"半導体チップの表面側に形成された表面第1電極と、前記半導体チップの裏面側に形成された裏面電極とを有し、前記半導体チップを構成する半導体基板の厚さが200μm以下である半導体装置であって、前記半導体チップの表面上の全面に形成された、熱膨脹率が2~21ppm/°Cである絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層表面上の内周部に形成された表面第2電極と、前記絶縁樹脂層表面上の少なくとも外周部に、前記表面第2電極を取り囲むように形成されたガード電極と、及び前記絶縁樹脂層内を貫通し、前記表面第1電極と前記表面第2電極とを接続する1又は2以上の貫通ビアと、を有することを特徴とする半導体装置。前記表面第1電極と前記表面第2電極とが、前記貫通ビアにより接合されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記ガード電極と前記表面第2電極の面積の合計が、前記裏面電極の面積に対して50以上100未満である、請求項1又は2に記載の半導体装置。前記貫通ビアの設置面積の合計が、前記表面第1電極の面積に対して25~50である、請求項1~3のいずれかに記載の半導体装置。前記絶縁樹脂層が、ポリイミド樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂及びポリベンズオキサゾール樹脂からなる群から選ばれる一種又は二種以上の絶縁性樹脂から構成されている、請求項1~4のいずれかに記載の半導体装置。前記絶縁樹脂層が、感光性ポリイミド前駆体を用いて形成されたポリイミド樹脂から構成されている、請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置前記貫通ビアが、めっき法又は金属ポスト材を用いる金属接合法により形成されたものである、請求項1~6のいずれかに記載の半導体装置。以下の工程1~6を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。工程1表面第1電極が形成された半導体基板の前記表面第1電極上に、1又は2以上の貫通ビア形成用金属ポストを形成する工程工程2工程1の後、前記貫通ビア形成用金属ポストを覆うように、前記半導体基板表面に、熱膨脹率が2~21ppm/°Cの絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成用樹脂を塗布し、300~450°Cで加熱して絶縁樹脂層を形成する工程工程3工程2の後、前記絶縁樹脂層表面を薄化処理して、絶縁樹脂層を平坦化し、貫通ビア形成用金属ポストの上面を露出させる工程工程4工程3の後、前記絶縁樹脂層上に、表面第2電極及びガード電極を形成する工程工程5前記半導体基板の裏面の薄板化処理により、半導体基板の厚みを200μm以下にする工程工程6工程5の後、前記半導体基板の裏面に裏面電極を形成する工程工程1~6の後に、前記半導体基板をダイシングにより個片化する工程を有する請求項8に記載の半導体装置の製造方法。前記工程1が、以下の工程1a~1dをこの順で有する工程である、請求項8又は9に記載の半導体装置の製造方法。工程1a表面第1電極が形成された半導体基板の表面にめっきレジスト膜を成膜する工程工程1b前記表面第1電極の所定部が露出するように、めっきレジスト膜に開口部を設ける工程工程1c前記開口部に金属を充填し、貫通ビア形成用金属ポストを形成する工程工程1dめっきレジスト膜を除去する工程前記工程1が、表面第1電極が形成された半導体基板の前記表面第1電極上に、貫通ビア形成用金属ポストを金属接合法により形成する工程である、請求項8又は9に記載の半導体装置の製造方法。前記工程2が、以下の工程2aである、請求項8~11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。工程2a前記絶縁樹脂層形成用樹脂として感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて成膜し、次いで、ダイシングラインが露出するように、得られた感光性ポリイミド前駆体膜に開口部を設けた後、300~450°Cで加熱して絶縁樹脂層を形成する工程前記工程4が、以下の工程4a及び4bを有するものである、請求項8~12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。工程4a前記工程3の後、前記絶縁樹脂層上の全面に金属膜を形成する工程工程4b前記工程4aの後、エッチング処理前に対して少なくとも50以上の面積を有するように金属膜のエッチング処理を行い、表面第2電極及びガード電極を形成する工程工程4の後に工程5を行う、請求項8~13のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。工程4aの後に工程5、6を行い、次いで工程4bを行う、請求項13に記載の半導体装置の製造方法。本発明は、上述した実情に鑑みてなされたものであって、小型、薄型で、反りがなく、放熱性に優れる半導体装置と、この半導体装置を半導体基板の反りを抑制しながら製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、半導体チップの表面側に形成された表面第1電極と、前記半導体チップの裏面側に形成された裏面電極とを有し、前記半導体チップを構成する半導体基板の厚さが200μm以下である半導体装置であって、前記半導体チップの表面上の全面に形成された、熱膨脹率が2~21ppm/°Cである絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層表面上の内周部に形成された表面第2電極と、前記絶縁樹脂層表面上の少なくとも外周部に、前記表面第2電極を取り囲むように形成されたガード電極と、及び前記絶縁樹脂層内を貫通し、前記表面第1電極と前記表面第2電極とを接続する1又は2以上の貫通ビアと、を有することを特徴とする半導体装置は、小型、薄型で、反りがなく、放熱性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。かくして本発明の第1によれば、下記1~7の半導体装置が提供される。1半導体チップの表面側に形成された表面第1電極と、前記半導体チップの裏面側に形成された裏面電極とを有し、前記半導体チップを構成する半導体基板の厚さが200μm以下である半導体装置であって、前記半導体チップの表面上の全面に形成された、熱膨脹率が2~21ppm/°Cである絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層表面上の内周部に形成された表面第2電極と、前記絶縁樹脂層表面上の少なくとも外周部に、前記表面第2電極を取り囲むように形成されたガード電極と、及び前記絶縁樹脂層内を貫通し、前記表面第1電極と前記表面第2電極とを接続する1又は2以上の貫通ビアと、を有することを特徴とする半導体装置。2前記表面第1電極と前記表面第2電極とが、前記貫通ビアにより接合されていることを特徴とする1に記載の半導体装置。3前記ガード電極と前記表面第2電極の面積の合計が、前記裏面電極の面積に対して50以上100未満である、1又は2に記載の半導体装置。4前記貫通ビアの設置面積の合計が、前記表面第1電極の面積に対して25~50である、1~3のいずれかに記載の半導体装置。5前記絶縁樹脂層が、ポリイミド樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂及びポリベンズオキサゾール樹脂からなる群から選ばれる一種又は二種以上の絶縁性樹脂から構成されている、1~4のいずれかに記載の半導体装置。6前記絶縁樹脂層が、感光性ポリイミド前駆体を用いて形成されたポリイミド樹脂から構成されている、1~5のいずれかに記載の半導体装置7前記貫通ビアが、めっき法又は金属ポスト材を用いる金属接合法により形成されたものである、1~6のいずれかに記載の半導体装置。本発明の第2によれば、下記8~15の半導体装置の製造方法が提供される。8以下の工程1~6を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。工程1表面第1電極が形成された半導体基板の前記表面第1電極上に、1又は2以上の貫通ビア形成用金属ポストを形成する工程工程2工程1の後、前記貫通ビア形成用金属ポストを覆うように、前記半導体基板表面に、熱膨脹率が2~21ppm/°Cの絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成用樹脂を塗布し、300~450°Cで加熱して絶縁樹脂層を形成する工程工程3工程2の後、前記絶縁樹脂層表面を薄化処理して、絶縁樹脂層を平坦化し、貫通ビア形成用金属ポストの上面を露出させる工程工程4工程3の後、前記絶縁樹脂層上に、表面第2電極及びガード電極を形成する工程工程5前記半導体基板の裏面の薄板化処理により、半導体基板の厚みを200μm以下にする工程工程6工程5の後、前記半導体基板の裏面に裏面電極を形成する工程9工程1~6の後に、前記半導体基板をダイシングにより個片化する工程を有する8に記載の半導体装置の製造方法。10前記工程1が、以下の工程1a~1dをこの順で有する工程である、8又は9に記載の半導体装置の製造方法。工程1a表面第1電極が形成された半導体基板の表面にめっきレジスト膜を成膜する工程工程1b前記表面第1電極の所定部が露出するように、めっきレジスト膜に開口部を設ける工程工程1c前記開口部に金属を充填し、貫通ビア形成用金属ポストを形成する工程工程1dめっきレジスト膜を除去する工程11前記工程1が、表面第1電極が形成された半導体基板の前記表面第1電極上に、貫通ビア形成用金属ポストを金属接合法により形成する工程である、8又は9に記載の半導体装置の製造方法。12前記工程2が、以下の工程2aである、8~11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。工程2a前記絶縁樹脂層形成用樹脂として感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて成膜し、次いで、ダイシングラインが露出するように、得られた感光性ポリイミド前駆体膜に開口部を設けた後、300~450°Cで加熱して絶縁樹脂層を形成する工程13前記工程4が、以下の工程4a及び4bを有するものである、8~12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。工程4a前記工程3の後、前記絶縁樹脂層上の全面に金属膜を形成する工程工程4b前記工程4aの後、エッチング処理前に対して少なくとも50以上の面積を有するように金属膜のエッチング処理を行い、表面第2電極及びガード電極を形成する工程14工程4の後に工程5を行う、8~13のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。15工程4aの後に工程5、6を行い、次いで工程4bを行う、13に記載の半導体装置の製造方法。本発明の半導体装置は、半導体チップが絶縁性及び耐熱性に優れる絶縁性樹脂で封止されてなる。したがって、本発明の半導体装置は水分等から半導体チップが保護され、素子劣化が生じにくい。また、本発明の半導体装置は、半導体基板と封止樹脂の熱膨張率を制御することができ、半導体装置の製造時や使用時において、封止界面の熱応力差による界面応力を低減でき、半導体装置製造歩留まり、製品信頼性が大幅に向上する。さらに、本発明の半導体装置は、裏面電極と表面第2電極を有するものであり、薄型構造と両面放熱構造が達成される。また、これらの電極の面積比を調整することで半導体装置の反りが抑制される。本発明の製造方法によれば、小型、薄型で、反りがなく、放熱性に優れる半導体装置を、半導体基板の反りを抑制しながら効率よく製造することができる。以下、本発明を、1半導体装置、及び、2半導体装置の製造方法に項分けして説明する。1半導体装置本発明の半導体装置は、半導体チップの表面側に形成された表面第1電極と、前記半導体チップの裏面側に形成された裏面電極とを有し、前記半導体チップを構成する半導体基板の厚さが200μm以下である半導体装置であって、前記半導体チップの表面上の全面に形成された、熱膨脹率が2~21ppm/°Cである絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層表面上の内周部に形成された表面第2電極と、前記絶縁樹脂層表面上の少なくとも外周部に、前記表面第2電極を取り囲むように形成されたガード電極と、及び前記絶縁樹脂層内を貫通し、前記表面第1電極と前記表面第2電極とを接続する1又は2以上の貫通ビアと、を有することを特徴とする。以下本発明の半導体装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。本発明の半導体装置の一例を図1に示す。図1中、aは、半導体装置1Aを上から見た図であり、bは、aにおけるX-Yの断面を横から見た図である。半導体装置1AはIGBTであり、表面第1電極3エミッタ電極と表面第1電極4ゲート電極が半導体基板2の表面に形成され、裏面電極9コレクタ電極が半導体基板2の裏面に形成された構造の半導体チップを有する。また、半導体チップの表面は絶縁樹脂層10で封止されており、該絶縁樹脂層10を貫通して貫通ビア7が形成されている。さらに、表面第2電極5第2エミッタ電極、表面第2電極6第2ゲート電極及びガード電極8が絶縁樹脂層10の表面に形成されている。半導体装置1Aにおいて、半導体基板2としては、Siシリコン基板、SiCシリコンカーバイド基板、GaNガリウムナイトライド基板等が挙げられ、耐熱性の観点からは、SiCシリコンカーバイド基板、GaNガリウムナイトライド基板が好ましい。半導体基板2の厚さは200μm以下、好ましくは30~200μmである。200μm以下であることで、薄型の半導体装置が得られる。半導体装置1Aにおいて、半導体チップの表面部は絶縁樹脂層10により封止されている。絶縁樹脂層10は、熱膨張率が2~21ppm/°Cの樹脂層を形成することができる絶縁性樹脂から構成されている。絶縁樹脂層10の熱膨張率を、半導体チップを構成する基板や金属等の熱膨張率と近い値にすることで、本発明の半導体装置を放熱基板等に金属接合する際に、半導体装置の反りを抑制することができる。また、半導体装置の使用時に半導体チップが発熱しても、半導体チップと絶縁樹脂層10間の熱応力差が低減され、接合面、封止面での剥離等の問題が解消される。特に、絶縁樹脂層10は半導体チップの表面部を封止することから、絶縁樹脂層10の熱膨張率は、半導体チップを構成する半導体基板10の熱膨張率に近い値であることが好ましい。例えば、半導体基板としてSiC基板を用いる場合は、絶縁樹脂層10は、熱膨脹率が2~8ppm/°Cの樹脂層を形成する絶縁性樹脂から構成されることが好ましく、4~6ppm/°Cがより好ましい。また、絶縁樹脂層10を構成する絶縁性樹脂の弾性率は2~8GPaが好ましい。後述するように、絶縁樹脂層に対して、薄化処理が行われるが、このとき、弾性率が8Gpaを越えると樹脂が硬く脆くなり、切削時に表面荒れを起こすおそれがある。一方、弾性率が2Gpaを下回ると切削時に樹脂が伸びやすくなり、加工速度が低下するおそれや、綺麗な加工がしにくくなるおそれがある。また、前記絶縁性樹脂層10を構成する絶縁性樹脂は、ガラス転移温度Tgが300°C以上であることが好ましい。絶縁性樹脂のガラス転移温度Tgが300°C以上であることで、耐熱性に優れる半導体装置が得られる。絶縁樹脂層10を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂及びポリベンズオキサゾール樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、電気的特性、機械的特性、及び耐熱性に優れ、さらに、目的の熱膨張率を有する絶縁樹脂層を容易に得ることができることから、ポリイミド樹脂が好ましい。上記の熱膨張率を有するポリイミドを合成する方法としては、剛直構造の芳香族テトラカルボン酸又はその酸無水物と剛直構造芳香族ジアミンとを重縮合させることによってポリアミド酸を合成し、次いで熱イミド化、化学イミド化等の手法でポリイミド樹脂に変換する方法が挙げられる。また、熱膨脹率の制御は、柔軟構造の芳香族テトラカルボン酸又はその酸無水物、柔軟構造の芳香族ジアミンを必要に応じで共重合することで達成できる。ここで、剛直構造とは、運動性が低く、自身では湾曲できない、棒状の剛直鎖を形成していることを意味し、柔軟構造とは、前記剛直構造ではないことを意味する。剛直構造の芳香族テトラカルボン酸等としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ベンゼン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,5,8-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-テトラクロロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,4,4-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2,3,3-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3,4-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス2,3-ジカルボキシフェニル-プロパン二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニル-プロパン二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルエーテル二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルエーテル二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、1,1-ビス2,3-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、1,1-ビス3,4-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、ペリレン-2,3,8,9-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-4,5,10,11-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-5,6,11,12-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,7,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,9,10-テトラカルボン酸二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物及びその水添加物;シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2,2,2]オクタ-7-エン-2-エキソ,3-エキソ,5-エキソ,6-エキソテトラカルボン酸2,3:5,6-二無水物、ビシクロ[2,2,1]ヘプタン-2-エキソ,3-エキソ,5-エキソ,6-エキソテトラカルボン酸2,3:5,6-二無水物等の脂環式酸二無水物;ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物等の複素環誘導体酸二無水物;これらに対応するテトラカルボン酸等が挙げられる。これらの中でも、熱膨張率と残留応力が小さく、銅基板等との密着性に優れる膜をより簡便に得られることから、本発明においては、剛直構造の芳香族テトラカルボン酸等として、ピロメリット酸、ピロメリット酸二無水物PMDA、ビフェニルテトラカルボン酸、及びビフェニルテトラカルボン酸二無水物s-BPDAからなる群より選ばれる少なくとも1種を使用することが好ましい。剛直構造の芳香族ジアミンとしては、例えば、4,4’-ジアミノベンズアニリド、4,4’-ジアミノ-2,2’-ジトリフルオロメチルビフェニル、2,2’-ジp-アミノフェニル-5,5’-ビスベンゾオキサゾール、2,2’-ジp-アミノフェニル-6,6’-ビスベンゾオキサゾール、2,2’-ジp-アミノフェニル-5,5’-ビスベンズイミダゾール、3,6-4-アミノフェニルピリダジン、4,4’-ジアミノベンズアニリド、p-フェニレンジアミンPPDA、4,4’-ジアミノビフェニル、m-フェニレンジアミン、1-イソプロピル-2,4-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジアミノジフェニルエーテル、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、ベンジジン、4,4-ジアミノ-p-テルフェニル、3,3-ジアミノ-p-テルフェニル、ビスp-アミノシクロヘキシルメテン、ビスp-β-アミノ-t-ブチルフェニルエーテル、ビスp-β-メチル-δ-アミノペンチルベンゼン、p-ビス2-メチル-4-アミノペンチルベンゼン、p-ビス1,1-ジメチル-5-アミノペンチルベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビスβ-アミノ-t-ブチルトルエン、2,4-ジアミノトルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン等が挙げられる。これらの中でも、2,2’-ジp-アミノフェニル-5,5’-ビスベンゾオキサゾール略称=NPN、2,2’-ジp-アミノフェニル-6,6’-ビスベンゾオキサゾール略称=OPO、2,2’-ジp-アミノフェニル-5,5’-ビスベンズイミダゾール、3,6-p-アミノフェニルピリダジン略称=DAPPZ、4,4’-ジアミノベンズアニリド略称=DABAが特に好ましい。熱膨脹率を制御するために用いられる、柔軟構造の芳香族テトラカルボン酸又はその酸無水物としては、例えば、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDA等の2つ以上の芳香族環が、カルボニル基>C=Oや酸素原子-O-により結合した構造の芳香族テトラカルボン酸等が挙げられる。柔軟構造ジアミンとしては、例えば、2,5-ビス4-アミノベンゾイルチオフェン等の主鎖のヘテロ環に結合する置換基の結合位置がオルト位やメタ位となる構造を含有するジアミン;オキシジアニリン等の主鎖にエーテル構造を含有するジアミン;1,3-ジアミノプロピル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン等の主鎖にシロキサン構造を有するジアミン等が挙げられる。そのほかの柔軟構造ジアミンの具体例としては、4,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルプロパン、4,4’-ジアミノジフェニルエタン、3,3’-ジアミノジフェニルエタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、及び3,3’-ジアミノジフェニルメタンなどが挙げられる。次に、絶縁樹脂層を形成する際に用いられるポリイミド樹脂の製造方法の一例を示す。1.シリコン基板と熱膨脹率を合わせたポリイミド樹脂の合成反応器に、2,2’-ジp-アミノフェニル-6,6’-ビスベンゾオキサゾール27.28g0.0652モル、1,3-ジアミノプロピル1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン0.5g0.002モル、並びに溶剤として、N,N-ジメチルアセトアミド100g、及びN-メチル-2-ピロリドン100gを投入し、混合溶液とした。この溶液に、氷冷攪拌下、3,3’-4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物20.6g0.07モルを粉体のまま加え、氷冷下で2時間攪拌したのち、さらに室温で2時間攪拌した。次いで、反応液に、5-アミノテトラゾール0.0056モルを加え、室温で24時間攪拌することによりポリアミド酸ワニスを得た。このワニスをシリコン基板上に塗工後、最終キュア温度400°C1時間で製膜した。得られた膜の熱膨脹率は4.5ppm/°C、ガラス転移温度Tgは400°C以上であった。この膜はシリコン基板と強い密着性を示すことから、半導体基板としてシリコン基板を用いる場合、この樹脂は絶縁樹脂層の形成用の樹脂として有用である。また、この膜は、SiC基板の熱膨脹率に近く、SiC基板への応用にも適している。基板密着性を確保する目的で適宜、基板をカップリング剤処理することは有効である。カップリング剤としては、一般的なシランカップリング剤、アルミカップリング剤、チタネート系カップリング剤などが使用できる。シランカップリング剤処理は簡便で効果的である。2.銅と熱膨脹率を合わせたポリイミド樹脂の合成反応器に、2,2’-ジp-アミノフェニル-6,6’-ビスベンゾオキサゾール20.25g0.048モル、2,5-ビスp-アミノベンゾイルチオフェン6.06g0.0188モル、並びに溶剤として、N,N-ジメチルアセトアミド100g、及びN-メチル-2-ピロリドン100gを投入し、混合溶液とした。この溶液に、氷冷攪拌下、3,3’-4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物20.6g0.07モルを粉体のまま加え、氷冷下で2時間攪拌したのち、さらに室温で2時間攪拌した。次いで、反応液に、5-アミノテトラゾール0.476g0.0056モルを加え、室温で24時間攪拌することによりポリアミド酸ワニスを得た。このワニスを銅基板上に塗工後、最終キュア温度350°C1時間で製膜した。得られた膜の熱膨脹率は14.7ppm/°C、ガラス転移温度Tgは350°C以上であった。この膜は銅基板と強い密着性を示すことから、表面第1電極や表面第2電極を銅で形成するときに、この樹脂は絶縁樹脂層の形成用の樹脂として有用である。3.DBC基板と熱膨脹率を合わせたポリイミド樹脂の合成反応器に、2,2’-ジp-アミノフェニル-6,6’-ビスベンゾオキサゾール25.87g0.0618モル、2,5-ビスp-アミノベンゾイルチオフェン0.866g0.0027モル、並びに溶剤としてN,N-ジメチルアセトアミド100g、及びN-メチル-2-ピロリドン100gを投入し、混合溶液とした。この溶液に、氷冷攪拌下、ピロメリット酸二無水物15.3g0.07モルを粉体のまま加え、氷冷下で2時間攪拌したのち、さらに室温で2時間攪拌した。次いで、反応液に、5-アミノテトラゾール0.4760.0056モルを加え、室温で24時間攪拌することによりポリアミド酸ワニスを得た。このワニスを銅基板上に塗工後、最終キュア温度350°C1時間で製膜した。得られた膜の熱膨脹率は8.2ppm/°C、ガラス転移温度Tgは350°C以上であった。この膜はDBC基板の熱膨脹率と近い。また銅との強い密着性を示す。半導体素子の表面第1電極や表面第2電極を銅で形成し、この素子をDBC基板に金属接合する半導体素子の絶縁樹脂層の形成用の樹脂として有用である。また、絶縁樹脂層10が、感光性ポリイミド前駆体を用いて形成されたポリイミド樹脂から構成されていてもよい。後述するように、感光性ポリイミド前駆体を用いることで、ダイシングラインや貫通ビアホールを容易に開口することができる。このポリイミド樹脂としては、特開2004-285129号公報に記載された感光性ポリイミド前駆体を含有する感光性ポリイミド樹脂組成物本明細書において、感光性ポリイミド前駆体を含有する樹脂組成物を、感光性ポリイミド樹脂組成物という。を用いて形成されるもの等が挙げられる。半導体装置1Aにおいて、裏面電極9は、図示を省略する銅貼り基板と金属接合されていてもよい。裏面電極9が銅貼り基板と金属接合された構造とすることで、半導体チップの裏面側からも放熱させることができる。ここで金属接合とは、高温通常300°C以上、好ましくは400°C以上条件下においても接合部位の溶融破断が起きない耐熱金属接合をいう。金属接合の方法としては、ナノ金粒子、ナノ銀粒子、ナノ銅粒子等のナノ金属粒子により直接接合する方法、耐熱温度300°C以上の高耐熱ハンダにより接合する方法、高周波接合により金属同士を接合する方法等が挙げられる。半導体装置1Aにおいて、表面第2電極5と表面第2電極6は、貫通ビア7を介して、それぞれ、表面第1電極3と表面第1電極4とに接続されている。このように、貫通ビアを利用する構造を採用することで薄型化が達成される。また、表面第2電極5と表面第2電極6は放熱機能も兼ね備えることになる。上述のように、裏面電極9が銅貼り基板と金属接合された構造とし、かつ、貫通ビアを利用する構造を採用して表面第2電極5と表面第2電極6に放熱機能をも付与することですなわち、裏面電極と表面第2電極とからなる両面放熱構造とする、高い放熱性が達成された半導体装置を得ることができる。貫通ビア7は、例えば、めっき法又は金属ポスト材を用いる金属接合法により形成することができる。貫通ビア7を形成する材料としては、銅、アルミニウム、タングステン、パラジウム、金等が挙げられる。貫通ビア7の設置断面積の合計は、表面第1電極エミッタ電極3とゲート電極4の断面積の合計に対して、25~50が好ましく、25~35がより好ましい。貫通ビア7の設置断面積の合計が25以上であることで、十分な導電性を得ることができる。加えて、表面第1電極表面で発生する熱を表面第2電極面に効率よく伝達することができ、デバイス表面の温度上昇による変換効率の低下や、熱応力発生による半導体チップの劣化を抑制することができる。一方、貫通ビア7の設置断面積の合計が50以下であることで、貫通ビアの形成にかかるコストを抑えることができる。半導体装置1Aにおいて、絶縁樹脂層10の表面には、表面第2電極5、6に加えて、ガード電極8が形成されている。ガード電極8は、絶縁樹脂層10表面上の少なくとも外周部に、表面第2電極5,6を取り囲むように形成されている。このように、ガード電極8が、表面第2電極5,6を取り囲むように形成されているため、絶縁体の表面漏れ電流をより効率よく低減させることができる。ガード電極8と表面第2電極5、6の面積の合計は、裏面電極9の面積に対して、50以上100未満が好ましく、65~98がより好ましい。ガード電極と表面第2電極5、6の面積の合計が、裏面電極の面積に対して50以上であることで、高温条件化における半導体装置の反りを抑制することができる。このため、半導体装置の使用時に半導体チップが発熱しても、半導体チップと絶縁樹脂層10間の熱応力差が低減され、接合面、封止面での剥離等の問題が解消される。図1に示す半導体装置1Aのごとく、表面ゲート電極を絶縁樹脂層10表面上の少なくとも外周部に、表面第2電極5、6を取り囲むように形成することにより、表面第2電極5、6の面積を増加させることなく、表面第2電極5、6の面積及び表面ゲート電極8の面積の合計を増加させることができ、結果として、高温条件化における半導体装置の反りを抑制することができる。半導体装置1Aとは、表面第2電極や貫通ビアの配置が異なる半導体装置の一例を図2に示す。図2中、aは、半導体装置1Bを上から見た図であり、bは、aにおけるX-Yの断面を横から見た図である。半導体装置1Bは、2つの表面第2電極5第2エミッタ電極、1つの表面第2電極6第2ゲート電極及び1つのガード電極8を有している。図2に示す半導体装置1Bも、半導体チップの表面側に形成された表面第1電極と、前記半導体チップの裏面側に形成された裏面電極とを有し、前記半導体チップを構成する半導体基板の厚さが200μm以下である半導体装置である。そして、前記半導体チップの表面上の全面に形成された絶縁樹脂層の熱膨脹率は2~21ppm/°Cであって、前記絶縁樹脂層表面上の内周部に形成された表面第2電極と、前記絶縁樹脂層表面上の少なくとも外周部に、前記表面第2電極を取り囲むように形成されたガード電極と、及び前記絶縁樹脂層内を貫通し、前記表面第1電極と前記表面第2電極とを接続する1又は2以上の貫通ビアとを有している。図2に示す半導体装置1Bも、小型、薄型で、反りがなく、放熱性に優れる半導体装置である。本発明の半導体装置は、図1,2に示す半導体装置に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲で、半導体基板の種類、表面第1電極、裏面電極、絶縁樹脂層、表面第2電極、ガード電極、貫通ビアの形状や配置などを自由に変更することができる。2半導体装置の製造方法本発明の半導体装置の製造方法は、以下の工程1~6を有することを特徴とする。工程1表面第1電極が形成された半導体基板の前記表面第1電極上に、1又は2以上の貫通ビア形成用金属ポストを形成する工程工程2工程1の後、前記貫通ビア形成用金属ポストを覆うように、前記半導体基板表面に、熱膨脹率が2~21ppm/°Cの絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成用樹脂を塗布し、300~450°Cで加熱して絶縁樹脂層を形成する工程工程3工程2の後、前記絶縁樹脂層表面を薄化処理して、絶縁樹脂層を平坦化し、貫通ビア形成用金属ポストの上面を露出させる工程工程4工程3の後、前記絶縁樹脂層上に、表面第2電極及びガード電極を形成する工程工程5半導体基板の裏面の薄板化処理により、半導体基板の厚みを200μm以下にする工程工程6工程5の後、前記半導体基板の裏面に裏面電極を作成する工程また、前記工程1~6の後に半導体基板をダイシングにより個片化する工程を有していてもよい。前記工程1における貫通ビア形成用金属ポストを形成する方法としては、例えば、めっき法や金属ポスト材を用いる金属接合法が挙げられる。前記工程1の貫通ビア形成用金属ポストをめっき法によって形成する場合は、例えば、以下の工程1a~1dをこの順で有する工程によって、前記金属ポストを形成することができる。工程1a表面第1電極が形成された半導体基板の表面にめっきレジスト膜を成膜する工程工程1b前記表面第1電極の所定部が露出するように、めっきレジスト膜に開口部を設ける工程工程1c前記開口部に金属を充填し、貫通ビア形成用金属ポストを形成する工程工程1dめっきレジスト膜を除去する工程前記工程1の貫通ビア形成用金属ポストを金属接合法によって形成する場合は、例えば、表面第1電極が形成された半導体基板の前記表面第1電極上に、貫通ビア形成用金属ポストを金属接合により形成することによって、前記金属ポストを形成することができる。前記工程2において用いる絶縁樹脂層形成用樹脂としては、先に半導体装置の項で列記したものと同様のものを使用することができる。また、あらかじめダイシングラインを開口させる場合には、工程2に代えて以下の工程2aを行ってもよい。工程2a前記絶縁樹脂層形成用樹脂として感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて成膜し、次いで、ダイシングラインが露出するように、得られた膜に開口部を設けた後、300~450°Cで加熱して絶縁樹脂層を形成する工程前記工程3における薄化処理としては、例えば、切削法や研磨法が挙げられ、これらを組み合わせてもよい。工程4における表面第2電極及びガード電極を形成する方法としては、例えば、以下の工程4a及び4bを含む方法が挙げられる。工程4a工程3の後、前記絶縁樹脂層上の全面に金属膜を形成する工程工程4b工程4aの後、エッチング処理前に対して処理後の金属膜の面積が50以上となるように、前記金属膜のエッチング処理を行い、表面第2電極及びガード電極を形成する工程また、工程4a、4bに代えて、マスク蒸着法等を用いて、表面第2電極及びガード電極を形成してもよい。工程4~6の順番は、工程4の後に工程5、6を行ってもよく、工程4aの後に工程5、6を行い、次いで工程4bを行ってもよい。以下、本発明の半導体装置の製造方法を、図面を参照しながらより具体的に説明する。めっきレジスト膜を成膜して、めっき法により貫通ビアを形成する工程を有する半導体装置の製造方法を図3に示す。図3中、図3a~eが上記工程1工程1a~工程1d、図3fが工程2、図3gが工程3、図3hが工程4、図3iが工程5、図3jが工程6のそれぞれを説明する図である。なお、本発明の半導体装置の製造方法は、この工程に記載のものに限定されない。工程1a:先ず、図3aに示すように、表面第1電極図示を省略を有する半導体素子12が形成されたシリコン基板11aを用意する。次いで、図3bに示すように、表面第1電極図示を省略を有する半導体素子12が形成されたシリコン基板11a上にめっきレジスト13を成膜する。塗工膜厚はめっき厚みを考慮して決定できる。通常はめっき厚みが30~60μm厚になるようにすると良い。また、めっきレジスト13を成膜する代わりに、めっき対応感光性シートを用いてもよい。工程1b:図3cに示すように、めっきレジスト13をパターニングすることにより必要な部位に貫通ビアホール14aを開口する。このとき、表面第1電極上を開口することが好ましい。工程1c:図3dに示すように、前記貫通ビアホール14a内をめっきにより金属を充填し、貫通ビア形成用金属ポスト14を形成する。めっきの方法は特に制限されないが、電解めっき法を用いることが好ましい。工程1d:図3eに示すように、めっき終了後、常法によりめっきレジストを除去する。また、必要に応じて、前記貫通ビア形成用金属ポスト14の表面には、めっき法や蒸着法等によってニッケルやクロム等の保護金属膜を形成してもよく、蒸着法等によってSiO2膜やSiN膜等の無機パッシベーション膜を形成してもよい。なお、図3a~eに示す工程の代わりに、金属ポスト材を表面第1電極に金属接合することで、同様の貫通ビア形成用金属ポスト14を形成してもよい。工程2:図3fに示すように、基板11a上全体に貫通ビア形成用金属ポスト14が埋め込まれるように絶縁樹脂層形成用樹脂を塗布し、300~450°Cで加熱して絶縁樹脂層15を形成し、半導体素子12と前記金属ポスト14を封止する。このとき、絶縁樹脂層15がポリイミド樹脂から構成される場合、熱イミド化300~450°Cのキュア温度でめっき充填物貫通ビア形成用金属ポスト14も同時にアニールされる。したがって、貫通ビア形成用金属ポスト14と表面第1電極との密着性向上、貫通ビアの強度向上、貫通ビアの電気伝導性向上、貫通ビアと絶縁樹脂層15との密着性向上等が達成される。工程3:図3gに示すように、基板11aを台座図示を省略に固定して、絶縁樹脂層15の表面を薄化加工し、絶縁樹脂層15の厚みを均一にするとともに、貫通ビア形成用金属ポスト14の上面を露出させる。薄化加工の加工法については特に制限されない。例えば、切削法や研磨法が挙げられ、これらを組み合わせてもよい。なかでも、切削法は加工速度に優れるため好ましい。切削法においては、公知の切削加工機例えば、DiSCO社製、サーフェイスブレーナーDFS8920等を用いることができる。工程4:図3hに示すように、切削面に金属膜を形成し、パターン化することで表面第2電極16を形成する。金属膜の形成方法は特に制限されない。例えば、スパッタ蒸着法によって金属膜を形成することができる。パターン化の方法としては、上記のように金属膜をエッチング処理する方法工程4a、4b等が挙げられる。工程5:図3iに示すように、金属膜面を固定して基板11aの裏面を切削、研磨して薄板化する。工程6:図3jに示すように、薄板化された基板11bの裏面に裏面電極17を形成する。このとき、表面第2電極16と裏面電極17の金属膜は残留応力が均等になるように膜組成、膜厚を調整して製膜するのが好ましい。両面金属箔の残留応力を調整することで、基板11aを薄板化した後であっても、基板の反りを抑制することができる。上記工程1~6を終えた後、図3kに示すように、ダイシングにより半導体チップを個別化する。個別化しても薄板状基板11bに対して上限の残留応力が均等化しているので半導体チップの平坦化が維持されている。図3に示す工程によれば、絶縁樹脂層15の熱膨張率の制御と、表面第2電極16の存在により、半導体基板を薄板化した後であっても、半導体基板の反りを抑制することができる。感光性ポリイミド前駆体膜を利用して、ダイシングラインを開口する工程を有する半導体装置の製造方法を図4に示す。図4中、図4aが工程1、図4b、cが工程2工程2a、図4dが工程3、図4eが工程4、図4fが工程5、図4gが工程6のそれぞれを説明する図である。工程1:先ず、図4aに示すように、図3a~eを用いて先に説明したものと同様の方法や、金属ポスト材を表面第1電極に金属接合する方法により、貫通ビア形成用金属ポスト14を形成する。工程2a:図4bに示すように、基板11a上全体に貫通ビア形成用金属ポスト14が埋め込まれるように感光性ポリイミド樹脂組成物を塗布し、50~100°Cでプリベークして感光性ポリイミド前駆体膜18を形成する。次いで、図4cに示すように、感光性ポリイミド前駆体膜18をパターニングすることにより、ダイシングラインを露出させるように開口する。その後300~450°Cで加熱して絶縁樹脂層15を形成し、半導体素子12と前記金属ポスト14を封止する。工程3:図4dに示すように、絶縁樹脂層15の表面を薄化加工する。具体的には、先に図3gを用いて説明した方法を用いることができる。工程4:図4eに示すように、表面第2電極16を形成する。具体的には、先に図3hを用いて説明した方法を用いることができる。工程5:図4fに示すように、金属膜面を固定して基板11aの裏面を切削、研磨して薄板化する。工程6:図4gに示すように、薄板化された基板11bの裏面に裏面電極17を形成する。近年のダイシング工程においては、工程の簡略化や精度の観点からダイシングラインを開口することが求められることがある。図4に記載される製造方法によれば、レジスト膜を用いることなく、容易にダイシングラインを開口することができる。また、感光性ポリイミド前駆体膜は、貫通ビアホールを形成するために利用することもできる。なお、この場合、上記工程1~3に代えて、先に絶縁樹脂層形成用樹脂感光性ポリイミド樹脂組成物を塗布し、次いで金属ポストを形成する工程を行うことになる。この方法により、本発明の半導体装置を製造する方法を図5に示す。図5中、図5a~dが工程1~3に代えて行う工程、図5eが工程4、図5fが工程5、図5gが工程6のそれぞれを説明する図である。先ず、図5aに示すように、表面第1電極図示せずを有する半導体素子12が形成された基板11aを用意する。次いで、図5bに示すように、基板11a上全体に感光性ポリイミド樹脂組成物を塗布し、50~100°Cでプリベークして感光性ポリイミド前駆体膜18を形成する。その後、図5cに示すように、感光性ポリイミド前駆体膜18をパターニングすることにより必要な部位に貫通ビアホール14aを開口する。このとき、表面第1電極上を開口することが好ましい。次に、図5dに示すように、300~450°Cで加熱して絶縁樹脂層15を形成し、前記貫通ビアホール14a内をめっきにより金属を充填し、貫通ビア形成用金属ポスト14を形成し、最後に、絶縁樹脂層15の表面を薄化加工により平坦化する。工程4:図5eに示すように、表面第2電極16を形成する。具体的には、先に図3hを用いて説明した方法を利用することができる。工程5:図5fに示すように、金属膜面を固定して基板11aの裏面を切削、研磨して薄板化する。工程6:図5gに示すように、薄板化された基板11bの裏面に裏面電極17を形成する。図5に記載される製造方法によれば、レジスト膜を成膜することなく、めっき法により貫通ビアを形成することができる。"