えば、刷毛、パッド及び/又はローラなどの塗布具の使用、浸漬及び/又は流し込みなどを用いて塗布することができることを規定する。光学材料及び/又は発光材料を加熱された光学素子に塗布することにより、光学材料及び/又は発光材料は、基板上でその内部の熱エネルギーによって急速に硬化することができる。このようにして、何らかの実質的な流動running、沈降、分離、層化及び/又は貯留pooling作用が起こり得る前に、硬化を達成することができる。従って、光学素子上の硬化された光学材料層を、所望の形状、蛍光体分布又は共形性の程度を達成するように制御することができる。例えば、光学材料は、光学素子に対して実質的に共形にすること、厚さを均一にすること、及び/又は特定の材料密度を有するようにすることができる。このような特徴は、光学材料及び/又は発光材料を、非平面及び/又は多重平面の基板、構成部品又は材料に塗布するときに特に有効である。幾つかの実施形態において、発光溶液は、結合剤材料内に懸濁された波長変換粒子及び/又は蛍光体を含む。結合剤材料は、加熱されたLED構造体内の熱エネルギーにより硬化してLED構造体上に波長変換粒子を含む共形層をもたらすことができる。蛍光体の濃度及び/又は結合剤の粘度に応じて溶媒を加えて材料を十分に希釈して、光学材料の改善された塗布、例えば改善された霧状化などを可能にすることができる。幾つかの実施形態において、溶媒希釈率は、結合剤に対して10重量と50重量との間である。幾つかの実施形態において、希釈率は、結合剤に対して50重量と150重量との間である。溶媒希釈率が高いほど、粒子沈降時間は速くなり得る。塗布時間に応じて、粒子を懸濁状態に維持するためのかき混ぜ、撹拌及び/又は他の混合法を用いることができる。従って、幾つかの実施形態は、発光溶液が、揮発性溶媒及び結合剤材料を含む溶液中に懸濁された波長変換粒子及び/又は蛍光体を含むことを規定する。揮発性溶媒を、加熱された光学素子内の熱エネルギーにより発光溶液から蒸発させて、光学素子上に波長変換粒子を含む層をもたらすことができる。幾つかの実施形態において、光学素子は発光ダイオードLED構造体を含み、これは、LEDチップ、LEDチップの発光面、能動及び/又は受動光学要素、例えば、レンズ、拡散体、誘電体又は保護層又はスペーサ層などの光透過層、基板、パッケージ構造体又は構成部品、LEDチップ上の光学素子、又は、LEDチップ若しくは構成部品から離間した光学素子、例えば、離れたレンズ、反射体、拡散体又は光透過要素を含むことができる。濃度は、粒径、所望の光学材料厚、及び/又は、ストークス損失及び光束密度による蛍光体の加熱などの熱的考慮事項の関数として調節することができる。コーティングする光学素子に応じて、所望の結果を達成するように粒子濃度を調節又は変更することができる。例えば、LEDチップを波長変換材料でコーティングする場合、LEDチップから離れた光学素子に塗布する場合の波長変換材料の濃度と比べて、結合剤に対してより高濃度の波長変換材料を用いて、ストークス損失による蛍光体の加熱を減らすことができる。蛍光体の加熱は、粒子濃度を増加させて粒子自体の間及び光学素子への熱伝導性を向上させるようにことによって、減らすことができる。幾つかの実施形態において、20-150ミクロンの層厚では40重量を上回る濃度、30-75ミクロンの層厚では60重量を上回る濃度、及び50ミクロン未満の層厚では75重量を上回る濃度とする。光学材料厚が厚いほど、より低濃度の波長変換材料が可能となる。光学素子がLEDチップからより遠くに離間するにつれて、光束密度が減少するため、より低い濃度を用いることができる。幾つかの実施形態において、LED構造体は、頂面及び頂面上のワイヤボンドパッドを有するLEDチップを含む。LEDチップは、例えば、ワイヤボンドをLEDチップ上のパッドに接続することによって電気的に活性にすることができる。幾つかの実施形態は、そのような接続を、LEDチップを加熱する前、且つ、発光溶液をLEDチップ上に噴霧する前に形成することができることを規定する。幾つかの実施形態は、LED構造体がLEDウェハを含み、加熱されたLED構造体に発光溶液を噴霧した後でこれを複数のLEDチップに個別化することができることを規定する。幾つかの実施形態おいて、LEDチップを個別化の後に加熱して、これに発光溶液を噴霧することができる。幾つかの実施形態は、発光溶液を霧状にして噴霧して、小さくて実質的にばらつきがないサイズの液滴を含んだ噴霧をもたらすことができることを規定する。幾つかの実施形態は、LED構造体に通電してLED構造体に光を放射させること、及び、放射された光を用いてLED構造体の光学特性を検査することを含む。LED構造体の光学特性が所定のビンニングbinning閾値内に入らないことに応じて、揮発性溶媒及び加熱LED構造体への結合剤材料を含む溶液内に懸濁された波長変換粒子を含んだ追加の発光溶液を、LED構造体上に噴霧することができる。幾つかの実施形態は、LED構造体が、LEDパッケージ内に取り付けられたLEDチップを含むことを規定する。幾つかの実施形態において、発光材料は、LEDパッケージ内に取り付けられたLEDチップに塗布することができる。例えば、幾つかの実施形態は、LEDパッケージが、LEDチップを中に取り付けることができる光学キャビティを含むことを規定する。発光材料は、LEDチップ及び/又は光学キャビティの一部分に塗布することができる。幾つかの実施形態は、LEDチップが、頂面及び頂面上のワイヤボンドパッドを含むことを規定する。LEDは、LEDチップを加熱する前、且つ、揮発性溶媒及び又は結合剤材料を含む溶液内に懸濁された波長変換粒子を含んだ霧状発光溶液を加熱LEDチップ上に噴霧する前に、LEDパッケージの光学キャビティ内に取り付けることができる。本方法は、結合剤材料を加熱LEDチップからの熱エネルギーによって硬化させること、及び、封入材を光学キャビティ内にLEDチップを覆って定量充填し、それにより、波長変換材料及び/又は硬化した結合剤材料を含むLEDチップを封入材で被覆することをさらに含むことができる。幾つかの実施形態において、LED構造体はLEDウェハを含む。複数の犠牲パターンをLEDウェハの表面上に形成することができ、発光材料は、犠牲パターン及び犠牲パターン間のLEDウェハの露出表面上に塗布される。幾つかの実施形態は、犠牲パターンを形成する前に、複数の電気コンタクトをLEDウェハの表面上に形成することを規定する。幾つかの実施形態において、犠牲パターンを形成することは、犠牲パターンの少なくとも一部分を電気コンタクトの上に形成することを含む。幾つかの実施形態は、犠牲パターン、及び、噴霧された発光溶液の犠牲パターン上の部分を除去して、電気コンタクトを露出させることを含む。幾つかの実施形態は、LED構造体が摂氏70度を超えるまで加熱されることを規定する。幾つかの実施形態は、LED構造体が摂氏90度を超えるまで加熱されることを規定する。幾つかの実施形態は、LED構造体が摂氏120度を超えるまで加熱されることを規定する。幾つかの実施形態において、LED構造体は、摂氏約70度から摂氏約155度までの範囲の温度に加熱される。幾つかの実施形態において、LED構造体は、摂氏約90度から摂氏約155度までの範囲の温度に加熱される。幾つかの実施形態において、LED構造体は、摂氏約90度から摂氏約120度までの範囲の温度に加熱される。幾つかの実施形態は、発光材料が加熱されたLED構造体上に塗布される前に、LED構造体に熱が加えられることを規定する。幾つかの実施形態において、発光材料が加熱されたLED構造体上に塗布される間に、LED構造体に熱が加えられる。幾つかの実施形態は、発光材料が加熱されたLED構造体上に塗布された後で、LED構造体に熱が加えられることを規定する。幾つかの実施形態は、発光材料を加熱されたLED構造体上に塗布することが、発光材料の第1の層を加熱されたLED構造体の上に噴霧し、次いで発光材料の第2の層を発光材料の第1の層の上に噴霧することを含むことを規定する。幾つかの実施形態において、発光材料の第1の層は、発光材料の第2の層が噴霧される前に硬化される。幾つかの実施形態は、発光材料が、第1の層に噴霧される第1の発光材料、及び、第2の層に噴霧される第2の発光材料を含み、第1の発光材料は第2の発光材料とは異なることを規定する。幾つかの実施形態において、発光材料を加熱されたLED構造体上に噴霧することは、加熱されたLED構造体の表面に対して複数の角度で加熱されたLED構造体に向けて噴霧するように位置決めされた複数のスプレイヘッドを用いて、発光材料を加熱されたLED構造体上に噴霧することを含む。本発明の幾つかの実施形態は、半導体発光ダイオードLEDを含む発光構造体を含む。この発光構造体は、LEDの直接上の共形層を含む。この共形層は、蛍光体粒子と、共形層がLEDに塗布された時点でLED内の熱エネルギーによって硬化する結合剤材料とを含む。幾つかの実施形態は、共形層が、蛍光体粒子、溶媒及び結合剤材料を含んだ霧状発光溶液を含み、霧状発光溶液が、霧状発光溶液をLEDの熱エネルギーによって硬化させるように加熱されたLEDの上に直接噴霧されることを規定する。幾つかの実施形態において、共形層は、LEDの直接上の第1の共形層と、第1の共形層の上の第2の共形層とを含む。第1の共形層は第1の蛍光体粒子を含み、第2の共形層は第2の蛍光体粒子を含む。幾つかの実施形態において、第1の蛍光体粒子は第1の主波長の光を放射するように構成され、第2の蛍光体粒子は第2の主波長の光を放射するように構成される。幾つかの実施形態は、第1の主波長が第2の主波長と同じであることを規定する。幾つかの実施形態において、第1の主波長は第2の主波長とは異なる。幾つかの実施形態は、光拡散体粒子を含んだ第3の共形層を第3の共形層の上に含む。幾つかの実施形態において、半導体発光ダイオードはLEDチップを含む。本発明の幾つかの実施形態は、半導体発光デバイスを形成する方法を含み、該方法は、発光ダイオードLEDを加熱すること、及び、溶液中に懸濁された光学材料を含む発光材料を、加圧気体流を用いて霧状にすることを含む。方法は、発光材料を加熱されたLED構造体上に加圧気体流を用いて噴霧して、加熱されたLED構造体の熱エネルギーによって硬化する光学材料の第1の共形層をもたらすこと、及び、LED構造体の発光特性を検査することを含む。幾つかの実施形態は、LED構造体の発光特性が不合格であることに応じて、LED構造体上に光学材料の第2の共形層を塗布すること、及び/又は、同じ及び/又は異なる蛍光体及び/又は発光材料、又は例えば散乱粒子のような他の光学材料の付加的な塗布を規定する。幾つかの実施形態は、発光特性を検査する前に、加熱されたLED構造体を冷却させること、及び、第2の共形層を塗布する前に、LED構造体を加熱することを含む。幾つかの実施形態において、光学材料の第1の共形層は、LED構造体によって放射された光に応じて第1の波長を有する光を放射するように構成された第1の蛍光体粒子を含み、光学材料の第2の共形層は、LED構造体によって放射された光に応じて、第1の波長とは異なる第2の波長を有する光を放射するように構成された第2の蛍光体粒子を含む。本発明の幾つかの実施形態は堆積システムを含み、該堆積システムは、液体供給ラインと、液体供給ラインに結合されて光学材料の粒子を含む液体溶媒を液体供給ラインに供給するように構成された貯留槽と、液体供給ラインに結合されて液体供給ラインから液体溶媒を受け取るように構成された噴射ノズルとを含む。システムは、噴射ヘッドに結合されて加圧気体を噴射ノズルに供給するように構成された気体ラインと、噴射ノズルへの液体溶媒流を制御するように構成されたコントローラと、液体溶媒が該LED構造体上に噴霧される前に発光ダイオードLED構造体を加熱するように構成された加熱デバイスとを含むことができる。幾つかの実施形態は、貯留槽から供給ラインへの液体溶媒の第2の流れを制御するように構成された質量流コントローラを含むことができ、コントローラは、質量流コントローラを制御するようにさらに構成される。光センサを、LED構造体によって出力された光を検出するように構成することができる。幾つかの実施形態において、コントローラは、検出された出力光に応じて、噴射ノズルへの液体溶媒流を制御するように構成される。添付の図面は、本発明のさらなる理解を与えるために含められ、本出願に組み込まれてその一部分を構成するものであり、本発明の特定の実施形態を例証する。次に、本発明の実施形態を示す添付の図面を参照しながら、以下で本発明の実施形態をより詳しく説明する。しかし、本発明は、多くの異なる形態で具体化することができ、本明細書で説明する実施形態に限定されると解釈されるべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示が十分且つ完全となるように、そして当業者に対して本発明の範囲を十分に伝えるように提供される。全体を通して、類似の番号は類似の要素を指す。本明細書において、第1の、第2の、などの用語が種々の要素を記述するのに用いられることがあるが、これらの要素はそれらの用語によって限定されるべきではないことを理解されたい。これらの用語は、1つの要素を別の要素から区別するためだけに用いられる。例えば、本発明の範囲から逸脱せずに第1の要素を第2の要素と呼ぶことができ、同様に第2の要素を第1の要素と呼ぶことができる。本明細書で用いる場合、用語及び/又はは、1つ又はそれ以上の関連リスト項目のいずれか又は全ての組合せを含む。本明細書で用いる用語は、特定の実施形態を説明するためだけのものであり、本発明の限定を意図したものではない。本明細書で用いる場合、単数形の不定冠詞a、an及び定冠詞theは、文脈が明確にそうでないことを示さない限り、複数形を同様に含むことを意図したものである。さらに、用語含むcomprise、含んだcomprising、含むincludes及び/又は含んだincludingは、本明細書で用いられる場合、記述された特徴、整数、ステップ、動作、要素、及び/又は構成要素の存在を指定するが、1つ又はそれ以上の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、及び/又はそれらの群の存在又は付加を排除するものではないことを理解されたい。特に別に定義されない限り、本明細書で用いられる全ての用語技術及び科学用語を含むは、本発明が属する技術分野の当業者によって普通に理解されるのと同じ意味を有する。さらに、本明細書で用いられる用語は、本明細書の文脈及び関連技術におけるそれらの意味と矛盾しない意味を有すること、及び、本明細書において明確に定義されない限り理想的な又は過度に形式的な意味に解釈されるべきではないことを理解されたい。層、領域又は基板などの要素が別の要素の上にある、又は上へと延びると言及されるとき、それは他の要素の直接上にあるか又は直接上へと延びてもよく、又は、介在要素が存在してもよいことを理解されたい。対照的に、ある要素が別の要素の直接上ににある、又は直接上へと延びると言及されるとき、介在要素は存在しない。同様に、ある要素が別の要素に接続される又は結合されると言及されるとき、それは別の要素に直接接続されるか又は結合されてもよく、又は、介在要素が存在してもよいことを理解されたい。対照的に、ある要素が別の要素に直接接続される又は直接結合されると言及されるとき、介在要素は存在しない。相対語、例えば下に若しくは上に、又はより上に若しくはより下に、又は水平の若しくは横方向の、又は垂直のなどは、本明細書において、図に示される1つの要素、層又は領域の、別の要素、層又は領域に対する関係を記述するのに用いられる場合がある。これらの用語は、図に描かれた配置に加えて、異なるデバイスの向きを包含することを意図したものであることを理解されたい。本明細書において、本発明の理想的な実施形態及び中間構造体の略図である断面図を参照しながら本発明の実施形態を説明する。図中の層及び領域の厚さは明瞭にするために誇張されていることがある。さらに、例えば、製造技術及び/又は許容差の結果として図の形状からの変化が予想される。従って、本発明の実施形態は、ここで示される領域の特定の形状に限定されると理解されるべきではなく、例えば、製造から生じる形状のずれを含む。本発明の幾つかの実施形態は、光学素子に対する光学材料の塗布、及び、塗布中に光学材料を硬化因子に曝すことに関する。硬化因子は、熱、放射線、光学素子上若しくは光学素子内の材料、又は光学材料の硬化プロセスを加速する他の因子を含むことができる。光学材料は、特に、波長変換材料、発光材料、散乱粒子及び光フィルタを含むことができる。本明細書で論じる粒子は、小直径及び/又は大直径の粒子を含むことができる。例えば、幾つかの実施形態は、小粒子が約5ミクロン又はそれ以下の平均粒径であり得ること、及び、ナノ粒子を含むことができることを規定する。大直径粒子は、約15ミクロン又はそれ以上、例えば、17ミクロン又はそれ以上の平均粒径を有することができる。次に図1を参照すると、これは、本発明の幾つかの実施形態による、光学素子の上に光学材料の共形層を塗布する操作を示す流れ図である。光学素子は、LED構造体、例えば、特に、LEDチップ、デバイス及び/又は複数LEDチップのウェハなどを含むことができる。幾つかの実施形態において、光学素子又はデバイスは、特に、光透過性構造体、反射構造体、及び/又は支持構造体を含むことができる。例えば、光学素子又はデバイスは、特に、平面、非平面、2次元、3次元のレンズ、反射体、発光体emitterパッケージ、1次及び/又は2次光学素子を含むことができる。幾つかの実施形態は、光学素子又はデバイスが、発光構造体から離れた、発光効果をもたらす例えば蛍光体材料のような光学材料が上に塗布された透明支持体を含むことができることを規定する。光学素子は、加熱デバイスによって加熱されるブロック230。加熱デバイスは、電気抵抗及び/又は誘導加熱部品、及び/又は燃焼関連加熱部品を含むことができる。幾つかの実施形態は、光学素子が加熱され、加熱操作後に次の処理が行われることを規定する。加熱デバイスは、続いて説明される操作を通して全域にわたって熱を供給するように構成することができる。幾つかの実施形態において、第1の加熱デバイスが光学素子の初期加熱をもたらすことができ、第2の加熱デバイスが加熱操作を維持することができる。幾つかの実施形態において、光学素子を、摂氏約90度から摂氏約155度までの範囲の温度に加熱することができる。光学材料が、加熱された光学素子に塗布されるブロック232。幾つかの実施形態は、溶液内に懸濁された光学材料を含む発光溶液を、加圧気体流を用いて霧状にすることができることを規定する。霧状の発光溶液は、加圧気体流を用いて、加熱されたLED構造体の上に噴霧することができる。光学材料は、空気加圧噴霧システムを用いて噴霧することができる。光学材料は、揮発性溶媒及び結合剤材料を含んだ溶液内に懸濁された波長変換粒子を含むことができる。幾つかの実施形態は、揮発性液体を、加熱された光学素子内の熱エネルギーによって蒸発させることを規定する。このようにして、光学素子の上に波長変換粒子の共形層を設けることができる。幾つかの実施形態は、溶液が不揮発性液体を含むことを規定する。そのような実施形態においては、不揮発性液体を、加熱された光学素子内の熱エネルギーによって硬化させることができる。光学素子は、頂面とその頂面上のワイヤパッドとを有するLEDチップを含むことができる。LEDチップを加熱する前、且つ、発光溶液をLEDチップ上へと噴霧する前に、ワイヤをワイヤパッドに接合することができる。幾つかの実施形態は、光学素子がLEDウェハを含み、ウェハが、共形層を設けた後で複数のLEDチップに個別化されることを規定する。例えばLEDウェハのような大きな面積に噴霧する場合、ノズル50図2Aの速度及び高さを調節して、その面積にわたって均一な被覆率を達成することができる。幾つかの実施形態は、光学材料の塗布の前に、ノズル50図2Aの加速を用いて、共形層の均一性をもたらすことができることを規定する。幾つかの実施形態において、同一操作で複数のLEDウェハに光学材料を塗布して、均一性をさらに向上させ、且つ、加速部の間の光学材料の無駄を減らすことができる。さらに、プロセス温度を変化させることにより、塗布後の流れ時間を制御して所望の被覆率を達成することができる。幾つかの実施形態において、同じ及び/又は異なる光学材料を有する複数の光学材料共形層を塗布することができる。各々の共形層は加熱LED構造体上にひとたび堆積されると迅速に硬化することができるので、その後に次の層を直接塗布することができる。しかし、幾つかの実施形態は、層と層の間でLED構造体を冷却させ、次いで、次に塗布される共形層のために再び加熱することができることを規定する。霧状発光溶液を、異なる及び/又は複数の角度、方向及び/又は配向で塗布して、共形層の均一性に影響を及ぼすことができる。次に、図2A-図2Lを参照すると、LED構造体に対する光学材料の塗布が示される。図2A-図2Lの実施形態において、基板60の上に取り付けられたLEDチップ又はダイ70に、光学材料54が塗布される。しかし、前述のように、光学材料54は、同様の方法で裸の即ち、取り付けられていないLEDダイに及び又はLEDウェハに塗布することができる。従って、幾つかの実施形態において、光学材料54は、レンズ94及び/又は反射体カップ62に塗布することができる。LEDウェハは、LED活性層を形成する薄いエピタキシャル層が上に形成され又は取り付けられたウェハ基板を含む。従って、LEDウェハは、エピタキシャル層を上に成長させた成長基板、及び/又はエピタキシャル層が上に転写された支持基板を含むことができる。図2Aを参照すると、加熱デバイス37は、LEDチップ70に熱を供給することができる。幾つかの実施形態は、ノズル50が、加熱されたLEDチップ70に光学材料54を噴霧して共形層80をもたらすように構成されることを規定する。同様に、図2Bを参照すると、LEDチップ70のウェハを加熱することができ、その上に光学材料54を塗布して共形層80をもたらすことができる。LEDチップ70は、光学材料が塗布された後で個別化することができる。図2Cに示すように、LEDチップ70は基板60の上に取り付けられる。LEDチップ70は、ボンディングパッド及び/又はサブマウント図示せずのような中間構造体によって基板60の上に取り付けることができる。幾つかの実施形態において、LEDチップ70は、基板60の上に配置された反射体カップ62によって定められる光学キャビティ64の中に取り付けることができる。反射体カップ62は、LEDチップ70に面する角度付けられた反射表面66を含み、LEDチップ70によって放射された光を、光学キャビティ64から離れる方向に反射するように構成される。反射体カップ62は、上方に延びる側壁62Aをさらに含み、これがレンズ94を収容して保持するチャネルを定める図2D。反射体カップ62は、随意のものであることが認識されよう。例えば、LEDチップ70は、LEDチップ70の周囲に何らかの反射体を用いずに、基板60、プリント回路基板又は他の支持部材の上に取り付けることができる。さらに、反射体カップ62及び基板60を統合して一体構造にすることができる。基板60はまた、リードフレームを含むことができ、パッケージ本体は、LEDチップ70を囲んで光学キャビティ64を定めるリードフレームの上に形成することができる。従って、LEDチップ70は、多くの異なる型式のパッケージング内に取り付けることができ、本発明は、図に示した特定のパッケージング構成に限定されない。さらに図2Cを参照すると、LEDチップ70はワイヤボンドパッド72を含むことができ、ワイヤボンドパッド72から、基板60上又は他箇所の対応するコンタクトパッド図示せずに至るワイヤボンド接続74を形成することができる。しかし、LEDチップ70は、アノードコンタクト及びカソードコンタクトの両方をチップの同じ側に有する水平LEDチップとすることができ、フリップチップ様式で基板60に取り付けることができるので、幾つかの実施形態においては、LEDチップに対していかなるボンドワイヤ接続も作らなくてもよいことが理解されるであろう。図5、図6及び図2Cを参照すると、加圧堆積システム100のコントローラ20は、供給ライン36内の液体を噴射ノズル50に供給するようにさせることができる。例えば、コントローラ20は、MFC34A、34B及び34C並びにバルブ40を開き、MFC34Dを閉じることができる。所望の濃度の蛍光体粒子及び/又は拡散体粒子のような光学材料54を、MFC34C、34Dを制御することによって供給ライン36へと供給することができる。以前の材料塗布で残った、供給ライン36内の何らかの残留材料は、溶媒、結合剤及び蛍光体材料の堆積の前に一掃することができる。加熱デバイス37は、熱39を加えて、LEDチップ70、基板60、反射体カップ62及びワイヤボンドパッド72の温度を上昇させることができる。供給ライン36内の液体がLEDチップ70上へと噴霧され、霧状の結合剤、溶媒及び蛍光体材料の薄層共形層80がその上に形成される。加熱されたLEDチップ70及び基板60からの熱エネルギーは、塗布された結合剤、溶媒及び蛍光体を迅速に硬化させることができる。幾つかの実施形態において、迅速硬化はスナップ硬化と呼ぶことができる。塗布された結合剤、溶媒及び蛍光体をスナップ硬化させることにより、実質的に均一な蛍光体の共形層をLEDチップ70及び基板60の上に設けることができる。前述のように、液体結合剤材料はシリコーン及び/又はエポキシのような材料を含むことができる。幾つかの実施形態は、液体溶媒が、アルコール及び/又は上で列挙した揮発性溶媒のいずれかのような揮発性液体溶媒を含むことができることを規定する。加熱された基板60及びLEDチップ70の熱エネルギーによって、揮発性溶媒液体はその後、蒸発し、結合剤材料内に光学材料例えば、蛍光体粒子及び/又は拡散体粒子を残して共形層80をもたらすことができる。しかし、場合により、不揮発性液体、例えばシリコーン及び/又はエポキシ樹脂を蛍光体/拡散体粒子のキャリア液体として用いることができ、この場合、不揮発性液体を加熱された基板60及びLEDチップ70の熱エネルギーによって硬化させて、LEDチップ70を覆うように光学材料の共形層80を設けることができる。図2Dを参照すると、LEDチップ70を結合剤材料及び蛍光体材料の共形層80で噴霧コーティングした後、シリコーン及び/又はエポキシのような封入材92を、光学キャビティ64を少なくとも部分的に満たすように定量充填することができ、ガラス又はシリコーンレンズのようなレンズ94を、LEDチップ70の上方に配置することができる。封入材92を硬化させることでレンズ94を構造体に固定し、その一方で、反射体カップ62の垂直壁部分62Aは、封入材92が加熱/冷却サイクルと共に膨張及び収縮する際にレンズが移動することを許容する。幾つかの実施形態において、加熱されたLEDチップ70及び基板60の上の共形層80の噴霧コーティングは、同じ及び/又は異なる光学材料を用いて複数回実施することができる。例えば、図3A及び図3Bを参照すると、第1の蛍光体を含む層80Aをサブマウント60の上のLEDチップ上にコーティングすることができる。同じ又は別の、蛍光体粒子及び/又は拡散体粒子などの光学材料層80Bを、上記の方法で層80Aの上に形成することができる。同じ及び/又は別の、蛍光体粒子及び/又は拡散体粒子などの光学材料の他層を、引き続き上記の方法で層80Bの上に形成することができる。図3Bはさらに、LEDチップが非平面表面、例えば、とくに斜面を含む場合に、1つ又は複数の共形層80の塗布が特に有益であり得ることを示す。加熱されたLEDチップ70及び基板60からの熱エネルギーは、塗布された結合剤、溶媒及び蛍光体を迅速に硬化させることができる。幾つかの実施形態において、迅速硬化はスナップ硬化と呼ぶことができる。塗布された結合剤、溶媒及び蛍光体をスナップ硬化することにより、実質的に均一な蛍光体の共形層をLEDチップ70及び基板60の上に設けることができる。図2Eを参照すると、幾つかの実施形態は、供給ライン36内の液体をLEDチップ70及び反射体カップ62などの周囲の構造体上へと噴霧して、それらの上に共形層80を形成することを規定する。さらに、図2Fを参照すると、幾つかの実施形態において、共形層80は、レンズ94の外及び/又は内表面に形成することができ、その場合、レンズ94は、塗布されたときに共形層80を硬化させるように、加熱される。図2Gを参照すると、この図は、共形層80を2次元構造体、例えば、レンズ94又は他の透過及び/又は反射光学素子などに塗布することができることを示す。図2Hを簡単に参照すると、この図は、共形層80を、加熱されたレンズ94及び加熱されたLEDチップ70に塗布することができることを示す。図2Iを参照すると、この図は、LEDチップの底部で電気的に接続された複数のLEDチップ70A-70Dを示す。例えば、LEDチップ70A-70Dは、電気的終端のためのワイヤボンドを有しないフリップチップを含むことができる。LEDチップ70A-70Dは、1つ又はそれ以上の異なる主波長及び/又はそれらの組合せの光を放射するように構成することができる。共形コーティング80は、レンズ94の外側及び/又は内側に設けることができる。図2J、図2K及び図2Lは、本明細書で説明した共形層80を含むレンズ94の内側に配置された複数の非ワイヤボンドLEDチップ70A-70Dを示す。幾つかの実施形態は、共形コーティングを、レンズ94に加えて又はレンズ94の代わりに、複数のLEDチップ70A-70Dのうちの1つ又はそれ以上に対して塗布することができることを規定する。幾つかの実施形態において、LEDチップは、ワイヤボンドで結合されたものとすることができる。レンズ94への共形層80の塗布は、LEDチップ70A-70Dとの組立後、組立中、及び/又は組立前に実施することができる。例えば、幾つかの実施形態は、複数レンズのアレイを加熱し、次いでそれに光学材料を塗布することができることを規定する。同様に、マイクロモールドに噴霧して光学材料要素を形成することができ、この要素をモールドから取り外してLEDチップなどの光学素子の上に配置することができる。図3A及び図3Bは、異なる光学材料層80A及び80Bを有する、サブマウント又は基板60に取り付けられたLEDチップ60を示す。付加的な又は介在する層も可能である。異なる光学材料層80A及び80Bは、同じ又は異なる光学材料を含むことができる。例えば、光学材料層80A及び80Bは、第1及び第2の種類の蛍光体粒子を含むことができる。幾つかの実施形態において、異なるサイズを有する蛍光体粒子が異なる層内に存在することができる。幾つかの実施形態は、付加的な光学材料層が、特に、他の蛍光体粒子及び/又は拡散体粒子を含むことができることを規定する。幾つかの実施形態において、光学材料層80Aは、入射光を第1の波長例えば、黄色に変換するように構成された蛍光体粒子を含むことができ、他方、光学材料層80Bは、入射光を第1の波長とは異なる第2の波長例えば、赤色に変換するように構成された蛍光体粒子を含むことができる。従って、パッケージ化LEDチップ70から出力される光は、LEDチップ70により放射される1次光と、蛍光体層80A及び蛍光体層80Bによって放射される2次光との混光とすることができる。そのような光は、1種類の蛍光体だけを用いて生成される光に比べて、改善された演色性を有することができる。幾つかの実施形態において、光学材料層80A及び光学材料層80Bは、同じ種類の蛍光体を含むことができる。例えば、図3、図4及び図5を参照すると、光学素子、例えばLEDチップ70のようなLED構造体を加熱することができるブロック202。幾つかの実施形態は、光学素子が、基板及び/又は光デバイスを含むことができることを規定する。光学材料の共形層80Aを、本発明の実施形態による噴霧堆積システム100を用いて、加熱された光学素子の上に塗布することができるブロック204。次いで、溶媒は、加熱された光学素子内の熱エネルギーによって、その溶媒が揮発性であるか又は不揮発性であるかに応じて、迅速に蒸発及び/又は硬化するので、結合剤材料が硬化して、光学材料例えば、蛍光体粒子を光学素子例えば、LEDチップなどに付着させることができるブロック206。幾つかの実施形態は、次に光学素子を、後で取出してさらに調整するために、例えば室温で保管することができることを規定する。次に、例えば、発光部のアノード端子とカソード端子との間に電圧を印加することによって、光学素子に通電することができ、共形層80Aを含むデバイスの光学特性例えば、出力、色点、CCTを計測することができる。具体的には、LED構造体の出力輝度、色点及び/又は相関色温度CCTを計測することができるブロック208。例えば、LED構造体により出力される光を光センサ35によって計測することができ、その結果をコントローラ20に供給することができる。光学素子の検査は、LED構造体が、取り付けられたLEDチップを含む場合には非常に簡単であり得る。LED構造体がLEDウェハを含む場合には、ウェハ上のあらゆるデバイスを検査する代りにウェハ上の代表の領域/デバイスを検査し、テストした位置からの出力光に基づいてウェハ全体を調整することが可能である。次に、ウェハの光学特性が合格であるかどうかを判断するため、即ち、ウェハが、確立されたビンニング要件を満たすかどうか調べるために、検査が実施されるブロック210。構造体の光学特性が不合格である場合、ブロック212において、そのデバイスを廃棄するブロック216か、又はそのデバイスを再加工するかの判断がなされる。しかし、光学特性が満足のゆくものである場合、製造プロセスは次の製造ステップに進む。デバイスが再加工可能であると判断された場合、その光学素子に対応する出力光は、構造体の色点/CCTを補正するのに必要な追加の蛍光体の量及び種類を決定することによって調整することができるブロック214。第2の共形層80Bを塗布することができるブロック202。幾つかの実施形態において、検査は、光学素子がまだ加熱されている間に実施することができる。幾つかの実施形態は、光学素子が、第2の共形層80Bを塗布するために再加熱されることを規定する。第2の共形層80Bは、第1の共形層80Aにおいて用いられたのと同じ及び/又は異なる種類の蛍光体を含むことができ、コントローラ20の命令下にある噴霧堆積システム100を用いて塗布することができる。一般に、ブロック202-214の操作は、共形層80C及び80Dにおいて例証されるように、所望の光学特性を達成するまで、必要に応じて繰返すことができる。しかし、過剰量の蛍光体が塗布されると、光学素子からの光の再吸収及び/又は過剰吸収によって発光特性が劣化することがあり、その時点で光学素子はブロック210における検査で不合格となり得る。図5は、発光粒子及び/又は拡散体粒子などの光学材料54で光学素子10をコーティングするための加圧堆積システム100を示す略図である。幾つかの実施形態において、光学素子10は、例えば発光ダイオードLEDなどの発光構造体を含むことができるが、他方、幾つかの実施形態は、光学素子10が、特に、光透過構造体、反射構造体、及び/又は支持構造体を含むことを規定する。例えば、光学素子10は、特に、平面、非平面、2次元、3次元のレンズ、反射体、発光体パッケージ、1次及び/又は2次光学素子を含むことができる。幾つかの実施形態は、光学素子10が、例えば、発光構造体から離れた、発光効果をもたらす例えば蛍光体材料などのような光学材料54が上に塗布された透明支持体を含むことができることを規定する。幾つかの実施形態は、光学材料54が、システム100によって光学素子10に噴霧されることを規定する。幾つかの実施形態は、光学材料54が、特に、流し込み、浸漬、ロール塗り、刷毛塗り及び/又はスタンピングなどの塗布技術を用いて塗布されることを規定する。加熱デバイス37が光学素子10に熱熱エネルギー39を加えて、光学素子10の温度を、光学材料54をその上に噴霧する前に上昇させる。図1に示すように、供給ライン36が、光学材料54を含有するキャリア液体を噴射ノズル50に供給する。キャリア液体は、噴射ノズル50を介して光学素子10上へと噴霧される。具体的には、以下でより詳しく説明するように、高圧気体供給ライン44を通して噴射ノズル50に供給された加圧気体がキャリア液体を霧状にし、光学材料54を光学素子10の方向に向け、そこで光学材料54を堆積させる。幾つかの実施形態は、光学材料54が霧状の液体であることを規定する。用語霧状にするは、本明細書においては、液体を微細な粒子及び/又は微細な霧状にすることを指す一般的な意味で用いられる。光学材料54を含む共形層は、加熱された光学素子10に霧状液体が堆積したときの迅速な硬化から設けることができる。例えば、加熱された光学素子10に塗布された光学材料の硬化時間は、非加熱の光学素子に塗布される光学材料54の硬化時間よりも実質的に短くなり得る。このようにして、光学材料54の沈降、分離及び/又は層化を著しく減らすか又は無くすことができる。従って、より良好な層結合、並びに層厚及び組成のより高い均一性を達成することができる。光学素子10は、LEDウェハ、取り付けられたLEDダイ及び/又は取り付けられていない即ち、裸のLEDダイを含むことができる。幾つかの実施形態において、LED構造体は、発光体から受け取った光を透過及び/又は反射するように構成された光透過要素及び/又は反射要素を含むことができる。そのような実施形態において、光透過要素及び/又は反射要素は、加熱され、次いでその上に光学材料54が堆積されるように構成することができる。光透過要素及び/又は反射要素は、平面2次元及び/又は3次元とすることができる。幾つかの実施形態は、光を受け取るために、光透過要素及び/又は反射要素が、LEDダイに接触するか、LEDダイの近傍にあるか、及び/又はLEDダイから離間することができることを規定する。従って、本発明の実施形態によるシステム及び方法は、製造プロセスの種々の段階で用いることができる。幾つかの実施形態において、供給ライン36内の液体は、有機及び/又は有機-無機複合材料を含む結合剤を含むことができる。幾つかの実施形態は、供給ライン36内の液体が、例えば、液体シリコーン及び/又は液体エポキシなどの結合剤材料、及び/又は、アルコール、水、アセトン、メタノール、エタノール、ケトン、イソプロパノール、炭化水素溶媒、ヘキサン、エチレングリコール、メチルエチルケトン、キシレン、トルエン、及びそれらの組合せなどのような揮発性又は不揮発性溶媒材料を含むことができることを規定する。幾つかの実施形態において、結合剤は約1.25を超える屈折率を有することができる。幾つかの実施形態は、結合剤材料の屈折率を約1.5よりも大きくすることができることを規定する。可視スペクトル全域にわたって高い光透過率を有することが望ましい場合がある。幾つかの実施形態において、結合剤は、約440nmから約470nmまでを含む波長領域において、本明細書で説明する厚さで約90又はそれ以上の光透過率を有することができる。幾つかの実施形態において、結合剤は、約440nmから約470nmまでを含む波長領域において、本明細書で説明する厚さで約95又はそれ以上の光透過率を有することができる。幾つかの実施形態において、結合剤は、約440nmから約470nmまでを含む波長領域において、本明細書で説明する厚さで約98又はそれ以上の光透過率を有することができる。幾つかの実施形態において、結合剤は、可視スペクトルにおける緑色、黄色及び/又は赤色などの他の波長に対して、約90又はそれ以上、約95又はそれ以上、及び/又は、約98又はそれ以上の光透過率を有することができる。一般に、揮発性溶媒は、堆積された後、短時間で乾燥又は蒸発する。揮発性又は不揮発性溶媒材料は、LED構造体上へと堆積させる粒子、例えば、特に、発光材料例えば、蛍光体の粒子及び/又は二酸化チタンのような光散乱材料の粒子を含むことができる。供給ライン36内の液体は、それぞれの入力ライン32A-32Dを介して供給ライン36に接続された複数の流体貯留槽30A-30Dの内の1つから供給することができる。入力ライン32A-32Dを通る液体の流れは、それぞれ電気制御式質量流コントローラ34A-34Dによって注意深く制御することができる。図5に示すように、貯留槽30A-30Dは、アルコール、水などの揮発性液体溶媒を収容する溶媒貯留槽30A、及び、液体シリコーン及び/又は液体エポキシなどの液体結合剤材料を収容する結合剤貯留槽30Bを含むことができる。幾つかの実施形態において、溶媒貯留槽30A及び結合剤貯留槽30Bは、純粋な液体、即ち、蛍光体、拡散体又は他の粒子を何も含まない液体、を含むことができる。貯留槽30A-30Dはまた、ある濃度の蛍光体粒子が懸濁された液体溶媒を収容する蛍光体貯留槽30Cを含むことができる。幾つかの実施形態において、蛍光体貯留槽30Cは、蛍光体粒子が光学素子10上へと塗布されるときの濃度よりも高い濃度で蛍光体粒子を含むことができる。貯留槽30A-30Dはまた、ある濃度の拡散体粒子が懸濁された液体溶媒を収容する拡散体貯留槽30Dを含むことができる。幾つかの実施形態において、拡散体貯留槽30Dは、拡散体粒子が光学素子10上へと塗布されるときの濃度よりも高い濃度で拡散体粒子を含むことができる。1つ又はそれ以上の貯留槽30A-30Dを加圧することができ、その結果、貯留槽30A-30Dからの流れは、正圧により供給ライン36の中へと取り込むことができる。具体的には、溶媒貯留槽30A及び結合剤貯留槽30Bを加圧することができる。幾つかの実施形態において、蛍光体貯留槽30C及び/又は拡散体貯留槽30Dは加圧されなくてもよく、その結果、蛍光体貯留槽30C及び/又は拡散体貯留槽30Dからの流れは、供給ライン36を通る流れに起因する負圧によって供給ライン36内へと誘導される。液体を光学素子上へと噴霧するための力は高圧気体ライン44によって与えられるので、供給ライン36内の圧力を高くする必要はない。供給ライン36を通る液体流は、電子制御式バルブ40によって制御することができる。バルブ40が開いているとき、供給ライン36内の液体が噴射ノズル50に供給される。図6は、本発明の実施形態による噴射ノズル50をより詳しく示す。図5及び図6を参照すると、気体加圧装置42によって生成された加圧気体例えば、加圧空気を、加圧気体供給ライン44を通して噴射ノズル50に供給することができる。加圧気体は、噴射ノズル50内の液体出口ポート51に隣接する気体出口ポート52を通るように誘導される。液体出口ポート51を通る液体流は、例えば、引込み式ピン53の位置を制御することによって調節することができる。ピン53が引っ込められると液体出口ポートが開放される。気体出口ポート52を出る加圧気体の流れは、液体出口ポート51に対して負の圧力勾配を生成し、これが液体出口ポート51から供給される液体を霧状にする。次いで、霧状液体54は、気体出口ポート52からの気体流によって光学素子10まで運ばれ、そこで霧状液体54の流れがLED構造体上に堆積する。図5にさらに示すように、質量流コントローラ34A-34D、電子制御式流れバルブ40及び気体加圧装置42の動作は、コントローラ20によって、電子制御ライン22、24、26を経由して制御することができる。コントローラ20は、従来のプログラム可能コントローラとすることができ、及び/又は、システム100のそれぞれの要素の動作を制御するように構成された特定用途向け集積回路ASIC、又は汎用マイクロプロセッサ若しくはコントローラ例えば、コンピュータを含むことができる。さらに図5を参照すると、質量流コントローラMFC34A-34D及びバルブ40の動作を制御することにより、コントローラ20は、供給ライン36を通して噴射ノズル50に供給される液体の組成を制御することができる。具体的には、コントローラ20は、MFC30A、30C及び30Dを閉じ、同時にMFC30B及びバルブ40を開いて、結合剤液体を噴射ノズル50に供給することができる。同様に、コントローラ20は、MFC30B、30C及び30Dを閉じ、同時にMFC30A及びバルブ40を開いて、溶媒液体のみを噴射ノズル50に供給することができる。溶媒貯留槽30Aからの溶媒材料が流れると、コントローラ20は、MFC34C及び/又は34Dに、蛍光体粒子蛍光体貯留槽30Cの場合及び/又は拡散体粒子拡散体貯留槽30Dの場合を担う液体を供給ライン36内の流れの中へと放出させることができる。従って、コントローラ20は、噴射ノズル50によって光学素子10上に噴霧される材料の組成を、精密に制御することができる。図5は、単一の蛍光体貯留槽30C及び単一の拡散体貯留槽30Dを示すが、もっと多くの貯留槽を設けて、コントローラ20によって電気的に制御することができるそれぞれのMFC及び/又は供給バルブを通して供給ラインに接続することができることが認識されよう。例えば、製品要件に応じて、赤色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体、青色蛍光体などのための個別の蛍光体貯留槽を設けることができる。幾つかの実施形態は、一色より多くの蛍光体を、光学素子10のそれぞれ別個の領域に塗布することができ、又は混合して単一層を形成することができることを規定する。さらに、一種類より多くの拡散体粒子を、異なる拡散体貯留槽を用いて選択的に供給することができる。例えば、第1の組成及び/又は粒径を有する拡散体粒子を光学素子10の一部分に塗布し、異なる組成及び/又は粒径を有する拡散体粒子を光学素子10の別の部分に塗布することが望ましい場合がある。1つより多くの蛍光体例えば、異なる色のをLED構造体の別々の領域に塗布することが望ましい場合がある。さらに、LED構造体の単一の層、領域及び/又は区域内で、異なる色の蛍光体を混合することが望ましい場合がある図3に類似するが、但し、単一層内に異なる色の蛍光体が存在する。そのような場合、別個の貯留槽、又は複数の蛍光体を収容する単一の貯留槽のどちらかから同時に塗布された、少なくとも2つの蛍光体が存在し得る。説明したように、加熱デバイス37が熱39を光学素子10に加えて、光学材料を噴霧する前に光学素子10の温度を上昇させる。幾つかの実施形態は、加熱デバイスをコントローラ20によって電子制御ライン29を介して電子的に制御することができることを規定する。幾つかの実施形態において、加熱デバイス37は、噴霧操作中に光学素子10に熱39を加えることができる。幾つかの実施形態において、加熱デバイス37は、噴霧操作の前に光学素子10を加熱するために用いることができ、及び/又はコントローラ20とは独立に動作させることができる。幾つかの実施形態は、加熱デバイス37が熱伝導性加熱表面を含み、これを通して熱39が光学素子10に伝達されることを規定する。幾つかの実施形態において、加熱デバイス37は、例えば、加熱された空気及び/又は気体などの熱伝達媒体を用いて熱39を光学素子10に伝達することができる。加熱デバイスの実施形態は、電気抵抗及び/又は伝導及び/又は燃焼に関連する発熱要素を含むことができる。幾つかの実施形態は、光学素子10が摂氏70度を超えるまで加熱されることを規定する。幾つかの実施形態は、光学素子10が摂氏90度を超えるまで加熱されることを規定する。幾つかの実施形態は、光学素子10が摂氏120度を超えるまで加熱されることを規定する。幾つかの実施形態において、光学素子10は、摂氏約70度から摂氏約155度までの範囲の温度に加熱される。幾つかの実施形態において、光学素子10は、摂氏約90度から摂氏約155度までの範囲の温度に加熱される。幾つかの実施形態において、光学素子10は、摂氏約90度から摂氏約120度までの範囲の温度に加熱される。幾つかの実施形態において、光学素子10は、摂氏約90度から摂氏約155度までの範囲の温度に加熱される。霧状液体54が光学素子10の上に堆積されたとき、加熱された光学素子10内の熱エネルギーが、霧状液体54の溶媒部分を迅速に硬化及び/又は蒸発させる。迅速に硬化させること及び/又は溶媒を蒸発させることにより、硬化の前の光学材料の沈降及び/又は再分配を減らすことができる。この点で、塗布された層内の光学材料のより均一な濃度が維持されるので、LED構造体上に光学材料の実質的に共形の層がもたらされる。図5に示されるシステム100は、幾つかの部分に分割することができ、例えば、分離した供給ライン36を設け、及び/又は分離した噴射ノズル50を設けるようにすることができることがさらに認識されよう。例えば、システムは、光学素子10に対して第1の方向から及び/又は第1の角度で霧状液体54を噴霧塗布するための専用の第1の供給ライン36及びノズル50、並びに、光学素子10に対して第2の異なる方向から及び/又は第2の異なる角度で霧状液体54を噴霧塗布するための専用の第2の供給ライン36及びノズル50を有することができる。幾つかの実施形態は、第1及び第2の供給ライン36及びノズル50が、同じ霧状液体54を供給するように構成されることを規定する。幾つかの実施形態において、第1及び第2の供給ライン36及びノズル50は、互いに異なる霧状液体を供給するように構成される。従って、種々の実施形態により、貯留槽、供給ライン及び噴射ノズルの多くの異なる組合せが企図される。混合器41を設けて、種々の異なる貯留槽30A-30Dからの供給ライン36の成分を混合することができる。幾つかの実施形態において、混合器は、供給ライン36内の材料をそれを通る流れにより混合する静的混合要素を含むことができる。幾つかの実施形態は、供給ライン36内の材料を撹拌して粒子を懸濁状態に保つ、及び/又は材料全体が実質的に均一に分布する状態に保つ、能動的混合要素を含むことができることを規定する。図示しないが、種々の構成要素のための圧力コントローラを備えることができる。例えば、貯留槽30A-30D及びノズル50は、特に供給及び/又は送出圧力を制御するための圧力コントローラを含むことができる。さらに、幾つかの実施形態は、貯留槽30A-30D内に静的及び/又は能動的混合要素を含むことができる。例えば、蛍光体貯留槽30C及び拡散体貯留槽30Dは、粒子を懸濁状態に維持するための混合要素を用いることができる。図5はさらに、光学素子10によって放射された光37を検出するように構成された光センサ35を示す。例えば、光センサ35は、光学素子10によって放射された光の色点及び/又は強度を検出することができる。検出された光情報は、通信ライン28を経由してコントローラ30に供給することができ、以下でより詳しく説明するように、堆積システム100の動作の制御におけるフィードバック信号として用いることができる。次に図7を参照すると、これは、本発明の幾つかの実施形態による、光学素子を光学材料で塗布するためのバッチ式堆積システム200を示す略図である。図5及び図6に関連して上で論じたように、気体加圧装置42によって生成された加圧気体例えば、加圧空気を、加圧気体供給ライン44を通して噴射ノズル50に供給することができる。加圧気体は、噴射ノズル50内の液体出口ポート51に隣接した気体出口ポート52を通して誘導される。液体出口ポート51を通る液体流は、例えば、引込み式ピン53の位置を制御することによって調節することができる。シリンジ57は、光学材料54のバッチを含むことができる。光学材料54は、例えば、1つ又はそれ以上の種類の蛍光体粒子、1つ又はそれ以上の種類の拡散体粒子、結合剤、及び/又は、1つ又はそれ以上の溶媒を含むことができる。シリンジ57には、光学材料を含む混合物、化合物、溶液及び/又は懸濁液を、例えば、光学材料54を収容するように構成されたカートリッジを用いて仕込むことができる。このようにして、光学材料54のバッチを塗布操作の直前に準備して、その中の成分の沈降及び/又は層化を減らすことができる。幾つかの実施形態において、シリンジをノズル50に直接、又はノズル50の近くに結合して、光学材料54内の懸濁粒子の沈降を減らすことができる。幾つかの実施形態は、横方向の流体経路が光学材料54の沈降及び/又は層化を生じさせることがあるので、そのような経路を減らすか又は回避することができることを規定する。幾つかの実施形態において、能動的及び/又は静的混合要素をシリンジ57と共に及び/又はシリンジ内部に設けて、沈降を軽減する。流体加圧装置56を設けて、シリンジ57内の流体圧力を生成及び/又は制御することができる。幾つかの実施形態は、流体圧力を、気体加圧装置42によって与えられる気体圧力よりも実質的に低くすることができることを規定する。図7にさらに示すように、気体加圧装置42、流体加圧装置56及び加熱デバイス37の動作は、コントローラ20によって電子制御ライン24、26及び29を経由して制御することができる。コントローラ20は、従来のプログラム可能コントローラとすることができ、及び/又は、システム200のそれぞれの要素の動作を制御するように構成された特定用途向け集積回路ASIC、又は汎用マイクロプロセッサ若しくはコントローラ例えば、コンピュータを含むことができる。さらに図7を参照すると、流体加圧装置56及び気体加圧装置42の動作を制御することによって、コントローラ20は、噴射ノズル50に供給される液体の流れを制御することができる。図7は単一のシリンジ57及びノズル50を示すが、より多くのシリンジ57及びノズル56を設けて、気体加圧装置42及び流体加圧装置56に接続することができる。幾つかの実施形態において、付加的な気体加圧装置42及び流体加圧装置56は、コントローラ20によって電子的に制御することができる。図示したように、加熱デバイス37が熱39を光学素子10に加えて、光学材料を光学素子10の上に噴霧する前に光学素子10の温度を上昇させる。幾つかの実施形態は、加熱デバイスをコントローラ20によって電子制御ライン29を介して電子的に制御することができることを規定する。幾つかの実施形態において、加熱デバイス37は、噴霧操作中に光学素子10に熱39を加えることができる。幾つかの実施形態において、加熱デバイス37は、噴霧操作の前に光学素子10を加熱するために用いることができ、及び/又はコントローラ20とは独立に動作させることができる。幾つかの実施形態は、加熱デバイス37が熱伝導性加熱表面を含み、これを通して熱39が光学素子10に伝達されることを規定する。幾つかの実施形態において、加熱デバイス37は、例えば、加熱された空気及び/又は気体などの熱伝達媒体を用いて熱39を光学素子10に伝達することができる。加熱デバイスの実施形態は、電気抵抗及び/又は伝導及び/又は燃焼に関連する発熱要素を含むことができる。図7に示すシステム200は、幾つかの部分に分割することができ、例えば、分離したシリンジ57を設け、及び/又は分離した噴射ノズル50を設けるようにすることができることがさらに認識されよう。従って、種々の実施形態により、シリンジ57、ノズル50、流体加圧装置56及び/又は気体加圧装置42の多くの異なる組合せが企図される。図8A-図8Cは、幾つかの実施形態による、LEDウェハのコーティングに関連する操作を示す。図8Aを参照すると、LEDウェハ110が準備される。上述のように、LEDウェハは、発光ダイオード構造体を定める複数の薄いエピタキシャル層を含む。エピタキシャル層は、成長基板及び/又は支持基板を含むことができる基板によって支持される。LEDウェハ110のエピタキシャル領域は、例えば、メサ及び/又は注入分離によって、複数の個別のデバイス領域に分割することができる。幾つかの実施形態において、ダイシングストリート即ち、ウェハがダイシングソーを用いて切断される直線領域及び/又はケガキ線が既にLEDウェハ110内に形成されている場合がある。複数の電気コンタクト112がLEDウェハ110の上に形成される。具体的には、LEDウェハ110内の各々の個別デバイスは、ウェハの蛍光体が塗布される側の上に少なくとも1つの電気コンタクト112を含むことができる。犠牲パターン114が、電気コンタクト112の上に形成される。犠牲パターン114は、可溶性ポリマー及び/又はガラスのような材料を含むことができ、これらを従来のフォトリソグラフィック技術を用いて塗布し、パターン形成することができる。犠牲パターン114は、下層の電気コンタクト112と位置合せすることができる。代替的に、犠牲パターン114は電気コンタクト112の一部分のみを覆い、電気コンタクトのある部分を露出させることができる。幾つかの実施形態において、犠牲パターン114は電気コンタクト112により幅広にすることができ、その結果、LEDウェハ110の電気コンタクトに隣接する表面110Aの一部分もまた犠牲パターンで覆われる。全部で3つの可能性を図8Aに示す。さらに図8A及び図8Bを参照すると、LEDウェハ110は加熱デバイス37を用いて加熱され、蛍光体粒子及び/又は拡散体粒子などの光学材料の1つ又はそれ以上の共形層80が、加圧堆積システム100図1及び図2の噴射ノズル50を用いてLEDウェハ110の表面110Aに塗布される。共形層80は、LEDウェハ110の表面110Aの上及び犠牲パターン114の上にコーティングされる。幾つかの実施形態において、層80はまた、電気コンタクト112のLED110ウェハとは反対側の上部にコーティングすることができる。LEDウェハ110に噴霧コーティングした後、犠牲パターン114を、例えば、犠牲パターン材料用の特定の液体溶媒に曝すことによって除去することができ、その結果、露出した電気コンタクト112と、LEDウェハ110の表面上の1つ又はそれ以上の光学材料層90とを含む、図8Cに示すようなLEDウェハ110が生成される。特に図示しないが、幾つかの実施形態は、犠牲パターン114を、LEDウェハが噴霧コーティングされた後で除去することができるフィルム及び/又はテープを用いて形成することができることを規定する。本図面及び本明細書においては、本発明の典型的な実施形態が開示され、特定の用語が用いられたが、それらは一般的且つ記述的意味においてのみ用いられ、限定のために用いられたものではなく、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲において述べられる。